(57)【要約】【課題】バイポーラＳｉＧｅデバイスにおいてエミッタおよびベースの作成のために用いることができる酸化物エッチング・プロセスを提供する。【解決手段】用いられる低温プロセスは、絶縁ＴＥＯＳガラス２２を保護するＣＯＲエッチングによってエミッタおよびベース間に電気的絶縁を与える。絶縁ＴＥＯＳガラス２２はキャパシタンスの低下をもたらし、高速度の達成を促進する。上述したプロセスを実行するための装置もまた提供する。【選択図】図１４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
テトラエチルオルソシリケート（ＴＥＯＳ）ガラス層と前記ＴＥＯＳガラス層の下の中間層とを貫いて開口を形成し、前記開口はシリコン含有材料の露出面まで達し、前記開口は前記ＴＥＯＳガラス層と前記中間層との側壁を含む前記開口の側壁を露出させる工程と、
前記開口の側壁上に側壁スペーサを形成し、前記ＴＥＯＳガラス層および前記中間層の側壁を覆う工程と、
前記シリコン含有材料を化学的酸化物除去（ＣＯＲ）プロセスによって選択的にエッチングし、前記ＴＥＯＳ層をその場に残留させて前記中間層を保護する工程と、
を含むプロセス。
【請求項２】
前記シリコン含有材料は、高圧酸化物（ＨＩＰＯＸ）材料を含む請求項１記載のプロセス。
【請求項３】
前記選択的にエッチングする工程の際に、前記ＴＥＯＳ層の一部が固体反応生成物へ転換され、前記シリコン含有材料の露出部分が固体反応生成物へ転換される請求項１記載のプロセス。
【請求項４】
前記選択的にエッチングする工程は、
前記ＴＥＯＳ層と前記シリコン含有材料との露出面を含む露出面の上にＨＦおよびＮＨ3 のブランケット吸着反応物膜を形成する工程と、
前記ＴＥＯＳ層の一部と前記シリコン含有材料の露出部分とを固体反応生成物へ転換する前記ＴＥＯＳ層の一部を固体反応生成物へ転換する工程と、
を含む請求項１記載のプロセス。
【請求項５】
前記エッチング・プロセスは、
ＣＯＲガスを流入させて、前記シリコン含有材料の露出面と、側壁スペーサと、前記ＴＥＯＳ層との上にＨＦおよびＮＨ3 の吸着反応物膜を形成する工程と、
前記吸着反応物膜の下に前記固体反応生成物を形成する工程と、
前記真空チャンバへのＣＯＲガスの流入を終了する工程と、
加熱して前記真空チャンバから前記固体反応生成物を除去する工程と、
を含む請求項３記載のプロセス。
【請求項６】
前記シリコン含有材料を選択的にエッチングする工程は、シール反応チャンバ内で実行される請求項１記載のプロセス。
【請求項７】
前記ＣＯＲプロセスは、ＨＦおよびアンモニアＮＨ3 蒸気の混合物を用いる請求項１記載のプロセス。
【請求項８】
前記エッチング・プロセスは、
ＣＯＲ反応ガスのソースからのバルブを開いてシール反応チャンバへＣＯＲ反応物ガスを流入させることによって約１０ミリトル以下の低圧で前記シール反応チャンバ内で吸着反応物膜の下に固体反応生成物を形成する工程を実行する工程と、
前記ＣＯＲ反応ガスのソースからのバルブを閉じて前記シール反応チャンバへのＣＯＲガスの流入を終了する工程と、
加熱して前記シール反応チャンバから前記固体反応生成物を除去する工程と、
を含む請求項１記載のプロセス。
【請求項９】
前記ＣＯＲプロセスは、ＨＦおよびアンモニアＮＨ3 蒸気の混合物を用いる請求項８記載のプロセス。
【請求項１０】
シランおよびジクロロシランより成るグループから選択されたエミッタ形成ガスを前記エミッタ形成ガスの分解温度を超えて加熱されたワークピースを含むチャンバへ導入する工程を実行して、前記反応生成物の除去の後に前記開口内にエミッタを形成する請求項８記載のプロセス。
【請求項１１】
第１の酸化シリコン材料と前記第１の酸化シリコン材料の下の中間層とを貫いて開口を形成し、前記開口は第２の酸化シリコン材料の露出面まで達し、前記開口は前記第１の酸化シリコン材料および前記中間層の側壁を含む前記開口の側壁を露出させる工程と、
前記開口の側壁上に側壁スペーサを形成し、前記第１の酸化シリコン材料および前記中間層の側壁を覆う工程と、
化学的酸化物除去（ＣＯＲ）プロセスによって前記第２の酸化シリコン材料を選択的にエッチングし、前記第１の酸化シリコン材料をその場に残留させて前記中間層を保護する工程と、
を含むプロセス。
【請求項１２】
前記第２の酸化シリコン材料は、高圧酸化物（ＨＩＰＯＸ）材料を含む請求項１１記載のプロセス。
【請求項１３】
前記選択的にエッチングする工程の際に、前記第１の酸化シリコン材料の一部が固体反応生成物へ転換され、前記第２の酸化シリコン材料の露出部分が固体反応生成物へ転換される請求項１１記載のプロセス。
【請求項１４】
前記選択的にエッチングする工程は、
前記第１の酸化シリコン材料および前記第２の酸化シリコン材料の露出面を含む露出面上にＨＦおよびＮＨ3 のブランケット吸着反応物膜を形成する工程と、
前記第１の酸化シリコン材料の一部と前記第２の酸化シリコン材料の露出部分とが固体反応生成物へ転換される前記第１の酸化シリコン材料の一部を固体反応生成物へ転換する工程と、
を含む請求項１１記載のプロセス。
【請求項１５】
前記エッチング・プロセスは、
ＣＯＲガスを流入させて、前記第２の酸化シリコン材料の露出面と、側壁スペーサと、前記第１の酸化シリコン材料との上にＨＦおよびＮＨ3 の吸着反応物膜を形成する工程と、
前記吸着反応物膜の下に前記固体反応生成物を形成する工程と、
前記真空チャンバへのＣＯＲガスの流入を終了する工程と、
加熱して前記真空チャンバから前記固体反応生成物を除去する工程と、
を含む請求項１３記載のプロセス。
【請求項１６】
前記第２の酸化シリコン材料を選択的にエッチングする工程は、シール反応チャンバで実行される請求項１１記載のプロセス。
【請求項１７】
前記ＣＯＲプロセスは、ＨＦおよびアンモニアＮＨ3 蒸気の混合物を用いる請求項１１記載のプロセス。
【請求項１８】
前記エッチング・プロセスは、
ＣＯＲ反応ガスのソースからのバルブを開いてＣＯＲ反応チャンバへＣＯＲ反応物ガスを流入させることによって約１０ミリトル以下の低圧で前記ＣＯＲ反応チャンバ内で吸着反応物膜の下に固体反応生成物を形成する工程を実行する工程と、
前記ＣＯＲ反応ガスのソースからのバルブを閉じて前記真空チャンバへのＣＯＲガスの流入を終了する工程と、
加熱して前記真空チャンバから前記固体反応生成物を除去する工程と、
を含む請求項１６記載のプロセス。
【請求項１９】
前記ＣＯＲプロセスは、ＨＦおよびアンモニアＮＨ3 蒸気の混合物を用いる請求項１８記載のプロセス。
【請求項２０】
前洗浄真空チャンバと、
超高真空（ＵＨＶ）圧における低速でＳｉＧｅ層を付着するための超高真空（ＵＨＶ）炉付着チャンバとを備え、
前記前洗浄チャンバと前記炉付着チャンバとは中間エンクロージャによって相互接続されており、
真空状態を中断することなしに、前記前洗浄チャンバから前記中間エンクロージャを通って前記炉付着チャンバまで複数のウェハのカセットを通過させて、前記前洗浄真空チャンバと前記炉付着チャンバとの間の前記カセットの移動の際に雰囲気への露出からワークを保護する手段を備えるバッチ・システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体プロセスに関し、特に、半導体デバイスにおける誘電体材料のエッチングに関し、さらに、半導体デバイスにおける二酸化シリコンのプレエミッタ・エッチングおよびプレベース・エッチングに関する。
【背景技術】
【０００２】
Jeng等の米国特許第５，２８２，９２５号公報“Device and Method for Accurate Etching and Removal of Thin Film”（特許文献１）は、反応物質含有膜の表面滞留時間，厚さ，および組成を制御することによって薄い層を正確にエッチングし除去するための化学的酸化物除去（ＣＯＲ）として知られるデバイスおよび方法を開示する。ＣＯＲプロセスは、ＨＦおよびＮＨ3 を含む気体反応物質によるエッチングを用いる。気体反応物質が酸化シリコン表面に接触するとき、蒸気圧に近い圧力での酸化シリコン表面に対する反応物ガスの吸着または凝縮によって、反応生成物の膜が酸化シリコン上に形成される。一般的に、Jeng等のプロセスは、ウェハ上に膜を形成する反応物蒸気をチャンバへ流入させることによってウェハから酸化シリコンをエッチングする。膜およびチャンバ温度を制御することによってエッチングを調整する。エッチングが完了した後、得られた残留物を熱脱離（thermal desorption）によって除去できる。
【０００３】
