(57)【要約】【課題】解像度特性を向上することが可能であるとともに、製造歩留まり及び信頼性の高い放射線検出器及びその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】放射線検出器は、画素単位の光電変換素子１３が複数配列してなる光電変換基板１１と、光電変換基板１１上に配置され放射線により励起されて蛍光を発生する蛍光材料及び蛍光材料を結合する第１バインダ樹脂を含有するシンチレータ画素３９と、光電変換基板１１上に形成されシンチレータ画素３９を画素単位に区画する第２バインダ樹脂を含有する隔壁部３８と、を備えている。第１バインダ樹脂と、これに接する第２バインダ樹脂との溶解性パラメータの差は、２（Ｍｐａ）１／２以上であることを特徴とする。【選択図】    図２
2004340737.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画素単位の光電変換素子が配列してなる光電変換基板と、
前記光電変換基板上に配置され、放射線により励起されて蛍光を発生する蛍光材料及び蛍光材料を結合する第１バインダ樹脂を含有するシンチレータ画素と、前記シンチレータ画素を画素単位に区画する第２バインダ樹脂を含有する隔壁部と、
を備え、
前記第１バインダ樹脂と、これに接する前記第２バインダ樹脂との溶解性パラメータの差は、２（Ｍｐａ）１／２以上であることを特徴とする放射線検出器。
【請求項２】
画素単位の光電変換素子が配列してなる光電変換基板と、
前記光電変換基板上に配置され、放射線により励起されて蛍光を発生する蛍光材料及び蛍光材料を結合する第１バインダ樹脂を含有するシンチレータ画素と、前記シンチレータ画素を画素単位に区画する第２バインダ樹脂を含有する隔壁部と、
前記光電変換基板と、前記シンチレータ画素及び前記隔壁部の少なくとも一方との間に介在され、第３バインダ樹脂を含有する下地層と、
を備え、
前記第３バインダ樹脂と、これに接する前記第１バインダ樹脂及び前記第２バインダ樹脂との溶解性パラメータの差は、２（Ｍｐａ）１／２以下であることを特徴とする放射線検出器。
【請求項３】
前記第１バインダ樹脂がマイラー系、エポキシ系、アセチルセルロース系、ニトロセルロース系、フェノール系、ポリビニルアルコール系、ナイロン系、ポリアクリルニトリル系の樹脂材料の一種又は混合物であり、
前記第２バインダ樹脂がポリ４フッ化エチレン系、ポリエチレン系、ポリプロピレン系、ポリイソブチレン系、天然ゴム系、スチレン・ブタジエン系、ポリスチレン系、シリコーン系の樹脂材料の一種又は混合物であることを特徴とする請求項１または２に記載の放射線検出器。
【請求項４】
前記第１バインダ樹脂がポリ４フッ化エチレン系、ポリエチレン系、ポリプロピレン系、ポリイソブチレン系、天然ゴム系、スチレン・ブタジエン系、ポリスチレン系、シリコーン系の樹脂材料の一種又は混合物であり、前記第２バインダ樹脂がマイラー系、エポキシ系、アセチルセルロース系、ニトロセルロース系、フェノール系、ポリビニルアルコール系、ナイロン系、ポリアクリルニトリル系の樹脂材料の一種又は混合物であることを特徴とする請求項１または２に記載の放射線検出器。
【請求項５】
前記第３バインダ樹脂がＮＢＲ系（ネオプレン・ブチレンゴム系）、塩化ゴム系、酢酸ビニル樹脂系、アクリルゴム系、メタクリル酸メチル系、塩化ビニル系、ポリイミド系樹脂の樹脂材料の一種又は混合物であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の放射線検出器。
【請求項６】
画素単位の光電変換素子が配列してなる光電変換基板上に、放射線により励起されて蛍光を発生する蛍光材料及び蛍光材料を結合する第１バインダ樹脂を含有するシンチレータ層を形成する工程と、
前記シンチレータ層を各画素に合わせて残す形状にパターニングしてシンチレータ画素を形成する工程と、
画素単位の前記シンチレータ画素間に第２バインダ樹脂を含有する隔壁部を形成する工程と、
を備え、
前記第１バインダ樹脂と、これに接する前記第２バインダ樹脂との溶解性パラメータの差は、２（Ｍｐａ）１／２以上であることを特徴とする放射線検出器の製造方法。
【請求項７】
画素単位の光電変換素子が配列してなる光電変換基板上に、第３バインダ樹脂を含有する下地層を形成する工程と、
前記下地層上に、放射線により励起されて蛍光を発生する蛍光材料及び蛍光材料を結合する第１バインダ樹脂を含有するシンチレータ層を形成する工程と、
前記シンチレータ層を各画素に合わせて残す形状にパターニングしてシンチレータ画素を形成する工程と、
画素単位の前記シンチレータ画素間に第２バインダ樹脂を含有する隔壁部を形成する工程と、
を備え、
前記第３バインダ樹脂と、これに接する前記第１バインダ樹脂及び前記第２バインダ樹脂との溶解性パラメータの差は、２（Ｍｐａ）１／２以下であることを特徴とする放射線検出器の製造方法。
【請求項８】
画素単位の光電変換素子が配列してなる光電変換基板上に、第２バインダ樹脂を含有する隔壁層を形成する工程と、
前記隔壁層を画素間に合わせて残す形状にパターニングして隔壁部を形成する工程と、
前記隔壁部によって囲まれた領域に、放射線により励起されて蛍光を発生する蛍光材料及び蛍光材料を結合する第１バインダ樹脂を含有するシンチレータ画素を形成する工程と、
を備え、
前記第１バインダ樹脂と、これに接する前記第２バインダ樹脂との溶解性パラメータの差は、２（Ｍｐａ）１／２以上であることを特徴とする放射線検出器の製造方法。
【請求項９】
画素単位の光電変換素子が配列してなる光電変換基板上に、第３バインダ樹脂を含有する下地層を形成する工程と、
前記下地層上に、第２バインダ樹脂を含有する隔壁層を形成する工程と、
前記隔壁層を画素間に合わせて残す形状にパターニングして隔壁部を形成する工程と、
前記隔壁部によって囲まれた領域に、放射線により励起されて蛍光を発生する蛍光材料及び蛍光材料を結合する第１バインダ樹脂を含有するシンチレータ画素を形成する工程と、
を備え、
