(57)【要約】【課題】保持面に保持されたガラス基板を露光処理する際、保持面からの反射光のガラス基板に対する影響を抑えることができる基板保装置を提供する。【解決手段】ガラス基板Ｐを保持する保持面１を有する基板保持装置ＰＨにおいて、保持面１は段差構造を有する穴部２を有するとともに、この段差構造のガラス基板Ｐに近接したエッジ部ＥにＲ面取り部を備え、Ｒ面取り部の曲率は、段差構造の形状により変更される。【選択図】　　　　図２
2004087833.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラス基板を保持する保持面を有する基板保持装置において、前記保持面は段差構造を備えるとともに、該段差構造の前記ガラス基板に近接したエッジ部にＲ面取り部を備え、
前記Ｒ面取り部の曲率は、前記段差構造の形状により変更されることを特徴とする基板保持装置。
【請求項２】
前記Ｒ面取り部の曲率は、前記段差構造の段差の高さにより変更されることを特徴とする請求項１記載の基板保持装置。
【請求項３】
前記Ｒ面取り部の曲率は、前記段差構造の前記ガラス基板に近接する部分の反射率と前記段差構造の底部の反射率との差に基づいて設定されることを特徴とする請求項１記載の基板保持装置。
【請求項４】
前記Ｒ面取り部の曲率は、前記段差構造の段差が大きい場合又は前記段差構造の面積が大きい場合に、相対的に大きく設定されることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項記載の基板保持装置。
【請求項５】
前記保持面及び前記Ｒ面取り部の表面は低反射表面処理されていることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項記載の基板保持装置。
【請求項６】
前記保持面はピンチャックと穴部とを含み、前記ガラス基板に近接した前記穴部の開口部に前記Ｒ面取り部を備え、
前記Ｒ面取り部の曲率は、前記穴部の深さにより変更されることを特徴とする請求項１記載の基板保持装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ガラス基板を保持する保持面を有する基板保持装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、例えば液晶表示デバイスはマスク上に形成されたパターンを感光剤が塗布されたガラス基板（感光基板）上に転写するいわゆるフォトリソグラフィの手法により製造される。このフォトリソグラフィ工程で使用される露光装置は、マスクを保持するマスクホルダと、ガラス基板を保持する基板ホルダと、露光光で照明されたマスクのパターンを基板ホルダに保持されたガラス基板に投影する投影光学系とを備えている。
【０００３】
図１０は、従来における露光装置のうち、ガラス基板を保持する基板ホルダの一例を示す模式図である。
図１０において、基板ホルダ（基板保持装置）１００はガラス基板Ｐを保持する保持面１０１を有している。そして、露光光ＥＬが基板ホルダ１００に保持されているガラス基板Ｐに対して照射される。ここで、基板ホルダ１００の保持面１０１には、ガラス基板Ｐを真空吸着保持するための吸着穴、ガラス基板Ｐの下面を支持して上昇及び下降するリフトピンが収容される収容穴、及び光学センサや撮像素子を配置するための穴など、互いに大きさの異なる複数の穴部１０２（１０２Ａ、１０２Ｂ）が設けられている。
【０００４】
図１１は基板ホルダ１００の保持面１０１近傍の断面図である。図１１に示すように、基板ホルダ１００の保持面１０１には前述したような複数の穴部１０２（１０２Ａ、１０２Ｂ）が形成されている。ここで、穴部１０２Ｂの大きさ（深さ、径）は穴部１０２Ａより大きく設定されている。従来において、穴部１０２のうち保持面１０１に保持されているガラス基板Ｐに近接したエッジ部ＥはＣ面取りされていた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、上記従来技術には以下に述べる問題が生じる。
ガラス基板Ｐに照射された露光光ＥＬは、ガラス基板Ｐの表面で反射するとともに、ガラス基板Ｐを透過して保持面１０１や穴部１０２で反射する。この場合において、穴部１０２のエッジ部ＥがＣ面取りされていることにより、保持面１０１と穴部１０２とでの反射光のガラス基板に対する強度の違いが強調され、この反射光によりガラス基板Ｐ上に穴部１０２に対応したリング状の露光ムラが生じるという問題が生じるようになった。
【０００６】
