(57)【要約】      （修正有）【課題】計算資源及び時間を著しく節約できる光近接効果補正（ＯＰＣ）の方法を提供すること。【解決手段】ＩＣチップを複数の局所タスク領域に分割するステップ２０４と、一致する局所タスク領域を識別するステップ２０６と、ＯＰＣ分類モジュールによって一致する局所タスク領域を対応するグループに分類するステップ２１２と、一致する局所タスク領域のそれぞれのグループにＯＰＣを実行するステップ２１６とによって構成される。【選択図】図２
2004226965.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
集積回路（ＩＣ）チップ・デザインに対して光近接効果補正（ＯＰＣ）を実行する方法であって、
（ａ）前記ＩＣチップを複数の局所タスク領域に分割するステップと、
（ｂ）一致する局所タスク領域を識別するステップと、
（ｃ）一致する局所タスク領域を対応するグループに分類するステップと、
（ｄ）一致する局所タスク領域のそれぞれのグループにＯＰＣを実行するステップと、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
請求項１記載の方法において、識別するステップ（ｂ）は、
（ｂ１）それぞれの局所タスク領域に対して特性ベクトルを生成するステップを更に含むことを特徴とする方法。
【請求項３】
請求項２記載の方法において、識別するステップ（ｂ）は、
（ｂ２）前記特性ベクトルを比較して一致する局所タスク領域を決定するステップを更に含むことを特徴とする方法。
【請求項４】
請求項２記載の方法において、識別するステップ（ｂ）は、
（ｂ２）前記特性ベクトルのそれぞれを正規化するステップを更に含むことを特徴とする方法。
【請求項５】
請求項４記載の方法において、識別するステップ（ｂ）は、
（ｂ３）前記正規化された特性ベクトルを比較して一致する局所タスク領域を判断するステップを更に含むことを特徴とする方法。
【請求項６】
請求項４記載の方法において、識別するステップ（ｂ）は、
（ｂ３）前記正規化された特性ベクトルのそれぞれをハッシングして対応するハッシュ値を生じさせるステップと、
（ｂ４）前記対応するハッシュ値を比較するステップと、
（ｂ５）前記対応する特性ベクトルによって前記ハッシュ値を下位分類するステップと、
を更に含むことを特徴とする方法。
【請求項７】
請求項４記載の方法において、生成するステップ（ｂ１）は、
（ｂ１ｉ）前記ＩＣチップ・デザインにおいて用いられそれぞれにインデクスが割り当てられている複数の形状タイプを提供するステップと、
（ｂ１ｉｉ）それぞれの局所タスク領域に対して、前記局所タスク領域に対する拡張されたタスク領域と交差する１つ又は複数の形状タイプに基づいて特性ベクトルを生成するステップであって、前記拡張されたタスク領域は、前記局所タスク領域と、前記局所タスク領域の周囲にあり光学的影響領域に対応する領域とを含む、ステップと、
を更に含むことを特徴とする方法。
【請求項８】
請求項７記載の方法において、局所タスク領域に対する特性ベクトルは、それぞれの交差する形状タイプと、前記局所タスク領域の中心における原点との関係でのその向き及び位置とを記述することを特徴とする方法。
【請求項９】
請求項７記載の方法において、前記正規化ステップ（ｂ２）は、
（ｂ２ｉ）形状タイプ・インデクスの増加により前記特性ベクトルをソートするステップと、
（ｂ２ｉｉ）前記局所タスク領域を操作して、第１の形状タイプを所定の元の向きに配置するステップと、
を更に含むことを特徴とする方法。
【請求項１０】
請求項１記載の方法において、前記分割ステップ（ａ）は、
（ａ１）複数の正方形の局所タスク領域を提供するステップであって、前記局所タスク領域のそれぞれのサイズは前記ＩＣチップのレイアウト・グリッド・サイズの整数倍である、ステップを更に含むことを特徴とする方法。
【請求項１１】
請求項１記載の方法において、
（ｅ）補正されるべき異なる局所タスク領域のリストを生成するステップと、
（ｆ）前記リストを補正のためにＯＰＣに提出するステップと、
を更に含むことを特徴とする方法。
【請求項１２】
請求項７記載の方法において、前記生成するステップ（ｂ１ｉｉ）は、
（ｂ１ｉｉ（ａ））それぞれの特性ベクトルをゼロ値に初期化するステップと、
（ｂ１ｉｉ（ｂ））ＩＣチップ・デザインの階層を横断して第１の形状タイプ例を識別するステップと、
（ｂ１ｉｉ（ｃ））前記識別された形状タイプ例のレイアウト・グリッドの上に絶対位置を決定するステップと、
（ｂ１ｉｉ（ｄ））前記識別された形状タイプ例と交差する１つ又は複数の拡張されたタスク領域を識別するステップであって、拡張されたタスク領域は、前記局所タスク領域と、前記局所タスク領域の周囲にあり光学的影響領域に対応する領域とを含む、ステップと、
（ｂ１ｉｉ（ｅ））ステップ（ｂ１ｉｉ（ｄ））において識別された拡張されたタスク領域と関連する局所タスク領域と対応する特性ベクトルを更新して、前記識別された形状タイプ例を記述するステップと、
