(57)【要約】【課題】シリコン半導体素子チップとリードとが、鉛を主成分とする接合材で接合されたメサ型半導体装置の製造時に、半導体素子チップとリードとの接合体をアルカリ溶液により処理した際の鉛の析出、付着を防止すること。【解決手段】水酸化カリウム溶液に錯化剤として、Ｎ−ニトロソフェニルヒドロキシルアミンアンモニウム塩類、アセチルアセトン類、１，２−ヒドロキシベンゼン−３，５−ジスルホン酸ナトリウム塩類のいずれかを加えた処理薬液を用いて処理した後に水洗するか、または水酸化カリウム溶液で処理した後に、それらの錯化剤を純水に加えた水で水洗する。また、ＥＤＴＡを加えてもよい。【選択図】　　　　図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコン半導体チップと配線導体とを、鉛を主成分とする接合材によりはんだ付け接合した後、その接合体を、錯化剤として、Ｎ−ニトロソフェニルヒドロキシルアミンアンモニウム塩、Ｎ−ニトロソナフチルヒドロキシルアミンアンモニウム塩、それらに類似のＮ−ベンゾイルフェニルヒドロキシルアミン、またはそれらの誘導体を溶解させた水酸化カリウム溶液により処理することを特徴とするメサ型半導体装置の製造方法。
【請求項２】
シリコン半導体チップと配線導体とを、鉛を主成分とする接合材によりはんだ付け接合した後、その接合体を、錯化剤として、アセチルアセトン、ラノイルトリフルオルアセトン、ジベンゾイルメタン、トリフルオルアセチルアセトン、それらに類似する物質、またはそれらの誘導体を溶解させた水酸化カリウム溶液により処理することを特徴とするメサ型半導体装置の製造方法。
【請求項３】
シリコン半導体チップと配線導体とを、鉛を主成分とする接合材によりはんだ付け接合した後、その接合体を、錯化剤として、１，２−ヒドロキシベンゼン−３，５−ジスルホン酸ナトリウム塩、２，３，７−トリヒドロキシ−９−フェニル−６−フルオロン、１，２−ジヒドロキシアントラキノン、アリザリンスルホン酸ナトリウム、３，５，７，２’，４’−ペンタオキシフラボン、１，２，５，８−テトラヒドロキシアントラキノン、ヘマトキシリン、スチルバゾ、ピロカテコールバイオレット、ピロカテコールレッド、ブロムピロガロールレッド、サリチル酸、スルホサリチル酸、レゾルシル酸、Ｐ−アミノサリチル酸、クロモトロープ酸、１−ヒドロキシ−２−ナフトエ酸、２−ヒドロキシ−３−ナフトエ酸、アウリントリカルボン酸アンモニウム塩、エリオクロムシアニンＲ、２−ヒドロキシ−トナフトアルデヒド、それらに類似する物質、またはそれらの誘導体を溶解させた水酸化カリウム溶液により処理することを特徴とするメサ型半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記水酸化カリウム溶液に、エチレンジアミン四酢酸またはその誘導体を、エチレンジアミン四酢酸またはその誘導体：前記錯化剤が、モル容量比で１：１〜１／５となるように加えることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一つに記載のメサ型半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記錯化剤を沸騰レベルの高温水酸化カリウム溶液に溶解させて使用することを特徴とする請求項１〜４のいずれか一つに記載のメサ型半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記錯化剤を室温レベルの低温水酸化カリウム溶液に溶解させて使用することを特徴とする請求項１〜４のいずれか一つに記載のメサ型半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記錯化剤の溶解濃度は１０−５〜１ｍｏｌ／ｌであることを特徴とする請求項１〜６のいずれか一つに記載のメサ型半導体装置の製造方法。
