(57)【要約】      （修正有）【課題】高耐久性、高感度、且つ高画質の放射線画像を与える放射線像変換パネルを製造する方法。【解決手段】ユーロピウム付活ハロゲン化セシウム系蛍光体もしくはその原料を含む蒸発源を減圧条件下で加熱することによって発生する物質を基板上に蒸着させて輝尽性ユーロピウム付活ハロゲン化セシウム系蛍光体層を形成する工程を含む、基板と該基板上に形成された輝尽性のユーロピウム付活ハロゲン化セシウム系蛍光体層とからなる放射線像変換パネルの製造方法において、該蒸着を、基板上に形成されるユーロピウム付活ハロゲン化セシウム系蛍光体層中のユーロピウム／セシウムのモル比と蒸着時の基板温度とが所定の関係式を満足する条件にて行なうことを特徴とする。【選択図】図１
2004170405.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ユーロピウム付活ハロゲン化セシウム系蛍光体もしくはその原料を含む蒸発源を減圧条件下で加熱することによって発生する物質を基板上に蒸着させて輝尽性ユーロピウム付活ハロゲン化セシウム系蛍光体層を形成する工程を含む、基板と該基板上に形成された輝尽性のユーロピウム付活ハロゲン化セシウム系蛍光体層とからなる放射線像変換パネルの製造方法において、該蒸着を、基板上に形成されるユーロピウム付活ハロゲン化セシウム系蛍光体層中のユーロピウム／セシウムのモル比と蒸着時の基板温度とが、下記関係式（１）乃至（３）の全てを満足する条件にて行なうことを特徴とする放射線像変換パネルの製造方法。
関係式（１）：  Ｔ≧８６７．２４ｘ0.4537
関係式（２）：  Ｔ≧０．０９８５ｘ-1.0587
関係式（３）：  Ｔ≦１４８５．４ｘ2−７６０．７５ｘ＋２９７．３７
［ここで、Ｔは蒸着時の基板温度（℃）を表わし、そしてｘはユーロピウム付活ハロゲン化セシウム系蛍光体層中ユーロピウム／セシウムのモル比を表わす。］
【請求項２】
１Ｐａ以下の真空度で蒸着を行う請求項１に記載の放射線像変換パネルの製造方法。
【請求項３】
０．１Ｐａ以下の真空度で蒸着を行う請求項２に記載の放射線像変換パネルの製造方法。
【請求項４】
０．１Ｐａ〜５Ｐａの範囲の真空度で蒸着を行う請求項１に記載の放射線像変換パネルの製造方法。
【請求項５】
０．１Ｐａ〜２Ｐａの範囲の真空度で蒸着を行う請求項４に記載の放射線像変換パネルの製造方法。
【請求項６】
上記蒸着を、基板上に形成されるユーロピウム付活ハロゲン化セシウム系蛍光体層中のユーロピウム／セシウムのモル比と蒸着時の基板温度とが、下記関係式（４）乃至（７）の全てを満足する条件にて行なうことを特徴とする請求項４もしくは５に記載の放射線像変換パネルの製造方法。
関係式（４）：  Ｔ≦１７５．１４ｘ-0.0682
関係式（５）：  Ｔ≧０．０２８ｘ-1.3048
関係式（６）：  Ｔ≧−６３７４５ｘ2−３５８１．４ｘ＋３０４．６１
関係式（７）：  Ｔ≦２３．８４４Ｌｎ（ｘ）＋２６５．０１
［ここで、Ｔとｘとは、それぞれ請求項１におけるＴとｘと同じ意味を持つ。］
【請求項７】
基板がその表面に微小な凹凸パターンを有する請求項１乃至６のいずれかの項に記載の放射線像変換パネルの製造方法。
【請求項８】
微小な凹凸パターンのピッチが１５μｍ以下である請求項７に記載の放射線像変換パネルの製造方法。
【請求項９】
蒸発源として、ハロゲン化セシウムを含む蒸発源と、ユーロピウム化合物を含む蒸発源とを用いて多元蒸着を行う請求項１乃至８のいずれかの項に記載の放射線像変換パネルの製造方法。
【請求項１０】
基板上に、ハロゲン化セシウムからなる蒸着膜を形成した後、該蒸着膜の上にユーロピウム付活ハロゲン化セシウム系蛍光体からなる蒸着膜を積層する請求項１乃至９のうちのいずれかの項に記載の放射線像変換パネルの製造方法。
【請求項１１】
ユーロピウム付活ハロゲン化セシウム系輝尽性蛍光体が、基本組成式（Ｉ）：
ＣｓＸ・ａＭIIＸ’2・ｂＭIIIＸ”3：ｚＥｕ        ‥‥（Ｉ）
［ただし、ＭIIはＢｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ及びＣｄからなる群より選ばれる少なくとも一種のアルカリ土類金属又は二価金属を表し；ＭIIIはＳｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ａｌ、Ｇａ及びＩｎからなる群より選ばれる少なくとも一種の希土類元素又は三価金属を表し；Ｘ、Ｘ’及びＸ”はそれぞれ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ及びＩからなる群より選ばれる少なくとも一種のハロゲンを表し；そしてａ、ｂ及びｚはそれぞれ、０≦ａ＜０．５、０≦ｂ＜０．５、５×１０-4≦ｚ≦７×１０-2の範囲内の数値を表す］
を有する蛍光体である請求項１乃至１０のいずれかの項に記載の放射線像変換パネルの製造方法。
【請求項１２】
基本組成式（Ｉ）においてＸがＢｒである請求項１１に記載の放射線像変換パネルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、蓄積性蛍光体を利用する放射線画像記録再生方法に用いられる放射線像変換パネルの製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
Ｘ線などの放射線が照射されると、放射線エネルギーの一部を吸収蓄積し、そののち可視光線や赤外線などの電磁波（励起光）の照射を受けると、蓄積した放射線エネルギーに応じて発光を示す性質を有する蓄積性蛍光体（輝尽発光を示す輝尽性蛍光体等）を利用して、この蓄積性蛍光体を含有するシート状の放射線像変換パネルに、被検体を透過したあるいは被検体から発せられた放射線を照射して被検体の放射線画像情報を一旦蓄積記録した後、パネルにレーザ光などの励起光を走査して順次発光光として放出させ、そしてこの発光光を光電的に読み取って画像信号を得ることからなる、放射線画像記録再生方法が広く実用に供されている。読み取りを終えたパネルは、残存する放射線エネルギーの消去が行われた後、次の撮影のために備えられて繰り返し使用される。
【０００３】
放射線画像記録再生方法に用いられる放射線像変換パネル（蓄積性蛍光体シートともいう）は、基本構造として、支持体とその上に設けられた蛍光体層とからなるものである。ただし、蛍光体層が自己支持性である場合には必ずしも支持体を必要としない。また、蛍光体層の上面（支持体に面していない側の面）には通常、保護層が設けられていて、蛍光体層を化学的な変質あるいは物理的な衝撃から保護している。
【０００４】
