(57)【要約】【課題】別部品を不要として嵌合部分を少なくし、全体形状を小型化することが可能であり、放熱しやすい構造とされたフライバックトランスを提供する。【解決手段】本発明に係るフライバックトランス１は、抵抗基板１３を抵抗器ケース４に収納してなる高圧可変抵抗器２をトランスケース３と抵抗器ケース４との嵌合により保持するものであり、前記高圧可変抵抗器２との間を仕切る仕切壁８を前記トランスケース３の抵抗器取付側に一体として設け、前記仕切壁８と前記抵抗基板１３との離間距離を１ｍｍ以下としたことを特徴とする。【選択図】    図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
抵抗基板を抵抗器ケースに収納してなる高圧可変抵抗器をトランスケースと前記抵抗器ケースとの嵌合により保持するフライバックトランスであって、
前記高圧可変抵抗器との間を仕切る仕切壁を前記トランスケースの抵抗器取付側に一体として設け、前記仕切壁と前記抵抗基板との離間距離を１ｍｍ以下としたことを特徴とするフライバックトランス。
【請求項２】
前記抵抗基板のトランス側の主面上に電極を形成し、該電極を前記仕切壁に設けた導電性部品と接触させて電気的に接続したことを特徴とする請求項１に記載のフライバックトランス。
【請求項３】
前記トランスケースに嵌合用突片を設けると共に、前記抵抗器ケースに前記嵌合用突片が嵌入する嵌合用凹溝を設け、かつ、該嵌合用凹溝の溝幅を前記嵌合用突片の厚みより０．０３ｍｍ以上狭くしたことを特徴とする請求項１または請求項２に記載のフライバックトランス。
【請求項４】
前記嵌合用突片を前記嵌合用凹溝に嵌入してなる嵌合部分の沿面の長さに対するフォーカス電圧が１．０ＫＶ／ｍｍ以下となるよう前記嵌合部分の沿面の長さを設定したことを特徴とする請求項１〜請求項３のいずれかに記載のフライバックトランス。
【請求項５】
前記嵌合用凹溝は前記嵌合用突片を挟持する内外２つの溝壁を有しており、その外側溝壁の先端部を前記嵌合用突片の基端部よりもトランスケース側に位置させたことを特徴とする請求項１〜請求項４のいずれかに記載のフライバックトランス。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はフライバックトランスに係り、特には、このフライバックトランスと高圧可変抵抗器との連結構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】
フライバックトランスは、テレビジョン受信機やカラーディスプレイ等の陰極線管に電圧を印加するために使用されるもので、２０〜３０ＫＶの高電圧を発生させ、陰極線管のアノードに対して直流高電圧を印加すると共に、５〜１０ＫＶのフォーカス電圧、また、必要に応じて１００〜１０００Ｖのスクリーン電圧を印加する機能を有している。このようなフライバックトランスのうちにはフォーカスパックといわれる高圧可変抵抗器を一体的に保持したものがあり、これらの両者はトランスケースと抵抗器ケースとが嵌合されるのに伴って連結されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
すなわち、図４で示すように、フライバックトランス５１は、ダイオード５２を搭載してなる高圧コイル５３や低圧コイル５４等の電子部品が収納されたトランスケース５５を具備しており、トランスケース５５の抵抗器取付側には開口が形成され、この開口は中間カバー５６により閉塞されている。そして、中間カバー５６の所定位置に形成された貫通孔内には導電性部品である導電性ゴム５７が圧入されており、この導電性ゴム５７には高圧コイル５３の出力端子５８が突き刺して接続される。
【０００４】
なお、所要の電子部品を収納したトランスケース５５内には、高圧可変抵抗器６１を連結するのに先立って絶縁樹脂５９が注入されており、注入された絶縁樹脂５９は硬化させられている。
【０００５】
また、フライバックトランス５１のトランスケース５５には中間カバー５６を介して高圧可変抵抗器６１の抵抗器ケース６２が嵌合されており、これらの嵌合に伴って高圧可変抵抗器６１はフライバックトランス５１と連結されている。この高圧可変抵抗器６１は、表面上に抵抗パターン（図示省略）が形成された抵抗基板６３と、抵抗パターン上を摺動する一対のブラシ６４と、これらのブラシ６４を回動操作する回転ノブ６５とを具備している。
【０００６】
そして、抵抗基板６３に形成された抵抗パターンから延出された入力端子６６は、中間カバー５６の導電性ゴム５７に突き刺して接続されている。そこで、高圧コイル５３の出力端子５８と抵抗基板６３の入力端子６６とは、導電性ゴム５７を介して電気的に接続される。
