(57)【要約】【課題】大電流を供給する試料などの欠陥の検査を行うことができるビーム照射加熱抵抗変化測定装置を提供する。【解決手段】ＯＢＩＲＣＨ装置Ｍは、テスターボード４の上に載置された試料Ｔにレーザビームを走査しながら照射するとともに電流を流し、電流の変化により試料Ｔの抵抗値変化を検出して、欠陥の検出を行う。この電流の変化を検出するために、第２電源ライン７に磁場検出装置８が設けられている。磁場検出装置８によって検出される磁場の変化に基づいて、抵抗値変化を検出し試料Ｔの抵抗値変化による欠陥を検出する。【選択図】  図１
2004264030.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電流を通電した試料にレーザビームを走査しながら照射し、前記照射に伴う前記試料の抵抗値変化に基づいて、前記試料の欠陥箇所を検査するビーム照射加熱抵抗変化測定装置において、
前記試料に電流を供給する電源ラインに磁場検出装置を設け、
前記磁場検出装置によって検出された前記電源ラインにおける磁場変化に基づいて、前記試料に通電される電流の変化量を測定することを特徴とするビーム照射加熱抵抗変化測定装置。
【請求項２】
前記磁場検出装置が、ＳＱＵＩＤ磁束計である請求項１に記載のビーム照射加熱抵抗変化測定装置。
【請求項３】
前記磁場検出装置が、ホール素子磁気センサである請求項１に記載のビーム照射加熱抵抗変化測定装置。
【請求項４】
前記磁場検出装置が、フラックスゲートセンサである請求項１に記載のビーム照射加熱抵抗変化測定装置。
【請求項５】
前記磁場検出装置が、ピックアップコイル型磁気センサである請求項１に記載のビーム照射加熱抵抗変化測定装置。
【請求項６】
前記磁場検出装置が、ＭＯ素子センサである請求項１に記載のビーム照射加熱抵抗変化測定装置。
【請求項７】
前記磁場検出装置を前記電源ラインに取り付ける取付手段が設けられている請求項１〜請求項６のうちのいずれか１項に記載のビーム照射加熱抵抗変化測定装置。
【請求項８】
前記磁場検出装置で検出された磁場変化の検出量を増幅する増幅器が設けられている請求項１〜請求項７のうちのいずれか１項に記載のビーム照射加熱抵抗変化測定装置。
【請求項９】
前記電流の変化量を測定する際に生じるノイズを除去するノイズ除去手段が設けられている請求項１〜請求項８のうちのいずれか１項に記載のビーム照射加熱抵抗変化測定装置。
【請求項１０】
前記増幅器および前記ノイズ除去手段が、ロックインアンプである請求項９に記載のビーム照射加熱抵抗変化測定装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体集積回路等の試料の検査装置として用いられ、試料にレーザビームを照射して、これに伴う試料の抵抗変化を測定するビーム照射加熱抵抗変化測定装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体集積回路などの試料の内部欠陥を検査する装置として、レーザビームを試料に照射して試料のビーム熱に伴う発熱による抵抗値変化を測定するビーム照射加熱抵抗変化（Ｏｐｔｉｃａｌ  Ｂｅａｍ  Ｉｎｄｕｃｅｄ  Ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ  ＣＨａｎｇｅ：ＯＢＩＲＣＨ）測定装置がある（たとえば、特許文献１参照）。このＯＢＩＲＣＨ測定装置の概要を図９に示す。図９に示すように、従来のＯＢＩＲＣＨ測定装置６０においては、レーザ発生部６１から出射されるレーザビームの光路上にこのレーザビームを入射方向に直交する二次元方向にラスタスキャンさせるレーザ走査部６２と、走査されたレーザビームＬを微小スポット径に集束させる顕微鏡６３が配置されている。顕微鏡６３の焦点位置には、半導体集積回路などの試料Ｔが試料台６４上に配置されている。この試料Ｔには、電圧供給源６５により所定の電圧が印加されている。試料Ｔは、演算増幅器や帰還抵抗などを備える変動電流検出／増幅部に接続されている。変動電流検出／増幅部６６は、システム制御部６７に接続され、システム制御部６７はさらにモニタ６８に接続されている。システム制御部６７はまた、レーザ走査部６２に接続されている。さらに、システム制御部６７は、試料台６４の温度を所定の温度に維持する温度制御部６９に接続されている。