前記第３バインダ樹脂と、これに接する前記第１バインダ樹脂及び前記第２バインダ樹脂との溶解性パラメータの差は、２（Ｍｐａ）１／２以下であることを特徴とする放射線検出器の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、放射線検出器及びその製造方法に係り、特に、放射線画像を検出する間接方式の放射線平面検出器及びこれを製造するための製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
例えば、新世代のＸ線診断用検出器としてアクティブマトリックス型のＸ線平面検出器が大きな注目を集めている。このＸ線平面検出器において、照射されたＸ線を検出することにより、Ｘ線撮影像またはリアルタイムのＸ線画像がデジタル信号として出力される。Ｘ線平面検出器は固体検出器であることから、画質性能や安定性の面でも極めて期待が大きい。このため、多くの大学やメーカが研究開発に取り組んでいる。
【０００３】
実用化の最初の用途として、比較的大きなＸ線量で、静止画像を収集する人体の胸部・一般撮影用に開発され、近年商品化されている。より高い技術的なハードルをクリアして、透視線量下で毎秒３０コマ以上のリアルタイム動画を実現させる必要のある循環器、消化器分野への応用に対しても近い将来に商品化が予想される。この動画用途に対しては、ノイズ（Ｓ／Ｎ：シグナル／ノイズ比）の改善や微小信号のリアルタイム処理技術等が重要な開発項目となっている。
【０００４】
Ｘ線平面検出器には、大きく分けて直接方式と間接方式との２通りがある。  直接方式は、Ｘ線をａ−Ｓｅなどの光導電膜を用いて直接信号電荷に変換し、変換した信号電荷を電荷蓄積用キャパシタに蓄積する方式である。この直接方式は、Ｘ線により発生した光導電電荷を高電界により直接に電荷蓄積用キャパシタに導くため、ほぼアクティブマトリックスの画素ピッチで規定される解像度特性が得られる。
【０００５】
直接方式のＸ線平面検出器は、Ｘ線の吸収率を上げて信号強度を確保するために、例えばａ−Ｓｅの光導電膜を１ｍｍ程度の厚膜で形成している。また、Ｘ線フォトン１個当りの光導電電荷生成率を上げるためと、生成した光導電電荷が膜中の欠陥準位にトラップされることなく収電電極に到達させるため、かつ、バイアス電界と直角方向への電荷の拡散を極力抑えるために、例えば１０Ｖ／μｍの強バイアス電界を印加して用いる。
【０００６】
すなわち、この例では、光導電膜のａ−Ｓｅに対し、１０ｋＶの高電圧を印加することになる。このため、直接方式は、解像度特性面からは間接方式に比較して有利であるが、動作電圧の低い薄膜トランジスタすなわちＴＦＴを高電圧から保護する信頼性の確保や、暗電流と感度特性、熱的安定性などを兼ね備えた好適な光導電材料が見つからないなどの問題が生じている。
【０００７】
一方の間接方式は、シンチレータ層によりＸ線を受けて一旦可視光に変換し、可視光をａ−ＳｉフォトダイオードやＣＣＤにより信号電荷に変換して、電荷蓄積用キャパシタに導く方式であるため、直接方式で生じる耐高電圧の問題は生じない。また、シンチレータ材料や、フォトダイオードについても基本的な技術は確立している点で有利である。
【０００８】
しかしながら、この間接方式は、シンチレータ層からの可視光がフォトダイオードに到達するまでの光学的な拡散及び散乱により、その分の解像度劣化を生じる。特に、感度特性を確保するために、シンチレータ層を厚膜にするほど、フォトダイオード等の光電変換素子に到達するまでの蛍光の広がりが大きく、解像度劣化が顕著となる。
【０００９】
このような蛍光の広がりを抑えて解像度を確保する方法として、間接方式において、シンチレータ層をフォトダイオードとＴＦＴのマトリックスに合わせて画素単位に形成し、シンチレータ画素間を光学的に分離する隔壁部を設けたＸ線検出器が提案されている。これにより、シンチレータ画素内で発光した蛍光は、隔壁により横方向への散乱や拡散を抑制される。したがって、光学的なガイド効果により、蛍光をフォトダイオード等の光電変換素子に効率良く到達させることができ、解像度特性が改善される（例えば、特許文献１参照。）。
【００１０】
【特許文献１】
特開平１１−１６６９７６号公報
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、隔壁部によって画素分離されたシンチレータ画素を有するＸ線検出器などの放射線検出器では、シンチレータ画素の応力などに起因して基板全体に反りが生じてしまい、平面検出器としての平面性が損なわれる。このため、製造工程における不具合や品質の劣化を招くといった問題を生ずる。また、このようなシンチレータ画素の応力などに起因してシンチレータ画素や隔壁部と光電変換基板とが剥がれてしまうおそれがある。このため、放射線検出器としての信頼性を著しく損なうといった問題を生ずる。
【００１２】
特に、このような問題は、基板が大型化するほど発生しやすく、例えば９インチ□以上の実用サイズの検出器を作成した場合には、基板の反りやシンチレータ画素の剥がれなどに起因して製造歩留まりが低下するとともに装置の信頼性を損なうといった課題がある。
【００１３】
この発明は、上述した問題点に鑑みなされたものであって、その目的は、解像度特性を向上することが可能であるとともに、製造歩留まり及び信頼性の高い放射線検出器及びその製造方法を提供することにある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
この発明の第１の様態による放射線検出器は、
画素単位の光電変換素子が配列してなる光電変換基板と、
前記光電変換基板上に配置され、放射線により励起されて蛍光を発生する蛍光材料及び蛍光材料を結合する第１バインダ樹脂を含有するシンチレータ画素と、前記シンチレータ画素を画素単位に区画する第２バインダ樹脂を含有する隔壁部と、
を備え、
前記第１バインダ樹脂と、これに接する前記第２バインダ樹脂との溶解性パラメータの差は、２（Ｍｐａ）１／２以上であることを特徴とする。
【００１５】
この発明の第２の様態による放射線検出器は、
画素単位の光電変換素子が配列してなる光電変換基板と、
前記光電変換基板上に配置され、放射線により励起されて蛍光を発生する蛍光材料及び蛍光材料を結合する第１バインダ樹脂を含有するシンチレータ画素と、前記シンチレータ画素を画素単位に区画する第２バインダ樹脂を含有する隔壁部と、