蛍光体層としては、蓄積性蛍光体とこれを分散状態で含有支持する結合剤とからなるもの、蒸着法や焼結法によって形成される結合剤を含まないで蓄積性蛍光体の凝集体のみから構成されるもの、および蓄積性蛍光体の凝集体の間隙に高分子物質が含浸されているものなどが知られている。
【０００５】
また、上記放射線画像記録再生方法の別法として、従来の蓄積性蛍光体における放射線吸収機能とエネルギー蓄積機能とを分離して、少なくとも蓄積性蛍光体（エネルギー蓄積用蛍光体）を含有する放射線像変換パネルと、放射線を吸収して紫外乃至可視領域に発光を示す蛍光体（放射線吸収用蛍光体）を含有する蛍光スクリーンとの組合せを用いる放射線画像形成方法が提案されている（特許文献１）。この方法は、被検体を透過した放射線をまず、該スクリーンまたはパネルの放射線吸収用蛍光体により紫外乃至可視領域の光に変換した後、その光をパネルのエネルギー蓄積用蛍光体にて放射線画像情報として蓄積記録する。次いで、このパネルに励起光を走査して発光光を放出させ、この発光光を光電的に読み取って画像信号を得るものである。このような放射線像変換パネルおよび蛍光スクリーンも、本発明に包含される。
【０００６】
放射線画像記録再生方法（および放射線画像形成方法）は上述したように数々の優れた利点を有する方法であるが、この方法に用いられる放射線像変換パネルにあっても、できる限り高感度であってかつ画質（鮮鋭度、粒状性など）の良好な画像を与えるものであることが望まれている。
【０００７】
感度および画質を高めることを目的として、蛍光体層を気相堆積法により形成することからなる放射線像変換パネルの製造方法が提案されている。気相堆積法には蒸着法やスパッタ法などがある。蒸着法は、蛍光体またはその原料からなる蒸発源を抵抗加熱器による加熱（抵抗加熱）や電子線の照射による加熱（電子線照射）を行なって蒸発源を蒸発、飛散させ、ガラス板等の基板表面にその蒸発物を堆積させることにより、蛍光体の柱状結晶からなる蛍光体層を形成するものである。
【０００８】
気相堆積法により形成された蛍光体層は、結合剤を含有せず、蛍光体のみからなり、蛍光体の柱状結晶と柱状結晶の間には空隙（クラック）が存在する。このため、励起光の進入効率や発光光の取出し効率を上げることができるので高感度であり、また励起光の平面方向への散乱を防ぐことができるので高鮮鋭度の画像を与えることができる。
【０００９】
従来より、蒸着法など気相堆積法により蛍光体層を形成する場合に、蛍光体の柱状結晶の形状を良好にするために基板を加熱してもよいことは知られている。特許文献２には、輝尽性蛍光体層を気相堆積法により形成する際に基板の温度を経時的に低くすることが開示されている。また、特許文献３には、加熱手段を制御することにより基板の複数域の温度を所定の温度に加熱することが開示され、所定の温度は１５０〜３５０℃の範囲にあることが好ましいと記載されている。ただし、具体的に記載されている輝尽性蛍光体はＲｂＢｒ：Ｔｌ、ＢａＦＢｒ：Ｅｕ2+蛍光体である。また、基板温度と付活剤濃度との関係については触れられていない。
【００１０】
【特許文献１】特開２００１−２５５６１０号公報
【特許文献２】特許第３０７０９４０号公報
【特許文献３】特開平１０−６２５９９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
本発明者は、蒸着法によってユーロピウム付活ハロゲン化セシウム（ＣｓＸ：Ｅｕ、Ｘはハロゲン）系輝尽性蛍光体からなる蛍光体層を形成することについて詳しく検討した。その結果、このユーロピウム付活ハロゲン化セシウム蛍光体の蒸着では、一価金属化合物である蛍光体母体化合物（ＣｓＸ）中に二価乃至三価のＥｕ付活剤を導入することになるため、その価数の違いや、融点の違いから蛍光体の柱状結晶構造が乱れがちであること、そして付活剤の濃度（ユーロピウム／セシウムのグラム原子比）が蒸着蛍光体の柱状結晶構造に大きく関与していることが分かった。そして、さらに研究を行なった結果、形成される柱状結晶の形状が、付活剤Ｅｕの濃度と基板の加熱温度との間の特定の関係と相関することを見いだした。さらに、輝尽発光量や蛍光体層と基板との接着性に関しても、付活剤濃度と基板温度との間の特定の関係と相関することを見いだした。そして更に研究を行なった結果、蒸着の際に付活剤濃度と基板温度とを特定の範囲を満足する関係で設定することにより、柱状結晶性を向上させることができるとともに、輝尽発光量および基板との接着性も高められることを見い出し、本発明に到達したものである。
【００１２】
従って、本発明は、高耐久性で、かつ高感度であって、高画質の放射線画像を与える放射線像変換パネルを製造する方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明は、ユーロピウム付活ハロゲン化セシウム系蛍光体もしくはその原料を含む蒸発源を減圧条件下で加熱することによって発生する物質を基板上に蒸着させて輝尽性ユーロピウム付活ハロゲン化セシウム系蛍光体層を形成する工程を含む、基板と該基板上に形成された輝尽性のユーロピウム付活ハロゲン化セシウム系蛍光体層とからなる放射線像変換パネルの製造方法において、該蒸着を、基板上に形成されるユーロピウム付活ハロゲン化セシウム系蛍光体層中のユーロピウム／セシウムのモル比（あるいはグラム原子比）と蒸着時の基板温度とが、下記関係式（１）乃至（３）の全てを満足する条件にて行なうことを特徴とする放射線像変換パネルの製造方法にある：
関係式（１）：  Ｔ≧８６７．２４ｘ0.4537
関係式（２）：  Ｔ≧０．０９８５ｘ-1.0587
関係式（３）：  Ｔ≦１４８５．４ｘ2−７６０．７５ｘ＋２９７．３７
［ここで、Ｔは蒸着時の基板温度（℃）を表わし、そしてｘはユーロピウム付活ハロゲン化セシウム系蛍光体層中ユーロピウム／セシウムのモル比を表わす］。
【発明の効果】
【００１４】
本発明の製造方法を利用すれば、付活剤濃度と蒸着時の基板温度を特定の範囲内で組み合わせて利用することにより、柱状結晶構造が良好で、輝尽発光量が高く、そして基板（支持体）との接着性の優れた輝尽性蛍光体層を形成することができる。従って、高耐久性かつ高感度であって、高画質の放射線画像を与える放射線像変換パネルを得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
本発明の製造方法を電子線照射による加熱を利用して行なう場合には、１Ｐａ以下の高真空度で、特に０．１Ｐａ以下の高真空度で蒸着を行なうことが好ましい。
【００１６】
一方、本発明の製造方法を抵抗加熱を利用して行なう場合には、０．１Ｐａ〜５Ｐａの範囲の真空度で蒸着を行なうことが好ましく、また０．１Ｐａ〜２Ｐａの範囲の真空度で蒸着を行なうことが特に好ましい。このような範囲での抵抗加熱法による蒸着を行なう場合には、蒸着を、基板上に形成されるユーロピウム付活ハロゲン化セシウム系蛍光体層中のユーロピウム／セシウムのモル比と蒸着時の基板温度とが、下記関係式（４）乃至（７）の全てを満足する条件にて行なうことが好ましい。
