(57)【要約】【解決課題】ディップ法を用いてエッチングレジスト層を形成し、微細で高密度の導体回路をエッチング加工できる感光性レジスト液を提供し、該レジスト液を用い微細で高密度の導体回路を有するプリント配線基板の製造方法を提供する。【解決手段】１気圧下において沸点が４０℃以上１００℃未満の溶剤を少なくとも１種と沸点が１００℃以上３００℃以下の溶剤を少なくとも１種含有するディップ用感光性組成物であって、  固形分濃度が５〜７０重量％であり、１気圧下のおいて沸点が４０℃以上１００℃未満の溶剤を溶剤成分の５０〜９９重量％、沸点が１００℃以上３００℃以下の溶剤を溶剤成分の１〜５０重量％含有することを特徴とするディップ用感光性組成物。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
１気圧下において沸点が４０℃以上１００℃未満の溶剤を少なくとも１種と沸点が１００℃以上３００℃以下の溶剤を少なくとも１種含有するディップ用感光性組成物であって、  固形分濃度が５〜７０重量％であり、１気圧下のおいて沸点が４０℃以上１００℃未満の溶剤を溶剤成分の５０〜９９重量％、沸点が１００℃以上３００℃以下の溶剤を溶剤成分の１〜５０重量％含有することを特徴とするディップ用感光性組成物。
【請求項２】
絶縁基板の表面に金属導体層が形成された基板を請求項１に記載の感光性組成物中に浸漬した後、引き上げることにより基板の表面に感光性組成物を塗布し、この感光性組成物を所定のレジストパターンのエッチングレジスト層に形成した後、基板にエッチング処理を施すことにより金属導体層を上記エッチングレジスト層に基づいて所定の導体パターンに形成するプリント配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
ディップ用感光性組成物及びそれを用いたプリント配線基板の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
微細且つ高密度の導体パターンを有するプリント配線板を簡便且つ信頼性高く製造するために、解像性などの性能が本質的に優れている感光性レジスト液を絶縁基板の表面の金属導体層に直接塗布してエッチングレジスト層を形成し、このエッチングレジスト層を所定のレジストパターンに形成するディップ法が広く知られている。本方法は簡便であり、また形成されるエッチングレジスト層にピンホールが発生しないため、数μ〜２０μの比較的薄い膜厚を必要とする場合には有効な方法である。
【０００３】
エッチングレジスト膜上には後の工程で回路パターンをマスクし、露光、現像してエッチングレジストパターンを形成させる。エッチングレジストパターンのエッジは更に後工程のメッキあるいはエッチングを精度よく行うために垂直であることが求められる。エッチングレジストパターンのエッジを垂直にするにはエッチングレジスト膜の厚みを薄くすればよい。但し、薄すぎるとピットが生じるので、膜厚は１〜２０μｍが好ましい。より好ましくは１０μｍ程度である。
【０００４】
また、エッチングレジスト膜厚が上記範囲内であっても膜厚にバラツキがあると、マスクの密着性が悪くなり、得られるエッチングレジストパターンのエッジが鈍くなる。したがって、エッチングレジスト膜は全体に渡って中心値に対し、少なくとも±１μｍの膜厚であることが望まれる。
【０００５】
ディップ方式を採用すると比較的容易にミクロンオーダーのエッチングレジスト膜を塗布することができる。しかし、従来の感光性レジスト液では均一なエッチングレジスト層を形成することができなかったり、ディップ槽の液面で固形分濃度に差が生じ、膜厚の異なるエッチングレジスト層になり、有効な膜厚のエッチングレジスト層を形成することができない問題があった。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は上記の問題点を解決するものであり、ディップ法を用いてエッチングレジスト層を形成し、微細で高密度の導体回路をエッチング加工できる感光性レジスト液を提供することを目的とし、該レジスト液を用い微細で高密度の導体回路を有するプリント配線基板の製造方法を提供することを目的とするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは鋭意検討した結果、本発明を完成した。
すなわち、本発明は、
