(57)【要約】【課題】マルチビーム走査方式の良好な光走査を行いうる光走査装置と、これを用いる画像形成装置を実現する。【解決手段】複数の光源部からの複数光束をカップリング光学系によりカップリングし、カップリングされた各光束を共通の偏向手段により偏向させ、各偏向光束を共通の走査結像系により共通の被走査面へ導光して、副走査方向に分離した複数の光スポットを形成し、被走査面をマルチビーム走査方式で光走査する光走査装置において、複数の光源部が、チップ化された複数の半導体レーザ１１ａ、１１ｂ、１１ｃであって、これらチップ化された半導体レーザが、保持手段１２により一体的に保持されたことを特徴とする。【選択図】                  図２
2004264680.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の光源部からの複数光束をカップリング光学系によりカップリングし、カップリングされた各光束を共通の偏向手段により偏向させ、各偏向光束を共通の走査結像系により共通の被走査面へ導光して、副走査方向に分離した複数の光スポットを形成し、上記被走査面をマルチビーム走査方式で光走査する光走査装置において、
複数の光源部が、チップ化された複数の半導体レーザであって、これらチップ化された半導体レーザが、保持手段により一体的に保持されたことを特徴とする光走査装置。
【請求項２】
請求項１記載の光走査装置において、
カップリング光学系から射出した複数の光束が、偏向面内において、上記カップリング光学系の後側焦点位置よりも被走査面に近い側で互いに交差することを特徴とする光走査装置。
【請求項３】
請求項１または２記載の光走査装置おいて、
保持手段により互いに一体に保持されたチップ化された半導体レーザの２以上は、光束の放射方向が偏向面内において互いに非平行となるように保持されていることを特徴とする光走査装置。
【請求項４】
請求項１〜３の任意の１に記載の光走査装置において、
前記カップリング光学系は少なくとも１つのカップリングレンズからなり、
このカップリングレンズによりカップリングされる２以上のチップ化された半導体レーザの発光部が、上記カップリングレンズの光軸方向において、上記カップリングレンズからの距離が異なることを特徴とする光走査装置。
【請求項５】
請求項２〜４の任意の１に記載の光走査装置において、
２以上のチップ化された半導体レーザの光束の放射方向が、カップリングレンズへ向かって、互いに離れるように開き角を有していることを特徴とする光走査装置。
【請求項６】
請求項１〜５の任意の１に記載の光走査装置において、
チップ化された各半導体レーザの活性層が、副走査方向に略平行に配備されることを特徴とする光走査装置。
【請求項７】
請求項６記載の光走査装置において、
チップ化された複数の半導体レーザの発光部が、活性層と略垂直な方向に、略同一平面上に配置されることを特徴とする光走査装置。
【請求項８】
請求項６記載の光走査装置において、
チップ化された複数の半導体レーザの各発光部が、活性層と略平行な方向に互いにシフトして配置されることを特徴とする光走査装置。
【請求項９】
請求項１〜８の任意の１に記載の光走査装置において、
チップ化された各半導体レーザは、活性層を挟む両側が電気的に絶縁されるように、保持手段に保持されることを特徴とする光走査装置。
【請求項１０】
請求項１〜９の任意の１に記載の光走査装置において、
保持手段に一体的に保持された複数のチップ化された半導体レーザの少なくとも１つを、副走査方向に移動調整する移動調整手段を有することを特徴とする光走査装置。
【請求項１１】
請求項１〜１０の任意の１に記載の光走査装置を有する画像形成装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、光走査装置および画像形成装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、レーザプリンタ等の電子写真出力装置において、高速化・高密度化の要請が高まり、これに応えるべく光走査のマルチビーム化が実用化されつつある。
