(57)【要約】【課題】  欠陥のあるマスクブランクスの歩留まりを向上させマスクコストを低減できるマスク作製方法等を提供する。【解決手段】  パターン転写用マスク１０は、パターン形成前の中間材であるマスクブランクスの全ての欠陥ＤＦに回路パターンＰが重なるように、回路パターンＰのＸＹ方向へのシフト、Ｚ軸回りの回転、及び、ＸＹ方向の倍率及び／又は直交を含む補正を行って作製されている。これにより、欠陥があるマスクも露光に使用することができ、コストが低減される。露光時には、投影光学系及び／又はステージ動作に前記補正の逆の補正を行って本来の設計パターンを復元するように露光する。【選択図】        図１
2004170948.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
感応基板上に露光・転写すべき回路パターンが形成されているマスクであって、
該マスクのパターン形成前の中間材であるマスクブランクスの欠陥に回路パターンの暗部が重なるように前記回路パターンの倍率及び／又は直交を含む補正が行われていることを特徴とするパターン転写用マスク。
【請求項２】
前記補正の量が、前記マスクに記録されていることを特徴とする請求項１記載のパターン転写用マスク。
【請求項３】
前記補正の量が、前記マスクのマスク（レチクル）アライメントマークの位置に記録されていることを特徴とする請求項２記載のパターン転写用マスク。
【請求項４】
前記補正の量が、前記マスク上の回路パターン以外の部分に設けられたコードへ記録されていることを特徴とする請求項２記載のパターン転写用マスク。
【請求項５】
感応基板上に露光・転写すべき回路パターンが形成されたマスクの作製方法であって、
該マスクのパターン形成前の中間材であるマスクブランクスの欠陥及び該欠陥の位置を検出する工程と、
前記マスクブランクス上の欠陥が検出された位置に、前記回路パターンの暗部が位置するように、前記回路パターンの倍率及び／又は直交を含む補正を行う工程と、
を含むことを特徴とするマスク作製方法。
【請求項６】
感応基板上に露光・転写すべき回路パターンが形成されるマスク（レチクル）を作製し、  該マスクをエネルギ線照明し、  前記マスクを反射又は通過したエネルギ線（パターンビーム）を感応基板面上に投影結像させて前記回路パターンを前記感応基板上に転写する露光方法であって、
前記マスクのパターン形成前の中間材であるマスクブランクスの欠陥に回路パターンの暗部が重なるように、前記回路パターンを倍率及び／又は直交を含む補正を行って前記マスクを作製し、
露光時には、投影光学系及び／又はステージ動作に前記補正の逆の補正を行って本来の設計パターンを復元するように露光することを特徴とする露光方法。
【請求項７】
前記回路パターン補正位置を一次の座標変換式で表すことを特徴とする請求項６記載の露光方法。
【請求項８】
前記回路パターンの補正量を任意のメディアに記録しておき、記憶しておいた補正量を読み出して前記補正の逆の補正を行うことを特徴とする請求項６記載の露光方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、本発明は、半導体集積回路等のリソグラフィに用いられるマスク及び露光装置等に関する。特には、マスクブランクスの歩留まりを向上させマスクコストを低減できるマスク作製方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＥＵＶリソグラフィを例にとって説明する。近年、半導体集積回路の微細化に伴い、光の回折限界によって制限される光学系の解像力を向上させるために、従来の紫外線に代えてこれより短い波長（１１〜１４ｎｍ）のＸ線を使用した投影リソグラフィ技術が開発されている。
【０００３】
この技術は、ＥＵＶ（Ｅｘｔｒｅｍｅ  ＵｌｔｒａＶｉｏｌｅｔ）リソグラフィと呼ばれており、従来の波長１９０ｎｍの光線を用いた光リソグラフィでは実現不可能な、７０ｎｍ以下の解像力を得られる技術として期待されている。
【０００４】
