(57)【要約】【課題】反りがあるような変形基板であっても、反りを矯正して確実にチャッキング可能であり、また、円形に限定されず、多角形の基板にも適用可能なスピンプロセッサの基板チャック部構造を提供する。【解決手段】チャンバ内をプラズマガスクリーニングする工程と、同プラズマガスクリーニング工程に引き続いて前記チャンバ内をコーティングするコーティング工程と、前記チャンバ内に設けた基板支持部に基板をセットし、同基板にプラズマ式化学気相成長法により成膜する処理を、所定回数連続して実行する成膜工程とを有する成膜方法において、前記コーティング工程と成膜工程との間に、バイアス印加工程を設けた。【選択図】      図２
2004193440.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
チャンバ内をプラズマガスクリーニングする工程と、同プラズマガスクリーニング工程に引き続いて前記チャンバ内をコーティングするコーティング工程と、前記チャンバ内に設けた基板支持部に基板をセットし、同基板にプラズマ式化学気相成長法により成膜する処理を、所定回数連続して実行する成膜工程とを有する成膜方法において、
前記コーティング工程と成膜工程との間に、バイアス印加工程を設けたことを特徴とする成膜方法。
【請求項２】
前記バイアス印加工程では、前記基板支持部にバイアスを印加することを特徴とする請求項１記載の成膜方法。
【請求項３】
内部に基板支持部を配設したチャンバと、同チャンバ内に高密度プラズマを発生させるプラズマ発生手段と、チャンバ内に所要のガスを導入するガス導入手段とを備え、所定数の基板をプラズマ式化学気相成長法により成膜処理する毎に、前記チャンバ内をプラズマガスクリーニングするとともに、当該チャンバ内をコーティング処理するようにした成膜装置において、
前記コーティング処理と成膜処理との間でバイアスを印加するバイアス印加手段を備えることを特徴とする成膜装置。
【請求項４】
前記バイアス印加手段は、基板支持部にバイアスを印加することを特徴とする請求項３記載の成膜装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、成膜方法及び成膜装置に関するものであり、より詳しくは、高密度プラズマ化学気相成長による成膜方法、及び高密度プラズマ化学気相成長装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体装置を製造する上で成膜技術は重要であり、近年、プラズマを用いて化学気相成長（ＣＶＤ；chemical vapor deposition）により成膜する技術が確立されている。
【０００３】
最近では特にＣＶＤにより成膜する場合、化学反応と物理的なスパッタリングを組み合わせた高密度プラズマ式ＣＶＤが用いられることが多い（例えば、特許文献１を参照。）。
【０００４】
高密度プラズマ式ＣＶＤにより、ウエハなどの基板に薄膜を形成するＣＶＤ装置は、一般的に、内部に基板支持部を配設したチャンバと、同チャンバ内に高密度プラズマを発生させるプラズマ発生手段と、チャンバ内に所要のガスを導入するガス導入手段とを備えている。
【０００５】
そして、前記基板支持部に基板をセットし、ガス導入手段を介してシランガス（ＳｉＨ4）などの成膜に適切なガスが導入され、チャンバ内にガスのプラズマを生成し、基板に化学気相成長による堆積を引き起こして酸化シリコン膜を成膜するようにしている。
【０００６】
かかる高密度プラズマ式ＣＶＤ装置による成膜処理では、チャンバ内が高温となるために、イオンと金属の汚染物質がチャンバの構成部品から運び出され、所謂パーティクルとして基板上に付着して不良品となることが多く、歩留まりを向上させることが恒久的な課題となっている。
【０００７】
すなわち、前記高密度プラズマ式ＣＶＤ装置を用いてウエハ上に酸化シリコン膜を成膜する場合、適宜枚数のウエハを連続して処理するのであるが、ある枚数を処理すると、チャンバ内、特にチャンバを覆うドームへのシリコン酸化膜の堆積量が増大し、かかるシリコン酸化膜がある程度の厚みを越えると一部が剥がれるなどしてパーティクルとなり、基板上に付着するおそれがある。
【０００８】
