(57)【要約】【課題】リソグラフィ工程でのエッチング後のパターン形状を調節するのに、ブランクス膜の透過率、反射率、屈折率等の光学特性を変更することなく、簡単かつ正確にパターン形状を調整できるフォトマスクの製造方法を提供する。【解決手段】少なくとも、石英サブストレートを洗浄する工程と、洗浄後の石英サブストレートを乾燥する工程と、乾燥後の石英サブストレート上にブランクス膜を形成する工程と、ブランクス膜にパターンを形成するリソグラフィ工程とを有する、フォトマスクの製造方法であって、前記洗浄後の石英サブストレートを乾燥する工程で、乾燥後に石英サブストレート表面に残留するカーボンの濃度を調節することで、リソグラフィ工程でのエッチング後のパターン形状を調整することを特徴とするフォトマスクの製造方法。【選択図】　　　　なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも、石英サブストレートを洗浄する工程と、洗浄後の石英サブストレートを乾燥する工程と、乾燥後の石英サブストレート上にブランクス膜を形成する工程と、ブランクス膜にパターンを形成するリソグラフィ工程とを有する、フォトマスクの製造方法であって、前記洗浄後の石英サブストレートを乾燥する工程で、乾燥後に石英サブストレート表面に残留するカーボンの濃度を調節することで、リソグラフィ工程でのエッチング後のパターン形状を調整することを特徴とするフォトマスクの製造方法。
【請求項２】
前記乾燥後に石英サブストレート表面に残留するカーボンの濃度を、１．５ｍｇ／ｍ２以上１５ｍｇ／ｍ２以下の範囲に調節することを特徴とする請求項１に記載のフォトマスクの製造方法。
【請求項３】
前記洗浄後の石英サブストレートを乾燥する工程を、有機溶剤の蒸気により乾燥する蒸気乾燥を行うものとして、該蒸気乾燥時の石英サブストレートの温度を調節するか、または有機溶剤を用いない乾燥を行うことで、乾燥後に石英サブストレート表面に残留するカーボンの濃度を調節することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のフォトマスクの製造方法。
【請求項４】
前記蒸気乾燥の有機溶剤を、イソプロピルアルコール、フルオロカーボン、又はクロロカーボンのいずれかとすることを特徴とする請求項３に記載のフォトマスクの製造方法。
【請求項５】
前記石英サブストレートの温度の調節を、乾燥工程前のリンス時に用いるリンス液の温度を調節することによって行うことを特徴とする請求項３又は請求項４に記載のフォトマスクの製造方法。
【請求項６】
前記有機溶剤を用いない乾燥を、スピン乾燥とすることを特徴とする請求項３に記載のフォトマスクの製造方法。
【請求項７】
少なくとも、石英サブストレートを洗浄する工程と、洗浄後の石英サブストレートを乾燥する工程と、乾燥後の石英サブストレート上にブランクス膜を形成する工程を有する、石英マスクブランクスの製造方法であって、前記洗浄後の石英サブストレートを乾燥する工程で、乾燥後に石英サブストレート表面に残留するカーボンの濃度を調節することで、サブストレート表面とブランクス膜の界面に存するカーボン量を調節することを特徴とする石英マスクブランクスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、リソグラフィに用いるフォトマスクの製造方法および石英マスクブランクスの製造方法に関し、更に詳述すると、ＬＳＩ、ＶＬＳＩ等の高集積半導体回路、ＣＣＤ（電荷結合素子）、ＬＣＤ（液晶表示素子）用カラーフィルター、ならびに磁気ヘッド等の微細加工に好適に用いられるフォトマスクおよび石英マスクブランクスの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ＬＳＩ、ＶＬＳＩ等の半導体集積回路、ＣＣＤ（電荷結合素子）、ＬＣＤ（液晶表示素子）用のカラーフィルター、ならびに磁気ヘッド等の微細加工には、フォトマスクを使ったリソグラフィ技術が用いられている。
