(57)【要約】【課題】信頼性の高い接合を可能にする端子、配線基板、信頼性の高い半導体実装基板、電子デバイスおよびこれを備える電子機器を提供すること。【解決手段】本発明の端子６は、配線基板の端子を構成するものであり、加熱により溶融する接合材を介して、半導体チップ（相手体）の端子（電気接続部）に接合されるものである。この端子６は、半導体チップの端子側の面に、溶融状態の接合材の表面張力を低減する機能を有する凹凸形状が形成されている。この凹凸形状の凹部６２は、溶融状態の接合材の流路として機能し、第１の溝６２１と、この第１の溝６２１に連通し、第１の溝６２１より短い第２の溝６２２とを有する溝で構成されている。また、第１の溝６２１は、格子状に配置され、第２の溝６２２は、第１の溝６２１のうち、隣接するもの同士を連通するよう配置されている。これにより、接合すべき端子同士の信頼性の高い接合が可能になる。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
加熱により溶融する接合材を介して、相手体の電気接続部に接合される端子であって、
前記電気接続部側の面に、溶融状態の前記接合材の表面張力を低減する機能を有する凹凸形状が形成されていることを特徴とする端子。
【請求項２】
前記凹凸形状の凹部は、連続する溝であり、
該溝は、溶融状態の前記接合材の流路として機能する請求項１に記載の端子。
【請求項３】
前記溝は、第１の溝と、該第１の溝に連通し、前記第１の溝より短い第２の溝とを有する請求項２に記載の端子。
【請求項４】
前記第２の溝は、前記第１の溝のうち、隣接するもの同士を連通するよう配置されている請求項３に記載の端子。
【請求項５】
前記第１の溝は、格子状に配置されている請求項３または４に記載の端子。
【請求項６】
前記溝の長手方向と垂直な方向での断面形状は、ほぼコ字状、ほぼＶ字状またはほぼＵ字状をなしている請求項２ないし５のいずれかに記載の端子。
【請求項７】
平面視で、前記凹部の占有する面積は、前記端子全体の面積に対して５０％以上である請求項１ないし６のいずれかに記載の端子。
【請求項８】
前記凹部の横断面積は、その深さ方向に沿ってほぼ一定であるか、または、前記電気接続部側の面から遠ざかる方向に向かって減少している請求項１ないし７のいずれかに記載の端子。
【請求項９】
前記凹部の深さは、前記端子の高さに対して１０〜５０％である請求項１ないし８のいずれかに記載の端子。
【請求項１０】
前記凹部は、プレス加工より形成されたものである請求項１ないし９のいずれかに記載の端子。
【請求項１１】
前記凹凸形状に沿って金属層が形成されている請求項１ないし１０のいずれかに記載の端子。
【請求項１２】
前記接合材は、前記端子の構成材料より融点の低い低融点金属を主としてなるものである請求項１ないし１１のいずれかに記載の端子。
【請求項１３】
前記低融点金属は、半田または鉛フリー半田である請求項１２に記載の端子。
【請求項１４】
請求項１ないし１３のいずれかに記載の端子を有することを特徴とする配線基板。
【請求項１５】
請求項１４に記載の配線基板に半導体チップが実装されてなることを特徴とする半導体実装基板。
【請求項１６】
請求項１５に記載の半導体実装基板を備えることを特徴とする電子デバイス。
【請求項１７】
請求項１６に記載の電子デバイスを備えることを特徴とする電子機器。
【請求項１８】
表示部を備える請求項１７に記載の電子機器。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明が属する技術分野】
本発明は、端子、配線基板、半導体実装基板、電子デバイスおよび電子機器に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
半導体チップの配線基板への実装方法としては、例えば、半導体チップ側の端子（バンプ）と、配線基板の端子とを、半田等のろう材を介して接続する方法等により行われている（例えば、特許文献１参照。）。
かかる方法によれば、半導体チップと配線基板とを接続する際の加熱温度を低く抑えることができるので、接合すべき端子同士のズレを防止して、これらの接合信頼性（接続信頼性）を向上させることや、コストを削減させることができるという利点がある。
【０００３】
このような実装方法では、対応する端子同士の接合は、ろう材を溶融した後、硬化（固化）することにより行われる。
ところが、溶融状態のろう材（特に、鉛フリー半田）は、その表面張力が大きく、対応する端子同士の間で濡れ広がり難い傾向にある。これにより、接合すべき端子同士の接合信頼性の低下という不都合が生じる場合がある。
【０００４】
【特許文献１】
特開２００２−２６１４０７号公報
