(57)【要約】【課題】被処理体に処理液を供給する処理装置では、処理時において、ノズルの供給口に付着した処理液が、処理室内に発生する下降気流に曝され、乾燥して硬化してしまい、それが供給口から被処理体に落下して、被処理体の上面に供給された処理液による膜にむらができてしまう可能性があった。【解決手段】本発明の処理装置は、供給口が下降気流に曝されないように下降気流を遮る障壁部を備え、かつ、被処理体が搭載される搭載部の上面と供給口とが対向するように処理室内に配置されるノズルを有しているので、下降気流は障壁部によって遮られ、処理時において、供給口に付着した処理液が下降気流に曝されて乾燥し、硬化してしまう可能性は低減される。【選択図】    図３
2004321946.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理室と、
前記処理室内の上部から下部に向かう下降気流を発生させる気流発生部と、
前記処理室内に設けられ、上面に被処理体が搭載される搭載部と、
前記被処理体を処理する為の処理液を供給する供給口を備え、前記供給口が前記搭載部の上面と対向するように前記処理室内に配置されたノズルと、
前記供給口が前記下降気流に曝されないように、前記ノズルに設けられた前記下降気流を遮る障壁部とを有することを特徴とする処理装置。
【請求項２】
前記障壁部は、前記供給口の外周を取り囲み、かつ、前記供給口と所定間隔離間して設けられ、
前記障壁部の下端は、前記供給口よりも下方に位置することを特徴とする請求項１記載の処理装置。
【請求項３】
前記ノズルは、前記供給口を下端に備える供給部を有し、
前記障壁部は、前記供給部の外側面を取り囲み、かつ、前記供給部と所定間隔離間して設けられ、
前記障壁部の下端は、前記供給口よりも下方に位置し、
前記障壁部の内側面と前記供給部の外側面とは平行であることを特徴とする請求項１記載の処理装置。
【請求項４】
前記障壁部は、下端が窄むように、前記供給口を通る前記ノズルの長さ方向の直線に対して斜めに形成されることを特徴とする請求項２又は３いずれか記載の処理装置。
【請求項５】
前記障壁部の下端は、前記供給口から前記被処理体に滴下される前記処理液を遮らないように、開口していることを特徴とする請求項２〜４いずれか記載の処理装置。
【請求項６】
前記開口を覆うように、前記障壁部の下端に、開閉可能な蓋が形成されることを特徴とする請求項５記載の処理装置。
【請求項７】
前記処理室内において、前記ノズルは、前記処理室の上部から鉛直方向に沿って下方に延在するように配置されることを特徴とする請求項１〜６いずれか記載の処理装置。
【請求項８】
前記障壁部は、前記ノズルの下端を切削加工することにより形成されることを特徴とする請求項１〜７いずれか記載の処理装置。
【請求項９】
前記処理液はフォトレジストであることを特徴とする請求項１〜８いずれか記載の処理装置。
【請求項１０】
前記被処理体は半導体ウエハであることを特徴とする請求項１〜９いずれか記載の処理装置。
【請求項１１】
請求項１〜５、７〜１０いずれか記載の処理装置を用いた被処理体の処理方法において、
前記搭載部に前記被処理体を搭載する工程と、
前記処理室内に前記下降気流を発生させる工程と、
前記供給口から前記被処理体の上面に前記処理液を供給する工程とを有することを特徴とする被処理体の処理方法。
【請求項１２】
請求項６記載の処理装置を用いた被処理体の処理方法において、
前記搭載部に前記被処理体を搭載する工程と、
前記処理室内に前記下降気流を発生させる工程と、
前記蓋を開いて前記供給口を露出させた後、前記供給口から前記被処理体の上面に前記処理液を供給する工程とを有することを特徴とする被処理体の処理方法。
【請求項１３】
処理室と、
前記処理室内の上部から下部に向かう下降気流を発生させる気流発生部と、
前記処理室内に設けられ、上面に被処理体が搭載される搭載部と、
前記被処理体を処理する為の処理液を供給する供給口を備え、前記供給口が前記搭載部の上面と対向するように前記処理室内に配置されたノズルと、
前記供給口を包囲する所定の大きさの空間が前記下降気流に曝されないように、