【０００３】
上記フォトマスクとしては、石英サブストレート上に、一般的にはクロム膜からなる遮光膜をスパッタリング法又は真空蒸着法等により一層以上形成したブランクス膜に、リソグラフィ工程で所定のパターンを形成したものが用いられている。
【０００４】
このようなフォトマスクを製造するために、石英サブストレート上にブランクス膜を形成した石英マスクブランクスに、フォトレジストや電子線レジストを塗布した後、所定のパターンに選択的に露光し、現像工程、リンス工程及び乾燥工程を経てレジストパターンを形成する。次いで、このレジストパターンをマスクとして、例えば硝酸セリウムアンモニウムと過塩酸の混合水溶液からなるエッチング液を用いてウエットエッチングを行うか、または塩素系ガスを用いたドライエッチングを行うことによりマスクされていない部分のクロム膜を除去し、その後レジストを除去することにより遮光部と透光部とからなる所定のパターンを有するフォトマスクを製造することができる。
【０００５】
従来、リソグラフィ工程でのエッチング後のパターン形状の調整は、ブランクス膜中の遮光膜を二層以上として形成し、サブストレート側の最下層の組成を変え、エッチング速度の異なる層を形成することで、エッチング形状を調整し行っていた。しかしながら、ブランクス膜最下層の組成を変更することは、ブランクス膜全体の透過率、反射率、屈折率等の光学特性を変化させてしまうため、他の層の組成も変える必要があった。このように、ブランクス膜全体の組成を変えて、光学特性を調節することは、大変制御が困難であった。
【０００６】
一方、別の方法として、石英サブストレートとブランクス膜の間に下地層を設けることも行われているが、層の厚さが変化するなどして、結局ブランクス膜の組成比変更を余儀なくされている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は上記問題点に鑑みてなされたもので、フォトマスクの製造方法におけるリソグラフィ工程でのエッチング後のパターン形状を調節するのに、ブランクス膜の透過率、反射率、屈折率等の光学特性を変更することなく、簡単かつ正確にパターン形状を調整できるフォトマスクの製造方法および石英マスクブランクスの製造方法を提供することを目的とするものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記課題を解決するためになされたもので、少なくとも、石英サブストレートを洗浄する工程と、洗浄後の石英サブストレートを乾燥する工程と、乾燥後の石英サブストレート上にブランクス膜を形成する工程と、ブランクス膜にパターンを形成するリソグラフィ工程とを有する、フォトマスクの製造方法であって、前記洗浄後の石英サブストレートを乾燥する工程で、乾燥後に石英サブストレート表面に残留するカーボンの濃度を調節することで、リソグラフィ工程でのエッチング後のパターン形状を調整することを特徴とするフォトマスクの製造方法である（請求項１）。
【０００９】
このように、洗浄後の石英サブストレートを乾燥する工程で、乾燥後に石英サブストレート表面に残留するカーボンの濃度を調整することで、リソグラフィ工程でのエッチング後のパターン形状を調整することができ、これはブランクス膜の組成を変えずに行うものであるため、ブランクス膜の透過率、反射率、屈折率等の光学特性を変更するものではなく、簡単かつ正確にパターン形状を調整できる。
