(57)【要約】【課題】  原子ビームで配向膜にマルチドメインを形成する方法、これを利用した広視野角液晶表示装置の製造方法、これを利用した広視野角液晶表示装置及び液晶配向装置を提供する。【解決手段】  液晶を配向するために基板に配向膜を形成し、配向膜の上部から配向膜の第１領域に向かう原子ビームを配向膜に対して第１方向にスキャンニングして第１領域に第１ドメインを形成する。配向膜の上部から第２領域に向かう原子ビームを配向膜に対して第２方向にスキャンニングして第２領域に第２ドメインを形成する。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
液晶を配向するために基板に配向膜を形成する段階と、
前記配向膜の上部から前記配向膜の第１領域に向かう原子ビームを前記配向膜に対して第１方向にスキャンニングして前記第１領域に第１ドメインを形成する段階と、
前記配向膜の上部から前記配向膜の第２領域に向かう前記原子ビームを前記配向膜に対して第２方向にスキャンニングして前記第２領域に第２ドメインを形成する段階と、
を含むことを特徴とする原子ビームで配向膜にマルチドメインを形成する方法。
【請求項２】
前記配向膜は前記基板にダイヤモンドライクカーボン、酸化シリコン、窒化シリコン、ポリシリコン、アモルファスシリコン、酸化チタン及びポリイミドからなる群のうちから選択された物質で構成されることを特徴とする請求項１記載の配向膜にマルチドメインを形成する方法。
【請求項３】
前記第１ドメインを形成する段階においては前記第１領域を露出させる第１開口が形成された第１マスクを前記配向膜に配置することを特徴とする請求項１記載の原子ビームで配向膜にマルチドメインを形成する方法。  
【請求項４】
前記第１マスクは前記配向膜の表面に接触して配置されることを特徴とする請求項３記載の原子ビームで配向膜にマルチドメインを形成する方法。
【請求項５】
前記第１マスクは前記配向膜の表面に形成された酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）膜であることを特徴とする請求項４記載のマルチドメイン形成方法。
【請求項６】
前記第２ドメインを形成する段階においては前記第２領域を露出させる第２開口が形成された第２マスクを前記配向膜に配置することを特徴とする請求項１記載の原子ビームで配向膜にマルチドメインを形成する方法。
【請求項７】
前記第２マスクは前記配向膜の表面に接触して配置されることを特徴とする請求項６記載の原子ビームで配向膜にマルチドメインを形成する方法。
【請求項８】
前記第２マスクは前記配向膜の表面に形成された酸化アルミニウム膜であることを特徴とする請求項７記載のマルチドメイン形成方法。
【請求項９】
前記原子ビームは、
原子をイオン化してイオンを生成する段階と、
前記イオンを加速する段階と、
加速された前記イオンを加速された原子に還元する段階と、
を含んで形成されることを特徴とする請求項１記載の原子ビームで配向膜にマルチドメインを形成する方法。
【請求項１０】
前記第１ドメインを形成する段階において、前記配向膜の表面から所定間隔離間して、前記第１領域を露出させる第３開口が形成された第１フローティングマスクを前記配向膜に配置することを特徴とする請求項１記載の原子ビームで配向膜にマルチドメインを形成する方法。
【請求項１１】
前記第１フローティングマスクは内部に開口が形成されたサポートトフレームと、前記サポートフレームの内部に第１方向に形成された第１ワイヤーと、第１方向に直交する第２方向に形成された第２ワイヤーと、前記第１領域を開口させるために前記第１ワイヤーに巻かれた第３ワイヤーと、
を含むことを特徴とする請求項１０記載の原子ビームで配向膜にマルチドメインを形成する方法。      
【請求項１２】
前記第２ドメインを形成する段階において前記配向膜の表面から所定間隔離間して、前記第２領域を露出させる第４開口が形成された第２フローティングマスクを前記配向膜に配置することを特徴とする請求項１記載の原子ビームで配向膜にマルチドメインを形成する方法。
【請求項１３】
前記第２フローティングマスクは内部に開口が形成されたサポート
フレームと、前記サポートフレームの内部に第１方向に形成された第１ワイヤーと、第１方向に直交する第２方向に形成された第２ワイヤーと、前記第２領域を開口させるために前記第１ワイヤーに巻かれた第３ワイヤーと、
を含むことを特徴とする請求項１２記載の原子ビームで配向膜にマルチドメインを形成する方法。      
【請求項１４】
液晶を制御するための電界を形成する第１電極及び第２電極を第１基板に形成する段階と、
前記第１基板に第１配向膜を形成する段階と、
第１電極の一部である第１領域に対応する前記第１配向膜の第１配向領域に第１走査方向を有する原子ビームを走査する段階と、
前記第１電極の第２領域に対応する前記第１配向膜の第２配向領域に第２走査方向を有する前記原子ビームを走査する段階と、
前記第１基板を第２基板とアセンブリする段階と、
を含むことを特徴とする広視野角液晶表示装置の製造方法。
【請求項１５】
前記第１領域及び前記第２領域は前記第１電極上に少なくとも一つずつ形成されることを特徴とする請求項１４記載の広視野角液晶表示装置の製造方法。
【請求項１６】
前記第１領域及び前記第２領域は前記第１電極に交互に配置されることを特徴とする請求項１４記載の広視野角液晶表示装置の製造方法。
【請求項１７】
前記第２基板は前記第１電極と対応して配置されたカラーフィルターを含むことを特徴とする請求項１４記載の広視野角液晶表示装置
【請求項１８】
前記第１基板は前記第１電極を被覆するカラーフィルターを含むことを特徴とする請求項１４記載の広視野角液晶表示装置の製造方法。
【請求項１９】
前記第１電極は第１基板に形成され、前記第２電極は前記第１基板に前記第１電極と並んで配置されることを特徴とする請求項１４記載の広視野角液晶表示装置の製造方法。
【請求項２０】
前記第１基板及び第２基板をアセンブリする段階以前において、前記第２基板に前記第１配向膜と向き合う第２配向膜を形成する段階と、
前記第２配向膜のうち前記第１領域に対応する第３配向領域に第３走査方向を有する第３原子ビームを走査する段階と、
前記第２配向膜のうち前記第２領域に対応する第４配向領域に第４走査方向を有する第４原子ビームを走査する段階と、
をさらに含むことを特徴とする請求項１４記載の広視野角液晶表示装置の製造方法。
【請求項２１】
前記第１走査方向と前記第３走査方向及び前記第２走査方向と第４走査方向は平行であることを特徴とする請求項２０記載の広視野角液晶表示装置の製造方法。
【請求項２２】
前記第１基板及び前記第２基板をアセンブリする段階は、第１配向膜と第２配向膜との間に垂直配向モード液晶を配置する段階をさらに含むことを特徴とする請求項２１記載の広視野角液晶表示装置の製造方法。    
【請求項２３】
前記第３走査方向は前記第１走査方向に対して９０〜２７０°の捩れた方向であり、前記第４走査方向は前記第２走査方向に対して９０〜２７０°の捩れた方向であることを特徴とする請求項２０記載の広視野角液晶表示装置の製造方法。
【請求項２４】
前記第１基板及び前記第２基板をアセンブリする段階は、前記第１配向膜と第２配向膜との間にツイストネマチック液晶を配置する段階をさらに含むことを特徴とする請求項２３記載の広視野角液晶表示装置の製造方法。        
【請求項２５】
液晶を制御するための電界を形成する第１電極を第１基板に形成する段階と、
前記第１電極と離間し第２電極を第２基板に形成する段階と、
前記第１基板に第１配向膜を形成する段階と、
第１電極の一部である第１領域に対応する前記第１配向膜の第１配向領域に第１走査方向を有する原子ビームを走査する段階と、
前記第１電極の第２領域に対応する前記第１配向膜の第２配向領域に第２走査方向を有する前記原子ビームを走査する段階と、
前記第１基板及び第２基板をアセンブリする段階と、
を含むことを特徴とする広視野角液晶表示装置の製造方法。      
【請求項２６】
前記第１領域及び前記第２領域は前記第１電極上に少なくとも一つずつ形成されることを特徴とする請求項２５記載の広視野角液晶表示装置の製造方法。      
【請求項２７】
前記第１領域及び前記第２領域は前記第１電極に交互に配置されることを特徴とする請求項２５記載の広視野角液晶表示装置の製造方法。      
【請求項２８】
前記第１電極は第１基板に形成され、前記第２電極は前記第２基板に前記第１電極と向き合うように形成されたことを特徴とする請求項２５記載の広視野角液晶表示装置の製造方法。
【請求項２９】
前記第２基板は前記第１電極と対応して配置されたカラーフィルターを含むことを特徴とする請求項２５記載の広視野角液晶表示装置の製造方法。
