(57)【要約】【課題】磁極層の膜厚を一定にすることが容易な磁気ヘッドの製造方法を提供する。【解決手段】磁極層３０の上部にある、補助研磨層５０、第２絶縁性材料層３２、第１絶縁性材料層３１を削って磁極層３０の上面３０ｂを露出させ、磁極層３０の上面３０ｂと磁極層３０の両側部にある第２絶縁性材料層３２の上面３２ａを平坦化して同一面とする。研磨加工を、第２絶縁性材料層３２をマーカとして終了させることにより、研磨量の正確な制御が可能になる。【選択図】    図７
2004281017.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下の工程を有することを特徴とする磁気ヘッドの製造方法。
（ａ）磁性材料で磁極層を形成する工程、
（ｂ）前記磁極層の両側部及び上部に第１絶縁性材料層を設け、このとき前記磁性層の両側部における前記第１絶縁性材料層の膜厚を前記磁極層の膜厚より小さくする工程、
（ｃ）前記第１絶縁性材料層の上に第２絶縁性材料層を積層する工程、
（ｄ）前記磁極層の上部にある、第２絶縁性材料層、第１絶縁性材料層を削って前記磁極層の上面を露出させ、前記磁極層の上面と前記磁極層の両側部にある第２絶縁性材料層の上面を同一面とする工程、
（ｅ）前記磁極層の上または下にスバイラル状のコイル層または、前記磁極層を軸としてトロイダル状に巻回するコイル層を形成する工程、
【請求項２】
前記（ａ）工程の前、あるいは、前記（ｅ）工程の後に、
（ｆ）前記磁極層と第３絶縁性材料層を介して重なる、磁性材料からなるリターンパス層を形成する工程、を有する請求項１記載の磁気ヘッドの製造方法。
【請求項３】
前記（ｃ）工程と前記（ｄ）工程の間に、
（ｇ）前記第２絶縁性材料層の上に補助研磨層を積層する工程を有し、
前記（ｄ）工程において、この補助研磨層を削りとる請求項１または２記載の磁気ヘッドの製造方法。
【請求項４】
前記第１絶縁性材料層と前記第２絶縁性材料層を、同一条件下で研磨したときの、前記第２絶縁性材料層の研磨速度が前記第１絶縁性材料層の研磨速度より小さい請求項１ないし３のいずれかに記載の磁気ヘッドの製造方法。
【請求項５】
前記第１絶縁性材料層はアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）で形成され、前記第２絶縁性材料層はＳｉＯ２、Ａｌ−Ｓｉ−Ｏ、Ｔｉ、Ｗ、Ｃｒのいずれか１種または２種以上で形成される請求項１ないし４のいずれかに記載の磁気ヘッドの製造方法。
【請求項６】
前記第１絶縁性材料層はＳｉＯ２、Ａｌ−Ｓｉ−Ｏのいずれかまたは両方で形成され、前記第２絶縁性材料層はＴｉ、Ｗ、Ｃｒのいずれか１種または２種以上で形成される請求項１ないし４のいずれかに記載の磁気ヘッドの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ハード膜を有するディスクなどの記録媒体に対して磁界を与えて記録を行う磁気ヘッドに係り、前記記録媒体に記録磁束を集中して狭トラックで磁気データを記録でき且つ均一な品質の磁極を容易に製造できるようにした磁気ヘッドの製造方法を提供することを目的としている。
【０００２】
【従来の技術】
図１２に示される磁気ヘッドは、垂直磁気記録方式の装置に使用される記録用の磁気ヘッドである。記録媒体の媒体面に対する垂直方向に媒体を磁化させる垂直磁気記録方式は、媒体面に対する水平方向に媒体を磁化させる方式に比べて、磁気データを高密度で記録することができる。
【０００３】
図１２は前記垂直磁気記録方式の装置に使用される磁気ヘッドの構造を示す断面図、図１３は前記図１２の磁気ヘッドの正面図である。なお、図１２は、磁気ヘッドを図１３に示される一点鎖線で切断し、矢印方向からみた断面図である。
【０００４】
磁気ヘッドＨは、記録媒体上を浮上して移動しまたは摺動するスライダのトレーリング側端面に設けられるものである。
【０００５】
前記磁気ヘッドＨは、絶縁層１内に形成されたヨーク層２とヨーク層２に接続されている磁極層４、並びに磁極層４上に設けられたリターンパス層１１を有している。ヨーク層１、磁極層４、リターンパス層１１は強磁性材料によって形成されている。なお、磁極層４は、メッキ下地層３の上にメッキ形成されている。
【０００６】
磁極層４の端面４ａとリターンパス層１１の端面１１ａとが、記録媒体との対向面Ｈａに現れている。磁極層４の端面４ａとリターンパス層１１の端面１１ａ、は、前記対向面１１ａにおいて、所定距離の間隔を有している。また、前記対向面Ｈａよりも奥側において、リターンパス層１１と磁極層４は、磁気接続部１１ｂにおいて磁気的に接続されている。
【０００７】
リターンパス層１１と磁極層４との間にはＡｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２などの無機材料による非磁性絶縁層５が位置しており、前記対向面Ｈａでは、この非磁性絶縁層５の端面５ａが、リターンパス層１１の端面１１ａと磁極層４の端面４ａとの間に現れている。
【０００８】
そして、非磁性絶縁層５の上に、コイル絶縁下地層７を介して、Ｃｕなどの導電性材料で形成されたコイル層８が形成されており、コイル層８はコイル絶縁層１０によって覆われている。コイル層８は、中心８ａから磁気接続部１１ｂの周囲をらせん状に巻回する構造を有している。
【０００９】
図１３に示すように、磁極層４の端面４ａの厚みＨｔは、リターンパス層１１の端面１１ａの厚みＨｒよりも小さく、図に示すように、磁極層４の端面４ａのトラック幅方向（図示Ｘ方向）の幅寸法Ｗｔは、リターンパス層１１の端面１１ａの同方向での幅寸法Ｗｒよりも十分に短くなっている。その結果、対向面Ｈａでは、磁極層４の端面４ａの面積が、リターンパス層１１の端面１１ａでの面積よりも十分に小さい。
【００１０】
