(57)【要約】      （修正有）【課題】ウェハの処理むらを改善することができるウェハキャリア，エッチング方法及び洗浄方法を提供する。【解決手段】対向する側壁１２，１３に基板Ｗの周縁を保持する複数の保持溝１０をそれぞれ備え，複数枚の基板Ｗを収納する基板収納容器１において，前記基板収納容器１に収納された複数枚の基板Ｗの下部中央を持ち上げて支持する支持棒１８を備えた。基板収納容器２に複数枚の基板Ｗを収納し，処理槽に貯留されたエッチング用の処理液に前記基板収納容器２を浸漬し，前記エッチング用の処理液によって基板Ｗをエッチングすることとした。【選択図】  図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
対向する側壁に基板の周縁を保持する複数の保持溝をそれぞれ備え，複数枚の基板を収納する基板収納容器であって，
前記基板収納容器に収納された複数枚の基板の下部中央を持ち上げて支持する支持棒を備えることを特徴とする，基板収納容器。
【請求項２】
前記支持棒の上面に，基板の周縁を支持する複数の支持溝を備えることを特徴とする，請求項１に記載の基板収納容器。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の基板収納容器に複数枚の基板を収納し，処理槽に貯留されたエッチング用の処理液に前記基板収納容器を浸漬し，前記エッチング用の処理液によって基板をエッチングすることを特徴とする，基板のエッチング方法。
【請求項４】
請求項１又は２に記載の基板収納容器に複数枚の基板を収納し，処理槽に貯留された洗浄用の処理液に前記基板収納容器を浸漬し，前記洗浄用の処理液によって基板を洗浄することを特徴とする，基板の洗浄方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は，例えば半導体ウェハ等の基板を複数枚収納する基板収納容器と，基板を処理液に浸漬して処理するバッチ式のエッチング方法及び洗浄方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
例えば半導体デバイスの製造プロセスにおいては，半導体ウェハ（以下，「ウェハ」という。）をエッチング処理する工程が行われる。かかるエッチング処理の一例として，複数枚のウェハをウェハキャリアに収納して，エッチング用の処理液を貯留した処理槽にウェハキャリアごと浸漬させる方法が知られている。ウェハキャリアは，ウェハの周縁を保持する保持溝が例えば２５個ずつ形成された２個の側壁を備えている。各側壁の２５個の保持溝は，所定間隔をあけて並ぶように形成されており，対向する２個の保持溝に１枚のウェハの周縁を挿入して，２５枚のウェハを互いに略平行な姿勢で，所定間隔をあけて保持するようになっている。各保持溝の下部は内側に傾斜するように形成されており，ウェハＷの下部両側を保持溝の下部によってそれぞれ保持するようになっている。（例えば，特許文献１参照）。また，このようなウェハキャリアは，ウェハの洗浄工程においても使用されており，薬液を貯留した処理槽，リンス液を貯留した処理槽にウェハキャリアごと順次浸漬させて，一連の洗浄処理を行う方法が知られている（例えば，特許文献２参照）。
【０００３】
【特許文献１】
特開２００１−７７０７３
【特許文献２】
特開２００１−２５７２５６
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら，従来のウェハキャリアを使用したエッチング処理や洗浄処理においては，保持溝に挿入するウェハの周縁が十分に処理されず，処理むらが発生する問題があった。そのため，歩留りを向上させることが困難であった。特にエッチング処理においては，エッチングむらによってウェハの表面にオレンジピール状の無数の凹凸が発生する問題があった。
【０００５】
