(57)【要約】【課題】光半導体素子の放熱性を良好なものとするとともに光半導体素子と光ファイバとの光結合効率を良好なものとし、光半導体素子の作動性が非常に優れた光半導体素子収納用パッケージを得ること。【解決手段】光半導体素子収納用パッケージは、上面の略中央部に光半導体素子が載置される載置部１ａを有するセラミック製の基体１と、基体１の上面に載置部１ａに隣接して設けられた光ファイバ４の支持部材５と、基体１の上面の外周部に接合されたフェルール３と、一端部がフェルール３に接続され他端部が支持部材５で支持固定された光ファイバ４と、基体１の上面の外周部にフェルール３の外周面の一部を覆って直接密着された樹脂製の枠体２とを具備している。【選択図】　図１
2004087726.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上面の略中央部に光半導体素子が載置される載置部を有するセラミック製の基体と、該基体の上面に前記載置部に隣接して設けられた光ファイバの支持部材と、前記基体の上面の外周部に接合されたフェルールと、一端部が前記フェルールに接続され他端部が前記支持部材で支持固定された光ファイバと、前記基体の上面の外周部に前記フェルールの外周面の一部を覆って直接密着された樹脂製の枠体とを具備したことを特徴とする光半導体素子収納用パッケージ。
【請求項２】
請求項１記載の光半導体素子収納用パッケージと、前記光ファイバに光学的に結合するようにして前記載置部に載置固定された光半導体素子と、前記枠体の上面に接合された蓋体とを具備したことを特徴とする光半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光通信に使用される各種光半導体素子を収納するための光半導体素子収納用パッケージおよび光半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、半導体レーザ（ＬＤ），フォトダイオード（ＰＤ）等の光半導体素子を収納するための光半導体素子収納用パッケージ（以下、光半導体パッケージともいう）は、図５に分解斜視図で示すように、例えば、エポキシ樹脂またはポリフェニレンサルファイト（ＰＰＳ）や液晶ポリマー（ＬＣＰ）等のエンジニアプラスチック等の電気絶縁性の樹脂を用いて、トランスファ成型法や射出成型法により成型されて一体的に形成される。即ち、光半導体パッケージは、上面に形成された凹部２１ｂの底面の略中央部に光半導体素子２６を載置するための載置部２１ａを有する基体２１と、基体２１の側壁部を貫通して設けられ、基体２１の外側の端面に外部光ファイバ３０の一端部が挿通固定された外部フェルール２９が接続されるフェルール２３と、外部電気回路（図示せず）に電気的に接続される複数のリード端子２７とを具備している。
【０００３】
なお、フェルール２３に一端部が挿通固定された光ファイバ２４と、外部フェルール２９に一端部が挿通固定された外部光ファイバ３０とは、フェルール２３および外部フェルール２９の部位において光学的に結合される。
【０００４】
そして、基体２１の載置部２１ａ上に、上側主面に光半導体素子２６を搭載した基板２２を接着剤やロウ材で載置固定するとともに、光半導体素子２６の各電極をリード端子２７にボンディングワイヤ等の電気的接続手段２８を介して電気的に接続し、一端部がフェルール２３の貫通孔２３ａに挿通固定された光ファイバ２４の他端部を、光半導体素子２６の光入出力部に光学的に結合するようにして基板２２の上側主面に設置された支持部材２５で支持固定する。
【０００５】
しかる後、基体２１の側壁部の上面に蓋体３５を接着剤等の封止材を介して接合し、基体２１および蓋体３５から成る容器内部に光半導体素子２６を収容し気密に封止することによって製品としての光半導体装置となる。この光半導体装置は、光半導体素子２６にリード端子２７を介して外部電気回路から供給される駆動信号を入力し、光半導体素子２６にレーザ光等の光を励起させ、励起した光を光ファイバ２４および外部光ファイバ３０で伝送させることによって、または外部光ファイバ３０および光ファイバ２４を伝送する光を光半導体素子２６で受光させ、光半導体素子２６で受光された光に対応する電気信号を発生させるとともにその電気信号をリード端子２７を介して取り出すことによって光通信に使用される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記従来の光半導体パッケージでは、樹脂を用いてトランスファ成型法や射出成型法でフェルール２３およびリード端子２７を有する基体２１を成型する際に、その硬化収縮および熱収縮により、基体２１の寸法精度を確保することが困難であり、また光半導体素子２６を載置固定する載置部２１ａの平坦性を確保するのが難しい。