従って、磁極層４の端面４ａの対向部分で磁束φが集中し、端面４ａが対向する部分での記録媒体に対し、前記磁束φにより磁気データが記録される。
【００１１】
図１２及び図１３に示された磁気ヘッドは、図１６に示される磁気ディスク装置の部品として用いられる。
【００１２】
図１６に示される磁気ディスク装置は、垂直磁気記録用の磁気ディスク（記録媒体）１５と前述した磁気ヘッドＨがトレーリング端面に搭載されたスライダ１６を備える。スライダ１６は、ロードビーム１７を介して回転アクチュエータ１８に取り付けられている。回転アクチュエータ１８を回転させることによって、磁気ヘッドＨを磁気ディスク１５の半径方向に移動させる。なお、磁気ディスクは図に示す矢印Ｒ１方向に回転する。
【００１３】
スライダ１６が磁気ディスク１５の外周と内周との間を移動する際に、磁気ディスクの回転接線方向（図示Ａ方向）に対して磁極層４の側辺４ａ１が傾くスキュー角（ヨー角）が発生する。
【００１４】
図１７及び図１８は、磁極層４の前端面４ａと記録媒体上に記録される信号の幅寸法（記録トラック幅）の関係を示している。図１７及び図１８では、磁気ヘッドの磁極層４の端面４ａとリターンバス層１１の端面１１ａのみ示す。
【００１５】
図１７に示されるように、スキュー角が０のとき、記録媒体に書き込まれる記録信号の幅寸法（記録トラック幅）は、磁極層４の端面４ａの下端辺４ａ２の長さ寸法に等しい。
【００１６】
これに対して、スキュー角が発生したとき、記録トラック中で磁化方向が変化する境界領域の形状は、磁極層４の端面４ａの側辺４ａ１と下端辺４ａ２によって規定されることになる。従って、記録トラック幅は、側辺４ａ１の端点４ｂ１と下端辺４ａ２の端点４ｂ２の、磁気ディスク半径方向の距離に等しくなる。
【００１７】
垂直記録方式の磁気ヘッドのスキュー角と、記録トラック幅との関係については、特許文献１に記載されている。
【００１８】
【特許文献１】
特開２０００−１８２２０５号公報（第３頁、第３図）
【００１９】
【発明が解決しようとする課題】
図１２及び図１３に示される磁気ヘッドの磁極層４は、図１４及び図１５に示される工程をへて形成される。
【００２０】
まず、磁極層４の厚み寸法（図示Ｚ方向寸法）が、完成時の厚み寸法Ｈｔよりも大きくなるように、磁極層４をメッキ下地３上にメッキ形成する。
【００２１】
次に、図１４に示されるように、磁極層４の周囲をアルミナなどの絶縁性材料層１２で覆ったのち、ＣＭＰ技術を用いて絶縁性材料層１２の上面を削って磁極層４の上面を露出させ、さらに、磁極層４の厚み寸法が所定の寸法Ｈｔになるまで研磨する。この研磨工程終了後、磁極層４の上面と絶縁性材料層１２の上面は平坦化された同一面になる（図１５）。この同一面上に、非磁性絶縁層５、コイル層８、リターンパス層１１などを形成する。
【００２２】
しかし、上述したＣＭＰによる研磨加工は、加工寸法を正確に制御することが難しく、磁極層４の厚み寸法が所定の寸法Ｈｔの各製品ごとのバラツキが大きくなるという問題が生じていた。
【００２３】
特に、垂直記録方式の磁気ヘッドでは、磁極層４の厚み寸法Ｈｔにバラツキが生じると、記録媒体上の記録トラック幅がバラつくという問題が生じる。
【００２４】
先に説明したように、スキュー角が発生したとき、記録トラック中で磁化方向が変化する境界領域の形状は、磁極層４の端面４ａの側辺４ａ１と下端辺４ａ２によって規定されることになる。例えば、磁極層４の厚み寸法がＨｔより小さくなって、下端辺が図の点線で示される４ａ３の位置になったとする。すると、記録トラック幅は、側辺４ａ１の端点４ｂ１と下端辺４ａ３の端点４ｂ３の、磁気ディスク半径方向の距離に等しくなり、記録トラック幅がＴｗより小さいＴｗ１になってしまう。
反対に、磁極層４の厚み寸法がＨｔより大きくなると、記録トラック幅はＴｗより大きくなる。
【００２５】
また、磁極層４の厚み寸法がバラつくと、オーバライト特性などの磁気記録特性もバラついてしまう。
【００２６】
このように、従来の磁気ヘッドの製造方法では、磁極層４の厚み寸法を正確に制御して、記録媒体上の記録トラック幅を常に一定の規格範囲内に収めることのできる磁気ヘッドを製造することは困難であった。
【００２７】
本発明は、上記従来の課題を解決するためのものであり、磁極層の厚み寸法を一定の範囲に容易におさめることを可能にする磁気ヘッドを製造方法を提供することを目的とする。
【００２８】
【課題を解決するための手段】
本発明の磁気ヘッドの製造方法は、以下の工程を有することを特徴とする。
（ａ）磁性材料で磁極層を形成する工程、
（ｂ）前記磁極層の両側部及び上部に第１絶縁性材料層を設け、このとき前記磁性層の両側部における前記第１絶縁性材料層の膜厚を前記磁極層の膜厚より小さくする工程、
（ｃ）前記第１絶縁性材料層の上に第２絶縁性材料層を積層する工程、
（ｄ）前記磁極層の上部にある、第２絶縁性材料層、第１絶縁性材料層を削って前記磁極層の上面を露出させ、前記磁極層の上面と前記磁極層の両側部にある第２絶縁性材料層の上面を同一面とする工程、
（ｅ）前記磁極層の上または下にスパイラル状のコイル層または、前記磁極層を軸としてトロイダル状に巻回するコイル層を形成する工程。
【００２９】
本発明では、前記磁極層を覆う第１絶縁性材料層の上に、第１絶縁性材料層と異なる材料からなる第２絶縁性材料層を積層し、前記（ｄ）工程における研磨加工を、この第２絶縁性材料層をマーカとして終了させる。
【００３０】
第１絶縁性材料層及び第２絶縁性材料層の成膜は、スパッタ法などの薄膜技術を用いて行うので、第１絶縁性材料層及び第２絶縁性材料層の成膜膜厚は正確に制御できる。すなわち、第２絶縁性材料層の厚み方向の位置は正確に決めることができるので、第２絶縁性材料層の位置まで研磨することにより、研磨量の正確な制御が可能になる。
