(57)【要約】【課題】  従来の方法に比べて精密な曲面を得ることができ、大きい開口数と低い収差等、光学的性能が優秀なマイクロレンズを製造することができる。【解決手段】  イ)基板の一面にフォトリソグラフィ法によって低い円柱状のフォトレジストマスクを形成する段階と、ロ)前記マスクをリフローさせてマイクロレンズに対応する形状に形成する段階と、ハ)プラズマエッチングにより前記マスクの形状を基板の表面に転写してマイクロレンズを基板上に形成する段階と、ニ)前記マイクロレンズの表面上にマイクロレンズの曲面を補償する表面形状を有するフォトレジストを形成する段階と、ホ)前記フォトレジストをプラズマエッチングして前記フォトレジストの曲面形状を前記マイクロレンズの表面に転写する段階とを含む方法。【選択図】      図２Ａ
2004226962.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
イ)基板の一面にフォトリソグラフィ法によって円柱状のフォトレジストマスクを形成する段階と、
ロ)前記フォトレジストマスクを加熱によりリフローさせてマイクロレンズに対応する形状に形成する段階と、
ハ)プラズマエッチングにより前記フォトレジストマスクの形状を前記基板の表面に転写してマイクロレンズを前記基板上に形成する段階と、
ニ)前記マイクロレンズの表面上にマイクロレンズの曲面を補償する表面形状を有するフォトレジストを形成する段階と、
ホ)前記フォトレジストをプラズマエッチングして前記フォトレジストの曲面形状を前記マイクロレンズの表面に転写する段階と
を含むことを特徴とするマイクロレンズの製造方法。
【請求項２】
段階ニ)において、前記フォトレジストは、グレースケールフォトマスクを用いるフォトリソグラフィ法により形成されることを特徴とする請求項１に記載のマイクロレンズの製造方法。
【請求項３】
段階ニ)において、前記フォトレジストは、電子ビーム及びレーザビームの中のいずれか一つによる直接描画法により露光された後でパターニングされることを特徴とする請求項１に記載のマイクロレンズの製造方法。
【請求項４】
イ)基板の一面にフォトリソグラフィ法によって円柱状のフォトレジストマスクを形成する段階と、
ロ)前記マスクを加熱によりリフローさせてマイクロレンズに対応する形状に形成する段階と、
ハ)前記フォトレジストマスクの曲面形状を補償するため前記フォトレジストマスクを所定のパターンに露光した後、そのフォトレジストマスクを現像する段階と、
ニ)前記フォトレジストマスクのプラズマエッチングにより曲面形状が補償された前記フォトレジストマスクの形状を前記基板の表面に転写して前記フォトレジストマスクに対応する形状のマイクロレンズを前記基板上に形成する段階と
を含むことを特徴とするマイクロレンズの製造方法。
【請求項５】
前記段階ハ)において、前記フォトレジストマスクは、グレースケールフォトマスクを用いて露光した後でパターニングすることを特徴とする請求項４に記載のマイクロレンズの製造方法。
【請求項６】
前記段階ハ)において、前記フォトレジストマスクは、電子ビーム及びレーザビームの中のいずれか一つによる直接描画法により露光した後でパターニングすることを特徴とする請求項４に記載のマイクロレンズの製造方法。
【請求項７】
イ)基板の一面にフォトリソグラフィ法によって円柱状のフォトレジストマスクを形成する段階と、
ロ)前記フォトレジストマスクを加熱によりリフローさせてマイクロレンズに対応する形状に形成する段階と、
ハ)プラズマエッチングにより前記フォトレジストマスクの形状を前記基板の表面に転写してマイクロレンズを前記基板上に形成する段階と、
ニ)前記基板の他面にフォトレジストを塗布する段階と、
ホ)前記マイクロレンズの曲面を補償するパターンを有するように前記フォトレジストをパターニングする段階と、
ヘ)プラズマエッチングにより前記フォトレジストの形状を前記基板の他面に転写する段階と
を含むことを特徴とするマイクロレンズの製造方法。
【請求項８】
