(57)【要約】【課題】  製造プロセスの簡略化が図れ、コンタクトホールの微細化が可能な構造を有するＴＦＴを備えた電気光学装置を提供する【解決手段】  本発明の電気光学装置は、表示領域内の画素スイッチング用ＴＦＴと周辺回路領域内の回路形成用ＴＦＴが全て同一導電型（例えばＮチャネル）のＴＦＴであり、ＴＦＴ３０のソース領域またはドレイン領域１ｄ，１ｅとの電気的接続をとるコンタクトホール８２，８３内に前記ＴＦＴと同一導電型のポリシリコンが埋め込まれている。【選択図】        図３
2004264824.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、複数の画素スイッチング用薄膜トランジスタを有する表示領域と、複数の回路形成用薄膜トランジスタを有する周辺回路領域とが設けられた電気光学装置であって、
前記表示領域内の画素スイッチング用薄膜トランジスタと前記周辺回路領域内の回路形成用薄膜トランジスタとが全て同一導電型の薄膜トランジスタであり、前記各薄膜トランジスタのソース領域またはドレイン領域の電気的接続をとるためのコンタクトホールを有し、前記コンタクトホールの内部に前記薄膜トランジスタのソース領域およびドレイン領域と同一導電型の多結晶シリコンが埋め込まれていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記各薄膜トランジスタの上層側に上層導電層が設けられ、前記ソース領域またはドレイン領域と前記上層導電層とが、前記コンタクトホールの内部に埋め込まれた多結晶シリコンからなるコンタクトプラグを介して電気的に接続されたことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記各薄膜トランジスタの上層側に上層導電層が設けられ、前記上層導電層が、前記コンタクトホールの内部に埋め込まれた多結晶シリコンと一体で構成されたことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記各薄膜トランジスタを構成する能動層の層厚が１００ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記各薄膜トランジスタを構成する能動層が単結晶シリコンで構成されたことを特徴とする請求項１ないし４のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項６】
前記基板が互いに交差して設けられた複数のデータ線および複数の走査線を有するアクティブマトリクス基板であり、
前記周辺回路領域が、前記データ線を駆動するデータ線駆動回路と前記走査線を駆動する走査線駆動回路とを含み、前記データ線駆動回路には外付けの相補型駆動用素子が電気的に接続されていることを特徴とする請求項１ないし５のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項７】
基板上に、複数の画素スイッチング用薄膜トランジスタを有する表示領域と、複数の回路形成用薄膜トランジスタを有する周辺回路領域とが設けられた電気光学装置の製造方法であって、
前記表示領域内と前記周辺回路領域内に全てが同一導電型の複数の薄膜トランジスタを形成する工程と、
前記薄膜トランジスタを覆う層間絶縁膜を形成した後、前記層間絶縁膜に前記各薄膜トランジスタのソース領域またはドレイン領域にそれぞれ通じるコンタクトホールを形成する工程と、
前記コンタクトホールの内部を含む基板全面に、前記薄膜トランジスタのソース領域およびドレイン領域と同一導電型の多結晶シリコン膜を形成する工程とを有することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項８】
前記多結晶シリコン膜のうち、前記層間絶縁膜の上部に位置する部分を除去して前記コンタクトホールの内部に前記多結晶シリコン膜を残存させることによって、前記薄膜トランジスタと同一導電型の多結晶シリコンからなるコンタクトプラグを形成する工程と、
