(57)【要約】【課題】信頼性を向上させた基板処理装置を提供することを目的とする。【解決手段】本発明の基板処理装置によれば、基板Ｗに一連の処理を施す処理ライン１３を複数個（例えば２個）独立して備えているので、２個の処理ライン１３のうちの１つの処理ライン１３が故障したとしても、他の処理ライン１３で基板Ｗに一連の処理を施すことができ、本基板処理装置の生産性能がゼロにならず、本基板処理装置全体が不稼動状態にならない、つまり、アベイラビリティ（稼動率：本基板処理装置が使える状態にある割合のこと）を向上させることができ、信頼性を向上させることができる。【選択図】　　　図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に一連の処理を施す基板処理装置であって、
基板に所定の処理を施す複数個の処理部と、前記複数個の処理部の間で基板の受渡しを行うための基板搬送手段とを有し、処理すべき基板を収納した基板収納手段から払い出された基板を前記複数個の処理部で所要の一連の処理を施して前記基板収納手段に戻すように前記基板搬送手段で搬送する処理ラインを、独立して複数個設けたことを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載の基板処理装置において、
前記複数個の処理部は、基板に塗布液を塗布する塗布部と、基板を熱処理するための熱処理部と、塗布液が塗布された基板を現像する現像部とを含むことを特徴とする基板処理装置。
【請求項３】
請求項２に記載の基板処理装置において、
前記処理ラインは、前記塗布部と前記熱処理部と前記現像部とのうちの少なくともいずれかが上下方向に複数段に配設されて構成されていることを特徴とする基板処理装置。
【請求項４】
請求項１から請求項３のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記基板搬送手段は、固定した昇降軸周りに回転可能で、前記昇降軸に沿って昇降移動可能で、かつ回転半径方向に進退移動可能に構成された、基板を保持する基板保持部を備えていることを特徴とする基板処理装置。
【請求項５】
請求項４に記載の基板処理装置において、
前記基板搬送手段は、前記各処理部間に個別に配設されることで複数個備えられていることを特徴とする基板処理装置。
【請求項６】
請求項５に記載の基板処理装置において、
前記複数個の基板搬送手段は、塗布液や現像液などの処理液で処理された基板を扱う処理液用の基板搬送手段と、熱処理された基板を扱う熱処理用の基板搬送手段とに区別されていることを特徴とする基板処理装置。
【請求項７】
請求項２から請求項６のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記処理ラインは、前記熱処理部を水平面内の第１直線方向に挟み込むように配置された２個の前記基板搬送手段と、前記基板搬送手段の前記第１直線方向に直交する水平面内の第２直線方向の一方側に配置された他の前記処理部とを有し、前記第１直線方向の直線に線対称となるように独立して２個並設されていて、
前記第２直線方向に配設された前記２個の熱処理部は、前記第２直線方向に一体として移動可能なように構成されていることを特徴とする基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体基板、液晶表示器のガラス基板、フォトマスク用のガラス基板、光ディスク用の基板などの基板（以下、単に基板と称する）に、一連の処理を施す基板処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、このような基板処理装置は、例えば、フォトレジスト膜を基板に塗布形成し、フォトレジスト膜が塗布されたその基板に対して露光処理を行い、さらに露光処理後の基板を現像するフォトリソグラフィ工程に用いられている。
【０００３】
これを図１９の平面図に示し、以下に説明する。この基板処理装置は、未処理の複数枚（例えば２５枚）の基板Ｗを収納したカセット（図示省略）を投入する投入部１０１と、処理済の基板Ｗを収納したカセットを払い出す払出部１０２と、投入部１０１・払出部１０２および後述する処理部１０４間で基板Ｗの投入および払い出しを行うインデクサ１０３と、複数個の処理部１０４と、複数個の処理部１０４間で基板Ｗを搬送する経路である基板搬送経路１０５と、処理部１０４および外部処理装置１０７間で基板Ｗの受け渡しを中継するインターフェイス１０６とから構成されている。投入部１０１と払出部１０２とが同一の場合もある。
【０００４】
外部処理装置１０７は、基板処理装置とは別体の装置であって、基板処理装置のインターフェイス１０６に対して着脱可能に構成されている。基板処理装置が、上述したレジスト塗布および現像処理を行う装置である場合、この外部処理装置１０７は、基板Ｗの露光処理を行う露光装置となる。
【０００５】
また、インデクサ１０３の搬送経路上を搬送する搬送機構１０８ａと、基板搬送経路１０５上を搬送する搬送機構１０８ｂと、インターフェイス１０６の搬送経路上を搬送する搬送機構１０８ｃとがそれぞれ配設されている。その他に、インデクサ１０３と基板搬送経路１０５との連結部には載置台１０９ａ、基板搬送経路１０５とインターフェイス１０６との連結部には載置台１０９ｂがそれぞれ配設されている。
【０００６】
上述した基板処理装置において、以下の手順で基板処理が行われる。未処理の基板Ｗを収納したカセットを投入部１０１に投入して、投入されたカセットから１枚の基板を搬送機構１０８ａが取り出して、搬送機構１０８ｂに基板Ｗを渡すために、載置台１０９ａまで搬送する。搬送機構１０８ｂは、載置台１０９ａに載置された基板Ｗを受け取った後、各処理部１０４内で所定の処理（例えば、レジスト塗布などの処理）をそれぞれ行うために、それらの処理部１０４に基板Ｗをそれぞれ搬入する。所定の各処理がそれぞれ終了すると、搬送機構１０８ｂはそれらの処理部１０４から基板Ｗをそれぞれ搬出して、次の処理を行うために別の処理部１０４に基板Ｗを搬入する。
【０００７】
このように露光までの一連の処理が終了すると、搬送機構１０８ｂは、処理部１０４で処理された基板Ｗを載置部１０９ｂまで搬送する。搬送機構１０８ｃに基板Ｗを渡すために、上述した載置台１０９ｂに基板Ｗを載置する。搬送機構１０８ｃは、載置台１０９ｂに載置された基板Ｗを受け取った後、外部処理装置１０７まで搬送する。外部処理装置１０７に搬入して、所定の処理（例えば、露光処理などの処理）が終了すると、搬送機構１０８ｃは外部処理装置１０７から基板Ｗを搬出して、載置部１０９ｂまで搬送する。後は、外部処理装置１０７までの処理とは逆の手順で基板Ｗの受け渡しおよび処理が行われる。そして、払出部１０２から払い出されて、一連の基板処理が終了する。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、このような構成を有する従来例の場合には、次のような問題がある。
すなわち、従来の基板処理装置では、本装置を高信頼性のものとするために、処理部１０４や搬送機構１０８ａ〜１０８ｃなど各種の構成に、故障率の低いつまり信頼性の高い部品を採用したとしても、それでもなお、基板処理装置の信頼性を高くできないという問題がある。
【０００９】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、信頼性を向上させた基板処理装置を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上記課題を達成するために、発明者が鋭意研究をした結果、次のような知見を得た。すなわち、従来の基板処理装置では、図１９に示した前述の搬送機構１０８ｂがその他のものよりも特に故障し易いという現象が存在することを解明した。そして、この搬送機構１０８ｂが故障してしまうと、処理部１０４に基板Ｗを搬送できなくなり、基板Ｗを処理できなくなるので、直ちに、この基板処理装置の生産性能がゼロになり、この基板処理装置全体が不稼動状態になってしまい、基板処理装置の信頼性が低くなっているという因果関係があることを見出したのである。
【００１１】
このような知見に基づく本発明は次のような構成を採る。
本発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。
すなわち、請求項１に記載の発明は、基板に一連の処理を施す基板処理装置であって、基板に所定の処理を施す複数個の処理部と、前記複数個の処理部の間で基板の受渡しを行うための基板搬送手段とを有し、処理すべき基板を収納した基板収納手段から払い出された基板を前記複数個の処理部で所要の一連の処理を施して前記基板収納手段に戻すように前記基板搬送手段で搬送する処理ラインを、独立して複数個設けたことを特徴とするものである。
【００１２】
（作用・効果）請求項１に記載の発明によれば、基板に一連の処理を施す処理ラインを複数個独立して備えているので、複数個の処理ラインのうちの１つの処理ラインが故障したとしても、他の処理ラインで基板に一連の処理を施すことができ、本基板処理装置の生産性能がゼロにならず、本基板処理装置全体が不稼動状態にならない、つまり、アベイラビリティ（稼動率：本基板処理装置が使える状態にある割合のこと）を向上させることができ、信頼性を向上させることができる。
