(57)【要約】【課題】熱電素子搭載用配線基板において、冷熱モジュールの熱変換効率を高めるべく、搭載する熱電素子の面積を増やすために、電極の熱電素子搭載面の面積を広げると、各電極間の絶縁間隔が狭くなり、隣り合う電極間がショートしてしまい、冷熱モジュールに実装されるレーザダイオードを正常かつ安定に動作させることができない。【解決手段】セラミックスから成る絶縁基板２の一主面に、熱電素子１の端部が接合される複数の金属板５を接合して成る熱電素子搭載用配線基板８であって、金属板５は、その断面の形状が熱電素子１の端部が接合される側の底辺が絶縁基板２に接合される側の底辺より長い台形状である。【選択図】　図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
セラミックスから成る絶縁基板の一主面に、熱電素子の端部が接合される複数の金属板を接合して成る熱電素子搭載用配線基板であって、前記金属板は、その断面の形状が前記熱電素子の端部が接合される側の底辺が前記絶縁基板に接合される側の底辺より長い台形状であることを特徴とする熱電素子搭載用配線基板。
【請求項２】
一対の請求項１記載の熱電素子搭載用配線基板の間に、複数個の熱電素子がそれぞれ両端部を前記金属板に接合されて成り、一方の前記熱電素子搭載用配線基板の前記絶縁基板の他主面に半導体素子が搭載されることを特徴とする熱電素子モジュール。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、配線基板に関し、とりわけ温度制御用の電子冷熱モジュールに用いられる熱電素子搭載用配線基板およびこれを用いた熱電素子モジュールに関する。
【０００２】
【従来の技術】
熱電素子であるペルチェ素子は、Ｐ型半導体から成るＰ型素子およびＮ型半導体から成るＮ型素子を交互に電気接続し通電した場合に、Ｐ型、Ｎ型素子の接合部分に生じるペルチェ効果といわれる冷却／発熱効果を発生する素子である。このぺルチェ素子は、通常複数のＰ型およびＮ型素子を搭載した熱電素子モジュールとして半導体装置等の冷却・温度制御に使用される。このような熱電素子モジュールは、図３に斜視図で示すように、複数個のＮ型およびＰ型ペルチェ素子１を、絶縁基板２と、絶縁基板２上に形成された電極と成る金属板５とで構成された２枚１対の熱電素子搭載用配線基板８ａ、８ｂの間に挟持することにより製作され、Ｎ型、Ｐ型のペルチェ素子１は、金属板５上に電気的に直列に、熱的に並列となるように、交互に並ぶ形で挟持される。
【０００３】
この熱電素子モジュール９を構成する熱電素子搭載用配線基板８ａ、８ｂは、ペルチェ素子１の保持、ペルチェ素子１間の配線およびペルチェ素子１と熱電素子モジュール９に実装される半導体装置（図示せず）および放熱基板（図示せず）等との熱交換を担う。また、このような熱電素子搭載用配線基板８ａ、８ｂを構成する絶縁基板２は、熱伝導性に優れた窒化アルミニウム質焼結体やアルミナ質焼結体等の磁器が使用される。
【０００４】
近年使用が増加している光エレクトロニクス半導体装置用の熱電素子モジュールにおいて、熱電素子モジュールに実装するレーザダイオード等は、発熱密度が高い上、レーザダイオード等を実装した熱電素子モジュールを大きさの制約がある気密性容器内に組み付ける必要があり、そのために、熱電素子モジュールの熱変換効率の高効率化・小型化の要求は特に強い。
【０００５】
一般に、熱電素子素子搭載用配線基板８ａ、８ｂの金属板から成る電極５は、ペルチェ素子１の作動電流による金属板５自体のジュール発熱による熱電素子モジュール９の熱変換効率の低下を防ぎ、金属板５の熱抵抗を低減させるため、銅やアルミニウムなどの高熱伝導率・高電気伝導率を持つ金属導体が用いられる。また、熱電素子モジュール９の熱変換効率を向上させるためには、熱電素子搭載用配線基板８ａ、８ｂ間へ実装されるペルチェ素子１はできるだけ接合面積の大きいものを用いることが有効である。大きさの制約がある気密性容器の中で、この接合面積を広げて熱変換効率を向上させるために、熱電素子素子搭載用配線基板８ａ、８ｂの金属板５ペルチェ素子搭載面の面積はできるだけ広いほうが好ましく、各金属板５は、狭い絶縁間隔で配置されることが求められている。
