(57)【要約】【課題】温度特性３ｐｍ／℃以下の温度特性を実現するソリッドエタロンフィルタを提供することを目的とする。【解決手段】ＬｉＴａＯ３ソリッドエタロンフィルタ４は、基板の材料としてＬｉＴａＯ３を使用し、所定の板厚に加工したＬｉＴａＯ３基板５の入出射面に透明導電性膜６を成膜した後、透明導電性膜６の表面に反射膜７を成膜しており、更に、ＬｉＴａＯ３基板５の周囲側面には導電性膜８を成膜している。ＬｉＴａＯ３基板の入出射面に電荷が発生することを防止するため、本実施例においては、所定の板厚に加工されたＬｉＴａＯ３基板の表面に導電性膜を施し、その導電性膜を電気的に接地したたことが特徴である。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
結晶軸Ｚ軸を法線とする面を主表面とするタンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ３）基板の両主表面に反射膜が成膜されていることを特徴とするソリッドエタロンフィルタ。
【請求項２】
結晶軸Ｚ軸を法線とする面を主表面とするタンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ３）基板の両主表面に導電性膜と反射膜とが成膜されていることを特徴とするソリッドエタロンフィルタ。
【請求項３】
前記導電性膜はフィルタとして通過させようとする波長の光について光透過性を有していることを特徴とする請求項２に記載のソリッドエタロンフィルタ。
【請求項４】
結晶軸Ｚ軸を法線とする面を主表面とするタンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ３）基板の両主表面中央の所望の領域以外に反射膜が成膜されていることを特徴とするソリッドエタロンフィルタ。
【請求項５】
前記タンタル酸リチウム基板の両主表面以外の面にも導電性膜が成膜されていることを特徴とする請求項２、３又は４に記載のソリッドエタロンフィルタ。
【請求項６】
前記導電性膜がＩＴＯ（インジウム・ティン・オキサイド）膜、酸化錫（ＳｎＯ）膜あるいは酸化亜鉛アルミ（ＺｎＯＡｌ）膜の何れかであることを特徴とする請求項２乃至５の何れかに記載のソリッドエタロンフィルタ。
【請求項７】
前記導電性膜が電気的に接地されていることを特徴とする請求項２乃至６の何れかに記載のソリッドエタロンフィルタ。
【請求項８】
前記反射膜が導電性を有しており、電気的に接地されていることを特徴とする請求項１に記載のソリッドエタロンフィルタ。
【請求項９】
結晶軸Ｚ軸を法線とする面を主表面とするタンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ３）基板の両主表面に表面抵抗値が１×１０６（Ω／ｃｍ２）以下の材料であって、通過させようとする波長の光について光透過性を有している光学薄膜が成膜されていることを特徴とするソリッドエタロンフィルタ。
【請求項１０】
前記タンタル酸リチウム基板の両主表面以外の面にも導電性膜が成膜されていることを特徴とする請求項９に記載のソリッドエタロンフィルタ。
【請求項１１】
前記導電性膜が電気的に接地されていることを特徴とする請求項９又は１０の何れかに記載のソリッドエタロンフィルタ。
【請求項１２】
結晶軸Ｚ軸を法線とする面を主表面とするタンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ３）基板の両主表面及び周囲側面に導電性のストリップラインが形成され互いに電気的に接続されていることを特徴とするソリッドエタロンフィルタ。
【請求項１３】
前記両主表面の中央領域の表面抵抗値が見かけ上１×１０６（Ω／ｃｍ２）以下となるようストリップラインを形成したことを特徴とする請求項１２記載のソリッドエタロンフィルタ。
【請求項１４】
前記入出射面にフィルタとして通過させようとする波長の光について光透過性を有する光学薄膜を形成したことを特徴とする請求項１２又は１３記載のソリッドエタロンフィルタ。
【請求項１５】
前記ストリップラインが電気的に接地されていることを特徴とする請求項１２乃至１４の何れかに記載のソリッドエタロンフィルタ。
【請求項１６】
