(57)【要約】【課題】電気光学装置において、柱状スペーサの存在を原因とする配向不良領域を生じさせないことで高品質な画像を表示可能とするとともに、高開口率をも達成する。【解決手段】本発明に係る柱状スペーサ（４０１）は、液晶層を挟持してなる第１基板及び第２基板の少なくとも一方且つ該少なくとも一方における液晶層に対向する側の被設置面に設けられるとともに、その根元に前記被設置面と滑らかに接続される面を有するスロープ部（４１０）が形成されている。【選択図】　　　図４
2004045559.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気光学物質を挟持してなる一対の基板と、
前記一対の基板の少なくとも一方且つ該少なくとも一方における前記電気光学物質に対向する側の被設置面に設けられるとともに、その根元に前記被設置面と接続される面を有するスロープ部が形成された柱状スペーサと、
を備えたことを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記被設置面上に形成された配向膜を更に備え、
前記柱状スペーサの前記被設置面に平行な面における断面形状は楕円形状を含んでおり、
前記楕円形状の長径の延在方向は、前記配向膜に対するラビング処理の方向に一致することを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
電気光学物質を挟持してなる一対の基板と、
前記一対の基板の少なくとも一方且つ該少なくとも一方における前記電気光学物質に対向する側の被設置面に設けられた柱状スペーサと、
前記被設置面上に形成された配向膜とを備えてなり、
前記柱状スペーサの前記被設置面に平行な方向における断面形状は楕円形状を含んでおり、
前記楕円形状の長径の延在方向は、前記配向膜に対するラビング処理の方向に一致することを特徴とする電気光学装置。
【請求項４】
前記スロープ部は、前記柱状スペーサの外周の全部について形成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記柱状スペーサの前記被設置面に平行な面における断面形状は、
前記被設置面と接する面において最大の面積を有し、かつ、該被設置面から離れるにつれてその面積が小さくなることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項６】
前記柱状スペーサの形状は、半球状又は半楕円球状を含むことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項７】
前記柱状スペーサの先端は平坦面を含むことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項８】
前記一対の基板のうちの一方たる第１基板上にストライプ状の第１配線を備えるとともに、
前記第１基板及び前記一対の基板のうちの他方たる第２基板のいずれか一方の上に、前記第１配線に交差する方向に延在するストライプ状の第２配線と、該第２配線及び前記第１配線の交差領域に対応して形成されたスイッチング素子及び画素電極とを備え、
前記第１基板及び前記第２基板の少なくとも一方の上に前記第１配線及び前記第２配線の形成位置に対応する位置に形成された遮光膜を更に備えてなり、
前記柱状スペーサは、前記遮光膜の幅の範囲内に配置されていることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項９】
前記一対の基板のうちの一方たる第１基板上に形成されたストライプ状の第１電極と、前記一対の基板のうちの他方たる第２基板上に形成され前記第１電極とは交差する方向に延在するストライプ状の第２電極とを更に備えるとともに、
前記第１基板及び前記第２基板の少なくとも一方の上に前記第１電極及び前記第２電極の交差領域を除く位置に形成された遮光膜とを更に備えてなり、
前記柱状スペーサは、前記遮光膜の幅の範囲内に配置されていることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか一項に記載の電気光学装置を具備してなることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電気光学装置及び電子機器の技術分野に属し、特に、二枚の基板に挟まれた間隙の間隔を所定の値に保つため、柱状のスペーサが利用される電気光学装置及びそのような電気光学装置を具備してなる電子機器の技術分野に属するものである。
【０００２】
【背景技術】
液晶装置等の電気光学装置は、通常、電極、配線、素子等が作り込まれた二枚の基板間に、電気光学物質の一例たる液晶が封入されて構成される。そして、このような電気光学装置においては、前記二枚の基板間に、該二枚の基板により挟まれた間隙の間隔、すなわち液晶からなる層の層厚（以下、「セルギャップ」ともいう。）を、基板全面において一定（例えば、約３〜５μｍ）に保つため、いわゆるスペーサが設けられるのが一般的である。ここで、セルギャップを一定に保たなければならないのは、そうしないと、光透過率、コントラスト比、応答速度等の表示特性に影響を与え、悪い場合には、表示むら等を発生させる可能性があるからである。
【０００３】
このスペーサとしては、より具体的には、例えば微小な略球状の形状を有するものが広く利用されている。このような微小な略球状のスペーサは、液晶テレビ、モニタのように直視型（大型）の液晶表示装置の場合には、その多数が二枚の基板間の液晶中に均等に散布されて使用される。他方、プロジェクタのライトバルブなどの拡大表示を行う小型の液晶表示装置の場合には、二枚の基板間を相接着するシール材中に混合された形態で使用されたりもする。
【０００４】
また、スペーサの別の例としては、いわゆる柱形状を有するもの（以下、「柱状スペーサ」という。）も利用されている。これは、適当な有機材料等からなる柱状の部材を、基板上に適当な間隔をおいて林立させた形態で使用されるスペーサであって、該柱の軸方向の耐力によって二枚の基板を支え、それらの間のセルギャップを一定に保つものである。ここで、「適当な間隔」というのは、従来においては例えば、数画素から数十画素に柱状スペーサが１本存在するといった程度である。ちなみに、このような柱状スペーサが用いられる場合にあっても、上述した、シール材中に混合されて使用される略球状のスペーサ（以下、このシール材中のスペーサのことを、特に「ギャップ材」と呼ぶこととする。）が、併せて使用されることが一般的である。これにより、基板全面において、セルギャップ一定の要請をよりよく満たすことが可能となるからである。
【０００５】
なお、基板間を「一定」に保つという場合における、その精度は、液晶からなる層を構成する液晶分子の、二枚の基板間における「ねじれ角度」の相違に応じて異なり、例えば、該ねじれ角度が９０°であるＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ　Ｎｅｍａｔｉｃ）形の場合には±０．１μｍ程度以下、該ねじれ角度が２６０°程度であるＳＴＮ（Ｓｕｐｅｒ　Ｔｗｉｓｔｅｄ　Ｎｅｍａｔｉｃ）形の場合には±０．３μｍ程度以下が要求される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述のような電気光学装置、とりわけその柱状スペーサに関しては、次のような問題点があった。すなわち、電気光学装置の一例たる液晶装置においては、二枚の基板が互いに対向する面、すなわち電気光学物質の一例たる液晶に対向する面上に、通常、液晶を所定の配向状態にするため、所定の方向にラビング処理が施された配向膜が設けられるが、前記の柱状スペーサが存在すると、該配向膜に対するラビング処理をうまく実施することができない、すなわち配向不良領域を生じさせるおそれがあったのである。