【００１３】
また、請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の基板処理装置において、前記複数個の処理部は、基板に塗布液を塗布する塗布部と、基板を熱処理するための熱処理部と、塗布液が塗布された基板を現像する現像部とを含むことを特徴とするものである。
【００１４】
（作用・効果）請求項２に記載の発明によれば、複数個の処理部は、基板に塗布液を塗布する塗布部と、基板を熱処理するための熱処理部と、塗布液が塗布された基板を現像する現像部とを含むので、基板に対して塗布処理、熱処理および現像処理するという一連の処理を行う処理ラインを複数系統備えることができる。
【００１５】
また、請求項３に記載の発明は、請求項２に記載の基板処理装置において、前記処理ラインは、前記塗布部と前記熱処理部と前記現像部とのうちの少なくともいずれかが上下方向に複数段に配設されて構成されていることを特徴とするものである。
【００１６】
（作用・効果）請求項３に記載の発明によれば、処理ラインは、塗布部と熱処理部と現像部とのうちの少なくともいずれかが上下方向に複数段に配設されて構成されているので、塗布部と熱処理部と現像部とのうちの少なくともいずれかの増設に伴って基板処理装置の占有面積が大きくなることを防止できる、つまり、基板処理装置の占有面積を小さくすることができ、基板処理装置の省フットプリント化が可能である。
【００１７】
また、請求項４に記載の発明は、請求項１から請求項３のいずれかに記載の基板処理装置において、前記基板搬送手段は、固定した昇降軸周りに回転可能で、前記昇降軸に沿って昇降移動可能で、かつ回転半径方向に進退移動可能に構成された、基板を保持する基板保持部を備えていることを特徴とするものである。
【００１８】
（作用・効果）請求項４に記載の発明によれば、基板搬送手段は、固定した昇降軸方向とその軸周り方向と回転半径方向とに移動する基板保持部を備えているので、基板を３方向に移動させる搬送機構を簡易な構成で実現することができる。
【００１９】
また、請求項５に記載の発明は、請求項４に記載の基板処理装置において、前記基板搬送手段は、前記各処理部間に個別に配設されることで複数個備えられていることを特徴とするものである。
【００２０】
（作用・効果）請求項５に記載の発明によれば、基板搬送手段は、各処理部間に個別に配設されることで複数個備えられているので、基板収納手段から払い出された基板を複数個の処理部で所要の一連の処理を施してこの基板収納手段に再び戻すという処理ラインを簡易な構成で実現することができる。
【００２１】
また、請求項６に記載の発明は、請求項５に記載の基板処理装置において、前記複数個の基板搬送手段は、塗布液や現像液などの処理液で処理された基板を扱う処理液用の基板搬送手段と、熱処理された基板を扱う熱処理用の基板搬送手段とに区別されていることを特徴とするものである。
【００２２】
（作用・効果）請求項６に記載の発明によれば、処理液用の基板搬送手段は塗布液や現像液などの処理液で処理された基板を扱い、熱処理用の基板搬送手段は熱処理された基板を扱うように区別しているので、熱処理された基板を扱うことで昇温される熱処理用の基板搬送手段が、塗布液や現像液などの処理液で基板を処理する処理部に基板を直接に搬送することがないし、熱処理用の基板搬送手段から基板への熱伝導によって温度変化した基板を、処理液で基板を処理する処理部に搬送することを防止でき、熱分離することができる。
【００２３】
また、請求項７に記載の発明は、請求項２から請求項６のいずれかに記載の基板処理装置において、前記処理ラインは、前記熱処理部を水平面内の第１直線方向に挟み込むように配置された２個の前記基板搬送手段と、前記基板搬送手段の前記第１直線方向に直交する水平面内の第２直線方向の一方側に配置された他の前記処理部とを有し、前記第１直線方向の直線に線対称となるように独立して２個並設されていて、前記第２直線方向に配設された前記２個の熱処理部は、前記第２直線方向に一体として移動可能なように構成されていることを特徴とするものである。
【００２４】
（作用・効果）請求項７に記載の発明によれば、水平面内の第１直線方向の直線に線対称となるように独立して並設された２個の処理ラインのうちの第２直線方向に配設された２個の熱処理部は、一体として第２直線方向に移動可能なように構成されているので、処理ラインの基板搬送手段をメンテナンスする際に、２個の熱処理部を一体に第２直線方向に移動させることで、処理ラインの基板搬送手段をメンテナンスするために作業者が入り込むためのスペースが確保でき、処理ラインの基板搬送手段のメンテナンス性を向上させることができる。
【００２５】
なお、本明細書は、次のような基板処理方法および基板処理装置に係る発明も開示している。
（１）基板に一連の処理を施す基板処理方法において、
処理すべき基板が基板収納手段に収納される収納過程と、
前記基板収納手段から払い出された基板に所要の一連の処理を施して前記基板収納手段に戻す処理ラインが独立して複数個設けられていて、前記複数個の処理ラインで基板を並列処理する並列処理過程と
を備えていることを特徴とする基板処理方法。
【００２６】
前記（１）に記載の基板処理方法によれば、並列処理過程では、基板収納手段から払い出された基板に所要の処理を施して基板収納手段に戻すという処理ラインが独立して複数個備えられていて、この複数個の処理ラインで基板を並列処理するので、複数個の処理ラインのうちの１つの処理ラインが故障したとしても、他の処理ラインで基板に一連の処理を施すことができ、本基板処理装置の生産性能がゼロにならず、本基板処理装置全体が不稼動状態にならない、つまり、アベイラビリティ（稼動率：本基板処理装置が使える状態にある割合のこと）を向上させることができ、信頼性を向上させることができる。
【００２７】
（２）基板に一連の処理を施す基板処理装置において、
基板に所定の処理を施す処理部を水平面内の第１直線方向に挟み込むように配置された２個の基板搬送手段と、前記基板搬送手段の前記第１直線方向に直交する水平面内の第２直線方向の一方側に配置された他の前記処理部とを有する処理ラインを備え、
前記処理ラインは、処理すべき基板を収納した基板収納手段から払い出された基板を前記複数個の処理部で所要の一連の処理を施して前記基板収納手段に戻すように前記基板搬送手段で搬送するものであって、前記第１直線方向の直線に線対称となるように独立して２個並設され、
前記基板収納手段に挟み込まれていて、なおかつ前記第２直線方向に並ぶ前記２個の処理部は、前記第２直線方向に一体に移動可能なように構成されていることを特徴とする基板処理装置。
【００２８】
前記（２）に記載の基板処理装置によれば、水平面内の第１直線方向の直線に線対称となるように独立して並設された２個の処理ラインのうちで、基板収納手段に挟み込まれていて、なおかつ第２直線方向に配設された２個の処理部は、一体として第２直線方向に移動可能なように構成されているので、処理ラインの基板搬送手段をメンテナンスする際に、この２個の処理部を一体に第２直線方向に移動させることで、処理ラインの基板搬送手段をメンテナンスするために作業者が入り込むためのスペースが確保でき、処理ラインの基板搬送手段のメンテナンス性を向上させることができる。
【００２９】
（３）基板に一連の処理を施す基板処理装置において、
水平面内の第１直線方向に隣接する２個の基板搬送手段を前記第１直線方向で挟み込むように配設された、基板に所定の処理を施すための２個の処理部と、前記基板搬送手段の前記第１直線方向に直交する水平面内の第２直線方向の一方側に配置された他の前記処理部とを有する処理ラインを備え、
前記処理ラインは、処理すべき基板を収納した基板収納手段から払い出された基板を前記複数個の処理部で所要の一連の処理を施して前記基板収納手段に戻すように前記基板搬送手段で搬送するものであって、前記第１直線方向の直線に線対称となるように独立して２個並設され、
前記第１直線方向に隣接して配設された２個の前記他の処理部は、前記第１直線方向に移動可能なように構成されていることを特徴とする基板処理装置。
【００３０】
前記（３）に記載の基板処理装置によれば、水平面内の第１直線方向の直線に線対称となるように独立して並設された２個の処理ラインのうちで、第１直線方向に隣接して配設された２個の他の処理部は、第１直線方向に移動可能なように構成されているので、処理ラインの基板搬送手段をメンテナンスする際に、この２個の他の処理部を第１直線方向に移動させることで、処理ラインの基板搬送手段をメンテナンスするために作業者が入り込むためのスペースが確保でき、処理ラインの基板搬送手段のメンテナンス性を向上させることができる。
【００３１】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の実施例を説明する。
＜第１実施例＞
