(57)【要約】【課題】個々に独立したダイを順次ピックアップする方法および装置を提供する。【解決手段】Ｘ−Ｙ−Ｚステージ１に多孔吸着板２を設け、サクションチャンバー３によって真空吸引し、サクションチャンバー３内に吸着ブロッカー５を昇降自在に配置し、多孔吸着板２の上面をカバーするＸ方向に移動自在なリークカバー６，７を設け、多孔吸着板２の上方で、かつ、吸着ブロッカー５と同一軸線上に昇降および水平移動自在のコレット８を配置して、ピックアップしようとするダイを吸着ブロッカー５およびコレット８の同一軸線上に位置させ、多孔吸着板２の下面に吸着ブロッカー５を接触させて吸引力を遮断した状態で、コレット８によりダイをピックアップし、ダイがピックアップされて抜けた多孔吸着板２の表面をリークカバー６，７でカバーする。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ステージ上に配列された多数のダイと、ステージの上方に配置されステージ上のダイを順次ピックアップするコレットとを有し、コレットでステージ上のダイを順次ピックアップする方法において、
前記ステージがダイを吸着する多孔吸着部材を有し、この多孔吸着部材によって相互に分離独立した多数のダイが吸着されており、前記多孔吸着部材のピックアップしようとするダイの吸着力を吸着ブロッカーにより遮断した状態で、コレットによりダイをピックアップすると共に、多孔吸着部材のダイがピックアップされた表面部分をリークカバーでカバーするようにしたことを特徴とするダイピックアップ方法。
【請求項２】
ステージ上に配列された多数のダイと、ステージの上方に配置されステージ上のダイを順次ピックアップするコレットとを有し、コレットでステージ上のダイを順次ピックアップする装置において、
前記ステージがダイを吸着する多孔吸着部材を有し、この多孔吸着部材によって相互に分離独立した多数のダイを吸着し、前記多孔吸着部材の下方にピックアップしようとするダイの下方部からの吸着力を遮断する昇降自在の吸着ブロッカーを配置すると共に、多孔吸着部材の上方で前記吸着ブロッカーと同軸線上に昇降自在のコレットを配置し、多孔吸着部材のダイがピックアップされた表面部分をカバーする水平移動自在のリークカバーを配置したことを特徴とするダイピックアップ装置。
【請求項３】
前記ステージと吸着ブロッカーとが相対的に水平移動および昇降可能であり、前記ステージとリークカバーとが相対的に水平移動可能であることを特徴とする請求項２に記載のダイピックアップ装置。
【請求項４】
前記多孔吸着部材が、その厚さ方向に連通する多数の孔を有することを特徴とする請求項２または３に記載のダイピックアップ装置。
【請求項５】
前記多孔吸着部材が、ダイのサイズに応じた多孔吸着部を有することを特徴とする請求項２から４のいずれかに記載のダイピックアップ装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はダイピックアップ方法および装置に関し、より詳しくは、相互に分離独立した多数の半導体チップなどのダイを保持したステージ上からダイを１個ずつピックアップする方法およびダイピックアップ装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
半導体装置を製造する場合、一般に、図８に示すように、半導体ウェーハＷに多数の半導体素子Ｐを形成し、このウェーハＷの裏面を、図９に示すように、表面に粘着層を有するダイシングテープＴに貼り付け、各素子Ｐ，Ｐ間のストリート領域Ｓをダイサ（ダイヤモンドカッタ）などで図１０（Ａ）（Ｂ）に示すようにダイシング（カット）して多数のダイＤを形成し、ダイシングテープＴを放射方向に引き伸ばして、各ダイＤ，Ｄ間を離隔させた後、ダイシングテープＴを放射方向に引き伸ばした状態で環状治具などに保持してＸ−Ｙ−Ｚステージ上に載置し、図１１に示すように、ダイシングテープＴの下方から１個または複数個の突き上げ棒ＢでダイＤを突き上げて、ダイＤの下面とダイシングテープＴとの接着面積を低減させることによって両者の粘着力を低減させた状態で、コレットＣによりダイＤをピックアップするようにしている。