【００１０】
この場合、前記乾燥後に石英サブストレート表面に残留するカーボンの濃度を、１．５ｍｇ／ｍ２以上１５ｍｇ／ｍ２以下の範囲に調節することが好ましい（請求項２）。
【００１１】
このように、本発明では、石英サブストレート表面に残留するカーボンの濃度を、１．５ｍｇ／ｍ２以上１５ｍｇ／ｍ２以下の範囲に調節することで、リソグラフィ工程でのエッチングの形状を裾引き状、垂直状、又は逆テーパ状に微調整し、エッチング後のパターン形状を調整している。
尚、本明細書中において、石英基板表面に残留するカーボンの濃度は、加熱吸脱着式ガスクロマトグラフ質量分析（ＭＳＤＴ−ＧＣ−ＭＳ）システムで測定し、標準物質の炭化水素ｎ−Ｃ１６Ｈ３４で換算した値で示している。
【００１２】
この場合、前記洗浄後の石英サブストレートを乾燥する工程を、有機溶剤の蒸気により乾燥する蒸気乾燥を行うものとして、該蒸気乾燥時の石英サブストレートの温度を調節するか、または有機溶剤を用いない乾燥を行うことで、乾燥後に石英サブストレート表面に残留するカーボンの濃度を調節する（請求項３）。
【００１３】
このように、乾燥後に石英サブストレート表面に残留するカーボンの濃度を調節するのに、洗浄後の石英サブストレートを乾燥する工程を、有機溶剤の蒸気により乾燥する蒸気乾燥を行うものとして、該蒸気乾燥時の石英サブストレートの温度を調節するか、または有機溶剤を用いない乾燥を行うことで、サブストレート表面に残留するカーボンの濃度を所望の範囲に調節することができる。
【００１４】
この場合、蒸気乾燥の有機溶剤を、イソプロピルアルコール、フルオロカーボン、又はクロロカーボンのいずれかとするのが好ましい（請求項４）。
【００１５】
このように、蒸気乾燥の有機溶剤を、イソプロピルアルコール、フルオロカーボン、又はクロロカーボンのいずれかとすることができ、これらの有機溶剤であれば、洗浄後の石英サブストレートを乾燥するのに適している上に、温度等の乾燥条件を制御することにより石英サブストレート表面に残留するカーボン濃度を所望の範囲とすることができる。
【００１６】
この場合、前記石英サブストレートの温度の調節を、乾燥工程前のリンス時に用いるリンス液の温度を調節することによって行うことができる（請求項５）。
【００１７】
このように、石英サブストレートの温度の調節を、乾燥工程前のリンス時に用いるリンス液の温度を調節して行い、その後温度調節した石英サブストレートを有機溶剤の蒸気に投入して蒸気乾燥することで、石英サブストレート表面へのカーボンの凝集量を制御でき、したがって、乾燥後のサブストレート表面に残留するカーボン濃度を所望の範囲に正確に調節することができる。
【００１８】
この場合、前記有機溶剤を用いない乾燥を、スピン乾燥とすることが好ましい（請求項６）。
【００１９】
このように、有機溶剤を用いない乾燥をスピン乾燥とすることで、乾燥後に石英サブストレート表面に残留するカーボンの濃度を、有機溶剤を用いた乾燥と比較して低いものとすることができるとともに、石英サブストレートを簡単かつ高速で乾燥することができる。
【００２０】
さらに本発明によれば、少なくとも、石英サブストレートを洗浄する工程と、洗浄後の石英サブストレートを乾燥する工程と、乾燥後の石英サブストレート上にブランクス膜を形成する工程を有する、石英マスクブランクスの製造方法であって、前記洗浄後の石英サブストレートを乾燥する工程で、乾燥後に石英サブストレート表面に残留するカーボンの濃度を調節することで、サブストレート表面とブランクス膜の界面に存するカーボン量を調節することを特徴とする石英マスクブランクスの製造方法が提供される（請求項７）。
【００２１】
