(57)【要約】【課題】単色平行光の分布パターンに拘わることなくラインセンサ（受光部）における受光強度の分布パターンから単色平行光の光路に存在する遮蔽物のエッジの位置を高精度に検出することのできる位置検出方法を提供する。【解決手段】ラインセンサと、ラインセンサの全受光幅と略等しい光線束幅の単色平行光を投光する投光部とを備え、ラインセンサの受光強度分布から単色平行光の光路に存在する遮蔽物のエッジ位置を検出するに際し、予め前記単色平行光の全体をラインセンサにより受光し、この受光強度分布に従って単色平行光の回折パターンを求める。そしてこの単色平行光の回折パターンの逆数に従ってラインセンサの出力に対する正規化パラメータを求め、この正規化パラメータに従って前記ラインセンサの出力を正規化してエッジ位置の検出処理に供する。【選択図】      図１
2004226372.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一方向に所定のピッチで配列された複数の受光セルを備えたラインセンサと、このラインセンサの上記複数の受光セルによる全受光幅と略等しい光線束幅の単色平行光を前記ラインセンサに向けて投光する投光部とを備え、前記ラインセンサの各受光セルによる受光量を解析して前記単色平行光の光路に存在する遮蔽物の前記受光セルの配列方向におけるエッジ位置を検出するに際し、
予め前記投光部から投光された単色平行光の全体を前記ラインセンサの各受光セルにより受光し、これらの各受光セルでの受光量により示される前記ラインセンサの受光面上での光強度分布に従って前記投光部からラインセンサに到達する前記単色平行光の回折パターンを求めると共に、この回折パターンの逆数に従って前記ラインセンサの各受光セルの出力に対する正規化パラメータをそれぞれ求め、
その後、これらの正規化パラメータに従って前記光路に遮蔽物が存在するときの前記ラインセンサの各受光セルによる受光量をそれぞれ正規化して前記エッジ位置の検出処理に供することを特徴とする位置検出方法。
【請求項２】
前記投光部から前記ラインセンサに到達する単色平行光の回折パターンは、前記ラインセンサの中心を境界として２分される一方の受光セル群による受光量の総和と他方の受光セル群による受光量の総和の比から前記投光部とラインセンサとの間の中心のずれ量を求め、
前記投光部とラインセンサとの距離および上記中心のずれ量からフレネル回折による光強度分布を示す近似式に従って前記単色平行光の回折パターンを計算して求められるものである請求項１に記載の位置検出方法。
【請求項３】
一方向に所定のピッチで配列された複数の受光セルを備えたラインセンサと、
このラインセンサな対峙して設けられ、該ラインセンサの上記複数の受光セルによる全受光幅と略等しい光線束幅の単色平行光を前記ラインセンサに向けて投光する投光部と、
予め前記投光部から投光された単色平行光の全体を前記ラインセンサにて受光した際の該ラインセンサの受光面上での光強度分布に従って前記投光部からラインセンサに到達する単色平行光の回折パターンを求めると共に、この回折パターンの逆数に従って前記ラインセンサの各受光セルの出力に対する正規化パラメータをそれぞれ求める正規化パラメータ算出手段と、
これらの正規化パラメータに従って前記ラインセンサの各受光セルによる受光量をそれぞれ正規化する正規化手段と、
前記ラインセンサの正規化した各受光セルの受光量を解析して前記単色平行光の光路に存在する遮蔽物の前記受光セルの配列方向におけるエッジ位置を検出するエッジ検出部と
を具備したことを特徴とする位置検出装置。
【請求項４】
前記エッジ検出部は、
前記ラインセンサの正規化出力から受光強度が［０．２５］より大きい受光強度を得た受光セルと上記受光強度が［０．２５］より小さい受光強度を得た受光セルとをそれぞれ特定する受光セル特定手段と、
ハイパボリックセカンド関数ｓｅｃｈ（ｘ）の逆関数ｌｎ［（１＋（１−Ｙ２）１／２）／Ｙ］により近似した光強度分布に従って前記受光セル特定手段にて特定した各受光セルの受光面において当該受光セルの受光強度となる受光位置をそれぞれ求める受光位置算出手段と、
この受光位置算出手段でそれぞれ求められた受光位置から前記基準受光強度となる位置を前記遮蔽物のエッジ位置として検出する補間演算手段と
を具備したことを特徴とする請求項３に記載の位置検出装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えばロールから巻き戻されて一方向に高速に搬送される帯状体の縁部（エッジ）の幅方向における位置変位を高速度に、しかも高精度に検出することのできる位置検出方法および装置に関する。
【０００２】
【関連する背景技術】
フィルムやシート等の物品の縁部（エッジ）の位置を検出する位置検出装置として、物品（検査対象物）に向けて平行光を照射する投光部（光源）と、この投光部に対峙させて設けたＣＣＤ等の受光部（ラインセンサ）とを備えた光学式のものがある。この種の光学式の位置検出装置は、基本的には上記物品により遮られなかった平行光を受光部にて受光し、該受光部における平行光の受光領域と非受光領域（遮光領域）との境界を前記物品（検査対象物）の縁部（エッジ）の位置として検出するものである。
【０００３】
また最近ではレーザ光等の単色平行光を用い、物品（検査対象物）のエッジにおける上記単色平行光のフレネル回折に着目して前記ラインセンサ（受光部）の受光面上における光強度分布から上記物品（検査対象物）の縁部（エッジ）の位置を高精度に検出するエッジ検出装置も提唱されている（例えば特許文献１を参照）。
【０００４】
【特許文献１】
特開平８−２４７７２６号公報
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