【００３１】
そして、前記磁極層の上面と第２絶縁性材料層の上面は同一面とされるので、前記磁極層の厚み寸法も正確に制御することができる。
【００３２】
従って、本発明の磁気ヘッドの製造方法を用いると、前記磁極層の厚み寸法を正確に制御して、記録媒体上の記録トラック幅を常に一定の規格範囲内に収めることのできる磁気ヘッドを形成することができる。
【００３３】
また、磁気ヘッドの磁気記録特性（オーバライト特性など）を均一にすることも容易になる。
【００３４】
本発明では、前記（ａ）工程の前、あるいは、前記（ｅ）工程の後に、
（ｆ）前記磁極層と第３絶縁性材料層を介して重なる、磁性材料からなるリターンパス層を形成する工程、を有することによって垂直記録方式の磁気ヘッドを形成することができる。
【００３５】
また、前記（ｃ）工程と前記（ｄ）工程の間に、
（ｇ）前記第２絶縁性材料層の上に補助研磨層を積層する工程を有し、
前記（ｄ）工程において、この補助研磨層を削りとることが好ましい。
【００３６】
前記補助研磨層を用いると研磨工程における研磨量の制御が容易になる。
本発明では、同一条件下で研磨したときの、前記第２絶縁性材料層の研磨速度が前記第１絶縁性材料層の研磨速度より小さくなるように、前記第１絶縁性材料層の材料と前記第２絶縁性材料層の材料を選択することが好ましい。
【００３７】
前記第２絶縁性材料層の研磨速度を前記第１絶縁性材料層の研磨速度より小さくさせることによって、前記（ｄ）工程における研磨工程を、第２絶縁性材料層の位置で確実に終了させることが容易になる。
【００３８】
本発明では、前記第１絶縁性材料層を例えばアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）で形成するとき、前記第２絶縁性材料層を、例えばＳｉＯ２、Ａｌ−Ｓｉ−Ｏ、Ｔｉ、Ｗ、Ｃｒのいずれか１種または２種以上で形成することができる。
【００３９】
アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）は酸には溶けにくいがアルカリには溶けやすい。これに対して、ＳｉＯ２は酸にもアルカリにも溶けにくく、アルミナより薬剤耐性が強い。
【００４０】
または、前記第１絶縁性材料層を例えばＳｉＯ２、Ａｌ−Ｓｉ−Ｏのいずれかまたは両方で形成するとき、前記第２絶縁性材料層をＴｉ、Ｗ、Ｃｒのいずれか１種または２種以上で形成することができる。
【００４１】
アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）を用いて形成された第１絶縁性材料層と、ＳｉＯ２を用いて形成された前記第２絶縁性材料層とを、同一条件下で研磨したとき、第２絶縁性材料層の研磨速度は、第１絶縁性材料層の研磨速度の２０分の１程度となり、前記（ｄ）工程における研磨工程を、第２絶縁性材料層の位置で確実に終了させることが容易になる。
【００４２】
【発明の実施の形態】
図１は、本発明の磁気ヘッドの製造方法によって形成された磁気ヘッドを示す縦断面図である。
【００４３】
図１に示す垂直磁気記録ヘッドＨ１は記録媒体Ｍに垂直磁界を与え、記録媒体Ｍのハード膜Ｍａを垂直方向に磁化させるものである。
【００４４】
記録媒体Ｍは例えばディスク状であり、その表面に残留磁化の高いハード膜Ｍａが、内方に磁気透過率の高いソフト膜Ｍｂを有しており、ディスクの中心が回転軸中心となって回転させられる。
【００４５】
スライダ２１はＡｌ２Ｏ３・ＴｉＣなどの非磁性材料で形成されており、スライダ２１の対向面２１ａが記録媒体Ｍに対向し、記録媒体Ｍが回転すると、表面の空気流によりスライダ２１が記録媒体Ｍの表面から浮上し、またはスライダ２１が記録媒体Ｍに摺動する。図１においてスライダ２１に対する記録媒体Ｍの移動方向はＡ方向である。
【００４６】
スライダ２１のトレーリング側端面２１ｂには、Ａｌ２Ｏ３またはＳｉＯ２などの無機材料による非磁性絶縁層２２が形成されて、この非磁性絶縁層２２の上に読取り部ＨＲが形成されている。
【００４７】
読取り部ＨＲは下部シールド層２３と上部シールド層２６と、下部シールド層２３と上部シールド層２６との間の無機絶縁層（ギャップ絶縁層）２５内に位置する読み取り素子２４とを有している。読み取り素子２４は、ＡＭＲ、ＧＭＲ、ＴＭＲなどの磁気抵抗効果を利用した素子である。
【００４８】
読取り部ＨＲの上にＡｌ２Ｏ３またはＳｉＯ２などの無機材料による分離層２７が形成されて、分離層２７の上に記録用の磁気ヘッドＨ１が設けられている。磁気ヘッドＨ１の記録媒体との対向面Ｈ１ａは、スライダ２１の対向面２１ａとほぼ同一面である。
【００４９】
なお、読取り部ＨＲを設けず、スライダ２１のトレーリング側端部に垂直磁気記録用の磁気ヘッドＨ１のみを搭載してもよい。
【００５０】
磁気ヘッドＨ１では、パーマロイ（Ｎｉ−Ｆｅ）などの強磁性材料がメッキされてヨーク層２８が形成されている。ヨーク層２８は、分離層２７内に埋設されており、記録媒体との対向面Ｈ１ａには露出していない。
【００５１】
ヨーク層２８の上面にはＮｉＦｅなどの導電性金属膜によるメッキ下地膜２９がスパッタにより成膜されている。
【００５２】
図１に示す実施形態では、下地膜２９の上に、磁極層３０がメッキで形成されている。磁極層３０は強磁性材料でメッキされたものであり、Ｎｉ−Ｆｅ、Ｃｏ−Ｆｅ、Ｎｉ−Ｆｅ−Ｃｏなどの飽和磁束密度の高い材料で形成されている。磁極層３０はヨーク層２８よりも飽和磁束密度Ｂｓが高い磁性材料で形成されていることが好ましい。
【００５３】
図２は図１の磁気ヘッドの正面図である。なお、図１は、磁気ヘッドを図２に示される一点鎖線で切断し、矢印方向からみた断面図である。
【００５４】
