(57)【要約】      （修正有）【課題】同一の光学的性質を有する集積回路の層において、周期的な構造を発見すること。【解決手段】本方法は、集積回路デザインのセル層の物理表現を入力として受け取り７０４、物理表現からセル層の選択された部分の基準座標系を発見し６、基準座標の最も近くに位置する初期要素を選択し７０８、初期要素と物理表現における最小数の要素とを含む基本構造を構築する７１０各ステップから構成される。ただし、基本構造はＸオフセットとＹオフセットとにおいて複製され選択された部分全体を充填することが可能であり、基本構造のそれぞれの複製におけるそれぞれの要素に対し、物理表現において同一の座標に同一の要素が存在する。【選択図】図７．Ａ
2004170902.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
集積回路デザインのセル層において光学的周期構造を発見する方法であって、
集積回路デザインのセル層の物理表現を入力として受け取るステップと、
セル層の前記物理表現から前記セル層の選択された部分の基準座標を発見するステップと、
前記基準座標の最も近くに位置する初期要素を選択するステップと、
前記初期要素と前記セル層の前記物理表現における最小数の要素とを含む基本構造を構築するステップと、
を含んでおり、前記基本構造はＸオフセットとＹオフセットとにおいて複製され前記選択された部分の全体を充填することが可能であり、前記基本構造のそれぞれの複製におけるそれぞれの要素に対し、前記セル層の前記物理表現において同一の座標には同一の要素が存在することを特徴とする方法。
【請求項２】
請求項１記載の方法において、前記光学的周期構造を定義する基本構造を出力として発生するステップを更に含むことを特徴とする方法。
【請求項３】
請求項１記載の方法において、前記初期要素は境界だけを含むことを特徴とする方法。
【請求項４】
請求項３記載の方法において、前記境界は、点、線、矩形及び多角形の中の１つを定義することを特徴とする方法。
【請求項５】
請求項１記載の方法において、セル層の物理表現はＧＤＳファイルであることを特徴とする方法。
【請求項６】
請求項１記載の方法において、前記セル層の前記選択された部分は、内部部分、左境界構造、右境界構造、頂部境界構造及び底部境界構造の中の１つであることを特徴とする方法。
【請求項７】
請求項１記載の方法において、前記基準座標は中心座標であることを特徴とする方法。
【請求項８】
集積回路デザインのセル層において光学的周期構造を発見する方法であって、
（ａ）集積回路デザインのセル層に対する物理表現を入力として受け取るステップと、
（ｂ）前記セル層の選択された部分の基準座標を前記セル層の物理表現から発見するステップと、
（ｃ）前記基準座標に最も近い初期要素を選択するステップと、
（ｄ）前記セル層の物理表現における初期要素のそれぞれの例の座標を要素リストの中へコピーするステップと、
（ｅ）前記初期要素のコピーを基本構造の中へ挿入するステップと、
（ｆ）前記初期要素の座標と前記要素リストの中で前記初期要素の左側（又は右側）へ最も近い要素の座標との差をＸオフセットとして計算するステップと、
（ｇ）前記基本構造における前記初期要素の座標に前記Ｘオフセットを加算する又は前記座標から前記Ｘオフセットを減算して前記基本構造をＸ軸上のそれぞれの方向に沿って複製することによって、前記基本構造を複製するステップと、
（ｈ）前記基本構造の前記複製におけるそれぞれの要素に対して前記セル層の物理表現において同じ座標に同じ要素が存在する場合には制御を（ｌ）に移動させ、それ以外の場合には制御を（ｉ）に移動させるステップと、
（ｉ）前記基本構造の現在の複製における前記初期要素と前記セル層の物理表現における前記初期要素とのＸ座標の差に等しい幅を有し、前記基本構造の現在の複製における前記初期要素と前記セル層の物理表現における前記初期要素とのＹ座標の差に等しい高さを有するウィンドウの寸法を計算するステップと、
（ｊ）前記セル層の物理表現の中にあり前記ウィンドウの内部に包囲される要素を前記基本構造の中にコピーするステップと、
