(57)【要約】【課題】本発明においては、したがって、従来から使用されている品種の基本的な特性を変えることなく、キク科植物個体において側枝数を減少させて、摘蕾・摘芽作業に割かれていた多くの労力を低減することを課題とする。【解決手段】本発明は、無側枝性または少側枝性の形質を示す改良されたキク科植物個体を提供する。本発明はまた、キク科植物個体由来の植物組織片または植物細胞に対して放射線（イオンビームなど）を照射し、その放射線照射された植物組織片または植物細胞を培養した後に順化・育苗して挿し穂を形成し、その挿し穂を生長させることにより個体を育成し、さらに育成されたキク科植物個体の中から無側枝性または少側枝性の形質を有する個体を選抜することにより、無側枝性または少側枝性の形質を示す改良されたキク科植物個体を生産する方法を提供する。【選択図】  なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
無側枝性または少側枝性キク科植物個体。
【請求項２】
側枝形成が元品種と比較して少なくとも５０％抑制された、請求項１に記載の無側枝性または少側枝性キク科植物個体。
【請求項３】
キク科植物が、キク属、シオン属、アスター属、ガーベラ属、ダリア属、コスモス属、ジニア属、ヒナギク属、またはヒマワリ属のいずれかに由来する、請求項１または２に記載の無側枝性または少側枝性キク科植物個体。
【請求項４】
キク属の植物個体がキク節に属する、請求項３に記載の無側枝性または少側枝性キク科植物個体。
【請求項５】
キク節の植物個体が品種「神馬」である、請求項４に記載の無側枝性または少側枝性キク科植物個体。
【請求項６】
さらに早生形質を有する、請求項１〜５のいずれか１項に記載の無側枝性または少側枝性キク科植物個体。
【請求項７】
ゲノムＤＮＡ量が無処置個体と比較して９８％以上維持されている、請求項６に記載の無側枝性または少側枝性キク科植物個体。
【請求項８】
キク科植物個体由来の植物組織片または植物細胞に対して放射線を照射し、その放射線照射された植物組織片または植物細胞から個体を育成し、育成されたキク科植物個体の中から無側枝性または少側枝性の形質を有する個体を選抜することを含む、無側枝性または少側枝性キク科植物個体の生産方法。
【請求項９】
前記放射線照射された植物組織片または植物細胞を、培養した後に順化・育苗して挿し穂を形成し、その挿し穂を生長させることにより個体を育成する、請求項８に記載の無側枝性または少側枝性キク科植物個体の生産方法。
【請求項１０】
キク科植物が、キク属、シオン属、アスター属、ガーベラ属、ダリア属、コスモス属、ジニア属、ヒナギク属、またはヒマワリ属のいずれかに由来する、請求項８または９のいずれか１項に記載の無側枝性または少側枝性キク科植物個体の生産方法。
【請求項１１】
キク属の植物個体がキク節に属する、請求項１０に記載の無側枝性または少側枝性キク科植物個体の生産方法。
【請求項１２】
キク節の植物個体が品種「神馬」である、請求項１１に記載の無側枝性または少側枝性キク科植物個体の生産方法。
【請求項１３】
植物組織片または植物細胞が、葉片または花弁に由来する、請求項８〜１２のいずれか１項に記載の無側枝性または少側枝性キク科植物個体の生産方法。
【請求項１４】
放射線がイオンビームまたはＸ線である、請求項８〜１３のいずれか１項に記載の無側枝性または少側枝性キク科植物個体の生産方法。
【請求項１５】
イオンビームを０．１〜５００  Ｇｙの線量で照射する、請求項１４に記載の無側枝性または少側枝性キク科植物個体の生産方法。
【請求項１６】
請求項８〜１５のいずれか１項に記載の方法により作出された、無側枝性または少側枝性キク科植物個体。
【請求項１７】
請求項１〜７または１６のいずれか１項に記載の無側枝性または少側枝性キク科植物個体の子孫。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、側枝数が減少されたキク科植物個体に関する。本発明はまた、このような側枝数が減少されたキク科植物個体を生産する方法にも関する。
