(57)【要約】【課題】生産性が良く、小型で特性の安定したバイアスＴ用コンデンサを実現する。【解決手段】誘電体基板１６の表面に、第１の導体パターン１８と第２の導体パターン２０とを所定の間隙を設けて対向配置すると共に、誘電体基板１６内部に、上記第１の導体パターン１８、第２の導体パターン２０と重なる内部電極２２を配置することにより、第１の導体パターン１８と内部電極２２との間、第２の導体パターン２０と内部電極２２との間に、一対の直列接続された高周波用コンデンサ１２ａ，１２ｂを形成し、また、セラミックチップコンデンサで構成された低周波用コンデンサ１４の一方の電極１４ａを、第１の導体パターン１８に接続すると共に、他方の電極１４ｂを、第２の導体パターン２２に接続することにより、該低周波用コンデンサ１４と、直列接続された上記一対の高周波用コンデンサ１２ａ，１２ｂとを並列接続して成るバイアスＴ用コンデンサＣ。【選択図】        図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
高周波用コンデンサと低周波用コンデンサとを並列接続して構成して成るバイアスＴ用コンデンサであって、誘電体基板の表面に導体パターンを配置すると共に、誘電体基板内部に上記導体パターンと重なる内部電極を配置することにより、上記導体パターンと内部電極との間に上記高周波用コンデンサを形成したことを特徴とするバイアスＴ用コンデンサ。
【請求項２】
誘電体基板の表面に、第１の導体パターンと第２の導体パターンとを所定の間隙を設けて対向配置すると共に、誘電体基板内部に、上記第１の導体パターン及び第２の導体パターンと重なる内部電極を配置することにより、第１の導体パターンと内部電極との間、第２の導体パターンと内部電極との間に、直列接続された第１の高周波用コンデンサ及び第２の高周波用コンデンサを形成したことを特徴とする請求項１に記載のバイアスＴ用コンデンサ。
【請求項３】
上記低周波用コンデンサをチップコンデンサで構成すると共に、該低周波用コンデンサの一方の電極を、第１の高周波用コンデンサを構成する第１の導体パターンに接続すると共に、他方の電極を、第２の高周波用コンデンサを構成する第２の導体パターンに接続することにより、低周波用コンデンサと、第１の高周波用コンデンサ及び第２の高周波用コンデンサとを並列接続したことを特徴とする請求項２に記載のバイアスＴ用コンデンサ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、高周波信号に影響を与えずに直流電流や直流電圧といった直流成分を重畳して供給するバイアスＴに使用して好適なバイアスＴ用コンデンサに関する。
【０００２】
【従来の技術】
高周波信号に影響を与えずに、直流電流や直流電圧といった直流成分を重畳して供給する電子部品としてのバイアスＴが、特開平９−８５８３号に開示されているように、従来から用いられている。
図４に示すように、バイアスＴ７０は、端子ａ−ｂ間にコンデンサＣ’を接続すると共に、端子ａ−ｃ間にコイルＬ’を接続することにより構成されている。
上記バイアスＴ７０は、高周波信号は端子ａ−ｂ間を通過させて、コンデンサＣ’によって低域成分を除去し、また、直流成分は端子ｃから入力し、コイルＬ’によって高域成分を除去して高周波信号に重畳している。
【０００３】
また、広帯域用のバイアスＴ７０の場合には、上記コンデンサＣ’は、図５に示すように、高周波用コンデンサ７２と低周波用コンデンサ７４とを並列接続することにより、広帯域で使用可能なコンデンサを構成していた。
上記高周波用コンデンサ７２及び低周波用コンデンサ７４は、例えばセラミックチップコンデンサで構成される。
そして、図６に示すように、高周波用コンデンサ７２の一方の電極７２ａを、回路基板７６表面の導体パターン７８ａに接続すると共に、他方の電極７２ｂを、銅箔等より成る外部電極端子８０を介して、回路基板７６表面の導体パターン７８ｂに接続し、また、低周波用コンデンサ７４の一方の電極７４ａを、上記外部電極端子８０を介して、回路基板７６表面の導体パターン７８ｂに接続すると共に、他方の電極７４ｂを、銅等より成る導電性の台座８２を介して、回路基板７６表面の導体パターン７８ａに接続することにより、高周波用コンデンサ７２及び低周波用コンデンサ７４の回路基板７６への実装が行われている。
【特許文献１】
特開平９−８５８３号
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
