(57)【要約】【課題】分流工程の自動化を図り、作業ミスなどの低減に加え、製品の開発期間短縮や早期歩留り向上を実現することができる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】初期登録にて、分流を行う各ウェハ毎に、先行処理による着工条件やＡＰＣによる着工条件などから基準とする着工条件を選択し、指示変化量を設定することで、前記各ウェハが装置によって着工される際に、前記選択した着工条件に該当する着工条件値が自動で取得され（Ｓ４０２）、当該着工条件値に前記指示変化量を加算した数値が自動で装置に指示され（Ｓ４０３）、前記各ウェハが着工される（Ｓ４０４〜Ｓ４０６）。【選択図】        図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
分流を行う各ウェハ毎に、基準となる着工条件を選択し、指示変化量の数値を一括して初期登録するステップと、
自動で、前記選択された着工条件に該当する数値を取得するステップと、
前記取得された数値に、自動で前記指示変化量を加算するステップと、
前記加算された結果の数値を、自動で装置に指示するステップとを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置の製造方法であって、
前記基準となる着工条件は、ＡＰＣから得られた着工条件か、または先行処理から得られた着工条件か、あるいは前回の着工条件か、もしくは製造仕様書から得られた着工条件であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項２記載の半導体装置の製造方法であって、
前記基準となる着工条件の選択は、自動で行われることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
本体ウェハより先行して先行ウェハを着工し、最適な着工条件を導出する先行処理の有無を自動で判断するステップと、
前記先行処理が有る場合に、前記先行処理から導出された着工条件を、自動で前記本体ウェハの着工条件に反映させるステップとを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法であって、
さらに、ウェハの着工履歴管理を自動で行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置の製造方法に関し、特に分流工程を含む場合の生産指示方法および生産管理方法に適用して有効な技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】
本発明者が検討したところによれば、半導体装置の生産管理システムおよび生産管理方法に関しては、以下のような技術が考えられる。
【０００３】
例えば、半導体装置の製造ラインにおける、ロットの分割および合流をオンライン化したシステムが開示されている。その概要は、ウェハからウェハ番号を認識し、その番号から分割内容を記憶したデータに基づいて分割を行うというものである（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
また、例えば、実験水準データの設定と管理を容易にする生産管理システムおよび管理方法が開示されている。その概要は、ウェハベース管理コンピュータを設けることで、ウェハ毎の処理条件指示を可能にし、また、ウェハ間で同一処理条件となるものを識別するなどの機能を備えるものである（例えば、特許文献２参照）。
【０００５】
【特許文献１】
特開平９−１５３４３９号公報（第２〜３頁の課題を解決するための手段など）
【０００６】
【特許文献２】
特開２０００−２５２１７８号公報（第４〜６頁の発明の実施の形態など）
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、前記のような半導体装置の生産管理技術、および近年の生産管理技術における課題ついて、本発明者が検討した結果、以下のようなことが明らかとなった。
【０００８】
近年、半導体製品が多品種化し、製品サイクルが短くなるなどにより、早期のプロセス開発が必須となってきている。このプロセス開発における重要な技術として、異なる着工条件でウェハを処理し、プロセスの評価を行う分流技術が挙げられる。
