(57)【要約】【課題】検査対象ＬＳＩに光ビームを用いて非接触で、ディジタル電気信号の印加や観測をする。【解決手段】第１光ビームを受光し、受光の有無を判定する第１受光部１，第２光ビームを受光し、受光の有無を判定する第２受光部２，“１”信号を供給する“１”信号供給部３．“０”信号を供給する“０”信号供給部５，及び出力制御部４を備え、第１受光部１，第２受光部２，“１”信号供給部３．及び“０”信号供給部５がいずれも出力制御部４に接続されている。ＬＳＩ１００の信号入力用電極である第１端子６に入力される信号の種別は通常“１”，“０”，“Ｚ”（ハイインピーダンス）であり、出力制御部４は第１受光部１、第２受光部２における受光の有無により“１”，“０”，“Ｚ”の各信号を生成して出力し、ＬＳＩ１００の内部回路部１０２に接続された第１端子６に印加する。【選択図】      図１
2004264236.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体集積回路装置の信号入力用電極に接続された検査回路であって、
予め定められた波長、強度、大きさの第１光ビームを照射され、その照射の有無を検知する第１受光部と、
予め定められた波長、強度、大きさの第２光ビームを照射され、その照射の有無を検知する第２受光部と、
“１”（高レベル）信号を供給する“１”信号供給部と、
“０”（低レベル）信号を供給する“０”信号供給部と、
前記第１受光部及び前記第２受光部における、個々の光ビームの照射の有無によって、“１”信号供給部、或いは“０”信号供給部からの信号を第１信号として出力する出力制御部とを有し、前記第１信号が前記信号入力用電極に印加されることを特徴とする検査回路。
【請求項２】
半導体集積回路装置の信号入力用電極に接続された検査回路であって、
“１”（高レベル）信号を供給する“１”信号供給部と、
“０”（低レベル）信号を供給する“０”信号供給部と、
前記信号入力用電極に接続された第１ノードと前記“１”信号供給部との間に接続され、予め定められた波長、強度、大きさの第１光ビームが照射されたとき、“１”信号が前記第１ノードに伝達される第１光応答手段と、
前記第１ノードと前記“０”信号供給部との間に接続され、予め定められた波長、強度、大きさの第２光ビームが照射されたとき、“０”信号が前記第１ノードに伝達される第２光応答手段と、
を有することを特徴とする検査回路。
【請求項３】
半導体集積回路装置の信号出力用電極に接続された検査回路であって、複数の異なる光ビームの照射の有無の組み合わせにより、当該信号出力用電極の出力された信号値を所定の信号値と比較し比較結果を判定値として出力する機能を有する比較判定部を含み、且つこの比較判定部が、
予め定められた波長、強度、大きさの第３光ビームを照射され、その照射の有無を検知する第３受光部と、
予め定められた波長、強度、大きさの第４光ビームを照射され、その照射の有無を検知する第４受光部と、
“１”（高レベル）信号を供給する“１”信号供給部と、
“０”（低レベル）信号を供給する“０”信号供給部と、
前記第３受光部及び前記第４受光部における、個々の光ビームの照射の有無によって、“１”信号供給部、或いは“０”信号供給部からの信号を第２信号として出力する出力制御部と、
予め定められた波長、強度、大きさの第５光ビームを照射され、その照射を検知する第５受光部と、
予め定められた波長、強度、大きさの第６光ビームを照射され、その照射を検知する第６受光部と、
前記第５受光部及び前記第６受光部に対する個々の光ビームの照射の有無と、前記信号出力用電極の信号値とから定められる信号値を第３信号として出力する制御部と、
前記第２信号と前記第３信号とを入力して前記第２信号の信号値と前記第３信号の信号値とを比較し、その一致、不一致を判定して結果を第４信号として出力する比較部と、
予め定められた波長、強度、大きさの第７光ビームを照射され、その照射を検知する、第７受光部と、
前記第７受光部における前記第７光ビームの照射により、前記第４信号を判定値として出力するゲート部と、
を有することを特徴とする検査回路。
【請求項４】
前記比較判定部が、
“１”（高レベル）信号を供給する“１”信号供給部と、
“０”（低レベル）信号を供給する“０”信号供給部と、
所定の第２ノードと前記“１”信号供給部との間に接続され、予め定められた波長、強度、大きさの第３光ビームが照射されたとき、“１”信号が前記第２ノードに伝達される第３光応答手段と、
前記第２ノードと前記“０”信号供給部との間に接続され、予め定められた波長、強度、大きさの第４光ビームが照射されたとき、“０”信号が前記第２ノードに伝達される第４光応答手段と、
前記信号出力用電極に接続された第３ノードと前記“１”信号供給部との間に接続され、予め定められた波長、強度、大きさの第５光ビームが照射されたとき、“１”信号が前記第３ノードに伝達される第５光応答手段と、
前記第３ノードと前記“０”信号供給部との間に接続され、予め定められた波長、強度、大きさの第６光ビームが照射されたとき、“０”信号が前記第３ノードに伝達される第６光応答手段と、
二つの比較入力端の一方が前記第２ノードに他方が前記第３ノードにそれぞれ接続され、前記第２ノードから入力される第２信号と前記第３ノードから入力される第３信号のそれぞれの信号値を比較し、その一致、不一致を判定して結果を第１出力端から第４信号として出力する比較部と、
前記第１出力端と第４ノードとの間に接続され、予め定められた波長、強度、大きさの第７光ビームが照射されたとき、前記第４信号が前記第４ノードに伝達されて判定値として出力される第７光応答手段と、
を有する請求項３記載の検査回路。
【請求項５】
予め定められた波長、強度、大きさの第８光ビームを必要に応じて照射され、その照射の有無を検知する第８受光部と、
前記第８受光部への光ビームの照射により記憶状態が初期化され、初期化以後の入力信号値を記憶すると共に最終判定値として第２出力端から出力する記憶部を、更に備え、
前記判定値が前記記憶部に入力される請求項３又は４に記載の検査回路。
【請求項６】
予め定められた波長、強度、大きさの第９光ビームを必要に応じて照射され、その照射の有無を検知する第９受光部と、
前記第９受光部への光ビームの照射の有無と前記最終判定値によって電源電流を増加させる機能を有する電流制御部と、
を更に有する請求項５記載の検査回路。
【請求項７】
前記第２出力端と所定の電源との間に接続され、予め定められた波長、強度、大きさの第９光ビームが照射されたときに導通する第９光応答手段を、更に有する請求項５記載の検査回路。
【請求項８】
信号入力用電極と信号出力用電極を有する半導体集積回路装置であって、前記信号入力用電極が第１の検査回路を備え、且つこの第１の検査回路が、
予め定められた波長、強度、大きさの第１光ビームを照射され、その照射の有無を検知する第１受光部と、
予め定められた波長、強度、大きさの第２光ビームを照射され、その照射の有無を検知する第２受光部と、
“１”（高レベル）信号を供給する“１”信号供給部と、
“０”（低レベル）信号を供給する“０”信号供給部と、
前記第１受光部及び前記第２受光部における、個々の光ビームの照射の有無によって、“１”信号供給部、或いは“０”信号供給部からの信号を第１信号として出力する出力制御部とを有し、前記第１信号が前記信号入力用電極に印加されることを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項９】
信号入力用電極と信号出力用電極を有する半導体集積回路装置であって、前記信号入力用電極が第１の検査回路を備え、且つこの第１の検査回路が、
“１”（高レベル）信号を供給する“１”信号供給部と、
“０”（低レベル）信号を供給する“０”信号供給部と、
前記信号入力用電極に接続された第１ノードと前記“１”信号供給部との間に接続され、予め定められた波長、強度、大きさの第１光ビームが照射されたとき、“１”信号が前記第１ノードに伝達される第１光応答手段と、
前記第１ノードと前記“０”信号供給部との間に接続され、予め定められた波長、強度、大きさの第２光ビームが照射されたとき、“０”信号が前記第１ノードに伝達される第２光応答手段と、
を有することを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項１０】
前記信号出力用電極が、複数の異なる光ビームの照射の有無の組み合わせにより、当該信号出力用電極の出力された信号値を所定の信号値と比較し比較結果を判定値として出力する機能を有する比較判定部を含む第２の検査回路を備えた請求項８又は９に記載の半導体集積回路装置。
【請求項１１】
前記信号出力用電極が第３の検査回路を備え、且つこの第３の検査回路が、
複数の異なる光ビームの照射の有無の組み合わせにより、当該信号出力用電極の出力された信号値を所定の信号値と比較し比較結果を判定値として出力する機能を有する比較判定部と、
予め定められた波長、強度、大きさの第８光ビームを照射され、その照射の有無を検知する第８受光部と、
前記第８受光部への光ビームの照射により記憶状態が初期化され、初期化以後の入力信号値を記憶すると共に最終判定値として出力する記憶部と、を有し、
前記判定値が前記記憶部に入力される請求項８又は９に記載の半導体集積回路装置。
【請求項１２】
前記信号出力用電極が第４の検査回路を備え、且つこの第４の検査回路が、
複数の異なる光ビームの照射の有無の組み合わせにより、当該信号出力用電極の出力された信号値を所定の信号値と比較し比較結果を判定値として出力する機能を有する比較判定部と、
予め定められた波長、強度、大きさの第８光ビームを照射され、その照射の有無を検知する第８受光部と、
前記第８受光部への光ビームの照射により記憶状態が初期化され、初期化以後の入力信号値を記憶すると共に最終判定値として出力する記憶部と、
予め定められた波長、強度、大きさの第９光ビームを照射され、その照射の有無を検知する第９受光部と、
前記第９受光部への光ビームの照射の有無と前記最終判定値によって電源電流を増加させる機能を有する電流制御部と、を有し、
前記判定値が前記記憶部に入力される請求項８又は９に記載の半導体集積回路装置。
【請求項１３】
前記信号出力用電極が第４の検査回路を備え、且つこの第４の検査回路が、
複数の異なる光ビームの照射の有無の組み合わせにより、当該信号出力用電極の出力された信号値を所定の信号値と比較し比較結果を判定値として出力する機能を有する比較判定部と、
予め定められた波長、強度、大きさの第８光ビームを照射され、その照射の有無を検知する第８受光部と、
前記第８受光部への光ビームの照射により記憶状態が初期化され、初期化以後の入力信号値を記憶すると共に、最終判定値として第２出力端から出力する記憶部と、
前記第２出力端と所定の電源との間に接続され、予め定められた波長、強度、大きさの第９光ビームが照射されたときに導通する第９光応答手段を、を有し、
前記判定値が前記記憶部に入力される請求項８又は９に記載の半導体集積回路装置。
【請求項１４】
前記比較判定部が、
予め定められた波長、強度、大きさの第３光ビームを照射され、その照射の有無を検知する第３受光部と、
予め定められた波長、強度、大きさの第４光ビームを照射され、その照射の有無を検知する第４受光部と、
“１”（高レベル）信号を供給する“１”信号供給部と、
“０”（低レベル）信号を供給する“０”信号供給部と、
前記第３受光部及び前記第４受光部における、個々の光ビームの照射の有無によって、“１”信号供給部、或いは“０”信号供給部からの信号を第２信号として出力する第２出力制御部と、
予め定められた波長、強度、大きさの第５光ビームを照射され、その照射を検知する第５受光部と、
予め定められた波長、強度、大きさの第６光ビームを照射され、その照射を検知する第６受光部と、
前記第５受光部及び前記第６受光部に対する個々の光ビームの照射の有無と、前記信号出力用電極の信号値とから定められる信号値を第３信号として出力する制御部と、
前記第２信号と前記第３信号とを入力して前記第２信号の信号値と前記第３信号の信号値とを比較し、その一致、不一致を判定して結果を第４信号として出力する比較部と、
予め定められた波長、強度、大きさの第７光ビームを照射され、その照射を検知する第７受光部と、
前記第７受光部における前記第７光ビームの照射により、前記第４信号を判定値として出力するゲート部と、
を有する請求項１０乃至１３いずれか１項に記載の半導体集積回路装置。
【請求項１５】
前記比較判定部が、