従って，本発明の目的は，ウェハの処理むらを改善することができるウェハキャリア，エッチング方法及び洗浄方法を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために，本発明によれば，対向する側壁に基板の周縁を保持する複数の保持溝をそれぞれ備え，複数の基板を収納する基板収納容器であって，前記基板収納容器に収納された複数枚の基板の下部中央を持ち上げて支持する支持棒を備えることを特徴とする，基板収納容器が提供される。この基板収納容器にあっては，ウェハの下部両側を保持溝に挿入させず，保持溝に挿入する部分を従来よりも少なくして保持できる。さらに，保持溝と基板の周縁との間で処理液が流通しやすくなり，保持溝に挿入した部分を十分に処理できる。従って，処理むらを防止することができる。
【０００７】
前記支持棒の上部に，基板の周縁を支持する複数の支持溝を備えることが好ましい。この場合，ウェハの下部が揺れることを防止して，ウェハを確実に保持できる。
【０００８】
また，本発明によれば，請求項１又は２に記載の基板収納容器に複数枚の基板を収納し，処理槽に貯留されたエッチング用の処理液に前記基板収納容器を浸漬し，前記エッチング用の処理液によって基板をエッチングすることを特徴とする，基板のエッチング方法が提供される。さらに，請求項１又は２に記載の基板収納容器に複数枚の基板を収納し，処理槽に貯留された洗浄用の処理液に前記基板収納容器を浸漬し，前記洗浄用の処理液によって基板を洗浄することを特徴とする，基板の洗浄方法が提供される。
【０００９】
【発明の実施の形態】
以下，本発明の好ましい実施の形態を説明する。図１に示すエッチング処理システム１は，基板としてのウェハＷをエッチングするシステムである。エッチング処理システム１は，ウェハＷを２５枚収納した本発明にかかる基板収納容器としてのウェハキャリア２をエッチング処理システム１に搬入するローダ部（図示せず）と，エッチング用の薬液３を貯留する薬液槽４と，純水５を貯留する水洗槽６と，ウェハＷを乾燥させる乾燥処理槽（図示せず）と，ウェハキャリア２をエッチング処理システム１から搬出するアンローダ部（図示せず）を備えている。さらに，ウェハキャリア２をローダ部から薬液槽４，水洗槽６，乾燥処理槽，アンローダ部に順次搬送する搬送装置７を備えている。
【００１０】
図２及び図３に示すように，ウェハキャリア２に収納されるウェハＷは，薄い略円盤形状をしている。ウェハキャリア２は，内側にウェハＷの周縁を保持する保持溝１０が２５個ずつ形成された対向する２つの側壁１２，１３と，側壁１２，１３の正面側に設けられた正面部材１４と，側壁１２，１３の背面側に設けられた背面部材１５と，底面部材１６を備えており，上部を開口させた略直方体形状に形成されている。側壁１２と側壁１３との間には，ウェハキャリア２に収納された２５枚のウェハＷの下部中央を持ち上げて支持する支持棒１８が，側壁１２，１３と略平行に設けられている。ウェハキャリア２の上部は開口となっており，ウェハＷを収納する際には，この開口からウェハキャリア２の内部にウェハＷを挿入するようになっている。また，底面部材１６にも開口が形成されており，ウェハキャリア２を薬液槽４内の薬液３に浸漬させたとき，薬液３が底面部材１６の開口からウェハキャリア２の内部に流入しやすいようになっている。
【００１１】
各保持溝１０は，ウェハキャリア２の上部の開口側と底面部材１６との間にスリット状に形成されており，断面がウェハキャリア２の内側に向かって広がるＶ字型になるように形成されている。各保持溝１０の上端は開口しており，この上端からウェハＷの周縁を進入させるようになっている。各保持溝１０の下部は，底面部材１６の開口周縁に向かって内側に傾斜するように形成されており，支持棒１８が無い状態としたときに，ウェハＷの下部両側を保持溝１０の下部によってそれぞれ保持するようになっている。これら２５個の保持溝１０は，正面部材１４と背面部材１５との間で所定間隔をおいて互いに平行に並ぶように，各側壁１２，１３にそれぞれ設けられている。なお，側壁１２に設けられた保持溝１０の間隔と，側壁１３に設けられた保持溝１０の間隔は，互いに同じ大きさである。
