(57)【要約】【課題】外部リード端子とメタライズ配線層との接続部におけるインピーダンスの急激な変化を緩やかにして高周波信号の伝送特性を向上させること。【解決手段】半導体素子10の載置部１ａを有する基体１と、側部に入出力端子４の取付部３ａが形成された枠体３と、上面の一辺側から対向する他辺側にかけて形成された複数のメタライズ配線層４ａを有する誘電体から成る平板部および平板部の上面に接合された誘電体から成る立壁部から構成され、取付部３ａに嵌着された入出力端子４と、メタライズ配線層４ａの枠体３外側の部位に一端部がロウ付けされた外部リード端子７とを具備した半導体素子収納用パッケージにおいて、外部リード端子７は、一端部に幅が先端に向かって漸次広くなっているとともに先端に向かって漸次薄くなるように上面が傾斜している幅広部７ａが形成されている。【選択図】  図３
2004193428.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上側主面に半導体素子が載置される載置部を有する基体と、該基体の前記上側主面に前記載置部を囲繞するように取着され、側部に貫通孔または切欠きから成る入出力端子の取付部が形成された枠体と、上面の一辺側から対向する他辺側にかけて形成された複数のメタライズ配線層を有する誘電体から成る平板部および該平板部の上面に前記複数のメタライズ配線層の一部を間に挟んで接合された誘電体から成る立壁部から構成され、前記取付部に嵌着された入出力端子と、前記メタライズ配線層の前記枠体外側の部位に一端部がロウ付けされた外部リード端子とを具備した半導体素子収納用パッケージにおいて、前記外部リード端子は、前記一端部に幅が先端に向かって漸次広くなっているとともに先端に向かって漸次薄くなるように上面が傾斜している幅広部が形成されていることを特徴とする半導体素子収納用パッケージ。
【請求項２】
請求項１記載の半導体素子収納用パッケージと、前記載置部に載置固定されるとともに前記入出力端子に電気的に接続された半導体素子と、前記枠体の上面に接合された蓋体とを具備したことを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体素子を収納するための半導体素子収納用パッケージおよび半導体装置に関し、特に、高周波信号の入出力を行なう外部リード端子を有する半導体素子収納用パッケージおよび半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、光通信分野で使用されるマイクロ波帯やミリ波帯等の高周波信号を用いる各種半導体素子を収納する半導体素子収納用パッケージ（以下、パッケージともいう）としては、例えば、半導体素子として半導体レーザ（ＬＤ）やフォトダイオード（ＰＤ）等の光半導体素子を用いたパッケージの斜視図を図４に、図４の入出力端子と外部リード端子との接合部の部分拡大平面図を図５に、図５の斜視図を図６に示す。これらの図において、21は基体、23は枠体、24は入出力端子である。
【０００３】
基体21は鉄（Ｆｅ）−ニッケル（Ｎｉ）−コバルト（Ｃｏ）合金や銅（Ｃｕ）−タングステン（Ｗ）等の金属等から成り、その上側主面の略中央部には、ＬＤ，ＰＤ等の光半導体素子などの半導体素子30を載置する載置部21ａを有している。
【０００４】
基体21の上側主面の外周部には、載置部21ａを囲繞するようにして接合され、側部に光ファイバ31を固定するための光ファイバ固定部材（以下、固定部材ともいう）22および入出力端子24の取付部23ａを有する枠体23が立設されており、枠体23は基体21とともにその内側に半導体素子30を収容する空所を形成する。この枠体23は基体21と同様にＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金やＣｕ−Ｗ等の金属等から成り、基体21と一体成形される、または基体21に銀（Ａｇ）ロウ等のロウ材を介してロウ付けされる、またはシーム溶接法等の溶接法により接合されることによって、基体21の上側主面の外周部に立設される。
【０００５】
固定部材22は枠体23の内側の端部がサファイアやガラス等から成る透光性部材（図示せず）で塞がれており、枠体23の外側の端部から光ファイバ31が挿入固定される。
【０００６】