【請求項３０】
前記第１基板は前記第１電極を被覆するカラーフィルターを含むことを特徴とする請求項２５記載の広視野角液晶表示装置の製造方法。
【請求項３１】
前記第１基板及び第２基板をアセンブリする段階以前において、前記第２基板に前記第１配向膜と向き合う第２配向膜を形成する段階と、
前記第２配向膜のうち前記第１領域に対応する第３配向領域に第３走査方向を有する第３原子ビームを走査する段階と、
前記第２配向膜のうち前記第２領域に対応する第４配向領域に第４走査方向を有する第４原子ビームを走査する段階と、
をさらに含むことを特徴とする請求項２５記載の広視野角液晶表示装置の製造方法。
【請求項３２】
前記第１走査方向と前記第３走査方向及び前記第２走査方向と第４走査方向は平行であることを特徴とする請求項３１記載の広視野角液晶表示装置の製造方法。
【請求項３３】
前記第１基板及び前記第２基板をアセンブリする段階は、第１配向膜と第２配向膜との間に垂直配向モード液晶を配置する段階をさらに含むことを特徴とする請求項３１記載の広視野角液晶表示装置の製造方法。
【請求項３４】
前記第３走査方向は前記第１走査方向に対して９０〜２７０°の捩れた方向であり、前記第４走査方向は前記第２走査方向に対して９０〜２７０°の捩れた方向であることを特徴とする請求項３１記載の広視野角液晶表示装置の製造方法。
【請求項３５】
前記第１基板及び前記第２基板をアセンブリする段階は、前記第１配向膜と第２配向膜との間にツイステッドネマチック液晶を配置する段階をさらに含むことを特徴とする請求項３４記載の広視野角液晶表示装置の製造方法。
【請求項３６】
向き合う第１基板及び第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板との間に配置された第１電極及び第２電極と、
前記第１基板に形成され、前記第１電極の一部である第１領域に対応する第１配向領域に第１方向に形成された第１液晶配向用極性作用器及び前記第１電極の第２領域に対応する第２配向領域に第２方向に形成された第２液晶配向用極性作用器を有する第１配向膜と、
前記第２基板に形成された第２配向膜と、
前記第１基板と第２基板との間に配置された液晶と、
を含むことを特徴とする広視野角液晶表示装置。
【請求項３７】
前記第１領域及び第２領域は前記第１電極上に少なくとも一つが形成されたことを特徴とする請求項３６記載の広視野角液晶表示装置。
【請求項３８】
前記第１領域及び前記第２領域は前記第１電極上に交互に配置されることを特徴とする請求項３６記載の広視野角液晶表示装置。
【請求項３９】
前記第１電極は前記第１基板に配置され、前記第２電極は前記第１電極と向き合う第２基板に配置されることを特徴とする請求項３６記載の広視野角液晶表示装置。
【請求項４０】
前記第１電極は前記第１基板に配置され、前記第２電極は前記第１電極と平行に前記第１基板に配置されることを特徴とする請求項３６記載の広視野角液晶表示装置。
【請求項４１】
前記第２配向膜は前記第１領域と対応する第３配向領域に第３方向に形成された第３液晶配向用極性作用器及び前記第２配向膜のうち前記第２領域に対応する第４配向領域に第４方向に形成された第４液晶配向用極性作用器を含むことを特徴とする請求項３６記載の広視野角液晶表示装置。
【請求項４２】
前記第１方向と前記第３方向、前記第２方向及び前記第４方向は相互平行することを特徴とする請求項４１記載の広視野角液晶表示装置。
【請求項４３】
前記液晶は垂直配向モード液晶であることを特徴とする請求項４２記載の広視野角液晶表示装置。
【請求項４４】
前記第３走査方向は前記第１走査方向に対して９０〜２７０°の捩れた方向であり、前記第４走査方向は前記第２走査方向に対して９０〜２７０°の捩れた方向であることを特徴とする請求項４１記載の広視野角液晶表示装置。
【請求項４５】
前記液晶はツイステッドネマチック液晶であることを特徴とする請求項４４記載の広視野角液晶表示装置。
【請求項４６】
液晶を配向するための配向膜が形成された第１面と前記第１面と対向する第２面を含む基板を搭載するためのベース本体と、
前記配向膜に沿って移動可能であり、前記配向膜に向かって加速された原子ビームを走査する原子ビーム発生装置と、
前記原子ビームを前記配向膜に局部的に走査するために前記ベース本体及び前記原子ビーム発生装置の間に配置され、スキャンニングされた前記原子ビームを局部的に透過させる複数個の透過部が形成されたマスクを含む原子ビーム透過ユニットと、
を含むことを特徴とする液晶配向装置。
【請求項４７】
前記原子ビーム発生装置は原子を解離してイオンを発生するイオン発生装置と、
前記イオンを加速するイオン加速装置と、
前記イオンを加速された原子に還元させる還元装置と、
を含むことを特徴とする請求項４６記載の液晶配向装置。
【請求項４８】
前記原子ビーム発生装置は前記配向膜と前記原子ビームとが成す角度を変更させる原子ビーム角度調節装置をされに含むことを特徴とする請求項４７記載の液晶配向装置。
【請求項４９】
前記原子ビーム透過ユニットは前記マスクの垂れを防止する垂れ防止部材をさらに含むことを特徴とする請求項４６記載の液晶配向装置。
【請求項５０】
前記垂れ防止部材は前記基板に接触する少なくとも一つの突起であることを特徴とする請求項４９記載の液晶配向装置。
【請求項５１】
前記垂れ防止部材は前記透過部の間を通過する石英バーであることを特徴とする請求項４９記載の液晶配向装置。
【請求項５２】
前記垂れ防止部材は前記透過部の間を通過するサポートワイヤーであることを特徴とする請求項４９記載の液晶配向装置。
【請求項５３】
前記垂れ防止部剤は前記基板の第２面に接することを特徴とする請求項４９記載の液晶配向装置。
【請求項５４】
前記垂れ防止部剤及び前記原子ビームのスキャンニング方向は互いに平行であることを特徴とする請求項４９記載の液晶配向装置。
【請求項５５】
液晶を配向するための配向膜が形成された基板を搭載するためのベース本体と、
前記ベース本体上に形成されたリフトユニットと、
前記リフトユニットに設置され、前記配向膜に向かう部分に形成された開口を有するカバーと、
前記カバーの内部に前記配向膜に沿って動く原子ビーム発生ユニットと、
前記開口に設置され前記原子ビーム発生ユニットから発生した原子ビームを選択的に前記配向膜に走査する原子ビーム透過ユニットと、
を含むことを特徴とする液晶配向装置。
【請求項５６】
前記カバーの内部には前記原子ビーム発生ユニットを移送するための移送装置がさらに設置されたことを特徴とする請求項５５記載の液晶配向装置。
【請求項５７】
前記リフトユニットは前記ベース本体にあるリフトバー、前記リフトバーに沿って移動するリフト本体を含み、前記カバーは前記リフト本体に連結されたことを特徴とする請求項５５載の液晶配向装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は原子ビームで配向膜にマルチドメインを形成する方法、これを利用する広視野角液晶表示装置の製造方法、これを利用する広視野角液晶表示装置及び液晶配向装置に関し、特に広視野角を具現するために原子ビームで配向膜にマルチドメインを形成する方法、これを利用する広視野角液晶表示装置の製造方法、これを利用する広視野角液晶表示装置及び液晶配向装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、液晶表示装置は液晶で文字、映像及び同映像を表示する。液晶表示装置は液晶の配列を微小面積単位として制御することで、白色光の光量を微小面積単位で変更する。光量が調節された白色光は再度カラーフィルターによりフィルタリングされる。白色光は色を含むイメージ光に変更され、使用者はイメージ光の組合により映像を認識ことができる。
【０００３】
従来液晶表示装置はカラーフィルターを通過する光の方向が液晶により決定されるので、ＣＴＲ方式表示装置に比べて視野角についての多くの短所を有する。
特に、視野角は個人が使用するノートブックではそれほど大きい問題にならないが、大勢の使用者が一緒に使用する液晶モニター、液晶ＴＶなどでは大きい問題となる。
最近、液晶表示装置において視野角をより広くするために次のような多様な研究が進行している。
【０００４】
視野角を向上させるため、最近、ＩＰＳモード（Ｉｎ−Ｐｌａｎ  ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ  ｍｏｄｅ）を有する液晶表示装置が開発された。ＩＰＳモードを有する液晶表示装置は、画素電極と共通電極が１つの基板に水平配列される。画素電極及び共通電極には周辺電界が形成され、周辺電界により液晶の配列が変更され視野角を大幅に向上することができる。
【０００５】