前記コンタクトプラグの上部に上層導電層を形成する工程をさらに有することを特徴とする請求項７に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項９】
前記基板全面に形成した多結晶シリコン膜をパターニングすることにより上層導電層を形成する工程をさらに有することを特徴とする請求項７に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項１ないし６のいずれか一項に記載の電気光学装置を備えたことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学装置およびその製造方法、電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
電気光学装置の一つである液晶装置は、直視型ディスプレイのみならず、例えば投射型表示装置の光変調手段（ライトバルブ）としても多用されている。年々、液晶装置の解像度の向上が求められており、特に投射型表示装置のライトバルブとして用いる場合、ライトバルブ上の画像を拡大表示することから、ますます高解像度化への要求が厳しくなっている。そこで、明るい画像を確保すべく開口率を維持しながら、解像度を高めようとすると、必然的に配線の幅や画素スイッチング用薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor, 以下、ＴＦＴと略記する）の占有面積を小さくしなければならない。その結果、例えばアクティブマトリクス基板において、データ線や走査線をＴＦＴに接続するためのコンタクトホールの径も小さくする必要が生じる。一方、画素スイッチング用ＴＦＴを駆動するための駆動回路を基板上に内蔵した液晶装置が従来から提供されている。この種の液晶装置においては、表示領域外の限られた周辺領域に高性能の駆動回路を形成しなければならないという要求があり、周辺回路領域の駆動回路を構成するＴＦＴや配線、コンタクトホールも微細化する必要が高まっている。
【０００３】
ところが、コンタクトホールを小径化した場合、アルミニウム（Ａｌ）等で配線を形成しようとすると、コンタクトホールの底面や側面にＡｌ膜がカバレッジ良く成膜されないため、コンタクト抵抗が増大したり、ひどい場合には断線不良が生じたりする。この問題を解決するため、例えばＬＳＩ等の半導体製造プロセスにおいては、コンタクトホール内部をタングステンで埋め込み、その上に上層配線層を形成する技術、いわゆるタングステンプラグ技術が用いられている（例えば、特許文献１参照）。スパッタ法で成膜するアルミニウムはステップカバレッジに劣る一方、タングステンはＣＶＤ法で成膜することができ、ステップカバレッジに優れた膜を形成することができる。
【特許文献１】特開平６−３４２７９２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、タングステンプラグを用いる場合、タングステン層の下に密着層を形成する必要がある。その理由は、タングステン層はステップカバレッジに優れるものの、異種材料層の界面における内部応力の差に起因して、絶縁層に対する密着性が乏しいからである。また、タングステン層形成時の原料ガスであるＷＦ６等の金属フッ化ガスから下地導体層を保護するため、バリア性を高める必要もある。以上のことから、タングステン層の下に、チタン（Ｔｉ）／窒化チタン（ＴｉＮ）の積層膜、もしくはチタン（Ｔｉ）／酸化窒化チタン（ＴｉＯＮ）の積層膜などを形成する必要がある。したがって、タングステンプラグを形成するだけで多くの工程を要してしまい、製造プロセスが複雑になってしまう。そこで、上記のような密着性等の問題を持たない多結晶シリコンからなるプラグ（以下、本明細書ではポリシリプラグと称する）を用いることが提案されている。
【０００５】
図７および図８は、ポリシリプラグによるコンタクト部を有するＴＦＴの製造方法の一例を示す工程断面図である。
