(57)【要約】【課題】フリップチップとの接続性が良く、さらに、被覆樹脂絶縁層のうちビアランド部を被覆する部分が、このビアランド部の絶縁性、耐湿性等を確保するのに十分な厚みを有する配線基板、及びその製造方法を提供する。【解決手段】本発明の配線基板１００の製造方法は、まず、外側樹脂絶縁層形成工程で、小径ビアホール１１１ｂと大径ビアホール１１１ｃとを有する外側樹脂絶縁層を形成する。次いで、充填ビア導体形成工程で、小径ビアホール１１１ｂに、小径ビア凸部１１６ｂを含む小径ビアランド部１１５ｂを有する小径充填ビア導体１１０ｂを形成すると共に、大径ビアホール１１１ｃに、大径ビア凹部１１６ｃを含む大径ビアランド部１１０ｃを有する大径充填ビア導体１１０ｃを形成する。次いで、被覆樹脂絶縁層形成工程で、小径ビア凸部１１６ｂが露出する貫通孔１４５を有する被覆樹脂絶縁層１４０を形成する。【選択図】　図２
2004087837.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基層の厚さ方向外側に、
自身を厚さ方向に貫通する複数のビアホールであって、
上記ビアホールのうち内径の小さい小径ビアホール、及び
上記小径ビアホールよりも内径の大きい大径ビアホールを含む
ビアホール
を有する外側樹脂絶縁層を形成する外側樹脂絶縁層形成工程と、
電解メッキを含む処理により
上記小径ビアホールに、
上記小径ビアホール内に位置する小径ビア充填部、及び
上記小径ビア充填部よりも厚さ方向外側に位置し、周囲より盛り上がった小径ビア凸部を含む小径ビアランド部、を有する
小径充填ビア導体を形成すると共に、
上記大径ビアホールに、
上記大径ビアホール内に位置する大径ビア充填部、及び
上記大径ビア充填部よりも厚さ方向外側に位置し、上記小径ビアランド部の上記小径ビア凸部より盛上がり高さの低い大径ビア凸部、凹凸のない平坦部、及び周囲より窪んだ大径ビア凹部のいずれかを含む大径ビアランド部、を有する
大径充填ビア導体を形成する
充填ビア導体形成工程と、
上記外側樹脂絶縁層の外側面上に位置し、上記小径ビアランド部及び上記大径ビアランド部を被覆する被覆樹脂絶縁層であって、
上記被覆樹脂絶縁層を厚さ方向に貫通し、上記小径ビアランド部のうち少なくとも上記小径ビア凸部が露出する貫通孔を有する被覆樹脂絶縁層を形成し、
上記貫通孔から露出する小径ビア凸部を含む小径ビアランド部を、フリップチップ実装用の接続端子とする
被覆樹脂絶縁層形成工程と、を備える
配線基板の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の配線基板の製造方法であって、
前記外側樹脂絶縁層形成工程では、
前記小径ビアホールの内径Ｄ（μｍ）、及び前記大径ビアホールの内径Ｅ（μｍ）について、Ｅ≧１．１５Ｄの関係を満たすようにする
配線基板の製造方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の配線基板の製造方法であって、
前記充填ビア導体形成工程では、前記大径ビアランド部が周囲より窪んだ大径ビア凹部を有する前記大径充填ビア導体を形成する
配線基板の製造方法。
【請求項４】
請求項１〜請求項３のいずれか一項に記載の配線基板の製造方法であって、
前記外側樹脂絶縁層形成工程では、
前記小径ビアホールを密集して配置し、
前記大径ビアホールを上記小径ビアホールに比して疎らに配置する
配線基板の製造方法。
【請求項５】
基層と、
上記基層の厚さ方向外側に積層された外側樹脂絶縁層と、
上記外側樹脂絶縁層を厚さ方向に貫通する複数のビアホールであって、
上記ビアホールのうち内径の小さい小径ビアホール、及び
上記小径ビアホールよりも内径の大きい大径ビアホール、を有する
ビアホールと、
上記ビアホール内に電解メッキにより充填された複数の充填ビア導体であって、
上記小径ビアホール内に位置する小径ビア充填部と、
上記小径ビア充填部より外側に位置する小径ビアランド部と、を含む
小径充填ビア導体、及び
上記大径ビアホール内に位置する大径ビア充填部と、
上記大径ビア充填部より外側に位置する大径ビアランド部と、を含む
大径充填ビア導体、を有する
充填ビア導体と、
上記外側樹脂絶縁層の厚さ方向外側に積層され、上記小径ビアランド部の少なくとも一部及び上記大径ビアランド部を被覆する被覆樹脂絶縁層と、
上記被覆樹脂絶縁層を厚さ方向に貫通し、上記小径ビアランド部の一部が露出する貫通孔と、
を備える配線基板であって、
上記小径ビアランド部は、周囲より盛り上がった小径ビア凸部を含み、
上記大径ビアランド部は、上記小径ビアランド部の上記小径ビア凸部より盛上がり高さの低い大径ビア凸部、凹凸のない平坦部、及び周囲より窪んだ大径ビア凹部のいずれかを含み、
