(57)【要約】【課題】反射モードおよび透過モードのいずれにおいても表示光量の増大を図ることのできる半透過・反射型電気光学装置、およびそれを備えた電子機器を提供すること。【解決手段】反射型電気光学装置１００のＴＦＴアレイ基板１０には、凹凸形成膜１３ａ、画素電極９ａ、上層絶縁膜７ａおよび光反射膜８ａがこの順に形成されている。光反射膜８ａの裏面は、透光性基板１０′の裏面側から入射した光を反射して光透過窓８ｄを挟んで対向する光反射膜８ａの表面に導く導光反射面８ｆを備えている。枠状突起１３ｂで囲まれている領域の上層絶縁膜７ａが除去されているので、反射面８ｆが広い。また、枠状突起１３ｂに対して外側で隣接する部分の上層絶縁膜７ａが除去されて溝１６が形成されているので、導光反射面８ｅが広い。【選択図】　　　図６
2004045756.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気光学物質を保持する透光性基板上に、所定の凹凸を形成するための透光性の凹凸形成膜、透光性の画素電極、透光性の上層絶縁膜、および前記光反射膜がこの順に形成され、かつ、前記光反射膜には、該光反射膜の一部を除去してなる光透過窓が形成された半透過・反射型電気光学装置において、
前記上層絶縁膜の表面には前記光透過窓の外周縁に沿って枠状凸部が形成され、
前記枠状凸部において前記光透過窓を挟んで向かい合う部分のうち、その一方側部分では、当該枠状凸部の前記光透過窓が形成されている側とは反対側の麓部分から頂上部分に被さる前記光反射膜の裏面によって、前記透光性基板の裏面側から入射した光の一部を反射して前記光透過窓を挟んで向かい合う前記光反射膜の表面に導く導光反射面が形成され、他方側部分では、前記枠状凸部の前記光透過窓が形成されている側の麓部分から頂上部分を覆う部分の前記光反射膜の表面が、前記導光反射面に対向し、かつ、前記導光反射面で反射してきた光が導かれてくる反射面が形成され、
前記枠状凸部のうち、前記導光反射面が形成されている一方側部分に対して前記光透過窓と反対側で隣接する領域では、前記凹凸形成膜および前記上層絶縁膜が除去されてなる溝が形成されているとともに、当該溝内で前記光反射膜と前記画素電極とが直接、重なっていることを特徴とする半透過・反射型電気光学装置。
【請求項２】
請求項１において、少なくとも、前記光透過窓の形成領域と平面的に重なる領域では、前記凹凸形成膜および前記上層絶縁膜の双方が除去されていることを特徴とする半透過・反射型電気光学装置。
【請求項３】
請求項２おいて、前記上層絶縁膜は、前記光透過窓の外周縁のうち、前記導光反射面が前記光透過窓を挟んで向かい合う領域で前記光反射膜と前記画素電極とが直接、重なるように除去されていることを特徴とする半透過・反射型電気光学装置。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれかにおいて、前記導光反射面で反射してきた光に対する前記反射面は、前記導光反射面に対して略平行な面として対向していることを特徴とする半透過・反射型電気光学装置。
【請求項５】
請求項１ないし４のいずれかにおいて、前記枠状凸部は、前記凹凸形成膜と同層に形成された枠状突起が前記上層絶縁膜の表面に反映されてなることを特徴とする半透過・反射型電気光学装置。
【請求項６】
請求項５において、前記枠状突起は、前記凹凸形成膜と同層に形成された透光性膜からなることを特徴とする半透過・反射型電気光学装置。
【請求項７】
請求項６において、前記枠状突起および前記凹凸形成膜は、上面部分が丸みをもって形成されていることを特徴とする半透過・反射型電気光学装置。
【請求項８】
請求項１ないし７のいずれかにおいて、前記光反射膜は、前記枠状凸部の高さ寸法より膜厚が薄いことを特徴とする半透過・反射型電気光学装置。
【請求項９】
請求項１ないし８のいずれかにおいて、前記光反射膜には、前記光透過窓が複数、形成されていることを特徴とする半透過・反射型電気光学装置。
【請求項１０】
請求項１ないし９のいずれかにおいて、前記光透過窓の平面形状は、前記導光反射面が形成されている辺に対して平行な辺を備えた多角形であることを特徴とする半透過・反射型電気光学装置。
【請求項１１】
請求項１ないし１０のいずれかにおいて、前記電気光学物質は、液晶であることを特徴とする半透過・反射型電気光学装置。
【請求項１２】
請求項１ないし１１のいずれかに規定する半透過・反射型電気光学装置を表示装置として用いたことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半透過・反射型電気光学装置、およびそれを用いた電子機器に関するものである。さらに詳しくは、半透過・反射型電気光学装置の画素構成に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
液晶装置などの電気光学装置は、各種機器の直視型の表示装置として用いられている。このような電気光学装置のうち、例えば、画素スイッチング用の非線形素子としてＴＦＴを用いたアクティブマトリクス型の液晶装置では、図１１および図１２に示すように、電気光学物質としての液晶５０を挟持するＴＦＴアレイ基板１０および対向基板２０のうち、ＴＦＴアレイ基板１０の方には、画素スイッチング用のＴＦＴ（薄膜トランジスタ／Ｔｈｉｎ　Ｆｉｌｍ　Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）３０と、このＴＦＴ３０に電気的に接続するＩＴＯ膜などの透明導電膜からなる画素電極９ａとが形成されている。
【０００３】
また、液晶装置のうち、反射型のものでは、対向基板２０の側から入射してきた外光を対向基板２０の方に向けて反射するための光反射膜８ａが透光性の画素電極９ａの下層側に形成されており、図１２に矢印ＬＡで示すように、対向基板２０側から入射した光をＴＦＴアレイ基板１０側で反射し、対向基板２０側から出射された光によって画像を表示する（反射モード）。
【０００４】
