(57)【要約】【課題】スループットを向上することができる基板処理装置を提供する。【解決手段】この基板処理装置は、処理部と単一の主搬送機構とを含んでそれぞれが構成されている反射防止膜用処理ブロック２とレジスト膜用処理ブロック３と現像処理ブロック４とを並設してある。ブロック２，３，４ごとに、主搬送機構１０Ａ〜１０Ｃがブロック内の基板搬送を行うとともに、各ブロック間の基板の受け渡しは、区別された入口基板載置部と出口基板載置部（ＰＡＳＳ１〜ＰＡＳＳ８）を介して行うので、基板処理装置のスループットが向上する。【選択図】　　　　図１
2004087570.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に所要の処理を行う処理部と、前記処理部に対して基板の受け渡しをする単一の主搬送機構とを含んで単一の処理ブロックを構成し、前記処理ブロックを並設して構成される基板処理装置であって、
前記各処理ブロックには、その処理ブロックに基板を受け入れるために基板を載置する入口基板載置部と、その処理ブロックから基板を払い出すために基板を載置する出口基板載置部とが区別して設けられており、
前記各処理ブロックの主搬送機構は、前記入口基板載置部と前記出口基板載置部とを介して基板の受け渡しを行うことを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
基板に所要の処理を行う処理部と、前記処理部に対して基板の受け渡しをする単一の主搬送機構とを含んで単一の被制御ユニットを構成し、前記被制御ユニットを並設して構成される基板処理装置であって、
前記各被制御ユニットには、その被制御ユニットに基板を受け入れるために基板を載置する入口基板載置部と、その被制御ユニットから基板を払い出すために基板を載置する出口基板載置部とが区別して設けられており、
前記各被制御ユニットの主搬送機構は、前記入口基板載置部と前記出口基板載置部とを介して基板の受け渡しを行い、
かつ、前記各被制御ユニットの主搬送機構の基板受け渡し動作を少なくとも制御するユニット制御手段を各被制御ユニットごとに備え、
各ユニット制御手段は、前記処理部に対する基板の受け渡しおよび前記基板載置部に対する基板の受け渡しを含む一連の基板搬送に係る制御を、各々独立して行うことを特徴とする基板処理装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２記載の基板処理装置において、
前記入口基板載置部は、各処理ブロック間または各被制御ユニット間にわたって基板を順方向に搬送するときに使われる送り用入口基板載置部と、各処理ブロック間または各被制御ユニット間にわたって基板を逆方向に搬送するときに使われる戻り用入口基板載置部とからなり、
前記出口基板載置部は、各処理ブロック間または各被制御ユニット間にわたって基板を順方向に搬送するときに使われる送り用出口基板載置部と、各処理ブロック間または各被制御ユニット間にわたって基板を逆方向に搬送するときに使われる戻り用出口基板載置部とからなる基板処理装置。
【請求項４】
請求項３記載の基板処理装置において、
前記処理ブロック群または前記被制御ユニット群のうちの少なくとも１つの処理ブロック、または少なくとも１つの被制御ユニットは、前記送り用入口基板載置部と、前記戻り用入口基板載置部と、前記送り用出口基板載置部と、前記戻り用出口基板載置部との他に、さらに別の入口基板載置部と出口基板載置部とを備えている基板処理装置。
【請求項５】
請求項３記載の基板処理装置において、
前記送り用入口基板載置部と前記戻り用出口基板載置部とは近接配置されているとともに、
前記戻り用入口基板載置部と前記送り用出口基板載置部とは近接配置されている基板処理装置。
【請求項６】
請求項５記載の基板処理装置において、
前記送り用入口基板載置部と前記戻り用出口基板載置部とは上下に配置されているとともに、
前記戻り用入口基板載置部と前記送り用出口基板載置部とは上下に配置されている基板処理装置。
【請求項７】
請求項１〜請求項６のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記基板載置部群のうちの少なくとも１つの基板載置部は、複数枚の基板を多段に積層載置する構造を備える基板処理装置。
【請求項８】
請求項１〜請求項７のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記基板載置部群のうちの少なくとも１つの基板載置部は、前記基板が通過する開口部を開閉するシャッタ機構を備えている基板処理装置。
【請求項９】
請求項１〜請求項８のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記基板載置部群のうちの少なくとも１つの基板載置部は、載置された基板を冷却する冷却手段を備えている基板処理装置。
【請求項１０】
請求項１〜請求項９のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記基板載置部群のうちの少なくとも１つの基板載置部は、前記主搬送機構に向けて水平移動する水平移動手段を備えている基板処理装置。
【請求項１１】
請求項１〜請求項１０のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記主搬送機構は、基板を保持する少なくとも２つの保持アームを備える基板処理装置。
【請求項１２】
請求項１１記載の基板処理装置において、
前記主搬送機構は、一方の保持アームに基板を保持し、他方の保持アームが空の状態で、前記入口基板載置部と前記出口基板載置部とに対して基板の受け渡しを行うにあたり、
先ず、前記主搬送機構は、基板を保持した一方の保持アームを駆動して、その基板を前記出口基板載置部に渡し、
その後で、空の状態のいずれかの保持アームを駆動して、前記入口基板載置部に置かれている別の基板を受け取る基板処理装置。
【請求項１３】
請求項３記載の基板処理装置において、
前記主搬送機構は、基板を保持する少なくとも２つの保持アームを備え、
一方の保持アームに基板を保持し、他方の保持アームが空の状態で、前記入口基板載置部と前記出口基板載置部とに対して基板の受け渡しを行うにあたり、
基板を保持した一方の保持アームを駆動して、その基板を前記出口基板載置部に渡した後に、その主搬送機構が配置された処理ブロック内または被制御ユニット内において、これから搬送を進める前記順方向または前記逆方向の搬送先に関して異常が発生しているか否かを判断し、
異常の発生が認められると、前記順方向または前記逆方向に関して異常の発生が認められない反対方向の搬送処理のみを行う基板処理装置。
【請求項１４】
請求項１２記載の基板処理装置において、
前記処理部は、基板加熱用の加熱プレートと基板冷却用の冷却プレートとを備えた熱処理部を含み、
前記主搬送機構は、少なくとも２つの保持アームのうち、前記加熱プレートで加熱処理がなされた基板を受け取る保持アームが毎搬送サイクルとも同じになるという条件を満たすように、前記空の状態の少なくとも２つ以上の保持アームのうちの１つを駆動して、前記入口基板載置部に置かれている別の基板を受け取る基板処理装置。
【請求項１５】
請求項３記載の基板処理装置において、
前記送り用入口基板載置部と戻り用入口基板載置部との両方に基板が置かれている場合に、前記主搬送機構は、前記戻り用入口基板載置部に置かれた基板を優先して受け取る基板処理装置。
【請求項１６】
請求項１５記載の基板処理装置において、
前記主搬送機構は、基板を保持する少なくとも２つの保持アームを備え、一方の保持アームに基板を保持し、他方の保持アームが空の状態で、前記送り用入口基板載置部と前記戻り用出口基板載置部とに対して基板の受け渡しを行うにあたり、
先ず、前記主搬送機構は、基板を保持した一方の保持アームを駆動して、その基板を前記戻り用出口基板載置部に渡した後に、前記戻り用入口基板載置部に基板が置かれているか否かを判断し、
基板が置かれていなければ、空の状態のいずれかの保持アームを駆動して、前記送り用入口基板載置部に置かれている別の基板を受け取り、
一方、前記戻り用入口基板載置部に基板が置かれている場合は、前記送り用入口基板載置部の基板を受け取ることなく、全ての保持アームが空の状態で、前記戻り用入口基板載置部に向かい、前記戻り用入口基板載置部に置かれている基板を受け取って所定の搬送処理を行う基板処理装置。
【請求項１７】
請求項２記載の基板処理装置において、
前記各ユニット制御手段は、これらを統括管理する主制御手段に接続されており、かつ、前記主制御手段は、前記基板処理装置とは別体のホストコンピュータと通信可能に構成されている基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体基板、液晶表示器のガラス基板、フォトマスク用のガラス基板、光ディスク用の基板などの基板（以下、単に「基板」と称する）に、一連の処理を施す基板処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、このような基板処理装置は、例えば、フォトレジスト膜を基板に塗布形成し、フォトレジスト膜が塗布されたその基板に対して露光処理を行い、さらに露光処理後の基板を現像するフォトリソグラフィ工程に用いられている。
【０００３】
これを図１３の平面図に示し、以下に説明する。この基板処理装置は、未処理の複数枚（例えば２５枚）の基板Ｗ又は後述する処理部１０４での処理が完了した基板Ｗが収納されるカセットＣが複数個載置されるカセット載置台１０１と、各カセットＣの前を水平移動し、各カセットＣと後述する処理部１０４間で基板Ｗの受け渡しを行う搬送機構１０８ａとを備えたインデクサ１０３と、複数個の処理部１０４と、複数個の処理部１０４間で基板Ｗを搬送する経路である基板主搬送経路１０５と、処理部１０４および外部処理装置１０７間で基板Ｗの受け渡しを中継するインターフェイス１０６とから構成されている。
【０００４】
外部処理装置１０７は、基板処理装置とは別体の装置であって、基板処理装置のインターフェイス１０６に対して着脱可能に構成されている。基板処理装置が、上述したレジスト塗布および現像処理を行う装置である場合、この外部処理装置１０７は、基板Ｗの露光処理を行う露光装置となる。
【０００５】
また、基板主搬送経路１０５上を搬送する主搬送機構１０８ｂと、インターフェイス１０６の搬送経路上を搬送する搬送機構１０８ｃとがそれぞれ配設されている。その他に、インデクサ１０３と基板主搬送経路１０５との連結部には載置台１０９ａ、基板主搬送経路１０５とインターフェイス１０６との連結部には載置台１０９ｂがそれぞれ配設されている。
【０００６】
上述した基板処理装置において、以下の手順で基板処理が行われる。未処理の基板Ｗを収納したカセットＣから１枚の基板を搬送機構１０８ａが取り出して、主搬送機構１０８ｂに基板Ｗを渡すために、載置台１０９ａまで搬送する。主搬送機構１０８ｂは、載置台１０９ａに載置された基板Ｗを受け取った後、各処理部１０４内で所定の処理（例えば、レジスト塗布などの処理）をそれぞれ行うために、それらの処理部１０４に基板Ｗをそれぞれ搬入する。所定の各処理がそれぞれ終了すると、主搬送機構１０８ｂはそれらの処理部１０４から基板Ｗをそれぞれ搬出して、次の処理を行うために別の処理部１０４（例えば、熱処理）に基板Ｗを搬入する。
【０００７】
このように露光前の一連の処理が終了すると、主搬送機構１０８ｂは、処理部１０４で処理された基板Ｗを載置部１０９ｂまで搬送する。搬送機構１０８ｃに基板Ｗを渡すために、上述した載置台１０９ｂに基板Ｗを載置する。搬送機構１０８ｃは、載置台１０９ｂに載置された基板Ｗを受け取った後、外部処理装置１０７まで搬送する。外部処理装置１０７に搬入して、所定の処理（例えば、露光処理などの処理）が終了すると、搬送機構１０８ｃは外部処理装置１０７から基板Ｗを搬出して、載置部１０９ｂまで搬送する。後は、主搬送機構１０８ｂによって各処理部１０４に基板が搬送され、露光後の一連の加熱処理、冷却処理、現像処理が行われ、全ての処理を完了した基板は搬送機構１０８ａを通じて所定のカセットＣに搬入される。そして、カセット載置台１０１から払い出されて、一連の基板処理が終了する。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、このような構成を有する従来例の場合には、次のような問題がある。
すなわち、従来の基板処理装置は、基板主搬送経路１０５に沿って走行する１台の主搬送機構１０８ｂが全ての処理部１０４に対して基板Ｗを受け渡しするので、主搬送機構１０８ｂの動作速度の関係から、短時間の間に多くの処理部１０４に対してアクセスすることができない。そのため従来の基板処理装置は、最近のスループット向上の要請に応えることができないという問題点がある。
【０００９】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、スループットを向上することができる基板処理装置を提供することを主たる目的としている。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。
すなわち、請求項１記載の発明は、基板に所要の処理を行う処理部と、前記処理部に対して基板の受け渡しをする単一の主搬送機構とを含んで単一の処理ブロックを構成し、前記処理ブロックを並設して構成される基板処理装置であって、前記各処理ブロックには、その処理ブロックに基板を受け入れるために基板を載置する入口基板載置部と、その処理ブロックから基板を払い出すために基板を載置する出口基板載置部とが区別して設けられており、前記各処理ブロックの主搬送機構は、前記入口基板載置部と前記出口基板載置部とを介して基板の受け渡しを行うことを特徴とする。
【００１１】
請求項１記載の発明によれば、基板に対する所要の処理が並設された複数個の処理ブロックで順に行われる。各処理ブロックでは、各々の主搬送機構が処理部に対して基板の受け渡しを並行して行う。つまり、各処理ブロックの主搬送機構が同時並行的に作動することによって、各処理部に対する基板の受け渡しの速度が等価的に向上するので、基板処理装置のスループットを向上させることができる。しかも、入口基板載置部と出口基板載置部とが区別して設けられているので、その処理ブロックに受け入れる基板と、その処理ブロックから払い出す基板とが、基板載置部で干渉することがなく、各処理ブロック間の基板搬送を円滑に行うことができる。
