(57)【要約】【課題】表示エリア外遮光膜に対応する部分に光漏れを発生することが無く、しかも、前記表示エリア外遮光膜に対応する部分の外観品質を高くすることができる液晶素子を提供する。【解決手段】表示エリアＡを囲む枠状の表示エリア外遮光膜１７のシール材１に重なる部分を樹脂膜１７ａにより形成し、前記シール材１よりも内側の部分を金属膜１７ｂにより形成した。【選択図】    図１
2004198960.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
枠状のシール材を介して接合された一対の基板間の前記シール材により囲まれた領域に液晶層が設けられ、前記一対の基板の互いに対向する内面の一方に少なくとも１つの電極が、他方の内面に前記少なくとも１つの電極と対向する領域によりマトリックス状に配列する複数の画素を形成する複数の電極が設けられるとともに、一方の基板の内面に、前記複数の画素にそれぞれ対応する複数の開口を有し、前記複数の画素がマトリックス状に配列する表示エリアに形成された表示エリア内遮光膜と、前記表示エリアを囲んで形成された枠状の表示エリア外遮光膜とが設けられ、且つ、前記表示エリア外遮光膜の前記シール材に重なる部分が樹脂膜により形成され、前記シール材よりも内側の部分が金属膜により形成されていることを特徴とする液晶素子。
【請求項２】
表示エリア内遮光膜及び表示エリア外遮光膜が設けられた一方の基板の内面に液晶層厚調整膜が、その外周縁部を前記表示エリア外遮光膜の金属膜部分に重ねて形成されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶素子。
【請求項３】
液晶層厚調整膜は、複数の画素のそれぞれ隣接する画素間の領域を除いて形成されていることを特徴とする請求項２に記載の液晶素子。
【請求項４】
複数の画素は１００μ以下のピッチで形成されていることを特徴とする請求項３に記載の液晶素子。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は液晶表示装置に用いる液晶素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】
液晶表示装置に用いる液晶素子は、枠状のシール材を介して接合された一対の基板間の前記シール材により囲まれた領域に液晶層が設けられ、前記一対の基板の互いに対向する内面にそれぞれマトリックス状に配列する複数の画素を形成する電極が設けられるとともに、一方の基板の内面に、前記複数の画素にそれぞれ対応する複数の開口を有し、前記複数の画素がマトリックス状に配列する表示エリアに形成された表示エリア内遮光膜と、前記表示エリアを囲んで形成された枠状の表示エリア外遮光膜とが設けられた構成となっている。
【０００３】
この液晶素子には、前記表示エリア内遮光膜及び表示エリア外遮光膜をクロム等の金属膜により形成したもの（特許文献１参照）と、前記表示エリア内遮光膜及び表示エリア外遮光膜を黒色顔料が添加された樹脂膜により形成したもの（特許文献２参照）とがある。
【０００４】
【特許文献１】
特開平  ８−３１３８９３号公報
【０００５】
【特許文献２】
特開平１１−２６４９７０号公報
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、表示エリア内遮光膜及び表示エリア外遮光膜を金属膜により形成した液晶素子は、外部からシール材内に浸透してくる湿気等の影響により前記表示エリア外遮光膜が腐食し、その部分に光漏れを発生する。
【０００７】
一方、黒色顔料が添加された樹脂膜は、湿気等の影響による腐食の心配は無いが、その反面、金属膜に比べて遮光性が低いため、表示エリア内遮光膜及び表示エリア外遮光膜を前記樹脂膜により形成した液晶素子は、前記表示エリア外遮光膜に対応する部分の外観品質が低い。
【０００８】
この発明は、表示エリア外遮光膜に対応する部分に光漏れを発生することが無く、しかも、前記表示エリア外遮光膜に対応する部分の外観品質を高くすることができる液晶素子を提供することを目的としたものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