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、信頼性の高い接合を可能にする端子、配線基板、信頼性の高い半導体実装基板、電子デバイスおよびこれを備える電子機器を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
このような目的は、下記の本発明により達成される。
本発明の端子は、加熱により溶融する接合材を介して、相手体の電気接続部に接合される端子であって、
前記電気接続部側の面に、溶融状態の前記接合材の表面張力を低減する機能を有する凹凸形状が形成されていることを特徴とする。
これにより、信頼性の高い接合が可能になる。
【０００７】
本発明の端子では、前記凹凸形状の凹部は、連続する溝であり、
該溝は、溶融状態の前記接合材の流路として機能することが好ましい。
これにより、溶融状態の接合材を、端子とこれに対応する電気接続部との間で、より円滑に濡れ広がらせることができる。
【０００８】
本発明の端子では、前記溝は、第１の溝と、該第１の溝に連通し、前記第１の溝より短い第２の溝とを有することが好ましい。
これにより、溶融状態の接合材が、端子とこれに対応する電気接続部との間で濡れ広がらせる速さを適度なものに調節することができる。
【０００９】
本発明の端子では、前記第２の溝は、前記第１の溝のうち、隣接するもの同士を連通するよう配置されていることが好ましい。
これにより、溶融状態の接合材を、端子とこれに対応する電気接続部との間で、均等（均一）に濡れ広がらせることができる。
【００１０】
本発明の端子では、前記第１の溝は、格子状に配置されていることが好ましい。
これにより、溶融状態の接合材を、端子とこれに対応する電気接続部との間で、より均等（均一）に濡れ広がらせることができる。
【００１１】
本発明の端子では、前記溝の長手方向と垂直な方向での断面形状は、ほぼコ字状、ほぼＶ字状またはほぼＵ字状をなしていることが好ましい。
これにより、溶融状態の接合材を、より円滑に溝（凹部）内へ流入させることができる。
【００１２】
本発明の端子では、平面視で、前記凹部の占有する面積は、前記端子全体の面積に対して５０％以上であることが好ましい。
これにより、より信頼性の高い接合が可能になる。
【００１３】
本発明の端子では、前記凹部の横断面積は、その深さ方向に沿ってほぼ一定であるか、または、前記電気接続部側の面から遠ざかる方向に向かって減少していることが好ましい。
これにより、溶融状態の接合材を、より円滑に凹部内へ流入させることができる。
【００１４】
本発明の端子では、前記凹部の深さは、前記端子の高さに対して１０〜５０％であることが好ましい。
これにより、より信頼性の高い接合が可能になる。
【００１５】
本発明の端子では、前記凹部は、プレス加工より形成されたものであることが好ましい。
プレス加工によれば、容易かつ安価に端子の凹凸形状を形成することができる。
【００１６】
本発明の端子では、前記凹凸形状に沿って金属層が形成されていることが好ましい。
これにより、溶融状態の接合材を、端子とこれに対応する電気接続部との間で、より効率よく濡れ広がらせることができる。
【００１７】
本発明の端子では、前記接合材は、前記端子の構成材料より融点の低い低融点金属を主としてなるものであることが好ましい。
これにより、端子とこれに対応する電気接続部とをより確実に接合することができる。
【００１８】
本発明の端子では、前記低融点金属は、半田または鉛フリー半田であることが好ましい。
半田または鉛フリー半田は、特に、融点が低く、また、取り扱いが容易である。
【００１９】
本発明の配線基板は、本発明の端子を有することを特徴とする。
これにより、信頼性の高い接合が可能な配線基板が得られる。
【００２０】
本発明の半導体実装基板は、本発明の配線基板に半導体チップが実装されてなることを特徴とする。
これにより、信頼性の高い半導体実装基板が得られる。
【００２１】
本発明の電子デバイスは、本発明の半導体実装基板を備えることを特徴とする。
これにより、信頼性の高い電子デバイスが得られる。
【００２２】
本発明の電子機器は、本発明の電子デバイスを備えることを特徴とする。
これにより、信頼性の高い電子機器が得られる。
【００２３】
本発明の電子機器では、表示部を備えることが好ましい。
本発明の電子機器は、特に、各種の表示機能を有する電子機器に適用するのが好ましい。
【００２４】
【発明の実施の形態】
本発明において、半導体チップには、ベアチップ（個別のチップおよびウェハの双方）および半導体パッケージのいずれのものをも含む。
