(57)【要約】【課題】端子配設方向に対する端子パッドのフォトアライメントを大きくとることができ、また、液晶駆動用のドライバを実装する際の絶縁性基板のたわみによる絶縁膜の割れが抑止されるアクティブマトリクス基板を提供する。【解決手段】アクティブマトリクス基板９は、絶縁性基板１と、絶縁性基板１上の配線端子２の層上に設けられ、複数の配線端子２が露出するように端子配設方向に延びて形成されたコンタクトホール３を有する絶縁膜１３と、絶縁性基板１上の絶縁膜１３の層上に、絶縁膜１３のコンタクトホール３から露出した複数の配線端子２のそれぞれを被覆するように配設された導電性の複数の端子パッド４と、を備える。配線端子２とそれに対応した端子パッド４とによって信号入力端子１０を構成する。【選択図】図１
2004077856.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ドライバ接続用の複数の信号入力端子が間隔をおいて配設されたアクティブマトリクス基板であって、
絶縁性基板と、
上記絶縁性基板上に間隔をおいて配設された導電性の複数の配線端子と、
上記絶縁性基板上の配線端子の層上に設けられ、上記複数の配線端子が露出するように端子配設方向に延びて形成されたコンタクトホールを有する絶縁膜と、上記絶縁性基板上の絶縁膜の層上に、上記絶縁膜のコンタクトホールから露出した複数の配線端子のそれぞれを被覆するように配設された導電性の複数の端子パッドと、を備え、
上記配線端子とそれに対応した上記端子パッドとによって上記信号入力端子が構成されていることを特徴とするアクティブマトリクス基板。
【請求項２】
請求項１に記載されたアクティブマトリクス基板において、上記端子パッドの端子配設方向に直交する方向の長さが上記コンタクトホールの幅よりも長いことを特徴とするアクティブマトリクス基板。
【請求項３】
請求項１に記載されたアクティブマトリクス基板において、上記信号入力端子は、それを構成する上記配線端子及び上記端子パッドのそれぞれの端子配設方向の側端が同一位置であることを特徴とするアクティブマトリクス基板。
【請求項４】
請求項１に記載されたアクティブマトリクス基板において、上記絶縁性基板がプラスチック基板であることを特徴とするアクティブマトリクス基板。
【請求項５】
請求項１に記載されたアクティブマトリクス基板を有することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項６】
ドライバ接続用の複数の信号入力端子が間隔をおいて配設されたアクティブマトリクス基板の製造方法であって、
絶縁性基板上に導電性の細長い配線端子前駆体を形成するステップと、
上記絶縁性基板上を上記配線端子前駆体の上から絶縁膜で被うステップと、
上記配線端子前駆体が露出するように上記絶縁膜に細長いコンタクトホールを形成するステップと、
上記絶縁膜のコンタクトホールから露出した上記配線端子前駆体上にその長手方向に沿って間隔をおいて導電性の端子パッドを形成するステップと、
上記配線端子前駆体の端子パッド非形成部分を選択的に除去することにより間隔をおいて配設された複数の配線端子を形成すると共に各配線端子とそれに対応した端子パッドとによって信号入力端子を構成するステップと、
を備えたことを特徴とするアクティブマトリクス基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ドライバ接続用の複数の信号入力端子が間隔をおいて配設されたアクティブマトリクス基板及びその製造方法、並びに、それを備えた液晶表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年の情報化社会の到来と共にノートパソコン、情報携帯端末、カーナビゲーション等の需要が急増しており、これに伴い液晶表示装置等のディスプレイに関する研究・開発が盛んに行われている。その中で最も広く普及しているのは液晶表示装置であり、その液晶表示装置に用いられている液晶表示素子は、マトリクス状に配列された絵素電極を選択駆動することにより、画面上に表示パターンを形成するものである。つまり、選択された絵素電極とこれに対向する対向電極との間に電圧が印加されると、それらの電極の間に介在する液晶等の表示媒体の光学的変調が行われて表示パターンとして認識されるのである。絵素電極の駆動方式としては、絶縁性基板上に個々に独立した絵素電極が配列され、それらの絵素電極のそれぞれに設けられたスイッチング素子のオンオフにより駆動するものがアクティブマトリクス駆動方式であり、かかる絵素電極及びスイッチング素子が設けられた基板を一般的にアクティブマトリクス基板と呼んでいる。絵素電極を選択駆動するスイッチング素子としては、例えば薄膜トランジスタ（以下、「ＴＦＴ」と称する）やＭＩＭ（金属−第一絶縁膜−金属）等が一般に知られている。
【０００３】
さらに近年、表示モジュールの軽量化、堅牢性等を目的としたフレキシブルディスプレイの研究・開発が盛んに行われており、それに伴いアクティブマトリクス基板のマザー基板としてプラスチックやステンレスが採用されている。
【０００４】
