(57)【要約】【課題】スタックドビアの接続性が良く、さらに、被覆樹脂絶縁層のうちビアランド部を被覆する部分が、このビアランド部の絶縁性、耐湿性等を確保するのに十分な厚みを有する配線基板、及びその製造方法を提供する。【解決手段】本発明の配線基板１００の製造方法は、第１充填ビア導体形成工程で、第１小径ビアホール１１１ｂに小径ビア凸部１１６ｂを有する第１小径充填ビア導体１１０ｂを形成すると共に、第１大径ビアホール１１１ｃに大径ビア凹部１１６ｃを有する第１大径充填ビア導体１１０ｃを形成する。次いで、被覆樹脂絶縁層形成工程で、小径ビア凸部１１６ｂが露出する第２ビアホール２１１ｂを有する第３樹脂絶縁層１３０を形成する。次いで、第２充填ビア導体形成工程で、小径ビア凸部１１６ｂと接触するように、第１小径充填ビア導体１１０ｂに積み重なる第２充填ビア導体２１０ｂを形成する。【選択図】　図２
2004087835.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基層の厚さ方向外側に、自身を厚さ方向に貫通する内径の小さい第１小径ビアホール、及び上記小径ビアホールよりも内径の大きい第１大径ビアホールを有する外側樹脂絶縁層を形成する外側樹脂絶縁層形成工程と、
電解メッキを含む処理により、
上記第１小径ビアホールに、上記第１小径ビアホール内に位置する小径ビア充填部、及び上記小径ビア充填部よりも厚さ方向外側に位置し、周囲より盛り上がった小径ビア凸部を含む小径ビアランド部を有する第１小径充填ビア導体を形成すると共に、
上記第１大径ビアホールに、上記第１大径ビアホール内に位置する大径ビア充填部、及び上記大径ビア充填部よりも厚さ方向外側に位置し、上記小径ビアランド部の上記小径ビア凸部より盛上がり高さの低い大径ビア凸部、凹凸のない平坦部、及び周囲より窪んだ大径ビア凹部のいずれかを含む大径ビアランド部を有する第１大径充填ビア導体を形成する
第１充填ビア導体形成工程と、
上記外側樹脂絶縁層の外側面上に位置し、上記小径ビアランド部及び上記大径ビアランド部を被覆する被覆樹脂絶縁層であって、上記被覆樹脂絶縁層を厚さ方向に貫通し、上記小径ビアランド部のうち少なくとも上記小径ビア凸部が露出する第２ビアホールを有する被覆樹脂絶縁層を形成する被覆樹脂絶縁層形成工程と、
電解メッキを含む処理により、上記第２ビアホール内に、上記小径ビア凸部と接触して上記第１小径充填ビア導体に積み重なる第２充填ビア導体を形成する第２充填ビア導体形成工程と、を備える
配線基板の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の配線基板の製造方法であって、
前記外側樹脂絶縁層形成工程では、前記小径ビアホールの内径Ｄ（μｍ）及び前記大径ビアホールの内径Ｅ（μｍ）について、Ｅ≧１．１５Ｄの関係を満たすようにする
配線基板の製造方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の配線基板の製造方法であって、
前記第１充填ビア導体形成工程では、前記大径ビアランド部が周囲より窪んだ大径ビア凹部を有する前記第１大径充填ビア導体を形成する
配線基板の製造方法。
【請求項４】
基層と、
上記基層の厚さ方向外側に積層された外側樹脂絶縁層と、
上記外側樹脂絶縁層を厚さ方向に貫通する複数の第１ビアホールであって、
上記ビアホールのうち内径の小さい第１小径ビアホール、及び
上記第１小径ビアホールよりも内径の大きい第１大径ビアホール、を有する
第１ビアホールと、
上記第１ビアホール内に電解メッキにより充填された複数の第１充填ビア導体であって、
上記第１小径ビアホール内に位置する小径ビア充填部と、
上記小径ビア充填部より厚さ方向外側に位置する小径ビアランド部と、を備える
第１小径充填ビア導体、及び
上記第１大径ビアホール内に位置する大径ビア充填部と、
上記大径ビア充填部より厚さ方向外側に位置する大径ビアランド部と、を備える
第１大径充填ビア導体、を有する
第１充填ビア導体と、
上記外側樹脂絶縁層の厚さ方向外側に積層され、上記小径ビアランド部の少なくとも一部及び上記大径ビアランド部を被覆する被覆樹脂絶縁層と、
上記被覆樹脂絶縁層を厚さ方向に貫通し、上記小径ビアランド部が露出する第２ビアホールと、
上記第２ビアホール内に電解メッキにより充填され、上記第１小径充填ビア導体に積み重なる第２充填ビア導体と、を備える
