(57)【要約】【課題】絶縁膜の描画工程を省略し、配線の描画工程で新たな短絡の発生を抑止し、描画パターンを単純な形状として欠陥修正による配線性能の低下を防止して、より実用的な欠陥修正を容易且つ確実に行うことを可能とする表示装置及び欠陥修正方法を提供する。【解決手段】画素電極４は、短絡・断線の欠陥発生が想定されるデータバスライン１と補助容量バスライン６との交差部位１３の近傍に位置するように、帯状の特定部位４ａがパターニングされてなる。欠陥修正時には、交差部位１３を挟む箇所２ａ，２ｂでレーザ光により切断分離し、レーザＣＶＤ法で開口及び接続を形成して、特定部位４ａとデータバスライン１とを電気的に接続する。【選択図】  図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上で、複数の配線と、画像表示を行う画素電極とを含み構成される画素を複数備え、複数の前記配線及び前記画素電極のうち、少なくとも２つが絶縁膜を介して交差するように配置されてなる表示装置であって、
前記画素電極は、前記交差部位の少なくとも１箇所に対応した特定部位を有しており、主要部位と前記特定部位とが幅狭の連結部位を介して一体形成されてなることを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記画素電極の直下に存する前記絶縁膜は、他の前記絶縁膜よりも厚く形成されていることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
基板上で、複数の配線と、画像表示を行う画素電極とを含み構成される画素を複数備え、複数の前記配線及び前記画素電極のうち、少なくとも２つが絶縁膜を介して交差するように配置されてなる表示装置について、前記交差部位に短絡が生じた際の欠陥修正方法であって、
前記画素電極は、前記交差部位の少なくとも１箇所に対応した特定部位を有し、主要部位と前記特定部位とが幅狭の連結部位を介して一体形成されてなる構造とされており、
前記交差部位における一方の前記配線を切断し、前記交差部位を他方の前記配線上に残された状態で、一方の前記配線から分離する工程と、
前記連結部位で切断して前記特定部位を前記画素電極から分離し、分離された前記特定部位を利用して一方の前記配線を接続する工程と
を含むことを特徴とする欠陥修正方法。
【請求項４】
複数の前記配線は、信号バスラインと、当該信号バスラインと前記絶縁膜を介して交差する走査バスライン及び補助容量バスラインとを含み、
前記信号バスラインと前記走査バスライン及び前記補助容量バスラインの少なくとも一方との前記交差部位の近傍に前記特定部位が設けられており、
前記交差部位を前記信号バスラインから分離した後、前記信号バスラインを接続するための一対のコンタクト孔を形成する工程と、
前記各コンタクト孔を埋め込み、前記信号バスラインと前記特定部位とを接続する一対の接続導体を形成する工程を更に含むことを特徴とする請求項３に記載の欠陥修正方法。
【請求項５】
複数の前記配線は、信号バスラインと、当該信号バスラインと前記絶縁膜を介して交差する走査バスライン及び補助容量バスラインとを含み、
前記補助容量バスラインは前記絶縁膜を介して前記画素電極と交差し、当該交差部位を含むように前記特定部位が設けられており、
前記特定部位を前記画素電極から分離することにより、短絡により前記特定部位が接続された前記補助容量バスラインを前記画素電極から独立した状態とすることを特徴とする請求項３又は４に記載の欠陥修正方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、主に液晶パネルを対象とした表示装置及びこれに発生した欠陥を修正する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
一般的に、液晶表示装置においては、バスライン同士が絶縁膜を挟んで交差している箇所が画素数の２倍存在しており、補助容量バスライン配線が絶縁膜を挟んで画素電極と交差している箇所が画素数と同数存在している。
【０００３】
バスライン同士の交差部位では、絶縁膜に存在する微視的不均一性のために短絡が発生することがある。この不均一欠陥は偶発的に誘起されるものであるため、工程を厳密に管理しても、完全に抑制することはできない。これらの層間短絡は、線状の表示欠陥となるため、短絡を修正する工程が必要となる。
【０００４】
従来の層間短絡を修正する方法を図１８に示す。
