(57)【要約】【課題】有機ＥＬパネル用の電極のショート欠陥部を、ＹＡＧレーザを照射して除去することにより修正する、有機ＥＬ用パネルの電極欠陥修正方法で、欠陥部の下層に、レーザ照射によるダメージを与えることなく、修正できる方法を提供する。同時に、そのような方法を実施できる装置を提供する。【解決手段】電極と同じく電極形成用膜からなる欠陥部を除去するためのＹＡＧレーザを照射する工程途中において、深さ計測用ヘッドにより、欠陥部のＹＡＧレーザを照射して除去した深さを計測する工程を少なくとも１回以上行うもので、計測された深さと、予め把握しておいた電極形成用膜の修正前の厚さとの関係から、その時点での修正の進行度合を把握し、該計測後のＹＡＧレーザの照射を調整するものである。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機ＥＬパネル用の電極のショート欠陥部を、ＹＡＧレーザを照射して除去することにより修正する、有機ＥＬパネル用の電極の欠陥修正方法であって、電極と同じく電極形成用膜からなる欠陥部を除去するためのＹＡＧレーザを照射する工程途中において、欠陥部のＹＡＧレーザを照射して除去した深さを計測する工程を少なくとも１回以上行うもので、計測された深さと、予め把握しておいた電極形成用膜の修正前の厚さとの関係から、その時点での修正の進行度合を把握し、該計測後のＹＡＧレーザの照射を調整するものであることを特徴とする有機ＥＬパネル用電極の欠陥修正方法。
【請求項２】
請求項１において、計測工程は、触針方式による計測あるいはレーザ測定方式による計測であることを特徴とする有機ＥＬパネル用電極の欠陥修正方法。
【請求項３】
有機ＥＬパネル用の電極のショート欠陥部を、ＹＡＧレーザを照射して除去することにより修正する、有機ＥＬパネル用の電極の欠陥修正方法であって、電極と同じく電極形成用膜からなる欠陥部を除去するためのＹＡＧレーザを照射する工程において、レーザ照射時に飛散する飛散物質を分析し、飛散物質が電極形成用膜の材質成分のみから、その下層の材質成分のみに変わった時点をレーザ照射による修正の終点とするものであることを特徴とする有機ＥＬパネル用電極の欠陥修正方法。
【請求項４】
請求項１ないし３において、ＹＡＧレーザの波長が紫外線領域の第４高調波（２６６ｎｍ）以下の短い波長であることを特徴とする有機ＥＬパネル用電極の欠陥修正方法。
【請求項５】
請求項１ないし４において、ＣＣＭ方式の有機ＥＬパネル用のＣＣＭパネルにおける電極のショート欠陥部の修正方法であることを特徴とする有機ＥＬパネル用電極の欠陥修正方法。
【請求項６】
請求項１ないし５において、電極材質がＩＴＯであることを特徴とする有機ＥＬパネル用電極の欠陥修正方法。
【請求項７】
有機ＥＬパネル用の電極のショート欠陥部を、ＹＡＧレーザを照射して除去することにより修正する、有機ＥＬパネル用の電極の欠陥修正装置であって、電極形成用膜からなる欠陥部の、ＹＡＧレーザを照射して除去した深さを計測するための深さ計測用ヘッド、およびまたは、レーザ照射時に飛散する飛散物質を分析するための飛散物質検出用ヘッドを備えていることを特徴とする有機ＥＬパネル用電極の欠陥修正装置。
【請求項８】
請求項７において、深さ計測用ヘッドは、触針方式により計測を行うものあるいはレーザ測定方式により計測を行うものであることを特徴とする有機ＥＬパネル用電極の欠陥修正装置。
【請求項９】
請求項７ないし８において、前記透明導電膜からなる電極を配設した被加工用の有機ＥＬパネル用基板をステージ上に載置し、レーザを照射するレーザ照射ヘッドと、深さ計測用ヘッドおよびまたは飛散物質検出用ヘッドとは一体的に構成され、前記被加工用の有機ＥＬパネル用基板と、相対的にＸ−Ｙ移動されるものであることを特徴とする有機ＥＬパネル用電極の欠陥修正装置。
【請求項１０】