配線基板であって、
上記小径ビアランド部は、周囲より盛り上がり、上記第２ビアホールから露出する小径ビア凸部を含み、
上記大径ビアランド部は、上記小径ビア凸部より盛上がり高さの低い大径ビア凸部、凹凸のない平坦部、及び周囲より窪んだ大径ビア凹部のいずれかを含み、
上記第２充填ビア導体は、上記小径ビア凸部と接触してなる
配線基板。
【請求項５】
請求項４に記載の配線基板であって、
前記大径ビアランド部は、周囲より窪んだ大径ビア凹部を有する
配線基板。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、充填ビア導体を有する配線基板、及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来の配線基板５００について、図１０にその上面図、図１１にそのＬ−Ｌ断面図を示す。この配線基板５００は、図１１に示すように、第１樹脂絶縁層５８０、第２樹脂絶縁層５２０、第３樹脂絶縁層５３０、第４樹脂絶縁層５４０の順に外側に向かって積層された樹脂絶縁層を有している。このうち、第２樹脂絶縁層５２０には、厚さ方向に貫通する第１ビアホール５１１ｂ，５１１ｃ、この第１ビアホール５１１ｂ，５１１ｃ内に充填された第１充填ビア導体５１０ｂ，５１０ｃが形成されている。この第１充填ビア導体５１０ｂ，５１０ｃは、第１ビアホール５１１ｂ，５１１ｃ内に位置するビア充填部５１３ｂ，５１３ｃ、及びこのビア充填部５１３ｂ，５１３ｃより外側に位置するビアランド部５１５ｂ，５１５ｃをそれぞれ有している。さらに、図１１に示すように、第３樹脂絶縁層５３０には、厚さ方向に貫通してビアランド部５１５ｂが露出する第２ビアホール６１１ｂが形成されている。この第２ビアホール６１１ｂ内には、第１充填ビア導体５１０ｂに積み重なる第２充填ビア導体６１０ｂが形成され、第１充填ビア導体５１０ｂ及び第２充填ビア導体６１０ｂによって、いわゆるスタックドビアを構成している。なお、第１ビアホール５１１ｂ，５１１ｃの内径は共に等しく、８５μｍである。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、配線基板５００では、第１充填ビア導体５１０ｂとこの外側に積み重ねた第２充填ビア導体６１０ｂとを接続性を良好とするため、図１１に拡大して示すように、周囲より盛り上がったビア凸部５１６ｂを有するビアランド部５１５ｂを形成することがあった。このようにすることで、例えば、感光性樹脂フィルムを用いて第３樹脂絶縁層５３０を形成する場合、この感光性樹脂フィルムを露光・現像して第２ビアホール６１１ｂを形成する際、特に、ビア凸部５１６ｂを被覆している部分の現像性が良好となるので、スミアの発生を低減することができる。しかしながら、このようにすると、第３樹脂絶縁層５３０に被覆される充填ビア導体５１０ｃのビアランド部５１５ｃも盛り上がってしまい、特に、充填ビア導体５１０ｃが疎らに配置される場合には、図１１に拡大して示すように、周囲より大きく盛り上がったビア凸部５１６ｃが形成されてしまう。具体的には、ビア凸部５１６ｂの突出量Ｆが平均して約７．３μｍ（突出）に対し、ビア凸部５１６ｃの突出量Ｇは平均して約９．５μｍ（突出）であった。
【０００４】
このため、例えば、熱硬化性樹脂フィルムを加熱硬化して第３樹脂絶縁層５３０とする際、ビアランド部５１５ｃを被覆する部分の樹脂が流動して周囲に拡がり易くなっていた。ゆえに、図１１に拡大して示すように、このビアランド部５１５ｃを被覆する樹脂であるビアランド被覆部５３１の厚みＪが極めて薄くなる場合があった。具体的には、第３樹脂絶縁層５３０を積層するために、厚さ３５μｍのエポキシ樹脂フィルムを加熱硬化した場合に、ビアランド被覆部５３１の厚みＪが７μｍ程度になってしまうことがあった。従って、ビアランド部５１５ｃの絶縁性、耐湿性等が十分に確保できない虞があった。
【０００５】
本発明は、かかる現状に鑑みてなされたものであって、スタックドビアの接続性が良く、さらに、被覆樹脂絶縁層のうちビアランド部を被覆する部分が、このビアランド部の絶縁性、耐湿性等を確保するのに十分な厚みを有する配線基板、及びその製造方法を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段、作用及び効果】