【０００６】
このような熱電素子搭載用配線基板の電極を形成する方法としては、特開平３−２６３８８２号公報に示されるような粗面化した磁器上に無電解銅めっきおよび電解銅めっきを組み合わせて形成するめっき法や、実開昭６３−２０４６５号に示されるようなＤＢＣ（Ｄｉｒｅｃｔ　Ｂｏｎｄｉｎｇ　Ｃｏｐｐｅｒ）法で接合した銅層をフォトリソエッチング法によりパターニングする方法、モリブデン−マンガンまたは基板と同時焼成されたタングステン等の焼成層から成るメタライズ層と、ニッケルめっき層とから成るパターンを下地とし、接合部材である半田や活性金属ろう材を介して銅電極を接合する方法などが知られている。
【０００７】
特に、高効率の熱電素子モジュールでは、微細な加工方法で電極となる金属板５を形成するために、その金属板５の厚みは０．０３〜０．１ｍｍの範囲で用いられることが多く、その形成法としては、めっき法またはＤＢＣ法が用いられていた。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
熱電素子モジュールの性能を左右する熱変換効率を高めるには、搭載するペルチェ素子の数、もしくはその面積を増やすことが有効である。しかしながら、レーザダイオード等を実装した熱電素子モジュールは、大きさの制約がある気密性容器内に組み付ける必要があるため小型化の要求は強く、いたずらにペルチェ素子の数や面積を増やして熱電素子モジュールを大きくすることはできない。このため、熱電素子モジュールの限られた大きさの中で、ペルチェ素子の面積を増やす必要がある。
【０００９】
しかしながら、従来のめっき法やＤＢＣ法で形成される金属板１０５の断面形状は、図２に従来の熱電素子搭載用配線基板の断面図で示すように、ペルチェ素子１０１を搭載する側の底辺の長さが絶縁基板１０２に接合される側の底辺の長さより短い台形状をしている。このため、接合面積の大きいペルチェ素子１０１を搭載するために金属板１０５の面積を大きくすると、各金属板１０５間の絶縁間隔が狭くなり、めっきにより各金属板１０５を形成する場合には、絶縁間隔までめっきがはみ出して隣接する金属板１０５で短絡してしまうという問題点を、エッチングにより絶縁間隔を形成する場合には、絶縁間隔部分にエッチング残りが発生し隣接する金属板１０５間で短絡してしまうという問題点を有していた。
【００１０】
本発明は、このような従来の問題点に鑑み完成されたものであり、ペルチェ素子を搭載するために電極の面積を広くすることができるとともに、隣接する電極である金属板間の絶縁間隔が狭くなったとしても金属板間に電極を形成するめっきやエッチング残りが発生して隣接する金属板間で短絡することがなく、実装されるレーザダイオードを長期にわたり正常かつ安定に動作させることができる熱電素子搭載用配線基板およびこれを用いた熱電素子モジュールを提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明の熱電素子搭載用配線基板は、セラミックスから成る絶縁基板の一主面に、熱電素子の端部が接合される複数の金属板を接合して成る熱電素子搭載用配線基板であって、前記金属板は、その断面の形状が前記熱電素子の端部が接合される側の底辺が前記絶縁基板に接合される側の底辺より長い台形状であることを特徴とするものである。
【００１２】
また、本発明の熱電素子モジュールは、一対の上記の熱電素子搭載用配線基板の間に、複数個の熱電素子がそれぞれ両端部を前記金属板に接合されて成り、一方の前記熱電素子搭載用配線基板の前記絶縁基板の他主面に半導体素子が搭載されることを特徴とするものである。
【００１３】
本発明の熱電素子搭載用配線基板によれば、金属板の断面の形状を熱電素子の端部が接合される側の底辺が絶縁基板に接合される側の底辺より長い台形状としたことから、接合面積の大きい熱電素子を搭載するために電極と成る金属板の面積を大きくし、各金属板間の絶縁間隔を狭くしたとしても、隣接する電極間に電極を形成するめっきが被着したりエッチング残りが発生して隣接する電極間で短絡することのない熱電素子搭載用配線基板とすることができる。