入出力端子24は、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）質焼結体，窒化アルミニウム（ＡｌＮ）質焼結体，ムライト（３Ａｌ２Ｏ３・２ＳｉＯ２）質焼結体等の焼結体（セラミックス）から成り、枠体23の取付部23ａにロウ材を介して嵌着接合され、枠体23の内外を電気的に導通する複数のメタライズ配線層24ａが被着形成されている。また、入出力端子24は枠体23の内外に突出する平板部と枠体23に嵌着される立壁部とを有している。
【０００７】
メタライズ配線層24ａの枠体23外側の部位には、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金等の金属から成る外部リード端子27がＡｇロウ等のロウ材を介して取着され、一方メタライズ配線層24ａの枠体23内側の部位には、半導体素子30の各電極がボンディングワイヤ32を介して電気的に接続される。
【０００８】
枠体23および入出力端子24の上面には、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金等の金属から成るシールリング25がＡｇロウ等のロウ材を介して接合され、シールリング25の上面には、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金等の金属から成る蓋体26がロウ付け法やシームウエルド法等の溶接法で接合され、基体21、枠体23、シールリング25および蓋体26から成る容器内部に半導体素子30を収容し気密に封止する。
【０００９】
最後に、枠体23に設けた固定部材22に光ファイバ31を溶接等によって接合させ、光ファイバ31を枠体23に固定することによって製品としての半導体装置となる。この場合、光ファイバ31は、その端部に金属製フランジ31ａを予め取着させておき、金属製フランジ31ａを例えばレーザ溶接法によって固定部材22に溶接する（例えば、下記の特許文献１参照）。
【００１０】
この半導体装置は、外部電気回路から供給される電気信号によって半導体素子30に光を励起させ、この光を光ファイバ31を介して外部に伝送することによって高速光通信等に使用される。または、外部から光ファイバ31を介して伝送してくる光信号を、透光性部材を透過させ半導体素子30に受光させて光信号を電気信号に変換することによって、高速光通信等に使用される。
【００１１】
【特許文献１】
特開2002−100693号公報
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記従来の半導体装置は、外部電気回路基板に接続した場合、外部リード端子27の厚さおよび幅とメタライズ配線層24ａの厚さおよび幅とが異なるため、また、外部リード端子27とメタライズ配線層24ａとの間には外部リード端子27の厚さ分の段差が形成されているため、外部リード端子27とメタライズ配線層24ａとの接続部において、高周波信号のインピーダンス値が急激に変化して入出力する高周波信号に反射損失や透過損失等の損失が生じるという問題点があった。
【００１３】
従って、本発明は上記問題点に鑑み完成されたものであり、その目的は、外部リード端子27とメタライズ配線層24ａとの接続部におけるインピーダンス値の急激な変化を緩やかにして高周波信号の損失を小さくし、その伝送特性を向上させることである。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
本発明の半導体素子収納用パッケージは、上側主面に半導体素子が載置される載置部を有する基体と、該基体の前記上側主面に前記載置部を囲繞するように取着され、側部に貫通孔または切欠きから成る入出力端子の取付部が形成された枠体と、上面の一辺側から対向する他辺側にかけて形成された複数のメタライズ配線層を有する誘電体から成る平板部および該平板部の上面に前記複数のメタライズ配線層の一部を間に挟んで接合された誘電体から成る立壁部から構成され、前記取付部に嵌着された入出力端子と、前記メタライズ配線層の前記枠体外側の部位に一端部がロウ付けされた外部リード端子とを具備した半導体素子収納用パッケージにおいて、前記外部リード端子は、前記一端部に幅が先端に向かって漸次広くなっているとともに先端に向かって漸次薄くなるように上面が傾斜している幅広部が形成されていることを特徴とする。