（１）    １気圧下において沸点が４０℃以上１００℃未満の溶剤を少なくとも１種と沸点が１００℃以上３００℃以下の溶剤を少なくとも１種含有するディップ用感光性組成物であって、  固形分濃度が５〜７０重量％であり、１気圧下のおいて沸点が４０℃以上１００℃未満の溶剤を溶剤成分の５０〜９９重量％、沸点が１００℃以上３００℃以下の溶剤を溶剤成分の１〜５０重量％含有することを特徴とするディップ用感光性組成物。
（２）    絶縁基板の表面に金属導体層が形成された基板を（１）又は（２）に記載の感光性組成物中に浸漬した後、引き上げることにより基板の表面に感光性組成物を塗布し、この感光性組成物を所定のレジストパターンのエッチングレジスト層に形成した後、基板にエッチング処理を施すことにより金属導体層を上記エッチングレジスト層に基づいて所定の導体パターンに形成するプリント配線基板の製造方法。
に関する。
【０００８】
固形分濃度が７０重量％以上あると感光性レジスト液の粘度が高くなり、均一なエッチングレジスト層を形成することができなくなる場合があり、５重量％に満たない場合は露光で硬化が不十分となり、現像時に溶解してしまう場合がある。７〜５０重量％とすることが好ましい。
【０００９】
感光性組成物に用いる溶剤として１気圧下で沸点が４０℃以上１００℃未満の主溶剤と１００℃以上３００℃未満の溶剤を所定の割合で併用することにより、ディップ槽の液面で固形分濃度に差が生じることを防ぎ、膜厚のバラツキのないエッチングレジスト層を形成することができ、光沢のあるエッチングレジスト層を形成することができる。溶剤の割合については使用する感光性レジスト液及び操作温度、湿度等により適切な値を選定することができる。
【００１０】
【発明の実施の形態】
本発明は、感光性組成物に浸漬することで基板導体層表面に、薄膜で均一な膜厚のレジスト層を形成でき、所謂従来の工程、特にドライフィルムなどで広く使われている工程を変えることなく、微細で高密度の導体回路をエッチング加工できることを特徴とする感光性組成物を提供するものである。さらに上記感光性レジスト液を用い微細で高密度の導体回路を有するプリント配線基板の製造方法を提供するものである。
【００１１】
すなわち、より詳しくは、基板の導体層に浸漬法により本発明の感光性組成物を塗布し、次に溶剤を乾燥した後の膜厚が３〜２０μｍ、望ましくは８〜１５μｍである薄膜の均一なエッチングレジスト層を形成した後、目的の回路を紫外線または可視光線にて露光し硬化を行い、０．５〜３．０重量％程度の炭酸ナトリウム水溶液などの弱アルカリ水溶液にて未露光部を溶解除去する。次に露出した導体層をエッチング処理にて除去した後、残された導体層の表面の硬化されたエッチングレジスト層を１．０〜５．０重量％程度の水酸化ナトリウム水溶液などの強アルカリ水溶液で剥離除去することで目的の導体回路が得られる。さらに薄膜の均一なエッチングレジスト層が形成されることで、ドライフィルムでは困難であった導体巾が１００μｍ以下の微細回路の形成が可能となるのである。この方法は導体層のエッチングにより回路形成を行う前記方法のみならず、形成されたエッチングレジスト層をメッキレジストとして使うことでアディティブ法やセミアディティブ法にて回路形成を行うことも可能である。
【００１２】
本発明の感光性組成物は感光性成分及び有機溶剤成分を含有して調製されるものであって、その他光重合開始剤や増感剤、さらには感光性を有さない高分子結合剤などを含有させてもよい。また上記感光性組成物には感光性を有する高分子結合剤や感光性オリゴマーあるいは感光性樹脂のように、露光前の状態においてもそれ自体で固形の被膜を形成することができるような樹脂成分もしくはオリゴマー成分が含有されている。これは感光組成物中の有機溶剤成分の揮発によって固形の乾燥被膜を形成することができるようにするためであり、このために有機溶剤成分の揮発後において感光性成分等の流動によって被膜の膜厚変動や膜切れ等が生じないようにすることができるものである。
【００１３】
本発明の感光性組成物に用いられる感光性成分は、露光により架橋や重合や二量化などの反応を起こし、感光性レジスト液から形成される乾燥被膜、つまりエッチングレジスト層を現像液に対して不溶なものにする性質を有するものである。この感光性成分としては例えばエチレン性不飽和単量体、並びに感光性基として光重合可能なエチレン性不飽和基（例えばビニルエステル基やアクリロイル基など）や光二量化性感光基（例えばカルコン残基やシンナモイル基、あるいはシンナミリデン基やスチリルピリジニウム残基など）を有する感光性オリゴマーまたは感光性樹脂等を挙げることができ、これらを単独あるいは複数種組み合わせて用いることができる。
【００１４】