Ramachandran等の米国特許第５，９８０，７７０号公報“Removal of Post-RIE Polymer on Al/Cu Metal Line”（特許文献２）は、エッチングガスとしてＨＦそして酸中和ガスとしてＮＨ3 から成る気体混合物またはプラズマ混合物を含むエッチング剤を用いてアルミニウム・ラインからＲＩＥ側壁膜を除去し、ポリマ・レールを水溶性フォームへ化学的に変性させることによってＡｌ／Ｃｕ金属ライン上のポストＲＩＥポリマ・レールを除去するＣＯＲの応用を開示する。それは、雰囲気への除去よりも前にＲＩＥクラスタ内でＣＯＲと最もよく反応するので、ＲＩＥ側壁は、アルミニウム・ラインの腐食を生じさせない。ツール・クラスタは、特有の組み合せのプロセス・モジュールを有する従来のＲＩＥクラスタである。
【０００４】
Natzle等の米国特許第６，３３５，２６１号公報“Directional CVD Process with Optimized Etchback”（特許文献３）は、“フルオロケイ酸アンモニウム（（ＮＨ4 ）2 ＳｉＦ6 ）と信じられる”固体反応生成物を生じさせるＣＯＲプロセスを開示する。当該固体反応生成物は、元の二酸化シリコンの体積の約３倍の一定の体積を有し、オーバーハングにおいて反応を生じさせギャップを閉じさせ、その結果、ギャップが閉じた後に、当該閉じたギャップの下にある酸化物のさらなるエッチングが発生しない一方、基板の上部表面上の酸化物層においてエッチングが継続する。固体生成物は、当該生成物を通過して下にある酸化物へのＮＨ3 ／ＨＦ反応物質の拡散を妨げることによって反応を減速させ、結果として、エッチング・プロセスは、固体反応生成物が厚くなりすぎて下にある酸化物のさらなるエッチングを不可能にする自己制限点に達する。
【０００５】
Torekの米国特許第６，１９４，２８６Ｂ１号公報“Method of Etching Thermally Grown Oxide Substantially Selectively Relative to Deposited Oxide”（特許文献４）は、付着酸化シリコン（例えばＰＥＣＶＤによって形成された酸化シリコン）と外側が露出した成長酸化シリコン材料（熱成長してもよい）との処理を開示する。外側が露出した二酸化シリコン層は、ほぼ無水ＨＦ（体積比で１０％の水を超えない）および有機プライマ（例えばアルコールおよびケトン）を含むエッチング剤を用いて、付着二酸化シリコン層に対してほぼ選択的に気相エッチングされる。
【０００６】
Chinn等の米国特許第５，２２３，４４３号公報“Method for Determining Wafer Cleanliness”（特許文献５）は、ウェハの全表面上に薄いテトラエチルオルソシリケート（ＴＥＯＳ）ガラス膜を付着する工程と、目視検査の際にピンホールを露出するために、ポリシリコンにアタック（attack）するがＴＥＯＳガラス膜に対して選択的でありＴＥＯＳガラス膜をエッチングしないＫＯＨの溶液にウェハをさらす工程とを含む半導体ウェハの清浄度を決定する方法を開示する。
【０００７】
従来において、マルチプロセスと、一連の相互接続プロセス・チャンバ間でシングル・ウェハを搬送するマルチチャンバ・システムとを含む統合ツールが、以下に述べる米国特許第５，０７６，２０５号公報（特許文献６），第４，９１７，５５６号公報（特許文献７），第５，０２４，５７０号公報（特許文献８），および特開平１０−３６９７０号公報（特許文献９）によって例として与えられている。
【０００８】
Vowles等の米国特許第５，０７６，２０５号公報“Modular Vapor Process System”（特許文献６）は、個々のプロセス・チャンバが可動であり、システムの完全な撤去を必要とせずに個々のプロセス・チャンバの容易な交換を可能にするマルチチャンバ，マルチプロセス・システムを開示する。システムの処理能力は、ウェハ・バッファ貯蔵カセット／エレベータ・システムを用いることによって拡張される。システムは拡大され、多数のプロセス・チャンバを含み、中間地点でのウェハ入出力アクセスを可能にする。
【０００９】
Stark等の米国特許第４，９１７，５５６号公報“Modular Wafer Transport and Processing System”（特許文献７）は、真空環境へ全カセットを入れる多数のロードロックを有するウェハ・プロセス・マシンを開示する。しかしながら、ウェハは個別に搬送される。ロボット・アームを含むウェハ・ハンドリング・モジュールは、ウェハが通過するマシンの脊柱部を形成する。様々なプロセス・モジュールが、ウェハ・ハンドリング・モジュールの側面に取り付けられる。
【００１０】
Kiriseko等の米国特許第５，０２４，５７０号公報“Continuous Semiconductor Substrate Processing System”（特許文献８）は、搬送機構へ接続され、プロセスの際に、一時的に半導体ウェハを保持するストッカを有するウェハ・プロセス・システムを開示するが、それは、ウェハを真空状態で搬送しない。それは、また、半導体ウェハを蓄えるウェハ貯蔵セクションと、貯蔵セクションと搬送機構との間で半導体ウェハを搬送する搬送機構と、半導体ウェハを識別するウェハ識別セクションと、半導体ウェハをフィードインおよびフィードアウトできるキャリア・フィードイン・フィードアウト・セクションとを有する。
【００１１】
Kiyoshiの特開平１０−３６９７０号公報“薄膜気相成長装置”（特許文献９）は、真空チャンバ内でウェハ上に薄膜を成長させるリアクタ（成長チャンバ）の上にウェハを隣接する真空チャンバから搬入する移送チャンバを設ける。この装置は、ウェハをアンチャック（unchuck）さえせずにシングル・ウェハの直線状搬送を与える。
【００１２】
バイポーラ・デバイス，ＢｉＣＭＯＳ集積スキーム，およびストレインＣＭＯＳデバイス（例えば、Ｒｉｍの米国特許第６，４２９，０６１号公報“Method to Fabricate a Strained Si CMOS Structure Using Selective Epitaxial Deposition of Si after Device Isolation Formation”（特許文献１０）で述べられるデバイス）においてベース領域およびエミッタ領域の付着の前に、水性ＨＦ溶液を用いてドープ・シリコン半導体基板のようなワークピース表面から酸化シリコンを除去することに多くの欠陥が付随する。このような欠陥は、水溶液に対する露出に基づくダメージによって直接生じ得る、または、ワークピースの露出表面において発生する変化から生じる固有の遅れに基づく影響によって間接的に生じ得る。例えば、当該表面は、水性ＨＦ処理と後続の真空付着プロセスとの間に周囲の雰囲気内で有害ガスにさらされ得る。
【００１３】
水性ＨＦ溶液が、シリコン，半導体基板上に部分的にパシベートされた表面を残すことができ、非統合の酸化物ストリップを可能にすることが周知であるが、残存する遅れが、トランジスタのベースを形成する前にエッチングを行う場合、すなわち“プレベース・エッチング”に関して特に製造上の問題である。水性エッチングは、一般的にバッチ・プロセスなので、付着が後続のシングル・ウェハ・プロセスを伴う場合、あるいはシングル・ウェハ・ストリップがバッチ付着に先行する場合に遅れが特に深刻である。このようなウェット・シングル・ウェハ・ストリップが、SEZ  Semiconductor-Equipment Zubehor fur die Halbleiterfertigung AGに譲渡されたSumnitsch等の米国特許第６，１６２，７３９号公報“Process for wet etching of semiconductor wafers”（特許文献１１）に開示されている。Sumnitsch等の‘７３９特許のプロセスは、フッ化水素酸、または、フッ化水素酸およびフッ化アンモニウムおよび少なくとも１つのカルボン酸の組み合せを含むエッチング媒体を用いて、上面から二酸化シリコン層を完全に除去する工程と、半導体ウェハの周辺端部から内側へ延びる定義領域において反対側の面から二酸化シリコン層を選択的に除去する工程とを含む。
【００１４】
‘７３９特許で述べられるようなシングル・ウェハ・ストリップがバッチ付着に先行する場合には、バッチ・ウェハ・オペレーションおよびシングル・ウェハ・オペレーション間のプロセス・ミスマッチによって遅れが延長される。
【００１５】
従来の水性エッチング・プロセスに付随する一部の問題の概要は以下の通りである。
【００１６】
（Ａ）ベース領域またはエミッタ領域から離間して配された露出酸化シリコンがアタックされ、エミッタおよびベース間の短絡を引き起こし、あるいは浅いトレンチ分離（ＳＴＩ）および他の場所において有害なトポグラフィを生じさせ、その結果、上に重なるシリコンのシリサイド化を後に与えることが困難になる。
【００１７】
（Ｂ）ベースおよびエミッタ間の分離フィーチャがアンダーカットされ得る。
【００１８】
（Ｃ）随伴するＣＭＯＳデバイス用のポリシリコン・ゲートに後で成る露出シリコン内の欠陥および裂目に水性エッチング溶液が浸透して、下にあるゲート酸化物層をアタックし得る。