前記光電変換基板と、前記シンチレータ画素及び前記隔壁部の少なくとも一方との間に介在され、第３バインダ樹脂を含有する下地層と、
を備え、
前記第３バインダ樹脂と、これに接する前記第１バインダ樹脂及び前記第２バインダ樹脂との溶解性パラメータの差は、２（Ｍｐａ）１／２以下であることを特徴とする。
【００１６】
この発明の第３の様態による放射線検出器の製造方法は、
画素単位の光電変換素子が配列してなる光電変換基板上に、放射線により励起されて蛍光を発生する蛍光材料及び蛍光材料を結合する第１バインダ樹脂を含有するシンチレータ層を形成する工程と、
前記シンチレータ層を各画素に合わせて残す形状にパターニングしてシンチレータ画素を形成する工程と、
画素単位の前記シンチレータ画素間に第２バインダ樹脂を含有する隔壁部を形成する工程と、
を備え、
前記第１バインダ樹脂と、これに接する前記第２バインダ樹脂との溶解性パラメータの差は、２（Ｍｐａ）１／２以上であることを特徴とする。
【００１７】
この発明の第４の様態による放射線検出器の製造方法は、
画素単位の光電変換素子が配列してなる光電変換基板上に、第３バインダ樹脂を含有する下地層を形成する工程と、
前記下地層上に、放射線により励起されて蛍光を発生する蛍光材料及び蛍光材料を結合する第１バインダ樹脂を含有するシンチレータ層を形成する工程と、
前記シンチレータ層を各画素に合わせて残す形状にパターニングしてシンチレータ画素を形成する工程と、
画素単位の前記シンチレータ画素間に第２バインダ樹脂を含有する隔壁部を形成する工程と、
を備え、
前記第３バインダ樹脂と、これに接する前記第１バインダ樹脂及び前記第２バインダ樹脂との溶解性パラメータの差は、２（Ｍｐａ）１／２以下であることを特徴とする。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下、この発明の一実施の形態に係る放射線検出器及びその製造方法について図面を参照して説明する。なお、この発明においては、Ｘ線、γ線、その他の各種放射線の場合に適用可能であるが、以下の一実施の形態においては、放射線の中の代表的なＸ線の場合を例にとり説明する。したがって、実施の形態の「Ｘ線」を「放射線」に置き換えることにより、この発明が対象とする他の放射線にも適用可能である。
【００１９】
図１に示すように、Ｘ線を検出してＸ線の強度分布に対応する電気信号を出力するＸ線検出器１は、複数の画素を有するアクティブマトリクス型の光電変換基板１１を有している。この光電変換基板１１は、ガラスなどの絶縁基板上に、行方向（例えば図中の横方向）及び列方向（例えば図中の縦方向）に所定のピッチＬで２次元的にマトリクス状に配列された同じ構造の複数の画素１２を有している。図１に示した例では、９個の画素（１２ａ〜１２ｉ）が図示されている。
【００２０】
各画素１２（ａ〜ｉ）は、入射した光強度に対応して信号電荷に変換する光電変換素子として機能するフォトダイオード１３、スイッチング素子として機能する薄膜トランジスタ（以下ＴＦＴと称する）１４、信号電荷を蓄積する電荷蓄積部として機能する蓄積キャパシタ１５などによって構成されている。
【００２１】
各ＴＦＴ１４は、ゲート電極Ｇ、ソース電極Ｓ、及び、ドレイン電極Ｄを有している。ドレイン電極Ｄは、例えばフォトダイオード１３及び蓄積キャパシタ１５と電気的に接続されている。
【００２２】
光電変換基板１１の外部には、制御回路１６が設けられている。この制御回路１６は、ＴＦＴ１４の動作状態、例えばオン／オフを制御する。すなわち、この制御回路１６には、光電変換基板１１上において、行方向に延びる複数の制御ライン１７が接続されている。それぞれの制御ライン１７は、同じ行の画素１２を構成する各ＴＦＴ１４のゲート電極Ｇに接続されている。図１に示した例では、第１乃至第４の４個の制御ライン１７１乃至１７４が設けられている。例えば、第１の制御ライン１７１は、画素１２ａ乃至１２ｃを構成する各ＴＦＴ１４のゲート電極Ｇに接続されている。
【００２３】
光電変換基板１１上において、列方向には、複数のデータライン１８が設けられている。それぞれのデータライン１８は、同じ列の画素１２を構成する各ＴＦＴ１４のソース電極Ｓに接続されている。図１に示した例では、第１乃至第４の４個のデータライン１８１乃至１８４が設けられている。例えば、第１のデータライン１８１は、画素１２ａ、１２ｄ、１２ｇを構成する各ＴＦＴ１４のソース電極Ｓに接続されている。
【００２４】
それぞれのデータライン１７は、対応する電荷増幅器１９に接続されている。各電荷増幅器１９は、例えば演算増幅器で構成され、その一方の入力端子ａ１にデータライン１８が接続され、他方の入力端子ａ２は接地されている。一方の入力端子ａ１と出力端子ｂとの間にコンデンサＣが接続され、積分機能を有する。また、コンデンサＣに並列にスイッチＳＷが接続され、例えばスイッチＳＷを閉じてコンデンサＣに残った電荷を放電する構成になっている。
【００２５】
それぞれの電荷増幅器１９は、並列に入力する複数の電気信号を直列信号に変換する並列／直列変換器またはマルチプレクサ２０に接続されている。並列／直列変換器２０は、アナログ信号をデジタル信号に変換するアナログ−デジタル変換器またはデジタイザ２１に接続されている。
【００２６】
このような構成により、制御回路１６は、同一の制御ライン１７に接続された同じ行の複数のＴＦＴ１４を同時にオン／オフ制御するための制御信号を出力する。制御回路１６による制御に基づいてオン状態のＴＦＴ１４は、画像電荷を画素１２からデータライン１８に転送する。これにより、画素１２の電位がリセットされる。データライン１８に転送された画像電荷は、電荷増幅器１９にて増幅され、並列／直列変換器またはマルチプレクサ２０にて複合化された後、アナログ−デジタル変換器またはデジタイザ２１に送られる。
【００２７】
次に、この実施の形態に係るＸ線検出器の画素の構造について図２を参照して説明する。なお、図２では、１つの画素部分１２を抜き出して図示しており、図１に対応する部分には同じ参照符号を付して重複する説明は一部省略する。
【００２８】
