(57)【要約】【課題】窒素のような安価かつ安全な放電ガスを用いても、パルス状電界を用いた大気圧プラズマ法に比べて、プラズマが均一で、放電密度が増加でき、高速で製造できる帯電防止機能体の製造方法、帯電防止性能、膜強度、透過率及び光学的特性に優れた帯電防止機能体、並びにこの帯電防止機能体を有する偏光板用保護フィルム及び表示装置を提供すること。【解決手段】大気圧もしくはその近傍の圧力下で、対向する第１電極と第２電極に異なる周波数の高周波電圧を印加し、電極間に供給したガスを励起し、これに基材を晒すことにより、Ｓｎ、Ｔｉ、Ｚｎ、ＡＬ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｍｇ、Ｂａ、Ｍｏ、Ｖ、Ｎｂ、Ｐ、Ｂ、Ｗ、Ｃｓ、Ｚｒ、Ｇａ、Ａｓ、ハロゲンから選ばれる元素の少なくとも一種を含有する帯電防止機能部を有する帯電防止機能体。【選択図】　　　　図１
2004087292.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
大気圧もしくはその近傍の圧力下で、対向する第１電極と第２電極との間にガスを供給し、高周波電圧を印加することにより、該ガスを励起し、励起した該ガスに基材を晒すことにより、該基材上に直接またはその他の機能部を介して形成され、かつ帯電防止機能を有する機能部（帯電防止機能部）を少なくとも一つ有する帯電防止機能体において、該高周波電圧が第１の周波数ω１の電圧成分と該第１の周波数ω１より高い第２の周波数ω２の電圧成分とを重ね合わせた成分を有し、該帯電防止機能部が、Ｓｎ、Ｔｉ、Ｚｎ、ＡＬ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｍｇ、Ｂａ、Ｍｏ、Ｖ、Ｎｂ、Ｐ、Ｂ、Ｗ、Ｃｓ、Ｚｒ、Ｇａ、Ａｓ、ハロゲンから選ばれる元素の少なくとも一種を含有することを特徴とする帯電防止機能体。
【請求項２】
大気圧もしくはその近傍の圧力下で、対向する第１電極と第２電極との間にガスを供給し、高周波電圧を印加することにより、該ガスを励起し、励起した該ガスに基材を晒すことにより、該基材上に直接またはその他の機能部を介して形成され、かつ帯電防止機能を有する機能部（帯電防止機能部）を少なくとも一つ有する帯電防止機能体において、該高周波電圧が第１の周波数ω１の電圧成分と該第１の周波数ω１より高い第２の周波数ω２の電圧成分とを重ね合わせた成分を有し、該帯電防止機能部が、Ｏ、Ｎ、Ｈ、Ｃ、Ｆ、Ｓ、Ｃｌから選ばれる元素の少なくとも一種を含有することを特徴とする帯電防止機能体。
【請求項３】
帯電防止機能部が、Ｏ、Ｎ、Ｈ、Ｃ、Ｆ、Ｓ、Ｃｌから選ばれる元素の少なくとも一種を含有することを特徴とする請求項１に記載の帯電防止機能体。
【請求項４】
帯電防止機能部の屈折率が１．６０〜２．１０であることを特徴とする請求項１〜３の何れか１項に記載の帯電防止機能体。
【請求項５】
屈折率が２．００〜２．３５の高屈折率機能部または屈折率が１．４０〜１．５０の低屈折率機能部を有することを特徴とする請求項１〜４の何れか１項に記載の帯電防止機能体。
【請求項６】
２３℃、５５％ＲＨの表面比抵抗値が、１×１０１２Ω／ｃｍ２未満であることを特徴とする請求項１〜５の何れか１項に記載の帯電防止機能体。
【請求項７】
形状がフィルムであることを特徴とする請求項１〜６の何れか１項に記載の帯電防止機能体。
【請求項８】
ロール状に巻かれたフィルムであることを特徴とする請求項７に記載の帯電防止機能体。
【請求項９】
シート状のフィルムであることを特徴とする請求項７に記載の帯電防止機能体。
【請求項１０】
基材がセルロースエステルであることを特徴とする請求項１〜９の何れか１項に記載の帯電防止機能体。
【請求項１１】
帯電防止機能部と基材との間に、少なくとも１つの活性線硬化樹脂部を有することを特徴とする請求項１〜１０の何れか１項に記載の帯電防止機能体。
【請求項１２】
活性線硬化樹脂部表面の中心線平均粗さ（Ｒａ）が０．１〜０．５μｍであることを特徴とする請求項１１に記載の帯電防止機能体。
【請求項１３】
請求項１〜１２の何れか１項に記載の帯電防止機能体を構成する機能部を基材上に積層することを特徴とする帯電防止機能体の製造方法。
【請求項１４】
請求項１〜１２の何れか１項に記載の帯電防止機能体の帯電防止機能部上に、屈折率が２．００〜２．３５の高屈折率機能部を積層し、更にその上に、屈折率が１．４０〜１．５０の低屈折率機能部を積層することを特徴とする請求項１３に記載の帯電防止機能体の製造方法。
【請求項１５】
請求項１３または１４に記載の帯電防止機能体の製造方法で得られることを特徴とする帯電防止機能体。
【請求項１６】
請求項１〜１２、１５の何れか１項に記載の帯電防止機能体を用いることを特徴とする偏光板用保護フィルム。
【請求項１７】
請求項１〜１２、１５の何れか１項に記載の帯電防止機能体を有することを特徴とする表示装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、帯電防止機能体及びその製造方法、並びに帯電防止機能体を有する偏光板用保護フィルム及び表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
大気圧プラズマ放電処理を用いることによって、希ガスと機能体形成ガスの混合ガスを使用して高品位の機能体を得ることが知られているが、放電ガスに使用しているヘリウムやアルゴンが高価なためコストアップの原因になっている。この方法では、放電ガスとして希ガス以外の安価なガス、例えば、空気成分中の酸素ガス、窒素ガスや二酸化炭素等を使用するには放電を開始する電圧が高く、高周波電界のもとでは安定な放電が得られず、機能体を得にくい。
【０００３】
特開平１０−１５４５９８号には、パルス電界を用いることにより、窒素ガスのような放電開始電圧の高いガスでも放電が達成できることが開示されているが、プラズマ密度が低く、良質な機能体が得られないばかりか、製造速度も遅く、生産性が非常に低い。
【０００４】
特開平１１−１６６９６号に、酸素ガス、あるいは酸素ガスと希ガスを混合したガスを、予備放電電極において低周波電圧をかけて活性化または電離させ、次にこの電離または活性化されたガスを、電離または活性化されてない酸素ガス、あるいは酸素ガスと希ガスを混合したガスと共に、前記予備放電電極に対し併設された主放電電極のもとに送り、大気圧下、主放電電極間に高周波電圧を印加してプラズマを発生させ、プラズマによって生成した活性種を被処理体の表面をエッチングあるいは被処理体面上にある有機物をアッシングするという方法が記載されている。
【０００５】
しかしこの方法を機能体の形成に応用した場合、酸素ガス、あるいは酸素ガスと希ガスを混合したガスを予備放電電極間で低周波電圧をかけて電離あるいは活性化したガスとした後、電離あるいは活性化したガスと、主放電電極の手前で導入した機能体形成ガスとを混合して、主放電電極に高周波電圧をかけるとパーティクルが発生してしまい、機能体の形成がほとんど行われないことがわかった。また、プラズマ状態の酸素ガスと機能体形成ガスを混合すると爆発の危険性があり、この方法は機能体形成方法として不適当であることも判明した。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、窒素のような安価かつ安全な放電ガスを用いても、パルス状電界を用いた大気圧プラズマ法に比べて、プラズマが均一で、放電密度が増加でき、高速で製造できる帯電防止機能体の製造方法、帯電防止性能、膜強度、透過率及び光学的特性に優れた帯電防止機能体、並びにこの帯電防止機能体を有する偏光板用保護フィルム及び表示装置を提供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明の上記目的は下記構成により達成された。
【０００８】
１．大気圧もしくはその近傍の圧力下で、対向する第１電極と第２電極との間にガスを供給し、高周波電圧を印加することにより、該ガスを励起し、励起した該ガスに基材を晒すことにより、該基材上に直接またはその他の機能部を介して形成され、かつ帯電防止機能を有する機能部（帯電防止機能部）を少なくとも一つ有する帯電防止機能体において、該高周波電圧が第１の周波数ω１の電圧成分と該第１の周波数ω１より高い第２の周波数ω２の電圧成分とを重ね合わせた成分を有し、該帯電防止機能部が、Ｓｎ、Ｔｉ、Ｚｎ、ＡＬ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｍｇ、Ｂａ、Ｍｏ、Ｖ、Ｎｂ、Ｐ、Ｂ、Ｗ、Ｃｓ、Ｚｒ、Ｇａ、Ａｓ、ハロゲンから選ばれる元素の少なくとも一種を含有することを特徴とする帯電防止機能体。
【０００９】
２．大気圧もしくはその近傍の圧力下で、対向する第１電極と第２電極との間にガスを供給し、高周波電圧を印加することにより、該ガスを励起し、励起した該ガスに基材を晒すことにより、該基材上に直接またはその他の機能部を介して形成され、かつ帯電防止機能を有する機能部（帯電防止機能部）を少なくとも一つ有する帯電防止機能体において、該高周波電圧が第１の周波数ω１の電圧成分と該第１の周波数ω１より高い第２の周波数ω２の電圧成分とを重ね合わせた成分を有し、該帯電防止機能部が、Ｏ、Ｎ、Ｈ、Ｃ、Ｆ、Ｓ、Ｃｌから選ばれる元素の少なくとも一種を含有することを特徴とする帯電防止機能体。
【００１０】
３．帯電防止機能部が、Ｏ、Ｎ、Ｈ、Ｃ、Ｆ、Ｓ、Ｃｌから選ばれる元素の少なくとも一種を含有することを特徴とする上記１に記載の帯電防止機能体。
【００１１】
４．帯電防止機能部の屈折率が１．６０〜２．１０であることを特徴とする上記１〜３の何れか１項に記載の帯電防止機能体。
【００１２】
５．屈折率が２．００〜２．３５の高屈折率機能部または屈折率が１．４０〜１．５０の低屈折率機能部を有することを特徴とする上記１〜４の何れか１項に記載の帯電防止機能体。
【００１３】
６．２３℃、５５％ＲＨの表面比抵抗値が、１×１０１２Ω／ｃｍ２未満であることを特徴とする上記１〜５の何れか１項に記載の帯電防止機能体。
【００１４】
７．形状がフィルムであることを特徴とする上記１〜６の何れか１項に記載の帯電防止機能体。
【００１５】
８．ロール状に巻かれたフィルムであることを特徴とする上記７に記載の帯電防止機能体。
【００１６】
９．シート状のフィルムであることを特徴とする上記７に記載の帯電防止機能体。
【００１７】
１０．基材がセルロースエステルであることを特徴とする上記１〜９の何れか１項に記載の帯電防止機能体。
【００１８】
１１．帯電防止機能部と基材との間に、少なくとも１つの活性線硬化樹脂部を有することを特徴とする上記１〜１０の何れか１項に記載の帯電防止機能体。
【００１９】
１２．活性線硬化樹脂部表面の中心線平均粗さ（Ｒａ）が０．１〜０．５μｍであることを特徴とする上記１１に記載の帯電防止機能体。
【００２０】
１３．上記１〜１２の何れか１項に記載の帯電防止機能体を構成する機能部を基材上に積層することを特徴とする帯電防止機能体の製造方法。
【００２１】
１４．上記１〜１２の何れか１項に記載の帯電防止機能体の帯電防止機能部上に、屈折率が２．００〜２．３５の高屈折率機能部を積層し、更にその上に、屈折率が１．４０〜１．５０の低屈折率機能部を積層することを特徴とする上記１３に記載の帯電防止機能体の製造方法。
【００２２】
１５．上記１３または１４に記載の帯電防止機能体の製造方法で得られることを特徴とする帯電防止機能体。
【００２３】
１６．上記１〜１２、１５の何れか１項に記載の帯電防止機能体を用いることを特徴とする偏光板用保護フィルム。
【００２４】
１７．上記１〜１２、１５の何れか１項に記載の帯電防止機能体を有することを特徴とする表示装置。
【００２５】
以下本発明を詳細に説明する。
本発明者らは、上記の課題に対して鋭意検討を重ねた結果、大気圧もしくはその近傍の圧力下で、対向する第１電極と第２電極との間にガスを供給し、高周波電圧を印加してガスを励起し、高周波電圧が第１の周波数ω１の電圧成分と第１の周波数ω１より高い第２の周波数ω２の電圧成分とを重ね合わせた成分を有し、励起したガスに基材を晒し、基材上に直接またはその他の機能部を介して、Ｓｎ、Ｔｉ、Ｚｎ、ＡＬ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｍｇ、Ｂａ、Ｍｏ、Ｖ、Ｎｂ、Ｐ、Ｂ、Ｗ、Ｃｓ、Ｚｒ、Ｇａ、Ａｓ、ハロゲンから選ばれる元素の少なくとも一種を含有する帯電防止機能部を形成することにより、帯電防止性能、膜強度、透過率及び光学的特性に優れた帯電防止機能体が得られることを見出した。
【００２６】
本発明において、プラズマ放電処理は、大気圧もしくはその近傍の圧力下で行われるが、大気圧もしくはその近傍の圧力とは２０〜１１０ｋＰａ程度であり、本発明に記載の良好な効果を得るためには、９３〜１０４ｋＰａが好ましい。
【００２７】
本発明の機能体の形成方法において、対向電極間（放電空間）に供給するガスは、少なくとも、電界により励起する放電ガスと、そのエネルギーを受け取ってプラズマ状態あるいは励起状態になり機能体を形成する機能体形成ガスを含んでいる。
【００２８】
特願２００１−１７５４７５等に開示されている大気圧プラズマ放電による機能体の形成方法の具体的な実施例では、ヘリウムあるいはアルゴンのような希ガスを放電ガスとして使用し、１００ｋＨｚを超え１５０ＭＨｚ程度までの、好ましくは数１００ｋＨｚ〜１００ＭＨｚ程度の高周波電界をかけた機能体形成が行なわれていた。このような高周波電界をかけることにより、膜が緻密で均一な機能体が得られ、しかも機能体形成の生産性が優れているというメリットがあった。この場合の高周波電圧（電極間電圧）は、ヘリウムガスやアルゴンガスの放電を開始するには充分な電圧であった。
【００２９】
しかしながら、ヘリウムやアルゴン等の希ガスの放電ガスを使用する上記の機能体の形成方法では、機能体を形成する際の生産コストが放電ガスのコストに依存するところが多く、また環境的な見地からも代替の放電ガスの使用を本発明者らは検討していた。その代替の放電ガスとして、空気、酸素、窒素、二酸化炭素、水素等を検討した結果、これらのガスでも放電する条件を求め、且つ機能体形成性に優れ、形成した機能体が緻密且つ均一となる条件及び方法を検討した結果、本発明に至ったものである。
【００３０】
本発明における放電条件は、対向する第１電極と第２電極との放電空間に、高周波電圧を印加し、高周波電圧が、第１の周波数ω１の電圧成分と、前記第１の周波数ω１より高い第２の周波数ω２の電圧成分とを重ね合わせた成分を少なくとも有する。
【００３１】
高周波とは、少なくとも０．５ｋＨｚの周波数を有するものを言う。