【請求項８】
シリコン半導体チップと配線導体とを、鉛を主成分とする接合材によりはんだ付け接合し、その接合体を水酸化カリウム溶液により処理した後、錯化剤として、Ｎ−ニトロソフェニルヒドロキシルアミンアンモニウム塩、Ｎ−ニトロソナフチルヒドロキシルアミンアンモニウム塩、それらに類似のＮ−ベンゾイルフェニルヒドロキシルアミン、またはそれらの誘導体を加えた水により水洗することを特徴とするメサ型半導体装置の製造方法。
【請求項９】
シリコン半導体チップと配線導体とを、鉛を主成分とする接合材によりはんだ付け接合し、その接合体を水酸化カリウム溶液により処理した後、錯化剤として、アセチルアセトン、ラノイルトリフルオルアセトン、ジベンゾイルメタン、トリフルオルアセチルアセトン、それらに類似する物質、またはそれらの誘導体を加えた水により水洗することを特徴とするメサ型半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
シリコン半導体チップと配線導体とを、鉛を主成分とする接合材によりはんだ付け接合し、その接合体を水酸化カリウム溶液により処理した後、錯化剤として、１，２−ヒドロキシベンゼン−３，５−ジスルホン酸ナトリウム塩、２，３，７−トリヒドロキシ−９−フェニル−６−フルオロン、１，２−ジヒドロキシアントラキノン、アリザリンスルホン酸ナトリウム、３，５，７，２’，４’−ペンタオキシフラボン、１，２，５，８−テトラヒドロキシアントラキノン、ヘマトキシリン、スチルバゾ、ピロカテコールバイオレット、ピロカテコールレッド、ブロムピロガロールレッド、サリチル酸、スルホサリチル酸、レゾルシル酸、Ｐ−アミノサリチル酸、クロモトロープ酸、１−ヒドロキシ−２−ナフトエ酸、２−ヒドロキシ−３−ナフトエ酸、アウリントリカルボン酸アンモニウム塩、エリオクロムシアニンＲ、２−ヒドロキシ−トナフトアルデヒド、それらに類似する物質、またはそれらの誘導体を加えた水により水洗することを特徴とするメサ型半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
前記水に、エチレンジアミン四酢酸またはその誘導体を、エチレンジアミン四酢酸またはその誘導体：前記錯化剤が、モル容量比で１：１〜１／５となるように加えることを特徴とする請求項８〜１０のいずれか一つに記載のメサ型半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
前記錯化剤の溶解濃度は１０−５〜１ｍｏｌ／ｌであることを特徴とする請求項８〜１１のいずれか一つに記載のメサ型半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、シリコン半導体チップと配線導体とを、鉛を主成分とする接合材で接合し、その接合体を水酸化カリウム溶液でエッチングした、いわゆるメサ型半導体装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
一般的なメサ型半導体装置の製造方法を、シリコン半導体整流素子を例にとって説明する。図５（ａ）〜（ｊ）は、従来のメサ型シリコン半導体整流素子の製造プロセスの工程順に示した断面図である。
【０００３】
導電型がｎ型で、比抵抗が数〜数十Ωｃｍ、（１１１）面方位、厚さ３５０μｍ、直径１５ｃｍのシリコンウェハ８０１を２０００メッシュ以上の砥粒で研削し、その表面を酸エッチ後、先ずオキシ塩化燐（ＰＯＣｌ３）をソースにして燐をドープし、ｎ−層８０２の両面に深さ数μｍのｎ＋層を形成した後、片面を２０００メッシュ以上の砥粒で研削して厚さを約３００μｍとする。
【０００４】