【００１２】
また、請求項２記載の発明は、基板に所要の処理を行う処理部と、前記処理部に対して基板の受け渡しをする単一の主搬送機構とを含んで単一の被制御ユニットを構成し、前記被制御ユニットを並設して構成される基板処理装置であって、前記各被制御ユニットには、その被制御ユニットに基板を受け入れるために基板を載置する入口基板載置部と、その被制御ユニットから基板を払い出すために基板を載置する出口基板載置部とが区別して設けられており、前記各被制御ユニットの主搬送機構は、前記入口基板載置部と前記出口基板載置部とを介して基板の受け渡しを行い、かつ、前記各被制御ユニットの主搬送機構の基板受け渡し動作を少なくとも制御するユニット制御手段を各被制御ユニットごとに備え、各ユニット制御手段は、前記処理部に対する基板の受け渡しおよび前記基板載置部に対する基板の受け渡しを含む一連の基板搬送に係る制御を、各々独立して行うことを特徴とする。
【００１３】
本発明は、制御面からも基板処理装置のスループットを向上することを意図している。本発明の制御方式はいわゆる分散制御である。そのために、被制御ユニット間の基板の受け渡しを、区別された入口基板載置部と出口基板載置部とを介して行うようにしている。これにより、各被制御ユニットの制御手段は、入口基板載置部に置かれた基板の受け取りから始まって、出口基板載置部に基板を置くことによって完結する一連の制御を行うだけでよい。つまり、隣接する被制御ユニットの主搬送機構の動きを考慮する必要がない。したがって、各被制御ユニットの制御手段の負担が少なくなり、基板処理装置のスループットを向上させることができる。また、被制御ユニットの増減を比較的簡単に行うこともできる。これに対して、従来の基板処理は、基板搬送機構や各処理部を集中制御している関係で、基板搬送機構や各処理部の動作順序の決定作業（スケジューリング）が複雑であり、そのことがスループットの向上を妨げる一因ともなっている。
【００１４】
なお、上述した各発明において、入口基板載置部および出口基板載置部は、１つの処理ブロック（または、被制御ユニット）を基準にして、基板載置部の機能を捉えたものである。つまり、ある処理ブロック（または、被制御ユニット）の出口基板載置部は、その処理ブロックに隣接する処理ブロック（または、被制御ユニット）を基準にすれば入口基板載置部に相当する。このように、隣接する処理ブロック（または、被制御ユニット）間では、出口基板載置部と入口基板載置部とが一致している。
【００１５】
上述した各発明において、好ましくは、前記入口基板載置部は、各処理ブロック間または各被制御ユニット間にわたって基板を順方向に搬送するときに使われる送り用入口基板載置部と、各処理ブロック間または各被制御ユニット間にわたって基板を逆方向に搬送するときに使われる戻り用入口基板載置部とからなり、前記出口基板載置部は、各処理ブロック間または各被制御ユニット間にわたって基板を順方向に搬送するときに使われる送り用出口基板載置部と、各処理ブロック間または各被制御ユニット間にわたって基板を逆方向に搬送するときに使われる戻り用出口基板載置部とからなる（請求項３記載の発明）。
【００１６】
この構成によれば、各処理ブロック間または各被制御ユニット間にわたって基板を順方向に搬送するときは、送り用入口基板載置部と送り用出口基板載置部とを介して基板の受け渡しが行われる。また、各処理ブロック間または各被制御ユニット間にわたって基板を逆方向に搬送するときは、戻り用入口基板載置部と戻り用出口基板載置部とを介して基板の受け渡しが行われる。したがって、各処理ブロック間または各被制御ユニット間にわたって順方向に搬送される基板と、逆方向に搬送される基板とが、基板載置部で干渉することがなく、各処理ブロック間（または、各被制御ユニット間）の基板搬送を双方向に円滑に行うことができる。
【００１７】
また、本発明において、好ましくは、前記処理ブロック群または前記被制御ユニット群のうちの少なくとも１つの処理ブロック、または少なくとも１つの被制御ユニットは、前記送り用入口基板載置部と、前記戻り用入口基板載置部と、前記送り用出口基板載置部と、前記戻り用出口基板載置部との他に、さらに別の入口基板載置部と出口基板載置部とを備える（請求項４記載の発明）。この構成によれば、別の入口基板載置部と出口基板載置部とを介して、別の処理ブロック（または、被制御ユニット）と基板の受け渡しを行うことができるので、処理ブロック群（または、被制御ユニット群）の配置の自由度が向上する。
【００１８】
さらに、本発明において、好ましくは、前記送り用入口基板載置部と前記戻り用出口基板載置部とは近接配置されているとともに、前記戻り用入口基板載置部と前記送り用出口基板載置部とは近接配置されている（請求項５記載の発明）。この構成によれば、主搬送機構が送り用出口基板載置部（または、戻り用出口基板載置部）に対して基板の受け渡しを行った後に、近接した戻り用入口基板載置部（または、送り用入口基板載置部）に短時間の内に移動して基板の受け渡しを行うことができる。
【００１９】
上記構成において、さらに好ましくは、前記送り用入口基板載置部と前記戻り用出口基板載置部とは上下に配置されているとともに、前記戻り用入口基板載置部と前記送り用出口基板載置部とは上下に配置される（請求項６記載の発明）。この構成によれば、各基板載置部の基板を水平姿勢で置いた場合に、上下の基板載置部の間隔を狭く設定できる。その結果、上下の基板載置部にわたって主搬送機構が速やかに移動することができ、両基板載置部に対する基板の受け渡しを一層効率良く行うことができる。
【００２０】
また、本発明において、各基板載置部は、必ずしも１枚の基板を載置するものに限らず、複数枚の基板を多段に積層配置する構造を備えるものであってもよい（請求項７記載の発明）。１枚の基板しか載置できない基板載置部の場合、その基板載置部に基板が置かれている間は、次の基板をその基板載置部に置くことができないので、次の基板が置かれるまでにその基板載置部に置かれている基板を主搬送機構が受け取らなければならない。これは、種々の処理部に対して基板を搬送する主搬送機構の制御上の制約になる。これに対して、多段構成の基板載置部を用いると、上記のような制約が緩和されるので、主搬送機構の制御が容易になる。また、多段構成の基板載置部を用いると、ある処理部に異常が発生した場合などに、複数枚の基板を多段構成の基板載置部に一時的に退避保管することもできる。
【００２１】
さらに、本発明において、隣接する処理ブロック間（または、被制御ユニット間）で、基板載置部を介した雰囲気の流入が問題になる場合には、そのような基板載置部に、基板が通過する開口部を開閉するシャッタ機構を設けるのが好ましい（請求項８記載の発明）。この構成によれば、主搬送機構が基板の受け渡しをする間だけシャッタ機構を開放し、その他の間はシャッタ機構を閉じておくことにより、雰囲気流入による悪影響を最小限に抑えることができる。
【００２２】
また、本発明において、基板載置部に、載置された基板を冷却する冷却手段を備えるのも好ましい（請求項９記載の発明）。この構成によれば、基板載置部に基板が置かれて待機している間に、基板を適正な温度にまで冷却して維持できるので、基板処理の品質を向上することができる。
【００２３】
さらに、本発明において、基板載置部は固定設置されたものに限らず、主搬送機構に向けて水平移動する水平移動手段を備えるものであってもよい（請求項１０記載の発明）。この構成によれば、主搬送機構の水平移動ストロークをあまり長く設定しなくても、基板載置部が水平移動することにより、基板受け渡し位置にまで基板を移動させることができるので、主搬送機構の構成上、あるいは配置上の制約が少なくなる。
【００２４】
本発明において、主搬送機構は、基板を保持する単一の保持アームを備えるものであってもよいが、少なくとも２つの保持アームを備えるのが好ましい（請求項１１記載の発明）。この構成によれば、基板の受け渡しを効率よく行うことができるとともに、基板載置部や処理部の種類に応じて、保持アームを使い分けることができるので、保持アームから基板に与える熱的悪影響や汚染などを回避することができる。
【００２５】
さらに、上記の構成において、さらに好ましくは、前記主搬送機構は、一方の保持アームに基板を保持し、他方の保持アームが空の状態で、前記入口基板載置部と前記出口基板載置部とに対して基板の受け渡しを行うにあたり、先ず、前記主搬送機構は、基板を保持した一方の保持アームを駆動して、その基板を前記出口基板載置部に渡し、その後で、空の状態のいずれかの保持アームを駆動して、前記入口基板載置部に置かれている別の基板を受け取る（請求項１２記載の発明）。このように構成することにより、一方の保持アームから出口基板載置部に基板を受け渡した段階で、主搬送機構の各保持アームは空の状態になる。このように主搬送機構の各保持アームを一次的に空の状態にすることにより、次のような利点がある。例えば、処理ブロック（または、被制御ユニット）内のある処理部で故障などが生じた場合に、各保持アームが空になった主搬送機構をその処理部に向かわせて、基板を一次的な保管場所に退避させるための搬送処理を行うことができる。因みに、空の状態の他方の保持アームに先に基板を受け取り、その後で、一方の保持アームに保持した基板を基板載置部に渡すと、いずれかの保持アーム上に常に基板があるので、上述したような故障時に基板を退避搬送させるのが困難になる。
【００２６】
さらに本発明において、好ましくは、請求項３記載の基板処理装置において、前記主搬送機構は、基板を保持する少なくとも２つの保持アームを備え、一方の保持アームに基板を保持し、他方の保持アームが空の状態で、前記入口基板載置部と前記出口基板載置部とに対して基板の受け渡しを行うにあたり、基板を保持した一方の保持アームを駆動して、その基板を前記出口基板載置部に渡した後に、その主搬送機構が配置された処理ブロック内または被制御ユニット内において、これから搬送を進める前記順方向または前記逆方向の搬送先に関して異常が発生しているか否かを判断し、異常の発生が認められると、前記順方向または前記逆方向に関して異常の発生が認められない反対方向の搬送処理のみを行うようにする（請求項１３記載の発明）。この構成によれば、基板を保持した一方の保持アームから出口基板載置部へ基板を受け渡した後に、主搬送機構が配置された処理ブロック内または被制御ユニット内においてこれから搬送を進める順方向または逆方向の搬送先に関して異常が発生しているか否かを判断しているので、異常があれば順方向または逆方向に関して反対方向の搬送のみを行うことができ、異常が発生していない方向の搬送をスムーズに行え、効率的に基板の搬送を行うことができる。
【００２７】
さらに、請求項１２記載の発明の構成において好ましくは、前記処理部は、基板加熱用の加熱プレートと基板冷却用の冷却プレートとを備えた熱処理部を含み、前記主搬送機構は、少なくとも２つの保持アームのうち、前記加熱プレートで加熱処理がなされた基板を受け取る保持アームが毎搬送サイクルとも同じになるという条件を満たすように、前記空の状態の少なくとも２つ以上の保持アームのうちの１つを駆動して、前記入口基板載置部に置かれている別の基板を受け取る（請求項１４記載の発明）。この構成によれば、加熱プレートで加熱処理がなされた基板を受け取る保持アームを一方に固定することができ、他方の保持アームの蓄熱を防ぐことができるので、この他方の保持アームで保持する基板への熱的影響を防ぐことができる。
【００２８】
また、本発明において好ましくは、前記送り用入口基板載置部と戻り用入口基板載置部との両方に基板が置かれている場合に、前記主搬送機構は、前記戻り用入口基板載置部に置かれた基板を優先して受け取る（請求項１５記載の発明）。本発明に係る基板処理装置が、例えば、基板にフォトレジスト膜の塗付形成や現像処理を行うものものであり、この基板処理装置に露光装置が連結されて使用される場合、戻り用入口基板載置部には露光装置で露光された基板が置かれる。フォトレジストとして化学増幅型のフォトレジストを用いた場合、露光後の基板は速やかに加熱処理される必要がある。このような場合に、主搬送機構が、戻り用入口基板載置部に置かれた基板を優先して受け取るように構成すれば、露光後の基板に速やかに所要の処理を施すことができ、基板処理の品質を安定させることができる。
【００２９】
上記の構成において、さらに好ましくは、前記主搬送機構は、基板を保持する少なくとも２つの保持アームを備え、一方の保持アームに基板を保持し、他方の保持アームが空の状態で、前記送り用入口基板載置部と前記戻り用出口基板載置部とに対して基板の受け渡しを行うにあたり、先ず、前記主搬送機構は、基板を保持した一方の保持アームを駆動して、その基板を前記戻り用出口基板載置部に渡した後に、前記戻り用入口基板載置部に基板が置かれているか否かを判断し、基板が置かれていなければ、空の状態のいずれかの保持アームを駆動して、前記送り用入口基板載置部に置かれている別の基板を受け取り、一方、前記戻り用入口基板載置部に基板が置かれている場合は、前記送り用入口基板載置部の基板を受け取ることなく、全ての保持アームが空の状態で、前記戻り用入口基板載置部に向かい、前記戻り用入口基板載置部に置かれている基板を受け取って所定の搬送処理を行う（請求項１６記載の発明）。この構成によれば、基板を保持した一方の保持アームから出口基板載置部へ基板を受け渡した後に、戻り用入口基板載置部に基板が置かれているか否かを判断しているので、戻り用入口基板載置部に基板が置かれている場合は、全ての保持アームを空にした状態で、主搬送機構が戻り用入口基板載置部に向かって所要に基板搬送を行うことができるので、戻り用入口基板載置部に基板が長時間にわたって置かれることがなく、上述した化学増幅型レジストを用いた場合に基板の処理品質を一層向上することができる。
【００３０】
本発明において好ましくは、前記各ユニット制御手段は、これらを統括管理する主制御手段に接続されており、かつ、前記主制御手段は、前記基板処理装置とは別体のホストコンピュータと通信可能に構成される（請求項１７記載の発明）。この構成によれば、各被制御ユニットの基板搬送に係る制御を各々独立して制御している各ユニット制御手段が保有する各被制御ユニットの情報を主制御手段が統括管理し、その管理情報をホストコンピュータに通信するので、基板処理装置の各被制御ユニットの状態をホストコンピュータ側で容易に把握することができる。
