(57)【要約】【課題】支持基体と半導体基板との密着性を高めた半導体集積装置を提供する。【解決手段】表面上に半導体集積回路２２が形成された半導体基板１０と、半導体基板１０にエポキシ樹脂層３２及びアクリル樹脂層５０−１，５０−２を介して固着された支持基体１４とを含み、アクリル樹脂層５０−１，５０−２は１μｍ以上１０μｍ以下の合計膜厚を有することを特徴する半導体集積装置によって上記課題を解決できる。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面上に半導体集積回路が形成された半導体基板と、
前記半導体基板にエポキシ樹脂層及びアクリル樹脂層を介して固着された支持基体と、を含む半導体集積装置であって、
前記アクリル樹脂層は、１μｍ以上１０μｍ以下の膜厚を有することを特徴する半導体集積装置。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体集積装置において、
第１のアクリル樹脂層と、
前記第１のアクリル樹脂層と前記エポキシ樹脂層との間に前記第１のアクリル樹脂層と異なるアクリル樹脂材料からなる第２のアクリル樹脂層と、
を含むことを特徴とする半導体集積装置。
【請求項３】
請求項２に記載の半導体集積装置において、
前記第２のアクリル樹脂層は、前記エポキシ樹脂と架橋反応を実質上起こさないアクリル樹脂材料からなることを特徴とする半導体集積装置。
【請求項４】
請求項２又は３に記載の半導体集積装置において、
前記第２のアクリル樹脂層は、前記第１のアクリル樹脂層よりも硬化収縮が小さいアクリル樹脂材料からなることを特徴とする半導体集積装置。
【請求項５】
請求項２〜４のいずれか１つに記載の半導体集積装置において、
前記第２のアクリル樹脂層は、前記第１のアクリル樹脂層よりも硬化後の硬度が高いアクリル樹脂材料からなることを特徴とする半導体集積装置。
【請求項６】
請求項２〜５のいずれか１つに記載の半導体集積装置において、
前記第２のアクリル樹脂層は、前記第１のアクリル樹脂層よりもガス透過性が低いアクリル樹脂材料からなることを特徴とする半導体集積装置。
【請求項７】
表面上に半導体集積回路が形成された半導体基板上に１μｍ以上１０μｍ以下の膜厚のアクリル樹脂層を積層する第１の工程と、
前記アクリル樹脂層上にエポキシ樹脂層を積層する第２の工程と、
前記アクリル樹脂層及びエポキシ樹脂層を介して前記半導体基板に支持基体を固着する第３の工程と、
を含むことを特徴とする半導体集積装置の製造方法。
【請求項８】
請求項７に記載の半導体集積装置の製造方法において、
前記第１の工程は、
第１のアクリル樹脂層と、
前記第１のアクリル樹脂層上に前記第１のアクリル樹脂層と異なるアクリル樹脂材料からなる第２のアクリル樹脂層と、
を積層する工程を含むことを特徴とする半導体集積装置の製造方法。
【請求項９】
請求項８に記載の半導体集積装置の製造方法において、
前記第２のアクリル樹脂層として、前記エポキシ樹脂と架橋反応を実質上起こさないアクリル樹脂材料を積層することを特徴とする半導体集積装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項８又は９に記載の半導体集積装置の製造方法において、
前記第２のアクリル樹脂層として、前記第１のアクリル樹脂層よりも硬化収縮が小さいアクリル樹脂材料を積層することを特徴とする半導体集積装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項８〜１０のいずれか１つに記載の半導体集積装置の製造方法において、
