(57)【要約】【課題】所定のパターンを有する薄膜を形成する方法及びその装置を提供する。【解決手段】基板に薄膜を設け、薄膜を溶解する溶媒を該薄膜上に島状に配置し、該島状溶媒を吸い取って除去することによって所定のパターンを得る。【選択図】  図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定パターンの薄膜を形成する薄膜形成方法であって、
基板に薄膜を成膜する成膜工程と、
前記薄膜を溶解する溶媒を前記薄膜上に島状に配置する溶媒配置工程と、
前記溶媒配置工程後に当該島状溶媒を吸い取って除去する溶媒除去工程と、を含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
前記溶媒除去工程は、圧力差による液体吸引ノズルによって前記島状溶媒を吸引する工程であることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記溶媒除去工程は、液体吸収体を前記島状溶媒に接触させて吸収する工程であることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項４】
前記薄膜は、有機化合物からなることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項５】
前記薄膜は、有機エレクトロルミネセンス素子の有機機能層であることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項６】
所定パターンの薄膜を形成する薄膜形成装置であって、
基板に薄膜を成膜する成膜手段と、
前記薄膜を溶解する溶媒を前記薄膜に島状に配置する少なくとも１つの溶媒配置手段と、
当該島状溶媒を吸い取って除去する少なくとも１つの溶媒除去手段と、を含むことを特徴とする装置。
【請求項７】
前記溶媒配置手段は、吐出ノズルを含むことを特徴とする請求項６記載の装置。
【請求項８】
前記吐出ノズルは、インクジェット方式を用いたインクジェットノズルであることを特徴とする請求項７記載の装置。
【請求項９】
前記溶媒配置手段は、印刷法を用いた印刷手段を含むことを特徴とする請求項６記載の装置
【請求項１０】
前記溶媒除去手段は、液体吸引ノズルと、前記液体吸引ノズルを前記基板の平面に平行な面内で位置決めする位置決め手段と、を含むことを特徴とする請求項６記載の装置。
【請求項１１】
前記溶媒除去手段は、液体吸収体と、前記液体吸収体を前記基板の平面に平行な面内で位置決めする位置決め手段と、を含むことを特徴とする請求項６記載の装置。
【請求項１２】
前記溶媒配置手段は吐出ノズルであり、前記溶媒除去手段は液体吸引ノズルであり、前記吐出ノズルと前記液体吸引ノズルが、一体的に形成されて吐出・吸引ノズルを形成していることを特徴とする請求項６記載の装置。
【請求項１３】
前記吐出・吸引ノズルの前記吐出ノズルと前記液体吸収ノズルの液体通路は、一方が他方を取り囲んでいることを特徴とする請求項１２記載の装置。
【請求項１４】
前記吐出ノズルは吐出口列を有し、前記液体吸引ノズルは液体吸引口列を有し、前記吐出口列と前記液体吸引口列は互いに並列に配置されていることを特徴とする請求項１２記載の装置。
【請求項１５】
前記吐出ノズルは複数の吐出口を有し、前記液体吸引ノズルは複数の液体吸引口を有し、前記吐出口と前記液体吸引口は交互に且つ直線に沿って配置されていることを特徴とする請求項１２記載の装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、薄膜形成方法及びその装置に関する。
【０００２】
