(57)【要約】【課題】反射面の枚数が比較的少ない構成にもかかわらず、たとえばＥＵＶ光に対して良好に収差補正され、且つ十分に大きな有効結像領域および像側開口数を有する反射型の結像光学系。【解決手段】複数の反射鏡（Ｍ１〜Ｍ６）を備え、第１面（Ｍ）の像を第２面（Ｗ）上に形成する反射型の結像光学系。第１面の中間像を形成するための第１反射結像光学系（Ｍ１〜Ｍ４）と、中間像の像を第２面上に形成するための第２反射結像光学系（Ｍ５，Ｍ６）とを備え、複数の反射鏡は、第１面と第２面との間の空間に配置され、入射瞳が第１面を挟んで結像光学系の反対側に位置し、ペッツバール和の絶対値が０．０００２（ｍｍ−１）以下である。【選択図】  図１８
2004170869.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の反射鏡を備え、第１面の像を第２面上に形成する反射型の結像光学系において、
前記第１面の中間像を形成するための第１反射結像光学系と、前記中間像の像を前記第２面上に形成するための第２反射結像光学系とを備え、
前記複数の反射鏡は、前記第１面と前記第２面との間の空間に配置され、
入射瞳が前記第１面を挟んで前記結像光学系の反対側に位置し、
ペッツバール和の絶対値が０．０００２（ｍｍ−１）以下であることを特徴とする結像光学系。
【請求項２】
ペッツバール和の絶対値が０．０００１（ｍｍ−１）以下であることを特徴とする請求項１に記載の結像光学系。
【請求項３】
前記入射瞳と前記第１面との間隔をＤｏとし、前記第１面における最大物体高をＨｏとし、前記結像光学系の第１面側の開口数をＮＡｏとするとき、
Ｄｏ＞Ｈｏ／（２×ＮＡｏ）
の条件を満足することを特徴とする請求項１または２に記載の結像光学系。
【請求項４】
６つの非球面反射鏡を備え、第１面の像を第２面上に形成する反射型の結像光学系において、
入射瞳が前記第１面を挟んで前記結像光学系の反対側に位置し、
前記第１面側から光の入射順に、第１反射鏡Ｍ１と第２反射鏡Ｍ２と第３反射鏡Ｍ３と第４反射鏡Ｍ４と第５反射鏡Ｍ５と第６反射鏡Ｍ６とを有し、
前記第１面から前記第２面へ光軸に沿って、前記第２反射鏡Ｍ２、前記第４反射鏡Ｍ４、前記第１反射鏡Ｍ１、前記第３反射鏡Ｍ３、前記第６反射鏡Ｍ６、および前記第５反射鏡Ｍ５の順に配置されていることを特徴とする結像光学系。
【請求項５】
６つの非球面反射鏡を備え、第１面の像を第２面上に形成する反射型の結像光学系において、
入射瞳が前記第１面を挟んで前記結像光学系の反対側に位置し、
前記第１面側から光の入射順に、第１反射鏡Ｍ１と第２反射鏡Ｍ２と第３反射鏡Ｍ３と第４反射鏡Ｍ４と第５反射鏡Ｍ５と第６反射鏡Ｍ６とを有し、
前記第１面から前記第２面へ光軸に沿って、前記第４反射鏡Ｍ４、前記第２反射鏡Ｍ２、前記第３反射鏡Ｍ３、前記第１反射鏡Ｍ１、前記第６反射鏡Ｍ６、および前記第５反射鏡Ｍ５の順に配置されていることを特徴とする結像光学系。
【請求項６】
前記第１面に設定されたマスクを照明するための照明系と、前記マスクのパターンを前記第２面に設定された感光性基板上へ投影露光するための請求項１乃至５のいずれか１項に記載の結像光学系とを備えていることを特徴とする露光装置。
【請求項７】
前記第１面に設定されたマスクを照明し、請求項１乃至５のいずれか１項に記載の結像光学系を介して前記マスクのパターンを前記第２面に設定された感光性基板上へ投影露光することを特徴とする露光方法。
【請求項８】
第１面に設定されたマスクを照明し、該マスクの像を第２面上に設定された感光性基板上に形成する露光装置において、
光源からの放射をマスクへ導く照明光学系と、
前記マスクの像を前記第２面上に形成する投影光学系とを備え、
前記照明光学系は、光路偏向鏡を備え、
該光路偏向鏡は、前記マスクから前記投影光学系へ向かう光束と前記投影光学系の光軸との間の空間に位置決めされることを特徴とする露光装置。
【請求項９】
前記マスクから前記投影光学系へ向かう光束と前記投影光学系の光軸との間の空間には、１つのみの前記光路偏向鏡が配置されることを特徴とする請求項８に記載の露光装置。
【請求項１０】
前記光路偏向鏡へ向かう光束と前記光路偏向鏡の反射面とのなす角度は１５度以下であることを特徴とする請求項８または９に記載の露光装置。
【請求項１１】
前記光路偏向鏡は、前記第１面と前記投影光学系との間の空間に位置決めされていることを特徴とする請求項８乃至１０のいずれか１項に記載の露光装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、結像光学系、露光装置および露光方法に関し、特に半導体集積回路の製造に使用される投影露光装置に好適な反射型の結像光学系に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
この種の露光装置では、転写すべき回路パターンの微細化に伴って解像力の一層の向上が要求されており、露光光としてより短波長の光を用いるようになっている。なお、本明細書における「光」とは、目で見える狭義の「光」だけではなく、電磁波のうち１ｍｍよりも短い波長を有する、いわゆる赤外線からＸ線までを含む広義の「光」を意味する。近年、次世代装置として、５〜４０ｎｍ程度の波長を有するＥＵＶ（Ｅｘｔｒｅｍｅ  ＵｌｔｒａＶｉｏｌｅｔ）光を用いる露光装置（以下、「ＥＵＶＬ（Ｅｘｔｒｅｍｅ  ＵｌｔｒａＶｉｏｌｅｔ  Ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ）露光装置」という）が提案されている。
【０００３】
このように非常に短いＥＵＶ光の波長域では、屈折光学部材として十分な透過率を有する物質が現存しないため、反射光学部材のみで構成された反射型の投影光学系（結像光学系）を用いることになる。従来、ＥＵＶ光用の投影光学系として、様々なタイプの光学系が提案されている。ＥＵＶＬ露光装置における解像限界線幅は、物理法則により、次の式（ａ）で表わされる。なお、式（ａ）において、λは露光光の波長であり、ＮＡは投影光学系の像側開口数であり、ｋは装置や受光樹脂の特性等の環境に依存する定数である。
解像限界線幅＝ｋ×λ／ＮＡ    （ａ）
