(57)【要約】【課題】スプロケットホールを基準とせずに、リール状テープの配線体を精密に積層することのできる半導体装置用テープキャリアの積層方法を得る。【解決手段】リール状絶縁テープ基材５の幅方向中央に長手方向に続く折り曲げ線５１を形成し、これを中心にしてテープの幅方向両側に第一配線体１Ａと第二配線体１Ｂを配設し、この第一配線体１Ａ及び第二配線体１Ｂは、絶縁テープ基材５の両面に配線６ａ、６ｂ又は６ｃ、６ｄを有し、その両配線６ａ〜６ｄが絶縁テープ基材５を貫く導電性の貫通穴８、９より導通させられた構造とし、上記折り曲げ線５１を中心にしてテープを折り曲げることにより第一配線体１Ａと第二配線体１Ｂを重ね合わせる。【選択図】　　　図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
リール状絶縁テープ基材の幅方向中央に長手方向に続く折り曲げ線を形成し、上記折り曲げ線を中心にして前記テープ基材の幅方向両側に第一配線体と第二配線体を配設し、
この第一配線体及び第二配線体は、絶縁テープ基材の両面に配線を有し、その両配線が絶縁テープ基材を貫く導電性の貫通穴より導通させられた構造とし、
上記折り曲げ線を中心にして前記テープ基材を折り曲げることにより第一配線体と第二配線体を重ね合わせることを特徴とする半導体装置用テープキャリアの積層方法。
【請求項２】
リール状絶縁テープ基材の幅方向中央に長手方向に続く折り曲げ線を形成し、上記折り曲げ線を中心にして前記テープ基材の幅方向両側に第一配線体と第二配線体を配設し、この第一配線体及び第二配線体は、絶縁テープ基材の片面に配線を有する構造とし、
上記折り曲げ線を中心にして前記テープ基材を上記配線が内側となるようにして折り曲げることにより第一配線体と第二配線体を重ね合わせ、
折り曲げた前記テープ基材の外側面に配線を形成し、
折り曲げた前記テープ基材の内側面及び外側面に存する配線間を、絶縁テープ基材を貫く導電性の貫通穴より導通させることを特徴とする半導体装置用テープキャリアの積層方法。
【請求項３】
請求項１又は２記載の半導体装置用テープキャリアの積層方法において、
上記折り曲げ線を連続した多数の穴又はスリットにより形成しておくことを特徴とする半導体装置用テープキャリアの積層方法。
【請求項４】
請求項１、２又は３記載の半導体装置用テープキャリアの積層方法において、上記折り曲げを、前記テープ基材をラミネートロールに通して連続的に行うことを特徴とする半導体装置用テープキャリアの積層方法。
【請求項５】
請求項１、２又は３記載の半導体装置用テープキャリアの積層方法において、上記折り曲げに先立ち、第一配線体と第二配線体の重ね合わせる面の一方に積層用接着材をラミネートすることを特徴とする半導体装置用テープキャリアの積層方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は４層配線ＴＡＢ（Ｔａｐｅ　Ａｕｔｏｍａｔｅｄ　Ｂｏｎｄｉｎｇ）テープ等を構成する半導体装置用テープキャリアの積層方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、携帯電話やＰＤＡに代表される小型携帯機器を始め、小スペースに高効率に半導体チップや抵抗やコンデンサ等の部品を実装する方式としては、各部品接続用配線を設けたガラスエポキシ基板の両面に上記部品を設ける両面実装が最も一般的であった。その後、更なる省スペース化を目的として、より薄く、且つ高密度配線が可能なＴＡＢテープを採用した携帯機器が登場してきている。
【０００３】
このＴＡＢテープにおいては、ポリイミドテープをベース材としてその片面に配線パターンを形成した１メタル（１層配線）ＴＡＢテープが一般的であるが、半導体チップの高周波化に伴い伝送速度の早い回路の必要性が高まってきていることから、信号層の他にグランド層を持つ２層配線又は３層配線のＴＡＢテープが実用化されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、最近になって、さらに集積度の向上および高周波対応が進み、半導体チップを最表面層に設け、且つその他の配線層に高周波デバイスからの発信されるノイズ対策として、信号層をグラウンド層で挟み込むストリップ構造を採用する必要性が強くでてきている。この要請に対し、従来の２メタル（２層配線）ＴＡＢテープ等では対応することができず、２メタルＴＡＢテープから成る２つの基板を積層して４層配線以上の積層構造とする必要がある。