【００１９】
（Ｄ）ベース／コレクタ界面における再成長に基づく残留酸化シリコンは、ベース・エピタキシの際に欠陥を生じさせ、エミッタおよびコレクタ間に漏れを引き起こすことがあり、ベース／エミッタ界面における再成長に基づく残留酸化シリコンは、ベースおよびエミッタ間の高抵抗のもととなり得る。部分的な酸化シリコン再成長に酸化シリコンを除去できる追加のウェット・クリーンが続く場合には、酸化物再成長の際に反応したシリコンが消費されて欠陥の一因となる。
【００２０】
これらの問題に関するさらなる詳細を以下に与える。
【００２１】
（Ａ）露出酸化シリコンのアタック（例：エミッタ・プレエッチング）
新世代のＳｉＧｅ  ＢｉＣＭＯＳの製造の際に、重要な工程は、テトラエチルオルソシリケート（ＴＥＯＳ）酸化シリコン，以下ＴＥＯＳと称する、のような絶縁体によってエミッタ・ポリシリコンおよび外部ポリシリコン間に分離を達成する工程を含む。ＴＥＯＳの開始時の厚さは、前のＣＭＰプロセスによって定まる約５００Å〜約１０００Åの一定の範囲内である。
【００２２】
また、ベースの付着の後に厳格な熱要件が存在する、すなわち、激しいドーパント拡散を回避するためには、ＴＥＯＳを硬化させるための高温アニーリングが厳格に禁じられるということである。
【００２３】
エミッタ・ポリシリコンの付着より前に、ベース層の上の薄いＨＩＰＯＸ保護膜（約１００Å）を除去しなければならないことが要求される。ＨＩＰＯＸ層の除去の際にそれと同時の分離ＴＥＯＳの露出およびＨＩＰＯＸ（HIgh Pressure OXide）層の保護に付随するいくつかの問題が存在する。
【００２４】
ＨＩＰＯＸ層は、高圧酸化プロセスの生成物である酸化シリコン層の一種である。ＨＩＰＯＸプロセスは、高圧蒸気，高圧酸素，またはこれらの組み合せを用い、酸化シリコン層を生じさせることができる。Bronner等の米国特許第５，１２８，２７１号公報を参照されたい。これは、ＨＩＰＯＸプロセスの必須のプロセス・シーケンスが、明細書の内容として引用されるJ. Electrochem. Soc., Vol. 126, p.1822（1979）におけるL.E. KatzおよびB.F. Howells, Jr.による“Low Temperature, High Pressure Steam Oxidation of Silicon”に述べられていることを指摘する。代表的なＨＩＰＯＸプロセスにおいて、アニール・リーチスルー打込みによって、ベアＮ-エピ／Ｎ+ サブコレクタ／Ｐ-基板上にベースが形成される。１００Åエッチストップ酸化物（ＥＳＯＸ）が（例えば７００℃で１０気圧の蒸気で）ＨＩＰＯＸによって成長し、Ｐ+ その場ドープポリシリコン外部ベースおよびＴＥＯＳ層の形成が続く。ＥＳＯＸまで開口をエッチングし、次に側壁をＥＳＯＸ上に形成する。次にＥＳＯＸを水性ＨＦでストリップし、エミッタ・ポリシリコンを付着し、ドープし、パターニングする。エミッタ・アニール工程（例えば８５０℃で２０分間），コンタクト工程，およびメタライゼーション工程を続いて実行する。
【００２５】
一般的なＨＩＰＯＸプロセスの２つの結果は以下の通りである。
【００２６】
（１）エミッタ開口を形成するプロセスの際にＨＦによってベース保護のための薄いＨＩＰＯＸ層をストリップするときに、外部ポリシリコン・ベースを覆うＴＥＯＳ層が完全に除去されることになる。これは、酸化シリコンと比べたＴＥＯＳのはるかに速いエッチング速度により、ウェットＨＦエッチングは、ＨＩＰＯＸより約１０倍速くＴＥＯＳを除去する。
【００２７】
（２）外部ポリシリコンのＨＩＰＯＸ酸化を用いて、ＤＨＦウェット・ストリップに対するソフト・エッチ・ストップを実現する場合でさえ、厚いＴＥＯＳが大部分除去されて、ＨＩＰＯＸ内に欠陥が存在する場合に潜在的漏れを生じさせるだけでなく、寄生容量の深刻な増加も生じさせることになる。したがって、デバイス性能の点から見ると、厚いＴＥＯＳを保持することが大いに望ましい。
【００２８】
さらに、上述したように、望ましくないトポグラフィがＳＴＩ（浅いトレンチ分離）上に生成され、これは、プレベース・ストリップに付随する水性ＨＦエッチングから部分的に生じる。
【００２９】
（Ｂ）エミッタ／ベース側壁分離のアンダーカット
図１および２は、バイポーラ・デバイスＢＰにおけるエミッタ／ベース側壁分離窒化物のアンダーカット問題を説明する。図１はＨＩＰＯＸ層ＨＸで覆われたシリコン基板ＳＩで形成されたバイポーラ・デバイスＢＰを示し、ＨＸ層の上に、開口部Ｗを有するポリシリコン層ＰＳとＴＥＯＳ層ＴＳとが形成され、開口部Ｗを通してＨＩＰＯＸ層ＨＸの中央部分を露出させる。窒化シリコン側壁スペーサＳＷが、層ＰＳおよびＴＳの両側壁上に形成されている。ＨＦの水溶液はＨＩＰＯＸストリップにおいてＨＩＰＯＸ層をアンダーカットし、これはデバイスのバイポーラ部分で問題を生じさせることとなる。
【００３０】
図２は、ＨＦの水溶液を用いて開口部Ｗの基底においてＨＩＰＯＸ層ＨＸをストリップした後の図１のデバイスＢＰを示す。１つの問題は、ＨＩＰＯＸ層ＨＸの露出部分を除去する好ましくない側の効果として、ＴＥＯＳがエッチングされる、すなわち完全に除去されるということである。さらに、アンダーカットＵＣが側壁スペーサＳＷの下に形成され、おそらく、図示するように、ポリシリコン層ＰＳの下に広がり、ポリシリコン層ＰＳは、この時点で片持ち状態となる。アンダーカットＵＣはプロセス制御にとって非常に多くの問題をはらみ、欠陥，漏れ，あるいは好ましくないトポグラフィを頻繁に生じさせる。
【００３１】
側壁窒化物の下をアンダーカットするという不利な側の効果を伴わない、すなわち、ＨＩＰＯＸ層などのアンダーカットを制限するエッチング・プロセスの必要性が存在する。
【００３２】
（Ｃ）ＣＭＯＳデバイスのポリシリコン・ゲート層内の欠陥の浸透
ＨＦはＨＩＰＯＸストリップの際にポリシリコンに浸透し、これがデバイスのＣＭＯＳ部分で問題を生じさせることとなる。図３および４は、ＣＭＯＳデバイスＣＭに関する問題を説明する。ＣＭＯＳデバイスＣＭは、シリコン基板ＳＩと、シリコン基板ＳＩ上に形成されたブランケット・ゲート酸化物層ＧＸと、ブランケット・ゲート酸化物層ＧＸを覆うブランケット層のゲート電極ポリシリコンＧＰとを含む。図３において、ポリシリコン層ＧＰ内にポリシリコン欠陥ＰＤを有するＣＭＯＳデバイスＣＭが示される。図４は、ゲート・ポリシリコン層ＧＰ内の欠陥に浸透してゲート酸化物ＧＸ内に酸化物欠陥ＯＤを生じさせるＨＦの水溶液を用いた処理後の図３のデバイスＣＭを示す。
【００３３】
したがって、ポリシリコン層等内の細長い裂目に浸透するという不利な側の効果を伴わないエッチング・プロセスが必要とされる。
【００３４】
（Ｄ）残留酸化シリコン
水性ＨＦ溶液におけるストリップ・プロセスに続くコレクタ／エミッタ界面での酸化シリコンの再成長は、歩留り低下を生じさせる。雰囲気露出についての製造上のプロセス期間は、酸化シリコン・ストリップ・プロセスとベース・エピタキシ成長との間の１５分たらずである。したがって、シリコン含有層のエピタキシャル成長またはシリコン層の多結晶成長のためのプロセスも実行できる単一ツールへ統合可能な酸化シリコン・エッチング・プロセスに対する必要性が存在する。
【００３５】
図５〜９は、バイポーラ構造に対してウェット・ケミカル・エッチングを用いる問題の他の側面を説明する。
【００３６】
図５は、製造の初期段階におけるデバイス１０を示す。シリコン基板１２は、底部に、ドープ・シリコン・コレクタ１４を含む領域を備える。真性ベース領域を含むドープ・シリコン・ベース１６が、シリコン・コレクタ１４の上に形成される。薄い高圧酸化物（ＨＩＰＯＸ）層１８が、真性ベース１６の上の基板１２の表面上に形成される。ブランケット外部ベース・ポリシリコン層２０（Ｐｏｌｙ１）が、ＨＩＰＯＸ層１８の上に形成される。テトラエチルオルソシリケート（ＴＥＯＳ）二酸化シリコン層の形態のブランケット・ガラス膜２２がＰｏｌｙ１層２０の表面上に形成される。外部ベースであるＰｏｌｙ１層２０は、（図示しない）他の領域で真性ベース１６と電気的に接続され、ＴＥＯＳ層２２は、Ｐｏｌｙ１層２０と、図９に示すように追加されるエミッタとの間の電気的絶縁として与えられる。
【００３７】
図６は、当業者によって十分理解できるように、フォトリソグラフィおよびエッチングによって、ＴＥＯＳ層２２とポリシリコン層２０とを貫いてＨＩＰＯＸ層１８の上部表面までの開口部２４を形成した後の図５のデバイス１０を示す。
【００３８】
図７は、開口部２４内でＨＩＰＯＸ層１８の露出表面からＴＥＯＳ層２２とポリシリコン層２０との側壁に沿って上に伸びる窒化シリコン（ＳｉＮ）スペーサ２６を形成した後の図６のデバイス１０を示す。
【００３９】