【従来技術】
無機材料又は有機材料からなる薄膜のパターンを形成する方法として、フォトエッチング法、印刷法、レーザ照射法、マスクを用いた蒸着法等が知られている。
フォトエッチング法は、基板に薄膜を形成した後、薄膜上にフォトレジストを所定のパターンで形成し、ウエットエッチング処理若しくはドライエッチング処理によってレジストに覆われていない薄膜部分を除去し、レジストを剥離して薄膜のパターンを形成する方法である。
【０００３】
印刷法は、所定のパターンを有する版を用い、基板上に薄膜溶液を転写し、該薄膜溶液を乾燥することで薄膜のパターンを形成する方法である。
レーザ照射法は、基板に薄膜を形成した後、不要な部分に集光したレーザを照射して、薄膜成分を蒸発除去することで薄膜のパターンを形成する方法である。
マスクを用いた蒸着法は、基板に所定のパターンを有するマスクを密着させて薄膜材料を蒸着させてパターンを形成する方法である。
【０００４】
上記方法を用いて、ＬＳＩ等の半導体装置や、ＬＣＤ、有機エレクトロルミネセンス（以下有機ＥＬと称する）等の表示装置などが形成されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
上記した従来技術の薄膜形成方法は、酸性又はアルカリ性の溶剤や有機溶剤に薄膜全体を曝す工程や、薄膜を含めて基板全体を加熱処理する工程を含んでいる。従って、薄膜材料又は薄膜を支える下地に耐薬品性や耐熱性がない場合、かかる従来方法を用いることはできない。
【０００６】
本発明が解決しようとする課題には、前述した問題が１例として挙げられる。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
請求項１に記載の薄膜形成方法は、所定パターンの薄膜を形成する薄膜形成方法であって、基板に薄膜を成膜する成膜工程と、前記薄膜を溶解する溶媒を前記薄膜上に島状に配置する溶媒配置工程と、前記溶媒配置工程後に当該島状溶媒を吸い取って除去する溶媒除去工程と、を含むことを特徴とする。
【０００８】
請求項６に記載の薄膜形成装置は、所定パターンの薄膜を形成する薄膜形成装置であって、基板に薄膜を成膜する成膜手段と、前記薄膜を溶解する溶媒を前記薄膜に島状に配置する少なくとも１つの溶媒配置手段と、当該島状溶媒を吸い取って除去する少なくとも１つの溶媒除去手段と、を含むことを特徴とする。
【０００９】
【発明の実施の形態】
本発明の実施例を、添付図面を参照しつつ詳細に説明する。
図１は、本発明による所定パターンの薄膜を形成する薄膜形成方法について、概略的に示している。成膜工程（図１（ａ））において、基板１の全面若しくは所望の位置に薄膜２を成膜する。薄膜２は、スピンコート法、蒸着法など種々の成膜方法を用いて成膜できる。特に、蒸着法に不向きな材料は、スピンコート法を用いることで、膜厚が均一な薄膜が形成できる。
【００１０】
薄膜２の上に、薄膜２を溶解する溶媒３を薄膜２上に島状に配置する溶媒配置工程（図１（ｂ））を行う。この溶媒配置工程において使用される溶媒３の配置手段は、例えばスクリーン印刷法等の印刷法を用いた印刷手段又は噴霧機構若しくは滴下機構を備えた吐出ノズルなどが使用できる。吐出ノズルは、インクジェット方式を用いたインクジェットノズルなどが含まれる。溶媒３は、薄膜２を溶解させるものであれば良く、例えば有機溶媒等が用いられる。また、溶媒は、薄膜成分を分解する成分が含まれても良い。例えば、薄膜がポリマーである場合、解重合剤等が添加された溶媒が使用できる。
【００１１】
