(57)【要約】【課題】大面積にわたって均一なプラズマを実現し、堆積膜の欠陥がなく、良好なプラズマ処理を高速で行うことができるプラズマ処理方法を提供する。【解決課題】単一放電電極に複数系統の高周波電力を印加するプラズマ処理方法であって、複数系統の高周波電力のうち、少なくとも１系統は他の系統と位相差をもたせて単一放電電極に印加し、プラズマを生成する。【選択図】      図１
2004193462.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
単一放電電極に複数系統の高周波電力を印加するプラズマ処理方法において、
前記複数系統の高周波電力のうち、少なくとも１系統は他の系統と位相差をもたせて単一放電電極に印加し、プラズマを生成することを特徴とするプラズマ処理方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、高周波放電を利用したプラズマ処理方法に係り、主にシリコン系の非晶質半導体や微結晶半導体の製造に用いられるプラズマＣＶＤ、プラズマエッチング等のプラズマ処理方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
高周波放電を利用したプラズマＣＶＤやプラズマエッチング等の高周波プラズマ処理装置では、真空中に配置された電極に高周波電力を印加している。そして最近では、これらの処理装置において、高周波電力が印加される電極の大型化が進んでいる。
【０００３】
この種のプラズマ処理装置において、プラズマ励起周波数としては一般的に１３．５６ＭＨｚの高周波が用いられ、５０００ｃｍ2以上の大面積の反応空間が実現されている。高い成膜速度を得るためには、主として、プラズマの濃度を高め、材料ガスの膜化する効率を上げることである。これらの要因の値を増大するには、従来の処理方法では、ガスの重合化やイオン衝撃により堆積膜における欠陥密度が高くなって良好な膜質を得ることが難しく、生産性を考えると１０Å／ｓｅｃ以下の成膜速度が一般的である。
【０００４】
高速成膜、低欠陥密度等の要求を満たす新しいプラズマ処理方法として、ＶＨＦ帯を励起周波数としたプラズマの有効性が明らかになりつつある。ＶＨＦ帯を励起周波数としたプラズマの有効性については、上記の１３．５６ＭＨｚと比べて、電子やイオンのエネルギーが小さい条件でプラズマ密度が増加するため、膜質を低下させずに高速な成膜が可能であると理解されている。
【０００５】
ところが、従来のプラズマ処理装置では大きな電極に対して、１系統の高周波電源から電極の１箇所に高周波電力が印加される構造となっている。そのため、高周波電力の給電部付近と電極の端部付近との間の電圧差が大きくなり、プラズマの強度分布が悪くなる欠点を有している。
【０００６】
このような電極の給電部付近と端部付近との間の電圧差を少なくするためには、大出力の高周波電源を用いることも考えられるが、その場合、通常用いられている数ｋＷオーダーの高周波電源に比べて、価格が著しく高くなり、その取り扱いも困難となる。さらに、大出力の高周波電力を真空中に導入することになるが、耐電圧や発熱対策等の技術が必要となるため、この面からも大出力の高周波電源を用いることは困難であり、数ｋＷオーダーの高周波電源を用いるのが一般的である。
【０００７】
しかしながら、大面積における高速成膜を実現するには、電極の単位面積あたりの電力密度を大幅に増加させる必要がある。そのためには、上述したように、大出力の高周波電源を用いて電極に印加する方法が考えられるが、電源が大きくなれば標準品ではなく特注品となるため、コストアップに繋がり、その取り扱いも困難となる。
【０００８】
また、単位面積あたりの電力密度を増加させるために、小さな電極を複数配置し、それぞれに高周波電力を印加する方法もあるが、大出力の高周波電源を用いて単一電極に印加する構成よりも大幅にスペースが必要となり、生産性からみてコストアップに繋がってしまう。
【０００９】
そこで、例えば、特許文献１などにおいて、単一電極に複数の高周波電力の給電点を設け、高周波電力の位相を揃えて高周波電力を分配して印加する装置の提案がなされており、同公報によれば、大きな面積の電極の異なった箇所に高周波電力を印加するように構成することで、大きな電極の全域における電圧の差を著しく小さくすることができることが開示されており、この場合に電極に印加される複数の高周波電力の位相は揃えられている。
【００１０】
【特許文献１】
特開平８−２３６２９４号公報