高周波電圧が、第１の周波数ω１の電圧成分と、第１の周波数ω１より高い第２の周波数ω２の電圧成分とを重ね合わせた成分となり、その波形は、周波数ω１のサイン波上にそれより高い周波数ω２のサイン波が重畳されたω１のサイン波がギザギザしたような波形となる。
【００３２】
本発明において放電開始電圧とは、実際の機能体の形成方法に使用される放電空間（電極の構成等）及び反応条件（ガス条件等）において放電を起こすことのできる最低電圧のことを指す。放電開始電圧は、放電空間に供給されるガス種や電極の誘電体種等によって多少変動するが、放電ガス単独の放電開始電圧と略同一と考えてよい。
【００３３】
上述の高周波電圧を対向電極間（放電空間）に印加することによって、機能体形成可能な放電を起こし、高品位な機能体形成に必要な高密度プラズマを発生することができると推定される。ここで重要なのは、このような高周波電圧が対向する電極それぞれに印加され、すなわち、同じ放電空間に両方から印加されることである。前述の特開平１１−１６６９６号のように、印加電極を２つ併置し、離間した異なる放電空間それぞれに、異なる周波数の高周波電圧を印加する方法では、本発明の機能体形成は達成できない。
【００３４】
上記でサイン波の重畳について説明したが、これに限られるものではなく、両方パルス波であっても、一方がサイン波でもう一方がパルス波であってもかまわない。また、更に第３の電圧成分を有していてもよい。
【００３５】
上記本発明の高周波電圧を、対向電極間（同一放電空間）に印加する具体的な方法としては、対向電極を構成する第１電極に周波数ω１であって電圧Ｖ１である第１の高周波電圧を印加する第１電源を接続し、第２電極に周波数ω２であって電圧Ｖ２である第２の高周波電圧を印加する第２電源を接続した大気圧プラズマ放電処理装置を用いる方法である。
【００３６】
上記の大気圧プラズマ放電処理装置には、対向電極間に、放電ガスと機能体形成ガスとを供給するガス供給手段を備える。更に、電極の温度を制御する電極温度制御手段を有することが好ましい。
【００３７】
また、電極、第１電源またはそれらの間の何れかには第１フィルターを、また電極、第２電源またはそれらの間の何れかには第２フィルターを接続することが好ましく、第１フィルターは第１電源からの周波数の電流を通過しにくくし、第２電源からの周波数の電流を通過しやすくし、また、第２フィルターはその逆で、第２電源からの周波数の電流を通過しにくくし、第１電源からの周波数の電流を通過しやすくするというそれぞれのフィルターには機能が備わっているものを使用する。ここで、通過しにくいとは、好ましくは、電流の２０％以下、より好ましくは１０％以下しか通さないことをいう。逆に通過しやすいとは、好ましくは電流の８０％以上、より好ましくは９０％以上を通すことをいう。
【００３８】
更に、本発明に用いられる大気圧プラズマ放電処理装置の第１電源は、第２電源より大きな高周波電圧を印加できる能力を有していることが好ましい。
【００３９】
また、本発明における別の放電条件としては、対向する第１電極と第２電極との間に高周波電圧を印加し、高周波電圧が、第１の高周波電圧Ｖ１及び第２の高周波電圧Ｖ２を重畳したものであって、放電開始電圧をＩＶとしたとき、
Ｖ１≧ＩＶ＞Ｖ２
または　Ｖ１＞ＩＶ≧Ｖ２
を満たす。更に好ましくは、
Ｖ１＞ＩＶ＞Ｖ２
を満たすことである。
【００４０】
高周波及び放電開始電圧の定義、また、上記本発明の高周波電圧を、対向電極間（同一放電空間）に印加する具体的な方法としては、上述したものと同様である。
【００４１】
ここで、本発明でいう高周波電圧（印加電圧）と放電開始電圧は、下記の方法で測定されたものをいう。
【００４２】
高周波電圧Ｖ１及びＶ２（単位：ｋＶ／ｍｍ）の測定方法：
各電極部の高周波プローブ（Ｐ６０１５Ａ）を設置し、高周波プローブをオシロスコープ（Ｔｅｋｔｒｏｎｉｘ社製、ＴＤＳ３０１２Ｂ）に接続し、電圧を測定する。
【００４３】
放電開始電圧ＩＶ（単位：ｋＶ／ｍｍ）の測定方法：
電極間に放電ガスを供給し、電極間の電圧を増大させていき、放電が始まる電圧を放電開始電圧ＩＶと定義する。測定器は上記高周波電圧測定と同じである。
【００４４】
なお、上記測定に使用する高周波プローブとオシロスコープの位置関係については後述の図１に示してある。
【００４５】
高い電圧をかけるような放電条件をとることにより、例えば窒素ガスのように放電開始電圧が高い放電ガスでも、放電を開始し、高密度で安定なプラズマ状態を維持でき、高性能な機能体形成を行うことができるのである。
【００４６】
放電ガスを窒素ガスとした場合、上記の測定によりその放電開始電圧ＩＶは３．７ｋＶ／ｍｍ程度であり、従って、上記の関係において、第１の高周波電圧を、Ｖ１≧３．７ｋＶ／ｍｍとして印加することによって窒素ガスを励起し、プラズマ状態にすることができる。
【００４７】
ここで、第１電源の周波数としては、２００ｋＨｚ以下が好ましい。またこの電界波形としては、サイン波でもパルスでもよい。下限は１ｋＨｚ程度が望ましい。
【００４８】
一方、第２電源の周波数としては、８００ｋＨｚ以上が好ましい。この第２電源の周波数が高い程、プラズマ密度が高くなり、緻密で良質な機能体が得られる。上限は２００ＭＨｚ程度が望ましい。
【００４９】
このような二つの電源から高周波電圧を印加することは、第１の周波数ω１によって高い放電開始電圧を有する放電ガスの放電を開始するのに必要であり、また第２の周波数ω２はプラズマ密度を高くして緻密で良質な機能体を形成するのに必要であるということが本発明の重要な点である。
【００５０】
本発明に用いられる大気圧プラズマ放電処理装置は、上述のように、対向電極の間で放電させ、対向電極間に導入した少なくとも放電ガスと機能体形成ガスをプラズマ状態とし、対向電極間に静置あるいは移送される基材をプラズマ状態のガスに晒すことによって、基材の上に機能体を形成させるものである。また他の方式として、大気圧プラズマ放電処理装置は、上記同様の対向電極間で放電させ、対向電極間に導入したガスを励起し、またはプラズマ状態とし、対向電極外にジェット状に励起またはプラズマ状態のガスを吹き出し、対向電極の近傍にある基材（静置していても移送されていてもよい）を晒すことによって基材の上に機能体を形成させるジェット方式の装置がある。
【００５１】
図１は本発明に有用なジェット方式の大気圧プラズマ放電処理装置の一例を示す概略図である。
【００５２】
ジェット方式の大気圧プラズマ放電処理装置は、プラズマ放電処理装置、二つの電源を有する電圧印加手段の他に、図１では図示してない（後述の図２に図示してある）が、ガス供給手段、電極温度調節手段を有している装置である。
【００５３】
プラズマ放電処理装置１０は、第１電極１１と第２電極１２から構成されている対向電極を有しており、対向電極間に、第１電極１１からは第１電源２１からの第１の周波数ω１の高周波電圧Ｖ１が印加され、また第２電極１２からは第２電源２２からの第２の周波数ω２の高周波電圧Ｖ２が印加されるようになっている。第１電源２１は第２電源２２より大きな高周波電圧（Ｖ１＞Ｖ２）を印加できる能力を有していればよく、また第１電源２１の第１の周波数ω１は第２電源２２の第２の周波数ω２より小さな能力を有していればよい。
【００５４】
第１電極１１と第１電源２１との間には、第１電源２１からの電流が第１電極１１に向かって流れるように第１フィルター２３が設置されており、第１電源２１からの電流を通過しにくくし、第２電源２２からの電流が通過しやすくするように設計されている。
【００５５】
また、第２電極１２と第２電源２２との間には、第２電源２２からの電流が第２電極１２に向かって流れるように第２フィルター２４が設置されており、第２電源２２からの電流を通過しにくくし、第１電源２１からの電流を通過しやすくするように設計されている。
【００５６】
第１電極１１と第２電極１２との対向電極間（放電空間）１３に、ここでは図示してない（後述の図２に図示してあるような）ガス供給手段からガスＧを導入し、第１電極１１と第２電極１２から高周波電圧を印加して放電を発生させ、ガスＧをプラズマ状態にしながら対向電極の下側（紙面下側）にジェット状に吹き出させて、対向電極下面と基材Ｆとで作る処理空間をプラズマ状態のガスＧ°で満たし、図示してない基材の元巻き（アンワインダー）から巻きほぐされて搬送してくるか、あるいは前工程から搬送してくる基材Ｆの上に、処理位置１４付近で機能体を形成させる。機能体形成中、媒体がここでは図示していない（後述の図２に図示してあるような）電極温度調節手段から配管を経て電極を加熱または冷却する。プラズマ放電処理の際の基材の温度によっては、得られる機能体の物性や組成は変化することがあり、これに対して適宜制御することが望ましい。温度調節の媒体としては、蒸留水、油等の絶縁性材料が好ましく用いられる。プラズマ放電処理の際、幅手方向あるいは長手方向での基材の温度ムラができるだけ生じないように電極の内部の温度を均等に調節することが望まれる。
【００５７】
また、図１に前述の高周波電圧（印加電圧）と放電開始電圧の測定に使用する測定器を示した。２５及び２６は高周波プローブであり、２７及び２８はオシロスコープである。
【００５８】
ジェット方式の大気圧プラズマ放電処理装置を複数基接して直列に並べて同時に同じプラズマ状態のガスを放電させることができるので、何回も処理され高速で処理することもできる。また各装置が異なったプラズマ状態のガスをジェット噴射すれば、異なった層の積層機能体を形成することもできる。
【００５９】
図２は本発明に有用な対向電極間で基材を処理する方式の大気圧プラズマ放電処理装置の一例を示す概略図である。
【００６０】
本発明に用いられる大気圧プラズマ放電処理装置は、少なくともプラズマ放電処理装置３０、二つの電源を有する電圧印加手段４０、ガス供給手段５０、電極温度調節手段６０を有している装置である。
【００６１】
図２は、ロール回転電極（第１電極）３５と角筒型固定電極群（第２電極）３６との対向電極間（放電空間）３２で、基材Ｆをプラズマ放電処理して機能体を形成するものである。
【００６２】
ロール回転電極（第１電極）３５と角筒型固定電極群（第２電極）３６との間の放電空間（対向電極間）３２に、ロール回転電極（第１電極）３５には第１電極４１から周波数ω１の高周波電圧Ｖ１を、また角筒型固定電極群（第２電極）３６には第２電源４２から周波数ω２高周波電圧Ｖ２をかけるようになっている。
【００６３】
ロール回転電極（第１電極）３５と第１電源４１との間には、第１電源４１からの電流がロール回転電極（第１電極）３５に向かって流れるように第１フィルター４３が設置されており、第１フィルターは第１電源４１からの電流を通過しにくくし、第２電源４２からの電流を通過しやすくするように設計されている。また、角筒型固定電極群（第２電極）３６と第２電源４２との間には、第２電源からの電流が第２電極に向かって流れるように第２フィルター４４が設置されており、第２フィルター４４は、第２電源４２からの電流を通過しにくくし、第１電源４１からの電流を通過しやすくするように設計されている。
【００６４】
なお、本発明においては、ロール回転電極３５を第２電極、また角筒型固定電極群３６を第１電極としてもよい。何れにしろ第１電極には第１電源が、また第２電極には第２電源が接続される。更に、第１電源は第２電源より大きな高周波電圧（Ｖ１＞Ｖ２）を印加できる能力を有していればよい。また、周波数はω１＜ω２となる能力を有していればよい。
【００６５】
ガス供給手段５０のガス供給装置５１で発生させたガスＧを、流量を制御して給気口５２よりプラズマ放電処理容器３１内に導入する。放電空間３２及びプラズマ放電処理容器３１内をガスＧで満たす。
【００６６】
基材Ｆを、図示されていない元巻きから巻きほぐして搬送するかまたは前工程から搬送して、ガイドロール６４を経て、ニップロール６５で基材に同伴されて来る空気等を遮断し、ロール回転電極３５に接触したまま巻き回しながら角筒型固定電極群３６との間に移送し、ロール回転電極（第１電極）３５と角筒型固定電極群（第２電極）３６との両方から電圧をかけ、対向電極間（放電空間）３２で放電プラズマを発生させる。基材Ｆはロール回転電極３５に接触したまま巻き回されながらプラズマ状態のガスにより、その上に機能体を形成する。基材Ｆは、ニップロール６６、ガイドロール６７を経て、図示してない巻き取り機で巻き取るか、次工程に移送する。
【００６７】
放電処理済みの処理排ガスＧ′は排気口５３より排出する。
機能体形成中、ロール回転電極（第１電極）３５及び角筒型固定電極群（第２電極）３６を加熱または冷却するために、電極温度調節手段６０で温度を調節した媒体を、送液ポンプＰで配管６１を経て両電極に送り、電極内側から温度を調節する。なお、６５及び６６はプラズマ放電処理容器３１と外界とを仕切る仕切板である。
【００６８】
角筒型電極は、円筒型電極でもよいが、角筒型電極は円筒型電極に比べて、放電範囲（放電面積）を広げる効果があるので、本発明に好ましく用いられる。
【００６９】
ロール電極及び角筒型電極は、導電性の金属質母材の上に誘電体としてのセラミックスを溶射後、無機化合物の封孔材料を用いて封孔処理したものである。セラミックス誘電体は片肉で１ｍｍ程度被覆あればよい。溶射に用いるセラミックス材としては、アルミナ・窒化珪素等が好ましく用いられるが、この中でもアルミナが加工しやすいので、特に好ましく用いられる。また、誘電体層が、ガラスライニングにより無機材料を設けたライニング処理誘電体であってもよい。
【００７０】
導電性の金属質母材としては、チタン金属またはチタン合金、銀、白金、ステンレススティール、アルミニウム、鉄等の金属等や、鉄とセラミックスとの複合材料またはアルミニウムとセラミックスとの複合材料を挙げることができるが、後述の理由からはチタン金属またはチタン合金が特に好ましい。
【００７１】
２個の電極間の距離（電極間隙）は、導電性の金属質母材に設けた誘電体の厚さ、印加電圧の大きさ、プラズマを利用する目的等を考慮して決定されるが、電極の一方に誘電体を設けた場合の誘電体表面と導電性の金属質母材表面の最短距離、上記電極の双方に誘電体を設けた場合の誘電体表面同士の距離としては、いずれの場合も均一な放電を行う観点から０．１〜２０ｍｍが好ましく、特に好ましくは０．５〜２ｍｍである。
【００７２】
本発明に有用な導電性の金属質母材及び誘電体についての詳細については後述する。
【００７３】
プラズマ放電処理容器はパイレックス（Ｒ）ガラス製の処理容器等が好ましく用いられるが、電極との絶縁がとれれば金属製を用いることも可能である。例えば、アルミニウムまたはステンレススティールのフレームの内面にポリイミド樹脂等を張り付けてもよく、金属フレームにセラミックス溶射を行い絶縁性をとってもよい。図１において、平行した両電極の両側面（基材面近くまで）を上記のような材質の物で覆うことが好ましい。
【００７４】