上記小径ビアランド部のうち少なくとも上記小径ビア凸部は、上記被覆樹脂絶縁層の上記貫通孔から露出し、
上記貫通孔から露出する小径ビア凸部を含む小径ビアランド部を、フリップチップ実装用の接続端子としてなる
配線基板。
【請求項６】
請求項５に記載の配線基板であって、
前記大径ビアランド部は、周囲より窪んだ大径ビア凹部を含む
配線基板。
【請求項７】
請求項５または請求項６に記載の配線基板であって、
前記小径ビアホールは密集して配置され、
前記大径ビアホールは上記小径ビアホールに比して疎らに配置されてなる
配線基板。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、充填ビア導体を有する配線基板、及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来の配線基板５００について、図８にその上面図、図９にそのＬ−Ｌ断面図を示す。この配線基板５００は、図９に示すように、第１樹脂絶縁層５８０、第２樹脂絶縁層５２０、第３樹脂絶縁層５３０、第４樹脂絶縁層５４０の順に外側に向かって積層された樹脂絶縁層を有している。このうち、第３樹脂絶縁層５３０には、厚さ方向に貫通するビアホール５１１ｂ，５１１ｃ、このビアホール５１１ｂ，５１１ｃ内に充填された充填ビア導体５１０ｂ，５１０ｃが形成されている。この充填ビア導体５１０ｂ，５１０ｃは、ビアホール５１１ｂ，５１１ｃ内に位置するビア充填部５１３ｂ，５１３ｃ、及びこのビア充填部５１３ｂ，５１３ｃより外側に位置するビアランド部５１５ｂ，５１５ｃをそれぞれ有している。なお、ビアホール５１１ｂの内径とビアホール５１１ｃの内径とは等しく、８５μｍである。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
さらに、この配線基板５００では、図９に示すように、第４樹脂絶縁層５４０が最外層を構成し、充填ビア導体５１０ｂのビアランド部５１５ｂが、第４樹脂絶縁層５４０の貫通孔５４５から露出してＩＣ等の電子部品のフリップチップ実装用の接続端子（いわゆるフリップチップパッド）を構成している。そして、充填ビア導体５１０ｂのビアランド部５１５ｂを介してＩＣ等をフリップチップ実装し易くするため、図９に拡大して示すような、周囲より盛り上がったビア凸部５１６ｂを有するビアランド部５１５ｂを形成することがあった。このようにすることで、ＩＣ等をフリップチップ実装するために、貫通孔５４５から露出したビアランド部５１５ｂ上にハンダバンプを形成するときは、ハンダボイドができにくく、ハンダバンプとビアランド部５１５ｂとの接続性が良好となる。しかしながら、このようにすると、第４樹脂絶縁層５４０に被覆される充填ビア導体５１０ｃのビアランド部５１５ｃも盛り上がってしまう。
【０００４】
ところで、一般的な配線基板では、配線基板５００のように、フリップチップパッドとなるビアランド部５１５ｂを有する充填ビア導体５１０ｂは密集して形成され、それ以外の充填ビア導体５１０ｃは充填ビア導体５１０ｂに比して疎らに形成される（図８参照）。そして、このような充填ビア導体５１０ｂ，５１０ｃは、例えば、セミアディティブ法により、ビアホール５１１ｂ，５１１ｃに無電解銅メッキ、メッキレジスト形成、及び電解銅メッキ等を行うことで形成される。しかし、図８に示すように、ビアホール５１１ｃはビアホール５１１ｂに比して疎らに配置されているため、無電解銅メッキ層及び所定パターンのメッキレジストを形成して電解銅メッキを行うと、ビアホール５１１ｃの部分にはビアホール５１１ｂの部分に比して電界が集中し、多量の銅が析出する傾向がある。ゆえに、ビアランド部５１５ｃはビアランド部５１５ｂに比して大きく盛り上がり、図９に拡大して示すように、大きく盛り上がったビア凸部５１６ｃが形成されてしまう。具体的には、ビア凸部５１６ｂの突出量Ｆが平均して約７．３μｍ（突出）に対し、ビア凸部５１６ｃの突出量Ｇは平均して約９．５μｍ（突出）であった。
【０００５】
このため、例えば、熱硬化性樹脂フィルムを積層し、加熱硬化して第４樹脂絶縁層５４０とする際、ビアランド部５１５ｃを被覆する部分の樹脂が流動して周囲に拡がり易くなっていた。ゆえに、図９に拡大して示すように、このビアランド部５１５ｃを被覆する樹脂であるビアランド被覆部５４１の厚みＪが極めて薄くなる場合があった。具体的には、第４樹脂絶縁層５４０を積層するために、厚さ２１μｍのエポキシ樹脂フィルムを加熱硬化した場合に、ビアランド被覆部５４１の厚みＪが５μｍ程度になってしまうことがあった。従って、ビアランド部５１５ｃの絶縁性、耐湿性等が十分に確保できない虞があった。
【０００６】