図８は、ＨＦの水溶液でウェットエッチングした後の図７のデバイス１０を示す。この場合には、ＴＥＯＳ層２２がエッチングされ、すなわち完全に除去され、スペーサ２６の下のＨＩＰＯＸ層１８が部分的にエッチングされて、スペーサ２６を図２よりも軽度に片持ち状態にするが、この程度のアンダーカットでさえ容認できない。図９を参照して理解できるように、ＴＥＯＳ層２２の除去もまた望ましくない。
【００４０】
図９は、開口部２４を充填し、ＴＥＯＳ層２２の好ましくない除去によって露出した側壁スペーサ２６の尖鋭部２９を覆い、下に広がってエミッタ３０をＰｏｌｙ１層２０の露出表面と短絡させてエミッタ３０を形成した後の図８のデバイス１０を示す。
【００４１】
露出酸化シリコンの好ましくないアタックを回避し、側壁分離のアンダーカットを制限し、欠陥のあるポリシリコン層にそれ以上のダメージを与えることのない酸化物エッチング・プロセスの必要性が存在する。さらに、ＳｉまたはＳｉ／Ｇｅ成長プロセスと統合でき、その結果エッチング・プロセスの後でウェハが雰囲気にさらされる必要がない酸化物エッチング・プロセスの必要性が存在する。
【特許文献１】米国特許第５，２８２，９２５号公報
【特許文献２】米国特許第５，９８０，７７０号公報
【特許文献３】米国特許第６，３３５，２６１号公報
【特許文献４】米国特許第６，１９４，２８６Ｂ１号公報
【特許文献５】米国特許第５，２２３，４４３号公報
【特許文献６】米国特許第５，０７６，２０５号公報
【特許文献７】米国特許第４，９１７，５５６号公報
【特許文献８】米国特許第５，０２４，５７０号公報
【特許文献９】特開平１０−３６９７０号公報
【特許文献１０】米国特許第６，４２９，０６１号公報
【特許文献１１】米国特許第６，１６２，７３９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００４２】
本発明の目的は、基板上に形成されたＨＩＰＯＸおよびゲート酸化物を含み、ポリシリコン層がその上に形成された酸化シリコンから構成された半導体デバイスの製造のための改良された酸化シリコン・エッチング・プロセスを提供することである。
【００４３】
本発明の他の目的は、酸化シリコン・エッチング・プロセス・チャンバを、後続のシリコン付着のためのチャンバを備えるツール・システムに統合することである。
【課題を解決するための手段】
【００４４】
本発明によれば、例えばＨＦおよびアンモニアＮＨ3 蒸気の混合物を用いるＣＯＲによる真空チャンバ内での二酸化シリコンのエッチングと、熱酸化シリコンおよびＴＥＯＳを用いて付着した酸化シリコンと、バイポーラおよびＣＭＯＳデバイスの製造における分離層としてのＴＥＯＳ酸化シリコンと、真空状態の中断なしに、ＨＦおよびアンモニア反応から、生成物蒸発，ＳｉまたはＳｉ／Ｇｅ付着までウェハを移動させることができるハンドラを有するツールと、を用いるプロセスが与えられる。
【００４５】
複数のウェハから成るカセットを前洗浄チャンバから炉付着チャンバへ同時に移動させるバッチ・システムを用いる。超高真空（ＵＨＶ）圧におけるバッチ炉によって低い速度でＳｉＧｅ層を付着する。前洗浄工程は、それぞれのウェハを個別に処理するという非能率な点なしに、バッチ炉へ接続されるバッチ前洗浄チャンバ内で実行される。超高真空（ＵＨＶ）炉へ接続するために十分低い圧力でバッチのウェハを処理できる前洗浄チャンバは入手できなかったので、この種のツールは従来開示されていない。
【００４６】
本発明によれば、反応物質含有膜の表面滞留時間，厚さおよび組成を制御することによって薄い層を正確にエッチングし、除去するデバイスおよび方法が述べられる。本発明は、後段で述べるようなＨＦおよびＮＨ3 の凝縮反応物膜あるいは吸着反応物膜を用いたエッチングへ適用可能である。本発明の１実施形態は以下の工程を含む。
（ａ）酸化シリコン層を有し、雰囲気露出が続く水性ＨＦエッチングによってダメージを受け得る構造をさらに有するシリコン基板を形成する工程、
（ｂ）酸化シリコン層をＨＦ蒸気およびアンモニア蒸気と反応させて反応生成物を形成する工程、
（ｃ）反応生成物を除去してシリコン基板を露出させる工程、
（ｄ）シリコン基板の露出領域上にシリコンを含む層を形成する工程、
（ｅ）基板をさらに処理してシリコン層をトランジスタまたはバイポーラ・トランジスタの一部にする工程、
【００４７】
工程（ｂ），（ｃ）および（ｄ）は、単一の密閉ＣＯＲシステム、例えば真空システム内で実行することができる。工程（ａ）において与えられるダメージを受け得る構造は、シリコン基板自身としてもよく、トランジスタ素子間に電気的分離を与える酸化シリコンの層としてもよく、窒化物側壁のようなマスキング層の下にある酸化シリコンの層としてもよく、あるいは、さらなる処理によってＣＭＯＳトランジスタのゲート誘電体となる酸化シリコンの上にあるポリシリコン層としてもよい。工程（ｃ）において露出されるシリコン基板の領域は、バイポーラ・トランジスタのコレクタまたはベースとすることができる。工程（ｄ）におけるシリコンを含む層は、シリコンまたはシリコン／ゲルマニウムとすることができる。
【００４８】
Jeng等の米国特許第５，２８２，９２５号公報（特許文献１）は、化学的酸化物除去（ＣＯＲ）反応について述べるが、ＳｉＧｅバイポーラ・トランジスタの作成のための前洗浄としてのＣＯＲの用途、ＴＥＯＳガラスを保護しながらエッチングされるＨＩＰＯＸガラスの構成、あるいは、この用途に最適のツール実施例である、バッチＣＯＲ反応チャンバをバッチＳｉＧｅ炉へ接続するツールについて述べていない。
【００４９】
加えて、本発明が、バッチ・プロセスの順次的組み合せに対して用いることができるモジュールおよびツール構造の組み合せを提供するという点において、本発明のツールは、Ramachandran等の特許で述べられているツールと区別できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００５０】
［気相エッチング・プロセス］
（Ｉ）プロセス・シーケンス
図１０〜１８は、図５〜９と共に上述したタイプのバイポーラ構造を製造する際の、本発明の実施形態に係る気相エッチング（すなわちドライ・エッチング・プロセスを用いる）のプロセスを説明する。このプロセスは、ＴＥＯＳ層２２の完全な除去およびＨＩＰＯＸ層１８のアンダーカットという問題を克服する。
【００５１】
図１０〜１２で形成される構造は、図５〜７と同一であり、同じ工程が上述したように実施され、同一の要素を参照する参照符号が繰り返される。
【００５２】
図１３は、図１２のデバイス１０の前洗浄工程を開始した後の結果を説明する。前洗浄は、シールされたＣＯＲ反応チャンバ４４へのデバイス１０の導入から開始する。ＣＯＲ反応チャンバ４４において、化学的酸化物除去（ＣＯＲ）プロセスは気相反応物質を用いて自己制限エッチングを実施し、自己制限エッチングは、ＣＯＲ反応チャンバ４４内のパラメータを制御することによって調整可能である。本発明において用いられるＣＯＲエッチング・プロセスは、気相化学的酸化物除去プロセスを含み、このプロセスにおいて、ＨＦおよびＮＨ3 の蒸気の組み合せがエッチ液として用いられ、低圧（１０ミリトル以下）下で実施される。
【００５３】
管４７に接続された第１の貯蔵器（説明の便宜のために図示しない）はＨＦ蒸気を含む第１の反応物質で満たされ、管５１に接続された第２の貯蔵器（説明の便宜のために図示しない）は、ＮＨ3 蒸気を含む第２の反応物質で満たされる。チャンバ４４へのＨＦ蒸気の給気のために、バルブ４８は、管４７から管４９を通ってＣＯＲ反応チャンバ４４に至る吸気開口まで接続する。同様に、バルブ５２は、チャンバ４４へのＮＨ3 蒸気の給気のために、管５１から管５３を通ってＣＯＲ反応チャンバ４４に至る吸気開口まで接続する。排気管５４は、排気バルブ５６を通って排気ポンプ６０に至る管５８まで接続し、排気ポンプ６０は、ＣＯＲ反応チャンバ４４からガスを除去するために、排気ガスを排気管６２へ押し出す。Jeng, NatzleおよびYuの米国特許第５，２８２，９２５号公報“Device and Method for Accurate Etching and Removal of Thin Film”に示されるように、微量てんびん（microbalance）およびマウントを本プロセスに用いてもよく、これらの要素は説明の便宜上示さないので、その説明が明細書の内容として引用される。
【００５４】
動作の好適な形態において、真空ポンプ６０に至る排気バルブ５６は、バルブ４８および５２のオープンの後にシールＣＯＲ反応チャンバ４４への第１および第２の反応物ガス給気の際に開いている。動作時において、バルブ４８および５２が開いているときに、ＣＯＲ吸着反応物膜２７がデバイス１０の表面上に付着する。好ましくは、バルブ４８および５２は迅速に開かれる。第１および第２の反応物質は、ＣＯＲ反応チャンバ４４を急速に満たし、好ましくは、２つの反応物質はＣＯＲ吸着反応物膜２７を迅速に形成し、ＣＯＲ吸着反応物膜２７は、ＮＨ3 およびＨＦの圧力がデバイス１０の温度における蒸気圧を超える短い期間の間デバイス１０の露出表面上に残存する。ブランケットＣＯＲ吸着反応物膜２７は、こうしてデバイス１０の露出表面上に形成され、開口部２４の底部においてエッチングされるべきＨＩＰＯＸ層１８の露出表面との反応が開始される。