【０００４】
物理法則によれば、ｋは最小で０．２５であるが、装置としての実用性を考慮すると、ｋは０．４程度と考えるのが妥当である。現在、ＥＵＶＬ露光装置で使用が想定されるＥＵＶ光の波長は１３．４ｎｍであり、目標とする最小線幅は約５０ｎｍと想定されている。したがって、式（ａ）を参照すると、最小線幅５０ｎｍを達成するのに必要な投影光学系の像側開口数ＮＡは、次の式（ｂ）に示すように、０．１１程度になる。
【数１】
必要なＮＡ＞ｋ×λ／（最小線幅）＝０．４×１３．４／５０＝０．１１    （ｂ）
【０００５】
さらに、最小線幅３０ｎｍを目標とする次世代のＥＵＶＬ露光装置に対しても適用可能な投影光学系に必要な像側開口数ＮＡは０．１８以上となる。しかしながら、従来技術では、実用的な大きさの静止露光領域およびＮＡ＝０．１〜０．１８の大きな像側開口数を有し、且つ十分に収差補正されたＥＵＶＬ露光装置用の投影光学系はほとんど提案されていない。これは、従来、ＥＵＶＬ露光装置が目標とする最小線幅を１００ｎｍ程度に想定してきたからである。ただし、たとえば特開平１０−９０６０２号公報、および特開平９−２１１３３２号公報には、ＮＡ＝０．１〜０．１８の像側開口数を有し、且つ十分に収差補正された反射型の投影光学系が開示されている。
【０００６】
ところで、ＥＵＶＬ露光装置では、透過型のマスクではなく反射型のマスクを用いるため、照明光をマスクに対して斜めから入射させる必要がある。これは、反射型のマスクに対して照明光を垂直入射させると、マスクに入射する照明光の光路とマスクで反射されて投影光学系へ向かう照明光の光路とが重なり合い、マスクを照明する照明系の光学部材が投影光学系の光路を遮るか、あるいは投影光学系の光学部材が照明系の光路を遮るからである。上述の公報に開示された従来の投影光学系では、入射瞳が物体面（マスク面）よりも投影光学系側に位置するように構成されている。
【０００７】
【特許文献１】
特開平１０−９０６０２号公報
【特許文献２】
特開平９−２１１３３２号公報
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
一般に、マスクパターンを歪みなく、効率良く被露光面に転写するには、照明系の射出瞳と投影光学系の入射瞳とを光学的に共役にする必要がある。そのため、投影光学系の入射瞳の位置を考慮して、照明系を構成する必要がある。本出願人は、従来の投影光学系では入射瞳がマスク面よりも投影光学系側に位置するように構成されているので、照明系の射出瞳と投影光学系の入射瞳とを光学的に共役にするためにマスクと面光源との間に集光作用を有する反射光学系の介在が必要になることに着目し、特願２００１−３０５５２１号明細書および図面（以下、単に「先行特許出願」という）において入射瞳がマスク面を挟んで投影光学系の反対側に位置する光学系を提案している。
【０００９】
特に、介在する集光反射光学系として回転楕円鏡を用いる場合、２つの焦点間の結像関係に関しては無収差であるが、焦点から少しでも外れた点とその共役点との結像関係に関しては非常に大きい収差が発生する。すなわち、照明系の射出瞳に点光源が形成される場合には問題がないが、照明系の射出瞳に実質的な面光源が形成される露光装置の場合には、回転楕円鏡に起因してマスクを照明する照明光が歪むことになる。その結果、投影光学系の瞳面に形成される面光源像も歪み、ひいてはマスクパターンを被露光面に歪みなく転写することができなくなる。
【００１０】
上述の先行特許出願に提案された投影光学系（結像光学系）では、入射瞳がマスク面を挟んで投影光学系の反対側に位置しているので、マスクと面光源との間に集光反射光学系を介在させる必要がなくなる。その結果、照明系の構成を簡素化することが可能になるだけでなく、良好な結像性能に基づいてマスクパターンを被露光面に忠実に転写することが可能になる。なお、入射瞳がマスク面よりも投影光学系側に位置する投影光学系のさらに詳細な不都合、および入射瞳がマスク面を挟んで投影光学系の反対側に位置する投影光学系のさらに詳細な作用効果については、先行特許出願における関連の記載を参照することができる。
【００１１】
ところで、特にＥＵＶＬ露光装置に搭載される投影光学系においては、収差が極めて小さいことが求められる。具体的には、一般の結像光学系においては、波面のＲＭＳ（ｒｏｏｔ  ｍｅａｎ  ｓｑｕａｒｅ：自乗平均平方根）が使用光の波長の１／１４程度であれば、収差の影響がほぼ無いものと認められる。これに対し、ＥＵＶ光用の投影光学系では、波面のＲＭＳが使用光（ＥＵＶ光）の波長の１／３０〜１／１００程度に収まっていることが求められる。上述の先行特許出願にかかる発明では、露光波長を１３．４ｎｍとすると、第１実施例における波面のＲＭＳは０．００５７〜０．０１１０であり、要求される収差のレベルをほぼ満足しているが、第２実施例における波面のＲＭＳは０．００９６〜０．０３７５であり、求められる最も厳しい要求レベルを満足していない。
【００１２】
第２実施例が第１実施例と比較して収差補正の観点から見劣りするのは、主として、結像光学系を構成する反射面の枚数（反射鏡の数）が第１実施例よりも少ないためである。具体的には、第１実施例の結像光学系が８つの反射面を用いているのに対し、第２実施例の結像光学系が６つの反射面しか用いていないため、第２実施例では第１実施例に比して十分な収差補正が達成されていない。しかしながら、特にＥＵＶＬ露光装置では、反射面当りの反射率が約７０％と極めて低いので、光量損失の回避ひいてはスループットの向上の観点から、十分に大きな静止露光領域（有効結像領域）および像側開口数を確保するだけでなく、投影光学系を構成する反射面の枚数が厳しく制限される。
【００１３】
本発明は、前述の課題に鑑みてなされたものであり、反射面の枚数が比較的少ない構成にもかかわらず、たとえばＥＵＶ光に対して良好に収差補正され、且つ十分に大きな有効結像領域および像側開口数を有する反射型の結像光学系を提供することを目的とする。また、本発明の結像光学系を介して、マスクパターンを感光性基板上に忠実に且つ高スループットで転写することのできる露光装置および露光方法を提供することを目的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