【００３１】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の実施例を説明する。
図１は実施例に係る基板処理装置の平面図、図２はその正面図、図３は熱処理部の正面図である。
【００３２】
ここでは、半導体ウエハ（以下、単に「基板」という）に、反射防止膜やフォトレジスト膜を塗布形成するとともに、露光された基板に現像処理などの薬液処理を行う基板処理装置を例に採って説明する。もちろん、本発明に係る基板処理装置が取り扱い得る基板は、半導体ウエハに限らず、液晶表示器用のガラス基板など種々の基板を含む。また、薬液処理は、フォトレジスト膜などの塗布形成処理や現像処理に限らず、種々の薬液処理を含む。
【００３３】
図１を参照する。本実施例に係る基板処理装置は大きく分けて、インデクサブロック１と、基板に対して所要の薬液処理を行う３つの処理ブロック（具体的には反射防止膜用処理ブロック２、レジスト膜用処理ブロック３、および現像処理ブロック４）と、インターフェイスブロック５とからなり、これらのブロックを並設して構成されている。インターフェイスブロック５には、本実施例に係る基板処理装置とは別体の外部装置である露光装置（ステッパー）ＳＴＰが並設される。以下、各ブロックの構成を説明する。
【００３４】
まず、インデクサブロック１について説明する。インンデクサブロック１は、基板Ｗを多段に収納するカセットＣからの基板の取り出しや、カセットＣへの基板Ｗの収納を行う機構である。具体的には、複数個のカッセトＣを並べて載置するカセット載置台６と、各カセットＣから未処理の基板Ｗを順に取り出すとともに、各カセットＣへ処理済の基板Ｗを順に収納するインデクサ用搬送機構７とを備えている。インデクサ用搬送機構７は、カセット載置台６に沿って（Ｙ方向に）水平移動可能な可動台７ａを備えている。この可動台７ａに基板Ｗを水平姿勢で保持する保持アーム７ｂが搭載されている。保持アーム７ｂは、可動台７ａ上を昇降（Ｚ方向）移動、水平面内の旋回移動、および旋回半径方向に進退移動可能に構成されている。
【００３５】
上述したインデクサブロック１に隣接して反射防止膜処理ブロック２が設けられている。図４に示すように、インデクサブロック１と反射防止膜処理ブロック２との間には、雰囲気遮断用の隔壁１３が設けられている。この隔壁１３にインデクサブロック１と反射防止膜処理ブロック２との間で基板Ｗの受け渡しを行うために基板Ｗを載置する２つの基板載置部ＰＡＳＳ１、ＰＡＳＳ２が上下に近接して設けられている。
【００３６】
上側の基板載置部ＰＡＳＳ１はインデクサブロック１から反射防止膜処理ブロック２へ基板Ｗを払い出すために、下側の基板載置部ＰＡＳＳ２は反射防止膜処理ブロック２からインデクサブロック１へ基板Ｗを戻すために、それぞれ設けられている。反射防止膜処理ブロック２を基準にして言えば、基板載置部ＰＡＳＳ１は、反射防止膜処理ブロック２に基板Ｗを受け入れるための入口基板載置部に相当する。特に、インデクサブロック１から露光装置ＳＴＰに向かって流れる基板Ｗの搬送方向を順方向とした場合に、基板載置部ＰＡＳＳ１は、基板Ｗを順方向に搬送するときに使われる送り用入口基板載置部に相当する。一方、基板載置部ＰＡＳＳ２は、反射防止膜処理ブロック２から基板Ｗを払い出すための出口基板載置部であり、特に、基板Ｗを逆方向（本実施例では、露光装置ＳＴＰからインデクサブロック１に向かって流れる基板Ｗの搬送方向）に搬送するときに使われる戻り用出口基板載置部に相当する。
【００３７】
基板載置部ＰＡＳＳ１、ＰＡＳＳ２は、隔壁１３を部分的に貫通して設けられている。なお、基板載置部ＰＡＳＳ１、ＰＡＳＳ２は、固定設置された複数本の支持ピンから構成されており、この点は後述する他の基板載置部ＰＡＳＳ３〜ＰＡＳＳ１０も同様である。また、基板載置部ＰＡＳＳ１、ＰＡＳＳ２には、基板Ｗの有無を検出する図示しない光学式のセンサが設けられており、各センサの検出信号に基づいてインデクサ用搬送機構７や、後述する反射防止膜用処理ブロック２の第１の主搬送機構１０Ａが、基板載置部ＰＡＳＳ１、ＰＡＳＳ２に対して基板を受け渡しできる状態であるかどうかを判断するようになっている。同様のセンサは他の基板載置部ＰＡＳＳ３〜ＰＡＳＳ１０にも設けられている。
【００３８】
反射防止膜処理ブロック２について説明する。反射防止膜処理ブロック２は、露光時に発生する定在波やハレーションを減少させるために、フォトレジスト膜の下部に反射防止膜を塗布形成するための機構である。具体的には、基板Ｗの表面に反射防止膜を塗布形成する反射防止膜用塗布処理部８と、反射防止膜の塗布形成に関連して基板Ｗを熱処理する反射防止膜用熱処理部９と、反射防止膜用塗布処理部８および反射防止膜用熱処理部９に対して基板Ｗの受け渡しをする第１の主搬送機構１０Ａとを備える。
【００３９】
反射防止膜処理ブロック２は、第１の主搬送機構１０Ａを挟んで反射防止膜用塗布処理部８と反射防止膜用熱処理部９とが対向して配置されている。具体的には、塗布処理部８が装置正面側に、熱処理部９が装置背面側に、それぞれ位置している。このように薬液処理部と熱処理部とを主搬送機構を挟んで対向配置する点は、他のレジスト膜用処理ブロック３および現像処理ブロック４においても同様である。このような配置にすれば、薬液処理部と熱処理部とが隔たるので、薬液処理部が熱処理部から受ける熱的影響を抑えることができる。また、本実施例では、熱処理部９の正面側に図示しない熱隔壁を設けて、反射防止膜用塗布処理部８への熱的影響を回避している。同様な熱隔壁は、他のレジスト膜用処理ブロック３および現像処理ブロック４にも設けられている。
【００４０】
反射防止膜用塗布処理部８は、図２に示すように、同様の構成を備えた３つの反射防止膜用塗布処理部８ａ〜８ｃ（以下、特に区別しない場合は符号「８」で示す）を上下に積層配置して構成されている。各塗布処理部８は、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック１１や、このスピンチャック１１上に保持された基板Ｗ上に反射防止膜用の塗布液を供給するノズル１２などを備えている。
【００４１】
反射防止膜用熱処理部９は、図３に示すように、基板Ｗを所定の温度にまで加熱する複数個の加熱プレートＨＰ、加熱された基板Ｗを常温にまで冷却する複数個の冷却プレートＣＰ、レジスト膜と基板Ｗとの密着性を向上させるためにＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラザン）の蒸気雰囲気で基板Ｗを熱処理する複数個のアドヒージョン処理部ＡＨＬなどの熱処理部を含む。これらの熱処理部９の下部には、ヒータコントローラ（ＣＯＮＴ）が配設され、また熱処理部９の上部（図３中に「×」印で示した個所）には配管配線部や、予備の空きスペースが割り当てられている。
【００４２】
反射防止膜用熱処理部９は、各熱処理部（ＨＰ，ＣＰ，ＡＨＬ）を上下に積層配置して構成されているとともに、積層配置された一群の熱処理部が複数例（本実施例では２列）にわたり並設されている。薬液処理部を上下に積層配置している点、および上下に積層配置した一群の熱処理部を複数列にわたり並設している点は、他のレジスト膜用処理ブロック３および現像処理ブロック４においても同様である。
【００４３】
上述したように各処理ブロック２〜４で薬液処理部や熱処理部を上下に積層配置することにより、基板処理装置の占有スペースを小さくすることができる。また、積層配置した一群の記熱処理部を複数列にわたり並設することにより、熱処理部のメンテナンスが容易になるとともに、熱処理部に必要なダクト配管や給電設備をあまり高い位置にまで引き延ばす必要がなくなるという利点がある。
【００４４】
第１の主搬送機構１０Ａについて説明する。なお、後述する他のレジスト膜用処理ブロック３、現像処理ブロック４、およびインターフェイスブロック５にそれぞれ備えられた第２、第３、第４の各主搬送機構１０Ｂ、１０Ｃ、１０Ｄも同様に構成されている。以下、第１〜第４の主搬送機構１０Ａ〜１０Ｄを特に区別しない場合は、主搬送機構１０として説明する。
【００４５】
図６を参照する。同図（ａ）は主搬送機構１０の平面図、（ｂ）はその正面図である。主搬送機構１０は、基板Ｗを水平姿勢で保持する２個の保持アーム１０ａ、１０ｂを上下に近接して備えている。保持アーム１０ａ、１０ｂは、先端部が平面視で「Ｃ］の字状になっており、この「Ｃ」の字状のアームの内側から内方に突き出た複数本のピン１０ｃで基板Ｗの周縁を下方から支持するようになっている。主搬送機構１０の基台１０ｄは装置基台に対して固定設置されている。この基台１０ｄ上に螺軸１０ｅが回転可能に立設支持されている。基台１０ｄに螺軸１０ｅを回転駆動するモータ１０ｆが設けられている。螺軸１０ｅに昇降台１０ｇが螺合されており、モータ１０ｆが螺軸１０ｅを回転駆動することにより、昇降台１０ｇがガイド軸１０ｊに案内されて昇降移動するようになっている。昇降台１０ｇ上にアーム基台１０ｈが縦軸心周りに旋回可能に搭載されている。昇降台１０ｇにはアーム基台１０ｈを旋回駆動するモータ１０ｉが設けられている。アーム基台１０ｈ上に上述した２つの保持アーム１０ａ、１０ｂが上下に配設されている。各保持アーム１０ａ、１０ｂは、アーム基台１０ｈ内に装備された駆動機構（図示せず）によって、各々が独立してアーム基台１０ｈの旋回半径方向に進退移動可能に構成されている。
【００４６】
上述した反射防止膜処理ブロック２に隣接してレジスト膜処理ブロック３が設けられている。図４に示すように、反射防止膜処理ブロック２とレジスト膜処理ブロック３との間にも、雰囲気遮断用の隔壁１３が設けられている。この隔壁１３に反射防止膜処理ブロック２とレジスト膜処理ブロック３との間で基板Ｗの受け渡しを行うための２つの基板載置部ＰＡＳＳ３、ＰＡＳＳ４が上下に近接して設けられている。
【００４７】
上述した基板載置部ＰＡＳＳ１、ＰＡＳＳ２の場合と同様に、上側の基板載置部ＰＡＳＳ３が基板Ｗの払出し用、下側の基板載置部ＰＡＳＳ４が基板Ｗの戻し用になっているとともに、これらの基板載置部ＰＡＳＳ３、ＰＡＳＳ４は隔壁１３を部分的に貫通している。ここで、基板載置部ＰＡＳＳ３は、反射防止膜処理ブロック２を基準にして言えば、送り用出口基板載置部に相当し、レジスト膜処理ブロック３を基準にして言えば、送り用入口基板載置部に相当する。また、基板載置部ＰＡＳＳ４は、反射防止膜処理ブロック２を基準にして言えば、戻り用入口基板載置部に相当し、レジスト膜処理ブロック３を基準にして言えば、戻り用出口基板載置部に相当する。これらの基板載置部ＰＡＳＳ３、ＰＡＳＳ４の下側には、基板Ｗを大まかに冷却するために水冷式の２つの冷却プレートＷＣＰが隔壁１３を貫通して上下に設けられている。
【００４８】
レジスト膜用処理ブロック３について説明する。レジスト膜用処理ブロック３は、反射防止膜が塗布形成された基板Ｗ上にフォトレジスト膜を塗布形成する機構である。なお、本実施例では、フォトレジストとして化学増幅型レジストを用いている。レジスト膜用処理ブロック３は、反射防止膜が塗布形成された基板Ｗにフォトレジスト膜を塗布形成するレジスト膜用塗布処理部１５と、フォトレジスト膜の塗布形成に関連して基板を熱処理するレジスト膜用熱処理部１６と、レジスト膜用塗布処理部１５およびレジスト膜用熱処理部１６に対して基板Ｗの受け渡しをする第２の主搬送機構１０Ｂとを備える。
【００４９】
レジスト膜用塗布処理部１５は、図２に示すように、同様の構成を備えた３つのレジスト膜用塗布処理部１５ａ〜１５ｃ（以下、特に区別しない場合は符号「１５」で示す）を上下に積層配置して構成されている。各塗布処理部１５は、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック１７や、このスピンチャック１７上に保持された基板Ｗ上にレジスト膜用の塗布液を供給するノズル１８などを備えている。
【００５０】
レジスト膜用熱処理部１６は、図３に示すように、基板Ｗを所定の温度にまで加熱する基板仮置部付きの複数個の加熱部ＰＨＰ、基板Ｗを常温にまで高い精度で冷却する複数個の冷却プレートＣＰなどの熱処理部を含む。各熱処理部が上下に積層されるとともに並列配置されている点は、反射防止膜用処理ブロック２の場合と同様である。
【００５１】
基板仮置部付きの加熱部ＰＨＰについて説明する。
図７を参照する。同図（ａ）は加熱部ＰＨＰの破断側面図、（ｂ）は破断平面図である。加熱部ＰＨＰは、基板Ｗを載置して加熱処理をする加熱プレートＨＰと、この加熱プレートＨＰから離れた上方位置または下方位置（本実施例では上方位置）に基板Ｗを載置しておく基板仮置部１９と、加熱プレートＨＰと基板仮置部１９との間で基板Ｗを搬送する熱処理部用のローカル搬送機構２０とを備えている。加熱プレートＨＰには、プレート表面に出没する複数本の可動支持ピン２１が設けられている。加熱プレートＨＰの上方には加熱処理時に基板Ｗを覆う昇降自在の上蓋２２が設けられている。基板仮置部１９には基板Ｗを支持する複数本の固定支持ピン２３が設けられている。
【００５２】
ローカル搬送機構２０は、基板Ｗを水平姿勢で保持する保持プレート２４を備え、この保持プレート２４がネジ送り駆動機構２５によって昇降移動されるとともに、ベルト駆動機構２６によって進退移動されるようになっている。保持プレート２４は、これが加熱プレートＨＰや基板仮置部１９の上方に進出したときに、可動支持ピン２１や固定支持ピン２３と干渉しなように複数本のスリット２４ａが形成されている。また、ローカル搬送機構２０は、加熱プレートＨＰから基板仮置部１９へ基板Ｗを搬送する過程で基板を冷却する手段を備えている。この冷却手段は、例えば保持プレート２４の内部に冷却水流路２４ｂを設け、この冷却水流路２４ｂに冷却水を流通させることによって構成されている。
【００５３】
上述したローカル搬送機構２０は、加熱プレートＨＰおよび基板仮置部１９を挟んで第２の主搬送機構１０Ｂとは反対側、すなわち装置背面側に設置されている。そして、加熱プレートＨＰおよび基板仮置部１９を覆う筐体２７の上部、すなわち基板仮置部１９を覆う部位には、その正面側に第２の主搬送機構１０Ｂの進入を許容する開口部１９ａが、その背面側にはローカル搬送機構２０の進入を許容する開口部１９ｂが、それぞれ設けられている。また、筐体２７の下部、すなわち加熱プレートＨＰを覆う部位は、その正面側が閉塞し、その背面側にローカル搬送機構２０の進入を許容する開口部１９ｃが設けられている。
【００５４】