（ｂ１ｉｉ（ｆ））前記ＩＣチップ・デザイン階層を横断して次の形状タイプ例を識別するステップと、
（ｂ１ｉｉ（ｇ））ステップ（ｂ１ｉｉ（ｃ））ないし（ｂ１ｉｉ（ｆ））を、すべての形状タイプ例が識別されるまで反復するステップと、
を更に含むことを特徴とする方法。
【請求項１３】
集積回路（ＩＣ）チップ・デザインに対して光近接効果補正を実行するコンピュータ・ベースのシステムであって、
記憶装置と、
前記記憶装置に結合されており、前記ＩＣチップ・デザインを複数の局所タスク領域に分割し、一致する局所タスク領域を識別し、一致する局所タスク領域を対応するグループに分類する分類モジュールと、
前記分類モジュールに結合されており、一致する局所タスク領域のそれぞれのグループに対して光近接効果補正を実行する光近接効果補正モジュールと、
を備えていることを特徴とするシステム。
【請求項１４】
請求項１１記載のシステムにおいて、前記ＩＣチップ・デザインにおいて用いられる複数の形状タイプは前記記憶装置に記憶され、それぞれの形状タイプにはインデクスが割り当てられることを特徴とするシステム。
【請求項１５】
請求項１２記載のシステムにおいて、前記分類モジュールは、更に、それぞれの局所タスク領域に対して、前記局所タスク領域に対する拡張されたタスク領域と交差する１つ又は複数の形状タイプに基づいて特性ベクトルを生成し、前記拡張されたタスク領域は、前記局所タスク領域と、光学的影響領域とを備えていることを特徴とするシステム。
【請求項１６】
請求項１３記載のシステムにおいて、前記分類モジュールは、前記特性ベクトルのそれぞれを正規化することを特徴とするシステム。
【請求項１７】
請求項１６記載のシステムにおいて、前記分類モジュールに結合されており前記正規化された特性ベクトルのそれぞれをハッシングして対応するハッシュ値を生じさせるハッシング・ユニットを更に含んでおり、前記分類モジュールは、前記対応するハッシュ値を比較して、前記対応する特性ベクトルによって前記ハッシュ値を下位分類することを特徴とするシステム。
【請求項１８】
請求項１２記載のシステムにおいて、前記分類モジュールは、更に、補正されるべき異なる局所タスク領域のリストを生成し、前記リストを補正のために前記光近接効果モジュールに提出することを特徴とするシステム。
【請求項１９】
集積回路（ＩＣ）チップ・デザインに対して光近接効果補正（ＯＰＣ）を実行するプログラミング命令を含むコンピュータ可読媒体であって、前記プログラミング命令は、
（ａ）前記ＩＣチップを複数の局所タスク領域に分割する命令と、
（ｂ）一致する局所タスク領域を識別する命令と、
（ｃ）一致する局所タスク領域を対応するグループに分類する命令と、
（ｄ）一致する局所タスク領域のそれぞれのグループにＯＰＣを実行する命令と、
であることを特徴とするコンピュータ可読媒体。
【請求項２０】
請求項１９記載のコンピュータ可読媒体において、識別する命令（ｂ）は、
（ｂ１）それぞれの局所タスク領域に対して特性ベクトルを生成する命令を更に含むことを特徴とするコンピュータ可読媒体。
【請求項２１】
請求項２０記載のコンピュータ可読媒体において、識別する命令（ｂ）は、
（ｂ２）前記特性ベクトルを比較して一致する局所タスク領域を決定する命令を更に含むことを特徴とするコンピュータ可読媒体。
【請求項２２】
請求項２０記載のコンピュータ可読媒体において、識別する命令（ｂ）は、
（ｂ２）前記特性ベクトルのそれぞれを正規化する命令を更に含むことを特徴とするコンピュータ可読媒体。
【請求項２３】
請求項２２記載のコンピュータ可読媒体において、識別する命令（ｂ）は、
（ｂ３）前記正規化された特性ベクトルを比較して一致する局所タスク領域を判断する命令を更に含むことを特徴とするコンピュータ可読媒体。
【請求項２４】
請求項２２記載のコンピュータ可読媒体において、識別する命令（ｂ）は、
（ｂ３）前記正規化された特性ベクトルのそれぞれをハッシングして対応するハッシュ値を生じさせる命令と、
（ｂ４）前記対応するハッシュ値を比較する命令と、
（ｂ５）前記対応する特性ベクトルによって前記ハッシュ値を下位分類する命令と、
を更に含むことを特徴とするコンピュータ可読媒体。
【請求項２５】
請求項２２記載のコンピュータ可読媒体において、生成する命令（ｂ１）は、
（ｂ１ｉ）前記ＩＣチップ・デザインにおいて用いられそれぞれにインデクスが割り当てられている複数の形状タイプを提供する命令と、
（ｂ１ｉｉ）それぞれの局所タスク領域に対して、前記局所タスク領域に対する拡張されたタスク領域と交差する１つ又は複数の形状タイプに基づいて特性ベクトルを生成する命令であって、前記拡張されたタスク領域は、前記局所タスク領域と、前記局所タスク領域の周囲にあり光学的影響領域に対応する領域とを含む、命令と、
を更に含むことを特徴とするコンピュータ可読媒体。
【請求項２６】