以下、本発明の端子、配線基板、半導体実装基板、電子デバイスおよび電子機器を添付図面に示す好適実施形態に基づいて詳細に説明する。
【００２５】
図１は、本発明の半導体実装基板の全体構成を示す縦断面図であり、図２は、実装前の半導体チップおよび本発明の配線基板の構成を示す縦断面図であり、図３は、本発明の端子の構成を示す部分断面斜視図である。以下の説明では、図１〜図３中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
図１に示す半導体実装基板（半導体装置）１００は、半導体チップ１が本発明の配線基板４に実装されてなるものである。図示の構成では、半導体チップ１と配線基板４との間に形成される間隙７には、封止材（アンダーフィル材）９が充填されて封止されている。なお、封止材９による間隙７の封止は、必要に応じて行うようにすればよく、省略することもできる。
【００２６】
図２に示す半導体チップ１は、その一方の面（下面）２１側に設けられた複数の端子（バンプ）３と、接合材８とを有している。
半導体チップ１は、例えば、Ｓｉ等の半導体材料で構成されている。半導体チップ１の厚さ（平均）は、特に限定されないが、好ましくは、１００〜５００μｍ程度とされる。
また、半導体チップ１は、単層で構成されたもののみならず、複数の層の積層体で構成されたものでもよい。
【００２７】
この半導体チップ１の一方の面２１側には、集積回路（図示せず）が形成され、この集積回路は、パッシベーション膜（絶縁膜）２１２で覆われている。そして、このパッシベーション膜２１２から、集積回路の配線パターン２１１の一部が露出しており、かかる配線パターン２１１の露出部（パッド）に接触するように端子３が配設されている。
【００２８】
配線パターン２１１は、例えば、Ａｌ、Ｃｕ、Ｗ、Ｍｏまたはこれらを含む合金等で構成されている。さらに、この配線パターン２１１上には、例えば電解メッキ法等により、Ｎｉメッキ、Ａｕメッキ等が施されている。
また、パッシベーション膜２１２は、例えば、酸化ケイ素（ＳｉＯ２）、窒化ケイ素（Ｓｉ−Ｎ）、ポリイミド等で構成されている。このパッシベーション膜２１２は、これらの材料の単層膜であってもよく、２層以上が積層された多層膜であってもよい。
なお、集積回路は、半導体チップ１の他方の面２２側に形成されていてもよく、面２１側および面２２側の双方に形成されていてもよい。また、半導体チップ１が複数の層の積層体で構成される場合には、集積回路は、半導体チップ１の内部に形成されていてもよい。
【００２９】
端子３の構成材料としては、例えば、Ｎｉ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｓｎまたはこれらを含む合金等が挙げられる。これらのものは、導電性に優れ、また、前述したような配線パターン２１１の構成材料との密着性も高い。
端子３は、それぞれ、ほぼ等しい厚さ（高さ）に設定されており、その厚さ（平均）は、特に限定されないが、好ましくは、１５〜２０μｍ程度とされる。
【００３０】
なお、端子３は、複数の金属層の積層体で構成することもできる。この場合、最表装部（端子３の配線パターン２１１から最も遠い側に位置する金属層）は、ＳｎまたはＳｎ合金で構成するのが好ましい。
このような端子３の配線パターン２１１と反対側の端部には、接合材８が設けられている。この接合材８は、半導体チップ１の端子３と、これに対応する配線基板４の端子６との接合（接続）に用いられる。
【００３１】
接合材８は、加熱により溶融するものであれば、いかなるものであってもよいが、特に、端子６（または端子３）の構成材料より融点の低い低融点金属を主とするものが好ましい。低融点金属は、比較的低温（例えば、１８０〜２３０℃程度）で溶融するので、端子３と端子６との接合（接続）に際し、加熱温度を低くすることができる。その結果、半導体チップ１および配線基板４の面方向および厚さ方向への膨張を、それぞれ、小さくすることができ、接合すべき端子同士の位置ズレを防止することができる。このため、接合すべき端子同士をより確実に接合することができ（すなわち、より信頼性の高い接合（接続）が可能になり）、半導体チップ１と配線基板４との接合信頼性（接続信頼性）をより向上させることができる。
【００３２】
また、この低融点金属としては、例えば、半田、銀ろう、銅ろう、燐銅ろう、黄銅ろう、アルミろう、ニッケルろう等のろう材が挙げられるが、これらの中でも、特に、半田または鉛フリー半田が好ましい。半田または鉛フリー半田は、特に、融点が低く、また、取り扱いが容易である。なお、ここで、鉛フリー半田とは、実質的に鉛を含まないか、または、鉛を含む場合でも、その含有量が極めて少ない半田のことを言う。
【００３３】