【０００３】
なお、上記のダイシング（カット）工程において、図１０（Ａ）に示すように、ウェーハＷを完全にカットする溝Ｍ1を形成してダイＤを得るフルカット法と、図１０（Ｂ）に示すように、ウェーハＷの厚さの途中深さまで溝Ｍ2を形成した後、ウェーハＷに押曲げ力を付与して、残余部分を結晶方向に沿って破断ＣＫしてダイＤを得るハーフカット法とがある。
【０００４】
いずれにしても、所定の厚さ寸法を有するダイサ（ダイヤモンドカッタ）でダイシング（カット）するので、図１２に示すように、ダイサＤＣの歯の厚さ寸法ｔ1と、ダイサＤＣによって削り取られて形成される加工歪層の寸法ｔ2の２倍とを加算した幅寸法ｗ1の領域には、半導体素子Ｐを形成することができないので、ウェーハＷには予め、上記のダイシングのために必要な素子Ｐを形成しない幅寸法ｗ1（ｔ1＋２ｔ2）以上の大きさのストリート領域Ｓを設ける必要がある。このため、１枚のウェーハＷから得られるダイＤの個数が低下して、ダイの収率が低くなることが避けられなかった。
【０００５】
また、ダイシングテープＴを使用するので資材費が嵩むのみならず、ウェーハＷのダイシング前に、ウェーハＷをダイシングテープＴに貼り付けることが必要であり、その貼り付けにより工数が増大するし、ダイシングテープＴからダイＤをピックアップする際に、前述のように、ダイシングテープＴの下側から鋭い突き上げ棒Ｂで突き上げているため、ダイＤが破損することがある。さらには、ダイシングテープＴから剥離したダイＤの裏面に、ダイシングテープＴの粘着層の粘着物質が付着しているので、その除去が必要であるなどの問題点もあった。
【０００６】
一方、最近、上記のダイシング法に代えて、ウェーハＷにレーザを照射して、ウェーハＷに割断の起点となる傷を付け、この傷を起点として熱歪を利用して割断する方法が提案されている。このレーザ割断法によれば、ウェーハＷの熱歪によって割断されるので、従来のダイサＤＣによるダイシング法の場合のような、ダイサＤＣの歯の厚さ寸法ｔ1や、ダイサＤＣによる加工歪層の厚さ寸法ｔ2の２倍の寸法を考慮する必要がないので、ストリート領域Ｓの幅寸法を格段に小さくでき、したがって、１枚のウェーハＷから得られるダイＤの収率が向上する（例えば、特許文献１〜４参照。）。
【０００７】
【特許文献１】
特開平９−３８９５８号公報
【特許文献２】
特開平９−３８９５９号公報
【特許文献３】
特開平９−３８９６０号公報
【特許文献１】
特開平９−４５６３６号公報
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、このレーザ割断法によると、ウェーハＷから収率良くダイＤが得られる利点はあるものの、多数のダイＤが相互に分離された独立状態であるために、多数のダイの支持方法に工夫が必要である。
【０００９】
すなわち、例えば、多孔吸着板の上に多数の半導体素子Ｐを形成したウェーハＷを吸着支持すれば、一応、多数のダイＤを吸着することは可能であるが、ピックアップしようとするダイまでもが多孔吸着板に吸着されているので、ダイのピックアップが不可能ないし著しく困難である。
【００１０】
一方、多孔吸着板の下方に、各ダイのサイズに合わせて多数の真空吸引系を接続し、これらの真空吸引系をピックアップするダイに応じて開閉することも考えられるが、そのようにすると構成が著しく複雑、かつ、大型、高価になるという解決すべき課題がある。
【００１１】
