(57)【要約】【課題】従来の製造工程を変更することなくカラーフィルタ一体型アクティブ・マトリクス基板を得る。【解決手段】第１基板ＳＵＢ１の画素領域に、アクティブ素子ＴＦＴの駆動出力端子（１）に電気的に接続した第１の電極層ＩＴＯ１を設け、画素領域内に開孔部ＣＦＨを有するカラーフィルタ層ＣＦを形成する。このカラーフィルタ層ＣＦを覆って画素電極となる第２の電極層ＩＴＯ２を形成して両者を電気的に接続する。【選択図】　　　　図１
2004045970.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画素電極と、これに対応するアクティブ素子及びカラーフィルタ層を夫々含む複数の画素領域がマトリクス状に配列された第１基板と、前記画素電極との間に電界を形成するための共通電極を形成した第２基板と、前記第１基板及び前記第２基板の間に液晶層とを有する液晶パネルを具備する液晶表示装置であって、
前記第１基板の画素領域の夫々には、前記アクティブ素子の駆動出力端子に電気的に接続した導電性薄膜からなる第１の電極層が設けられ、
前記画素領域内の夫々にて前記カラーフィルタ層の一部に形成した当該カラーフィルタ層の開孔部と、
前記カラーフィルタ層の上層にて前記画素電極を形成し、且つ前記第１の電極層と前記開孔部を通して電気的に接続される第２の電極層とが設けられていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
前記第１の電極層は前記画素領域のほぼ全域に有し、前記第２の電極層は前記第１の電極層と同等の面積で前記カラーフィルタを覆って形成されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記開孔が前記アクティブ素子の前記駆動出力端子の形成位置から離れた位置に有することを特徴とする請求項１または２に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記開孔が前記アクティブ素子の前記駆動出力端子の形成位置に有することを特徴とする請求項１または２に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記第１の電極層は前記アクティブ素子の前記駆動出力端子の形成位置近傍に有し、前記カラーフィルタ層の前記開孔が前記アクティブ素子の前記駆動出力端子の形成位置近傍に有することを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項６】
画素電極と、これを駆動するアクティブ素子及びこれに対応して形成されるカラーフィルタ層を夫々含む複数の画素領域がマトリクス状に配列された第１基板と、前記画素電極との間に電界を形成するための共通電極を形成した第２基板とを有し、且つ前記第１基板と前記第２基板との間に液晶層を挟持した液晶パネルを具備する液晶表示装置であって、
前記第１基板の画素領域には前記アクティブ素子の駆動出力端子に電気的に接続した導電性薄膜からなる第１の電極層が設けられ、
前記カラーフィルタ層は、前記画素領域内で前記第１の電極層上に当該第１の電極層の一部を露呈する露呈部を設ける如く形成され、
前記カラーフィルタ層の上層にて前記画素電極を形成し、且つ前記第１の電極層と前記露呈部で電気的に接続する第２の電極層が設けられることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項７】
前記カラーフィルタ層の一部の端縁における当該カラーフィルタ層が欠落して、前記第１の電極層の端縁から後退していることを特徴とする請求項６に記載の液晶表示装置。
【請求項８】
前記カラーフィルタ層は、前記画素領域で少なくとも二つに分割されて前記第１の電極層を露呈する分割部を有し、前記第１の電極層と前記分割部で電気的に接続して画素電極を構成する第２の電極層を有することを特徴とする請求項６に記載の液晶表示装置。