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、特許文献１には、具体的な電極サイズや高周波電力の給電位置については、何も記載されていない。
【００１２】
大面積成膜において、プラズマの励起周波数が３０ＭＨｚを超えると、電極端などで生じる反射波を主因とする定在波の影響による電圧分布が電極面内に発生し、プラズマが不均一となり、その結果、堆積速度分布も不均一になると考えられる。
【００１３】
したがって、高周波電力の位相と給電位置とが重要なパラメーターとなると考えられる。
【００１４】
本発明は、上記の事情に鑑みて創案されたものであり、その目的は、大面積にわたって均一なプラズマを実現し、堆積膜の欠陥がなく、良好なプラズマ処理を高速で行うことができるプラズマ処理方法を提供することにある。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
上記の課題を解決すべく、本発明のプラズマ処理方法は、単一放電電極に複数系統の高周波電力を印加するプラズマ処理方法において、
前記複数系統の高周波電力のうち、少なくとも１系統は他の系統と位相差をもたせて単一放電電極に印加し、プラズマを生成することを特徴とする。
【００１６】
また、２系統の高周波電力が印加される単一放電電極において、前記２系統の高周波電力を９０°の位相差をもたせて単一放電電極に印加し、その給電位置は電極における対角線長さ、もしくは直径の１／４以上の距離をおいていることが好ましい。
【００１７】
さらに、２系統の高周波電力が印加される単一放電電極において、前記２系統の高周波電力を１８０°の位相差をもたせて単一放電電極に印加し、その給電位置は電極における対角線長さ、もしくは直径の１／３以上の距離をおいていることが好ましい。
【００１８】
またさらに、３系統の高周波電力が印加される単一放電電極において、前記３系統の高周波電力のうち、２系統は同位相とし、残る１系統は他の系統と９０°の位相差をもたせて単一放電電極に印加することが好ましい。
【００１９】
そして、４系統の高周波電力が印加される単一放電電極において、隣り合う系統間に９０°の位相差をもたせて単一放電電極に印加し、その給電位置は電極における対角線長さ、もしくは直径の１／３以上２／３以下の距離をおいていることが好ましい。
【００２０】
加えて、５系統の高周波電力が印加される単一放電電極において、前記５系統の高周波電力のうち、３系統は同位相とし、他の２系統は９０°の位相差をもたせて印加することが好ましい。
【００２１】
また、前記単一放電電極の面積が、４０００ｃｍ2以上であることが好ましい。
【００２２】
さらに、前記高周波電力が、３０ＭＨｚから１５０ＭＨｚの周波数の高周波電力であることが好ましい。
【００２３】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明するが、本発明は本実施形態に限るものではない。
【００２４】
本実施形態のプラズマ処理方法は、プラズマＣＶＤ、プラズマスパッタリング、及びプラズマエッチング等を行うプラズマ処理装置を用いて実現され、プラズマを発生させるための単一放電電極に複数系統の高周波電力を印加するプラズマ処理方法において、複数系統の高周波電力のうち、少なくとも１系統は他の系統と位相差をもたせて単一放電電極に印加し、プラズマを生成することで、大きな電極においても均一な電界強度を得ることが可能となり、単一系統の印加時よりも複数系統の印加時の方が電力投入効率を大幅に改善でき、安定したプラズマを得ることができるものである。
【００２５】
図１は、本発明に係るプラズマ処理方法を適用するプラズマ処理装置の一例を示す模式図である。図１において、１は真空チャンバー、２は基板加熱ヒーター、３は高周波電源、４は位相シフター、７は位相検出器、１０及び１１はマッチングボックス、１４及び１５は給電機構、１８は給電点距離、１９はカソード電極、２０は基板、２１はアース電極、２２は反応空間である。
【００２６】
例示したプラズマ処理装置は、ＶＨＦ帯をプラズマの励起周波数として用いるプラズマＣＶＤ装置である。図１に示すように、プラズマＣＶＤ装置は、反応空間２２を取り囲む真空チャンバー１と、該真空チャンバー１内に設置されるアース電極２１と、該アース電極２１に保持される基板２０と、アース電極２１に対向するように離間させて配置されるカソード電極１９と、該カソード電極１９に設置された給電機構１４及び１５、マッチングボックス１０及び１１、位相シフター４、位相検出器７、並びに高周波電源３とを備えている。
