(57)【要約】【課題】フロートガラス基板表面に直接隔壁を形成するサブトラクティブ法を用いて、安価で信頼性の高い薄型表示装置用基板を製造する。【解決手段】背面フロートガラス基板２７のボトム面を選択し、該ボトム面にサブトラクティブ法によって複数の溝を形成し、これらの溝の間に残留した突出部からなる隔壁２８を形成したことを特徴とする薄型表示装置用基板の製造方法である。【選択図】　　　　図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
フロートガラス基板のボトム面を選択し、該ボトム面にサブトラクティブ法によって複数の溝を形成し、これらの溝の間に残留した突出部からなる隔壁を形成したことを特徴とする薄型表示装置用基板の製造方法。
【請求項２】
前記サブトラクティブ法がサンドブラスト法であることを特徴とする請求項１記載の薄型表示装置用基板の製造方法。
【請求項３】
前記サブトラクティブ法が酸性エッチング液による化学エッチング法であることを特徴とする請求項１記載の薄型表示装置用基板の製造方法。
【請求項４】
前記フロートガラス基板のボトム面に形成された溝の少なくとも底部をさらに平滑化して電極形成面を形成することを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の薄型表示装置用基板の製造方法。
【請求項５】
前記平滑化が、レーザを前記溝に照射し、部分的に溝表面を溶融し平滑化することを特徴とする請求項４記載の薄型表示装置用基板の製造方法。
【請求項６】
前記平滑化が、前記溝の表面の凹凸を減少させる粒子径の研磨材料及び／もしくは溝形成時に切削された基板材料を研磨材料として用いてサンドブラスト加工して平滑化することを特徴とする請求項４記載の薄型表示装置用基板の製造方法。
【請求項７】
前記平滑化が、ダイシングソーを用いて前記溝内を研磨することを特徴とする請求項４記載の薄型表示装置用基板の製造方法。
【請求項８】
前記平滑化が、前記溝内にケイ素を含む有機化合物の溶液を塗布した後に、加熱処理によって、二酸化ケイ素膜を形成することを特徴とする請求項４記載の薄型表示装置用基板の製造方法。
【請求項９】
フロートガラス基板のボトム面を選択し、該ボトム面にサブトラクティブ法によって複数の溝を形成し、これらの溝の間に残留した突出部からなる隔壁を形成した後、前記溝の底部にインクジェット法またはディスペンス法を用いて電極を形成したことを特徴とする薄型表示装置用基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、薄型表示装置の隔壁形成方法とその基板の製造方法に係り、さらに詳しくは一対のフロートガラス基板間の空間を仕切る隔壁を備えた、例えば、プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）、プラズマアドレッシング液晶表示パネル（ＰＡＬＣ）、フィールドエミッション表示パネル（ＦＥＤ）等に関する。
【０００２】
【従来の技術】
例としてプラズマディスプレイパネルの背面基板の形成方法を述べる。図１０に従来の隔壁の形成方法の説明図を示す。まず、図１０の工程（１）において、フロートガラス基板１０のトップ面（非スズ面）上に、アドレス電極１１を形成する。アドレス電極１１は、薄膜電極であればクロム／銅／クロムを３層スパッタ等の方法で積層した後に、フォトリソグラフィー技術を用いて所定のパターンに形成する。また、厚膜電極を用いる場合には通常銀が用いられ、銀粉末、ガラスバインダ、樹脂、溶剤等を混合した銀ペーストを用いてスクリーン印刷法でパターンを形成する等の方法で形成される。この際、ボトム面（スズ面）を使用した場合、銅や銀がフロートガラス基板表面に付着したスズと反応を起こし、銅や銀のコロイドを発生しフロートガラス基板内に拡散して発色するために、それを防止するためにフロートガラス基板のトップ面　（非スズ面）を使用する。アドレス電極１１上に誘電体ペーストを膜状に塗布し、乾燥後、焼成して誘電体層１２を形成する。