前記ノズルに設けられた前記下降気流を遮る障壁部とを有し、
前記処理液の溶剤を材料とする気体で前記空間は満たされることを特徴とする処理装置。
【請求項１４】
処理室と、
前記処理室内の上部から下部に向かう下降気流を発生させる気流発生部と、
前記処理室内に設けられ、上面に被処理体が搭載される搭載部と、
前記被処理体を処理する為の処理液を供給する供給口を備え、前記供給口が前記搭載部の上面と対向するように前記処理室内に配置されたノズルと、
前記供給口を包囲する所定の大きさの空間が前記下降気流に曝されないように、前記ノズルに設けられた前記下降気流を遮る障壁部と、
前記処理液の溶剤を材料とする気体で満たされた内部領域を備える容器とを有し、
前記空間と前記内部領域とを連通させることにより、前記空間は前記気体で満たされることを特徴とする処理装置。
【請求項１５】
前記ノズルには、前記空間を覆うように開閉可能な蓋が設けられていることを特徴とする請求項１３又は１４いずれか記載の処理装置。
【請求項１６】
処理室と、
前記処理室内の上部から下部に向かう下降気流を発生させる気流発生部と、
前記処理室内に設けられ、上面に被処理体が搭載される搭載部と、
前記被処理体を処理する為の処理液を供給する供給口を備え、前記供給口が前記搭載部の上面と対向するように前記処理室内に配置されたノズルと、
前記供給口を包囲する所定の大きさの空間が前記下降気流に曝されないように、
前記ノズルに設けられた前記下降気流を遮る障壁部とを有する処理装置を準備する工程と、
前記処理液の溶剤を材料とする気体で前記空間を満たす工程と、
前記搭載部に前記被処理体を搭載する工程と、
前記処理室内に前記下降気流を発生させる工程と、
前記供給口から前記被処理体の上面に前記処理液を供給する工程とを有することを特徴とする被処理体の処理方法。
【請求項１７】
前記処理装置は、前記処理液の溶剤を材料とする気体で満たされた内部領域を備える容器を有し、
前記供給口から前記処理液を供給する前に、前記空間と前記内部領域とが連通するように前記ノズルの下端を前記容器内に配置させることにより、前記空間を
前記気体で満たすことを特徴とする請求項１６記載の被処理体の処理方法。
【請求項１８】
処理室と、
前記処理室内の上部から下部に向かう下降気流を発生させる気流発生部と、
前記処理室内に設けられ、上面に被処理体が搭載される搭載部と、
前記被処理体を処理する為の処理液を供給する供給口を備え、前記供給口が前記搭載部の上面と対向するように前記処理室内に配置されたノズルとを有し、
前記供給口の周囲には、前記下降気流が前記供給口に当たることを制限する制限手段が設けられることを特徴とする処理装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体ウエハ等の被処理体に、フォトレジスト等の処理液を供給する処理装置、およびそれを用いた被処理体の処理方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来の処理装置、特に、半導体ウエハにフォトレジストを供給する装置、およびこれを用いた半導体ウエハの処理方法について、以下に説明する。
従来の処理装置は、処理室と、処理室内に気流を発生させる気流発生部と、処理室内に設けられ、上面に半導体ウエハが搭載される搭載部と、半導体ウエハにフォトレジストを供給する供給口を備えるノズルとを有する。
フォトレジストはノズルから半導体ウエハに供給される。搭載部を回転させることにより、供給されたフォトレジストは、半導体ウエハの上面に拡がり、半導体ウエハの上面にフォトレジストの膜が形成される。
【０００３】
気流発生部は、処理室内の上部から下部に向かう下降気流を発生させる。この下降気流により、搭載部の回転により半導体ウエハの上面から振り切られた霧状のフォトレジストは、下降気流に乗って処理室の外に排気される。
ここで、ノズルからフォトレジストを供給する際にノズルの供給口にフォトレジストが付着し、このフォトレジストが、非処理時に大気に曝されることにより硬化してしまう可能性があった。硬化したフォトレジストは、処理時において半導体ウエハ上に落下する可能性があり、この場合、半導体ウエハの上面に供給されたフォトレジストの膜にむらができてしまう。