本発明の第１実施例の基板処理装置について説明する。図１は本発明の第１実施例に係る基板処理装置の概略構成を示す斜視図であり、図２はその基板処理装置の概略構成を示す平面図であり、図３（ａ）は、その基板処理装置の左側面のブロック図であり、図３（ｂ）は、その基板処理装置の平面のブロック図であり、図３（ｃ）は、その基板処理装置の右側面のブロック図である。なお、本実施例では、フォトリソグラフィ工程において基板を回転させながらレジスト塗布を行うスピンコータ、およびレジスト塗布されて、さらに露光処理が行われた基板を回転させながら現像処理を行うスピンデベロッパを例に採って、基板処理を説明する。
【００３２】
本実施例に係る基板処理装置は、図１，図２に示すように、カセット載置台１とインデクサ２と処理ブロック３とインターフェイス４とから構成されている。インターフェイス４は、本実施例に係る基板処理装置と別体の装置とを連結するように構成されている。本実施例の場合には、インターフェイス４は、レジスト塗布および現像処理を行う基板処理装置と、基板の露光処理を行う露光装置（例えば、ステップ露光を行うステッパなど）とを連結するように構成されている。
【００３３】
カセット載置台１は、図２に示すように、未処理の複数枚（例えば２５枚）の基板Ｗを収納したカセット（図示省略）を投入する投入部５と、処理済の基板Ｗを収納したカセットを払い出す払出部６とを備えている。投入部５には、カセットを載置する投入用の載置台５ａ，５ｂが、払出部６には、カセットを載置する払出用の載置台６ａ，６ｂが、それぞれ配設されている。なお、上述したカセット載置台１が本発明に係る基板収納手段に相当する。投入部５と払出部６とが同一の場合もある。
【００３４】
次に、インデクサ２の具体的構成について説明する。インデクサ２（以下、適宜『ＩＤ』と略記する）は、図２に示すように、ＩＤ用搬送経路７とＩＤ用搬送機構８とから構成されている。ＩＤ用搬送経路７は、図２に示すように、カセット載置台１の投入用の載置台５ａ，５ｂ、払出用の載置台６ａ，６ｂに沿って形成されている。ＩＤ用搬送機構８は、ＩＤ用搬送経路７上を移動することで、カセット載置台１の投入部５および払出部６と、処理ブロック３との間で基板Ｗを搬送する。つまり、インデクサ２は、カセット載置台１と処理ブロック３との間で基板Ｗの投入と払い出しとを行う機能を備えている。
【００３５】
次に、ＩＤ用搬送機構８の具体的構成について、図４を参照して説明する。図４（ａ）はＩＤ用搬送機構８の平面図であり、図４（ｂ）はその右側面図である。ＩＤ用搬送機構８は、図４（ａ），（ｂ）に示すように、ＩＤ用搬送経路７の長手方向（ｙ方向）である矢印ＲＡの方向にアーム基台８ａを移動可能に構成するｙ軸移動機構８ｂ、矢印ＲＢの方向（ｚ方向）にアーム基台８ａを昇降移動可能に構成するｚ軸昇降機構８ｃ、およびｚ軸周り（矢印ＲＣの方向）にアーム基台８ａを回転可能に構成する回転駆動機構８ｄを備えている。このアーム基台８ａには基板Ｗを保持するアーム８ｅが備えられており、このアーム８ｅは、回転半径方向である矢印ＲＤの方向に進退移動可能に構成されている。
【００３６】
ｙ軸移動機構８ｂは、図４（ａ）に示すように、螺軸８ｆと、この螺軸８ｆを軸心周りに回転させるモータ８ｇとを備えており、この螺軸８ｆには上述したｚ軸昇降機構８ｃが取り付けられている。モータ８ｇの回転によって、螺軸８ｆに取り付けられたｚ軸昇降機構８ｃが矢印ＲＡの水平方向に移動される。
【００３７】
ｚ軸昇降機構８ｃは、図４（ｂ）に示すように、ｙ軸移動機構８ｂと同じく、螺軸８ｈと、この螺軸８ｈを軸心周りに回転させるモータ８ｉとを備えており、この螺軸８ｈには上述した回転駆動機構８ｄが取り付けられている。モータ８ｉの回転によって、螺軸８ｈに取り付けられた回転駆動機構８ｄが矢印ＲＢの方向に移動される。
【００３８】
回転駆動機構８ｄは、図４（ｂ）に示すように、上述したアーム基台８ａ、このアーム基台８ａを軸心周りに回転させるモータ８ｊ、および、アーム基台８ａとモータ８ｊとを支持する支持部材８ｋを備えている。モータ８ｊの回転によって、アーム基台８ａがアーム８ｅとともに矢印ＲＣの方向に回転される。
【００３９】
このように構成されることで、アーム基台８ａのアーム８ｅに保持された基板Ｗは、矢印ＲＡの方向に移動し、矢印ＲＢの方向に移動し、矢印ＲＣの方向に回転し、矢印ＲＤ方向に進退移動可能となる。これにより基板Ｗは、カセット載置台１の投入部５および払出部６と、処理ブロック３（図２参照）との間で搬送される。
【００４０】
図１〜３に戻って、処理ブロック３の具体的構成について説明する。処理ブロック３は、図２，３に示すように、第１の処理ユニット９と第２の処理ユニット１０と第３の処理ユニット１１と第４の処理ユニット１２とからなる処理ライン１３を複数個（この第１実施例では、例えば２個）備えている。処理ライン１３は、インデクサ２から払い出された基板Ｗを、後述するＢＡＲＣセル１４，ＳＣセル１５，ＳＤセル１６，熱処理部２４等で所要の一連の処理を施してこのインデクサ２に再び戻すというものである。２個の処理ライン１３は、例えばｙ方向に並設されている。処理ライン１３の内には、インデクサ２側から第１の処理ユニット９，第２の処理ユニット１０，第３の処理ユニット１１，第４の処理ユニット１２の順に並んでそれらが配設されている。各処理ライン１３は互いに独立したものであり、それぞれ独自に動作可能となっているし、個別に電源投入することもできるようになっている。
【００４１】
また、図１，図３に示すように、上述した第１，第３，第４の処理ユニット９，１１，１２は、例えば、主として、１階部分と２階部分とからなる２段構成になっている。図３に示すように、第１の処理ユニット９の１階部分には、基板Ｗ上に形成されたフォトレジスト膜からの光の反射を防止するために下地用の反射防止膜（Ｂｏｔｔｏｍ　Ａｎｔ−Ｒｅｆｌｅｃｔｉｏｎ　Ｃｏａｔｉｎｇ）（以下、『ＢＡＲＣ』と呼ぶ）を基板Ｗに塗布形成するＢＡＲＣセル１４と、基板Ｗを回転させながらフォトレジスト膜を基板Ｗに塗布形成するスピンコータ（Ｓｐｉｎ　Ｃｏａｔｅｒ）（以下、『ＳＣ』と呼ぶ）のためのＳＣセル１５とが配設されている。第１の処理ユニット９の２階部分も、前述の１階と同様に構成されている。さらに、第１の処理ユニット９の２階部分の上方位置には、基板Ｗを熱処理するための熱処理部（以下、適宜に『ＨＰ−ＣＰ』とも呼ぶ）２４や、基板Ｗを冷却処理するための冷却処理部（以下、『ＣＰ』と呼ぶ）や、熱処理を行わずに基板Ｗを載置して基板を受け渡すための基板受渡し部（以下、『Ｐａｓｓ１』と呼ぶ）が配設されている。なお、この第１の処理ユニット９には、各階のＢＡＲＣセル１４やＳＣセル１５等と第２の処理ユニット１０との間で基板を受け渡すための、各階に自在にアクセス可能なＳＣ用搬送機構１７が配設されている。
【００４２】
ＢＡＲＣセル１４内のＢＡＲＣは、例えば、基板Ｗを回転させながらＢＡＲＣ処理を行うように構成されている。詳述すると、基板Ｗを保持して水平面内に回転させるスピンチャック，反射防止液を吐出するノズルなどから構成されている。このスピンチャックに保持されて回転している基板Ｗの中心に向けてノズルから反射防止液を吐出することで、基板Ｗの遠心力により反射防止膜が基板Ｗの中心から全面にわたって塗布形成される。
【００４３】
ＳＣセル１５内のＳＣは、反射防止液の替わりにフォトレジスト液を吐出してフォトレジスト膜を塗布形成する以外には、ＢＡＲＣセル１４内のＢＡＲＣと同様の構成をしているので、ＳＣセル１５内のＳＣの説明を省略する。
【００４４】
一方、図１，図３に示すように、第３の処理ユニット１１の１階部分には、露光処理後の基板Ｗを回転させながら現像処理を行うスピンデベロッパ（Ｓｐｉｎ　Ｄｅｖｅｌｏｐｅｒ）（以下、『ＳＤ』と呼ぶ）のためのＳＤセル１６が２個配設されている。第３の処理ユニット１１の２階部分も、前述の１階と同様に構成されている。さらに、第３の処理ユニット１１の２階部分の上方位置には、基板Ｗを熱処理するための熱処理部（以下、適宜に『ＨＰ−ＣＰ』とも呼ぶ）２４や、基板Ｗを冷却処理するための冷却処理部（以下、『ＣＰ』と呼ぶ）や、熱処理を行わずに基板Ｗを載置して基板を受け渡すための基板受渡し部（以下、『Ｐａｓｓ３』と呼ぶ）が配設されている。なお、この第３の処理ユニット１１には、各階のＳＤセル１６等と第２の処理ユニット１０との間で基板を受け渡すための、各階に自在にアクセス可能なＳＤ用搬送機構２０が配設されている。
【００４５】
第４の処理ユニット１２の１階部分には、露光処理前に基板Ｗの端縁（エッジ）部分を露光するエッジ露光処理（Ｅｄｇｅ　Ｅｘｐｏｓｕｒｅ　Ｕｎｉｔ）をするためのＥＥセル（以下、『ＥＥ』と呼ぶ）が配設されている。また、第４の処理ユニット１２の２階部分には、基板Ｗをそれぞれ仮置きするための複数のバッファ（以下、『ＢＦ』と呼ぶ）が配設されている。さらに、この第４の処理ユニット１２の２階部分の上方位置には、露光処理後の基板Ｗを加熱する（Ｐｏｓｔ　Ｅｘｐｏｓｕｒｅ　Ｂａｋｅ）ためのＰＥＢセル（以下、『ＰＥＢ−ＣＰ』と呼ぶ）が配設されている。なお、この第４の処理ユニット１２には、各階のＥＥやＢＦやＰＥＢ−ＣＰ等と第３の処理ユニット１１との間で基板を受け渡すための、各階に自在にアクセス可能なＥＥ用搬送機構２２が配設されている。
【００４６】