【００１２】
図３に示すように，支持棒１８は，側壁１２と側壁１３の間のほぼ中央に配置されており，ウェハキャリア２の上部の開口と底面部材１６との間の中央よりも下方，例えば，底面部材１６から約２ｃｍ程度の高さに配置されている。支持棒１８の両端は，正面部材１４と背面部材１５にそれぞれ固着されている。支持棒１８の上面には，ウェハＷの周縁を挿入させる支持溝２０が２５個形成されている。各支持溝２０は，側壁１２又は側壁１３側からみた断面が下方から上方に向かって広がるＶ字型になるように形成されている。即ち，ウェハＷの表面側と裏面側の各周縁を支持溝２０の２個の斜面にそれぞれ当接させるようになっている。これにより，ウェハＷの下部が揺れることを防止して，ウェハＷを確実に支持することができる。２５個の支持溝２０は，正面部材１４と背面部材１５との間で所定間隔をおいて並ぶように配置されている。なお，支持溝２０の間隔は，各側壁１２，１３に設けられた保持溝１０の間隔と同じ大きさとなっている。
【００１３】
図２に示すように，側壁１２と側壁１３の各上部には，それぞれフィン２２，２３が外側に向かって突出するように設けられている。ウェハキャリア２を搬送するときは，図１に示すように，フィン２２，２３を搬送装置７で保持するようになっている。
【００１４】
図１に示すように，薬液槽４は上部が開口となっており，内部に薬液３を貯留して，上部からウェハキャリア２を浸漬させるようになっている。水洗槽６は上部が開口となっており，内部にリンス用の純水５を貯留して，上部からウェハキャリア２を浸漬させるようになっている。
【００１５】
搬送装置７は，２本の搬送用アーム２５，２６と，２本の搬送用アーム２５，２６を回転自在に支持する支持部２７とを備えている。２本の搬送用アーム２５，２６は，支持部２７内に備えた図示しない開閉機構によってそれぞれ回転させられ，搬送用アーム２５，２６の各下端が開閉するようになっている。また，搬送装置７を鉛直方向に直線移動及び水平方向に直線移動させる図示しない移動機構が備えられている。
【００１６】
次に，以上のように構成されたエッチング処理システム１を用いたウェハＷのエッチング工程について説明する。エッチング処理システム１にウェハキャリア２を搬入する前に，予め，ウェハキャリア２に２５枚のウェハＷを収納する。各ウェハＷの両側を側壁１２，１３の各保持溝１０に上端からそれぞれ挿入し，ウェハＷの下部中央が支持溝２０に当接するまで，ウェハＷをウェハキャリア２内に進入させる。こうして，ウェハＷの両側が側壁１２，１３の各保持溝１０によってそれぞれ保持され，ウェハＷの下部中央が支持溝２０によって支持された状態で，ウェハキャリア２内にウェハＷが収納される。ウェハＷの下部中央は支持溝２０によって底面部材１６から持ち上げられて支持され，例えば，底面部材１６から約２ｃｍ程度上方の高さに配置される。ウェハＷの下部両側は保持溝１０の下部からそれぞれ持ち上げられた状態となる。この場合，保持溝１０の下部によってウェハＷの下部両側を保持していた従来のウェハキャリアよりも，保持溝１０に挿入される部分の表面積が少なくなる。側壁１２，１３の各保持溝１０，支持溝２０には，ウェハＷの周縁が１つずつ挿入され，２５枚のウェハＷは，正面部材１４と背面部材１５との間で，隣り合うウェハＷの表面と裏面とを対向させた状態で，所定間隔をおいて互いに平行に並ぶように収納される。
【００１７】
このように２５枚のウェハＷを収納したウェハキャリア２を図示しない搬送機構によってエッチング処理システム１のローダ部（図示せず）に載置する。そして，搬送装置７を図示しない移動機構によってローダ部に水平移動させ，搬送用アーム２５，２６の先端を開いた状態で，ローダ部上のウェハキャリア２の上方から下降させる。次に，搬送用アーム２５，２６の先端を閉じてフィン２２，２３の下面にそれぞれ当接させた状態で，搬送装置７を上昇させる。こうして，ウェハキャリア２を搬送用アーム２５，２６によって保持して持ち上げる。