上述した加熱部ＰＨＰに対する基板Ｗの出し入れは以下のようにして行われる。まず、主搬送機構１０（レジスト膜用処理ブロック３の場合は、第２の主搬送機構１０Ｂ）が基板Ｗを保持して、基板仮置部１９の固定支持ピン２３の上に基板Ｗを載置する。続いてローカル搬送機構２０の保持プレート２４が基板Ｗの下側に進入してから少し上昇することにより、固定支持ピン２３から基板Ｗを受け取る。基板Ｗを保持した保持プレート２４は筐体２７から退出して、加熱プレートＨＰに対向する位置にまで下降する。このとき加熱プレートＨＰの可動支持ピン２１は下降しているとともに、上蓋２２は上昇している。基板Ｗを保持した保持プレート２４は加熱プレートＨＰの上方に進出する。可動支持ピン２１が上昇して基板Ｗを受け取った後に保持プレート２４が退出する。続いて可動支持ピン２１が下降して基板Ｗを加熱プレートＨＰ上に載せるとともに、上蓋２２が下降して基板Ｗを覆う。この状態で基板Ｗが加熱処理される。加熱処理が終わると上蓋２２が上昇するとともに、可動支持ピン２１が上昇して基板Ｗを持ち上げる。続いて保持プレート２４が基板Ｗの下に進出した後、可動支持ピン２３が下降することにより、基板Ｗが保持プレート２４に受け渡される。基板Ｗを保持した保持プレート２４が退出して、さらに上昇して基板Ｗを基板仮置部１９に搬送する。基板仮置部１９内で保持プレート２４に支持された基板Ｗが、保持プレート２４が有する冷却機能によって冷却される。保持プレート２４は、冷却した（常温に戻した）基板Ｗを基板仮置部１９の固定支持ピン２３上に移載する。この基板Ｗを主搬送機構１０が取り出して搬送する。
【００５５】
以上のように、主搬送機構１０は、基板仮置部１９に対して基板Ｗの受け渡しをするだけで、加熱プレートＨＰに対して基板の受け渡しをしないので、主搬送機構１０が温度上昇するのを回避することができる。また、加熱プレートＨＰに基板Ｗを出し入れするための開口部１９ｃが、主搬送機構１０が配置された側とは反対側に位置しているので、開口部１９ｃから漏れ出た熱雰囲気で主搬送機構１０が温度上昇することがなく、またレジスト膜用塗布処理部１５が開口部１９ｃから漏れ出た熱雰囲気で悪影響を受けることもない。
【００５６】
上述したレジスト膜処理ブロック３に隣接して現像処理ブロック４が設けられている。図４に示すように、レジスト膜処理ブロック３と現像処理ブロック４との間にも、雰囲気遮断用の隔壁１３が設けられており、この隔壁１３に両処理ブロック３、４間で基板Ｗの受け渡しを行うための２つの基板載置部ＰＡＳＳ５，６と、基板Ｗを大まかに冷却するために水冷式の２つの冷却プレートＷＣＰが上下に積層して設けられている。ここで、基板載置部ＰＡＳＳ５は、レジスト膜処理ブロック３を基準にして言えば、送り用出口基板載置部に相当し、現像処理ブロック４を基準にして言えば、送り用入口基板載置部に相当する。また、基板載置部ＰＡＳＳ６は、レジスト膜処理ブロック３を基準にして言えば、戻り用入口基板載置部に相当し、現像処理ブロック４を基準にして言えば、戻り用出口基板載置部に相当する。
【００５７】
現像処理ブロック４について説明する。現像処理ブロック４は、露光された基板Ｗに対して現像処理をする機構である。具体的には、露光された基板Ｗに現像処理をする現像処理部３０と、現像処理に関連して基板を熱処理する現像用熱処理部３１と、現像処理部３０および現像用熱処理部３１に対して基板Ｗの受け渡しをする第３の主搬送機構１０Ｃとを備える。
【００５８】
現像処理部３０は、図２に示すように、同様の構成を備えた５つの現像処理部３０ａ〜３０ｅ（以下、特に区別しない場合は符号「３０」で示す）を上下に積層配置して構成されている。各現像処理部３０は、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック３２や、このスピンチャック３２上に保持された基板Ｗ上に現像液を供給するノズル３３などを備えている。
【００５９】
現像用熱処理部３１は、図３に示すように、各々複数個の加熱プレートＨＰ、基板仮置部付きの加熱部ＰＨＰ、冷却プレートＣＰなどの熱処理部を含む。各熱処理部が上下に積層されるとともに並列配置されている点は、他の処理ブロック２、３の場合と同様である。現像用熱処理部３１の右側（インターフェイスブロック５に隣接している側）の熱処理部の列には、現像処理ブロック４と、これに隣接するインターフェイスブロック５との間で基板Ｗの受け渡しを行うための２つの基板載置部ＰＡＳＳ７、ＰＡＳＳ８が上下に近接して設けられている。上側の基板載置部ＰＡＳＳ７が基板Ｗの払出し用、下側の基板載置部ＰＡＳＳ８が基板Ｗの戻し用になっている。ここで、基板載置部ＰＡＳＳ７は、現像処理ブロック４を基準にして言えば、送り用出口基板載置部に相当し、インターフェイスブロック５を基準にして言えば、送り用入口基板載置部に相当する。また、基板載置部ＰＡＳＳ８は、現像処理ブロック４を基準にして言えば、戻り用入口基板載置部に相当し、インターフェイスブロック５を基準にして言えば、戻り用出口基板載置部に相当する。
【００６０】
インターフェイスブロック５について説明する。インターフェイスブロック５は、本基板処理装置とは別体の外部装置である露光装置ＳＴＰに対して基板Ｗの受け渡しをする機構である。本実施例装置におけるインターフェイスブロック５には、露光装置ＳＴＰとの間で基板Ｗの受け渡しをするためのインターフェイス用搬送機構３５の他に、フォトレジストが塗布された基板Ｗの周縁部を露光する２つのエッジ露光部ＥＥＷと、現像処理ブロック４内に配設された基板仮置部付きの熱処理部ＰＨＰおよびエッジ露光部ＥＥＷに対して基板Ｗを受け渡しする第４の主搬送機構１０Ｄを備えている。
【００６１】
エッジ露光部ＥＥＷは、図２に示すように、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック３６や、このスピンチャック３６上に保持された基板Ｗの周縁を露光する光照射器３７などを備えている。２つのエッジ露光部ＥＥＷは、インターフェイスブロック５の中央部に上下に積層配置されている。このエッジ露光部ＥＥＷと現像処理ブロック４の熱処理部とに隣接して配置されている第４の主搬送機構１０Ｄは、図６で説明した主搬送機構１０と同様の構成を備えている。
【００６２】
図２および図５を参照する。図５はインターフェイスブロック５の側面図である。２つのエッジ露光部ＥＥＷの下側に、基板戻し用のバッファＲＢＦがあり、さらにその下側に２つの基板載置部ＰＡＳＳ９、ＰＡＳＳ１０が積層配置されている。基板戻し用のバッファＲＢＦは、故障などのために現像処理ブロック４が基板Ｗの現像処理をすることができない場合に、現像処理ブロック４の加熱部ＰＨＰで露光後の加熱処理を行った後に、その基板Ｗを一時的に収納保管しておくものである。このバッファＲＢＦは、複数枚の基板Ｗを多段に収納できる収納棚から構成されている。基板載置部ＰＡＳＳ９、ＰＡＳＳ１０は、第４の主搬送機構１０Ｄとインターフェイス用搬送機構３５との間で基板Ｗの受け渡しを行うためのもので、上側が基板払出し用、下側が基板戻し用になっている。
【００６３】
インターフェイス用搬送機構３５は、図１および図５に示すように、Ｙ方向に水平移動可能な可動台３５ａを備え、この可動台３５ａ上に基板Ｗを保持する保持アーム３５ｂを搭載している。保持アーム３５ｂは、昇降・旋回および旋回半径方向に進退移動可能に構成されている。インターフェイス用搬送機構３５の搬送経路の一端（図５中に示す位置Ｐ１）は、積層された基板載置部ＰＡＳＳ９、ＰＡＳＳ１０の下方にまで延びており、この位置Ｐ１で露光装置ＳＴＰとの間で基板Ｗの受け渡しを行う。また、搬送経路の他端位置Ｐ２では、基板載置部ＰＡＳＳ９、ＰＡＳＳ１０に対する基板Ｗの受け渡しと、送り用バッファＳＢＦに対する基板Ｗの収納と取り出しとを行う。送り用バッファＳＢＦは、露光装置ＳＴＰが基板Ｗの受け入れをできないときに、露光処理前の基板Ｗを一時的に収納保管するもので、複数枚の基板Ｗを多段に収納できる収納棚から構成されている。
【００６４】
以上のように構成された基板処理装置は、インデクサブロック１、各処理ブロック２、３、４、およびインターフェイスブロック５内に清浄空気がダウンフローの状態で供給されており、各ブロック内でパーティクルの巻き上がりや気流によるプロセスへの悪影響を回避している。また、各ブロック内は装置の外部環境に対して若干陽圧に保たれて、外部環境からのパーティクルや汚染物質の侵入などを防いでいる。特に、反射防止膜用処理ブロック２内の気圧はインデクサブロク１内の気圧よりも高くなるように設定されている。これにより、インデクサブロック１内の雰囲気が反射防止膜用処理ブロック２に流入しないので、外部の雰囲気の影響を受けずに各処理ブロック２、３、４で処理を行うことができる。
【００６５】
次に本実施例に係る基板処理装置の制御系、特に基板搬送に係る制御手法について説明する。
上述したインデクサブロック１、反射防止膜用処理ブロック２、レジスト膜用処理ブロック３、現像処理ブロック４、およびインターフェイスブロック５は、本実施例に係る基板処理装置を機構的に分割した要素である。具体的には、各ブロックは、各々個別のブロック用フレーム（枠体）に組み付けられ、各ブロック用フレームを連結して基板処理装置が構成されている（図８（ａ）参照）。
【００６６】
一方、本発明の特徴の１つとして、基板搬送に係る被制御ユニットの単位を機械的要素である各ブロックとは別に構成している。すなわち、基板に所要の処理を行う処理部と、前記処理部に対して基板の受け渡しをする単一の主搬送機構とを含んで単一の被制御ユニットを構成し、前記被制御ユニットを並設して基板処理装置を構成している。各被制御ユニットには、その被制御ユニットに基板を受け入れるために基板を載置する入口基板載置部と、その被制御ユニットから基板を払い出すために基板を載置する出口基板載置部とが区別して設けられている。そして、各被制御ユニットの主搬送機構は、入口基板載置部と出口基板載置部とを介して、互いに基板の受け渡しを行い、かつ、各被制御ユニットの主搬送機構の基板受け渡し動作を少なくとも制御するユニット制御手段を各被制御ユニットごとに備え、各ユニット制御手段は、前記処理部に対する基板の受け渡しおよび前記基板載置部に対する基板の受け渡しを含む一連の基板搬送に係る制御を、各々独立して行うようになっている。
【００６７】
以下、本実施例装置における被制御ユニットの単位を「セル」という。実施例装置の制御系を構成する各セルの配置を図８（ｂ）に示す。
【００６８】
インデクサセルＣ１は、カセット載置台６とインデクサ用搬送機構７とを含む。このセルＣ１は、結果として機械的に分割した要素であるインデクサブロック１と同じ構成になっている。反射防止膜用処理セルＣ２は、反射防止膜用塗布処理部８と反射防止膜用熱処理部９と第１の主搬送機構１０Ａとを含む。このセルＣ２も、結果として機械的に分割した要素である反射防止膜用処理ブロック２と同じ構成になっている。レジスト膜用処理セルＣ３は、レジスト膜用塗布処理部１５とレジスト膜用熱処理部１６と第２の主搬送機構１０Ｂとを含む。このセルＣ３も、結果として機械的に分割した要素であるレジスト膜用処理ブロック３と同じ構成になっている。
【００６９】
一方、現像処理セルＣ４は、現像処理部３０と、露光後加熱に使われる熱処理部（実施例では、加熱部ＰＨＰ）を除いた現像用熱処理部３１と、第３の主搬送機構１０Ｃとを含む。このセルＣ３は、露光後加熱に使われる加熱部ＰＨＰを含んでいない点で、機械的に分割した要素である現像処理ブロック４とは異なる構成になっている。
【００７０】
露光後加熱用処理セルＣ５は、露光された基板Ｗを現像前に加熱処理する露光後加熱用の熱処理部（実施例では、現像処理ブロック４に設けられた加熱部ＰＨＰ）と、エッジ露光部ＥＥＷと、第４の主搬送機構１０Ｄとを含む。このセルＣ５は、機械的に分割した要素である現像処理ブロック４とインターフェイスブロック５とにまたがるもので、本実施例装置の特徴的なセルである。このように露光後加熱用の熱処理部（加熱部ＰＨＰ）と第４の主搬送機構１０Ｄとを含んで１つのセルを構成しているので、露光された基板を速やかに加熱部ＰＨＰに搬入して熱処理を行うことができる。これは露光後の加熱を速やかに行う必要がある化学増幅型フォトレジストを用いた場合に好適である。
【００７１】
なお、上述した基板載置部ＰＡＳＳ７、ＰＡＳＳ８は、現像処理セルＣ４の第３の主搬送機構１０Ｃと、露光後加熱用処理セルＣ５の第４の主搬送機構１０Ｄとの間の基板Ｗの受け渡しに介在する。ここで、基板載置部ＰＡＳＳ７は、現像処理セルＣ４を基準にして言えば、送り用出口基板載置部に相当し、露光後加熱用処理セルＣ５を基準にして言えば、送り用入口基板載置部に相当する。また、基板載置部ＰＡＳＳ８は、現像処理セルＣ４を基準にして言えば、戻り用入口基板載置部に相当し、露光後加熱用処理セルＣ５を基準にして言えば、戻り用出口基板載置部に相当する。
【００７２】
インターフェイスセルＣ６は、外部装置である露光装置ＳＴＰに対して基板Ｗの受け渡しをするインターフェイス用搬送機構３５を含む。このセルＣ６は、第４の主搬送機構１０Ｄやエッジ露光部ＥＥＷを含まない点で、機械的に分割した要素であるインターフェイスブロック５とは異なる構成になっている。なお、上述した基板載置部ＰＡＳＳ９、ＰＡＳＳ１０は、露光後加熱用処理セルＣ５の第４の主搬送機構１０Ｄと、インターフェイス用搬送機構３５との間の基板Ｗの受け渡しに介在する。ここで、基板載置部ＰＡＳＳ９は、露光後加熱用処理セルＣ５を基準にして言えば、送り用出口基板載置部に相当し、インターフェイスセルＣ６を基準にして言えば、送り用入口基板載置部に相当する。また、基板載置部ＰＡＳＳ１０は、露光後加熱用処理セルＣ５を基準にして言えば、戻り用入口基板載置部に相当し、インターフェイスセルＣ６を基準にして言えば、戻り用出口基板載置部に相当する。
【００７３】
本実施例装置は、上述した６つのセルＣ１〜Ｃ６を並設して構成されており、各セルＣ１〜Ｃ６間の基板の受け渡しは、基板載置部ＰＡＳＳ１〜ＰＡＳＳ１０を介して行われる。換言すれば、本発明における単一の被制御ユニット（セル）は、単一の主搬送機構を含み、その主搬送機構が、特定の入口基板載置部から受け取った基板を特定の出口基板載置部に置くまでに、基板の受け渡しを行う処理部を含んで構成される。
【００７４】
