(57)【要約】【課題】接着性シリコーンゴム組成物層から容易に剥離でき、かつ接着性シリコーンゴム組成物層の半導体チップや半導体チップ取付部に対する接着性に悪影響を及ぼす成分を含有しなく、厚さが均一で表面が平坦である表面保護フィルム及びその製造方法の提供。【解決手段】接着性シリコーンゴム組成物層（Ｃ）を保護するための表面保護フィルムであって、基材フィルム（Ａ）の少なくとも一方の面に、ＳＰ値（Ｆｅｄｏｒｓ法）が２１．０〜２９．０ＭＰａ１／２のセルロース系樹脂層（Ｂ）を形成されることを特徴とする表面保護フィルム及びその製造方法にて提供。【選択図】　　　図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
接着性シリコーンゴム組成物層（Ｃ）を保護するための表面保護フィルムであって、基材フィルム（Ａ）の少なくとも一方の面に、ＳＰ値（Ｆｅｄｏｒｓ法）が２１．０〜２９．０ＭＰａ１／２のセルロース系樹脂層（Ｂ）を形成させることを特徴とする表面保護フィルム。
【請求項２】
基材フィルム（Ａ）が、ポリエチレンテレフタレートフィルムであり、基材フィルム（Ａ）とセルロース系樹脂層（Ｂ）とは、２００Ｎ／ｍ以上の密着強度で積層されていることを特徴とする請求項１に記載の表面保護フィルム。
【請求項３】
セルロース系樹脂層（Ｂ）が、酢化度４７〜６３の酢酸セルロースからなることを特徴とする請求項１に記載の表面保護フィルム。
【請求項４】
セルロース系樹脂層（Ｂ）中における有機溶剤の残留量は、１０μｇ／ｍ２以下であることを特徴とする請求項１に記載の表面保護フィルム。
【請求項５】
基材フィルム（Ａ）の厚さが１０〜２００μｍで、セルロース系樹脂層（Ｂ）の厚さが０．３〜１０μｍであることを特徴とする請求項１に記載の表面保護フィルム。
【請求項６】
基材フィルム（Ａ）の少なくとも一方の面に、セルロース系樹脂からなるドープを塗布・乾燥することにより、セルロース系樹脂層（Ｂ）を形成することを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の表面保護フィルムの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、表面保護フィルム及びその製造方法に関し、更に詳しくは、接着性シリコーンゴム組成物層から容易に剥離でき、かつ接着性シリコーンゴム組成物層の半導体チップや半導体チップ取付部に対する接着性に悪影響を及ぼす可塑剤などを含有することなく、また接着性シリコーンゴム組成物層の厚さ均一性や表面平坦性に悪影響を及ぼすことがない表面保護フィルム及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体装置は、半導体チップをパッケージで包んだものであり、半導体素子とも呼ばれ、電子計算機、テレビ、ＤＶＤ、ＶＴＲ、ラジオ、電子レンジ、自動車、飛行機、化学工場等の制御回路や演算回路に利用されている。
この半導体装置には、多くのタイプがあるが、代表的なタイプを図１〜２に示した。該半導体装置を図１を用いて説明すると、ＩＣやＬＩＣである半導体チップ１（シリコンウエハと呼称することもある。）が中心にあり、この下面が接着性シリコーンゴム組成物層２の上面と接着しており、該接着性シリコーンゴム組成物層２の下面が半導体チップ取付部３の上面と接着されている。（この状態を本発明では、半導体チップ１が接着性シリコーンゴム組成物層２を介して半導体チップ取付部３に接着（取付と同義語であり、この語を使うこともある。）されていると表現することもある。）
【０００３】
接着性シリコーンゴム組成物層は、半導体チップ１と半導体チップ取付部３との接着と、半導体チップ１と半導体チップ取付部３との間の応力を緩和する役目を担っている。
半導体チップ１と回路配線４はボンディングワイヤ５で接続されており、上記の半導体チップ１、接着性シリコーンゴム組成物層２、半導体チップ取付部３及び回路配線４のブロックは、エポキシ系樹脂封止剤で封止し、外気中のチリ、ホコリ、湿分、衝撃等から保護し、また内部で発生した熱を外部に放散する役目を担っている。
【０００４】
従来、半導体チップを該チップ取付部に接着するためには液状架橋性（硬化性と同義語であり、以降この語を用いることもある。）シリコーン組成物ないしはペースト状架橋性シリコーン組成物等のシリコーン系接着剤が用いられていた。このようなシリコーン系接着剤としては、一分子中に少なくとも２個のケイ素原子結合アルケニル基を有するオルガノポリシロキサン、一分子中に少なくとも２個のケイ素原子結合水素原子を有するオルガノポリシロキサン、およびヒドロシリル化反応用触媒から少なくともなる架橋性シリコーン組成物が用いられ、さらに、接着促進剤として、一分子中に、ケイ素原子結合アルコキシ基およびケイ素原子結合アルケニル基またはケイ素原子結合水素原子をそれぞれ少なくとも１個ずつ有するオルガノポリシロキサンを配合してなる架橋性シリコーン組成物が用いられていた。（例えば、特許文献１参照。）
【０００５】
しかし、このような架橋性シリコーン組成物は、架橋途上に、この組成物から低粘度シリコーンオイルが滲み出して、この組成物の周囲を汚染するという問題があった。この低粘度シリコーンオイルは、主成分のオルガノポリシロキサンに含まれる低重合度のオルガノポリシロキサンであったり、接着促進剤として添加したオルガノポリシロキサンに含まれている低重合度のオルガノポリシロキサンであるため、これらを完全に取り除くことは非常に困難であった。このため、このような硬化性シリコーン組成物を用いて半導体チップと該チップ取付部を接着した後には、該チップ上のボンディングパッドとボンディングワイヤやビームリードとのワイヤボンダビリティ（接合性）が低下したりして、得られる半導体装置の信頼性が乏しくなるという問題があった。
【０００６】