図１７は、従来の一般的なアクティブマトリクス基板９を液晶表示素子１２に用いたものを示す。この液晶表示素子１２は、図示しないカラーフィルタや対向電極等が形成された対向基板８と、図示しない図示しないソースバスライン、ゲートバスライン、画素電極、スイッチング素子等が形成されたアクティブマトリクス基板９と、が対向するように設けられ、それらの両基板８、９間に図示しない液晶が封入されたものである。そして、アクティブマトリクス基板９の周縁部には、ゲートバスラインの端部にゲート信号入力端子１０ａ及びソースバスラインの端部にソース信号入力端子１０ｂがそれぞれ設けられている。
【０００５】
図１０（ａ）は、この従来のアクティブマトリクス基板９の信号入力端子１０の平面視を、図１０（ｂ）は、図１０（ａ）におけるＸＢ−ＸＢ断面を、図１０（ｃ）は、図１０（ａ）におけるＸＣ−ＸＣ断面をそれぞれ示す。
【０００６】
図１０（ａ）〜（ｃ）に示すように、上記従来のアクティブマトリクス基板９では、絶縁性基板１上にゲートメタルやソースメタルからなる複数の配線端子２が配設され、その上に絶縁膜１３が設けられて各配線端子２に対応してコンタクトホール７が形成され、各コンタクトホール７を覆うように端子パッド４が形成され、それが配線端子２と電気的に接続された構成の信号入力端子１０の構造となっている。
【０００７】
上記従来のアクティブマトリクス基板９の製造方法の一例を図１１（ａ）〜（ｃ）（図１０（ａ）に対応）、図１２（ａ）〜（ｃ）（図１０（ａ）のＸＢ−ＸＢ断面、図１０（ｂ）に対応）、図１３（ａ）〜（ｃ）（図１０（ａ）のＸＣ−ＸＣ断面、図１０（ｃ）に対応）を用いて説明する。
【０００８】
図１１（ａ）、図１２（ａ）、図１３（ａ）に示すように、アクティブマトリックス基板９の製造では、まず、ガラスなどからなる絶縁性基板１上にスパッタリング法などにより金属膜、例えばＣｒ等からなる金属膜を成膜し、フォトリソグラフィー法等により配線端子２を形成する。このとき、必要な場合は、絶縁性基板１上にガスバリア層や水分バリア層を設ける場合もある（図示せず）。
【０００９】
その後に、図１１（ｂ）、図１２（ｂ）、図１３（ｂ）に示すように、配線端子２上にＳｉＮｘ等からなる絶縁膜１３をＣＶＤ法等により成膜し、フォトリソグラフィー法により各配線端子２に対応してコンタクトホール７を形成する。
【００１０】
その後に、図１１（ｃ）、図１２（ｃ）、図１３（ｃ）に示すように、スパッタリング法により、例えばＩＴＯ、Ａｌ等を成膜し、フォトリソグラフィー法によりコンタクトホール７を覆うように端子パッド４を形成する。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
上記のような従来のアクティブマトリクス基板９において、絶縁性基板１として熱膨張係数や水分吸収等による寸法変化の小さいガラスやシリコンウェハー等を用いた場合には、フォトマスクを用いた通常の露光法によるフォトリソグラフィー法により、配線端子２、コンタクトホール７、端子パッド４のパターニングを精度良く、すなわちフォトアライメントのズレが殆ど無い状態で行うことができる。しかし、絶縁性基板１として熱膨張係数や水分吸収等による寸法変化がガラス比べてに大きい基板、例えば主成分がポリイミド、またはポリカーボネイト、またはポリエチレンテレフタレート、またはエポキシ樹脂、またはアクリル樹脂、またはポリエチレンスルフォン酸若しくはその誘導体などの基板寸法変化の大きい、いわゆるプラスティック基板を用いた場合には、配線端子２、コンタクトホール７、端子パッド４のパターニングを精度良く、すなわちフォトアライメントのズレを小さくパターニングすることができず、図１６（ａ）及び（ｂ）に示すように、コンタクトホール７、端子パッド４、またはその両方のパターンが配線端子２から大きくずれてしまうことがある。
【００１２】
具体的には、絶縁性基板１としてガラス（線膨張係数α：３．６×１０−６／Ｋ）を用い５“パネルを作製する場合の寸法変化率すなわちアライメントズレ量は、０．５μｍ以下（５ｐｐｍ以下）であるが、プラスティック基板を用いた場合、例えばポリエチレンスルフォン酸（α：７７×１０−６／Ｋ）の場合では、熱による線膨張と水分吸収による寸法変化とをあわせてのアライメントズレ量は２０〜５０μｍ（２００〜５００ｐｐｍ、場合によってはそれ以上）にもなる。そして、その結果、配線端子２と端子パッド４とのコンタクト面積を十分大きく取ることができず、それらの間のコンタクト抵抗が増大することになる。すなわち、配線端子２と端子パッド４との間のコンタクト抵抗の増加、接続不良、ドライバ実装不良、ひいては表示不良を起こすという問題がある。
【００１３】
また、従来のようなコンタクトホール７を形成するような構造では、絶縁性基板１として上記のようなプラスティック基板を用いた場合、液晶駆動用のドライバを実装する際の絶縁性基板１のたわみ等により、コンタクトホール７の部分の絶縁膜１３の四隅近辺に力が集中してしまうため、割れが発生するという問題もある。
【００１４】
