(57)【要約】【課題】フォトリソグラフィ工程のスループットを向上させるショットマップ作成方法を提供する。【解決手段】チップ区画及びチップ区画を行及び列からなるマトリックス状に配列したショット区画の寸法を取得するステップと、ショット区画の複数個が露光区画の内部に表現されるようにマトリックス状に配列して初期ショットマップを作成するステップと、初期ショットマップから、ショット区画の配列からなる列を、チップ区画の列方向の寸法を単位としてチップ区画の列方向に移動して第１のショットマップを作成するステップと、初期ショットマップから、ショット区画の配列からなる行を、チップ区画の行方向の寸法を単位としてチップ区画の行方向に移動して第２のショットマップを作成するステップと、初期ショットマップと第１及び第２のショットマップの有効ショット区画を比較して修正ショットマップを作成するステップとを含む。【選択図】      図５
2004281434.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
チップ区画及び前記チップ区画を行及び列からなるマトリックス状に配列したショット区画の寸法を取得するステップと、
前記ショット区画の複数個が露光区画の内部に表現されるようにマトリックス状に配列して初期ショットマップを作成するステップと、
前記初期ショットマップから、前記ショット区画の配列からなる列を、前記チップ区画の列方向の寸法を単位として前記チップ区画の列方向に移動して第１のショットマップを作成するステップと、
前記初期ショットマップから、前記ショット区画の配列からなる行を、前記チップ区画の行方向の寸法を単位として前記チップ区画の行方向に移動して第２のショットマップを作成するステップと、
前記初期ショットマップと前記第１及び第２のショットマップの有効ショット区画を比較して修正ショットマップを作成するステップ
とを含むことを特徴とするショットマップ作成方法。
【請求項２】
前記有効ショット区画は、前記露光区画内に前記ショット区画の全域が含まれる前記ショット区画であることを特徴とする請求項１に記載のショットマップ作成方法。
【請求項３】
前記有効ショット区画は、前記ショット区画の中心部が前記露光区画内にある前記ショット区画であることを特徴とする請求項１に記載のショットマップ作成方法。
【請求項４】
前記初期ショットマップと前記第１及び第２のショットマップの前記有効ショット区画内にあり、前記露光区画内に前記チップ区画の全域が含まれる有効チップ区画を比較して第１の修正ショットマップを作成するステップを更に含むことを特徴とする請求項３に記載のショットマップ作成方法。
【請求項５】
前記第１の修正ショットマップを用いて、露光装置で前記ショット区画に対応するショット領域のフォトレジスト膜に対する結像面を測定するステップと、
前記結像面と前記フォトレジスト膜表面との前記露光装置の光軸方向の位置ずれとしてのデフォーカス量を算出するステップと、
前記デフォーカス量が前記露光装置の焦点深度より大きい前記有効ショット区画を含む補正対象列を、前記補正対象列方向の前記チップ区画の寸法を単位として前記補正対象列方向に移動して第２の修正ショットマップを作成するステップと、
前記第１の修正ショットマップと前記第２の修正ショットマップの前記有効チップ数を比較するステップ
とを、更に含むことを特徴とする請求項４に記載のショットマップ作成方法。
【請求項６】
チップ区画及び前記チップ区画を行及び列からなるマトリックス状に配列したショット区画の寸法を取得する段階、前記ショット区画の複数個が露光区画の内部に表現されるようにマトリックス状に配列して初期ショットマップを作成する段階、前記初期ショットマップから、前記ショット区画の配列からなる列を、前記チップ区画の列方向の寸法を単位として前記チップ区画の列方向に移動して第１のショットマップを作成する段階、前記初期ショットマップから、前記ショット区画の配列からなる行を、前記チップ区画の行方向の寸法を単位として前記チップ区画の行方向に移動して第２のショットマップを作成する段階、前記初期ショットマップと前記第１及び第２のショットマップの有効ショット区画を比較して修正ショットマップを作成する段階より露光ショットマップを作成するステップと、
前記露光ショットマップを用いてフォトレジスト膜に回路パターンを転写するステップ
とを含むことを特徴とする露光方法。
【請求項７】
チップ区画及びショット区画の寸法を取得する寸法入力モジュールと、
前記ショット区画の複数個が露光区画の内部に表現されるようにマトリックス状に配列して初期ショットマップを作成するマップ作成モジュールと、
前記初期ショットマップから、前記ショット区画の配列からなる列及び行を、前記チップ区画の列及び行方向の寸法を単位として前記チップ区画の列及び行方向に移動して修正ショットマップを作成するマップ修正モジュール
とを備えることを特徴とするプロセッサ。
【請求項８】
チップ区画及び前記チップ区画を行及び列からなるマトリックス状に配列したショット区画の寸法を入力する段階、前記ショット区画の複数個が露光区画の内部に表現されるようにマトリックス状に配列して初期ショットマップを作成する段階、前記初期ショットマップから、前記ショット区画の配列からなる列を、前記チップ区画の列方向の寸法を単位として前記チップ区画の列方向に移動して第１のショットマップを作成する段階、前記初期ショットマップから、前記ショット区画の配列からなる行を、前記チップ区画の行方向の寸法を単位として前記チップ区画の行方向に移動して第２のショットマップを作成する段階、前記初期ショットマップと前記第１及び第２のショットマップの有効ショット区画を比較して修正ショットマップを作成する段階より露光ショットマップを作成する工程と、
フォトマスクとフォトレジスト膜を塗付した半導体基板を露光装置に装着する工程と、
前記露光ショットマップを用いて前記フォトレジスト膜に前記フォトマスクの回路パターンを転写する工程と、
前記半導体基板に半導体装置製造プロセスを実施する工程
とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項９】
チップ区画及び前記チップ区画を行及び列からなるマトリックス状に配列したショット区画の寸法を取得する命令と、
前記ショット区画の複数個が露光区画の内部に表現されるようにマトリックス状に配列して初期ショットマップを作成する命令と、
前記初期ショットマップから、前記ショット区画の配列からなる列を、前記チップ区画の列方向の寸法を単位として前記チップ区画の列方向に移動して第１のショットマップを作成する命令と、
