(57)【要約】【課題】ｐ型半導体層活性化方法の提供。【解決手段】プラズマによりｐ型半導体層中の不純物を活性化する。該プラズマの気体源はＶＩ族元素を含む気体を具えている。本発明のプラズマにより活性化されたｐ型半導体層は周知の技術により熱効果により活性化されたｐ型半導体層と相似の機能を発揮する。ゆえに本発明はｐ型半導体層に対して熱効果以外の活性化方法を提供する。このほか、本発明によると、プラズマを使用してｐ型半導体層を活性化する過程で、半導体構造中のその他の部分が上述のプラズマの影響を受けて副反応を発生しない。言い換えると、本発明の方法はｐ型半導体層活性化の過程で、半導体構造のその他の部分に不必要な影響を与えない。これにより本発明はプラズマを熱効果の代わりに採用した活性化方法を提供している。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ｐ型半導体層活性化方法において、該ｐ型半導体層が半導体構造中の一つの半導体層とされ、該ｐ型半導体層活性化方法が、
基板を提供する工程と、
半導体層を基板の上に形成する工程と、
プラズマで上記半導体層を活性化する工程と、
を具えたことを特徴とする、ｐ型半導体層活性化方法。
【請求項２】
請求項１に記載のｐ型半導体層活性化方法において、プラズマが第ＶＩ族元素を含む気体を気体源としたことを特徴とする、ｐ型半導体層活性化方法。
【請求項３】
請求項１に記載のｐ型半導体層活性化方法において、半導体層がＩＩＩ−Ｖ族化合物で組成されたことを特徴とする、ｐ型半導体層活性化方法。
【請求項４】
請求項１に記載のｐ型半導体層活性化方法において、半導体層がｐ型ドーパントを含むことを特徴とする、ｐ型半導体層活性化方法。
【請求項５】
請求項４に記載のｐ型半導体層活性化方法において、ｐ型ドーパントが二価元素とされたことを特徴とする、ｐ型半導体層活性化方法。
【請求項６】
請求項４に記載のｐ型半導体層活性化方法において、ｐ型ドーパントが、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｂａ、或いはこれらの混合物より選択されたことを特徴とする、ｐ型半導体層活性化方法。
【請求項７】
ｐ型半導体層活性化方法において、
基板を提供する工程と、
該基板の上にｐ型ドーパントを含む半導体層を形成する工程と、
プラズマを該半導体層に作用させる工程と、
を具えたことを特徴とする、ｐ型半導体層活性化方法。
【請求項８】
請求項７に記載のｐ型半導体層活性化方法において、プラズマが第ＶＩ族元素を含む気体を気体源としたことを特徴とする、ｐ型半導体層活性化方法。
【請求項９】
請求項７に記載のｐ型半導体層活性化方法において、プラズマの気体源が酸素ガスとされたことを特徴とする、ｐ型半導体層活性化方法。
【請求項１０】
請求項７に記載のｐ型半導体層活性化方法において、プラズマの気体源がＮＯとされたことを特徴とする、ｐ型半導体層活性化方法。
【請求項１１】
請求項７に記載のｐ型半導体層活性化方法において、プラズマの気体源がＮ２  Ｏとされたことを特徴とする、ｐ型半導体層活性化方法。
【請求項１２】
請求項７に記載のｐ型半導体層活性化方法において、半導体層がＩＩＩ−Ｖ族化合物で組成されたことを特徴とする、ｐ型半導体層活性化方法。
【請求項１３】
請求項７に記載のｐ型半導体層活性化方法において、ｐ型ドーパントが二価元素とされたことを特徴とする、ｐ型半導体層活性化方法。
【請求項１４】
請求項７に記載のｐ型半導体層活性化方法において、ｐ型ドーパントが、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｂａ、或いはこれらの混合物より選択されたことをとされたことを特徴とする、ｐ型半導体層活性化方法。
【請求項１５】
ｐ型半導体層活性化方法において、
基板を提供する工程と、
該基板の上にｐ型ドーパントを含む半導体層を形成する工程と、
酸素原子を含む気体を気体源とするプラズマを該半導体層に作用させる工程と、
を具えたことを特徴とする、ｐ型半導体層活性化方法。
【請求項１６】
請求項１５に記載のｐ型半導体層活性化方法において、気体源がＯ２  とされたことを特徴とする、ｐ型半導体層活性化方法。
【請求項１７】