そこで、本発明は、個々に分離独立している多数のダイを整列状態で吸着し、順次ピックアップすることが可能な、ダイピックアップ方法およびダイピックアップ装置を提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本発明のダイピックアップ方法は、ステージ上に配列された多数のダイと、ステージの上方に配置されステージ上のダイを順次ピックアップするコレットとを有し、コレットでステージ上のダイを順次ピックアップする方法において、前記ステージがダイを吸着する多孔吸着部材を有し、この多孔吸着部材によって相互に分離独立した多数のダイが吸着されており、前記多孔吸着部材のピックアップしようとするダイの吸着力を吸着ブロッカーにより遮断した状態で、コレットによりダイをピックアップすると共に、多孔吸着部材のダイがピックアップされた表面部分をリークカバーでカバーするようにしたことを特徴とするものである（請求項１）。
【００１３】
上記のダイピックアップ方法によれば、多孔吸着部材によって吸着された多数のダイのうち、ピックアップしようとするダイの多孔吸着部材の下方からの吸着力を吸着ブロッカーにより遮断した状態にして、コレットでダイをピックアップするので、多数の分離独立したダイのうち特定のダイをコレットでピックアップすることができる。また、コレットによってピックアップされたダイの抜けた多孔吸着部材の表面をリークカバーでカバーすることによって、多孔吸着部材のダイが抜けた部分から真空吸引力がリークすることが防止されて、多数のダイを順次コレットによりピックアップすることができる。
【００１４】
本発明のダイピックアップ装置は、ステージ上に配列された多数のダイと、ステージの上方に配置されステージ上のダイを順次ピックアップするコレットとを有し、コレットでステージ上のダイを順次ピックアップする装置において、前記ステージがダイを吸着する多孔吸着部材を有し、この多孔吸着部材によって相互に分離独立した多数のダイを吸着し、前記多孔吸着部材の下方にピックアップしようとするダイの下方部からの吸着力を遮断する昇降自在の吸着ブロッカーを配置すると共に、多孔吸着部材の上方で前記吸着ブロッカーと同軸線上に昇降自在のコレットを配置し、多孔吸着部材のダイがピックアップされた表面部分をカバーする水平移動自在のリークカバーを配置したことを特徴とするものである（請求項２）。
【００１５】
上記のダイピックアップ装置によれば、多孔吸着部材によって吸着された多数のダイのうち、ピックアップしようとするダイの多孔吸着部材の下面に吸着ブロッカーを上昇させ押し当てて吸着力を遮断した状態にして、コレットでダイをピックアップするので、多数の分離独立したダイのうち特定のダイをコレットでピックアップすることができる。また、コレットによってピックアップされたダイの抜けた多孔吸着部材の表面をリークカバーでカバーすることによって、多孔吸着部材のダイが抜けた部分から真空吸引力がリークすることが防止されて、多数のダイを順次コレットによりピックアップすることができる。
【００１６】
また、本発明のダイピックアップ装置は、前記ステージと吸着ブロッカーとが、相対的に水平移動および昇降可能であり、前記ステージとリークカバーとが相対的に水平移動可能であることを特徴とするものである（請求項３）。
【００１７】
上記のダイピックアップ装置によれば、ステージと吸着ブロッカーとが、相対的に水平移動および昇降可能であるので、ステージ上に保持されたダイを吸着ブロッカーの上方に移動させることができる。また、ステージとリークカバーとが相対的に水平移動可能であるので、ピックアップされてダイの抜けた位置の多孔吸着部材表面を、リークカバーによってカバーして真空吸引力のリークを防止することができるため、残余のダイに対する真空吸引力は依然保持されたままであり、整列状態が乱れることがない。
【００１８】
また、本発明のダイピックアップ装置は、前記多孔吸着部材が、その厚さ方向に連通する多数の孔を有することを特徴とするものである（請求項４）。
【００１９】
上記のダイピックアップ装置によれば、多数の孔が多孔吸着部材の厚さ方向に連通しているので、多孔吸着部材の下方から真空吸引力を作用させることによって、多孔吸着部材上のダイを吸着することが可能であり、しかも、多数の孔が横方向には連通していないことによって、多孔吸着部材の吸着ブロッカーを押し当てた近傍部分からリークすることがなく、残余のダイを確実に吸着することができる。