【０００３】
次に、図１０の工程（２）おいて、図１０の工程（１）で製作した基板の誘電体層１２上に基板のほぼ全面にわたって隔壁ペースト１３を塗布し、乾燥させる。隔壁ペーストの塗布にはダイコータで一括して形成する方法やスクリーン印刷法を用いて複数層積層する方法が用いられる。
【０００４】
図１０の工程（３）おいて、隔壁ペースト１３を乾燥させた後に、隔壁ペースト上の隔壁を形成する領域を被覆するように隔壁パターンに対応したレジストパターン１４を形成する。レジストパターン１４は、通常ドライフィルムレジストを隔壁ペースト１３上に貼り付けた後に、フォトリソグラフィー技術を用いて所望のパターンに形成する。
【０００５】
次に、図１０の工程（４）において、サンドブラストガン１５から炭酸カルシウム等の微粒子の研磨材１６を基板面に噴射して、サンドブラスト法によって、レジストパターン１４で覆われていない部分の隔壁ペーストを除去する。
【０００６】
最後に図１０の工程（５）に示すように、サンドブラストの終了した基板からレジストパターンを除去し、隔壁ペーストを焼成して隔壁を形成する。
【０００７】
こうして出来上がった隔壁付基板の隔壁間の溝内にそれぞれ３原色の蛍光体層を形成した後に、基板上に複数の維持電極対とそれらを覆う透明誘電体層と誘電体層表面を覆うＭｇＯ等の保護層が形成されたもう一方の基板と組み合わされて、基板外周部をシール材で封止し、両基板間の空間のガスを排気し、その後、ネオン＋キセノン等の混合ガスを封入してプラズマディスプレイパネルが完成する。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
本発明者らは、薄型表示装置の低コスト化を図るため、既に特開２００１−４３７９３号公報において、新しい隔壁形成方法を提案している。
【０００９】
この隔壁形成方法は、薄型表示装置の製造工程中の背面基板の表面に、直接サブトラクティブ法によって所定ピッチの溝を形成することにより隔壁を形成する方法である。
【００１０】
図１１にフロート法によるガラス基板（フロートガラス基板）の製造方法の説明図を示す。まず、溶解炉１０１の図面の左側の原料投入口１０８からガラスの原料となる珪砂、ソーダ灰、石灰石等の原料を溶解炉１０１内に投入し、１６００℃程度の温度でガラス素地を溶解する。溶解炉１０１内を図面の右方向にガラス内部の泡を放出しながらガラスが移動する。
【００１１】
次に溶解炉１０１を出たフロートガラス１０６は、表面が重力で平坦になった溶融スズ１０４の入ったフロートバス１０２に進み、平坦でかつ所定の板厚に成型される。このとき溶融スズ１０４に接したガラスの面をボトム面（スズ面）と呼ばれ、溶融スズ１０４に接していないガラスの面をトップ面（非スズ面）と呼ばれている。ボトム面のガラス表面近傍には、溶融スズがガラス組成内に入り込んでいる。
【００１２】
フロートバス１０２を出たフロートガラス１０６は、徐冷窯内でローラー１０５上を移動しながら、フロートガラス内に永久歪を残さないように徐冷されて、徐冷窯１０３を出ると、所定の大きさに切断１０７される。
【００１３】
このフロート法で成型されるフロートガラス基板は、溶解炉１０１中で大きな泡は脱泡されるが、小さな泡（〜数百μｍ程度）は、ガラス素地から抜けきれずフロートガラス基板のトップ面近傍で止まったままガラス素地が固まってしまうため、成型されたフロートガラス基板のトップ面近傍には小さな泡が存在する。