請求項２５記載のコンピュータ可読媒体において、局所タスク領域に対する特性ベクトルは、それぞれの交差する形状タイプと、前記局所タスク領域の中心における原点との関係でのその向き及び位置とを記述することを特徴とするコンピュータ可読媒体。
【請求項２７】
請求項２５記載のコンピュータ可読媒体において、前記正規化命令（ｂ２）は、
（ｂ２ｉ）形状タイプ・インデクスの増加により前記特性ベクトルをソートする命令と、
（ｂ２ｉｉ）前記局所タスク領域を操作して、第１の形状タイプを所定の元の向きに配置する命令と、
を更に含むことを特徴とするコンピュータ可読媒体。
【請求項２８】
請求項１９記載のコンピュータ可読媒体において、前記分割命令（ａ）は、
（ａ１）複数の正方形の局所タスク領域を提供する命令であって、前記局所タスク領域のそれぞれのサイズは前記ＩＣチップのレイアウト・グリッド・サイズの整数倍である、命令を更に含むことを特徴とするコンピュータ可読媒体。
【請求項２９】
請求項１９記載のコンピュータ可読媒体において、
（ｅ）補正されるべき異なる局所タスク領域のリストを生成する命令と、
（ｆ）前記リストを補正のためにＯＰＣに提出する命令と、
を更に含むことを特徴とするコンピュータ可読媒体。
【請求項３０】
請求項２５記載のコンピュータ可読媒体において、前記生成する命令（ｂ１ｉｉ）は、
それぞれの特性ベクトルをゼロ値に初期化する命令と、
ＩＣチップ・デザインの階層を横断して第１の形状タイプ例を識別する命令と、
前記識別された形状タイプ例のレイアウト・グリッドの上に絶対位置を決定する命令と、
前記識別された形状タイプ例と交差する１つ又は複数の拡張されたタスク領域を識別する命令であって、拡張されたタスク領域は、前記局所タスク領域と、前記局所タスク領域の周囲にあり光学的影響領域に対応する領域とを含む、命令と、
前記命令において識別された拡張されたタスク領域と関連する局所タスク領域と対応する特性ベクトルを更新して、前記識別された形状タイプ例を記述する命令と、
前記ＩＣチップ・デザイン階層を横断して次の形状タイプ例を識別する命令と、
前記命令を、すべての形状タイプ例が識別されるまで反復する命令と、
を更に含むことを特徴とするコンピュータ可読媒体。
【請求項３１】
集積回路（ＩＣ）チップ・デザインに対して光近接効果補正（ＯＰＣ）を実行する方法であって、
（ａ）前記ＩＣチップを複数の局所タスク領域に分割するステップと、
（ｂ）それぞれの局所タスク領域に対して、前記局所タスク領域に対する拡張されたタスク領域と交差する１つ又は複数の形状タイプに基づいて特性ベクトルを生成するステップであって、前記拡張されたタスク領域は、前記局所タスク領域と、前記局所タスク領域の周囲にあり光学的影響領域に対応する領域とを含む、ステップと、
（ｃ）前記特性ベクトルのそれぞれの正規化するステップと、
（ｄ）前記正規化された特性ベクトルのそれぞれをハッシングして、対応するハッシュ値を生じさせるステップと、
（ｅ）前記対応するハッシュ値をソートするステップと、
（ｆ）前記対応する特性ベクトルによって前記ハッシュ値を下位分類するステップと、
（ｇ）一致する局所タスク領域に対応する特性ベクトルのそれぞれのグループに対してＯＰＣを実行するステップと、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項３２】
請求項３１記載の方法において、ハッシングのステップ（ｄ）は、
（ｄ１）サイズがＮｘＮである第１及び第２のランダム正規ビット・マトリクスを選択するステップと、
（ｄ２）それぞれの特性ベクトルをサイズがＮのビット・ベクトルのｍ個のグループに分割するステップと、
（ｄ３）ｍビットのベクトルの第１のグループを前記第１のマトリクスと反復的に乗算し、前記第２のマトリクスを加算することによってそれぞれの特性ベクトルに対するハッシュ値を計算するステップと、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項３３】
請求項３２記載の方法において、Ｎが３２であることを特徴とする方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この出願は、同日に出願され同じものに譲渡された同時継続中の"Method and System for Hierarchy Driven Chip Covering for OPC Purposes"と題する米国特許出願の関連出願である。
【０００２】
本発明は、集積回路チップ・デザインに関し、更に詳しくは、集積回路デザインに対して光近接効果補正を実行することに関する。
【背景技術】
【０００３】
集積回路（ＩＣ）の最小形状サイズは、年ごとに縮小してきている。このサイズの縮小に伴い、様々なプロセス上の制限により、ＩＣの製造はより困難になっている。そのような制限が生じている製造技術の分野の１つの領域に、フォトリソグラフィがある。
【０００４】
フォトリソグラフィは、レジスト・コーティングされたシリコン・ウエハの領域を選択的に放射パターンに露光させ、露光されたレジストを現像してウエハ層の領域を選択的に保護することを含む。