前記段階ホ)において、前記フォトレジストは、グレースケールフォトマスクを用いたフォトリソグラフィ法により形成されることを特徴とする請求項７に記載のマイクロレンズの製造方法。
【請求項９】
前記段階ホ)において、前記フォトレジストは、電子ビーム及びレーザビームの中のいずれか一つによる直接描画法により露光された後でパターニングされることを特徴とする請求項７に記載のマイクロレンズの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はマイクロレンズの製造方法に係り、特にフォトレジストマスク形状の転写によるマイクロレンズの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
マイクロレンズは、ディスプレイ（例えば液晶表示装置）、映像装置、光通信システム等の多様な分野で光の集束および平行光束化のため、さらには光ファイバ内部の光学的接続のために使用されている。また、マイクロレンズは、ＣＤ、ＤＶＤ等の光ディスクドライブにおいて、データの記録または読み取りに用いられる光ピックアップの対物レンズまたはコリメータレンズとして利用される可能性がある。マイクロレンズアレイは、複数のピックアップによって複数のトラック上のデータを同時に書き込みまたは読み取り可能な平行光ヘッドの対物レンズアレイとして利用することができる。
【０００３】
図１Ａ乃至図１Ｄは従来のマイクロレンズの製造方法を示す断面図である。
先ず、図１Ａに示すように、シリコン、ガラス、溶融シリカ、石英等からなる基板１上にフォトレジスト２をコーティングする。
【０００４】
図１Ｂに示すように、前記フォトレジスト２をフォトリソグラフィによりパターニングして低い円柱状のフォトレジストマスク２ａを形成する。次に、パターニングされたマスク２ａをガラス転移温度以上、例えば約１５０℃の温度で加熱する処理であるリフロー処理が行われる。このリフロー処理によって、パターニングされたフォトレジストマスク２ａは溶融して、表面張力の作用によりドーム状のフォトレジストマスク２ｂが形成される。その後、図１Ｃに示すように、前記のようにドーム状に形成されたフォトレジストマスク２ｂをマスクとして利用して、真空チャンバ内で、所定の条件下、反応性イオンエッチング等のプラズマエッチングによってフォトレジストマスク２ｂと基板１とをドライエッチングする。そして、フォトレジストマスク２ｂのドーム形状が、基板１に転写される。その結果、図１Ｄに示すように、球面状の屈折曲面を有するマイクロレンズ１ａのアレイが、基板１上に形成される。
【０００５】
こうした従来方法によると、低い円柱状のフォトレジストマスク２ａが、リフロー処理によってドーム状のフォトレジストマスク２ｂに変えられる。すなわち、フォトレジストマスク２ｂは、非球面状ではなく球面状の形態を有する。従って、この球面状のフォトレジストマスク２ｂの形態が、エッチングによってそのまま基板に転写されるので球面レンズが得られる。こうした球面レンズにより光が集束される時、レンズの各部位で屈折された光が光軸上で一つの点に集まらない、いわゆる球面収差が生ずる。こうした球面レンズは、光ピックアップの対物レンズのように球面収差を防止する必要がある精密光学素子として使用し難い。
【０００６】
特許文献１はプラズマエッチングを用いて非球面レンズを形成する方法を開示する。この方法において、リフローにより形成されたマスクのドーム形状を前述の方法により基板に転写させる時、エッチングガスとして使用される各ガスの相対的混合比をエッチング中に次第に変化させることによりマスクと基板材料のエッチング速度の比率を連続的に変化させて非球面レンズが形成される。しかし、エッチング中にエッチング深さに伴ってマスクと基板材料の表面積の比率は連続的に変化する。さらに、マスクと基板物質(例えば、SiO2)はエッチング時に反応物質及び生成物質が相異なるため、エッチング途中の化学反応は非常に複雑であり、時間により連続的に変化する。従って、エッチング工程中にエッチングガスの種類及び混合比率を変化させて設計した通りの非球面形状を得ることは極めて難しい。