前記課題を解決するために、本発明の第１形態では、複数の反射鏡を備え、第１面の像を第２面上に形成する反射型の結像光学系において、
前記第１面の中間像を形成するための第１反射結像光学系と、前記中間像の像を前記第２面上に形成するための第２反射結像光学系とを備え、
前記複数の反射鏡は、前記第１面と前記第２面との間の空間に配置され、
入射瞳が前記第１面を挟んで前記結像光学系の反対側に位置し、
ペッツバール和の絶対値が０．０００２（ｍｍ−１）以下であることを特徴とする結像光学系を提供する。
【００１５】
第１形態の好ましい態様によれば、ペッツバール和の絶対値が０．０００１（ｍｍ−１）以下である。また、前記入射瞳と前記第１面との間隔をＤｏとし、前記第１面における最大物体高をＨｏとし、前記結像光学系の第１面側の開口数をＮＡｏとするとき、Ｄｏ＞Ｈｏ／（２×ＮＡｏ）の条件を満足することが好ましい。
【００１６】
本発明の第２形態では、６つの非球面反射鏡を備え、第１面の像を第２面上に形成する反射型の結像光学系において、
入射瞳が前記第１面を挟んで前記結像光学系の反対側に位置し、
前記第１面側から光の入射順に、第１反射鏡Ｍ１と第２反射鏡Ｍ２と第３反射鏡Ｍ３と第４反射鏡Ｍ４と第５反射鏡Ｍ５と第６反射鏡Ｍ６とを有し、
前記第１面から前記第２面へ光軸に沿って、前記第２反射鏡Ｍ２、前記第４反射鏡Ｍ４、前記第１反射鏡Ｍ１、前記第３反射鏡Ｍ３、前記第６反射鏡Ｍ６、および前記第５反射鏡Ｍ５の順に配置されていることを特徴とする結像光学系を提供する。
【００１７】
本発明の第３形態では、６つの非球面反射鏡を備え、第１面の像を第２面上に形成する反射型の結像光学系において、
入射瞳が前記第１面を挟んで前記結像光学系の反対側に位置し、
前記第１面側から光の入射順に、第１反射鏡Ｍ１と第２反射鏡Ｍ２と第３反射鏡Ｍ３と第４反射鏡Ｍ４と第５反射鏡Ｍ５と第６反射鏡Ｍ６とを有し、
前記第１面から前記第２面へ光軸に沿って、前記第４反射鏡Ｍ４、前記第２反射鏡Ｍ２、前記第３反射鏡Ｍ３、前記第１反射鏡Ｍ１、前記第６反射鏡Ｍ６、および前記第５反射鏡Ｍ５の順に配置されていることを特徴とする結像光学系を提供する。
【００１８】
本発明の第４形態では、前記第１面に設定されたマスクを照明するための照明系と、前記マスクのパターンを前記第２面に設定された感光性基板上へ投影露光するための第１形態〜第３形態の結像光学系とを備えていることを特徴とする露光装置を提供する。
【００１９】
本発明の第５形態では、前記第１面に設定されたマスクを照明し、第１形態〜第３形態の結像光学系を介して前記マスクのパターンを前記第２面に設定された感光性基板上へ投影露光することを特徴とする露光方法を提供する。
本発明の第６形態では、第１面に設定されたマスクを照明し、該マスクの像を第２面上に設定された感光性基板上に形成する露光装置において、
光源からの放射をマスクへ導く照明光学系と、
前記マスクの像を前記第２面上に形成する投影光学系とを備え、
前記照明光学系は、光路偏向鏡を備え、
該光路偏向鏡は、前記マスクから前記投影光学系へ向かう光束と前記投影光学系の光軸との間の空間に位置決めされることを特徴とする露光装置を提供する。第６形態の好ましい態様によれば、前記マスクから前記投影光学系へ向かう光束と前記投影光学系の光軸との間の空間には、１つのみの前記光路偏向鏡が配置されることが好ましい。
また、第６形態の別の好ましい態様によれば、前記光路偏向鏡へ向かう光束と前記光路偏向鏡の反射面とのなす角度は１５度以下であることが好ましい。これにより、光路偏向鏡での反射率を高くすることができ、さらなるスループットの向上を図ることができる。
また、第６形態のさらに別の好ましい態様によれば、前記光路偏向鏡は、前記第１面と前記投影光学系との間の空間に位置決めされていることが好ましい。
【００２０】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の作用の説明に先立って、前述の先行特許出願に提案された光学系、特に第２実施例にかかる結像光学系についてさらに詳細に考察する。図１は、先行特許出願の第２実施例にかかる結像光学系の構成を概略的に示す図である。図１の結像光学系では、レチクル（マスク）Ｒからの光は、第１反射鏡Ｍ２６、第２反射鏡Ｍ２５、開口絞りＡＳ、第３反射鏡Ｍ２４、および第４反射鏡Ｍ２３で順次反射された後、レチクルパターンの中間像を形成する。そして、レチクルパターン中間像からの光は、第５反射鏡Ｍ２２および第６反射鏡Ｍ２１で順次反射された後、ウェハＷ上にレチクルパターンの縮小像を形成する。
【００２１】
次の表（１）に、図１に示す結像光学系の諸元の値を掲げる。表（１）において、λは露光光の波長を、ＮＡは像側（ウェハ側）開口数を、Ｙは露光領域における像高の範囲をそれぞれ表している。また、面番号はウェハ面からレチクル面へ光線が逆行する方向に沿ったウェハ側からの反射面の順序を、ｒは各反射面の頂点曲率半径（ｍｍ）を、ｄは各反射面の軸上間隔すなわち面間隔（ｍｍ）をそれぞれ示している。なお、面間隔ｄは、反射される度にその符号を変えるものとする。そして、光線の入射方向にかかわらずウェハ側に向かって凸面の曲率半径を正とし、凹面の曲率半径を負としている。また、非球面は、後述の式（ｅ）により表わされる。
【００２２】
【表１】
（主要諸元）
λ＝１３．４ｎｍ
ＮＡ＝０．１８
Ｙ＝２５．５ｍｍ〜２６．５ｍｍ
2004170869.tif 000003
2004170869.tif 000004
【００２３】
図２は、先行特許出願の第２実施例にかかる結像光学系の像高２５．５ｍｍに対応する透過波面の形状を示す図である。図３は、先行特許出願の第２実施例にかかる結像光学系の像高２６ｍｍに対応する透過波面の形状を示す図である。図４は、先行特許出願の第２実施例にかかる結像光学系の像高２６．５ｍｍに対応する透過波面の形状を示す図である。なお、第２実施例にかかる結像光学系のさらに詳細な構成については、先行特許出願における関連の記載を参照することができる。
【００２４】