修正例▲１▼では、信号バスライン（データバスライン）２０１と走査バスライン（ゲートバスライン）２０２とが短絡した場合の修正方法を示している。ここで、２１１は例えばＴｉ，Ａｌ，Ｔｉを順次積層してなり、データバスライン１０１の形成時に設けられた迂回接続用の突起部位であり、２１２は例えばＴｉ，Ａｌを順次積層してなり、ゲートバスライン２０２の形成時に設けられた島状の接続体である。
【０００５】
修正例▲１▼の構成において層間短絡の欠陥修正を行うには、先ず、短絡が発生した交差部位２１０を挟むデータバスライン１０１上の２箇所の切断部位２０１ａ，２０１ｂをレーザ光により切断し、データバスライン１０１から短絡部位２１０を分離する。
【０００６】
続いて、突起部位２１１と接続体２１２との重畳部位、及び接続体２１２とデータバスライン１０１との重畳部位にレーザ照射して、上下の導体を溶融接続することにより、データバスライン１０１の導通を回復する。ここで、接続される双方がレーザ接続しやすいＡｌを含み構成されている点が重要である。
【０００７】
ところがこの場合、突起部位２１１もまたゲートバスライン２０２と交差しているため、短絡の発生箇所、即ち短絡発生確率を約２倍に増加させることになる。しかも短絡が検出されても、どちらの交差部位で発生したのかを、外見から常に判定することができる訳ではない。重畳部位の存在によりゲートバスライン２０２の寄生容量も増加し、駆動波形に歪みが生じる。当該寄生容量はゲート絶縁膜厚により決まるため、膜厚を厚くして減らすことができない。また、迂回接続用突起が不透明であるため、画素の透過率が減少する。
【０００８】
上記した修正例▲１▼の問題は、修正例▲２▼，▲３▼（▲３▼では切断箇所をゲートバスライン２０２上の２箇所の切断部位２０２ａ，２０２ｂとする。）に示すように、接続用電極として画素電極２０３をパターン形成する際のＩＴＯ等の透明材料層を転用するレイアウトを採用して接続用電極２１３を形成することにより解消される。画素電極２０３の下地となる保護膜は厚く堆積できるためである。接続用電極２１３は画素電極２０３と同時にパターニングされる。ここで、一方の端子はコンタクトホールを介してゲートバスライン２０２に接続されていてもよい。これにより接続箇所を１箇所に減らすことができる。
【０００９】
修正例▲４▼，▲５▼（▲５▼では切断箇所をゲートバスライン２０２上の２箇所の切断部位２０２ａ，２０２ｂとする。）は、補助容量バスライン２０４とデータバスライン１０１との短絡部位２１４を、修正例▲２▼，▲３▼と同様の方法で修正できることをそれぞれ示している。
【００１０】
修正例▲２▼〜▲５▼の修正方法は簡便であるが、レーザ光による溶融接続が難しいという実用上の問題がある。接続用電極２０３として利用する透明導電膜ＩＴＯは、薄く且つ機械的に破壊されやすい材料であるため、レーザ照射により接続用電極２１３の下層の絶縁層が破壊される過程で、破壊される絶縁層面積よりも広い面積にわたって破壊されてしまうためである。
【００１１】
これまでに説明した修正例▲１▼〜▲５▼の方法に付随する問題を解消するためには、修正例▲６▼の構造が考えられる。ここでは、短絡に備えた迂回配線２１１を予めレイアウトしておかないことにより、修正例▲１▼における問題を回避している。この場合、導通を回復するために、接続すべきデータバスライン１０１上にコンタクトホールを開口し、細い金属層である迂回配線８を光ＣＶＤ法により直接描画して、これらを接続する方法を採る。ここで、描画される迂回配線８は周囲に設置された導体である画素電極２０３の直上を通過せざるを得ない。
【００１２】
またこの場合、迂回配線８を描画するルートには、絶縁膜を挟んで交差する（下層）配線も存在している部位もあり、光ＣＶＤの最中に短絡を生ずることがある。従って迂回配線８を描画する前に、その描画ルートの下に絶縁膜を堆積する必要がある。かかる局部的な薄膜の堆積には光ＣＶＤ法が適用される。ところで、光ＣＶＤ法により再現性良く薄膜を堆積するには、管理された雰囲気中で行う必要があり、一般には真空中で行われ、当該工程では時間が掛かる。また描画では、曲線パターンの描画機能が必要であり装置構成が複雑になる。絶縁膜の堆積のために、ガスの供給制御系を更に一系統設ける必要がある。従って、修正の工程と装置との両面において、より単純化を図ることを要する。
【００１３】
上記の諸方法とは全く異なる欠陥修正方法も考えられる。短絡部位をレーザ光で分離した後、特許第２７５２３５６号に示された方法を適用することである。当該特許文献では、レーザで２分されたバスラインのうち、ドライバＩＣから切り離されたバスラインを、表示領域外に配置されている予備の迂回配線に接続し導通を回復する方法を開示している。しかしながらこの方法では、予備配線の引き回し距離が長くなり、信号の伝播遅延が問題となる。