【０００９】
この技術は、プロセスマージン（着工条件のばらつき許容範囲）を導出することなどを主目的としており、設定した着工条件に対して、高精度のプロセスが必要となってくる。また、分流工程の使用頻度の増加に伴い、前記高精度を備えた上での自動化が重要となる。
【００１０】
このような中、ホトリソグラフィ（以下、ホトと略す）、エッチング、ＣＭＰ等の工程に関しては、現状、装置状況が日々変化しており、それに応じて最適着工条件も異なってくる。そこで、精度を得るために、分流工程では、数枚のウェハを先行して処理し、現状の最適着工条件を求める先行処理や、狙い通りに加工されなかったウェハを再度処理する再生処理を行う場合などがある。
【００１１】
また、場合によっては、前記のような処理を行わずに、前回の着工条件を用いたり、過去のノウハウなどから考えられる数値を用いたりすることもある。そして、分流を行う際に、それらの着工条件に分流に伴う指示変化量を加算し、装置に入力する作業などがある。
【００１２】
このように、分流工程には複雑な処理や作業が含まれている。このため、分流工程は、自動化の対象外となり手動で行われているの現状である。
【００１３】
しかしながら、このような複雑な処理や作業を手動で行うことは、分流の使用頻度を制限し、新製品開発期間の短縮や、早期の歩留り向上の妨げとなる。また、作業ミスのポテンシャルも高めることとなる。さらに、先行処理、再生処理などにおいて、手動でのウェハの出し入れなどによる異物の混入や、表面への傷なども懸念される。
【００１４】
一方、装置状況に応じて最適な着工条件を指示するＡＰＣ（ａｄｖａｎｃｅｄｐｒｏｃｅｓｓ  ｃｏｎｔｒｏｌ）技術などが、主に量産技術として用いられてきている。この技術は、例えば、過去の着工条件や、その条件で着工したウェハの検査結果などから、統計的な計算を行い、最適着工条件を算出する技術である。
【００１５】
この技術により得られた最適着工条件、すなわちＡＰＣ計算値を用いると、前記のような先行処理などを必要としない場合が多くなり、大幅な効率向上が期待できる。ただし、高精度なＡＰＣ計算値を得るためには、ある程度の着工枚数が必要であったり、適用できる工程に限りがあったりする。このため、実際には前記先行処理などと併用して用いる必要があるが、当該技術を分流工程に適用すれば大きな効果が得られる。
【００１６】
しかしながら、前記ＡＰＣ技術も、分流工程の自動化には対応していないため、前記のような指示変化量の加算や、装置入力時などで作業ミスのポテンシャルを秘めている。また、これらの作業があることで、ＡＰＣ技術の活用による効率向上が阻害されている。
【００１７】
そこで、本発明の目的は、分流工程の自動化を図り、作業ミスなどの低減に加え、製品の開発期間短縮や早期歩留り向上を実現することができる半導体装置の製造方法を提供することにある。
【００１８】
本発明の前記並びにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述及び添付図面から明らかになるであろう。
【００１９】
【課題を解決するための手段】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次のとおりである。
【００２０】
本発明による半導体装置の製造方法は、分流を行う各ウェハ毎に、基準となる着工条件を選択し、指示変化量の数値を一括して初期登録するステップと、自動で、前記選択された着工条件に該当する数値を取得するステップと、前記取得された数値に、自動で前記指示変化量を加算するステップと、前記加算された結果の数値を、自動で装置に指示するステップとを有するものである。
【００２１】
そして、前記選択される着工条件は、ＡＰＣから得られた着工条件、先行処理から得られた着工条件、前回の着工条件、製造仕様書から得られた着工条件などである。
【００２２】
さらに、前記のような着工条件の選択は、自動で行うこともできる。
【００２３】
また、本発明による半導体装置の製造方法は、先行処理の有無を自動で判断し、前記先行処理が有る場合に、先行処理から導出された着工条件を、自動で前記本体ウェハの着工条件に反映させるものである。