【請求項９】
前記分割部が前記画素領域のほぼ中央に一箇所有するすることを特徴とする請求項８に記載の液晶表示装置。
【請求項１０】
前記第２の電極層と前記第２基板の前記共通電極とを橋絡して、前記第１基板と前記第２基板の間隙を規制するスペーサを有することを特徴とする請求項１〜９の何れかに記載の液晶表示装置。
【請求項１１】
前記スペーサが、前記第１の電極層と前記第２の電極層を電気的に接続する部分に有することを特徴とする請求項１０に記載の液晶表示装置。
【請求項１２】
前記第１の電極層と前記第２の電極層を電気的に接続する部分に対向する前記第２基板の部分に遮光層を有することを特徴とする請求項１〜１１の何れかに記載の液晶表示装置。
【請求項１３】
前記第１の電極層と前記第２の電極層を電気的に接続する部分が前記アクティブ素子の前記駆動出力端子の形成位置に有する前記カラーフィルタ層の開孔であることを特徴とする請求項１２に記載の液晶表示装置。
【請求項１４】
前記遮光層が前記カラーフィルタ層の前記開孔または前記第１の電極層の露呈部、もしくは前記分割部に対応する位置に有することを特徴とする請求項１２に記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、液晶表示装置に係り、特に、アクティブ素子を形成した基板側にカラーフィルタ層を有する液晶表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ノート型コンピュータやコンピュータモニター、あるいはテレビ受像機用の高精細かつカラー表示が可能な液晶表示装置としてアクティブ・マトリクス型の液晶表示装置が多様されている。この種の液晶表示装置は、基本的には少なくとも一方がガラス板等の透明基板からなる二枚の基板の間に液晶層を挟持した所謂液晶パネルを有する。液晶パネルには、その周辺に駆動回路（駆動ＩＣ）やその配線等が搭載、または形成され、制御回路基板や必要に応じてバックライト等の補助照明装置が組み合わされて液晶表示装置とされる。なお、以下では、液晶パネル自体の構成の説明であっても便宜上、液晶表示装置として説明する。
【０００３】
上記液晶表示装置の一方の基板（以下、第１基板）には薄膜トランジスタや薄膜ダイオード等のアクティブ素子とこのアクティブ素子で駆動される画素電極を有し、他方の基板（以下、第２基板）には前記画素電極との間に液晶駆動用の電界を形成する共通電極が形成される、所謂縦電界方式（ＴＮ方式）の液晶表示装置が知られている。この種のアクティブ・マトリクス型の液晶表示装置を開示したものとしては、例えば、特開昭６３−３０９９２１号公報を挙げることができる。
【０００４】
一方、第１基板側に上記の共通電極を形成して液晶層に印加する電界の方向を基板面とほぼ平行な方向とする、所謂横電界方式（ＩＰＳ方式）の液晶表示装置も実用化されている。このＩＰＳ方式の液晶表示装置を開示したものとしては、２枚の基板の一方に櫛歯電極を用いて非常に広い視野角を得るようにした特公昭６３−２１９０７号公報等を挙げることができる。
【０００５】
上記の各方式の液晶表示装置において、フルカラー表示を行うために第１基板または第２基板に３色のカラーフィルタ層を設けている。このカラーフィルタ層は、第２基板側に設けたものが広く知られているが、第１基板側にカラーフィルタ層を形成する方式もある。何れの方式も、アクティブ素子で選択される画素電極と共通電極の間にある液晶層を通る光をカラーフィルタ層で色変調することでカラー表示を得るものである。
【０００６】
一般に、第１基板は画素を駆動する薄膜トランジスタ等のアクティブ素子をマトリクス状に有することからアクティブ・マトリクス基板とも称する。以下では第１基板をアクティブ・マトリクス基板、アクティブ素子を薄膜トランジスタとして説明する。このアクティブ・マトリクス基板にカラーフィルタ層を形成する方式は、対向して重ね合わせる第２基板との重ね合わせ工程が容易であるという利点を有する。以下、第２基板を対向基板とも称する。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