上記の問題を解決した技術として、架橋途上、低粘度シリコーンオイルの滲み出しが抑制され、半導体チップと該チップ取付部を良好に接着でき、ひいては信頼性の優れた半導体装置を調製することができる接着性シリコーンゴム組成物層（シートと同義語であり、以降この語を用いることもある。）およびこのような接着性シリコーンゴム組成物層において特に良好な接着性を有し、信頼性の優れた半導体装置を調製することができる接着性シリコーンゴム組成物層を効率良く製造する方法、このような接着性シリコーンゴム組成物層を用いて、半導体チップおよび該チップ取付部を接着してなる、信頼性が優れる半導体装置が開示されている。（例えば、特許文献２参照。）
【０００７】
ところで、上記の接着性シリコーンゴム組成物層は、そのまま層表面が露出された状態であると、その表面に空中のチリ、ホコリや水分などが付着し、接着性シリコーンゴム組成物層を半導体チップや該チップ取付部に接着させた場合に、チリ、ホコリや水分などが半導体チップや該チップ取付部の性能を劣化させるので、チリ、ホコリや水分などが付着することを防止する表面保護フィルムが不可欠である。
【０００８】
表面保護フィルムとして、フッ素樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリイミド樹脂等が記載（例えば、特許文献２参照。）されており、またポリエステル樹脂、ポリエーテル樹脂（ポリエーテル特殊ゴムと推定する。）、ポリエーテルスルホン、エポキシ樹脂、フェノール樹脂等が表面保護フィルムとして記載されている。（例えば、特許文献３参照。）
【０００９】
フッ素系のフィルムは離型性はよいが、剥離した後の接着性シリコーンゴム組成物層の被着体（半導体チップや該チップ取付部）に対する接着性が低下する問題がある。
ポリエチレン樹脂シート（フィルム、層等と同義語である。）やポリプロピレン樹脂シートは、価格は安いが融点がシリコーンゴム組成物の架橋温度より低く、表面保護フィルム自体が変形し、一定の厚さの接着性シリコーンゴム組成物層を形成させることができず問題がある。
ポリイミド樹脂シートは、耐熱性、寸法安定性等は非常に優れているが、高価格であり、接着性シリコーンゴム組成物層との剥離性にもやや問題がある。
ポリエステル樹脂（ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）が代表的である。）シートは、フィッシュアイや厚薄ムラのない点では優れているが、架橋シリコーンゴム組成物層に対する離型性が悪い。
【００１０】
ポリエーテル樹脂シートは、表面平滑性におとり、価格も高く問題であり、架橋シリコーンゴム組成物層に対する離型性も非常に悪い。
ポリエーテルスルホン（ＰＥＳと略すこともある。）樹脂シートは、架橋シリコーンゴム組成物層に対する離型性は良いので、表面保護フィルムとして最も使用されているが、シリコーン積層体の打抜き性不良のために不良率が高くなる問題がある。
【００１１】
エポキシ樹脂シートは、架橋シリコーンゴム組成物層に対する離型性は非常に悪く使用されていない。
フェノール樹脂シートは可撓性が悪く使用されていない。
一般的な離型フィルム（セパレーター）を表面保護フィルムに転用しようとしても、表面がシリコーン離型処理されており、架橋シリコーンゴム組成物層と同一化合物同志なので離型性が悪い。
【００１２】
接着性シリコーンゴム組成物層は、半導体チップを該組成物層を介して半導体チップ取付部に接着する際に、従来の様に、比較的に高温で長時間加熱して接着性を良くしようとすると、高熱で半導体チップの性能を悪くするので、接着性シリコーンゴム組成物層に、シリコーン系接着促進剤を配合する傾向にあるが、このシリコーン系接着促進剤は上記した従来の表面保護フィルムと接着性シリコーンゴム組成物層との剥離性を悪くし、剥離作業を困難にするとともに、剥離された接着性シリコーンゴム組成物層の厚さが不均一となり、良好な品質の半導体装置が得られず問題となることもある。
【００１３】
【特許文献１】
特開平３−１５７４７４
【特許文献２】
特開平１１−１２５４６
【特許文献３】
特開２００１−１９９３３
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上記の従来技術の問題点に鑑み、接着性シリコーンゴム組成物層から容易に剥離でき、かつ接着性シリコーンゴム組成物層の半導体チップや半導体チップ取付部に対する接着性に悪影響を及ぼす可塑剤などを含有することなく、また接着性シリコーンゴム組成物層の厚さ均一性や表面平坦性に悪影響を及ぼすことがない表面保護フィルム及びその製造方法を提供することを課題とする。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
本発明者等は、上記の課題に鑑み、各種のプラスチックフィルム及び各種のプラスチックフィルムの積層体を試作し、接着性シリコーンゴム組成物層からの剥離性、接着性シリコーンゴム組成物層の半導体チップや半導体チップ取付部に対する接着性への影響、接着性シリコーンゴム組成物層の厚み均一性への影響等について数多くの実験を行ったところ、基材フィルムの少なくとも一方の面に、特定のＳＰ値（Ｆｅｄｏｒｓ法）を有するセルロース系樹脂層を形成させた表面保護フィルムが良好な結果を与えることを見出し、本発明を完成させた。
【００１６】
すなわち、本発明の第１の発明によれば、接着性シリコーンゴム組成物層（Ｃ）を保護するための表面保護フィルムであって、基材フィルム（Ａ）の少なくとも一方の面に、ＳＰ値（Ｆｅｄｏｒｓ法）が２１．０〜２９．０ＭＰａ１／２のセルロース系樹脂層（Ｂ）を形成させることを特徴とする表面保護フィルムが提供される。
【００１７】
また、本発明の第２の発明によれば、第１の発明において、基材フィルム（Ａ）が、ポリエチレンテレフタレートフィルムであり、基材フィルム（Ａ）とセルロース系樹脂層（Ｂ）とは、２００Ｎ／ｍ以上の密着強度で積層されていることを特徴とする表面保護フィルムが提供される。
【００１８】
また、本発明の第３の発明によれば、第１の発明において、セルロース系樹脂層（Ｂ）が、酢化度４７〜６３の酢酸セルロースからなることを特徴とする表面保護が提供される。
【００１９】
また、本発明の第４の発明によれば、第１の発明において、セルロース系樹脂層（Ｂ）中における有機溶剤の残留量は、１０μｇ／ｍ２以下であることを特徴とする表面保護フィルムが提供される。