【００１４】
また、本発明の熱電素子モジュールによれば、一対の上記の熱電素子搭載用配線基板の間に、複数個の熱電素子の両端がそれぞれ両端部を金属板に接合されて成り、一方の熱電素子搭載用配線基板の絶縁基板の他主面に半導体素子が搭載されることから、隣接する電極と成る金属板間で短絡することがなく、実装されるレーザダイオードを長期にわたり正常かつ安定に動作させることができる熱電素子モジュールとすることができる。
【００１５】
【発明の実施の形態】
次に、本発明の熱電素子搭載用配線基板を添付の図面に基づいて詳細に説明する。
図１は、本発明の熱電素子搭載用配線基板の実施の形態の一例を示す断面図である。図１において、１はペルチェ素子等の熱電素子、２は絶縁基板、３は活性金属ろう材層等の接合部材、５は電極である金属板、６は放熱板、７はめっき皮膜であり、主に絶縁基板２、金属板５、接合部材３で本発明の熱電素子搭載用配線基板８が構成される。
【００１６】
熱電素子搭載用配線基板８は、電気絶縁材料から成る絶縁基板２と、この一主面に活性金属ろう材等の接合部材３を介して接合された厚みが０．０３〜０．１ｍｍの良熱伝導性の金属から成る金属板５とから構成されている。なお、絶縁基板２の他主面に活性金属ろう材等の接合部材３を介して接合された良熱伝導性の金属から成る放熱板６を備える場合も有る。さらに、電極と成る金属板５および放熱板６は、熱電素子１の端部の接合および熱電素子モジュールの実装に適するようにニッケルおよび金等から成るめっき皮膜７を施してもよい。
【００１７】
以下、熱電素子搭載用配線基板８の製造方法に基づいて、本発明の熱電素子搭載用配線基板８について説明する。
まず、絶縁基板２と、電極と成る金属板５および放熱板６を形成するための銅箔とを準備する。
絶縁基板２は、その厚みが０．１〜０．５ｍｍ、長さおよび幅が５０〜８０ｍｍ×６０〜１２０ｍｍの長方形状であり、金属板５の支持部材として機能し、酸化アルミニウム質焼結体・窒化アルミニウム質焼結体・炭化珪素質焼結体等の電気絶縁材料で形成されている。
【００１８】
絶縁基板２は、例えば酸化アルミニウム質焼結体から成る場合であれば、酸化アルミニウム・酸化珪素・酸化マグネシウム・酸化カルシウム等の原料粉末に適当な有機溶剤・溶媒を添加混合して泥漿状となすとともに、これを従来周知のドクターブレード法やカレンダーロール法によりシート状に成形してセラミックグリーンシート（セラミック生シート）を得て、しかる後、このセラミックグリーンシートを複数枚積層し、高温（約１６００℃）で焼成することによって製作される。
【００１９】
ここで、この絶縁基板２は、熱伝導率の大きな窒化アルミニウム質焼結体（熱伝導率：７５Ｗ／ｍ・Ｋ以上）から成るものであることが特に好ましい。これは、絶縁基板２は、レーザダイオード等にて発生する熱を外部に放熱する際に、熱抵抗としてその放熱を妨げるため、熱電素子モジュールにした場合に冷却効果を発熱部に作用させ、冷却能力の高い熱電素子モジュールの性能を十分発揮させるためには、より熱伝導率の高い窒化アルミニウム質焼結体が特に良いことによる。
【００２０】
金属板５は、銅や銅合金等の良熱伝導性の金属から成り、熱電素子１を支持する機能を有する。このような金属板５は、絶縁基板２に金属板５と成る金属箔を活性金属ろう材等の接合部材３を介して接合後、エッチング加工法により所定形状および所定の大きさに形成される。
【００２１】
また、金属板５は、その材質が熱伝導率の大きな銅（熱伝導率：約４００Ｗ／（ｍ・Ｋ））であることが特に好ましい。これは、金属板５がレーザダイオード等にて発生する熱を外部に放熱する際に、熱抵抗としてその放熱を妨げるため、熱電素子モジュールでの冷却効果を発熱部に作用させ、冷却能力の高い熱電素子モジュールの性能を十分発揮させるためには、より熱伝導率の高い銅（Ｃｕ）が特によいことによる。
【００２２】
なお、金属板５が銅から成る場合、これを無酸素銅で形成しておくと、後述する活性金属ろう材を用いて絶縁基板２に接合する際に、銅の表面が銅の内部に存在する酸素により酸化されることがなく活性金属ろう材との濡れ性が良好となり、絶縁基板２への活性金属ろう材を介しての接合が強固なものとなる。従って、金属板５が銅から成る場合、これを無酸素銅で形成しておくことが好ましい。