【００１８】
続いて，搬送装置７を水平移動させて，予め薬液３が貯留された薬液槽４の上方にウェハキャリア２を搬送し，搬送装置７を下降させ，ウェハキャリア２を薬液槽４の開口から薬液槽４内の薬液３に浸漬させる。ウェハキャリア２を薬液槽４内の薬液３に浸漬させる際，ウェハキャリア２の底面部材１６に形成された開口からウェハキャリア２の内部に薬液３が流入して，ウェハキャリア２の内部に収納されたウェハＷが下端から薬液３に浸漬していく。
【００１９】
ウェハキャリア２全体を薬液槽４内の薬液３に浸漬させたら，所定時間ウェハキャリア２を薬液３に浸漬させたままにして，ウェハＷの表面を薬液３によってエッチング処理する。
【００２０】
ウェハキャリア２に収納されたウェハＷは，側壁１２，１３の各保持溝１０によって両側が保持されているので，薬液処理中，ウェハＷが正面部材１４側や背面部材１５側に向かってずれたり，揺れたりすることが無い。また，ウェハＷは支持溝２０によって下部中央が支持されているので，ウェハＷの下部が揺れたり，落下することが無い。
【００２１】
また，ウェハキャリア２に収納されたウェハＷは，側壁１２，１３の各保持溝１０と支持溝２０に挿入されている部分の表面積が，従来のウェハキャリアで側壁の各保持溝に挿入される部分の表面積よりも少ないので，ウェハＷの周縁が薬液３に接触しやすく，効果的にエッチングされる。さらに，ウェハＷの下部両側が保持溝１０の下部より上方に配置されているので，薬液３が保持溝１０の下部から保持溝１０とウェハＷの周縁との間に流入し易く，あるいは，保持溝１０とウェハＷの周縁との間の薬液３が保持溝１０の下部から流出し易い。即ち，保持溝１０とウェハＷの周縁との間で薬液３が滞留することを防止でき，保持溝１０とウェハＷの周縁との間で薬液３が効果的に流通する。従って，保持溝１０に挿入されている部分が薬液３に十分に接触して，効果的にエッチングされる。また，支持溝２０に挿入されている部分は少なく，支持溝２０とウェハＷの周縁との間で薬液３が滞留することはなく，支持溝２０とウェハＷの周縁との間で薬液３が効果的に流通する。従って，支持溝２０に挿入されている部分が薬液３に十分に接触して，効果的にエッチングされる。このように，保持溝１０や支持溝２０に挿入される部分を少なくするとともに，保持溝１０や支持溝２０に薬液３が効果的に流通するようにしたことにより，ウェハＷの周縁が確実にエッチングされる。また，ウェハＷの中央部と周縁との間でエッチングの量に差が生じること，即ち，エッチングの処理むらが発生することを防止できる。
【００２２】
所定時間経過後，ウェハキャリア２を搬送用アーム２５，２６によって保持した搬送装置７を上昇させ，ウェハキャリア２を薬液３から引き上げ，薬液槽４の開口から薬液槽４の上方に移動させる。そして，搬送装置７を水平移動させ，予め純水５が貯留された水洗槽６の上方にウェハキャリア２を搬送し，搬送装置７を下降させ，ウェハキャリア２を水洗槽６の開口から水洗槽６内の純水５に浸漬させる。ウェハキャリア２を水洗槽６内の純水５に浸漬させる際，ウェハキャリア２の下部に形成された開口からウェハキャリア２の内部に純水５が流入して，ウェハキャリア２の内部に収納されたウェハＷが下端から純水５に浸漬していく。こうして，ウェハＷを純水５に浸漬させて水洗し，ウェハＷに付着した薬液５を除去する。
【００２３】
ウェハキャリア２に収納されたウェハＷは，２個の保持溝１０によって両側が保持されているので，水洗処理中も，ウェハＷが正面部材１４側や背面部材１５側に向かってずれたり，揺れたりすることが無い。また，ウェハＷは支持溝２０によって下部中央が支持されているので，ウェハＷの下部が揺れたり，落下することが無い。
