(57)【要約】【課題】通常のワイヤボンディング装置を利用して低コストに形成することができるようにする。【解決手段】本発明の半導体加速度センサ１のストッパ２は、基体３ａと、該基体３ａに対して相対変位可能に支持された重錘体３ｃとが半導体チップ３のチップ面に列設されてなる半導体加速度センサ１に設けられ、該基体３ａに対する該重錘体３ｃの過大な相対変位を防止するためのものである。このストッパ２は、長さ方向途中部位が前記重錘体３ｃの上方を経由するように配設され、該重錘体３ｃの所定限度以上の相対変位を防止する金ワイヤ５と、該長さ方向途中部位の両端側である被支持部位をそれぞれ基体３ａ上の所定点に支持する支持部６とを備え、該支持部６は、被支持部位における金ワイヤ中心軸の両側に形成された一対の支持バンプ１０を備え、該両支持バンプ１０の間に形成される凹部に被支持部位が配設されてなっている。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属ワイヤの長さ方向途中箇所である被支持部位を半導体チップ又は回路基板の所定点に支持する金属ワイヤ支持構造であって、
前記被支持部位における金属ワイヤ中心軸の両側に形成された一対のバンプを備え、該両バンプの間に形成される凹部に前記被支持部位が配設されてなる金属ワイヤ支持構造。
【請求項２】
金属ワイヤの長さ方向途中箇所である被支持部位を半導体チップ又は回路基板の所定点に支持する金属ワイヤ支持構造であって、
前記所定点に形成されたパッドを備え、該パッドの上面には、前記被支持部位における金属ワイヤ中心軸の長さ方向に延びる溝状の凹部が形成されており、該凹部に前記被支持部位が配設されてなる金属ワイヤ支持構造。
【請求項３】
前記凹部の上から前記被支持部位を押さえつけるように形成されたバンプを備えた請求項１又は２記載の金属ワイヤ支持構造。
【請求項４】
基体と、該基体に対して相対変位可能に支持された重錘体とが半導体チップのチップ面に列設されてなる半導体加速度センサに設けられ、該基体に対する該重錘体の過大な相対変位を防止するためのストッパであって、
長さ方向途中部位が前記重錘体の上方を経由するように配設され、該重錘体の所定限度以上の相対変位を防止する金属ワイヤと、該長さ方向途中部位の両端側である被支持部位をそれぞれ前記基体上の所定点に支持する支持部とを備え、
該支持部の少なくとも一方は、前記被支持部位における金属ワイヤ中心軸の両側に形成された一対のバンプを備え、該両バンプの間に形成される凹部に前記被支持部位が配設されてなる半導体加速度センサのストッパ。
【請求項５】
基体と、該基体に対して相対変位可能に支持された重錘体とが半導体チップのチップ面に列設されてなる半導体加速度センサに設けられ、該基体に対する該重錘体の過大な相対変位を防止するためのストッパであって、
長さ方向途中部位が前記重錘体の上方を経由するように配設され、該重錘体の所定限度以上の相対変位を防止する金属ワイヤと、該長さ方向途中部位の両端側である被支持部位をそれぞれ前記基体上の所定点に支持する支持部とを備え、
該支持部の少なくとも一方は、前記基体上の所定点に形成されたパッドを備え、該パッドの上面には、前記被支持部位における金属ワイヤ中心軸の長さ方向に延びる溝状の凹部が形成されており、該凹部に前記被支持部位が配設されてなる半導体加速度センサのストッパ。
【請求項６】
前記支持部は、前記凹部の上から前記被支持部位を押さえつけるように形成されたバンプを備えた請求項４又は５記載の半導体加速度センサのストッパ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、金属ワイヤを半導体チップ又は回路基板に支持する金属ワイヤ支持構造と、その構造を有する半導体加速度センサのストッパに関するものである。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】
まず、従来の金属ワイヤ支持方法について説明する。図１３は、従来のワイヤボンディング法（例えば特許文献１参照）により、金ワイヤを半導体チップ又は回路基板に支持させたときに形成されるワイヤループ９０を例示している。このワイヤループ９０には次の特徴がある。
（１）使用している金ワイヤが細い（直径２５〜３０μｍ）。
（２）金が柔らかいため、いろいろな形状を形成できる（図１３（ａ）〜（ｄ）参照）。
