(57)【要約】【課題】ホルダの粗さ精度に依存することなく基板表面の平面度を向上させる。【解決手段】基板Ｐを保持して移動する保持体５を有し、基板Ｐの所定領域を処理領域に移動させて所定の処理を施す。保持体５とは独立して設けられ、ベアリング機構３５を用いて処理領域と対向する基板Ｐの裏面を支持する基板支持装置３０を備える。【選択図】　　　図４
2004087593.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を保持して移動する保持体を有し、前記基板の所定領域を処理領域に移動させて所定の処理を施すステージ装置であって、
前記保持体とは独立して設けられ、ベアリング機構を用いて前記処理領域と対向する前記基板の裏面を支持する基板支持装置を備えることを特徴とするステージ装置。
【請求項２】
請求項１記載のステージ装置において、
前記保持体は、前記基板の非処理部を保持する保持部と、前記基板の処理部分を含む位置に設けられた開口部とを有し、
前記基板支持装置は、前記開口部内に配置されることを特徴とするステージ装置。
【請求項３】
請求項２記載のステージ装置において、
前記開口部内に流体を供給する供給装置を備えることを特徴とするステージ装置。
【請求項４】
請求項３記載のステージ装置において、
前記供給装置は、前記開口部に位置する前記基板の裏面と前記基板支持装置が支持する支持面とがほぼ同じ高さになるように前記流体の圧力を調整することを特徴とするステージ装置。
【請求項５】
請求項１から４のいずれかに記載のステージ装置において、前記基板支持装置は、前記保持体の移動経路に対して、進退可能とする進退駆動部を備えることを特徴とするステージ装置。
【請求項６】
請求項１から５のいずれかに記載のステージ装置において、前記基板支持装置の前記ベアリング機構は、接触式剛体ベアリングもしくは、非接触静圧気体ベアリングであることを特徴とするステージ装置。
【請求項７】
請求項１から６のいずれかに記載のステージ装置において、前記基板支持装置は、前記基板の裏面と対向する部分が複数の部分に分割され、該複数の部分をそれぞれ独立に駆動するとともに、前記裏面と直交する方向に駆動する複数の駆動部を備えることを特徴とするステージ装置。
【請求項８】
請求項７記載のステージ装置において、
前記基板の処理部の表面形状を検出する検出部を備え、
該検出部と前記複数の駆動部とを連動させて前記基板の処理部の表面形状を所定の形状とすることを特徴とするステージ装置。
【請求項９】
移動自在な基板ステージに保持された感光基板に対して露光処理を施す露光装置であって、
前記基板ステージとして、請求項１から請求項８のいずれか１項に記載されたステージ装置が用いられることを特徴とする露光装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ガラスプレートやウエハ等の基板を保持して移動する保持体を有するステージ装置および保持された基板に対して露光処理を施す露光装置に関し、特に基板表面の平面度を向上させる際に用いて好適なステージ装置および露光装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
液晶表示デバイスやＬＳＩ等の製造に使用される投影露光装置においては、転写されるパターンの微細化に伴って高解像度化の要求が高まっている。投影露光装置に搭載されている投影光学系の解像力は、Ｒａｙｌｅｉｇｈの式で良く知られているように、Ｒ＝ｋ×λ／ＮＡの関係で表される。ここで、Ｒは投影光学系の解像力、λは露光用の光の波長、ＮＡは投影光学系の開口数、ｋはレジストの解像力の他にプロセスによって決定される定数である。
【０００３】
従来、投影光学系の解像力を向上させるには、投影光学系のＮＡを大きくする方法が採られてきたが、一方で焦点深度はＮＡ２で浅くなり、充分な焦点深度が得られなくなってきている。そのため、近年の露光装置、例えば幅０．２５μｍの回路パターンを転写できる能力を有するような装置では、焦点深度が１μｍ以下となり、パターンが転写されるガラスプレート等の基板においては、露光領域をより正確、且つ確実に投影光学系の焦点位置（焦点深度）に位置させることが求められている。
【０００４】