【０００７】
特許文献２は、非球面マイクロレンズアレイの製作方法を提案する。この方法では、光電子回路を有するＩＣ基板上にマイクロレンズアレイを集積化するために、平坦化処理されたアクリルポリマー層を有する基板上にフォトレジストを塗布した後、グレースケールフォトリソグラフィによりフォトレジストをパターニングする。その後、フォトレジストの形状をドライエッチングで基板に転写することによりマイクロレンズアレイを得る。しかし、この方法ではフォトレジストの厚さが１〜３μｍ程度と極めて薄く、得られるマイクロレンズの高さが数μｍ程度に過ぎないので、直径が大きいか、或いは開口数(ＮＡ：Ｎｕｍｅｒｉｃａｌ  Ａｐｅｒｔｕｒｅ)が大きいマイクロレンズを得ることは極めて難しい。又、この方法は、フォトレジストのリフローを適用せずにグレースケールフォトマスクを用いた紫外線露光にのみ依存するため、レンズ高さが高いマイクロレンズを製作する場合、マイクロレンズの曲面の表面粗度が非常に大きくなり、又マイクロレンズ曲面の精度はグレースケールフォトマスクの製作精度に全的に依存するため、得られる精度に限界があり、収差の低いマイクロレンズを得ることができない。
【特許文献１】米国特許第５，２８６，３３８号明細書
【特許文献２】米国特許第６，３０１，０５１号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明の目的は、従来のマイクロレンズアレイ製作方法に比べて精密な曲面を得ることができ、大きな開口数（ＮＡ）と低い収差等、光学的性能が優秀なマイクロレンズを製造する方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
前記目的を達成するために本発明の第１類型による製造方法は、イ)基板の一面にフォトリソグラフィ法によって円柱状のフォトレジストマスクを形成する段階と、ロ)前記フォトレジストマスクを加熱によりリフローさせてマイクロレンズに対応する形状に形成する段階と、ハ)プラズマエッチングにより前記フォトレジストマスクの形状を前記基板の表面に転写してマイクロレンズを前記基板上に形成する段階と、ニ)前記マイクロレンズの表面上にマイクロレンズの曲面を補償する表面形状を有するフォトレジストを形成する段階と、ホ)前記フォトレジストをプラズマエッチングして前記フォトレジストの曲面形状を前記マイクロレンズの表面に転写する段階とを含む。
【００１０】
本発明の前記第１類型の段階ニ)において、前記フォトレジストは、グレースケールフォトマスクを用いるフォトリソグラフィ法又は電子ビーム及びレーザビームの中のいずれか一つによる直接描画法により露光してパターニングするのが望ましい。
【００１１】
前記目的を達成するために本発明の第２類型による製造方法は、イ)基板の一面にフォトリソグラフィ法によって円柱状のフォトレジストマスクを形成する段階と、ロ)前記マスクを加熱によりリフローさせてマイクロレンズに対応する形状に形成する段階と、ハ)前記フォトレジストマスクの曲面形状を補償するため前記フォトレジストマスクを所定のパターンに露光した後、そのフォトレジストマスクを現像する段階と、ニ)前記フォトレジストマスクのプラズマエッチングにより曲面形状が補償された前記フォトレジストマスクの形状を前記基板の表面に転写して前記フォトレジストマスクに対応する形状のマイクロレンズを前記基板上に形成する段階とを含む。
【００１２】
前記本発明の第２類型の方法の前記段階ハ)において、前記フォトレジストマスクは、グレースケールフォトマスクを用いて露光した後でパターニングするか、或いは前記フォトレジストマスクを電子ビーム及びレーザビームの中のいずれか一つによる直接描画法により露光してパターニングすることが望ましい。
【００１３】