（ｋ）前記ウィンドウの幅と高さとにそれぞれ等しいＸ及びＹオフセットを設定し、制御を（ｇ）に移動させるステップと、
（ｌ）前記セル層の前記選択された部分がＸ軸に沿って前記基本構造の複製で充填されている場合には制御を（ｍ）に移動させ、それ以外の場合には制御を（ｇ）に移動させるステップと、
（ｍ）前記初期要素の座標と前記要素リストの中で前記初期要素の下側（又は上側）へ最も近い要素の座標との差をＹオフセットとして計算するステップと、
（ｎ）前記基本構造における前記初期要素の座標に前記Ｙオフセットを加算する又は前記座標から前記Ｙオフセットを減算して前記基本構造をＹ軸上のそれぞれの方向に沿って複製することによって、前記基本構造を複製するステップと、
（ｏ）前記基本構造の前記複製におけるそれぞれの要素に対して前記セル層の物理表現において同じ座標に同じ要素が存在する場合には制御を（ｓ）に移動させ、それ以外の場合には制御を（ｐ）に移動させるステップと、
（ｐ）前記基本構造の現在の複製における前記初期要素と前記セル層の物理表現における前記初期要素とのＸ座標の差に等しい幅を有し、前記基本構造の現在の複製における前記初期要素と前記セル層の物理表現における前記初期要素とのＹ座標の差に等しい高さを有するウィンドウの寸法を計算するステップと、
（ｑ）前記セル層の物理表現の中にあり前記ウィンドウの内部に包囲される要素を前記基本構造の中にコピーするステップと、
（ｒ）前記ウィンドウの幅と高さとにそれぞれ等しいＹ及びＹオフセットを設定し、制御を（ｎ）に移動させるステップと、
（ｓ）前記セル層の前記選択された部分がＹ軸に沿って前記基本構造の複製で充填されている場合には制御を（ｔ）に移動させ、それ以外の場合には制御を（ｎ）に移動させるステップと、
（ｔ）前記セル層の前記選択された部分において前記光学的周期構造を定義する基本構造を出力として発生するステップと、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項９】
請求項８記載の方法において、前記セル層の前記選択された部分は、内部部分、左境界構造、右境界構造、頂部境界構造及び底部境界構造の中の１つであることを特徴とする方法。
【請求項１０】
請求項８記載の方法において、前記初期要素は境界だけを含むことを特徴とする方法。
【請求項１１】
請求項１０記載の方法において、前記境界は、点、線、矩形及び多角形の中の１つを定義することを特徴とする方法。
【請求項１２】
請求項１１記載の方法において、セル層の物理表現はＧＤＳファイルであることを特徴とする方法。
【請求項１３】
請求項８記載の方法において、前記基準座標は中心座標であることを特徴とする方法。
【請求項１４】
集積回路デザインのセル層において光学的周期構造を発見するコンピュータ・プログラム・プロダクトであって、
コンピュータに入力するためのコンピュータ・プログラムを包含する媒体と、
前記媒体に包含されており前記コンピュータに、
（ａ）集積回路デザインのセル層に対する物理表現を入力として受け取るステップと、
（ｂ）前記セル層の選択された部分の基準座標を前記セル層の物理表現から発見するステップと、
（ｃ）前記基準座標に最も近い初期要素を選択するステップと、
（ｄ）前記セル層の物理表現における初期要素のそれぞれの例の座標を要素リストの中へコピーするステップと、
（ｅ）前記初期要素のコピーを基本構造の中へ挿入するステップと、
（ｆ）前記初期要素の座標と前記要素リストの中で前記初期要素の左側（又は右側）へ最も近い要素の座標との差をＸオフセットとして計算するステップと、
（ｇ）前記基本構造における前記初期要素の座標に前記Ｘオフセットを加算する又は前記座標から前記Ｘオフセットを減算して前記基本構造をＸ軸上のそれぞれの方向に沿って複製することによって、前記基本構造を複製するステップと、
（ｈ）前記基本構造の前記複製におけるそれぞれの要素に対して前記セル層の物理表現において同じ座標に同じ要素が存在する場合には制御を（ｌ）に移動させ、それ以外の場合には制御を（ｉ）に移動させるステップと、
