(57)【要約】【課題】  液晶装置等の電気光学装置において、配線等を基板等の上に形成された溝内に埋め込む場合、該溝が形成されている部分及びそうでない部分の上に形成される積層構造物等に不具合を生じさせない。【解決手段】  ＴＦＴアレイ基板（１０）上には、データ線、走査線、ＴＦＴ及び画素電極と、これらの積層構造物の一部を構成する層間絶縁膜とが備えられている。ＴＦＴアレイ基板は、画素電極及びＴＦＴの形成領域として規定される画像表示領域（１０ａ）を有し、前記のＴＦＴアレイ基板及び層間絶縁膜の少なくとも一方には、前記画像表示領域の周囲の全部又は一部を囲むように囲い溝（ＧＰ）が掘られている。【選択図】      図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、
一定の方向に延びるデータ線及び該データ線に交差する方向に延びる走査線と、
前記走査線により走査信号が供給されるスイッチング素子と、
前記データ線により前記スイッチング素子を介して画像信号が供給される画素電極と、
前記データ線、前記走査線、前記スイッチング素子及び前記画素電極からなる積層構造物の一部を構成する層間絶縁膜とを備えてなり、
前記基板は、前記画素電極及び前記スイッチング素子の形成領域として規定される画像表示領域と、該画像表示領域の周囲を規定する周辺領域とを有し、
前記基板及び前記層間絶縁膜の少なくとも一方には、前記画像表示領域の周囲の全部又は一部を囲むように溝が掘られていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記溝は、前記画像表示領域及び前記周辺領域を画する額縁領域の少なくとも一部に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記溝は、前記額縁領域の全部に形成されていることを特徴とする請求項２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記溝の中に埋め込まれるように形成された配線及び回路素子の少なくとも一方を更に備えたことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記溝の形成領域から前記基板の辺縁部に向かう放射方向に沿って延び、前記溝に連絡された線状溝が掘られていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項６】
前記線状溝は複数形成されており、
前記線状溝が形成されている部分と該線状溝が形成されていない部分とを、前記放射方向に沿って両部分を跨ぐように、且つ、当該線状溝のそれぞれに対応するように形成された配線及び回路素子の少なくとも一方を備え、
前記線状溝は、それぞれ、該線状溝が形成されている部分と該線状溝が形成されていない部分とを分かつ端部を有し、
少なくとも前記線状溝のそれぞれに係る前記端部について、該端部を相互に連絡する溝が形成されていないことを特徴とする請求項５に記載の電気光学装置。
【請求項７】
前記周辺領域には、前記線状溝に連絡する溝が更に掘られていることを特徴とする請求項５又は６に記載の電気光学装置。
【請求項８】
前記画像表示領域には、前記走査線及び前記データ線の少なくとも一方の形成領域に対応するように、前記画像表示領域の周囲の全部又は一部を囲むように形成された前記溝に連絡する溝が更に掘られていることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項９】
前記画像表示領域の周囲を規定する前記周辺領域において配線が交差している周辺回路部を備え、
前記溝は、少なくとも前記周辺回路部を含むように掘られていることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項１０】
前記画像表示領域の周囲を規定する前記周辺領域において画像信号をサンプリングして、前記データ線の各々に供給されるように構成されるサンプリング回路を備え、
前記溝は、少なくとも前記サンプリング回路を含むように掘られていることを特徴とする請求項９に記載の電気光学装置。
【請求項１１】
前記線状溝は複数形成されており、
前記線状溝が形成されている部分と該線状溝が形成されていない部分とを、前記放射方向に沿って両部分を跨ぐように、且つ、当該線状溝のそれぞれに対応するように形成された配線及び回路素子の少なくとも一方を備え、
前記線状溝の各々における、該線状溝が形成されている部分と該線状溝が形成されていない部分とを分かつ端部と、
前記端部を相互に連絡する溝と、
を有し、
前記端部を相互に連結する溝の内部における、前記端部から延長された側の側面の少なくとも一部は、平面的に見て波状形状を成すことを特徴とする請求項５に記載の電気光学装置。
【請求項１２】
前記線状溝は複数形成されており、
前記線状溝が形成されている部分と該線状溝が形成されていない部分とを、前記放射方向に沿って両部分を跨ぐように、且つ、当該線状溝のそれぞれに対応するように形成された配線及び回路素子の少なくとも一方を備え、
前記線状溝の各々における、該線状溝が形成されている部分と該線状溝が形成されていない部分とを分かつ端部と、
前記端部を相互に連絡する溝と、
を有し、
前記端部を相互に連結する溝の内部における、前記端部から延長された側の側面であって、前記端部を除いた前記側面の少なくとも一部は、表面が凹凸形状を成すことを特徴とする請求項５に記載の電気光学装置。
【請求項１３】
第１の方向に延びる複数の溝と、
該複数の溝が形成されている部分と該複数の溝が形成されていない部分とを、前記第１の方向に沿って両部分を跨ぐように、且つ、当該複数の溝のそれぞれに対応するように形成された配線及び回路素子の少なくとも一方とを備えてなり、
前記複数の溝は、それぞれ、該溝が形成されている部分と該溝が形成されていない部分とを分かつ端部を有し、
少なくとも前記複数の溝のそれぞれに係る前記端部について、該端部を相互に連絡する溝が形成されてないことを特徴とする基板装置。
【請求項１４】
第１の方向に延びる複数の第１の溝と、
前記第１の溝に交差する第２の方向に延びる第２の溝と、
前記第１の方向に沿い且つ前記第１の溝が形成されている部分と該第１の溝が形成されていない部分を跨ぐように形成された配線及び回路素子の少なくとも一方とを備えており、
前記第１の溝は、該第１の溝が形成されている部分と該第１の溝が形成されていない部分とを分かつ端部を有し、
前記第２の溝は前記端部に交わらないことを特徴とする基板装置。
【請求項１５】
請求項１乃至１２のいずれか一項に記載の電気光学装置を具備してなることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えばアクティブマトリクス駆動の液晶装置、電子ペーパなどの電気泳動装置、ＥＬ（Electro-Luminescence）表示装置等の電気光学装置の技術分野に属する。また、本発明は、このような電気光学装置を具備してなる電子機器の技術分野にも属する。
【背景技術】
【０００２】
従来、例えば、基板上に、マトリクス状に配列された画素電極及び該電極の各々に接続された薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor；以下適宜、「ＴＦＴ」という。）、該ＴＦＴの各々に接続され、行及び列方向それぞれに平行に設けられたデータ線及び走査線等を備えることで、いわゆるアクティブマトリクス駆動が可能な電気光学装置が知られている。
【０００３】
この電気光学装置では、上記に加えて、前記基板に対向配置される対向基板を備えるとともに、該対向基板上に、画素電極に対向する対向電極等を備え、更には、画素電極及び対向電極間に挟持される液晶層等を備えることで、画像表示が可能となる。すなわち、液晶層内の液晶分子は、画素電極及び対向電極間に設定された所定の電位差によって、その配向状態が適当に変更され、これにより、当該液晶層を透過する光の透過率が変化することによって画像の表示が可能になるのである。
【０００４】
このような電気光学装置では、例えば特許文献１、或いは特許文献２に開示されているように、前記の走査線、データ線等の各種の配線、或いはＴＦＴ等の回路素子（以下、これらの配線及び回路素子を指して、単に「配線等」ということがある。）を、基板に掘られた溝の内部に埋め込む構成が知られている。この構成によると、基板上に構築される配線等及び層間絶縁膜からなる積層構造の最表面において、配線等の高さに起因した段差を生じさせないことが可能となる。このような段差が生じなければ、前記液晶分子の配向状態を所定の状態にするための配向膜に対するラビング処理時に、該配向膜の残滓が発生することを防止し（特許文献１）、或いは「イレギュラーな液晶配列」を抑制すること（特許文献２）等が可能となる。
【０００５】
【特許文献１】特開平７−１６８１６８号公報
【特許文献２】特開平１０−２１３８１３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、従来における電気光学装置においては、次のような問題点がある。すなわち、前述の電気光学装置における前記基板は、通常、走査線、データ線及び画素電極等が設けられる画像表示領域と、その周囲の領域として規定され、走査線駆動回路、データ線駆動回路、これら回路に所定信号を供給するための外部回路接続端子等が設けられる周辺領域とを有する。このうち周辺領域においては、前記の各種回路等に加えて、画像表示領域に形成される走査線、データ線及び画素電極等に対して、走査信号或いは画像信号等を供給するための各種の配線等をも形成する必要がある。この場合、この周辺領域上の各種の配線等は、前述のように、基板上に掘られた溝の中に埋め込むようにして形成することができるが、しかし、当該配線等のすべてを、溝内に完全に埋め込むことは実際上困難である。なぜなら、周辺領域上の配線等は、通常、相応に錯綜または交差させるようなかたちで形成しなければならず、そのすべてに対応するように溝を形成することは殆ど不可能だからである（このような事情は、前記画像表示領域においても言えるが、周辺領域においてより妥当する。）。
