(57)【要約】【課題】絶縁層を間に介在させて互いに対向して配置された配線導体層により高周波信号を伝送する高周波伝送部を有する多層配線基板において、高周波信号が減衰することを防止する。【解決手段】絶縁層３を間に介在させて互いに対向して配置された配線導体層２により高周波信号を伝送する高周波伝送部において、配線導体層２の互いに対向した表面について、高周波信号に対する表皮効果による表面抵抗に対してこの表面抵抗に互いに対向した表面の凹凸の影響を含んだ表面部抵抗を１．５倍以下の大きさとすることで、高周波信号の伝送損失を低減させることができ、高速伝送特性に優れた多層配線基板となる。【選択図】　図１
2004087928.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁層を間に介在させて互いに対向して配置された配線導体層により高周波信号を伝送する高周波伝送部を有し、該高周波伝送部における前記配線導体層の互いに対向した表面について、前記高周波信号に対する表皮効果による表面抵抗に対して該表面抵抗に互いに対向した前記表面の凹凸の影響を含んだ表面部抵抗を１．５倍以下の大きさとしたことを特徴とする多層配線基板。
【請求項２】
前記高周波伝送部における前記配線導体層の互いに対向した前記表面の表面積を垂直投影面積の１．３倍以下としたことを特徴とする請求項１記載の多層配線基板。
【請求項３】
前記高周波伝送部における前記配線導体層の互いに対向した前記表面の算術平均粗さ（Ｒａ）を０．２μｍ以下としたことを特徴とする請求項１記載の多層配線基板。
【請求項４】
前記高周波伝送部における前記配線導体層の互いに対向した前記表面の前記凹凸の平均間隔（Ｓｍ）を０．２ｍｍ以上としたことを特徴とする請求項１記載の多層配線基板。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、高周波デジタル信号を伝送するために適した信号配線用の配線導体層を有する多層配線基板に関し、特に、高周波デジタル信号の伝送を高速化することを可能にした優れた導体配線特性を有する多層配線基板に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、デジタルシステムに対する高密度化・高速化に伴い、これに使用される半導体部品に対して高密度化・高速化の要求がなされるばかりでなく、半導体部品が搭載される配線基板に対しても高密度化・高速化の要求がなされている。このため、きわめて細線な配線パターンを有し、ＧＨｚ帯域の高周波信号の伝送に対応できる多層配線基板が求められている。
【０００３】
このような多層配線基板に対する高集積化の要求から、従来多用されていた多層プリント配線基板やセラミック多層配線基板に代わり、ビルドアップ方式の多層配線基板が注目されている。
【０００４】
このビルドアップ方式の多層配線基板における配線導体層の形成方法は、以下に述べるような方法を用いている。
【０００５】
まず、有機樹脂から成る絶縁層の上面に対し酸化剤等によって粗化処理を行なう。次に、下地導体層の銅層を無電解めっき法によって形成した後、フォトレジストを塗布するとともにこれに露光・現像を施すことによって下地導体層のうち上層の主導体層を形成する部分に所定形状の窓部を形成し、次に、露出させた下地導体層を電極として主導体層となる電解銅めっき皮膜を所望の厚みに形成する。これによって上層の主導体層の部分に相当する露出した下地導体層上に電解銅めっき皮膜から成る主導体層が形成され、その他の部分はフォトレジストに覆われているために電解銅めっき皮膜が形成されず、上層の主導体層に相当する部分にのみ配線導体層が形成される。このようにして所定の厚さの配線導体層を形成した後、フォトレジストを剥離除去し、次に、主導体層の電解銅めっき皮膜をエッチングレジストとして先に電解銅めっき用電極として使用した下地導体層を主導体層のパターンにエッチングすることによって、略矩形形状の断面を持った配線導体層が形成されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、このようにして配線導体層が形成される多層配線基板において、配線導体層に高周波デジタル信号を通そうとすると、以下のような問題が発生する。