【０００５】
フォトリソグラフィ装置の中心的な構成要素として、ＩＣデザインにおける１つの層の形状に対応するパターンを含む「レチクル」がある。レチクルは、典型的には、パターニングのなされたクロムなどの光を遮断する材料で被覆された透明のガラス板を含む。レチクルは、予め選択された波長を有する放射を生じさせる放射源と「ステッパ」装置の一部を形成する合焦（焦点）レンズとの間に配置される。ステッパの下側には、レジストで被覆されたシリコン・ウエハが置かれる。放射源からの放射がレチクルの上に向けられると、光はガラスを通過し（クロム・パターンを有していない領域）、レジスト被覆されたシリコン・ウエハの上に射影される。このようにして、レチクルのイメージがレジストに転写される。
【０００６】
光は、レチクルを通過する際に、クロムのエッジによって屈折され散乱される。これにより、射影されたイメージは、いくらかの丸みやそれ以外の光学的な歪みを生じる。そのような効果は、形状のサイズが大きなレイアウト（測長（クリティカル・ヂメンジョン、ＣＤ）が約１ミクロンよりも大きなレイアウト）の場合には比較的小さな困難しか生じないが、１ミクロンよりも小さな形状を有するレイアウトでは、無視することができない。この問題は、フォトリソグラフィ・プロセスにおいて用いられる光の波長に近い形状サイズを有するＩＣデザインでは、特に顕著になる。
【０００７】
この問題に対処するため、光近接効果補正（ＯＰＣ）と称されるレチクル補正技術が、開発されている。光近接効果補正は、回折及び散乱の歪み効果を克服するように選択された位置においてレチクル・デザインに暗い領域を加え、及び／又は、暗い領域を取り除くことを含む。典型的には、ＯＰＣは、所望のＩＣパターンのデジタル表現に対して実行される。第１に、デジタル・パターンが、光学的な歪みが生じる領域を識別するソフトウェアを用いて評価される。次に、光近接効果補正がなされて、歪みが補償される。この結果として得られるパターンが、最終的に、レチクル・ガラスの上に転写される。
【０００８】
現在行われているＯＰＣは、レチクル・デザインのデジタル表現を修正することを含む。この修正は、ＯＰＣを実行するのに適したソフトウェアを有するワークステーションなどのコンピュータによって実行される。デザイン上のＣＤよりも小さな距離だけ離間している点が順に評価され、必要に応じて補正される。それぞれの点の評価には、周囲の形状を２次元的に分析し、問題のある回折が生じる可能性があるかどうかが判断される。可能性があると判断される場合には、適切な補正（例えば、セリフ又はセグメントの除去）が行われる。
【０００９】
マスク・デザイン全体の補正を行う際にＯＰＣを用いることに伴う問題点は、集積回路デザインを光学的に補正するためには時間及び計算能力の点で実質的な負担が存在するということである。例えば、それほど複雑とはいえない集積回路デザインであっても、ＯＰＣアルゴリズムを最新で最速のワークステーションにおいて用いたとしても、ＯＰＣを用いて補正を行うには少なくとも数日を要する場合がある。
【００１０】
ＯＰＣの計算的なコストは、補正には複数の小さなセリフをデザイン形状のコーナーに加えたり、ラインの横方向のセクションから取り除いたり、それに追加したり、移動させたりすることを含むことが多いということを考えれば、理解できるであろう。修正は、非常に精細な粒度で当初のパターンを評価した後でのみ、なされる。典型的には、約０．０２マイクロメートル未満（０．２５ミクロンのＣＤ技術を用いる場合）だけしか分離されていない潜在的な補正点を評価することが含まれる。典型的なレチクル・デザインには、平均サイズが０．５ｘ０．５マイクロメートルの、約５０００万から１億個の「矩形」が含まれることに注意してほしい。それぞれの矩形におけるそしてその周囲の形状は、２次元的に評価されなければならない。例えば、考慮している点が補正されるべきであるのかという判断は、周囲の点の５ｘ５のグリッドをまず評価した後でなければ可能ではないのである。このプロセスには非常に時間を要するし、著しい量の計算資源が要求される。というのは、１つのＩＣチップにおいてＯＰＣを実行するには、きわめて大量のデータの評価が必要であるからである。
【００１１】
従って、必要であるのは、ＩＣチップにおいてＯＰＣを効率的かつ正確に実行するためのシステム及び方法である。本発明は、そのような必要性に向けられたものである。
【発明の開示】
【００１２】
本発明は、ＩＣチップを一致する（congruent）タスクで構成されるグループに分類することによって、ＩＣチップ上でＯＰＣを実行する方法及びシステムを提供する。本発明のシステム及び方法は、ＩＣチップを複数の局所タスク領域に分割するステップと、一致する局所タスク領域を識別するステップと、一致する局所タスク領域を対応するグループに分類するステップと、一致する局所タスク領域のそれぞれのグループにＯＰＣを実行するステップと、を含む。
