(57)【要約】【課題】被処理基板の衝突を回避すると共に、一方の処理を行っている最中においても、他方の処理を行うことにより、処理部の利用率の向上を図り、処理を効率的に行う基板処理装置を提供する。【解決手段】前記搬入部３０に第一の被処理基板と第二の被処理基板が交互に搬入され、前記搬送手段２２が、搬入された前記第一の被処理基板を第一の複数の基板処理部（３１〜３６）に搬送した後、次に搬入された第二の被処理基板を第二の複数の基板処理部（３７〜４１）に搬送し、該第二の被処理基板を搬送した後、次に搬入された第一の被処理基板を第一の複数の基板処理部（３１〜３６）に搬送する。【選択図】　　　図１
2004087878.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一の被処理基板に対して第一の処理を行う第一の複数の基板処理部と、第二の被処理基板に対して第二の処理を行う第二の複数の基板処理部と、前記第一の複数の基板処理部で第一の被処理基板を搬送すると共に、第二の複数の基板処理部で第二の被処理基板を搬送する搬送手段と、前記第一の複数の基板処理部と第二の複数の基板処理部の前段に、第一、第二の被処理基板を搬入するために設けられた搬入部とを備え、
第一の処理手順に従って複数の第一の被処理基板と、第二の処理手順に従って複数の第二の被処理基板とを処理する基板処理装置の制御方法において、
前記搬入部に第一の被処理基板と第二の被処理基板が交互に搬入され、
前記搬送手段が、搬入された前記第一の被処理基板を第一の複数の基板処理部に搬送した後、次に搬入された第二の被処理基板を第二の複数の基板処理部に搬送し、該第二の被処理基板を搬送した後、次に搬入された第一の被処理基板を第一の複数の基板処理部に搬送する動作を少なくとも含むように制御されること特徴とする基板処理装置の制御方法。
【請求項２】
前記第一の複数の基板処理部と第二の複数の基板処理部の後段に、第一、第二の被処理基板を搬出するための搬出部が設けられ、前記搬出部から第一の被処理基板と第二の被処理基板が交互に搬出されること特徴とする請求項３に記載された基板処理装置の制御方法。
【請求項３】
前記搬送手段が、
第一の被処理基板を搬送し第一の処理手順に従って第一の複数の基板処理部にアクセスしている間に、第二の被処理基板が搬入部に搬送され、
第一の複数の基板処理部にアクセス終了後、前記搬入部にアクセスして、該第二の被処理基板を搬送し、
第二の被処理基板を搬送し第二の処理手順に従って第二の複数の基板処理部にアクセスしている間に、第一の被処理基板が搬入部に搬送される
ことを特徴とする請求項１に記載された基板処理装置の制御方法。
【請求項４】
第一の被処理基板に対して第一の処理を行う第一の複数の基板処理部と、第二の被処理基板に対して第二の処理を行う第二の複数の基板処理部と、前記第一の複数の基板処理部で第一の被処理基板を搬送する第一の搬送手段と、第二の複数の基板処理部で第二の被処理基板を搬送する第二の搬送手段と、
前記第一の搬送手段から第二の搬送手段に被処理基板を渡す受け渡し部と、前記第二の搬送手段から第一の搬送手段に被処理基板を渡す受け渡し部と、前記第一の複数の基板処理部と第二の複数の基板処理部の前段に、第一、第二の被処理基板を搬入するために設けられた搬入部とを備え、
第一の処理手順に従って複数の第一の被処理基板と、第二の処理手順に従って複数の第二の被処理基板とを処理する基板処理装置の制御方法において、
前記搬入部に第一の被処理基板と第二の被処理基板が交互に搬入され、
前記第一の搬送手段が、搬入された前記第一の被処理基板を第一の複数の基板処理部に搬送した後、次に搬入された第二の被処理基板を受け渡し部に搬送し、該第二の被処理基板を搬送した後、次に搬入された第一の被処理基板を第一の複数の基板処理部に搬送する動作を少なくとも含むように制御されること特徴とする基板処理装置の制御方法。
【請求項５】
前記第一の複数の基板処理部と第二の複数の基板処理部の後段に、第一、第二の被処理基板を搬出するための搬出部が設けられ、前記搬出部に、第一の被処理基板と第二の被処理基板が交互に搬出されること特徴とする請求項４に記載された基板処理装置の制御方法。
【請求項６】
前記第一の搬送手段が、
第一の被処理基板を搬送し第一の処理手順に従って第一の複数の基板処理部にアクセスしている間に、第二の被処理基板が搬入部に搬送され、
前記第二の被処理基板を搬送部から受け渡し部に搬送すると共に、第二の搬送手段からウエハを受け取るウエハ受け渡し部にアクセスし、受け取ったウエハを搬出部に搬送する間に、第一の被処理基板が搬入部に搬送される
ことを特徴とする請求項４に記載された基板処理装置の制御方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、異なる基板処理がなされる被処理基板を循環搬送して、効率よく処理する基板処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
例えば、半導体デバイスの製造プロセスにおいては、被処理基板である半導体ウエハ（以下、「ウエハ」という）に、所定の膜を成膜した後、フォトレジスト液を塗布してレジスト膜を形成し、回路パターンに対応してレジスト膜を露光し、これを現像処理するという、いわゆるフォトリソグラフィー技術により回路パターンを形成している。
【０００３】
このフォトリソグラフィー技術における一連の工程を実施するために、レジスト塗布・現像処理装置が用いられている。このようなレジスト塗布・現像装置は、処理ステーションと、カセットステーションと、インターフェイス部とが設けられている。