【０００７】
すると、前記の配線等は、溝内部分とそうでない部分とを跨いで形成する必要が生じてくる。更に、このような構造を前提とし、該構造の上に層間絶縁膜等を成膜すると、前記溝内部分とそうでない部分との高さの相違に起因した段差を生じさせることになる。これは、溝内部分とそうでない部分の双方の上に配線等が引き回されているため、結局、配線等の高さの影響が出てきてしまうためである。そして、このような段差が生じる結果、従来においては、これに起因して前記層間絶縁膜にクラックを生じさせるおそれがあったのである。他方、溝内部分及びそうでない部分の双方を跨ぐように配線等を形成する段階においては、該溝の内側壁面において配線等の成膜が不十分になる場合（いわゆる「付き回り」の悪化）が生じたり、或いは該内側壁面にパターニング処理後、当該配線等の前駆膜が残存すること等によって、配線等間の短絡が生じたりする可能性もあった。
【０００８】
このように、層間絶縁膜にクラックが発生し、或いは配線等の成膜が不完全に行われると、配線等、或いは前記の層間絶縁膜上に形成される配線等において、切断、破損、短絡等の不具合を生じさせるおそれがでてくることになる。また、その結果、走査線、データ線及び画素電極等に対して、走査信号或いは画像信号を正確に供給する等の動作が妨げられることになるから、電気光学装置における画像表示が困難となってしまう。
【０００９】
ちなみに、前記の特許文献１及び２においては、周辺領域には着目されておらず、また、溝内に配線等を埋め込むことによる前記の問題点について何ら指摘されていない。したがって、これら特許文献１及び２においては、前記の問題点が同様に発生することが考えられ、更には、当該問題点の解消が同様に課題になるものと考えられる。そして、これら特許文献１及び２における開示のみでは、当該問題点の解消は不可能である。
【００１０】
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、配線等を溝内に埋め込む場合において、該溝が形成されている部分及びそうでない部分の上に形成される積層構造物等に不具合を生じさせないこと等によって、その正確な動作を期することができる電気光学装置及びこれを具備してなる電子機器を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の電気光学装置は、基板上に、一定の方向に延びるデータ線及び該データ線に交差する方向に延びる走査線と、前記走査線により走査信号が供給されるスイッチング素子と、前記データ線により前記スイッチング素子を介して画像信号が供給される画素電極と、前記データ線、前記走査線、前記スイッチング素子及び前記画素電極からなる積層構造物の一部を構成する層間絶縁膜とを備えてなり、前記基板は、前記画素電極及び前記スイッチング素子の形成領域として規定される画像表示領域と、該画像表示領域の周囲を規定する周辺領域とを有し、前記基板及び前記層間絶縁膜の少なくとも一方には、前記画像表示領域の周囲の全部又は一部を囲むように溝が掘られている。
【００１２】
本発明の電気光学装置によれば、スイッチング素子の一例たる薄膜トランジスタに対し走査線を通じて走査信号が供給されることで、そのＯＮ・ＯＦＦが制御される。他方、画素電極に対しては、データ線を通じて画像信号が供給されることで、前記薄膜トランジスタのＯＮ・ＯＦＦに応じて、画素電極に当該画像信号の印加・非印加が行われる。これにより、本発明に係る電気光学装置は、いわゆるアクティブマトリクス駆動が可能とされている。
【００１３】
そして、本発明では特に、画像表示領域の周囲の全部又は一部を囲むように溝が掘られている。ここで画像表示領域の周囲には、一般に、該画像表示領域内に形成された走査線、データ線及び画素電極等に、前記の走査信号或いは画像信号等を供給するための配線等が形成されている。つまり、この配線等は、画像表示領域及び周辺領域間を跨いで配置される必要があるが、前記の溝によれば、画像表示領域の周囲に巡らされている配線等を当該溝内に埋めるように形成することが可能となる。これにより、まず、この溝の上に層間絶縁膜等を形成して積層構造物を構築する場合において、該積層構造物の最表面に前記配線等の高さに起因する段差を生じさせないようにすることができる。したがって、例えば前記積層構造物の最表面として配向膜が形成される場合においては、該配向膜は段差の抑制された表面とすることが可能であるから、該配向膜に対するラビング処理を好適に実施することができる。
【００１４】
また、本発明においては、溝は、「画像表示領域の周囲・・・を囲むように」、特に該周囲の「全部」を囲むように形成され得るから、少なくとも画像表示領域の近傍における配線等については、その殆どすべてを一括して、一定程度連続する比較的大きな溝内に埋め込むように形成することができる。これによると、例えば、配線等の形成領域（或いは、パターニング形状）に合わせて溝が掘られている等という場合に比べて、積層構造物に段差を生じさせるおそれが小さくなる。
【００１５】
ちなみに、配線等の形成領域に合わせて溝を掘るという場合においては、周辺領域における配線等の配置は錯綜または交差する傾向にあることから、そもそも、そのような溝の形成が困難なこと、更にはそれに続いて、該配線等の全部を溝内に完全に埋め込むことが困難となること等により、このような構造の上に、前記層間絶縁膜等を形成すると、そこには結局段差を生じさせることになる可能性が大きいのである。
【００１６】
以上のことから、本発明によれば、配線等を一定程度連続する比較的大きな溝の中に一挙に埋め込むように形成可能であるから、この構造の上に前記層間絶縁膜等からなる積層構造物を構築するとしても、該層間絶縁膜ないし積層構造物に段差を生じさせる可能性は低減することになる。
【００１７】
したがって、前記層間絶縁膜に前記段差に起因するクラックを生じさせるおそれを低減することができ、また、該層間絶縁膜間に形成される配線及び回路素子等に断線、破損等を生じさせるおそれを低減することができる。その結果また、配線等を通じた走査信号或いは画像信号等の供給は滞りなく行われ得、当該電気光学装置は、正確に動作し得ることになる。さらに、同じ理由により、当該電気光学装置の製造歩留まりを向上させることができる。
【００１８】
なお、本発明において、溝が「画像表示領域の周囲の・・・一部を囲むように」掘られているとは、例えば該画像表示領域が矩形状である場合には、溝が、該画像表示領域の一辺とこれと隣接する他の二辺それぞれの少なくとも一部に形成されているなどという場合を含む。
【００１９】
また、本発明に係る「溝」は、基板、或いは層間絶縁膜の少なくとも一方に形成されていればよい。特に、溝を基板に直接に形成する形態によれば、該基板上に形成される層間絶縁膜に当該溝に対応する溝が自然に形成される（すなわち、該層間絶縁膜の一部は、基板上の溝にいわば「落ち込む」ように形成され、その結果、該層間絶縁膜における溝が自然に形成される）こととなる点からして、該基板の上に形成されるすべての配線等について、前記したような作用効果を得ることができるから、より効果的ということができる。ただし、溝を、基板に形成せず、積層構造物を構成するある一層の層間絶縁膜に形成したとしても、当該層間絶縁膜より上に形成される配線等については前記したような作用効果が得られるから、本発明は、これを積極的に排除するものではない。なおまた、基板及び層間絶縁膜の双方に溝を形成する形態も、当然に本発明の範囲内にある。
【００２０】
本発明の電気光学装置の一態様では、前記溝は、前記画像表示領域及び前記周辺領域を画する額縁領域の少なくとも一部に形成されている。
【００２１】
この態様によれば、溝が画像表示領域と周辺領域を画する額縁領域に形成されていることから、前記に比べて、画像表示領域により近い位置に溝が形成されているということができる。したがって、前述のような作用効果は、画像表示領域の直近傍において奏されることになる。
【００２２】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記溝は、前記額縁領域の全部に形成されている。
【００２３】
この態様によれば、前述した作用効果がより確実に奏されることになる。なぜなら、溝が額縁領域の全部に形成されているということは、画像表示領域の直近傍に引き回される配線等のすべてを、当該溝内に埋め込むことが可能となるからである。
【００２４】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記溝の中に埋め込まれるように形成された配線及び回路素子の少なくとも一方を更に備えている。
【００２５】
この態様によれば、前記溝、該溝の中に形成された配線等という構造の上に、層間絶縁膜が形成されることから、既に述べたように、該層間絶縁膜の中にクラックを生じさせるおそれは低減されており、また、溝中の配線及び回路素子、或いは層間絶縁膜間に形成される配線及び回路素子等に断線、破損等を生じさせるおそれを低減することができる。
【００２６】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記溝の形成領域から前記基板の辺縁部に向かう放射方向に沿って延び、前記溝に連絡された線状溝が掘られている。
【００２７】
