(57)【要約】【課題】  ゲルチューブの気孔から放出されるガスの拡散が円滑に進行されるようにし、反応速度をさらに促進させることによって、焼結工程にかかる時間を短縮させ、ゲルチューブの幾何学的構造を安定させる焼結方法及び装置を提供する。【解決手段】  本発明によるゾルゲル法によって構成されたゲルチューブを焼結させるための装置は、ゲルチューブを内部に実装する真空シーリングされた反応チャンバーと、制御信号によって反応チャンバーの内部の真空度を調節する真空ポンプと、反応チャンバーの内部の真空度を計測する真空ゲージと、ゲルチューブを支持し、制御信号によってゲルチューブを回転及び垂直上下移動させるモーション部と、反応チャンバーの内部の温度を計測する温度センサーと、ゲルチューブを焼結するために、制御信号によって反応チャンバーの内部の温度を調節するヒーターと、ゲルチューブを真空雰囲気下で焼結するために、真空ポンプ、ヒーター及びモーション部を制御する制御部と、を含む。【選択図】    図３
2004161610.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゾルゲル法によって構成されたゲルチューブを焼結させるための焼結方法において、
前記ゲルチューブ内に残存するガスの拡散速度を高めるために、該ゲルチューブを真空雰囲気下で回転及び垂直上下移動させながら焼結させることを特徴とする焼結方法。
【請求項２】
ゾルゲル法によって構成されたゲルチューブを焼結させるための焼結装置において、
前記ゲルチューブを内部に実装する真空シーリングされた反応チャンバーと、
制御信号によって前記反応チャンバーの内部の真空度を調節する真空ポンプと、
前記反応チャンバーの内部の真空度を計測する真空ゲージと、
前記ゲルチューブを支持し、制御信号によって該ゲルチューブを回転及び垂直上下移動させるモーション部と、
前記反応チャンバーの内部の温度を計測する温度センサーと、
前記ゲルチューブを焼結するために、制御信号によって前記反応チャンバーの内部の温度を調節するヒーターと、
前記ゲルチューブを真空雰囲気下で焼結するために、前記真空ポンプ、ヒーター及びモーション部を制御する制御部と、
を含むことを特徴とする焼結装置。
【請求項３】
焼結装置は、反応チャンバーの内部の真空度を選択的に調節するためのバルブをさらに含む請求項２記載の焼結装置。
【請求項４】
焼結装置は、反応チャンバーと真空ポンプとを連結する管をさらに含む請求項２記載の焼結装置。
【請求項５】
ゾルゲル法によって構成されたゲルチューブを焼結させるための焼結装置において、
前記ゲルチューブを内部に実装する真空シーリングされた反応チャンバーと、
制御信号によって前記反応チャンバーの内部の真空度を調節する第１真空ポンプと、
前記反応チャンバーの内部の真空度を計測する真空ゲージと、
前記反応チャンバーの内部の温度を計測する温度センサーと、
前記ゲルチューブを焼結するために、制御信号によって前記反応チャンバーの内部の温度を調節するヒーターと、
前記反応チャンバーを実装し、前記反応チャンバーと独立した真空状態を形成し、前記ヒーターを支持する真空シーリングされた加熱チャンバーと、
制御信号によって前記加熱チャンバーの内部の真空度を調節する第２真空ポンプと、
前記ゲルチューブを真空雰囲気下で焼結し、前記加熱チャンバーの変形を防止するために、前記第１及び第２真空ポンプ及び前記ヒーターを制御する制御部と、
を含むことを特徴とする焼結装置。
【請求項６】
焼結装置は、制御信号によってゲルチューブを回転及び垂直上下移動させるモーション部をさらに含み、
制御部は、前記ゲルチューブが回転及び垂直上下移動しながら焼結されるように前記モーション部を制御する請求項５記載の焼結装置。
【請求項７】
反応チャンバーは、真空焼結過程で発生するガスを最小化するために石英材質で構成される請求項５記載の焼結装置。
【請求項８】
ゾルゲル法によって構成されたゲルチューブを焼結させるための焼結装置において、