【０００７】
【特許文献１】
特開平９−１９０９３９号公報
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、従来の形態に係るフライバックトランス５１においては、トランスケース５５の開口を中間カバー５６によって閉塞している。そのため、別部品である中間カバー５６が必要となり、その取り付け作業やシーリング（封止）作業に手間を要してしまう。その結果、コストアップを招くことになっていた。
【０００９】
また、前記従来の形態では、トランスケース５５と抵抗器ケース６２とが中間カバー５６を介して嵌合されるため、嵌合部分が２つ、つまり、トランスケース５５及び中間カバー５６と、中間カバー５６及び抵抗器ケース６２との２箇所となり、全体形状が大型化することが避けられなかった。
【００１０】
さらに、中間カバー５６と抵抗基板６３との離間間隔が広くなり、これらの間における空気層の厚みが厚くなるため、空気層に蓄積した熱が放熱されがたく、抵抗基板６３の温度が上昇しやすいという不都合も生じる。また、このような空気層が存在しているため、中間カバー５６と抵抗器ケース６２との嵌合部分から放電が起こりやすくなるという問題もあった。
【００１１】
本発明はこれらの不都合に鑑みて創案されたものであって、別部品を不要として嵌合部分を少なくし、全体形状を小型化することが可能であり、放熱しやすい構造とされたフライバックトランスの提供を目的としている。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
請求項１記載の発明に係るフライバックトランスは、抵抗基板を抵抗器ケースに収納してなる高圧可変抵抗器をトランスケースと前記抵抗器ケースとの嵌合により保持するものであって、前記高圧可変抵抗器との間を仕切る仕切壁を前記トランスケースの抵抗器取付側に一体として設け、該仕切壁と前記抵抗基板との離間距離を１ｍｍ以下としたことを特徴とする。
【００１３】
請求項２記載の発明に係るフライバックトランスは請求項１に記載したものであり、前記抵抗基板のトランス側の主面上に電極を形成し、該電極を前記仕切壁に設けた導電性部品と接触させて電気的に接続したことを特徴とする。
【００１４】
請求項３記載の発明に係るフライバックトランスは請求項１または請求項２に記載したものであって、前記トランスケースに嵌合用突片を設けると共に、前記抵抗器ケースに前記嵌合用突片が嵌入する嵌合用凹溝を設け、かつ、該嵌合用凹溝の溝幅を前記嵌合用突片の厚みより０．０３ｍｍ以上狭くしたことを特徴とする。
【００１５】
請求項４記載の発明に係るフライバックトランスは請求項１〜請求項３のいずれかに記載したものであり、前記嵌合用突片を前記嵌合用凹溝に嵌入してなる嵌合部分の沿面の長さに対するフォーカス電圧が１．０ＫＶ／ｍｍ以下となるよう前記嵌合部分の沿面の長さを設定したことを特徴とする。
【００１６】
請求項５記載の発明に係るフライバックトランスは請求項１〜請求項４のいずれかに記載したものであって、前記嵌合用凹溝は前記嵌合用突片を挟持する内外２つの溝壁を有しており、その外側溝壁の先端部を前記嵌合用突片の基端部よりもトランスケース側に位置させたことを特徴とする。
【００１７】
【発明の実施の形態】
図１は本実施の形態に係るフライバックトランスの全体構造を示す縦断面図、図２はその要部構造のみを拡大して示す縦断面図であり、図３は嵌合部分の要部構造を拡大して示す説明図である。なお、図１中の符号１は、フライバックトランスを示している。
【００１８】
本実施の形態に係るフライバックトランス１は、図１で示すように、フォーカスパックといわれる高圧可変抵抗器２を一体的に保持したものであり、これらの両者はトランスケース３と抵抗器ケース４とが嵌合されるのに伴って連結されている。フライバックトランス１は、ダイオード５を搭載してなる高圧コイル６や低圧コイル７等の電子部品が収納された合成樹脂製のトランスケース３を具備しており、このトランスケース３の抵抗器取付側には、高圧可変抵抗器２との間を仕切る仕切壁８が一体成形で設けられている。なお、この仕切壁８は、後述する絶縁樹脂９の硬化時応力にも十分耐え得る厚さ及び形状を有している。
【００１９】
仕切壁８の所定位置には高圧可変抵抗器２側に向かって開口した凹部が形成されており、この凹部内には導電性部品である導電性ゴム１０が圧入されている。そして、弾性と導電性とを兼備してなる導電性ゴム１０には、高圧コイル６から延出された出力端子１１が突き刺して接続されている。なお、この導電性ゴム１０は金属微粒子やカーボンブラック等のような導電性粉末の所定量がゴム素材に混合されたものであり、例えば、シリコーンゴムとカーボンブラックとから作製されている。