【０００３】
マルチビーム走査方式では、１度に複数の走査ラインが走査されるので、ポリゴンミラーを無理に高速回転させなくとも高速の画像書き込みが可能であり、ポリゴンミラーを高速回転させる場合の、風切り音の問題や、エネルギ消費量増大・熱の発生等の問題がない。
【０００４】
しかしながら、マルチビーム走査を行うのに、光源として「パッケージされた一般的な半導体レーザ」を用いる場合、複数の半導体レーザからの光束を合成するのに、光束合成プリズム等の合成光学素子が必要になり、光源装置を構成する部品点数が増加し、光源装置ひいては光走査装置が大型化しコストが増大する。また、合成光学素子による光束合成の際に光学特性劣化が発生する問題もある。
【０００５】
【特許文献１】
特開２００１−３２６４１５号公報
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
この発明は、マルチビーム走査に伴う上記問題を解決し、部品点数を低減でき、適応性が高く、小型・低コストで実現でき、光スポットを小径化でき、安定した走査線ピッチを実現できる光走査装置およびこれを用いる画像形成装置の実現を課題とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
この発明の光走査装置は「複数の光源部からの複数光束をカップリング光学系によりカップリングし、カップリングされた各光束を共通の偏向手段により偏向させ、各偏向光束を共通の走査結像系により共通の被走査面へ導光して、副走査方向に分離した複数の光スポットを形成し、被走査面をマルチビーム走査方式で光走査する光走査装置」であって、以下の如き特徴を有する（請求項１）。
【０００８】
即ち、複数の光源部が「チップ化された複数の半導体レーザ」であって、これらチップ化された半導体レーザが、保持手段により一体的に保持されている。
【０００９】
請求項１記載の光走査装置においては、カップリング光学系から射出した複数の光束が、偏向面内において「カップリング光学系の後側焦点位置よりも被走査面に近い側で互いに交差する」ことが好ましい（請求項２）。
【００１０】
「偏向面」は、偏向手段により偏向される光束の偏向が行われる面を副走査方向から見たときの仮想的な平面であり、上記複数の光束が「偏向面内において交差する」とは、これら光束を副走査方向から偏向面に射影した時に、各光束の射影が交差することを意味する。上記交差位置は、偏向反射面の近傍であることが好ましい。
【００１１】
請求項１または２記載の光走査装置おいて、保持手段により互いに一体に保持されたチップ化された半導体レーザの２以上は「光束の放射方向が偏向面内において互いに非平行となる」ように保持されることができる（請求項３）。
「放射方向」は、半導体レーザから放射される光束の光強度が最大となる方向を謂う。
【００１２】
請求項１〜３の任意の１に記載の光走査装置において、カップリング光学系を少なくとも１つのカップリングレンズで構成することができるが、この場合、このカップリングレンズによりカップリングされる「２以上のチップ化された半導体レーザの発光部（活性層における光射出部）」は、カップリングレンズの光軸方向において「カップリングレンズからの距離が異なる」ようにすることが好ましい（請求項４）。
【００１３】
請求項２〜４の任意の１に記載の光走査装置において、２以上のチップ化された半導体レーザの光束の放射方向が「カップリングレンズへ向かって、互いに離れるように開き角を有している」ことが好ましい（請求項５）。
【００１４】
請求項１〜５の任意の１に記載の光走査装置において、チップ化された各半導体レーザは「その活性層が副走査方向に略平行になる」ように配備されることができる（請求項６）。