この種の投影露光装置では、ガラスプレートは投影光学系の光軸方向（Ｚ方向）および光軸に垂直な二方向（Ｘ、Ｙ方向）に移動可能なプレートステージ上にプレートホルダを介して載置される。そして、露光に先立ってガラスプレートをＺ方向に位置決めする際に、プレートホルダ上のガラスプレートに対して垂直ではない任意の角度をもった斜め方向から焦点検出用の検出光をショット領域（露光領域）の一点（または数点）に入射させ、ガラスプレートからの反射光を受光部となる検出器に導く、いわゆる斜入射反射型のオートフォーカス系でガラスプレート表面にフォーカスを合わせて焦点位置を検出し、投影光学系に対する光軸方向のガラスプレートの高さ（位置情報）を求めている。
【０００５】
図８に、露光装置の構造例を示す。
照明光学系からの露光光ＩＬがレチクルＲに照射され、投影光学系（投影レンズ）ＰＬを介してプレートホルダ６上部に載置されたプレートＰに照射され、プレートＰの表面にレチクルＲのパターンが露光される。プレートＰは、プレートホルダ６の内部に組み込まれた負圧吸引機構により保持されている。
【０００６】
プレートホルダ６は、ステージ５に設置されており、ステージ５がＸ、Ｙ、Ｚ方向へ移動するのに伴って移動することで、プレートＰに対する露光位置（露光領域、処理領域）を変えることが可能である。ステージ５のＸ方向およびＹ方向の位置は、レーザ干渉計等の計測装置（不図示）により管理されており、その計測値に基づいてステージ５の移動と位置決めとを行うことができる。
【０００７】
また、プレートＰのＺ方向（露光光の光軸方向）の位置は、露光面であるプレートＰの表面にフォーカスを合わせるために設けられたオートフォーカス機構により検出できる。オートフォーカス機構は、送光部９と受光部１０とから構成されており、送光部９の光源から射出されたビーム（検知光）は、プレートＰの露光面上における投影光学系ＰＬの中心軸（光軸）下部に照射される。プレートＰに照射されたビームは、プレート上面で反射され、送光部９とは光軸を挟んで反対側に配置されている受光部１０に入射する。受光部１０にはビームを受光するセンサが配設されており、ビームの強度は露光面のＺ方向の位置に応じて変動する。そのため、ビームの強度によって最適なフォーカス位置を検出することができる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述したような従来のステージ装置および露光装置には、以下のような問題が存在する。
プレートＰは、裏面側において全面的にプレートホルダ６に吸着保持されているため、プレートホルダ６の表面に凹凸があった場合には、その凹凸がプレートＰの表面にまで影響を及ぼし、露光領域内における露光面の平面度を著しく低下させる虞がある。プレートＰの平面度は、プレートＰに露光形成されたパターンの線幅誤差と密接な関係があるため、平面度の低下はパターンの線幅誤差が大きくなることを意味する。
【０００９】
また、上記の問題を解消するために、プレートホルダの表面粗さを小さくすることが考えられるが、現状の機械加工では表面粗さ精度を数μｍ程度に抑えることは可能だが、大型基板に対応するサイズのプレートホルダの全面に対して高精度に仕上げることは極めて困難であり、現状利用している機械加工の精度に限界が来ていることを認めざるを得ない。しかも、液晶表示デバイス用製造装置の将来構想においては、高解像度化がさらに進むと想定されているが、光学系の観点からも焦点深度がさらに厳しくなるため、現状のプレートホルダの精度では高解像度化に対応できないことが明らかになっている。
【００１０】
一方、プレート上に高精度にパターンを露光するために露光領域内のプレートの平面度を向上させるには、焦点深度が深い投影光学系を開発したり、露光領域を意図的に小さくして平面度の影響を極力減らす等の方法も考えられるが、前者は物理現象的に、後者はタクト的に現実的な対策とは言い難い。
【００１１】
本発明は、以上のような点を考慮してなされたもので、ホルダの粗さ精度に依存することなく基板表面の平面度を向上させることが可能なステージ装置および感光基板上に高精度にパターンを露光できる露光装置を提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために本発明は、実施の形態を示す図１ないし図６に対応付けした以下の構成を採用している。
本発明のステージ装置は、基板（Ｐ）を保持して移動する保持体（５）を有し、基板（Ｐ）の所定領域を処理領域に移動させて所定の処理を施すステージ装置であって、保持体（５）とは独立して設けられ、ベアリング機構（３５）を用いて処理領域と対向する基板（Ｐ）の裏面を支持する基板支持装置（３０）を備えることを特徴とするものである。
【００１３】