【００２０】
さらに、仕切壁８を介して高圧可変抵抗器２との間が仕切られたトランスケース３内には、エポキシレジン等のような硬質の絶縁樹脂９が注入されており、注入された絶縁樹脂９は硬化させられている。
【００２１】
一方、フライバックトランス１のトランスケース３には、高圧可変抵抗器２が具備する合成樹脂製の抵抗器ケース４が一般的なフック構造を採用して嵌合されており、これらのケース３，４同士が嵌合されたのに伴って高圧可変抵抗器２はフライバックトランス１と連結されている。この高圧可変抵抗器２は、表面上に抵抗パターン（図示省略）が形成された抵抗基板１３と、抵抗パターン上を摺動する一対のブラシ１４と、各ブラシ１４を回動操作するための一対の回転ノブ１５とを具備しており、これらは抵抗器ケース４に収納されている。
【００２２】
ここでの抵抗基板１３は、ほぼ矩形状を有するセラミック平板の表面上に抵抗体を印刷し、かつ、焼成して作製されたものであり、この抵抗基板１３を収納した抵抗器ケース４は、仕切壁８と抵抗基板１３との離間間隔が１ｍｍ以下となるようにしてトランスケース３と嵌合されている。すなわち、高圧可変抵抗器２の具備する抵抗基板１３は、そのトランス側の主面である裏面が仕切壁８の外面と１ｍｍ以下の間隔で離間するように位置決めされている。
【００２３】
ところで、本発明の発明者らが、仕切壁８及び抵抗基板１３の離間間隔と抵抗基板１３の温度上昇との相関関係を実験により検討してみたところ、表１で示すような実験結果が得られた。
【００２４】
【表１】
2004281513.tif 000003
【００２５】
この実験結果によれば、仕切壁８と抵抗基板１３との離間間隔が１ｍｍ以下である場合には、これら両者の間における空気層の厚みが従来に比して薄いため、この空気層に蓄積した熱が放熱されやすくなる。その結果、抵抗基板１３の温度上昇が、抑制可能となっていることが理解される。
【００２６】
ところで、抵抗基板１３の裏面上には、その表面上の抵抗パターンとスルーホール（図示省略）を介して導通する電極、つまり、入力電極１６が形成されている。そして、この入力電極１６は、トランスケース３の仕切壁８に設けられた導電性ゴム１０と接触して導通するのに伴って電気的に接続されている。従って、従来の形態に係るフライバックトランス４１における高圧可変抵抗器６１のように、抵抗基板６３の抵抗パターンと導通した入力端子６６を導電性ゴム１０に突き刺して接続する必要はなくなる。
【００２７】
なお、このとき、仕切壁８の導電性ゴム１０と抵抗基板１３の入力電極１６との接触圧は、十分な導電性を確保する観点から３Ｎ以上としておくことが好ましく、このような状態であれば、接触抵抗値を１ＫΩ以下に抑制し、かつ、安定した導電性を確保することが可能となる。
【００２８】
また、フライバックトランス１では、図２（ａ）で示すように、トランスケース３に嵌合用突片１７を設けると共に、抵抗器ケース４に嵌合用突片１７が嵌入する嵌合用凹溝１８を設け、この嵌合用凹溝１８の溝幅Ｗを嵌合用突片１７の厚みＴよりも０．０３ｍｍ以上狭くしている。このような構造であれば、トランスケース３の嵌合用突片１７と抵抗器ケース４の嵌合用凹溝１８との嵌合状態が強嵌合となるため、嵌合用突片１７及び嵌合用凹溝１８からなる嵌合部分の沿面電界強度が向上する。
【００２９】
本発明の発明者らが、嵌合用突片１７及び嵌合用凹溝１８の嵌合状態と嵌合部分の沿面電界強度との相関関係を実験によって検討してみたところ、表２で示すような実験結果が得られた。なお、この実験においては、図２（ｂ）で示すように、嵌合用凹溝１８の有する内外２つの溝壁１９，２０それぞれに対して銅テープ２１，２２を貼り付け、これらの銅テープ２１，２２間に直流電圧を印加している。
【００３０】
【表２】
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【００３１】
このようにして得られた実験結果によれば、嵌合用凹溝１８の溝幅Ｗが嵌合用突片１７の厚みＴよりも０．０３ｍｍ以上狭い場合、つまり、両者間の寸法差が−０．０３ｍｍ以上となるほど、これらの嵌合用突片１７及び嵌合用凹溝１８からなる嵌合部分の沿面電界強度が１．８５ＫＶ／ｍｍ以上にまで高まることが分かる。
【００３２】
さらに、この際にあっては、嵌合用突片１７を嵌合用凹溝１８に嵌入してなる嵌合部分の沿面の長さに対するフォーカス電圧が１．０ＫＶ／ｍｍ以下となるよう嵌合部分の沿面の長さを設定しておくことが好ましい。すなわち、嵌合部分における単位長さ当たりの電界強度が１．０ＫＶ以下となるよう嵌合用突片１７及び嵌合用凹溝１８の長さを設定しておけば、嵌合用突片１７を嵌合用凹溝１８に嵌入してなる嵌合部分をわざわざ接着剤でもって封止しなくても、沿面放電が発生することは起こらない。