【０００２】
【従来の技術】
花き類は一般に新奇性が重要で一つの品目の中にも多種多様な品種が存在するが、白系輪ギクについてはその需要が業務用（特に葬儀用）にほぼ特化しているため、他の花き類と異なり主力品種はごく限られる。例えば、同じ白輪ギクでも品種によって花の大きさや花型、白色の程度などが異なるが、業務用では品種の統一性が求められるため、最近まで２０年以上にわたって、「秀芳の力（しゅうほうのちから）」がほぼ唯一の主力品種として栽培されてきた。ところが、花色が純白で生育特性が優れている点などからここ数年で急速に「神馬（じんば）」に品種転換がなされている。
【０００３】
しかしながら、例えば「神馬（じんば）」の場合には、側枝数が多く摘蕾・摘芽作業に多くの労力が必要であること、低温期の花芽分化が順調に行われず開花遅延を引き起こす場合があること、などの欠点があるため、生産現場からこれらの欠点を改善することが強く求められている。
【０００４】
特に側枝数の少ない「無側枝性品種」、すなわち「少側枝性品種」もしくは「無側枝品種」の育成は、輪ギク最大の育種目標と言ってもよい。摘蕾・摘芽作業は、輪ギク生産における栽培管理作業の約４分の１を占めると言われており、例えば実際１０００ｍ２のハウスで４万本のキクを栽培する場合、４万本（キク本数）×３０個（摘蕾・摘芽個数）＝１２０万個の摘蕾・摘芽作業が必要となる。すなわち、年間延べ作付け面積が平均８０００ｍ２〜１００００ｍ２程度の規模になると、年間の摘蕾・摘芽数は側枝数の多い品種を栽培した場合、１千万個以上ということになる。これをすべて手作業で摘蕾・摘芽を行うのでは、非常に多大な労力を必要とする。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
本発明においては、したがって、従来から使用されている品種の基本的な特性を変えることなく、キク科植物個体において側枝数を減少させて、摘蕾・摘芽作業に割かれていた多くの労力を低減することを課題とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明においては、従来から使用されている品種の基本的な特性を変えることなく、側枝数についての欠点のみを改良した、無側枝性または少側枝性キク科植物個体を提供することにより上記課題を解決した。
【０００７】
すなわち、本発明の一態様においては、無側枝性または少側枝性の形質を示す改良されたキク科植物個体を提供する。本発明においてはさらに、上述した無側枝性または少側枝性の形質を示すことに加えて、さらに早生形質を有する改良されたキク科植物個体を提供してもよい。
【０００８】
本発明の別の一態様においては、キク科植物個体由来の植物組織片または植物細胞に対して放射線を照射し、その放射線照射された植物組織片または植物細胞を培養した後に順化・育苗して挿し穂を形成し、その挿し穂を生長させることにより個体を育成し、さらに育成されたキク科植物個体の中から無側枝性または少側枝性の形質を有する個体を選抜することにより、無側枝性または少側枝性の形質を示す改良されたキク科植物個体を生産する方法を提供する。
【０００９】
本発明のさらに別の一態様においては、上述した無側枝性または少側枝性の形質を示す改良されたキク科植物個体の子孫を提供することにも関する。
【００１０】
【発明の実施の形態】
本発明は、その一態様において、無側枝性または少側枝性の形質を示す改良されたキク科植物個体を提供する。本発明において「キク科植物」という場合、キク科に属する植物のいずれが含まれていてもよく、例えばキク属、シオン属、アスター属、ガーベラ属、ダリア属、コスモス属、ジニア属、ヒナギク属、またはヒマワリ属、などに属する植物が含まれるが、これらのものに限定されない。このうち例えばキク属に含まれるキク科植物としてはキク節に含まれる「キク」が、ヒマワリ属に含まれるキク科植物としては「ヒマワリ」が、ダリア属に含まれるキク科植物としては「ダリア」がそれぞれ含まれる。「キク科植物」としてキク属キク節の「キク」を使用する場合、その品種はいずれのものであってもよく、例えば「山陽黄金」、「神馬」、「秀芳の力」、「大平」、などが含まれる。本発明においては、好ましくは、「山陽黄金」または「神馬」を、最も好ましくは「神馬」を使用する。