前記第２のアクリル樹脂層として、前記第１のアクリル樹脂層よりも硬化後の硬度が高いアクリル樹脂材料を積層することを特徴とする半導体集積装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項８〜１１のいずれか１つに記載の半導体集積装置の製造方法において、
前記第２のアクリル樹脂層として、前記第１のアクリル樹脂層よりもガス透過性が低いアクリル樹脂材料を積層することを特徴とする半導体集積装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、支持基体と半導体基板との密着性を高めた半導体集積装置及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、半導体集積装置のチップサイズを小型化するために、チップサイズパッケージが広く用いられるようになっている。特に、ＣＣＤ固体撮像素子の分野では、カメラの小型化の要求に応じてチップサイズパッケージが適用されたＣＣＤ固体撮像素子が広く用いられるようになっている。
【０００３】
図３は、チップサイズパッケージを採用した半導体集積装置の一例である。図３（ａ）及び（ｂ）は、それぞれチップサイズパッケージの半導体集積装置を表面側及び裏面側から投射した斜視図である。
【０００４】
表面上に半導体集積回路が構成された半導体基板１０は、絶縁樹脂１２を介して、上部支持基体１４及び下部支持基体１６によって挟み込まれるように封止されている。ＣＣＤ固体撮像素子のように半導体基板１０の表面に光を導く必要がある場合には、上部支持基体１４はガラスによって構成される。半導体基板１０からは外部配線１８が引き出され、下部支持基体１６の主面、すなわち、半導体集積装置の裏面に向けて配線される。一方、下部支持基体１６の主面には、ボール状端子２０が複数配置される。これら複数のボール状端子２０の各々に各外部配線１８が接続され、半導体基板１０の表面上の半導体集積回路と外部とのコンタクトを可能としている。
【０００５】
図４に、半導体集積装置をチップサイズパッケージとして形成する製造方法のフローを示す。また、図５に、チップサイズパッケージの半導体集積装置の断面構造を示す。
【０００６】
半導体基板１０の表面には、複数の半導体集積回路２２が形成される。半導体基板１０の表面には、後に素子を分割する際のスクライブラインとなる隣接する半導体素子の境界を跨ぐように、絶縁膜２４を介してパッド電極２６が形成される。このパッド電極２６は、絶縁膜２４を貫通するコンタクトホールを介して半導体集積回路２２と電気的に接続される（Ｓ１０）。次に、絶縁膜２４及びパッド電極２６のスクライブライン上を除く領域に表面保護膜としてアクリル樹脂層３０が積層される（Ｓ１２）。アクリル樹脂層３０上には、エポキシ樹脂層３２が塗布され、上部支持基体１４が接着される。一方、半導体基板１０は下部支持基体１６側からスクライブラインに沿ってエッチングされ、半導体基板１０の裏面側にパッド電極２６が露出される。半導体基板１０の裏面にはエポキシ樹脂３４が塗布され、下部支持基体１６が接着される。下部支持基体１６には、さらに緩衝部材３６が形成される（Ｓ１４）。この緩衝部材３６は、ボール状端子２０に掛かる応力を和らげるクッションの役割を果たす。
【０００７】
次に、ダイシングソーを用いて、スクライブラインに沿って下部支持基体１６側から切削を行い、逆Ｖ字型のノッチ（切り欠き溝）３８を形成して、そのノッチ３８の内部側面にパッド電極２６の端部４０が露出される（Ｓ１６）。その後、下部支持基体１６の外部表面及びノッチ３８の内面に金属膜が形成され、その金属膜は、パッド電極２６と緩衝部材３６までのコンタクトを取るための外部配線１８としてパターニングされる（Ｓ１８）。さらに、保護膜４４及びボール状端子２０が形成され（Ｓ２０）、ダイシングソー等を用いてスクライブラインに沿って分断されることによってチップサイズにパッケージングされた半導体集積装置が完成する（Ｓ２２）。