（３）ループ高さｈ１を制御できる。
【０００３】
ところが、従来のワイヤボンディング法には、次の問題がある。
（１）金が柔らかいため、ワイヤループ９０の形状が変形しやすい。このため、複数のワイヤループ９０を近接して設けたり、例えば３次元的に立体交差するようにワイヤループ９０を配線すると、ワイヤループ９０が変形しショートする可能性がある。
（２）ループ高さｈ１を約１００μｍ以下に制御することが非常に困難であった。仮に、約１００μｍ以下にすると、金ワイヤのループ立ち上がり部に亀裂が生じて断線しやすくなるという問題が発生する。
【０００４】
次に、従来の半導体加速度センサのストッパについて説明する。半導体のピエゾ抵抗効果を利用した半導体加速度センサは、例えば特許文献２に開示されているように、半導体基板の一部分をエッチングすることにより同時に形成される重りとそれを支える梁とを有し、この重り及び梁の三次元的な変位を検出することにより、印加された加速度を検出するように構成されている。この半導体加速度センサで、特に微小な加速度を検出可能にしようとすると、梁を薄く形成する必要があるが、そうすると過度の加速度が加わったときの梁のたわみが大きくなり、その弾性限界を超えて破損してしまう。このため、梁の過度のたわみを防止するために、ストッパが設けられている。このストッパは、梁の所定限度以下のたわみを許容する空間ができるように構成する必要があり、例えば、（ａ）ガラスをエッチングすることにより空間を形成したり、（ｂ）ガラスの表面にレジスト膜のパターンを形成し相対的にレジスト膜非形成部分に空間を形成したりするように構成されている。
【０００５】
ところが、従来のストッパを製造するためには、例えば、前記（ａ）の方法よりも工程数が少なく簡便な方法であるとされている前記（ｂ）の方法であっても、次の３工程が必要になる。
（１）ガラスを用いたストッパ基板上にレジストを塗布し、所定回転数で所定時間回転させレジスト膜を形成する（レジスト塗布工程）。
（２）（１）で形成したレジスト膜を所望のパターンを用い、所定露光量で露光し、現像することにより所望のパターンを形成する（レジストパターン形成工程）。
（３）（２）で形成したパターンを所定温度で所定時間ベイクし、前記レジストを構造体として形成し、ストッパを形成する（ベイクする工程）。
【０００６】
このように、従来のストッパは、その製造に多段階の工程が必要で、コストが掛かるという問題がある。
【０００７】
【特許文献１】
特開平１１−３０７５７１号公報
【特許文献２】
特開平８−１０７２１８号公報
【０００８】
本発明の目的は、上記課題を解決する金属ワイヤ支持構造及びその構造を有する半導体加速度センサのストッパを提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明の金属ワイヤ支持構造は、金属ワイヤの長さ方向途中箇所である被支持部位を半導体チップ又は回路基板の所定点に支持する金属ワイヤ支持構造であって、前記被支持部位における金属ワイヤ中心軸の両側に形成された一対のバンプを備え、該両バンプの間に形成される凹部に前記被支持部位が配設されてなっている。
【００１０】
また、本発明の金属ワイヤ支持構造は、金属ワイヤの長さ方向途中箇所である被支持部位を半導体チップ又は回路基板の所定点に支持する金属ワイヤ支持構造であって、前記所定点に形成されたパッドを備え、該パッドの上面には、前記被支持部位における金属ワイヤ中心軸の長さ方向に延びる溝状の凹部が形成されており、該凹部に前記被支持部位が配設されてなっている。
【００１１】
前記金属ワイヤ支持構造においては、前記凹部の上から前記被支持部位を押さえつけるように形成されたバンプを備えた態様を例示する。
【００１２】
また、本発明の半導体加速度センサのストッパは、基体と、該基体に対して相対変位可能に支持された重錘体とが半導体チップのチップ面に列設されてなる半導体加速度センサに設けられ、該基体に対する該重錘体の過大な相対変位を防止するためのストッパであって、長さ方向途中部位が前記重錘体の上方を経由するように配設され、該重錘体の所定限度以上の相対変位を防止する金属ワイヤと、該長さ方向途中部位の両端側である被支持部位をそれぞれ前記基体上の所定点に支持する支持部とを備え、該支持部の少なくとも一方は、前記被支持部位における金属ワイヤ中心軸の両側に形成された一対のバンプを備え、該両バンプの間に形成される凹部に前記被支持部位が配設されてなっている。