【００１１】
本発明において「無側枝性または少側枝性」という場合、親となる品種における側枝の数と比較して、側枝の形成が完全に抑制されている場合および側枝の形成が不完全ではあるが有意に抑制されている場合の両方が含まれる。すなわち、「無側枝性または少側枝性」という場合には、形成される側枝の数が、元品種と比較して少なくとも０〜５０％になる場合、好ましくは０〜３０％になる場合、より好ましくは０〜１０％になる場合が含まれる。このようにキク科個体の側枝形成が抑制されることにより、キク科個体の育成段階において摘蕾・摘芽すべき側枝が減少し、その結果キク科植物の育成農家における労力が大幅に減少する。すなわち、側枝形成の程度が減少するのと正比例して、農家の生産時における労力が減少する。
【００１２】
このような無側枝性または少側枝性の特徴を有する改良されたキク科植物は、キク科植物個体由来の植物組織片または植物細胞に対して放射線を照射し、その放射線照射された植物組織片または植物細胞を培養した後に順化・育苗して挿し穂を形成し、その挿し穂を挿し芽してさらに生長させることにより個体を育成し、その後育成されたキク科植物個体の中から無側枝性または少側枝性の形質を有する個体を選抜することにより、生産することができる。
【００１３】
変異導入植物個体を作出するためには、従来から植物個体や種子への放射線の照射が主として使用されており、本発明においても従来から使用されてきたそのような方法を用いてもかまわない。しかしながら、突然変異が起きた場合でも照射当代では変異細胞と正常細胞とのキメラになる場合には、次世代から変異体個体を選抜する必要があるため、変異個体を選抜する効率が悪く、そのため開発スピードが遅いという欠点が存在していた。しかしながら、近年では放射線照射と培養を組み合わせてキメラを解消する技術が進歩したことから、本発明においては、葉片や花弁などの組織に放射線を照射して細胞単位で変異を誘発し、組織や細胞レベルからキメラを介さずに直接的に植物体を再生する、照射当代を利用する変異体個体作出方法を使用することが好ましい。
【００１４】
本発明において「放射線」という場合、例えばＸ線、イオンビーム、γ線、電子線、中性子線などを使用することができる。本発明においては、Ｘ線、イオンビームを使用することが好ましく、イオンビームを使用することが最も好ましい。放射線としてイオンビームを使用する場合、線種としてはどのイオンを使用してもよいが、例えば１０〜５０００ＭｅＶのヘリウムイオン、炭素イオン、ネオンイオン、アルゴンイオンなどを使用することができる。本発明において使用する場合のイオンビームの線量は、放射線を照射するキク科植物の種類によって異なるものの、０．１〜５００  Ｇｙの線量で照射することが好ましい。例えば、キク属キク節に属する品種「神馬」の場合には、好ましくは０．１〜１０  Ｇｙ、より好ましくは１〜５  Ｇｙ、最も好ましくは２〜４  Ｇｙの線量で照射する。また、キク属キク節に属する「大平」の場合には、好ましくは１〜５００  Ｇｙ、より好ましくは５〜５０  Ｇｙ、最も好ましくは５〜１５  Ｇｙの線量で照射する。
【００１５】
本発明において提供される無側枝性または少側枝性の特徴を有するキク科植物は、結果として園芸植物として望ましくない形質、例えば花の美しさが求められる植物において花が奇形や劣化する形質、切り花類において生育収量が減少する形質、種子を形成する植物において不稔となる形質など、が発現しない程度のゲノムＤＮＡ量を維持していることが必要とされる。理論に縛られることを望むものではないが、放射線を照射して変異を生じさせる場合に、ゲノムＤＮＡ量が無処置個体と比較して一定以下に減少すると、おそらくはそれに比例して遺伝子欠失が多数発生し、その結果として上述した園芸植物として望ましくない形質が発現するようになると考えられる。したがって、本発明の無側枝性または少側枝性キク科植物個体におけるゲノムＤＮＡ量が無処置個体のゲノムＤＮＡ量と比較して、少なくとも９０％以上、より好ましくは９５％、さらに好ましくは９８％以上維持されていることを特徴とすることが好ましい。
