(57)【要約】【課題】耐圧性及びシール性が高い圧力センサを提供すること。【解決手段】複数のターミナルピン１０と該ターミナルピン１０に電気的に接続された感圧素子２０とを有する素子ホルダー部３０を含む圧力センサ１である。素子ホルダー部３０は，感圧素子２０とターミナルピン１０との間に，これらを電気的に接続する複数の電気経路８３を形成する多層基板８０を有している。この多層基板８０は，複数のセラミック層８５を積層してなると共に，各電気経路８３の一部を構成する各電極パターンを含む電極層８７を有している。そして，各セラミック層８５には，上記電極パターンに電気的に接続される複数の導電体８２を貫通して設けてある。感圧素子２０と対向するセラミック層８５に設けた導電体８２と，他の少なくとも１層のセラミック層８５に設けた導電体８２とは，貫通方向における透視断面が重ならないようにずらして配置してある。【選択図】　図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のターミナルピンと該ターミナルピンに電気的に接続された感圧素子とを有する素子ホルダー部を含む圧力センサにおいて，
上記素子ホルダー部は，上記感圧素子と上記ターミナルピンとの間に，これらを電気的に接続する複数の電気経路を形成する多層基板を有しており，
該多層基板は，複数のセラミック層を積層してなると共に隣接するセラミック層の間に上記各電気経路の一部を構成する各電極パターンを含む電極層を有し，上記各セラミック層には上記電極パターンに電気的に接続される複数の導電体を貫通して設けてあり，
かつ，上記感圧素子と対向する上記セラミック層に設けた上記導電体と，他の少なくとも１層の上記セラミック層に設けた上記導電体とは，貫通方向における透視断面が重ならないようにずらして配置してあることを特徴とする圧力センサ。
【請求項２】
請求項１において，上記素子ホルダー部の上記多層基板及び上記ターミナルピンの少なくとも一部は，コネクタハウジングにより覆われていることを特徴とする圧力センサ。
【請求項３】
請求項１又は２において，上記圧力センサは，上記素子ホルダー部を収納するセンサハウジングを有しており，上記素子ホルダー部と上記センサハウジングとの間に圧力室が形成されており，該圧力室に上記感圧素子が収容してあることを特徴とする圧力センサ。
【請求項４】
請求項３において，上記圧力室は，上記素子ホルダー部における上記多層基板の外周面と，上記センサハウジングの内周面との間に配置されたシール材によりシールされていることを特徴とする圧力センサ。
【請求項５】
請求項３又は４において，上記センサハウジングは，シールダイヤフラムを有しており，上記圧力室は，上記シールダイヤフラムにより密閉されていると共に，該圧力室の中には，圧力伝達媒体が充填されていることを特徴とする圧力センサ。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１項において，上記多層基板は，３層のセラミック層より構成されていることを特徴とする圧力センサ。
【請求項７】
請求項６において，隣接するセラミック層の間における電極層のうち，少なくとも１層の電極層には，少なくとも上記感圧素子に対面する領域を含むグランド電極が配置されていることを特徴とする圧力センサ。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか１項において，上記感圧素子は，バンプ材により上記多層基板にバンプ接合されていると共に，上記バンプ材を介して上記ターミナルと電気的に接続されていることを特徴とする圧力センサ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【技術分野】
本発明は，感圧素子により圧力を計測する圧力センサに関する。
【０００２】
【従来技術】
圧力センサは，シリコン基板上に形成した歪ゲージと，シリコン基板を精密にエッチングして形成した圧力検知用のダイヤフラムとを有する感圧素子を利用したセンサである。そして，この圧力センサは，上記歪ゲージにより，圧力によるダイヤフラムのひずみ量を計測することにより圧力を測定する。
【０００３】
この圧力センサは，感圧素子を配置する受圧面を，圧力計測対象である流体が流入する又は圧力伝達媒体が充填されている圧力室に対面させて圧力を計測するように構成されている。そして，上記圧力室は，圧力センサの圧力計測範囲に対応できるように耐圧性が十分に高く，かつ，シール性が十分であることが必要である。