一方、図２に示す配線基板４は、基板５と、基板５の一方の面（上面）５１側に設けられた複数の端子６とを有している。
基板５は、例えば、各種ガラス、各種セラミックス、Ｓｉ等の半導体材料、各種樹脂材料、またはこれらを任意に組み合わせたもの等で構成されている。
基板５の厚さ（平均）は、特に限定されないが、好ましくは、０．１〜３ｍｍ程度とされる。
また、基板５は、単層で構成されたもののみならず、複数の層の積層体で構成されたものでもよい。
【００３４】
この基板５の一方の面５１側には、例えば、Ａｕ、Ｃｕまたはこれらを含む合金等で構成される配線パターン６０が形成され（設けられ）ている。そして、この配線パターン（リード）６０の端部が各端子６を構成している。
本発明では、この端子６の形状に特徴を有している。この点（特徴）については、後に詳述する。
【００３５】
また、端子６の表面には、例えば酸化防止、接合材８との濡れ性向上等の目的で、ろう材（接合材８とほぼ等しい組成の金属材料）による被覆処理、プリフラックス処理等を施すこともできる。
なお、配線パターン６０は、基板５が複数の層の積層体で構成される場合には、基板５の内部に形成されていてもよい。
【００３６】
以上のような配線基板４に、半導体チップ１を、それらの対応する端子３、６同士が接合するように実装し、半導体チップ１と配線基板４との間隙７を封止材（アンダーフィル材）９により封止して、本発明の半導体実装基板１００とする。
端子３と端子６との接合は、例えば、接合すべき端子同士を、接合材８を介して位置あわせ（位置決め）した後、半導体チップ１および配線基板４の一方または双方を加熱して、接合材８を溶融した後、硬化（固化）することにより行うことができる。
【００３７】
この加熱は、例えば、ボンディングツールによる加熱や、リフロー（熱風、赤外線等による加熱）等により行うことができる。
加熱の温度（加熱温度）は、特に限定されないが、好ましくは、１９０〜２５０℃程度、より好ましくは、２００〜２４０℃程度とされる。
また、この加熱の時間（加熱時間）も、特に限定されないが、好ましくは、１０〜５０秒程度、より好ましくは、２０〜４０秒程度とされる。
さらに、この加熱の際には、必要に応じて、例えば、加圧や、高周波、超音波等の付与、レーザー等の照射等を併用するようにしてもよい。
【００３８】
ここで、溶融状態の接合材８は、その表面張力が比較的大きいものである。したがって、接合材８の種類等によっては、溶融状態の接合材８が、その表面張力により球状に凝集してしまい、接合すべき端子同士の間で十分に展開されず（濡れ広がらず）、これらを確実に接合（接続）できない場合がある。
そこで、本発明者は、鋭意検討を重ねた結果、端子６の半導体チップ（相手体）１の端子（電気接続部）３側の面６１に、溶融状態の接合材８の表面張力を低減する機能を有する凹凸形状を形成することにより、溶融状態の接合材８の凝集を防止することができ、その結果、接合すべき端子同士の間（端子３とこれに対応する端子６との間）で、溶融状態の接合材８を円滑に展開させることができることを見出し、本発明を完成するに至った。
【００３９】
この凹凸形状の凹部６２は、端子６の平面視で、凹部６２の占有する面積が、端子６全体の面積に対して５０％以上であるのが好ましく、８０〜９９％程度であるのがより好ましい。凹部６２の占有面積が小さ過ぎると、溶融状態の接合材８の表面張力を低減する効果が十分に発揮されない場合があり、一方、凹部６２の占有面積が大き過ぎると、溶融状態の接合材８の凹部６２内への入り込み量が多くなり、端子３とこれに対応する端子６との間に、これらの接合に必要な量の接合材８を確保できない場合がある。
【００４０】
また、凹部６２の深さ（図３中Ｄ）は、端子６の高さ（図３中Ｈ）に対して１０〜５０％程度であるのが好ましく、２０〜３０％程度であるのがより好ましい。凹部６２の深さが浅すぎると、溶融状態の接合材８の表面張力を低減する効果が十分に発揮されない場合があり、一方、凹部６２の深さが深過ぎると、溶融状態の接合材８の凹部６２内への入り込み量が多くなり、端子３とこれに対応する端子６との間に、これらの接合に必要な量の接合材８を確保できない場合がある。
また、本発明者は、凹部６２を連続する溝で構成することにより、この溝を溶融状態の接合材８の流路とすることができ、これにより、溶融状態の接合材８を、接合すべき端子同士の間で、より円滑に展開させることができることをも見出した。
【００４１】
本実施形態では、この溝（凹部６２）は、図３に示すように、第１の溝６２１と、この第１の溝６２１に連通し、第１の溝６２１より短い第２の溝６２２とで構成されている。これにより、溶融状態の接合材８が、接合すべき端子同士の間で展開する速さを適度なものに調節することができる。
