(57)【要約】【課題】本発明は、安定した導通を確保することのできる半導体装置、この半導体装置の製造方法、この半導体装置が実装された回路基板、回路基板の製造方法、半導体装置が組み込まれた電気光学装置、電気光学装置の製造方法、この電気光学装置を備えた電子機器、及び接続構造を提供する。【解決手段】半導体装置５０は、基板に実装される側の第１面５０ａに凹部５２の形状を有するパッド部５１を備えている。半導体装置５０を導電性粒子が分散された樹脂からなる接着剤を介して基板に実装する場合、凹部５２内に導電性粒子が落ち込み、一度落ち込んだ導電性粒子は凹部５２外に移動することがないので、導電性粒子がパッド部に位置する確立を高めることができ、安定した電気的接続を得ることができる。【選択図】　図１
2004087805.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１面を有し、該第１面上に配置された少なくとも１つの凹部形状のパッド部を具備することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記パッド部の外周部の一部に沿って配置された堰を更に備えることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記パッド部の一部に配置されたパッド部上の堰を更に備えることを特徴とする請求項１または請求項２記載の半導体装置。
【請求項４】
前記半導体装置の第１面は、接続部が配置された基板と、導電性粒子が分散された接着剤を介して圧着することにより接着され、
前記堰は、前記圧着時の接着剤の流れる方向と対向するように設けられていることを特徴とする請求項２または請求項３記載の半導体装置。
【請求項５】
前記半導体装置のパッド部は、基板に配置された接続部に、導電性粒子が分散された接着剤を介して圧着されることにより電気的に接続され、
前記凹部の深さは、圧着前の前記導電性粒子の粒径に対して１／４以上１以下の値であることを特徴とする請求項１から請求項４記載の半導体装置。
【請求項６】
半導体基板の第１面上に凹部形状のパッド部を備えた半導体装置の製造方法であって、
前記半導体基板の第１面上に複数の金属層を形成する工程と、
各前記金属層の外周端部を覆って絶縁膜を形成することにより前記凹部形状のパッド部を形成する工程と
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記絶縁膜形成工程後、
前記絶縁膜上に、前記パッド部の外周部の一部に沿って堰を形成する工程を更に有することを特徴とする請求項６記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
接続部が配置された基板と、
導電性粒子が分散された接着剤と、
前記導電性粒子を介して前記接続部と電気的に接続するパッド部を有する請求項１から請求項５いずれか一項に記載の半導体装置と
を備えることを特徴とする回路基板。
【請求項９】
接続部が配置された基板の前記接続部、または、請求項１から請求項７いずれか一項に記載の半導体装置の第１面上に、導電性粒子が分散された接着剤を配置する工程と、
前記接着剤を介して、前記基板及び前記半導体装置を、前記接続部及び前記第１面とが対向するように接着する工程と
を有することを特徴とする回路基板の製造方法。
【請求項１０】
パネル用基板に電気光学物質が支持されてなる電気光学パネルと、
前記電気光学物質を駆動し、前記パネル用基板、前記電気光学パネルに電気的に接続するフィルム基板、あるいは前記電気光学パネルに電気的に接続するハード基板のうち少なくとも１つの基板上に導電性粒子が分散された接着剤により実装された請求項１から請求項５いずれか一項に記載の半導体装置と
を具備することを特徴とする電気光学装置。
【請求項１１】
パネル用基板に電気光学物質が支持されてなる電気光学パネルを備えた電気光学装置の製造方法であって、
前記パネル用基板に配置された接続部上に、導電性粒子が分散された接着剤を配置する工程と、
請求項１から請求項５いずれか一項に記載の半導体装置の第１面と前記接続部とが対向するように配置し、前記接着剤を介して前記半導体装置と前記接続部とを接着する工程と
を有することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項１２】
パネル用基板に電気光学物質が支持されてなる電気光学パネルと、該電気光学パネルに電気的に接続する基板とを備えた電気光学装置の製造方法であって、
前記基板上に配置された接続部上に、導電性粒子が分散された接着剤を配置する工程と、
請求項１から請求項５いずれか一項に記載の半導体装置の第１面と前記接続部とが対向するように配置し、前記接着剤を介して前記半導体装置と前記接続部とを接着する工程と
を有することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項１３】
請求項１０記載の電気光学装置を搭載することを特徴とする電子機器。
【請求項１４】
導電性粒子が分散された接着剤を介してそれぞれの第１面に配置された接続部が圧着される第１基板と第２基板との接続構造であって、
少なくとも前記第１基板の接続部は、圧着前の前記導電性粒子の粒径に対して１／４以上１以下の値である深さの凹部形状を有することを特徴とする接続構造。
【請求項１５】
前記第１基板の第１面には、前記圧着時の接着剤の流れる方向と対向するように堰が、前記接続部の外周の一部に沿って、または前記接続部の一部に設けられていることを特徴とする請求項１４記載の接続構造。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、主に半導体装置の接続部分の構造に関し、半導体装置、この半導体装置の製造方法、この半導体装置が実装された回路基板、回路基板の製造方法、半導体装置が組み込まれた電気光学装置、電気光学装置の製造方法、この電気光学装置を備えた電子機器、及び接続構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】
電気光学装置の一例である液晶装置は、電気光学パネルの一例である液晶パネルと、この液晶パネルの液晶を駆動するための駆動回路を有する。
【０００３】
駆動回路の実装構造の１つとしてのＣＯＧ（Ｃｈｉｐ　Ｏｎ　Ｇｌａｓｓ）方式では、液晶パネルを構成する基板の端部に配置された接続端子部に直接ＡＣＦ（Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ　Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ　Ｆｉｌｍ：異方性導電フィルム）を介して、駆動回路としての半導体装置が実装される。
【０００４】
半導体装置の基板と接続される面には、液晶パネルの基板端部に配置された接続端子部と電気的に接続するバンプが複数設けられ、このバンプの材料としては、Ａｕ（金）が一般に用いられている。液晶パネルに配置される接続端子部とこのバンプとはＡＣＦ内に分散される導電性粒子により電気的に接続される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
近年、液晶装置の表示の高精細化のため電極本数が増え、液晶パネルに配置される接続端子部が微細化され、端子部間距離が狭ピッチ化される傾向にある。これに伴い、半導体装置においてもバンプが配置される面積を小さくする傾向にある。このため、バンプと接続端子部との接触面積が小さくなり、バンプの先端面と接続端子部との間に挟まれる導電性粒子の数が減少し、電気抵抗が高くなってしまうという問題があった。更に、バンプの先端面には凹凸があり、この凹凸形状はバンプ毎に異なるため、バンプの先端面と接続端子部との間に挟まれる導電性粒子の数がバンプによって異なり、バンプによって電気抵抗が異なって、液晶装置の表示ばらつきの原因となっていた。
【０００６】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、半導体装置と該半導体装置と電気的に接続される接続部との接続信頼性が高く、安定した導通を確保することのできる半導体装置、この半導体装置の製造方法、この半導体装置が実装された回路基板、回路基板の製造方法、半導体装置が組み込まれた電気光学装置、電気光学装置の製造方法、この電気光学装置を備えた電子機器、及び接続構造を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明の半導体装置は、第１面を有し、該第１面上に配置された少なくとも１つの凹部形状のパッド部を具備することを特徴とする。
【０００８】
本発明のこのような半導体装置を導電性粒子が分散された樹脂からなる接着剤を介して基板に実装する場合、基板上の接続部と電気的に接続されるパッド部が凹部形状を有しているので、凹部内に導電性粒子が落ち込み、一度落ち込んだ導電性粒子は凹部外に移動することがない。従って、導電性粒子がパッド部に位置する確立を高めることができるので安定した電気的接続を得ることができ、例えパッド部の面積が縮小されても、確実にパッド部と基板上の接続部との導通性をとることができるので、安定した導通性を実現しつつパッド部を高精細化することができる。また、パッド部を凹部形状とすることにより、凹部内に接着剤が確実に確保されので、半導体装置と基板との圧着が接着面内でほぼ均一となるように接着することができ、物理的強度が高い。
【０００９】