請求項７ないし９において、ＹＡＧレーザの波長が紫外線領域の第４高調波（２６６ｎｍ）以下の短い波長であることを特徴とする有機ＥＬパネル用電極の欠陥修正装置。
【請求項１１】
請求項７ないし１０において、ＣＣＭ方式の有機ＥＬパネル用のＣＣＭパネルにおける電極のショート欠陥部の修正を修正対象とすることを特徴とする有機ＥＬパネル用電極の欠陥修正装置。
【請求項１２】
請求項７ないし１１において、電極材質がＩＴＯであることを特徴とする有機ＥＬパネル用電極の欠陥修正装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は有機ＥＬ用の電極部の欠陥修正方法と欠陥修正装置に関し、特に、有機ＥＬパネルに供される電極のショート欠陥部を、ＹＡＧレーザを照射して除去することにより修正する、有機ＥＬパネル用電極の欠陥修正方法と、それを実施するための欠陥修正装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、電流の注入によって発光する有機化合物材料のエレクトロルミネッセンス（以下、有機ＥＬという）を利用して、かかる有機ＥＬ材料の薄膜からなる発光層を備えた有機ＥＬ素子の複数をマトリクス状に配置した有機ＥＬディスプレイパネルが、携帯端末や車載パネルとして用いられるようになってきた。
今後、パソコンの表示部にも使用される。
有機化合物材料を発光体とする有機ＥＬ素子は、液晶素子に比べ視野角が広く、コントラストも良く、視認性に優れており、バックライトが不要なため、薄型、軽量化が実現でき、消費電力の面でも有利で、応答性も速い。
そして、すべて固体であるため振動に強く、使用温度範囲も広いなどの特徴があり、表示素子として注目されている。
【０００３】
有機ＥＬ素子の構造は、基本的には、陽極と陰極の一対の電極間に有機化合物を含む（ＥＬ層）を挟持した構造となっており、Ｔａｎｇ等の「アノード電極／  正孔注入層／  発光層／  カソード電極」の積層構造が基本になっている。（特許１５２６０２６号公報）
そして、有機ＥＬ素子は、電極間に電場を印加し、ＥＬ層に電流を通じることで、発光する。
有機ＥＬ素子をディスプレイ用にパネル化して利用する場合、ＬＣＤと同様に、電極構成と駆動方法によりパッシブマトリクス方式とアクティブマトリクス方式に大別されるが、このようなパネルにおいて、有機ＥＬ素子を用い、カラー化を達成する方法としては、最も基本的なＲ、Ｇ、Ｂの３色の有機ＥＬ材料を表示装置の画素毎に精密に配置する３色並置方式の他に、白色発光層とＲ、Ｇ、Ｂのカラーフィルター（ＣＦとも言う）を組み合わせるＣＦ方式や、図４にその概略断面を示すパネル化した有機ＥＬパネル構造のように、青色発光層とＲ、Ｇの蛍光変換色素フィルターとを組み合わせえるＣＣＭ（Ｃｏｌｏｒ    Ｃｈａｎｇｉｎｇ    Ｍｅｄｉｕｍ）方式がある。
【０００４】
ところで、有機ＥＬ素子をディスプレイ用にパネル化して有機ＥＬパネル構造を作製する場合、通常、予め、透明なガラス基板上にカラーフィルタ層、透明電極を形成しただけの、有機ＥＬ発光層を配設していない状態のパネルをフォトリソ工程を用いて形成しておき、このように形成された有機ＥＬ発光層を配設していない状態のパネルに対して、蒸着等により発光層等を配設し、更に封止してディスプレイ用パネルを作製する。
しかしながら、フォトリソ工程を施し透明電極を形成する際に、通常はポジレジストを用いるため、不要なレジスト残等もしくはレジスト膜上に付着した異物に起因して、透明電極にショート欠陥が生じ、問題となっている。
尚、ここでは、有機ＥＬディスプレイパネル用の、有機ＥＬ発光層を配設していない、有機ＥＬ発光層を配設する前の段階のパネルで電極を配設したものを、単にパネルと言い、障壁（図４の４８５に相当）を形成した状態のものあるいは、形成しない状態のものを含む。
パネルのうちＣＣＭ方式の有機ＥＬディスプレイパネル用のものＣＣＭパネルと言う。
そして、このようなパネルの電極を有機ＥＬパネル用電極と言う。