【０００３】
レーザ発生部６１から出射されたレーザビームＬは、レーザ走査部６２で光路上に直行する二次元方向にラスタスキャンされたうえ顕微鏡６３で集光されて試料Ｔの表面の微細部分に照射される。この走査はシステム制御部６７によって制御される、試料Ｔには、電圧供給源６５によりあらかじめ電圧が印加されており、回路内には所定の電流が流れている。試料Ｔのレーザビームを照射されている箇所では、レーザビームを吸収してその温度が上昇し、抵抗率が変化するため、試料Ｔを流れる電流値も変化する。ボイドなどの欠陥がある箇所では熱伝導が悪いので、こうした箇所にレーザを照射した場合は、周囲へ熱が逃げにくいために温度上昇が大きくなり、それに伴う抵抗変化率も大きく、結果として電流値も大きくなる。
【０００４】
この電流値を変動電流検出／増幅部６６により電圧値に変換してシステム制御部６７に転送する。システム制御部６７は、この電圧値の差を輝度情報に変換してレーザビーム照射位置に対応して並べた画像情報を生成してモニタ６８に表示する。これにより、試料Ｔの欠陥箇所を画像上で確認するというものである。
【０００５】
【特許文献１】
特開２００１−４７１９号公報
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、近年、この種のＯＢＩＲＣＨ測定装置においては、数百ｍＡ〜数Ａといった大電流の試料や数十Ｖ〜数ｋＶといった高電圧の試料に対する測定を行うことの要請がある。また、別個のテスタを接続した状態での測定を行うことの要請もある。しかし、上記特許文献１に開示されたＯＢＩＲＣＨ測定装置６０においては、試料に流れる電流を直接検出して、その電流値に基づいて試料Ｔの欠陥を検査している。このため、上記従来のＯＢＩＲＣＨ測定装置では、大電流や高電圧の試料の測定を行うと変動電流検出／増幅部６６に大電流または高電圧を与えることになり、変動電流検出／増幅部６６の破損を生じるおそれがある。したがって、大電流または高電圧の試料を測定する際には対応できない可能性があるものであった。また、別個にテスタを設けるためには、テスタに対応する変動電流検出／増幅部となる検出器を設けなければならないので、テスタを用いるのは難しく、事実上不可能に近かった。
【０００７】
他方、上記特許文献１に開示されたＯＢＩＲＣＨ測定装置では、電流を直接検出していることから、試料台を通して電流を通すと、試料台が微小な電流変化または電圧変化を吸収してしまい、微小な電流等の測定ができないということが懸念されるものであった。
【０００８】
そこで、本発明の課題は、試料に流れる電流を直接検出することなく試料の欠陥を検査することにより、大電流を供給する試料などの欠陥の検査を行うことができるビーム照射加熱抵抗変化測定装置を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決した本発明に係るビーム照射加熱抵抗変化測定装置は、電流を通電した試料にレーザビームを走査しながら照射し、照射に伴う試料の抵抗値変化に基づいて、試料の欠陥箇所を検査するビーム照射加熱抵抗変化測定装置において、試料に電流を供給する電源ラインに磁場検出装置を設け、磁場検出装置によって検出された電源ラインにおける磁場変化に基づいて、試料に通電される電流の変化量を測定するものである。
【００１０】
このように、本発明に係るビーム照射加熱抵抗変化測定装置では、試料に流す電流の電流値や試料に印加される電圧を直接検出するのではなく、磁場検出装置によって電流によって発生する磁場を検出し、磁場に変化が生じた場合には、欠陥があると判断する。このように、電流や電圧を直接検出するのではなく、電流によって発生した磁場を磁場検出装置で検出することから、電源ラインに流す電流とその欠陥検査を行う磁場検出装置を別個のものとすることができる。したがって、大電流の試料等を測定する場合でも、その大電流に対応する磁場検出器を用いることにより、試料の検査を容易に行うことができる。