従って、本発明のステージ装置では、基板支持装置（３０）が基板（Ｐ）の処理領域の裏面を支持するので、基板（Ｐ）の全面を支持する場合に比べて表面の平面度を向上させることが可能になる。また、基板支持装置（３０）が保持体（５）とは独立して設けられているので、基板（Ｐ）上の処理領域においては、加工精度等、保持体（５）の粗さ精度に依存することなく支持されることになる。
そして、所定の処理のために保持体（５）が移動することにより、基板（Ｐ）と基板支持装置（３０）とは相対移動するが、基板支持装置（３０）がベアリング機構（３５）を用いて基板（Ｐ）を支持するので、円滑に移動することができる。
【００１４】
また、本発明の露光装置は、移動自在な基板ステージ（５）に保持された感光基板（Ｐ）に対して露光処理を施す露光装置（１）であって、基板ステージとして、請求項１から請求項８のいずれか１項に記載されたステージ装置が用いられることを特徴とするものである。
【００１５】
従って、本発明の露光装置では、露光処理が施される感光基板（Ｐ）上の領域の平面度が向上するので、高解像度化が進み焦点深度が浅くなった場合でも、パターンの線幅誤差を小さくして高精度な露光処理が可能になる。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明のステージ装置および露光装置の第１の実施形態を、図１ないし図６を参照して説明する。ここでは、本発明のステージ装置を、例えば感光基板として液晶表示パネル製造に用いられる角形のガラスプレートを用い、レチクルに形成された回路パターンをガラスプレート上に転写する露光装置に適用する場合の例を用いて説明する。また、この露光装置においては、本発明のステージ装置をガラス基板を保持して移動する基板ステージに適用するものとする。これらの図において、従来例として示した図８と同一の構成要素には同一符号を付し、その説明を省略する。
【００１７】
図１において、露光装置１は、光源からの露光光をレチクル（マスク）Ｒに照明する照明光学系２と、レチクルＲの照明領域を設定するレチクルブラインド３と、レチクルＲを保持して露光光の光軸に対して垂直な方向（Ｘ、Ｙ方向）に移動可能なレチクルステージ４と、照明されたレチクルＲのパターンをガラスプレート（基板、感光基板）Ｐ上に投影する投影光学系ＰＬと、ガラスプレートＰを保持して露光光の光軸方向に垂直な方向（Ｘ、Ｙ方向）に移動可能なプレートステージ（基板ステージ）５を有するステージ装置と、斜入射反射型のオートフォーカス機構（検出部）７とから概略構成されている。
【００１８】
レチクルステージ４は、駆動装置８の駆動により上記Ｘ、Ｙ方向に移動自在とされており、レチクルステージ４上の端縁には、直交する方向に移動鏡（不図示）がそれぞれ設置されている。各移動鏡には、レーザー干渉計（不図示）が対向して配置されている。これらレーザー干渉計が、それぞれ移動鏡にレーザー光を射出して当該移動鏡との間の距離を計測することにより、レチクルステージ４（すなわちレチクルＲ）のＸ方向およびＹ方向の位置を検出することが可能になっている。そして、駆動装置８の駆動を制御する主制御系（不図示）が、レーザ干渉計の出力によってレチクルステージ４の位置をモニターし、上記駆動装置８をサーボ制御することでレチクルステージ４（すなわちレチクルＲ）を所望の位置へ移動することができるようになっている。
【００１９】
オートフォーカス機構７は、ガラスプレートＰの表面ＰＳの法線に対して傾いた入射角で表面ＰＳの複数カ所にビーム（検知光）Ｂを照射する送光部９と、各送光部９から照射されたビームＢをそれぞれ受光する受光部１０と、これら受光部１０が受光したビーム信号を入力して演算する演算部１２とから構成されている。
【００２０】
送光部９は、ガラスプレートＰの表面ＰＳがＺ方向に関して投影光学系ＰＬの焦点位置（フォーカス位置）に位置決めされたときに、表面ＰＳの投影光学系ＰＬ直下のほぼ同一箇所にビームＢを照射するように配置されている。そして、受光部１０は、表面ＰＳが最適なフォーカス位置にある場合に、送光部９から照射されたビームＢが表面ＰＳで反射した反射光が適切に入射する位置にそれぞれ配置されている。
【００２１】
図２に送光部９および受光部１０の構造図を示す。
送光部９内には、ガラスプレートＰに塗布されたレジスト（感光剤）を感光させない波長の光（例えば赤外光）を発する光源１３と、光源１３によって照明されるスリット板１４と、このスリット板１４に紙面と垂直な方向に伸張して形成されたスリット開口を通った光を平行光束にするレンズ１５と、レンズ１５からの平行光束を反射するミラー１６と、ミラー１６からの平行光束を集光して投影光学系ＰＬの結像面Ｐ０内にスリット板１４のスリット像を結像するレンズ１７とが設けられている。なお、図２では、ガラスプレートＰの表面ＰＳと結像面Ｐ０とが一致した合焦状態を示している。