前記初期ショットマップから、前記ショット区画の配列からなる行を、前記チップ区画の行方向の寸法を単位として前記チップ区画の行方向に移動して第２のショットマップを作成する命令と、
前記初期ショットマップと前記第１及び第２のショットマップの有効ショット区画を比較して修正ショットマップを作成する命令
とをコンピュータに実行させるためのプログラム。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、フォトリソグラフィ技術に関し，特にショットマップの作成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
高集積化された半導体装置を製造するフォトリソグラフィ工程では、露光装置を用いてフォトマスクのパターンを、半導体基板上に塗布されたフォトレジストの複数のショット領域に転写する。各ショット領域には、半導体装置の製造スループット向上のため複数のチップが形成される。ショット領域は、半導体基板の有効露光領域の寸法及びショット領域の寸法等を考慮して半導体基板上にマトリックス状に配列される。各ショット領域について、露光装置のオートフォーカス機構により結像面が検出され、露光される。フォトリソグラフィ工程のスループットを向上させるため、半導体基板から得られるショット領域あるいはチップ数が最大となるように、ショット領域の配列図（ショットマップ）を決定している（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
また、フォトリソグラフィ工程のスループットを向上させる方法として、マトリックス状に配列されたショット領域の一部をチップパターン単位で行方向あるいは列方向にずらして、ショット領域を最小にする方法が知られている（例えば、特許文献２参照）。
【０００４】
【特許文献１】
特開平９−２７４４５号公報（第４−１０頁、第４図）
【０００５】
【特許文献２】
特開平７−２１１６２２号公報（第４−１０頁、第２図）
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
上述したように、ショットマップは、ショット領域単位のマトリックス状配列で固定されているため、細かい配列の調整ができず、必ずしも得られる良品のチップの個数が最大とはならず、歩留まりが抑えられるという問題がある。また、半導体装置の製造においては、円形の半導体基板が使用される。このためどうしても、半導体基板端部において、ショット領域全体が半導体基板内に収まらない欠けショット領域が出現してしまう。露光装置はショット領域毎に露光面を定めて露光するが、欠けショット領域では、オートフォーカス機構が適正に動作しにくい。したがって、欠けショット領域に対する露光がデフォーカスになりやすくなる。その結果、欠けショット領域のチップの回路パターンは不良となり、フォトリソグラフィ工程のスループットが抑えられるという問題がある。
【０００７】
本発明は、このような課題を解決し、フォトリソグラフィ工程のスループットを向上させるショットマップ作成方法、露光方法、プロセッサ、半導体装置の製造方法及びプログラムを提供することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、本発明の第１の態様は、（イ）チップ区画及びチップ区画を行及び列からなるマトリックス状に配列したショット区画の寸法を取得するステップと、（ロ）ショット区画の複数個が露光区画の内部に表現されるようにマトリックス状に配列して初期ショットマップを作成するステップと、（ハ）初期ショットマップから、ショット区画の配列からなる列を、チップ区画の列方向の寸法を単位としてチップ区画の列方向に移動して第１のショットマップを作成するステップと、（ニ）初期ショットマップから、ショット区画の配列からなる行を、チップ区画の行方向の寸法を単位としてチップ区画の行方向に移動して第２のショットマップを作成するステップと、（ホ）初期ショットマップと第１及び第２のショットマップの有効ショット区画を比較して修正ショットマップを作成するステップとを含むショットマップ作成方法であることを要旨とする。
【０００９】
本発明の第２の態様は、（イ）チップ区画及びチップ区画を行及び列からなるマトリックス状に配列したショット区画の寸法を取得する段階、ショット区画の複数個が露光区画の内部に表現されるようにマトリックス状に配列して初期ショットマップを作成する段階、初期ショットマップから、ショット区画の配列からなる列を、チップ区画の列方向の寸法を単位としてチップ区画の列方向に移動して第１のショットマップを作成する段階、初期ショットマップから、ショット区画の配列からなる行を、チップ区画の行方向の寸法を単位としてチップ区画の行方向に移動して第２のショットマップを作成する段階、初期ショットマップと第１及び第２のショットマップの有効ショット区画を比較して修正ショットマップを作成する段階より露光ショットマップを作成するステップと、（ロ）露光ショットマップを用いてフォトレジスト膜に回路パターンを転写するステップとを含む露光方法であることを要旨とする。
【００１０】
本発明の第３の態様は、（イ）チップ区画及びショット区画の寸法を取得する寸法入力モジュールと、（ロ）ショット区画の複数個が露光区画の内部に表現されるようにマトリックス状に配列して初期ショットマップを作成するマップ作成モジュールと、（ニ）初期ショットマップから、ショット区画の配列からなる列及び行を、チップ区画の列及び行方向の寸法を単位としてチップ区画の列及び行方向に移動して修正ショットマップを作成するマップ修正モジュールとを備えるプロセッサであることを要旨とする。
【００１１】
本発明の第４の態様は、（イ）チップ区画及びチップ区画を行及び列からなるマトリックス状に配列したショット区画の寸法を入力する段階、ショット区画の複数個が露光区画の内部に表現されるようにマトリックス状に配列して初期ショットマップを作成する段階、初期ショットマップから、ショット区画の配列からなる列を、チップ区画の列方向の寸法を単位としてチップ区画の列方向に移動して第１のショットマップを作成する段階、初期ショットマップから、ショット区画の配列からなる行を、チップ区画の行方向の寸法を単位としてチップ区画の行方向に移動して第２のショットマップを作成する段階、初期ショットマップと第１及び第２のショットマップの有効ショット区画を比較して修正ショットマップを作成する段階より露光ショットマップを作成する工程と、（ロ）フォトマスクとフォトレジスト膜を塗付した半導体基板を露光装置に装着する工程と、（ハ）露光ショットマップを用いてフォトレジスト膜にフォトマスクの回路パターンを転写する工程と、（ニ）半導体基板に半導体装置製造プロセスを実施する工程とを含む半導体装置の製造方法であることを要旨とする。