ところで上述したエッジ検出装置は、投光部（光源）から受光部（ラインセンサ）に向けて投光する単色平行光が完全な平行光であるとの前提の下でエッジ検出処理を行うものである。そこで従来では、専ら前記投光部（光源）から前記ラインセンサ（受光部）の受光幅よりも十分に広い幅の平行光束を投光し、この平行光線束中の実質的に完全な平行光と看做し得る中心部の安定な領域の光だけを用いるようにしている。
【０００６】
ちなみに市販される製品としての投光器は、取り扱い上、その光学系を内部に収納する筐体を必須としている。これ故、筐体内部の光学系から発せられる光線束を筐体の外へ射出するべく、その筐体には開口（投光窓）が必ず設けられている。具体的には光学系からの光線束は、その周辺部分が筐体の内壁により遮蔽され、投光窓を通過する光線のみが筐体の外部へと射出される。或いは光学系の内部に設けた絞り（または絞りに相当するもの）により光線束の断面形状を上記投光窓よりも小さいものに予め絞り込んだ後、投光窓を通して筐体の外部へと射出するものとなっている。
【０００７】
いずれにせよ、光線束は投光窓か絞りを通過するときに絞られるので、投光窓か絞りの縁の部分でフレネル回折を生じてしまうことを免れない。即ち、投光器から投光される平行光線束は、その周辺部においてフレネル回折による非平行光線を含むことが否めない。この問題は、光学系の収差によって生じる非平行光線の問題とは関係がないので、光学系の精度を向上させても解決することはできない。これ故、従来においては、専ら上述したフレネル回折による非平行光線を受光器が受光しない程度まで投光光線束の幅を広げ、光線束の中央部分における平行光線と看做し得る部分だけを受光器が受光するようにその光学系を設定しているのが実情である。
【０００８】
具体的には上述した光学系として、例えばラインセンサ（受光部）の受光幅の２倍以上の光射出面を備えた投光器を用いている。これ故、投光器が大きくなることが否めない。しかも投光部（光源）から投光される光の一部しか利用しないことになるので光利用効率が悪い上、投光部（光源）の駆動に無駄なエネルギを要することになる。更にはラインセンサ（受光部）が受光し得る幅の光以外、つまりエッジ検出に利用しない周辺光成分の外部への漏れが問題となる。
【０００９】
本発明はこのような事情を考慮してなされたもので、その目的は、上述したフレネル回折によって生じた非平行光線を含む光線束を受光器が受光しても、その影響を補正して正確な検出結果を得ることが可能な位置検出方法および装置を提供することにある。
即ち、本発明は、例えばラインセンサ（受光部）の受光幅と略等しい光線束幅の単色平行光を投光部から投光する場合であっても、その単色平行光の分布パターンに拘わることなく前記ラインセンサ（受光部）における受光強度の分布パターンから前記単色平行光の光路に存在する遮蔽物のエッジの位置を高精度に検出することのできる位置検出方法および装置を提供することを目的としている。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上述した目的を達成するべく本発明に係る位置検出方法は、一方向に所定のピッチで配列された複数の受光セルを備えたラインセンサと、このラインセンサの上記複数の受光セルによる全受光幅と略等しい光線束幅の単色平行光を前記ラインセンサに向けて投光する投光部とを備え、前記ラインセンサの各受光セルによる受光量を解析して前記単色平行光の光路に存在する遮蔽物の前記受光セルの配列方向におけるエッジ位置を検出するに際し、
（ａ）    予め前記投光部から投光された単色平行光の全体を前記ラインセンサの各受光セルにより受光し、
（ｂ）    これらの各受光セルでの受光量により示される前記ラインセンサの受光面上での光強度分布に従って前記投光部からラインセンサに到達する前記単色平行光の回折パターンを求め、
（ｃ）    次いで上記単色平行光の回折パターンの逆数に従って前記ラインセンサの各受光セルの出力に対する正規化パラメータをそれぞれ求め、
（ｄ）    その後、これらの正規化パラメータに従って前記光路に遮蔽物が存在するときの前記ラインセンサの各受光セルによる受光量をそれぞれ正規化し、
（ｅ）    これらの正規化した各受光セルの受光量を前記エッジ位置の検出処理に供することを特徴としている。
【００１１】
即ち、本発明に係る位置検出方法は、ラインセンサの各受光セルによる受光量を解析して前記単色平行光の光路に存在する遮蔽物のエッジ位置を検出するに先立ち、予め投光部から投光された単色平行光の全体をラインセンサの各受光セルにより受光し、これらの各受光セルでの受光量により示される前記ラインセンサの受光面上での光強度分布に従って前記投光部からラインセンサに到達する前記単色平行光の回折パターンを求める。そしてこの回折パターンの逆数に従って前記ラインセンサの各受光セルの出力を、前記単色平行光の回折に拘わることなく一定条件に揃えるための正規化パラメータをそれぞれ求め、しかる後、これらの正規化パラメータに従って前記光路に遮蔽物が存在するときの前記ラインセンサの各受光セルによる受光量をそれぞれ正規化した後、エッジ位置の検出処理に供することを特徴としている。
【００１２】
このようにしてラインセンサの各受光セルによる受光量をそれぞれ正規化した後、この正規化した各受光セルの受光量をエッジ位置の検出処理に供する位置検出方法によれば、投光部からラインセンサに向けて投光される単色平行光自体の回折の影響を除去した上でエッジ検出処理を行うことが可能となるので、投光部が前記ラインセンサの全受光幅と略等しい光線束幅の単色平行光を投光する場合であっても精度の高いエッジ位置の検出を行うことが可能となる。しかも投光部としては、ラインセンサの全受光幅と略等しい光線束幅の単色平行光を投光するだけで良いので投光器を小さくすることができ、従来のように余分な光を投光する必要がない分、投光部（光源）の駆動に要するエネルギを低減することができる等の効果が奏せられる。
【００１３】