上記の通り、従来は、セラミックチップコンデンサで構成された高周波用コンデンサ７２と低周波用コンデンサ７４とを並列接続して広帯域で使用可能なコンデンサを構成し、これら高周波用コンデンサ７２及び低周波用コンデンサ７４を、外部電極端子８０や台座８２を介して回路基板７６へ実装（図６）していたが、この場合、外部電極端子８０のインダクタンス成分が高周波用コンデンサ７２の高周波特性に大きく影響を与えることから、特性劣化をできるだけ防止するために外部電極端子８０の長さや取付位置等を微調整しながら接続作業を行う必要があり、接続作業が煩雑であった。さらに、個別の部品として完成された高周波用コンデンサ７２及び低周波用コンデンサ７４を、外部電極端子８０や台座８２を用いて回路基板７６への実装を行っていたため、部品点数の増加、形状の大型化をもたらしていた。
【０００５】
本発明は、従来の上記問題を解決するために案出されたものであり、その目的とするところは、生産性が良く、小型で特性の安定したバイアスＴ用コンデンサの実現にある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために、本発明に係るバイアスＴ用コンデンサにあっては、高周波用コンデンサと低周波用コンデンサとを並列接続して構成して成るバイアスＴ用コンデンサであって、誘電体基板の表面に導体パターンを配置すると共に、誘電体基板内部に上記導体パターンと重なる内部電極を配置することにより、上記導体パターンと内部電極との間に上記高周波用コンデンサを形成したことを特徴とする。
【０００７】
本発明のバイアスＴ用コンデンサにあっては、誘電体基板表面に配置された導体パターンと、誘電体基板内部に配置され、上記導体パターンと重なる内部電極との間に、高周波用コンデンサを形成しているので、従来のバイアスＴ用コンデンサＣ’の如く、導体パターン７８ｂと高周波用コンデンサ７２とを接続する外部電極端子８０を設ける必要がなく、従って、高周波特性の劣化防止のための外部電極端子８０の煩雑な接続作業が不要となり、生産性及び特性が向上すると共に、部品点数の減少、形状の小型化を実現できる。
【０００８】
誘電体基板の表面に、第１の導体パターンと第２の導体パターンとを所定の間隙を設けて対向配置すると共に、誘電体基板内部に、上記第１の導体パターン及び第２の導体パターンと重なる内部電極を配置することにより、第１の導体パターンと内部電極との間、第２の導体パターンと内部電極との間に、直列接続された第１の高周波用コンデンサ及び第２の高周波用コンデンサを形成しても良い。この場合、上記低周波用コンデンサをチップコンデンサで構成すると共に、該低周波用コンデンサの一方の電極を、第１の高周波用コンデンサを構成する第１の導体パターンに接続すると共に、他方の電極を、第２の高周波用コンデンサを構成する第２の導体パターンに接続することにより、低周波用コンデンサと、第１の高周波用コンデンサ及び第２の高周波用コンデンサとが並列接続できるので、更に、生産性が向上すると共に、部品点数の減少、形状の小型化を実現できる。
【０００９】
【発明の実施の形態】
以下、添付図面に基づいて、本発明に係るバイアスＴ用コンデンサの実施形態を説明する。
図１は、本発明に係るバイアスＴ用コンデンサＣを使用したバイアスＴ１０の回路図であり、該バイアスＴ１０は、第１の端子１、第２の端子２及び第３の端子３を有しており、第１の端子１と第２の端子２との間に、直列接続された一対の高周波用コンデンサ１２ａ，１２ｂと低周波用コンデンサ１４とを並列接続して構成したバイアスＴ用コンデンサＣを接続すると共に、第２の端子２と第３の端子３との間に、コイルＬを接続することにより構成されている。尚、コイルＬは、第１の端子１と第３の端子３との間に接続することもできる。
【００１０】
図２は、本発明に係るバイアスＴ用コンデンサＣの概略断面図、図３は、概略平面図である。
本発明のバイアスＴ用コンデンサＣは、誘電体基板１６表面に、該誘電体基板１６の両端から内方に向かって、第１の導体パターン１８と第２の導体パターン２０とを所定の間隙を設けて対向配置すると共に、誘電体基板１６内部に、上記第１の導体パターン１８及び第２の導体パターン２０と、部分的に重なる内部電極２２を配置することにより、第１の導体パターン１８と内部電極２２との間に上記第１の高周波用コンデンサ１２ａが形成され、また、第２の導体パターン２０と内部電極２２との間に上記第２の高周波用コンデンサ１２ｂが形成されている。
【００１１】