本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、端子配設方向に対する端子パッドのフォトアライメントを大きくとることができ、また、液晶駆動用のドライバを実装する際の絶縁性基板のたわみによる絶縁膜の割れが抑止されるアクティブマトリクス基板及びその製造方法、並びに、それを備えた液晶表示装置を提供することにある。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成する本発明のアクティブマトリクス基板は、ドライバ接続用の複数の信号入力端子が間隔をおいて配設されたものであって、
絶縁性基板と、
上記絶縁性基板上に間隔をおいて配設された導電性の複数の配線端子と、
上記絶縁性基板上の配線端子の層上に設けられ、上記複数の配線端子が露出するように端子配設方向に延びて形成されたコンタクトホールを有する絶縁膜と、上記絶縁性基板上の絶縁膜の層上に、上記絶縁膜のコンタクトホールから露出した複数の配線端子のそれぞれを被覆するように配設された導電性の複数の端子パッドと、を備え、
上記配線端子とそれに対応した上記端子パッドとによって上記信号入力端子が構成されていることを特徴とする。
【００１６】
上記の構成によれば、端子配設方向に延び且つ全ての配線端子が露出するようにコンタクトホールが形成されているので、端子パッドをフォトリソグラフィー法で形成するためのパターニングにおいて、端子配設方向に対する端子パッドのフォトアライメントを大きくとることができる。
【００１７】
また、全ての配線端子が露出するようにコンタクトホールが形成されているので、絶縁性基板のたわみ等による絶縁膜への応力集中が緩和され、その結果絶縁膜の割れが発生しにくい構造となっている。従って、絶縁性基板としてプラスティック基板を用いた場合であっても、液晶駆動用のドライバを実装する際の絶縁性基板のたわみによる実装エリアの絶縁膜の割れ・剥がれの発生を抑止することができる。
【００１８】
本発明のアクティブマトリクス基板は、上記端子パッドの端子配設方向に直交する方向の長さが上記コンタクトホールの幅よりも長いものであってもよい。
【００１９】
上記の構成によれば、端子パッドの端子配設方向に直交する方向の長さがコンタクトホールの幅よりも長いので、端子配設方向に直交する方向の端子パッドのフォトアライメントズレに対して十分マージンをとることができ、そのフォトアライメントをほぼフリーにすることができる。
【００２０】
本発明のアクティブマトリクス基板は、上記信号入力端子が、それを構成する上記配線端子及び上記端子パッドのそれぞれの端子配設方向の側端が同一位置であるものであってもよい。
【００２１】
上記の構成によれば、配線端子及び端子パッドの端子配設方向の側端が同一位置にあり、かかる構造は、配線端子を連結した配線端子前駆体上に間隔をおいて端子パッドを形成し、端子パッド又は端子パッドを形成する際のフォトパターンをマスクとして配線端子前駆体の端子パッド非形成部分をエッチングして除去することにより形成されるため、端子配設方向に対する端子パッドのフォトアライメントマージンを大きくとることができ、さらには配線端子と端子パッドとの接触面積を一定で且つ十分に大きくすることができることから、それらの間のコンタクト抵抗を十分に小さくすることができる。すなわち、絶縁性基板が伸縮したとしても、配線端子と端子パッドとの接続不良が生じにくい信号入力端子となる。
【００２２】
本発明のアクティブマトリクス基板は、上記絶縁性基板がプラスチック基板であるものであってもよい。
【００２３】
上記の構成によれば、プラスチック基板は線膨張係数が大きく、温度変化に伴う伸縮が大きいので、端子配設方向に対する端子パッドのフォトアライメントを大きくとることができることのメリットを特に大きく享受することができる。
【００２４】
本発明の液晶表示装置は、以上に記載されたようなアクティブマトリクス基板を有することを特徴とする。
【００２５】
以上に記載されたような本発明のアクティブマトリクス基板の製造方法は、ドライバ接続用の複数の信号入力端子が間隔をおいて配設されたアクティブマトリクス基板のものであって、
絶縁性基板上に導電性の細長い配線端子前駆体を形成するステップと、
上記絶縁性基板上を上記配線端子前駆体の上から絶縁膜で被うステップと、
上記配線端子前駆体が露出するように上記絶縁膜に細長いコンタクトホールを形成するステップと、
上記絶縁膜のコンタクトホールから露出した上記配線端子前駆体上にその長手方向に沿って間隔をおいて導電性の端子パッドを形成するステップと、
上記配線端子前駆体の端子パッド非形成部分を選択的に除去することにより間隔をおいて配設された複数の配線端子を形成すると共に各配線端子とそれに対応した端子パッドとによって信号入力端子を構成するステップと、
を備えたことを特徴とする。
【００２６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。
【００２７】
（実施形態１）
以下に本発明の実施形態１に係るアクティブマトリクス基板９について、図１（ａ）〜（ｃ）を用いて説明を行う。なお、図１（ａ）〜（ｃ）は、本実施形態１におけるアクティブマトリクス基板９の信号入力端子１０の拡大図であり、図１（ａ）は平面視を、図１（ｂ）は図１（ａ）におけるＩＢ−ＩＢ断面を、図（ｃ）は図１（ａ）におけるＩＣ−ＩＣ断面をそれぞれ示す。
【００２８】