光電変換基板１１は、ガラスなどの絶縁基板３１上に形成されたフォトダイオード１３、ＴＦＴ１４、及び蓄積キャパシタ１５を備えている。
【００２９】
ＴＦＴ１４は、３つの電気的接続、すなわちゲート電極Ｇ、ソース電極Ｓ、及び、ドレイン電極Ｄを備えている。ゲート電極Ｇは、絶縁基板３１上に形成されている。このゲート電極Ｇは、絶縁膜３２によって覆われている。また、このゲート電極Ｇは、同じ行に位置する他のＴＦＴ１４のゲート電極Ｇとともに共通の制御ライン１７に接続されている。例えば、ＴＦＴ１４をオン／オフする制御するためには、＋１０Ｖ及び−５Ｖが用いられる。
【００３０】
ソース電極Ｓは、絶縁膜３２上に形成された半絶縁膜３３にコンタクトしている。このソース電極Ｓは、同じ列に位置する他のＴＦＴ１４のソース電極Ｓとともに共通のデータライン１８に接続されている。ドレイン電極Ｄは、半絶縁膜３３にコンタクトしている。このドレイン電極Ｄは、フォトダイオード１３及び蓄積キャパシタ１５に接続されている。
【００３１】
蓄積キャパシタ１５は、絶縁基板３１上に形成された下部電極３４、絶縁膜３２を介して下部電極３４に対向して設けられた上部電極３５などによって構成されている。上部電極３５は、ＴＦＴ１４のドレイン電極Ｄと電気的に接続されている。
【００３２】
ＴＦＴ１４及び蓄積キャパシタ１５は、第１絶縁層３６１によって覆われている。この第１絶縁層３６１上には、フォトダイオード１３が形成されている。フォトダイオード１３の周囲の第１絶縁層３６１上には、第２絶縁層３６２が設けられている。この第２絶縁層３６２は、ほぼ矩形状のフォトダイオード１３を囲むように枠状に形成されている。
【００３３】
フォトダイオード１３は、ａ−Ｓｉのｐｎダイオード構造、もしくはｐｉｎダイオード構造などで画素毎に形成される。このフォトダイオード１３は、第１絶縁層３６１上に形成された第１電極１３１、第１電極１３１に対向して配置された第２電極１３２などによって構成されている。
【００３４】
第１電極１３１は、第１絶縁層３６１の一部に形成されたスルーホール３７を介してＴＦＴ１４のドレイン電極Ｄ及び蓄積キャパシタ１５の上部電極３５に電気的に接続されている。第２電極１３２は、例えばスパッタリング法によってＩＴＯなどの透明導電膜を成膜することによって形成される。これら第１電極１３１と第２電極１３２との間には、バイアス電圧が印加される。
【００３５】
なお、この実施の形態では、フォトダイオード１３は、図２に示すように、蓄積キャパシタ１５及びＴＦＴ１４に重ならないエリアに形成されているが、受光面積を確保するために、ＴＦＴ１４及び蓄積キャパシタ１５上に絶縁層を配して、これらを含む画素全域に収電電極を形成して、更にその上部にほぼ各画素の全面対応するフォトダイオードを形成するなどの構造も可能である。
【００３６】
上述したような構造の光電変換基板１１の上には、外部から入射したＸ線を可視光に変換する（すなわちＸ線により励起されて蛍光を発生する）シンチレータ画素３９が配置されている。また、この光電変換基板１１上には、シンチレータ画素３９を画素単位に区画する隔壁部３８が形成されている。また、これら光電変換基板１１と、シンチレータ画素及び隔壁部３８の少なくとも一方の間に下地層３６３が介在されている。
【００３７】
すなわち、図２に示すように、フォトダイオード１３及び第２絶縁層３６２は、下地層３６３によって覆われている。この下地層３６３は、バインダ樹脂を含有して構成され、フォトダイオード１３を保護するための保護層としての機能を有するとともに、シンチレータ画素及び隔壁部の少なくとも一方の下地としての機能を有する。図２に示した例では、下地層３６３は、光電変換基板１１と、シンチレータ画素３９及び隔壁部３８との間に介在されている。
【００３８】
シンチレータ画素３９は、光電変換基板１１における下地層３６３上に配置されている。このシンチレータ画素３９は、蛍光材料及びこの蛍光材料を結合するバインダ樹脂を含有して構成されている。
【００３９】
シンチレータ画素３９を構成する蛍光材料は、Ｘ線などの放射線によって励起されて蛍光を発生するものであり、ほぼ同等の平均粒径を有する蛍光体粒子、例えばＧＯＳ（Ｇｄ２Ｏ２Ｓ：Ｅｕ、Ｔｂ、ＰＲ＋３、ＣＥ＋３、Ｆ）などで構成されている。また、シンチレータ画素３９に適用可能な蛍光体として、Ｇｄ２Ｏ２Ｓ：Ｔｂを母材とする他のＸ線用蛍光体、ＣｓＩ：Ｔｌ、ＣｓＩ：Ｎａ、ＣａＷＯ４、ＬａＯＢｒ：Ｔｍ等のＸ線用蛍光体などでも構わない。
【００４０】
隔壁部３８は、バインダ樹脂を含有して構成されている。この隔壁部３８は、上方よりシンチレータ画素３９に入射したＸ線４０がシンチレータ画素３９内で蛍光４１に変換され、この蛍光４１が隣接する画素１２のフォトダイオード１３のエリアに極力干渉しないように、下地層３６３上における画素１２を分離する境界に沿って形成される。これにより、シンチレータ画素３９は、主にフォトダイオード１３に重なるエリアが残り、画素分離される。
【００４１】
この隔壁部３８は、シンチレータ画素３９内で発生した蛍光４１のうち、隣接する画素１２に向かって外方に散乱された蛍光４１１をシンチレータ画素３９の内部に向けて反射する光反射性を有する反射材料によって形成されても良い。また、この隔壁部３８は、画素１２に入射したＸ線のうち、隣接する画素１２に向かって外方に散乱された散乱Ｘ線を吸収するＸ線吸収体によって形成されても良い。
【００４２】
次に、シンチレータ画素３９に含まれるバインダ樹脂すなわち第１バインダ樹脂、隔壁部３８に含まれるバインダ樹脂すなわち第２バインダ樹脂、及び、下地層３６３に含まれるバインダ樹脂すなわち第３バインダ樹脂のそれぞれを構成する最適な材料について説明する。
【００４３】
すなわち、隔壁部３８を構成するバインダ樹脂とシンチレータ画素３９を構成するバインダ樹脂とが同じ又は同質の材料である場合、それぞれのバインダ樹脂がインターミキシングにより密着し、相互の付着強度は一般に強固である。このため、シンチレータ画素３９と隔壁部３８とが検出面の広い領域にわたって一体となり、その材料プロセスによる本質的な応力やプロセスの温度変化に起因する応力が光電変換基板１１の反りやシンチレータ画素３９や隔壁部３８の光電変換基板１１からの剥がれの要因となり易い。