【０００７】
配線導体層に高周波信号が供給されている状態では、配線導体層の表面にしか電流が流れず、電流が流れる有効断面積が少なくなって抵抗が大きくなり信号が減衰する。これは表皮効果（Ｓｋｉｎ　ｅｆｆｅｃｔ）と呼ばれている。この表皮効果により配線導体層の表面に発生する抵抗は表面抵抗（Ｓｕｒｆａｃｅ　ｒｅｓｉｓｔｉｖｉｔｙ）と言われ、Ｒｓで表すとすると次式のように示される。
Ｒｓ＝√（π×ｆ×μ／σ）
ただし、ｆは周波数、μは配線導体層の透磁率、σは配線導体層の導電率である。
【０００８】
この表面抵抗は、配線導体層の表面が平滑な状態において当てはまる抵抗であり、以下これを表皮効果による表面抵抗と呼ぶこととする。なお、正弦波１０ＧＨｚの条件では、Ｃｕ導体で表面抵抗は２６ｍΩとなる。
【０００９】
このように電流が集中する配線導体層の表面において、表面の凹凸やうねり、あるいは配線導体層の欠損等があると、配線導体層の導電率は見かけ上低下する。これを実効的な導電率σｅｆｆで表すとすると、高周波信号が供給された状態で発生する配線導体層の抵抗Ｒｓｅｆｆは次式のように示される。
Ｒｓｅｆｆ＝√（π×ｆ×μ／σｅｆｆ）＝Ｋ×Ｒｓ
ただし、Ｋは、配線導体層の表面形状・材料および周波数等で決定される係数であり、実験的に確認されるものである。
【００１０】
この高周波信号が供給された状態で発生する配線導体層の抵抗Ｒｓｅｆｆは、一般に、表皮効果による表面抵抗Ｒｓよりも大きくなる。
【００１１】
このように電流が集中する配線導体層の表面において、表面の凹凸やうねり、あるいは配線導体層の欠損等により、配線導体層の導電率が見かけ上低下し、高周波信号が供給された状態で発生する配線導体層の抵抗Ｒｓｅｆｆが、表皮効果による表面抵抗Ｒｓに比べて増大すると、Ｒｓｅｆｆに依存して高周波信号の減衰が大きくなり、信号伝送を高速に行なうことができなくなる。
【００１２】
配線導体層の幅が２０μｍ位の特性インピーダンス５０Ωのストリップ線路においては、この高周波信号の減衰は伝送損失α（単位はｄＢ／ｃｍ）で示され、次式のように表すことができる。
α＝Ａ×Ｋ×Ｒｓ＋０．２７３×√εｒ／ｃ０×ｔａｎδ×ｆ
ただし、Ａは絶縁層の比誘電率・絶縁層の厚み・配線導体層の幅・配線導体層の厚み等に依存し、およそ３０から４０位となる係数であり、εｒは絶縁層の比誘電率、ｃ０は光速度、ｔａｎδは絶縁層の誘電正接である。
【００１３】
なお、上式において第１項は導体損失を、また第２項は誘電体損失を示しており、一般に導体損失の方が誘電体損失より大きいことより、Ｋの増加は伝送損失αに大きく影響することが分かる。
【００１４】
先に述べたように、近年のデジタルシステムの高速化に対応するためにＧＨｚ帯のデジタル信号を伝送できる多層配線基板が要求されており、周波数においては、ＧＨｚデジタル信号の５倍高調波まで考えると、正弦波として少なくとも５ＧＨｚにおいて、伝送損失αは１ｄＢ／ｃｍ以下を満たす必要がある。
【００１５】
本発明の目的は、こうした高周波信号が供給された状態で発生する、表面の凹凸の影響を含んだ表面部抵抗により高周波信号が減衰することを防止し、高速伝送特性に優れた配線導体層を有する多層配線基板を提供することにある。
【００１６】
【課題を解決するための手段】
