(57)【要約】【課題】貴金属の担持量を大幅に低減し、かつ高い浄化活性を発現できる排ガス浄化制御装置を提供する。【解決手段】貴金属を１ｇ／Ｌ以下の担持量で担持してなる第１触媒１と、貴金属を担持しない第２触媒２と、排ガスが第１触媒１及び第２触媒２の少なくとも一方を流通するように切り替える切替手段５とを配置し、第１触媒１による排ガスの浄化反応が拡散律速となる条件下では排ガスを第１触媒１に流し、拡散律速とならない条件下では排ガスを少なくとも第２触媒２に流すように切替手段５を制御する。拡散律速領域では、活性点の数が極少量であっても浄化反応は十分に進行する。また拡散律速とならない条件下では、貴金属を担持していない触媒を用いても必要な反応速度が得られる。【選択図】  図８
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
貴金属を１ｇ／Ｌ以下の担持量で担持してなる第１触媒と、
貴金属を担持しない第２触媒と、
排ガスが該第１触媒及び該第２触媒の少なくとも一方を流通するように切り替える切替手段と、
該第１触媒による排ガスの浄化反応が拡散律速となる条件下では排ガスを該第１触媒に流し、該第１触媒による排ガスの浄化反応が拡散律速とならない条件下では排ガスを少なくとも該第２触媒に流すように該切替手段を制御する制御手段と、からなることを特徴とする排ガス浄化制御装置。
【請求項２】
前記第１触媒における貴金属の担持量は  ０．２ｇ／Ｌ以下である請求項１に記載の排ガス浄化制御装置。
【請求項３】
排ガス流量及び排ガス温度の少なくとも一方を検出するセンサを有し、該センサの検出値に応じて前記制御手段が前記切替手段を制御する請求項１又は請求項２に記載の排ガス浄化制御装置。
【請求項４】
前記第２触媒には遷移金属が担持されている請求項１〜３のいずれかに記載の排ガス浄化制御装置。
【請求項５】
前記遷移金属は第４周期のＶＩａ  族、ＶＩＩａ族、ＶＩＩＩ族から選ばれる少なくとも一種であり、前記第２触媒の１Ｌあたりメタル換算で５〜４０ｇ担持されている請求項４に記載の排ガス制御装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、排ガス中の有害成分を浄化する排ガス浄化制御装置に関し、詳しくは低コストの触媒を用いた排ガス浄化制御装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
例えば自動車の排ガスを浄化する触媒として、酸化触媒、三元触媒、ＮＯｘ  選択還元触媒、ＮＯｘ  吸蔵還元型触媒などが知られている。これらの触媒は、アルミナなどの多孔質酸化物にＰｔ、Ｒｈなどの貴金属を担持し、貴金属による酸化・還元触媒反応を利用してＨＣ、ＣＯ、ＮＯｘ  を浄化するものである。
【０００３】
しかしながらこれらの触媒では、触媒の体積１リットルあたりの貴金属の担持量が１ｇを超えるため、貴金属量が多く高価であるという問題がある。近年の自動車の排ガス浄化用触媒は、約１０００℃もの高温に曝され、排ガス流量も２桁で変化するなど、広い雰囲気変動下での高い活性が求められている。そのため貴金属の担持量は多くなる傾向にあり、しかも貴金属の粒成長による劣化などを見込んで貴金属の担持量が決定されているため、このように多い担持量とされているのが現状である。
【０００４】
そこで例えば特開平０８−１４４７５２号公報には、触媒を多段化することで貴金属量を増加させることなく活性の向上を図る技術が開示されている。また特開平０９−０００９４４号公報、特開２００１−１７０５００号公報には、貴金属の担持分布を適切に調整することで貴金属量を増加させることなく活性の向上を図る技術が開示されている。