【００１５】
この場合、チップ化された複数の半導体レーザの発光部は「活性層と略垂直な方向に、略同一平面上に配置される」こともできるし（請求項７）、チップ化された複数の半導体レーザの各発光部が「活性層と略平行な方向に互いにシフトして配置される」こともできる（請求項８）。
【００１６】
請求項１〜８の任意の１に記載の光走査装置において、チップ化された各半導体レーザは「活性層を挟む両側が電気的に絶縁されるように、保持手段に保持される」ことが好ましい（請求項９）。
【００１７】
請求項１〜９の任意の１に記載の光走査装置において、保持手段に一体的に保持された「複数のチップ化された半導体レーザ」の少なくとも１つを、副走査方向に移動調整する移動調整手段を有することができる（請求項１０）。
【００１８】
この発明の画像形成装置は、請求項１〜１０の任意の１に記載の光走査装置を有することを特徴とする。
【００１９】
この「画像形成装置」は、上記請求項１〜１０の任意の１に記載の光走査装置を１個有する「モノクローム画像の画像形成装置」であることができるほか、１以上の静電潜像担持体に対して２以上の光走査装置を用い、各光走査装置で異なる色の画像を書き込み、形成される各静電潜像を異なる色のトナーで可視化し、これらトナーによる異色のトナー画像を共通のシート状記録媒体（転写紙やオーバヘッドプロジェクタ用のプラスチックシート等）に重ね合わせて転写・定着し、２色や多色さらにはカラーの画像を形成するように構成することができる。
【００２０】
従って、この発明の画像形成装置は、モノクロ画像用やカラー画像用の光プリンタ、デジタル複写装置（１ドラム式のものやタンデム式のもの）、光プロッタ、ファクシミリ装置等として実施することができる。
【００２１】
若干補足すると、チップ化された半導体レーザを保持する保持手段は、一体の部材でもよいし、異なる部材が組み合わせられて事実上一体化されたものでも良い。また、チップ化された個々の半導体レーザは、モノリシックな半導体レーザアレイでも良く、半導体レーザアレイを複数個用いることにより、同時走査できる走査ライン数をさらに増大でき、更なる高速化・高密度化が可能になる。
【００２２】
【発明の実施の形態】
図１は、この発明の光走査装置の実施の１形態を示している。
光源ユニット１は複数（この実施の形態においては３個）の光源部を有する。光源ユニット１から放射された３光束は、「カップリング光学系」であるカップリングレンズ２でカップリングされてそれぞれ平行光束となり、アパーチャＡＰによりビーム整形されたのち、カップリングレンズ２の後側焦点位置：ｆＲよりも被走査面に近い側の位置：Ｐにおいて偏向面内で交差する。
【００２３】
カップリングレンズ２を通過した各光束は、副走査方向にのみ正のパワーを有するシリンドリカルレンズ３により副走査方向（図面に直交する方向）に集光され、「共通の偏向手段」であるポリゴンミラー４の偏向反射面近傍に「主走査方向に長い線像（互いに副走査方向へ分離している）」を形成する。
【００２４】
ポリゴンミラー４の等速回転により偏向された３光束は「共通の走査結像系」を構成する走査結像レンズ５、６を介し被走査面７上に導光され、被走査面７上に互いに副走査方向へ分離した光スポットを形成し、被走査面を３走査ラインずつ同時にマルチビーム走査する。光走査は略等速的に行われる。同時に走査される３走査ラインの間隔は略等間隔である。このときの副走査方向の走査ライン間隔が「走査線ピッチ」である。
【００２５】
各偏向光束は、光走査に先立って、ミラー８、同期光レンズ９を介して受光素子１０上に結像して検出され、光走査の開始の制御に供される。被走査面７は、実態的には光導電性の感光体である。
【００２６】
図２（ａ）、（ｂ）に光源ユニット１の要部を説明図的に示す。
（ａ）は、カップリングレンズ２の光軸方向から見た図であり、（ｂ）は、副走査方向（図１に於いて図面に直交する方向）から見た図である。