アクティブ・マトリクス基板は、基板上に多数の薄膜トランジスタをマトリクス状に形成し、この薄膜トランジスタの駆動端子（出力端子）に第１の電極層を形成する。対向基板側にカラーフィルタを有する方式では、この第１の電極層は画素電極となるものであるが、本発明の液晶表示装置では、第１の電極層を覆ってカラーフィルタ層を形成し、このカラーフィルタ層の上層に上記第１の電極層とは別部材として形成される第２の電極層を設け、第１の電極層と電気的に接続して画素電極とする。
【０００８】
後述する実施例では、第１の電極層と第２の電極層および対向基板に設ける共通電極は、全てＩＴＯ（インジウム・チン・オキサイド）であるものとして説明するが、この他にＩＺＯ（インジウム・ジンク・オキサイド）その他の透明導電膜を用いることができる。それぞれの薄膜トランジスタが配置される領域を画素領域とし、この画素領域にカラーフィルタ層が塗布される。そして、このカラーフィルタ層を覆って画素電極となる第２の電極層を形成する。このとき、第２の電極層を第１の電極層に対して電気的に接続する必要がある。
【０００９】
従来のこの種のカラーフィルタ一体型アクティブ・マトリクス基板を採用する液晶表示装置では、カラーフィルタ層を形成後に薄膜トランジスタの駆動出力部にコンタクトホールを穿孔し、このコンタクトホールを通してカラーフィルタ層の上層に設ける電極層（画素電極）と薄膜トランジスタの駆動出力部とを電気的に接続している。また、画素領域を避けた部分で第１の基板と第２の基板との間の電気的接続を行う場合もあるが、画素領域を避けた部分には薄膜トランジスタの構成層やこの薄膜トランジスタに駆動のための各種信号を印加する配線等が存在するため、膜面が不整な場合が多い。そのため、電極層（画素電極）と薄膜トランジスタの駆動出力部と接続信頼性を大きくすることには限界があった。また、従来はカラーフィルタを形成後にコンタクトホールを形成する工程等を要する等、ホトグラフィー工程が多くなる等、特有の製造プロセスを採用する必要があり、対向基板側にカラーフィルタを形成する、所謂カラーフィルタ分離型の場合に比べて製造工程数が多くなるという問題があり、これが解決すべき課題の一つとなっていた。
【００１０】
本発明の目的は、上記従来技術における課題を解決して低コストかつ高信頼性の液晶表示装置を得ることにあり、従来のカラーフィルタ分離型のアクティブ・マトリクス基板の製造工程を変更することなくカラーフィルタ一体型アクティブ・マトリクス基板を得ることができる。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明は、アクティブ・マトリクス基板である第１基板の画素領域の夫々に、アクティブ素子の駆動出力端子に電気的に接続した導電性薄膜からなる第１の電極層を設け、画素領域の夫々にカラーフィルタ層の一部に形成した開孔部、あるいは端縁が第１の電極層の一部を露呈した露呈部を有するカラーフィルタ層を形成する。このカラーフィルタ層を覆って画素電極となる第２の電極層を形成することにより、第２の電極層は第１の電極層と上記開孔部、あるいは露呈部を通して電気的に接続される。第１の電極層は前記した従来のカラーフィルタ分離型のアクティブ・マトリクス基板と同等の構造であり、カラーフィルタ分離型では画素電極となるものである。
【００１２】
したがって、カラーフィルタ層の形成の前工程までは従来のカラーフィルタ分離型のアクティブ・マトリクス基板の製造プロセスをそのまま使用でき、対向基板との位置合わせも容易であり、スループットが向上し、低コスト化が可能である。また、第１の電極層と第２の電極層の電気的接続部は画素領域にあるため、両電極層は高精度で接続され、信頼性が向上する。