【００２２】
一方、受光部１０には、反射光ＢＳを入射するレンズ１８と、レンズ１８を通過したビームを反射するミラー１９と、レンズ１８からのビームの結像位置に設けられたスリット板２０と、そのスリット板２０に紙面と垂直な方向に延設されたスリット２０ａを通過したビームを受光して光電信号を演算部１２に出力する受光素子２１とが設けられている。
【００２３】
この図の構成において、合焦状態ではスリット板１４のスリット像はガラスプレートＰの表面ＰＳに結像し、そのプレートＰ上のスリット像はレンズ１８によって再びスリット板２０上に結像する。このとき、スリット像とスリット板２０上での中心はスリット２０ａと一致する。従って、ガラスプレートＰの表面ＰＳが投影光学系ＰＬの結像面Ｐ０からずれると、それに応じてスリット像の中心もスリット板２０のスリット２０ａに対して図中左右方向に変位する。ここで、スリット２０ａに対する変位の方向（左または右）は、ガラスプレートＰの表面ＰＳが結像面Ｐ０の上方に位置する、いわゆる前ピン状態か、またはその逆の後ピン状態を表す。
【００２４】
そして、受光素子２１においては、スリット像とスリット板２０上での中心がスリット２０ａと一致する合焦状態で最大量のビームを受光する。一方、ガラスプレートＰの表面ＰＳが投影光学系ＰＬの結像面Ｐ０からずれてスリット像の中心がスリット板２０のスリット２０ａに対して変位すると、スリット像はスリット板２０に遮光されるため、受光素子２１は光量が低下したビームを受光することになる。受光素子２１から出力されたビーム信号は、演算部１２において演算処理され主制御系に出力される。主制御系は入力した演算結果に基づいて後述する駆動部３４及びベアリング機構３５の駆動を制御する。
【００２５】
ステージ装置は、ガラスプレートＰを保持して駆動装置１１の駆動により定盤２２上を上記Ｘ、Ｙ方向に移動する保持体としてのプレートステージ５と、プレートステージ５とは独立して設けられ、ガラスプレートＰの裏面（−Ｚ側の面）を支持する支持装置（基板支持装置）３０とを有している。
【００２６】
図３（ａ）にプレートステージ５及び支持装置３０の平面図を示し、図３（ｂ）に同正面断面図を示す。プレートステージ５は、空洞の内部空間３１を有する直方体の箱状に形成されており、その上面にはガラスプレートＰの外形輪郭よりも小さく、ガラスプレートＰに対する露光処理部分を含む位置に開口部３２が形成されている。そして、開口部３２の周囲は、非露光処理部分であるガラスプレートＰの周辺部を真空吸着等により吸着保持する保持部３３とされている。なお、本実施の形態では、プレートステージ５とプレートホルダとを一体的に構成しているが、それぞれ個別に設ける構成としてもよい。
【００２７】
また、図示していないものの、プレートステージ５上の端縁には、直交する方向に移動鏡がそれぞれ設置されている。各移動鏡には、レーザー干渉計（不図示）が対向して配置されている。これらレーザー干渉計が、それぞれ移動鏡にレーザー光を射出して当該移動鏡との間の距離を計測することにより、プレートステージ５のＸ方向およびＹ方向の位置を検出することが可能になっている。そして、上述の主制御系は、レーザ干渉計の出力によってプレートステージ５（すなわち、ガラスプレートＰ）の位置をモニターし、駆動装置１１をサーボ制御することでプレートステージ５（すなわちガラスプレートＰ）を所望の位置へ移動することができるようになっている。さらに、プレートステージ５上のガラスプレートＰと干渉しない位置には、不図示のアライメントセンサによるレチクルＲのアライメント及びレチクルＲとガラスプレートＰとのアライメントの際に用いられる指標マーク（フィディシャルマーク）を有する基準部材（不図示）が設けられている。
【００２８】
支持装置３０は、投影光学系ＰＬの直下の位置に配置されており、エアシリンダ等の駆動部（進退駆動部）３４の駆動により、定盤２２内に没入する位置と、定盤２２から突出する位置との間でＺ方向に移動可能となっている。換言すると、支持装置３０は、露光処理時に定盤２２からプレートステージ５の内部空間３１（開口部３２内）に進出するとともに、非露光処理時にプレートステージ５の移動経路から退避するように、当該移動経路に対して進退可能な構成となっている。なお、支持装置３０は、露光処理（ステップ・アンド・リピート）のためにプレートステージ５がガラスプレートＰを保持して移動した場合でも内部空間３１においてプレートステージ５と接触しない大きさに設定されている。