しかし、このようなＩＰＳモードで作動する液晶表示装置は、視野角が広くなる代りに開口率が著しく減少して輝度が減少し、残像が発生し易く、残像を除去するために別途残像除去フィルムを使用しなければならないという問題点を有する。
最近、垂直配向モードを有する液晶表示装置が開発された。垂直配向モードを有する液晶表示装置は画素電極と共通電極とが向き合い、画素電極と共通電極との間には垂直配向モード液晶が配置される。視野角を向上させるため、画素電極または共通電極はパターニングされるか突起が形成される。共通電極がパターニングされた垂直配向モード液晶表示装置はＰＶＡ方式液晶表示装置と呼ばれ、画素電極に突起が形成された方式はＭＶＡ方式液晶表示装置（Ｍａｓｓｉｖｅ  Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ  ｔｙｐｅＬＣＤ）と呼ばれる。
【０００６】
しかし、従来のＰＶＡ方式液晶表示装置の場合、視野角が向上する代りに共通電極をパターニングするための付随的な工程を必要とし、工程が複雑になる問題を有しており、またＭＶＡ方式の場合、画素電極に突起を形成していることから電気的ショートなどの発生が問題となる。
また、ＴＮモード液晶表示装置は視野角を向上させるために液晶表示パネル内部にマルチドメインを形成せず、視野角補償フィルムを使用する方法が主に使用される。しかし、視野角補償フィルムは価格が高い上、液晶表示装置の重量及び体積を増加させる問題点を有する。  
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明の技術と課題は、このような点から着案されたもので、本発明の目的は簡単な工程で液晶表示パネルにマルチドメインを形成して広視野角を具現するための原子ビームで配向膜にマルチドメインを形成する方法を提供する。
また、本発明の他の目的は前記原子ビームで配向膜にマルチドメインを形成する方法を用いて広視野角液晶表示装置を製造する方法を提供する。
【０００８】
また、本発明のまたの他の目的は前記原子ビームで配向膜にマルチドメインを形成する方法を利用する広視野角液晶表示装置を提供する。
また、本発明のさらにまたの目的は前記原子ビームで配向膜にマルチドメインを形成するための液晶表示装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
このような本発明の目的を具現するために本発明は液晶を配向するために基板に配向膜を形成し、配向膜の上部から配向膜の第１領域に向かう原子ビームを配向膜に対して第１方向にスキャンニングして第１領域に第１ドメインを形成し、配向膜の上部から配向膜の第２領域に向かう原子ビームを配向膜に対して第２方向にスキャンニングして第２領域に第２ドメインを形成する段階を含む原子ビームで配向膜にマルチドメインを形成する方法を提供する。
【００１０】
また、本発明の目的を具現するために本発明は液晶を制御するための電界を形成する第１電極を第１基板に形成し、第１電極と離間した第２電極を第１基板または第１基板と向き合う第２基板のうちいずれか一つに形成し、第１基板に第１配向膜を形成し、第１電極の一部である第１領域に対応する第１配向膜の第１配向領域に第１走査方向を有する原子ビームを走査し、第１電極の第２領域に対応する第１配向膜の第２配向領域に第２走査方向を有する原子ビームを走査し、第１基板及び第２基板をアセンブリする段階を含む広視野角液晶表示装置の製造方法を提供する。
【００１１】
また、本発明の目的を具現するために本発明は向き合う第１基板及び第２基板、第１基板と第２基板との間に配置された第１電極及び第２電極、第１基板に形成され、第１電極の一部である第１領域に対応する第１配向領域に第１方向に形成された第１液晶配向用極性作用器及び第１電極の第２領域に対応する第２配向領域に第２方向に形成された第２液晶配向用極性作用器を有する第１配向膜、第２基板に形成された第２配向膜、第１基板と第２基板との間に配置された液晶を含む広視野角液晶表示装置を提供する。
【００１２】
また、本発明の目的を具現するために本発明は液晶を配向するための配向膜が形成された基板を搭載するためのベース本体、配向膜に沿って動き配向膜に向かって加速された原子ビームを走査する原子ビーム発生装置及び原子ビームを配向膜に局部的に走査するためにベース本体と原子ビーム発生装置のと間に配置され、スキャンニングされた原子ビームを局部的に透過させる複数個の透過部が形成されたマスクを含む原子ビーム透過ユニットを含む液晶配向装置を提供する。
【００１３】
本発明によると、非接触方式で液晶を配向し、配向方法を改善して広視野角で映像を表示すると同時に配向工程及び配向時間を短縮させる。  
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、図面を参照して本発明の望ましい一実施例をより詳細に説明する。
原子ビームで配向膜にマルチドメインを形成する方法の実施例
（実施例１）
図１は本発明の第１実施例により原子ビームで配向膜にマルチドメインを形成する方法を示す順序図である。
【００１５】
図１に示すように、原子ビームで配向膜にマルチドメインを形成するために、基板には配向膜が形成される（段階Ｓ１００）。
図２は図１の段階Ｓ１００により基板に形成された配向膜を示す概念図である。
図２に示すように、基板１００には多様な物質で配向膜１１０を形成することができる。例えば、配向膜１１０はダイヤモンドライクカーボン、酸化シリコン、多結晶シリコン、アモルファスシリコン、酸化チタン及びポリイミド合成樹脂などで構成することができる。
【００１６】
本実施例において、配向膜１１０はダイヤモンドライクカーボンで形成される。図１に示すように、基板に配向膜が形成された後、配向膜の一部である第１領域には原子ビームにより第１ドメインが形成される（段階Ｓ２００）。第１領域に第１ドメインを形成するために配向膜の第１領域は露出され、第１領域を除いた配向膜の残りの部分は全部遮られる。
【００１７】
図３は図１の段階Ｓ２００により配向膜の第１領域を露出させるための第１マスクを示す概念図である。
図２または図３に示すように、配向膜１１０には第１マスク１２０が形成される。第１マスク１２０は配向膜１１０の第１領域Ａ１を露出し、第１領域Ａ１を除いた残りの領域Ａ２を全部遮る。これを具現するために、第１マスク１２０は第１領域Ａ１に対応する位置に第１開口１２５が形成される。
【００１８】
本実施例において、第１マスク１２０は配向膜１１０の表面に蒸着された薄膜形態で具現される。第１マスク１２０は配向膜１１０の表面に酸化アルミニウムなどをスパッタリング、化学気相蒸着などの方法で蒸着して形成する。第１マスク１２０は酸化アルミニウムの代りにその他のメタル薄膜を使用しても良い。第１マスク１２０の厚さは約１０００Å以上に形成することが望ましい。
【００１９】
第１マスク１２０により配向膜１１０に第１領域Ａ１が定義されると、第１マスク１２０には第１方向を有する原子ビーム１３０が走査される。このとき、第１方向は図３の上方向をＹ軸の正方向とする場合においてＹ軸の負方向を基準として半時計方向に０以上９０°未満の方向である。原子ビーム１３０はライン形態で第１マスク１２０の全体表面にスキャンされる。従って、原子ビーム１３０のうち一部は第１開口１２５を通じて第１領域Ａ１に対応する配向膜１１０に走査され、原子ビーム１３０により配向膜１１０の第１領域Ａ１には液晶を配向するための第１ドメイン１１５が形成される。
【００２０】
図４は図１の段階Ｓ２００で配向膜にスキャンされる原子ビームを形成する過程を示す順序図である。
図４に示すように、原子ビーム１３０を形成するためにはまず、ソースガスを解離してイオンを生成する段階を遂行する（段階Ｓ２１０）。ソースガスとしては反応性が小さい不活性ガスを使用することが望ましい。本実施例においては原子量が多きいアルゴンガスがソースガスである。
【００２１】
本実施例においてはイオンを生成する段階は２つの方法により具現される。
イオンを生成するための１番目の方法はソースガス、例えば、アルゴンガスを熱により解離する。アルゴンガスを熱により解離するためには約２５００Ｋ以上の温度を必要とする。具体的に、アルゴンガスは約２５００Ｋ以上の温度で加熱されたタングステンフィラメントから発生した熱、熱電子などによりアルゴンイオンとして解離できる。
【００２２】
イオンを生成するための２番目の方法はソースガス、例えば、アルゴンガスをアノード電極とカソード電極との間を通過させることで電気的に解離する。アノード電極とカソード電極との間には、アルゴンガスを解離するために必要な電界を形成する必要がある。アルゴンガスは、アルゴンガスを解離するに十分な電界差を有するアノード電極とカソード電極との間を通過しながら電子を無くし、アルゴンイオンとして解離される。