前記処理ステーションは、ウエハに塗布、現像のための各種処理を施すための各種処理ユニットが多段に配置された構成を備えている。また、前記カセットステーションは、複数のウエハを収納するカセットが載置され、ウエハを一枚ずつ処理ステーションに搬入し、また処理後のウエハを処理ステーションから搬出しカセットに収納する構成を備えている。更に、前記インターフェイス部は、この装置に隣接して設けられた露光装置との間でウエハの受け渡しを行う構成を備えている。尚、前記露光装置は、レジスト膜を所定のパターンに露光する装置である。
【０００４】
このようなレジスト塗布・現像処理装置にあっては、カセットステーションに載置されたカセットからウエハを一枚ずつ取り出し、処理ステーションに搬送し、所定の処理が施され後、フォトレジスト塗布ユニットにてレジスト膜が塗布される。その後、ウエハは、処理ステーションからインターフェイス部を介して露光装置に搬送されて、露光装置にてレジスト膜に所定のパターンが露光される。露光後のウエハは、インターフェイス部を介して、再度処理ステーションに搬送され、露光されたウエハに対し、所定の処理後、現像処理ユニットにて現像液が塗布されて露光パターンが現像される。
そして、一連の処理が終了した後、ウエハは、カセットステーションに搬送されて、カセットに収容される。
【０００５】
ところで、前記したような基板処理装置にあっては、ウエハに対してレジスト塗布処理、露光処理、現像処理の一連の工程を順次行う場合ほか、レジスト塗布処理のみ、あるいは現像処理のみなされる場合ある。
このように、二つの異なる処理（レジスト塗布処理と現像処理）を行う場合について、図６に基づいて更に説明する。
図６は、レジスト塗布処理（コーティング処理）を行うロットをＡとし、そのロットにおけるウエハをＡ−１、Ａ−２、Ａ−３、Ａ−４、Ａ−５とし、５枚のウエハをレジスト塗布処理する場合を示している。なお、これらウエハＡ−１〜Ａ−５は、予めカセット（ＵＮＣ１）に収納されている。
また、現像処理を行うロットをＢとし、そのロットにおけるウエハをＢ−１、Ｂ−２、Ｂ−３、Ｂ−４、Ｂ−５とし、５枚のウエハを現像処理する場合を示している。なお、これらウエハＢ−１〜Ｂ−５も、ウエハＡ−１〜Ａ−５と同様に、予めカセット（ＵＮＣ１）に収納されている。
【０００６】
前記レジスト塗布処理は、図６のコーティングフローＡに示されるように、以下の流れで処理される。
先ず、カセット（ＵＮＣ１）から搬出されたウエハは、処理ステーションの搬入部（ＴＲＳ）を介して搬入され、疎水処理部（ＡＤＨ）において疎水処理がなされる。その後、クーリング処理部（ＣＰＬ）で冷却され、引き続き、レジスト塗布処理部（ＣＯＴ）で塗布膜が形成される。塗布終了後、ウエハは加熱処理部（ＬＨＰ）でプリベーク処理され、クーリング処理部（ＣＰＬ）で冷却され、処理ステーションの搬出部（ＴＣＰ）を介して搬出され、カセットステーションのカセット（ＵＮＣ１）に戻される。
【０００７】
一方、前記現像処理は、図６の現像フローＢに示されるように、以下の流れで処理される。
先ず、カセット（ＵＮＣ２）から搬出されたウエハは、処理ステーションの搬入部（ＴＲＳ）を介して搬入され、加熱冷却処理部（ＣＨＰ）においてポストエクスポージャーベーク処理（加熱処理）と冷却処理をなした後、クーリング処理部（ＣＰＬ）で冷却され、引き続き、現像処理部（ＤＥＶ）で現像処理される。現像後、ウエハは加熱処理部（ＬＨＰ）でベーク処理され、クーリング処理部（ＣＰＬ）で冷却され、処理ステーションの搬出部（ＴＣＰ）を介して搬出され、カセットステーションのカセット（ＵＮＣ２）に戻される。
なお、前記処理ステーションの搬入部（ＴＲＳ）、および搬入部（ＴＣＰ）は、二つの異なる処理（レジスト塗布処理と現像処理）において、共通に用いられている。
【０００８】
更に、図６に基づいてロットＡとロットＢの各ウエハの処理を順を追って説明する。
先ず、カセットステーションに設けられたウエハ搬送装置により、カセットステーションのロットＡのカセット（ＵＮＣ１）からウエハＡ−１が搬出されて、処理ステーションの搬入部（ＴＲＳ）に置かれる（フェーズ１）。
続いて、処理ステーションに設けられたウエハ搬送装置により、搬入部（ＴＲＳ）に置かれたウエハＡ−１が搬送されて、疎水処理部（ＡＤＨ）に置かれ、疎水処理がなされる。一方、カセットステーションに設けられたウエハ搬送装置により、カセットステーションのロットＡのカセット（ＵＮＣ１）からウエハＡ−２が搬出されて、処理ステーションの搬入部（ＴＲＳ）に置かれる（フェーズ２）。
【０００９】
更に続いて、処理ステーションに設けられたウエハ搬送装置により、搬入部（ＴＲＳ）に置かれたウエハＡ−２が搬送されて疎水処理部（ＡＤＨ）に置かれる。また、前記疎水処理部（ＡＤＨ）に置かれていたウエハＡ−１は、ウエハ搬送装置により、クーリング処理部（ＣＰＬ）に搬送される。そして、ウエハＡ−２は疎水処理、ウエハＡ−１は冷却処理がなされる。
一方、カセットステーションに設けられたウエハ搬送装置により、カセットステーションのロットＡのカセット（ＵＮＣ１）からウエハＡ−３が搬出されて、処理ステーションの搬入部（ＴＲＳ）に置かれる（フェーズ３）。
このようにして、順次、ウエハＡ−１からＡ−５は、搬入部（ＴＲＳ）から搬入され、処理ステーションの各処理部において所定の処理がなされ、搬出部（ＴＣＰ）からカセット（ＵＮＣ１）に順次戻される。
【００１０】