前記ゲルチューブを内部に実装する真空シーリングされた反応チャンバーと、
制御信号によって前記反応チャンバーの内部の真空度を調節する真空ポンプと、
前記反応チャンバーの内部の真空度を計測する真空ゲージと、
制御信号によって前記ゲルチューブを回転及び垂直上下移動させるモーション部と、
前記反応チャンバーの上部に位置し、該反応チャンバーの内部の圧力変化による衝撃を吸収する蛇腹形態のベローズと、
前記反応チャンバーの内部の温度を計測する温度センサーと、
前記ゲルチューブを焼結させるために、制御信号によって前記反応チャンバーの内部の温度を調節するヒーターと、
前記ゲルチューブを真空雰囲気下で焼結させるために、前記真空ポンプ、前記ヒーター及び前記モーション部を制御する制御部と、
を含むことを特徴とする焼結装置。
【請求項９】
ベローズは、複数のリングを互に結合させて構成される請求項８記載の焼結装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光ファイバ母材に関し、特にゾルゲル法によるゲルチューブの製造装置及び方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
光ファイバは、光信号伝送媒体であるコア、及びコアの外周を囲むクラッドから構成される。コア内に入射された光信号は、クラッドとコアとの境界面で全反射され、光ファイバ内を進行する。その光ファイバは、光ファイバ母材を線引きすることによって製造される。
【０００３】
光ファイバ母材は、化学気相蒸着法(Chemical Vapor Deposition)やＶＡＤ法(vapor-phase axial deposition)によって製造された１次母材、及び１次母材にガラスチューブをオーバークラッドした２次母材に区分される。ガラスチューブの製造法には、気相反応によって固体のシリカグラスを製造する方法である化学気相蒸着法、または、高純度の液状物質を使用して製造するゾルゲル法などがある。化学気相蒸着法は、気相反応によって固体のシリカグラスを製造する為、その工程が高温状態で進行することになり、また製造装備が高価な為、製造コストが上昇するという問題点がある。反面、ゾルゲル法は液状工程をとる為、生産性が高く、製品の組成を自由に調節することができるという利点がある。
【０００４】
ゾルゲル法による従来のガラスチューブの製造過程は、分散・混合過程、モールディング過程、デモルディング過程、乾燥過程、有機物処理過程、及び焼結過程から構成される。
【０００５】
分散・混合過程は、シリコンアルコキシド(Silicon Alkoxid)などの出発物質(starting Material)を脱イオン水と混合し、分散剤などの添加剤を混ぜて分散処理して均一のゾルを製造する過程である。 
【０００６】
モールディング過程は、分散・混合過程から製造されたゾルを一定の形態のモールドに入れてゲル化する過程である。
【０００７】
デモルディング過程は、モールディング過程を通してモールド内に形成されたシリンダー形状のゲルチューブをモールドから分離して熟成させる過程である。
【０００８】
乾燥過程は、モールドから分離したゲルチューブを恒温恒湿チャンバー(chamber)などの乾燥手段を用いて乾燥させる過程である。ゲルチューブは、内部に含有された水分が蒸発しながら多孔性構造を形成する。  
【０００９】
有機物処理過程は、低温熱処理を通してゲルチューブ内の残留水分及びバインダー(binder)などの有機物を分解し、塩素(Cl)ガス雰囲気で加熱してゲルチューブ内のアルカリ金属性不純物及び水酸化基(OH)などを除去する過程である。
【００１０】
焼結過程は、前述した全ての過程を経たゲルチューブ内の気泡やガスを除去してガラスチューブを生成するための工程であり、ゲルチューブの焼結装置内にゲルチューブを挿入して回転させる回転過程、焼結装置内にヘリウムまたは窒素ガスを注入するガス注入過程、及び焼結装置内を加熱する加熱過程から構成される。