【０００４】
【解決しようとする課題】
しかしながら，上記従来の圧力センサにあっては，次のような問題がある。
即ち，圧力を検知する感圧素子を配置する上記受圧面には，該感圧素子と電気的に接続されるターミナルピンを露出させる必要がある。
さらに，このターミナルピンは，外部機器等と電気的に接続する必要があるため，圧力室と圧力センサの外部との間を電気的に貫通している必要がある。そのため，このターミナルピンと圧力センサ本体との境界部の隙間等により機密性が低下し，上記受圧面の耐圧性及びシール性を十分高くできない場合があった。
【０００５】
本発明はかかる従来の問題点に鑑みてなされたもので，耐圧性及びシール性に優れた圧力センサを提供しようとするものである。
【０００６】
【課題の解決手段】
本発明は，複数のターミナルピンと該ターミナルピンに電気的に接続された感圧素子とを有する素子ホルダー部を含む圧力センサにおいて，
上記素子ホルダー部は，上記感圧素子と上記ターミナルピンとの間に，これらを電気的に接続する複数の電気経路を形成する多層基板を有しており，
該多層基板は，複数のセラミック層を積層してなると共に隣接するセラミック層の間に上記各電気経路の一部を構成する各電極パターンを含む電極層を有し，上記各セラミック層には上記電極パターンに電気的に接続される複数の導電体を貫通して設けてあり，
かつ，上記感圧素子と対向する上記セラミック層に設けた上記導電体と，他の少なくとも１層の上記セラミック層に設けた上記導電体とは，貫通方向における透視断面が重ならないようにずらして配置してあることを特徴とする圧力センサにある（請求項１）。
【０００７】
本発明の上記圧力センサにおいて，上記感圧素子と上記ターミナルピンとは，上記素子ホルダー部における上記多層基板に形成された電気経路を介して，相互に電気的に接続されている。さらに，この電気経路は，上記多層基板をなす各セラミック層を貫通するよう設けてある導電体と，隣接するセラミック層の間の電極層に配設した電極パターンとにより形成されている。
【０００８】
そして，上記電気経路において，上記感圧素子と対向する上記セラミック層に設けた上記導電体と，他の少なくとも１層の上記セラミック層に設けた上記導電体とは，貫通方向における透視断面が重ならないようにずらして配置してある。すなわち，上記多層基板においては，各セラミック層に配設した各導電体が，その貫通方向に一直線上に並らばないよう，その断面位置をずらして配置してあり，上記電気経路をいわばジグザグ形状の経路にしてある。
【０００９】
そのため，上記多層基板に高い圧力が作用した場合であっても，上記導電体がその圧力によって吹き抜けるようなおそれがない。また，たとえ導電体の一部のシール性が低下したとしても，上記のごとくジグザグ形状の電気経路全体のシール性が低下しない限り，優れたシール性を維持することができる。
したがって，上記圧力センサは，耐圧性が高く，その優れたシール性を長期間に渡って発揮することができる。
【００１０】
このように，本発明においては，耐圧性及びシール性に優れた圧力センサを提供することができる。
さらに，上記セラミック層を複数積層した上記多層基板は，たわみ強度に優れ，圧力が作用したときに生じるたわみが少ない。上記多層基板のたわみを抑制できれば，たわみに起因した上記感圧素子と上記ターミナルピンとの位置関係の変動を抑制できる。そして，両者を電気的に接続するためのボンディングワイヤやバンプ材等に生じ得る断線，クラック等のトラブルを未然に防止できる。
【００１１】
【発明の実施の形態】
本発明において，上記素子ホルダー部の上記多層基板及び上記ターミナルピンの少なくとも一部は，コネクタハウジングにより覆われていることが好ましい（請求項２）。
この場合には，上記コネクタハウジングを介在して，上記ターミナルピンと，電源，測定器等，外部機器の外部コネクタとの接続を容易かつ確実に実施することができる。
【００１２】
また，上記圧力センサは，上記素子ホルダー部を収納するセンサハウジングを有しており，上記素子ホルダー部と上記センサハウジングとの間に圧力室が形成されており，該圧力室に上記感圧素子が収容してあることが好ましい（請求項３）。
この場合には，上記センサハウジングと上記素子ホルダー部との間に形成される上記圧力室に，圧力計測対象としての流体等を導入してその圧力を計測する。そのため，上記流体の流れによる測定圧力への影響を抑制して，精度良くその圧力を計測することができる。