上記感光性成分のエチレン性不飽和単量体としては、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、４−ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、Ｎ−ビニルピロリドン、（メタ）アクリロイルモルフォリン、メトキシテトラエチレングリコール（メタ）アクリレート、メトキシポリエチレングリコール（メタ）アクリレート、ポリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、Ｎ，Ｎ−ジメチル（メタ）アクリルアミド、Ｎ−メチロール（メタ）アクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノプロピル（メタ）アクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノエチル（メタ）アクリレート、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノプロピル（メタ）アクリレート、メラミン（メタ）アクリレート等の水溶性又は親水性単量体、及びジエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、トリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、トリプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、フェノキシエチル（メタ）アクリレート、テトラヒドロフルフリル（メタ）アクリレート、シクロヘキサ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパンジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、イソボニル（メタ）アクリレート、シクロペンタニル（モノ又はジ）（メタ）アクリレート、シクロペンテニル（モノ又はジ）（メタ）アクリレート及び多塩基酸とヒドロキシアルキル（メタ）アクリレートとのモノ−、ジ−、トリ−又はそれ以上のポリエステル等の（メタ）アクリレート単量体などを例示することができ、これらを単独あるいは複数種組み合わせて用いることができる。
【００１５】
また、アルカリ溶液現像型の感光性レジスト液に好適に用いられる感光性オリゴマー及び感光性樹脂としては、分子中に光重合可能なエチレン性不飽和基もしくは光二量化性感光基等の感光性基及びカルボキシル基もしくはスルホン基を有するものを挙げることができ、例えばビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂又はクレゾールノボラック型エポキシ樹脂等のエポキシ樹脂にエチレン性不飽和モノカルボン酸及び不飽和又は飽和多塩基酸無水物を付加してなる樹脂、及び無水マレイン酸共重合体にグリシジル（メタ）アクリレートもしくはヒドロキシエチル（メタ）アクリレート等を導入してなる樹脂、及び（メタ）アクリル酸エステル、スチレン等のカルボキシル基を有さないエチレン性不飽和単量体とカルボキシル基を有するエチレン性不飽和単量体とからなる共重合体に対してグリシジル（メタ）アクリレート等のエポキシ基を一個のみ含有するエチレン性不飽和単量体を付加してなる樹脂、及びエポキシ基を有するエチレン性不飽和単量体を単位として含む重合体に（メタ）アクリル酸等の不飽和モノカルボン酸を付加し、さらに多塩基酸無水物を反応させてなる樹脂など、あるいはこれらに対するオリゴマーを例示することができる。
【００１６】
本発明に使用される有機溶剤成分としては、例えばメタノール、エタノール、プロピルアルコール、イソプロピルアルコール、２−ブチルアルコール、ヘキサノール、エチレングリコール等の直鎖、分岐、二級あるいは多価のアルコール類、及びアセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、イソホロン等のケトン類、及びトルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類、及びセロソルブ、ブチルセロソルブ等のセロソルブ類、及びカルビトール、ブチルカルビトール等のカルビトール類、及びプロピレングリコールメチルエーテル類等のプロピレングリコールアルキルエーテル類、及びジプロピレングリコールメチルエーテル等のポリプロピレングリコールアルキルエーテル類、及び酢酸エチル、酢酸ブチル、セロソルブアセテート、ブチルセロソルブアセテート、ブチルカルビトールアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート等の酢酸エステル類、乳酸エチル、乳酸ブチル等の乳酸エステル類、プロオン酸エステル類、ピルビン酸エステル類、エトキシプロピオネート類及びジアルキルグリコールエーテル類等、及びｎ−ヘキサン、シクロヘキサン、テトラヒドロフラン等を挙げることができ、これらを複数種組み合わせて用いることができる。