まず、図７（ａ）に示すように、従来一般の方法により、基板６０上にＮチャネルＴＦＴ６１とＰチャネルＴＦＴ６２を形成する。液晶装置等の電気光学装置に用いるアクティブマトリクス基板の場合、一般に、表示領域内の画素スイッチング用ＴＦＴはＮチャネルＴＦＴ、周辺回路領域内の回路形成用ＴＦＴはＮチャネルＴＦＴとＰチャネルＴＦＴとを混載した相補型ＴＦＴで構成されるのが普通である。したがって、図７および図８では双方のＴＦＴを表すため、図中左側にＮチャネルＴＦＴ６１を、右側にＰチャネルＴＦＴ６２を図示することにする。
【０００６】
次に、図７（ｂ）に示すように、各ＴＦＴ６１，６２を覆う層間絶縁膜６３を成膜した後、層間絶縁膜６３を貫通して各ＴＦＴ６１，６２のソース領域６１ｓ，６２ｓおよびドレイン領域６１ｄ，６２ｄに達するコンタクトホール６４を形成する。
次に、図７（ｃ）に示すように、コンタクトホール６４の内部を含む基板６０全面に、例えばボロン等のＰ型不純物が導入されたポリシリコン膜６５を成膜する。
次に、図８（ｄ）に示すように、平坦化技術、フォトリソグラフィー技術を用いてＰチャネルＴＦＴ６２側のコンタクトホール６４の内部にのみポリシリコンを残存させてポリシリプラグ６６を形成し、残りのポリシリコン膜６５を全て除去する。
【０００７】
次に、図８（ｅ）に示すように、ＮチャネルＴＦＴ６１側のコンタクトホール６４の内部を含む基板６０全面に、例えばリン等のＮ型不純物が導入されたポリシリコン膜６７を成膜する。
次に、図８（ｆ）に示すように、エッチバック技術等を用いて層間絶縁膜６３の上部にあったポリシリコン膜６７を除去し、ＮチャネルＴＦＴ６１側のコンタクトホール６４の内部にポリシリコンを残存させてポリシリプラグ６８を形成する。
最後に、図８（ｇ）に示すように、アルミニウム等の金属膜を成膜し、フォトリソグラフィー技術を用いてこれをパターニングすることによって、各ＴＦＴ６１，６２のポリシリプラグ６６，６８上に金属配線６９を形成する。
【０００８】
ところが、上記の製造方法ではポリシリプラグを形成するために非常に多くの工程を要するという問題があった。ＴＦＴ上にポリシリプラグを用いる場合、タングステンプラグの場合のような密着層を形成することなく、ＴＦＴの半導体層上にプラグを直接形成することができるという利点を持ちながら、これではコンタクト形成工程の簡略化を実現することができなかった。
なお、ここではポリシリプラグを用いてＴＦＴのソース・ドレイン領域と金属配線とを接続する場合の問題点として説明したが、コンタクトホール内に埋め込んだポリシリコン膜で一体に上部配線を形成する場合もあり、その場合にも同種の問題点を抱えていた。
【０００９】
本発明は、上記の課題を解決するためになされたものであって、製造プロセスの簡略化が図れるとともに、コンタクトホールの微細化が可能な構造を有するＴＦＴを備えた電気光学装置、およびその製造方法を提供することを目的とする。また、上記の電気光学装置を備えた高解像度の表示を実現可能な電子機器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題を解決するために、本発明の電気光学装置は、基板上に、複数の画素スイッチング用ＴＦＴを有する表示領域と、複数の回路形成用ＴＦＴを有する周辺回路領域とが設けられた電気光学装置であって、前記表示領域内の画素スイッチング用ＴＦＴと前記周辺回路領域内の回路形成用ＴＦＴとが全て同一導電型のＴＦＴであり、前記各ＴＦＴのソース領域またはドレイン領域の電気的接続をとるためのコンタクトホールを有し、前記コンタクトホールの内部に前記ＴＦＴのソース領域およびドレイン領域と同一導電型の多結晶シリコンが埋め込まれていることを特徴とする。
【００１１】