【００２３】
次に、接合部材３となるろう材ペーストを準備する。接合部材３は半田や活性金属ろう材等から成り、接合部材３が活性金属ろう材から成る場合は、銀粉末および銅粉末、または銀−銅合金粉末、またはこれらの混合粉末から成るろう材粉末、ならびにチタン、ジルコニウム、ハフニウムおよびこれらの水素化物の少なくとも１種より成る活性金属ろう材粉末混合物に、融点が１２００℃以上で、比表面積が０．１から２ｍ２／ｇ、好ましくは０．５から２ｍ２／ｇである高融点金属粉末の凝集体を５〜２０体積％加えた混合物に、適当な有機溶剤、溶媒、分散剤を添加混合し、混練することによって活性金属のろう材ペーストが作製される。
【００２４】
次に、絶縁基板２の一主面にろう材ペーストを従来周知のスクリーン印刷法を用いて、例えば、１５〜３０μｍの厚さで所定パターンに塗布し、所定パターンに塗布されたろう材ペースト上に金属板５が銅から成る場合は、金属板５となる銅箔を載置する。
【００２５】
そして、絶縁基板２と銅箔との間に配されているろう材ペーストを、銅箔に３〜１０ｋＰａの荷重をかけながら非酸化性雰囲気中で８００℃に加熱し、ろう材ペーストの有機溶剤や溶媒・分散剤を気散させるとともに活性金属ろう材を溶融させて絶縁基板２と銅箔とを接合させることによって、絶縁基板２の上面に金属板５、下面に放熱板６となる銅箔が取着されることとなる。
【００２６】
なお、ろう材粉末は、例えば、共晶合金から成る場合は銀と銅がそれぞれ７２質量％と２８質量％含有されている共晶合金で形成されている。また、ろう材粉末の粒径が１μｍ未満になると、ろう材粉末の比表面積が大きくなってろう材粉末表面に形成される酸化皮膜中に多くの酸素が存在し、この酸素によって活性金属ろう材の絶縁基板２や銅箔に対する濡れ性が低下して、絶縁基板２と銅箔からなる金属板５との接合強度が低下してしまう危険性がある。従って、ろう材粉末はその粒径を１μｍ以上としておくことが好ましい。
【００２７】
さらに、チタン、ジルコニウム、ハフニウムおよびこれらの水素化物の少なくとも１種より成る活性金属粉末は、ろう材を絶縁基板２に強固に接着する作用をなし、活性金属粉末の添加量が２質量％未満となると活性金属の絶対量が不足してろう材を絶縁基板２に強固に接着させることができなくなる傾向がある。また、活性金属粉末の添加量が５質量％を超えると活性金属と絶縁基板２との間に脆弱な反応層が厚く形成され、結果的にろう材と絶縁基板２との接着強度が低下する傾向がある。従って、活性金属の添加量は２〜５質量％の範囲にしておくことが好ましい。
【００２８】
また、高融点金属粉末の凝集体は活性金属ろう材に対する接触部分において、金属板５に比べ大きな表面積を持つことから、金属板５への活性金属ろう材成分の拡散を制御する作用をなす。高融点金属粉末の凝集体は、その比表面積が０．１ｍ２／ｇ未満となると、高融点金属粉末の凝集体の表面積が小さくなって金属板５への活性金属ろう材成分の拡散を制御する作用が低下してしまう危険性がある。また比表面積が２ｍ２／ｇを超えると、粉末表面に形成される酸化皮膜中に多くの酸素が存在し、この酸素によってろう材の高融点金属粉末の凝集体に対する濡れ性が低下して、金属板５への活性金属ろう材成分の拡散を制御する作用が低下してしまう危険性がある。従って、高融点金属粉末の凝集体は比表面積を０．１から２ｍ２／ｇ、さらに好ましくは０．５から２ｍ２／ｇとすることが好ましい。
【００２９】
なお、高融点金属粉末の凝集体の添加量は、高融点金属粉末の凝集体の比表面積により調整されるが、５体積％未満となると、銅箔への活性金属ろう材成分の拡散を制御する作用効果が低下し、熱電素子搭載用配線基板への熱電素子１であるペルチェ素子の搭載を阻害する恐れがある。また２０体積％を超えると絶縁基板２および金属板５に対するろう材の接合面積が小さくなって絶縁基板２への金属板５のろう付け強度が低下してしまう傾向にある。従って、高融点金属粉末の凝集体の添加量は５〜２０体積％の範囲としておくことが好ましい。