【００１７】
本発明の有機溶剤成分は１気圧下において沸点が４０℃以上１００℃未満の有機溶剤を５０重量％〜９９重量％、更には６０〜８０重量％含有するのが好ましい。この条件を満足する有機溶剤としてはアセトン、メチルエチルケトン、酢酸エチル、メタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、イソプロピルアルコール、ｎ−ヘキサン、シクロヘキサン、テトラヒドロフラン等を例示することができる。また、１気圧下で沸点が１００℃以上３００℃以下の有機溶剤を１〜５０重量％、更には２０〜４０重量％含有するのが好ましい。この沸点を有する有機溶剤としては２−ブチルアルコール、ヘキサノール、エチレングリコール等のアルコール類及びジエチルケトン、シクロヘキサノン、イソホロン等のケトン類、及びカルビトール、ブチルカルビトール等のカルビトール類、及びプロピレングリコールメチルエーテル類等のプロピレングリコールアルキルエーテル類、及びジプロピレングリコールメチルエーテル等のポリプロピレングリコールアルキルエーテル類、及びトルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類、及びセロソルブ、ブチルセロソルブ等のセロソルブ類、酢酸ブチル、セロソルブアセテート、ブチルセロソルブアセテート、ブチルカルビトールアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート等の酢酸エステル類、乳酸エチル、乳酸ブチル等の乳酸エステル類、プロオン酸エステル類、ピルビン酸エステル類、エトキシプロピオネート類及びジアルキルグリコールエーテル類等を例示することができる。
【００１８】
１気圧下で沸点が１００℃未満の溶剤のみを使用しディップ方式によりエッチングレジスト層を形成するとディップ槽の液面で固形分濃度に差が生じ、膜厚の異なるレジスト層を形成し、有効な膜厚のレジスト層を形成することができない恐れがある。また、沸点が１００℃以上３００℃以下の溶剤を５０重量％以上含有すると速やかに溶剤が蒸発しないために、塗工面上部に塗工されたレジスト液が塗工面下部へ流れるために塗工面上部と塗工面下部でエッチングレジスト層の厚みが異なる恐れがある。
【００１９】
また、上記溶媒の使用によって、反応液が均一相となることが好ましい。溶媒の使用量は、使用する樹脂や光重合開始剤の種類や量、および所望する樹脂の分子量等により、一様ではないが、感光性組成物中３０重量％から９５重量％が好ましく、さらに好ましくは、５０重量％から９３重量％である。ディップ法によるエッチングレジスト層の形成において、この感光性レジスト液中の溶剤含有量は薄膜で均一な塗膜を確保するためには極めて重要であり、３０重量％を満たない場合は、膜厚が厚くなったり、しかも浸漬後の液の流動性が悪く塗膜の表面状態にムラが発生したりする場合がある。９５重量％を越えた場合は、液の流動性が大き過ぎるため、基板を感光性樹脂組成物に浸漬し、引き上げ直後、重力の影響を受け基板の表面に付着した感光性レジスト液が鉛直方向に流動し、基板の上部で膜厚が薄くなり、下部で厚くなる感光性レジスト膜の厚み差が発生する。このようにディップ法による塗布では、感光性レジスト液の最適な流動性と乾燥性を確保するために組成物中に含有する溶剤の含有量が重要となる。
【００２０】
本発明に使用される増感剤としては、安息香酸系又はｐ−ジメチルアミノ安息香酸エチルエステル、ｐ−ジメチルアミノ安息香酸イソアミルエステル、２−ジメチルアミノエチルベンゾエート等の第三級アミン系等の公知の増感剤（光重合促進剤）を単独あるいは複数種組み合わせて用いることができる。またレーザ用増感剤として７−ジエチルアミノ−４−メチルクマリン、４，６−ジエチル−７−エチルアミノクマリン等のクマリン誘導体、その他カルボシアニン色素系、キサンテン色素系等のものを用いることができる。
【００２１】