本発明の多層配線基板は、絶縁層を間に介在させて互いに対向して配置された配線導体層により高周波信号を伝送する高周波伝送部を有し、この高周波伝送部における前記配線導体層の互いに対向した表面について、前記高周波信号に対する表皮効果による表面抵抗に対してこの表面抵抗に互いに対向した前記表面の凹凸の影響を含んだ表面部抵抗を１．５倍以下の大きさとしたことを特徴とするものである。
【００１７】
また、本発明の多層配線基板は、上記構成において、前記高周波伝送部における前記配線導体層の互いに対向した前記表面の表面積を垂直投影面積の１．３倍以下としたことを特徴とするものである。
【００１８】
また、本発明の多層配線基板は、上記構成において、前記高周波伝送部における前記配線導体層の互いに対向した前記表面の算術平均粗さ（Ｒａ）を０．２μｍ以下としたことを特徴とするものである。
【００１９】
また、本発明の多層配線基板は、上記構成において、前記高周波伝送部における前記配線導体層の互いに対向した前記表面の前記凹凸の平均間隔（Ｓｍ）を０．２ｍｍ以上としたことを特徴とするものである。
【００２０】
本発明の多層配線基板によれば、絶縁層を間に介在させて互いに対向して配置された配線導体層により高周波信号を伝送する高周波伝送部を有し、この高周波伝送部における前記配線導体層の互いに対向した表面について、高周波信号に対する表皮効果による表面抵抗に対してこの表面抵抗に互いに対向した表面の凹凸の影響を含んだ表面部抵抗を１．５倍以下（Ｋ≦１．５）の大きさとしたことから、伝送損失αに大きく影響する導体損失が低減することとなるので、正弦波５ＧＨｚの高周波信号において伝送損失を１ｄＢ／ｃｍ以下とすることができ、ＧＨｚ帯域のデジタル信号の伝送に良好に対応できる高速伝送特性に優れた多層配線基板を提供することができる。
【００２１】
また、本発明の多層配線基板によれば、高周波伝送部における配線導体層の互いに対向した表面の表面積を垂直投影面積の１．３倍以下とすることにより、高周波伝送部における配線導体層の互いに対向した表面について、高周波信号に対する表皮効果による表面抵抗に対してこの表面抵抗に互いに対向した表面の凹凸の影響を含んだ表面部抵抗を１．５倍以下の大きさとする、ＧＨｚ帯域のデジタル信号の伝送に対応できる高速伝送特性に優れた多層配線基板を確実に得ることができる。
【００２２】
また、本発明の多層配線基板によれば、高周波伝送部における配線導体層の互いに対向した表面の算術平均粗さ（Ｒａ）を０．２μｍ以下とすることにより、高周波伝送部における配線導体層の互いに対向した表面について、高周波信号に対する表皮効果による表面抵抗に対してこの表面抵抗に互いに対向した表面の凹凸の影響を含んだ表面部抵抗を１．５倍以下の大きさとする、ＧＨｚ帯域の伝送に対応できる高速伝送特性に優れた多層配線基板を確実に得ることができる。
【００２３】
また、本発明の多層配線基板によれば、高周波伝送部における配線導体層の互いに対向した表面の凹凸の平均間隔（Ｓｍ）を０．２ｍｍ以上とすることにより、高周波伝送部における配線導体層の互いに対向した表面について、高周波信号に対する表皮効果による表面抵抗に対してこの表面抵抗に互いに対向した表面の凹凸の影響を含んだ表面部抵抗を１．５倍以下の大きさとする、ＧＨｚ帯域の伝送に対応できる高速伝送特性に優れた多層配線基板を確実に得ることができる。
【００２４】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照しつつ本発明の多層配線基板を詳細に説明する。
【００２５】
図１は本発明の多層配線基板の実施の形態の一例を示す断面図であり、図２はその多層配線基板における、表面の凹凸の影響を含んだ表面部抵抗を測定するための領域の要部拡大断面図である。
【００２６】
これらの図において、１は基板、２は配線導体層、３は絶縁層、４は配線導体層２の一部としての下地導体層、５は配線導体層２の一部としての主導体層、６は絶縁層３の一部としての絶縁性接着剤層、７は絶縁層３の一部としての絶縁フィルム層、８は多層配線部、９は貫通孔、１０は貫通導体、１１は高周波信号が供給された状態で発生する抵抗を測定するための領域、１２は領域１１の一部としてのＡ領域、１３は領域１１の一部としてのＢ領域である。