【０００５】
しかしながら、従来の積層方法では、２メタルＴＡＢテープから成る２つの基板について、その４層配線部分を精密に位置合わせすることが困難である。すなわち、ＴＡＢテープはプロセス上、リール上で製作するが、幅方向両端にスプロケットホールを設け、これを位置の基準としている。そのスプロケットホールに累積ピッチのズレやバラツキがあり（１００ｍｍに付き２０ミクロン程度）、通常のロールラミネーションでは、スプロケットホールを基準とする精密な積層が困難となる。
【０００６】
詳述するに、ＴＡＢテープへのスプロケットホールはプレス加工により形成する。その形成方法は、テープを一定長さ送り、その後プレスし、その工程を繰り返してスプロケットホールを形成する。ところが、テープ送り量が必ずしも一定ではない。実際には、ＴＡＢテープの長さが短ければ問題は生じないが、長さが数１０ｍにもなると、別々の二本のテープの長さ送り誤差が、無視できないほどの長さの違いとなって生じてしまうことになる。このため、通常のロールラミネーションでは、スプロケットホールを基準として精密な積層をすることが困難となる。
【０００７】
そこで、本発明の目的は、上記課題を解決し、スプロケットホールを基準とせずに、リール状テープの配線体を精密に積層することのできる半導体装置用テープキャリアの積層方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明は、次のように構成したものである。
【０００９】
請求項１の発明に係る半導体装置用テープキャリアの積層方法は、リール状絶縁テープ基材の幅方向中央に長手方向に続く折り曲げ線を形成し、上記折り曲げ線を中心にして前記テープ基材の幅方向両側に第一配線体と第二配線体を配設し、この第一配線体及び第二配線体は、絶縁テープ基材の両面に配線を有し、その両配線が絶縁テープ基材を貫く導電性の貫通穴より導通させられた構造とし、上記折り曲げ線を中心にして前記テープ基材を折り曲げることにより第一配線体と第二配線体を重ね合わせることを特徴とする。
【００１０】
これは、得ようとする配線層が４層の積層構造である場合に、その配線層のうちの第一層目と第二層目を有する第一配線体と、第三層目と第四層目を有する第二配線体とを、折り曲げにより重ね合わせる形態を特定したものである。この発明において、折り曲げ線の形成する工程と第一配線体及び第二配線体を所定位置に形成（配設）する工程の先後は問題でなく、いずれを先に行っても良い。
【００１１】
請求項２の発明に係る半導体装置用テープキャリアの積層方法は、リール状絶縁テープ基材の幅方向中央に長手方向に続く折り曲げ線を形成し、上記折り曲げ線を中心にして前記テープ基材の幅方向両側に第一配線体と第二配線体を配設し、この第一配線体及び第二配線体は、絶縁テープ基材の片面に配線を有する構造とし、上記折り曲げ線を中心にして前記テープ基材を上記配線が内側となるようにして折り曲げることにより第一配線体と第二配線体を重ね合わせ、折り曲げた前記テープ基材の外側面に配線を形成し、折り曲げた前記テープ基材の内側面及び外側面に存する配線間を、絶縁テープ基材を貫く導電性の貫通穴より導通させることを特徴とする。
【００１２】
これは、得ようとする配線層が４層の積層構造である場合に、その配線層のうちの第二層目を有する第一配線体と、第三層目を有する第二配線体とを折り曲げて重ね合わせ、その後に第一層目と第四層目を設ける形態を特定したものである。この発明においても、折り曲げ線の形成する工程と第一配線体及び第二配線体を所定位置に形成（配設）する工程の先後は問題でなく、いずれを先に行っても良い。
【００１３】
