(57)【要約】【課題】導体パターンが薄く且つ信頼性に優れた両面配線基板を、高価な真空装置を必要とすることなく簡略化されたプロセスで製造可能とすること。【解決手段】本発明の両面配線基板の製造方法では、貫通孔が設けられた絶縁基材２の第１及び第２主面と貫通孔の内壁との上に下地導体層３を無電解めっき法により形成し、第１及び第２主面上にそれぞれ位置した第１及び第２導体パターン４ａ，４ｂと貫通孔を埋め込んだ接続用導体４ｃとを電気めっき法により同時に形成し、下地導体層３のうち第２主面上に位置した部分を除去することなく第１主面上であって第１導体パターン４ａから露出した部分を除去し、第１導体パターン４ａ上に低融点の接合用導体５を電気めっき法により形成し、下地導体層３のうち第２主面上であって第２導体パターン４ｂから露出した部分をエッチング法により除去する。【選択図】    図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
貫通孔が設けられた絶縁基材の第１主面とその裏面である第２主面と前記貫通孔の内壁との上に下地導体層を無電解めっき法により形成する工程と、
前記絶縁基材の前記第１及び第２主面上にそれぞれ位置した第１及び第２導体パターンと前記貫通孔を埋め込み且つ前記第１及び第２導体パターンを互いに接続する接続用導体とを電気めっき法により同時に形成する工程と、
前記下地導体層のうち前記第２主面上に位置した部分を除去することなく前記下地導体層のうち前記第１主面上であって前記第１導体パターンから露出した部分を除去する工程と、
その後に、前記第１導体パターン上に前記第１及び第２導体パターン及び前記下地導体層よりも低融点の接合用導体を電気めっき法により形成する工程と、
その後に、前記下地導体層のうち前記第２主面上であって前記第２導体パターンから露出した部分をエッチング法により除去する工程とを含んだことを特徴とする両面配線基板の製造方法。
【請求項２】
前記下地導体層はＮｉを含有し、前記接合用導体はＳｎＡｇを含有したことを特徴とする請求項１に記載の両面配線基板の製造方法。
【請求項３】
前記絶縁基材は樹脂基材であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の両面配線基板の製造方法。
【請求項４】
前記第１及び第２導体パターン並びに接続用導体は、前記絶縁基材の前記第１及び第２主面上に前記貫通孔の位置で開口した第１レジストパターンをそれぞれ形成し、前記下地導体層の前記第１レジストパターンから露出した表面上に電気めっき法を用いて導電材料を析出させることにより形成することを特徴とする請求項１乃至請求項３の何れか１項に記載の両面配線基板の製造方法。
【請求項５】
前記接合用導体は、前記絶縁基材の前記第１主面上に前記第１導体パターンの位置で開口した第２レジストパターンを形成し、前記第１導体パターンの前記第２レジストパターンから露出した表面上に電気めっき法を用いて導電材料を析出させることにより形成することを特徴とする請求項１乃至請求項４の何れか１項に記載の両面基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、両面配線基板の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
両面配線基板には、幾つかの製造方法がある。
例えば、絶縁基材の両面に銅箔を設けてなる銅張板に貫通孔を設け、この貫通孔を導電性樹脂で埋め込む方法がある。しかしながら、この方法により得られる両面配線基板には、貫通孔を埋め込んだ接続用導体の導電性が低く、信頼性や発熱性などに問題がある。
【０００３】
また、絶縁基材の両面に銅箔を設けてなる銅張板を使用する方法としては、銅張板に貫通孔を設け、この貫通孔をめっき処理により銅などで埋め込む方法がある。この方法により得られる両面配線基板には、導電性の問題はないものの、めっき処理の際に金属が銅箔上でも成長する。そのため、銅箔の厚さが厚くなり、ファインパターンの形成が難しくなる。