上述した第２の処理ユニット１０は、熱処理を行わずに基板Ｗを載置して基板を受け渡すための基板受渡し部（以下、『Ｐａｓｓ２』と呼ぶ）と、基板Ｗを熱処理するための熱処理部（以下、適宜に『ＨＰ−ＣＰ』とも呼ぶ）２４とを備えている。この第２の処理ユニット１０は、最下位のＰａｓｓ２上に、複数個（この第１実施例では、例えば８個）の熱処理部（ＨＰ−ＣＰ）２４を多層に配置したものである。
【００４７】
図２，図３（ｂ）に示すように、処理ブロック３は、ｘ方向の直線に対して線対称となるように配設された２個の処理ライン１３を備えていて、この独立した２個の処理ライン１３でもって、基板Ｗを並列処理することができる。
【００４８】
次に、ＳＣ用搬送機構１７の具体的構成について、図５を参照して説明する。図５（ａ）は、ＳＣ用搬送機構１７の平面図であり、図５（ｂ）はその右側面図である。ＳＣ用搬送機構１７は、図５（ａ），（ｂ）に示すように、固定した昇降軸であるｚ軸周り（矢印ＲＥの方向）にアーム基台１７ａを回転可能に構成する回転駆動機構１７ｂと、固定した昇降軸であるｚ軸（矢印ＲＦの方向）に沿ってアーム基台１７ａを昇降移動可能に構成するｚ軸昇降機構１７ｃとを備えている。このアーム基台１７ａには基板Ｗを保持するアーム１７ｄが備えられており、このアーム１７ｄは、回転半径方向である矢印ＲＧ方向に進退移動可能に構成されている。このアーム１７ｄは、本発明における基板保持部に相当する。
【００４９】
ＩＤ用搬送機構８の回転駆動機構８ｄと同様に、回転駆動機構１７ｂは、図５（ｂ）に示すように、上述したアーム基台１７ａ、このアーム基台１７ａを軸心周りに回転させるモータ１７ｅ、および、アーム基台１７ａとモータ１７ｅとを支持する支持部材１７ｆを備えている。モータ１７ｅの回転によって、アーム基台１７ａがアーム１７ｄとともに矢印ＲＥの方向に回転される。
【００５０】
ｚ軸昇降機構１７ｃは、図５（ｂ）に示すように、螺軸１７ｇと、この螺軸１７ｇを軸心周りに回転させるモータ１７ｈとを備えており、この螺軸１７ｇには上述した回転駆動機構１７ｂが取り付けられている。モータ１７ｈの回転によって、螺軸１７ｇに取り付けられた回転駆動機構１７ｂが矢印ＲＦの方向に移動される。また、このｚ軸昇降機構１７ｃは、上述したように固定されているので、ＩＤ用搬送機構８のｚ軸昇降機構８ｃのようにｙ軸方向（矢印ＲＡの方向）には移動されない。
【００５１】
このように構成されることで、アーム基台１７ａのアーム１７ｄに保持された基板Ｗは、矢印ＲＥの方向に回転し、矢印ＲＦの方向に移動し、矢印ＲＧ方向に進退移動可能となる。また、ｚ軸昇降機構１７ｃは、図２に示した隣接する処理ライン１３の境界側の所定位置に固定される。これにより基板Ｗは、ＳＣ用搬送機構１７によってＢＡＲＣ，ＳＣ，第２の処理ユニット１０の間で受け渡される。ＳＣ用搬送機構１７は、塗布液などの処理液で処理された基板Ｗを搬送する。
【００５２】
ＳＤ用搬送機構２０は、現像液で処理された基板Ｗを搬送するものであり、ＳＤ用搬送機構２０もＳＣ用搬送機構１７と同様に構成されていて、このＳＤ用搬送機構２０によって基板ＷをＳＤ，第２の処理ユニット１０の間で受け渡すことができる。
【００５３】
次に、ＥＥ用搬送機構２２の具体的構成について、図６を参照して説明する。図６（ａ）はＥＥ用搬送機構２２の平面図であり、図６（ｂ）はその側面図であり、図６（ｃ）はその正面図である。ＥＥ用搬送機構２２は、図６に示すように、矢印ＲＨの方向に（ｚ方向）にアーム基台２２ａを昇降移動可能に構成する筒状のｚ軸昇降機構２２ｂ、そのｚ軸昇降機構２２ｂをｚ軸周り（矢印ＲＩの方向）に回転可能に構成するモータ２２ｃを備えている。このアーム基台２２ａには基板Ｗを保持するアーム２２ｄが備えられており、このアーム２２ｄは、回転半径方向である矢印ＲＪ方向に進退移動可能に構成されている。
【００５４】
筒状のｚ軸昇降機構２２ｂは、図６（ａ）〜（ｃ）に示すように、空洞になっており、この空洞部に上述したアーム基台２２ａが収容されている。また、アーム２２ｄが進退移動する際に通過することができるように、ｚ軸昇降機構２２ｂに開口部２２ｅが設けられている。さらに、ｚ軸昇降機構２２ｂは、図６（ｂ）に示すように、螺軸２２ｆと、この螺軸２２ｆを軸心周りに回転させるモータ２２ｇとを備えており、この螺軸２２ｆにはアーム基台２２ａが取り付けられている。モータ２２ｇの回転によって、螺軸２２ｆに取り付けられたアーム基台２２ａが矢印ＲＨの方向に移動される。
【００５５】
ｚ軸昇降機構２２ｂの底部には、上述したモータ２２ｃが取り付けられており、モータ２２ｃの回転によって、ｚ軸昇降機構２２ｂ自体が、ｚ軸昇降機構２２ｂ内に収容されたアーム基台２２ａおよびアーム２２ｄとともに矢印ＲＩの方向に回転される。
【００５６】
このように構成されることで、アーム基台２２ａのアーム２２ｄに保持された基板Ｗは、矢印ＲＩの方向に回転し、矢印ＲＨの方向に移動し、矢印ＲＪ方向に進退移動可能となる。これにより基板Ｗは、ＥＥ用搬送機構２２によって、第３の処理ユニット１１のＰａｓｓ３と第４の処理ユニット１２内のＰＥＢ−ＣＰ，Ｐａｓｓ４，ＢＦ，ＥＥとの間で受け渡される。このアーム２２ｄは、本発明における基板保持部に相当する。
【００５７】
次に、熱処理部（ＨＰ−ＣＰ）２４の具体的構成について、図７を参照して説明する。図７は、熱処理部２４の概略断面図である。上述したように、第２の処理ユニット１０は、８個の熱処理部２４を上下方向（ｚ方向）に多層に配設して構成されたものである。熱処理部（ＨＰ−ＣＰ）２４は、基板Ｗを加熱処理するためのホットプレート部２５と、基板Ｗを冷却処理するためのクールプレート部２６と、これらのホットプレート部２５とクールプレート部２６との間で基板を受け渡すためのローカル搬送機構２７と、これらを内部に収納したハウジング本体２４ａとを備えている。
【００５８】
ホットプレート部２５は、水平姿勢で載置された基板Ｗを加熱するホットプレートＨＰと、このホットプレートＨＰに昇降自在に貫通され、基板Ｗを水平姿勢で支持するための複数本（この第１実施例では３本）の支持ピン２５ａと、この支持ピンを昇降させるホットプレート用昇降機構２５ｂとを備えている。
【００５９】
クールプレート部２６は、水平姿勢で載置された基板Ｗを冷却するクールプレートＣＰと、このクールプレートＣＰに昇降自在に貫通され、基板Ｗを水平姿勢で支持するための複数本（この第１実施例では３本）の支持ピン２６ａと、この支持ピンを昇降させるクールプレート用昇降機構２６ｂとを備えている。
【００６０】
ハウジング本体２４ａの両側面のクールプレート部２６に近い側には、図７に１点鎖線で示すように、ＳＣ用搬送機構１７の搬入を受ける基板出入口２４ｂと、ＳＤ用搬送機構２０の搬入を受ける基板出入口２４ｂとがそれぞれ形成されている。
【００６１】
ここで、この熱処理部２４のローカル搬送機構２７による基板Ｗの搬送動作について説明する。まず、ＳＣ用搬送機構１７によって搬送されてきた基板Ｗが基板出入口２４ｂから搬入されて、クールプレートＣＰから上方に突き出た状態の３本の支持ピン２６ａ上に基板Ｗが水平姿勢に載置される。水平姿勢に支持する３本の支持ピン２６ａをクールプレート用昇降機構２６ｂによって下降させていき、クールプレートＣＰ上に基板Ｗを水平姿勢に載置する。なお、クールプレートＣＰ上には微小突起物が所定個数形成されていて、基板Ｗの裏面全体をクールプレートＣＰ面に接触させるのではなく、基板Ｗの裏面を微小突起物で点支持している。クールプレートＣＰによる基板Ｗの冷却処理が終わると、３本の支持ピン２６ａを突き上げてクールプレートＣＰ面から基板Ｗを離間させた状態にし、ローカル搬送機構２７でこの基板Ｗを保持し、ホットプレート部２５の方に搬送する。
【００６２】
ローカル搬送機構２７は、搬送してきた基板Ｗを、ホットプレートＨＰから上方に突き出た状態の３本の支持ピン２５ａ上に水平姿勢に載置する。基板Ｗを水平姿勢に支持する３本の支持ピン２５ａをホットプレート用昇降機構２５ｂによって下降させていき、ホットプレートＨＰ上に基板Ｗを水平姿勢に載置する。なお、ホットプレートＨＰ上にも微小突起物が所定個数形成されていて、基板Ｗの裏面全体をホットプレートＨＰ面に接触させるのではなく、基板Ｗの裏面を微小突起物で点支持している。ホットプレートＨＰによる基板Ｗの加熱処理が終わると、３本の支持ピン２５ａを突き上げてホットプレートＨＰ面から基板Ｗを離間させた状態にし、ローカル搬送機構２７でこの基板Ｗを保持し、クールプレート部２６の方に搬送する。クールプレートＣＰから上方に突き出た状態の３本の支持ピン２６ａ上に基板Ｗが水平姿勢に載置されると、ＳＤ用搬送機構２０がその基板を外部に搬送する。
【００６３】
なお、上述したＢＡＲＣセル１４とＳＣセル１５とＳＤセル１６と熱処理部２４とＥＥとＰＥＢ−ＣＰとのそれぞれが本発明に係る処理部に相当し、その中でも特に、上述したＳＣセル１５が本発明に係る塗布部に相当し、上述したＳＤセル１６が本発明に係る現像部に相当する。また、上述したＳＣ用搬送機構１７，ＳＤ用搬送機構２０およびＥＥ用搬送機構２２が本発明に係る基板搬送手段に相当し、その中でも特に、上述したＳＣ用搬送機構１７，ＳＤ用搬送機構２０が本発明に係る処理液用の基板搬送手段に相当し、上述したローカル搬送機構２７が本発明に係る熱処理用の基板搬送手段に相当する。
