(57)【要約】【課題】　インジウムイオンと錫イオンとを含有する水溶液とアルカリ水溶液を混合してインジウムと錫とを含有する沈澱を生成させた後、固液分離により得られた沈澱を焼成することによる酸化インジウム−酸化錫粉末の製造方法において、高密度のＩＴＯ焼結体を与えるＩＴＯ粉末の製造方法を提供する。【解決手段】　インジウムイオンと錫イオンとを含有する水溶液とアルカリ水溶液とを混合してインジウムと錫とを含有する沈殿を生成させた後、固液分離により得られた沈澱を焼成することによる酸化インジウム−酸化錫粉末の製造方法において、インジウムイオンと錫イオンとを含有する水溶液として錫イオン中の２価の錫イオンの割合が５０重量％以上である水溶液を用いることを特徴とする酸化インジウム−酸化錫粉末の製造方法。【選択図】　　　　　なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
　インジウムイオンと錫イオンとを含有する水溶液とアルカリ水溶液とを混合してインジウムと錫とを含有する 沈澱を生成させた後、固液分離により得られた沈澱を焼成することによる酸化インジウム−酸化錫粉末の製造方法において、インジウムイオンと錫イオンとを含有する水溶液として錫イオン中の２価の錫イオンの割合が５０重量％以上である水溶液を用いることを特徴とする酸化インジウム−酸化錫粉末の製造方法。
【請求項２】
　インジウムイオンが塩化インジウム由来である請求項１記載の製造方法。
【請求項３】
　インジウムイオンと錫イオンとを含有する水溶液が、インジウムと錫と酸素とを含有する化合物を塩酸に溶解して得られる水溶液である請求項１または２のいずれかに記載の製造方法。
【請求項４】
　インジウムイオンと錫イオンとを含有する水溶液が、塩化インジウムと塩化第二錫とを含有する水溶液を還元処理して得られた水溶液である請求項１〜３のいずれかに記載の製造方法。
【請求項５】
　酸化物に換算した場合における酸化インジウムと酸化錫の合計量に対する酸化錫の量が２重量％以上２０重量％以下である請求項１〜４のいずれかに記載の製造方法。
【請求項６】
　インジウムイオンと錫イオンとを含有する水溶液をイオン交換樹脂と接触させる工程を含む請求項１〜５のいずれかに記載の製造方法。
【請求項７】
　インジウムイオンと錫イオンとを含有する水溶液とアルカリ水溶液との混合を、４０℃以上１００℃未満の温度の水に、インジウムイオンと錫イオンとを含有する水溶液とアルカリ水溶液とを、ｐＨが４以上７以下の範囲に維持されるよう供給して行うことを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の製造方法。
【請求項８】
　焼成を、ハロゲン化水素ガスおよび／またはハロゲンガスを１体積％以上含有する雰囲気中で、６００℃以上１３００℃以下の温度範囲で保持して行うことを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の製造方法。
【請求項９】
　アルカリ水溶液が水酸化ナトリウムおよび／または水酸化カリウムの水溶液である請求項１〜８のいずれかに記載の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
　本発明は、酸化インジウム−酸化錫（Ｉｎｄｉｕｍ−Ｔｉｎ−Ｏｘｉｄｅ、酸化インジウムに酸化錫が固溶した物質、以下ＩＴＯと略す。）粉末及びその製造方法に関する。さらに詳しくは、高密度のＩＴＯ焼結体の製造用に好適なＩＴＯ粉末及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
　ＩＴＯ粉末はＩＴＯ焼結体の製造用に用いられ、酸化錫を２〜２０重量％含有する。ＩＴＯ焼結体はＩＴＯ薄膜をスパッタ法により製造するためのターゲットとして用いられている。ＩＴＯ薄膜は、高い導電性と優れた透光性を有するために、液晶ディスプレイ用の透明導電膜として利用されている。
【０００３】
　高密度のＩＴＯ焼結体からなるターゲットを用いると、高い導電性を有するＩＴＯ薄膜を得ることができるので、相対密度が９９％以上である高密度の焼結体がターゲット用のＩＴＯ焼結体として好適であることが知られている。
　ＩＴＯ焼結体はＩＴＯ粉末を焼結して製造されているので、高密度のＩＴＯ焼結体を与えるＩＴＯ粉末が求められている。
【０００４】
　ＩＴＯ焼結体製造用のＩＴＯ粉末は、インジウムイオンと錫イオンとを含有する水溶液からインジウムと錫を含有する沈澱を得て、次いでこれをろ過し、得られた沈澱を焼成することにより製造される。ＩＴＯ粉末の従来の製造方法においては、インジウムイオンと錫イオンとを含有する水溶液として、ＩｎＣｌ3と４価の錫の塩であるＳｎＣｌ4とを水に溶解させた水溶液を用い、その水溶液にアンモニア水等のアルカリ水溶液を滴下し、インジウムと錫とを含有する沈澱を得て、次いでこれを濾過し、得られた沈澱を焼成することにより、ＩＴＯ粉末を製造している（例えば、特許文献１、特許文献２参照。）。しかし、製造されたＩＴＯ粉末は高密度のＩＴＯ焼結体の製造用には充分ではなかった。
【０００５】
【特許文献１】特開平７−２１８３１号公報
【特許文献２】特開平７−２４７１６２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
　本発明の目的は、インジウムイオンと錫イオンとを含有する水溶液とアルカリ水溶液を混合してインジウムと錫とを含有する沈澱を生成させた後、固液分離により得られた沈澱を焼成することによる酸化インジウム−酸化錫粉末の製造方法において、高密度のＩＴＯ焼結体を与えるＩＴＯ粉末の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