図９（ａ）に示すように、セルＣ１〜Ｃ６は、各々のセルの主搬送機構（インデクサ用搬送機構７およびインターフェイス用搬送機構３５を含む）の基板受け渡し動作を少なくとも制御するセルコントローラ（ユニット制御手段）ＣＴ１〜ＣＴ６を個別に備えている。各セルコントローラＣＴ１〜ＣＴ６は、所定の入口基板載置部に置かれた基板の受け取りから始まって、所定の出口基板載置部に基板を置くことによって完結する一連の制御を、各々独立して行うようになっている。具体的には、各セルＣ１〜Ｃ６のセルコントローラＣＴ１〜ＣＴ６は、所定の基板載置部に基板を置いたという情報を、隣のセルのセルコントラーラに送り、その基板を受け取ったセルのセルコントローラは、所定の基板載置部から基板を受け取ったという情報を元のセルのセルコントローラに返すという情報のやり取りを行う。このような情報のやり取りは、各セルコントローラＣＴ１〜ＣＴ６に接続されて、これらを統括的に管理するメインコントローラ（主制御手段）ＭＣを介して行われる。メインコントローラＭＣは、本実施例に係る基板処理装置が設置される半導体製造行程の全体を管理するホストコンピュータＨＣとの間で通信可能に構成されている。各セルＣ１〜Ｃ６内の基板処理状況は各セルコントローラＣＴ１〜ＣＴ６を介してメインコントローラＭＣに集められてホストコンピュータＨＣに伝達される。これにより、各セルＣ１〜Ｃ６の状態をホストコンピュータＨＣで容易に把握できるようになっている。
【００７５】
各セルコントローラＣＴ１〜ＣＴ６は、隣接するセル内での主搬送機構の動きを考慮することなく、各セル内の基板の受け渡しだけを対象にして制御を進めている。したがって、各セルコントローラＣＴ１〜ＣＴ６の制御の負担が少なくなる。これに対して、従来の基板処理装置の制御手法によると、図９（ｂ）に示すように、各ブロック１〜５が基板処理のスケジュール管理用のコントローラＣＴ０に基板搬送に係る情報を与えて、コントローラＣＴ０が統括的に基板搬送を管理しているので、コントローラＣＴ１０の負担が多くなる。
【００７６】
以上のように本実施例によれば各セルのコントローラＣＴ１〜ＣＴ６の制御負担が少なくなるので、それだけ基板処理装置のスループットを向上させることができる。また、図９（ｂ）に示した従来の制御手法によると、新たに処理部を追加すると、コントローラＣＴ０のスケジュール管理用のプログラムを大幅に修正する必要が生じるが、本発明に係る制御手法によれば、新たにセルを追加しても、隣接するセルに影響を与えないので、セルの追加を容易に行うことができる。追加するセルの種類は特に限定されないが、例えば、レジスト膜用処理セルＣ３と現像処理セルＣ４との間に、基板Ｗに塗布されたレジスト膜の厚みを検査したり、あるいは現像後のレジスト膜の線幅を検査する検査用セルを追加してもよい。この場合、検査用セルは、本実施例装置の他のセルと同様に、基板を検査する基板検査部と、この検査部に対して基板を搬送する基板検査用の主搬送機構とを含んで構成される。また、検査用セルと隣接セルとの間の基板の受け渡しは、入口基板載置部と出口基板載置部とを介して行われる。
【００７７】
本実施例に係る基板処理装置の他の特徴は、被制御ユニットである反射防止膜用処理セルＣ２、レジスト膜用処理セルＣ３、および現像処理セルＣ４が、主搬送機構を使って基板Ｗを特定の位置から別の位置に搬送する工程を１工程とした場合に、各セルＣ２、Ｃ３、Ｃ４の第１、第２、第３の主搬送機構１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃは、略同数の搬送工程を負担している点にある。詳しくは、後述する本実施例装置の動作説明で明らかにするが、図１０に示したように、上記主搬送機構１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃは、略６つの搬送工程を負担している。
【００７８】
本実施例装置において、主搬送機構１０が１搬送工程に要する時間は約４秒である。したがって、各セルＣ２〜Ｃ３において、主搬送機構１０は６搬送工程を負担するので、各セルＣ２〜Ｃ３は２４秒に１回の割合（２４秒の処理周期）で基板Ｗを隣接するセルに排出することになる。つまり、本実施例装置は、１時間あたり１５０枚の基板Ｗを処理することができる。仮に、１つの主搬送機構が負担する搬送工程の数が、他の主搬送機構に比べて多くなると、その主搬送機構が属するセルの処理周期によって、基板処理装置のスループットが決定される。例えば、セルＣ２、Ｃ４の各主搬送機構１０Ａ、１０Ｃが各々５つの搬送工程を負担し、セルＣ３の主搬送機構１０Ｂが８つの搬送工程を負担する場合、セルＣ２〜Ｃ４間では、セルＣ３の処理周期（この場合、３２秒）でしか基板Ｗが流れないので、セルＣ２、Ｃ４の主搬送機構１０Ａ、１０Ｃに余裕があったとしても、その基板処理装置は１時間あたり１１２．５枚しか基板Ｗを処理することができない。
【００７９】
これに対して本実施例装置では、反射防止膜用処理セルＣ２、レジスト膜用処理セルＣ３、および現像処理セルＣ４の各主搬送機構１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃが略同数の搬送工程を負担するので、いずれか１つの主搬送機構が早く搬送処理の限界に陥ることが回避でき、結果として、基板処理装置のスループットを向上させることができる。
【００８０】
一方、現像処理セルＣ４に隣接する露光後加熱用処理セルＣ５に関しては、そのセルＣ５に属する第４の主搬送機構１０Ｄの負担する搬送工程が５つに設定されている。露光後加熱用処理セルＣ５は、基板Ｗが露光されてから加熱処理を行うまでの時間を厳密に管理する必要があるので、第４の主搬送機構１０Ｄの搬送負担に余裕をもたせる意味で、その搬送負担を他のセルに比べて低く設定してある。第４の主搬送機構１０Ｄに特に余裕をもたせる必要がなければ、本処理セルＣ５は、１搬送工程分だけの空きをもっていることになる。この空き搬送工程を利用して、露光後加熱用処理セルＣ５に新たな処理部、例えば基板Ｗの検査部を追加することも可能である。基板検査部を追加してもセルＣ５の主搬送機構１０Ｄは、他のセルの主搬送機構と同様に６つの搬送工程を負担することになる。つまり、搬送工程に余裕のあるセルＣ５に基板検査部を追加しても、セルＣ５の処理周期は他のセルと同じ２４秒になるだけであるので、基板処理装置のスループットが低下することはない。
【００８１】
次に、本実施例に係る基板処理装置の動作を説明する。特に、反射防止膜用処理セルＣ２、レジスト膜用処理セルＣ３、現像処理セルＣ４、および露光後加熱用処理セルＣ５の各主搬送機構１０Ａ〜１０Ｄによる各搬送工程については図１０を参照されたい。
【００８２】
まず、インデクサセルＣ１（インデクサブロック１）のインデクサ用搬送機構７が、所定のカセットＣに対向する位置にまで水平移動する。続いて、保持アーム７ｂが昇降および進退移動することにより、そのカセットＣに収納されている未処理の基板Ｗを取り出す。保持アーム７ｂに基板Ｗを保持した状態で、インデクサ用搬送機構７が、基板載置部ＰＡＳＳ１、ＰＡＳＳ２に対向する位置にまで水平移動する。そして、保持アーム７ｂ上の基板Ｗを基板払出し用の上側の基板載置部ＰＡＳＳ１に載置する。基板戻し用の下側の基板載置部ＰＡＳＳ２に処理済みの基板Ｗが載置されている場合、インデクサ用搬送機構７は、その処理済みの基板Ｗを保持アーム７ｂ上に受け取って、所定のカッセトＣに処理済みの基板Ｗを収納する。以下、同様にカセットＣから未処理基板Ｗを取り出して基板載置部ＰＡＳＳ１に搬送するとともに、処理済み基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ２から受け取ってカセットＣに収納するという動作を繰り返し行う。
【００８３】
反射防止膜用処理セルＣ２（反射防止膜用処理ブロック２）の動作を説明する。基板載置部ＰＡＳＳ１（反射防止膜用処理セルＣ２を基準にして言えば「送り用入口基板載置部」）に未処理基板Ｗが置かれると、図１０に示すように、セルＣ２の第１の主搬送機構１０Ａは、保持アーム１０ａ、１０ｂを基板載置部ＰＡＳＳ１、ＰＡＳＳ２に対向する位置にまで一体に昇降および旋回移動させる。そして、一方の保持アーム１０ｂに保持している処理済みの基板Ｗを下側の戻し用の基板載置部ＰＡＳＳ２（反射防止膜用処理セルＣ２を基準にして言えば「戻り用出口基板載置部」）に置き、その後、上側の送り用入口基板載置部ＰＡＳＳ１に置かれている未処理基板Ｗを、空の状態になった一方の保持アーム１０ｂを再び駆動して、その保持アーム１０ｂ上に受け取るという、保持アーム１０ｂだけを使った処理済み基板Ｗおよび未処理基板Ｗの受け渡し動作を行う。
【００８４】
具体的には、保持アーム１０ｂを前進移動させて戻り用出口基板載置部ＰＡＳＳ２上に処理済みの基板Ｗを置く。処理済みの基板Ｗを渡した保持アーム１０ｂは元の位置にまで後退する。続いて、保持アーム１０ａ、１０ｂを一体に少し上昇させた後、空の状態になった保持アーム１０ｂを再び前進移動させて送り用入口基板載置部ＰＡＳＳ１上の未処理基板Ｗを保持アーム１０ｂ上に受け取る。基板Ｗを受け取った保持アーム１０ｂは元の位置にまで後退する。
【００８５】
上述したように、本実施例では、基板載置部ＰＡＳＳ１、ＰＡＳＳ２に対する処理済み基板Ｗおよび未処理基板Ｗの受け渡し動作を保持アーム１０ｂだけを使って行っている。一方の保持アーム１０ａに保持した基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ２に渡した後は、両方の保持アーム１０ａ、１０ｂは空の状態になっているので、いずれの保持アーム１０ａ、１０ｂを使っても基板載置部ＰＡＳＳ１の基板Ｗを受け取ることができる。しかし、本実施例では、後述する説明から明らかになるように、加熱プレートＨＰで処理されて加熱された基板Ｗを、上側に配置された保持アーム１０ａで受け取るために、元々空の状態にあった保持アーム１０ａを使わずに、保持アーム１０ｂを再駆動して基板載置部ＰＡＳＳ１の基板Ｗを受け取るように構成してある。
【００８６】
以上の基板載置部ＰＡＳＳ１、ＰＡＳＳ２に対する未処理基板Ｗおよび処理済み基板Ｗの受け渡しは、図１０中に第１の主搬送機構１０Ａの搬送工程（１＋α）で示されている。ここで、「α」は、未処理基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１から受け取るために、保持アーム１０ａ、１０ｂを基板載置部ＰＡＳＳ２に対向する位置から基板載置部ＰＡＳＳ１に対向する位置にまで少し上昇移動させた搬送工程を示している。上述したように、基板載置部ＰＡＳＳ１、ＰＡＳＳ２は上下に近接して配置されているので、基板載置部ＰＡＳＳ１、ＰＡＳＳ２間の移動に要する時間は僅かであり無視することができる。したがって、搬送工程（１＋α）は、１搬送工程（本実施例では、主搬送機構を使って所定時間（例えば、４秒）以内に行われる基板の受け渡し動作）であるとして取り扱うことができる。
【００８７】
基板載置部ＰＡＳＳ１、ＰＡＳＳ２に対する基板Ｗの受け渡しが終わると、第１の主搬送機構１０Ａは、基板Ｗを保持していない空の状態の保持アーム１０ａと、未処理基板Ｗを保持した保持アーム１０ｂとを一体に昇降・旋回移動させて、反射防止膜用熱処理部９の所定の冷却プレートＣＰに対向させる。通常、この冷却プレートＣＰには、先行処理されている基板Ｗが入っている。そこで、先ず、空の保持アーム１０ａを前進移動させて、その冷却プレートＣＰ上の冷却処理済みの基板Ｗを保持アーム１０ａ上に受け取る。続いて未処理基板Ｗを保持した保持アーム１０ｂを前進移動させて、未処理基板Ｗをその冷却プレートＣＰ上に置く。冷却プレートＣＰに載せられた基板Ｗは、主搬送機構１０Ａが他の搬送動作を行っている間に、常温にまで精度よく冷却される。なお、２つの保持アーム１０ａ、１０ｂを使った冷却プレートＣＰへの基板Ｗの受け渡しは、保持アーム１０ａ、１０ｂの昇降動作を伴わずに行われるので、この冷却プレートＣＰに対する基板の受け渡しは、第１の主搬送機構１０Ａの１搬送工程内に行われる（図１０中に示した第１の主搬送機構１０Ａの搬送工程（２）参照）。
【００８８】
冷却プレートＣＰへの基板Ｗの受け渡しが終わると、冷却処理された基板Ｗを保持した保持アーム１０ａと空の保持アーム１０ｂとを一体に昇降・旋回移動させて、所定の反射防止膜用塗布処理部８に対向させる。通常、この反射防止膜用塗布処理部８には、先行処理されている基板Ｗが入っている。そこで、先ず、空の保持アーム１０ｂを前進移動させて、その反射防止膜用塗布処理部８にあるスピンチャック１１上の処理済みの基板Ｗを保持アーム１０ｂ上に受け取る。続いて基板Ｗを保持した保持アーム１０ａを前進移動させて、基板Ｗをそのスピンチャック１１上に置く。スピンチャック１１上に載せられた基板Ｗは、主搬送機構１０Ａが他の搬送動作を行っている間に、反射防止膜が塗布形成される。スピンチャック１１に対する基板の受け渡しは、図１０中に示した第１の主搬送機構１０Ａの搬送工程（３）に相当する。なお、図１０中の「ＢＡＲＣ」は反射防止膜用塗布処理部８を意味する。
【００８９】
スピンチャック１１への基板Ｗの受け渡しが終わると、空の状態の保持アーム１０ａと、反射防止膜が塗布された基板Ｗを保持した保持アーム１０ｂとを一体に昇降・旋回移動させて、所定の加熱プレートＨＰに対向させる。通常、この加熱プレートＨＰにも先行処理されている基板Ｗが入っているので、先ず、空の保持アーム１０ａを前進移動させて、その加熱プレートＨＰ上の処理済みの基板Ｗを保持アーム１０ａ上に受け取る。続いて、保持アーム１０ｂを前進移動させて、基板Ｗを加熱プレートＨＰ上に置く。加熱プレートＨＰ上に載せられた基板Ｗは、主搬送機構１０Ａが他の搬送動作を行っている間に熱処理されて、基板Ｗ上の反射防止膜に含まれる余剰の溶剤が除去される。この加熱プレートＨＰに対する基板Ｗの受け渡しは、図１０中に示した第１の主搬送機構１０Ａの搬送工程（４）に相当する。
【００９０】
加熱プレートＨＰへの基板Ｗの載せ換えが終わると、熱処理された基板Ｗを保持した保持アーム１０ａと空の状態の保持アーム１０ｂとを一体に昇降・旋回移動させて、隔壁１３に設置された水冷式の冷却プレートＷＣＰに対向させる。上述したと同様に、先ず、空の保持アーム１０ｂを前進移動させて、その冷却プレートＷＣＰ上の処理済みの基板Ｗを保持アーム１０ｂ上に受け取る。続いて、保持アーム１０ａを前進移動させて、基板Ｗを冷却プレートＷＣＰ上に置く。冷却プレートＷＣＰ上に載せられた基板Ｗは、主搬送機構１０Ａが他の搬送動作を行っている間に大まかに冷却処理される。この冷却プレートＷＣＰに対する基板Ｗの受け渡しは、図１０中に示した第１の主搬送機構１０Ａの搬送工程（５）に相当する。