次に研削した面にＢＮ或いはほう素含有溶液をスピンナー塗布して拡散源としてホウ素をドーピングした後、高温の拡散処理をして、共に厚さ３０〜５０μｍのｎ＋層８０３、ｐ＋層８０４を形成する［図５（ａ）］。続いて、両面にＮｉ−Ｐの無電解めっきを施し、熱処理してＮｉ−Ｓｉ層とＮｉ−Ｐ層からなるＮｉ電極８０５を形成する［同図（ｂ）］。
【０００５】
次にはんだ浴槽中にディップして両面に厚さ数μｍのはんだ層８０６を形成する［同図（ｃ）］。更にダイシングソーなどで数ｍｍ角の大きさのチップサイズにダイシングする［同図（ｄ）］。８０７は切断ラインである。次に半導体デバイスチップ（シリコンチップ）８１６を配線導体８０８にはんだ付けする［同図（ｅ）］。このとき、同図（ｊ）のようにリードフレーム８１４にはんだ付けをするタイプもある。
【０００６】
この同図（ｊ）のタイプは、リードフレーム８１４のチップ搭載部８１９に半導体デバイスチップ８１６をはんだ付けし、リード端子８１８と半導体デバイスチップ８１６との間をボンディングワイヤ８１７で接続し、ワイヤボンディングの後に表面保護膜（ＪＣＲ）８１５でチップをコートし、更にエポキシ樹脂でモールドさしたものである。
【０００７】
次にリード付けした半導体デバイスチップ８１６のダイシング時の損傷や歪み、汚れ等を除去するために混酸（ふっ酸−硝酸−酢酸）で約５０μｍエッチングする［同図（ｆ）］。次に、この混酸エッチング面８１０を１５重量％（以下ｗｔ％と記す）ＫＯＨ溶液で８５℃、数分間のエッチングで約１０μｍエッチングする［同図（ｇ）］。この工程は本発明に係わる重要なポイントになる。
【０００８】
ＫＯＨ溶液でエッチングした表面（アルカリエッチング面）８１１を十分に洗浄した後、半導体デバイスチップ８１６および配線導体８０８の一部を完全に覆うようにポリイミド保護膜８１２で保護する［同図（ｈ）］。最後にエポキシ樹脂８１３でトランスファーモールドする［同図（ｉ）］。従来のこの種の半導体装置に関する表面処理は、特にＫＯＨ等のアルカリ性溶液での処理の後には加熱水で構成各部材表面に生成した金属水酸化物を加速溶解させたり、カリウムイオン除去などの洗浄効果を高めようとする処置が取られている。
【０００９】
図６は図５（ｇ）から（ｈ）に移る工程の工程フローチャートである。ＫＯＨ溶液でエッチングした後、流水洗浄を繰り返し、イソプロピルアルコール（以下ＩＰＡと記す）で置換し、乾燥する。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
上述のような部材構成よりなる従来のメサ型半導体素子においては、ＫＯＨなどの表面処理において、シリコンの溶解、シリコンの部分的酸化、鉛、錫などの析出、カリウムイオン等の付着（吸着）等の現象が生じやすい。例えば上記半導体装置では、主要構成部材は、はんだ中の鉛（９０％以上の鉛成分とする高温はんだ）、シリコンデバイス、配線導体のニッケル或いは銀、リードフレームのニッケル等であるが、その内、ニッケルおよび銀はＫＯＨ溶液中では非常に安定である。
【００１１】
シリコンは下記酸化物を生成し、溶解する。
【００１２】
【化１】
Ｓｉ＋２ＯＨ−＋Ｈ２Ｏ→ＳｉＯ３２−＋４Ｈ
はんだについては、先ず両性元素である鉛と錫とが溶解する。このとき主組成の鉛がはんだ表面を覆うようになると言われている。さらに鉛は、容易に酸化を受け、ＰｂＯが表面に形成されると推定される。
【００１３】
【化２】
ＰｂＯ＋２ＯＨ−→Ｐｂ（ＯＨ）４２−
更に、
【００１４】
【化３】
Ｐｂ（ＯＨ）４２−＋２Ｈ＋＋Ｈ２→Ｐｂ↓＋４Ｈ２Ｏ
以上のような経過を経て鉛はシリコンデバイスの表面に析出する。半導体表面での上述の金属元素の析出、成長が生じると、半導体素子完成後の高温高湿放置試験、高温高湿印加試験で、漏れ電流の増加、短絡不良等を引き起こすことがある。