さらに、本発明に使用される高分子結合剤としては、スチレン−（メタ）アクリル酸共重合体樹脂、（メタ）アクリレート−（メタ）アクリル酸共重合体樹脂、スチレン−無水マレイン酸共重合体樹脂、ジアリルフタレート樹脂、スチレン樹脂、ポリビニルホルマール、ポリビニルブチラール、ノボラック樹脂、酢酸ビニル樹脂、ポリビニルピロリドン等を例示することができる。尚、上記感光性オリゴマー及び感光性樹脂を用いずにエチレン性不飽和単量体と高分子結合剤を組み合わせて用いることも有効である。この高分子結合剤は、感光性レジスト液の造膜性の向上や粘度調整などのために添加される。
【００２２】
また、本発明の感光性組成物にはさらに必要に応じてレベリング剤、消泡剤、チクソトロピック剤、発色剤、染料、顔料、無機フィラー、有機フィラーなどを添加することができる。
【００２３】
上記のような材料を含有して調製される感光性組成物中に表面に金属導体層を形成した基板を浸漬した後、基板を引き上げることによって、基板の金属導体層の表面に均一な感光性レジスト液を塗布して塗膜を形成することができる。
【００２４】
本発明の感光性レジスト液をディップ方式により塗布したエッチングレジスト層は、現像工程及びエッチング処理工程において、搬送時の接触及び現像液やエッチング液の噴射に対する強度を十分に保持するために、基板の平面部におけるレジスト層の厚みは３μｍ以上であることが好ましく、５μｍ以上で特に強靱でエッチング適性に優れたレジスト層となる。また特に高い解像性及びエッチング精度を達成するためには、レジスト層の厚みは基板の平面部において３０μｍ以下が好ましく、特に２０μｍ以下が好ましい。
【００２５】
一方、ディップ方式において、感光性レジスト液からの基板の引き上げ速度が速いほど基板の表面に形成される液膜の厚みが厚くなるが、現実的な引き上げ速度の範囲は２０〜２００ｃｍ／分である。基板の引き上げ速度が２０ｃｍ／分未満の場合は十分な生産性を得ることができず、また基板の引き上げ速度が２００ｃｍ／分を超えると、塗布直後の基板の表面での液膜の流動性が大きくなって、基板の上部の液膜と下部の液膜の膜厚差が大きくなり、均一なレジスト層を形成することができなくなる場合がある。
【００２６】
また、本発明の感光性レジスト液は粘度が十分に低いので、実質的にニュートン性を有しているのが好ましい。上記のようにディップ法にて基板に塗布された感光性レジスト液は乾燥された後、露光され、露光された部分のみが硬化する。本発明の感光性レジスト液は低沸点の有機溶剤を主溶剤として用いているために積極的な乾燥をおこなう必要はないが、迅速な乾燥をおこなうためには送風や加熱等の乾燥手段を採用してもよい。また上記露光の方法は特に限定されることなく従来から通常におこなわれている方法を採用することができ、例えばフォトツールを直接もしくは間接的に乾燥した被膜に当てがって露光する方法や、レーザ光等による直描画法などを用いることができる。
【００２７】
上記のように選択的に露光されたレジスト膜は、次に現像されて処理されて未硬化部分が除去され、この結果基板の表面に所定のレジストパターンのエッチングレジスト層が形成される。次に基板にエッチング処理が施されてエッチングレジスト層のパターンに基づいて基板の金属導体層をエッチングして所定の導体パターンの導体層を形成し、次に基板の表面からエッチングレジスト層を除去することによってプリント配線板を形成することができる。上記現像処理やエッチング処理などの方法は従来から通常におこなわれている方法を採用することができる。
【００２８】
【実施例】
以下、本発明を実施例によって詳述する。
（測定および評価方法）
１．固形分濃度
固形分濃度は試料約１．０〜１．５ｇをシャーレに精秤し、熱風乾燥機にて１５０℃、２時間加熱乾燥する。（尚、乾燥中に一旦取り出しシャーレ内に形成した樹脂の被膜を割る作業を行う）乾燥後、シリカゲル入りデシケーターに移し放冷後精秤する。次式により固形分濃度を算出した。
固形分濃度（％）＝乾燥後の試料の重量（ｇ）  ／  乾燥前の試料重量（ｇ）    ×１０
【００２９】
２．分子量測定
分子量の測定は試料濃度を０．１重量％になるようにテトラヒドロフランを用いて希釈し、調整した。測定条件は以下の条件にて行った。
ＧＰＣ：ＨＬＣ−８１２０ＧＰＣ（東ソー製）
カラム：ＧＭＨＸＬ相当×３本
内部標準法：エチルベンゼン使用
重量平均分子量（Ｍｗ）を測定し、これを分子量とした。
３．プリント配線基板の評価
エッチングレジスト層の厚みは１０±１μｍのものを作製し、１０±１μｍの範囲に入るものを○、入らないものを×とした。
