(57)【要約】【課題】特に面積が小さく且つ高い容量値の保持容量を備える液晶ディスプレイパネル及びその製造方法を提供する。【解決手段】犠牲基板（１０）上に薄膜トランジスタ（１０１）を形成し、その薄膜トランジスタ（１０１）の外側に画素電極（１０２）を形成し、それら薄膜トランジスタ（１０１）と画素電極（１０２）上に走査信号線（１０３）及びデータ信号線（１０４）を形成すべき複数の透明絶縁膜が被覆され、走査信号線（１０３）と、画素電極（１０２）により二層式の保持容量を構成させ、また、画素電極（１０２）と基板（１０）との間に緩衝膜（１１）を形成すると共に、その緩衝膜（１１）内に第一遮光膜（１１１）或いは半導体薄膜を形成し、それら第一遮光膜（１１１）或いは緩衝膜（１１）及び走査信号線（１０３）を電気接続することにより、三層式の保持容量を得る。【選択図】    図１
2004264463.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板（２１）に薄膜トランジスタ（１０１）、透明電極（１４）、データ信号線（１０４）及び走査信号線（１０３）を設けた液晶ディスプレイであって、
前記薄膜トランジスタ（１０１）は、基板（２１）の縦方向に沿って配置されるゲート電極（１６）、ゲート絶縁膜（１３）、半導体薄膜（１２）から構成され、
前記透明電極（１４）は、複数の透明絶縁膜を介して、薄膜トランジスタ（１０１）の外側に配置するように基板（２１）に形成され、
前記走査信号線（１０３）は、薄膜トランジスタ（１０１）におけるゲート電極（１６）の下方に位置する透明絶縁膜同士の間に形成され、
前記データ信号線（１０４）は、透明電極（１４）と薄膜トランジスタ（１０１）における半導体薄膜（１２）とに接続され、
透明電極（１４）の一端と走査信号線（１０３）により二層式の保持容量が構成されることを特徴とする、液晶ディスプレイパネル。
【請求項２】
前記薄膜トランジスタ（１０１）における半導体薄膜（１２）と透明電極（１４）上に緩衝膜（１１）が被覆されると共に、その緩衝膜（１１）内における、透明電極（１４）と対応する位置に、走査信号線（１０３）と電気接続する第一遮光膜（１１１）が形成され、それら透明電極（１４）、第一遮光膜（１１１）及び走査信号線（１０３）により、三層式の保持容量が構成されることを特徴とする、請求項１に記載の液晶ディスプレイパネル。
【請求項３】
前記薄膜トランジスタ（１０１）における半導体薄膜（１２）及び透明電極（１４）上に緩衝膜（１１）は被覆され、その緩衝膜（１１）の下面における、透明電極（１４）と対応する位置に、走査信号線（１０３）と電気接続する半導体薄膜（１２）が形成され、それら透明電極（１４）、半導体薄膜（１２）及び走査信号線（１０３）により三層式の保持容量が構成されることを特徴とする、請求項１に記載の液晶ディスプレイパネル。
【請求項４】
前記基板（２１）の上面における、上方の薄膜トランジスタ（１０１）、走査信号線（１０３）及びデータ信号線（１０４）と対応する位置に更に第二遮光膜（１１２）が形成されることを特徴とする、請求項２又は３に記載の液晶ディスプレイパネル。
【請求項５】
前記ゲート絶縁膜（１３）は透明電極（１４）の下方にある、透明電極（１４）と基板（２１）との間の透明絶縁膜まで延出することを特徴とする、請求項１乃至４のいずれかに記載の液晶ディスプレイパネル。
【請求項６】
前記複数の透明絶縁層の少なくとも一つは高誘電体層（２３）であることを特徴とする、請求項１に記載の液晶ディスプレイパネル。
【請求項７】
前記走査信号線（１０３）は金属材料或いは多結晶シリコン材料であることを特徴とする、請求項１に記載の液晶ディスプレイパネル。
【請求項８】
犠牲基板（１０）を用意して、その基板（１０）上面に緩衝膜（１１）を形成する工程と、
緩衝膜（１１）の上面に半導体薄膜（１２）を形成し、半導体薄膜（１２）にソース領域及びドレイン領域を設け、その上に順次にゲート絶縁膜（１３）及びゲート電極（１６）を形成することにより、薄膜トランジスタ（１０１）を形成する工程と、
