(57)【要約】【課題】電子デバイスとの接触を良好に保つことのできるプローブカードを提供する。【解決手段】基板と、基板に設けられ、電子デバイスの複数の端子と接触する、複数のプローブピンと、複数のプローブピンと電気的に接続された複数の信号線とを備え、複数のプローブピンのうち、少なくとも１つのプローブピンは、第１の熱膨張係数を有し、対応する電子デバイスの端子の表面に対して斜行して設けられた斜行部を有する第１の部材と、第１の熱膨張係数より小さい第２の熱膨張係数を有し、第１の部材に接合して設けられた第２の部材とを有するバイモルフピンであることを特徴とするプローブカード。【選択図】　図３
2004045285.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子デバイスの複数の端子と接触し、前記電子デバイスと信号の授受を行うプローブカードであって、
基板と、
前記基板に設けられ、前記電子デバイスの複数の端子と接触する、複数のプローブピンと、
前記複数のプローブピンと電気的に接続された複数の信号線と
を備え、
前記複数のプローブピンのうち、少なくとも１つの前記プローブピンは、
第１の熱膨張係数を有し、対応する前記電子デバイスの端子の表面に対して斜行して設けられた斜行部を有する第１の部材と、
前記第１の熱膨張係数より小さい第２の熱膨張係数を有し、前記第１の部材に接合して設けられた第２の部材と
を有するバイモルフピンであることを特徴とするプローブカード。
【請求項２】
前記プローブカードは、前記電子デバイスの接地端子に対応した前記バイモルフピンを備えることを特徴とする請求項１に記載のプローブカード。
【請求項３】
前記プローブカードは、前記電子デバイスのクロック端子に対応した前記バイモルフピンを備えることを特徴とする請求項１又は２に記載のプローブカード。
【請求項４】
前記プローブカードは、前記電子デバイスの直流電流端子及び／又は直流電圧端子に対応した前記バイモルフピンを備えることを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載のプローブカード。
【請求項５】
前記第２の部材は、前記第１の部材の前記電子デバイスの端子側の面に設けられることを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載のプローブカード。
【請求項６】
前記斜行部の少なくとも一部は、前記斜行部の長手方向において前記第２の部材より突出することを特徴とする請求項５に記載のプローブカード。
【請求項７】
前記バイモルフピンは、前記斜行部において、前記電子デバイスの端子と接触することを特徴とする請求項６に記載のプローブカード。
【請求項８】
前記第１の部材は導電部材であることを特徴とする請求項７に記載のプローブカード。
【請求項９】
前記第１の部材は、過冷却液体温度域を有するアモルファス金属であることを特徴とする請求項８に記載のプローブカード。
【請求項１０】
前記第２の部材は絶縁部材であることを特徴とする請求項９に記載のプローブカード。
【請求項１１】
前記バイモルフピンは、前記第２の部材の先端において、前記電子デバイスの端子と接触することを特徴とする請求項５に記載のプローブカード。
【請求項１２】
電子デバイスと電気的に接触するプローブピンであって、第１の熱膨張係数を有し、前記電子デバイスの端子の表面に対して斜行して設けられた斜行部を有する第１の部材と、
前記第１の熱膨張係数より小さい第２の熱膨張係数を有し、前記第１の部材に接合して設けられた第２の部材と
を備えることを特徴とするプローブピン。
【請求項１３】
電子デバイスを試験する試験装置であって、
前記電子デバイスを試験するための試験信号を発生するパターン発生部と、
前記試験信号を受け取り、受け取った前記試験信号を整形し、整形した前記試験信号を出力する波形整形部と、
前記波形整形部が出力した前記試験信号を受け取り、前記電子デバイスに供給し、前記電子デバイスが前記試験信号に基づいて出力する出力信号を受け取るプローブカードと、
前記プローブカードが受け取った前記出力信号に基づいて、前記電子デバイスの良否を判定する判定部と
を備え、
前記プローブカードは、
基板と、