請求項３の発明は、請求項１又は２記載の半導体装置用テープキャリアの積層方法において、上記折り曲げ線を連続した多数の穴又はスリットにより形成しておくことを特徴とする。
【００１４】
請求項４の発明は、請求項１、２又は３記載の半導体装置用テープキャリアの積層方法において、上記折り曲げを、前記テープ基材をラミネートロールに通して連続的に行うことを特徴とする。
【００１５】
請求項５の発明は、請求項１、２又は３記載の半導体装置用テープキャリアの積層方法において、上記折り曲げに先立ち、第一配線体と第二配線体の重ね合わせる面の一方に積層用接着材をラミネートすることを特徴とする。
【００１６】
＜発明の要点＞
本発明の要点は、絶縁テープ基材両面に配線を設け、且つその配線を、絶縁テープ基材中に設けた貫通穴または非貫通穴への銅めっきまたは導電性材料の充填にて導通させたリール状半導体装置用テープ、いわゆる２メタルＴＡＢテープの積層構造において、その積層する配線パターン（配線層）を同一テープ上に設け、且つテープ長手方向と垂直に並べた回路（配線）同士を重ねることにより、スプロケットホールの累積ピッチばらつきがあっても、リール状配線テープの高い位置精度の積層を実現するようにしたことにある。
【００１７】
これにより、絶縁テープ基材の表裏に形成される配線のうち、一方がシグナル層（信号層）で、他方がグランド層であるという構造同士を、容易に位置合わせして、４層の配線層構造とすることができる。
【００１８】
本発明においては、上記半導体装置用テープの積層する回路間に穴やスリットを設けることにより、積層ラミネートの位置精度や作業性を向上することができる。
【００１９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を図示の実施形態に基づいて説明する。
【００２０】
図２に本実施形態における積層方法により作成しようとする半導体装置用多層ＴＡＢテープの概略構造を示す。
【００２１】
この半導体装置用テープキャリアは、絶縁テープ基材（配線層間絶縁材）５Ａの両面に所定の配線パターンを持つ配線６ａ、６ｂ（配線層）を設けた２メタルＴＡＢテープから成る第一配線体１Ａと、そして同じく絶縁テープ基材（配線層間絶縁材）５Ｂの両面に所定の配線パターンを持つ配線６ｃ、６ｄを設けた２メタルＴＡＢテープから成る第二配線体１Ｂとを、２メタルＴＡＢ積層用接着材７により貼り合わせた構造を有する。
【００２２】
第一配線体１Ａは、その表裏の配線６ａと配線６ｂの一部が、絶縁テープ基材５Ａの部分のみを貫く非貫通穴（非貫通導通ビア８ａ）により導通されており、一方の配線６ａがシグナル層として機能し、他方の配線６ｂがそのグラウンド層として機能するようになっている。
【００２３】
また、第二配線体１Ｂも同様に、その表裏の配線６ｃと配線６ｄの一部が、絶縁テープ基材５Ｂの部分のみを貫く非貫通穴（非貫通導通ビア８ｂ）により導通されており、一方の配線６ｃがシグナル層として機能し、他方の配線６ｄがそのグラウンド層として機能するようになっている。
【００２４】
さらにまた、第一配線体１Ａと第二配線体１Ｂとは、その配線６ａ、６ｂの一部と配線６ｃ、６ｄの一部が、絶縁テープ基材５Ａ、５Ｂ及び積層用接着材７を共通に貫く導電性の付与された貫通穴（貫通導通ビア９）により導通されている。
【００２５】
これらの非貫通導通ビア８ａ、８ｂ及び貫通導通ビア９の導電化は、非貫通穴（ブラインドビア）または貫通穴（ビアホール）へ、銅めっきを施すことにより、または導電性材料を充填することによりなされる。
【００２６】
上記半導体装置用テープキャリアの積層方法は、図１に示すように、第一配線体１Ａと第二配線体１Ｂを、共通のリール状半導体装置用テープの絶縁テープ基材５（５Ａ、５Ｂ）上で、その幅方向中央を通る長手方向の折り曲げ線５１の両側に位置するように配設し、この折り曲げ線５１を中心にしてテープを折り曲げることにより、第一配線体１Ａと第二配線体１Ｂを重ね合わせ、配線層が４層である積層構造とするものである。
【００２７】