【００２７】
基板２０を処理する真空チャンバー１内には、原料ガスを不図示のガス導入路から導入し、ガスを導入しながら所定の圧力状態を維持するために排気機構が接続されている。
【００２８】
例示したプラズマＣＶＤ装置では、高周波電源３からの高周波電力は２系統に分岐され、該２系統の高周波電力が単一放電電極としてのカソード電極１９に印加される。そして、２系統の高周波電力は９０°の位相差をもたせて単一放電電極に印加されることが好ましい。
【００２９】
２系統の高周波電力に９０°の位相差をもたせるには、具体的には、次のような操作が行われる。一系統の高周波電力はマッチングボックス１０によってインピーダンスマッチングされた後、真空チャンバー１内のカソード電極１９に印加されるが、その際、マッチングボックス１０からの高周波電力は位相検出器７に供給される。さらに、該位相検出器７によって、高周波電源３からの他系統の高周波電力と、マッチングボックス１０からの一系統の高周波電力の位相差が検出される。そして、位相シフター４によって、マッチングボックス１１の他系統の高周波電力の位相は、マッチングボックス１０の一系統の高周波電力の位相と９０°の位相差をもたせてカソード電極１９に印加される。
【００３０】
また、２系統の高周波電力の給電位置は、単一放電電極としてのカソード電極１９が矩形状を呈する場合には対角線長さ、またカソード電極１９が円形状を呈する場合には直径の１／４以上の距離をおいていることが好ましい。
【００３１】
図２は、本実施形態のプラズマ処理方法における給電位置を示す概略図である。図２において、例えば、長方形状のカソード電極１９を用い、そのサイズを８５０ｍｍ×５００ｍｍとした場合、その裏面の○で示す位置に、その対角線長さの１／４以上である３００ｍｍの距離をおいて、２系統の高周波電力を印加するための給電機構１４及び１５が接続されている。
【００３２】
２系統の高周波電力を単一放電電極に印加する場合において、２系統の高周波電力を１８０°の位相差をもたせて単一放電電極に印加しても良く、この場合、その給電位置は単一放電電極としてのカソード電極１９が矩形状を呈する場合には対角線長さ、またカソード電極１９が円形状を呈する場合には直径の１／３以上の距離をおいていることが好ましい。
【００３３】
さらに、３系統の高周波電力を単一放電電極に印加する場合には、３系統の高周波電力のうち、２系統は同位相とし、残る１系統は他の系統と９０°の位相差をもたせて単一放電電極に印加することが好ましい。
【００３４】
そして、４系統の高周波電力を単一放電電極に印加する場合には、隣り合う系統間に９０°の位相差をもたせて単一放電電極に印加する。４系統の高周波電力の給電位置は、単一放電電極としてのカソード電極１９が矩形状を呈する場合には対角線長さ、またカソード電極１９が円形状を呈する場合には直径の１／３以上２／３以下の距離をおいていることが好ましい。
【００３５】
加えて、５系統の高周波電力を単一放電電極に印加する場合には、５系統の高周波電力のうち、３系統は同位相とし、他の２系統は９０°の位相差をもたせて印加することが好ましい。
【００３６】
単一放電電極としてのカソード電極１９の面積は、２５００ｃｍ2以上であることが好ましく、さらに４０００ｃｍ2以上であることがより好ましい。これは、複数系統の高周波電力に位相差をもたせて、複数箇所の給電位置で単一放電電極に印加する場合、全体にわたって均一にプラズマを生起させるためには単一放電電極の面積として２５００ｃｍ2以上が好適だからであり、さらに電極の大面積化を考慮すると４０００ｃｍ2以上が好ましいからである。
【００３７】
また、高周波電力として使用する周波数は、３０ＭＨｚから１５０ＭＨｚであることが好ましい。これは、膜質を低下させずに高速な成膜を実現するプラズマ処理方法として３０ＭＨｚ以上の励起周波数が必要であり、複数系統の高周波電力に位相差をもたせて、複数箇所の給電位置で単一放電電極に印加する場合においても、１５０ＭＨｚの励起周波数を超えると放電が一部に集中してしまうからである。
【００３８】
本実施形態における高周波電力の周波数は６０ＭＨｚである。なお、基板２０はアース電極２１により保持され、基板加熱ヒーター２により所定温度域に加熱されるようになっている。
【００３９】
