(57)【要約】【課題】実際の電子部品（半導体装置を含む）等で求められる熱膨張率と熱伝導率とのバランスに適合した特性を有するとともに、より高い熱伝導性を有する放熱材及びその製造方法を提供する。【解決手段】実質的に炭化珪素と金属シリコンから構成され、炭化珪素の結晶がお互いに結合し合ってできた空隙に金属シリコンが含浸されてなる放熱材である。その製造方法は、炭化珪素粉末に有機バインダー及び分散剤、または分散効果のあるバインダーを添加して鋳込み成形又はプレス成形で成形し、２１００〜２５００℃で１〜５時間熱処理して得られた基材に有機樹脂を含浸・乾燥及び熱処理させた後、更に、減圧雰囲気下１４５０〜１８００℃で金属シリコンを含浸させるものである。【選択図】  なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
実質的に炭化珪素と金属シリコンから構成されてなることを特徴とする放熱材。
【請求項２】
請求項１に記載の放熱材であって、
該炭化珪素の結晶がお互いに結合し合ってできた空隙に該金属シリコンが含浸されてなることを特徴とする放熱材。
【請求項３】
請求項２に記載の放熱材であって、
含浸された金属シリコンが４〜３０重量％で、且つ嵩比重が２．９５以上３．１８以下であり、熱伝導率が１９０Ｗ／ｍＫ以上であることを特徴とする放熱材。
【請求項４】
請求項２に記載の放熱材であって、
含浸された金属シリコンが４〜２０重量％で、且つ嵩比重が３．０５以上３．１８以下であり、熱伝導率が２３０Ｗ／ｍＫ以上であることを特徴とする放熱材。
【請求項５】
請求項２に記載の放熱材であって、
含浸された金属シリコンが４〜１５重量％であり、且つ嵩比重が３．０８以上３．１８以下であり、熱伝導率が２５０Ｗ／ｍＫ以上であることを特徴とする放熱材。
【請求項６】
請求項３〜５のいずれか１項に記載の放熱材であって、
熱膨張係数が３×１０−６／Ｋ以下であることを特徴とする放熱材。
【請求項７】
請求項２又は３に記載の放熱材を製造する製造方法であって、炭化珪素粉末に有機バインダー及び分散剤、または分散効果のあるバインダーを添加して、鋳込み成形又はプレス成形で成形し、２１００〜２５００℃で１〜５時間熱処理して得られた基材に減圧雰囲気下１４５０〜１８００℃で金属シリコンを含浸させることを特徴とする放熱材の製造方法。
【請求項８】
請求項４又は５に記載の放熱材を製造する製造方法であって、炭化珪素粉末に有機バインダー及び分散剤、または分散効果のあるバインダーを添加して、鋳込み成形又はプレス成形で成形し、２１００〜２５００℃で１〜５時間熱処理して得られた基材に有機樹脂を含浸・乾燥及び熱処理させた後、更に、減圧雰囲気下１４５０〜１８００℃で金属シリコンを含浸させることを特徴とする放熱材の製造方法。
【請求項９】
請求項４又は５に記載の放熱材を製造する製造方法であって、炭化珪素粉末に有機バインダー及び分散剤、または分散効果のあるバインダーを添加して、鋳込み成形又はプレス成形で成形し、２１００〜２５００℃で１〜５時間熱処理して得られた基材に有機樹脂を含浸・乾燥及び熱処理させた後、更に、減圧雰囲気下１４５０〜１８００℃で金属シリコンを含浸させ、この後再度２１００〜２５００℃で１〜５時間熱処理をしてから減圧雰囲気下１４５０〜１８００℃で金属シリコンを含浸させることを特徴とする放熱材の製造方法。
【請求項１０】
請求項８又は９に記載の放熱材の製造方法であって、有機樹脂の残炭率が３０重量％以上であることを特徴とする放熱材の製造方法。
【請求項１１】
該基材に該有機樹脂を含浸、乾燥させた後、非酸化雰囲気にて、２００〜１０００℃で熱処理される請求項８又は９に記載の放熱材の製造方法。
【請求項１２】
該有機樹脂の含浸、乾燥及び熱処理を、少なくとも１回以上行う請求項８又は９に記載の放熱材の製造方法。
【請求項１３】
該有機樹脂が、フェノール樹脂である請求項８〜１２のいずれか１項に記載の放熱材の製造方法。