この発明の液晶素子は、枠状のシール材を介して接合された一対の基板間の前記シール材により囲まれた領域に液晶層が設けられ、前記一対の基板の互いに対向する内面の一方に少なくとも１つの電極が、他方の内面に前記少なくとも１つの電極と対向する領域によりマトリックス状に配列する複数の画素を形成する複数の電極が設けられるとともに、一方の基板の内面に、前記複数の画素にそれぞれ対応する複数の開口を有し、前記複数の画素がマトリックス状に配列する表示エリアに形成された表示エリア内遮光膜と、前記表示エリアを囲んで形成された枠状の表示エリア外遮光膜とが設けられ、且つ、前記表示エリア外遮光膜の前記シール材に重なる部分が樹脂膜により形成され、前記シール材よりも内側の部分が金属膜により形成されていることを特徴とする。
【００１０】
この液晶素子は、前記表示エリア外遮光膜の前記シール材に重なる部分が樹脂膜により形成されているため、外部から前記シール材内に浸透してくる湿気等の影響により前記表示エリア外遮光膜が腐食してその部分に光漏れを発生することは無く、また、前記表示エリア外遮光膜の前記シール材よりも内側の部分が金属膜により形成されているため、この部分の遮光性が高く、したがって、前記表示エリア外遮光膜に対応する部分の外観品質を高くすることができる。
【００１１】
このように、この発明の液晶素子は、表示エリアを囲む枠状の表示エリア外遮光膜のシール材に重なる部分を樹脂膜により形成し、前記シール材よりも内側の部分を金属膜により形成することにより、前記表示エリア外遮光膜に対応する部分に光漏れを発生することが無く、しかも、前記表示エリア外遮光膜に対応する部分の外観品質を高くしたものである。
【００１２】
この発明の液晶素子においては、前記表示エリア内遮光膜及び表示エリア外遮光膜が設けられた一方の基板の内面に液晶層厚調整膜を、その外周縁部を前記表示エリア外遮光膜の金属膜部分に重ねて形成するのが望ましい。
【００１３】
その場合、前記液晶層厚調整膜は、複数の画素のそれぞれ隣接する画素間の領域を除いて形成するのが好ましい。
【００１４】
さらに、前記液晶層厚調整膜は、前記複数の画素間の領域を除いて形成するのが好ましく、また、前記複数の画素は１００μ以下のピッチで形成するのが好ましい。
【００１５】
【発明の実施の形態】
図１〜図５はこの発明の一実施例を示しており、図１は液晶素子の一端部の断面図、図２及び図３は前記液晶素子の表示エリア内のＴＦＴ部及びデータ配線部の断面図である。
【００１６】
この実施例の液晶素子は、フィールドシーケンシャル液晶表示装置に用いるものであり、図１〜図３に示したように、枠状のシール材１を介して接合された前後一対の透明基板２，３間の前記シール材１により囲まれた領域に液晶層４が設けられ、前記一対の基板２，３の互いに対向する内面の一方に少なくとも１つの透明電極５が、他方の内面に前記少なくとも１つの電極５と対向する領域によりマトリックス状に配列する複数の画素を形成する複数の透明電極６が設けられるとともに、表示面側である前側（図において上側）の基板２の内面に、前記複数の画素にそれぞれ対応する複数の開口を有し、前記複数の画素がマトリックス状に配列する表示エリアＡに形成された表示エリア内遮光膜１６と、前記表示エリアＡを囲んで形成された枠状の表示エリア外遮光膜１７とが設けられた構成となっている。
【００１７】
なお、この液晶素子はアクティブマトリックス型のものであり、前側基板２の内面に設けられた電極５は一枚膜状の対向電極、後側基板３の内面に設けられた電極６は、行方向及び列方向にマトリックス状に配列形成された複数の画素電極である。
【００１８】
前記複数の画素電極６は、これらの画素電極６にそれぞれ対応させて後側基板３の内面に設けられた複数のＴＦＴ（薄膜トランジスタ）７にそれぞれ接続されている。
【００１９】