本発明の好ましい態様は、前記投光部から前記ラインセンサに到達する単色平行光の回折パターンを、例えば前記ラインセンサの中心を境界として２分される一方の受光セル群による受光量の総和と他方の受光セル群による受光量の総和との比から前記投光部とラインセンサとの間の中心のずれ量を求め、前記投光部とラインセンサとの距離および上記中心のずれ量からフレネル回折による光強度分布を示す近似式に従って前記単色平行光の回折パターンを計算して求めるようにすれば良い。
【００１４】
また本発明に係る位置検出装置は、
（１）    一方向に所定のピッチで配列された複数の受光セルを備えたラインセンサと、
（２）    このラインセンサな対峙して設けられ、該ラインセンサの上記複数の受光セルによる全受光幅と略等しい光線束幅の単色平行光を前記ラインセンサに向けて投光する投光部と、
（３）    予め前記投光部から投光された単色平行光の全体を前記ラインセンサにて受光した際の該ラインセンサの受光面上での光強度分布に従って前記投光部からラインセンサに到達する単色平行光の回折パターンを求めると共に、この回折パターンの逆数に従って前記ラインセンサの各受光セルの出力に対する正規化パラメータをそれぞれ求める正規化パラメータ算出手段と、
（４）    これらの正規化パラメータに従って前記光路に遮蔽物が存在するときにおける前記ラインセンサの各受光セルによる受光量をそれぞれ正規化する正規化手段と、
（５）    前記ラインセンサの正規化した各受光セルの受光量を解析して前記単色平行光の光路に存在する遮蔽物の前記受光セルの配列方向におけるエッジ位置を検出するエッジ検出部と
を具備したことを特徴としている。
【００１５】
このように構成された位置検出装置によれば、ラインセンサの全受光幅と略等しい光線束幅の単色平行光を投光する投光部を用いることができるので、その構成の簡素化を図ることができ、従来のように余分な光を投光する必要がない分、投光部（光源）の駆動に要するエネルギを低減することができる等の効果が奏せられる。また予め求めた正規化パラメータに従ってラインセンサの各受光セルによる受光量をそれぞれ正規化し、正規化した各受光セルの受光量を解析するだけで単色平行光の光路に存在する遮蔽物の前記受光セルの配列方向におけるエッジ位置を高精度に、しかも簡易に検出することができる等の効果が奏せられる。
【００１６】
本発明の好ましい態様は、前記エッジ検出部は、例えば
前記ラインセンサの正規化出力から受光強度が［０．２５］より大きい受光強度を得た受光セルと上記受光強度が［０．２５］より小さい受光強度を得た受光セルとをそれぞれ特定する受光セル特定手段と、
ハイパボリックセカンド関数ｓｅｃｈ（ｘ）の逆関数ｌｎ［（１＋（１−Ｙ２）１／２）／Ｙ］により近似した光強度分布に従って前記受光セル特定手段にて特定した各受光セルの受光面において当該受光セルの受光強度となる受光位置をそれぞれ求める受光位置算出手段と、
この受光位置算出手段でそれぞれ求められた受光位置から前記基準受光強度となる位置を前記遮蔽物のエッジ位置として検出する補間演算手段と
を備えて構成される。
【００１７】
このようなエッジ検出部によれば、複数の受光セルによるエッジ位置での受光量の変化を示す光強度分布を上記ハイパボリックセカンド関数の逆関数にて近似するので、実際のフレネル回折の光強度分布と略同等な特性を示すハイパボリックセカンド関数に従って、複数の受光セルの各受光強度からその受光強度が［０．２５］となる位置、つまりエッジ位置を簡易に、しかも高精度に検出することができる。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の一実施形態に係る位置検出方法および位置検出装置について説明する。
図１はこの実施形態に係る位置検出装置の概略構成図であり、基本的には図２に示すように一方向に所定のピッチｗで配列した複数の受光セル１ａを備えたラインセンサ（受光部）１と、このラインセンサ１の受光面に対峙して設けられて該ラインセンサ１の複数の受光セル１ａに向けて所定の光線束幅の単色平行光４を投光する投光部２とを備える。またマイクロコンピュータ等により実現される装置本体３は、前記ラインセンサ１の出力（各受光セル１ａの受光量）を解析することで前記単色平行光４の光路に位置付けられた、例えば帯状体からなる遮蔽物（検出対象物）７の前記受光セル１ａの配設方向におけるエッジ位置を高精度に検出する役割を担う。
【００１９】
尚、投光部２は、例えば図３にその概略構成を示すようにレーザダイオード（ＬＤ）からなる光源２ａが発した単色光（レーザ光）を反射するミラー（例えばアルミ蒸着により鏡面処理を施したプリズム）２ｂと、このミラー２ｂを介して導かれた単色光の光線束形状をスリット状に規定するアパーチャマスク（投光窓）２ｃと、このアパーチャマスク２ｃを介した光を平行光線束に変換して投射する投射レンズ（コリメータレンズ）２ｄとを備える。この投射レンズ２ｄと前記受光部１との間に検出対象物である遮蔽物２ｆが位置付けられ、アパーチャマスク２ｃのスリットの長手方向に変位する上記遮蔽物２ｆのエッジ位置が前記受光部１を介して検出される。
【００２０】
具体的にはアパーチャマスク２ｃは、その開口形状を矩形状のスリットとしたもので、前記光源２ａは上記スリットに向けて所定の拡がり角で単色光を射出するように設けられる。特に光源２ａとしてＬＤを用いた場合、このＬＤから楕円状の強度分布をもって射出するレーザ光は、アパーチャマスク２ｃに対して図中破線で示すように投射される。この際、上記レーザ光の長軸が、前記アパーチャマスク２ｃのスリットの長手方向となるように該ＬＤとアパーチャマスク２ｃとを光学的に配置することが、投光部２を小型化する上で好ましい。尚、ミラー（プリズム）２ｄは、ＬＤから発せられたレーザ光を略直角に反射させる光路を形成することで、ＬＤとアパーチャマスク２ｃ、ひいては投射レンズ２ｄとの光学的距離を維持しながら、投光部２の全体形状をコンパクト化する役割を担っている。尚、このような投光部２は、例えば前述したラインセンサ１と共に所定の隙間Ｌを形成したコの字状の筐体５に上記隙間を挟んで互いに対峙させて一体に組み込まれて、１つのセンシングユニットとして形成される。
【００２１】