結晶軸Ｚ軸を法線とする面を主表面とし且つ該両主表面に反射膜が成膜されたタンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ３）基板を金属枠で囲んでなることを特徴とするソリッドエタロンフィルタ。
【請求項１７】
前記金属枠が電気的に接地されていることを特徴とする請求項１６の何れかに記載のソリッドエタロンフィルタ。
【請求項１８】
結晶軸Ｚ軸を法線とする面を主表面とするタンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ３）基板の両主表面に表面抵抗値が１×１０６（Ω／ｃｍ２）以下の材料であって、通過させようとする波長の光について光透過性を有している光学薄膜を形成する工程と、
周囲側面に導電性膜を形成する工程とからなることを特徴とするソリッドエタロンフィルタの製造方法。
【請求項１９】
結晶軸Ｚ軸を法線とする面を主表面とするタンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ３）基板の両主表面に表面抵抗値が１×１０６（Ω／ｃｍ２）以下の材料を用いて第１のストリップラインを形成する工程と、
前記第１のストリップラインと電気的に接続するよう周囲側面に導電性の第２のストリップラインを形成する工程とからなることを特徴とするソリッドエタロンフィルタの製造方法。
【請求項２０】
前記タンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ３）基板の両主表面の端縁部が面取り加工されていることを特徴とする請求項１８又は１９の何れかに記載ソリッドエタロンフィルタの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はソリッドエタロンフィルタに関し、特に基板材料としてＬｉＴａＯ３（タンタル酸リチウム）を用い、温度特性に改良を加えたソリッドエタロンフィルタに関する。
【０００２】
【従来の技術】
インターネットの急激な普及に伴い、画像等の大容量データの転送が頻繁に行われるようになってきた。そのため、伝送路の大容量化が急務となり、既存の一本の光ファイバーケーブルに多数の波長の光信号を多重して伝送する高密度波長多重（以降、ＤＷＤＭと称す）方式による通信が実用化され、年々、その高密度化が図られている。一本の光ファイバーに多数の波長の光信号を多重するためには、レーザ光を一定の波長に保つことが必要で、その光源となる半導体レーザダイオードは、高い精度で安定に動作することが求められる。半導体レーザダイオードは、温度等の要因により光の波長が変化する性質を持っているため、エタロンフィルタを用いてレーザ光の波長の変動を検出し、半導体レーザダイオードの光の波長を一定に保つようフィードバック制御している。
【０００３】
エタロンフィルタは、入射した光の透過率が通過する光の波長に対して周期的に変化するものであり、エタロンフィルタを構成する手段であるソリッドエタロンフィルタは、石英、或いは水晶等の基板を所定の板厚に加工した後、光の入出射面に反射膜を施したものである。
ソリッドエタロンフィルタの透過特性は、基板の厚みとその平行度とにより決定される光学的特性に大きく左右され、基板を加工する際は、平行度を保持しながら板厚を厳密に制御することが求められる。
【０００４】
図６は、例えば、特開平６−２０８０２２号公報等で公知となっている従来のソリッドエタロンフィルタの構造を示す図である。図６に示すように、ソリッドエタロンフィルタ１は、石英、或いは水晶等を所定の板厚に加工した基板２の両主表面を鏡面状に研磨加工し誘電体等からなる反射膜３を施して光の入出射面としたものである。
【０００５】
図７は、ソリッドエタロンフィルタの波長選択特性の一例である。ソリッドエタロンフィルタの波長選択特性は、横軸に波長、縦軸に光の出力強度を割り当て、波長λの光信号を入力した際の出力強度を示すものである。
ソリッドエタロンフィルタの中心波長λｋは、ｎを基板の屈折率、Ｌを基板の板厚、θを光の入射角、ｋを任意の整数とすると式（１）のように示され、
λｋ＝２ｎＬｃｏｓθ／ｋ    ・・・（１）
ソリッドエタロンフィルタの温度特性を安定にするためには、周囲温度が変動した際に、基板の板厚の変化の少ない材料を選択することが望ましい。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