このＥＵＶ露光装置に使用されるマスク（レチクル）は、基板上に反射型多層膜を成膜し、その膜上に吸収層を形成したもので、吸収層に回路パターンがパタニングされる。基板上に反射型多層膜を成膜し、その膜上に吸収層を形成したものは、マスクの中間材であるマスクブランクスと呼ばれる。反射多層膜の上層付近に欠陥が存在すると、照射されるエネルギ線を反射しなくなり、いわゆる黒欠陥となる。また、同膜の中層、下層、または基板上に欠陥が存在すると、反射光位相が変化し、転写されるパターンの線幅変化等を引き起こす。  このような欠陥の存在はマスク製造の歩留まりに影響し、最終的にはコストに直接作用する。このため、欠陥の問題を解消するための研究、開発が行われている。
【０００５】
一つの方法として、例えば、欠陥に回路パターンの暗部が重なるように位置合わせを行って、回路パターンをマスクブランクス上に転写する方法がある（一例で、特許文献１参照）。この方法においては、マスクブランクス材としてシリコンウェハを用い、事前にマスク上の欠陥位置を検出する。そして、回路パターン
の暗部と欠陥位置とが重なるように、回路パターンを、Ｚ軸回りに回転及びＸＹ
方向へシフトさせてマスクブランクス上に描画する。
【特許文献１】特開平７−２４０３６３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
図８は、従来の方法による回路パターンの暗部と欠陥位置とを重ねた状態を示す図である。
この図のマスク（レチクル）１０´は、複数の欠陥ＤＦが存在するマスクブランクス上に、回路パターンＰが描画されたものである。回路パターンＰは吸収層に縦横のラインが等間隔で直交する格子状パターンである。同パターンＰは、上述の方法によって、ＸＹ方向へシフトさせたり、Ｚ軸回りに回転させて、欠陥ＤＦに位置合わせされている。欠陥ＤＦがパターンＰと重なると、同欠陥は吸収層の下に隠れてしまい、転写されるウェハ（感応基板）上には実際には欠陥が発生しない。欠陥の数が少ない場合（２、３個）は回路パターンをＸＹ方向へ動かしたり、Ｚ軸回りに回転させることにより全ての欠陥を回路パターンと重ねることができる。しかし、図に示すように欠陥の数が多くなると、回路パターンに重なるものもあるが（図の実線で囲んだ欠陥）、回路パターンにうまく合わせられないものもある（図の破線で囲んだ欠陥）。
【０００７】
このように、欠陥の数が多い場合は、マスクが不良品となることがある。
また、ＥＵＶ露光装置に使用されるマスクは正方形であることがＳＥＭＩにより規格化されている。このため、マスクのＺ軸回りの回転量は０°又は１８０°を中心として若干量（例えば±０．５°程度）しか許されず、位置合わせの自由度が狭い。
【０００８】
本発明は上記の問題点に鑑みてなされたものであって、欠陥のあるマスクブランクスの歩留まりを向上させマスクコストを低減できるマスク作製方法等を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するため、本発明のパターン転写用マスクは、  感応基板上に露光・転写すべき回路パターンが形成されているマスクであって、  該マスクのパターン形成前の中間材であるマスクブランクスの欠陥に回路パターンの暗部が重なるように前記回路パターンの倍率及び／又は直交を含む補正が行われていることを特徴とする。
【００１０】
欠陥とパターン暗部とを、ＸＹ面内のシフト、Ｚ軸回りの回転に加えて、倍率や直交を含む補正により位置合わせすることにより、位置合わせの自由度が増え、より多くの欠陥をパターン暗部に重ねることができる。これにより、欠陥があるマスクも露光に使用することができ、コストが低減される。
【００１１】
本発明においては、  前記補正の量が、前記マスクに記録されていることが好ましい。そして、  前記マスクのマスク（レチクル）アライメントマークの位置や、  前記マスク上の回路パターン以外の部分に設けられたコードに記録しておけば、露光時に情報を読み取って補正することができる。露光時の補正の方法については後述する。
【００１２】
本発明のマスク作製方法は、  感応基板上に露光・転写すべき回路パターンが形成されたマスクの作製方法であって、  該マスクのパターン形成前の中間材であるマスクブランクスの欠陥及び該欠陥の位置を検出する工程と、  前記マスクブランクス上の欠陥が検出された位置に、前記回路パターンの暗部が位置するように、前記回路パターンの倍率及び／又は直交を含む補正を行う工程と、を含むことを特徴とする。
【００１３】