薄膜トランジスタ（１０１）の外側に透明電極（１４）を形成する工程と、薄膜トランジスタ（１０１）及び透明電極（１４）上に第二透明絶縁膜（１５）を形成すると共に、薄膜トランジスタ（１０１）におけるゲート電極（１６）及び透明電極（１４）の一端と対応する位置に第一金属層（１７）を形成する工程と、
第一金属層（１７）に第三透明絶縁膜（１８）を被覆し、その上に透明電極（１４）の他端と半導体薄膜（１２）とを電気接続する第二金属層（１９）を形成する工程と、
第二金属層（１９）及び第三透明絶縁膜（１８）の上面に保護膜（２０）を被覆する工程と、
犠牲基板（１０）を研磨或いはエッチング法により除去する工程と、を行い、透明電極（１４）の一端とそれと対応する第一金属層（１７）により二層式の保持容量を形成することを特徴とする、液晶ディスプレイパネルの製造方法。
【請求項９】
緩衝膜（１１）内における、第一金属層（１７）及び半導体薄膜（１２）と対応する位置に第一遮光膜（１１１）を形成することを特徴とする、請求項８に記載の液晶ディスプレイパネルの製造方法。
【請求項１０】
保護膜（２０）の上面における、半導体薄膜（１２）、第一金属層（１７）及び第二金属層（１９）と対応する位置に第二遮光膜（１１２）を形成することを特徴とする、請求項９に記載の液晶ディスプレイパネルの製造方法。
【請求項１１】
第二透明絶縁膜（１５）を形成する工程の後に、更に第一金属層（１７）と第一遮光膜（１１１）とを電気接続させる工程を加えることを特徴とする、請求項９に記載の液晶ディスプレイパネルの製造方法。
【請求項１２】
半導体薄膜（１２）を形成する工程において、更に透明電極（１４）の一端と第一金属層（１７）との重なる位置に半導体薄膜（１２ａ）を形成する工程を有することを特徴とする、請求項８に記載の液晶ディスプレイパネルの製造方法。
【請求項１３】
第二透明絶縁膜（１５）を形成する工程の後に、更に第一金属層（１７）と半導体薄膜（１２ａ）とを電気接続させる工程を加えることを特徴とする、請求項１２に記載の液晶ディスプレイパネルの製造方法。
【請求項１４】
第二透明絶縁膜（１５）は高誘電体材料であることを特徴とする、請求項９、１１又は１３に記載の液晶ディスプレイパネルの製造方法。
【請求項１５】
犠牲基板（１０）を除去する工程の前に、更に基板（２１）を保護膜（２０）上に接合する工程を加えることを特徴とする、請求項９、１１又は１３に記載の液晶ディスプレイパネルの製造方法。
【請求項１６】
前記接合方式は直接接合、陽極接合、低温接合、間接接合或いは接着接合であることを特徴とする、請求項１５に記載の液晶ディスプレイパネルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、特に面積が小さく且つ高い容量値の保持容量を備える液晶ディスプレイパネル及びその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来のアクティブマトリックス駆動方式の液晶ディスプレイパネルの各画素は、薄膜トランジスタ、透明電極及び保持容量と、マトリックス状に配置されるデータ信号線及び走査信号線とを組み合わせることにより、異なる電圧値で液晶の表示状態を制御するものである。
【０００３】
また、一般の液晶ディスプレイパネルは、透明基板の内面にそれぞれ画素と対応する駆動回路が形成され、その駆動回路は複数のトランジスタ、保持容量、透明電極及びマトリックス排列を成すデータ信号線と走査信号線から構成され、また、一つの画素の駆動回路はトランジスタ、透明電極及び保持容量から構成される。そして、データ信号線及び走査信号線で適当な電圧信号を透明電極に加えることにより、液晶の並びを変更させるかどうか決定する。
【０００４】
図５に示すように、前記従来の液晶ディスプレイパネルの構造は、少なくとも薄膜トランジスタエリア（５０１）及び保持容量エリア（５０２）を備える透明基板（５０）を有し、その透明基板（５０）上に順次に緩衝膜（５１）、半導体薄膜（５２）、第二透明絶縁膜（５３）、ゲート電極（５６）、第一金属層（５８）、第三透明絶縁膜（５４）、第二金属層（５９）、保護膜（５５）及び透明電極（５７）が形成される。
【０００５】