【０００４】
この課題を解決するべく、非処理時において、ノズルの供給口を洗浄し、供給口に付着したフォトレジストを除去することが可能な処理装置、およびこれを用いた処理方法が従来知られていた（例えば、特許文献１参照）。
【０００５】
【特許文献１】
特開２００２−２０４９９２
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来の技術では、処理時において、供給口が下降気流に曝されることによって、供給口に付着したフォトレジストが硬化してしまう可能性があり、硬化したフォトレジストが供給口から半導体ウエハ上に落下し、半導体ウエハの上面に供給されたフォトレジストの膜にむらができてしまう可能性があった。
上述した特許文献１においても、処理時において、供給口が下降気流に曝されることによって、供給口に付着したフォトレジストが硬化してしまう可能性があった。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
このような課題を解決するべく、本願の代表的な処理装置では、供給口が下降気流に曝されないように下降気流を遮る障壁部を備え、かつ、被処理体が搭載される搭載部の上面と供給口とが対向するように処理室内に配置されるノズルを有する。
【０００８】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態について図面を参照して詳細に説明する。なお、本発明の実施形態では、処理液としてフォトレジストを用い、被処理体として半導体ウエハを用いた場合を例に説明する。
また、全図面を通して同様の構成には同様の符号を付与する。
【０００９】
（第１実施形態）
図１及び図２は、本発明の第１実施形態を説明する処理装置であり、図３及び図４は、この処理装置におけるノズルの下端を拡大した断面図である。
図１に示すように、本実施形態の処理装置では、処理室１００と、処理室１００内の上部から下部に向かう下降気流２３０を発生させる気流発生部とを有する。
本実施形態では、気流発生部は、処理室１００の上部に設けられたエアフィルタ２１０と、処理室１００の下部に設けられた排気口２２０とを備える。
エアフィルタ２１０に、処理室１００の外部からエアーが供給され、供給されたエアーはエアフィルタ２１０によって処理室１００の下部に向けて送風される。排気口２２０からは処理室１００内の気体が排気される。
これにより、下降気流２３０が処理室１００の内部に発生する。
処理室１００内には、上面に半導体ウエハ３１０が搭載される搭載部３００と、フォトレジスト４００を半導体ウエハ３１０に供給するノズル５００とが設けられている。
【００１０】
搭載部３００は、鉛直方向を軸として回転する回転軸３２０の上端に形成され、この搭載部３００の上面に半導体ウエハ３１０が搭載される。ここで、半導体ウエハ３１０は搭載部３００に真空吸着される。
この回転軸３２０の回転に伴い搭載部３００は、上面に搭載される半導体ウエハ３１０の上面を水平に保持するように回転する。
ノズル５００から半導体ウエハ３１０にフォトレジスト４００が供給され、搭載部３００を回転させることにより、半導体ウエハ３１０に供給されたフォトレジスト４００は、遠心力により半導体ウエハ３１０の上面に拡がり、フォトレジスト４００の膜が半導体ウエハ３１０の上面に形成される。
【００１１】
さらに、搭載部３００に搭載される半導体ウエハ３１０の周囲を取り囲むように、カップ（ウエハカバーとも称す）３３０が配置される。カップ３３０は、半導体ウエハ３１０に供給されたフォトレジスト４００が、半導体ウエハ３１０の回転によって周囲に飛散してしまう可能性を低減させる。
また、この回転により、余剰に供給されたフォトレジスト４００の一部は半導体ウエハ３１０の上面から振り切られ、霧状のフォトレジスト４００（以下、ミストと称す）が処理室１００内に発生する。