その解決手段は、基層の厚さ方向外側に、自身を厚さ方向に貫通する内径の小さい第１小径ビアホール、及び上記小径ビアホールよりも内径の大きい第１大径ビアホールを有する外側樹脂絶縁層を形成する外側樹脂絶縁層形成工程と、電解メッキを含む処理により、上記第１小径ビアホールに、上記第１小径ビアホール内に位置する小径ビア充填部、及び上記小径ビア充填部よりも厚さ方向外側に位置し、周囲より盛り上がった小径ビア凸部を含む小径ビアランド部を有する第１小径充填ビア導体を形成すると共に、上記第１大径ビアホールに、上記第１大径ビアホール内に位置する大径ビア充填部、及び上記大径ビア充填部よりも厚さ方向外側に位置し、上記小径ビアランド部の上記小径ビア凸部より盛上がり高さの低い大径ビア凸部、凹凸のない平坦部、及び周囲より窪んだ大径ビア凹部のいずれかを含む大径ビアランド部を有する第１大径充填ビア導体を形成する第１充填ビア導体形成工程と、上記外側樹脂絶縁層の外側面上に位置し、上記小径ビアランド部及び上記大径ビアランド部を被覆する被覆樹脂絶縁層であって、上記被覆樹脂絶縁層を厚さ方向に貫通し、上記小径ビアランド部のうち少なくとも上記小径ビア凸部が露出する第２ビアホールを有する被覆樹脂絶縁層を形成する被覆樹脂絶縁層形成工程と、電解メッキを含む処理により、上記第２ビアホール内に、上記小径ビア凸部と接触して上記第１小径充填ビア導体に積み重なる第２充填ビア導体を形成する第２充填ビア導体形成工程と、を備える配線基板の製造方法である。
【０００７】
本発明の配線基板の製造方法では、外側樹脂絶縁層形成工程において、内径の小さい第１小径ビアホールとこの第１小径ビアホールよりも内径の大きい第１大径ビアホールとを形成する。このようにすることで、充填ビア導体形成工程において、第１大径ビアホールを充填するために必要な導体の量が、第１小径ビアホールを充填するために必要な導体の量に比して多くなる。このため、第１充填ビア導体形成工程において、小径ビア凸部を含む小径ビアランド部を形成すると共に、この小径ビアランド部の小径ビア凸部より盛上がり高さの低い大径ビア凸部、凹凸のない平坦部、及び周囲より窪んだ大径ビア凹部のいずれかを含む大径ビアランド部を形成することができる。
【０００８】
さらに、被覆樹脂絶縁層形成工程において、小径ビアランド部のうち少なくとも小径ビア凸部が露出する第２ビアホールを形成する。例えば、感光性樹脂フィルムを用いて被覆樹脂絶縁層を形成する場合、この感光性樹脂フィルムを露光・現像してこの第２ビアホールを形成する際、特に、小径ビア凸部を被覆している部分の現像性が良好となるので、スミアの発生を低減することができる。
また、熱硬化性樹脂フィルムを用いて被覆樹脂絶縁層を形成する場合、この熱硬化性樹脂フィルムを加熱硬化する際、大径ビアランド部を上記のような形状に形成しているため、大径ビアランド部を被覆する部分の樹脂が周囲に拡がりにくくなる。従って、本発明の配線基板の製造方法では、被覆樹脂絶縁層のうち大径ビアランド部を被覆する部分について、大径ビアランド部の絶縁性、耐湿性等が十分に確保できる厚みにすることができる。
【０００９】
さらに、第２充填ビア導体形成工程において、第２ビアホール内に、小径ビア凸部と接触して第１小径充填ビア導体に積み重なる第２充填ビア導体を形成する。本発明の第２充填ビア導体形成工程では、スミアが生じにくい小径ビア凸部と接触するように第２充填ビア導体を形成するため、第１小径充填ビア導体と第２充填ビア導体との接続性が良好となる。
【００１０】
さらに、上記配線基板の製造方法であって、前記外側樹脂絶縁層形成工程では、前記第１小径ビアホールの内径Ｄ（μｍ）及び前記第１大径ビアホールの内径Ｅ（μｍ）について、Ｅ≧１．１５Ｄの関係を満たすようにする配線基板の製造方法とすると良い。
【００１１】
本発明の外側樹脂絶縁層形成工程では、第１小径ビアホールの内径Ｄ（μｍ）及び第１大径ビアホールの内径Ｅ（μｍ）について、Ｅ≧１．１５Ｄの関係を満たすようにする。両ビアホールの内径をこのような大小関係にすることで、第１大径ビアホールを充填するために必要な導体の量と第１小径ビアホールを充填するために必要な導体の量との差が大きくなる。ゆえに、後の第１充填ビア導体形成工程において、小径ビア凸部を有する小径ビアランド部を形成しても、周囲より窪んだ大径ビア凹部を有する大径ビアランド部を形成することが可能となる。このため、本発明の被覆樹脂絶縁層形成工程において、例えば、熱硬化性樹脂フィルムを加熱硬化する際、大径ビアランド部を被覆する部分の樹脂が一層周囲に拡がりにくくなり、被覆樹脂絶縁層のうち大径ビアランド部を被覆する部分について、より一層、大径ビアランド部の絶縁性、耐湿性等が十分に確保できる厚みにすることが可能となる。