【００２３】
このような方法によりソースガス、例えば、アルゴンガスを解離してアルゴンイオンを生成し、さらにアルゴンイオンを加速電極により加速する（段階Ｓ２２０）。加速電極は、メッシュ形態に構成されており、アルゴンイオンと反対極性に帯電される。従って、アルゴンイオンはクーロン力により加速電極に向かって引かれ始める。アルゴンイオンは加速電極に近づくほど漸次加速され、加速電極部分においてはイオンビームの形態を有するようになる。
【００２４】
加速電極によりイオンビーム形態に変更されたアルゴンイオンは加速された原子形態に還元されて原子ビームが形成される（段階Ｓ２３０）。加速されたアルゴンイオンを加速されたアルゴン原子に還元するため加速されたアルゴンイオンを多量の電子が通過する電子ビーム領域を通過させる。この過程でアルゴンイオンは電子と結合してアルゴン原子に還元される。
【００２５】
第１領域A１に第１ドメインを形成した後、第１マスク１２０を配向膜１１０から除去する。
図１に示すように、配向膜の第１領域に第１ドメインを形成した後、配向膜の第２領域に第２ドメインを形成する（段階Ｓ３００）。第２領域は第１領域と隣接し、第１領域とは重畳されない。
【００２６】
図５は図１の段階Ｓ３００により配向膜の第２領域を露出させる第２マスクを示す概念図である。
図５に示すように、第２領域A３に第２ドメイン１１７を形成するために、配向膜１１０の第２領域Ａ３を選択的に露出し、配向膜１１０の残りの領域Ａ１、Ａ４を遮る。この際、第２領域Ａ３は配向膜１１０に第１領域Ａ１と隣接した位置に形成される。
【００２７】
これを具現するために、配向膜１１０の表面には第２マスク１４０が形成される。本実施例において、第２マスク１４０は配向膜１１０の表面に蒸着された薄膜形態として具現される。第２マスク１４０は、配向膜１１０の表面に酸化アルミニウムＡｌ２Ｏ３等をスパッタリング、化学気相蒸着等の方法で蒸着して形成する。第２マスク１４０は、酸化アルミニウムの代わりにその他のメタル薄膜を用いても良い。第２マスク１４０の厚さは、約１０００Å以上に形成することが好ましい。
【００２８】
これと異なり、第２マスク１４０は、前述したように、第２領域に原子ビームが通過できるように、第１マスク１２０と同一の構成及び同一の方法で製作されるので、その重複説明は省略する。
第２マスク１４０によって配向膜１１０に第２領域Ａ３が定義されると、第２マスク１４０に対して第２方向に原子ビーム１３０を走査する。第２方向は、図５の上方向をＹ軸の正方向とした場合においてＹ軸の負方向を基準として、時計方向に０°以上９０°未満の角度で回転した方向である。原子ビーム１３０は、ライン形態で第２マスク１４０の全体表面にスキャンされる。従って、原子ビーム１３０のうち、一部は第１開口１４５を通じて第２領域Ａ３に対応する配向膜１１０に走査され、原子ビーム１３０によって配向膜１１０の第２領域Ａ３には、液晶を配向するための第２ドメイン１１７が形成される。
【００２９】
本実施例によると、配向膜の少なくとも２つ以上の部分に互いに異なる方向を有する原子ビームを走査して非接触方式で液晶を配向して、特別な付加工程なしに配向膜にマルチドメインを形成することができるという長所を有する。
（実施例２）
図６は、図１の段階Ｓ２００において配向膜の第１領域を露出させる第１フローティングマスクを図示した概念図である。図７は、図１の段階Ｓ２００において配向膜の第２領域を露出させる第２フローティングマスクを図示した概念図である。
【００３０】
図１の段階Ｓ１００をにおいて基板１００に配向膜１１０を形成し、図６に示すように、配向膜１１０の第１領域Ａ１を露出するために、配向膜１１０の上方に第１フローティングマスク１５０が配置される。第１フローティングマスク１５０は厚さが薄く、配向膜１１０の第１領域Ａ１に対応する位置が開口した第３開口１５５を有するプレート形状を有する。第１フローティングマスク１５０は、配向膜１１０の表面に対して左右に移動できるように配向膜１１０から分離されて配置される。
【００３１】
本実施例において、配向膜１１０の表面に第１フローティングマスク１５０を分離配置する場合には、工程が単純になり、工程進行速度が非常に速くなるので、大量生産に適合するという長所を有する。
配向膜１１０の第１領域Ａ１には、配向膜１１０に向かう原子ビーム１３０が配向膜１１０に対して第１方向にスキャニングされる。この際、配向膜１１０に向かう原子ビーム１３０の第１方向は、図６の上方向をＹ軸の正方向とした場合においてＹ軸の負方向を基準として、反時計方向に０°以上９０°未満の角度で回転した方向である。
【００３２】
図７に示すように、配向膜１１０の第２領域Ａ３を露出するために、第２フローティングマスク１６０は、厚さが薄く、配向膜１１０の第２領域Ａ３に対応する位置が開口した第４開口１６５を有するプレート形状を有する。第２フローティングマスク１６０は、配向膜１１０の表面に対して、左右に移動できるように配向膜１１０から分離配置される。
さらに、図７に示すように、配向膜１１０の第２領域Ａ３には、配向膜１１０に向かう原子ビーム１３０が、配向膜１１０に対して図７に定義された座標系の第２方向にスキャニングされる。この際、配向膜１１０に向かう第２方向は、図７の上方向をＹ軸の正方向とした場合においてＹ軸の負方向を基準として時計方向に０°以上９０°未満の角度で回転した方向である。
【００３３】
図８は、図６及び図７のフローティングマスクの概略的な平面図である。
本実施例において、第１フローティングマスク１５０の厚さは、非常に重要である。第１フローティングマスク１５０の厚さが厚い場合、所望する位置に原子ビームを走査することが困難であり、所望しない位置に原子ビームが走査される可能性がある。従って、本実施例では、厚さが非常に薄く、原子ビームにより破損されない第１フローティングマスク１５０が開示される。
【００３４】
図８を参照すると、第１フローティングマスク１５０は、サポートフレーム１２１ａ、第１ワイヤー１２１ｂ、第２ワイヤー１２１ｃ及び第３ワイヤー１２１ｄを含む。
サポートフレーム１２１ａは、基板１００と同一のサイズ及び同一の形状である四角フレーム形状を有する。
第１ワイヤー１２１ｂの第１端部は、サポートフレーム１２１ａの第１内側面に固定され、第１ワイヤー１２１ｂの第２端部は、サポートフレーム１２１ａの第２内側面に固定される。第１内側面と第２内側面とは互いに対向する。第１ワイヤー１２１ｂは、約１０μｍ程度の厚さを有するピアノ線を複数本撚ることで製作できる。第１ワイヤー１２１ｂは、サポートフレーム１２１ａに固定される。
【００３５】
第２ワイヤー１２１ｃの第１端部は、サポートフレーム１２１ａの第３内側面に固定され、第２ワイヤー１２１ｃの第２端部は、サポートフレーム１２１ａの第４側面に固定される。第３内側面と第４内側面は互いに対向する。第２ワイヤー１２１ｃは、約１０μｍ程度の厚さを有するピアノ線を複数本撚ることで製作できる。第２ワイヤー１２１ｃは、サポートフレーム１２１ａに固定される。
【００３６】
従って、第１ワイヤー１２１ｂ及び第２ワイヤー１２１ｃは、サポートフレーム１２１ａの内部に格子形状に配置され、格子の間には開口１２１ｅが形成される。
第３ワイヤー１２１ｄは、開口１２１ｅのうち、原子ビームが通過する位置には配置されず、原子ビームが通過しない開口１２１ｅに配置される。第３ワイヤー１２１ｄは、原子ビームが通過しない開口１２１ｅから原子ビームが通過できないように、第１ワイヤー１２１ｂまたは第２ワイヤー１２１ｃに固定される。この際、第３ワイヤー１２１ｄは、Ｘ軸方向、Ｙ軸方向またはＸ軸方向及びＹ軸方向に固定されることができる。
【００３７】
このような構成を有する第１フローティングマスク１２１は、厚さが非常に薄く、垂れがないので、原子ビームを指定された位置に走査することができる。本実施例によると、配向膜の少なくとも２つ以上の部分に互いに異なる方向を有する原子ビームを走査して非接触方式で液晶を配向し、特別な付加工程なしに配向膜にマルチドメインを形成することができ、特にマルチドメインを形成するのに必要な工程時間を短縮させることができるという長所を有する。
広視野角液晶表示装置の製造方法の実施例
（第１実施例）
図９は、本発明による広視野角液晶表示装置の製造方法の第１実施例を図示した順序図である。
【００３８】
図９に示すように、まず、第１基板及び第２基板の間に、液晶を配列するための第１電極及び第２電極をそれぞれ形成する（段階Ｓ６００）。
図１０は、図９の段階Ｓ６００において、第１基板、第１電極、第２基板、第２電極の関係を図示した概念図である。