前記基板に設けられ、前記電子デバイスの複数の端子と接触する、複数のプローブピンと、
前記複数のプローブピンと電気的に接続された複数の信号線と
を有し、
前記複数のプローブピンのうち、少なくとも１つの前記プローブピンは、
第１の熱膨張係数を有し、対応する前記電子デバイスの端子の表面に対して斜行して設けられた斜行部を有する第１の部材と、
前記第１の熱膨張係数より小さい第２の熱膨張係数を有し、前記第１の部材に接合して設けられた第２の部材と
を含むバイモルフピンであることを特徴とする試験装置。
【請求項１４】
プローブピンを製造するプローブピン製造方法であって、
基板を準備する工程と、
前記基板の表面に、絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜の表面に、所望のパターンを有し、前記絶縁膜より熱膨張係数が大きい導電層を形成する導電層形成工程と、
前記導電層をマスクとして、前記絶縁膜をエッチングし、前記絶縁膜の一部を除去する工程と、
前記基板の一部を除去し、前記絶縁膜及び前記導電層を、前記基板から突出させる基板除去工程と、
前記絶縁膜のうち、前記基板から突出した領域の一部を除去し、前記導電層を、前記絶縁膜から突出させる絶縁膜除去工程と、
前記基板から突出した、前記絶縁膜及び前記導電層を曲げる曲げ工程と
を備えることを特徴とするプローブピン製造方法。
【請求項１５】
前記導電層形成工程は、前記導電層として、過冷却液体温度域を有するアモルファス金属層を、前記絶縁膜の表面に形成し、
前記曲げ工程は、
前記導電層を、前記導電層の過冷却液体温度域に加熱する工程と、
前記導電層及び前記絶縁膜を曲げる工程と、
前記導電層を、前記導電層の過冷却液体温度域より低い温度に冷却する工程とを有することを特徴とする請求項１４に記載のプローブピン。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電子デバイスを試験する試験装置、及び試験装置に用いられるプローブカード、及びプローブカードに用いられるプローブピンに関する。特に本発明は、電子デバイスとの接触を良好に保つことのできる試験装置、プローブカード、及びプローブピンに関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、半導体デバイス等の電子デバイスを試験する試験装置は、電子デバイスと信号の授受を行うプローブカードを備えている。プローブカードは、複数のプローブピンを有し、当該プローブピンは、被試験電子デバイスの端子と接触する。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
電子デバイス及びプローブカードの基板表面の平坦性はある程度精度よく形成することができる。しかし、試験を行う際には、電子デバイスをいわゆるプローバーと呼ばれるプローブステーションに固定し、プローブカード（テストステーション）をプローブステーションの近傍まで近づけ、タッチダウンすることで試験を行う。
【０００４】
このため、プローブステーションとテストステーションの傾きにより、複数のピンを有するプローブカードが電子デバイスに接触する際、それぞれのピンと電子デバイスとの間に高低差が少なからず発生する。また、電子デバイスとプローブカードとの平坦性の差異によっても、微少な当該高低差が発生する。それぞれのピンと電子デバイスとの間に高低差が生じた場合、それぞれのピンの接触圧及び接触抵抗を安定に制御することができない。このため、当該高低差を吸収することのできるプローブピン、プローブカード、及び試験装置が望まれていた。
【０００５】
そこで本発明は、上記の課題を解決することのできるプローブピン、プローブカード、及び試験装置を提供することを目的とする。この目的は特許請求の範囲における独立項に記載の特徴の組み合わせにより達成される。また従属項は本発明の更なる有利な具体例を規定する。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
