(57)【要約】【課題】  横方向電場駆動液晶ディスプレイ（ＩＰＳ−ＬＣＤ）の製造方法の提供。【解決手段】  本方法の主要な特徴は、同じマスクを用いて複数のアモルファスシリコンアイランドと複数のコンタクトホールを形成し、各アモルファスシリコンアイランドはアクティブ領域内のＬＣＤ画素を制御するためトランジスタのチャネルを形成するのに用いられ、各コンタクトホールはアクティブ領域周囲の抗静電放電保護回路を制御するのに用いられる。本方法の他の特徴は、アモルファスシリコンアイランドとコンタクトホールを位相シフトマスクで形成することにある。そのうち、コンタクトホール上方の一部の位相シフトマスクはいずれのパターンにも被覆されず、アクティブ領域内の各トランジスタ上方と抗静電放電保護回路上方の一部の位相シフトマスクは低透光率パターンを具え、位相シフトマスクのその他の部分は高透光率パターンを具えている。【選択図】        図８
2004318076.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
横方向電場駆動液晶ディスプレイの製造方法において、
第１領域、第２領域及び第３領域を少なくとも具えた基板を提供する工程、
第１金属層を該基板の上に形成する工程、
第１マスクを用いて該第１金属層をパターン化して複数の第１金属線を第１領域に、複数の第２金属線を第２領域に、複数の第３金属線を第３領域に形成する工程、
絶縁層、シリコン層及び半導体層を基板と第１金属線、第２金属線及び第３金属線の上に順に形成する工程、
第２マスクを用いてホトレジスト層を該半導体層の上に形成し、そのうち該ホトレジスト層は該複数の第３金属線上において複数の開口を具え、該ホトレジスト層は厚い部分と薄い部分を具え、厚い部分のホトレジスト層は複数の第２金属線及びその付近の領域の上方に位置し、厚い部分のホトレジスト層はまた一部が複数の第３金属線及び第３領域内の半導体層の上方に位置し、薄い部分のホトレジスト層は半導体層のその他の部分の上方に位置するようにする工程、
ホトレジスト層をマスクとし、一部の半導体層、一部のシリコン層と一部の絶縁層を除去し、複数の第３金属線を半導体層、シリコン層と絶縁層中の複数の第一コンタクトホールより露出させる工程、
ホトレジスト層を灰化処理して薄い部分のホトレジスト層を除去し、厚い部分のホトレジスト層の厚さを減らす工程、
灰化処理後のホトレジスト層をマスクとし、一部の半導体層と一部のシリコン層を除去し、一部の絶縁層を露出させる工程、
残ったホトレジスト層を除去する工程、
第２金属層を露出した絶縁層と半導体層の上に形成し、上述の第１コンタクトホールを第２金属層で充填する工程、
第３マスクを使用して第２金属層をパターン化し、複数の第２コンタクトホールを第２金属層内及び複数の第２金属線と複数の第３金属線上に形成し、そのうち、複数の第２コンタクトホールと複数の第１コンタクトホールは重畳しないものとする工程、
複数の第２コンタクトホールより露出した部分の半導体層を除去する工程、
保護層を第２金属層、露出した絶縁層及びシリコン層の上方に形成する工程、
以上の工程を具えたことを特徴とする、横方向電場駆動液晶ディスプレイの製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の横方向電場駆動液晶ディスプレイの製造方法において、第１領域は共同線／画素領域、第２領域はトランジスタ領域、第３領域は抗静電放電保護回路領域とすることを特徴とする、横方向電場駆動液晶ディスプレイの製造方法。
【請求項３】
請求項１記載の横方向電場駆動液晶ディスプレイの製造方法において、第４マスクを使用してアウターリードボンディングパッドを基板上方に形成する工程を更に具えたことを特徴とする、横方向電場駆動液晶ディスプレイの製造方法。
【請求項４】