このように、乾燥後に石英サブストレート表面に残留するカーボン濃度を調節することで、サブストレート表面とブランクス膜の界面に存するカーボン量を調節して製造した石英マスクブランクスは、その後のリソグラフィ工程において、カーボン量の違いによりエッチングの形状を微調整することができる。したがって、正確かつ容易にエッチング後のパターン形状を調整したフォトマスクを製造することができるマスクブランクスとなる。
【００２２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
フォトマスクの製造方法は、石英サブストレートを洗浄する工程と、洗浄後の石英サブストレートを乾燥する工程と、ブランクス膜を形成する工程と、ブランクス膜にパターンを形成するリソグラフィ工程を有する。
本発明者らは、洗浄後の石英サブストレートを乾燥する工程で、乾燥後に表面に残留するカーボン濃度とリソグラフィ工程でのエッチング後のパターン形状に相関があることを見出し、洗浄後の石英サブストレートを乾燥する工程で、乾燥後に石英サブストレート表面に残留するカーボンの濃度を調節して、リソグラフィ工程でのエッチングの形状を微調整すればよいことに想到し、本発明を完成させたものである。
【００２３】
ここで、図１は、ブランクス膜のエッチング形状を示したフォトマスクの概略断面図である。図１（ａ）は裾引き状、図１（ｂ）は垂直状、図１（ｃ）は逆テーパ状を示している。
乾燥する工程の後に、石英サブストレート１の表面に残留するカーボンの濃度を１．５０ｍｇ／ｍ２以上１５．００ｍｇ／ｍ２以下の範囲で変更することで、リソグラフィ工程でのブランクス膜２のエッチングの形状を微調整することができる。具体的には、成膜したブランクスの組成にもよるが１．５０ｍｇ／ｍ２以上５．５０ｍｇ／ｍ２以下の範囲とすることで、リソグラフィ工程でのエッチングの形状を逆テーパ状にすることができ（図１（ｃ））、６．５０ｍｇ／ｍ２以上７．５０ｍｇ／ｍ２以下の範囲とすることで垂直状にすることができ（図１（ｂ））、１０．００ｍｇ／ｍ２以上１５．００ｍｇ／ｍ２以下の範囲とすることで裾引き状にすることができる（図１（ａ））。これにより、種々のブランクス膜組成、露光条件等に対応して残留カーボン濃度を調整することでフォトマスクのパターン形状を調整することができる。
【００２４】
尚、エッチングの形状は、リソグラフィ工程後に、製造したフォトマスクを切断し、その断面を走査電子顕微鏡（ＳＥＭ、Ｓｃａｎｎｉｎｇ　Ｅｌｅｃｔｒｏｎ　Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）で観察して、判別している。
【００２５】
以下、本発明のフォトマスクの製造方法について説明する。
先ず、石英サブストレートを洗浄する工程は、石英サブストレートを、熱硫酸による浸漬洗浄、界面活性剤によるスクラブ洗浄、フッ酸水溶液、水酸化カリウム水溶液及び超純水によるシャワー洗浄等の一般的な方法で洗浄すればよい。その他、本発明において、石英サブストレートの洗浄工程は特に限定されず、従来用いられていた方法のいずれであっても良い。
【００２６】
次に、洗浄後の石英サブストレートを乾燥する工程では、例えば有機溶剤の蒸気により乾燥する蒸気乾燥を行い、該蒸気乾燥時の石英サブストレートの温度を調節するか、または有機溶剤を用いない乾燥を行うことで石英サブストレート表面に残留するカーボン濃度を調整する。乾燥方法を、有機溶剤を用いた蒸気乾燥とすることで、有機溶剤を用いない乾燥とした場合と比較して、乾燥後に石英サブストレート表面に残留するカーボンの濃度を高くすることができる。さらに、蒸気乾燥時の石英サブストレートの温度を調節することで、石英サブストレート表面に残留するカーボンの濃度を調節することができる。