【０００７】
これは、従来の柱状スペーサが略円筒形状を有していたことによる。まず、上述の「配向膜」とは、液晶層中の液晶分子を所定の配向状態とするために前記柱状スペーサ上に形成されるポリイミド等からなる膜であり、「ラビング処理」とは、例えば、回転金属ローラ等に巻き付けたバフ布で、焼成後の配向膜表面を一定方向に擦る処理をいう（以下、ここにいう「一定方向」を、「ラビング方向」という。）。すなわち、このような配向膜に対するラビング処理では、柱状スペーサの「高さ」に起因する凸が存在する配向膜上を、ラビング方向に沿ってバフ布で擦っていくことになるが、ラビング方向に沿ってみた場合の該柱状スペーサの向こう側には、いわば影となる部分が存在することとなる。ここで柱状スペーサが略円筒形状を有していると、この影となる部分に対しては、前記バフ布の毛先が十分には行き届かないことになる。このようなことは特に、ラビング方向に対向する柱状スペーサの側面とは反対の側面における、該柱状スペーサの根元付近において生じる可能性が大きい。
【０００８】
このようなことから結局、前記の影となる部分、あるいは前記の根元付近では、配向膜に対するラビング処理を十分に行えず、配向不良領域を発生させることとなってしまっていたのである。このような配向不良領域が生じると、例えば、光漏れ等が生じることとなり、画像の品質を低下させるおそれがある。
【０００９】
従来においては、このような問題に対処するため、上述のような配向不良の領域を遮光膜で覆うということが行われていた。これによれば、配向不良の領域が、画像表示上寄与することがなくなるから、上述の光漏れ等を生じさせるおそれを減少させることができる。しかしながら、これでは、本来表示に寄与することが可能であったはずの領域をも遮光膜で覆うこととなって、開口率の減少を招くこととなり、好ましい対処方法とはいえない。
【００１０】
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、柱状スペーサの存在を原因とする配向不良を生じさせないことで高品質な画像を表示可能とするとともに、高開口率をも達成可能な電気光学装置及びそのような電気光学装置を具備してなる電子機器を提供することを課題とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明の第１の電気光学装置は、上記課題を解決するため、電気光学物質を挟持してなる一対の基板と、前記一対の基板の少なくとも一方且つ該少なくとも一方における前記電気光学物質に対向する側の被設置面に設けられるとともに、その根元に前記被設置面と接続される面を有するスロープ部が形成された柱状スペーサとを備えている。
【００１２】
本発明の第１の電気光学装置によれば、まず、柱状スペーサによって、一対の基板により挟まれた間隙を所定の厚さに保つことが可能となる。また、この間隙に対しては、該一対の基板の周囲に別途設けられ得る注入口を通じて、該間隙の外部から液晶等の電気光学物質（以下、「液晶」で代表させる。）を導入することができる。これにより、基板の面のほぼ全面に関して、該間隙内の液晶層の厚さ、すなわちセルギャップを好適に一定に保つことが可能となり、光透過率、コントラスト比、応答速度等の表示特性を好適に維持することができる。
【００１３】
ここで、本発明では特に、前記柱状スペーサの根元において、前記被設置面と接続される面を有するスロープ部が形成されている。好ましくは、被設置面とスロープ部における前記接続される面とは滑らかに接続されているようにするとよい。このスロープ部により、柱状スペーサは、被設置面上で、いわば急峻にそそり立つのではなく、被設置面から緩慢に立ち上がるような形をとることになる。幾何学的に言えば、該スロープ部は、その内周面の一の点に接する第１接線と被設置面とのなす第１鋭角が、前記被設置面からみて前記一の点よりも遠い位置に存在する前記内周面の他の点に接する第２接線と前記被設置面とのなす第２鋭角よりも小さい、という特徴を有しているということがいえる。
【００１４】
このようなスロープ部を有することにより、本発明に係る電気光学装置において、前記被設置面上に配向膜を備えるとともに、該配向膜上に対しラビング処理を施す場合においては、該ラビング処理において配向不良領域を生じさせることを極力回避することができる。というのも、本発明に係る柱状スペーサは、その付け根の部分にスロープ部が備えられていることにより、「発明が解決しようとする課題」の項で述べたような「影となる部分」、あるいは柱状スペーサと被設置面との接続部分に対しても、ラビング処理で利用されるバフ布の毛先を十分に行き届かせることが可能となるからである。
【００１５】
このように、本発明によれば、配向不良領域の殆どない配向膜を備えた電気光学装置を提供することが可能となるから、光漏れ等のない高品質な画像を表示することが可能となる。また、本発明によれば、従来、配向不良が生じていた箇所を覆うように形成していた遮光膜を設ける必要がない。換言すれば、本発明で必要となる遮光膜の面積は、当該箇所を覆わなくてよい分、従来よりも小さくすることができる。よって、本発明に係る電気光学装置によれば、より高い開口率を達成することが可能となるのである。
【００１６】
なお、本発明に言う「柱状スペーサ」の具体的形状は、上述した特徴を有するスロープ部を含んで、様々な形状となるものを想定することができるが、本発明は、基本的にどのような形状となるものであってもその範囲内に収める。例えば、後述する本発明の各種態様に記述する形状を有するものの他、柱状スペーサ及びスロープ部の軸方向に沿った断面が、長尺のシルクハットを断面視したが如き形状となるものや、富士山を断面視したが如き形状となるもの等とすることも可能である。
【００１７】
また、本発明に言う「スロープ部」は、上述したことからわかるように、柱状スペーサにおける、前記「影となる部分」に該当する部分についてのみ、少なくとも形成されていればよい。換言すれば、スロープ部は、柱状スペーサの外周の一部についてのみ形成されていればよい。このような形態であっても、少なくとも、配向不良の発生が最も懸念される前記「影となる部分」において、十分なラビング処理を施すことが可能となるから、上述した作用効果を同様に享受することが可能となる。
【００１８】
本発明の第１の電気光学装置の一態様では、前記被設置面上に形成された配向膜を更に備え、前記柱状スペーサの前記被設置面に平行な面における断面形状は楕円形状を含んでおり、前記楕円形状の長径の延在方向は、前記配向膜に対するラビング処理の方向に一致する。
【００１９】
この態様によれば、ラビング方向に沿ったバフ布の進行及び該バフ布の毛先の動きは次のようになる。すなわちまず、バフ布の毛先は、楕円形状の先端部分に当接した後、当該柱状スペーサの両側面に沿うように僅かな距離を隔てて分断させられる。次に、バフ布の進行につれて前記の分断の距離は次第に大きくなり、バフ布が該楕円形状の短径部分に達したとき当該柱状スペーサの両側面に位置する毛先間の距離は最大となる。この後、バフ布の進行につれて当該距離は小さくなり、最後に、該楕円形状の後端部分に達したとき、毛先は再び会合する。このように、本態様によれば、毛先の動きが滑らかに進行することとなるから、当該柱状スペーサの「影となる部分」においても、バフ布の毛先を十分に行き届かせることが可能となる。