【００１３】
また，上記圧力室は，上記素子ホルダー部における上記多層基板の外周面と，上記センサハウジングの内周面との間に配置されたシール材によりシールされていることが好ましい（請求項４）。
この場合には，上記多層基板の外周面と上記センサハウジングの内周面との間に配置したシール材により，上記圧力室を確実にシールすることができる。
上記シール材としては，シリコーン系，ニトリル系，アクリル系，ＥＰＤＭ系，フッ素系のシール材等の様々なシール材を適用することができる。
【００１４】
特に，上記シール材は，Ｏリングであることが好ましい。Ｏリングであれば，高いシール性を長期間に渡って発揮することができると共に，上記センサハウジングと上記素子ホルダー部との組み付け性も良好である。また，上記シール材としては，上記多層基板の外周面に配設したメタライズ処理によるＭｏ−Ｍｎよりなる被膜を介在して，上記多層基板の外周面と上記センサハウジングの内周面をろう付け接合するろう材であっても良い。
【００１５】
また，上記センサハウジングは，シールダイヤフラムを有しており，上記圧力室は，上記シールダイヤフラムにより密閉されていると共に，該圧力室の中には，圧力伝達媒体が充填されていることが好ましい（請求項５）。
この場合には，上記圧力室は，上記圧力伝達媒体を封入して密閉される。該圧力室には，安定したシール性等，高度な信頼性が要求されるため，本発明による効果が特に有効である。
【００１６】
また，上記多層基板は，３層のセラミック層より構成されていることが好ましい（請求項６）。
この場合には，上記各ターミナルと電気的に接続される上記電気経路について，上記電極層における上記電極パターンの取り回しが容易となる。そのため，上記各電気経路相互の電気的な干渉を抑制して，上記圧力センサによる圧力計測誤差を抑制することができる。
【００１７】
また，隣接するセラミック層の間における電極層のうち，少なくとも１層の電極層には，少なくとも上記感圧素子に対面する領域を含むグランド電極が配置されていることが好ましい（請求項７）。
この場合には，上記感圧素子に対面するよう配置される上記グランド電極により，上記感圧素子に影響を与えるおそれのある外部ノイズの影響を抑制して，上記圧力センサによる圧力計測誤差を抑制することができる。
【００１８】
また，上記感圧素子は，バンプ材により上記多層基板にバンプ接合されていると共に，上記バンプ材を介して上記ターミナルと電気的に接続されていることが好ましい（請求項８）。
この場合には，バンプ接合により上記感圧素子を接合することにより，上記ターミナルピンに対する電気的な接合と，上記多層基板に対する物理的な接合とを同時に実現でき，効率的である。
上記バンプ材としては，例えばＡｕ，Ｃｕ，Ａｕ−Ｓｎ，ハンダ等がある。
【００１９】
【実施例】
（実施例１）
本発明の実施例にかかる圧力センサ１について，図１〜図３を用いて説明する。
本例の圧力センサ１は，図１，図２に示すごとく，複数のターミナルピン１０と該ターミナルピン１０に電気的に接続された感圧素子２０とを有する素子ホルダー部３０を含んでいる。
素子ホルダー部３０は，感圧素子２０とターミナルピン１０との間に，これらを電気的に接続する複数の電気経路８３を形成する多層基板８０を有している。
【００２０】
この多層基板８０は，複数のセラミック層８５を積層してなると共に隣接するセラミック層８５の間に上記各電気経路８３の一部を構成する各電極パターン（図示略）を含む電極層８７を有している。そして，各セラミック層８５には，上記電極パターンに電気的に接続される複数の導電体８２を貫通して設けてあり，かつ，感圧素子２０と対向するセラミック層８５に設けた導電体８２と，他の少なくとも１層のセラミック層８５に設けた導電体８２とは，貫通方向における透視断面が重ならないようにずらして配置してある。
【００２１】
図１に示すごとく，本例の素子ホルダー部３０の多層基板８０及びターミナルピン１０の一部は，コネクタハウジング３１０により覆われている。
また，上記圧力センサ１は，素子ホルダー部３０を収納するセンサハウジング４０を有しており，素子ホルダー部３０とセンサハウジング４０との間に圧力室４２が形成されており，この圧力室に感圧素子２０が収容してある。
以下にこの内容について詳しく説明する。
【００２２】