【００１５】
このような問題に鑑み本発明の目的は、高温高湿放置試験、高温高湿印加試験での、漏れ電流の増加、短絡不良等を防止した、高信頼性の半導体装置を提供することにある。
【００１６】
【課題を解決するための手段】
上記の課題を解決するために、前述の各処理を施すことにより、構成各部材からのシリコン半導体表面への溶出析出を防止することができる。以下、各処理とその作用について説明する。先ず、シリコン半導体チップと配線導体とを鉛を主成分とする接合材で接合した後、シリコンチップのｐｎ接合表面を水酸化カリウム溶液でエッチングするメサ型半導体装置の製造方法において、以下に挙げる各種錯化剤を加えた水酸化カリウム溶液でエッチングし、または水酸化カリウム溶液でエッチングした後に、以下に挙げる各種錯化剤を加えた水で水洗するものとする。
【００１７】
第１の錯化剤として、Ｎ−ニトロソフェニルヒドロキシルアミンアンモニウム塩、Ｎ−ニトロソナフチルヒドロキシルアミンアンモニウム塩、それらに類似のＮ−ベンゾイルフェニルヒドロキシルアミン、またはそれらの誘導体を用いる。Ｎ−ニトロソフェニルヒドロキシルアミンアンモニウム塩（以下、クペロンとする）を代表例として説明する。クペロンの化学構造式は次のとおりである。
【００１８】
【化４】
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【００１９】
ＫＯＨ溶液中に溶解した鉛は、２価（Ｐｂ２＋）水和イオンとして存在する。一方、クペロンは、溶液中で直ちにアンモニウム基を解離し、−Ｎ−ＯのＯに電子を一つ残して、ＮＨ４＋の正イオンとして存在する。Ｐｂ２＋との反応は、クペロン１：鉛１か、またはクペロン２：鉛１の反応が考えられる。化学構造的には、クペロン２：鉛１の反応で安定に存在し、溶解したＰｂ２＋と、次に示す構造の安定で鏡面対称な錯体を形成する。
【００２０】
【化５】
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Ｐｂは６配位構造をとるといわれているので、４個のＨ２Ｏ分子が配位結合した安定な錯体を形成する。
【００２１】
第２の錯化剤としては、アセチルアセトン、ラノイルトリフルオルアセトン、ジベンゾイルメタン、トリフルオルアセチルアセトン、それらに類似する物質、またはそれらの誘導体を用いる。アセチルアセトンを代表例として説明する。アセチルアセトンの６員環化学構造式は次の左側に示すとおりである。
【００２２】
【化６】
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【００２３】
アセチルアセトンは、上述したクペロンと同様に、上記式のごとく、溶液中では直ちにＨを解離する。２価の鉛とは、次に示すように、アセチルアセトン２：鉛１の安定で鏡面対称な錯体を形成する。
【００２４】
【化７】
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【００２５】
第３の錯化剤としては、１，２−ヒドロキシベンゼン−３，５−ジスルホン酸ナトリウム塩、２，３，７−トリヒドロキシ−９−フェニル−６−フルオロン、１，２−ジヒドロキシアントラキノン、アリザリンスルホン酸ナトリウム、３，５，７，２’，４’−ペンタオキシフラボン、１，２，５，８−テトラヒドロキシアントラキノン、ヘマトキシリン、スチルバゾ、ピロカテコールバイオレット、ピロカテコールレッド、ブロムピロガロールレッド、サリチル酸、スルホサリチル酸、レゾルシル酸、Ｐ−アミノサリチル酸、クロモトロープ酸、１−ヒドロキシ−２−ナフトエ酸、２−ヒドロキシ−３−ナフトエ酸、アウリントリカルボン酸アンモニウム塩、エリオクロムシアニンＲ、２−ヒドロキシ−トナフトアルデヒド、それらに類似する物質、またはそれらの誘導体を用いる。１，２−ヒドロキシベンゼン−３，５−ジスルホン酸ナトリウム塩（以下、タイロンとする）を代表例として説明する。タイロンの化学構造式は次の左側に示すとおりである。