【００２０】
また、本発明の第５の発明によれば、第１の発明において、基材フィルム（Ａ）の厚さが１０〜２００μｍで、セルロース系樹脂層（Ｂ）の厚さが０．３〜１０μｍであることを特徴とする表面保護フィルムが提供される。
【００２１】
また、本発明の第６の発明によれば、基材フィルム（Ａ）の少なくとも一方の面に、セルロース系樹脂からなるドープを塗布・乾燥することにより、セルロース系樹脂層（Ｂ）を形成することを特徴とする第１〜５の発明のいずれかに記載の表面保護フィルムの製造方法が提供される。
【００２２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の表面保護フィルムについて、各項目毎に詳細に説明する。
【００２３】
１．基材フィルム（Ａ）
本発明において基材フィルム（Ａ）とは、本発明の表面保護フィルムの基材となるフィルムであり、表面保護フィルムの機械的強度を担い、その少なくとも一方の面にＳＰ値（Ｆｅｄｏｒｓ法）２１．０〜２９．０ＭＰａ１／２のセルロース系樹脂層（Ｂ）を積層させる。
【００２４】
基材フィルム（Ａ）としては、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリブチレンナフタレート、ポリカーボネート、高密度ポリエチレン、直鎖状低密度ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ４メチルペンテン１、ポリスチレン、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリフェニレンスルフィド、ポリ−ｐ−フェニレンテレフタラミド、ポリアミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリアリレート、ポリフェニレンエーテル、ポリアセタール、ポリメタクリル酸メチル、ポリアクリロニトリル、ポリ塩化三フッ化エチレン、ポリ四フッ化エチレン、ポリパラキシレン、ポリエーテルイミド、ポリイミド、ポリ塩化ビニル、ポリウレタン、エポキシ樹脂等からなるフィルム（シート）が例示される。
【００２５】
これらの樹脂フィルムの中で、ポリエチレンテレフタレートフィルムがコストやフィッシュアイや厚薄ムラの問題がなく、腰があるので取扱性に優れ、セルロース系樹脂層（Ｂ）との接着性に優れ、２００Ｎ／ｍ以上の密着強度で積層されることが可能であるので最も好ましい基材フィルムである。
密着強度が２００Ｎ／ｍ未満で、接着性シリコーンゴム組成物層（Ｃ）の表面保護フィルムからの剥離強度より小さくなると、表面保護フィルムを接着性シリコーンゴム組成物層（Ｃ）の表面から剥離することが不可能となり、基材フィルム（Ａ）とセルロース系樹脂層（Ｂ）が剥離し、本発明の目的を達成させることは出来なくなる。
【００２６】
これらの樹脂は一種であっても、二種以上を混合してもよい。
厚みは、特に限定されないが、例えば、１０〜２００μｍ、好ましくは３０〜１５０μｍ、更に好ましくは４０〜１００μｍである。１０μｍ未満であると、フィルムの腰がなく取扱性が悪く、２００μｍを超えると腰が強すぎロール巻きが困難となり、また材料費がかさみ過剰品質となりコストアップとなり好ましくない。
【００２７】
基材フィルム（Ａ）には、必要に応じて、酸化防止剤、熱安定剤、滑剤、顔料、紫外線防止剤等を添加してもよい。
また、セルロース系樹脂層（Ｂ）との界面の接着性を向上させるために、コロナ放電処理やアンダーコート処理等を行ってもよい。
【００２８】
２．　セルロース系樹脂層（Ｂ）
本発明において使用するはセルロース系樹脂層（Ｂ）は、接着性シリコーンゴム組成物層（Ｃ）と界面を形成するので、接着性シリコーンゴム組成物層（Ｃ）からの剥離性がよく、かつ接着性シリコーンゴム組成物層（Ｃ）の半導体チップや半導体チップ取付部への接着性能に悪影響を与える成分を含有しないことが必要である。
界面の剥離性を良くするためには、セルロース系樹脂のＳＰ値（Ｆｅｄｏｒｓ法、この方法については、Ｐｏｌｙｍｅｒ　Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ　ａｎｄ　Ｓｃｉｅｎｃｅ，１４、１４７（１９７４）参照）は、２１．０〜２９．０ＭＰａ１／２の範囲であり、２１．０ＭＰａ１／２未満であると、接着性シリコーンゴム組成物層（Ｃ）との界面の剥離性が悪くなり、２９．０ＭＰａ１／２を超えるセルロース系樹脂は製造が困難である。
【００２９】
かかるＳＰ値を有するセルロース系樹脂としては、カルボキシメチルセルロース、カルボキシエチルセルロース、ヒドロキシメチルセルロース、ヒドロキシエチルメチルセルロース、ヒドロキシプロピルメチルセルロース、ヒドロキシエチルセルロース、ニトロセルロース、セルローストリカーバニレート、セルローストリブチレート、セルローストリベンゾエート、セルローストリバレレート、セルロースキサントゲン酸塩、硫酸セルロース、酢酸セルロース、酢酸プロピオン酸セルロース、酢酸酪酸セルロース、トリフルオロ酢酸セルロース、トシルセルロース、燐酸セルロース、シアノエチルセルロース等が挙げられる。
【００３０】
上記のセルロース系樹脂の内、酢化度が４７〜６３％の酢酸セルロースが特に好ましい。酢酸セルロースは、セルロース分子骨格を構成するグルコース環上にある３つの水酸基がアセチル基でエステル化され、水酸基中の水素原子がアセチル基で置換された半合成高分子である。置換度は３つの水酸基中の水素原子がアセチル基による置換された数であり、例えば、３つの水酸基にて全て置換された場合を置換度３とし、２つの水酸基が置換され水酸基を１つ残した場合を置換度２とする。
【００３１】
酢化度（％）は、導入されたアセチル基を酢酸置換した重量％で求められる。酢化度と置換度の関係は、下記の式で表される。
置換度＝酢化度×３．８６／１４２．９−酢化度
この式により計算すると、酢化度４７％、５５％、６１％、及び６３％は、それぞれ置換度１．９、２．４、２．９及び３．０となる。