【００１２】
本発明の第５の態様は、（イ）チップ区画及びチップ区画を行及び列からなるマトリックス状に配列したショット区画の寸法を取得する命令と、（ロ）ショット区画の複数個が露光区画の内部に表現されるようにマトリックス状に配列して初期ショットマップを作成する命令と、（ハ）初期ショットマップから、ショット区画の配列からなる列を、チップ区画の列方向の寸法を単位としてチップ区画の列方向に移動して第１のショットマップを作成する命令と、（ニ）初期ショットマップから、ショット区画の配列からなる行を、チップ区画の行方向の寸法を単位としてチップ区画の行方向に移動して第２のショットマップを作成する命令と、（ホ）初期ショットマップと第１及び第２のショットマップの有効ショット区画を比較して修正ショットマップを作成する命令とをコンピュータに実行させるためのプログラムであることを要旨とする。
【００１３】
【発明の実施の形態】
以下図面を参照して、本発明の第１及び第２の実施の形態について説明する。以下の図面の記載において、同一または類似の部分には同一または類似の符号が付してある。但し、図面は模式的なものであり、厚みと平面寸法との関係、各層の厚みの比率等は現実のものとは異なることに留意すべきである。したがって、具体的な厚みや寸法は以下の説明を参酌して判断すべきものである。また図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれていることは勿論である。
【００１４】
（第１の実施の形態）
本発明の第１の実施の形態に係る検査方法の説明に用いる露光システムは、図１に示すように、露光装置１０と、露光装置１０の光学系及びステージ駆動系の制御を行う制御ユニット２０と、半導体基板上に回路パターンを転写するための複数のショット領域の配列を定めるショットマップを作成するプロセッサ３０と、ショットマップ作成に要する各種のデータを格納する外部記憶ユニット３８とを備えている。
【００１５】
露光装置１０として、例えば屈折型の露光装置（スキャナ）を用い、縮小比は４：１としている。露光装置１０は、光源１１と、照明光学系１２と、投影光学系１３と、マスクステージ１４と、基板ステージ１５と、照射光学系１６と、受光光学系１７とを備えている。
【００１６】
光源１１として波長λ＝２４８ｎｍのクリプトンフロライド（ＫｒＦ）エキシマレーザが用いられる。照明光学系１２には、フライアイレンズやコンデンサレンズ等が含まれる。投影光学系１３には、投影レンズや開口絞り等が配置されている。光源１１から出射された露光光は、照明光学系１２、マスクステージ１４上に設置されたフォトマスク４、及び投影光学系１３を介して、基板ステージ１５上の半導体基板１に照射される。また、半導体基板１に割り付けられた各ショット領域内でのフォーカス位置を検出して結像面を測定する照射光学系１６及び受光光学系１７等を含む斜め入射方式のオートフォーカス機構１８が配置されている。例えば、第１の実施の形態で使用するオートフォーカス機構１８では、ショット領域が半導体基板１のエッジ部を含む場合、測定される結像面は半導体基板１の測定点表面から、露光装置１０の光軸方向に焦点深度以上にずれる。ここで、結像面と半導体基板１の測定点表面との露光装置１０の光軸方向の位置ずれをデフォーカス量と定義する。
【００１７】
制御ユニット２０は、光学系、ステージ駆動系あるいはオートフォーカス等を制御することにより、フォトマスク４の回路パターンを半導体基板１の表面に投影する。制御ユニット２０は、光学系制御モジュール２１と、マスクステージ駆動モジュール２２と、基板ステージ駆動モジュール２３と、オートフォーカス制御モジュール２４と、制御データ記憶モジュール２５とを備えている。
【００１８】
光学系制御モジュール２１は、制御データ記憶モジュール２５に予め設定されたデータを用いて光源１１の出射光量を制御する。光学系制御モジュール２１は、照明光学系１２及び投影光学系１３を制御して、半導体基板１上での転写パターンの解像度、焦点深度あるいは収差補正等の調節を行う。
【００１９】
マスクステージ駆動モジュール２２は、マスクステージ１４を駆動し、露光装置１０の光軸（Ｚ軸）に直交する面（Ｘ−Ｙ面）内でフォトマスク４の位置決めを行う。基板ステージ駆動モジュール２３は、基板ステージ１５を駆動し、基板ステージ１５上のＸ−Ｙ面内で半導体基板１の位置決めを行う。更に、基板ステージ駆動モジュール２３は、基板ステージ１５をＺ軸方向に駆動してフォトマスク４から投影される回路パターンの結像位置を制御する。
【００２０】
オートフォーカス制御モジュール２４は、オートフォーカス機構１８を制御して半導体基板１のショット領域内のフォーカス位置である結像面を検出する。オートフォーカス機構１８の照射光学系１６は、半導体基板１に塗布されたフォトレジスト膜を感光させない波長帯、例えば赤外光等の検査光を、送光スリットを通してフォトレジスト膜表面の測定点に照射する。受光光学系１７は、測定点で反射された検査光を受光スリットを通して検出する。受光光学系１７では、検査光の受光位置が調整され、測定点のＺ軸方向の位置が検出される。測定点を半導体基板１のショット領域で走査することにより、ショット領域の結像面が測定される。オートフォーカス制御モジュール２４は、測定された結像面の情報を用いて基板ステージ駆動モジュール２３を制御して、半導体基板１の表面をフォトマスク４から投影される回路パターンの結像位置に合致させる。また、オートフォーカス制御モジュール２４は、測定された結像面の情報を制御データ記憶モジュール２５に格納する。また、測定された結像面の情報は、外部記憶ユニット３８に格納されてもよい。
【００２１】
プロセッサ３０は、コンピューターの中央演算処理装置（ＣＰＵ）等で実現され、寸法入力モジュール３１と、マップ作成モジュール３２と、マップ修正モジュール３３と、ショット数算出モジュール３４と、チップ数算出モジュール３５と、デフォーカス量算出モジュール３６と、内部記憶モジュール３７とを備えている。
【００２２】