一般に、光学系の透過波面をツェルニケ多項式により級数展開することができる。以下、ツェルニケ多項式について基本的な事項を簡単に説明する。ツェルニケ多項式の表現では、座標系として極座標（ρ，θ）を用い、直交関数系としてツェルニケの円筒関数を用いる。すなわち、透過波面Ｗ（ρ，θ）は、ツェルニケの円筒関数Ｚｉ（ρ，θ）を用いて、次の式（ｃ）に示すように展開される。
【００２５】
【数２】
2004170869.tif 000005
【００２６】
ここで、Ｃｉは、ツェルニケ多項式の各項の係数である。以下、ツェルニケ多項式の各項の関数系Ｚｉ（ρ，θ）のうち、第１項〜第３６項にかかる関数Ｚ１〜Ｚ３６を、次の表（２）に示す。
【００２７】
【表２】
2004170869.tif 000006
2004170869.tif 000007
【００２８】
図５は、ツェルニケ多項式の第１項に対応する透過波面の形状を模式的に示す図である。図６は、ツェルニケ多項式の第２項に対応する透過波面の形状を模式的に示す図である。図７は、ツェルニケ多項式の第３項に対応する透過波面の形状を模式的に示す図である。図８は、ツェルニケ多項式の第４項に対応する透過波面の形状を模式的に示す図である。図９は、ツェルニケ多項式の第５項に対応する透過波面の形状を模式的に示す図である。図１０は、ツェルニケ多項式の第６項に対応する透過波面の形状を模式的に示す図である。図１１は、ツェルニケ多項式の第７項に対応する透過波面の形状を模式的に示す図である。図１２は、ツェルニケ多項式の第８項に対応する透過波面の形状を模式的に示す図である。図１３は、ツェルニケ多項式の第９項に対応する透過波面の形状を模式的に示す図である。
【００２９】
図２〜図４を参照すると、先行特許出願の第２実施例にかかる結像光学系の透過波面の形状において、ツェルニケ多項式の第５項に対応する透過波面の形状（図９を参照）の成分が支配的であることが明らかである。図９に示す波面形状は、収差論では非点収差（ａｓｔｉｇｍａｔｉｓｍ）と呼ばれる成分に対応している。収差論によれば、非点収差は、メリジオナル像面とサジタル像面とが乖離することにより発生する。同じく収差論によれば、メリジオナル像面とサジタル像面とはペッツバール像面上で一致し、メリジオナル像面とサジタル像面とは３：１の割合でペッツバール像面から乖離する。このため、ペッツバール像面と実際の像面（メリジオナル像面とサジタル像面との中間面）との乖離が大きいほど、非点収差は大きくなると言われている。すなわち、図２〜図４に示す波面は、このペッツバール像面と実際の像面との乖離に起因するものであることが予想される。
【００３０】
さて、ペッツバール像面と実際の像面との乖離は、ペッツバール像面が平面状になっていないことに起因するものと予想される。ペッツバール像面が平面状でない場合、ＥＵＶ光用の投影光学系のように非球面を多用した結像光学系では特に、実際の像面を平面状にするために実際の像面とペッツバール像面との乖離が大きくなる。以上の考察より、ペッツバール像面を平面に近付けることにより、非点収差の発生を良好に抑えることができ、ひいては十分に収差補正された良好な結像性能を得ることができることが予想される。
【００３１】
ペッツバール像面を平面に近付けるには、ペッツバール和（すなわち光学系の各レンズ（または各反射鏡）のパワーの和）を零に近付ければ良いことが知られている。反射光学系の場合、ペッツバール和ρは、一般に下記の式（ｄ）により定義される。なお、式（ｄ）において、Σはすべての反射鏡に関する総和記号である。また、曲率半径は、凹面反射鏡の場合には正の値をとり、凸面反射鏡の場合には負の値をとる。
ρ＝Σ｛２／（各反射鏡の曲率半径）｝    （ｄ）
【００３２】
先行特許出願の第２実施例にかかる結像光学系では、式（ｄ）により求まるペッツバール和は約０．０００３８（ｍｍ−１）である。本件出願の発明者は、入射瞳が物体面を挟んで結像光学系の反対側に位置するような反射型の結像光学系について多数の設計解を試行した結果、ペッツバール和の値が０．０００２（ｍｍ−１）以下であれば、非点収差がある程度良好に補正された設計解が得られること、ペッツバール和の値が０．０００１（ｍｍ−１）以下であれば、非点収差が非常に良く補正された設計解が得られることを見出した。なお、反射型の結像光学系では、光軸上において反射面が切り欠かれた反射鏡が存在するが、この場合は反射面を延長した光軸上の仮想反射面に基づいてペッツバール和が算出されることになる。
【００３３】
一般の光学系においてペッツバール和を小さく抑えるには、下記の技法を用いるのが一般的であり、本発明の場合も例外ではない。図１４は、凸レンズと凹レンズと凸レンズとの組み合わせからなる、トリプレットと呼ばれる３枚レンズの結像光学系の模式図である。さて、屈折型の結像光学系においてペッツバール和が零ということは、すべてのレンズについてパワーの単純和が零ということであるが、光学系全体では正のパワーを持たなければ結像系は成り立たない。したがって、光学系中の凸レンズは、同じ曲率半径であっても、光束に対して正のパワーの影響をより大きく作用させるために、光束径のできるだけ大きな個所に配置することが望ましい。逆に、光学系の中の凹レンズは、同じ曲率半径であっても、光束に対して負のパワーの影響をより小さく作用させるために、光束径のできるだけ小さな個所に配置することが望ましい。そこで、ペッツバール和を零に近付けるには、図１４（ｂ）に示すようなパワー配置よりも図１４（ａ）に示すようなパワー配置が望ましく、光学系中において光束が極端にくびれるような（光束径の変化にメリハリを付けるような）設計が望ましい。
【００３４】
ところで、たとえばＥＵＶＬ露光装置に本発明の結像光学系を搭載する場合、次の条件式（１）を満足することが望ましい。なお、条件式（１）において、Ｄｏは結像光学系の入射瞳とマスク面（物体面；第１面）との間隔であり、Ｈｏはマスク面における最大物体高であり、ＮＡｏは結像光学系のマスク側の開口数である。
Ｄｏ＞Ｈｏ／（２×ＮＡｏ）    （１）
【００３５】