【請求項１４】
該炭化珪素粉末が、平均粒径が５０〜１５０μｍの粗粒を３０〜６０重量％、平均粒径が５〜５０μｍの中間粒を１〜５重量％、平均粒径が１〜１０μｍの中間粒を１〜５重量％、平均粒径が０．１〜５μｍの微粒を３０〜６０重量％からなる組成である請求項７〜１３のいずれか１項に記載の放熱材の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、高熱伝導性放熱材及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、多数の半導体素子を含む電子機器が急速に普及しており、半導体集積回路は、微細加工技術の進展により、ますます高集積化し、同時に高速化、高出力化が進行しており、上記半導体素子を内蔵する電子機器を効率よく作動させるためには、適切な温度に保持することが重要であり、効率的な冷却、放熱対策が必要不可欠であった。
【０００３】放熱材は、半導体素子において発生した熱を効率良く排出し、半導体素子の性能、信頼性の低下を防止する重要な役割を果している。
尚、放熱材の構成材料としては、一般に、熱伝導度の良好な銅やアルミニウム等の金属材料が使用されてきた。
【０００４】現在、ＣＰＵやメモリ等のＩＣチップにおいては、低消費電力を目的とした低電力駆動を図りながらも、半導体素子の高集積化と素子形成面積の拡大化に伴ってＩＣチップ自体が大型化する傾向にある。
また、効率的な熱排出のため素子と放熱材との接着を高精度に行う必要が生じてきた。
ＩＣチップが大型化すると、半導体基体（シリコン基板やＧａＡｓ基板）と放熱材との熱膨張の差によって生じる応力が大きくなり、ＩＣチップと放熱材との接着精度の低下、剥離現象や機械的破壊が生じるおそれがあった。
【０００５】このため、放熱材の構成材料としては、単に熱伝導度を考えるのみでなく、半導体基体であるシリコン（Ｓｉ）やＧａＡｓと熱膨張率がほぼ一致し、しかも、熱伝導度の高い材料の選定が必要となってきている。
【０００６】ヒートシンク材の改善に関しては、多種多様の報告があるが、例えば、Ｃｕ（銅）−Ｗ（タングステン）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）又はＡｌ（アルミニウム）−ＳｉＣを用いることが知られている。
【０００７】特に、Ｃｕ−Ｗは、ＷとＣｕの高熱伝導性を兼ね備えた複合材料であり、しかも機械加工が容易であることから、微細複雑形状品の製造が可能であり、半導体装置の放熱材として好適である。
【０００８】また、ＡｌＮは、電気絶縁性が高く、誘電率が低い材料で各種メタライズ処理が可能であるだけでなく、熱伝導性と熱膨張性のバランスに優れており、特にＳｉの熱膨張率とほぼ一致することから、半導体基体としてシリコン基板を用いた半導体装置の放熱材としてより好適である。
【０００９】更に、Ａｌ−ＳｉＣは、高い熱伝導性を有するとともに、ニアネット成形が可能であり、例えば、ＩＣ部品のリッド形状等を比較的簡単にできるため、半導体装置の放熱材として更に好適である。
【００１０】しかしながら、高度情報化社会の発展に伴い、その伝送手段であるレーザーダイオードの大出力化、ＬＳＩの高集積・高速・高性能化等、半導体素子の更なる性能向上に対応するため、上記Ｃｕ−Ｗ、Ａｌ−ＳｉＣよりもよりシリコンチップに近い低い熱膨張性を有し、ＡｌＮより高い熱伝導性を有する高熱伝導性放熱材が要求されている。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上述した従来技術の問題点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、実際の電子部品（半導体装置を含む）等で求められる熱膨張率と熱伝導率とのバランスに適合した特性を有するとともに、より高い熱伝導性を有する放熱材及びその製造方法が提供される。