即ち、本発明の第１の形態によると、電子デバイスの複数の端子と接触し、電子デバイスと信号の授受を行うプローブカードであって、基板と、基板に設けられ、電子デバイスの複数の端子と接触する、複数のプローブピンと、複数のプローブピンと電気的に接続された複数の信号線とを備え、複数のプローブピンのうち、少なくとも１つのプローブピンは、第１の熱膨張係数を有し、対応する電子デバイスの端子の表面に対して斜行して設けられた斜行部を有する第１の部材と、第１の熱膨張係数より小さい第２の熱膨張係数を有し、第１の部材に接合して設けられた第２の部材とを有するバイモルフピンであることを特徴とするプローブカードを提供する。
【０００７】
プローブカードは、電子デバイスの接地端子に対応したバイモルフピンを備えてよい。また、プローブカードは、電子デバイスのクロック端子に対応したバイモルフピンを備えてよい。また、プローブカードは、電子デバイスの直流電流端子及び／又は直流電圧端子に対応したバイモルフピンを備えてよい。
【０００８】
第２の部材は、第１の部材の電子デバイスの端子側の面に設けられてよい。また、斜行部の少なくとも一部は、斜行部の長手方向において第２の部材より突出してよい。バイモルフピンは、斜行部において、電子デバイスの端子と接触してよい。
【０００９】
第１の部材は導電部材であってよい。また、第１の部材は、過冷却液体温度域を有するアモルファス金属であってよい。また、第２の部材は絶縁部材であってよい。バイモルフピンは、第２の部材の先端において、電子デバイスの端子と接触してよい。
【００１０】
本発明の第２の形態においては、電子デバイスと電気的に接触するプローブピンであって、第１の熱膨張係数を有し、電子デバイスの端子の表面に対して斜行して設けられた斜行部を有する第１の部材と、第１の熱膨張係数より小さい第２の熱膨張係数を有し、第１の部材に接合して設けられた第２の部材とを備えることを特徴とするプローブピンを提供する。
【００１１】
本発明の第３の形態においては、電子デバイスを試験する試験装置であって、電子デバイスを試験するための試験信号を発生するパターン発生部と、試験信号を受け取り、受け取った試験信号を整形し、整形した試験信号を出力する波形整形部と、波形整形部が出力した試験信号を受け取り、電子デバイスに供給し、電子デバイスが試験信号に基づいて出力する出力信号を受け取るプローブカードと、プローブカードが受け取った前記出力信号に基づいて、電子デバイスの良否を判定する判定部とを備え、プローブカードは、基板と、基板に設けられ、電子デバイスの複数の端子と接触する、複数のプローブピンと、複数のプローブピンと電気的に接続された複数の信号線とを有し、複数のプローブピンのうち、少なくとも１つのプローブピンは、第１の熱膨張係数を有し、対応する電子デバイスの端子の表面に対して斜行して設けられた斜行部を有する第１の部材と、第１の熱膨張係数より小さい第２の熱膨張係数を有し、第１の部材に接合して設けられた第２の部材とを含むバイモルフピンであることを特徴とする試験装置を提供する。
【００１２】
本発明の第４の形態においては、プローブピンを製造するプローブピン製造方法であって、基板を準備する工程と、基板の表面に、絶縁膜を形成する工程と、絶縁膜の表面に、所望のパターンを有し、絶縁膜より熱膨張係数が大きい導電層を形成する導電層形成工程と、導電層をマスクとして、絶縁膜をエッチングし、絶縁膜の一部を除去する工程と、基板の一部を除去し、絶縁膜及び導電層を、基板から突出させる基板除去工程と、絶縁膜のうち、基板から突出した領域の一部を除去し、導電層を、絶縁膜から突出させる絶縁膜除去工程と、基板から突出した、絶縁膜及び導電層を曲げる曲げ工程とを備えることを特徴とするプローブピン製造方法を提供する。
【００１３】
導電層形成工程は、導電層として、過冷却液体温度域を有するアモルファス金属層を、絶縁膜の表面に形成し、曲げ工程は、導電層を、導電層の過冷却液体温度域に加熱する工程と、導電層及び絶縁膜を曲げる工程と、導電層を、導電層の過冷却液体温度域より低い温度に冷却する工程とを有してよい。
【００１４】
なお上記の発明の概要は、本発明の必要な特徴の全てを列挙したものではなく、これらの特徴群のサブコンビネーションも又発明となりうる。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下、発明の実施の形態を通じて本発明を説明するが、以下の実施形態はクレームにかかる発明を限定するものではなく、又実施形態の中で説明されている特徴の組み合わせの全てが発明の解決手段に必須であるとは限らない。