本発明は、かかる現状に鑑みてなされたものであって、フリップチップとの接続性が良く、さらに、被覆樹脂絶縁層のうちビアランド部を被覆する部分が、このビアランド部の絶縁性、耐湿性等を確保するのに十分な厚みを有する配線基板、及びその製造方法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段、作用及び効果】
その解決手段は、基層の厚さ方向外側に、自身を厚さ方向に貫通する複数のビアホールであって、上記ビアホールのうち内径の小さい小径ビアホール、及び上記小径ビアホールよりも内径の大きい大径ビアホールを含むビアホールを有する外側樹脂絶縁層を形成する外側樹脂絶縁層形成工程と、電解メッキを含む処理により上記小径ビアホールに、上記小径ビアホール内に位置する小径ビア充填部、及び上記小径ビア充填部よりも厚さ方向外側に位置し、周囲より盛り上がった小径ビア凸部を含む小径ビアランド部、を有する小径充填ビア導体を形成すると共に、上記大径ビアホールに、上記大径ビアホール内に位置する大径ビア充填部、及び上記大径ビア充填部よりも厚さ方向外側に位置し、上記小径ビアランド部の上記小径ビア凸部より盛上がり高さの低い大径ビア凸部、凹凸のない平坦部、及び周囲より窪んだ大径ビア凹部のいずれかを含む大径ビアランド部、を有する大径充填ビア導体を形成する充填ビア導体形成工程と、上記外側樹脂絶縁層の外側面上に位置し、上記小径ビアランド部及び上記大径ビアランド部を被覆する被覆樹脂絶縁層であって、上記被覆樹脂絶縁層を厚さ方向に貫通し、上記小径ビアランド部のうち少なくとも上記小径ビア凸部が露出する貫通孔を有する被覆樹脂絶縁層を形成し、上記貫通孔から露出する小径ビア凸部を含む小径ビアランド部を、フリップチップ実装用の接続端子とする被覆樹脂絶縁層形成工程と、を備える配線基板の製造方法である。
【０００８】
本発明の配線基板の製造方法では、外側樹脂絶縁層形成工程において、内径の小さい小径ビアホールとこの小径ビアホールよりも内径の大きい大径ビアホールとを形成する。このようにすることで、充填ビア導体形成工程において、大径ビアホールを充填するために必要な導体の量が、小径ビアホールを充填するために必要な導体の量に比して多くなる。このため、充填ビア導体形成工程において、小径ビア凸部を含む小径ビアランド部を形成すると共に、この小径ビアランド部の小径ビア凸部より盛上がり高さの低い大径ビア凸部、凹凸のない平坦部、及び周囲より窪んだ大径ビア凹部のいずれかを含む大径ビアランド部を形成することができる。
【０００９】
さらに、被覆樹脂絶縁層形成工程において、例えば、熱硬化性樹脂フィルムを加熱硬化する際、大径ビアランド部を被覆する部分の樹脂が周囲に拡がりにくくなる。従って、本発明の配線基板の製造方法では、被覆樹脂絶縁層のうち大径ビアランド部を被覆する部分について、大径ビアランド部の絶縁性、耐湿性等が十分に確保できる厚みにすることができる。さらに、本発明の被覆樹脂絶縁層形成工程では、小径ビアランド部のうち少なくとも小径ビア凸部が露出する貫通孔を形成し、この貫通孔から露出する小径ビア凸部を含む小径ビアランド部を、フリップチップ実装用の接続端子とする。このようにすることで、ＩＣやチップコンデンサ等の電子部品をフリップチップ実装するために、例えば、小径ビア凸部を含む小径ビアランド部上にハンダバンプを形成するときは、ハンダボイドができにくく、ハンダバンプと小径ビアランド部との接続性が良好となる。
【００１０】
さらに、上記配線基板の製造方法であって、前記外側樹脂絶縁層形成工程では、前記小径ビアホールの内径Ｄ（μｍ）、及び前記大径ビアホールの内径Ｅ（μｍ）について、Ｅ≧１．１５Ｄの関係を満たすようにする配線基板の製造方法とすると良い。
【００１１】
本発明の外側樹脂絶縁層形成工程では、小径ビアホールの内径Ｄ（μｍ）、及び大径ビアホールの内径Ｅ（μｍ）について、Ｅ≧１．１５Ｄの関係を満たすようにする。両ビアホールの内径をこのような大小関係にすることで、大径ビアホールを充填するために必要な導体の量と小径ビアホールを充填するために必要な導体の量との差が大きくなり、小径ビア凸部を有する小径ビアランド部を形成しても、周囲より窪んだ大径ビア凹部を有する大径ビアランド部を形成することが可能となる。このため、本発明の被覆樹脂絶縁層形成工程において、例えば、熱硬化性樹脂フィルムを加熱硬化する際、大径ビアランド部を被覆する部分の樹脂が、より一層周囲に拡がりにくくなる。従って、被覆樹脂絶縁層のうち大径ビアランド部を被覆する部分について、より一層、大径ビアランド部の絶縁性、耐湿性等が十分に確保できる厚みにすることができる。
【００１２】
さらに、上記いずれかの配線基板の製造方法であって、前記充填ビア導体形成工程では、前記大径ビアランド部が周囲より窪んだ大径ビア凹部を有する前記大径充填ビア導体を形成する配線基板の製造方法とすると良い。
【００１３】