そのため、光半導体素子２６を載置部２１ａに載置固定した際に光半導体素子２６や基板２２に割れが発生したり、光半導体素子２６が傾くことにより電気的接続手段２５を電極の所定位置に接続するのが困難になったり、光半導体素子２６と光ファイバ２４との光結合効率の低下を招くという問題が発生し、その結果、光半導体素子２６の作動性が劣化していた。
【０００７】
また、光半導体素子２６の作動時に発生した熱は、熱伝導性の低い樹脂製の基体２１では外部に効率良く放熱され難い。そのため、光半導体素子２６が温度上昇し誤動作を生じ易いという問題があった。
【０００８】
さらに、光半導体素子２６の熱によって、光半導体素子２６のみならず基体２１と金属製のリード端子２７も温度上昇することになること、また光半導体装置の曝される外気の温度変化により構成材料の熱膨張差により光半導体装置全体の変形が起こることから、光ファイバ２４に切れや折れが発生し光半導体素子２６において光信号を入出力できなくなったり、光半導体パッケージや光半導体素子２６に割れが発生し、その結果、光半導体素子２６の正常な作動を妨げるという問題があった。
【０００９】
従って、本発明は上記問題点に鑑み完成されたものであり、その目的は、基体における光半導体素子の載置部の平坦度を確保し、光半導体素子の熱の放熱性を良好なものとするとともに、光半導体素子と光ファイバとの光結合効率を良好なものとし、その結果、光半導体素子の作動性が非常に優れた光半導体パッケージを提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明の光半導体素子収納用パッケージは、上面の略中央部に光半導体素子が載置される載置部を有するセラミック製の基体と、該基体の上面に前記載置部に隣接して設けられた光ファイバの支持部材と、前記基体の上面の外周部に接合されたフェルールと、一端部が前記フェルールに接続され他端部が前記支持部材で支持固定された光ファイバと、前記基体の上面の外周部に前記フェルールの外周面の一部を覆って直接密着された樹脂製の枠体とを具備したことを特徴とする。
【００１１】
本発明の光半導体素子収納用パッケージは、基体がセラミック製であることにより、基体の寸法精度を高精度なものとすることができ、光半導体素子を載置固定する載置部の平坦性を良好なものとすることができる。その結果、光半導体素子を載置部に載置固定しても光半導体素子に割れが発生するのを防止し、光半導体素子を所定の位置に傾くことなく固定でき、電気的接続手段を電極の所定位置に確実に接続するとともに、光半導体素子と光ファイバとの高い光結合効率を確保できるものとして、光半導体素子の作動性を良好なものとし得る。
【００１２】
また、光半導体素子の熱は、セラミック製の基体により外部に効率良く放熱することができる。その結果、光半導体素子が大幅に温度上昇することを防止し正常に作動させることができる。また、光半導体素子の熱による基体、枠体およびリード端子の温度上昇により、また光半導体装置の曝される外気の温度変化により、構成材料が熱膨張しても、基体がセラミック製であり剛性が高いことから基体に反り等の変形が生ずるのを抑制でき、光半導体素子と光ファイバとの高い光結合効率を確保できる。
【００１３】
さらに、石英等から成る光ファイバはセラミック製の基体との熱膨張差がわずかであり、光ファイバは、その一端部に接続されたフェルールが基体の上面の外周部にが接合され、他端部が支持部材で支持固定されていることから、光ファイバを基体の上面に略平行にかつ直線状に設けることができる。そして、光ファイバに引張り応力が加わるのを抑制でき、光ファイバに切れや折れが発生するのを防止して、光半導体素子に効率よくかつ高信頼性でもって光信号を入出力できる。従って、光半導体素子を正常に作動させることができる。
【００１４】