関係式（４）：  Ｔ≦１７５．１４ｘ-0.0682
関係式（５）：  Ｔ≧０．０２８ｘ-1.3048
関係式（６）：  Ｔ≧−６３７４５ｘ2−３５８１．４ｘ＋３０４．６１
関係式（７）：  Ｔ≦２３．８４４Ｌｎ（ｘ）＋２６５．０１
［ここで、Ｔとｘとは、それぞれ請求項１におけるＴとｘと同じ意味を持つ。］
【００１７】
基板はその表面に微小な凹凸パターンを有することが好ましく、凹凸パターンのピッチは１５μｍ以下であることが好ましい。
【００１８】
蒸発源としては、少なくとも輝尽性蛍光体の母体成分であるハロゲン化セシウムを含む蒸発源と、付活剤成分であるユーロピウム化合物を含む蒸発源とを用いて多元蒸着を行うことが好ましい。また、基板上に先ず、輝尽性蛍光体の母体からなる蒸着膜を形成した後、次いで、該蒸着膜の上に該蛍光体からなる蒸着膜を積層することが好ましい。
【００１９】
本発明に係るユーロピウム付活ハロゲン化セシウム系輝尽性蛍光体は、下記の基本組成式（Ｉ）を有することが好ましく、基本組成式（Ｉ）においてＸはＢｒであることが好ましい。
【００２０】
ＣｓＸ・ａＭIIＸ’2・ｂＭIIIＸ”3：ｚＥｕ        ‥‥（Ｉ）
［ただし、ＭIIはＢｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ及びＣｄからなる群より選ばれる少なくとも一種のアルカリ土類金属又は二価金属を表し；ＭIIIはＳｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ａｌ、Ｇａ及びＩｎからなる群より選ばれる少なくとも一種の希土類元素又は三価金属を表し；Ｘ、Ｘ’及びＸ”はそれぞれ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ及びＩからなる群より選ばれる少なくとも一種のハロゲンを表し；そしてａ、ｂ及びｚはそれぞれ、０≦ａ＜０．５、０≦ｂ＜０．５、５×１０-4≦ｚ≦７×１０-2の範囲内の数値を表す］
【００２１】
以下に、本発明の放射線像変換パネルの製造方法について、蛍光体層を蒸着法の一種である電子線蒸着法により形成する場合を例にとって詳細に述べる。
【００２２】
蒸着膜形成のための基板は、通常は放射線像変換パネルの支持体を兼ねるものであり、従来の放射線像変換パネルの支持体として公知の材料から任意に選ぶことができるが、特に好ましい基板は、石英ガラスシート、サファイアガラスシート；アルミニウム、鉄、スズ、クロムなどからなる金属シート；アラミドなどからなる樹脂シートである。公知の放射線像変換パネルにおいて、パネルとしての感度もしくは画質（鮮鋭度、粒状性）を向上させるために、二酸化チタンなどの光反射性物質からなる光反射層、もしくはカーボンブラックなどの光吸収性物質からなる光吸収層などを設けることが知られている。本発明で用いられる基板についても、これらの各種の層を設けることができ、それらの構成は所望の放射線像変換パネルの目的、用途などに応じて任意に選択することができる。
【００２３】
さらに、蒸着膜の柱状結晶性を高める目的で、基板の蒸着膜が形成される側の表面（基板の表面に下塗層（接着性付与層）、光反射層あるいは光吸収層などの補助層が設けられている場合には、それらの補助層の表面であってもよい）は、微小な凹凸パターンを有していてもよい。凹凸パターンのピッチは、一般には１５μｍ以下であり、好ましくは１乃至１０μｍの範囲にある。基板表面の凹凸パターンは、蛍光体の柱状結晶が成長するときに成長基点として機能するので、柱状結晶性のより良好な蒸着膜が得られる。なお、パターンピッチが１５μｍより大きいと、凹凸パターンは充分に機能しない。
【００２４】
蛍光体としては、前記基本組成式（Ｉ）で代表されるユーロピウム付活ハロゲン化セシウム系輝尽性蛍光体が用いられる。基本組成式（Ｉ）中のＸとしては少なくともＢｒを含んでいることが好ましい。また、基本組成式（Ｉ）には、必要に応じて、酸化アルミニウム、二酸化珪素、酸化ジルコニウムなどの金属酸化物を添加物として、ＣｓＸ１モルに対して０．５モル以下の量で加えてもよい。
【００２５】
多元蒸着（共蒸着）により蛍光体層を形成する場合には、まず蒸発源として、上記輝尽性蛍光体の母体成分の化合物を含むものと付活剤成分を含むものとからなる少なくとも二個の蒸発源を用意する。多元蒸着は、上記ユーロピウム付活ハロゲン化セシウム系輝尽性蛍光体のように蛍光体の母体成分と付活剤成分の蒸気圧が大きく異なる場合に、その蒸着速度を各々制御することができるので好ましい。各蒸発源は、所望とする蛍光体の組成に応じて、蛍光体の母体成分化合物および付活剤成分それぞれのみから構成されていてもよいし、添加物成分などとの混合物であってもよい。また、蒸発源は二個に限定されるものではなく、例えば別に添加物成分などからなる蒸発源を加えて三個以上としてもよい。
【００２６】
蛍光体の母体成分化合物は母体を構成するハロゲン化セシウムそれ自体であってもよいし、あるいは反応してハロゲン化セシウムとなりうる二以上の原料の混合物であってもよい。付活剤成分は、一般には付活剤ユーロピウムを含む化合物であり、例えばハロゲン化ユーロピウムや酸化ユーロピウムが用いられる。
【００２７】
ユーロピウム化合物におけるＥｕ2+化合物のモル比が７０％以上であることが好ましい。一般に、Ｅｕ化合物にはＥｕ2+とＥｕ3+が混合して含まれているが、所望とする輝尽発光（あるいは瞬時発光であっても）はＥｕ2+を付活剤とする蛍光体から発せられるからである。Ｅｕ化合物はＥｕＸm（Ｘは、上記に定義したハロゲン）、特にＥｕＢｒmであることが好ましく、その場合に、ｍは２．０≦ｍ≦２．３の範囲内の数値であることが好ましい。ｍは、２．０であることが望ましいが、２．０に近づけようとすると酸素が混入しやすくなる。よって、実際にはｍは２．２付近でＸの比率が比較的高い状態が安定している。もっとも、Ｂｒガス雰囲気中における溶融処理によって含有酸素を除去したＥｕＢｒ２を用いてもよい。
【００２８】
蒸発源は、その含水量が０．５重量％以下であることが好ましい。蒸発源となる蛍光体母体成分や付活剤成分が、例えばＣｓＸ、ＥｕＸmのように吸湿性である場合には特に、含水量をこのような低い値に抑えることは突沸防止などの点から重要である。蒸発源の脱水は、上記の各蛍光体成分を減圧下で１００〜３００℃の温度範囲で加熱処理したり、あるいは窒素雰囲気などの水分を含まない雰囲気中で、該成分の融点以上の温度で数十分乃至数時間加熱溶融することにより行うことができる。
【００２９】