【００１１】
ここで、磁場検出装置としては、ＳＱＵＩＤ磁束計ホール素子磁気センサ、フラックスゲートセンサ、ピックアップ型磁気センサ、ＭＯ素子センサなどを用いることができる。磁場検出装置として、これらの磁場検出センサを用いることにより、電流の変化を好適に検出することができる。
【００１２】
また、磁場検出装置を電源ラインに取り付ける取付手段が設けられているのが好ましい。このような取付手段が設けられていることにより、電源ラインに対して磁場検出装置を簡便に着脱することができる。
【００１３】
さらに、磁場検出装置で検出された磁場変化の検出量を増幅する増幅器が設けられているのが好適である。このような増幅器を設けることにより、比較的小電流の試料の検査を行う場合には、増幅器を利用し、大電流の試料の検査を行う場合には増幅器を利用しないようにして、大電流の試料も確実に検査することができるようになる。
【００１４】
また、電流の変化量を測定する際に生じるノイズを除去するノイズ除去手段が設けられているのが好適である。電流の変化量を測定するにあたり、試料には大電流を流す電源が用いられる。この電源は、検出部からは独立しているので電源が持つノイズが検出に与える影響が大きくなることが考えられる。そこで、このノイズを除去するノイズ除去手段を用いることにより、電源等によるノイズを除去することができる。その結果Ｓ／Ｎ比を向上させることができ、もって高感度な検出を行うことができる。
【００１５】
さらに、増幅器およびノイズ除去手段が、ロックインアンプであるのが好適である。ロックインアンプは、増幅器およびノイズ除去手段の両方として機能するものであるので、装置の大型化を招くことなく、信号増幅に加えてノイズ除去を行うことができる。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。図１は本発明の第１の実施形態に係るＯＢＩＲＣＨ測定装置のブロック図である。
【００１７】
図１に示すように、本実施形態に係るビーム照射加熱抵抗変化測定装置であるＯＢＩＲＣＨ測定装置Ｍでは、光源であるレーザ発生部１から出射されるレーザビームの光路上に、このレーザビームを光路に直行する二次元方向にラスタスキャンさせるレーザ走査部２と、走査されたレーザビームＬを微小スポット径に集光させる顕微鏡３が配置されている。
【００１８】
顕微鏡３の焦点位置には、テスターボード（試料台）４の上に載置された半導体集積回路などの試料Ｔが配置されている。試料Ｔの一端には第１電源ライン５およびテスターボード４を介して電圧供給源６が接続されており、電圧供給源６によって試料Ｔに所定の電圧が印加されている。さらに、試料Ｔの他方端は、テスターボード４および第２電源ライン７を介して電圧供給源６に接続されている。第２電源ライン７またはその近傍には、磁場検出装置８が設けられている。磁場検出装置８は、第２電源ライン７を流れる電流による磁場や電流に変化に伴う磁場変化が生じた場合の磁場変化を検出しており、磁場や磁場変化を知らせる磁場信号を生成している。この磁場検出装置８としては、種々のものを用いることができるが、それらの例については後に説明する。
【００１９】
磁場検出装置８には、変動電流検出／増幅部９が接続されており、変動電流検出／増幅部９には、磁場検出装置８から磁場信号が出力される。変動電流検出／増幅部９では、磁場検出装置８から出力された磁場信号に基づいて、第２電源ライン７に流れる電流および電流の変化を検出し、この電流および電流変化を知らせる電気信号を生成する。変動電流検出／増幅部９は、システム制御部１０に接続されており、検出した電流や電流変化を知らせる電気信号をシステム制御部１０に出力する。
【００２０】