【００２４】
さらに、本発明による半導体装置の製造方法は、ウェハの着工履歴管理を自動で行うことができるものである。
【００２５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一部材には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。
【００２６】
図１は、本発明の一実施の形態の半導体装置の製造方法において、分流工程の処理システムの一例を示す構成図である。
【００２７】
まず、図１により、本発明の一実施の形態の半導体装置の製造方法における、分流工程の処理システム構成の一例を説明する。
【００２８】
図１の分流工程の処理システムは、オペレータが端末を操作することで、ネットワーク上の各種サーバの処理などによって、製造ラインをコントロールできるものとなっている。
【００２９】
そのシステム構成は、ホストサーバ１を主体として、ホストサーバ１に接続され、ウェハ単位の分流内容や工程進捗および着工履歴等を記憶する分流管理サーバ２と、オペレータによって操作され、前記分流内容の登録などを行う端末３と、ホストサーバ１によってコントロールされ、半導体加工装置４、検査装置５およびウェハソータ６等からなる製造ラインと、ホストサーバ１に接続される検査結果記憶部７、製造条件記憶部８、仕掛かり工程記憶部９および最適着工条件記憶部１０などを含んでいる。
【００３０】
前記検査結果記憶部７は、ウェハ単位の検査結果を記憶し、前記製造条件記憶部８は、製造仕様書に登録されている着工条件の値を記憶し、前記仕掛かり工程記憶部９は、ロット単位の仕掛かり工程を記憶し、最適着工条件記憶部１０は、プロセス毎のＡＰＣ計算値および前回の着工条件の値などを記憶するものである。
【００３１】
つぎに、本発明の一実施の形態の半導体装置の製造方法において、前記図１に示したような処理システムを用いた、分流工程の処理手順の一例を図２〜図５によって説明する。図２は、分流工程の処理手順の一例を示すフロー図、図３は、図２に続く分流工程の処理手順の一例を示すフロー図、図４は、図２に続く他の分流工程の処理手順の一例を示すフロー図、図５は、図３に続く分流工程の処理手順の一例を示すフロー図である。
【００３２】
図２〜図５に示す分流工程の処理手順は、例えば、ホト工程に対し分流を行う場合の処理手順の一例である。そして、この処理手順は、最初に手動にて図１の端末３から分流情報をウェハ単位で登録することで、以降は、ほぼ自動でウェハの搬送や加工などが行われるように、図１に示したようなシステム上の各部にプログラムされたものである。
【００３３】
まず、図２に示す分流工程の処理手順は、下記のように行われる。
【００３４】
Ｓ２０１において、プロセススタッフなどにより分流計画が立案される。
【００３５】
Ｓ２０２において、プロセススタッフなどにより、前記計画した分流情報が図１に示した端末３などから、図１の分流管理サーバ２に登録される。前記分流情報には、適用工程、適用ロットＮｏ、着工条件、検査条件、検査ウェハＮｏ、ＡＰＣの使用可否、先行の有無などが含まれ、ウェハ単位で指示（登録）可能である。
【００３６】
ここで、それらの指示内容の具体例を、図６および図７に示す。ここでは、ホト工程において寸法を分流する場合を想定している。
【００３７】
図６は分流情報の登録テーブルの一例であり、（ａ），（ｂ）は、分流を行う適用ロットと適用工程種別などを定めるテーブル、（ｃ）は、感光工程において、前記適用ロット内の各ウェハ毎に着工条件などを定めるテーブル、（ｄ）は、検査工程において、前記適用ロット内の各ウェハ毎に検査規格などを定めるテーブルを示す。
【００３８】
図６（ａ），（ｂ）では、分流を行う適用ロットと、複数の適用工程の関係を指示する。その関係は適用工程種別で区別され、適用工程種別毎に、それぞれ異なった複数の適用工程を有している。その一例を図７に示す。
【００３９】
図７では、ホト工程内の詳細プロセス工程の中から、塗布工程、感光工程、現像工程、現像寸法検査工程および完成寸法検査工程を、適用工程として選択し、一つの適用工程種別として定義している。したがって、この適用工程種別と適用ロットの関係を指示すれば、どのロットをどの工程で分流するかが明確となる。なお、前記適用工程の選択は、図７のごとく複数工程を対象に飛び飛びに行うことが可能で、また、選択されなかった工程は、通常通りの着工が行われる。