【００１３】
また、本発明の半導体加速度センサのストッパは、基体と、該基体に対して相対変位可能に支持された重錘体とが半導体チップのチップ面に列設されてなる半導体加速度センサに設けられ、該基体に対する該重錘体の過大な相対変位を防止するためのストッパであって、長さ方向途中部位が前記重錘体の上方を経由するように配設され、該重錘体の所定限度以上の相対変位を防止する金属ワイヤと、該長さ方向途中部位の両端側である被支持部位をそれぞれ前記基体上の所定点に支持する支持部とを備え、該支持部の少なくとも一方は、前記基体上の所定点に形成されたパッドを備え、該パッドの上面には、前記被支持部位における金属ワイヤ中心軸の長さ方向に延びる溝状の凹部が形成されており、該凹部に前記被支持部位が配設されてなっている。
【００１４】
前記半導体加速度センサのストッパにおいては、前記支持部は、前記凹部の上から前記被支持部位を押さえつけるように形成されたバンプを備えた態様を例示する。
【００１５】
以上において、前記バンプとしては特に限定されないが、前記金属ワイヤの先端に放電または水素炎を用いて微小ボールを形成し、該微小ボールを半導体チップ又は回路基板上に圧接した後、金属ワイヤを微小ボールのネック部から切断することにより形成されたものを例示する。
【００１６】
また、前記パッドとしては特に限定されないが、前記半導体チップ又は前記回路基板の表面にエッチングにより形成されたものを例示する。
【００１７】
【発明の実施の形態】
図１〜図６は本発明を具体化した第一実施形態を示している。以下、本発明を半導体加速度センサ１のストッパ２に具体化した実施形態について、同ストッパ２が有する金属ワイヤ支持構造とともに、図面を参照して説明する。
【００１８】
半導体加速度センサ１は、図１に示すように、矩形枠状の基体３ａと、該基体３ａの枠内に４本のビーム３ｂで支持されることにより、該基体３ａに対して相対変位可能に支持された重錘体３ｃとが半導体チップ３のチップ面に列設されてなっている。４本のビーム３ｂはＸ軸方向及びＹ軸方向に延びる十字状に配設されている。Ｘ軸方向のビーム３ｂにはＸ軸方向検出用のピエゾ素子４ｘ及びＺ軸方向検出用のピエゾ抵抗素子４ｚが４つずつ設けられ、Ｙ軸方向のビーム３ｂにはＹ軸方向検出用のピエゾ抵抗素子４ｙが４つ設けられている。重錘体３ｃは平面視で四つ葉のクローバー状に形成されており、その中央部が各ビーム３ｂの先端部と連結されている。そして、この半導体加速度センサ１では、重錘体３ｃが加速度を受けると、ビーム３ｂが変形し、その表面に配設されたピエゾ抵抗素子４ｘ，４ｙ，４ｚの抵抗値の変化を検出することにより加速度を検出するようになっている。
【００１９】
ストッパ２は、基体３ａに対する該重錘体３ｃの所定方向（本例ではＺ方向）への過大な相対変位を防止するためのものであり、図２に示すように長さ方向途中部位が前記重錘体３ｃの上方を経由するように配設され、該重錘体３ｃの所定限度以上の相対変位を防止する金ワイヤ５と、該長さ方向途中部位の両端側である被支持部位５ａをそれぞれ基体３ａ上の所定点に支持する支持部６とを備えている。そして、Ｚ方向への過大な加速度が重錘体３ｃに加わったとき、ストッパ２は基体３ａに対して重錘体３ｃがＺ方向へ一定量以上変位するのを抑制するようになっている。ストッパ２としては、特に限定されないが、直径約２５μｍの金ワイヤ５を使用し、ループ高さｈ１を約１００μｍ、基体３ａに対する金ワイヤ５の支持高さｈ２を約５０μｍに設定する場合を例示する（図２（ｂ）参照）。なお、金ワイヤの支持高さｈ２は、半導体加速度センサ１の仕様に応じて適宜設定されるものである。
【００２０】
金ワイヤ５は、前記一対の所定点を結ぶ直線の両端にそれぞれ間隔をおいて設定された第一ボンディング点Ｐ１と、第二ボンディング点Ｐ２とを平面視で直線的に結ぶように配設されている。本例では、第二ボンディング点Ｐ２に予めバンプ１３を形成しておき、その後、第一ボンディング点Ｐ１、第二ボンディング点Ｐ２の順に金ワイヤ５がボンディングされている。
【００２１】
支持部６は、図３に示すように被支持部位５ａにおける金ワイヤ中心軸の両側に形成された一対の支持バンプ１０を備え、該両支持バンプ１０の間に形成される凹部１１に被支持部位５ａが配設されてなっている。さらに、支持部６は、凹部１１の上から金ワイヤ５を押さえつけるように形成された押えバンプ１２を備えている。