【００２７】
符号１２で示す保持手段は、シリコン等による「一体化された部材」であり、チップ化された３個の半導体レーザ１１ａ、１１ｂ、１１ｃを装荷されている。
装荷方法は接着でも良いし、ＭＥＭＳ技術で用いられる陽極接合（大気中にて、加熱したシリコン部材を他の部材と接触させ、接合部に高電圧をかける接合方法）でも良い。
半導体レーザ１１ａ、１１ｂ、１１ｃは何れも、「活性層」を挟む片側のみが保持手段１２と接合されており「活性層を挟む両側が互いに絶縁される」ようになっている。
【００２８】
各半導体レーザ１１ａ〜１１ｃはある程度の大きさがあり、相互の熱クロストークを低減するためには、ある程度の間隔：Ｌ１、Ｌ２を開けて配置する必要がある。この場合、ポリゴンミラー４に入射する複数の光束が、偏向反射面上で主走査方向に離れると、光束ごとの像面湾曲の相対的な差が大きくなってしまう。
【００２９】
図１に示したように、３本の光束を、カップリングレンズ２の後側焦点位置：ｆＲよりも被走査面に近い側で、偏向面内で交差させるようにすれば、交差位置：Ｐ（図の実施の形態では偏向反射面よりも光源側であるが、偏向反射面より被走査面７側でもよい）が偏向反射面に近いため、偏向反射面上での複数光束の主走査方向の間隔が狭くなり、光束ごとの像面湾曲の差異が小さくなる。また、有効走査幅も広くなる。
【００３０】
図２（ｂ）に示すように、半導体レーザ１１ａ、１１ｂ、１１ｃから放射される光束の放射方向は、偏向面（図２（ｂ）の図面に平行な面）内で互いに非平行となっており、放射された光束は、カップリングレンズに向かって進行しつつ、互いに離れるように開き角：θ１、θ２を有している。
【００３１】
このように、半導体レーザ１１ａ〜１１ｃからの放射方向を非平行とした場合、複数（３本）の光束に全てについて像面湾曲を良好に補正するためには、カップリングレンズ２の光軸方向において、カップリングレンズから各半導体レーザ１１ａ、１１ｂ、１１ｃの発光部に至る距離を異ならせればよく、この目的のために、図の如く、上記方向における半導体レーザ１１ａ、１１ｃの位置を、半導体レーザ１１ｂの位置に相対的に距離：ｄ１、ｄ２だけそれぞれずらしている。
【００３２】
また「半導体レーザからの放射光束の発散角のばらつき等によるスポット径変動」を低減するため、アパーチャＡＰによるビーム整形が行われるが、被走査面上で円形に近い光スポットを得るため、アパーチャＡＰの開口径は一般に、主走査方向が副走査方向よりも大きくなる。このため、光利用効率を向上させるために、各半導体レーザ１１ａ〜１１ｃの活性層の長手方向を図２（ａ）に示す如く略「副走査方向（図の上下方向）に平行」にしている。
【００３３】
図２（ａ）、（ｂ）に示す光源ユニットの場合、保持手段１２に対して、各半導体レーザ１１ａ、１１ｂ、１１ｃの発光部は、図２（ａ）の状態では「副走査方向に同じ高さ」にあるので、このままでは、被走査面上において、光スポットが副走査方向に分離しない。
【００３４】
従って、図２（ａ）、（ｂ）に即して説明した光源ユニットを用いる場合、光源ユニットをカップリングレンズ２の光軸の回りに微小角回転させ、被走査面上に置ける光スポット間を副走査方向に分離する。回転角の調整により所望の走査線ピッチを実現できる。このとき、各発光部間の主走査方向の間隔：Ｌ１、Ｌ２が等しければ調整が容易になり、より高精度な走査線ピッチを実現できる。
【００３５】
図２（ｂ）において、符号１３は、半導体レーザ１１ａ〜１１ｃの発光強度をモニタするモニタ用のフォトダイオードを示す。
【００３６】
図２（ｃ）は、光源ユニットの１変形例を示す。この例においては、チップ化された３個の半導体レーザ１１ａ、１１ｂ、１１ｃを一体的に保持する保持手段１２Ａは、各半導体レーザを保持する部分が「活性層と略平行な方向に段階的」に高くなっている。
【００３７】