【００１５】
本発明の半導体素子収納用パッケージは、外部リード端子の一端部に幅が先端に向かって漸次広くなっているとともに先端に向かって漸次薄くなるように上面が傾斜している幅広部が形成されていることから、外部リード端子の厚さおよび幅がメタライズ配線層の厚さおよび幅に徐々に近づくように漸次変化していることにより外部リード端子のインピーダンス値をメタライズ配線層のインピーダンス値に連続的に緩やかな変化で近づけることができ、インピーダンス値の急激な変化により生じる高周波信号の損失を低減することが可能となり、その結果、高周波信号の伝送特性を向上することができる。
【００１６】
また、外部リード端子の一端部が先端に向かって漸次薄くなるように上面が傾斜していることから、外部リード端子とメタライズ配線層とのロウ付けの際に外部リード端子のメタライズ配線層にロウ付けされている側の端面に形成されたロウ材のメニスカスにより、外部リード端子の上面からメタライズ配線層の表面にかけて滑らかに連続するような表面状態とすることができる。その結果、外部リード端子の表面（主に上面）を伝送してきた高周波信号は、反射損失を小さくしてメタライズ配線層へと伝送される。従って、高周波信号の伝送特性がさらに向上することとなる。さらに、外部リード端子の一端部が先端に向かって漸次幅が広くなっていることから、外部リード端子をメタライズ配線層にロウ付けする際、外部リード端子とメタライズ配線層との接合面積が大きくなって外部リード端子とメタライズ配線層との接合強度を大きくすることができる。
【００１７】
本発明の半導体装置は、上記本発明の半導体素子収納用パッケージと、前記載置部に載置されるとともに前記入出力端子に電気的に接続された半導体素子と、前記枠体の上面に接合された蓋体とを具備したことを特徴とする。
【００１８】
本発明の半導体装置は、上記の構成により、上記本発明の半導体素子収納用パッケージを用いた高性能で信頼性の高いものとなる。
【００１９】
【発明の実施の形態】
本発明の半導体素子収納用パッケージについて以下に詳細に説明する。図１は本発明のパッケージについて実施の形態の例を示す斜視図、図２は図１のパッケージにおける入出力端子と外部リード端子との接合部を示す部分拡大平面図、図３（ａ），（ｂ）はそれぞれ図２の外部リード端子について各種例を示す入出力端子と外部リード端子との接合部の斜視図である。
【００２０】
これらの図において、１は基体、３は枠体、４は入出力端子、７は外部リード端子であり、主にこれらで内部に半導体素子10を収納するためのパッケージが構成される。また、パッケージ内に半導体素子10を収容し、シールリング５を介して蓋体６を取着することにより半導体装置となる。
【００２１】
本発明の基体１は、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金やＣｕ−Ｗ等の金属、セラミックス、樹脂等から成り、例えば、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金のインゴットに圧延加工や打ち抜き加工、切削加工等の従来周知の金属加工法を施すことによって、所定形状に製作される。また、基体１の上側主面には、ＬＤ，ＰＤ等の光半導体素子等の半導体素子10を載置する載置部１ａが設けられており、載置部１ａには半導体素子10が載置固定される。
【００２２】
また、基体１の上側主面の外周部には、載置部１ａを囲繞するようにして接合されるとともに、側部に光ファイバ11を固定する筒状の固定部材２を設けるための貫通孔および入出力端子４の取付部３ａを有する枠体３が立設されており、枠体３は基体１とともにその内側に半導体素子10を収容する空所を形成する。
【００２３】
固定部材２は、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金等の金属から成る円筒状等の筒状であり、枠体３内側の端部がサファイアやガラス等から成る透光性部材（図示せず）で塞がれており、枠体３外側の端部から光ファイバ11が挿入固定される。光ファイバ11は、その端部に金属製フランジ11ａを予め取着させておき、金属製フランジ11ａを例えばＹＡＧレーザ溶接法で固定部材２に溶接することにより枠体３に固定される。これにより、光ファイバ11を介して内部に収容される半導体素子10と外部との光信号の授受が可能となる。