【００１３】
さらに、上記電気的接続部にアクティブ・マトリクス基板と対向基板の間の間隙を規制するスペーサを設けることで、光漏れが抑制される。さらに、カラーフィルタ層の開孔部、あるいは露呈部に対応する対向基板の部分に遮光層を設けることにより、開口率は低下するものの、コントラストを向上することがでいる。
【００１４】
なお、本発明は、上記の構成および後述する実施例の構成に限定されるものではなく、本発明の技術思想を逸脱することなく種々の変更が可能であることは言うまでもない。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について、実施例の図面を参照して詳細に説明する。図１は本発明の液晶表示装置を構成する画素部の平面図であり、理解を容易にするため、各構成層の一部を破断し、あるいは除去して示す。また、図２〜図５はそれぞれ図１のＡ−Ａ’線、Ｂ−Ｂ’線、Ｃ−Ｃ’線、Ｄ−Ｄ’線で切断した断面図である。なお、以下の実施例では、アクティブ素子として薄膜トランジスタを用いた例で説明する。各図中、参照符号ＳＵＢ１は第１基板であるアクティブ・マトリクス基板、ＳＵＢ２は第２基板（対向基板）、ＴＦＴは単位画素を駆動する薄膜トランジスタである。
【００１６】
アクティブ・マトリクス基板ＳＵＢ１の内面には、モノクロ表示の場合の１画素を構成する一つの単位画素、あるいはカラー表示の場合のカラー１画素を構成する赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の各単位画素は２本のデータ線（以下、ドレイン線）ＤＬと２本の走査線（以下、ゲート線）ＧＬで囲まれた領域（画素領域）に形成される。この単位画素をオン／オフ駆動する薄膜トランジスタＴＦＴは画素領域の一郭に形成される。図２〜図４はアクティブ・マトリクス基板ＳＵＢ１に薄膜トランジスタＴＦＴおよび画素電極等を形成する工程を説明しており、図５はアクティブ・マトリクス基板ＳＵＢ１に対向基板ＳＵＢ２を貼り合わせ、内部に液晶層を封入した状態を示す。
【００１７】
図２において、ゲート線ＧＬの一部は薄膜トランジスタＴＦＴのゲート電極となり、その上に第１の絶縁層ＩＮ１を介して半導体層ＳＩが所要のパターンに形成され、この半導体層ＳＩ上にアルミニウム、クロム、モリブデン、その他の金属膜の成膜とパターニングでソース電極ＳＤ１およびドレイン電極ＳＤ２が形成される。そして、その上層には第２の絶縁層ＩＮ２が形成される。第２の絶縁層ＩＮ２にコンタクトホールＴＨを穿ち、このコンタクトホールＴＨを通してインジウム・チン・オキイドを好適とする導電層を蒸着等で成膜し、ソース電極ＳＤ１と電気的に接続された第１の電極層ＩＴＯ１を画素領域毎にその大略全域にわたる範囲に形成する（図１参照）。
【００１８】
そして、画素領域内の第１の電極層ＩＴＯ１を覆って各色のカラーフィルタ層が塗布される。図３は図１のＢ−Ｂ’線の沿った断面を示す。この画素には緑（Ｇ）のカラーフィルタ層ＣＦ（Ｇ）が形成される。このとき、カラーフィルタ層の一部に開孔部ＣＦＨを設ける。開孔部ＣＦＨ内には下層にある第１の電極層ＩＴＯ１が見えている。
【００１９】
次に、図４に示したように、カラーフィルタ層ＣＦを覆って第２のデータ層ＩＴＯ２を蒸着等で形成する。図４は青の蛍光体層ＣＦ（Ｂ）の単位画素の部分の断面図である。図示されたように、第２の電極層ＩＴＯ２はカラーフィルタ層ＣＦの開孔部ＣＦＨを通して第１の電極層ＩＴＯ１と電気的に接続される。この第２の電極層ＩＴＯ２は画素電極となる。その後、第２の電極層ＩＴＯ２の上層に配向膜を形成してアクティブ・マトリクス基板が完成する。なお、配向膜は図示は省略した。
【００２０】
図５は上記のようにして製造されたアクティブ・マトリクス基板に共通電極ＩＴＯ３を有する対向基板である第２基板ＳＵＢ２を液晶層ＣＬを介して貼り合わせた状態を示す図１のＤ−Ｄ’線の沿った断面図である。