各第１の溝６２１は、ほぼ直線状をなし、図３中斜め前後方向および左右方向に沿って、ほぼ等間隔で配置されている。すなわち、第１の溝６２１は、格子状に配置されている。このような構成により、溶融状態の接合材８を、接合すべき端子同士の間で、均等（均一）に展開させることができる。
また、第２の溝６２２は、隣接する第１の溝６２１同士を連通するよう配置されている。これにより、前記効果をより向上させることができる。
【００４２】
このような第１の溝６２１と第２の溝６２２との幅（最大）は、ほぼ等しくなるよう設定されている。図３中Ｗで示す第１の溝６２１および第２の溝６２２の幅（最大）は、特に限定されないが、５〜３０μｍ程度であるのが好ましく、５〜１０μｍ程度であるのがより好ましい。
なお、第１の溝６２１と第２の溝６２２との幅（最大）は、異なっていてもよい。
【００４３】
また、図３に示すように、第１の溝６２１および第２の溝６２２は、それぞれ、その横断面積が、深さ方向に沿ってほぼ一定となっている。換言すれば、第１の溝６２１および第２の溝６２２は、それぞれ、その幅が、深さ方向に沿ってほぼ一定となっており、流路方向（長手方向）と垂直な方向での断面形状がほぼコ字状をなしている。これにより、溶融状態の接合材８を、より円滑に溝（凹部６２）内へ流入させることができる。
【００４４】
ここで、端子６の他の構成について説明する。
図４は、端子の他の構成を示す平面図、図５および図６は、それぞれ、端子の他の構成を示す縦断面図である。
図４に示す端子６は、第２の溝６２２が、第１の溝６２１に対して傾斜して配置されており、それ以外は、図３に示す端子６と同様の構成である。
【００４５】
図５および図６に示す端子６は、それぞれ、第１の溝６２１および第２の溝６２２の横断面積（幅）が、面６１から遠ざかる方向に向かって減少しており、それ以外は、図３に示す端子６の構成と同様である。
このうち、図５に示す構成では、第１の溝６２１および第２の溝６２２は、その横断面積が面６１から遠ざかる方向に向かって段階的に減少する部分を有し、流路方向（長手方向）と垂直な方向での断面形状がほぼＶ字状をなしている。また、図６に示す構成では、第１の溝６２１および第２の溝６２２は、それぞれ、流路方向（長手方向）と垂直な方向での断面形状がほぼＵ字状をなしている。
【００４６】
図４〜図６に示す構成の端子６においても、図３に示す端子６と同様の作用・効果が得られる。
なお、端子６は、図３〜図６に示す構成のうちの任意の２以上の構成を組み合わせるようにしてもよい。
また、端子６には、その凹凸形状に沿って、金属被膜（金属層）６３が形成されている。この金属被膜６３は、接合材８の濡れ広がりを促進する機能を有するものである。これにより、溶融状態の接合材８を、接合すべき端子同士の間で、より効率よく濡れ広がらせることができる。
【００４７】
金属被膜６３の平均厚さは、特に限定されないが、０．０５〜０．５μｍ程度であるのが好ましく、０．０５〜０．１μｍ程度であるのがより好ましい。
この金属被膜６３の構成材料としては、例えば、Ａｕ、Ａｇ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｂｉまたはこれらを含む合金等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
また、金属被膜６３の形成方法としては、例えば、電解メッキ、無電解メッキ等が挙げられる。
なお、この金属被膜６３は、必要に応じて設けるようにすればよく、省略することもできる。
【００４８】
以上のようにして、半導体チップ１の各端子３と、これに対応する配線基板４の端子６とを接合した状態では、半導体チップ１と配線基板４の基板５との間には、間隙７が形成されている。換言すれば、接合された端子３および６と、これに隣接する接合された端子３および６との間に間隙７が存在する。この間隙７に、封止材９を充填して、封止する。
【００４９】
間隙７への封止材９の充填方法は、特に限定されないが、例えば、半導体チップ１の縁部からノズル等を用いて封止材９を供給、充填する方法を用いることができる。半導体チップ１の縁部に供給された封止材９は、毛細管現象により間隙７のほぼ全域に展開され、間隙７が封止される。かかる方法によれば、比較的容易に、間隙７に封止材９を充填することができる。
間隙７に封止材９を充填（封止）することにより、間隙７への水分（湿気）の侵入防止、半導体チップ１と配線基板４との密着性（接合強度）の向上、市場環境における接合部への応力緩和等の効果が発揮される。
【００５０】
