(57)【要約】【課題】表示パネルに生じる輝度むらを、より簡単な構成で抑制することができる表示装置を提供する。【解決手段】表示装置２８の調整手段２９は、陰極線４を流れる電流量が変動する場合に、走査ドライバＩＣ２１において生じる電圧降下量が略一定となるように調整する。具体的には、発光画素数カウント部２５は、有機ＥＬ素子２で構成される表示パネル２０に表示させる画像のデータに基づき、各陰極線４について発光される発光素子数で電流量を推定し、作動スイッチ設定部２６は、推定された電流量に基づいて走査スイッチ２３を制御することで電圧降下量が略一定となるように調整する。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の陽極線と複数の陰極線との各交点にマトリクス状に配置される複数の発光素子を備えてなる表示パネルと、
前記複数の陽極線及び陰極線を介して電流源より駆動電流を供給することで前記発光素子を発光させる陽極側及び陰極側駆動部と、
前記陰極線を流れる電流量が変動する場合に、前記陰極側駆動部において生じる電圧降下量が略一定となるように調整する調整手段とを備えてなることを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記調整手段は、
前記発光素子を発光させることで前記表示パネルに表示させる画像のデータに基づき、前記陰極線を流れる電流量を推定する電流量推定部と、
前記陰極線の抵抗値を可変するための抵抗値可変手段と、
前記電流量推定部により推定された電流量に基づいて前記抵抗値可変手段を制御する制御部とで構成されることを特徴とする請求項１記載の表示装置。
【請求項３】
前記抵抗値可変手段は、各陰極線と回路グランドとの間に複数並列に接続されるスイッチング素子で構成され、
前記制御部は、前記複数のスイッチング素子のオンオフを制御することを特徴とする請求項２記載の表示装置。
【請求項４】
前記陰極側駆動部は、選択対象外の陰極に対して誤発光防止用の逆バイアス電圧を印加可能に構成され、
前記抵抗値可変手段は、前記逆バイアス用電源とグランドとの間にトーテムポール接続される２つのスイッチング素子で構成されることを特徴とする請求項３記載の表示装置。
【請求項５】
前記電流量推定部は、前記電流量を、各陰極線について発光される発光素子数に基づいて推定することを特徴とする請求項２乃至４の何れかに記載の表示装置。
【請求項６】
前記発光素子を、有機ＥＬ素子とすることを特徴とする請求項１乃至５の何れかに記載の表示装置。
【請求項７】
複数の陽極線と複数の陰極線との各交点にマトリクス状に配置される複数の発光素子を備えてなる表示パネルを駆動する方法において、
陽極側及び陰極側駆動部により前記複数の陽極線及び陰極線を介して駆動電流を供給することで前記発光素子を発光させ、
前記陰極線を流れる電流量が変動する場合に、前記陰極側駆動部において生じる電圧降下量が略一定となるように調整することを特徴とする表示パネルの駆動方法。
【請求項８】
前記発光素子を発光させることで前記表示パネルに表示させる画像のデータに基づき、前記陰極線を流れる電流量を推定し、
推定した電流量に基づいて、前記陰極線の抵抗値を可変することを特徴とする請求項７記載の表示パネルの駆動方法。
【請求項９】
各陰極線と回路グランドとの間に複数並列に接続されるスイッチング素子のオンオフを制御することを特徴とする請求項８記載の表示パネルの駆動方法。
【請求項１０】
前記陰極側駆動部が、選択対象外の陰極に対して誤発光防止用の逆バイアス電圧を印加する場合に、
前記逆バイアス用電源とグランドとの間にトーテムポール接続される２つのスイッチング素子のオンオフを制御することを特徴とする請求項９記載の表示パネルの駆動方法。