【０００８】
【非特許文献１】
“ＰＲＯＤＵＣＴＳ”、［ｏｎｌｉｎｅ］、ＳＨＥＬＬＣＡＳＥ社、［平成１４年１０月１日検索］、インターネット＜ＵＲＬ  ｈｔｔｐ：／／ｗｗｗ．ｓｈｅｌｌｃａｓｅ．ｃｏｍ／ｐａｇｅｓ／ｐｒｏｄｕｃｔｓ−ｓｈｅｌｌＯＰ−ｐｒｏｃｅｓｓ．ａｓｐ＞
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記従来構造のチップサイズパッケージの半導体集積装置では、上部支持基体１４とエポキシ樹脂層３２との間で部分的に剥離が生ずる問題があった。特に、ＣＣＤ固体撮像素子に対してチップサイズパッケージングを適用した場合、ガラス等からなる上部支持基体１４とエポキシ樹脂層３２との間で剥離を生ずると、被写体からの入射光に歪が生ずる等の悪影響が及ぶ問題があった。
【００１０】
本発明は、上記従来技術の問題を鑑み、支持基体と半導体基板との密着性を改善し、動作の信頼性を高めた半導体集積装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決できる本発明は、表面上に半導体集積回路が形成された半導体基板と、前記半導体基板にエポキシ樹脂層及びアクリル樹脂層を介して固着された支持基体と、を含む半導体集積装置であって、前記アクリル樹脂層は、１μｍ以上１０μｍ以下の膜厚を有することを特徴する半導体集積装置である。
【００１２】
上記本発明の半導体集積装置において、第１のアクリル樹脂層と、前記第１のアクリル樹脂層と前記エポキシ樹脂層との間に前記第１のアクリル樹脂層と異なるアクリル樹脂材料からなる第２のアクリル樹脂層とを含むことが好適である。
【００１３】
ここで、前記第２のアクリル樹脂層は、前記エポキシ樹脂と架橋反応を実質上起こさないアクリル樹脂材料からなることが好適である。また、前記第２のアクリル樹脂層は、前記第１のアクリル樹脂層よりも硬化収縮が小さいアクリル樹脂材料からなることが好適である。さらに、前記第２のアクリル樹脂層は、前記第１のアクリル樹脂層よりも硬化後の硬度が高いアクリル樹脂材料からなることが好適である。さらに、前記第２のアクリル樹脂層は、前記第１のアクリル樹脂層よりもガス透過性が低いアクリル樹脂材料からなることも好適である。
【００１４】
上記課題を解決できる本発明は、表面上に半導体集積回路が形成された半導体基板上に１μｍ以上１０μｍ以下の膜厚のアクリル樹脂層を積層する第１の工程と、前記アクリル樹脂層上にエポキシ樹脂層を積層する第２の工程と、前記アクリル樹脂層及びエポキシ樹脂層を介して前記半導体基板に支持基体を固着する第３の工程とを含むことを特徴とする半導体集積装置の製造方法である。
【００１５】
上記本発明の半導体集積装置の製造方法において、前記第１の工程は、第１のアクリル樹脂層と、前記第１のアクリル樹脂層上に前記第１のアクリル樹脂層と異なるアクリル樹脂材料からなる第２のアクリル樹脂層とを積層する工程を含むことが好適である。
【００１６】
ここで、前記第２のアクリル樹脂層として、前記エポキシ樹脂と架橋反応を実質上起こさないアクリル樹脂材料を積層することが好適である。また、前記第２のアクリル樹脂層として、前記第１のアクリル樹脂層よりも硬化収縮が小さいアクリル樹脂材料を積層することが好適である。さらに、前記第２のアクリル樹脂層として、前記第１のアクリル樹脂層よりも硬化後の硬度が高いアクリル樹脂材料を積層することが好適である。さらに、前記第２のアクリル樹脂層として、前記第１のアクリル樹脂層よりもガス透過性が低いアクリル樹脂材料を積層することも好適である。
【００１７】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の形態における半導体集積装置について図１を参照して詳細に説明する。