そこで、このようなパーティクルの発生を低減するために、通常、フッ素化合物であるクリーニング用のガスのプラズマを用いたプラズマガスクリーニングによりチャンバ内を定期的にクリーニングしていた。なお、クリーニング用のガスは適宜選択されるが、例えばＮＦ3などが好適に用いられる。
【０００９】
さらに、プラズマガスクリーニングを終えた後は、ウエハへの成膜量の安定化とウエハ表面へのパーティクル付着の緩和のためにシーズニングコーティングをチャンバ内に施し、その後所定枚数連続して行う成膜処理に備えるようにしていた。
【００１０】
ところで、チャンバ内に施されたシーズニングコーティングは、通常、ウエハがチャンバに導入される前に、チャンバ内のウエハに堆積させる材料を堆積することにより形成される。上述したように、ウエハ上に酸化シリコン膜を成膜する場合であれば、成膜時と同じようにシランガスがチャンバ内に導入されて、下記の反応によって二酸化シラン層を堆積させるのである。
【００１１】
ＳｉＨ4＋Ｏ2→ＳｉＨ２＋２Ｈ２
このように、ウエハなどの基板にシリコン酸化膜を成膜する処理を行う場合、例えば４，５枚ほど成膜処理を行う度に、前記プラズマガスクリーニングによりチャンバの内面をクリーニングし、次いでチャンバ内表面をコーティングしていた。
【００１２】
なお、かかるチャンバ内コーティングは、同コート上に堆積されたあらゆる材料とともに前述したプラズマガスクリーニングによってクリーニングされ、チャンバの内面から除去されることになるので、クリーニングを終える度に毎回新しいコートを塗布してシーズニングし、次の成膜処理に備える必要がある。
【００１３】
【特許文献１】
特開２００２−１３４４８８号公報
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、上述した従来の成膜方法や成膜装置を用いて成膜した場合、プラズマガスクリーニングを行った直後の基板表面にのみ多数のパーティクルが付着するという問題があった。
【００１５】
図４に、従来の高密度プラズマ式ＣＶＤ装置を用いてウエハに連続して成膜処理した後のパーティクルレベルを調査した結果を示す。図４中、縦軸は成膜前後のパーティクルの増加数、横軸はスロット番号を示し、●〈黒丸印）は粒径が０．２μｍ以上のパーティクルについて、□（四角印）は１．０μｍ以上のパーティクルについての増加数を表している。
【００１６】
図３に示すように、クリーニング直後の最初のウエハにおいてパーティクルが増加し、２枚目以降では問題ないレベルに安定するという傾向が各スロットにおいてはっきりと表れている。特に、粒径が０．２μｍ以上のパーティクルの増加量が著しい。
【００１７】
これは、チャンバのドームなどの部材に用いられているセラミックがプラズマガスクリーニング時にアタックされて剥がれ落ち、クリーニング後のチャンバ内にパーティクル発生源となる微粒子が多数存在しており、クリーニング直後にチャンバ内に導入されたウエハ上には、後続する基板よりもより多くのパーティクルが付着するためであると考えられる。
【００１８】
このように、従来の高密度プラズマ式ＣＶＤ装置を従来の方法で使用している限り、プラズマガスクリーニング直後のウエハの殆どは、パーティクル付着が原因で不良品となることが明らかであるにも拘わらず、今もって効果的な対策は提案されていない。
【００１９】
本出願人は、上記課題を解決すべく、クリーニング直後の基板上にパーティクルが多数付着する事実を精査した結果、成膜時においてスパッタエッチングを開始するために基板支持部へバイアスを印加した数秒間で基板上に付着していることを発見し本発明に至った。
【００２０】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するため、請求項１記載の本発明では、チャンバ内をプラズマガスクリーニングする工程と、同プラズマガスクリーニング工程に引き続いて前記チャンバ内をコーティングするコーティング工程と、前記チャンバ内に設けた基板支持部に基板をセットし、同基板にプラズマ式化学気相成長法により成膜する処理を、所定回数連続して実行する成膜工程とを有する成膜方法において、前記コーティング工程と成膜工程との間に、バイアス印加工程を設けた。
【００２１】
また、請求項２記載の本発明では、前記バイアス印加工程では、前記基板支持部にバイアスを印加することとした。
【００２２】