請求項１記載の横方向電場駆動液晶ディスプレイの製造方法において、第２マスクは位相シフトマスクとし、及び又は、該位相シフトマスクは透明基板、高透光率パターン、低透光率パターンで形成し、該高透光率パターンは該透明基板上に位置すると共に、薄い部分のホトレジスト層の上方に位置し、低透光率パターンは該透明基板上に位置すると共に、厚い部分のホトレジスト層の上方に位置するものとすることを特徴とする、横方向電場駆動液晶ディスプレイの製造方法。
【請求項５】
横方向電場駆動液晶ディスプレイにおいて、
基板と、
該基板上に位置するアクティブ領域と、
該基板上に位置すると共に、それぞれがいずれも該アクティブ領域に電気的に接続され、並びに該アクティブ領域外に位置する端点を具えた複数の伝導線と、
該基板上に位置し、それぞれがいずれも該伝導線に電気的に接続された複数の抗静電放電保護回路と、
を具え、各抗静電放電保護回路はそれぞれ、
該基板上に位置するゲートと、
該基板と該ゲートの上に位置すると共に第１コンタクトホールを具えて該ゲートを露出させる絶縁層と、
露出した絶縁層の上に位置するシリコン層と、
該シリコン層の上に位置し、第２コンタクトホールを具えて該シリコン層を露出させた半導体層と、
該半導体層の上に位置し、並びに第１コンタクトホールに充填された導体層と、
該導体層及び該第２コンタクトホールより露出した該シリコン層の上に位置する保護層と、
を具えたことを特徴とする、横方向電場駆動液晶ディスプレイ。
【請求項６】
請求項５記載の横方向電場駆動液晶ディスプレイにおいて、導体層は直接半導体層の表面及び第１コンタクトホールの側壁に接触し、及び又は該導体層はアクティブ領域に位置する複数の伝導線を形成するのに用いられ、及び又は、該導体層は該基板上の複数の画素電極を形成するのに用いられることを特徴とする、横方向電場駆動液晶ディスプレイ。
【請求項７】
請求項６記載の横方向電場駆動液晶ディスプレイにおいて、半導体層の上表面がいかなる誘電層とも直接には不接触であることを特徴とする、横方向電場駆動液晶ディスプレイ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は４マスク工程を利用した横方向電場駆動液晶ディスプレイ（ＩＰＳ−ＬＣＤ）の製造方法及びその構造に関する。特に、本発明は第２金属層を形成する前に、同一のマスクを使用してコンタクトホールとチャネルを形成する横方向電場駆動液晶ディスプレイ（ＩＰＳ−ＬＣＤ）の製造方法及びその構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
周知の薄膜トランジスタ液晶ディスプレイ（ＴＦＴ−ＬＣＤ）の製造技術にあって、ゲートバス線（ｇａｔｅ  ｂｕｓ  ｌｉｎｅ）、チャネル層（或いはアモルファスシリコンアイランド）、データバス線、保護層、コンタクトホールと画素電極回路等は、通常、異なるマスクを用いることでそれぞれ形成される。しかるに、マスク数が多くなると、製造コストも高くなる。このため、いかに製造工程に必要なマスク数を減らすかがＴＦＴ−ＬＣＤ産業の重要な課題となっている。バックチャネルエッチ式（ＢＣＥ）ＴＦＴ−ＬＣＤ製造時には余分の光学リソグラフィー及び堆積工程は不要であるため、このようなＴＦＴ−ＬＣＤは製造工程に必要なマスク数を減らすためにすでに広く使用されている。このようなＴＦＴ−ＬＣＤの製造工程は、四種類の異なる材料上にそれぞれ異なるパターンと少なくとも一つのコンタクトホールを形成することが必要で、このため少なくとも五つのマスクが必要である。
【０００３】