また、透明電極４７０の下層には、バリア層４６０、ＯＣ層（オーバーコート層）４４０が設けられており、バリア層４６０は、耐湿性、耐溶剤性の低い発光層を保護するためのものである。
【０００５】
上記のように、有機ＥＬ発光層を配設していない、有機ＥＬ発光層を配設する前の段階のパネルをフォトリソ工程を用いて形成する際、電極のショート欠陥が発生することがあるが、最近では、このショート欠陥部をレーザ照射により除去して修正する方法が採られているが、この方法においては、ショート欠陥部の下層にもレーザ照射が達することがあり、欠陥部の下層にダメージが発生することがあり、問題となっていた。
尚、以下、ここで言う、「電極材質からなる欠陥部の下層にダメージを与えずに」とは、「下層に若干の損傷を与えても、実質的にその影響がない程度のダメージの範囲であって」という意味である。
【０００６】
【特許文献１】
特許１５２６０２６号公報
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
上記のように、有機ＥＬディスプレイパネル用電極形成の際、発生する電極のショート欠陥の除去を、レーザ照射により行う場合、欠陥部の下層に損傷が発生することがあり、この対応が求められていた。
本発明は、これに対応するもので、具体的には、有機ＥＬパネル用の電極のショート欠陥部を、ＹＡＧレーザを照射して除去することにより修正する、有機ＥＬ用パネルの電極欠陥修正方法で、欠陥部の下層に、レーザ照射によるダメージを与えることなく、修正できる方法を提供しようとするものである。
同時に、そのような方法を実施できる装置を提供しようとするものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明の有機ＥＬパネル用電極の欠陥修正方法は、有機ＥＬパネル用の電極のショート欠陥部を、ＹＡＧレーザを照射して除去することにより修正する、有機ＥＬパネル用の電極の欠陥修正方法であって、電極と同じく電極形成用膜からなる欠陥部を除去するためのＹＡＧレーザを照射する工程途中において、欠陥部のＹＡＧレーザを照射して除去した深さを計測する工程を少なくとも１回以上行うもので、計測された深さと、予め把握しておいた電極形成用膜の修正前の厚さとの関係から、その時点での修正の進行度合を把握し、該計測後のＹＡＧレーザの照射を調整するものであることを特徴とするものである。
そして、上記において、計測工程は、触針方式による計測あるいはレーザ測定方式による計測であることを特徴とするものである。
また、本発明の有機ＥＬパネル用電極の欠陥修正方法は、有機ＥＬパネル用の電極のショート欠陥部を、ＹＡＧレーザを照射して除去することにより修正する、有機ＥＬパネル用の電極の欠陥修正方法であって、電極と同じく電極形成用膜からなる欠陥部を除去するためのＹＡＧレーザを照射する工程において、レーザ照射時に飛散する飛散物質を分析し、飛散物質が電極形成用膜の材質成分のみから、その下層の材質成分のみに変わった時点をレーザ照射による修正の終点とするものであることを特徴とするものである。
【０００９】
また、上記において、ＹＡＧレーザの波長が紫外線領域の第４高調波（２６６ｎｍ）以下の短い波長であることを特徴とするものである。
また、上記において、ＣＣＭ方式の有機ＥＬパネル用のＣＣＭパネルにおける電極のショート欠陥部の修正方法であることを特徴とするものである。
また、上記において、電極材質がＩＴＯであることを特徴とするものである。
【００１０】
本発明の有機ＥＬパネル用電極の欠陥修正装置は、有機ＥＬパネル用の電極のショート欠陥部を、ＹＡＧレーザを照射して除去することにより修正する、有機ＥＬパネル用の電極の欠陥修正装置であって、電極形成用膜からなる欠陥部の、ＹＡＧレーザを照射して除去した深さを計測するための深さ計測用ヘッド、およびまたは、レーザ照射時に飛散する飛散物質を分析するための飛散物質検出用ヘッドを備えていることを特徴とするものである。