【００２４】
枠体３は、平面視形状が略長方形の枠状体であり、固定部材２および入出力端子４を支持するためのものである。また、枠体３は基体１と同様にＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金やＣｕ−Ｗ等の金属、セラミックス、樹脂等から成り、基体１と一体成形される、または基体１にＡｇロウ等のロウ材を介してロウ付けされる、または基体１にシーム溶接法等の溶接法により接合されることによって、基体１の上側主面の外周部に立設される。
【００２５】
入出力端子４は、Ａｌ２Ｏ３セラミックス，ＡｌＮセラミックス，３Ａｌ２Ｏ３・２ＳｉＯ２セラミックス等の誘電体から成り、上面の一辺側から対向する他辺側にかけて形成された複数のメタライズ配線層４ａを有する平板部およびこの平板部の上面に複数のメタライズ配線層４ａの一部を間に挟んで接合された立壁部から構成された断面が逆Ｔ字型の部材であり、枠体３の取付部３ａに嵌め込まれるとともに、入出力端子４と取付部３ａとの隙間に溶融したＡｇロウ等のロウ材を毛細管現象により充填させることで枠体３に嵌着接合される。
【００２６】
なお、入出力端子４は、枠体３の一部となって枠体３内外を気密に仕切るとともに枠体３内外を導通させる導電路であるメタライズ配線層４ａの支持体として機能する。
【００２７】
また、メタライズ配線層４ａは、枠体３の外側において、その上面に外部リード端子７がＡｇロウ等のロウ材を介して、また、枠体３内側において、半導体素子10の各電極がボンディングワイヤ12を介してそれぞれ電気的に接続される。
【００２８】
このような入出力端子４は、例えばＡｌ２Ｏ３セラミックスから成る場合、以下のようにして作製される。まず、Ａｌ２Ｏ３，酸化珪素（ＳｉＯ２），酸化カルシウム（ＣａＯ），酸化マグネシウム（ＭｇＯ）等の原料粉末に適当な有機バインダや可塑剤，分散剤，溶剤等を添加混合して泥漿状となす。これを従来周知のドクターブレード法でシート状に成形することによって複数枚のセラミックグリーンシートを得る。しかる後、これらのセラミックグリーンシートに適当な打ち抜き加工を施しメタライズ配線層４ａとなる金属ペーストを印刷塗布して積層する。最後に、この積層体の枠体３および後述のシールリング５と接合される面に、メタライズ金属層となる金属ペーストを印刷塗布し、還元雰囲気中で約1600℃の温度で焼成することによって製作される。
【００２９】
なお、メタライズ金属層は、入出力端子４と枠体３とを、および入出力端子４とシールリング５とをロウ材を介して強固に接合させる機能を有するとともに、接地導体としてメタライズ配線層４ａの高周波信号の伝送性を向上させる機能も有する。
【００３０】
また、メタライズ配線層４ａおよびメタライズ金属層となる金属ペーストは、Ｗ，モリブデン（Ｍｏ），マンガン（Ｍｎ）等の高融点金属粉末に適当な有機バインダや溶剤を添加混合してペースト状となしたものを従来周知のスクリーン印刷法で印刷することにより、セラミックグリーンシートおよびその積層体に印刷塗布される。
【００３１】
本発明の外部リード端子７は、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金等の金属から成り、図２および図３に示すように、一端部に幅が先端に向かって漸次広くなっているとともに先端に向かって漸次薄くなるように上面が傾斜している幅広部７ａが形成されている。
【００３２】
幅広部７ａは、外部リード端子７の幅方向に延出された部位の最大幅ｃが外部リード端子７の幅Ｗの１／10〜１／２倍であるのがよい。１／10倍未満であると、外部リード端子７のメタライズ配線層４ａにロウ付けされている側の端部を漸次広くしてメタライズ配線層４ａの幅に近づけことによって外部リード端子７のインピーダンス値をメタライズ配線層４ａのインピーダンス値に連続的に近づけるのが困難になる傾向があり、その結果、インピーダンス値の変化が大きくなって高周波信号の損失が大きくなり易い。また、最大幅ｃが外部リード端子７の幅Ｗの１／２倍を超えると、外部リード端子７の幅Ｗと外部リード端子７の先端の幅（Ｗ＋２ｃ）との差が極度に大きくなってインピーダンス値の変化を緩やかにするのが困難になる傾向がある。また、メタライズ配線層４の幅が大きくなってパッケージの小型化もし難くなる。