本発明はこのような事情に鑑みてなされたもので、基板保持装置に保持されたガラス基板を露光処理する際、保持面からの反射光のガラス基板に対する影響を抑えて露光ムラの発生を抑制できる基板保持装置を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記の課題を解決するため本発明は、実施の形態に示す図１〜図９に対応付けした以下の構成を採用している。
本発明の基板保持装置（ＰＨ）は、ガラス基板（Ｐ）を保持する保持面（１）を有する基板保持装置において、保持面（１）は段差構造（２）を備えるとともに、該段差構造（２）のガラス基板（Ｐ）に近接したエッジ部（Ｅ）にＲ面取り部を備え、Ｒ面取り部の曲率Ｒは、段差構造（２）の形状により変更されることを特徴とする。
本発明によれば、穴部などの段差構造を有する保持面でガラス基板を保持する場合において、段差構造のエッジ部をＲ面取りすることにより、段差構造の上段と下段とでの反射光のガラス基板に対する強度の違いの影響を段階的に変化させることができる。すなわち、段差構造の上段と下段とにおける反射光のガラス基板に対する強度の違いはＲ面取り部により滑らかに変化するので、段差構造のエッジ部による反射光強度のムラがガラス基板上で強調されることを抑えることができる。したがって、ガラス基板上での露光ムラの発生を抑えることができる。そして、段差構造の上段と下段とのそれぞれで発生した反射光のガラス基板に対する強度が段差構造の形状に基づき大きく違っていても、Ｒ面取り部の曲率を段差構造の形状により変更することにより、反射光のガラス基板に対する影響を効果的に抑えることができる。
【０００８】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の基板保持装置について図面を参照しながら説明する。図１は本発明の基板保持装置を備えた露光装置の一実施形態を示す概略斜視図である。
図１において、露光装置ＥＸは、マスクＭを保持するマスクホルダＭＨと、ガラス基板Ｐを保持する基板ホルダ（基板保持装置）ＰＨと、マスクＭを露光光ＥＬで照明する照明光学系ＩＬと、露光光ＥＬで照明されたマスクＭのパターンを基板ホルダＰＨに保持されたガラス基板Ｐに投影する投影光学系ＰＬとを備えている。ガラス基板Ｐには感光剤（フォトレジスト）が塗布されている。なお、図１ではガラス基板Ｐは基板ホルダＰＨに保持されておらず後述する搬送ロボットＨに保持されている状態が示されている。
【０００９】
ここで、以下の説明において、投影光学系ＰＬの光軸方向をＺ軸方向、水平面内においてＺ軸方向と直交する方向をＸ軸方向、水平面内においてＸ軸方向と直交する方向をＹ軸方向とする。また、Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸まわり方向をθＸ、θＹ、及びθＺ方向とする。
【００１０】
照明光学系ＩＬは、光源からの光束を露光光ＥＬに変換してマスクホルダＭＨに保持されているマスクＭを露光光ＥＬで照明するものであって、リレーレンズ、露光光ＥＬの照度分布を均一化するオプティカルインテグレータ、露光光ＥＬをオプティカルインテグレータに入射するインプットレンズ、オプティカルインテグレータから射出した露光光ＥＬをマスクＭ上に集光するコンデンサレンズ、及び照度調整用フィルタ等の複数の光学部材を有している。照明光学系ＩＬより射出される露光光ＥＬとしては、例えば水銀ランプから射出される紫外域の輝線（ｇ線、ｈ線、ｉ線）及びＫｒＦエキシマレーザ光（波長２４８ｎｍ）等の遠紫外光（ＤＵＶ光）や、ＡｒＦエキシマレーザ光（波長１９３ｎｍ）及びＦ２　レーザ光（波長１５７ｎｍ）等の真空紫外光（ＶＵＶ）などが用いられる。
【００１１】
投影光学系ＰＬは、露光光ＥＬで照明されたマスクＭのパターンを基板ホルダＰＨに保持されているガラス基板Ｐに投影するものであって、本実施形態においては、等倍正立正像を投影する光学系が用いられている。なお、投影光学系としては、縮小系でも拡大系でもよい。
【００１２】
マスクホルダＭＨは、Ｘ軸、Ｙ軸、及びθＺ方向に移動可能な不図示のマスクステージ上に設けられている。また、基板ホルダＰＨは、少なくともＸ軸、Ｙ軸、及びＺ軸方向に移動可能な基板ステージＰＳＴ上に設けられている。そして本実施形態における露光装置ＥＸは、基板ホルダＰＨ上に長方形のガラス基板Ｐを載置した状態でステップ・アンド・スキャン方式の露光処理を行う。具体的には、露光装置ＥＸは、照明光学系ＩＬからの露光光ＥＬでマスクＭ上のスリット状の照明領域を照明しつつ、マスクＭを保持するマスクホルダＭＨ（マスクステージ）とガラス基板Ｐを保持する基板ホルダＰＨ（基板ステージ）とを所定の走査方向（ここではＹ軸方向とする）に同期移動し、ガラス基板Ｐ上の１つの露光領域に対してマスクＭのパターンを転写する走査露光を行う。そして、この１つの露光領域に対する走査露光の終了後に、基板ホルダＰＨが次の露光領域の走査開始位置まで所定量Ｘ軸方向に移動するステッピング動作を行い、このような走査露光とステッピング動作とを繰り返し行うことにより、露光装置ＥＸは順次露光領域のそれぞれにマスクＭのパターンを転写する。これにより、マスクＭに形成されたパターンはガラス基板Ｐ上の複数の露光領域（パターン領域）のそれぞれに順次転写される。