【００１４】
【特許文献１】
特許第２７５２３５６号明細書
【特許文献２】
特開平３−１８２７２３号公報
【特許文献３】
特開平２−２８４１２０号公報
【特許文献４】
特開平２−２７５９２７号公報
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】
上述のように、短絡に起因する欠陥修正を行う際に、線状の表示欠陥のみならず点状の表示欠陥をも除去することを考慮すると、画素の構成の複雑化を招き更なる短絡を引き起こす虞があり、当該欠陥修正により配線信号伝達の性能を低下させてしまうという深刻な問題がある。
【００１６】
本発明は、上記の課題に鑑みてなされたものであり、絶縁膜の光ＣＶＤ描画工程を省略して、配線の描画工程における新たな短絡の発生を抑止し、描画パターンを単純な形状として欠陥修正するための描画装置の機能を単純化し、欠陥修正を容易且つ確実に行うことを可能とするより実用的な表示装置及びその欠陥修正方法を提供することを目的とする。
【００１７】
【課題を解決するための手段】
本発明の表示装置は、主に液晶ディスプレイを対象とし、基板上で、複数の配線と、画像表示を行う画素電極とを含み構成される画素を複数備え、複数の前記配線及び前記画素電極のうち、少なくとも２つが絶縁膜を介して交差するように配置されてなる表示装置であって、前記画素電極は、前記交差部位の少なくとも１箇所に対応した特定部位を有しており、主要部位と前記特定部位とが幅狭の連結部位を介して一体形成されてなる。
【００１８】
本発明の欠陥修正方法は、上記構成の表示装置の欠陥を修正するに際して、前記交差部位における一方の前記配線を切断し、前記交差部位を他方の前記配線上に残された状態で、一方の前記配線から分離する工程と、前記連結部位で切断して前記特定部位を前記画素電極から分離し、分離された前記特定部位を利用して一方の前記配線を接続する工程とを含む。
【００１９】
【発明の実施の形態】
−本発明の基本骨子−
本発明者は、短絡や断線の欠陥発生に際し、効率良く容易且つ確実な欠陥修正を行うべく、画素電極の一部を迂回配線として使用することに想到した。即ちこの場合、一体形成される島状の画素電極の一部を特定部位として欠陥発生を想定する部位の近傍に配置するようなレイアウトに当該画素電極をパターン形成しておく。画素電極の下層に存する絶縁膜は厚く、画素電極自身の例えば補助容量バスラインとの短絡する懸念は、配線間の重畳部位での短絡よりも小さい。従って、後述するように欠陥発生を想定する部位に適合させて個別具体的に、開口率を低下させない限度で画素電極を特定部位を有するようにできるだけ単純な形状にレイアウトすれば良い。
【００２０】
−本発明の具体的な実施形態−
上記の基本骨子を踏まえ、本発明を適用した具体的な実施形態について図面を参照しながら詳細に説明する。本実施形態では、表示装置として液晶ディスプレイを例示する。なお、本発明は液晶ディスプレイに限定されるものではなく、マトリクス状に画素が形成されてなる表示装置に適用可能である。
【００２１】
図１は、一般的な液晶ディスプレイの構成を示す概略断面図であり、図２は、本実施形態による液晶ディスプレイの主要構成である画素近傍の様子を拡大して示す模式図であり、（ａ）が概略平面図、（ｂ）が（ａ）のＩ−Ｉに沿った概略断面図である。
一般的な液晶ディスプレイは、図１に示すように、所定間隔をあけて対向する一対の透明ガラス基板１０１，１０２と、これら透明ガラス基板１０１，１０２間に狭持される液晶層１０３とを備えて構成されている。
【００２２】
一方の透明ガラス基板１０１上には、絶縁層１０４を介して複数の画素電極１０５、スイッチング素子となる不図示の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）が形成され、画素電極１０５を覆うように透明の配向膜１０６ａが形成されており、他方の透明ガラス基板１０２上には、カラーフィルター１０７、共通電極（対向電極）１０８及び配向膜１０６ｂが順次積層されている。そして、液晶層１０３を狭持するように配向膜１０６ａ，１０６ｂが突き合わせられてガラス基板１０１，１０２が固定され、各基板１０１，１０２の外側に偏光子１０９，１１０が設けられる。画素電極１０５はアクティブマトリクス（ＴＦＴマトリクス）と共に形成され、図示の例ではＴＦＴのドレイン電極が接続されているデータバスライン１１１が形成されており、不図示のＴＦＴのゲート電極となるゲートバスラインも形成されている。なお、電極は一方の基板のみに設けられることもある。