【００２１】
本実施例の液晶表示装置では、アクティブ・マトリクス基板側に形成したカラーフィルタ層ＣＦの上に画素電極である第２の電極層ＩＴＯ２と対向基板ＳＵＢ２に共通電極ＩＴＯ３の間に形成される電界で液晶層ＣＬの配向が制御され、所定の色の単位画素が駆動されて画像表示が行われる。カラーフィルタ層ＣＦに設ける開孔部ＣＦＨの面積比をあまり大きくすると色相の劣化が目立つので、この大きさは１％〜２０％とするのが望ましい。この面積比は液晶パネルのサイズや実装する電子機器の種類等、表示品質の要求性能を勘案して決めればよい。
【００２２】
本実施例によれば、従来のように、金属層で形成されたソース電極ＳＤ１（あるいはドレイン電極ＳＤ２）と画素電極であるインジウム・チン・オキサイドで形成される透明電極ＩＴＯとを電気的に接続のためのコンタクト層の形成を要せず、従ってこのようなコンタクト層の形成のためのプロセスを必要としない。また、アクティブ・マトリクス基板ＳＵＢ１は従来のカラーフィルタ分離型のアクティブ・マトリクス基板の製造プロセスをそのまま採用できるため、新規な製造設備を要しない。
【００２３】
さらに、第１の電極層ＩＴＯ１と第２の電極層ＩＴＯ２の電気的接続部を画素領域の内部で行うため、画素領域の外側にはゲート線やドレイン線が存在するために、膜面が不整でかつコンタクトホールの大きさ、位置に制限がある。本実施例によれば、このような部分にコンタクトホールＴＨを形成しないため、第１の電極層ＩＴＯ１と第２の電極層ＩＴＯ２の電気的接続を容易に、かつ確実に行うことはでき、信頼性が向上する。
【００２４】
そして、本実施例は、共に透明な第１の電極層ＩＴＯ１と第２の電極層ＩＴＯ２を直接接続するため、当該接続の信頼性が向上し、また、開口率の低下はなく、明るい画像表示を得ることができる。
【００２５】
図６は本発明の第２実施例を説明する図１と同様の画素部の平面図である。また、図７〜図１０は図６のＡ−Ａ’線、Ｂ−Ｂ’線、Ｃ−Ｃ’線、Ｄ−Ｄ’線で切断した断面図である。本実施例は、図７に示したように、アクティブ・マトリクス基板ＳＵＢ１上に薄膜トランジスタＴＦＴを形成し、薄膜トランジスタＴＦＴのソース電極ＳＤ１と接続する第１の電極層ＩＴＯ１の形成までは第１実施例と同様であるので、繰り返しの説明は省略する。本実施例では、第１の電極層ＩＴＯ１の上層に形成するカラーフィルタ層ＣＦＮＩ設ける開孔部ＣＦＨの位置を薄膜トランジスタＴＦＴのソース電極ＳＤ１の直上で第１の電極層ＩＴＯ１と当該ソース電極ＳＤ１との接続部分を含む部分としたものである。
【００２６】
薄膜トランジスタＴＦＴのソース電極ＳＤ１の部分は、画素領域でカラーフィルタ層の光透過に寄与しない部分である。したがって、ソース電極ＳＤ１を含んだ部分にカラーフィルタ層ＣＦの開孔部ＣＦＨを設けることで当該開孔部ＣＦＨにより色相の劣化を低減できる。図７〜図１０は、カラーフィルタ層ＣＦの開孔部ＣＦＨの位置を除いては同様である。また、本実施例の他の効果は第１実施例と同様であるので繰り返しの説明は省略する。
【００２７】
図１１は本発明の第３実施例を説明する図１および図２と同様の画素部の平面図である。本実施例は、薄膜トランジスタＴＦＴのソース電極ＳＤ１に接続する第１の電極層ＩＴＯ１を当該ソース電極ＳＤ１の近傍のみに限定したものである。第１の電極層ＩＴＯ１はカラーフィルタ層ＣＦの上層に成膜する第２の電極層ＩＴＯ２との電気的接続の機能を有するのみでよい。したがって、本実施例では、前記の各実施例のように画素領域の大略全域を覆って第１の電極層ＩＴＯ１を形成せずに、必要な部分にのみ第１の電極層ＩＴＯ１を形成した。
【００２８】
カラーフィルタ層ＣＦに設ける開孔部ＣＦＨは、この第１の電極層ＩＴＯ１の位置に合わせて形成する。そして、カラーフィルタ層ＣＦの上層に形成する画素電極となる第２の電極層ＩＴＯ２は、図中に参照符号ＣＯＴで示した部分で第１の電極層ＩＴＯ１と電気的に接続される。