【０００４】
両面配線基板を製造する他の方法としては、貫通孔を設けた絶縁基材上にスパッタリング法により下地導体層を形成し、この下地導体層を利用した電気めっきにより導体パターンまたは導体層と接続用導体とを形成する方法がある。この方法は、真空バッチ処理を必要とするため高コストである。また、アスペクト比の大きい貫通孔を形成する場合には、貫通孔の側壁に下地導体層を形成することが難しく、信頼性が不十分となりがちである。
このように、上述した方法には様々な問題がある。
【０００５】
これに対し、貫通孔を設けた絶縁基材上に無電解めっきにより下地導体層を形成し、この下地導体層を利用した電気めっきにより導体パターンまたは導体層と接続用導体とを形成する方法がある。この方法では、貫通孔の側壁にも下地導体層を良好に形成することができ、導電性に優れた接続用導体を確実に形成することができる。すなわち、高い信頼性を実現できる。また、導体パターンまたは導体層が過剰に厚くなるのを防止することができ、ファインパターンを形成するうえでも有利である。
【０００６】
ところで、この方法では、導体パターンを形成した後に、下地導体層のうち導体パターンから露出した部分を除去する必要がある。導体パターン上への電気めっきによるバンプの形成は、下地導体層を部分的に除去する工程の前及び後の何れで行ってもよいが、何れの場合も解決すべき課題がある。
【０００７】
すなわち、下地導体層を部分的に除去するのに先立ってバンプを形成する場合、バンプの材料としてＳｎＡｇを使用するとともに下地導体層の材料としてＮｉを使用すると、下地導体層をエッチングする際にバンプがエッチャントに溶解し、その結果、信頼性が低下してしまう。また、下地導体層を部分的に除去した後にバンプを形成する場合、バンプを電気めっきにより形成するためには、各導体パターン間を連絡する給電ラインを別途設ける必要がある。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上記問題点に鑑みて為されたものであり、導体パターンが薄く且つ信頼性に優れた両面配線基板を、高価な真空装置を必要とすることなく簡略化されたプロセスで製造可能とすることを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、本発明は、貫通孔が設けられた絶縁基材の第１主面とその裏面である第２主面と前記貫通孔の内壁との上に下地導体層を無電解めっき法により形成する工程と、前記絶縁基材の前記第１及び第２主面上にそれぞれ位置した第１及び第２導体パターンと前記貫通孔を埋め込み且つ前記第１及び第２導体パターンを互いに接続する接続用導体とを電気めっき法により同時に形成する工程と、前記下地導体層のうち前記第２主面上に位置した部分を除去することなく前記下地導体層のうち前記第１主面上であって前記第１導体パターンから露出した部分を除去する工程と、その後に、前記第１導体パターン上に前記第１及び第２導体パターン及び前記下地導体層よりも低融点の接合用導体を電気めっき法により形成する工程と、その後に、前記下地導体層のうち前記第２主面上であって前記第２導体パターンから露出した部分をエッチング法により除去する工程とを含んだことを特徴とする両面配線基板の製造方法を提供する。
【００１０】
本発明において、下地導体層は例えばＮｉを含有していてもよい。また、接合用導体は例えばＳｎＡｇを含有していてもよい。さらに、絶縁基材は例えば樹脂基材であってもよい。
【００１１】
第１及び第２導体パターン並びに接続用導体は、例えば、絶縁基材の第１及び第２主面上に貫通孔の位置で開口した第１レジストパターンをそれぞれ形成し、下地導体層の第１レジストパターンから露出した表面上に電気めっき法を用いて導電材料を析出させることにより形成してもよい。
【００１２】
また、接合用導体は、例えば、絶縁基材の第１主面上に第１導体パターンの位置で開口した第２レジストパターンを形成し、第１導体パターンの第２レジストパターンから露出した表面上に電気めっき法を用いて導電材料を析出させることにより形成してもよい。