本発明の露光方法は、  感応基板上に露光・転写すべき回路パターンが形成されるマスク（レチクル）を作製し、  該マスクをエネルギ線照明し、  前記マスクを反射又は通過したエネルギ線（パターンビーム）を感応基板面上に投影結像させて前記回路パターンを前記感応基板上に転写する露光方法であって、  前記マスクのパターン形成前の中間材であるマスクブランクスの欠陥に回路パターンの暗部が重なるように、前記回路パターンを倍率及び／又は直交を含む補正を行って前記マスクを作製し、  露光時には、投影光学系及び／又はステージ動作に前記補正の逆の補正を行って本来の設計パターンを復元するように露光することを特徴とする。
【００１４】
欠陥のあるマスクも使用できるため、マスクの歩留まりが向上し、コスト低下が期待できる露光装置を提供できる。なお、エネルギ線の種類は特に限定されず、紫外光、ＥＵＶ光等を使用できる。  本発明においては、  前記回路パターン補正位置を一次の座標変換式で表すこととすれば、各ステージ走査の調整へ還元しやすい。
【００１５】
本発明においては、  前記回路パターンの補正量を任意のメディアに記録しておき、記憶しておいた補正量を読み出して前記補正と逆の補正を行うこととすれば、露光時に同メディアから呼び出して補正することができる。
【発明の効果】
【００１６】
以上の説明から明らかなように、本発明によれば、マスクブランクス上の欠陥の位置とパターンの位置とを、パターンをＸＹ方向へのシフト、Ｚ軸回りの回転に加えて、Ｘ方向及びＹ方向への倍率変換、スキューの５つのパラメータを用いて重ね合わせるため、高い確率で位置合わせできる。したがって、欠陥のあるマスクブランクスも使用できるため、歩留まりの向上した露光装置を提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、図面を参照しつつ説明する。
まず、ＥＵＶ露光装置の一例について説明する。
図４は、本発明の実施の形態に係る露光装置（ＥＵＶ露光装置）の構造を模式的に示す図である。
【００１８】
このＥＵＶ露光装置は、光源を含む照明系ＩＬを備えている。照明系ＩＬから放射されたＥＵＶ光（一般に、波長５〜２０ｎｍの光が用いられ、具体的には１３ｎｍや１１ｎｍの波長が用いられる）は、折り返しミラー１で反射してレチク
ル２に照射される。
【００１９】
レチクル２は、レチクルステージ３に保持されている。このレチクルステージ３は、走査方向（Ｙ軸）に１００ｎｍ以上のストロークを持ち、レチクル面内の走査方向と直交する方向（Ｘ軸）に微小ストロークを持ち、光軸方向（Ｚ軸）に
も微小ストロークを持っている。ＸＹ方向の位置は図示せぬレーザ干渉計によって高精度にモニタされ、Ｚ方向はレチクルフォーカス送光系４とレチクルフォーカス受光系からなるレチクルフォーカスセンサでモニタされている。レチクルステージ３に対向する位置にはレチクルアライメントセンサＰＡが配置されている（詳細後述）
レチクル２で反射したＥＵＶ光は、図中下側の光学鏡筒１４内に入射する、このＥＵＶ光は、レチクル２に描かれた回路パターンの情報を含んでいる。レチクル２にはＥＵＶ光を反射する多層膜（例えばＭｏ／ＳｉやＭｏ／Ｂｅ）が形成されており、この多層膜の上に吸収層（例えばＮｉやＡｌ）の有無でパタニングされている。
【００２０】
光学鏡筒１４内に入射したＥＵＶ光は、第一ミラー６で反射した後、第二ミラー７、第三ミラー８、第四ミラー９と順次反射し、最終的にはウェハ１０に対して垂直に入射する。投影系の縮小倍率は、例えば１／４や１／５である。この図では、ミラーは４枚であるが、Ｎ．Ａ．をより大きくするためには、ミラーを６枚あるいは８枚にすると効果的である。鏡筒１４の近傍には、アライメント用のウェハアライメントセンサ１５が配置されている。
【００２１】
ウェハ１０は、ウェハステージ１１上に載せられている。ウェハステージ１１は、光軸と直交する面内（ＸＹ平面）を自由に移動することができ、ストロークは例えば３００〜４００ｍｍである。同ウェハステージ１１は、光軸方向（Ｚ軸）にも微小ストロークの上下が可能で、Ｚ方向の位置はウェハオートフォーカス送光系１２とウェハオートフォーカス受光系１３からなるウェハフォーカスセンサでモニタされている。ウェハステージ１１のＸＹ方向の位置は図示せぬレーザ干渉計によって高精度にモニタされている。露光動作において、レチクルステージ３とウェハステージ１１は、投影系の縮小倍率と同じ速度比、すなわち、４：１あるいは５：１で同期走査する。ウェハステージ１１上には基準マークＦＭが配置されている（詳細後述）。
【００２２】
次に、レチクルアライメントについて説明する。