図１０に示すように、第１基板１７０にマトリックス形状に第１電極１７５を形成する。本実施例において、広視野角液晶表示装置の解像度が１０２４×７６８であり、フルカラーディスプレイを行う場合、第１基板１７０に１０２４×７６８×３個の第１電極１７５を形成する。第１電極１７５は、インジウムスズ酸化物質（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ、ＩＴＯ）またはインジウム亜鉛酸化物質（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ、ＩＺＯ）からなる。
【００３９】
また、第２基板１９０には、第２電極１９５が形成される。第２電極１９５は、第２基板１９０の全表面にかけて形成され、第２電極１９５は、インジウムスズ酸化物質（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ、ＩＴＯ）またはインジウム亜鉛酸化物質（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ、ＩＺＯ）からなる。
さらに、図９に示すように、第１基板及び第２基板の間に第１電極及び第２電極を形成した後（段階Ｓ６００）、第１基板に第１配向膜を形成する（段階Ｓ７００）。
【００４０】
図１１は、第１基板に第１配向膜が形成されたことを図示した概念図である。
図１１に示すように、第１電極１７５が形成された第１基板１７０には第１配向膜１８０が形成される。第１配向膜１８０は、ダイアモンドライクカーボン（Ｄｉａｍｏｎｄ−Ｌｉｋｅ−Ｃａｒｂｏｎ、ＤＬＣ）、酸化シリコン、窒化シリコン、多結晶シリコン（ｐｏｌｙ  ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ  ｓｉｌｉｃｏｎ）、アモルファスシリコン（ａｍｏｒｐｈｏｕｓ  ｓｉｌｉｃｏｎ）、酸化チタニウム及びポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）合成樹脂等から構成される。
【００４１】
本実施例において、第１基板１７０に形成された第１配向膜１８０は、ダイアモンドライクカーボン物質で構成され、化学気相蒸着等の方法によって第１基板１７０に蒸着される。
さらに、図９に示すように、第１基板に第１配向膜を形成した後（段階Ｓ７００）、第１配向膜の第１配向領域に対して原子ビームを第１方向に走査する（段階Ｓ８００）。
【００４２】
図１２は、図９の段階Ｓ８００において第１配向膜に対して原子ビームを第１方向に走査することを図示した概念図である。図１２は、図１１の第１電極及び第１電極の第１領域を図示した平面図である。
図１２または図１３に示すように、第１基板１７０に形成された第１電極１７５の一部である第１領域Ａ１に対応する第１配向膜１８０の第１配向領域Ａ５が露出状態となり、残りの領域は遮られる。その後、露出された第１配向領域Ａ５には、加速された原子ビーム１３０を第１走査方向に走査する。第１配向領域Ａ５には、原子ビーム１３０により第１ドメイン１８２が形成される。この際、第１領域Ａ１は、第１電極１７５に少なくとも１つ形成される。
【００４３】
さらに図９に示すように、第１配向膜の第１配向領域に第１方向に加速された原子ビームを走査した状態で（段階Ｓ８００）、第１配向膜の第２配向領域に第２方向に加速された原子ビームを走査する段階を行う（段階Ｓ９００）。
図１４は、図９の段階Ｓ８００において第１配向膜に対して原子ビームを第１方向に走査することを図示した概念図である。図１５は、図１４の第１電極及び第１電極の第２領域を図示した概念図である。
【００４４】
図１４または図１５に示すように、第１基板１７０に形成された第１電極１７５のうち、第１領域Ａ１を除いた第２領域Ａ３に対応する第１配向膜１８０の第２配向領域Ａ６が露出し、第１配向膜１８０の残りの領域は遮られる。その後、露出した第２配向領域Ａ６に加速された原子ビーム１３０を第２方向に走査する。第２配向領域Ａ６に、加速された原子ビーム１３０により第２ドメイン１８４を形成する。
【００４５】
この際、第２領域Ａ３は、第１電極１７５上に少なくとも１つ形成される。第１電極１７５上に第１領域Ａ１及び第２領域Ａ３を２つ以上形成する場合には、第１領域Ａ１及び第２領域Ａ３を交互に配置することが好ましい。
さらに、図９に示すように、第１基板及び第２基板を相互にアセンブリする（段階Ｓ１０００）。第１基板及び第２基板をアセンブリする段階で、第１基板及び第２基板の間に液晶を注入する。
【００４６】
図１６は、図９の段階Ｓ１０００においてアセンブリされた第１基板及び第２基板を図示した概念図である。
図１６に示すように、第１基板１７０及び第２基板１９０を相互アセンブリするために、第１基板１７０及び第２基板１９０の間にはシーラント１９８を配置する。シーラント１９８は、第１基板１７０及び第２基板１９０のエッジに沿って配置される。シーラント１９９は、第１基板１７０及び第２基板１９０を接着及び液晶１９６を密封する。
【００４７】
本実施例によると、第１電極の一部である第１領域に第１ドメインを形成して第１方向に液晶を配列し、第１電極の残りである第２領域に第２ドメインを形成して第１方向と異なる第２方向に液晶を配列することで、より広い視野角に液晶表示装置から映像をディスプレイすることができる。
（実施例２）
図１７は、本発明による広視野角液晶表示装置の製造方法の第２実施例を図示した順序図である。本実施例で第１基板に第１ドメイン及び第２ドメインを形成する方法は、図９の段階Ｓ６００〜段階Ｓ９００と同一なので、その重複説明は省略する。
【００４８】
図１７に示すように、図９の第１基板及び第２基板をアセンブリする前（段階Ｓ１０００）に、第２基板に第２配向膜が形成される（段階Ｓ６５０）。
図１８は、本発明の第２実施例によって第２基板に第２電極及び第２配向膜が形成されたことを図示した概念図である。
図１８に示すように、第２基板１９０には、全表面にかけて第２電極１９５が形成される。第２電極１９５は、インジウムスズ酸化物質またはインジウム亜鉛酸化物質で構成される。
【００４９】
第２配向膜２００は、第２電極１９５の上面に全表面にかけて形成される。第２配向膜２００は、ダイアモンドライクカーボン（Ｄｉａｍｏｎｄ−Ｌｉｋｅ−Ｃａｒｂｏｎ、ＤＬＣ）、酸化シリコン、窒化シリコン、多結晶シリコン（ｐｏｌｙ  ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ  ｓｉｌｉｃｏｎ）、アモルファスシリコン（ａｍｏｒｐｈｏｕｓ  ｓｉｌｉｃｏｎ）、酸化チタニウム及びポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）合成樹脂等からなる。本実施例では、好ましくダイアモンドライクカーボン薄膜が第２配向膜として用いられる。
【００５０】
さらに図１７に示すように、第２基板に第２配向膜を形成した後（段階Ｓ６５０）、第２配向膜に第１配向領域と向かい合う第３配向領域に対して第３方向に原子ビームを走査する（段階Ｓ７５０）。
図１９は、本発明の第２実施例によって第２基板に形成された第３配向領域に原子ビームを第３走査方向に走査することを図示した概念図である。図２０は、図１９に図示された第３配向領域に形成された第３ドメインを図示した平面図である。
【００５１】
図１９または図２０に示すように、第２配向膜２００のうち、第１基板１７０の第１領域Ａ５と向かい合う位置に第３配向領域Ａ７を形成し、第３配向領域Ａ７に原子ビーム１３０を第３方向に走査し、第３配向領域Ａ７に対して第３方向に第３ドメイン２０５を形成する。
さらに図１７に示すように、第２基板に対して第３配向領域に原子ビームを走査した後（段階Ｓ７５０）、第２配向膜において第２配向領域と向かい合う第４配向領域に対して第４方向に原子ビームを走査する（段階Ｓ８５０）。
【００５２】
図２１は、本発明の第２実施例において、第２基板に形成された第４配向領域に原子ビームを第４走査方向に走査することを図示した概念図である。図２２は、図２１に図示された第４配向領域に形成された第４ドメインを図示した平面図である。
図２１または図２２に示すように、第２配向膜２００のうち、第１基板１７０の第１配向膜１８０に形成された第２領域Ａ３と向かい合う位置に、第４配向領域Ａ８が形成される。第２配向膜２００のうち、第４配向領域Ａ８は露出され、第２配向膜２００の残りの領域は遮られる。第４配向領域Ａ８には、加速された原子ビーム１３０を第４方向に走査する。これにより、第２配向膜２００の第４配向領域Ａ８には、第４方向に第４ドメイン２０７が形成される。
【００５３】
その後、図９の段階Ｓ１０００において、第１基板１７０及び第２基板１９０を相互にアセンブリし、第１基板１７０及び第２基板１９０の間に液晶を注入する。
図２３は、図９の段階Ｓ１０００によりアセンブリされた第１基板及び第２基板を図示した概念図である。