【００１６】
低温期の花芽分化が順調に行われる早生の品種は、低温期の花芽分化が順調に行われず開花遅延を引き起こす品種と比較して、生育期間を短縮することができ、その結果生産効率を大幅にあげることが可能である。例えば上述したキク品種「神馬」は低温期の花芽分化が順調に行われず開花遅延を引き起こす場合がある品種の一つであるため、この品種において早生品種が作出され、生産効率が上昇することが生産農家の間では望まれている。本発明の方法のように植物組織片または植物細胞に放射線を照射する場合、早生形質（すなわち、電照打切り等による花成誘導から開花までの期間が無変異親植物個体よりも短縮された形質）や晩生形質（すなわち、電照打切り等による花成誘導から開花までの期間が無変異親植物個体よりも延長された形質）が、それ以外の形質において生じる変異とは完全に独立して生じる場合がある。したがって、本発明においてはまた、上述したような様々な開花時期を有する変異キク科植物個体の中から、従来から使用されている品種の基本的な特性を変えることなく、低温期であっても花芽分化が順調に行われ開花遅延を引き起こさない早生形質を有するキク科植物個体を選抜することがより好ましい。
【００１７】
本発明の別の一態様において、上述した無側枝性または少側枝性キク科植物個体の子孫もまた提供する。本発明の無側枝性または少側枝性キク科植物個体がいったん樹立された場合、当該植物の一部分を採取して挿し芽としそれを育成すること、あるいは当該植物の組織または細胞を採取して組織培養または細胞培養をした後に順化・育苗して挿し穂を形成し、その挿し穂を生長させることにより育成すること、など方法により、樹立された無側枝性または少側枝性キク科植物個体と遺伝子的に同一なクローン植物個体を作出することができる。本発明において「子孫」という場合、上述したような当該技術分野における既知の方法により作出され樹立された無側枝性または少側枝性キク科植物個体の一部から再生されたクローン植物個体だけでなく、当該技術分野における既知の方法により再生されたクローン植物個体に育成することができる樹立された無側枝性または少側枝性キク科植物個体由来の細胞そのものもまた、含まれる。
【００１８】
【実施例】
実施例１：変異キク科植物個体の作出条件の検討
本実施例においてはまず、キク科植物個体として品種「神馬」を使用して、放射線照射の対象とする組織材料としてどの部位が好ましいかを確認するため、放射線照射をすることなく葉片、花弁、および茎頂の組織片を培養して４月開花の作型で再生個体の特性を検定した。
【００１９】
すなわち、２×４  ｍｍ角に「神馬」の葉片、および花弁を調製し、シャーレ中の固形培地（Ｍｕｒａｓｈｉｇｅ  ＆  Ｓｋｏｏｇ（ＭＳ）培地（Ｐｈｙｓｉｏｌ．  Ｐｌａｎｔ．，  １５，  ４７３−４９７  （１９６０））を基本培地にインドール酢酸５  ｍｇ／ｌ、ベンジルアデノプリン１  ｍｇ／ｌ、ショ糖３％、ジェランガム０．３％を含む）上にシャーレあたり２０切片の葉、または花弁を置床し４週間培養することにより不定芽を誘導させる。
【００２０】
ついで、植物生長調節剤（植物ホルモン）を除いた固形培地に移し、４〜８週間培養することにより不定芽は伸長し、順化可能な大きさに生長した。このような葉片および花弁由来不定芽からの植物体と茎頂培養による植物体を順化させた株は、さらに約１ヶ月育苗すると通常生産者が利用する大きさの挿し穂（茎径約５  ｍｍ）とすることができた。この挿し穂を挿し芽して発根苗をハウス内にて定植し、約４ヶ月育成することにより、草丈１  ｍ程度の切花として開花させることができた。
【００２１】