本発明の充填ビア導体形成工程では、周囲より窪んだ大径ビア凹部を有する大径ビアランド部を形成する。このようにすることで、被覆樹脂絶縁層のうち大径ビアランド部を被覆する部分について、より一層、大径ビアランド部の絶縁性、耐湿性等が十分に確保できる厚みにすることができる。
【００１４】
さらに、上記いずれかの配線基板の製造方法であって、前記外側樹脂絶縁層形成工程では、前記小径ビアホールを密集して配置し、前記大径ビアホールを上記小径ビアホールに比して疎らに配置する配線基板の製造方法の場合に効果的である。
【００１５】
本発明の外側樹脂絶縁層形成工程では、フリップチップ実装用の接続端子（フリップチップパッド）を形成する小径ビアホールを密集して配置し、それ以外の大径ビアホールを小径ビアホールに比して疎らに配置する。
フリップチップパッドを有する配線基板では、一般的に、フリップチップパッドとするビアランド部を密集して配置し、それ以外のビアランド部は疎らに配置することが多い。つまり、フリップチップパッドを有する充填ビア導体を密集して形成し、それ以外の充填ビア導体を疎らに形成することが多い。しかし、これらの充填ビア導体は、例えば、セミアディティブ法により、ビアホールに無電解銅メッキ、メッキレジスト形成、及び電解銅メッキ等を行うことで形成する。しかし、電解銅メッキの際、密集して配置したビアホールの部分に比して、疎らに配置したビアホールの部分に電界が集中してしまうので、密集して配置したビアランド、つまりフリップチップパッドを盛り上げようとすると、それ以外の疎らに配置したビアランドがさらに大きく盛り上がってしまう傾向があった。
【００１６】
これに対し、本発明の配線基板の製造方法では、密集して配置したビアホールを小径ビアホール、疎らに配置したビアホールを大径ビアホールとしている。このため、充填ビア導体形成工程において、電解メッキの際、小径ビアホールの部分に比して、大径ビアホールの部分に電界が集中しても、小径ビア凸部を含む小径ビアランド部を形成すると共に、この小径ビアランド部の小径ビア凸部より盛上がり高さの低い大径ビア凸部、凹凸のない平坦部、または周囲より窪んだ大径ビア凹部を含む大径ビアランド部を形成することが可能となる。
【００１７】
従って、本発明の被覆樹脂絶縁層形成工程において、例えば、熱硬化性樹脂フィルムを加熱硬化する際、大径ビアランド部を被覆する部分の樹脂が周囲に拡がりにくくなる。ゆえに、被覆樹脂絶縁層のうちフリップチップパッドとしない大径ビアランド部を被覆する部分について、大径ビアランド部の絶縁性、耐湿性等が十分に確保できる厚みにすることができる。さらに、本発明の被覆樹脂絶縁層形成工程では、小径ビアランド部のうち少なくとも小径ビア凸部が露出する貫通孔を形成し、この貫通孔から露出する小径ビア凸部を含む小径ビアランド部を、フリップチップ実装用の接続端子とする。このようにすることで、ＩＣ等をフリップチップ実装するために、例えば、小径ビア凸部を含む小径ビアランド部上にハンダバンプを形成するときは、ハンダボイドができにくく、ハンダバンプと小径ビアランド部との接続性が良好となる。
【００１８】
他の解決手段は、基層と、上記基層の厚さ方向外側に積層された外側樹脂絶縁層と、上記外側樹脂絶縁層を厚さ方向に貫通する複数のビアホールであって、上記ビアホールのうち内径の小さい小径ビアホール、及び上記小径ビアホールよりも内径の大きい大径ビアホール、を有するビアホールと、上記ビアホール内に電解メッキにより充填された複数の充填ビア導体であって、上記小径ビアホール内に位置する小径ビア充填部と、上記小径ビア充填部より外側に位置する小径ビアランド部と、を含む小径充填ビア導体、及び上記大径ビアホール内に位置する大径ビア充填部と、上記大径ビア充填部より外側に位置する大径ビアランド部と、を含む大径充填ビア導体、を有する充填ビア導体と、上記外側樹脂絶縁層の厚さ方向外側に積層され、上記小径ビアランド部の少なくとも一部及び上記大径ビアランド部を被覆する被覆樹脂絶縁層と、上記被覆樹脂絶縁層を厚さ方向に貫通し、上記小径ビアランド部の一部が露出する貫通孔と、を備える配線基板であって、上記小径ビアランド部は、周囲より盛り上がった小径ビア凸部を含み、上記大径ビアランド部は、上記小径ビアランド部の上記小径ビア凸部より盛上がり高さの低い大径ビア凸部、凹凸のない平坦部、及び周囲より窪んだ大径ビア凹部のいずれかを含み、上記小径ビアランド部のうち少なくとも上記小径ビア凸部は、上記被覆樹脂絶縁層の上記貫通孔から露出し、上記貫通孔から露出する小径ビア凸部を含む小径ビアランド部を、フリップチップ実装用の接続端子としてなる配線基板である。
【００１９】