本発明に用いられる大気圧プラズマ放電処理装置に設置する第１電源（高周波電源）としては、
印加電源記号　　メーカー　　　　　　　周波数
Ａ１　　　　　神鋼電機　　　　　　　３ｋＨｚ
Ａ２　　　　　神鋼電機　　　　　　　５ｋＨｚ
Ａ３　　　　　春日電機　　　　　　１５ｋＨｚ
Ａ４　　　　　神鋼電機　　　　　　５０ｋＨｚ
Ａ５　　　　ハイデン研究所　　　１００ｋＨｚ＊
Ａ６　　　　　パール工業　　　　２００ｋＨｚ
等の市販のものを挙げることができる。なお、＊印はハイデン研究所インパルス高周波電源（連続モードで１００ｋＨｚ）である。
【００７５】
また、第２電源（高周波電源）としては、
印加電源記号　　メーカー　　　　　　　周波数
Ｂ１　　　　　パール工業　　　　８００ｋＨｚ
Ｂ２　　　　　パール工業　　　　　　２ＭＨｚ
Ｂ３　　　　　パール工業　　１３．５６ＭＨｚ
Ｂ４　　　　　パール工業　　　　　２７ＭＨｚ
Ｂ５　　　　　パール工業　　　　１５０ＭＨｚ
等の市販のものを挙げることができ、何れも好ましく使用できる。
【００７６】
本発明においては、このような電圧を印加して、均一なグロー放電状態を保つことができる電極をプラズマ放電処理装置に採用する必要がある。
【００７７】
本発明において、対向する電極間に印加する電力は、第２電極に１Ｗ／ｃｍ２以上の電力（出力密度）を供給し、放電ガスを励起してプラズマを発生させ、エネルギーを機能体形成ガスに与え機能体を形成させる。供給する電力の上限値としては、好ましくは５０Ｗ／ｃｍ２以下、より好ましくは２０Ｗ／ｃｍ２以下である。下限値は、好ましくは１．２Ｗ／ｃｍ２以上である。なお、放電面積（ｃｍ２）は、電極において放電が起こる範囲の面積のことを指す。
【００７８】
ここで電源の印加法に関しては、連続モードと呼ばれる連続サイン波状の連続発振モードと、パルスモードと呼ばれるＯＮ／ＯＦＦを断続的に行う断続発振モードのどちらを採用してもよいが、少なくとも第２電極側は連続サイン波の方がより緻密で良質な膜が得られるので好ましい。
【００７９】
このような大気圧プラズマによる機能体の形成に使用する電極は、構造的にも、性能的にも過酷な条件に耐えられるものでなければならない。このような電極としては、金属質母材上に誘電体を被覆したものであることが好ましい。
【００８０】
本発明に使用する誘電体被覆電極においては、さまざまな金属質母材と誘電体との間に特性が合うものが好ましく、その一つの特性として、金属質母材と誘電体との線熱膨張係数の差が１０×１０−６／℃以下となる組み合わせのものである。好ましくは８×１０−６／℃以下、更に好ましくは５×１０−６／℃以下、特に好ましくは２×１０−６／℃以下である。なお、線熱膨張係数とは周知の材料特有の物性値である。
【００８１】
線熱膨張係数の差が、この範囲にある導電性の金属質母材と誘電体との組み合わせとしては、
（１）金属質母材が純チタンまたはチタン合金で、誘電体がセラミックス溶射被膜
（２）金属質母材が純チタンまたはチタン合金で、誘電体がガラスライニング
（３）金属質母材がステンレススティールで、誘電体がセラミックス溶射被膜
（４）金属質母材がステンレススティールで、誘電体がガラスライニング
（５）金属質母材がセラミックス及び鉄の複合材料で、誘電体がセラミックス溶射被膜
（６）金属質母材がセラミックス及び鉄の複合材料で、誘電体がガラスライニング
（７）金属質母材がセラミックス及びアルミの複合材料で、誘電体がセラミックス溶射皮膜
（８）金属質母材がセラミックス及びアルミの複合材料で、誘電体がガラスライニング
等がある。線熱膨張係数の差という観点では、上記（１）または（２）及び（５）〜（８）が好ましく、特に（１）が好ましい。
【００８２】
本発明において、金属質母材は、上記の特性からはチタンまたはチタン合金が特に有用である。金属質母材をチタンまたはチタン合金とすることにより、使用中の電極の劣化、特にひび割れ、剥がれ、脱落等がなく、過酷な条件での長時間の使用に耐えることができる。
【００８３】
本発明に有用な電極の金属質母材は、チタンを７０質量％以上含有するチタン合金またはチタン金属である。本発明において、チタン合金またはチタン金属中のチタンの含有量は、７０質量％以上であれば、問題なく使用できるが、好ましくは８０質量％以上のチタンを含有しているものが好ましい。本発明に有用なチタン合金またはチタン金属は、工業用純チタン、耐食性チタン、高力チタン等として一般に使用されているものを用いることができる。工業用純チタンとしては、ＴＩＡ、ＴＩＢ、ＴＩＣ、ＴＩＤ等を挙げることができ、何れも鉄原子、炭素原子、窒素原子、酸素原子、水素原子等を極僅か含有しているもので、チタンの含有量としては９９質量％以上を有している。耐食性チタン合金としては、Ｔ１５ＰＢを好ましく用いることができ、上記含有原子の他に鉛を含有しており、チタン含有量は９８質量％以上である。また、チタン合金としては、鉛を除く上記の原子の他にアルミニウムを含有し、その他バナジウムや錫を含有しているＴ６４、Ｔ３２５、Ｔ５２５、ＴＡ３等を好ましく用いることができ、これらのチタン含有量は８５質量％以上である。これらのチタン合金またはチタン金属は、ステンレススティール、例えばＡＩＳＩ３１６に比べて、熱膨張係数が１／２程度小さく、金属質母材としてチタン合金またはチタン金属の上に施された後述の誘電体との組み合わせがよく、高温、長時間での使用に耐えることができる。
【００８４】
一方、誘電体に求められる特性としては、具体的には、比誘電率が６〜４５の無機化合物であることが好ましく、また、このような誘電体としては、アルミナ、窒化珪素等のセラミックス、あるいは、ケイ酸塩系ガラス、ホウ酸塩系ガラス等のガラスライニング材等がある。この中では、後述のセラミックスを溶射したものやガラスライニングにより設けたものが好ましい。特にアルミナを溶射して設けた誘電体が好ましい。
【００８５】
または、上述のような大電力に耐える仕様の一つとしては、誘電体の空隙率が１０体積％以下、好ましくは８体積％以下であることで、好ましくは０体積％を越えて５体積％以下である。なお、誘電体の空隙率は、ＢＥＴ吸着法や水銀ポロシメーターにより測定することができる。後述の実施例においては、島津製作所製の水銀ポロシメーターにより金属質母材に被覆された誘電体の破片を用い、空隙率を測定する。誘電体が、低い空隙率を有することにより、高耐久性が達成される。このような空隙を有しつつも空隙率が低い誘電体としては、後述の大気プラズマ溶射法等による高密度、高密着のセラミックス溶射被膜等を挙げることができる。更に空隙率を下げるためには、封孔処理を行うことが好ましい。
【００８６】
上記、大気プラズマ溶射法は、セラミックス等の微粉末、ワイヤ等をプラズマ熱源中に投入し、溶融または半溶融状態の微粒子として被覆対象の金属質母材に吹き付け、皮膜を形成させる技術である。プラズマ熱源とは、分子ガスを高温にし、原子に解離させ、更にエネルギーを与えて電子を放出させた高温のプラズマガスである。このプラズマガスの噴射速度は大きく、従来のアーク溶射やフレーム溶射に比べて、溶射材料が高速で金属質母材に衝突するため、密着強度が高く、高密度な被膜を得ることができる。詳しくは、特開２０００−３０１６５５に記載の高温被曝部材に熱遮蔽皮膜を形成する溶射方法を参照することができる。この方法により、上記のような被覆する誘電体（セラミック溶射膜）の空隙率にすることができる。
【００８７】
また、大電力に耐える別の好ましい仕様としては、誘電体の厚みが０．５〜２ｍｍであることである。この膜厚変動は、５％以下であることが望ましく、好ましくは３％以下、更に好ましくは１％以下である。
【００８８】
誘電体の空隙率をより低減させるためには、上記のようにセラミックス等の溶射膜に、更に、無機化合物で封孔処理を行うことが好ましい。無機化合物としては金属酸化物が好ましく、この中では特に酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）を主成分として含有するものが好ましい。
【００８９】
封孔処理の無機化合物は、ゾルゲル反応により硬化して形成したものであることが好ましい。封孔処理の無機化合物が金属酸化物を主成分とするものである場合には、金属アルコキシド等を封孔液として前記セラミック溶射膜上に塗布し、ゾルゲル反応により硬化する。無機化合物がシリカを主成分とするものの場合には、アルコキシシランを封孔液として用いることが好ましい。
【００９０】
ここでゾルゲル反応の促進には、エネルギー処理を用いることが好ましい。エネルギー処理としては、熱硬化（好ましくは２００℃以下）や、紫外線照射等がある。更に封孔処理の仕方として、封孔液を希釈し、コーティングと硬化を逐次で数回繰り返すことにより一層無機質化が向上し、劣化のない緻密な電極ができる。
【００９１】
誘電体被覆電極の金属アルコキシド等を封孔液として、セラミックス溶射膜にコーティングした後、ゾルゲル反応で硬化する封孔処理を行う場合、硬化した後の金属酸化物の含有量は６０モル％以上であることが好ましい。封孔液の金属アルコキシドとしてアルコキシシランを用いた場合には、硬化後のＳｉＯｘ（ｘは２以下）含有量が６０モル％以上であることが好ましい。硬化後のＳｉＯｘ含有量は、ＸＰＳにより誘電体層の断層を分析することにより測定する。
【００９２】
本発明の機能体の形成方法に係る電極においては、電極の少なくとも基材と接する側のＪＩＳ　Ｂ　０６０１で規定される表面粗さの最大高さ（Ｒｍａｘ）が１０μｍ以下になるように調整することが、本発明に記載の効果を得る観点から好ましいが、更に好ましくは表面粗さの最大値が８μｍ以下であり、特に好ましくは７μｍ以下に調整することである。このように誘電体被覆電極の誘電体表面を研磨仕上げする等の方法により、誘電体の厚み及び電極間のギャップを一定に保つことができ、放電状態を安定化できること、更に熱収縮差や残留応力による歪やひび割れを無くし、且つ、高精度で、耐久性を大きく向上させることができる。誘電体表面の研磨仕上げは、少なくとも基材と接する側の誘電体において行われることが好ましい。更にＪＩＳ　Ｂ　０６０１で規定される中心線平均表面粗さ（Ｒａ）は０．５μｍ以下が好ましく、更に好ましくは０．１μｍ以下である。
【００９３】
本発明に用いられる誘電体被覆電極において、大電力に耐える他の好ましい仕様としては、耐熱温度が１００℃以上であることである。更に好ましくは１２０℃以上、特に好ましくは１５０℃以上である。また上限は５００℃である。なお、耐熱温度とは、絶縁破壊が発生せず、正常に放電できる状態において耐えられる最も高い温度のことを指す。このような耐熱温度は、上記のセラミックス溶射や、泡混入量の異なる層状のガラスライニングで設けた誘電体を適用したり、下記金属質母材と誘電体の線熱膨張係数の差の範囲内の材料を適宜選択する手段を適宜組み合わせることによって達成可能である。
【００９４】
次に、放電空間に供給するガスについて説明する。
供給するガスは、放電ガス及び機能体形成ガスを含有する。放電ガスと機能体形成ガスは混合して供給してもよいし、別々に供給してもかまわない。
【００９５】
放電ガスとは、機能体形成可能なグロー放電を起こすことのできるガスであり、それ自身がエネルギーを授受する媒体として働く。放電ガスとしては、窒素、希ガス、空気、水素ガス、酸素等があり、これらを単独で放電ガスとして用いても、混合して用いてもかまわない。本発明において、放電ガスとして好ましいのは窒素である。放電ガスの５０〜１００体積％が窒素ガスであることが好ましい。このとき、放電ガスとして窒素以外の放電ガスとしては、希ガスを５０体積％未満含有することが好ましい。また、放電ガスの量は、放電空間に供給する全ガス量に対し、９０〜９９．９体積％含有することが好ましい。
【００９６】
機能体形成ガスとは、放電ガスからのエネルギーを受け取って、それ自身は励起して活性となり、基材上に化学的に堆積して機能体を形成する原料のことである。
【００９７】
次に、本発明に使用する機能体を形成する混合ガスについて説明する。使用する混合ガスは、基本的に放電ガスと機能体形成ガスの混合ガスである。更に添加ガスを加えることもある。混合ガス中、放電ガスを９０〜９９．９体積％含有することが好ましい。
【００９８】
後述する帯電防止効果を有する化合物に、酸素ガスや窒素ガスを所定割合で組み合わせて混合ガスとし、帯電防止機能を有する機能部を得ることができる。光学特性を変えるため等に珪素化合物を併用する場合には、酸素原子と珪素原子から形成されるＳｉＯ２は透明性が高いもののガスバリア性が少し低めで水分をやや通すことから、窒素原子を含んだ方がより好ましい。すなわち、酸素原子と窒素原子の数の比をｘ：ｙとした場合に、ｘ／（ｘ＋ｙ）は０．９５以下、さらに０．８０以下であればより一層好ましい。なお、窒素原子の割合が多いと光透過性が低下し、ｘ＝０であるＳｉＮではほとんど光を通さない。そこで、具体的な酸素原子と窒素原子の割合は用途に応じて決めればよい。
【００９９】
例えば、表示装置において発光素子に対して発光面側に機能部（膜）を形成する場合のような光透過性を要する用途であれば、ｘ／（ｘ＋ｙ）が０．４〜０．９５であれば、光透過性と防水性のバランスをとることができるので好ましい。また、表示装置の発光素子の後面に設けられる映り込み防止膜のように光を吸収あるいは遮光した方が好ましい用途であればｘ／（ｘ＋ｙ）は０〜０．４未満であることが好ましい。
【０１００】
また、上記のように帯電防止効果を有する化合物を反応ガスとして大気圧プラズマ法で製膜することで、機能部（膜）に炭素を含有させることができる。これは、真空プラズマ法と比較して、大気圧プラズマ法では電極間に存在する反応ガス由来のイオン等の粒子が高い密度で存在することになるので、帯電防止効果を有する化合物由来の炭素が残りやすいのである。本発明においては、機能部の炭素は、機能部に柔軟性を与え基材との密着性が向上することからわずかに含有することが好ましく、具体的には０．２〜５質量％含有することが好ましい。５質量％を超えると、膜の屈折率等の物性が経時的に変化することがあり、好ましくない。
【０１０１】
この炭素含有率は、主に電源の周波数と供給電力に依存し、電極に印加する電圧の周波数が高いほど、及び供給電力が大きくなるほど少なくなる。また、混合ガス中に水素ガスを注入すると炭素原子が消費されやすくなり、機能部中の含有量を減らすことができ、これによっても制御できる。
【０１０２】
また、酸素源として酸素ガス以外に、オゾン、二酸化炭素、水（水蒸気）等を用いてもよいし、窒素源としてシラザンや窒素ガス以外に、アンモニア、窒素酸化物等を用いてもよい。
【０１０３】