図２３に示すように、第１基板１７０及び第２基板１９０を相互アセンブリするために、第１基板１７０及び第２基板１９０の間にシーラント１９８を配置する。シーラント１９８は、第１基板１７０及び第２基板１９０のエッジに沿って配置され、第１基板１７０及び第２基板１９０を接着及び液晶１９６を密封する。
【００５４】
第１基板１７０に形成された第１ドメイン１８２及び第２基板１９０に形成された第３ドメイン２０５、第１基板１７０に形成された第２ドメイン１８４及び第２基板１９０に形成された第４ドメイン２０７の方向によって第１基板１７０及び第２基板１９０の間の液晶配列が変更される。
図２４は、本発明の第２実施例において第１配向領域、第３配向領域及び第２配向領域及び第４配向領域の関係を図示した概念図である。
【００５５】
図２３または図２４に示すように、第１配向領域Ａ５の第１ドメイン１８２及び第３配向領域Ａ７の第３ドメイン２０５は、互いに平行であるように形成される。また、第２配向領域Ａ６に形成された第２ドメイン１８４及び第４配向領域Ａ８に形成された第４ドメイン２０７は互いに平行となる。
このように、第１ドメイン１８２及び第３ドメイン２０５が互いに平行であり、第２ドメイン１８４及び第４ドメイン２０７が互いに平行である場合、第１基板１７０及び第２基板１９０の間には垂直配向モード液晶（Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ  ｍｏｄｅ  ＬＣ、ＶＡＬＣ）を注入する。
【００５６】
図２５は、本発明の第２実施例によって第１配向領域、第３配向領域及び第２配向領域及び第４配向領域の他の関係を図示した概念図である。
図２３または図２５に示すように、第１配向領域Ａ５の第１ドメイン１８２及び第３配向領域Ａ７の第３ドメイン２０５は、互いに異なる方向を有するように形成される。例えば、第１ドメイン１８２及び第３ドメイン２０５は、互いに９０°〜２７０°ずれた角度で形成される。また、第２配向領域Ａ６に形成された第２ドメイン１８４及び第４配向領域Ａ８に形成された第４ドメイン２０７は、互いに異なる方向であるように形成される。例えば、第２ドメイン１８４及び第４ドメイン２０７は、互いに９０°〜２７０°ずれた角度で形成される。
【００５７】
このように、第１ドメイン１８２及び第３ドメイン２０５の方向、第２ドメイン１８４及び第４ドメイン２０７の方向が互いに異なる場合、第１基板１７０及び第２基板１９０の間にツイステッドネマチック液晶またはスーパーツイストネマチック液晶を注入する。
広視野角液晶表示装置
（実施例１）
図２６は、本発明の第１実施例による広視野角液晶表示装置の概念図である。図２７は、図２６の第１電極の概念図である。図２８は、第１基板の配向膜に形成された第１液晶配向用極性作用器及び第２液晶配向用極性作用器を図示した概念図である。
【００５８】
図２６に示すように、広視野角液晶表示装置２３０は、第１基板１７０及び第２基板１９０、第１電極１７５及び第２電極１９５、第１配向膜１８０、第２配向膜２００及び液晶１９６を含む。
第１基板１７０には、第１電極１７５及び第１配向膜１８０が形成され、第２基板１９０には第２電極１９５及び第２配向膜２００が形成される。この構成に代えて、第１基板１７０に、第１電極１７５及び第２電極１９５を交互に並べて配置することもできる。
【００５９】
本実施例では、第１基板１７０に、第１電極１７５及び第１配向膜１８０を順に形成し、第２基板１９０に、第２電極１９５及び第２配向膜２００を順に形成する。
第１基板１７０に形成された第１電極１７５は、マトリックス形態に複数個が配置される。第１電極１７５は、透明であり、導電性を有するインジウムスズ酸化物質またはインジウム亜鉛酸化膜で構成できる。
【００６０】
図２７に示すように、第１電極１７５は、少なくとも１つの第１領域Ａ１及び第１領域Ａ１と同一の個数を有する第２領域Ａ３に分けられる。本実施例において、第１電極１７５は、１つの第１領域Ａ１及び１つの第２領域Ａ３を有する。また、第１領域Ａ１及び第２領域Ａ３が複数個である場合、第１領域Ａ１及び第２領域Ａ３は、第１電極１７５上に交互に形成される。各第１電極１７５には、薄膜トランジスタ１７７が連結される。薄膜トランジスタ１７７は、ゲート電極Ｇ、ソース電極Ｓ、ドレーン電極Ｄ及びチャンネル層Ｃを含む。薄膜トランジスタ１７７のゲート電極Ｇは、ゲートラインＧＬに連結され、ソース電極ＳはデータラインＤＬに連結され、ドレーン電極Ｄは第１電極１７５に連結される。
【００６１】
さらに、図２６に示すように、第１配向膜１８０は、第１基板１７０に第１電極１７５が覆われるように全表面にかけて形成される。第１配向膜１８０は、ダイアモンドライクカーボン（Ｄｉａｍｏｎｄ−Ｌｉｋｅ−Ｃａｒｂｏｎ、ＤＬＣ）、酸化シリコン、窒化シリコン、多結晶シリコン（ｐｏｌｙ  ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ  ｓｉｌｉｃｏｎ）、アモルファスシリコン（ａｍｏｒｐｈｏｕｓ  ｓｉｌｉｃｏｎ）、酸化チタニウム及びポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）合成樹脂等からなる。本実施例では、好ましく第１配向膜１８０としてダイアモンドライクカーボン薄膜が用いられる。
【００６２】
第１配向膜１８０のうち、第１電極１７５の第１領域Ａ１を覆う部分は第１配向領域Ａ５であり、第１配向膜１８０のうち、第１電極１７５の第２領域Ａ３を覆う部分は第２配向領域Ａ６である。第１配向膜１８０のうち、第１配向領域Ａ５には液晶を非接触方式に配向するための第１液晶配向用極性作用器１８２ａが形成され、第１配向膜１８０のうち、第２配向領域Ａ６には液晶を非接触方式に配向するための第２液晶配向用極性作用器１８４ａが形成される。
【００６３】
第１液晶配向用極性作用器１８２ａ及び第２液晶配向用極性作用器１８４ａは、原子ビームによって形成される。第１液晶配向用極性作用器１８２ａ及び第２液晶配向用極性作用器１８４ａを第１配向膜１８０に形成する方法及び装置は、本出願人が出願した韓国特許出願２００２−６９４６７号「液晶配向方法及び液晶配向装置」に具体的に記載されているので、その詳細な説明は省略する。
【００６４】
この際、第１液晶配向用極性作用器１８２ａは、第１配向領域Ａ５に第１方向に形成され、第２液晶配向用極性作用器１８４ａは、第１液晶配向用極性作用器１８２ａと異なる方向に第２配向領域Ａ６に第２方向に形成される。
第２基板１９０には、第１配向膜１８０と向かい合って液晶を配向するための第２電極１９５及び第２配向膜２００が形成される。
【００６５】
第１基板１７０及び第２基板１９０は、第１配向膜１８０及び第２配向膜２００が向かい合うようにアセンブリされる。第１基板１７０及び第２基板１９０は、数μｍの間隔で離間する。第１基板１７０及び第２基板１９０を相互にアセンブリして液晶を収納するために、第１基板１７０及び第２基板１９０のエッジに沿ってシーラント１９８を形成する。第１基板１７０及び第２基板１９０の間には液晶１９６が注入される。
（実施例２）
図２９は、本発明の第２実施例による広視野角液晶表示装置の概念図である。本実施例において、第２基板を除いた残りの構成要素は実施例１と同一なので、その重複説明は省略する。
【００６６】
図２９に示すように、第２基板１９０は第２電極１９５及び第２配向膜２００を含む。第２電極１９５は、第２基板１９０の全表面にかけて形成される。第２電極１９５は、第１基板１７０に形成された第１電極１７５と向かい合うように第２基板１９０に形成される。
第２配向膜２００には、第３配向領域Ａ７及び第４配向領域Ａ８が形成される。第３配向領域Ａ７は、第１基板１７０の第１電極１７５の第１領域Ａ１と向かい合い、第１領域Ａ１と同一の面積を有する。第４配向領域Ａ８は、第１基板１７０の第１電極１７５の第２領域Ａ３と向かい合い、第２領域Ａ３と同一の面積を有する。
【００６７】
第３配向領域Ａ７には、第３方向を有する原子ビームにより第３液晶配向用極性作用器２０５ａが形成され、第４配向領域Ａ８には、第４方向を有する原子ビームにより第４液晶配向用極性作用器２０７ａが形成される。
図３０は、図２９に図示された第１〜第４液晶配向用極性作用器の配置を図示した概念図である。
【００６８】
図３０を参照すると、第１配向領域Ａ１に形成された第１液晶配向用極性作用器１８２ａ及び第３配向領域Ａ７に形成された第３液晶配向用極性作用器２０５ａは、互いに平行な関係を有する。また、第２配向領域Ａ３に形成された第２液晶配向用極性作用器１８４ａ及び第４配向領域Ａ８に形成された第４液晶配向用極性作用器２０７ａは、互いに平行な関係を有する。このような関係を有する第１配向膜１８０及び第２配向膜２００の間には垂直配向モード液晶が注入される。