このように単一放電電極に印加する高周波電力の周波数、単一放電電極への給電位置、及び複数の高周波電力の位相を適切に調節することにより、極めて生産性の高いプラズマ処理方法を提供することが可能となる。すなわち、大きな電極を用いても、簡単な構成でプラズマの分布を均一化し、さらに安定なプラズマを生成することができる。また、大出力の高周波電源を用意する必要がなく、電力供給部においても大電力対応にする必要はない。
【００４０】
【実施例】
以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明するが、本発明はこれらの実施例に限るものではない。
【００４１】
〔実施例１〕
図１は、実施例１のプラズマ処理方法を示しており、具体的にはＶＨＦ帯をプラズマの励起周波数として用いたプラズマＣＶＤ装置について、本発明に係るプラズマ処理方法を適用する場合の模式図である。
【００４２】
図１に示すように、例示したプラズマＣＶＤ装置は、反応空間２２を取り囲む真空チャンバー１と、真空チャンバー１内に設置されるアース電極２１と、アース電極２１に保持される基板２０と、アース電極２１に対面配置されるカソード電極１９と、このカソード電極１９に設置された給電機構１４及び１５、マッチングボックス１０及び１１、位相シフター４、位相検出器７、並びに高周波電源３とを備えている。
【００４３】
基板２０を処理する真空チャンバー１内には、原料ガスを不図示のガス導入路から導入し、ガスを導入しながら所定の圧力状態を維持するために排気機構が接続されている。
【００４４】
カソード電極１９のサイズは８５０ｍｍ×５００ｍｍで、カソード電極１９の裏面の図２において○で示す位置に、３００ｍｍの距離をおいて２系統の高周波電力を印加するための給電機構１４及び１５が接続されている。高周波電力の周波数は６０ＭＨｚである。
【００４５】
基板２０はアース電極２１により保持され、基板加熱ヒーター２により所定温度域に加熱されるようになっている。
【００４６】
高周波電源３からの高周波電力は２系統に分岐され、マッチングボックス１０によってインピーダンスマッチングされた後、真空チャンバー１内のカソード電極１９に印加され、プラズマが生成する。その際、マッチングボックス１０からの高周波電力は位相検出器７に供給される。その結果、高周波電源３からの高周波電力とマッチングボックス１０からの高周波電力の位相差が位相検出器７によって検出される。したがって、位相シフター４によってマッチングボックス１１の高周波電力の位相は、マッチングボックス１０の高周波電力の位相と９０°の位相差をもたせてカソード電極１９に印加される。
【００４７】
均一な放電を確認する方法として、基板側に測定のためのポートを設けて、短辺方向中央における水素プラズマの発光強度を測定した。測定条件は、Ｈ2１０００ｓｃｃｍフロー、ＶＨＦ−６０ＭＨｚ電力６００Ｗ、圧力１３３Ｐａである。そのときの水素プラズマ発光強度は図３に示すような状況となり、分布は５％以内になっている。さらに、カソード電極１９の電界強度が均一であることを確認するために、実際の成膜実験を行なった。成膜条件は、ＳｉＨ4５００ｓｃｃｍ、Ｈ2１０００ｓｃｃｍ、ＶＨＦ−６０ＭＨｚ電力２０００Ｗ、圧力２６６Ｐａ、基板温度２５０℃、成膜時間１０分である。そのときの堆積速度分布は図４に示すような状況となり、分布は５％以内になっている。これらのことから、プラズマ発光強度分布と堆積速度分布との間には相関関係があり、カソード電極１９上の電界強度は、ほぼ均一になっているということが言える。
【００４８】
以上より、本発明を利用すれば、電極端などで生じる反射波を主因とする定在波による電圧分布の悪化を緩和し、カソード電極１９の全面にわたって略均一な電界分布を得ることができる。
【００４９】
〔実施例２〕
上記の実施例１において、２系統の高周波電力の位相と給電位置とを変えて、本発明を適用した例である。カソード電極１９のサイズは、８５０ｍｍ×５００ｍｍで、カソード電極１９の裏面の図５において○で示す位置に７００ｍｍの距離をおいて２系統の高周波電力を印加するための給電機構１４及び１５が接続されている。高周波電力の周波数は６０ＭＨｚである。
【００５０】
高周波電源３からの高周波電力は２系統に分岐され、マッチングボックス１０によってインピーダンスマッチングされた後、真空チャンバー１内のカソード電極１９に印加され、プラズマが生成する。その際、マッチングボックス１０からの高周波電力は位相検出器７に供給される。その結果、高周波電源３からの高周波電力とマッチングボックス１０からの高周波電力との位相差が位相検出器７によって検出される。したがって、位相シフター４によってマッチングボックス１１の出力電圧の位相は、マッチングボックス１０の出力位相と１８０°の位相差をもたせてカソード電極１９に印加される。