【００３３】
外部リード端子７は、図３（ａ）に示すように、メタライズ配線層４ａにロウ付けされている側の先端が尖っていてもよい。これにより、幅広部７ａの上面とメタライズ配線層４ａとの間に段差がなくなり、外部リード端子７のインピーダンス値をより滑らかに変化させてメタライズ配線層４ａのインピーダンス値に近づけることができる。
【００３４】
また、外部リード端子７は、図３（ｂ）に示すように、幅広部７ａの上面とメタライズ配線層４ａとの間にわずかな段差を有していてもよい。これにより、外部リード端子７のメタライズ配線層４ａにロウ付けされている側の段差を成す端面にロウ材のメニスカスが形成され、幅広部７ａの上面からメタライズ配線層４ａの表面にかけて滑らかに連続するような表面状態とすることができるとともに外部リード端子７とメタライズ配線層４ａとの接合強度を大きくすることができる。
【００３５】
このような外部リード端子７のメタライズ配線層４ａにロウ付けされている側の端面の高さは0.3ｍｍ以下であるのがよい。0.3ｍｍを超えると、端面の高さが過度に大きくなって外部リード端子７のインピーダンス値をメタライズ配線層４ａのインピーダンス値に連続的に緩やかな変化で近づけるのが困難になる傾向があり、インピーダンス値が急激に変化して高周波信号の損失が大きくなり易い。
【００３６】
外部リード端子７のメタライズ配線層４ａにロウ付けされている側の先端の幅（Ｗ＋２ｃ）はメタライズ配線層４ａの幅ｐより0.1〜0.5ｍｍの範囲で狭くなっているのがよい。これにより、外部リード端子７をメタライズ配線層４ａにロウ付けした際、外部リード端子７の側面から幅広部７ａを通って端面にかけて連続したロウ材のメニスカスを形成することができ、外部リード端子７のインピーダンス値をメタライズ配線層４ａのインピーダンス値に連続的に緩やかな変化で近づけることができるとともに外部リード端子７とメタライズ配線層４ａとの接合強度も大きくすることができる。
【００３７】
Ｗ＋２ｃとｐとの差が0.1ｍｍ未満であると、外部リード端子７の幅広部７ａから端面にかけて連続したロウ材のメニスカスを形成し難くなり、外部リード端子７のインピーダンス値をメタライズ配線層４ａのインピーダンス値に連続的に緩やかな変化で近づけることが困難になる傾向があるとともに外部リード端子７とメタライズ配線層４ａとの接合強度も小さくなり易い。また、0.5ｍｍを超えると、パッケージを小型化し難くなる。
【００３８】
外部リード端子７の長手方向における幅広部７ａの長さｄ、即ち外部リード端子７の幅が漸次広くなっている部位の長さは、同じ方向における外部リード端子７の上面が傾斜している部位の長さの３／４〜５／４倍であるのがよい。これにより、外部リード端子７の幅および厚さをほぼ同時に変化させてそれぞれメタライズ配線層４ａの幅および厚さに近づけ、外部リード端子７のインピーダンス値をより滑らかにバランスよくメタライズ配線層４ａのインピーダンス値に近づけることができる。３／４倍未満であると、外部リード端子７の幅の変化が急激となりインピーダンス値を滑らかにメタライズ配線層４ａのインピーダンス値に近づけることが困難になる傾向がある。また、５／４倍を超えると、外部リード端子７の厚みの変化が急激となりインピーダンス値を滑らかにメタライズ配線層４ａのインピーダンス値に近づけることが困難になる傾向がある。
【００３９】
また、幅広部７ａの長さｄは外部リード端子７の幅Ｗの１／２〜２倍であるのがよい。これにより、外部リード端子７のインピーダンス値を緩やかに変化させることができ、インピーダンス値の急激な変化を生じることなく外部リード端子７とメタライズ配線層４ａとのインピーダンス値を近づけることができる。１／２倍未満であると、外部リード端子７の幅が急激に変化するため外部リード端子７のインピーダンス値の変化が急激なものとなり、高周波信号の損失が大きくなり易い。一方、２倍を超えると、外部リード端子７の傾斜している部位の長さも長くなり、外部リード端子７の幅広部７ａにおける曲げ強度が小さくなって外部リード端子７の変形や破損が生じ易くなる。
【００４０】