　本発明者らは、インジウムイオンと錫イオンとを含有する水溶液とアルカリ水溶液とを混合して、インジウムと錫とを含有する沈澱を生成させた後、固液分離により得られた沈澱を焼成することによるＩＴＯ粉末の製造方法について鋭意検討した結果、該水溶液に含有される錫イオンとして２価の錫イオンが多く含まれる場合に、高密度のＩＴＯ焼結体を与えるＩＴＯ粉末が得られることを見出し、本発明を完成させるに至った。
【０００８】
　すなわち本発明は、インジウムイオンと錫イオンとを含有する水溶液とアルカリ水溶液とを混合してインジウムと錫とを含有する沈澱を生成させた後、固液分離により得られた沈澱を焼成することによる酸化インジウム−酸化錫粉末の製造方法において、インジウムイオンと錫イオンとを含有する水溶液として錫イオン中の２価の錫イオンの割合が５０重量％以上である水溶液を用いることを特徴とする酸化インジウム−酸化錫粉末の製造方法を提供する。
【発明の効果】
【０００９】
　本発明の製造方法によるＩＴＯ粉末は、ＩＴＯ焼結体製造用の原料粉末として使用した場合、高い密度のＩＴＯ焼結体が得られ、得られた焼結体をスパッタリングターゲットとして用いた場合、高い導電性を有するＩＴＯ薄膜を得ることができ、一方、本発明の製造方法によるＩＴＯ粉末は、均一で微細な一次粒子からなるので、透明導電性のフィラ−用途としても適しているので、本発明は工業的に極めて有用である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
　錫イオンは水溶液中に含有されるときは２価または４価の原子価を示す。本発明の製造方法においては、インジウムイオンと錫イオンとを含有する水溶液（以下、「原水溶液」ということがある。）に含有される錫イオンとしては、原水溶液に含有されている錫イオンの量全体に対して２価の錫イオンが５０重量％以上であり、７０重量％以上が好ましく、８０重量％以上がより好ましい。原水溶液に含有される２価の錫イオンが錫イオンの量全体に対して５０重量％未満の場合は、沈澱を含有する水溶液から固液分離により沈澱を取り出し、得られた沈澱を焼成して得られるＩＴＯ粉末には強固な凝集粒子が含まれ、そのため得られたＩＴＯ粉末を用いてＩＴＯ焼結体を製造しても高い密度を有するＩＴＯ焼結体とはならない。
【００１１】
　本発明の製造方法において、原水溶液は、例えば、塩化インジウム（ＩｎＣｌ3）、硝酸インジウム（Ｉｎ（ＮＯ3）3）等の水溶性のインジウム塩と塩化第一錫（ＳｎＣｌ2）、硫酸錫（ＳｎＳＯ4）等の２価の水溶性の錫塩を水に溶解させて製造することができる。インジウム塩と錫塩をそれぞれ溶解させて別々の水溶液としてから混合しても、前記の固体のインジウム塩と前記の固体の錫塩を水に加えて共に溶解させて原水溶液としてもよい。塩化インジウムの水溶液または硝酸インジウムの水溶液としては、金属インジウムをそれぞれ塩酸または硝酸に溶解させて製造したものを用いてもよく、塩化第一錫の水溶液も、金属錫を塩酸に溶解させて製造したものを用いることもできる。金属インジウムと金属錫とを塩酸に加えて溶解させることにより、原水溶液を製造することもできる。
【００１２】
　また、原水溶液としては、塩化インジウムと塩化第二錫（ＳｎＣｌ4）とを水に溶解させた水溶液に含有される４価の錫イオンの少なくとも一部を２価に還元したものを用いることができる。あるいは、インジウムと錫と酸素とを含有する化合物を酸に溶解させて得られる溶解液に含有される４価の錫イオンの少なくとも一部を２価に還元したものを用いることもできる。
【００１３】
　インジウムと錫と酸素とを含有する化合物としては、ＩＴＯ、水酸化インジウム−水酸化錫混合物等が挙げられ、工業的には、ＩＴＯ粉末の中で品質規格から外れた製品、ＩＴＯ焼結体で品質規格から外れた製品、ＩＴＯ焼結体の研削くず、あるいはスパッタリングに使用した使用済みＩＴＯターゲットから取り出されたＩＴＯ焼結体を用いることができる。以下、ＩＴＯの使用済みターゲットを用いた方法に関して説明する。
【００１４】
　使用済みＩＴＯターゲットは、ＩＴＯ焼結体が銅製のバッキングプレートにインジウム半田等により貼付された状態で回収されるため、１５０〜２００℃程度に加熱してＩＴＯ焼結体をバッキングプレートから剥離する。剥離して取り出したＩＴＯ焼結体にはバッキングプレートとの接合に使用したインジウム半田等が付着残留している場合がある。インジウム半田にはＣｕ、Ｐｂ等の不純物が含まれている場合があり、また、ＩＴＯ焼結体表面にＳｉ、Ａｌ、Ｆｅ等を含有する異物が付着している場合があるため、酸を用いて洗浄し、インジウム半田や異物等を除去しておくことが好ましい。
【００１５】
　ＩＴＯ焼結体は、酸への溶解速度を向上させるために予め粉砕することが好ましい。粉砕方法としては特に限定されないが、工業的に通常用いられるジョークラッシャー、ロールクラッシャー、ディスクミル、振動ミル等を用いることができ、これら粉砕機の被粉砕物に接触する部分の材質としてはアルミナ、ジルコニア、タングステンカーバイド等のセラミックスが好ましい。粉砕機の材質が金属の場合は、粉砕後のＩＴＯ焼結体にその金属が付着して汚染が生じ、ＩＴＯ焼結体を溶解して作製した溶解液（以下、単に溶解液ということがある。）から金属不純物を除去することが必要となるので好ましくない。粉砕後のＩＴＯ焼結体の大きさとしては必ずしも限定されないが、好ましくは２０ｍｍ以下、更に好ましくは２ｍｍ以下、最も好ましくは０．５ｍｍ以下である。
【００１６】
　ＩＴＯ焼結体を溶解するための酸としては塩酸、硫酸、硝酸等が挙げられるが、ＩＴＯの溶解速度が速い塩酸が好ましく、以下塩酸を用いた場合について説明する。溶解方法は特に限定されないが、反応容器に塩酸と粉砕後のＩＴＯ焼結体とを仕込み撹拌する等の方法を例示することができる。
【００１７】