溶媒配置工程後、薄膜２上で溶媒３を静止させる溶媒静止工程（図１（ｃ））を実施する。溶媒静止工程に要する時間は、溶媒３が配置された部分の薄膜２が溶媒３に溶解するまでの溶解時間を考慮して決定される。溶解時間の決定要因として、成膜成分が溶媒へ溶解する溶解係数及び成膜された薄膜の膜厚等がある。なお、溶媒３への溶解が速い場合、薄膜２上に溶媒３を配置した直後に、溶媒３を除去することとしても良い。
【００１２】
溶媒静止工程終了後、溶媒３を吸い取って除去する溶媒除去工程（図１（ｄ））を実施する。溶媒３を吸い取って除去する方法として、圧力差を利用して吸引する方法や毛管現象を利用する方法がある。圧力差を用いる方法を行う手段は、真空吸引する液体吸引ノズルなどがある。毛管現象を利用する手段としては、毛管や液体吸収体などがある。液体吸収体は、例えば溶媒に対して親和性が高いポリマー等が使用できる。
【００１３】
上記の工程を経て、薄膜のパターンが形成できる。上記の如く、薄膜全体をレジスト等の薬剤に曝すことなく、部分的に溶媒を配置及び吸い取って薄膜のパターンを形成することができる故、耐薬品性が低い薄膜に対してもパターンが形成できる。また、各工程において加熱処理を行うことなくパターン形成することができる故、例えば有機化合物等の耐熱性が低い薄膜に対してもパターン形成ができる。
【００１４】
上記の如き薄膜形成方法を実施する薄膜形成装置の構造及びその動作について説明する。
図２に示す如く、薄膜形成装置４は、溶媒を吐出する吐出ノズル５含む溶媒配置手段と、溶媒を吸い取って除去する液体吸引ノズル６を含む溶媒除去手段と、を含んでいる。吐出ノズル５は、例えばインクジェット方式を用いたインクジェットノズルである。インクジェットノズルから吐出される溶媒の液量は、少量にすることができる故、微細なパターン形成ができる。なお、該溶媒配置手段や該溶媒除去手段は、各々基板に対して位置決めする位置決め機構や移動を行う移動機構などを備えているものの、図面中への記載を省略した。また、薄膜形成装置４には、基板を搬送する基板搬送手段や、基板が載置される基板載置手段や、薄膜を成膜する成膜手段などが含まれるものの、かかる手段についても図面中への記載を省略した。
【００１５】
薄膜形成装置４は、基板搬送手段を用いて基板１を装置内に導入する。基板１は、水平テーブルに載置され固定部材で固定される。基板を固定した後、成膜手段が基板１上に薄膜２を形成する（図２（ａ））。成膜手段は、スピンコート、蒸着手段等が使用できる。
薄膜を成膜した後、吐出ノズル５が移動し、薄膜２の所望の位置に溶媒３を配置する（図２（ｂ））。
【００１６】
吐出ノズル５が、溶媒配置動作を終了して停止位置まで移動した後（図２（ｃ））、溶媒３を薄膜２上に静止させて薄膜２を溶媒３に溶解させる。（図２（ｄ））。
所定時間が経過した後、液体吸引ノズル６が移動し、薄膜が溶解した溶媒３を真空吸引する（図２（ｅ））。真空吸引は、溶媒３が存在する領域のみで行う。なお、液体吸引ノズル６が薄膜２から離れた位置に設けられている場合など、溶媒３が存在しない領域で吸引動作を行っても薄膜２に影響がない場合には、液体吸引ノズル６が移動している間、連続的に真空吸引を行うこととしても良い。また、１度の吸引で溶媒３が除去できない場合は、液体吸引ノズル６を複数回移動させて溶媒３の除去を完全にする。
【００１７】
溶媒３が除去された基板１（図２（ｆ））は、基板搬送手段を用いて薄膜形成装置４外に搬送され、薄膜のパターン形成が終了する。上記の如く、薄膜の不要部分に溶媒を配置して薄膜を溶解させ、薄膜が溶解した溶媒を吸い取って除去することによって薄膜のパターンが得られることから、予めパターンが形成されたレジストやマスクを設けておく必要がない故、パターンの形成が簡便になる。
【００１８】