また、前記パッド部は、接続部と該接続部の外周を囲う絶縁膜とを備え、前記接続部及び前記絶縁膜とにより前記凹部形状をなすように構成することができる。
【００１０】
また、前記接続部を、金属層を含む構造とすることができ、例えば金属層としてアルミニウムを含む部材を用いることができる。また、前記接続部を、アルミニウムを含む金属層と、該金属層を覆う酸化防止層との積層からなるように構成することができ、接続部にアルミニウムを含む金属層が用いられる場合、アルミニウムの酸化による腐食を防止するために、金属層上に酸化防止層を配置することが望ましい。この酸化防止層としては、金を含む部材、アルミニウム酸化膜やニッケル薄膜などを用いることができる。
【００１１】
また、前記パッド部の外周部の一部に沿って配置された堰を更に備えることを特徴とする。
【００１２】
本発明のこのような構成によれば、半導体装置を導電性粒子が分散された樹脂からなる接着材により基板上に圧着し、実装する際、圧着時の接着剤の流れに沿って移動する導電性粒子を、堰により堰止めてパッド部上に位置させることができる。従って、堰を設けることにより、凹部内に落ち込む導電性粒子の数を増加させ、より安定した電気的接続が可能な実装を行うことができる。
また、パッド部が接続部と該接続部の外周を囲う絶縁膜とを備え、前記接続部及び前記絶縁膜とにより前記凹部形状をなす場合、前記パッド部の外周部の一部に沿って配置された堰は絶縁膜と同じ部材から形成することが望ましく、これにより堰と絶縁膜との密着性が向上し、物理的強度が向上する。
【００１３】
また、前記パッド部の一部に配置されたパッド部上の堰を更に備えることを特徴とする。
【００１４】
このように、パッド部の一部に堰を設けることもでき、圧着時の接着剤の流れに沿って移動する導電性粒子を、堰により堰止めてパッド部上に位置させることができる。
【００１５】
また、パッド部の一部に設けられた堰は絶縁膜上に形成される構造とし、パッド部の一部に配置された堰と絶縁膜とを同じ部材から形成することが望ましく、絶縁膜と堰との密着性が良い。
【００１６】
また、前記半導体装置の第１面は、接続部が配置された基板と、導電性粒子が分散された接着剤を介して圧着することにより接着され、前記堰は、前記圧着時の接着剤の流れる方向と対向するように設けられていることを特徴とする。
【００１７】
このように、堰を接着剤の流れる方向と対向するように設けることにより、圧着時の接着剤の流れに沿って移動する導電性粒子を、効率よく堰により堰止めてパッド部上に位置させることができる。
【００１８】
また、前記パッド部を前記第１面の外周部にほぼ沿って複数配置し、前記堰を、各前記パッド部の外周部のうち前記第１面の外周部に沿った部分に設ける構造とすることができる。また、前記パッド部を前記第１面の外周部にほぼ沿って複数配置し、前記堰を、前記第１面の中心部に向かって開口する形状とすることができる。また、前記パッド部を第１辺を有するほぼ矩形の平面形状とし、前記パッド部を前記第１辺が前記第１面の外周部にほぼ平行するように前記第１面の外周部に沿って複数配置し、前記堰を前記第１辺に沿って設ける構造とすることができる。
【００１９】
また、前記パッド部を第１辺を有するほぼ矩形の平面形状とし、前記パッド部を前記第１辺が前記第１面の外周部にほぼ平行となるように、前記第１面の外周部に沿って複数配置し、前記パッド部を、前記第１面の中心部に近い第１パッド部と、前記第１面の中心部から前記第１パッド部よりもより遠い第２パッド部とから構成し、前記第１パッド部の外周部の一部に沿って配置される前記堰は、前記第１辺および該第１辺と隣り合う２辺に沿って設けられ、前記第２パッド部の外周部の一部に沿って配置される前記堰は、前記第１辺、及び該第１辺と隣り合う２辺のうち前記第１面の中心部から遠い辺に沿って設けられる構造とすることができる。このように半導体装置上に位置する場所によって、パッド部の外周部に設ける堰の形状を変えることもできる。ここで、半導体装置を導電性粒子が分散された樹脂からなる接着材により基板上に圧着して実装する際、圧着時の接着剤は、接着面の中心部から放射状に外側に向かって流れる。従って、このような堰構造とすることにより、圧着時の接着剤の流れに沿って移動する導電性粒子を、より効率よく堰により堰止めてパッド部上に位置させることができる。また、前記堰を、対応する１つの前記パッド部に対して複数設けても良い。この場合、１つの前記パッド部に対して複数設けられた前記堰のうち隣り合う堰間距離を、半導体装置を基板に実装する際の半導体装置と基板とを接着する接着剤内に分散された導電性粒子の径よりも小さくすることが望ましい。これにより、一旦、堰により堰止められてパッド部上に位置した導電性粒子が、圧着時の接着剤の流れに沿って再びパッド部外に移動することがない。
【００２０】
また、前記パッド部を第１辺を有するほぼ矩形の平面形状とし、前記パッド部を前記第１辺が前記第１面の外周部にほぼ平行するように前記第１面の外周部に沿って複数配置し、前記パッド部の一部に配置された堰を前記第１辺とほぼ平行に設ける構造とすることができる。また、１つのパッド部の一部に複数の堰を設けることができる。
【００２１】
また、前記半導体装置のパッド部は、基板に配置された接続部に、導電性粒子が分散された接着剤を介して圧着されることにより電気的に接続され、前記凹部の深さは、圧着前の前記導電性粒子の粒径に対して１／４以上１以下の値であることを特徴とする。
【００２２】
このような構成によれば、凹部の深さを導電性粒子の粒径の１／４以上大きい値の深さとすることにより、導電性粒子を凹部内にとどめておくことができ、一旦凹部内に位置した導電性粒子は凹部以外に移動することがない。例えば、凹部の深さを導電性粒子の粒径の１／４より小さい値の深さとすると、圧着時に、導電性粒子を凹部内にとどめておくことが難しく、圧着時の接着剤の流れに沿って導電性粒子は移動しやすくなってしまう。尚、実装前の半導体装置の凹部の深さの上限値においては、接着剤内に分散される導電性粒子の大きさや、半導体装置を基板に実装する際の圧着時における導電性粒子の変形率などにより適宜調整すればよく、例えば導電性粒子の粒径と同じ値とすることができる。すなわち、半導体装置を基板に実装した際に、両者の接続部が確実に導通がとれる状態、言い換えれば、導電性粒子が両者の接続部に接触する状態となるように、凹部の深さの上限を設定することができる。
【００２３】
本発明の半導体装置の製造方法は、半導体基板の第１面上に凹部形状のパッド部を備えた半導体装置の製造方法であって、前記半導体基板の第１面上に複数の金属層を形成する工程と、各前記金属層の外周端部を覆って絶縁膜を形成することにより前記凹部形状のパッド部を形成する工程とを有することを特徴とする。
【００２４】
本発明のこのような構成によれば、金属層及び絶縁膜により凹部形状を有するパッド部を形成することができる。このような製造方法により得られる半導体装置を導電性粒子が分散された樹脂からなる接着剤を介して基板に実装する場合、基板上の接続部と電気的に接続されるパッド部が凹部形状を有しているので、凹部内に導電性粒子が落ち込み、一度落ち込んだ導電性粒子は凹部外に移動することがない。従って、導電性粒子がパッド部に位置する確立を高めることができるので安定した電気的接続を得ることができ、例えパッド部の面積が縮小されても、確実にパッド部と基板上の接続部との導通性をとることができるので、安定した導通性を実現しつつパッド部を高精細化することができる。また、パッド部を凹部形状とすることにより、凹部内に接着剤が確実に確保され、半導体装置と基板との圧着強度を接着面内でほぼ均一とすることができ、物理的強度が高い。
【００２５】
また、前記絶縁膜形成工程後、前記絶縁膜上に、前記パッド部の外周部の一部に沿って堰を形成する工程を更に有することを特徴とする。
【００２６】
このような製造方法により製造された半導体装置を導電性粒子が分散された樹脂からなる接着材により基板上に圧着し、実装する際、圧着時の接着剤の流れに沿って移動する導電性粒子を、堰により堰止めてパッド部上に位置させることができる。従って、堰を設けることにより凹部内に落ち込む導電性粒子の数を増加させ、より安定した電気的接続が可能な実装を行うことができる。
【００２７】
また、前記堰は、前記絶縁膜と同じ部材を用いて形成することが望ましく、これにより堰と絶縁膜との密着性がよく、物理的強度が高い。また、前記金属層上に酸化防止層を形成する工程を更に有することができる。このような製造方法により製造された半導体装置は、金属層に酸化し腐食しやすい部材を用いた場合に、酸化防止層により金属層の酸化を防止することができ、金属層の導電性を劣化させることがない。
【００２８】
本発明の回路基板は、接続部が配置された基板と、導電性粒子が分散された接着剤と、前記導電性粒子を介して前記接続部と電気的に接続するパッド部を有する上述に記載の半導体装置とを備えることを特徴とする。
【００２９】
本発明のこのような構成によれば、接続部とパッド部との電気的接続が安定した回路基板を得ることができる。
【００３０】
本発明の回路基板の製造方法は、接続部が配置された基板の前記接続部、または、上述に記載の半導体装置の第１面上に、導電性粒子が分散された接着剤を配置する工程と、前記接着剤を介して、前記基板及び前記半導体装置を、前記接続部及び前記第１面とが対向するように接着する工程とを有することを特徴とする。
【００３１】
本発明のこのような構成によって製造された回路基板は、接続部とパッド部との電気的接続が安定している。
【００３２】