【００２７】
基板１は、その上面に配線導体層２と絶縁層３を多層に積層した多層配線部８が配設されており、この多層配線部８を支持する支持部材として機能する。基板１は、酸化アルミニウム質焼結体，ムライト質焼結体等の酸化物系セラミックス、あるいは表面に酸化物膜を有する窒化アルミニウム質焼結体，炭化珪素質焼結体等の非酸化物系セラミックス、さらにはガラス繊維から成る基材にエポキシ樹脂を含浸させたガラスエポキシ樹脂やガラス繊維から成る基材にビスマレイミドトリアジン樹脂を含浸させたもの等の電気絶縁材料で形成されている。
【００２８】
例えば、酸化アルミニウム質焼結体で形成されている場合には、アルミナ，シリカ，カルシア，マグネシア等の原料粉末に適当な有機溶剤，溶媒を添加混合して泥漿状となすとともに、これに従来周知のドクターブレード法やカレンダーロール法を採用することによってセラミックグリーンシート（セラミック生シート）を形成し、しかる後、このセラミックグリーンシートに適当な打ち抜き加工を施し、所定形状となすとともに高温（約１６００℃）で焼成することによって、あるいはアルミナ等の原料粉末に適当な有機溶剤，溶媒を添加混合して原料粉末を調整するとともに、この原料粉末をプレス成形機によって所定形状に成形し、最後にこの成形体を高温（約１６００℃）で焼成することによって製作される。また、ガラスエポキシ樹脂から成る場合は、例えばガラス繊維から成る基材にエポキシ樹脂の前駆体を含浸させ、このエポキシ樹脂前駆体を所定の温度で熱硬化させることによって製作される。
【００２９】
また、基板１には、その上面に、複数の配線導体層２と絶縁層３とが多層に積層され、高周波信号を伝送する高周波伝送部として機能する多層配線部８が配設されている。
【００３０】
多層配線部８の絶縁層３は絶縁フィルム層７と絶縁性接着剤層６とから構成され、絶縁フィルム層７はポリイミド樹脂，ポリフェニレンサルファイド樹脂，全芳香族ポリエステル樹脂，フッ素樹脂等から成る。また、絶縁性接着剤層６はポリアミドイミド樹脂，ポリイミドシロキサン樹脂，ビスマレイミドトリアジン樹脂，エポキシ樹脂等から成る。
【００３１】
絶縁層３は、まず１２．５〜５０μｍ程度の絶縁フィルムに絶縁性接着剤をドクターブレード法等を用いて乾燥厚みで５〜２０μｍ程度に塗布し乾燥させたものを準備し、この絶縁フィルムを基板１や下層の絶縁層３の上面に間に絶縁性接着剤が配されるように積み重ね、これを加熱プレス装置を用いて加熱加圧し接着することによって形成される。
【００３２】
絶縁層３には所定位置に絶縁フィルム層７および絶縁性接着剤層６を貫通する貫通孔９が形成されており、この貫通孔９内には貫通導体１０が被着形成されることにより絶縁フィルム層７を挟んで上下に位置する配線導体層２の各々を電気的に接続する接続路が形成される。
【００３３】
貫通孔９は、例えばレーザを使い絶縁フィルム層７および絶縁性接着剤層６の一部を除去することにより形成される。特に、貫通孔９の開口径が小さな場合は、貫通孔９の内壁面の角度をコントロールすることが容易で貫通孔９の内壁面が滑らかに加工される紫外線レーザで形成することが望ましい。
【００３４】
各絶縁層３の上面および貫通孔９内に配設される配線導体層２は、クロム，モリブデン等の金属材料および銅から成る下地導体層４と銅から成る主導体層５とで構成される。
【００３５】