【請求項１１】
前記電流量を、各陰極線において発光される発光素子数に基づいて推定することを特徴とする請求項８乃至１０の何れかに記載の表示パネルの駆動方法。
【請求項１２】
前記発光素子は、有機ＥＬ素子であることを特徴とする請求項７乃至１１の何れかに記載の表示パネルの駆動方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、マトリクス状に配置される複数の発光素子を備えた表示パネルに画像を表示させる表示装置、並びに表示パネルの駆動方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
図５は、例えば特許文献１に開示されている従来の有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）  素子を用いた表示パネルの駆動方式を示す。表示パネル１において、複数のＥＬ素子２は、複数の陽極線３（１）〜３（ｍ，例えば２５６）と複数の陰極線４（１）〜４（ｎ，例えば６４）との交点にマトリクス状に配置されている。
【０００３】
そして、陽極線３または陰極線４の何れか一方（例えば陰極線４）を、一定周期で走査スイッチ５（１）〜５（ｎ）を切替えて順次グランドに接続するように走査すると共に、その走査周期に同期して、他方（例えば陽極線３）駆動スイッチ６（１）〜６（ｍ）を切替えて電流源７（１）〜７（ｎ）に順次接続することで任意の交点位置のＥＬ素子２を発光させるようにしている。尚、走査スイッチ５（１）〜５（ｎ）は走査ドライバＩＣ９として構成されており、駆動スイッチ６（１）〜６（ｍ）及び電流源７（１）〜７（ｍ）は、信号ドライバＩＣ８として構成されている。
【０００４】
例えば、ＥＬ素子２（１，１）と、ＥＬ素子２（１，２）とを発光させる場合には、図５に示すように、走査スイッチ５（１）をグランド側に切り換えて陰極線４（１）をグランド電位に設定すると共に、駆動スイッチ６（１），６（２）を電流源７（１），７（２）側に切り換えると共に、駆動スイッチ６（３）〜６（２５６）をグランド側に切り換える。すると、ＥＬ素子２（１，１）及び２  （１，２）のみに駆動電流が供給されて発光するようになる。
【０００５】
斯様な走査スイッチ５及び駆動スイッチ６の切替えを高速で繰り返して任意の位置のＥＬ素子２を発光させ、人間の目には複数のＥＬ素子２が同時に発光しているように視認させることで表示パネル１に画像データを表示させるようにしている。また、非選択の陰極線４（２）〜４（６４）には、電源電圧と同電位の逆バイアス電圧Ｖｃｃを印加することで、その他のＥＬ素子２が誤発光することを防止している。
【０００６】
ところで、信号ドライバＩＣ８及び走査ドライバＩＣ９は、一般に半導体プロセスによって回路形成されることが多い。その場合、走査スイッチ５は、例えばＭＯＳＦＥＴのような半導体スイッチング素子によって構成される。即ち、図６に示すように、逆バイアス電圧Ｖｃｃ側にＰチャネルＭＯＳＦＥＴ５Ｐを配置し、グランド側にＮチャネルＭＯＳＦＥＴ５Ｎを配置する。そして、共通に接続される両者のドレインを陰極線４に接続し、ＦＥＴ５Ｐ，５Ｎのゲートに制御信号を与えて何れか一方を択一的にオンにするようになっている。
【０００７】
この場合、ＦＥＴ５Ｐ，５Ｎにはオン抵抗が存在する。そして、図５においては、ＦＥＴ５Ｐ，５Ｎのオン抵抗を抵抗５ＰＲ，５ＮＲで表している。従って、１つの陰極線４上において同時に発光するＥＬ素子２の数が異なる場合には、陰極線４を流れる駆動電流の総量が変化するため、走査スイッチ５のオン抵抗５ＮＲにおいて生じる電圧降下量が異なる。
【０００８】