請求項１５に記載のｐ型半導体層活性化方法において、プラズマの気体源がＮＯとされたことを特徴とする、ｐ型半導体層活性化方法。
【請求項１８】
請求項１５に記載のｐ型半導体層活性化方法において、プラズマの気体源がＮ２  Ｏとされたことを特徴とする、ｐ型半導体層活性化方法。
【請求項１９】
請求項１５に記載のｐ型半導体層活性化方法において、半導体層がＧａＮとされたことを特徴とする、ｐ型半導体層活性化方法。
【請求項２０】
請求項１５に記載のｐ型半導体層活性化方法において、ｐ型ドーパントが第ＩＩ族元素とされたことを特徴とする、ｐ型半導体層活性化方法。
【請求項２１】
請求項１５に記載のｐ型半導体層活性化方法において、ｐ型ドーパントがＭｇとされたことを特徴とする、ｐ型半導体層活性化方法。
【請求項２２】
請求項１５に記載のｐ型半導体層活性化方法において、ｐ型ドーパントがＺｎとされたことを特徴とする、ｐ型半導体層活性化方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は一種の半導体構造活性化の方法に係り、特に、半導体構造中のｐ型半導体層を活性化する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、発光ダイオードの使用はますます普及している。発光ダイオードにあって、いかにＧａＮのような化合物を含む電子装置、例えば青色光を発生できる発光ダイオードを形成するかは、相当に困難な技術の一つである。事実上、低抵抗のｐ型ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層は周知の技術では容易に形成できない。ＧａＮ系列のｐ型ＩＩＩ−Ｖ族化合物の発光ダイオードの半導体層を例に挙げると、ｎ型ドーパントを添加しなくとも、上述の半導体層は依然としてｎ型の特性を表現する。ゆえに、通常、ＧａＮ系列の化合物中にＭｇ、或いはＺｎのようなｐ型ドーパントを加える。しかし、ドーパント加入後、上述のＧａＮ系列化合物の半導体層は依然として高抵抗の問題を有しており、このため発光ダイオードが正常な機能を発揮できない。このときは活性化の工程により、発光ダイオードに十分に低い抵抗を現出させることにより予期された機能を発揮させる必要がある。
【０００３】
周知の技術中、通常は、炉管加熱或いは高速熱アニール工程（ｒａｐｉｄ  ｔｈｅｒｍａｌ  ａｎｎｅａｌ）の方式により半導体構造中のｐ型半導体層を活性化する。上述の方法は、半導体構造を炉管中に入れ、高温で該半導体構造を加熱して上述のｐ型半導体層を活性化する目的を達成する。上述の高温は通常摂氏数百度に達する。その欠点は、全体の発光ダイオード構造がこのような高温下に置かれるため、ｐ型半導体層活性化の目的を達成しても、半導体構造中の他の部分に高温による傷害が発生しうることである。
【０００４】
もう一種類の周知の方法は、電子ビームを使用して半導体構造中のｐ型半導体層を活性化する方法である。それは、半導体構造の表面に６００℃以上の高温を加え、並びに電子ビームを使用して最上層に位置するｐ型半導体層を活性化する方法である。しかし、この方法は、依然として熱効果を応用することで半導体構造中のｐ型半導体層を活性化している。このほか、電子ビームは大面積のチップを処理するのに用いにくく、ゆえに量産工程への応用は極めて少ない。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
このため熱効果のほかの方法により半導体構造中のｐ型半導体層を活性化して抵抗を減らし並びに半導体構造の性能を高めることが重要な課題となっている。
【０００６】
本発明の主要な目的は、一種のｐ型半導体層活性化方法を提供することにあり、それは、熱効果を経由せずにｐ型半導体層を活性化できる方法であるものとする。
【０００７】
本発明のもう一つの目的は、一種のｐ型半導体層活性化方法を提供することにあり、それは、プラズマを使用して半導体構造中のｐ型半導体層を活性化し、これによりｐ型半導体層の抵抗を下げる方法であるものとする。
【０００８】
本発明のさらにもう一つの目的は、一種のｐ型半導体層活性化方法を提供することにあり、それは、プラズマを使用して半導体構造中のｐ型半導体層中のｐ型ドーパントを活性化し、これによりｐ型半導体層にｐ型の特性を現出させられるようにする方法であるものとする。