【００１８】
図１は、本実施の形態におけるチップサイズパッケージを適用した半導体集積装置１００の断面図を示す。ここでは、半導体集積装置１００の各部の構成や膜厚等は説明を明確かつ簡単にできるように強調して示している。
【００１９】
半導体基板１０の表面上には、半導体集積化プロセスを用いて半導体集積回路２２が形成されている。半導体集積回路２２にＣＣＤ固体撮像素子の撮像部等の光電変換素子が含まれる場合には、半導体集積回路２２の表面領域にマイクロレンズやカラーフィルター等を設けても良い。半導体基板１０上には絶縁膜２４が積層され、その絶縁膜２４を貫通するコンタクトホールを介して半導体集積回路２２の配線と接続されたパッド電極２６が形成されている。
【００２０】
絶縁膜２４及びパッド電極２６の一部には、半導体集積回路２２の表面を保護するために第１のアクリル樹脂層５０−１及び第２のアクリル樹脂層５０−２が順に積層されている。さらに、半導体基板１０の表面側には、エポキシ樹脂層３２を介して、上部支持基体１４が固着される。ここで、エポキシ樹脂層３２は、半導体基板１０と上部支持基体１４との接着材として用いられている。また、半導体基板１０上に形成されている半導体集積回路２２がＣＣＤ固体撮像素子のように被写体からの光を必要とするものである場合には、上部支持基体１４はガラス等の光透過性が高い材料から構成することができる。
【００２１】
一方、半導体基板１０の裏面側には、エポキシ樹脂層３４を介して、下部支持基体１６が固着されている。
【００２２】
パッド電極２６は、半導体集積回路２２から半導体集積装置１００の外部への引き出し配線となる。パッド電極２６の端部は、半導体基板１０の側面に露出され、半導体集積装置１００の裏面に形成された緩衝部材３６まで外部配線１８によって延伸され、緩衝部材３６上に設けられたボール状端子２０と外部配線１８を介して接続されている。さらに、半導体集積装置１００の側面及び裏面は、ボール状端子２０を除く領域に、外部配線１８の腐食等を防ぐための保護膜４４によって覆われる。
【００２３】
本実施の形態における半導体集積回路１００では、絶縁膜２４及びパッド電極２６の一部を覆うように設けられたアクリル樹脂層に特徴がある。
【００２４】
第１のアクリル樹脂層５０−１と第２のアクリル樹脂層５０−２の合計膜厚は１μｍ以上１０μｍ以下であることが好ましい。合計膜厚の下限は、エポキシ樹脂層３２と上部支持基体１４との界面における密着性に対する半導体集積回路２２の表面上の凹凸を小さくする観点から規定される。すなわち、合計膜厚が１μｍ以下の場合には、半導体集積回路２２の表面の凹凸形状がアクリル樹脂層５０−１，５０−２の表面まで引き継がれ、アクリル樹脂層５０−１，５０−２上に積層されるエポキシ樹脂層３２と上部支持基体１４との間で部分的に剥離を引き起こす要因となる。一方、合計膜厚の上限は、製造プロセスからの要求によって規定される。すなわち、合計膜厚を１０μｍ以上とするためには、アクリル樹脂層５０−１，５０−２を多数回繰り返して塗布する必要を生じ、製造コストも増加する。
【００２５】
以上のような観点からは、アクリル樹脂層の合計膜厚が１μｍ以上１０μｍ以下であれば、第１のアクリル樹脂層５０−１又は第２のアクリル樹脂層５０−２のいずれか一層のみであっても良い。すなわち、アクリル樹脂層の合計膜厚が１μｍ以上であれば、アクリル樹脂層が一層のみであっても、エポキシ樹脂層３２を厚く形成することによってエポキシ樹脂層３２の表面の凹凸形状が平坦化され、エポキシ樹脂層３２と上部支持基体１４との剥離を抑制できる。
【００２６】