【００４４】
そこで、この実施の形態では、シンチレータ画素３９の応力などに起因した光電変換基板１１の反りやシンチレータ画素３９や隔壁部３８の光電変換基板１１からの剥がれといった課題を改善するために、シンチレータ画素３９、隔壁部３８、及び、下地層３６３を構成するそれぞれのバインダ樹脂の溶解性パラメータに着目する。
【００４５】
つまり、この実施の形態では、第１バインダ樹脂、第２バインダ樹脂、及び、第３バインダ樹脂のそれぞれを構成する最適な材料の組み合わせは、それぞれの材料の溶解性パラメータに基づいて決定している。
【００４６】
この実施の形態で用いている溶解性パラメータδは、Ｈｉｌｄｅｂｒａｎｄ  Ｓｏｌｕｂｉｌｉｔｙ  Ｐａｒａｍｅｔｅｒであり、有機溶剤及び有機樹脂のいずれに関しても同様な定義で表され、有機材料の単位体積当たりのファンデアワールス力総和に相当する。その定義は以下のとおりである。
δ＝（ｃ）１／２＝（（ΔＨ−ＲＴ）／Ｖｍ）１／２
ここで、ｃはＣｏｈｅｓｉｖｅ  ｅｎｅｒｇｙ  ｄｅｎｓｉｔｙ（分子間結合エネルギー密度）であり、ΔＨはＨｅａｔ  ｏｆ  ｖａｐｏｒｉｚａｔｉｏｎ（蒸発熱）であり、ＲはＧａｓ  ｃｏｎｓｔａｎｔ（気体定数）であり、ＴはＴｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ（温度）であり、ＶｍはＭｏｌａｒ  ｖｏｌｕｍｅ（モル体積）である。
【００４７】
なお、旧来用いられてきた単位系（ｃａｌ／ｃｍ３）１／２とＳＩ単位系（ＭＰａ１／２）との変換関係は以下の通りである。
δ／ｃａｌ１／２ｃｍ−３／２＝０．４８８８８×δ／ＭＰａ１／２
δ／ＭＰａ１／２＝２．０４５５×δ／ｃａｌ１／２ｃｍ−３／２
このような定義の溶解性パラメータ（ＳＰ値）は、各物質に固有の値であり、各有機溶剤の溶解性パラメータは前述の式のΔＨ（モル当り気化熱）とＶｍ（モル体積）を測定することによって測定可能である。なお、一般的に公知の材料については、後述の図６に示すように、既に公知の溶解性パラメータ（ＳＰ値）を使用できる。図３は、バインダ樹脂として利用可能なポリマの一例と、それぞれの溶解性パラメータ（ＳＰ値）とを示している。また、図４は、バインダ樹脂を溶解するために利用可能な溶媒の一例と、それぞれの溶解性パラメータ（ＳＰ値）とを示している。
【００４８】
図５は、溶解性パラメータの差異による２物質間の溶解性の変化を調査した参考資料を示したものである。ここでは、各種溶媒の溶解性パラメータに対する油膜（亜麻仁油：溶解性パラメータ；１９）の各種溶媒中での膨潤率（Ｄｅｇｒｅｅ  ｏｆ  ｓｗｅｌｌｉｎｇ）をグラフ化している。溶解性パラメータδは、ＳＩ単位系（ＭＰａ１／２）で表している。
【００４９】
膨潤率が高いほど、油膜が溶媒によく馴染んでいることを示す。つまり、この参考資料から、２物質それぞれの溶解性パラメータが近いほど膨潤率が高く、よく馴染んでいることがわかる。逆に、２物質それぞれの溶解性パラメータが離れるほど膨順率が低く、馴染みにくいことがわかる。
【００５０】
このような結果は、他の有機材料（特に樹脂材料）と各種溶媒との間でもほぼ同一の傾向として得られ、有機材料同士の不変的な関係となっている。したがって、２種類の有機材料について、互いの膨潤率が０．４（４０％）以上、望ましくは０．５（５０％）以上であれば、互いによく馴染み、密着性が高くなることが分かる。つまり、２種類の有機材料それぞれの溶解性パラメータ値の差が２（Ｍｐａ）程度でインターミキシングを生じるボーダーラインとなることが分かる。
【００５１】
したがって、２種類の有機材料それぞれの溶解性パラメータの差が２（Ｍｐａ）１／２以下であれば、両者は互いに強固に結合する。逆に、２種類の有機材料それぞれの溶解性パラメータの差が２（Ｍｐａ）１／２以上であれば、両者の相互のインターミキシングが抑制され、分離しやすい。
【００５２】
ところで、この実施の形態に係るＸ線検出器では、シンチレータ画素３９に含まれる第１バインダ樹脂と、シンチレータ画素３９に接する隔壁部３８に含まれる第２バインダ樹脂との溶解性パラメータの差は、２（Ｍｐａ）１／２以上であることが望ましい。
【００５３】
すなわち、第１バインダ樹脂は、マイラー系、エポキシ系、アセチルセルロース系、ニトロセルロース系、フェノール系、ポリビニルアルコール系、ナイロン系、ポリアクリルニトリル系などの溶解性パラメータが相対的に大きい樹脂材料の一種又は混合物で構成される。このような第１バインダ樹脂と最適な組み合わせとなる第２バインダ樹脂は、ポリ４フッ化エチレン系、ポリエチレン系、ポリプロピレン系、ポリイソブチレン系、天然ゴム系、スチレン・ブタジエン系、ポリスチレン系、シリコーン系などの溶解性パラメータが相対的に小さい樹脂材料の一種又は混合物で構成される。
【００５４】
また、第１バインダ樹脂は、ポリ４フッ化エチレン系、ポリエチレン系、ポリプロピレン系、ポリイソブチレン系、天然ゴム系、スチレン・ブタジエン系、ポリスチレン系、シリコーン系などの溶解性パラメータが相対的に小さい樹脂材料の一種又は混合物で構成してもよい。このような第１バインダ樹脂と最適な組み合わせとなる第２バインダ樹脂は、マイラー系、エポキシ系、アセチルセルロース系、ニトロセルロース系、フェノール系、ポリビニルアルコール系、ナイロン系、ポリアクリルニトリル系の溶解性パラメータが相対的に大きい樹脂材料の一種又は混合物で構成される。
【００５５】
第１バインダ樹脂及び第２バインダ樹脂を上述したような組み合わせにより適宜選択することにより、相互のインターミキシングが抑止され、個々のシンチレータ画素３９と隔壁部３８とが独立して密着しにくい。このため、シンチレータ画素３９と隔壁部３８とが一体化した場合のような検出面の広い領域にわたる応力が総合された膜応力を分散しやすい構造を形成することができる。
【００５６】
この結果、光電変換基板１１の反りを防止することができ、平面検出器としての平面性を良好に維持することができる。このため、製造工程における不具合や品質の劣化を招くことがなくなる。また、このような光電変換基板１１の反りに起因したシンチレータ画素３９及び隔壁部３８の光電変換基板１１からの剥がれを防止ことができる。このため、検出器としての信頼性を向上することができる。したがって、光電変換基板１１が大型化した場合であっても製造歩留まり及び信頼性の高い検出器を提供することができる。