封止材９は、樹脂材料を主とするものが好ましく、特に、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂、ケトン樹脂等の熱硬化性樹脂またはその前駆体（未硬化または半硬化の熱硬化性樹脂）を主材料とするものが好ましい。これにより、前記効果がより顕著に発揮される。
また、封止材９中には、カップリング剤、着色剤、難燃剤、低応力成分、離型剤、酸化防止剤、無機フィラー等の各種添加剤が配合（混合）されていてもよい。
【００５１】
間隙７に充填された熱硬化性樹脂の前駆体による充填材９は、必要時に硬化させる。この封止材９の硬化は、好ましくは加熱（例えば、１５０〜２００℃程度）により行われるが、その他、例えば、紫外線、電子線、放射線等の照射により硬化させる方法もある。
なお、この封止材９による間隙７の封止工程は、必要に応じて行うようにすればよく、省略することもできる。
【００５２】
さて、前述したような端子６の溝（凹部６２）は、例えば、プレス加工、エッチング加工、レーザー加工のような塑性加工、電鋳等の方法により形成することができる。これらの中でも、端子６の溝（凹部６２）の形成方法としては、プレス加工であるのが好ましい。プレス加工によれば、容易かつ安価に端子６の溝（第１の溝６２１および第２の溝６２２）を形成することができる。
【００５３】
以下、前述したような端子６を有する配線基板４の製造方法、特に、プレス加工による端子６の溝（凹部６２）の形成方法の一例について説明する。図７は、端子の溝（凹部）の形成方法を説明するための図（縦断面図）である。なお、以下の説明では、図７中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
まず、前述したような基板５と、配線パターン６０を形成するための金属箔６０ａとを用意する。なお、金属箔６０ａは、基板５とほぼ同形状のものを用意する。
【００５４】
また、図７に示すように、一対のプレート１０、２０を用意する。プレート１０の下面（一方の面）１１には、端子６の溝（凹部６２）のパターンと逆の凸状の逆パターンが形成されている。
次に、基板５と金属箔６０ａとを接着剤３０を介して積層し、この積層体４０をプレート１０とプレート２０とで挟持する。なお、このとき、金属箔６０ａにプレート１０の下面１１が接触するようにする。
【００５５】
次に、この積層体４０をプレート１０、２０で挟持したものを、プレス機の熱盤間に挿入し、プレート１０とプレート２０とが接近するように加圧しつつ、加熱する。これにより、基板５に金属箔６０ａが接合される。また、このとき、金属箔６０ａの上面（プレート１００側の面）には、プレート１０の下面１１のパターンが転写される。すなわち、金属箔６０ａの基板５と反対側の面には、端子６の溝（凹部６２）のパターンが形成される。
【００５６】
次に、金属箔６０ａの不要部分を、例えば、エッチング加工、レーザー加工等により除去して、所定の配線パターン６０を形成する。
次に、溝（凹部６２）のパターン形状、すなわち、凹凸形状に沿って金属被膜（金属層）６３を形成する。
以上のような工程を経て、本発明の配線基板４が得られる。
【００５７】
次に、本発明の半導体実装基板１００を備える電子デバイス、すなわち、本発明の電子デバイスについて説明する。
以下では、本発明の電子デバイスを表示装置に適用した場合を一例に説明する。
図８は、本発明の電子デバイスを表示装置に適用した場合の実施形態を示す断面図である。なお、以下の説明では、図８中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
【００５８】
図８に示す表示装置（電気光学装置）３００は、透過型の液晶表示装置であり、表示パネル（表示部）２００と、本発明の半導体実装基板１００と、図示しないバックライトとを有している。
表示パネル２００は、枠状のシール材２３０を介して貼りあわされた第１パネル基板２２０と、第１パネル基板２２０に対向する第２パネル基板２４０と、これらで囲まれる空間に封入された液晶を含む液晶層２７０とを有している。
【００５９】
第１パネル基板２２０および第２パネル基板２４０は、それぞれ、例えば、ガラス基板で構成されている。これらのパネル基板２２０、２４０の液晶層２７０側の面には、それぞれ、例えばＩＴＯ等で構成される透明電極２１０、２５０が設けられている。これらの透明電極２１０、２５０を介して、液晶層２７０に電圧が印加される。
【００６０】
また、第１パネル基板２２０の下面および第２パネル基板２４０の上面（いずれも液晶層２７０と反対側の面）には、それぞれ、偏光板２６０、２８０が設けられている。
また、第１パネル基板２２０は、第２パネル基板２４０から張り出した部分（張出領域２０１）を有している。この張出領域２０１にまで、各透明電極２１０、２５０が延在して設けられている。