【００２３】
［液晶ディスプレイの具体的構成］
上記の一般的構成を踏まえ、本実施形態による液晶ディスプレイは、各画素近傍の構成に特徴がある。
この液晶ディスプレイでは、図２に示すように、Ｔｉ，Ａｌが積層されてなる複数の走査バスライン（ゲートバスライン）２と、Ｔｉ，Ａｌ，Ｔｉが積層されてなる複数の信号バスライン（データバスライン）１とが、シリコン酸化膜等からなりゲート絶縁膜としての役割も持つ薄い絶縁膜３を介して直交するようにパターン形成され、当該直交部位に対応してＩＴＯ等からなる複数の画素電極４がデータバスライン１上でシリコン酸化膜等からなる厚い絶縁膜５を介してマトリクス状にパターン形成されており、更にゲートバスライン２と同層としてこれと平行に補助容量バスライン６がパターン形成されている。
【００２４】
ここで、データバスライン１にはドレイン１１が一体形成され、ドレイン１１と隣接してこれと同層としてソース１２が島状に形成されており、ソース１１及びドレイン１２が両側に位置するようにゲートバスライン２がゲート絶縁膜である絶縁膜３を介して配置し、ゲートバスライン２、ソース１１及びドレイン１２を有してＴＦＴ７が構成されている。
【００２５】
画素電極４は、短絡・断線の欠陥発生が想定されるデータバスライン１と補助容量バスライン６との交差部位１３の近傍に位置するように、主要部位に比して面積の小さい帯状の特定部位４ａがパターニングされてなる。ここで、後述するレーザ光による切断を容易にするため、ゲートバスライン２又はデータバスライン１に形成時に、特定部位４ａの後述する根元１５の下方にゲートバスライン２又はデータバスライン１と同層の金属からなる島状部位１４を形成するようにしても良い。この場合、根元１５の直下に島状部位を形成しても好適である。
【００２６】
［具体的な欠陥修正方法］
図３〜図５は、本実施形態の欠陥修正方法を工程順に説明する模式図である。ここで各図において、（ａ）が概略平面図、（ｂ）が（ａ）のＩ−Ｉに沿った概略断面図である。
データバスライン１と補助容量バスライン６との交差部位１３に欠陥が発生した場合、先ず図３に示すように、データバスライン１の交差部位１３を挟む箇所２ａ，２ｂでレーザ光、例えば波長１０６４ｎｍのＹＡＧパルスレーザを用いて切断し、データバスライン１から交差部位１３を分離する。
【００２７】
続いて、図４に示すように、データバスライン１の表面の一部を露出するように、絶縁膜５に例えば５μｍ径のコンタクト孔９をレーザ光、例えば波長３５５ｎｍのＹＡＧパルスレーザを用いて開口し、各コンタクト孔９を埋め込み特定部位４ａに延在するようにレーザＣＶＤ法により金属、ここではＣｒで直線パターンである一対の接続導体８を膜厚２５０ｎｍ程度に描画し、これら接続導体８により各コンタクト孔９を介して特定部位４ａとデータバスライン１とを電気的に接続する。
【００２８】
このときのレーザＣＶＤ法による接続導体８の形成条件の一例を以下に示す。
ＣＷ  ＹＡＧレーザ：波長３５５ｎｍ、ビーム径５μｍ
走査速度          ：３μｍ／ｓ
原料ガス          ：Ｃｒ（ＣＯ）6
キャリアガス      ：Ａｒ、流量９０ｃｃ／ｍｉｎ
ベルジャ内圧力    ：１００ｍＴｏｒｒ
【００２９】
しかる後、図５に示すように、特定部位４ａの根元１５をレーザ光、例えば波長１０６４ｎｍのＹＡＧパルスレーザを用いて切断し、特定部位４ａを画素電極４（の主要部位）から分離する。ここで、レーザＣＶＤとレーザ切断の順序は変えても良い。これにより、分断されたデータバスライン１は各接続導体８を介して迂回配線である特定部位４ａにより電気的に接続修復され、欠陥が完全に修正される。
【００３０】
以上説明したように、本実施形態の液晶ディスプレイおよびその欠陥修正方法によれば、絶縁膜の描画工程を省略し、配線の描画工程で新たな短絡の発生を抑止し、開口率の低下を抑止しつつより実用的な欠陥修正を容易且つ確実に行うことが可能となる。この場合、描画パターンを単純な形状とすることにより、欠陥修正のための描画装置の機能を単純化し、修正用の配線に付随した抵抗値の増大による配線性能の低下を防止することができる。
【００３１】
−変形例−
ここで、本実施形態の諸変形例について説明する。
【００３２】
（変形例１）