この態様によれば、上述様の線状溝が形成されていることから、溝内に配線及び回路素子等を形成する場合において、当該配線及び回路素子等のうち前記溝を越えてその外部に更に延在する配線及び回路素子等を、溝の内部（すなわち、線状溝の内部）に埋め込むことが可能となる。したがって、線状溝の上に形成される積層構造物において、前記の配線及び回路素子等の高さに起因する段差を生じさせることがなく、当該積層構造物の平坦性を確保することができる。また、本態様に係る線状溝は、前記溝に連絡するように形成されているから、当該溝の形成と同時に形成することが可能であり、製造工程の簡略化を図ることもできる。
【００２８】
なお、本態様においては、線状溝は、「放射方向」に沿って延びる旨規定されているが、ここでいう「放射方向」とは、円の半径方向等という意味だけに限定されない（そのような場合は当然含まれる。）。例えば、基板及び画像表示領域が、平面視して矩形状を有する場合においては、前記の額縁領域は略ロの字状を有することになるが、該額縁領域の全部に形成された溝から基板の辺縁部に向かう「放射方向」という場合には、前記ロの字状の一辺から該一辺に平行な基板の一辺に向かうとともに両辺に鉛直な方向という場合も含まれる。
【００２９】
この態様では、前記線状溝は複数形成されており、前記線状溝が形成されている部分と該線状溝が形成されていない部分とを、前記放射方向に沿って両部分を跨ぐように、且つ、当該線状溝のそれぞれに対応するように形成された配線及び回路素子の少なくとも一方を備え、前記線状溝は、それぞれ、該線状溝が形成されている部分と該線状溝が形成されていない部分とを分かつ端部を有し、少なくとも前記線状溝のそれぞれに係る前記端部について、該端部を相互に連絡する溝が形成されていないようにしてもよい。
【００３０】
このような構成によれば、以下順次説明することにより明らかとなる作用効果が得られる。
【００３１】
まず、本態様をより明確に把握するため、その具体例について説明する。すなわち、例えば本態様に係る線状溝は、前述したように、略ロの字状を有する額縁領域の全部に形成された溝から、基板の一辺に向かって鉛直方向に延びるものとして想定することができる。そして、本態様においては、このような線状溝が「複数形成されている」ということから、例えば、前記ロの字状の一辺、或いは基板の一辺が延在する方向に沿って、前記のような線状溝が複数平行に列設されている状況を想定することができる。
【００３２】
次に、このような複数の線状溝には、それぞれ、配線等が形成されている。
この場合、この配線等は、線状溝の延在する方向（即ち、放射方向）に沿い、且つ、線状溝が形成されている部分とそうでない部分とを跨ぐように形成されているのである。ちなみに、この記述からも明らかなように、線状溝は、前記の両部分を分かつ端部を必然的に有している。なお、本具体例においては、該端部の位置は、複数の線状溝のすべてについて同じ（つまり、線状溝の長さはすべて同じ）であると仮定する。
【００３３】
そして、本態様では特に、少なくとも前記端部について、該端部を相互に連絡する溝が形成されていないのである。これによると、前記の配線等は、各線状溝の端部のみを跨ぐように形成されることになる。逆に、本態様において禁忌された前記の溝（以下、「端部間連絡溝」という。）が存在する場合を仮定すると、配線等が「端部のみを跨ぐ」ような状態を作り出すことが困難になる。例えば、端部間連絡溝として、前記の複数平行に列設されている線状溝すべてに対し直角に交わる方向に延びるとともに、その形成位置が前記の各端部の位置に一致する溝を想定することができる。このような端部間連絡溝が存在すると、前記の配線等は、線状溝の端部を跨ぐだけでなく、場合により、該配線等の一部が当該端部間連絡溝の内側壁面をも跨ぐような状況が生じ得る。これは、配線等が、前駆膜の形成及びパターニング処理という手順を経て形成されることが一般的だからで、前記のような端部間連絡溝が存在すると、その内側壁面に成膜された前駆膜が完全には除去されずに残ってしまう場合が生じることによる。このような状態になると、隣り合う線状溝間に別々に形成された配線等の間で短絡を生じさせてしまう可能性がある。こうなると、もはや当該電気光学装置の正確な動作を期しえなくなる。
【００３４】
しかるに、本態様においては、前記のような端部間連絡溝が形成されていないのであるから、前述のように、各線状溝に対応して形成された配線等は、当該各線状溝の端部のみを跨ぐように形成されることになり、したがって、各配線等間で短絡を生じさせることがない。
【００３５】
このように本態様によれば、線状溝及びその中に形成される配線等に関し、より好適な形態が現出されることにより、当該電気光学装置の正確な動作を、より確実に確保することができる。
【００３６】
また、線状溝が形成されている態様では、前記周辺領域には、前記線状溝に連絡する溝が更に掘られているようにしてもよい。
【００３７】
このような構成によれば、線状溝内に形成した配線等を、更に線状溝に連絡する溝（以下、「連絡溝」という。）へと連続するように形成することが可能である。したがって、連絡溝の上に形成される積層構造物に、配線等の高さに起因する段差を生じさせることがなく、当該積層構造物の平坦性をより確実に確保することができる。また、本態様に係る溝は、線状溝に連絡する、即ち前記の溝に連絡するように形成されているから、当該溝の形成と同時に形成することが可能であり、製造工程の簡略化を図ることもできる。
【００３８】
なお、本態様にいう「連絡溝」は、線状溝が前記のように複数形成される場合においては、その全部を連絡するように形成してもよいし、或いはその一部についてのみ連絡するように形成してもよい。また、ある一部の線状溝と、そこから所定距離離れた他の一部の線状溝を連絡するが、そのある一部及び他の一部間に存在する線状溝については連絡しないなどといった「連絡溝」を考えることもできる。この場合、その連絡されない線状溝については「端部」が存在するから、前記の態様に係る作用効果を享受することができる。さらに、「連絡溝」は、前記の囲い溝と略相似形を有するように形成してもよく、場合により、画像表示領域の中心から見て、線状溝の形成領域以遠の周辺領域のすべてについて形成してもよい。
【００３９】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記画像表示領域には、前記走査線及び前記データ線の少なくとも一方の形成領域に対応するように、前記画像表示領域の周囲の全部又は一部に形成された前記溝に連絡する溝が更に掘られている。
【００４０】
この態様によれば、画像表示領域上に形成される走査線、或いはデータ線の高さに起因して、前記積層構造物の最表面等に段差を生じさせることを防止することができる。また、本態様に係る溝は、前記の溝に連絡するように形成されているから、当該溝の形成と同時に形成することが可能であり、製造工程の簡略化を図ることもできる。
【００４１】
本発明の電子機器は、上記課題を解決するため、上述の本発明の電気光学装置（ただし、その各種態様を含む。）を具備してなる。
【００４２】
本発明の電子機器によれば、上述した本発明の電気光学装置を具備してなるので、層間絶縁膜にクラック等が生じず、また、配線等に断線、破損等が生じないことから、正確に動作しえ、もって高品質な画像が表示可能な、プロジェクタ、液晶テレビ、携帯電話、電子手帳、ワードプロセッサ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルなどの各種電子機器を実現できる。
【００４３】
本発明の第１基板装置は、上記課題を解決するため、第１の方向に延びる複数の溝と、該複数の溝が形成されている部分と該複数の溝が形成されていない部分とを、前記第１の方向に沿って両部分を跨ぐように、且つ、当該複数の溝のそれぞれに対応するように形成された配線及び回路素子の少なくとも一方とを備えてなり、前記複数の溝は、それぞれ、該溝が形成されている部分と該溝が形成されていない部分とを分かつ端部を有し、少なくとも前記複数の溝のそれぞれに係る前記端部について、該端部を相互に連絡する溝が形成されてない。
【００４４】
本発明の第１基板装置によれば、以下順次説明することにより明らかとなる作用効果が得られる。
【００４５】
まず、本発明をより明確に把握するため、その具体例について説明する。ここでいう具体例としては、本発明に係る複数の溝を構成する一つ一つの溝が、複数平行に列設されている状況を想定するものとする。
【００４６】
次に、このような複数の溝には、それぞれ、配線等が形成されている。この場合、この配線等は、該溝の延在する方向（即ち、第１の方向）に沿い、且つ、該溝が形成されている部分とそうでない部分とを跨ぐように形成されているのである。ちなみに、この記述からも明らかなように、該溝は、前記の両部分を分かつ端部を必然的に有している。なお、本具体例においては、該端部の位置は、複数の溝のすべてについて同じ（つまり、該溝の終端位置は直線状に並ぶ）であると仮定する。
【００４７】
そして、本発明では特に、少なくとも前記端部について、該端部を相互に連絡する溝が形成されていないのである。これによると、前記の配線等は、各溝の端部のみを跨ぐように形成されることになる。逆に、本発明において禁忌された前記の溝（以下、「端部間連絡溝」という。）が存在する場合を仮定すると、そのような状態を作り出すことが困難になる。例えば、端部間連絡溝として、前記の複数平行に列設されている溝すべてに対し直角に交わる方向に延びるとともに、その形成位置が前記の各端部の位置に一致する溝を想定することができる。このような端部間連絡溝が存在すると、前記の配線等は、溝の端部を跨ぐだけでなく、場合により、該配線等の一部が当該端部間連絡溝の内側壁面をも跨ぐような状況が生じ得る。これは、配線等が、前駆膜の形成及びパターニング処理という手順を経て形成されることが一般的だからで、前記のような端部間連絡溝が存在すると、その内側壁面に成膜された前駆膜が完全には除去されずに残ってしまう場合が生じることによる。このような状態になると、隣り合う溝間に別々に形成された配線等の間で短絡を生じさせてしまう可能性がある。こうなると、もはや当該基板装置の正確な動作を期しえなくなる。