【０００９】
本発明のまた一つの目的は、一種のｐ型半導体層活性化方法を提供することにあり、それは、熱効果を応用しないプラズマ活性化過程により、半導体構造に周知の技術中の熱効果により活性化された半導体構造と相似、更にはより良好な機能を発揮させられるようにする方法であるものとする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
請求項１の発明は、ｐ型半導体層活性化方法において、該ｐ型半導体層が半導体構造中の一つの半導体層とされ、該ｐ型半導体層活性化方法が、
基板を提供する工程と、
半導体層を基板の上に形成する工程と、
プラズマで上記半導体層を活性化する工程と、
を具えたことを特徴とする、ｐ型半導体層活性化方法としている。
請求項２の発明は、請求項１に記載のｐ型半導体層活性化方法において、プラズマが第ＶＩ族元素を含む気体を気体源としたことを特徴とする、ｐ型半導体層活性化方法としている。
請求項３の発明は、請求項１に記載のｐ型半導体層活性化方法において、半導体層がＩＩＩ−Ｖ族化合物で組成されたことを特徴とする、ｐ型半導体層活性化方法としている。
請求項４の発明は、請求項１に記載のｐ型半導体層活性化方法において、半導体層がｐ型ドーパントを含むことを特徴とする、ｐ型半導体層活性化方法としている。
請求項５の発明は、請求項４に記載のｐ型半導体層活性化方法において、ｐ型ドーパントが二価元素とされたことを特徴とする、ｐ型半導体層活性化方法としている。
請求項６の発明は、請求項４に記載のｐ型半導体層活性化方法において、ｐ型ドーパントが、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｂａ、或いはこれらの混合物より選択されたことを特徴とする、ｐ型半導体層活性化方法としている。
請求項７の発明は、ｐ型半導体層活性化方法において、
基板を提供する工程と、
該基板の上にｐ型ドーパントを含む半導体層を形成する工程と、
プラズマを該半導体層に作用させる工程と、
を具えたことを特徴とする、ｐ型半導体層活性化方法としている。
請求項８の発明は、請求項７に記載のｐ型半導体層活性化方法において、プラズマが第ＶＩ族元素を含む気体を気体源としたことを特徴とする、ｐ型半導体層活性化方法としている。
請求項９の発明は、請求項７に記載のｐ型半導体層活性化方法において、プラズマの気体源が酸素ガスとされたことを特徴とする、ｐ型半導体層活性化方法としている。
請求項１０の発明は、請求項７に記載のｐ型半導体層活性化方法において、プラズマの気体源がＮＯとされたことを特徴とする、ｐ型半導体層活性化方法としている。
請求項１１の発明は、請求項７に記載のｐ型半導体層活性化方法において、プラズマの気体源がＮ２  Ｏとされたことを特徴とする、ｐ型半導体層活性化方法としている。
請求項１２の発明は、請求項７に記載のｐ型半導体層活性化方法において、半導体層がＩＩＩ−Ｖ族化合物で組成されたことを特徴とする、ｐ型半導体層活性化方法としている。
請求項１３の発明は、請求項７に記載のｐ型半導体層活性化方法において、ｐ型ドーパントが二価元素とされたことを特徴とする、ｐ型半導体層活性化方法としている。
請求項１４の発明は、請求項７に記載のｐ型半導体層活性化方法において、ｐ型ドーパントが、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｂａ、或いはこれらの混合物より選択されたことをとされたことを特徴とする、ｐ型半導体層活性化方法としている。
請求項１５の発明は、ｐ型半導体層活性化方法において、
基板を提供する工程と、
該基板の上にｐ型ドーパントを含む半導体層を形成する工程と、
酸素原子を含む気体を気体源とするプラズマを該半導体層に作用させる工程と、
を具えたことを特徴とする、ｐ型半導体層活性化方法としている。
請求項１６の発明は、請求項１５に記載のｐ型半導体層活性化方法において、気体源がＯ２  とされたことを特徴とする、ｐ型半導体層活性化方法としている。
請求項１７の発明は、請求項１５に記載のｐ型半導体層活性化方法において、プラズマの気体源がＮＯとされたことを特徴とする、ｐ型半導体層活性化方法としている。