【００１２】
【課題を解決するための手段】実質的に炭化珪素と金属シリコンから構成され、該炭化珪素の結晶がお互いに結合し合う網目状に構成される空隙に該金属シリコンが含浸されてなる放熱材であって、含浸された金属シリコンが４〜３０重量％であり、且つ嵩比重が２．９５以上３．１８以下であり、熱伝導率が１９０Ｗ／ｍＫ以上であることを特徴とする放熱材（放熱材［１］）が提供される。
【００１３】また、実質的に炭化珪素と金属シリコンから構成され、該炭化珪素の結晶がお互いに結合し合う網目状に構成される空隙に該金属シリコンが含浸されてなる放熱材であって、含浸された金属シリコンが４〜２０重量％であり、且つ嵩比重が３．０５以上３．１８以下であり、熱伝導率が２３０Ｗ／ｍＫ以上であることを特徴とする放熱材（放熱材［２］）が提供される。
【００１４】更に、実質的に炭化珪素と金属シリコンから構成され、該炭化珪素の結晶がお互いに結合し合う網目状に構成される空隙に該金属シリコンが含浸されてなる放熱材であって、含浸された金属シリコンが４〜１５重量％であり、且つ嵩比重が３．０８以上３．１８以下であり、熱伝導率が２５０Ｗ／ｍＫ以上であることを特徴とする放熱材（放熱材［３］）が提供される。
尚、上記放熱材［１］〜［３］は、熱膨張係数が３×１０−６／Ｋ以下であることが好ましい。
【００１５】次に、本発明によれば、実質的に炭化珪素と金属シリコンから構成され、該炭化珪素の結晶がお互いに結合し合う網目状に構成される空隙に該金属シリコンが含浸されてなる放熱材の製造方法であって、炭化珪素粉末に有機バインダー及び分散剤、または分散効果のあるバインダーを添加して鋳込み成形又はプレス成形で成形し、２１００〜２５００℃で１〜５時間熱処理して得られた基材に、減圧雰囲気下１４５０〜１８００℃で金属シリコンを含浸させることを特徴とする放熱材の製造方法が提供される。
【００１６】また、本発明によれば、実質的に炭化珪素と金属シリコンから構成され、該炭化珪素の結晶がお互いに結合し合ってできた空隙に該金属シリコンが含浸されてなる放熱材の製造方法であって、炭化珪素粉末に有機バインダー及び分散剤を添加して、または分散効果のあるバインダーを添加して鋳込み成形又はプレス成形で成形し、２１００〜２５００℃で１〜５時間熱処理して得られた基材に有機樹脂を含浸・乾燥及び熱処理させた後、更に、減圧雰囲気下１４５０〜１８００℃で金属シリコンを含浸させることを特徴とする放熱材の製造方法が提供される。
更に、本発明によれば、ここで金属シリコンを含浸した後、再度２１００〜２５００℃で１〜５時間熱処理してから金属シリコンを含浸させることを特徴とする放熱材の製造方法が提供される。
【００１７】このとき、本発明の製造方法では、有機樹脂が基材に含浸された後、非酸化雰囲気にて、２００〜１０００℃で熱処理されることが好ましい。
また、本発明の製造方法では、有機樹脂の含浸・乾燥及び熱処理を少なくとも１回、より好ましくは、２〜３回行うことが好ましい。
更に、本発明の製造方法では、有機樹脂がフェノール樹脂であることが好ましい。
【００１８】尚、本発明の製造方法では、ＳｉＣ粉末が、平均粒径が５０〜１５０μｍのＳｉＣ粗粒を３０〜６０重量％、平均粒径が５〜５０μｍのＳｉＣ中間粒を１〜５重量％、平均粒径が１〜１０μｍのＳｉＣ中間粒を１〜５重量％、平均粒径が０．１〜５μｍのＳｉＣ微粒を３０〜６０重量％からなる組成であることが好ましい。
【００１９】
【発明の実施の形態】本発明のヒートシンク材は、実質的に炭化珪素と金属シリコンから構成され、炭化珪素の結晶がお互いに結合し合ってできた空隙に金属シリコンが含浸されてなるものであり、炭化珪素が実質的にα−ＳｉＣからなり、含浸された金属シリコンが４〜３０重量％であり、且つ嵩比重が２．９５以上３．０５以下であり、熱伝導率が１９０Ｗ／ｍＫ以上であるもの（放熱材［１］）、及び炭化珪素が実質的にα−ＳｉＣ及びβ−ＳｉＣからなり、含浸された金属シリコンが４〜２０重量％であり、且つ嵩比重が３．０５以上３．１８以下であり、熱伝導率が２３０Ｗ／ｍＫ以上であるもの（放熱材［２］）、である。