露光装置では、結像光学系（投影光学系）の入射瞳の位置に、実質的な面光源が形成されることになり、ひいてはフライアイミラーの射出面が配置されることになる。このとき、マスクに入射する照明光の開口数は仕様により決められているので、結像光学系の入射瞳とマスク面との間隔Ｄｏが小さくて条件式（１）を満足しない場合には、フライアイミラーの外径が小さくなりすぎて、その製造が困難になるので好ましくない。
【００３６】
以上のように、本発明の結像光学系では、入射瞳が物体面を挟んで結像光学系の反対側に位置するとともに、ペッツバール和の絶対値が所定値以下に抑えられているので、反射面の枚数が比較的少ない構成にもかかわらず、たとえばＥＵＶ光に対して良好に収差補正され、且つ十分に大きな有効結像領域および像側開口数を確保することができる。特に、本発明の結像光学系を露光装置に適用する場合、結像光学系の入射瞳がマスク面を挟んで結像光学系の反対側に位置しているので、照明系の射出瞳と結像光学系の入射瞳とを光学的に共役に配置するための集光反射光学系の配置が不要になり、照明系の射出瞳と結像光学系の入射瞳とを単に一致させるだけでよいため、照明系の構成が簡素化されるだけでなく、集光反射光学系に起因する光量損失および収差発生を回避して、マスクパターンを感光性基板上に忠実に且つ高スループットで転写することができる。また、本発明の結像光学系を露光装置または露光方法に用いることにより、露光光としてＥＵＶ光を使用して、マスクパターンを感光性基板上に忠実に且つ高スループットで転写することができ、ひいては良好な露光条件のもとで高精度なマイクロデバイスを製造することができる。
また、本発明の露光装置では、投影光学系の入射瞳位置を第１面よりも投影光学系の反対側に設定して照明光学系の構成の簡素化をはかり、かつマスクから投影光学系へ向かう光束と投影光学系の光軸との間の空間に光路偏向鏡を配置して、照明光学系と投影光学系との光路分離を容易にしている。
【００３７】
本発明の実施形態を、添付図面に基づいて説明する。
図１５は、本発明の実施形態にかかる露光装置の全体構成を概略的に示す図である。また、図１６は、ウェハ上に形成される円弧状の露光領域（すなわち実効露光領域）と光軸との位置関係を示す図である。さらに、図１７は、図１５の光源および照明光学系の内部構成を概略的に示す図である。図１５において、投影光学系の光軸方向すなわち感光性基板であるウェハの法線方向に沿ってＺ軸を、ウェハ面内において図１５の紙面に平行な方向にＹ軸を、ウェハ面内において図１５の紙面に垂直な方向にＸ軸をそれぞれ設定している。
【００３８】
図１５の露光装置は、露光光を供給するための光源として、たとえばレーザプラズマ光源１を備えている。光源１から射出された光は、波長選択フィルタ（不図示）を介して、照明光学系２に入射する。ここで、波長選択フィルタは、光源１が供給する光から、所定波長（たとえば１３．４ｎｍまたは１１．５ｎｍ）のＥＵＶ光だけを選択的に透過させ、他の波長光の透過を遮る特性を有する。波長選択フィルタを透過したＥＵＶ光３は、照明光学系２および光路偏向鏡としての平面反射鏡４を介して、転写すべきパターンが形成された反射型のマスク（レチクル）Ｍを照明する。マスクＭは、そのパターン面がＸＹ平面に沿って延びるように、Ｙ方向に沿って移動可能なマスクステージ５によって保持されている。そして、マスクステージ５の移動は、レーザー干渉計６により計測されるように構成されている。
【００３９】
照明されたマスクＭのパターンからの光は、反射型の投影光学系（結像光学系）ＰＬを介して、感光性基板であるウェハＷ上にマスクパターンの像を形成する。すなわち、ウェハＷ上には、図１６に示すように、たとえばＹ軸に関して対称な細長い円弧状の露光領域（すなわち静止露光領域）が形成される。図１６を参照すると、光軸ＡＸを中心とした半径φを有する円形状の領域（イメージサークル）ＩＦ内において、このイメージサークルＩＦに接するようにＸ方向の長さがＬＸでＹ方向の長さがＬＹの円弧状の実効露光領域ＥＲが設定されている。
【００４０】
ウェハＷは、その露光面がＸＹ平面に沿って延びるように、Ｘ方向およびＹ方向に沿って二次元的に移動可能なウェハステージ７によって保持されている。なお、ウェハステージ７の移動は、マスクステージ５と同様に、レーザー干渉計８により計測されるように構成されている。こうして、マスクステージ５およびウェハステージ７をＹ方向に沿って移動させながら、すなわち投影光学系ＰＬに対してマスクＭおよびウェハＷをＹ方向に沿って相対移動させながらスキャン露光（走査露光）を行うことにより、ウェハＷの１つの露光領域にマスクＭのパターンが転写される。
【００４１】
このとき、投影光学系ＰＬの投影倍率（転写倍率）が１／４である場合、ウェハステージ７の移動速度をマスクステージ５の移動速度の１／４に設定して同期走査を行う。また、ウェハステージ７をＸ方向およびＹ方向に沿って二次元的に移動させながら走査露光を繰り返すことにより、ウェハＷの各露光領域にマスクＭのパターンが逐次転写される。
【００４２】
また、図１７を参照すると、レーザプラズマ光源１では、レーザ光源１１から発した光（非ＥＵＶ光）がレンズ１２を介して気体ターゲット１３上に集光する。ここで、たとえばキセノン（Ｘｅ）からなる高圧ガスがノズル１４より供給され、ノズル１４から噴射されたガスが気体ターゲット１３を形成する。気体ターゲット１３は、集光されたレーザ光によりエネルギーを得てプラズマ化し、ＥＵＶ光を発する。なお、気体ターゲット１３は、楕円反射鏡１５の第１焦点に位置決めされている。したがって、レーザプラズマ光源１から放射されたＥＵＶ光は、楕円反射鏡１５の第２焦点に集光する。一方、発光を終えたガスはダクト１６を介して吸引されて外部へ導かれる。
【００４３】
楕円反射鏡１５の第２焦点に集光したＥＵＶ光は、一対のフライアイミラー１７ａおよび１７ｂからなるインテグレータ１７に導かれる。一対のフライアイミラー１７ａおよび１７ｂとして、たとえば特開平１１−３１２６３８号公報において本出願人が開示したフライアイミラーを用いることができる。ただし、同公報の実施例では、第１フライアイミラーに平行光束が入射するように構成しているが、図１７では第１フライアイミラー１７ａに発散光束が入射するように設定している。この場合、中央よりも周辺の要素ミラーほど大きくチルトさせることにより、第１フライアイミラー１７ａの各要素ミラーで反射された光束が第２フライアイミラー１７ｂの対応する要素ミラーに入射し且つ第２フライアイミラー１７ｂの各要素ミラーで反射された光束がマスクＭ上において互いに重なり合うように構成すれば、原理は同公報に開示した通りである。なお、フライアイミラーのさらに詳細な構成および作用については、たとえば特開平１１−３１２６３８号公報における関連の記載を参照することができる。