請求項１８の発明は、請求項１５に記載のｐ型半導体層活性化方法において、プラズマの気体源がＮ２  Ｏとされたことを特徴とする、ｐ型半導体層活性化方法としている。
請求項１９の発明は、請求項１５に記載のｐ型半導体層活性化方法において、半導体層がＧａＮとされたことを特徴とする、ｐ型半導体層活性化方法としている。
請求項２０の発明は、請求項１５に記載のｐ型半導体層活性化方法において、ｐ型ドーパントが第ＩＩ族元素とされたことを特徴とする、ｐ型半導体層活性化方法としている。
請求項２１の発明は、請求項１５に記載のｐ型半導体層活性化方法において、ｐ型ドーパントがＭｇとされたことを特徴とする、ｐ型半導体層活性化方法としている。
請求項２２の発明は、請求項１５に記載のｐ型半導体層活性化方法において、ｐ型ドーパントがＺｎとされたことを特徴とする、ｐ型半導体層活性化方法としている。
【００１１】
【発明の実施の形態】
本発明は一種の半導体構造のｐ型半導体層活性化方法を提供する。この活性化方法によると、基板を提供し、ｐ型ドーパントを含む半導体層を該基板の上に形成し、プラズマを上述の半導体層に作用させて該半導体構造のｐ型半導体層を活性化する目的を達成する。上述のプラズマはＯ２  、ＮＯ、Ｎ２  Ｏ或いはその他のＶＩ族元素を含む気体を気体源とする。本発明中、上述のプラズマを使用して上述の半導体層中のｐ型ドーパントを活性化する。本発明により活性化する半導体構造は熱効果により活性化された半導体構造と相似の機能を発揮する。
【００１２】
【実施例】
本発明の実施例について以下に詳細に説明するが、本発明はその他の実施例も可能であり、且つ以下の実施例の説明は本発明の範囲を限定するものではない。さらに、本発明中の各部分の異なる部分は実際の寸法により図示されているのではなく、それらの寸法とその他の関係寸法の比は誇張されており、これにより本発明の理解を助けるものとされている。
【００１３】
本発明の実施例の半導体構造のｐ型半導体層の活性化の方法によると、まず、基板を提供する。該基板の上にはｐ型半導体層が形成されている。該基板は、サファイヤ、ＳｉＣ、Ｓｉ、ＧａＡｓ或いはその他の類似の材質とされる。上述のｐ型半導体層はＧａＮのようなＩＩＩ−Ｖ族化合物、或いはその他の化合物とされる。続いて、プラズマにより上述のｐ型半導体層を活性化する。該プラズマに使用される気体源は、Ｏ２  、ＮＯ、Ｎ２  Ｏ或いはその他のＶＩ族元素を含む気体とされる。
【００１４】
通常、半導体構造のｐ型半導体層中には不純物が加えられ、これにより形成されるｐ型半導体層が要求される発光効果を達成する。上述の不純物は二価元素、例えばＺｎ、Ｃｄ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｂａ、或いはその他の不純物とされる。本発明の実施例では、ＩＩＩ−Ｖ族化合物、例えばＧａＮとされるｐ型半導体層中に、第ＩＩ族元素を含むｐ型ドーパントが加えられ、これにより上述のｐ型半導体層がｐ型の特性を現出する。その他の実施例では、ｐ型半導体層中に第Ｖ族元素或いはその他のｐ型ドーパントが加えられる。しかし、工程中、上述のドーパントは往々にして、水素、或いはその他の原子と結合を発生して半導体構造の機能に影響を与え得る。本実施例では、プラズマにより上述の結合を破壊し、これにより半導体構造中のｐ型半導体層を活性化する目的を達成する。
【００１５】
周知の技術中の活性化方法と比較すると、本実施例の活性化方法は比較的低い温度、則ち４００℃より低い温度で、半導体構造中のｐ型半導体層を活性化できる。また一方で、本実施例によると、プラズマのパワーを調整することにより、プラズマによる活性化過程が半導体構造中のその他の構造に影響を与えない。周知の技術によると、全体の構造が炉管（ｓｔｏｖｅ）中で少なくとも６００℃の高温を受け、これにより半導体構造中のｐ型半導体層が活性化されるため、活性化の過程で基板とｐ型半導体層の間の他の各層が影響を受けて不必要な変化を形成する場合が有る。
【００１６】