まず、このアクティブマトリクス基板９の構造について説明すると、ポリイミド等からなる絶縁性基板１上に、図示しないＴｉからなるゲートバスライン１４、Ｔｉからなるソースバスライン、絵素電極及びＴＦＴ等が形成されており、また、各ゲートバスライン１４の端部にゲートバスライン１４の延びる方向が長辺である長方形のドライバ接続用の信号入力端子１０が設けられ、同様に、各ソースバスラインの端部にも信号入力端子が設けられている。
【００２９】
また、このアクティブマトリクス基板９は、図１（ａ）〜（ｃ）に示すように、絶縁性基板１上に等ピッチで間隔をおいて配設された導電性の複数の配線端子２と、絶縁性基板１上の配線端子２の層上に設けられ、複数の配線端子２の全てが露出するように端子配設方向（端子の短辺方向）に延びて形成された細長い帯状コンタクトホール３を有する絶縁膜１３と、絶縁性基板１上の絶縁膜１３の層上に配設され、帯状コンタクトホール３から露出した複数の配線端子２のそれぞれを被覆するように形成された導電性の複数の端子パッド４と、を備えている。そして、信号入力端子１０は、各配線端子２とその上に積層された端子パッド４とによって構成されている。また、配線端子２及び端子パッド４はいずれも長方形に形成されているが、長辺の長さは配線端子２よりも端子パッド４の方が長く、一方、短辺の長さ、つまり、幅は同一であり、配線端子２及び端子パッド４のそれぞれの幅方向の側端が同一位置となっている。
【００３０】
以上のようなアクティブマトリクス基板９の構造によれば、全ての配線端子２が露出するように端子配設方向に延びた帯状コンタクトホール３が細長く形成されているので、端子パッド４をフォトリソグラフィー法で形成するためのパターニングにおいて、端子配設方向に対する端子パッド４のフォトアライメントを大きくとることができる。
【００３１】
また、配線端子２が電気的に接続された端子パッド４の長辺の長さが帯状コンタクトホール３の幅よりも十分長い構造となっているので、長辺方向の端子パッド４のフォトアライメントズレに対して十分マージンをとることができ、そのフォトアライメントをほぼフリーにすることができる。
【００３２】
また、全ての配線端子２が露出するように帯状コンタクトホール３が形成されているので、絶縁性基板１としてプラスティック基板を用いた場合であっても、液晶駆動用のドライバを実装する際の絶縁性基板１のたわみによる実装エリアの絶縁膜１３の割れ・剥がれの発生を抑止することができる。
【００３３】
また、配線端子２及び端子パッド４の端子配設方向の側端が同一位置となった構造となっており、かかる構造は、後述するように、帯状の配線端子前駆体２’上に端子パッド４を形成し、端子パッド４又は端子パッド４を形成する際のフォトパターンをマスクとして配線端子前駆体２’の端子パッド非形成部分をエッチングして除去することにより形成されるが、そのため、端子配設方向に対する端子パッド４のフォトアライメントマージンを大きくとることができ、さらには配線端子２と端子パッド４との接触面積を一定で且つ十分に大きくすることができることから、それらの間のコンタクト抵抗を十分に小さくすることができる。すなわち、絶縁性基板１が伸縮したとしても、配線端子２と端子パッド４との接続不良が生じにくい信号入力端子１０となる。
【００３４】
次に、このアクティブマトリックス基板９の製造方法における信号入力端子１０の形成について、ゲートバスライン１４の信号入力端子１０を例に図２（ａ）〜（ｄ）、図３（ａ）〜（ｃ）（図１（ａ）のＩＢ−ＩＢ断面）及び図４（ａ）〜（ｃ）（図１（ａ）のＩＣ−ＩＣ断面）を用いて説明する。
【００３５】
まず、図２（ａ）、図３（ａ）及び（ｚｕ４（ａ）に示すように、ポリイミド等からなる絶縁性基板１の上に、スパッタリング法によりＴｉを１５０ｎｍ程度成膜し、硝酸−フッ酸系のエッチャントを用いたフォトリソグラフィー法により、ゲートバスライン１４及び補助容量配線（図示せず）を形成する。このとき、ゲートバスライン１４の端部に、各配線端子２が分離されていない、すなわち配線端子２同士が繋がった帯状の配線端子前駆体２’も併せて形成する。なお、配線端子前駆体２’を形成する膜として、Ｔｉの代わりにＴｉやその合金、ＩＴＯやその他導電性金属酸化物、Ｔａ、Ｍｏ、Ａｌやその合金、または、それらの積層体を用いてもよい。
【００３６】
次いで、ＣＶＤ法によりＳｉＮｘからなるゲート絶縁膜（３５０ｎｍ）１３、ａ−Ｓｉからなるチャネル層（１５０ｎｍ）及びｎ＋−Ｓｉからなるコンタクト層の３層を成膜し、チャネル層、コンタクト層をフォトリソグラフィー法およびＳＦ６系のガスを用いてドライエッチングすることによりチャネル層、コンタクト層をパターニングする（図示せず）。このとき、配線端子前駆体２’上のチャネル層及びコンタクト層は除去され、ゲート絶縁膜１３が残っている状態となる（図示せず）。
【００３７】
次いで、、図２（ｂ）及び図３（ｂ）に示すように、フォトリソグラフィー法により所望のレジストパターンを形成後、ＣＦ４−Ｏ２系のガスを用いてドライエッチングすることにより配線端子前駆体２’が露出するように配線端子前駆体２’の幅よりも細幅の帯状コンタクトホール３を形成する。なお、このとき、帯状コンタクトホール３の形状は、完全な帯状のパターンでなくてもよく、例えば、信号入力端子１０が千鳥配列になった場合等には、図９（ａ）〜（ｃ）に示すように、それに対応した形状パターンとしてもよい。