その結果、葉片由来の再生個体と花弁由来のものとを比較したところ、葉片由来の再生個体は花弁由来のものに比べ、花弁（舌状花）数が３０〜５０枚ほど多く、また葉片由来の再生個体と茎頂培養由来のものとを比較したところ、葉片培養の４月開花の場合の花弁（舌状花）数の中には、茎頂培養における花弁（舌状花）数を上回る個体もみられた（表１）。すなわち培養部位として花弁を利用すると、再生個体の花弁（舌状花）数は減少する傾向にあり、「神馬」では葉片を利用する方が変異誘発に適することがわかった。
【００２２】
【表１】
2004321057.tif 000002
【００２３】
次に、「神馬」の葉片に放射線照射した場合に形成される不定芽形成数を対比することにより、変異誘発のための放射線の適線量を決定した。すなわち、２×４  ｍｍ角の「神馬」の葉片を材料として使用し、シャーレ中の固形培地（ＭＳ培地を基本培地にインドール酢酸５  ｍｇ／ｌ，ベンジルアデノプリン１  ｍｇ／ｌ、ショ糖３％、ジェランガム０．３％を含む）上にシャーレあたり２０切片の葉片を置床して約１週間培養した後、培養した葉片に様々な線量の軟Ｘ線（３．６  Ｇｙ／ｈｒ、５〜３０  Ｇｙ）およびイオンビーム（２２０  ＭｅＶ  １２Ｃ５＋、０．５〜１０  Ｇｙ；３２０  ＭｅＶ  １２Ｃ６＋、１〜５  Ｇｙ；１００  ＭｅＶ  ４Ｈｅ２＋、１〜１０  Ｇｙ）の照射を行った（本明細書の以下において、２２０  ＭｅＶ  １２Ｃ５＋の照射のことをＣ２２０、３２０  ＭｅＶ  １２Ｃ６＋の照射のことをＣ３２０、そして１００  ＭｅＶ  ４Ｈｅ２の照射のことをＨｅ１００と記載する場合がある）。この放射線照射した葉片を４週間培養することにより不定芽を誘導させ、そして伸長させた。
【００２４】
その結果、放射線として軟Ｘ線を使用した場合には、線量の増加に伴い不定芽形成数は減少し、１０  Ｇｙでは無照射の場合の５％以下になった。この結果から、「神馬」に対する軟Ｘ線の適線量は不定芽形成数の半減する線量に相当する３〜５  Ｇｙであると考えられた。同様にイオンビームについて照射後の不定芽形成数を調査したが、各イオンの適線量については不定芽再生率が減少し始める前と判断し、２２０  ＭｅＶ  １２Ｃ５＋（Ｃ２２０）を使用する場合には２  Ｇｙが、３２０  ＭｅＶ  １２Ｃ６＋（Ｃ３２０）を使用する場合には３〜４  Ｇｙが、１００  ＭｅＶ  ４Ｈｅ２＋（Ｈｅ１００）を使用する場合には５  Ｇｙ程度の線量が適正な線量であることがわかった。
【００２５】
実施例２：変異キク科植物個体の作出と特性決定
本実施例においては、上述したような結果を考慮して、変異キク科植物個体を作出した。すなわち、２×４  ｍｍ角の「神馬」または「山陽黄金」の葉片を調製し、シャーレ中の固形培地（ＭＳ培地を基本培地にインドール酢酸５  ｍｇ／ｌ、ベンジルアデノプリン１  ｍｇ／ｌ、ショ糖３％、ジェランガム０．３％を含む）上にシャーレあたり２０切片の葉片を置床して約１週間培養した後、培養した葉片に軟Ｘ線（３．６  Ｇｙ／ｈｒ、１〜２０  Ｇｙ）およびイオンビーム（０．５〜５  ＧｙのＣ２２０；０．５〜５  ＧｙのＣ３２０；１〜１０  ＧｙのＨｅ１００）の照射を行った。この放射線照射した葉片を４週間培養することにより不定芽を誘導させ、そして伸長させた。このように調製した不定芽は、上述したようにさらに発根・順化・育成させて開花させた。本実施例において試験した個体数を表２にまとめた。表２にも示したように、現在までに２０，０００個体以上の個体選抜、１００以上の系統選抜を実施している。
【００２６】
【表２】
2004321057.tif 000003
【００２７】
本発明においては、品種本来の特性を維持したものが望まれることから、放射線照射したキク科植物において、品種本来の特性である花型や花弁（舌状花）数を維持しているか改良されていることが望ましい。そのため、上述した方法で作出した多数のキク科植物個体について、線種および線量が花型変異に及ぼす影響および花弁（舌状花）数に及ぼす影響を、それぞれ図１および表３にまとめた。
【００２８】