但し、反射型の液晶装置において、光反射膜８ａで反射された光の方向性が強いと、画像をみる角度で明るさが異なるなどの視野角依存性が顕著に出てしまう。そこで、液晶装置を製造する際、層間絶縁膜４、あるいはその表面に形成した表面保護膜（図示せず）の表面に、アクリル樹脂などといった感光性樹脂を８００ｎｍ〜１５００ｎｍの厚さに塗布した後、フォトリソグラフィ技術を用いて、感光性樹脂層からなる凹凸形成膜１３ａを所定のパターンで選択的に残すことにより、光反射膜８ａの表面に凹凸パターン８ｇを付与している。また、このままでは、凹凸パターン８ｇに凹凸形成膜１３ａのエッジがそのまま出てしまうので、凹凸形成膜１３ａの上層にもう１層、流動性の高い感光性樹脂層からなる上層絶縁膜７ａを塗布、形成することにより、光反射膜８ａの表面にエッジのない、なだらかな形状の凹凸パターン８ｇを付与している。このような凹凸パターンの従来例としては、例えば特開平１０−３１９４２２号公報に記載された技術が知られている。
【０００５】
また、反射型の液晶装置のうち、透過モードでの表示も可能な半透過・反射型の液晶装置では、光反射膜８ａに対して、画素電極９ａと平面的に重なる領域に光透過窓８ｄが形成されている。この光透過窓８ｄに相当する領域は、凹凸形成膜１３ａが全面に形成されているか、凹凸形成膜１３ａが一切形成されていないため、平坦面である。
【０００６】
このように構成した半透過・反射型の液晶装置においては、ＴＦＴアレイ基板１０の側にバックライト装置（図示せず）を配置し、このバックライト装置から出射された光をＴＦＴアレイ基板１０の側から入射させれば、図１３に矢印ＬＢ１、ＬＢ２で示すように、光反射膜８ａに向かう光は、光反射膜８ａで遮られて表示に寄与しないものの、図１２および図１３に矢印ＬＢ０で示すように、光反射膜８ａが形成されていない光透過窓８ｄに向かう光は、光透過窓８ｄを介して対向基板２０側に透過し、表示に寄与する（透過モード）。
【０００７】
なお、半透過・反射型の液晶装置としては、特願２００１−３７７３０４号などとして特許出願されている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来の半透過・反射型の液晶装置では、光反射膜８ａおよび光透過窓８ｄの面積によって、反射モードでの表示光量、および透過モードでの表示光量が完全に規定されているため、一方のモードでの表示の明るさを高めると、他方のモードでの表示の明るさが犠牲になってしまい、双方のモードで表示の明るさを向上させることができないという問題点がある。
【０００９】
以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、反射モードおよび透過モードのいずれにおいても表示光量の増大を図ることのできる半透過・反射型電気光学装置、およびそれを備えた電子機器を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本発明では、電気光学物質を保持する透光性基板上に、所定の凹凸を形成するための透光性の凹凸形成膜、透光性の画素電極、透光性の上層絶縁膜、および前記光反射膜がこの順に形成され、かつ、前記光反射膜には、該光反射膜の一部を除去してなる光透過窓が形成された半透過・反射型電気光学装置において、前記上層絶縁膜の表面には前記光透過窓の外周縁に沿って枠状凸部が形成され、前記枠状凸部において前記光透過窓を挟んで向かい合う部分のうち、その一方側部分では、当該枠状凸部の前記光透過窓が形成されている側とは反対側の麓部分から頂上部分に被さる前記光反射膜の裏面によって、前記透光性基板の裏面側から入射した光の一部を反射して前記光透過窓を挟んで向かい合う前記光反射膜の表面に導く導光反射面が形成され、他方側部分では、前記枠状凸部の前記光透過窓が形成されている側の麓部分から頂上部分を覆う部分の前記光反射膜の表面が、前記導光反射面に対向し、かつ、前記導光反射面で反射してきた光が導かれてくる反射面が形成され、前記枠状凸部のうち、前記導光反射面が形成されている一方側部分に対して前記光透過窓と反対側で隣接する領域では、前記凹凸形成膜および前記上層絶縁膜が除去されてなる溝が形成されているとともに、当該溝内で前記光反射膜と前記画素電極とが直接、重なっていることを特徴とする。
【００１１】
本発明を適用した半透過・反射型電気光学装置では、光反射膜が形成されているので、反射モードでの表示を行うことができるとともに、光反射膜に光透過窓が形成されているので、透過モードでの表示を行うこともできる。ここで、光反射膜の裏面は、透光性基板の裏面側から入射した光を反射して光透過窓を挟んで対向する光反射膜の表面に導く導光反射面を備えているため、透光性基板の裏面側から入射した光のうち、従来なら光反射膜で遮られて透過モードでの表示に寄与しなかった光も、本発明では、その一部が導光反射面で反射して光反射膜の表面に導かれて表示に寄与することになる。しかも、凹凸形成膜と光反射膜との間には、透光性の上層絶縁膜に加えて、透光性の画素電極が介在しているので、上層絶縁膜の表面には凹凸形成膜の凹凸が丸く反映され、かつ、導光反射面から光反射膜の表面側への導光路を広く確保できる。また、枠状凸部のうち、導光反射面が形成されている一方側部分に対して光透過窓と反対側で隣接する領域に溝が形成されているため、そこに凹凸形成膜および上層絶縁膜が残っている場合と比較して枠状凸部の斜面が広い。従って、導光反射面が広いので、従来なら光反射膜で遮られて透過モードでの表示に寄与しなかった光を効率よく光反射膜の表面に導いて透過表示光として利用できる。それ故、光透過窓の面積を拡大させなくても、透過モードでの表示光量を増大させることができるので、反射モードでの表示の明るさを犠牲にすることなく、透過モードでの表示の明るさを向上することができる。また、光反射膜と画素電極との電気的な接続を溝内で行うことができるので、例えば、ＴＦＴアクティブマトリクス型の半透過・反射型電気光学装置において、画素スイッチング用のＴＦＴの上層側では、ＴＦＴのドレイン領域と画素電極とのコンタクトホールを介しての電気的な接続、および光反射膜と画素電極とのコンタクトホールを介して電気的な接続のうちの前者のみを行えばよい。
【００１２】