【００３８】
次いで、スパッタリング法によりＴｉを１５０ｎｍ程度成膜し、硝酸−フッ酸系のエッチャントを用いたフォトリソグラフィー法により、ソースバスライン（図示せず）を形成すると共に、図２（ｃ）、図３（ｃ）及び図４（ｂ）に示すように、配線端子前駆体２’におけるゲートバスライン１４の延長部分を中心としてコンタクトホールを差し渡すように配線端子前駆体２’の長手方向に等ピッチで間隔をおいて配設された複数の端子パッド４を形成する。このような構造では、端子パッド４の長辺の長さが帯状コンタクトホール３の幅よりも十分長いので、長辺方向の端子パッド４のフォトアライメントズレに対して十分マージンをとることができ、そのフォトアライメントをほぼフリーにすることができる。なお、このとき同時に、ソースバスラインの端部にゲートバスライン１４の端部に形成された配線端子前駆体２’と同様の配線端子前駆体を形成する（図示せず）。また、端子パッド４を形成する膜として、Ｔｉの代わりにＴｉやその合金、ＩＴＯやその他導電性金属酸化物、Ｔａ、Ｍｏ、Ａｌやその合金、または、それらの積層体を用いてもよい。さらに、本実施形態１では、ゲートバスライン１４の材料としてソースバスラインと同じＴｉを採用したため、ゲートバスライン１４側の信号入力端子１０の端子パッド４がＴｉで形成されるが、ソースバスラインの材料である金属膜をエッチングする際に使用するエッチャントでその金属膜が殆どエッチングされないような場合等には、後述のようにソースバスライン側の信号入力端子１０と同様、絵素電極のパターニングの際に用いる金属膜で端子パッド４を形成するようにしてもよい。
【００３９】
次いで、図２（ｄ）及び図４（ｃ）に示すように、端子パッド４を形成した際のフォトパターンをマスクとし、配線端子前駆体２’の端子パッド非形成部分を硝酸−フッ酸系のエッチャントを用いたエッチングにより取り除く。そして、これによって配線端子２及び端子パッド４が下から順に積層されたゲートバスライン１４側の信号入力端子１０が構成される。
【００４０】
以上のようにすれば、帯状の配線端子前駆体２’上に端子パッド４を形成し、端子パッド４又は端子パッド４を形成する際のフォトパターンをマスクとして配線端子前駆体２’の端子パッド非形成部分をエッチングして除去することにより信号入力端子１０が形成されるので、端子配設方向に対する端子パッド４のフォトアライメントマージンを大きくとることができ、さらには配線端子２と端子パッド４との接触面積を一定で且つ十分に大きくすることができることから、それらの間のコンタクト抵抗を十分に小さくすることができる。すなわち、絶縁性基板１が伸縮したとしても、配線端子２と端子パッド４との接続不良が生じにくい信号入力端子１０を形成することができる。
【００４１】
図１５は、従来のアクティブマトリクス基板９、すなわち各端子パッド４ごとにコンタクトホールを形成する構造のもの（例２）および本実施形態１に係るアクティブマトリクス基板９（例１）、について、図１４に示す端子パッド４の幅Ｗ１、相互に隣接する端子パッド４間の間隔Ｗ２、及び配線端子２の幅Ｗ３が、例えば端子配設ピッチ（Ｗ１＋Ｗ２）の１／２（条件Ａ）の時、端子配設ピッチ（Ｗ１＋Ｗ２）を５０μｍ〜１００μｍまで変量したときの配線端子２の配設方向に対する端子パッド４のフォトアライメントマージンの推移を示したものである。
【００４２】
図１５からもわかるように、本実施形態１に係るアクティブマトリクス基板９の構造（例１）は、従来のアクティブマトリクス基板９の構造（例２）に比べて、条件Ａにおいてフォトアライメントマージンが２倍である。従って、液晶パネルの精細度が高く端子配設ピッチを短くしなければならないような場合においても、端子配設方向に対する端子パッド４のフォトアライメントマージンを非常に大きくとることができる。
【００４３】
次いで、ソースパターンをマスクとしたチャネルエッチング、ＣＶＤ法によりＳｉＮｘからなるパッシベーション膜を成膜し、フォトリソグラフィー法により所望のレジストパターンを形成後、ＣＦ４−Ｏ２系のガスを用いてドライエッチングを行う（図示せず）。同時に、ソースバスライン側の配線端子前駆体が露出するようにパッシベーション膜（絶縁膜）に帯状コンタクトホールを形成する（図示せず）。
【００４４】
次いで、スパッタリング法によりＡｌを１００ｎｍ程度成膜し、硝酸−塩酸−酢酸系のエッチャントを用いたフォトリソグラフィー法により、絵素のパターニングを行なう。同時に、ソースバスライン側の配線端子前駆体上にも絵素金属膜と同素材の端子パッドを配線端子前駆体の長手方向に等ピッチに間隔をおいて形成する（図示せず）。
【００４５】
次いで、ソースバスライン側の端子パッドを形成する際のフォトパターンをマスクとし、帯状コンタクトホールから露出した端子パッドを除く配線端子前駆体の部分をエッチングにより取り除く。そして、これによって配線端子及び端子パッドが下から順に積層されたソースバスライン側の信号入力端子が構成される。
【００４６】
以上のようにして、本発明の実施形態１に係るアクティブマトリクス基板９が製造される。製造されたアクティブマトリクス基板９は、対向基板と共に液晶表示素子を構成して液晶表示装置に組み込まれる。