【００５５】
図１３において、説明の便宜のために、かなり厚い吸着反応物膜２７を示しているが、実際には、完全な（full）単分子層よりも２，３の単分子層より成る厚さが薄いことが好ましい。加えて、図１３は、ＣＯＲエッチング・プロセスに含まれる反応の開始時におけるデバイス１０を示す。
【００５６】
図１４は、フルオロケイ酸アンモニウム（（ＮＨ4 ）2 ＳｉＦ6 ）を含む反応生成物２８が、吸着反応物膜２７の下に形成された後の図１３のデバイスを示す。図１５によって示される本発明のＣＯＲプロセスの後続の段階において、最終的には、反応生成物２８は、あらゆる場所で吸着反応物膜２７と入れ替わることとなる。反応生成物２８は、ＴＥＯＳ層２２の一部のみと入れ替わっているが、開口部２４の下でＨＩＰＯＸ層１８の全てと直ちに入れ替わっている。反応の完了時に、反応物質吸気バルブ４８および５２が閉じて、吸気管４９および５３からの反応物ガスの供給を排除する。
【００５７】
排気バルブ５６は開いたままであるので、図１５によって示すように、ＨＦおよびＮＨ3 蒸気がＣＯＲ反応チャンバ４４から外へ押し出されるにつれて、吸着反応物膜２７が最終的には消滅する。
【００５８】
除去されるＴＥＯＳ層２２およびＨＩＰＯＸ層１８の反応と総量との到達点は、吸着反応物膜２７の基板温度，組成および滞留時間の関数である。単位時間ごとに除去される総量を左右する要因は、基板１２の温度での反応物質の蒸気圧，シールＣＯＲ反応チャンバ４４へ入れられる反応物質の量または反応物質の割合，ポンプ６０のポンピング速度，および吸着反応物膜２７とエッチングされるべきＨＩＰＯＸ層１８との間の反応速度を含み、これらの全てが、Jeng等の特許に示されるコントローラによって調節できる。ＨＩＰＯＸ層１８のＣＯＲ反応チャンバ４４内でのエッチング速度は、ＴＥＯＳ層２２のエッチング速度よりはるかに速いことを我々は見いだした。ＴＥＯＳを比較的無傷のままにしておくと同時にＨＩＰＯＸの除去に対するＣＯＲプロセスの著しい選択性を生じさせるＴＥＯＳ材料およびＨＩＰＯＸ材料間の化学的差異および／または構造的差異が存在することを我々は確信する。高温熱酸化物および低温熱酸化物（例えばＨＩＰＯＸ）双方を含む熱酸化物は、様々な特性を有する材料を生じさせる化学分解によって形成されたＴＥＯＳ酸化物よりもＣＯＲプロセスによってより迅速にエッチングされるということも我々は見いだした。
【００５９】
ＨＩＰＯＸ層１８の二酸化シリコンとのＨＦおよびＮＨ3 の反応は、多工程プロセスである。
【００６０】
最初に、図１５に示すように、反応物ガス（ＨＦおよびＮＨ3 ）の十分な蒸気圧がチャンバ４４内で維持される限り、ＨＦおよびＮＨ3 ガスに基づく吸着反応物膜２７が、ＨＩＰＯＸ層１８と、吸着反応物膜２７に接触しているＴＥＯＳ層２２の表面の一部分と反応して、ＨＦおよびＮＨ3 ガスと、ＨＩＰＯＸ層１８および当該ガスに接触しているＴＥＯＳ層２２の表面の一部との間の反応に基づく吸着反応物膜２７の下であってＨＩＰＯＸ層１８およびＴＥＯＳ層２２の上に、凝縮された固体ＣＯＲ反応生成物２８を形成する。吸着反応物膜２７は、ガス源が枯渇するまでＣＯＲ反応生成物２８の表面上で再形成され続け、ガス源が枯渇した時点で吸着反応物膜２７は図１５に示すように消滅する。
【００６１】
結果として、ＨＩＰＯＸ層１８は、開口部２４の基底部から除去され、反応生成物２８によって入れ替えられる。上述したように、我々が実験的に見いだしたＴＥＯＳ層２２とＨＩＰＯＸ層１８とのＣＯＲエッチング速度の差異のために、ＴＥＯＳ層２２のほんの一部だけで同じ反応が発生する。
【００６２】
吸着反応物膜２７からの反応物ガスが反応生成物２８を通過して下にあるＨＩＰＯＸ層１８およびＴＥＯＳ層２２と反応し続けるにつれて、反応生成物２８の厚さが成長し続ける。この反応は、開口部２４の底部で全てのベースＨＩＰＯＸ（約１００Å）が除去される後まで進行し、およそ同じ厚さ（約１００Å）のＴＥＯＳ層２２が除去されるまで続く。その結果、ＴＥＯＳ層は元来ＨＩＰＯＸ層１８より厚いので、厚いＴＥＯＳ層２２が残留する。図１８に示すプロセスの最後において、厚いＴＥＯＳ層２２が残留して外部ベース２０と後に加えられるエミッタ３１のポリシリコンとの間の分離として機能し、エミッタ３１と外部ベースとが相互に電気的に短絡しないよう保証するということが、製造される半導体製品の要件である。
【００６３】
次に、図１６を参照すると、約１００℃に加熱された加熱チャンバ７０へデバイス１０を移した後の図１５のデバイス１０が示される。加熱チャンバ７０は、排気管７４，バルブ７６，ポンプ８０に至る管７８，および排気口８２を有する。吸気管６７，バルブ６８，およびチャンバ７０に至る管６９が、チャンバ７０へのガスの導入のために与えられるが、この時点において、バルブ６８は閉位置に合わせられている。開口部２４′は、この時点で真性ベース１６の上部表面まで達している。
【００６４】
次に、図１７に示すように、反応生成物２８の除去による前洗浄プロセスの完了後の図１６のデバイス１０を示す。チャンバ７０におけるデバイス１０の加熱の際に、（この場合には約１００℃での蒸発によって）反応生成物２８が、開口部２４″の底部におけるベース１６の上部表面から、そしてＴＥＯＳ層２２の上部表面から除去される。
【００６５】
最後に、図１８に示すように、ウェハ温度がシランまたはジクロロシラン（dichlorosilane）の分解温度を超えるまで上昇し、バルブ６８を開いてＢ2 Ｈ6 もしくはアルシンＡｓＨ3 のような任意のドーパントと共にシランもしくはジクロロシランを流入させて、ポリシリコン・エミッタ３１を形成した後の図１７のデバイス１０を示す。真性シリコン・ベース１６の表面上の核生成に基づいて形成されたポリシリコン・エミッタ３１が示される。この付着は、ポリシリコン・エミッタ３１が図１７の開口部２４″を充填するまで継続する。図１８に示すように、エミッタ３１の材料は、ベース層２０と短絡していない、そして、（図９のエミッタ３０と異なり）エミッタ３１は、側壁スペーサ２６をアンダーカットしない。
【００６６】
（II）ＨＩＰＯＸ開口部の幾何学的調整
固体ＣＯＲ反応生成物２８は、自己制限反応を生じさせる。というのは、図１３および１４に示した結果間のインターバルの際に、ＣＯＲ反応生成物２８（上述したものは、吸着反応物膜２７の下に形成されている）は、酸化物（ＴＥＯＳ層２２およびＨＩＰＯＸ層１８）の反応表面へのフッ化水素およびアンモニアの拡散を妨げるからである。反応生成物２８の自己制限厚さは反応条件を変えることによって調整できる。チャンバ４４内のより高い圧力またはより低い温度は、自己制限厚さを増大させる。さらに、固体反応生成物２８は、エッチングされる層２２／１８の酸化シリコンより多くの体積を占める。これは、開口部２４／２４′／２４″を除くＨＩＰＯＸ層１８の露出端部においてエッチングが少ないことを意味する。エッチングはこれらの端部で終了する。層２８の自己制限厚さは、反応条件を変えることによって調整できる。
【００６７】
スペーサ２６の端部から開口部２４への酸化物突出部の長さは、アンダーカットから、除去される酸化物層１８の厚さの約３倍まで変化し得る。単一のエッチング工程において、熱酸化物除去の最大厚さは約２５０Åである。
【００６８】
（III ）プロセスの他の特徴
本発明の付着とＣＯＲエッチング・プロセスとの組み合せは、プロセス間の相互作用を調整するという利点を提供する。例えば、付着条件間の相互作用は、基板１２の表面からＨＩＰＯＸ酸化物１８を取り除くＣＯＲエッチング条件によって与えられた一定の構成の表面を生じさせる。結果として、酸化シリコン・プロファイルが与えられ、このプロファイルにおいて、ベース２０とエミッタ３１とが、外部ベース２０およびエミッタ３１間に分離を与えるＴＥＯＳと接し、それによって所望の構成を与える。
【００６９】
特に、化学的酸化物除去（ＣＯＲ）プロセスは、高度に選択的かつ自己終了であり、それによって所望の程度でのＨＩＰＯＸ層１８のような酸化シリコンの薄い層の除去の制御を可能にし、ＨＩＰＯＸ１８の横方向の除去による意図しないアンダーカットの回避を可能にする。これに対して、ウェット・エッチング・プロセスは、自己終了と高い選択性との組み合せを提供せず、したがって、付着とエッチング・プロセスとの間の相互作用を調整する機会を提供できない。
【００７０】