本発明において、少なくとも、前記光透過窓の形成領域と平面的に重なる領域では、前記凹凸形成膜および前記上層絶縁膜の双方が除去されていることが好ましい。このように構成すると、導光反射面に対して光透過膜を介して対向部分において、光反射膜の表面が斜面をなして対向する部分が広い。それ故、導光反射面から反射してきた光を光反射膜の表面的で電気的光学物質の層に向けて確実に反射することができる。
【００１３】
本発明において、前記上層絶縁膜は、前記光透過窓の外周縁のうち、前記導光反射面が前記光透過窓を挟んで向かい合う領域では前記光反射膜と前記画素電極とが直接、重なるように除去されていることが好ましい。このように構成すると、光反射膜と画素電極との電気的な接続を光透過窓の周辺でも行うことができる。それ故、光反射膜と画素電極との電気的な接続が確実である。
【００１４】
本発明において、前記導光反射面で反射してきた光に対する前記反射面は、前記導光反射面に対して略平行な面として対向していることが好ましい。
【００１５】
本発明において、前記枠状凸部は、例えば、前記凹凸形成膜と同層に形成された枠状突起が前記上層絶縁膜の表面に反映されてなるからなることが好ましい。
【００１６】
この場合、前記枠状突起および前記凹凸形成膜は、例えば、上面部分が丸みをもって形成されることが好ましい。このように構成すると、光反射膜表面での光散乱性を高めることができる。また、光反射膜の裏面において導光反射面として機能する部分、およびこの導光反射面から光が導かれてくる光反射膜の表面部分は、斜面になっている必要があるが、枠状突起の上面に丸みを付与すると、枠状突起の表面側に形成された光反射膜の裏面および表面において、導光反射面などとして利用できない平坦部分の面積を狭めることができるので、光反射膜の裏面において導光反射面として機能する部分、およびこの導光反射面から光が導かれてくる光反射膜の表面部分を広めることができる。従って、透過モードの際の光の利用効率を高めることができる。なお、ここで言う「上面部分が丸みをもって」とは、上面部分と側面との境目に相当する部分が曲面になっていれば、釣鐘形状のように上面全体が曲面からなる形状、およびお椀形状のように上面の一部に平坦面が残っている形状のいずれであってもよい。
【００１７】
本発明において、前記光反射膜は、前記枠状凸部の高さ寸法より膜厚が薄いことが好ましい。このように構成すると、光反射膜の導光反射面からみると、この導光反射面に対して光透過窓を介して対向する部分を下方に位置させることができる。
【００１８】
本発明において、前記光反射膜には、前記光透過窓が複数、形成されていることが好ましい。このように構成すると、光透過窓の面積を一定とした場合に、大きな光透過窓を１つ形成した場合と比較して、小さな光透過窓を多数、形成した方が導光反射面を広く形成できるので、透過モードの際の光の利用効率を高めることができる。
【００１９】
本発明において、前記光透過窓の平面形状は、例えば、前記導光反射面が形成されている辺に対して平行な辺を備えた多角形である。このように構成すると、光反射膜の導光反射面、およびこの導光反射面に対して光透過窓を介して対向する部分を効率よく形成することができるので、透過モードの際の光の利用効率を高めることができる。
【００２０】
本発明において、前記電気光学物質は、例えば、液晶である。
【００２１】
本発明を適用した電気光学装置は、モバイルコンピュータや携帯電話機などといった電子機器の表示装置として用いることができる。
【００２２】
【発明の実施の形態】
図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。
【００２３】
（電気光学装置の基本的な構成）
図１は、本発明を適用した電気光学装置を各構成要素とともに対向基板の側から見た平面図であり、図２は、図１のＨ−Ｈ′断面図である。図３は、電気光学装置の画像表示領域においてマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路図である。なお、本形態の説明に用いた各図では、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。
【００２４】
図１および図２において、本形態の電気光学装置１００は、シール材５２により貼り合わされたＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間に、電気光学物質としての液晶５０が挟持されており、シール材５２の形成領域の内側領域には、遮光性材料からなる周辺見切り５３が形成されている。シール材５２の外側の領域には、データ線駆動回路１０１、および実装端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って形成されており、この一辺に隣接する２辺に沿って走査線駆動回路１０４が形成されている。ＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺には、画像表示領域の両側に設けられた走査線駆動回路１０４の間をつなぐための複数の配線１０５が設けられており、更に、周辺見切り５３の下などを利用して、プリチャージ回路や検査回路が設けられることもある。また、対向基板２０のコーナー部の少なくとも１箇所においては、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的導通をとるための上下導通材１０６が形成されている。また、データ線駆動回路１０１、及び走査線駆動回路１０４等は、シール材５２と重なってもよいし、シール材５２の内側領域に形成されてもよい。
【００２５】
なお、データ線駆動回路１０１および走査線駆動回路１０４をＴＦＴアレイ基板１０の上に形成する代わりに、たとえば、駆動用ＬＳＩが実装されたＴＡＢ（テープ　オートメイテッド、ボンディング）基板をＴＦＴアレイ基板１０の周辺部に形成された端子群に対して異方性導電膜を介して電気的および機械的に接続するようにしてもよい。なお、電気光学装置１００では、使用する液晶５０の種類、すなわち、ＴＮ（ツイステッドネマティック）モード、ＳＴＮ（スーパーＴＮ）モード等々の動作モードや、ノーマリホワイトモード／ノーマリブラックモードの別に応じて、偏光フィルム、位相差フィルム、偏光板などが所定の向きに配置されるが、ここでは図示を省略してある。また、電気光学装置１００をカラー表示用として構成する場合には、対向基板２０において、ＴＦＴアレイ基板１０の各画素電極（後述する）に対向する領域にＲＧＢのカラーフィルタをその保護膜とともに形成する。