更に、前記半導体薄膜（５２）の一部は透明基板（５０）における薄膜トランジスタエリア（５０１）と対応すると共に、その他の半導体薄膜（５２ａ）は透明基板（５０）における保持容量エリア（５０２）と対応し、その内の半導体薄膜（５２）上にソース領域（５２１）及びドレイン領域（５２２）が定義される。そして、第二透明絶縁膜（５３）における、半導体薄膜（５２）と対応する位置にトランジスタにおけるゲート絶縁膜（５３ａ）が形成されると共に、そのゲート絶縁膜（５３ａ）上にゲート電極（５６）が形成されることにより、薄膜トランジスタが構成する。また、半導体薄膜（５２）において定義されたソース領域（５２１）及びドレイン領域（５２２）はそれぞれ外部接続用電極として用いる第二金属層（５９）と接続される。
【０００６】
また、保持容量エリア（５０２）と対応する半導体薄膜（５２ａ）の位置は第一金属層（５８）及び第二金属層（５９）の位置と対応し、その第一金属層（５８）は半導体薄膜（５２ａ）と第二金属層（５９）との間に介設されることから、第一金属層（５８）と半導体薄膜（５２ａ）或いは第二金属層（５９）とにより二層式の保持容量を形成することができ、更にその構成において第二金属層（５９）を半導体薄膜（５２）と電気接続させれば、三層式の保持容量を形成することができる。また、保持容量における第二金属層（５９）と薄膜トランジスタにおける第二金属層（５９）とが透明電極（５７）を介して接続することにより、保持容量と薄膜トランジスタとが接続される。なお、透明電極（５７）はなるべく液晶の近傍に設ける方が好ましい。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、上記の構成では、前記第一金属層（５８）及び第二金属層（５９）に信号が送られる時、特定の間隔内であるとクロストークが発生してしまうので、そのクロストークの発生を防ぐために、第一金属層（５８）と第二金属層（５９）との間隔を広く取る必要があるが、その間隔が広いと保持容量の容量値が低下するという欠点がある。故に、従来の製造方法によれば、液晶ディスプレイパネルにおける保持容量の構造が第一金属層（５８）と第二金属層（５９）との間の距離に制限されてしまうので、このままでは高い容量値を得ることができない。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明は、
基板（２１）に薄膜トランジスタ（１０１）、透明電極（１４）、データ信号線（１０４）及び走査信号線（１０３）を設けた液晶ディスプレイであって、
前記薄膜トランジスタ（１０１）は、基板（２１）の縦方向に沿って配置されるゲート電極（１６）、ゲート絶縁膜（１３）、半導体薄膜（１２）から構成され、
前記透明電極（１４）は、複数の透明絶縁膜を介して、薄膜トランジスタ（１０１）の外側に配置するように基板（２１）に形成され、
前記走査信号線（１０３）は、薄膜トランジスタ（１０１）におけるゲート電極（１６）の下方に位置する透明絶縁膜同士の間に形成され、
前記データ信号線（１０４）は、透明電極（１４）と薄膜トランジスタ（１０１）における半導体薄膜（１２）とに接続され、
透明電極（１４）の一端と走査信号線（１０３）により二層式の保持容量が構成されることを特徴とする液晶ディスプレイパネル、及び、
犠牲基板（１０）を用意して、その基板（１０）上面に緩衝膜（１１）を形成する工程と、
緩衝膜（１１）の上面に半導体薄膜（１２）を形成し、半導体薄膜（１２）にソース領域及びドレイン領域を設け、その上に順次にゲート絶縁膜（１３）及びゲート電極（１６）を形成することにより、薄膜トランジスタ（１０１）を形成する工程と、
薄膜トランジスタ（１０１）の外側に透明電極（１４）を形成する工程と、薄膜トランジスタ（１０１）及び透明電極（１４）上に第二透明絶縁膜（１５）を形成すると共に、薄膜トランジスタ（１０１）におけるゲート電極（１６）及び透明電極（１４）の一端と対応する位置に第一金属層（１７）を形成する工程と、
第一金属層（１７）に第三透明絶縁膜（１８）を被覆し、その上に透明電極（１４）の他端と半導体薄膜（１２）とを電気接続する第二金属層（１９）を形成する工程と、
第二金属層（１９）及び第三透明絶縁膜（１８）の上面に保護膜（２０）を被覆する工程と、