【００３０】
次に、絶縁基板２の上面に取着された金属板５上にスクリーン印刷法またはドライフィルムレジスト等を用いたフォトリソ法により所望の電極形状に合わせたエッチングレジスト膜を形成する。
【００３１】
次にエッチング処理して回路パターン状のレジスト膜に対応した回路を形成する。エッチングは、例えば、金属板５が銅または銅合金であり、エッチング液が塩化第２鉄である場合、比重が４２〜４７ボーメで、温度が４５℃程度の塩化第２鉄溶液を用い、両面スプレー方式のエッチング装置に、絶縁基板２に銅箔が取着された基板を投入し、スプレー圧２．５×１０５Ｐａ程度で行なわれる。
【００３２】
なお、エッチング時間は、銅箔の塩化第２鉄溶液に対する溶解量・銅箔の厚み等により調整されるが、通常行なわれるエッチング時間の１．３〜１．８倍の時間をかけてエッチングすることで、断面形状が熱電素子１の端部が接合される側の底辺が絶縁基板２に接合される側の底辺より長い台形状とすることができる。そして、本発明の熱電素子搭載用配線基板８においては、このことが重要である。
【００３３】
本発明の熱電素子搭載用配線基板８によれば、金属板５の断面の形状を、熱電素子１の端部が接合される側の底辺を絶縁基板２に接合される側の底辺より長い台形状としたことから、接合面積の大きい熱電素子１を搭載するために電極と成る金属板５の面積を大きくし、各金属板５間の絶縁間隔が狭くしたとしても、隣接する電極間に電極を形成するエッチング残りが発生して隣接する電極間で短絡することのない熱電素子搭載用配線基板８とすることができる。
【００３４】
なお、銅箔上に形成するエッチングレジスト膜は、通常より長くなるエッチング時間を見越し、通常のエッチング削れ量の１．３〜１．８倍の削れ量で形成することが重要である。
【００３５】
なお、金属板５は、その側面と絶縁基板２側の表面とのなす角度を５０〜８０°とすることが好ましい。金属板５の側面と絶縁基板２側の表面とのなす角度が５０°未満の場合、熱伝素子１を搭載支持する金属板５の回路パターン端部で強度が弱くなることから、良好な状態で熱伝素子１を支持することができなくなる傾向があり、８０°を超えると熱電素子１の接合面積を増加させることができなくなることから、熱変換効率向上の効果が得られなくなる傾向がある。従って、金属板５は、その側面と絶縁基板２側の表面とのなす角度を５０〜８０°とすることが好ましい。
【００３６】
そしてエッチングの後、レジストを剥離することにより、所望の形状の金属板５、放熱板６が得られる。なお、レジストの除去にはエッチングレジスト膜のタイプにより、アルカリ水溶液や有機溶剤が用いられる。
【００３７】
また、金属板５、放熱板６の表面にニッケルから成る良導電性で、かつ耐蝕性およびはんだ濡れ性が良好なめっき皮膜７を被着させておくと、熱電素子１を搭載し、熱電素子モジュールを組み立てる工程や、熱電素子モジュールに半導体装置等を組み付ける際の熱工程に対して、金属板５、放熱板６の酸化を防止することができる。熱電素子搭載用配線基板８への熱電素子１であるぺルチェ素子等の実装に高温はんだ等を用いる場合には、熱電素子搭載用配線基板８の耐熱性を高めるため、めっき皮膜７をニッケルと金の２層から構成する場合もある。その場合は、ニッケルめっきの後に置換金めっきまたは、還元金めっきを用いた無電解金を実施すればよい。
【００３８】
かくして本発明の熱電素子搭載用配線基板８によれば、金属板５の断面の形状を、熱電素子１の端部が接合される側の底辺が絶縁基板２に接合される側の底辺より長い台形状としたことから、接合面積の大きい熱電素子１を搭載するために電極と成る金属板５の面積を大きくし、各金属板５間の絶縁間隔を狭くしたとしても、隣接する電極と成る金属板５間に電極を形成するめっきが被着したりエッチング残りが発生して隣接する金属板５間で短絡することのない熱電素子搭載用配線基板８とすることができる。
【００３９】
次に、本発明の熱電素子モジュールを、図３を用いて詳細に説明する。図３は、本発明の熱電素子モジュールの実施の形態の一例を示す断面図である。