　ＩＴＯ焼結体を酸により溶解するときの温度、時間は特に限定されず、工業的に有利な温度、時間を選択することができ、温度としては通常は４０℃以上１００℃以下、好ましくは６０℃以上８０℃以下の温度範囲、溶解時間としては通常は１００時間以内、好ましくは５０時間以内、さらに好ましくは２４時間以内である。ＩＴＯ焼結体を溶解して得られた溶解液のインジウムの濃度は２００ｇ／Ｌ以上、さらに３００ｇ／Ｌ以上とすることが、ＩＴＯ粉末の生産性の観点から好ましい。
【００１８】
　こうして得られた溶解液には、未溶解のＩＴＯ焼結体破片や粉砕機の部材から混入したセラミックス粒子が残存する場合もあるが、その場合には濾過等の固液分離によりそれらの固体を除去して液のみを回収する。
【００１９】
　このようにして得られる溶解液中の錫イオンは通常は４価である。この溶解液またはインジウム塩と４価の錫塩を水に溶解させた水溶液を原水溶液として用いる場合は、錫イオンを４価から２価に還元する必要がある。以下、溶解液を用いる場合を例として述べる。
【００２０】
　この還元処理は、溶解液に金属錫を添加して溶解させる方法によって行うことができる。金属錫としては数ｍｍ以下程度の粒状のものを用いることができる。その添加量は、溶解液中の錫イオンのうち２価の錫イオンが５０重量％以上となる量であればよく、例えば、溶解液中の錫イオンの量の５倍以上の重量の金属錫を溶解液に入れ、反応温度は通常１０℃以上９０℃以下の範囲、好ましくは２０℃以上８０℃以下の温度範囲で、通常は６時間以上、好ましくは８時間以上反応させることにより還元処理を行うことができる。このときには還元反応が伴うので、塩酸水溶液中への金属錫の溶解挙動とは異なり、水素ガスの発生が殆ど無い。還元処理は、Ｎ2、Ａｒ等の不活性ガス雰囲気中で行うことが好ましい。
【００２１】
　また、還元処理は、前記溶解液に金属インジウムを添加して反応させる方法によって行うこともできる。金属インジウムとしては数ｍｍ以下程度の粒状のものや板状のものを用いることができるが、好ましくは溶解液中に存在する錫１ｇに対して金属インジウムの表面積が２ｃｍ2以上、好ましくは３ｃｍ2となるように添加する。インジウムの添加重量としては溶解液中の錫イオンの重量の１．３〜２．０倍程度が好ましい。還元反応の温度としては、通常は０℃以上５０℃以下であり、好ましくは５℃以上４０℃以下程度の温度範囲である。高温で反応させると錫の還元が起こらず水素ガスの発生が生じることがあるので好ましくない。この金属インジウムの添加により錫イオンが０価（すなわち金属錫）まで還元されることもあり、その場合は生成した金属錫を除去することができる。
【００２２】
　そして、還元処理後の溶解液から金属錫および／または金属インジウムを除去してインジウムイオンと錫イオンとを含有する水溶液、すなわち原水溶液が得られる。このようにして得られた原水溶液中に存在する全ての錫イオンの量に対する２価の錫イオンの重量割合は、本発明の製造方法においては５０重量％以上である必要があり、５０重量％に満たない場合は、さらに還元処理を行ったり、２価の錫イオンを含有する水溶液を加えるなどして５０重量％以上とする。
【００２３】
　必要に応じて、該水溶液中のインジウムイオンと錫イオンの濃度を調整する。最終的なインジウムイオンと錫イオンの濃度は、最終的に得ようとするＩＴＯ粉末に含有される錫量に応じて、インジウムイオン濃度との関係で決定すれば良く、酸化物に換算した場合において酸化インジウムと酸化錫の合計量に対する酸化錫の量が２重量％以上２０重量％以下が好ましい。すなわち、インジウムの量をＩｎ2Ｏ3の重量として計算し、錫の量をＳｎＯ2の重量として計算した場合において、（ＳｎＯ2／（Ｉｎ2Ｏ3＋ＳｎＯ2））×１００が２以上２０以下となることが好ましい。錫イオンまたはインジウムイオンの濃度の調整は、別途調製したインジウムの塩酸溶解液あるいは錫の塩酸溶解液を添加したり、別途調製した塩化インジウム水溶液あるいは塩化第一錫水溶液を添加したりすることにより行うことができる。
【００２４】
　原水溶液中には、不純物として例えば、Ｚｒ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｆｅ等が含まれる場合があり、この場合にはカチオン交換樹脂、アニオン交換樹脂等のイオン交換樹脂と接触させて、これら不純物を除去する工程を含む製造方法が好ましい。特に、ＩＴＯ焼結体を粉砕し溶解して得られる溶解液を用いる場合は、不純物としてＺｒ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｆｅ等が含まれる可能性が高く、イオン交換樹脂と接触させて、これら不純物を除去する工程を含む製造方法が好ましい。
【００２５】
　また、原水溶液に含まれる２価の錫イオンは、例えば原水溶液を空気中に放置することによって、容易に酸化され４価の錫イオンに変化する。従って、原水溶液は密栓して、不活性雰囲気中で保存することが好ましい。
【００２６】
　以上のようにしてインジウムイオンと錫イオンとを含有する水溶液を得た後、この原水溶液とアルカリ水溶液とを混合してインジウムと錫を含有する沈澱を生成させる。原水溶液とアルカリ水溶液とを混合してインジウムと錫を含有する沈澱を生成させる方法としては、原水溶液及びアルカリ水溶液を、反応槽に入れた水の中に供給することにより行うことができる。
【００２７】
　この場合、用いるアルカリ水溶液としては、アンモニア水や水酸化ナトリウム水溶液や水酸化カリウム水溶液などが挙げられるが、アンモニア水を用いた場合、固液分離や洗浄を行った際に発生する排水中にアンモニアが多量に含まれ、廃水処理にコストがかかるため好ましくない。水酸化ナトリウム水溶液または水酸化カリウム水溶液を用いる場合、濃度は特に限定されないが、通常１０〜５０重量％程度の範囲である。アンモニア水を用いる場合も濃度は特に限定されないが、通常１０〜２８重量％程度の範囲である。
【００２８】