【００６１】
半導体実装基板（可撓性回路基板）１００は、配線基板４と、この配線基板４に実装された半導体チップ１とを有している。
配線基板４は、可撓性を有する基板５の一方の面（図８中、上面）５１に配線パターン（リード）６０が形成され、その一端部（図８中、左側）において、配線パターン６０が下方を向くように長手方向の途中で折り曲げられている。
そして、この一端部において、配線パターン６０と張出領域２０１に延在する各透明電極２１０、２５０の端部とが、導電性粒子４１０を含む異方性導電性材料（異方性導電性ペースト、異方性導電性膜）４００を介して接続されている。
【００６２】
また、配線パターン６０の面方向の中央部には、配線パターン６０の端部により端子６が形成されており、この端子６に半導体チップ１の端子３が接合（接続）されている。
これにより、各透明電極２１０、２５０と半導体チップ１との電気的導通が得られている。
【００６３】
半導体チップ１は、表示パネル２００の駆動用ＩＣとして設けられており、各透明電極２１０、２５０への電圧の印加量、印加パターン等を制御する。この半導体チップ１の駆動制御により、表示パネル２００では、所望の情報（静止画および動画の双方を含む画像）が表示される。
なお、本発明の電子デバイスは、図示の表示装置３００への適用に限定されず、例えば、有機または無機ＥＬ表示装置、電気泳動表示装置等の他の表示装置、インクジェット記録装置等の液滴吐出用ヘッド等の駆動装置に適用することもできる。
そして、このような電子デバイスを備える本発明の電子機器は、各種の電子機器に適用することができる。
【００６４】
以下、本発明の電子機器について、図９〜図１１に示す実施形態に基づき、詳細に説明する。
図９は、本発明の電子機器を適用したモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。
この図において、パーソナルコンピュータ１１００は、キーボード１１０２を備えた本体部１１０４と、表示ユニット１１０６とにより構成され、表示ユニット１１０６は、本体部１１０４に対しヒンジ構造部を介して回動可能に支持されている。
このパーソナルコンピュータ１１００は、表示ユニット１１０６が前述の表示装置３００を備えており、表示パネル（表示部）２００の表示面が表示ユニット１１０６の前面に向くよう配置されている。
【００６５】
図１０は、本発明の電子機器を適用した携帯電話機（ＰＨＳも含む）の構成を示す斜視図である。
この図において、携帯電話機１２００は、複数の操作ボタン１２０２、受話口１２０４および送話口１２０６とともに、前述の表示装置３００を備えている。表示装置３００の表示パネル（表示部）２００は、操作ボタン１２０２と受話口１２０４との間において、その表示面が携帯電話機１２００の前面に向くよう配置されている。
【００６６】
図１１は、本発明の電子機器を適用したディジタルスチルカメラの構成を示す斜視図である。なお、この図には、外部機器との接続についても簡易的に示されている。
ここで、通常のカメラは、被写体の光像により銀塩写真フィルムを感光するのに対し、ディジタルスチルカメラ１３００は、被写体の光像をＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ  Ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｄｅｖｉｃｅ）などの撮像素子により光電変換して撮像信号（画像信号）を生成する。
【００６７】
ディジタルスチルカメラ１３００におけるケース（ボディー）１３０２の背面には、前述の表示装置３００の表示パネル（表示部）２００が設けられ、ＣＣＤによる撮像信号に基づいて表示を行う構成になっており、表示パネル２００は、被写体を電子画像として表示するファインダとして機能する。
また、ケース１３０２の正面側（図１１においては裏面側）には、光学レンズ（撮像光学系）やＣＣＤなどを含む受光ユニット１３０４が設けられている。
【００６８】
撮影者が表示パネル２００に表示された被写体像を確認し、シャッタボタン１３０６を押下すると、その時点におけるＣＣＤの撮像信号が、メモリ１３０８に転送・格納される。
また、このディジタルスチルカメラ１３００においては、ケース１３０２の側面に、ビデオ信号出力端子１３１２と、データ通信用の入出力端子１３１４とが設けられている。そして、図１１に示されるように、ビデオ信号出力端子１３１２にはテレビモニタ１４３０が、デ−タ通信用の入出力端子１３１４にはパーソナルコンピュータ１４４０が、それぞれ必要に応じて接続される。さらに、所定の操作により、メモリ１３０８に格納された撮像信号が、テレビモニタ１４３０や、パーソナルコンピュータ１４４０に出力される構成になっている。