システム制御部１０は、モニタ１１に接続されており、変動電流検出／増幅部９から出力された電気信号に基づいて、モニタ１１に表示するための輝度情報を生成する。さらにシステム制御部１０は、レーザ走査部２に接続されており、試料Ｔに対するレーザビームＬの照射位置を制御している。そして、変動電流検出／増幅部９から出力された電気信号に基づいて生成した輝度情報およびレーザ走査部２の走査位置より検出されるレーザビームＬの照射位置から、所定の画像処理を施して、モニタ１１に表示する画像信号を生成し、モニタ１１に出力する。モニタ１１では、システム制御部１０から出力される画像信号に基づく画像を表示する。
【００２１】
さらに、テスターボード４には、温度制御部１２が接続されている。この温度制御部１２は、システム制御部１０に接続されている。システム制御部１０では、試料Ｔに応じた所望の温度にテスターボード４の温度を調整するように、温度制御部１２を制御している。
【００２２】
以上の構成を有する本実施形態に係るビーム照射加熱抵抗変化測定装置の動作、作用について説明する。本実施形態に係るＯＢＩＲＣＨ測定装置Ｍにおいて、試料Ｔの検査を行う際、試料Ｔをテスターボード４上に載置する。この試料Ｔに対して、顕微鏡３でスポット径に集束させられたレーザビームＬを照射し、レーザ走査部２で集束したレーザビームＬで試料Ｔ上をラスタスキャンする。このとき、テスターボード４は温度制御部１２によって所定の温度に制御される。レーザビームＬによるラスタスキャンが行われる間、試料Ｔには電圧供給源６から所定の電圧を印加する。電圧供給源６から電圧が印加された際に発生する電流は、第１電源ライン５および第２電源ライン７を通過する。この第２電源ライン７を通過する電流により生じる磁場を磁場検出装置８で検出して磁場信号を生成する。磁場信号は、変動電流検出／増幅部９に供給され、電気信号へと変換されてシステム制御部１０に出力される。システム制御部１０では、出力された電気信号を画像処理し、モニタ１１に出力し、モニタ１１ではこの電気信号を画像として表示する。
【００２３】
ここで、試料Ｔに内部欠陥が生じていると、レーザビームＬがその内部欠陥が生じている部分を照射したときに、発熱による抵抗値変化が生じる。この抵抗値変化に基づいて、電圧供給源６から印加される電圧に対する第２電源ライン７における電流値が変化する。第２電源ライン７における電流値が変化すると、第２電源ライン７における電流によって生じる磁場が変化する。磁場検出装置８では、電流値が変化した際、この電流値の変化に伴う磁場の変化を検出する。この磁場の変化により、変動電流検出／増幅部９を経てシステム制御部１０に電気信号変化が出力される。システム制御部１０では、出力された電気信号変化に基づいて画像処理を行う。このとき、レーザ走査部２に照射している試料Ｔの位置との関係から、試料Ｔにおける内部欠陥が生じている箇所を特定し、欠陥が生じている旨の表示を行う。そして、モニタ１１の表示に基づいて、試料Ｔにおける内部欠陥の発生が検出される。
【００２４】
このような試料Ｔの検査を行うにあたり、本実施形態に係るＯＢＩＲＣＨ測定装置Ｍにおいては、電源ライン５，７に流れる電流の電流値を直接測定するのではなく、第２電源ライン７を流れる電流によって生じる磁場の変化を測定している。このため、電圧供給源６から大電流を流し、または高電圧を印加して試料Ｔの欠陥を検査する際に、磁場検出装置８に大電流または高電圧に伴う多大な負荷をかけることはない。したがって、大電流または高電圧を用いた試料の欠陥を検査するにも、大電流または高電圧に伴う検出器の破損の心配がほとんどない状態で検査を行うことができる。
【００２５】