“１”（高レベル）信号を供給する“１”信号供給部と、
“０”（低レベル）信号を供給する“０”信号供給部と、
所定の第２ノードと前記“１”信号供給部との間に接続され、予め定められた波長、強度、大きさの第３光ビームが照射されたとき、“１”信号が前記第２ノードに伝達される第３光応答手段と、
前記第２ノードと前記“０”信号供給部との間に接続され、予め定められた波長、強度、大きさの第４光ビームが照射されたとき、“０”信号が前記第２ノードに伝達される第４光応答手段と、
前記信号出力用電極に接続された第３ノードと前記“１”信号供給部との間に接続され、予め定められた波長、強度、大きさの第５光ビームが照射されたとき、“１”信号が前記第３ノードに伝達される第５光応答手段と、
前記第３ノードと前記“０”信号供給部との間に接続され、予め定められた波長、強度、大きさの第６光ビームが照射されたとき、“０”信号が前記第３ノードに伝達される第６光応答手段と、
二つの比較入力端の一方が前記第２ノードに他方が前記第３ノードにそれぞれ接続され、前記第２ノードから入力される第２信号と前記第３ノードから入力される第３信号のそれぞれの信号値を比較し、その一致、不一致を判定して結果を第１出力端から第４信号として出力する比較部と、
前記第１出力端と第４ノードとの間に接続され、予め定められた波長、強度、大きさの第７光ビームが照射されたとき、前記第４信号が前記第４ノードに伝達されて判定値として出力される第７光応答手段と、
を有する請求項１０乃至１３いずれか１項に記載の半導体集積回路装置。
【請求項１６】
複数の光ビームの照射の有無の組み合わせにより、所望の信号を印加する第１検査回路及び出力された信号と期待値との比較を行う機能を有する第２検査回路を備えた半導体集積回路装置の検査方法であって、
予め定められた波長、強度、大きさの光ビームを前記第２検査回路の予め定められた場所の受光部に照射し初期化を行うステップと、
予め定められた波長、強度、大きさの光ビームを予め定められたスケジュールで前記第１検査回路の予め定められた場所の受光部に照射して、前記半導体集積回路装置にテスト信号を入力するステップと、
予め定められた波長、強度、大きさの光ビームを予め定められたスケジュールで前記第２検査回路の予め定められた場所の受光部に照射して、前記半導体集積回路装置の出力信号と期待値とを比較し、比較結果を判定値として出力するステップと、
を有することを特徴とする半導体集積回路装置の検査方法。
【請求項１７】
予め定められた波長、強度、大きさの光ビームを前記第２検査回路の予め定められた場所の受光部に照射し、前記半導体集積回路装置の電源電流の増加の有無で当該半導体集積回路装置の検査結果を知るステップを、更に有する請求項１６記載の半導体集積回路装置の検査方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、検査回路を有する半導体集積回路装置（以下、ＬＳＩとする）及び、その検査方法に関し、特に光ビームを用いてウエハ上に作製されたＬＳＩに非接触に電気的な信号を入力し、或いは光ビームを用いてＬＳＩの電気的な信号を非接触に検出し、ＬＳＩが設計通りに動作していることを確認する検査回路を備えたＬＳＩ及び、その検査方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、ウエハ上に作製されたＬＳＩの検査においては、電気的な信号を入力し、それに対する電気的な出力信号を観測し、期待値と比較することによりＬＳＩの検査を実施してきた。そのため、ウエハ上のＬＳＩに電気的な信号を入力し、或いは電気的な信号を観測するために、ウエハ上に設けられたパッドと呼ばれる領域に、細く針上に形成されたプローブを機械的に押し当てることで電気的な接続を構成し、ＬＳＩの外部から電気的な信号をＬＳＩに入力し、電気的な出力信号を観測してきた。
【０００３】
ところで、ＬＳＩの微細化が進行し、回路規模が大きくなるにつれＬＳＩに設置されるパッドの数が増大し、パッド領域の縮小、パッド密度の増大が引き起こされてきた。そのため、パッドを介してＬＳＩと外部との電気的な接続を行うプローブも、より細く、且つ高密度に構成する必要に迫られてきている。しかし、プローブを細く、高密度に作製し、且つ定められたパッド位置に正確に接触するように構成することは大変難しく、プローブの作製に困難を極めている。更に、プローブを正確にパッドに接触させるには、精密な位置合せが必要であり、操作性が問題となっている。
【０００４】
加えて、プローブを用いてＬＳＩと電気的な接続を行うためにはプローブを機械的にＬＳＩに接触させる必要があり、ＬＳＩの破損や、プローブの摩耗を引き起こすことが不可避であった。
【０００５】
そこで、特許文献１では、ＬＳＩの検査において電気的な信号を一旦発光装置を介して光信号に変換し、この光信号をＬＳＩに設けられた光電圧変換素子に伝えることで光信号を電気的な信号に再度変換してＬＳＩに伝えることで、プローブを使用せずにＬＳＩに非接触な状態で電気的な信号を印加している。又、電気的な出力信号を観測するために、電子ビームを照射し、その２次電子を検出することで出力信号を観測することで、同様に非接触な状態で電気的な信号を観測している。
【０００６】
又、特許文献２では、ＬＳＩの検査において電気的な信号をＬＳＩに入力するために、電気信号を発光ダイオードを用いて一旦光信号に変換し、ＬＳＩ上に設けた光・電気変換素子（ＣＣＤ）を用いて再度電気信号に変化させてＬＳＩに入力することで、ＬＳＩに非接触に電気信号を印加する方法が示されている。一方、ＬＳＩの出力信号はＬＳＩ上に設けられたパッドを介してプローブを接触させることで従来と同様に電気信号を観測している。
【０００７】
又、特許文献３では、ＬＳＩの検査においてＬＳＩにフォトダイオードやフォトトランジスタなどの光電気変換手段を設け、外部からの光信号を電気信号に変換してＬＳＩに伝達したり、又逆にＬＳＩの電気信号を光信号に変換して外部に伝える構造としている。そしてＬＳＩとテスタとの電気信号のやりとりを光を用いることでプローブを介在させず、非接触で行うことで、プローブを用いることに起因する、困難なプローブ作製や、回路の破損、プローブの摩耗等の問題に対処している。
【０００８】
【特許文献１】
特開平４−１３９８４６号公報（図１−３、ｐ．２）
【特許文献２】
特開平４−５５８２号公報（図１、ｐ．３）
【特許文献３】
特開昭６４−８１２４４号公報（第１図、ｐ．３）
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、特許文献１の方法では光信号を電気的な信号に変換するのに光電圧変換素子を用いることのみ示され、その具体的な方法、装置は開示されていない。又電子ビームを用いて電気的な信号を観測するためには観測対象であるＬＳＩを真空中に保持する必要があり、その操作性や、観測に要する時間、観測精度などに問題がある。
【００１０】
又、特許文献２の方法では、光信号を電気信号に変換するにおいて、光・電気変換素子（ＣＣＤ）を用いることが記載されているが、具体的な回路構成が記載されていないため、現実的に電気信号がＬＳＩに入力できるかどうか不明である。更にＬＳＩの出力信号の観測にはパッドとプローブを用いた機械的な接触を使用しており、ＬＳＩの微細化、高密度化によるパッドの高密度化によるプローブ作製の困難化や、機械的接触による回路の破損やプローブの摩耗等に対して何等問題を解決していない。
【００１１】
更に、特許文献３の方法では、光電気変換手段を設け、光を介して電気信号をＬＳＩに入力したり、電気信号の出力を観測するとの記載があるがその具体的な装置の記載は成されておらず不明である。
【００１２】
このように、従来の技術では、信号入力に関しては、光電気変換素子（手段）を用いて光信号を電気信号に変換し、ＬＳＩに入力するとされているが、具体的な回路や、方法が明示されておらず、実際に光信号を用いて電気信号をＬＳＩに入力できるかどうか不明である。例えば、どのような装置を用い、どのような方法でＬＳＩに“１”（高レベル），“０”（低レベル），“Ｚ”（ハイインピーダンス）を入力するかは開示されていない。
【００１３】
又、出力信号の観測についても、光電気変換素子（手段）を用いてＬＳＩの電気信号を光信号に変換し、光信号を観測することでＬＳＩの電気信号の観測を非接触で行うとされているが、具体的な回路や装置は示されておらず、現実にそれが実現できるかどうかが不明である。例えば、電気信号における“１”，“０”，“Ｚ”をどのように光信号を用いて検出するかは開示されていない。
【００１４】
本発明の目的は、ＬＳＩの検査において、光信号を用いてＬＳＩに非接触に“０”，“１”，“Ｚ”の電気信号を入力することを可能とする検査回路を提供し、更に、この検査回路を使用してＬＳＩに非接触で、“０”，“１”，“Ｚ”の信号を入力する方法を提供することにある。
【００１５】
又、本発明の他の目的は、ＬＳＩの検査において、光信号を用いて非接触でＬＳＩの“０”，“１”，“Ｚ”の電気信号を観測することを可能とする検査回路を提供し、更に、この検査回路を使用してＬＳＩに非接触で、“０”，“１”，“Ｚ”の各信号を観測する方法を提供することにある。
【００１６】
【課題を解決するための手段】
そのため、本発明による第１の検査回路は、予め定められた波長、強度、大きさの第１光ビームを照射され、その照射の有無を検知する第１受光部と、
予め定められた波長、強度、大きさの第２光ビームを照射され、その照射の有無を検知する第２受光部と、
“１”信号を供給する“１”信号供給部と、
“０”信号を供給する“０”信号供給部と、
前記第１受光部及び前記第２受光部における、個々の光ビームの照射の有無によって、“１”信号供給部、或いは“０”信号供給部からの信号を第１信号として出力する出力制御部とを有し、前記第１信号が前記信号入力用電極に印加されることを特徴とする。
【００１７】
或いは、この第１の検査回路は、“１”信号を供給する“１”信号供給部と、“０”信号を供給する“０”信号供給部と、
前記信号入力用電極に接続された第１ノードと前記“１”信号供給部との間に接続され、予め定められた波長、強度、大きさの第１光ビームが照射されたとき、“１”信号が前記第１ノードに伝達される第１光応答手段と、
前記第１ノードと前記“０”信号供給部との間に接続され、予め定められた波長、強度、大きさの第２光ビームが照射されたとき、“０”信号が前記第１ノードに伝達される第２光応答手段と、を有する構成とすることもできる。
【００１８】
又、本発明の第２の検査回路は、
複数の異なる光ビームの照射の有無の組み合わせにより、当該信号出力用電極の出力された信号値を所定の信号値と比較し比較結果を判定値として出力する機能を有する比較判定部を含むことを特徴とする。
【００１９】
又、本発明の第３の検査回路は、
複数の異なる光ビームの照射の有無の組み合わせにより、当該信号出力用電極の出力された信号値を所定の信号値と比較し比較結果を判定値として出力する機能を有する比較判定部と、
予め定められた波長、強度、大きさの第８光ビームを照射され、その照射の有無を検知する第８受光部と、
前記第８受光部への光ビームの照射により記憶状態が初期化され、初期化以後の入力信号値を記憶すると共に最終判定値として出力する記憶部と、を有し、
前記判定値が前記記憶部に入力される構成とすることができる。
【００２０】
又、本発明の第４の検査回路は、
複数の異なる光ビームの照射の有無の組み合わせにより、当該信号出力用電極の出力された信号値を所定の信号値と比較し比較結果を判定値として出力する機能を有する比較判定部と、
予め定められた波長、強度、大きさの第８光ビームを照射され、その照射の有無を検知する第８受光部と、
前記第８受光部への光ビームの照射により記憶状態が初期化され、初期化以後の入力信号値を記憶すると共に最終判定値として出力する記憶部と、
予め定められた波長、強度、大きさの第９光ビームを照射され、その照射の有無を検知する第９受光部と、
前記第９受光部への光ビームの照射の有無と前記最終判定値によって電源電流を増加させる機能を有する電流制御部と、を有し、
前記判定値が前記記憶部に入力される構成としてもよい。
【００２１】
或いは、第４の検査回路は、
複数の異なる光ビームの照射の有無の組み合わせにより、当該信号出力用電極の出力された信号値を所定の信号値と比較し比較結果を判定値として出力する機能を有する比較判定部と、
予め定められた波長、強度、大きさの第８光ビームを照射され、その照射の有無を検知する第８受光部と、