　また、原水溶液及びアルカリ水溶液を、反応槽に入れた水の中に供給する方法としては、例えば、まず反応槽に所定量、所定温度、所定ｐＨの水（蒸留水あるいはイオン交換水等）を入れて撹拌し、次いで、撹拌を行いながら水中への原水溶液およびアルカリ水溶液の供給を開始し、反応中のｐＨが４以上７以下の範囲に維持されるよう、必要量のアルカリ水溶液を供給することにより行うことができる。このｐＨ範囲にｐＨを維持して反応させることにより、均一な粒径で、かつ濾過性および乾燥後の解砕性が良好な沈澱が得やすくなる。供給中のｐＨが７を越えた範囲に維持して反応させた場合、ろ過に時間がかかり、乾燥後に固い塊を含み解砕が困難な沈澱が得られるおそれがある。また、ｐＨが４未満の範囲に維持して反応させた場合、沈澱とならずに溶液中に溶解している状態のインジウムの量が多くなり、収率が低下するおそれがある。
【００２９】
　なお、原水溶液及びアルカリ水溶液の供給の初期段階において、ｐＨが４以上７以下の範囲外に振れる場合がある。特に原水溶液の供給を開始した直後の急激なｐＨ低下や、アルカリ水溶液の供給による急激なｐＨの上昇を生じる場合があるが、この現象が供給の初期のみであれば、得られる沈澱の濾過性や乾燥後の解砕性および焼成により得られるＩＴＯ粉末には影響を与えない。なお、前記の供給の初期とは、全供給時間の１０％以内の時間をいう。
【００３０】
　また、反応に用いる原水溶液は強酸性を呈するため、原水溶液にアルカリを予め添加して、該水溶液のｐＨを、インジウムおよび錫の沈澱が生じない程度、例えばｐＨ＝０〜１程度に調整しておくことも、反応中のｐＨを４以上７以下の範囲に維持するために好ましい方法の一つとして挙げられる。
【００３１】
　また、反応槽に入れる水の温度は４０℃以上１００℃未満が好ましい。水温が４０℃未満の場合、得られる沈澱の濾過性が悪化し、濾過に時間がかかり、および乾燥後のケーキが固い塊となり、解砕が困難となるおそれがある。
【００３２】
　原水溶液の供給速度は、工業的に有利な速度を選ぶことができる。供給速度は、反応槽の容量等により調整することができるが、原水溶液の全量を供給する時間として、通常は１０分以上３００分以下、好ましくは２０分以上２００分以下である。原水溶液の供給時間が３００分を超えると、得られるＩＴＯ粉末中の一次粒子同士の凝集が強くなり、解砕が困難となるおそれがある。
【００３３】
　原水溶液の供給が終了した後は、インジウムと錫とを含有する沈澱が生成しており、その沈澱を熟成することが好ましい。熟成の方法としては、該沈澱を含有する懸濁液を撹拌または静置する方法等が採用できる。熟成の温度としては、反応温度と同じ４０℃以上１００℃未満が好ましい。この熟成を行うことによって、沈澱の粒子径の均一化が生じるものと思われる。
【００３４】
　次いで、濾過等により固液分離を行い、インジウムと錫とを含有する沈澱を取り出す。濾過の方法は特に限定されず、吸引濾過、加圧濾過、遠心分離、フィルタ−プレス等の工業的に通常用いられる方法が挙げられる。
【００３５】
　また、濾過による固液分離後の該沈澱には、副生したアルカリ塩類が残存していることがあるため、必要に応じて該沈澱の洗浄を行うことができる。洗浄液としては、蒸留水やイオン交換水等の水、あるいはアンモニア水等を用いることができる。洗浄液にアンモニア水を用いた場合、洗浄時間の短縮効果があること等から好ましい。この場合、アンモニア水のｐＨとしては、好ましくは８以上１２以下、より好ましくはｐＨ９．５以上１０．５以下である。ｐＨが１２を超えるアンモニア水を用いて洗浄を行った場合、インジウムと錫を含有する沈澱が再溶解する傾向があり、また、洗浄排水中のアンモニア濃度が高くなり、廃水処理にコストがかかり好ましくない。
【００３６】
　洗浄によって、インジウムと錫とを含有する沈澱のアルカリ含有量と塩素含有量を低下させることができる。洗浄は、乾燥後に得られる沈澱のアルカリ含有量が２００重量ｐｐｍ以下、さらに好ましくは１００重量ｐｐｍ以下、塩素含有量が１００００重量ｐｐｍ以下、さらに好ましくは５０００重量ｐｐｍとなるように行うことが好ましく、そのためには、排水中のアルカリイオン濃度が２００ｍｇ／Ｌ以下、より好ましくは１００ｍｇ／Ｌ以下、さらに好ましくは５０ｍｇ／Ｌとなるまで行い、また、排水中の塩素イオン濃度が２００ｍｇ／Ｌ以下、より好ましくは１００ｍｇ／Ｌ以下、さらに好ましくは５０ｍｇ／Ｌとなるまで行うことが好ましい。
【００３７】
　次いで、固液分離により得られ、インジウムと錫とを含有する沈澱を乾燥することができるが、乾燥と焼成は同時に行うこともできる。乾燥を行う場合、乾燥温度は特に限定されず、沈澱に付着した水分を除去できる程度の温度、例えば９０℃以上２００℃以下程度の温度範囲で行うことができる。乾燥を行った場合、本願においては得られた該沈澱のＢＥＴ比表面積は通常は３０ｍ2／ｇ以下となり、凝集が非常に弱く粉砕が容易なものとなる。
【００３８】
　これに対して、原水溶液として、２価の錫イオンが錫イオン全量の５０重量％未満のものを用いた場合には、得られた沈澱を乾燥させた物のＢＥＴ比表面積は５０ｍ2／ｇを超え、極めて微粒子からなる粉末となり、乾燥後の沈澱に固い塊が含まれるので、焼成後に得られるＩＴＯ粉末にも固い塊が含まれ、高い密度を示すＩＴＯ焼結体が得られるＩＴＯ粉末とはならない。
【００３９】
　次に、インジウムと錫とを含有する沈澱を焼成することによってＩＴＯ粉末とする。
　焼成温度は通常は６００℃以上１３００℃以下の温度範囲であり、好ましくは８００℃以上１２００℃以下である。
【００４０】
　焼成の雰囲気ガスとしては、塩化水素、臭化水素、沃化水素等のハロゲン化水素ガス；塩素、臭素、沃素等のハロゲンガス；空気；酸素；窒素；アルゴン等を用いることができる。焼成において少なくとも最高到達温度付近においてはハロゲン化水素ガスおよび／またはハロゲンガスを含有する雰囲気が好ましい。ハロゲン化水素ガスとしては塩化水素ガスが、ハロゲンガスとしては塩素が好ましい。ハロゲン化水素ガスおよび／またはハロゲンガスを含有する雰囲気ガス中での焼成によって、凝集が弱く、特に高い密度のＩＴＯ焼結体を与えるＩＴＯ粉末を得ることができる。