【００５７】
また、この実施の形態のように、Ｘ線検出器において光電変換基板１１とシンチレータ画素３９及び隔壁部３８との間に下地層３６３を配置してもよい。このような下地層３６３を配置した場合には、下地層３６３に含まれる第３バインダ樹脂と、この下地層３６３に接するシンチレータ画素３９に含まれる第１バインダ樹脂及び隔壁部３８に含まれる第２バインダ樹脂との溶解性パラメータの差は、２（Ｍｐａ）１／２以下であることが望ましい。
【００５８】
すなわち、第３バインダ樹脂は、第１バインダ樹脂及び第２バインダ樹脂を上述したような材料によって構成した場合、第１バインダ樹脂及び第２バインダ樹脂それぞれの相対的に中間的な溶解性パラメータを有するような樹脂材料、例えば、ＮＢＲ系（ネオプタン・ブタジエンゴム系）、塩化ゴム系、酢酸ビニル樹脂系、アクリルゴム系、メタクリル酸メチル系、塩化ビニル系、ポリイミド系樹脂の樹脂材料の一種又は混合物で構成される。
【００５９】
第３バインダ樹脂と、第１バインダ樹脂及び第２バインダ樹脂とを上述したような組み合わせにより適宜選択することにより、相互のインターミキシングにより、シンチレータ画素３９及び隔壁部３８のそれぞれ（またはいずれか一方）が下地層３６３に対して強固に接着する。このため、シンチレータ画素３９及び隔壁部３８の光電変換基板１１上の下地層３６３から剥がれることを防止できる。
【００６０】
このように、シンチレータ画素３９及び隔壁部３８の少なくとも一方と下地層３６３との密着性が良好に保たれるため、長期間の使用に際しても検出器としての信頼性を向上することができる。したがって、光電変換基板１１が大型化した場合であっても製造歩留まり及び信頼性の高い検出器を提供することができる。
【００６１】
なお、この下地層３６３は、必ずしも設ける必要はなく、先に説明したシンチレータ画素３９の第１バインダ樹脂と隔壁部３８の第２バインダ樹脂とのそれぞれの溶解性パラメータの差を２（Ｍｐａ）１／２以上とすることにより、光電変換基板１１の反りを防止することができ、この発明の目的を達成することが可能である。
【００６２】
次に、このＸ線検出器の製造方法について説明する。ここでは、シンチレータ画素３９及び隔壁部３８の下地として下地層３６３を設けた場合について説明するが、上述したように、下地層３６３は必ずしも設ける必要はなく、この場合には、光電変換基板１１上にシンチレータ層３９及び隔壁部３８を直接形成すればよい。
【００６３】
まず、画素単位のフォトダイオード１３などが配列してなる光電変換基板１１上に、第３バインダ樹脂を含有する下地層３６３を形成する。例えば、第３バインダ樹脂の一例としてのポリイミド系樹脂（溶解性パラメータ；２３〜２４）を溶媒に溶かしたワニスをスピンコート法などで光電変換基板１１の表面全体に塗布した後に焼成する。これにより、下地層３６３が成膜される。
【００６４】
続いて、下地層３６３上に、蛍光材料及び第１バインダ樹脂を含有するシンチレータ層を形成する。例えば、第１バインダ樹脂の一例としてのエポキシ系樹脂（溶解性パラメータ；２２．３（Ｍｐａ）１／２）と蛍光材料の一例としてのＧｄ２Ｏ２Ｓ：Ｅｕ蛍光体粒子との混合溶液をスピンコート法などで下地層３６３の表面全体に約４００μｍ程度の膜厚でベタ膜状に塗布し、更に焼成することで固化する。これにより、シンチレータ画素に分離する前のシンチレータ層が成膜される。なお、この混合溶液は、スピンコート法のほかに、ディスペンサ法やインクジェット法、スプレー法などの塗布法で塗布されてもよい。
【００６５】
続いて、シンチレータ層を各画素に合わせて残す形状にパターニングして、シンチレータ画素３９を形成する。例えば、シンチレータ層における画素１２間に、ダイシング法により溝部を形成する。この実施の形態では、溝部は、下地のフォトダイオード１３及びＴＦＴ１４に位置合わせて１５０μｍのピッチで、約２５μｍの溝幅で形成し、シンチレータ層を画素分離している。これにより、シンチレータ画素３９が形成される。
【００６６】
なお、この溝部は、ダイシング法に限らず、紫外領域の主波長を有するレーザビームを照射することによる光化学分解を用いたシンチレータ層の除去、赤外領域の主波長を有するレーザビームを照射することによる加熱分解を用いたシンチレータ層の除去などによって形成しても良いし、さらに、バインダ樹脂を化学的に溶解して溝部分をエッチング除去する方法などで形成しても良い。さらに、この溝部は、下地３６３まで到達する深さに形成しても良いし、溝部と下地層３６３との間にシンチレータ層が残るような深さに形成しても良い。
【００６７】
続いて、画素単位のシンチレータ画素３９間に第２バインダ樹脂を含有する隔壁部３８を形成する。例えば、第２バインダ樹脂の一例としてのポリプロピレン系樹脂（溶解性パラメータ；１６．２（Ｍｐａ）１／２）と平均粒径が１μｍφ程度の小粒径のＧｄ２Ｏ２Ｓ：Ｅｕ蛍光体粉末との混合物を溶剤により粘度を下げた状態のペーストとして溝部に充填し、乾燥する。これにより、隔壁部３８が形成される。
【００６８】
なお、この隔壁部３８は、平均粒径が約２μｍφ以下の微小粒径でＴｉＯ２や透明セラミックスの微粒子粉体などの高透過率で高屈折率の反射材料と第２バインダ樹脂との混合物を塗布することで形成しても良い。さらに、膜の平坦性が高いものであればメタル膜であってもよい。
【００６９】
光電変換基板１１の外部に接続される制御回路１６などは、光電変換基板１１にワイヤボンディングで接続する集積回路として製造すればよい。電荷増幅器１９、マルチプレクサ２０、デジタイザ２１などもまた、光電変換基板１１にワイヤボンディングで接続される集積回路として製造すればよい。
【００７０】
さらに、シンチレータ画素３９の湿気による変質などを防ぐために、Ｘ線検出器１の主要部を、例えばアルミニウムやプラスチックなどの外囲器で覆って、真空封止しても良いし、あるいは乾燥気体を封入するしても良い。
以上の工程により、Ｘ線検出器が製造される。
【００７１】