具体的には、図１に示すように、リール状絶縁テープ基材５の幅方向中央に長手方向に続く折り曲げ線５１を、連続した多数の穴又はスリット２により形成し、上記折り曲げ線５１を中心にしてテープの幅方向両側に第一配線体１Ａと第二配線体１Ｂを配設する。この第一配線体１Ａ及び第二配線体１Ｂは、絶縁テープ基材５の表裏両面に配線６ａ、６ｂ又は配線６ｃ、６ｄを有し、その両配線６ａ、６ｂ又は６ｃ、６ｄが、絶縁テープ基材５（５Ａ、５Ｂ又はその双方）を貫く導電性の貫通穴（非貫通導通ビア８ａ、８ｂ又は貫通導通ビア９）より導通させられた構造とする。そして、これを一対のラミネートロール１０に通し、上記折り曲げ線５１を中心にしてテープを折り曲げることにより、第一配線体１Ａと第二配線体１Ｂを重ね合わせる。
【００２８】
図３及び図４に従って、上記２メタルＴＡＢテープの積層プロセス例を説明する。
【００２９】
（１）まず図３（ａ）に示すように、７０ｍｍ幅ＴＡＢテープの幅方向の中心を境に、その両側の領域に上記第一配線体１Ａと第二配線体１Ｂを配設する。すなわち、テープの幅方向（左右方向）に見た一方の片側領域には、絶縁テープ基材５の両面に配線６ａ、６ｂを形成して第一配線体１Ａを構成し、また他方の片側領域には、同じく絶縁テープ基材５の両面に配線６ｃ、６ｄを形成して、第二配線体１Ｂを構成する。そしてテープ幅方向の中心部には、テープの長手方向に直線的に、長さ２０ｍｍのスリット２を、間隔０．５ｍｍで連続的に設ける。パーフォレーション５２は、このスリット２から成る折り曲げ線５１の左側半分の帯領域の両側と、右側半分の帯領域の両側とに形成する。すなわち、パーフォレーション５２は、折り曲げ線５１に隣接する二本と、絶縁テープ基材５の両側の二本とを形成する。
【００３０】
この例の場合、絶縁テープ基材５には、通常の２メタルＴＡＢテープで使用されているようなポリイミド樹脂系フィルムであって、厚さ５０μｍ以下（ここでは２５μｍ）のものを用いている。後述する折り曲げ工程により積層される配線層は、第二層目のグラウンド層（配線６ｂ）と、第三層目のシグナル層（配線６ｃ）である。
【００３１】
（２）次に、図３（ｂ）に示すように、第二層目のグラウンド層（配線６ｂ）と、第三層目のシグナル層（配線６ｃ）の配線間（非配線領域）に、エポキシ系の絶縁性樹脂から成る配線間絶縁材４を印刷により充填し平坦化処理を行う。このエポキシ系の絶縁性樹脂としてはシリカを混合したものでも良い。
【００３２】
（３）次に、図４（ｃ）に示すように、第二層目のグラウンド層（配線６ｂ）に２メタルＴＡＢ積層用接着材７（接着材シート）をラミネートする。ここでの接着剤の材料としては、ＧａＡｓ等の高周波デバイス用チップが３００℃以上の高温で実装されるため、これに耐え得る高耐熱性接着性接着剤が必要であり、ここでは分解温度３００℃以上のイミド系接着材を使用した。
【００３３】
（４）次に、図４（ｄ）に示すように、上記テープを矢印方向に回転する一対のラミネートロール１０に通すことにより、上記スリット２から成る折り曲げ線５１を中心にしてテープを折り曲げ、これにより、第一配線体１Ａと第二配線体１Ｂを重ね合わせる。すなわちロールラミネーションにより第二層目のグラウンド層（配線６ｂ）と、第三層目のシグナル層（配線６ｃ）を積層用接着材７にて貼り合わせ、配線層を４層構造とした積層後のＴＡＢテープ１１を得る。
【００３４】
上記の方法により積層することにより、２メタルＴＡＢテープは先に設けたテープ中心に設けたスリット２を基点に折れ、ラミネートロール１０にて挟まれながら貼り合わせられる。４層の配線層は、同一パーフォレーション５２を基準にして形成された配線パターンであるため、スリット２を境に折られた配線は位置ズレなく積層される。
【００３５】
＜他の実施形態＞