図２に示すように、対向面Ｈ１ａに現れている下地膜２９、および磁極層３０は、トラック幅方向（Ｘ方向）への幅寸法がＷｔとなるように形成されている。なお、図示はしないが、ヨーク層２８のトラック幅方向寸法は、磁極層３０のトラック幅方向寸法Ｗｔより大きくなっている。
【００５５】
図２に示されるように、磁極層３０の周囲には、第１絶縁性材料層３１が設けられており、第１絶縁性材料層３１の上には、第２絶縁性材料層３２が形成されている。磁極層３０の上面３０ｂと、磁極層３０の両側部にある第２絶縁性材料層３２の上面３２ａは同一面をなしている。前記第１絶縁性材料層３１を例えばアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）で形成するとき、前記第２絶縁性材料層３２を、例えばＳｉＯ２、Ａｌ−Ｓｉ−Ｏ、Ｔｉ、Ｗ、Ｃｒのいずれか１種または２種以上で形成することができる。
【００５６】
または、前記第１絶縁性材料層３１を例えばＳｉＯ２、Ａｌ−Ｓｉ−Ｏのいずれかまたは両方で形成するとき、前記第２絶縁性材料層３２をＴｉ、Ｗ、Ｃｒのいずれか１種または２種以上で形成することができる。
【００５７】
第１絶縁性材料層３１及び第２絶縁性材料層３２の構造的特徴は本発明の製造方法に由来するものである。この点については、後にくわしく説明する。
【００５８】
磁極層３０の上と第２絶縁性材料層３２の上には、アルミナまたはＳｉＯ２などの無機材料によって、第３絶縁性材料層３３が設けられている。第３絶縁性材料層３３上には、パーマロイなどの強磁性材料によって、リターンパス層３４が形成されている。
【００５９】
リターンパス層３４の前端面３４ａは、記録媒体との対向面Ｈ１ａに露出している。また、対向面Ｈ１ａよりも奥側で、リターンパス層３４の接続部３４ｂと磁極層３０及びヨーク層２８とが接続されている。これにより、リターンパス層３４、磁極層３０及びヨーク層２８、磁極層３０を結ぶ磁路が形成されている。
【００６０】
接続部３４ｂの周囲において、コイル絶縁下地層３５が形成されている。このコイル絶縁下地層３５の上にＣｕなどの導電性材料によりコイル層３６が形成されている。このコイル層３６はフレームメッキ法などで形成されたものであり、接続部３４ｂの周囲に所定の巻き数となるようにスパイラル（螺旋）状にパターン形成されている。コイル層３６の巻き中心側の接続端３６ａ上には同じくＣｕなどの導電性材料で形成された底上げ層３７が形成されている。
【００６１】
コイル層３６および底上げ層３７は、レジスト材料などの有機材料のコイル絶縁層３８で被覆されている。図示はしないが、コイル絶縁層３８が、さらにＡｌ２Ｏ３などの無機絶縁層で覆われていてもよい。
【００６２】
また、底上げ層３７の上面は、コイル絶縁層３８の表面に露出しており、リード層３９に接続されている。リード層３９から底上げ層３７およびコイル層３６に記録電流の供給が可能となっている。
【００６３】
そして、リターンパス層３４およびリード層３９が、無機非磁性絶縁材料などで形成された保護層４１に覆われている。
【００６４】
なお、第３絶縁性材料層３３上であって、記録媒体との対向面Ｈ１ａから所定距離離れた位置に、無機または有機材料によってＧｄ決め層４０が形成されている。記録媒体との対向面Ｈ１ａからＧｄ決め層４０の前端縁までの距離で、磁気ヘッドＨ１のギャップデプス長が規定される。
【００６５】
図１及び図２に示すように、対向面Ｈ１ａには、リターンパス層３４の前端面３４ａ、および磁極層３０の前端面３０ａが現れている。
【００６６】
図１及び図２に示す磁気ヘッドＨ１では、リード層３９を介してコイル層３６に記録電流が与えられると、コイル層３６を流れる電流の電流磁界によってリターンパス層３４とヨーク層２８に記録磁界が誘導される。図１に示すように、対向面Ｈ１ａでは、磁極層３０の前端面３０ａとリターンパス層３４の前端面３４ａからの漏れ記録磁界が、記録媒体Ｍのハード膜Ｍａを貫通しソフト膜Ｍｂを通過する。
【００６７】
図２に示すように、磁極層３０の前端面３０ａの厚みＨｔは、リターンパス層３４の前端面３４ａの厚みＨｒよりも小さく、磁極層３０の前端面３０ａのトラック幅方向（図示Ｘ方向）の幅寸法Ｗｔは、リターンパス層３４の前端面３４ａの同方向での幅寸法Ｗｒよりも十分に短くなっている。その結果、対向面Ｈ１ａでは、磁極層３０の前端面３０ａの面積が、リターンパス層３４の前端面３４ａでの面積よりも十分に小さい。
【００６８】
従って、磁極層３０の前端面３０ａに洩れ記録磁界の磁束φが集中し、この集中している磁束φにより前記ハード膜Ｍａが垂直方向へ磁化されて、磁気データが記録される。
【００６９】
図１及び図２に示された磁気ヘッドの製造方法について、すなわち、本発明の磁気ヘッドの製造方法の実施の形態を以下に説明する。
【００７０】
図３ないし図７は製造方法を工程別に示したものであるが、各図において左側の図は対向面Ｈ１ａ側から見た部分正面図、右側の図は縦断面図である。
【００７１】
図３に示す工程では、読み取り部Ｈｒ上に、アルミナやＳｉＯ２などの絶縁性材料を用いて、分離層２７を形成し、分離層２７に強磁性材料からなるヨーク層２８を埋設する。
【００７２】
まず、アルミナやＳｉＯ２を用いて第１分離層２７ａを、スパッタ法や蒸着法によって成膜し、第１分離層２７ａの上面をＣＭＰ研磨処理などで研磨して平坦化面とする。次に、第１分離層２７ａの上の、対向面Ｈ１ａから所定距離Ｌ１離れた位置に、ヨーク層２８をＮｉＦｅなどの強磁性材料を用いてフレームメッキ法を用いてメッキ形成する。その後、第１分離層２７ａ及びヨーク層２８を覆うように、アルミナやＳｉＯ２を用いて第２分離層２７ｂをスパッタ法や蒸着法によって成膜し、第２分離層２７ｂの上面をＣＭＰ研磨処理などで研磨して、ヨーク層２８の上面２８ａを露出させ、この上面２８ａと第２分離層２７ｂの上面２７ｂ１を平坦化して同一面とする。
【００７３】