また、基体の上面の外周部にフェルールの外周面の一部を覆って直接密着された樹脂製の枠体を有していることから、複雑な形状かつ寸法精度の高い枠体を形成できるという利点がある。
【００１５】
本発明の光半導体装置は、上記本発明の光半導体素子収納用パッケージと、前記光ファイバに光学的に結合するようにして前記載置部に載置固定された光半導体素子と、前記枠体の上面に接合された蓋体とを具備したことを特徴とする。
【００１６】
本発明の光半導体装置は、上記の構成により、光半導体素子を長期にわたり正常かつ安定に作動させ得る信頼性の高いものとなる。
【００１７】
【発明の実施の形態】
本発明の光半導体素子収納用パッケージ（以下、光半導体パッケージともいう）および光半導体装置を以下に詳細に説明する。
【００１８】
図１は本発明の光半導体パッケージについて実施の形態の例を示す分解斜視図、図２は図１の光半導体パッケージに用いられる基体の斜視図である。これらの図において、１は上面にＬＤ，ＰＤ等の光半導体素子が載置される載置部１ａを有する基体、２は基体１の上面の外周部に載置部１ａを囲繞するように取着され、対向する一対の側部に複数のリード端子７が貫通して設けられ、他の側部に光ファイバ４を挿通固定したフェルール３が貫通して取着された枠体である。これら基体１、枠体２により光半導体パッケージが主に構成される。また、５は光ファイバ４の他端部を載置部１ａに近接させて支持するための支持部材、７は光半導体素子６と外部電気回路（図示せず）とを電気的に接続するリード端子である。
【００１９】
本発明の光半導体パッケージは、上面の略中央部に光半導体素子が載置される載置部１ａを有するセラミック製の基体１と、基体１の上面に載置部１ａに隣接して設けられた光ファイバ４の支持部材５と、基体１の上面の外周部に接合されたフェルール３と、一端部がフェルール３に接続され他端部が支持部材５で支持固定された光ファイバ４と、基体１の上面の外周部にフェルール３の外周面の一部を覆って直接密着された樹脂製の枠体２とを具備している。
【００２０】
本発明の基体１は、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）質焼結体（アルミナセラミックス）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）質焼結体、ムライト（３Ａｌ２Ｏ３・２ＳｉＯ２）質焼結体、ガラスセラミックス等の焼結体（セラミックス）から成り、その剛性、熱伝導性により、基体１の上面に取着される樹脂製の枠体２の硬化収縮や熱収縮による反り変形を防止し、光半導体素子６の載置固定を非常に良好とし得るとともに、光半導体素子６の熱の放散性を良好とし得る。
【００２１】
基体１は、例えばＡｌ２Ｏ３セラミックスから成る場合、以下のようにして作製される。まず、Ａｌ２Ｏ３，酸化珪素（ＳｉＯ２），酸化カルシウム（ＣａＯ），酸化マグネシウム（ＭｇＯ）等の原料粉末に適当な有機バインダや可塑剤，分散剤，溶剤等を添加混合して泥漿状となす。これを従来周知のドクターブレード法でシート状となすことによって複数枚のセラミックグリーンシートを得る。しかる後、これらのセラミックグリーンシートに適当な打ち抜き加工を施し積層する。最後に、この積層体の上面に、線路導体１ｂとなる金属ペーストを印刷塗布し、還元雰囲気中で約１６００℃の温度で焼成することによって製作される。
【００２２】
なお、線路導体１ｂとなる金属ペーストは、タングステン（Ｗ），モリブデン（Ｍｏ）等の高融点金属粉末に適当な有機バインダや溶剤を添加混合してペースト状となしたものを従来周知のスクリーン印刷法で印刷することにより、セラミックグリーンシートの積層体に印刷塗布される。
【００２３】
このようにセラミック製の基体１の上面に線路導体１ｂを形成することによって、線路導体１ｂを光半導体素子６の近くまで設けることができ、線路導体１ｂと光半導体素子６とを接続するボンディングワイヤ等の電気的接続手段８の長さを最小限に抑え、従来の光半導体パッケージに比べ電気的接続手段８の長さを短くし、電気的接続手段８のインダクタンスや抵抗に起因する高周波信号の反射損失や透過損失等の伝送損失を最小限に抑えることが可能となる。
【００２４】