【００２９】
また、この支持装置３０には、ガラスプレートＰにおける矩形の露光領域（処理領域）の四隅に位置させて（図３（ａ）参照）、ベアリング機構３５が設けられている。そして、上述したオートフォーカス機構７においては、送光部９から照射されたビームＢが、図４に示すように、各ベアリング機構３５の位置の上方におけるガラスプレートＰの表面で反射するよう設定されている。
【００３０】
ベアリング機構３５は、図５に示すように、露光領域と対向するガラスプレートＰの裏面を支持するものであって、ガラスプレートＰの裏面に接触状態で転動する球体３５ａを有する接触式剛体ベアリングを構成している。各ベアリング機構３５は、主制御系の制御の下、それぞれＺ方向（光軸方向）に独立して移動する構成となっている。また、このステージ装置には、内部空間３１（開口部３２内）に揚圧用のエア（流体）を供給するエア供給装置（供給装置）３６が付設されている（図３（ｂ）参照）。
【００３１】
上記の構成の露光装置においてガラスプレートＰを投影光学系ＰＬの焦点位置に位置合わせする手順を説明する。
プレートステージ５上に露光処理対象となるガラスプレートＰがロードされると、プレートステージ５の保持部３３において当該ガラスプレートＰの非露光処理部分を吸着保持する。このとき、ガラスプレートＰには、周辺部のみを支持されることで中央部分に撓みが生じる。そのため、エア供給装置によりプレートステージ５の内部空間３１に揚圧エアを供給し、ガラスプレートＰの撓みを緩和する。具体的には、このときのエアの圧力を、ほぼ重力に相当する値に調整することで、ガラスプレートＰの裏面と、四つの球体３５ａで形成されるガラスプレートＰに対する支持面とをほぼ同じ高さにすることができる。
【００３２】
次に、駆動装置１１の駆動によりプレートステージ５を移動させて、ガラスプレートＰ上のショット領域（所定領域）を露光領域に位置決め（アライメント）する。プレートステージ５の移動時、支持装置３０とガラスプレートＰとはＸＹ平面に沿って相対移動するが、ガラスプレートＰはベアリング機構３５により支持されているため、球体３５ａが裏面を転動することで円滑に位置決めされることになる。
【００３３】
なお、ガラスプレートＰの位置決めに当たっては、例えば投影光学系ＰＬの近傍に設けられたオフアクシス方式のアライメントセンサによりガラスプレートＰ上のプレートマークを計測することで、レチクルＲ（投影光学系ＰＬ）とガラスプレートＰとを位置決めするため、予めＴＴＲ（Ｔｈｒｏｕｇｈ　Ｔｈｅ　Ｒｅｔｉｃｌｅ）方式のアライメントセンサを用いてレチクルＲ上のレチクルマーク及びプレートステージ５上に設けられた基準部材の指標マークを計測して投影光学系ＰＬ（レチクルＲ）とオフアクシスのアライメントセンサとの距離、いわゆるベースラインを検出する。このベースライン計測時、指標マークを投影光学系ＰＬの直下（ＴＴＲアライメントセンサの視野）に移動させる必要があるが、支持装置３０を定盤２２から突出させた状態でプレートステージ５を移動させた場合、支持装置３０とプレートステージ５とが接触することになる。そのため、ベースライン計測等によりプレートステージ５の移動経路上に支持装置３０が位置するときには、駆動部３４の駆動により定盤２２内に没入させて、プレートステージ５の移動経路から退避させておく。そして、プレートステージ５にガラスプレートＰがロードされると支持装置３０をプレートステージ５の内部空間３１に進出させてガラスプレートＰの裏面を支持させる。
【００３４】
このように、ガラスプレートＰ上のショット領域が露光領域に位置決めされると、オートフォーカス機構７によりガラスプレートＰの表面形状を検出する。具体的には、上述した送光部９から検出用ビームＢをベアリング機構３５の上方のショット領域（露光領域）内に照射して各反射光を受光部１０で受光し、主制御系が各位置における投影光学系ＰＬの最良結像面に対する誤差（前ピン状態や後ピン状態）を演算する。そして、主制御系は、演算結果と連動させて、この誤差を補正するようにベアリング機構３５をそれぞれＺ方向に個別に移動させてガラスプレートＰ表面の平面度を調整して当該表面を最良結像面に一致させる。
【００３５】
このように、焦点方向の高さが位置決めされたガラスプレートＰに対しては、レチクルＲに形成されたパターンが投影光学系ＰＬを介して露光される。さらに、レーザ干渉計の検出結果に基づいてプレートステージ５を、ステップ・アンド・リピート方式で移動させることにより、ガラスプレートＰ上の複数のショット領域にレチクルＲのパターンがそれぞれ露光形成される。