前記目的を達成するために本発明の第３類型による製造方法は、イ)基板の一面にフォトリソグラフィ法によって円柱状のフォトレジストマスクを形成する段階と、ロ)前記フォトレジストマスクを加熱によりリフローさせてマイクロレンズに対応する形状に形成する段階と、ハ)プラズマエッチングにより前記フォトレジストマスクの形状を前記基板の表面に転写してマイクロレンズを前記基板上に形成する段階と、ニ)前記基板の他面にフォトレジストを塗布する段階と、ホ)前記マイクロレンズの曲面を補償するパターンを有するように前記フォトレジストをパターニングする段階と、ヘ)プラズマエッチングにより前記フォトレジスト形状を前記基板の他面に転写する段階とを含む。
【００１４】
前記本発明の第３類型の方法の段階ホ)において、前記フォトレジストは、グレースケールフォトマスクを用いたフォトリソグラフィ又は電子ビーム及びレーザビームの中のいずれか一つによる直接描画法により露光した後でパターニングするのが望ましい。
【発明の効果】
【００１５】
本発明のマイクロレンズの製造方法は、フォトレジストにリフロー処理及びプラズマエッチングを施して球面レンズを製作し、製作された球面レンズの形状を測定し、設計された形状との誤差を算出してその誤差を補正する方法である。誤差の補正はレンズ高さに該当するフォトレジストの厚さ程ではなく、非常に薄いフォトレジストに修正された形状を付与することにより成される。即ち、球面レンズ製作工程によりマイクロレンズの形状を大体に作った後、非球面誤差を微細に調整する。本発明の方法で得られるマイクロレンズの曲面精度は従来の方法より高くなる利点がある。本発明に係るマイクロレンズの製造方法の長所は次の通りである。
【００１６】
(i)従来のマイクロレンズアレイの製造方法に若干の工程を追加することにより曲面精度が高いマイクロレンズアレイを製造できる。
(ii)形状補正用のグレースケールフォトマスクが精密に製作されるか、或いはx−y座標軸の位置による電子ビームやレーザビームの照射強度を精密に制御できれば、その他の工程変数は固定することができるため、製造工程が比較的簡単である。
(iii)単面が非球面、両面が非球面、屈折面に回折パターンが形成されている場合等、全ての種類のマイクロレンズ表面に対して補償プロファイルの適用が可能である。
(iv)従来のグレースケールフォトマスクを適用した球面レンズ又は非球面レンズの製造方法に比べて、高い曲面精度及び良好な表面粗度を得ることができ、結果的に大きい開口数と低い収差とを有するマイクロレンズの製造が可能である。
(v)本発明の製造方法は、一旦、レンズの原型が製作されれば、マスタモ−ルドを製作して成形で大量複製が可能なので量産工程に適している。
【００１７】
以下、幾つかの好ましい実施形態が添付された図面と共に説明されて示されるが、当業界で当業者によって多様な他の修正が可能であり、そうした実施形態は単に広い発明を制限しない例示であり、本発明は図示されて説明された特定した構造及び配置により制限されない点が理解されなければならない。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、添付した図面を参照して本発明の望ましい実施形態を詳細に説明する。
［第１の実施形態］
図２Ａに示されるように、シリコン、ガラス、溶融シリカ、石英等の基板１０上にフォトレジスト２０を塗布する。
【００１９】
図２Ｂに示されるように、前記フォトレジスト２０を一般的なフォトリソグラフィ法によりパターニングして、低い円柱状のフォトレジストマスク２１を形成する。パターニングされたフォトレジストマスク２１を、ガラス転移温度以上、例えば約１５０℃に加熱してリフローさせる。このリフロー過程で液相のフォトレジストマスク２１に表面張力及び重力等が作用することにより、図２Ｃに示されるように、フォトレジストマスク２１がドーム（または半球）形に形成される。このようにドーム状に形成されるフォトレジスト２１をエッチングマスクとして利用して、所定の条件でプラズマエッチングによりドライエッチングを行えば、フォトレジスト２１の半球状がそのままエッチングされた基板１０に転写されて、図２Ｄに示されるように、球面の屈折曲面を有するアレイ状態に配列された多数のマイクロレンズ１１が得られる。