このように構成された投光部２により、図４および図５にその光学系をそれぞれ模式的に示すように、上記アパーチャマスク２ｃおよび投射レンズ２ｄを通して平行光に変換されたスリット状の断面形状を有する平行光線束（単色平行光）４がラインセンサ（受光部）１に向けて投射される。この平行光線束の断面形状の大きさは、例えば長辺９ｍｍ×短辺３ｍｍであり、これに対して上記平衡光線束を受光するラインセンサ１の受光面の大きさは、例えば長辺８．７ｍｍ×短辺０．０８ｍｍである。即ち、それぞれの長辺の寸法は、ほぼ等しく設けられている。
【００２２】
ちなみに平行光線束の断面形状における短辺の寸法（３ｍｍ）をラインセンサ１の受光面の短辺寸法（０．０８ｍｍ）よりもかなり大きく設定しているのは、投光器と受光器との平行度の調整を容易化すると共に、投光器または受光器が傾いた場合においても、図５に示すようにアパーチャマスク２ｃのスリットの長辺側エッジ２ｈによるフレネル回折の影響を避ける為である。但し、このスリット状の平行光線束（単色平行光）４には、前述したアパーチャマスク２ｃを用いて光線束形状を整形した際、図４に示すようにアパーチャマスク２ｃのスリットの短辺側エッジ２ｅにおけるフレネル回折の影響により生じた非平行光線成分が含まれることが否めない。
【００２３】
ところで前記装置本体３は、前記ラインセンサ１の出力（各受光セル１ａの受光量）を取り込んで該ラインセンサ１の受光面上における光強度分布を求める入力バッファ３ａを備える。特に装置本体３は、その初期設定処理として予め前記投光部２から投光された所定の光線束幅の単色平行光の全てを前記ラインセンサ１にて受光し、このときの光強度分布に基づいて前記投光部２が投光する単色平行光の回折パターンを求めると共に、後述するようにこの回折パターンの逆数に従って前記各受光セル１ａの受光量に対する正規化パラメータを求める回折パターン検出手段３ｂを備える。この回折パターンは、上述したアパーチャマスク２ｃに形成されたスリットの短辺側エッジ２ｅにおけるフレネル回折の影響により生じた非平行光線成分に起因するものである。
【００２４】
更に装置本体３は、上記回折パターン検出手段３ｂにより求められた正規化パラメータに従って前記ラインセンサ１の出力を正規化する正規化手段３ｃと、この正規化手段３ｃにて正規化処理した前記ラインセンサ１の出力（正規化出力）に従って前記遮蔽物（検出対象物）７の端部（エッジ）の位置を検出するエッジ検出部３ｂとを備える。
【００２５】
このエッジ検出部３ｄは、基本的には前記単色平行光の一部が遮蔽物（検出対象物）７にて遮られたとき、その端部（エッジ）においてフレネル回折が生じること、そしてフレネル回折を生じて前記ラインセンサ１の受光面に到達する光の強度が、図６に示すようにエッジ位置近傍で急峻に立ち上がり、エッジ位置から離れるに従って振動しながら収束する分布特性を持つことに着目し、ラインセンサ１の受光面上での光強度分布に従って前記遮蔽物７の端部（エッジ）の位置を高精度に検出するように構成される。
【００２６】
ちなみに上記エッジ位置は、単色平行光の一部が遮蔽物７により遮られたときの前記ラインセンサ１の受光面上での光強度分布が、光強度［０］から立ち上がって［１．０］に収束するものとすると、前述した特許文献１にも示されるように、その最初の立ち上がり部分（１山目）において光強度が［０．２５］となる位置として求められる。
【００２７】
さて基本的には上述した如く構成される位置検出装置において、この発明が特徴とするところは、前記投光部２から射出される所定の光線束幅の単色平行光が、例えばその光線束幅を規定するマスクの影響を受けて光束縁部においてフレネル回折を生じており、図７に示すようにフレネル回折の影響が光束縁部のみならず光束の中心部にも現れていることに気付き、後述するように単色平行光の光強度の分布パターンの影響を除去して高精度なエッジ位置の検出を行うようにした点にある。同時に上記単色平行光を受光するラインセンサ１における複数の受光セル１ａの受光特性についても若干のバラツキがあり、上記単色平行光を受光した際のラインセンサ１の出力（各受光セル１ａの受光量）に、例えば図８に示すような変動が現れることに気付き、これらの受光特性のバラツキの影響を除去して高精度なエッジ位置の検出を行うようにした点にある。
【００２８】
ちなみに上述した分布パターンを有する単色平行光のラインセンサ１による受光強度に従ってエッジ検出を行おうとすると、図９（ａ）に示すようにエッジ位置近傍の受光強度が単色平行光自体の強度変動の影響を受けて大きく変動し、ラインセンサ１の出力が図９（ｂ）に示すように不規則な変動を伴うものとなる。換言すれば前述した図６に示したようにエッジ位置近傍で急峻に立ち上がり、エッジ位置から離れるに従って振動しながら収束すると言う分布特性から大きく外れてしまう。するとその光強度分布特性は、フレネル回折による光強度分布特性とは異なるものであるから、仮に前述した光強度が［０．２５］の点を求めたとしてもその検出位置は真のエッジ位置からかけ離れてしまうことになる。
【００２９】
そこで本発明においては前述した回折パターン検出手段３ｂにおいて、予め初期設定処理として前記投光部２から投光された単色平行光４の全体を前記ラインセンサ１の各受光セル１ａにより受光し、これらの各受光セル１ａでの受光量により示される前記ラインセンサ１の受光面上での光強度分布に従って前記投光部２からラインセンサ１に到達する前記単色平行光４の回折パターンを求め、この回折パターンの逆数に従って前記ラインセンサ１の各受光セル１ａの出力に対する正規化パラメータをそれぞれ求めている。そして正規化手段３ｃにおいては、上記回折パターン検出手段３ｂにて求められた正規化パラメータに従って前記ラインセンサ１の各受光セル１ａによる受光量をそれぞれ正規化し、この正規化処理した受光量を前記エッジ検出部３ｄによる前記エッジ位置の検出処理に供するものとなっている。
【００３０】