そして、上記において、深さ計測用ヘッドは、触針方式により計測を行うものあるいはレーザ測定方式により計測を行うものであることを特徴とするものである。
そしてまた、上記において、前記透明導電膜からなる電極を配設した被加工用の有機ＥＬパネル用基板をステージ上に載置し、レーザを照射するレーザ照射ヘッドと、深さ計測用ヘッドおよびまたは飛散物質検出用ヘッドとは一体的に構成され、前記被加工用の有機ＥＬパネル用基板と、相対的にＸ−Ｙ移動されるものであることを特徴とするものである。
また、上記において、ＹＡＧレーザの波長が紫外線領域の第４高調波（２６６ｎｍ）以下の短い波長であることを特徴とするものである。
また、上記において、ＣＣＭ方式の有機ＥＬパネル用のＣＣＭパネルにおける電極のショート欠陥部の修正を修正対象とすることを特徴とするものである。
また、上記において、電極材質がＩＴＯであることを特徴とするものである。尚、上記本発明の有機ＥＬパネル用電極の欠陥修正装置においては、飛散物質検出用ヘッドによりレーザ照射時に飛散する飛散物質を分析する方式により計測を行い、飛散物質が電極形成用膜の材質成分のみから、その下層の材質成分のみに変わった時点をレーザ照射による修正の終点とするものである。
【００１１】
【作用】
本発明の有機ＥＬパネル用電極の欠陥修正方法は、このような構成にすることにより、有機ＥＬパネル用の電極のショート欠陥部を、ＹＡＧレーザを照射して除去することにより修正する、有機ＥＬ用パネルの電極欠陥修正方法で、欠陥部の下層にダメージを与えることなく、修正できる方法の提供を可能としている。
具体的には、電極と同じく電極形成用膜からなる欠陥部を除去するためのＹＡＧレーザを照射する工程途中において、欠陥部のＹＡＧレーザを照射して除去した深さを計測する工程を少なくとも１回以上行うもので、計測された深さと、予め把握しておいた電極形成用膜の修正前の厚さとの関係から、その時点での修正の進行度合を把握し、該計測後のＹＡＧレーザの照射を調整するものであることにより、あるいは、電極と同じく電極形成用膜からなる欠陥部を除去するためのＹＡＧレーザを照射する工程において、レーザ照射時に飛散する飛散物質を分析し、飛散物質が電極形成用膜の材質成分のみから、その下層の材質成分のみに変わった時点をレーザ照射による修正の終点とするものであることにより、これを達成している。
即ち、計測された深さと、予めに把握しておいた電極形成用膜の修正前の厚さとの関係から、その時点での修正の進行度合を把握し、該計測後のＹＡＧレーザの照射を調整するものであることにより、あるいはまた、レーザ照射時に飛散する飛散物質を分析し、電極形成用膜とその下層の境界位置に達した時点を把握することにより、欠陥部の下層にダメージを与えないで欠陥部の除去をできるものとしている。
更に、ＹＡＧレーザの波長として、２６６ｎｍ（第４高調波）以下の短い波長を使用することにより、下層の熱損傷による焦げ付きを少なくできる。
尚、２６６ｎｍ（第４高調波）以下の短い波長を使用した場合には、光分解加工が主となり、熱損傷による焦げ付きが少なくなり、熱による形状の変化もほとんど発生しなく、非常に細かい分解能で除去物の飛散の影響も少ない。
ＹＡＧレーザの波長として、第１高調波（１０６４ｎｍ）、第２高調波（５３２ｎｍ）、第３高調波（３５５ｎｍ）を用いた場合、除去時に、熱損傷による焦げ付きが発生し、熱による形状の変化も発生し、場合によっては除去物の飛散による付着（以下飛着とも言う）の影響もある。
また、ＹＡＧレーザは、他のレーザに比べ装置化が簡単で、扱いがこのような修正に適している。
深さ計測としては、触針方式による計測あるいはレーザ測定方式による計測が挙げられる。
【００１２】
また、ＣＣＭ方式の有機ＥＬパネル用の、発光層を配設していない、発光層を配設する前の段階のＣＣＭパネルにおける電極のショート欠陥部の修正方法にも、有効に適用できる。