従来、ソリッドエタロンフィルタの基板材料としては、石英、或いは水晶が使用されているが、これらの温度特性は、石英であれば約１０ｐｍ／℃、水晶であれば約５．３ｐｍ／℃の温度変動を有しており、ＤＷＤＭ通信に代表される半導体レーザモジュール等に内蔵されるソリッドエタロンフィルタに求められている温度特性には対応が困難となっている。一般的に、近年のＤＷＤＭ通信に代表される半導体レーザモジュール等に内蔵されるソリッドエタロンフィルタに要求される温度特性は、３ｐｍ／℃程度である。
そこで本発明は、上述したような問題を解決するためになされたものであって、ＤＷＤＭ通信に代表される半導体レーザモジュール等に内蔵可能とするように、温度特性３ｐｍ／℃以下の温度特性を実現するソリッドエタロンフィルタを提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために本発明に係わるソリッドエタロンフィルタは、以下の構成をとる。
請求項１記載の発明は、結晶軸Ｚ軸を法線とする面を主表面とするタンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ３）基板の両主表面に反射膜が成膜されていることを特徴としている。
【０００８】
請求項２記載の発明は、結晶軸Ｚ軸を法線とする面を主表面とするタンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ３）基板の両主表面に導電性膜と反射膜とが成膜されていることを特徴としている。
【０００９】
請求項３記載の発明は、請求項２において、前記導電性膜は通過させる波長の光について光透過性を有していることを特徴としている。
【００１０】
請求項４記載の発明は、結晶軸Ｚ軸を法線とする面を主表面とするタンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ３）基板の両主表面中央の所望の領域以外に反射膜が成膜されていることを特徴としている。。
【００１１】
請求項５記載の発明は、請求項２、３又は４において、前記タンタル酸リチウム基板の両主表面以外の面にも導電性膜が成膜されていることを特徴としている。
【００１２】
請求項６記載の発明は、請求項２乃至５の何れかにおいて、前記導電性膜がＩＴＯ（インジウム・ティン・オキサイド）膜、酸化錫（ＳｎＯ）膜あるいは酸化亜鉛アルミ（ＺｎＯＡｌ）膜の何れかであることを特徴としている。
【００１３】
請求項７記載の発明は、請求項２乃至６の何れかにおいて、前記導電性膜が電気的に接地されていることを特徴としている。
【００１４】
請求項８記載の発明は、請求項１において、前記反射膜が導電性を有しており、電気的に接地されていることを特徴としている。
【００１５】
請求項９記載の発明は、結晶軸Ｚ軸を法線とする面を主表面とするタンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ３）基板の両主表面に表面抵抗値が１×１０６（Ω／ｃｍ２）以下の材料であって、通過させようとする波長の光について光透過性を有している光学薄膜が成膜されていることを特徴としている。
【００１６】
請求項１０記載の発明は、請求項９において、前記タンタル酸リチウム基板の両主表面以外の面にも導電性膜が成膜されていることを特徴としている。
【００１７】
請求項１１記載の発明は、請求項９又は１０の何れかにおいて、前記導電性膜が電気的に接地されていることを特徴としている。
【００１８】
請求項１２記載の発明は、結晶軸Ｚ軸を法線とする面を主表面とするタンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ３）基板の両主表面及び周囲側面に導電性のストリップラインが形成され互いに電気的に接続されていることを特徴としている。
【００１９】
請求項１３記載の発明は、請求項１２において、前記両主表面上のストリップラインの表面抵抗値が１×１０６（Ω／ｃｍ２）以下の材料からなることを特徴としている。
【００２０】
請求項１４記載の発明は、請求項１２又は１３において、前記入出射面にフィルタとして通過させようとする波長の光について光透過性を有する光学薄膜を形成したことを特徴としている。
【００２１】