前記第８受光部への光ビームの照射により記憶状態が初期化され、初期化以後の入力信号値を記憶すると共に、最終判定値として第２出力端から出力する記憶部と、
前記第２出力端と所定の電源との間に接続され、予め定められた波長、強度、大きさの第９光ビームが照射されたときに導通する第９光応答手段を、を有し、
前記判定値が前記記憶部に入力される構成とすることもできる。
【００２２】
尚、上記第２の検査回路乃至第４の検査回路において、前記比較判定部は、
予め定められた波長、強度、大きさの第３光ビームを照射され、その照射の有無を検知する第３受光部と、
予め定められた波長、強度、大きさの第４光ビームを照射され、その照射の有無を検知する第４受光部と、
“１”信号を供給する“１”信号供給部と、
“０”信号を供給する“０”信号供給部と、
前記第３受光部及び前記第４受光部における、個々の光ビームの照射の有無によって、“１”信号供給部、或いは“０”信号供給部からの信号を第２信号として出力する第２出力制御部と、
予め定められた波長、強度、大きさの第５光ビームを照射され、その照射を検知する第５受光部と、
予め定められた波長、強度、大きさの第６光ビームを照射され、その照射を検知する第６受光部と、
前記第５受光部及び前記第６受光部に対する個々の光ビームの照射の有無と、前記信号出力用電極の信号値とから定められる信号値を第３信号として出力する制御部と、
前記第２信号と前記第３信号とを入力して前記第２信号の信号値と前記第３信号の信号値とを比較し、その一致、不一致を判定して結果を第４信号として出力する比較部と、
予め定められた波長、強度、大きさの第７光ビームを照射され、その照射を検知する第７受光部と、
前記第７受光部における前記第７光ビームの照射により、前記第４信号を判定値として出力するゲート部と、を有する構成とすることができる。
【００２３】
或いは、前記比較判定部は、
“１”信号を供給する“１”信号供給部と、
“０”信号を供給する“０”信号供給部と、
所定の第２ノードと前記“１”信号供給部との間に接続され、予め定められた波長、強度、大きさの第３光ビームが照射されたとき、“１”信号が前記第２ノードに伝達される第３光応答手段と、
前記第２ノードと前記“０”信号供給部との間に接続され、予め定められた波長、強度、大きさの第４光ビームが照射されたとき、“０”信号が前記第２ノードに伝達される第４光応答手段と、
前記信号出力用電極に接続された第３ノードと前記“１”信号供給部との間に接続され、予め定められた波長、強度、大きさの第５光ビームが照射されたとき、“１”信号が前記第３ノードに伝達される第５光応答手段と、
前記第３ノードと前記“０”信号供給部との間に接続され、予め定められた波長、強度、大きさの第６光ビームが照射されたとき、“０”信号が前記第３ノードに伝達される第６光応答手段と、
二つの比較入力端の一方が前記第２ノードに他方が前記第３ノードにそれぞれ接続され、前記第２ノードから入力される第２信号と前記第３ノードから入力される第３信号のそれぞれの信号値を比較し、その一致、不一致を判定して結果を第１出力端から第４信号として出力する比較部と、
前記第１出力端と第４ノードとの間に接続され、予め定められた波長、強度、大きさの第７光ビームが照射されたとき、前記第４信号が前記第４ノードに伝達されて判定値として出力される第７光応答手段と、を有する構成としてもよい。
【００２４】
本発明のＬＳＩ検査方法は、複数の光ビームの照射の有無の組み合わせにより、所望の信号を印加する第１検査回路及び出力された信号と期待値との比較を行う機能を有する第２検査回路を備えたＬＳＩの検査方法であって、
予め定められた波長、強度、大きさの光ビームを前記第２検査回路の予め定められた場所の受光部に照射し初期化を行うステップ（図１３のステップ１０１、ステップ１０２）と、
予め定められた波長、強度、大きさの光ビームを予め定められたスケジュールで前記第１検査回路の予め定められた場所の受光部に照射して、前記ＬＳＩにテスト信号を入力するステップ（図１３のステップ１０３、ステップ１０４）と、
予め定められた波長、強度、大きさの光ビームを予め定められたスケジュールで前記第２検査回路の予め定められた場所の受光部に照射して、前記ＬＳＩの出力信号と期待値とを比較し、比較結果を判定値として出力するステップ（図１３のステップ１０５、ステップ１０６）と、を含む。
【００２５】
又、本発明のＬＳＩ検査方法は、予め定められた波長、強度、大きさの光ビームを予め定められたスケジュールで前記第２検査回路の予め定められた場所の受光部に照射して、当該ＬＳＩの検査結果を電源電流値の変化として知るステップ（図１３のステップ１０７、ステップ１０８）を、更に含む構成としてもよい。
【００２６】
本発明では、二つの受光部にそれぞれ対応する２本の光ビームの照射の有無により被検査ＬＳＩに電気的な信号を印加している。このため、被検査ＬＳＩに機械的に接触することなく電気的な信号を印加することが可能である。又、本発明では５つの受光部にそれぞれ対応する５本の光ビームの照射の有無により被検査ＬＳＩの信号値の期待値との比較を行っている。このため、被検査ＬＳＩに機械的に接触することなく電気的な信号を観測することが可能である。
【００２７】
【発明の実施の形態】
次に、本発明について図面を参照して説明する。尚、以下の説明で同じ構成要素には、同じ参照符号を付して、繰り返しての説明は省略する。
図１は、本発明の検査回路及びこの検査回路を内蔵するＬＳＩの第１の実施形態を説明するための図で、（ａ）はＬＳＩの模式的な概略平面図、（ｂ）はこのＬＳＩに内蔵される第１の検査回路の構成を示すブロック図である。図１を参照すると、本実施形態のＬＳＩ１００に内蔵される第１の検査回路１０は、第１光ビームを受光し、受光の有無を判定する第１受光部１があり出力制御部４に接続されている。同様に第２光ビームを受光し、受光の有無を判定する第２受光部２があり出力制御部４に接続されている。ＬＳＩ１００の信号入力用電極である第１端子６に入力される信号の種別は通常“１”（高レベル），“０”（低レベル），“Ｚ”（ハイインピーダンス）であるが、そのうち“１”信号を供給する“１”信号供給部３、及び“０”信号を供給する“０”信号供給部５は、いずれも出力制御部４に接続されている。出力制御部４は第１受光部１、第２受光部２における受光の有無により“１”，“０”，“Ｚ”の各信号を生成して第１信号として出力し、第１端子６に印加する。第１端子６は、ＬＳＩ１００の内部回路部１０２の図示されていない所定の素子に接続されている。
【００２８】
次に第１の検査回路１０の動作を説明する。尚、ＬＳＩ１００の所定の電源端子には、通常のプローブ等（図示せず）により外部から所定の電源が供給されるものとする。第１受光部１に第１光ビームが照射されると第１受光部１はそれを感知し出力制御部４に受光の有無を伝達する。同様に第２受光部２に第２光ビームが照射されると第２受光部２はそれを感知し出力制御部４に受光の有無を伝達する。ＬＳＩでは、通常電圧値を以って信号を区別し、電源電圧に等しいか、或いはそれに近い値の場合、信号値を“１”とし、接地電位に等しいか、或いはそれに近い場合信号値を“０”としている。又、電圧値が不定で、電気的に他の端子と極めて高い抵抗値で接続されている、或いは「浮いている」状態のときの信号値を“Ｚ”としている。“１”信号供給部３は、“１”（高レベル）信号を供給する手段であるが、通常は電源（以下、ＶＤＤとし、電源端子、電源電圧についても同じくＶＤＤとして特に区別せずに使用する）であり出力制御部４に“１”信号を供給している。“０”信号供給部５は通常は接地（以下、ＧＮＤとし、接地端子、接地電位についても同じくＧＮＤとして特に区別せずに使用する）であり、“０”（低レベル）信号を出力制御部４に供給している。出力制御部４では第１受光部１に光ビームが照射されたとき、第１受光部１から光ビームを感知した旨が伝達され、それにより“１”信号供給部３から供給されている“１”信号を第１信号として出力し第１端子６に印加する。一方第２受光部２に光ビームが照射されたときには、第２受光部２から光ビームを感知した旨が伝達され、それにより“０”信号供給部からの“０”信号を第１信号として出力し、第１端子６に印加する。第１受光部１及び第２受光部２のいずれにも光ビームが照射されないときには、出力制御部４は“Ｚ”信号を第１信号として出力し、第１端子６に印加する。従来の手法では、第１端子６に電気的に接続しているパッド（不図示）を設け、或いは第１端子６そのものがパッドであり、このパッドにプローブを機械的に接触させることにより、電気信号をＬＳＩ１００に入力していた。本実施形態では、プローブの代わりに第１の検査回路１０を設け、第１端子６に電気信号（＝第１信号）を印加し、ＬＳＩ１００の入力信号としてＬＳＩ１００の内部回路部１０２に伝達している。尚、第１受光部１と第２受光部２に同時に光ビームを照射することは禁止されている。
【００２９】
又、以下の説明において、各受光部に照射される各光ビームは、各受光部において照射の有無を検知できる強度、波長でなくてはならない。なぜならば、受光部は通常、光ビームの波長に対する感度特性、強度に対する感度特性を有するからである。更に、各光ビームは外部から検査回路に照射するため、ＬＳＩ上に形成された各受光部の上層の物質を透過して受光部に光ビームを到達させる必要があり、波長、強度を選択して光ビームの照射／無照射が受光部に検知できるようにすると共に、隣接する受光部間の干渉を避けるために光ビームの大きさを十分細くしなくてはならない。
【００３０】
図２は、第１の検査回路１０によるＬＳＩ１００への信号入力方法を説明する図である。ＬＳＩ１００の第１端子６に信号“１”を印加したい場合には、第１受光部１に第１光ビームを照射し、第２受光部２に光ビームを照射しない。第１端子６に信号“０”を印加したい場合には、第２受光部２に第２光ビームを照射し、第１受光部１に光ビームを照射しない。第１端子６に“Ｚ”信号を印加したい場合には、第１受光部１と第２受光部２のいずれにも光ビームを照射しない。第１受光部１と第２受光部２の両方に同時に光ビームを照射することは禁止されている。
【００３１】
次に第１の検査回路１０の具体例について、図面を参照しながら詳細に説明する。図３は第１の検査回路１０の具体例を示す回路図である。この例では、第１受光部１が、ＶＤＤとＧＮＤとの間に第１抵抗（以下、ｊを整数としたとき、第ｊ抵抗をＲｊと表すものとする）と第１フォトダイオード（以下、ｊを整数としたとき、第ｊフォトダイオードをＰＤｊと表すものとする）とを備え、ＶＤＤとＰＤ１のカソードとの間にＲ１が接続され、ＰＤ１のアノードがＧＮＤに接続され、ＰＤ１のカソードとＲ１の一端との共通接続点が、出力制御部４の一方の入力端に接続されている。又、第２受光部２は、ＶＤＤとＧＮＤとの間にＲ２とＰＤ２とを備え、ＶＤＤにＰＤ１のカソードが接続され、ＰＤ１のアノードがＧＮＤとの間にＲ２が接続され、ＰＤ２のアノードとＲ２の一端との共通接続点が、出力制御部４の他方の入力端に接続されている。出力制御部４は、ＶＤＤとＧＮＤとの間に第１のｐチャネル電界効果トランジスタ（以下、ｊを整数としたとき、第ｊのｐチャネル電界効果トランジスタをＰＭｊと表すものとする）のソース・ドレイン路と、第１のｎチャネル電界効果トランジスタ（以下、ｊを整数としたとき、第ｊのｎチャネル電界効果トランジスタをＮＭｊと表すものとする）のソース・ドレイン路とがこの順序で直列に接続され、ＰＭ１のゲート電極が一方の入力端となり、ＮＭ１のゲート電極が他方の入力端となり、ＰＭ１のソース・ドレイン路とＮＭ１のソース・ドレイン路との共通接続点であるノードＮ１１が出力制御部４の出力端となって、ノードＮ１１から第１信号が出力される。言い換えると、ＰＤ１のカソードとＲ１の一端との共通接続点がＰＭ１のゲート電極と接続され、ＰＤ２のアノードとＲ２の一端との共通接続点がＮＭ１のゲート電極と接続され、ノードＮ１１が第１端子６と接続され、第１信号が第１端子６に印加される。
【００３２】
この構成で、ＰＤ１及びＰＤ２のいずれにも光ビームが照射されていないときには、ＰＤ１及びＰＤ２はいずれもＯＦＦ  状態であり、ＰＭ１のゲート電極にはＶＤＤが印加され、ＮＭ１のゲート電極にはＧＮＤが印加されるので、ＰＭ１及びＮＭ１のいずれも非導通で、ノードＮ１１はフローティング状態となり、第１端子６には“Ｚ”信号が印加される。又、ＰＤ１に第１光ビームＡが照射されると、ＰＤ１はＯＮ状態となり、ＰＭ１のゲート電極の電位が低下して、ＰＭ１が導通する。このとき、ＰＤ２には光ビームは照射されないので、ＮＭ１は非導通のままであり、ノードＮ１１の電位はほぼＶＤＤと等しくなり、第１端子６には“１”が印加される。逆に、ＰＤ２に第２光ビームＢが照射されると、ＰＤ２はＯＮ状態となり、ＮＭ１のゲート電極の電位が上昇して、ＮＭ１が導通する。このとき、ＰＤ１には光ビームは照射されないので、ＰＭ１は非導通のままであり、ノードＮ１１の電位はほぼＧＮＤと等しくなり、第１端子６には“０”が印加される。