本発明のもう一つの実施例は半導体構造中のｐ型半導体層を活性化する方法である。この半導体構造は発光ダイオードとされうる。該発光ダイオードは青色光、紫色光、或いは紫外線を発生する発光ダイオードとされる。図１は本実施例の活性化方法のフローチャートである。まず、工程１００において、基板を提供する。該基板はサファイヤ、ＳｉＣ、Ｓｉ、ＧａＡｓ或いはその他の類似の材質とされる。続いて、工程１２０において、ｐ型半導体層を該基板の上に形成する。該ｐ型半導体層はＧａＮのようなＩＩＩ−Ｖ族化合物、或いはその他の化合物とされるか、或いはその他の化合物で組成される。上述のｐ型半導体層中にはｐ型ドーパントが含まれる。該ｐ型ドーパントは二価元素、例えば、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｂａ、或いはこれらの混合物、或いはその他の第ＩＩ族元素とされる。上述の発光ダイオードはさらに該基板と該ｐ型半導体層の間に他の構造を有しうる。
【００１７】
その後、工程１４０において、プラズマを使用して該ｐ型半導体層を活性化する。該プラズマは、Ｏ２  、ＮＯ、Ｎ２  Ｏ或いはその他のＶＩ族元素を含む気体を気体源とする。発光ダイオード構造のエピタキシー工程では、水素原子或いはその他の原子が発生し、上述のドーパントがそれと結合してアクセプタの機能を喪失し、上述のｐ型半導体層がｐ型の特性を現出できなくなる恐れがある。しかし上述のプラズマ活性化工程により活性化した発光ダイオードは周知の技術で炉管を使用して活性化した発光ダイオードと同様或いはさらに良好な機能を発揮できる。
【００１８】
周知の技術では、通常、基板及びその上方に形成された構造は直接炉管中に送り込まれ、６００℃以上の高温でそのｐ型半導体層を活性化する。或いは高温下で電子ビームを照射する方法によりｐ型半導体層を活性化する。しかし、本発明の実施例によると、プラズマにより上述のｐ型半導体層中のドーパントと水素の間の結合を破壊する。プラズマの作用期間内に熱が発生しうるが、その発生する温度は４００℃よりはるかに低い。ゆえに本実施例の活性化方法は熱効果により発光ダイオード中のｐ型半導体層を活性化するものではない。
【００１９】
本発明の別の実施例は半導体構造中のｐ型半導体層を活性化する方法である。この半導体構造は青色光、紫色光或いは紫外光を発生する発光ダイオードとされうる。図２は本実施例による発光ダイオードの表示図である。図２に示されるように、まず、基板２００を提供する。上述の基板は、サファイヤ或いはその他のＩＶ−ＩＶ族化合物で組成されている。続いて、半導体層２２０を基板２００の上に形成し、並びに酸化層２４０を上述の半導体層２２０の上に形成する。上述の半導体層２２０はＧａＮのようなＩＩＩ−Ｖ族化合物で組成されている。該半導体層２２０中に二価元素の化合物をｐ型ドーパントとして使用する。本実施例中、Ｍｇ、Ｚｎ或いはその他のＩＩ族元素を含む化合物をｐ型ドーパントとして使用できる。上述の半導体層２２０は金属有機化学気相生長法（ＭＯＣＶＤ）のような周知の工程で形成される。上述の基板２００と酸化層２４０の間には上述の半導体層２２０のほかの他の構造も形成されうる。
【００２０】
上述の半導体層２２０を形成する過程で、水素或いはその他の原子が発生しうる。このような原子は半導体層２２０中のｐ型ドーパントとＭｇ−Ｈのような結合を形成し、そのために上述のｐ型ドーパントがアクセプタの性質を発揮できなくなり、そのために発光ダイオードの機能に影響が生じ得る。例えばＧａＮのような化合物で組成された半導体層２２０であれば、通常ＮＨ３  ガスがＮの供給源として使用されうる。エピエタキシー工程で、ＮＨ３  は分解し並びに水素原子を発生する。水素原子は上述の半導体層２２０中でアクセプタのｐ型ドーパントと結合を形成し、上述のｐ型ドーパントにアクセプタとしての性質を発揮できなくさせる。
【００２１】
このため、本実施例では、プラズマを利用してドーパントと水素の間の結合を破壊し、上述のドーパントにアクセプタの性質を発揮させ、これにより上述の発光ダイオードのｐ型半導体層を活性化する目的を達成する。本実施例では、上述の発光ダイオード構造は反応室中に送られて、上述のプラズマ活性化工程が実行される。上述の反応室中で、基板２００を載置するプラットフォームの電圧（ｐｌａｔｅｎ  ｐｏｗｅｒ）は１０−４０Ｗとされ、プラズマのコイル電圧（ｃｏｉｌ  ｐｏｗｅｒ）は４００−９００Ｗとされる。使用される気体源は酸素ガス酸素ガス（Ｏ２  ）とされ、且つその流速は１０−８０ｓｃｃｍである。上述の反応室の圧旅行は２０−６０ｍＴｏｒｒである。本実施例では、プラズマに使用される気体源は、Ｏ２  のほか、ＮＯ、Ｎ２  Ｏ或いはその他のＶＩ族元素を含む気体とされる。