管４９からのＨＦと管５３からのＮＨ3 とを含む反応ガスの混合物は、酸化シリコンＨＩＰＯＸ層１８の表面上に吸着反応物膜２７を最初に形成する。好ましくは、反応ガスの混合物は、管４７，バルブ４８および管４９を通ってチャンバ４４へ導入されたＨＦ（フッ化水素）ガスと管５１，バルブ５２および管５３を通ってチャンバ４４へ導入されたアンモニア（ＮＨ3 ）ガスとの組み合せを含み、コンフォーマルＨＩＰＯＸ酸化シリコン層１８を除去して、図１７に示すように、開口部２４″の基底部において結晶性シリコン基板１２の表面を露出させる。
【００７１】
ここで述べる化学反応は、シリコンから二酸化シリコンを除去するようデザインされているが、化学物質のソースの他の組み合せおよび他の化学的工程を用いてもよい。例えば、水溶液と共に一般的に用いられる多数の異なる化学物質を、正確なエッチングをデザインされた本発明のデバイスにおいて用いることができる。
【００７２】
具体的なソースの一部は、固体フッ化水素アンモニウムからの気体蒸気，ＨＦ，ＮＨ3 ，およびＨ2 Ｏの溶液，ＨＦ，ＮＨ3 ，およびＨ2 Ｏの個別のソース，ＨＦおよびＮＨ3 の個別のソース，ＨＦの気体もしくは溶液ソースと対になったＮＨ3 ／Ｈ2 Ｏの溶液などを含む。加えて、ＨＦおよびアンモニアは、前駆ガスからプラズマで生成できる。水以外の溶媒または溶液を用いることができ、例えばアルコールを水と入れ替えてもよい。他の例として、多くのシリサイド上に形成される二酸化シリコンはＨＦを含有する凝縮層と反応できる。二酸化シリコン以外の酸化物は、ＨＦおよびＮＨ3 またはＨ2 Ｏを含有する凝縮層と反応する。例として、フッ化水素アンモニウム固体からの蒸気を含むＨＦ蒸気化学物質がゲルマニウムを含む酸化物を除去することを実験が示した。純酸化ゲルマニウムであっても反応する。
【００７３】
アンモニウムイオン含有固体のソースあるいはアンモニアと酸とを含有する個別のソースを使用するいくつかの低圧または高温化学物質が存在する。酸との反応で形成されるアンモニウムイオン含有固体が特に揮発性でない一方でアンモニアが高い蒸気圧を有するという点でアンモニアはユニークである。したがって、酸化物に加えて膜をエッチングする多くの水性化学物質は、アンモニア含有凝縮膜において類似の反応を示す。材料をエッチングするとき、多量の材料をエッチングする必要はない。例えば、微量金属汚染の除去を本発明の方法によって達成できる。
【００７４】
バイポーラの製造において、ベース付着後の高温アニーリングは許されないので、厚いＴＥＯＳ分離層が露出しているときに、シリコン付着より前にシリコン含有層を前洗浄するためにこの気相エッチングは十分適している。比較として、ウェットエッチングを用いた場合、アニールＴＥＯＳ対ＨＩＰＯＸの１０：１の比率によれば１００ÅのＨＩＰＯＸが除去される場合にＴＥＯＳの除去は約１０００Åである。分離のために十分なＴＥＯＳは残らないこととなる。ＴＥＯＳ層はウェットエッチングによってダメージを受け、エミッタ／ベースの短絡が生じる。
【００７５】
代わりの実施形態において、プレベース洗浄プロセスは、トランジスタ領域が浅いトレンチ分離（ＳＴＩ）領域間の露出シリコンによって定められるということを除いて、上述したのと同様である。ＳＴＩ領域はウェットＨＦエッチングによってダメージを受け、大きいくぼみを生じさせることがある。ＳｉＧｅエピタキシがＨＦ／アンモニア洗浄表面の上に首尾よく成長できることを確認した。欠陥は観察されず、酸素レベルはデバイス要件を満たす。
【００７６】
（IV）露出酸化物アタック問題の解決
上述した問題（Ａ）は、ベースまたはエミッタ領域から離れた露出酸化シリコンをアタックし、エミッタおよびベース間に短絡を生じさせあるいはＳＴＩおよび他の場所に有害なトポグラフィを生じさせ、上に重なるシリコンの後のシリサイド化が困難になるということによって特徴づけられる。（ＴＥＯＳが熱酸化物より速い速度でエッチングする水性ＨＦエッチングと対照的に）熱酸化シリコンは、ＴＥＯＳまたは他のタイプの酸化シリコンよりＨＦ／アンモニア気相エッチングにおいて速い反応速度を有するので、この問題は、ＨＦ／アンモニア気相エッチングの使用によって効果的にアドレスされる。したがって、ベースＨＩＰＯＸの気相エッチングを使用し、分離ＴＥＯＳの完全な除去を防止することによってプレエミッタ洗浄後に形成される厚いＴＥＯＳ分離を得ることができる。この気相エッチングの重要な利点は、ＴＥＯＳを硬化させるために高温アニールは必要とされず、ドーパント熱拡散によるベースの劣化を回避するということである。同様に、水性ＨＦエッチングと比較したとき、プレベース洗浄におけるＳＴＩ酸化シリコンのアタックは同等かまたは少ない。
【００７７】
（Ｖ）アンダーカット問題の解決
ベースおよびエミッタ間の分離フィーチャのアンダーカットの問題（上述の問題（Ｂ））は、二酸化シリコンとのＨＦおよびアンモニアの反応が、体積が拡大する固体反応生成物を生じさせるために解決される。固体反応生成物はアンダーカットを制限する、というのは、それが、反応ＨＦおよびアンモニアに対する拡散バリアとして機能するからである。窒化物側壁スペーサの下の酸化物構造は、水性エッチング・プロセスにおけるようにはダメージを受けない。特に、気相エッチング後のＨＩＰＯＸのコーナ・プロファイルは、尾形構造（tail-shaped structure）によって制御でき、あるいは、オーバーエッチング（overetch）の総量に従うほぼ垂直のプロファイルによって制御でき、その結果、アンダーカットが完全に防止される。気相エッチングによるアンダーカットの防止は、ベース付着前の熱酸化シリコン除去のようないくつかのモジュールにおいて極めて重要である。アンダーカットは、また、欠陥，漏れ，および好ましくないトポグラフィのような問題につながる。
【００７８】
さらに、ポリシリコンＨＩＰＯＸと気相エッチングとの組み合せは、ＴＥＯＳ内に生じたパイプによる潜在的な漏れを防止することによってさらに良好な分離を与え、同時に、分離とキャパシタンス低減とのために十分厚いＴＥＯＳを保証する。
【００７９】
（VI）エッチング浸透問題の解決
図３および４を参照して問題（Ｃ）に関して上述したように、この問題は、後に随伴するＣＭＯＳのポリシリコン・ゲートになる露出シリコン内の欠陥および裂目に水性エッチングが浸透して、下にあるゲート酸化物をアタックし得るということである。本発明の好適な実施形態において、問題（Ｃ）は解決される。というのは、二酸化シリコンとのＨＦおよびアンモニアの反応が固体反応生成物を生じさせ、当該固体反応生成物の体積が拡張して酸化シリコン・ラインド（lined）裂目を埋めるからである。裂目を埋めるという本発明によってもたらされる利点は、酸化シリコンを溶かし、裂目に容易に浸透する水性エッチングと対照的である。
【００８０】
（VII）残留酸化物問題の解決
ベース／コレクタ界面での再成長に基づく残留酸化シリコンは、ベース・エピタキシの際に欠陥を生じさせ、エミッタおよびコレクタ間に漏れを引き起こす可能性がある（上述した問題（Ｄ））。第２の水性処理を用いて再成長酸化シリコンを除去する場合には、問題は、シリコンも除去されて荒さによる欠陥につながり得ることである。これらの問題は本発明において回避される。というのは、気相酸化物エッチングが後続のＳｉ（またはＳｉ／Ｇｅ）成長プロセスと統合されるので、前洗浄プロセスおよび成長プロセスが単一の真空システムにおいて実行され、雰囲気への露出および原酸化物（native oxide）の再成長を回避するからである。プレベース酸化シリコン洗浄における酸化シリコン再成長の驚くほど大きな影響のために、酸化シリコン除去チャンバをシリコンまたはシリコン／ゲルマニウム成長チャンバと統合できることが重要である。二酸化シリコンとのＨＦおよびアンモニアの反応は、低圧（１０ｍＴｏｒｒ以下）で行うことができる。大気圧または少なくとも数Ｔｏｒｒの圧力で一般的に行われる水性洗浄工程または一般的な蒸気ＨＦ洗浄工程と対照的に、低圧で行われるＨＦおよびアンモニアの二酸化シリコンとの反応は、シリコン／ＳｉＧｅ成長チャンバと容易に統合できる。
【００８１】
［統合されたエッチング／蒸発／付着プロセスを実行するための装置］
図１９および図２０〜２２は、真空状態を中断することなしに、ＨＦおよびアンモニア反応から、生成物蒸発，ＳｉまたはＳｉ／Ｇｅ付着へウェハを移動させることができるハンドラを備えるツールを示す。当該ツールは、生成物蒸発チャンバとＳｉまたはＳｉＧｅ付着チャンバとを合体させることができ、それは、シングル・ウェハ・タイプに特有であってもよく、バッチ・タイプに特有であってもよい。バッチ・マルチチャンバ・ツールの重要な特徴は、チャンバ間を往復できる（酸化物エッチングおよびシリコン付着双方に適合する材料の）可搬カセットである。
【００８２】