【００２９】
本実施例によれば、第１の電極層ＩＴＯ１を必要最小限の面積とすることで画素の透過率を向上できる。他の効果は前記の各実施例と同様であるので、繰り返しの説明は省略する。
【００３０】
図１２は本発明の第４実施例を説明する画素部の平面図である。本実施例では、例えば第１実施例における第１の電極層ＩＴＯ１の上層に形成するカラーフィルタ層ＣＦの一部を当該第１の電極層ＩＴＯ１の端縁から後退させて塗布する。このカラーフィルタ層ＣＦの上に第２の電極層ＩＴＯ２を画素領域の大略全域に形成することで、上記カラーフィルタ層ＣＦの後退で露呈した第１の電極層ＩＴＯ１と電気的に接続される。この接続部分を参照符号ＣＯＴで示す。本実施例の効果は第１の実施例と同様である。
【００３１】
図１３は本発明の第５実施例を説明する図１２と同様の画素部の平面図である。本実施例では、例えば第１実施例における第１の電極層ＩＴＯ１の上層に形成するカラーフィルタ層ＣＦを第１の電極層ＩＴＯ１の領域で分割し、カラーフィルタ層ＣＦが露呈した露呈部を設けた。このカラーフィルタ層ＣＦの上に第２の電極層ＩＴＯ２を画素領域の大略全域に形成することで、上記カラーフィルタ層ＣＦの分割で露呈した第１の電極層ＩＴＯ１と画素領域内で電気的に接続される。この接続部分を参照符号ＣＯＴで示す。なお、カラーフィルタ層ＣＦの分割は図１３に示したようにゲート線ＧＬの延在方向と平行な方向に限るものではなく、ドレイン線ＤＬと平行な方向、非平行な方向、あるいはそれらを組合せて分割数を３以上とすることも可能である。本実施例の効果は第１の実施例等と同様である。
【００３２】
図１４は本発明の第６実施例を説明する画素部の平面図であり、理解を容易にするため、各構成層の一部を破断し、あるいは除去して示す。また、図１５〜図１８はそれぞれ図１４のＡ−Ａ’線、Ｂ−Ｂ’線、Ｃ−Ｃ’線、Ｄ−Ｄ’線で切断した断面図である。本実施例は、例えば図１で説明した本発明の第１実施例にスペーサを設けたものである。通常、アクティブ・マトリクス基板ＳＵＢ１と対向基板ＳＵＢ２の間隙を所定値に保持するために、両者の間にスペーサを介挿している。本実施例では、このスペーサを、アクティブ・マトリクス基板ＳＵＢ１に固定した、所謂柱状スペーサＳＰとしたものである。この柱状スペーサＳＰは第２の電極層ＩＴＯ２の上、かつカラーフィルタ層ＣＦに設けた開孔部ＣＦＨの直上に形成した。
【００３３】
図１５と図１６までは前記実施例と同様のプロセスで各層が形成される。その後、図１７に示したように、柱状スペーサＳＰをホトリソグラフィー技法などを用いてカラーフィルタ層ＣＦの開孔部ＣＦＨに設ける。このとき、柱状スペーサＳＰを遮光性材料で形成すれば、開口率は低下するが、当該開孔部ＣＦＨからの光抜けを抑制してコントラストを向上することができる。なお、柱状スペーサに代えて粒状のスペーサ（スペーサビーズ）を設けてもよい。スペーサビーズはスプレーで散布されるが、このときに凹部を形成するカラーフィルタ層ＣＦの開孔部ＣＦＨに当該スペーサビーズが配置される確率が大きくなる。スペーサビーズを用いる場合は、画素領域の内部にランダムに散布されるので、ガラスあるいはプラスチックの透明ビーズを用いるのが望ましい。
【００３４】
図１９は本発明の第７実施例を説明する画素部の平面図であり、理解を容易にするため、各構成層の一部を破断し、あるいは除去して示す。また、図２０〜図２３はそれぞれ図１９のＡ−Ａ’線、Ｂ−Ｂ’線、Ｃ−Ｃ’線、Ｄ−Ｄ’線で切断した断面図である。本実施例は、図６で説明した本発明の第２実施例に相当するアクティブ・マトリクス基板ＳＵＢ１を用い、対向基板ＳＵＢ２におけるカラーフィルタ層ＣＦの開孔部ＣＦＨに対応した部分に遮光膜ＢＳを設けたものである。
【００３５】