尚、ＣＣＭパネルにおける電極としては、透明電極層のみからなるもの、透明電極層と、透明電極層の透明なガラス基板側でない面に金属層（補助電極とも言う）を補助用に配したものが挙げられ、透明電極層としてはＩＴＯ（錫ドープ酸化インジウム）、ＩＺＯ（亜鉛ドープ酸化インジウム）、ＺｎＯ、ＳｎＯ２  、Ｉｎ２  Ｏ３  が挙げられるが、通常、ＩＴＯが用いられ、補助電極層としては、アルミニウム（Ａｌ），銅（Ｃｕ），銀（Ａｇ），白金（Ｐｔ），金（Ａｕ）等の金属単体、あるいは、前記の金属単体からなる層（細線）を窒化チタン（ＴｉＮ），チタン（Ｔｉ）等で被覆して補助電極層を形成してもよい。
電極に、補助電極を用いる場合には、透明電極ショート、補助電極ショートでレーザ出力を変えて対応しても良い。
通常、透明電極除去の出力＜補助電極除去の出力の関係にある。
特に、電極材質がＩＴＯである場合には、有効である。
【００１３】
本発明の有機ＥＬパネル用電極の欠陥修正装置は、このような構成にすることにより、有機ＥＬパネル用の電極のショート欠陥部を、ＹＡＧレーザを照射して除去することにより修正する、有機ＥＬ用パネルの電極欠陥修正方法で、欠陥部の下層にダメージを与えることなく、修正できる方法を、実施することができる有機ＥＬパネル用電極の欠陥修正装置の提供を可能としている。
深さ計測用ヘッドとしては、触針方式により計測を行いあるいはレーザ測定方式により計測を行い、直接、欠陥部のレーザ照射による除去の深さを得るものが挙げられるが、これらにより、予めに把握しておいた電極形成用膜の修正前の厚さとの関係から、その時点での修正の進行度合を把握でき、該計測後のＹＡＧレーザの照射を調整することができる。
また、レーザ照射時に飛散する飛散物質を分析するための飛散物質検出用ヘッドにより、電極形成用膜とその下層の境界位置に達した時点を把握することができる。
また、レーザを照射するレーザ照射ヘッドと、深さ計測用ヘッドおよびまたは飛散物質検出用ヘッドとは一体的に構成され、前記被加工用の有機ＥＬパネル用基板と、相対的にＸ−Ｙ移動されるものであることにより、これらの位置制御を簡単なものとし、結果的に品質的にも加工の精度の良いものとなる。
ＹＡＧレーザの波長が紫外線領域の第４高調波（２６６ｎｍ）以下の短い波長としたものは、欠陥部の下層の熱損傷による焦げ付きが少なくなり、熱による形状の変化もほとんど発生しなくできる装置の提供を可能にしている。
【００１４】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の形態を、図に基づいて説明する。
図１は本発明の有機ＥＬパネル用電極の欠陥修正方法の実施の形態の第１の例を説明するための工程断面図で、図２は図１（ａ）のＡ１側から部分的に透視してみた図で、図３は図１（ｅ）のＡ２部の拡大図で、図５は本発明の有機ＥＬパネル用電極の欠陥修正装置の実施の形態の１例で、図６は欠陥部にレーザ照射して除去した深さを測定する方法の１例を示した概略図である。
尚、図１（ａ）は、図２のＢ１−Ｂ２における断面を示したものである。
図１、図２、図３、図５、図６中、１１０はガラス基板、１２０はＣＦ層（カラーフィルタ層とも言う）、１３０はＣＣＭ層、１４０はＯＣ層（オーバーコート層とも言う）、１５０は絶縁層、１６０はバリア層、１７０は透明電極（正極）、１７５は欠陥部（ショート欠陥部とも言う）、１７５Ａは残膜部、１７６は欠陥修正箇所、１７７はダメージ部、１８０はＹＡＧレーザ光、５００は有機ＥＬパネル用電極の欠陥修正装置、５１０はレーザ照射ヘッド、５２０は深さ計測用ヘッド、５３０はステージ、５３５はベンチ台（ステージ支持部とも言う）、５４０は支持部、５４５、５４６はレール、５５０は支持台、５５５、５５６はレール、５８０は被修正用基板、６００は変位計、６１０は半導体レーザ駆動回路、６２０は半導体レーザ（発光素子）、６３０は透光レンズ、６４０はレーザ光、６４５は反射光、６５０は受光レンズ、６６０は光位置検出素子（光センサー部）、６７０、６７５は信号増幅回路、６８０は試料、Ｄ０、Ｄ１、Ｄ２は試料面、Ｓ０、Ｓ１、Ｓ２は光位置検出素子（光センサー部）の光到達位置である。