【００２０】
図２Ｅに示されるように、基板１０上にフォトレジスト３０を所定厚さに塗布した後、グレースケールフォトマスク４０を用いて紫外線（ＵＶ）に前記フォトレジスト３０を露光する。前記グレースケールフォトマスク４０は、前記フォトレジスト３０を非球面形に形成するために、部位により異なる強度で紫外線を通過させるように適切に設計される。そのために先ず球面形レンズである前記マイクロレンズ１１の表面形状を測定して、設計された非球面レンズの形状と比較してｘ−ｙ座標軸の各点に対して前記フォトレジスト３０のエッチング深さの差を数値で表わす。次に、この数値で表わされたデータに従って、エッチングを付加することができるようにｘ−ｙ座標軸に対するエッチング深さの差異を補償できる前記グレースケールフォトマスク４０を製作する。この際に、グレースケールフォトマスク４０は、前記フォトレジスト３０のエッチング深さを補償することができるように、ｘ−ｙ座標軸の各点に対してグレーレベルが設定される。
【００２１】
図２Ｆに示されるように、プラズマエッチングによって前記基板１０とフォトレジスト３０とをエッチングし、フォトレジストの非球面状の表面を前記マイクロレンズ１１に転写させて、図２Ｇに示されるように、基板１０上に、非球面形マイクロレンズ１２を有する最終的な対物レンズアレイが形成される。
【００２２】
本実施形態においては、球面形フォトレジストマスク２１をエッチングマスクとして利用して、基板１０をエッチングして球面形フォトレジストマスク２１に対応する形態の球面マイクロレンズ１１を形成する。次に、この上に別のフォトレジスト３０を塗布した後、グレースケールフォトマスクを用いてフォトレジストを露光した後、基板１０およびフォトレジスト３０をエッチングして前記球面マイクロレンズ１１を非球面化する。
【００２３】
［第２の実施形態］
図３Ａに示されるように、シリコン、ガラス、溶融シリカ、石英等の基板１０上にフォトレジスト２０を塗布する。
【００２４】
図３Ｂに示されるように、前記フォトレジスト２０を一般的なフォトリソグラフィ法によりパターニングして低い円柱状のフォトレジストマスク２１を形成する。パターニングされたフォトレジストマスク２１をガラス転移温度以上、例えば約１５０℃に加熱して前記フォトレジストマスク２１をリフローさせる。このリフロー過程で液相のフォトレジストマスク２１に表面張力及び重力等が作用することにより、図３Ｃに示されるように、フォトレジストマスク２１がドーム（または半球）形に形成される。
【００２５】
図３Ｄに示されるように、グレースケールフォトマスク４０を用いて前記マスク２１を紫外線（ＵＶ）露光する。そのために先ず、球面形レンズに対応する形状を有するフォトレジストマスク２１の表面形状を測定して、設計された非球面レンズの形状と比較してｘ−ｙ座標軸の各点に対して前記フォトレジスト２１のエッチング深さの差を数値で表わす。次に、この数値で表わされたデータに従って、エッチングを付加できるようにｘ−ｙ座標軸に対するエッチング深さの差異を補償できる前記グレースケールフォトマスク４０を製作する。この際に、グレースケールフォトマスク４０は、前記フォトレジストマスク２１のエッチング深さを補償することができるようにｘ−ｙ座標軸の各点に対してグレ−レベルが設定される。
【００２６】
図３Ｄに示されるように、前記のようなグレースケールフォトマスク４０を用いて紫外線露光された前記フォトレジストマスク２１を現像して前記フォトレジストマスク２１が非球面の表面を有するようにする。
【００２７】
図３Ｅに示されるように、非球面状のフォトレジストマスク２１をマスクとして利用し、所定の条件でプラズマエッチングによりドライエッチングを行う。これによって、フォトレジストマスク２１の非球面状の形状がそのままエッチングされた基板１０に転写され、その結果、図３Ｆに示されるように、非球面状の屈折曲面を有するアレイ状態に配列された多数のマイクロレンズ１２が基板１０に形成される。
【００２８】
［第３の実施形態］