【００１３】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。
図１（ａ）乃至（ｈ）及び図２（ｉ）乃至（ｎ）は、本発明の一実施形態に係る両面配線基板の製造方法を概略的に示す断面図である。まず、製造プロセスについて説明するのに先立ち、図２（ｎ）に示す両面配線基板について説明する。
【００１４】
図２（ｎ）に示す両面配線基板１は、絶縁基材２を備えている。絶縁基材２には貫通孔が設けられており、これら貫通孔の側壁及び開口周辺には下地導体層３が形成されている。絶縁基材２の両主面には、下地導体層３を介して導体パターン４ａ，４ｂが形成されている。これら導体パターン４ａ，４ｂは、絶縁基材２の貫通孔を埋め込んだ接続用導体４ｃを介して互いに電気的に接続されている。また、導体パターン４ａ上には接合用導体として金属バンプ５が形成されている。なお、絶縁樹脂層６ａ，６ｂは必ずしも設ける必要はない。
【００１５】
本実施形態では、この両面配線基板１を以下に説明するように製造する。
まず、図１（ａ）に示す絶縁基材２を準備する。絶縁基材２としては、例えば、ポリイミドフィルムのような絶縁樹脂フィルムなどを使用することができる。
【００１６】
次に、図１（ｂ）に示すように、絶縁基材２に貫通孔を形成する。貫通孔は、例えば、炭酸ガスレーザなどのレーザを用いて形成することができる。
【００１７】
次いで、図１（ｃ）に示すように、無電解めっき法を用いて絶縁基材２の表面に第１導電材料を析出させることにより下地導体層３を形成する。この下地導体層３は、後で行う電気めっきのための導電性下地や導電パスとして利用可能であれば十分であり、厚く形成する必要はない。但し、下地導体層３には、導体パターン４ａ，４ｂに対して高い選択性でエッチング可能な材料を使用することが望ましい。ここでは、一例として、下地導体層３の材料である第１導電材料としてＮｉを使用することとする。
【００１８】
その後、絶縁基材２の両主面にドライフィルムフォトレジスト（以下、ドライフィルムという）をラミネートする。続いて、これらドライフィルムをパターン露光し、さらに、現像などの処理を施すことにより、図１（ｄ）に示す第１レジストパターン７を得る。なお、これらレジストパターン７は、後で形成する導体パターン４ａ，４ｂと等しい形状の開口を絶縁基材２の貫通孔に対応した位置に有している。
【００１９】
次に、絶縁基材２を電気めっき処理に供し、第１導電材料とは異なる第２導電材料を下地導体層３上に析出させる。電気めっきによると、下地導体層３のレジストパターン７から露出した表面上のみにＣｕのような第２導電材料を析出させることができる。このようにして、図１（ｅ）に示す導体パターン４ａ，４ｂ及び接続用導体４ｃが同時に得られる。
【００２０】
その後、図１（ｆ）に示すように、絶縁基材２からレジストパターン７を剥離する。続いて、図１（ｇ）に示すように、絶縁基材２の下面に、導体パターン４ｂと下地導体層３の絶縁基材２の下面を被覆している部分とを保護する保護層８を設ける。この保護層８としては、例えば、ドライフィルムを利用することができる。
【００２１】
次に、図１（ｈ）に示すように、下地導体層３の導体パターン４ａ，４ｂ及び保護層８から露出した部分をエッチングにより除去する。なお、このとき、下地導体層３だけでなく導体パターン４ａもエッチングされる。しかしながら、下地導体層３は導体パターン４ａに比べて薄いため、このエッチングが導体パターン４ａに与える影響は極めて小さい。
【００２２】
次いで、下地導体層３の導体パターン４ａなどを形成した面に、ドライフィルムをラミネートする。続いて、このドライフィルムをパターン露光し、さらに、現像などの処理を施すことにより、図２（ｉ）に示す第２レジストパターン９を得る。なお、このレジストパターン９は、後で形成するバンプ５と等しい形状の開口を導体パターン４ａに対応した位置に有している。また、この例では、接合用導体としてバンプ５を形成するが、導体パターン４ａの全面に導電材料層を接合用導体として形成する場合、レジストパターン９は不要である。