【００９１】
冷却プレートＷＣＰへの基板Ｗの載せ換えが終わると、空の状態の保持アーム１０ａと、大まかに冷却された基板Ｗを保持した保持アーム１０ｂとを一体に上昇させて、冷却プレートＷＣＰの上方に配設されている基板載置部ＰＡＳＳ３、ＰＡＳＳ４に対向させる。そして、保持アーム１０ｂを前進移動させて上側の基板載置部ＰＡＳＳ３（反射防止膜用処理セルＣ２を基準にして言えば「送り用出口基板載置部」）上に基板Ｗを置く。通常、下側の基板載置部ＰＡＳＳ４（反射防止膜用処理セルＣ２を基準にして言えば「戻り用入口基板載置部」）に、レジスト膜用処理セルＣ３を介して現像処理セルＣ４から送られてきた現像処理済みの基板Ｗが置かれている。そこで、保持アーム１０ａ、１０ｂを一体に少し下降させた後、空の状態になった保持アーム１０ｂを再び前進移動させて基板載置部ＰＡＳＳ４上の現像処理済みの基板Ｗを保持アーム１０ｂ上に受け取る。
【００９２】
基板載置部ＰＡＳＳ３、ＰＡＳＳ４に対する基板Ｗの受け渡しは、図１０中に示した第１の主搬送機構１０Ａの搬送工程（６＋α）に相当する。「α」は上述したと同様に、保持アーム１０ａ、１０ｂが僅かに昇降する短時間の搬送工程である。したがって、搬送工程（６＋α）は１搬送工程であるとして取り扱うことができる。
【００９３】
反射防止膜用処理セルＣ２に備えられた第１の主搬送機構１０Ａは、上述した搬送工程（１＋α）から搬送工程（６＋α）の各基板搬送を繰り返し行う。ここで、搬送工程（１＋α）から搬送工程（６＋α）を合計すると、第１の主搬送機構１０Ａは、略６つの搬送工程を負担することになる。１搬送工程に要する搬送時間を４秒とすると、第１の主搬送機構１０Ａは略２４秒で基板搬送の１周期を完了する。換言すれば、２４秒に１回（１５０枚／時間）の割合で基板Ｗが隣のレジスト膜用処理セルＣ３に払い出される。
【００９４】
上述した説明から明らかなように、加熱プレートＨＰで加熱処理された基板Ｗは、常に上側の保持アーム１０ａで保持される。加熱された基板Ｗからの熱的影響は上方に強く及ぶので、加熱された基板Ｗの影響で下側の保持アーム１０ｂが温度上昇するのを抑制することができる。この熱的影響をあまり受けていない下側の保持アーム１０ｂを使って、反射防止膜用処理セルＣ２から次のレジスト膜用処理セルＣ３に基板Ｗを払い出すようにしているので、レジスト膜の塗付処理を受ける基板Ｗの温度変動を抑制することができる。
【００９５】
なお、本実施例の反射防止膜用処理セルＣ２は、基板載置部ＰＡＳＳ１、ＰＡＳＳ２に対する基板Ｗの受け渡しと、基板載置部ＰＡＳＳ３、ＰＡＳＳ４に対する基板Ｗの受け渡しとの間に、偶数回の基板Ｗの受け渡し（すなわち、図１０で「ＣＰ］、「ＢＡＲＣ」、「ＨＰ」、「ＷＣＰ」で表した各処理に伴う基板Ｗの受け渡し）を行う。このような場合、必ずしも上述したように、一方の保持アーム１０ｂだけを使って基板載置部ＰＡＳＳ１〜ＰＡＳＳ４に対して基板Ｗの受け渡しを行う必要はなく、基板載置部ＰＡＳＳ１、ＰＡＳＳ２および基板載置部ＰＡＳＳ３、ＰＡＳＳ４に対してそれぞれ２つの保持アーム１０ａ、１０ｂを使って基板Ｗの受け渡しを行っても、加熱処理された直後の基板Ｗを保持する保持アームを、一方の保持アーム１０ａに固定することはできる。
【００９６】
しかし、基板載置部ＰＡＳＳ１、ＰＡＳＳ２に対する基板Ｗの受け渡しと基板載置部ＰＡＳＳ３、ＰＡＳＳ４に対する基板Ｗの受け渡しとの間に行われる基板Ｗの受け渡し回数（基板の受け渡しを伴う処理の回数）が奇数回になった場合（後述する露光後加熱用処理セルＣ５のような場合）に、上記のように基板載置部ＰＡＳＳ１、ＰＡＳＳ２および基板載置部ＰＡＳＳ３、ＰＡＳＳ４の両方に対して２つの保持アーム１０ａ、１０ｂ（１つの保持アームのみを使う場合も同様であるが）を使って基板Ｗの受け渡しを行うと、搬送行程の１サイクルごとに、基板Ｗを扱う保持アームが交互に入れ代わるので、加熱処理後の基板Ｗを一方の保持アーム１０ａだけで取り扱うことができなくなる。その結果、２つの保持アーム１０ａ、１０ｂが加熱された基板Ｗから熱的影響を受けて蓄熱し、他の基板Ｗに熱的悪影響を与えるという不具合を招く。
【００９７】
これに対して、本実施例では、２つの保持アーム１０ａ、１０ｂのいずれかに基板Ｗを保持した状態で、２つの基板載置部に対して基板Ｗの受け渡しを行うにあたり、一方の保持アーム上の基板Ｗを先に一方の基板載置部に渡すことにより、一時的に２つの保持アーム１０ａ、１０ｂを空の状態にしているので、他方の基板載置部上の基板Ｗをいずれの保持アーム１０ａ、１０ｂを使っても受け取ることができる。したがって、基板載置部ＰＡＳＳ１、ＰＡＳＳ２に対する基板Ｗの受け渡しと基板載置部ＰＡＳＳ３、ＰＡＳＳ４に対する基板Ｗの受け渡しとの間に、奇数回の基板Ｗの受け渡し（基板の受け渡しを伴う処理）がある場合には、一方の２つの基板載置部（例えば、上下に近接配置された送り用入口基板載置部と戻り用出口基板載置部）に対しては１つの保持アーム（例えば、保持アーム１０ｂ）を使って基板Ｗの受け渡しを行い、他方の２つの基板載置部（例えば、送り用出口基板載置部と戻り用入口基板載置部）に対しては２つの保持アーム１０ａ、１０ｂを使って基板Ｗの受け渡しを行うことにより、各処理に伴う基板Ｗの受け渡しを常に同じ保持アームを使って行うことができる。すなわち、保持アーム１０ａ、１０ｂのうち、加熱プレートＨＰで加熱処理がなされた基板Ｗを受け取る保持アームが毎搬送サイクルとも同じになるという条件を満たすように、空の状態の保持アーム１０ａ、１０ｂのうちの１つを駆動して、入口基板載置部に置かれている基板を受け取るようにしているのである。したがって、保持アーム１０ａ、１０ｂから基板Ｗに与える熱的影響を抑制することができ、また、保持アーム１０ａ、１０ｂから基板Ｗに対して何らかの熱的影響が仮にあったとしても、その熱的影響が基板Ｗごとに変動するということがなく、基板Ｗに対する熱的影響の「変動」を最小限度に抑えることができ、もって基板処理の品質を安定させることができる。
【００９８】
上記のような２つの基板載置部に対して一方の保持アーム１０ｂだけを使って基板Ｗの受け渡しをする手法は、後述する他の処理セルＣ２〜Ｃ４（ただし、露光後加熱用処理セルＣ５を除く）においても同様である。なお、本発明はこのような基板Ｗの受け渡し手法に限定されるものでなく、保持アームから基板Ｗに与える熱的影響を考慮する必要がない場合などでは、全ての基板載置部に対して２つの保持アームを使って基板Ｗの受け渡しを行っても良い。
【００９９】
レジスト膜用処理セルＣ３（レジスト膜用処理ブロック３）の動作を説明する。反射防止膜が塗付形成された基板Ｗが基板載置部ＰＡＳＳ３（レジスト膜用処理セルＣ３を基準にして言えば「送り用入口基板載置部」）に置かれると、図１０に示すように、セルＣ３の第２の主搬送機構１０Ｂは、上述した第１の主搬送機構１０Ａの場合と同様に、一方の保持アーム１０ｂに保持した現像処理済みの基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ４（レジスト膜用処理セルＣ３を基準にして言えば「戻り用出口基板載置部」）上に置く。そして、基板載置部ＰＡＳＳ３上の基板Ｗを再び保持アーム１０ｂ上に受け取る。基板載置部ＰＡＳＳ３、ＰＡＳＳ４に対する基板Ｗの受け渡しは、図１０中に第２の主搬送機構１０Ｂの搬送工程（１＋α）で示されている。上述したように、「α」は時間には無視することができるので、搬送工程（１＋α）は１搬送工程として取り扱うことができる。
【０１００】
基板載置部ＰＡＳＳ３、ＰＡＳＳ４に対する基板Ｗの受け渡しが終わると、第２の主搬送機構１０Ｂは、空の状態の保持アーム１０ａと基板Ｗを保持した保持アーム１０ｂとを、レジスト膜用熱処理部１６の所定の冷却プレートＣＰに対向する位置にまで移動させる。そして、先ず、空の保持アーム１０ａを前進移動させて、その冷却プレートＣＰ上の冷却処理済みの基板Ｗを受け取り、続いて保持アーム１０ｂを前進移動させて、未処理基板Ｗをその冷却プレートＣＰ上に置く。この冷却プレートＣＰに対する基板の受け渡しは、図１０中に示した第２の主搬送機構１０Ｂの搬送工程（２）に相当する。
【０１０１】
冷却プレートＣＰへの基板Ｗの載せ換えが終わると、冷却処理された基板Ｗを保持した保持アーム１０ａと空の状態の保持アーム１０ｂとを、所定のレジスト膜用塗布処理部１５に対向する位置にまで移動させる。先ず、空の保持アーム１０ｂを前進移動させて、そのレジスト膜用塗布処理部１５にあるスピンチャック１７上の処理済みの基板Ｗを受け取るとともに、基板Ｗを保持した保持アーム１０ａを前進移動させて、その基板Ｗをスピンチャック１７上に置く。スピンチャック１７上に載せられた基板Ｗは、主搬送機構１０Ｂが他の搬送動作を行っている間に、レジスト膜が塗布形成される。スピンチャック１７に対する基板の受け渡しは、図１０中に示した第２の主搬送機構１０Ｂの搬送工程（３）に相当する。なお、図１０中の「ＰＲ」はレジスト膜用塗布処理部１５を意味する。
【０１０２】
スピンチャック１７への基板Ｗの受け渡しが終わると、空の状態の保持アーム１０ａと、レジスト膜が塗布形成された基板Ｗを保持した保持アーム１０ｂとを、所定の基板仮置部付きの加熱部ＰＨＰに対向させる。先ず、空の保持アーム１０ａを前進移動させて、その加熱部ＰＨＰ上の基板仮置部１９に載置されている処理済みの基板Ｗを受け取る。続いて、保持アーム１０ｂを前進移動させて、未処理基板Ｗを基板仮置部１９上に置く。基板仮置部１９上に載せられた基板Ｗは、主搬送機構１０Ｂが他の搬送動作を行っている間に、その加熱部ＰＨＰのローカル搬送機構２０によって、その加熱部ＰＨＰの加熱プレートＨＰ上に移されて熱処理される。この加熱プレートＨＰ上で熱処理された基板Ｗは、同じローカル搬送機構２０によって基板仮置部１９に戻される。その基板Ｗは、ローカル搬送機構２０の保持プレート２４に保持されて基板仮置部１９に戻され、基板載置部２０内で保持プレート２４の冷却機構によって冷却される。この加熱部ＰＨＰに対する基板Ｗの受け渡しは、図１０中に示した第２の主搬送機構１０Ｂの搬送工程（４）に相当する。
【０１０３】
加熱部ＰＨＰへの基板Ｗの受け渡しが終わると、熱処理された基板Ｗを保持した保持アーム１０ａと空の状態の保持アーム１０ｂとを、レジスト膜用熱処理部１６の冷却プレートＣＰに対向させる。そして、空の保持アーム１０ｂを前進移動させて、その冷却プレートＣＰ上の処理済みの基板Ｗを受け取るとともに、保持アーム１０ａを前進移動させて、未処理基板Ｗを冷却プレートＣＰ上に置く。この冷却プレートＣＰに対する基板Ｗの受け渡しは、図１０中に示した第２の主搬送機構１０Ｂの搬送工程（５）に相当する。
【０１０４】
冷却プレートＣＰへの基板Ｗの受け渡しが終わると、空の状態の保持アーム１０ａと、冷却された基板Ｗを保持した保持アーム１０ｂとを、基板載置部ＰＡＳＳ５、ＰＡＳＳ６に対向させる。続いて、保持アーム１０ｂを前進移動させて上側の基板払出し用の基板載置部ＰＡＳＳ５（レジスト膜用処理セルＣ３を基準にして言えば「送り用出口基板載置部」）上に基板Ｗを置くとともに、下側の基板戻し用の基板載置部ＰＡＳＳ６（レジスト膜用処理セルＣ３を基準にして言えば「戻り用入口基板載置部」）に載置されている現像処理済みの基板Ｗを再び保持アーム１０ｂで受け取る。
【０１０５】
基板載置部ＰＡＳＳ５、ＰＡＳＳ６に対する基板Ｗの受け渡しは、図１０中に示した第２の主搬送機構１０Ｂの搬送工程（６＋α）に相当する。搬送工程（６＋α）は１搬送工程であるとして取り扱われる。
【０１０６】
レジスト膜用処理セルＣ３に備えられた第２の主搬送機構１０Ｂは、上述した搬送工程（１＋α）から搬送工程（６＋α）の各基板搬送を繰り返し行う。ここで、第２の主搬送機構１０Ｂの搬送工程（１＋α）から搬送工程（６＋α）を合計すると、第２の主搬送機構１０Ｂは、第１の主搬送機構１０Ａと同様に略６つの搬送工程を負担することになる。したがって、第２の主搬送機構１０Ｂは、第１の主搬送機構１０Ａと同じ周期（この実施例では、略２４秒）で基板搬送の１周期を完了する。換言すれば、２４秒に１回（１５０枚／時間）の割合で基板Ｗが隣の現像処理セルＣ４に払い出される。
【０１０７】
現像処理セルＣ４の動作を説明する。レジスト膜が塗付形成された基板Ｗが基板載置部ＰＡＳＳ５（現像処理セルＣ４を基準にして言えば「送り用入口基板載置部」）に置かれると、図１０に示すように、セルＣ４の第３の主搬送機構１０Ｃは、先ず保持アーム１０ｂに保持した現像処理済みの基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ６（現像処理セルＣ４を基準にして言えば「戻り用出口基板載置部」）上に置き、その後、基板載置部ＰＡＳＳ５上の基板Ｗを再び保持アーム１０ｂ上に受け取る。基板載置部ＰＡＳＳ５、ＰＡＳＳ６に対する基板Ｗの受け渡しは、図１０中に第３の主搬送機構１０Ｃの搬送工程（１＋α）で示されている。
【０１０８】
基板載置部ＰＡＳＳ５、ＰＡＳＳ６に対する基板Ｗの受け渡しが終わると、第３の主搬送機構１０Ｃは、空の状態の保持アーム１０ａと基板Ｗを保持した保持アーム１０ｂとを、現像用熱処理部３１の積層構造の中に配設された基板載置部ＰＡＳＳ７、ＰＡＳＳ８に対向する位置にまで移動させる。続いて、保持アーム１０ｂを前進移動させて上側の基板払出し用の基板載置部ＰＡＳＳ７（現像処理セルＣ４を基準にして言えば「送り用出口基板載置部」）上に、レジスト膜が塗付形成された基板Ｗを置き、その後、下側の基板戻し用の基板載置部ＰＡＳＳ８（現像処理セルＣ４を基準にして言えば「戻り用入口基板載置部」）に載置されている露光後の加熱処理済みの基板Ｗを再び保持アーム１０ｂで受け取る。基板載置部ＰＡＳＳ７、ＰＡＳＳ８に対する基板Ｗの受け渡しは、図１０中に第３の主搬送機構１０Ｃの搬送工程（２＋α）で示されている。
【０１０９】
基板載置部ＰＡＳＳ７、ＰＡＳＳ８に対する基板Ｗの受け渡しが終わると、第３の主搬送機構１０Ｃは、空の状態の保持アーム１０ａと、露光後の加熱処理済みの基板Ｗを保持した保持アーム１０ｂとを、現像用熱処理部３１の所定の冷却プレートＣＰに対向する位置にまで移動させる。そして、先ず、空の保持アーム１０ａを前進移動させて、その冷却プレートＣＰ上の冷却処理済みの基板Ｗを受け取り、続いて保持アーム１０ｂを前進移動させて、未処理基板Ｗをその冷却プレートＣＰ上に置く。この冷却プレートＣＰに対する基板の受け渡しは、図１０中に示した第３の主搬送機構１０Ｃの搬送工程（３）に相当する。
【０１１０】