このミストが半導体ウエハ３１０の上面に再付着してしまうと、フォトレジスト４００の膜にむらができてしまう可能性があるため、本実施形態では、処理室１００内に下降気流２３０を発生させ、この下降気流２３０にミストを乗せて処理室１００の下部に設けられた排気口２２０を介して処理室１００の外に排気している。
これにより、ミストが半導体ウエハ３１０に再付着する可能性は低減される。
さらに、図３に示すように、ノズル５００は、フォトレジスト４００を供給する供給口５１０と、供給口５１０が下降気流２３０に曝されないように、下降気流２３０を遮る障壁部５２０とを備える。
すなわち、供給口５１０の周囲には、下降気流が供給口５１０に当たることを制御する制御手段が設けられる。
【００１２】
ノズル５００は、処理室１００の横方向から処理室１００内に挿入され、供給口５１０が搭載部３００の上面と対向するように、処理室１００内に配置される。
すなわち、ノズル５００は、処理室１００内において、処理室１００の側面から搭載部３００の上方まで横方向に延在するように配置され、さらに、供給口５１０は下を向き、供給口５１０の下方に搭載部３００が位置するように配置される。
ここで、ノズル５００が下降気流２３０を遮ってしまい、半導体ウエハ３１０に好適に下降気流が当たらない場合、図２に示すように、ノズル５００を搭載部３００の上方から処理室１００内に挿入することが好ましい。
すなわち、ノズル５００は、処理室１００内において、処理室１００の上部から鉛直方向に沿って下方に延在し、供給口５１０の下方に搭載部３００が位置するように配置される。
【００１３】
この構成によれば、ノズル５００は下降気流２３０と同じ方向に沿って配置されることになるので、ノズル５００が下降気流２３０を遮ってしまう可能性は低減され、半導体ウエハ３１０に好適に下降気流２３０を当てることが可能となる。
これにより、半導体ウエハ３１０の上面から発生したミストは、好適に下降気流２３０によって排気口２２０を介して処理室１００の外に排気される。
フォトレジスト４００は、ノズル５００に充填されており、供給口５１０から半導体ウエハ３１０上に滴下される。
【００１４】
本実施形態では、障壁部５２０は、供給口５１０の外周を取り囲むように設けられ、障壁部５２０の下端は供給口５１０よりも下方に位置している。
これにより、下降気流２３０は、ノズル５００の上方から、障壁部５２０の外表面に沿ってその下端まで流れ、そこから処理室１００の下部に向かって流れる。
従って、障壁部５２０に包囲された供給口５１０が、下降気流２３０に曝される可能性は低く、処理時において、供給口５１０に付着したフォトレジスト４００が乾燥して硬化してしまう可能性は低減される。
ここで、処理時とは、すなわち、ノズル５００が処理室１００内に配置され、さらに、処理室１００内に下降気流２３０が発生している状態である。
硬化したフォトレジスト４００は、供給口５１０の下端から半導体ウエハ３１０上に落下する可能性があり、この場合、半導体ウエハ３１０の上面に供給されたフォトレジスト４００の膜にむらができてしまう可能性がある。
【００１５】
特に、半導体装置では、製造工程において、半導体装置に供給される処理液の膜に、むら等ができてしまい、膜が均一に形成されない場合、半導体装置に形成される集積回路の特性が大きく変化してしまう可能性がある。
従って、本発明を半導体装置に適用することで、半導体装置に供給される処理液の膜を均一に形成することが可能となるので、半導体装置内の集積回路の信頼性を大幅に高くすることが可能となる。
さらに、障壁部５２０は供給口５１０から所定間隔離間して設けられる。すなわち、供給口５１０と障壁部５２０との間には間隙部５３０が存在する。
この間隙部５３０により、ノズル５００に充填されたフォトレジスト４００が、障壁部５２０の内表面を伝って、供給口５１０から障壁部５２０の下端まで流れてしまう可能性は低減される。
【００１６】
供給口５１０と障壁部５２０との間に間隙部が存在しない場合、つまり、供給口５１０と障壁部５２０とが接している場合、ノズル５００に充填されたフォトレジスト４００が、障壁部５２０の内表面を伝って、供給口５１０から障壁部５２０の下端まで流れ、障壁部５２０の下端に付着してしまう可能性がある。