図２に示すように、基体１の上面の外周部には、貫通孔３ａが設けられた略円筒状とされ、その貫通孔３ａに光ファイバ４の一端部が挿通固定されたフェルール３が、樹脂接着剤や半田等の接合材３ｂを介して接合される。また、光ファイバ４の他端部は、光半導体素子６の光入出力部に光学的に結合するようにして、載置部１ａに隣接して樹脂接着剤等で設置固定された支持部材５で支持固定される。この支持部材５はシリコン（Ｓｉ）等から成り、その上面には光ファイバ４の他端部を支持固定するための断面形状がＶ字状やＵ字状の溝が形成されている。
【００２５】
また、外周部から載置部１ａにかけて線路導体１ｂが形成され、線路導体１ｂの上面の外周部側の一端には鉄（Ｆｅ）−ニッケル（Ｎｉ）−コバルト（Ｃｏ）合金等の金属から成るリード端子７が銀（Ａｇ）ろう等のろう材や金（Ａｕ）−錫（Ｓｎ）半田，鉛（Ｐｂ）−Ｓｎ半田等の半田を介して接合される。
【００２６】
フェルール３は、ジルコニア（ＺｒＯ２）等のセラミックスからなる円筒状であり、略中央部に両端面間を貫通する貫通孔３ａが設けられ、貫通孔３ａに石英（ＳｉＯ２）から成る光ファイバ４の一端部をエポキシ系の樹脂接着剤やＡｕ−Ｓｎ半田，Ｐｂ−Ｓｎ半田等の半田から成る接合材によって固定する。そしてフェルール３は、エポキシ系の樹脂接着剤やＡｕ−Ｓｎ半田，Ｐｂ−Ｓｎ半田等の半田から成る接合材３ｂ（図２）を介して基体１に接合される。
【００２７】
接合材３ｂが半田である場合、フェルール３の基体１と接合される部位にＷ，Ｍｏ等の高融点金属粉末を主成分とするメタライズ層を下地金属層として被着し、メタライズ層の酸化防止および半田の濡れ性を向上させるために、メタライズ層上に厚さ０．５〜９μｍのＮｉ層と厚さ０．５〜５μｍのＡｕ層を順次メッキ法により被着させておくのがよい。または、厚さ０．５〜２μｍのＡｕ層を薄膜形成法により被着させておくのがよい。また、基体１のフェルール３に接合される部位においても、上記と同様のメタライズ層にＮｉ層とＡｕ層とを被着させておくか、またはＡｕ層を薄膜形成法によって被着させておくのがよい。
【００２８】
フェルール３の長さＬ１は３〜１０ｍｍ程度であり、外径Ｄ１は０．５〜２ｍｍ程度である。この場合、フェルール３の基体１に接合される部位の長さＬ２はＬ１／５≦Ｌ２≦Ｌ１／２であるのがよく、この場合、基体１を大型化させることなく、またフェルール３を基体１に対して傾けることなく、接合することができる。Ｌ２＜Ｌ１／５の場合、フェルール３の基体１に接合される部位の面積（接合材３ｂに接する面積）が小さくなりすぎて、フェルール３が基体１に対して傾いて接合される場合がある。Ｌ２＞Ｌ１／２の場合、基体１，フェルール３ともに接合材３ｂに接合される長さが長くなるため、接合される長さに応じて基体１の上面の面積を大きくする必要があり、近時の光半導体パッケージの小型化傾向に反することとなる。また、接合材３ｂが半田からなる場合、Ｌ２＞Ｌ１／２となると、基体１と接合材３ｂとの熱膨張係数差によって基体１に加わる応力が大きくなり、基体１にクラック等の破損が生じたり、フェルール３と接合材３ｂとの熱膨張係数差によってフェルール３に加わる応力が大きくなり、フェルール３にクラック等の破損が生ずる場合がある。
【００２９】
好ましくは、図３に示すように基体１の上面のフェルール３が接合される部位に、断面が半円等の略円弧状の溝１ｃを形成するのがよい。溝１ｃにフェルール３を固定することにより、フェルール３を基体１の上面の所定位置からずれることなく固定することができる。接合材３ｂが半田である場合、溝１ｃの内面にＷ，Ｍｏ等の高融点金属粉末を主成分とするメタライズ層を被着し、その上に厚さ０．５〜９μｍのＮｉ層と厚さ０．５〜５μｍのＡｕ層を順次メッキ法により被着しておくのがよい。または、厚さ０．５〜２μｍのＡｕ層を薄膜形成法により被着させておくのがよい。
【００３０】
さらに好ましくは、断面が円弧状の溝１ｃの直径Ｄ２は、フェルール３の直径Ｄ１に対してＤ１＋０．０３ｍｍ≦Ｄ２≦Ｄ１＋０．５ｍｍとし、溝１ｃの深さＤ３はＤ１／５≦Ｄ３≦Ｄ１／２とするのがよい。Ｄ２＜Ｄ１＋０．０３ｍｍの場合、フェルール３と溝１ｃとの間の接合材３ｂにより、フェルール３が溝１ｃから浮き上がって飛び出し、基体１の上面の所定位置に固定できなくなる場合がある。Ｄ２＞Ｄ１＋０．５ｍｍの場合、溝１ｃとフェルール３との隙間が大きくなり、フェルール３が溝１ｃ内で左右方向にずれやすくなる。また、Ｄ３＜Ｄ１／５の場合、溝１ｃが浅すぎるため、フェルール３が溝１ｃから浮き上がって飛び出し、基体１の上面の所定位置に固定できなくなる場合がある。Ｄ３＞Ｄ１／２の場合、フェルール３の貫通孔３ａに光ファイバ４を挿通させることができなくなる。