また、第１のアクリル樹脂層５０−１の材質は特に規定されるものではないが、加熱等に伴う脱ガスが少ない材料から構成することが好ましい。さらに、エポキシ樹脂層３２と上部支持基体１４との密着性に対する半導体集積回路２２の表面上の凹凸からの影響を低減するために、第１のアクリル樹脂層５０−１は濡れ性が高い材料とすることが好ましい。特に、第１のアクリル樹脂層５０−１が第２のアクリル樹脂層５０−２よりも厚い場合には、第１のアクリル樹脂層５０−１の濡れ性は第２のアクリル樹脂層５０−２の濡れ性よりも高くすることが好適である。
【００２７】
また、第２のアクリル樹脂層５０−２の材質は、その上に積層されるエポキシ樹脂層３２と化学反応を起こしにくい材料から構成することが好ましい。特に、第２のアクリル樹脂層５０−２にカルボキシル基が含まれるとエポキシ樹脂層３２と架橋反応を起こし易くなるため、第２のアクリル樹脂層５０−２としては第１のアクリル樹脂層５０−１よりもカルボキシル基の含有量が少ない材料を用いることが好適である。
【００２８】
また、第１のアクリル樹脂層５０−１からの不要なガスがエポキシ樹脂層３２と上部支持基体１４との界面に拡散してその密着性へ悪影響を及ぼすことを防ぐために、第２のアクリル樹脂層５０−２は第１のアクリル樹脂層５０−１よりもガス透過性が低い材料を用いることが好ましい。
【００２９】
さらに、アクリル樹脂層５０−１，５０−２自体の硬化によって、エポキシ樹脂層３２と上部支持基体１４との密着性が低下することを防ぐために、第２のアクリル樹脂層５０−２は第１のアクリル樹脂層５０−１よりも硬化収縮が小さい材料を用いることが好ましい。
【００３０】
また、第２のアクリル樹脂層５０−２は第１のアクリル樹脂層５０−１よりも硬化後の硬度が高い材料を用いることが好ましい。
【００３１】
特に、濡れ性が高いアクリル材料を第１のアクリル樹脂層５０−１として使用した場合には、第２のアクリル樹脂層５０−２よりも膜厚を厚くすることが好ましい。濡れ性が高いアクリル材料は表面の凹凸を平滑化し易く、そのためアクリル材料を塗り重ねることによって厚膜化が容易である。このように、濡れ性が高いアクリル材料は容易に厚膜化することができ、エポキシ樹脂層３２と上部支持基体１４との界面に対する半導体集積回路２２の表面上の凹凸からの影響をより効果的に低減することができる。例えば、第１のアクリル樹脂層５０−１の膜厚を１μｍ以上とした場合には、濡れ性の低い第２のアクリル樹脂層５０−２の膜厚を０．１μｍ以上１μｍ以下とすることができる。
【００３２】
以上の構成を含む本実施の形態における半導体集積装置では、エポキシ樹脂層３２と上部支持基体１４との間の剥離を抑制することができる。これは、アクリル樹脂層５０−１，５０−２の表面上における凹凸の低減、アクリル樹脂層５０−２によるエポキシ樹脂層３２との化学反応の抑制、アクリル樹脂層５０−１，５０−２からエポキシ樹脂層３２と上部支持基体１４との界面への脱ガスの低減、アクリル樹脂層５０−１，５０−２の硬化収縮による装置内部での応力の低減等の作用によって得られるものと推察される。
【００３３】
次に、本発明の実施の形態における半導体集積装置の製造方法について図２を参照して詳細に説明する。図２には、スクライブラインとなる境界を跨ぐように多数の半導体集積回路を半導体基板（半導体ウェハ）上に形成し、最終的にスクライブラインに沿って分断することによってチップサイズパッケージに封止された半導体集積装置を形成する工程を示している。ここでは、説明を明確かつ簡単に行うために、２つの隣り合う半導体集積回路の境界付近を拡大した断面模式図で製造方法の各工程を示している。
【００３４】