さらに、障壁部５２０の下端は、供給口５１０から半導体ウエハ３１０に滴下されるフォトレジスト４００を遮らないように開口している。すなわち、障壁部５２０の下端における開口５４０は、供給口５１０から半導体ウエハ３１０へ滴下されるフォトレジスト４００の流路を含むように設けられている。
これにより、供給口５１０から半導体ウエハ３１０に滴下されたフォトレジスト４００が、障壁部５２０の下端に付着してしまう可能性は低減される。
ここで、障壁部５２０の下端は下降気流２３０に曝される可能性があり、障壁部５２０の下端にフォトレジスト４００が付着した場合、このフォトレジスト４００が乾燥して硬化してしまう可能性がある。
【００１７】
硬化したフォトレジスト４００は、障壁部５２０の下端から半導体ウエハ３１０上に落下する可能性があり、この場合、半導体ウエハ３１０の上面に供給されたフォトレジスト４００の膜にむらができてしまう可能性がある。
つまり、本実施形態の処理装置では、供給口５１０と障壁部５２０との間に間隙部５３０が存在し、さらに、障壁部５２０の下端は、供給口５１０から半導体ウエハ３１０に滴下されるフォトレジスト４００を遮らないように開口しているので、障壁部５２０の下端にフォトレジスト４００が付着する可能性は低く、硬化したフォトレジスト４００が、障壁部５２０の下端から半導体ウエハ３１０上に落下して、フォトレジスト４００の膜にむらができてしまう可能性は低減される。
【００１８】
さらに、障壁部５２０の上端は、下降気流２３０が障壁部５２０の内側に侵入しないように、気密に閉じている。ここで、気密とは下降気流２３０が侵入しない程度の状態であり、障壁部５２０内に気流を発生させない程度であれば、その一部が開放されていても良い。
さらに、本実施形態では、障壁部５２０は、下端が窄むように、供給口５１０を通るノズル５００の長さ方向の直線Ｌに対して斜めに形成されている。
すなわち、障壁部５２０は、その上部から下部に向けて、直線Ｌに徐々に近づくように設けられ、障壁部５２０が直線Ｌと平行となるように形成される場合よりも、障壁部５２０の下端における開口５４０が小さくなっている。
つまり、下降気流２３０が障壁部５２０の下端から障壁部５２０の内側に回り込むための入り口が小さくなるので、回り込んだ気流に供給口５１０が曝される可能性はより低減される。
【００１９】
従って、供給口５１０に付着したフォトレジスト４００が、処理時において、下降気流２３０に曝され、乾燥して硬化してしまう可能性はより低減される。
さらに、下降気流２３０が障壁部５２０の下端から障壁部５２０の内側に回り込む可能性をより低減させるため、図４に示すように、開口５４０を覆うように障壁部５２０の下端に開閉可能な蓋５５０を形成することも可能である。
この場合、下降気流２３０が障壁部５２０の内側に入り込むための入り口は実質的に塞がれた状態となるため、回り込んだ気流に供給口５１０が曝される可能性をより低減される。
【００２０】
次に、本発明におけるノズルの形成方法について以下に説明する。
図５〜図７は、本発明の第１実施形態におけるノズルの形成工程の一部を説明する断面図である。
本実施形態では、供給口５１０を備え、金型に樹脂等を注入することにより形成された図５に示すノズル５００´の下端を切削加工することにより、下端に障壁部５２０が形成された本願のノズル５００が形成される。
図６に示すように、本実施の形態では、カッター等により、供給口５１０とノズル５００´の外周との間におけるノズル５００´の下端を、図６の矢印ｍに示すように、供給口５１０を通るノズル５００´の長さ方向の直線Ｌとの角度θが一定となる方向に沿って切削する。
【００２１】
このように、切削加工することにより、図７に示すように、ノズル５００の下端における中央部から、下方に突出するように、供給口５１０を下端に備える供給部５６０が形成され、さらに、供給部５６０の外側面５６１を取り囲み、かつ、供給部５６０と所定間隔離間するように障壁部５２０が形成される。
さらに、供給部５６０の外側面５６１と障壁部５２０の内側面５２１とは、直線Ｌとの角度θが一定となるように形成される。すなわち、障壁部５２０の内側面５２１と供給部５６０との外側面５６１とは平行となる。