【００１１】
図１は、従来技術によるゲルチューブの焼結装置の構成を示す。図１を参照すると、焼結装置１００は、内部にゲルチューブアセンブリ１３０を実装し、ゲルチューブ１３１を加熱するためのヒーター１２０などを含む。
【００１２】
ゲルチューブアセンブリ１３０は、ゲルチューブ１３１を固定するダミーロッド(Dummy Rod)１３３、及びゲルチューブ１３１を固定して回転体(図示せず)と連結させるセラミックロッド(Ceramic Rod)１３２を含む。 
【００１３】
ヒーター１２０は、ゲルチューブ１３１を焼結させるために加熱する。
【００１４】
焼結装置１００内には、ゲルチューブ１３１の焼結中にヘリウムまたは窒素などのガスが注入される。
【００１５】
しかしながら、従来技術によるゲルチューブの焼結方法及び装置においては、ゲルチューブの焼結中にヘリウムまたは窒素ガスを注入することによって、焼結装置内の圧力変化が不規則になる。従って、ゲルチューブ内部の気孔または不純物ガスの拡散速度がゲルチューブの焼結進行速度より遅くなり、ゲルチューブ内部の気泡除去がうまく行われない。これによって、ゲルチューブ内部の気孔または不純物ガスを除去するためには、焼結装置内の緻密化温度を持続的に上昇させる必要があり、これは、ゲルチューブの上下部の直径偏差発生の要因になる。このように、窒素、ヘリウムなどのガスを注入する従来の焼結装置は、ゲルチューブの幾何学的安定性の確保が容易でない上、緻密化温度の持続的な上昇によって焼結装置自体の寿命が短かくなることや、生産コストが上昇するなどの問題点がある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１６】
本発明の目的は、ゲルチューブの気孔から放出されるガスの拡散が円滑に進行されるようにし、反応速度をさらに早めることによって、焼結工程にかかる時間を短縮させ、ゲルチューブの幾何学的構造を安定させる焼結方法及び装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
このような目的を達成するために、本発明は、ゾルゲル法によって構成されたゲルチューブを焼結させるための方法において、ゲルチューブ内に残存するガスの拡散速度を高めるために、ゲルチューブを真空雰囲気下で回転及び垂直上下移動させながら焼結させることを特徴とする焼結方法を提案する。そのための装置として、ゲルチューブを内部に実装する真空シーリングされた反応チャンバーと、制御信号によって反応チャンバーの内部の真空度を調節する真空ポンプと、反応チャンバーの内部の真空度を計測する真空ゲージと、ゲルチューブを支持し、制御信号によってゲルチューブを回転及び垂直上下移動させるモーション部と、反応チャンバーの内部の温度を計測する温度センサーと、ゲルチューブを焼結するために、制御信号によって反応チャンバーの内部の温度を調節するヒーターと、ゲルチューブを真空雰囲気下で焼結するために、真空ポンプ、ヒーター及びモーション部を制御する制御部と、を含むゲルチューブの焼結装置を提案する。
【００１８】
焼結装置は、反応チャンバーの内部の真空度を選択的に調節するためのバルブをさらに含んでも良い。
【００１９】
焼結装置は、反応チャンバーと真空ポンプとを連結する管をさらに含むことができる。
【００２０】
また、本発明は、ゾルゲル法によって構成されたゲルチューブを焼結させるための装置として、ゲルチューブを内部に実装する真空シーリングされた反応チャンバーと、制御信号によって反応チャンバーの内部の真空度を調節する第１真空ポンプと、反応チャンバーの内部の真空度を計測する真空ゲージと、反応チャンバーの内部の温度を計測する温度センサーと、ゲルチューブを焼結するために、制御信号によって反応チャンバーの内部の温度を調節するヒーターと、反応チャンバーを実装し、反応チャンバーと独立した真空状態を形成し、ヒーターを支持する真空シーリングされた加熱チャンバーと、制御信号によって加熱チャンバーの内部の真空度を調節する第２真空ポンプと、ゲルチューブを真空雰囲気下で焼結し、加熱チャンバーの変形を防止するために、第１及び第２真空ポンプ及びヒーターを制御する制御部と、を含むことを特徴とする焼結装置を提案する。