寸法入力モジュール３１は、外部記憶ユニット３８に格納されたレイアウトデータや仕様書等からチップ、ショット領域あるいは半導体基板１の露光領域等の寸法に対応して、それぞれチップ区画、ショット区画あるいは露光区画等の寸法を取得する。マップ作成モジュール３２は、取得したショット区画及び露光区画の寸法に従ってマトリックス状にショット区画を配列してショットマップを作成する。マップ修正モジュール３３は、マップ作成モジュール３２で作成されたショットマップのショット区画の列を移動して新たに修正ショットマップを作成する。ショット数算出モジュール３４は、作成されたショットマップのフルショット区画数及び欠けショット区画数を図形処理して算出する。ここで、「フルショット区画」とは、露光区画内に欠けることなく配置されたショット区画であり、「欠けショット区画」とは、露光区画により分断されるように配置されたショット区画である。第１の実施の形態では、フルショット区画が、結像面のデフォーカス量がフォトレジスト膜表面に露光装置１０の焦点深度以内で一致するショット領域に対応する有効ショット区画となる。一方、欠けショット区画は、結像面のデフォーカス量がフォトレジスト膜表面から露光装置１０の焦点深度以上ずれるショット領域に対応する無効ショット区画となる。チップ数算出モジュール３５は作成されたショットマップの有効ショット区画より図形処理して有効チップ区画数を算出する。ここで、「有効チップ区画」とは、露光区画内に欠けることなく配置されたチップ区画である。一方、露光区画により分断されて配置されたチップ区画を「無効チップ区画」とする。デフォーカス量算出モジュール３６は、制御ユニット２０のオートフォーカス制御モジュール２４で検出された結像面の情報を用いてデフォーカス量を算出する。また、内部記憶モジュール３７は、各種のショットマップに関するデータを格納すると共に、ショットマップ作成を実施するプログラムコードを格納する。
【００２３】
外部記憶ユニット３８は、半導体装置の回路パターンのレイアウト及び仕様書やプロセッサ３０で作成されたショットマップ等のデータを格納する。また、外部記憶ユニット３８は、露光装置１０の各種の制御データあるいはショットマップ作成を実施するプログラムコード等を格納して管理する。
【００２４】
第１の実施の形態に係るショットマップ作成方法の説明に用いるショット区画５１では、図２に示すように、ダイシングレーン５２で囲まれた回路パターン区画５３ａ〜５３ｐそれぞれを有するチップ区画５４ａ〜５４ｐが、例えば４×４のマトリックス状に配列されている。例えば、図２の紙面の左右方向をｘ軸、上下方向をｙ軸とすると、ショット区画５１の寸法は、ｘ軸及びｙ軸方向について、それぞれＷｓｘ及びＷｓｙである。図２において、点線で示されるチップ区画５４ａ〜５４ｐの寸法は、ｘ軸及びｙ軸方向について、それぞれＷｃｘ及びＷｃｙであり、実線で示される回路パターン区画５３ａ〜５３ｐの寸法は、ｘ軸及びｙ軸方向について、それぞれＣｘ及びＣｙである。回路パターン区画５３ａ〜５３ｐとチップ区画５４ａ〜５４ｐの境界線間の間隔は、ｘ軸及びｙ軸方向について、それぞれＳｘ及びＳｙである。したがって、各回路パターン区画５３ａ〜５３ｐ間の間隔であるダイシングレーン５２の幅は、２×Ｓｘ及び２×Ｓｙとなる。ショット区画５１の寸法Ｗｓｘ、Ｗｓｙ、チップ区画５４ａ〜５４ｐの寸法Ｗｃｘ、Ｗｃｙ、回路パターン区画５３ａ〜５３ｐの寸法Ｃｘ、Ｃｙ、及びチップ区画５４ａ〜５４ｐの間の間隔Ｓｘ、Ｓｙ等は、外部記憶ユニット３８に格納されている回路パターンのレイアウト及び仕様書から読み出され、プロセッサ３０の寸法入力モジュール３１に入力される。
【００２５】
矩形状のショット区画５１は、図３に示すように、互いに境界を接してマトリックス状に配列される。ショット区画５１のｘ及びｙ軸に対応して、図３の紙面左右方向をショットマップのＸ軸（行方向）、及び紙面上下方向をＹ軸（列方向）とする。マップ作成モジュール３２により露光区画５５に合わせて作成された初期ショットマップ２に対して、図３の左下のショット区画５１の位置を（Ｘ１，Ｙ１）として、Ｘ軸方向の指定を列Ｘ１〜Ｘ６、Ｙ軸方向の指定を行Ｙ１〜Ｙ８で行う。例えば、図３の左下に位置するショット区画５１（Ｘ１，Ｙ１）から右方向に３列、上方向に５行目のショット区画５１の位置は（Ｘ３，Ｙ５）となる。ショット数算出モジュール３４でフルショット区画５１ａ（有効ショット区画）を算出して、最大数のフルショット区画５１ａが得られるように調整して初期ショットマップ２を作成する。例えば、図３の初期ショットマップ２では、露光区画５５の境界線上の位置（Ｘ１，Ｙ１）〜（Ｘ１，Ｙ３）、（Ｘ１，Ｙ６）〜（Ｘ１，Ｙ８）、（Ｘ２，Ｙ１）、（Ｘ２，Ｙ８）、（Ｘ５，Ｙ１）、（Ｘ５，Ｙ８）、（Ｘ６，Ｙ１）〜（Ｘ６，Ｙ３）、及び（Ｘ６，Ｙ６）〜（Ｘ６，Ｙ８）に１６個の欠けショット区画５１ｂ（無効ショット区画）が配列されている。露光区画５５の内側にはフルショット区画５１ａが３２個配列されている。
【００２６】
なお、図３において実線で示した寸法Ｗｓｘ、Ｗｓｙのショット区画５１、及び点線で示したチップ区画５４は、露光区画５５全面にそれぞれの境界線がずれることなく直線状に接続されている。ショット区画５１及びチップ区画５４の境界線を含む領域が図２に示したダイシングレーン５２に対応している。したがって、半導体基板１に転写されて製造される半導体素子のチップ領域はダイシングによる分離が可能となる。
【００２７】
第１の実施の形態では、マップ修正モジュール３３は初期ショットマップ２から、チップ区画５４単位でショット区画５１の列Ｘ１〜Ｘ６、及び行Ｙ１〜Ｙ８それぞれを移動して、図４に示すような修正ショットマップ３を作成する。修正ショットマップ３は、ショット数算出モジュール３４で算出されるフルショット区画５１ａの数を最大となるようにして作成される。図３からわかるように、ショット区画５１の列Ｘ１〜Ｘ６それぞれをＹ軸方向（列方向）にチップ区画５４の寸法Ｗｃｙの単位で移動してもフルショット区画５１ａの増加はない。一方、図４に示すように、ショット区画５１の行Ｙ３及びＹ６をＸ軸方向（行方向）にチップ区画５４の寸法Ｗｃｘの単位で移動すると、フルショット区画５１ａが増加する。例えば、行Ｙ３をＸ軸の左方向、及び行Ｙ６をＸ軸の右方向に、それぞれ２×Ｗｃｘ移動すると、初期ショットマップ２においては欠けショット区画５１ｂの位置（Ｘ６，Ｙ３）及び（Ｘ１，Ｙ６）でフルショット区画５１ａが得られる。したがって、修正ショットマップ３では、フルショット区画５１ａが２個増加して、３４個となる。なお、図４に示した例では、Ｘ軸に対して、行Ｙ３を左方向、及び行Ｙ６を右方向に移動したが、それぞれの移動方向は逆であってもよい。
【００２８】
修正ショットマップ３では、図４に示したように、実線で示されているショット区画５１の境界は露光区画５５においてＸ軸方向には直線状になっているが、Ｙ軸方向には不連続となっている。しかし、実線で示されるショット区画５１の境界は、隣接するショット区画５１のチップ区画５４との境界でもある。したがって、ショット区画５１及びチップ区画５４により規定されるチップ区画５４の境界線は、露光区画５５全面にずれることなく直線状に接続されている。ショット区画５１及びチップ区画５４の境界線を含む領域はダイシングレーン５２に対応している。したがって、修正ショットマップ３を露光ショットマップとして用いて製造される半導体素子においても、チップ領域のダイシングによる分離が可能となる。