例えば、電流源７の駆動電流値をＩ，オン抵抗５ＮＲの抵抗値をＲとすると、ＥＬ素子２が１個だけ発光する場合の電圧降下量はＲＩであるが、一列全てのＥＬ素子２が２５６個発光する場合の電圧降下量は２５６ＲＩとなる。具体数値例を挙げると、
電流値Ｉ＝５００μＡ，抵抗Ｒ＝２０Ω
であるとすれば、電圧降下量は０Ｖ〜２．５６Ｖの範囲で変動することになる。
【０００９】
また、図７は、電流源７の詳細な電気的構成を示すものである。即ち、電流源７は、２つのトランジスタ１１，１２を中心とするカレントミラー回路で構成されるが、電流源７を半導体プロセスで回路形成すると、トランジスタ１１，１２の特性上、本来は定電流回路であるにもかかわらず、負荷抵抗１３の抵抗値等によって出力電流Ｉが多少変動することがある。
【００１０】
例えば、図８に示すように、電流源７の出力電圧が大きくなるにつれて、出力電流Ｉは小さくなる傾向を示す。通常、出力電圧は、電流源７が一定電流を流すように定まる負荷の端子電圧と、負荷において生じる電圧降下との和である。従って、電圧降下量が変動すると出力電圧が変動するので、電流源７の出力電流Ｉも変動してしまう。
【００１１】
ＥＬ素子２は電流値に比例した輝度で発光するため、電流源７の出力電流値Ｉが変動するとＥＬ素子２の発光輝度が変動することになる。その結果、例えば図９に示すように、表示パネル１に表示面積が異なる３つの帯状パターンＡ，Ｂ，Ｃを表示させると、表示面積が大きいパターンＡでは電圧降下量が大きくなることから駆動電流値Ｉが減少し、ＥＬ素子２の発光輝度が比較的小さくなる。一方、表示面積が小さいパターンＣでは電圧降下量が小さいことから駆動電流値Ｉは減少せず、ＥＬ素子２の発光輝度は大きくなる。尚、図９のパターンＢ，Ｃでは、輝度の低下をハッチングの粗密によって表している（また、帯状パターン以外の領域は発光させているわけではなく、輝度の比較とは無関係とする）。斯様にして表示パネル１に所謂輝度むらが発生するという問題があった。
上記課題を解決するため、特許文献２には、表示パネル中の発光画素の数に応じて書き込みパルス幅を変化させる技術が開示されている。
【００１２】
【特許文献１】
特開平９−２３２０７４号公報
【００１３】
【特許文献２】
特開昭６４−１３１９４号公報
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、特許文献２のように書込みパルス幅を制御する場合、どうしても構成が複雑となってしまう。
本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、表示パネルに生じる輝度むらを、より簡単な構成で抑制することができる表示装置、及び表示パネルの駆動方法を提供することにある。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
請求項１記載の表示装置によれば、調整手段は、陰極線を流れる電流量が変動する場合に、陰極側駆動部において生じる電圧降下量が略一定となるように調整する。即ち、前記電圧降下量に応じて陰極線を流れる電流量を変化させる構成よりも、変動する電流量に応じて電圧降下量が略一定となるように調整する方が構成をより簡単にすることができ、輝度むらを抑制するための調整制御も容易となる。
【００１６】
請求項２記載の表示装置によれば、電流量推定部は、表示パネルに表示させる画像のデータに基づき陰極線を流れる電流量を推定し、制御部は、推定された電流量に基づいて抵抗値可変手段を制御し、電圧降下量が略一定となるように調整する。即ち、画像データを参照すれば、表示パネルの発光素子をどのようなパターンで発光させるかが判るので、陰極線に流れる電流量を容易に推定することができる。そして、抵抗値可変手段によって陰極線の抵抗値を直接可変させれば、電圧降下量を容易に調整することが可能である。