【００２０】
つまり、本態様によれば、上述のスロープ部の作用効果とも相俟って、配向不良の生じる可能性を、より低減することができるのである。
【００２１】
また、柱状スペーサの断面形状が「鋭角」を有する公知例としては、特開２００１−３０５５５２号公報に示された従来技術が知られているが、本態様においては、柱状スペーサの断面形状が「鋭角」を有しているわけではない。すなわち、本態様において、バフ布が柱状スペーサに当接する部分、あるいは柱状スペーサから離間する部分は、あくまでも丸みを帯びた「楕円形状」の先端である。したがって、本態様によれば、当該部分において鋭角を有している場合よりも、柱状スペーサとバフ布とのよりソフトな「当たり」を実現することができ、より円滑なラビング処理に資することとなると考える。
【００２２】
なお、上述の説明からすると、楕円形状における（短径）／（長径）なる比は、一般に、より小さい値となる方が好ましいといえる。このようにすれば、「影となる部分」は縮小されるからである。ただし、柱状スペーサは、上述のようにセルギャップを一定するという「スペーサ」本来の機能を担う必要があるから、軸方向の耐力を十分に発揮し得ないような、余りに細身の形状を有することとなるのは好ましくはない。柱状スペーサの好適な形状は、上述したような事情を勘案することで決定することが可能であるが、具体的には、経験的、実験的、理論的、あるいはシミュレーションによって、適宜、決定することができる。
【００２３】
本発明の第２の電気光学装置は、電気光学物質を挟持してなる一対の基板と、前記一対の基板の少なくとも一方且つ該少なくとも一方における前記電気光学物質に対向する側の被設置面に設けられた柱状スペーサと、前記被設置面上に形成された配向膜とを備えてなり、前記柱状スペーサの前記被設置面に平行な方向における断面形状は楕円形状を含んでおり、前記楕円形状の長径の延在方向は、前記配向膜に対するラビング処理の方向に一致する。
【００２４】
本発明の第２の電気光学装置によれば、上述した本発明の第１の電気光学装置の一態様と略同様に、柱状スペーサの断面形状が楕円形状を含んでいる。これにより、本発明においては、上述と略同様な作用効果を得ることができる。
【００２５】
本発明の第１の電気光学装置の他の態様では、前記スロープ部は、前記柱状スペーサの外周の全部について形成されている。
【００２６】
この態様によれば、スロープ部が柱状スペーサの外周の全部について形成されているから、バフ布の毛先を、当該柱状スペーサの根元となるあらゆる場所に、満遍なく行き届かせることが可能となる。したがって、上述にも増して、配向不良を生じさせる可能性を低減することができる。
【００２７】
本発明の第１又は第２の電気光学装置の他の態様では、前記柱状スペーサの前記被設置面に平行な面における断面形状は、前記被設置面と接する面において最大の面積を有し、かつ、該被設置面から離れるにつれてその面積が小さくなる。
【００２８】
この態様によれば、柱状スペーサの形状は、その根元から先端に至るまで、いわば先細るような立体形状を有することになる。これによれば、バフ布の進行及び該バフ布の毛先の動きは、より滑らかになる。したがって、本態様によれば、配向不良を生じさせる可能性を、より低減することができる。
【００２９】
本発明の第１又は第２の電気光学装置の他の態様では、前記柱状スペーサの形状は、半球状又は半楕円球状を含む。
【００３０】
この態様によれば、バフ布の進行及び該バフ布の毛先の動きは更に滑らかになるから、配向不良を生じさせる可能性をより低減することができる。なお、本態様にいう「半楕円球状」とは、典型的には、ラグビーボール様の立体形状をその最大断面積となる面で切断した場合における一方の立体形状のことをいう。ただし、「半楕円球状」、あるいは上述の「半球状」というのは、幾何学的に厳密な意味における「半楕円球」、あるいは「半球」の形状という意味を含むほか、これを基本としつつも、そこから若干程度変則的な形状となるものも含む概念である。
【００３１】
本発明の第１又は第２の電気光学装置の他の態様では、前記柱状スペーサの先端は平坦面を含む。
【００３２】
この態様によれば、スペーサとしての機能をよりよく発揮することができる。すなわち、柱状スペーサの先端が平坦面を含むことから、一方の基板上に設けられた柱状スペーサにおける他方の基板の面に接する部分が、平坦面となり得るからである。これにより、一対の基板間のセルギャップ一定の要請をよりよく満たすことができる。
【００３３】
本発明の第１又は第２の電気光学装置の他の態様では、前記一対の基板のうちの一方たる第１基板上にストライプ状の第１配線を備えるとともに、前記第１基板及び前記一対の基板のうちの他方たる第２基板のいずれか一方の上に、前記第１配線に交差する方向に延在するストライプ状の第２配線と、該第２配線及び前記第１配線の交差領域に対応して形成されたスイッチング素子及び画素電極とを備え、前記第１基板及び前記第２基板の少なくとも一方の上に前記第１配線及び前記第２配線の形成位置に対応する位置に形成された遮光膜を更に備えてなり、前記柱状スペーサは、前記遮光膜の幅の範囲内に配置されている。
【００３４】
この態様によれば、スイッチング素子を利用することで、いわゆるアクティブマトリクス駆動が可能となる。具体的には例えば、第１基板上に、第１配線の一例たるデータ線、第２配線の一例たる走査線、スイッチング素子の一例たる薄膜トランジスタ（ＴＦＴ；Ｔｈｉｎ　Ｆｉｌｍ　Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）及び画素電極のすべてを備える形態では、走査線を通じてＴＦＴのＯＮ・ＯＦＦを制御することで、データ線を通じて供給される画像信号の画素電極に対する印加を制御することが可能となる。この場合、第２基板上に対向電極を備えれば、この対向電極と画素電極との間に所定の電位差を生じさせることが可能となるから、液晶に対して所定の電界を印加することが可能となる。また、別の例として、第１基板上に第１配線の一例たる走査線（又はデータ線）を備えるとともに、第２基板上に第２配線の一例たるデータ線（又は走査線）、スイッチング素子の一例たる薄膜ダイオード（ＴＦＤ；Ｔｈｉｎ　Ｆｉｌｍ　Ｄｉｏｄｅ）及び画素電極を備える形態では、データ線（又は走査線）及び画素電極間に所定の電位差を生じさせることが可能となるから、液晶に対して所定の電界を印加することが可能となる。
【００３５】
そして、本態様では特に、前記第１基板及び前記第２基板の少なくとも一方の上に前記第１配線及び前記第２配線の形成位置に対応する位置に形成された遮光膜を更に備えてなり、前記柱状スペーサは、前記遮光膜の幅の範囲内に配置されている。これによれば、柱状スペーサは、画像表示に寄与することのない領域に配置されることとなり、液晶中の光の透過に邪魔になることがないから配置として好適である。しかも、本発明の柱状スペーサによれば、既に述べたように、配向膜上における配向不良の領域が極力生じないようになっているから、本態様の「遮光膜」については、その面積を小さくすることが可能である。したがって、本態様によれば、開口率の高いアクティブマトリクス駆動方式の電気光学装置を提供することができる。
【００３６】