つまり、ノズル５００´の一部が障壁部５２０に相当するように、ノズル５００´の下端を切削加工するので、新たな部材を設けることなく、本発明を実現することが可能となる。
さらに、ノズル５００´の材料には樹脂等が用いられるため、ノズル５００´を切削加工することは容易であり、工程を大幅に増大させることなく本発明を実現することが可能となる。
【００２２】
次に、上述した処理装置を用いた半導体ウエハの処理方法について、以下に説明する。
図８〜図１１は、本発明の第１実施形態の処理装置を用いた半導体ウエハの処理工程の一部を説明するものである。
まず、図８に示すように、搭載部３００上に半導体ウエハ３１０を搭載し、さらに、処理室１００内に下降気流２３０を発生させる。
次に、図９に示すように、ノズル５００内に充填されているフォトレジスト４００を供給口５１０から半導体ウエハ３１０の上面に供給する。
ここで、障壁部５２０の下端に蓋５５０が形成されている場合は、図１０に示すように、蓋５５０を開いて供給口５１０を露出した後、フォトレジスト４００を供給口５１０から供給する。
供給口５１０を露出するとは、すなわち、供給口５１０から半導体ウエハ３１０に滴下されるフォトレジスト４００を遮らない状態にすることである。
さらに、図１１に示すように、搭載部３００を回転させて、半導体ウエハ３１０の上面に供給されたフォトレジスト４００を半導体ウエハ３１０の上面に拡げる。
これにより、半導体ウエハ３１０の上面に、フォトレジスト４００の膜が形成される。
【００２３】
（第２実施形態）
次に、フォトレジストに、想定の範囲を超えた乾燥し易い材料が選択された場合でも、処理時において、供給口に付着したフォトレジストが硬化してしまう可能性を低減させることが可能な処理装置、およびこれを用いた半導体ウエハの処理方法について、本発明の第２実施形態として以下に説明する。
図１２〜１５は、本発明の第２実施形態を説明するノズルの断面図である。
図１２に示すように、本実施形態では、供給口５１０を包囲する所定の大きさの空間は、フォトレジスト４００の溶剤を材料とする気体４１０で満たされている。
ここで、供給口５１０を包囲する所定の大きさの空間とは、すなわち、障壁部５２０の内側の空間５６０である。
溶剤には、例えば、シンナー等が用いられる。
【００２４】
本実施形態の処理装置は、気体４１０で満たされた内部領域を備える容器６００を有する。
容器６００は、フォトレジスト４００の溶剤を材料とする液体で満たされた液体領域６１０と、その気体で満たされた気体領域６２０とを備える。
容器６００は、ノズル５００の側壁に形成され、ノズル５００の側壁に設けられた貫通孔５７０により、空間５６０と容器６００内の気体領域６２０とは連通している。
これにより、空間５６０は気体４１０で満たされるので、処理時において、供給口５１０に付着したフォトレジスト４００が乾燥して硬化してしまう可能性は低減される。
つまり、供給口５１０に付着したフォトレジスト４００は、気体４１０により溶かされる。
さらに、空間５６０が下降気流２３０に曝されないように、ノズル５００には下降気流２３０を遮る障壁部５２０が設けられているので、空間５６０内に満たされた気体４１０が、下降気流２３０によって流されてしまう可能性は低い。
従って、処理室１００内に下降気流２３０を発生させても、空間５６０内に気体４１０を保つことが可能となる。
さらに、空間５６０を覆うように開閉可能な蓋５５０が設けられている。
本実施形態では、障壁部５２０の下端に蓋５５０が形成され、蓋５５０により、障壁部５２０の下端の開口５４０は覆われている。
【００２５】
供給口５１０からフォトレジスト４００を供給する際は、図１３に示すように、蓋５５０を開けて供給口５１０を露出した後、フォトレジスト４００を供給する。
供給口５１０を露出するとは、すなわち、供給口５１０から半導体ウエハ３１０に滴下されるフォトレジスト４００を遮らない状態にすることである。
蓋５５０を設けることにより、空間５６０内に気体４１０をより好適に保つことが可能となるので、処理時において、供給口５１０に付着したフォトレジスト４００が乾燥して硬化してしまう可能性はより低減される。