図６は、変形例１による液晶ディスプレイの主要部である画素近傍の構成を拡大して示す概略平面図である。ここでは便宜上、欠陥修正が施された状態で図示する。
ここでは、特定部位４ａがデータバスライン１を絶縁膜５を介して跨ぐように形成されている。絶縁膜５は厚膜であるため、特定部位４ａとデータバスライン１とが短絡するおそれは殆どない。データバスライン１と補助容量バスライン６との交差部位１３を分離する際に、補助容量バスライン６の交差部位１３を挟む箇所６ａ，６ｂでレーザ光、例えば波長１０６４ｎｍのＹＡＧパルスレーザを用いて切断し、補助容量バスライン６から交差部位１３を分離する構成を採る。
【００３３】
そして、補助容量バスライン６の表面の一部を露出するように、絶縁膜５に例えば５μｍ径のコンタクト孔２１をレーザ光、例えば波長３５５ｎｍのＹＡＧパルスレーザを用いて開口し、各コンタクト孔２１を埋め込み特定部位４ａに延在するようにレーザＣＶＤ法により金属、ここではＣｒで直線パターンである一対の接続導体８を膜厚２５０ｎｍ程度に描画し、これら接続導体８により各コンタクト孔２１を介して特定部位４ａと補助容量バスライン６とを電気的に接続する。
【００３４】
しかる後、特定部位４ａの根元１５をレーザ光、例えば波長１０６４ｎｍのＹＡＧパルスレーザを用いて切断し、特定部位４ａを画素電極４（の主要部位）から分離する。これにより、分断された補助容量バスライン６は各接続導体８を介して迂回配線である特定部位４ａにより電気的に接続修復され、欠陥が完全に修正される。
【００３５】
（変形例２）
図７は、変形例２による液晶ディスプレイの主要部である画素近傍の構成を拡大して示す概略平面図である。ここでは便宜上、欠陥修正が施された状態で図示する。
ここでは、変形例１と同様の箇所に特定部位４ａが形成されていることに加え、画素電極４の主要部位が絶縁膜５を介してデータバスライン１を跨ぐように形成されている。この場合、欠陥修正方法は変形例１と同様である。
【００３６】
（変形例３）
図８は、変形例３による液晶ディスプレイの主要部である画素近傍の構成を拡大して示す概略平面図である。ここでは便宜上、欠陥修正が施された状態で図示する。
ここでは、ゲートバスライン２とデータバスライン１との交差部位２２が欠陥発生部位に想定されており、交差部位２２の近傍に特定部位４ｂが配置されている。交差部位２２を分離する際に、データバスライン１の交差部位２２を挟む箇所２２ａ，２２ｂでレーザ光、例えば波長１０６４ｎｍのＹＡＧパルスレーザを用いて切断し、データバスライン１から交差部位２２を分離する構成を採る。
【００３７】
そして、データバスライン１の表面の一部を露出するように、絶縁膜５に例えば５μｍ径のコンタクト孔２３をレーザ光、例えば波長３５５ｎｍのＹＡＧパルスレーザを用いて開口し、各コンタクト孔２３を埋め込み特定部位４ｂに延在するようにレーザＣＶＤ法により金属、ここではＣｒで直線パターンである一対の接続導体８を膜厚２５０ｎｍ程度に描画し、これら接続導体８により各コンタクト孔２３を介して特定部位４ａとデータバスライン１とを電気的に接続する。
【００３８】
しかる後、特定部位４ａの根元１５をレーザ光、例えば波長１０６４ｎｍのＹＡＧパルスレーザを用いて切断し、特定部位４ｂを画素電極４（の主要部位）から分離する。これにより、分断されたデータバスライン１は各接続導体８を介して迂回配線である特定部位４ｂにより電気的に接続修復され、欠陥が完全に修正される。
【００３９】
（変形例４）
図９は、変形例４による液晶ディスプレイの主要部である画素近傍の構成を拡大して示す概略平面図である。ここでは便宜上、欠陥修正が施された状態で図示する。
ここでは、変形例３と同様の箇所に特定部位４ｂが形成されていることに加え、画素電極４の特定部位４ｂが絶縁膜５を介してデータバスライン１を跨ぐように形成されている。この場合、欠陥修正方法は変形例３と同様である。
【００４０】
（変形例５）
図１０は、変形例５による液晶ディスプレイの主要部である画素近傍の構成を拡大して示す概略平面図である。ここでは便宜上、欠陥修正が施された状態で図示する。
ここでは、本実施形態に変形例４と同様の箇所に特定部位４ｂが形成されていることに加え、画素電極４の主要部位が絶縁膜５を介してデータバスライン１を跨ぐように形成されている。
この場合、欠陥修正方法は、変形例３で説明した方法と同様である。
【００４１】
（変形例６）
図１１は、変形例６による液晶ディスプレイの主要部である画素近傍の構成を拡大して示す概略平面図である。ここでは便宜上、欠陥修正が施された状態で図示する。