本発明の第１又は第２の電気光学装置の他の態様では、前記一対の基板のうちの一方たる第１基板上に形成されたストライプ状の第１電極と、前記一対の基板のうちの他方たる第２基板上に形成され前記第１電極とは交差する方向に延在するストライプ状の第２電極とを更に備えるとともに、前記第１基板及び前記第２基板の少なくとも一方の上に前記第１電極及び前記第２電極の交差領域を除く位置に形成された遮光膜とを更に備えてなり、前記柱状スペーサは、前記遮光膜の幅の範囲内に配置されている。
【００３７】
この態様によれば、いわゆるパッシブマトリクス駆動が可能となる。すなわち、本態様では、第１電極及び第２電極の交差領域において両者間に所定の電位差を生じさせることが可能となるから、液晶に対して所定の電界を印加することが可能となる。
【００３８】
そして、本態様でも、上述のアクティブマトリクス駆動可能な電気光学装置と略同様に、第１基板及び第２基板の少なくとも一方の上に、第１電極及び第２電極の交差領域を除く位置に形成された遮光膜を更に備えてなり、前記柱状スペーサは、前記遮光膜の幅の範囲内に配置されている。これによれば、柱状スペーサは、画像表示を寄与することのない領域に配置されることとなり、液晶中の光の透過に邪魔になるようなことがないから配置として好適である。しかも、本発明の柱状スペーサによれば、既に述べたように、配向膜上における配向不良の領域が極力生じないようになっているから、本態様の「遮光膜」については、その面積を小さくすることが可能である。したがって、本態様によれば、開口率の高いパッシブマトリクス駆動方式の電気光学装置を提供することができる。
【００３９】
本発明の電子機器は、上述した本発明の第１又は第２の電気光学装置（ただし、その各種態様を含む。）を具備してなる。
【００４０】
本発明の電子機器によれば、上述した本発明の第１又は第２の電気光学装置を具備してなるから、配向不良領域が極力低減された配向膜が備えられていることにより、光漏れ等のない高品質な画像を表示することの可能な、投射型表示装置（液晶プロジェクタ）、液晶テレビ、携帯電話、電子手帳、ワードプロセッサ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネル等の各種電子機器を実現することができる。
【００４１】
本発明のこのような作用及び他の利得は次に説明する実施の形態から明らかにされる。
【００４２】
【発明の実施の形態】
（第１実施形態）
以下では、本発明の第１の実施の形態について図を参照しつつ説明する。以下の第１実施形態は、本発明の電気光学装置を液晶装置に適用したものである。
【００４３】
（電気光学装置の全体構成）
まず、本発明の第１実施形態に係る電気光学装置の全体構成を、図１及び図２を参照して説明する。なお、図１は、ＴＦＴアレイ基板をその上に形成された各構成要素とともに対向基板２０の側からみた平面図であり、図２は、図１のＨ−Ｈ´断面図である。
【００４４】
図１及び図２において、第１実施形態に係る電気光学装置では、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とが対向配置されている。ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間には、液晶層５０が封入されており、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とは、画像表示領域１０ａの周囲に位置するシール領域に設けられたシール材５２により相互に接着されている。
【００４５】
ここで、液晶層５０は、例えば一種又は数種類のネマテッィク液晶を混合した液晶からなり、後述する一対の配向膜間で、所定の配向状態をとるものである。また、シール材５２は、図１に示すように、画像表示領域１０ａの周囲を囲むように、平面的にみて、「ロ」の字状に設けられている。このようなシール材５２の一部においては、図１の下方に示すように、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０により挟まれた間隙内に液晶を注入するための液晶注入口５２ａが設けられている。完成された電気光学装置では、この液晶注入口５２ａには、前記間隙内に導入された液晶が外部に漏れることのないようにするため、例えば紫外線硬化型アクリル系樹脂からなる封止材５４が設けられる。
【００４６】
このようなシール材５２を構成する材料としては、例えば、紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂等を挙げることができる。ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０を貼り合わせるにあたっては、適当な圧力をかけて両基板１０及び２０を圧着するとともに、シール材が前記紫外線硬化樹脂からなるのであれば該シール材に対して紫外線を照射することにより、また、前記熱硬化樹脂からなるのであれば加熱を行うこと等により、硬化させられている。
【００４７】
また、このシール材５２中には、両基板１０及び２０に挟まれた間隙の間隔、すなわちセルギャップを所定値とするため、スペーサの一種たるギャップ材（不図示）が混入されている。このギャップ材は、例えばグラスファイバ、あるいはガラスビーズ等からなり、略球状の形状を有するものが一般的である。
【００４８】
また、図２において、ＴＦＴアレイ基板１０上には、画素スイッチング用のＴＦＴや走査線、データ線等の配線が形成された後の画素電極９ａ上に、配向膜１６が形成されている。他方、対向基板２０上には、ＩＴＯ（インデウィム・ティン・オキサイド）等の透明材料からなる対向電極２１のほか、遮光領域を規定する遮光膜２３や、これらの最上層部分に配向膜２２が形成されている。
【００４９】
そして、第１実施形態では特に、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０間のセルギャップを所定の値に保つため、上述のギャップ材の他、図２に示すように、対向基板２０側の対向電極２１上（図中下側）、かつ、遮光膜２３の上であって、配向膜２２の下（図中上側）に、略楕円柱状となる柱状スペーサ４０１が設けられている。この柱状スペーサ４０１は、例えばアクリル系樹脂、ポリイミド等の材料からなる。
【００５０】
以下、この第１実施形態に係る柱状スペーサ４０１について、図３乃至図５を参照しながら、より詳しく説明する。ここに図３は、第１実施形態に係る柱状スペーサ４０１の対向基板２０上における配置態様を示す平面図である。なお、この図３においては、ＴＦＴアレイ基板１０上に形成される画素電極９ａに、対向基板２０上に形成される遮光膜２３及び柱状スペーサ４０１を併せ示すことによって、該柱状スペーサ４０１の配置態様を、より把握しやすいようなものとしている。また、図４は、１本の柱状スペーサ４０１の全体形状を示す斜視図であり、図５は、図４に示すＺ−Ｚ´線の断面図である。
【００５１】
まず、柱状スペーサ４０１は、対向基板２０上で図３に示すように配置されている。図３において、ＴＦＴアレイ基板１０上には、走査線３ａ、これに交差する方向に延在するデータ線６ａ、該走査線３ａ及び該データ線６ａの交差領域に対応して形成されたＴＦＴ３０及び画素電極９ａを備えている（なお、これら各要素については、後述の「電気光学装置の回路構成及び動作」において改めて触れる。）。また、図３においては、対向基板２０上に形成される遮光膜２３もまた示されている。ここで、この対向基板２０上の遮光膜２３は、ＴＦＴアレイ基板１０上の走査線３ａ及びデータ線６ａの形成位置に対応する位置に配置され、あるいは画素電極９ａ間の隙間を縫うように配置されており、格子状の遮光領域を規定している。なお、第１実施形態の電気光学装置においては、画像表示領域１０ａの最外周を規定する額縁遮光膜５３（図１参照）も備えられている。これら遮光膜２３及び額縁遮光膜５３によれば、画素電極９ａ間の光の混合を防止することができ、画像のコントラスト低下等を防止可能である。ちなみに、このような遮光膜２３を構成する材料としては、金属クロム、カーボン又はチタンをフォトレジストに分散した樹脂ブラックや、ニッケル等の金属材料等を考えることができ、更には、これらを含む二つ以上の材料により積層構造を有するものとすることも可能である。