【００２６】
このような構造を有する電気光学装置１００の画面表示領域１０ａにおいては、図３に示すように、複数の画素１００ａがマトリクス状に構成されているとともに、これらの画素１００ａの各々には、画素電極９ａ、およびこの画素電極９ａを駆動するための画素スイッチング用のＴＦＴ３０が形成されており、画素信号Ｓ１、Ｓ２・・・Ｓｎを供給するデータ線６ａが当該ＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。データ線６ａに書き込む画素信号Ｓ１、Ｓ２・・・Ｓｎは、この順に線順次に供給しても構わないし、相隣接する複数のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給するようにしてもよい。また、ＴＦＴ３０のゲートには走査線３ａが電気的に接続されており、所定のタイミングで、走査線３ａにパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２・・・Ｇｍをこの順に線順次で印加するように構成されている。画素電極９ａは、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけそのオン状態とすることにより、データ線６ａから供給される画素信号Ｓ１、Ｓ２・・・Ｓｎを各画素に所定のタイミングで書き込む。このようにして画素電極９ａを介して液晶に書き込まれた所定レベルの画素信号Ｓ１、Ｓ２、・・・Ｓｎは、図２に示す対向基板２０の対向電極２１との間で一定期間保持される。
【００２７】
ここで、液晶５０は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能にする。ノーマリーホワイトモードであれば、印加された電圧に応じて入射光がこの液晶５０の部分を通過する光量が低下し、ノーマリーブラックモードであれば、印加された電圧に応じて入射光がこの液晶５０の部分を通過する光量が増大していく。その結果、全体として電気光学装置１００からは画素信号Ｓ１、Ｓ２、・・・Ｓｎに応じたコントラストを持つ光が出射される。
【００２８】
なお、保持された画素信号Ｓ１、Ｓ２、・・・Ｓｎがリークするのを防ぐために、画素電極９ａと対向電極との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量６０を付加することがある。例えば、画素電極９ａの電圧は、ソース電圧が印加された時間よりも３桁も長い時間だけ蓄積容量６０により保持される。これにより、電荷の保持特性は改善され、コントラスト比の高い電気光学装置１００が実現できる。なお、蓄積容量６０を形成する方法としては、図３に例示するように、蓄積容量６０を形成するための配線である容量線３ｂとの間に形成する場合、あるいは前段の走査線３ａとの間に形成する場合もいずれであってもよい。
【００２９】
（ＴＦＴアレイ基板の構成）
図４は、本形態の電気光学装置に用いたＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数の画素群の平面図である。図５は、電気光学装置の画素の一部を図４のＡ−Ａ′線に相当する位置で切断したときの断面図である。
【００３０】
図４において、ＴＦＴアレイ基板１０上には、複数の透明なＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｔｉｎ　Ｏｘｉｄｅ）膜からなる画素電極９ａがマトリクス状に形成されており、これら各画素電極９ａに対して画素スイッチング用のＴＦＴ３０がそれぞれ接続している。また、画素電極９ａの縦横の境界に沿って、データ線６ａ、走査線３ａ、および容量線３ｂが形成され、ＴＦＴ３０は、データ線６ａおよび走査線３ａに対して接続している。すなわち、データ線６ａは、コンタクトホールを介してＴＦＴ３０の高濃度ソース領域１ｄに電気的に接続し、走査線３ａは、その突出部分がＴＦＴ３０のゲート電極を構成している。なお、蓄積容量６０は、画素スイッチング用のＴＦＴ３０を形成するための半導体膜１の延設部分１ｆを導電化したものを下電極とし、この下電極４１に容量線３ｂが上電極として重なった構造になっている。
【００３１】
このように構成した画素領域のＡ−Ａ′線における断面は、図５に示すように表わされ、ＴＦＴアレイ基板１０の基体たる透光性基板１０′の表面には、厚さが３００ｎｍ〜５００ｎｍのシリコン酸化膜（絶縁膜）からなる下地保護膜１１が形成され、この下地保護膜１１の表面には、厚さが３０ｎｍ〜１００ｎｍの島状の半導体膜１ａが形成されている。この半導体膜１ａは、基板温度が１５０℃〜４５０℃の温度条件下で、透光性基板１０′の全面に、アモルファスのシリコン膜からなる半導体膜をプラズマＣＶＤ法により３０ｎｍ〜１００ｎｍの厚さに形成した後、半導体膜に対してレーザ光を照射してレーザアニールを施し、アモルファスの半導体膜を一度溶融させた後、冷却固化過程を経て結晶化させたものである。
【００３２】
このように形成した半導体膜１ａの表面には、厚さが約５０〜１５０ｎｍのシリコン酸化膜からなるゲート絶縁膜２が形成され、このゲート絶縁膜２の表面に、厚さが３００ｎｍ〜８００ｎｍの走査線３ａが形成されている。半導体膜１ａのうち、走査線３ａに対してゲート絶縁膜２を介して対峙する領域がチャネル領域１ａ′になっている。このチャネル領域１ａ′に対して一方側には、低濃度ソース領域１ｂおよび高濃度ソース領域１ｄを備えるソース領域が形成され、他方側には低濃度ドレイン領域１ｃおよび高濃度ドレイン領域１ｅを備えるドレイン領域が形成されている。
【００３３】