【００４１】
　ハロゲン化水素ガスおよび／またはハロゲンガスを含有する雰囲気中で焼成する場合、雰囲気の全体積に対して、該ガスの好ましい濃度は１体積％以上、より好ましい濃度は５体積％以上である。ハロゲン化水素ガスおよび／またはハロゲンガスの濃度の上限は特に限定されないが、工業的な生産性の面から、通常は７０体積％以下、より好ましくは５０体積％以下、さらに好ましくは２０体積％以下である。該ガス以外のガスとしてはアルゴン等の不活性ガス、窒素、酸素、空気またはこれらの混合ガスを用いることができる。
【００４２】
　ハロゲン化水素ガスおよび／またはハロゲンガスを含有する雰囲気ガスを含有する雰囲気ガスは、昇温の過程で６００℃以上で導入することが好ましい。６００℃未満の温度から前記雰囲気ガスを導入すると、ＩＴＯの揮発量が多くなり、収率が低下する等の問題が生ずるおそれがある。また、所定温度で所定時間焼成した後は、前記雰囲気ガスの供給を止め、アルゴン等の不活性ガス、窒素、酸素あるいは空気またはこれらの混合ガスを含有する雰囲気ガスを供給し、冷却することが好ましい。
【００４３】
　焼成における雰囲気ガスの圧力は特に限定されず、工業的に用いられる範囲において任意に選ぶことができる。通常は常圧（０．０８ＭＰａ以上０．１２ＭＰａ以下）で焼成を行う。
【００４４】
　適切な焼成の時間は雰囲気ガスの濃度や焼成の温度にも依存するので必ずしも限定されないが、所定の温度範囲に保持する時間は好ましくは１分以上、より好ましくは１０分以上である。
【００４５】
　焼成装置は必ずしも限定されず、いわゆる焼成炉を用いることができる。特に、ハロゲン化水素ガスおよび／またはハロゲンガスを用いる場合、焼成炉はハロゲン化水素ガス、ハロゲンガスに腐食されない材質で構成されていることが好ましい。さらに雰囲気を調整できる構造を備えていることが望ましい。また、ハロゲン化水素ガスまたはハロゲンガスという腐食性ガスを用いるので、焼成炉は気密性があることが望ましい。
【００４６】
　工業的には連続方法で焼成することが好ましく、例えば、トンネル炉等を用いることができる。ハロゲン化水素ガスまたはハロゲンガス雰囲気中で焼成する場合、焼成工程で用いられる装置、坩堝やボ−トは、アルミナ性、石英性、耐酸レンガあるいはグラファイト製であることが好ましい。
【００４７】
　上記の製造方法により製造されたＩＴＯ粉末はＢＥＴ比表面積径（ＩＴＯ粉末のＢＥＴ比表面積とＩＴＯの理論密度から求めた値）が、好ましくは０．０５μｍ以上１μｍ以下、さらに好ましくは０．１μｍ以上０．５μｍ以下の均一な一次粒子から構成される。またこれら一次粒子同士の凝集は弱く、焼結用に好適である。
【００４８】
　また、上記の製造方法により製造されたＩＴＯ粉末には、アルカリがハロゲン化物としてＩＴＯ粒子表面に残留している場合があり、焼成後にＩＴＯ粉末を水で洗浄することによってアルカリ含有量を減少させることができる。こうして、アルカリ含有量が１０ｐｐｍ以下で、純度９９．９９％以上のＩＴＯ粉末を得ることができる。
【００４９】
　焼成後のＩＴＯ粉末を水で洗浄する場合、その方法としては、焼成後のＩＴＯ粉末を所定量の水に添加して、攪拌して分散させスラリー化させた後に、濾過等の固液分離等を行った後、水を注いで洗浄する方法を採用することができる。濾過の方法は特に限定されず、吸引濾過、加圧濾過、遠心分離、フィルタ−プレス等の工業的に通常用いられる方法を挙げることができる。また、焼成後のＩＴＯ粉末に所定量の水に加えて、攪拌して分散させた後に、得られたＩＴＯスラリーのｐＨを好ましくは６以上９以下、更に好ましくは７以上８以下に調整する方法により、濾過性が改善され短時間で濾過洗浄が終了する。
【００５０】
　また、得られたＩＴＯ粉末を粉砕することができる。粉砕方法としては特に限定されるものではなく、例えば通常工業的に用いられる、振動ミル、ボールミルやジェットミル等が挙げられるが、本願発明の製造方法によるＩＴＯ粉末の粉砕方法としては、ＩＴＯ粉末中の一次粒子同士の凝集は弱いため、軽度の粉砕、例えばボ−ルミルやジェットミル等により粉砕することができる。またボールミル粉砕に際しては、乾式粉砕または湿式粉砕、またはこれらの組み合わせのいずれの方法も用いることができる。
【００５１】
　ＩＴＯ粉末の粉砕に用いられる粉砕容器としてはアルミナ製や樹脂製等のものを用いることができ、粉砕用のボールとしてはアルミナ製、ジルコニア製や樹脂製等のものを用いることができる。ボールミル粉砕の際に粉砕容器やボールからの汚染が少ない、樹脂製の粉砕容器と耐摩耗性の高いジルコニア製の粉砕用ボールを用いることが好ましく、更にボールミル粉砕条件、例えば回転数、粉砕時間等を最適化することで高純度のＩＴＯ粉末を得ることができる。
【実施例】
【００５２】
　次に本発明を実施例によりさらに詳しく説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
【００５３】
　なお、本発明における各種測定は次のようにして行った。
１．焼成後に得られたＩＴＯ粉末の累積粒度分布とＢＥＴ比表面積の測定
（１）レーザー散乱法を測定原理とする粒度分布測定装置（島津製作所製、ＳＡＬＤ−２０００Ａ型）を用いて累積粒度分布を測定し、累積５０重量％の粒径を平均粒径とした。
【００５４】
（２）ＢＥＴ比表面積測定装置（島津製作所製、フロ−ソ−ブII　２３００型）を用いてＢＥＴ比表面積を測定した。
　また次式によってＢＥＴ比表面積径（ＤＢＥＴ）を算出し、一次粒子径の目安とした。
　　　ＤＢＥＴ（μｍ）＝６／（Ｓ×ρ）
　　　　　　　　Ｓ＝ＢＥＴ比表面積（ｍ2／ｇ）
　　　　　　　　ρ＝ＩＴＯの理論密度（ｇ／ｃｍ3）
　　　　　　　　　　錫の含有量が酸化物換算で酸化錫として（ＳｎＯ2／（Ｉ
　　　　　　　　　　ｎ2Ｏ3＋ＳｎＯ2））×１００＝１０重量％の場合は、