【００２７】
前記蒸気乾燥で用いる有機溶剤としては、例えばイソプロピルアルコール、フルオロカーボン、又はクロロカーボンのいずれかとするのが好ましい。これらの有機溶剤であれば、洗浄後の石英サブストレートを乾燥するのに適している上に、例えば、乾燥時の石英サブストレートの温度を調節するなどして、乾燥条件を制御することで、石英サブストレート表面に残留するカーボンの濃度を容易に調節することができる。
【００２８】
乾燥時の石英サブストレートの温度調節は、例えば乾燥工程前のリンス時に用いるリンス液の温度を調節することによって行うことができる。リンスで温度を調節すれば、サブストレートを汚染することもなく容易に所望温度とすることができる。リンス液は、純水、あるいはＩＰＡ等の有機溶剤を用いればよい。
【００２９】
乾燥時の石英サブストレートの温度を変えると、蒸気乾燥の時に石英サブストレート表面への有機溶剤の凝縮量が変わる。したがって、石英サブストレート表面で形成される薄膜の厚さが異なるため、石英サブストレートへのカーボンの吸着量が変化する。これにより、乾燥後に石英サブストレート表面に残留するカーボン量を制御することができ、この残留するカーボン量の制御によってリソグラフィ工程でのブランクス膜のエッチング形状を調整することが可能となる。
【００３０】
一方、有機溶剤を用いない乾燥は、例えばスピン乾燥とするのが好ましい。スピン乾燥とすれば、簡単かつ安価に乾燥を行える上に、乾燥後に石英サブストレート表面に残留するカーボン濃度を、有機溶剤を用いた乾燥と比較して低いものとすることができる。
【００３１】
これらの乾燥方法により、例えば、ブランクス表面の組成にもよるがスピン乾燥といった有機溶剤を用いない乾燥とすることで、乾燥後に石英サブストレート表面に残留するカーボンの濃度を３．００ｍｇ／ｍ２以下、さらには２．５０ｍｇ／ｍ２以下の範囲に調節することができる。
【００３２】
また、有機溶剤をＩＰＡとして蒸気乾燥を行った場合、例えば、蒸気乾燥時の石英サブストレートの温度を０℃とすれば、ブランクス表面の組成にもよるが６．５０ｍｇ／ｍ２以上７．５０ｍｇ／ｍ２以下の範囲に調節することができ、蒸気乾燥時の石英サブストレートの温度を２５℃とすれば、乾燥後に石英サブストレート表面に残留するカーボンの濃度を４．５０ｍｇ／ｍ２以上５．５０ｍｇ／ｍ２以下の範囲に調節することができる。
【００３３】
さらに、有機溶剤をＣ５Ｈ２Ｆ１０といったフルオロカーボン、あるいはＣＨ２Ｃｌ２といったクロロカーボンとして蒸気乾燥を行った場合、蒸気乾燥時の石英サブストレートの温度を０℃以上４０℃以下の範囲とすれば、乾燥後に石英サブストレート表面に残留するカーボンの濃度を１０．００ｍｇ／ｍ２以上、さらには１２．００ｍｇ／ｍ２以上の範囲に調節することができる。
【００３４】
乾燥する工程の後のブランクス膜を形成する工程では、乾燥後の石英サブストレート上に、クロム膜からなる遮光膜をスパッタリング法又は真空蒸着法等により形成して、サブストレート表面とブランクス膜の界面に存するカーボン量を調節した石英マスクブランクスを製造する。
【００３５】
その後のリソグラフィ工程では、成膜後の石英マスクブランクス上に、フォトレジストや電子線レジストを塗布した後、所定のパターンに選択的に露光し、現像、リンス及び乾燥を経てレジストパターンを形成し、次いで、このレジストパターンをマスクとして、硝酸セリウムアンモニウムと過塩酸の混合水溶液からなるエッチング液を用いてウエットエッチングを行うか、または塩素系ガスを用いたドライエッチングを行うことにより、マスクされていない部分のクロム膜を除去し、その後、レジストを除去することによりパターン形状を調整したフォトマスクを製造する。