請求項１５記載の発明は、請求項１２乃至１４の何れかにおいて、前記ストリップラインが電気的に接地されていることを特徴としている。
【００２２】
請求項１６記載の発明は、結晶軸Ｚ軸を法線とする面を主表面とし且つ該両主表面に反射膜が成膜されたタンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ３）基板を金属枠で囲んでなることを特徴としている。
【００２３】
請求項１７記載の発明は、請求項１６において、前記金属枠が電気的に接地されていることを特徴としている。
【００２４】
請求項１８記載の発明は、結晶軸Ｚ軸を法線とする面を主表面とするタンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ３）基板の両主表面に表面抵抗値が１×１０６（Ω／ｃｍ２）以下の材料であって、通過させようとする波長の光について光透過性を有している光学薄膜を形成する工程と、周囲側面に導電性膜を形成する工程とからなることを特徴としている。
【００２５】
請求項１９記載の発明は、結晶軸Ｚ軸を法線とする面を主表面とするタンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ３）基板の両主表面に表面抵抗値が１×１０６（Ω／ｃｍ２）以下の材料を用いて第１のストリップラインを形成する工程と、前記第１のストリップラインと電気的に接続するよう周囲側面に導電性の第２のストリップラインを形成する工程とからなることを特徴としている。
【００２６】
請求項２０記載の発明は、請求項１８又は１９の何れかにおいて、前記タンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ３）基板の両主表面の端縁部が面取り加工されていることを特徴としている。
【００２７】
【発明の実施の形態】
以下、図示した実施例に基づいて本発明を詳細に説明する。
本実施例においては、ソリッドエタロンフィルタを構成する基板材料として、ＬｉＴａＯ３（タンタル酸リチウム）を使用した。本願発明者らは、温度特性の優れたの優れたエタロンフィルタを実現するために種々の基板材料を用いて実験・評価を行った結果、ＬｉＴａＯ３が、従来から使用されている石英の約４倍、水晶の約２倍程度の温度特性の改善が見込まれる材料であることを見出した。
殊に、ＬｉＴａＯ３のＺ軸方向を法線とする面、所謂Ｚ面を主表面とする基板を用いて温度特性の優れたエタロンフィルタを実現した。
【００２８】
図１は、本発明に係るＬｉＴａＯ３ソリッドエタロンフィルタの第一の実施例を示す図であり、図１（ａ）は、構造図を示し、図１（ｂ）は、使用方法を示す。ソリッドエタロンフィルタ４は、基板の材料としてＬｉＴａＯ３を使用し、所定の板厚に加工したＬｉＴａＯ３基板５の両主表面を鏡面状に研磨加工し、その表面に透明導電性膜６を成膜した後、透明導電性膜６の表面に反射膜７を成膜して入出射面としたものであり、更に、ＬｉＴａＯ３基板５の周囲側面には導電性膜８を成膜している。
【００２９】
ＬｉＴａＯ３基板のような強誘電体は、周囲温度が変化すると焦電効果現象が生じ、ＬｉＴａＯ３基板の入出射面に電荷が発生して結晶が分極する。このように、ＬｉＴａＯ３基板の入出射面に電荷が発生して分極すると、ソリッドエタロンフィルタの比誘電率が変化することにより屈折率の変化を招き、ソリッドエタロンフィルタの透過特性が温度変動により劣化することとなる。比誘電率εｒと屈折率ｎの関係は、
（μｒ×εｒ）１／２＝ｎ
で表され、このとき比透磁率μｒは、
μｒ＝１
であるので、
（εｒ）１／２＝ｎ
と表すことができる。
【００３０】
そこで、本願発明者らは、ＬｉＴａＯ３基板の入出射面に電荷が発生することを防止するため、本実施例においては、所定の板厚に加工されたＬｉＴａＯ３基板の表面に導電性膜を施し、その導電性膜を電気的に接地すれば焦電効果を防止することができることに思い至った。
更に、従来から用いられてきた石英や水晶とＬｉＴａＯ３の屈折率を比較すると、石英が１．４、水晶が１．６、ＬｉＴａＯ３が２．１であることに着目すると、光の移動距離ｓと屈折率ｎ及びエタロンフィルタの厚みｄの関係式
ｎ×ｄ＝ｓ（一定）
からＬｉＴａＯ３基板を用いたエタロンフィルタが従来から用いられてきた石英や水晶と比べて、薄型化でき従来比で約３割小型化することが可能である。
【００３１】