【００５２】
そして、柱状スペーサ４０１は、図３に示すように、遮光膜２３の幅の範囲内に収まるように、該遮光膜２３上且つ対向電極２１上の適所において複数配置されている。ここで「適所に」とは、例えば、柱状スペーサ４０１の配置密度が基板面において均等になるようにとか、あるいはＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０間の間隙に対する液晶注入口５２ａを通じた液晶の注入が滞りなく行えるように等という意味である。第１実施形態においては、図３に示すように、四つの画素電極９ａにつき柱状スペーサ４０１が一本ずつ設けられており、前記の「液晶の注入」を滞りなく行うことができるものとなっている。
【００５３】
一方、このように配置される柱状スペーサ４０１の１本１本は、図４及び図５に示すように、その先端に平坦面４０１Ｐを含む略楕円柱形状を有している。すなわち、対向電極２３上の該柱状スペーサ４０１が設けられる面（以下、「被設置面２１Ｐ」という。図４又は図５参照）に平行な面における断面形状は楕円形状となっている。このような形状となる柱状スペーサ４０１では特に、その先端に平坦面４０１Ｐを有していることにより、ＴＦＴアレイ基板１０上の配向膜１６と接する部分との密着性が高まり、セルギャップ一定の要請をよりよく満たすことが可能となる。
【００５４】
また、このような柱状スペーサ４０１の根元には、図４によく示されているように、被設置面２１Ｐと滑らかに接続される面を有するスロープ部４１０が形成されている。ここに「滑らかに」とは、より具体的には例えば、図５に示すように、該スロープ部４１０の内周面の一の点に接する第１接線４１４と被設置面２１Ｐとのなす第１鋭角θ１が、この被設置面２１Ｐからみて前記一の点よりも遠い位置に存在する前記内周面の他の点に接する第２接線４１２と被設置面２１Ｐとのなす第２鋭角θ２よりも小さい（θ１＜θ２）等ということである。第１実施形態においては、このようなスロープ部４１０が、柱状スペーサ４０１の外周の全部について設けられている。
【００５５】
ちなみに、このような形状は、例えば、対向電極２１上に前記のような材料からなる原膜をいったん形成した後、フォトリソグラフィ技術を応用して前記原膜をエッチングすることで成形ないしパターニングする、等の手法によって形成することが可能である。この場合においては、前記原膜上に形成するレジスト膜に対する露光処理（パターニング処理）の如何によって、柱状スペーサ４０１の形状を上述のように成形することができるだけでなく、それらの配置を自由に定めることも可能となる。
【００５６】
また、第１実施形態における柱状スペーサ４０１は、その断面形状たる楕円形状の長径の延在方向が、対向基板２０上の配向膜２２に対するラビング処理の方向（ラビング方向）ＲＤに一致するように配置されている。図３においては、ラビング方向ＲＤが、図中右下隅から左上隅に向かうように設定されているから、柱状スペーサ４０１は、そのラビング方向ＲＤに対応して、図３中、いわば斜めとなるように配置されている。また、図４でいえば、柱状スペーサ４０１の先端部分４０１Ｔがラビング方向ＲＤと対向するように、該柱状スペーサ４０１は配置されている。
【００５７】
以上のような構成のほか、図１及び図２においては、シール材５２の外側の領域に、後述するデータ線６ａに画像信号を所定のタイミングで供給することにより該データ線６ａを駆動するデータ線駆動回路１０１及び外部回路接続端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って設けられている一方、後述する走査線３ａに走査信号を所定のタイミングで供給することにより該走査線３ａを駆動する走査線駆動回路１０４が、この一辺に隣接する二辺に沿って設けられている。なお、走査線３ａに供給される走査信号遅延が問題にならないのならば、走査線駆動回路１０４は片側だけでもよいことは言うまでもない。また、データ線駆動回路１０１を画像表示領域１０ａの辺に沿って両側に配列してもよい。他方、ＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺には、画像表示領域１０ａの両側に設けられた走査線駆動回路１０４間をつなぐための複数の配線１０５が設けられている。また、対向基板２０のコーナ部の少なくとも一箇所においては、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的に導通をとるための導通材１０６が設けられている。
【００５８】
なお、ＴＦＴアレイ基板１０上には、これらのデータ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４等に加えて、複数のデータ線６ａに画像信号を所定のタイミングで印加するサンプリング回路、複数のデータ線６ａに所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行して各々供給するプリチャージ回路、製造途中や出荷時の当該電気光学装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路等を形成してもよい。
【００５９】
このような構成となる第１実施形態の電気光学装置においては、特に、上述の柱状スペーサ４０１の特徴的な形状、あるいは配置態様により、次のような作用効果が奏されることになる。
【００６０】
すなわちまず、柱状スペーサ４０１は、その根元にスロープ部４１０が形成されていることにより、以下に記すように、配向膜２２に対するラビング処理を好適に実施することができる。
【００６１】
ここでまず、「ラビング処理」とは、例えば図６に模式的に示すように、回転金属ローラ８０１に巻き付けたバフ布８０２で、焼成処理後の配向膜２２の表面を一定方向に擦る処理をいう。図６において、回転金属ローラ８０１は図中矢印の方向に回転し、かつ、該回転金属ローラ８０１及び配向膜２２間では相対的な移動が行われる。これにより、図６、あるいは図３乃至図５に示すようなラビング方向ＲＤに沿って、配向膜２２を構成するポリイミドのポリマー主鎖が延伸されることになり、その結果、該配向膜２２上に位置する液晶層５０中の液晶分子は所定の方向に配向されることとなる。
【００６２】
従来においては、このようなラビング処理を実施すると、図７に示すような配向不良領域ＲＮを発生させていた。ここに図７は、従来の柱状スペーサ４０１´上に形成された配向膜（この図では示されず）に対しラビング処理を実施すると、配向不良領域ＲＮが発生することを説明するための説明図であって、（ａ）はその平面図、（ｂ）は断面図である。このような配向不良領域ＲＮが形成されるのは、従来、略円筒形状となる柱状スペーサ４０１´が、配向膜２２上にいわば急峻にそそり立つように存在していたため、該柱状スペーサ４０１´の影となる部分Ｓについて、バフ布８０２の毛先を十分に行き届かせることができなかったことによる。
【００６３】