周辺駆動回路を備えた従来の電気光学装置では、基板上に相補型ＴＦＴが形成されるのが通常であったため、コンタクトホール内にＰ型ポリシリコンを埋め込んだコンタクト部とＮ型ポリシリコンを埋め込んだコンタクト部とを作り分けなければならなかった。すなわち、ＰチャネルＴＦＴのコンタクト部にはＰ型ポリシリコン、ＮチャネルＴＦＴのコンタクト部にはＮ型ポリシリコンを用いるようにしないと、コンタクト部にＰ−Ｎ接合（ダイオード接合）ができてしまい、正常なコンタクト特性が得られないからである。よって、双方のコンタクト部を形成するために多くの工程を要していた。これに対して、本発明の電気光学装置においては、表示領域内の画素スイッチング用ＴＦＴと周辺回路領域内の回路形成用ＴＦＴとが全て同一導電型のＴＦＴである。すなわち、表示領域内のＴＦＴと周辺回路領域内のＴＦＴが全てＰチャネルＴＦＴ、ＮチャネルＴＦＴのいずれかに統一されている。そのため、コンタクト部もそれに対応してＰ型、Ｎ型のいずれか一方の導電型のポリシリコンを形成すれば済み、コンタクト部の形成工程を簡略化することができる。
【００１２】
さらに、前記各ＴＦＴの上層側に上層導電層が設けられ、前記ソース領域またはドレイン領域と前記上層導電層とが、前記コンタクトホールの内部に埋め込まれた多結晶シリコンからなるコンタクトプラグを介して電気的に接続された構成であってもよい。
この場合、上層導電層としてコンタクトプラグを構成する多結晶シリコン以外の材料を用いることができるので、上層導電層の用途等により要求される特性に応じて上層導電層の材料を選択することができる。
【００１３】
あるいは、前記上層導電層が、前記コンタクトホールの内部に埋め込まれた多結晶シリコンと一体で構成されたものであってもよい。
このようなアクティブマトリクス基板では、上記スイッチング素子の他、抵抗や容量素子、各種の配線等が基板上に形成されるが、これらの構成要素として多結晶シリコンが用いられることが多い。その場合、上記の方法によれば、多結晶シリコンがそのまま上記の構成要素である上層導電層となるので、新たな工程を付加する必要がなく、簡単な製造プロセスで本発明の構成を実現することができる。
【００１４】
本発明の電気光学装置は、前記各ＴＦＴを構成する能動層の層厚が１００ｎｍ以下である場合に特に効果的である。
ＴＦＴの能動層厚が１００ｎｍ以下と薄い場合、アルミニウムを用いた一般的なコンタクト形成では、シリコンとアルミニウム、あるいは下地メタル層との反応によって、もともと薄いソース・ドレインコンタクト部のシリコン層が消費されるなどの現象により、コンタクト抵抗が著しく上昇する場合がある。この問題を対策するためにコンタクト部のシリコン層を保護するバリアメタル層を形成することが一般的に行われている。あるいは、コンタクト部のシリコン層をエピタキシャル成長させてこの部分の膜厚を大きくすることでコンタクト抵抗を下げるというアイディアもある。しかし、これらの方法は現行の製造プロセスに比べて工程数の増加を招いてしまう。そこで、このコンタクト抵抗増大の問題を回避するという観点でも、本発明のように能動層と同一材料であるシリコンを用いてコンタクトさせるのがよい。なお、上記の問題は、能動層厚が５０ｎｍ以下でより顕著である。
【００１５】
前記各ＴＦＴを構成する能動層としては、多結晶シリコン、非晶質シリコンを問わず用いることができるが、単結晶シリコンで構成すれば、より高性能のＴＦＴを得ることができる。
【００１６】
また、前記基板が互いに交差して設けられた複数のデータ線および複数の走査線を有するアクティブマトリクス基板であり、前記周辺回路領域が、前記データ線を駆動するデータ線駆動回路と前記走査線を駆動する走査線駆動回路とを含む場合、前記データ線駆動回路に外付けの相補型駆動用素子が電気的に接続されていることが望ましい。
本発明の電気光学装置は片チャネルＴＦＴのみを用いるものであるが、周辺駆動回路、特にデータ線駆動回路に関しては、駆動能力の向上等、回路の高性能化が求められる事情から相補型ＴＦＴを用いたいという要求がある。その場合、上記のように、データ線駆動回路に外付けの相補型駆動用素子を電気的に接続する構成とすればよい。この構成とすれば、適切な相補型駆動用素子を選択することにより、充分な性能を有するデータ線駆動回路を実現することができる。
【００１７】
また、相補型駆動用素子を用いることにより消費電力の低減を図るという効果もある。しかしながら、本発明の装置構成において、仮に外付けの相補型駆動用素子を用いなかったとしても、例えば投射型表示装置用の液晶パネル等の用途では、投射用光源に比べて液晶パネルの電力は非常に小さいので、それが多少増加することは殆ど問題とならない。