【００２９】
第１の実施の形態に係るショットマップによれば、露光装置１０のオートフォーカス機構が適正に作動せず、フォトマスク４から転写される回路パターンが不良になりやすい欠けショット区画５１ｂを減少させてフルショット区画５１ａを増加させることができる。したがって、フォトリソグラフィ工程のスループットを向上させることが可能となる。
【００３０】
次に、第１の実施の形態に係るショットマップ作成方法を、図５に示すフローチャートを用いて説明する。
【００３１】
（イ）まず、ステップＳ１０１で、図１に示したプロセッサ３０の寸法入力モジュール３１により、外部記憶ユニット３８からレイアウトデータや仕様書等に記載されたチップ、ショット領域あるいは半導体基板１の露光領域等の設計寸法値を読み出し、チップ区画５４、ダイシングレーン５２、ショット区画５１あるいは露光区画５５等の寸法を取得する。
【００３２】
（ロ）ステップＳ１０２で、マップ作成モジュール３２により直交するＸ、Ｙ軸のそれぞれの方向に沿って、ショット区画５１をマトリックス状に配列する。ショット数算出モジュール３４で露光区画５５内に配列されたフルショット区画５１ａを算出して、最大数のフルショット区画５１ａが得られるように調整して初期ショットマップを作成する。
【００３３】
（ハ）ステップＳ１０３で、初期ショットマップ２において、例えば、ショット区画５１の配列からなる列Ｘ１〜Ｘ６それぞれを、Ｙ軸方向のチップ区画の寸法単位でＹ軸方向に移動して、初期ショットマップ２を修正する。ショットマップの修正のたびに、ショット数算出モジュール３４でフルショット区画５１ａの数を算出する。フルショット区画５１ａの数が初期ショットマップ２に比べて修正したショットマップで増加すれば、修正によりフルショット区画５１ａの数が最大となるショットマップを第１のショットマップとする。ショットマップを修正しても、フルショット区画５１ａの数が増加しなければ、初期ショットマップ２を第１のショットマップとする。
【００３４】
（ニ）ステップ１０４で、初期ショットマップ２において、ショット区画５１の配列からなる行Ｙ１〜Ｙ８それぞれを、Ｘ軸方向のチップ区画の寸法単位でＸ軸方向に移動して、初期ショットマップ２を修正する。ショットマップの修正のたびに、ショット数算出モジュール３４でフルショット区画５１ａの数を算出する。フルショット区画５１ａ数が初期ショットマップ２に比べて修正したショットマップで増加すれば、修正によりフルショット区画５１ａの数が最大となるショットマップを第２のショットマップとする。ショットマップを修正しても、フルショット区画５１ａの数が増加しなければ、初期ショットマップ２を第２のショットマップとする。
【００３５】
（ホ）ステップＳ１０５で、マップ修正モジュール３３により第１及び第２のショットマップのフルショット区画５１ａの数を比較する。そして、ステップＳ１０６で、フルショット区画５１ａの数が最大となるように修正ショットマップ３を作成する。その後、ステップＳ１０７で、例えば修正ショットマップ３を露光ショットマップとして、半導体装置製造用の半導体基板１に塗布したレジスト膜に回路パターンを転写する。ステップＳ１０８で、転写された回路レジストパターンをマスクとして用いて半導体装置の製造プロセスを実施する。
【００３６】
このように、第１の実施の形態に係るショットマップ作成方法においては、露光装置１０のオートフォーカス機構１８が適正に作動せず、フォトマスク４から転写される回路パターンが不良になりやすい欠けショット区画５１ｂを減少させてフルショット区画５１ａを増加させた修正ショットマップ３を作成することができる。したがって、修正ショットマップ３を適用した露光方法で半導体装置の製造を実施することにより、フォトリソグラフィ工程のスループット及び半導体装置のチップの製造歩留まりを向上させることが可能となる。
【００３７】
（第２の実施の形態）
本発明の第２の実施の形態に係る検査方法の説明に用いる露光システムは、図６に示すように、露光装置１０ａと、露光装置１０ａの光学系及びステージ駆動系の制御を行う制御ユニット２０と、半導体基板上に回路パターンを転写するための複数のショット領域の配列を定めるショットマップを作成するプロセッサ３０と、ショットマップ作成に要する各種のデータを格納する外部記憶ユニット３８とを備えている。
【００３８】
本発明の第２の実施の形態に係る露光装置１０ａには、例えばショット区画の中心部が露光区画内にある欠けショット区画のショット領域に対してオートフォーカスが正常に動作する可能性があるような照射光学系１６ａ及び受光光学系１７ａを含むオートフォーカス機構１８ａを備えている。ここで、欠けショット区画のうちショット区画の中心部が露光区画の内にあるものを第１の欠けショット区画、露光区画の外にあるものを第２の欠けショット区画とする。オートフォーカスが可能な第１の欠けショット区画に相当するショット領域からは、有効チップ区画に対応するチップ領域で半導体装置の良品チップが得られる。したがって、フルショット区画だけでなく、フルショット区画に第１の欠けショット区画を加えた有効ショット区画を増加させる方が、チップの製造歩留まりを向上させることができる場合が生じる。第２の実施の形態では、プロセッサ３０のショット数算出モジュール３４は、フルショット区画に第１の欠けショット区画を加えて有効ショット区画数を算出する。チップ数算出モジュール３５は、第１の欠けショット区画及びフルショット区画から、有効チップ区画数を算出する。また、マップ修正モジュール３３は、有効ショット区画及び有効チップ区画が増加するように、修正ショットマップを作成する。第２の実施の形態に係る露光システムにおいて、ショット区画の中心部が露光区画内にある欠けショット区画のショット領域に対してオートフォーカスが正常に動作する可能性があるオートフォーカス機構１８ａが使用される点が異なり、他の構成は第１の実施の形態と同様なので、重複した説明は省略する。
【００３９】