本発明で用いられる帯電防止部は、Ｓｎ、Ｔｉ、Ｚｎ、ＡＬ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｍｇ、Ｂａ、Ｍｏ、Ｖ、Ｎｂ、Ｐ、Ｂ、Ｗ、Ｃｓ、Ｚｒ、Ｇａ、Ａｓ、ハロゲンから選ばれる元素の少なくとも一種を含有する化合物、または、Ｏ、Ｎ、Ｈ、Ｃ、Ｆ、Ｓ、Ｃｌから選ばれる元素の少なくとも一種を含有する化合物から成るものである。
【０１０４】
本発明で用いられる帯電防止機能部は、金属元素単体または異なる複数の金属元素複合体や合金、更に金属の酸化物、窒化物、炭化物、フッ化物、硫化物、塩化物（ハロゲン化物）やその複合体が挙げられる。結果として、帯電防止機能部自身、または他の機能部を介した複合機能体に帯電防止機能があれば制限なく用いることができる。帯電防止機能は、目安として表面比抵抗の大小により表すことができる。表面比抵抗は１×１０１２Ω／ｃｍ２が好ましく、１×１０１１Ω／ｃｍ２が更に好ましい。
【０１０５】
本発明に使用する機能体形成ガスとしては、上記導電性の帯電防止機能部の他に、帯電防止以外の機能を持たせるため、有機金属化合物、ハロゲン金属化合物、金属水素化合物等を用いることができる。
【０１０６】
本発明に有用な有機金属化合物は下記の一般式（Ｉ）で示すものが好ましい。
一般式（Ｉ）　Ｒ１ｘＭＲ２ｙＲ３ｚ
式中、Ｍは金属、Ｒ１はアルキル基、Ｒ２はアルコキシ基、Ｒ３はβ−ジケトン錯体基、β−ケトカルボン酸エステル錯体基、β−ケトカルボン酸錯体基及びケトオキシ基（ケトオキシ錯体基）から選ばれる基であり、金属Ｍの価数をｍとした場合、ｘ＋ｙ＋ｚ＝ｍであり、ｘ＝０〜ｍ、またはｘ＝０〜ｍ−１であり、ｙ＝０〜ｍ、ｚ＝０〜ｍで、何れも０または正の整数である。Ｒ１のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基等を挙げることができる。Ｒ２のアルコキシ基としては、例えばメトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、３，３，３−トリフルオロプロポキシ基等を挙げることができる。またアルキル基の水素原子をフッ素原子に置換したものでもよい。Ｒ３のβ−ジケトン錯体基、β−ケトカルボン酸エステル錯体基、β−ケトカルボン酸錯体基及びケトオキシ基（ケトオキシ錯体基）から選ばれる基としては、β−ジケトン錯体基として、例えば、２，４−ペンタンジオン（アセチルアセトンあるいはアセトアセトンともいう）、１，１，１，５，５，５−ヘキサメチル−２，４−ペンタンジオン、２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオン、１，１，１−トリフルオロ−２，４−ペンタンジオン等を挙げることができ、β−ケトカルボン酸エステル錯体基として、例えば、アセト酢酸メチルエステル、アセト酢酸エチルエステル、アセト酢酸プロピルエステル、トリメチルアセト酢酸エチル、トリフルオロアセト酢酸メチル等を挙げることができ、β−ケトカルボン酸として、例えば、アセト酢酸、トリメチルアセト酢酸等を挙げることができ、またケトオキシとして、例えば、アセトオキシ基（またはアセトキシ基）、プロピオニルオキシ基、ブチリロキシ基、アクリロイルオキシ基、メタクリロイルオキシ基等を挙げることができる。これらの基の炭素原子数は、上記例示有機金属化合物を含んで、１８以下が好ましい。また例示にもあるように直鎖または分岐のもの、また水素原子をフッ素原子に置換したものでもよい。
【０１０７】
本発明において取り扱いの問題から、爆発の危険性の少ない有機金属化合物が好ましく、分子内に少なくとも一つ以上の酸素を有する有機金属化合物が好ましい。このようなものとしてＲ２のアルコキシ基を少なくとも一つを含有する有機金属化合物、またＲ３のβ−ジケトン錯体基、β−ケトカルボン酸エステル錯体基、β−ケトカルボン酸錯体基及びケトオキシ基（ケトオキシ錯体基）から選ばれる基を少なくとも一つ有する金属化合物が好ましい。
【０１０８】
なお、具体的な有機金属化合物については後述する。
本発明において、放電空間に供給するガスには、放電ガス、機能体形成ガスの他に、機能体形成の反応を促進する添加ガスを混合してもよい。添加ガスとしては、酸素、オゾン、過酸化水素、二酸化炭素、一酸化炭素、水素、アンモニア等を挙げることができるが、酸素、一酸素化炭素及び水素が好ましく、これらから選択される成分を混合させるのが好ましい。その含有量は混合ガスに対して０．０１〜５体積％含有させることにより、反応促進され、且つ、緻密で良質な機能体を形成することができる。
【０１０９】
上記形成された酸化物または複合化合物の機能体の膜厚は、０．１〜１０００ｎｍの範囲が好ましい。
【０１１０】
本発明において、機能体形成ガスに使用する有機金属化合物、ハロゲン化金属、金属水素化合物の金属として、Ｌｉ、Ｂｅ、Ｂ、Ｎａ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｋ、Ｃａ、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｒｂ、Ｓｒ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｃｄ、Ｉｎ、Ｉｒ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｃｓ、Ｂａ、Ｌａ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｔｌ、Ｐｂ、Ｂｉ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ等を挙げることができる。
【０１１１】
本発明の機能体の形成方法で、上記のような有機金属化合物、ハロゲン金属化合物、金属水素化合物等の金属化合物を放電ガスと共に使用することによりさまざまな高機能性の機能体を得ることができる。
【０１１２】
機能体の例を以下に示すが、これに限られるものではない。
電極膜　Ａｕ、Ａｌ、Ａｇ、Ｔｉ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｍｏ、Ｍｏ−Ｓｉ
誘電体保護膜　ＳｉＯ２、ＳｉＯ、Ｓｉ３Ｎ４、Ａｌ２Ｏ３、Ａｌ２Ｏ３、Ｙ２Ｏ３
透明導電膜　Ｉｎ２Ｏ３、ＳｎＯ２
エレクトロクロミック膜　ＷＯ３、ＩｒＯ２、ＭｏＯ３、Ｖ２Ｏ５
蛍光膜　ＺｎＳ、ＺｎＳ＋ＺｎＳｅ、ＺｎＳ＋ＣｄＳ
磁気記録膜　Ｆｅ−Ｎｉ、Ｆｅ−Ｓｉ−Ａｌ、γ−Ｆｅ２Ｏ３、Ｃｏ、Ｆｅ３Ｏ４、Ｃｒ、ＳｉＯ２、ＡｌＯ３
超導電膜　Ｎｂ、Ｎｂ−Ｇｅ、ＮｂＮ
太陽電池膜　ａ−Ｓｉ、Ｓｉ
反射膜　Ａｇ、Ａｌ、Ａｕ、Ｃｕ
選択性吸収膜　ＺｒＣ−Ｚｒ
選択性透過膜　Ｉｎ２Ｏ３、ＳｎＯ２
反射防止膜　ＳｉＯ２、ＴｉＯ２、ＳｎＯ２
シャドーマスク　Ｃｒ
耐摩耗性膜　Ｃｒ、Ｔａ、Ｐｔ、ＴｉＣ、ＴｉＮ
耐食性膜　Ａｌ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｃｒ
耐熱膜　Ｗ、Ｔａ、Ｔｉ
潤滑膜　ＭｏＳ２
装飾膜　Ｃｒ、Ａｌ、Ａｇ、Ａｕ、ＴｉＣ、Ｃｕ
本発明による形成方法で得られた機能体の機能部は水分透過率が低減することから、表示装置、例えば、有機ＥＬ表示装置の偏光板用保護フィルムに用いるとその発光寿命を大幅に増加できる。
【０１１３】
本発明において、特に好ましい金属化合物の金属は、上記のうちＳｉ（珪素）、Ｔｉ（チタン）、Ｓｎ（錫）、Ｚｎ（亜鉛）、Ｉｎ（インジウム）及びＡｌ（アルミニウム）であり、これらの金属と結合する金属化合物のうち、上記一般式（Ｉ）で示した有機金属化合物が好ましい。有機金属化合物の例示については後述する。
【０１１４】
ここで、上記の高機能体（高機能膜）のうち反射防止膜（層）及び反射防止膜を積層した反射防止フィルム及び透明導電フィルムについて詳細に説明する。
【０１１５】
本発明に係る高機能体のうちの反射防止フィルムの反射防止層は中屈折率層、高屈折率層、低屈折率層それぞれの機能体が積層されたものである。
【０１１６】
本発明に係る反射防止層機能体形成ガスの高屈折率層を形成するチタン化合物、中屈折率層を形成する錫化合物、低屈折率層を形成する珪素化合物について述べる。反射防止層を有する反射防止フィルムは、各屈折率層を基材上に直接または他の層を介して積層して得られるものであるが、積層は、例えば、図１、２のような大気圧プラズマ放電処理装置を、中屈折率層、高屈折率層、低屈折率層の順に３層を積層するために、直列に３基並べて連続的に処理することができ、この連続的積層処理は品質の安定や生産性の向上等から本発明の機能体の形成に適している。また積層せずに、１層処理ごと、処理後巻き取り、逐次処理して積層してもよい。本発明において、反射防止層の上に防汚層を設ける場合には、上記のプラズマ放電処理装置を更にもう１基続けて設置し、４基並べて最後に防汚層を積層してもよい。また、反射防止層を設ける前に、基材の上に予めハードコート層や防眩層を塗布によって設けてもよく、また、その裏側に予めバックコート層を塗布によって設けてもよい。
【０１１７】
本発明に係る反射防止フィルムの反射防止層機能体形成ガスには、適切な屈折率を得ることのできる化合物であれば制限なく使用できるが、本発明において、高屈折率層機能体形成ガスとしてはチタン化合物を、中屈折率層機能体形成ガスとしては錫化合物またはチタン化合物と珪素化合物の混合物（または高屈折率形成用のチタン化合物で形成した層と低屈折率層を形成する珪素化合物で形成した層を積層してもよい）を、また低屈折率層機能体形成ガスとしては珪素化合物、フッ素化合物、あるいは珪素化合物とフッ素化合物の混合物を好ましく用いることができる。これらの化合物を屈折率を調節するために、何れかの層の形成用機能体形成ガスとして２種以上混合して使用してもよい。
【０１１８】
本発明に有用な中屈折率層機能部は、Ａｌ２Ｏ３、Ｂｉ２Ｏ３、Ｅｕ２Ｏ３、Ｌａ２Ｏ３、ＭｇＯ、ＭｏＯ３、Ｐｒ６Ｏ１１、Ｓｃ２Ｏ３、ＳｉＯ、ＷＯ３、Ｙｂ２Ｏ３、Ｙ２Ｏ３、ＯＭ−４（Ａｌ２Ｏ３＋ＺｒＯ２）、ＯＭ−６（Ａｌ２Ｏ３＋ＺｒＯ２）、ＳｎＯ２、ＣｅＦ３、ＰｂＦ２、Ｇｄ２Ｏ３、ＴｈＯ２等が挙げられる。特に、ＳｎＯ２形成に用いられる錫化合物としては、有機錫化合物、錫水素化合物、ハロゲン化錫等であり、有機錫化合物としては、例えば、ジブチルジエトキシ錫、ブチル錫トリス（２，４−ペンタンジオナート）、テトラエトキシ錫、メチルトリエトキシ錫、ジエチルジエトキシ錫、トリイソプロピルエトキシ錫、エチルエトキシ錫、メチルメトキシ錫、イソプロピルイソプロポキシ錫、テトラブトキシ錫、ジエトキシ錫、ジメトキシ錫、ジイソプロポキシ錫、ジブトキシ錫、ジブチリロキシ錫、ジエチル錫、テトラブチル錫、錫ビス（２，４−ペンタンジオナート）、エチル錫アセトアセトナート、エトキシ錫（２，４−ペンタンジオナート）、ジメチル錫ジ（２，４−ペンタンジオナート）、ジアセトメチルアセタート錫、ジアセトキシ錫、ジブトキシジアセトキシ錫、ジアセトオキシ錫ジアセトアセトナート等、錫水素化合物等、ハロゲン化錫としては、二塩化錫、四塩化錫等を挙げることができ、何れも本発明において、好ましく用いることができる。また、これらの機能体形成ガスを２種以上同時に混合して使用してもよい。なお、このようにして、形成された酸化錫層は表面比抵抗値を１０１２Ω／ｃｍ２未満に下げることができるため、帯電防止層としても有用である。
【０１１９】
本発明に有用な高屈折率層機能部は、Ｓｂ２Ｏ３、ＣｅＯ２、ＨｆＯ２、Ｉｎ２Ｏ３、Ｎｄ２Ｏ３、Ｎｂ２Ｏ５、Ｔａ２Ｏ５、ＳｎＯ２、ＴｉＯ、Ｔｉ２Ｏ３、ＴｉＯ２、ＺｎＯ、ＺｒＯ２、ＩＴＯ（Ｉｎ２Ｏ３＋ＳｎＯ２）、ＯＨ−５（ＺｒＯ２＋ＴｉＯ２）、Ｔｉ４Ｏ７、Ｔｉ３Ｏ５、ＺｎＳ、Ｇｅ、Ｓｉ、ＨｆＯ２、Ｔａ２Ｏ５、ＣｄＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、Ｓｂ２Ｓ３、ＩｎＳｂ、ＩｎＡｓ、ＰｂＴｅ等が挙げられる。特に、ＴｉＯ２形成に用いられる錫化合物としては、有機チタン化合物、チタン水素化合物、ハロゲン化チタン等があり、有機チタン化合物としては、例えば、トリエトキシチタン、トリメトキシチタン、トリイソプロポキシチタン、トリブトキシチタン、テトラエトキシチタン、テトライソプロポキシチタン、メチルジメトキシチタン、エチルトリエトキシチタン、メチルトリイソプロポキシチタン、トリエチルチタン、トリイソプロピルチタン、トリブチルチタン、テトラエチルチタン、テトライソプロピルチタン、テトラブチルチタン、テトラジメチルアミノチタン、ジメチルチタンジ（２，４−ペンタンジオナート）、エチルチタントリ（２，４−ペンタンジオナート）、チタントリス（２，４−ペンタンジオナート）、チタントリス（アセトメチルアセタート）、トリアセトキシチタン、ジプロポキシプロピオニルオキシチタン等、ジブチリロキシチタン、チタン水素化合物としてはモノチタン水素化合物、ジチタン水素化合物等、ハロゲン化チタンとしては、トリクロロチタン、テトラクロロチタン等を挙げることができ、何れも本発明において好ましく用いることができる。またこれらの機能体形成ガスを２種以上を同時に混合して使用することができる。
【０１２０】
本発明に有用な低屈折率層機能部は、ＳｉＯ２、ＡｌＦ３、ＢａＦ２、ＣａＦ２、Ｎａ５Ａｌ３Ｆ１４、Ｎａ３ＡｌＦ６、ＬａＦ３、ＬｉＦ、ＭｇＦ２、ＮｄＦ３、ＳｍＦ３、ＮａＦ、ＳｒＦ２、ＹＦ３、ＴｈＦ４、ＨｆＦ４等が挙げられる。特に、ＳｉＯ２形成に用いられる珪素化合物としては、有機珪素化合物、珪素水素化合物、ハロゲン化珪素化合物等を挙げることができ、有機珪素化合物としては、例えば、テトラエチルシラン、テトラメチルシラン、テトライソプロピルシラン、テトラブチルシラン、テトラエトキシシラン、テトライソプロポキシシラン、テトラブトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、ジエチルジエトキシシラン、ジエチルシランジ（２，４−ペンタンジオナート）、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、エチルトリエトキシシラン等、珪素水素化合物としては、テトラ水素化シラン、ヘキサ水素化ジシラン等、ハロゲン化珪素化合物としては、テトラクロロシラン、メチルトリクロロシラン、ジエチルジクロロシラン等を挙げることができ、何れも本発明において好ましく用いることができる。また、前記フッ素化合物を使用することができる。これらの機能体形成ガスを２種以上を同時に混合して使用することができる。また、屈折率の微調整にこれら錫化合物、チタン化合物、珪素化合物を適宜２種以上同時に混合して使用してもよい。
【０１２１】