（ｉ）前記基本構造の現在の複製における前記初期要素と前記セル層の物理表現における前記初期要素とのＸ座標の差に等しい幅を有し、前記基本構造の現在の複製における前記初期要素と前記セル層の物理表現における前記初期要素とのＹ座標の差に等しい高さを有するウィンドウの寸法を計算するステップと、
（ｊ）前記セル層の物理表現の中にあり前記ウィンドウの内部に包囲される要素を前記基本構造の中にコピーするステップと、
（ｋ）前記ウィンドウの幅と高さとにそれぞれ等しいＸ及びＹオフセットを設定し、制御を（ｇ）に移動させるステップと、
（ｌ）前記セル層の前記選択された部分がＸ軸に沿って前記基本構造の複製で充填されている場合には制御を（ｍ）に移動させ、それ以外の場合には制御を（ｇ）に移動させるステップと、
（ｍ）前記初期要素の座標と前記要素リストの中で前記初期要素の下側（又は上側）へ最も近い要素の座標との差をＹオフセットとして計算するステップと、
（ｎ）前記基本構造における前記初期要素の座標に前記Ｙオフセットを加算する又は前記座標から前記Ｙオフセットを減算して前記基本構造をＹ軸上のそれぞれの方向に沿って複製することによって、前記基本構造を複製するステップと、
（ｏ）前記基本構造の前記複製におけるそれぞれの要素に対して前記セル層の物理表現において同じ座標に同じ要素が存在する場合には制御を（ｓ）に移動させ、それ以外の場合には制御を（ｐ）に移動させるステップと、
（ｐ）前記基本構造の現在の複製における前記初期要素と前記セル層の物理表現における前記初期要素とのＸ座標の差に等しい幅を有し、前記基本構造の現在の複製における前記初期要素と前記セル層の物理表現における前記初期要素とのＹ座標の差に等しい高さを有するウィンドウの寸法を計算するステップと、
（ｑ）前記セル層の物理表現の中にあり前記ウィンドウの内部に包囲される要素を前記基本構造の中にコピーするステップと、
（ｒ）前記ウィンドウの幅と高さとにそれぞれ等しいＹ及びＹオフセットを設定し、制御を（ｎ）に移動させるステップと、
（ｓ）前記セル層の前記選択された部分がＹ軸に沿って前記基本構造の複製で充填されている場合には制御を（ｔ）に移動させ、それ以外の場合には制御を（ｎ）に移動させるステップと、
（ｔ）前記セル層の前記選択された部分において前記光学的周期構造を定義する基本構造を出力として発生するステップと、
からなる機能を実行させるコンピュータ・プログラムと、
を含むことを特徴とするコンピュータ・プログラム・プロダクト。
【請求項１５】
請求項１４記載のコンピュータ・プログラム・プロダクトにおいて、前記セル層の前記選択された部分は、内部部分、左境界構造、右境界構造、頂部境界構造及び底部境界構造の中の１つであることを特徴とするコンピュータ・プログラム・プロダクト。
【請求項１６】
請求項１４記載のコンピュータ・プログラム・プロダクトにおいて、前記初期要素は境界だけを含むことを特徴とするコンピュータ・プログラム・プロダクト。
【請求項１７】
請求項１６記載のコンピュータ・プログラム・プロダクトにおいて、前記境界は、点、線、矩形及び多角形の中の１つを定義することを特徴とするコンピュータ・プログラム・プロダクト。
【請求項１８】
請求項１４記載のコンピュータ・プログラム・プロダクトにおいて、セル層の物理表現はＧＤＳファイルであることを特徴とするコンピュータ・プログラム・プロダクト。
【請求項１９】
請求項１４記載のコンピュータ・プログラム・プロダクトにおいて、前記基準座標は中心座標であることを特徴とするコンピュータ・プログラム・プロダクト。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、広くは、同一の光学的性質を有する集積回路の層において周期的な構造を発見することに関する。更に詳しくは、本発明は、これに制限されるのではないが、集積回路デザインのセル層において光学的に周期的な構造を発見することに関する。
【背景技術】
【０００２】
フォトリソグラフィは、半導体デバイスの製造で用いられる一般的な技術である。典型的には、半導体ウエハは、フォトレジストと称される光感知性材料の層を用いてコーティングされる。パターニングのなされたマスクであるレチクルを用いて、半導体ウエハは、典型的には光化学作用を有しておりレチクルを通過しフォトレジストの上に射影された放射である光に露出され、それによって、フォトレジストは光に露出された領域が化学的に変化する。フォトレジストの化学的に変化した領域は化学的エッチングによって取り除かれ、理想的にはレチクルのパターンと同じフォトレジストの線のパターンが半導体ウエハ上に残る。フォトレジスト・パターンは、半導体ウエハの上に半導体デバイスを作成するのに用いられる。