前記ＴＦＴ７は、後側基板３の基板面に形成されたゲート電極８と、前記ゲート電極８を覆って後側基板３の内面全体に形成されたゲート絶縁膜９と、このゲート絶縁膜９の上に前記ゲート電極８と対向させて形成されたｉ型半導体膜１０と、このｉ型半導体膜１０の両側部の上に図示しないｎ型半導体膜を介して形成されたソース電極１１及びドレイン電極１２とからなっている。
【００２０】
また、前記後側基板３の内面には、各画素電極行の一側にそれぞれ形成された複数のゲート配線１３と、各画素電極列の一側にそれぞれ形成された複数のデータ配線１４とが設けられている。
【００２１】
なお、前記後側基板３は、その一端縁と一側縁とにそれぞれ前側基板２の外側に張出す張出し部を有しており、前記複数のゲート配線１３は前記一端縁の張出し部に導出され、前記複数のデータ配線１４は前記一側縁の張出し部に導出されている。
【００２２】
前記ゲート配線１３は、後側基板３の基板面に前記ＴＦＴ７のゲート電極８と一体に形成されており、前記データ配線１４は、前記ゲート絶縁膜９の上に形成され、前記ＴＦＴ７のドレイン電極１２に接続されている。
【００２３】
そして、前記複数の画素電極６は、前記ゲート絶縁膜９の上に形成されており、その１つのコーナー部において前記ＴＦＴ７のソース電極１１に接続されている。
【００２４】
さらに、前記後側基板３の内面には、前記複数のＴＦＴ７とゲート配線１３及びデータ配線１４を覆って、前記複数の画素電極６にそれぞれ対応する複数の開口を有する透明なオーバーコート絶縁膜１５が形成されている。
【００２５】
なお、前記ゲート絶縁膜９とオーバーコート絶縁膜１５は、前記後側基板３の一端縁と一側縁の張出し部にも形成されており、前記一端縁の張出し部に導出された複数のゲート配線１３の端子部は、前記ゲート絶縁膜９とオーバーコート絶縁膜１５とに開口を設けることにより露出され、前記一側縁の張出し部に導出された複数のデータ配線１４の端子部は、前記オーバーコート絶縁膜１５に開口を設けることにより露出されている。
【００２６】
一方、前記前側基板２の内面には、前記複数の画素にそれぞれ対応する複数の開口を有し、前記複数の画素がマトリックス状に配列する表示エリアＡに形成された表示エリア内遮光膜１６と、前記表示エリアを囲んで形成された枠状の表示エリア外遮光膜１７とが設けられている。
【００２７】
前記表示エリア内遮光膜１６は、黒色顔料が添加された樹脂膜により、前記後側基板３の複数のＴＦＴ７とゲート配線１３及びデータ配線１４の形成部を覆い隠す形状に形成されている。
【００２８】
また、前記表示エリア外遮光膜１７は、前記表示エリアＡと前側基板２の外周縁との間の領域にその全域にわたって設けられており、この表示エリア外遮光膜１７のシール材１に重なる部分は、黒色顔料を添加した樹脂膜１７ａにより形成され、前記シール材１よりも内側の部分は遮光性の高い金属膜１７ｂにより形成されている。
【００２９】
なお、図では前記金属膜１７ｂを一枚膜として示しているが、この金属膜１７ｂは、前側基板２の基板面に形成された酸化クロム膜と、この酸化クロム膜の上に積層されたクロム膜との積層膜からなっている。
【００３０】
前記表示エリア内遮光膜１６と表示エリア外遮光膜１７は、まず前側基板２の基板面に前記酸化クロム膜とクロム膜との積層膜をスパッタ装置により成膜し、その膜を前記表示エリア外遮光膜１７の金属膜１７ｂの形状にパターニングした後、前記前側基板２の基板面に前記黒色顔料を添加した感光性樹脂をスピンコート装置により塗布し、その塗布膜を前記表示エリア内遮光膜１６及び表示エリア外遮光膜１７の樹脂膜１７ａの形状にパターニングする方法で形成されたものであり、前記表示エリア外遮光膜１７の金属膜１７ｂは、充分な遮光性が得られる約０．１５μｍの膜厚に形成され、前記表示エリア内遮光膜１６と表示エリア外遮光膜１７の樹脂膜１７ａは、必要最低限の遮光性が得られる約１μｍの膜厚に形成されている。
【００３１】
また、前記表示エリア外遮光膜１７の金属膜１７ｂは、その内周縁が前記表示エリアＡから予め定められた余白部Ｂの幅だけ外側に位置し、外周縁が前記シール材１によるシール部の内周縁よりも予め定められた幅だけ内側に位置する形状に形成されており、この前記表示エリア外遮光膜１７の樹脂膜１７ａは、前記シール部の幅よりも十分に広く、且つ内周縁が前記金属膜１７ｂの外周縁に極く僅かな重なり幅で重なる形状に形成されている。