更に製造工程で必要なマスク数を減らすためには、二種類の異なる材料層を同一のマスクにより形成するか、或いは同一材料層に異なる層構造を形成する必要がある。これまでに提出された４マスク製造工程としては、例えばＳａｍｓｕｎｇ社によるものがある。それは、横方向電場駆動液晶ディスプレイ（ＩＰＳ−ＬＣＤ）製造工程中にスリット（ｓｌｉｔ）（或いはグレートーン（ｇｒａｙ−ｔｏｎｅ））マスクを使用することでチャネル層とデータバス配線を形成する方法であり、あきらかにこれは４マスク製造工程である。ただし、ＩＰＳ−ＬＣＤは抗静電放電保護（ａｎｔｉ  ｅｌｅｃｔｒｏ−ｓｔａｔｉｃ  ｄｉｓｃｈａｒｇｅ；ａｎｔｉ−ＥＳＤ）回路によりアクティブ領域内に位置する全てのトランジスタを保護する必要があり、且つ抗静電放電保護回路はゲートが電気的にドレイン（或いはソース）に接続されたトランジスタであるため、さらに一つのマスク工程を増加して電気的にゲートをドレイン／ソースに接続させるチャネルのコンタクトホールを形成しなければならない。
【０００４】
Ｓａｍｓｕｎｇ社による方法は概略すると以下のような基本工程を具えている。
【０００５】
図１に示されるように、第１金属層を基板１０の上に形成し、並びに第１マスクを使用して上述の第１金属層をパターン化し、複数の第１金属線１１（或いはゲート線）を基板１０上に形成する。続いて、順に、絶縁層１２、シリコン層１３、Ｎ＋型シリコン層１４と第２金属層１５を基板１０と第１金属線１１の上方に形成する。そのうち、基板１０は透明基板とされ、並びに少なくとも三つの領域に分けられる。即ち、共同線／画素エリア（ｃｏｍｍｏｎ／ｐｉｘｅｌ  ａｒｅａ）、トランジスタエリア（ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ  ａｒｅａ）と抗静電放電保護回路エリア（ａｎｔｉ−ＥＳＤ  ｃｉｒｃｕｉｔ  ａｒｅａ）である。並びに、この方法は、ＩＰＳ−ＬＣＤの製造方式にのみ重きを置き、レイアウトの方式に関しては特別に強調しておらず、且つ周知の技術のレイアウトを使用することができる。
【０００６】
図２に示されるように、ホトレジスト層１６３を第２金属層１５の上方に形成し、並びにスリットマスク（第２マスク）を使用して上述のホトレジスト層１６３をパターン化する。そのうち、スリットマスクは透明ウエハ１６０上方に位置する複数の第１パターン１６１と複数の第２パターン１６２を具えている。上述の第１パターン１６１は伝導線（例えばバス配線）上方に位置し、上述の第２パターン１６２はトランジスタの上方に位置する。適当に上述の第１パターン１６１と第２パターン１６２の形状及び配列を調整し、特に第１パターン１６１と近隣の第２パターン１６２の間の距離を調整することにより、第２パターン１６２下方にあってホトレジスト層１６３中にコンタクトホール１６４を形成できる。
【０００７】
図３に示されるように、ホトレジスト層１６３はマスクとして第２金属層１５、Ｎ＋型シリコン層１４とアモルファスシリコン層１３をパターン化するのに使用される。
【０００８】
図４に示されるように、ホトレジスト層１６３をエッチングして第２金属層１５を露出させる。そのうち、ホトレジスト層１６３の厚さは後続のエッチング工程中に消耗されないよう制御する。その後、残ったホトレジスト層１６３をマスクとして各トランジスタのチャネルを形成する。
【０００９】
図５に示されるように、残ったホトレジスト層１３を除去し、その後、保護層１７を基板１０の上方に形成する。
【００１０】
図６に示されるように、ＩＴＯ層１８を抗静電放電保護回路領域中に形成して第１金属線１１と第２金属層１５を接続する。図６に示される構造は二つのマスク工程を使用して完成する必要がある。第３マスクはコンタクトホールを形成して抗静電放電保護回路領域に位置する一部の第１金属線１１を露出させるのに、第４マスクはＩＴＯ層１８をパターン化するのに、それぞれ用いられる。当然、第４マスクもアウターリードボンディング（ＯＬＢ）パッドをパターン化し基板１０上に形成するのに用いられ得る。
【００１１】