蒸発源の相対密度は、８０％以上で、９８％以下であることが好ましく、さらに好ましくは９０％以上で、９６％以下である。ここで、相対密度とは、蛍光体またはその原料固有の密度に対する蒸発源の実際の密度の割合を意味する。例えば、相対密度８０％以上は、ＣｓＢｒ≧３．５ｇ／ｃｍ3、ＥｕＢｒ2≧４．４ｇ／ｃｍ3を意味する。蒸発源が相対密度の低い粉体状態であると、蒸着の際に粉体が飛散するなどの不都合が生じたり、蒸発源の表面から均一に蒸発しないで蒸着膜の膜厚が不均一となったりする。よって、安定した蒸着を実現するためには蒸発源の密度がある程度高いことが望ましい。上記相対密度とするには一般に、粉体を２０ＭＰａ以上の圧力で加圧成形したり、あるいは融点以上の温度で加熱溶融して、タブレット（錠剤）の形状にする。ただし、蒸発源は必ずしもタブレットの形状である必要はない。
【００３０】
さらに、蒸発源、特に蛍光体の母体成分を含む蒸発源は、アルカリ金属不純物（すなわち、蛍光体の構成元素以外のアルカリ金属）の含有量が１０ｐｐｍ以下であり、そしてアルカリ土類金属不純物（すなわち、蛍光体の構成元素以外のアルカリ土類金属）の含有量が１ｐｐｍ以下であることが望ましい。このような蒸発源は、アルカリ金属やアルカリ土類金属など不純物の含有量の少ない原料を使用することにより調製することができる。これによって、不純物の混入が少ない蒸着膜を形成することができるとともに、そのようにして形成された蒸着膜は発光量が増加する。
【００３１】
上記蒸発源および基板を蒸着装置内に配置し、装置内を排気して１Ｐａ以下の高真空度とする。真空度を、好ましくは０．１Ｐａ以下、更に好ましくは１×１０-5〜１×１０-2Ｐａ程度とする。電子線蒸着法では前述したように蒸発速度を制御しやすいが、電子線を発生させるための電子銃は、アークフリータイプであっても１Ｐａより低い真空度では使用できないからである。このとき、真空度をこの程度に保持しながら、Ａｒガス、Ｎｅガス、Ｎ2ガスなどの不活性ガスを導入してもよい。また、装置内の雰囲気中の水分圧を、クライオポンプやディフュージョンポンプとコールドトラップとの組合せなどを用いることにより、７．０×１０-3Ｐａ以下にすることが好ましい。
【００３２】
蒸着の際には、基板を加熱することが一般的である。基板の加熱は通常、基板の裏面側からヒータの輻射熱を用いて行う。
【００３３】
本発明者の研究によって、生成する輝尽性ユーロピウム付活ハロゲン化セシウム系蛍光体層中の蛍光体の母体構成元素であるＣｓに対する付活剤Ｅｕの濃度（Ｅｕ／Ｃｓ、モル比）と基板の加熱温度との関係を特定の範囲内とした場合に、柱状結晶の形状が良好であって、輝尽発光量が多く、そして基板との接着性も良好な蒸着膜が得られることが分かった。すなわち、本発明においては蒸着時に、基板を、付活剤Ｅｕ濃度ｘに対して前記関係式（１）〜（３）の全てを満足する温度Ｔ（℃）で加熱する。
【００３４】
図１は、付活剤濃度ｘ（Ｅｕ／Ｃｓ）と基板温度Ｔとの関係を表すグラフである。図１において、曲線１は、式Ｔ＝８６７．２４ｘ0.4537を表し、曲線２は、式Ｔ＝０．０９８５ｘ-1.0587を表し、そして曲線３は、Ｔ＝１４８５．４ｘ2−７６０．７５ｘ＋２９７．３７を表す。本発明において基板温度Ｔは、付活剤濃度ｘに対して、これらの曲線１〜３に囲まれた領域（斜線部分）内となるように設定される。
【００３５】
上記関係式を満足する範囲内において、基板温度を蒸着中において変えてもよい。その場合に、蒸着開始時の基板温度が終了時の基板温度よりも高く、かつその差が１００℃未満であることが好ましい。あるいは、基板温度が所定の温度となるように、基板を水平方向に分割して温度制御を行ってもよいし、また基板の表裏両面から輻射加熱してもよい。
【００３６】
図１から明らかなように、所望の効果を得るためには付活剤Ｅｕも斜線の領域内、すなわち約５×１０-4乃至７×１０-2の範囲内の濃度で用いられる。付活剤の濃度は、電子線照射の場合には、二つの電子銃から電子線をそれぞれ発生させて各蒸発源に照射する際に、各電子銃のエミッション電流を好適に調整することにより調節することができ、抵抗加熱の場合には、蒸各着源に供給する電気エネルギー量を調製することにより調節することができる。
【００３７】
電子線の照射に際しては、電子線の加速電圧を１．５ｋＶ以上で５．０ｋＶ以下に設定することが望ましい。電子線の照射により、蒸発源である輝尽性蛍光体の母体成分や付活剤成分等は加熱されて蒸発、飛散し、そして反応を生じて蛍光体を形成するとともに基板表面に堆積する。蛍光体の堆積する速度、すなわち蒸着速度は、一般には０．１〜１０００μｍ／分の範囲にあり、好ましくは１〜１００μｍ／分の範囲にある。
【００３８】
基板上に、輝尽性蛍光体からなる蒸着膜を形成するに先立って、蛍光体の母体化合物のみからなる蒸着膜を形成してもよい。これによって、形状の良好な母体化合物柱状結晶の上に蛍光体の柱状結晶を一対一で対応させて成長させることができるので、より一層柱状結晶性の良好な蒸着膜を得ることができる。その際に、基板温度は５０〜３００℃の範囲内であって、蛍光体蒸着時の基板温度Ｔと同じかそれ以下であることが好ましい。なお、蛍光体からなる蒸着膜中の付活剤など添加物は、特に蒸着時の基板加熱および／または蒸着後の熱処理によって、蛍光体母体化合物からなる蒸着膜中に拡散するために、両者の境界は必ずしも明確ではない。
【００３９】
また、電子線の照射あるいは抵抗加熱を複数回に分けて行って二層以上の蛍光体層を形成することもできる。あるいは、蒸着終了後に蛍光体層を熱処理（アニール処理）してもよい。熱処理は一般に、５０℃乃至６００℃の範囲の温度で、不活性ガス雰囲気下（少量の酸素ガスまたは水素ガスを含んでいてもよい）で１乃至８時間かけて行う。好ましくは、５０℃乃至３００℃の範囲の温度で１乃至４時間行う。
【００４０】
一元蒸着（疑似一元蒸着）の場合には、蒸発流に垂直な方向（基板に平行な方向）に上記蛍光体母体成分化合物と付活剤成分とを分離して含む一個の蒸発源を用意することが好ましい。あるいは、蒸発源として輝尽性蛍光体またはその原料混合物を用いる一元蒸着であってもよい。その場合には、予め、所望の濃度の付活剤を含有するように蒸発源を調製する。もしくは、蛍光体母体成分と付活剤成分との蒸気圧差を考慮して、蒸発源に蛍光体の母体成分を補給しながら蒸着を行うことも可能である。
【００４１】
このようにして、上記輝尽性蛍光体からなる柱状結晶がほぼ厚み方向に成長した層が得られる。蛍光体層の層厚は、通常は５０〜１０００μｍの範囲にあり、好ましくは２００μｍ〜７００ｍｍの範囲にある。
【００４２】