【００２２】
次に、ワイヤボンディング装置を使用した本発明に係るストッパ２の形成方法（金属ワイヤ支持方法）について、図４〜図６を参照しながら説明する。本例で使用するワイヤボンディング装置は、中心に金ワイヤ５を通すための貫通穴が形成され、該貫通穴から先方に突出する金ワイヤ５を先端部でボンディング点に押し付けるキャピラリ７と、該キャピラリ７の上方で金ワイヤ５をクランプしたり開放したりするワイヤクランパ９と、キャピラリ７及びワイヤクランパ９を水平及び昇降移動させる駆動機構（図示略）とを備えている。
【００２３】
（１）半導体チップ３上に４つの支持バンプ１０を形成する（図４（ａ））。これは、被支持部位５ａにおける金ワイヤ中心軸の両側に一対の支持バンプ１０を形成する段階である。これとともに、第二ボンディング点Ｐ２のバンプ１３を形成する。各バンプ１０，１３は、公知のボールボンディング法において形成するバンプと同様に次のように形成する。
（１−１）キャピラリ７を貫通する金ワイヤ５の先端に、放電または水素炎を用いて微小金ボール８を形成する（図５（ａ））。
（１−２）キャピラリ７を下降し微小金ボール８を半導体チップ３上に圧接しバンプを形成する（図５（ｂ））。ここで、金ワイヤ５の先端に形成された微小金ボール８は溶融後再結晶化して形成されているため、ボールネック部は部分的に脆い性質を有している。
（１−３）キャピラリ７をわずかに上昇させた後（図５（ｃ））、ワイヤクランパ９で金ワイヤ５をクランプし、そのままキャピラリ７、ワイヤクランパ９を上昇させ、金ワイヤ５を微小金ボール８のネック部から切断し、支持バンプ１０又はバンプ１３を形成する（図５（ｄ））。
【００２４】
（２）第一ボンディング点Ｐ１と第二ボンディング点Ｐ２との間に、次のように金ワイヤ５を配設する（図４（ｂ））。これは、各支持部６における両支持バンプ１０の間に形成される凹部１１に被支持部位５ａを配設する段階である。
（２−１）前記（１−１）〜（１−２）と同様にして、第一ボンディング点Ｐ１に第一ボンディング１５を形成する（図６（ａ））。
（２−２）キャピラリ７を第二ボンディング点Ｐ２方向へ半円を描くように移動させることにより（図６（ｂ））、金ワイヤ５を第一ボンディング点Ｐ１側の支持部６付近まで配設する。さらに、キャピラリ７を第二ボンディング点Ｐ２の方向へ直線的に移動させることにより（図６（ｃ））、各支持部６の凹部１１内を経由するように金ワイヤ５を配設する。
（２−３）第二ボンディング点Ｐ２のバンプ１３に金ワイヤ５を圧接し、第二ボンディング１６を形成する。この際、キャピラリ７の先端部によって、金ワイヤ５を押し潰すため金ワイヤ５に亀裂が入る。
（２−４）キャピラリ７をわずかに上昇させた後、ワイヤクランパ９で金ワイヤ５をクランプし、そのままキャピラリ７、ワイヤクランパ９を上昇させ、金ワイヤ５を亀裂が生じている部位から切断する（図６（ｄ））。
【００２５】
（３）凹部１１の上から金ワイヤ５を押さえ付けるように押えバンプ１２を形成する（図４（ｃ））。この押えバンプ１２は前記（１）と同様に形成する。これで、ストッパ２が完成する。
【００２６】
以上のように構成された本発明のストッパ２によれば、長さ方向途中部位が重錘体３ｃの上方を経由するように配設され、該重錘体３ｃの所定限度以上の相対変位を防止する金ワイヤ５と、該長さ方向途中部位の両端側である被支持部位５ａをそれぞれ基体３ａ上の所定点に支持する支持部６とを備え、該支持部６の少なくとも一方は、被支持部位５ａにおける金ワイヤ中心軸の両側に形成された一対の支持バンプ１０を備え、該両支持バンプ１０の間に形成される凹部１１に被支持部位５ａが配設されてなっているので、半導体チップ３から信号を取り出すために使用する公知のワイヤボンディング装置を利用して形成することができる。従って、多数の工程が必要な従来例とは異なり、低コストに形成することができる。
【００２７】
また、本発明の金属ワイヤ支持構造によれば、被支持部位５ａにおける金ワイヤ中心軸の両側に形成された一対の支持バンプ１０を備え、該両支持バンプ１０の間に形成される凹部１１に被支持部位５ａが配設されてなっているので、金ワイヤ５を半導体チップ３の所定箇所における所定高さｈ２に支持することができる。このときの所定高さｈ２は、支持バンプ１０の大きさや形状によって決まり、従来では実現がほぼ不可能な高さに支持することもできる。