【０００３】
結果的に生じるフォトレジスト・パターンがレチクル・パターンに対応する程度は、半導体ウエハの上の半導体デバイスの製造を左右する。フォトレジスト・パターンに誤差やレチクル・パターンからの逸脱があると、その結果、半導体ウエハの上に形成される半導体デバイスの誤動作が生じうる。レチクル・パターンの形状や特徴の近接により、回折などの光学的近接効果が生じ、その結果として、フォトレジスト・パターンにおいて誤差や逸脱が生じうる。
【０００４】
レチクル・パターンを投影するのに用いられる光投影システムの画像平面上の位置の関数として光強度が変動することにより、光学像（aerial image）が定義される。光学像をシミュレートする方法は、例えば、米国特許第６，１７１，７３１号に記載されているように、近接効果補正（Optical Proximity Correction = OPC）技術において、結果的に得られるシミュレートされた光学像が選択された公差の範囲内に収まるまでレチクル・パターンを修正するのに用いられる。そして、修正されたレチクル・パターンは、半導体デバイスを半導体ウエハの上に実際に製造するためのマスクを作成するのに用いられる。
【０００５】
セルのための標準的なＧＤＳファイル・フォーマットは、一般に、複数の層における機能構造を定義する階層的な構造を有している。例えば、メモリ・セルのためのＧＤＳファイルは、ポリ層におけるトランジスタ、一連の金属層におけるトランジスタの間の相互接続などのためのセル構造を定義する。運の悪いことに、ＧＤＳファイルにおいて画定される機能構造は、製造マスクを作成する際に用いられる近接効果補正技術に適していない。というのは、セルの光学的配置の階層の記述が必要であるからである。
【特許文献１】米国特許第６，１７１，７３１号
【発明の開示】
【０００６】
本発明によると、集積回路デザインのセル層において光学的に周期的な構造を発見する方法であって、集積回路デザインのセル層の物理表現を入力として受け取るステップと、セル層の前記物理表現から前記セル層の選択された部分の基準座標系を発見するステップと、前記基準座標の最も近くに位置する初期要素を選択するステップと、前記初期要素と前記セル層の前記物理表現における最小数の要素とを含む基本構造を構築するステップと、を含んでおり、前記基本構造はＸオフセットとＹオフセットとにおいて複製され前記選択された部分全体を充填することが可能であり、前記基本構造のそれぞれの複製におけるそれぞれの要素に対し、前記セル層の前記物理表現において同一の座標に同一の要素が存在する方法が提供される。
【０００７】
本発明は、例を用いて説明されるが、添付の図面によっては限定されない。図面においては、複数の図面において同じ参照番号が用いられている場合には、それらの番号は複数の図面にわたる類似の構造を示している。
【０００８】
図面における要素は、単純かつ明瞭に図解されており、必ずしも寸法通りには描かれていない。例えば、図面の中のいくつかの要素の寸法は、それ以外の要素との関係では誇張されている場合があるが、それは、本発明の実施例をよりよく理解するためである。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
本発明の１つの側面では、セルに対するＧＤＳファイルの機能的階層が、近接効果補正手順への入力とするために、光学的に同一の周期構造の幾何学的階層に変換される。ある実施例では、集積回路デザインのセル層において光学的周期構造を発見する方法は、集積回路デザインのセル層の物理表現を入力として受け取るステップと、セル層の前記物理表現から前記セル層の選択された部分の基準座標を発見するステップと、前記基準座標の最も近くに位置する初期要素を選択するステップと、前記初期要素と前記セル層の前記物理表現における最小数の要素とを含む基本構造を構築するステップと、を含んでおり、前記基本構造はＸオフセットとＹオフセットとにおいて複製され前記選択された部分の全体を充填することが可能であり、前記基本構造のそれぞれの複製におけるそれぞれの要素に対し、前記セル層の前記物理表現において同一の座標には同一の要素が存在する。