【００２６】
【化８】
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【００２７】
タイロンは、上述したクペロンと同様に、上記式のごとく、溶液中では直ちに２位のＯＨ基のＨを解離する。２価の鉛とは、次に示すように、タイロン２：鉛１の安定で鏡面対称な錯体を形成する。
【００２８】
【化９】
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【００２９】
また、上述した第１〜第３の錯化剤と、エチレンジアミン四酢酸（以下、ＥＤＴＡとする）またはその誘導体とを混合する構成としてもよい。一例として、ＥＤＴＡの２Ｎａ塩の化学構造式を次に示す。
【００３０】
【化１０】
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【００３１】
ＥＤＴＡは、２価の鉛とは、次に示すように反応する。この反応に加えて、上述した第１〜第３の錯化剤と鉛との錯体化反応も起こる。このときのＥＤＴＡと上述した第１〜第３の錯化剤とのモル容量比は、ＥＤＴＡ：錯化剤＝１：１〜１／５、すなわちＥＤＴＡ：錯化剤＝５：１〜５である。
【００３２】
【化１１】
ＥＤＴＡ４−＋［Ｐｂ（Ｈ２Ｏ）６］２＋→［Ｐｂ（ＥＤＴＡ）］２−＋６Ｈ２Ｏ
【００３３】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明の実施の形態について説明する。本発明は図５（ｇ）のアルカリエッチングおよびその直後の処理に関するものであり、その前後の工程は図５（ａ）〜（ｆ）および図５（ｈ）以降と同じでよいので、説明を省略する。図６の従来法におけるアルカリエッチングおよびその直後の処理の工程フローチャートに対応する工程フローチャートを参照しながら説明する。
【００３４】
実施の形態１．
図１は、本発明の実施の形態１にかかるシリコン整流素子のアルカリエッチングおよびその直後の製造工程フローチャートである。図１に示すように、実施の形態１では、１５ｗｔ％のＫＯＨ溶液中に上述した第１〜第３の各種錯化剤の一つを溶解させたエッチング液で、８５℃、１５分間の処理をおこなった後、１次流水洗浄および２次流水洗浄をおこない、水分をＩＰＡ置換で除去し、乾燥させる。この後は保護膜塗布、エポキシ樹脂モールドして完成する。特に本発明に係わるポイント工程は四角の枠で囲った。以下に実施例を挙げる。
【００３５】
［実施例１］
錯化剤として、上述した第１の錯化剤の中からクペロンを選択し、図１に示すフローチャートにしたがって処理をおこなった。クペロンの溶解濃度は２０×１０−３ｍｏｌ／ｌである。
【００３６】
［実施例２］
錯化剤として、上述した第２の錯化剤の中からアセチルアセトンを選択し、図１に示すフローチャートにしたがって処理をおこなった。アセチルアセトンの溶解濃度は２０×１０−３ｍｏｌ／ｌである。
【００３７】
［実施例３］
錯化剤として、上述した第３の錯化剤の中からタイロンを選択し、図１に示すフローチャートにしたがって処理をおこなった。タイロンの溶解濃度は２０×１０−３ｍｏｌ／ｌである。
【００３８】
［実施例４］
錯化剤として、上述した第１の錯化剤の中からクペロンを選択した。また、ＥＤＴＡを、ＥＤＴＡ：クペロン＝１：１／３（＝３：１）のモル容量比で、かつＥＤＴＡおよびクペロンが総量で２０×１０−３ｍｏｌ／ｌとなるようにした。すなわち、１５ｗｔ％のＫＯＨ溶液中に１５×１０−３ｍｏｌ／ｌのＥＤＴＡと５×１０−３ｍｏｌ／ｌのクペロンを加え、図１に示すフローチャートにしたがって処理をおこなった。