総合すると、この周知の方法はソース／ドレイン形成前に必要なコンタクトホールを形成する工程を含まない。このためコンタクトホールを形成するための少なくとも一つの工程と、第１金属線１１と第２金属線１５間を電気的に接続するための余分な金属化工程が必要となる。そのうち、電気的接続は通常ＩＴＯ透明層を利用して達成される。
【００１２】
あきらかに、この周知の方法は完全には従来の問題を解決していない。もしＩＴＯ形成の工程を計算しないとすれば、どのようなＩＰＳ−ＬＣＤの４マスク製造工程を使用してもコスト下げることができるのである。言い換えると、従来の問題は未だ解決を待つ問題であり、更なる研究開発の必要がある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
本発明の主要な目的は、周知の方法の欠点を解決できる４マスクを使用して横方向電場駆動液晶ディスプレイ（ＩＰＳ−ＬＣＤ）を製造する方法を提供することにある。
【００１４】
本発明の別の目的は、一種の４マスク製造工程を提供することにあり、即ち、同一マスクを使用してコンタクトホール、画素電極とチャネル層を形成することにより、ＩＴＯ層に係るコストを節約できるようにする。
【００１５】
本発明の更に別の目的は、位相シフトマスクを使用した４マスク製造工程を提供することにある。この位相シフトマスクは三つの部分、即ち、高透光率領域、低透光率領域、及び透明領域に分けられる。
【００１６】
本発明の別の目的は、横方向電場駆動液晶ディスプレイを提供することにある。そのうち、抗静電放電保護回路の電気的接続チャネルは完全に保護層下方に位置し、並びに薄膜トランジスタの第２金属層を利用して形成する。これにより、本発明は完全に余分の材料を用いて電気的接続を形成する必要がない。
【００１７】
本発明は以下の基本的特徴により上述の目的を達成する。
第１に、チャネル層と画素電極をパターン化して形成するのに用いられるホトレジスト層は基板の表面上に位置しない。これに対して、コンタクトホールはホトレジスト層に被覆されていない所定の位置に位置する。これにより、ホトレジスト層は一回のリソグラフィー工程中に同時にコンタクトホール、チャネル層と画素電極を画定できる。
第２に、マスク、特に位相シフトマスクを提供する。それは、三種類の異なる透光率領域を具えている。この位相シフトマスクは高透光率領域、低透光率領域と透明領域を具えている。一般に、この低透光率領域は二種類の材料で形成され、高透光率領域は一種類の材料で形成され、透明領域は即ち透明基板である。これにより、透明領域を用いてパターン化してコンタクトホールを画定し、その他の領域を用いてチャネル層と画素電極を画定する。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
請求項１の発明は、横方向電場駆動液晶ディスプレイの製造方法において、
第１領域、第２領域及び第３領域を少なくとも具えた基板を提供する工程、
第１金属層を該基板の上に形成する工程、
第１マスクを用いて該第１金属層をパターン化して複数の第１金属線を第１領域に、複数の第２金属線を第２領域に、複数の第３金属線を第３領域に形成する工程、
絶縁層、シリコン層及び半導体層を基板と第１金属線、第２金属線及び第３金属線の上に順に形成する工程、
第２マスクを用いてホトレジスト層を該半導体層の上に形成し、そのうち該ホトレジスト層は該複数の第３金属線上において複数の開口を具え、該ホトレジスト層は厚い部分と薄い部分を具え、厚い部分のホトレジスト層は複数の第２金属線及びその付近の領域の上方に位置し、厚い部分のホトレジスト層はまた一部が複数の第３金属線及び第３領域内の半導体層の上方に位置し、薄い部分のホトレジスト層は半導体層のその他の部分の上方に位置するようにする工程、
ホトレジスト層をマスクとし、一部の半導体層、一部のシリコン層と一部の絶縁層を除去し、複数の第３金属線を半導体層、シリコン層と絶縁層中の複数のコンタクトホールより露出させる工程、