ステップＳ３０では、半導体基板１０の表面領域に半導体集積回路２２が形成される。半導体基板１０としてはシリコン基板を用いることができ、半導体集積回路２２は既存のプレーナ技術等を用いて形成することができる。さらに、半導体基板１０の表面上に絶縁膜２４を形成する。絶縁膜２４は、例えば、シリコン酸化膜とすることができる。フォトリソグラフィ技術等を用いて、絶縁膜２４の所定の箇所に絶縁膜２４を貫通するコンタクトホールが形成され、半導体集積回路２２の配線と接続されるようにパッド電極２６が形成される。パッド電極２６は、隣り合う半導体集積回路２２の境界となるスクライブラインを跨いで形成される。
【００３５】
ここで、ＣＣＤ固体撮像素子の撮像部のように半導体集積回路２２に光電変換素子が含まれる場合には、半導体集積回路２２上にマイクロレンズアレイやカラーフィルター層を形成しても良い。
【００３６】
ステップＳ３２では、絶縁膜２４及びパッド電極２６のスクライブライン付近を除く表面領域上に第１のアクリル樹脂層５０−１及び第２のアクリル樹脂層５０−２が順に積層される。このとき、メタルマスク等でマスキングを行い、その遮蔽領域以外にアクリル樹脂層５０−１，５０−２を形成することができる。また、既存のフォトリソグラフィ技術やエッチング技術を組み合わせてアクリル樹脂層５０−１，５０−２のパターニングを行っても良い。
【００３７】
第１のアクリル樹脂層５０−１としては、加熱等に伴う脱ガスが少なく、第２のアクリル樹脂層５０−２のよりも高い濡れ性を有するアクリル樹脂材料を用いる。
【００３８】
第２のアクリル樹脂層５０−２は第１のアクリル樹脂層５０−１上に積層される。このとき、第２のアクリル樹脂層５０−２による効果をより効果的に発揮するためには、第１のアクリル樹脂層５０−１が形成された領域に合わせて第２のアクリル樹脂層５０−２を積層することが好ましい。
【００３９】
また、第２のアクリル樹脂層５０−２の材質は、その上に積層されるエポキシ樹脂層３２と化学反応を起こしにくい材料から構成することが好ましい。特に、第１のアクリル樹脂層５０−１よりもカルボキシル基の含有量が少ない材料を用いることが好適である。
【００４０】
また、第１のアクリル樹脂層５０−１よりもガス透過性が低い材料を用いることも好ましい。さらに、第１のアクリル樹脂層５０−１よりも硬化収縮が小さい材料を用いることが好ましい。
【００４１】
またさらに、第１のアクリル樹脂層５０−１よりも硬化後の硬度が高い材料を用いることが好ましい。
【００４２】
第１のアクリル樹脂層５０−１と第２のアクリル樹脂層５０−２とを積層する際に、その合計膜厚は１μｍ以上１０μｍ以下とする。特に、第１のアクリル樹脂層５０−１として濡れ性が高いアクリル材料を使用した場合には、第２のアクリル樹脂層５０−２よりも厚く、その膜厚を１μｍ以上とすることが好ましい。この場合、第２のアクリル樹脂層５０−２の膜厚は０．１μｍ以上１μｍ以下とすることができる。
【００４３】
ステップＳ３４では、アクリル樹脂層５０−１，５０−２上にエポキシ樹脂層３２が塗布され、上部支持基体１４が接着される。一方、半導体基板１０は下部側からスクライブラインに沿ってエッチングされ、半導体基板１０の裏面側にパッド電極２６が露出される。
【００４４】
例えば、半導体基板１０としてシリコン基板が用いられている場合には、フッ化水素酸、酢酸等の混合溶液を用いた化学的エッチングによってエッチングを行うことができる。また、化学的エッチングを用いる前に、機械的研磨を用いて半導体基板１０の厚さを薄くしておくことも好適である。
【００４５】
半導体基板１０の裏面にはエポキシ樹脂３４が塗布され、下部支持基体１６が接着される。下部支持基体１６の主面、すなわち、半導体集積装置の裏面側には緩衝部材３６が形成される。この緩衝部材３６は、ボール状端子２０に掛かる応力を和らげるクッションの役割を果たす。
【００４６】