【００６４】
図１，図２に戻って、インターフェイス４の具体的構成について説明する。インターフェイス４（以下、適宜『ＩＦ』と略記する）は、ＩＦ用搬送経路２８とＩＦ用搬送機構２９とから構成されている。ＩＦ用搬送経路２８は、図２に示すように、インデクサ２のＩＤ用搬送経路７と平行に形成されている。ＩＦ用搬送機構２９は、ＩＦ用搬送経路２８上を移動することで、第４の処理ユニット１２と、図２中の二点鎖線で示した露光装置（ステッパ）ＳＴＰとの間で基板Ｗを搬送する。この露光装置ＳＴＰは、本実施例装置とは別体の装置で構成されるとともに、かつ本実施例装置に連設可能に構成されており、本実施例装置と露光装置ＳＴＰとの間で基板Ｗの受け渡しを行わないときには、本実施例装置のインターフェイス４から露光装置ＳＴＰを退避させてもよい。
【００６５】
ＩＦ用搬送機構２９の具体的構成については、図４に示したＩＤ用搬送機構８のｚ軸昇降機構８ｃの取り付け位置が相違する以外には、ＩＤ用搬送機構８と同様の構成であるので、その説明を省略する。
【００６６】
続いて、この第１実施例の基板処理装置でのフォトリソグラフィ工程における一連の基板処理について、図８，図９のフローチャートを参照して説明する。なお、この第１実施例の基板処理装置では、２系統の処理ライン１３でもって基板Ｗを並列処理することができることから、一方の処理ライン１３による基板Ｗに対する一連の処理について以下に説明する。また、各処理において複数枚の基板Ｗが並行して行われるが、１枚の基板Ｗのみに注目して説明する。
【００６７】
（ステップＳ１）インデクサでの搬送
未処理の複数枚の基板Ｗを収納したカセット（図示省略）を、カセット載置台１の投入部５の載置台５ａまたは５ｂに載置して投入する。投入されたカセットから１枚の基板Ｗを取り出すために、ＩＤ用搬送機構８のｙ軸移動機構８ｂは、ｚ軸昇降機構８ｃごとアーム基台８ａをＩＤ用搬送経路７上で矢印ＲＡの方向に移動させて、ｚ軸昇降機構８ｃはアーム基台８ａを矢印ＲＢの方向に下降させつつ、回転駆動機構８ｄはアーム基台８ａを矢印ＲＣの方向に回転させる。そして、アーム８ｅを矢印ＲＤの方向に前進させて、前進されたアーム８ｅがカセット内の１枚の基板Ｗを保持する。その後、基板Ｗを保持した状態でアーム８ｅを矢印ＲＤの方向に後退させる。なお、カセット載置台１の投入部５への基板Ｗの投入が本発明に係る収納過程に相当する。
【００６８】
（ステップＳ２）Ｐａｓｓ１での受け渡し
ＩＤ用搬送機構８は、第１の処理ユニット９のＢＡＲＣセル１４上のＰａｓｓ１に基板Ｗを渡す。具体的に説明すると、ＩＤ用搬送機構８のｙ軸移動機構８ｂは、ｚ軸昇降機構８ｃごとアーム基台８ａをＩＤ用搬送経路７上で移動させて、ｚ軸昇降機構８ｃおよび回転駆動機構８ｄは、アーム基台８ａを上昇および回転させる。そして、アーム８ｅを前進させて、Ｐａｓｓ１の開口部を通して、基板ＷをＰａｓｓ１に載置する。その後、基板Ｗの保持を解除してアーム８ｅを後退させる。
【００６９】
（ステップＳ３）ＣＰ処理
Ｐａｓｓ１に載置された基板Ｗを受け取るために、ＳＣ用搬送機構１７のｚ軸昇降機構１７ｃおよび回転駆動機構１７ｂはアーム基台１７ａを昇降および回転させる。そして、アーム１７ｄを前進させて、Ｐａｓｓ１の開口部を通して、基板ＷをＰａｓｓ１から搬出する。その後、基板Ｗを保持した状態でアーム１７ｄを後退させる。
【００７０】
そして、基板ＷをＳＣセル１５上のＣＰで冷却処理（ＣＰ処理）するために、このアーム１７ｄを回転および前進させて、ＣＰの開口部を通して、基板ＷをＣＰに載置する。その後、基板Ｗの保持を解除してアーム１７ｄを後退させる。そして、ＣＰに載置された基板Ｗを冷却して常温に保つためにＣＰ処理が行われる。
【００７１】
（ステップＳ４）ＢＡＲＣ処理
ＣＰ処理が終了すると、ＳＣ用搬送機構１７は、ＣＰに載置された基板Ｗを受け取るために、ＣＰの開口部を通して、アーム１７ｄを矢印ＲＧの方向に前進させて基板Ｗを保持する。その後、基板Ｗを保持した状態でアーム１７ｄを後退させる。そして、ＢＡＲＣセル１４内のＢＡＲＣで処理するために、ＳＣ用搬送機構１７のｚ軸昇降機構１７ｃおよび回転駆動機構１７ｂは、アーム基台１７ａを下降および回転させる。そして、アーム１７ｄを前進させて、基板ＷをＢＡＲＣのスピンチャック（図示省略）に載置する。その後、基板Ｗの保持を解除してアーム１７ｄを後退させる。
【００７２】
ＢＡＲＣに載置された基板Ｗに対して、基板Ｗを回転させながら反射防止膜を塗布形成するＢＡＲＣ処理が行われる。
【００７３】
（ステップＳ５）ＣＰでの受け渡し
ＢＡＲＣ処理が終了すると、ＢＡＲＣに載置された基板Ｗを受け取るために、ＳＣ用搬送機構１７のアーム１７ｄを前進させて、基板ＷをＢＡＲＣから搬出する。そして、ＢＡＲＣセル１４上の熱処理部（ＨＰ−ＣＰ）２４のＣＰ（クールプレート）に搬入するために、ＳＣ用搬送機構１７のｚ軸昇降機構１７ｃおよび回転駆動機構１７ｂは、アーム基台１７ａを上昇および回転させる。そして、アーム１７ｄを前進させて、熱処理部２４のＣＰの開口部を通して、基板ＷをＣＰに載置する。その後、基板Ｗの保持を解除してアーム１７ｄを後退させる。
【００７４】
（ステップＳ６）ＣＰ処理
そして、熱処理部（ＨＰ−ＣＰ）２４のＣＰ（クールプレート）でもって基板Ｗを冷却処理する。
【００７５】
（ステップＳ７）ＨＰ処理
ローカル搬送機構２７は、ＣＰ（クールプレート）に載置されたＣＰ処理後の基板Ｗを保持し、基板Ｗを保持した状態でＨＰ（ホットプレート）の方に移動し、基板ＷをＨＰ（ホットプレート）上に載置し、基板Ｗの保持を解除して後退させる。そして、ＨＰに載置された基板Ｗに対して、ＢＡＲＣ処理後の基板Ｗを加熱するＨＰ（ベーク）処理が行われる。
【００７６】
（ステップＳ８）ＣＰ処理
ローカル搬送機構２７は、ＨＰ（ホットプレート）に載置されたＨＰ処理後の基板Ｗを保持し、基板Ｗを保持した状態でＣＰ（クールプレート）の方に移動し、基板ＷをＣＰ上に載置し、基板Ｗの保持を解除して後退させる。そして、熱処理部２４のＣＰでもって基板Ｗを冷却処理する。ＣＰ処理が終了すると、ＣＰに載置された基板Ｗを受け取るために、ＳＣ用搬送機構１７のアーム１７ｄを前進させて、ＢＡＲＣセル１４上の熱処理部（ＨＰ−ＣＰ）２４のＣＰの開口部を通して、基板ＷをＣＰから搬出する。
【００７７】
（ステップＳ９）ＳＣ処理
ＳＣセル１５内のＳＣで処理するために、ＳＣ用搬送機構１７のｚ軸昇降機構１７ｃおよび回転駆動機構１７ｂは、アーム基台１７ａを下降および回転させる。そして、アーム１７ｄを前進させて、基板ＷをＳＣのスピンチャック（図示省略）に載置する。その後、基板Ｗの保持を解除してアーム１７ｄを後退させる。そして、ＳＣに載置された基板Ｗに対して、基板Ｗを回転させながらレジスト塗布を行うＳＣ処理が行われる。
【００７８】
（ステップＳ１０）ＣＰでの受け渡し
ＳＣ処理が終了すると、ＳＣに載置された基板Ｗを受け取るために、ＳＣ用搬送機構１７のアーム１７ｄを前進させて基板Ｗを保持し、基板ＷをＳＣから搬出する。そして、第２の処理ユニット１０の熱処理部（ＨＰ−ＣＰ）２４のＣＰに搬入するために、ＳＣ用搬送機構１７のｚ軸昇降機構１７ｃおよび回転駆動機構１７ｂは、アーム基台１７ａを上昇および回転させる。そして、アーム１７ｄを前進させて、第２の処理ユニット１０の熱処理部（ＨＰ−ＣＰ）２４のＣＰの開口部を通して、基板ＷをＣＰに載置する。その後、基板Ｗの保持を解除してアーム１７ｄを後退させる。
【００７９】
（ステップＳ１１）ＣＰ処理
そして、第２の処理ユニット１０の熱処理部（ＨＰ−ＣＰ）２４のＣＰ（クールプレート）でもって基板Ｗを冷却処理する。
【００８０】
（ステップＳ１２）ＨＰ処理
熱処理部（ＨＰ−ＣＰ）２４内のローカル搬送機構２７は、ＣＰ（クールプレート）に載置されたＣＰ処理後の基板Ｗを保持し、基板Ｗを保持した状態でＨＰ（ホットプレート）の方に移動し、基板ＷをＨＰ上に載置し、基板Ｗの保持を解除して後退させる。そして、ＨＰに載置された基板Ｗに対して、ＳＣ処理後の基板Ｗを加熱するＨＰ（ベーク）処理が行われる。
【００８１】
（ステップＳ１３）ＣＰ処理
熱処理部（ＨＰ−ＣＰ）２４内のローカル搬送機構２７は、ＨＰ（ホットプレート）に載置されたＨＰ処理後の基板Ｗを保持し、基板Ｗを保持した状態でＣＰ（クールプレート）の方に移動し、基板ＷをＣＰ上に載置し、基板Ｗの保持を解除して後退させる。そして、熱処理部２４のＣＰでもって基板Ｗを冷却処理する。ＣＰ処理が終了すると、ＣＰに載置された基板Ｗを受け取るために、ＳＣ用搬送機構１７のアーム１７ｄを前進させて、ＣＰの開口部を通して、基板ＷをＣＰから搬出する。
【００８２】
（ステップＳ１４）Ｐａｓｓ２での受け渡し
基板ＷをＰａｓｓ２に搬送するために、ＳＣ用搬送機構１７のｚ軸昇降機構１７ｃは、アーム基台１７ａを昇降させる。そして、ＳＣ用搬送機構１７のアーム１７ｄを前進させて、Ｐａｓｓ２の開口部を通して、基板ＷをＰａｓｓ２に搬入する。
【００８３】
（ステップＳ１５）Ｐａｓｓ３での受け渡し
基板ＷをＰａｓｓ３に搬送するために、ＳＤ用搬送機構２０は、Ｐａｓｓ２内の基板Ｗを保持して取り出し、第３の処理ユニット１１のＰａｓｓ３に搬入する。