次に図４に示す工程では、同一面となったヨーク層２８の上面２８ａと第２分離層２７ｂの上面２７ｂ１にメッキ下地膜２９をスパッタにて成膜する。メッキ下地膜２９は、ＮｉＦｅなどの磁性材料によって形成する。
【００７４】
次に、図５に示すように、メッキ下地膜２９の上にレジスト層Ｒを形成する。レジスト層Ｒをパターン露光して現像することにより、溝Ｒａを形成する。この溝Ｒａはトラック幅方向（図示Ｘ方向）に所定の内幅寸法Ｗ１を有し、また対向面Ｈ１ａからの奥方向（ハイト方向；図示Ｙ方向）へ所定の奥行き寸法Ｌ２を有するように形成する。
【００７５】
ここで、図３に示すように、ヨーク層２８の上面２８ａと第２分離層２７ｂの上面２７ｂ１はＣＭＰ処理により平坦に加工されているため、レジスト層Ｒを均一な膜厚に形成できる。よって、溝Ｒａの露光・現像処理の際に、溝Ｒａの内幅寸法を高精度にすなわちばらつきを生じることなく形成できる。
【００７６】
そして、溝Ｒａ内において、メッキ下地膜２９を電極として使用し、磁極層３０をメッキ形成する。磁極層３０は、ヨーク層より飽和磁束密度の大きい強磁性材料を用いて形成する。具体的には、磁極層３０をＮｉ−Ｆｅ、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｒｈ、Ｆｅ−Ｃｏ、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｉなどで形成することができる。その後レジスト層Ｒを除去する。なお、図５に示される磁極層３０をメッキ形成する工程では、磁極層３０の膜厚を、完成時の膜厚より大きくしておく必要がある。レジスト層Ｒを除去したあと、磁極層３０の周囲に露出しているメッキ下地膜２９をイオンミリングなどによって除去する。また、イオンミリングによって磁極層３０をトラック幅方向にけずり、磁極層３０のトラック幅方向寸法を小さくしてもよい。
【００７７】
次に、図６に示される工程では、磁極層３０の両側部、後方部、及び上部に第１絶縁性材料層３１を設ける。このとき磁性層３０の両側部における第１絶縁性材料層３１の膜厚Ｔ１を磁極層３０の膜厚Ｔ２より小さくする。
さらに、第１絶縁性材料層３１の上に第２絶縁性材料層３２を積層し、第２絶縁性材料層３２の上に、補助研磨層５０を積層する。
【００７８】
第１絶縁性材料層３１、及び補助研磨層５０の材料として、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）を用いるとき、前記第２絶縁性材料層３２を、ＳｉＯ２、Ａｌ−Ｓｉ−Ｏ、Ｔｉ、Ｗ、Ｃｒのいずれか１種または２種以上で形成する。
【００７９】
または、前記第１絶縁性材料層３１、及び補助研磨層５０をＳｉＯ２、Ａｌ−Ｓｉ−Ｏのいずれかまたは両方で形成するとき、前記第２絶縁性材料層３２をＴｉ、Ｗ、Ｃｒのいずれか１種または２種以上で形成することができる。
【００８０】
なお、後に磁極層３０の上面を研磨する工程があるが、この研磨工程後の磁極層３０の上面の位置が、磁極層３０の両側部にある第２絶縁性材料層３２の上面と下面の間の位置になるように、第２絶縁性材料層３２を成膜する。
【００８１】
次に、図７に示す工程では、磁極層３０の上部にある、補助研磨層５０、第２絶縁性材料層３２、第１絶縁性材料層３１をＣＭＰ研磨加工を施して削り、磁極層３０の上面３０ｂを露出させ、磁極層３０の上面３０ｂと磁極層３０の両側部にある第２絶縁性材料層３２の上面３２ａを平坦化して同一面とする。
【００８２】
このＣＭＰ研磨加工を、酸性スラリーを用いて加工加圧２５ｋｇｆで行うと、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）で形成された第１絶縁性材料層３１及び補助研磨層５０の研磨速度と、ＳｉＯ２で形成された第２絶縁性材料層３２の研磨速度の比は、２０：１になる。また、ＣＭＰ研磨加工を、アルカリ性スラリーを用いて行うとアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）で形成された第１絶縁性材料層３１及び補助研磨層５０の研磨速度は、ＳｉＯ２で形成された第２絶縁性材料層３２の研磨速度より大きくなる。
【００８３】
本発明では、図７に示す工程の研磨加工を、第２絶縁性材料層３２をマーカとして終了させる。
【００８４】
第１絶縁性材料層３１及び第２絶縁性材料層３２の成膜は、スパッタ法などの薄膜技術を用いて行うので、第１絶縁性材料層３１及び第２絶縁性材料層３２の成膜膜厚は正確に制御できる。すなわち、第２絶縁性材料層３２の厚み方向の位置は、正確に決めることができるので、第２絶縁性材料層３２の位置まで研磨することにより、研磨量の正確な制御が可能になる。
【００８５】
そして、磁極層３０の上面３０ｂと第２絶縁性材料層３２の上面３２ａは同一面とされるので、磁極層３０の厚み寸法Ｈｔも正確に制御することができる。
【００８６】
従って、本発明の磁気ヘッドの製造方法を用いると、磁極層３０の厚み寸法Ｈｔを正確に制御でき、図１６に示されるような磁気ヘッド装置を構成したときに、スキュー角が発生しても記録媒体上の記録トラック幅を常に一定の規格範囲内に収めることのできる磁気ヘッドを形成することができる。
【００８７】
また、磁極層３０の厚み寸法Ｈｔを正確に制御できるので、オーパライト特性など磁気ヘッドの記録特性を均一化することも容易である。
【００８８】
本発明では、同一条件下で研磨したときの、第２絶縁性材料層３２の研磨速度が第１絶縁性材料層３１の研磨速度より小さくなるように、第１絶縁性材料層３１の材料と第２絶縁性材料層３２の材料を選択している。
【００８９】
アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）を用いて形成された第１絶縁性材料層３１と、ＳｉＯ２を用いて形成された第２絶縁性材料層３２とを、同一条件下で研磨したとき、第２絶縁性材料層３２の研磨速度は、第１絶縁性材料層３１の研磨速度の２０分の１程度となり、図７に示される工程における研磨工程を、第２絶縁性材料層３２の位置で確実に終了させることが容易になる。
【００９０】
なお、補助研磨層５０の材料として、同一条件下で研磨したときの研磨速度が、第２絶縁性材料層３２の研磨速度より大きくなる材料を用いると、研磨工程にかかる時間を短くできる。
【００９１】
図７に示される工程の後、第３絶縁性材料層３３、Ｇｄ決め層４０、コイル絶縁下地層３５、コイル層３６、コイル絶縁層３８、リターンパス層３４、保護層４１を形成すると、図１及び図２に示される磁気ヘッドを得ることができる。第３絶縁性材料層３３、Ｇｄ決め層４０、コイル絶縁下地層３５、コイル層３６、コイル絶縁層３８、リターンパス層３４、保護層４１の材料は、既に図１及び図２を用いて説明しているので、ここでの説明は省略する。
【００９２】
なお、本実施の形態では、磁極層３０の上にスパイラル状のコイル層３６が形成されている磁気ヘッドの製造方法を示した。
【００９３】
ただし、本発明は、図８に示されるように、磁極層３０の下にスパイラル状のコイル層が形成される磁気ヘッドの製造方法にも用いることができる。
【００９４】
図８は、磁極層３０の下にスパイラル状のコイル層が形成される磁気ヘッドＨ２を示す縦断面図であり、図９は図８に示す磁気ヘッドを記録媒体との対向面側からみた正面図である。
【００９５】
読取り部ＨＲの構造は図１に示された磁気ヘッドと同じなので、設明を省略する。
【００９６】
読み取り部ＨＲの上には、Ａｌ２Ｏ３またはＳｉＯ２などの無機材料による分離層２７を介して、垂直磁気記録方式の記録用の磁気ヘッドＨ２が設けられている。
【００９７】
磁気ヘッドＨ２の記録媒体との対向面Ｈ２ａは、スライダ２１の対向面２１ａとほぼ同一面である。
【００９８】
磁気ヘッドＨ２では、パーマロイ（Ｎｉ−Ｆｅ）などの強磁性材料がメッキされてリターンパス層６０が形成されている。分離層２７は、リターンパス層６０の下（リターンパス層６０と読取り部ＨＲとの間）およびリターンパス層６０の周囲に形成されている。そして図１に示すように、リターンパス層６０の表面（上面）６０ａと分離層２７の表面（上面）２７ｃとは同一の平面上に位置している。
【００９９】
対向面Ｈ２ａ側において、リターンパス層６０の上面にはＮｉＦｅなどの導電性金属膜によるメッキ下地膜６１がスパッタにより成膜されている。
【０１００】
図１に示す実施形態では、下地膜６１の上には、磁性材料によって隆起層６２がメッキで形成されている。隆起層６２は強磁性材料でメッキされたものであり、Ｎｉ−Ｆｅ、Ｃｏ−Ｆｅ、Ｎｉ−Ｆｅ−Ｃｏなどの飽和磁束密度の高い材料で形成されている。
【０１０１】
なお、メッキ下地膜６１を形成せず、リターンパス層６０そのものをメッキ下地として使用して、隆起層６２をメッキで形成してもよい。
【０１０２】
対向面Ｈ２ａよりも奥側では、リターンパス層６０の表面６０ａに同じメッキ下地膜が形成されており、このメッキ下地膜６１の上にＮｉ−Ｆｅなどの接続層６３が形成されている。
【０１０３】
接続層６３の周囲において、リターンパス層６０の表面６０ａおよび分離層２７の表面２７ｃ上に、Ａｌ２Ｏ３などの非磁性絶縁層６４が形成されて、この非磁性絶縁層６４の上にＣｕなどの導電性材料によりコイル層６５が形成されている。このコイル層６５はフレームメッキ法などで形成されたものであり、接続層６３の周囲に所定の巻き数となるように螺旋状にパターン形成されている。コイル層６５の巻き中心側の接続端６５ａ上には同じくＣｕなどの導電性材料で形成された底上げ層６６が形成されている。
【０１０４】
コイル層６５および底上げ層６６は、レジスト材料などの有機材料の絶縁層６７で被覆されており、さらにＡｌ２Ｏ３などの無機絶縁層６８で覆われている。
【０１０５】
そして、隆起層６２の表面（上面）６２ａ、接続層６３の表面（上面）６３ａ、底上げ層６６の表面（上面）６６ａ、および無機絶縁層６８の表面（上面）６８ａは、同一面となるように加工されている。そして、同一面とされた面上に、非磁性層６９がスパッタ法によって成膜されている。
【０１０６】
非磁性層６９の上には、磁極層７０がメッキ形成されており、磁極層７０は接続層６３の上で無機絶縁層６８に開けられた開孔部６８ａを介して接続層６３に接続されている。磁極層７０は強磁性材料でメッキされたものであり、Ｎｉ−Ｆｅ、Ｃｏ−Ｆｅ、Ｎｉ−Ｆｅ−Ｃｏなどの飽和磁束密度の高い材料で形成されている。
【０１０７】
磁極層７０の上には、ＮｉＦｅなどの強磁性材料で形成されたヨーク層７１が形成される。これにより、隆起層６２、リターンパス層６０、接続層６３、磁極層７０、ヨーク層７１を結ぶ磁路が形成されている。
【０１０８】
また、底上げ層６６の表面６６ａ上には、無機絶縁層６８に開けられた開孔部６８ｂを介してリード層７２が接続され、リード層７２から底上げ層６６およびコイル層６５に記録電流の供給が可能となっている。なお、リード層７２は、ヨーク層７１と同じ材料で形成でき、ヨーク層７１とリード層７２を、同時にメッキで形成することが可能である。
【０１０９】
そして、ヨーク層７１およびリード層７２が保護層７３に覆われている。なお、対向面Ｈ２ａには、リターンパス層６０の前端面６０ｂ、隆起層６２の前端面６２ｂ、および磁極層７０の前端面７０ａが現れているが、ヨーク層７１の前端面７１ａは、保護層７３内に埋没しており、対向面Ｈ２ａには現れていない。
【０１１０】
図８及び図９に示す磁気ヘッドＨ２では、リード層７２を介してコイル層６５に記録電流が与えられると、コイル層６５を流れる電流の電流磁界によってリターンパス層６０とヨーク層７１に記録磁界が誘導される。対向面Ｈ２ａでは、磁極層７０の前端面７０ａと隆起層６２の前端面６２ａからの漏れ記録磁界が、記録媒体Ｍのハード膜Ｍａを貫通しソフト膜Ｍｂを通過する。