具体的には図１０にその処理手順の一例を示すように、先ず前記投光部２から投光された所定光線束幅の単色平行光４の全体を前記ラインセンサ１の各受光セル１ａにより受光し、図８に示すようなラインセンサ１の出力、即ち、所定のピッチｐで直線状に配列された２ｎ個の受光セル１ａの受光量Ａｉ（ｉ＝１，２，〜２ｎ）をそれぞれ求める《ステップＳ１》。そして回折パターン検出手段３ｂにおいては、ラインセンサ１の中心を境界として２分される一方の受光セル群（ｉ＝１，２，〜ｎ）による受光量（Ａ１，Ａ２，〜Ａｎ）の総和ΣＡと、他方の受光セル群（ｉ＝ｎ＋１，ｎ＋２，〜２ｎ）による受光量（Ａｎ＋１，Ａｎ＋２，〜Ａ２ｎ）の総和ΣＢとの比から前記投光部２とラインセンサ１との間の中心のずれ量Δｘを
Δｘ＝Ｗ・（ΣＡ−ΣＢ）／（ΣＡ＋ΣＢ）
として求めている《ステップＳ２》。但し、上記Ｗは、所定のピッチｐで直線状に配列された幅ｗの２ｎ個の受光セル１ａによって形成されるラインセンサ１の受光幅を示している。
【００３１】
しかる後、このようにして求められた投光部２とラインセンサ１との間の中心のずれ量Δｘ、および上記投光部２とラインセンサ１との対向間距離ｚ（＝Ｌ）に従い、フレネル回折による受光面ｘでの光強度分布Ａ（ｘ）を示す計算式（近似式）に基づいて前記単色平行光の縁部による回折パターンＡ（ｘ）を計算する《ステップＳ３》。
【００３２】
ちなみにフレネル回折による光強度分布Ａ（ｘ）は、単色平行光の波長をλ、検査対象物（投光部２）の縁部（エッジ）からラインセンサ１の受光面までの距離をｚ、そして受光面上でのエッジ位置を［ｘ＝０］としたとき、∫を［ｘ＝０］から［（２／λｚ）１／２・ｘ］までの積分を示す演算記号として
Ａ（ｘ）  ＝（１／２）［［１／２＋Ｓ（ｘ）］２＋［１／２＋Ｃ（ｘ）］２］
Ｓ（ｘ）  ＝∫ｓｉｎ（π／２）・Ｕ２ｄＵ
Ｃ（ｘ）  ＝∫ｃｏｓ（π／２）・Ｕ２ｄＵ
として表される。但し、Ｕは仮の変数である。
【００３３】
また上式中の関数Ｓ（ｘ），Ｃ（ｘ）については、専ら数学公式集に示されるようにフレネル関数を用いて、ｘが大きいところでは
Ｓ（ｘ）’≒（１／２）−（１／πｘ）ｃｏｓ（πｘ２／２）
Ｃ（ｘ）’≒（１／２）＋（１／πｘ）ｓｉｎ（πｘ２／２）
としてそれぞれ近似することができ、またｘが小さい１山目の部分においては
Ａ（ｘ）  ＝  １．３７ｓｅｃｈ（１．９８ｘ−２．３９）
として近似することができる。
【００３４】
そこでこの近似式に基づいて単色平行光の片側縁部による回折パターンＡ（ｘ）を計算する。そして該単色平行光の全幅Ｗに亘る全回折パターンＡ（ｘ）’は、その両側の縁部からの回折パターンが互いに重なり合ったものであるから、上記全回折パターンＡ（ｘ）’を
Ａ（ｘ）’＝Ａ（ｘ−Δｘ−Ｗ／２）・Ａ（Ｗ／２−ｘ−Δｘ）
として計算する《ステップＳ３》。
【００３５】
このようにして求められる単色平行光の回折パターンＡ（ｘ）’の影響を受けることなくエッジ位置の検出を行うには、前記ラインセンサ１の受光特性が上記回折パターンＡ（ｘ）’とは逆の特性を有し、見掛け上、ラインセンサ１の出力（各受光セル１ａの受光量）が前記単色平行光の全幅Ｗに亘って一様（一定）であれば良い。
【００３６】
そこで回折パターン検出手段３ｂにおいては、上述した如く求められた回折パターンＡ（ｘ）’の逆数を計算している《ステップＳ４》。そしてこの逆数のパターン１／Ａ（ｘ）’を前記ラインセンサ１の幅方向ｘに各受光セル１ａの幅ｗ（配列ピッチｐ）に亘ってそれぞれ積分することで、単色平行光の回折パターンの影響を打ち消す上で必要な各受光セル１ａでの受光量（積分値）を求め、この積分値を該光セル１ａの幅ｗで除算することにより、実際に各受光セル１ａのそれぞれが受光すべき受光量Ｆｉ（ｉ＝１，２，〜２ｎ）を求めている。
【００３７】
しかる後、これらの各受光セル１ａがそれぞれ受光すべき受光量Ｆｉ（ｉ＝１，２，〜２ｎ）と、実際に前記各受光セル１ａが単色平行光を受光した際の受光量Ａｉ（ｉ＝１，２，〜２ｎ）とから、前記単色平行光の回折パターンの影響を打ち消す上で必要な正規化パラメータＮｉ（ｉ＝１，２，〜２ｎ）を
Ｎｉ  ＝  Ｆｉ／Ａｉ
として算出している《ステップＳ５》。ちなみにこのようにして求められる正規化パラメータＮｉ（ｉ＝１，２，〜２ｎ）は、単色平行光の回折パターンのラインセンサ１による受光強度分布が前述した図８に示されるようなパターンとして示されるとき、図１１に示すような正規化パラメータ（正規化値）の分布となる。そして前述した正規化手段３ｃにおいては、上述した如く求めた正規化パラメータＮｉ（ｉ＝１，２，〜２ｎ）に従い、前記ラインセンサ１の出力（各受光セル１ａの受光量）を正規化処理し、これによって単色平行光自体が有する回折パターンを影響を打ち消した後《ステップＳ６》、前述したエッジ検出部３ｄによるエッジ位置の検出処理に供するものとなっている。
【００３８】
かくしてこのようにして正規化したラインセンサ１の出力（各受光セル１ａの受光量）を用いてエッジ位置の検出を行う位置検出装置によれば、上述した正規化処理によって単色平行光自体の回折パターンが補正されることになる。特に上述した正規化パラメータを用いれば、ラインセンサ１における各受光セル１ａの受光特性のバラツキを含めてその出力を補正することができる。この結果、単色平行光の光路中に侵入した遮蔽物７の縁部（エッジ）により生じる図１２（ａ）に示すような回折パターンの成分を、図１２（ｂ）に示すようなラインセンサ１の正規化出力として求めることが可能となる。換言すればラインセンサ１の正規化出力は遮蔽物７の縁部（エッジ）により生じた回折パターンそのものを示していることから、この正規化出力に従って光強度が［０．２５］となるエッジ位置を高精度に検出することが可能となる。
【００３９】
従って本発明に係る位置検出装置および位置検出方法によれば、投光部２から投光される単色平行光の光線束幅がラインセンサ１の受光幅とほぼ等しく、一般的には上記単色平行光の縁部におけるフレネル回折が無視することができないような場合であっても、前述した正規化処理によって上記単色平行光自体のフレネル回折の影響を排除することができる。これ故、単色平行光自体のフレネル回折の影響を受けることなく、高精度にエッジ位置の検出を行うことができる。