【００１３】
露光装置ＥＸは、基板ホルダＰＨに対してガラス基板Ｐを搬送する搬送装置としての搬送ロボットＨを備えている。この搬送ロボットＨは水平関節型構造を有し、垂直な関節軸を介して連結された複数部分から成るアーム部１０と、このアーム部１０の先端に設けられ、２本の爪部１１を有しガラス基板Ｐを支持可能な搬送ハンド１２と、アーム部１０を駆動する駆動装置１３とを備えている。搬送ハンド１２は、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ、θＹ、及びθＺ方向のそれぞれに移動可能となっており、搬送ハンド１２に支持されたガラス基板Ｐは所定の位置に搬送される。そして、図１には、ガラス基板Ｐが搬送ロボットＨの爪部１１により下方から支持されている状態が示されている。なお、この搬送ロボットＨは、図１には便宜上図示していないが、搬送ハンド１２の下方に設けられ、この搬送ハンド１２と同様の機構を有し、且つ独立駆動可能な搬送ハンドを備えたダブルハンド構造（ダブルアーム構造）になっている。
【００１４】
基板ホルダＰＨは、ガラス基板Ｐを保持する保持面１を有している。この保持面１は、ガラス基板Ｐを吸着保持する吸着穴２Ａ、ガラス基板Ｐの下面を支持して上昇及び下降可能なリフトピン３を収容する収容穴２Ｂ、及び光学センサや撮像素子等を収容する穴２Ｃなど、段差構造としての複数の穴部２を有している。本実施形態において、穴部２（２Ａ、２Ｂ、２Ｃ）のそれぞれの平面視における形状はほぼ円形に設定されている。なお、穴部２の平面視における形状は円形でなくてもよく、任意の多角形状でもよい。
【００１５】
吸着穴２Ａは不図示のバキューム装置（真空ポンプ）に接続されており、バキューム装置が駆動することにより、保持面１に載置されているガラス基板Ｐが吸着穴２Ａに吸着保持される。リフトピン３は基板ホルダＰＨの表面（保持面）１に対して出没自在に設けられており、保持面１の面方向における複数の所定位置（図１に示す例では８箇所）にそれぞれ設けられている。リフトピン３は上昇することによりガラス基板Ｐの下面を支持しつつガラス基板Ｐと基板ホルダＰＨの保持面１とを離間する。そして、基板ホルダＰＨに対するガラス基板Ｐのロード及びアンロードはリフトピン３を介して行われる。
【００１６】
図２は、基板ホルダＰＨの保持面１近傍の断面図である。
図２において、基板ホルダＰＨの保持面１には、上述したように段差構造としての複数の穴部２（２Ａ、２Ｂ、２Ｃ）が設けられている。ここで、本実施形態における穴部２Ａ〜２Ｃそれぞれの平面視形状は、上述したようにほぼ円形状であり、また、Ｚ軸方向の各位置における径の大きさもほぼ同じに設定されている。すなわち、穴部２Ａ〜２Ｃのそれぞれは直胴状に形成されている。そして、穴部２Ａは保持面１に載置されたガラス基板Ｐの下面を真空吸着する吸着穴であり、穴部２Ｂは保持面１に対して出没自在なリフトピン３を収容する収容穴であり、穴部２Ｃは、例えば基板ホルダＰＨ（ガラス基板Ｐ）に照射される露光光の照度を計測可能なセンサ４を収容する穴である。なお、穴部２Ｃには、露光処理に関する各種計測を行う所定のセンサ、あるいは投影光学系ＰＬを介したマスクＭのパターン又はアライメント処理に用いるアライメントマークを撮像可能な撮像素子が配置されていてもよい。
【００１７】
穴部２Ａ〜２Ｃのそれぞれの大きさは互いに異なるように設定されている。具体的には、穴部２Ａ〜２Ｃの平面視における大きさ（面積）、換言すれば穴部の径の大きさはそれぞれ異なるように設定されている。更に、穴部２Ａ〜２Ｃの深さ、換言すれば段差の高さがそれぞれ異なるように設定されている。具体的には、穴部２Ａ〜２Ｃのうち、真空吸着穴としての穴部２Ａの径Ｌ１が最も小さく（面積が小さく）、リフトピン３を収容する穴部２Ｂの径Ｌ２が最も大きい。また、穴部２Ａ〜２Ｃのうち、真空吸着穴としての穴部２Ａの高さＤ１が最も小さく（段差が小さく）、リフトピン３を収容する穴部２Ｂの高さＤ２が最も高い。ここで、穴部２Ｂの高さＤ２は、最も下降した状態のリフトピン３の先端面と基板ホルダＰＨの保持面１とのＺ軸方向における距離である。また、穴部２Ｃの高さＤ３は、センサ４の先端面と基板ホルダＰＨの保持面１とのＺ軸方向における距離である。すなわち、最も下降した状態のリフトピン３の先端面が穴部２Ｂの底部であり、センサ４の先端面が穴部２Ｃの底部である。そして、保持面１と穴部２Ａ〜２Ｃのそれぞれの底部とにより、保持面１に段差構造が形成された構成となっている。