【０００５】
このような技術を用いることで、従来と同等の活性を得るようにすれば貴金属の担持量を低減することができる。また特開２００２−１５５７３４号公報には、三元触媒の下流側にペロブスカイト型触媒を配置して三元触媒の活性を補助することで、全体として貴金属の担持量の低減を図ることが記載されている。
【０００６】
【特許文献１】特開平０８−１４４７５２号
【特許文献２】特開平０９−０００９４４号
【特許文献３】特開２００１−１７０５００号
【特許文献４】特開２００２−１５５７３４号
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
ところが上記した従来の技術では、貴金属の担持量を低減できるといってもその低減量は必ずしも大きいものではなく、依然として高価な触媒となっている。
【０００８】
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであり、貴金属の担持量を大幅に低減し、かつ高い浄化活性を発現できる排ガス浄化制御装置を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決する本発明の排ガス浄化制御装置の特徴は、貴金属を１ｇ／Ｌ以下の担持量で担持してなる第１触媒と、貴金属を担持しない第２触媒と、排ガスが第１触媒及び第２触媒の少なくとも一方を流通するように切り替える切替手段と、第１触媒による排ガスの浄化反応が拡散律速となる条件下では排ガスを第１触媒に流し、第１触媒による排ガスの浄化反応が拡散律速とならない条件下では排ガスを少なくとも第２触媒に流すように切替手段を制御する制御手段と、からなることにある。
【００１０】
第１触媒における貴金属の担持量は、  ０．２ｇ／Ｌ以下であることが望ましい。
【００１１】
また排ガス流量及び排ガス温度の少なくとも一方を検出するセンサを有し、センサの検出値に応じて制御手段が切替手段を制御することが望ましい。
【００１２】
さらに、第２触媒には遷移金属が担持されていることが望ましく、遷移金属は第４周期のＶＩａ  族、ＶＩＩａ族、ＶＩＩＩ族から選ばれる少なくとも一種であり、第２触媒の１Ｌあたりメタル換算で５〜４０ｇ担持されていることが望ましい。
【００１３】
【発明の実施の形態】
触媒に流入する排ガス温度が十分に高い場合には、高流量（空間速度大）であっても触媒上の活性点である貴金属上でのＨＣ及びＣＯの酸化反応とＮＯｘ  の還元反応の反応速度が大きく、反応は拡散律速となる。すなわち排ガスの浄化反応が拡散律速となる条件下では、活性点の数が極少量であっても浄化反応は十分に進行する。
【００１４】
一方、排ガスの浄化反応が拡散律速となる条件以外の条件下では、空間速度は相対的に小さいので、貴金属を担持していない触媒を用いても必要な反応速度が得られ、浄化反応は十分に進行する。
【００１５】
そこで本発明では、貴金属を１ｇ／Ｌ以下の担持量で担持してなる第１触媒と、貴金属を担持しない第２触媒とを用い、第１触媒による排ガスの浄化反応が拡散律速となる条件下では第１触媒に流し、第１触媒による排ガスの浄化反応が拡散律速とならない条件下では少なくとも第２触媒に流している。
【００１６】
第１触媒は貴金属の担持量が少なく活性点の数が極少量であるが、活性化に十分な温度以上（反応が拡散律速となる条件下）で使用されるため、少量の貴金属でも、排ガス中の有害成分を十分に浄化することができる。またこのような使用領域では貴金属は高温に曝されるが、貴金属の担持量が極少量であるので担持密度が低く、貴金属の粒成長は必然的に抑制される。したがって高温耐久後も活性の低下が抑制される。しかし第２触媒に高温の排ガスが流れると、第２触媒が劣化して失活する場合がある。したがって排ガスの浄化反応が拡散律速となる条件下では、排ガスが第１触媒のみに流れるように制御することが望ましい。