ここでは、本実施形態に変形例３を併存させた構成、即ちデータバスライン１と補助容量バスライン６との交差部位１３、及びゲートバスライン２とデータバスライン１との交差部位２２の双方に欠陥が発生することを想定し、交差部位１３の近傍に特定部位４ａを、交差部位２２の近傍に特定部位４ｂをそれぞれ配置するレイアウトに画素電極４をパターン形成する。
【００４２】
この場合、欠陥修正方法は、本実施形態で説明した方法と変形例３で説明した方法とを共に行うが、両者の順序は問わない。
【００４３】
（変形例７）
図１２は、変形例７による液晶ディスプレイの主要部である画素近傍の構成を拡大して示す概略平面図である。ここでは便宜上、欠陥修正が施された状態で図示する。
ここでは、本実施形態に変形例４を併存させた構成、即ちデータバスライン１と補助容量バスライン６との交差部位１３、及びゲートバスライン２とデータバスライン１との交差部位２２の双方に欠陥が発生することを想定し、交差部位１３の近傍に特定部位４ａを、交差部位２２の近傍にデータバスライン１を跨ぐように特定部位４ｂをそれぞれ配置するレイアウトに画素電極４をパターン形成する。
【００４４】
この場合、欠陥修正方法は、本実施形態で説明した方法と変形例４で説明した方法とを共に行うが、両者の順序は問わない。
【００４５】
（変形例８）
図１３は、変形例８による液晶ディスプレイの主要部である画素近傍の構成を拡大して示す概略平面図である。ここでは便宜上、欠陥修正が施された状態で図示する。
ここでは、変形例１に変形例４を併存させた構成、即ちデータバスライン１と補助容量バスライン６との交差部位１３、及びゲートバスライン２とデータバスライン１との交差部位２２の双方に欠陥が発生することを想定し、交差部位１３の近傍にデータバスライン１を跨ぐように特定部位４ａを、交差部位２２の近傍にデータバスライン１を跨ぐように特定部位４ｂをそれぞれ配置するレイアウトに画素電極４をパターン形成する。
【００４６】
この場合、欠陥修正方法は、変形例１で説明した方法と変形例４で説明した方法とを共に行うが、両者の順序は問わない。
【００４７】
（変形例９）
図１４は、変形例９による液晶ディスプレイの主要部である画素近傍の構成を拡大して示す概略平面図である。ここでは便宜上、欠陥修正が施された状態で図示する。
ここでは、欠陥発生確率は低いが、画素電極４と補助容量バスライン６との交差部位２４が欠陥発生部位に想定されており、画素電極４の交差部位２４を含む部分が主要部位に比して面積の小さい特定部位４ｃとされている。
【００４８】
欠陥を修正する際には、交差部位２４を分離する際に、画素電極４の主要部位と特定部位４ｃとを連結する幅狭の根元１５でレーザ光、例えば波長１０６４ｎｍのＹＡＧパルスレーザを用いて切断し、画素電極４から交差部位２４を含む特定部位４ｃを分離する。これにより、画素電極４から孤立した特定部位４ｃが単に補助容量バスライン６に接続された形となり、欠陥が完全に修正される。
【００４９】
（変形例１０）
図１５は、変形例１０による液晶ディスプレイの主要部である画素近傍の構成を拡大して示す概略平面図である。ここでは便宜上、欠陥修正が施された状態で図示する。
ここでは、画素電極４の主要部位が絶縁膜５を介してデータバスライン１を跨ぐように形成され、変形例９と同様の特定部位４ｃが２箇所に形成されている。この場合、欠陥修正方法は変形例９と同様である。図示の例では、２箇所の特定部位４ｃのうち、紙面で左側のみに欠陥が発生した場合を示す。
【００５０】
（変形例１１）
図１６は、変形例１１による液晶ディスプレイの主要部である画素近傍の構成を拡大して示す概略平面図である。ここでは便宜上、欠陥修正が施された状態で図示する。
ここでは、データバスライン１と同層として、島状の中間電極２５が形成されており、この中間電極２５と補助容量バスライン６との交差部位２６で欠陥発生を想定した場合を例示する。
【００５１】
この場合、中間電極２５の一端に突起部位２５ａが形成されており、欠陥発生時にはこの突起部位２５ａの位置で、画素電極４、絶縁膜５及び当該突起部位２５ａをレーザ光により切断する。これにより、孤立した中間電極２５が単に補助容量バスライン６に接続された形となり、欠陥が修正される。
【００５２】
−他の実施形態−
図１７は、他の実施形態による液晶ディスプレイの主要部である画素近傍の構成を拡大して示す概略平面図である。ここでは便宜上、欠陥修正が施された状態で図示する。
