(57)【要約】【課題】半導体装置の信頼性を高めることにある。【解決手段】半導体装置の製造方法は、（ａ）表面１４に電極１２を有する半導体チップ１０を、第１の樹脂３０を介して、配線パターン２２が形成された基板２０にフェースダウンボンディングすることによって、電極１２と配線パターン２２とを電気的に接続すること、（ｂ）第２の樹脂４０を、半導体チップ１０の裏面１８の少なくとも一部が露出するように、半導体チップ１０の角部を覆って設けること、を含む。【選択図】        図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）表面に電極を有する半導体チップを、第１の樹脂を介して、配線パターンが形成された基板にフェースダウンボンディングすることによって、前記電極と前記配線パターンとを電気的に接続すること、
（ｂ）第２の樹脂を、前記半導体チップの裏面の少なくとも一部が露出するように、前記半導体チップの角部を覆って設けること、
を含む半導体装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ａ）工程後に、前記（ｂ）工程を行う半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１又は請求項２記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ｂ）工程を、前記第１の樹脂の硬化後に行う半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１から請求項３のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ａ）工程は、
（ａ１）前記半導体チップ及び前記基板の少なくともいずれか一方に前記第１の樹脂を設けること、
（ａ２）前記半導体チップを前記基板にフェースダウンボンディングすること、
を含む半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項４記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ａ１）工程で、前記第１の樹脂を、前記半導体チップの平面形状を含む大きさの平面領域を有するように設け、
前記（ｂ）工程で、前記第２の樹脂を、前記第１の樹脂上に設ける半導体装置の製造方法。
【請求項６】
請求項４又は請求項５記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ａ１）工程で、シート状の前記第１の樹脂を設け、
前記（ｂ）工程で、ペースト状の前記第２の樹脂を設ける半導体装置の製造方法。
【請求項７】
請求項１から請求項６のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
前記半導体チップは、平面位置の異なる複数の前記角部と、隣り合う前記角部同士の間の側面と、を有し、
前記（ｂ）工程で、前記第２の樹脂を、前記側面に付着させないで、前記角部付近に付着させて設ける半導体装置の製造方法。
【請求項８】
請求項１から請求項７のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
前記半導体チップの前記角部は、前記半導体チップの前記電極が形成された前記表面と、前記表面に接する２つの側面と、が交わる頂点の部分であり、
前記（ｂ）工程で、
前記第１の樹脂は、前記半導体チップの前記電極が形成された前記表面に密着しており、
前記第２の樹脂を、前記半導体チップの前記表面側の前記角部を覆うように設ける半導体装置の製造方法。
【請求項９】
請求項１から請求項８のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ｂ）工程開始時に、前記第１の樹脂は、前記角部に対応する部分が他の部分よりも薄くなっている半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項１から請求項９のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ｂ）工程で、前記第２の樹脂を、前記半導体チップの前記裏面までの高さよりも低くなるように設ける半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項１から請求項１０のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
前記第１の樹脂における接着時の流動性は、前記第２の樹脂における接着時の流動性よりも低い半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項１から請求項１１のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