なお、本発明において、前述のように、蒸着法は電子線蒸着法に限られるものではなく、抵抗加熱法など公知の他の方法を利用することも可能である。また、基板は必ずしも放射線像変換パネルの支持体を兼ねる必要はなく、蛍光体層形成後、蛍光体層を基板から引き剥がし、別に用意した支持体上に接着剤を用いるなどして接合して、支持体上に蛍光体層を設ける方法を利用してもよい。あるいは、蛍光体層に支持体（基板）が付設されていなくてもよい。
【００４３】
蛍光体層の表面には、放射線像変換パネルの搬送および取扱い上の便宜や特性変化の回避のために、保護層を設けることが望ましい。保護層は、励起光の入射や発光光の出射に殆ど影響を与えないように、透明であることが望ましく、また外部から与えられる物理的衝撃や化学的影響から放射線像変換パネルを充分に保護することができるように、化学的に安定で防湿性が高く、かつ高い物理的強度を持つことが望ましい。
保護層としては、セルロース誘導体、ポリメチルメタクリレート、有機溶媒可溶性フッ素系樹脂などのような透明な有機高分子物質を適当な溶媒に溶解して調製した溶液を蛍光体層の上に塗布することで形成されたもの、あるいはポリエチレンテレフタレートなどの有機高分子フィルムや透明なガラス板などの保護層形成用シートを別に形成して蛍光体層の表面に適当な接着剤を用いて設けたもの、あるいは無機化合物を蒸着などによって蛍光体層上に成膜したものなどが用いられる。また、保護層中には酸化マグネシウム、酸化亜鉛、二酸化チタン、アルミナ等の光散乱性微粒子、パーフルオロオレフィン樹脂粉末、シリコーン樹脂粉末等の滑り剤、およびポリイソシアネート等の架橋剤など各種の添加剤が分散含有されていてもよい。保護層の層厚は一般に、高分子物質からなる場合には約０．１〜２０μｍの範囲にあり、ガラス等の無機化合物からなる場合には１００〜１０００μｍの範囲にある。
【００４４】
保護層の表面にはさらに、保護層の耐汚染性を高めるためにフッ素樹脂塗布層を設けてもよい。フッ素樹脂塗布層は、フッ素樹脂を有機溶媒に溶解（または分散）させて調製したフッ素樹脂溶液を保護層の表面に塗布し、乾燥することにより形成することができる。フッ素樹脂は単独で使用してもよいが、通常はフッ素樹脂と膜形成性の高い樹脂との混合物として使用する。また、ポリシロキサン骨格を持つオリゴマーあるいはパーフルオロアルキル基を持つオリゴマーを併用することもできる。フッ素樹脂塗布層には、干渉むらを低減させて更に放射線画像の画質を向上させるために、微粒子フィラーを充填することもできる。フッ素樹脂塗布層の層厚は通常は０．５μｍ乃至２０μｍの範囲にある。フッ素樹脂塗布層の形成に際しては、架橋剤、硬膜剤、黄変防止剤などのような添加成分を用いることができる。特に架橋剤の添加は、フッ素樹脂塗布層の耐久性の向上に有利である。
【００４５】
上述のようにして本発明の放射線像変換パネルが得られるが、本発明のパネルの構成は、公知の各種のバリエーションを含むものであってもよい。たとえば、得られる画像の鮮鋭度を向上させることを目的として、少なくともいずれかの層を、励起光を吸収し輝尽発光光は吸収しない着色剤によって着色してもよい。
【実施例】
【００４６】
［実施例１］  二元蒸着蛍光体層（電子線照射）
（１）原料
原料として、純度４Ｎ以上の臭化セシウム（ＣｓＢｒ）、および純度３Ｎ以上の臭化ユーロピウム（ＥｕＢｒm、ｍ＝２．２）を使用した。各原料中の微量元素をＩＣＰ−ＭＳ法（誘導結合高周波プラズマ分光分析−質量分析法）により分析した結果、ＣｓＢｒ中のＣｓ以外のアルカリ金属（Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ）は各々１０ｐｐｍ以下であり、アルカリ土類金属（Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ）など他の元素は２ｐｐｍ以下であった。また、ＥｕＢｒm中のＥｕ以外の希土類元素は各々２０ｐｐｍ以下であり、他の元素は１０ｐｐｍ以下であった。これらの原料は、吸湿性が高いので露点−２０℃以下の乾燥雰囲気を保ったデシケータ内で保管し、使用直前に取り出すようにした。
【００４７】
（２）ＣｓＢｒ蒸発源の作製
ＣｓＢｒ粉末７５ｇをジルコニア製粉末成形用ダイス（内径：３５ｍｍ）に入れ、粉末金型プレス成形機（テーブルプレスＴＢ−５型、エヌピーエーシステム(株)製）にて５０ＭＰａの圧力で加圧し、タブレット状（直径：３５ｍｍ、厚み：２０ｍｍ）に成形した。このとき、ＣｓＢｒ粉末に掛かった圧力は、約４０ＭＰａであった。次に、このタブレットに真空乾燥機にて温度２００℃で２時間の真空乾燥処理を施した。得られたタブレットの密度は３．９ｇ／ｃｍ3であり、含水量は０．３重量％であった。
【００４８】
（３）ＥｕＢｒm蒸発源の作製
ＥｕＢｒm（ｍ＝２．２）粉末２５ｇをジルコニア製粉末成形用ダイス（内径：２５ｍｍ）に入れ、粉末金型プレス成形機にて５０ＭＰａの圧力で加圧し、タブレット状（直径：２５ｍｍ、厚み：１０ｍｍ）に成形した。ＥｕＢｒm粉末に掛かった圧力は約８０ＭＰａであった。次に、このタブレットに真空乾燥機にて温度２００℃で２時間の真空乾燥処理を施した。得られたタブレットの密度は５．１ｇ／ｃｍ3であり、含水量は０．５重量％であった。
【００４９】
（４）蛍光体層の形成
支持体として、片面に微小な凸部を規則正しい配列でパターニングしたガラス基板（各凸部の直径φ＝５μｍ、高さｈ＝５μｍ、凸部間のピッチｄ＝２μｍ）を用意し、これに順に、アルカリ洗浄、純水洗浄、及びＩＰＡ（イソプロパノール）洗浄を施した。このガラス基板をパターニングした面が蒸着面となるように蒸着装置内の基板ホルダーに設置した。上記ＣｓＢｒ蒸発源およびＥｕＢｒm蒸発源を装置内の所定位置に配置した後、装置内を排気して１×１０-3Ｐａの真空度（アルゴンガス存在）とした。このとき、真空排気装置としてロータリーポンプ、メカニカルブースタおよびターボ分子ポンプの組合せを用いた。次いで、基板の蒸着面とは反対側に位置したシーズヒータで、ガラス基板を２００℃（測定温度）に加熱した。蒸発源のそれぞれに電子銃を用い、加速電圧４．０ｋＶの電子線を照射して共蒸着させ、ＣｓＢｒ：Ｅｕ輝尽性蛍光体を堆積させた。このとき、各々の電子銃のエミッション電流を調整して、輝尽性蛍光体におけるＥｕ／Ｃｓモル比が０．００３／１となるようにし、そして４μｍ／分の速度で堆積させた。蒸着雰囲気中の水分圧は４×１０-3Ｐａであった。
【００５０】
蒸着終了後、装置内を大気圧に戻し、装置から蒸着膜を有するガラス基板を取り出した。このガラス基板を石英ボートの中に置き、これをチューブ炉の炉芯に入れ、窒素ガス雰囲気下、２００℃の温度で２時間熱処理した。熱処理前および熱処理中、炉芯内をロータリーポンプで約１０Ｐａまで真空に引いて、蒸着膜に吸着している水分などを除去した。真空下でガラス基板を冷却し、十分に温度が下がった時点で炉芯から取り出した。ガラス基板上には、蛍光体の柱状結晶がほぼ垂直方向に密に林立した構造の蛍光体層（層厚：約４００μｍ、面積３０ｍｍ×３０ｍｍ）が形成されていた。このようにして、共蒸着により支持体と蛍光体層とからなる放射線像変換パネルを製造した。