　　　　　　　　　　ρは７．１６ｇ／ｃｍ3である。
【００５５】
２．ＩＴＯ粉末中の塩素含有量測定方法
　ＩＴＯ粉末中の塩素含有量は、ＩＴＯ粉末を水素還元し、排出ガスを水トラップに吸収させ、トラップ中の塩素量をイオンクロマトグラフィーにより定量し測定した。
【００５６】
実施例１
　金属インジウム（純度９９．９９９重量％）を濃度３５重量％の塩酸に溶解して製造した塩化インジウム水溶液（Ｉｎ＝２３．３重量％含有）５１５１ｇに、金属錫（純度９９．９９５重量％）を濃度３５重量％の塩酸に溶解した錫塩水溶液（Ｓｎ＝２３．３重量％含有）５２６ｇを混合して、インジウムイオンと錫イオンとを含有する水溶液を調製した。該水溶液中の全てのＳｎイオンに対する２価のＳｎイオンの割合は８５．３重量％であった。インジウムイオンと錫イオンとを含有する水溶液中のＳｎの量は、酸化物に換算して酸化錫として（ＳｎＯ2／（Ｉｎ2Ｏ3＋ＳｎＯ2））×１００＝１０重量％であった。次いで濃度２５重量％の水酸化ナトリウム水溶液を加えてインジウムイオンと錫イオンとを含有する水溶液のｐＨを０．５に調整した。
【００５７】
　容積２０Ｌの反応槽内にイオン交換水６ｋｇを入れて５５℃に保持した。この５５℃のイオン交換水を撹拌しながら、インジウムイオンと錫イオンとを含有する水溶液と濃度２５重量％水酸化ナトリウム水溶液とを、反応中のｐＨが５．５に維持されるように、１１４分かけて同時に供給し中和反応を行ってインジウムと錫とを含有する沈澱を生成させた。反応終了後、５５℃にて３０分撹拌の後に、２５重量％水酸化ナトリウム水溶液にてｐＨ＝８．０に調整した。
　次いで、沈澱を含有する水溶液から吸引濾過により固液分離を行って沈澱を得た。沈澱は吸引濾過後、漏斗に保持したままアンモニア水によりｐＨ＝１０に調整したイオン交換水５．８ｋｇを５回注いで（合計２９ｋｇ）洗浄した。洗浄５回目の洗浄排水のナトリウムイオン濃度は３．８ｍｇ／Ｌ，塩素イオン濃度は２８ｍｇ／Ｌであった。
【００５８】
　次いで、この沈澱を１４０℃にて乾燥した。乾燥した沈澱のＢＥＴ比表面積は１３ｍ2／ｇ、ナトリウム含有量は７重量ｐｐｍで塩素含有量は５０００重量ｐｐｍであった。そして、前記乾燥させた沈澱を焼成した。沈澱は石英ガラス製のボ−トに充填した。充填量は約５００ｇ、充填深さは約３０ｍｍ程度とした。焼成は石英ガラス製炉芯管を用いた管状炉（東京理化窯業社製）で行った。昇温速度は５℃／分とした。焼成の雰囲気は当初空気として昇温を開始し、温度が１０００℃に達してから塩化水素１０体積％−空気９０体積％からなる雰囲気を導入して雰囲気を切り替え、１１００℃で４０分間保持して焼成を行った。１１００℃で保持した後、空気を導入して雰囲気を切り替え、室温まで冷却し、目的とするＩＴＯ粉末をボ−ト中に得た。塩化水素は鶴見ソ−ダ（株）製のボンベ塩化水素（純度９９．９％）を用いた。雰囲気ガス濃度の調整は、流量計を用いたガス流量の調整により行った。粉末を取り出して水洗してＩＴＯ粉末を得た。水洗方法は、焼成後のＩＴＯ粉末を、その重量の３倍量のイオン交換水に入れ、３０分撹拌の後に、アンモニア水を添加してｐＨ＝８〜９に調整した後、吸引濾過し、排水中の塩素イオン濃度が１ｍｇ／Ｌ以下となるまでイオン交換水にて洗浄した。洗浄後、１３０℃にて乾燥した。得られたＩＴＯ粉末の塩素含有量は１０ｐｐｍ未満、ＢＥＴ比表面積が３．０ｍ2／ｇでＢＥＴ比表面積径が０．２８μｍ、平均粒径が５．１μｍであった。
【００５９】
　また、得られたＩＴＯ粉末の湿式粉砕を行った。湿式粉砕はボールミルにより行った。ＩＴＯ粉末１００ｇと、エタノール１００ｇと、直径５ｍｍジルコニアボ−ル１０００ｇとをポリエチレン製５００ｍｌポットに入れ、回転数１００ｒｐｍにて８時間粉砕した。次いで、減圧下にて乾燥し、粉砕ＩＴＯ粉末を得た。粉砕後に得られたＩＴＯ粉末のＢＥＴ比表面積は３．７ｍ2／ｇ、ＢＥＴ比表面積径は０．２３μｍ、平均粒径は０．９μｍであった。
【００６０】
　粉砕ＩＴＯ粉末を焼結した。粉砕後のＩＴＯ粉末を、１０ＭＰａ（１００ｋｇ／ｃｍ2）に加圧して一軸成形した後、２５０ＭＰａ（２．５ｔｏｎ／ｃｍ2）の圧力にてＣＩＰ成形を行い、成形体を得た。焼結は常圧の酸素雰囲気中、１５００℃の温度範囲に３時間保持して行った。得られたＩＴＯ焼結体の焼結体密度は７．１２ｇ／ｃｍ3となり、理論密度の９９．４％まで高密度化した。
【００６１】
実施例２
　まず金属インジウムを塩酸に溶解させた水溶液と、塩化第二錫（ＳｎＣｌ4）水溶液と濃度３５重量％塩酸とを混合し、Ｉｎイオン濃度が１１０ｇ／Ｌ、Ｓｎイオン濃度が１２ｇ／Ｌ、水素イオン濃度が０．９ｍｏｌ／Ｌの水溶液を調整した。次いで、該水溶液５２６ｍＬに金属錫１２１．４ｇを添加して、Ｎ2雰囲気中、７０℃にて７時間保持して溶解させた後に未溶解の金属錫を除去することにより、水溶液中の錫を４価から２価に還元した。得られた水溶液中の全てのＳｎイオンに対する２価のＳｎイオンの重量割合は、理論計算で９９％であった。次いで、インジウムの塩酸溶解液を添加して、錫含有量が酸化物換算で（ＳｎＯ2／（Ｉｎ2Ｏ3＋ＳｎＯ2））×１００＝１０重量％のインジウムイオンと錫イオンとを含有する水溶液を得た。その水溶液に濃度２５重量％の水酸化ナトリウムを添加し、ｐＨを０．２に調整した。得られた水溶液は７２０ｍｌであり、Ｉｎ濃度は１５９ｇ／Ｌ、Ｓｎ濃度１７ｇ／Ｌであった。
【００６２】
　次いで、容積２Ｌの反応槽内にイオン交換水６００ｇを入れて６０℃に保持し、撹拌しながら、上記で得られたインジウムイオンと錫イオンとを含有する水溶液と濃度２５重量％の水酸化ナトリウム水溶液とを、反応中のｐＨが５．５に維持されるように、６０分かけて同時に供給して中和反応を行ってインジウムと錫を含有する沈澱を生成させた。反応終了後、６０℃にて３０分撹拌の後に、濃度２５重量％水酸化ナトリウム水溶液にてｐＨ＝８．０に調整し、更に４０℃まで降温の後にｐＨ＝１０．０に調整し、得られた沈澱を吸引濾過により採取後、アンモニア水によりｐＨ＝１０に調整したイオン交換水約５８０ｇを７回注いで洗浄した。洗浄７回目の洗浄排水の塩素イオン濃度は８７ｍｇ／Ｌであった。