本発明の電気光学装置は、パネル用基板に電気光学物質が支持されてなる電気光学パネルと、前記電気光学物質を駆動し、前記パネル用基板、前記電気光学パネルに電気的に接続するフィルム基板、あるいは前記電気光学パネルに電気的に接続するハード基板のうち少なくとも１つの基板上に導電性粒子が分散された接着剤により実装された上述に記載の半導体装置とを具備することを特徴とする。
【００３３】
本発明のこのような構成によれば、電気光学物質を駆動する半導体装置は電気的接続が安定して実装されているので、表示品位が良好な電気光学装置を得ることができ、また電極ピッチを微細化しても電気的接続が安定しているので、高精細表示が可能な電気光学装置を得ることができる。
【００３４】
本発明の電気光学装置の製造方法は、パネル用基板に電気光学物質が支持されてなる電気光学パネルを備えた電気光学装置の製造方法であって、前記パネル用基板に配置された接続部上に、導電性粒子が分散された接着剤を配置する工程と、　上述に記載の半導体装置の第１面と前記接続部とが対向するように配置し、前記接着剤を介して前記半導体装置と前記接続部とを接着する工程とを有することを特徴とする。
【００３５】
このような製造方法により製造された電気光学装置においては、電気光学物質を駆動する半導体装置は電気的接続が安定して基板上に実装されているので、表示品位が良好な電気光学装置が得られ、また電極ピッチを微細化しても電気的接続が安定しているので、高精細表示が可能な電気光学装置が得られる。
【００３６】
本発明の他の電気光学装置の製造方法は、パネル用基板に電気光学物質が支持されてなる電気光学パネルと、該電気光学パネルに電気的に接続する基板とを備えた電気光学装置の製造方法であって、前記基板上に配置された接続部上に、導電性粒子が分散された接着剤を配置する工程と、上述に記載の半導体装置の第１面と前記接続部とが対向するように配置し、前記接着剤を介して前記半導体装置と前記接続部とを接着する工程とを有することを特徴とする。
【００３７】
このような製造方法により製造された電気光学装置においては、電気光学物質を駆動する半導体装置は電気的接続が安定して基板上に実装されているので、表示品位が良好な電気光学装置が得られ、また電極ピッチを微細化しても電気的接続が安定しているので、高精細表示が可能な電気光学装置が得られる。
【００３８】
本発明の電子機器は、上述に記載の電気光学装置を搭載することを特徴とする。
【００３９】
このように上述に記載した電気光学装置を電子機器に搭載することができ、表示品位の高い電子機器を得ることができる。
【００４０】
本発明の接続構造は、導電性粒子が分散された接着剤を介してそれぞれの第１面に配置された接続部が圧着される第１基板と第２基板との接続構造であって、少なくとも前記第１基板の接続部は、圧着前の前記導電性粒子の粒径に対して１／４以上１以下の値である深さの凹部形状を有することを特徴とする。
【００４１】
本発明のこのような構成によれば、接続部が凹部形状を有しているので、凹部内に導電性粒子が落ち込み、一度落ち込んだ導電性粒子は凹部外に移動することがない。従って、安定した電気的接続を得ることができ、例え接続部の面積が縮小されても、確実に２枚の基板それぞれに配置される接続部の導通をとることができるので、安定した導通性を実現しつつ接続部を微細化することができる。また、接続部を凹部形状とすることにより、凹部内に接着剤が確実に確保され、半導体装置と基板との圧着強度を接着面内でほぼ均一とすることができ、物理的強度が高い。また、凹部の深さを導電性粒子の粒径の１／４以上大きい値の深さとすることにより、導電性粒子を凹部内にとどめておくことができ、一旦凹部内に位置した導電性粒子は凹部以外に移動することがない。例えば、凹部の深さを導電性粒子の粒径の１／４より小さい値の深さとすると、圧着時に、導電性粒子を凹部内にとどめておくことが難しく、圧着時の接着剤の流れに沿って導電性粒子は移動しやすくなってしまう。尚、凹部の深さの上限値においては、接着剤内に分散される導電性粒子の大きさや、２枚の基板を接着する圧着時における導電性粒子の変形率などにより適宜調整すればよく、例えば導電性粒子の粒径の値とすることができる。すなわち、２枚の基板を接着した際に、両者の接続部が確実に導通がとれる状態、言い換えれば、導電性粒子が両者の接続部に接触する状態となるように、凹部の深さの上限を設定することができる。また、第１の基板及び第２の基板の両方に、凹部を有する接続部を設けてもよい。
【００４２】
また、前記第１基板の第１面には、前記圧着時の接着剤の流れる方向と対向するように堰が、前記接続部の外周の一部に沿って、または前記接続部の一部に設けられていることを特徴とする。
【００４３】
このような構成によれば、２枚の基板を接着材により圧着する際、圧着時の接着剤の流れに沿って移動する導電性粒子を、堰により堰止めて接続部上に位置させることができる。従って、堰を設けることにより、凹部内に落ち込む導電性粒子の数を増加させ、より安定した電気的接続が可能な実装を行うことができる。また、第２基板の第１面に堰を更に設けても良い。
【００４４】
【発明の実施の形態】
＜半導体装置及びその製造方法、これを用いた回路基板及びその製造方法＞
以下に、本発明による半導体装置及びその製造方法、これを用いた回路基板及びその製造方法について説明する。
【００４５】
（第１実施形態）
本発明における第１実施形態の半導体装置の構造について図１及び図２を用いて説明する。
【００４６】
図１に示すように、半導体装置５０の第１面５０ａ上には、複数の凹部５２を有するパッド部５１が配置されている。パッド部５１は、半導体装置５０が実装される基板に配置される接続部に電気的に接続する部分である。本実施形態においては、各パッド部５１は、第１辺５１ａを有し、その平面形状、言い換えると半導体装置５０の第１面５０ａに対して直交する方向からみた場合の形状が、矩形の形状を有している。各パッド部５１は、各々の第１辺５１ａが第１面５０ａの外周部とほぼ平行となるように位置し、第１面５０ａの外周部に沿って、本実施形態においては例えば１６個配置されている。
【００４７】
図２（Ａ）（Ｂ）に示すように、半導体装置５０におけるパッド部５１及びこの付近では、半導体基板５３上に例えばアルミニウムからなる金属層５４が配置され、この金属層５４の外周端部を覆うように例えばポリイミドからなる絶縁膜５６が配置され、金属層５４表面の絶縁膜５６により覆われていない領域には、金属層５４のアルミニウムが酸化されないように金薄膜などの酸化防止層５５が配置されている。パッド部５１は、金属層５４上に酸化防止層５５が積層された接続部５７と、この接続部の外周を囲う絶縁膜５６とからなり、これら接続部５７及び絶縁膜５６とにより凹部５２の形状をなしている。尚、図２（Ａ）において、凹部５２内に位置する粒子６１はＡＣＦ内に分散される導電性粒子６１であり、半導体装置５０単体では導電性粒子６１は設けられておらず、図２（Ａ）は、半導体装置５０がＡＣＦを介して基板に実装された際の導電性粒子６１の状態を説明するものである。このように、従来の半導体装置においては接続部となる部分にバンプが形成され凸形状をなしていたが、本実施形態における半導体装置においては、接続部であるパッド部は凹部形状を有している。
【００４８】
次に、半導体装置５０の製造方法について図３を用いて説明する。
【００４９】
図３（Ａ）に示すように、半導体基板５３上に接続部となるアルミニウムからなる厚さ１．４μｍの金属層５４を形成する。次に、図３（Ｂ）に示すように、接続部となる領域以外と金属層５４の周端部を覆うようにポリイミドからなる絶縁膜５４を厚さ４μｍ（数値記入願います）に形成する。次に、図３（Ｃ）に示すように、金属層５４が露出した領域に酸化防止層５５としてＡｕ薄膜を厚さ０．４〜０．８μｍに形成する。酸化防止層５５は、金属層５４の材料として用いられるアルミニウムの酸化を防止するためのものである。これにより、金属層５４上に酸化防止層５５が積層された接続部５７が形成され、この接続部５７と接続部５７の外周を囲う絶縁膜５６とから形成された凹部５２を有するパッド部５１が形成される。本実施形態においては、パッド部５１の凹部５２の深さｈ１は３．５μｍとした。
【００５０】
凹部５２の深さは、上述の半導体装置５０とこれが実装される基板とを接着するＡＣＦ内に分散される導電性粒子の大きさや、半導体装置を基板に実装する際の圧着時における導電性粒子の変形率、半導体装置を基板に実装する際の圧着時における凹部５２の一部を形成する絶縁膜の変形率などにより適宜調整すればよい。例えば、実装前の半導体装置５０における凹部５２の深さｈ１は、接着前のＡＣＦ内に分散されている状態の導電性粒子６１の粒径の１／４以上であることが望ましい。凹部５２の深さｈ１を導電性粒子６１の粒径の１／４より小さい値の深さとすると、圧着時に、導電性粒子６１を凹部５２内にとどめておくことが難しく、圧着時のＡＣＦの流れに沿って導電性粒子６１は移動しやすくなってしまう。これに対して、凹部５２の深さｈ１を導電性粒子６１の粒径の１／４以上大きい値の深さとすることにより、導電性粒子６１を凹部５２内にとどめておくことができ、一旦凹部５２内に位置した導電性粒子６１は凹部５２以外に移動することがない。一方、実装前の半導体装置５０の凹部５２の深さｈ１の上限値においては、ＡＣＦ内に分散される導電性粒子の大きさや、半導体装置を基板に実装する際の圧着時における導電性粒子の変形率、半導体装置を基板に実装する際の圧着時における凹部５２の一部を形成する絶縁膜の変形率などにより適宜調整すればよい。すなわち、半導体装置５０を基板に実装した際に、両者の接続部が確実に導通がとれる状態、言い換えれば、導電性粒子が両者の接続部に接触する状態となるように、凹部５２の深さの上限を設定することができる。