【００２１】
焼結装置は、制御信号によってゲルチューブを回転及び垂直上下移動させるモーション部をさらに含み、制御部は、ゲルチューブが回転及び垂直上下移動しながら焼結するようにモーション部を制御する構成にすることもできる。
【００２２】
真空焼結過程で発生するガスを最小化するために、反応チャンバーを石英材質で構成しても良い。
【００２３】
また、本発明は、ゾルゲル法によって構成されたゲルチューブを焼結させるための装置として、ゲルチューブを内部に実装する真空シーリングされた反応チャンバーと、制御信号によって反応チャンバーの内部の真空度を調節する真空ポンプと、反応チャンバーの内部の真空度を計測する真空ゲージと、制御信号によってゲルチューブを回転及び垂直上下移動させるモーション部と、反応チャンバーの上部に位置し、反応チャンバーの内部の圧力変化による衝撃を吸収する蛇腹形態のベローズと、反応チャンバーの内部の温度を計測する温度センサーと、ゲルチューブを焼結させるために、制御信号によって反応チャンバーの内部の温度を調節するヒーターと、ゲルチューブを真空雰囲気下で焼結させるために、真空ポンプ、ヒーター及びモーション部を制御する制御部と、を含むことを特徴とする焼結装置を提案する。
【００２４】
ベローズは、複数のリングが互に結合されて構成されるようにしても良い。
【発明の効果】
【００２５】
本発明は、真空雰囲気下でゲルチューブを焼結することによって、ゲルチューブの緻密化が容易に行われ、これによって温度調節が容易になる。さらに、製造しようとするガラスチューブのサイズ及び性質に合わせて、焼結装置内部の温度及び圧力を適切に調節することによって、ガラスチューブの品質及び生産の安定性を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
以下、本発明の好適な実施形態について添付図を参照しつつ詳細に説明する。下記の説明において、本発明の要旨のみを明確にする目的で、関連した公知機能又は構成に関する具体的な説明は省略する。
【００２７】
図２は、本発明によるガラスチューブの製造過程を示す。図２を参照すると、ゾルゲル法によるガラスチューブの製造過程は、ゾルを製造する分散・混合過程２１０、ゾルをモールドに注入するモールディング過程２２０、デモルディング過程２３０、乾燥過程２４０、有機物処理過程２５０、及び成形されたゲルチューブを真空状態で焼結することによってガラスチューブを生成する真空焼結過程２６０から構成される。
【００２８】
分散・混合過程２１０は、シリコンアルコキシド(Silicone Alkoxid)などの出発物質(starting Material)を脱イオン水と混合し、分散剤などの添加剤を混ぜて分散処理して均一なゾルを製造する過程である。
【００２９】
モールディング過程２２０は、分散・混合過程２１０によって製造されたゾルを一定の形態を有するモールドに入れてゲル化する過程である。ゾルには、ゾル粒子間の結合のために、結合剤及びゲル化促進剤などを添加することもある。モールドは、ステンレススティール(stainless steel)、アクリル(acryl)、ポリスチレン(polystyrene)、または、テフロン(teflon)（登録商標）材質などで構成することができる。
【００３０】
デモルディング過程２３０は、モールディング過程２２０を通してモールド内に形成されたゲルチューブをモールドから分離して熟成させる過程である。デモルディング過程２３０は、ゲルチューブの損傷を防止するために水槽(water tank)内で行うこともある。
【００３１】
乾燥過程２４０では、ゲルチューブを恒温恒湿チャンバーなどの乾燥手段を使用して乾燥させ、ゲルチューブの内部に含有された水分が蒸発することによって多孔性構造を形成する。