【００１３】
ＩＣチップにおいて一致する局所タスク領域を識別してグループ化することにより、この出願において開示されている方法及びシステムによると、ただ１つのＯＰＣ手順（例えば、評価や補正）だけが、一致する局所タスク領域のグループごとに実行される必要がある。評価されるデータ量と実行される補正の数とは、ＯＰＣがＩＣチップ・デザインの反復的な部分に対して実行されないために、著しく減少し、その結果として、計算資源及び時間が著しく節約できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
本発明は、ＩＣチップ・デザインに対してＯＰＣを実行する方法及びシステムに関する。以下の説明は、この技術分野の当業者が本発明を実施し使用することを可能にするようになされており、特許出願としてその要件を満たすようになされている。好適実施例や包括的な原理及び特徴に対する様々な修正は、当業者には容易に明らかになるはずである。従って、本発明は、実施例に限定されることはなく、ここに記載されている原理及び特徴と一貫性を有する最も広い範囲に解釈されるべきである。
【００１５】
既に述べたように、ＯＰＣは、潜在的な光回折効果を考慮してマスク・デザインを補正する技術である。従来型のシステムでは、マスク・デザインが完全に作成された後で、ＯＰＣ技術を用いて補正がなされる。ＯＰＣ技術の例として、Otto, et al., Automate Optical Proximity Correction - A Rules-based Approach, SPIE Optical/Laser Microlithography VII, March 1994, and Helmsen et al. 3D Lithography Cases for Exploring Technology Solutions and Benchmarking Simulators, SPIE: Optical/Laser Microlithography VI, pp. 382-394, March 1994がある。これらの文献は、その全体をこの出願において援用する。上述したように、集積回路デザインの全体に対してＯＰＣを実行するには、相当な時間と計算資源が必要になる。その理由は、マスク・デザインにおける膨大な数の微小な形状に対する大量のデータを評価し補正しなければならないからである。
【００１６】
本発明の方法及びシステムは、データの同一のグループを整理統合することによってＯＰＣのために評価されるデータ量を減少させることを目指している。ＩＣチップ・デザインは、典型的には、チップの全体を通じて反復される多数の要素すなわち構築ブロックから構成されている。これらの構築ブロックは階層的であり、その要素の階層上の位置に応じて、セル、マイクロセル、コアなどと称される。例えば、セルは単純なフリップフロップやＳＲＡＭ回路を表し、他方で、マイクロセルは複数のセルが組み込まれているより複雑な要素（例えば、大型の加算器）を表している。最も低いレベルの構築ブロックとして
多角形があるが、これは、形状とも称される。
【００１７】
ＩＣチップは、多数の形状を含むのが典型的であるが、マイクロセルは比較的少数を含むのが一般的である。マイクロセルはＩＣチップ・デザインの全体を通じて反復的に使用されるので、一致する（すなわち、同一又は類似する）形状の配置が固有である。
【００１８】
本発明によると、ＩＣチップ・デザインは、局所タスク領域に分割される。一致する、すなわち、同一又は類似の、局所タスク領域が、次に、識別されグループ化される。一致する局所タスク領域をグループ化することによって、あるグループにおけるただ１つの代表的な局所タスク領域からのデータが評価され補正される必要がある。これにより、ＯＰＣのために評価されるデータ量が減少し、それにより、時間及び計算資源が節約される。結果的に得られる補正は、そのグループの中のすべての局所タスク領域に適用することができる。
【００１９】
本発明は、ソフトウェア・プログラムとして実現されるが、このソフトウェア・プログラムは、ある好適実施例では、図１に示されている工学用ワークステーション又はそれ以外のタイプのコンピュータ・システム１０２上で動作する。本発明が動作しうる環境を図解しているブロック図である図１を参照すると、ワークステーション１０２は、例えば通常のハードディスク記憶装置などの不揮発性記憶装置１０６に結合されたマイクロプロセッサ１０４を含む。このハードディスク記憶装置１０６は、セル・ライブラリ１２８を含む。セル・ライブラリ１２８は、セルの集合を表す物理データベースであり、例えば形状タイプ、マイクロセル、コアなどのデザイン要素の任意の組合せを含むことがある。マイクロプロセッサ１０４とハードディスク記憶装置１０６とは、ランダム・アクセス・メモリ（ＲＡＭ）などの揮発性記憶装置１１０に結合されている。モニタ１１２は、ユーザ・インターフェースを表示するために、ワークステーション１０２に結合されている。
【００２０】