本発明の配線基板では、小径充填ビア導体の小径ビアランド部が周囲より盛り上がった小径ビア凸部を含んでいる。そして、この小径ビアランド部のうち少なくとも小径ビア凸部は被覆樹脂絶縁層の貫通孔から露出し、これをフリップチップ実装用の接続端子としている。このため、小径ビアランド部を介してＩＣ等をフリップチップ実装するために、この小径ビア凸部を含む小径ビアランド部上にハンダバンプを形成するときは、ハンダボイドができにくく、ハンダバンプと小径ビアランド部との接続性が良好となる。
【００２０】
さらに、本発明の配線基板では、大径充填ビア導体の大径ビアランド部が、小径ビアランド部の小径ビア凸部より盛上がり高さの低い大径ビア凸部、凹凸のない平坦部、または周囲より窪んだ大径ビア凹部を有している。このため、本発明の配線基板は、被覆樹脂絶縁層のうち大径ビアランド部を被覆する部分が厚くなり、大径ビアランド部の絶縁性、耐湿性等を確保することができる。
【００２１】
さらに、上記配線基板であって、前記大径ビアランド部は、周囲より窪んだ大径ビア凹部を含む配線基板とすると良い。
【００２２】
本発明の充配線基板では、大径ビアランド部が周囲より窪んだ大径ビア凹部を含んでいる。このため、被覆樹脂絶縁層のうち大径ビアランド部を被覆する部分が、より一層厚くなり、大径ビアランド部の絶縁性、耐湿性等を十分に確保することができる。
【００２３】
さらに、上記いずれかの配線基板であって、前記小径ビアホールは密集して配置され、前記大径ビアホールは上記小径ビアホールに比して疎らに配置されてなる配線基板の場合に効果的である。
【００２４】
ところで、フリップチップパッドを有する配線基板では、一般的に、フリップチップパッドとするビアランド部が密集して配置され、それ以外のビアランド部は疎らに配置されることが多い。これに対し、本発明の配線基板では、フリップチップ実装用の接続端子（フリップチップパッド）を有する小径ビアホールが密集して配置され、それ以外の大径ビアホールが小径ビアホールに比して疎らに配置されている。そして、フリップチップパッドとする小径充填ビア導体の小径ビアランド部が周囲より盛り上がった小径ビア凸部を有しているので、フリップチップとの接続性が良好となる。さらに、大径充填ビア導体の大径ビアランド部が、小径ビアランド部の小径ビア凸部より盛上がり高さの低い大径ビア凸部、凹凸のない平坦部、または周囲より窪んだ大径ビア凹部を有しているので、被覆樹脂絶縁層のうち大径ビアランド部を被覆する部分が厚くなり、大径ビアランド部の絶縁性、耐湿性等を確保することができる。
【００２５】
【発明の実施の形態】
（実施形態）
本発明の実施の形態である配線基板１００について、図面を参照しつつ説明する。まず、図１に本実施形態の配線基板１００の上面図を示し、図２に図１のＡ−Ａ断面図を示す。図２に示すように、本実施形態の配線基板１００は、第１樹脂絶縁層１８０、第２樹脂絶縁層１２０、第３樹脂絶縁層１３０、第４樹脂絶縁層１４０の順に外側に向かって積層された樹脂絶縁層を有している。なお、本実施形態の配線基板１００では、第１樹脂絶縁層１８０及び第２樹脂絶縁層１２０が基層、第３樹脂絶縁層１３０が外側樹脂絶縁層、第４樹脂絶縁層１４０が被覆樹脂絶縁層に相当する。
【００２６】
このうち、第３樹脂絶縁層１３０には、厚さ方向に貫通する小径ビアホール１１１ｂ及び、この小径ビアホール１１１ｂより内径の大きい大径ビアホール１１１ｃが形成されている。具体的には、小径ビアホール１１１ｂの内径Ｄを８５μｍ、大径ビアホール１１１ｃの内径Ｅを１００μｍとしている。なお、図１に示すように、小径ビアホール１１１ｂは密集して形成されており、大径ビアホール１１１ｃは小径ビアホール１１１ｂに比して疎らに形成されている。
【００２７】
さらに、図２に示すように、小径ビアホール１１１ｂには、小径充填ビア導体１１０ｂが形成されており、この小径充填ビア導体１１０ｂは、小径ビアホール１１１ｂ内に位置する小径ビア充填部１１３ｂ及びこの小径ビア充填部１１３ｂより外側に位置する小径ビアランド部１１５ｂを有している。同様に、大径ビアホール１１１ｃには、大径充填ビア導体１１０ｃが形成されており、この大径充填ビア導体１１０ｃは、大径ビアホール１１１ｃ内に位置する大径ビア充填部１１３ｃ及びこの大径ビア充填部１１３ｃより外側に位置する大径ビアランド部１１５ｃを有している。
【００２８】
さらに、本実施形態の配線基板１００は、図２に拡大して示すように、小径ビアランド部１１５ｂが、周囲より盛り上がった小径ビア凸部１１６ｂを有している。具体的には、小径ビア凸部１１６ｂの突出量Ｆは、平均して約７．３μｍとなっている。そして、この小径ビア凸部１１６ｂを含む小径ビアランド部１１５ｂが、ＩＣ等をフリップチップ実装するために、配線基板１００の最外層を構成する第４樹脂絶縁層１４０に形成された貫通孔１４５から露出した、いわゆるフリップチップパッドを構成している（図１，図２参照）。ゆえに、小径ビアランド部１１５ｂを介してＩＣ等をフリップチップ実装するため、小径ビア凸部１１６ｂを含む小径ビアランド部１１５ｂ上に図示しないハンダバンプを形成する際、ハンダボイドができにくく、ハンダバンプと小径ビアランド部１１５ｂとの接続性が良好となる。