【０１１１】
図９に示すように、対向面Ｈ２ａでは、磁極層７０の前端面７０ａの面積が、リターンパス層６０の前端面６０ｂの面積よりも十分に小さい。従って、磁極層７０の前端面７０ａに洩れ記録磁界の磁束φが集中し、この集中している磁束φにより前記ハード膜Ｍａが垂直方向へ磁化されて、磁気データが記録される。
【０１１２】
図８及び図９に示される磁気ヘッドの磁極層７０を形成するときには、図６に示される工程と同様に、メッキ形成された磁極層７０の上部と両側部に第１絶縁性材料層７４及び第２絶縁性材料層７５を積層して、ＣＭＰ研磨工程によって、磁極層７０の上面７０ｂを露出させる。前記第１絶縁性材料層７４を例えばアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）で形成するとき、前記第２絶縁性材料層７５を、例えばＳｉＯ２、Ａｌ−Ｓｉ−Ｏ、Ｔｉ、Ｗ、Ｃｒのいずれか１種または２種以上で形成することができる。
【０１１３】
または、前記第１絶縁性材料層７４を例えばＳｉＯ２、Ａｌ−Ｓｉ−Ｏのいずれかまたは両方で形成するとき、前記第２絶縁性材料層７５をＴｉ、Ｗ、Ｃｒのいずれか１種または２種以上で形成することができる。
【０１１４】
従って、図１及び図２に示された磁気ヘッドの製造方法において説明したように、磁極層７０の厚み寸法Ｔ３を正確に制御して、記録媒体上の記録トラック幅を常に一定の規格範囲内に収めることのできる磁気ヘッドを形成することができる。また、オーパライト特性など磁気ヘッドの記録特性を均一化することも容易である。
【０１１５】
図９に示されるように、磁極層７０の周囲には、第１絶縁性材料層７４が設けられ、第１絶縁性材料層７４の上には、第２絶縁性材料層７５が形成されることになる。磁極層７０の上面７０ｂと磁極層７０の両側部にある第２絶縁性材料層７５の上面７５ａは同一面をなし、その上にヨーク層７１が形成される。
【０１１６】
また、磁極層３０を軸としてトロイダル状に巻回するコイル層を形成してもよい。
【０１１７】
あるいは、本発明の磁気ヘッドの製造方法を、垂直磁気記録方式以外の磁気ヘッドの製造に用いることも可能である。
【０１１８】
例えば、図１０に示される磁気ヘッドを形成するときにも使える。なお、図１１は図１０に示す磁気ヘッドを記録媒体との対向面側からみた正面図である。
【０１１９】
上部シールド層２６上には、Ａｌ２Ｏ３などからなる分離層２７を介して、インダクティブヘッドＨ３の下部コア層８０が積層されている。下部コア層８０は、ＮｉＦｅなどによって形成される。下部コア層８０上には、Ｇｄ決め層８１が形成され、Ｇｄ決め層８１は例えば絶縁材料などで形成される。
【０１２０】
また、記録媒体との対向面からＧｄ決め層８１上にかけて、上部コア層よりトラック幅方向寸法が小さい磁極部８２が形成されている。
【０１２１】
磁極部８２は下から下部磁極層８３、非磁性のギャップ層８４、及び上部磁極層８５が積層されている。
【０１２２】
下部磁極層８３は、下部コア層８０上にメッキ形成されている。また下部磁極層８３の上に形成されたギャップ層８４は、メッキ形成可能な非磁性金属材料で形成されていることが好ましい。具体的には、ＮｉＰ、ＮｉＰｄ、ＮｉＷ、ＮｉＭｏ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｃｒのうち１種または２種以上から選択されたものであることが好ましい。ギャップ層８４がメッキ形成可能な非磁性金属材料で形成されると、下部磁極層８３、ギャップ層８４及び上部磁極層８５を連続メッキ形成することが可能である。
【０１２３】
なお本発明における具体的な実施形態としてギャップ層８４にはＮｉＰが使用される。ＮｉＰでギャップ層８４を形成することでギャップ層８４を適切に非磁性状態にできるからである。
【０１２４】
さらにギャップ層８４の上に形成された上部磁極層８５は、その上に形成される上部コア層８６と磁気的に接続される。
【０１２５】
上部磁極層８５とギャップ層８４の接合面Ｓのハイト方向長さ寸法（接合面Ｓの記録媒体との対向側からＧｄ決め層８１までの長さ寸法）で、ギャップデプス（Ｇｄ）が規制される。
【０１２６】
磁極部８２のトラック幅方向（図示Ｘ方向）の両側及びハイト方向後方（図示Ｙ方向）にはＡｌ２Ｏ８やＳｉＯ２などの無機材料からなる第１絶縁性材料層８７が形成されている。
【０１２７】
図１０に示すように、下地絶縁層９０上に、コイル層９２が２層構造となるようにパターン形成されている。またコイル層９２の上層は有機絶縁材料製の絶縁層８９によって覆われている。
【０１２８】
磁極部８２上から絶縁層８９上にかけて上部コア層８６が例えばフレームメッキ法によりパターン形成されている。
【０１２９】
上部コア層８６の基端部８６ｂは、下部コア層８０上に形成された、ＮｉＦｅなどの磁性材料製の接続層（バックギャップ層）８８に接続されている。
【０１３０】
図１１に示すように、磁極部８２はトラック幅方向（図示Ｘ方向）における幅寸法がトラック幅Ｔｗで形成されている。
【０１３１】
また、上部コア層８６の記録媒体との対向側の先端面８６ａはトラック幅方向寸法がＷ２で形成され、かかる幅寸法Ｗ２はトラック幅Ｔｗよりも大きく形成されている。
【０１３２】
図１０及び図１１に示される磁気ヘッドの磁極層８２を形成するときには、図６に示される工程と同様にして、メッキ形成された磁極層８２の上部と両側部に第１絶縁性材料層８７及び第２絶縁性材料層９１を積層して、ＣＭＰ研磨工程によって、磁極層８２の上面８２ａを露出させる。前記第１絶縁性材料層８７を例えばアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）で形成するとき、前記第２絶縁性材料層９１を、例えばＳｉＯ２、Ａｌ−Ｓｉ−Ｏ、Ｔｉ、Ｗ、Ｃｒのいずれか１種または２種以上で形成することができる。