【００３３】
さらにまた、高圧可変抵抗器２の抵抗器ケース４に設けられた嵌合用凹溝１８は、図３で嵌合部分の要部構造を拡大して示すように、トランスケース３の嵌合用突片１７を挟持する内外２つの溝壁１９，２０を有している。そして、このとき、その外側溝壁１９の先端部は、図３（ａ）で示すように、嵌合用突片１７の基端部よりもトランスケース側に位置させられていることが好ましい。
【００３４】
すなわち、図３（ｂ）で示すように、嵌合用凹溝１８の有する外側溝壁１９及び内側溝壁２０の先端部がトランスケース３における嵌合用突片１７の基端部よりも抵抗器ケース４側に位置している場合、何らかの理由で嵌合用突片１７に亀裂２３が発生すると、この亀裂２３を介して高圧可変抵抗器２の内部が直接的に外部と連通し、放電することが起こる。これに対し、嵌合用凹溝１８の外側溝壁１９の先端部が嵌合用突片１７の基端部よりもトランスケース３側に位置している場合には、トランスケース３に亀裂２３が発生したとしても、このトランスケース３内には絶縁樹脂９が充填されているため、亀裂２３を介しての短絡は起こり得ない。
【００３５】
【発明の効果】
請求項１記載の発明に係るフライバックトランスでは、トランスケースと一体に仕切壁を設けているので、その取り付け作業やシーリング作業に手間を要することがなくなり、コストダウンを実現することができる。また、嵌合部分が１箇所で済むので、全体形状を小型化することが可能になる。さらに、仕切壁と抵抗基板との離間距離を１ｍｍ以下としたので、これらの両者間における空気層の厚みが薄くなる結果、空気層に蓄積した熱が放熱されやすくなり、抵抗基板の温度上昇を抑制することができるという効果も得られる。
【００３６】
請求項２記載の発明に係るフライバックトランスでは、抵抗基板のトランス側の主面上に形成した電極を仕切壁に設けられた導電性部品と接触させている。そこで、抵抗基板の入力端子を導電性部品に突き刺して接続する必要がなくなり、フライバックトランスと高圧可変抵抗器との電気的な接続構造を大幅に簡素化できるという効果が得られる。
【００３７】
請求項３記載の発明に係るフライバックトランスでは、抵抗器ケースに設けた嵌合用凹溝の溝幅を、トランスケースに設けた嵌合用突片の厚みよりも０．０３ｍｍ以上狭くしている。従って、嵌合用突片と嵌合用凹溝との嵌合状態が強嵌合となり、嵌合用突片及び嵌合用凹溝からなる嵌合部分の沿面電界強度が大幅に向上するという効果が得られる。
【００３８】
請求項４記載の発明に係るフライバックトランスでは、嵌合部分の沿面の長さに対するフォーカス電圧が１．０ＫＶ／ｍｍ以下となるよう嵌合部分の沿面の長さを設定しているので、この嵌合部分を接着剤で封止しなくても、沿面放電が発生することは起こらないという効果が得られる。
【００３９】
請求項５記載の発明に係るフライバックトランスでは、抵抗器ケースの嵌合用凹溝を構成して嵌合用突片を挟持する内外２つの溝壁のうちの外側溝壁の先端部を嵌合用突片の基端部よりもトランスケース側に位置させている。従って、トランスケースの嵌合用突片に亀裂が発生することがあっても、この亀裂を介しての放電を防止することが可能になるという効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本実施の形態に係るフライバックトランスの全体構造を示す縦断面図である。
【図２】本実施の形態に係るフライバックトランスの要部構造のみを拡大して示す縦断面図である。
【図３】本実施の形態に係るフライバックトランスの嵌合部分の要部構造を拡大して示す説明図である。
【図４】従来の形態に係るフライバックトランスの全体構造を示す縦断面図である。
【符号の説明】
１    フライバックトランス
２    高圧可変抵抗器
３    トランスケース
４    抵抗器ケース
８    仕切壁
１０    導電性ゴム（導電性部品）
１３    抵抗基板
１６    入力電極（電極）
１７    嵌合用突片
１８    嵌合用凹溝
１９    外側溝壁
２０    内側溝壁
【図１】
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【図２】
2004281513.tif 000006
【図３】
2004281513.tif 000007
【図４】
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