配線導体層２は、配線導体の集積度を向上させるため幅を３０μｍ以下としておくことが望ましく、そのためには以下のようにすればよい。例えば、まず広面積にクロム，モリブデン等の金属材料と銅とを順にスパッタリング法等により被着することによって下地導体層４を形成する。次に、この上に配線導体のパターンの開口を有するフォトレジストを形成し、このフォトレジストをマスクにして電解硫酸銅めっきにて選択銅めっきを行ない、フォトレジストの開口部に銅から成る主導体層５を形成する。そして、フォトレジストを剥離後、下地導体層４の不要部分を主導体層５をマスクとして順次ウェットエッチングによって除去する。この手法によれば、１０μｍ以下の幅を有する微細な配線パターンの配線導体層２を形成することも可能である。
【００３６】
配線導体層２の厚みは、配線導体層２を覆って絶縁層３を形成した際の絶縁層３の平坦性を良好なものとするために、１０μｍ以下とするのがよく、表皮効果が現れる厚み以上であればよいが、微細配線加工の容易さからは、おおむね３〜５μｍがよい。
【００３７】
絶縁層３の上面に配線導体層２を配設するとき、絶縁層３の表面に、表面の残渣の除去にも効果のある反応性イオンエッチング等により表面粗化処理を施すとよい。この場合、エッチング時間等の処理条件を調整し、配線導体層２の表面の表面積を、垂直投影面積の１．３倍以下にすれば、配線導体層２の表面の凹凸を高周波信号に対する表面抵抗に大きな影響を与えない程度に減少させることができ、配線導体２の実効的な導電率の低下が抑えられるので、配線導体層２の下側の表面について、高周波信号に対する表皮効果による表面抵抗に対してこの表面抵抗に互いに対向した表面の凹凸の影響を含んだ表面部抵抗を１．５倍以下の大きさとすることができる。
【００３８】
このとき、さらに反応性イオンエッチングのガス圧力やパワー等を調整し、配線導体層２の表面の算術平均粗さ（Ｒａ）を０．２μｍ以下、好ましくは０．０５μｍ程度にすれば、表面の凹凸の影響を含んだ表面部抵抗をより安定して小さくすることができる。
【００３９】
配線導体層２上にさらに絶縁層３を形成する際は、前述のように絶縁フィルムを下層の絶縁層３の上面に間に絶縁性接着剤が配されるように積み重ね、これを加熱プレス装置を用いて加熱加圧し接着すればよいが、このときの配線導体層２の上側の表面の表面積を垂直投影面積の１．３倍以下にすれば、前述のように、配線導体層２の上側の表面について、高周波信号に対する表皮効果による表面抵抗に対してこの表面抵抗に互いに対向した表面の凹凸の影響を含んだ表面部抵抗を１．５倍以下の大きさとすることができる。なお、配線導体層２の上面がこのように平滑な状態でも配線導体層２と絶縁性接着剤層６との接着性を高めるためには、配線導体層２の上面に対してカップリング剤等により化学処理を施しておくことが好適であり、なかでも、チタネート系カップリング剤が最適である。
【００４０】
このように、配線導体層２の表面の表面積が垂直投影面積の１．３倍以下、あるいは算術平均粗さ（Ｒａ）が０．２μｍ以下のときは、より良好に表面部抵抗を小さく抑えることができるが、それぞれこれらの値を超えると表面の粗さと抵抗との明確な相関はなくなり、表面のうねりも考慮に入れる必要があるようになる。
【００４１】
例えば１１ＧＨｚの高周波信号においては、算術平均粗さ（Ｒａ）が０．６μｍ程度でも、凹凸の平均間隔（Ｓｍ）が０．４ｍｍの場合に良好な表面部抵抗が得られている。また逆に、算術平均粗さ（Ｒａ）が０．３μｍ程度でも、凹凸の平均間隔（Ｓｍ）が０．２ｍｍを大きく下回る場合には高い表面部抵抗を示している。従って、配線導体層２の表面の凹凸の平均間隔（Ｓｍ）が０．２ｍｍ以上であれば、表面の凹凸の影響を含んだ表面部抵抗を小さくすることができる。
【００４２】
いずれにしても、こうした高周波信号が供給された状態で発生する、配線導体層２と絶縁層３との界面部の配線導体層２における表面の表面部抵抗は、材料物性と形状、すなわちプロセス要因で決定されるため、多層配線部８を形成する手順と並行して測定し、実験的に確認することが重要である。
【００４３】
以下に、この測定に具する配線導体層２の作製方法の一例を説明する。
【００４４】