【００１７】
請求項３記載の表示装置によれば、制御部は、各陰極線と回路グランドとの間に複数並列に接続されるスイッチング素子のオンオフを制御する。即ち、スイッチング素子は所定のオン抵抗を有しているので、より多くのスイッチング素子を同時にオンすれば陰極線の抵抗値は低下し、同時にオンさせるスイッチング素子の数を減らせば抵抗値は上昇する。従って、抵抗値の可変制御を容易に行うことができる。
【００１８】
請求項４記載の表示装置によれば、抵抗値可変手段を、選択対象外の陰極に対して誤発光防止用に印加される逆バイアス用の電源とグランドとの間にトーテムポール接続される２つのスイッチング素子とする。即ち、抵抗値を減らすように調整する場合に、上記２つのスイッチング素子を同時にオフすれば、それらを介した接続状態をハイインピーダンスにすることができる。従って、逆バイアス電源を用いて誤発光を防止する構成においても、抵抗値の調整を容易に行なうことができる。
【００１９】
請求項５記載の表示装置によれば、電流量推定部は、電流量を各陰極線について発光される発光素子数に基づいて推定する。即ち、陰極を流れる電流量は発光素子数に比例するので、電流量を正確に推定することができる。
【００２０】
請求項６記載の表示装置によれば、発光素子を、有機ＥＬ素子とすることを特徴とする。即ち、有機ＥＬ素子は電流駆動型の発光素子であり、駆動電流量に応じて発行輝度が変動する。従って、本発明を有効に適用することができる。
【００２１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の一実施例について図１乃至図４を参照して説明する。尚、図５乃至図７と同一部分には同一符号を付して説明を省略し、以下異なる部分についてのみ説明する。
【００２２】
電気的構成を示す図１において、本実施例の構成は、表示パネル１に代えて、簡単のため３×３のマトリクスで構成された表示パネル２０を、走査ドライバＩＣ（陰極側駆動部）２１及び信号ドライバ（陽極側駆動部）ＩＣ２２によって駆動する構成である。走査ドライバＩＣ２１は、図２に示すように、走査スイッチ５と同様にＰチャネルＭＯＳＦＥＴ２３Ｐ，ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２３Ｎ（スイッチング素子）をトーテムポール接続して構成される走査スイッチ（抵抗値可変手段）２３を、各１つの陰極４について夫々３並列接続した構成である。但し、ＦＥＴ２３Ｐ，２３Ｎのゲートは共通に接続されておらず、夫々独立にオンオフが制御可能となるように構成されている。
一方、信号ドライバＩＣ２２は、信号ドライバＩＣ８を単に３本の陽極線３に合わせて構成したものである。
【００２３】
また、本実施例では、走査ドライバＩＣ２１及び信号ドライバＩＣ２２に対して、制御信号を出力する制御ＩＣ２４を備えている。制御ＩＣ２４は、マイクロコンピュータなどで構成されるもので、その機能をブロック化して表した発光画素数カウント部（電流量推定部）２５，作動スイッチ設定部（制御部）２６及び制御信号発生部２７を備えている。
【００２４】
発光画素数カウント部２５は、外部より与えられる画像データ信号に基づいて、表示パネル２０の各陰極線３に流れる駆動電流値を推定する。即ち、各陰極線４の走査タイミングにおいて、発光対象となっているＥＬ素子２の数をカウントし、作動スイッチ設定部２６に出力する。
【００２５】