ホトレジスト層を灰化処理して薄い部分のホトレジスト層を除去し、厚い部分のホトレジスト層の厚さを減らす工程、
灰化処理後のホトレジスト層をマスクとし、一部の半導体層と一部のシリコン層を除去し、一部の絶縁層を露出させる工程、
残ったホトレジスト層を除去する工程、
第２金属層を露出した絶縁層と半導体層の上に形成し、上述の第１コンタクトホールを第２金属層で充填する工程、
第３マスクを使用して第２金属層をパターン化し、複数の複数の複数の第２コンタクトホールを第２金属層内及び複数の第２金属線と複数の第３金属線上に形成し、そのうち、複数の第２コンタクトホールと複数の第１コンタクトホールは重畳しないものとする工程、
複数の第２コンタクトホールより露出した部分の半導体層を除去する工程、
保護層を第２金属層、露出した絶縁層及びシリコン層の上方に形成する工程、
以上の工程を具えたことを特徴とする、横方向電場駆動液晶ディスプレイの製造方法  としている。
請求項２の発明は、請求項１記載の横方向電場駆動液晶ディスプレイの製造方法において、第１領域は共同線／画素領域、第２領域はトランジスタ領域、第３領域は抗静電放電保護回路領域とすることを特徴とする、横方向電場駆動液晶ディスプレイの製造方法としている。
請求項３の発明は、請求項１記載の横方向電場駆動液晶ディスプレイの製造方法において、第４マスクを使用してアウターリードボンディングパッドを基板上方に形成する工程を更に具えたことを特徴とする、横方向電場駆動液晶ディスプレイの製造方法としている。
請求項４の発明は、請求項１記載の横方向電場駆動液晶ディスプレイの製造方法において、第２マスクは位相シフトマスクとし、該位相シフトマスクは透明基板、高透光率パターン、低透光率パターンで形成し、該高透光率パターンは該透明基板上に位置すると共に、薄い部分のホトレジスト層の上方に位置し、低透光率パターンは該透明基板上に位置すると共に、厚い部分のホトレジスト層の上方に位置するものとすることを特徴とする、横方向電場駆動液晶ディスプレイの製造方法としている。
請求項５の発明は、横方向電場駆動液晶ディスプレイにおいて、
基板と、
該基板上に位置するアクティブ領域と、
該基板上に位置すると共に、それぞれがいずれも該アクティブ領域に電気的に接続され、並びに該アクティブ領域外に位置する端点を具えた複数の伝導線と、
該基板上に位置し、それぞれがいずれも該伝導線に電気的に接続された複数の抗静電放電保護回路と、
を具え、各抗静電放電保護回路はそれぞれ、
該基板上に位置するゲートと、
該基板と該ゲートの上に位置すると共に第１コンタクトホールを具えて該ゲートを露出させる絶縁層と、
露出した絶縁層の上に位置するシリコン層と、
該シリコン層の上に位置し、第２コンタクトホールを具えて該シリコン層を露出させた半導体層と、
該半導体層の上に位置し、並びに第１コンタクトホールに充填された導体層と、
該導体層及び該第２コンタクトホールより露出した該シリコン層の上に位置する保護層と、
を具えたことを特徴とする、横方向電場駆動液晶ディスプレイとしている。
請求項６の発明は、請求項５記載の横方向電場駆動液晶ディスプレイにおいて、導体層は直接半導体層の表面及び第１コンタクトホールの側壁に接触し、及び又は該導体層はアクティブ領域に位置する複数の伝導線を形成するのに用いられ、及び又は、該導体層は該基板上の複数の画素電極を形成するのに用いられることを特徴とする、横方向電場駆動液晶ディスプレイとしている。
請求項７の発明は、請求項６記載の横方向電場駆動液晶ディスプレイにおいて、半導体層の上表面がいかなる誘電層とも直接には不接触であることを特徴とする、横方向電場駆動液晶ディスプレイとしている。
【発明の効果】
【００１９】
本発明は周知のＳａｍｓｕｎｇ社の方法に対して、以下のような特徴と長所を有している。
（ａ）コンタクトホールとチャネル層が同一のリソグラフィー工程中に画定される。