基板１の所望の領域１１に、下層に配線導体層２を有さない、概ね５ｃｍ角の領域を確保し（以下これをＡ領域１２と呼ぶ）、絶縁フィルム層７と絶縁性接着剤層６とから構成された絶縁層３を前述の方法で形成する。
【００４５】
この上に、広面積にクロム，モリブデン等の金属材料と銅とを順にスパッタリング法等により被着して下地導体層４を形成した後、その上に電解硫酸銅めっきにて主導体層５を形成する。これを、前述の手順と同時に行なう際は、フォトレジストのパターンの開口を所望の形状に形成しておけばよい。
【００４６】
配線導体層２上にさらに絶縁層３を形成する際は、前述のように絶縁フィルムを下層の絶縁層３の上面に間に絶縁性接着剤が配されるように積み重ね、これを加熱プレス装置を用いて加熱加圧し接着する。
【００４７】
さらに、基板１の別の所望の領域１１に、概ね５ｃｍ角の領域を確保し（以下これをＢ領域１３と呼ぶ）、絶縁フィルム層７と絶縁性接着剤層６とから構成された絶縁層３を前述の方法で形成する。
【００４８】
この上に、広面積にクロム，モリブデン等の金属材料と銅とを順にスパッタリング法等により被着して下地導体層４を形成した後、その上に電解硫酸銅めっきにて主導体層５を形成する。これを、前述の手順と同時に行なう際は、フォトレジストのパターンの開口を所望の形状に形成しておけばよい。
【００４９】
この配線導体層２上にさらに絶縁層３を形成する際は、前述のように絶縁フィルムを下層の絶縁層３の上面に間に絶縁性接着剤が配されるように積み重ね、これを加熱プレス装置を用いて加熱加圧し接着する。
【００５０】
かくして、配線導体層２と絶縁層３との界面部の配線導体層２の表面において、高周波信号が供給された状態で発生する、表面の凹凸の影響を含んだ表面部抵抗を測定するためのＡ領域１２およびＢ領域１３を備えた多層配線基板を得ることができる。
【００５１】
このＡ領域１２およびＢ領域１３を備えた多層配線部８を有する基板１の、高周波信号が供給された状態で発生する、表面の凹凸の影響を含んだ表面部抵抗を測定する方法を以下に示す。
【００５２】
Ａ領域１２またはＢ領域１３を備えた多層配線部８を有する基板１を２枚準備し、向かい合わせにしてサファイアから成る誘電体円柱に短絡させて挟み込み、共振器を構成する。
【００５３】
これに対して同軸ケーブルの先端に形成されたループアンテナにより励振と検波とを行ない、共振器の共振周波数と無負荷Ｑとを測定し、これを用いて配線導体層２の実効的な導電率σｅｆｆを算出して、配線導体層２の抵抗Ｒｓｅｆｆを求める。
【００５４】
このような方法で、例えば１１ＧＨｚの高周波信号において、表皮効果による銅の表面抵抗２７ｍΩに対して、１．１倍（Ｋ＝１．１）の３０ｍΩの抵抗を示す配線導体層２を形成することができた。
【００５５】
また、粗化をさらに行ない、表面積が垂直投影面積の１．３倍を超え、凹凸の平均間隔（Ｓｍ）が０．２ｍｍを大きく下回ると、５０ｍΩ程度の極めて大きな表面部抵抗を示し、表皮効果による銅の表面抵抗２７ｍΩの１．９倍（Ｋ＝１．９）の表面部抵抗を示す配線導体層２が形成された。
【００５６】
表皮効果による表面抵抗に対して１．１倍（Ｋ＝１．１）の表面部抵抗を示したものにおいては、伝送損失αが１ｄＢ／ｃｍ以下を満たす正弦波周波数の最大は９ＧＨｚとなり、ＧＨｚデジタル信号の高速伝送に優れる多層配線基板を得たが、１．９倍（Ｋ＝１．９）の表面部抵抗を示すものにおいては、伝送損失αが１ｄＢ／ｃｍ以下を満たす正弦波周波数の最大はおよそ３ＧＨｚとなり、ＧＨｚデジタル信号の伝送には適さないものとなった。
【００５７】
このように、高周波伝送部における配線導体層２の互いに対向した表面について、高周波信号に対する表皮効果による表面抵抗に対してこの表面抵抗に互いに対向した表面の凹凸の影響を含んだ表面部抵抗を１．５倍以下（Ｋ≦１．５）とすれば、少なくとも正弦波周波数５ＧＨｚにおいて伝送損失αは１ｄＢ／ｃｍ以下を満たし、ＧＨｚ帯域のデジタル信号の伝送に対応できる高速伝送特性に優れた多層配線基板を提供できることが確認できた。