【００４０】
図６（ｃ）では、前記選択した適用工程毎に、前記指示した適用ロット内の各ウェハ単位で着工条件の指示を行う。ここでは、感光工程を例としており、例えば、各ウェハを加工する対象装置や、各ウェハに対する露光量、フォーカスなどの着工条件や、着工条件の基準値としてＡＰＣ計算値を使用するか否か、また当該ウェハを反映させてＡＰＣ計算値の算出を行うか否かなどを規定している。
【００４１】
また、前記着工条件には、基準値と分流に伴う指示変化量が規定でき、基準値として用いる条件は、先行処理から得られた着工条件、数値入力による着工条件、ＡＰＣから得られた着工条件、前回の着工条件、および製造仕様書から得られた着工条件の中から選択可能なものとなっている。
【００４２】
図６（ｄ）では、現像寸法などの検査工程を例としており、前記図６（ｃ）と同様に、各ウェハ単位で、検査レシピ、先行規格値および本体規格値などを指示している。
【００４３】
Ｓ２０３において、前記図６（ａ），（ｂ）にて指示した適用ロットが適用工程に仕掛かる。
【００４４】
Ｓ２０４において、端末に、前記図６（ｃ）などに示したような分流情報が表示され、作業者などによってその内容が確認される。
【００４５】
Ｓ２０５において、ロット分割の必要がある場合は、ウェハソータを用いるか、もしくは手作業にて、ロットを別々のキャリアに分割する。
【００４６】
Ｓ２０６において、ロット分割の情報を登録する。すなわち、前記キャリアのキャリアＩＤと、そのキャリアに含まれるウェハＮｏとの関係付けを登録する。ウェハソータを用いる場合は自動、手作業で行う場合は手動による登録となる。
【００４７】
Ｓ２０７において、装置（図１の半導体加工装置４や検査装置５）にキャリアが搬送される。
【００４８】
ここで、Ｓ２０５〜Ｓ２０７の手順の具体例として、ウェハソータを用いたロット分割および分割後の処理を、図８により説明する。
【００４９】
図８では、４通りの分割パターンが示されている。
【００５０】
分割パターン１は、ロット（ロットＮｏ．００１）内のＡグループ、Ｂグループ、Ｃグループのウェハを、３つのキャリア（００１−１，００１−２，００１−３）に分割し、それぞれのキャリアを別装置（１，２，３）にて処理後、ロットを統合した例である。
【００５１】
分割パターン２は、前記と同様にロットを３つのキャリアに分割し、それぞれのキャリアを１台の装置でシリアルに処理した後、ロットを統合した例である。
【００５２】
分割パターン３は、キャリアは分割せずに、装置１にてＡグループを処理後、装置２にてＢグループを処理し、その後装置３にてＣグループを処理した例である。
【００５３】
分割パターン４も、キャリアは分割せずに、１台の装置にて、Ａ、Ｂ、Ｃグループのウェハを順次処理した例である。
【００５４】
これらの分割および統合は、前記図６（ｃ）などで指示した各ウェハ毎の分流内容と対象装置を識別するなどで、分割のパターンが特定でき、キャリアＩＤとウェハＮｏの関連付けを、自動で行うことが可能となる。なお、分割および統合のタイミングは任意であり、分割したまま複数工程の着工も可能である。
【００５５】
Ｓ２０８において、先行処理の有無が判断される。先行処理の有無は、図６（ｃ）などに示した分流内容から判断される。例えば、分流内容に「先行」の記載があれば、先行処理有りとなる。そして、先行処理を行う場合は、図３のＳ３０１に、行わない場合は、図４のＳ４０１に移行する。
【００５６】
次に、図３に示す分流工程の処理手順は、下記のように行われる。この手順は、前記図２のＳ２０８にて先行処理が有る場合の手順となる。
【００５７】
Ｓ３０１において、端末に、前記図６（ｃ）などに示したような分流情報が表示され、作業者などによってその内容が確認される。
【００５８】
Ｓ３０２において、先行処理で使用する着工条件（基準値）の取得が自動で行われる。基準値としては、数値入力による着工条件値、ＡＰＣ計算値、前回の着工条件値、および製造仕様書から得られた着工条件値の中のいずれかとなる。それらの選択方法には、手動で行う方法と自動で行う方法がある。