幅広部７ａは、その上面（傾斜面）と外部リード端子７の下面との成す角度θが５〜45°であるのがよい。θが５°未満であると、外部リード端子７のメタライズ配線層４ａにロウ付けされている側の先端とメタライズ配線層４ａとの間の段差が大きくなり、その結果、高周波信号の反射損失や透過損失等の伝送損失が増大し易くなる。あるいは、外部リード端子７のメタライズ配線層４ａにロウ付けされている側の先端とメタライズ配線層４ａとの間の段差を小さくすることもできるが、段差を小さくするとともにθを５°未満としたとき、外部リード端子７の幅広部７ａが薄くなって曲げ強度が小さくなり、外部リード端子７の変形や破損が発生し易くなる。一方、θが45°を超えると、幅広部７ａの厚さが急激に変化するため、外部リード端子７のインピーダンス値をメタライズ配線層４ａのインピーダンス値に連続的に緩やかな変化で近づけ難くなり、高周波信号の伝送損失が大きくなり易い。
【００４１】
本発明の枠体３および入出力端子４の上面には、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金等の金属から成るシールリング５がＡｇロウ等のロウ材を介して接合される。そして、基体１、枠体３およびシールリング５から成る容器内部に半導体素子10を収容し、シールリング５の上面にＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金等の金属やセラミックス、樹脂等から成る蓋体６をロウ付け法やシームウエルド法等の溶接法で接合して気密に封止することにより、製品としての半導体装置となる。
【００４２】
この半導体装置は、基体１が半田付けやネジ止め等によって外部電気回路基板に実装され、外部リード端子７と外部電気回路とを接続することにより、内部に収容される半導体素子10が外部電気回路に電気的に接続される。
【００４３】
また、この半導体装置は、例えば外部電気回路から供給される高周波信号によって半導体素子10に光を励起させ、この光を光ファイバ11を介して外部に伝達することによって高速光通信等に使用される。または、外部から光ファイバ11を伝送してくる光信号を、透光性部材を透過させ半導体素子10に受光させて光信号を電気信号に変換することによって、高速光通信等に使用される。
【００４４】
【実施例】
本発明の半導体素子収納用パッケージの実施例を以下に説明する。
【００４５】
図２の入出力端子４を以下のように構成した。Ａｌ２Ｏ３セラミックスから成る入出力端子４の略長方形の平板部の上面の中央に、Ｗのメタライズ層から成る幅が0.6ｍｍの線路状のメタライズ配線層４ａを設け、平板部の下面にはＷのメタライズ層から成るメタライズ金属層を設けた。また、上面にＷのメタライズ層から成るメタライズ金属層を有したＡｌ２Ｏ３セラミックスから成る略直方体の立壁部を、上記平板部の上面にメタライズ配線層４ａの一部を間に挟んで積層した。さらに、これらの平板部および立壁部の線路方向に略平行な両側面にも、メタライズ配線層４ａと同様のメタライズ層から成るメタライズ金属層を設けた。次に、メタライズ配線層４ａに、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金から成り厚さが0.2ｍｍ、幅Ｗが0.3ｍｍの外部リード端子７をＡｇロウで接合することにより、入出力端子４を作製した。なお、この外部リード端子７は、図３（ａ）に示すような形状で、外部リード端子７の先端から長手方向の長さｄが0.3ｍｍの部位において、外部リード端子７の幅が漸次広くなって先端の幅（Ｗ+２ｃ）が0.4ｍｍ（ｃ＝0.05ｍｍ）となっているとともに、外部リード端子７の上面が先端に向かって直線的に傾斜して漸次薄くなって外部リード端子７の先端が尖っている幅広部７ａが形成されているものを用いた。この入出力端子４をサンプルＰとした。
【００４６】
また、比較例として図５，図６の構成の入出力端子24をサンプルＰと同様に作製した。なお、この外部リード端子27は、幅広部７ａの無いものを用いた。これをサンプルＱとした。
【００４７】
これらのサンプルＰ，Ｑについて、外部リード端子７，27のメタライズ配線層４ａ，24ａに接合されていない側の一端に１〜30ＧＨｚの高周波信号を入力してその反射損失を測定した結果を図７に示す。図７より、サンプルＰはサンプルＱに比べて１〜30ＧＨｚの全周波数帯域で反射損失が改善され、ＧＨｚ帯域の高周波信号を入出力する場合に反射損失を有効に低減できることがわかった。