【００３２】
有機物処理過程２５０は、低温熱処理を通してゲルチューブ内の残留水分を除去、及びバインダー(binder)などの有機物を分解し、また塩素(Cl)ガス雰囲気で加熱することによりゲルチューブ内のアルカリ金属性不純物や水酸化基(OH)などを除去する過程である。
【００３３】
真空焼結過程２６０は、焼結装置内にゲルチューブを挿入して回転させながら、真空状態にした焼結装置の内部を加熱することによってゲルチューブ内の気泡やガスを除去して、ゲルチューブを焼結させる過程である。つまり、真空焼結過程２６０は、ゲルチューブの焼結過程中、焼結装置の内部を真空状態にし、その真空度及び温度が一定に維持されるように遂行される。 
【００３４】
ゲルチューブの焼結を真空状態で遂行することによって、ゲルチューブの気孔に残存するガスの拡散速度がゲルチューブの焼結速度より速く進行し、その結果、ゲルチューブの気泡除去が円滑に行われる。従って、ゲルチューブの緻密化及び焼結を向上させるために、焼結装置内部の温度を過度に上昇させる必要がない。さらに、真空焼結によるゲルチューブ製造は、高価なヘリウムまたは窒素などのガスを注入する必要もない。つまり、焼結装置の内部の累積疲労度及び生産コストが減少する利点がある。さらに、過度な加熱によるゲルチューブの幾何学的な変形を最小化することができる。
【００３５】
図３は、本発明の第１実施例による焼結装置を示す。図３を参照すると、焼結装置は、ゾルゲル法を用いた焼結過程において使用される装置であり、ゲルチューブ３１０を焼結するための装置である。この焼結装置は、焼結過程を進行するための反応チャンバー３００、ゲルチューブ３１０、ゲルチューブ３１０を回転及び垂直上下移動させるモーション部３２０、真空ポンプ３３０、及び真空ゲージ３０２、ヒーター３０１、温度センサー３０３、及び制御部３４０から構成される。
【００３６】
ゲルチューブ３１０は、ゲルチューブを固定するダミーロッド３１１、及びモーション部３２０とゲルチューブ３１０を連結するセラミックロッド３１２によって焼結装置の内部に実装される。
【００３７】
ゲルチューブ３１０を実装した反応チャンバー３００の内部は真空シーリングされているので、ゲルチューブ３１０の焼結の進行中に、その内部は真空状態を維持する。
【００３８】
モーション部３２０は、反応チャンバー３００の上部に位置し、制御部３４０からの制御信号によってゲルチューブ３１０を回転及び垂直上下移動させる。 
【００３９】
真空ポンプ３３０は、反応チャンバー３００の内部に真空状態を形成するための装置であり、制御部３４０からの制御信号によって反応チャンバー３００の内部の真空度を調節する。真空ポンプ３３０としては、低真空状態を形成するロータリーポンプ(Rotary Pump)などの低真空ポンプ、及び低真空ポンプと同時に使用して中真空状態を形成するメカニカルブースターポンプ(Mechanical Booster Pump)などの中真空ポンプを使用することができる。それ以外にも、高真空状態を形成するための高真空ポンプには、オイル拡散方式の拡散ポンプ(Diffusion Pump)及び低温冷却冷媒を使用したクライオポンプ(Cryo Pump)などが使用される。このような真空ポンプは、反応チャンバー３００のサイズ及び反応チャンバー３００の内部の真空度を考慮して選定する。ゲルチューブ３１０の焼結が終了した後、反応チャンバー３００の内部に外部空気を進入させることによって反応チャンバー３００の内部の真空を解除するベント(Vent)バルブなどを取り付けることができる。さらに、反応チャンバー３００と真空ポンプ３３０を連結するために管が使用され、その連結部分は真空シーリングされる。
【００４０】
真空ゲージ３０２としては、中真空状態を測定するピラニゲージ(Pirani gauge)などを使用することができ、高真空状態を測定するためには、ペニング(Penning)ゲージまたはイオンゲージなどが使用される。
【００４１】