【００１８】
本発明の電気光学装置の製造方法は、基板上に、複数の画素スイッチング用ＴＦＴを有する表示領域と、複数の回路形成用ＴＦＴを有する周辺回路領域とが設けられた電気光学装置の製造方法であって、前記表示領域内と前記周辺回路領域内に全てが同一導電型の複数のＴＦＴを形成する工程と、前記ＴＦＴを覆う層間絶縁膜を形成した後、前記層間絶縁膜に前記各ＴＦＴのソース領域またはドレイン領域にそれぞれ通じるコンタクトホールを形成する工程と、前記コンタクトホールの内部を含む基板全面に前記ＴＦＴのソース領域およびドレイン領域と同一導電型の多結晶シリコン膜を形成する工程とを有することを特徴とする。
本発明の電気光学装置の製造方法によれば、上述した通り、ＴＦＴのソース領域またはドレイン領域に接続されるコンタクト部としてＰ型、Ｎ型のいずれか一方の多結晶シリコンを形成すれば済むため、従来の製造方法に比べてコンタクト部の形成工程を簡略化することができる。
【００１９】
また、上記の２通りの構造に対応して、前記多結晶シリコン膜のうち、前記層間絶縁膜の上部に位置する部分を除去して前記コンタクトホールの内部に前記多結晶シリコン膜を残存させることによって、前記ＴＦＴと同一導電型の多結晶シリコンからなるコンタクトプラグを形成する工程と、前記コンタクトプラグの上部に上層配線層を形成する工程とをさらに有してもよい。あるいは、前記基板全面に形成した多結晶シリコン膜をパターニングすることにより上層導電層を形成する工程をさらに有してもよい。
【００２０】
本発明の電子機器は、上記本発明の電気光学装置を備えたことを特徴とする。
上記本発明の電気光学装置を備えたことによって、高解像度、低コストの表示部を有する電子機器を実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
［第１の実施の形態］
以下、本発明の第１の実施形態について図１〜図４に基づいて説明する。
本実施の形態では、投射型表示装置のライトバルブに用いるアクティブマトリクス方式の透過型液晶装置（液晶ライトバルブ）の例を挙げて説明する。
図１は本実施形態の液晶装置（電気光学装置）を各構成要素とともに対向基板の側から見た平面図であり、図２は図１のＨ−Ｈ’線に沿う断面図である。図３はＴＦＴの部分だけを取り出して拡大視した断面図、図４は上記ＴＦＴの製造方法、特にコンタクト部の形成方法を説明するための工程断面図である。なお、以下の説明に用いた各図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならせてある。
【００２２】
図１および図２に示すように、本実施の形態の液晶装置１００は、ＴＦＴアレイ基板１０（アクティブマトリクス基板）と対向基板２０とがシール材５２によって貼り合わされ、このシール材５２によって区画された領域内に液晶層５０が封入されている。シール材５２の形成領域の内側の領域には、遮光性材料からなる遮光膜（周辺見切り）５３が形成されている。シール材５２の外側の周辺回路領域には、データ線駆動回路２０１および外部回路実装端子２０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って形成されており、この一辺に隣接する２辺に沿って走査線駆動回路１０４が形成されている。ＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺には、表示領域の両側に設けられた走査線駆動回路１０４の間を接続するための複数の配線１０５が設けられている。また、対向基板２０の角部においては、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的導通をとるための基板間導通材１０６が配設されている。
【００２３】