【００１２】
さらに、上記いずれかの配線基板の製造方法であって、前記第１充填ビア導体形成工程では、前記大径ビアランド部が周囲より窪んだ大径ビア凹部を有する前記第１大径充填ビア導体を形成する配線基板の製造方法とすると良い。
【００１３】
本発明の第１充填ビア導体形成工程では、周囲より窪んだ大径ビア凹部を有する大径ビアランド部を形成する。このようにすることで、被覆樹脂絶縁層のうち大径ビアランド部を被覆する部分について、より一層、大径ビアランド部の絶縁性、耐湿性等が十分に確保できる厚みにすることができる。
【００１４】
他の解決手段は、基層と、上記基層の厚さ方向外側に積層された外側樹脂絶縁層と、上記外側樹脂絶縁層を厚さ方向に貫通する複数の第１ビアホールであって、上記ビアホールのうち内径の小さい第１小径ビアホール、及び上記第１小径ビアホールよりも内径の大きい第１大径ビアホール、を有する第１ビアホールと、上記第１ビアホール内に電解メッキにより充填された複数の第１充填ビア導体であって、上記第１小径ビアホール内に位置する小径ビア充填部と、上記小径ビア充填部より厚さ方向外側に位置する小径ビアランド部と、を備える第１小径充填ビア導体、及び上記第１大径ビアホール内に位置する大径ビア充填部と、上記大径ビア充填部より厚さ方向外側に位置する大径ビアランド部と、を備える第１大径充填ビア導体、を有する第１充填ビア導体と、上記外側樹脂絶縁層の厚さ方向外側に積層され、上記小径ビアランド部の少なくとも一部及び上記大径ビアランド部を被覆する被覆樹脂絶縁層と、上記被覆樹脂絶縁層を厚さ方向に貫通し、上記小径ビアランド部が露出する第２ビアホールと、上記第２ビアホール内に電解メッキにより充填され、上記第１小径充填ビア導体に積み重なる第２充填ビア導体と、を備える配線基板であって、上記小径ビアランド部は、周囲より盛り上がり、上記第２ビアホールから露出する小径ビア凸部を含み、上記大径ビアランド部は、上記小径ビア凸部より盛上がり高さの低い大径ビア凸部、凹凸のない平坦部、及び周囲より窪んだ大径ビア凹部のいずれかを含み、上記第２充填ビア導体は、上記小径ビア凸部と接触してなる配線基板である。
【００１５】
本発明の配線基板では、第１小径充填ビア導体の小径ビアランド部が周囲より盛り上がり、上記第２ビアホールから露出する小径ビア凸部を含んでいる。そして、第１小径充填ビア導体に積み重なる第２充填ビア導体が、この小径ビア凸部と接触して形成されている。このため、第１小径充填ビア導体と第２充填ビア導体との接続性が良好となる。
さらに、本発明の配線基板では、第１大径充填ビア導体の大径ビアランド部が、小径ビアランド部の小径ビア凸部より盛上がり高さの低い大径ビア凸部、凹凸のない平坦部、及び周囲より窪んだ大径ビア凹部のいずれかを有している。このため、本発明の配線基板は、被覆樹脂絶縁層のうち大径ビアランド部を被覆する部分が厚くなり、大径ビアランド部の絶縁性、耐湿性等を確保することができる。
【００１６】
さらに、上記配線基板であって、前記大径ビアランド部は、周囲より窪んだ大径ビア凹部を含む配線基板とすると良い。
【００１７】
本発明の充配線基板では、大径ビアランド部が周囲より窪んだ大径ビア凹部を含んでいる。このため、被覆樹脂絶縁層のうち大径ビアランド部を被覆する部分が、より一層厚くなり、大径ビアランド部の絶縁性、耐湿性等を十分に確保することができる。
【発明の実施の形態】
（実施形態）
本発明の実施の形態である配線基板１００について、図面を参照しつつ説明する。まず、図１に本実施形態の配線基板１００の上面図を示し、図２に図１のＡ−Ａ断面図を示す。図２に示すように、本実施形態の配線基板１００は、第１樹脂絶縁層１８０、第２樹脂絶縁層１２０、第３樹脂絶縁層１３０、第４樹脂絶縁層１４０の順に外側に向かって積層された樹脂絶縁層を有している。なお、本実施形態の配線基板１００では、第１樹脂絶縁層１８０が基層、第２樹脂絶縁層１２０が外側樹脂絶縁層、第３樹脂絶縁層１３０が被覆樹脂絶縁層に相当する。
【００１８】