【００４４】
こうして、第２フライアイミラー１７ｂの反射面の近傍、すなわちインテグレータ１７の射出面の近傍には、所定の形状を有する実質的な面光源が形成される。ここで、実質的な面光源は、前述したように、照明光学系２の射出瞳位置またはその近傍、すなわち投影光学系ＰＬの入射瞳と光学的に共役な面またはその近傍に形成される。実質的な面光源からの光は、平面反射鏡４により偏向された後、マスクＭにほぼ平行に且つ近接して配置された視野絞り１８を介して、マスクＭ上に細長い円弧状の照明領域を形成する。
【００４５】
以下、第１実施例および第２実施例を参照して、投影光学系ＰＬの具体的な構成について説明する。各実施例において、投影光学系ＰＬは、光軸に関して回転対称な非球面状の反射面を有する６つの反射鏡Ｍ１〜Ｍ６により構成されている。また、各実施例において、投影光学系ＰＬは、ウェハ側（像像）にほぼテレセントリックな光学系である。さらに、各実施例において、非球面は、光軸に垂直な方向の高さをｙとし、非球面の頂点における接平面から高さｙにおける非球面上の位置までの光軸に沿った距離（サグ量）をｚとし、頂点曲率半径をｒとし、円錐係数をκとし、ｎ次の非球面係数をＣｎ  としたとき、以下の数式（ｅ）で表される。
【００４６】
【数３】
ｚ＝（ｙ２／ｒ）／｛１＋（１−ｙ２／ｒ２）１／２｝＋Ｃ４・ｙ４＋Ｃ６・ｙ６＋Ｃ８・ｙ８＋Ｃ１０・ｙ１０＋・・・    （ｅ）
【００４７】
［第１実施例］
図１８は、本実施形態の第１実施例にかかる投影光学系の構成を示す図である。図１８を参照すると、第１実施例の投影光学系では、マスクＭからの光は、第１凹面反射鏡Ｍ１の反射面、第２凸面反射鏡Ｍ２の反射面、開口絞りＡＳ、第３凸面反射鏡Ｍ３の反射面、および第４凹面反射鏡Ｍ４の反射面で順次反射された後、マスクパターンの中間像を形成する。そして、マスクパターン中間像からの光は、第５凸面反射鏡Ｍ５の反射面および第６凹面反射鏡Ｍ６の反射面で順次反射された後、ウェハＷ上にマスクパターンの縮小像（二次像）を形成する。すなわち、第１実施例の投影光学系では、マスクＭからウェハＷへ光軸ＡＸに沿って、第２凸面反射鏡Ｍ２、第４凹面反射鏡Ｍ４、第１凹面反射鏡Ｍ１、第３凸面反射鏡Ｍ３、第６凹面反射鏡Ｍ６、および第５凸面反射鏡Ｍ５の順に配置されている。また、第１実施例では、反射鏡Ｍ１〜Ｍ４はマスクＭのパターンの中間像を形成するための第１反射結像光学系を構成し、反射鏡Ｍ５およびＭ６は中間像の像をウェハＷ上に形成するための第２反射結像光学系を構成している。さらに、第１実施例では、すべての反射鏡Ｍ１〜Ｍ６はマスクＭとウェハＷとの間の空間に配置されている。
【００４８】
次の表（３）に、第１実施例にかかる投影光学系の諸元の値を掲げる。表（３）において、λは露光光の波長を、βは投影倍率を、ＮＡは像側（ウェハ側）開口数を、ＮＡｏは物体側（マスク側）開口数を、ＨｏはマスクＭ上における最大物体高を、Ｄｏは入射瞳とマスク面との間隔を、φはウェハＷ上でのイメージサークルＩＦの半径（最大像高）を、ＬＸは実効露光領域ＥＲのＸ方向に沿った寸法を、ＬＹは実効露光領域ＥＲのＹ方向に沿った寸法をそれぞれ表している。
【００４９】
また、面番号は像面であるウェハ面から物体面であるマスク面へ光線が逆行する方向に沿ったウェハ側からの反射面の順序を、ｒは各反射面の頂点曲率半径（ｍｍ）を、ｄは各反射面の軸上間隔すなわち面間隔（ｍｍ）をそれぞれ示している。なお、面間隔ｄは、反射される度にその符号を変えるものとする。そして、光線の入射方向にかかわらずウェハ側に向かって凸面の曲率半径を正とし、凹面の曲率半径を負としている。上述の表記は、以降の表（４）においても同様である。
【００５０】
【表３】
2004170869.tif 000008
2004170869.tif 000009
2004170869.tif 000010
【００５１】
［第２実施例］
図１９は、本実施形態の第２実施例にかかる投影光学系の構成を示す図である。図１９を参照すると、第２実施例の投影光学系では、マスクＭからの光は、第１凹面反射鏡Ｍ１の反射面、第２凸面反射鏡Ｍ２の反射面、開口絞りＡＳ、第３凸面反射鏡Ｍ３の反射面、および第４凹面反射鏡Ｍ４の反射面で順次反射された後、マスクパターンの中間像を形成する。そして、マスクパターン中間像からの光は、第５凸面反射鏡Ｍ５の反射面および第６凹面反射鏡Ｍ６の反射面で順次反射された後、ウェハＷ上にマスクパターンの縮小像（二次像）を形成する。すなわち、第２実施例の投影光学系では、マスクＭからウェハＷへ光軸ＡＸに沿って、第４凹面反射鏡Ｍ４、第２凸面反射鏡Ｍ２、第３凸面反射鏡Ｍ３、第１凹面反射鏡Ｍ１、第６凹面反射鏡Ｍ６、および第５凸面反射鏡Ｍ５の順に配置されている。また、第２実施例においても第１実施例と同様に、反射鏡Ｍ１〜Ｍ４はマスクＭのパターンの中間像を形成するための第１反射結像光学系を構成し、反射鏡Ｍ５およびＭ６は中間像の像をウェハＷ上に形成するための第２反射結像光学系を構成している。さらに、第２実施例においても第１実施例と同様に、すべての反射鏡Ｍ１〜Ｍ６はマスクＭとウェハＷとの間の空間に配置されている。次の表（４）に、第２実施例にかかる投影光学系の諸元の値を掲げる。
【００５２】
【表４】
2004170869.tif 000011
2004170869.tif 000012
2004170869.tif 000013
【００５３】
第１実施例では、ペッツバール和が−０．００００１４（ｍｍ−１）であり、その絶対値が０．０００１（ｍｍ−１）よりも小さく抑えられているので、透過波面のＲＭＳが０．００２３〜０．００７４という極めて小さな値になり、非点収差を含む諸収差が非常に良好に補正されていることがわかる。また、第２実施例では、ペッツバール和が０．００００２８（ｍｍ−１）であり、その絶対値が０．０００１（ｍｍ−１）よりも小さく抑えられているので、透過波面のＲＭＳが０．００７２〜０．０１３２という十分に小さな値になり、非点収差を含む諸収差が良好に補正されていることがわかる。