ここでは、欠陥発生箇所を可及的に想定した構成、図示の例では、本実施形態、変形例６、及び変形例９を併存させた構成を開示する。即ちこの場合、データバスライン１と補助容量バスライン６との交差部位１３、ゲートバスライン２とデータバスライン１との交差部位２２、画素電極４と補助容量バスライン６との交差部位２４に各々に欠陥が発生することを想定し、交差部位１３の近傍に特定部位４ａを、交差部位２２の近傍に特定部位４ｂを、交差部位２４を含むように特定部位４ｃをそれぞれ配置するレイアウトに画素電極４をパターン形成する。
【００５３】
欠陥を修正する際には、本実施形態、変形例６、及び変形例８で説明した方法をそれぞれ行うが、実行の順序は問わない。
【００５４】
以下、本発明の諸態様を付記としてまとめて記載する。
【００５５】
（付記１）基板上で、複数の配線と、画像表示を行う画素電極とを含み構成される画素を複数備え、複数の前記配線及び前記画素電極のうち、少なくとも２つが絶縁膜を介して交差するように配置されてなる表示装置であって、
前記画素電極は、前記交差部位の少なくとも１箇所に対応した特定部位を有しており、主要部位と前記特定部位とが幅狭の連結部位を介して一体形成されてなることを特徴とする表示装置。
【００５６】
（付記２）前記画素電極の直下に存する前記絶縁膜は、他の前記絶縁膜よりも厚く形成されていることを特徴とする付記１に記載の表示装置。
【００５７】
（付記３）前記特定部位の面積は、前記主要部位の面積よりも小さいことを特徴とする付記１又は２に記載の表示装置。
【００５８】
（付記４）複数の前記配線は、信号バスラインと、当該信号バスラインと前記絶縁膜を介して交差する走査バスライン及び補助容量バスラインとを含み、
前記信号バスラインと前記走査バスライン及び前記補助容量バスラインの少なくとも一方との前記交差部位の近傍に前記特定部位が設けられていることを特徴とする付記１〜３のいずれか１項に記載の表示装置。
【００５９】
（付記５）前記特定部位の根元の下層に島状の金属層が直接又は前記絶縁膜を介して形成されていることを特徴とする付記４に記載の表示装置。
【００６０】
（付記６）複数の前記配線は、信号バスラインと、当該信号バスラインと前記絶縁膜を介して交差する走査バスライン及び補助容量バスラインとを含み、
前記補助容量バスラインは前記絶縁膜を介して前記画素電極と交差しており、当該交差部位を含むように前記特定部位が設けられていることを特徴とする付記１〜５のいずれか１項に記載の表示装置。
【００６１】
（付記７）複数の前記配線は、信号バスラインと、当該信号バスラインと前記絶縁膜を介して交差する走査バスライン及び補助容量バスラインとを含み、
前記補助容量バスラインと前記画素電極との間で上下に前記絶縁膜を介して設けられた中間電極を更に有し、前記補助容量バスラインと中間電極との間に前記交差部位が形成されており、
前記中間電極は幅狭の突起部位を備え、前記画素電極の前記突起部位上に相当する部位が前記連結部位とされていることを特徴とする付記１〜６のいずれか１項に記載の表示装置。
【００６２】
（付記８）基板上で、複数の配線と、画像表示を行う画素電極とを含み構成される画素を複数備え、複数の前記配線及び前記画素電極のうち、少なくとも２つが絶縁膜を介して交差するように配置されてなる表示装置について、前記交差部位に短絡が生じた際の欠陥修正方法であって、
前記画素電極は、前記交差部位の少なくとも１箇所に対応した特定部位を有し、主要部位と前記特定部位とが幅狭の連結部位を介して一体形成されてなる構造とされており、
前記交差部位における一方の前記配線を切断し、前記交差部位を他方の前記配線上に残された状態で、一方の前記配線から分離する工程と、
前記連結部位で切断して前記特定部位を前記画素電極から分離し、分離された前記特定部位を利用して一方の前記配線を接続する工程と
を含むことを特徴とする欠陥修正方法。
【００６３】
（付記９）複数の前記配線は、信号バスラインと、当該信号バスラインと前記絶縁膜を介して交差する走査バスライン及び補助容量バスラインとを含み、
前記信号バスラインと前記走査バスライン及び前記補助容量バスラインの少なくとも一方との前記交差部位の近傍に前記特定部位が設けられており、
前記交差部位を前記信号バスラインから分離した後、前記信号バスラインを接続するための一対のコンタクト孔を形成する工程と、
前記各コンタクト孔を埋め込み、前記信号バスラインと前記特定部位とを接続する一対の接続導体を形成する工程を更に含むことを特徴とする付記８に記載の欠陥修正方法。
【００６４】
（付記１０）前記各コンタクト孔を埋め込み前記一対の接続導体を形成する際に、光化学気相成長法を用いることを特徴とする付記９に記載の欠陥修正方法。