【００３３】
尚、ＰＤ１とＰＤ２に、それぞれ第１光ビームＡと第２光ビームＢが同時に照射されると、ＰＭ１とＮＭ１が同時に導通状態となり、ＶＤＤとＧＮＤ間に大きな電流が流れるため、ＰＤ１とＰＤ２に同時に光ビームを照射することは禁止される。
【００３４】
次に、第１の検査回路１０の変形例について説明する。図４は第１の検査回路の変形例を説明するための図で、（ａ）及び（ｂ）はそれぞれブロック図と、一例の具体的な回路図である。図４を参照すると、変形例の第１の検査回路１０ａは、“１”信号供給部３と、“０”信号供給部５と、
第１ノードＮ１と“１”信号供給部３との間に接続され、予め定められた波長、強度、大きさの第１光ビームが照射されたとき、“１”信号が第１ノードＮ１に伝達される第１光応答手段７と、
第１ノードＮ１と“０”信号供給部５との間に接続され、予め定められた波長、強度、大きさの第２光ビームが照射されたとき、“０”信号が第１ノードＮ１に伝達される第２光応答手段８と、を備え、第１ノードＮ１が第１端子６に接続されている。
【００３５】
より具体的には、第１光応答手段７であるＰＤ１ａと、第２光応答手段８であるＰＤ２ａを備え、ＰＤ１ａのアノードとカソードが、第１ノードＮ１とＶＤＤにそれぞれ接続され、ＰＤ２ａのアノードとカソードが、ＧＮＤと第１ノードＮ１にそれぞれ接続され、第ノードＮ１が第１端子６に接続されている。
【００３６】
この変形例の動作について説明する。ＰＤ１ａ及びＰＤ２ａのいずれにも光ビームが照射されていないときには、ＰＤ１ａ及びＰＤ２ａはいずれもＯＦＦ  状態であり、第１ノードＮ１はフローティング状態となって、第１端子６には“Ｚ”信号が印加される。第１光ビームＡのみが照射され、ＰＤ１ａに第１光ビームＡが照射されるとＰＤ１ａはＯＮ状態となり、ＰＤ２ａはＯＦＦ  状態のままであるため、第１ノードＮ１の電位はほぼＶＤＤと等しくなり、第１端子６には“１”信号が入力されることとなる。又、第２光ビームＢのみが照射され、ＰＤ２ａに第２光ビームＢが照射されるとＰＤ２ａはＯＮ状態となり、ＰＤ１ａはＯＦＦ  状態のままであるために、第１ノードＮ１の電位はほぼＧＮＤと等しくなり、第１端子６には“０”信号が印加されることとなる。変形例においても、第１光ビームＡと第２光ビームＢを同時に照射するとＰＤ１ａとＰＤ２ａが同時にＯＮ状態となり、ＶＤＤ−ＧＮＤ間に大きな電流が流れるために、第１光ビームＡと第２光ビームＢを同時に照射することは禁止される。
【００３７】
次に本発明の第２の実施形態について図面を参照して詳細に説明する。図５は、本発明の第２の実施形態を説明するための図で、（ａ）はＬＳＩの模式的な概略平面図、（ｂ）はこのＬＳＩに内蔵される第２の検査回路の構成を示すブロック図である。図５を参照すると、本実施形態のＬＳＩ１１０に内蔵される第２の検査回路３０は比較判定部２５のみで構成され、この比較判定部２５が“１”信号供給部３と、“０”信号供給部５と、第３受光部１２と、出力制御部１３と、第４受光部１４と、第５受光部１６と、制御部１７と、第６受光部１８と、比較部１９と、ゲート部２０と、第７受光部２１とを備える。第３受光部１２は出力制御部１３に接続され、光ビームの第３受光部１２への照射を感知して受光の有無を出力制御部１３に伝える。第４受光部１４は出力制御部１３に接続され、光ビームの第４受光部１４への照射を感知して受光の有無を出力制御部１３に伝える。
【００３８】
出力制御部１３は第３受光部１２、第４受光部１４における光ビームの照射の有無により“１”，“０”，“Ｚ”の各種信号を生成し、二つの入力端を備えた比較部１９の一方の入力端に出力する機能を有する。具体的には、第３受光部１２にのみ光ビームが照射されている場合に“１”信号供給部３からの信号“１”を出力し、第４受光部１４にのみ光ビームが照射されている場合に“０”信号供給部５からの信号値“０”を出力する。
【００３９】
第５受光部１６は、制御部１７に接続され、第５受光部１６への光ビームの照射を感知して照射の有無を制御部１７に伝える。第６受光部１８は制御部１７に接続され、第６受光部１８への光ビームの照射を感知して照射の有無を制御部１７に伝える。
【００４０】
制御部１７には、“１”信号供給部３と“０”信号供給部５が接続され、それぞれから信号“１”と信号“０”が供給される。制御部１７は、第５受光部１６と第６受光部１８からの照射の有無の情報により、信号“１”，信号“０”，信号“Ｚ”を出力すると共に、出力端がノードＮ１２に接続され、第５受光部１６と第６受光部１８に対する光ビームの照射の有無及び信号出力用電極である第２端子１１に出力されている信号値によりノードＮ１２の信号値を決定する機能を有する。具体的には、第５受光部１６にのみ光ビームが照射され、且つ第２端子１１にＬＳＩ１１０の内部回路部１１２から信号値“０”が出力されている場合は信号値“０”をそのままノードＮ１２の信号値とし、第２端子１１に信号値“１”や信号値“Ｚ”が出力されている場合には“１”信号供給部３からの信号値“１”をノードＮ１２の信号値とする機能を有する。又、第６受光部１８にのみ光ビームが照射され、且つ第２端子１１にＬＳＩ１１０の内部回路部１１２から信号値“１”が出力されている場合はノードＮ１２の信号値は“１”になり、第２端子１１に信号値“０”や信号値“Ｚ”が出力されている場合には“０”信号供給部５からの信号値“０”をノードＮ１２の信号値とする機能を有する。尚、第２端子１１は、ノードＮ１２に接続されると共に、ＬＳＩ１１０の内部回路部１１２の所定の素子（図示せず）に接続される。第２端子１１は、従来のＬＳＩ検査手法であれば、パッド、或いはパッドに接続するＬＳＩの端子に相当する。
【００４１】
比較部１９の他方の入力端はノードＮ１２と接続され、ノードＮ１２の信号値が伝達されている。比較部１９は、出力制御部１３から出力された信号値とノードＮ１２からの信号値を比較し、同一であるか、異なるかを判別し、その結果をゲート部１７に伝達する。具体的には、出力制御部１３から出力された信号値とノードＮ１２からの信号値とを比較し、両者が同じ値（信号値“１”どうし、又は信号値“０”どうし）であれば一致を示す信号値“０”を出力し、両者が異なる値であれば（信号値“０”と信号値“１”）、不一致を示す信号値“１”を出力する。
【００４２】
第７受光部２１は、ゲート部１７に接続され、第７受光部２１への光ビームの照射の有無をゲート部１７に伝える。ゲート部１７は、第７受光部２１に光ビームが照射されているときに比較部１９からの信号を判定値として出力し、光ビームが第７受光部２１に照射されていないときには信号値“０”を判定値として出力する機能を有する。
【００４３】
尚、第２の検査回路３０においても第３受光部１２と第４受光部１４に同時に光ビームを照射することは禁止されている。
【００４４】
次に第２の検査回路３０の動作を説明する。
先ず、ＬＳＩ１１０の内部回路部１１２に接続された第２端子１１に信号値“１”が出力されているかどうかを判定する動作について説明する。第３受光部１２に光ビームを照射し、第４受光部１４には照射しないことで出力制御部１３から信号値“１”が出力され、比較部１９の一方の入力端に信号値“１”が入力される。第６受光部１８に光ビームを照射し、第５受光部１６に照射しないことで制御部１７の機能により、第２端子１１に信号値“１”が出力されていればノードＮ１２の信号値は“１”となり、比較部１９の他方の入力端に信号値“１”が入力される。一方、第２端子１１に信号値“０”や信号値“Ｚ”が出力されている場合、制御部１７の機能によりノードＮ１２の信号値は“０”となり比較部１９の他方の入力端に信号値“０”が入力される。
【００４５】
その結果、第２端子１１の信号値を判定するタイミングで第７受光部２１に光ビームを照射することで、第２端子１１に信号値“１”が出力されていれば一致を示す信号値“０”が判定値として出力され、そうでない場合には不一致を示す信号値“１”が判定値として出力される。
【００４６】
次に、第２端子１１に信号値“０”が出力されているかどうかを判定する動作を説明する。第４受光部１４に光ビームを照射し、第３受光部１２には照射しないことで出力制御部１３から信号値“０”が出力され、比較部１９の一方の入力端に信号値“０”が入力される。第５受光部１６に光ビームを照射し、第６受光部１８に照射しないことで制御部１７の機能により、内部回路部１１２から第２端子１１に信号値“０”が出力されていればノードＮ１２の信号値は“０”となり比較部１９の他方の入力端に信号値“０”が出力される。一方、内部回路部１１２から第２端子１１に信号値“１”や信号値“Ｚ”が出力されている場合、制御部１７の機能によりノードＮ１２の信号値は“１”となり、比較部１９の他方の入力端に信号値“１”が出力される。
【００４７】
その結果、第２端子１１の信号値を判定するタイミングで第７受光部２１に光ビームを照射することで、第２端子１１に信号値“０”がＬＳＩ１１０から出力されていれば信号値“０”が判定値として出力され、そうでない場合には信号値“１”が判定値として出力される。
【００４８】
次に、内部回路部１１２から第２端子１１に信号値“Ｚ”が出力されているかどうかを判定する動作を説明する。この動作は判定する動作を２回に分けて実施する。先ず、第３受光部１２に光ビームを照射し、第４受光部１４には照射しないことで出力制御部１３から信号値“１”が出力され、比較部１９の一方の入力端に信号値“１”が入力される。第５受光部１６に光ビームを照射し、第６受光部１８に照射しないことで制御部１７の機能により、内部回路部１１２から第２端子１１に出力されている信号値が“Ｚ”か“１”であればノードＮ１２の信号値は“１”となり、比較部１９の他方の入力端に信号値“１”が入力される。一方、内部回路部１１２から第２端子１１に出力されている信号値が“０”の場合、制御部１７の機能により、ノードＮ１２の信号値は“０”となり、比較部１９の他方の入力端に信号値“０”が入力される。その結果、第１の判定するタイミングで第７受光部２１に光ビームを照射することで、内部回路部１１２から第２端子１１に出力されている信号値が“１”か“Ｚ”であれば一致を示す信号値“０”が判定値として出力され、そうでない場合には不一致を示す信号値“１”が判定値として出力される。
【００４９】
続いて、第４受光部１４に光ビームを照射し、第３受光部１２には照射しないことで出力制御部１３から信号値“０”が出力され、比較部１９の一方の入力端に信号値“０”が入力される。第６受光部１８に光ビームを照射し、第５受光部１６に照射しないことで制御部１７の機能により、内部回路部１１２から第２端子１１に出力されている信号値が“Ｚ”か“０”であれば、ノードＮ１２の信号値は“０”となり、比較部１９の他方の入力端に信号値“０”が入力される。一方、内部回路部１１２から第２端子１１に出力されている信号値が“１”であれば、制御部１７の機能によりノードＮ１２の信号値は“１”となり、比較部１９の他方の入力端に信号値“１”が入力される。その結果、第２の判定するタイミングで第７受光部２１に光ビームを照射することで、内部回路部１１２から第２端子１１に出力されている信号値が“０”か“Ｚ”であれば一致を示す信号値“０”が判定値として出力され、そうでない場合には不一致を示す信号値“１”が判定値として出力される。
【００５０】
上記説明のとおり、第２端子１１の信号値を判定するタイミングで、内部回路部１１２から第２端子１１に信号値“Ｚ”が出力されていれば、ゲート部２０から出力される判定値は常に一致を示す“０”となる。しかし、内部回路部１１２から第２端子１１に出力されている信号値が“１”や“０”の場合には、いずれかの判定タイミングにおいて不一致を示す判定値“１”が出力される。
【００５１】
尚、第２端子１１の信号値が信号値“Ｘ”（信号値が“０”か“１”か不定）、或いは判定するタイミングにおいて第２端子１１の信号値の判定を要しない場合には、判定するタイミングにおいて第７受光部２１に光ビームを照射しないことで、判定値は常に一致を示す“０”となり、出力信号値の不一致検出に影響を及ぼすことは無い。
【００５２】
又、第２の検査回路３０においても第３受光部１２と第４受光部１４に同時に光ビームを照射することは禁止されている。