塗工性の指標を塗工面にムラのないこと、塗工面に光沢があることとし、塗工面にムラがなく、光沢のあるものを○とし、ムラがあるか光沢がない場合、ムラがなく光沢もない場合を×とした。
【００３０】
（樹脂溶液Ａの合成）メタクリル酸メチル５５．０部、２−エチルヘキシルアクリレート１５．０部、ベンジルメタクリレート１０．０部、メタクリル酸２０部をアセトン１５０．０部に溶解し、２，２−アゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル１．０部を用いて窒素雰囲気中、攪拌、還流条件下で重合を行い、ポリスチレン換算重量平均分子量６００００、固形分濃度が４０．０重量％の樹脂溶液Ａを得た。
【００３１】
（樹脂溶液Ｂの合成）メタクリル酸メチル５５．０部、２−エチルヘキシルアクリレート１５．０部、ベンジルメタクリレート１０．０部、メタクリル酸２０部をメチルエチルケトン１５０．０部に溶解し、２，２−アゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル１．０部を用いて窒素雰囲気中、攪拌、還流条件下で重合を行い、ポリスチレン換算重量平均分子量６００００、固形分濃度が４０．０重量％の樹脂溶液Ｂを得た。
【００３２】
（樹脂溶液Ｃの合成）メタクリル酸メチル５５．０部、２−エチルヘキシルアクリレート１５．０部、ベンジルメタクリレート１０．０部、メタクリル酸２０部をメチルエチルケトン１５０．０部に溶解し、２，２−アゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル１．５部を用いて窒素雰囲気中、攪拌、還流条件下で重合を行い、ポリスチレン換算重量平均分子量４００００、固形分濃度が４０．０重量％の樹脂溶液Ｃを得た。
【００３３】
（樹脂溶液Ｄの合成）メタクリル酸メチル５５．０部、２−エチルヘキシルアクリレート１５．０部、ベンジルメタクリレート１０．０部、メタクリル酸２０部をメチルエチルケトン１５０．０部に溶解し、２，２−アゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル０．８部を用いて窒素雰囲気中、攪拌、還流条件下で重合を行い、ポリスチレン換算重量平均分子量８００００、固形分濃度が４０．０重量％の樹脂溶液Ｄを得た。
【００３４】
（樹脂溶液Ｅの合成）メタクリル酸メチル５５．０部、２−エチルヘキシルアクリレート１５．０部、ベンジルメタクリレート１０．０部、メタクリル酸２０部をメチルエチルケトン７５．０部に溶解し、２，２−アゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル１．０部を用いて窒素雰囲気中、攪拌、還流条件下で重合を行い、ポリスチレン換算重量平均分子量６００００、固形分濃度が５７．２重量％の樹脂溶液Ｅを得た。
【００３５】
（感光性レジスト原液Ｆの調製）樹脂溶液Ａ４０．０部、トリメチロールプロパントリアクリレート７．０部、２−メチル［４−（メチルチオ）フェニル］−２−モルフォリノ−プロパン−１−オン１．５部、ジエチルチオキサントン０．５部、ＵＶ−Ｂｌｕｅ２３６（三井化学社製）０．１部を混合して固形分濃度５１．１部の感光性レジスト原液Ｆを調製した。
【００３６】
（感光性レジスト原液Ｇの調製）樹脂溶液Ｂ４０．０部、トリメチロールプロパントリアクリレート７．０部、２−メチル［４−（メチルチオ）フェニル］−２−モルフォリノ−プロパン−１−オン１．５部、ジエチルチオキサントン０．５部、ＵＶ−Ｂｌｕｅ２３６（三井化学社製）０．１部を混合して固形分濃度５１．１部の感光性レジスト原液Ｇを調製した。
【００３７】
（感光性レジスト原液Ｈの調製）樹脂溶液Ｃ４０．０部、トリメチロールプロパントリアクリレート７．０部、２−メチル［４−（メチルチオ）フェニル］−２−モルフォリノ−プロパン−１−オン１．５部、ジエチルチオキサントン０．５部、ＵＶ−Ｂｌｕｅ２３６（三井化学社製）０．１部を混合して固形分濃度５１．１部の感光性レジスト原液Ｈを調製した。
【００３８】
（感光性レジスト原液Ｉの調製）樹脂溶液Ｄ４０．０部、トリメチロールプロパントリアクリレート７．０部、２−メチル［４−（メチルチオ）フェニル］−２−モルフォリノ−プロパン−１−オン１．５部、ジエチルチオキサントン０．５部、ＵＶ−Ｂｌｕｅ２３６（三井化学社製）０．１部を混合して固形分濃度５１．１部の感光性レジスト原液Ｉを調製した。
【００３９】