図１９は、ウェハのボートがプロセス・チャンバ間を往復するバッチ・プロセス装置の図である。ＳｉＧｅへの適用については、ウェハはＣＯＲ（ＨＦおよびアンモニア）反応チャンバ１４４内で反応し、次に、ＣＯＲ反応生成物の蒸発のためのチャンバ１７０へ輸送され、続いて最終的には、シリコン／ＳｉＧｅ付着チャンバ１７５へ輸送される。搬送ロッドＴＲは、カセットを、チャンバから中央チャンバ１７２内のハンドラ・フロッグまたはターンテーブルへ押し動かすために与えられる。代わりに、チャンバ１７０および１７５を同一のチャンバとすることができる。
【００８３】
図２０〜２２は、ＳｉＧｅエピタキシ・システムを用いて本発明に従ってウェハを処理する実施形態を示す。図２０はツールの左側立面を示し、図２１は正面立面を示し、そして図２２は右側立面を示す。水平配置が示されているが、垂直配置も可能である。
【００８４】
図２１は搬送チャンバへ接続されたロード・ロック（load lock）ＬＬを示し、搬送チャンバは、左側搬送チャンバ１７１まで続く左側管ＴＴＬと、右側搬送チャンバ１４５まで続く右側管ＴＴＲとを有する。左側搬送チャンバ１７１はＣＯＲ脱離チャンバ１７０へ接続されており、ＣＯＲ脱離チャンバ１７０は図２０の左側立面において見ることができる。分離バルブIVは様々なチャンバを分離し、多数のボートを用いた稼働の場合に、反応チャンバ内で反応が起きているときに輸送が起こるようにする。
【００８５】
（５つの代表的なボート位置９０Ａ〜９０Ｅに示される）ウェハ・ボート９０は、複数のウェハのバッチを収容する。ボート９０は、搬送ロッド９１または９２によって、ロード・ロックＬＬから搬送管ＴＴＬおよびＴＴＲを通って搬送チャンバ１７１および１４５まで輸送される。次に、搬送ロッド９４または９５は、それぞれ、ボートをピックアップして当該ボートをＣＯＲ脱離チャンバ１７０またはＣＯＲ反応チャンバ１４４へ輸送する。チャンバ１７０は、ＳｉＧｅまたはＳｉ炉としてもよい。
【００８６】
ボートは様々な位置に示され、ボートは常圧ロード・ロックＬＬから左側管ＴＴＬおよび右側管ＴＴＲを有する中央搬送チャンバへ搬送されてもよい。そこからボートは、他の付属のプロセス・チャンバへ分配される。
【００８７】
ボートは、搬送チャンバ内で横方向または斜め方向に搬送され、次に、搬送チャンバの内側の動きの面または線に直角に他のチャンバへ挿入される。挿入は、搬送チャンバ内のウェハ・ボートの動きによって形成された面の一方の側または両側（かつ当該面と直交する）としてもよい。挿入が両側の場合、搬送チャンバの両側にプロセス・チャンバが存在することになる。図２０の左側面図は、搬送チャンバの左側のみのプロセス・チャンバ１７０を示す。搬送ロッドは、当該チャンバへボートを引き込むことができ、またはプロセス・チャンバから搬送チャンバの反対側に位置して、プロセス・チャンバへ押し込まれてもよい。リフト・ピンが適切に含まれる。
【００８８】
上述の装置の追加の実施形態は以下の通りである。搬送チャンバ１７１／１４５は常圧ロード・ロックを含んでもよい。代わりに、常圧ロード・ロックを、各搬送チャンバの端部に（搬送チャンバ内のウェハの動きと共面または共線的に）与えてもよい。
【００８９】
中央チャンバ１７２は、垂直方向に可動でありリフト・ピンを適切に有する回転テーブルを含んでもよい。回転テーブルは、そこにくぼみまたはリセスを有して、ウェハ・ボートのハンドラ・アクセスおよび／または把持およびリフトを促進させてもよい。ウェハは、回転テーブルの中心に配されてもよく、あるいは１個以上のボートが同時に回転テーブルを占有できるように中心から外れて配されてもよい。
【００９０】
当該装置が中央チャンバを含む場合、搬送ロッドを中央チャンバに対向するプロセス・チャンバ上に備えてボートをプロセス・チャンバへ引き込んでもよい。代わりに、搬送ロッドをプロセス・チャンバに対向する中央チャンバ上に備えて、ウェハをプロセス・チャンバへ押し込むようにしてもよい。この場合には、プロセス・チャンバは、相互に直線的に対向し得ない。
【００９１】
それぞれのタイプの搬送は、米国特許第５，６３６，３２０号公報に述べられたチャンバに適合でき、あるいは、反応のための個々のチャンバおよび蒸発もしくは熱脱離による反応生成物の除去のための個々のチャンバに適合できる。
【００９２】
それぞれのタイプの搬送は、ウェハをＨＦおよびアンモニアの混合物へ露出させる１以上のチャンバに適合でき、当該チャンバは、搬送チャンバを通って、二酸化シリコンとＨＦおよびアンモニアとの反応生成物をウェハの表面から除去する１以上のチャンバへ接続される。
【００９３】
他のプロセス・チャンバを上述のツールへ取り付けて、さらなるプロセス統合を与えてもよい。このようなチャンバは、ポリシリコン付着，先進のゲート誘電体付着，または導体／コンタクト・ライナＣＶＤのためのチャンバを含んでもよい。特に、１以上の管炉（tube furnace）をツールに取り付けてもよい。ウェハ・ボートの配置は、搬送方向と直交または並行であってもよい。ウェハの面は、地面と直交してもよくあるいは並行でもよい。
【００９４】
上述した気相エッチング・プロセスの様々な段階に対する温度要件が異なることに留意されたい。酸化物とのＨＦ／アンモニアの反応は、室温に近い安定したチャンバ温度を要求する。反応生成物の蒸発は、反応生成物がウェハから蒸発した後にチャンバ壁上に再凝結しないように、１００℃に近いチャンバ温度を一般的に必要とする。反応および蒸発を別々のチャンバで実行することにより、蒸発の後にチャンバを冷却するために要求される余分な時間を排除する。特に、ＨＦ／アンモニア気相エッチング・ツールを、ホット・プロセス炉と組み合せる場合に強みがあり、続いて、ホット・プロセス炉を反応生成物の蒸発のために用いることができる。
【００９５】
まとめとして、本発明の構成に関して以下の事項を開示する。
（１）テトラエチルオルソシリケート（ＴＥＯＳ）ガラス層と前記ＴＥＯＳガラス層の下の中間層とを貫いて開口を形成し、前記開口はシリコン含有材料の露出面まで達し、前記開口は前記ＴＥＯＳガラス層と前記中間層との側壁を含む前記開口の側壁を露出させる工程と、前記開口の側壁上に側壁スペーサを形成し、前記ＴＥＯＳガラス層および前記中間層の側壁を覆う工程と、前記シリコン含有材料を化学的酸化物除去（ＣＯＲ）プロセスによって選択的にエッチングし、前記ＴＥＯＳ層をその場に残留させて前記中間層を保護する工程と、を含むプロセス。
（２）前記シリコン含有材料は、高圧酸化物（ＨＩＰＯＸ）材料を含む上記（１）記載のプロセス。
（３）前記選択的にエッチングする工程の際に、前記ＴＥＯＳ層の一部が固体反応生成物へ転換され、前記シリコン含有材料の露出部分が固体反応生成物へ転換される上記（１）記載のプロセス。
（４）前記選択的にエッチングする工程は、前記ＴＥＯＳ層と前記シリコン含有材料との露出面を含む露出面の上にＨＦおよびＮＨ3 のブランケット吸着反応物膜を形成する工程と、前記ＴＥＯＳ層の一部と前記シリコン含有材料の露出部分とを固体反応生成物へ転換する前記ＴＥＯＳ層の一部を固体反応生成物へ転換する工程と、を含む上記（１）記載のプロセス。
（５）前記エッチング・プロセスは、ＣＯＲガスを流入させて、前記シリコン含有材料の露出面と、側壁スペーサと、前記ＴＥＯＳ層との上にＨＦおよびＮＨ3 の吸着反応物膜を形成する工程と、前記吸着反応物膜の下に前記固体反応生成物を形成する工程と、前記真空チャンバへのＣＯＲガスの流入を終了する工程と、加熱して前記真空チャンバから前記固体反応生成物を除去する工程と、を含む上記（３）記載のプロセス。
（６）前記シリコン含有材料を選択的にエッチングする工程は、シール反応チャンバ内で実行される上記（１）記載のプロセス。
（７）前記ＣＯＲプロセスは、ＨＦおよびアンモニアＮＨ3 蒸気の混合物を用いる上記（１）記載のプロセス。
（８）前記エッチング・プロセスは、ＣＯＲ反応ガスのソースからのバルブを開いてシール反応チャンバへＣＯＲ反応物ガスを流入させることによって約１０ミリトル以下の低圧で前記シール反応チャンバ内で吸着反応物膜の下に固体反応生成物を形成する工程を実行する工程と、前記ＣＯＲ反応ガスのソースからのバルブを閉じて前記シール反応チャンバへのＣＯＲガスの流入を終了する工程と、加熱して前記シール反応チャンバから前記固体反応生成物を除去する工程と、を含む上記（１）記載のプロセス。
（９）前記ＣＯＲプロセスは、ＨＦおよびアンモニアＮＨ3 蒸気の混合物を用いる上記（８）記載のプロセス。
（１０）シランおよびジクロロシランより成るグループから選択されたエミッタ形成ガスを前記エミッタ形成ガスの分解温度を超えて加熱されたワークピースを含むチャンバへ導入する工程を実行して、前記反応生成物の除去の後に前記開口内にエミッタを形成する上記（８）記載のプロセス。