【００３２】
さらに、前記前側基板２の内面の前記シール部よりも内側の領域には、非着色の透明樹脂からなる液晶層厚調整膜１８が、その外周縁部を前記表示エリア外遮光膜１７の金属膜１７ｂ部分に重ねて形成されている。
【００３３】
この液晶層厚調整膜１８は、前記表示エリア内遮光膜１６と表示エリア外遮光膜１７とが形成された前側基板２の内面上に非着色の感光性樹脂をスピンコート装置により塗布し、その塗布膜をパターニングすることにより形成されたものであり、この液晶層厚調整膜１８の表示エリアＡ内に対応する部分は、前記複数の画素のそれぞれ隣接する画素間の領域、つまり、前記複数のＴＦＴ７とゲート配線１３及びデータ配線１４に対応する部分を除いて形成されている。
【００３４】
なお、前記複数のＴＦＴ７とゲート配線１３及びデータ配線１４のうち、第１行または最終行のＴＦＴ７とゲート配線１３及び第１列または最終列のＴＦＴ７とデータ配線１４は複数の画素のマトリックス状配列部の外側にあるため、この実施例では、前記液晶層厚調整膜１８を、前記マトリックス状配列部の外側のＴＦＴ７とゲート配線１３及びデータ配線１４に対応する部分も除いて形成している（図１参照）。
【００３５】
そして、前記対向電極５は、前記液晶層厚調整膜１８及びこの液晶層厚調整膜１８が無い部分に露出している前記表示エリア内遮光膜１６の上に形成されている。
【００３６】
さらに、図では省略しているが、前記前側基板２の内面には、後側基板３の内面の複数のＴＦＴ７またはゲート配線１３とデータ配線１４のいずれかに対応させて複数の柱状スペーサが複数の画素のピッチと同じピッチで設けられており、前後の基板２，３は、その間のギャップを前記複数の柱状スペーサにより規定され、前記シール材１を介して接合されている。
【００３７】
また、図では省略しているが、前記前側基板２の内面には前記対向電極５を覆って配向膜が設けられ、前記後側基板３の内面には前記オーバーコート絶縁膜１５及びその開口内に露出する複数の画素電極６を覆って配向膜が設けられており、前記液晶層４の液晶分子は、前記配向膜によりそれぞれの基板２，３の近傍における配向方向を規定され、予め定められた初期配向状態（例えばツイスト配向または非ツイストのホモジニアス配向等）に配向している。
【００３８】
この液晶素子は、前記表示エリア外遮光膜１７のシール材１に重なる部分を樹脂膜１７ａにより形成しているため、外部から前記シール材１内に浸透してくる湿気等の影響により前記表示エリア外遮光膜１７が腐食してその部分に光漏れを発生することは無い。
【００３９】
すなわち、前記表示エリア外遮光膜１７のシール材１に重なる部分は外部から前記シール材１内に浸透してきた湿気等に触れるが、この表示エリア外遮光膜１７の前記シール材１に重なる部分は、湿気等の影響による腐食の心配が無い樹脂膜１７ａにより形成されているため、この樹脂膜１７ａが腐食することは無い。
【００４０】
また、前記表示エリア外遮光膜１７のシール材１よりも内側の部分は、湿気等により腐食する虞れのある金属膜１７ｂにより形成されているが、前記シール材１内に浸透してきた湿気等が前記金属膜１７ｂまで到達してこの金属膜１７ｂを腐食させることはほとんど無い。
【００４１】
さらに、この実施例では上述したように、前記表示エリア外遮光膜１７の金属膜１７ｂを、その外周縁が前記シール材１によるシール部の内周縁よりも内側に位置する形状に形成しているため、前記シール材１内に浸透してきた湿気等が前記金属膜１７ｂまで到達するのをより確実に防ぐことができ、したがって、外部からの湿気等の影響により前記表示エリア外遮光膜１７が腐食してその部分に光漏れを発生するのをさらに効果的に防ぐことができる。
【００４２】
また、この液晶素子は、前記表示エリア外遮光膜１７の前記シール材１よりも内側の部分を金属膜１７ｂにより形成しているため、この部分の遮光性が高く、したがって、前記表示エリア外遮光膜１７に対応する部分の外観品質を高くすることができる。