なお、薄膜の膜厚が厚い場合など、１度の動作でパターンが形成されない場合は、溶媒の配置動作と溶媒の除去動作を繰返し行うこととしても良い。
また、吐出ノズルは、インクジェットノズルの他に、円状やスリット状等の形状のノズル口を有するノズルを用いることができる。
また、上記装置において、溶媒の除去を液体吸収体によって行う場合、薄膜が設けられている側から基板１を液体吸収体からなるシートで覆う他、液体吸収体が表面に設けられたローラーを回転させつつ溶媒３に接触させて吸収することとしても良い。
【００１９】
上記装置は、吐出ノズル及び液体吸引ノズルを移動させる場合に限定されず、水平テーブルに移動機構を設けて基板を動かすこととしても良い。かかる構成によって、吐出ノズル及び液体吸引ノズルを固定して基板を移動させることや、ノズル及び基板の双方を移動させることができる。
なお上記装置は、成膜手段を含まないこととしても良い。かかる構成の場合、予め薄膜が形成された基板が薄膜形成装置に導入されることとしても良い。
【００２０】
上記装置の動作の制御について図３のフローチャートを用いて説明する。
基板が、基板搬送手段によって装置内に導入される（Ｓ１）。
基板位置センサ及び基板移動手段を用いて、基板の原点が水平テーブルの原点位置に合うまで基板の位置出しが行われる（Ｓ２）。
基板の位置出しが完了して基板が固定された後、成膜手段を用いて基板上に薄膜を成膜する（Ｓ３）。
【００２１】
成膜終了後、吐出ノズル及び液体吸引ノズルが共に原点位置に合うまでノズルの位置出しが行われる（Ｓ４）。
吐出ノズル及び液体吸引ノズルが共に原点位置に合わせられた後、形成するパターンを基に基板の原点に対して変換されたＸ−Ｙ座標データ、溶媒吐出量データ、溶解時間データ等を含む製造レシピデータがメモリに取り込まれる（Ｓ５）。
【００２２】
該製造レシピデータに従って、吐出ノズルが移動し、溶媒を配置する。溶媒が薄膜上に配置されると同時に、時間測定手段がカウントを開始する。（Ｓ６）。吐出ノズルが停止位置まで移動したことをノズル位置センサが検出すると、吐出ノズルが停止する（Ｓ７）。
時間測定手段のカウント数が、溶解時間となった後、液体吸引ノズルを移動させつつ薄膜が溶解した溶媒の吸引を行う（Ｓ８）。真空吸引は、前述の製造レシピデータに従って動作する。
【００２３】
液体吸引ノズルが停止位置まで移動したことをノズル位置センサが検出すると、液体吸引ノズルが停止し、基板が基板搬送手段によって装置の外に取り出される（Ｓ９）。
上記のステップによって、薄膜が所望のパターンに形成される。上記の如き制御によれば、製造レシピデータを変更することによって薄膜に形成するパターンを変更することができる故、基板毎に異なるパターンの薄膜を形成する場合であっても、連続して形成することができる。
【００２４】
なお成膜工程とパターン形成工程の間に基板の搬送を行うステップが含まれても良い。例えば、薄膜形成装置に成膜工程処理チャンバとパターン形成工程処理チャンバが設けられている場合、薄膜を形成するステップが終了した後、基板搬送ステップを行って、基板をパターン形成工程処理チャンバに搬送することとしても良い。基板搬送ステップ終了後、基板はパターン形成工程処理チャンバ内にて位置決めされ、パターン形成工程が開始される。
【００２５】
上記の如き薄膜形成装置において、吐出ノズルと液体吸引ノズルはそれぞれ別々に移動させる場合に限定されない。例えば図４に示す如く、吐出ノズルと液体吸引ノズルの双方を同時に移動させ、且つ両ノズルの進行方向に対して前方のノズルが溶媒を吐出しつつ後方のノズルが溶媒を吸引することとしても良い（図４（ｂ））。薄膜の溶解度が高い場合などには、上記の如く吐出ノズル及び液体吸引ノズルの双方を同時に移動させて溶媒の配置と溶媒の吸引除去をほぼ同時に行うことによって、より厳密なパターンの形成ができる。