上記の有機錫化合物、有機チタン化合物または有機珪素化合物は、取り扱い上の観点から金属水素化合物、アルコキシ金属が好ましく、腐食性、有害ガスの発生がなく、工程上の汚れ等も少ないことから、アルコキシ金属が好ましく用いられる。また、上記の有機錫化合物、有機チタン化合物または有機珪素化合物を放電空間である電極間に導入するには、両者は常温常圧で、気体、液体、固体何れの状態であっても構わない。気体の場合は、そのまま放電空間に導入できるが、液体、固体の場合は、加熱、減圧、超音波照射等の手段により気化させて使用される。有機錫化合物、有機チタン化合物または有機珪素化合物を加熱により気化して用いる場合、テトラエトキシ金属、テトライソプロポキシ金属等の常温で液体で、沸点が２００℃以下である金属アルコキシドが反射防止膜の形成に好適に用いられる。上記アルコキシ金属は、溶媒によって希釈して使用されてもよく、この場合、希ガス中へ気化器等により気化して混合ガスに使用すればよい。溶媒としては、メタノール、エタノール、イソプロパノール、ブタノール、ｎ−ヘキサン等の有機溶媒及びこれらの混合溶媒が使用できる。
【０１２２】
機能体形成ガスについて、放電プラズマ処理により基材上に均一な機能体を形成する観点から、混合ガス中の含有率は、０．０１〜１０体積％有することが好ましいが、更に好ましくは、０．０１〜１体積％である。
【０１２３】
なお、中屈折率層については、上記珪素化合物、上記チタン化合物または上記錫化合物を、目標とする屈折率に合わせて適宜混合することによっても得ることができる。
【０１２４】
なお、各屈折率層の好ましい屈折率と膜厚は、例えば、帯電防止機能を有する中屈折率層の酸化錫層では屈折率として１．６０〜２．１０、また膜厚として５０〜７０ｎｍ程度、高屈折率層の酸化チタン層では屈折率として２．００〜２．３５、また膜厚として８０〜１２０ｎｍ程度、低屈折率層の酸化珪素層では屈折率として１．４０〜１．５０、また膜厚として８０〜１２０ｎｍ程度である。
【０１２５】
次に本発明に係る高機能膜の他の例として透明導電膜を有する機能体の形成について説明する。
【０１２６】
前述の反射防止層を形成する際に使用する有機金属化合物の金属成分がインジウム等の透明性と導電性を有する機能体を形成すると言う点が若干異なるが、有機基についてはほぼ同じような成分が用いられる。
【０１２７】
透明導電膜を形成する好ましい有機金属化合物の金属は、インジウム（Ｉｎ）、亜鉛（Ｚｎ）及び錫（Ｓｎ）から選ばれる少なくとも１種の金属である。
【０１２８】
本発明において、好ましい有機金属化合物の好ましい例は、インジウムトリス（２，４−ペンタンジオナート）、インジウムトリス（ヘキサフルオロペンタンジオナート）、インジウムトリアセトアセタート、トリアセトキシインジウム、ジエトキシアセトキシインジウム、トリイソポロポキシインジウム、ジエトキシインジウム（１，１，１−トリフルオロペンタンジオナート）、トリス（２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオナート）インジウム、エトキシインジウムビス（アセトメチルアセタート）、ジ（ｎ）ブチル錫ビス（２，４−ペンタンジオナート）、ジ（ｎ）ブチルジアセトキシ錫、ジ（ｔ）ブチルジアセトキシ錫、テトライソプロポキシ錫、テトラ（ｉ）ブトキシ錫、ビス（２，４−ペンタンジオナート）亜鉛等を挙げることができる。これらの有機金属化合物は一般に市販（例えば、東京化成工業（株）等から）されている。
【０１２９】
本発明においては、上記分子内に少なくとも１つの酸素原子を有する有機金属化合物の他に、有機金属化合物から形成された透明導電膜の導電性を更に高めるために透明導電膜をドーピングすることが好ましく、機能体形成ガスとしての有機金属化合物とドーピング用有機金属化合物ガスを同時に混合して用いることが好ましい。ドーピングに用いられる有機金属化合物またはフッ素化合物の機能体形成ガスとしては、例えば、トリイソプロポキシアルミニウム、トリス（２，４−ペンタンジオナート）ニッケル、ビス（２，４−ペンタンジオナート）マンガン、イソプロポキシボロン、トリ（ｎ）ブトキシアンチモン、トリ（ｎ）ブチルアンチモン、ジ（ｎ）ブチルビス（２，４−ペンタンジオナート）錫、ジ（ｎ）ブチルジアセトキシ錫、ジ（ｔ）ブチルジアセトキシ錫、テトライソプロポキシ錫、テトラブトキシ錫、テトラブチル錫、亜鉛ジ（２，４−ペンタンジオナート）、六フッ化プロピレン、八フッ化シクロブタン、四フッ化メタン等を挙げることができる。
【０１３０】
前記透明導電膜を形成するに必要な有機金属化合物と上記ドーピング用の機能体形成ガスの比は、製膜する透明導電膜の種類により異なるが、例えば、酸化インジウムに錫をドーピングして得られるＩＴＯ膜においては、ＩｎとＳｎの比の原子数比が１００：０．１〜１００：１５の範囲になるように機能体形成ガス量を調整することが必要である。好ましくは、１００：０．５〜１００：１０になるよう調整することが好ましい。酸化錫にフッ素をドーピングして得られる透明導電膜（ＦＴＯ膜という）においては、得られたＦＴＯ膜のＳｎとＦの比の原子数比が１００：０．０１〜１００：５０の範囲になるよう機能体形成ガスの量比を調整することが好ましい。Ｉｎ２Ｏ３−ＺｎＯ系アモルファス透明導電膜においては、ＩｎとＺｎの比の原子数比が１００：５０〜１００：５の範囲になるよう機能体形成ガスの量比を調整することが好ましい。Ｉｎ：Ｓｎ比、Ｓｎ：Ｆ比及びＩｎ：Ｚｎ比の各原子数比はＸＰＳ測定によって求めることができる。
【０１３１】
本発明において、透明導電機能体形成ガスは、混合ガスに対し、０．０１〜１０体積％含有させることが好ましい。
【０１３２】
本発明において、得られる透明導電膜は、例えば、ＳｎＯ２、Ｉｎ２Ｏ３、ＺｎＯの酸化物膜、またはＳｂドープＳｎＯ２、ＦドープＳｎＯ２（ＦＴＯ）、ＡｌドープＺｎＯ、ＳｎドープＩｎ２Ｏ３（ＩＴＯ）等ドーパントによるドーピングした複合酸化物を挙げることができ、これらから選ばれる少なくとも一つを主成分とするアモルファス膜が好ましい。また、その他にカルコゲナイド、ＬａＢ６、ＴｉＮ、ＴｉＣ等の非酸化物膜、Ｐｔ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ等の金属膜、ＣｄＯ等の透明導電膜を挙げることができる。
【０１３３】
上記形成された酸化物または複合酸化物の透明導電膜の膜厚は、０．１〜１０００ｎｍの範囲が好ましい。
【０１３４】
本発明の帯電防止機能体において、金属酸化物層を基材上に直接形成させてもよいが、他の層を少なくとも１層設けた上に形成させてもよい。本発明において、他の層としては、防眩層やクリアハードコート層等を挙げることができ、これらの層が紫外線等活性線により硬化する活性線硬化樹脂層であることが好ましい。このような紫外線で硬化された樹脂層の上に本発明に係る金属酸化物層を形成させることによって耐擦り傷性に優れた帯電防止機能体を得ることができる。
【０１３５】
防眩層あるいはクリアハードコート層等の活性線硬化樹脂層は、エチレン性不飽和モノマーを含む成分を重合させて形成した樹脂層であることが好ましい。ここで、活性線硬化樹脂層とは、紫外線や電子線のような活性線照射により架橋反応等を経て硬化する樹脂を主たる成分とする層をいう。活性線硬化樹脂としては紫外線硬化性樹脂や電子線硬化性樹脂等が代表的なものとして挙げられるが、紫外線や電子線以外の活性線照射によって硬化する樹脂でもよい。紫外線硬化性樹脂としては、例えば、紫外線硬化型アクリルウレタン系樹脂、紫外線硬化型ポリエステルアクリレート系樹脂、紫外線硬化型エポキシアクリレート系樹脂、紫外線硬化型ポリオールアクリレート系樹脂、または紫外線硬化型エポキシ樹脂等を挙げることができる。
【０１３６】
紫外線硬化型アクリルウレタン系樹脂は、一般にポリエステルポリオールにイソシアネートモノマー、もしくはプレポリマーを反応させて得られた生成物に更に２−ヒドロキシエチルアクリレート、２−ヒドロキシエチルメタクリレート（以下アクリレートと記載した場合、メタクリレートを包含するものとする）、２−ヒドロキシプロピルアクリレート等の水酸基を有するアクリレート系のモノマーを反応させることによって容易に得ることができる（例えば、特開昭５９−１５１１１０号等を参照）。
【０１３７】
紫外線硬化型ポリエステルアクリレート系樹脂は、一般にポリエステルポリオールに２−ヒドロキシエチルアクリレート、２−ヒドロキシアクリレート系のモノマーを反応させることによって容易に得ることができる（例えば、特開昭５９−１５１１１２号を参照）。
【０１３８】
紫外線硬化型エポキシアクリレート系樹脂の具体例としては、エポキシアクリレートをオリゴマーとし、これに反応性希釈剤、光反応開始剤を添加し、反応させたものを挙げることができる（例えば、特開平１−１０５７３８号）。この光反応開始剤としては、ベンゾイン誘導体、オキシムケトン誘導体、ベンゾフェノン誘導体、チオキサントン誘導体等のうちから、１種もしくは２種以上を選択して使用することができる。
【０１３９】
また、紫外線硬化型ポリオールアクリレート系樹脂の具体例としては、トリメチロールプロパントリアクリレート、ジトリメチロールプロパンテトラアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、アルキル変性ジペンタエリスリトールペンタアクリレート等を挙げることができる。
【０１４０】
これらの樹脂は通常公知の光増感剤と共に使用される。また上記光反応開始剤も光増感剤としても使用できる。具体的には、アセトフェノン、ベンゾフェノン、ヒドロキシベンゾフェノン、ミヒラーズケトン、α−アミロキシムエステル、チオキサントン等及びこれらの誘導体を挙げることができる。また、エポキシアクリレート系の光反応剤の使用の際、ｎ−ブチルアミン、トリエチルアミン、トリ−ｎ−ブチルホスフィン等の増感剤を用いることができる。塗布乾燥後に揮発する溶媒成分を除いた紫外線硬化性樹脂組成物に含まれる光反応開始剤また光増感剤は該組成物の通常１〜１０質量％添加することができ、２．５〜６質量％であることが好ましい。
【０１４１】
樹脂モノマーとしては、例えば、不飽和二重結合が一つのモノマーとして、メチルアクリレート、エチルアクリレート、ブチルアクリレート、酢酸ビニル、ベンジルアクリレート、シクロヘキシルアクリレート、スチレン等の一般的なモノマーを挙げることができる。また不飽和二重結合を二つ以上持つモノマーとして、エチレングリコールジアクリレート、プロピレングリコールジアクリレート、ジビニルベンゼン、１，４−シクロヘキサンジアクリレート、１，４−シクロヘキシルジメチルアジアクリレート、前出のトリメチロールプロパントリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリルエステル等を挙げることができる。
【０１４２】
例えば、紫外線硬化樹脂としては、アデカオプトマーＫＲ・ＢＹシリーズ：ＫＲ−４００、ＫＲ−４１０、ＫＲ−５５０、ＫＲ−５６６、ＫＲ−５６７、ＢＹ−３２０Ｂ（以上、旭電化工業株式会社製）、あるいはコーエイハードＡ−１０１−ＫＫ、Ａ−１０１−ＷＳ、Ｃ−３０２、Ｃ−４０１−Ｎ、Ｃ−５０１、Ｍ−１０１、Ｍ−１０２、Ｔ−１０２、Ｄ−１０２、ＮＳ−１０１、ＦＴ−１０２Ｑ８、ＭＡＧ−１−Ｐ２０、ＡＧ−１０６、Ｍ−１０１−Ｃ（以上、広栄化学工業株式会社製）、あるいはセイカビームＰＨＣ２２１０（Ｓ）、ＰＨＣ　Ｘ−９（Ｋ−３）、ＰＨＣ２２１３、ＤＰ−１０、ＤＰ−２０、ＤＰ−３０、Ｐ１０００、Ｐ１１００、Ｐ１２００、Ｐ１３００、Ｐ１４００、Ｐ１５００、Ｐ１６００、ＳＣＲ９００（以上、大日精化工業株式会社製）、あるいはＫＲＭ７０３３、ＫＲＭ７０３９、ＫＲＭ７１３０、ＫＲＭ７１３１、ＵＶＥＣＲＹＬ２９２０１、ＵＶＥＣＲＹＬ２９２０２（以上、ダイセル・ユーシービー株式会社）、あるいはＲＣ−５０１５、ＲＣ−５０１６、ＲＣ−５０２０、ＲＣ−５０３１、ＲＣ−５１００、ＲＣ−５１０２、ＲＣ−５１２０、ＲＣ−５１２２、ＲＣ−５１５２、ＲＣ−５１７１、ＲＣ−５１８０、ＲＣ−５１８１（以上、大日本インキ化学工業株式会社製）、あるいはオーレックスＮｏ．３４０クリヤ（中国塗料株式会社製）、あるいはサンラッドＨ−６０１（三洋化成工業株式会社製）、あるいはＳＰ−１５０９、ＳＰ−１５０７（昭和高分子株式会社製）、あるいはＲＣＣ−１５Ｃ（グレース・ジャパン株式会社製）、アロニックスＭ−６１００、Ｍ−８０３０、Ｍ−８０６０（以上、東亞合成株式会社製）あるいはこの他の市販のものから適宜選択して利用できる。
【０１４３】
本発明に用いられる活性線硬化樹脂層は公知の方法で塗設することができる。
活性線硬化性樹脂を光硬化反応により硬化皮膜層を形成するための光源としては、紫外線を発生する光源であれば何れでも使用できる。例えば、低圧水銀灯、中圧水銀灯、高圧水銀灯、超高圧水銀灯、カーボンアーク灯、メタルハライドランプ、キセノンランプ等を用いることができる。照射条件はそれぞれのランプによって異なるが、照射光量は２０〜１００００ｍＪ／ｃｍ２程度あればよく、好ましくは、５０〜２０００ｍＪ／ｃｍ２である。近紫外線領域〜可視光線領域にかけてはその領域に吸収極大のある増感剤を用いることによって使用できる。
【０１４４】
活性線硬化樹脂層を塗設する際の溶媒としては、例えば、炭化水素類、アルコール類、ケトン類、エステル類、グリコールエーテル類、その他の溶媒の中から適宜選択し、あるいはこれらを混合し利用できる。好ましくは、プロピレングリコールモノ（炭素数１〜４のアルキル基）アルキルエーテルまたはプロピレングリコールモノ（炭素数１〜４のアルキル基）アルキルエーテルエステルを５質量％以上、さらに好ましくは５〜８０質量％以上含有する溶媒が用いられる。
【０１４５】
紫外線硬化性樹脂組成物塗布液の塗布方法としては、グラビアコーター、スピナーコーター、ワイヤーバーコーター、ロールコーター、リバースコーター、押し出しコーター、エアードクターコーター等公知の方法を用いることができる。塗布量はウェット膜厚で０．１〜３０μｍが適当で、好ましくは、０．５〜１５μｍである。塗布速度は好ましくは１０〜６０ｍ／分で行われる。
【０１４６】
紫外線硬化性樹脂組成物は塗布乾燥された後、紫外線を光源より照射するが、照射時間は０．５秒〜５分がよく、紫外線硬化性樹脂の硬化効率、作業効率とから３秒〜２分がより好ましい。
【０１４７】
こうして得た硬化皮膜層に、ブロッキングを防止するため、また耐擦り傷性等を高めるために無機あるいは有機の微粒子を加えることが好ましい。例えば、無機微粒子としては酸化ケイ素、酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化錫、酸化亜鉛、炭酸カルシウム、硫酸バリウム、タルク、カオリン、硫酸カルシウム等を挙げることができ、また有機微粒子としては、ポリメタアクリル酸メチルアクリレート樹脂粉末、アクリルスチレン系樹脂粉末、ポリメチルメタクリレート樹脂粉末、シリコン系樹脂粉末、ポリスチレン系樹脂粉末、ポリカーボネート樹脂粉末、ベンゾグアナミン系樹脂粉末、メラミン系樹脂粉末、ポリオレフィン系樹脂粉末、ポリエステル系樹脂粉末、ポリアミド系樹脂粉末、ポリイミド系樹脂粉末、あるいはポリ弗化エチレン系樹脂粉末等を挙げることができ、紫外線硬化性樹脂組成物に加えることができる。これらの微粒子粉末の平均粒径としては、０．００５〜１μｍが好ましく０．０１〜０．１μｍであることが特に好ましい。
