(57)【要約】【課題】２端子構造の半導体装置における金属ワイヤによる抵抗及びリアクタンスの低減を図ることができる半導体装置を提供することを目的とする。【解決手段】フレーム１６は、半導体素子を載置するダイパッド部１１を有する第１のリード１５と、第１のリード１５と相対する側に、金属ワイヤが接続されるワイヤボンディング部１７を有する第２のリード１２からなり、第２のリード１２の高さが、第１のリード１５の高さより、半導体素子の高さｈ１分、高いことを特徴とする。フレーム１６を用いた半導体装置は、半導体素子の電極と、第２のリードを接続する金属ワイヤの寸法を短くできるため抵抗及びリアクタンスを低減させることができる。【選択図】  図１
2004193236.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子を載置するダイパッド部を有する第１のリードと、前記第１のリードと対向する側にワイヤボンディング部を有する第２のリードからなるフレームが、連結バーにより複数個連結したリードフレームにおいて、前記第２のリードの高さが前記第１のリードの高さより前記半導体素子の高さ分、高いことを特徴とするリードフレーム。
【請求項２】
半導体素子を載置する第１のリード端子と、第２のリード端子とを有し、前記半導体素子の電極と前記第２のリード端子が金属ワイヤにて接続され、前記半導体素子と前記金属ワイヤを含め樹脂封止された半導体装置において、前記第２のリードの高さが、前記第１のリードの高さより、半導体素子の高さ分、高いことを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置及びそのリードフレームに関し、特に２端子構造のダイオードに関する。
【０００２】
【従来の技術】
図３（ａ）、（ｂ）は、２端子構造の半導体装置の従来例を示したものである。
【０００３】
図３（ａ）は、上面視、図３（ｂ）は、図３（ａ）のＡ−Ａ断面図である。
【０００４】
半導体装置１は、図３（ｂ）に示されるように、半導体素子４を載置するダイパッド部７を有する第１のリード２と、ワイヤボンディング部８を有する第２のリード３と、半導体素子４の上部の電極（図示せず）と第２のリード３は例えば３０μｍの太さの金属ワイヤ５にて接続され、半導体素子４と金属ワイヤ５を含め樹脂６により樹脂封止される。
【０００５】
このような従来の半導体装置１の課題としては、金属ワイヤ５の長さが、抵抗及びリアクタンス等の電気的特性に影響し、金属ワイヤ５の長さに比例して、抵抗、リアクタンスの増加を招き、電子チューナーなどのアナログ回路においては、雑音指数を悪化、また発振回路においては、位相雑音の悪化につながる。
【０００６】
このような課題の対策としては、金属ワイヤ５の直径を太くしたり、金属ワイヤ５の中央部分を幅広い形状にすることで、リアクタンス等の電気的特性を改善する半導体装置が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００７】
【特許文献１】
特開平２−１８５０４７号公報（第２頁、第１図）
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、金属ワイヤの直径を太くする対応においては、ワイヤボンディングした際、金属ワイヤのループが大きくなり、半導体装置自体の小型化の妨げになるとともに、材料コストが高くなるという新たな課題がある。
【０００９】
また、金属ワイヤを太くする対応は、半導体素子上の電極の寸法も大きくする必要があるが、電極の寸法は、容量値で決まっているため、変更することができない。
【００１０】
また、金属ワイヤの中央部分を幅広い形状にする対応は、半導体素子の電極とリードを接続するワイヤボンディング工程の設備変更など工程上の問題がある。
【００１１】
本発明は、上記問題に鑑みてなされたもので、容易に金属ワイヤによる抵抗及びリアクタンスを低減することができる半導体装置を提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
前記目的を達成するために、本発明の半導体装置は、請求項１に記載したように、半導体素子を載置するダイパッド部を有する第１のリードと、ワイヤボンディング部を有する第２のリードを有するリードフレームにおいて、前記第２のリードの高さが前記第１のリード端子の高さより前記半導体素子の高さ分高いリードフレームを使用することを特徴とする。
【００１３】
また、本発明の半導体装置は、上記フレームを用いた構成であることを特徴とする。
【００１４】
上記構成とすることにより、従来の金属ワイヤを使用し、容易に抵抗及びリアクタンスを低減させることができる。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下に本発明の実施の形態を図面を参照しながら説明する。
【００１６】
なお、図面を説明するにあたり、同一構成のものは、同一符号を付し、説明を省略する。
【００１７】
図１（ａ）は、本発明のリードフレームの上面図、図１（ｂ）は、図１（ａ）のＢ−Ｂ断面図である。
【００１８】
本発明のリードフレーム１０は、銅材または、４２−アロイ等の材料からなり、半導体装置１個分に相当するフレーム１６（点線枠内）が、複数個、連結バー１４でラダー状に互いに連結されたものである。
【００１９】
また、個々のフレーム１６は、半導体素子（図示せず）を載置するダイパッド部１１を有する第１のリード１５と、第１のリード１５と相対する側に、金属ワイヤ（図示せず）が接続されるワイヤボンディング部１７を有する第２のリード１２を備え、第１のリード１５のダイパッド部１１と、第２のリード１２のワイヤボンディング部１７には、予め、金属メッキ層を形成しておく。なお、金属メッキ層の材料としては、金、銀、パラジウムなどでメッキすることが好ましい。
【００２０】
また、図１（ｂ）に示されるように、ワイヤボンディング部１７はダイパッド部１１よりも、半導体素子の高さｈ１分高いことを特徴とする。
【００２１】
次に、リードフレーム１０により製造された半導体装置を図２に示す。
【００２２】
半導体装置２１は、半導体素子２０を載置した第１のリード１５と、第１のリード１５と相対する位置に第２のリード１２と、半導体素子２０の上部電極（図示せず）と第２のリード１２のワイヤボンディング部１７は、金属ワイヤ２２にて接続され、半導体素子２０と金属ワイヤ２２を含め樹脂２３により樹脂封止される。
【００２３】
上記構成とすることにより、金属ワイヤ２２の長さを短くすることができるため、リアクタンス、抵抗の低減を図ることができ、高周波特性が良くなるという効果がある。
【００２４】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明のリードフレームは、半導体素子を載置するダイパッド部を有する第１のリードに対し、半導体素子の上部電極から金属ワイヤにて接続される第２のリードの高さが半導体素子の高さ分高いため、本リードフレームを使用した半導体装置では、金属ワイヤの長さが最短となり、金属ワイヤによる抵抗及びリアクタンスの低減を図ることができる。
【００２５】
また、本発明の半導体装置によれば、従来の半導体装置と同様の太さの金属ワイヤを使用することができるため、半導体素子の電極を大きくする必要がなく、容量が大きくなることがない。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）本発明のリードフレームを上面から見た図
（ｂ）本発明のリードフレームを側面から見た断面図
【図２】本発明の半導体装置の側面から見た断面図
【図３】（ａ）従来の半導体装置の上面から見た図
（ｂ）従来の半導体装置の側面から見た断面図
【符号の説明】
１、２１  半導体装置
２、１５  第１のリード
３、１２  第２のリード
４、２０  半導体素子
５、２２  金属ワイヤ
７、１１  ダイパッド部
１０  リードフレーム
１３  ガイド穴
【図１】
2004193236.tif 000003
【図２】
2004193236.tif 000004
【図３】
2004193236.tif 000005