画素スイッチング用のＴＦＴ３０の表面側には、厚さが３００ｎｍ〜８００ｎｍのシリコン酸化膜からなる層間絶縁膜４が形成され、この層間絶縁膜４の表面には、厚さが１００ｎｍ〜３００ｎｍのシリコン窒化膜からなる表面保護膜（図示せず）が形成されることがある。層間絶縁膜４の表面には、厚さが３００ｎｍ〜８００ｎｍのデータ線６ａが形成され、このデータ線６ａは、層間絶縁膜４に形成されたコンタクトホールを介して高濃度ソース領域１ｄに電気的に接続している。層間絶縁膜４の表面にはデータ線６ａと同時形成されたドレイン電極６ｂが形成され、このドレイン電極６ｂは、層間絶縁膜４に形成されたコンタクトホールを介して高濃度ドレイン領域１ｅに電気的に接続している。
【００３４】
また、層間絶縁膜４の上層（データ線６ａおよびドレイン電極６ｂの上層）には、感光性樹脂からなる凹凸形成膜１３ａが所定のパターンで形成され、本形態では、この凹凸形成膜１３ａの上層にＩＴＯ膜からなる画素電極９ａが形成されている。画素電極９ａは、凹凸形成膜１３ａに形成されたコンタクトホール１３ｍを介してドレイン電極６ｂに電気的に接続している。
【００３５】
画素電極９ａの上層には、感光性樹脂からなる上層絶縁膜７ａが形成され、この上層絶縁膜７ａの上層にアルミニウム膜などからなる光反射膜８ａが形成されている。従って、光反射膜８ａの表面には、凹凸形成膜１３ａの凹凸が画素電極９ａおよび上層絶縁膜７ａを介して凹凸パターン８ｇとして反映されている。
【００３６】
ここで、光反射膜８ａは、後述するように、透過表示領域を構成するための光透過窓の周辺部分で画素電極９ａに電気的に接続しており、ＴＦＴ３０の上層側には、光反射膜８ａと画素電極９ａとを電気的に接続するためのコンタクトホールが形成されていない。
【００３７】
なお、光反射膜８ａの表面側にはポリイミド膜からなる配向膜１２が形成されている。この配向膜１２は、ポリイミド膜に対してラビング処理が施された膜である。
【００３８】
なお、高濃度ドレイン領域１ｅからの延設部分１ｆ（下電極）に対しては、ゲート絶縁膜２と同時形成された絶縁膜（誘電体膜）を介して容量線３ｂが上電極として対向することにより、蓄積容量６０が構成されている。
【００３９】
なお、ＴＦＴ３０は、好ましくは上述のようにＬＤＤ構造をもつが、低濃度ソース領域１ｂ、および低濃度ドレイン領域１ｃに相当する領域に不純物イオンの打ち込みを行わないオフセット構造を有していてもよい。また、ＴＦＴ３０は、ゲート電極（走査線３ａの一部）をマスクとして高濃度で不純物イオンを打ち込み、自己整合的に高濃度のソースおよびドレイン領域を形成したセルフアライン型のＴＦＴであってもよい。
【００４０】
また、本形態では、ＴＦＴ３０のゲート電極（走査線３ａ）をソース−ドレイン領域の間に１個のみ配置したシングルゲート構造としたが、これらの間に２個以上のゲート電極を配置してもよい。この際、各々のゲート電極には同一の信号が印加されるようにする。このようにデュアルゲート（ダブルゲート）、あるいはトリプルゲート以上でＴＦＴ３０を構成すれば、チャネルとソース−ドレイン領域の接合部でのリーク電流を防止でき、オフ時の電流を低減することが出来る。これらのゲート電極の少なくとも１個をＬＤＤ構造或いはオフセット構造にすれば、さらにオフ電流を低減でき、安定したスイッチング素子を得ることができる。
【００４１】
（凹凸パターンおよび光透過窓周辺の構成）
図６（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ、本発明に係る電気光学装置において、ＴＦＴアレイ基板の光透過窓周辺の平面図、および断面図である。
【００４２】
図５を参照して説明したように、ＴＦＴアレイ基板１０において、光反射膜８ａの表面には、凸部８ｂおよび凹部８ｃを備えた凹凸パターン８ｇが形成されており、本形態では、図４に示すように、凸部８ｂ、およびそれを構成する凹凸形成膜１３ａが正六角形の平面形状を有するものとして表してある。但し、凸部８ｂおよび凹凸形成膜１３ａの平面形状については、正六角形に限らず、その他の多角形、円形、楕円形など、種々の形状のものを採用することができる。
【００４３】
このような凹凸パターン８ｇを構成するにあたって、本形態のＴＦＴアレイ基板１０では、図５に示すように、光反射膜８ａの下層側のうち、凹凸パターン８ｇの凸部８ｂに相当する領域に、透光性の感光性樹脂からなる凹凸形成膜１３ａが所定のパターンで選択的に残されており、その上層側に形成される光反射膜８ａの表面に凹凸パターン８ｇを付与している。
【００４４】
また本形態では、凹凸形成膜１３ａの上層に画素電極９ａが形成され、かつ、画素電極９ａの上層にもう１層、流動性の高い透光性の第２の感光性樹脂からなる上層絶縁膜７ａを塗布、形成することにより、光反射膜８ａの表面になだらかな形状の凹凸パターン８ｇを付与している。
【００４５】
さらに本形態では、光反射膜８ａにおいて、画素電極９ａと平面的に重なる領域には、矩形の光透過窓８ｄが複数、形成されている。従って、光透過窓８ｄに相当する部分には、ＩＴＯからなる画素電極９ａは存在するが、光反射膜８ａが存在しない。
【００４６】
図５および図６（Ａ）、（Ｂ）に示すように、本形態ではさらに、画素電極９ａの下層側には、上層絶縁膜７ａの表面に対して、複数の光透過窓８ａの各々の外周縁に沿って枠状凸部７ｂを形成する枠状突起１３ｂが形成されている。枠状突起１３ｂは、凹凸形成膜１３ａと同時形成された膜であり、凹凸形成膜１３ａと同様、上面部分が丸みをもっている。
【００４７】
ここで、光透過窓８ｄの２辺８１ｄ、８２ｄに相当する領域では、枠状凸部７ｂの光透過窓８ｄが形成されている側とは反対側の麓部分から頂上部分に被さるように光反射膜８ａが形成されている一方、枠状凸部７ｂの光透過窓８ｄが形成されている側には光透過膜８ａが形成されていない。これに対して、光透過窓８ｄの他の２辺８３ｄ、８４ｄに相当する領域において、光反射膜８ａは、枠状凸部７ｂの光透過窓８ｄが形成されている側の麓部分から頂上部分に被さるように形成されている。また、光反射膜８ａは、枠状凸部７ｂの高さ寸法より膜厚がかなり薄い。
【００４８】