しかるに、第１実施形態に係る柱状スペーサ４０１では、その付け根の部分にスロープ部４１０が備えられていることにより、該柱状スペーサ４０１と被設置面２１Ｐとの接続部分、あるいは該柱状スペーサ４０１の影となる部分Ｓに対しても、バフ布８０２の毛先を十分に行き届かせることが可能である。これは、図７と同趣旨の図８からわかるように、影となる部分Ｓのほぼ全領域が、スロープ部４１０に置換されるような形となっていることによる。ちなみに、第１実施形態においては、スロープ部４１０が、柱状スペーサ４０１の外周の全部について形成されていることから、このような作用効果は、当該外周の全部について享受することが可能となる。
【００６４】
このように、第１実施形態に係る柱状スペーサ４０１によれば、配向膜２２に対するラビング処理において、従来に比べて著しく配向不良領域ＲＮの面積を減少させることが可能となるのである。
【００６５】
加えて、第１実施形態に係る柱状スペーサ４０１では、被設置面２１Ｐに平行な面における断面形状が楕円形状となっており、かつ、該楕円形状の長径の延在する方向がラビング方向ＲＤに一致するようにされていたが（図３等参照）、このことも、配向不良領域の減少に大きく資する。すなわち、この場合においては、ラビング方向ＲＤに沿ったバフ布８０２の毛先の動きは、まず、楕円形状の先端部分４０１Ｔに当接した後、当該柱状スペーサ４０１の両側面に沿うように僅かな距離を隔てて分断させられる。次に、バフ布８０２の進行につれて前記の分断の距離は次第に大きくなり、バフ布８０２が該楕円形状の短径部分に達したとき当該柱状スペーサ４０１の両側面に位置する毛先間の距離は最大となる。この後、バフ布８０１の進行につれて当該距離は小さくなり、最後に、該楕円形状の後端部分４０１Ｒに達したとき、毛先は再び会合する。このように、本態様によれば、毛先の動きが滑らかに進行することとなるから、当該柱状スペーサ４０１の影となる部分Ｓにおいても、バフ布８０２の毛先を十分に行き届かせることが可能となるのである。
【００６６】
以上述べたように、第１実施形態においては、柱状スペーサ４０１の根元にスロープ部４１０が形成されていること、及び、該柱状スペーサ４０１の断面形状が楕円形状とされ、かつ、その配置がラビング方向ＲＤと所定の関係を有するようにされていたことにより、配向不良領域を著しく減少させることが可能となる。したがって、第１実施形態に係る電気光学装置によれば、配向不良領域の存在による光漏れ等は殆ど生じないから、従来に比べてより高品質な画像を表示することが可能となるのである。
【００６７】
更に加えて、第１実施形態に係る柱状スペーサ４０１によれば、上述のように、配向不良領域ＲＮの著しい減少が可能となるから、遮光膜２３の幅ないし面積を減少させることができる（図３参照）。すなわち、従来においては、図７に示すような配向不良領域ＲＮを隠すために、遮光膜２３の幅を大きくせざるを得ず、その結果、開口率の減少を招いていたのであるが、第１実施形態では、配向不良領域ＲＮの面積は著しく減少するため、これに伴い遮光膜２３の幅も従前より小さくすることが可能となるのである。したがって、第１実施形態によれば、より明るい画像表示が可能な、高開口率の電気光学装置を提供することができる。
【００６８】
なお、上記の実施例では、柱状スペーサを遮光膜の幅の範囲内に設けると説明したが、遮光膜を有しない場合においても、画像表示に影響を与えないならば、どこに配置してもよい。
【００６９】
（第２実施形態）
以下では、本発明の第２の実施の形態について、図９を参照しながら説明する。ここに図９は、図４と同趣旨の図であって、第２実施形態に係る柱状スペーサの全体的な形状を示す斜視図である。なお、第２実施形態では、電気光学装置の全体的構成等については、上記第１実施形態と同様である。よって以下では、そのような点についての説明は省略ないし簡略化することとし、第２実施形態において特徴的な部分についてのみ主に説明を加えることとする。
【００７０】
第２実施形態における柱状スペーサ４２０は、図９に示すように、被設置面２１Ｐに平行な面におけるその断面形状の面積が、被設置面２１Ｐと接する面において最大となり、かつ、該被設置面２１Ｐから離れるにつれて漸次小さくなる形状を有している。より具体的には、柱状スペーサ４２０は、全体的に、概ね楕円推の形状を有している。ただし、スロープ部４２１が形成されている点や、当該柱状スペーサ４２０のラビング方向ＲＤに対する配置態様の点、更には、該柱状スペーサ４２０の先端に平坦面４２０Ｐが形成されている点については、上記第１実施形態と同様である。
【００７１】
このような形態であっても、上記第１実施形態で述べたの略同様な作用効果が達成されることに変わりはない。また、第２実施形態では特に、柱状スペーサ４２０の形状が、被設置面２１Ｐから離れるにつれて、次第にその断面積を減少させていく形状となっているから、バフ布８０２の毛先の動きはより滑らかになり、上述にも増して、配向不良を生じさせる可能性を低減させることができる。
【００７２】
なお、この第２実施形態では特に、図１０に示すように、半楕円球状を有する柱状スペーサ４２０´としてもよい。ここに図１０の（ａ）は平面図であり、（ｂ）は断面図である。また、場合によっては、半球状を有する柱状スペーサとしてもよい。いずれにせよ、断面積に関する上述の特徴は、このような柱状スペーサ４２０´等もまた満たしているから、上述と略同様の作用効果を得ることができる。なお、柱状スペーサ４２０´の場合においては、第１実施形態の柱状スペーサ４０１と異なり、その先端に平坦面が存在しないが、本発明は、そのような形態をも含むことは言うまでもない。また、図示はしないが、場合によっては、これら半楕円球状又は半球状となる柱状スペーサであっても、その頭頂部を切断したような形状を容易に思い浮かべることは可能である。つまり、図１０においても先端に平坦面を有する柱状スペーサとすることはできる。
【００７３】
なお、上記各実施形態においては、柱状スペーサ４０１、４２０及び４２０´は、対向基板２０側、かつ、配向膜２３上にアクリル系樹脂等を柱状に構成するものとして形成されていたが、本発明は、そのような形態に限定されるものではない。例えば、図１１に示すような各種の変形形態を考えることができる。
【００７４】
まず、図１１（ａ）に示すように、対向基板２０上において、ＩＴＯ膜からなる対向電極２１の下（図中、上側）にある遮光膜２３を絶縁材料層としてパターニングして柱状スペーサ４０１´を形成してもよい。この場合には、画素電極９ａと対向電極２１とのショート防止用に両者間（少なくとも一方の基板上）に透明な絶縁膜３０２を設けるとよい。また、図１１（ｂ）に示すように、ＴＦＴアレイ基板側に柱状スペーサ４０１´´を設けてもよい。この場合には、画素電極９ａ上に透明な絶縁膜４０２を介して柱状スペーサ４０１´´が形成されており、不図示の対向基板２０側の配向膜２２に対してラビング処理を施してもよい。
【００７５】
いずれにせよ、これらの変形形態の柱状スペーサ４０１´及び４０１´´であっても、その根元にスロープ部４１０´及び４１０´´が形成されていること等に変わりはない。したがって、上述と略同様な作用効果が奏されることに変わりはない。
【００７６】
また、柱状スペーサを適当な有機材料等からパターニング形成する代わりに、例えばエッチングにより基板本体（対向基板２０又はＴＦＴアレイ基板１０）や基板上に積層された層間絶縁膜に溝を形成するなど、柱状スペーサを形成すべき領域を除く基板上領域に溝（凹部）を形成することで、隔壁を溝以外の凸状部分から形成してもよい。なお、この場合にも、図１１の変形例の場合と同様に、画素電極９ａと対向電極２１とのショート防止用に透明な絶縁膜を設けておくとよい。