【００５１】
次に、上述の半導体装置が実装される回路基板及びその製造方法について図４、図１４を用いて説明する。更に、半導体装置５０のパッド部５１が凹部形状を有することによる作用、効果についてもあわせて説明する。尚、本発明においては、回路基板とは半導体装置が実装された基板を指す。
【００５２】
図１４に示すように、回路基板２０７０は接続部７１が配置された基板としての配線基板７０と半導体装置５０とがＡＣＦ６０により接着されて構成される。配線基板７０上の接続部７１と、半導体装置５０上のパッド部５１の接続部５７とは、ＡＣＦ６０内に分散される導電性粒子６１により電気的に接続される。接着剤としてのＡＣＦ６０は、図４に示すように、例えば粒径４．２μｍ程度の導電性粒子６１が樹脂６２中に分散されたものであり、通常テープ状となっており、使用前はテープ状の片面に離型紙が貼られている。
【００５３】
次に、図４を用いて、図１４に示す回路基板２０７０の製造方法について説明する。図４は、半導体装置５０のパッド部５１と配線基板７０に配置される接続部７１との接続部分に相当する。
【００５４】
図４（Ａ）に示すように、基板７２上に接続部７１が配置された配線基板７０の接続部７１上にＡＣＦ６０´を貼付け、ＡＣＦ６０´の離型紙６３を剥離する。
【００５５】
次に、図４（Ｂ）に示すように、半導体装置５０の第１面５０ａがＡＣＦ６０を介して配線基板７０に対向するように半導体装置５０を配置し、半導体装置５０と配線基板７０とをＡＣＦ６０を介して加圧し、加熱して圧着する。これにより、図４（Ｃ）に示すように、凹部５２内に位置する導電性粒子６１を介して、接続部５７と接続部７１とは電気的に接続され、樹脂６２により半導体装置５０と配線基板７０とは接着され、回路基板２０７０が形成される。
【００５６】
ここで、従来のバンプを用いた構造では、バンプの先端面に凹凸があるため、導電性粒子６１の数が十分確保できない上、異なるバンプ間で存在する導電性粒子６１の数が同じであっても導電性粒子６１の変形率が異なり、実質的に接続部５７と接続部７１とを接続する接続面積が異なって、異なるバンプ間で接続抵抗が異なるということがあった。これに対し、本実施形態においては、上述の半導体装置５０と配線基板７０との圧着の際、図２（Ａ）、図４（Ｃ）に示すように、ＡＣＦ内に分散された導電性粒子６１は、凹部５２内に落ち込み、一度落ち込んだ導電性粒子６１は凹部５２外に移動することがない。このように、パッド部５１を凹部形状とすることにより、導電性粒子６１が接続部５７に位置する確立を高めることができ、接続部５７及び７１の面積が縮小されても安定して両者の導通性を確保することができる。従って、各パッド５１間で抵抗ばらつきのない安定した接続抵抗特性を有する回路基板を得ることができる。また、凹部５２を設けることにより、凹部５２内に接着剤となる樹脂６２が確実に確保されので、半導体装置５０と配線基板７０との圧着強度が第１面内５０ａでほぼ均一となり、物理的強度が高い回路基板２０７０を得ることができる。
【００５７】
本実施形態において、実装後の半導体装置５０における凹部５２の深さｈ１´は、接着前のＡＣＦ内に分散されている状態の導電性粒子６１の粒径の１／４以上であることが望ましい。凹部５２の深さｈ１´を導電性粒子６１の粒径の１／４より小さい値の深さとすると、圧着時に導電性粒子６１を凹部５２内にとどめておくことが難しく、圧着時のＡＣＦの流れに沿って導電性粒子６１は移動しやすくなってしまう。これに対して、凹部５２の深さｈ１´を導電性粒子６１の粒径の１／４以上大きい値の深さとすることにより、導電性粒子６１を凹部５２内にとどめておくことができ、一旦凹部５２内に位置した導電性粒子６１は凹部５２以外に移動することがない。また、凹部５２の深さｈ１´は、１．２μｍ以上であることが望ましく、これにより、凹部５２内に接着剤を十分に確保することができ、接着度を第１面５０ａ内でほぼ均一にすることができる。
【００５８】
また、実装後の半導体装置５０の凹部５２の深さｈ１´は、接着前のＡＣＦ内に分散されている状態の導電性粒子６１の粒径に対して１以下であることが望ましい。凹部５２の深さｈ１´が、導電性粒子６１の粒径より大きいと、半導体装置５０接続部５７と配線基板７０の接続部７１との電気的接続がとれなくなり、接続不良のある回路基板２０７０となってしまう。これに対し、凹部５２の深さｈ１´の値を、導電性粒子６１の粒径以下とすることにより確実に半導体装置５０の接続部５７と配線基板７０の接続部７１との電気的接続をとることができる。
【００５９】
以上のように、本実施形態においては、半導体装置に凹部形状を有するパッド部を設けているので、ＡＣＦを用いて半導体装置を基板に実装する際に、ＡＣＦ内の導電性粒子が凹部内に確実に位置することとなり、異なるパッド間で電気抵抗値のばらつきが少なく、安定した電気特性の回路基板を得ることができる。
【００６０】
（第２実施形態）
次に、本発明における第２実施形態の半導体装置の構造について図５〜図１０を用いて説明する。本実施形態においては、上述の第１実施形態の構造に加え、パッド部の外周の一部に堰を設けている。尚、その他の構成は、第１実施形態と同様であるのでその詳細な説明は省略する。第１実施形態と同じ構造については同じ符号を付している。以下、第１実施形態との相違点を中心に説明する。
【００６１】
図５及び図６に示すように、半導体装置１０５０の第１面１０５０ａ上には、複数の凹部５２を有するパッド部１０５１が配置されている。更に、各パッド部１０５１の外周の一部に堰１０５７が設けられている。パッド部１０５１は、第１面１０５０ａの中心部に近い第１パッド部１０５１ａと、第１面の中心部から第１パッド部１０５１ａよりもより遠い第２パッド部１０５１ｂとからなっている。尚、図６において、堰が位置する領域は斜線で示している。
【００６２】
図５及び図８に示すように、第１パッド部１０５１ａの外周部の一部に沿って配置される第１の堰１０５７ａは、第１辺１０５１ｃおよびこの第１辺１０５１ｃと隣り合う２辺に沿って設けられ、コの字状を形成している。第１の堰１０５７ａは第１面１０５０ａの中心部にほぼ向かって開口する形状を有している。
【００６３】
一方、図５及び図７に示すように、第２パッド部１０５１ｂの外周部の一部に沿って配置される第２の堰１０５７ｂは、第１辺１０５１ｃ、及びこの第１辺１０５１ｃと隣り合う２辺のうち第１面１０５０ａの中心部に遠い辺に沿って設けられている。本実施形態においては、外周の２辺に沿って堰１０５７（第２の堰１０５７ｂ）が設けられた第２パッド部１０５１ｂは、矩形状の第１面１０５０ａの角部に近い位置に設けられ、ここでは８つ設けられている。第２パッド部１０５１ｂは、自身に近い第１面１０５０ａの角部を形成する２辺に沿った第２の堰１０５７ｂを有している。第２の堰１０５７ｂは第１面１０５０ａの中心部に向かって開口する形状を有している。
【００６４】
図９（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）及び図１０（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）に示すように、堰１０５７は、パッド部１０５１ｂの外周の２辺または３辺に沿って絶縁膜５６上に、例えば絶縁膜５６と同じ材料からなるポリイミドから形成される。このように、本実施形態においては接続部であるパッド部が凹部形状を有し、更にパッド部の外周部に堰が設けられている。
【００６５】
次に、上述の半導体装置１０５０の製造方法について図１１を用いて説明する。図１１（Ａ）〜（Ｃ）においては、実施形態１と同様の製造工程を経ているので、説明を省略する。図１１（Ｃ）に示すように凹部５２を有するパッド部１０５１を形成した後、図１１（Ｄ）に示すように、絶縁膜５６上に、フォトリソグラフィ法により絶縁膜５６と同じ材料であるポリイミドからなる高さｈ２が１．２μｍ、幅ｄ１が３μｍの堰１０５７を形成する。ここで、堰１０５７は、その下地となる絶縁膜５６と同じ材料から形成されるため、絶縁膜５６に対する密着性が良い。以上により、堰１０５７が設けられた凹部形状のパッド部を有する半導体装置１０５０が完成する。
【００６６】
実装前の半導体装置１０５０の堰１０５７の高さｈ２においては、上述の半導体装置１０５０とこれが実装される基板とを接着するＡＣＦ内に分散される導電性粒子の大きさや、半導体装置を基板に実装する際の圧着時における導電性粒子の変形率、半導体装置を基板に実装する際の圧着時における堰１０５７の変形率などにより適宜調整すればよい。例えば、実装前の半導体装置１０５０における堰の高さｈ２は、１／４ｄ‐ｈ１（但し、ｄは接着前のＡＣＦ内に分散されている状態の導電性粒子６１の粒径、ｈ１は凹部５２の深さ）以上であることが望ましい。これにより、圧着時のＡＣＦの流れに沿って移動する導電性粒子６１を、堰１０５７により堰止めてパッド部１０５１上に位置させることができる。一方、実装前の半導体装置１０５０の凹部５２の深さｈ１及び堰１０５７の高さｈ２のそれぞれの上限値については、半導体装置１０５０を基板に実装した際に、両者の接続部が確実に導通がとれる状態、言い換えれば、導電性粒子が両者の接続部に接触する状態となるように、凹部５２の深さｈ１と堰１０５７の高さｈ２の上限を設定すればよい。
【００６７】
次に、上述の半導体装置が実装される回路基板及びその製造方法について図１２〜図１４を用いて説明する。
【００６８】