置換度に応じて酢酸セルロースの性質は大きく変わるが、本発明においては、酢化度４７〜６３％の酢酸セルロースを使用する。
酢化度４７％未満の酢酸セルロースは、架橋性シリコーンゴム組成物層（Ｃ）との剥離強度が上昇し、表面保護フィルムを架橋性シリコーンゴム組成物層（Ｃ）から剥離し難くなり、また溶媒にたいする溶解度が低下し、ドープ（酢酸セルロースを溶剤に不揮発分５〜１５％程度の高濃度に溶解した高粘度溶液）を作ることができず、酢化度６３％をこえる酢酸セルロースは、製造が困難である。
【００３２】
本発明に使用するセルロース系樹脂層（Ｂ）は、基材フィルム（Ａ）との密着強度が２００Ｎ／ｍ以上あり両者間は剥離しないことが必要である。
接着性シリコーンゴム組成物層（Ｃ）との剥離強度は５Ｎ／ｍ以下であるので両者間は容易に剥離することができ、接着性シリコーンゴム組成物層（Ｃ）の接着性能に対する影響がなく、本発明の目的を達することができる。
また、セルロース系樹脂層（Ｂ）は、ドープから容易に溶剤キャスト法で０．３〜１５μｍ、好ましくは１〜３μｍの薄膜としてポリエチレンテレフタレートフィルム上に積層でき、ドライラミネート法に比較し、低コストに高品位の表面保護フィルムを提供することができる。
【００３３】
ドライラミネート法で使用するセルロース系樹脂単層のフィルムは、素材的に脆いため、可塑剤を添加して脆さを低減してから１００μｍ以上の厚いフィルムにする必要があったので、可塑剤が接着性シリコーンゴム組成物層（Ｃ）の接着性を阻害し、半導体チップの動作に悪影響を与え、フィルムの厚みも１〜１５μｍの薄膜とならず、従来法のドライラミネート法で作ったポリエチレンテレフタレートフィルム／接着剤／セルロース系樹脂単層の表面保護フィルムは、本発明には使用できない。添加した可塑剤が被着体に対する接着性や半導体動作に悪影響を与える問題がある。
【００３４】
３．　表面保護フィルム
本発明の表面保護フィルムは、基材フィルム（Ａ）の少なくとも一方の面に、ＳＰ値（Ｆｅｄｏｒｓ法）２１．０〜２９．０ＭＰａ１／２のセルロース系樹脂層（Ｂ）を有するものである。上記のセルロース系樹脂層（Ｂ）は、酢化度４７〜６３の酢酸セルロース層であることが好ましい。
また、上記の基材フィルム（Ａ）は、ポリエチレンテレフタレートフィルムであり、該基材フィルム（Ａ）とセルロース系樹脂層（Ｂ）が、２００Ｎ／ｍ以上の密着強度で積層されていることが好ましい。
【００３５】
本発明の表面保護フィルムは、厚さが１０〜２００μｍの基材フィルム（Ａ）の少なくとも一方の面に、セルロース系樹脂のドープ（樹脂の高粘度溶液）を塗布・乾燥し、厚さが０．３〜１０μｍ、好ましくは１〜３μｍのセルロース系樹脂層（Ｂ）を積層させたものが好ましい。
さらに、上記の表面保護フィルムのセルロース系樹脂層（Ｂ）の形成に使用した有機溶剤の残留量が１０μｇ／ｍ２以下であることが好ましい。有機溶剤の残留量が１０μｇ／ｍ２を超えると、接着性シリコーンゴム組成物層（Ｃ）の接着性を阻害し、半導体チップの動作に悪影響を与え好ましくない。
本発明の表面保護フィルムは、半導体チップを半導体チップ取付部に接着するために使用する接着性シリコーンゴム組成物層（Ｃ）を塵芥から保護するためにのものであり、使用する際に剥がす必要がある。
【００３６】
本発明の表面保護フィルムは、膜厚が１００μｍ以下である接着性シリコーンゴム組成物層（Ｃ）の両側に表面保護フィルムを密着させた場合に、接着性シリコーンゴム組成物層（Ｃ）に対する表面保護フィルムとの剥離力がそれぞれ５Ｎ／ｍ以下であることが好ましい。
これは、接着性シリコーンゴム組成物層（Ｃ）に対する表面保護フィルムとの剥離力が５Ｎ／ｍを超えると、表面保護フィルムを剥がす際に接着性シリコーンゴム組成物層（Ｃ）を破損したりするおそれがあるからである。また、接着性シリコーンゴム組成物層（Ｃ）の両側に密着している表面保護フィルムの該接着性シリコーンゴム組成物層（Ｃ）に対する剥離力の差が０．２Ｎ／ｍ以上であることが好ましく、０．２Ｎ／ｍ未満であると、表面保護フィルムを剥がす際に、該接着性シリコーンゴム組成物層（Ｃ）が必ずしも一方の表面保護フィルム側に密着しているとはかぎらず、この場合は、剥離面が両方の表面保護フィルムに分かれ不良品となるからである。
【００３７】
４．　接着性シリコーンゴム組成物層（Ｃ）
本発明において、接着性シリコーンゴム組成物層（Ｃ）とは、半導体チップと半導体チップ取付部を接着するために用いるものであり、２枚の表面保護フィルム間にセルロース系樹脂層（Ｂ）を介して接着性シリコーンゴム組成物層（Ｃ）が積層され中間層となっている。
接着性シリコーンゴム組成物層（Ｃ）は、既に、架橋（硬化）又は半架橋（半硬化）されており、その原料は、下記に詳細に述べる架橋（硬化）又は半架橋（半硬化）がされていないシリコーンゴム組成物である。
このシリコーンゴム組成物は、まだ架橋はされてないが、架橋することができるという意味を込めて、架橋性シリコーンゴム組成物と呼称されることもある。したがって、本発明においては、接着性シリコーンゴム組成物層（Ｃ）と区別するために、その原料は、架橋性シリコーンゴム組成物と呼称する。
【００３８】
４．１　架橋性シリコーンゴム組成物
本発明において、架橋性シリコーンゴム組成物としては、例えば、ヒドロシリル化反応により架橋するもの、縮合反応により架橋するもの、有機過酸化物により架橋するもの、紫外線により架橋するものが挙げられ、好ましくは、ヒドロシリル化反応により架橋するものである。このヒドロシリル化反応架橋性シリコーン組成物としては、例えば、（イ）一分子中に少なくとも２個のケイ素原子結合アルケニル基を有するオルガノポリシロキサン、（ロ）一分子中に少なくとも２個のケイ素原子結合水素原子を有するオルガノポリシロキサン、（ハ）接着性促進剤、および（ニ）ヒドロシリル化反応用触媒からなるものが挙げられる。
【００３９】