ＲＡＭ１１０は、動作中は、例えばＵＮＩＸ（登録商標）などのオペレーティング・システム（Ｏ／Ｓ）１１４と、従来型の入出力（Ｉ／Ｏ）モジュール１１６と、ＩＣチップ・デザイン１１８と、光近接効果補正（ＯＰＣ）モジュール１２０と、ＯＰＣ分類モジュール１２２とを記憶する。ＩＣチップ・デザイン１１８は、入出力（Ｉ／Ｏ）モジュール１１６を介して、デザイナ（図示せず）によって提出される。好ましくは、ＩＣチップ・デザイン１１８は、ＯＰＣ分類モジュール１２２がデザインを解釈することを可能にする例えばＧＤＳＩＩなどの何らかのフォーマットで記述されている。ＯＰＣ分類モジュール１２２はＯＰＣモジュール１２０に結合されており、本発明に従って、ＩＣチップ・デザイン１１８からのデータを分類して、補正のためにＯＰＣモジュール１２０に提出する。
【００２１】
ＯＰＣ分類モジュール１２２の機能を、図２の流れ図と関連させて論じる。図２には、本発明の好適実施例に従ってＩＣチップの分類を実行するプロセス２００が図解されている。図１及び２を参照すると、プロセスは、ＯＰＣ分類モジュール１２２がセル・ライブラリ１２８に記憶されＩＣチップ・デザイン１１８において用いられる可能性があるすべての形状のタイプを識別するステップ２０２において、開始する。それぞれの形状のタイプに対して、図３に示されているように、インデクスが割り当てられ、原点が選択される。
【００２２】
図３は、それぞれ「１」及び「２」とインデクスが付された２つの例示的な形状（３００、３０２）を図解している図である。原点は、形状境界付けボックスの左下のコーナーに選択され、図３では、「ｘ」によって表されている。
【００２３】
図１及び２を再び参照すると、可能性のある形状タイプがすべていったんインデクス付けされると、分類モジュール１２２は、ステップ２０４において、ＩＣチップ・デザイン１１８を局所タスク領域のマトリクスに分割する。好適実施例では、このマトリクスは、正方形のマトリクスであり、それぞれがサイズＳを有しており、Ｓは補正手順の複雑度の関数である。典型的には、局所タスク領域のサイズは、５−１０λの範囲にある。ただし、ここでλは、フォトレジストを露光するのに用いられる光の波長である。好ましくは、Ｓは、ＩＣチップ・デザインのレイアウトのグリッド・サイズの倍数である。そして、このグリッド・サイズは、デザインの間にマイクロセルの配置に用いられる最小のグリッドである。
【００２４】
それぞれの局所タスク領域は、ＯＰＣ手順が施されるＩＣチップの面積を表している。すなわち、この局所タスク領域における形状ラインは、補正の対象となる。ＯＰＣとフォトリソグラフィとの性質上、局所タスク領域の中で実行されるどの補正も、その局所タスク領域の周囲の領域における形状ラインに影響を及ぼす。この影響を受ける領域は、光学的影響領域（region of optical influence）として知られている。
【００２５】
図４は、サイズＳを有する局所タスク領域５０２と、その周囲にありサイズｄを有する光学的影響領域５０４とを図解しているブロック図である。光学的影響領域ｄは、ほぼ、２λである。局所タスク領域５０２によって画定される領域とその周囲にある光学的影響領域とは、拡張タスク領域５００と称される。従って、局所タスク領域５０２における形状ラインを補正する際には、拡張タスク領域５００における形状ラインも考慮しなければならない。
【００２６】
図１及び２を再び参照すると、ＩＣチップ・デザイン１１８がいったん局所タスク領域５０２に分割されると、分類モジュール１２２は、ステップ２０６において、マトリクスにおけるそれぞれの局所タスク領域Ｌに対して特性ベクトルＣ（Ｌ）を生成する。特性ベクトルは、局所タスク領域５０２の中における形状とその相対的な向き及び位置とを記述する。好適実施例では、特性ベクトルは、ｎをＬに対する拡張されたタスク領域５００と交差する形状の数として、次の通りである。
（数１）
Ｃ（Ｌ）＝（（ｎ，（ｉ1，ｆ1，ａ1，ｘ1，ｙ1），…（ｉn，ｆn，ａn，ｘn，ｙn））
要素（ｉk，ｆk，ａk，ｘk，ｙk）は、拡張されたタスク領域５００と交差するｋ番目の形状であり、ｉkは形状タイプのインデクスであり、ｆk及びａkは垂直方向のフリップ及び回転角度を表し、ｘk及びｙkは局所タスク領域５０２の中心との関係で形状の元点からの座標を表す。
【００２７】
図５は、例えば、拡張されたタスク領域５００‘を表し、この領域を通過して形状１（３００’）及び２（３０２‘）が交差する（図３に図解されている）。形状１（３００’）は、そのｘ軸に沿って１回反転（フリップ）され、次いで、その正常なすなわち元の位置から反時計回りに９０度回転されている（図３に示されている）。図２（３０２‘）は、その正常な位置にある。すなわち、フリップもゼロであり、回転もゼロである。Ｓ＝１６００の場合には、局所タスク領域５０２’に対する結果的な特性ベクトルは、次の通りである。
（数２）
Ｃ（Ｌ502`）＝（２，（２，０，０，１０００，−１８００），（１，１，９０，−１４００，４００））