【００５３】
次に第２の検査回路３０の具体例を図面を参照しながら説明する。
図６は第２の検査回路３０の一具体例を説明するための図で、（ａ）は全体回路図、（ｂ）及び（ｃ）はゲート部２０の詳細回路の例である。図６を参照すると、この具体例の第２の検査回路３０を構成する比較判定部２５は、第３受光部１２が、ＶＤＤとＧＮＤとの間にＲ３とＰＤ３とを備え、ＶＤＤとＰＤ３のカソードとの間にＲ３が接続され、ＰＤ３のアノードがＧＮＤに接続され、ＰＤ３のカソードとＲ３の一端との共通接続点が、出力制御部１３の一方の入力端に接続されている。又、第４受光部１４は、ＶＤＤとＧＮＤとの間にＲ４とＰＤ４とを備え、ＶＤＤにＰＤ４のカソードが接続され、ＰＤ４のアノードとＧＮＤとの間にＲ４が接続され、ＰＤ４のアノードとＲ４の一端との共通接続点が、出力制御部１３の他方の入力端に接続されている。出力制御部１３は、ＶＤＤとＧＮＤとの間にＰＭ２のソース・ドレイン路と、ＮＭ２のソース・ドレイン路とがこの順序で直列に接続され、ＰＭ２のゲート電極が一方の入力端となり、ＮＭ２のゲート電極が他方の入力端となり、ＰＭ２のソース・ドレイン路とＮＭ２のソース・ドレイン路との共通接続点であるノードＮ１３が出力制御部１３の出力端となっている。言い換えると、ＰＤ３のカソードとＲ３の一端との共通接続点がＰＭ２のゲート電極と接続され、ＰＤ４のアノードとＲ４の一端との共通接続点がＮＭ２のゲート電極と接続されている。
【００５４】
又、第５受光部１６が、ＶＤＤとＧＮＤとの間にＲ５とＰＤ５とを備え、ＶＤＤとＰＤ５のカソードとの間にＲ５が接続され、ＰＤ５のアノードがＧＮＤに接続され、ＰＤ５のカソードとＲ５の一端との共通接続点が、制御部１７の一方の入力端に接続されている。又、第６受光部１８は、ＶＤＤとＧＮＤとの間にＲ６とＰＤ６とを備え、ＶＤＤにＰＤ６のカソードが接続され、ＰＤ６のアノードとＧＮＤとの間にＲ６が接続され、ＰＤ６のアノードとＲ６の一端との共通接続点が、制御部１７の他方の入力端に接続されている。制御部１７は、ＶＤＤとＧＮＤとの間に、Ｒ７，ＰＭ３のソース・ドレイン路，ＮＭ３のソース・ドレイン路，及びＲ８が、この順序で直列に接続され、ＰＭ３のゲート電極，ＮＭ３のゲート電極，及びＰＭ３のソース・ドレイン路とＮＭ３のソース・ドレイン路との共通接続点が、それぞれ制御部１７の一方の入力端，他方の入力端，及び出力端となり、この出力端がノードＮ１２と接続されている。より具体的には、ＶＤＤとＰＭ３のソース・ドレイン路の一端との間にＲ７が接続され、ＰＭ３のソース・ドレイン路の他端とＮＭ３のソース・ドレイン路の一端とが接続され、ＮＭ３のソース・ドレイン路の他端とＧＮＤとの間にＲ８が接続され、ＰＤ５のカソードとＲ５の一端との共通接続点がＰＭ３のゲート電極と接続され、ＰＤ６のアノードとＲ６の一端との共通接続点がＮＭ３のゲート電極と接続されている。尚、Ｒ７の抵抗値は、第２端子１１に信号値“０”が出力されているときに、ＮＭ３がＯＦＦ  の状態でＰＭ３がＯＮとなってもノードＮ１２の信号値が“０”を保持できるように設定される。又、Ｒ８の抵抗値は、逆に、第２端子１１に信号値“１”が出力されているときに、ＰＭ３がＯＦＦ  の状態でＮＭ３がＯＮとなってもノードＮ１２の信号値が“１”を保持できるように設定される。
【００５５】
比較部１９は排他的論理和回路（以下、ＸＯＲとする）で構成され、比較部１９の一方の入力端となるＸＯＲの入力端ＩＮ１とノードＮ１３が接続され、比較部１９の他方の入力端となるＸＯＲの入力端ＩＮ２とノードＮ１２が接続され、比較部１９のＸＯＲの出力端ＯＵＴ  は、ゲート部２０の入力端Ａと接続される。ゲート部２０は、特に限定されないが、例えば図６（ｂ）に示すように２入力論理積回路（以下、ＡＮＤとする）で構成できる。具体的には、一方の入力端をゲート部２０の入力端Ａ，他方の入力端を制御入力端Ｃとし、ＡＮＤの出力端をゲート部２０の出力端Ｂとすればよい。尚、図６（ｂ）の例は、制御入力端Ｃに信号値“１”が入力されたとき、入力端Ａに入力された信号値がそのまま出力端Ｂに出力され、制御入力端Ｃに信号値“０”が入力されたときは入力端Ａに入力される信号値に関わらず出力端Ｂから常に信号値“０”が出力される構成である。第７受光部２１は、ＶＤＤとＧＮＤとの間にＰＤ７とＲ９とを備え、ＶＤＤにＰＤ７のカソードが接続され、ＰＤ７のアノードとＧＮＤとの間にＲ９が接続され、ＰＤ７のアノードとＲ９の一端との共通接続点が、ゲート部２０の制御入力端Ｃに接続されている。この構成で、ＸＯＲの出力端ＯＵＴ  が比較部１９の第１出力端となり、出力端ＯＵＴ  から第４信号が出力される。尚、第２の検査回路３０においてもＰＤ３とＰＤ４に同時に光ビームを照射することは禁止される。
【００５６】
次に、第２の検査回路３０の具体例の動作を説明する。
先ず、ＬＳＩ１１０の内部回路部１１２に接続された第２端子１１に信号値“１”が出力されているかどうかを判定する動作を説明する。ＰＤ３に光ビームを照射し、ＰＤ４には照射しないことでＰＭ２のみがＯＮするので、ノードＮ１３の信号値は“１”となり、ＸＯＲの入力端ＩＮ１に期待値として信号値“１”が入力される。ＰＤ６に光ビームを照射し、ＰＤ５に照射しないことでＮＭ３のみがＯＮするが、内部回路部１１２から第２端子１１に信号値“１”が出力されていれば、ＮＭ３とＧＮＤの間に上記のように抵抗値を設定されたＲ８が接続されているためノードＮ１２の信号値は“１”となり、ＸＯＲの入力端ＩＮ２に信号値“１”が入力され、ＸＯＲの出力端ＯＵＴ  から第４信号として一致を示す信号値“０”が出力される。一方、第２端子１１に信号値“０”や信号値“Ｚ”が出力されている場合、ＮＭ３がＯＮしていることでノードＮ１２の信号値は“０”となりＸＯＲの入力端ＩＮ２に信号値“０”が入力され、ＸＯＲの出力端ＯＵＴ  から第４信号として不一致を示す信号値“１”が出力される。
【００５７】
その結果、第２端子１１の信号値を判定するタイミングでＰＤ７に光ビームを照射することでゲート部２０の制御入力端Ｃに信号値“１”が印加され、第２端子１１に信号値“１”が出力されていれば一致を示す信号値“０”が判定値として出力され、そうでない場合には不一致を示す信号値“１”が判定値として出力される。
【００５８】
次に、第２端子１１に信号値“０”が出力されているかどうかを判定する動作を説明する。ＰＤ４に光ビームを照射し、ＰＤ３には照射しないことでＮＭ２のみがＯＮするので、ノードＮ１３の信号値は“０”となり、ＸＯＲの入力端ＩＮ１に期待値として信号値“０”が入力される。ＰＤ５に光ビームを照射し、ＰＤ６に照射しないことでＰＭ３のみがＯＮするが、内部回路部１１２から第２端子１１に信号値“０”が出力されていれば、ＶＤＤとＰＭ３の間に、上記のように抵抗値を設定されたＲ７が接続されているためノードＮ１２の信号値は“０”となり、ＸＯＲの入力端ＩＮ２に信号値“０”が入力されてＸＯＲの出力端ＯＵＴ  から第４信号として一致を示す信号値“０”が出力される。一方、第２端子１１に信号値“１”や信号値“Ｚ”が出力されている場合、ＰＭ３がＯＮしていることでノードＮ１２の信号値は“１”となりＸＯＲの入力端ＩＮ２に信号値“１”が入力され、ＸＯＲの出力端ＯＵＴ  から第４信号として不一致を示す信号値“１”が出力される。
【００５９】
その結果、第２端子１１の信号値を判定するタイミングでＰＤ７に光ビームを照射することでゲート部２０の制御入力端Ｃに信号値“１”が印加され、第２端子１１に信号値“０”が出力されていれば一致を示す信号値“０”が判定値として出力され、そうでない場合には不一致を示す信号値“１”が判定値として出力される。
【００６０】
次に、内部回路部１１２から第２端子１１に信号値“Ｚ”が出力されているかどうかを判定する動作を説明する。この動作は判定する動作を２回に分けて実施する。先ず、ＰＤ３に光ビームを照射し、ＰＤ４には照射しないことでＰＭ２のみがＯＮするので、ノードＮ１３の信号値は“１”となり、ＸＯＲの入力端ＩＮ１に信号値“１”が入力される。又、ＰＤ５に光ビームを照射し、ＰＤ６に照射しないことでＰＭ３のみがＯＮするので、内部回路部１１２から第２端子１１に出力されている信号値が“Ｚ”か“１”であればノードＮ１２の信号値は“１”となり、ＸＯＲの入力端ＩＮ２に信号値“１”が入力され、ＸＯＲの出力端ＯＵＴ  から第４信号として一致を示す信号値“０”が出力される。一方、内部回路部１１２から第２端子１１に出力されている信号値が“０”の場合、ＰＭ３のみがＯＮしているが、ＶＤＤとＰＭ３の間にＲ７が接続されているためノードＮ１２の信号値は“０”となり、ＸＯＲの入力端ＩＮ２に信号値“０”が入力され、ＸＯＲの出力端ＯＵＴ  から第４信号として不一致を示す信号値“１”が出力される。その結果、第１の判定するタイミングでＰＤ７に光ビームを照射することで、内部回路部１１２から第２端子１１に出力されている信号値が“１”か“Ｚ”であれば一致を示す信号値“０”が判定値として出力され、そうでない場合には不一致を示す信号値“１”が判定値として出力される。
【００６１】
続いて、ＰＤ４に光ビームを照射し、ＰＤ３には照射しないことでＮＭ２のみがＯＮするので、ノードＮ１３の信号値は“０”となり、ＸＯＲの入力端ＩＮ１に信号値“０”が入力される。又、ＰＤ６に光ビームを照射し、ＰＤ５に照射しないことでＮＭ３のみがＯＮするので、内部回路部１１２から第２端子１１に出力されている信号値が“Ｚ”か“０”であれば、ノードＮ１２の信号値は“０”となり、ＸＯＲの入力端ＩＮ２に信号値“０”が入力され、ＸＯＲの出力端ＯＵＴ  から第４信号として一致を示す信号値“０”が出力される。一方、内部回路部１１２から第２端子１１に出力されている信号値が“１”の場合、ＮＭ３のみがＯＮしているが、ＮＭ３とＧＮＤとの間にＲ８が接続されているためノードＮ１２の信号値は“１”となり、ＸＯＲの入力端ＩＮ２に信号値“１”が入力され、ＸＯＲの出力端ＯＵＴ  から第４信号として不一致を示す信号値“１”が出力される。その結果、第２の判定するタイミングでＰＤ７に光ビームを照射することで、内部回路部１１２から第２端子１１に出力されている信号値が“０”か“Ｚ”であれば一致を示す信号値“０”が判定値として出力され、そうでない場合には不一致を示す信号値“１”が判定値として出力される。
【００６２】
上記説明のとおり、第２の検査回路３０の具体例においても、第２端子１１の信号値を判定するタイミングで、内部回路部１１２から第２端子１１に信号値“Ｚ”が出力されていれば、ゲート部２０から出力される判定値は常に一致を示す“０”となる。しかし、内部回路部１１２から第２端子１１に出力されている信号値が“１”や“０”の場合には、いずれかの判定タイミングにおいて不一致を示す判定値“１”が出力される。
【００６３】
尚、第２端子１１の信号値が信号値“Ｘ”、或いは判定するタイミングにおいて第２端子１１の信号値の判定を要しない場合には、判定するタイミングにおいてＰＤ７に光ビームを照射しないことで、判定値は常に“０”となり、出力信号値の不一致検出に影響を及ぼすことは無い。
【００６４】
又、ＰＭ２及びＮＭ２が同時にＯＮするとＶＤＤ−ＧＮＤ間に大きな電流が流れるため、ＰＤ３とＰＤ４に同時に光ビームを照射することは禁止される。
【００６５】
次に、第２の検査回路３０の変形例について説明する。図７は第２の検査回路の変形例を説明するための図で、（ａ）及び（ｂ）はそれぞれブロック図と、一例の具体的な回路図である。図７を参照すると、変形例の第２の検査回路３０ａを構成する比較判定部２５ａは、
“１”信号供給部３と、“０”信号供給部５と、
第２ノードＮ２と“１”信号供給部３との間に接続され、予め定められた波長、強度、大きさの第３光ビームが照射されたとき、“１”信号が第２ノードＮ２に伝達される第３光応答手段３１と、
第２ノードＮ２と“０”信号供給部５との間に接続され、予め定められた波長、強度、大きさの第４光ビームが照射されたとき、“０”信号が第２ノードＮ２に伝達される第４光応答手段３２と、
第２端子１１に接続された第３ノードＮ３と“１”信号供給部３との間に接続され、予め定められた波長、強度、大きさの第５光ビームが照射されたとき、“１”信号が第３ノードＮ３に伝達される第５光応答手段３３と、
第３ノードＮ３と“０”信号供給部５との間に接続され、予め定められた波長、強度、大きさの第６光ビームが照射されたとき、“０”信号が第３ノードＮ３に伝達される第６光応答手段３４と、