【００２９】
さらに、本実施形態の配線基板１００では、図２に拡大して示すように、大径ビアランド部１１５ｃが周囲より窪んだ大径ビア凹部１１６ｃを有している。具体的には、大径ビア凹部１１６ｃの突出量Ｇは、平均して−約３．５μｍ（陥没）であった。このため、第４樹脂絶縁層１４０のうち大径ビアランド部１１５ｃを被覆する部分である大径ビアランド被覆部１４１の厚みＪが、大径ビアランド部１１５ｃの絶縁性、耐湿性等を確保するのに十分な厚みとなっている。具体的には、大径ビアランド被覆部１４１の厚みＪは１５μｍ程度となっている。
【００３０】
以上に説明した本実施形態の配線基板１００は、次のようにして製造する。
まず、外側樹脂絶縁層形成工程において、図３に示すように、第２樹脂絶縁層１２０の外側面１２０ｂ上に厚さ３５μｍのエポキシ樹脂フィルムを積層する。次いで、露光・現像して、所定の位置に小径ビアホール１１１ｂ及び大径ビアホール１１１ｃを形成する。その後、加熱硬化して、第３樹脂絶縁層１３０を形成する。なお、この被覆樹脂絶縁層形成工程では、小径ビアホール１１１ｂの内径Ｄを８５μｍ、大径ビアホール１１１ｃの内径Ｅを１００μｍとしている。さらに、小径ビアホール１１１ｂを密集して配置し、大径ビアホール１１１ｃを小径ビアホール１１１ｂに比して疎らに配置している。
【００３１】
次に、充填ビア導体形成工程において、公知のセミアディティブ法により、無電解銅メッキ、メッキレジスト形成、電解銅メッキ、メッキレジスト除去、ソフトエッチング等の処理を行うことで、図４に示すように、小径ビアホール１１１ｂに、小径ビア充填部１１３ｂ及び小径ビアランド部１１５ｂを有する小径充填ビア導体１１０ｂを形成する。これと同時に、大径ビアホール１１１ｃに、大径ビア充填部１１３ｃ及び大径ビアランド部１１５ｃを有する大径充填ビア導体１１０ｃを形成する。なお、図４に拡大して示すように、本実施形態では、周囲より盛り上がった小径ビア凸部１１６ｂを有する小径ビアランド部１１５ｂを形成し、周囲より窪んだ大径ビア凹部１１６ｃを有する大径ビアランド部１１５ｃを形成する。具体的には、小径ビア凸部１１６ｂの突出量Ｆを平均して約７．３μｍ、大径ビア凹部１１６ｃの突出量Ｇを平均して−約３．５μｍ（陥没）としている。
【００３２】
ところで、従来の充填ビア導体形成工程では、電解メッキ処理の際、図９に示すように、フリップチップとの接続性を良好とするために、ビア凸部５１６ｂを含むビアランド部５１５ｂを形成すると、図９に拡大して示すように、第４樹脂絶縁層に被覆されるビアランド部５１５ｃが大きく盛り上がってしまい、ビア凸部５１６ｃを含むビアランド部５１５ｃが形成されてしまった。これは、ビアホール５１１ｃがビアホール５１１ｂに比して疎らに配置されているため、無電解銅メッキ層及び所定パターンのメッキレジストを形成して電解銅メッキを行うと、ビアホール５１１ｃの部分に電界が集中し、ビアホール５１１ｂの部分に比して多量の銅が析出したためである。
【００３３】
これに対し、本実施形態では、先の外側樹脂絶縁層形成工程において、小径ビアホール１１１ｂの内径Ｄ＝８５（μｍ）に対して大径ビアホール１１１ｃの内径Ｅを１００μｍと大きくしている。このため、後の充填ビア導体形成工程で、大径ビアホール１１１ｃを充填するために必要な銅が、小径ビアホール１１１ｂを充填するために必要な銅に比して多くなる。ゆえに、電解銅メッキの際、小径ビアホール１１１ｂの部分に比して大径ビアホール１１１ｃの部分に電界が集中しても、図４に拡大して示すように、小径ビア凸部１１６ｂを含む小径ビアランド部１１５ｂを形成すると共に、大径ビア凹部１１６ｃを含む大径ビアランド部１１５ｃを形成することができる。
【００３４】
次いで、被覆樹脂絶縁層形成工程において、図５に示すように、第３樹脂絶縁層１３０の外側面１３０ｂ上に厚さ２１μｍのエポキシ樹脂フィルムを積層する。次いで、露光・現像して、小径ビア凸部１１６ｂを含む小径ビアランド部１１５ｂを露出させる貫通孔１４５を形成する。その後、加熱硬化して、小径ビアランド部１１５ｂの一部、大径ビアランド部１１５ｃ等を被覆する第４樹脂絶縁層１４０を形成する。
【００３５】
ところで、充填ビア導体形成工程において、大径ビア凹部１１６ｃを含む大径ビアランド部１１５ｃを形成しているので、エポキシ樹脂フィルムを加熱硬化させる際、大径ビアランド部１１５ｃを被覆する部分の樹脂が周囲に拡がりにくくなる。このため、図５に示すように、第４樹脂絶縁層１４０の大径ビアランド被覆部１４１の厚みＪについて、大径ビアランド部１１５ｃの絶縁性等を確保するのに十分な厚みにすることができる。具体的には、大径ビアランド被覆部１４１の厚みＪを１５μｍ程度にすることができた。