図１４に示すように、回路基板２１７０は、接続部７１が配置された基板としての配線基板７０と、半導体装置１０５０とが、ＡＣＦ６０を介して接着されて構成される。図１３に示すように、圧着時、ＡＣＦは半導体装置１０５０の第１面１０５０ａの中心部から放射状に外側へ向かって流れる。本実施形態においては、図５及び図６に示すように、各堰１０５７は少なくともその一部が、ＡＣＦの流れる方向と対向するように設けられているので、圧着時のＡＣＦの流れに沿って移動する導電性粒子を、堰１０５７により堰止めてパッド部１０５１上に位置させることができる。
【００６９】
次に、図１２は図１４に示す回路基板２１７０の製造工程図であるが、実施形態１と比較して、圧着時の状態が異なるだけで製造方法についてはほぼ同じため説明を省略し、圧着時の状態について説明する。本実施形態においては、上述の半導体装置１０５０と配線基板７０との圧着の際、図９（Ａ）、図１０（Ａ）に示すように、圧着時のＡＣＦの流れに沿って移動する導電性粒子６１を、堰１０５７により堰止めてパッド部１０５１上に位置させることができる。更に、堰１０５７を設けることにより、凹部５２内に落ち込む導電性粒子６１を増加させることができる。従って、各パッド１０５１間で抵抗ばらつきのない安定した接続抵抗特性を有する回路基板２１７０を得ることができる。本実施形態において、実装後の半導体装置１０５０における凹部５２の深さｈ１´と堰１０５７の高さｈ２´との和ｈ３は、接着前のＡＣＦ内に分散されている状態の導電性粒子６１の粒径に対して１以下であることが望ましい。ｈ３の深さが、導電性粒子６１の粒径より大きいと、半導体装置１０５０の接続部５７と配線基板７０の接続部７１との電気的接続がとれなくなり、接続不良のある回路基板２１７０となってしまう。これに対し、ｈ３の値を、導電性粒子６１の粒径以下とすることにより確実に半導体装置１０５０の接続部５７と配線基板７０の接続部７１との電気的接続をとることができる。
【００７０】
また、実装前の半導体装置１０５０における堰１０５７の幅ｄ１（図１１（Ｄ）参照）は、実装時に堰１０５７上に導電性粒子６１が位置してしまうと接続不良が生じてしまうため、堰１０５７上に導電性粒子６１が位置しないように狭くすることが望ましく、導電性粒子の大きさや隣り合う接続部間距離により適宜設定すればよい。例えば、粒径４．２μｍの導電性粒子を用い、隣あう接続部間距離が１３μｍの場合、堰１０５７の幅を、例えば隣り合う接続部間距離の１／４以下、すなわち約３．３μｍ以下とすることにより、隣り合うパッド部にそれぞれ設けられた堰間距離を導電性粒子の大きさよりも十分大きくとることができ、導電性粒子６１が堰１０５７上に位置することがない。また、幅ｄ１の下限値としては、導電性粒子６１が堰１０５７上に位置しないように十分狭くすることが望ましく、堰形成時の形成精度によって値は調整すればよい。
【００７１】
本実施形態における半導体装置と、従来の金属層上にバンプを設け、これを接続部とする半導体装置とを比較すると、接続部の面積を例えば３２００μｍ２とし、導電性粒子の粒径を４．２μｍとした場合、従来においては、１つの接続部に位置する導電性粒子が４個であったのに対し、本実施形態においては、１つの接続部に位置する導電性粒子を１３個とすることができる。従って、本実施形態においては、従来と比較して接続がより確実となり、接続抵抗をより安定化することができる。一般に、接続部の面積３２００μｍ２に対し導電性粒子が４個あれば、好ましい導通性を得ることができるので、凹部形状を有するパッド部に堰を設ける構造とすることにより、約１０００μｍ２の面積の接続部を備えた半導体装置においても、十分に好ましい導通性を得ることができ、より電極の高精細化が可能な半導体装置、回路基板を得ることができる。
【００７２】
（第３実施形態）
次に、本発明における第３実施形態の半導体装置の構造について図１５〜図１７を用いて説明する。本実施形態においては、上述の第２実施形態と比較して、堰の形状が異なる点で相違する。尚、その他の構成は、第２実施形態と同様であるのでその詳細な説明は省略する。上述の実施形態と同じ構造については同じ符号を付している。以下、第２実施形態との相違点を中心に説明する。
【００７３】
図１５及び図１６に示すように、半導体装置１１５０の第１面１１５０ａ上には、複数の凹部５２を有するパッド部１１５１が配置されている。更に、各パッド部１１５１の外周の一部であるパッド部１１５１の第１辺１１５１ａに沿って設けられている。尚、図１５において、堰が位置する領域は斜線で示している。
【００７４】
図１７（Ａ）（Ｂ）に示すように、堰１１５７は、絶縁膜５６上に例えば絶縁膜５６と同じ材料からなるポリイミドから形成されている。
【００７５】
上述の半導体装置１１５０の製造方法については、堰の形状が異なる以外は、第２実施形態と同様の製造方法であるため、ここでは説明を省略する。図１４に示す上述の半導体装置１１５０が実装される回路基板２２７０は、第２実施形態と同様に、半導体装置に設けられる各堰１１５７が、圧着時のＡＣＦの流れる方向と対向するように設けられているので、圧着時のＡＣＦの流れに沿って移動する導電性粒子を、堰１１５７により堰止めてパッド部１１５１上に位置させることができる。
【００７６】
また、本実施形態における回路基板２２７０の製造方法については、第２実施形態と堰の形状が異なる以外は同じであるため、説明を省略する。
【００７７】
以上のように、本実施形態においても第２実施形態と同様に、異なるパッド間での電気抵抗値のばらつきが少なく、安定した電気特性の回路基板を得ることができる。
【００７８】
（第４実施形態）
次に、本発明における第４実施形態の半導体装置の構造について図１８〜図２０を用いて説明する。本実施形態においては、第２実施形態及び第３実施形態と比較して堰の形状が異なる点で相違し、本実施形態は、上述の第３実施形態の構造に加え、パッド部上にも堰が形成されている。尚、その他の構成は第３実施形態と同様であるのでその詳細な説明は省略し、上述の実施形態と同じ構造については同じ符号を付している。以下、第３実施形態との相違点を中心に説明する。
【００７９】
図１８及び図１９に示すように、半導体装置１２５０の第１面１２５０ａ上には、複数の凹部１２５２を有するパッド部１２５１が配置されている。更に、各パッド部１２５１の外周の一部とパッド部上とに堰１２５７が設けられている。各パッド部１２５１は、第１辺１２５１ａを有する矩形状を有し、各々の第１辺１２５１ａが第１面１２５０ａの外周部とほぼ平行となるように位置している。堰１２５７は、パッド部１２５１の第１辺１２５１ａに沿って１つ、更に第１辺１２５１ａに平行に各パッド部１２５１上に３つ設けられている。尚、図１８において、堰が位置する領域は斜線で示している。図２０（Ａ）（Ｂ）に示すように、堰１２５７は、絶縁膜５６上に例えば絶縁膜５６と同じ材料からなるポリイミドから形成されている。
【００８０】
上述の半導体装置１２５０の製造方法は、堰の形状が異なる以外は、第２実施形態と同様であるため、説明を省略する。尚、実装前の半導体装置１２５０における堰１２５７の幅ｄ１は、実装時に堰１２５７上に導電性粒子６１が位置してしまうと接続不良が生じてしまうため、堰１２５７上に導電性粒子６１が位置しないように狭くし、また同一のパッド内に位置する隣り合う堰間距離が少なくとも導電性粒子６１の粒径よりも大きくなるようにすることが望ましい。
【００８１】
図１４に示す上述の半導体装置１２５０が実装される回路基板２３７０は、第２実施形態と同様に、半導体装置に設けられる各堰１２５７が、圧着時のＡＣＦの流れる方向と対向するように設けられているので、圧着時のＡＣＦの流れに沿って移動する導電性粒子を、堰１２５７により堰止めてパッド部１２５１上に位置させることができる。
【００８２】
また、本実施形態における回路基板２３７０の製造方法については、第２実施形態と堰の形状が異なる以外は同じであるため、説明を省略する。
【００８３】
以上のように、本実施形態においても、半導体装置に凹部形状を有するパッド部を設け、更にパッド部の外周及びパッド部上に堰を設けることにより、異なるパッド間での電気抵抗値のばらつきが少なく、安定した電気特性の回路基板を得ることができる。
【００８４】
（第５実施形態）
次に、本発明における第５実施形態の半導体装置の構造について図２１〜図２５を用いて説明する。本実施形態においては、第２実施形態と比較して堰の形状が異なる点で相違し、第２実施形態においては１つのパッド部の外周に沿って１つの堰が形成されているが、本実施形態においては１つのパッド部の外周に沿って複数の堰が形成されている。尚、その他の構成は、第２実施形態と同様であるのでその詳細な説明は省略し、上述の実施形態と同じ構造については同じ符号を付している。以下、第２実施形態との相違点を中心に説明する。
【００８５】
図２１に示すように、半導体装置１３５０の第１面１０５０ａ上には、複数の凹部５２を有するパッド部１３５１が配置され、各パッド部１３５１の外周の一部に堰１３５７が設けられている。各パッド部１３５１は、第１辺１３５１ｃを有する矩形状を有し、各々の第１辺１３５１ｃが第１面１３５０ａの外周部とほぼ平行となるように位置している。更に、パッド部１３５１は、第１面１３５０ａの中心部に近い第１パッド部１３５１ａと、第１面の中心部から第１パッド部１３５１ａよりもより遠い第２パッド部１３５１ｂとからなっている。尚、図２１において、堰が位置する領域は斜線で示している。
【００８６】