このうち、第２樹脂絶縁層１２０には、厚さ方向に貫通する第１小径ビアホール１１１ｂ及び、この第１小径ビアホール１１１ｂより内径の大きい第１大径ビアホール１１１ｃが形成されている。具体的には、第１小径ビアホール１１１ｂの内径Ｄを８５μｍ、第１大径ビアホール１１１ｃの内径Ｅを１００μｍとしている。なお、図１に示すように、第１小径ビアホール１１１ｂは密集して形成されており、第１大径ビアホール１１１ｃは第１小径ビアホール１１１ｂに比して疎らに形成されている。
【００１９】
さらに、図２に示すように、第１小径ビアホール１１１ｂには、第１小径充填ビア導体１１０ｂが形成されており、この第１小径充填ビア導体１１０ｂは、第１小径ビアホール１１１ｂ内に位置する小径ビア充填部１１３ｂ及びこの小径ビア充填部１１３ｂより外側に位置する小径ビアランド部１１５ｂを有している。同様に、第１大径ビアホール１１１ｃには、第１大径充填ビア導体１１０ｃが形成されており、この第１大径充填ビア導体１１０ｃは、第１大径ビアホール１１１ｃ内に位置する大径ビア充填部１１３ｃ及びこの大径ビア充填部１１３ｃより外側に位置する大径ビアランド部１１５ｃを有している。
【００２０】
さらに、第３樹脂絶縁層１３０には、厚さ方向に貫通して小径ビアランド部１１５ｂが露出する第２ビアホール２１１ｂが形成されている。この第２ビアホール２１１ｂ内には、第１小径充填ビア導体１１０ｂに積み重なる第２充填ビア導体２１０ｂが形成され、第１小径充填ビア導体１１０ｂ及び第２充填ビア導体２１０ｂによって、いわゆるスタックドビアを構成している。ところで、本実施形態の配線基板１００では、図２に拡大して示すように、第１小径ビアランド部１１５ｂが、周囲より盛り上がった小径ビア凸部１１６ｂを有している。具体的には、小径ビア凸部１１６ｂの突出量Ｆは、平均して約７．３μｍとなっている。そして、第１小径充填ビア導体１１０ｂに積み重なる第２充填ビア導体２１０ｂが、この小径ビア凸部１１６ｂと接触して形成されている。このため、第１小径充填ビア導体１１０ｂと第２充填ビア導体２１０ｂとの接続性が良好となる。
【００２１】
さらに、本実施形態の配線基板１００では、図２に拡大して示すように、大径ビアランド部１１５ｃが周囲より窪んだ大径ビア凹部１１６ｃを有している。具体的には、大径ビア凹部１１６ｃの突出量Ｇは、平均して−約３．５μｍ（陥没）であった。このため、第３樹脂絶縁層１３０のうち大径ビアランド部１１５ｃを被覆する部分である大径ビアランド被覆部１３１の厚みＪが、大径ビアランド部１１５ｃの絶縁性、耐湿性等を確保するのに十分な厚みとなっている。具体的には、大径ビアランド被覆部１４１の厚みＪは１５μｍ程度となっている。
【００２２】
以上に説明した本実施形態の配線基板１００は、次のようにして製造する。
まず、外側樹脂絶縁層形成工程において、図３に示すように、第１樹脂絶縁層１８０の外側面１８０ｂ上に厚さ３５μｍのエポキシ樹脂フィルムを積層する。次いで、露光・現像して、所定の位置に第１小径ビアホール１１１ｂ及び第１大径ビアホール１１１ｃを形成する。その後、加熱硬化して、第２樹脂絶縁層１２０を形成する。なお、この外側樹脂絶縁層形成工程では、第１小径ビアホール１１１ｂの内径Ｄを８５μｍ、第１大径ビアホール１１１ｃの内径Ｅを１００μｍとしている。さらに、第１小径ビアホール１１１ｂを密集して配置し、第１大径ビアホール１１１ｃを小径ビアホール１１１ｂに比して疎らに配置している。
【００２３】
次に、第１充填ビア導体形成工程において、公知のセミアディティブ法により、無電解銅メッキ、メッキレジスト形成、電解銅メッキ、メッキレジスト除去、ソフトエッチング等の処理を行うことで、図４に示すように、第１小径ビアホール１１１ｂに、小径ビア充填部１１３ｂ及び小径ビアランド部１１５ｂを有する第１小径充填ビア導体１１０ｂを形成する。これと同時に、第１大径ビアホール１１１ｃに、大径ビア充填部１１３ｃ及び大径ビアランド部１１５ｃを有する第１大径充填ビア導体１１０ｃを形成する。なお、図４に拡大して示すように、本実施形態では、周囲より盛り上がった小径ビア凸部１１６ｂを有する小径ビアランド部１１５ｂを形成し、周囲より窪んだ大径ビア凹部１１６ｃを有する大径ビアランド部１１５ｃを形成する。具体的には、小径ビア凸部１１６ｂの突出量Ｆを平均して約７．３μｍ、大径ビア凹部１１６ｃの突出量Ｇを平均して−約３．５μｍ（陥没）としている。
【００２４】