【００２６】
なお、吐出ノズルと液体吸引ノズルが一体的に形成された吐出・吸引ノズルを用いても良い。吐出・吸引ノズルは、例えば吐出ノズルと吸引ノズルの各液体通路の中心軸に関して互いに同心的に配置している。図５に示す如く、吐出・吸引ノズル７Ａは、吐出ノズル通路８の周囲に筒状の液体吸引ノズル通路９を設けている。また吐出・吸引ノズル７Ｂは、液体吸引ノズル通路９の周囲に筒状の吐出ノズル通路８を設けている。かかる配置することによって、粘性が低い溶媒や揮発性の溶媒を用いることができる。
【００２７】
更に、吐出口及び液体吸引口が複数設けられている場合、上記配置の他に、図６に示す如く、吐出ノズルの吐出口列１０と液体吸引ノズルの液体吸引口列１１とが互いに平列になるように配置した吐出・吸引ノズル７Ｃや、吐出ノズルの複数の吐出口１２と液体吸引ノズルの複数の液体吸引口１３とを交互に且つ直線に沿って配置した吐出・吸引ノズル７Ｄなどを用いることができる。かかる配置によれば、各ノズル口毎に吐出状態を制御することによって、より複雑なパターンを形成することができる。
【００２８】
図７に示される如く、矩形の薄膜が等間隔で島状に分布するように基板上に設けられた、平面パターンの形成方法について説明する。
図８に示す如く、直線状のスリットを吐出口とした吐出ノズル５と直線状のスリットを液体吸引口とした液体吸引ノズル６が設けられた薄膜形成装置４内に基板を導入し、水平テーブルに載置して固定した後、薄膜２を成膜する（図８（ａ））。
【００２９】
薄膜成膜後、吐出ノズル５が移動し、基板の所定の位置に帯状に溶媒３を配置する。吐出ノズル５が停止位置まで移動した後、溶媒３を基板上に静止させて薄膜を溶解させる（図８（ｂ））。
所定時間が経過した後、液体吸引ノズル６が移動し、薄膜が溶解した溶媒を真空吸引する（図８（ｃ））。
【００３０】
液体吸引ノズル６が停止位置まで移動した後、基板回転機構によって基板が９０°回転し、吐出ノズル５及び液体吸引ノズル６が移動して原点位置に位置決めされる（図８（ｄ））。
各ノズルの位置決めが完了した後、吐出ノズル５が移動し、基板の所定の位置に帯状に溶媒３を配置する。吐出ノズル５が、停止位置に移動した後、溶媒３を基板上に静止させて薄膜を溶解させる（図８（ｅ））。
【００３１】
所定時間経過後、液体吸引ノズル６が移動し、薄膜が溶解した溶媒を真空吸引し、薄膜のパターンが完了する（図８（ｆ））。
なお、上記装置では、基板を９０°回転させているもののこれに限定されず、各ノズルに回転機構を設けてノズルを９０°回転させても良い。
図７に示したパターンを得るための変形例を図９に示す。図９（ａ）に示す如く、薄膜形成装置は、直線状のスリットが設けられた吐出ノズルが２つ備えられ、一方の吐出ノズル５Ａが他方の吐出ノズル５Ｂに対して直角になるように配置されている。薄膜形成装置４内に基板を導入し、薄膜２を成膜する（図９（ａ））。
【００３２】
吐出ノズル５ＡのみがＹ方向に移動して帯状の溶媒を配置する（図９（ｂ））。吐出ノズル５Ａが停止位置にて停止した後、吐出ノズル５ＢがＸ方向に移動しつつ溶媒を配置する（図９（ｃ））。所定時間が経過した後、液体吸引ノズル６がＹ軸方向に移動して溶媒を吸引する（図９（ｄ））。上記の如き装置を用いることによって、液体吸引ノズルの動作は１回だけで済むことから、製造時間の削減に有効である。
【００３３】