【００２８】
また、本発明のストッパ２における支持部６及び金ワイヤ支持構造は、凹部１１の上から被支持部位５ａを押さえつけるように形成された押えバンプ１２を備えているので、金ワイヤ５を所定箇所に確実に保持することができる。そして、ストッパ２においては、重錘体３ｃのＺ方向への過大な相対変位を確実に防止することができる。
【００２９】
次に、図７は本発明を具体化した第二実施形態に係る半導体加速度センサのストッパ３０と、該ストッパ３０が有する金属ワイヤ支持構造とを示している。本実施形態は、以下の点においてのみ第一実施形態と相違している。従って、第一実施形態と共通する部分については、同一符号を付することにより重複説明を省く（以下の実施形態も同様）。
【００３０】
本実施形態のストッパ３０は、第一実施形態における一方（図７における右側）の支持部６を省き、第二ボンディング点Ｐ２に形成したバンプ１３を支持部として使用している。従って、このストッパ３０の形成方法（金属ワイヤ支持方法）は、第一実施形態における一方の支持部６を形成する手順を省いたものとなるだけであるため、これ以上の説明は省略する。本実施形態によっても、第一実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００３１】
次に、図８〜図１０は本発明を具体化した第三実施形態に係る半導体加速度センサのストッパ４０と、該ストッパ４０が有する金属ワイヤの支持構造とを示している。本実施形態は、以下の点においてのみ第一実施形態と相違している。
【００３２】
すなわち、本実施形態のストッパ４０の支持部４１は、図８及び図９に示すように基体３ａ上の所定点に形成されたパッド４２を備え、該パッド４２の上面には、被支持部位５ａにおける金ワイヤ中心軸の長さ方向に延びる溝状の凹部４３が形成されており、凹部４３に被支持部位５ａが配設されてなっている。
【００３３】
このストッパ４０の形成方法（金属ワイヤ支持方法）は、前記所定点に例えばエッチング等によりパッド４２を形成する段階と、パッド４２の上面に被支持部位５ａにおける金ワイヤ中心軸の長さ方向に延びる溝状の凹部４３を刃物状のキャピラリ４４により加工する（図１０参照）段階と、該凹部４３に被支持部位５ａを配設する段階とを含んでいる。
【００３４】
本実施形態によっても第一実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００３５】
次に、図１１は本発明を具体化した第四実施形態を示している。本実施形態は、本発明に係る金属ワイヤ支持構造を有する柵５０を示している。
【００３６】
この柵は、回路基板上におけるモールド流れや樹脂流れを防止するためのものであり、第一実施形態におけるストッパ２と同一構造からなる柵体５１を２つ平行に並べたものである。従って、ストッパ２と同様に形成することができる。両柵体５１は、互いに長さ方向が反転した関係となるように配設されており、これにより一方のループ部５１ａ（半導体チップ３又は回路基板の表面から浮き上がった部位）を他方の水平部５１ｂ（半導体チップ３又は回路基板の表面付近に配設された部位）で互いにカバーするようになっており、柵５０の全長さ方向に渡ってモールド流れや樹脂流れを防止するようにしている。
【００３７】
本実施形態によれば、第一実施形態と同様に、信号を取り出すために使用する公知のワイヤボンディング装置を利用して、回路基板上におけるモールド流れや樹脂流れを防止する柵５０を低コストに形成することができる。
【００３８】
次に、図１２は本発明を具体化した第五実施形態を示している。本実施形態は、本発明に係る金属ワイヤ支持構造を有する金ワイヤ５の立体交差６０を示している。
【００３９】
この立体交差６０は、第一実施形態におけるストッパ２と同一構造からなる接続体６１を２つ交差状に並べたものである。従って、該ストッパと同様に形成することができる。この立体交差６０では、一方の接続体６１のループ部６１ａが、他方の接続体６１の水平部６１ｂを跨ぐように配設されている。これにより、例えばループ高さｈ１を１５０μｍ以内に設定しておくことにより、その高さ以内に数本の金ワイヤ５を立体交差させることも可能となる。
【００４０】
本実施形態によれば、従来からある公知のワイヤボンディング装置を利用して、金ワイヤ５の立体交差を実現することができる。