すなわち、図２０〜図２２は図７〜図９と同様であり、図２３に示した対向基板ＳＵＢ２に遮光膜ＢＳを設けた。この遮光膜ＢＳは図１９のカラーフィルタ層ＣＦの開孔部ＣＦＨである第１の電極層ＩＴＯ１と第２の電極層ＩＴＯ２との接続部分の直上に位置する。遮光膜ＢＳの大きさはカラーフィルタ層ＣＦの開孔部ＣＦＨと同等とするのが望ましいが、それより多少の大きくても、あるいは小さくてもよい。
【００３６】
本実施例によれば、画素の開口率は若干低下するが、開孔部ＣＦＨを透過する光Ｌを遮断することで色相低下を抑制し、コントラストの向上を図ることができ、高精細の画像表示装置に好適である。本実施例の他の効果は本発明の第２実施例と同様である。
【００３７】
図２４は本発明による液晶表示装置の全体構成の一例を説明する展開斜視図である。また、図２５は図２４のＥ−Ｅ’線に相当する位置で切断した断面図である。図２４中、参照符号ＰＮＬは液晶パネルを示し、前記実施例において説明したアクティブ・マトリクスＳＵＢ１と対向基板ＳＵＢ２の貼り合わせたものの表裏にそれぞれ偏光板（図示せず）を貼付して構成されている。また、この液晶パネルＰＮＬの周縁には画素を構成する薄膜トランジスタに表示データや走査信号を供給するための駆動回路チップＤＩＣが搭載されている。
【００３８】
また、参照符号ＯＰＳはプリズムシートや拡散シートからなる光学シート、ＧＬＢは導光板、ＲＦＳは反射シート、ＭＤＬはモールドフレーム、ＳＨＤはシルドフレーム、ＣＦＬは導光板ＧＬＢと共にバックライトを構成する冷陰極蛍光ランプ、ＲＦＳは反射板である。また、参照符号ＦＰＣ１、ＦＰＣ２は駆動回路チップＤＩＣ等に表示のためのデータやタイミング信号を供給するためのフレキシブルプリント基板、ＬＰＣはランプケーブルを示す。
【００３９】
導光板ＧＬＢはモールドフレームＭＤＬの内側に設置され、その下側には反射板ＲＦＳが設けられている。導光板ＧＬＢの液晶パネルＰＮＬ側にはプリズムシートや拡散シートからなる光学シートＯＰＳが重ね合わされてモールドフレームＭＤＬに収容されている。そして、導光板ＧＬＢのの両側の側縁に沿って冷陰極蛍光ランプＣＦＬが配置されている。
【００４０】
なお、図２５には駆動回路チップＤＩＣやフレキシブルプリント基板ＦＰＣ１、ＦＰＣ２等は図示を省略してある。このような構成とした液晶表示装置において、液晶パネルＰＮＬは導光板ＧＬＢ、冷陰極蛍光ランプＣＦＬ、ランプ反射シートＬＦＳ等で構成されたバックライトからの光で照明され、当該液晶パネルＰＮＬに形成された電子潜像を可視化する。
【００４１】
図２６は本発明の液晶表示装置を構成する液晶表示装置の回路構成を簡略に説明するブロック図である。図中、参照符号ＡＲは液晶パネルの有効表示領域を示し、この有効表示領域ＡＲにおいて前記した第１の基板ＳＵＢ１の内面にゲート線（走査線）ＧＬ、ドレイン線（データ線）ＧＬ、共通電極線ＣＬ、薄膜トランジスタＴＦＴ、カラーフィルタ層ＣＦ、画素電極（ＩＴＯ２）等が形成されている。走査線ＧＬとデータ線ＧＬの交差部分に画素選択用の薄膜トランジスタＴＦＴが形成されている（図示せず）。共通電極線ＣＬは前記した第１の基板（対向基板ＳＵＢ２）の内面に形成された共通電極に共通電位を供給するものであり、、アクティブ・マトリクス基板ＳＵＢ１側から端子Ｖｃｏｍを介して体好基板ＳＵＢ２側に接続される。
【００４２】
走査線ＧＬは走査回路ＧＤＲで駆動され、データ線ＧＬにはデータ線駆動回路ＤＤＲから表示データが供給される。コントローラＣＴＬは外部信号源ＳＳＣから入力する表示信号に基づいて表示データやタイミング信号などの制御信号を生成する。表示データはデータ線駆動回路ＤＤＲに与えられ、制御信号は走査回路ＧＤＲに印加される。電源回路ＰＷＵは液晶表示装置に必要とれる各種の電圧を生成する。
【００４３】