【００６３】
　次いで、この沈澱を１３０℃にて乾燥した。乾燥した沈澱の平均粒径は５．０μｍ、ＢＥＴ比表面積は１６ｍ2／gであり、乾燥品の解砕は容易であった。次に、上記乾燥物を実施例１と同じ炉を用いて実施例１と同様に炉内に設置し、１０９０℃までは空気のみを流し、１０９０℃から１０体積％塩化水素−９０体積％空気からなるガスを流して雰囲気を切り替え、１０９０℃で６０分間保持して焼成した。得られた粉末を実施例１と同様にして水洗してＩＴＯ粉末を得た。得られたＩＴＯ粉末のＢＥＴ比表面積は３．８ｍ2／ｇ、ＢＥＴ比表面積径は０．２μｍ、平均粒径は４．２μｍであった。
【００６４】
　また、得られたＩＴＯ粉末を実施例１と同様にして湿式粉砕し、ＢＥＴ比表面積が５．０ｍ2／ｇ、ＢＥＴ比表面積径が０．１７μｍ、平均粒径が０．８μｍの粉砕ＩＴＯ粉末を得た。
【００６５】
　粉砕して得られたＩＴＯ粉末を実施例１と同様にして焼結した結果、焼結体密度は７．１１ｇ／ｃｍ3となり、理論密度の９９．３％にまで高密度化した。
【００６６】
実施例３
　インジウムと錫の水酸化物１４３．８ｇ（Ｉｎ＝９０．１ｇ、Ｓｎ＝８．８ｇ含有）と金属錫（純度９９．９９５％）４５．６ｇを１Ｌセパラブルフラスコに投入し、更に濃度３５重量％の塩酸２６８ｍｌを添加して、７５℃にて６時間保持して、Ｓｎを還元しつつ金属錫と前記水酸化物の溶解を行った。その後、未溶解の金属錫を水溶液から除去し、インジウムイオンと錫イオンとを含有する水溶液を得た。この水溶液中の全てのＳｎイオンに対する２価のＳｎイオンの割合は、理論計算で８３重量％であった。次いで、インジウムの塩酸溶解液を添加して、酸化物換算で（（ＳｎＯ2／（Ｉｎ2Ｏ3＋ＳｎＯ2））×１００＝１０重量％とし、濃度２５重量％の水酸化ナトリウム水溶液を添加し、ｐＨを０．２に調整した。得られたインジウムイオンと錫イオンとを含有する水溶液中のＩｎイオンの濃度は１７．０重量％、Ｓｎイオンの濃度は１．８重量％であった。
【００６７】
　次いで、容積２Ｌの反応槽内にイオン交換水６００ｇを入れて６０℃に保持した。この６０℃のイオン交換水を撹拌しながら、上記で得られたインジウムイオンと錫イオンとを含有する水溶液７０３．４ｇと、濃度２５重量％の水酸化ナトリウム水溶液とを、反応中のｐＨが５．５に維持されるように、６０分かけて同時に供給して中和反応を行ってインジウムと錫を含有する沈澱を生成させた。反応終了後、６０℃にて３０分撹拌の後に、濃度２５重量％水酸化ナトリウム水溶液にてｐＨ＝９．８に調整し、得られた沈澱を吸引濾過により採取後、アンモニア水にてｐＨ＝１０に調整したイオン交換水約５８０ｇを５回注いで洗浄した。洗浄５回目の洗浄排水の塩素イオン濃度は２０ｍｇ／Ｌであった。
【００６８】
　次いで、この沈澱を１３０℃にて乾燥した。乾燥した沈澱の平均粒径は４．５μｍ、ＢＥＴ比表面積は１７ｍ2／gであり、乾燥品の解砕は容易であった。次に、乾燥後の沈澱を実施例２と同様にして焼成し、実施例１と同様にして水洗してＩＴＯ粉末を得た。得られたＩＴＯ粉末のＢＥＴ比表面積が３．７ｍ2／ｇ、ＢＥＴ比表面積径が０．２３μｍ、平均粒径が４．０μｍであった。
【００６９】
　また、該ＩＴＯ粉末を実施例１と同様にして湿式粉砕することによって、ＢＥＴ比表面積が４．８ｍ2／ｇ、平均粒径が０．８μｍの粉砕ＩＴＯ粉末が得られた。
【００７０】
　粉砕して得られたＩＴＯ粉末を実施例１と同様にして焼結した結果、焼結体密度は７．１０ｇ／ｃｍ3となり、理論密度の９９．１％にまで高密度化した。
【００７１】
比較例１
　インジウムと錫とを含有する水酸化物（Ｉｎ：５７．９重量％，Ｓｎ：６．２重量％含有）２０７２ｇを濃度３５重量％の塩酸３８４５ｇに溶解させた。得られた水溶液中の全ての錫イオンに対する２価の錫イオンの割合は０重量％であった。次いで濃度２５重量％の水酸化ナトリウム水溶液を加えてインジウムイオンと錫イオンとを含有する水溶液のｐＨを０．４に調整した。
【００７２】
　容積２０Ｌの反応槽内にイオン交換水６ｋｇを入れて５５℃に保持した。この５５℃のイオン交換水を撹拌しながら、インジウムイオンと錫イオンを含有する水溶液と濃度２５重量％水酸化ナトリウム水溶液を、反応中のｐＨが５．５に維持されるように、１２１分かけて同時に供給し、中和反応を行ってインジウムと錫とを含有する沈澱を生成させた。反応終了後、５５℃にて３０分撹拌の後に、濃度２５重量％水酸化ナトリウム水溶液にてｐＨ＝８．０に調整した。次に、得られた沈澱を吸引濾過後、アンモニア水にてｐＨ＝１０に調整したイオン交換水５．８ｋｇを５回注いで洗浄した。洗浄５回目の洗浄排水のナトリウムイオン濃度は５８ｍｇ／Ｌ、塩素イオン濃度は２６０ｍｇ／Ｌであった。
【００７３】
　次いで、この沈澱を１４０℃にて乾燥した。乾燥した沈澱のＢＥＴ比表面積は５４ｍ2／ｇ、ナトリウム含有量は１５０重量ｐｐｍで塩素含有量は２８００重量ｐｐｍであった。次に、得られた沈澱を実施例１と同様にして焼成した。得られたＩＴＯ粉末の塩素含有量は６３重量ｐｐｍ、ＢＥＴ比表面積は３．３ｍ2／ｇ、ＢＥＴ比表面積径は０．２６μｍ、平均粒径は１．６μｍであった。
【００７４】
　また、得られたＩＴＯ粉末を実施例１と同様にして湿式粉砕した結果、ＢＥＴ比表面積が３．９ｍ2／ｇ、ＢＥＴ比表面積径が０．２１μｍ、平均粒径が１．０μｍの粉砕ＩＴＯ粉末となった。
【００７５】
　粉砕後に得られたＩＴＯ粉末を実施例１と同様にして焼結した結果、焼結体密度は６．８４ｇ／ｃｍ3となり、理論密度の９５．６％にまでしか密度は上がらなかった。
【００７６】
実施例４