そして、ロットＡの全てのウエハがカセット（ＵＮＣ１）に戻された（フェーズ１２）後、カセットステーションに設けられたウエハ搬送装置により、カセットステーションのロットＢのカセット（ＵＮＣ２）からウエハＢ−１が搬出されて、処理ステーションの搬入部（ＴＲＳ）に置かれる（フェーズ１３）。
続いて、処理ステーションに設けられたウエハ搬送装置により、搬入部（ＴＲＳ）に置かれたウエハＢ−１が搬送されて、加熱冷却処理部（ＣＨＰ）に置かれ、加熱冷却処理がなされる。
一方、カセットステーションに設けられたウエハ搬送装置により、カセットステーションのロットＢのカセット（ＵＮＣ２）からウエハＢ−２が搬出されて、処理ステーションの搬入部（ＴＲＳ）に置かれる（フェーズ１４）。
【００１１】
更に続いて、処理ステーションに設けられたウエハ搬送装置により、搬入部（ＴＲＳ）に置かれたウエハＢ−２が搬送されて、加熱冷却処理部（ＣＨＰ）に置かれ、加熱冷却処理部（ＣＨＰ）に置かれていたウエハＢ−１は、クーリング処理部（ＣＰＬ）に置かれる。そして、ウエハＢ−２は加熱冷却処理部（ＣＨＰ）で加熱冷却され、またウエハＢ−１はクーリング処理部（ＣＰＬ）で冷却される。
一方、カセットステーションに設けられたウエハ搬送装置により、カセットステーションのロットＢのカセット（ＵＮＣ２）からウエハＢ−３が搬出されて、処理ステーションの搬入部（ＴＲＳ）に置かれる（フェーズ１５）。
このようにして、順次、ウエハＢ−１からＢ−５は、搬入部（ＴＲＳ）から搬入され、処理ステーションの各処理部において所定の処理がなされ、搬出部（ＴＣＰ）からカセット（ＵＮＣ２）に戻される。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】
上記のように、レジスト塗布処理のみ、あるいは現像処理のみのように、二つの異なる処理を行う場合、処理ステーションの搬入部（ＴＲＳ）、および搬入部（ＴＣＰ）が共通して用いられるため、ウエハ（被処理基板）の衝突を回避する必要から、一方の処理が完全に終了した後、他の一方の処理を行っていた。
その結果、一方の処理を行っている間は、他方の処理部は稼動しないため、その利用率が低く、図６に示す場合にあってはフェーズ２４に相当する時間を必要とし、処理を効率的に行うことができないという技術的課題があった。
【００１３】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、被処理基板の衝突を回避すると共に、一方の処理を行っている最中においても、他方の処理を行うことにより、処理部の利用率の向上を図り、処理を効率的に行う基板処理装置を提供することを目的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
前記した目的を達成するためになされたこの発明にかかる基板処理装置の制御方法は、第一の被処理基板に対して第一の処理を行う第一の複数の基板処理部と、第二の被処理基板に対して第二の処理を行う第二の複数の基板処理部と、前記第一の複数の基板処理部で第一の被処理基板を搬送すると共に、第二の複数の基板処理部で第二の被処理基板を搬送する搬送手段と、前記第一の複数の基板処理部と第二の複数の基板処理部の前段に、第一、第二の被処理基板を搬入するために設けられた搬入部とを備え、第一の処理手順に従って複数の第一の被処理基板と、第二の処理手順に従って複数の第二の被処理基板とを処理する基板処理装置の制御方法において、前記搬入部に第一の被処理基板と第二の被処理基板が交互に搬入され、前記搬送手段が、搬入された前記第一の被処理基板を第一の複数の基板処理部に搬送した後、次に搬入された第二の被処理基板を第二の複数の基板処理部に搬送し、該第二の被処理基板を搬送した後、次に搬入された第一の被処理基板を第一の複数の基板処理部に搬送する動作を少なくとも含むように制御されること特徴としている。
【００１５】
このように、前記搬入部に第一の被処理基板と第二の被処理基板が交互に搬入され、前記搬送手段が、搬入された前記第一の被処理基板を第一の複数の基板処理部に搬送した後、次に搬入された第二の被処理基板を第二の複数の基板処理部に搬送し、該第二の被処理基板を搬送した後、次に搬入された第一の被処理基板を第一の複数の基板処理部に搬送する。
即ち、搬送手段が、第一の被処理基板の搬送と、第二の被処理基板の搬送を交互に行うため、被処理基板の衝突を回避すると共に、第一の処理を行っている最中においても、第二の処理を行うことができ、基板処理部の利用率の向上を図り、処理を効率的に行うことができる。
【００１６】
ここで、前記第一の複数の基板処理部と第二の複数の基板処理部の後段に、第一、第二の被処理基板を搬出するための搬出部が設けられ、前記搬出部から第一の被処理基板と第二の被処理基板が交互に搬出されることが望ましい。
【００１７】
また、前記搬送手段が、第一の被処理基板を搬送し第一の処理手順に従って第一の複数の基板処理部にアクセスしている間に、第二の被処理基板が搬入部に搬送され、第一の複数の基板処理部にアクセス終了後、前記搬入部にアクセスして、該第二の被処理基板を搬送し、第二の被処理基板を搬送し第二の処理手順に従って第二の複数の基板処理部にアクセスしている間に、第一の被処理基板が搬入部に搬送されることが望ましい。
このようになすことにより、タイムラグを極力抑制でき、スループットを向上させることができる。
【００１８】