二つの比較入力端の一方である入力端ＩＮ１が第２ノードＮ２に接続され、他方である入力端ＩＮ２が第３ノードＮ３に接続され、第２ノードＮ２から入力される第２信号と第３ノードＮ３から入力される第３信号のそれぞれの信号値を比較し、その一致、不一致を判定して結果を第１出力端である出力端ＯＵＴ  から第４信号として出力する比較部３５と、
出力端ＯＵＴ  と第４ノードＮ４との間に接続され、予め定められた波長、強度、大きさの第７光ビームが照射されたとき、第４信号が第４ノードＮ４に伝達されて判定値として出力される第７光応答手段３６と、を備えている。
【００６６】
より具体的には、第２の検査回路３０ａは、第３光応答手段３１であるＰＤ３ａと、第４光応答手段３２であるＰＤ４ａと、第５光応答手段３３であるＰＤ５ａ及びＲ５ａと、第６光応答手段３４であるＰＤ６ａ及びＲ６ａと、比較部３５であるＸＯＲと、第７光応答手段３６であるＰＤ７ａ及びＲ９ａと、を備えている。
【００６７】
そして、ＰＤ３ａのアノードとカソードが第２ノードＮ２とＶＤＤにそれぞれ接続され、ＰＤ４ａのアノードとカソードがＧＮＤと第２ノードＮ２にそれぞれ接続され、ＶＤＤとＰＤ５ａのカソードとの間にＲ５ａが接続され、ＰＤ５ａのアノード及びＰＤ６ａのカソードが第３ノードＮ３に接続され、ＰＤ６ａのアノードとＧＮＤの間にＲ６ａが接続され、第３ノードＮ３が第２端子１１と接続されている。又、ＸＯＲの入力端ＩＮ１及び入力端ＩＮ２が第２ノードＮ２及び第３ノードＮ３とそれぞれ接続され、比較部３５の第１出力端であるＸＯＲの出力端ＯＵＴ  がＰＤ７ａのカソードと接続され、ＰＤ７ａのアノードとＧＮＤの間にＲ９ａが接続され、ＰＤ７ａのアノードとＲ９ａの一端との共通接続点が判定値の出力端となる第４ノードＮ４と接続されている。尚、Ｒ５ａの抵抗値は、第２端子１１に信号値“０”が出力されているときに、ＰＤ６ａには光ビームが照射されずＰＤ５ａに光ビームが照射されても、即ちＰＤ６ａがＯＦＦ  の状態でＰＤ５ａがＯＮとなっても第３ノードＮ３の信号値が“０”を保持できるように設定される。又、Ｒ６ａの抵抗値は、逆に、第２端子１１に信号値“１”が出力されているときに、ＰＤ５ａには光ビームが照射されずＰＤ６ａに光ビームが照射されても、即ちＰＤ５ａがＯＦＦ  の状態でＰＤ６ａがＯＮとなっても第３ノードＮ３の信号値が“１”を保持できるように設定される。又、上記接続において、ＶＤＤと第３ノードＮ３との間でＰＤ５ａとＲ５ａの接続順序を逆にしてもよく、同様に第３ノードＮ３とＧＮＤとの間でＰＤ６ａとＲ６ａの接続順序を逆にしてもよい。又、第２の検査回路３０ａにおいても、ＶＤＤ−ＧＮＤ間に大きな電流を流さないようにするため、ＰＤ３ａとＰＤ４ａに同時に光ビームを照射することは禁止される。
【００６８】
次に、この変形例の第２の検査回路３０ａの動作について説明する。
ＰＤ３ａに光ビームが照射されＰＤ４ａに光ビームが照射されない場合、ＰＤ３ａがＯＮ状態となりＰＤ４ａがＯＦＦ  状態となるため第２ノードＮ２の信号値は“１”となり、ＸＯＲの入力端ＩＮ１に信号値“１”が入力される。逆に、ＰＤ４ａに光ビームが照射され、ＰＤ３ａに光ビームが照射されない場合には、第２ノードＮ２の信号値は“０”となり、ＸＯＲの入力端ＩＮ１に信号値“０”が入力される。
【００６９】
ＰＤ５ａに光ビームが照射されＰＤ６ａに光ビームが照射されない場合、ＰＤ５ａがＯＮ状態となり、ＰＤ６ａはＯＦＦ  状態となる。このとき内部回路部１１２から第２端子１１に出力される信号値が“０”であった場合、ＶＤＤからＲ５ａ，ＰＤ５ａ，及び第３ノードＮ３を通って第２端子１１に向かって電流が流れるが、Ｒ５ａの抵抗値は上記のように設定されているので第３ノードＮ３の信号値は“０”のままとなる。一方、第２端子１１に出力されている信号値が“１”である場合には、Ｒ５ａを通じて電流は流れず、第３ノードＮ３の信号値は第２端子１１の信号値と同じ“１”となる。又、第２端子１１の信号値が“Ｚ”（ハイインピーダンス状態）であった場合、ＰＤ５ａがＯＮ状態であるために、第３ノードＮ３の信号値は“１”となる。
【００７０】
ＰＤ６ａに光ビームが照射され、ＰＤ５ａに光ビームが照射されない場合、ＰＤ６ａがＯＮ状態となり、ＰＤ５ａはＯＦＦ  状態となる。このとき内部回路部１１２から第２端子１１に出力されている信号値が“１”であった場合、第２端子１１から第３ノードＮ３，ＰＤ６ａ及びＲ６ａを通ってＧＮＤに向かって電流が流れるが、Ｒ６ａの抵抗値が上記のように設定されているので、第３ノードＮ３の信号値は“１”のままとなる。一方、第２端子１１に出力された信号値が“０”である場合には、Ｒ６ａを通じて電流は流れず、第３ノードＮ３の信号値は“０”となる。又、第２端子１１に出力された信号値が“Ｚ”であった場合、ＰＤ５ａがＯＦＦ  状態且つＰＤ６ａがＯＮ状態であるので、第３ノードＮ３の信号値は“０”となる。
【００７１】
次に、第２端子１１の信号値の判定方法を説明する。
先ず、判定タイミングにおいて内部回路部１１２から第２端子１１に出力されている信号値が“１”であるかどうかを判定するには、ＰＤ３ａとＰＤ６ａにはビームを照射し、ＰＤ４ａとＰＤ５ａには光ビームを照射しない。そして、判定タイミングにおいてＰＤ７ａに光ビームを照射することで、第２端子１１の信号値が“１”であれば第４ノードＮ４に出力される判定値は“０”を示し、第２端子１１の信号値が“０”か“Ｚ”であれば第４ノードＮ４に出力される判定値は“１”となる。即ち、判定値に“１”が出力されれば判定タイミングにおいて第２端子１１の信号値が“１”ではないことが分かる。
【００７２】
又、判定タイミングにおいて、第２端子１１に内部回路部１１２から出力されている信号値が“０”であるかどうかを判定するには、ＰＤ４ａとＰＤ５ａには光ビームを照射し、ＰＤ３ａとＰＤ６ａには光ビームを照射しない。そして判定タイミングにおいてＰＤ７ａに光ビームを照射することで、第２端子１１の信号値が“０”であれば第４ノードＮ４に出力される判定値は“０”を示し、第２端子１１の信号値が“１”か“Ｚ”であれば第４ノードＮ４に出力される判定値は“１”となる。即ち、判定値に“１”が出力されれば判定タイミングにおいて第２端子１１の信号値が“０”ではないことが分かる。又、判定タイミングにおいて第２端子１１の信号値が“Ｚ”であるかどうかを判定するには、ＰＤ３ａとＰＤ５ａには光ビームを照射し、ＰＤ４ａとＰＤ６ａには光ビームを照射しない。そして判定タイミングにおいてＰＤ７ａに光ビームを照射することで、第２端子１１の信号値が“Ｚ”か“１”であれば第４ノードＮ４に出力される判定値は“０”を示し、第２端子１１の信号値が“０”であれば第４ノードＮ４に出力される判定値は“１”となる。続いて、ＰＤ４ａとＰＤ６ａには光ビームを照射し、ＰＤ３ａとＰＤ５ａには光ビームを照射しない。そして判定タイミングにおいてＰＤ７ａに光ビームを照射することで、第２端子１１の信号値が“Ｚ”か“０”であれば第４ノードＮ４に出力される判定値は“０”を示し、第２端子１１の信号値が“１”であれば第４ノードＮ４に出力される判定値は“１”となる。即ち、判定値に“１”が出力されれば判定タイミングにおいて第２端子１１の信号値が“Ｚ”ではないことが分かる。
【００７３】
尚、上記光ビームの波長、強度は各フォトダイオードを適切にＯＮ状態にしうる波長、強度でなくてはならず、且つ所定のフォトダイオードのみに照射し、他のフォトダイオードに照射しないように十分に細く絞り込む必要がある。
【００７４】
次に本発明の第３の実施形態について、図面を参照して詳細に説明する。図８は、本実施形態の第３の検査回路４０を説明するための図で、（ａ）は全体構成を示すブロック図、（ｂ）は（ａ）の記憶回路４１の構成を示す回路図である。尚、第３の検査回路４０は、改めて図示しないが、ＬＳＩ１１０で第２の検査回路３０の代わりに搭載されたもの、即ちＬＳＩ１１０の第２端子１１に接続されたものとして説明する。図８を参照すると、第３の検査回路４０は、比較判定部２５と、記憶ブロック４２を備えた構成となっている。記憶ブロック４２は、記憶部４３と第８受光部４５で構成され、記憶部４３は第２の検査回路３０から出力された判定値を記憶すると共に最終判定信号として第２出力端から出力し、第８受光部４５は光ビームの照射を受けて記憶部４３を初期化する。
【００７５】
この記憶ブロック４２の動作は次のようになる。受光部４５に光ビームが照射されると、初期化信号が記憶部４３の初期化信号入力端に送られ、記憶部４３の記憶情報は初期化される。記憶部４３は、比較判定部２５から出力されデータ入力端に入力される判定値を遂次記憶する。言い換えると、記憶部４３のデータ入力端に入力される判定値は、信号“０”か信号“１”のいずれかであるが、もし信号“１”が入力されたら、この事実を以降記憶しておき最終判定値として第２出力端から出力する。最終判定値は信号“０”か信号“１”のいずれかであり、信号“０”は記憶部４３に“１”なる判定値が初期化以降入力されていないことを示し、信号“１”は記憶部４３に初期化以降少なくとも１回以上“１”なる判定値が入力されたことを示す。
【００７６】
次に、記憶ブロック４３の一具体例について説明する。図８（ｂ）を参照すると、この具体例は、記憶部４３がＲＳフリップフロップ（以下、ＲＳＦ／Ｆとする）で構成され、第８受光部４５がカソードとアノードがＶＤＤとノードＮ１４にそれぞれ接続されたＰＤ８と、両端がノードＮ１４とＧＮＤにそれぞれ接続されたＲ１０で構成される。そして、ＲＳＦ／Ｆのセット信号入力端子（以下、Ｓ端子とする），初期化信号入力端子（以下、Ｒ端子とする）及びＱ端子が、それぞれ記憶部４３のデータ入力端，初期化信号入力端及び第２出力端となる。そして、比較判定部２５から出力された判定値信号及びノードＮ１４から出力される初期化信号がそれぞれＳ端子及びＲ端子に入力され、第２出力端であるＲＳＦ／ＦのＱ端子から最終判定値が出力される。
【００７７】
次に、この具体例の記憶ブロック４３の動作について説明する。ＰＤ８に光ビームが照射されるとＰＤ８がＯＮ状態となり、ノードＮ１４の電位がＧＮＤからほぼＶＤＤに上昇するので、ＲＳＦ／ＦのＲ端子に電源電圧が印加、即ち信号“１”が印加される。これによりＲＳＦ／ＦのＱ端子の出力は“０”信号となり、初期化が完了する。ＰＤ８に光ビームの照射が無ければ、Ｒ端子には信号“０”が印加されている。比較判定部２５から出力される判定値として信号“０”か“１”がＲＳＦ／ＦのＳ端子に印加されるが、１回でも信号“１”が入力されると、ＲＳＦ／Ｆの機能によりＱ端子に信号“１”が出力される。この出力は以後維持され、ＲＳＦ／Ｆが再度初期化されるまで、この値を保持し続ける。このＱ端子の出力が最終判定値となる。即ち、記憶部４３は初期化後、信号“１”か“０”の判定値を記憶し、信号“１”の入力があった場合、信号“１”を最終判定値として出力し、信号“１”の入力が無い場合には、信号“０”を最終判定値として出力する機能を有する。
【００７８】
次に、記憶ブロック４２の他の具体例について説明する。図９は他の具体例の記憶ブロック４２ａの回路図である。記憶ブロック４２ａは、ＲＳＦ／Ｆで構成された記憶部４３と、カソードとアノードがノードＮ１５とＧＮＤにそれぞれ接続されたＰＤ８ａ及び両端がＶＤＤとノードＮ１５にそれぞれ接続されたＲ１０ａで構成された第８受光部４５ａと、入力端がノードＮ１５に接続された反転回路（以下、ＩＮＶとする）４７で構成され、ＩＮＶ４７から出力される信号が記憶部４３の初期化信号入力端であるＲＳＦ／ＦのＲ端子に入力される。この第８受光部４５ａのノードＮ１５ａの光ビームの照射の有無に対応する信号値は、図８（ｂ）の第８受光部４５のノードＮ１５の光ビームの照射の有無に対応する信号値と逆になっているが、ＩＮＶ４７を介してＲＳＦ／ＦのＲ端子に入力することで、記憶ブロック４２ａも記憶ブロック４２と全く同様の動作をすることが分かる。
【００７９】
次に本発明の第４の実施形態について、図面を参照して詳細に説明する。図１０は、本実施形態の第４の検査回路６０を説明するための図で、（ａ）は全体構成を示すブロック図、（ｂ）は（ａ）の電流変調回路５０の構成の一具体例を示す回路図である。尚、第４の検査回路６０も、改めて図示しないが、ＬＳＩ１１０で第２の検査回路３０の代わりに搭載されたもの、即ちＬＳＩ１１０の第２端子１１に接続されたものとして説明する。図１０を参照すると、第４の検査回路６０は、第３の検査回路４０に電流変調回路５０が付加された構成、従って比較判定部２５と記憶ブロック４２と電流変調回路５０を備えた構成となっている。第３の検査回路４０を構成する比較判定部２５や記憶ブロック４２は上記説明のとおりであり、以下、電流変調回路５０を中心に説明する。電流変調回路５０は、第９受光部５１と電流制御部５２で構成される。第３の検査回路４０の記憶ブロック４２から出力された最終判定値は電流制御部５２に送られる。電流制御部５２はＶＤＤとＧＮＤに接続されている。第９受光部５１は電流制御部５２に接続され、第９受光部５１に対する光ビームの照射の有無に応じた信号を電流制御部５２に伝達する。