次に、本実施形態に係るＯＢＩＲＣＨ測定装置Ｍで用いることができる磁場検出装置８について説明する。本実施形態に係るＯＢＩＲＣＨ測定装置Ｍで用いることができる磁場検出装置８としては、たとえば図２に示すピックアップコイル型磁気センサ２０を用いることができる。図２に示すように、ピックアップコイル型磁気センサ２０は、基台２１を備えており、基台２１の上には環状のフェライトコイル２２が設けられている。フェライトコイル２２の一部には第２電源ライン７が巻き付けられており、第２電源ライン７が巻き付けられている位置の対向する位置にはコネクタ２３が取り付けられている。第２電源ライン７はテスターボード４を介して試料Ｔに接続されており、試料Ｔに流れた電流が第２電源ライン７に流れる。また、第２電源ライン７の電流に変化が生じると、フェライトコイル２２に磁束変化が生じ、この磁束変化に基づいて第２電源ライン７の電流変化を検出することができる。さらに、コネクタ２３は変動電流検出／増幅部９に接続されており、第２電源ライン７に電流が流れた際にフェライトコイル２２に生じる磁束変化を変動電流検出／増幅部９に出力している。
【００２６】
このようなピックアップコイル型磁気センサ２０では、第２電源ライン７を流れる電流に変化が生じると、フェライトコイル２２における磁界に変化が生じる。この磁界の変化をコネクタ２３で感知することによって、磁界変化を検出することができる。検出された磁界変化は、変動電流検出／増幅部９に出力される。変動電流検出／増幅部９では、コネクタ２３から出力される磁界変化に基づいて、試料Ｔに流れる電流の変化を検出するものである。このようなピックアップコイル型磁気センサ２０を用いることにより、高い精度で電流の変化を検出することができる。
【００２７】
また、磁場検出装置８としては、図３に示すホール素子型磁気センサ３０を用いることもできる。図３に示すように、ホール素子型磁気センサ３０は、図２に示すピックアップコイル型磁気センサ２０と同様、基台３１を備え、基台３１の上に環状のフェライトコイル３２が設けられている。フェライトコイル３２には全体的に第２電源ライン７が巻きつけられている。さらに、フェライトコイル３２の一部には、ホール素子３３が取り付けられており、ホール素子３３の近傍位置にはコネクタ３４が設けられている。
【００２８】
このようにホール素子３３を設けたホール素子型磁気センサ３０を用いることにより、高い精度で電流の変化を検出することができるとともに、大電流下における電流の変化を好適に検出することができる。
【００２９】
さらに、磁場検出装置８として、図４に示すフラックスゲートセンサ４０を用いることもできる。図４に示すように、フラックスゲートセンサ４０は、取付部４１と、本体部４２とを備えている。本体部４２は、図示しない高透磁率コアとコイルとを備えており、取付部４１によってテスターボード４における第２電源ライン７の近傍に取り付けられている。この取付部４１は、テスターボード４に対して着脱可能となっており、取付部４１を着脱させることにより、本体部４２はテスターボード４に対して着脱を行うことができるようになっている。
【００３０】
このようなフラックスゲートセンサ４０を用いることにより、さらに高い精度で磁界の変化を検出することができる。また、取付部４１がテスターボード４に対して着脱自在にされていることにより、試料Ｔに流れる電流の大きさ等に対して、それぞれ適当な大きさの磁界センサを用いることができる。
【００３１】
また、図示はしないが、本実施形態に係る磁場検出装置８としては、高温超伝導薄膜（ｓｕｐｅｒｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ  ｑｕａｎｔｕｍ  ｉｎｔｅｒｆｅｒｅｎｃｅ  ｄｅｔｅｃｔｏｒｓ）センサ（以下、ＳＱＵＩＤセンサという）を用いこともできる。このＳＱＵＩＤセンサ（ＳＱＵＩＤ磁束計）を用いることにより、さらに高い精度で電流変化の検出を行うことができる。また、磁場検出装置としては、このほか、ＭＲ（ｍａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ）素子センサ、固体の磁気カー効果を利用して光で電流の変化を検出するＭＯ素子センサなどを用いることができる。
【００３２】