犠牲基板（１０）を研磨或いはエッチング法により除去する工程と、を行い、透明電極（１４）の一端とそれと対応する第一金属層（１７）により二層式の保持容量を形成することを特徴とする液晶ディスプレイパネルの製造方法を提供する。
【０００９】
【作用】
本発明の液晶ディスプレイパネルは上記の課題を解決するものであり、基板に薄膜トランジスタ、透明電極、データ信号線及び走査信号線を設けた液晶ディスプレイであり、前記薄膜トランジスタは、基板の縦方向に沿って配置されるゲート電極、ゲート絶縁膜、半導体薄膜から構成され、前記透明電極は、複数の透明絶縁膜を介して、薄膜トランジスタの外側に配置するように基板に形成され、前記走査信号線は、薄膜トランジスタにおけるゲート電極の下方に位置する透明絶縁膜同士の間に形成され、前記データ信号線は、透明電極と薄膜トランジスタにおける半導体薄膜とに接続され、透明電極の一端と走査信号線により二層式の保持容量が構成される。
【００１０】
前記構成では透明電極と走査信号線により二層式の保持容量が構成され、その中の透明電極と走査信号線との間に保持容量の誘電層として用いる透明絶縁膜が介設されると共に、該透明電極の他端は第二金属層を介して薄膜トランジスタにおける半導体薄膜と接続されて、保持容量と薄膜トランジスタとが直接に電気接続されることから、透明電極を保持容量の電極として直接に用いることができるので、透明電極と第一金属層の間にクロストークが発生することはないと共に、透明電極と第一金属層との距離は透明絶縁膜の厚さを調整することにより狭めることができる。故に、容量値を簡単に高められるので、大容量の保持容量を得ることができる。
【００１１】
更に、本発明は基板と薄膜トランジスタと透明電極との間に透明絶縁膜が形成されると共に、その透明絶縁膜内における、薄膜トランジスタ及び第一、第二金属層と対応する位置に黒色遮光膜が形成されることにより、光照射時における電流漏れを確実に防止することができ、更に、透明電極の上面に更に透明絶縁膜を形成すると共に、その透明絶縁膜内に遮光膜或いは半導体薄膜を形成し、透明電極の下方における第一金属層と上方における遮光膜或いは半導体薄膜とを電気接続することによって、透明電極の一端と第一金属層と遮光膜或いは半導体薄膜により高い容量値を有する三層式の保持容量を構成することができる。
【００１２】
上述したように、本発明によれば、液晶ディスプレイパネル内に高い容量値を有する保持容量を形成することができることから、従来のように複数回にわたるリソグラフィーや金属加工工程によってトランジスタと保持容量とを接続する必要はないので、低コスト化を図ることができる。
【００１３】
以下、添付図面を参照して本発明の好適な実施の形態を詳細に説明する。
【００１４】
【発明の実施の形態】
図１は本発明に係る液晶ディスプレイパネルの第一実施例を示す側面断面図であり、図２は図１の液晶ディスプレイパネルの製造工程を示す側面断面図であり、図３は本発明に係る液晶ディスプレイパネルの第二実施例を示す側面断面図であり、図４は本発明に係る液晶ディスプレイパネルの第三実施例を示す側面断面図である。
【００１５】
図１の第一実施例に示すように、本発明に係るアクティブマトリックス駆動方式の液晶ディスプレイパネルの構造は、表裏面が平坦状であり、薄膜トランジスタ（１０１）、透明電極（１４）、データ信号線（１０４）及び走査信号線（１０３）を含む、シリコン、ガラス或いはポリマーなどから成る基板（２１）を有し、該薄膜トランジスタ（１０１）は基板（２１）の縦方向に沿って順次に半導体薄膜（１２）、ゲート絶縁膜（１３）、ゲート電極（１６）が形成され、画素電極（１０２）は前記透明電極（１４）により形成されると共に、薄膜トランジスタ（１０１）の外側における、ゲート絶縁膜（１３）或いはゲート電極（１６）と同一の層に設けられ、また、該透明電極（１４）の下面から基板（２１）の間には複数の透明絶縁膜（本実施例では、第三透明絶縁膜（１８）及び第二透明絶縁膜（１５））が形成される。
【００１６】
前記走査信号線（１０３）は第一金属層（１７）に形成されると共に、薄膜トランジスタ（１０１）におけるゲート電極（１６）の下、且つ透明電極（１４）の下層における第二透明絶縁膜（１５）と第三透明絶縁膜（１８）との間に位置し、更に、データ信号線（１０４）は第二金属線（１９）に形成されると共に、透明電極（１４）及び薄膜トランジスタ（１０１）における半導体薄膜（１２）に接続され、透明電極（１４）の一端と第一金属層（１７）との間に第二透明絶縁膜（１５）が介設される。本発明では上記説明した構成により、二層式の保持容量を得る。