図２１及び図２３に示すように、第１パッド部１３５１ａの外周部の一部に沿って配置される第１の堰１３５７ａは、第１辺１３５１ｃおよびこの第１辺１３５１ｃと隣り合う２辺に沿って複数設けられ、複数の堰でコの字状を形成している。第１の堰１３５７ａは第１面１３５０ａの中心部にほぼ向かって開口する形状を有している。一方、図２１及び図２２に示すように、第２パッド部１３５１ｂの外周部の一部に沿って配置される第２の堰１３５７ｂは、第１辺１３５１ｃ、及びこの第１辺１３５１ｃと隣り合う２辺のうち第１面１３５０ａの中心部に遠い辺に沿って複数設けられている。本実施形態においては、外周の２辺に沿って堰１３５７（第２の堰１３５７ｂ）が設けられた第２パッド部１３５１ｂは、矩形状の第１面１３５０ａの角部に近い位置に設けられ、ここでは８つ設けられている。第２パッド部１３５１ｂは、自身に近い第１面１３５０ａの角部の２辺に沿った第２の堰１３５７ｂを有している。第２の堰１３５７ｂは第１面１３５０ａの中心部に向かって開口する形状を有している。
【００８７】
図２４（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）、図２５（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）に示すように、堰１０５７は、パッド部１３５１の外周の２辺または３辺に沿って絶縁膜５６上に、例えば絶縁膜５６と同じ材料であるポリイミドから形成される。
【００８８】
上述の半導体装置１３５０の製造方法については、堰の形状が異なる以外は、第２実施形態と同様の製造方法であるため、ここでは説明を省略する。尚、１つのパッド部１３５１に対応して設けられる複数の堰１３５７の隣り合う堰間距離は、ＡＣＦ内に分散される導電性粒子の大きさよりも小さいことが望ましく、これにより隣り合う堰と堰との間の隙間から導電性粒子が通り抜けることがない。
【００８９】
次に、図１４に示す上述の半導体装置１３５０が実装される回路基板２４７０は、第２実施形態と同様に、半導体装置に設けられる各堰１３５７が、圧着時のＡＣＦの流れる方向と対向するように設けられているので、圧着時のＡＣＦの流れに沿って移動する導電性粒子を、堰１３５７により堰止めてパッド部１３５１上に位置させることができる。
【００９０】
また、本実施形態における回路基板２４７０の製造方法については、第２実施形態と堰の形状が異なる以外は同じであるため、説明を省略する。
【００９１】
以上のように、本実施形態においても、異なるパッド間での電気抵抗値のばらつきが少なく、安定した電気特性の回路基板を得ることができる。
【００９２】
本発明は、上述の実施形態に記載される構造に限定されるものではない。例えば、上述の各実施形態においては、酸化防止層として金薄膜を用いたが、他にニッケルメッキ膜、導電性に支障がない程度の厚さの酸化アルミニウム膜などを用いることもできる。また、パッド部の平面形状が矩形状を有しているが、例えば円形であってもよい。また、絶縁膜及び堰の材料としてポリイミド樹脂を用いたが、ＳｉＯ２やＳｉＮなどを用いてもよい。また、堰の形状としては、上述に記載した構造に限定されるものではなく、圧着時にＡＣＦ中の導電性粒子を捕獲できる形状であればよい。また、上述の実施形態においては、堰の断面形状、言い換えれば、半導体装置の第１面に対し垂直な断面形状が矩形状を有していたが、これに限られるものでなく、例えば、図２６及び図２７に示すように、パッド部１４５１ｂ及び１４５１ｃの外周部に沿って設けられた堰１４５７ｂ及び１４５７ａがその断面形状が三角形状を有していても良い。
＜接続構造＞
本発明の接続構造の実施形態について説明する。
（第６実施形態）
上述においては、半導体装置を基板にＡＣＦによって実装する場合について説明したが、接続部が配置される２枚の基板の両者の接続部をＡＣＦによって接続する場合の接続構造に適用することも可能である。すなわち、２枚の基板のうち少なくとも一方の接続部を凹部形状にする、あるいは接続部を凹部形状とし更に堰を設ける構造としてもよい。以下に、図２８〜３０を用いて説明する。
【００９３】
図２８に示すように、第１面に接続部２７１を有する配線基板２７０と、第１面に接続部１７１を有する配線基板１７０とは、ＡＣＦ６０を介して電気的に接続されている。図２９に示すように、２枚の配線基板をＡＣＦ６０を介して圧着する際、ＡＣＦ６０はその中心部から放射状に外側に向かって移動する。
【００９４】
本実施形態においては、２枚の配線基板１７０及び２７０のうち一方の配線基板２７０は、図３０（Ａ）〜（Ｃ）に示すように、基板２７３上に導電膜からなる接続部２７１が配置されている。接続部２７１（図３０（Ａ）上、点線で図示）は一部が実際に接続に寄与するパッド部２７４（図３０（Ａ）上、矩形状に実線で囲まれた領域）となっている。接続部２７１は、パッド部２７４となる領域が露出するように、絶縁膜２７６によって覆われている。更に、一部のパッド部２７４上の一部分には後述する堰２７７が設けられる位置に絶縁膜２７６が配置されている。パッド部２７４は矩形状を有し、例えば７つ配置されている。
【００９５】
７つのパッド部のうち中心部にあるパッド部２７４の向い合う２辺それぞれに沿ってコの字状の堰２７７が配置されている。中心にあるパッド部２７４を挟んで両側に２つづつあるパッド部２７４の外周には、コの字状の堰２７７が配置され、更にパッド部２７４上には中心部に向かって開口を有するコの字状を有する堰が２つ配置されている。また、もっとも外側に位置するパッド部２７４には、その外周部の３辺に沿って、中心部に向かって開口を有するコの字状の堰２７７が配置されている。本実施形態においては、パッド部２７４は、絶縁膜２７６が覆われていない接続部２７１が露出した部分と、この露出した部分を囲う絶縁膜２７６によって形成され、その形状は凹部２７２をなしている。堰２７７は、２枚の基板の圧着時のＡＣＦ６０の流れに対向するように設けられている。凹部２７２の深さｈ４や堰２７７の高さｈ５は、ＡＣＦ内に分散される導電性粒子の大きさや、圧着時における導電性粒子の変形率、圧着時における堰２７７の変形率などにより適宜調整すればよい。
【００９６】
次に、上述の２枚の配線基板を接続する方法について説明する図３１を用いて説明する。
【００９７】
図３１（Ａ）に示すように、基板１７２上に接続部１７１が配置された配線基板１７０の接続部１７１上にＡＣＦ６０を貼りつける。次に、図３１（Ｂ）に示すように、パッド部２７４がＡＣＦ６０を介して配線基板１７０に対向するように配線基板２７０を配置し、２枚の配線基板１７０及び２７０をＡＣＦ６０を介して圧着する。これにより、図３１（Ｃ）に示すように、凹部２７２内に位置する導電性粒子６１を介して、接続部２７１と接続部１７１とは電気的に接続され、樹脂６２により２枚の配線基板１７０及び２７０とは接着される。
【００９８】
本実施形態においては、パッド部２７４を凹部形状とし更に堰を設けることにより、２枚の配線基板の導通性を確実に確保し、各パッド部間で抵抗ばらつきのない安定した接続抵抗特性を有する接続構造を得ることができる。
【００９９】
（第７実施形態）
第６実施形態においては、２枚の配線基板のうち一方の基板に凹部形状を有するパッド部を設けたが、２枚の配線基板両方の接続部を凹部形状とし、更に２枚の配線基板の両方に堰を設ける構造としても良い。以下に、この場合について、図２８及び図３２を用いて説明する。
【０１００】
図２８に示すように、接続部２７１を有する配線基板２７０と、接続部３７１を有する配線基板３７０とは、ＡＣＦ６０を介して電気的に接続されている。配線基板２７０は第６実施形態と同じ構造を有しており、配線基板３７０においても第６実施形態と同様に凹部形状のパッド部及び堰が設けられている。
【０１０１】
次に、上述の２枚の配線基板を接続する方法について図３２を用いて説明する。
【０１０２】
図３２（Ａ）に示すように、基板３７２上に接続部３７１が配置された配線基板３７０を用意する。接続部３７１は、実際に接続に寄与するパッド部３７４となる領域の一部が露出するように、パッド部３７４付近の接続部３７１の外周端部は絶縁膜３７６によって覆われている。更に絶縁膜３７６上には堰３７７が設けられ、堰３７７は２枚の配線基板を貼り合わせた際にそれぞれの配線基板に配置される堰が対応するように位置している。次に、基板３７２上に接続部３７１が配置された配線基板３７０の接続部３７１上にＡＣＦ６０を貼付ける。
【０１０３】
次に、図３２（Ｂ）に示すように、パッド部２７４がＡＣＦ６０を介して配線基板３７０に対向するように配線基板２７０を配置し、２枚の配線基板３７０及び２７０をＡＣＦ６０を介して圧着する。これにより、図３２（Ｃ）に示すように、２つの凹部２７２及び３７２により形成された空間内に位置する導電性粒子６１を介して、接続部２７１と接続部３７１とは電気的に接続され、樹脂６２により２枚の配線基板３７０及び２７０とは接着される。本実施形態においても、各パッド部間で抵抗ばらつきのない安定した導通特性を有する接続構造を得ることができる。
【０１０４】
尚、第６及び第７施形態では、堰を設けたが、堰は設けず凹部形状のパッド部を設けるだけでも十分安定した導通性を有する接続構造が得られる。
＜電気光学装置＞
次に、上述した例えば第２実施形態に示す半導体装置（駆動用ＩＣ１０５０）が搭載された電気光学装置としての液晶装置について説明するが、第２実施形態以外の他の実施形態の半導体装置にも適用できることはいうまでもない。
【０１０５】
（第８実施形態）
以下、電気光学装置の一例としてＣＯＧ方式の液晶装置について説明する。
【０１０６】
まず、図３３を用いて液晶装置の構造について説明する。液晶装置１は、電気光学パネルとしての液晶パネル２と、液晶パネル２に隣接して配置されたバックライト３と、バックライト３を固定するケース４と、ケース４の下方に配置された反射板５と、液晶パネル２に接続されたフレキシブル基板６とからなる。