請求項３記載の本発明では、内部に基板支持部を配設したチャンバと、同チャンバ内に高密度プラズマを発生させるプラズマ発生手段と、チャンバ内に所要のガスを導入するガス導入手段とを備え、所定数の基板をプラズマ式化学気相成長法により成膜処理する毎に、前記チャンバ内をプラズマガスクリーニングするとともに、当該チャンバ内をコーティング処理するようにした成膜装置において、前記コーティング処理と成膜処理との間でバイアスを印加するバイアス印加手段を備えることとした。
【００２３】
また、請求項４記載の本発明では、上記バイアス印加手段は、基板支持部にバイアスを印加することとした。
【００２４】
【発明の実施の形態】
本発明は、チャンバ内をプラズマガスクリーニングする工程と、同プラズマガスクリーニング工程に引き続いて前記チャンバ内をコーティングするコーティング工程と、前記チャンバ内に設けた基板支持部に基板をセットし、同基板にプラズマ式化学気相成長法により成膜する処理を、所定回数連続して実行する成膜工程とを有する成膜方法において、前記コーティング工程と成膜工程との間に、バイアス印加工程を設けたものである。
【００２５】
本実施の形態では、上記化学気相成長法を、化学反応と物理的なスパッタリングを組み合わせたＨＤＰ（高密度プラズマ；High Density Plasma ）化学気相成長法、（以下「ＨＤＰ−ＣＶＤ」という）として説明する。すなわち、本実施の形態に係る成膜方法では、ＨＤＰ−ＣＶＤによる成膜方法としている。
【００２６】
また、このＨＤＰ−ＣＶＤにより成膜する装置を、内部に基板支持部を配設したチャンバと、同チャンバ内に高密度プラズマを発生させるプラズマ発生手段と、チャンバ内に所要のガスを導入するガス導入手段とを備えたＨＤＰ−ＣＶＤ装置としている。かかるＨＤＰ−ＣＶＤ装置は、所定数の基板をＨＤＰ−ＣＶＤにより成膜処理する毎に、前記チャンバ内をプラズマガスクリーニングするとともに、当該チャンバ内をコーティング処理することができ、しかも、前記コーティング処理と成膜処理との間でバイアスを印加するバイアス印加手段を備えている。
【００２７】
上述したように、このＨＤＰ−ＣＶＤ装置は、ＣＶＤ処理室としてドームで覆われるとともに内部を減圧可能としたチャンバと、同チャンバ内に配設された基板支持部とを具備している。また、ガス導入手段としてガス供給源と、同ガス供給源から供給ラインを介して前記チャンバに設けられた複数のガス導入口と、ガス量を制御するコントローラとを備えている。さらに、プラズマ発生手段としてはＲＦジェネレータと、同ジェネレータに接続され、前記チャンバのドームに設けられた誘電コイルとを具備している。
【００２８】
前記基板支持部は、下部電極となるを備え、支持部上面には誘電体層が設けられている。
【００２９】
また、ガス供給源からは、成膜時の各プロセスに必要なガスがそれぞれ対応する供給ラインを介して供給できる。
【００３０】
また、チャンバの下部にはゲートバルブを介してチャンバ内を真空引きする真空ポンプなどの真空引き手段を配設している。
【００３１】
本実施の形態に係るＨＤＰ−ＣＶＤ装置は、上記構成によってウエハなどの基板上に薄膜を均一に成膜することができる。
【００３２】
すなわち、基板支持部上に基板を戴置保持するとともに、真空引きされたチャンバ内部に、ガス導入口より成膜ガスを導入しながら前記誘電コイルに所定の電圧を印加すると、チャンバ内部に高密度プラズマが生成される。そして、基板支持部に所定のバイアス電圧を印加すると、平坦性と埋め込み性の良好な薄膜が形成できるのである。
【００３３】
かかるＨＤＰ−ＣＶＤによる成膜処理を、例えば３〜５枚程度の所定枚数行った後は、基板支持部やチャンバの内壁に付着した堆積物を除去するために、チャンバ内部を前記したフッ素系ガスなどを用いてフッ素のラジカルイオンでプラズマガスクリーニングを行う。かかるフッ素のラジカルイオンクリーニングは、前記ガス導入口の一つからフッ素系ガスをチャンバ内に導入して実行される。
【００３４】
そして、プラズマガスクリーニング終了後は、次の成膜処理に備えるためにチャンバ内をコーティング処理する。
【００３５】
例えば、基板上に酸化シリコン膜を成膜しているのであれば、シランガスをチャンバ内に導入し、チャンバ内表面に二酸化シラン層を堆積させる。
【００３６】