【００１０】
図１は、本発明の実施例によるセル層の様々な選択された部分の位置を図解している。図１には、内部部分１０２と、左境界構造１０４と、左上コーナー構造１０６と、頂部境界構造１０８と、右上コーナー構造１１０と、右境界構造１１２と、右下コーナー構造１１４と、底部境界構造１１６と、左下コーナー構造１１８とが示されている。
【００１１】
内部部分１０２は、一般に、セル層の物理表現における最大数の光学的周期構造を含む。
図２は、従来技術のＧＤＳファイルからのメモリ・セルのセル層２００の表現の例を図解している。
【００１２】
セル層２００は、境界と開空間とによって定義される複数の要素を含む。
図３は、図２のセル層２００における周期的要素の幾何学的階層を図解している。図３には、セル３０２、３０４、３０６及び３０８が示されている。
【００１３】
階層の第１のレベルでは、セル３０２が周期的である、すなわち、セル層２００において反復されている。しかし、これらのセル３０２は、セル３０２とは同一ではない介入しているセル３０４及び３０６によって分離されている。
【００１４】
階層の第２のレベルでは、セル３０２、３０４及び３０６を含むセル３０８は同一である。しかし、階層の第２のレベルも、依然として、図２のセル層に示されている開空間を有していない。
【００１５】
図４は、図２のセル層２００に対する本発明の実施例による基本構造の構築を図解している。図４に示されているのは、中心座標（ｘ０，ｙ０）と、初期要素４０２と、次の要素４０４と、開空間４０８を含む基本構造４０６と、基本構造の複製４１０とである。
【００１６】
セル層２００の選択された部分の基本構造４０６は、好ましくはＧＤＳファイルであるセルの物理表現からセル層の基準座標となる例えば中心座標（ｘ０，ｙ０）を見つけることによって構築される。ただし、本発明の様々な実施例によれば、セル層のこれ以外の記述を用いて基本構造４０６を構築することもできる。基本構造４０６は、当初は、中心座標（ｘ０，ｙ０）に最も近くにあり境界だけを含む初期要素にのみ等しくなるように設定される。その理由は、境界だけがセル層２００の光学的性質を決定するからである。基本構造を構築するのに用いられる境界だけを含む要素の例としては、点、線、矩形及び多角形がある。
【００１７】
初期要素４０２は、ＧＤＳファイルを探索し、中心座標（ｘ０，ｙ０）に最も近くにあり境界だけを含む要素を選択することによって発見される。初期要素と初期要素と同一なＧＤＳファイルの中のそれぞれの要素との座標が、要素リストの中に入れられる。初期要素の座標と要素リストの中にあり初期要素の例えば左側へ最も近い要素の座標との差が、Ｘオフセットとして計算される。初期要素４０２を含む基本構造４０６が、初期要素の座標にこのオフセットを反復的に加算する又は座標からこのオフセットを反復的に減算して基本構造をＸ軸上のそれぞれの方向に沿って複製することによって、複製される。基本構造４０６のそれぞれの複製は、次のように、セルの物理表現と比較される。基本構造４０６の複製の中のそれぞれの要素に対してセルの物理表現において同一の座標に同一の要素が存在する場合には、比較は成功である。比較が成功である場合には、基本構造４０６の次の複製がセルの物理表現と比較される。Ｘ軸に沿った両方向ですべての比較が成功である場合には、同じ手順が反復され、要素リストの中で初期要素の下方向において初期要素に最も近くにある要素へのＹオフセットが計算され、セル層２００の選択された部分すべてが基本構造４０６の複製で充填されるまで、Ｙ軸に沿って基本構造４０６が複製される。
【００１８】