【００１７】
一方、第２触媒は貴金属を担持していないものの、上記した排ガスの浄化反応が拡散律速となる条件以外（反応律速領域）では、ガス流量は相対的に小さいため必要な反応速度は十分に得られる。そしてこの条件下では排ガス温度は相対的に低温であり、貴金属を担持していない触媒の課題である熱による劣化の不具合は問題とならない。したがって第２触媒のみでも排ガス中の有害成分を十分に浄化することができる。また、この条件下では第１触媒の活性も併用することができるので、排ガスの浄化反応が拡散律速とならない条件下では第１触媒と第２触媒の両方を排ガスが流れるように制御してもよい。
【００１８】
したがって本発明の排ガス浄化制御装置によれば、第１触媒による排ガスの浄化反応が拡散律速となる条件下及びそれ以外の条件下ともに高い浄化活性が発現され、耐久性にも優れている。そして貴金属の担持量が１ｇ／Ｌ以下、好ましくは  ０．２ｇ／Ｌ以下と極少量であるので、コストを大幅に低減することができる。
【００１９】
第１触媒は、貴金属を１ｇ／Ｌ以下の担持量で担持してなるものである。第１触媒の担体としては、アルミナ、チタニア、ジルコニア、セリアなどの多孔質酸化物の少なくとも一種、あるいはこれらの複数種からなる複合酸化物などを用いることができる。また貴金属としては、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｒｕなどから選ばれる一種又は複数種を用いることができる。第１触媒における貴金属の担持量は、第１触媒の体積１リットルあたり１ｇ以下とされる。  ０．２ｇ／Ｌ以下であるのが好ましい。但し、自動車の排ガスを浄化するためには、少なくとも０．０１ｇ／Ｌ以上担持することが必要である。
【００２０】
第２触媒は、貴金属を担持していない触媒であり、例えば第１触媒と同様の担体に、Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｍｎ，Ｃｒなど、第４周期のＶＩａ  族、ＶＩＩａ族、ＶＩＩＩ族から選ばれる少なくとも一種の遷移金属を担持した触媒を用いることができる。この遷移金属の担持量は、一般に５〜４０ｇ／Ｌとされる。５ｇ／Ｌより少ないと、第１触媒による排ガスの浄化反応が拡散律速とならない条件下において浄化活性が小さすぎて実用的でなく、４０ｇ／Ｌを超えて担持しても担持効率が悪くなり、性能も飽和する。
【００２１】
切替手段は、排ガスが第１触媒及び第２触媒の少なくとも一方を流通するように切り替える手段であり、切替バルブなどを用いることができる。例えば図１〜２に示すように、切替手段Ｑによって排ガスが二つの排気流路に分岐するように構成し、一方の排気流路に配置された第１触媒又は他方の排気流路に配置された第２触媒のいずれか一方と接触するように構成することができる。そして切替手段Ｑは、第１触媒による排ガスの浄化反応が拡散律速となる条件下では排ガスを第１触媒のみに流し、それ以外の条件下（反応律速領域）では第２触媒のみに流す。
【００２２】
また、第１触媒による排ガスの浄化反応が拡散律速とならない条件下では、第２触媒のみに流すばかりでなく、第１触媒と第２触媒の両方を排ガスが流れるように制御することも好ましい。そこで図３に示すように、第２触媒及び第１触媒を上流側からこの順で直列に配置し、第２触媒のさらに上流側に切替手段Ｑを配置することができる。第１触媒による排ガスの浄化反応が拡散律速となる条件下では、切替手段Ｑの駆動によって排ガスが第２触媒を回避して流れるようにし、第１触媒のみと接触するようにする。一方、それ以外の条件下では、排ガスが第２触媒と第１触媒の両方と接触するようにする。