【００４８】
しかるに、本発明においては、前記のような端部間連絡溝が形成されていないのであるから、前述のように、各溝に対応して形成された配線等は、当該各溝の端部のみを跨ぐように形成されることになり、したがって、各配線等間で短絡を生じさせることがない。
【００４９】
このように本発明によれば、複数の溝及び該溝内に形成される配線等に関し、より好適な形態が現出されることにより、当該基板装置の正確な動作を確保することができる。
【００５０】
本発明の第２基板装置は、上記課題を解決するため、第１の方向に延びる複数の第１の溝と、前記第１の溝に交差する第２の方向に延びる第２の溝と、前記第１の方向に沿い且つ前記第１の溝が形成されている部分と該第１の溝が形成されていない部分を跨ぐように形成された配線及び回路素子の少なくとも一方とを備えており、前記第１の溝は、該第１の溝が形成されている部分と該第１の溝が形成されていない部分とを分かつ端部を有し、前記第２の溝は前記端部に交わらない。
【００５１】
本発明の第２基板装置によれば、以下順次説明することにより明らかとなる作用効果が得られる。
【００５２】
まず、本発明をより明確に把握するため、その具体例について説明する。ここでいう具体例としては、本発明に係る第１の溝を構成する一つ一つの溝が、複数平行に列設されている状況を想定するものとする。
【００５３】
次に、このような第１の溝には、それぞれ、配線等が形成されている。この場合、この配線等は、該溝の延在する方向（即ち、第１の方向）に沿い、且つ、該溝が形成されている部分とそうでない部分とを跨ぐように形成されているのである。ちなみに、この記述からも明らかなように、該溝は、前記の両部分を分かつ端部を必然的に有している。なお、本具体例においては、該端部の位置は、複数の溝のすべてについて同じ（つまり、該溝の終端位置は直線状に並ぶ）であると仮定する。
【００５４】
そして、本発明では特に、第１の溝に交差する第２の方向に延びる第２の溝が形成されているが、この第２の溝は、前記の端部に交わらないのである。これによると、該第２の溝は、前述したような端部間連絡溝には該当せず、前記の配線等は、第１の溝の端部のみを跨ぐように形成されることになる。ここで、本発明に係る第２の溝が、前記の端部間連絡溝に該当しないという意味は次のようである。すなわち、この場合、第１の溝の内部に配線等を形成する際、該配線等を、前駆膜の形成及びパターニング処理という手順を経ることにより形成したとしても、前記前駆膜が残存する可能性があるのは、第１の溝の端部からは一定程度離れた第２の溝の内側壁面ということになり、この残存膜が、配線等の短絡を生じさせるおそれがないのである。
【００５５】
このように、本発明に係る第２基板装置によれば、前記の第１基板装置と略同様の作用効果を享受することができる。また、本発明に係る第２基板装置によれば、第２の溝の存在が積極的に導入されていることからして、前記の第１基板装置に比べ、溝の形成態様をより複雑化することが可能ということができる。これにより、第２基板装置では、基板上における配線等の敷設状況に応じた、より適切な溝の形成が可能である。
【００５６】
本発明のこのような作用及び他の利得は次に説明する実施の形態から明らかにされる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００５７】
以下では、本発明の実施の形態について図を参照しつつ説明する。以下の実施形態は、本発明の電気光学装置を液晶装置に適用したものである。
【００５８】
〔画素部の構成〕
まず、本発明の実施形態における電気光学装置の画素部における構成について、図１から図３を参照して説明する。ここに図１は、電気光学装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路である。また図２は、データ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数の画素群の平面図であり、図３は図２のＡ−Ａ´断面図である。なお、図３においては、各層・各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、該各層・各部材ごとに縮尺を異ならしめてある。
【００５９】
図１において、本実施形態における電気光学装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素には、それぞれ、画素電極９ａと当該画素電極９ａをスイッチング制御するためのＴＦＴ３０とが形成されており、画像信号が供給されるデータ線６ａが当該ＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。データ線６ａに書き込む画像信号Ｓ１、Ｓ２、・・・、Ｓｎは、この順に線順次に供給しても構わないが、本実施形態では特に、画像信号Ｓ１、Ｓ２、・・・、Ｓｎは、Ｎ個のパラレルな画像信号にシリアル−パラレル展開され、Ｎ本の画像信号線１１５から相隣接するＮ本のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給可能に構成されている。
【００６０】
画像表示領域外である周辺領域には、データ線６ａの一端（図１中で下端）が、サンプリング回路３０１を構成するスイッチング用回路素子２０２に接続されている。このスイッチング用回路素子としては、ｎチャネル型、ｐチャネル型、或いは相補型等のＴＦＴ等をあてることができる（以下、図１に示す該スイッチング用回路素子２０２を「ＴＦＴ２０２」と呼称する。）。この場合、このＴＦＴ２０２のドレインには、引き出し配線２０６を介して前記データ線６ａの図１中下端が接続され、該ＴＦＴ２０２のソースには、引き出し配線１１６を介して画像信号線１１５が接続されるとともに、該ＴＦＴ２０２のゲートには、データ線駆動回路１０１に接続されたサンプリング回路駆動信号線１１４が接続されている。そして、画像信号線１１５上の画像信号Ｓ１、Ｓ２、・・・、Ｓｎは、データ線駆動回路１０１からサンプリング回路駆動信号線１１４を通じてサンプリング信号が供給されるのに応じ、サンプリング回路３０１によりサンプリングされて、各データ線６ａに供給されるように構成されている。
【００６１】
このようにデータ線６ａに書き込む画像信号Ｓ１、Ｓ２、・・・、Ｓｎは、この順に線順次に供給してもかまわないし、相隣接する複数のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給するようにしてもよい。本実施形態では、図１に示すように、６本のデータ線６ａを一組として、これに対して一時に画像信号が供給されるようになっている。
【００６２】
また、ＴＦＴ３０のゲートに走査線３ａが電気的に接続されており、所定のタイミングで、走査線３ａにパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、・・・、Ｇｍを、この順に線順次で印加するように構成されている。画素電極９ａは、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけそのスイッチを閉じることにより、データ線６ａから供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、・・・、Ｓｎを所定のタイミングで書き込む。
【００６３】
画素電極９ａを介して電気光学物質の一例としての液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、・・・、Ｓｎは、対向基板に形成された対向電極との間で一定期間保持される。液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能とする。ノーマリーホワイトモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が減少し、ノーマリーブラックモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が増加され、全体として電気光学装置からは画像信号に応じたコントラストをもつ光が出射する。
【００６４】
ここで保持された画像信号がリークするのを防ぐために、画素電極９ａと対向電極との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量７０を付加する。この蓄積容量７０は、走査線３ａに並んで設けられ、固定電位側容量電極を含むとともに定電位に固定された容量線３００を含んでいる。
【００６５】
以下では、上記データ線６ａ、走査線３ａ、ＴＦＴ３０等による、上述のような回路動作が実現される電気光学装置の、実際の構成について、図２及び図３を参照して説明する。
【００６６】
まず、本実施形態に係る電気光学装置は、図２のＡ−Ａ´線断面図たる図３に示すように、透明なＴＦＴアレイ基板１０と、これに対向配置される透明な対向基板２０とを備えている。ＴＦＴアレイ基板１０は、例えば、石英基板、ガラス基板、シリコン基板からなり、対向基板２０は、例えばガラス基板や石英基板からなる。
【００６７】