【００５８】
なお、本発明は上記の例に限定されるものではなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲で変更・改良を施すことは何ら差し支えない。
【００５９】
例えば、絶縁層３の上面に配線導体層２を配設するとき、絶縁層３上に、レーザーアシストやイオンアシスト等により下地導体層４を形成してもよい。また、絶縁層３の最上層の上面に形成される配線導体層２には、銅から成る主導体層５の上にめっき法によりニッケル層，金層を形成してもよい。
【００６０】
【発明の効果】
以上のように、本発明の多層配線基板によれば、絶縁層を間に介在させて互いに対向して配置された配線導体層により高周波信号を伝送する高周波伝送部を有し、この高周波伝送部における前記配線導体層の互いに対向した表面について、高周波信号に対する表皮効果による表面抵抗に対してこの表面抵抗に互いに対向した表面の凹凸の影響を含んだ表面部抵抗を１．５倍以下（Ｋ≦１．５）の大きさとしたことから、伝送損失αに大きく影響する導体損失が低減することとなるので、正弦波５ＧＨｚの高周波信号において伝送損失を１ｄＢ／ｃｍ以下とすることができ、ＧＨｚ帯域のデジタル信号の伝送に良好に対応できる高速伝送特性に優れた多層配線基板を提供することができた。
【００６１】
また、本発明の多層配線基板によれば、高周波伝送部における配線導体層の互いに対向した表面の表面積を垂直投影面積の１．３倍以下とすることにより、高周波伝送部における配線導体層の互いに対向した表面について、高周波信号に対する表皮効果による表面抵抗に対してこの表面抵抗に互いに対向した表面の凹凸の影響を含んだ表面部抵抗を１．５倍以下の大きさとする、ＧＨｚ帯域のデジタル信号の伝送に対応できる高速伝送特性に優れた多層配線基板を確実に得ることができた。
【００６２】
また、本発明の多層配線基板によれば、高周波伝送部における配線導体層の互いに対向した表面の算術平均粗さ（Ｒａ）を０．２μｍ以下とすることにより、高周波伝送部における配線導体層の互いに対向した表面について、高周波信号に対する表皮効果による表面抵抗に対してこの表面抵抗に互いに対向した表面の凹凸の影響を含んだ表面部抵抗を１．５倍以下の大きさとする、ＧＨｚ帯域の伝送に対応できる高速伝送特性に優れた多層配線基板を確実に得ることができた。
【００６３】
また、本発明の多層配線基板によれば、高周波伝送部における配線導体層の互いに対向した表面の凹凸の平均間隔（Ｓｍ）を０．２ｍｍ以上とすることにより、高周波伝送部における配線導体層の互いに対向した表面について、高周波信号に対する表皮効果による表面抵抗に対してこの表面抵抗に互いに対向した表面の凹凸の影響を含んだ表面部抵抗を１．５倍以下の大きさとする、ＧＨｚ帯域の伝送に対応できる高速伝送特性に優れた多層配線基板を確実に得ることができた。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の多層配線基板の実施の形態の一例を示す断面図である。
【図２】図１に示す多層配線基板における、高周波信号が供給された状態で発生する、表面の凹凸の影響を含んだ表面部抵抗を測定するための領域の要部拡大断面図である。
【符号の説明】
１・・・・基板
２・・・・配線導体層
３・・・・絶縁層
４・・・・下地導体層
５・・・・主導体層
６・・・・絶縁性接着剤層
７・・・・絶縁フィルム層
８・・・・多層配線層
９・・・・貫通孔
１０・・・・貫通導体
１１・・・・高周波信号が供給された状態で発生する抵抗を測定するための領域
１２・・・・Ａ領域
１３・・・・Ｂ領域
【図１】
2004087928.tif 000003
【図２】
2004087928.tif 000004