上記の如き成膜方法及び装置を用いて、例えば有機ＥＬ発光素子の有機機能層が形成できる。図１０に示す如く、有機ＥＬ発光素子１４の有機化合物からなる有機機能層１７は、陽極１６と陰極１８とによって挟持されており、陽極−陰極間に電圧を印加することによって、陽極１６から注入される正孔と陰極１８から注入される電子が有機機能層１７内で再結合して発光する。有機機能層１７は、例えば基板１５側から順に、陽極１６から正孔が注入される正孔注入層１９、正孔を輸送する正孔輸送層２０、正孔と電子が再結合して発光する発光層２１、電子が注入される電子注入層２２、が積層されてなる。上記薄膜形成方法及び装置の溶媒を有機機能層の各層が溶解できる有機溶媒等とすることによって、有機機能層のパターンを形成することができる。
【００３４】
有機ＥＬ発光素子１４の形成に対して、上記の薄膜形成方法及び装置が特に有効であるのは、高分子材料からなる有機機能層１７がスピンコート等のウエットプロセスで成膜される場合である。有機機能層１７の全てがウエットプロセスで形成される場合、有機機能層１７の各層の成膜工程と本発明によるパターン形成とを繰り返すことによって形成しても良い。また、有機機能層１７の各層のうち複数層の積層を行った後に、本発明によるパターン形成を行うこととしても良い。後者の場合、積層された各々の層に共通する溶媒があれば、パターン形成工程の回数が減らすことができるので、より効率的である。
【００３５】
なお有機機能層のうち１部の層を本発明による方法でパターン形成を行い、その他の層を蒸着法等の成膜方法でパターン形成しても良い。例えばホール注入層を本発明によるパターン形成方法によって形成し、残りの層をマスク蒸着法などのパターン形成方法によって形成しても良い。
ａ．実施例１
上記の方法を用いて、有機ＥＬ発光パネルディスプレイを作成した。
（１）陽極の作成
スパッタ法を用いて、ガラス基板上に１５００Åのインジウム−スズ酸化物（以下ＩＴＯと称する）を設けた。次に東京応化社製のフォトレジストＡＺ６１１２をＩＴＯ膜上にストライプ状に成膜した。この基板を塩化第２鉄水溶液と塩酸の混合液中に浸漬し、レジストが覆っていない部分のＩＴＯをエッチングした。基板をアセトン中に浸漬してレジストを除去した後、ライン数２５６本からなるストライプ状の電極パターンが形成された。
（２）有機機能層（高分子膜）の成膜
（１）で得られた基板上に、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（以下ＤＭＦと称する）有機溶媒に溶解され且つ酸が添加されたポリアニリン誘導体の溶液をスピンコート法を用いて塗布した。
（３）有機機能層（高分子膜）のパターン形成
（２）の基板を図８の如き装置に導入した。溶媒としてＤＭＦを用いた。吐出ノズルを移動させつつ画素部分以外の位置にＤＭＦを帯状に配置した。５秒放置後、液体吸引ノズルを動作してＤＭＦを吸引した。基板を９０°回転させた後、吐出ノズルを移動させつつＤＭＦを帯状に配置した。５秒放置後、液体吸引ノズルを動作させてＤＭＦを吸引した。基板を加熱して、画素部分に４５０Åのポリアニリン膜を形成した。
（４）有機機能層（低分子層）のパターン形成
（３）の基板上に、マスクを用いた蒸着法によって、α−ＮＰＤ（Ｎ，Ｎ’−ｄｉ−１−ｎａｐｈｔｈａｌｅｎｙｌ−Ｎ，Ｎ’−ｄｉｐｈｅｎｙｌ−（１，１’−ｂｉｐｈｅｎｙｌ）−４，４’−ｄｉａｍｉｎｅ）を２５０Å、Ａｌｑ３（ｔｒｉｓ（８−ｈｙｄｒｏｘｙｑｕｉｎｏｌｉｎｅ）ａｌｕｍｉｎｕｍ）を６００Å各々順に積層して形成した。更に、マスクを用いた蒸着法によりアルミニウム−リチウム（Ａｌ−Ｌｉ）合金を１０００Å蒸着させて陰極を形成した。該陰極は、該陽極に直交するように６４本のストライプ状に形成された。以上の工程によって有機ＥＬ発光パネルディスプレイを完成させた。
ｂ．比較例１