【００１７】
また、上記パネルの構成における最上面に更に緩衝膜（１１）を被覆し、その緩衝膜（１１）内における、透明電極（１４）と対応する位置に、走査信号線（１０３）と電気接続する第一遮光膜（１１１）を形成することによって、透明電極（１４）、走査信号線（１０３）及び第一遮光膜（１１１）により三層式の保持容量を構成する。上記説明からも分かるように、本発明では透明電極（１４）を内部接続の設計とすることにより、直接に保持容量の電極と接続できるので、従来のように更にリソグラフィーや金属加工工程によってトランジスタと保持容量とを接続する必要はない。
【００１８】
図３に示すように、本発明の第二実施例はその殆どが図１に示す第一実施例と同様であるが、異なる部分としては半導体薄膜（１２）を薄膜トランジスタ（１０１）に形成させる以外に、保持容量と対応する部分にも半導体薄膜（１２ａ）を形成させたことであり、それら半導体薄膜（１２，１２ａ）の下面に第四透明絶縁膜（１１ａ）が形成されると共に、透明電極（１４）の一端が第四透明絶縁膜（１１ａ）を介して半導体薄膜（１２ａ）と対応することにより、二層式の保持容量を構成している。また、上記構成に加えて第一金属層（１７）と半導体薄膜（１２ａ）とを電気接続させることによって、透明電極（１４）、第一金属層（１７）及び半導体薄膜（１２ａ）により三層式の保持容量を得ることができる。
【００１９】
図４に示すように、本発明の第三実施例はその殆どが図１に示す第一実施例と同様であるが、異なる部分としては緩衝膜（１１）に透明電極（１４）を形成する工程の前に、先ず緩衝膜（１１）上に絶縁膜（２２）を被覆してから透明電極（１４）を形成し、更に、透明電極（１４）上に高誘電体層（２３）を形成した後、高誘電体層（２３）上に第一金属層（１７）を形成する。
【００２０】
前記液晶ディスプレイパネルの製造方法は反転工程を採用したものであり、図２に示すように、薄膜トランジスタ（１０１）はパネルの半導体素子を先ず犠牲基板（１０）上に形成した後、犠牲基板（１０）の縦方向に沿って順次に半導体薄膜（１２）、ゲート絶縁膜（１３）及びゲート電極（１６）を形成して成り、一方、二層式の保持容量は縦方向に順次に透明電極（１４）、第二透明絶縁膜（１５）、第一金属層（１７）を形成して成る。その後、図１に示すように、反転工程を行ない半導体素子を基板（２１）上に移す。この時、薄膜トランジスタ（１０１）の反対側が基板（２１）上に位置するように配置して、透明電極（１４）と第一金属層（１７）の上下位置を入替え、透明電極（１４）の裏面を電極面とすることにより、平坦状の端面を得ることができるので、画像品質を向上させることができる。
【００２１】
以下、図２を参照して半導体素子の製造工程の流れを説明する。
シリコン、ガラス或いはプラスチックから成る犠牲基板（１０）を用意する工程と、
上層に透明絶縁膜が形成され、内部に第一遮光膜（１１１）が形成される緩衝膜（１１）を基板（１０）の上面に形成する工程と、
半導体薄膜（１２）上にソース領域（符号なし）、ドレイン領域（符号なし）及び僅かにドープした領域（ＬＤＤであり、図示せず）を定義し、そのソース領域及びドレイン領域が定義された半導体薄膜（１２）を緩衝膜（１１）の上面に形成する工程と、
上面にゲート電極（１６）が形成されるゲート絶縁膜（１３）を半導体薄膜（１２）上に形成する工程と、
薄膜トランジスタ（１０１）の外側に位置する透明電極（１４）を緩衝膜（１１）上に形成する工程と、
薄膜トランジスタ（１０１）及び透明電極（１４）の上面に第二透明絶縁膜（１５）を形成する工程と、
リソグラフィー及び金属加工工程により第一遮光膜（１１１）と電気接続される第一金属層（１７）をゲート電極（１６）上、且つ第二透明絶縁膜（１５）における、透明電極（１４）の一側と対応する位置上に形成する工程と、
第一金属層（１７）及び第二透明絶縁膜（１５）上に第三透明絶縁膜（１８）を形成する工程と、