【００２３】
また図４〜５に示すように、第１触媒及び第２触媒を上流側からこの順で直列に配置し、第１触媒と第２触媒の間に切替手段Ｑを配置することもできる。この構成では、第１触媒による排ガスの浄化反応が拡散律速となる条件下では、切替手段Ｑの駆動によって第１触媒を通過した排ガスが第２触媒を回避して流れるようにし、第１触媒のみと接触するようにする。一方、それ以外の条件下である場合には、第１触媒を通過した排ガスが第２触媒にも流れるようにする。
【００２４】
制御手段は、第１触媒による排ガスの浄化反応が拡散律速となる条件下では排ガスを第１触媒に流し、それ以外の条件下では排ガスを少なくとも第２触媒に流すように切替手段を制御する。例えば排ガス雰囲気が拡散律速領域であるか否かをコンピュータが判別し、それに応じてコンピュータが切替手段を駆動するように構成することができる。
【００２５】
排ガス雰囲気が拡散律速領域であるか否かを判別するには、排ガスの流速、圧力、温度、あるいはエンジン回転数などを検出し、予め設定された第１触媒の性能マップなどを基にコンピュータが判別することができる。これらの検出値は一種でもよいが、精度をより高めるためには、複数種の検出値を検出し、これらの検出値から多次元のマップを作製しておくことが望ましい。
【００２６】
またバイメタルを切替手段及び制御手段として用い、排ガスの温度に応じて排気流路を切り替えることも可能である。あるいは所定の圧力以上で開くバルブを切替手段及び制御手段として用い、排ガスの圧力に応じて排気流路を切り替えることもできる。
【００２７】
【実施例】
以下、試験例、実施例及び比較例により本発明を具体的に説明する。
【００２８】
＜試験例１（第１触媒）＞
（触媒Ａ）
特開平１０−１８２１５５号公報に記載の製造方法によって製造された、アルミナとセリア−ジルコニア固溶体とのナノ均質混合物（  ＡＣＺ）（モル比  Ａｌ２Ｏ３：ＣｅＯ２：ＺｒＯ２＝１：  ０．９：  １．１）の粉末と、アルミナ粉末との混合物をアルミナバインダーと共にスラリー化し、コーディエライト製のハニカム基材（３５ｃｃ、  ４００セル／ｉｎ２  ）にコートしてハニカム触媒を調製した。コート量は  １６５ｇ／Ｌであり、  ＡＣＺが８５ｇ／Ｌ、アルミナが８０ｇ／Ｌコートされている。
【００２９】
これにジニトロジアンミン白金水溶液を用いてＰｔを０．１５ｇ／Ｌ担持し、硝酸ロジウム水溶液を用いてＲｈを０．０３ｇ／Ｌ担持した。
【００３０】
（触媒Ｂ）
Ｐｔの担持量を  １．５ｇ／Ｌ、Ｒｈの担持量を  ０．３ｇ／Ｌとしたこと以外は触媒Ａと同様である。
【００３１】
（試験）
触媒Ａ（初期品）と触媒Ｂ（初期品）を評価装置にそれぞれ配置し、ＳＶ＝２０，０００／ｈ  の条件でλ＝１±０．０２のモデルガスを使用し、各温度におけるＨＣ浄化率をそれぞれ測定した。また触媒Ａと触媒Ｂにλ＝１±０．０４のモデルガスを１１００℃で５時間流通させる耐久試験を行い、耐久試験後の各触媒（耐久品）について上記と同様に各温度におけるＨＣ浄化率をそれぞれ測定した。結果を図６に示す。
【００３２】
図６より、触媒Ａ（初期品）は触媒Ｂ（初期品）に比べて貴金属の担持量が１／１０であるにも関わらず、入りガス温度  ３００℃以上では触媒Ｂ（初期品）と同等の浄化活性を示すことがわかる。すなわち  ３００℃以上では、触媒反応は活性点の数（貴金属量）に影響されず、拡散に律速されることがわかる。
【００３３】