【０１３３】
または、前記第１絶縁性材料層８７を例えばＳｉＯ２、Ａｌ−Ｓｉ−Ｏのいずれかまたは両方で形成するとき、前記第２絶縁性材料層９１をＴｉ、Ｗ、Ｃｒのいずれか１種または２種以上で形成することができる。
【０１３４】
従って、図１及び図２に示された磁気ヘッドの製造方法において説明したように、磁極層８２の厚み寸法Ｔ４を正確に制御することができ、オーバライト特性などの記録特性が均一な磁気ヘッドを形成することができる。
【０１３５】
図１１に示されるように、磁極層８２の周囲には、第１絶縁性材料層８７が設けられ、第１絶縁性材料層８７の上には、第２絶縁性材料層９１が形成されることになる。磁極層８２の上面８２ａと磁極層８２の両側部にある第２絶縁性材料層９１の上面９１ａは同一面をなす。
【０１３６】
また、上部コア層８６または下部コア層８０を軸としてトロイダル状に巻回するコイル層を形成してもよい。
【０１３７】
以上本発明をその好ましい実施例に関して述べたが、本発明の範囲から逸脱しない範囲で様々な変更を加えることができる。
【０１３８】
なお、上述した実施例はあくまでも例示であり、本発明の特許請求の範囲を限定するものではない。
【０１３９】
【発明の効果】
以上詳細に説明した本発明では、前記磁極層を覆う第１絶縁性材料層の上に、第２絶縁性材料層を積層し、磁極層の上面を露出させる研磨加工を、この第２絶縁性材料層をマーカとして終了させる。
【０１４０】
第１絶縁性材料層及び第２絶縁性材料層の成膜は、スパッタ法などの薄膜技術を用いて行うので、第１絶縁性材料層及び第２絶縁性材料層の成膜膜厚は正確に制御できる。すなわち、第２絶縁性材料層の厚み方向の位置を正確に決めることができるので、第２絶縁性材料層の位置まで研磨することにより、研磨量の正確な制御が可能になる。
【０１４１】
そして、前記磁極層の上面と第２絶縁性材料層の上面は同一面とされるので、前記磁極層の厚み寸法も正確に制御することができる。
【０１４２】
従って、本発明の磁気ヘッドの製造方法を用いると、前記磁極層の厚み寸法を正確に制御して、記録媒体上の記録トラック幅を常に一定の規格範囲内に収めることのできる磁気ヘッドを形成することができる。
【０１４３】
また、磁気ヘッドのオーバライト特性などの記録特性を均一化することも容易になる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の製造方法を用いて形成された磁気ヘッドが記録媒体に対向している状態を示す断面図、
【図２】図１に示す磁気ヘッドを記録媒体との対向面側から見た正面図、
【図３】本発明の磁気ヘッドの製造方法の工程を説明するものであり、右図は断面図、左図は対向面側から見た正面図、
【図４】本発明の磁気ヘッドの製造方法の工程を説明するものであり、右図は断面図、左図は対向面側から見た正面図、
【図５】本発明の磁気ヘッドの製造方法の工程を説明するものであり、右図は断面図、左図は対向面側から見た正面図、
【図６】本発明の磁気ヘッドの製造方法の工程を説明するものであり、右図は断面図、左図は対向面側から見た正面図、
【図７】本発明の磁気ヘッドの製造方法の工程を説明するものであり、右図は断面図、左図は対向面側から見た正面図、
【図８】本発明の製造方法を用いて形成された磁気ヘッドが記録媒体に対向している状態を示す断面図、
【図９】図８に示す磁気ヘッドを記録媒体との対向面側から見た正面図、
【図１０】本発明の製造方法を用いて形成された磁気ヘッドが記録媒体に対向している状態を示す断面図、
【図１１】図１０に示す磁気ヘッドを記録媒体との対向面側から見た正面図、
【図１２】従来の磁気ヘッドを示す縦断面図、
【図１３】従来の磁気ヘッドを示す正面図、
【図１４】従来の磁気ヘッドの製造工程を示す正面図、
【図１５】従来の磁気ヘッドの製造工程を示す正面図、
【図１６】磁気ヘッド装置の模式図、
【図１７】垂直磁気記録式の記録用磁気ヘッドのスキュー角と記録トラック幅との関係を示す模式図、
【図１８】垂直磁気記録式の記録用磁気ヘッドのスキュー角と記録トラック幅との関係を示す模式図、
【符号の説明】
２７  分離層
２８  ヨーク層
２９  メッキ下地層
３０  磁極層
３１  第１絶縁性材料層
３２  第２絶縁性材料層
３３  第３絶縁性材料層
３４  リターンパス層
３５  コイル絶縁下地層３５
３６  コイル層
３７  持ち上げ層
３８  コイル絶縁層
４１  保護層
４２  Ｇｄ決め層
【図１】
2004281017.tif 000003
【図２】
2004281017.tif 000004
【図３】
2004281017.tif 000005
【図４】
2004281017.tif 000006
【図５】
2004281017.tif 000007
【図６】
2004281017.tif 000008
【図７】
2004281017.tif 000009
【図８】
2004281017.tif 000010
【図９】
2004281017.tif 000011
【図１０】
2004281017.tif 000012
【図１１】
2004281017.tif 000013
【図１２】
2004281017.tif 000014
【図１３】
2004281017.tif 000015
【図１４】
2004281017.tif 000016
【図１５】
2004281017.tif 000017
【図１６】
2004281017.tif 000018
【図１７】
2004281017.tif 000019
【図１８】
2004281017.tif 000020