素子ホルダー部３０は，図１に示すごとく，略円柱形状の多層基板８０とターミナルピン１０とよりなる。そして，素子ホルダー部３０は，ＰＰＳ樹脂よりなるコネクタハウジング３１０にインサート成形されている。コネクタハウジング３１０は，センサハウジング４０に挿入する挿入部３５と，該挿入部３５より大径のツバ部３５１とを有している。さらに，挿入部３５とは反対側の端部には，外部機器のコネクタ（図示略）を電気的に接続するためのソケット部３００を有している。そして，上記挿入部３５の先端に，上記素子ホルダー部３０の多層基板８０が配置されている。
【００２３】
多層基板８０は，図１，図２に示すごとく，３層のセラミック層８５と電極層８７とを交互に積層した３層基板である。そして，この多層基板８０には，電源用，グランド用及び信号出力用の３系統の電気経路８３を配設してある。各電気経路８３は，各セラミック層８５を貫通する，導電性のＡｕ系合金よりなる導電体８２と，隣接するセラミック層８５を貫通するそれぞれの導電体８２を，相互に電気的に接続する電極層８７における電極パターンとにより構成されている。
【００２４】
各電気経路８３は，図２，図３に示すごとく，少なくとも１層のセラミック層８５を貫通する導電体８２と，他のセラミック層８５を貫通する導電体８２とは，その貫通方向において断面が重複しないように配置してある。さらに，各電気経路８３は，多層基板８０における圧力室４２側の表面である受圧面３２に露出して，後述するごとく感圧素子２０に電気的に接続されており，一方，その反対側の表面にも露出してターミナルピン１０と電気的に接続されている。
【００２５】
上記受圧面３２への上記導電体８２の露出面８３０には，バンプ材２２によるバンプ接合により感圧素子２０が接合されている。すなわち，感圧素子２０は，バンプ接合により，各電気経路８３に電気的に接続されると共に，多層基板８０に物理的にも接合されている。
【００２６】
ここで，バンプ接合とは，回路基板等の表面に露出する電極と，感圧素子等の半導体チップの外部電極との間に半田ボール等のバンプ材を配置し，このバンプ材を溶融等させることにより，半導体チップを回路基板上に接合する接合技術である。
また，多層基板８０における反対側の面でのターミナルピン１０と電気経路８３との接合は，導電性接着剤による接着により行われている。
【００２７】
また，本例では，上記多層基板８０の受圧面３２を構成するセラミック層８５の表面に，同じセラミックスよりなるリング状部材８５２が，上記感圧素子２０を囲うように配設されている。
なお，上記リング状部材８５２を有する多層基板８０は，焼成前のセラミック層８５，電極層８７及びリング状部材８５２を積層した積層体を形成し，これを一体的に焼成することにより作製してある。
【００２８】
次に，上記センサハウジング４０は，ステンレススチールよりなると共に，図１，図２に示すごとく，上記シールダイヤフラム４３の素子ホルダー部３０側に，上記挿入部３５を収納する凹部４５と，上記ツバ部３５１を収納する大径部４５１と，該大径部４５１に収納したツバ部３５１と係合するカシメ部４１とを有している。
【００２９】
センサハウジング４０におけるシールダイヤフラム４３は，図２に示すごとく，その外周部をシールリング４３１により保持された状態で，凹部４５における底面に配置されている。そして，シールダイヤフラム４３は，シールリング４３１と共にレーザ溶接され，溶接部４３５をセンサハウジング４０に達するように設けることにより，センサハウジング４０に強固に固定してある。
さらに，センサハウジング４０は，被測定対象である流体を導入する圧力導入孔４４１と，取り付け用のネジ部４４２とを有している。
【００３０】
そして，上記素子ホルダー部３０及びこれを覆うコネクタハウジング３１０と上記センサハウジング４０とは，挿入部３５における多層基板８０及びリング状部材８５２の外周面にバックアップリング５１とＯリング５０を配設した状態で，上記挿入部３５をセンサハウジング４０の凹部４５に収納し，かしめ部４１をツバ部３５１に係合させることにより組み付けられている。
【００３１】
そして，素子ホルダー部３０とセンサハウジング４０との間に形成される上記圧力室４２は，多層基板８０の外周面と，センサハウジング４０の内周面との間に配置されたシール材であるＯリング５０によりシールされた状態となる。
また上記素子ホルダー部３０とセンサハウジング４０との組み付け時には，圧力室４２内にシリコーン系オイルよりなる圧力伝達媒体が充填される。
【００３２】