【００８４】
（ステップＳ１６）ＥＥ処理
Ｐａｓｓ３に載置された基板Ｗを受け取るために、ＥＥ用搬送機構２２のｚ軸昇降機構２２ｂは、アーム基台２２ａを矢印ＲＨの方向に昇降させて、モータ２２ｃはアーム基台２２ａを矢印ＲＩの方向に回転させる。そして、Ｐａｓｓ３の開口部を通して、アーム２２ｄを矢印ＲＪの方向に前進させて、基板ＷをＰａｓｓ３から搬出する。その後、基板Ｗを保持した状態でアーム２２ｄを後退させる。
【００８５】
そして、第４の処理ユニット１２の１階側にあるＥＥで処理するために、ＥＥ用搬送機構２２のｚ軸昇降機構２２ｂおよびモータ２２ｃは、アーム基台２２ａを昇降および回転させる。そして、アーム２２ｄを前進させて、ＥＥの開口部を通して、基板ＷをＥＥに載置する。その後、基板Ｗの保持を解除してアーム２２ｄを後退させる。そして、ＥＥに載置された基板Ｗに対して、露光処理前に基板Ｗの端縁（エッジ）部分を露光するＥＥ（エッジ露光）処理が行われる。
【００８６】
（ステップＳ１７）送りＢＦでの仮置き
ＥＥ処理が終了すると、ＥＥに載置された基板Ｗを受け取るために、ＥＥ用搬送機構２２のアーム２２ｄをＥＥの開口部を通して前進させて、基板Ｗを搬出する。ｚ軸昇降機構２２ｂは、アーム基台２２ａを昇降させる。そして、アーム２２ｄを前進させて、ＢＦの開口部を通してＢＦ内の送りＢＦに基板Ｗを搬入する。その後、基板Ｗの保持を解除してアーム２２ｄを後退させる。
【００８７】
（ステップＳ１８）インターフェイスでの搬送
送りＢＦに載置された基板Ｗを受け取るために、ＩＦ用搬送機構２９は、送りＢＦの開口を通して、基板Ｗを送りＢＦから搬出し、露光装置ＳＴＰに搬入する。
【００８８】
（ステップＳ１９）露光処理
インターフェイス４に連結された露光装置ＳＴＰは、ＩＦ用搬送機構２９によって搬入された基板Ｗに対して、露光処理を行う。
【００８９】
（ステップＳ２０）インターフェイスでの搬送
露光処理が終了すると、露光装置ＳＴＰから搬出するために、ＩＦ用搬送機構２９は、露光装置ＳＴＰから基板Ｗを取り出す。
【００９０】
（ステップＳ２１）戻りＢＦでの仮置き
ＩＦ用搬送機構２９は、露光装置ＳＴＰから取り出した基板Ｗを第４の処理ユニット１２の２階側にあるＢＦ内の戻りＢＦに載置する。
【００９１】
（ステップＳ２２）Ｐａｓｓ４での受け渡し
基板ＷをＰａｓｓ４に搬送するために、ＥＥ用搬送機構２２は、戻りＢＦに載置された基板Ｗを保持して取り出し、ＢＦ上のＰａｓｓ４に搬入する。
【００９２】
（ステップＳ２３）ＣＰでの受け渡し
Ｐａｓｓ４上のＰＥＢ−ＣＰのＣＰに基板Ｗを搬送するために、ＥＥ用搬送機構２２は、Ｐａｓｓ４に載置された基板Ｗを保持して取り出し、Ｐａｓｓ４上のＰＥＢ−ＣＰのＣＰに搬入する。
【００９３】
（ステップＳ２４）ＣＰ処理
そして、ＰＥＢ−ＣＰのＣＰ（クールプレート）でもって基板Ｗを冷却処理する。
【００９４】
（ステップＳ２５）ＰＥＢ処理
ＰＥＢ−ＣＰの内のローカル搬送機構（図示省略）によって、ＰＥＢ−ＣＰの内部でＣＰからＰＥＢに基板が搬送される。そして、ＰＥＢに載置された基板Ｗに対して、露光処理後の基板Ｗを加熱するＰＥＢ（Ｐｏｓｔ　Ｅｘｐｏｓｕｒｅ　Ｂａｋｅ）処理が行われる。
【００９５】
（ステップＳ２６）ＣＰ処理
ＰＥＢ処理が終了すると、ＰＥＢ−ＣＰの内のローカル搬送機構（図示省略）によって、ＰＥＢ−ＣＰの内部でＰＥＢからＣＰに基板が搬送される。ＣＰに載置された基板Ｗに対して、ＰＥＢで加熱された基板Ｗを冷却して常温に保つためにＣＰ処理が行われる。
【００９６】
（ステップＳ２７）Ｐａｓｓ３での受け渡し
ＰＥＢ−ＣＰでのＣＰ処理が終了すると、ＰＥＢ−ＣＰ内のＣＰに載置された基板Ｗを受け取るために、ＰＥＢ−ＣＰの開口部を通して、ＥＥ用搬送機構２２のアーム２２ｄを前進させて、基板ＷをＰＥＢ−ＣＰから搬出する。そして、ＥＥ用搬送機構２２は、第３の処理ユニット１１のＳＤセル１６上のＰａｓｓ３に基板Ｗを載置する。
【００９７】
（ステップＳ２８）ＳＤ処理
ＳＤ用搬送機構２０は、Ｐａｓｓ３に載置された基板Ｗを受け取り、第３の処理ユニット１１のＳＤセル１６に基板Ｗを搬入する。そして、ＳＤセル１６に載置された基板Ｗに対して、基板Ｗを回転させながら現像処理を行うＳＤ（現像）処理が行われる。
【００９８】
（ステップＳ２９）ＣＰでの受け渡し
ＳＤ処理が終了すると、ＳＤ用搬送機構２０は、ＳＤセル１６に載置された基板Ｗを受け取り、第２の処理ユニット１０の熱処理部（ＨＰ−ＣＰ）２４に基板Ｗを搬入する。
【００９９】
（ステップＳ３０）ＣＰ処理
そして、第２の処理ユニット１０の熱処理部（ＨＰ−ＣＰ）２４のＣＰ（クールプレート）でもって基板Ｗを冷却処理する。
【０１００】
（ステップＳ３１）ＨＰ処理
熱処理部（ＨＰ−ＣＰ）２４内のローカル搬送機構２７は、ＣＰ（クールプレート）に載置されたＣＰ処理後の基板Ｗを保持し、基板Ｗを保持した状態でＨＰ（ホットプレート）の方に移動し、基板ＷをＨＰ上に載置し、基板Ｗの保持を解除して後退させる。そして、ＨＰに載置された基板Ｗに対して、ＳＤ処理後の基板Ｗを加熱するＨＰ（ベーク）処理が行われる。
【０１０１】
（ステップＳ３２）ＣＰ処理
熱処理部（ＨＰ−ＣＰ）２４内のローカル搬送機構２７は、ＨＰ（ホットプレート）に載置されたＨＰ処理後の基板Ｗを保持し、基板Ｗを保持した状態でＣＰ（クールプレート）の方に移動し、基板ＷをＣＰ上に載置し、基板Ｗの保持を解除して後退させる。そして、熱処理部２４のＣＰでもって基板Ｗを冷却処理する。ＣＰ処理が終了すると、ＣＰに載置された基板Ｗを受け取るために、ＳＣ用搬送機構１７のアーム１７ｄを前進させて、ＣＰの開口部を通して、基板ＷをＣＰから搬出する。
【０１０２】
（ステップＳ３３）Ｐａｓｓ１での受け渡し
ＣＰ処理が終了すると、ＳＣ用搬送機構１７は、熱処理部（ＨＰ−ＣＰ）２４内のＣＰに載置された基板Ｗを受け取り、第１の処理ユニット９のＰａｓｓ１に基板Ｗを搬入する。
【０１０３】
（ステップＳ３４）インデクサでの搬送
ＩＤ用搬送機構８は、Ｐａｓｓ１に載置された基板Ｗを受け取り、カセット載置台１の払出部６の載置台６ａまたは６ｂに載置されたカセットに基板を収納する。
【０１０４】
カセット内に所定枚数だけ処理済の基板Ｗが収納されると、カセットは、払出部６から払い出されて、一連の基板処理が終了する。なお、上述のステップＳ１〜Ｓ３４では、一方の処理ライン１３での一連の基板処理について説明しているが、この第１実施例の基板処理装置では、２個の処理ライン１３で、上述の一連の基板処理をそれぞれ独立して行うことになる。この２個の処理ライン１３で、上述の一連の基板処理をそれぞれ独立して行うことが、本発明に係る並列処理過程に相当する。
【０１０５】
続いて、この第１実施例の基板処理装置のメンテナンス（保守）、特に第１の処理ユニット９のＳＣ用搬送機構１７および第３の処理ユニット１１のＳＤ用搬送機構２０のメンテナンスについて、図１０，図１１を参照して説明する。図１０は第２の処理ユニット１０の斜視図であり、図１１は第１実施例の基板処理装置のメンテナンス状態を説明するための平面図である。
【０１０６】
図１０に示すように、ｙ方向に並設された各第２の処理ユニット１０の底部には、複数個（例えば４個）の車輪１０ａがそれぞれ備えられている。この２個の第２の処理ユニット１０同士は、連結部材１０ｂにより連結されている。このようにして、２個の第２の処理ユニット１０が一体としてｙ方向に移動可能なように構成されている。なお、各第２の処理ユニット１０は、隣接する第１，３の処理ユニット９，１１に対して所定位置に固定可能であるし、メンテナンス等の際には、第１，３の処理ユニット９，１１に対する固定を解除できるようになっている。
【０１０７】
続いて、第１実施例の基板処理装置のメンテナンス手順について説明する。まず、各第２の処理ユニット１０の第１，３の処理ユニット９，１１に対する固定を解除する。そして、図１１（ａ）に示すように、２個の処理ユニット１０をｙ方向に所定距離だけ移動させる。こうすることで、作業者が入り込むことができるメンテナンス作業空間Ａ１が確保でき、図１１の紙面下側の位置にする第１の処理ユニット９のＳＣ用搬送機構１７および第３の処理ユニット１１のＳＤ用搬送機構２０のメンテナンスを行うことができる。さらに、図１１（ｂ）に示すように、２個の処理ユニット１０をｙ方向とは逆方向に所定距離だけ移動させる。こうすることで、作業者が入り込むことができるメンテナンス作業空間Ａ２が確保でき、図１１の紙面上側の位置にする第１の処理ユニット９のＳＣ用搬送機構１７および第３の処理ユニット１１のＳＤ用搬送機構２０のメンテナンスを行うことができる。
【０１０８】
上述したように本第１実施例の基板処理装置によれば、基板Ｗに一連の処理を施す処理ライン１３を複数個（例えば２個）独立して備えているので、２個の処理ライン１３のうちの１方の処理ライン１３が故障したとしても、他方の処理ライン１３で基板Ｗに一連の処理を施すことができ、本基板処理装置の生産性能がゼロにならず、本基板処理装置全体が不稼動状態にならない、つまり、アベイラビリティ（稼動率：本基板処理装置が使える状態にある割合のこと）を向上させることができ、信頼性を向上させることができる。
【０１０９】