【００３６】
特に従来では、ブランクス膜の組成やフォトリソ条件等により変わるパターン形状を、本発明のように乾燥工程での石英サブストレート表面に残留するカーボン濃度を調節することで、変更制御できるので、簡単であり、しかも種々のブランクス膜組成、フォトリソ条件において適用でき、パターン形状を調整して垂直状にすることが可能となる。
【００３７】
【実施例】
（実施例１）
２００ｃｍ２の石英サブストレートを用意した。先ず、洗浄工程として、用意した角形石英基板を、０．５重量％のフッ酸水溶液でシャワー洗浄後、超純水でシャワーした後ｐＨ１１の水酸化カリウム水溶液でシャワー洗浄し、引き続いて超純水でシャワー洗浄した。次に、前記洗浄工程で清浄化された石英サブストレートを２５℃の純水で６０秒間掛け流しリンスした。次に、乾燥する工程として、石英サブストレートをイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）の蒸気置換により乾燥する蒸気乾燥を行った。乾燥後、石英サブストレート表面に残留しているカーボン濃度を、加熱吸脱着式ガスクロマトグラフ質量分析（ＭＳＴＤ−ＧＣ−ＭＳ）システムで測定し、標準物質の炭化水素ｎ−Ｃ１６Ｈ３４で換算して求めた。その結果、基板表面のカーボン付着量は４．８２ｍｇ／ｍ２であった。
【００３８】
次に、同条件で乾燥させた石英サブストレートに、ブランクス膜形成工程、レジスト塗布工程、リソグラフィ工程を行いレジストパターンを得た。ブランクス膜形成工程ではスパッタリング法によりクロム膜、酸化クロム膜を１００ｎｍ形成し、レジスト塗布工程では４００ｎｍのｉ線用レジスト（ＩＰ−３５００）を塗布した。その後、ｉ線ステッパーにて露光し、現像、洗浄を行い０．４μｍのラインアンドスペースのレジストパターンを形成した。次に、このレジストパターンをマスクとして、ウェットエッチングを硝酸セリウムアンモニウム１６５ｇと過塩素酸４２ｍｌに水を加えて１０００ｍｌとした混合液からなるエッチング液を用いて６０秒間行い、その後レジストを除去し、所望パターンのフォトマスクを得た。このように製造されたフォトマスクの断面を観察するために、フォトマスク基板を切断し、その断面におけるブランクス膜のエッチング形状を走査電子顕微鏡で観察した。その結果、ブランクス膜のエッチング形状は、逆テーパ状であった。
【００３９】
（実施例２）
実施例１と同様に２００ｃｍ２の石英サブストレートを用意した。先ず、洗浄工程として、用意した角形石英基板を、０．５重量％のフッ酸水溶液でシャワー洗浄後、超純水でシャワーした後ｐＨ１１の水酸化カリウム水溶液でシャワー洗浄し、引き続いて超純水でシャワー洗浄した。次に、前記洗浄工程で清浄化された石英サブストレートを０℃のＩＰＡで６０秒間浸漬リンスした。次に、乾燥する工程として、石英サブストレートをＩＰＡ溶剤の蒸気置換により乾燥する蒸気乾燥を行った。乾燥後、石英サブストレート表面に残留しているカーボン濃度を、ＭＳＴＤ−ＧＣ−ＭＳシステムで測定し、標準物質の炭化水素ｎ−Ｃ１６Ｈ３４で換算して求めた。その結果、基板表面のカーボン付着量は７．３１ｍｇ／ｍ２であった。
【００４０】
次に、同条件で乾燥させた石英サブストレートに、ブランクス膜形成工程、レジスト塗布工程、リソグラフィ工程を行いレジストパターンを得た。ブランクス膜形成工程ではスパッタリング法によりクロム膜、酸化クロム膜を１００ｎｍ形成し、レジスト塗布工程では４００ｎｍのｉ線用レジスト（ＩＰ−３５００）を塗布した。その後、ｉ線ステッパーにて露光し、現像、洗浄を行い０．４μｍのラインアンドスペースのレジストパターンを形成した。次に、このレジストパターンをマスクとして、ウェットエッチングを硝酸セリウムアンモニウム１６５ｇと過塩素酸４２ｍｌに水を加えて１０００ｍｌとした混合液からなるエッチング液を用いて６０秒間行い、その後レジストを除去し、所望パターンのフォトマスクを得た。このように製造されたフォトマスクの断面を観察するために、フォトマスク基板を切断し、その断面におけるブランクス膜のエッチング形状を走査電子顕微鏡で観察した。その結果、ブランクス膜のエッチング形状は、垂直状であった。