【０１４８】
紫外線硬化樹脂組成物と微粒子粉末との割合は、樹脂組成物１００質量部に対して、０．１〜１０質量部となるように配合することが望ましい。
【０１４９】
このようにして形成された紫外線硬化樹脂を硬化させた層は中心線平均粗さＲａが０．１〜０．５μｍであることが好ましい。硬化させた層がクリアハードコート層の場合は１〜５０ｎｍ、防眩層の場合は０．１〜０．５μｍが好ましい。本発明では、これらの層の上にプラズマ放電処理で金属酸化物層を形成することができる。特に本発明の方法によれば、表面の凹凸のある基材フィルム上に均一な低屈折率層あるいは中屈折率層、高屈折率層等の光学干渉層を設けることができる。特に、ＪＩＳ　Ｂ　０６０１で規定される中心線平均粗さ（Ｒａ）が０．１〜０．５μｍの防眩層上に均一にプラズマ処理できるために好ましい。
【０１５０】
本発明においては、上記のような基材上に本発明に係わる機能層を設ける場合、平均膜厚に対する膜厚偏差を±１０％になるように設けることが好ましく、更に好ましくは±５％以内であり、特に好ましくは±１％以内になるように設けることが好ましい。
【０１５１】
本発明に用いられる基材について説明する。
本発明に用いられる基材としては、板状、シート状またはロール状の平面形状のもの、あるいはレンズその他成形物等の立体形状のもの等の機能体をその表面に形成できるものであれば特に限定はないが、シート状またはロール状のフィルムが好ましい。基材が静置状態でも移送状態でもプラズマ状態の混合ガスに晒され、均一の機能体が形成されるものであれば基材の形態または材質には制限ない。形態的には平面形状、立体形状でもよく、平面形状のものとしては、ガラス板、樹脂フィルム等を挙げることができる。材質的には、ガラス、樹脂、陶器、金属、非金属等さまざまのものを使用できる。具体的には、ガラスとしては、ガラス板やレンズ等、樹脂としては、樹脂レンズ、樹脂フィルム、樹脂シート、樹脂板等を挙げることができる。
【０１５２】
樹脂フィルムは本発明に用いられる大気圧プラズマ放電処理装置の電極間または電極の近傍を連続的に移送させて透明導電膜を形成することができるので、スパッタリングのような真空系のようなバッチ式でない、大量生産に向き、連続的な生産性の高い生産方式として好適である。
【０１５３】
樹脂フィルム、樹脂シート、樹脂レンズ、樹脂成形物等成形物の材質としては、セルローストリアセテート、セルロースジアセテート、セルロースアセテートプロピオネートまたはセルロースアセテートブチレートのようなセルロースエステル、ポリエチレンテレフタレートやポリエチレンナフタレートのようなポリエステル、ポリエチレンやポリプロピレンのようなポリオレフィン、ポリ塩化ビニリデン、ポリ塩化ビニル、ポリビニルアルコール、エチレンビニルアルコールコポリマー、シンジオタクティックポリスチレン、ポリカーボネート、ノルボルネン樹脂、ポリメチルペンテン、ポリエーテルケトン、ポリイミド、ポリエーテルスルフォン、ポリスルフォン、ポリエーテルイミド、ポリアミド、フッ素樹脂、ポリメチルアクリレート、アクリレートコポリマー等を挙げることができる。
【０１５４】
これらの素材は単独であるいは適宜混合されて使用することもできる。中でもゼオネックスやゼオノア（日本ゼオン（株）製）、非晶質シクロポリオレフィン樹脂フィルムのＡＲＴＯＮ（日本合成ゴム（株）製）、ポリカーボネートフィルムのピュアエース（帝人（株）製）、セルローストリアセテートフィルムのコニカタックＫＣ４ＵＸ、ＫＣ８ＵＸ（コニカ（株）製）等の市販品を好ましく使用することができる。更に、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリスルフォン及びポリエーテルスルフォン等の固有複屈折率の大きい素材であっても、溶液流延製膜、溶融押し出し製膜等の条件、更には縦、横方向に延伸条件等を適宜設定することにより使用することができるものを得ることができる。
【０１５５】
これらのうち本発明においては、光学的に等方性に近いセルロースエステルフィルムが好ましく用いられる。セルロースエステルフィルムとしては、上記のようにセルローストリアセテートフィルム、セルロースアセテートプロピオネートが好ましく用いられるものの一つである。セルローストリアセテートフィルムとしては市販品のコニカタックＫＣ４ＵＸ等が有用である。
【０１５６】
本発明に好ましく用いられるセルロースエステルの原料のセルロースとしては、特に限定はないが、綿花リンター、木材パルプ、ケナフ等を挙げることができる。またそれらから得られたセルロースエステルはそれぞれを単独であるいは任意の割合で混合使用することができるが、綿花リンターを５０質量％以上使用することが好ましい。
【０１５７】
本発明に係わるセルロースエステルは、セルロース原料のアシル化剤が酸無水物（無水酢酸、無水プロピオン酸、無水酪酸）である場合には、酢酸のような有機酸やメチレンクロライド等の有機溶媒を用い、硫酸のようなプロトン性触媒を用いて反応が行われる。アシル化剤が酸クロライド（ＣＨ３ＣＯＣｌ、Ｃ２Ｈ５ＣＯＣｌ、Ｃ３Ｈ７ＣＯＣｌ）の場合には、触媒としてアミンのような塩基性化合物を用いて反応が行われる。具体的には特開平１０−４５８０４号に記載の方法で合成することができる。セルロースエステルはアシル基がセルロース分子の水酸基に反応する。セルロース分子はグルコースユニットが多数連結したものからなっており、グルコースユニットに３個の水酸基がある。この３個の水酸基にアシル基が誘導された数を置換度という。例えば、セルローストリアセテートはグルコースユニットの３個の水酸基全てにアセチル基が結合している。
【０１５８】
本発明のセルロースエステルフィルムに用いることができるセルロースエステルには特に限定はないが、総アシル基の置換度が２．４０から２．９８で、アシル基のうちアセチル基の置換度が１．４以上が好ましく用いられる。
【０１５９】
アシル基の置換度の測定方法はＡＳＴＭ−Ｄ８１７−９６に準じて測定することができる。
【０１６０】
本発明に係わるセルロースエステルは、セルローストリアセテートやセルロースジアセテート等のセルロースアセテート、セルロースアセテートプロピオネート、セルロースアセテートブチレート、またはセルロースアセテートプロピオネートブチレートのようなアセチル基の他にプロピオネート基あるいはブチレート基が結合したセルロースエステルであることが好ましい。なお、ブチレートは、ｎ−の他にｉｓｏ−も含む。プロピオネート基の置換度が大きいセルロースアセテートプロピオネートは耐水性が優れる。
【０１６１】
本発明のセルロースエステルの数平均分子量Ｍｎ（測定法は下記）は、７０，０００〜２５０，０００の範囲が、得られるフィルムの機械的強度が強く、且つ適度のドープ粘度となり好ましい。更に８０，０００〜１５０，０００が好ましい。また、重量平均分子量Ｍｗとの比ＭＷ／Ｍｎは１．０〜５．０のセルロースエステルが好ましく使用され、更に好ましくは１．５〜４．５である。
【０１６２】
《セルロースエステルの数平均分子量の測定》
高速液体クロマトグラフィーにより下記条件で測定する。
【０１６３】
溶媒　　　：アセトン
カラム　　：ＭＰＷ×１（東ソー（株）製）
試料濃度　：０．２（質量／体積）％
流量　　　：１．０ｍｌ／分
試料注入量：３００μＬ
標準試料　：ポリメチルメタクリレート（重量平均分子量１８８，２００）
温度　　　：２３℃
また、セルロースエステルを製造中に使用する、または使用材料に微量ながら混在しているセルロースエステル中の金属はできるだけ少ない方が好ましく、Ｃａ、Ｍｇ、Ｆｅ、Ｎａ等の金属の総含有量は１００ｐｐｍ以下が好ましい。
【０１６４】
〔有機溶媒〕
セルロースエステルを溶解しセルロースエステル溶液またはドープ形成に有用な有機溶媒として、塩素系有機溶媒のメチレンクロライド（塩化メチレン）を挙げることができ、セルロースエステル、特にセルローストリアセテートの溶解に適している。非塩素系有機溶媒としては、例えば、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸アミル、アセトン、テトラヒドロフラン、１，３−ジオキソラン、１，４−ジオキサン、シクロヘキサノン、ギ酸エチル、２，２，２−トリフルオロエタノール、２，２，３，３−ヘキサフルオロ−１−プロパノール、１，３−ジフルオロ−２−プロパノール、１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロ−２−メチル−２−プロパノール、１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロ−２−プロパノール、２，２，３，３，３−ペンタフルオロ−１−プロパノール、ニトロエタン等を挙げることができる。これらの有機溶媒をセルローストリアセテートに対して使用する場合には、常温での溶解方法も使用可能であるが、高温溶解方法、冷却溶解方法、高圧溶解方法等の溶解方法を用いることにより不溶解物を少なくすることができるので好ましい。セルローストリアセテート以外のセルロースエステルに対しては、メチレンクロライドを用いることもできるが、メチレンクロライドを使用せずに、酢酸メチル、酢酸エチル、アセトンを好ましく使用することができる。特に酢酸メチルが好ましい。本発明において、上記セルロースエステルに対して良好な溶解性を有する有機溶媒を良溶媒といい、また溶解に主たる効果を示し、その中で大量に使用する有機溶媒を主（有機）溶媒または主たる（有機）溶媒という。
【０１６５】
本発明に係るドープには、上記有機溶媒の他に、１〜４０質量％の炭素原子数１〜４のアルコールを含有させることが好ましい。これらはドープを金属支持体に流延後溶媒が蒸発をし始めアルコールの比率が多くなるとウェブがゲル化し、ウェブを丈夫にし金属支持体から剥離することを容易にするゲル化溶媒として用いられたり、これらの割合が少ない時は非塩素系有機溶媒のセルロースエステルの溶解を促進する役割もある。炭素原子数１〜４のアルコールとしては、メタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、ｉｓｏ−プロパノール、ｎ−ブタノール、ｓｅｃ−ブタノール、ｔｅｒｔ−ブタノールを挙げることができる。これらのうちドープの安定性に優れ、沸点も比較的低く、乾燥性も良く、且つ毒性がないこと等からエタノールが好ましい。これらの有機溶媒は単独ではセルロースエステルに対して溶解性を有していないので、貧溶媒という。
【０１６６】
本発明において、反射防止膜を有する基材フィルムとして上記セルロースエステルフィルムを用いる場合、このセルロースエステルフィルムには可塑剤、紫外線吸収剤、酸化防止剤、微粒子（マット剤）等を含有するのが好ましい。
【０１６７】
可塑剤としては特に限定はないが、リン酸エステル系可塑剤、フタル酸エステル系可塑剤、トリメリット酸エステル系可塑剤、ピロメリット酸系可塑剤、グリコレート系可塑剤、クエン酸エステル系可塑剤、ポリエステル系可塑剤等を好ましく用いることができる。リン酸エステル系では、トリフェニルホスフェート、トリクレジルホスフェート、クレジルジフェニルホスフェート、オクチルジフェニルホスフェート、ジフェニルビフェニルホスフェート、トリオクチルホスフェート、トリブチルホスフェート等、フタル酸エステル系では、ジエチルフタレート、ジメトキシエチルフタレート、ジメチルフタレート、ジオクチルフタレート、ジブチルフタレート、ジ−２−エチルヘキシルフタレート、ジシクロヘキシルフタレート、ブチルベンジルフタレート等、トリメリット酸系可塑剤として、トリブチルトリメリテート、トリフェニルトリメリテート、トリエチルトリメリテート等、ピロメリット酸エステル系可塑剤として、テトラブチルピロメリテート、テトラフェニルピロメリテート、テトラエチルピロメリテート等、グリコール酸エステル系では、トリアセチン、トリブチリン、エチルフタリルエチルグリコレート、メチルフタリルエチルグリコレート、ブチルフタリルブチルグリコレート等、クエン酸エステル系可塑剤として、トリエチルシトレート、トリ−ｎ−ブチルシトレート、アセチルトリエチルシトレート、アセチルトリ−ｎ−ブチルシトレート、アセチルトリ−ｎ−（２−エチルヘキシル）シトレート、フタル酸ジシクロヘキシル等を好ましく用いることができる。
【０１６８】
その他のカルボン酸エステルの例には、オレイン酸ブチル、リシノール酸メチルアセチル、セバシン酸ジブチル、種々のトリメリット酸エステルが含まれる。
【０１６９】
ポリエステル系可塑剤として脂肪族二塩基酸、脂環式二塩基酸、芳香族二塩基酸等の二塩基酸とグリコールの共重合体を用いることができる。脂肪族二塩基酸としては特に限定されないが、アジピン酸、セバシン酸、フタル酸、テレフタル酸、１，４−シクロヘキシルジカルボン酸等を用いることができる。グリコールとしては、エチレングリコール、ジエチレングリコール、１，３−プロピレングリコール、１，２−プロピレングリコール、１，４−ブチレングリコール、１，３−ブチレングリコール、１，２−ブチレングリコール等を用いることができる。これらの二塩基酸及びグリコールはそれぞれ単独で用いても良いし、二種以上混合して用いても良い。
【０１７０】
これらの可塑剤の使用量は、フィルム性能、加工性等の点で、セルロースエステルに対して１〜２０質量％であることが好ましい。
【０１７１】
本発明において、基材フィルムには、紫外線吸収剤が好ましく用いられる。
紫外線吸収剤としては、波長３７０ｎｍ以下の紫外線の吸収能に優れ、かつ良好な液晶表示性の観点から、波長４００ｎｍ以上の可視光の吸収が少ないものが好ましく用いられる。好ましく用いられる紫外線吸収剤の具体例としては、例えばオキシベンゾフェノン系化合物、ベンゾトリアゾール系化合物、サリチル酸エステル系化合物、ベンゾフェノン系化合物、トリアジン系化合物、シアノアクリレート系化合物、ニッケル錯塩系化合物等が挙げられるが、これらに限定されない。また、特開平６−１４８４３０号記載の高分子紫外線吸収剤も好ましく用いられる。
【０１７２】
本発明に有用な紫外線吸収剤の具体例として、