【００７７】
（電気光学装置の回路構成及び動作）
以下では、上述のような構成となる電気光学装置において、画素電極９ａ等が如何に駆動されるかについて、図１２を参照して説明する。ここに、図１２は、電気光学装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素１００ａにおける各種素子、配線等の等価回路である。
【００７８】
図１２において、複数の画素１００ａには、それぞれ、画素電極９ａと当該画素電極９ａをスイッチング制御するためのＴＦＴ３０とが形成されており、画像信号が供給されるデータ線６ａが当該ＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。データ線６ａに書き込む画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、この順に線順次に供給しても構わないし、相隣接する複数のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給するようにしてもよい。
【００７９】
また、ＴＦＴ３０のゲートに走査線３ａが電気的に接続されており、所定のタイミングで、走査線３ａにパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍを、この順に線順次で印加するように構成されている。画素電極９ａは、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけそのスイッチを閉じることにより、データ線６ａから供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを所定のタイミングで書き込む。
【００８０】
画素電極９ａを介して電気光学物質の一例としての液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、対向基板２０に形成された対向電極２１との間で一定期間保持される。液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能とする。ノーマリーホワイトモードであれば、各画素１００ａの単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が減少し、ノーマリーブラックモードであれば、各画素１００ａの単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が増加され、全体として電気光学装置からは画像信号に応じたコントラストをもつ光が出射する。
【００８１】
なお、保持された画像信号がリークするのを防ぐために、画素電極９ａと対向電極２１との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量７０を付加することがある。例えば、画素電極９ａの電圧は、ソース電圧が印加された時間よりも３桁も長い時間だけ蓄積容量７０により保持される。これにより、電荷の保持特性は改善され、コントラスト比の高い電気光学装置を実現することができる。なお、蓄積容量７０を形成する方法としては、それ専用の特別の配線である容量線３００を形成する場合、及び前段の走査線３ａとの間に形成する場合のいずれであってもよい。
【００８２】
（ＴＦＴ及びその周辺の実際的な構成）
上述したような画素１００ａは、より実際的には、図１３及び図１４に示すような構成を有する。ここに、図１３は、本発明の実施形態に係るＴＦＴアレイ基板の相互に隣接する複数の画素群の平面図であり、図１４は、図１３のＡ−Ａ´断面図である。図１３及び図１４においては、一画素についてのみ、その詳細を示している。
【００８３】
図１３において、ＴＦＴアレイ基板上には、上述したＴＦＴ３０、走査線３ａ、データ線６ａ、蓄積容量７０等のほか、透明電極８、反射電極９等が設けられている。なお、上述までの画素電極９ａとは、いま述べた透明電極８及び反射電極９の両者を含意した用語である。
【００８４】
このうちまず、反射電極９は、ＴＦＴアレイ基板１０上に、マトリクス状に形成されている。この反射電極９の各々には、図５に示すような透過窓１４が形成され、この透過窓１４に対応する領域は透明電極８によって覆われている。このような反射電極９は、アルミニウムや銀、若しくはこれらの合金、又はチタン、窒化チタン、モリブデン、タンタル等との積層膜から構成されており、透明電極８は、ＩＴＯ（インディウム・ティン・オキサイド）等から構成されている。
【００８５】
ちなみに、本実施形態では特に、既に図３乃至図５等を参照して述べたように、反射電極９の角部に対応する位置に、その断面形状が楕円形状等となる柱状スペーサ４０１が設けられていることに特徴がある（図１３参照）。
【００８６】
このように、マトリクス状に配列された反射電極９及び透明電極８の形成領域の縦横の境界に沿っては、データ線６ａ、走査線３ａ及び容量線３００が形成されており、該反射電極９の一つ一つには、透明電極８を介して、画素スイッチング用のＴＦＴ３０が電気的に接続されている。データ線６ａは例えばアルミニウム等により、走査線３ａ及び容量線３００は例えば導電性のポリシリコン等からなる。また、ＴＦＴ３０は、図５及び図６に示すように、半導体層１ａを備えており、該半導体層１ａ中には適当な不純物が導入されることで高濃度ソース領域１ｄ、高濃度ドレイン領域１ｅ及びチャネル領域１ａ´が形成されている。このうちＴＦＴ３０の高濃度ソース領域１ｄには、データ線６ａがコンタクトホールを介して電気的に接続されており、高濃度ドレイン領域１ｅには、透明電極８がソース線６ｂ及びコンタクトホール１５を介して電気的に接続されている。また、ＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ´の上には、これに対向するように、ゲート絶縁膜２を介して、前記の走査線３ａが延在するように形成されている。なお、本実施形態におけるＴＦＴ３０は、図５及び図６に示すように、いわゆるダブルゲート構造となっており、これに伴って、半導体層１ａは、図中左側から、高濃度ソース領域１ｄ、低濃度領域１ｂ、チャネル領域１ａ´、低濃度領域１ｂ、チャネル領域１ａ´、低濃度領域１ｂ及び高濃度ドレイン領域１ｅという順番で各領域が形成されたものとなっている。
また、本実施形態に係る電気光学装置には、蓄積容量７０が形成されている。この蓄積容量７０は、下部電極として、画素スイッチング用のＴＦＴ３０を形成するための半導体膜１の延設部分１ｆを導電化したものを、上部電極として、走査線３ａと同層の容量線３００を備えるとともに、これらの間にＴａＯｘ、ＳｉＯｘ等からなる誘電体膜を備えた構造になっている。このような蓄積容量７０を備えることで、液晶容量における電荷の保持特性を格段に向上することができる。
【００８７】
一方、反射電極９及び透明電極８の下には、図１４に示すように、凹凸形成層１３、及びその上層の凹凸層７（いずれも、図１３では示されない）が形成されている。ここで凹凸形成層１３及び凹凸層７は、例えば、有機系樹脂等の感光性樹脂からなり、特に前者は、基板面に点在するブロック塊を含むような形で形成される層であり、後者は、このような凹凸形成層１３を含む基板の全面を覆うような形で形成される層である。したがって、凹凸層７の表面は、凹凸形成層１３を構成するブロック塊の点在態様に応じて、いわば「うねる」こととなり、その結果、凹凸パターン９ｇが形成されることになる。図１３においては、この凹凸パターン９ｇが円形状で示されており、該円形状の部分は、その他の部分に比べて、図の紙面に向かってこちら側に突出した形となっていることを示している。すなわち、当該円形状の部分における、図の紙面に向かって向こう側には、凹凸層７、そして前記ブロック塊が形成されているのである（図１４参照）。