ＴＦＴアレイ基板１０には、図３に示すように、画素電極９ａが設けられており、その上側には、ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜１６が設けられている。このうち画素電極９ａは、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜等の透明導電性膜からなる。他方、対向基板２０には、その全面に渡って対向電極２１が設けられており、その下側には、ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜２２が設けられている。このうち対向電極２１は、上述の画素電極９ａと同様に、例えばＩＴＯ膜等の透明導電性膜からなり、前記の配向膜１６及び２２は、例えば、ポリイミド膜等の透明な有機膜からなる。このように対向配置されたＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０間には、後述のシール材（図４及び図５参照）により囲まれた空間に液晶等の電気光学物質が封入され、液晶層５０が形成される。液晶層５０は、画素電極９ａからの電界が印加されていない状態で配向膜１６及び２２により所定の配向状態をとる。液晶層５０は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した電気光学物質からなる。シール材は、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０をそれらの周辺で貼り合わせるための、例えば光硬化性樹脂や熱硬化性樹脂からなる接着剤であり、両基板間の距離を所定値とするためのグラスファイバー或いはガラスビーズ等のスペーサが混入されている。
【００６８】
一方、図２において、前記画素電極９ａは、ＴＦＴアレイ基板１０上に、マトリクス状に複数設けられており（点線部９ａ´により輪郭が示されている）、画素電極９ａの縦横の境界に各々沿ってデータ線６ａ及び走査線３ａが設けられている。データ線６ａは、例えばアルミニウム膜等の金属膜あるいは合金膜からなり、走査線３ａは、例えば導電性のポリシリコン膜等からなる。また、走査線３ａは、半導体層１ａのうち図中右上がりの斜線領域で示したチャネル領域１ａ´に対向するように配置されており、該走査線３ａはゲート電極として機能する。
【００６９】
すなわち、走査線３ａとデータ線６ａとの交差する箇所にはそれぞれ、チャネル領域１ａ´に走査線３ａの本線部がゲート電極として対向配置された画素スイッチング用のＴＦＴ３０が設けられている。
【００７０】
ＴＦＴ３０は、図３に示すように、ＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造を有しており、その構成要素としては、上述したようにゲート電極として機能する走査線３ａ、例えばポリシリコン膜からなり走査線３ａからの電界によりチャネルが形成される半導体層１ａのチャネル領域１ａ´、走査線３ａと半導体層１ａとを絶縁するゲート絶縁膜を含む絶縁膜２、半導体層１ａにおける低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃ並びに高濃度ソース領域１ｄ及び高濃度ドレイン領域１ｅを備えている。
【００７１】
なお、ＴＦＴ３０は、好ましくは図３に示したようにＬＤＤ構造をもつが、低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃに不純物の打ち込みを行わないオフセット構造をもってよいし、走査線３ａの一部からなるゲート電極をマスクとして高濃度で不純物を打ち込み、自己整合的に高濃度ソース領域及び高濃度ドレイン領域を形成するセルフアライン型のＴＦＴであってもよい。また、本実施形態では、画素スイッチング用ＴＦＴ３０のゲート電極を、高濃度ソース領域１ｄ及び高濃度ドレイン領域１ｅ間に１個のみ配置したシングルゲート構造としたが、これらの間に２個以上のゲート電極を配置してもよい。このようにデュアルゲート、あるいはトリプルゲート以上でＴＦＴを構成すれば、チャネルとソース及びドレイン領域との接合部のリーク電流を防止でき、オフ時の電流を低減することができる。さらに、ＴＦＴ３０を構成する半導体層１ａは非単結晶層でも単結晶層でも構わない。単結晶層の形成には、貼り合わせ法等の公知の方法を用いることができる。半導体層１ａを単結晶層とすることで、特に周辺回路の高性能化を図ることができる。
【００７２】
一方、図３においては、蓄積容量７０が、ＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅ及び画素電極９ａに接続された画素電位側容量電極としての中継層７１と、固定電位側容量電極としての容量線３００の一部とが、誘電体膜７５を介して対向配置されることにより形成されている。この蓄積容量７０によれば、画素電極９ａにおける電位保持特性を顕著に高めることが可能となる。
【００７３】
中継層７１は、例えば導電性のポリシリコン膜からなり画素電位側容量電極として機能する。ただし、中継層７１は、後に述べる容量線３００と同様に、金属又は合金を含む単一層膜又は多層膜から構成してもよい。中継層７１は、画素電位側容量電極としての機能のほか、コンタクトホール８３及び８５を介して、画素電極９ａとＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅとを中継接続する機能をもつ。
【００７４】
容量線３００は、例えば金属又は合金を含む導電膜からなり固定電位側容量電極として機能する。この容量線３００は、平面的に見ると、図２に示すように、走査線３ａの形成領域に重ねて形成されている。より具体的には容量線３００は、走査線３ａに沿って延びる本線部と、図中、データ線６ａと交差する各個所からデータ線６ａに沿って上方に夫々突出した突出部と、コンタクトホール８５に対応する個所が僅かに括れた括れ部とを備えている。このうち突出部は、走査線３ａ上の領域及びデータ線６ａ下の領域を利用して、蓄積容量７０の形成領域の増大に貢献する。また、容量線３００は、好ましくは、画素電極９ａが配置された画像表示領域１０ａからその周囲に延設され、定電位源と電気的に接続されて、固定電位とされる。このような定電位源としては、データ線駆動回路１０１に供給される正電源や負電源の定電位源でもよいし、対向基板２０の対向電極２１に供給される定電位でも構わない。
【００７５】
誘電体膜７５は、図３に示すように、例えば膜厚５〜２００ｎｍ程度の比較的薄いＨＴＯ（High Temperature Oxide）膜、ＬＴＯ（Low Temperature Oxide）膜等の酸化シリコン膜、あるいは窒化シリコン膜等から構成される。蓄積容量７０を増大させる観点からは、膜の信頼性が十分に得られる限りにおいて、誘電体膜７５は薄いほどよい。
【００７６】
図２及び図３においては、上記のほか、ＴＦＴ３０の下側に、下側遮光膜１１ａが設けられている。下側遮光膜１１ａは、格子状にパターニングされており、これにより各画素の開口領域を規定している。なお、開口領域の規定は、図２中のデータ線６ａと、これに交差するよう形成された容量線３００とによっても、なされている。また、下側遮光膜１１ａについても、前述の容量線３００の場合と同様に、その電位変動がＴＦＴ３０に対して悪影響を及ぼすことを避けるために、画像表示領域からその周囲に延設して定電位源に接続するとよい。
【００７７】
また、ＴＦＴ３０下には、下地絶縁膜１２が設けられている。下地絶縁膜１２は、下側遮光膜１１ａからＴＦＴ３０を層間絶縁する機能のほか、ＴＦＴアレイ基板１０の全面に形成されることにより、ＴＦＴアレイ基板１０の表面研磨時における荒れや、洗浄後に残る汚れ等で画素スイッチング用のＴＦＴ３０の特性変化を防止する機能を有する。
【００７８】
加えて、走査線３ａ上には、高濃度ソース領域１ｄへ通じるコンタクトホール８１及び高濃度ドレイン領域１ｅへ通じるコンタクトホール８３がそれぞれ開孔された第１層間絶縁膜４１が形成されている。第１層間絶縁膜４１上には、中継層７１、及び容量線３００が形成されており、これらの上には高濃度ソース領域１ｄへ通じるコンタクトホール８１及び中継層７１へ通じるコンタクトホール８５がそれぞれ開孔された第２層間絶縁膜４２が形成されている。加えて更に、第２層間絶縁膜４２上には、データ線６ａが形成されており、これらの上には中継層７１へ通じるコンタクトホール８５が形成された第３層間絶縁膜４３が形成されている。
【００７９】
〔電気光学装置の全体構成〕
次に、本発明の実施形態における電気光学装置の全体構成について、図４及び図５を参照しながら説明する。なお、図４は、ＴＦＴアレイ基板をその上に形成された各構成要素とともに対向基板２０の側からみた平面図であり、図５は図４のＨ−Ｈ´断面図である。
【００８０】
図４及び図５において、本実施形態に係る電気光学装置では、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とが対向配置されている。ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間には、液晶層５０が封入されており、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とは、前記の画素電極９ａ及びＴＦＴ３０等の形成領域として規定される画像表示領域１０ａの周囲に位置するシール領域に設けられたシール材５２により相互に接着されている（なお、シール領域とシール材５２とが相互に規定し合う関係にあることから、以下では、符号「５２」を、シール領域をも示すものとして使用し、「シール領域５２」と表示することがある）。
【００８１】
シール材５２は、両基板を貼り合わせるため、例えば紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂等からなり、紫外線、加熱等により硬化させられたものである。また、このシール材５２中には、本実施形態における電気光学装置を、プロジェクタ用途のように小型で拡大表示を行う液晶装置に適用するのであれば、両基板間の距離（基板間ギャップ）を所定値とするためのグラスファイバ、あるいはガラスビーズ等のギャップ材（スペーサ）が散布されている。あるいは、当該電気光学装置を液晶ディスプレイや液晶テレビのように大型で等倍表示を行う液晶装置に適用するのであれば、このようなギャップ材は、液晶層５０中に含まれてよい。