【００１８】
穴部２Ａ〜２Ｃにおいて、保持面１に保持されるガラス基板Ｐに近接したエッジ部Ｅ（Ｅ１〜Ｅ３）のそれぞれはＲ面取り部となっている。ここで、エッジ部Ｅ１〜Ｅ３それぞれのＲ面取り部の曲率Ｒ１〜Ｒ３は、穴部２Ａ〜２Ｃの大きさに応じて設定されている。このうち、穴部２ＡのＲ面取り部の曲率Ｒ１が最も小さく、穴部２ＢのＲ面取り部の曲率Ｒ２が最も大きく設定されている。すなわち、最も大きい段差を有する穴部２ＢのＲ面取り部の曲率Ｒ２が最も大きく、最も小さい段差を有する穴部２ＡのＲ面取り部の曲率Ｒ１が最も小さく設定されており、段差構造としての穴部の段差が大きくなるにつれてＲ面取り部の曲率Ｒが相対的に大きくなるように設定されている。このように、Ｒ面取り部の曲率Ｒは、段差構造の段差の高さに基づいて変更・設定されている。そして、本実施形態では、穴部２Ｂの深さ（段差の高さ）Ｄ２は穴部２Ａの深さＤ１のほぼ３倍に設定されており、この場合において、穴部２ＢのＲ面取り部の曲率Ｒ２は穴部２ＡのＲ面取り部の曲率Ｒ１のほぼ３倍に設定されている。
【００１９】
基板ホルダＰＨのうち、保持面１及びＲ面取り部（エッジ部）の表面は低反射表面処理されている。ここで、以下の説明において、低反射表面処理されている保持面１及びＲ面取り部の表面を適宜「低反射処理面」と称する。
【００２０】
低反射処理面は、基板ホルダＰＨのうち低反射処理面以外の部分に比べて、露光光ＥＬに対する反射率が低い面である。この低反射処理面には、例えば、ブラックアルマイトなど低反射性を有する材料層（皮膜）が設けられている。なお、低反射表面処理として、ブラックアルマイトに限らず、低反射性を有する黒色材料あるいは黒色以外の有色材料からなる皮膜を設けるようにしてもよい。
【００２１】
また、低反射表面処理としては、低反射性を有する材料からなる皮膜を設ける以外に、例えば、図３に示すように、低反射処理面に相当する面を粗面にする処理であってもよい。表面を粗く形成することにより照射された光は散乱し、これにより粗面からなる低反射処理面はこの低反射処理面以外の部分に比べて低反射性を有する。
【００２２】
なお、本実施形態において、Ｒ面取り部は穴部２Ａ〜２Ｃのエッジ部Ｅ１〜Ｅ３以外に、図２に示すように、リフトピン３の先端面のエッジ部やセンサ４の先端面のエッジ部にも設けられているが、リフトピン３やセンサ４は面取りしなくてもよい。
【００２３】
次に、上述した基板ホルダＰＨでガラス基板Ｐを保持しつつ露光装置ＥＸによりマスクＭのパターンをガラス基板Ｐに露光する露光方法について説明する。
搬送ロボットＨが露光処理すべきガラス基板Ｐを保持し、基板ホルダＰＨに対してこのガラス基板Ｐをロードする。搬送ロボットＨから基板ホルダＰＨにガラス基板Ｐをロードする際には、まず、基板ホルダＰＨよりリフトピン３が上昇するとともに、搬送ロボットＨが基板ホルダＰＨの保持面１より高く上昇したリフトピン３の先端にガラス基板Ｐを載置する。次いで、搬送ロボットＨの搬送ハンド１２が、例えば＋Ｙ方向に移動（退避）する。そしてリフトピン３が下降することにより、ガラス基板Ｐは基板ホルダＰＨの保持面１に保持される。ここで、リフトピン３の先端には吸着部（真空吸着孔）が設けられており、リフトピン３はガラス基板Ｐの下面を吸着保持する。そして、保持面１に載置されたガラス基板Ｐは、保持面１に設けられている吸着穴２Ａに吸着保持される。図４には、ガラス基板Ｐが基板ホルダＰＨに保持されている状態が示されている。
【００２４】
基板ホルダＰＨにガラス基板Ｐが保持されたら、照明光学系ＩＬはマスクホルダＰＨに保持されているマスクＭを露光光ＥＬで照明する。マスクＭを照明した露光光ＥＬは投影光学系ＰＬを通過した後、ガラス基板Ｐを照射する。ここで、ガラス基板Ｐに照射された露光光ＥＬは、ガラス基板Ｐの表面で反射するとともに、ガラス基板Ｐを透過して基板ホルダＰＨに達する。基板ホルダＰＨに達した露光光ＥＬは、基板ホルダＰＨの保持面１やエッジ部Ｅ１〜Ｅ３、あるいは穴部２Ａ〜２Ｃそれぞれの内側面や底部（リフトピン３の先端面及びセンサ４の先端面を含む）で反射する。この場合において、例えば段差構造としての穴部２Ａのうち上段である保持面１からの反射光のガラス基板Ｐに対する強度と下段である穴部２Ａの底部からの反射光のガラス基板Ｐに対する強度とが異なる場合であっても、段差構造としての穴部２Ａのエッジ部Ｅ１はＲ面取りされているため、上段で発生した反射光と下段で発生した反射光との強度の違いは滑らかに変化する。したがって、この反射光の強度の違いによりエッジ部Ｅ１近傍からの反射光強度のムラがガラス基板Ｐ上で強調されることを抑えることができる。同様に、段差構造としての穴部２Ｂ及び２Ｃについても、エッジ部Ｅ２及びＥ３近傍からの反射光強度のムラがガラス基板Ｐ上で強調されることを抑えることができる。したがって、露光ムラの発生といった不具合が生じることを抑えることができる。