【００２０】これにより、本発明のヒートシンク材は、実際の電子部品（半導体装置を含む）等で求められる熱膨張率と熱伝導率とのバランスに適合した特性を有するとともに、より高い熱伝導性を有することができる。
【００２１】ここで、本発明の放熱材（放熱材［１］）は、炭化珪素が実質的にα−ＳｉＣ（六方晶型および斜方晶炭化珪素）からなる場合、含浸された金属シリコンが４〜３０重量％（より好ましくは、２０〜３０重量％）であることが好ましい。
これは、熱伝導率が炭化珪素は３００Ｗ／ｍＫ程度であるのに対し金属シリコンは１４０Ｗ／ｍＫと炭化珪素の方が高く、金属シリコンが３０重量％より多くなると、熱伝導率が１９０Ｗ／ｍＫを満足できなくなるからである。
また、理想的には金属シリコン量が２０重量％よりも少ないほうが良いが、そのためには基材の気孔率をより少なくする必要がある。
しかしながら、現実的に一回の成形から炭化珪素の結晶がお互いに結合し合う網目状に構成させる工程において気孔率を金属シリコンが２０重量％未満になるまで低減させるのはコスト的に困難である。
このとき、上記放熱材［１］は、嵩比重が２．９５以上であることが好ましい。
これは、嵩比重が２．９５未満である場合、得られた焼成体（放熱材）の嵩比重、即ちＳｉＣ含有量が十分でなく、熱伝導率が低下してしまうからである。
【００２２】また、本発明の放熱材（放熱材［２］）は、炭化珪素が実質的にα−ＳｉＣ（六方晶および斜方晶型炭化珪素）及び微量のβ−ＳｉＣ（立方晶型炭化珪素）からなる場合、含浸された金属シリコンが炭化珪素１００重量％に対して４〜２０重量％であることが好ましい。
これは、熱伝導率が炭化珪素は３００Ｗ／ｍＫ程度であるのに対し金属シリコンで１４０Ｗ／ｍＫと炭化珪素の方が高く、金属シリコンが１５重量％以上だと熱伝導率が２３０Ｗ／ｍＫを満足できなくなる。また、理想的には金属シリコンは存在せず全てが炭化珪素で構成されたほうが良いが、そのためには出発原料に超微粉原料を用いた緻密質炭化珪素基材とする必要がある。しかしながらこのような手段では原料コストが効果でありコスト的にメリットがないからである。
【００２３】このとき、上記放熱材［２］は、嵩比重が３．０５以上であることが好ましい。
これは、嵩比重が３．０５未満である場合、得られた焼成体（放熱材）の嵩比重、即ちＳｉＣ含有量が十分でなく、熱伝導率が低下してしまうからである。
また、上記放熱材［２］の熱伝導率を２５０Ｗ／ｍＫ以上にする場合（放熱材［３］の場合）、少なくとも、嵩比重を３．０８以上にすることが好ましい。
【００２４】尚、本発明の放熱材は、高い熱伝導性を有するとともに、低い熱膨張性を有することが重要であるため、上記放熱材［１］〜［３］は、熱膨張係数が３×１０−６／Ｋ以下であることが好ましい。
【００２５】本発明のヒートシンク材の製造方法は、炭化珪素粉末に有機バインダー及び分散剤、または分散効果のあるバインダーを添加して鋳込み成形又はプレス成形で成形し、２１００〜２５００℃で１〜５時間熱処理して得られた基材に、減圧雰囲気下１４５０〜１８００℃で金属シリコンを含浸させてなるものである。
また、本発明では、炭化珪素粉末に有機バインダー及び分散剤または分散効果のあるバインダーを添加して鋳込み成形又はプレス成形で成形し、２１００〜２５００℃で１〜５時間熱処理して得られた基材に有機樹脂を含浸・熱処理させた後、更に、減圧雰囲気下１４５０〜１８００℃で金属シリコンを含浸させてなるものである。
【００２６】ここで、本発明の製造方法の主な特徴は、炭化珪素の結晶がお互いに結合し合う網目状に構成される基材に金属シリコンを含浸する前に、有機樹脂を含浸・熱処理することにより、前駆体である炭化珪素の結晶がお互いに結合し合う網目状に構成される基材の空隙部に有機樹脂から生成した多孔質の炭素（Ｃ）を充填することにある。