【００２２】
以下の表１はプラズマを使用し活性化した発光ダイオードと炉管を使用し活性化した発光ダイオードの間の比較表である。表１中、コード番号１−１、１−２及び１−３はそれぞれ同一バッチ工程中に生産された発光ダイオード装置を表示する。言い換えると、表１中、４バッチの発光ダイオードが列挙されている。各バッチの発光ダイオード中、一部の発光ダイオードは本発明の実施例のプラズマで発光ダイオードのｐ型半導体層を活性化し、別の一部の発光ダイオードは加熱方式により発光ダイオード中のｐ型半導体層を活性化している。
【表１】
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【００２３】
表１から分かるように、本実施例の発光ダイオードはプラズマを使用した活性化の方法により発光ダイオード中のｐ型半導体層が有効に活性化され、本実施例の発光ダイオードは周知の技術で炉管加熱により活性化された発光ダイオードと同じか或いはそれ以上の機能を達成している。
【００２４】
本発明の別の実施例では、別の反応条件によりｐ型半導体層を活性化する。その実施例では使用するプラズマのコイル電圧が５−３０Ｗとされる。使用される気体源は二酸化窒素（ＮＯ２  ）とされ、その流速は２００−８００ｓｃｃｍとされる。上述の反応室の圧力は１００−４００ｍＴｏｒｒとされる。
【００２５】
周知の技術の活性化方法と比較すると、本発明の方法は、プラズマを利用してドーパントと水素の間の結合を破壊し、熱効果によりｐ型半導体層を活性化するのではない。周知の技術では、通常、６００℃より高い高温でなければ熱効果によりドーパントと水素の間の結合を破壊してｐ型半導体層を活性化することができなかった。しかし本実施例では、プラズマ活性化の過程で半導体層２２０の表面に熱が発生するとはいえ、半導体層２２０の表面の温度は４００℃よりはるかに低い。
【００２６】
一方で、周知の技術の活性化過程では、全体の半導体構造を高温（数百℃）に置かねばならない。このとき、半導体構造中の他の部分に高温により不必要な変化が発生する恐れがあった。本実施例では、プラズマの作用範囲は僅かに半導体構造のｐ型半導体層にとどまり、ゆえに、上述の半導体構造中の他の部分が影響を受けることがない。
【００２７】
【発明の効果】
総合すると、本発明は一種の半導体構造のｐ型半導体層を活性化する方法を提供する。本発明の方法は、プラズマによりｐ型半導体層中のドーパントと水素の間の結合を破壊し、これにより半導体構造中のｐ型半導体層を活性化する。上述のプラズマは第ＶＩ族元素を含む気体をプラズマの気体源とする。本発明の方法により活性化した半導体構造は周知の技術で熱効果により活性化した半導体構造と相似の機能を発揮できる。ゆえに、本発明は半導体構造のｐ型半導体層に対して熱効果以外の活性化を提供する。また一方で、本発明により、プラズマを使用して半導体構造を活性化する過程で、半導体構造中のその他の構造はプラズマの影響を受けて副反応を発生しない。言い換えると、本発明の方法はｐ型半導体層活性化の過程で半導体構造のその他の構造に不必要な影響を与えない。これにより、本発明は熱効果に代わりプラズマを使用した活性化方法を提供している。
【００２８】
以上の実施例は本発明の実施範囲を限定するものではなく、本発明に基づきなしうる細部の修飾或いは改変は、いずれも本発明の請求範囲に属するものとする。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のｐ型半導体層活性化方法のフローチャートである。
【図２】本発明の方法により形成された発光ダイオード装置の表示図である。
【符号の説明】
１００  基板を提供する
１２０  半導体層を基板の上に形成する
１４０  プラズマで上記半導体層を活性化する
２００  基板
２２０  半導体層
２４０  酸化層
【図１】
2004281885.tif 000004
【図２】
2004281885.tif 000005