比較が成功ではない場合には、基本構造の現在の複製における初期要素とセル層の物理表現における初期要素とのＸ座標の差に等しい幅を有し、基本構造の現在の複製における初期要素とセル層の物理表現における初期要素とのＹ座標の差に等しい高さを有するウィンドウの寸法が計算される。Ｙ座標の差がゼロである場合には、ウィンドウの高さは基本構造の高さに設定される。物理表現の中にありウィンドウの内部に包囲される要素は基本構造４０６に含まれ、Ｘ及びＹオフセットはそれぞれがウィンドウの幅と高さとに等しくなるように設定される。
【００１９】
すべての比較が成功である場合には、基本構造４０６は、セル層２００の選択された部分全体を表すのに用いられる最小の数の要素を含む。結果的に得られる基本構造４０６は、基本構造４０６からのそれぞれの方向（左、右、上、下）においてセル層の内部部分の中で光学的に周期的である。
【００２０】
図５は、本発明の実施例によるセル層２００の内部部分のファクシミリ５００における最終的な基本構造４０６の複製を図解している。残りの境界構造１０４、１０８、１１２及び１１６に対する基本構造は、例えば境界構造の中心である基準座標を見つけ、境界構造の基準座標に最も近い要素をＧＤＳファイルの中で見つけ、内部部分に関して上述したように境界構造に対する基本構造を構築することによって、同様にして構築される。境界構造では、基本構造の複製は、左及び右の境界構造に対して上下、又は、上下の境界構造に対して左右という２方向において周期的である。内部部分では、複製は、すべての４つの方向について周期的である。コーナー構造は無視されるのが一般的であるが、その理由は、周期的構造をいくつか含むとしてもごく少数であるのが典型であるからである。
【００２１】
図６は、本発明の実施例に従って構築された図２のセル層２００の境界に対する基本構造を図解している。図６には、左境界６０２、右境界６０４、右境界基本構造６０６、頂部境界６０８、頂部境界基本構造６１０、底部境界６１２及び底部境界基本構造６１４が示されている。
【００２２】
この例では、左境界基本構造６０２は空である。
これらの基本構造は、それぞれを複製して対応する境界構造の全体を構築することができる。従って、基本構造は、それぞれが、対応する境界構造の内部で光学的に周期的である。
【００２３】
図７は、本発明の実施例に従って集積回路デザインのセル層において光学的周期構造を自動的に識別する方法の流れ図７００を図解している。
ステップ７０２は、流れ図７００の開始点である。
【００２４】
ステップ７０４では、集積回路デザインのセル層に対するＧＤＳファイルが入力として受け取られる。ＧＤＳファイルが好ましいが、セル層の他の物理表現でありセル層において要素とその座標とを見いだすためのＧＤＳファイルから抽出されるのと同じ情報を含むものであれば、用いることができる。
【００２５】
ステップ７０６では、セル層の選択された部分の例えば中心座標などの基準座標が、ＧＤＳファイルから見つけられる。
ステップ７０８では、境界を含み基準座標に最も近い初期要素が選択され基本構造の中にコピーされる。
【００２６】
ステップ７１０では、ＧＤＳファイルにおける初期要素のそれぞれの例の座標が要素リストの中にコピーされる。
ステップ７１２では、初期要素の座標と要素リストの中で初期要素の左側へ最も近い要素の座標との差が、Ｘオフセットとして計算される。あるいは、初期要素の右側へ最も近い要素を用いてＸオフセットを計算することもできる。
【００２７】
ステップ７１４では、基本構造における初期要素のコピーの座標にＸオフセットを加算する又はその座標からＸオフセットを減算して基本構造をＸ軸上のそれぞれの方向に沿って複製することによって、基本構造が複製される。
【００２８】
ステップ７１６では、基本構造の複製におけるそれぞれの要素に対してセル層の物理表現において同じ座標に同じ要素が存在する場合には、制御がステップ７２２に移動される。それ以外の場合には、制御がステップ７１８に移動される。
【００２９】
ステップ７１８では、基本構造の現在の複製における初期要素とセル層の物理表現における初期要素とのＸ座標の差に等しい幅を有し、基本構造の現在の複製における初期要素とセル層の物理表現における初期要素とのＹ座標の差に等しい高さを有するウィンドウのＸ方向及びＹ方向の寸法が計算される。
【００３０】