【００４３】
なお、前記表示エリア外遮光膜１７のシール材１に重なる部分の樹脂膜１７ａは、前記金属膜１７ｂに比べて遮光性が低いが、前記シール材１によるシール部内の遮光性は外観上ほとんど問題にならない。
【００４４】
このように、この液晶素子は、表示エリアＡを囲む枠状の表示エリア外遮光膜１７のシール材１に重なる部分を樹脂膜１７ａにより形成し、前記シール材１よりも内側の部分を金属膜１７ｂにより形成しているため、前記表示エリア外遮光膜１７に対応する部分に光漏れを発生することが無く、しかも、前記表示エリア外遮光膜１７に対応する部分の外観品質を高くすることができる。
【００４５】
しかも、この液晶素子では、前記表示エリア内遮光膜１６及び表示エリア外遮光膜１７が設けられた前側基板２の内面に液晶層厚調整膜１８を設け、さらに、この液晶層厚調整膜１８を、その外周縁部を前記表示エリア外遮光膜１７の金属膜１７ｂ部分に重ねて形成しているため、表示エリアＡと前記表示エリア外遮光膜１７との間の余白部Ｂの液晶層厚を前記表示エリアＡ内の複数の画素の液晶層厚と略等しくすることができる。
【００４６】
すなわち、前記液晶層厚調整膜１８は、表示エリア内遮光膜１６と表示エリア外遮光膜１７とが形成された前側基板２の内面上に非着色の感光性樹脂をスピンコート装置により塗布し、その塗布膜をパターニングすることにより形成されるが、前記前側基板２の内面上に塗布される樹脂膜の膜面は平坦では無く、前記表示エリア内遮光膜１６及び表示エリア外遮光膜１７の上の部分が高く盛り上がった凹凸面になる。
【００４７】
図４は前記前側基板２の内面上に前記液晶層厚調整膜１８を塗布した状態を示しており、この液晶層厚調整膜１８の膜面は、後側基板３の複数のＴＦＴ７とゲート配線１３及びデータ配線１４の形成部を覆い隠す形状に形成された幅狭の表示エリア内遮光膜１６上の部分の盛り上がり高さよりも、表示エリア外遮光膜１７の幅広な樹脂膜１７ａ上の部分の盛り上がり高さが大きく、しかも、前記幅広な樹脂膜１７ａの中央付近がさらに高く盛り上がった凹凸面となっている。
【００４８】
しかし、この実施例では、前記凹凸面をもった液晶層厚調整膜１８を、その外周縁部が前記表示エリア外遮光膜１７の金属膜１７ｂ部分に重なる外形にパターニングしているため、パターニングされた液晶層厚調整膜１８の外周縁部の膜面高さは、図５に示したように、複数の画素に対応する部分の膜面高さと同程度になる。
【００４９】
なお、図４及び図５に示したように、前記液晶層厚調整膜１８の表示エリア外遮光膜１７の金属膜１７ｂ上に形成された部分の膜面は、その外周縁に向かって緩やかに高くなるように傾いているが、その傾きは極く緩やかであるため、図１では便宜上、液晶層厚調整膜１８の前記金属膜１７ｂ上の部分の膜面を平坦面のように示している。
【００５０】
したがって、この液晶素子によれば、表示エリアＡと表示エリア外遮光膜１７との間の余白部Ｂの液晶層厚を前記表示エリアＡ内の複数の画素の液晶層厚と略等しくし、前記余白部Ｂの明るさにムラの無い良好な表示品質の液晶表示装置を得ることができる。
【００５１】
さらに、この液晶素子では、前記液晶層厚調整膜１８を、複数のＴＦＴ７とゲート配線１３及びデータ配線１４に対応する部分を除いて形成しているため、画素の液晶層厚を小さくし、液晶の応答速度を速くすることができる。
【００５２】
すなわち、例えば前記液晶層厚調整膜１８を複数のＴＦＴ７とゲート配線１３及びデータ配線１４に対応する部分（表示エリア内遮光膜１６上の部分）にも形成した場合は、画素の液晶層厚が、前記ＴＦＴ７の高さと、前記液晶層厚調整膜１８の画素部分と表示エリア内遮光膜１６上の部分との膜厚差とにより制限され、例えば、前記ＴＦＴ７の画素電極６よりも突出する部分の高さが１μｍであり、前記液晶層厚調整膜１８の画素部分と表示エリア内遮光膜１６上の部分との膜厚差が前記表示エリア内遮光膜１６の膜厚と略同じ１μｍであるとすると、画素の液晶層厚は、前記ＴＦＴ７を表示エリア内遮光膜１６に当接させたときの画素電極６と対向電極５との間のギャップである２μｍ以下には小さくすることができない。