前記第１の樹脂は、導電粒子を含む異方性導電接着剤である半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
請求項１から請求項１２のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
前記第２の樹脂は、導電粒子を含まない絶縁性接着剤である半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
表面に電極を有する半導体チップと、
配線パターンが形成され、半導体チップがフェースダウンボンディングされた基板と、
前記電極と前記配線パターンを電気的に接続する導電粒子を有し、前記半導体チップと前記基板との間に設けられた異方性導電接着剤と、
前記半導体チップの裏面の少なくとも一部が露出するように、前記半導体チップの角部を覆って設けられた絶縁性接着剤と、
を含む半導体装置。
【請求項１５】
表面に電極を有する半導体チップと、
配線パターンが形成され、半導体チップがフェースダウンボンディングされた基板と、
前記半導体チップと前記基板との間に設けられた第１の樹脂と、
前記半導体チップの裏面の少なくとも一部が露出するように、前記半導体チップの角部を覆って設けられた第２の樹脂と、
を含む半導体装置。
【請求項１６】
表面に電極を有する半導体チップと、
配線パターンが形成され、前記半導体チップがフェースダウンボンディングされた基板と、
前記半導体チップの前記電極が形成された前記表面に密着してなる第１の樹脂と、
前記半導体チップの前記電極が形成された前記表面と、前記表面に接する２つの側面と、が交わる角部を覆うとともに、前記半導体チップの裏面の少なくとも一部が露出するように設けられた第２の樹脂と、
を含む半導体装置。
【請求項１７】
請求項１５又は請求項１６記載の半導体装置において、
前記第１の樹脂は、前記半導体チップの平面形状を含む大きさの平面領域を有し、
前記第２の樹脂は、前記第１の樹脂上に、前記第１の樹脂の硬化反応を終えた後に設けられてなる半導体装置。
【請求項１８】
請求項１５から請求項１７のいずれかに記載の半導体装置において、
前記第１の樹脂は、前記角部に対応する部分が他の部分よりも薄くなっている半導体装置。
【請求項１９】
請求項１５から請求項１８のいずれかに記載の半導体装置において、
前記第２の樹脂は、前記半導体チップの前記裏面までの高さよりも低くなるように設けられてなる半導体装置。
【請求項２０】
請求項１４から請求項１９のいずれかに記載の半導体装置が実装されてなる回路基板。
【請求項２１】
請求項１４から請求項１９のいずれかに記載の半導体装置を有する電子機器。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器に関する。
【０００２】
【従来の技術】
【０００３】
【特許文献１】
特開２００１−２５７２３２号公報
【０００４】
【発明の背景】
半導体装置の構造として、配線パターンが形成された基板に、異方性導電材料からなる接着剤を使用して、半導体チップをフェースダウン実装する構造が知られている。従来の形態によれば、接着剤が半導体チップの角部にまで流れ込むように、接着剤の材質及び量を決めていたが、そうした場合であっても、実際の工程では、半導体チップの角部（電極が形成された面側の角部）が接着剤から露出する場合があり、温度サイクル試験などの環境試験を行なうと半導体チップの角部からクラックが発生する可能性があった。
【０００５】
本発明の目的は、半導体装置の信頼性を高めることにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
（１）本発明に係る半導体装置の製造方法は、（ａ）表面に電極を有する半導体チップを、第１の樹脂を介して、配線パターンが形成された基板にフェースダウンボンディングすることによって、前記電極と前記配線パターンとを電気的に接続すること、
（ｂ）第２の樹脂を、前記半導体チップの裏面の少なくとも一部が露出するように、前記半導体チップの角部を覆って設けること、
を含む。本発明によれば、第２の樹脂を、半導体チップの角部を覆うように設ける。これによって、半導体チップの角部に加わるダメージを軽減することができ、角部を起点として、半導体チップが割れるのを防止することができる。したがって、半導体装置の信頼性を高めることができる。
（２）この半導体装置の製造方法において、
前記（ａ）工程後に、前記（ｂ）工程を行ってもよい。これによれば、第２の樹脂を設ける工程を、半導体チップをフェースダウンボンディングした後に行うので、第２の樹脂によって、ボンディング後の半導体チップの角部を確実に覆うことができる。