（イ）成分は、上記組成物の主剤であり、一分子中に少なくとも２個のケイ素原子結合アルケニル基を有するオルガノポリシロキサンである。この（イ）成分の分子構造としては、直鎖状、一部分枝を有する直鎖状、分枝鎖状、網状が例示される。また、（イ）成分中のケイ素原子結合アルケニル基としては、ビニル基、アリル基、ブテニル基、ペンテニル基、ヘキセニル基が例示され、特に、ビニル基であることが好ましい。このアルケニル基の結合位置としては、分子鎖末端および／または分子鎖側鎖が例示される。
【００４０】
また、（イ）成分中のアルケニル基以外のケイ素原子に結合した基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基等のアルキル基；フェニル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基等のアリール基；ベンジル基、フェネチル基等のアラルキル基；クロロメチル基、３−クロロプロピル基、３，３，３−トリフルオロプロピル基等のハロゲン化アルキル基等の置換もしくは非置換の一価炭化水素基が例示され、特に、メチル基、フェニル基であることが好ましい。
【００４１】
また、得られるシリコーン系接着性シートが優れた耐寒性を有し、このシリコーン系接着性シートを用いて作製した半導体装置の信頼性がより向上することから、（イ）成分中のケイ素原子に結合した有機基に対するフェニル基の含有量が１モル％以上であることが好ましく、さらには、これが１〜６０モル％の範囲内であることが好ましく、特には、これが１〜３０モル％の範囲内であることが好ましい。また、（Ａ）成分の粘度は限定されないが、２５℃における粘度が１００〜１，０００，０００ｍＰａ．ｓの範囲内であることが好ましい。
【００４２】
（ロ）成分は、上記組成物の架橋剤であり、一分子中に少なくとも２個のケイ素原子結合水素原子を有するオルガノポリシロキサンである。この（ロ）成分の分子構造としては、直鎖状、一部分枝を有する直鎖状、分枝鎖状、環状、網状が例示される。また、（ロ）成分中のケイ素原子に結合した水素原子の結合位置としては、分子鎖末端および／または分子鎖側鎖が例示される。
【００４３】
また、（ロ）成分中の水素原子以外のケイ素原子に結合した基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基等のアルキル基；フェニル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基等のアリール基；ベンジル基、フェネチル基等のアラルキル基；クロロメチル基、３−クロロプロピル基、３，３，３−トリフルオロプロピル基等のハロゲン化アルキル基等の置換もしくは非置換の一価炭化水素基が例示され、特に、メチル基、フェニル基であることが好ましい。また、この（ロ）成分の粘度は限定されないが、２５℃における粘度が１〜１００，０００ｍＰａ．ｓの範囲内であることが好ましい。
【００４４】
（ロ）成分の含有量は、上記組成物を架橋（硬化）させるに十分な量であり、これは、上記組成物中のケイ素原子結合アルケニル基１モルに対して、ケイ素原子結合水素原子が０．５〜１０モルの範囲内となる量であることが好ましく、特に、これが１〜５モルの範囲内であることが好ましい。これは、上記組成物において、ケイ素原子結合アルケニル基１モルに対して、ケイ素原子結合水素原子が上記範囲の下限未満のモル数である組成物は十分に硬化しなくなる傾向があり、一方、上記範囲の上限をこえるモル数である組成物は、その架橋物の耐熱性が低下する傾向があるからである。
【００４５】
（ハ）成分は、上記組成物の架橋物の接着性を向上させるための成分であり、下記のシラトラン誘導体や、官能基含有シリコーン化合物が例示される。
シラトラン誘導体については、特開２００１−１９９３３号公報、特開２０００−２６５０６３号公報、特開２０００−３０２９７７号公報、特開２００１−１９９３３号公報、特開２００１−２６１９６３号公報、特開２００２−３８０１４号公報、特開２００２−９７２７３号公報等に詳細に説明されており、それらの化合物の内、代表的なものを下記に例示する。
【００４６】
【化１】
2004122621.tif 000003
【００４７】
【化２】
2004122621.tif 000004
【００４８】
【化３】
2004122621.tif 000005
【００４９】
【化４】
2004122621.tif 000006
【００５０】
【化５】
2004122621.tif 000007
【００５１】
官能基含有シリコーン化合物としては、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリス（２−メトキシエトキシ）シラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、３−アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−（２−アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−（２−アミノエチル）−３−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ−フェニル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、３−クロロプロピルトリメトキシシラン等が例示される。
また、オルガノシロキサンオリゴマーとして下記のような化合物が例示される。
【００５２】
【化６】
2004122621.tif 000008
【００５３】
【化７】
2004122621.tif 000009
【００５４】
（ハ）成分の含有量は、上記接着性シリコーンゴム組成物層（Ｃ）に良好な接着性を付与するに十分な量であり、例えば、（イ）成分１００重量部に対して０．０１〜２０重量部の範囲内となる量であることが好ましく、特に、これが０．１〜１０重量部の範囲内となる量であることが好ましい。これは、（ハ）成分の含有量が上記範囲の下限未満の量であると、接着性シリコーンゴム組成物層（Ｃ）の接着性が低下する傾向があるからであり、一方、上記範囲の上限をこえる量を加えても接着性はさほど向上せず、むしろ、接着性シリコーンゴム組成物層（Ｃ）の安定性が低下する傾向があるからである。