このように、シンチレータ画素３９の第１バインダ樹脂（エポキシ系樹脂）と、このシンチレータ画素３９に接する隔壁部３８の第２バインダ樹脂（ポリプロピレン系樹脂）との溶解性パラメータの差は、２（Ｍｐａ）１／２以上離れている。このため、シンチレータ画素３９と隔壁部３８との密着性を低く抑えることができる。
【００７２】
また、隔壁部３８を形成するために、第２バインダ樹脂を溶剤に溶かすが、溶剤として用いられる溶媒は、第２バインダ樹脂によく馴染むよう（よく溶けるよう）第２バインダ樹脂の溶解性パラメータと近いものが選択される。また、この溶媒は、第１バインダ樹脂の溶解性パラメータと２（Ｍｐａ）１／２以上離れているものが選択される。
【００７３】
これにより、先にシンチレータ画素３９を形成した後に、溶媒に溶かした第２バインダ樹脂を充填して隔壁部３８を形成した際に、溶媒によって第１バインダ樹脂が溶かされにくく、シンチレータ画素３９の溝部に沿った端面の平坦性が損なわれることも抑制できる。当然、第１バインダ樹脂と第２バインダ樹脂との密着を抑制することができる。
【００７４】
さらに、上述したように、下地層３６３の第３バインダ樹脂（ポリイミド系樹脂）と、この下地層３６３に接するシンチレータ画素３９の第１バインダ樹脂及び隔壁部３８の第２バインダ樹脂との溶解性パラメータの差は、２（Ｍｐａ）１／２以下である。このため、下地層３６３上にシンチレータ層を形成した際に、第３バインダ樹脂に第１バインダ樹脂がよく馴染み、相互に強固に接着することができる。また、下地層３６３まで到達した溝部に隔壁部３８を充填した際に、第３バインダ樹脂に第２バインダ樹脂がよく馴染み、両者を互いに強固に接着することができる。
【００７５】
なお、このＸ線検出器の製造方法は、上述した順番に限られるものではなく種種変更が可能である。すなわち、適用する材料は全て同一であっても、下地層３６３を形成した後に隔壁部３８を形成してからシンチレータ画素３９を形成しても良い。
【００７６】
例えば、画素単位のフォトダイオード１３などが配列してなる光電変換基板１１上に、第３バインダ樹脂の一例としてポリイミド系樹脂を含有する下地層３６３を形成した後に、この下地層３６３上に、第２バインダ樹脂を含有する隔壁層を形成する。例えば、第２バインダ樹脂の一例としてのポリプロピレン系樹脂とＧｄ２Ｏ２Ｓ：Ｅｕ蛍光体粉末との混合物を溶剤により粘度を下げた状態のペーストとして下地層３６３の表面全体にベタ膜状に塗布し、乾燥する。これにより、隔壁層が成膜される。
【００７７】
続いて、隔壁層を画素間に合わせて残す形状にパターニングして隔壁部３８を形成する。例えば、フォトエッチングプロセスなどにより、画素単位のフォトダイオード１３上に位置する隔壁層を除去する。これにより、格子状の隔壁部３８が形成される。
【００７８】
続いて、隔壁部３８によって囲まれた領域に、蛍光材料及び第１バインダ樹脂を含有するシンチレータ画素を形成する。例えば、第１バインダ樹脂の一例としてのエポキシ系樹脂と蛍光材料の一例としてのＧｄ２Ｏ２Ｓ：Ｅｕ蛍光体粒子との混合溶液を隔壁部３８で囲まれた領域内に充填し、更に焼成することで固化する。これにより、シンチレータ画素３９が形成される。
以下、上述した製造方法と同様の工程により、Ｘ線検出器が製造される。
【００７９】
このように、シンチレータ画素３９の第１バインダ樹脂（エポキシ系樹脂）と、このシンチレータ画素３９に接する隔壁部３８の第２バインダ樹脂（ポリプロピレン系樹脂）との溶解性パラメータの差は、２（Ｍｐａ）１／２以上離れている。このため、シンチレータ画素３９と隔壁部３８との密着性を低く抑えることができる。
【００８０】
また、シンチレータ画素３９を形成するために、第１バインダ樹脂を溶剤に溶かす場合、溶剤として用いられる溶媒は、第１バインダ樹脂によく馴染むよう（よく溶けるよう）第１バインダ樹脂の溶解性パラメータと近いものが選択される。また、この溶媒は、第２バインダ樹脂の溶解性パラメータと２（Ｍｐａ）１／２以上離れているものが選択される。
【００８１】
これにより、先に隔壁部３８を形成した後に、溶媒に溶かした第１バインダ樹脂を充填してシンチレータ画素３９を形成した際に、溶媒によって第２バインダ樹脂が溶かされにくく、隔壁部３８の画素間に沿った端面の平坦性が損なわれることも抑制できる。当然、第１バインダ樹脂と第２バインダ樹脂との密着を抑制することができる。
【００８２】
さらに、上述したように、下地層３６３の第３バインダ樹脂（ポリイミド系樹脂）と、この下地層３６３に接するシンチレータ画素３９の第１バインダ樹脂及び隔壁部３８の第２バインダ樹脂との溶解性パラメータの差は、２（Ｍｐａ）１／２以下である。このため、下地層３６３上にシンチレータ層を形成した際に、第３バインダ樹脂に第１バインダ樹脂がよく馴染み、相互に強固に接着することができる。また、下地層３６３まで到達した溝部に隔壁部３８を充填した際に、第３バインダ樹脂に第２バインダ樹脂がよく馴染み、両者を互いに強固に接着することができる。
【００８３】
以上説明したように、これらの製造方法によって製造されたＸ線検出器によれば、Ｘ線によって励起されて蛍光を発光するシンチレータ層を隔壁部により画素毎に分離している。このため、デバイスへの印加電圧が高々数十ボルトと低い利点を生かした信頼性の高い間接方式でありながら、蛍光の拡散が抑制され、隣接する画素のフォトダイオードに到達することを抑制できるため、直接方式並みの高解像度及び高感度を有する平面検出器を提供することができる。また、シンチレータ画素３９と隔壁部３８との密着性を低く抑えることができるとともに、シンチレータ画素３９及び隔壁部３８と、下地層３６３との密着性を向上することができる。
【００８４】
次に、具体的な試作による効果の検証を行った。
比較例及び本実施形態１及び２に共通の構造として、検出面の有効エリアを９インチ×９インチのほぼ正方形状とし、有効エリア内の画素ピッチは１５０μｍ、画素サイズは１００μｍ×１００μｍ、フォトダイオード１３はａ−ＳｉのＰＩＮ構造をプラズマＣＶＤ法とフォトリソグラフィプロセスにより形成し、フォトダイオード１３における第２電極１３２はＩＴＯをスパッタリング法で形成した。
【００８５】