【００２３】
その後、絶縁基材２を電気めっき処理に供する。これにより、導体パターン４ａのレジストパターン９から露出した表面上のみに、ＳｎＡｇなどのように下地導体層３や導体パターン４ａ，４ｂなどに比べて低融点の第３導電材料を析出させる。このようにして、図２（ｊ）に示すバンプ５が得られる。
【００２４】
絶縁基材２からレジストパターン９を剥離した後、図２（ｋ）に示すように、絶縁基材２の上面に保護層１０を設ける。この保護層１０としては、例えば、ドライフィルムを利用することができる。続いて、図２（ｌ）に示すように、下地導体層３の保護層１０から露出した部分をエッチングにより除去する。
【００２５】
次いで、図２（ｍ）に示すように、絶縁基材２から保護層１０を剥離する。その後、必要に応じ、図２（ｎ）に示すように、絶縁基材２の両主面に絶縁樹脂層６ａ，６ｂを設ける。これら絶縁樹脂層６ａ，６ｂは、例えば、フォトレジストなどを利用して形成することができる。以上のようにして、両面配線基板１を完成する。なお、この両面配線基板１は、例えば、テープキャリア方式の半導体パッケージ技術において半導体チップを搭載するテープキャリアとして利用可能である。
【００２６】
上述のように、本実施形態では、銅張板は使用せず、貫通孔を設けた絶縁基材２に無電解めっき処理及び電気めっき処理を施すことにより導体パターン４ａ，４ｂと接続用導体４ｃとを同時に形成する。そのため、導体パターン４ａ，４ｂが過剰に厚くなるのを防止することができる。したがって、本実施形態によると、ファインパターンの形成が容易である。
【００２７】
また、本実施形態では、下地導体層３を、スパッタリング法ではなく、無電解めっき法により形成する。すなわち、本実施形態では、高価な真空装置は勿論、真空バッチ処理自体が不要である。そのため、比較的低いコストで両面配線基板１を製造することができる。
【００２８】
加えて、無電解めっき法によれば、スパッタリング法などとは異なり、アスペクト比の大きい貫通孔を形成する場合であっても、貫通孔の側壁に下地導体層３を形成することが容易である。したがって、本実施形態によると、貫通孔を接続用導体４ｃで確実に埋め込むことができ、高い信頼性を実現可能となる。
【００２９】
さらに、本実施形態では、バンプ５を電気めっき法により形成する際、下地導体層３のうち絶縁基材２の上面に位置した部分をパターニングしておく。加えて、下地導体層３のうち絶縁基材２の下面に位置した部分はパターニングすることなく残しておく。そのため、下地導体層３のうち絶縁基材２の下面に位置した部分を、各導体パターン４ａに給電するための導電パスとして利用することができる。すなわち、本実施形態によると、各導体パターン４ａ間を連絡する給電ラインを別途設ける必要がなく、したがって、簡略化されたプロセスで両面配線基板１を製造可能となる。
【００３０】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によると、導体パターンが薄く且つ信頼性に優れた両面配線基板を、高価な真空装置を必要とすることなく簡略化されたプロセスで製造可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）乃至（ｈ）は、本発明の一実施形態に係る両面配線基板の製造方法を概略的に示す断面図。
【図２】（ｉ）乃至（ｎ）は、本発明の一実施形態に係る両面配線基板の製造方法を概略的に示す断面図。
【符号の説明】
１…両面配線基板、２…絶縁基材、３…下地導体層、４ａ，４ｂ…導体パターン４ａ，４ｂ、４ｃ…接続用導体、５…接合用導体、６ａ，６ｂ…絶縁樹脂層、７…レジストパターン、８…保護層、９…レジストパターン、１０…保護層。
【図１】
2004281532.tif 000003
【図２】
2004281532.tif 000004