【００１６】
図１は、本発明に係る試験装置１００の構成の一例を示す。試験装置１００は、パターン発生部１０、波形整形部２０、プローブカード５０、及び判定部４０を備える。パターン発生部１０は、電子デバイスを試験するための試験信号を発生し、波形整形部２０に供給する。
【００１７】
波形整形部２０は、受け取った試験信号を整形し、整形した試験信号をプローブカード５０に供給する。波形整形部２０は、例えば試験信号を所望のタイミングでプローブカード５０に供給してよい。本例において、波形整形部２０は、所望のタイミングを発生するタイミング発生器を有してよい。
【００１８】
当該タイミング発生器は、所望のタイミングを発生する。当該タイミング発生器は、例えば可変遅延回路を有する。本例において、当該タイミング発生器は、試験装置１００の動作を制御する基準クロックを受け取り、受け取った基準クロックを可変遅延回路で所望の時間だけ遅延させ、当該所望のタイミングとして波形整形部２０に供給してよい。
【００１９】
プローブカード５０は、電子デバイス３０に設けられた複数の接続端子と電気的に接続し、電子デバイスに信号を供給する。また、プローブカード５０は、電子デバイスが試験信号に基づいて出力する出力信号を受け取り、受け取った出力信号を判定部４０に供給する。
【００２０】
判定部４０は、試験信号に基づいて電子デバイス３０が出力する出力信号に基づいて、電子デバイス３０の良否を判定する。判定部４０は、例えば電子デバイス３０が試験信号に基づいて出力するべき期待値信号と、電子デバイス３０が出力した出力信号とを比較して電子デバイス３０の良否を判定してよい。この場合、パターン発生部１０は、発生した試験信号に基づいて当該期待値信号を生成し、判定部４０に供給してよい。
【００２１】
図２は、プローブカード５０の構成の一例を示す。プローブカード５０は、基板５４と、複数のプローブピン５２と、伝送線路５６とを有する。複数のプローブピン５２は、基板５４に設けられ、電子デバイス３０の複数の接続端子３２とそれぞれ電気的に接続される。プローブピン５２は、電子デバイス３０と接触することにより、電子デバイス３０と信号の授受を行う。また、当該伝送線路は、複数のプローブピン５２と電気的に接続される。プローブカード５０は波形整形部２０（図１参照）から試験信号を受け取り、当該伝送線路及びプローブピン５２を介して、電子デバイス３０に試験信号を供給する。また、プローブカード５０は、プローブピン５２及び当該伝送線路を介して受け取った電子デバイス３０の出力信号を、判定部４０に供給する。
【００２２】
複数のプローブピン５２は、基板５４に対して所定の角度を有してよい。また、複数のプローブピン５２は、基板５４に対して所定の角度を有する、例えば支持部等の部位を有してよい。また、複数のプローブピン５２は、電子デバイス３０の接続端子３２に対して所定の角度を有する、例えば支持部等の部位を有してよい。また、試験装置１００は、プローブカード５０及び／又は電子デバイス３０を所望の位置に移動させ、複数のプローブピン５２と複数の接続端子３２とを電気的に接続させる手段を有することが好ましい。
【００２３】
また、プローブカード５０は、電子デバイス３０の接地端子に対応したプローブピン５２として、図３及び図４に関連して説明するプローブピン５２を備えてよい。後述するように、図３及び図４に関連して説明するプローブピン５２は、多層構造を有するバイモルフピンである。また、プローブカード５０は、電子デバイス３０のクロック端子にクロック信号を供給するプローブピンとして、図３及び図４に関連して説明するプローブピン５２を備えてよい。また、プローブカード５０は、電子デバイス３０の直流電流端子及び／又は直流電圧端子に直流電流及び／又は直流電圧を印加するプローブピンとして、図３及び図４に関連して説明するプローブピン５２を備えてよい。プローブカード５０は、電子デバイス３０の他の端子に対応するプローブピン５２として、図３及び図４に関連して説明するプローブピン５２を備えてよく、また、単層構造を有するプローブピンを備えてもよい。
【００２４】