冷却プレートＣＰへの基板Ｗの受け渡しが終わると、冷却処理された基板Ｗを保持した保持アーム１０ａと空の状態の保持アーム１０ｂとを、所定の現像処理部３０に対向する位置にまで移動させる。先ず、空の保持アーム１０ｂを前進移動させて、その現像処理部３０にあるスピンチャック３２上の処理済みの基板Ｗを受け取るとともに、基板Ｗを保持した保持アーム１０ａを前進移動させて、その基板Ｗをスピンチャック３２上に置く。スピンチャック３２上に載せられた基板Ｗは、主搬送機構１０Ｃが他の搬送動作を行っている間に、現像処理される。スピンチャック３２に対する基板の受け渡しは、図１０中に示した第３の主搬送機構１０Ｃの搬送工程（４）に相当する。なお、図１０中の「ＳＤ」は現像処理部３０を意味する。
【０１１１】
スピンチャック３２への基板Ｗの受け渡しが終わると、空の状態の保持アーム１０ａと、現像処理された基板Ｗを保持した保持アーム１０ｂとを、現像用熱処理部３１の所定の加熱プレートＨＰに対向させる。先ず、空の保持アーム１０ａを前進移動させて、その加熱プレートＨＰ上に載置されている処理済みの基板Ｗを受け取る。続いて、保持アーム１０ｂを前進移動させて、未処理基板Ｗを加熱プレートＨＰ上に置く。この加熱プレートＨＰに対する基板Ｗの受け渡しは、図１０中に示した第３の主搬送機構１０Ｃの搬送工程（５）に相当する。
【０１１２】
加熱プレートＨＰへの基板Ｗの載せ換えが終わると、加熱処理された基板Ｗを保持した保持アーム１０ａと空の状態の保持アーム１０ｂとを、レジスト膜用処理セルＣ３の側にある隔壁１３に設置された水冷式の冷却プレートＷＣＰに対向させる。そして、空の保持アーム１０ｂを前進移動させて、その冷却プレートＷＣＰ上の処理済みの基板Ｗを受け取るとともに、保持アーム１０ａを前進移動させて、未処理基板Ｗを冷却プレートＷＣＰ上に置く。この冷却プレートＷＣＰに対する基板Ｗの受け渡しは、図１０中に示した第３の主搬送機構１０Ｃの搬送工程（６）に相当する。
【０１１３】
現像処理セルＣ４に備えられた第３の主搬送機構１０Ｃは、上述した搬送工程（１＋α）から搬送工程（６）の各基板搬送を繰り返し行う。ここで、第３の主搬送機構１０Ｃの搬送工程（１＋α）から搬送工程（６）を合計すると、第３の主搬送機構１０Ｃは、第１、第２の主搬送機構１０Ａ、１０Ｂと同様に略６つの搬送工程を負担することになる。したがって、第３の主搬送機構１０Ｂは、第１、第２の主搬送機構１０Ａ、１０Ｂと同じ周期（この実施例では、略２４秒）で基板搬送の１周期を完了する。換言すれば、２４秒に１回（１５０枚／時間）の割合で基板Ｗが隣の露光後加熱用処理セルＣ５に払い出される。
【０１１４】
露光後加熱用処理セルＣ５の動作を説明する。レジスト膜が塗付形成された基板Ｗが基板載置部ＰＡＳＳ７（露光後加熱用処理セルＣ５を基準にして言えば「送り用入口基板載置部」）に置かれると、図１０に示すように、セルＣ５の第４の主搬送機構１０Ｄは、保持アーム１０ｂに保持した露光後加熱処理済みの基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ８（露光後加熱用処理セルＣ５を基準にして言えば「戻り用出口基板載置部」）上に置き、その後で基板載置部ＰＡＳＳ７上の基板Ｗを再び保持アーム１０ｂ上に受け取る。基板載置部ＰＡＳＳ７、ＰＡＳＳ８に対する基板Ｗの受け渡しは、図１０中に示した第４の主搬送機構１０Ｄの搬送工程（１＋α）に相当する。
【０１１５】
基板載置部ＰＡＳＳ７、ＰＡＳＳ８に対する基板Ｗの受け渡しが終わると、第４の主搬送機構１０Ｄは、空の状態の保持アーム１０ａと基板Ｗを保持した保持アーム１０ｂとを、所定のエッジ露光部ＥＥＷに対向する位置にまで移動させる。そして、先ず、空の保持アーム１０ａを前進移動させて、そのエッジ露光部ＥＥＷのスピンチャック３６上にある周辺露光済みの基板Ｗを受け取り、続いて保持アーム１０ｂを前進移動させて、未処理基板Ｗをそのスピンチャック３６上に置く。スピンチャック３６上に載せられた基板Ｗは、主搬送機構１０Ｄが他の搬送動作を行っている間に、その周縁部が露光される。このスピンチャック３６に対する基板の受け渡しは、図１０中に示した第４の主搬送機構１０Ｄの搬送工程（２）に相当する。
【０１１６】
スピンチャック３６に対する基板Ｗの受け渡しが終わると、第４の主搬送機構１０Ｄは、周辺露光された基板Ｗを保持した保持アーム１０ａと空の状態の保持アーム１０ｂとを、現像用熱処理部３１にある冷却プレートＣＰに対向する位置にまで移動させる。そして、空の保持アーム１０ｂを前進移動させて、その冷却プレートＣＰ上の処理済みの基板Ｗを受け取るとともに、保持アーム１０ａを前進移動させて、周辺露光された基板Ｗを冷却プレートＣＰ上に置く。この冷却プレートＣＰに対する基板Ｗの受け渡しは、図１０中に示した第４の主搬送機構１０Ｄの搬送工程（３）に相当する。
【０１１７】
冷却プレートＣＰに対する基板Ｗの受け渡しが終わると、第４の主搬送機構１０Ｄは、空の状態の保持アーム１０ａと、冷却処理された基板Ｗを保持した保持アーム１０ｂとを、基板載置部ＰＡＳＳ９、ＰＡＳＳ１０に対向する位置にまで移動させる。続いて、保持アーム１０ｂを前進移動させて上側の基板払出し用の基板載置部ＰＡＳＳ９（露光後加熱用処理セルＣ５を基準にして言えば「送り用出口基板載置部」）上に基板Ｗを置くとともに、下側の基板戻し用の基板載置部ＰＡＳＳ１０（露光後加熱用処理セルＣ５を基準にして言えば「戻り用入口基板載置部」）に載置されている、露光装置ＳＴＰで露光された基板Ｗを保持アーム１０ａで受け取る。基板載置部ＰＡＳＳ９、ＰＡＳＳ１０に対する基板Ｗの受け渡しは、図１０中に示した第４の主搬送機構１０Ｄの搬送工程（４＋α）に相当する。
【０１１８】
なお、本実施例では、基板載置部ＰＡＳＳ９、ＰＡＳＳ１０に対してだけ、２つの保持アーム１０ａ、１０ｂを使って基板Ｗの受け渡しを行っている。これは、反射防止膜用処理セルＣ５で説明したように、基板載置部ＰＡＳＳ９、ＰＡＳＳ１０に対する基板Ｗの受け渡しと、基板載置部ＰＡＳＳ７、ＰＡＳＳ８との間に、後述する加熱部ＰＨＰに対する基板Ｗの受け渡しを（１回：奇数回）行う関係で、基板載置部ＰＡＳＳ９、ＰＡＳＳ１０に対して一方の保持アーム１０ｂだけを使って基板の受け渡しを行うと、基板載置部ＰＡＳＳ７、ＰＡＳＳ８に対する基板Ｗの受け渡しに使う保持アームが、搬送行程の１サイクルごとに入れ代わるので、これを避けるためである。
【０１１９】
基板載置部ＰＡＳＳ９、ＰＡＳＳ１０に対する基板Ｗの受け渡しが終わると、第４の主搬送機構１０Ｃは、露光済みの基板Ｗを保持した保持アーム１０ａと空の状態の保持アーム１０ｂとを、現像用熱処理部３１にある所定の基板仮置部付きの加熱部ＰＨＰに対向する位置にまで移動させる。そして、先ず、空の保持アーム１０ｂを前進移動させて、その加熱部ＰＨＰ（具体的には、基板仮置部１９の上）にある露光後の加熱処理済みの基板Ｗを受け取り、続いて保持アーム１０ａを前進移動させて、露光済みの基板Ｗを加熱部ＰＨＰ（具体的には、基板仮置部１９の上）に置く。基板仮置部１９に置かれた基板Ｗは、主搬送機構１０Ｄが他の搬送動作を行っている間に、ローカル搬送機構２０によって加熱プレートＨＰに移されて加熱処理された後に、同じくローカル搬送機構２０によって基板仮置部１９に戻され、基板仮置部１９内で冷却される。この加熱部ＰＨＰに対する基板の受け渡しは、図１０中に示した第４の主搬送機構１０Ｄの搬送工程（５）に相当する。
【０１２０】
露光後加熱用処理セルＣ５に備えられた第４の主搬送機構１０Ｄは、上述した搬送工程（１＋α）から搬送工程（５）の各基板搬送を繰り返し行う。ここで、第４の主搬送機構１０Ｄの搬送工程（１＋α）から搬送工程（５）を合計すると、第４の主搬送機構１０Ｄは、第１〜第３の主搬送機構１０Ａ〜１０Ｃよりも１つ少ない略５つの搬送工程を負担することになる。露光後加熱用処理セルＣ５だけをみれば、第４の主搬送機構１０Ｄは、１搬送工程に要する時間を４秒とした場合に、２０秒周期で動作可能であるが、他の第１〜第３の主搬送機構１０Ａ〜１０Ｃが２４秒周期で動くので、結局、露光後加熱用処理セルＣ５からは、他のセルと同様に、２４秒に１回（１５０枚／時間）の割合で基板Ｗが隣のインターフェイスセルＣ６に払い出される。
【０１２１】
インターフェイスセルＣ６の動作を説明する。周辺露光された基板Ｗが基板載置部ＰＡＳＳ９（インターフェイスセルＣ６を基準にして言えば「送り用入口基板載置部」）に置かれると、インターフェイスセルＣ６のインターフェイス用搬送機構３５が基板載置部ＰＡＳＳ９から基板Ｗを受け取って、隣接する露光装置ＳＴＰに渡す。さらに、インターフェイス用搬送機構３５は、露光装置ＳＴＰから露光済みの基板Ｗを受け取って、その基板を基板戻し用の基板載置部ＰＡＳＳ１０（インターフェイスセルＣ６を基準にして言えば「戻り用出口基板載置部」）に載せる。インターフェイス用搬送機構３５は、このような基板搬送動作を繰り返し行う。
【０１２２】
以上のように、本実施例に係る基板処理装置は、各セルＣ１〜Ｃ６が各コントローラＣＴ１〜ＣＴ６の制御の下で、主搬送機構１０（ただし、インデクサセルＣ１の場合はインデクサ用搬送機構７、インターフェイスセルＣ６の場合はインターフェイス用搬送機構３５）を使って基板Ｗの搬送を行い、隣接するセル間では、基板搬送に関しては、基板載置部ＰＡＳＳに基板Ｗを置いたという情報と、基板を受け取ったという情報とをやり取りするだけである。つまり、各セルは、隣接するセルにおける基板搬送の状態を監視することなく、各セルが独立してセル内の基板搬送を独立して行っている。そのために各セルからの基板の払出しは必ずしも同時には行われず、多少の時間的ズレが生じる。しかし、この時間的ズレは、隣接セル間で基板を受け渡すために設けられた基板載置部に置かれる時間が多少長くなるか、あるいは短くなるかによって吸収されるので、セル間に基板受け渡しの時間的ズレが生じたために基板搬送に支障をきたすということはない。
【０１２３】
したがって、本実施例装置によれば、各セルＣ１〜Ｃ６を制御するセルコントローラＣＴ１〜ＣＴ６の負担が小さくなり、それだけ基板処理装置のスループットが向上するとともに、装置構成を簡素化することができる。また、適当なセル間に基板検査部と主搬送機構とを含む基板検査用セルを容易に設置することができるので、汎用性の高い基板処理装置を実現することもできる。さらに、他のセルに比べて、搬送工程の数が少ないセルを設けておくと（実施例装置では、露光後加熱用処理セルＣ５）、他のセルに影響を与えることなく、当該セルに新たな処理部（例えば、基板検査部）を容易に追加することができる。
【０１２４】
次に、露光装置ＳＴＰや現像処理セルＣ４などが、例えば故障で基板を受け入れることができなくなった場合の動作を説明する。
【０１２５】
いま露光装置ＳＴＰが基板Ｗの受け入れをできなくなったとする。この場合、インターフェイスセルＣ６のインターフェイス用搬送機構３５は、基板載置部ＰＡＳＳ９に置かれた基板Ｗを受け取り、その基板Ｗを送り用バッファＳＢＦに一時的に収納する。バッファＳＢＦに収納可能な枚数だけ処理が継続され、バッファＳＢＦに収納不能になると予測された場合に、インデクサセルＣ１から基板Ｗを払い出すのを停止する。露光装置ＳＴＰが基板Ｗの受け入れが可能になると、インターフェイス用搬送機構３５は、バッファＳＢＦに収納した各基板を収納した順に取り出して露光装置ＳＴＰに渡し、以下、通常の動作に戻る。
【０１２６】
一方、現像処理セルＣ４が基板Ｗの受け入れをできなくなったとする。この場合、インターフェイスセルＣ６のインターフェイス用搬送機構３５は、露光装置ＳＴＰへの基板Ｗの搬送を停止するために、基板載置部ＰＡＳＳ９に置かれた基板Ｗを受け取り、その基板を送りバッファＳＢＦに一時的に収納する。バッファＳＢＦに収納不能になると予測された場合に、インデクサセルＣ１から基板Ｗを払い出すのを停止する点も先程と同様である。一方、露光装置ＳＴＰに既に送り込まれていた基板Ｗについて、インターフェイス用搬送機構３５は、露光装置ＳＴＰから順に戻されてくる露光済みの基板Ｗを、通常動作通りに基板載置部ＰＡＳＳ１０に渡す。露光後加熱用処理セルＣ５の第４の主搬送機構１０Ｄは、通常動作通りに受け取って加熱部ＰＨＰに渡す。そして、加熱部ＰＨＰで露光後の加熱処理が行われた基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ８に置かずに、第４の主搬送機構１０ＤがセルＣ５内にある基板戻し用のバッファＲＢＦに一時的に収納する。露光装置ＳＴＰ内に搬入されている枚数の基板Ｗについて、同様に露光後の加熱処理を行った後に基板戻し用のバッファＲＢＦに収納する。現像処理セルＣ４が基板Ｗの受け入れが可能になると、第４の主搬送機構１０Ｄは、バッファＲＢＦに収納した各基板を収納した順に取り出して基板載置部ＰＡＳＳ８に渡し、以下、通常の動作に戻る。
【０１２７】
以上のように本実施例装置では、基板戻し用のバッファＲＢＦを露光後加熱用処理セルＣ５に設け、露光装置ＳＴＰから払い出される基板Ｗを加熱部ＰＨＰで加熱処理した後にバッファＲＢＦに収納保管できるようにしたので、露光装置ＳＴＰから払い出された基板Ｗが露光後の加熱処理を受けずに長時間にわたり放置されることがない。因みに、従来の基板処理装置は、送り用バッファと戻し用バッファとが同じ個所に設置されており、露光装置から払い出された基板Ｗをインターフェイス用搬送機構が直接に戻し用バッファに収納していたので、露光装置ＳＴＰから払い出された基板Ｗが露光後の加熱処理を受けずに長時間にわたり放置される状態になっている。
【０１２８】
化学増幅型フォトレジストは、露光後の加熱を速やかに行う必要があるので、上述した従来装置の保管手法では、戻りバッファに基板を収納しても結局、レジスト膜の品位が悪くなるので、レジスト膜を剥離して再生処理を行わなくてならないという問題がある。これに対して、本実施例装置によれば、露光装置ＳＴＰから払い出される基板Ｗに速やかに加熱処理を行った後にバッファＲＢＦに収納保管するようにしたので、フォトレジスト膜の品位が保たれる結果、従来装置のような再生処理を行う必要もない。
【０１２９】
次に、上述の動作説明では省略したが、露光後加熱用処理セルＣ５において、セルＣ５内のある処理部（例えば、エッジ露光部ＥＥＷ）が故障した場合の基板搬送制御と、送り用入口基板載置部ＰＡＳＳ７および戻り用入口基板載置部ＰＡＳＳ１０の両方に基板Ｗが置かれた場合の基板搬送制御とについて説明する。
【０１３０】