【００８０】
次に、電流変調回路５０の動作を説明する。電流制御部５２は、受光部５１から受光部５１における光ビームの照射の有無に応じた信号を受け、光ビームが照射されていた場合に、記憶ブロック４２から出力された最終判定値が信号“１”であればＶＤＤからＧＮＤに電流を流し、それ以外のときには電流を流さない機能を有する。この電流を不図示の電流観測装置、例えばＬＳＩテスタ等で観測することにより最終判定値が“１”であるか“０”であるかが分かる。即ち、受光部５１への光ビームの照射時と非照射時とで、ＶＤＤ−ＧＮＤ間に流れる電流に差があれば最終判定値は“１”であり、差が無ければ“０”であると判断できる。
【００８１】
次に、電流変調回路５０の一具体例を、図１０（ｂ）を参照して説明する。図１０（ｂ）を参照すると、第９受光部５１は、カソードとアノードがＶＤＤとノードＮ１６にそれぞれ接続されたＰＤ９と、両端がノードＮ１６とＧＮＤにそれぞれ接続されたＲ１１で構成されており、ノードＮ１６が第９受光部５１の出力端となっている。又、電流制御部５２は、ＮＭ３，ＮＭ４及びＲ１２で構成され、Ｒ１２の両端がＮＭ４のソース電極とＧＮＤにそれぞれ接続され、ＮＭ４のゲート電極がノードＮ１６と接続され、ＮＭ４のドレイン電極とＶＤＤの間にＮＭ３のソース・ドレイン路が接続され、ＮＭ３のゲート電極が電流制御部５２の入力端となって、記憶ブロック４２から出力された最終判定値が印加される。
【００８２】
次に、この電流変調回路５０の動作を説明する。最終判定値が“０”であった場合、その電位は通常ＧＮＤレベルでありＮＭ３はＯＦＦ  状態となるので、ＰＤ９への光ビームの照射の有無に関わらず、電流変調回路５０のＶＤＤ−ＧＮＤ間に電流は流れない。一方、最終判定値が“１”であった場合、その電位は通常ＶＤＤレベルであってＮＭ３がＯＮ状態となり、ＰＤ９へ光ビームが照射されるとノードＮ１６の電位が上昇してＮＭ４もＯＮ状態となり、電流変調回路５０のＶＤＤ−ＧＮＤ間に電流が流れる。但し、ＰＤ９への光ビームの照射が無いときにはノードＮ１６の電位はＧＮＤレベルでＮＭ４はＯＦＦ  状態であり、電流変調回路５０のＶＤＤ−ＧＮＤ間に電流は流れない。この電流は、通常、被検査対象ＬＳＩ１１０の電源電流との合計値として観測されるために、不図示の電源電流観測装置を用いて、ＰＤ９への光ビームの照射の有無に対応して電源電流の観測結果が増減すれば最終判定値は“１”であることが分かる。逆に光ビームの照射の有無によって電源電流の観測結果が変化しなければ、最終判定値は“０”であることが分かる。
【００８３】
次に、電流変調回路５０の他の具体例を説明する。図１１は、他の具体例の電流変調回路５０ａの回路図である。図１１を参照すると、電流変調回路５０ａは記憶部４３の第２出力端であるＲＳＦ／ＦのＱ端子と所定の電源であるＧＮＤとの間に接続された第９光応答手段５５で構成され、第９光応答手段５５はＰＤ９ａとＲ１１ａで構成されている。尚、ＰＤ９ａのカソードがＲＳＦ／ＦのＱ端子と接続され、ＰＤ９ａのアノードとＧＮＤとの間にＲ１１ａの両端がそれぞれ接続されている。この電流変調回路５０ａにおいても、最終判定値が“１”であった場合にのみ、ＰＤ９ａに光ビームが照射されると、Ｑ端子、ＰＤ９ａ及びＲ１１ａの経路でＶＤＤ−ＧＮＤ間に流れる電流が被検査対象ＬＳＩ１１０の電源電流に加算されるのは、電流変調回路の５０と同様であり、詳細な説明は省略する。
【００８４】
次に、ＬＳＩが信号入力用電極である第１端子、信号出力用電極である第２端子と、信号入力用電極と信号出力用電極を兼ねた第３端子を備えている場合の構成について説明する。図１２は、第１端子，第２端子及び第３端子を全て備えたＬＳＩ１２０の模式的なブロック図である。図１２に示されるように、ＬＳＩ１２０は、第１端子７１と、第２端子７３と、第３端子７５と、内部回路部１２２と、ＶＤＤ及びＧＮＤを備え、更に、第１端子７１には第１の検査回路１０＿１が接続され、第２端子７３には第４の検査回路６０＿１が接続され、第３端子７５には第１の検査回路１０＿２及び第４の検査回路６０＿２が接続されている。即ち、第３端子７５は、信号入力用電極である、と同時に信号出力用電極でもあるので、それぞれに対応する検査回路が接続されている。
【００８５】
尚、ＬＳＩ１２０が実際の装置に搭載されて使用される際は、通常、第１端子７１，第２端子７３及び第３端子７５を含む各端子がワイヤボンディング等の公知の接続技術により外部端子に接続されて使用される。これは、先に説明したＬＳＩ１００やＬＳＩ１１０の場合も同様である。
【００８６】
第１端子７１に接続された第１の検査回路１０＿１は、光ビームの照射により非接触で第１端子７１に所望の電気信号を印加し、検査対象であるＬＳＩ１２０に対して電気信号を入力している。同様に、第３端子７５に接続された第１の検査回路１０＿２は、光ビームの照射により非接触で第３端子７５に所望の電気信号を印加し、ＬＳＩ１２０に対して電気信号を入力している。
【００８７】
第２端子７３に接続された第４の検査回路６０＿１は、光ビームの照射により非接触で内部回路部１２２から第２端子７３に出力された信号値が所定の期待値と一致しているか判定し、判定結果に応じてＬＳＩ１２０の電源電流を変調する。同様に、第３端子７５に接続された第４の検査回路６０＿２は、光ビームの照射により非接触で内部回路部１２２から第３端子７５に出力された信号値が所定の期待値と一致しているか判定し、判定結果に応じてＬＳＩ１２０の電源電流を変調する。
【００８８】
尚、第３端子７５に接続された第１の検査回路１０＿２及び第４の検査回路６０＿２が同時に動作させられることは無い。
【００８９】
又、第１の検査回路１０＿１及び第１の検査回路１０＿２の機能は上述した第１の検査回路１０と同じであり、第４の検査回路６０＿１及び第４の検査回路６０＿２の機能は第４の検査回路６０と同じであるので詳細な説明は省略する。
【００９０】
次に、ＬＳＩ１２０の検査方法について図面を参照して説明する。図１３は、ＬＳＩ１２０の検査方法の一例を説明するフローチャートである。ＬＳＩの検査においては、予め定められた入力信号をＬＳＩに入力したときに、予め定められた期待値信号と一致した出力信号が出力されれば、ＬＳＩは良品と判断され、一致しなければ不良品と判断される。
【００９１】
本発明のＬＳＩの検査方法は、複数の光ビームの照射の有無の組み合わせにより、所望の信号を印加する第１検査回路及び出力された信号と期待値との比較を行う機能を有する第２検査回路を備えたＬＳＩの検査方法であって、
予め定められた波長、強度、大きさの光ビームを第２検査回路の予め定められた場所の受光部に照射し初期化を行うステップ（図１３のステップ１０１とステップ１０２）と、
予め定められた波長、強度、大きさの光ビームを予め定められたスケジュールで第１検査回路の予め定められた場所の受光部に照射して、当該ＬＳＩにテスト信号を入力するステップ（図１３のステップ１０３とステップ１０４）と、
予め定められた波長、強度、大きさの光ビームを予め定められたスケジュールで第２検査回路の予め定められた場所の受光部に照射して、当該ＬＳＩの出力信号と期待値とを比較し、比較結果を判定値として出力するステップ（図１３のステップ１０５とステップ１０６）と、
予め定められた波長、強度、大きさの光ビームを第２検査回路の予め定められた場所の受光部に照射し、当該ＬＳＩの電源電流の増加の有無でＬＳＩの検査結果を知るステップ（図１３のステップ１０７とステップ１０８）を、含み構成される。
【００９２】
尚、ＬＳＩ１２０では、第１の検査回路１０＿１及び第１の検査回路１０＿２が上記ＬＳＩの検査方法における第１検査回路に該当し、第４の検査回路６０＿１及び第４の検査回路６０＿２が第２検査回路に該当する。以下、具体的に説明する。
【００９３】
ＬＳＩ１２０の検査を実施するには、予め定められた入力信号を生成するために、第１の検査回路１０＿１や第１の検査回路１０＿２に対し、それぞれ２本の光ビームを適当なタイミングで照射／無照射を行い、予め定められた入力信号を生成する。生成された入力信号は第１端子７１や第３端子７５を介してＬＳＩ１２０に入力される（図１３のステップ１０３、ステップ１０４）。
【００９４】
ＬＳＩ１２０の出力は第２端子７３や第３端子７５に表われる。これらの信号が予め定められた期待値信号と一致するか否かを判断するため、第４の検査回路６０＿１に含まれる比較判定部２５＿１や第４の検査回路６０＿２に含まれる比較判定部２５＿２に５本の光ビームをそれぞれ適当なタイミングで照射／無照射を行う。期待値信号と出力信号との比較は複数の時刻で行われるのが普通である、各時刻において期待値信号と出力信号との比較が実施され、その度に、一致、不一致の判定値が比較判定部２５＿１や比較判定部２５＿２から出力される（図１３のステップ１０５、ステップ１０６）。
【００９５】
検査開始前に第４の検査回路６０＿１含まれる記憶ブロック４２＿１及び第４の検査回路６０＿２に含まれる記憶ブロック４２＿２に光ビームを照射することで、これらの記憶状態は初期化されている（図１３のステップ１０１、ステップ１０２）。検査開始によって、各時刻における期待値信号と出力信号との一致、不一致の判定値が記憶ブロック４２＿１や記憶ブロック４２＿２に送られてくる。記憶ブロック４２＿１や記憶ブロック４２＿２では判定値として不一致が送られてきたかどうかを記憶し、最終的に光ビームの照射によって不一致が送られてきたか否かを最終判定値（不一致の有無）としてそれぞれ出力する。この出力を観測することでＬＳＩ１２０の検査結果が判明する。又、記憶ブロック４２＿１や記憶ブロック４２＿２の最終判定値の出力を不図示の論理和回路（或いは論理積回路）で圧縮して１つの圧縮出力とすることで、この圧縮出力のみを観測することでＬＳＩ１２０の検査結果を知ることが可能となる。
【００９６】
第４の検査回路６０＿１に含まれる電流変調回路５０＿１や第４の検査回路６０＿２に含まれる電流変調回路５０＿２では、光ビームの照射／無照射と最終判定値によってＬＳＩ１２０の電源電流に反映させる（図１３のステップ１０７、ステップ１０８）。即ち、不一致があれば光ビームの照射により電源電流値を増加させ、光ビームの無照射時、又は不一致が無い場合には電源電流を増加させない。
【００９７】
最終的にＬＳＩテスタ等の電源電流観測装置（図示せず）によって電源電流を観測し、電流変調回路５０＿１や電流変調回路５０＿２に光ビームが照射されたとき電源電流が増加すればＬＳＩ１２０は不良品と判定され、電源電流が不変であればＬＳＩ１２０は良品と判定される。
【００９８】
次に具体的なテスト信号を用いたＬＳＩの検査手法を説明する。
図１４は、図１２に示したＬＳＩ１２０を検査するためのテスト信号（入力信号、出力期待値信号）の一例をタイミングチャート風に表した図である。図１４に示した例を用いてＬＳＩ１２０の検査方法を具体的に説明する。
【００９９】
第１の検査回路１０＿１は光ビームＡ１と光ビームＡ２の照射の有無により信号“０”，“１”，“Ｚ”を生成し、第１端子７１に印加する。第１の検査回路１０＿１は光ビームＡ１のみが照射されたときに信号“１”を生成し、光ビームＡ２のみが照射されたときに信号“０”を生成する。いずれの光ビームも照射されないときには信号“Ｚ”を生成する。
【０１００】