導電性膜は、ＬｉＴａＯ３基板の入出射面においては、レーザ光の透過を妨げないように透明導電性材料を、蒸着、スパッタ、或いはメッキ等の手段を用いて成膜する。透明導電性材料としては、ＩＴＯ（インジュウム・ティン・オキサイド）膜、酸化錫膜（ＳｎＯ）、或いは酸化亜鉛・アルミ（ＺｎＯ（Ａｌ））膜等を用いることが出来る。尚、レーザ光の波長域によっては、導電性膜として透明導電性材料を使用しなくても良く、フィルタとして通過させようとするレーザ光の波長に対して透過特性を有する材料であれば使用可能である。
【００３２】
一方、ＬｉＴａＯ３基板の周囲側面には、導電性材料としてＬｉＴａＯ３基板より熱伝導率の良いものを成膜し、周囲温度変動によりＬｉＴａＯ３基板に加わる歪みを防止するようにする。従って、ＬｉＴａＯ３基板に導電性材料を成膜することにより、周囲温度が急激に変化することに起因した焦電効果がもたらす基板割れ等の現象を防止することも可能となる。
【００３３】
次に、ソリッドエタロンフィルタの具体的な性能について説明する。前述したように基板材料としてＬｉＴａＯ３を使用したソリッドエタロンフィルタは、周囲温度が変化すると焦電効果現象が生じ、比誘電率が変化することにより屈折率の変化を招き、ソリッドエタロンフィルタの透過特性が温度変動により劣化することとなる。又、焦電効果による分極は、周囲温度が変化した際に、透過特性の変化においてヒステリシス曲線の再現性などに問題を生じていた。
【００３４】
図２は、ソリッドエタロンフィルタについて、基板表面に導電性膜を成膜しない場合の温度特性のグラフを示す。図２は、横軸に周囲温度（℃）を、縦軸に波長シフト（ｐｍ）を夫々目盛り、周囲温度を変化させた時に変化する波長のシフト幅を示したものである。図２に示す如く、温度特性は、温度を変化させた際のシフト特性が所定のヒステリシス曲線を描くと共に、同一試料の温度特性を繰り返し測定した際にデータ値が毎回異なり、温度特性の再現性に問題があった。
そこで、本願発明者らは、前述したようにＬｉＴａＯ３基板に導電性材料を成膜し、ＬｉＴａＯ３ソリッドエタロンフィルタを電気的に接地すれば温度特性の安定化を図れるのではないかと考えた。
【００３５】
図３は、ＬｉＴａＯ３ソリッドエタロンフィルタについて、基板表面に導電性膜を成膜した場合の温度特性のグラフを示す。図３は、横軸に周囲温度（℃）を、縦軸に波長シフト（ｐｍ）を夫々目盛り、周囲温度を変化させた時に変化する波長のシフト幅を示したものである。図３に示す如く、本温度特性は、温度を変化させた際にシフト特性が描くヒステリシス曲線の幅は、殆ど無視できる値まで低減された。又、同一試料の温度特性を繰り返し測定した際のデータ値には、再現性が認められ、安定した温度特性が得られた。
次に、本実施例におけるソリッドエタロンフィルタについて、その変形例を示す。
【００３６】
図４は、本発明に係るソリッドエタロンフィルタの第二の実施例を示す。ソリッドエタロンフィルタ９は、所定の板厚に加工したＬｉＴａＯ３基板５の入出射面に反射膜７を成膜した後、反射膜７の表面に透明導電性膜６を成膜し、更に、ＬｉＴａＯ３基板５の周囲側面には導電性膜８を成膜したものである。第二の実施例は、ＬｉＴａＯ３基板５の入出射面に成膜する透明導電性膜６を反射膜７の表面に成膜したことが第一の実施例と異なり、第二の実施例においても、第一の実施例と同様、ソリッドエタロンフィルタ９の安定した温度特性を得ることが可能となる。
【００３７】
図５は、本発明に係るソリッドエタロンフィルタの第三の実施例を示す。ソリッドエタロンフィルタ１０は、所定の板厚に加工したＬｉＴａＯ３基板５の入出射面に導電性の反射膜１１を成膜した後、ＬｉＴａＯ３基板５の周囲側面には導電性膜８を成膜したものである。第三の実施例は、ＬｉＴａＯ３基板５の入出射面に成膜する反射膜１１を導電性にしたことで、透明導電性膜の成膜を省略可能としたことが第一の実施例と異なり、第三の実施例においても、第一の実施例と同様、ソリッドエタロンフィルタ１０の安定した温度特性を得ることができる。
【００３８】