　使用済みのＩＴＯターゲット粉砕品（大きさ約１０〜２０ｍｍ角）８１４ｇと３５重量％塩酸水溶液７１６ｇを２Ｌセパラブルフラスコに仕込み、８０℃で４０時間溶解した後、未溶解ＩＴＯを除去して、Ｉｎ＝３１１ｇ／Ｌ、Ｓｎ＝３４ｇ／Ｌ、Ｚｒ＝０．０３５４ｇ／Ｌ、水素イオン濃度３．２ｍｏｌ／ＬのＩＴＯ溶解液を得た。次いで該溶解液をイオン交換水にて希釈して水素イオン濃度を１．４ｍｏｌ／Ｌに調整後、カチオン交換樹脂（商品名：デュオライトＣ２５５ＬＦＨ）を充填したカラムに１．５ｍｌ／分の速度で通液して不純物Ｚｒを除去して、Ｉｎ＝１４２ｇ／Ｌ、Ｓｎ＝１５．７ｇ／Ｌ、Ｚｒ≦０．０００１ｇ／ＬのＩＴＯ精製溶解液を得た。次いで、ＩＴＯ精製溶解液５６３ｍＬに金属錫（純度９９．９９５％）１７７．８ｇを添加して、７０℃にて７時間保持して反応させた後に未溶解の金属錫を除去することにより、４価の錫イオンを２価に還元した。錫塩水溶液中の全てのＳｎイオン量に対する２価のＳｎイオンの割合は、理論計算で９９重量％であった。次いで、インジウムの塩酸溶解液を添加して、インジウムイオンと錫イオンを含有する水溶液の錫含有量を酸化物換算で（ＳｎＯ2／（Ｉｎ2Ｏ3＋ＳｎＯ2））×１００＝１０重量％とし、濃度２５重量％の水酸化ナトリウムを添加し、ｐＨを０．０２に調整してＩｎ＝１９１ｇ／Ｌ、Ｓｎ＝２０ｇ／Ｌのインジウムイオンと錫イオンとを含有する水溶液６２７ｍｌを得た。
【００７７】
　次いで、容積２Ｌの反応槽内にイオン交換水６００ｇを入れて６０℃に保持した。この６０℃のイオン交換水を撹拌しながら、上記で得られたインジウムイオンと錫イオンとを含有する水溶液と、濃度２５重量％水酸化ナトリウム水溶液とを、反応中のｐＨが５．５に維持されるように、５８分かけて同時に供給し中和反応を行ってインジウムと錫を含有する沈澱を生成させた。反応終了後、５５℃にて３０分撹拌の後に、濃度２５重量％水酸化ナトリウム水溶液にてｐＨ＝９．７に調整して、得られた沈澱を吸引濾過により採取後、アンモニア水にてｐＨ＝１０に調整したイオン交換水約５８０ｇを５回注いで洗浄した。洗浄５回目の洗浄排水の塩素イオン濃度は２０ｍｇ／Ｌであった。
【００７８】
　次いで、この沈澱を１３０℃にて乾燥した。乾燥した 沈澱の平均粒径は４．４μｍ、ＢＥＴ比表面積は２２ｍ2／gであり、乾燥品の解砕は容易であった。また、乾燥後の沈澱の不純物含有量はＡｌ≦３重量ｐｐｍ、Ｓｉ＝７重量ｐｐｍ、Ｆｅ＝３重量ｐｐｍ、Ｃｕ≦３重量ｐｐｍ、Ｐｂ≦１重量ｐｐｍ、Ｚｎ≦３重量ｐｐｍと非常に少なく、高純度であった。次に、上記乾燥後の沈澱を実施例２と同様にして焼成し、得られた粉末を実施例１と同様にして水洗してＩＴＯ粉末を得た。得られたＩＴＯ粉末のＢＥＴ比表面積が３．９ｍ2／ｇ、ＢＥＴ比表面積径が０．２１μｍ、平均粒径は４．０μｍであった。また、該粉末の不純物含有量はＡｌ≦５重量ｐｐｍ、Ｓｉ＝４２重量ｐｐｍ、Ｆｅ≦５重量ｐｐｍ、Ｃｕ≦５重量ｐｐｍ、Ｐｂ≦１重量ｐｐｍ、Ｚｎ≦５重量ｐｐｍと少なく、９９．９９重量％以上の純度を有する高純度のＩＴＯ粉末であった。
【００７９】
　また、該ＩＴＯ粉末を実施例１と同様にして湿式粉砕することによって、ＢＥＴ比表面積が５．１ｍ2／ｇ、ＢＥＴ比表面積径が０．１６μｍ、平均粒径が０．９μｍの粉砕ＩＴＯ粉末が得られた。
【００８０】
　粉砕して得られたＩＴＯ粉末を実施例１と同様にして焼結した結果、焼結体密度は７．１４ｇ／ｃｍ3となり、で、理論密度の９９．７％にまで高密度化した。
【００８１】
比較例２
　実施例４と同様にしてＩＴＯ溶解液を得て、水素イオン濃度を１．０ｍｏｌ／Ｌとし、次いで該溶解液をカチオン交換樹脂（商品名：モノスフィアー６５０Ｃ）を充填したカラムに１．５ｍｌ／分の速度で通液して不純物Ｚｒを除去して、Ｉｎ＝２１４ｇ／Ｌ、Ｓｎ＝２３ｇ／Ｌ、Ｚｒ＝０．００１ｇ／ＬのＩＴＯ精製溶解液を得た。次いで、該ＩＴＯ精製溶解液を還元処理することなく、該ＩＴＯ精製溶解液（イオンジウムイオンと錫イオンとを含有する水溶液）７１５ｍｌに濃度２０重量％の水酸化ナトリウムおよび濃度３５重量％の塩酸を用いてｐＨを０．４に調整した。得られたインジウムイオンと錫イオンとを含有する水溶液は８９０ｍｌで、Ｉｎの濃度は１７２ｇ／Ｌ、Ｓｎの濃度は１９ｇ／Ｌであった。
【００８２】
　次いで、容積５Ｌの反応槽内にイオン交換水７６５ｇを入れて６０℃に保持した。この６０℃のイオン交換水を撹拌しながら、インジウムイオンと錫イオンとを含有する水溶液と濃度２５重量％の水酸化ナトリウム水溶液を、反応中のｐＨが５．５に維持されるように、１２０分かけて同時に供給し中和反応を行ってインジウムと錫を含有する沈澱を生成させた。反応終了後、５５℃にて３０分撹拌の後に、濃度２５重量％の水酸化ナトリウム水溶液にてｐＨ＝８に調整し、得られた沈澱を吸引濾過によって回収後、アンモニア水にてｐＨ＝１０に調整したイオン交換水約７４０ｇを７回注いで洗浄した。洗浄７回目の洗浄排水の塩素イオン濃度は４９ｍｇ／Ｌであった。
【００８３】
　次いで、この沈澱を１３０℃にて乾燥した。乾燥した沈澱の平均粒径は５．０μｍ、ＢＥＴ比表面積は５８ｍ2／ｇと微粒であり、強固な塊状となり解砕は容易ではなかった。次に、上記乾燥した沈澱を実施例１と同じ炉を用いて実施例１と同様にして沈澱を炉内に設置し、１０５０℃までは空気を流し、１０５０℃からは１０体積％塩化水素−９０体積％空気を流して雰囲気を切り替え、更に昇温して、１１００℃で４０分間保持して焼成した。焼成後に得られた粉末を実施例１と同様にして水洗してＩＴＯ粉末を得た。得られたＩＴＯ粉末のＢＥＴ比表面積は２．６ｍ2／ｇ、ＢＥＴ比表面積径が０．３２μｍ、平均粒径は４．５μｍであった。
【００８４】
　また、得られたＩＴＯ粉末を実施例１と同様にして湿式粉砕することによって、ＢＥＴ比表面積が４．０ｍ2／ｇ、ＢＥＴ比表面積径が０．２１μｍ、平均粒径が１．１μｍの粉砕ＩＴＯ粉末が得られた。
【００８５】
　粉砕して得られたＩＴＯ粉末を実施例１と同様にして焼結した結果、焼結体密度は６．９０ｇ／ｃｍ3となり、理論密度の９６．４％までにしかならなかった。