また、本例においてプローブカード５０は、１つの電子デバイス３０と信号の授受を行ったが、他の例においては、プローブカード５０は、複数の電子デバイス３０と信号の授受を行ってよい。また、本発明に係るプローブカード５０は、プローブカードの一部であってよい。つまり、プローブカード５０は、複数のプローブピン５２を交換可能なプローブカードの、交換用部材であってよい。
【００２５】
図３は、プローブピン５２の構成の例を示す。図３（ａ）は、プローブピン５２の構成の一例を示す。プローブピン５２は、第１の熱膨張係数を有し、電子デバイス３０の接続端子３２の表面に対して斜行して設けられた斜行部６２を有する第１の部材７２と、前記第１の熱膨張係数より小さい第２の熱膨張係数を有し、第１の部材７２と接合して設けられた第２の部材５８とを有する。プローブピン５２は、例えば半田等により、基板５４と接合されてよい。また、斜行部６２の少なくとも一部は、斜行部６２の長手方向において第２の部材５８より突出することが好ましい。図３に示すように、本例においてプローブピン５２は、斜行部６２において、電子デバイス３０の接続端子３２と接触する。
【００２６】
また本例において、第２の部材５８は、第１の部材７２の、電子デバイス３０側の面に設けられる。図３に示すように、第１の部材７２は、電子デバイス３０の接続端子３２の表面に対して略垂直な垂直領域と、電子デバイス３０の接続端子３２の表面に対して傾きを有する斜行部６２とを有してよい。この場合、第２の部材５８は、斜行部６２における、電子デバイス３０側の面に設けられる。また、第２の部材５８は、第１の部材７２の当該垂直領域における、第２の部材５８が設けられた斜行部６２の面と連続した面に設けられた領域を更に有する。つまり、第２の部材７２の少なくとも一部は、第１の部材５８と、電子デバイス３０の接続端子３２との間に設けられる。また、第１の部材７２は、第２の部材５８と接合する接合面と、当該接合面と対向する面とを有する板形状の部材であってよい。また、第２の部材５８も同様に、第１の部材７２と接合する接合面と、当該接合面と対向する面とを有する板形状の部材であってよい。
【００２７】
また、本例において第１の部材７２は、導電部材であることが好ましい。例えば、第１の部材７２は、過冷却液体温度域を有するアモルファス金属であってよい。本例において、第１の部材７２は、金属ガラスである。第１の部材７２が、過冷却液体温度域を有するアモルファス金属である場合、第１の部材７２及び第２の部材５８の斜領域を容易に形成することができる。第１の部材７２は、プローブカード５０の伝送線路５６と電気的に接続される。例えば、第１の部材７２は、伝送線路５６を介して波形整形部２０（図１参照）から試験信号を受け取り、電子デバイス３０に供給する。また、第１の部材７２は、電子デバイス３０の出力信号を受け取り、受け取った出力信号を、伝送線路５６を介して判定部４０に供給してよい。また、第２の部材５８は、絶縁部材であってよい。
【００２８】
第１の部材７２は、電子デバイス３０と信号の授受を行うことにより発熱する。このため、プローブピン５２の温度が上昇し、第１の部材７２及び第２の部材５８は、膨張する。第１の部材７２の熱膨張係数は、第２の部材５８の熱膨張係数より大きいため、第１の部材７２は、第２の部材５８より膨張する。このため、第１の部材７２には、電子デバイス３０の接続端子３２の方向に熱応力が生じる。本例におけるプローブピン５２によれば、第１の部材７２の温度上昇に応じて、第１の部材７２における当該熱応力は大きくなるため、プローブピン５２と接続端子３２との接触を良好に保つことができる。
【００２９】
図３（ｂ）は、プローブピン５２の構成の他の例を示す。図３（ｂ）において、図３（ａ）と同一の符号を付したものは、図３（ａ）に関連して説明したものと同一又は同様の機能及び構成を有する。本例におけるプローブピン５２は、基板６０を更に有する。
【００３０】
本例において、基板６０は、第２の部材５８に接合して設けられる。図３（ｂ）に示すように基板６０は、第２の部材５８の、第１の部材７２と接合する接合面面と対向する面に設けられてよい。基板６０を設けることにより、プローブピン５２の温度が上昇し、プローブピン５２に熱応力が生じた場合であっても、第１の部材７２及び第２の部材５８の垂直領域を安定に保つことができる。そのため、プローブピン５２と接続端子３２との接触を、安定に保つことができる。