【００５１】
実施例１と同じく、均一な放電を確認する方法として、基板側に測定のためのポートを設けて、短辺方向中央における水素プラズマの発光強度を測定した。測定条件はＨ2１０００ｓｃｃｍフロー、ＶＨＦ−６０ＭＨｚ電力６００Ｗ、圧力１３３Ｐａである。そのときの、水素プラズマ発光強度は図６のような状況となり、分布は５％以内になっている。プラズマの発光強度分布と電極上の電界強度分布とには相関関係が成り立っているため、カソード電極１９上の電界強度は、略均一になっているということが言える。
【００５２】
以上より、本発明を利用すれば、電極端などで生じる反射波を主因とする定在波による電圧分布の悪化を緩和し、カソード電極１９の全面にわたって略均一な電界分布を得ることができる。
【００５３】
〔実施例３〕
図７は、実施例３のプラズマ処理方法を適用するプラズマ処理装置を示す模式図である。このプラズマ処理装置は、反応空間２２を取り囲む真空チャンバー１と、真空チャンバー１内に設置されるアース電極２１と、アース電極２１に保持される基板２０と、アース電極２１に対面配置されるカソード電極１９と、このカソード電極１９に設置された４つの給電機構１４、１５、１６及び１７と、マッチングボックス１０、１１、１２及び１３と、位相シフター４、５及び６と、位相検出器７、８及び９と、高周波電源３とを備えている。
【００５４】
基板２０を処理する真空チャンバー１内には、原料ガスを不図示のガス導入路から導入し、ガスを導入しながら所定の圧力状態を維持するために排気機構が接続されている。
【００５５】
カソード電極１９のサイズは１０００ｍｍ×１０００ｍｍで、カソード電極１９の裏面の図８において○で示す位置にそれぞれ５００ｍｍの距離をおいて４系統の高周波電力を供給するための高周波電力供給機構１４、１５、１６及び１７が接続されている。高周波電力の周波数は６０ＭＨｚである。
【００５６】
基板２０は、基板加熱ヒーター２により所定温度域に加熱されるようになっている。
【００５７】
高周波電力３からの高周波電力は４系統に分岐され、マッチングボックス１０によってインピーダンスマッチングされた後、真空チャンバー１内のカソード電極１９に印加され、プラズマが生成する。その際、マッチングボックス１０からの高周波電力は位相検出器７に供給される。その結果、マッチングボックス１０からの高周波電力と高周波電源３からの高周波電力との位相差が位相検出器７によって検出される。したがって、位相シフター４によりマッチングボックス１１からの高周波電力の位相は、マッチングボックス１０からの高周波電力と９０°の位相差をもたせて、カソード電極１９に印加される。
【００５８】
同じようにして、マッチングボックス１１からの高周波電力は位相検出器８に供給される。その結果、マッチングボックス１１からの高周波電力と高周波電源３からの高周波電力との位相差が位相検出器８によって検出される。したがって位相シフター５によってマッチングボックス１２からの高周波電力の位相は、マッチングボックス１１からの高周波電力と９０°の位相差をもたせて、カソード電極１９に印加される。
【００５９】
さらに同じようにして、マッチングボックス１２からの高周波電力は位相検出器９に供給される。その結果、マッチングボックス１２からの高周波電力と高周波電源３からの高周波電力との位相差が位相検出器９によって検出される。したがって、位相シフター６によってマッチングボックス１３からの高周波電力の位相は、マッチングボックス１２からの高周波電力と９０°の位相差をもたせて、カソード電極１９に印加される。
【００６０】
実施例１及び実施例２と同じく、均一な放電を確認する方法として、基板側に測定のためのポートを設けて、短辺方向中央における水素プラズマの発光強度を測定した。測定条件は、Ｈ2１０００ｓｃｃｍフロー、ＶＨＦ−６０ＭＨｚ電力６００Ｗ、圧力１３３Ｐａである。そのときの、水素プラズマ発光強度は図９に示すような状況となり、分布は５％以内になっている。プラズマの発光強度分布と電極上の電界強度分布とには相関関係が成り立っているため、カソード電極１９上の電界強度は、ほぼ均一になっているということが言える。
【００６１】
以上より、本発明を利用すれば、電極端などで生じる反射波を主因とする定在波による電圧分布の悪化を緩和し、カソード電極１９の全面にわたって略均一な電界分布を得ることができる。
【００６２】
〔実施例４〕