第２の実施の形態では、図７に示すように、チップ区画６４がＸ軸方向（行方向）に４区画、Ｙ軸方向（列方向）に３区画のマトリックス状に配列されたショット区画６１を用いている。図７は、マップ作成モジュール３２により露光区画５５に合わせて作成された初期ショットマップ２ａである。Ｘ軸方向のショット区画６１の位置指定を、図７の紙面の左端から右端に列Ｘ１〜Ｘ７、Ｙ軸方向の指定を図７の紙面の下端から上端に行Ｙ１〜Ｙ８で行う。ショット区画６１は、露光区画５５の内部に全域が配置されているフルショット区画６１ａと一部が露光区画５５の外側にでている第１及び第２の欠けショット区画６１ｂ及び６１ｃを含んでいる。例えば、初期ショットマップ２ａにおいては、第１の欠けショット区画６１ｂは、位置（Ｘ１，Ｙ４）、（Ｘ１，Ｙ５）、（Ｘ２，Ｙ２）、（Ｘ２，Ｙ７）、（Ｘ３，Ｙ８）、（Ｘ４，Ｙ１）、（Ｘ４，Ｙ８）、（Ｘ５，Ｙ８）、（Ｘ６，Ｙ２）、（Ｘ６，Ｙ７）、（Ｘ７，Ｙ４）、及び（Ｘ７，Ｙ５）にある。一方、第２の欠けショット区画６１ｃは、位置（Ｘ１，Ｙ３）、（Ｘ１，Ｙ６）、（Ｘ３，Ｙ１）、（Ｘ５，Ｙ１）、（Ｘ７，Ｙ３）、及び（Ｘ７，Ｙ６）にある。また、第１及び第２の欠けショット区画６１ｂ、６１ｃは、有効チップ区画６４ａと無効チップ区画６４ｂを含んでいる。
【００４０】
図６のプロセッサ３０のショット数算出モジュール３４は、フルショット区画６１ａ、第１の欠けショット区画６１ｂ、及び第２の欠けショット区画６１ｃの数を算出する。また、チップ数算出モジュール３５は、有効ショット区画にある有効チップ区画６４ａの数を算出する。例えば、フルショット区画６１ａ、第１の欠けショット区画６１ｂ、及び第２の欠けショット区画６１ｃの数はそれぞれ、２６区画、１２区画、及び６区画となる。有効ショット区画数は、３８区画となる。また、有効ショット区画にある有効チップ区画６４ａの数は３６８チップと算出される。
【００４１】
第２の実施の形態では、マップ修正モジュール３３は、図８に示すように、初期ショットマップ２ａからショット区画６１をＸ軸に沿って、行Ｙ１及びＹ８を左方向に１チップ区画分移動する。更に、ショット区画６１をＸ軸に沿って、行Ｙ２、Ｙ４、Ｙ５、及びＹ７を右方向に１チップ区画分移動する。そして、露光区画５５の位置を調整することにより修正ショットマップ３ａを作成する。修正ショットマップ３ａでは、第１の欠けショット区画６１ｂは、位置（Ｘ１，Ｙ４）、（Ｘ１，Ｙ５）、（Ｘ２，Ｙ２）、（Ｘ２，Ｙ３）、（Ｘ２，Ｙ６）、（Ｘ２，Ｙ７）、（Ｘ４，Ｙ１）、（Ｘ４，Ｙ８）、（Ｘ５，Ｙ１）、（Ｘ５，Ｙ８）、（Ｘ６，Ｙ２）、（Ｘ６，Ｙ７）、（Ｘ７，Ｙ３）、（Ｘ７，Ｙ４）、（Ｘ７，Ｙ５）、及び（Ｘ７，Ｙ６）にある。一方、第２の欠けショット区画６１ｃは、位置（Ｘ１，Ｙ３）、（Ｘ１，Ｙ６）、（Ｘ３，Ｙ１）、及び（Ｘ３，Ｙ８）にある。
【００４２】
ショット数算出モジュール３４は、修正ショットマップ３ａのフルショット区画６１ａ、第１の欠けショット区画６１ｂ、及び第２の欠けショット区画６１ｃの数をそれぞれ、２４区画、１６区画及び４区画と算出する。したがって、有効ショット区画数は４０区画となる。初期ショットマップ２ａと比べて修正ショットマップ３ａでは、フルショット区画６１ａは２区画減少しているが、有効ショットマップは２区画増加している。また、有効チップ区画６４ａの数は３７４チップとなり、６チップ増加している。
【００４３】
第２の実施の形態において、チップ区画６４の境界線は、露光区画５５全面にずれることなく直線状に接続されている。ショット区画６１及びチップ区画６４の境界線を含む領域はダイシングレーンに対応している。したがって、修正ショットマップを露光ショットマップとして用いて製造される半導体素子においても、チップ領域のダイシングによる分離が可能となる。
【００４４】
第２の実施の形態においては、有効ショット区画の数及び有効チップ区画６４ａの数を増加させた修正ショットマップ３ａを作成することができる。したがって、フォトリソグラフィ工程のスループット及び半導体装置のチップの製造歩留まりを向上させることが可能となる。
【００４５】
次に、第２の実施の形態に係るショットマップ作成方法を、図９に示すフローチャートを用いて説明する。
【００４６】
（イ）まず、ステップＳ２０１で、図６に示したプロセッサ３０の寸法入力モジュール３１により、外部記憶ユニット３８からレイアウトデータや仕様書等に記載されたチップ、ショット領域あるいは半導体基板１の露光領域等の設計寸法値を読み出し、チップ区画６４、ショット区画６１あるいは露光区画５５等の寸法を取得する。
【００４７】
（ロ）ステップＳ２０２で、マップ作成モジュール３２により直交するＸ、Ｙ軸のそれぞれの方向に沿って、ショット区画６１をマトリックス状に配列する。ショット数算出モジュール３４でフルショット区画６１ａを算出して、最大数のフルショット区画６１ａが得られるように調整して初期ショットマップ２ａを作成する。ショット数算出モジュール３４及びチップ数算出モジュール３５により、初期ショットマップ２ａの有効ショット区画の数及び有効チップ区画６４ａの数を算出する。
【００４８】
（ハ）ステップＳ２０３で、初期ショットマップ２ａにおいて、例えば、ショット区画６１の配列からなる列Ｘ１〜Ｘ７それぞれを、Ｙ軸方向のチップ区画６４の寸法単位でＹ軸方向に移動して、ショットマップを修正する。ショットマップの修正のたびに、ショット数算出モジュール３４及びチップ数算出モジュール３５で有効ショット区画の数及び有効チップ区画６４ａの数を算出する。有効ショット区画の数及び有効チップ区画６４ａの数が、初期ショットマップ２ａに比べて修正したショットマップで増加すれば、修正したショットマップを第１のショットマップとする。ショットマップを修正しても、有効ショット区画の数及び有効チップ区画６４ａの数が増加しなければ、初期ショットマップ２ａを第１のショットマップとする。
【００４９】
（ニ）ステップ２０４で、初期ショットマップ２ａにおいて、ショット区画６１の配列からなる行Ｙ１〜Ｙ８それぞれを、Ｘ軸方向のチップ区画６４の寸法単位でＸ軸方向に移動して、ショットマップを修正する。ショットマップの修正のたびに、ショット数算出モジュール３４及びチップ数算出モジュール３５で有効ショット区画の数及び有効チップ区画６４ａの数を算出する。有効ショット区画の数及び有効チップ区画６４ａの数が、初期ショットマップ２ａに比べて修正したショットマップで増加すれば、修正したショットマップを第２のショットマップとする。ショットマップを修正しても、有効ショット区画の数及び有効チップ区画６４ａの数が増加しなければ、初期ショットマップ２ａを第２のショットマップとする。
【００５０】
（ホ）ステップＳ２０５で、マップ修正モジュール３３により第１及び第２のショットマップの有効ショット区画の数及び有効チップ区画６４ａの数を比較する。そして、ステップＳ２０６で、有効ショット区画の数及び有効チップ区画６４ａの数が最大となるように修正ショットマップ３ａを作成する。
【００５１】