また、セラミックチップコンデンサで構成された上記低周波用コンデンサ１４の一方の電極１４ａを、第１の高周波用コンデンサ１２ａを構成する第１の導体パターン１８に接続すると共に、他方の電極１４ｂを、第２の高周波用コンデンサ１２ｂを構成する第２の導体パターン２０に接続することにより、該低周波用コンデンサ１４と、直列接続された上記一対の高周波用コンデンサ１２ａ，１２ｂとが並列接続されている。
尚、上記第１の導体パターン１８及び第２の導体パターン２０において、上記内部電極２２と重ならず高周波用コンデンサ１２ａ，１２ｂを構成しない部分は、高周波信号を伝送するマイクロストリップラインを構成すると共に、第１の導体パターン１８及び第２の導体パターン２０の外端部は、それぞれ上記第１の端子１、第２の端子２と成されている。
図２において２４は、誘電体基板１６の裏面全面に形成されたアース電極である。
【００１２】
上記内部電極２２は、該内部電極２２を構成する導体パターンが表面に形成された誘電体基板１６ａの上に、他の誘電体基板１６ｂを積層した後、加圧・焼成して一体化することにより形成することができる。
尚、上記誘電体基板１６は、誘電率が７程度のセラミックにより構成され、上記第１の導体パターン１８ａ、第２の導体パターン１８ｂ及び内部電極２２は、Ａｇ、Ａｇ−Ｐｄ、Ａｕ等で構成されている。
【００１３】
本発明のバイアスＴ用コンデンサＣにあっては、誘電体基板１６表面に形成された導体パターン１８，２０と、誘電体基板１６内部に形成され、上記導体パターン１８，２０と部分的に重なる内部電極２２との間に、高周波用コンデンサ１２ａ，１２ｂを形成しているので、従来のバイアスＴ用のコンデンサＣ’の如く、導体パターン７８ｂと高周波用コンデンサ７２とを接続する外部電極端子８０を設ける必要がなく、従って、高周波特性の劣化防止のための外部電極端子８０の煩雑な接続作業が不要となり、生産性及び特性が向上する。
また、高周波用コンデンサ１２ａ，１２ｂを誘電体基板３０内部に形成すると共に、セラミックチップコンデンサで構成された低周波用コンデンサ１４の一方の電極１４ａを第１の導体パターン１８に、他方の電極１４ｂを第２の導体パターン２０に接続することにより、該低周波用コンデンサ１４と、一対の高周波用コンデンサ１２ａ，１２ｂとが並列接続できるので、部品点数の減少、形状の小型化を実現できる。
【００１４】
図３に示すように、バイアスＴ用コンデンサＣを構成する誘電体基板１６の表面には、導体パターンを被着して形成した上記第３の端子３が設けられているので、誘電体基板１６上に上記コイルＬ（図示せず）を配置し、該コイルＬの一方の端子を、上記第２の導体パターン３３の外端部に形成された第２の端子２に接続すると共に、他方の端子を上記第３の端子３に接続して一体化することにより、バイアスＴ１０を構成することができる。
【００１５】
【発明の効果】
本発明のバイアスＴ用コンデンサにあっては、誘電体基板表面に配置された導体パターンと、誘電体基板内部に配置され、上記導体パターンと重なる内部電極との間に、高周波用コンデンサを形成しているので、従来のバイアスＴ用コンデンサＣ’の如く、導体パターン７８ｂと高周波用コンデンサ７２とを接続する外部電極端子８０を設ける必要がなく、従って、高周波特性の劣化防止のための外部電極端子８０の煩雑な接続作業が不要となり、生産性及び特性が向上すると共に、部品点数の減少、形状の小型化を実現できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係るバイアスＴ用コンデンサを使用したバイアスＴの回路図である。
【図２】本発明に係るバイアスＴ用コンデンサの概略断面図である。
【図３】本発明に係るバイアスＴ用コンデンサの概略平面図である。
【図４】従来のバイアスＴを示す回路図である。
【図５】広帯域用のバイアスＴに用いられる従来のコンデンサを示す回路図である。
【図６】広帯域用のバイアスＴに用いられる従来のコンデンサを、回路基板へ実装した状態を示す概略断面図である。
【符号の説明】
１    第１の端子
２    第２の端子
３    第３の端子
１０    バイアスＴ
Ｃ    バイアスＴ用コンデンサ
Ｌ    コイル
１２ａ  第１の高周波用コンデンサ
１２ｂ  第２の高周波用コンデンサ
１４    低周波用コンデンサ
１６    誘電体基板
１８    第１の導体パターン
２０    第２の導体パターン
２２    内部電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
2004193275.tif 000006
【図５】
2004193275.tif 000007
【図６】
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