図１１に示したフローチャートを参照する。まず、セルＣ５の第４の主搬送機構１０Ｄは、一方の保持アーム１０ａが空の状態、他方の保持アーム１０ｂに露光後の加熱処理がされた基板Ｗを保持した状態で、基板載置部ＰＡＳＳ７、ＰＡＳＳ８に移動して、保持アーム１０ｂから基板載置部（戻り用基板出口載置部）ＰＡＳＳ８に処理済みに基板Ｗを渡す（ステップＳ１）。
【０１３１】
空になった保持アーム１０ｂに基板Ｗを受け取る前に、次の２つの判定を行う（ステップＳ２）。第１に、セルＣ５内のこれから搬送を進める送り方向（順方向）または戻り方向（逆方向）の処理部に故障が発生したかを判定する。第２に、戻り用入口基板載置部ＰＡＳＳ１０に基板Ｗが置かれているかを判定する。このような判定は、セルＣ５に対応するセルコントローラＣＴ５が行う。
セルＣ５内の処理部に故障がなく、しかも戻り用入口基板載置部ＰＡＳＳ１０に基板Ｗが置かれていない場合は、基板載置部ＰＡＳＳ７から保持アーム１０ｂに基板Ｗを受け取り（ステップＳ３）、続いて、上述した動作説明と同様に、エッジ露光部ＥＥＷとの基板Ｗの受け渡し（ステップＳ４）、冷却プレートＣＰとの基板Ｗの受け渡し（ステップＳ５）、基板載置部ＰＡＳＳ９、ＰＡＳＳ１０との基板Ｗの受け渡し（ステップＳ６）、加熱部ＰＨＰとの基板Ｗの受け渡し（ステップＳ７）をその順に行う。
【０１３２】
一方、セルＣ５内の処理部に故障が発生したか、あるいは、戻り用入口基板載置部ＰＡＳＳ１０に基板Ｗが置かれている場合は、保持アーム１０ｂに基板Ｗを受け取らないで、つまり、２つの保持アーム１０ａ、１０ｂを空の状態にしたままで、次のような露光後の加熱処理（ＰＥＢ）を優先させた基板搬送を行う。
【０１３３】
例えば、送り方向（順方向）の基板処理部であるエッジ露光部ＥＥＷに故障が発生した場合は、２つの保持アーム１０ａ、１０ｂを空の状態にした主搬送機構１０Ｄは、送り方向（順方向）の搬送を行わずに、戻り方向（逆方向）の搬送のみを行うために、露光済の基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１０から保持アーム１０ａに受け取る（ステップＳ６：図１１中の分岐▲１▼）。受け取った基板Ｗを露光後加熱用の加熱部ＰＨＰに搬送して、この加熱部ＰＨＰとの間へ基板Ｗの受け渡しを行う（ステップＳ７）。加熱部ＰＨＰから露光後の加熱処理を施された基板Ｗを受け取った主搬送機構１０Ｄは、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ８に渡す（ステップＳ１）。エッジ露光部ＥＥＷが故障の間、上記の基板搬送制御を繰り返し行う。
【０１３４】
以上のように、本実施例によれば、上記ステップＳ１のように、一方の保持アーム１０ｂに保持した基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ８に先に渡し、一時的に、２つの保持アーム１０ａ、１０ｂを空の状態にしているので、セルＣ５内の処理部に故障が起こった場合にも、空になった２つの保持アーム１０ａ、１０ｂを使って、露光後の基板Ｗを速やかに加熱処理することができる。
【０１３５】
このようなセル内の処理部が故障したときの基板搬送制御は、露光後加熱用処理セルＣ５だけに限らず、他のセルにおいても有効である。例えば、レジスト膜用処理セルＣ３において、レジスト膜用塗布処理部１５が故障したとする。この場合、セルＣ３の第２の主搬送機構１０Ｂは、一方の保持アーム１０ｂに保持している処理済みの基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ４に渡した後、基板載置部ＰＡＳＳ３の基板Ｗを保持アーム１０ｂに受け取る前に、セルＣ３内の処理部に故障の有無を確認する。例えば、送り方向（順方向）の基板処理部であるレジスト膜用塗布処理部１５に故障が発生した場合には、基板載置部ＰＡＳＳ３から保持アーム１０ｂに基板Ｗを受け取らないで、送り方向（順方向）の搬送を行わずに、戻り方向（逆方向）の搬送のみを行うために、基板載置部ＰＡＳＳ６、ＰＡＳＳ４との間で基板Ｗの受け渡しを行う。その結果、現像処理セルＣ４から戻されてきた基板Ｗを前段の反射防止膜用処理セルＣ２へ支障なく戻すことができる。
【０１３６】
また、例えば、現像処理セルＣ４において、戻り方向（逆方向）の基板処理部である現像処理部３０が故障したとする。この場合、セルＣ４内の第３の主搬送機構１０Ｃは、一方の保持アーム１０ｂに保持している処理済みの基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ４に渡した後、基板載置部ＰＡＳＳ６の基板Ｗを保持アーム１０ｂに受け取る前に、セルＣ４内の処理部の故障の有無を確認する。例えば、戻り方向（逆方向）の基板処理部である現像処理部３０に故障が発生した場合には、基板載置部ＰＡＳＳ６から保持アーム１０ｂに基板Ｗを受け取らないで、戻り方向（逆方向）の搬送は行わずに、送り方向（順方向）の搬送のみを行うために、基板載置部ＰＡＳＳ３、ＰＡＳＳ５との間で基板Ｗの受け渡しを行う。その結果、レジスト膜用処理セルＣ３から送られていた基板Ｗを前段の露光後加熱用処理セルＣ５へ支障なく送ることができる。
【０１３７】
図１１に示したフローチャートのステップＳ２で、基板載置部ＰＡＳＳ１０に露光済の基板Ｗが置かれたことが確認された場合にも、第４の主搬送機構１０Ｄは、基板載置部ＰＡＳＳ７から保持アーム１０ｂに基板Ｗを受け取らないで、基板載置部ＰＡＳＳ１０に基板Ｗを受け取りに向かう（ステップＳ６：図１１中の分岐▲１▼）。そして、受け取った露光済の基板Ｗを加熱部ＰＨＰに搬送して、ここで基板Ｗの受け渡しを行い（ステップＳ７）、露光後の加熱処理が施された基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ８に渡す（ステップＳ１）。このように、送り用入口基板載置部ＰＡＳＳ７と戻り用入口基板載置部ＰＡＳＳ１０の両方に基板Ｗが置かれた場合に、戻り用入口基板載置部ＰＡＳＳ１０に置かれた基板Ｗを優先して搬送することにより、露光処理された基板Ｗを速やかに加熱処理することができる。
【０１３８】
本発明は、上述した実施例のものに限らず、例えば次のように変形実施することもできる。
（１）上記実施例では、各処理ブロック２〜４や、各処理セルＣ２〜Ｃ５は、各々４つに基板載置部（すなわち、送り用入口基板載置部、戻り用入口基板載置部、送り用出口基板載置部、戻り用出口基板載置部）を備えていたが、少なくとも１つの処理ブロック（または、処理セル）が、さらに別の入口基板載置部と出口基板載置部）とを備えていてもよい。例えば、図１２に示した基板処理装置は、反射防止膜用処理ブロック２が、送り用入口基板載置部ＰＡＳＳ１、戻り用入口基板載置部ＰＡＳＳ４、送り用出口基板載置部ＰＡＳＳ３、戻り用出口基板載置部ＰＡＳＳ２の他に、別の入口基板載置部ＰＡＳＳ６と出口基板載置部ＰＡＳＳ５とを備えている。この反射防止膜用処理ブロック２に基板載置部ＰＡＳＳ３、ＰＡＳＳ４を共用するように現像処理ブロック４が隣接するとともに、基板載置部ＰＡＳＳ５、ＰＡＳＳ６を共用するようにレジスト膜用処理部ブロック３が隣接している。この例によれば、反射防止膜用処理ブロック２で処理された基板Ｗは、出口基板載置部ＰＡＳＳ５を介してレジスト膜用処理部ブロック３に送られ、このブロック３で処理された基板Ｗが入口基板載置部ＰＡＳＳ６を介して反射防止膜用処理ブロック２に戻され、さらに基板載置部ＰＡＳＳ３を介して現像処理ブロック４に送られる。現像処理された基板Ｗは、基板載置部ＰＡＳＳ４を介して反射防止膜用処理ブロック２に戻された後、レジスト膜用処理部ブロック３を介さずに直接にインデクサブロック１に戻される。このように少なくとも１つの処理ブロック（処理セル）に、６つの、あるいはそれ以上の基板載置部を設けると、処理ブロック（あるいは、処理セル）の配置の自由度を向上させることができる。
【０１３９】
（２）実施例では、送り用入口基板載置部と戻り用出口基板載置部とを上下に近接配置されるとともに、戻り用入口基板載置部と送り用出口基板載置部とを上下に配置されたが、上記一対の基板載置部をそれぞれ横に並べて近接配置させてもよい。
【０１４０】
（３）実施例では各基板載置部ＰＡＳＳ１〜ＰＡＳＳ１０は、それぞれ基板Ｗを１枚だけ載置する構造であったが、少なくともいずれか１つの基板載置部を複数枚の基板を多段に積層載置する、いわゆる棚構造を備えるようにしてもよい。こようにすれば、ある基板載置部に基板が置かれても、その基板をすぐに取りに行かなくても、後続の基板は別の段に載置される。これにより主搬送機構の制御に余裕ができるので、基板搬送の制御が容易になる。また、インターフェイスブロック５において、基板載置部ＰＡＳＳ９を多段の棚構造に代えれば、これを送り用バッファＳＢＦとして兼用させることができる。また、基板載置部ＰＡＳＳ１０を多段の棚構造に代えれば、これを基板戻し用のバッファＲＢＦとして兼用させることができる。
【０１４１】
（４）実施例では各基板載置部ＰＡＳＳ１〜ＰＡＳＳ１０は、基板Ｗが通過する開口部が開放状態のままであったが、これらの基板載置部を介して隣接する処理ブロック（処理セル）間で雰囲気の流入が問題になる場合には、そのような基板載置部の開口部にシャッタ機構を取りつけ、主搬送機構の保持アームが基板の受け渡しをするときだけシャッタ機構を開放し、その他のときはシャッタ機構を閉じるように構成しても良い。
【０１４２】
（５）実施例では各基板載置部ＰＡＳＳ１〜ＰＡＳＳ１０は、基板Ｗを単に載置するだけであったが、基板載置部に基板Ｗを大まかに冷却する冷却手段（例えば、水冷式の冷却プレート）を設けても良い。例えば、反射防止膜用処理ブロック２の基板載置部ＰＡＳＳ３や、現像処理ブロック４の基板載置部ＰＡＳＳ６に、冷却手段を備えると、基板載置部に基板が置かれて待機している間に、基板を適正な温度にまで冷却して維持することができ、また、これらを冷却プレートＷＣＰとして兼用させることもできる。
【０１４３】
（６）実施例では各基板載置部ＰＡＳＳ１〜ＰＡＳＳ１０は固定設置されたものであったが、必要に応じて主搬送機構に向けて水平移動する水平移動機構に搭載するようにしてもよい。この構成によれば、主搬送機構の水平移動ストロークをあまり長く設定しなくても、基板載置部が水平移動することにより、基板受け渡し位置にまで基板を移動させることができるので、主搬送機構の構成上、あるいは配置上の制約が少なくなる。
【０１４４】
（７）実施例では、第１〜第４の主搬送機構１０Ａ〜１０Ｄは水平方向には移動せずに、保持アームだけが昇降・旋回・進退移動可能に構成したが、これらの主搬送機構１０Ａ〜１０Ｄが水平方向に移動するものであってもよい。
【０１４５】
（８）第１〜第４の主搬送機構１０Ａ〜１０Ｄは、それぞれ２つの保持アーム１０ａ、１０ｂを備えていたが、単一の保持アーム、あるいは３つ以上の保持アームを備えるものであってもよい。
【０１４６】
（９）実施例では、露光後加熱用処理セルＣ５を、現像処理ブロック４とインターフェイスブロック５とに跨って配設したが、露光後加熱用処理セルＣ５を独立したブロック（個別のブロック用フレーム（枠体）に組み付けられた要素）として構成してもよい。
【０１４７】
（１０）実施例では、反射防止膜用処理ブロック２とレジスト膜用処理ブロック３とを個別に設けたが、単一の処理ブロックで反射防止膜塗付処理とレジスト膜塗付処理を行うようにしてもよい。また、反射防止膜の塗布処理が不要である場合は、反射防止膜用処理ブロック２を備えなくてもよい。
【０１４８】
【発明の効果】
以上の説明から明らかなように、本発明によれば次の効果を奏する。
すなわち、請求項１記載の発明によれば、各処理ブロックの主搬送機構が同時並行的に作動することによって、各処理部に対する基板の受け渡しの速度が等価的に向上するので、基板処理装置のスループットを向上させることができる。しかも、入口基板載置部と出口基板載置部とが区別して設けられているので、その処理ブロックに受け入れる基板と、その処理ブロックから払い出す基板とが、基板載置部で干渉することがなく、各処理ブロック間の基板搬送を円滑に行うことができる。
【０１４９】
請求項２に記載の発明によれば、請求項１記載の発明と同様の効果を奏する他に、各被制御ユニットの制御手段の負担が少なくなり、基板処理装置のスループットを向上させることができるとともに、被制御ユニットの増減を比較的簡単に行うこともできる。
【０１５０】
請求項１７記載の発明によれば、各ユニット制御手段で分散制御される各被制御ユニットの状態をホストコンピュータ側で容易に把握することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例に係る基板処理装置の概略構成を示した平面図である。
【図２】実施例装置の概略構成を示した正面図である。
【図３】熱処理部の正面図である。
【図４】隔壁に設けられた基板載置部の周辺構成を示す破断正面図である。
【図５】インターフェイスブロックの概略構成を示す側面図である。
【図６】（ａ）は主搬送機構の概略構成を示す平面図、（ｂ）はその正面図である。
【図７】（ａ）は基板仮置部付きの加熱部の破断側面図、（ｂ）は破断平面図である。
【図８】（ａ）は実施例装置のブロック配置を示した平面図、（ｂ）は実施例装置のセル配置を示した平面図である。
【図９】（ａ）は実施例装置の制御系を示したブロック図、（ｂ）は比較のために示した従来装置の制御系のブロック図である。
【図１０】第１〜第４の主搬送機構による基板搬送の流れを示した図である。
【図１１】実施例装置の動作説明に供するフローチャートである。
【図１２】変形例に係る基板処理装置のレイアウトを示す図である。
【図１３】従来の基板処理装置の概略構成を示した平面図である。
【符号の説明】
１　…インデクサブロック
２　…反射防止膜用処理ブロック
３　…レジスト膜用処理ブロック
４　…現像処理ブロック
５　…インターフェイスブロック
７　…インデクサ用搬送機構
１０Ａ〜１０Ｄ　…第１〜第４の主搬送機構
３５　…インターフェイス用搬送機構
Ｃ１　…インデクサセル
Ｃ２　…反射防止膜用処理セル
Ｃ３　…レジスト膜用処理セル
Ｃ４　…現像処理セル
Ｃ５　…露光後加熱用処理セル
Ｃ６　…インターフェイスセル
Ｗ　…基板
ＰＡＳＳ１〜ＰＡＳＳ１０　…基板載置部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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