【００８２】
シール材５２が配置されたシール領域５２の内側に並行して、画像表示領域１０ａの額縁領域を規定する遮光性の額縁遮光膜５３が、対向基板２０側に設けられている（なお、額縁領域と額縁遮光膜５３とが相互に規定し合う関係にあることから、以下では、符号「５３」を、額縁領域をも示すものとして使用し、「額縁領域５３」と表示することがある。）。但し、このような額縁遮光膜５３の一部又は全部は、ＴＦＴアレイ基板１０側に内蔵遮光膜として設けられてもよい。
【００８３】
なお、図１を参照して説明したサンプリング回路３０１は、図４に示すように、前記額縁遮光膜５３に覆われるようにして形成されている。また、本実施形態においては、前記の画像表示領域１０ａの周辺を規定する周辺領域が存在する。言い換えれば、本実施形態においては特に、ＴＦＴアレイ基板１０の中心から見て、この額縁遮光膜５３より以遠が周辺領域として規定されている。
【００８４】
周辺領域のうち、シール材５２が配置されたシール領域５２の外側に位置する領域には、データ線駆動回路１０１及び外部回路接続端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って設けられている。また、走査線駆動回路１０４は、この一辺に隣接する２辺に沿い、且つ、前記額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。更に、このように画像表示領域１０ａの両側に設けられた二つの走査線駆動回路１０４間をつなぐため、ＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺に沿い、且つ、前記額縁遮光膜５３に覆われるようにして複数の配線１０５が設けられている。
【００８５】
また、対向基板２０の４つのコーナー部には、両基板間の上下導通端子として機能する上下導通材１０６が配置されている。他方、ＴＦＴアレイ基板１０にはこれらのコーナーに対向する領域において上下導通端子が設けられている。これらにより、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的な導通をとることができる。
【００８６】
図５において、ＴＦＴアレイ基板１０上には、画素スイッチング用のＴＦＴや走査線、データ線等の配線が形成された後の画素電極９ａ上に、配向膜が形成されている。他方、対向基板２０上には、対向電極２１のほか、最上層部分に配向膜が形成されている。また、液晶層５０は、例えば一種又は数種類のネマテッィク液晶を混合した液晶からなり、これら一対の配向膜間で、所定の配向状態をとる。
【００８７】
なお、ＴＦＴアレイ基板１０上には、これらのデータ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４等に加えて、複数のデータ線６ａに所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行して各々供給するプリチャージ回路、製造途中や出荷時の当該電気光学装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路等を形成してもよい。
【００８８】
また、上述した各実施形態においては、データ線駆動回路１０１及び走査線駆動回路１０４をＴＦＴアレイ基板１０上に設ける代わりに、例えばＴＡＢ（Tape Automated Bonding）基板上に実装された駆動用ＬＳＩに、ＴＦＴアレイ基板１０の周辺部に設けられた異方性導電フィルムを介して電気的及び機械的に接続するようにしてもよい。また、対向基板２０の投射光が入射する側及びＴＦＴアレイ基板１０の出射光が出射する側には、それぞれ、例えばＴＮ（Twisted Nematic）モード、ＶＡ（Vertically Aligned）モード、ＰＤＬＣ（Polymer Dispersed Liquid Crystal）モード等の動作モードや、ノーマリーホワイトモード・ノーマリーブラックモードの別に応じて、偏光フィルム、位相差フィルム、偏光板等が所定の方向で配置される。
【００８９】
さて、以上のような全体構成となる本実施形態の電気光学装置においては、画像表示領域１０ａ及び周辺領域間の額縁領域５３に囲い溝が形成されている点、更にはこの囲い溝に連絡するように線状溝が形成されている点に特徴がある（いずれについても、図４及び図５においては不図示）。この点については、以下、項目を改めて詳しく説明することとする。
【００９０】
〔囲い溝に関する構成〕
以下では、本実施形態に係る囲い溝に関する構成について、図６乃至図１０を参照しながら説明する。ここに図６は、図４と同趣旨の図であるが、特に囲い溝の構成を説明するため、その配置態様等を明瞭に図示するものである。なお、図６においては、前記の目的のため、図４では図示されている要素のうち幾つか（例えば、データ線駆動回路等）については、その図示を省略している。また、図７は、図６における符号ＱＰを示す円内部分に対応する図であって、当該部分における配線及び回路素子の一部をも示すものであり、図８は、図７のＸ１−Ｘ１´断面図である。ただし、図８においては、本来示されるべき第２層間絶縁膜４２よりも上層についてはその図示を省略している。さらに、図９及び図１０は、それぞれ、図７及び図８に対応する比較例である。
【００９１】
まず、本実施形態の電気光学装置においては、図６に示すように、額縁領域５３に対応する全領域に囲い溝ＧＰが形成されている。ここで額縁領域５３は、画像表示領域１０ａの周囲の全部を囲う領域として規定されていることから、囲い溝ＧＰもまた、画像表示領域１０ａの周囲の全部を囲むように形成されている。
【００９２】
この囲い溝ＧＰの内部には、図７に示すように、各種の配線及び回路素子等が形成されている。図７においては、当該部分（即ち、図６における符号ＱＰの部分）が、サンプリング回路３０１、これを構成するＴＦＴ２０２、及び該ＴＦＴ２０２から延びる各種の配線等（図１参照）が形成される部分に該当していることから、ＴＦＴ２０２並びに各種の配線（符号１１ａＰ、３ａＰ１、３ａＰ２、１１４、１１６及び６ａ）が形成されていることが示されている。このうちサンプリング回路駆動信号線１１４は、ＴＦＴ２０２のゲートとして機能し、引き出し配線１１６及びデータ線６ａは、それぞれ、ＴＦＴ２０２のソース及びドレインにコンタクトホールＣＨを介して電気的に接続されることによって、そのソース電極及びドレイン電極として機能する。
【００９３】
このような囲い溝ＧＰは、断面視すると、ＴＦＴアレイ基板１０それ自体に掘り込みを入れるようにして形成されている。したがって、囲い溝ＧＰ上に形成される下地絶縁膜１２、第１層間絶縁膜４１等は、図８に示すように、全体的に、下に落ち込むように形成されることになる。例えば、囲い溝ＧＰ上の下地絶縁膜１２の表面は、画像表示領域１０ａにおける下地絶縁膜１２の表面よりも、より下に位置するなどというようになる。
【００９４】
このような囲い溝を備える電気光学装置によれば、以下のような作用効果が奏されることになる。すなわち、囲い溝ＧＰは、画像表示領域１０ａの周囲の全部を囲むように形成されていることから、当該周囲に巡らされる配線１１ａＰ、３ａＰ（配線３ａＰ１及び３ａＰ２をあわせて、「３ａＰ」と呼ぶことにする。）及び引き出し配線１１６及びデータ線６ａは、その殆どすべてを一括して、囲い溝ＧＰ内に埋め込むように形成することができる。これによると、この囲い溝ＧＰ上に構築される積層構造物に段差を生じさせるおそれが小さくなる。これは、図７及び図８と、比較例たる図９及び図１０との対比からより明らかとなる。
【００９５】
図９及び図１０においては、図中右半面に示される配線１１ａＰの形成領域以外の領域に概ね対応するように溝ＧＣが形成されている。この溝ＧＣは、図１０に示すようにＴＦＴアレイ基板１０に対して掘られている。また、これらの図においては、この溝ＧＣ以外の部分に関しては、溝が掘られていない。両者の境界は、図中符合ＧＬでもって示されている（以下、「境界線ＧＬ」という。）。これによると、溝ＧＣ以外の部分の上に形成された下地絶縁膜１２の表面は、画像表示領域１０ａにおける下地絶縁膜１２の表面と同じ高さに位置するなどというようになる。すなわち、図９及び図１０の溝ＧＣは、図６乃至図８の囲い溝ＧＰのように、画像表示領域１０ａの周囲の全部を囲うように形成されているわけではない。
【００９６】
このような場合、溝ＧＣ内に形成されることとなるサンプリング回路駆動信号線１１４及び３ａＰ２等の配線等については、たしかに当該配線等の高さに起因する段差の発生を抑制することができる。しかしながら、このような構造において、溝ＧＣの部分とそれ以外の部分との上に、下地絶縁膜１２、第１層間絶縁膜４１等の層間絶縁膜を形成すると、該層間絶縁膜に段差を生じさせる可能性が大きくなる。そして、このような段差が生じると、例えば図１０に示すように、クラックＣｒ１等の発生の可能性が大きくなる。また、この場合仮に、第１層間絶縁膜４１上に配線７１Ｐを形成したとすると、該配線７１Ｐについては、図に示すような断線を生じさせるおそれも出てくる。
【００９７】
ちなみに、上のような不具合の発生には、溝ＧＣの部分とそれ以外の部分を跨ぐように配線等を形成しなければならないこと（例えば、図９の右下方に示す配線１１ａＰ参照）、或いは溝ＧＣ以外の部分にも配線等を形成しなければならないこと（例えば、図１０中の配線１１ａＰ参照）等も大きな原因をなしている。
【００９８】
更にいうと、図９及び図１０に示すように、配線等の形成領域（或いは、パターニング形状）に合わせて溝ＧＣを掘ろうとすることには困難が伴う。これは、図７及び図９からもわかるように、周辺領域における配線等の配置は錯綜または交差する傾向にあるからである。実際、図９における溝ＧＣは、概ね、サンプリング回路駆動信号線１１４及び配線３ａＰ２の形成領域に合わせて掘られているが、そのために、境界線ＧＬは、配線３ａＰ１や図９中右下方の配線１１ａＰを横切らなければならないこととなっている（なお、このような事情があるからこそ、前述したように、溝ＧＣの部分とそれ以外の部分を跨ぐように配線等を形成しなければならないという状況が生まれやすくなる。）。