【００５９】
手動で行う場合は、前記図２のＳ２０２における分流情報の登録時に、前記図６（ｃ）などの基準値の欄などで予め指示すればよく、自動で行う場合は、例えば、下記のような条件をシステム上で定義すればよい。
【００６０】
（１）図６（ｃ）などの基準値の欄が具体的数値の場合は、その値を着工条件（数値入力による着工条件）とし、図１の分流管理サーバ２から値を取得する。
【００６１】
（２）図６（ｃ）などの基準値の欄が「標準」の場合は、着工履歴を参照することで下記（ａ）〜（ｃ）などに分類する。
【００６２】
（ａ）設定した累積着工ウェハ枚数に達している場合、ＡＰＣ計算値を適用し、図１の最適着工条件記憶部１０から値を取得する。
【００６３】
（ｂ）設定した累積着工ウェハ枚数に達していない場合は、前回の着工条件を適用し、図１の最適着工条件記憶部１０から値を取得する。
【００６４】
（ｃ）一度も着工されていない場合、製造仕様書により得られた着工条件を適用し、図１の製造条件記憶部８から値を取得する。
【００６５】
なお、これら基準値の指示に関する具体例は、図９〜図１４にて後述する。
【００６６】
Ｓ３０３において、装置に、前記取得された先行着工条件が自動で指示される。
【００６７】
Ｓ３０４〜Ｓ３０７において、先行処理を行うウェハ（先行ウェハ）が選択され、装置によって着工が行われる。先行ウェハは、このＳ３０４にて手動で選択するか、または、前記図６（ｃ）などにおいて先行ウェハＮｏを予め規定してもよい。なお、先行ウェハの着工および終了に際し、図１の分流管理サーバに対してそれらの通知が行われる。
【００６８】
Ｓ３０８において、先行処理終了の判断が行われる。先行処理として、複数の詳細プロセス工程を指定した場合などでは、それらの工程が全て完了するまでＳ３０１〜Ｓ３０７が繰り返される。工程が全て完了した場合などではＳ３０９に移行する。
【００６９】
Ｓ３０９において、先行規格の判断が行われる。先行処理に含まれる検査工程の結果と、前記図６（ｄ）で定めた先行規格値とを比べて合否判断が行われる。先行規格が合格ならば、図５のＳ５０１に、不合格ならば、再生ウェハを入力してＳ３０１〜Ｓ３０８を再度繰り返す処理、すなわち再生処理を行う。また、再生を行うウェハは、手動で入力するか、もしくは、不合格なウェハを自動で抽出し、その検査結果に応じて着工条件を自動で補正し、着工してもよい。
【００７０】
次に、図４に示す分流工程の処理手順は、下記のように行われる。この手順は、前記図２のＳ２０８にて先行処理が無い場合の手順となる。
【００７１】
Ｓ４０１において、端末に、前記図６（ｃ）などに示したような分流情報が表示され、作業者などによってその内容が確認される。
【００７２】
Ｓ４０２において、着工条件（基準値）が自動で取得される。基準値としては、数値入力による着工条件値、ＡＰＣ計算値、前回の着工条件値、および製造仕様書による着工条件値の中のいずれかとなる。その選択方法には、前記図３のＳ３０２の説明と同様、手動で行う方法と自動で行う方法がある。
【００７３】
Ｓ４０３において、前記取得された着工条件に、前記図６（ｃ）で指示した分流に伴う指示変化量が自動で加算され、装置に自動で指示される。
【００７４】
ここで、前記図２のＳ２０２における分流情報の登録を基に、Ｓ４０２およびＳ４０３で基準値の取得および指示変化量の自動加算が行われる具体例を、図９〜図１４にて説明する。図９〜図１４は、前記図６（ｃ），（ｄ）などに示した分流情報の登録テーブルの一部であり、その登録によって装置に着工条件値が指示される流れを示すものである。ここでは、ホト工程の露光量を変化させて寸法条件の分流を行う場合を想定する。
【００７５】
図９は、数値入力による着工条件が選択された例を示す。各ウェハ毎に、露光量の基準値の欄に数値が入力されており、その値がそのまま装置指示条件となって着工される。
【００７６】
図１０は、先行処理により得られた着工条件が指示された例を示す。分流内容の欄に記載された「先行」に該当する先行ウェハで先行処理が行われ、最適着工条件値が導出される。なお、先行ウェハの基準値は「標準」であるため、先行ウェハの着工条件は、ＡＰＣにより得られた着工条件、前回の着工条件、または製造仕様書により得られた着工条件の中から選択される。ウェハＮｏ１〜２５では、各ウェハ単位で、基準値の「先行」に応じて、前記先行処理によって導出された最適着工条件値（この例の場合は、露光量＝１０００）を自動で取得し、それに自動で指示変化量が加算され、その値が装置指示条件となって着工される。