また、前記した目的を達成するためになされたこの発明にかかる基板処理装置の制御方法は、第一の被処理基板に対して第一の処理を行う第一の複数の基板処理部と、第二の被処理基板に対して第二の処理を行う第二の複数の基板処理部と、前記第一の複数の基板処理部で第一の被処理基板を搬送する第一の搬送手段と、第二の複数の基板処理部で第二の被処理基板を搬送する第二の搬送手段と、前記第一の搬送手段から第二の搬送手段に被処理基板を渡す受け渡し部と、前記第二の搬送手段から第一の搬送手段に被処理基板を渡す受け渡し部と、前記第一の複数の基板処理部と第二の複数の基板処理部の前段に、第一、第二の被処理基板を搬入するために設けられた搬入部とを備え、第一の処理手順に従って複数の第一の被処理基板と、第二の処理手順に従って複数の第二の被処理基板とを処理する基板処理装置の制御方法において、前記搬入部に第一の被処理基板と第二の被処理基板が交互に搬入され、前記第一の搬送手段が、搬入された前記第一の被処理基板を第一の複数の基板処理部に搬送した後、次に搬入された第二の被処理基板を受け渡し部に搬送し、該第二の被処理基板を搬送した後、次に搬入された第一の被処理基板を第一の複数の基板処理部に搬送する動作を少なくとも含むように制御されること特徴としている。
【００１９】
このように、前記第一の複数の基板処理部で第一の被処理基板を搬送する第一の搬送手段と、第二の複数の基板処理部で第二の被処理基板を搬送する第二の搬送手段とが別々に設けられている場合にも、第一の搬送手段が、搬入部から第一の被処理基板の搬送と第二の被処理基板を交互に搬送する。そのため、被処理基板の衝突を回避すると共に、第一の処理を行っている最中においても、第二の処理を行うことができ、処理部の利用率の向上を図り、処理を効率的に行うことができる。
【００２０】
ここで、前記第一の複数の基板処理部と第二の複数の基板処理部の後段に、第一、第二の被処理基板を搬出するための搬出部が設けられ、前記搬出部に、第一の被処理基板と第二の被処理基板が交互に搬出されることが望ましい。
【００２１】
また、前記第一の搬送手段が、第一の被処理基板を搬送し第一の処理手順に従って第一の複数の基板処理部にアクセスしている間に、第二の被処理基板が搬入部に搬送され、前記第二の被処理基板を搬送部から受け渡し部に搬送すると共に、第二の搬送手段からウエハを受け取るウエハ受け渡し部にアクセスし、受け取ったウエハを搬出部に搬送する間に、第一の被処理基板が搬入部に搬送されることが望ましい。
このようになすことにより、タイムラグを極力抑制でき、スループットを向上させることができる。
【００２２】
【発明の実施の形態】
以下、図１乃至図３に基づいて、本発明の第一の実施形態について説明する。
なお、図１は本発明の第一の実施形態に係る基板処理装置を示す概念的平面図、図２は図１に示した基板処理装置のウエハ搬送装置の動作を説明するための概念図、図３は各処理のフローとタイムチャートを示す図である。
【００２３】
図１中、符号１はレジスト塗布・現像処理装置であって、このレジスト塗布・現像処理装置１は、カセットステーション１０と、複数の基板処理部を有する処理ステーション１１と、処理ステーション１１と隣接して設けられる図示しない露光装置との間でウエハＷを受け渡すためのインターフェイス部１２とを具備している。
上記カセットステーション１０は、被処理基板としてのウエハ（以下、単にウエハと記す）Ｗを複数枚例えば２５枚単位でウエハカセットＵＮＣに搭載された状態で他の装置からこの装置へ搬入またはこの装置から他の装置へ搬出したり、ウエハカセットＵＮＣと処理ステーション１１との間でウエハＷの搬送を行なうためのものである。
【００２４】
このカセットステーション１０においては、図１に示すように、載置台２０上に図中Ｘ方向に沿って複数（図では４個）の位置決め突起２０ａが形成されており、この突起２０ａの位置にウエハカセットＵＮＣがそれぞれのウエハＷ出入口を処理ステーション１１側に向けて一列に載置可能となっている。ウエハカセットＵＮＣにおいてはウエハＷが垂直方向（Ｚ方向）に配列されている。
【００２５】
また、カセットステーション１０は、載置台２０と処理ステーション１１との間に位置するウエハ搬送機構２１を有している。このウエハ搬送機構２１は、カセット配列方向（Ｘ方向）およびその中のウエハＷのウエハ配列方向（Ｚ方向）に移動可能なウエハ搬送アーム２１ａを有しており、このウエハ搬送アーム２１ａによりいずれかのウエハカセットＵＮＣに対して選択的にアクセス可能となっている。また、ウエハ搬送アーム２１ａは、θ方向に回転可能に構成されており、後述する処理ステーション１１側の搬入部（ＴＲＳ）３０および搬出部（ＴＣＰ）３１にアクセスできるようになっている。
【００２６】
上記処理ステーション１１は、ウエハＷに対して塗布・現像を行なう際の一連の工程を実施するための複数の基板処理部を備え、これらが所定位置に多段に配置されており、これらによりウエハＷが一枚ずつ処理される。なお、図１においては理解を容易にするため、複数の基板処理部を平面的に図示している。
この処理ステーション１１は図１に示すように、略中心部に搬送路２２ａを有し、この中にウエハ搬送機構２２が設けられ、搬送路２２ａの周りに全ての処理部が配置されている。このウエハ搬送機構２２は、前記搬入部（ＴＲＳ）３０、搬出部（ＴＣＰ）３１、処理ステーション１１の全ての処理部に対して、にアクセスできるようになっている。
また、ウエハ搬送機構２２は複数の保持部材２２ｂを備え、これら保持部材２２ｂによって各処理部間でのウエハＷの受け渡しを実現している。なお、図１には一つの保持部材のみ図示している。
【００２７】
また、処理ステーション１１には、レジスト塗布処理に用いられる、疎水処理を行う疎水処理部（ＡＤＨ）３２、冷却処理を行うクーリング処理部（ＣＰＬ）３３、レジスト塗布膜を形成するレジスト塗布処理部（ＣＯＴ）３４、プリベーク処理する加熱処理部（ＬＨＰ）３５、冷却処理するクーリング処理部（ＣＰＬ）３６が設けられている。