これにより、得られた基材に、減圧雰囲気下１４５０〜１８００℃で金属シリコンを含浸させると、炭化珪素の結晶がお互いに結合し合う網目状に構成される基材の空隙部に有機樹脂から生成した多孔質の炭素（Ｃ）が金属シリコン（Ｓｉ）と反応してＳｉＣ（炭化珪素）となり体積膨張し、隙間部に充填されるので、得られたヒートシンク材の嵩比重、即ち炭化珪素含有量を向上することができ、ひいては、熱伝導率を大幅に向上することができる。
【００２７】このとき、本発明の製造方法では、有機樹脂を基材に含浸した後、炭化珪素の結晶がお互いに結合し合う網目状に構成される基材の隙間部に有機樹脂と金属シリコンとをより良く反応させ最大限炭化珪素を生成させるため、熱処理を行うことが好ましい。
熱処理された基材は、非酸化雰囲気下、２００〜１０００℃の熱処理で、有機樹脂を炭化することにより、炭化珪素の結晶がお互いに結合し合う網目状に構成される基材の空隙部に分解ガスが発生し気孔外に放出された際に生成される細かな経路を持つ多孔質の炭素（Ｃ）が充填される。
【００２８】また、本発明の製造方法では、有機樹脂の含浸および熱処理を少なくとも１回、より好ましくは、２〜３回行うことが好ましい。
これは、炭化珪素の結晶がお互いに結合し合う網目状に構成される基材の隙間部に、有機樹脂を充填しすぎると、隙間部における気孔の閉塞、気孔径縮小等により、金属シリコン（Ｓｉ）が十分行き渡らなくなるため、十分に炭化珪素の生成が得られず得られた焼結体（放熱材）の嵩比重が低下してしまうからである。
【００２９】更に、本発明の製造方法では、有機樹脂がフェノール樹脂であることが好ましい。
これは、フェノール樹脂の特徴として、液体であるため炭化珪素の結晶がお互いに結合し合う網目状に構成される基材の気孔内に均一に充填できるだけでなく、残留炭素が高く、炭化することにより、強度の高いガラス状カーボンが得られるとともに、熱硬化性樹脂であるので、有機樹脂を基材に含浸した後、熱処理することにより、炭化珪素の結晶がお互いに結合し合う網目状に構成される基材の隙間部に均一に多孔質の炭素（Ｃ）を定着させることができるからである。
【００３０】本発明で用いるフェノール樹脂は、特に限定されないが、ヘキサミンを添加したノボラックを用いることが、平均分子量が高く、高い残炭率を示すため好ましい。
【００３１】尚、本発明で用いる炭化珪素粉末は、平均粒径が５０〜１５０μｍの粗粒を３０〜６０重量％、平均粒径が５〜５０μｍの中間粒を１〜５重量％、平均粒径が１〜１０μｍの中間粒を１〜５重量％、平均粒径が０．１〜５μｍの微粒を３０〜６０重量％からなる組成であることが好ましい。
これは、平均粒径が５０〜１５０μｍの粗粒が３０重量％より小さいと、成形体の充填密度が低下すると共に熱伝導に有利な炭化珪素粗粒の比率が低下し熱伝導率が小さくなってしまうからである。
一方、６０重量％よりも多くなると、鋳込成形用スラリーまたはプレス成形用粉末の流動性が悪化し成形体の充填密度が低下する。
【００３２】平均粒径が５〜５０μｍの第一の中間粒は、粗粒と微粒との間にできる隙間に充填されより高い成形体密度が達成できる。第一の中間粒が１重量％よりも少ない場合、炭化系素粒子の充填が不十分となり成形体の充填密度向上に寄与しない。一方、５重量％よりも多くなると、過剰分より逆に炭化珪素粒子間の隙間を押し広げてしまう現象が生じ、成形体の充填密度が低下し熱伝導率が低下する。
【００３３】また、本発明では、平均粒径が１〜１０μｍの第二の中間粒を添加することにより粗粒、微粒、第一の中間粒により形成された隙間への粒子充填が可能でより高い成形体の充填密度が得られる。第二の中間粒が１重量％よりも少ない場合、同様に炭化珪素粒子の充填が不十分となり成形体の密度向上に寄与しない。一方、５重量％よりも多くなると、過剰分より逆に炭化珪素粒子間の隙間を押し広げてしまう現象が同様に生じ成形体の充填密度が低下し熱伝導率が低下する。