【００７７】
図１１は、複数の先行処理による着工条件が指示された例を示す。それぞれ着工条件が異なる、分流内容の欄の「先行１」および「先行２」に該当する先行ウェハで先行処理が行われ、それぞれの最適着工条件値が導出される。ウェハＮｏ１〜２５では、各ウェハ単位で、基準値の「先行１」または「先行２」に応じて、前記先行処理によって導出された先行１または先行２の最適着工条件値（この例の場合は、先行１：露光量＝１８００、先行２：露光量＝２０００）を自動で取得し、それに自動で指示変化量が加算される。そして、その加算された値が装置指示条件となって着工される。
【００７８】
図１２は、ＡＰＣにより得られた着工条件が選択された例を示す。各ウェハ単位で、図１に示した最適着工条件記憶部１０から、ＡＰＣ計算値（この例の場合は、露光量＝１５００）を自動で取得し、基準値とする。そして、その基準値に対し、各ウェハ毎の指示変化量を加えた値が装置指示条件となって着工される。
【００７９】
図１３は、前回の着工条件が選択された例を示す。各ウェハ単位で、図１に示した最適着工条件記憶部１０から、前回の着工条件（この例の場合は、露光量＝１５００）を自動で取得し、基準値とする。そして、その基準値に対し、各ウェハ毎の指示変化量を加えた値が装置指示条件となって着工される。
【００８０】
図１４は、製造仕様書により得られた着工条件が選択された例を示す。各ウェハ単位で、図１に示した製造条件記憶部から、製造仕様書に登録された値（この例の場合は、露光量＝１５００）を自動で取得し、基準値とする。そして、その基準値に指示変化量を加えた値が装置指示条件となって着工される。
【００８１】
なお、前記図９〜図１４において、着工条件の選択は、前記図３のＳ３０２で説明したように自動で行われた場合とする。
【００８２】
Ｓ４０４〜Ｓ４０６において、装置によって、本体ウェハの着工が行われる。なお、この際に図１の分流管理サーバ２に対し、着工の開始および終了の報告が行われる。
【００８３】
Ｓ４０７において、本体工程終了の判断が行われる。本体工程として、複数の詳細プロセス工程を指定した場合などでは、それらの工程が全て完了するまでＳ４０１〜Ｓ４０６が繰り返される。工程が全て完了した場合は、Ｓ４０８に移行する。
【００８４】
Ｓ４０８において、本体規格の判断が行われる。本体工程に含まれる検査工程の結果と、前記図６（ｄ）で定めた本体規格値とを比べて合否判断が行われる。本体規格が合格ならば、次の工程へ移行し、不合格ならば、再生ウェハを入力してＳ４０１〜Ｓ４０７を再度繰り返す再生処理を行う。
【００８５】
次に、図５に示す分流工程の処理手順を説明する。この手順は、前記図３のＳ３０９にて先行規格が合格だった場合の手順となる。
【００８６】
図５に示す手順は、前記図４の手順の説明とほぼ同様であり、相違点は、Ｓ５０２において、着工条件の基準値が前記図３の先行処理（または再生処理）によって導出された値になることのみである。したがって、下記に省略して手順を説明する。
【００８７】
Ｓ５０１において、端末に、分流情報が表示され、作業者などによってその内容が確認される。
【００８８】
Ｓ５０２において、着工条件（基準値）が自動で取得される。基準値としては、先行処理により得られた着工条件値となる。
【００８９】
Ｓ５０３において、前記取得された着工条件値に分流に伴う指示変化量が自動で加算され、装置に自動で指示される。
【００９０】
Ｓ５０４〜Ｓ５０６において、装置によって、本体ウェハの着工が行われる。なお、この際に図１の分流管理サーバ２に対し、着工の開始および終了の報告が行われる。
【００９１】
Ｓ５０７において、本体工程終了の判断が行われる。本体工程として、複数の詳細プロセス工程を指定した場合などでは、それらの工程が全て完了するまでＳ５０１〜Ｓ５０６が繰り返される。工程が全て完了した場合はＳ５０８に移行する。
【００９２】