次に、本実施形態の第２の実施形態について説明する。図５に示すように、本実施形態に係るＯＢＩＲＣＨ測定装置５０では、上記第１の実施形態で電圧供給源６を用いていたのに代えて、ＬＳＩテスタ５１が用いられている点において異なる。この本実施形態に係るＯＢＩＲＣＨ測定装置５０について説明すると、テスターボード４の上には、半導体集積回路などの試料Ｔが載置されており、試料Ｔには、第１電源ライン５、第２電源ライン７、およびテスターボード４を介してＬＳＩテスタ５１が接続されている、ＬＳＩテスタ５１は、試料Ｔをテストするための所定の電圧を試料Ｔに印加している。試料Ｔには、図示しないレーザ発生部から発生されレーザ走査部で矢印Ｓ方向に走査されるレーザが照射されている。
【００３３】
第２電源ライン７には、テスターボード４の近傍位置において磁場検出装置８が設けられている。この磁場検出装置８としては、上記第１の実施形態と同様、図２〜図４に示す各センサのうち１のセンサが用いられる。磁場検出装置８は、増幅器５２に接続されている。増幅器５２には、磁場検出装置８で検出された磁界強さが出力されており、この磁界強さを増幅している。さらに、増幅器５２はモニタ１１に接続されており、増幅した磁界強さをモニタ１１に表示している。このモニタ１１に表示により、第２電源ライン７に電流が流れることによって生じる磁界強さの変化を知ることができる。
【００３４】
本実施形態に係るＯＢＩＲＣＨ測定装置５０においては、上記第１の実施形態と同様の手順で試料Ｔ上にレーザを走査しながら照射するとともに、試料ＴにＬＳＩテスタ５１から所定の電圧を印加する。このとき、第２電源ライン７に流れる電流による磁場の変化を磁場検出装置８で検出している。磁場検出装置８で検出された磁場の変化量を増幅器５２で増幅し、モニタ１１に変動成分を表示することによって電流の変化が検出され、この電流の変化に基づいて試料Ｔにおける欠陥が検出される。
【００３５】
ここで、図６にＬＳＩテスタを用いた従来のＯＢＩＲＣＨ測定装置を示す。図６に示すように、従来のＯＢＩＲＣＨ測定装置７０においては、第２電源ライン７を長く引き回し、電流測定装置７１に直列接続し、電流測定装置７１で測定された電流の変化をモニタ１１に表示していた。この電流の変化量に基づいて試料Ｔの欠陥を検出していたが、電流測定装置７１を直列接続することから、第２電源ライン７を長くする必要が生じるので、その分電流の変化量が減衰してしまう。したがって、微弱な電流変化では見逃してしまう可能性がある程度あるものであった。
【００３６】
これに対して、本実施形態に係るＯＢＩＲＣＨ測定装置では、本実施形態に係る磁場検出装置８は、テスターボード４の近傍、すなわち試料Ｔの近傍に設けられている。このため、第２電源ライン７を通過する際における電流の変化量の減衰が起こる前に磁場の変化を検出している。したがって、高い精度で電流の変化による試料Ｔの欠陥の検出を行うことができる。また、微弱な変化であっても、増幅部９によって磁場の変化量を増幅することにより、その変化を確実に検出することができる。
【００３７】
また、本実施形態の変形例として、図７に示すＯＢＩＲＣＨ測定装置５３とすることもできる。この態様におけるＯＢＩＲＣＨ測定装置５３においては、磁場検出装置５４が、テスターボード４と試料Ｔとの間に設けられた図示しない電源ラインに取り付けられており、他の態様は、図５に示す第２の実施形態に係るＯＢＩＲＣＨ測定装置５０と同様の構成を有している。このように、磁場検出装置５４をテスターボード４と試料Ｔの間の電源ラインに設け、この電源ラインから磁場検出を行うことにより、テスターボード４で吸収されてしまうような微小信号であっても検出することができる。したがって、その分精度よく磁場検出を行うことができる。
【００３８】
さらに、図８に示すように、増幅器としてロックインアンプを用いる態様とすることもできる。図８に示すように、この態様のＯＢＩＲＣＨ測定装置５５では、図１に示すＯＢＩＲＣＨ測定装置Ｍと比較して、変動電流検出／増幅部９の代えて、増幅器としてのロックインアンプ５６が設けられている点で異なる。ロックインアンプ５６と磁場検出装置８との間にはプリアンプ５７が設けられており、また、ロックインアンプ５６はシグナルジェネレータ５８に接続されている。さらに、レーザ発生部１とレーザ走査部２との間には光変調器５９が介在されており、この光変調器５９はシグナルジェネレータ５８に接続されている。光変調器５９としては、たとえばＡＯ変調器、チョッパなどを用いることができる。