【００４８】
なお、本発明は上記実施の形態および実施例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内であれば種々の変更を施すことは何等差し支えない。
【００４９】
【発明の効果】
本発明の半導体素子収納用パッケージは、上側主面に半導体素子が載置される載置部を有する基体と、基体の上側主面に載置部を囲繞するように取着され、側部に貫通孔または切欠きから成る入出力端子の取付部が形成された枠体と、上面の一辺側から対向する他辺側にかけて形成された複数のメタライズ配線層を有する誘電体から成る平板部および平板部の上面に複数のメタライズ配線層の一部を間に挟んで接合された誘電体から成る立壁部から構成され、取付部に嵌着された入出力端子と、メタライズ配線層の枠体外側の部位に一端部がロウ付けされた外部リード端子とを具備した半導体素子収納用パッケージにおいて、外部リード端子は、一端部に幅が先端に向かって漸次広くなっているとともに先端に向かって漸次薄くなるように上面が傾斜している幅広部が形成されていることから、外部リード端子の厚さおよび幅がメタライズ配線層の厚さおよび幅に徐々に近づくように漸次変化していることにより外部リード端子のインピーダンス値をメタライズ配線層のインピーダンス値に連続的に緩やかな変化で近づけることができ、インピーダンス値の急激な変化により生じる高周波信号の損失を低減することが可能となり、その結果、高周波信号の伝送特性を向上することができる。
【００５０】
また、外部リード端子の一端部が先端に向かって漸次薄くなるように上面が傾斜していることから、外部リード端子とメタライズ配線層とのロウ付けの際に外部リード端子のメタライズ配線層にロウ付けされている側の端面に形成されたロウ材のメニスカスにより、外部リード端子の上面からメタライズ配線層の表面にかけて滑らかに連続するような表面状態とすることができる。その結果、外部リード端子の表面（主に上面）を伝送してきた高周波信号は、反射損失を小さくしてメタライズ配線層へと伝送される。従って、高周波信号の伝送特性がさらに向上することとなる。さらに、外部リード端子の一端部が先端に向かって漸次幅が広くなっていることから、外部リード端子をメタライズ配線層にロウ付けする際、外部リード端子とメタライズ配線層との接合面積が大きくなって外部リード端子とメタライズ配線層との接合強度を大きくすることができる。
【００５１】
本発明の半導体装置は、上記本発明の半導体素子収納用パッケージと、載置部に載置されるとともに入出力端子に電気的に接続された半導体素子と、枠体の上面に接合された蓋体とを具備したことにより、上記本発明の半導体素子収納用パッケージを用いた高性能で信頼性の高いものとなる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の半導体素子収納用パッケージについて実施の形態の例を示す斜視図である。
【図２】図１の半導体素子収納用パッケージにおける入出力端子および外部リード端子の接合部の部分拡大平面図である。
【図３】（ａ）は図２の入出力端子および外部リード端子の接合部の拡大斜視図であり、（ｂ）は外部リード端子について実施の形態の他の例を示す入出力端子および外部リード端子の接合部の斜視図である。
【図４】従来の半導体素子収納用パッケージの斜視図である。
【図５】図４の半導体素子収納用パッケージにおける入出力端子および外部リード端子の接合部の部分拡大平面図である。
【図６】図５の接合部の斜視図である。
【図７】本発明の半導体素子収納用パッケージと従来の半導体素子収納用パッケージについて高周波信号の反射損失を測定した結果のグラフである。
【符号の説明】
１：基体
１ａ：載置部
３：枠体
３ａ：取付部
４：入出力端子
４ａ：メタライズ配線層
７：外部リード端子
７ａ：幅広部
10：半導体素子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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