【００２０】
また、本発明のダイピックアップ装置は、前記多孔吸着部材が、ダイの形状およびサイズに応じた形状および大きさの多孔吸着部を有することを特徴とするものである（請求項５）。
【００２１】
上記のダイピックアップ装置によれば、多孔吸着部材が、ダイの形状およびサイズに応じた形状および大きさの多孔吸着部を有するので、ダイとダイの間から真空吸引力がリークすることがなく、残余のダイを確実に吸着することができる。
【００２２】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明のダイピックアップ方法およびダイピックアップ装置の実施形態について説明する。図１は本発明のダイピックアップ装置の概略斜視図で、図２（Ａ）〜図２（Ｄ）は図１のダイピックアップ装置を用いた本発明のダイピックアップ方法の概略正面図を示す。図１および図２において、１はＸ−Ｙ−Ｚステージで、上面に板状，盤状またはブロック状の多孔吸着部材の一例である多孔吸着板２を有すると共に、この多孔吸着板２の下方には真空系に接続されたサクションチャンバー３を有し、このサクションチャンバー３は配管４によって真空ポンプに接続されている。
【００２３】
前記サクションチャンバー３内には、昇降可能な吸着ブロッカー５を備えている。この吸着ブロッカー５の上面の形状および大きさは、ダイの形状およびサイズに対応している。また、前記多孔吸着板２の上面に接して、Ｘ方向およびＹ方向に移動可能なリークカバー６，７を有する。このリークカバー６，７は、多孔吸着板２上を水平移動しても発塵しないで、かつ、静電気を発生しない材料、例えば、金属または導電性樹脂によって形成される。さらに、前記多孔吸着板２の上方で、かつ、吸着ブロッカー５と同一軸線上に、昇降および水平移動可能なピックアップ用のコレット８を有する。
【００２４】
次に、上記のダイピックアップ装置を用いたダイピックアップ方法について説明する。まず、例えば、図３および図４に示すような、多数の素子１１，１１間にストリート領域１２を形成したウェーハ１０を用意する。このウェーハ１０におけるストリート領域１２の幅寸法ｗは、前述のダイサによるダイシング用半導体ウェーハＷにおけるストリート領域Ｓの幅寸法ｗ1に比較して、格段に小さくすることができる。
【００２５】
そして、図４に示すように、ウェーハ１０の素子１１，１１間のストリート領域１２の一部分に超短パルスレーザなどのレーザ１３を照射して、割断の起点となる傷１４を付け、この傷１４を起点として熱歪により、ストリート領域１２に沿ってウェーハ１０を割断することにより、図５に示すように、個々に分離独立した多数のダイ１５を得る。このウェーハ１０の割断は、ウェーハ１０を適当な支持台上に支持して行ってもよいし、多孔吸着板２上で吸着した状態で行ってもよい。
【００２６】
上記のウェーハ１０の割断を多孔吸着板２上で行った場合は、個々に分離独立した多数のダイ１５は、多孔吸着板２を介して真空吸着されているので、個々の独立状態になっても、ウェーハ１０における素子１１の整列状態を保持したままである。なお、図３に示すような、略円形状のウェーハ１０を用いた場合は、周辺部の一部に円弧状部を含む非正形ダイが形成されるが、この非正形ダイは特性不良ダイであるため除去する。また、多数の四角形状の正形ダイによる集合体の形状が矩形状でない場合は、集合体全体の形状を矩形状にする。最初から矩形状のウェーハを用いれば、周辺部に円弧状部を含む非正形ダイは形成されないし、集合体全体の形状も矩形状になるので望ましい。
【００２７】
次に、図２（Ａ）に示すように、吸着ブロッカー５が下降し、コレット８が上昇した状態で、Ｘ−Ｙ−Ｚステージ１を水平移動させて、ピックアップしようとするダイ１５1を、吸着ブロッカー５とコレット８との中心軸線上に移動させる。
【００２８】