【００５１】
さらに、ガラス基板の加熱温度を３０〜３５０℃の間で変化させたこと、およびＥｕ／Ｃｓモル比が０．０００３／１〜０．０３／１の間で変化するように電子銃のエミッション電流を調整したこと以外は上記と同様にして、多数の放射線像変換パネルを製造した。
【００５２】
［放射線像変換パネルの性能評価１］
各放射線像変換パネルの柱状性、感度、および接着性について評価を行った。
（１）柱状性
放射線像変換パネルの蛍光体層を支持体ごと厚み方向に切断し、イオンスパッタにより金（厚み：３００オングストローム）で被覆した後、走査型電子顕微鏡（ＪＳＭ−５４００型、日本電子(株)製）を用いて蛍光体層の表面および切断面を観察し、柱状結晶の形状を満点を７点としたときの５人が付けた点数の平均値にて評価した。実用可能なレベルは１．５点以上である。
【００５３】
（２）感度
放射線像変換パネルを室内光を遮蔽可能なカセッテに収納し、これに２６Ｊ／ｍ2のＸ線を照射した。次いで、パネルをカセッテから取り出した後、パネルをＬＤレーザ光（波長：６５０ｎｍ）で励起し、変換パネルから放出された輝尽発光光をフォトマルチプライヤで検出し、その発光量に基づき、感度（相対値）を評価した。実用可能なレベルは１００以上である。
【００５４】
（３）接着性
蛍光体層の表面に粘着テープを貼り付けた後、粘着テープを剥がして蛍光体層の支持体（基板）からの剥離の有無を観察し、満点（全く剥離しない）を４点としたときの点数にて評価した。実用可能なレベルは２点以上である。
得られた結果をまとめて表１〜３に示す。
【００５５】
［表１］
表  １［柱状性］
───────────────────────────────
基板                     Ｅｕ／Ｃｓモル比
温度（℃）   3×10-4   1×10-3   3×10-3   1×10-2   3×10-2
───────────────────────────────
３０      １．８    １．６    １        １        １
５０      ４．４    ２．６    １．６    １．２    １
１００      ５．６    ５．２    ３．４    １．６    １
１５０      ６．２    ５．８    ４．６    ３．４    １
２００      ６．６    ６．６    ６．４    ４．６    １．６
２５０      ６．８    ６．６    ６．６    ５．４    ２．６
３００      ６．８    ６．８    ６．８    ６．４    ２．８
３５０      ７        ６．８    ６．８    ６．４    ４
───────────────────────────────
【００５６】
［表２］
表  ２［感度］
───────────────────────────────
基板                   Ｅｕ／Ｃｓモル比
温度（℃）     3×10-4  1×10-3   3×10-3   1×10-2   3×10-2
───────────────────────────────
３０        ５６      ５９      ７２      ８３    １２０
５０        ５７      ７２      ８０      ７８    １２３
１００        ５８      ９８    ３２５      ６２    １１４
１５０        ５９    ２０２    ５１５    １０１    １０６
２００        ６１    ３３２    ８４５    １０２    １０４
２５０        ６７    ３３９    ６８５    １４４    １０２
３００        ６６    ３４０    ６８３    １７７      ６４
３５０        ５３      ５７    ２７０    １７５      ５８
───────────────────────────────
【００５７】
［表３］
表  ３［接着性］
───────────────────────────────
基板                   Ｅｕ／Ｃｓモル比
温度（℃） 3×10-4   1×10-3    3×10-3   1×10-2   3×10-2
───────────────────────────────
３０    ４        ４        ４         ２         ２
５０    ４        ４        ４         ２         ２
１００    ４        ４        ４         ２         ２
１５０    ４        ４        ３         ２         ２
２００    ４        ３        ３         ２         ２
２５０    ３        ３        ２         ２         １
３００    ２        ３        １         １         １
３５０    １        １        １         １         １
───────────────────────────────
【００５８】
［実施例２］  蛍光体母体化合物層を有する二元蒸着蛍光体層（電子線照射）
（１）原料
実施例１と同様の原料を使用した。
（２）ＣｓＢｒ蒸発源の作製
実施例１と同様にしてＣｓＢｒのタブレットを作製した。
（３）ＥｕＢｒm蒸発源の作製
実施例１と同様にしてＥｕＢｒm（ｍ＝２．２）のタブレットを作製した。
【００５９】
（４）蛍光体層の形成
支持体として、順にアルカリ洗浄、純水洗浄、およびＩＰＡ洗浄を施した平板状の合成石英基板を用意し、蒸着装置内の基板ホルダに配置した。上記ＣｓＢｒ蒸発源およびＥｕＢｒm蒸発源を装置内の所定位置に配置した後、装置内を排気して１×１０-3Ｐａの真空度とした。このとき、真空排気装置としてロータリーポンプ、メカニカルブースタ、ターボ分子ポンプの組合せを用いた。次に、基板の蒸着面とは反対側に設置したシーズヒータで石英基板を２００℃に加熱して、ＣｓＢｒ蒸発源に電子銃で加速電圧４．０ｋＶの電子線を照射して、１０μｍ／分の速度で５分間、ＣｓＢｒ蛍光体母体を堆積させた。次に、石英基板を２００℃に維持したまま、蒸発源それぞれに電子銃で加速電圧４．０ｋＶの電子線を照射して共蒸着させ、ＣｓＢｒ：Ｅｕ輝尽性蛍光体を堆積させた。このとき、各々の電子銃のエミッション電流を調整して、輝尽性蛍光体におけるＥｕ／Ｃｓモル比が０．００３／１となるようにし、そして４μｍ／分の速度で堆積させた。蒸着雰囲気中の水分圧は４×１０-3Ｐａであった。