上記実施例の（３）において、画素以外の部分のポリアニリン膜をＤＭＦによる溶解ではなく、ＹＡＧレーザからのレーザ光を照射して除去した以外は、上記実施例と同様の工程で有機ＥＬ発光パネルディスプレイを完成させた。
ｃ．パネルの全点灯試験
実施例及び比較例で作成したパネルを所望の駆動回路に接続して全点灯を行った。各パネルの発光状態を観察すると、実施例にて作成されたパネルの全ての画素は点灯していたが、３本の陽極ラインと５本の陰極ライン上にある画素が点灯していなかった。これは、レーザ照射により陽極が損傷して断線したしまったこと、並びにポリアニリンがレーザによって完全に除去されなかったことにより接触不良が発生したことによる。この結果から、本発明による薄膜パターン形成方法は、下地を傷めずにポリアニリン膜を完全にパターにングできることが確認された。
【００３６】
所定パターンの薄膜を形成する薄膜形成方法であって、基板に薄膜を成膜する成膜工程と、前記薄膜を溶解する溶媒を前記薄膜上に島状に配置する溶媒配置工程と、前記溶媒配置工程後に当該島状溶媒を吸い取って除去する溶媒除去工程と、を含むことを特徴とする方法によれば、加熱による薄膜除去工程を含まない故、耐熱性が低い薄膜や薄膜を支える下地を傷めることなくパターンを形成することができる。
【００３７】
所定パターンの薄膜を形成する薄膜形成装置であって、基板に薄膜を成膜する成膜手段と、前記薄膜を溶解する溶媒を前記薄膜に島状に配置する少なくとも１つの溶媒配置手段と、当該島状溶媒を吸い取って除去する少なくとも１つの溶媒除去手段と、を含むことを特徴とする装置によれば、溶媒配置手段を制御することによって所望の薄膜のパターンが得られることから、種々のパターンに応じたマスクを形成することなく薄膜を形成できる故、薄膜の製造工程を簡便にすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による薄膜形成方法の処理工程を順に示す断面図である。
【図２】本発明による薄膜形成装置の処理動作を順に示す断面図である。
【図３】本発明による薄膜形成装置の動作の制御について示したフロー図である。
【図４】本発明による薄膜形成装置の処理動作を順に示す断面図である。
【図５】薄膜形成装置の吐出・吸引ノズルの断面図である。
【図６】吐出・吸引ノズルのノズル口の配列を示す平面図である。
【図７】本発明により形成される薄膜のパターンを示す平面図である。
【図８】図７に示す如きパターンを形成する薄膜形成装置の処理動作を順に示す平面図である。
【図９】図７に示す如きパターンを形成する薄膜形成装置の処理動作を順に示す平面図である。
【図１０】有機ＥＬ発光素子の断面図である。
【符号の説明】
２  薄膜
３  溶媒
４  薄膜形成装置
５、５Ａ、５Ｂ  吐出ノズル
６  液体吸引ノズル
７Ａ、７Ｂ、７Ｃ、７Ｄ  吐出・吸引ノズル
１４  有機ＥＬ発光素子
【図１】
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【図２】
2004281258.tif 000004
【図３】
2004281258.tif 000005
【図４】
2004281258.tif 000006
【図５】
2004281258.tif 000007
【図６】
2004281258.tif 000008
【図７】
2004281258.tif 000009
【図８】
2004281258.tif 000010
【図９】
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【図１０】
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