（ｂ）位相シフトマスクを応用してコンタクトホールとチャネル層が画定される。そのうち、透明パターンはチャネル層の上方に位置し、低透光率パターンはコンタクトホールの上方に位置し、高透光率パターンは基板のその他の部分の上方に位置する。
（ｃ）第２金属層形成前に、コンタクトホールが既に形成される。これにより、コンタクトホールは第２金属層で充填され、ゆえに伝統的なＩＴＯ層に関するコストを節約できる。
（ｄ）保護層形成後に、金属化工程により抗静電放電保護回路を電気的に導通させる必要がない。
（ｆ）電気的接続がいずれも保護層の下方に位置する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
本発明は以下の実施例により説明されるが、これは本発明の請求範囲を限定するものではなく、本発明の提示する精神に基づき完成され同じ効果を有する改変或いは修飾は、いずれも本発明の請求範囲に属するものとする。
【００２１】
本発明の４マスク製造工程を使用して横方向電場駆動液晶ディスプレイ（ＩＰＳ−ＬＣＤ）を製造する方法の実施例は、少なくとも以下の工程を含む。
【００２２】
まず、図７に示されるように、基板２０を提供する。この基板２０は少なくとも以下の三つの領域を具えている。即ち、共同線／画素領域、トランジスタ領域及び抗静電放電保護回路領域である。次に、第１金属層を基板２０の上に形成し、並びに第１マスクを利用してパターン化する。結果として、複数の第１金属線２１１が共同線／画素領域に形成され、複数の第２金属線２１２がトランジスタ領域に形成され、複数の第３金属線２１３が抗静電放電保護回路領域に形成される。
【００２３】
続いて、絶縁層２２、シリコン層２３及び半導体層２４を基板２０と第１金属線２１１、第２金属線２１２及び第３金属線２１３の上に形成する。ここで、シリコン層２３はアモルファスシリコン層とし、半導体層２４はＮ＋型アモルファスシリコン層とする。
【００２４】
図８に示されるように、第２マスク（位相シフトマスク）を使用してホトレジスト層２６３を半導体層２４の上に形成する。そのうち、ホトレジスト層２６３は上述の第３金属線２１３上にあって複数の開口２５１を具え、並びにホトレジスト層２６３は厚い部分と薄い部分を具えている。厚い部分のホトレジスト層２６３は上述の第２金属線２１２及びその付近の領域の上方に位置し、この厚い部分のホトレジスト層２６３はまた一部が上述の第３金属線２１３及び上述の抗静電放電保護回路領域内の一部の半導体層２４の上方に位置する。これに対して、薄い部分のホトレジスト層は半導体層２４のその他の部分の上方に位置する。
【００２５】
ここにおいて、薄い部分のホトレジスト層２６３の厚さは厚い部分のホトレジスト層２６３の３０／１００から７０／１００とし、実際の工程の必要に応じて決定するが、それは本発明を限定するものではない。
【００２６】
続いて、ホトレジスト層２６３をマスクとし、一部の半導体層２４、一部のシリコン層２３と一部の絶縁層２２を除去し、一部の上述の第３金属線２１３を露出させる複数の第１コンタクトホール２５１を半導体層２４、シリコン層２３と絶縁層２２中に形成し、これは図８に示されるとおりである。また、位相シフトマスクの透明領域は抗静電放電保護回路領域の上方に位置するため、上述の第１コンタクトホール２５１もまた抗静電放電保護回路領域に位置する。
【００２７】
図９に示されるように、ホトレジスト層２６３を灰化（ａｓｈ）処理して薄い部分のホトレジスト層２６３を除去し、厚い部分のホトレジスト層２６３の厚さを減らす。続いて、残ったホトレジスト層２６３をマスクとし、一部の半導体層２４と一部のシリコン層２３を除去し、並びに一部の絶縁層２２を露出させる。
【００２８】
図１０に示されるように、残ったホトレジスト層２６３を除去し、その後、第２金属層２５を露出した絶縁層２２と半導体層２４の上に形成する。そのうち、上述の第１コンタクトホール２５１は第２金属層２５で充填される。続いて、第３マスクを使用し、パターン化したホトレジスト層２６４を上述の第２金属層２５の上に形成する。