【００３６】
以上のようにして、本実施形態の配線基板１００が完成する。その後、本実施形態の配線基板１００では、第４樹脂絶縁層１４０の貫通孔１４５から露出した小径ビアランド部１１５ｂを介してＩＣ等をフリップチップ実装するため、この小径ビアランド部１１５ｂ上に図示しないハンダバンプを形成する。このとき、本実施形態の配線基板１００では、小径ビア凸部１１６ｂを含む小径ビアランド部１１５ｂを形成しているので、ハンダボイドができにくく、ハンダバンプと小径ビアランド部１１５ｂとの接続性が良好となる。
【００３７】
（変形形態１）
次に、実施形態の配線基板１００の第１の変形形態である配線基板２００について説明する。本変形形態の配線基板２００は、実施形態の配線基板１００と比較して、大径ビアホールの内径、大径ビアランド部の形状が異なり、その他の部分についてはほぼ同様である。従って、実施形態の配線基板１００と異なる部分を中心に説明し、その他の部分については説明を省略または簡略化する。
【００３８】
まず、図１に本変形形態の配線基板２００の上面図を示し、図６に図１のＡ−Ａ断面図を示す。この配線基板２００のうち第３樹脂絶縁層１３０には、実施形態の配線基板１００と同等の小径ビアホール１１１ｂ及び、この小径ビアホール１１１ｂより内径の大きい大径ビアホール２１１ｃが形成されている。具体的には、小径ビアホール１１１ｂの内径Ｄは、実施形態の配線基板１００と同等の８５μｍとするが、大径ビアホール２１１ｃの内径Ｅは、実施形態の配線基板１００より小さい９５μｍとしている。
【００３９】
そして、本変形形態の配線基板２００では、図６に拡大して示すように、小径ビアランド部１１５ｂは、実施形態の配線基板１００と同様に、周囲より盛り上がった小径ビア凸部１１６ｂを有している。具体的には、小径ビア凸部１１６ｂの突出量Ｆは、平均して約７．３μｍとなっている。さらに、図６に拡大して示すように、大径ビアランド部２１５は、実施形態の配線基板１００と異なり、凹凸のない平坦部２１６ｃを有している。
【００４０】
ところで、実施形態の配線基板１００では、充填ビア導体形成工程において、大径ビア凹部１１６ｃを有する大径ビアランド部１１５ｃを形成した。このようにすることで、後の被覆樹脂絶縁層形成工程において、大径ビアランド部１１５ｃを被覆する大径ビアランド被覆部１４１の厚みＪを大径ビアランド部１１５ｃの絶縁性、耐湿性等を確保するのに十分な厚みとすることができた。
これに対し、本変形形態の配線基板２００では、充填ビア導体形成工程において、凹凸のない平坦部２１６ｃを有する大径ビアランド部２１５ｃを形成する。このようにすることで、後の被覆樹脂絶縁層形成工程において、エポキシ樹脂フィルムを加熱硬化する際、大径ビアランド部２１５ｃを被覆する部分の樹脂が周囲に拡がりにくくなる。このため、本変形形態の配線基板２００でも、第４樹脂絶縁層１４０のうち大径ビアランド部２１５ｃを被覆する部分である大径ビアランド被覆部２４１の厚みＪを、大径ビアランド部２１５ｃの絶縁性、耐湿性等を確保するのに十分な厚みとすることができる。具体的には、大径ビアランド被覆部２４１の厚みＪは１５μｍ程度となる。
【００４１】
（変形形態２）
次に、実施形態の配線基板１００の第２の変形形態である配線基板３００について説明する。本変形形態の配線基板３００は、実施形態の配線基板１００と比較して、大径ビアホールの内径、大径ビアランド部の形状が異なり、その他の部分についてはほぼ同様である。従って、実施形態の配線基板１００と異なる部分を中心に説明し、その他の部分については説明を省略または簡略化する。
【００４２】
まず、図１に本変形形態の配線基板３００の上面図を示し、図７に図１のＡ−Ａ断面図を示す。この配線基板３００のうち第３樹脂絶縁層１３０には、実施形態の配線基板１００と同等の小径ビアホール１１１ｂ及び、この小径ビアホール１１１ｂより内径の大きい大径ビアホール３１１ｃが形成されている。具体的には、小径ビアホール１１１ｂの内径Ｄは、実施形態の配線基板１００と同等の８５μｍとするが、大径ビアホール３１１ｃの内径Ｅは、実施形態の配線基板１００の大径ビアホール１１１ｃより小さく、さらに、変形形態１の配線基板２００の大径ビアホール２１１ｃよりも小さい９３μｍとしている。
【００４３】
そして、本変形形態の配線基板３００では、図７に拡大して示すように、小径ビアランド部１１５ｂは、実施形態の配線基板１００と同様に、周囲より盛り上がった小径ビア凸部１１６ｂを有している。具体的には、小径ビア凸部１１６ｂの突出量Ｆは、平均して約７．３μｍとなっている。さらに、図７に拡大して示すように、大径ビアランド部３１５ｃは、実施形態の配線基板１００と異なり、周囲より盛り上がった大径ビア凸部３１６ｃを有している。具体的には、大径ビア凸部３１６ｃの突出量Ｇは、平均して約３．３μｍ（突出）であった。