【００１４】
従来の隔壁の形成方法では、フロートガラス基板上にアドレス電極、誘電体層、隔壁等を形成するため、フロートガラス基板内の内包された泡は問題にならなかった。
【００１５】
しかしながら、フロートガラス基板を直接、サブトラクティブ法で隔壁を形成する方法では、上記のフロートガラス基板内のトップ面近傍の小さな泡が、フロートガラス基板のトップ面（非スズ面）に溝を形成する際に、泡が溝を形成する部分に有った場合には、形成された溝の深さが泡の部分だけ余分に掘れるために溝が深くなる、隔壁の部分に泡が有った場合には、リブ間を貫通する穴になるという隔壁の欠陥となってしまう。
【００１６】
【課題を解決するための手段】
上記の問題点に鑑み、発明者らは、フロートガラス基板のトップ面に形成した隔壁の欠陥を詳細調査を行い、フロートガラス基板のトップ面に内包される泡により欠陥が発生することを発見し、フロートガラス基板のボトム面（スズ面）にサブトラクティブ法により溝を形成し、薄型表示装置の隔壁として使用することを発明するに至った。
【００１７】
請求項１の発明では、フロートガラス基板のボトム面を選択し、該ボトム面にサブトラクティブ法によって複数の溝を形成し、これらの溝の間に残留した突出部からなる隔壁を形成したことを特徴とする薄型表示装置用基板の製造方法である。
【００１８】
請求項２の発明では、サブトラクティブ法がサンドブラスト法であることを特徴とする薄型表示装置用基板の製造方法である。
【００１９】
請求項３の発明では、サブトラクティブ法が酸性エッチング液による化学エッチング法であることを特徴とする薄型表示装置用基板の製造方法である。
【００２０】
請求項４の発明では、フロートガラス基板のボトム面に形成された溝の少なくとも底部をさらに平滑化して電極形成面を形成することを特徴とする薄型表示装置用基板の製造方法である。
【００２１】
請求項５の発明では、平滑化が、レーザを前記溝に照射し、部分的に溝表面を溶融し平滑化することを特徴とする薄型表示装置用基板の製造方法である。
【００２２】
請求項６の発明では、平滑化が、溝の表面の凹凸を減少させる粒子径の研磨材料及び／もしくは溝形成時に切削された基板材料を研磨材料として用いてサンドブラスト加工して平滑化することを特徴とする薄型表示装置用基板の製造方法である。
【００２３】
請求項７の発明では、平滑化が、ダイシングソーを用いて溝内を研磨することを特徴とする薄型表示装置用基板の製造方法である。
【００２４】
請求項８の発明では、平滑化が、溝内にケイ素を含む有機化合物の溶液を塗布した後に、加熱処理によって、二酸化ケイ素膜を形成することを特徴とする薄型表示装置用基板の製造方法である。
【００２５】
請求項９の発明では、フロートガラス基板のボトム面を選択し、該ボトム面にサブトラクティブ法によって複数の溝を形成し、これらの溝の間に残留した突出部からなる隔壁を形成した後、前記溝の底部にインクジェット法またはディスペンス法を用いて電極を形成したことを特徴とする薄型表示装置用基板の製造方法である。
【００２６】
【発明の実施の形態】
図１に本発明の隔壁形成方法による背面フロートガラス基板を使用したプラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）の斜視図を示す。前面ガラス基板の内面にＩＴＯ等の透明電極で形成された維持電極２１と、維持電極に積層され、電極の抵抗値を下げるためのバス電極２２とを、低融点ガラスの透明誘電体層２３で被覆する。透明誘電体層２３の表面には蒸着法によりＭｇＯ等の保護層を形成する。
【００２７】