従って、光透過窓８ｄの２辺８１ｄ、８２ｄに相当する領域において、枠状凸部７ｂの光透過窓８ｄが形成されている側とは反対側の麓部分から頂上部分に対して光反射膜８ａが被さることによって、光反射膜８ａの裏面には、透光性基板１０′の裏面側から入射した光を、図６（Ｂ）に矢印ＬＢ１１で示すように反射して、光透過窓８ａを挟んで対向する光反射膜８ａの表面（反射面８ｆ）に導く導光反射面８ｅが形成されている。これに対して、光透過窓８ｄの他の２辺８３ｄ、８４ｄに相当する領域において、枠状凸部７ｂの光透過窓８ｄが形成されている側の麓部分から頂上部分に光反射膜８ａが被さることによって、光反射膜８ａの表面には、導光反射面８ｅで反射してきた光を対向基板２０の側に向けて反射する反射面８ｆが形成されている。ここで、導光反射面８ｅと、この導光反射面８ｅで反射してきた光に対する反射面８ｆとは、略平行な面として対向している。
【００４９】
また、枠状突起１３ｂ（枠状凸部７ｂ）で囲まれた領域のうち、光透過窓８ｄと平面的に重なる領域では、凹凸形成膜１３ａおよび上層絶縁膜７ａの双方が除去されている。しかも、光透過窓８ｄの外周縁のうち、導光反射面８ｅが光透過窓８ｄを挟んで向かい合う領域では光反射膜８ａと画素電極９ａとが直接、重なるように上層絶縁膜７ａが除去されている。
【００５０】
さらに、枠状突起１３ｂ（枠状凸部７ｂ）のうち、光透過窓８ｄの２辺８１ｄ、８２ｄに相当する一方側部分に対して光透過窓８ｄと反対側で隣接する外側領域でも、上層絶縁膜７ａおよび凹凸形成膜１３ａの双方が除去されて溝１６が形成されて、この溝１６の底部においても、光反射膜８ａと画素電極９ａとが直接、重なっている。
【００５１】
従って、光反射膜８ａと画素電極９ａとの電気的な接続は、導光反射面８ｅが光透過窓８ｄを挟んで向かい合う領域で上層絶縁膜７ａが除去された部分、および溝１６の底部で行われ、ＴＦＴ３０の上層側には、光反射膜８ａと画素電極９ａとを電気的に接続するためのコンタクトホールは形成されていない。
【００５２】
（対向基板の構成）
再び図５において、対向基板２０では、ＴＦＴアレイ基板１０に形成されている画素電極９ａの縦横の境界領域と対向する領域にブラックマトリクス、あるいはブラックストライプなどと称せられる遮光膜２３が形成され、その上層側には、ＩＴＯ膜からなる対向電極２１が形成されている。また、対向電極２１の上層側には、ポリイミド膜からなる配向膜２２が形成され、この配向膜２２は、ポリイミド膜に対してラビング処理が施された膜である。
【００５３】
（本形態の作用・効果）
このように構成した半透過・反射型の電気光学装置１００では、画素電極９ａの下層側に光反射膜８ａが形成されているため、図５に矢印ＬＡで示すように、対向基板２０側から入射した光をＴＦＴアレイ基板１０側で反射し、対向基板２０側から出射された光によって画像を表示する（反射モード）。
【００５４】
また、ＴＦＴアレイ基板１０の裏面側に配置されたバックライト装置（図示せず）から出射された光のうち、光反射膜８ａが形成されていない光透過窓８ｄに向かう光は、矢印ＬＢ０で示すように、光透過窓８ｄを介して対向基板２０側に透過し、表示に寄与する（透過モード）。
【００５５】
また、本形態では、光反射膜８ａの裏面には、透光性基板１０′の裏面側から入射した光を反射して光透過窓８ｄを挟んで対向する光反射膜８ａの表面（反射面８ｆ）に導く導光反射面８ｆを備えている。このため、透光性基板１０′の裏面側から入射した光のうち、従来なら光反射膜８ａで遮られて透過モードでの表示に寄与しなかった光も、本形態では、その一部が、図６（Ｂ）に矢印ＬＢ１１で示すように、導光反射面８ｅで反射して光反射膜８ａの表面側の反射面８ｆに導かれて表示に寄与することになる。
【００５６】
しかも、凹凸形成膜１３ａと光反射膜８ａとの間には、透光性の上層絶縁膜７ａに加えて、透光性の画素電極９ａが介在しているので、その分、上層絶縁膜７ａの表面には凹凸形成膜１３ａの凹凸がより丸く反映され、かつ、導光反射面８ｅから光反射膜８ａの表面側への導光路を広く確保できる。
【００５７】
また、光透過窓８ｄの他の２辺８３ｄ、８４ｄに相当する領域において、光透過窓８ｄでは上層絶縁膜７ａが除去されているので、そこに上層絶縁膜７ａが残っている場合と比較して、枠状凸部７ｂの内側の斜面が広い。このため、導光反射面８ｅで反射してきた光が導かれてくる反射面８ｆが広い。
【００５８】
さらに、光透過窓８ｄの２辺８１ｄ、８２ｄに相当する領域において、枠状凸部７ｂの外側には溝１６が形成されているので、そこに凹凸形成膜１５が残っている場合と比較して、枠状凸部７ｂの外側の斜面が広い。このため、導光反射面８ｅが広い。
【００５９】
従って、本形態によれば、従来なら光反射膜８ａで遮られて透過モードでの表示に寄与しなかった光を効率よく表示に寄与させることができる。それ故、光透過窓８ｄの面積を拡大させなくても、透過モードでの表示光量を増大させることができるので、反射モードでの表示の明るさを犠牲にすることなく、透過モードでの表示の明るさを向上することができる。
【００６０】
さらにまた、光反射膜８ａと画素電極９ａとの電気的な接続を光透過窓８ｄの周辺で行っているため、ＴＦＴ３０の上層側で光反射膜８ａと画素電極９ａとをコンタクトホールを介して電気的に接続する必要がない。
【００６１】
また、本形態において、光反射膜８ａは、枠状凸部７ｂの高さ寸法より膜厚が薄いため、光反射膜８ａの導光反射面８ｅからみると、この導光反射面８ｅに対して光透過窓８ｄを介して対向する部分を下方に位置させることができるので、導光反射面８ｅで反射してきた光を光反射膜８ａの表面側の反射面８ｆに効率よく導くことができる。
【００６２】
また、本形態において、光反射膜８ａには光透過窓５８ｄが複数、形成されている。このため、光透過窓８ｄの面積を同一とした場合に、大きな光透過窓８ｄを１つ形成した場合と比較して、本形態の方が導光反射面８ｅを広く形成できるので、透過モードにおける光の利用効率を高めることができる。
【００６３】