【００２５】
また、保持面１やＲ面取り部（エッジ部）には低反射表面処理が施されているため、基板ホルダＰＨからの反射光に基づく露光ムラの発生を更に効果的に抑えることができる。この場合において、低反射処理面（段差構造の上段）で発生した反射光のガラス基板Ｐに対する強度と、穴部の底部（段差構造の下段）で発生した反射光のガラス基板Ｐに対する強度とがほぼ同じになるように（反射光強度の差が所定範囲以下になるように）、低反射表面処理の処理条件が設定されていることが好ましい。
【００２６】
露光処理が終了したら、基板ホルダＰＨからガラス基板Ｐがアンロードされる。基板ホルダＰＨからガラス基板Ｐをアンロードする際には、吸着穴２Ａによるガラス基板Ｐに対する吸着が解除されるとともに、リフトピン３が上昇しガラス基板Ｐと基板ホルダＰＨの保持面１とを離間する。そして、基板ホルダＰＨに対して離間したガラス基板Ｐに対して搬送ロボットＨがアクセスし、搬送ハンド１２がガラス基板Ｐの下面を支持し、例えば＋Ｙ方向に移動することにより、ガラス基板Ｐは基板ホルダＰＨからアンロードされる。
【００２７】
以上説明したように、穴部２をはじめとする保持面１の段差構造のエッジ部Ｅ１〜Ｅ３をＲ面取りするようにしたので、ガラス基板Ｐを透過し、基板ホルダＰＨの保持面１で反射した露光光ＥＬの反射光のうちエッジ部Ｅ１〜Ｅ３近傍からの反射光強度のムラがガラス基板Ｐ上で強調されるのを抑えることができる。したがって、ガラス基板Ｐにおける露光ムラの発生を抑えることができる。
【００２８】
そして、穴部２Ａ〜２Ｃの深さが深くなるにつれて、すなわち、段差構造の段差が大きくなるにつれて、段差構造の上段と下段とのそれぞれで発生する反射光のガラス基板Ｐに対する強度の差が大きくなるため、露光ムラが発生しやすくなる傾向にあるが、穴部の深さ（段差構造の段差の高さ）に応じてＲ面取り部の曲率Ｒ１〜Ｒ３を設定するようにしたので、具体的には、穴部が深くなるにつれてＲ面取り部の曲率Ｒを大きく設定するようにしたので、このエッジ部（Ｒ面取り部）Ｅ１〜Ｅ３近傍からの反射光強度のムラに基づくガラス基板Ｐに対する影響を効果的に抑えることができ、露光ムラの発生を抑制することができる。
【００２９】
なお、上記実施形態において、穴部２Ａ〜２Ｃそれぞれの深さ（段差の高さ）に基づいてＲ面取り部の曲率Ｒが設定されるように説明した。すなわち、穴部の径（面積）が同じであっても、段差が大きく設定されるにしたがってＲ面取り部の曲率Ｒを相対的に大きく設定することにより、露光ムラの発生を抑えることができるように説明した。一方、段差の高さが同じで径が異なる場合であっても、径が大きく設定されるにしたがってＲ面取り部の曲率を相対的に大きく設定することにより、露光ムラの発生を効果的に抑えることができるので好ましい。
【００３０】
上記実施形態において、穴部２は平面視円形状であるが、穴部２の平面視形状は円形状でなく任意の多角形状でもよい。更に、穴部２の径は上記実施形態のようにＺ軸方向においてほぼ同じに設定（すなわち直胴状）されていてもよいし、異なるように設定（例えばテーパ状）に設定されていてもよい。すなわち、穴部（段差構造）２の形状が異なるように設定されていてもよい。そして、これら穴部２のＲ面取り部の曲率Ｒを、穴部（段座構造）の形状により変更・設定することにより、露光ムラの発生を効果的に抑えることができる。
【００３１】
Ｒ面取り部の曲率Ｒは、段差構造のガラス基板Ｐに近接する部分の反射率と、段差構造の底部の反射率との差に基づいて設定することもできる。ここで、段差構造のガラス基板Ｐに近接する部分とは、基板ホルダＰＨの保持面１及びエッジ部Ｅ１〜Ｅ３を含む。