【００４１】
なお、本発明は前記実施形態に限定されるものではなく、例えば以下のように、発明の趣旨から逸脱しない範囲で適宜変更して具体化することもできる。
（１）支持バンプ１０の大きさや形状を適宜変更したり、多段に積み重ねたりすることにより、金ワイヤ５の支持高さｈ２を変更すること。例えば、第五実施形態において、両接続体６１のワイヤ支持高さｈ２を互いに異ならせることにより、低い方の接続体６１の水平部６１ｂを、高い方の接続体６１の水平部６１ｂで跨ぐように構成することができる。
（２）一対の支持部６のいずれか一方の支持高さｈ２を変更することにより、半導体チップ３又は回路基板表面に対して金ワイヤ５を傾斜した状態に支持すること。
（３）金ワイヤ５に代えて、他の材質の金属ワイヤを使用すること。
（４）各支持バンプ１０を形成する箇所にエッチング等により予めボンディングパッドを形成しておき、該ボンディングパッド上に支持バンプ１０を形成するようにすること。
【００４２】
【発明の効果】
以上詳述したように、請求項１及び２の発明に係る金属ワイヤ支持構造によれば、金属ワイヤを半導体チップ又は回路基板の所定箇所における所定高さに支持することができる。
【００４３】
上記効果に加え、請求項３の発明によれば、金属ワイヤを所定箇所に確実に保持することができる。
【００４４】
また、請求項４及び５の発明に係る半導体加速度センサのストッパによれば、低コストに形成することができるという優れた効果を奏する。
【００４５】
上記効果に加え、請求項６の発明によれば、重錘体の所定方向への過大な相対変位を確実に防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第一実施形態に係るストッパを備えた半導体加速度センサを示す斜視図である。
【図２】同ストッパを示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は側面図である。
【図３】図２のＩＩＩ−ＩＩＩ線断面図である。
【図４】同ストッパを形成する工程を示す図である。
【図５】同ストッパのバンプを形成する工程を示す図である。
【図６】同ストッパの金線を配設する工程を示す図である。
【図７】本発明の第二実施形態に係るストッパを示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は側面図である。
【図８】本発明の第三実施形態に係るストッパを示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は側面図である。
【図９】図８のＩＸ−ＩＸ線断面図である。
【図１０】同ストッパの支持部の形成方法を示す斜視図である。
【図１１】本発明の第四実施形態に係る金属ワイヤ支持構造を有する柵を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は側面図である。
【図１２】本発明の第五実施形態に係る金属ワイヤ支持構造を有する金ワイヤの立体交差を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は側面図である。
【図１３】従来の金ワイヤの形状を示す斜視図である。
【符号の説明】
１    半導体加速度センサ
２    ストッパ
３    半導体チップ
３ａ  基体
３ｂ  ビーム
３ｃ  重錘体
５    金ワイヤ
５ａ  被支持部位
６    支持部
１０    支持バンプ
１１    凹部
１２    押えバンプ
１３    バンプ
１５    第一ボンディング
１６    第二ボンディング
３０    ストッパ
４０    ストッパ
４１    支持部
４２    パッド
４３    凹部
５０    柵
６０    立体交差
Ｐ１    第一ボンディング点
Ｐ２    第二ボンディング点
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
2004264253.tif 000008
【図７】
2004264253.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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