続いて、図２（Ｂ）に示すように、コレット８を下降させてダイ１５1を吸着した後、吸着ブロッカー５を上昇させて、その上面をピックアップしようとするダイ１５1位置の多孔吸着板２の下面に当接させて、ピックアップしようとするダイ１５1の吸着力を遮断する。
【００２９】
ダイ１５1の吸着力を遮断した後、図２（Ｃ）に示すように、コレット８を上昇させて、ダイ１５1をピックアップする。ダイ１５1がピックアップされると、図２（Ｄ）に示すように、リークカバー６，７がダイ１個分だけＸ方向に水平移動して、ピックアップされたダイ１５1の抜けた多孔吸着板２の表面をカバーして、真空吸引力のリークを防止する。このリークカバー６，７の移動時には、ピックアップされたダイ１５1の抜けた多孔吸着板２の下面には吸着ブロッカー５が当接されているので、多孔吸着板２でのは発生しない。リークカバー６，７によって、ピックアップされたダイ１５1の抜けた多孔吸着板２の表面をカバーした後、吸着ブロッカー５が下降する。
【００３０】
コレット８によってピックアップされたダイ１５1は、コレット８を水平移動させ、例えば、ボンディングポジションで下降して、加熱されたリードフレームなどの基板に、半田などのろう材によりボンディングされる。
【００３１】
ダイ１５1のリードフレームなどの基板に対するボンディングが終了すると、コレット８が上昇し水平移動して、再び、多孔吸着板２の上方で、かつ、吸着ブロッカー５と同軸線上の位置に復帰する。
【００３２】
なお、図１では、説明の便宜上、吸着ブロッカー５およびコレット８が、多数のダイ１５のうちＸ方向およびＹ方向の端ではないダイの上下に位置している状態を示しているが、実際には、図６（Ａ）〜（Ｃ）に示すように、多数のダイ１５のうち、Ｘ方向およびＹ方向の端のダイ１５1から順次ピックアップしていく。すなわち、例えば、今、図６（Ａ）に示すように、第１列目に１０個のダイ１５1，１５2，１５3…，１５10が並置され、第２列目に１０個のダイ１５11，１５12，１５13…，１５20が並置され、以下同様に、各列共に１０個ずつのダイが並置されているものとすると、最初に、図６（Ａ）に示すように、第１列目の左端部のダイ１５1に接してリークカバー６が位置し、第１列目のダイ１５1，１５2，１５3…，１５10に接して、リークカバー７が位置している。
【００３３】
そして、前述のようにして、ダイ１５1がピックアップされると、図６（Ｂ）に示すように、リークカバー６，７がダイ１個分だけＸ方向に水平移動して、リークカバー６によって、ピックアップされたダイ１５1の抜けた多孔吸着板２の表面をカバーして、真空吸引力のリークを阻止する。
【００３４】
以下、第１列目のダイ１５2，１５3…，１５10も同様の動作を行なって順次ピックアップし、右端のダイ１５10がピックアップされると、リークカバー６，７が図示左方（−Ｘ方向）に水平移動し、かつ、Ｘ−Ｙ−Ｚステージ1がダイ１個分だけ図示上方（Ｙ方向）に移動して、図６（Ｃ）に示すように、リークカバー６，７が第２列目のダイ１５11，１５12，１５13…，１５20に対して、同様にリークカバー６が左端部のダイ１５11に接し、リークカバー７が横一列のダイ１５11，１５12，１５13…，１５20に接するようにする。
【００３５】
以下、第２列目のダイ１５11，１５12，１５13…，１５20に対しても、ダイがピックアップされるごとに、リークカバー６，７がダイ１個分だけＸ方向に水平移動して、順次、ダイ１５11，１５12，１５13…，１５20をピックアップする。第２列目のダイのピックアップが終了すると、第３列目のダイ１５21，１５22，１５23…，１５30以下についても、同様に順次ピックアップしていく。
【００３６】
上記のように、ダイ１５をピックアップするごとに、リークカバー６，７がＸ方向、−Ｘ方向に水平移動し、Ｘ−Ｙ−Ｚステージ１がＹ方向に水平移動することによって、ピックアップされてダイの抜けた多孔吸着板２の表面をリークカバー６，７がカバーしていき、残余のダイ１５の吸着作用が失われることなく、すなわち、吸着状態を保持したまま、順次、ダイ１５をピックアップしていくことができる。