作動スイッチ設定部２６は、発光画素数カウント部２５によってカウントされた発光素子数に応じて走査スイッチ２３切替えパターンを決定し、そのパターン信号ＳＷを走査ドライバＩＣ２１に出力するようになっている。そして、制御信号発生部２５は、画像データ信号に基づいて、駆動制御信号ＤＡ１〜ＤＡ３，ＤＢ１〜ＤＢ３を、信号ドライバＩＣ２２及び走査ドライバＩＣ２１に対して夫々出力する。
尚、表示パネル２０，ドライバＩＣ２１及び２２，並びに制御ＩＣ２４が表示装置２８を構成している。また、走査スイッチ２３，発光画素数カウント部２５及び作動スイッチ設定部２６は、調整手段２９を構成している。
【００２６】
次に、本実施例の作用について図３及び図４をも参照して説明する。図４は、制御ＩＣ２４がドライバＩＣ２１及び２２に対して出力する制御信号ＤＡ１〜ＤＡ３（ａ），ＤＢ１〜ＤＢ３  （ｂ）、並びに作動スイッチ設定部２６がドライバＩＣ２１に対して出力するパターン信号ＳＷ（ｃ）の一例を示すタイミングチャートである。制御信号ＤＢ１〜ＤＢ３は、各信号が１フレーム内において順次ロウレベルとなるように走査ドライバＩＣ２１出力され、陰極線４（１）〜４（３）を順次１本ずつグランドレベルに設定する。
【００２７】
一方、制御信号ＤＡ１〜ＤＡ３は、画像データ信号に応じて、各陰極線（走査線）４上にある３個のＥＬ素子（発光素子）２のうち発光させる素子２に対応するものをハイレベルとして信号ドライバＩＣ２２に出力することで、対応する陽極線（信号線）３（１）〜３（３）に電流源７の駆動電流を供給させる。
【００２８】
例えば、“第１ライン（陰極線４（１））選択”の期間では、制御信号ＤＢ１のみがロウレベルとなり、陰極線４（１）上にある３個のＥＬ素子２を全て発光させる画像データであるため、制御信号ＤＡ１〜ＤＡは全てハイレベルとなっている。次の“第２ライン選択”の期間では、制御信号ＤＢ２のみがロウレベルとなり、陰極線４（２）上にあるＥＬ素子２を全て発光させない画像データであるため、制御信号ＤＡ１〜ＤＡ３は全てロウレベルとなってる。その次の“第３ライン選択”の期間では、制御信号ＤＢ３のみがロウレベルとなり、陰極線４（３）上にある２個のＥＬ素子２（３，１），２（３，２）を発光させる画像データであるため、制御信号ＤＡ１，ＤＡ２がハイレベルとなってる。
【００２９】
この時、発光画素数カウント部２５は、各ライン選択期間の冒頭において、画像データＡ１  〜Ａ３  より各ライン毎に発行させるＥＬ素子２の数ｘを求めて作動スイッチ設定部２６に出力する。
【００３０】
図３は、制御ＩＣ２４における作動スイッチ設定部２６の処理内容を示すフローチャートである。作動スイッチ設定部２６は、各走査タイミング毎に、発光画素数カウント部２５より発光素子数ｘを取得する（ステップＳ１）。尚、ｘ＝０〜３である。
【００３１】
そして、作動スイッチ設定部２６は、発光素子数ｘが「０」である場合は（ステップＳ２，「ＹＥＳ」）何れか１つの走査スイッチ２３をグランドＧＮＤ側に切替えるようにパターン信号ＳＷを出力する（ステップＳ３）。その他の場合は（ステップＳ２，「ＮＯ」）、ｘ個の走査スイッチ２３をグランドＧＮＤ側に切替えるようにパターン信号ＳＷを出力する（ステップＳ４）。尚、その他の（３−ｘ）個の走査スイッチ２３はハイインピーダンス状態とする。ステップＳ３，Ｓ４の実行後は、ステップＳ１に戻る。
【００３２】
図４（ｃ）には、パターン信号ＳＷの具体的なデータ値の一例を示す。例えば、１つの走査スイッチ２３について２ビットを割り当て、以下のようにオンオフパターンを定義する。
ＳＷ        スイッチ２３Ｐ    ２３Ｎ      切替え状態
００            ＯＦＦ        ＯＦＦ      Ｈｉ−Ｚ
０１            ＯＦＦ          ＯＮ      ＧＮＤ側
１０              ＯＮ        ＯＦＦ      ＶＣＣ側