【００４０】
また逆に上述した位置検出装置によれば、単色平行光におけるフレネル回折の影響を排除することができるので、ラインセンサ１の受光幅とほぼ等しい光線束幅のスリット状の単色平行光を投光可能な投光部２を用いれば良いので、投光部２の小型化、ひいてはセンシングユニットの簡素化を図ることができる。更には投光部２から投光する単色平行光の光線束幅をラインセンサ１の受光幅とほぼ等しい光線束幅まで狭くすることができるので、その光源の駆動に無駄なエネルギの費やす必要がなくなり、単色平行光の全てをエッジ位置の検出に有効利用することができるので光利用効率（エネルギ利用効率）を十分高くすることができる。また投光部２から射出される単色平行光の外部への漏れもなくすことができる等の二次的な効果も奏せられる。
【００４１】
次にフレネル回折による光強度分布に着目した前記エッジ検出部３ｄにおけるエッジ位置の検出処理について説明する。この実施形態に係るエッジ検出部３ｄにおいては、前記ラインセンサ１の出力から遮蔽物７のエッジの位置を検出するに際して、フレネル回折による光強度分布を近似したハイパボリックセカンド関数ｓｅｃｈ（ｘ）を用いてエッジ位置を算出するものとなっている。即ち、エッジ検出部３ｄは、遮蔽物７のエッジにおいて生じたフレネル回折による前記ラインセンサ１の受光面上での光強度分布を、特にその最初の立ち上がり部分（１山目）における光強度変化をハイパボリックセカンド関数ｓｅｃｈ（ｘ）により近似し、このハイパボリックセカンド関数ｓｅｃｈ（ｘ）を用いて近似した光強度分布に従って前記ラインセンサ１の各受光セル１ａによる受光強度を解析して前記遮蔽物７のエッジ位置を求めるようにしている。
【００４２】
このフレネル回折による光強度分布のハイパボリックセカンド関数ｓｅｃｈ（ｘ）による近似について説明すると、前述したようにフレネル回折による光強度分布は
Ａ（ｘ）  ＝（１／２）［［１／２＋Ｓ（ｘ）］２＋［１／２＋Ｃ（ｘ）］２］
Ｓ（ｘ）  ＝∫ｓｉｎ（π／２）・Ｕ２ｄＵ
Ｃ（ｘ）  ＝∫ｃｏｓ（π／２）・Ｕ２ｄＵ
として表すことができ、上記関数Ｓ（ｘ），Ｃ（ｘ）についてはフレネル関数を用いて
Ｓ（ｘ）’≒（１／２）−（１／πｘ）ｃｏｓ（πｘ２／２）
Ｃ（ｘ）’≒（１／２）＋（１／πｘ）ｓｉｎ（πｘ２／２）
としてそれぞれ近似することができる。従って基本的には上記近似式Ｓ（ｘ）’，Ｃ（ｘ）’を用いることにより、前記ラインセンサの各受光セルによる受光強度から前述したエッジ位置を計算することができる。
【００４３】
しかしながら実際に計算してみると、図１３に示すように関数Ｓ（ｘ），Ｃ（ｘ）とその近似式Ｓ（ｘ）’，Ｃ（ｘ）’とは、その立ち上がり以降の収束部分（２山目以降）において非常に良好に近似するものの、最初の立ち上がり部分（１山目）において大きなずれがあることが否めない。特にこの最初の立ち上がり部分の特性はエッジ検出において重要な役割を担うものであり、その特性のずれはエッジ位置の検出精度の低下の要因となる。
【００４４】
そこで本発明者は、光強度分布の最初の立ち上がり部分（１山目）だけに着目し、その山の形状（光強度の変化傾向）から２乗の有理関数、ハイパボリックセカンド関数、および指数関数を用いてそれぞれ近似することを試みた。
具体的には２乗の有理関数として
ｙ＝ａ／［（ｘ＋ｂ）２＋ｃ］
ハイパボリックセカンド関数として
ｙ＝ａ・ｓｅｃｈ（ｂｘ＋ｃ）
そして指数関数として
ｙ＝ａ・ｅｘｐ［−ｂ（ｘ＋ｃ）２］
なる３つの関数を考え、これらの各関数に示される係数ａ，ｂ，ｃにそれぞれ適当な値を代入しながらその特性曲線を求めたところ、図１４に示すような計算結果が得られた。
【００４５】
ちなみに図１４において特性Ａは光強度分布の理論値を示しており、また特性Ｂは上記２乗の有理関数における係数ａ，ｂ，ｃをそれぞれ［０．０５７］，［−０．３８］，［０．０４１７］としたときの光強度ｙの変化、特性Ｃは前記ハイパボリックセカンド関数における係数ａ，ｂ，ｃをそれぞれ［１．３７］，［６．２９］，［−２．４０］としたときの光強度ｙの変化、そして特性Ｄは前記指数関数における係数ａ，ｂ，ｃをそれぞれ［１．３７］，［１６．３０］，［−０．３８］としたときの光強度ｙの変化をそれぞれ示している。但し、これらの計算は、単色光の波長λを６７０μｍ、遮蔽物７のエッジからラインセンサ１の受光面迄の距離ｚを３００ｍｍとして行った。
【００４６】
これらの計算結果に示されるように、ハイパボリックセカンド関数ｓｅｃｈ（ｘ）を用いれば、フレネル回折による光強度分布の、特に最初の立ち上がり部分（１山目）の特性を非常に高精度に近似し得ることが明らかとなった。
ちなみに前記ハイパボリックセカンド関数を前述したフレネル回折による光強度分布の式に当て嵌めて該光強度分の最初の立ち上がり部分（１山目）までを近似すると光強度は
光強度  ＝１．３７・ｓｅｃｈ｛１．９８（２／λｚ）１／２ｘ−２．３９｝
として示される。そしてこの近似式は、３桁程度の精度で光強度分布の理論式に一致することが確認できた。
【００４７】
そこでこの実施形態においては上記知見に立脚し、フレネル回折による光強度分布を、特にその最初の立ち上がり部分を上述したハイパボリックセカンド関数ｓｅｃｈ（ｘ）を用いて近似し、この光強度分布を近似したハイパボリックセカンド関数ｓｅｃｈ（ｘ）を用いて前述したラインセンサ１の出力から遮蔽物７のエッジ位置を高精度に検出するようにしている。
【００４８】
この際、その計算処理を簡略化し、エッジ位置の検出処理速度の高速化を図るべく次のような工夫をしている。この計算処理のアルゴリズムについて説明すると、ハイパボリックセカンド関数ｓｅｃｈ（ｘ）を用いて近似される光強度は、前述したように
光強度  ＝１．３７・ｓｅｃｈ｛１．９８（２／λｚ）１／２ｘ−２．３９｝
として示される。そしてその逆関数を計算すると、