また触媒Ａ（耐久品）は、約  ３５０℃以上で触媒Ａ（初期品）と同等の浄化活性を示し、同様に触媒Ｂ（耐久品）は、約  ３００℃以上で触媒Ｂ（初期品）と同等の浄化活性を示す。触媒Ａ，Ｂは、共に耐久試験によって貴金属が粒成長して活性点の数が減少しているが、ある温度以上の条件下（拡散律速領域）では共に初期品と同等の活性を示していることがわかる。
【００３４】
さらに。初期品から耐久品への劣化度を比較すると、触媒Ａの方が触媒Ｂより劣化度が小さく、貴金属の粒成長が抑制されていることがわかる。これは低密度担持により粒成長が抑制された効果である。
【００３５】
一方、触媒Ａと同一組成のペレット触媒を調製し、λ＝１±０．０４のモデルガスを１１００℃で５時間流通させる耐久試験を行った。耐久試験後のペレット触媒を評価装置に配置し、λ＝１±０．０２のモデルガスを使用して、種々の空間速度でＨＣ浄化率を測定し拡散律速領域となる温度を評価した。結果を図７に示す。
【００３６】
図７から、拡散律速領域となる温度は、触媒の仕様だけでなく触媒を通過するガスの空間速度によっても左右されることがわかる。すなわち本発明の排ガス浄化装置の第１触媒として触媒Ａを用いる場合には、図７に示すようなマップを元にして切替手段を制御する必要がある。
【００３７】
＜試験例２（第２触媒）＞
（触媒Ｃ）
水銀ポロシメータによって測定した中心細孔径が１５ｎｍ以下、細孔容積が０．１８ｃｃ／ｇ以下のジルコニア粉末（第１稀元素製）に、定法によりＦｅを担持して、触媒粉末を調製した。この触媒粉末を、ジルコニアバインダーと共にスラリー化し、コーディエライト製のハニカム基材（３５ｃｃ、  ９００セル／ｉｎ２  ）にコートしてハニカム触媒を調製した。コート量は  ３００ｇ／Ｌであり、Ｆｅは  ０．３モル／Ｌ（Ｆｅメタルとして１６．８ｇ／Ｌ）担持されている。
【００３８】
（触媒Ｄ）
中心細孔径が２２ｎｍ、細孔容積が０．２２ｃｃ／ｇのジルコニア粉末を用いたこと以外は触媒Ｃと同様である。
【００３９】
（試験）
触媒Ｄ（初期品）に対し、λ＝１±０．０４のモデルガスを  ６００℃で１０時間流通させる耐久試験を行って、触媒Ｄ（耐久品）を調製した。
【００４０】
触媒Ｃ（初期品）、触媒Ｄ（初期品）、触媒Ｄ（耐久品）を評価装置にそれぞれ配置し、ＳＶ＝  ５，０００／ｈ  の条件でλ＝１±０．０２のモデルガスを使用し、各温度におけるＨＣ，ＣＯ，ＮＯｘ  の浄化率をそれぞれ測定した。そして５０％浄化温度をそれぞれ算出し、結果を表１に示す。
【００４１】
【表１】
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【００４２】
表１から、触媒Ｄ（初期品）は触媒Ｃ（初期品）に比べて浄化性能が高いことがわかる。これは、酸化鉄を安定に保持し、かつ反応ガスと触媒表面の活性種が十分に接触し合うためには、ジルコニア担体にある程度大きな中心細孔径と細孔容積が必要であることを意味している。また触媒Ｄ（初期品）と触媒Ｄ（耐久品）には、浄化性能に大きな差がないことから、触媒Ｄ（初期品）を  ６００℃以下の温度で使用すれば、経時による浄化性能の劣化がほとんど生じないことがわかる。
【００４３】
（実施例１）
図８に本実施例の排ガス浄化制御装置のブロック図を示す。この排ガス浄化制御装置では、第１触媒１と第２触媒２が排気流路３に直列に配置され、第１触媒１が上流側に、第２触媒２が下流側に配置されている。第１触媒１と第２触媒２の間に切替バルブ５が配置され、排ガスは先ず第１触媒１を通過し、その後切替バルブ５で流路が切り替えられる。また第１触媒１の上流には、排ガス温度を検出する温度センサ６と、排ガスの圧力を検出する圧力センサ７が配置されている。
【００４４】
切替バルブ５は電磁アクチュエータからなり、ＣＰＵ４からの信号によって駆動されて、排ガスは第１触媒１及び第２触媒２を流れる場合と、第１触媒１を流れた後第２触媒２を回避する場合とに切り替えられる。