（３）この半導体装置の製造方法において、
前記（ｂ）工程を、前記第１の樹脂の硬化後に行ってもよい。これによれば、第１及び第２の樹脂が混合しない又は混合する量が少ないので、第２の樹脂が半導体チップの電極付近に流れ込むのを防止し、電極と配線パターンとの電気的導通が図れなくなることを防止することができる。
（４）この半導体装置の製造方法において、
前記（ａ）工程は、
（ａ１）前記半導体チップ及び前記基板の少なくともいずれか一方に前記第１の樹脂を設けること、
（ａ２）前記半導体チップを前記基板にフェースダウンボンディングすること、
を含んでもよい。
（５）この半導体装置の製造方法において、
前記（ａ１）工程で、前記第１の樹脂を、前記半導体チップの平面形状を含む大きさの平面領域を有するように設け、
前記（ｂ）工程で、前記第２の樹脂を、前記第１の樹脂上に設けてもよい。これによれば、第２の樹脂によって、半導体チップの角部を覆いやすくすることができる。
（６）この半導体装置の製造方法において、
前記（ａ１）工程で、シート状の前記第１の樹脂を設け、
前記（ｂ）工程で、ペースト状の前記第２の樹脂を設けてもよい。これによれば、第１の樹脂の取り扱いに優れるとともに、第２の樹脂を半導体チップの角部に密着して設けることができる。
（７）この半導体装置の製造方法において、
前記半導体チップは、平面位置の異なる複数の前記角部と、隣り合う前記角部同士の間の側面と、を有し、
前記（ｂ）工程で、前記第２の樹脂を、前記側面に付着させないで、前記角部付近に付着させて設けてもよい。
（８）この半導体装置の製造方法において、
前記半導体チップの前記角部は、前記半導体チップの前記電極が形成された前記表面と、前記表面に接する２つの側面と、が交わる頂点の部分であり、
前記（ｂ）工程で、
前記第１の樹脂は、前記半導体チップの前記電極が形成された前記表面に密着しており、
前記第２の樹脂を、前記半導体チップの前記表面側の前記角部を覆うように設けてもよい。これによれば、半導体チップの電極が形成された表面側の角部からの割れを防止することができる。
（９）この半導体装置の製造方法において、
前記（ｂ）工程開始時に、前記第１の樹脂は、前記角部に対応する部分が他の部分よりも薄くなっていてもよい。
（１０）この半導体装置の製造方法において、
前記（ｂ）工程で、前記第２の樹脂を、前記半導体チップの前記裏面までの高さよりも低くなるように設けてもよい。
（１１）この半導体装置の製造方法において、
前記第１の樹脂における接着時の流動性は、前記第２の樹脂における接着時の流動性よりも低くてもよい。
（１２）この半導体装置の製造方法において、
前記第１の樹脂は、導電粒子を含む異方性導電接着剤であってもよい。
（１３）この半導体装置の製造方法において、
前記第２の樹脂は、導電粒子を含まない絶縁性接着剤であってもよい。
（１４）本発明に係る半導体装置は、表面に電極を有する半導体チップと、
配線パターンが形成され、半導体チップがフェースダウンボンディングされた基板と、
前記電極と前記配線パターンを電気的に接続する導電粒子を有し、前記半導体チップと前記基板との間に設けられた異方性導電接着剤と、
前記半導体チップの裏面の少なくとも一部が露出するように、前記半導体チップの角部を覆って設けられた絶縁性接着剤と、
を含む。本発明によれば、絶縁性接着剤が、半導体チップの角部を覆うように設けられている。これによって、半導体チップの角部に加わるダメージを軽減することができ、角部を起点として、半導体チップが割れるのを防止することができる。したがって、半導体装置の信頼性を高めることができる。
（１５）本発明に係る半導体装置は、表面に電極を有する半導体チップと、
配線パターンが形成され、半導体チップがフェースダウンボンディングされた基板と、
前記半導体チップと前記基板との間に設けられた第１の樹脂と、
前記半導体チップの裏面の少なくとも一部が露出するように、前記半導体チップの角部を覆って設けられた第２の樹脂と、
を含む。本発明によれば、第２の樹脂が、半導体チップの角部を覆うように設けられている。これによって、半導体チップの角部に加わるダメージを軽減することができ、角部を起点として、半導体チップが割れるのを防止することができる。したがって、半導体装置の信頼性を高めることができる。
（１６）本発明に係る半導体装置は、表面に電極を有する半導体チップと、
配線パターンが形成され、前記半導体チップがフェースダウンボンディングされた基板と、
前記半導体チップの前記電極が形成された前記表面に密着してなる第１の樹脂と、
前記半導体チップの前記電極が形成された前記表面と、前記表面に接する２つの側面と、が交わる角部を覆うとともに、前記半導体チップの裏面の少なくとも一部が露出するように設けられた第２の樹脂と、