【００４７】
なお、絶縁性基板１としては、ポリイミド基板の他、セラミクス基板やポリエチレンスルフォン酸等のプラスチック基板などを挙げることができる。
【００４８】
（実施形態２）
本発明の実施形態２に係るアクティブマトリクス基板９について、図５（ａ）、図５（ｂ）及び図５（ｃ）を用いて説明する。なお、実施形態１と同一部分は同一の符号で示す。
【００４９】
このアクティブマトリクス基板９は、異なるレイヤーで成膜・形成されたメタルよりなる（ゲート金属膜とソース金属膜、ソース金属膜と絵素金属膜、ゲート金属膜と絵素金属膜など）２層の端子パッド４，６を有する点を除いて実施形態１のものの構造と同一である。つまり、このアクティブマトリクス基板９は、実施形態１のものにおいて、配線端子２と端子パッド４との間に下層端子パッド６を介設したものである。
【００５０】
上記の構造によれば、例えばソースバスラインの金属膜をエッチングする際にゲートバスライン１４の金属膜がエッチングされ、且つ、絵素電極の金属膜をエッチングする際にソースバスラインの金属膜がエッチングされるような場合、すなわち、３層、４層と高いフォトアライメント精度で重ね合わせて信号入力端子１０を構成しなければならないような場合でも、最上層のパターンをマスクに下層の金属膜をエッチングすることで形成することができるので、配線端子２の配設方向に対する端子パッド４のフォトアライメントマージンを大きくとることができ、さらには配線端子２と端子パッド４との接触面積を一定で且つ十分に大きくとることができることから、それらの間のコンタクト抵抗を十分小さくすることができる。
【００５１】
次に、本発明の実施形態２に係るアクティブマトリックス基板９の製造方法における信号入力端子１０の形成について、ゲートバスライン１４の信号入力端子１０を例に、図６（ａ）〜（ｄ）、図７（ａ）〜（ｄ）（図５（ａ）のＶＢ−ＶＢ断面）および図８（ａ）〜（ｄ）（図５（ａ）のＶＣ−ＶＣ断面）を用いて説明する。
【００５２】
まず、ポリイミドからなる絶縁性基板１の上に、スパッタリング法によりＡｌＮｄを１５０ｎｍ程度成膜し、硝酸−塩酸−酢酸系のエッチャントを用いたフォトリソグラフィー法により、ゲートバスライン１４および補助容量配線（図示せず）を形成する。このとき、ゲートバスライン１４の端部に各配線端子２が分離されていない、すなわち配線端子２同士を繋げた形状の配線端子前駆体２’も併せて形成する。なお、配線端子前駆体２’を形成する膜として、Ｔｉの代わりにＴｉやその合金、ＩＴＯやその他導電性金属酸化物、Ｔａ、Ｍｏ、Ａｌやその合金、または、それらの積層体を用いてもよい。
【００５３】
次いで、ＣＶＤ法によりＳｉＮｘからなるゲート絶縁膜（３５０ｎｍ）１３、ａ−Ｓｉからなるチャネル層（１５０ｎｍ）、ｎ＋−Ｓｉからなるコンタクト層の３層を成膜し、チャネル層、コンタクト層をフォトリソグラフィー法およびＳＦ６系のガスを用いてドライエッチングすることによりチャネル層、コンタクト層をパターニングする（図示せず）。このとき、配線端子前駆体２’上のチャネル層及びコンタクト層は除去され、ゲート絶縁膜１３が残っている状態となる（図示せず）。
【００５４】
次いで、図６（ａ）、図７（ａ）及び図８（ａ）に示すように、フォトリソグラフィー法により所望のレジストパターンを形成後、ＣＦ４−Ｏ２系のガスを用いてドライエッチングすることにより配線端子前駆体２’が露出するように帯状コンタクトホール３を形成する。なお、このとき、帯状コンタクトホール３の形状は、完全な帯状のパターンでなくてもよく、例えば、信号入力端子１０が千鳥配列になった場合等には、図９（ａ）〜（ｃ）に示すように、それに対応した形状パターンとしてもよい。
【００５５】
次いで、スパッタリング法によりＭｏを１５０ｎｍ程度成膜し、硝酸−フッ酸系のエッチャントを用いたフォトリソグラフィー法により、ソースバスライン（図示せず）を形成すると共に、図６（ｂ）、図７（ｂ）及び図８（ｂ）に示すように、帯状コンタクトホール３に沿って延び且つその帯状コンタクトホール３を覆うようにそれよりも幅広の帯状の下層端子パッド前駆体６’を形成する。また、このとき同時に、ソースバスラインの端部にゲートバスライン１４の端部に形成された配線端子前駆体２’と同様の配線端子前駆体を形成する（図示せず）。なお、下層端子パッド前駆体６’を形成する膜として、Ｍｏの代わりにＭｏやその合金、ＩＴＯやその他導電性金属酸化物、Ｔｉ、Ｔａ、Ａｌやその合金、または、それらの積層体を用いてもよい。
【００５６】
次いで、ソースパターンをマスクとしたチャネルエッチング、ＣＶＤ法によりＳｉＮｘからなるパッシベーション膜を成膜し、フォトリソグラフィー法により所望のレジストパターンを形成後、ＣＦ４−Ｏ２系のガスを用いてドライエッチングを行う（図示せず）。このとき同時に、ソースバスライン側の配線端子前駆体２’が露出するようにパッシベーション膜（絶縁膜）に帯状コンタクトホールを形成する（図示せず）。
【００５７】