【００４５】
ＣＰＵ４には温度センサ６及び圧力センサ７の信号が常時入力され、ＣＰＵ４はそれらの検出値からＲＡＭに保存された図７に示すマップを参照して切替バルブ５を制御している。
【００４６】
第１触媒１及び第２触媒２の組成の説明に代えて、これらの製造方法を以下に説明する。
【００４７】
触媒Ａ（初期品）と同様にして、アルミナとセリア−ジルコニア固溶体とのナノ均質混合物（  ＡＣＺ）の粉末と、アルミナ粉末との混合物をアルミナバインダーと共にスラリー化し、コーディエライト製のハニカム基材（  １．７Ｌ、  ４００セル／ｉｎ２  ）にコートしてハニカム触媒を調製した。コート量は  １６５ｇ／Ｌであり、  ＡＣＺが８５ｇ／Ｌ、アルミナが８０ｇ／Ｌコートされている。
【００４８】
これにジニトロジアンミン白金水溶液を用いてＰｔを０．７５ｇ／Ｌ担持し、硝酸ロジウム水溶液を用いてＲｈを０．１５ｇ／Ｌ担持した。この触媒に対し、λ＝１±０．０４のモデルガスを１１００℃で５時間流通させる耐久試験を行い、第１触媒１を調製した。
【００４９】
一方、触媒Ｄ（初期品）と同様に、中心細孔径が２２ｎｍ、細孔容積が０．２２ｃｃ／ｇのジルコニア粉末を用い、定法によりＦｅを担持して、触媒粉末を調製した。この触媒粉末を、ジルコニアバインダーと共にスラリー化し、コーディエライト製のハニカム基材（２Ｌ、  ９００セル／ｉｎ２  ）にコートしてハニカム触媒を調製した。コート量は  ３００ｇ／Ｌであり、Ｆｅは  ０．３モル／Ｌ（Ｆｅメタルとして１６．８ｇ／Ｌ）担持されている。
【００５０】
この触媒に対し、λ＝１±０．０４のモデルガスを  ６００℃で１０時間流通させる耐久試験を行い、第２触媒２を調製した。
【００５１】
以下、ＣＰＵ４の制御内容を図９に示すフローチャートを参照しながら説明する。
【００５２】
先ずステップ  １００では、温度センサ６と圧力センサ７の検出値が読み込まれ、現在の排ガスの温度と圧力に関連した物理量がＣＰＵ４に入力される。ＣＰＵ４は、圧力に関連した物理量から排ガスの空間速度（ＳＶ値）を算出する。
【００５３】
一方、図示しないＲＯＭ又はＲＡＭには、第１触媒１について作製された図７に示すようなマップが記憶されている。第１触媒１は、マップ中の性能曲線より右側で拡散律速となって十分に高い浄化活性を示し、左側では反応律速となって十分な浄化活性が得られない。
【００５４】
そこでステップ  １０１ではマップが参照され、ステップ  １０２において現実の排ガス温度と空間速度の値から、第１触媒１による排ガスの浄化反応が拡散律速であるか否かが判定される。そして第１触媒１による排ガスの浄化反応が拡散律速である場合には、ステップ  １０３で切替バルブ５が駆動され、排ガスは第１触媒１を流れた後、第２触媒２を迂回して流れる。
【００５５】
拡散律速領域では、活性点の数が極少量であっても浄化反応は十分に進行するので、貴金属の担持量が極少量の第１触媒１のみでも十分な浄化能が発現される。さらに第１触媒１では貴金属の担持密度が低いので、高温の排ガスによる貴金属の粒成長の不具合もほとんど生じない。また高温の排ガスが第２触媒２を通過することがないので、第２触媒２の劣化による失活も阻止される。
【００５６】
一方、ステップ  １０２で拡散律速でないと判定された場合は、ステップ  １０４で切替バルブ５が駆動され、排ガスは第１触媒１と接触した後に第２触媒２と接触する。反応律速領域では、空間速度が小さく温度も低いので、第２触媒２のみでも必要な反応速度が得られる。そして本実施例では、排ガスは反応律速領域では第１触媒１とも接触するので、第１触媒１による浄化反応も加味されて十分な浄化能が発現される。