【００５４】
このように、上述の各実施例では、波長が１３．４ｎｍのＥＵＶ光に対して、０．２６の像側開口数を確保するとともに、ウェハＷ上において諸収差が良好に補正された２６ｍｍ×２ｍｍの円弧状の実効露光領域を確保することができる。したがって、ウェハＷにおいて、たとえば２６ｍｍ×３３ｍｍの大きさを有する各露光領域に、マスクＭのパターンを走査露光により高解像で転写することができる。
【００５５】
また、上述の各実施例では、投影光学系が反射面の枚数の比較的少ない構成を有するので、すなわち６つの反射鏡により構成されているので、反射面における光量損失を良好に抑えて、スループットの高い投影露光が可能である。さらに、上述の各実施例では、投影光学系の入射瞳がマスク面を挟んで投影光学系の反対側に位置しているので、照明系の射出瞳と投影光学系の入射瞳とを光学的に共役に配置するための集光反射光学系の配置が不要になり、照明系の射出瞳と投影光学系の入射瞳とを単に一致させるだけでよい。その結果、照明系の構成が簡素化されるだけでなく、集光反射光学系に起因する光量損失および収差発生を回避して、マスクパターンを感光性基板上に忠実に且つ高スループットで転写することができる。さらに、上述の各実施例では、条件式（１）を満足しているので、フライアイミラー（１７ａ，１７ｂ）の外径が小さくなり過ぎることなく、その製造が容易である。
【００５６】
また、第２実施例では、図１９に示すように、各反射鏡において反射面が光軸ＡＸと交わる原点の近傍を光束が通過することがないので、原点を含む中央領域を切り欠く必要のある反射鏡が存在しない。すなわち、第２実施例では、すべての反射鏡の反射面の原点を残すことができるので、各反射鏡の反射面形状の計測が容易になり、ひいては各反射鏡の反射面の加工が容易になる。
【００５７】
なお、上述の各実施例では、マスクパターンの縮小像をウェハ上に形成しているが、物体面と像面とを逆に設定して拡大結像光学系として用いることもできる。この場合、射出瞳が像面を挟んで結像光学系の反対側に位置することになり、ペッツバール和の絶対値は不変である。また、物体面と像面とを逆に設定した拡大結像光学系において条件式（１）に対応する条件は、次の式（２）で表わされる。なお、条件式（２）において、Ｄｉは結像光学系の射出瞳と像面との間隔であり、Ｈｉは像面における最大像高であり、ＮＡｉは結像光学系の像側の開口数である。
Ｄｉ＞Ｈｉ／（２×ＮＡｉ）    （２）
【００５８】
なお、光路偏向鏡としての平面反射鏡４において、マスクから投影光学系へ向かう光束に近い側の端面形状はほぼ楕円形状の一部であることが好ましい。これにより、マスクから投影光学系へ向かう光束のけられを防ぐことができる。
また、上述の実施形態では、光路偏向鏡としての平面反射鏡４は、第１面と投影光学系との間の空間に位置決めされていたが、投影光学系の内部または投影光学系を通り抜けた反対側に位置決めされてもよい。この場合、投影光学系を構成する光学部材に切り欠きや穴を設けておくことが好ましい。
また、上述の実施形態では、光路偏向鏡としての平面反射鏡４の反射面が、マスクから投影光学系へ向かう光束に向けられていたが、この平面反射鏡４の反射面の向きをマスクから投影光学系へ向かう光束とは反対側に向けても良い。
また、上述の実施形態では、光路偏向鏡としての平面反射鏡４における反射率を向上させるために、光路偏向鏡へ向かう光束と前記光路偏向鏡の反射面とのなす角度を小さく設定していたが、この角度を９０度に近い角度にしても良い。これは、平面反射鏡４の反射面の反射率が４５度近傍で最悪値となり、この角度から離れるにしたがって反射率が向上するためである。
また、上述の実施形態では、光路偏向鏡として、平面反射鏡４を用いたが、その代わりに、所定のパワーを持たせても良い。
また、上述の実施形態では、マスクＭに近接して視野絞り１８を配置していたが、特開２０００−９１２２０号公報に開示されるような視野絞り１８をマスクＭ上に投影するための再結像光学系を設けても良い。
また、上述の実施形態において、イングレータ１７と光路偏向鏡４との間に別の光路偏向鏡を設けて、インテグレータ１７をマスクＭ面を含む面とウェハＷ面を含む面との間の空間に位置させても良い。これにより、マスクステージおよびウェハステージの構成が簡易となる利点がある。このとき、上記別の光路偏向鏡では垂直入射に近い入射角であることが好ましい。
また、光路偏向鏡に、特開２０００−１００６８５号に開示される光量検出器を設けて露光量制御を行っても良い。これにより、露光量制御の高精度化を図ることができる。
また、上述の実施形態においては、楕円反射鏡１５の第２焦点を一対のフライアイミラー１７ａおよび１７ｂに近づけているが、この第２焦点、すなわちＥＵＶ光の集光点を一対のフライアイミラー１７ａおよび１７ｂから離す構成が好ましい。これにより、ＥＵＶ光の集光点の近傍にピンホールを設けた仕切り部材を配置することが容易となり、この仕切り部材によって、光源側の雰囲気と装置本体側の雰囲気とを分離することが容易となる。
【００５９】
上述の実施形態にかかる露光装置では、照明系によってマスクを照明し（照明工程）、投影光学系を用いてマスクに形成された転写用のパターンを感光性基板に露光する（露光工程）ことにより、マイクロデバイス（半導体素子、撮像素子、液晶表示素子、薄膜磁気ヘッド等）を製造することができる。以下、本実施形態の露光装置を用いて感光性基板としてのウェハ等に所定の回路パターンを形成することによって、マイクロデバイスとしての半導体デバイスを得る際の手法の一例につき図２０のフローチャートを参照して説明する。
【００６０】
先ず、図２０のステップ３０１において、１ロットのウェハ上に金属膜が蒸着される。次のステップ３０２において、そのｌロットのウェハ上の金属膜上にフォトレジストが塗布される。その後、ステップ３０３において、本実施形態の露光装置を用いて、マスク（レチクル）上のパターンの像がその投影光学系を介して、その１ロットのウェハ上の各ショット領域に順次露光転写される。