【００６９】
なお、本発明の電子機器は、図９のパーソナルコンピュータ（モバイル型パーソナルコンピュータ）、図１０の携帯電話、図１１のディジタルスチルカメラの他にも、例えば、インクジェット式吐出装置（例えばインクジェットプリンタ）、ラップトップ型パーソナルコンピュータ、テレビ、ビデオカメラ、ビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳（通信機能付も含む）、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニタ、電子双眼鏡、ＰＯＳ端末、医療機器（例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電図計測装置、超音波診断装置、電子内視鏡）、魚群探知機、各種測定機器、計器類（例えば、車両、航空機、船舶の計器類）、フライトシュミレータ等に適用することができる。
【００７０】
以上述べたように、本発明によれば、溶融状態の接合材８の表面張力を低減する機能を有する凹凸形状を設けたので、接合すべき端子同士の間で、溶融状態の接合材８を円滑に展開させることができ、これらの信頼性の高い接合が可能になる。また、凹凸の形状を適宜設定することにより、前記効果をより向上させることができる。
【００７１】
以上、本発明の端子、配線基板、半導体実装基板、電子デバイスおよび電子機器を図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明は、これに限定されるものではなく、各構成は、同様の機能を発揮し得る任意のものと置換することができ、あるいは、任意の構成のものを付加することができる。
例えば、前記実施形態では、本発明の端子を配線基板側の端子に適用する場合について説明したが、本発明の端子は、半導体チップ側の端子に適用するようにしてもよい。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の半導体実装基板の全体構成を示す縦断面図である。
【図２】実装前の半導体チップおよび本発明の配線基板の構成を示す縦断面図である。
【図３】本発明の端子の構成を示す部分断面斜視図である。
【図４】端子の他の構成を示す平面図である。
【図５】端子の他の構成を示す縦断面図である。
【図６】端子の他の構成を示す縦断面図である。
【図７】端子の溝（凹部）の形成方法を説明するための図（縦断面図）である。
【図８】本発明の電子デバイスを表示装置に適用した場合の実施形態を示す断面図である。
【図９】本発明の電子機器を適用したモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。
【図１０】本発明の電子機器を適用した携帯電話機（ＰＨＳも含む）の構成を示す斜視図である。
【図１１】本発明の電子機器を適用したディジタルスチルカメラの構成を示す斜視図である。
【符号の説明】
１‥‥半導体チップ  ２１、２２‥‥面  ２１１‥‥配線パターン  ２１２‥‥パッシベーション膜  ３‥‥端子  ４‥‥配線基板  ５‥‥基板  ５１‥‥面６‥‥端子  ６０‥‥配線パターン  ６０ａ‥‥金属箔  ６１‥‥面  ６２‥‥凹部  ６２１‥‥第１の溝  ６２２‥‥第２の溝  ６３‥‥金属被膜  ７‥‥間隙  ８‥‥接合材  ９‥‥封止材  １０‥‥プレート  １１‥‥下面  ２０‥‥プレート  ３０‥‥接着剤  ４０‥‥積層体  １００‥‥半導体実装基板  ２００‥‥表示パネル  ２０１‥‥張出領域  ２１０‥‥透明電極  ２２０‥‥第１パネル基板  ２３０‥‥シール材  ２４０‥‥第２パネル基板  ２５０‥‥透明電極  ２６０、２８０‥‥偏光板  ２７０‥‥液晶層  ３００‥‥表示装置  ４００‥‥異方性導電性材料  ４１０‥‥導電性粒子  １１００‥‥パーソナルコンピュータ  １１０２‥‥キーボード  １１０４‥‥本体部  １１０６‥‥表示ユニット  １２００‥‥携帯電話機  １２０２‥‥操作ボタン  １２０４‥‥受話口  １２０６‥‥送話口  １３００‥‥ディジタルスチルカメラ  １３０２‥‥ケース（ボディー）  １３０４‥‥受光ユニット  １３０６‥‥シャッタボタン  １３０８‥‥メモリ  １３１２‥‥ビデオ信号出力端子  １３１４‥‥データ通信用の入出力端子  １４３０‥‥テレビモニタ  １４４０‥‥パーソナルコンピュータ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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