そして、通常であれば、新たに基板がチャンバ内に搬入されて成膜処理がなされるのであるが、本実施の形態では、コーティング処理と成膜処理との間で前記基板支持部にバイアスを印加するようにしている。例えば、前記コーティング工程の最終ステップで、前記基板支持部にバイアスを印加するのである。
【００３７】
バイアス印加手段としては、前記基板支持部に接続したＲＦジェネレータを用いることができる。なお、バイアス印加量としては、基板支持部にダメージを与えないレベルに留めておく。
【００３８】
このように、コーティング処理と成膜処理との間で基板支持部にバイアスを印加することで、チャンバのドームなどの部材に用いられているセラミックがプラズマガスクリーニング時にアタックされて剥がれ落ち、クリーニング直後のチャンバ内に多数存在しているパーティクル発生源となる微粒子を基板搬入前に除去することが可能となり、コーティング処理直後の成膜工程において、最初の基板上に多数のパーティクルが付着することを効果的に防止することができる。
【００３９】
以下、本発明の実施の形態を、図面を参照しながらより具体的に説明する。本実施の形態における成膜方法及び成膜装置では、基板をシリコンウエハとし、同基板上に酸化シリコン膜を成膜する場合について説明する。
【００４０】
図１は、本実施形態の成膜方法において用いるＨＤＰ−ＣＶＤ装置の模式図である。
【００４１】
本実施の形態に係るＨＤＰ−ＣＶＤ装置Ａは、図示しない基板導入口が設けられるとともに、ドーム１０により覆われたチャンバ１内に基板支持部２を配設している。前記ドーム１０は、ＲＦエネルギに対して伝達性のある誘電体材料で形成することが好ましく、ここでは酸化アルミニウムなどのセラミック製としている。
【００４２】
また、前記基板支持部２はバイアス用ＲＦジェネレータ４に接続しており、かかる基板支持部２上には誘電体層２０を設け、基板となるシリコンウエハ３を載置して、基板支持部２とシリコンウエハ３に所定電圧を印加する。
【００４３】
前記チャンバ１の側部下面には、ゲートバルブ５０を介してターボ分子ポンプ５を主たる真空引き手段として配設している。なお、前記ターボ分子ポンプ５の排気口５１には、排気管５２を介してドライポンプ５３を補助真空引き手段として配設している。
【００４４】
また、チャンバ１の内部には、前記基板支持部２の上方に向けて開口した複数の成膜ガス導入用ノズル６ａ，６ｂを配設している。これらガス導入用ノズル６ａ，６ｂは図示しないガス供給ラインを介してガス供給源に接続しており、成膜工程において用いる成膜ガスであるＳｉＨ4、Ｏ2ガス、及びこれらのキャリアガスであるＨｅ、Ａｒガスを成膜ガス導入用ノズル６ａ，６ｂの先端に設けたガス導入口である開口部６１，６２からチャンバ１内に導入可能としている。このとき、前記ガス供給ラインに設けた質量流量コントローラ（図示せず）によって、成膜ガス導入用ノズル６ａ，６ｂへ供給されるガス量を制御している。
【００４５】
また、上記成膜ガス導入用ノズル６ａ，６ｂの下方位置には、ガス導入口である開口部７０を基板支持部２上のシリコンウエハ３と略同じ高さとしたクリーニングガス導入用ノズル７を配設している。このクリーニングガス導入用ノズル７についても図示しないガス供給ラインを介してガス供給源に接続しており、ガス供給ラインに設けた質量流量コントローラ（図示せず）によって、クリーニングガス導入用ノズル７へ供給されるクリーニングガスの量を制御している。チャンバ１内に導入するクリーニング用ガスとしてはＮＦ3ガスを用い、このＮＦ3ガスからのラジカルなフッ素イオンが、セラミック製の前記ドーム１０など、チャンバ１の内面に付着したシリコン酸化膜などの堆積物をクリーニングして除去することができる。
【００４６】
また、前記ドーム１０の外側面には、ＲＦジェネレータ８と接続された誘電コイル９を配設している。
【００４７】
そして、前記成膜ガスを導入しながら誘電コイル９に所定の電圧を印加することにより、チャンバ１内に高密度プラズマが生成される。印加電圧は基板のサイズにより適宜設定される。
【００４８】
このとき、前記基板支持部２に所定のバイアス電圧を印加することによって、平坦性が良好で、かつより狭い領域へのシリコン酸化膜の形成が可能となっている。
【００４９】