【００５５】
（ニ）成分は、上記架橋性シリコーンゴム組成物のヒドロシリル化反応による架橋を促進するための触媒であり、白金系触媒、ロジウム系触媒、パラジウム系触媒等の周知のヒドロシリル化反応用触媒が例示され、特に、白金微粉末、白金黒、白金担持シリカ微粉末、白金担持活性炭、塩化白金酸、塩化白金酸のアルコール溶液、白金のオレフィン錯体、白金のアルケニルシロキサン錯体、白金のカルボニル錯体等の白金系触媒が反応速度が良好であることから好ましい。
【００５６】
（ニ）成分の含有量は、上記組成物の架橋を促進するに十分な量であり、これは、白金系触媒を用いる場合には、上記組成物において、この触媒中の白金金属が重量単位で０．０１〜１，０００ｐｐｍの範囲内となる量であることが好ましく、特に、これが０．１〜５００ｐｐｍの範囲内であることが好ましい。これは、（ニ）成分の含有量が、上記範囲の下限未満の量である組成物は、架橋速度が著しく遅くなる傾向があるからであり、一方、上記範囲の上限をこえる量であっても、さほど架橋速度は向上せず、むしろ、架橋物に着色等の問題を生じるおそれがあるからである。
【００５７】
上記組成物には、ヒドロシリル化反応の速度を調整するために、ヒドロシリル化反応抑制剤を含有することが好ましい。このヒドロシリル化反応抑制剤としては、３−メチル−１−ブチン−３−オール、３，５−ジメチル−１−ヘキシン−３−オール、フェニルブチノール等のアルキンアルコール；３−メチル−３−ペンテン−１−イン、３，５−ジメチル−３−ヘキセン−１−イン等のエンイン化合物；１，３，５，７−テトラメチル−１，３，５，７−テトラビニルシクロテトラシロキサン、１，３，５，７−テトラメチル−１，３，５，７−テトラヘキセニルシクロテトラシロキサン、ベンゾトリアゾールが例示される。このヒドロシリル化反応抑制剤の含有量としては、上記組成物の架橋条件により異なるが、実用上、（イ）成分１００重量部に対して０．００００１〜５重量部の範囲内であることが好ましい。
【００５８】
また、上記組成物には、その他任意の成分として、沈降シリカ、湿式シリカ、ヒュームドシリカ、焼成シリカ、酸化チタン、アルミナ、ガラス、石英、アルミノケイ酸、酸化鉄、酸化亜鉛、炭酸カルシウム、カーボンブラック、炭化ケイ素、窒化ケイ素、窒化ホウ素等の無機質充填剤、これらの充填剤をオルガノハロシラン、オルガノアルコキシシラン、オルガノシラザン等の有機ケイ素化合物により処理した無機質充填剤；シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、フッ素樹脂等の有機樹脂微粉末；銀、銅等の導電性金属粉末等の充填剤、染料、顔料、難燃材、溶剤を含有してもよい。
【００５９】
５．表面保護フィルムの製造方法
本発明の表面保護フィルムは、基材フィルム（Ａ）の少なくとも一方の面に、セルロース系樹脂からなるドープを塗布・乾燥することにより製造する。セルロース系樹脂層（Ｂ）を形成する塗布方法としては、ロールコーター、リバースロールコーター、エアーナイフコーター、ブレードコーター、スプレー、ワイヤーバー等が利用できる。乾燥方法としては、最初に２５〜４０℃、相対湿度７０〜１００％ＲＨで２〜１０分行い、次いで５０〜１５０℃、相対湿度３０〜７０％ＲＨで０．１〜５分行うことが好ましい。
【００６０】
ドープ（樹脂の高粘度溶液）を造るときに用いる溶剤としては、アセトン、メチルエチルケトン（ＭＥＫ）、メチルプロピルケトン、メチルブチルケトン、メチルイソブチルケトン、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、メチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、シクロペンタノール、シクロヘキサノール、４−メチルシクロヘキサノール、３，５−ジメチルシクロヘキサノール、シクロヘキサノン、１，４−ジオキサン、テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジメトキシエタン、ベンゼン、キシレン、トルエン、塩化メチル、塩化エチレン、ホルムアミド、アセトアミド、Ｎ−メチルホルムアミド、Ｎ−メチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、アセトニトリル、プロピオニトリル、ベンゾニトリル、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、無水マレイン酸、無水酢酸、メタノール、エタノール、イソプロパノール、ブタノール、ニトロメタン、ニトロエタン、ニトロプロパン等が挙げられる。特に、アセトン／メチルエチルケトン＝３／２の混合溶媒が好ましい。
【００６１】
６．表面保護フィルムの用途
本発明の表面保護フィルムは基材フィルム（Ａ）少なくとも一方の面に、セルロース系樹脂層（Ｂ）が形成されており、接着性シリコーンゴム組成物層（Ｃ）を保護するために用いられる。表面保護フィルムと接着性シリコーンゴム組成物層（Ｃ）とは、セルロース系樹脂層（Ｂ）を介して接合しながら、全体の層構成を、Ａ／Ｂ／Ｃ／Ｂ／Ａの順番とすることが好ましい。
上記のＡ／Ｂ／Ｃ／Ｂ／Ａの順番が代表的なものであるが、Ｂ／Ａ／Ｂ／Ｃ／Ｂ／Ａ、Ａ／Ｂ／Ｃ／Ｂ／Ａ／Ｂ、Ｂ／Ａ／Ｂ／Ｃ／Ｂ／Ａ／Ｂ、Ａ／Ｂ／Ｃ／Ｂ／Ａ／Ｂ／Ｃ／Ｂ／Ａ、又はＡ／Ｂ／Ｃ／Ｂ／Ａ／Ｂ／Ｃ／Ｂ／Ａ／／Ｂ／Ｃ／Ｂ／Ａ等の順番であってもよい。
【００６２】
上記のＡ／Ｂ／Ｃ／Ｂ／Ａからなるフィルムの下方側の表面保護フィルム層（Ｂ／Ａ）を剥離し、露出した接着性シリコーンゴム組成物層（Ｃ）の下方面を、半導体チップ取付部の上方面に接着し、次いで残りのＡ／Ｂ／Ｃからなるフィルムの上方側の表面保護フィルム層（Ａ／Ｂ）を剥離し、露出した接着性シリコーンゴム組成物層（Ｃ）の上方面を、半導体チップの下方面に接着し例えば図１または図２に示す半導体装置を製造する。
【００６３】
【実施例】
以下に、本発明の表面保護フィルムおよび積層体を実施例に基づいて詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