また，図２に示すごとく，コネクタハウジング３１０とセンサハウジング４０との組み付け状態においては，ツバ部３５１と大径部４５１の底面部とを当接させて位置決めすると共に，この当接部に上記カシメ部４１をカシメることにより生ずる荷重を受け止める構造としてある。そのため，コネクタハウジング３１０の先端に配設されている多層基板８０とシールダイヤフラム４３との間には所定の隙間が設けられている。
【００３３】
このような構成の圧力センサ１は，シールダイヤフラム４３に作用する圧力計測対象としての流体等（以下，適宜外部流体という）の圧力を，圧力室４２に封入した圧力伝達媒体を介して，感圧素子２０により検知することができる。
なお，感圧素子２０は，シリコン層を加工して歪ゲージを形成するとともに，シリコン基板を精密にエッチングしてセンサダイヤフラムを形成したものである。
【００３４】
次に，本例の作用効果につき説明する。
本例の圧力センサ１において，感圧素子２０とターミナルピン１０とは，上記のごとく，素子ホルダー部３０における多層基板８０に形成された電気経路８３を介して，相互に電気的に接続されている。さらに，この電気経路８３は，上記多層基板８０をなす各セラミック層８５を貫通するよう設けてある導電体８２と，隣接するセラミック層８５の間の電極層８７に配設した電極パターンとにより形成されている。
【００３５】
そして，上記電気経路８３において，感圧素子２０と対向するセラミック層８５に設けた導電体８２と，他の少なくとも１層のセラミック層８５に設けた導電体８２とは，貫通方向における透視断面が重ならないようにずらして配置してある。
すなわち，多層基板８０においては，各セラミック層８５に配設した各導電体８２が，その貫通方向に一直線上に並らばないよう，その断面位置をずらして配置してあり，上記電気経路８３をジグザグ形状の経路にしてある。
【００３６】
そのため，上記多層基板８０に高い圧力が作用した場合であっても，導電体８２が貫通方向に吹き抜けるおそれがない。また，たとえ導電体８２の一部のシール性が低下したとしても，上記のごとくジグザグ形状の電気経路８３全体のシール性が低下しない限り，優れたシール性を維持することができる。
【００３７】
また，上記圧力室４２は，図１，図２に示すごとく，多層基板８０の外周面とセンサハウジング４０の内周面との間に配置したＯリング５０により確実にシールされている。
すなわち，本例の圧力センサ１は，感圧素子２０とターミナルピン１０とを電気的に接続する電気経路８３を伝って圧力伝達媒体の漏れ等，シール欠陥を生じるおそれがなく，かつ，素子ホルダー部３０とセンサハウジング４０との間のシール性の低下もほとんどない。
【００３８】
このように本例の圧力センサ１は，従来よりも耐圧性及びシール性に優れたものとなり，その特性を長期間に渡って維持することができる。
【００３９】
なお，本例の圧力センサ１における外部と隔離された圧力室４２に代えて，上記シールダイヤフラム４３を廃し，外部流体が直接流入する圧力室４２を有する構造としてもよい。この場合には，外部流体が，感圧素子２０のセンサダイヤフラムに直接作用することとなる。
【００４０】
また，本例では，感圧素子２０と電気経路８３とをバンプ材を用いてバンプ接合したが，この構造に代えて，ボンディングワイヤを用いて両者を接合する構造をとることもできる。。
【００４１】
（実施例２）
本例は，図４に示すごとく，コネクタハウジングにより覆われていない素子ホルダー部３０を採用した圧力センサ１０２の例である。
本例の素子ホルダー部３０は，同図に示すごとく，感圧素子２０とターミナルピン１０との間に，これらを電気的に接続する複数の電気経路８３を形成する多層基板８０を有している。
【００４２】
本例の多層基板８０は，同図に示すごとく，２枚のセラミック層８５とこれらの間に配された電極層８７とを有している。そして，感圧素子２０を接続する側のセラミック層８５には，実施例１と同様の導電体８２を貫通して設けてある。もう一方のセラミック層８５には，貫通穴８２５を設け，その内周面にメタライズ処理をした後，ターミナルピン１０を直接挿入してろう付けしてある。従って，本例では，ターミナルピン１０の一部が導電体としての役割を果たしている。
【００４３】
そして，本例の多層基板８０においても，感圧素子２０を接合したセラミック層８５に設けた導電体８２と，上記ターミナルピン１０を挿設したセラミック層８５におけるターミナルピン１０よりなる導電体とが，貫通方向における透視断面が重ならないようにずらして配置されている。
【００４４】