【００３９】
［実施例５］
錯化剤として、上述した第２の錯化剤の中からアセチルアセトンを選択し、実施例４と同様に、１５ｗｔ％のＫＯＨ溶液中に１５×１０−３ｍｏｌ／ｌのＥＤＴＡと５×１０−３ｍｏｌ／ｌのアセチルアセトンを加え、図１に示すフローチャートにしたがって処理をおこなった。
【００４０】
［実施例６］
錯化剤として、上述した第３の錯化剤の中からタイロンを選択し、実施例４と同様に、１５ｗｔ％のＫＯＨ溶液中に１５×１０−３ｍｏｌ／ｌのＥＤＴＡと５×１０−３ｍｏｌ／ｌのタイロンを加え、図１に示すフローチャートにしたがって処理をおこなった。
【００４１】
図２は、実施例１〜６のシリコン整流素子、および比較例として従来法によるシリコン整流素子について、高温での印加試験をおこなった結果を示す特性比較図である。試験条件は、温度１２５℃、逆方向電圧１５００Ｖ、デューティ１００％とした。実施例および比較例のいずれも２２個の検体についての平均値である。図２より明らかなように、本発明の実施の形態１による処理により得られたシリコン整流素子は、漏れ電流のレベルが従来の１／４以下になっていることがわかる。
【００４２】
上述した実施の形態１によれば、半導体デバイス構成部材の元素イオンである鉛、錫、銅、ニッケル、銀、鉄、或いは処理薬液の構成元素イオンであるＫ＋やＮａ＋などを、効果的に、かつ効率的に薬液中にて錯化除去することができる。したがって、それらの元素イオンが半導体表面に析出するのを防ぐことができるので、電気的特性、特に漏れ電流が従来よりも著しく少ないメサ型半導体デバイスが得られる。
【００４３】
実施の形態２．
図３は、本発明の実施の形態２にかかるシリコン整流素子のアルカリエッチングおよびその直後の製造工程フローチャートである。図３に示すように、実施の形態２では、１５ｗｔ％のＫＯＨエッチング液で８５℃、１５分間の処理をおこなった後、純水中に上述した第１〜第３の各種錯化剤の一つを溶解させた１次静止水洗浄をおこなう。つづいて、２次流水洗浄および３次流水洗浄をおこない、水分をＩＰＡ置換で除去し、乾燥させる。この後は保護膜塗布、エポキシ樹脂モールドして完成する。特に本発明に係わるポイント工程は四角の枠で囲った。以下に実施例を挙げる。
【００４４】
［実施例７］
錯化剤として、上述した第１の錯化剤の中からクペロンを選択し、図３に示すフローチャートにしたがって処理をおこなった。クペロンの溶解濃度は２０×１０−３ｍｏｌ／ｌである。
【００４５】
［実施例８］
錯化剤として、上述した第２の錯化剤の中からアセチルアセトンを選択し、図３に示すフローチャートにしたがって処理をおこなった。アセチルアセトンの溶解濃度は２０×１０−３ｍｏｌ／ｌである。
【００４６】
［実施例９］
錯化剤として、上述した第３の錯化剤の中からタイロンを選択し、図３に示すフローチャートにしたがって処理をおこなった。タイロンの溶解濃度は２０×１０−３ｍｏｌ／ｌである。
【００４７】
［実施例１０］
錯化剤として、上述した第１の錯化剤の中からクペロンを選択した。また、ＥＤＴＡを、ＥＤＴＡ：クペロン＝１：１／３（＝３：１）のモル容量比で、かつＥＤＴＡおよびクペロンが総量で２０×１０−３ｍｏｌ／ｌとなるようにした。すなわち、純水中に１５×１０−３ｍｏｌ／ｌのＥＤＴＡと５×１０−３ｍｏｌ／ｌのクペロンを加え、図３に示すフローチャートにしたがって処理をおこなった。
【００４８】
［実施例１１］
錯化剤として、上述した第２の錯化剤の中からアセチルアセトンを選択し、実施例１０と同様に、純水中に１５×１０−３ｍｏｌ／ｌのＥＤＴＡと５×１０−３ｍｏｌ／ｌのアセチルアセトンを加え、図３に示すフローチャートにしたがって処理をおこなった。
【００４９】