まず、本発明の実施例で作られた表面保護フィルムおよび積層体の評価を行うために、それらの接着性、剥離強度、密着強度、残留溶剤量および酢化度を測定したが、これらの測定方法を以下に示す。
【００６４】
［接着性シリコーンゴム組成物層の接着性］
１×１ｃｍの接着性シリコーンゴム組成物層を介して２枚のシリコンウエハ（３ｃｍ×３ｃｍ）を重ね合わせた後、５ｋｇ／ｃｍ２で圧着させながら１００℃で１０分間熱処理してサンプルを作成した。１×１ｃｍの接着性シリコーンゴム組成物層を介して２枚のＦＰＣ用のポリイミドフィルム（３ｃｍ×３ｃｍ）を重ね合わせた後、５ｋｇ／ｃｍ２で圧着させながら１００℃で１０分間熱処理してサンプルを作成した。得られたサンプルを反対方向に引張り試験を行い、被着体上で接着性シリコーンゴム組成物層が凝集破壊している面積の割合を求めて凝集破壊率（％）とした。
【００６５】
［接着性シリコーンゴム組成物層の剥離強度］
積層体を１ｃｍＷ×１５ｃｍＬの短冊状に切り出し、引張り試験機を使用して片側の表面保護フィルムを速度１０００ｍｍ／ｍｉｎで１８０°剥離を行ったときの平均応力を剥離強度とした。
【００６６】
［セルロース系樹脂層の密着強度］
表面保護フィルムの表面にセロテープ（登録商標）を貼り、２．５ｃｍＷ×１５ｃｍＬの短冊状に切り出し、引張り試験機を使用して速度１０００ｍｍ／ｍｉｎで１８０°剥離を行ったときの平均応力を密着強度とした。
【００６７】
［セルロース系樹脂層の残留溶剤量］
５００ｍｌのガラスサンプル瓶中に表面保護フィルム（５ｃｍ×５ｃｍ）を入れ、１００℃オーブン中に６０分間保管した後に、ガラスサンプル瓶中のガス濃度をガスクロにより測定した。
【００６８】
［酢化度］
粉砕試料約５ｇを１００〜１０５℃２時間乾燥機中で乾燥後精秤する。
この試料を三角フラスコに移し、精製アセトンを５０ｃｃ加えて完浴後０．２Ｎ−ＮａＯＨ水溶液５０ｃｃを、次いで０．２Ｎ−ＨＣｌ水溶液５０ｃｃを順次加え、フェノールフタレインを指示薬として０．２Ｎ−ＮａＯＨ水溶液で滴定し、次式により算出する。
酢化度（％）＝（Ａ−Ｂ）×Ｆ×１．２０１／試料重量（ｇ）
但し、Ａ：０．２Ｎ−ＮａＯＨ水溶液滴定数（ｃｃ）
Ｂ：ブランクテストに於ける０．２Ｎ−ＮａＯＨ水溶液滴定数（ｃｃ）
Ｆ：０．２Ｎ−ＮａＯＨ水溶液のファクター
【００６９】
また、実施例及び比較例で使用した表面保護フィルムの材料について以下に説明する。
ＰＥＴフィルム・・・・帝人デュポン製テトロンＨＳ（厚さ３８μ）
ＰＥＴはポリエチレンテレフタレートの略語
ＰＥＳフィルム・・・・住友化学（株）製のＰＥＳ樹脂（スミカエクセルＰＥＳ５２００Ｇ）を１６０℃で８時間乾燥し、含水率を０．０８ｗｔ％にした。このＰＥＳ樹脂ペレットをＴダイを取り付けた押出機から３００℃で溶融押出しし、冷却固化させて厚さ５０μのＰＥＳフィルムとした。
ＰＥＳはポリエーテルスルホンの略語
酢酸セルロース層・・・ダイセル化学製ＬＭ８０（酢化度：５１）およびＬ２０（酢化度：５５）をアセトン／ＭＥＫ＝３：２混合溶媒に不揮発分８％の塗布液を作成し、リバースロールコーターで乾燥膜厚２μの塗膜を形成した。
ダイセル化学製ＬＴ３５（酢化度：６１）をＤＭＳＯ溶媒に不揮発分８％の塗布液を作成し、リバースロールコーターで乾燥膜厚２μの塗膜を形成した。
【００７０】
また、実施例及び比較例で使用した接着性シリコーンゴム組成物層の材料について以下に説明する。
［接着性シリコーンゴム組成物層の材料］
粘度４０，０００ｍＰａ．ｓの分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖ジメチルポリシロキサン（ビニル基の含有量＝０．０８重量％）７２重量部、粘度６，０００ｍＰａ．ｓの分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・メチルビニルシロキサン共重合体（ビニル基の含有量＝０．８４重量％）１５重量部、水１．５重量部、ヘキサメチルジシラザン３重量部、およびＢＥＴ法による比表面積が２００ｍ２／ｇである乾式シリカ微粉末１０重量部をロスミキサーで１時間混合した後、減圧下、１７０℃で２時間混合した。その後、室温まで冷却して、半透明ペースト状のシリコーンゴムベースを調製した。
【００７１】
次に、上記のシリコーンゴムベース１００重量部に、粘度５ｍＰａ．ｓの分子鎖両末端トリメチルシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・メチルハイドロジェンシロキサン共重合体（ケイ素原子結合水素原子の含有量＝０．７重量％）３重量部、参考例１（下記する。）で調製したシラトラン誘導体１．０重量部、白金の１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン錯体（本組成物において、この錯体中の白金金属が重量単位で５ｐｐｍとなる量）、および３−フェニル−１−ブチン−３−オール０．０１重量部を均一に混合して、粘度７０，０００ｍＰａ．ｓｓのヒドロシリル化反応架橋性シリコーンゴム組成物を調製した。
【００７２】
上記の架橋性シリコーンゴム組成物を、表面保護フィルムの間にはさみ、クリアランスを調整したステンレス製の２本ロールにより、前記架橋性シリコーンゴム組成物の厚さを２００μｍとした状態で、８０℃の熱風循環式オーブン中で３０分間加熱することにより架橋反応させて積層体を調製した。
【００７３】
［参考例１で調製したシラトラン誘導体］
［参考例１］
攪拌装置、温度計、および還流冷却管を備えた５００ｍｌの４つ口フラスコに、２−ヒドロキシエチルアミン１２．２ｇ（０．２モル）、ビニルトリメトキシシラン８８．９ｇ（０．６モル）、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン９４．５ｇ（０．４モル）、およびメタノール３２ｇを仕込み、この系をメタノールの還流温度で８時間加熱攪拌した。