【００２９】
図１１に示されるように、残ったホトレジスト層２６４をマスクとして使用し、第２金属層２５をパターン化する。そのうち、複数の第２コンタクトホール２５２が第２金属層２５内に形成され、且つ上述の第２コンタクトホール２５２は上述の第２金属線２１２と第３金属線２１３の上に位置する。また、上述の第２コンタクトホール２５２と上述の第１コンタクトホール２５１は重畳しない。
【００３０】
続いて、第２コンタクトホール２５２に露出した半導体層２４を除去し、並びにパターン化したホトレジスト層２６４を除去する。
【００３１】
図１２に示されるように、第２金属層２５、絶縁層２２及び露出した一部のシリコン層２３の上方に保護層２７（ｐａｓｓｉｖａｔｉｏｎ  ｌａｙｅｒ）を形成する。
【００３２】
さらに、本実施例のもう一つの工程として、第４マスクを利用し、アウターリードボンディングパッドを基板２０の上に形成する。
【００３３】
本実施例は上述されたようであるが、それは本発明を制限するものではない。以下に、更に本発明を明確に説明するため、位相シフトマスクを利用して必要なホトレジスト層２６３を形成する方法について説明する。
【００３４】
図８に示されるように、位相シフトマスクは透明基板２６０、低透光率パターン２６１と高透光率パターン２６２で形成される。そのうち、低透光率パターン２６１は透明基板２６０上に位置し並びにホトレジスト層２６３の厚い部分の上方に位置し、高透光率パターン２６２は透明基板２６０上に位置し並びにホトレジスト層２６３の薄い部分の上方に位置する。このほか、第１コンタクトホール２５１の上方は透明基板２６０とされる。言い換えると、この部分において、位相シフトマスクは三つの領域、即ち、高透光率領域、低透光率領域及び透明領域を具え、即ち、位相シフトマスクは同一のリソグラフィー工程中に、コンタクトホール、チャネル層と画素電極を画定できる。
【００３５】
例えば、高透光率パターン２６２の透光率は３０／１００から７０／１００となし、低透光率パターン２６１の透光率は３０／１００より低いものとなしうる。しかし、上述の高透光率パターン２６２、低透光率パターン２６１の実際の透光率は実際の状況の必要に応じて調整可能で、それは並びに本発明を制限するものではない。
【００３６】
本実施例中、高透光率パターン２６２はケイ化物層で形成され、例えばケイ化マンガン層で形成される。低透光率パターン２６１はケイ化物層とクロム層、例えば低抵抗値クロム層で構成される。
【００３７】
このほか、図６と図１２を比較すると、明らかに本実施例により得られる構造とＳａｍｓｕｎｇ社の方法により得られる構造は異なる。両者間の最大の違いは、抗静電放電保護回路領域にあり、特にＮ＋型アモルファスシリコン層／半導体層１４と第１金属線１１の間の電気的接続、或いは半導体層２４と第３金属線２１３が形成する電気的接続である。
【００３８】
このほか、本発明のもう一つの実施例は一種の横方向電場駆動液晶ディスプレイ（ＩＰＳ−ＬＣＤ）である。本実施例の平面図と周知のＩＰＳ−ＬＣＤの平面図は同じである。但し、本実施例の抗静電放電保護回路領域の横断面側面図と周知の技術の抗静電放電保護回路領域の横断面側面図は異なる。
【００３９】
図１３に示されるように、本実施例のＩＰＳ−ＬＣＤは少なくとも、基板３０（例えば透明基板）、アクティブ領域３１、複数の伝導線３２と複数の抗静電放電保護回路３３を具えている。
【００４０】
アクティブ領域３１と伝導線３２は基板３０中に位置する。各伝導線３２はいずれも電気的にアクティブ領域３１に接続され、並びにアクティブ領域３１と接続された外部接点を具えている。上述の抗静電放電保護回路３３は基板３０上に位置し、並びに各抗静電放電保護回路３３はいずれも伝導線３２に電気的に接続されている。