図２７は本発明の液晶表示装置を適用した電子機器の一例であるテレビ受像機の外観図である。このテレビ受像機は表示部ＤＳＰとスタンド部ＳＴＤで構成され、比較的大サイズの画面を有する液晶パネルＰＮＬを有する液晶表示装置が表示部ＤＳＰに実装される。液晶表示装置の画面となる液晶パネルＰＮＬの有効表示領域は表示部に露呈されている。このテレビ受像機の表示部に本発明の液晶表示装置を実装することで、高品質、高信頼性の画像表示装置を実現できる。
【００４４】
なお、本発明は、上記実施例のサイドエッジ型バックライトを用いた液晶表示装置に限らず、液晶表示装置の背面に直接複数の冷陰極蛍光ランプを配置した、所謂直下型のバックライト、あるいはバックライトやフロントライト等の補助照明装置を備えた、あるいはこのような補助照明装置を備えない携帯電話機等の電子端末にも同様に適用できることは言うまでもない。
【００４５】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、従来のカラーフィルタ分離型のアクティブ・マトリクス基板の製造工程を変更することなくカラーフィルタ一体型アクティブ・マトリクス基板を用いた高品質の液晶表示装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の液晶表示装置を構成する画素部の平面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ’線で切断した断面図である。
【図３】図１のＢ−Ｂ’線で切断した断面図である。
【図４】図１のＣ−Ｃ’線で切断した断面図である。
【図５】図１のＤ−Ｄ’線で切断した断面図である。
【図６】本発明の第２実施例を説明する図１と同様の画素部の平面図である。
【図７】図６のＡ−Ａ’線で切断した断面図である。
【図８】図６のＢ−Ｂ’線で切断した断面図である。
【図９】図６のＣ−Ｃ’線で切断した断面図である。
【図１０】図６のＤ−Ｄ’線で切断した断面図である。
【図１１】本発明の第３実施例を説明する図１および図２と同様の画素部の平面図である。
【図１２】本発明の第４実施例を説明する画素部の平面図である。
【図１３】本発明の第５実施例を説明する画素部の平面図である。
【図１４】本発明の第６実施例を説明する画素部の平面図である。
【図１５】図１４のＡ−Ａ’線で切断した断面図である。
【図１６】図１４のＢ−Ｂ’線で切断した断面図である。
【図１７】図１４のＣ−Ｃ’線で切断した断面図である。
【図１８】図１４のＤ−Ｄ’線で切断した断面図である。
【図１９】本発明の第７実施例を説明する画素部の平面図である。
【図２０】図１９のＡ−Ａ’線で切断した断面図である。
【図２１】図１９のＢ−Ｂ’線で切断した断面図である。
【図２２】図１９のＣ−Ｃ’線で切断した断面図である。
【図２３】図１９のＤ−Ｄ’線で切断した断面図である。
【図２４】本発明による液晶表示装置の全体構成の一例を説明する展開斜視図である。
【図２５】図２４のＥ−Ｅ’線に相当する位置で切断した断面図である。
【図２６】本発明の液晶表示装置を構成する液晶表示装置の回路構成を簡略に説明するブロック図である。
【図２７】本発明の液晶表示装置を適用した電子機器の一例であるテレビ受像機の外観図である。
【符号の説明】
ＳＵＢ１・・・・第１基板（アクティブ・マトリクス基板）、ＤＬ・・・・データ線（ドレイン線）、ＧＬ・・・・走査線（ゲート線）、ＴＦＴ・・・・薄膜トランジスタ、ＳＵＢ２・・・・対向基板、ＩＮ１・・・・第１の絶縁層、ＩＮ２・・・・第２の絶縁層、ＳＩ・・・・半導体層、ＳＤ１・・・・ソース電極、ＳＤ２・・・・ドレイン電極、ＴＨ・・・・コンタクトホール、ＩＴＯ１・・・・第１の電極層、ＩＴＯ２・・・・第２の電極層、ＣＦ（ＣＦ（Ｒ），ＣＦ（Ｇ），ＣＦ（Ｂ））・・・・カラーフィルタ層、ＣＦＨ・・・・開孔部、ＩＴＯ３・・・・共通電極。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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