【００３７】
なお、上記説明では、各列のダイを、常に、図示左方からピックアップしていく場合について説明したが、例えば、第１列目のダイ１５1，１５2，１５3…，１５10を図示左方端のダイ１５1から順次ピックアップした後、第２列目のダイ１５11，１５12，１５13…，１５20は図示右方端のダイ１５20から順次ピックアップし、第３列目のダイ１５21，１５22，１５23…，１５30を再び図示左方端のダイ１５21から順次ピックアップするといった具合に、奇数列は図示左方端から順次ピックアップし、偶数列は図示右方端から順次ピックアップするようにしてもよい。このようにダイ１５をジグザク状にピックアップすると、各列のダイのピックアップ終了後、次の列へのリークカバー６，７の移動距離および移動時間が短縮される利点がある。ただし、この場合は、リークカバー６は、左右に一対配置する必要がある。
【００３８】
上記多孔吸着板２は、焼結金属などの多数の孔が多方向に連通している多孔金属板を用いることができるが、図７（Ａ）に示すように、多数の孔２ａがダイ１５の形状およびサイズに応じた領域内の厚さ方向のみに連通している方向性を有する多孔吸着板２Ａを用いれば、真空吸引力がピックアップしようとするダイの近傍のダイに作用することが防止できるし、隣接するダイ間からの真空吸引力のリークが防止できて望ましい。このような方向性を有する多孔吸着板２Ａは、例えば、多数の孔２ａをパンチング加工，ドリル加工，エッチング加工などによっても形成することができる。
【００３９】
もし必要ならば、図７（Ｂ）に示すように、多数の孔２ａを満遍なく形成した多孔吸着板２Ｂを用い、ダイ１５の形状およびサイズに応じて、ダイ１５，１５間の孔２ｂを閉止する格子状のリークカバー９を多孔吸着板２Ｂの下面に貼り付けまたは配置して、ダイ１５の形状およびサイズに応じた多孔吸着部を構成するようにしてもよい。このようにすると、リークカバー９のみをダイ１５の形状およびサイズに応じて変更することにより、多孔吸着板２Ｂを各種形状およびサイズのダイ１５に共用することができる。
【００４０】
また、上記実施形態では、吸着ブロッカー５を水平移動させないで、Ｘ−Ｙ−Ｚテーブル１を水平移動させる場合について説明したが、テーブルを水平移動させないで、吸着ブロッカー５を水平移動させるようにしてもよい。
【００４１】
また、上記実施形態では、吸着ブロッカー５を昇降させる場合について説明したが、Ｘ−Ｙ−Ｚテーブル１を昇降させるようにしてもよい。
【００４２】
また、上記実施形態では、ダイをピックアップした後、リークカバー６,７をＸ方向および／または−Ｘ方向に水平移動させ、Ｘ−Ｙ−Ｚテーブル１をＹ方向に水平移動させる場合について説明したが、リークカバー６,７をＸ方向および／または−Ｘ方向に水平移動させると共に、Ｙ方向に水平移動させるようにしてもよい。なお、このように、リークカバー６,７をＹ方向にも水平移動させる場合は、吸着ブロッカー５も水平移動させるようにする。
【００４３】
【発明の効果】
以上に説明したように、本発明のダイピックアップ方法は、ステージ上に配列された多数のダイと、ステージの上方に配置されステージ上のダイを順次ピックアップするコレットとを有し、コレットでステージ上のダイを順次ピックアップする方法において、前記ステージがダイを吸着する多孔吸着部材を有し、この多孔吸着部材によって相互に分離独立した多数のダイが吸着されており、前記多孔吸着部材のピックアップしようとするダイの吸着力を吸着ブロッカーにより遮断した状態で、コレットによりダイをピックアップすると共に、多孔吸着部材のダイがピックアップされた表面部分をリークカバーでカバーするようにしたことを特徴とするものであるから、吸着ブロッカーでピックアップしようとするダイの吸着力を遮断して、コレットにより容易にピックアップすることができる。また、ダイがピックアップされた多孔吸着部材の表面をリークカバーでカバーするので、残余のダイの吸着状態に悪影響を与えることがない。
【００４４】