【００２４】
また，ウェハキャリア２に収納されたウェハＷは，側壁１２，１３の各保持溝１０と支持溝２０に挿入されている部分の表面積が，従来のウェハキャリアで側壁の各保持溝に挿入される部分の表面積よりも少ないので，ウェハＷの周縁が純水５に接触しやすく，効果的に水洗される。さらに，ウェハＷの下部両側が保持溝１０の下部より上方に配置されているので，純水５が保持溝１０の下部から保持溝１０とウェハＷの周縁との間に流入し易く，あるいは，保持溝１０とウェハＷの周縁との間の純水５が保持溝１０の下部から流出し易い。即ち，保持溝１０とウェハＷの周縁との間で純水５が滞留することを防止でき，保持溝１０とウェハＷの周縁との間で純水５が効果的に流通する。従って，保持溝１０に挿入されている部分が純水５に十分に接触して水洗され，保持溝１０に挿入されている部分から薬液３や塵埃等の異物を確実に洗い流すことができる。また，支持溝２０に挿入されている部分は少なく，支持溝２０とウェハＷの周縁との間で純水５が滞留することはなく，支持溝２０とウェハＷの周縁との間で純水５が効果的に流通する。従って，支持溝２０に挿入されている部分が純水５に十分に接触して水洗され，支持溝２０に挿入されている部分から薬液３や塵埃等の異物を確実に洗い流すことができる。このように，保持溝１０や支持溝２０に挿入される部分を少なくするとともに，保持溝１０や支持溝２０に純水５が効果的に流通するようにしたことにより，ウェハＷの周縁が十分に水洗され，ウェハＷから薬液３や塵埃等の異物を確実に洗い流すことができる。
【００２５】
また，保持溝１０とウェハＷの周縁との間で純水５が効果的に流通するので，保持溝１０に純水５が十分に接触して，保持溝１０から薬液３や塵埃等の異物を確実に洗い流すことができる。支持溝２０とウェハＷの周縁との間で純水５が効果的に流通するので，支持溝２０に純水５が十分に接触して，支持溝２０から薬液３や塵埃等の異物を確実に洗い流すことができる。このように，保持溝１０と支持溝２０を十分に水洗し，薬液処理後のウェハキャリア２から薬液３や塵埃等の異物を確実に洗い流すことにより，ウェハＷに薬液３や塵埃等の異物が再付着することを防止でき，処理の信頼性を高めることができる。
【００２６】
所定時間経過後，ウェハキャリア２を搬送用アーム２５，２６によって保持した搬送装置７を上昇させ，ウェハキャリア２を純水５から引き上げ，水洗槽６の開口から水洗槽６の上方に移動させる。そして，搬送装置７を水平移動，下降させ，乾燥処理槽（図示せず）にウェハキャリア２を搬送し，ウェハキャリア２及びウェハＷを乾燥させる。
【００２７】
乾燥処理においても，保持溝１０とウェハＷの周縁との間で乾燥用処理流体が効果的に流通するので，保持溝１０に挿入されている部分と保持溝１０に乾燥用処理流体が十分に接触して，保持溝１０に挿入されている部分と保持溝１０を確実に乾燥させることができる。また，支持溝２０とウェハＷの周縁との間で乾燥用処理流体が効果的に流通するので，支持溝２０に挿入されている部分と支持溝２０に乾燥用処理流体が十分に接触して，支持溝２０に挿入されている部分と支持溝２０を確実に乾燥させることができる。このように，ウェハキャリア２とウェハＷを確実に乾燥させることができる。
【００２８】
乾燥処理後，ウェハキャリア２を搬送用アーム２５，２６によって保持した搬送装置７を上昇させ，ウェハキャリア２を乾燥処理槽から引き上げ，乾燥処理槽の上方に移動させた後，搬送装置７を水平移動，下降させ，ウェハキャリア２をアンローダ部に載置する。そして，図示しない搬送機構によってウェハキャリア２をアンローダ部から搬出する。こうして，エッチング処理システム１における工程が終了する。
【００２９】