を含む。本発明によれば、第２の樹脂が、半導体チップの角部を覆うように設けられている。これによって、半導体チップの角部に加わるダメージを軽減することができ、角部を起点として、半導体チップが割れるのを防止することができる。したがって、半導体装置の信頼性を高めることができる。
（１７）この半導体装置において、
前記第１の樹脂は、前記半導体チップの平面形状を含む大きさの平面領域を有し、
前記第２の樹脂は、前記第１の樹脂上に、前記第１の樹脂の硬化反応を終えた後に設けられていてもよい。これによれば、第１及び第２の樹脂が混合しない又は混合する量が少ないので、第２の樹脂が半導体チップの電極付近に流れ込むのを防止し、電極と配線パターンとの電気的導通が図れなくなることを防止することができる。
（１８）この半導体装置において、
前記第１の樹脂は、前記角部に対応する部分が他の部分よりも薄くなっていてもよい。
（１９）この半導体装置において、
前記第２の樹脂は、前記半導体チップの前記裏面までの高さよりも低くなるように設けられていてもよい。
（２０）本発明に係る回路基板には、上記半導体装置が実装されている。
（２１）本発明に係る電子機器は、上記半導体装置を有する。
【０００７】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。図１〜図３は、本実施の形態に係る半導体装置の製造方法を示す図である。図４は、本実施の形態に係る半導体装置の平面図であり、図５は、図４のＶ−Ｖ線断面図である。本実施の形態では、半導体チップ１０を基板２０に実装する。
【０００８】
半導体チップ１０は、集積回路チップである。半導体チップ１０は、内部の集積回路に電気的に接続された複数の電極１２を有する。電極１２は、半導体チップ１０の表面１４に露出している。表面１４は、いわゆる能動面と呼ばれる面であってもよい。電極１２は、パッドを含む。半導体チップ１０がフェースダウンボンディングされる場合には、電極１２は、パッド上のバンプをさらに含むことが多い。半導体チップ１０の表面１４には、電極１２を避けて、図示しないパッシベーション膜（例えばシリコン酸化膜など）が形成されてもよい。
【０００９】
半導体チップ１０は、複数の角部を有する。半導体チップ１０は、多面体形状をなし、複数の角部は、３面以上（図１では３面）が交わる頂点の部分であってもよい。半導体チップ１０が直方体形状をなす場合、半導体チップ１０は８つの角部（表面１４側の４つの角部１６と、裏面１８側の４つの角部）を有する。半導体チップ１０の表面１４側の角部１６とは、電極１２が形成された表面１４と、表面１４に接する２つの側面１７と、が交わる頂点の部分を指す。なお、半導体チップ１０の角部１６とは、尖っている場合のみならず、丸く削れている場合や一部が欠けている場合も含む。
【００１０】
基板２０の材料は、有機系（例えばポリイミド樹脂、エポキシ樹脂）又は無機系（例えばセラミック、ガラス）のいずれの材料であってもよく、これらの複合構造からなるものであってもよい。基板２０は、半導体パッケージ用のインターポーザであってもよい。絶縁樹脂と配線パターンを積層して構成されるビルドアップ多層構造の基板や、複数の基板が積層された多層基板を使用してもよい。
【００１１】
基板２０には、配線パターン２２が形成されている（図５参照）。配線パターン２２は、電子部品（例えば半導体チップ１０）との電気的な接続部（例えばランド）と、配線と、を有する。配線パターン２２は、導電材料（例えば銅などの金属）で形成され、表面にメッキ層（例えば金層）が形成されることが好ましい。基板２０にスルーホール（図示しない）を形成し、両面の電気的な接続を図ってもよい。
【００１２】
図１に示すように、基板２０に第１の樹脂３０を設ける。第１の樹脂３０は、接着剤である。第１の樹脂３０は、所定のエネルギー（例えば熱、光）によって、接着力が発現し、その後硬化する性質を有してもよい。第１の樹脂３０は、熱硬化性樹脂（又は光硬化性樹脂）であってもよい。変形例として、第１の樹脂３０を、半導体チップ１０又は半導体チップ１０と基板２０との両方に設けてもよい。
【００１３】
図１に示すように、シート状の（固形の）第１の樹脂３０を設けてもよい。これによれば、例えば、第１の樹脂３０を基板２０に載せるだけで済むので、樹脂の取り扱い及び半導体装置の生産性に優れている。あるいは、ペースト状の（液状又はゲル状の）第１の樹脂３０を使用してもよい。
【００１４】
第１の樹脂３０は、半導体チップ１０の平面形状を含む大きさの平面領域を有するように設けてもよい。詳しくは、半導体チップ１０のボンディング後において、半導体チップ１０が第１の樹脂３０の平面領域の内側に配置されるように（図２参照）、第１の樹脂３０の使用量などを決定する。こうすることで、第１の樹脂３０における半導体チップ１０の外側にはみ出した部分に、第２の樹脂４０を設けることが可能になる（図３参照）。
【００１５】