また、本発明のダイピックアップ装置は、ステージ上に配列された多数のダイと、ステージの上方に配置されステージ上のダイを順次ピックアップするコレットとを有し、コレットでステージ上のダイを順次ピックアップする装置において、前記ステージがダイを吸着する多孔吸着部材を有し、この多孔吸着部材によって相互に分離独立した多数のダイを吸着し、前記多孔吸着部材の下方にピックアップしようとするダイの下方部からの吸着力を遮断する昇降自在の吸着ブロッカーを配置すると共に、多孔吸着部材の上方で前記吸着ブロッカーと同軸線上に昇降自在のコレットを配置し、多孔吸着部材のダイがピックアップされた表面部分をカバーする水平移動自在のリークカバーを配置したことを特徴とするものであるから、吸着ブロッカーでピックアップしようとするダイの吸着力を遮断して、コレットにより容易にピックアップすることができる。また、ダイがピックアップされた多孔吸着部材の表面をリークカバーでカバーするので、残余のダイの吸着状態に悪影響を与えることがない。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態に係るダイピックアップ装置の概略斜視図である。
【図２】図１のダイピックアップ装置におけるダイピックアップ動作説明図で、
（Ａ）はピックアップするダイをピックアップポジションに移動させた状態、
（Ｂ）はコレットを下降させると共に、吸着ブロッカーを上昇させた状態、
（Ｃ）はダイを吸着したコレットを上昇させてダイをピックアップした状態、
（Ｄ）は吸着ブロッカーを下降させた状態を示す。
【図３】本発明の実施に用い得る半導体ウェーハの斜視図である。
【図４】図３の半導体ウェーハのストリート領域にレーザを照射して割断する動作説明の要部拡大斜視図である。
【図５】図４のレーザ割断によって得られた多数のダイが並置された状態の要部拡大斜視図である。
【図６】図１のダイピックアップ装置によりダイを順次ピックアップする動作説明図で、
（Ａ）はダイ１５1をピックアップする前の状態の平面図、
（Ｂ）はダイ１５1をピックアップ後リークカバーがダイ１５1の抜けた位置に水平移動した状態の平面図、
（Ｃ）は第１列目のダイのピックアップが終了してリークカバーが第２列目のダイに接した状態の平面図である。
【図７】（Ａ）は本発明に係る多孔吸着部材の異なる実施形態の要部拡大断面図、
（Ｂ）は本発明に係る多孔吸着部材のさらに異なる実施形態の要部拡大断面図である。
【図８】従来の半導体ウェーハの斜視図である。
【図９】従来の半導体ウェーハをダイシングテープに接着した状態の斜視図である。
【図１０】図９の半導体ウェーハをダイシングした状態の要部拡大正面図で、
（Ａ）はフルカット法の場合、
（Ｂ）はハーフカット法の場合を示す。
【図１１】従来のピックアップ方法について説明する要部拡大断面図である。
【図１２】図１０のダイシング法の問題点について説明する要部拡大正面図である。
【符号の説明】
１  Ｘ−Ｙ−Ｚステージ
２，２Ａ，２Ｂ  多孔吸着部材（多孔吸着板）
２ａ，２ｂ  孔
３  サクションチャンバー
４  真空配管
５  吸着ブロッカー
６，７  リークカバー
８  コレット
１０  半導体ウェーハ
１１  素子
１２  ストリート領域
１３  レーザ（超短パルスレーザ）
１４  割断の起点となる傷
１５  ダイ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
2004193493.tif 000006
【図５】
2004193493.tif 000007
【図６】
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【図７】
2004193493.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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