背面フロートガラス基板の内面には、フロートガラス基板のボトム面をサブトラクティブ法で形成された隔壁２８と、隔壁間の底部にアドレス電極２６が形成され、その上に赤色蛍光体層２５Ｒ、緑色蛍光体層２５Ｇ、青色蛍光体層２５Ｂが形成される。図示していないが、アドレス電極２６と隔壁２８の側面に誘電体層を形成しても構わない。
【００２８】
前面ガラス基板と背面フロートガラス基板は、それぞれ、構造物が形成された面を合わせて、基板周囲をシール材で封止される。両基板を封止した後、両基板間の空間のガスを排気して、放電ガスであるネオン＋キセノン等の希ガスの混合ガスを封入する。
【００２９】
フロートガラス基板は、フロート法によって製造された、ガラス基板であれば良く、ソーダライムガラス、旭硝子製ＰＤ−２００、日本電気硝子製ＰＰ−８等のいわゆる高歪み点ガラスを用いても構わない。
【００３０】
〔実施例１〕
図２に本発明の実施例１にかかる隔壁形成方法を示す。
【００３１】
図２の工程（Ａ）に示すように、フロートガラス基板３０のボトム面（スズ面）に耐サンドブラスト性のあるドライフィルムレジスト（製品名：ＮＢＨ１３５）を貼り付けて、フォトリソグラフィー技術を用いて、隔壁として残す部分にレジストパターン３１を形成する。
【００３２】
図２の工程（Ｂ）に示すように、サンドブラストガン３２から粒径１０〜２０μｍのアルミナ、ＳｉＣ等の研磨材３３をレジストパターン３１の形成されたフロートガラス基板面に噴射し、レジストパターン３１以外のフロートガラス基板表面を１５０〜２００μｍ程度の所定の深さに切削する。
【００３３】
次に図２の工程（Ｃ）に示すように、レジストパターン３１を剥離し、図２の工程（Ｄ）に示すように、インクジェットヘッド３４から銀の微粉末、低融点ガラスの微粉末、樹脂、有機溶剤を混合して作成された材料をインクジェット法によって、切削された溝の底部に塗布する。この際、インクジェット法に限らずディスペンサ法を用いても同様のアドレス電極の形成が可能である。
【００３４】
次に、図２の工程（Ｅ）に示すように、フロートガラス基板３０に形成された溝の底部にアドレス電極３５が形成されると、アドレス電極３５の焼成を行う。
焼成は５００〜６００℃・１５分程度のプロファイルで行う。この際に、電極材料に含有されている低融点ガラスの軟化点よりも４０℃以上高い温度で焼成を行うと、銀の微粒子がシンタリングを起こして沈み込み、アドレス電極３５表面は低融点ガラスのみの層になり、アドレス電極上の誘電体層を兼ねることができる。もしくは、電極材料の低融点ガラスの軟化点付近の温度でアドレス電極３５を焼成した上で、溝内に低融点ガラスペーストを塗布、焼成を行って誘電体層を形成しても構わない。
【００３５】
本実施例ではサンドブラスト法による隔壁の形成方法について説明したが、図２の工程（Ｂ）のようなサンドブラスト法ではなくフッ酸等の酸性エッチング液による化学エッチングによって溝を形成しても構わない。その際には図２の工程（Ａ）のレジストパターン３１に耐酸性のあるレジスト材料を用いる。
【００３６】
図２の工程（Ｃ）までの工程で加工した４２インチパネル用基板のトップ面（非スズ面）に溝を形成したもの１０枚とボトム面（スズ面）に形成したもの１０枚との、隔壁の欠陥、及び溝の欠陥（規定以上の深さに形成されたもの）の数を目視で計測した。その結果、トップ面に形成したものは、欠陥数が平均５．５個であったのに対し、ボトム面では欠陥が皆無であった。
【００３７】
〔実施例２〕