Ｓ５０８において、本体規格の判断が行われる。本体工程に含まれる検査工程の結果と、前記図６（ｄ）で定めた本体規格値とを比べて合否判断が行われる。本体規格が合格ならば、次の工程へ移行し、不合格ならば、再生ウェハを入力してＳ５０１〜Ｓ５０７を再度繰り返す再生処理を行う。
【００９３】
以上、これまでの説明により、本発明の一実施の形態の半導体装置の製造方法によれば、各ウェハ毎に、着工条件の基準値（ＡＰＣ計算値、先行処理から得られた着工条件値、前回の着工条件値など）に指示変化量を加えた値の自動指示、および自動着工が可能になり、精度の高い分流工程が容易に実現できる。
【００９４】
また、手作業による、着工条件の設定ミスやウェハ損傷の可能性がなく、信頼性が高い分流工程を実現できる。
【００９５】
さらに、分流工程へのＡＰＣ技術の適用により、先行処理無しで本体着工が可能になり、分流ロットのＴＡＴが短縮される。したがって、分流頻度を増加させることができ、早期の製品開発および歩留向上が期待できる。
【００９６】
つぎに、本発明の一実施の形態の半導体装置の製造方法において、前記図２〜図５に示したような分流工程のフロー内で進捗管理および着工履歴管理を行う機能について説明する。
【００９７】
これらの機能は、図１の分流管理サーバ２が有するウェハ単位の工程進捗機能を用いて行われ、各ウェハの進捗状況を管理する機能や、ウェハの分割情報、着工時間、着工待ち時間、着工順序、装置名、着工日時および作業者名等といった着工履歴のログを作成する機能である。実際の着工フローにおいて、これらの機能が使用される一例を、図１５により説明する。
【００９８】
図１５は、先行ウェハ、本体ウェハ、再生ウェハを含む着工フローの一例であり、それぞれのフローにおいて、各ウェハに対する進捗管理および着工履歴管理は下記のように行われる。
【００９９】
（１）先行ウェハの進捗管理、着工履歴管理
先行ウェハを、前記図６（ｃ）などで定義する場合は不必要となるが、手動で選択する場合は、選択したウェハＮｏが分流管理サーバに通知される。そして、分流管理サーバに登録された着工条件などを基に、先行ウェハにおいて、レジストの塗布、感光、…、現像寸法検査などの進捗状況が管理される。また、各工程が終了する毎に、装置より分流管理サーバに対して終了の通知などが行われ、着工時間などの着工履歴のログが作成される。
【０１００】
（２）本体ウェハ１と２の進捗管理、着工履歴管理
進捗管理や着工履歴の管理は、キャリア単位で行われる。つまり、本体ウェハ１と２をキャリア分割なしで着工した場合は、本体ウェハ１と２は、同一の進捗、履歴とする。本体ウェハ１と２を分流条件毎に別キャリアに分割して着工した場合は、それぞれキャリアごとに管理を行う。この場合は、分流管理サーバにて、前記図２のＳ２０６で登録したキャリアＩＤとウェハＮｏとの関係付け情報を基に、管理が行われる。また、各工程が終了する毎に、装置より分流管理サーバに対して終了の通知などが行われ、着工履歴のログが作成される。なお、本体ウェハ１と２の着工条件には、前記先行ウェハの結果が反映される。
【０１０１】
（３）再生ウェハの進捗管理、着工履歴管理
再生ウェハを、自動で選択する場合は不必要となるが、手動で選択する場合は、選択したウェハＮｏや着工条件などが分流管理サーバに通知される。そして、分流管理サーバに登録された着工条件などを基に、再生ウェハにおいて、再生ウェハの入力、レジスト除去・洗浄、塗布、…、現像寸法検査などの進捗状況が管理される。また、各工程が終了する毎に、装置より分流管理サーバに対して終了の通知などが行われ、着工履歴のログが作成される。
【０１０２】
以上、これまでの説明により、本発明の一実施の形態の半導体装置の製造方法における、ウェハの進捗および着工履歴管理機能によれば、様々なロット分割パターンにおいても、キャリア単位の工程進捗および履歴管理が可能となり、分流解析ＴＡＴの短縮、分流解析機能の強化を行うことができる。
【０１０３】
以上、本発明者によってなされた発明をその実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
【０１０４】
例えば、これまでの本発明の一実施の形態の説明においては、分流工程を主要な例として説明したが、通常の量産工程において先行処理を行う必要がある場合などにも、その自動化手法として適用可能である。