（１１）第１の酸化シリコン材料と前記第１の酸化シリコン材料の下の中間層とを貫いて開口を形成し、前記開口は第２の酸化シリコン材料の露出面まで達し、前記開口は前記第１の酸化シリコン材料および前記中間層の側壁を含む前記開口の側壁を露出させる工程と、前記開口の側壁上に側壁スペーサを形成し、前記第１の酸化シリコン層および前記中間層の側壁を覆う工程と、化学的酸化物除去（ＣＯＲ）プロセスによって前記第２の酸化シリコン材料を選択的にエッチングし、前記第１の酸化シリコン材料をその場に残留させて前記中間層を保護する工程と、を含むプロセス。
（１２）前記第２の酸化シリコン材料は、高圧酸化物（ＨＩＰＯＸ）材料を含む上記（１１）記載のプロセス。
（１３）前記選択的にエッチングする工程の際に、前記第１の酸化シリコン材料の一部が固体反応生成物へ転換され、前記第２の酸化シリコン材料の露出部分が固体反応生成物へ転換される上記（１１）記載のプロセス。
（１４）前記選択的にエッチングする工程は、前記第１の酸化シリコン材料および前記第２の酸化シリコン材料の露出面を含む露出面上にＨＦおよびＮＨ3 のブランケット吸着反応物膜を形成する工程と、前記第１の酸化シリコン材料の一部と前記第２の酸化シリコン材料の露出部分とが固体反応生成物へ転換される前記第１の酸化シリコン材料の一部を固体反応生成物へ転換する工程と、を含む上記（１１）記載のプロセス。
（１５）前記エッチング・プロセスは、ＣＯＲガスを流入させて、前記第２の酸化シリコン材料の露出面と、側壁スペーサと、前記第１の酸化シリコン材料との上にＨＦおよびＮＨ3 の吸着反応物膜を形成する工程と、前記吸着反応物膜の下に前記固体反応生成物を形成する工程と、前記真空チャンバへのＣＯＲガスの流入を終了する工程と、加熱して前記真空チャンバから前記固体反応生成物を除去する工程と、を含む上記（１３）記載のプロセス。
（１６）前記第２の酸化シリコン材料を選択的にエッチングする工程は、シール反応チャンバで実行される上記（１１）記載のプロセス。
（１７）前記ＣＯＲプロセスは、ＨＦおよびアンモニアＮＨ3 蒸気の混合物を用いる上記（１１）記載のプロセス。
（１８）前記エッチング・プロセスは、ＣＯＲ反応ガスのソースからのバルブを開いてＣＯＲ反応チャンバへＣＯＲ反応物ガスを流入させることによって約１０ミリトル以下の低圧で前記ＣＯＲ反応チャンバ内で吸着反応物膜の下に固体反応生成物を形成する工程を実行する工程と、前記ＣＯＲ反応ガスのソースからのバルブを閉じて前記真空チャンバへのＣＯＲガスの流入を終了する工程と、加熱して前記真空チャンバから前記固体反応生成物を除去する工程と、を含む上記（１６）記載のプロセス。
（１９）前記ＣＯＲプロセスは、ＨＦおよびアンモニアＮＨ3 蒸気の混合物を用いる上記（１８）記載のプロセス。
（２０）前洗浄真空チャンバと、超高真空（ＵＨＶ）圧における低速でＳｉＧｅ層を付着するための超高真空（ＵＨＶ）炉付着チャンバとを備え、前記前洗浄チャンバと前記炉付着チャンバとは中間エンクロージャによって相互接続されており、真空状態を中断することなしに、前記前洗浄チャンバから前記中間エンクロージャを通って前記炉付着チャンバまで複数のウェハのカセットを通過させて、前記前洗浄真空チャンバと前記炉付着チャンバとの間の前記カセットの移動の際に雰囲気への露出からワークを保護する手段を備えるバッチ・システム。
【図面の簡単な説明】
【００９６】
【図１】バイポーラ・デバイスにおいてエミッタ／ベース側壁分離窒化物のアンダーカットの問題を説明する図である。
【図２】バイポーラ・デバイスにおいてエミッタ／ベース側壁分離窒化物のアンダーカットの問題を説明する図である。
【図３】水性エッチング溶液が浸透して下にあるゲート酸化物層をアタックし得るＣＭＯＳデバイスの露出したゲート電極ポリシリコン層内の欠陥および裂目の問題を説明する図である。
【図４】水性エッチング溶液が浸透して下にあるゲート酸化物層をアタックし得るＣＭＯＳデバイスの露出したゲート電極ポリシリコン層内の欠陥および裂目の問題を説明する図である。
【図５】バイポーラ構造に対してウェット・ケミカル・エッチングを用いる問題の他の側面を説明する図である。
【図６】バイポーラ構造に対してウェット・ケミカル・エッチングを用いる問題の他の側面を説明する図である。
【図７】バイポーラ構造に対してウェット・ケミカル・エッチングを用いる問題の他の側面を説明する図である。
【図８】バイポーラ構造に対してウェット・ケミカル・エッチングを用いる問題の他の側面を説明する図である。
【図９】バイポーラ構造に対してウェット・ケミカル・エッチングを用いる問題の他の側面を説明する図である。
【図１０】図５〜９と共に上述したタイプのバイポーラ構造を製造する場合の本発明の実施の形態に係る気相エッチング（すなわちドライエッチング・プロセスを用いる）のプロセスを説明する図である。
【図１１】図５〜９と共に上述したタイプのバイポーラ構造を製造する場合の本発明の実施の形態に係る気相エッチング（すなわちドライエッチング・プロセスを用いる）のプロセスを説明する図である。
【図１２】図５〜９と共に上述したタイプのバイポーラ構造を製造する場合の本発明の実施の形態に係る気相エッチング（すなわちドライエッチング・プロセスを用いる）のプロセスを説明する図である。
【図１３】図５〜９と共に上述したタイプのバイポーラ構造を製造する場合の本発明の実施の形態に係る気相エッチング（すなわちドライエッチング・プロセスを用いる）のプロセスを説明する図である。
【図１４】図５〜９と共に上述したタイプのバイポーラ構造を製造する場合の本発明の実施の形態に係る気相エッチング（すなわちドライエッチング・プロセスを用いる）のプロセスを説明する図である。
【図１５】図５〜９と共に上述したタイプのバイポーラ構造を製造する場合の本発明の実施の形態に係る気相エッチング（すなわちドライエッチング・プロセスを用いる）のプロセスを説明する図である。
【図１６】図５〜９と共に上述したタイプのバイポーラ構造を製造する場合の本発明の実施の形態に係る気相エッチング（すなわちドライエッチング・プロセスを用いる）のプロセスを説明する図である。
【図１７】図５〜９と共に上述したタイプのバイポーラ構造を製造する場合の本発明の実施の形態に係る気相エッチング（すなわちドライエッチング・プロセスを用いる）のプロセスを説明する図である。
【図１８】図５〜９と共に上述したタイプのバイポーラ構造を製造する場合の本発明の実施の形態に係る気相エッチング（すなわちドライエッチング・プロセスを用いる）のプロセスを説明する図である。
【図１９】真空状態を中断することなしに、ウェハを、ＨＦおよびアンモニア反応から、生成物蒸発，ＳｉまたはＳｉ／Ｇｅ付着へ移動させることができるハンドラを有する本発明に係るツールを示す図である。
【図２０】真空状態を中断することなしに、ウェハを、ＨＦおよびアンモニア反応から、生成物蒸発，ＳｉまたはＳｉ／Ｇｅ付着へ移動させることができるハンドラを有する本発明に係る他のツールを示す図である。
【図２１】真空状態を中断することなしにウェハを、ＨＦおよびアンモニア反応から、生成物蒸発，ＳｉまたはＳｉ／Ｇｅ付着へ移動させることができるハンドラを有する本発明に係るツールを示す図である。
【図２２】真空状態を中断することなしにウェハを、ＨＦおよびアンモニア反応から、生成物蒸発，ＳｉまたはＳｉ／Ｇｅ付着へ移動させることができるハンドラを有する本発明に係るツールを示す図である。
【符号の説明】
【００９７】
ＳＷ  窒化シリコン側壁スペーサ
Ｗ  開口部
ＴＳ  ＴＥＯＳ層
ＰＳ  ポリシリコン層
ＨＸ  ＨＩＰＯＸ層
ＳＩ  シリコン基板
ＢＰ  バイポーラ・デバイス
ＵＣ  アンダーカット
ＰＤ  ポリシリコン欠陥
ＧＰ  ゲート電極ポリシリコン
ＧＸ  ブランケット・ゲート酸化物層
ＣＭ  ＣＭＯＳデバイス
ＯＤ  酸化物欠陥
１０  デバイス
１２  シリコン基板
１４  ドープ・シリコン・コレクタ
１６  ドープ・シリコン・ベース
１８  ＨＩＰＯＸ層
２０  外部ベース・ポリシリコン層
２２  ＴＥＯＳ層
２４，２４′，２４″  開口部
２６  スペーサ
２７  ＣＯＲ吸着反応物膜
２８  反応生成物
２９  側壁スペーサ２６の尖鋭部
３０，３１  エミッタ
４４  ＣＯＲ反応チャンバ
４７，４９，５１，５３，５８  管
４８，５２，５６  バルブ
５４，６２  排気管
６０  排気ポンプ
６７  吸気管
６９  管
６８，７６  バルブ
７０  加熱チャンバ
７４，７８  排気管
８０  ポンプ
８２  排気口
９１，９２，９４，９５  搬送ロッド
１４４  ＣＯＲ反応チャンバ
１４５  右側搬送チャンバ
１７０  ＣＯＲ脱離チャンバ
１７１  左側搬送チャンバ
ＴＲ  搬送ロッド
ＬＬ  ロード・ロック
ＴＴＬ  左側管
ＴＴＲ  右側管
ＩＶ  分離バルブ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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