【００６０】
蒸着終了後、実施例１と同様にして、蒸着膜を有する石英基板に熱処理を施した。石英基板上には、蛍光体の柱状結晶がほぼ垂直方向に密に林立した構造の蛍光体層（層厚：約４００μｍ、面積３０ｍｍ×３０ｍｍ）が形成されていた。このようにして、支持体と蛍光体層とからなる放射線像変換パネルを製造した。
【００６１】
さらに、石英基板の加熱温度を３０〜３５０℃の間で変化させたこと、およびＥｕ／Ｃｓモル比が０．０００３／１〜０．０３／１の間で変化するように電子銃のエミッション電流を調整したこと以外は上記と同様にして、多数の放射線像変換パネルを製造した。
【００６２】
［放射線像変換パネルの性能評価２］
各放射線像変換パネルの柱状性、感度、および接着性について前述と同様にして評価を行った。得られた結果をまとめて表４〜６に示す。
【００６３】
［表４］
表  ４［柱状性］
───────────────────────────────
基板                 Ｅｕ／Ｃｓモル比
温度（℃）  3×10-4  1×10-3  3×10-3  1×10-2  3×10-2
───────────────────────────────
３０    １．６    １．６    １．２   １       １
５０    ３．６    ２．８    １．６   １．４   １
１００    ４．６    ４        ３．６   １．８   １
１５０    ５．４    ４．８    ４．２   ２．４   １．２
２００    ５．８    ５．２    ４．８   ３       １．６
２５０    ６．４    ５．８    ５．６   ３．４   １．８
３００    ６．６    ６        ５．８   ３．８   ２．４
３５０    ６．８    ６．４    ５．８   ４       ３．２
───────────────────────────────
【００６４】
［表５］
表  ５［感度］
───────────────────────────────
基板                 Ｅｕ／Ｃｓモル比
温度（℃）    3×10-4  1×10-3  3×10-3  1×10-2    3×10-2
───────────────────────────────
３０      ５２      ６０      ６０      ６０      ５４
５０      ５３      ６２      ６５      ６１      ５６
１００      ５４      ９５    １２５      ９２      ６１
１５０      ５５    １８５    １９４    １６８      ９２
２００      ５７    ２４９    ４９２    ２０５    １３９
２５０      ５６    １７０    ２０１    １５１    １０２
３００      ５４      ７３      ８０      ７０      ６４
３５０      ５３      ６２      ６８      ５６      ５２
───────────────────────────────
【００６５】
［表６］
表  ６［接着性］
───────────────────────────────
基板                 Ｅｕ／Ｃｓモル比
温度（℃）  3×10-4  1×10-3  3×10-3  1×10-2  3×10-2
───────────────────────────────
３０      ４        ３      ３      ３        ３
５０      ４        ３      ３      ３        ２
１００      ４        ３      ３      ３        ２
１５０      ４        ３      ３      ２        ２
２００      ４        ３      ３      ２        ２
２５０      ４        ３      ２      ２        １
３００      ２        ２      １      １        １
３５０      １        １      １      １        １
───────────────────────────────
【００６６】
実施例１及び２について得られた評価結果（柱状性、感度、接着性）をそれぞれ総合的に判断し、以下の基準にて最終的な評価を行った。
ＡＡ：極めて良好    Ａ：良好で実用に適する
Ｃ：不良であって実用上問題がある
その結果をまとめて表７及び図１に示す。
【００６７】
［表７］
表  ７（総合評価）
───────────────────────────────
基板                 Ｅｕ／Ｃｓモル比
温度（℃）  3×10-4  1×10-3  3×10-3  1×10-2  3×10-2
───────────────────────────────
３０      Ｃ       Ｃ        Ｃ      Ｃ       Ｃ
５０      Ｃ       Ｃ        Ｃ      Ｃ       Ｃ
１００      Ｃ       Ｃ        Ａ      Ａ       Ｃ
１５０      Ｃ       Ａ       ＡＡ     Ａ       Ｃ
２００      Ｃ      ＡＡ      ＡＡ     Ａ       Ａ
２５０      Ｃ       Ａ        Ａ      Ａ       Ａ
３００      Ｃ       Ｃ        Ｃ      Ｃ       Ｃ
３５０      Ｃ       Ｃ        Ｃ      Ｃ       Ｃ
───────────────────────────────
【００６８】
表７において、最終的な評価において実用に適したレベル（Ａ以上）に達していたＥｕ／Ｃｓモル比（付活剤濃度）と基板温度との組合せの例が本発明に包含される組合せであり、これらの組合せは、図１の曲線１〜３で囲まれた領域内の組合せである。なお、図１において、曲線１は、関係式（１）に対応し、主に柱状性の評価結果から決定され、曲線２は、関係式（２）に対応し、主に感度の評価結果から決定され、そして曲線３は関係式（３）に対応し、主に接着性の評価結果から決定された。
【００６９】