更に、処理ステーション１１には、現像処理に用いられる、ポストエクスジャーベーク処理（加熱処理）と冷却処理を行う加熱冷却処理部（ＣＨＰ）３７、冷却処理を行うクーリング処理部（ＣＰＬ）３８、現像処理を行う現像処理部（ＤＥＶ）３９、ベーク処理を行う加熱処理部（ＬＨＰ）４０、冷却処理するクーリング処理部４１が設けられている。
【００２８】
また、前記処理ステーション１１の内部にウエハＷを搬入するための搬入部（ＴＲＳ）３０、および処理ステーション１１からウエハＷを搬出するための搬出部（ＴＣＰ）３１が設けられている。これら搬入部（ＴＲＳ）３０、および搬出部（ＴＣＰ）３１は、レジスト塗布処理と現像処理において共通に用いられる。なお、図１中、符号４２、４３は後述する露光装置にウエハＷを搬出する搬出部、および前記露光装置からウエハＷを搬入する搬入部である。
【００２９】
また、前記インターフェイス部１２は、奥行方向（Ｘ方向）については、処理ステーション１１と同じ長さを有している。このインターフェイス部１２の正面部には、可搬性のピックアップカセットＣＲと定置型のバッファカセットＢＲが２段に配置され、背面部には周辺露光装置２３が配設され、中央部には、ウエハ搬送機構２４が配設されている。このウエハ搬送機構２４は、ウエハ搬送用アーム２４ａを有しており、このウエハ搬送用アーム２４ａは、Ｘ方向、Ｚ方向に移動して両カセットＣＲ、ＢＲおよび周辺露光装置２３にアクセス可能となっている。また、このウエハ搬送用アーム２４ａは、θ方向に回転可能であり、処理ステーション１１の搬出部４２、および搬入部４３にアクセス可能となっている。
【００３０】
次に、図２に基づいて、処理ステーション１１におけるウエハ搬送機構２２のアクセスの順番について説明する。
図２に示すように、ウエハ搬送機構２２は、搬入部（ＴＲＳ）３０にアクセスし、その後、レジスト塗布処理の順番、即ち疎水処理を行う疎水処理部（ＡＤＨ）３２にアクセスし（Ｓ１）、更に、冷却処理を行うクーリング処理部（ＣＰＬ）３３にアクセスする（Ｓ２）。
その後、レジスト塗布膜を形成するレジスト塗布処理部（ＣＯＴ）３４にアクセスし（Ｓ３）、プリベーク処理する加熱処理部（ＬＨＰ）３５にアクセスし（Ｓ４）、更に冷却処理するクーリング処理部（ＣＰＬ）３６にアクセスし（Ｓ５）、搬出部（ＴＣＰ）３１にアクセスする（Ｓ６）する。
【００３１】
そして、ウエハ搬送機構２２は再び、搬入部（ＴＲＳ）３０にアクセスし、その後、現像処理の順番、即ちポストエクスジャーベーク処理（加熱処理）と冷却処理を行う加熱冷却処理部（ＣＨＰ）３７にアクセス（Ｓ７）する。その後、冷却処理されるクーリング処理部（ＣＰＬ）３８にアクセス（Ｓ８）し、現像処理を行う現像処理部（ＤＥＶ）３９にアクセス（Ｓ９）する。更に、ベーク処理を行う加熱処理部（ＬＨＰ）にアクセス（Ｓ１０）し、冷却処理するクーリング処理部（ＣＰＬ）４１にアクセス（Ｓ１１）し、搬出部（ＴＣＰ）３１にアクセスする（Ｓ１２）。
【００３２】
このように、ウエハ搬送機構２２は一定の順序で基板処理部にアクセスし、ウエハＷを基板処理部に搬送する。そして、一のウエハＷを基板処理部に搬送した際、該基板処理部に先行する他のウエハＷが存在する場合には、一のウエハを該基板処理部に置くと共に、先行する他のウエハＷを保持し、次の基板処理部に搬送するように構成されている。
【００３３】
次に、二つの異なる処理（レジスト塗布処理と現像処理）を行う場合について、図３に基づいて説明する。
図３は、図６に対応する図であり、レジスト塗布処理を行うロットをＡとし、そのロットＡにおけるウエハをＡ−１、Ａ−２、Ａ−３、Ａ−４、Ａ−５とし、５枚のウエハをフォトレジスト処理する場合を示している。また同様に、現像処理を行うロットをＢとし、そのロットＢにおけるウエハをＢ−１、Ｂ−２、Ｂ−３、Ｂ−４、Ｂ−５とし、５枚のウエハをフォトレジスト処理する場合を示している。なお、前記ウエハＡ−１〜Ａ−５、ウエハＢ−１〜Ｂ−５は、予めカセット（ＵＮＣ１）、カセット（ＵＮＣ２）に収納されている。
【００３４】
ここで、図３に示すように、前記レジスト塗布処理されるロットＡにおけるウエハＡ−１、Ａ−２、Ａ−３、Ａ−４、Ａ−５は、図３のコーティングフローＡから明らかなように、従来のレジスト塗布処理と同一の流れで処理される。また、前記現像処理されるロットＢにおけるウエハＢ−１、Ｂ−２、Ｂ−３、Ｂ−４、Ｂ−５は、図３の現像フローＢから明らかなように、従来の現像処理と同一の流れで処理される。
【００３５】
しかしながら、従来の場合とは、ロットＡのウエハとロットＢのウエハの搬送の順序が大きく異なるため、この搬送順序について詳細に説明する。
先ず、カセットステーション１０に設けられたウエハ搬送機構２１により、カセットステーション１０のロットＡのカセット（ＵＮＣ１）からウエハＡ−１が搬出されて、処理ステーション１１の搬入部（ＴＲＳ）３０に置かれる（フェーズ１）。
また、カセット（ＵＮＣ１）からウエハＡ−１が搬出された旨の制御信号をウエハ搬送機構２２に送出する。
【００３６】
続いて、ウエハ処理ステーション１１に設けられたウエハ搬送機構２２は、該制御信号を受けて搬入部（ＴＲＳ）３０に置かれたウエハＡ−１を搬送し、疎水処理部（ＡＤＨ）３２に置く。該ウエハＡ−１は疎水処理が施される。
前記ウエハ搬送機構２２は、疎水処理部（ＡＤＨ）３２にアクセスした後、図２に示すＳ２〜Ｓ６のアクセスを行った後、再び、搬入部（ＴＲＳ）３０にアクセスする。