ステップ７２０では、セル層の物理表現の中にありウィンドウの内部に包囲される要素が基本構造の中にコピーされ、ウィンドウの幅と高さとにそれぞれ等しいＸ及びＹオフセットが設定される。そして、制御は、ステップ７１４に戻される。
【００３１】
ステップ７２２では、セル層の選択された部分がＸ軸に沿って基本構造の複製によって被覆されている場合には、制御はステップ７２４に移動される。それ以外の場合には、制御はステップ７１４に戻される。
【００３２】
ステップ７２４では、セル層の物理表現における初期要素のＹ座標と要素リストの中で初期要素の下側へ最も近い要素のＹ座標との差が、Ｙオフセットとして計算される。あるいは、初期要素の上側へ最も近い要素を用いてＹオフセットを計算することもできる。
【００３３】
ステップ７２６では、初期要素のＹ座標にＹオフセットを加算する又はそのＹ座標からＹオフセットを減算して基本構造をＹ軸上のそれぞれの方向に沿って複製することによって、基本構造が複製される。
【００３４】
ステップ７２８では、基本構造の複製におけるそれぞれの要素に対してセル層の物理表現において同じ座標に同じ要素が存在する場合には、制御がステップ７３４に移動される。それ以外の場合には、制御がステップ７３０に移動される。
【００３５】
ステップ７３０では、基本構造の現在の複製における初期要素とセル層の物理表現における初期要素とのＸ座標の差に等しい幅を有し、基本構造の現在の複製における初期要素とセル層の物理表現における初期要素とのＹ座標の差に等しい高さを有するウィンドウの寸法が計算される。
【００３６】
ステップ７３２では、セル層の物理表現の中にありウィンドウの内部に包囲される要素が基本構造の中にコピーされ、ウィンドウの幅と高さとにそれぞれ等しいＸ及びＹオフセットが設定される。そして、制御は、ステップ７２６に戻される。
【００３７】
ステップ７３４では、セル層の選択された部分がＹ軸に沿って基本構造の複製によって充填されている場合には、制御はステップ７３６に移動される。それ以外の場合には、制御はステップ７２６に戻される。
【００３８】
ステップ７３６では、基本構造が、セル層の選択された部分における光学的周期構造を定義する出力として発生される。
ステップ７３８は、流れ図７００の出口である。
【００３９】
上述したように、セル層の選択された部分は、内部部分、左境界構造、右境界構造、上境界構造又は下境界構造でありうる。境界構造に対する基本構造を発見する手順は、セル層の内部部分に対して上述した手順と類似する。ただし、周期性は、４方向ではなく、２方向において生じる点が異なる。
【００４０】
図７に図解されている流れ図は、集積回路デザインにおいて光学的周期構造を発見するコンピュータ・プログラム・プロダクトにおいて具体化され、コンピュータへの命令により、以下の機能を実行する広く知られたプログラミング技術に従って実装される。すなわち、
（ａ）集積回路デザインのセル層に対する物理表現を入力として受け取るステップと、
（ｂ）前記セル層の選択された部分の基準座標を前記セル層の物理表現から発見するステップと、
（ｃ）前記基準座標に最も近い初期要素を選択するステップと、
（ｄ）前記セル層の物理表現における初期要素のそれぞれの例の座標を要素リストの中へコピーするステップと、
（ｅ）前記初期要素のコピーを基本構造の中へ挿入するステップと、
（ｆ）前記初期要素の座標と前記要素リストの中で前記初期要素の左側（又は右側）へ最も近い要素の座標との差をＸオフセットとして計算するステップと、
（ｇ）前記基本構造における前記初期要素の座標に前記Ｘオフセットを加算する又は前記座標から前記Ｘオフセットを減算して前記基本構造をＸ軸上のそれぞれの方向に沿って複製することによって、前記基本構造を複製するステップと、
（ｈ）前記基本構造の前記複製におけるそれぞれの要素に対して前記セル層の物理表現において同じ座標に同じ要素が存在する場合には制御を（ｌ）に移動させ、それ以外の場合には制御を（ｉ）に移動させるステップと、
（ｉ）前記基本構造の現在の複製における前記初期要素と前記セル層の物理表現における前記初期要素とのＸ座標の差に等しい幅を有し、前記基本構造の現在の複製における前記初期要素と前記セル層の物理表現における前記初期要素とのＹ座標の差に等しい高さを有するウィンドウの寸法を計算するステップと、