なお、本実施形態においては、データ線駆動回路２０１をＴＦＴアレイ基板１０の上に形成する代わりに、例えば、相補型駆動用ＬＳＩが実装されたＣＯＦ（Chip On Flexible cable）基板とＴＦＴアレイ基板１０の周辺部に形成された端子群とを異方性導電膜を介して電気的および機械的に接続するようにしてもよい。すなわち、データ線駆動回路２０１を外付けの相補型駆動用ＬＳＩに分担させる構成としてもよい。
【００２４】
このような構造を有する液晶装置１００の表示領域においては、複数のデータ線と複数の走査線とが互いに交差して形成され、複数の画素がマトリクス状に配置されている。そして、これら画素の各々には、画素電極と画素スイッチング用ＴＦＴが形成されており、画像信号を供給するデータ線が画素スイッチング用ＴＦＴのソース領域に電気的に接続され、画素電極が画素スイッチング用ＴＦＴのドレイン領域に電気的に接続されている。一方、走査信号を供給する走査線が画素スイッチング用ＴＦＴのゲート電極に電気的に接続されている。本実施形態においては、表示領域内の画素スイッチング用ＴＦＴと、データ線駆動回路２０１や走査線駆動回路１０４を含む周辺回路領域内の回路形成用ＴＦＴとが全て同一導電型のＴＦＴで構成されている。具体的には、ＴＦＴアレイ基板上のＴＦＴが全てＮチャネルＴＦＴに統一されている。
【００２５】
図３は、例えばＴＦＴアレイ基板１０上の画素スイッチング用ＴＦＴ３０を代表して示すである。ＴＦＴアレイ基板１０には下地絶縁膜１２が形成され、その上に各画素電極をスイッチング制御する画素スイッチング用ＴＦＴ３０（以下、単にＴＦＴという）が設けられている。ＴＦＴ３０は、ＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造を有しており、走査線（ゲート電極）３ａ、当該走査線３ａからの電界によりチャネルが形成される半導体層（能動層）１ａのチャネル領域１ａ’、走査線３ａと半導体層１ａとを絶縁するゲート絶縁膜２、データ線３０３、半導体層１ａの低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃ、高濃度ソース領域１ｄ並びに高濃度ドレイン領域１ｅを備えている。半導体層は、単結晶シリコン、多結晶シリコン、非晶質シリコンのいずれを用いても良いが、駆動能力の高いＴＦＴを得るためには単結晶シリコンが望ましい。。
【００２６】
ＴＦＴ３０は第１層間絶縁膜３１１に覆われており、第１層間絶縁膜にはコンタクトホール８２，８３が形成されている。高濃度ドレイン領域１ｅには、コンタクトホール８３を介して蓄積容量を構成する容量電極３０２（上層導電層）が電気的に接続されている。また、高濃度ソース領域１ｄには、コンタクトホール８２を介してデータ線３０３（上層導電層）が電気的に接続されている。本実施形態では、容量電極３０２およびデータ線３０３は、リン等のｎ型不純物がドープされたポリシリコンでコンタクトホール８２，８３に埋め込まれた部分と一体に形成されている。さらに、容量電極３０２の上方には、容量絶縁膜３０１を介して容量線３００が形成されている。
【００２７】
以下、本実施の形態のＴＦＴアレイ基板の製造方法、特にＴＦＴ３０のコンタクト部の製造方法を図４を用いて説明する。
まず、図４（ａ）に示すように、基板１０上に下地絶縁膜１２を形成した後、下地絶縁膜１２上に、周知の方法によりＮチャネルのＴＦＴ３０を形成する。次に、走査線３ａ上およびゲート絶縁膜２上を含む基板全面に、ＣＶＤ法等によりシリコン酸化膜からなる第１層間絶縁膜３１１を１０〜２００ｎｍ程度の膜厚に堆積する。
次に、図４（ｂ）に示すように、後で形成するデータ線３０３と高濃度ソース領域１ｄおよび後で形成する蓄積容量３０２と高濃度ドレイン領域１ｅとを電気的接続するためのコンタクトホール８２，８３をドライエッチング法等により形成する。
次に、図４（ｃ）に示すように、第１層間絶縁膜３１１上の全面に、低圧ＣＶＤ法等によりＮ型ドープトポリシリコン膜を堆積し、フォトリソグラフィー法によりパターニングしてデータ線３０３および容量電極３０２を形成する。
そして、容量絶縁膜３０１、容量線３００を形成することにより、図３に示した構成のＴＦＴが完成する。
【００２８】