すなわち、前記ターボ分子ポンプ５及びドライポンプ５３によって、数ｍＴｏｒｒ程度に真空引きされたチャンバ１の内部に、前記成膜ガス導入用ノズル６ａ，６ｂからキャリアガスであるＡｒガスを介してＳｉＨ4、Ｏ2ガスを導入する。ガスを導入しながら、前記誘電コイル９に所定の電圧を印加すると、チャンバ１の内部に高密度プラズマが生成される。そして、基板支持部２に所定のバイアス電圧を印加することにより、スパッタエッチング効果を併用することができ、シリコンウエハ３上へのシリコン酸化膜堆積とスパッタエッチングを同時進行させることで平坦性と埋め込み性の良好な酸化シリコン膜が形成できるのである。
【００５０】
かかるＨＤＰ−ＣＶＤによるシリコンウエハ３への成膜処理を、例えば３〜５枚程度の所定枚数行う成膜工程の後は、前記基板支持部２やドーム１０を含むチャンバ１の内壁に付着した堆積物を除去するために、チャンバ１の内部をプラズマガスクリーニングする工程に移る。
【００５１】
すなわち、前記したＮＦ3ガスをクリーニングガス導入用ノズル７からチャンバ１の内部に供給し、フッ素のラジカルイオンでチャンバ１のプラズマガスクリーニングを行うのである。
【００５２】
そして、上記クリーニング工程に引き続き、次の成膜工程に備えるために、チャンバ１の内表面をコーティング処理するコーティング工程に移行する。
【００５３】
ここでは、シリコンウエハ３上に酸化シリコン膜を成膜しているので、成膜ガスである前記ＳｉＨ4ガスをチャンバ１に導入し、チャンバ１の内表面に二酸化シラン層を堆積させる。そして、その後再度成膜工程に戻るとともに、上述してきた工程をサイクル的に繰り返す。
【００５４】
このように、ＨＤＰ−ＣＶＤ装置Ａを用いてシリコンウエハ３上に酸化シリコン膜を形成する場合、図２に示すように、クリーニング工程→コーティング工程→数枚を連続して成膜する成膜工程→クリーニング工程・・・と繰り返す中で、本実施の形態で特徴となるのは、前記コーティング工程と成膜工程との間に、前記基板支持部２にバイアス印加工程を加えたことにある。
【００５５】
このバイアス印加工程は、前記コーティング工程の１ステップとして設けることもでき、コーティング工程の最終ステップで、前記基板支持部２にバイアスを印加する。
【００５６】
このように、コーティング工程と成膜工程との間で、前記基板支持部２にバイアスを印加することで、チャンバ１のドーム１０などの部材に用いられているセラミックがクリーニング工程中にアタックされて剥がれ、微粒子がクリーニング直後のチャンバ１の内部に多数存在し、またはドームに付着する。コーティング工程と成膜工程との間で基板支持部２にバイアスを印加することにより、パーティクル発生源となるかかる微粒子をシリコンウエハ３を搬入する前に予め除去することが可能となる。
【００５７】
したがって、コーティング処理直後の成膜工程における最初のシリコンウエハ３上に多数のパーティクルが付着するといった不具合を効果的に防止することができ、製品歩留まりを向上させることができる。
【００５８】
ところで、バイアス印加手段としては、前記基板支持部に接続したＲＦジェネレータを用いればよい。
【００５９】
また、バイアス印加時のパワーレベルとしては、基板支持部２にダメージが加わらない程度、例えば５〜６秒程度の印加時間に留めても十分である。
【００６０】
ここで、本実施の形態に係る成膜方法を実施した場合のパーティクルレベルの調査結果を図３に示す。図３中、縦軸は成膜前後のパーティクルの増加数、横軸はスロット番号を示し、●〈黒丸印）は粒径が０．２μｍ以上のパーティクルについて、□（四角印）は１．０μｍ以上のパーティクルについての増加数を表している。
【００６１】
図示するように、コーティング工程の後、成膜工程に移行する前に基板処理部２にバイアスを印加したことにより、コーティング処理直後に成膜処理されたシリコンウエハ３にパーティクルが多く付着する傾向は見られず低レベルに収まっており、その後に連続して処理されたシリコンウエハ３同様にパーティクルの付着度合いは極めて安定している。
【００６２】
また、本実施の形態においては、基板支持部２にバイアスを印加するようにしたことで、既存のＨＤＰ−ＣＶＤ装置をそのまま使用して成膜することができ、新たにＨＤＰ−ＣＶＤ装置を開発するといった時間や費用が不要であり、半導体デバイス製造メーカーなどのユーザ側からしても高価な装置を新たに購入する必要がなく、半導体デバイスの製造コストが増加することもない。
【００６３】