【００１５】
はじめに、図１に基づいて、本発明の有機ＥＬパネル用電極の欠陥修正方法の実施の形態の第１の例を説明する。
第１の例は、図２に示すような層構成のＣＣＭ方式の有機ＥＬパネル用の、発光層配設前のＣＣＭパネルにおける、透明電極１７０のショート欠陥１７５を、該欠陥部の下層にダメージを与えずにＹＡＧレーザを照射して除去することにより修正するものである。
第１の例においては、透明電極１７０と同じく電極形成用膜からなる欠陥部１７５を除去するためのＹＡＧレーザ１８０を照射する工程途中において、一旦ＹＡＧレーザ１８０の照射を止め、図５に示す装置の深さ計測用ヘッドにより、欠陥部のＹＡＧレーザを照射して除去した深さを計測する工程を１回行い、更に、計測された深さＤ１（図１（ｃ））と、予め把握しておいた電極形成用膜の修正前の厚さＴ１（図１（ｃ））との関係から、その時点での修正の進行度合を把握し、該計測後のＹＡＧレーザの照射を調整する。
【００１６】
第１の例を、図１に基づいて、以下、簡単に説明する。
先ず、予め、透明電極が加工された被修正用基板について、電極材質の厚さを把握しておく。
厚さの測定は、触針方式による計測あるいはレーザ測定方式による計測による。
触針方式による計測は、例えば、表面粗さ測定機（アルパック社製ＤＥＫＴＡＫ）により行うが、これに限定はされない。
レーザ測定方式としては、レーザを用いた変位計（変位センサとも言う）が用いられる。
これにより、図１（ｃ）に示すＴ０が欠陥部近傍の電極材質の厚さとして得られる。
この段階で、除去する電極材質に対応したＹＡＧレーザの波長、出力条件にて、ＹＡＧレーザを照射して欠陥部を除去するが、このＹＡＧレーザの出力条件も決めておく。
このＹＡＧレーザの出力条件は、ＹＡＧレーザの出力条件と除去進行具合との関係を把握して決める。
第１高調波（１０６４ｎｍ）、第２高調波（５３２ｎｍ）、第３高調波（３５５ｎｍ）、第４高調波（２６６ｎｍ）とも、ＩＴＯ除去を行うことができるが、熱損傷による下層（バリア層１６０）の焦げ付き具合、熱による下層（バリア層１６０）の変形の発生、飛着物の状態を考慮して、第４高調波（２６６ｎｍ）を用いることする。
ＣＣＭパネルは、図２に示すような層構成をしており、透明電極１７０として、一般に、約１０００Å厚のＩＴＯ、バリア層１６０としてＩＴＯより厚いもしくは同等の膜厚のものが使用される。
尚、ここでは、下層のバリア層１６０、は窒化酸化ケイ素膜からなるとする。
【００１７】
次いで、欠陥部１７５に第４高調波（２６６ｎｍ）のＹＡＧレーザ１８０を照射し（図１（ａ））、欠陥部１７５の透明導電膜を貫通する前に一旦ＹＡＧレーザ１８０の照射を止める。（図１（ｂ））
尚、予め、製品とは別に、テスト用に、ガラス基板上に十分に厚い、ＩＴＯを膜形成しておき、ＹＡＧレーザ１８０の照射について、出力条件を変えて、その除去進行具合を把握しておく。
次いで、欠陥部を除去した深さＤ１を測定する。（図１（ｃ））
欠陥部を除去した深さＤ１の測定としては、例えば、表面粗さ測定機（アルパック社製ＤＥＫＴＡＫ）等による触針方式による計測、あるいはレーザ測定方式による変位計を用いた計測による測定が適用できる。
【００１８】
次いで、予め知られているＴ０と測定されたＤ１とから、欠陥部１７５の残膜１７５Ｔの厚さが分かり、これから、ＹＡＧレーザ１８０の出力条件を調整して、所定量だけ照射を行い（図１（ｄ））、照射を止め、修正を終了する。（図１（ｅ））
尚、ここでのＹＡＧレーザ１８０の出力条件も、ＹＡＧレーザの出力条件と除去進行具合との関係を予め把握しておき、これから決める。