図２に示した本発明の実施例１にかかる隔壁の形成方法では、インクジェット法もしくはディスペンサ法を用いてアドレス電極の形成を行ったが、図２の工程（Ｃ）以降、加工した基板表面にスパッタ等の方法により導電膜を形成後、フォトリソグラフィー技術によってアドレス電極を形成する場合、溝表面の凹凸によって、導電膜エッチング時にアドレス電極形成部と溝表面の界面にエッチング液がしみこみアドレス電極がオバーエッチされて、アドレス電極が安定して形成できないという問題点がある。
【００３８】
そのため、フォトリソグラフィー技術によってアドレス電極を形成する場合には、少なくともアドレス電極を形成する部分の溝の凹凸を平坦化しなければならない。これらの凹凸は、フロートガラス基板の組成が完全に均一でないために発生するため、サンドブラスト法でも化学エッチング法においても同様の凹凸が発生する。
【００３９】
図３の工程（１）は図２の工程（Ｂ）までの加工を行っている説明図である。
図３の工程（１）で溝３６を形成した後、レジストパターン３１を除去する。図３の工程（２）では、波長１０．６μｍ、出力２００Ｗ／ｃｍ２のＣＯ２レーザ４５を溝３６に照射すると、溝３６表面の凹凸部分が部分的に溶融し、照射後硬化して平滑化された溝４４になる。この場合、溝全体にＣＯ２レーザを照射しても良いし、溝底部のアドレス電極形成部にのみＣＯ２レーザを照射しても構わない。
【００４０】
実施例２では、大気雰囲気中でＣＯ２レーザの照射を行ったが、変形例として、Ａｒエキシマレーザ照射（波長１２６ｎｍ）数Ｔｏｒｒのシランと二酸化炭素または亜酸化窒素の混合雰囲気中行うと、溝３６表面の凹凸部分が部分的に溶融し、照射後硬化して平滑化されるだけではなく、Ａｒエキシマレーザの照射された部分だけ、シランと二酸化炭素または亜酸化窒素との反応が起こり、二酸化ケイ素膜が堆積した、図４の堆積・平滑化された溝４６を形成する。この場合も、溝全体にＡｒエキシマレーザを照射しても良いし、溝底部のアドレス電極形成部にのみＡｒエキシマレーザを照射しても構わない。
【００４１】
〔実施例３〕
図５に本発明の実施例３にかかる隔壁を形成する装置の概略図を示す。装置は複数のサンドブラスト装置を並べた構成になっている。搬入口５４よりフロートガラス基板５０に図２の工程（Ａ）と同様にボトム面（スズ面）表面に耐サンドブラスト性のレジストパターンを形成して投入すると、研磨材タンクＡ５１から平均粒径２０μｍ（＃６００）のアルミナ粉末が噴射される切削室５５に入り、所定の深さまで溝を形成する。研磨材タンクＡ５１の研磨材はアルミナに限らずＳｉＣでも構わない。
【００４２】
次に、研磨材タンクＢ５２から平均粒径１０μｍ（＃１２００）のアルミナ粉末が噴射される平滑処理室ｂ５６に入る。ここでの処理では、溝が深くなることなく、溝の凹凸の凸部分を主に切削し、溝の平滑化を行う。なお、研磨材タンクＢ５２の研磨材は、フロートガラス基板５０と同等の堅さであるガラスビーズを使用しても構わない。ガラスビーズを用いた場合には、溝内の凹凸の凸部の粉砕と研磨材自身の粉砕のバランスを利用して、同様の効果を得ることができる。また、ガラスビーズに限らず、研磨材にガラス基板の切削粉末を利用しても構わない。
【００４３】
さらに、研磨材タンクＣ５３から平均粒径５μｍ（＃２０００）のアルミナ粉末が噴射される平滑処理室ｃ５７に入る。ここでは、平滑処理室ｂ５６よりもさらに微粉末を使用して、溝の平滑化をはかる。平滑処理室ｃ５７で加工されたフロートガラス基板５０は、搬出口５８へと搬送される。切削室５５、平滑処理室ｂ５６、平滑処理室ｃ５７で噴射された研磨材とフロートガラス基板５０から切削されたガラス屑は集塵機５９で回収される。
【００４４】
図６に本発明の実施例３にかかる隔壁形成方法により形成した溝の凹凸を表す図に、それぞれ研磨条件と、平均面から最も突出している凹凸の振幅の絶対値を表す最大粗さＲｙ、平均面から最も突出している凹凸の振幅の絶対値十点の平均値を表すＲｚ、凹凸の粗さ振幅の絶対値の平均値を表すＲａとの関係を示す。