【００６５】
（付記１１）複数の前記配線は、信号バスラインと、当該信号バスラインと前記絶縁膜を介して交差する走査バスライン及び補助容量バスラインとを含み、
前記補助容量バスラインは前記絶縁膜を介して前記画素電極と交差し、当該交差部位を含むように前記特定部位が設けられており、
前記特定部位を前記画素電極から分離することにより、短絡により前記特定部位が接続された前記補助容量バスラインを前記画素電極から独立した状態とすることを特徴とする付記８〜１０のいずれか１項に記載の欠陥修正方法。
【００６６】
（付記１２）複数の前記配線は、信号バスラインと、当該信号バスラインと前記絶縁膜を介して交差する走査バスライン及び補助容量バスラインとを含み、
前記表示装置は、前記補助容量バスラインと前記画素電極との間で上下に前記絶縁膜を介して設けられた中間電極を更に有し、前記補助容量バスラインと中間電極との間に前記交差部位が形成され、
前記中間電極は幅狭の突起部位を備え、前記画素電極の前記突起部位上に相当する部位が前記連結部位とされており、
少なくとも前記連結部位及びその下部の前記突起部位を切断することを特徴とする付記８〜１１のいずれか１項に記載の欠陥修正方法。
【００６７】
【発明の効果】
本発明によれば、絶縁膜の描画工程を省略し、配線の描画工程で新たな短絡の発生を抑止し、描画パターンを単純な形状として欠陥修正のための描画装置の機能を単純化し、修正用の配線に付随した抵抗値の増大による配線性能の低下を防止して、より実用的な欠陥修正を容易且つ確実に行うことが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】一般的な液晶ディスプレイの構成を示す概略断面図である。
【図２】本実施形態による液晶ディスプレイの主要部である画素近傍の構成を拡大して示す模式図である。
【図３】本実施形態の欠陥修正方法を工程順に説明する模式図である。
【図４】図３に引き続き、本実施形態の欠陥修正方法を工程順に説明する模式図である。
【図５】図４に引き続き、本実施形態の欠陥修正方法を工程順に説明する模式図である。
【図６】変形例１による液晶ディスプレイの主要部である画素近傍の構成を拡大して示す概略平面図である。
【図７】変形例２による液晶ディスプレイの主要部である画素近傍の構成を拡大して示す概略平面図である。
【図８】変形例３による液晶ディスプレイの主要部である画素近傍の構成を拡大して示す概略平面図である。
【図９】変形例４による液晶ディスプレイの主要部である画素近傍の構成を拡大して示す概略平面図である。
【図１０】変形例５による液晶ディスプレイの主要部である画素近傍の構成を拡大して示す概略平面図である。
【図１１】変形例６による液晶ディスプレイの主要部である画素近傍の構成を拡大して示す概略平面図である。
【図１２】変形例７による液晶ディスプレイの主要部である画素近傍の構成を拡大して示す概略平面図である。
【図１３】変形例８による液晶ディスプレイの主要部である画素近傍の構成を拡大して示す概略平面図である。
【図１４】変形例９による液晶ディスプレイの主要部である画素近傍の構成を拡大して示す概略平面図である。
【図１５】変形例１０による液晶ディスプレイの主要部である画素近傍の構成を拡大して示す概略平面図である。
【図１６】変形例１１による液晶ディスプレイの主要部である画素近傍の構成を拡大して示す概略平面図である。
【図１７】他の実施形態による液晶ディスプレイの主要部である画素近傍の構成を拡大して示す概略平面図である。
【図１８】表示装置の欠陥修正に際して、従来の層間短絡を修正する方法を示す概略平面図である。
【符号の説明】
１  信号バスライン（データバスライン）
２  走査バスライン（ゲートバスライン）
３，５  絶縁膜
４  画素電極
４ａ，４ｂ，４ｃ  特定部位
６  補助容量バスライン
７  薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）
８  接続導体
９  修正用コンタクトホール
１１  ドレイン
１２  ソース
１３，２２，２４，２６  交差部位
１４  島状部位
１５  根元
２ａ，２ｂ，６ａ，６ｂ，２２ａ，２２ｂ，２４ａ  切断箇所
２３  コンタクト孔
２５  中間電極
２５ａ  突起部位
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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