【００３６】
このように、本実施の形態では、支持装置３０のベアリング機構３５によりガラスプレートＰのショット領域裏面を支持するので、プレートステージ５を用いてガラスプレートＰの裏面を全面に亘って支持する場合に比べて表面の平面度を容易に向上させることが可能である。そして、この支持装置３０がプレートステージ５とは独立して設けられているので、プレートステージ５の加工精度等、表面の粗さ精度（凹凸）に依存することなくガラスプレートＰのショット領域を高平面度で支持することができる。
【００３７】
また、本実施の形態では、オートフォーカス機構７の検出結果に連動させて複数のベアリング機構３５を光軸方向に独立して駆動しているので、ガラスプレートＰの表面形状に応じた細かな補正が可能となり、ガラスプレートＰの平面度をより容易に向上させることができる。特に、本実施の形態では、送光部９が照射するビームＢの位置を複数のベアリング機構３５の直上にそれぞれ設定しているので、より正確な平面度補正を実施することが可能になっている。
【００３８】
また、本実施の形態では、支持装置３０におけるガラスプレートＰの支持にベアリング機構３５を用いることで、接触状態で支持する場合でもガラスプレートＰをスムーズに移動させることができる。しかも、本実施の形態では、エア供給装置３６により内部空間３１にエアを供給して揚圧を付与しているので、ガラスプレートＰの自重による撓みを緩和することができ、ガラスプレートＰの平面度補正を容易に実施できるとともに、ベアリング機構３５の球体３５ａとガラスプレートＰとの接触圧を低減させて、球体３５ａの転動に伴って生じる塵埃等を減少させることが可能になる。
【００３９】
続いて、本発明の第２の実施形態について説明する。
図６は、本発明の第２の実施形態を示す部分断面図である。この図において、図５に示す第１の実施形態の構成要素と同一の要素については同一符号を付し、その説明を省略する。第２の実施形態と上記第１の実施形態とが異なる点は、支持装置３０の構成である。
【００４０】
図６に示すように、支持装置３０には、ガラスプレートＰを浮揚させるための揚圧ケーブル４１と、揚圧ケーブル４１に隣接配置された負圧用ケーブル４２とが対でそれぞれ複数引き込まれている。揚圧ケーブル４１は、ガラスプレートＰの裏面に向けて揚圧エアを供給するものであり、図３（ａ）に示したベアリング機構３５と同様に、ガラスプレートＰにおける矩形の露光領域内に複数配置されている。負圧用ケーブル４２は、内部空間３１に供給されたエアを吸引することで内部空間３１の圧力（内圧）を一定に保持するものである。これら揚圧ケーブル４１を用いた揚圧付与及び負圧用ケーブル４２を用いた負圧付与は主制御系により制御される。他の構成は、上記第１の実施形態と同様である。
【００４１】
上記の構成の支持装置３０によりガラスプレートＰを支持する際には、揚圧ケーブル４１から揚圧エアを供給することで、ガラスプレートＰを揚圧ケーブル４１に対して浮揚させる。また、揚圧エアの供給を継続した場合、エアの逃げ場がなく、内部空間３１の内圧が徐々に高くなってしまうため、負圧用ケーブル４２からエアを吸引することで内部空間３１の内圧を一定に保持する。これにより、揚圧ケーブル４１及び負圧用ケーブル４２は、非接触静圧気体ベアリングとして作用し、ガラスプレートＰを揚圧ケーブル４１に対して数ミクロン程度の一定のギャップを有した状態で浮揚させることができる。なお、両ケーブル４１、４２を含む支持装置３０とガラスプレートＰとが非接触状態でも、ガラスプレートＰはプレートステージ５の保持部３３に吸着保持されているため、プレートステージ５が移動する際にもガラスプレートＰを安定して保持することができる。
【００４２】
このように、本実施の形態では、上記第１の実施形態と同様の作用・効果が得られることに加えて、支持装置３０とガラスプレートＰとが非接触状態で相対移動するので、摩擦等の影響を受けることがなく、より安定したガラスプレートＰの移動が可能になる。
【００４３】
なお、上記実施の形態では、プレートステージ５の移動経路から退避させるために支持装置３０を定盤２２に没入させる構成としたが、これに限定されるものではなく、例えば支持装置３０がプレートステージ５と同期してＸＹ平面に沿って移動する構成としてもよい。
【００４４】