【００２６】
次に、第１実施形態の処理装置において、ノズルの形状を変えることなく、空間５６０内を気体４１０で満たす方法について、以下に説明する。
この方法は、供給口５１０から半導体ウエハ３１０にフォトレジスト４００を供給する前に、空間５６０を気体４１０で満たす工程を有する。
本実施形態では、図１４に示すように、空間５６０と容器６００内の気体領域６２０とが連通するように、ノズル５００の下端を容器６００内に配置する。
これにより、空間５６０は気体４１０で満たされる。
供給口５１０からフォトレジスト４００を供給する際は、図１５に示すように、ノズル５００の下端を容器６００から取り出した後、供給口５１０からフォトレジスト４００を供給する。
空間５６０は、障壁部５２０により、下降気流２３０に曝される可能性は低いので、容器６００からノズル５００を取り出した後でも、空間５６０内に気体４１０を保つことができる。
従って、処理時において、供給口５１０に付着したフォトレジスト４００が乾燥して硬化してしまう可能性はより低減される。
【００２７】
【発明の効果】
本願の代表的な発明では、処理時において、供給口に付着した処理液が下降気流に曝されて乾燥して硬化してしまい、それが供給口から被処理体に落下して、被処理体に供給される処理液の膜にむらができてしまう可能性は低減される。
【図面の簡単な説明】
【図１】処理室内の主要な構成を示す断面図である。
【図２】処理室内におけるノズルの配置の変形例を示す断面図である。
【図３】ノズルの下端を拡大した断面図である。
【図４】ノズルの第１変形例を示す断面図である。
【図５】切削加工を施す前のノズルの断面図である。
【図６】ノズルを切削する工程を説明する断面図である。
【図７】切削加工が施されたノズルの下端の断面図である。
【図８】処理室内に半導体ウエハが搭載される工程および処理室内に下降気流が発生する工程を示す断面図である。
【図９】ノズルから半導体ウエハにフォトレジストが滴下される工程を示す断面図である。
【図１０】図４に示すノズルから半導体ウエハにフォトレジストが滴下される工程を示す断面図である。
【図１１】半導体ウエハが回転して半導体ウエハの上面にフォトレジストの膜が形成される工程を示す断面図である。
【図１２】ノズルの第２変形例を示す断面図である。
【図１３】図９に示すノズルからフォトレジストが滴下される工程を示す断面図である。
【図１４】容器内にノズルを配置する工程を示す断面図である。
【図１５】容器からノズルを取り出した後にノズルからフォトレジストを滴下する工程を示す断面図である。
【符号の説明】
１００    処理室
２１０    エアフィルタ
２２０    排気口
２３０    下降気流
３００    搭載部
３１０    半導体ウエハ
３２０    回転軸
３３０    カップ
４００    フォトレジスト
５００  ５００´    ノズル
５１０    供給口
５２０    障壁部
５５０    蓋
５６０    供給部
６００    容器
６１０    容器内の液体領域
６２０    容器内の気体領域
【図１】
2004321946.tif 000003
【図２】
2004321946.tif 000004
【図３】
2004321946.tif 000005
【図４】
2004321946.tif 000006
【図５】
2004321946.tif 000007
【図６】
2004321946.tif 000008
【図７】
2004321946.tif 000009
【図８】
2004321946.tif 000010
【図９】
2004321946.tif 000011
【図１０】
2004321946.tif 000012
【図１１】
2004321946.tif 000013
【図１２】
2004321946.tif 000014
【図１３】
2004321946.tif 000015
【図１４】
2004321946.tif 000016
【図１５】
2004321946.tif 000017