【０１０７】
液晶パネル２は、パネル用基板としての第１の基板７と、これに対向するパネル用基板として第２の基板８と、これら一対の第１の基板７及び第２の基板８を貼り合わせるシール材９と、第１の基板７、第２の基板８及びシール材９とにより形成された空間内に挟持された電気光学物質としての液晶１０とを有している。更に、液晶パネル２を挟むように第１の偏光板１１及び第２の偏光板１２が設けられ、第１の基板７上の第２の基板８より張り出した張り出し部１９には駆動用ＩＣ１０５０が実装され、駆動用ＩＣ１０５０と第１の基板７上に配置された第１端子部２３を介して電気的に接続されるフレキシブル基板６とが設けられている。第１の基板７上には複数のストライプ状のデータ線２１、第２の基板８上にはデータ線２１と交差して複数のストライプ状の走査線２４と、走査線２４に電気的に接続するＴＦＤ素子及びこれに接続した画素電極とが形成されている。
【０１０８】
バックライト３は、第１の基板７に隣接して配置され、光学シート１３〜１５、枠状のスペーサ１６と、光源部１７と、導光板１８とから構成される。
【０１０９】
駆動用ＩＣ１０５０は張出し部１９に導電性粒子が分散された樹脂からなるＡＣＦ６０を介して実装されている。張出し部１９には、データ線２１が延在して駆動用ＩＣ１０５０と電気的に接続する接続部としての第１配線２２と、駆動用ＩＣ１０５０と電気的に接続する接続部としての第１端子部２３と、走査線２４とシール材９に混入された導電材を介して電気的に接続され駆動用ＩＣと電気的に接続する接続部としての第２配線とが形成されている。第１端子部２３は、配線６ａが形成されたフレキシブル基板６の配線６ａと電気的に接続し、フレキシブル基板６を介して外部から信号が駆動用ＩＣ１０５０に対して入力される。半導体装置１０５０の第１面１０５０ａに配置された凹部形状のパッド部１０５１の接続部５７と、第１の基板７上に配置される接続部としての第１配線２２、第１端子部２３及び第２配線とは、図１２（Ｃ）に示すようにパッド部１０５１の凹部内に位置するＡＣＦ６０内の導電性粒子により電気的に接続される。尚、本実施形態における第１の基板７は基板上に半導体装置が実装されているので本発明における回路基板に相当し、図１２（Ｃ）において基板７２は本実施形態における第１の基板７、接続部７１は本実施形態における第１配線２２または第１端子部２３または第２配線に相当する。
【０１１０】
次に、液晶装置１の製造方法について説明する。
【０１１１】
まず、一対の基板７及び８間に液晶が注入されてなる液晶パネル２を製造する。
【０１１２】
次に、液晶パネル２の第１の基板７の張出し部１９の第１配線２２及び第１端子部２３の一端部に対応した箇所にＡＣＦ６０を貼り付ける。次に、駆動用ＩＣ１０５０の第１面１０５０ａがＡＣＦ６０を介して第１の基板７に対向するように駆動用ＩＣ１０５０を配置し、駆動用ＩＣ１０５０と第１の基板７とをＡＣＦ６０を介して圧着する。次に、液晶パネル２の第１の基板７の張り出し部１９の第１端子部２３の他端部にＡＣＦを貼り付け、このＡＣＦ６０を介してフレキシブル基板６と第１の基板７とを圧着する。これにより、液晶パネル２に駆動用ＩＣ１０５０とフレキシブル基板６とが実装された構造のものが形成される。次に、液晶パネル２の第１の基板７側にバックライト３を配置し、これらをケース４により固定し、ケース４の下方に反射板５を配置して電気光学装置としての液晶装置が完成する。
【０１１３】
本実施形態においては、半導体装置１０５０と液晶パネル２との間で、各パッド１０５１間で抵抗ばらつきのない安定した接続抵抗特性が得られるので、高精細化にも高品位な表示が可能な液晶装置を得ることができる。
【０１１４】
（第９実施形態）
以下、電気光学装置の一例としてＣＯＦ（Ｃｈｉｐ　Ｏｎ　Ｆｉｌｍ）方式の液晶装置について図３４を用いて説明する。第８実施形態においては液晶パネルを構成する基板上に駆動用ＩＣが実装されていたが、本実施形態においては、液晶パネルに電気的に接続するフィルム状のフレキシブル回路基板に駆動用ＩＣが実装されている。尚、第８実施形態と同様の構造については、同様の符号を付して説明を省略し、ここでは主に異なる構造について説明する。
【０１１５】
図３４に示すように、液晶装置１００は、液晶パネル１０２と、バックライト３と、バックライト３を固定するケース４と、ケース４の下方に配置された反射板５と、液晶パネル２に接続されたフレキシブル回路基板１０６とからなる。
【０１１６】
図３４に示すように、液晶パネル１０２は、互いに対向する第１の基板１０７及び第２の基板１０８と、これら一対の基板１０７及び１０８を貼り合わせるシール材９と、一対の基板１０７及び１０８間に挟持された液晶１０とを有している。更に、液晶パネル１０２には、第１の基板１０７上に配置された第１端子部１２３を介して、駆動用ＩＣ１０５０が実装されたフレキシブル回路基板１０６が電気的に接続される。第１の基板１０７は第２の基板１０８から張り出した張出し部１１９を有し、張出し部１１９上にはデータ線２１が延在した第１配線１２２と、走査線２４とシール材９に混入された導電材を介して電気的に接続される第２配線とが形成されている。第１配線１２２及び第２配線は、フレキシブル回路基板１０６の配線１０６ａと電気的に接続し、フレキシブル回路基板１０６を介して外部から信号が液晶パネル１０２の各配線に対して入力される。ここで、フレキシブル回路基板１０６は、フレキシブル基板１２１と、このフレキシブル基板１２１上に形成された配線１０６ａと、フレキシブル基板１２１上に実装された駆動用ＩＣ１０５０とを有している。
【０１１７】
フレキシブル回路基板１０６上には、ＡＣＦ６０を介して半導体装置１０５０が実装されている。フレキシブル回路基板１０６上には、駆動用ＩＣ１０５０とＡＣＦ６０を介して電気的に接続され、また第１の基板１０７上の第１配線１２２及び第２配線に電気的に接続される接続部１０６ａが配置されている。半導体装置１０５０の第１面１０５０ａに配置された凹部形状のパッド部１０５１と、フレキシブル回路基板１０６上の接続部１０６ａとは、図１２（Ｃ）に示すように、パッド部１０５１の凹部内に位置するＡＣＦ６０内の導電性粒子により電気的に接続される。本実施形態におけるフレキシブル回路基板１０６は基板上に半導体装置が実装されているので本発明における回路基板に相当し、図１２（Ｃ）において基板７２は本実施形態におけるフレキシブル回路基板１０６、接続部７１は本実施形態における接続部１０６ａに相当する。
【０１１８】
次に、液晶装置１００の製造方法について説明する。まず、液晶パネル１０２を製造する。次に、接続部１０６ａが配置されたフレキシブル基板１２１上の駆動用ＩＣが実装される領域にＡＣＦを貼り付ける。その後、駆動用ＩＣ１０５０をその第１面１０５０ａがＡＣＦ６０を介してフレキシブル基板１２１に対向するように配置し圧着して、フレキシブル回路基板１０６を製造する。次に、液晶パネル２の第１の基板１０７の張出し部１１９の第１配線１２２及び第２配線にＡＣＦを貼り付け、フレキシブル回路基板１０６を配置し、液晶パネル１０２とフレキシブル回路基板１０６とを圧着させる。これにより、液晶パネル１０２にフレキシブル回路基板１０６とが実装された構造のものが形成される。次に、液晶パネル１０２の第１の基板１０７側にバックライト３を配置し、これらをケース４により固定し、ケース４の下方に反射板５を配置して液晶装置が完成する。以上のように、本実施形態においても、高品位な表示が可能な液晶装置を得ることができる。また、半導体装置１０５０とフレキシブル基板との圧着強度が高いフレキシブル回路基板１０６を得ることができる。
【０１１９】
（第１０実施形態）
以下、電気光学装置の一例としてＣＯＢ（Ｃｈｉｐ　Ｏｎ　Ｂｏａｄ）方式の液晶装置について図３５を用いて説明する。実施形態９に示す液晶装置１１０ではフレキシブル配線基板上に駆動用ＩＣが実装されているのに対し、本実施形態ではハード基板上に駆動用ＩＣが実装され、このハード基板と液晶パネルとが配線基板を介して電気的に接続されている点で異なり、同様の構造については同様の符号を付し、異なる構造について説明する。
【０１２０】
図３５に示すように、液晶装置１１０は、液晶パネル１０２と、液晶パネル１０２に隣接して配置されたバックライト３と、バックライト３を固定するケース４と、ケース４の下方に配置された反射板５と、液晶パネル２に接続された配線基板２０６と、配線基板２０６に電気的に接続する半導体装置としての駆動用ＩＣ１０５０が実装されたハード回路基板３０とからなる。
【０１２１】
第１の基板１０７は、第２の基板１０８から張り出した張出し部１１９を有し、張出し部１１９上には、データ線２１が延在した第１配線１２２と、走査線２４とシール材９に混入された導電材を介して電気的に接続する第２配線とが形成されている。第１配線１２２及び第２配線は、配線基板２０６の配線２０６ａと電気的に接続し、更に、配線基板２０６はハード回路基板３０と電気的に接続する。ハード回路基板３０は、ハード基板３０ｂと、ハード基板３０ｂ上に配置された接続部としての配線３０ａと、ハード基板３０ｂ上に配置された駆動用ＩＣ１０５０とからなる。半導体装置１０５０の第１面１０５０ａに配置された凹部形状のパッド部１０５１の接続部５７と、ハード回路基板３０上に配置される配線３０ａとは、図１２（Ｃ）に示すように、パッド部１０５１の凹部内に位置するＡＣＦ６０に分散された導電性粒子により電気的に接続される。本実施形態におけるハード回路基板３０は、基板上に半導体装置が実装されるので本発明における回路基板に相当し、図１２（Ｃ）における基板７２は本実施形態におけるハード回路基板３０に、接続部７１は本実施形態における配線３０ａに相当する。