第１の樹脂３０は、異方性導電接着剤（ペースト状又はシート状であるかは問わない）であってもよい。異方性導電接着剤は、絶縁性接着剤（バインダ）に導電粒子３２が分散されたもので、分散剤（例えば絶縁性粒子（シリカ系粒子など））が添加される場合がある。絶縁性接着剤は、熱硬化性樹脂であってもよい。異方性導電接着剤によれば、半導体チップ１０の電極１２と、基板２０の配線パターン２２との間で、導電粒子３２が押し潰されることによって、両者間の電気的な接続が図られる（図５参照）。
【００１６】
図２に示すように、半導体チップ１０を基板２０にフェースダウンボンディングする。詳しくは、第１の樹脂３０を介して、フェースダウンボンディングすることによって、半導体チップ１０の電極１２及び基板２０の配線パターン２２を電気的に接続する。本工程は、ボンディングツール（図示しない）によって、半導体チップ１０の裏面１８を加圧することで行う。その間、第１の樹脂３０に所定のエネルギーを加え、半導体チップ１０と基板２０を接着する。第１の樹脂３０は、接着時に流動性が高くなって、半導体チップ１０の外側の方向に流れ出し、その後硬化する。第１の樹脂３０は、半導体チップ１０の表面１４に密着していてもよい。半導体チップ１０の角部１６は、第１の樹脂３０から露出していてもよい。図２に示す例では、第１の樹脂３０は、半導体チップ１０の角部１６に対応する部分（例えば角部１６に接する部分）が他の部分（例えば側面１７に接する部分）よりも薄くなっている。このように、適切な量の第１の樹脂３０が角部１６に流れ込まない場合に、本実施の形態を適用すると効果的である。
【００１７】
図３に示すように、第２の樹脂４０を、半導体チップ１０の裏面１８の少なくとも一部（図３では全部）が露出するように、かつ、半導体チップ１０の角部（図３では角部１６）を覆うように設ける。これによって、半導体チップ１０の角部（図３では角部１６）に加わるダメージを軽減することができ、角部（図３では角部１６）を起点として、半導体チップ１０が割れるのを防止することができる。
【００１８】
第２の樹脂４０を、半導体チップ１０における角部１６付近（例えば図１の２点鎖線で示した範囲）に付着させてもよい。その場合、第２の樹脂４０を、半導体チップ１０の側面１７に付着させないで、角部１６付近（のみ）に付着させてもよい。あるいは、第２の樹脂４０を、半導体チップ１０の側面１７にも付着させて、半導体チップ１０の周囲を囲むように設けてもよい。
【００１９】
本実施の形態では、第２の樹脂４０によって、半導体チップ１０の表面１４側の角部１６を覆っている。図３に示す例では、第２の樹脂４０を、半導体チップ１０の裏面１８までの高さよりも低くなるように設けている。こうして、半導体チップ１０の裏面１８側の角部１６は、第２の樹脂４０から露出していてもよい。これによれば、半導体チップ１０の表面１４（いわゆる能動面）側を、第１及び第２の樹脂３０，４０によって封止することができ、表面１４側の角部１６からの割れを防止することができる。
【００２０】
変形例として、第２の樹脂４０を、半導体チップ１０の裏面１８までの高さと同一又はそれよりも高くなるように設けてもよい。こうして、半導体チップ１０の表面１４側の角部１６だけでなく、裏面１８側の角部も覆ってもよい。ただし、上述したように、半導体チップ１０の裏面１８の少なくとも一部は、第２の樹脂４０から露出させる。
【００２１】
第２の樹脂４０は、接着剤である。第２の樹脂４０は、所定のエネルギー（例えば熱、光）によって、接着力が発現し、その後硬化する性質を有してもよい。第２の樹脂４０は、熱硬化性樹脂（又は光硬化性樹脂）であってもよい。
【００２２】
本実施の形態では、半導体チップ１０のフェースダウンボンディング工程後に、第２の樹脂４０を設ける。第１の樹脂３０の硬化後に、第２の樹脂４０を設けてもよい。これによれば、第２の樹脂４０によって、ボンディング後の半導体チップの角部を確実に覆うことができる。また、第２の樹脂４０がボンディングツールに付着することもない。
【００２３】
変形例として、半導体チップ１０のボンディング工程前に、第２の樹脂４０を設けても構わない。その場合、第２の樹脂４０を、半導体チップ１０の角部１６付近に付着させてもよいし、あるいは、基板２０における半導体チップ１０の角部１６に対応する位置に設けてもよい。
【００２４】
ペースト状の第２の樹脂４０をポッティングしてもよい。これによって、第２の樹脂４０を、半導体チップ１０の角部１６付近に密着して設けることができ、確実に角部１６を覆うことができる。あるいは、シート状の第２の樹脂４０を使用してもよい。
【００２５】
図３に示すように、第２の樹脂４０を第１の樹脂３０上に設けてもよい。詳しくは、第１の樹脂３０における半導体チップ１０の外側にはみ出した部分に、第２の樹脂４０を設けてもよい。第１の樹脂３０における半導体チップ１０の角部１６に対応する部分は薄くなっているので、第２の樹脂４０によって、半導体チップ１０の角部１６を補強することができる。