［実施例１２］
錯化剤として、上述した第３の錯化剤の中からタイロンを選択し、実施例１０と同様に、純水中に１５×１０−３ｍｏｌ／ｌのＥＤＴＡと５×１０−３ｍｏｌ／ｌのタイロンを加え、図３に示すフローチャートにしたがって処理をおこなった。
【００５０】
図４は、実施例７〜１２のシリコン整流素子、および比較例として従来法によるシリコン整流素子について、高温での印加試験をおこなった結果を示す特性比較図である。試験条件は、温度１２５℃、逆方向電圧１５００Ｖ、デューティ１００％とした。実施例および比較例のいずれも２２個の検体についての平均値である。図４より明らかなように、本発明の実施の形態２による処理により得られたシリコン整流素子は、漏れ電流のレベルが従来の１／３程度になっていることがわかる。
【００５１】
上述した実施の形態２によれば、半導体デバイス構成部材の元素イオンである鉛、錫、銅、ニッケル、銀、鉄、或いは処理薬液の構成元素イオンであるＫ＋やＮａ＋などを、効果的に、かつ効率的に静止水中にて錯化除去することができる。したがって、それらの元素イオンが半導体表面に析出するのを防ぐことができるので、電気的特性、特に漏れ電流が従来よりも著しく少ないメサ型半導体デバイスが得られる。
【００５２】
以上において本発明は、上述した実施例１〜１２に限らず、前記第１〜第３の錯化剤の内のいずれの錯化剤を用いてもよいし、また前記第１〜第３の錯化剤の中から２種以上の錯化剤を組み合わせて用いてもよいし、各種錯化剤やＥＤＴＡの量も適宜、変更可能である。
【００５３】
【発明の効果】
本発明によれば、半導体デバイス構成部材の元素イオンである鉛、錫、銅、ニッケル、銀、鉄、或いは処理薬液の構成元素イオンであるＫ＋やＮａ＋などを、効果的に、かつ効率的に薬液中にて錯化除去することができる。したがって、電気的特性、特に漏れ電流が従来よりも著しく少ないメサ型半導体デバイスが得られる。また、ＥＤＴＡを混合する場合には、比較的高価である前記第１〜第３の錯化剤の使用量を少なく抑えることができるという効果と、化学構造的に異なるタイプの錯化剤を混合することにより、溶解金属イオンの補足効率を高めることができるという効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態１にかかるシリコン整流素子のアルカリエッチングおよびその直後の製造工程フローチャートである。
【図２】実施の形態１における実施例１〜６のシリコン整流素子および比較例の高温印加試験特性図である。
【図３】本発明の実施の形態２にかかるシリコン整流素子のアルカリエッチングおよびその直後の製造工程フローチャートである。
【図４】実施の形態２における実施例７〜１２のシリコン整流素子および比較例の高温印加試験特性図である。
【図５】（ａ）〜（ｊ）はシリコン整流素子の製造方法を説明するための製造工程順の断面図である。
【図６】従来法によるシリコン整流素子のアルカリエッチングおよびその直後の製造工程フローチャートである。
【符号の説明】
８０１　シリコンウェハ
８０２　ｎ−層
８０３　ｎ＋層
８０４　ｐ＋層
８０５　Ｎｉ電極（Ｎｉ−Ｓｉ／Ｎｉ−Ｐ層）
８０６　はんだ層
８０７　チップ切断ライン
８０８　配線導体
８１０　混酸エッチング面
８１１　アルカリエッチング面
８１２　ポリイミド保護膜
８１３　エポキシ樹脂
８１４　リードフレーム
８１５　表面保護膜（ＪＣＲ）
８１６　半導体デバイスチップ（シリコンチップ）
８１７　ボンディングワイヤ
８１８　リード端子
８１９　チップ搭載部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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