【００６１】
その後、ステップ３０４において、その１ロットのウェハ上のフォトレジストの現像が行われた後、ステップ３０５において、その１ロットのウェハ上でレジストパターンをマスクとしてエッチングを行うことによって、マスク上のパターンに対応する回路パターンが、各ウェハ上の各ショット領域に形成される。その後、更に上のレイヤの回路パターンの形成等を行うことによって、半導体素子等のデバイスが製造される。上述の半導体デバイス製造方法によれば、極めて微細な回路パターンを有する半導体デバイスをスループット良く得ることができる。
【００６２】
なお、上述の実施形態では、ＥＵＶ光を供給するための光源としてレーザプラズマ光源を用いているが、これに限定されることなく、他の適当な光源を用いることもできる。また、上述の本実施形態では、ＥＵＶＬ露光装置の投影光学系に対して本発明を適用しているが、これに限定されることなく、他の一般的な結像光学系に対して本発明を適用することもできる。
【００６３】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の結像光学系では、入射瞳が物体面を挟んで結像光学系の反対側に位置するとともに、ペッツバール和の絶対値が所定値以下に抑えられているので、反射面の枚数が比較的少ない構成にもかかわらず、たとえばＥＵＶ光に対して良好に収差補正され、且つ十分に大きな有効結像領域および像側開口数を確保することができる。
【００６４】
特に、本発明の結像光学系を露光装置に適用する場合、結像光学系の入射瞳がマスク面を挟んで結像光学系の反対側に位置しているので、照明系の射出瞳と結像光学系の入射瞳とを光学的に共役に配置するための集光反射光学系の配置が不要になり、照明系の射出瞳と結像光学系の入射瞳とを単に一致させるだけでよい。その結果、照明系の構成が簡素化されるだけでなく、集光反射光学系に起因する光量損失および収差発生を回避して、マスクパターンを感光性基板上に忠実に且つ高スループットで転写することができる。
【００６５】
また、本発明の結像光学系を露光装置または露光方法に用いることにより、露光光としてＥＵＶ光を使用して、マスクパターンを感光性基板上に忠実に且つ高スループットで転写することができ、ひいては良好な露光条件のもとで高精度なマイクロデバイスを製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】先行特許出願の第２実施例にかかる結像光学系の構成を概略的に示す図である。
【図２】先行特許出願の第２実施例にかかる結像光学系の像高２５．５ｍｍに対応する透過波面の形状を示す図である。
【図３】先行特許出願の第２実施例にかかる結像光学系の像高２６ｍｍに対応する透過波面の形状を示す図である。
【図４】先行特許出願の第２実施例にかかる結像光学系の像高２６．５ｍｍに対応する透過波面の形状を示す図である。
【図５】ツェルニケ多項式の第１項に対応する透過波面の形状を模式的に示す図である。
【図６】ツェルニケ多項式の第２項に対応する透過波面の形状を模式的に示す図である。
【図７】ツェルニケ多項式の第３項に対応する透過波面の形状を模式的に示す図である。
【図８】ツェルニケ多項式の第４項に対応する透過波面の形状を模式的に示す図である。
【図９】ツェルニケ多項式の第５項に対応する透過波面の形状を模式的に示す図である。
【図１０】ツェルニケ多項式の第６項に対応する透過波面の形状を模式的に示す図である。
【図１１】ツェルニケ多項式の第７項に対応する透過波面の形状を模式的に示す図である。
【図１２】ツェルニケ多項式の第８項に対応する透過波面の形状を模式的に示す図である。
【図１３】ツェルニケ多項式の第９項に対応する透過波面の形状を模式的に示す図である。
【図１４】凸レンズと凹レンズと凸レンズとの組み合わせからなる、トリプレットと呼ばれる３枚レンズの結像光学系の模式図である。
【図１５】本発明の実施形態にかかる露光装置の構成を概略的に示す図である。
【図１６】ウェハ上に形成される円弧状の露光領域（すなわち実効露光領域）と光軸との位置関係を示す図である。
【図１７】図１５の光源および照明光学系の内部構成を概略的に示す図である。
【図１８】本実施形態の第１実施例にかかる投影光学系の構成を示す図である。
【図１９】本実施形態の第２実施例にかかる投影光学系の構成を示す図である。
【図２０】マイクロデバイスとしての半導体デバイスを得る際の手法の一例について、そのフローチャートを示す図である。
【符号の説明】
１  レーザプラズマ光源
２  照明光学系
５  マスクステージ
７  ウェハステージ
１１  レーザ光源
１３  気体ターゲット
１４  ノズル
１５  楕円反射鏡
１７ａ，１７ｂ  フライアイミラー
１８  視野絞り
Ｍ  マスク
ＰＬ  投影光学系（結像光学系）
Ｗ  ウェハ
Ｍ１〜Ｍ６  反射鏡
ＡＳ  開口絞り
【図１】
2004170869.tif 000014
【図２】
2004170869.tif 000015
【図３】
2004170869.tif 000016
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2004170869.tif 000020
【図８】
2004170869.tif 000021
【図９】
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【図１０】
2004170869.tif 000023
【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
2004170869.tif 000027
【図１５】
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【図１６】
2004170869.tif 000029
【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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