ところで、従来の充填ビア導体形成工程では、電解メッキ処理の際、図１１に示すように、第１充填ビア導体５１０ｂとこれに積み重ねる第２充填ビア導体６１０ｂとを接続性を良好とするためにビア凸部５１６ｂを含むビアランド部５１５ｂを形成すると、図１１に拡大して示すように、第３樹脂絶縁層に被覆されるビアランド部５１５ｃも盛り上がってしまい、ビア凸部５１６ｃが形成されてしまった。特に、第１ビアホール５１１ｃが第１ビアホール５１１ｂに比して疎らに配置されているため、無電解銅メッキ層及び所定パターンのメッキレジストを形成して電解銅メッキを行うと、ビアホール５１１ｃの部分に電界が集中し、ビア凸部５１６ｂより大きく盛り上がったビア凸部５１６ｃが形成されてしまった。
【００２５】
これに対し、本実施形態では、先の外側樹脂絶縁層形成工程において、第１小径ビアホール１１１ｂの内径Ｄ＝８５（μｍ）に対して第１大径ビアホール１１１ｃの内径Ｅを１００μｍと大きくしている。このため、第１充填ビア導体形成工程で、第１大径ビアホール１１１ｃを充填するために必要な銅が、第１小径ビアホール１１１ｂを充填するために必要な銅に比して多くなる。ゆえに、電解銅メッキの際、図４に拡大して示すように、小径ビア凸部１１６ｂを含む小径ビアランド部１１５ｂを形成すると共に、大径ビア凹部１１６ｃを含む大径ビアランド部１１５ｃを形成することができる。なお、本実施形態では、第１大径ビアホール１１１ｃが第１小径ビアホール１１１ｂに比して疎らに配置しているため、電解銅メッキの際、第１小径ビアホール１１１ｂの部分に比して第１大径ビアホール１１１ｃの部分に電界が集中するにもかかわらず、小径ビア凸部１１６ｂを含む小径ビアランド部１１５ｂを形成すると共に、大径ビア凹部１１６ｃを含む大径ビアランド部１１５ｃを形成することができた。
【００２６】
次いで、被覆樹脂絶縁層形成工程において、図５に示すように、第２樹脂絶縁層１２０の外側面１２０ｂ上に厚さ３５μｍのエポキシ樹脂フィルムを積層する。次いで、露光・現像して、小径ビア凸部１１６ｂを含む小径ビアランド部１１５ｂを露出させる第２ビアホール２１１ｂを形成する。このとき、小径ビア凸部１１６ｂを被覆している部分の現像性が良好となるので、スミアの発生を低減することができる。
【００２７】
その後、このエポキシ樹脂フィルムを加熱硬化して、小径ビアランド部１１５ｂの一部、大径ビアランド部１１５ｃ等を被覆する第３樹脂絶縁層１３０を形成する。このとき、先の第１充填ビア導体形成工程において、大径ビア凹部１１６ｃを含む大径ビアランド部１１５ｃを形成しているので、大径ビアランド部１１５ｃを被覆する部分の樹脂が周囲に拡がりにくくなる。このため、図５に示すように、第３樹脂絶縁層１３０のうち大径ビアランド部１１５ｃを被覆する部分である大径ビアランド被覆部１３１の厚みＪについて、大径ビアランド部１１５ｃの絶縁性、耐湿性等を確保するのに十分な厚みにすることができる。具体的には、大径ビアランド被覆部１３１の厚みＪを１５μｍ程度にすることができた。
【００２８】
次いで、第２充填ビア導体形成工程において、公知のセミアディティブ法により、無電解銅メッキ、メッキレジスト形成、電解銅メッキ、メッキレジスト除去、ソフトエッチング等の処理を行うことで、図６に示すように、第２ビアホール２１１ｂ内に、第１小径充填ビア導体１１０ｂに積み重なる第２充填ビア導体２１０ｂを形成する。このとき、スミアが生じにくい小径ビア凸部１１６ｂと接触するように第２充填ビア導体２１０ｂを形成するため、第１小径充填ビア導体１１０ｂと第２充填ビア導体２１０ｂとの接続性が良好となる。なお、第２充填ビア導体２１０ｂは、第２ビアホール２１１ｂ内に位置するビア充填部２１３ｂ及びこの外側に位置するビアランド部２１５ｂを有している。
【００２９】
次いで、図７に示すように、第３樹脂絶縁層１３０の外側面１３０ｂ上に厚さ２１μｍのエポキシ樹脂フィルムを積層する。その後、露光・現像して、ビアランド部２１５ｂを露出させる貫通孔１４５を形成し、さらに加熱硬化して第４樹脂絶縁層１４０を形成する。このようにして、本実施形態の配線基板１００が完成する。
【００３０】
（変形形態１）
次に、実施形態の配線基板１００の第１の変形形態である配線基板３００について説明する。本変形形態の配線基板３００は、実施形態の配線基板１００と比較して、第１大径ビアホールの内径、大径ビアランド部の形状が異なり、その他の部分についてはほぼ同様である。従って、実施形態の配線基板１００と異なる部分を中心に説明し、その他の部分については説明を省略または簡略化する。