【００４４】
ところで、実施形態の配線基板１００では、充填ビア導体形成工程において、大径ビア凹部１１６ｃを有する大径ビアランド部１１５ｃを形成した。このようにすることで、後の被覆樹脂絶縁層形成工程において、大径ビアランド部１１５ｃを被覆する大径ビアランド被覆部１４１の厚みＪを大径ビアランド部１１５ｃの絶縁性、耐湿性等を確保するのに十分な厚みとすることができた。
これに対し、本変形形態の配線基板３００では、充填ビア導体形成工程において、大径ビア凸部３１６ｃを有する大径ビアランド部３１５ｃを形成する。しかし、大径ビア凸部３１６ｃの突出量Ｇは、従来の配線基板５００のビア凸部５１６ｃの突出量Ｇに比して小さくしている。このようにすることで、後の被覆樹脂絶縁層形成工程において、エポキシ樹脂フィルムを加熱硬化する際、大径ビアランド部２１５ｃを被覆する部分の樹脂が周囲に拡がりにくくなる。このため、本変形形態の配線基板３００でも、第４樹脂絶縁層１４０のうち大径ビアランド部３１５ｃを被覆する部分である大径ビアランド被覆部３４１の厚みＪを、大径ビアランド部３１５ｃの絶縁性、耐湿性等を確保するのに十分な厚みとすることができる。具体的には、大径ビアランド被覆部３４１の厚みＪは１５μｍ程度となる。
【００４５】
以上において、本発明を実施形態に即して説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で、適宜変更して適用できることはいうまでもない。
例えば、実施形態では、小径ビアホール１１１ｂの内径Ｄを８５μｍ、大径ビアホール１１１ｃの内径Ｅを１００μｍとすることで、小径ビア凸部１１６ｂを有する小径ビアランド部１１５ｃ、及び大径ビア凹部１１６ｃを有する大径ビアランド部１１５ｃを形成した。しかし、Ｅ≧１．１５Ｄの関係を満たすようにすれば、小径ビア凸部を有する小径ビアランド部、及び大径ビア凹部を有する大径ビアランド部を形成できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施形態にかかる配線基板１００、変形形態１にかかる配線基板２００、及び変形形態２にかかる配線基板３００の上面図である。
【図２】実施形態にかかる配線基板１００を示す図であり、図１のＡ−Ａ断面図である。
【図３】実施形態にかかる配線基板１００の製造方法に関し、外側樹脂絶縁層形成工程を説明するための断面斜視図である。
【図４】実施形態にかかる配線基板１００の製造方法に関し、充填ビア導体形成工程を説明するための断面斜視図である。
【図５】実施形態にかかる配線基板１００の製造方法に関し、被覆樹脂絶縁層形成工程を説明するための断面斜視図である。
【図６】変形形態１にかかる配線基板２００を示す図であり、図１のＡ−Ａ断面図である。
【図７】変形形態２にかかる配線基板３００を示す図であり、図１のＡ−Ａ断面図である。
【図８】従来の配線基板５００の上面図である。
【図９】従来の配線基板５００を示す図であり、図８のＬ−Ｌ断面図である。
【符号の説明】
１００，２００，３００，５００　配線基板
１１０ｂ　小径充填ビア導体
１１０ｃ，２１０ｃ，３１０ｃ　大径充填ビア導体
１１１ｂ　小径ビアホール
１１１ｃ，２１１ｃ，３１１ｃ　大径ビアホール
１１３ｂ　小径ビア充填部
１１３ｃ，２１３ｃ，３１３ｃ　大径ビア充填部
１１５ｂ　小径ビアランド部
１１５ｃ，２１５ｃ，３１５ｃ　大径ビアランド部
１１６ｂ　小径ビア凸部
１１６ｃ　大径ビア凹部
２１６ｃ　平坦部
３１６ｃ　大径ビア凸部
１２０，５２０　第２樹脂絶縁層（基層）
１３０，５３０　第３樹脂絶縁層（外側樹脂絶縁層）
１４０，５４０　第４樹脂絶縁層（被覆樹脂絶縁層）
１４５，５４５　貫通孔
１８０，５８０　第１樹脂絶縁層（基層）
Ｄ　小径ビアホール１１１ｂの内径
Ｅ　大径ビアホール１１１ｃ，２１１ｃ，３１１ｃの内径
Ｆ　小径ビア凸部１１６ｂ、またはビア凸部５１６ｂの突出量
Ｇ　大径ビア凹部１１６ｃ、平坦部２１６ｃ、大径ビア凸部３１６ｃ、またはビア凸部５１６ｃの突出量
【図１】
2004087837.tif 000003
【図２】
2004087837.tif 000004
【図３】
2004087837.tif 000005
【図４】
2004087837.tif 000006
【図５】
2004087837.tif 000007
【図６】
2004087837.tif 000008
【図７】
2004087837.tif 000009
【図８】
2004087837.tif 000010
【図９】
2004087837.tif 000011