【００４１】
（実施例３）
実施例１と同様に、２００ｃｍ２の石英サブストレートを用意した。先ず、洗浄工程として、用意した角形石英基板を、０．５重量％のフッ酸水溶液でシャワー洗浄後、超純水でシャワーした後ｐＨ１１の水酸化カリウム水溶液でシャワー洗浄し、引き続いて超純水でシャワー洗浄した。次に、前記洗浄工程で清浄化された石英サブストレートを２５℃の純水で６０秒間浸漬リンスした。次に、乾燥する工程として、石英サブストレートをＣ５Ｈ２Ｆ１０の蒸気置換により乾燥する蒸気乾燥を行った。乾燥後、石英サブストレート表面に残留しているカーボン濃度を、ＭＳＴＤ−ＧＣ−ＭＳシステムで測定し、標準物質の炭化水素ｎ−Ｃ１６Ｈ３４で換算して求めた。その結果、基板表面のカーボン付着量は１０．３１ｍｇ／ｍ２であった。
【００４２】
次に、同条件で乾燥させた石英サブストレートに、ブランクス膜形成工程、レジスト塗布工程、リソグラフィ工程を行いレジストパターンを得た。ブランクス膜形成工程ではスパッタリング法によりクロム膜、酸化クロム膜を１００ｎｍ形成し、レジスト塗布工程では４００ｎｍのｉ線用レジスト（ＩＰ−３５００）を塗布した。その後、ｉ線ステッパーにて露光し、現像、洗浄を行い０．４μｍのラインアンドスペースのレジストパターンを形成した。次に、このレジストパターンをマスクとして、ウェットエッチングを硝酸セリウムアンモニウム１６５ｇと過塩素酸４２ｍｌに水を加えて１０００ｍｌとした混合液からなるエッチング液を用いて６０秒間行い、その後レジストを除去し、所望パターンのフォトマスクを得た。このように製造されたフォトマスクの断面を観察するために、フォトマスク基板を切断し、その断面におけるブランクス膜のエッチング形状を走査電子顕微鏡で観察した。その結果、ブランクス膜のエッチング形状は、裾引き状であった。
【００４３】
（実施例４）
実施例１と同様に２００ｃｍ２の石英サブストレートを用意した。先ず、洗浄工程として、用意した角形石英基板を、０．５重量％のフッ酸水溶液でシャワー洗浄後、超純水でシャワーした後ｐＨ１１の水酸化カリウム水溶液でシャワー洗浄し、引き続いて超純水でシャワー洗浄した。次に、前記洗浄工程で清浄化された石英サブストレートを１０℃のＣＨ２Ｃｌ２で６０秒間浸漬リンスした。次に、乾燥する工程として、石英サブストレートをＣＨ２Ｃｌ２の蒸気置換により乾燥する蒸気乾燥を行った。乾燥後、石英サブストレート表面に残留しているカーボン濃度を、ＭＳＴＤ−ＧＣ−ＭＳシステムで測定し、標準物質の炭化水素ｎ−Ｃ１６Ｈ３４で換算して求めた。その結果、基板表面のカーボン付着量は１２．４１ｍｇ／ｍ２であった。
【００４４】
次に、同条件で乾燥させた石英サブストレートに、ブランクス膜形成工程、レジスト塗布工程、リソグラフィ工程を行いレジストパターンを得た。ブランクス膜形成工程ではスパッタリング法によりクロム膜、酸化クロム膜を１００ｎｍ形成し、レジスト塗布工程では４００ｎｍのｉ線用レジスト（ＩＰ−３５００）を塗布した。その後、ｉ線ステッパーにて露光し、現像、洗浄を行い０．４μｍのラインアンドスペースのレジストパターンを形成した。次に、このレジストパターンをマスクとして、ウェットエッチングを硝酸セリウムアンモニウム１６５ｇと過塩素酸４２ｍｌに水を加えて１０００ｍｌとした混合液からなるエッチング液を用いて６０秒間行い、その後レジストを除去し、所望パターンのフォトマスクを得た。このように製造されたフォトマスクの断面を観察するために、フォトマスク基板を切断し、その断面におけるブランクス膜のエッチング形状を走査電子顕微鏡で観察した。その結果、ブランクス膜のエッチング形状は、裾引き状であった。