ヒーター３０１は、ゲルチューブ３１０を焼結化及び緻密化させるために、制御部３４０からの制御信号によって反応チャンバー３００の内部を予め設定された温度まで加熱する装置であり、ゲルチューブ３１０の外周面を環形で囲む形態を有し、反応チャンバー３００によって支持される。
【００４２】
温度センサー３０３としてはサーマル(thermal)ゲージなどを使用することができ、反応チャンバー３００の内部の温度を計測する。 
【００４３】
制御部３４０は、温度センサー３０３によって計測された反応チャンバー３００の内部の温度と予め設定された温度とを比較してヒーター３０１を制御し、ゲルチューブ３１０が予め設定された速度で回転及び垂直上下移動ができるようにモーション部３２０を制御する。さらに、真空ゲージ３０２によって計測された反応チャンバー３００の真空度と予め設定された真空度とを比較して真空ポンプ３３０を制御する。
【００４４】
図４は、本発明の第２実施例による焼結装置を示す。図４を参照すると、焼結装置は、焼結過程を進行するための反応チャンバー４００、第１真空ポンプ４０５、真空ゲージ４０４ａ、４０４ｂ、モーション部４２０、温度センサー４０６ａ、４０６ｂ、ヒーター４１３、加熱チャンバー４１０、第２真空ポンプ４１２、及び制御部４３０を含む。焼結装置において、加熱チャンバー４１０及び反応チャンバー４００は、それぞれ独立した真空状態を形成する。
【００４５】
ゲルチューブ４０１は、ゲルチューブ４０１を固定するダミーロッド４０２、及びモーション部４２０とゲルチューブ４０１とを連結するセラミックロッド４０３によって焼結装置の内部に実装される。
【００４６】
反応チャンバー４００は、ゲルチューブ４０１を中心に実装し、ゲルチューブ４０１を焼結させるために真空シーリングされる。反応チャンバー４００は、石英(Quartz)などによって構成されるが、これは、高温加熱時に不純物の発生を最低限におさえてゲルチューブ４０１の焼結を円滑に進行させるようにするためである。 
【００４７】
第１真空ポンプ４０５は、反応チャンバー４００の内部に真空状態を形成する装置であり、制御部４３０からの制御信号によって反応チャンバー４００の内部の真空度を調節する。
【００４８】
真空ゲージ４０４ａは、反応チャンバー４００の真空状態を計測することができるように反応チャンバー４００の側面に位置する。
【００４９】
真空ゲージ４０４ｂは、加熱チャンバー４１０の真空状態を計測することができるように加熱チャンバー４１０の側面に位置する。
【００５０】
モーション部４２０は、制御部４３０からの制御信号によってゲルチューブ４０１を支持したまま回転及び垂直上下移動させることによって、高温状態で焼結進行中であるゲルチューブ４０１の幾何学的な変形を最小化する。 
【００５１】
温度センサー４０６aは、反応チャンバー４００の温度を計測することができるように反応チャンバー４００の側面に位置する。
【００５２】
温度センサー４０６ｂは、加熱チャンバー４１０の温度を計測することができるように加熱チャンバー４１０の側面に位置する。
【００５３】
ヒーター４１３は、ゲルチューブ４０１を焼結させるための熱源であり、制御部４３０からの制御信号によって反応チャンバー４００の内部が予め設定された温度に到達するまで加熱する。ヒーター４１３は、反応チャンバー４００の外部を環形で囲み、加熱チャンバー４１０によって支持される。
【００５４】
加熱チャンバー４１０は、ヒーター４１３による反応チャンバー４００の変形を最小化し、内部に反応チャンバー４００とは別に独立した真空状態を形成する。 
【００５５】
第２真空ポンプ４１２は、加熱チャンバー４１０と連結されて加熱チャンバー４１０の内部に真空状態を形成し、制御部４３０からの制御信号によって加熱チャンバー４１０の内部の真空度を調節する。
【００５６】