第２の実施の形態に係るショットマップ作成方法においては、有効ショット区画の数及び有効チップ区画６４ａの数を増加させた修正ショットマップ３ａを作成することができる。したがって、フォトリソグラフィ工程のスループット及び半導体装置のチップの製造歩留まりを向上させることが可能となる。
【００５２】
（第２の実施の形態の変形例）
本発明の第２の実施の形態の変形例に係るショットマップ作成方法においては、図８に示した修正ショットマップ３ａをオートフォーカス検出用の露光ショットマップとして用いる。修正ショットマップ３ａの第１の欠けショット区画６１ｂに対応するショット領域は、半導体基板１のエッジを含む。半導体基板１のエッジ部分では、表面の粗さや大きな段差のため図６に示したオートフォーカス機構１８ａの照射光学系１６ａから照射される検査光の表面反射率等が変動し、受光光学系１７ａで検出されるフォーカス位置がずれてしまう場合がある。第２の実施の形態の変形例においては、露光ショットマップを用いて半導体基板１の第１の欠けショット区画６１ｂに対応するショット領域でオートフォーカス機構１８ａにより結像面の測定を行い、有効チップ区画６４ａの検証及び再調整を行う点が第２の実施の形態と異なる。他は第２の実施の形態と同様であるので、重複した説明は省略する。
【００５３】
第２の実施の形態の変形例において、オートフォーカス制御モジュール２４は、照射光学系１６ａ及び受光光学系１７ａにより測定された各ショット領域の結像面データを制御データ記憶モジュール２５に格納する。デフォーカス量算出モジュール３６は、例えば外部記憶ユニット３８に格納されている半導体基板１上のフォトレジスト膜６の表面形状データ、及び制御データ記憶モジュール２５に格納されている結像面データを有効ショット区画毎に取得して比較する。なお、フォトレジスト膜６の表面形状データは、予め表面形状測定装置等により測定される。
【００５４】
図１０に示すように、フルショット区画６１ａに対応するショット領域Ｓｒ１〜Ｓｒ３では、オートフォーカス機構により測定される結像面Ｅｆ１〜Ｅｆ３は、基板ステージ１５に設置された半導体基板１上のフォトレジスト膜６の表面位置に一致する。なお、デフォーカス量算出モジュール３６で、オートフォーカスが正常に動作した結像面Ｅｆ１〜Ｅｆ３が露光装置１０ａの有する焦点深度以内でフォトレジスト膜６表面に一致するようにフォトレジスト膜６の表面形状データの座標変換が行われている。
【００５５】
例えば、図１１（ａ）に示すように、ショット領域Ｓｒ４〜Ｓｒ６に対してオートフォーカス機構で結像面Ｅｆ４〜Ｅｆ６が測定される。ショット領域Ｓｒ６が第１の欠けショット区画６１ｂに対応するショット領域であっても、結像面Ｅｆ６が半導体基板１上のフォトレジスト膜６表面から、露光装置の焦点深度より大きいデフォーカス量Ｄｆのフォーカスずれが生じることがある。なお、ショット領域Ｓｒ６の近傍のショット領域Ｓｒ４、Ｓｒ５は、フルショット区画６１ａに対応し、測定される結像面Ｅｒ４、Ｅｒ５はフォーカスずれが発生せず、フォトレジスト膜６表面に一致している。
【００５６】
第２の実施の形態の変形例では、第１の欠けショット区画６１ｂに対応するショット領域Ｓｒ６の結像面Ｅｆ６のデフォーカス量Ｄｆが焦点深度より大きい場合、マップ修正モジュール３３により、ショット領域Ｓｒ４〜Ｓｒ６の列に対応するショット区画６１の補正対象列をチップ区画６４の寸法を単位として移動して、オートフォーカス検出に使用した露光ショットマップである第１の修正ショットマップを補正する。図１１（ｂ）に示すように、ショット領域Ｓｒ４ａ〜Ｓｒ６ａが、例えば紙面に向かって左方向に移動するように、対応するショット区画６１の補正対象列を移動させて、結像面Ｅｆ６ａがフォトレジスト膜６表面と一致するようになるまで補正を繰り返す。チップ数算出モジュール３５により、補正された第２の修正ショットマップの有効チップ区画数を算出する。第１の修正ショットマップと比べて、第２の修正ショットマップの有効チップ区画数が増加すれば第２の修正ショットマップを、有効チップ区画数が減少していれば第１の修正ショットマップを新たに露光ショットマップとして採用する。
【００５７】
第２の実施の形態の変形例においては、有効チップ区画６４ａの数をフォトレジスト膜６表面で検証して第１の修正ショットマップを補正するため、有効チップ区画６４ａの数の増加が確認された露光ショットマップを作成することができる。したがって、フォトリソグラフィ工程のスループット及び半導体装置のチップの製造歩留まりを確実に向上させることが可能となる。
【００５８】
次に、第２の実施の形態の変形例に係るショットマップ作成方法を、図１２に示すフローチャートを用いて説明する。
【００５９】
（イ）まず、ステップＳ３０１で、第２の実施の形態において説明したショットマップ作成方法により第１の修正ショットマップを作成する。第１の修正ショットマップの作成手順は、図９に示したステップＳ２０１〜Ｓ２０６と同様であるので、省略する。
【００６０】
（ロ）ステップＳ３０２で、半導体基板１上に塗布したフォトレジスト膜６の表面形状を測定し、表面形状データを外部記憶ユニット３８に格納する。露光装置１０ａに装着した半導体基板１上のフォトレジスト膜６に対して、オートフォーカス制御モジュール２４により第１の修正ショットマップを用いて各ショット領域で測定した結像面を、制御データ記憶モジュール２５に格納する。デフォーカス量算出モジュール３６により読み出された表面形状データ及び結像面データをショット領域毎に比較して、第１の欠けショット区画６１ｂに対応するショット領域のデフォーカス量Ｄｆを算出する。
【００６１】
（ハ）ステップＳ３０３で、デフォーカス量算出モジュール３６により、デフォーカス量Ｄｆが露光装置１０ａの焦点深度以内か判断される。デフォーカス量Ｄｆが焦点深度以内であれば、ステップＳ３０４で、第１の修正ショットマップを露光ショットマップとして採用する。
【００６２】
（ニ）デフォーカス量Ｄｆが焦点深度より大きい第１の欠けショット区画６１ｂが存在する場合、ステップＳ３０５で、マップ修正モジュール３３により、対象としている第１の欠けショット区画６１ｂのある補正対象列をチップ区画６４の寸法を単位として移動し、第２の修正ショットマップを作成する。
【００６３】
（ホ）ステップＳ３０６で、オートフォーカス制御モジュール２４により、第２の修正ショットマップを用いて対象としている第１の欠けショット区画６１ｂに対応するショット領域で測定された新たな結像面を制御データ記憶モジュール２５に格納する。デフォーカス量算出モジュール３６により、新たな結像面データが読み出され、新たなデフォーカス量Ｄｆが算出される。
【００６４】