（ｊ）前記セル層の物理表現の中にあり前記ウィンドウの内部に包囲される要素を前記基本構造の中にコピーするステップと、
（ｋ）前記ウィンドウの幅と高さとにそれぞれ等しいＸ及びＹオフセットを設定し、制御を（ｇ）に移動させるステップと、
（ｌ）前記セル層の前記選択された部分がＸ軸に沿って前記基本構造の複製で充填されている場合には制御を（ｍ）に移動させ、それ以外の場合には制御を（ｇ）に移動させるステップと、
（ｍ）前記初期要素の座標と前記要素リストの中で前記初期要素の下側（又は上側）へ最も近い要素の座標との差をＹオフセットとして計算するステップと、
（ｎ）前記基本構造における前記初期要素の座標に前記Ｙオフセットを加算する又は前記座標から前記Ｙオフセットを減算して前記基本構造をＹ軸上のそれぞれの方向に沿って複製することによって、前記基本構造を複製するステップと、
（ｏ）前記基本構造の前記複製におけるそれぞれの要素に対して前記セル層の物理表現において同じ座標に同じ要素が存在する場合には制御を（ｓ）に移動させ、それ以外の場合には制御を（ｐ）に移動させるステップと、
（ｐ）前記基本構造の現在の複製における前記初期要素と前記セル層の物理表現における前記初期要素とのＸ座標の差に等しい幅を有し、前記基本構造の現在の複製における前記初期要素と前記セル層の物理表現における前記初期要素とのＹ座標の差に等しい高さを有するウィンドウの寸法を計算するステップと、
（ｑ）前記セル層の物理表現の中にあり前記ウィンドウの内部に包囲される要素を前記基本構造の中にコピーするステップと、
（ｒ）前記ウィンドウの幅と高さとにそれぞれ等しいＹ及びＹオフセットを設定し、制御を（ｎ）に移動させるステップと、
（ｓ）前記セル層の前記選択された部分がＹ軸に沿って前記基本構造の複製で充填されている場合には制御を（ｔ）に移動させ、それ以外の場合には制御を（ｎ）に移動させるステップと、
（ｔ）前記セル層の前記選択された部分において前記光学的周期構造を定義する基本構造を出力として発生するステップと、
によって構成される機能である。
【００４１】
上述された本発明の方法は特定の順序で実行される特定のステップを参照して説明され示されているが、これらのステップは、特許請求の範囲から逸脱することなく、組み合わせ、更に分割し、順序を変更することができる。この出願において特に指示されない限りは、これらのステップの順序及びグループ分けは、本発明の制限ではない。
【００４２】
ここに開示されている発明は特定の実施例及びその応用を用いて説明されているが、本発明のこれ以外の修正、変更及び調整を特に説明した以外にも以上の教示に従って行うことができ、特許請求の範囲によって定義される精神及び範囲の中で本発明を実現することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】本発明の実施例によるセル層の様々な選択された部分の位置を図解している。
【図２】従来技術のＧＤＳファイルからの集積回路のメモリ・セルのセル層の物理表現の例を図解している。
【図３】図２のセル層における周期的要素の幾何学的階層を図解している。
【図４】本発明の実施例による図２のセル層に対する基本構造の構築を図解している。
【図５】本発明の実施例によるセル層の内部部分のファクシミリにおける最終的な基本構造の複製を図解している。
【図６】本発明の実施例によって構築された図２のセル層の境界に対する基本構造を図解している。
【図７．Ａ】本発明の実施例による集積回路デザインのセル層における光学的周期構造を自動的に識別する方法の流れ図の前半を図解している。
【図７．Ｂ】本発明の実施例による集積回路デザインのセル層における光学的周期構造を自動的に識別する方法の流れ図の後半を図解している。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７．Ａ】
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【図７．Ｂ】
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