【００３３】
そして、第１ラインの選択期間では「ｘ＝３」であり、陰極線４（１）に流れる駆動電流は３Ｉとなる。従って、作動スイッチ設定部２６は、３つの走査スイッチ２３を全てＧＮＤ側に切替えるように、ステップＳ４において、パターン信号ＳＷを６ビットデータとして「０１０１０１」のように出力する。すると、走査ドライバＩＣ２１は、走査信号ＤＢ１がロウレベルであり陰極線４（１）が選択される期間において、３つの走査スイッチ２３（１）を全てＧＮＤ側に切替える。
【００３４】
この場合、陰極線４（１）には走査スイッチ２３（１）のオン抵抗Ｒが３並列に接続されるので、走査スイッチ２３（１）における電圧降下Ｖは、
Ｖ＝（Ｒ／３）×３Ｉ＝ＲＩ
となる。
【００３５】
次の第２ラインの選択期間では「ｘ＝０」であるから、陰極線４（２）に駆動電流は流れない。従って、作動スイッチ設定部２６は、３つの走査スイッチ２３の内、何れか１つをＧＮＤ側に切替えるように、ステップＳ３において、パターン信号ＳＷを「０１００００」のように出力する。すると、走査ドライバＩＣ２１は、走査信号ＤＢ２がロウレベルであり陰極４（２）が選択される期間において、３つの走査スイッチ２３（２）の内１つを電源ＶＣＣ側に切替え、他の２つはハイインピーダンス状態にする。
【００３６】
次の第３ラインの選択期間では「ｘ＝２」であるから、陰極線４（３）に流れる駆動電流は２Ｉである。従って、作動スイッチ設定部２６は、３つの走査スイッチ２３の内、２つをＧＮＤ側に、残りの１つをハイインピーダンス状態とするように、ステップＳ４において、パターン信号ＳＷを「０１０１００」のように出力する。すると、走査ドライバＩＣ２１は、走査信号ＤＢ３がロウレベルであり陰極４（３）が選択される期間において、走査スイッチ２３（３）の内２つをＧＮＤ側に切替え、他の１つはハイインピーダンス状態にする。
【００３７】
この場合、陰極線４（３）には走査スイッチ２３（３）のオン抵抗Ｒが２並列に接続されるので、走査スイッチ２３（３）における電圧降下Ｖは、
Ｖ＝（Ｒ／２）×２Ｉ＝ＲＩ
となる。
【００３８】
以上のように本実施例によれば、表示装置２８の調整手段２９は、陰極線４を流れる電流量が変動する場合に、走査ドライバＩＣ２１において生じる電圧降下量が略一定となるように調整する。具体的には、発光画素数カウント部２５は、有機ＥＬ素子２で構成される表示パネル２０に表示させる画像のデータに基づき、各陰極線４について発光される発光素子数で電流量を推定し、作動スイッチ設定部２６は、推定された電流量に基づいて走査スイッチ２３を制御することで電圧降下量が略一定となるように調整する。
【００３９】
即ち、画像データを参照すれば、表示パネル２０のＥＬ素子２をどのようなパターンで発光させるかが判るので、陰極線４に流れる電流量を容易且つ正確に推定することができる。そして、走査スイッチ２３によって陰極線４の抵抗値を直接可変させれば、電圧降下量を容易に調整することが可能である。
【００４０】
また、斯様な構成は、従来のように電圧降下量に応じて陰極線を流れる電流量を変化させる構成よりも簡単であり、輝度むらを抑制するための調整制御も容易となる。加えて、電流駆動型の発光素子である有機ＥＬ素子２を画素とする表示パネル２０に、本発明を有効に適用することができる。
【００４１】
更に、走査スイッチ２３を、選択対象外の陰極４に対して誤発光防止用に印加される逆バイアス用の電源ＶＣＣとグランドＧＮＤとの間にトーテムポール接続される２つのＦＥＴ２３Ｐ，２３Ｎで構成した。従って、ＦＥＴ２３Ｎが有しているオン抵抗で、より多くのＦＥＴ２３Ｎを同時にオンすれば陰極線４の抵抗値は低下し、同時にオンさせるＦＥＴ２３Ｎの数を減らせば抵抗値は上昇するので、抵抗値の可変制御を容易に行うことができる。加えて、抵抗値を減らすように調整する場合にＦＥＴ２３Ｐ，２３Ｎを同時にオフすれば、それらを介した接続状態をハイインピーダンスにすることができる。従って、抵抗値の調整をより容易に行なうことができる。