【００３１】
図３（ｃ）は、プローブピン５２の構成の他の例を示す。図３（ｃ）において、図３（ａ）と同一の符号を付したものは、図３（ａ）に関連して説明したものと、同一又は同様の機能及び構成を有する。本例におけるプローブピン５２の第１の部材７２は、図３（ｂ）に示すように、先端に切り欠き形状を有する。本例におけるプローブピン５２によれば、プローブピン５２の熱応力が生じる領域の断面積が、プローブピン５２の先端領域の断面積より大きいため、プローブピン５２の破損を低減することができる。また、本例におけるプローブピン５２は、図３（ｂ）において説明したプローブピン５２と同様に、基板６０を更に有してよい。
【００３２】
図４は、プローブピン５２の構成の他の例を示す。図４（ａ）において、図３と同一の符号を付したものは、図３に関連して説明したものと同一又は同様の機能及び構成を有する。図４（ａ）に示す例において、第１の部材７２は、第２の部材７２より大きい熱膨張係数を有する絶縁部材であり、第２の部材５８は導電部材である。第２の部材５８は、図３において説明した第１の部材７２と同様に、過冷却液体温度域を有するアモルファス金属であってよい。また、本例においてプローブピン５２は図４（ａ）に示すように、第２の部材５８の先端において接続端子３２と接触する。また、図４（ａ）に示すように、本例において伝送線路５６は、第２の部材５８と電気的に接続する。
【００３３】
図４（ｂ）は、プローブピン５２の構成の他の例を示す。図４（ｂ）において、図４（ａ）と同一の符号を付したものは、図４（ａ）に関連して説明したものと同一又は同様の機能及び構成を有する。本例におけるプローブピン５２は、図３（ｂ）において説明したプローブピン５２と同様に基板６０を更に有する。
【００３４】
図４（ｃ）は、プローブピン５２の構成の他の例を示す。図４（ｃ）において、図４（ａ）と同一の符号を付したものは、図４（ａ）に関連して説明したものと同一又は同様の機能及び構成を有する。本例における基板５４は、貫通孔を有し、プローブピン５２は、当該貫通孔に設けられる。また、図３に関連して説明したプローブピン５２においても、図４（ｃ）において説明したプローブピン５２と同様に、基板５４の貫通孔に設けられてよい。
【００３５】
図５は、本発明に係るプローブピン製造方法の一例を示す。当該プローブピン製造方法は、基板５４を準備する工程を有する。次に、図５（ａ）に示すように、基板５４の表面に絶縁膜６４を形成する。本例において、基板５４は、シリコン基板であってよい。この場合、プローブピン製造方法は、基板５４を熱酸化することにより、基板５４に絶縁膜６４であるシリコン酸化膜を形成してよい。
【００３６】
次に、図５（ｂ）に示すように、導電層形成工程で、絶縁膜６４の表面に、所望のパターンを有し、絶縁膜６４より熱膨張係数が大きい導電層６６を形成する。当該導電層形成工程は、導電層６６として、過冷却液体温度域を有するアモルファス金属層を絶縁膜６４の表面に形成してよい。本例において、当該導電層形成工程は、導電層６６として、金属ガラスを絶縁膜６４の表面に形成する。導電層形成工程は、導電層６６を形成するための所望のパターンを有するマスクを、絶縁膜６４の表面に形成する工程と、当該マスクに基づいて、絶縁膜６４の表面に導電層６６を形成する工程と、当該マスクを除去する工程を有してよい。
【００３７】
次に、図５（ｃ）に示すように、導電層６６をマスクとして、絶縁膜６４をエッチングし、絶縁膜６４の一部を除去する。当該工程により、導電層６６と略同一の形状を有する絶縁膜６４を形成する。
【００３８】
次に、図５（ｄ）に示すように、基板除去工程で、基板５４の一部を除去し、絶縁膜６４及び導電層６６を、基板５４から突出させる。当該基板除去工程は、基板を所望の形状にエッチングするために、所望のパターンを有するマスクを基板５４の裏面に形成する工程と、当該マスクに基づいて、基板５４をエッチングする工程と、当該マスクを除去する工程を有してよい。
【００３９】