【００５７】
また切替バルブ５をバイメタルなどから構成し、温度に応じて排ガス流路を切り替えるようにすれば、ＣＰＵ４、温度センサ６などを不要として制御することができる。さらに所定の圧力で開くバルブを切替バルブ５に代えて用いれば、ＣＰＵ４、圧力センサ７などを不要として制御することができる。
【００５８】
（実施例２）
Ｐｔを０．１５ｇ／Ｌ担持しＲｈを０．０３ｇ／Ｌ担持したこと以外は実施例１の第１触媒１と同様の触媒に対し、λ＝１±０．０４のモデルガスを１１００℃で５時間流通させる耐久試験を行い、第１触媒１を調製した。この第１触媒１は、試験例１の触媒Ａ（耐久品）に相当する。また第２触媒２は実施例１と同様である。
【００５９】
（比較例１）
Ｐｔを  １．５ｇ／Ｌ担持しＲｈを  ０．３ｇ／Ｌ担持したこと以外は実施例１の第１触媒１と同様の触媒に対し、λ＝１±０．０４のモデルガスを１１００℃で５時間流通させる耐久試験を行った。この触媒は試験例１の触媒Ｂ（耐久品）に相当する。この触媒を第１触媒１として排気流路に配置し、第２触媒２は用いていない。
【００６０】
（比較例２）
実施例１の第１触媒１のみを排気流路に配置し、第２触媒は用いていない。
【００６１】
（試験・評価）
実施例及び比較例の排ガス浄化制御装置を１８００ｃｃのストイキエンジンの排気系にそれぞれ取付け、ＨＣの５０％浄化温度を測定した。結果を表２に示す。また入りガス温度が  ４００℃の時のＡ／Ｆ特性を評価し、結果を図１０〜１１に示す。なおＡ／Ｆ特性の評価では、実施例１及び実施例２は排ガスが第２の排気流路を流れ、第１触媒１と第２触媒２とに接触する条件で評価した。
【００６２】
【表２】
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【００６３】
表２及び図１０〜１１より、各実施例は各比較例１〜２に対して同等の低温浄化能とＡ／Ｆ特性を示し、Ｐｔ及びＲｈの担持量を大きく低減しても従来と同等の浄化活性が発現されることが明らかである。
【００６４】
【発明の効果】
すなわち本発明の排ガス浄化制御装置によれば、貴金属の担持量を大幅に低減することができ、安価でありながら高い浄化活性を発現できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の排ガス浄化制御装置の触媒配置の一例を示す説明図である。
【図２】本発明の排ガス浄化制御装置の触媒配置の一例を示す説明図である。
【図３】本発明の排ガス浄化制御装置の触媒配置の一例を示す説明図である。
【図４】本発明の排ガス浄化制御装置の触媒配置の一例を示す説明図である。
【図５】本発明の排ガス浄化制御装置の触媒配置の一例を示す説明図である。
【図６】温度とＨＣ浄化率との関係を示すグラフである。
【図７】本発明の一実施例の排ガス浄化制御装置の制御に利用したマップを示すグラフである。
【図８】本発明の一実施例の排ガス浄化制御装置の構成を示す説明図である。
【図９】本発明の一実施例の排ガス浄化制御装置の制御内容を示すフローチャートである。
【図１０】実施例１及び比較例１の排ガス浄化制御装置のＡ／Ｆ特性を示すグラフである。
【図１１】実施例２及び比較例２の排ガス浄化制御装置のＡ／Ｆ特性を示すグラフである。
【符号の説明】
１：第１触媒        ２：第２触媒        ３：排気流路
４：ＣＰＵ          ５：切替バルブ            ６：温度センサ
７：圧力センサ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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