【００３１】
光ファイバ４の他端部は、上面に光ファイバ４を支持固定するための溝が形成され、Ａｌ２Ｏ３，ＺｒＯ２等のセラミックスやシリコン（Ｓｉ）等からなる支持部材５に支持され、紫外線硬化性樹脂等の樹脂接着剤やＡｕ−Ｓｎ半田，Ｐｂ−Ｓｎ半田等の半田によって固定される。支持部材５は、下面が基体１の上面にＡｕ−Ｓｎ半田，Ｐｂ−Ｓｎ半田等の半田やエポキシ系の樹脂接着剤によって接着固定される。支持部材５が半田を介して基体１の上面に接着固定される場合、支持部材５の下面にはＷ，Ｍｏ等の高融点金属粉末を主成分とするメタライズ層が施され、その表面に厚さ０．５〜９μｍのＮｉ層と厚さ０．５〜５μｍのＡｕ層を順次メッキ法により被着させておくのがよい。または、厚さ０．５〜２μｍのＡｕ層を薄膜形成法により被着させておくのがよい。
【００３２】
また、リード端子７はその露出する表面に良導電性で耐蝕性に優れたＮｉやＡｕ等の金属をめっき法により所定厚み（０．０５〜２０μｍ）に被着させておくのがよく、リード端子７の酸化腐蝕を有効に防止できるとともに、リード端子７とボンディングワイヤ等の電気的接続手段８による光半導体素子との電気的な接続、およびリード端子７と外部電気回路との電気的な接続を信頼性の高いものとなすことができる。
【００３３】
上記のように構成された基体１の上面の外周部に、載置部１ａを囲繞するようにして、エポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂、ポリフェニレンサルファイト（ＰＰＳ）や液晶ポリマー（ＬＣＰ）などのエンジニアリングプラスチック等から成る枠体２が、トランスファ成型法や射出成型法により一体的に形成されて光半導体パッケージが製作される。この場合、枠体２は基体１の上面に直接密着して形成される。
【００３４】
枠体２のフェルール３が設けられている部位の外面には、枠体２と同じ材料から成るブロック２ａを枠体２と一体に成型するのがよい。このブロック２ａに、外部光ファイバ１０の一端部が挿通された外部フェルール９とバネ１１とスリーブ１２と一端が閉じた外筒１３とから構成される光コネクタ１４を嵌着接合させ接続させるのがよい。即ち、光コネクタ１４において、外部フェルール９はスリーブ１２の内側に密着して設けられており、外筒１３の内部で外部フェルール９と底部との間にバネ１１を介装している。また、外筒１３の外周面の先端部にはブロック２ａの貫通孔に嵌合するための傾斜した鍔部が形成されており、この鍔部は、先端側の短い鍔部とそれに続く長い鍔部とから成り、短い鍔部がブロック２ａの貫通孔に嵌合し、長い鍔部が貫通孔の内面に弾性的に密着して接合される。
【００３５】
ブロック２ａに光コネクタ１４を接続することによって、光コネクタ１４内部で外部フェルール９とスリーブ１２とをバネ１１によってフェルール３側に移動させ、略円筒形のスリーブ１２によってフェルール３に対しての外部フェルール９の位置合わせができ、光ファイバ４に対して光ファイバ１０が適切に光学的に結合される。また、光ファイバ４と外部光ファイバ１０との位置合わせ作業の作業性を改善することができる。
【００３６】
このようにして製作された光半導体パッケージの基体１の載置部１ａに、Ａｕ−Ｓｎ半田，Ｐｂ−Ｓｎ半田等の半田を介して光半導体素子６を、光ファイバ４に光学的に結合するようにして載置固定し、線路導体１ｂの枠体２内側の部位に、光半導体素子６の各電極が電気的接続手段８を介して電気的に接続される。しかる後、枠体２の上面に蓋体１５を樹脂接着剤等の封止材を介して接合し、基体１、枠体２および蓋体１５から成る容器内部に光半導体素子６を収容し気密に封止することによって製品としての光半導体装置となる。この光半導体装置は、光半導体素子６にリード端子７を介して外部電気回路から供給される駆動信号を入力し、光半導体素子６に光を励起させ、励起した光を光ファイバ４および外部光ファイバ１０で伝送させ、または外部光ファイバ１０および光ファイバ４を伝送する光を光半導体素子６に受光させ、光半導体素子６で受光された光に対応する電気信号を発生させるとともにその電気信号をリード端子７を介して取り出すことによって、光通信等の分野で使用される。