例えば、図２に示すように、穴部２Ａの底部は基板ホルダ形成用材料により構成されており、穴部２Ｂの底部はリフトピン３の先端面であってリフトピン形成用材料により構成されており、穴部２Ｃの底部はセンサ４の先端面であってセンサ形成用材料により構成されている。このように、穴部２Ａ〜２Ｃのそれぞれの底部の形成材料は異なっている。これにより、段差構造の下段である穴部２Ａ〜２Ｃの底部のそれぞれの反射率は互いに異なる値を有する。この場合において、段差構造の上段であるガラス基板Ｐに近接する部分の反射率と、段差構造の下段である穴部２Ａ〜２Ｃの底部のそれぞれの反射率との差は互いに異なる値を有する。この反射率の差の違いにより、各エッジ部Ｅ１〜Ｅ３に基づくガラス基板に与える影響（露光ムラ）が異なるが、この反射率の差に基づいてＲ面取り部の曲率Ｒを設定することにより、露光ムラの発生を効果的に抑えることができる。具体的には、例えば保持面１及びエッジ部Ｅ１〜Ｅ３の反射率がＸ０％、穴部２Ａの底部の反射率がＸ１％、穴部２Ｂの底部（すなわちリフトピンの先端面）の反射率がＸ２％であり、（Ｘ１−Ｘ０）＜（Ｘ２−Ｘ０）である場合、穴部２Ｂのエッジ部Ｅ２の曲率Ｒ２は穴部２Ａのエッジ部Ｅ１の曲率Ｒ１より大きく設定される。なお、段差構造のガラス基板Ｐに近接する部分の反射率と、段差構造の底部の反射率との差に基づいてＲ面取り部の曲率を設定する場合には、穴部の大きさは互いに同じであってもよい。また、この場合において、段差構造の上段であるガラス基板Ｐに近接する部分で発生した反射光のガラス基板Ｐに対する強度と、段差構造の下段である穴部の底部で発生した反射光のガラス基板Ｐに対する強度とがほぼ同じになるように（反射光強度の差が所定範囲以下になるように）、段差構造の上段及び下段の少なくともいずれか一方を表面処理することにより、露光ムラの発生を効果的に抑制できる。
【００３２】
次に、本発明の基板保持装置の他の実施形態について図５〜図７を参照しながら説明する。ここで、以下の説明において、上述した実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略もしくは省略する。
図５に示すように、搬送ロボットＨは、基板支持装置としてのトレイＴを介してガラス基板Ｐを支持しつつ、基板ホルダＰＨに対して搬送することが可能である。トレイＴは縦横に所定間隔で格子状に張り巡らされた複数本の線状部材５により全体として略矩形状に形成されている。また、複数本の線状部材５により構成される各格子の内部には、ガラス基板Ｐよりも小さい四角形の開口部が複数形成されている。トレイＴは、その上面の支持部４でガラス基板Ｐを支持する。また、トレイＴの上面には支持したガラス基板Ｐの側面を保持して基板の落下を防止するとともに概ね位置決めする凸部（位置決め部）６が複数設けられている。
【００３３】
基板ホルダＰＨの保持面１には、トレイＴの線状部材５の配置に対応して、トレイＴの支持部４と嵌合する溝部７が形成されている。溝部７の深さは、支持部４が嵌合して沈み込んだときに、位置決め部６が基板ホルダＰＨの保持面１から突出して配設されるように設定されている。なお、図５には不図示であるが、この基板ホルダＰＨの保持面１には、保持したガラス基板Ｐの下面を吸着保持する吸着穴（穴部）が設けられている。
【００３４】
トレイＴを介して搬送ロボットＨに支持されているガラス基板Ｐを基板ホルダＰＨにロードする際には、トレイＴの支持部４の線状部材５と基板ホルダＰＨの溝部７とを位置決めしつつ、搬送ロボットＨが線状部材５と溝部７とを嵌合するようにガラス基板ＰをトレイＴごと下降する。これにより、トレイＴの線状部材５が基板ホルダＰＨの溝部７に嵌まり、支持部４が基板ホルダＰＨの保持面１より下がり、ガラス基板Ｐが基板ホルダＰＨの保持面１に保持される。支持部４は溝部７に沈み込むが、位置決め部６は基板ホルダＰＨの保持面１から突出するので、ガラス基板Ｐに対する位置決めは維持される。そして、図５では不図示の吸着穴を介してガラス基板Ｐが基板ホルダＰＨに吸着保持される。ガラス基板Ｐが基板ホルダＰＨに保持されたらこのガラス基板Ｐに対して露光処理が施される。図６には、ガラス基板Ｐが基板ホルダＰＨに保持されている状態が示されている。
【００３５】
図７は、図６のＡ−Ａ矢視図である。
図７に示すように、基板ホルダＰＨの段差構造としての溝部７のうち保持面１に保持されているガラス基板Ｐに近接したエッジ部Ｅ４はＲ面取りされている。このＲ面取り部の曲率Ｒ４も、段差の高さ、ここでは保持面１と溝部７に配置されたトレイＴの上面との距離に応じて設定されている。なお、溝部７に配置されているトレイＴの線状部材５のうちガラス基板Ｐに近接したエッジ部もＲ面取りされているが面取りされてなくてもよい。このように、エッジ部Ｅ４をＲ面取りすることにより、このエッジ部Ｅ４に基づく反射光がガラス基板Ｐに与える影響（露光ムラ）を抑えることができる。
【００３６】
また、この場合においても、保持面１と、溝部７の底面としてのトレイＴとの形成材料が異なっていて反射率が異なるので、保持面１及びエッジ部の反射率とトレイＴの反射率との差に基づいて、エッジ部Ｅ４のＲ面取り部の曲率Ｒ４を設定することができる。
【００３７】