【００４２】
本発明は上記し且つ図面に記載した実施例にのみ限定されるものではなく、次のような変形または拡張が可能である。
陽極，陰極と、信号線，走査線との関係は、逆であっても良い。
作動スイッチ設定部２６より出力されるパターン信号ＳＷを直接走査ドライバＩＣ２１に出力しても良く、その場合、走査ドライバＩＣ２１側において、走査信号とパターン信号ＳＷとに基づいてロジック処理を行なうように構成すれば良い。
即ち、パターン信号ＳＷは、６ビットで表現するものに限らない。例えば、３つの走査スイッチ２３を段階的にオンする場合と、何れか１つを逆バイアス電源ＶＣＣ側に接続する場合との４つの状態を２ビットで表現し、走査ドライバＩＣ２１側においてその２ビットデータをデコードして、対応する走査スイッチ２３を切替えるようにロジックを構成することも可能である（その結果として、発光素子数データｘとパターン信号ＳＷが同一になっても良い）。
４×４以上のマトリクスで構成される表示パネルに適用しても良い。
【００４３】
抵抗値可変手段は、ＦＥＴで構成するものに限らず、その他、トランジスタのような半導体スイッチング素子で構成しても良い。また、必ずしもトーテムポール接続で構成するものに限らない。例えば、誤発光を防止するために逆バイアス電圧を印加するように構成されていない場合は、ロウサイド側だけにスイッチング素子を配置すれば良い。
作動スイッチ設定部２６の機能を走査ドライバＩＣ２１に持たせて、発光画素数カウント部２５の出力データを走査ドライバＩＣ２１に直接出力するように構成しても良い。
表示パネルを構成する発光素子は、有機ＥＬ素子に限ることなく、その他電流駆動型の発光素子であれば適用が可能である。
表示パネルの陰極線の引き出し電極部分に比較的大きな抵抗成分を有する透明電極を用いる場合は、その透明電極の抵抗成分において生じる電圧降下量も加味して全体の電圧効果量がほぼ一定となるように調整を行なう構成にすると良い。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例であり、表示装置の電気的構成を示す機能ブロック図
【図２】走査スイッチの電気的構成を示す図
【図３】作動スイッチ設定部の制御内容を示すフローチャート
【図４】制御ＩＣ及び作動スイッチ設定部が各ドライバに対して出力する制御信号の一例を示すタイミングチャート
【図５】従来技術を示す図１相当図
【図６】図２相当図
【図７】ドライバＩＣを構成する電流源の電気的構成を示す図
【図８】電流源の出力電圧と出力電流との関係を示す図
【図９】表示パネルに表示面積が異なる３つの帯状パターンＡ，Ｂ，Ｃを表示させた場合に発生する輝度差を説明する図
【符号の説明】
３は陽極線（信号線）、４は陰極線（走査線）、７は電流源、２０は表示パネル、２１は走査ドライバＩＣ（陰極側駆動部）、２２は信号ドライバＩＣ（陽極側駆動部）、２３は走査スイッチ、２３ＰはＰチャネルＭＯＳＦＥＴ（スイッチング素子）、２３ＮはＮチャネルＭＯＳＦＥＴ（スイッチング素子）、２４は発光画素数カウント部（電流量設定部）、２６は作動スイッチ設定部（制御部）、２７は制御信号発生部、２８は表示装置、２９は調整手段を示す。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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