第三透明絶縁膜（１８）における、半導体薄膜（１２）及び透明電極（１４）と対応する位置にリソグラフィーによりコンタクトホールを形成すると共に、金属加工工程により半導体薄膜（１２）と透明電極（１４）とを接続する工程と、第一金属層（１７）と第二金属層（１９）との間におけるクロストークを防止するために、第三透明絶縁膜（１８）上に第二金属層（１９）を形成して、その第三透明絶縁膜（１８）により第二金属層（１９）と第一金属層（１７）とを離間させる工程と、
第三透明絶縁膜（１８）及び第二金属層（１９）の上面に保護膜（２０）を形成する工程と、
光漏れを防止するために、保護膜（２０）上における、薄膜トランジスタ（１０１）、第一金属層（１７）及び第二金属層（１９）と対応する位置に第二遮光膜（１１２）を形成する工程と、
保護膜（２０）上に、直接接合（ｄｉｒｅｃｔ  ｂｏｎｄｉｎｇ）、陽極接合（ａｎｏｄｉｃ  ｂｏｎｄｉｎｇ）、低温接合（ｌｏｗ  ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ  ｂｏｎｄｉｎｇ）、間接接合（ｉｎｔｅｒｍｅｄｉａｔｅ  ｂｏｎｄｉｎｇ）、接着接合（ａｄｈｅｓｉｖｅ  ｂｏｎｄｉｎｇ）等によりガラス、ポリマーなどから成る基板（２１）を接合する工程と、
犠牲基板（１０）を研磨或いはエッチング法により除去する工程と、を順次行なうことにより、液晶ディスプレイパネルを得る。
【００２２】
【発明の効果】
本発明は上記の構成を有し、透明電極を形成する時、内部接続方式により薄膜トランジスタと保持容量とを接続するので、透明電極を保持容量の電極として用いることができる。また、透明電極は第一金属層の位置と対応していることから、二層式の保持容量を構成できると共に、透明電極と第一金属層との間にクロストークは発生しないので、両層の間隔を狭めることにより高い容量値を有する保持容量を得ることができる。更に、本発明によれば透明電極は内部接続方式により直接に保持容量と接続されることから、リソグラフィーや金属加工工程を省くことができるので、製造工程を簡素化できると共に、作業行程時間も短縮できる。故に、本発明は産業利用性や新規性並びに進歩性に優れているものであると言える。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る液晶ディスプレイパネルの第一実施例を示す側面断面図である。
【図２】図１の液晶ディスプレイパネルの製造工程を示す側面断面図である。
【図３】本発明に係る液晶ディスプレイパネルの第二実施例を示す側面断面図である。
【図４】本発明に係る液晶ディスプレイパネルの第三実施例を示す側面断面図である。
【図５】従来の液晶ディスプレイパネルの側面断面図である。
【符号の説明】
１０      犠牲基板
１０１    薄膜トランジスタ
１０２    画素電極
１０３    走査信号線
１０４    データ信号線
１１      緩衝膜
１１ａ    第四透明絶縁膜
１１１    第一遮光膜
１１２    第二遮光膜
１２      半導体薄膜
１２ａ    半導体薄膜
１３      ゲート絶縁膜
１４      透明電極
１５      第二透明絶縁膜
１６      ゲート電極
１７      第一金属層
１８      第三透明絶縁膜
１９      第二金属層
２０      保護膜
２１      基板
２２      絶縁膜
２３      高誘電体層
５０      透明基板
５０１    薄膜トランジスタエリア
５０２    保持容量エリア
５１      緩衝膜
５２      半導体薄膜
５２ａ    半導体薄膜
５２１    ソース領域
５２２    ドレイン領域
５３      第二透明絶縁膜
５３ａ    ゲート絶縁膜
５４      第三透明絶縁膜
５５      保護膜
５６      ゲート電極
５７      透明電極
５８      第一金属層
５９      第二金属層
【図１】
2004264463.tif 000003
【図２】
2004264463.tif 000004
【図３】
2004264463.tif 000005
【図４】
2004264463.tif 000006
【図５】
2004264463.tif 000007