また、上述してきた成膜方法に係る工程をプログラム化してＨＤＰ−ＣＶＤ装置に組込み、かかるプログラムに従って駆動するＨＤＰ−ＣＶＤ装置とすることにより、高品質の成膜を得ることのできる成膜プロセスが容易に自動化できる。
【００６４】
なお、コーティング工程と成膜工程との間に設けたバイアス印加工程において、必ずしも本実施の形態のように基板支持部２にバイアスを印加しなければならないことはない。パーティクルの発生源となる微粒子を成膜処理前に予め除去するためであれば、バイアスを印加する専用部材を別途設けておいても構わない。
【００６５】
【発明の効果】
（１）請求項１記載の本発明では、チャンバ内をプラズマガスクリーニングする工程と、同プラズマガスクリーニング工程に引き続いて前記チャンバ内をコーティングするコーティング工程と、前記チャンバ内に設けた基板支持部に基板をセットし、同基板にプラズマ式化学気相成長法により成膜する処理を、所定回数連続して実行する成膜工程とを有する成膜方法において、前記コーティング工程と成膜工程との間に、バイアス印加工程を設けた。したがって、クリーニング工程中にアタックされて剥がれ落ちたチャンバのドームなどの部材に用いられているセラミックが微粒子としてクリーニング直後にチャンバの内部に多数存在していたとしても、成膜工程の前に予めパーティクル発生源となる前記微粒子を除去することが可能となって、コーティング処理直後の成膜工程における最初の基板上に多数のパーティクルが付着するといった不具合を防止することができ、製品歩留まりを向上させることができる。
【００６６】
（２）請求項２記載の本発明では、前記バイアス印加工程では、前記基板支持部にバイアスを印加することとした。したがって、上記（１）の効果に加え、既存の成膜装置をそのまま使用して成膜することができ、製造コスト的にもきわめて有益となる。
【００６７】
（３）請求項３記載の本発明では、内部に基板支持部を配設したチャンバと、同チャンバ内に高密度プラズマを発生させるプラズマ発生手段と、チャンバ内に所要のガスを導入するガス導入手段とを備え、所定数の基板をプラズマ式化学気相成長法により成膜処理する毎に、前記チャンバ内をプラズマガスクリーニングするとともに、当該チャンバ内をコーティング処理するようにした成膜装置において、前記コーティング処理と成膜処理との間でバイアスを印加するバイアス印加手段を備えることとした。したがって、クリーニング工程中にアタックされて剥がれ落ちたチャンバのドームなどの部材に用いられているセラミックが微粒子としてクリーニング直後にチャンバの内部に多数存在していたとしても、成膜工程の前に予めパーティクル発生源となる前記微粒子を除去することが可能となって、コーティング処理直後の成膜工程における最初の基板上に多数のパーティクルが付着するといった不具合を防止することができ、製品歩留まりを向上させることができる。
【００６８】
（４）請求項４記載の本発明では、上記バイアス印加手段は、基板支持部にバイアスを印加することとした。したがって、上記（１）の効果を生起することのできる新たな成膜装置を開発するといった時間や費用が不要であり、半導体デバイス製造メーカーなどのユーザ側からしても高価な装置を新たに購入する必要がなく、半導体デバイスの製造コストが増大するおそれもない。
【図面の簡単な説明】
【図１】本実施の形態に係る成膜装置としてのＨＤＰ−ＣＶＤ装置の模式的説明図である。
【図２】本実施の形態に係る成膜方法の工程を示す説明図である。
【図３】同成膜方法を実施した場合のパーティクルレベルの調査結果を示すグラフである。
【図４】従来の高密度プラズマ式ＣＶＤ装置を用いてウエハに連続して成膜処理した後のパーティクルレベルを調査した結果を示すグラフである。
【符号の説明】
Ａ  ＨＤＰ−ＣＶＤ（高密度プラズマ式化学気相成長）装置
１  チャンバ
２  基板支持部
３  シリコンウエハ
４  バイアス用ＲＦジェネレータ
５  ターボ分子ポンプ
６ａ，６ｂ  成膜ガス導入用ノズル
７  クリーニングガス導入用ノズル
８  ＲＦジェネレータ
９  誘電コイル
【図１】
2004193440.tif 000003
【図２】
2004193440.tif 000004
【図３】
2004193440.tif 000005
【図４】
2004193440.tif 000006