比較例では、シンチレータ画素３９及び隔壁部３８は同一のエポキシ系樹脂を用いてＸ線検出器を試作し、下地層は設けなかった。本実施形態１では、シンチレータ画素３９及び隔壁部３８のそれぞれの溶解性パラメータの差が２（Ｍｐａ）１／２以上離れた関係のバインダ樹脂を用いて５種類のＸ線検出器を試作した。本実施形態２では、シンチレータ画素３９及び隔壁部３８のそれぞれの溶解性パラメータの差が２（Ｍｐａ）１／２以上離れた関係であり、かつ、シンチレータ画素３９のバインダ樹脂又は隔壁部３８のバインダ樹脂と溶解性パラメータが２（Ｍｐａ）１／２以内にあるバインダ樹脂を下地層として用いた５種類のＸ線検出器を試作した。
【００８６】
図６に各試作品の品質データをまとめた。図６に示すように、シンチレータ画素と隔壁部とが密着して一体となった比較例の場合、発生した応力を分散することができず、製品不良と判定され得るほどモジュール全体の反りが５乃至８ｍｍ程度と顕著となった。また、シンチレータ画素や隔壁部などを構成する膜の剥がれに起因した画素欠陥の有無については、シンチレータ層を画素分離するような構造に形成した直後に目視で１乃至３％程度の画素欠陥が確認された。また、試作品の完成直後の初期評価では、２乃至５％程度の画素欠陥が確認された。さらに、６０℃の高温環境下で５００時間放置した後では、１２乃至１９％程度の画素欠陥が確認された。
【００８７】
一方、本実施形態１の場合、シンチレータ画素と隔壁部との密着性が低下し、発生した応力を分散することができたため、モジュール全体の反りは、０乃至１ｍｍ程度に抑えることができた。また、画素分離直後では、画素欠陥の発生割合を０．１％未満に抑えることができた。また、試作品の完成直後の初期評価では、画素欠陥の発生割合を０．３％未満に抑えることができた。さらに、６０℃の高温環境下で５００時間放置した後では、画素欠陥の発生割合を０．５％未満に抑えることができた。なお、ここでの測定値は、５種類の試作品の平均値である。
【００８８】
また、本実施形態２の場合、シンチレータ画素と隔壁部との密着性が低下し、発生した応力を分散することができたと同時に、シンチレータ画素または隔壁部と下地層との密着性を向上できたため、モジュール全体の反りは、０乃至１ｍｍ程度に抑えることができた。また、画素分離直後では、画素欠陥の発生割合を０．１％未満に抑えることができた。また、試作品の完成直後の初期評価では、画素欠陥の発生割合を０．１％未満に抑えることができた。さらに、６０℃の高温環境下で５００時間放置した後では、画素欠陥の発生割合を０．１％未満に抑えることができた。なお、ここでの測定値も、５種類の試作品の平均値である。
【００８９】
このように、本実施形態１及び２のようなモジュール構成とすることにより、シンチレータ膜応力の緩和により、モジュール全体の反りや膜剥がれに起因した画素欠陥の低減効果が顕著であることが分かる。
【００９０】
以上説明したように、この実施の形態に係るＸ線検出器及びその製造方法によれば、基板の反りや膜剥がれ及びこれらの不具合に由来する画素欠陥の極めて少ない高品質な製品を提供することができる。したがって、製造歩留まりを向上することができる。
【００９１】
なお、この発明は上記各実施の形態に限定されるものではなく、その実施の段階ではその要旨を逸脱しない範囲で種々な変形・変更が可能である。また、各実施の形態は可能な限り適宜組み合わせて実施されてもよく、その場合組み合わせによる効果が得られる。
【００９２】
この発明のＸ線検出器は、縦横に複数の画素が配列された構成のものについて説明したが、縦横の画素の比率が異なる（例えば、一方の画素数が１個の場合など）一見すると線状に構成されたＸ線検出器に適用するこも可能である。この場合、スイッチング素子はＴＦＴを使用しなくとも実施可能である。
【００９３】
また、図２に示した例では、単一の下地層３６３上に隔壁部３８及びシンチレータ画素３９を配置したが、先に説明したように下地層は必ずしも設ける必要はない。
【００９４】
また、下地層３６３を設ける場合、隔壁部３８と光電変換基板１１との間に隔壁部３８に含まれる第２バインダ樹脂の溶解性パラメータとの差が２（Ｍｐａ）１／２以下であるバインダ樹脂を含有する第１下地層を設け、シンチレータ画素３９と光電変換基板１１との間にシンチレータ画素３９に含まれる第１バインダ樹脂の溶解性パラメータとの差が２（Ｍｐａ）１／２以下であるバインダ樹脂を含有する第２下地層を設けてもよい。このような構成とすることにより、この発明の目的を達成するための隔壁部３８、シンチレータ画素３９、及び、下地層３６３にそれぞれ含まれるバインダ樹脂材料の適用可能範囲が広がり、必要な特性に合わせたバインダ樹脂材料を選択することが可能となる。
【００９５】
【発明の効果】
以上説明したように、この発明によれば、解像度特性を向上することが可能であるとともに、製造歩留まり及び信頼性の高い放射線検出器及びその製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は、この発明の一実施の形態に係るＸ線検出器の回路構成を模式的に示す図である。
【図２】図２は、図１に示したＸ線検出器の１画素部分の構造を概略的に示す断面図である。
【図３】図３は、バインダ樹脂として利用可能なポリマの一例と、それぞれの溶解性パラメータとを示す図である。
【図４】図４は、溶媒の一例と、それぞれの溶解性パラメータとを示す図である。
【図５】図５は、２つの物質同士の溶解性パラメータと膨潤率との定性的な関係を説明するための図である。
【図６】図６は、比較例と本実施形態との効果の比較をまとめた図である。
【符号の説明】
１…Ｘ線検出器、１１…光電変換基板、１２…画素、１３…フォトダイオード、１４…薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）、１５…蓄積キャパシタ、１６…制御回路、１７…データライン、１８…制御ライン、３８…隔壁部、３９…シンチレータ層、４１…蛍光、３６３…下地層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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