【００３９】
以上の構成を有するこの態様におけるＯＢＩＲＣＨ測定装置５５において、シグナルジェネレータ５により発生された変調信号は、光変調器５９とロックインアンプ５６に出力される。光変調器５９に出力された変調信号は、レーザ発生部１より発生したレーザ光を強度変調し、ロックインアンプ５６に出力された変調信号はロックインアンプ５６の同期信号として利用される。試料Ｔで誘起された電流は磁場検出装置８で電気信号に変換され、プリアンプ５７を通してロックインアンプ５６に出力される。ロックインアンプで５６では、シグナルジェネレータ５８から出力された変調信号と同期する成分が抽出され、増幅された後、システム制御部１０に出力される。そして、レーザ走査部２におけるレーザ走査に同期させて、輝度情報に変換してモニタ１１上の表示する。
【００４０】
このように、増幅器として、ロックインアンプを用いることにより、信号増幅を行うとともに、電気信号に生じるノイズの除去を行うことができる。したがって、Ｓ／Ｎ比を向上させることができるので。高感度な検出を実現することができる。
【００４１】
以上、本発明の好適な実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではない。たとえば、上記実施形態では、試料Ｔに対して定電圧を与えて電流の変化から磁場の変化を検出しているが、たとえば試料Ｔに流れる電流を定電流として、電圧の変化から電場の変化を検出する態様とすることもできる。
【００４２】
また、この態様において、電場を検出する電場検出装置としては、ＥＯ素子などを用いることができる。
【００４３】
【発明の効果】
以上の説明のとおり、本発明によれば、試料に流れる電流を直接検出することなく試料の欠陥を検査することにより、大電流を供給する試料などの欠陥の検査を行うことができるビーム照射加熱抵抗変化測定装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１の実施形態に係るＯＢＩＲＣＨ測定装置のブロック図である。
【図２】ピックアップコイル型磁気センサの平面図である。
【図３】ホール素子型磁気センサの平面図である。
【図４】フラックスゲートセンサを取り付けたテスターボードの斜視図である。
【図５】第２の実施形態に係るＯＢＩＲＣＨ測定装置のブロック図である。
【図６】第２の実施形態に係るＯＢＩＲＣＨ測定装置と比較した従来のＯＢＩＲＣＨ測定装置のブロック図である。
【図７】第２の実施形態に係るＯＢＩＲＣＨ測定装置の変形例のブロック図である。
【図８】ＯＢＩＲＣＨ測定装置の変形例のブロック図である。
【図９】従来のＯＢＩＲＣＨ測定装置のブロック図である。
【符号の説明】
１，６１…レーザ発生部、２，６２…レーザ走査部、３，６３…顕微鏡、４…テスターボード（試料台）、５…第１電源ライン、６，６５…電圧供給源、７…第２電源ライン、８，５３…磁場検出装置、９…変動電流検出／増幅部、１０，６７…システム制御部、１１，６８…モニタ、１２，６９…温度制御部、２０…ピックアップコイル型磁気センサ、２１…基台、２２…フェライトコイル、２３…コネクタ、３０…ホール素子型磁気センサ、３１…基台、３２…フェライトコイル、３３…ホール素子、３４…コネクタ、４０…フラックスゲートセンサ、４１…本体部、４２…取付部、５０，５３，５５，６０，７０…ＯＢＩＲＣＨ測定装置、５１…テスタ、５２…増幅器、５６…ロックインアンプ、５７…プリアンプ、５８…シグナルジェネレータ、５９…光変調器、Ｌ…レーザビーム、Ｍ…ＯＢＩＲＣＨ測定装置、Ｓ…走査方向、Ｔ…試料。
【図１】
2004264030.tif 000003
【図２】
2004264030.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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