花型変異に及ぼす影響を調べると、植物体の再生数が低下しない程度の低線量では、花の高さや花弁の巻き込み具合などで若干の変異がみられるものの、大きな変異は認められない（データは示していない）。しかし、１００  ＭｅＶ  ４Ｈｅ２＋（Ｈｅ１００）を１０  Ｇｙ照射し再生数が半減した試験区では、図１に示したように様々な変異がみられた（図１）。したがって、植物体の再生数が大きく減少する程度の高線量では、多数の遺伝子に影響があり、花型変異も増えるものと考えられた。
【００２９】
【表３】
2004321057.tif 000004
【００３０】
キクの花弁は中心部にある黄色の管状花と通常我々が花弁とよんでいる外側の舌状花がある。輪ギクでは同じ品種であれば舌状花数が多い個体のほうが花が大きくなる傾向があり、好ましい特性といえる。花弁（舌状花）数に及ぼす影響を調べると、舌状花数の平均値に大差はないもののイオンビーム照射によって個体毎の舌状花数はばらつきがあり、舌状花数が多く、花の大きな個体を選抜することができた（表３）。
【００３１】
さらに、上述したように作出した多数のキク科植物個体について、線種および線量の葉型変異に及ぼす影響を表４にまとめた。
【００３２】
【表４】
2004321057.tif 000005
【００３３】
この検討から、イオンビームの照射により一般的に葉は小型化する傾向、特に葉幅が縮まり、細くなる傾向にある（表４）。この傾向は線量が高くなるにつれて顕著となり、イオンビーム照射個体を培養して、再照射するとその傾向がさらに顕著となった（データは示していない）。
【００３４】
実施例３：無側枝性または少側枝性キク科植物個体の選抜
本実施例においては、望ましい無側枝性または少側枝性を有する改良されたキク科植物個体を選抜した。すなわち、本発明において望ましい無側枝性または少側枝性を有する改良されたキク科植物個体は、育成の過程において側枝数が少ない、無側枝性または少側枝性の、最も好ましくは無側枝の、個体である。
【００３５】
したがって、本実施例においては、線種としてＣ３２０のイオンビームを、０  Ｇｙ、１  Ｇｙ、２  Ｇｙ、または３  Ｇｙの線量で照射し、側枝数に及ぼす影響を調べた。その結果、再生個体における側枝数は平均値で比較すると、照射の有無による差は認められないものの（図２）、側枝数の少ない個体を選抜することができた（図３）。この様な側枝数の少ない個体は、無側枝性または少側枝性以外の基本特性は元品種「神馬」の特性を維持していた。
【００３６】
これらの選抜された個体の中で、Ｂ０１−２−１５、Ｂ０２−１−１またはＢ０２−１−２と命名する個体を、側枝・摘蕾状況について、収穫後萌芽性がよく二度切り栽培に適する系統である「神馬１号」や早生系統の「神馬２号」の２系統と比較した結果を図４に示す。この結果、平成１３年度に選抜したＢ０１−２−１５と命名する個体および平成１４年度に選抜したＢ０２−１−１またはＢ０２−１−２と命名する個体についても、無側枝性または少側枝性が強く優れていた。
【００３７】
実施例４：開花の早晩に対する放射線照射の及ぼす影響
本実施例においては、開花の早晩に対する放射線照射の及ぼす影響を調べた。開花の早晩の傾向は、本発明のキク科植物個体を生産する上でその効率性を高めるために無側枝性または少側枝性の次に重要な形質である。すなわち、早晩性以外の形質が同一であるならば、早生であればあるだけ生産効率が上昇する。
【００３８】
上述の実施例３において得られた無側枝性または少側枝性キク科植物個体について、低温管理下でも開花遅延しない早生の育成について検討するため、イオンビーム照射と早晩性に係わる変異の出現頻度を比較した（図５）。これも舌状花数や側枝・摘蕾数と同様に、平均開花日では照射の有無による差は認められないものの、開花の早晩性において０．５〜５  Ｇｙの照射で晩生変異個体の出現頻度は増加したばかりでなく、１．５〜４  Ｇｙの照射で早生変異個体の出現頻度も増加した。このようにイオンビームの照射により早生の個体を選抜することができる。
【００３９】
実施例５：変異個体における早晩性とＤＮＡ量の関係
本実施例においては、変異個体における早晩性とＤＮＡ量の解析との関係について、フローサイトメーター（ＰＡＲＴＥＣ  ＰＡ）によりＤＮＡ量を測定した。なお、栽培ギクの場合、総ＤＮＡ量の２％がおよそ染色体１本分に相当する。