（感光性レジスト原液Ｊの調製）樹脂溶液Ｅ４０．０部、トリメチロールプロパントリアクリレート７．０部、２−メチル［４−（メチルチオ）フェニル］−２−モルフォリノ−プロパン−１−オン１．５部、ジエチルチオキサントン０．５部、ＵＶ−Ｂｌｕｅ２３６（三井化学社製）０．１部を混合して固形分濃度７４．２部の感光性レジスト原液Ｊを調製した。
【００４０】
（実施例１）
（感光性レジスト液Ｏの調製）感光性レジスト原液Ｇに１気圧下において１００℃以下の沸点をもつメチルエチルケトンを４７．１部と１００℃〜３００℃の沸点をもつセロソルブアセテートを３．８部混合、攪拌して感光性レジスト液Ｏを調整した。
【００４１】
（実施例２）
（感光性レジスト液Ｐの調製）感光性レジスト原液Ｇに１気圧下において１００℃以下の沸点をもつメチルエチルケトンを４７．１部と１００℃〜３００℃の沸点をもつプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを３．８部混合、攪拌して感光性レジスト液Ｐを調整した。
【００４２】
（実施例３）
（感光性レジスト液Ｑの調製）感光性レジスト原液Ｇに１気圧下において１００℃以下の沸点をもつメチルエチルケトンを４３．４部と１００℃〜３００℃の沸点をもつプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを７．５部混合、攪拌して感光性レジスト液Ｑを調整した。
【００４３】
（実施例４）
（感光性レジスト液Ｒの調製）感光性レジスト原液Ｇに１気圧下において１００℃以下の沸点をもつメチルエチルケトンを３６．０部と１００℃〜３００℃の沸点をもつプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを１５．０部混合、攪拌して感光性レジスト液Ｒを調整した。
【００４４】
（実施例５）
（感光性レジスト液Ｓの調製）感光性レジスト原液Ｇに１気圧下において１００℃以下の沸点をもつメチルエチルケトンを２８．４部と１００℃〜３００℃の沸点をもつプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを２２．５部混合、攪拌して感光性レジスト液Ｓを調整した。
【００４５】
（実施例６）
（感光性レジスト液Ｔの調製）感光性レジスト原液Ｇに１気圧下において１００℃以下の沸点をもつメチルエチルケトンを２０．９部と１００℃〜３００℃の沸点をもつプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを３０．０部混合、攪拌して感光性レジスト液Ｔを調整した。
【００４６】
（実施例７）
（感光性レジスト液Ｕの調製）感光性レジスト原液Ｇに１気圧下において１００℃以下の沸点をもつメチルエチルケトンを１３．５部と１００℃〜３００℃の沸点をもつプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを３７．４部混合、攪拌して感光性レジスト液Ｕを調整した。
【００４７】
（比較例１）
（感光性レジスト液Ｋの調製）感光性レジスト原液Ｆに１気圧下において１００℃以下の沸点をもつアセトンを５０．９部混合、攪拌して感光性レジスト液Ｋを調整した。
【００４８】
（比較例２）
（感光性レジスト液Ｌの調製）感光性レジスト原液Ｆに１気圧下において１００℃以下の沸点をもつメチルエチルケトンを５０．９部混合、攪拌して感光性レジスト液Ｌを調整した。
【００４９】
（比較例３）
（感光性レジスト液Ｍの調製）感光性レジスト原液Ｇに１気圧下において１００℃以下の沸点をもつアセトンを５０．９部混合、攪拌して感光性レジスト液Ｍを調整した。
【００５０】
（比較例４）
（感光性レジスト液Ｎの調製）感光性レジスト原液Ｇに１気圧下において１００℃以下の沸点をもつメチルエチルケトンを５０．９部混合、攪拌して感光性レジスト液Ｎを調整した。
【００５１】
（比較例５）
（感光性レジスト液Ｖの調製）感光性レジスト原液Ｇに１気圧下において１００℃以下の沸点をもつメチルエチルケトンを６．０部と１００℃〜３００℃の沸点をもつプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを４４．９部混合、攪拌して感光性レジスト液Ｖを調整した。
【００５２】
（比較例６）
（感光性レジスト液Ｗの調製）感光性レジスト原液Ｇに１気圧下において１００℃〜３００℃の沸点をもつプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを５０．９部混合、攪拌して感光性レジスト液Ｗを調整した。