【００２６】
第２の樹脂４０は、絶縁性接着剤（ペースト状又はシート状であるかは問わない）であってもよい。第２の樹脂４０は、導電粒子を含まない絶縁性接着剤であってもよい。第１及び第２の樹脂３０，４０の材料（例えばバインダの材料）は、同一の樹脂（例えばエポキシ樹脂）を使用してもよい。第１及び第２の樹脂３０，４０は、熱膨張率や弾性率などの物性値が同一又は近似していることが好ましい。こうすることで、半導体装置に生じる内部応力を、吸収又は緩和しやすくすることができ、信頼性の向上を図ることができる。第１の樹脂３０における接着時の流動性は、第２の樹脂４０における接着時の流動性よりも低くてもよい。すなわち、半導体チップ１０の角部１６に適切な量の第１の樹脂３０が流れ込まないときに、流動性の高い第２の樹脂４０を使用すると効果的である。
【００２７】
第２の樹脂４０を硬化させた後に、基板２０の配線パターン２２に電気的に接続する複数の外部端子５０を設けてもよい。外部端子５０は、導電性を有する金属（例えばろう材）で形成され、例えば球状をなすハンダボールであってもよい。
【００２８】
本実施の形態に係る半導体装置の製造方法は、上述のように構成されており、その効果はすでに説明した通りである。
【００２９】
半導体装置１は、半導体チップ１０と、基板２０と、第１の樹脂（異方性導電接着剤）３０と、第２の樹脂（絶縁性接着剤）４０と、を含む。半導体チップ１０は、第１の樹脂３０を介して、基板２０にフェースダウンボンディングされている。第２の樹脂４０は、半導体チップ１０の裏面１８の少なくとも一部が露出するように、半導体チップ１０の角部（図５では角部１６）を覆うように設けられている。半導体チップ１０の角部１６、第１及び第２の樹脂３０，４０については、上述の製造方法で説明した通りである。
【００３０】
図４及び図５に示すように、第２の樹脂４０は、第１の樹脂３０上に、第１の樹脂３０の硬化反応を終えた後に設けられたものであってもよい。こうして製造された半導体装置は、第１及び第２の樹脂３０，４０の各層が分離している。これによれば、第１及び第２の樹脂３０，４０が混合しない又は混合する量が少ないので、第２の樹脂４０（絶縁性接着剤）が半導体チップ１０の電極１２付近に流れ込むのを防止し、電極１２と配線パターン２２との電気的導通が図れなくなることを防止することができる。なお、その他の事項及び効果は、上述の半導体装置において説明した内容から導くことができるので省略する。
【００３１】
図６には、本発明の実施の形態に係る半導体装置１が実装された回路基板１０００が示されている。本発明の実施の形態に係る半導体装置を有する電子機器として、図７にはノート型パーソナルコンピュータ２０００が示され、図８には携帯電話３０００が示されている。
【００３２】
本発明は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば、本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成（例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるいは目的及び結果が同一の構成）を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は、本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を示す図である。
【図２】図２は、本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を示す図である。
【図３】図３は、本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を示す図である。
【図４】図４は、本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を示す図である。
【図５】図５は、図４のＶ−Ｖ線断面図である。
【図６】図６は、本発明の実施の形態に係る回路基板を示す図である。
【図７】図７は、本発明の実施の形態に係る電子機器を示す図である。
【図８】図８は、本発明の実施の形態に係る電子機器を示す図である。
【符号の説明】
１０…半導体チップ  １２…電極  １４…表面  １６…角部  １７…側面
１８…裏面  ２０…基板  ２２…配線パターン  ３０…第１の樹脂
３２…導電粒子  ４０…第２の樹脂
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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