表７および図１に示した結果から明らかなように、本発明の関係式で規定された範囲内の付活剤濃度および基板温度で蒸着を行うことにより、柱状性、感度、接着性の全てにおいて良好な放射線像変換パネルを製造することができる。
【００７０】
［実施例３］  蛍光体母体化合物層を有する二元蒸着蛍光体層（抵抗加熱）
（１）原料
実施例１と同様の原料を使用した。
（２）ＣｓＢｒ蒸発源の作製
実施例１と同様にしてＣｓＢｒのタブレットを作製した。
（３）ＥｕＢｒm蒸発源の作製
Ｂｒガス中の溶融によりＥｕＢｒ2のタブレットを作製した。
【００７１】
（４）蛍光体層の形成
公知の抵抗加熱法に従い、各蒸発源を複数の加熱領域を有する抵抗加熱器の各加熱具の上に配置し、真空度を１Ｐａ（アルゴンガス）として、これらの加熱具に供給する電気エネルギーを変化させる方法を利用した以外は、実施例２と同様にして、加熱した基板上に母体化合物層（ＣｓＢｒ層）とＣｓＢｒ：Ｅｕ輝尽性蛍光体を堆積させた。
【００７２】
蒸着終了後、実施例１と同様にして、蒸着膜を有する石英基板に熱処理を施した。石英基板上には、蛍光体の柱状結晶がほぼ垂直方向に密に林立した構造の蛍光体層（層厚：約４００μｍ、面積３０ｍｍ×３０ｍｍ）が形成されていた。このようにして、支持体と蛍光体層とからなる放射線像変換パネルを製造した。
【００７３】
上記の蒸着操作を、石英基板の加熱温度を１００〜３００℃の間で変化させ、またＥｕ／Ｃｓモル比が０．０００３／１〜０．０３／１の間で変化するように加熱条件を調整して、多数の放射線像変換パネルを製造した。
【００７４】
［放射線像変換パネルの性能評価３］
各放射線像変換パネルの柱状性、感度、および接着性について前述と同様にして評価を行った。得られた結果をまとめて表８〜１０に示す。
【００７５】
［表８］
表  ８［柱状性］
───────────────────────────────
基板                 Ｅｕ／Ｃｓモル比
温度（℃）  3×10-4  1×10-3  3×10-3  1×10-2  3×10-2
───────────────────────────────
１００    １．８    １．８    １．６   １       １
１５０    ６．６    ６        ４．８   １．４   １
２００    ７        ６．６    ６．４   ３．４   １．４
２５０    ７        ６        ５．６   ３．６   １．８
３００    ６．２    ４．６    ２．４   ２       ２
───────────────────────────────
【００７６】
［表９］
表  ９［感度］
───────────────────────────────
基板                 Ｅｕ／Ｃｓモル比
温度（℃）    3×10-4  1×10-3  3×10-3  1×10-2    3×10-2
───────────────────────────────
１００      ３２      ９３    ４７５    ３６４    １０３
１５０      ４３    ６４０  １４２０    ５５５    １４１
２００      ８５  １９８０  ２７５０  １１２０    １８３
２５０      ７３  ２０３０  ２６３０  １０３０    １２２
３００      ６８  １０１０    ９７０    ９００      ７０
───────────────────────────────
【００７７】
［表１０］
表  １０［接着性］
───────────────────────────────
基板                 Ｅｕ／Ｃｓモル比
温度（℃）  3×10-4  1×10-3  3×10-3  1×10-2  3×10-2
───────────────────────────────
１００      ４        ４      ４      ３        ２
１５０      ４        ４      ４      ３        ２
２００      ４        ４      ４      ３        １
２５０      １        １      ３      ２        １
３００      １        １      １      １        １
───────────────────────────────
【００７８】
実施例３について得られた評価結果（柱状性、感度、接着性）をそれぞれ総合的に判断し、以下の基準にて最終的な評価を行った。
ＡＡ：極めて良好    Ａ：良好で実用に適する
Ｃ：不良であって実用上問題がある
その結果をまとめて表１１に示す。
【００７９】
［表１１］
表  １１（総合評価）
───────────────────────────────
基板                 Ｅｕ／Ｃｓモル比
温度（℃）  3×10-4  1×10-3  3×10-3  1×10-2  3×10-2
───────────────────────────────
１００      Ｃ       Ｃ        Ａ      Ａ       Ｃ
１５０      Ｃ       Ａ       ＡＡ     Ａ       Ｃ
２００      Ｃ      ＡＡ      ＡＡ     Ａ       Ａ
２５０      Ｃ      ＡＡ       Ａ      Ａ       Ａ
３００      Ｃ       Ｃ        Ｃ      Ｃ       Ｃ
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【００８０】
表１１において、最終的な評価において実用に適したレベル（Ａ及びＡＡ）に達していたＥｕ／Ｃｓモル比（付活剤濃度）と基板温度との組合せの例が本発明に包含される組合せであり、これらの組合せは、図１の曲線１〜３で囲まれた領域内の組合せである。また、ＡＡのレベルに達していたＥｕ／Ｃｓモル比（付活剤濃度）と基板温度との組合せの例が、先に記載した関係式（４）乃至（７）によって規定される領域に包含される組合せであって、特に好ましい。
【００８１】
表１１に示した結果からも明らかなように、本発明の関係式で規定された範囲内の付活剤濃度および基板温度で蒸着を行うことにより、柱状性、感度、接着性の全てにおいて良好な放射線像変換パネルを製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００８２】
【図１】本発明に従う付活剤濃度ｘ（Ｅｕ／Ｃｓモル比）と基板温度Ｔとの各関係式を満足する範囲を示すグラフである。
【図１】
2004170405.tif 000003