【００４５】
図６に示した条件１は図５の切削室５５でのみ加工を行った場合の溝の凹凸具合を示す。図６の条件２は図５の切削室５５と平滑処理室ｂ５６で加工を行った場合を示し、図６の条件３は、条件２と同じ処理であるが平滑処理室ｂ５６における研磨材の噴射圧力を条件２の２倍にしたものである。図６の条件４では図６の条件２に次いで、平滑処理室ｃ５７で加工を行ったものである。
【００４６】
製造工程で問題となる特異的な突起の目安として、最大粗さＲｙに着目すると条件１ではＲｙが３０．９μｍであるのに対し、条件２では２２．２μｍと溝内の凹凸が小さくなっていることがわかる。さらに条件３では２０．２μｍとさらに凹凸が小さくなっている。最も好ましい条件４ではＲｙが１６．９μｍまで平滑化することができる。なお、平滑処理室ｂ、平滑処理室ｃにおける研磨材の噴出圧力は、切削に寄与しない程度が望ましく、理想的には低圧で長時間行うことが好ましいが、研磨材の粒子が細かい分、安定噴射できる程度に設定することがより好ましい。
【００４７】
しかし、フロートガラス基板のトップ面に形成した場合、溝を形成する領域に泡が有った時には、数十μｍ以上の深く溝が形成されるため、本実施例の平滑化工程を行っても、実用に耐える溝の平滑性が得られない。
【００４８】
〔実施例４〕
図７に本発明の実施例４にかかる隔壁形成方法の説明図を示す。図７の工程（１）は図２の工程（Ｂ）までの加工を行っている説明図である。次に、図７の工程（２）に示すように、サブトラクティブ法で形成した溝３６の幅よりも狭い幅で回転するダイシングソー６０により溝の底部を平滑にし、底部平滑部６１を形成する。この際にダイシングソー６０は原理的には１枚でも構わないが、ダイシングソーを複数枚並列に配置して平滑化処理を行えば、スループットが高くなる。
【００４９】
ダイシングソーだけで、フロートガラス基板に１５０〜２００μｍの溝を切削する場合には、刃の耐久性に問題があるために、ガラスのチッピングを発生させる発生確率が高くなり、隔壁の欠陥となる。しかし、本実施例の平滑化工程でダイシングソーを使用する場合、ダイシングソーで切削する深さは、最も深い場合でも最大粗さＲｙ程度であり、実質フロートガラス基板を切削する深さは数μｍ程度であるために、刃の耐久性の問題は無い。
【００５０】
ダイシングソー６０で全ての溝３６に底部平滑部６１の形成が終わると、フロートガラス基板３０基板の洗浄を兼ねてレジストパターン３１の剥離を行う。
【００５１】
また、底部平滑部６１を形成する手段として、ダイシングソーに限らず溝３６の幅よりも狭いものであれば細長いヤスリのような手段を用いても構わない。
【００５２】
また、基板周辺部にアドレス電極と駆動回路とを接続する端子領域は、ダイシングソーによる加工後にグラインダで端子領域の平坦化を行ってもよい。
【００５３】
〔実施例５〕
図８に本発明の実施例５にかかる隔壁形成方法の説明図を示す。この実施例においても、実施例４と同様に図８の工程（１）は図２の工程（Ｂ）までの加工を行っている説明図である。
【００５４】
図８の工程（２）において、図８の工程（１）のレジストパターン３１を剥離したフロートガラス基板３０に、溝３６の形状を反転した形状の金型６２を押しつけ、ガラスの塑性変形温度まで、金型、もしくはフロートガラス基板を含む金型全体を加熱して、金型頂部の平坦な部分により、フロートガラス基板３０の溝３６の底部に底部平滑部６３を形成する。フロートガラス基板３０の塑性変形温度は接触する金型の接触面積に基づく線圧とフロートガラス基板の塑性に依存するが、３００〜６００℃の範囲で調整を行う。