Ｙ＝ｙ／１．３７，  Ｘ＝１．９８（２／λｚ）１／２ｘ
とおいて、
Ｘ＝２．３９−ｌｎ｛［１＋（１−Ｙ２）１／２］／Ｙ｝
として表すことができる。
【００４９】
そこでエッジ検出部３ｄにおいては、例えば図１５に示す手順に従い、先ずラインセンサ１における複数（２ｎ個）の受光セル１ａによる各受光強度ｙ１，ｙ２，〜ｙ２ｎを、前述した正規化パラメータＮｉに従って正規化し、Ｘ−Ｙ座標上での光強度Ｙ１，Ｙ２，〜Ｙ２ｎに変換している《ステップＳ１１》。そしてこれらの複数の受光セル１ａの内、例えば互いに隣接して前述した基準光強度［０．２５］よりも大きい受光強度を得た受光セルＣｎと、上記基準光強度［０．２５］よりも小さい受光強度を得た受光セルＣｎ−１とをそれぞれ求めている《ステップＳ１２》。つまり複数の受光セル１ａ（Ｃ１，Ｃ２，〜Ｃｍ）間のそれぞれにおいて受光強度が［０．２５］となる、互いに隣接する２つの受光セルＣｎ，Ｃｎ−１を求めている。
【００５０】
そしてこれらの各受光セルＣｎ，Ｃｎ−１の受光強度Ｙｎ，Ｙｎ−１が得られる該受光セルＣｎ，Ｃｎ−１の受光面上での位置Ｘｎ，Ｘｎ−１を、前述した近似式に従って
Ｘｎ＝２．３９−ｌｎ｛［１＋（１−Ｙｎ２）１／２］／Ｙｎ｝
Ｘｎ−１＝２．３９−ｌｎ｛［１＋（１−Ｙｎ−１２）１／２］／Ｙｎ−１｝
としてそれぞれ逆変換により計算し《ステップＳ１３》、これらの位置Ｘｎ，Ｘｎ−１から図１６にその概念を示すように受光強度が［０．２５］となる位置（エッジ位置）を補間演算により計算している《ステップＳ１４》。尚、上記逆変換において求められる位置Ｘは［１．９８（２／λｚ）１／２］倍された値であるが、補間演算で比をとることにより実質的にこの項は削除される。またこの補間演算については前述した近似式を用いて実行しても良いが、上述した２つの受光セルＣｎ，Ｃｎ−１間での光強度の変化が直線的であると見なし得る場合には、単純な直線補間であっても良い。
【００５１】
尚、ここでは隣接する受光セル１ａ間で光強度が［０．２５］となる位置を見出し、その位置をセル境界とする２つの受光セルＣｎ，Ｃｎ−１を特定したが、単に上記位置を挟む２つ以上の受光セルを特定しても良い。但し、この場合には必ず前述した近似式を用いて補間演算を行うことで、その演算精度の低下を防止するようにすれば良い。また上述した逆変換については、例えば予めその計算値を記憶したテーブルを用いることで、その演算処理負担を大幅に軽減して瞬時に実行することが可能である。
【００５２】
このようにして遮光物７のエッジ位置を検出するエッジ検出部３ｂによれば、フレネル回折による光強度分布を高精度に近似したハイパボリックセカンド関数ｓｅｃｈ（ｘ）を用いて、ラインセンサ１の複数の受光セル１ａによる受光強度ｙからその光強度が［０．２５］となる位置Ｘを算出するので、その検出精度を十分に高くすることができる。またその逆関数である自然対数関数（ｌｎ関数）は、通常の浮動小数点演算（ＦＰＵ）機能を備えたマイクロプロセッサではその命令の中に含まれているが、このようなＦＰＵ機能を備えていないマイクロプロセッサであっても、例えば
2004226372.tif 000003
として級数展開が可能であり、その収束も速いので計算が容易である。従ってエッジ位置の検出を簡単に、しかも高精度に行うことが可能となる等の効果が奏せられる。
【００５３】
またラインセンサ１の出力は、該ラインセンサ１における各受光セル１ａの配列ピッチｐとセル数によって変化する。ちなみに７μｍの配列ピッチｐで５０００セルを備えた分解能の高いイメージセンサを用いた場合には、例えば図１７（ａ）に示すように非常に緻密なセンサ出力が得られる。この点、８５μｍの配列ピッチｐで１０２セルを備えた汎用の安価なイメージセンサを用いた場合には、図１７（ｂ）に示すように粗いセンサ出力しか得ることができない。しかしセル数が少ない分だけセンサ出力の高速な読み出しが可能である。
【００５４】
しかしこのような分解能の低い安価なラインセンサ１を用いたとしても、前述したように本発明に係る位置検出方法および装置によれば、フレネル回折による光強度分布を高精度に近似したハイパボリックセカンド関数ｓｅｃｈ（ｘ）を用いるので受光セル１ａ間の受光強度の変化を高精度に補間することができる。従って分解能の低い安価なラインセンサ１を用いてセンサ出力の読み出し速度を十分に速くしながら、簡単な演算処理によってエッジ位置検出を高精度に行うことが可能となる等の実用上多大なる効果が奏せられる。従ってこのようなエッジ検出部３ｄによれば、前述した単色平行光の回折パターンに対する補正処理（正規化処理）と相俟って、遮蔽物７のエッジ位置を高精度に検出することが可能となる。
【００５５】
ところで検出対象物７が完全な遮光体でない場合、例えば半透明体からなる場合には単色平行光を完全に遮光することができない。この場合、ラインセンサ１の出力は検出対象物７を透過した光成分が重畳したものとなり、図１８に示すようにその受光強度がラインセンサ１の全受光領域に亘って［０．２５］を上回ることがある。すると前述したアルゴリズムに従ってエッジ位置を検出することができなくなる。
【００５６】
そこでこのような場合には、例えば先ず半透明体からなる検出対象物７にてラインセンサ１の受光領域の全てを覆い、そのときに検出される単色平行光の受光パターンと検出対象物７がないときの単色平行光の受光パターンとの差を求める。そしてこの差に基づいてラインセンサ１の出力に対するオフセットとゲインとを調整する。
【００５７】
具体的には検出対象物７がないときのラインセンサ７の各受光セル１ａの受光強度Ａｉ（ｉ＝１，２，〜２ｍ）と、ラインセンサ７の全受光領域を検出対象物７で覆ったときの該ラインセンサ１の受光強度Ｃｉ（ｉ＝１，２，〜２ｎ）とをそれぞれ求める。そして上記受光強度Ｃｉ（ｉ＝１，２，〜２ｍ）の最低値Ｃｍｉｎをラインセンサ７の出力に対するオフセットとしてセットし、その上で受光強度Ａｉ（ｉ＝１，２，〜２ｍ）と上記最低値Ｃｍｉｎとの差の平均値が該ラインセンサ７の最大出力の半値となるようにその出力ゲインを調整する。しかる後、再度、前記単色平行光の出力を得、この出力を［１］とする係数（正規化パラメータ）Ｎｉ（ｉ＝１，２，〜２ｎ）を前述したようにして求める。但し、上記オフセットとゲイン調整は、検出対象物７が半透明体であることに起因してラインセンサ１の出力における明暗の分解能が小さいとき、これを補うことを目的として行われるものであり、分解能が十分に高い場合には必要はない。