図４Ａに示されるように、シリコン、ガラス、溶融シリカ、石英等の基板１０上にフォトレジスト２０を塗布する。
【００２９】
図４Ｂに示されるように、前記フォトレジスト２０を一般的なフォトリソグラフィ法によりパターニングして低い円柱状のフォトレジストマスク２１を形成する。パターニングされたフォトレジストマスク２１をガラス転移温度以上、例えば約１５０℃に加熱して前記フォトレジストマスク２１をリフローさせる。このリフロー過程で液相のフォトレジストマスク２１に表面張力及び重力等が作用することにより、図４Ｃに示されたようにフォトレジストマスク２１がドーム（または半球）形に形成される。このドーム状に形成されたフォトレジストマスク２１をエッチングマスクとして利用し、所定の条件下、プラズマエッチングによりドライエッチングを行うことによって、フォトレジストマスク２１のドーム形状がそのままエッチングされた基板１０に転写され、球面の屈折曲面を有するアレイ状態に配列された多数のマイクロレンズ１１が得られる。
【００３０】
図４Ｃに示されるように、真空チャンバ内で反応性イオンエッチング等のプラズマエッチングによってマスク２１と基板１０とをエッチングして、図４Ｄに示されるようなアレイ形態に配列されたマイクロレンズ１１が基板１０上に形成される。
【００３１】
図４Ｅに示されるように、基板１０の背面上にフォトレジスト３０を所定厚さに塗布した後、グレースケールフォトマスク４０を用いて紫外線（ＵＶ）で前記フォトレジスト３０を露光する。前記グレースケールフォトマスク４０は、前記フォトレジスト３０を非球面形に形成するために、部位により異なる強度で紫外線を通過させるように適切に設計される。そのために先ず球面形レンズである前記マイクロレンズ１１の表面形状を測定して、前記マイクロレンズ１１による球面収差を補償できる非球面凹レンズ状に対応するパターンに前記フォトレジスト３０を露光できるように前記グレースケールフォトマスク４０を設計する。
【００３２】
図４Ｆに示されるように、プラズマエッチングに前記ガラス基板１０の底面のフォトレジスト３０をエッチングし、フォトレジスト３０の非球面状の凹面形状を前記基板１０の底面に転写させ、図３Ｇに示されるように、ガラス基板１０の底面に凹形補償レンズ部１２を形成して目的とするマイクロレンズアレイを完成する。
【００３３】
本発明の他の実施形態によると、球面マイクロレンズ又は球面状フォトレジストマスクの形状を補正するため、前記のようなグレースケールフォトマスクを用いたフォトリソグラフィの代わりに、電子ビームやレーザビームを用いて、局部的にビームの照射量を変化させることによりフォトレジストを所望の曲面状を有するように形成する直接描画法を適用できる。
【００３４】
又、グレースケールフォトマスクの製作時、レンズの屈折曲面と重畳して回折素子(フレネルレンズ、グレーティング等)を同時に形成できるようにグレ−レベルを局部的に変化させることが可能である。それは球面収差だけではなく、色収差まで補償できる対物レンズを提供する。又、直接描画法が適用される場合においても、こうした回折素子に対応するパターンをフォトレジスト上に形成することもできる。
【００３５】
又、マイクロレンズの表面形状の誤差補正のためのグレースケールフォトマスクを用いた第２次露光や電子ビームやレーザビームの照射後、第２のリフロー処理を行ってもよい。すなわち、基板をガラス転移温度付近又はそれ以上の適切な温度に加熱してフォトレジストを局部的に溶融させることにより、光学的な特性変化を起こすマクロな表面形状の変化なしにマイクロレンズの表面粗度を改善させることができる。
【産業上の利用可能性】
【００３６】
マイクロレンズのアレイは又将来に多数の光ピックアップにより多数のトラックに情報を同時に記録するか、記録された情報を同時に再生することができる、いわゆるパラレル光ヘッドの対物レンズアレイとして使用されうる可能性がある。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１Ａ】マイクロレンズアレイの従来の製造方法の一例を説明する図面である。