次いで、スパッタリング法によりＡｌを１００ｎｍ程度成膜し、硝酸−塩酸−酢酸系のエッチャントを用いたフォトリソグラフィー法により、絵素電極のパターニングを行なうと共に、図６（ｃ）、図７（ｃ）及び図８（ｃ）に示すように、下層端子パッド前駆体６’上に絵素金属膜と同素材であり且つ下層端子パッド前駆体６’の幅方向を長辺とする長方形の端子パッド４を長手方向に等ピッチに間隔をおいて形成する。このとき、端子パッド４の長辺を下層端子パッド前駆体６’の幅よりも長く形成する。また、このとき同時に、ソースバスライン側の配線端子前駆体上にも絵素金属膜と同素材の端子パッドを形成する（図示せず）。
【００５８】
以上によって、下層端子パッド前駆体６’の幅が帯状コンタクトホール３の幅よりも十分に長く且つ下層端子パッド前駆体６’に電気的に接続された上層の端子パッド４の長辺の長さよりも十分短い構造が構成される。このような構造によって、帯状コンタクトホール３と下層端子パッド前駆体６’との間、及び、下層端子パッド前駆体６’と端子パッド４との間のそれぞれにおいてフォトアライメントズレ量に対して十分なマージンを取り得ることとなる。
【００５９】
この場合、下層端子パッド前駆体６’の幅、端子パッド４の長辺の長さ及び帯状コンタクトホール３の幅の関係、及び、下層端子パッド６及び端子パッド４のそれぞれの短辺の長さ（幅）の関係は次のようになる。
【００６０】
端子パッド４の長辺の長さ＞下層端子パッド前駆体６’の幅＞帯状コンタクトホール３の幅
また、下層端子パッド前駆体６’の幅が帯状コンタクトホール３の幅及び下層端子パッド前駆体６’に電気的に接続された上層の端子パッド４の長辺の長さよりも十分長く、且つ、端子パッド４の長辺の長さが帯状コンタクトホール３の幅よりも十分長い構造となっていてもよい。かかる構造においても前述同様、帯状コンタクトホール３と下層端子パッド前駆体６’との間、及び、下層端子パッド前駆体６’と端子パッド４との間のそれぞれにおいてフォトアライメントズレ量に対して十分なマージンを取り得ることとなる。
【００６１】
この場合、下層端子パッド前駆体６’の幅、端子パッド４の長辺の長さ及び帯状コンタクトホール３の幅の関係、及び、下層端子パッド６及び端子パッド４のそれぞれの短辺の長さ（幅）の関係は次のようになる。
【００６２】
下層端子パッド前駆体６’の幅＞端子パッド４の長辺の長さ＞帯状コンタクトホール３の幅
次いで、図６（ｄ）、図７（ｄ）及び図８（ｄ）に示すように、端子パッド４を形成する際のフォトパターンをマスクとし、配線端子前駆体２’及び下層端子パッド前駆体６’の端子パッド非形成部分を硝酸−塩酸−酢酸系のエッチャントを用いたエッチングにより取り除き、端子パッド４と同方向に延びる長辺を有する長方形の配線端子２及び下層端子パッド６を形成する。そして、これによって配線端子２、下層端子パッド６及び端子パッド４が下から順に積層されたゲートバスライン１４側の信号入力端子１０が構成される。また、このとき同時に、ソースバスライン側の端子パッドを形成する際のフォトパターンをマスクとし、端子パッドを除く配線端子前駆体の部分をエッチングにより取り除いて配線端子を形成する（図示せず）。そして、これによって配線端子、下層端子パッド及び端子パッドが下から順に積層されたソースバスライン側の信号入力端子が構成される。
【００６３】
以上のようにして形成されたゲートバスライン１４側の信号入力端子１０においては、下層端子パッド６及び端子パッド４のそれぞれの長辺の長さ並びに帯状コンタクトホール３の幅の長さの関係、及び、下層端子パッド６及び端子パッド４のそれぞれの短辺の長さ（幅）の関係は次のようになる。
【００６４】
端子パッド４の長辺＞下層端子パッド６の長辺＞帯状コンタクトホール３の幅
端子パッド４＝（もしくは≒）下層端子パッド６
下層端子パッド前駆体６’の幅を、帯状コンタクトホール３の幅及び下層端子パッド前駆体６’に電気的に接続される上層の端子パッド４の長辺の長さよりも十分長く、且つ、端子パッド４の長辺の長さを、帯状コンタクトホール３の幅よりも十分長くした場合には、最終的に端子パッド４を形成する際のフォトパターンをマスクとして下層端子パッド６がエッチングされるため、端子パッド４と下層端子パッド６とがほぼ同じ形状となる。その場合、下層端子パッド６及び端子パッド４のそれぞれの長辺の長さ並びに帯状コンタクトホール３の幅の長さの関係、及び、下層端子パッド６及び端子パッド４のそれぞれの短辺の長さ（幅）の関係は次のようになる。
【００６５】
端子パッド４の長辺＝（又は≒）下層端子パッド６の長辺＞帯状コンタクトホール３
端子パッド４＝（又は≒）下層端子パッド６
以上のようにして、本発明の実施形態２に係るアクティブマトリクス基板９が製造される。製造されたアクティブマトリクス基板９は、対向基板と共に液晶表示素子を構成して液晶表示装置に組み込まれる。
【００６６】
本発明の実施形態２に係るアクティブマトリクス基板９のように、３層、４層と高いフォトアライメント精度で金属膜を重ね合わせて信号入力端子１０を構成しなければならないような場合でも、上記の製造方法によれば、最上層のパターンをマスクに下層の金属膜をエッチングするので、配線端子２の配設方向に対する端子パッド４のフォトアライメントマージンを大きくとることができ、さらには配線端子２と端子パッド４との接触面積を一定で且つ十分に大きくとることができることから、それらの間のコンタクト抵抗を十分小さくすることができる。すなわち、絶縁性基板１が伸縮したとしても、配線端子２と端子パッド４との接続不良が生じにくい信号入力端子１０の形成が可能となる。