得られた反応混合物全量をなす型フラスコに移して、ロータリーエバポレーターにより低沸点成分を留去することにより微黄色透明液体１３２ｇを得た。この透明液体を２９Ｓｉ−核磁気共鳴分析および１３Ｃ−核磁気共鳴分析したところ、下記の式（８）でで表されるシラトラン誘導体を９０重量％以上含有することが確認された。
【００７４】
【化８】
2004122621.tif 000010
【００７５】
実施例１
・表面保護フィルム（１）の製造
ＰＥＴフィルム（帝人デュポン製テトロンＨＳ（厚さ３８μ））の片面に、下記のドープをリバースロールコーターで塗布・乾燥し、酢酸セルロースの乾燥膜圧２μの塗膜を形成させ表面保護フィルム（１）を製造した。
ドープ
酢酸セルロース（ダイセル化学製ＬＭ８０（酢化度：５１、ＳＰ値：２４．０ＭＰａ１／２））を、アセトン／ＭＥＫ＝３：２混合溶媒に溶解し、不揮発分８％の塗布液（ドープ）を作成した。
評価
表面保護フィルム（１）は、接着性１００％、剥離強度０．９Ｎ／ｍ、密着強度４２０Ｎ／ｍ及び残留溶剤量３μｇ／ｍ２であり、またフィッシュアイ、膜厚については問題はなく、表面保護フィルムとして十分な品質のものである。
【００７６】
実施例２
・表面保護フィルム（２）の製造
ＰＥＴフィルム（帝人デュポン製テトロンＨＳ（厚さ３８μ））の片面に、下記のドープをリバースロールコーターで塗布・乾燥し、酢酸セルロースの乾燥膜圧２μの塗膜を形成させ表面保護フィルム（１）を製造した。
ドープ
酢酸セルロース（ダイセル化学製Ｌ２０（酢化度：５５、ＳＰ値：２２．７ＭＰａ１／２））を、アセトン／ＭＥＫ＝３：２混合溶媒に溶解し、不揮発分８％の塗布液（ドープ）を作成した。
評価
表面保護フィルム（２）は、接着性１００％、剥離強度１．０Ｎ／ｍ、密着強度４２０Ｎ／ｍ及び残留溶剤量３μｇ／ｍ２であり、またフィッシュアイ、膜厚については問題はなく、表面保護フィルムとして十分な品質のものである。
【００７７】
比較例１
・表面保護フィルム（３）の準備
ＰＥＴフィルム（帝人デュポン製テトロンＨＳ（厚さ３８μ））を表面保護フィルム（３）として準備した。
この表面には、酢酸セルロース塗膜は形成されていない。
評価
表面保護フィルム（３）は、接着性シリコーンゴム組成物層との間の剥離強度が大きく、接着性シリコーンゴム組成物層から剥離させることができず、表面保護フィルムとしては不十分な品質のものである。
【００７８】
比較例２
・表面保護フィルム（４）の準備
下記のＰＥＳフィルムを表面保護フィルム（４）として準備した。
この表面には、酢酸セルロース塗膜は形成されていない。
ＰＥＳフィルム・・・住友化学（株）製のＰＥＳ樹脂（スミカエクセルＰＥＳ５２００Ｇ）を１６０℃で８時間乾燥し、含水率を０．０８ｗｔ％にした。このＰＥＳ樹脂ペレットをＴダイを取り付けた押出機から３００℃で溶融押出しし、冷却固化させて厚さ５０μのＰＥＳフィルムとした。
評価
表面保護フィルム（４）は、接着性シリコーンゴム組成物層との間の剥離強度は１．１Ｎ／ｍで、接着性は９５％であり問題は無かったが、ＰＥＳフィルムはトムソン打ち抜き機で打ち抜いた時にヒゲの発生などが多かったり、膜厚についてもＰＥＴフィルムの±２％に対し、±７％の厚薄があり、膜厚も不均一であり、不良率は約３０％であり、表面保護フィルムとしては不十分な品質のものである。
【００７９】
比較例３
・表面保護フィルム（５）の製造
ＰＥＴフィルム（帝人デュポン製テトロンＨＳ（厚さ３８μ））の片面に、下記のドープをリバースロールコーターで塗布・乾燥し、酢酸セルロースの乾燥膜圧２μの塗膜を形成させ表面保護フィルム（５）を製造した。
ドープ
酢酸セルロース（ダイセル化学製ＬＴ３５（酢化度：６１、ＳＰ値：２０．９ＭＰａ１／２））を、ＤＭＳＯ溶媒に溶解し、不揮発分８％の塗布液（ドープ）を作成した。
評価
表面保護フィルム（５）は、フィッシュアイ、膜厚については問題はなかったが、残留溶剤量が６００μｇ／ｍ２と多量であり、表面保護フィルムとして不十分な品質のものである。
以上の評価結果を、表１に要約して示した。
【００８０】
【表１】
2004122621.tif 000011
【００８１】
【発明の効果】
本発明の表面保護フィルムは、接着性シリコーンゴム組成物層から容易に剥離でき、かつ接着性シリコーンゴム組成物層の半導体チップや半導体チップ取付部に対する接着性に悪影響を及ぼす可塑剤などを含有することなく、また接着性シリコーンゴム組成物層の厚さ均一性や表面平坦性に悪影響を及ぼすことがない効果がある。本発明の表面保護フィルムと接着性シリコーンゴム組成物層の間は容易に剥離性することができ、かつ接着性シリコーンゴム組成物層と、半導体チップや半導体チップ取付部との接着性は非常にすぐれており信頼性の優れた半導体装置を作ることができる効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の積層体を適用した半導体装置（ハイブリッドＩＣ）の一例を示した断面図である。
【図２】本発明の積層体を適用した半導体装置（ＬＳＩ）の一例を示した断面図である。
【図３】本発明の表面保護フィルムの一例を示した断面図である。
【図４】本発明の表面保護フィルムの用途の一例であるＡ／Ｂ／Ｃ／Ｂ／Ａからなるフィルムの断面図である。
【符号の説明】
１　　　　半導体チップ
２　　　　接着性シリコーンゴム組成物層（シート）
３　　　　半導体チップ取付部（ガラス繊維強化エポキシ樹脂製の回
路基板）
４　　　　回路基板
５　　　　ボンディングワイヤ
６　　　　封止樹脂
７　　　　半導体チップ取付部（ポリイミド樹脂製の回路基板）
８　　　　バンプ
９　　　　封止・充填剤
１０　　　基材フィルム層（ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）層）
１１　　　セルロース系樹脂層（酢酸セルロース塗膜層）
１２　　　接着性シリコーンゴム組成物層（シート）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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