また，本例の多層基板８０は，その先端に，セラミック層８５に一体的に接合されたセラミック製のリング状部材８５２を有している。このリング状部材８５２は，セラミック層８５の外径よりも若干小さい外径を有し，その外周面にＯリング５０を配置できるようにしてある。
【００４５】
また，感圧素子２０は，多層基板８０の電気経路８３に対してバンプ材２２を介してバンプ接合されている。本例では，最先端のセラミック層８５の受圧面側の表面に導電体８２と繋がる電極層（図示略）を配設し，これにバンプ材２２を接合してある。
【００４６】
一方，本例のセンサハウジング４０は，ステンレススチールよりなると共に，図４に示すごとく，上記素子ホルダー部３０を挿入するための凹部４５を有すると共に，その底部にシールダイヤフラム４３を有している。また，凹部４５の開口側には，かしめ部４１が設けられている。また，センサハウジング４０は，被測定対象である流体を導入する圧力導入孔４４１と，取り付け用のネジ部４４２とを有している。
【００４７】
そして，上記素子ホルダー部３０と上記センサハウジング４０とは，多層基板８０のリング状部材８５２の外周面にＯリング５０を配設した状態で，多層基板８０をセンサハウジング４０の凹部４５に収納し，かしめ部４１を多層基板８０に係合させることにより組み付けられている。
【００４８】
本例の場合には，実施例１と異なり，コネクタハウジング３１０を設けていないので，非常にコンパクトな圧力センサ１０２を得ることができる。
その他は実施例１と同様の作用効果が得られる。
【００４９】
なお，本例の圧力センサ１０２における感圧素子２０の接合方法であるバンプ接合に替えて，図５に示すごとく，多層基板８０上に感圧素子２０を接着し，この感圧素子２０と，多層基板８０上に配置したターミナルピン８４とを，ボンディングワイヤ３４により電気的に接続することもできる。この場合には，ターミナルピン８４が上記導電体となる。
【００５０】
（実施例３）
本例は，図６に示すごとく，コネクタハウジングとセンサハウジングとを有していない圧力センサ１０３の例である。
本例の多層基板８０は，基本的な構造は実施例１と同様であるが，図６に示すごとく，その外周面に，Ｍｏ−Ｍｎによるメタライズ処理を施し，被膜８８を形成してある。
【００５１】
本例の圧力センサ１０３を用いて圧力計測を実施するに当たっては，メタライズ処理による被膜８８を介在させて，ＳＵＳ（ステンレス鋼），炭素鋼等よりなる金属製の相手部材に対して直接ろう付け接合することができる。そして，上記相手部材の内部に密閉された，あるいは相手部材の内部に導かれた媒体について，圧力計測を実施する。
【００５２】
なお，その他の構成及び作用効果については実施例１と同様である。
また，図７に示すごとく，上述した図５における素子ホルダー部３０の多層基板８０及びターミナルピン１０のみを取り出し，その多層基板８０の外周面にメタライズ処理による被膜８８を形成してなる圧力センサを構成することもできる。
上記メタライズ処理としては，本例による処理のほか，Ｍｏ酸化物，Ｍｏ−Ｗ，Ｍｏ−Ｍｎ−Ｔｉ，Ｃｕ，Ａｇ等を用いた処理により形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施例１における，圧力センサの構造を示す断面図。
【図２】実施例１における，圧力センサの圧力室近傍を示す拡大説明図。
【図３】実施例１における，多層基板の先端面を示す説明図。
【図４】実施例２における，圧力センサの構造を示す断面図。
【図５】実施例２における，その他の圧力センサの構造を示す断面図。
【図６】実施例３における，圧力センサの構造を示す断面図。
【図７】実施例３における，その他の圧力センサの構造を示す断面図。
【符号の説明】
１，１０２，１０３．．．圧力センサ，
１０．．．コネクタピン，
２０．．．感圧素子，
３０．．．素子ホルダー部，
３１０．．．コネクタハウジング，
３２．．．受圧面，
３５．．．挿入部，
４０．．．センサハウジング，
４２．．．圧力室，
４３．．．シールダイヤフラム，
４５．．．凹部，
５０．．．Ｏリング，
８０．．．多層基板，
８２．．．導電体，
８３．．．電気経路，
８５．．．セラミック層，
８７．．．電極層，
８８．．．被膜，
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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