このように、すべての局所タスク領域５０２に対して、特性ベクトルはステップ２０６で生成される。
【００２８】
本発明の好適実施例では、分類モジュール１２２は、例えばＧＤＳＩＩフォーマットで、ＩＣチップ・デザイン１１８を横断することによって、それぞれの特性ベクトルを生成する。当業者に知られているように、ＩＣチップ・デザイン１１８は、粒度の上昇のレベルに従って階層的に記述される。階層の最も低いレベルには、個々の形状例がある。
【００２９】
図６は、本発明の好適実施例によって特性ベクトルを生成するプロセス６００を図解する流れ図である。このプロセスは、ステップ６０１において、すべての特性ベクトルをゼロの値に初期化することによって開始する。次に、ステップ６０２において、分類モジュール１２２は、ＩＣチップの階層的な記述を横断して、第１の形状例（例えば、図５における形状１  ３００‘）を識別する。ステップ６０４では、形状例（３００’）の絶対位置は、当業者には知られているように、階層的な記述を介してＩＣチップの中で決定される。
【００３０】
次に、分類モジュール１２２は、ステップ６０６において、形状例（３００‘）と交差する拡張されたタスク領域（例えば、図５の５００’）を識別する。拡張されたタスク領域５００‘がいったん識別されると、形状例３００’によって影響を受ける局所タスク領域５０２‘も識別される。ステップ６０８では、分類モジュール１２２は、これらの局所タスク領域５０２’と関連する特性ベクトルを更新して、形状例３００‘の記述を含ませる。
【００３１】
ステップ６１０では、階層的なレイアウト記述をもう一度横断することによって、更に形状例が存在するかどうかが判断される。更に形状例が存在する場合には、次の形状例（例えば、図５の形状２  ３０２‘）がステップ６１２で識別され、上述したプロセスのステップがそれぞれの形状例に対して反復される。階層全体が横断されすべての形状例が分析されると、局所タスク領域５０２’に対するすべての特性ベクトルが更新される。
【００３２】
図２を再度参照すると、分類モジュール１２２がいったんステップ２０６で特性ベクトルを生成すると、これらは、相互に適切に比較が可能であるような一様のフォーマットで配置されなければならない。従って、ステップ２０８では、特性ベクトルは「正規化」される。
【００３３】
図７は、本発明の好適実施例に従って特性ベクトルを正規化するプロセス７００を図解している流れ図である。正規化プロセスは、分類モジュール１２２が第１の局所タスク領域５０２‘を識別した後で、ステップ７０２を介して開始する２ステップによるプロセスである。第１のステップでは、関連する特性ベクトルが、ステップ７０４において、形状インデクスによって昇べきの順にソートされる。従って、例えば、図５に表されている局所タスク領域５０２’に対する特性ベクトルは、ソートの後では、次のようになる。
（数３）
Ｃ（Ｌ502`）＝（２，（１，１，９０，−１４００，４００），（２，０，０，１０００，−１８００））
次に、ステップ７０６において、局所タスク領域５０２‘に対する拡張されたタスク領域５００‘が操作され、それによって、第１の形状例３００’はその「正常な」位置にあるようになる。すなわち、ベクトルのパラメータは、ｆi＝０及びａi＝０である。もう一度、図５の拡張されたタスク領域５００‘を参照すると、形状１（３００’）をその正常な位置に配置するために、拡張されたタスク領域５００‘は、そのｙ軸に沿って反転させ、反時計回りに２７０度回転させることができる。この操作の後で結果的に得られる拡張されたタスク領域５００”は、図８に示されている。
【００３４】
図８は、正規化の後の拡張されたタスク領域５００”を図解している。示されているように、形状１（３００”）は、今や、正常の位置にあり、形状２（３０２”）は１回反転され、反時計回りに９０度回転されている。従って、局所タスク領域５０２“に対する正規化された特性ベクトルは、次の通りである。
（数４）
Ｃ（Ｌ502“）＝（２，（１，０，０，４００，−１４００），（２，１，９０，−１８００，１０００））
もう一度図７を参照すると、ステップ７０８において、局所タスク領域５０２‘が更に存在するかどうかが判断される。存在する場合には、次の局所タスク領域５０２’が識別され（ステップ７１０）、その特性ベクトルが上述したプロセスに従って正規化される。
【００３５】
図１及び２をもう一度参照すると、ステップ２０８においてすべての特性ベクトルがすべて正規化されると、これらの特性ベクトルは、ステップ２１０においてどの局所タスク領域５０２“が一致するのかを判断するために比較される。その正規化された特性ベクトルが同一である場合には、局所タスク領域５０２”は一致する。ステップ２１２では、分類モジュール１２２は、一致する局所タスク領域５０２“をグループ化すなわち分類し、ステップ２１４において、異なる局所タスク領域１２６のリストを生成する。ステップ２１６では、リスト１２６が補正のためにＯＰＣモジュール１２０に提出される。このようにして、ＩＣチップ・デザインを評価し補正する代わりに、ＯＰＣモジュール１２０は、リストにある局所タスク領域５０２”を評価し補正するだけである。ＯＰＣモジュール１２０によって分析されるデータ量は、著しく減少し、従って、時間及び計算資源が節約される。