また、処理ライン１３は、基板Ｗに塗布液を塗布するＳＣセル１５と、基板Ｗを熱処理するための熱処理部（ＨＰ−ＣＰ）２４と、塗布液が塗布された基板を現像するＳＤセル１６とを備えているので、基板Ｗに対して塗布処理、熱処理および現像処理するという一連の処理を行う処理ライン１３を複数系統（この第１実施例では２系統）備えることができる。
【０１１０】
また、処理ライン１３は、ＳＣセル１５とＳＤセル１６と熱処理部（ＨＰ−ＣＰ）２４が上下方向（ｚ方向）に複数段に配設されて構成されているので、ＳＣセル１５とＳＤセル１６と熱処理部（ＨＰ−ＣＰ）２４の増設に伴って基板処理装置の占有面積が大きくなることを防止できる、つまり、基板処理装置の占有面積を小さくすることができ、基板処理装置の省フットプリント化が可能である。
【０１１１】
また、ＳＣ用搬送機構１７，ＳＤ用搬送機構２０およびＥＥ用搬送機構２２は、固定した昇降軸方向とその軸周り方向と回転半径方向とに移動する基板保持部（アーム１７ｄ，アーム２２ｄ等）を備えているので、基板Ｗを３方向に移動させる搬送機構を簡易な構成で実現することができる。
【０１１２】
また、基板搬送手段は、各処理部（ＳＣセル１５，ＳＤセル１６，熱処理部２４等）間に個別に配設されることで複数個備えられている、つまり、ＳＣ用搬送機構１７，ＳＤ用搬送機構２０およびＥＥ用搬送機構２２が設けられているので、インデクサ２から払い出された基板Ｗを複数個の処理部で所要の一連の処理を施してこのインデクサ２に再び戻すという処理ライン１３を簡易な構成で実現することができる。
【０１１３】
また、ＳＣ用搬送機構１７は塗布液で処理された基板Ｗを扱い、ＳＤ用搬送機構２０は現像液で処理された基板Ｗを扱い、熱処理部２４のローカル搬送機構２７は熱処理された基板Ｗを扱うように区別しているので、熱処理された基板Ｗを扱うことで昇温される熱処理部２４のローカル搬送機構２７が、ＳＣセル１５やＳＤセル１６に基板Ｗを直接に搬送することがないし、熱処理部２４のローカル搬送機構２７から基板Ｗへの熱伝導によって温度変化した基板Ｗを、ＳＣセル１５やＳＤセル１６に搬送することを防止でき、熱分離することができる。
【０１１４】
また、水平面内の第１直線方向（ｘ方向）の直線に線対称となるように独立して並設された２個の処理ライン１３のうちの第２直線方向（ｙ方向）に配設された２個の熱処理部（ＨＰ−ＣＰ）２４は、一体として第２直線方向（ｙ方向）に移動可能なように構成されているので、処理ライン１３のＳＣ用搬送機構１７やＳＤ用搬送機構２０をメンテナンスする際に、２個の熱処理部（ＨＰ−ＣＰ）２４を一体に第２直線方向（ｙ方向）に移動させることで、処理ライン１３のＳＣ用搬送機構１７やＳＤ用搬送機構２０をメンテナンスするために作業者が入り込むためのスペースが確保でき、処理ライン１３のＳＣ用搬送機構１７やＳＤ用搬送機構２０のメンテナンス性を向上させることができる。
【０１１５】
また、この第１実施例の基板処理装置では、例えば、数少ない基板Ｗを複数品種ごとに処理する場合、いわゆる、少量多品種の場合には、一方の処理ライン１３のみ電源投入して一連の基板処理を施すことができ、このように僅かな生産量が要求されている場合でも、必要最小限の構成のみ電源投入して動作させることができ、用力を無駄に消費することがないし、省エネルギー化および低コスト化を図ることができる。
【０１１６】
＜第２実施例＞
図１２〜図１４を参照して第２実施例に係る基板処理装置について説明する。図１２は、本発明の第２実施例に係る基板処理装置の概略構成を示す平面図である。図１３は第２実施例の第２の処理ユニット１０Ａの外観を示す概略斜視図である。図１４は第２実施例の基板処理装置のメンテナンス状態を説明するための平面図である。
【０１１７】
なお、上述した第１実施例では、図７に示すように、第２の処理ユニット１０の熱処理部（ＨＰ−ＣＰ）２４は、ＳＣ用搬送機構１７やＳＤ用搬送機構２０とは別のローカル搬送機構２７を備え、このローカル搬送機構２７によって熱処理部２４内のホットプレートＨＰ，クールプレートＣＰ間の基板Ｗの搬送を行っているが、本第２実施例では、図１２に示すように、第２の処理ユニット１０Ａは、ホットプレートＨＰが上下に複数個積層されたホットプレート群３０と、クールプレートＣＰが上下に複数個積層されたクールプレート群３１と、ホットプレートＨＰ，クールプレートＣＰ間の基板Ｗの搬送を行うための、ＳＣ用搬送機構１７と同様に構成されてホットプレート群３０とクールプレート群３１との間に配設された熱処理部用搬送機構２１とを備えている点が、上述した第１実施例とは異なっている。なお、上述した第１実施例と同じ構成には同じ符号を付すことで詳細な説明については省略する。
【０１１８】
図１３に示すように、各第２の処理ユニット１０Ａのホットプレート群３０の底部には、複数個（例えば４個）の車輪１０ａが備えられている。このようにして、各ホットプレート群３０は、熱処理部用搬送機構２１に対してｙ方向に移動可能なように構成されている。なお、各ホットプレート群３０は、熱処理部用搬送機構２１に対して着脱自在で所定位置に固定可能になっていて、メンテナンス等の際には、熱処理部用搬送機構２１に対する固定を解除できるようになっている。
【０１１９】
続いて、第２実施例の基板処理装置のメンテナンス手順について説明する。まず、各第２の処理ユニット１０Ａのホットプレート群３０の熱処理部用搬送機構２１に対する固定を解除する。そして、図１４に示すように、各ホットプレート群３０をｙ方向またはその逆方向に適宜に所定距離だけ移動させる。こうすることで、作業者が入り込むことができるメンテナンス作業空間Ａ３が確保でき、各第２の処理ユニット１０Ａの熱処理部用搬送機構２１のメンテナンスを行うことができる。
【０１２０】
続いて、この第２実施例の基板処理装置でのフォトリソグラフィ工程における一連の基板処理について説明する。なお、この第２実施例の基板処理装置は、上述した第１実施例装置と同様に、２系統の処理ライン１３でもって基板Ｗを並列処理することができるものである。
【０１２１】
この第２実施例の基板処理装置では、図８のフローチャートのステップＳ５〜Ｓ８が、「Ｐａｓｓ２での受け渡し」→「ＨＰ処理」→「ＣＰ処理」に置き換わり（第１点）と、図８のフローチャートのステップＳ１０〜Ｓ１４が、「Ｐａｓｓ２での受け渡し」→「ＨＰ処理」→「ＣＰ処理」に置き換わり（第２点）と、図９のフローチャートのステップＳ２９〜Ｓ３２が、「Ｐａｓｓ２での受け渡し」→「ＨＰ処理」→「ＣＰ処理」に置き換わる（第３点）。
【０１２２】
前述の第１点では、Ｐａｓｓ２に搬送された基板Ｗを熱処理部用搬送機構２１によってホットプレート群３０のホットプレートＨＰに搬送し、ＨＰ処理後の基板Ｗを熱処理部用搬送機構２１によってクールプレート群３１のクールプレートＣＰに搬送し、ＣＰ処理後の基板ＷをＳＣ用搬送機構１７で受け取る。前述の第２点では、Ｐａｓｓ２に搬送されたＳＣ処理後の基板Ｗを熱処理部用搬送機構２１によってホットプレート群３０のホットプレートＨＰに搬送し、ＨＰ処理後の基板Ｗを熱処理部用搬送機構２１によってクールプレート群３１のクールプレートＣＰに搬送し、ＣＰ処理後の基板ＷをＳＤ用搬送機構２０で受け取る。前述の第３点では、Ｐａｓｓ２に搬送されたＳＤ処理後の基板Ｗを熱処理部用搬送機構２１によってホットプレート群３０のホットプレートＨＰに搬送し、ＨＰ処理後の基板Ｗを熱処理部用搬送機構２１によってクールプレート群３１のクールプレートＣＰに搬送し、ＣＰ処理後の基板ＷをＳＣ用搬送機構１７で受け取る。
【０１２３】
上述したように本第２実施例の基板処理装置によれば、上述した第１実施例と同様に、基板Ｗに一連の処理を施す処理ライン１３を複数個（例えば２個）独立して備えているので、２個の処理ライン１３のうちの１方の処理ライン１３が故障したとしても、他方の処理ライン１３で基板Ｗに一連の処理を施すことができ、本基板処理装置の生産性能がゼロにならず、本基板処理装置全体が不稼動状態にならない、つまり、アベイラビリティ（稼動率：本基板処理装置が使える状態にある割合のこと）を向上させることができ、信頼性を向上させることができる。
【０１２４】
また、ＳＣ用搬送機構１７は塗布液で処理された基板Ｗを扱い、ＳＤ用搬送機構２０は現像液で処理された基板Ｗを扱い、熱処理部２４の熱処理部用搬送機構２１は熱処理された基板Ｗを扱うように区別しているので、熱処理された基板Ｗを扱うことで昇温される熱処理部２４の熱処理部用搬送機構２１が、ＳＣセル１５やＳＤセル１６に基板Ｗを直接に搬送することがないし、熱処理部２４の熱処理部用搬送機構２１から基板Ｗへの熱伝導によって温度変化した基板Ｗを、ＳＣセル１５やＳＤセル１６に搬送することを防止でき、熱分離することができる。
【０１２５】
本発明は、上記実施形態に限られることはなく、下記のように変形実施することができる。
【０１２６】
（１）上述した各実施例では、図２，図１２に示すように、第４の処理ユニット１２を２個設けているが、図１５に示すように、第４の処理ユニット１２を１個とし各処理ライン１３で共用するようにしてもよい。第４の処理ユニット１２のＥＥ用搬送機構２２は、塗布液や現像液などの処理液が付着する機会が少ないことなどから故障率が低く信頼性が高いので、第４の処理ユニット１２を１個としても本装置の信頼性を低下させないのであれば、第４の処理ユニット１２を１個としてもよい。