従って、複数の半導体レーザ１１ａ〜１１ｃの発光部は「活性層と略平行な方向に互いシフト」しており、活性層が副走査方向に平行になるように取り付ければ、保持高さの差：Δ１、Δ２を調整することにより、所望の走査線ピッチを得ることができる。このとき、図の如く、発光部が破線で示す略同一平面上に並ぶようにすれば調整が容易になる。勿論、カップリングレンズの光軸の回りに図２（ｃ）の光源ユニットを回転調整して、走査線ピッチの変更や微調整を行いうることは言うまでもない。
【００３８】
図２（ｄ）は、光源ユニットの別変形例を示す。
図２（ｄ）において、各半導体レーザ１１ａ〜１１ｃを保持する保持手段１２Ｂの、半導体レーザ保持部は「裏側に間隙部が形成」され、これら間隙部に電極対Ｄ１ａ、Ｄ１ｂ、Ｄ１ｃが形成されている。電極間Ｄ１ａ〜Ｄ１ｃに電圧を印加して「静電力」を発生させることにより、各半導体レーザ１１ａ、１１ｂ、１１ｃの発光部の「副走査方向の相対的な位置関係」を微調整できる。
【００３９】
このような微調整を行うことにより、温度等の環境変化や経時変化により走査線ピッチが変動しても、上記静電力の調整により各半導体レーザの発光部位置を副走査方向に調整して、高精度な走査線ピッチを維持できる。
【００４０】
図２（ｄ）の例では、静電力により半導体レーザを変位させているが、圧電素子等を用いても同様の調整が可能である。また、図２（ｄ）の例では、３個の半導体レーザ１１ａ〜１１ｃを個別的に副走査方向へ位置調整できるようにしているが、例えば、半導体レーザ１１ａ、１１ｃは固定的とし、半導体レーザ１１ｂのみを電極対Ｄ１ｂで副走査方向へ変位可能とし、半導体レーザ１１ａ、１１ｃに対する相対的な位置調整を行うようにしても良い。
【００４１】
図１、図２に即して実施の形態を説明した光走査装置は、複数の光源部１１ａ〜１１ｃからの複数光束をカップリング光学系２によりカップリングし、カップリングされた各光束を共通の偏向手段４により偏向させ、各偏向光束を共通の走査結像系５、６により共通の被走査面７へ導光して、副走査方向に分離した複数の光スポットを形成し、被走査面７をマルチビーム走査方式で光走査する光走査装置において、複数の光源部が、チップ化された複数の半導体レーザ１１ａ〜１１ｃであり、これらチップ化された半導体レーザは保持手段１２により一体的に保持されている（請求項１）。
【００４２】
また、カップリング光学系２から射出した複数の光束が、偏向面内において、カップリング光学系の後側焦点位置：ｆＲよりも被走査面７に近い側（の位置：Ｐ）で互いに交差し（請求項２）、保持手段１２により互いに一体に保持されたチップ化された半導体レーザ１１ａ〜１１ｃは、光束の放射方向が偏向面内において互いに非平行となるように保持される（請求項３）。
【００４３】
カップリング光学系２は少なくとも１つのカップリングレンズからなり、カップリングレンズ２によりカップリングされる２以上のチップ化された半導体レーザ１１ａ〜１１ｃの発光部が、カップリングレンズ２の光軸方向において、カップリングレンズ２からの距離が異なる（請求項４）。
【００４４】
２以上のチップ化された半導体レーザ１１ａ、１１ｃの光束の放射方向が、カップリングレンズ２へ向かって、互いに離れるように開き角：θ１、θ２を有しており（請求項５）、チップ化された各半導体レーザ１１ａ〜１１ｃの活性層が、副走査方向に略平行に配備される（請求項６）。
【００４５】
図２に示す各光源ユニットにおいて、チップ化された複数の半導体レーザ１１ａ〜１１ｃの発光部が、活性層と略垂直な方向に、略同一平面上に配置され（請求項７）、図２（ｃ）の光源ユニットでは、チップ化された複数の半導体レーザ１１ａ〜１１ｃの各発光部が、活性層と略平行な方向に互いにシフトして配置され（請求項８）、図２に示す各光源ユニットのチップ化された各半導体レーザ１１ａ〜１１ｃは「活性層を挟む両側が電気的に絶縁される」ように、保持手段１２、１２Ａ、１２Ｂに保持されている（請求項９）。
【００４６】