【００５８】
その後、実際のエッジ位置の検出においては、その受光パターンｙｉ（ｉ＝１，２，〜２ｎ）を求め、上記係数Ｎｉ（ｉ＝１，２，〜２ｍ）に従ってラインセンサ７の出力を正規化する。そして受光パターンの最初の立ち上がり部分からそのピーク値と、例えばその１つの手前の受光セル１ａの出力値とをそれぞれ求め、これらの各受光値を得た２つの受光セル１ａをそれぞれ特定する。次いで前述した近似式（逆フレネル関数）
Ｘｐ＝２．３９−ｌｎ｛［１＋（１−Ｙｐ２）１／２］／Ｙｐ｝
Ｘｐ−１＝２．３９−ｌｎ｛［１＋（１−Ｙｐ−１２）１／２］／Ｙｐ−１｝
に従って図１８に示すように受光強度Ｙｐ，Ｙｐ−１をＸ軸に逆写像する。そして逆写像した受光位置Ｘｐ，Ｘｐ−１から図１８に示すように受光強度が［０．２５］となるエッジ位置を算出するようにしても良い。
【００５９】
このようにすればラインセンサ１の受光セル１ａでの受光強度が［０．２５］を上回るような場合であっても、つまり検出対象物７が半透明体であるような場合でも、そのエッジ位置を高精度に検出することが可能となる。即ち、この例に示されるように、基準受光強度［０．２５］を挟む受光強度のセルを特定しなくても、例えばそのピーク値をとる受光セル１ａとその手前の受光強度の受光セル１ａとから検出対象物７のエッジ位置を算出することができる。従ってこのような処理を施せば、前述した単色平行光の回折パターンに対する補正処理（正規化処理）と相俟って遮蔽物７のエッジ位置を高精度に検出することが可能となる。
【００６０】
尚、本発明は上述した各実施形態に限定されるものではない。例えばイメージセンサ１が備える受光セル１ａの数やその配列ピッチｗについては、その検出仕様に応じたものを用いれば十分である。またエッジ検出部３については、汎用のマイクロプロセッサを用いて実現すれば良く、前述した演算式をＲＯＭ化して与えるようにしても良い。
【００６１】
また投光部２から射出される単色平行光の回折パターンを求めるに際して、上述したハイパボリックセカンド関数ｓｅｃｈ（ｘ）を用いることも勿論可能である。このようにすれば、フレネル回折による光強度分布を、より高精度に近似することが可能となるので、単色平行光の回折パターンを補正する上での正規化パラメータを高精度に求めることができる。その他、本発明はその要旨を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。
【００６２】
【発明の効果】
以上説明したように本発明によれば、投光部から投光される単色平行光の光線束幅がラインセンサの受光幅とほぼ等しく、一般的には上記単色平行光の縁部におけるフレネル回折が無視することができないような場合であっても、上記単色平行光の全体をラインセンサにて受光した際の光強度分布に従ってその出力に対する正規化パラメータを求め、この正規化パラメータに従ってラインセンサの出力を正規化処理するので、上記単色平行光自体のフレネル回折の影響を排除することができる。これ故、単色平行光自体のフレネル回折の影響を受けることなく、高精度にエッジ位置の検出を行うことができる。更には投光部から投光する単色平行光の光線束幅を狭くすることができるので、装置の小型化を図ることができる等の実用上多大なる効果が奏せられる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態に係る位置検出装置の基本的な構成を示す図。
【図２】ラインセンサにおける受光セルの配列を示す図。
【図３】投光部の概略構成を示す図。
【図４】投光部から射出される平行光線束の光学系を図３の矢視Ａ−Ａ方向からみて模式的に示す図。
【図５】投光部から射出される平行光線束の光学系を図３の矢視Ｂ−Ｂ方向からみて模式的に示す図。
【図６】遮光体のエッジによるフレネル回折が生じた光強度分布特性を受光位置において示す図。
【図７】投光部から投光される単色平行光の光強度分布特性を受光位置において示す図。
【図８】単色平行光を全幅に亘って受光した際のラインセンサの出力による受光強度分布を示す図。
【図９】フレネル回折を生じた単色平行光を用いてエッジ位置を検出する際の問題点を説明する為の図。
【図１０】本発明の一実施形態に係る単色平行光の回折パターンに対する補正処理の手順を示す図。
【図１１】単色平行光の回折パターンの逆数から求められた正規化パラメータに従ってラインセンサの出力を正規化処理したときの出力を示す図。
【図１２】正規化処理したラインセンサ出力の例を示す図。
【図１３】フレネル回折による光強度分布の理論値と、関数を用いた近似特性とを対比して示す図。
【図１４】フレネル回折による光強度分布のフレネル関数を用いた近似における問題点を説明する為の図。
【図１５】本発明の実施形態に係るエッジ検出処理の手順の一例を示す図。
【図１６】連接する２つの受光セルにおいて求められる受光強度と、これらの受光強度が得られた位置から求められるエッジ位置の関係を示す図。
【図１７】ラインセンサの分解能の違いによるセンサ出力の例を示す図。
【図１８】検出対象物が半透明体の場合におけるエッジ検出の作用を説明する為の図。
【符号の説明】
１  ラインセンサ（受光部）
１ａ  受光セル
２  投光部
３  装置本体
３ｂ  回折パターン検出手段
３ｃ  正規化手段
３ｄ  エッジ検出部
７  遮蔽物（検出対象物）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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