また、上記実施の形態では、ベアリング機構３５を露光領域内に４カ所配置する構成としたが、３カ所以下や５カ所以上配置する構成としてもよい。そして、上記実施の形態では、オートフォーカス機構７の検出結果から投影光学系ＰＬの最良結像面に対する誤差を求め、この誤差を補正するようにベアリング機構３５を駆動するものとして説明したが、例えばオートフォーカス機構７の検出結果から最小自乗平面を求め、この平面にガラスプレートＰの表面を一致させるようにベアリング機構３５を駆動するものとしてもよい。さらに、露光領域外にベアリング機構３５を配置し、露光領域内における平面度を演算しながらベアリング機構３５を駆動してもよい。この場合、ガラスプレートＰに局所的な変形が生じることを避けることができる。
【００４５】
また、上記実施の形態では、本発明のステージ装置を露光装置に適用した構成としたが、露光装置以外にも転写マスクの描画装置、マスクパターンの位置座標測定装置等の精密測定機器にも適用可能である。
【００４６】
なお、本実施の形態の基板としては、液晶表示パネル製造用のガラスプレートＰのみならず、半導体デバイス用の半導体ウエハや、薄膜磁気ヘッド用のセラミックウェハ、あるいは露光装置で用いられるマスクまたはレチクルの原版（合成石英、シリコンウェハ）等が適用される。
【００４７】
露光装置１としては、レチクルＲとガラス基板Ｐとを静止した状態でガラス基板Ｐのパターンを露光し、ガラス基板Ｐを順次ステップ移動させるステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置（ステッパー）の他に、レチクルＲとガラス基板Ｐとを同期移動してレチクルＲのパターンを走査露光するステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装置（スキャニング・ステッパー；ＵＳＰ５，４７３，４１０）にも適用することができる。
【００４８】
走査型の露光装置に本発明を適用する場合、ガラスプレートＰを同期移動させた際にショット領域が露光領域に到達する前に表面形状を検出することが望ましい。そのため、オートフォーカス機構７により、同期移動方向の露光領域の外側を計測し、計測した箇所が露光領域に達したときに、計測結果に基づいてベアリング機構を駆動すればよい。
【００４９】
露光装置１の種類としては、ガラス基板Ｐに液晶表示パネルのパターンを露光する液晶用の露光装置に限られず、半導体製造用の露光装置や、薄膜磁気ヘッド、撮像素子（ＣＣＤ）あるいはレチクルＲなどを製造するための露光装置などにも広く適用できる。
【００５０】
また、照明光学系２の光源としては、超高圧水銀ランプから発生する輝線（ｇ線（４３６ｎｍ）、ｈ線（４０４．ｎｍ）、ｉ線（３６５ｎｍ））、ＫｒＦエキシマレーザ（２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザ（１９３ｎｍ）、Ｆ２レーザ（１５７ｎｍ）、Ａｒ２レーザ（１２６ｎｍ）のみならず、電子線やイオンビームなどの荷電粒子線を用いることができる。
【００５１】
例えば、電子線を用いる場合には電子銃として、熱電子放射型のランタンヘキサボライト（ＬａＢ６）、タンタル（Ｔａ）を用いることができる。また、ＹＡＧレーザや半導体レーザ等の高調波などを用いてもよい。例えば、ＤＦＢ半導体レーザ又はファイバーレーザから発振される赤外域又は可視域の単一波長レーザを、例えばエルビウム（又はエルビウムとイットリビウムの両方）がドープされたファイバーアンプで増幅し、かつ非線形光学結晶を用いて紫外光に波長変換した高調波を露光光として用いてもよい。なお、単一波長レーザの発振波長を１．５４４〜１．５５３μｍの範囲内とすると、１９３〜１９４ｎｍの範囲内の８倍高調波、即ちＡｒＦエキシマレーザとほぼ同一波長となる紫外光が得られ、発振波長を１．５７〜１．５８μｍの範囲内とすると、１５７〜１５８ｎｍの範囲内の１０倍高調波、即ちＦ２レーザとほぼ同一波長となる紫外光が得られる。
【００５２】
また、レーザプラズマ光源、又はＳＯＲから発生する波長５〜５０ｎｍ程度の軟Ｘ線領域、例えば波長１３．４ｎｍ、又は１１．５ｎｍのＥＵＶ（Ｅｘｔｒｅｍｅ　Ｕｌｔｒａ　Ｖｉｏｌｅｔ）光を露光光として用いてもよく、ＥＵＶ露光装置では反射型レチクルが用いられ、かつ投影光学系が複数枚（例えば３〜６枚程度）の反射光学素子（ミラー）のみからなる縮小系となっている。
【００５３】
投影光学系ＰＬは、縮小系、等倍系および拡大系のいずれでもよい。また、投影光学系ＰＬは屈折系、反射系、及び反射屈折系のいずれであってもよい。なお、露光光の波長が２００ｎｍ程度以下であるときは、露光光が通過する光路を、露光光の吸収が少ない気体（窒素、ヘリウムなどの不活性ガス）でパージすることが望ましい。また電子線を用いる場合には光学系として電子レンズおよび偏向器からなる電子光学系を用いればよい。なお、電子線が通過する光路は、真空状態にすることはいうまでもない。