【０１０５】
【発明の効果】
本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、以下のとおりである。
【０１０６】
（１）着工条件の基準値（ＡＰＣ計算値、先行処理から得られた着工条件値、前回の着工条件値など）に指示変化量を加えた着工条件の自動指示が可能になり、精度の高い分流工程が実現できる。
【０１０７】
（２）先行処理を自動で行うことができ、キャリアを分割せずに着工を行うことも可能となる。
【０１０８】
（３）前記（１），（２）により、作業時間が大幅に短縮でき、また、手作業による着工条件の設定ミスや、移し変えなどに伴うウェハの損傷が少なくなり、作業を効率化できる。
【０１０９】
（４）分流工程へのＡＰＣ技術の適用により、先行処理を行わずに本体ウェハの着工が可能になり、分流ロットのＴＡＴが短縮される。
【０１１０】
（５）先行、再生ウェハを含む着工履歴が自動収集されることで、分流解析ＴＡＴの短縮、分流解析機能の強化を行うことができる。
【０１１１】
（６）前記（１）〜（５）により、分流工程の容易化およびＴＡＴ短縮が可能となる。
【０１１２】
（７）前記（６）により、分流頻度を増加させることができ、早期の製品開発および歩留向上が期待できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施の形態の半導体装置の製造方法において、分流工程の処理システムを示す構成図である。
【図２】本発明の一実施の形態の半導体装置の製造方法において、分流工程の処理手順を示すフロー図である。
【図３】本発明の一実施の形態の半導体装置の製造方法において、図２に続く分流工程の処理手順を示すフロー図である。
【図４】本発明の一実施の形態の半導体装置の製造方法において、図２に続く他の分流工程の処理手順を示すフロー図である。
【図５】本発明の一実施の形態の半導体装置の製造方法において、図３に続く分流工程の処理手順を示すフロー図である。
【図６】図２〜図５に示す分流工程の処理手順において、分流情報を登録するテーブルの一例であり、（ａ），（ｂ）は、分流を行う適用ロットと適用工程種別などを定めるテーブル、（ｃ）は、感光工程で適用ロット内の各ウェハ毎に着工条件などを定めるテーブル、（ｄ）は、検査工程で適用ロット内の各ウェハ毎に検査規格などを定めるテーブルである。
【図７】図６（ｂ）における適用工程種別の一例を説明する工程フロー図である。
【図８】図２〜図５に示す分流工程の処理手順において、ロット分割のパターンを示す説明図である。
【図９】図２〜図５に示す分流工程の処理手順において、着工条件として数値を登録し、装置に着工条件が指示される流れを示す説明図である。
【図１０】図２〜図５に示す分流工程の処理手順において、着工条件として先行処理の結果を指示し、装置に着工条件が指示される流れを示す説明図である。
【図１１】図２〜図５に示す分流工程の処理手順において、着工条件として複数の先行処理の結果を指示し、装置に着工条件が指示される流れを示す説明図である。
【図１２】図２〜図５に示す分流工程の処理手順において、着工条件としてＡＰＣによる条件が選択され、装置に着工条件が指示される流れを示す説明図である。
【図１３】図２〜図５に示す分流工程の処理手順において、着工条件として前回の着工条件が選択され、装置に着工条件が指示される流れを示す説明図である。
【図１４】図２〜図５に示す分流工程の処理手順において、着工条件として製造仕様書の条件が選択され、装置に着工条件が指示される流れを示す説明図である。
【図１５】本発明の一実施の形態の半導体装置の製造方法において、ウェハの進捗管理および着工履歴管理機能を説明する図である。
【符号の説明】
１  ホストサーバ
２  分流管理サーバ
３  端末
４  半導体加工装置
５  検査装置
６  ウェハソータ
７  検査結果記憶部
８  製造条件記憶部
９  仕掛かり工程記憶部
１０  最適着工条件記憶部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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