図３は、修正後の状態で、ここでは、バリア層１６０を深さｈ分だけ除去されたことが示されているが、バリア層１６０は、図４に示すように、発光層を配設し有機ＥＬパネルを作製した際、発光層を湿度等から保護するためのもので、実用に耐える厚さが残っていれば問題はない。
【００１９】
次に、本発明の有機ＥＬパネル用電極の欠陥修正方法の実施の形態の第２の例を挙げる。
第２の例は、上記実施の形態の第１の例における、ＹＡＧレーザ照射を一旦停止することをせずに、レーザ照射にて飛散する飛散物質の飛散物質検出用ヘッド（例えば、イオン検出器、島津製作所製等）による分析を併用し、リアルタイムに欠陥部を除去した深さがバリア層１６０との界面に達した深さか否かの深さ確認を行い、境界に達したと判断した時点で、レーザの照射を中止するものである。
第２の例の方法は、イオン照射にて除去を行なっている際、界面位置にて検出されるイオンの種類が変わる性質を利用するものであるが、場合によっては真空排気しながら、修正処理を行う必要がある。
【００２０】
次に、本発明の有機ＥＬパネル用電極の欠陥修正方法の実施の形態の第３の例を挙げる。
第３の例は、第１の例と第２の例の折衷的なもので、上記実施の形態の第１例において、図１（ｄ）のレーザ照射時、レーザ照射にて飛散する飛散物質の飛散物質検出用ヘッド（例えば、イオン検出器、島津製作所製等）による分析を併用するもので、これにより、電極材質とバリア層の境界を知ることができ、境界に達したと判断した時点で、レーザの照射を中止するものである。
第３の例も、第２の例と同様、イオン照射にて除去を行なっている際、界面位置にて検出されるイオンの種類が変わる性質を利用するものであるが、場合によっては真空排気しながら、修正処理を行う必要がある。
【００２１】
次に、本発明の有機ＥＬパネル用電極の欠陥修正装置の実施の形態の１例を、図５に基づいて簡単に説明する。
本例は、上記第１の例の有機ＥＬパネル用電極の欠陥修正方法を実施するための装置で、電極形成用膜からなる欠陥部の、ＹＡＧレーザを照射して除去した深さを計測するための深さ計測用ヘッド５２０を備えている。
本例においては、深さ計測用ヘッド５２０は、レーザ測定方式により計測を行うものである。
透明導電膜からなる電極を配設した被加工用基板５８０を、ベンチ台５３５上に配設されたステージ５３０上に載置し、レーザを照射するレーザ照射ヘッド５１０と深さ計測用ヘッド５２０とは一体的に構成されており、被加工用基板５３０と、相対的にＸ−Ｙ移動されるものである。
本例の有機ＥＬパネル用電極の欠陥修正装置においては、レーザ照射ヘッド５１０と深さ計測用ヘッド５２０は、支持台５５０に一体的に固定され、支持部５４０上に配設されたｘ方向の２本のレール５５５、５５６に沿いＸ方向移動でき、且つ、支持部５４０は、ベンチ台５３５上にＹ方向に配設された２本のレール５４５、５４６に沿いＹ方向移動でき、結局、レーザ照射ヘッド５１０と深さ計測用ヘッド５２０は、一体的に、被加工基板５３０と相対的にＸ−Ｙ方向移動できる。
ここではレーザとしてはＹＡＧレーザの第４階調波（２６６ｎｍ）を用いている。
【００２２】
本例では、深さ計測用ヘッド５２０としてレーザを用いた変位計を用いている。
レーザを用いた変位計の１例として三角測量式レーザ変位計を図６に挙げ、簡単に説明しておく。
この変位計６００においては、透光レンズ６３０を介して試料６８０に照射された反射光が、試料６８０の面が基準位置Ｄ０にあるとき受光レンズ６５０を介して光位置検出素子６６０の基準の位置にＳ０に到達するようになっており、且つ、試料６８０の面が基準位置Ｄ０からずれたＤ１位置にあるとき、これにともない、試料面Ｄ１からの反射光は、光位置検出素子６６０の基準の位置Ｓ０から所定の距離だけずれた位置Ｓ１へ到達するようになっており、同様に、試料６８０の面が基準位置Ｄ０からずれたＤ２位置にあるとき、これにともない、試料面Ｄ２からの反射光は、光位置検出素子６６０のの基準の位置Ｓ０から所定の距離だけずれた位置Ｓ２へ到達するようになっている。