なお、搬送するウエハがなく、しかも疎水処理部（ＡＤＨ）３２以降の基板処理部にウエハがない場合には、それら処理部に対するアクセスは省略しても良い。
一方、カセットステーション１０に設けられたウエハ搬送装置２１により、カセットステーションのロットＡのカセット（ＵＮＣ１）からウエハＡ−２が搬出されて、処理ステーションの搬入部（ＴＲＳ）３０に置かれる（フェーズ２の前半）。また、カセット（ＵＮＣ１）からウエハＡ−１が搬出された旨の制御信号をウエハ搬送機構２２に送出する。
【００３７】
そして、ウエハＡ−１の疎水処理がなされると（搬入部（ＴＲＳ）３０にウエハ搬送機構２２が再びアクセスすると）、搬入部（ＴＲＳ）３０のウエハＡ−２を該ウエハ搬送機構２２が疎水処理部（ＡＤＨ）３２に搬送し、疎水処理部（ＡＤＨ）３２にあるウエハＡ−１と入れ替え、ウエハＡ−２を疎水処理部（ＡＤＨ）３２に置く。続いて、該ウエハ搬送機構２２は、ウエハＡ−１をクーリング処理部（ＣＰＬ）３３に搬送する。前記ウエハＡ−１はクーリング処理される（フェーズ３の前半）。
前記ウエハ搬送機構２２は、クーリング処理部（ＣＰＬ）３３にアクセスした後、図２に示すＳ３〜Ｓ６のアクセスを行った後、再び、搬入部（ＴＲＳ）３０にアクセスする。なお、搬送するウエハがなく、しかもクーリング処理部（ＣＰＬ）３３以降の基板処理部にウエハがない場合には、それら処理部に対するアクセスは省略しても良い。
【００３８】
一方、搬入部（ＴＲＳ）３０からウエハＡ−２が搬出されたため、カセットステーション１０に設けられたウエハ搬送機構２１により、カセットステーション１０のロットＢのカセット（ＵＮＣ２）からウエハＢ−１が搬出されて、処理ステーション１１の搬入部（ＴＲＳ）３０に置かれる（フェーズ２の後半）。また、カセット（ＵＮＣ２）からウエハＢ−１が搬出された旨の制御信号がウエハ搬送機構２２に送出される。
そして、搬入部（ＴＲＳ）３０にウエハ搬送機構２２が再びアクセスすると、カセット（ＵＮＣ２）からウエハＢ−１が搬出された制御信号を受けて、ウエハ搬送機構２２は、搬入部（ＴＲＳ）３０に置かれたウエハＢ−１を現像処理の加熱冷却処理部（ＣＨＰ）に搬送する（フェーズ３の後半）。
【００３９】
前記ウエハ搬送機構２２は、加熱冷却処理部（ＣＨＰ）３７にアクセスした後、図２に示すＳ８〜Ｓ１２のアクセスを行った後、再び、搬入部（ＴＲＳ）３０にアクセスする。なお、搬送するウエハがなく、しかも加熱冷却処理部（ＣＨＰ）３７以降の処理部にウエハがない場合には、それら処理部に対するアクセスは省略しても良い。
また、搬入部（ＴＲＳ）３０からウエハＢ−１が搬出されたため、カセットステーション１０に設けられたウエハ搬送機構２１により、カセットステーション１０のロットＡのカセット（ＵＮＣ１）からウエハＡ−３が搬出されて、処理ステーションの搬入部（ＴＲＳ）３０に置かれる（フェーズ３の前半）。また、カセット（ＵＮＣ１）からウエハＡ−３が搬出された旨の制御信号をウエハ搬送機構２２に送出する。
【００４０】
そして、ウエハＡ−２の疎水処理、ウエハＡ−１の冷却処理がなされると（搬入部（ＴＲＳ）３０にウエハ搬送機構２２が再びアクセスすると）、該制御信号を受けたウエハ搬送機構２２は、搬入部（ＴＲＳ）３０のウエハＡ−３を疎水処理部（ＡＤＨ）に搬送し、疎水処理部（ＡＤＨ）にあるウエハＡ−２と入れ替え、ウエハＡ−３を疎水処理部（ＡＤＨ）に置く。その後、ウエハＡ−２をクーリング処理部（ＣＰＬ）に搬送し、クーリング処理部（ＣＰＬ）にあるウエハＡ−１と入れ替え、ウエハＡ−１をレジスト塗布処理部（ＣＯＴ）３４に搬送する。そして、前記ウエハＡ−１はレジスト塗布処理がなされ、ウエハＡ−２はクーリング処理がなされ、ウエハＡ−３は疎水処理がなされる。
また、前記ウエハ搬送機構２２は、レジスト塗布処理部（ＣＯＴ）３４にアクセスした後、図２に示すＳ４〜Ｓ６のアクセスを行った後、再び、搬入部（ＴＲＳ）３０にアクセスする。なお、搬送するウエハがなく、しかもレジスト塗布処理部（ＣＯＴ）３４以降の処理部にウエハがない場合には、それら処理部に対するアクセスは省略しても良い。
【００４１】
一方、搬入部（ＴＲＳ）３０からウエハＡ−３が搬出されたため、カセットステーション１０に設けられたウエハ搬送機構２１により、カセットステーション１０のロットＢのカセット（ＵＮＣ２）からウエハＢ−２が搬出されて、処理ステーションの搬入部（ＴＲＳ）３０に置かれる（フェーズ３の後半）。また、カセット（ＵＮＣ２）からウエハＢ−２が搬出された旨の制御信号をウエハ搬送機構２２に送出する。
【００４２】
そして、ウエハ搬送機構２２は、ウエハＢ−２を現像処理の加熱冷却処理部（ＣＨＰ）３７に搬送し、この加熱冷却部（ＣＨＰ）３７にあるウエハＢ−１と入れ替え、ウエハＢ−２を現像処理の加熱冷却処理部（ＣＨＰ）３７に置く。続いて、前記ウエハＢ−１は、ウエハ搬送機構２２によってクーリング処理部（ＣＰＬ）に搬送され、置かれる（フェーズ４の後半）。
また、搬入部（ＴＲＳ）３０からウエハＢ−２が搬出されたため、カセットステーション１０に設けられたウエハ搬送機構２１により、カセットステーション１０のロットＡのカセット（ＵＮＣ１）からウエハＡ−４が搬出されて、処理ステーション１０の搬入部（ＴＲＳ）３０に置かれる（フェーズ４の前半）。
【００４３】
このようにして、カセットステーション１０のロットＡのカセット（ＵＮＣ１）とロットＢのカセット（ＵＮＣ２）から交互にウエハが搬出されて、処理ステーションの搬入部（ＴＲＳ）３０に置かれる。