【００６９】
図３１は、図２９に図示された第１〜第４液晶配向用極性作用器の他の配置を図示した概念図である。
図３１に示すように、第１配向領域Ａ１に形成された第１液晶配向用極性作用器１８２ａ及び第３配向領域Ａ７に形成された第３液晶配向用極性作用器２０５ａは、互いに異なる方向を有する。例えば、第１液晶配向用極性作用器１８２ａ及び第３液晶配向用極性作用器２０５ａは互いに９０°〜２７０°ずれた角度を有する。
【００７０】
また、第２配向領域Ａ３に形成された第２液晶配向用極性作用器１８４ａ及び第４配向領域Ａ８に形成された第４液晶配向用極性作用器２０７ａは、互いに異なる方向を有する。例えば、第２液晶配向用極性作用器１８４ａ及び第４液晶配向用極性作用器２０７ａは、互いに９０°〜２７０°ずれた角度を有する。このような関係を有する第１配向膜１８０及び第２配向膜２００の間には、ツイステッドネマチック液晶またはスーパーツイステッドネマチック液晶が注入される。
【００７１】
液晶配向装置の実施例
（実施例１）
図３２は、本発明による液晶配向装置の第１実施例を図示した概念図である。
図３２に示すように、液晶配向装置３００は、ベース本体３１０、原子ビーム発生装置３２０及び原子ビーム透過ユニット３３０を含む。ベース本体３１０の上部には、原子ビームを発生するための原子ビーム発生装置３２０が設けられ、ベース本体３１０と原子ビーム発生装置３２０との間には原子ビーム透過ユニット３３０が配置される。
【００７２】
ベース本体３１０は、液晶を配向するための配向膜１１０が形成された基板１００を搭載及び固定する。
原子ビーム発生装置３２０は、イオン発生装置３２２、イオン加速装置３２４及び還元装置３２６を含む。
イオン発生装置３２２は、ソースガス、例えば、不活性ガスであるアルゴンガスを解離してアルゴンイオンを発生する。
【００７３】
アルゴンガスを解離するためにイオン発生装置３２２は、２５００Ｋ以上の温度に加熱されたタングステンフィラメント、タングステンフィラメントに電源を供給する電源供給装置を含む。加熱されたタングステンフィラメントは、アルゴンガスの最外殻電子を離脱させアルゴンガスをアルゴンイオンに解離させる。
この構成に代えて、アルゴンガスを解離するために、アノード電極及びカソード電極を含むイオン発生装置３２２を用いることができる。アノード電極及びカソード電極には、アルゴンガスを電気的に解離するのに充分な電界差を有する電源が供給される。電界差を有する電源が供給されたアノード電極及びカソード電極の間に供給されたアルゴンは、電界差によりアルゴンイオンに解離される。
【００７４】
イオン加速装置３２４は、アルゴンイオンを加速させるために、アルゴンイオンと反対極性に帯電されたメッシュ形態の加速電極３２４ａを含む。アルゴンイオンは、クーロン力によりメッシュ形態の加速電極３２４ａ側に加速され加速電極３２４ａの間を通過する。アルゴンイオンは、加速電極３２４ａを通過しながら、幅より長さが長いラインビーム形態に形状が変更される。
【００７５】
加速電極３２４ａに隣接した位置には、加速されたアルゴンイオンを加速されたアルゴン原子に変更する還元装置３２６が設けられる。還元装置３２６は、加速電極３２４ａを通過したアルゴンイオンに多量の電子（ｅｌｅｃｔｒｏｎ）を供給して、アルゴンイオンがアルゴン原子に還元されるようにする。この際、加速電極３２４ａと還元装置３２６が遠く離れている場合、加速されたアルゴンイオンの速力が加速電極３２４ａにより、却って減速される可能性があるので、還元装置３２６と加速電極３２４ａは、できる限り近い位置に配置する。
【００７６】
図３３は、図３２に図示された原子ビーム発生装置から発生した原子ビームの方向を変更する原子ビーム角度調節装置を図示した概念図である。
図３３に示すように、このような構成を有する原子ビーム発生装置３２０は、原子ビーム１３０と配向膜１１０が成す角度を調節するために、原子ビーム角度調節装置３２８を更に含む。
【００７７】
原子ビーム角度調節装置３２８は、配向膜１１０に向かう原子ビーム１３０の角度を自由に調節するための回動装置である。原子ビーム角度調節装置３２８は、原子ビーム発生装置３２０をθの角度に回動する。
さらに図３２に示すように、原子ビーム透過ユニット３３０は、原子ビーム発生装置３２０から発生した原子ビーム１３０が配向膜１１０の指定された位置に選択的に到達するようにする。
【００７８】
図３４は、原子ビーム透過ユニットを図示した平面図である。
図３２または図３４に示すように、原子ビーム透過ユニット３３０は、複数個の透過部３３５を有する原子ビーム透過マスク３３６を含む。
原子ビーム透過マスク３３６に形成された透過部３３５は、配向膜１１０のうち、所望する位置にのみ原子ビーム１３０が到達するようにする。原子ビーム透過マスク３３６は、厚さが薄いほど、所望する位置に原子ビーム１３０をより正確に走査することができる。原子ビーム透過マスク３３６の厚さが厚い場合、所望する位置に原子ビーム１３０が走査されず、所望しない位置に走査される可能性がある。このような理由で、原子ビーム透過マスク３３６は、非常に薄い厚さに形成することが好ましい。
【００７９】
しかし、原子ビーム１３０を指定された位置に走査するために、原子ビーム透過マスク３３６の厚さをより薄く形成する場合、原子ビーム透過マスク３３６には垂れが発生する。原子ビーム透過マスク３３６に垂れが発生する場合、原子ビーム透過マスク３３６を通過した原子ビーム１３０は、指定された位置からずれた位置に走査され配向膜１１０の形成不良が発生する。
【００８０】
図３５は、原子ビーム透過ユニットのマスク垂れ防止部材を図示した概念図である。
図３４または図３５を参照すると、原子ビーム透過ユニット３３０の原子ビーム透過マスク３３６には、マスク垂れ防止部材３３８が設置される。マスク垂れ防止部材３３８は、原子ビーム透過マスク３３６の透過部３３５を通じて原子ビームが透過されることを妨害せずに、原子ビーム透過マスク３３６の垂れを防止する。
【００８１】
図３６は、マスク垂れ防止部材の第１実施例を図示した概念図である。
図３６に示すように、マスク垂れ防止部材３３６ａは、原子ビーム透過マスク３３６のいずれの一方面に形成された少なくとも１つの垂れ防止突起である。本実施例において、原子ビーム透過マスク３３６には、複数個の垂れ防止突起３３６ａが形成される。各垂れ防止突起３３６ａは、透過部３３５の間に配置される。
【００８２】
図３７は、図３５に図示されたマスク垂れ防止部材と配向膜との関係を図示した概念図である。
図３７に示すように、垂れ防止突起３３６ａの第１端部は原子ビーム透過マスク３３６に形成され、第１端部と対向する第２端部は配向膜１１０の表面に接触される。原子ビーム透過マスク３３６は、垂れ防止突起３３６ａにより配向膜１１０の表面と一定な間隔を維持する。
【００８３】
図３８は、マスク垂れ防止部材の第２実施例を図示した概念図である。図３９は、図３８に図示されたマスク垂れ防止部材と配向膜との関係を図示した概念図である。
図３８または図３９に示すように、マスク垂れ防止部材３３６ｂは透過部３３５の間を通過する石英バー（ｑｕａｒｔｚ  ｂａｒ）またはサポートワイヤー（ｓｕｐｐｏｒｔ  ｗｉｒｅ）である。マスク垂れ防止部材３３６ｂの厚さは、少なくとも透過部３３５の間幅Ｗより狭く形成され、原子ビーム透過マスク３３６と配向膜１１０の間に配置され原子ビーム透過マスク３３６を支持する。
【００８４】
原子ビームは、原子ビーム透過マスク３３６に対して傾斜する方向にスキャンされる。従って、原子ビームのスキャン方向とマスク垂れ防止部材３３６ｂの方向が異なる場合、マスク垂れ防止部材３３６ｂにより陰影が発生して透過部３３５の一部には原子ビームが通過しない部分が発生することになる。従って、マスク垂れ防止部材３３６ｂの方向と原子ビームのスキャン方向は、平行に形成することが好ましい。
【００８５】
本実施例によると、原子ビーム透過マスクを用いて配向膜に互いに異なる方向を有する少なくとも２つのドメインを別の工程なしに形成することができる長所を有する。
（実施例２）
図４０は、本発明の第２実施例による液晶配向装置を図示した概念図である。本実施例において、原子ビーム発生装置カバー及びリフトユニットを除くと、実施例１と同一なのでその重複説明は省略する。
【００８６】
図４０に示すように、液晶配向装置３００はベース本体４１０、原子ビーム発生装置４２０、原子ビーム発生装置カバー４３２、原子ビーム透過ユニット４３０及びリフトユニット４４０を含む。
ベース本体４１０には、リフトユニット４４０が設けられる。リフトユニット４４０は、リフトバー４４２及びリフト本体４４５を含む。リフトバー４４２は、ベース本体４１０に対して垂直に設置され、リフト本体４４５はリフトバー４４２に沿って往復運動する。