第１の検査回路１０＿２は光ビームＢ１と光ビームＢ２の照射の有無により信号“０”，“１”，“Ｚ”を生成し、第３端子７５に印加する。第１の検査回路１０＿２は光ビームＢ１のみが照射されたときに信号“１”を生成し、光ビームＢ２のみが照射されたときに信号“０”を生成する。光ビームＢ１，Ｂ２のいずれも照射されないときには信号“Ｚ”を生成する。更に、比較判定部２５＿２は光ビームＣ１〜Ｃ５の５本の光ビームの照射／無照射により、第３端子７５の信号値を観測し、特定の時刻において期待信号値との比較を行い、両者の一致、不一致を判定し、判定値を記憶ブロック４２＿２に伝達する。第３端子７５の信号値が“１”であるかの判定には（即ち、出力期待信号値は“１”）、光ビームＣ１と光ビームＣ４を照射し、光ビームＣ２と光ビームＣ３は照射しない。このような状態において、信号値を判定する時刻において光ビームＣ５を照射すると、この時点で第３端子７５の信号値が“１”であれば一致なる判定値を出力し、信号値が“１”以外の場合には不一致なる判定値を出力する。同様に第３端子７５の信号値が“０”であるかの判定には（即ち、出力期待信号値は“０”）、光ビームＣ２と光ビームＣ３を照射し、光ビームＣ１と光ビームＣ４は照射しない。このような状態において、信号値を判定する時刻において光ビームＣ５を照射すると、この時点で第３端子７５の信号値が“０”であれば一致なる判定値を出力し、信号値が“０”以外の場合には不一致なる判定値を出力する。更に、第３端子７５の信号値が“Ｚ”であるかの判定には（即ち、出力期待信号値は“Ｚ”）、光ビームＣ１と光ビームＣ３を照射し、光ビームＣ２と光ビームＣ４は照射しない。このような状態において、信号値を判定する第１の時刻において光ビームＣ５を照射する、続いて、光ビームＣ２と光ビームＣ４を照射し、光ビームＣ１と光ビームＣ３は照射しない。このような状態において、信号値を判定する第２の時刻において光ビームＣ５を照射する。信号値を判定する第１の時刻、及び第２の時刻において入出力端子の値が常に“Ｚ”であれば一致なる判定値を出力し、そうでなければ不一致なる判定値を出力する。
【０１０１】
記憶ブロック４２＿２は光ビームＣ６の照射によって記憶が初期化される。電流変調回路５０＿２は光ビームＣ７の照射によって記憶ブロック４２＿２に不一致が記憶されていれば電源電流値を増大させ、一致しか記憶されていなければ電源電流値に影響を与えない。
【０１０２】
比較判定部２５＿１は、５本の光ビームＤ１〜Ｄ５の照射／無照射によって、第２端子７３の信号値と期待値との比較を行い、判定値を出力する。第２端子７３の値が“１”であるかの判定には、光ビームＤ１と光ビームＤ４を照射し、光ビームＤ２と光ビームＤ３は照射しない、判定時刻において光ビームＤ５を照射することで、この時刻で第２端子７３の信号値が“１”であれば一致なる判定値を出力し、そうでなければ不一致なる判定値を出力する。又、第２端子７３の値が“０”であるかの判定には、光ビームＤ２と光ビームＤ３を照射し、光ビームＤ１と光ビームＤ４は照射しない、判定時刻において光ビームＤ５を照射することで、この時刻で第２端子７３の信号値が“０”であれば一致なる判定値を出力し、そうでなければ不一致なる判定値を出力する。更に、第２端子７３の値が“Ｚ”であるかの判定には、光ビームＤ１と光ビームＤ３を照射し、光ビームＤ２と光ビームＤ４は照射しない、そして第１の判定時刻において光ビームＤ５を照射する。次に、光ビームＤ２と光ビームＤ４を照射し、光ビームＤ１と光ビームＤ３は照射しない、そして第２の判定時刻において光ビームＤ５を照射する。いずれの判定時刻においても第２端子７３の信号値が“Ｚ”であれば一致なる判定値を出力し、そうでなければ不一致なる判定値を出力する。記憶ブロック４２＿１は光ビームＤ６の照射により記憶状態が初期化され、以降比較判定部２５＿１から送られてくる一致、不一致の判定値を記憶する。電流変調回路５０＿１は記憶ブロック４２＿１に不一致の記憶があれば、光ビームＤ７の照射により電源電流を増加させる。
【０１０３】
第１端子７１に印加されるテスト信号は図１４に示すように時刻Ｔ１〜Ｔ６において“０”，“１”，“１”，“０”，“１”，“０”である。これらのテスト信号を第１端子７１に印加するために、光ビームＡ１と光ビームＡ２を図１４に示したようなスケジュールで照射する。ここで斜線で塗りつぶされている区間が各光ビームを照射している期間である（図１４中の他の光ビームも同じ意味）。即ち、光ビームＡ１の照射によって信号“１”を、光ビームＡ２の照射によって信号“０”を第１端子７１に印加している。
【０１０４】
第３端子７５は信号入出力兼用端子であり、信号の入力と出力に用いられる。図１４に示した例では、時刻Ｔ１、Ｔ２において信号“１”，“０”を印加し、時刻Ｔ３，Ｔ４においては出力信号が表われ、その期待信号値はいずれも“１”である（“Ｈ”は出力期待値が“１”であることを示す）。続く時刻Ｔ５では信号“０”が印加され、時刻Ｔ６では再度出力信号が表われ、その期待値は“０”となる（“Ｌ”は出力期待値が“０”であることを示す）。これらの信号を印加、観測するために図１４に示すようなスケジュールで光ビームＢ１，Ｂ２、光ビームＣ１〜Ｃ５が照射される。即ち、時刻Ｔ１で信号“１”を印加するために光ビームＢ１が照射され、時刻Ｔ２及び時刻Ｔ５で信号“０”を印加するために光ビームＢ２が照射される。時刻Ｔ３，Ｔ４での期待値信号値“１”との判定においては、光ビームＣ１，Ｃ４を照射し、光ビームＣ２，Ｃ３を無照射としている。そして判定タイミングにおいて光ビームＣ５を照射し、第３端子７５における信号値と期待値“１”との一致を判定している。又時刻Ｔ６での期待値信号値“０”に対する判定では光ビームＣ２，Ｃ３を照射すると共に、光ビームＣ１，Ｃ４を無照射としている。そして判定タイミングにおいて光ビームＣ５を照射し、第３端子７５における出力信号値と期待値“０”との一致を判定している。尚、これに先立ち、記憶ブロック４２＿２を初期化するために時刻Ｔ０に光ビームＣ６を照射している。
【０１０５】
第２端子７３は出力端子であり、出力信号のみが表われる。“Ｈ”と“Ｌ”の意味は第３端子７５の場合と同じであり、それぞれ期待信号値が“１”、“０”であることを示す。更に、“Ｘ”は期待信号値が不定、或いは判定の必要が無いことを意味し、“Ｚ”は期待信号値が“Ｚ”であることを意味する。時刻Ｔ１，Ｔ２では第２端子７３の信号値の判定の必要が無いために光ビームＤ１〜Ｄ５は照射されない。時刻Ｔ３，Ｔ６においては期待信号値が“１”であるために光ビームＤ１とＤ４が照射され、光ビームＤ２とＤ３は無照射である。そして、判定タイミングにおいて光ビームＤ５が照射されて第２端子７３における出力信号値と期待信号値“１”との比較が行われ、一致が判定される。時刻Ｔ４では期待信号値が“０”であるため、光ビームＤ２とＤ３が照射され、光ビームＤ１とＤ４は照射されない。そして、判定タイミングにおいて光ビームＤ５が照射されて第２端子７３における出力信号値と期待信号値“０”との比較が行われ、一致が判定される。時刻Ｔ５では第２端子７３の出力信号値が“Ｚ”であるか否かを判定している。そのために先ず光ビームＤ１とＤ３を照射し、光ビームＤ２とＤ４とを無照射としている。そして第１の判定タイミングにおいて光ビームＤ５を照射している。更に、光ビームＤ１とＤ３の照射を停止すると共に、光ビームＤ２とＤ４の照射を開始している。そして第２の判定タイミングにおいて光ビームＤ５を照射している。これにより第２端子７３の出力信号値がそれぞれの判定タイミングで“Ｚ”であれは判定値として一致が得られる。尚、これらに先立ち記憶ブロック４２＿１の初期化のために光ビームＤ６を時刻Ｔ０において照射している。最終的にＬＳＩ１２０の出力信号値が期待信号値と一致したか否かを判断するために時刻Ｔ７以降に光ビームＣ７及びＤ７を照射している。もし、不一致が存在した場合、光ビームＣ７及びＤ７の照射時にのみ電源電流値が上昇することが観察されるために、不図示の電源電流観測装置によって、その増加を検知することでＬＳＩ１２０の出力信号値と期待信号値との比較結果が判明し、即ち、ＬＳＩ１２０の検査結果が得られることとなる。
【０１０６】
尚、本発明は上記実施形態の説明に限定されるものでなく、その要旨の範囲内において種々変更が可能である。例えば、上記実施形態は各検査回路がＬＳＩの各端子に接続された例で説明したが、必要に応じて内部回路部の特定のノードに接続するようにしてもよい。特に、ＬＳＩの開発時の各種評価等に際して、予めこのような検査回路が組み込まれていれば、内部回路の詳細な評価が可能になるという効果がある。又、必ずしも全ての信号端子に検査回路接続する必要は無く、各信号端子で入力或いは出力される信号の特性に応じて選択的に接続してもよい。
【０１０７】
【発明の効果】
以上説明したとおり、本発明によれば、ウエハ状態のＬＳＩの電気的特性を、信号用電極に非接触で検査することができる。このため、電源供給用のプローブさえ準備すればよく、プローブの作成が容易になると共に、プローブの機械的接触によるＬＳＩの破壊の虞も低減できる、という効果が得られる。
【０１０８】
又、検査における信号の印加や観測にプローブとして光ビームを用いることで、プローブサイズの微細化やプローブ位置精度の高精度化が可能となり、より高密度なＬＳＩの検査が実施できる、という効果も得られる。
【０１０９】
更に、光ビームを用いて電気信号を印加、観測するので、インダクタンス等の影響を受けず高速に電気信号の印加、観測が可能となり、より高い周波数を用いたＬＳＩの検査を容易に実施できる、という効果も得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の検査回路及びこの検査回路を内蔵するＬＳＩの第１の実施形態を説明するための図で、（ａ）はＬＳＩの模式的な概略平面図、（ｂ）はこのＬＳＩに内蔵される第１の検査回路の構成を示すブロック図である。
【図２】第１の検査回路によるＬＳＩへの信号入力方法を説明する図である。
【図３】第１の検査回路の具体例を示す回路図である。
【図４】第１の検査回路の変形例を説明するための図で、（ａ）及び（ｂ）はそれぞれブロック図と、一例の具体的な回路図である。
【図５】本発明の第２の実施形態を説明するための図で、（ａ）はＬＳＩの模式的な概略平面図、（ｂ）はこのＬＳＩに内蔵される第２の検査回路の構成を示すブロック図である。
【図６】第２の検査回路の一具体例を説明するための図で、（ａ）は全体回路図、（ｂ）及び（ｃ）はゲート部の詳細回路の例である。
【図７】第２の検査回路の変形例を説明するための図で、（ａ）及び（ｂ）はそれぞれブロック図と、一例の具体的な回路図である。
【図８】本発明の第３の実施形態の第３の検査回路説明するための図で、（ａ）は全体構成を示すブロック図、（ｂ）は（ａ）の記憶回路の構成を示す回路図である。
【図９】他の具体例の記憶ブロックの回路図である。
【図１０】本発明の第４の実施形態の第４の検査回路を説明するための図で、（ａ）は全体構成を示すブロック図、（ｂ）は（ａ）の電流変調回路の構成の一具体例を示す回路図である。
【図１１】他の具体例の電流変調回路の回路図である。
【図１２】第１端子，第２端子，並びに信号入力用電極及び信号出力用電極を兼ねた第３端子を全て備えたＬＳＩの模式的なブロック図である。
【図１３】図１２のＬＳＩの検査方法の一例を説明するフローチャートである。
【図１４】図１２に示したＬＳＩを検査するためのテスト信号（入力信号、出力期待値信号）の一例をタイミングチャート風に表した図である。
【符号の説明】
１    第１受光部
２    第２受光部
３    “１”信号供給部
４，１３    出力制御部
５    “０”信号供給部
６，７１    第１端子
７    第１光応答手段
８    第２光応答手段
１０    第１の検査回路
１１，７３    第２端子
１２    第３受光部
１４    第４受光部
１６    第５受光部
１７    制御部
１８    第６受光部
１９，３５    比較部
２０    ゲート部
２１    第７受光部
２５    比較判定部
３０    第２の検査回路
３１    第３光応答手段
３２    第４光応答手段
３３    第５光応答手段
３４    第６光応答手段
３６    第７光応答手段
４０    第３の検査回路
４２    記憶ブロック
４３    記憶部
４５    第８受光部
４７    ＩＮＶ
５０    電流変調回路
５１    第９受光部
５２    電流制御部
５５    第９光応答手段
６０    第４の検査回路
７５    第３端子
１００，１１０，１２０    ＬＳＩ
１０２，１１２，１２２    内部回路部
【図１】
2004264236.tif 000003
【図２】
2004264236.tif 000004
【図３】
2004264236.tif 000005
【図４】
2004264236.tif 000006
【図５】
2004264236.tif 000007
【図６】
2004264236.tif 000008
【図７】
2004264236.tif 000009
【図８】
2004264236.tif 000010
【図９】
2004264236.tif 000011
【図１０】
2004264236.tif 000012
【図１１】
2004264236.tif 000013
【図１２】
2004264236.tif 000014
【図１３】
2004264236.tif 000015
【図１４】
2004264236.tif 000016