そして、ロットＡのカセット（ＵＮＣ１）から搬出されたウエハの場合にあっては、ウエハ搬送機構２２は、搬入部（ＴＲＳ）３０にアクセスし、レジスト塗布処理の順番、即ち疎水処理を行う疎水処理部（ＡＤＨ）３２、冷却処理を行うクーリング処理部（ＣＰＬ）３３、塗布膜を形成するレジスト塗布処理部（ＣＯＴ）３４、プリベーク処理する加熱処理部（ＬＨＰ）３５、冷却処理するクーリング処理部（ＣＰＬ）３６、搬出部（ＴＣＰ）３１の順番に、ウエハを搬送、入れ替えながら、処理が進められる。
【００４４】
そしてまた、ロットＢのカセット（ＵＮＣ２）から搬出されたウエハの場合にあっては、ウエハ搬送機構２２は、搬入部（ＴＲＳ）３０にアクセスし、現像処理の順番、即ちポストエクスジャーベーク処理（加熱処理）と冷却処理を行う加熱冷却処理部（ＣＨＰ）３７、冷却処理されるクーリング処理部（ＣＰＬ）３８、現像処理を行う現像処理部（ＤＥＶ）、ベーク処理を行う加熱処理部（ＬＨＰ）、冷却処理するクーリング処理部４１、搬出部（ＴＣＰ）３１の順番に、ウエハを搬送、入れ替えながら、処理が進められる。
【００４５】
また、処理ステーション１１からウエハを搬出される場合にも、ウエハを搬入する場合と同様に、ウエハＡ−１からＡ−５とウエハＢ−１からＢ−５が交互に搬入部（ＴＲＳ）から搬出され、搬出部（ＴＣＰ）から、夫々のカセット（ＵＮＣ１）、カセット（ＵＮＣ２）に戻される。
【００４６】
このように、レジスト塗布処理、現像処理のみのように、二つの異なる処理を行う場合において、処理ステーションの搬入部（ＴＲＳ）、および搬入部（ＴＣＰ）が共通して用いられていても、夫々のウエハを交互に搬入、搬出することによって、ウエハの衝突を回避でき、一方の処理を行っている間も、他方の処理部を稼動することができ、利用率を向上させることができ、処理を効率的に行うことができる。
【００４７】
なお、上記実施形態にあっては、ウエハＡ，Ｂの区別信号（制御信号）を受けて、ウエハ搬送機構２２の移動を規制したが、予めウエハ搬送機構２２の移動をプログラムしておいても良い。
即ち、ウエハ搬送機構２２が、図２に示すＳ１〜Ｓ１２の順番に移動すると共に、カセットからはウエハＡ，Ｂが交互に搬入部に搬送されるように、予めプログラムする。
そして、ウエハ搬送機構２２が、レジスト塗布処理の各処理部を移動する間に、処理ステーションの搬入部（ＴＲＳ）に現像処理するウエハを搬入する。そして、該ウエハを搬送して、ウエハ搬送機構２２が現像処理の各処理部を移動する間に、レジスト塗布処理を行うウエハを搬入するようにしても良い。
【００４８】
このように、ウエハ搬送機構２２が、第一の処理の各処理部を移動中に、第二の処理を行うウエハを搬入部（ＴＲＳ）３０に搬入し、また第二の処理の各処理部を移動中に、第一の処理を行うウエハを搬入部（ＴＲＳ）３０に搬入することにより、効率的に処理を行うことができる。
【００４９】
次に、図４及び図５に基づいて、本発明の第二の実施形態について説明する。なお、図４は本発明の第二の実施形態に係る基板処理装置を示す概念的平面図、図５は図４に示した基板処理装置のウエハ搬送機構の動作を説明するための概念図と各処理のフローを示す図である。なお、第二の実施形態において第一の実施形態と同一、あるいは相当する部材は同一符号を付し、詳細な説明は省略する。
【００５０】
この第二の実施形態にあっては、第一の実施形態と比べて、処理ステーション１１に第一のウエハ搬送機構２５と第二のウエハ搬送機構２６を配置し、第一のウエハ搬送機構２５がレジスト塗布処理におけるウエハを搬送し、第二のウエハ搬送機構２６が現像処理におけるウエハを搬送するように構成されている点に特徴がある。
また、前記第一のウエハ搬送機構２５から第二のウエハ搬送機構２６にウエハを渡す受け渡し部（ＳＨＵ）４４、また前記第二のウエハ搬送機構２６から第一のウエハ搬送機構２５にウエハを渡す受け渡し部（ＳＨＵ）４５が設けられている点に特徴がある。
【００５１】
即ち、図５に示すように、処理ステーション１１に第一のウエハ搬送機構２５が、搬入部（ＴＲＳ）３０にアクセスし、その後、レジスト塗布処理の順番、即ち疎水処理を行う疎水処理部（ＡＤＨ）３２、冷却処理を行うクーリング処理部（ＣＰＬ）３３、塗布膜を形成するレジスト塗布処理部（ＣＯＴ）３４、プリベーク処理する加熱処理部（ＬＨＰ）３５、冷却処理するクーリング処理部（ＣＰＬ）３６、搬出部（ＴＣＰ）３１、搬入部（ＴＲＳ）３０、受け渡し部（ＳＨＵ）４４、受け渡し部（ＳＨＵ）４５、搬出部（ＴＣＰ）３１の順番にアクセスするように構成されている（Ｓ１〜Ｓ８）。
一方、第二のウエハ搬送機構２６は、受け渡し部（ＳＨＵ）４４、ポストエクスポージャーベーク処理（加熱処理）と冷却処理を行う加熱冷却処理部（ＣＨＰ）３７、冷却処理されるクーリング処理部（ＣＰＬ）３８、現像処理を行う現像処理部（ＤＥＶ）３９、ベーク処理を行う加熱処理部（ＬＨＰ）４０、冷却処理するクーリング処理部４１、受け渡し部（ＳＨＵ）４５の順番にアクセスするように構成されている（Ｍ１〜Ｍ６）。
【００５２】
この実施形態においても、第一の実施形態と同様、カセットステーション１０のロットＡのカセット（ＵＮＣ１）とロットＢのカセット（ＵＮＣ２）から交互にウエハが搬出されて、処理ステーション１１の搬入部（ＴＲＳ）３０に置かれる。
そして、第一のウエハ搬送機構２５によってロットＡのカセット（ＵＮＣ１）から搬出されたウエハは、搬入部（ＴＲＳ）３０から、レジスト塗布処理の順番、即ち疎水処理を行う疎水処理部（ＡＤＨ）３２、冷却処理を行うクーリング処理部（ＣＰＬ）３３、塗布膜を形成するレジスト塗布処理部（ＣＯＴ）３４、プリベーク処理する加熱処理部（ＬＨＰ）３５、冷却処理するクーリング処理部（ＣＰＬ）３６、搬出部（ＴＣＰ）３１の順番に、各処理部において先行するウエハと入れ替えながら搬送され、各処理部における処理が進められる。