【００４５】
（実施例５）
実施例１と同様に２００ｃｍ２の石英サブストレートを用意した。先ず、洗浄工程として、用意した角形石英基板を、０．５重量％のフッ酸水溶液でシャワー洗浄後、超純水でシャワーした後ｐＨ１１の水酸化カリウム水溶液でシャワー洗浄し、引き続いて超純水でシャワー洗浄した。次に、前記洗浄工程で清浄化された石英サブストレートを６０℃の温純水で６０秒間掛け流しリンスした。次に、乾燥する工程として、石英サブストレートを回転数１５００ｒｐｍで６０秒間スピン乾燥を行った。乾燥後、石英サブストレート表面に残留しているカーボン濃度を、ＭＳＴＤ−ＧＣ−ＭＳシステムで測定し、標準物質の炭化水素ｎ−Ｃ１６Ｈ３４で換算して求めた。その結果、基板表面のカーボン付着量は２．４９ｍｇ／ｍ２であった。
【００４６】
次に、同条件で乾燥させた石英サブストレートに、ブランクス膜形成工程、レジスト塗布工程、リソグラフィ工程を行いレジストパターンを得た。ブランクス膜形成工程ではスパッタリング法によりクロム膜、酸化クロム膜を１００ｎｍ形成し、レジスト塗布工程では４００ｎｍのｉ線用レジスト（ＩＰ−３５００）を塗布した。その後、ｉ線ステッパーにて露光し、現像、洗浄を行い０．４μｍのラインアンドスペースのレジストパターンを形成した。次に、このレジストパターンをマスクとして、ウェットエッチングを硝酸セリウムアンモニウム１６５ｇと過塩素酸４２ｍｌに水を加えて１０００ｍｌとした混合液からなるエッチング液を用いて６０秒間行い、その後レジストを除去し、所望パターンのフォトマスクを得た。このように製造されたフォトマスクの断面を観察するために、フォトマスク基板を切断し、その断面におけるブランクス膜のエッチング形状を走査電子顕微鏡で観察した。その結果、ブランクス膜のエッチング形状は、逆テーパ状であった。
【００４７】
尚、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
【００４８】
例えば、本発明の実施例では、有機溶剤を用いない乾燥を、スピン乾燥として行っているが、本発明の方法はこれに限定されず、温風乾燥、減圧乾燥、又は赤外線ランプでの乾燥等として行うこともできるし、蒸気乾燥も上記で例示した溶剤に限定されない。
【００４９】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、フォトマスクを製造する際に、洗浄後の石英サブストレートを乾燥する工程で、乾燥後に石英サブストレート表面に残留するカーボンの濃度を調節して、サブストレート表面とブランクス膜の界面に存するカーボン量を調節することで、リソグラフィ工程でのエッチング後のパターン形状を調節している。そのためブランクス膜の透過率、反射率、屈折率等の光学特性を変更することなく、簡単かつ正確にパターン形状を調整することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】エッチングの形状を示したフォトマスクの概略断面図である。
（ａ）裾引き状、（ｂ）垂直状、（ｃ）逆テーパ状。
【符号の説明】
１…石英サブストレート、　２…ブランクス膜。
【図１】
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