即ち、光位置検出素子における光到達位置と試料面の位置とが対応がとれるようになっている。
このため、光位置検出素子における光到達位置を検出することにより、試料面の位置を検出ができるものである。
【００２３】
図５に示す有機ＥＬパネル用電極の欠陥修正装置の変形例としては、図示していないが、第２の例ないし第３の例の有機ＥＬパネル用電極の欠陥修正方法を実施するために、図５に示す装置において、更に、レーザ照射にて飛散する飛散物質を検出するための飛散物質検出用ヘッド（例えば、イオン検出器、島津製作所製等）をレーザ照射ヘッド５１０に一体的に配設したものが挙げられる。
この変形例においては、場合によっては、装置全体を真空排気状態のもとで動作させることが必要となる。
【００２４】
【発明の効果】
本発明は、上記のように、有機ＥＬパネル用の電極のショート欠陥部を、ＹＡＧレーザを照射して除去することにより修正する、有機ＥＬ用パネルの電極欠陥修正方法で、欠陥部の下層にダメージを与えることなく、修正できる方法の提供を可能とした。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の有機ＥＬパネル用電極の欠陥修正方法の実施の形態の第１の例を説明するための工程断面図である。
【図２】図１（ａ）のＡ１側から部分的に透視してみた図である。
【図３】図１（ｂ）のＡ２部の拡大図である。
【図４】ＣＣＭ方式有機ＥＬパネル構造の断面図である。
【図５】発明の有機ＥＬパネル用電極の欠陥修正装置の実施の形態の１例である。
【図６】欠陥部にレーザ照射して除去した深さを測定する方法の１例を示した概略図である。
【符号の説明】
１１０            ガラス基板
１２０            ＣＦ層（カラーフィルタ層とも言う）
１３０            ＣＣＭ層
１４０            ＯＣ層（オーバーコート層とも言う）
１５０            絶縁層
１６０            バリア層
１７０            透明電極（正極）
１７５            欠陥部（ショート欠陥部とも言う）
１７５Ａ          残膜部
１７６            欠陥修正箇所
１７７            ダメージ部
１８０            ＹＡＧレーザ光
５００            有機ＥＬパネル用電極の欠陥修正装置
５１０            レーザ照射ヘッド
５２０            深さ計測用ヘッド
５３０            ステージ
５３５            ベンチ台（ステージ支持部とも言う）
５４０            支持部
５４５、５４６    レール
５５０            支持台
５５５、５５６    レール
５８０            被修正用基板
６００            変位計
６１０            半導体レーザ駆動回路
６２０            半導体レーザ（発光素子）
６３０            透光レンズ
６４０            レーザ光
６４５            反射光
６５０            受光レンズ
６６０            光位置検出素子（光センサー部）
６７０、６７５    信号増幅回路
６８０            試料
Ｄ０、Ｄ１、Ｄ２  試料面
Ｓ０、Ｓ１、Ｓ２  光位置検出素子（光センサー部）の光到達位置
【図１】
2004281328.tif 000003
【図２】
2004281328.tif 000004
【図３】
2004281328.tif 000005
【図４】
2004281328.tif 000006
【図５】
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【図６】
2004281328.tif 000008