かかるウェハキャリア２を用いたエッチング処理工程によれば，ウェハキャリア２に収納されたウェハＷを支持棒１８によって持ち上げて保持する構成としたことにより，側壁１２，１３の各保持溝１０と支持溝２０に挿入されている部分の表面積が，従来のウェハキャリアで側壁の各保持溝に挿入される部分の表面積よりも少なくなるので，ウェハＷの周縁が薬液３，純水５及び乾燥用処理流体に接触しやすく，効果的にエッチング，水洗，及び乾燥処理を行うことができる。また，保持溝１０とウェハＷの周縁との間，及び，支持溝２０とウェハＷの周縁との間で，薬液３，純水５及び乾燥用処理流体が流通しやすいので，保持溝１０や支持溝２０に挿入された部分を効果的にエッチング，水洗，及び乾燥処理することができる。従って，処理むらを防止でき，歩留りを向上させることができる。
【００３０】
以上，本発明の好適な実施の形態の一例を示したが，本発明はここで説明した形態に限定されない。例えば，基板は半導体ウェハに限定されず，その他のＬＣＤ基板用ガラスやＣＤ基板，プリント基板，セラミック基板などであっても良い。
【００３１】
本実施の形態では，ウェハキャリア２をエッチング液に浸漬させてウェハＷをエッチングする工程について説明したが，ウェハキャリア２は，その他の種々の処理液にウェハＷを浸漬させて行う工程に使用することができる。例えば，洗浄用の薬液，リンス液にウェハＷを順次浸漬させて行う洗浄処理工程に使用して，ウェハＷの洗浄処理を効果的に行うことができる。かかるウェハキャリア２を用いた洗浄処理工程によれば，側壁１２，１３の各保持溝１０と支持溝２０に挿入される部分の表面積が，従来のウェハキャリアで側壁の各保持溝に挿入される部分の表面積よりも少なくなるので，ウェハＷの周縁が洗浄用薬液，リンス液及び乾燥用処理流体に接触しやすく，効果的に薬液処理，リンス処理，及び乾燥処理を行うことができる。また，保持溝１０とウェハＷの周縁との間，及び，支持溝２０とウェハＷの周縁との間で，洗浄用薬液，リンス液及び乾燥用処理流体が流通しやすいので，保持溝１０や支持溝２０に挿入された部分を効果的に薬液処理，リンス処理，及び乾燥処理することができる。従って，ウェハＷを確実に洗浄でき，処理むらを防止して，歩留りを向上させることができる。
【００３２】
各支持溝２０の形状は，断面が下方から上方に向かって広がるＶ字型になるように形成することとしたが，ウェハＷが支持棒１８の上面でスライドすることを防止できる形状であれば良く，例えば，断面が一定の幅を有する矩形状であっても良い。
【００３３】
（実施例）
本発明にかかるウェハキャリア２にＧａＡｓ（ガリウム砒素）のウェハＷを収納して，エッチング処理システム１においてエッチングを行った。先ず，アンモニアと過酸化水素を含有するエッチング用の薬液３に浸漬させ，ウェハＷの表面を約１００μｍ程度エッチングした。次いで，純水５に浸漬させて水洗し，その後，速やかに乾燥させた。乾燥後，ウェハＷの外観を目視して，エッチングむらの有無を確認した。さらに，ウェハＷの中心部分と，保持溝１０に挿入されていたウェハＷの周縁部分について，ダイヤルゲージ測定機（ミツトヨ製）によって厚さをそれぞれ測定して，中心部分の厚さと周縁部分の厚さとの差（厚さむら）を計算した。このようなエッチングむらの確認と厚さむらの計測を乾燥後の５枚のウェハＷについてそれぞれ行い，厚さむらの平均値を計算した。なお，厚さむらは周縁部分の複数箇所について計測し，各ウェハＷについて計測された最大の厚さむらについて，平均値を計算した。図４は，５枚のウェハＷについて各々確認されたエッチングむらの有無と，各々計測された厚さむらの最大値と，厚さむらの最大値の平均値を示した表である。図４に示すように，５枚のウェハＷはいずれもエッチングむらが確認されず，厚さむらの平均値は約５．９μｍであり，エッチングが良好に行われたことが確認された。図５は，乾燥後に撮影したウェハＷの表面の写真である。図５から理解されるように，乾燥後のウェハＷの表面は平坦に見られ，エッチングむらは確認されなかった。
【００３４】
（比較例）