【００３７】
なお、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々の変更を施すことは何等差し支えない。
【００３８】
【発明の効果】
本発明の光半導体素子収納用パッケージは、上面の略中央部に光半導体素子が載置される載置部を有するセラミック製の基体と、基体の上面に載置部に隣接して設けられた光ファイバの支持部材と、基体の上面の外周部に接合されたフェルールと、一端部がフェルールに接続され他端部が支持部材で支持固定された光ファイバと、基体の上面の外周部にフェルールの外周面の一部を覆って直接密着された樹脂製の枠体とを具備したことにより、基体の寸法精度を高精度なものとすることができ、光半導体素子を載置固定する載置部の平坦性を良好なものとすることができる。その結果、光半導体素子を載置部に載置固定しても光半導体素子に割れが発生するのを防止し、光半導体素子を所定の位置に傾くことなく固定でき、電気的接続手段を電極の所定位置に確実に接続するとともに、光半導体素子と光ファイバとの高い光結合効率を確保できるものとして、光半導体素子の作動性を良好なものとし得る。
【００３９】
また、光半導体素子の熱は、セラミック製の基体により外部に効率良く放熱することができる。その結果、光半導体素子が大幅に温度上昇することを防止し正常に作動させることができる。また、光半導体素子の熱による基体、枠体およびリード端子の温度上昇により、また光半導体装置の曝される外気の温度変化により、構成材料が熱膨張しても、基体がセラミック製であり剛性が高いことから基体に反り等の変形が生ずるのを抑制でき、光半導体素子と光ファイバとの高い光結合効率を確保できる。
【００４０】
さらに、石英等から成る光ファイバはセラミック製の基体との熱膨張差がわずかであり、光ファイバは、その一端部に接続されたフェルールが基体の上面の外周部にが接合され、他端部が支持部材で支持固定されていることから、光ファイバを基体の上面に略平行にかつ直線状に設けることができる。そして、光ファイバに引張り応力が加わるのを抑制でき、光ファイバに切れや折れが発生するのを防止して、光半導体素子に効率よくかつ高信頼性でもって光信号を入出力できる。従って、光半導体素子を正常に作動させることができる。
【００４１】
また、基体の上面の外周部にフェルールの外周面の一部を覆って直接密着された樹脂製の枠体を有していることから、複雑な形状かつ寸法精度の高い枠体を形成できるという利点がある。
【００４２】
本発明の光半導体装置は、上記本発明の光半導体素子収納用パッケージと、光ファイバに光学的に結合するようにして載置部に載置固定された光半導体素子と、枠体の上面に接合された蓋体とを具備したことにより、光半導体素子を長期にわたり正常かつ安定に作動させ得る信頼性の高いものとなる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の光半導体素子収納用パッケージについて実施の形態の一例を示す分解斜視図である。
【図２】図１の光半導体素子収納用パッケージにおける基体の斜視図である。
【図３】（ａ）は本発明の光半導体素子収納用パッケージについて実施の形態の他の例を示す基体の部分拡大斜視図、（ｂ）は（ａ）に示した基体の一部の拡大正面図である。
【図４】（ａ）は本発明の光半導体素子収納用パッケージについて実施の形態の他の例を示し光半導体素子収納用パッケージに接続される光コネクタの断面図、（ｂ）は（ａ）の光コネクタを接続した光半導体素子収納用パッケージの断面図である。
【図５】従来の光半導体素子収納用パッケージの一例を示す分解斜視図である。
【符号の説明】
１：基体
１ａ：載置部
２：枠体
３：フェルール
４：光ファイバ
５：支持部材
【図１】
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【図２】
2004087726.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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