【００９９】
しかるに、本実施形態においては、図６乃至図８に示したように、画像表示領域１０ａの周囲の全部を囲うように囲い溝ＧＰが形成されていることにより、上述のような不具合を被らなくて済むのである。
【０１００】
尚、上記囲い溝ＧＰは、画像表示領域１０ａの周囲における、少なくとも配線が錯綜または交差している周辺回路を囲うように形成されているならば、前述したような層間絶縁膜へのクラック発生、或いは配線などの成膜が不完全に行われることがない。
【０１０１】
ここで、サンプリング回路３０１は、配線が錯綜または交差している領域であるため、囲い溝ＧＰの領域内に含まれるように構成するのが好ましい。
【０１０２】
以上のように、本実施形態によれば、配線等を一定程度連続する比較的大きな囲い溝ＧＰの中に埋め込むように形成可能であるから、この構造の上に前記層間絶縁膜等からなる積層構造物を構築するとしても、該層間絶縁膜ないし積層構造物に段差を生じさせる可能性は低減することになる。したがって、前記層間絶縁膜に前記段差に起因するクラックを生じさせるおそれを低減することができ、また、該層間絶縁膜間に形成される配線及び回路素子等に断線、破損等を生じさせるおそれを低減することができる。その結果また、配線等を通じた走査信号或いは画像信号等の供給は滞りなく行われ得、当該電気光学装置は、正確に動作し得ることになる。さらに、同じ理由により、当該電気光学装置の製造歩留まりを向上させることができる。
【０１０３】
なお、上記の効果（特に、層間絶縁膜におけるクラック発生防止）をよりよく享受するためには、図８に示す距離Ｄを、図１０に示すそれよりも、より大きく設定するようにするとよい。具体的には、第１層間絶縁膜４１の厚さが約１〔μｍ〕であるとして、後者が１．０〔μｍ〕程度であるなら、前者を１．５〔μｍ〕程度にするとよい。
【０１０４】
〔線状溝に関する構成〕
さて、一方、本実施形態にかかる電気光学装置には、図６に既に示されている線状溝ＧＰＢを備えていることに特徴がある。以下では、これに関し、前述までに参照した各図及び図１１乃至図１３を参照して説明する。ここに図１１は、図６等に示した囲い溝ＧＰの角の部分と線状溝ＧＰＢとの配置関係等について示す斜視図である。また、図１２は、図６における符号ＣＰを示す円内部分に対応する図であって、図６中矢印Ｃ１の方向から臨む斜視図であり、図１３は、図１２の比較例である。ただし、図１２及び図１３においては、図示する最上面が第２層間絶縁膜４２の表面に該当している。
【０１０５】
まず、図６において、本実施形態の電気光学装置においては、囲い溝ＧＰの形成領域、即ち額縁領域５３からＴＦＴアレイ基板１０の辺縁部に向かう方向に沿って延びる線状溝ＧＰＢが形成されている。より詳しくは、線状溝ＧＰＢは、矩形状を有する画像表示領域１０ａの各辺に対し鉛直な方向に沿って延びている。
【０１０６】
すなわち、線状溝ＧＰＢは、画像表示領域１０ａの図６中下辺に沿って形成された囲い溝ＧＰからデータ線駆動回路１０１（図１参照）に向かって、或いは同領域１０ａの図６中左辺及び右辺に沿って形成された囲い溝ＧＰからＴＦＴアレイ基板１０の辺縁部に向かって延びるように形成されている。また、線状溝ＧＰＢは、図１１に示すように囲い溝ＧＰと連絡するように、即ち前者の底面は後者の底面と連続するように形成されている。
【０１０７】
このような線状溝ＧＰＢの存在により、該線状溝ＧＰＢ上に層間絶縁膜等からなる積層構造物を構築すると、該積層構造物の表面には、該線状溝ＧＰＢに対応する線状溝が形成されることになる。図１２及び図１３においてはその様子が示されており、これらの図では、第２層間絶縁膜４２の表面に、線状溝ＧＰＢに対応する線状溝ＧＰＢ１及びＧＰＢ２が形成されている様子が図示されている。
【０１０８】
また、図１２及び図１３では、第２層間絶縁膜４２の上に、引き出し配線１１６ａ及び１１６ｂが形成されている様子も示されている。この引き出し配線１１６ａ及び１１６ｂは、図１に示した画像信号線１１５からの引き出し配線１１６であり（ここでは特に、「１１６ａ」及び「１１６ｂ」と分けて呼ぶ。）、図３に示したデータ線６ａと同一膜として形成されている。そして、本実施形態においては、この引き出し配線１１６ａ及び１１６ｂは、図１２に示すように、線状溝ＧＰＢ１及びＧＰＢ２が延在する方向に沿い、且つ、該線状溝ＧＰＢ１及びＧＰＢ２のそれぞれに対応するように形成されている。
【０１０９】
また、引き出し配線１１６ａは、線状溝ＧＰＢ１が形成されている部分とそうでない部分とを跨ぐように、引き出し配線１１６ｂは、線状溝ＧＰＢ２が形成されている部分とそうでない部分とを跨ぐように、それぞれ形成されている。特に図１２に示すような構成は、引き出し配線１１６ａ及び１１６ｂのそれぞれが、線状溝ＧＰＢ１及びＧＰＢ２のそれぞれの端部「のみ」を跨ぐように形成されているという場合の一例ということができる。
【０１１０】
このような線状溝ＧＰＢないしＧＰＢ１及びＧＰＢ２及び引き出し配線１１６ａ及び１１６ｂを備える電気光学装置によれば、次のような作用効果が得られる。すなわち、第一に、線状溝ＧＰＢ１及びＧＰＢ２を形成することにより、これらの内部に、囲い溝ＧＰを越えてその外部に更に延在する引き出し配線１１６ａ及び１１６ｂを埋め込むことが可能となるから、線状溝ＧＰＢ１及びＧＰＢ２の上に形成される積層構造物において、引き出し配線１１６ａ及び１１６ｂの高さに起因する段差を生じさせることがなく、当該積層構造物の平坦性を確保することができる。
【０１１１】
そして第二に、引き出し配線１１６ａ及び１１６ｂが、線状溝ＧＰＢ１及びＧＰＢ２の端部のみを跨ぐように形成されていることにより、両者間の短絡を招くことがなく、当該電気光学装置の正確な動作を期することができる。これは、図１２と、その比較例たる図１３との対比からより明らかとなる。
【０１１２】
図１３においては、線状溝ＧＰＢ１及びＧＰＢ２の端部を相互に連絡する端部間連絡溝ＧＣＣが形成されている。ちなみに、このような端部間連絡溝ＧＣＣは、図１３に示す第２層間絶縁膜４２下で、図中左右方向に延びる配線等を埋め込むために形成した溝等が原因となって形成される場合が考えられる。
【０１１３】
このような端部間連絡溝ＧＣＣが存在すると、前記の引き出し配線１１６ａ及び１１６ｂは、線状溝ＧＰＢ１及びＧＰＢ２の端部を跨ぐだけでなく、場合により、該引き出し配線１１６ａ及び１１６ｂの一部が当該端部間連絡溝ＧＣＣの内側壁面をも跨ぐような状況が生じ得る。これは、引き出し配線１１６ａ及び１１６ｂが、前駆膜の形成及びパターニング処理という手順を経て形成されることが一般的だからで、前記のような端部間連絡溝ＧＣＣが存在すると、その内側壁面に成膜された前駆膜が完全には除去されず、その前駆膜が残存膜１１６Ｚ（図１３参照）として残ってしまう場合が生じることによる。このような状態になると、隣り合う線状溝ＧＰＢ１及びＧＰＢ２間に別々に形成された引き出し配線１１６ａ及び１１６ｂの間で短絡が生じてしまうことになり、もはや当該電気光学装置の正確な動作を期しえなくなる。
【０１１４】
しかるに、本実施形態においては、前記のような端部間連絡溝ＧＣＣは形成されていないから、前述のように、各線状溝ＧＰＢ１及びＧＰＢ２に対応して形成された引き出し配線１１６ａ及び１１６ｂは、当該各線状溝ＧＰＢ１及びＧＰＢ２の端部のみを跨ぐように形成されることになり、したがって、各引き出し配線１１６ａ及び１１６ｂ間で短絡を生じさせることがない。
【０１１５】
このように、本実施形態によれば、線状溝ＧＰＢ１及びＧＰＢ２及びその中に形成される引き出し配線１１６ａ及び１１６ｂに関し、より好適な形態が現出されることにより、当該電気光学装置の正確な動作を、より確実に確保することができる。
【０１１６】
なお、図１２においては、線状溝ＧＰＢ１及びＧＰＢ２に交差する溝が全く形成されていない形態について図示したが、場合によっては、そのような溝が形成されていてもよい。そのような例としては、例えば図１４に示すような構成を挙げることができる。ここに図１４は、図１２と同趣旨の図であって、線状溝に交差する方向に別途溝が形成されている態様について示すものである。
【０１１７】
この図１４においては、図１２における線状溝ＧＰＢ１及びＧＰＢ２並びに引き出し配線１１６ａ及び１１６ｂ等に加えて、交差溝（本発明にいう「第２の溝」の一例に該当する。）ＧＣＸが形成されている。ただし、この交差溝ＧＣＸは、図に示されている通り、線状溝ＧＰＢ１及びＧＰＢ２の端部には交わらない。
【０１１８】
これによると、引き出し配線１１６ａ及び１１６ｂは、図１２と同様に、線状溝ＧＰＢ１及びＧＰＢ２の端部のみを跨ぐように形成されることになり、両者間の短絡を生じさせるおそれはない。なぜなら、この場合、線状溝ＧＰＢ１及びＧＰＢ２の内部に引き出し配線１１６ａ及び１１６ｂを形成する際、該引き出し配線１１６ａ及び１１６ｂを、前駆膜の形成及びパターニング処理という手順を経ることにより形成したとしても、前記前駆膜が残存する可能性があるのは、線状溝ＧＰＢ１及びＧＰＢ２の端部からは一定程度離れた交差溝ＧＣＸの内側壁面ということになるからである（図１４の残存膜１１６Ｚ´参照。）。つまり、このような場合における交差溝ＧＣＸは、図１３に示した端部間連絡溝ＧＣＣと同一視されるべきものではないのである。本発明は、このような形態を含む。
【０１１９】