【００３６】
一致する特性ベクトルを比較し分類することによって、補正のためにＯＰＣモジュールに提出されるデータ量は著しく減少する。しかし、特性ベクトルをソートして分類するのは困難なタスクである場合がある。というのは、これらのベクトルは長いのが通常であるからである。従って、好適実施例では、ＯＰＣ分類モジュール１２２におけるハッシング点ユニット１２４（図１）がそれぞれの正規化された特性ベクトルをハッシングして、対応するハッシュ値を生じさせる。これらのハッシュ値を比較することによって、ソート及び分類のプロセスが著しく簡略化される。
【００３７】
図９は、本発明の好適実施例に従い、特性ベクトルをソートし分類してＯＰＣモジュール１２０に提出されるリスト１２６を生じさせるプロセス８００を図解している流れ図である。ステップ８０２では、ハッシュ・ユニット１２４が、サイズがＮｘＮである２つのランダムな正規ビット・マトリクスＡ及びＢを選択する。ここで、Ｎは例えば３２などの定数である。次に、それぞれの特性ベクトルが一連のビットとして扱われ（ステップ８０４）、次のように、Ｎのｍ個のグループに分割される。ただし、ここで、Ｘ1，…，ＸmはサイズがＮのビット・ベクトルである。特性ベクトルは、単純に、異なる方法であらわすことができ、計算操作は全く含まれていないことに注意すべきである。
（数５）
Ｃ（Ｌ）＝（Ｘ1，…，Ｘm）
次に、ステップ８０６では、ハッシング・ユニット１２４は、以下の反復的な手順に従って、それぞれの特性ベクトルに対するハッシュ値Ｈ（Ｌ）を計算する。
（数６）
Ｈ1＝Ｘ1
Ｈ2＝ＡＸＨ1＋Ｂ
Ｈ3＝ＡｘＨ2＋Ｂ
…
Ｈm＝ＡＸＨm-1＋Ｂ＝Ｈ（Ｌ）
結果的に得られるハッシュ値Ｈ（Ｌ）は、短く一定サイズのベクトル（例えば、３２ビット）であり、これは、特性ベクトルをソートし分類するのに実際的である。ステップ８０８では、ソート及び分類がハッシュ値によって実行される。一致しない局所タスク領域が同じハッシュ値を有する可能性は小さいが有限であるから、特性ベクトルによる追加的なサブ分類がステップ８１０において実行される。このようにして、このプロセスの最後には、一致する局所タスク領域５０２“は、正規化された特性ベクトルを相互に比較しなくても、分類がなされる。
【００３８】
ＩＣチップを一致する局所タスク領域に分類してＯＰＣ補正を実行する方法及びを異常で開示した。ＩＣチップにおける一致する局所タスク領域を識別してグループ化することにより、一致する局所タスク領域のグループごとに、ただ１つのＯＰＣ手順（例えば、評価及び補正）が実行されればよくなる。評価されるデータ量と実行される補正の回数とは、ＯＰＣがＩＣチップ・デザインの反復的な部分については実行されないので、著しく減少し、従って、計算資源及び時間を著しく節約できる。
【００３９】
以上で、本発明を示された実施例に従って説明したが、この技術分野の当業者であれば、これらの実施例を変更でき、変更されたものが本発明の精神及び範囲内にあるようにできることを容易に理解するであろう。従って、特許請求の範囲の精神及び範囲から逸脱せずに、当業者によって多くの修正が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】本発明が動作する環境を図解しているブロック図である。
【図２】本発明の好適実施例に従ってＯＰＣの分類を実行するプロセスを図解している流れ図である。
【図３】２つの例示的な形状のタイプの図解である。
【図４】光学的な影響の例示的な局所タスク領域とそれに関連する領域とを図解するブロック図である。
【図５】形状が交差するタイプの例示的な拡張されたタスク領域を図解するブロック図である。
【図６】本発明の好適実施例による特性ベクトルを生成するプロセスを図解している流れ図である。
【図７】本発明の好適実施例による特性ベクトルを正規化するプロセスを図解している流れ図である。
【図８】図５の拡張されたタスク領域の、それが操作された後の状態を図解しているブロック図である。
【図９】本発明の好適実施例による特性ベクトルを分類するプロセスを図解している流れ図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【手続補正書】
【提出日】平成16年3月17日(2004.3.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】全図
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【外国語明細書】
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