【０１２７】
（２）上述した第２実施例では、図２に示すように、単一のインデクサ２を採用しているが、図１６に示すように、複数個（例えば２個）のインデクサ２を採用するようにしてもよい。例えば、図１６の紙面下側のＩＤ用搬送機構８は搬入部５の２個のカセットを受け持ち、図１６の紙面上側のＩＤ用搬送機構８は払出部６の２個のカセットを受け持つようにする。こうすることで、インターフェイス４以外の処理ライン１３を完全に分離独立させることができ、さらに信頼性を向上させることができる。また、隣接する２個のインデクサ２の間に基板Ｗを受け渡すための「Ｐａｓｓ」を設けることで、例えば、一方のＩＤ用搬送機構８で受け取った基板Ｗを他方のＩＤ用搬送機構８に受け渡すようにしてもよい。
【０１２８】
（３）上述した各実施例に替えて、図１７に示すような別の実施例の基板処理装置について説明する。この基板処理装置は、処理部としてのＢＡＲＣセル１４やＳＣセル１５やＳＤセル１６などと、基板搬送手段としてのＳＣ用搬送機構１７やＳＤ用搬送機構２０などが、図１７に示すように配設されたものである。ＢＡＲＣセル１４は、ＢＡＲＣが上下方向に複数個（例えば３個）積層されたものである。ＳＣセル１５は、ＳＣが上下方向に複数個（例えば３個）積層されたものである。ＳＤセル１６は、ＳＤが上下方向に複数個（例えば３個）積層されたものである。
【０１２９】
図１７に示すように、第１の処理ユニット９は、ＢＡＲＣセル１４またはＳＣセル１５とＳＣ用搬送機構１７とを備えている。第２の処理ユニット１０は、熱処理部（ＨＰ−ＣＰ）２４が上下方向に複数個積層されたものである。第３の処理ユニット１１は、ＳＤセル１６とＳＤ用搬送機構２０とを備えている。第４の処理ユニット１２は、前述の第１実施例と同様に構成されている。
【０１３０】
処理ライン１３は、水平面内の第１直線方向（ｘ方向）に隣接する２個の基板搬送手段（ＳＣ用搬送機構１７やＳＤ用搬送機構２０など）をｘ方向で挟み込むように配設された、基板Ｗに所定の処理を施すための２個の処理部（ＢＡＲＣセル１４あるいはＳＣセル１５とＳＤセル１６）と、ｘ方向に直交する水平面内の第２直線方向（ｙ方向）の一方側に配置された他の前記処理部（熱処理部２４）とを備えている。また、この処理ライン１３は、処理すべき基板Ｗを収納したカセット載置台１から払い出された基板Ｗを前記複数個の処理部（ＢＡＲＣセル１４あるいはＳＣセル１５とＳＤセル１６と熱処理部２４）で所要の一連の処理を施してカセット載置台１に戻すように前記基板搬送手段で搬送するものであって、ｘ方向の直線に線対称となるように独立して複数個（例えば２個）並設されている。
【０１３１】
ｘ方向に隣接して配設された２個の前記他の処理部（熱処理部２４）は、ｘ方向に移動可能なように構成されている。具体的には、各第２の処理ユニット１０の底部には、複数個（例えば４個）の車輪（図１０に示すような車輪１０ａ）が備えられている。そして、各第２の処理ユニット１０は、図１８に示すように、ｘ方向に移動可能なように構成されている。なお、各第２の処理ユニット１０は、対応するＳＣ用搬送機構１７やＳＤ用搬送機構２０に対して着脱自在で所定位置に固定可能になっていて、メンテナンス等の際には、対応するＳＣ用搬送機構１７やＳＤ用搬送機構２０に対する固定を解除できるようになっている。
【０１３２】
続いて、この基板処理装置のメンテナンス手順について説明する。まず、各第２の処理ユニット１０の対応するＳＣ用搬送機構１７やＳＤ用搬送機構２０に対する固定を解除する。そして、図１８に示すように、各第２の処理ユニット１０をｘ方向またはその逆方向に適宜に所定距離だけ移動させる。こうすることで、作業者が入り込むことができるメンテナンス作業空間Ａ４が確保され、作業者はメンテナンス作業空間Ａ４に入り込んで、各第１の処理ユニット９のＳＣ用搬送機構１７や各第３の処理ユニット１１のＳＤ用搬送機構２０のメンテナンスを行う。
【０１３３】
この基板処理装置によれば、水平面内のｘ方向の直線に線対称となるように独立して並設された２個の処理ライン１３のうちで、ｘ方向に隣接して配設された２個の熱処理部２４は、ｘ方向に移動可能なように構成されているので、処理ライン１３のＳＣ用搬送機構１７やＳＤ用搬送機構２０をメンテナンスする際に、この２個の熱処理部２４をｘ方向に移動させることで、処理ライン１３のＳＣ用搬送機構１７やＳＤ用搬送機構２０をメンテナンスするために作業者が入り込むためのメンテナンス作業空間Ａ４が確保でき、処理ライン１３のＳＣ用搬送機構１７やＳＤ用搬送機構２０のメンテナンス性を向上させることができる。
【０１３４】
（４）上述した各実施例では、２系統の処理ライン１３で同一の基板処理を並列に行っているが、一方の処理ライン１３で基板Ｗに対して第１の処理を行い、他方の処理ライン１３で基板Ｗに対して第１の処理とは異なる第２の処理を行うようにしてもよい。
【０１３５】
（５）上述した各実施例では、２系統の処理ライン１３で基板処理を並列に行っているが、２系統以上の複数系統の処理ライン１３を設けるようにしてもよい。
【０１３６】
（６）上述した各実施例では、基板処理として、フォトリソグラフィ工程におけるレジスト塗布および現像処理を例に採って説明したが、上述した基板処理に限定されない。例えば、基板を処理液に浸漬して洗浄処理、乾燥処理を含む処理を施す薬液処理や、上述した浸漬タイプのエッチング以外のエッチング処理（例えばドライエッチングやプラズマエッチングなど）や、上述した浸漬タイプ以外であって基板を回転させて洗浄する洗浄処理（例えばソニック洗浄や化学洗浄など）、化学機械研磨（ＣＭＰ）処理や、スパッタリング処理や、化学気相成長（ＣＶＤ）処理や、アッシング処理などのように、半導体基板、液晶表示器のガラス基板、フォトマスク用のガラス基板、光ディスク用の基板を通常の手法でもって行う基板処理であれば、本発明に適用することができる。
【０１３７】
【発明の効果】
以上の説明から明らかなように、本発明によれば、基板に一連の処理を施す処理ラインを複数個独立して備えているので、複数個の処理ラインのうちの１つの処理ラインが故障したとしても、他の処理ラインで基板に一連の処理を施すことができ、本基板処理装置の生産性能がゼロにならず、本基板処理装置全体が不稼動状態にならない、つまり、アベイラビリティ（稼動率：本基板処理装置が使える状態にある割合のこと）を向上させることができ、信頼性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施例に係る基板処理装置の概略構成を示す斜視図である。
【図２】図１に示した基板処理装置の概略構成を示す平面図である。
【図３】（ａ）は基板処理装置の左側面のブロック図であり、（ｂ）は基板処理装置の平面のブロック図であり、（ｃ）は基板処理装置の右側面のブロック図である。
【図４】（ａ）はＩＤ用搬送機構の平面図であり、（ｂ）はその右側面図である。
【図５】（ａ）はＳＣ用搬送機構の平面図であり、（ｂ）はその右側面図である。
【図６】（ａ）はＥＥ用搬送機構の平面図であり、（ｂ）はその側面図であり、（ｃ）はその正面図である。
【図７】熱処理部（ＨＰ−ＣＰ）の概略断面図である。
【図８】第１実施例の基板処理装置でのフォトリソグラフィ工程における一連の基板処理を示すフローチャートである。
【図９】第１実施例の基板処理装置でのフォトリソグラフィ工程における一連の基板処理を示すフローチャートである。
【図１０】第２の処理ユニットの斜視図である。
【図１１】第１実施例の基板処理装置のメンテナンス状態を説明するための平面図である。
【図１２】本発明の第２実施例に係る基板処理装置の概略構成を示す平面図である。
【図１３】第２実施例の第２の処理ユニットの外観を示す概略斜視図である。
【図１４】第２実施例の基板処理装置のメンテナンス状態を説明するための平面図である。
【図１５】本実施例とは別の実施例の基板処理装置の概略平面図である。
【図１６】本実施例とは別の実施例の基板処理装置の概略平面図である。
【図１７】本実施例とは別の実施例の基板処理装置の概略平面図である。
【図１８】図１７に示した基板処理装置のメンテナンス状態を説明するための平面図である。
【図１９】従来の基板処理装置の構成を示すブロック図である。
【符号の説明】
１　…　カセット載置台（基板収納手段）
１３　…　処理ライン
１４　…　ＢＡＲＣセル（処理部）
１５　…　ＳＣセル（処理部）
１６　…　ＳＤセル（処理部）
１７　…　ＳＣ用搬送機構（基板搬送手段）
１７ｄ…　アーム（基板保持部）
２０　…　ＳＤ用搬送機構（基板搬送手段）
２１　…　熱処理部用搬送機構（熱処理用の基板搬送手段）
２２　…　ＥＥ用搬送機構（基板搬送手段）
２２ｄ…　アーム（基板保持部）
２４　…　熱処理部（処理部）
２７　…　ローカル搬送機構（熱処理用の基板搬送手段）
Ｗ　…　基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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