【００５３】
それに対し、この実施例の液晶素子は、前記液晶層厚調整膜１８を複数のＴＦＴ７とゲート配線１３及びデータ配線１４に対応する部分、つまり前記表示エリア内遮光膜１６上の部分を除いて形成しているため、前記画素の液晶層厚を２μｍ以下に小さくすることができる。
【００５４】
このように、この液晶素子は、画素の液晶層厚を小さくして応答速度を速くすることができるため、フィールドシーケンシャル液晶表示装置に好適である。
【００５５】
また、この液晶素子は、前記液晶層厚調整膜１８を表示エリア内遮光膜１６上の部分を除いて形成しているため、液晶素子の製造における前後の基板２，３間への液晶の充填を効率良く行なうことができる。
【００５６】
すなわち、前記基板２，３間のシール材１により囲まれた領域への液晶の充填は、予め前記シール材１の一辺を部分的に欠落させて形成しておいた液晶注入口（図示せず）から真空注入法により前記基板２，３間に液晶を注入することにより行なうが、その場合、前記液晶層厚調整膜１８が表示エリア内遮光膜１６上の部分にも形成されていると、前記液晶注入口から流入した液晶の流れが前記液晶層厚調整膜１８の表示エリア内遮光膜１６上の盛り上がり部により妨げられる。
【００５７】
それに対し、この実施例の液晶素子では、表示エリア内遮光膜１６上の部分に液晶層厚調整膜１８が無いため、液晶注入口から流入した液晶が、前記表示エリア内遮光膜１６上の液晶層厚調整膜１８が無い部分を導かれながら流れ広がり、基板２，３間のシール材１により囲まれた領域全体に効率良く充填される。
【００５８】
なお、前記液晶層厚調整膜１８は、図１〜図３に示したように、表示エリア内遮光膜１６の膜厚よりも厚く形成するのが好ましく、このようにすることにより、前記ＴＦＴ７と表示エリア内遮光膜１６との間のギャップよりも画素電極６と対向電極５との間のギャップを小さくし、画素の液晶層厚をより小さくするとともに、基板２，３間への液晶の充填をさらに効率良く行なうことができる。
【００５９】
なお、図１〜図３では便宜上、液晶層厚調整膜１８の膜面をその全体にわたって平坦面のように示しているが、上述したように前側基板２の内面上に塗布した樹脂膜をパターニングして形成された液晶層厚調整膜１８は、図５に示したように、その表示エリア内遮光膜１６の開口縁に重なった縁部が盛り上がった形状をなしている。
【００６０】
この液晶層厚調整膜１８の表示エリア内遮光膜１６の開口縁に重なった縁部の盛り上がりは、前記表示エリア内遮光膜１６上への重なり幅によって異なり、その重なり幅を小さくするほど盛り上がり高さが小さくなる。
【００６１】
したがって、前記液晶層厚調整膜１８は、前記表示エリア内遮光膜１６上への重なり幅ができるだけ小さくなるようにパターニングするのが望ましく、このようにすることにより、前記画素の液晶層厚を充分に小さくするとともに、基板２，３間への液晶の充填を効率良く行なうことができる。
【００６２】
また、図４のように前側基板２上に塗布された液晶層厚調整膜１８の表示エリア内遮光膜１６上の部分の盛り上がり高さは、前記表示エリア内遮光膜１６のピッチが小さいほど低く、また前記表示エリア内遮光膜１６のピッチが小さいほど、隣り合う表示エリア内遮光膜１６の間の液晶層厚調整膜１８の膜面の平坦度も高くなる。
【００６３】
図６は前記前側基板２の内面上に３．１μｍの厚さに液晶層厚調整膜１８を塗布したときの前記表示エリア内遮光膜１６のピッチと液晶層厚調整膜１８の膜面形状との関係を示している。
【００６４】
図６（ａ）は、膜厚が１μｍ、幅が２０μｍの表示エリア内遮光膜１６を２７１μｍの間隔（開口幅）で形成したときの液晶層厚調整膜１８の膜面形状を示しており、この液晶層厚調整膜１８の表示エリア内遮光膜１６上の盛り上がり高さは０．３２μｍ、隣り合う表示エリア内遮光膜１６の間の膜面は、高低差が０．０９μｍの傾斜面である。
【００６５】