【００５３】
一方、ロットＡのウエハが搬入部（ＴＲＳ）３０から搬送された後、前記したようにロットＢのウエハが搬入部（ＴＲＳ）３０に置かれる。そして、第一のウエハ搬送機構２５は、再び、搬入部（ＴＲＳ）３０にアクセスし、受け渡し部（ＳＨＵ）４４に搬入部（ＴＲＳ）３０の該ウエハを搬送する。
また、受け渡し部（ＳＨＵ）４４の搬送が終了した第一のウエハ搬送機構２５は、受け渡し部（ＳＨＵ）４５にあるウエハを該受け渡し部（ＳＨＵ）４５からウエハを搬出部（ＴＣＰ）３１に搬送する。
【００５４】
一方、第二のウエハ搬送機構２６は、受け渡し部（ＳＨＵ）４４のウエハＷを、現像処理の順番、即ちポストエクスポージャーベーク処理（加熱処理）と冷却処理を行う加熱冷却処理部（ＣＨＰ）３７、冷却処理されるクーリング処理部（ＣＰＬ）３８、現像処理を行う現像処理部（ＤＥＶ）３９、ベーク処理を行う加熱処理部（ＬＨＰ）４０、冷却処理するクーリング処理部４１、受け渡し部（ＳＨＵ）４５の順番に、各処理部において先行するウエハと入れ替えながら搬送し、各処理部における処理が進められる。
【００５５】
また、搬出される場合にも搬入する場合と同様に、レジスト塗布処理のウエハと現像処理のウエハが交互に搬入部（ＴＲＳ）３１から搬出され、搬出部（ＴＣＰ）３１から、夫々のカセット（ＵＮＣ１）、カセット（ＵＮＣ２）に戻される。
【００５６】
このように、レジスト塗布処理、現像処理のみのように、二つの異なる処理を行う場合において、処理ステーションの搬入部（ＴＲＳ）３０、および搬入部（ＴＣＰ）３１が共通して用いられていても、夫々のウエハを交互に搬入することによって、ウエハの衝突を回避でき、一方の処理を行っている間も、他方の処理部を稼動することができ、利用率を向上させることができ、処理を効率的に行うことができる。
【００５７】
なお、第一のウエハ搬送機構２５が受け渡し部（ＳＨＵ）４４にウエハＷを搬送する際、受け渡し部（ＳＨＵ）４４に先行するウエハＷが存在し、衝突する可能性がある。また、第一のウエハ搬送機構２５が受け渡し部（ＳＨＵ）４５から搬出部（ＴＣＰ）３１にウエハＷを搬送する際、搬出部（ＴＣＰ）３１に先行するウエハＷが存在し、衝突する可能性がある。
この衝突を回避する方法として、例えばレジスト塗布処理と現像処理の全体の処理時間を調整し、ウエハＷの衝突を回避しても良い。
また、受け渡し部（ＳＨＵ）４４におけるウエハの有無を検出し、ウエハが検出された場合には、第一のウエハ搬送機構２５の動作を遅延させるように制御しても良い。また、搬出部（ＴＣＰ）３１におけるウエハの有無を検出し、ウエハが検出された場合には、第二のウエハ搬送機構２５の動作を遅延させるように制御しても良い。
このように制御することによっても、ウエハＷの衝突を回避することができる。
【００５８】
なお、上記実施形態にあっては、基板処理装置としてレジスト塗布・現像装置を例にとって説明したが、特にこれに限定されるものではなく、複数の基板処理部を備え、異なる処理の流れで処理する装置に適用することができる。
また、上記実施形態において、各基板処理部は一つのユニット（装置）であっても良いが、各処理時間がかかる基板処理部は複数のユニット（装置）を設けても良い。
【００５９】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、被処理基板の衝突を回避できると共に、一方の処理を行っている最中においても、他方の処理を行うことにより、処理部の利用率の向上を図り、処理を効率的に行ことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は、本発明の第一の実施形態に係る基板処理装置を示す概念的平面図である。
【図２】図２は、図１に示した基板処理装置のウエハ搬送装置の動作を説明するための概念図である。
【図３】図３は、各処理のフローとタイムチャートを示す図である。
【図４】図４は、本発明の第二の実施形態に係る基板処理装置を示す概念的平面図である。
【図５】図５は、図４に示した基板処理装置のウエハ搬送機構の動作を説明するための概念図と各処理のフローを示す図である。
【図６】図３は、従来の各処理のフローとタイムチャートを示す図である。
【符号の説明】
１　　　　基板処理装置
１０　　　カセットステーション
１１　　　処理ステーション
２１　　　ウエハ搬送機構
２２　　　ウエハ搬送機構
３０　　　搬入部（ＴＲＳ）
３１　　　搬出部（ＴＣＰ）
３２　　　疎水処理部（ＡＤＨ）
３３　　　クーリング処理部（ＣＰＬ）
３４　　　レジスト塗布処理部（ＣＯＴ）
３５　　　加熱処理部（ＬＨＰ）
３６　　　クーリング処理部（ＣＰＬ）
３７　　　加熱冷却処理部（ＣＨＰ）
３８　　　クーリング処理部（ＣＰＬ）
３９　　　現像処理部（ＤＥＶ）
４０　　　加熱処理部（ＬＨＰ）
４１　　　クーリング処理部
４４　　　受け渡し部（ＳＨＵ）
４５　　　受け渡し部（ＳＨＵ）
ＵＮＣ１　ロットＡのカセット
ＵＮＣ２　ロットＢのカセット
【図１】
2004087878.tif 000003
【図２】
2004087878.tif 000004
【図３】
2004087878.tif 000005
【図４】
2004087878.tif 000006
【図５】
2004087878.tif 000007
【図６】
2004087878.tif 000008