２−（２′−ヒドロキシ−５′−メチル−フェニル）ベンゾトリアゾール、２−（２′−ヒドロキシ−３′，５′−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−フェニル）ベンゾトリアゾール、２−（２′−ヒドロキシ−３′−ｔｅｒｔ−ブチル−５′−メチル−フェニル）ベンゾトリアゾール、２−（２′−ヒドロキシ−３′，５′−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−フェニル）−５−クロロベンゾトリアゾール、２−（２′−ヒドロキシ−３′−（３″，４″，５″，６″−テトラヒドロフタルイミドメチル）−５′−メチル−フェニル）ベンゾトリアゾール、２，２−メチレンビス（４−（１，１，３，３−テトラメチルブチル）−６−（２Ｈ−ベンゾトリアゾール−２−イル）フェノール）、２−（２′−ヒドロキシ−３′−ｔｅｒｔ−ブチル−５′−メチルフェニル）−５−クロロベンゾトリアゾール、２−（２Ｈ−ベンゾトリアゾール−２−イル）−６−（直鎖及び側鎖ドデシル）−４−メチル−フェノール《チヌビン（ＴＩＮＵＶＩＮ）１７１》、２−オクチル−３−〔３−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−５−（クロロ−２Ｈ−ベンゾトリアゾール−２−イル）フェニル〕プロピオネートと２−エチルヘキシル−３−〔３−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−５−（５−クロロ−２Ｈ−ベンゾトリアゾール−２−イル）フェニル〕プロピオネートの混合物《チヌビン（ＴＩＮＵＶＩＮ）１０９》、２−（２Ｈ−ベンゾトリアゾール−２イル）−４，６−ビス（１−メチル−１−フェニルエチル）フェノール《チヌビン２３４》等を挙げることができるが、これらに限定されない。また、上記のチヌビン１０９、チヌビン１７１、チヌビン３２６等チヌビンは何れもチバ・スペシャリティ・ケミカルズ社製の市販品で、好ましく使用できる。ベンゾフェノン系化合物の具体例として、２，４−ジヒドロキシベンゾフェノン、２，２′−ジヒドロキシ−４−メトキシベンゾフェノン、２−ヒドロキシ−４−メトキシ−５−スルホベンゾフェノン、ビス（２−メトキシ−４−ヒドロキシ−５−ベンゾイルフェニルメタン）等を挙げることができるが、これらに限定されない。
【０１７３】
また、本発明の支持体に用いることのできる紫外線吸収剤は特願平１１−２９５２０９号に記載されている分配係数が９．２以上の紫外線吸収剤を含むことが、プラズマ処理工程の汚染が少なく、また、各種塗布層の塗布性にも優れる為好ましく、特に分配係数が１０．１以上の紫外線吸収剤を用いることが好ましい。
【０１７４】
可塑剤や紫外線吸収剤を含むセルロースエステルフィルムを基材として用いた場合、これらがブリードアウトする等によって、プラズマ処理部に付着する等して工程を汚染し、これがフィルムに付着する可能性が考えられる。この問題を解決するためには、支持体がセルロースエステルと可塑剤を有し、８０℃、９０％ＲＨで４８時間処理した前後の質量変化が±２質量％未満である支持体を用いることが好ましい（保留性）。このようなセルロースエステルフィルムは特願２０００−３３８８８３記載のセルロースエステルフィルム等が好ましく用いられる。また、この目的のために特開平６−１４８４３０号公報及び特願２０００−１５６０３９記載の高分子紫外線吸収剤（または紫外線吸収性ポリマー）が好ましく用いることができる。高分子紫外線吸収剤としては、ＰＵＶＡ−３０Ｍ（大塚化学（株）製）等が市販されている。特開平６−１４８４３０号の一般式（１）あるいは一般式（２）あるいは特願２０００−１５６０３９の一般式（３）（６）（７）記載の高分子紫外線吸収剤が特に好ましく用いられる。
【０１７５】
また、酸化防止剤としては、ヒンダードフェノール系の化合物が好ましく用いられ、例えば、２，６−ジ−ｔ−ブチル−ｐ−クレゾール、ペンタエリスリチル−テトラキス〔３−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート〕、トリエチレングリコール−ビス〔３−（３−ｔ−ブチル−５−メチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート〕、１，６−ヘキサンジオール−ビス〔３−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート〕、２，４−ビス−（ｎ−オクチルチオ）−６−（４−ヒドロキシ−３，５−ジ−ｔ−ブチルアニリノ）−１，３，５−トリアジン、２，２−チオ−ジエチレンビス〔３−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート〕、オクタデシル−３−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート、Ｎ，Ｎ′−ヘキサメチレンビス（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−ヒドロシンナマミド）、１，３，５−トリメチル−２，４，６−トリス（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンジル）ベンゼン、トリス−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンジル）−イソシアヌレイト等を挙げることができる。特に２，６−ジ−ｔ−ブチル−ｐ−クレゾール、ペンタエリスリチル−テトラキス〔３−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート〕、トリエチレングリコール−ビス〔３−（３−ｔ−ブチル−５−メチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート〕が好ましい。また例えば、Ｎ，Ｎ′−ビス〔３−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオニル〕ヒドラジン等のヒドラジン系の金属不活性剤やトリス（２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニル）フォスファイト等のリン系加工安定剤を併用してもよい。これらの化合物の添加量は、セルロースエステルに対して質量割合で１ｐｐｍ〜１．０％が好ましく、１０〜１０００ｐｐｍが更に好ましい。この酸化防止剤は劣化防止剤ともいわれ、高湿高温の状態に液晶画像表示装置等がおかれた場合、セルロースエステルフィルムの劣化が起こる場合があり、例えば、セルロースエステルフィルム中の残留溶媒量のハロゲンやリン酸系可塑剤のリン酸等によりセルロースエステルフィルムが分解を遅らせたり、防いだりする役割を有するので前記セルロースエステルフィルム中に含有させるのが好ましい。
【０１７６】
セルロースエステルフィルム中に添加される微粒子としては、無機化合物の例として、二酸化珪素、二酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、炭酸カルシウム、炭酸カルシウム、タルク、クレイ、焼成カオリン、焼成珪酸カルシウム、水和ケイ酸カルシウム、ケイ酸アルミニウム、ケイ酸マグネシウム及びリン酸カルシウムを挙げることができる。中でもケイ素を含むものが濁度が低くなる点、また、フィルムのヘイズを小さくできるので好ましく、特に二酸化珪素が好ましい。二酸化珪素のような微粒子は有機物により表面処理されている場合が多いが、このようなものはフィルムのヘイズを低下できるため好ましい。表面処理で好ましい有機物としては、ハロシラン類、アルコキシシラン類、シラザン、シロキサン等を挙げることができる。二酸化珪素の微粒子は、１次平均粒子径が２０ｎｍ以下であり、かつ見かけ比重が７０ｇ／Ｌ以上であるものが好ましい。１次粒子の平均径が５〜１６ｎｍがより好ましく、５〜１２ｎｍが更に好ましい。１次粒子の平均径が小さい方がヘイズが低く好ましい。見かけ比重は９０〜２００ｇ／Ｌ以上が好ましく、１００〜２００ｇ／Ｌ以上がより好ましい。見かけ比重が大きい程、高濃度の微粒子分散液を作ることが可能になり、ヘイズ、凝集物が発生せず好ましい。本発明において、リットルをＬで表すこととする。
【０１７７】
本発明における微粒子の添加量は、セルロースエステルフィルム１ｍ２当たり０．０１〜１．０ｇが好ましく、０．０３〜０．３ｇがより好ましく、０．０８〜０．１６ｇが更に好ましい。
【０１７８】
本発明に好ましい二酸化珪素の微粒子としては、例えば、日本アエロジル（株）製のアエロジルＲ９７２、Ｒ９７２Ｖ、Ｒ９７４、Ｒ８１２、２００、２００Ｖ、３００、Ｒ２０２、ＯＸ５０、ＴＴ６００（以上日本アエロジル（株）製）の商品名で市販されているものを挙げることができ、アエロジル２００Ｖ、Ｒ９７２、Ｒ９７２Ｖ、Ｒ９７４、Ｒ２０２、Ｒ８１２を好ましく用いることができる。酸化ジルコニウムの微粒子としては、例えば、アエロジルＲ９７６及びＲ８１１（以上日本アエロジル（株）製）の商品名で市販されており、何れも使用することができる。これらの中でアエロジル２００Ｖ、アエロジルＲ９７２Ｖ、アエロジルＴＴ６００が本発明のセルロースエステルフィルムの濁度を低くし、且つ摩擦係数を下げる効果が大きいため特に好ましい。
【０１７９】
ポリマーの微粒子の例として、シリコーン樹脂、弗素樹脂及びアクリル樹脂を挙げることができる。これらのうちシリコーン樹脂が好ましく、特に三次元の網状構造を有するものが好ましく、例えば、トスパール１０３、同１０５、同１０８、同１２０、同１４５、同３１２０及び同２４０（東芝シリコーン（株）製）を挙げることができる。
【０１８０】
二酸化珪素微粒子は、例えば、気化させた四塩化珪素と水素を混合させたものを１０００〜１２００℃にて空気中で燃焼させることで得ることができる。本発明において、１次粒子の平均径が２０ｎｍ以下、見掛比重が７０ｇ／Ｌ以上の微粒子が好ましく、より好ましくは、９０〜２００ｇ／Ｌであり、更に好ましくは、１００〜２００ｇ／Ｌである。見掛比重が大きい程、高濃度の分散液を作ることが可能になり、ヘイズ、凝集物が良化するため好ましい。
【０１８１】
微粒子の１次平均粒子径の測定は、透過型電子顕微鏡（倍率５０万〜２００万倍）で粒子を観察を行い、粒子１００個を観察し、その平均値をもって、１次平均粒子径とした。
【０１８２】
本発明において、上記記載の見掛比重は二酸化珪素微粒子を一定量メスシリンダーに採り、この時の重さを測定し、下記式で算出した。
【０１８３】
見掛比重（ｇ／Ｌ）＝二酸化珪素質量（ｇ）／二酸化珪素の容積（Ｌ）
〔溶液流延製膜方法によるセルロースエステルフィルムの作製〕
本発明に係わる基材フィルムとしてのセルロースエステルフィルムの製膜方法について述べる。セルロースエステルフィルムは溶液流延製膜方法によ作製する。
【０１８４】
（１）溶解工程：セルロースエステル（フレーク状の）に対する良溶媒を主とする有機溶媒に溶解釜中で該セルロースエステル、ポリマーや添加剤を攪拌しながら溶解しドープを形成する工程、あるいはセルロースエステル溶液にポリマー溶液や添加剤溶液を混合してドープを形成する工程である。セルロースエステルの溶解には、常圧で行う方法、主溶媒の沸点以下で行う方法、主溶媒の沸点以上で加圧して行う方法、特開平９−９５５４４号、同９−９５５５７号または同９−９５５３８号公報に記載の如き冷却溶解法で行う方法、特開平１１−２１３７９号公報に記載の如き高圧で行う方法等種々の溶解方法を用いることができるが、本発明においては、特に主溶媒の沸点以上で加圧して行う方法が好ましい。ドープ中のセルロースエステルの濃度は１０〜３５質量％が好ましい。溶解中または後のドープに添加剤を加えて溶解及び分散した後、濾材で濾過し、脱泡して送液ポンプで次工程に送る。
【０１８５】
（２）流延工程：ドープを送液ポンプ（例えば、加圧型定量ギヤポンプ）を通して加圧ダイに送液し、無限に移送する無端の金属ベルト、例えばステンレスベルト、あるいは回転する金属ドラム等の金属支持体上の流延位置に、加圧ダイスリットからドープを流延する工程である。ダイの口金部分のスリット形状を調整でき、膜厚を均一にしやすい加圧ダイが好ましい。加圧ダイには、コートハンガーダイやＴダイ等があるが、何れも好ましく用いられる。金属支持体の表面は鏡面となっている。製膜速度を上げるために加圧ダイを金属支持体上に２基以上設け、ドープ量を分割して重層してもよい。
【０１８６】
（３）溶媒蒸発工程：ウェブ（金属支持体上にドープを流延した以降のドープ膜の呼び方をウェブとする）を金属支持体上で加熱し金属支持体からウェブが剥離可能になるまで溶媒を蒸発させる工程である。溶媒を蒸発させるには、ウェブ側から風を吹かせる方法及び／または金属支持体の裏面から液体により伝熱させる方法、輻射熱により表裏から伝熱する方法等があるが、裏面液体伝熱の方法が乾燥効率がよく好ましい。またそれらを組み合わせる方法も好ましい。裏面液体伝熱の場合は、ドープ使用有機溶媒の主溶媒または最も低い沸点を有する有機溶媒の沸点以下で加熱するのが好ましい。
【０１８７】
（４）剥離工程：金属支持体上で溶媒が蒸発したウェブを、剥離位置で剥離する工程である。剥離されたウェブは次工程に送られる。剥離する時点でのウェブの残留溶媒量（下記式）があまり大き過ぎると剥離し難かったり、逆に金属支持体上で充分に乾燥させてから剥離すると、途中でウェブの一部が剥がれたりする。
【０１８８】
製膜速度を上げる方法（残留溶媒量ができるだけ多いうちに剥離するため製膜速度を上げることができる）としてゲル流延法（ゲルキャスティング）がある。それは、ドープ中にセルロースエステルに対する貧溶媒を加えて、ドープ流延後、ゲル化する方法、金属支持体の温度を低めてゲル化する方法等がある。金属支持体上でゲル化させ剥離時の膜の強度を上げておくことによって、剥離を早め製膜速度を上げることができるのである。金属支持体上でのウェブの乾燥が条件の強弱、金属支持体の長さ等により５〜１５０質量％の範囲で剥離することができるが、残留溶媒量がより多い時点で剥離する場合、ウェブが柔らか過ぎると剥離時平面性を損なったり、剥離張力によるツレや縦スジが発生し易く、経済速度と品質との兼ね合いで剥離時の残留溶媒量を決められる。従って、本発明においては、該金属支持体上の剥離位置における温度を１０〜４０℃、好ましくは１５〜３０℃とし、且つ該剥離位置におけるウェブの残留溶媒量を１０〜１２０質量％とすることが好ましい。本発明においては、残留溶媒量は下記の式で表わすことができる。
【０１８９】
残留溶媒量（質量％）＝｛（Ｍ−Ｎ）／Ｎ｝×１００
ここで、Ｍはウェブの任意時点での質量、ＮはＭのものを１１０℃で３時間乾燥させた時の質量である。
【０１９０】
（５）乾燥及び延伸工程：剥離後、ウェブを乾燥装置内に複数配置したロールに交互に通して搬送する乾燥装置及び／またはクリップでウェブの両端をクリップして搬送するテンター装置を用いてウェブを乾燥する。前述のように本発明において、クリップ間の幅手方向に対して１．０２〜１．２０倍延伸する方法としてテンター装置を用いて延伸することが好ましい。乾燥の手段はウェブの両面に熱風を吹かせるのが一般的であるが、風の代わりにマイクロウェーブを当てて加熱する手段もある。あまり急激な乾燥はでき上がりのフィルムの平面性を損ねやすい。全体を通して、通常乾燥温度は４０〜２５０℃の範囲で行われる。使用する溶媒によって、乾燥温度、乾燥風量及び乾燥時間が異なり、使用溶媒の種類、組合せに応じて乾燥条件を適宜選べばよい。