【００３４】更に、本発明では、平均粒径が０．１〜５μｍの微粒が３０重量％よりも少なくなると、成形体充填密度が低下すると共に再結晶化時に微粉の昇華によって得られる炭化珪素雰囲気が十分でなく炭化珪素同士のネッキングが十分行われず熱伝導率が低下する。
一方、６０重量％よりも多くなると、成形時の充填密度が低下し熱伝導率が低下する。
【００３５】
【実施例】本発明を実施例に基づいて、更に詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例に限られるものではない。
（実施例１〜７）
炭化珪素粉末（平均粒径が１００μｍのＳｉＣ粗粒を４８重量％、平均粒径が３０μｍの第一の中間粒を３重量％、平均粒径が２μｍの第二の中間粒を２重量％、平均粒径が２μｍのＳｉＣ微粒を４７重量％からなる組成にアクリル系有機バインダー及びポリカルボン酸系分散剤を添加しスラリーを作成後スプレードライヤーにて造粒粉末を得た。得られた造粒粉末は成形圧力を変えてプレス成形にて成形体（実施例１〜５）を得た。また、同様に得られたスラリーにて鋳込み成形にて成形体（実施例６及び実施例７）を得た。
【００３６】得られた成形体を、２３００℃で３時間熱処理（再結晶化）し、再結晶体の基材を得た（実施例１及び実施例２）。また、得られた基材に、有機樹脂（１０重量％のヘキサミンが添加されたノボラック系フェノール樹脂）を真空デシケーター内で３０分間真空含浸後、真空デシケーター内から取り出して、含浸後の基材表面の過剰分をふき取った。
金属製皿にポリテトラフルオロエチレン（商標名：テフロン）シートを敷いて、この上に含浸後の基材を積載して、乾燥器内で１６０℃で１時間保持することにより、含浸された有機樹脂の硬化処理を行った（実施例３及び実施例６）。
更に、フェノール樹脂の含浸、乾燥、熱処理を２回繰り返したもの（実施例４及び実施例７）、３回繰り返したもの（実施例５）を得た。
【００３７】得られたフェノール含浸処理後の基材に、減圧雰囲気下１５００℃で金属シリコンを含浸させることにより、Ｓｉ−ＳｉＣからなるヒートシンク材を得た。得られたヒートシンク材について、金属シリコン含浸前に気孔率、嵩比重、含浸後に嵩比重の測定を行うとともに、得られたヒートシンク材のＳｉＣおよび金属Ｓｉ含量及び室温時における熱伝導率、熱膨張係数の評価を行った。その結果を表１に示す。
また、従来の放熱材との室温時における嵩比重、熱伝導率、熱膨張係数の評価比較を表２に示す。
【００３８】
（比較例）
実施例１よりも低い成形圧でプレス成形した成形体を、２３００℃で３時間熱処理（再結晶化）した後、減圧雰囲気下１５００℃で金属シリコンを含浸させることにより、Ｓｉ−ＳｉＣからなる放熱材を得た。得られた放熱材について、同様の特性の評価を行った。その結果を表１に示す。
【００３９】
【表１】
2004281851.tif 000002
【００４０】
【表２】
2004281851.tif 000003
【００４１】
（考察）
実施例１〜７では、成形体充填密度を向上させた炭化珪素の結晶がお互いに結合し合う網目状に構成される基材に金属シリコンを含浸する前に、有機樹脂を含浸・熱処理することにより、基材の空隙部に有機樹脂から生成される多孔質の炭素（Ｃ）が充填され、その炭素（Ｃ）が金属シリコン（Ｓｉ）と反応してＳｉＣ（炭化珪素）となり、空隙部を充填することができる。
これにより、得られた放熱材（実施例１〜７）の嵩比重、即ち炭化珪素含有量を向上することができるとともに、比較例や従来の放熱材と比較して、熱伝導率を大幅に向上することができた（表１及び表２参照）。
【００４２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の放熱材及びその製造方法は、実際の電子部品（半導体装置を含む）等で求められる熱膨張率と熱伝導率とのバランスに適合した特性を有するとともに、より高い熱伝導性を有することができる。