図８は、基板ホルダ（基板保持装置）の他の実施形態を示す図であり、図８（ａ）は上面図、図８（ｂ）は側方断面図である。
図８において、基板ホルダＰＨは、平面視矩形状の基台８と、基台８に設けられた凹部９と、凹部９の外周に環状に設けられたシール壁１０と、凹部９の底面の複数の所定位置にそれぞれ設けられ、Ｚ軸方向に突出するピンチャック１１とを備えている。そして、ピンチャック１１どうしの間に複数の穴部１２が形成されており、ピンチャック１１及びシール壁１０の上端面がガラス基板Ｐを保持する保持面１となっている。そして、ピンチャック１１と穴部１２とにより段差構造が構成されている。また、基台８の内部には排気孔１３が形成されており、排気孔１３の一端は凹部９の底面中央に形成された吸着穴１４に接続している。そして、排気孔１３の他端に接続されている真空ポンプ（不図示）を駆動することによりガラス基板Ｐと凹部９とで形成される空間が減圧され、ガラス基板Ｐは保持面１に保持されるようになっている。
【００３８】
穴部１２のうち、保持面１に保持されるガラス基板Ｐに近接した部分の開口部のエッジ部Ｅ５はＲ面取り部となっている。このＲ面取り部の曲率Ｒ５は、穴部１２の深さ（ピンチャック１１の高さ）により設定されるようになっている。具体的には、穴部１２の深さが深くなるにつれて曲率Ｒ５は相対的に大きく設定される。本実施形態においても、ガラス基板Ｐに露光光が照射された際、照射された露光光の一部はガラス基板Ｐを通過して基板ホルダＰＨに達し、基板ホルダＰＨで反射した反射光はガラス基板Ｐを照射して影響を及ぼすが、穴部１２の深さに応じてＲ面取り部の曲率を変更することにより露光ムラなどの発生を抑えることができる。
【００３９】
なお、上記各実施形態における基板保持装置（基板ホルダ）ＰＨは、液晶表示デバイス用のガラス基板を保持する構成であるが、照射された光を基板保持装置側に透過する任意の基板を保持する際に適用可能である。
【００４０】
なお、段差構造のエッジ部にＲ面取り部を設けずに、例えばガラス基板Ｐの裏面側に金属膜など露光光ＥＬを透過しない不透過膜を形成した後に露光処理することにより、基板ホルダＰＨには露光光ＥＬが照射されないので、基板ホルダＰＨからの反射光に基づく露光ムラは発生しない。なお、この場合において、露光処理後この不透過膜をガラス基板から除去する工程を要する。つまり、プロセスの最終工程までに不透過膜を剥がすというプロセスが必要となる。
【００４１】
露光装置ＥＸとしては、マスクＭと基板Ｐとを同期移動してマスクＭのパターンを走査露光するステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装置（スキャニング・ステッパ；ＵＳＰ５，４７３，４１０）の他に、マスクＭと基板Ｐとを静止した状態でマスクＭのパターンを露光し、基板Ｐを順次ステップ移動させるステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置（ステッパ）にも適用することができる。
【００４２】
露光装置ＥＸの種類としては、ガラス基板Ｐに液晶表示デバイスパターンを露光する液晶表示デバイス製造用の露光装置に限られず、ウエハに半導体デバイスパターンを露光する半導体デバイス製造用の露光装置や、薄膜磁気ヘッド、撮像素子（ＣＣＤ）あるいはレチクルなどを製造するための露光装置などにも広く適用できる。
【００４３】
また、露光用照明光ＥＬの光源として、超高圧水銀ランプから発生する輝線（ｇ線（４３６ｎｍ）、ｈ線（４０４．７ｎｍ）、ｉ線（３６５ｎｍ））、ＫｒＦエキシマレーザ（２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザ（１９３ｎｍ）、Ｆ２レーザ（１５７ｎｍ）のみならず、Ｘ線や電子線などの荷電粒子線を用いることができる。例えば、電子線を用いる場合には電子銃として、熱電子放射型のランタンヘキサボライト（ＬａＢ６）、タンタル（Ｔａ）を用いることができる。さらに、電子線を用いる場合は、マスクＭを用いる構成としてもよいし、マスクＭを用いずに直接基板上にパターンを形成する構成としてもよい。また、ＹＡＧレーザや半導体レーザ等の高周波などを用いてもよい。
【００４４】
投影光学系ＰＬとしては、エキシマレーザなどの遠紫外線を用いる場合は硝材として石英や蛍石などの遠紫外線を透過する材料を用い、Ｆ２レーザやＸ線を用いる場合は反射屈折系または屈折系の光学系にし（マスクＭも反射型タイプのものを用いる）、また電子線を用いる場合には光学系として電子レンズおよび偏向器からなる電子光学系を用いればよい。なお、電子線が通過する光路は、真空状態にすることはいうまでもない。また、投影光学系ＰＬを用いることなく、マスクＭと基板Ｐとを密接させてマスクＭのパターンを露光するプロキシミティ露光装置にも適用可能である。