【００４０】
低温管理条件下で早生もしくは晩生の変異体として選抜した個体では、早生で４割、晩生では半数近くの個体のＤＮＡ量が、９８％以下に減少していた。また、照射線量が高くなるにつれてＤＮＡ量の減少した個体の割合も増加していた（図６）。このようにイオンビームの照射によって染色体の欠損が高頻度で生じていることがわかる。
【００４１】
軟Ｘ線についても不定芽形成数が半減する程度の線量である５  Ｇｙの照射を行った場合、得られた変異体の３割程度でＤＮＡ量の減少が認められた（図６）。それに対してＣ２２０イオンビームの場合、０．５〜１．５  Ｇｙの照射では不定芽形成数に影響を受けないが、Ｘ線と同様に得られた変異体の３割程度でＤＮＡ量の減少が認められた（図６）。これは上記と同様に、イオンビームはエネルギーが高く、染色体が容易に切断されることを示している。
【００４２】
続いて、ＤＮＡ量と葉の形態について関連性を調査した。ただし、ここでは苗の段階で生育のよい個体のみを選抜していることから、得られた変異体の草丈等は他の再生個体と遜色なかった。しかし、ＤＮＡ量が減少した個体の多くは葉が小さくなる、葉型が細くなる、欠刻が浅くなるなどの違いが認められた（図７）。この結果から、ＤＮＡ量が減少しているということは、選抜した特定の表現形質だけでなく、他にも多くの部分に影響を受けていることを示している。
【００４３】
イオンビーム照射では遺伝子の一塩基置換や転座などの報告があり、複数の変異を伴わないことがその特徴と考えられる。しかし、高線量ではＤＮＡの損傷も大きいことから、元品種の特性を損なわずワンポイントの改良を図るためには低線量で変異を誘発し、ＤＮＡ量が減少していない変異個体を選抜する必要があることが明らかになった。
【００４４】
【発明の効果】
本発明において提供される無側枝性または少側枝性キク科植物個体は、元品種よりも有意に側枝の形成が抑制されているものの無側枝性または少側枝性以外の基本特性は元品種の特性を維持していることを特徴としている。その結果、生産農家においては、キク科植物の品質を低下させることなく、生産工程における摘蕾・摘芽作業を大幅に軽減することができ、例えば側枝数を５０％に減らせば摘蕾・摘芽作業を５０％に軽減でき、結果として生産効率を大幅に上昇させることができる。
【００４５】
また、本発明において提供される無側枝性または少側枝性キク科植物個体の中には、元品種と同等またはそれ以上に早生の形質を示すものがあり、前述の無側枝性または少側枝性の形質とともに早生の形質を兼ね備えたキク科植物個体を選抜することにより、さらに生産効率を上昇させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は、１００  ＭｅＶ  ４Ｈｅ２＋（Ｈｅ１００）を１０  Ｇｙ照射した場合、すなわち高線量のイオンビームを照射した場合のキク科植物個体の花型変異を示す図である。
【図２】図２は、０  Ｇｙ、１  Ｇｙ、２  Ｇｙ、または３  ＧｙのＣ３２０のイオンビームを使用した場合の、側枝・摘蕾数に及ぼす影響を示すグラフである。
【図３】図３は、イオンビーム照射により作出された「神馬」の無側枝性または少側枝性選抜個体を示す図である。
【図４】図４は、選抜された個体を、側枝・摘蕾状況について、従来種である「神馬１号」や「神馬２号」と比較した結果を示す図である。
【図５】図５は、Ｃ２２０イオンビーム照射と早晩性に係わる変異の出現頻度との関係を示すグラフである。
【図６】図６は、フローサイトメーターにより測定したＤＮＡ量に基づいて、変異個体における早晩性とＤＮＡ量の解析との関係について示したグラフである。
【図７】図７は、ＤＮＡ量と葉の形態について関連性を示す図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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