次に、図５（ｅ）に示すように、絶縁膜除去工程で、基板５４から突出した領域の一部を除去し、導電層６６を、絶縁膜６４から突出させる。当該絶縁膜除去工程は、例えば硝酸等により、絶縁膜６４の一部を除去してよい。
【００４０】
次に、図５（ｆ）に示すように、曲げ工程で、基板５４から突出した絶縁膜６４及び導電層６６を曲げる。当該曲げ工程は、図５（ｆ）に示すように、加圧部材６８により、基板５４から突出した絶縁膜６４及び導電層６６とに圧力を加えることにより、絶縁膜６４及び導電層６６を曲げてよい。また、導電層６６が過冷却液体温度域を有するアモルファス金属層である場合、曲げ工程は、導電層６６を導電層６６の過冷却液体温度域に加熱する工程と、導電層６６を加熱した状態で導電層６６及び絶縁膜６４を曲げる工程と、導電層６６を導電層６６の過冷却液体温度域より低い温度に冷却する工程とを有してよい。
【００４１】
以上説明したプローブピン製造方法によれば、図１から図４に関連して説明したプローブピン５２を容易に製造することができる。
【００４２】
図６は、プローブピン製造方法の他の例を示す。図６において説明するプローブピン製造方法は、図５において説明したプローブピン製造方法の、図５（ａ）から図５（ｃ）において説明した工程を有する。本例におけるプローブピン製造方法は、図５（ｃ）において説明した工程の次に、図６（ａ）に示すように、基板５４の表面及び導電層６６の表面の一部に、所望のパターンを有するマスク層７０を形成する。
【００４３】
次に、図６（ｂ）に示すように、マスク層７０をマスクとして、絶縁膜６４をエッチングし、絶縁膜６４の一部を除去する。本例においては、ウェットエッチングにより、絶縁膜６４を選択的にエッチングする。
【００４４】
次に、マスク層７０を除去し、図６（ｃ）に示すように、基板５４の一部を除去する。本例においては、図５（ｅ）において説明した工程と同様の方法で、基板５４の一部を除去する。
【００４５】
次に、図６（ｅ）に示すように、基板５４から突出した絶縁膜６４及び導電層６６を曲げる。本例においては、図５（ｆ）において説明した工程と同様の方法で、、基板５４から突出した絶縁膜６４及び導電層６６を曲げる。以上説明したプローブピン製造方法においても、図５において説明したプローブピン製造方法と同様に、図１から図４に関連して説明したプローブピン５２を容易に製造することができる。
【００４６】
以上、本発明を実施の形態を用いて説明したが、本発明の技術的範囲は上記実施形態に記載の範囲には限定されない。上記実施形態に、多様な変更または改良を加えることができる。そのような変更または改良を加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれ得ることが、特許請求の範囲の記載から明らかである。
【００４７】
【発明の効果】
上記説明から明らかなように、本発明によるプローブピン及びプローブカードによれば、電子デバイス等と良好な接続を保つことができる。また、本発明による試験装置によれば、電子デバイス等と良好な接続を保つことができるため、電子デバイスの試験を効率良く且つ精度良く行うことができる。また、本発明によるプローブピン製造方法によれば、本発明に係るプローブピンを容易に製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る試験装置１００の構成の一例を示す。
【図２】プローブカード５０の構成の一例を示す。
【図３】プローブピン５２の構成の例を示す。
【図４】プローブピン５２の構成の他の例を示す。
【図５】本発明に係るプローブピン製造方法の一例を示す。
【図６】プローブピン製造方法の他の例を示す。
【符号の説明】
１０・・・パターン発生部、２０・・・波形整形部、３０・・・電子デバイス、３２・・・接続端子、４０・・・判定部、５０・・・プローブカード、５２・・・プローブピン、５４・・・基板、５６・・・伝送線路、５８・・・第２の部材、６０・・・基板、６２・・・斜行部、６４・・・絶縁膜、６６・・・導電層、６８・・・加圧部材、７０・・・マスク層、７２・・・第１の部材、１００・・・試験装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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