【００８７】
リフト本体４４５には、原子ビーム発生装置カバーが設置される。原子ビーム発生装置カバーは、配向膜１１０と向かい合う位置に開口が形成される。
原子ビーム発生装置カバー４３２の内部には、配向膜１１０と平行に配置された移送バー４６０が設置され、移送バー４６０には原子ビーム発生装置４２０が設置される。原子ビーム発生装置４２０は移送バー４６０に沿って往復運動する。
【００８８】
原子ビーム発生装置カバー４３２の開口には、原子ビーム透過ユニット４３０が設置される。原子ビーム透過ユニット４３０は、前述した実施例１で詳細に説明したので、その重複説明は省略する。
本実施例によると、原子ビーム透過ユニットの撓みを防止するために、別の垂れ防止装置なしに原子ビームを用いて配向膜に少なくとも２つのドメインを形成することができる長所を有する。
【産業上の利用可能性】
【００８９】
以上、本発明の実施例によって詳細に説明したが、本発明はこれに限定されず、本発明が属する技術分野において通常の知識を有するものであれば本発明の思想と精神を離れることなく、本発明を修正または変更できる。
【図面の簡単な説明】
【００９０】
【図１】本発明の第１実施例による原子ビームで配向膜にマルチドメインを形成する方法を示す順序図である。
【図２】図１の段階Ｓ１００により基板に形成された配向膜を示す概念図である。
【図３】図１に段階Ｓ２００により配向膜の第１領域を露出させる第１マスクを示す概念図である。
【図４】図１の段階Ｓ２００において配向膜にスキャンされる原子ビームを形成する過程を示す順序図である。
【図５】図１の段階Ｓ３００により配向膜の第２領域を露出させる第２マスクを示す概念図である。
【図６】図１の段階Ｓ２００により配向膜の第１領域を露出させる第１フローティングマスクを示す概念図でる。
【図７】図１の段階Ｓ２００により配向膜の第２領域を露出させるフローティングマスクを示す概念図である。
【図８】図６及び図７のフローティングマスクの概略的平面図である。
【図９】本発明による広視野角液晶表示装置の製造方法の第１実施例を示す順序図である。
【図１０】図９の段階Ｓ６００において第１基板、第１電極、第２基板、第２電極の関係を示す概念図である。
【図１１】図９に示す段階Ｓ７００において第１基板に第１配向膜を形成することを示す概念図である。
【図１２】図９の段階Ｓ８００において第１配向膜に第１方向に原子ビームを走査することを示す概念図である。
【図１３】図１２の第１電極及び第１電極の第１領域を示す平面図である。
【図１４】図９段階Ｓ８００において第１配向膜に第１方向に原子ビームを走査することを示す概念図である。
【図１５】図１４の第１電極及び第１電極の第２領域を示す概念図である。
【図１６】図９の段階Ｓ１０００においてアセンブリされた第１基板及び第２基板を示す概念図である。
【図１７】本発明による広視野角液晶表示装置の製造方法の第２実施例を示す順序図である。
【図１８】本発明の第２実施例により第２基板に第２電極及び第２配向膜を形成したことを示す概念図である。
【図１９】本発明の第２実施例による第２基板に形成された第３配向領域に原子ビームを第３走査方向に走査することを示す概念図である。
【図２０】図１９に示された第３配向領域に形成された第３ドメインを示す平面図である。
【図２１】本発明の第２実施例により第２基板に形成された第４配向領域に原子ビームを第４走査方向に走査することを示す概念図である。
【図２２】図２１に示された第４配向領域に形成された第４ドメインを示す平面図である。
【図２３】図９の段階Ｓ１０００によりアセンブリされた第１基板及び第２基板を示す概念図である。
【図２４】本発明の第２実施例により第１配向領域、第３配向領域、第２配向領域及び第４配向領域の関係を示す概念図である。
【図２５】本発明の第２実施例により第１配向領域、第３配向領域、第２配向領域及び第４配向領域の他の関係を示す概念図である。
【図２６】本発明の第１実施例による広視野角液晶表示装置の概念図である。
【図２７】図２６の第１電極の概念図である。
【図２８】第１基板の配向膜に形成された第１液晶配向用極性作用器及び第２液晶配向用極性作用器を示す概念図である。
【図２９】本発明の第２実施例による広視野角液晶表示装置の概念図である。
【図３０】図２９に示された第１〜第４液晶配向用極性作用器の配置を示す概念図である。
【図３１】図２９に示された第１〜第４液晶配向用極性作用器のまたの配置を示す概念図である。
【図３２】本発明による液晶配向装置の第１実施例を示す概念図である。
【図３３】図３２に示された原子ビーム発生装置から発生された原子ビームの方向を変更する原子ビーム角度調節装置を示す概念図である。
【図３４】原子ビーム透過ユニットを示す平面図である。
【図３５】原子ビーム透過ユニットのマスク垂れ防止部材を示す概念図である。
【図３６】マスク垂れ防止部材の第１実施例を示す概念図である。
【図３７】図３６に示されたマスク垂れ防止部材と配向膜との関係を示す概念図である。
【図３８】マスク垂れ防止部材の第２実施例を示す概念図である。
【図３９】図３８に示されたマスク垂れ防止部材と配向膜との関係を示す概念図である。
【図４０】本発明の第２実施例による液晶配向装置を示す概念図である。
【符号の説明】
【００９１】
１００      基板
１１０      配向膜
１２０      第１マスク
１３０      原子ビーム
１４０      第２マスク
１５０      第１フローティングマスク
１６０      第２フローティングマスク
１７０      第１基板
１８０      第１配向膜
１８２      第１ドメイン
１８４      第２ドメイン
１９０      第２基板
１９５      第２電極
２００      第２配向膜
２０５      第３ドメイン
２０７      第４ドメイン
３００      液晶配向装置
３１０、４１０      ベース本体
３２０、４２０      原子ビーム発生装置
３３０、４３０      原子ビーム透過ユニット
４３２      原子ビーム発生装置カバー
４４０      リフトユニット
４４２      リフトバー
４４５      リフト本体
【図１】
2004318151.tif 000003
【図２】
2004318151.tif 000004
【図３】
2004318151.tif 000005
【図４】
2004318151.tif 000006
【図５】
2004318151.tif 000007
【図６】
2004318151.tif 000008
【図７】
2004318151.tif 000009
【図８】
2004318151.tif 000010
【図９】
2004318151.tif 000011
【図１０】
2004318151.tif 000012
【図１１】
2004318151.tif 000013
【図１２】
2004318151.tif 000014
【図１３】
2004318151.tif 000015
【図１４】
2004318151.tif 000016
【図１５】
2004318151.tif 000017
【図１６】
2004318151.tif 000018
【図１７】
2004318151.tif 000019
【図１８】
2004318151.tif 000020
【図１９】
2004318151.tif 000021
【図２０】
2004318151.tif 000022
【図２１】
2004318151.tif 000023
【図２２】
2004318151.tif 000024
【図２３】
2004318151.tif 000025
【図２４】
2004318151.tif 000026
【図２５】
2004318151.tif 000027
【図２６】
2004318151.tif 000028
【図２７】
2004318151.tif 000029
【図２８】
2004318151.tif 000030
【図２９】
2004318151.tif 000031
【図３０】
2004318151.tif 000032
【図３１】
2004318151.tif 000033
【図３２】
2004318151.tif 000034
【図３３】
2004318151.tif 000035
【図３４】
2004318151.tif 000036
【図３５】
2004318151.tif 000037
【図３６】
2004318151.tif 000038
【図３７】
2004318151.tif 000039
【図３８】
2004318151.tif 000040
【図３９】
2004318151.tif 000041
【図４０】
2004318151.tif 000042