図６（ｂ）は、膜厚が１μｍ、幅が１８μｍの表示エリア内遮光膜１６を７９μｍの間隔（開口幅）で形成したときの液晶層厚調整膜１８の膜面形状を示しており、この液晶層厚調整膜１８の表示エリア内遮光膜１６上の盛り上がり高さは０．２３μｍ、隣り合う表示エリア内遮光膜１６の間の膜面は、高低差が０．０１μｍの実質的に平坦な面である。
【００６６】
したがって、前記液晶層厚調整膜１８の表示エリア内遮光膜１６の開口縁に重なった縁部の盛り上がりできるだけ小さくし、しかも隣り合う表示エリア内遮光膜１６の間の膜面をできるだけ平坦にするには、前記表示エリア内遮光膜１６のピッチ、つまり複数の画素のピッチを１００μｍ以下にするのが好ましく、このようにすることにより、画素の液晶層厚を充分に小さくするとともに、前記画素の液晶層厚を画素内全域にわたって略均一にすることができる。
【００６７】
なお、この液晶素子は、上述したようにフィールドシーケンシャル液晶表示装置に好適であるが、白黒画像を表示する液晶表示装置にも用いることができる。
【００６８】
また、上記実施例では、前記表示エリア内遮光膜１６を樹脂膜により形成しているが、表示エリア内遮光膜は、前記表示エリア外遮光膜１７のシール材よりも内側の部分と同じ金属膜により形成してもよく、その場合は、前記液晶層厚調整膜１８を、金属膜からなる表示エリア内遮光膜を覆って形成してもよい。
【００６９】
さらに、上記実施例の液晶素子は、ＴＦＴ７をアクティブ素子とするアクティブマトリックス型のものであるが、この発明は、ＭＩＭをアクティブ素子とするアクティブマトリックス型や、単純マトリックス型の液晶素子にも適用することができる。
【００７０】
【発明の効果】
この発明の液晶素子は、表示エリアを囲む枠状の表示エリア外遮光膜のシール材に重なる部分を樹脂膜により形成し、前記シール材よりも内側の部分を金属膜により形成したものであるため、前記表示エリア外遮光膜に対応する部分に光漏れを発生することが無く、しかも、前記表示エリア外遮光膜に対応する部分の外観品質を高くすることができる。
【００７１】
この発明の液晶素子においては、表示エリア内遮光膜及び表示エリア外遮光膜が設けられた一方の基板の内面に液晶層厚調整膜を、その外周縁部を前記表示エリア外遮光膜の金属膜部分に重ねて形成するのが望ましく、このようにすることにより、前記表示エリアと前記表示エリア外遮光膜との間の余白部の液晶層厚を前記表示エリア内の複数の画素の液晶層厚と略等しくし、前記余白部の明るさにムラの無い良好な表示品質の液晶表示装置を得ることができる。
【００７２】
その場合、前記液晶層厚調整膜は、複数の画素間の領域を除いて形成するのが好ましく、このようにすることにより、画素の液晶層厚を小さくし、応答速度を速くするとともに、基板間への液晶の充填を効率良く行なうことができる。
【００７３】
さらに、前記液晶層厚調整膜は、複数の画素間の領域を除いて形成するのが好ましく、このようにすることにより、画素の液晶層厚を充分に小さくするとともに、前記画素の液晶層厚を画素内全域にわたって略均一にすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の一実施例を示す液晶素子の一端部の断面図。
【図２】前記液晶素子の表示エリア内のＴＦＴ部の断面図。
【図３】前記液晶素子の表示エリア内のデータ配線部の断面図。
【図４】前記液晶素子の前側基板の内面上に液晶層厚調整膜を塗布した状態の断面図。
【図５】前側基板の内面上に塗布された液晶層厚調整膜をパターニングした状態の断面図。
【図６】表示エリア内遮光膜のピッチと前側基板の内面上に塗布された液晶層厚調整膜の膜面形状との関係を示す図。
【符号の説明】
１…シール材、２，３…基板、４…液晶層、５…対向電極、６…画素電極、７…ＴＦＴ、１３…ゲート配線、１４…データ配線、１６…表示エリア内遮光膜、１７…表示エリア外遮光膜、１７ａ…樹脂膜、１７ｂ…金属膜、１８…液晶層厚調整膜、Ａ…表示エリア、Ｂ…余白部。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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