図８は、本発明に係るソリッドエタロンフィルタの第四の実施例を示す。ソリッドエタロンフィルタ１２は、所定の板厚に加工したＬｉＴａＯ３基板５の入出射面及び周囲側面に導電性膜１３を蒸着、スパッタ、或いはメッキ等の手段を用いて成膜した後、入出射面の光が透過する所望の領域においてフォトリソグラフィ技法とエッチング工法を用いて前記導電膜１３を除去しＬｉＴａＯ３基板面１４を露出したものである。第四の実施例は、ＬｉＴａＯ３基板５の入出射面及び周囲側面に成膜する導電性膜を一括処理し、入出射面の光の透過領域の導電性膜のみを除去したことで、生産性を向上させ製造コストを安価にしたことを特徴としている。
【００３９】
尚、入出射面の光の透過領域のみＬｉＴａＯ３基板面１４を露出させるためにフォトリソグラフィ技法とエッチング工法を用いたが、本発明はこれに限定されず、マスク蒸着等を用いてＬｉＴａＯ３基板５の入出射面及び周囲側面に成膜する導電性膜を一括処理する際に、光の透過領域１４のみをマスクすることによって導電性膜を成膜することなく基板面１４を露出させつつ入出射面及び周囲側面に導電性膜を一括成膜することも可能である。
【００４０】
図９は、本発明に係るソリッドエタロンフィルタの第５の実施例を示す。ソリッドエタロンフィルタ１５は、所定の板厚に加工したＬｉＴａＯ３基板５の入出射面に光を透過させる光学薄膜１６を、周囲側面に導電性膜１３を蒸着、スパッタ、或いはメッキ等の手段を用いて成膜したものである。
【００４１】
先に本願発明者らは、基板表面に導電性膜を形成ることによって、図３に示す如く温度特性においてヒステリシス曲線の幅を低減させ再現性が認められる安定した温度特性を有するソリッドエタロンフィルタを提案しているが、シミュレーション及び実験を繰り返した結果、Ｚ面、即ち入出射面に成膜する光学薄膜の材料の表面抵抗値を、１×１０６（Ω／ｃｍ２）以下にすると焦電効果に伴う温度特性のヒステリシス曲線の幅を極めて極限せしめることが可能であることを発見した。
【００４２】
図１０は、表面抵抗値が１×１０５（Ω／ｃｍ２）の光学薄膜を入出射面に成膜したソリッドエタロンフィルタ１５について実験を行った時に得られた温度特性を示す図である。図３に比べて、さらに極めて安定した温度特性であることが確認できる。このようにして、ＬｉＴａＯ３基板を用いたソリッドエタロンフィルタを透過させんとする波長の光を通過させる材料であって、表面抵抗値が前述した１×１０６（Ω／ｃｍ２）以下であれば、どのような材料であっても極めて安定したソリッドエタロンフィルタを実現できることに想到した。
【００４３】
尚、表面抵抗値が１×１０５（Ω／ｃｍ２）以下を満足する材料としては、例えば、Ｓｉ、Ｇｅがありこれらをドーピング処理することにより抵抗値が低下し、表面抵抗値が１×１０５（Ω／ｃｍ２）以下となる。
【００４４】
図１１は、本発明に係るソリッドエタロンフィルタの製造方法を示す図である。図１１（ａ）は、ＬｉＴａＯ３基板５の入出射面（Ｚ面）に導電性薄膜（光学薄膜）１７を形成した図であり、図１１（ｂ）は、ＬｉＴａＯ３基板５の周囲側面に導電性膜１８を形成した図を示し、図１１（ｃ）は、入出射面に形成した導電性薄膜（光学薄膜）１７と周囲側面に形成した導電性膜１８とを確実に電気的接続するためにＬｉＴａＯ３基板５の各辺１９に導電性膜に形成することを示した図である。
【００４５】
尚、図１１（ｃ）に示す如く各辺１９に導電性膜を形成することによる煩雑さを解消する１つの手段として、図１２に示すようにＬｉＴａＯ３基板５の入出射面の端縁に面取り加工２０を施しておけば、入出射面に導電性薄膜（光学薄膜）を形成し周囲側面に導電性膜を形成した時点で確実に電気的接続することができ、図１１（ｃ）に示すような各辺に導電性膜を形成する煩雑な作業を省くことができる。
【００４６】
図１３は、本発明に係るソリッドエタロンフィルタの第６の実施例を示す。ソリッドエタロンフィルタ２１は、ＬｉＴａＯ３基板５の入出射面及び周囲側面にストリップライン状の導電性膜２２を形成することにより、焦電効果による温度特性のヒステリシスの再現性劣化を防止している。
この場合、前述したように入出射面に該入出射面の中央の領域を囲むように格子状にストリップライン２３を形成することによって、見かけ上、入出射面のストリップライン２３で囲まれた中央領域の表面抵抗値が１×１０５（Ω／ｃｍ２）以下となるように設定した。
【００４７】
図１４は、本発明に係るソリッドエタロンフィルタの第７の実施例を示す。ソリッドエタロンフィルタ２４は、先ずＬｉＴａＯ３基板５の入出射面にフィルタとして通過させようとする波長の光について光透過性を有している光学薄膜２５を形成した後、入出射面及び周囲側面にストリップライン状の導電性膜２２、２３を形成することにより、焦電効果による温度特性のヒステリシスの再現性劣化を防止したものである。