本発明の熱電素子モジュール９は、一対の上述の熱電素子搭載用配線基板８ａ・８ｂの間に、複数個の熱電素子１がそれぞれ両端部を金属板５に接合されて成り、一方の熱電素子搭載用配線基板８の絶縁基板２の他主面に半導体素子が搭載される。
【００４０】
熱電素子１は、Ｂｉ−Ｔｅ系材料・Ｆｅ−Ｓｉ系材料・Ｓｉ−Ｇｅ系材料・Ｃｏ−Ｓｂ系材料等の焼結体により構成されている。熱電素子１が例えばＢｉ−Ｔｅ系材料から成る場合であれば、主な特性が、例えば、Ｐ型熱電素子のゼーベック係数は２００μＶ／Ｋ、Ｎ型熱電素子のゼーベック係数は−２００μＶ／Ｋ、Ｐ型・Ｎ型熱電素子共に比抵抗率は１ｍΩ・ｃｍ、Ｐ型・Ｎ型熱電素子共に熱伝導率が１．５Ｗ／ｍ・Ｋとなっている。
【００４１】
熱電素子１は、そのままでは半田等のろう材での接合が困難であるため、その端面には良伝導性で、かつ耐食性および、ろう材との濡れ性を高める表面処理としてニッケルめっき等を被着させておくことが望ましい。
【００４２】
そして、一対の熱電素子搭載用配線基板８ａ・８ｂの間に、複数個の熱電素子１の両端部を金属板５に半田等の導電性接合部材を介して接合することにより本発明の熱電素子モジュール９となる。なお、導電性接合部材が半田から成る場合、熱電素子搭載用配線基板８表面の金属板５に半田ペーストを従来周知のスクリーン印刷法を採用して印刷した後、半田ペーストが印刷された１対の熱電素子搭載用配線基板８ａ・８ｂ間に複数個の熱電素子１を両端部が半田ペーストと接合するように挟み込み、所定温度のリフロー炉で加熱することにより熱電素子モジュール９が製作される。
【００４３】
かくして、本発明の熱電素子モジュール９によれば、一対の上記の熱電素子搭載用配線基板８ａ・８ｂの間に、複数個の熱電素子１がそれぞれ両端部を金属板５に接合されて成り、一方の熱電素子搭載用配線基板８ａ・８ｂの絶縁基板２の他主面に半導体素子が搭載されることから、隣接する金属板５間で短絡することがなく、実装されるレーザダイオード等の半導体素子を長期にわたり正常かつ安定に動作させることができる熱電素子モジュール９とすることができる。
【００４４】
なお、本発明は以上の実施の形態の例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば、種々の変更を行なっても差し支えない。
【００４５】
【発明の効果】
本発明の熱電素子搭載用配線基板によれば、金属板の断面の形状を熱電素子の端部が接合される側の底辺が絶縁基板に接合される側の底辺より長い台形状としたことから、接合面積の大きい熱電素子を搭載するために電極と成る金属板の面積を大きくし、各金属板間の絶縁間隔を狭くしたとしても、隣接する電極間に電極を形成するめっきが被着したりエッチング残りが発生して隣接する電極間で短絡することのない熱電素子搭載用配線基板とすることができる。
【００４６】
また、本発明の熱電素子モジュールによれば、一対の上記の熱電素子搭載用配線基板の間に、複数個の熱電素子の両端がそれぞれ両端部を金属板に接合されて成り、一方の熱電素子搭載用配線基板の絶縁基板の他主面に半導体素子が搭載されることから、隣接する電極と成る金属板間で短絡することがなく、実装されるレーザダイオードを長期にわたり正常かつ安定に動作させることができる熱電素子モジュールとすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の熱電素子搭載用配線基板の実施の形態の一例を示す断面図である。
【図２】従来の熱電素子搭載用配線基板の断面図である。
【図３】本発明の熱電素子モジュールの実施の形態の一例を示す断面図である。
【符号の説明】
１・・・・・・・・・・熱電素子
２・・・・・・・・・・絶縁基板
３・・・・・・・・・・接合部材
５・・・・・・・・・・金属板
６・・・・・・・・・・放熱板
８、８ａ、８ｂ・・・・熱電素子搭載用配線基板
９・・・・・・・・・・熱電素子モジュール
【図１】
2004087827.tif 000003
【図２】
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【図３】
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