【００５５】
〔実施例６〕
図９に本発明の実施例６にかかる隔壁表面の平坦化方法の製造工程を示す。図９の工程（１）に示したフロートガラス基板は、図２の工程（Ｃ）までに示した工程によって作成されたものである。
【００５６】
図９の工程（２）に示すように、フロートガラス基板３０の溝部分に脂肪酸（カプロン酸）ケイ素１０ｇをエチルアルコール５ｇの割合で溶解した塗布液７１をディスペンサ７０を用いて塗布する。塗布はディスペンサに限らず、塗布液をフロートガラス基板３０の溝３６に塗布できる方法であればディスペンサにかかわらず他の塗布方法を用いても構わない。塗布後、６０℃の乾燥炉中で１０分間乾燥させる。原材料としてカプロン酸ケイ素を例示したが、特に脂肪酸ケイ素であれば良いし、ＴＥＯＳを用いても構わない。ただし、その場合には脂肪酸ケイ素とエチルアルコールの混合比率を変えなければならない。
【００５７】
塗布液７１の乾燥後、フロートガラス基板３０を４００℃・１時間の焼成を行うことで図９の工程（３）に示すように溝内の凹凸を埋めた形で二酸化ケイ素膜７２が形成される。この二酸化ケイ素膜７２は、フロートガラス基板３０の膨張係数に比べてその膨張係数が小さいため、薄型表示装置にして、点灯させてフロートガラス基板の温度が上がった場合に、溝部分に対して圧縮応力をかけるために、溝の凹凸部に生じるマイクロクラックを起点とするフロートガラス基板の割れを防止することができる。
【００５８】
【発明の効果】
上述したように、本発明による薄型表示装置用基板の製造方法によれば、安価でかつ、製品の信頼性の高い基板を製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の隔壁形成方法による背面フロートガラス基板を使用したＰＤＰの斜視図である。
【図２】本発明の実施例１にかかる隔壁形成方法の説明図である。
【図３】本発明の実施例２にかかる隔壁形成方法の説明図である。
【図４】本発明の実施例２の変形例にかかる隔壁形成方法の説明図である。
【図５】本発明の実施例３にかかる隔壁を形成する装置の概略図である。
【図６】本発明の実施例３にかかる隔壁形成方法により形成した溝の凹凸を表す図である。
【図７】本発明の実施例４にかかる隔壁形成方法の説明図である。
【図８】本発明の実施例５にかかる隔壁形成方法の説明図である。
【図９】本発明の実施例６にかかる隔壁形成方法の説明図である。
【図１０】従来の隔壁の形成方法の説明図である。
【図１１】フロート法によるフロートガラス基板の製造方法の説明図である。
【符号の説明】
１０、３０、５０　フロートガラス基板
１１、２６、３５　アドレス電極
１２　誘電体層
１３　隔壁ペースト
１４、３１　レジストパターン
１５、３２　サンドブラストガン
１６、３３　研磨材
１７、２８　隔壁
２０　前面ガラス基板
２１　維持電極
２２　バス電極
２３　透明誘電体層
２４　保護層
２５Ｒ　赤色蛍光体層
２５Ｇ　緑色蛍光体層
２５Ｂ　青色蛍光体層
２７　背面フロートガラス基板
３６　溝
４４　平滑化された溝
４５　ＣＯ２レーザ
４６　堆積・平滑化された溝
４７　Ａｒエキシマレーザ
５１　研磨材タンクＡ
５２　研磨材タンクＢ
５３　研磨材タンクＣ
５４　搬入口
５５　切削室
５６　平滑処理室ｂ
５７　平滑処理室ｃ
５８　搬出口
５９　集塵機
６０　ダイシングソー
６１，６３　底部平滑部
６２　金型
７０　ディスペンサ
７１　塗布液
７２　二酸化ケイ素膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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