【００５３】
（実施例８）
（感光性レジスト液Ｘの調製）感光性レジスト原液Ｈに１気圧下において１００℃以下の沸点をもつメチルエチルケトンを２８．４部と１００℃〜３００℃の沸点をもつプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを２２．５部混合、攪拌して感光性レジスト液Ｘを調整した。
【００５４】
（実施例９）
（感光性レジスト液Ｙの調製）感光性レジスト原液Ｉに１気圧下において１００℃以下の沸点をもつメチルエチルケトンを２８．４部と１００℃〜３００℃の沸点をもつプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを２２．５部混合、攪拌して感光性レジスト液Ｙを調整した。
【００５５】
（比較例７）
感光性レジスト原液Ｊをそのまま用いた。
（実施例１０）
（感光性レジスト液Ｚの調製）感光性レジスト原液Ｊに１気圧下において１００℃〜３００℃の沸点をもつプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを７．３７部混合、攪拌して感光性レジスト液Ｚを調整した。
【００５６】
（実施例１１）
（感光性レジスト液ＡＡの調製）感光性レジスト原液Ｊに１気圧下において１００℃以下の沸点をもつメチルエチルケトンを１７．３部と１００℃〜３００℃の沸点をもつプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを１４．７部混合、攪拌して感光性レジスト液ＡＡを調整した。
【００５７】
プリント配線基板の製造
ガラスエポキシ両面銅張積層板（板厚０．２ｍｍ、銅厚１８μｍ、基板サイズ３７０ｍｍ×２６０ｍｍ）のプリント基板を準備した。
次にステンレス製の容器に感光性レジスト液及び原液（Ｊ）を貯留して浸漬浴を作製した。そして上記のように準備した半導体パッケージ用の基板を液面に対して垂直に５０ｃｍ／分の速度で浸漬し、基板の上端１ｃｍが液面より上に出ている状態で浸漬を一旦停止した後、引き上げ速度５０ｃｍ／分で基板全体を液面より上に引き上げて感光性レジスト液を塗布し、熱風式乾燥機にて８０℃、１０分乾燥させた後、室温になるまで放冷した。
導体パターンを形成することができるパターンを描いたマスクフィルムを二枚用い、各マスクフィルムの配線パターンの方向が相互に直交するようにして基板の両面にマスクフィルムを当てがい、フォトレジスト露光用両面同時露光機「ＨＭＷ−５３２Ｄ」（（株）オーク製作所製）により積算光量１００ｍＪの紫外線で露光し、その後、３０℃の１．０重量％の炭酸ナトリウム水溶液をスプレー圧２ｋｇ／ｃｍ２  で噴射し、現像して所定のレジストパターンのエッチングレジスト層を形成した。
【００５８】
続いて、４０℃の塩化第二銅エッチング液により銅露出部分をエッチング除去し、水洗後、４０℃、３．０重量％の水酸化ナトリウム水溶液をスプレー圧２ｋｇ／ｃｍ２  で噴射し、エッチングレジスト層を除去して導体パターンの金属導体層を形成してプリント配線基板を作製した。
上記のようにして得られたプリント配線基板の試験結果を表１に示した。
【表１】
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【００５９】
実施例１〜９は１気圧下において沸点が４０℃〜１００℃の溶剤を５０〜９９重量％、１００℃〜３００℃の溶剤を１〜５０重量％含有し、固形分濃度を７０重量％以下にした時の実施例であり、塗工性、膜厚評価において良好な結果が得られている。
【００６０】
比較例１〜４は１気圧下において沸点が４０℃〜１００℃の溶剤のみを用いた例であり、塗工性において塗工面にムラが発生し、また塗工面に光沢のないエッチングレジスト層が形成される。
【００６１】
比較例５〜６は１気圧下において沸点が１００℃〜３００℃の溶剤を５０重量％以上含有させた時の例であり、塗工面上部と塗工面下部との膜厚のバラツキが生じ、均一な膜厚のエッチングレジスト層を形成することができない。
【００６２】
比較例７は固形分濃度が７０重量％以上にした時の例で、レジスト液の粘度が高いために均一な膜厚のエッチングレジスト層を形成することができない。
【００６３】
実施例１０及び１１は固形分濃度を７０重量％以下にした時の例で、１気圧下において沸点が１００℃〜３００℃の溶剤を含むことによりディップ槽の液面で固形分濃度に差が生じることがなく、均一な膜厚のエッチングレジスト層を形成することができる。