この場合、前述したように入出射面に該入出射面の中央の領域を囲むように格子状にストリップライン２３を形成することによって、見かけ上、入出射面のストリップライン２３で囲まれた中央領域の表面抵抗値が１×１０５（Ω／ｃｍ２）以下となるように設定した。よって、温度特性のヒステリシス再現性の極めて良好なソリッドエタロンフィルタを提供することを可能とした。
【００４８】
図１５は、本発明に係るソリッドエタロンフィルタの第８の実施例を示す。ソリッドエタロンフィルタ２６は、先ずＬｉＴａＯ３基板５の入出射面にフィルタとして通過させようとする波長の光について光透過性を有し、且つ導電性を有する光学薄膜２５を形成したソリッドエタロンフィルタ素子２７を、金属ホルダー２９の中央の空間に装入したものである。本実施例の場合、前記金属ホルダーとソリッドエタロンフィルタ素子２７の入出射面に形成した光学薄膜と電気的に接っしているのでソリッドエタロンフィルタ素子２７の周囲側面に導電性膜を形成する必要がない。よって、本実施例においても焦電効果による温度特性のヒステリシスの再現性劣化を防止することが可能である。
尚、入出射面に形成する光学薄膜は表面抵抗値が１×１０５（Ω／ｃｍ２）以下となるような材料を用いることにより、更に温度特性のヒステリシス再現性において極めて良好なソリッドエタロンフィルタを提供することが可能となる。
【００４９】
【発明の効果】
上述したように請求項１乃至６記載の発明は、ソリッドエタロンフィルタの基板材料としてＬｉＴａＯ３を使用したため、ソリッドエタロンフィルタの温度特性が向上し、ソリッドエタロンフィルタを使用する上で著しい効果を発揮する。
【００５０】
請求項７記載の発明は、ソリッドエタロンフィルタの基板の全表面を導電性材料で被うと共に、電気的に接地したため、ソリッドエタロンフィルタの温度特性を安定化させ、ソリッドエタロンフィルタを使用する上で著しい効果を発揮する。
【００５１】
請求項８記載の発明は、反射膜を導電性膜としたため、導電性膜単体の成膜が不用となると共に、電気的に接地したため、ソリッドエタロンフィルタの製造コストを低減する上で著しい効果を発揮する。
【００５２】
請求項９及び１０記載の発明は、ソリッドエタロンフィルタの基板材料としてＬｉＴａＯ３を使用したため、ソリッドエタロンフィルタの温度特性が極めて向上し、ソリッドエタロンフィルタを使用する上で更に著しい効果を発揮する。
【００５３】
請求項１１記載の発明は、ソリッドエタロンフィルタの基板の全表面を導電性材料で被うと共に、電気的に接地したため、ソリッドエタロンフィルタの温度特性を安定化させ、ソリッドエタロンフィルタを使用する上で極めて著しい効果を発揮する。
【００５４】
請求項１２記載の発明は、ソリッドエタロンフィルタの基板材料としてＬｉＴａＯ３を使用すると共に、両主面と周囲側面に導電性のストリップラインを形成したことにより、ソリッドエタロンフィルタの温度特性が向上し、ソリッドエタロンフィルタを使用する上で著しい効果を発揮する。
【００５５】
請求項１３及び１４記載の発明は、前記両主面上のストリップラインの表面抵抗値を１×１０６（Ω／ｃｍ２）以下の材料としたため、ソリッドエタロンフィルタの温度特性を安定化させ、ソリッドエタロンフィルタを使用する上で極めて著しい効果を発揮する。
【００５６】
請求項１５記載の発明は、前記ストリップラインを電気的に接地したため、ソリッドエタロンフィルタの温度特性を更に安定化させ、ソリッドエタロンフィルタを使用する上で極めて著しい効果を発揮する。
【００５７】
請求項１乃至１４の発明は、ソリッドエタロンフィルタにＬｉＴａＯ３基板を用いたので、石英や水晶からなるソリッドエタロンフィルタよりも約３割薄型化できるという優れた効果を奏する。
【００５８】
請求項１６記載の発明は、基板材料としてＬｉＴａＯ３を使用し、両主表面に導電性の光学薄膜を形成したソリッドエタロンフィルタを金属枠で囲むことにより、ソリッドエタロンフィルタの温度特性が更に向上し、ソリッドエタロンフィルタを使用する上で著しい効果を発揮する。
【００５９】
請求項１７記載の発明は、前記金属枠を電気的に接地したため、ソリッドエタロンフィルタの温度特性を更に安定化させ、ソリッドエタロンフィルタを使用する上で極めて著しい効果を発揮する。