このような露光装置で露光を行う際には、まず。レチクル２をレチクルケースから取り出し、レチクル搬送系（図示されず）によってレチクルステージ３まで搬送する。レチクル２はレチクルステージ３上に固定されているレチクルホルダ（図示されず）に静電吸着により保持される。そして、レチクルプリアライメントセンサＰＡによってレチクル２のプリアライメントを行う。このとき、同センサＰＡによって、レチクル２上のレチクルプリアライメントマークが検出され、この結果に基づいて、レチクル２が所定の位置となるように、レチクルステージ３の位置がＸＹ方向及びθ回転の３つの自由度に対して修正される。
【００２３】
レチクルプリアライメントセンサＰＡは波長が２４８ｎｍの紫外光を光源とし、レチクルステージ３に対向するように露光装置本体に固定されている。なお、図では１個しか示されていないが、実際には、手前側と奥側の各々１個ずつ一対配置されている。同センサＰＡの位置は、前もって何らかの手段で数十μｍの位置精度が保たれている。
【００２４】
次に、レチクルアライメントマークについて説明する。
図５（Ａ）は、レチクルの全体を示す平面図である、図５（Ｂ）は、レチクルアライメントマークを拡大して示す平面図である。  レチクル１０の中央には、パターン領域Ｒが形成されており、レチクルアライメントマークＡＭはパターン領域Ｒの左右の外周に配置されている。同マークＡＭは、レチクル１０の左右で一対とし、この例では５対が形成されている。
【００２５】
図５（Ｂ）に示すように、各レチクルアライメントマークＡＭは、十文字のプリアライメントマークＰＭ１と、この十文字アライメントマークＰＭ１の一区画に配置されている縦方向に延びる５本のラインマーク及び横方向に延びる５本の
ラインマークとからなるファインアライメントマークＰＭ２を有する。各マークの部分では吸収層が取り除かれて、反射多層膜層が露出している。十文字マークＰＭ１の各線の線幅は数百ｎｍ〜数十μｍである。
【００２６】
なお、アライメントマークの各マークは、反射多層膜層マスクブランクス上に成膜したＴａＮやＣｒ等の薄膜である。また、多層膜反射鏡の基板に凹凸をつけてもよい。
上述のプリアライメントセンサＰＡによるプリアライメントは、これらのマークの内、十文字マークＰＭ１を用いて行われる。同センサＰＡの波長は２４８ｎｍであり、この十文字マークＰＭ１を十分に検出することができる。
【００２７】
プリアライメント終了後、ファインアライメントを行う。同アライメントは、ウェハステージ１１上に配置された基準マークＦＭに形成された空間像センサを用いて、ファインアライメントマークＰＭ２を検出することにより行われる。
【００２８】
なお、同センサ内の直交する２本の太い線は、ウェハアライメントセンサキャリブレーション用マークＳ２である（詳細後述）。
図６は、空間像センサを説明する図である。
【００２９】
空間像センサＳ１は上述のようにウェハステージ１０上の基準マークＦＭに形成されており、縦方向に延びる５本の周期線パターン及び横方向に延びる５本の周期線パターンとからなる。パターン部はＥＵＶ光透過部として形成されている。このパターンＳ１と、上述のファインアライメントマークＰＭ２の線幅の周期は、ウェハ上では同一であり、数十ｎｍ〜数百μｍである。同パターン部を通過したＥＵＶ光の光強度は、同パターン部の直下に配置されているフォトディテクタ（図示されず）で検出される。レチクルステージ３とウェハステージ１１を上述のように相対走査し、この走査に同期してフォトディテクタからの光強度信号を検出することにより、レチクルステージ３とウェハステージ１１との相対位置関係を得ることができる。
【００３０】
図７は、フォトディテクタで検出された光強度信号の一例を示す。図の縦軸は光強度、図の横軸は走査位置を示す。
図に示すように、光強度はある位置から急激に立ち上がり、その後ほぼ滑らかに上昇し、ある位置でピークをもつ。そして、滑らかに下降し、ある位置で急激に立ち下がる。このピークの位置では、空間像センサのパターン部とファインアライメントマークとがほぼ重なっており、この位置が最適位置である。
【００３１】
ファインアライメント終了後、ウェハアライメントセンサ１５で、基準マークＦＭに描かれたウェハアライメントセンサキャリブレーション用マークＳ２を計測する。同マークＳ２は、基準マークＦＭに描かれている、直交する２本の太い線である。これにより、レチクル座標系とウェハ座標系の関連付けが行われる。