【０１９１】
これらの樹脂の表面にゼラチン、ポリビニルアルコール、アクリル樹脂、ポリエステル樹脂、セルロースエステル樹脂等を塗設したものも使用できる。またこれら樹脂フィルムの機能体側に防眩層、クリアハードコート層、バリア層、防汚層等を設けてもよい。また、必要に応じて接着層、アルカリバリアコート層、ガスバリア層や耐溶剤性層等を設けてもよい。
【０１９２】
また、本発明に用いられる基材は、上記の記載に限定されない。フィルム形状のものの膜厚としては１０〜１０００μｍが好ましく、より好ましくは４０〜２００μｍである。
【０１９３】
【実施例】
以下、実施例により本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【０１９４】
実施例１
〔測定及び評価〕
（表面比抵抗）
試料を２３℃、５５％ＲＨの条件にて２４時間調湿し、川口電機株式会社製テラオームメーターモデルＶＥ−３０を用いて測定した。測定に用いた電極は、２本の電極（試料と接触する部分が１ｃｍ×５ｃｍ）を間隔を１ｃｍで平行に配置し、電極に試料を接触させて測定し、測定値を５倍にした値を表面比抵抗値Ω／ｃｍ２とした。
【０１９５】
（ゴミ付着性）
タバコの灰にフィルムのａ面側を１０秒間、高さ１ｃｍまで近づけ、ゴミの付着を観察した。
【０１９６】
○・・・ゴミ付着は全く見られなかった
△・・・ゴミ付着は少し認められた
×・・・ゴミ付着が著しく認められた
（反射率）
試料の反射率は分光光度計Ｕ−４０００型（日立製作所製）を用いて、５度正反射の条件にて測定した。観察側の裏面を粗面化処理した後、黒色のスプレーを用いて光吸収処理を行い、試料裏面での光の反射を防止して、反射率の測定を行って４５０〜６５０ｎｍの波長の平均の反射率を求めた。
【０１９７】
（耐擦り傷性）
１×１ｃｍの面にスチールウール＃００００を貼り付けたプローブを、反射防止フィルムの薄膜面に２５０ｇの荷重をかけて押し付け１０回往復運動させた後、擦り傷の入る本数をカウントした。
【０１９８】
Ａ：傷は認められない
Ｂ：１〜３本認められる
Ｃ：４〜１０本認められる
Ｄ：１１本以上認められる
〔ドープ１の調製〕
下記ドープ組成物中のアエロジル２００Ｖは予め添加するエタノールの一部に添加し、高圧分散機マントンゴーリンで充分に分散した分散液とした。下記組成物の残りのものと上記分散液を密閉容器に投入し、加圧して８０℃に保温、攪拌しながら完全に溶解させた。これを流延する温度（３０℃）まで冷却した後、静置して、脱泡操作した後、安積濾紙（株）製の安積濾紙Ｎｏ．２４４を用いて濾過しドープ１を得た。
【０１９９】
（ドープ１組成物）
セルローストリアセテート（アセチル基置換度２．８７）　　　８５ｋｇ
メチレンクロライド　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　２９０Ｌ
エタノール　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　２５Ｌ
アエロジル２００Ｖ　　　　　　　　　　　　　　　　　　０．１２ｋｇ
チヌビン１７１　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　０．５ｋｇ
チヌビン１０９　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　０．５ｋｇ
チヌビン３２６　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　０．３ｋｇ
トリフェニルホスフェート　　　　　　　　　　　　　　　　　　８ｋｇ
エチルフタリルエチルグリコレート　　　　　　　　　　　　　　２ｋｇ
〔セルロースエステルフィルム１の作製〕
３０℃に温度調整したドープ１をダイに導入し、ダイスリットからドープをエンドレスステンレスベルト上に均一に流延した。エンドレスステンレスベルトの流延部は裏面から３５℃の温水で加熱した。流延後、支持体上のドープ膜（ステンレスベルトに流延以降はウェブということにする）に４４℃の温風をあてて乾燥させ、流延から９０秒後に剥離残留溶媒量を８０質量％として剥離し、多数のロールで搬送させながら乾燥させた。剥離部のエンドレスステンレスベルトの温度は１１℃とした。剥離されたウェブは、５０℃に設定された第１乾燥ゾーンを１分間搬送させた後、第２乾燥ゾーンはテンター乾燥装置を用い、８５℃に設定して幅手方向に１．０６倍に延伸を行い、３０秒間搬送させた。更に１２０℃に設定された第３乾燥ゾーンで２０分間搬送させて、乾燥を行い、膜厚８０μｍのセルロースエステルフィルム１を得た。このセルロースエステルフィルム１を基材フィルム１とした。なお、フィルム巻き取り時の残留溶媒量は０．０１％未満であった。
【０２００】
〔基材フィルム２、３の作製〕
セルロースエステルフィルム１のＡ面（流延乾燥工程金属支持体上でのウェブの空気側の面）にバックコート層（ＢＣ層）を、基材フィルム１のＢ面側（流延乾燥工程金属支持体上でのウェブの金属支持体側の面）に下記クリアハードコート層（ＣＨＣ層）を塗設し基材フィルム２を得、また下記防眩層（ＡＧ層）を設けて基材フィルム３を作製した。
【０２０１】
（バックコート層の塗設）
後述のクリアハードコート層または防眩層の塗設前に、下記のバックコート層塗布組成物をセルロースエステルフィルム１のＡ面側に、ウェット膜厚１４μｍとなるようにグラビアコーターで塗布し、乾燥温度８５℃にて乾燥させてバックコート層（ＢＣ層と略すことがある）を塗設した。
【０２０２】
〈バックコート層塗布組成物〉
アセトン　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　３０質量部
酢酸エチル　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　４５質量部
イソプロピルアルコール　　　　　　　　　　　　　　　　　１０質量部
セルロースジアセテート　　　　　　　　　　　　　　　　０．５質量部
アエロジル２００Ｖ　　　　　　　　　　　　　　　　　　０．１質量部
（クリアハードコート層の塗設）
ＢＣ層を塗設したセルロースエステルフィルム１のＢＣ層と反対側に下記のクリアハードコート層塗布組成物をウェット膜厚で１３μｍとなるようにグラビアコーターで塗布し、次いで８５℃に設定された乾燥部で乾燥した後、１１５ｍＪ／ｃｍ２の照射強度で紫外線照射し、乾燥膜厚で５μｍの中心線平均表面粗さ（Ｒａ）１２ｎｍのクリアハードコート層（ＣＨＣ層と略すことがある）を設け、基材フィルム２を得た。
【０２０３】
〈クリアハードコート層塗布組成物〉
ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート単量体　　　　　６０質量部
ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート２量体　　　　　２０質量部
ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート３量体以上の成分２０質量部
ジメトキシベンゾフェノン光反応開始剤　　　　　　　　　　　４質量部
プロピレングリコールモノメチルエーテル　　　　　　　　　７５質量部
メチルエチルケトン　　　　　　　　　　　　　　　　　　　７５質量部
（防眩層の塗設）
ＢＣ層を塗設したセルロースエステルフィルム１のＢＣ層と反対側に下記の防眩層塗布組成物をウェット膜厚で１３μｍとなるようにグラビアコーターで塗布し、次いで８０℃に設定された乾燥部で乾燥した後、１１５ｍＪ／ｃｍ２の照射強度で紫外線照射し、乾燥膜厚で３μｍの防眩層（中心線平均粗さ（Ｒａ）０．２６μｍ）の防眩層（ＡＧ層と略すことがある）を設け、基材フィルム３を得た。
【０２０４】
（防眩層塗布組成物の調製）
酢酸エチル　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　５０質量部
メチルエチルケトン　　　　　　　　　　　　　　　　　　　５０質量部
イソプロピルアルコール　　　　　　　　　　　　　　　　　５０質量部
サイリシア４３１（平均粒径２．５μｍ、富士シリシア化学（株）製）２質量部
アエロジルＲ９７２Ｖ　　　　　　　　　　　　　　　　　　　３質量部
以上を高速攪拌機（ＴＫホモミキサー、特殊機化工業（株）製）で攪拌し、その後衝突型分散機（マントンゴーリン、ゴーリン（株）製）で分散した後、下記の成分を添加し、防眩層塗布組成物を調製した。
【０２０５】
ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート単量体　　　　　６０質量部
ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート２量体　　　　　２０質量部
ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート３量体以上の成分２０質量部
ジメトキシベンゾフェノン光反応開始剤　　　　　　　　　　　４質量部
〔反射防止フィルム１〜３の作製〕
基材フィルム１〜３のＣＨＣ層またはＡＧ層の上に、図１に示したプラズマ放電処理装置を３基連続して設置して、反射防止フィルム１〜３を以下のように作製した。
【０２０６】
〈電極の作製〉
次のようにして電極を作製した。長さ５０ｍｍ、幅６００ｍｍ、高さ５０ｍｍの、肉厚１０ｍｍ（中空のジャケット）のチタン合金Ｔ６４製の２個の平板印加電極を以下のように作製した。２個共、平板電極の互いに対向する面（面積３００ｃｍ２）に大気プラズマ法により高密度、高密着性のアルミナ溶射膜を被覆した。その後、テトラメトキシシランを酢酸エチルで希釈した溶液を塗布乾燥後、紫外線照射により硬化させ封孔処理を行った。このようにして被覆した誘電体表面を研磨し、平滑にして、Ｒｍａｘが５μｍとなるように加工した。最終的な誘電体の空隙率は５体積％であった。この時の誘電体層のＳｉＯＸ含有率は７５ｍｏｌ％であった。また、最終的な誘電体の膜厚は、１ｍｍ（膜厚変動±１％以内）、誘電体の比誘電率は１０であった。更に導電性の金属質母材と誘電体の線熱膨張係数の差は、１．６×１０−６／℃であり、また耐熱温度は２５０℃であった。
【０２０７】
〈大気圧プラズマ放電処理装置〉
図１に示した大気圧プラズマ放電処理装置を使用し、上記で作製した２個の電極を電極間隙を１ｍｍとして平行に対向させ、第１電源及び第２電源としてそれぞれ前記Ａ２及びＢ３を設置した。第１電源の周波数を５ｋＨｚ、高周波電圧を１２ｋＶ／ｍｍ、第２電源の周波数を１３．５６ＭＨｚ、高周波電圧を０．８ｋＶ／ｍｍ、第１電極の電力（出力密度）を１Ｗ／ｃｍ２、第２電極の電力を１０Ｗ／ｃｍ２として大気圧プラズマ処理した。大気圧プラズマ放電処理装置を３基使用し、第１のプラズマ放電処理装置を帯電防止層用に、第２のそれを高屈折率層用に、第３のそれを低屈折率層用として、それぞれ必要な膜厚が各々得られるように調整して、反射防止フィルム１〜３を作製した。
【０２０８】
なお、この系での窒素ガスの放電開始電圧は３．７ｋＶ／ｍｍであった。両電極を８０℃になるように調節保温した。なお、第１電源、第２電源とも設置した。
【０２０９】
プラズマ放電処理に用いた反応ガスの組成を以下に記す。
（帯電防止層形成用反応ガス）
放電ガス（窒素）　　　　　　　　　　　　　　　　　　９８．７体積％
反応ガス（酸素）　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　１体積％
機能体形成ガス（ジブチル錫ジアセテート）　　　　　　　０．３体積％
（高屈折率層形成用反応ガス）
放電ガス（窒素）　　　　　　　　　　　　　　　　　　９７．９体積％
反応ガス（水素ガス）　　　　　　　　　　　　　　　　　２．０体積％
機能体形成ガス（テトライソプロポキシチタン蒸気）　　　０．１体積％
（低屈折率層形成用反応ガス）
放電ガス（窒素）　　　　　　　　　　　　　　　　　　９８．９体積％
反応ガス（酸素）　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　１体積％
機能体形成ガス（テトラエトキシシラン蒸気）　　　　　　０．１体積％
連続的に大気圧プラズマ処理して、順に帯電防止層（屈折率１．７０、膜厚６７ｎｍ）、高屈折率層（屈折率２．１４、膜厚１１０ｎｍ）、低屈折率層（屈折率１．４４、膜厚８７ｎｍ）の３層を設けた。
【０２１０】
また、炭素含有量は、帯電防止層０．８原子％、高屈折率層０．６原子％、低屈折率層０．７原子％であった。
【０２１１】
〔反射防止フィルム４〜６の作製〕
基材フィルム１〜３のＣＨＣ層またはＡＧ層の上に、上記大気圧プラズマ放電処理装置に代えて特開２００２−１５１５１３の実施例１の条件で、上記反射防止フィルム１〜３と同じ組成の層構成の反射防止フィルム４〜６を作製した。
【０２１２】
上記作製した反射防止フィルム１〜６について表面比抵抗、ゴミ付着性、反射率（最低反射率）及び耐擦り傷性について評価した。その結果を表１に示す。
【０２１３】
【表１】
2004087292.tif 000003
【０２１４】
本発明の反射防止フィルム１〜３は表面比抵抗、ゴミ付着性、反射率（最低反射率）及び耐擦り傷性に優れたレベルにあることがわかった。
【０２１５】
また、本発明による帯電防止機能体を用いた偏光板用保護フィルムと表示装置は実用上問題のない優れたものとなった。
【０２１６】
【発明の効果】
本発明により、窒素のような安価かつ安全な放電ガスを用いても、パルス状電界を用いた大気圧プラズマ法に比べて、プラズマが均一で、放電密度が増加でき、高速で製造できる帯電防止機能体の製造方法、帯電防止性能、膜強度、透過率及び光学的特性に優れた帯電防止機能体、並びにこの帯電防止機能体を有する偏光板用保護フィルム及び表示装置を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に有用なジェット方式の大気圧プラズマ放電処理装置の一例を示す概略図である。
【図２】本発明に有用な対向電極間で基材を処理する方式の大気圧プラズマ放電処理装置の一例を示す概略図である。
【符号の説明】
１０　プラズマ放電処理装置
１１　第１電極
１２　第２電極
２１　第１電源
２２　第２電源
Ｆ　　基材
【図１】
2004087292.tif 000004
【図２】
2004087292.tif 000005