本実施の形態によれば、表示領域内の画素スイッチング用ＴＦＴと周辺回路領域内の回路形成用ＴＦＴとが全てＮチャネルＴＦＴであり、ＴＦＴ３０のソース・ドレイン領域と電気的に接続を取るためのコンタクトホール８２，８３にＮ型不純物がドープされたポリシリコンを埋め込んだ構造を採っているため、コンタクト部の形成工程を簡略化することができる。さらに、データ線３０３や容量電極３０２が、コンタクトホール８２，８３内に埋め込まれたドープトポリシリコンと一体で形成されているので、新たな工程を付加する必要がなく、簡単な製造プロセスで本発明の構成を実現することができる。
【００２９】
［第２の実施の形態］
以下、第２の実施形態の液晶装置（電気光学装置）の製造方法について説明する。
図５はＴＦＴの製造方法、特にコンタクト部の形成方法を説明するための工程断面図である。第１の実施の形態では、コンタクトホール内に埋め込んだポリシリコンで上層導電層を形成したが、本実施の形態ではポリシリプラグを用いた例を挙げる。
【００３０】
まず、図５（ａ）に示すように、従来一般の方法により、透明基板３０上の表示領域３１、周辺回路領域３２の各々にＮチャネルＴＦＴ３３を形成する。最終的に、表示領域３１内のＮチャネルＴＦＴ３３は画素スイッチング用ＴＦＴとなり、周辺回路領域３２内のＮチャネルＴＦＴ３３は回路形成用ＴＦＴとなる。
次に、図５（ｂ）に示すように、各ＮチャネルＴＦＴ３３を覆うシリコン酸化膜等からなる第１層間絶縁膜３４を成膜した後、第１層間絶縁膜３４を貫通して各ＴＦＴ３３のソース領域３３ｓおよびドレイン領域３３ｄに達するコンタクトホール３５を形成する。例えば第１層間絶縁膜３４の膜厚は８００ｎｍ程度とする。
次に、図５（ｃ）に示すように、コンタクトホール３５の内部を含む基板全面に、例えばリン等のＮ型不純物が導入されたポリシリコン膜３６を成膜する。このとき、ポリシリコン膜３６がコンタクトホール３５の内部を完全に埋め込み、第１層間絶縁膜３４の上面にも成膜される程度の膜厚、例えば３５０ｎｍ程度とする。
【００３１】
次に、図５（ｄ）に示すように、全面エッチング、もしくはＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）等を用いて、ポリシリコン膜３６のうち、第１層間絶縁膜３４の上部に位置する部分を除去し、コンタクトホール３５の内部にのみポリシリコンを残存させてポリシリプラグ３７を形成する。
次に、図５（ｅ）に示すように、アルミニウム等の金属膜を成膜し、フォトリソグラフィー技術を用いてこれをパターニングすることによって、各ＴＦＴ３３のポリシリプラグ３７上に金属配線層３８（上層配線層）を形成する。なお、表示領域３１側のＴＦＴ３３においては、ソース領域３３ｓに接続された金属配線層３８はそのままデータ線となり、ドレイン領域３３ｄに接続された金属配線層３８は画素電極との接続に用いられる中継導電層となる。
【００３２】
その後、従来一般の方法により、第２層間絶縁膜、画素電極、配向膜等を形成することによってＴＦＴアレイ基板１０が完成する。一方、透明基板上にベタ状の共通電極、配向膜等を形成することによって対向基板２０が完成する。そして、これら基板１０，２０をシール材５２を介して貼り合わせ、基板１０，２０間に液晶５０を注入、封止することによって本実施形態の液晶装置１００が完成する。
【００３３】
本実施形態の液晶装置１００においては、表示領域３１内の画素スイッチング用ＴＦＴと周辺回路領域３２内の回路形成用ＴＦＴとが全てＮチャネルＴＦＴで構成されており、ポリシリプラグ３７はＮ型ポリシリコンからなるもののみを形成すれば済むため、コンタクト部の形成工程を簡略化することができ、コンタクト部、ひいてはＴＦＴおよび配線の微細化が可能になる。その結果、液晶装置の高精細化を図ることができる。また、データ線駆動回路に外付けの相補型駆動用ＬＳＩを電気的に接続する構成とすれば、充分な駆動性能を有するデータ線駆動回路を実現することができる。
【００３４】
［電子機器］
以下、上述の液晶装置を用いた電子機器の一例として、投射型液晶表示装置（液晶プロジェクタ）について説明する。