本発明にかかるウェハキャリア２を用いた処理の効果と比較するため，従来のウェハキャリアを用いて，エッチング処理システム１においてエッチングを行った。先ず，従来のウェハキャリアにＧａＡｓ（ガリウム砒素）のウェハＷを収納して，アンモニアと過酸化水素を含有するエッチング用の薬液３に浸漬させ，ウェハＷの表面を約１００μｍ程度エッチングした。次いで，純水５に浸漬させて水洗し，その後，速やかに乾燥させた。乾燥後，ウェハＷの外観を目視して，エッチングむらの有無を確認した。さらに，ウェハＷの中心部分と，保持溝に挿入されていたウェハＷの周縁部分について，ダイヤルゲージ測定機（ミツトヨ製）によって厚さをそれぞれ測定して，中心部分の厚さと周縁部分の厚さとの差（厚さむら）を計算した。このようなエッチングむらの確認と厚さむらの計測を乾燥後の５枚のウェハＷについてそれぞれ行い，厚さむらの平均値を計算した。なお，厚さむらは周縁部分の複数箇所について計測し，各ウェハＷについて計測された最大の厚さむらについて，平均値を計算した。図６は，５枚のウェハＷについて各々確認されたエッチングむらの有無と，各々計測された厚さむらの最大値と，厚さむらの最大値の平均値を示した表である。図６に示すように，５枚のウェハＷはいずれもエッチングむらが確認された。厚さむらの平均値は約１１．４μｍであり，本発明のウェハキャリア２を用いた処理の結果と比較すると，厚さむらが大きいことが理解される。図７は，乾燥後に撮影したウェハＷの表面の写真である。図７に示す乾燥後のウェハＷの表面には，丸みのある小さな凹凸が無数に見られ，オレンジピール状にエッチングむらが発生していることがわかる。即ち，従来のウェハキャリアを用いた処理ではウェハＷが十分にエッチングされないが，本発明のウェハキャリア２を用いることにより，エッチングむらを防止でき，厚さむらが大幅に改善され，ウェハＷが十分にエッチングされることが確認された。
【００３５】
【発明の効果】
本発明によれば，基板の周縁に処理液が接触しやすく基板の周縁を効果的に処理できる。また，保持溝と基板の周縁との間，及び，支持溝と基板の周縁との間で処理液が流通しやすいので，保持溝や支持溝に挿入された部分を効果的に処理できる。従って，基板の処理むらを防止でき，歩留りを向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】エッチング処理システムの構成を示す説明図である。
【図２】本実施の形態にかかるウェハキャリアの縦断面図である。
【図３】本実施の形態にかかるウェハキャリアの縦断面図である。
【図４】本発明にかかるウェハキャリアを用いてエッチング，水洗及び乾燥処理を行った５枚のウェハについて，エッチングむらの有無と，厚さむらの測定結果と，厚さむらの平均値を示した表である。
【図５】本発明にかかるウェハキャリアを用いてエッチング，水洗及び乾燥処理を行ったウェハの表面の写真である。
【図６】従来のウェハキャリアを用いてエッチング，水洗及び乾燥処理を行った５枚のウェハについて，エッチングむらの有無と，厚さむらの測定結果と，厚さむらの平均値を示した表である。
【図７】従来のウェハキャリアを用いてエッチング，水洗及び乾燥処理を行ったウェハの表面の写真である。
【符号の説明】
Ｗ      ウェハ
１      エッチング処理システム
２      ウェハキャリア
４      薬液槽
５      水洗槽
１０    保持溝
１２，１３    側壁
１８    支持棒
２０    支持溝
【図１】
2004281860.tif 000003
【図２】
2004281860.tif 000004
【図３】
2004281860.tif 000005
【図４】
2004281860.tif 000006
【図５】
2004281860.tif 000007
【図６】
2004281860.tif 000008
【図７】
2004281860.tif 000009