図２（ｄ）に示す光源ユニットでは、保持手段１２Ｂに一体的に保持された複数のチップ化された半導体レーザの少なくとも１つを、副走査方向に移動調整する移動調整手段Ｄ１ａ、Ｄ１ｂ、Ｄ１ｃを有する（請求項１０）。
【００４７】
図２に例示した光源ユニットは、部品点数が少なく、小型・低コストで実現できる。
【００４８】
【実施例】
以下、光走査装置の光学系の具体的な実施例を１例挙げる。
光源ユニット１は、図２（ａ）、（ｂ）に即して説明した如き構成であり、チップ化された半導体レーザ１１ａ〜１１ｃは、発光波長：７８０ｎｍのもので、相互の位置関係は、以下の如くである。
【００４９】
Ｌ１＝Ｌ２＝０．４５ｍｍ
ｄ１＝ｄ２＝８μｍ
カップリングレンズ２は、焦点距離：ｆ＝２７ｍｍのものであり、カップリングレンズ２からの出射光束は「略平行光束」とする。半導体レーザ１１ｂの発光部がカップリングレンズ２の光軸上に位置され、光源ユニット１は、カップリングレンズ２の光軸の回りに微小角回転して配設されることにより、被走査面上における光スポットを副走査方向に相互に分離して所望の走査線ピッチを実現している。
【００５０】
カップリングレンズ２の第２面（射出側面）からアパーチャＡＰまでの距離：２７ｍｍ。即ち、アパーチャＡＰは、カップリングレンズ２の後側焦点位置：ｆＲに配置される。
アパーチャＡＰからシリンドリカルレンズ３の入射側面までの距離：４０．４ｍｍ                                                    。
【００５１】
シリンドリカルレンズ３
中心肉厚：３ｍｍ
入射側面の副走査方向の曲率半径：３６．１ｍｍ
射出側面：平面
材質の屈折率（７８０ｎｍ）：１．５１１１６            。
【００５２】
シリンドリカルレンズ３の射出側面からポリゴンミラー４の偏向反射面までの距離：７１．８ｍｍ
ポリゴンミラー４から被走査面７に至る光路上の光学系データを以下に示す。
【００５３】
2004264680.tif 000003
【００５４】
上の表記において、
Ｒｍ：メリジオナル方向（主走査方向）の曲率半径
Ｒｓ：サジタル方向（副走査方向）の曲率半径
Ｎ：使用波長（７８０ｎｍ）での屈折率
Ｘ：光軸方向の面間隔
である。
【００５５】
「＊」印を付した面は共軸非球面であり、その形状は周知の下式で表される。
【００５６】
Ｘ＝（Ｙ２／Ｒ）／［１＋√｛１−（１＋Ｋ）・（Ｙ／Ｒ）２｝］＋Ａ・Ｙ４＋Ｂ・Ｙ６＋Ｃ・Ｙ８＋Ｄ・Ｙ１０      （式１）
第１面（面番号１の面）
Ｋ＝  ２．６６７  ，  Ａ＝  １．７９Ｅ−０７  ，  Ｂ＝−１．０８Ｅ−１２  ，  Ｃ＝−３．１８Ｅ−１４  ，  Ｄ＝  ３．７４Ｅ−１８
第２面（面番号２の面）
Ｋ＝  ０．０２    ，  Ａ＝  ２．５０Ｅ−０７  ，  Ｂ＝  ９．６１Ｅ−１２  ，  Ｃ＝  ４．５４Ｅ−１５  ，  Ｄ＝−３．０３Ｅ−１８
「＊＊」印を付した面は、主走査方向の形状が非円弧形状であり、副走査方向の曲率半径はレンズ高さにより連続的に変化する。
【００５７】
第３面（面番号３の面）の主走査方向の形状は上記（式１）で表され、各係数は以下の通りである。
Ｋ＝−７１．７３  ，  Ａ＝  ４．３３Ｅ−０８  ，  Ｂ＝−５．９７Ｅ−１３  ，  Ｃ＝−１．２８Ｅ−１６  ，  Ｄ＝５．７３Ｅ−２１    。
【００５８】
第３面の副走査方向の曲率半径は、主走査対応方向における光軸からの距離：Ｙ（レンズ高さ）を変数とする副走査断面（主走査方向に直交する仮想的な平断面）内の曲率半径：Ｒｓ（Ｙ）を以下の多項式：
Ｒｓ（Ｙ）＝Ｒｓ（０）＋Σｂｊ・Ｙｊ      （ｊ＝１，２，３，…）
で表す。
【００５９】
第３面は、主走査対応方向において光軸対称で上記多項式の定数及び各係数の値は以下の通りである。
【００６０】
Ｒｓ（０）＝−４７．７    ，  ｂ２＝  １．６０Ｅ−０３  ，    ｂ４＝−２．３２Ｅ−０７  ，    ｂ６＝１．６０Ｅ−１１  ，