図６は、液晶プロジェクタの概略構成を示す図である。この図に示されるように、プロジェクタ１１００内部には、ハロゲンランプ等の白色光源からなるランプユニット１１０２が設けられている。このランプユニット１１０２から射出された投射光は、内部に配置された３枚のミラー１１０６および２枚のダイクロイックミラー１１０８によって赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３原色に分離されて、各原色に対応するライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇおよび１００Ｂにそれぞれ導かれる。
【００３５】
ここで、ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇおよび１００Ｂの構成は、上述した実施の形態に係る液晶装置と同様であり、画像信号を入力する処理回路（図示省略）から供給されるＲ、Ｇ、Ｂの原色信号でそれぞれ駆動されるものである。また、Ｂ色の光は、他のＲ色やＧ色と比較すると、光路が長いので、その損失を防ぐために、入射レンズ１１２２、リレーレンズ１１２３および出射レンズ１１２４からなるリレーレンズ系１１２１を介して導かれる。
【００３６】
ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂによってそれぞれ変調された光は、ダイクロイックプリズム１１１２に３方向から入射する。そして、このダイクロイックプリズム１１１２において、Ｒ色およびＢ色の光は９０度に屈折する一方、Ｇ色の光は直進する。このようにして、各色の画像が合成された後、スクリーン１１２０には、投射レンズ１１１４によってカラー画像が投射されることとなる。
本実施形態の投射型表示装置は、上記実施形態の液晶装置を備えたことによって、高解像度、低コストを実現することができる。
【００３７】
なお、本発明の技術範囲は上記実施の形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。例えば上記実施の形態では、ＴＦＴが全てＮチャネル型であるとして説明したが、Ｐチャネル型であってもよく、その場合にはボロン等のＰ型不純物が導入されたポリシリコンからなるポリシリプラグを用いれば良い。また、断面構造、各膜の構成材料等に関する記載はほんの一例に過ぎず、適宜変更が可能である。また、本発明は、液晶装置に限らず、例えばエレクトロルミネッセンス（ＥＬ）、デジタルマイクロミラーデバイス（ＤＭＤ、テキサス・インスツルメンツ社の登録商標）、あるいはプラズマ発光や電子放出による蛍光等を用いた様々な電気光学素子を用いた電気光学装置、およびこの電気光学装置を備えた電子機器に対しても適用可能であることは言うまでもない。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】本発明の第１の実施形態の液晶装置を示す平面図である。
【図２】図１のＨ−Ｈ’線に沿う断面図である。
【図３】同、液晶装置のＴＦＴ部分を示す断面図である。
【図４】同、ＴＦＴの製造工程図である。
【図５】第２の実施形態の液晶装置のＴＦＴ部分の製造工程図である。
【図６】同、液晶装置を備えた電子機器の一例を示す模式図である。
【図７】従来の液晶装置の製造工程図である。
【図８】図７の続きを示す図である。
【符号の説明】
【００３９】
１０…ＴＦＴアレイ基板（アクティブマトリクス基板）、３１…表示領域、３２…周辺回路領域、３３…ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）、３４…第１層間絶縁膜、３５…コンタクトホール、３７…ポリシリプラグ（コンタクトプラグ）、３８…上層配線層、１００…液晶装置、１０４…走査線駆動回路（周辺回路）、２０１…データ線駆動回路（周辺回路）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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