【００６７】
なお、このようにして製造された本発明の実施形態２に係るアクティブマトリクス基板９の下層端子パッド６及び端子パッド４のように、異なるレイヤーで成膜・形成された２層以上の金属膜からなるゲートバスライン１４側の信号入力端子１０を構成する場合においても、実施形態１において図１４に基づいて説明したのと同様の構造を取ることにより、図１５に示すのと全く同じフォトアライメントマージンで信号入力端子１０を形成することができる。
【００６８】
なお、絶縁性基板１としては、ポリイミド基板の他、セラミクス基板やポリエチレンスルフォン酸等のプラスチック基板などを挙げることができる。
【００６９】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、全ての配線端子が露出するように端子配設方向に延びたコンタクトホールが形成されているので、端子パッドをフォトリソグラフィー法で形成するためのパターニングにおいて、端子配設方向に対する端子パッドのフォトアライメントを大きくとることができる。
【００７０】
また、全ての配線端子が露出するようにコンタクトホールが形成されているので、絶縁性基板のたわみ等による絶縁膜への応力集中が緩和され、その結果絶縁膜の割れが発生しにくい構造となっている。従って、絶縁性基板としてプラスティック基板を用いた場合であっても、液晶駆動用のドライバを実装する際の絶縁性基板のたわみによる実装エリアの絶縁膜の割れ・剥がれの発生を抑止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）は本発明の実施形態１に係るアクティブマトリクス基板における信号入力端子部の拡大平面図であり、（ｂ）は（ａ）におけるＩＢ−ＩＢ断面図であり、（ｃ）は（ａ）におけるＩＣ−ＩＣ断面図である。
【図２】（ａ）〜（ｄ）は本発明の実施形態１に係るアクティブマトリクス基板の製造工程の平面視での説明図である。
【図３】（ａ）〜（ｃ）は本発明の実施形態１に係るアクティブマトリクス基板の製造工程の図１（ａ）におけるＩＢ−ＩＢ断面での説明図である。
【図４】（ａ）〜（ｃ）は本発明の実施形態１に係るアクティブマトリクス基板の製造工程の図１（ａ）におけるＩＣ−ＩＣ断面での説明図である。
【図５】（ａ）は本発明の実施形態２に係るアクティブマトリクス基板における信号入力端子部の拡大平面図であり、（ｂ）は（ａ）におけるＶＢ−ＶＢ断面図であり、（ｃ）は（ａ）におけるＶＣ−ＶＣ断面図である。
【図６】（ａ）〜（ｄ）は本発明の実施形態２に係るアクティブマトリクス基板の製造工程の平面視での説明図である。
【図７】（ａ）〜（ｄ）は本発明の実施形態２に係るアクティブマトリクス基板の製造工程の図５（ａ）におけるＶＢ−ＶＢ断面での説明図である。
【図８】（ａ）〜（ｄ）は本発明の実施形態２に係るアクティブマトリクス基板の製造工程の図５（ａ）におけるＶＣ−ＶＣ断面での説明図である。
【図９】（ａ）は本発明の他の実施形態に係るアクティブマトリクス基板における信号入力端子部の拡大平面図であり、（ｂ）は（ａ）におけるＩＸＢ−ＩＸＢ断面図であり、（ｃ）は（ａ）におけるＩＸＣ−ＩＸＣ断面図である。
【図１０】（ａ）は従来のアクティブマトリクス基板における信号入力端子部の拡大平面図であり、（ｂ）は（ａ）におけるＸＢ−ＸＢ断面図であり、（ｃ）は（ａ）におけるＸＣ−ＸＣ断面図である。
【図１１】（ａ）〜（ｄ）は従来のアクティブマトリクス基板の製造工程の平面視での説明図である。
【図１２】（ａ）〜（ｃ）は従来のアクティブマトリクス基板の製造工程の図１０（ａ）におけるＸＢ−ＸＢ断面での説明図である。
【図１３】（ａ）〜（ｃ）は従来のアクティブマトリクス基板の製造工程の図１０（ａ）におけるＸＣ−ＸＣ断面での説明図である。
【図１４】本発明において最も大きいフォトアライメントマージンが得られ、且つ、実装不良の発生が最も少ない条件時の構造の概要図（平面図）である。
【図１５】従来例１の構造と本発明の構造とにおける、端子ピッチが５０μｍ〜１００μｍまで変更した時の、それぞれの配線端子に対する端子パッドの配線端子の配設方向のフォトアライメントマージンを表したグラフである。
【図１６】（ａ）は絶縁性基板の伸縮によりコンタクトホールのパターンが配線端子からずれている状態を表す平面図であり、（ｂ）は絶縁性基板の伸縮により端子パッドのパターンが配線端子からずれている状態を表す平面図である。
【図１７】アクティブマトリクス基板を有する液晶表示素子の平面図である。
【符号の説明】
１　絶縁性基板
２　配線端子
３　帯状コンタクトホール
４　端子パッド
６　下層端子パッド
７　コンタクトホール
８　対向基板
９　アクティブマトリクス基板
１０　信号入力端子
１０ａ　ゲート信号入力端子
１０ｂ　ソース信号入力端子
１２　液晶表示素子
１３　絶縁膜
１４　ゲートバスライン
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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