さらに本形態では、枠状突起１３ｂおよび凹凸形成膜１３ａの上面部分が丸みをもって形成されているため、光反射膜８ａの表面での光散乱性を高めることができる。また、光反射膜８ａの裏面において導光反射面８ｅとして機能する部分、およびこの導光反射面８ｅから光が導かれてくる光反射膜の表面部分（反射面８ｆ）は、斜面になっている必要があるが、枠状突起１３ｂの上面に丸みを付与すると、枠状突起１３ｂの表面側に形成された光反射膜８ａの裏面および表面において、導光反射面８ｅなどとして利用できない平坦部分の面積を狭めることができので、光反射膜の裏面において導光反射面８ｅとして機能する部分、およびこの導光反射面８ｅから光が導かれてくる光反射膜の表面部分（反射面８ｆ）を広めることができる。従って、透過モードの際の光の利用効率を高めることができる。
【００６４】
（ＴＦＴの製造方法）
このような構成の電気光学装置１００の製造工程のうち、ＴＦＴアレイ基板１０の製造工程を、図７および図８を参照して説明する。図７および図８はいずれも、本形態のＴＦＴアレイ基板１０の製造方法のうち、画素スイッチング用のＴＦＴ３０を形成した以降の工程を示す工程断面図であり、いずれの図においても、図４のＡ−Ａ′線における断面に対応する。
【００６５】
本形態では、図７（Ａ）に示すように、まず、ガラス製等の基板１０′の上に下地保護膜１１を形成した後、下地保護膜１１の表面に形成した島状の半導体膜１ａを利用して、図４および図５を参照して説明したＴＦＴ３０を形成する。
【００６６】
次に、データ線６ａおよびドレイン電極６ｂの表面側に対して、スピンコート法などを用いて、図７（Ｂ）に示すように、感光性樹脂１３を塗布した後、露光、現像工程を行って、図７（Ｃ）に示すように、感光性樹脂１３を凹凸パターン８ｇの凸部８ｂに相当する領域に凹凸形成膜１３ａを選択的に残す。この際、枠状突起１３ｂも形成する。
【００６７】
次に、加熱処理を行って、凹凸形成膜１３ａ、および枠状突起１３ｂを構成する感光性樹脂１３を溶融させ、図７（Ｄ）に示すように、凹凸形成膜１３ａ、および枠状突起１３ｂの上面を丸くする。なお、凹凸形成膜１３ａは、ＴＦＴ３０の形成領域にも残されるので、凹凸形成膜１３ａには、画素電極９ａとドレイン電極６ｂとを電気的に接続するためのコンタクトホール１３ｍを形成する。
【００６８】
次に、凹凸形成膜１３ａおよび枠状突起１３ｂの表面側に厚さが４０ｎｍ〜２００ｎｍのＩＴＯ膜をスパッタ法などで形成した後、フォトリソグラフィ技術を用いて、ＩＴＯ膜にエッチングを行って、図８（Ｅ）に示すように、画素電極９ａを形成する。その結果、画素電極９ａは、コンタクトホール１３ｍを介してドレイン電極６ｂと電気的に接続される。
【００６９】
次に、図８（Ｆ）に示すように、画素電極９ａの表面側に対して、スピンコート法などを用いて、感光性樹脂７を塗布した後、露光、現像工程を行って、図８（Ｇ）に示すように、上層絶縁膜７ａを形成する。その結果、上層絶縁膜７ａの表面には、凹凸形成膜１３ａの有無に対応する凹凸が形成されるとともに、枠状突起１３ｂに対応する枠状凸部７ｂが形成される。ここで、枠状突起１３に対して外側で隣接する領域では、上層絶縁膜７ａを除去して画素電極９ａを露出させ、上層絶縁膜７ａおよび凹凸形成膜１３ａが除去されてなる溝１６を形成する。また、枠状突起１３ｂ（枠状凸部７ｂ）で囲まれた領域のうち、少なくとも、光透過窓８ｄと平面的に重なる領域では、上層絶縁膜７ａを除去し、画素電極９ａを露出させる。
【００７０】
次に、上層絶縁膜７ａの表面にアルミニウムなどの金属膜を形成した後、フォトリソグラフィ技術を用いて、金属膜をパターングし、図８（Ｈ）に示すように、光反射膜８ａを形成する。この際、光反射膜８ａに光透過窓８ｄを形成する。このようにして形成した光反射膜８ａでは、凹凸形成膜１３ａの表面形状が上層絶縁膜７ａを介して反映されるので、光反射膜８ａの表面には、エッジのない、なだらかな凹凸パターン８ａが形成される。この際、光反射膜８ａには光透過窓８ｄを形成する。
【００７１】
また、光反射膜８ａを形成する際、図６（Ａ）、（Ｂ）を参照して説明したように、光透過窓８ｄの２辺８１ｄ、８２ｄに相当する領域では、枠状凸部７ｂの光透過窓８ｄが形成されている側とは反対側の麓部分から頂上部分に被さるように光透過膜８ａを形成して導光反射面８ｅを形成する一方、光透過窓８ｄの他の２辺８３ｄ、８４ｄに相当する領域では、枠状凸部７ｂの光透過窓８ｄが形成されている側とは反対側の麓部分から頂上部分に対して光反射膜８ａを被せて、導光反射面８ｅで反射してきた光を対向基板２０の側に向けて反射する反射面８ｆを形成する。
【００７２】
その結果、光反射膜８ａは、光透過窓８ｄの２辺８３ｄ、８４ｄに相当する領域で画素電極９ａに直接、積層された状態になって画素電極９ａと電気的に接続する。また、光反射膜８ａは、溝１６の底部でも画素電極９ａに直接、積層された状態になって画素電極９ａと電気的に接続する。
【００７３】
しかる後には、図５に示すように、光反射膜８ａの表面側にポリイミド膜（配向膜１２）を形成する。それには、ブチルセロソルブやｎ−メチルピロリドンなどの溶媒に５〜１０重量％のポリイミドやポリアミド酸を溶解させたポリイミド・ワニスをフレキソ印刷した後、加熱・硬化（焼成）する。そして、ポリイミド膜を形成した基板をレーヨン系繊維からなるパフ布で一定方向に擦り、ポリイミド分子を表面近傍で一定方向に配列させる。その結果、後で充填した液晶分子とポリイミド分子との相互作用により液晶分子が一定方向に配列する。
【００７４】
［その他の実施の形態］
上記形態では、画素スイッチング用のアクティブ素子としてＴＦＴを用いた例を説明したが、アクティブ素子としてＭＩＭ（Ｍｅｔａｌ　ＩｎｓｕｌａｔｏｒＭｅｔａｌ）素子などの薄膜ダイオード素子（ＴＦＤ素子／Ｔｈｉｎ　Ｆｉｌｍ　Ｄｉｏｄｅ素子）を用いた場合も同様である。
【００７５】
［電気光学装置の電子機器への適用］
このように構成した半透過・反射型の電気光学装置１００は、各種の電子機器の表示部として用いることができるが、その一例を、図９、および図１０を参照して説明する。
【００７６】
図９は、本発明に係る電気光学装置を表示装置として用いた電子機器の回路構成を示すブロック図である。
【００７７】
図９において、電子機器は、表示情報出力源７０、表示情報処理回路７１、電源回路７２、タイミングジェネレータ７３、そして液晶装置７４を有する。また、液晶装置７４は、液晶表示パネル７５および駆動回路７６を有する。液晶装置７４としては、前述した電気光学装置１００を用いることができる。