（へ）ステップＳ３０７で、新たなデフォーカス量Ｄｆが焦点深度より大きい場合は、ステップＳ３０５に戻り、更に新たなデフォーカス量Ｄｆが焦点深度以内になるまで繰り返す。
【００６５】
（ト）新たなデフォーカス量Ｄｆが焦点深度以内であれば、ステップＳ３０８で、チップ数算出モジュール３５により、第２の修正ショットマップの有効チップ区画６４ａの数を算出して、マップ修正モジュール３３により第１の修正ショットマップと比較する。第２の修正ショットマップの有効チップ区画６４ａの数が第１の修正ショットマップより増加していれば、ステップＳ３０９で、第２の修正ショットマップを露光ショットマップとして採用する。第２の修正ショットマップの有効チップ区画６４ａの数が増加していない場合は、第１の修正ショットマップを露光ショットマップとして採用する。
【００６６】
第２の実施の形態の変形例に係るショットマップ作成方法においては、有効チップ区画数を、フォトレジスト膜６表面で検証して修正ショットマップを補正するため、有効チップ区画数の増加が確認された補正ショットマップを作成することができる。したがって、フォトリソグラフィ工程のスループット及び半導体装置のチップの製造歩留まりを確実に向上させることが可能となる。
【００６７】
（その他の実施の形態）
上記のように、本発明の第１及び第２の実施の形態を記載したが、この開示の一部をなす論述及び図面はこの発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者にはさまざまな代替実施の形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。
【００６８】
例えば、第１及び第２実施の形態においては、図１及び図６に示したプロセッサ３０は独立したＣＰＵで実現されているが、制御ユニット２０に含まれてもよく、また、露光システムに付属のコンピュータ等に備えられてもよいことは、勿論である。また、第１及び第２実施の形態において、説明の便宜上、露光装置１０、１０ａとして、スキャナを示しているが、スキャナの他にも、ステッパ等が使用可能である。また、縮小比を４：１としているが、任意の縮小比でもよいことは勿論である。また、光源１１として、ＫｒＦエキシマレーザを用いているが、他のアルゴンフロライド（ＡｒＦ）等のエキシマレーザ、あるいは、ｉ線やｇ線等の紫外線等を用いてもよいことは勿論である。
【００６９】
このように、本発明はここでは記載していないさまざまな実施の形態等を含むことは勿論である。したがって、本発明の技術的範囲は上記の説明から妥当な特許請求の範囲に係る発明特定事項によってのみ定められるものである。
【００７０】
【発明の効果】
本発明によれば、フォトリソグラフィ工程のスループットを向上させるショットマップ作成方法、露光方法、プロセッサ、半導体装置の製造方法及びプログラムを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係るショットマップ作成方法に用いる露光システムの概略構成図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態に係るショットマップ作成方法に用いるショット区画の一例を説明する図である。
【図３】本発明の第１の実施の形態に係るショットマップ作成方法において作成される初期ショットマップの一例を説明する図である。
【図４】本発明の第１の実施の形態に係るショットマップ作成方法において作成される修正ショットマップの一例を説明する図である。
【図５】本発明の第１の実施の形態に係るショットマップ作成方法の説明に用いるフローチャートである。
【図６】本発明の第２の実施の形態に係るショットマップ作成方法に用いる露光システムの概略構成図である。
【図７】本発明の第２の実施の形態に係るショットマップ作成方法において作成される初期ショットマップの一例を説明する図である。
【図８】本発明の第２の実施の形態に係るショットマップ作成方法において作成される修正ショットマップの一例を説明する図である。
【図９】本発明の第２の実施の形態に係るショットマップ作成方法の説明に用いるフローチャートである。
【図１０】本発明の第２の実施の形態の変形例に係るショットマップ作成方法において測定される結像面の一例を説明する図である。
【図１１】本発明の第２の実施の形態の変形例に係るショットマップ作成方法において、半導体基板のエッジ部で測定される（ａ）フォーカスずれが発生した結像面、及び（ｂ）補正後の結像面の一例を説明する図である。
【図１２】本発明の第２の実施の形態の変形例に係るショットマップ作成方法の説明に用いるフローチャートである。
【符号の説明】
１  半導体基板
２、２ａ  初期ショットマップ
３、３ａ  修正ショットマップ
４  フォトマスク
６  フォトレジスト膜
１０、１０ａ  露光装置
１１  光源
１２  照明光学系
１３  投影光学系
１４  マスクステージ
１５  基板ステージ
１６、１６ａ  照射光学系
１７、１７ａ  受光光学系
１８、１８ａ  オートフォーカス機構
２０  制御ユニット
２１  光学系制御モジュール
２２  マスクステージ駆動モジュール
２３  基板ステージ駆動モジュール
２４  オートフォーカス制御モジュール
２５  制御データ記憶モジュール
３０  プロセッサ
３１  寸法入力モジュール
３２  マップ作成モジュール
３３  マップ修正モジュール
３４  ショット数算出モジュール
３５  チップ数算出モジュール
３６  デフォーカス量算出モジュール
３７  内部記憶モジュール
３８  外部記憶ユニット
５１、６１  ショット区画
５１ａ、６１ａ  フルショット区画
５１ｂ  欠けショット区画
５２  ダイシングレーン
５３ａ〜５３ｐ  回路パターン区画
５４、５４ａ〜５４ｐ、６４  チップ区画
５５  露光区画
６１ｂ  第１の欠けショット区画
６１ｃ  第２の欠けショット区画
６４ａ  有効チップ区画
６４ｂ  無効チップ区画
【図１】
2004281434.tif 000003
【図２】
2004281434.tif 000004
【図３】
2004281434.tif 000005
【図４】
2004281434.tif 000006
【図５】
2004281434.tif 000007
【図６】
2004281434.tif 000008
【図７】
2004281434.tif 000009
【図８】
2004281434.tif 000010
【図９】
2004281434.tif 000011
【図１０】
2004281434.tif 000012
【図１１】
2004281434.tif 000013
【図１２】
2004281434.tif 000014