【００３２】
次に、本発明の実施の形態に係るマスク作製方法について説明する。
図１は、本発明の第一の実施の形態に係る方法によって作製されたマスクの構造を示す平面図である。
【００３３】
この図のマスク（レチクル）１０も、図８と同様に、複数の欠陥ＤＦが存在するマスクブランクス上に、縦横のラインが等間隔で直交する格子状の回路パターンＰが描画されたものである。
【００３４】
このようなマスク１０を作製するには、まず、マスクブランクス上の欠陥の数と位置を検査装置で検査して確認する。この位置と数は、回路パターン以外の領域（マスク１０の四隅）に設けられている欠陥位置基準マークＭＭを基準として管理されている。この基準マークＭＭは、吸収層を成膜しても消えないように、十分に段差をもって形成されている。または、吸収層を成膜した後、マークの部分のみの吸収層を除去したものでもよい。
【００３５】
そして、マスクブランクス上の欠陥ＤＦの位置と回路パターンＰの位置とを、回路パターンＰをＸＹ方向へシフト、Ｚ軸回りの回転、及び、Ｘ方向へ変倍、Ｙ方向へ変倍することにより、重ね合わせる。これにより、マスク上の全ての欠陥ＤＦをパターンＰに重ね合わせることができる。なお、マスク上のパターンＰはＸＹ方向の倍率を変えているため、この例においては、横長の格子状となっている。
【００３６】
この例のマスク１０と図８のマスクとの違いは、図８のマスクは回路パターンが設計値通りの倍率で描画されているのに対し、この例のマスク１０は、回路パターンＰの横方向（Ｘ方向）の倍率及び縦方向（Ｙ方向）の倍率がそれぞれ設計値と異なる倍率に設定されていることである。
【００３７】
以下、詳細に説明する。
本来の回路パタンの設計位置を（Ｄｘ、Ｄｙ）とすると、実際に描画される位置（Ｒｘ、Ｒｙ）は、数式１で示される一次座標変換式で表される。
【数１】
2004170948.tif 000003
【００３８】
図８に示す従来例の場合は、パターンＰを、ＸＹ方向へのシフトと、Ｚ軸回りの回転のみで補正して、欠陥ＤＦと位置合わせしていた。この場合の実際の描画位置（Ｒｘ、Ｒｙ）は、数式２で示される座標変換式で表される。
【００３９】
ここで、△ｘはＸ方向へのシフト量、△ｙはＹ方向へのシフト量、θは回転角
【数２】
2004170948.tif 000004
度を示す。
【００４０】
前述のように、マスクの形状は正方形であり、また、露光装置へマスクを装着する際の位置合わせマークの都合により、マスクを９０°回転させることができない。このため、欠陥と回路パターンの暗部との相対位置合わせに使用可能な角度は、０°または１８０°に対して±０．５°程度である。それ以上回転させようとすると、露光装置にマスクを装着する際の機械的な制約を超えたり、マスクの平坦度が保証された領域からパターンがはみ出したりする。
【００４１】
本実施の形態においては、ＸＹ方向へのシフト、Ｚ軸回りの回転に加えて、倍率の調整を行っている。この場合の実際の描画位置（Ｒｘ、Ｒｙ）は、数式３で示される座標変換式で表される。
【数３】
2004170948.tif 000005
【００４２】
ここで、α、βはＸ方向、Ｙ方向への倍率変換に関るパラメータで、１±εである。εの値は、例えば２*10-6程度であり、露光装置の倍率調整範囲内である。αとβは同一の数値である必要はない。
【００４３】
倍率変換に関るパラメータα、β等の数値は、磁気ディスクや磁気テープ、ＣＤ−ＲＯＭ、紙等のメディアに記録されている。そして、該当するマスクを露光する際には、メディアから呼び出したこれらの数値を用いて、回路パターンを復元する。このとき、ＥＵＶ露光装置は走査露光を行うため、走査方向と直交する方向の倍率調整は、投影光学系とレチクルの距離を変えることにより行うことができ、走査方向の倍率調整は、マスクとウェハの走査速度を投影光学系の縮小投影倍率と異ならせることにより行うことができる。具体的には、投影光学系やステージ速度を調整して、Ｘ方向を１／α倍だけ倍率調整し、Ｙ方向を１／β倍だけ倍率調整する。このため、αとβは異なる数値でもよい。
【００４４】
また、これらの値の情報を、マスクのマスクアライメントマークに持たせてもよい（詳細後述）。また、バーコード化して、回路パターン以外の部分に記録してもよい。
図２は、本発明の第二の実施の形態に係る方法によって作製されたマスクの構造を示す平面図である。
【００４５】