【００６０】
請求項１８記載の発明は、結晶軸Ｚ軸を法線とする面を主表面とするタンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ３）基板の両主表面に表面抵抗値が１×１０６（Ω／ｃｍ２）以下の材料であって、通過させようとする波長の光について光透過性を有している光学薄膜を形成し、周囲側面に導電性膜を形成したので、温度特性が極めて安定化したソリッドエタロンフィルタを提供できると共に、ソリッドエタロンフィルタ製造コストを低減する上で著しい効果を奏する。
【００６１】
請求項１９記載の発明は、結晶軸Ｚ軸を法線とする面を主表面とするタンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ３）基板の両主表面に表面抵抗値が１×１０６（Ω／ｃｍ２）以下の材料からなる第１のストリップラインを形成し、前記第１のストリップラインと電気的に接続するように周囲側面にストリップラインを形成したので、温度特性が極めて安定化したソリッドエタロンフィルタを提供できると共に、ソリッドエタロンフィルタ製造コストを低減する上で著しい効果を奏する。
【００６２】
請求項２０記載の発明は、請求項１８又は１９の何れかにおいて、前記タンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ３）基板の両主表面の端縁部が面取り加工されているので、入出射面の光学薄膜又は第１のストリップラインと、周囲側面の導電膜又は第２のストリップラインとを電気的に断線させること無く接続させることができるので、ソリッドエタロンフィルタ製造コストを低減する上で極めて著しい効果を奏するものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係るソリッドエタロンフィルタの第一の実施例を示す。
【図２】ソリッドエタロンフィルタについて、基板表面に導電性膜を成膜しない場合の温度特性のグラフを示す。
【図３】ソリッドエタロンフィルタについて、基板表面に導電性膜を成膜した場合の温度特性のグラフを示す。
【図４】本発明に係るソリッドエタロンフィルタの第二の実施例を示す。
【図５】本発明に係るソリッドエタロンフィルタの第三の実施例を示す。
【図６】従来のソリッドエタロンフィルタの構造を示す図である。
【図７】ソリッドエタロンフィルタの波長選択特性の一例である。
【図８】本発明に係るソリッドエタロンフィルタの第四の実施例を示す。
【図９】本発明に係るソリッドエタロンフィルタの第五の実施例を示す。
【図１０】ソリッドエタロンフィルタの波長選択特性の一例である
【図１１】本発明に係るソリッドエタロンフィルタの製造方法を示す。
【図１２】本発明に係るソリッドエタロンフィルタに用いるＬｉＴａＯ３基板の一例を示す。
【図１３】本発明に係るソリッドエタロンフィルタの第六の実施例を示す。
【図１４】本発明に係るソリッドエタロンフィルタの第七の実施例を示す。
【図１５】本発明に係るソリッドエタロンフィルタの第八の実施例を示す。
【符号の説明】
１・・ソリッドエタロンフィルタ、  ２・・基板、
３・・反射膜、
４・・ソリッドエタロンフィルタ、
５・・ＬｉＴａＯ３基板、          ６・・透明導電性膜、
７・・反射膜、                    ８・・導電性膜、
９・・ソリッドエタロンフィルタ、
１０・・ソリッドエタロンフィルタ、
１１・・反射膜、
１２・・ソリッドエタロンフィルタ、
１３・・導電性膜、
１４・・光の透過領域、
１５・・ソリッドエタロンフィルタ、
１６・・光学薄膜、
１７・・光学薄膜（導電性膜）、
１８・・導電性膜、
１９・・辺、
２０・・面取り、
２１・・ソリッドエタロンフィルタ、
２２、２３・・ストリップライン、
２４・・ソリッドエタロンフィルタ、
２５・・光学薄膜（導電性膜）、
２６・・ソリッドエタロンフィルタ、
２７・・ソリッドエタロンフィルタ素子、
２８・・導電性膜、
２９・・金属枠
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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