【００３１】
まず、図１に本変形形態の配線基板３００の上面図を示し、図８に図１のＡ−Ａ断面図を示す。この配線基板３００のうち第２樹脂絶縁層１２０には、実施形態の配線基板１００と同等の第１小径ビアホール１１１ｂ及び、この第１小径ビアホール１１１ｂより内径の大きい第１大径ビアホール３１１ｃが形成されている。具体的には、第１小径ビアホール１１１ｂの内径Ｄは、実施形態の配線基板１００と同等の８５μｍとするが、第１大径ビアホール３１１ｃの内径Ｅは、実施形態の配線基板１００より小さい９５μｍとしている。
【００３２】
そして、本変形形態の配線基板３００では、図８に拡大して示すように、小径ビアランド部１１５ｂは、実施形態の配線基板１００と同様に、周囲より盛り上がった小径ビア凸部１１６ｂを有している。具体的には、小径ビア凸部１１６ｂの突出量Ｆは、平均して約７．３μｍとなっている。さらに、図８に拡大して示すように、大径ビアランド部３１５ｃは、実施形態の配線基板１００と異なり、凹凸のない平坦部３１６ｃを有している。
【００３３】
ところで、実施形態の配線基板１００では、第１充填ビア導体形成工程において、大径ビア凹部１１６ｃを有する大径ビアランド部１１５ｃを形成した。このようにすることで、後の被覆樹脂絶縁層形成工程において、大径ビアランド部１１５ｃを被覆する大径ビアランド被覆部１３１の厚みＪを大径ビアランド部１１５ｃの絶縁性、耐湿性等を確保するのに十分な厚みとすることができた。
これに対し、本変形形態の配線基板３００では、第１充填ビア導体形成工程において、凹凸のない平坦部３１６ｃを有する大径ビアランド部３１５ｃを形成する。このようにすることで、後の被覆樹脂絶縁層形成工程において、エポキシ樹脂フィルムを加熱硬化する際、大径ビアランド部３１５ｃを被覆する部分の樹脂が周囲に拡がりにくくなる。このため、本変形形態の配線基板３００でも、第３樹脂絶縁層１３０のうち大径ビアランド部３１５ｃを被覆する部分である大径ビアランド被覆部３３１の厚みＪを、大径ビアランド部３１５ｃの絶縁性、耐湿性等を確保するのに十分な厚みとすることができる。具体的には、大径ビアランド被覆部３３１の厚みＪは１５μｍ程度となる。
【００３４】
（変形形態２）
次に、実施形態の配線基板１００の第２の変形形態である配線基板４００について説明する。本変形形態の配線基板４００は、実施形態の配線基板１００と比較して、第１大径ビアホールの内径、大径ビアランド部の形状が異なり、その他の部分についてはほぼ同様である。従って、実施形態の配線基板１００と異なる部分を中心に説明し、その他の部分については説明を省略または簡略化する。
【００３５】
まず、図１に本変形形態の配線基板４００の上面図を示し、図９に図１のＡ−Ａ断面図を示す。この配線基板４００のうち第２樹脂絶縁層１２０には、実施形態の配線基板１００と同等の第１小径ビアホール１１１ｂ及び、この第１小径ビアホール１１１ｂより内径の大きい第１大径ビアホール４１１ｃが形成されている。具体的には、第１小径ビアホール１１１ｂの内径Ｄは、実施形態の配線基板１００と同等の８５μｍとするが、第１大径ビアホール４１１ｃの内径Ｅは、実施形態の配線基板１００の第１大径ビアホール１１１ｃより小さく、さらに、変形形態１の配線基板３００の第１大径ビアホール３１１ｃよりも小さい９３μｍとしている。
【００３６】
そして、本変形形態の配線基板４００では、図９に拡大して示すように、小径ビアランド部１１５ｂは、実施形態の配線基板１００と同様に、周囲より盛り上がった小径ビア凸部１１６ｂを有している。具体的には、小径ビア凸部１１６ｂの突出量Ｆは、平均して約７．３μｍとなっている。さらに、図９に拡大して示すように、大径ビアランド部４１５ｃは、実施形態の配線基板１００と異なり、周囲より盛り上がった大径ビア凸部４１６ｃを有している。具体的には、大径ビア凸部４１６ｃの突出量Ｇは、平均して約３．３μｍ（突出）であった。
【００３７】
ところで、実施形態の配線基板１００では、第１充填ビア導体形成工程において、大径ビア凹部１１６ｃを有する大径ビアランド部１１５ｃを形成した。このようにすることで、後の被覆樹脂絶縁層形成工程において、大径ビアランド部１１５ｃを被覆する大径ビアランド被覆部１４１の厚みＪを大径ビアランド部１１５ｃの絶縁性、耐湿性等を確保するのに十分な厚みとすることができた。