ステップＳ３６では、ダイシングソー等の切削手段を用いて、スクライブラインに沿って下部支持基体１６側から切削が行われる。下部支持基体１６、エポキシ樹脂層３４、パッド電極２６、エポキシ樹脂層３２及び上部支持基体１４に逆Ｖ字型のノッチ（切り欠き溝）３８が形成される。そのノッチ３８の内部側面にパッド電極２６の端部４０が露出される。
【００４７】
なお、ステップＳ３０において、スクライブラインを介して所望の間隔を有するように一対のパッド電極を用意しておき、本ステップＳ３６では、一対のパッド電極の端部が露出するように切削するものであっても良い。
【００４８】
ステップＳ３８では、下部支持基体１６の外部表面及びノッチ３８の内面に金属膜が形成され、その金属膜がパッド電極２６と緩衝部材３６までのコンタクトを取るための外部配線１８としてパターニングされる。パターニングには、既存のフォトリソグラフィ技術やエッチング技術を用いることができる。
【００４９】
ステップＳ４０では、保護膜４４及びボール状端子２０が形成される。保護膜４４としてはＥＶＡ材などの有機材料を用いることができる。また、ボール状端子２０は、ボール状のハンダ材を緩衝部材３６が設けられた領域に設置し、加熱によるリフローを行うことで形成することができる。
【００５０】
ステップＳ４２では、ダイシングソー等を用いてスクライブラインに沿って分断することによって、本実施の形態における半導体集積装置が完成する。
【００５１】
なお、本発明の適用範囲は本実施の形態に限られるものではない。アクリル樹脂層、エポキシ樹脂層及び支持基体の関係を保つ限りにおいて、本発明の効果を奏することができる。
【００５２】
また、アクリル樹脂層の合計膜厚が１μｍ以上１０μｍ以下であれば、第１のアクリル樹脂層５０−１又は第２のアクリル樹脂層５０−２のいずれか一層のみであっても良い。すなわち、アクリル樹脂層の合計膜厚が１μｍ以上であれば、アクリル樹脂層が一層のみであっても、エポキシ樹脂層３２を厚く形成することによってエポキシ樹脂層３２の表面の凹凸形状が平坦化され、エポキシ樹脂層３２と上部支持基体１４との剥離を抑制できる。一方、合計膜厚が１０μｍ以上となると、製造プロセスにおいてアクリル樹脂材料の塗布を繰り返す必要が生じ、製造コストも増加する。
【００５３】
また、アクリル樹脂層をさらに３層以上の多層構造としても同様の効果を得ることができる。また、アクリル樹脂層とエポキシ樹脂層の間に他の層を介しても良い。
【００５４】
【発明の効果】
本発明によれば、チップサイズパッケージを適用した半導体集積装置において、支持基体と半導体基板との密着性を改善することができる。これによって、半導体集積装置の動作の信頼性を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態における半導体集積装置の断面構造を示す図である。
【図２】本発明の実施の形態における半導体集積装置の製造方法のフロー図である。
【図３】チップサイズパッケージが適用された半導体集積装置の概観を示す図である。
【図４】従来の半導体集積装置の製造方法のフロー図である。
【図５】従来の半導体集積装置の断面構造を示す図である。
【符号の説明】
１０  半導体基板、１２  絶縁樹脂、１４  上部支持基体、１６  下部支持基体、１８  外部配線、２０  ボール状端子、２２  半導体集積回路、２４  絶縁膜、２６  パッド電極、３０  アクリル樹脂層、３２，３４  エポキシ樹脂層、３６  緩衝部材、３８  ノッチ、４０  パッド電極の端部、４４  保護膜、５０−１，５０−２  アクリル樹脂層、１００  半導体集積装置。
【図１】
2004281962.tif 000003
【図２】
2004281962.tif 000004
【図３】
2004281962.tif 000005
【図４】
2004281962.tif 000006
【図５】
2004281962.tif 000007