【００８８】
このような構成を備える本実施形態の電気光学装置では、透明電極８及び透過窓１４を利用することで、透過モードによる画像表示を行うことが可能となり、反射電極９並びに凹凸形成層１３、凹凸層７及び凹凸パターン９ｇを利用することで、反射モードによる画像表示を行うことが可能となる。すなわち、前者の構成により規定される領域は、図示されない内部光源から発せられた光を図１３の紙面向こう側からこちら側に至るように透過させる透過領域であり、後者の構成により規定される領域は、紙面こちら側から前記反射電極９に至って反射した後、再び紙面こちら側に至らせるような反射領域となる。なお、後者の場合では特に、凹凸パターン９ｇによって光の散乱反射が起きるから、画像の視野角依存性を小さくすることができる。
【００８９】
なお、図１４においては上記のほか、ＴＦＴアレイ基板１０上に、厚さが１００〜５００ｎｍのシリコン酸化膜（絶縁膜）からなる下地保護膜１１１が形成され、この下地保護膜１１１とＴＦＴ３０の上に、厚さが３００〜８００ｎｍのシリコン酸化膜からなる第１層間絶縁膜４、更に、この第１層間絶縁膜４の上に厚さが１００〜８００ｎｍのシリコン窒化膜からなる第２層間絶縁膜５（表面保護膜）等が形成されている。ただし、場合により、この第２層間絶縁膜５は、形成してなくてもよい。また、ＴＦＴアレイ基板１０側には、その最上層として、配向膜１６が形成されている。その他、図１４においては、各種構成要素を電気的に接続するコンタクトホール等が設けられる。一方、対向基板２０側には、画素１００ａ間の隙間をいわば縫うように延在する遮光膜２３、基板全面に形成された対向電極２１及び配向膜２２が、この順に積層するように形成されている。
【００９０】
なお、上記では、アクティブマトリクス駆動方式の電気光学装置について説明したが、本発明は、このような形態に限定されるものではなく、パッシブマトリクス駆動方式の電気光学装置に対しても、大きな変更をすることなく、本発明の適用が可能であることは言うまでもない。
【００９１】
（電子機器）
このように構成された電気光学装置は、各種の電子機器の表示部として用いることができるが、その一例を、図１５〜図１７を参照しつつ具体的に説明する。
【００９２】
図１５は、本発明に係る電気光学装置を表示装置として用いた電子機器の回路構成を示すブロック図である。
【００９３】
図１５において、電子機器は、表示情報出力原７７、表示情報処理回路７１、電源回路７２、タイミングジェネレータ７７及び液晶表示装置７４を有する。また、液晶表示装置７４は、液晶表示パネル７５及び駆動回路７６を有する。液晶装置７４としては、前述した電気光学装置を用いることができる。
【００９４】
表示情報出力原７０は、ＲＯＭ（Ｒｅａｄ　Ｏｎｌｙ　Ｍｅｍｏｒｙ）、ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ　Ａｃｃｅｓｓ　Ｍｅｍｏｒｙ）等のようなメモリ、各種ディスク等のストレージユニット、デジタル画像信号を同調出力する同調回路等を備え、タイミングジェネレータ７３によって生成された各種のクロック信号に基づいて、所定フォーマットの画像信号等のような表示情報を、表示情報処理回路７１に供給する。
【００９５】
表示情報処理回路７１は、シリアル−パラレル変換回路や、増幅・反転回路、ローテーション回路、ガンマ補正回路、クランプ回路等のような周知の各種回路を備え、入力した表示情報の処理を実行して、その画像信号をクロック信号ＣＬＫとともに駆動回路７６へ供給する。電源回路７２は、各構成要素に所定の電圧を供給する。
【００９６】
図１６は、本発明に係る電子機器の一実施形態であるモバイル型のパーソナルコンピュータを示している。ここに示すパーソナルコンピュータ８０は、キーボード８１を備えた本体部８２と、液晶表示ユニット８３とを有する。液晶表示ユニット８３は、前述した電気光学装置１００を含んで構成される。
【００９７】
図１７は、他の電子機器である携帯電話機を示している。ここに示す携帯電話機９０は、複数の操作ボタン９１と、前述した電気光学装置１００からなる表示部とを有している。
【００９８】
本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨、あるいは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う電気光学装置及び電子機器もまた、本発明の技術的範囲に含まれるものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施形態の電気光学装置におけるＴＦＴアレイ基板を、その上に形成された各構成要素とともに対向基板の側から見た平面図である。
【図２】図１のＨ−Ｈ´断面図である。
【図３】第１実施形態に係る柱状スペーサの対向基板上における配置態様を示す平面図である。
【図４】１本の柱状スペーサの全体形状を示す斜視図である。
【図５】図４に示すＺ−Ｚ´線の断面図である。
【図６】ラビング処理の様子を示す説明図である。
【図７】従来の柱状スペーサ上に形成された配向膜（この図では示されず）にラビング処理を実施すると、配向不良領域が発生することを説明するための説明図であって、（ａ）はその平面図、（ｂ）は断面図である。
【図８】第１実施形態の柱状スペーサ上に形成された配向膜（この図では示されず）にラビング処理を実施すると、配向不良領域が著しく減少することを説明するための説明図であって、（ａ）はその平面図、（ｂ）は断面図である。
【図９】図４と同趣旨の図であって、本発明の第２実施形態に係る柱状スペーサの全体形状を示す斜視図である。
【図１０】第２実施形態の変形形態となる柱状スペーサの全体的な形状を示す図であって、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図である。
【図１１】柱状スペーサの各種変形形態を示す断面図である。
【図１２】本発明の実施形態の電気光学装置における画像表示領域を構成するマトリクス状の複数の画素に設けられた各種素子、配線等の等価回路を示す回路図である。
【図１３】ＴＦＴアレイ基板の相互に隣接する複数の画素群の平面図である。
【図１４】図１３のＡ−Ａ´線断面図である。
【図１５】本発明に係る電気光学装置を表示装置として用いた電子機器の回路構成を示すブロック図である。
【図１６】本発明に係る電気光学装置を用いた電子機器の一例としてのモバイル型のパーソナルコンピュータを示す説明図である。
【図１７】本発明に係る電気光学装置を用いた電子機器の他の例としての携帯電話機の説明図である。
【符号の説明】
３ａ…走査線
６ａ…データ線
９ａ…画素電極
１０…ＴＦＴアレイ基板
２０…対向基板
２１…対向電極
２２…配向膜
２３…遮光膜
２３Ｐ…被設置面
３０…ＴＦＴ
５０…液晶層
４０１、４２０、４２０´…柱状スペーサ
４０１Ｐ…平坦面
４０１Ｔ…先端部分
４０１Ｒ…後端部分
４１０…スロープ部
ＲＤ…ラビング方向
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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