上記実施形態では、４層の配線層のうちの第一層目と第二層目を有する第一配線体と、第三層目と第四層目を有する第二配線体とを、折り曲げにより重ね合わせる形態としたが、第一層目と第四層目の配線層の形成は、４層積層後に行ってもよい。すなわち、リール状絶縁テープ基材５の幅方向中央に長手方向に続く折り曲げ線５１を形成し、上記折り曲げ線５１を中心にしてテープの幅方向両側に第一配線体１Ａと第二配線体１Ｂを配設し、この第一配線体１Ａ及び第二配線体１Ｂは、絶縁テープ基材５の片面に配線６ｂ又は６ｃを有する構造とし、上記折り曲げ線５１を中心にしてテープを上記配線配線６ｂと６ｃが内側となるようにして折り曲げることにより第一配線体１Ａと第二配線体１Ｂを重ね合わせ、次いで折り曲げたテープの外側面に配線６ａ又は６ｄを形成し、折り曲げたテープの内側面及び外側面に存する配線６ａと６ｂ、６ｃと６ｄ又は６ａと６ｄ間を、絶縁テープ基材５を貫く導電性の貫通穴（非貫通導通ビア８ａ、８ｂ又は貫通導通ビア９）より導通させる形態とすることができる。
【００３６】
また、上記実施形態では、同一ＴＡＢテープに４層分の配線（６ａ〜６ｄ）を設けたが、同一ＴＡＢテープに６層分の配線を設けて積層することも可能である。その場合は、テープ中心を第三層目と第四層目の間とし、当該テープ中心に設けた積層用スリットを挟んで、第三層目の側方に第一層目、第二層目を、そして第四層目の側方に第五層目、第六層目を設ける。
【００３７】
【発明の効果】
以上説明したように本発明によれば、次のような優れた効果が得られる。
【００３８】
請求項１に記載の発明によれば、リール状絶縁テープ基材の幅方向中央に長手方向に続く折り曲げ線を形成し、上記折り曲げ線を中心にしてテープの幅方向両側に第一配線体と第二配線体を配設し、この第一配線体及び第二配線体は、絶縁テープ基材の両面に配線を有し、その両配線が絶縁テープ基材を貫く導電性の貫通穴より導通させられた構造とし、上記折り曲げ線を中心にしてテープを折り曲げることにより第一配線体と第二配線体を重ね合わせる。
【００３９】
また請求項２に記載の発明によれば、リール状絶縁テープ基材の幅方向中央に長手方向に続く折り曲げ線を形成し、上記折り曲げ線を中心にしてテープの幅方向両側に第一配線体と第二配線体を配設し、この第一配線体及び第二配線体は、絶縁テープ基材の片面に配線を有する構造とし、上記折り曲げ線を中心にしてテープを上記配線が内側となるようにして折り曲げることにより第一配線体と第二配線体を重ね合わせ、折り曲げたテープの外側面に配線を形成し、折り曲げたテープの内側面及び外側面に存する配線間を、絶縁テープ基材を貫く導電性の貫通穴より導通させる。
【００４０】
従って、本発明によれば配線層が４層以上であるＴＡＢテープの積層を位置ずれなく行うことができる。すなわち、配線層が４層である場合、４層の配線層は、同一パーフォレーションを基準にして形成された配線パターンであるため、スリット等の折り曲げ線を境に折られた配線は位置ズレなく積層される。
【００４１】
よって、本発明により、配線層が４層以上である多層ＴＡＢテープ、例えば信号層をグラウンド層で挟み込んだストリップ構造のＴＡＢテープを容易に製造することが可能となり、より高密度で高周波対応が可能な半導体装置を実現することができる。
【００４２】
また特に折り曲げを、テープをラミネートロールに通して連続的に行うことにより、効率良く半導体装置用テープキャリアを生産することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の半導体装置用テープキャリアの積層方法における折り曲げ工程を示した図である。
【図２】本発明の積層方法で得ようとする半導体装置用多層ＴＡＢテープの構成を示した断面略図である。
【図３】本発明の半導体装置用テープキャリアの積層方法の前半を示した図である。
【図４】本発明の半導体装置用テープキャリアの積層方法の後半を示した図である。
【符号の説明】
１Ａ　第一配線体
１Ｂ　第二配線体
２　スリット
４　配線間絶縁材
５、５Ａ、５Ｂ　絶縁テープ基材
６ａ　配線（第一層目の配線層）
６ｂ　配線（第二層目の配線層）
６ｃ　配線（第三層目の配線層）
６ｄ　配線（第四層目の配線層）
７　接着材
８ａ、８ｂ　非貫通導通ビア
９　貫通導通ビア
１０　ラミネートロール
１１　積層後のＴＡＢテープ
５１　折り曲げ線
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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