この例では、ＸＹ方向へのシフト、Ｚ軸回りの回転に加えて、スキュー（直交度）の調整を行っている。このような補正を行うことにより、全ての欠陥ＤＦをパターンＰに重ね合わせることができる。この場合の実際の描画位置（Ｒｘ、Ｒ
ｙ）は、数式４で示される座標変換式で表される。
【数４】
2004170948.tif 000006
【００４６】
ここで、ξはＸ軸の回転角度、φはＹ軸の回転角度である。ξとφは同一の数値である必要はない。ξとφが異なれば、変換後の座表軸は直交せず、回路パターンにスキューが発生する。これらの数値もメディアに記録される。
【００４７】
該当するマスクを露光する際には、メディアから呼び出したこれらの数値を用いて、回路パターンを復元する。スキューを補正するには、マスクステージとウェハステージの走査方向を平行からずらすことにより、ウェハに転写されるパターンにスキューを与えることができる。ただし、スキューの量が大きすぎると、走査方向に平行なパターンの線幅が狭まるため、スキューの量には限度がある。スキュー量はξとφの差で示され、２０-6程度が好ましい。
【００４８】
また、数式３と数式４を統合した数式５で示される座標変換式を用いることにより、欠陥位置と回路パターンとの位置合わせの自由度がさらに向上する。
【数５】
2004170948.tif 000007
【００４９】
図３は、従来の方法によって作製されたマスクの構造を示す平面図である。
この例では、図２と同じ位置に欠陥ＤＦが存在するマスクにおいて、欠陥ＤＦの位置とパターンＰの暗部とを、ＸＹシフトとＺ軸回りの回転のみによって重ね合わせた場合である。この方法によれば、回路パターンに重なるものもあるが（図の実線で囲んだ欠陥）、回路パターンにうまく合わせられないものもある（図の破線で囲んだ欠陥）。
【００５０】
上述のパラメータ（α、β、θ、ξ等）は、上述のようにレチクルアライメントマーク自身に持たせることができる。レチクルアライメントマークは通常複数描かれており、それぞれの位置を、元々の設計位置からずらして描く。ずれ量は、上述の回路パターンの位置のずれ量と等しく、数式３、数式４、数式５に従って求められる。
【００５１】
次に、図２のマスクを用いて露光する際の補正方法について説明する。
露光時には、投影光学系やステージを、上述の補正の逆の補正をかけて動作させる。具体的には、マスクの回転、倍率と速度の制御、ステージのスキャン方向の制御などにより行う。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】本発明の第一の実施の形態に係る方法によって作製されたマスクの構造を示す平面図である。
【図２】本発明の第二の実施の形態に係る方法によって作製されたマスクの構造を示す平面図である。
【図３】従来の方法によって作製されたマスクの構造を示す平面図である。
【図４】本発明の実施の形態に係る露光装置（ＥＵＶ露光装置）の構造を模式的に示す図である。
【図５】図５（Ａ）は、レチクルの全体を示す平面図である、図５（Ｂ）は、レチクルアライメントマークを拡大して示す平面図である。
【図６】空間像センサを説明する図である。
【図７】フォトディテクタで検出された光強度信号の一例を示す。
【図８】従来の方法による回路パターンの暗部と欠陥位置とを重ねた状態を示す図である。
【符号の説明】
【００５３】
１  折り返しミラー                  ２  レチクル
３  レチクルステージ                ４  レチクルフォーカス送光系
６  第一ミラー                      ７  第二ミラー
８  第三ミラー                      ９  第四ミラー
１０  ウェハ                        １１  ウェハステージ
１３  ウェハオートフォーカス受光系  １４  光学鏡筒
１５  ウェハアライメントセンサ
【図１】
2004170948.tif 000008
【図２】
2004170948.tif 000009
【図３】
2004170948.tif 000010
【図４】
2004170948.tif 000011
【図５】
2004170948.tif 000012
【図６】
2004170948.tif 000013
【図７】
2004170948.tif 000014
【図８】
2004170948.tif 000015