これに対し、本変形形態の配線基板４００では、第１充填ビア導体形成工程において、大径ビア凸部４１６ｃを有する大径ビアランド部４１５ｃを形成する。しかし、大径ビア凸部３１６ｃの突出量Ｇは、従来の配線基板５００のビア凸部５１６ｃの突出量Ｇに比して小さくしている。このようにすることで、後の被覆樹脂絶縁層形成工程において、エポキシ樹脂フィルムを加熱硬化する際、大径ビアランド部４１５ｃを被覆する部分の樹脂が周囲に拡がりにくくなる。このため、本変形形態の配線基板４００でも、第３樹脂絶縁層１３０のうち大径ビアランド部４１５ｃを被覆する部分である大径ビアランド被覆部４３１の厚みＪを、大径ビアランド部４１５ｃの絶縁性、耐湿性等を確保するのに十分な厚みとすることができる。具体的には、大径ビアランド被覆部４３１の厚みＪは１５μｍ程度となる。
【００３８】
以上において、本発明を実施形態及び変形形態１，２に即して説明したが、本発明は上記実施形態等に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で、適宜変更して適用できることはいうまでもない。
例えば、実施形態では、小径ビアホール１１１ｂの内径Ｄを８５μｍ、大径ビアホール１１１ｃの内径Ｅを１００μｍとすることで、小径ビア凸部１１６ｂを有する小径ビアランド部１１５ｃ、及び大径ビア凹部１１６ｃを有する大径ビアランド部１１５ｃを形成した。しかし、小径ビアホール１１１ｂの内径Ｄと大径ビアホール１１１ｃの内径Ｅとは、Ｅ≧１．１５Ｄの関係を満たすようにすれば、小径ビア凸部を有する小径ビアランド部を形成すると共に、大径ビア凹部を有する大径ビアランド部を形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施形態にかかる配線基板１００、変形形態１にかかる配線基板２００、及び変形形態２にかかる配線基板３００の上面図である。
【図２】実施形態にかかる配線基板１００を示す図であり、図１のＡ−Ａ断面図である。
【図３】実施形態にかかる配線基板１００の製造方法に関し、外側樹脂絶縁層形成工程を説明するための断面斜視図である。
【図４】実施形態にかかる配線基板１００の製造方法に関し、第１充填ビア導体形成工程を説明するための断面斜視図である。
【図５】実施形態にかかる配線基板１００の製造方法に関し、被覆樹脂絶縁層形成工程を説明するための断面斜視図である。
【図６】実施形態にかかる配線基板１００の製造方法に関し、第２充填ビア導体形成工程を説明するための断面斜視図である。
【図７】実施形態にかかる配線基板１００の製造方法に関し、第４樹脂絶縁層１４０を形成して配線基板１００を完成させた断面斜視図である。
【図８】変形形態１にかかる配線基板２００を示す図であり、図１のＡ−Ａ断面図である。
【図９】変形形態２にかかる配線基板３００を示す図であり、図１のＡ−Ａ断面図である。
【図１０】従来の配線基板５００の上面図である。
【図１１】従来の配線基板５００を示す図であり、図１０のＬ−Ｌ断面図である。
【符号の説明】
１００，３００，４００，５００　配線基板
１１０ｂ　第１小径充填ビア導体
１１０ｃ，３１０ｃ，４１０ｃ　第１大径充填ビア導体
１１１ｂ　第１小径ビアホール
１１１ｃ，３１１ｃ，４１１ｃ　第１大径ビアホール
１１３ｂ　小径ビア充填部
１１３ｃ，３１３ｃ，４１３ｃ　大径ビア充填部
１１５ｂ　小径ビアランド部
１１５ｃ，３１５ｃ，４１５ｃ　大径ビアランド部
１１６ｂ　小径ビア凸部
１１６ｃ　大径ビア凹部
１２０，５２０　第２樹脂絶縁層（外側樹脂絶縁層）
１３０，５３０　第３樹脂絶縁層（被覆樹脂絶縁層）
１４０，５４０　第４樹脂絶縁層
１４５，５４５　貫通孔
１８０，５８０　第１樹脂絶縁層（基層）
２１０ｂ　第２充填ビア導体
２１１ｂ　第２ビアホール
３１６ｃ　平坦部
４１６ｃ　大径ビア凸部
Ｄ　第１小径ビアホール１１１ｂの内径
Ｅ　第１大径ビアホール１１１ｃ，３１１ｃ，４１１ｃの内径
Ｆ　小径ビア凸部１１６ｂ、またはビア凸部５１６ｂの突出量
Ｇ　大径ビア凹部１１６ｃ、平坦部３１６ｃ、大径ビア凸部４１６ｃ、またはビア凸部５１６ｃの突出量
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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