ｂ８＝−５．６１Ｅ−１６  ，  ｂ１０＝  ２．１８Ｅ−２０  ，    ｂ１２＝−１．２５Ｅ−２４
上の表記において、例えば「−１．２５Ｅ−２４」は「−１．２５×１０−２４」を意味する。
【００６１】
上記実施例における光源ユニットの各半導体レーザ１１ａ、１１ｂ、１１ｃからの光束に関する収差図を、図４（半導体レーザ１１ｂ）、図５（半導体レーザ１１ａ）、図６（半導体レーザ１１ｃ）に示す。
【００６２】
各収差図の左側に示す像面湾曲（破線は「主走査方向」、実線は「副走査方向」）、右側に示す等速特性（破線は「リニアリティ」、実線は「ｆθ特性」）は、各半導体レーザからの光束につき良好に補正されている。
【００６３】
半導体レーザ１１ｃからの光束が形成する光スポットの「スポット径のデフォーカスによる変化」を、中心像高：０と周辺像高：±１４８．５ｍｍについて、図７（（ａ）は主走査方向、（ｂ）は副走査方向）に示す。図７から明らかなように、スポット径の小径化・デフォーカスに対する安定性が実現されている。半導体レーザ１１ａ、１１ｂからの光束の光スポットについては図示しないが、同様に小径の光スポットが実現されている。
【００６４】
【発明の実施の形態】
図３に画像形成装置の実施の１形態を示す。
符号２１で示す「光導電性の感光体」はドラム状に形成されて時計回りに等速回転する。感光体２１の周面は「帯電手段」である帯電ローラ２２により均一に帯電され、図１、図２に即して実施の形態を説明した如き光走査装置２３によりマルチビーム走査方式で光走査され、静電潜像を書込まれる。
【００６５】
この静電潜像（ネガ潜像）は、現像装置２４により反転現像されてトナー画像として可視化され、得られるトナー画像はシート状記録媒体Ｓ上に転写手段２５により転写され、定着装置２６により定着されて装置外へ排出される。
【００６６】
トナー画像転写後の感光体２１はクリーニング装置２７によりクリーニングされ、残留トナーや紙粉を除去される。
【００６７】
光走査装置２３として実施例の如きものを用いることにより、良好な光走査を行うことができ、光束・低騒音・省エネルギで、良好な画像形成を行うことができる。
【００６８】
【発明の効果】
以上に説明したように、この発明によれば新規な光走査装置および画像形成装置を実現できる。
この発明の光走査装置は上記の如き構成により、マルチビーム走査方式の良好な光走査を実現でき、上記画像形成装置は、この光走査装置を用いることにより良好な画像形成を実現できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】光走査装置の実施の１形態を説明するための図である。
【図２】図１の実施の形態における光源ユニットの要部と、変形例を説明するための図である。
【図３】画像形成装置の実施の１形態を説明するための図である。
【図４】実施例に関する収差図である。
【図５】実施例に関する収差図である。
【図６】実施例に関する収差図である。
【図７】実施例に関する光スポットのスポット径のデフォーカスによる変化を示す図である。
【符号の説明】
１      光源ツニット
２      カップリングレンズ
３      シリンドリカルレンズ
４      偏向手段
５、６  走査結像系
７      被走査面
１１ａ〜１１ｃ      チップ化された半導体レーザ
１２      保持手段
【図１】
2004264680.tif 000004
【図２】
2004264680.tif 000005
【図３】
2004264680.tif 000006
【図４】
2004264680.tif 000007
【図５】
2004264680.tif 000008
【図６】
2004264680.tif 000009
【図７】
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