【００４５】
基板ホルダやマスクホルダを支持するステージにリニアモータ（ＵＳＰ５，６２３，８５３またはＵＳＰ５，５２８，１１８参照）を用いる場合は、エアベアリングを用いたエア浮上型およびローレンツ力またはリアクタンス力を用いた磁気浮上型のどちらを用いてもよい。また、プレートホルダやマスクステージは、ガイドに沿って移動するタイプでもよく、ガイドを設けないガイドレスタイプであってもよい。
【００４６】
基板ホルダやマスクホルダを駆動する駆動機構としては、二次元に磁石を配置した磁石ユニット（永久磁石）と、二次元にコイルを配置した電機子ユニットとを対向させ電磁力によりプレートホルダやマスクステージを駆動する平面モータを用いてもよい。この場合、磁石ユニットと電機子ユニットとのいずれか一方を基板ホルダやマスクホルダを支持するステージに接続し、磁石ユニットと電機子ユニットとの他方を基板ホルダやマスクホルダの移動面側（ベース）に設ければよい。
【００４７】
基板ステージによる基板ホルダの移動により発生する反力は、投影光学系ＰＬに伝わらないように、特開平８−１６６４７５号公報（ＵＳＰ５，５２８，１１８）に記載されているように、フレーム部材を用いて機械的に床（大地）に逃がしてもよい。本発明はこのような構造を備えた露光装置においても適用可能である。マスクステージによるマスクホルダの移動により発生する反力は、投影光学系ＰＬに伝わらないように、特開平８−３３０２２４号公報（ＵＳ　Ｓ／Ｎ　０８／４１６，５５８）に記載されているように、フレーム部材を用いて機械的に床（大地）に逃がしてもよい。本発明はこのような構造を備えた露光装置においても適用可能である。
【００４８】
以上のように、本願実施形態の露光処理システムＳＹＳ及び露光装置ＥＸは、本願特許請求の範囲に挙げられた各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度およびクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。
【００４９】
液晶表示デバイスや半導体デバイス等のデバイスは、図９に示すように、デバイスの機能・性能設計を行うステップ２０１、この設計ステップに基づいたマスクＭ（レチクル）を製作するステップ２０２、デバイスの基材である基板（ウエハ、ガラスプレート）を製造するステップ２０３、前述した実施形態の露光装置ＥＸによりマスクＭのパターンを基板Ｐに露光する基板処理ステップ２０４、デバイス組み立てステップ（ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程を含む）２０５、検査ステップ２０６等を経て製造される。
【００５０】
【発明の効果】
保持面の段差構造のエッジ部をＲ面取りしたので、エッジ部近傍で発生した反射光強度のムラがガラス基板上で強調されることを抑えることができる。したがって、ガラス基板上で露光ムラの発生を抑えることができる。そして、Ｒ面取り部の曲率を段差構造の形状により変更することにより、段差構造のエッジ部近傍からの反射光強度のムラがガラス基板に対して及ぼす影響を効果的に抑制でき、良好な露光処理を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の基板保持装置を備えた露光装置の一実施形態を示す概略斜視図である。
【図２】基板保持装置の一例を示す要部拡大断面図である。
【図３】基板保持装置の一例を示す要部拡大断面図である。
【図４】図１に示す基板保持装置にガラス基板が保持された状態を示す図である。
【図５】基板保持装置の他の実施形態を示す概略斜視図である。
【図６】図５に示す基板保持装置にガラス基板が保持された状態を示す図である。
【図７】図６のＡ−Ａ矢視図である。
【図８】本発明の基板保持装置の他の実施形態を示す図である。
【図９】半導体デバイスの製造工程の一例を示すフローチャート図である。
【図１０】従来の基板保持装置の一例を示す概略斜視図である。
【図１１】図１０の基板の保持装置の拡大断面図である。
【符号の説明】
１…保持面、２（２Ａ〜２Ｃ）…穴部（段差構造）、７…溝部（段差構造）、１１…ピンチャック、１２…穴部、Ｅ（Ｅ１〜Ｅ５）…エッジ部（Ｒ面取り部）、ＥＸ…露光装置、Ｐ…ガラス基板、ＰＨ…基板ホルダ（基板保持装置）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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