【０１２２】
次に、液晶装置１１０の製造方法について説明する。
【０１２３】
まず、液晶パネル２を製造する。次に、配線３０ａが配置されたハード基板３０ｂ上の駆動用ＩＣが実装される領域にＡＣＦを貼り付ける。その後、駆動用ＩＣ１０５０をその第１面１０５０ａがＡＣＦ６０を介してハード基板３０ｂに対向するように配置し圧着してハード回路基板３０を製造する。次に、液晶パネル１０２の張出し部１１９の第１配線１２２にＡＣＦを貼り付け、配線基板２０６を配置して圧着させる。更に、配線基板２０６とハード回路基板３０とをＡＣＦにより圧着させ電気的に接続させる。次に、液晶パネル１０２の第１の基板１０７側にバックライト３を配置し、これらをケース４により固定し、ケース４の下方に反射板５を配置して電気光学装置としての液晶装置が完成する。
【０１２４】
以上のように、本実施形態においても高品位な表示が可能な液晶装置を得ることができる。また、半導体装置１０５０とハード基板３０ｂとの圧着強度が高いハード回路基板３０を得ることができる。
【０１２５】
以上のように、上述に記載した半導体装置を、ＣＯＧ方式、ＣＯＦ方式及びＣＯＢ方式の液晶装置に適用することができ、安定した接続抵抗で配線の微細化が可能となるので、高精細で表示品位の高い液晶装置を得ることができる。
【０１２６】
また、上述した実施形態では、電気光学装置として、液晶装置に適用した場合について説明したが、本発明はこれに限定されず、エレクトロルミネッセンス装置、特に、有機エレクトロルミネッセンス装置、無機エレクトロルミネッセンス装置等や、プラズマディスプレイ装置、ＦＥＤ（フィールドエミッションディスプレイ）装置、ＬＥＤ（発光ダイオード）表示装置、電気泳動表示装置、薄型のブラウン管、液晶シャッター等を用いた小型テレビ、デジタルマイクロミラーデバイス（ＤＭＤ）を用いた装置などの各種の電気光学装置に適用できる。
＜電子機器＞
さらに、本発明の電気光学装置を電子機器としての携帯電話機に搭載した例を以下に記す。図３６に示す電子機器は、上述の液晶パネルと駆動回路とが組み合わさってなる液晶パネル２００と、これを制御する制御手段１２００とを有する。ここでは、液晶パネル２００を、パネル構造体２００Ａと、半導体ＩＣ等で構成される駆動回路２００Ｂとに概念的に分けて描いてある。また、制御手段１２００は、表示情報出力源１２１０と、表示処理回路１２２０と、電源回路１２３０と、タイミングジェネレータ１２４０とを有する。
【０１２７】
表示情報出力源１２１０は、ＲＯＭ（Ｒｅａｄ　Ｏｎｌｙ　Ｍｅｍｏｒｙ）やＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ　Ａｃｃｅｓｓ　Ｍｅｍｏｒｙ）等からなるメモリと、磁気記録ディスクや光記録ディスク等から
なるストレージユニットと、デジタル画像信号を同調出力する同調回路とを備え、タイミングジェネレータ１２４０によって生成された各種のクロック信号に基づいて、所定フォーマットの画像信号等の形で表示情報を表示情報処理回路１２２０に供給するように構成されている。
【０１２８】
表示情報処理回路１２２０は、シリアル−パラレル変換回路、増幅・反転回路、ローテーション回路、ガンマ補正回路、クランプ回路等の周知の各種回路を備え、入力した表示情報の処理を実行して、その画像情報をクロック信号ＣＬＫと共に駆動回路２００Ｂへ供給する。駆動回路２００Ｂは、走査線駆動回路、データ線駆動回路及び検査回路を含む。また、電源回路１２３０は、上述の各構成要素にそれぞれ所定の電圧を供給する。
【０１２９】
また、本発明に係る電子機器としては、上記の例の他に、ディジタルオォッチ、ディジタルスチルカメラ、タッチパネル、電卓、液晶テレビ、プロジェクタ、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話機、ＰＯＳ端末機などがあげられる。そして、これらの各種電子機器の表示部として本発明に係る液晶装置を用いることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施形態に係る半導体装置の概略斜視図である。
【図２】図２（Ａ）は図１に示す半導体装置５０の部分平面図でありパッド部付近の構造を示し、図２（Ｂ）は図２（Ａ）の線２Ｂ−２Ｂ´で切断した切断図である。
【図３】図１の線Ａ−Ａ´における断面に対応した部分の半導体装置の製造工程図である。
【図４】本発明の第１実施形態に係る回路基板の製造工程を示す図である。
【図５】本発明の第２実施形態に係る半導体装置の概略斜視図である。
【図６】図５の半導体装置の平面図である。
【図７】図５の半導体装置のパッド部の斜視図であり、パッド部の２辺に沿って堰が設けられているパッド部の図である。
【図８】図５の半導体装置のパッド部の斜視図であり、パッド部の３辺に沿って堰が設けられているパッド部の図である。
【図９】図９（Ａ）は、図７に示すパッド部の平面図であり、図９（Ｂ）は図９（Ａ）の線９Ｂ−９Ｂ´で切断した切断図、図９（Ｃ）は図９（Ａ）の線９Ｃ−９Ｃ´で切断した切断図である。
【図１０】図１０（Ａ）は、図８に示すパッド部の平面図であり、図１０（Ｂ）は図１０（Ａ）の線１０Ｂ−１０Ｂ´で切断した切断図、図１０（Ｃ）は図１０（Ａ）の線１０Ｃ−１０Ｃ´で切断した切断図である。
【図１１】本発明の第２実施形態に係る半導体装置の製造工程図である。
【図１２】本発明の第２実施形態に係る回路基板の製造工程を示す図である。
【図１３】半導体装置実装時のＡＣＦの流れを説明する図である。
【図１４】回路基板の分解斜視図である。
【図１５】本発明の第１実施形態に係る半導体装置の概略平面図である。
【図１６】図１５に示す半導体装置のパッド部の斜視図である。
【図１７】図１７（Ａ）は、図１６に示すパッド部の平面図であり、図１７（Ｂ）は図１７（Ａ）の線１７Ｂ−１７Ｂ´で切断した切断図である。
【図１８】本発明の第４実施形態に係る半導体装置の概略平面図である。
【図１９】図１８に示す半導体装置のパッド部の斜視図である。
【図２０】図２０（Ａ）は、図１９に示すパッド部の平面図であり、図２０（Ｂ）は図２０（Ａ）の線２０Ｂ−２０Ｂ´で切断した切断図である。
【図２１】本発明の第５実施形態に係る半導体装置の平面図である。
【図２２】図２１に示す半導体装置のパッド部の２辺に沿って堰が設けられているパッド部の斜視図である。
【図２３】図２１に示す半導体装置のパッド部の３辺に沿って堰が設けられているパッド部の斜視図である。
【図２４】図２４（Ａ）は、図２２に示すパッド部の平面図であり、図２４（Ｂ）は図２４（Ａ）の線２４Ｂ−２４Ｂ´で切断した切断図、図２４（Ｃ）は図２４（Ａ）の線２４Ｃ−２４Ｃ´で切断した切断図である。
【図２５】図２５（Ａ）は、図２３に示すパッド部の平面図であり、図２５（Ｂ）は図２５（Ａ）の線２５Ｂ−２５Ｂ´で切断した切断図、図２５（Ｃ）は図２５（Ａ）の線２５Ｃ−２５Ｃ´で切断した切断図である。
【図２６】本発明における半導体装置のパッド部付近に設けられる堰の変形例を説明するための斜視図である。
【図２７】本発明における半導体装置のパッド部付近に設けられる堰の変形例を説明するための斜視図である。
【図２８】第６実施形態における接続構造を説明するための図であり、接続部が配置される２枚の基板がＡＣＦを介して接続する場合の接続部分における概略斜視図である。
【図２９】２枚の基板圧着時のＡＣＦの流れを説明する図である。
【図３０】図３０（Ａ）は、２枚の基板のうち一方の基板の接続部の概略平面図であり、図３０（Ｂ）は図３０（Ａ）の線３０Ｂ−３０Ｂ´における断面図、図３０（Ｃ）は図３０（Ａ）の線３０Ｃ−３０Ｃ´における断面図である。
【図３１】図２８に示す接続構造を製造する工程を示す図である。
【図３２】第７実施形態における接続構造を製造する工程を示す図である。
【図３３】本発明の第８実施形態に係る液晶装置の断面図である。
【図３４】本発明の第９実施形態に係る液晶装置の断面図である。
【図３５】本発明の第１０実施形態に係る液晶装置の断面図である。
【図３６】本発明に係る電子機器の位置実施形態である携帯電話機のブロック図である。
【符号の説明】
１、１００、１１０…液晶装置、２、１０２…液晶パネル、６…フレキシブル基板、６ａ，３０ａ…配線、７、１０７…第１の基板、８、１０８…第２の基板、１０…液晶、２２…第１配線、２３…第１端子部、３０…ハード回路基板、３０ｂ…ハード基板、５０、１０５０、１１５０、１２５０、１３５０…半導体装置、５０ａ、１０５０ａ、１１５０ａ、１２５０ａ、１３５０ａ…第１面、５１、２７４、１０５１、１１５１、１２５１、１３５１…パッド部、５１ａ、１０５１ｃ，１１５１ａ、１２５１ａ、１３５１ｃ…第１辺、５２、２７２、１２５２…凹部、５７、７１、１７１、２７１…接続部、６０…ＡＣＦ、６１…導電性粒子、６２…樹脂、７０、１７０、２７０、３７０…配線基板、１０６…フレキシブル回路基板、２７７、３７７、１０５７、１１５７、１２５７，１３５７…堰、１０５１ａ、１３５１ａ…第１パッド部、１０５１ｂ、１３５１ｂ…第２パッド部、１０５７ａ…第１の堰、１０５７ｂ…第２の堰、２０７０、２１７０、２２７０、２３７０、２４７０…回路基板
【図１】
2004087805.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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