【００５４】
プレートステージ５やレチクルステージ４にリニアモータ（ＵＳＰ５，６２３，８５３またはＵＳＰ５，５２８，１１８参照）を用いる場合は、エアベアリングを用いたエア浮上型およびローレンツ力またはリアクタンス力を用いた磁気浮上型のどちらを用いてもよい。また、各ステージは、ガイドに沿って移動するタイプでもよく、ガイドを設けないガイドレスタイプであってもよい。
【００５５】
各ステージの駆動機構８、１１としては、二次元に磁石を配置した磁石ユニットと、二次元にコイルを配置した電機子ユニットとを対向させ電磁力により各ステージを駆動する平面モータを用いてもよい。この場合、磁石ユニットと電機子ユニットとのいずれか一方をステージ４、５に接続し、磁石ユニットと電機子ユニットとの他方をステージ４、５の移動面側に設ければよい。
【００５６】
プレートステージ５の移動により発生する反力は、投影光学系ＰＬに伝わらないように、特開平８−１６６４７５号公報（ＵＳＰ５，５２８，１１８）に記載されているように、フレーム部材を用いて機械的に床（大地）に逃がしてもよい。
レチクルステージ４の移動により発生する反力は、投影光学系ＰＬに伝わらないように、特開平８−３３０２２４号公報（ＵＳＰ　６，０２０，７１０）に記載されているように、フレーム部材を用いて機械的に床（大地）に逃がしてもよい。
【００５７】
以上のように、本願実施形態の露光装置１は、本願特許請求の範囲に挙げられた各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度およびクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。
【００５８】
液晶表示デバイスや半導体デバイス等のデバイスは、図７に示すように、液晶表示デバイス等の機能・性能設計を行うステップ２０１、この設計ステップに基づいたレチクルＲ（マスク）を製作するステップ２０２、石英等からガラスプレートＰ、またはシリコン材料からウエハを製作するステップ２０３、前述した実施の形態の露光装置１によりレチクルＲのパターンをガラスプレートＰ（またはウエハ）に露光するステップ２０４、液晶表示デバイス等を組み立てるステップ（ウエハの場合、ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程を含む）２０５、検査ステップ２０６等を経て製造される。
【００５９】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明では、ホルダ等の表面の粗さ精度に依存することなく、基板表面の平面度を向上させることができる。また、本発明では、基板の撓みを緩和させつつ、支持装置と基板とをスムーズに相対移動させることが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態を示す図であって、支持装置を備えた露光装置の概略構成図である。
【図２】オートフォーカス機構を構成する送光部および受光部の構成図である。
【図３】露光装置を構成するプレートステージの（ａ）は平面図、（ｂ）は正面断面図である。
【図４】オートフォーカス機構によるビームの進行経路を示す図である。
【図５】ガラスプレートの裏面を支持する接触式ベアリング機構の詳細図である。
【図６】本発明の第２の実施形態を示す図であって、ガラスプレートの裏面を支持する非接触式ベアリング機構の詳細図である。
【図７】液晶表示パネルの製造工程の一例を示すフローチャート図である。
【図８】従来の露光装置の構造例を示す概略構成図である。
【符号の説明】
Ｐ　ガラスプレート（感光基板、基板）
Ｒ　レチクル（マスク）
１　露光装置
５　プレートステージ（基板ステージ、保持体）
７　オートフォーカス機構（検出部）
３０　支持装置（基板支持装置）
３２　開口部
３３　保持部
３４　駆動部（進退駆動部）
３５　ベアリング機構（接触式剛体ベアリング）
３６　エア供給装置（供給装置）
【図１】
2004087593.tif 000003
【図２】
2004087593.tif 000004
【図３】
2004087593.tif 000005
【図４】
2004087593.tif 000006
【図５】
2004087593.tif 000007
【図６】
2004087593.tif 000008
【図７】
2004087593.tif 000009
【図８】
2004087593.tif 000010