【００４１】
図１４は基板の抗静電放電保護回路領域を示し、各抗静電放電保護回路３３はいずれも少なくとも、ゲート３３１、絶縁層３３２、シリコン層３３３、半導体層３３４、導体層３３５及び保護層３３６を具えている。
【００４２】
図１４と図６及び図１２から明らかであるように、本実施例の導体層３３５（即ち電気的接続チャネル）は完全に保護層３３６下方に位置するが、Ｓａｍｓｕｎｇ社の提示する方法のＩＴＯ層１８は保護層１７と相互に交錯している。
【００４３】
また、本実施例の導体層３３５は直接半導体層３３４の表面と接触し、これにより本実施例は導体層３３５形成の前に半導体層３３４の上方にいかなる誘電層も形成する必要がない。
【００４４】
また、本実施例は半導体層３３４の上表面がいかなる誘電層とも接触せず、特に保護層３３６と直接接触する。
【００４５】
また、本実施例は保護層３３６中に余分にコンタクトホールを形成して導体層３３５と電気的に導通させる必要がない。
【００４６】
このほか、導体層３３５は完全に保護層３３６の下方に位置し、並びに大部分の絶縁層３３２の上方に位置し、ゆえに導体層３３５の位置は周知のＩＰＳ−ＬＣＤの第２金属層の位置と非常に似ている。言い換えると、ＩＰＳ−ＬＣＤが４マスク製造工程を使用して形成される時、導体層３３５は第２金属層として用いられ得る。
【００４７】
このとき、導体層３３５はアクティブ領域３１に位置する伝導線３２を形成するのに用いられ得るほか、基板３０上の複数の画素電極を形成するのに用いられ得る。
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１】Ｓａｍｓｕｎｇ社の提出した方法の基本工程の横断面図である。
【図２】Ｓａｍｓｕｎｇ社の提出した方法の基本工程の横断面図である。
【図３】Ｓａｍｓｕｎｇ社の提出した方法の基本工程の横断面図である。
【図４】Ｓａｍｓｕｎｇ社の提出した方法の基本工程の横断面図である。
【図５】Ｓａｍｓｕｎｇ社の提出した方法の基本工程の横断面図である。
【図６】Ｓａｍｓｕｎｇ社の提出した方法の基本工程の横断面図である。
【図７】本発明の実施例の基本工程の横断面図である。
【図８】本発明の実施例の基本工程の横断面図である。
【図９】本発明の実施例の基本工程の横断面図である。
【図１０】本発明の実施例の基本工程の横断面図である。
【図１１】本発明の実施例の基本工程の横断面図である。
【図１２】本発明の実施例の基本工程の横断面図である。
【図１３】本発明の別の実施例の基本構造の表示図である。
【図１４】本発明の別の実施例の基本構造の表示図である。
【符号の説明】
【００４９】
１０  基板
１１  第１金属線
１２  絶縁層
１３  シリコン層
１４  Ｎ＋型シリコン層
１５  第２金属層
１６  透明基板
１７  保護層
１８  ＩＴＯ層
２０  基板
２２  絶縁層
２３  シリコン層
２４  半導体層
２５  第２金属層
２７  保護層
３０  基板
３１  アクティブ領域
３２  伝導線
３３  抗静電放電保護回路
１６０  透明基板
１６１  第１パターン
１６２  第２パターン
１６３  ホトレジスト層
１６４  孔
２１１  第１金属線
２１２  第２金属線
２１３  第３金属線
２５１  第１コンタクトホール
２５２  第２コンタクトホール
２６０  透明基板
２６１  低透光率パターン
２６２  高透光率パターン
２６３  ホトレジスト層
２６４  ホトレジスト層
３３１  ゲート
３３２  絶縁層
３３３  シリコン層
３３４  半導体層
３３５  導体層
３３６  保護層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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