さらに図１８においては、交差溝ＧＣＸが、比較例１３図に示された端部間連絡溝ＧＣＣと同様に、線状溝ＧＰＢ１及びＧＰＢ２の端部に交わっている。ここで、端部間連絡溝ＧＣＣにおける、線状溝ＧＰＢ１及びＧＰＢ２の端部から延長された側面は、ＴＦＴアレイ基板１０を平面的に見て波状した表面となっている。図１８の波状側面部４２ａで示される形状、つまり平面的に見て波状している形状であっても良いし、図示しない表面が荒れた凹凸形状であっても良い。このような構成によれば、引き出し配線１１６ａ及び１１６ｂのパターニング形成のためのエッチング時に、残存膜１１６Ｚが、引き出し配線１１６ａ及び１１６ｂ間がショートされるまでにつながることがない。
【０１２０】
尚、図１８においては、線状溝ＧＰＢ１及びＧＰＢ２の端部から延長された側面の一部であって、引き出し配線１１６ａ及び１１６ｂが設けられていないエリアのみに限定的に、波状側面部４２ａのごとくに波状としている側面を設ける形態を示しているが、特にこの形態に限定しない。例えば、線状溝ＧＰＢ１及びＧＰＢ２の端部から延長された側面全体であって、引き出し配線１１６ａ及び１１６ｂが設けられているエリアを含めて、波状側面部４２ａのごとくに波状とした形状としてもよい。この場合でも、引出配線に沿った方向に向かって波状と波打っている形状ではないため、引出配線は断線されることがない。よって、引出配線間を跨ぐ方向のみに選択的に残存膜１１６Ｚを断線させることができ、引出配線の断線という副作用の無い有効なショート防止効果が得られる。
【０１２１】
尚、この平面的に見て波状とした形状の形成は、フォトマスクのパターンに当該波状形状を設けることで達成できる。
【０１２２】
なお、本発明に係る電気光学装置としては、以上詳細に説明した本実施形態のほか、以下に記すような各種の変形形態を採用することができる。
【０１２３】
第一に、本発明に係る電気光学装置においては、前記の囲い溝ＧＰ及び線状溝ＧＰＢの他にも、図１５に示すような線状溝間連絡溝ＧＰＣを形成することが可能である。ここに図１５は、図６と同趣旨の図であって、線状溝ＧＰＢ間を連絡する線状溝間連絡溝ＧＰＣが形成された態様を示すものである。
【０１２４】
この図１５において、線状溝間連絡溝ＧＰＣは、各線状溝ＧＰＢの端部を包絡するように、またしたがって、囲い溝ＧＰと略相似形を有するように形成されている。このような形態によれば、線状溝間連絡溝ＧＰＣの上に形成される積層構造物に、各種の配線等の高さに起因する段差を生じさせることがなく、当該積層構造物の平坦性をより確実に確保することができる。また、本形態に係る線状溝間連絡溝ＧＰＣは、線状溝ＧＰＢに連絡するように、即ち囲い溝ＧＰに連絡するように形成されているから、当該囲い溝ＧＰの形成と同時に形成することが可能であり、製造工程の簡略化を図ることもできる。
【０１２５】
第二に、本発明に係る電気光学装置においては、前記の囲い溝ＧＰ及び線状溝ＧＰＢの他にも、図１６に示すようなストライプ状溝ＧＰＤを形成することが可能である。ここに図１６は、図６と同趣旨の図であって、画像表示領域１０ａ内のデータ線６ａの形成領域に対応するように、且つ、囲い溝ＧＰに連絡するように形成されたストライプ状溝ＧＰＤの態様を示すものである。
【０１２６】
この図１６において、ストライプ状溝ＧＰＤは、図１、或いは図２に示したようにストライプ状に配列されたデータ線６ａの形成領域に対応するように形成されている。このような形態によれば、データ線６ａの高さに起因して、前記積層構造物の最表面等に段差を生じさせることを防止することができる。また、本形態に係る溝は、囲い溝ＧＰに連絡するように形成されているから、当該囲い溝ＧＰの形成と同時に形成することが可能であり、製造工程の簡略化を図ることもできる。
【０１２７】
なお、図示はしないが、図１６と同様にして、走査線３ａの形成領域に対応するようなストライプ状溝を形成してもよい。また、そのようなストライプ状溝に併せて、図１６に示すようなストライプ状溝ＧＰＤを形成するような形態としてもよい。この場合には、画像表示領域１０ａにマトリクス状の溝が形成されることになる。
【０１２８】
さらには、前述したような、データ線６ａ、或いは走査線３ａの形成領域に対応するようなストライプ状溝に併せて、図１５を参照して説明したような線状溝間連絡溝ＧＰＣを形成するような態様も、本発明の範囲内にあることは言うまでもない。
【０１２９】
（電子機器）
次に、以上詳細に説明した電気光学装置をライトバルブとして用いた電子機器の一例たる投射型カラー表示装置の実施形態について、その全体構成、特に光学的な構成について説明する。ここに、図１７は、投射型カラー表示装置の図式的断面図である。
【０１３０】
図１７において、本実施形態における投射型カラー表示装置の一例たる液晶プロジェクタ１１００は、駆動回路がＴＦＴアレイ基板上に搭載された液晶装置を含む液晶モジュールを３個用意し、それぞれＲＧＢ用のライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂとして用いたプロジェクタとして構成されている。液晶プロジェクタ１１００では、メタルハライドランプ等の白色光源のランプユニット１１０２から投射光が発せられると、３枚のミラー１１０６及び２枚のダイクロックミラー１１０８によって、ＲＧＢの三原色に対応する光成分Ｒ、Ｇ及びＢに分けられ、各色に対応するライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂにそれぞれ導かれる。この際特に、Ｂ光は、長い光路による光損失を防ぐために、入射レンズ１１２２、リレーレンズ１１２３及び出射レンズ１１２４からなるリレーレンズ系１１２１を介して導かれる。そして、ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂによりそれぞれ変調された三原色に対応する光成分は、ダイクロックプリズム１１１２により再度合成された後、投射レンズ１１１４を介してスクリーン１１２０にカラー画像として投射される。
【０１３１】
本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨、あるいは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う電気光学装置及び電子機器もまた、本発明の技術的範囲に含まれるものである。
【図面の簡単な説明】
【０１３２】
【図１】本発明の実施形態の電気光学装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路である。
【図２】データ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数の画素群の平面図である。
【図３】図２のＡ−Ａ´断面図である
【図４】本発明の実施形態の電気光学装置におけるＴＦＴアレイ基板を、その上に形成された各構成要素とともに対向基板の側から見た平面図である。
【図５】図４のＨ−Ｈ´断面図である。
【図６】図４と同趣旨の図であって、特に囲い溝の構成を説明するため、該囲い溝の配置態様等を明瞭に図示するものである。
【図７】図６における符号ＱＰを示す円内部分に対応する図であって、当該部分における配線及び回路素子の一部をも示すものである。
【図８】図７のＸ１−Ｘ１´断面図である。
【図９】図７に対応する比較例である。
【図１０】図８に対応する比較例である。
【図１１】図６等に示した囲い溝の角の部分と線状溝との配置関係等について示す斜視図である。
【図１２】図６における符号ＣＰを示す円内部分に対応する図であって、図６中矢印Ｃ１の方向から臨む斜視図である。
【図１３】図１２の比較例である。
【図１４】図１２と同趣旨の図であって、線状溝に交差する方向に別途溝が形成されている態様について示すものである。
【図１５】図６と同趣旨の図であって、線状溝間を連絡する線状溝間連絡溝が形成された態様を示すものである。
【図１６】図６と同趣旨の図であって、データ線の形成領域に対応するように、且つ、囲い溝ＧＰに連絡するように形成されたストライプ状溝の態様を示すものである。
【図１７】本発明の実施形態に係る投射型カラー表示装置の図式的断面図である。
【図１８】図１２と同趣旨の図であって、線状溝ＧＰＢ１及びＧＰＢ２の端部からの延長側面の少なくとも一部は、波状面部４２ａである態様を示すものである。
【符号の説明】
【０１３３】
１０・・・ＴＦＴアレイ基板、１０ａ・・・画像表示領域、３ａ・・・走査線、６ａ・・・データ線、３０・・・ＴＦＴ、９ａ・・・画素電極、４２ａ・・・波状側面部、５３・・・額縁遮光膜、１０１・・・データ線駆動回路、１０４・・・走査線駆動回路、１０２・・・外部回路接続端子、ＧＰ・・・囲い溝、ＧＰＢ、ＧＰＢ１、ＧＰＢ２・・・線状溝、ＧＰＣ・・・線状溝間連絡溝、ＧＰＤ・・・ストライプ状溝、ＧＣＸ・・・交差溝。
【図１】
2004318082.tif 000003
【図２】
2004318082.tif 000004
【図３】
2004318082.tif 000005
【図４】
2004318082.tif 000006
【図５】
2004318082.tif 000007
【図６】
2004318082.tif 000008
【図７】
2004318082.tif 000009
【図８】
2004318082.tif 000010
【図９】
2004318082.tif 000011
【図１０】
2004318082.tif 000012
【図１１】
2004318082.tif 000013
【図１２】
2004318082.tif 000014
【図１３】
2004318082.tif 000015
【図１４】
2004318082.tif 000016
【図１５】
2004318082.tif 000017
【図１６】
2004318082.tif 000018
【図１７】
2004318082.tif 000019
【図１８】
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