次に、カソード電極サイズによるプラズマの生起及び広がりについて確認した。プラズマ反応空間には、Ｈ2ガス１０００ｓｃｃｍをフローした。
【００６３】
電極面積を２５００、４２５０、７２２５、１００００、２２５００ｃｍ2、高周波電力の給電個所を１、２、４箇所給電し、ＶＨＦ１００ＭＨｚの高周波電力をカソード電極１９に印加して、放電生起と放電の広がりを確認した。その結果を表１に示す。表中の◎、○、△、×の意味を次に示す。
◎  …  反応空間の全域でほぼ均一放電となった。
○  …  反応空間全域に放電は広まったが、多少放電に斑が生じた。
△  …  反応空間の半分程度しか放電が広がらなかった。
×  …  放電が一部に集中した。
【００６４】
プラズマ放電は、カソード電極サイズが大きくなるほど、単一給電よりも、複数の箇所に高周波電力の位相を変えて印加するプラズマ処理方法が有効である。
【００６５】
【表１】
2004193462.tif 000003
【００６６】
〔実施例５〕
プラズマの励起周波数によるプラズマの生起及び広がりについて確認した。プラズマ反応空間には、Ｈ2ガス１０００ｓｃｃｍをフローした。
【００６７】
プラズマの励起周波数は、ある程度高いほうが高品質・高速成膜が可能なため３０ＭＨｚ以上とした。カソード電極面積を１００００ｃｍ2として、プラズマの励起周波数を３０、６０、１００、１５０、３００、５００ＭＨｚ、高周波電力の印加する給電数を１、２、４箇所においてカソード電極１９に印加して、放電生起と放電の広がりを確認した。その結果を表２に示す。表中の○、△、×の意味を次に示す。
○  …  反応空間の全域でほぼ均一放電となった。
△  …  反応空間全域に放電は広まったが、多少放電に斑が生じた。
×  …  放電が一部に集中した。
【００６８】
プラズマ放電は、励起周波数が高くなるほど、単一給電よりも、複数の個所に高周波電力の位相を変えて印加するプラズマ処理方法が有効である。
【００６９】
【表２】
2004193462.tif 000004
【００７０】
以上、本発明の実施例を説明したが、本発明はこれらの実施例に限定されない。例えば、本発明はＣＶＤ装置以外にもエッチング装置などのプラズマ処理装置に適用することができる。また、１つの高周波電源からの高周波電力を分割するようにしたが、複数の高周波電源を用いて複数の高周波電力を単一放電電極に印加しても良い。
【００７１】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、複数系統の高周波電力のうち、少なくとも１系統は他の系統と位相差をもたせて単一放電電極に印加するようにしたので、大面積にわたって均一なプラズマを実現し、堆積膜の欠陥がなく、良好なプラズマ処理を高速で行うことができるという優れた効果を発揮する。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施例１のプラズマ処理方法に適用するプラズマ処理装置を示す模式図である。
【図２】実施例１のプラズマ処理方法における給電位置を示す概略図である。
【図３】実施例１におけるプラズマ発光強度分布の状況を示す説明図である。
【図４】実施例１における堆積速度分布の状況を示す説明図である。
【図５】実施例２のプラズマ処理方法における給電位置を示す概略図である。
【図６】実施例２におけるプラズマ発光強度分布の状況を示す説明図である。
【図７】実施例３のプラズマ処理方法に適用するプラズマ処理装置を示す模式図である。
【図８】実施例３のプラズマ処理方法における給電位置を示す概略図である。
【図９】実施例３におけるプラズマ発光強度分布の状況を示す説明図である。
【符号の説明】
１  真空チャンバー
２  基板加熱ヒーター
３  高周波電源
４、５、６  位相シフター
７、６、８、９  位相検出器
１０、１１、１２、１３  マッチングボックス
１４、１５、１６、１７  給電機構
１８  給電点距離
１９  カソード電極
２０  基板
２１  アース電極
２２  反応空間
【図１】
2004193462.tif 000005
【図２】
2004193462.tif 000006
【図３】
2004193462.tif 000007
【図４】
2004193462.tif 000008
【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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