【図１Ｂ】マイクロレンズアレイの従来の製造方法の一例を説明する図面である。
【図１Ｃ】マイクロレンズアレイの従来の製造方法の一例を説明する図面である。
【図１Ｄ】マイクロレンズアレイの従来の製造方法の一例を説明する図面である。
【図２Ａ】本発明のマイクロレンズアレイの製造方法の第１実施例を示す工程図である。
【図２Ｂ】本発明のマイクロレンズアレイの製造方法の第１実施例を示す工程図である。
【図２Ｃ】本発明のマイクロレンズアレイの製造方法の第１実施例を示す工程図である。
【図２Ｄ】本発明のマイクロレンズアレイの製造方法の第１実施例を示す工程図である。
【図２Ｅ】本発明のマイクロレンズアレイの製造方法の第１実施例を示す工程図である。
【図２Ｆ】本発明のマイクロレンズアレイの製造方法の第１実施例を示す工程図である。
【図２Ｇ】本発明のマイクロレンズアレイの製造方法の第１の実施形態を示す工程図である。
【図３Ａ】本発明のマイクロレンズアレイの製造方法の第２の実施形態を示す工程図である。
【図３Ｂ】本発明のマイクロレンズアレイの製造方法の第２の実施形態を示す工程図である。
【図３Ｃ】本発明のマイクロレンズアレイの製造方法の第２の実施形態を示す工程図である。
【図３Ｄ】本発明のマイクロレンズアレイの製造方法の第２の実施形態を示す工程図である。
【図３Ｅ】本発明のマイクロレンズアレイの製造方法の第２の実施形態を示す工程図である。
【図３Ｆ】本発明のマイクロレンズアレイの製造方法の第２の実施形態を示す工程図である。
【図４Ａ】本発明のマイクロレンズアレイの製造方法の第３の実施形態を示す工程図である。
【図４Ｂ】本発明のマイクロレンズアレイの製造方法の第３の実施形態を示す工程図である。
【図４Ｃ】本発明のマイクロレンズアレイの製造方法の第３の実施形態を示す工程図である。
【図４Ｄ】本発明のマイクロレンズアレイの製造方法の第３の実施形態を示す工程図である。
【図４Ｅ】本発明のマイクロレンズアレイの製造方法の第３の実施形態を示す工程図である。
【図４Ｆ】本発明のマイクロレンズアレイの製造方法の第３の実施形態を示す工程図である。
【図４Ｇ】本発明のマイクロレンズアレイの製造方法の第３の実施形態を示す工程図である。
【符号の説明】
【００３８】
１０    基板
１１    マイクロレンズ
２０，３０    フォトレジスト
２１    フォトレジストマスク
４０    グレースケールフォトマスク
【図１Ａ】
2004226962.tif 000003
【図１Ｂ】
2004226962.tif 000004
【図１Ｃ】
2004226962.tif 000005
【図１Ｄ】
2004226962.tif 000006
【図２Ａ】
2004226962.tif 000007
【図２Ｂ】
2004226962.tif 000008
【図２Ｃ】
2004226962.tif 000009
【図２Ｄ】
2004226962.tif 000010
【図２Ｅ】
2004226962.tif 000011
【図２Ｆ】
2004226962.tif 000012
【図２Ｇ】
2004226962.tif 000013
【図３Ａ】
2004226962.tif 000014
【図３Ｂ】
2004226962.tif 000015
【図３Ｃ】
2004226962.tif 000016
【図３Ｄ】
2004226962.tif 000017
【図３Ｅ】
2004226962.tif 000018
【図３Ｆ】
2004226962.tif 000019
【図４Ａ】
2004226962.tif 000020
【図４Ｂ】
2004226962.tif 000021
【図４Ｃ】
2004226962.tif 000022
【図４Ｄ】
2004226962.tif 000023
【図４Ｅ】
2004226962.tif 000024
【図４Ｆ】
2004226962.tif 000025
【図４Ｇ】
2004226962.tif 000026