制御部４３０は、温度センサー４０６ａ、４０６ｂにおいて計測された反応チャンバー４００の温度及び加熱チャンバー４１０の温度を予め設定された温度と比較してヒーター４１３を制御し、ゲルチューブ４０１が予め設定された速度で回転及び垂直上下移動できるようにモーション部４２０を制御する。さらに、制御部４３０は、真空ゲージ４０４ａ、４０４ｂにおいて計測された反応チャンバー４００の真空度及び加熱チャンバー４１０の真空度を予め設定された真空度と比較して第１真空ポンプ４０５を制御し、加熱チャンバー４１０が反応チャンバー４００に独立した真空状態を形成することができるように第２真空ポンプ４１２を制御する。
【００５７】
図５は、本発明の第３実施例による焼結装置を示す。図５を参照すると、焼結装置は、反応チャンバー５００、ゲルチューブ５１０、ゲルチューブ５１０を回転させるためのモーション部５２０、反応チャンバー５００を真空状態に形成するための真空ポンプ５３０、反応チャンバー５００の内部の圧力を計測するための真空ゲージ５０２、反応チャンバー５００の内部温度を計測する温度センサー５０３、及びベローズ５４０を含む。
【００５８】
ゲルチューブ５１０は、ゲルチューブ５１０を固定するダミーロッド５１２、及びモーション部５２０とゲルチューブ５１０とを連結するセラミックロッド５１１によって焼結装置の内部に実装される。
【００５９】
ベローズ５４０は、焼結装置内の圧力変化による衝撃を吸収することによって、ゲルチューブ５１０への衝撃または振動などの物理的な影響を最小化するための装置であり、反応チャンバー５００の上部に位置する。ベローズ５４０は、複数のリングを上下に結合した構造であり、それぞれの結合部は、Ｏリング(O-ring)などによってシーリング処理することによって、真空焼結過程中に外部からのガス進入を防止する。
【００６０】
制御部５５０は、温度センサー５０３において計測された反応チャンバー５００の内部の温度と予め設定された温度とを比較してヒーター５０１を制御し、ゲルチューブ５１０が予め設定された速度による回転及び垂直上下移動できるようにモーション部５２０を制御する。さらに、真空ゲージ５０２によって計測された反応チャンバー５００の真空度と予め設定された真空度とを比較して真空ポンプ５３０を制御する。
【００６１】
以上、本発明を具体的な実施形態を参照して詳細に説明してきたが、本発明の範囲はこれらの実施形態によって限られるべきではなく、本発明の範囲内で様々な変形が可能であるということは、当該技術分野における通常の知識を持つ者には明らかである
【図面の簡単な説明】
【００６２】
【図１】従来技術による窒素及びヘリウムガスが注入される焼結装置を示す構成図。
【図２】本発明によるガラスチューブの製造過程を示すフローチャート。
【図３】本発明の第１実施例による焼結装置を示す構成図。
【図４】本発明の第２実施例による焼結装置を示す構成図。
【図５】本発明の第３実施例による焼結装置を示す構成図。
【符号の説明】
【００６３】
１００  焼結装置
１２０，３０１，４１３，５０１  ヒーター
１３０  ゲルチューブアセンブリ
１３１，３１０，４０１，５１０  ゲルチューブ
１３２，３１２，４０３，５１１  セラミックロッド
１３３，３１１，４０２，５１２  ダミーロッド
２１０  分散・混合過程
２２０  モールディング過程
２３０  デモルディング過程
２４０  乾燥過程
２５０  有機物処理過程
２６０  真空焼結過程
３００，４００，５００  反応チャンバー
３０２，４０４ａ，４０４ｂ，５０２  真空ゲージ
３０３，４０６ａ，４０６ｂ，５０３  温度センサー
３２０，４２０，５２０  モーション部
３３０，５３０  真空ポンプ
３４０，４３０，５５０  制御部
４０５  第１真空ポンプ
４１０  加熱チャンバー
４１２  第２真空ポンプ
５４０  ベローズ
【図１】
2004161610.tif 000003
【図２】
2004161610.tif 000004
【図３】
2004161610.tif 000005
【図４】
2004161610.tif 000006
【図５】
2004161610.tif 000007