【００７８】
表示情報出力源７０は、ＲＯＭ（Ｒｅａｄ　Ｏｎｌｙ　Ｍｅｍｏｒｙ）、ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ　Ａｃｃｅｓｓ　Ｍｅｍｏｒｙ）等といったメモリ、各種ディスク等といったストレージユニット、デジタル画像信号を同調出力する同調回路等を備え、タイミングジェネレータ７３によって生成された各種のクロック信号に基づいて、所定フォーマットの画像信号等といった表示情報を表示情報処理回路７１に供給する。
【００７９】
表示情報処理回路７１は、シリアル−パラレル変換回路や、増幅・反転回路、ローテーション回路、ガンマ補正回路、クランプ回路等といった周知の各種回路を備え、入力した表示情報の処理を実行して、その画像信号をクロック信号ＣＬＫと共に駆動回路７６へ供給する。電源回路７２は、各構成要素に所定の電圧を供給する。
【００８０】
図１０（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ、本発明に係る電子機器の一実施形態であるモバイル型のパーソナルコンピュータの説明図、および携帯電話機の説明図である。
【００８１】
これらの電子機器のうち、図１０（Ａ）に示すパーソナルコンピュータ８０は、キーボード８１を備えた本体部８２と、液晶表示ユニット８３とを有する。液晶表示ユニット８３は、前述した電気光学装置１００を含んで構成される。また、図１０（Ｂ）に示す携帯電話機９０は、複数の操作ボタン９１と、前述した電気光学装置１００からなる表示部とを有している。
【００８２】
【発明の効果】
以上説明したとおり、本発明を適用した半透過・反射型電気光学装置では、光反射膜が形成されているので、反射モードでの表示を行うことができるとともに、光反射膜に光透過窓が形成されているので、透過モードでの表示を行うこともできる。ここで、光反射膜の裏面は、透光性基板の裏面側から入射した光を反射して光透過窓を挟んで対向する光反射膜の表面に導く導光反射面を備えているため、透光性基板の裏面側から入射した光のうち、従来なら光反射膜で遮られて透過モードでの表示に寄与しなかった光も、本発明では、その一部が導光反射面で反射して光反射膜の表面に導かれて表示に寄与することになる。しかも、凹凸形成膜と光反射膜との間には、透光性の上層絶縁膜に加えて、透光性の画素電極が介在しているので、上層絶縁膜の表面には凹凸形成膜の凹凸が丸く反映され、かつ、導光反射面から光反射膜の表面側への導光路を広く確保できる。また、枠状凸部のうち、導光反射面が形成されている一方側部分に対して光透過窓と反対側で隣接する領域に溝が形成されているため、そこに凹凸形成膜および上層絶縁膜が残っている場合と比較して枠状凸部の斜面が広い。従って、導光反射面が広いので、従来なら光反射膜で遮られて透過モードでの表示に寄与しなかった光を効率よく光反射膜の表面に導いて透過表示光として利用できる。それ故、光透過窓の面積を拡大させなくても、透過モードでの表示光量を増大させることができるので、反射モードでの表示の明るさを犠牲にすることなく、透過モードでの表示の明るさを向上することができる。また、光反射膜と画素電極との電気的な接続を溝内で行うことができるので、例えば、ＴＦＴアクティブマトリクス型の半透過・反射型電気光学装置において、画素スイッチング用のＴＦＴの上層側では、ＴＦＴのドレイン領域と画素電極とのコンタクトホールを介しての電気的な接続、および光反射膜と画素電極とのコンタクトホールを介して電気的な接続のうちの前者のみを行えばよい。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明が適用される電気光学装置を対向基板の側からみたときの平面図である。
【図２】図１のＨ−Ｈ′線における断面図である。
【図３】電気光学装置において、マトリクス状の複数の画素に形成された素子などの等価回路図である。
【図４】本発明に係る電気光学装置のＴＦＴアレイ基板の各画素の構成を示す平面図である。
【図５】本発明に係る電気光学装置を、図４のＡ−Ａ′線に相当する位置での切断した断面図である。
【図６】（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ、本発明に係る電気光学装置において、ＴＦＴアレイ基板の光透過窓周辺の平面図、および断面図である。
【図７】（Ａ）〜（Ｄ）は、本発明に係るＴＦＴアレイ基板の製造方法を示す工程断面図である。
【図８】（Ｅ）〜（Ｈ）は、本発明に係るＴＦＴアレイ基板の製造方法を示す工程断面図である。
【図９】本発明に係る電気光学装置を表示装置として用いた電子機器の回路構成を示すブロック図である。
【図１０】（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ、本発明に係る電気光学装置を用いたモバイル型のパーソナルコンピュータを示す説明図、および携帯電話機の説明図である。
【図１１】従来の電気光学装置のＴＦＴアレイ基板に形成された各画素の構成を示す平面図である。
【図１２】従来の電気光学装置の断面図である。
【図１３】従来の電気光学装置のＴＦＴアレイ基板に形成した凹凸パターンおよび光透過窓の説明図である。
【符号の説明】
１ａ　半導体膜
２　ゲート絶縁膜
３ａ　走査線
３ｂ　容量線
４　層間絶縁膜
６ａ　データ線
６ｂ　ドレイン電極
７ａ　上層絶縁膜
７ｂ　枠状凸部
８ａ　光反射膜
８ｂ　凹凸パターンの凸部
８ｃ　凹凸パターンの凹部
８ｄ　光透過窓
８ｅ　導光反射面
８ｆ　反射面
８ｇ　光反射膜表面の凹凸パターン
９ａ　画素電極
１０　ＴＦＴアレイ基板
１１　下地保護膜
１３ａ　凹凸形成膜
１３ｂ　枠状突起
１６　溝
２０　対向基板
２１　対向電極
２３　遮光膜
３０　画素スイッチング用のＴＦＴ
５０　液晶
６０　蓄積容量
１００　電気光学装置
１００ａ　画素
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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