(57)【要約】【課題】基板上への処理液の再付着を抑制することができ、これにより、基板処理品質を向上する。【解決手段】スピンチャック１に保持されたウエハＷの上面に対向して、遮断板２が配置され、さらにウエハＷを取り囲むようにスプラッシュガード６が配置されている。遮断板２の外周面２２と、スプラッシュガード６の第１または第２内周面７１，７２との間に気体通路が形成される。この気体通路の働きにより、ウエハＷの端面付近に、良好なダウンフローが形成される。【選択図】　　　　図１
2004087603.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を回転させつつ基板に処理液を供給して基板を処理する基板液処理装置であって、
基板を保持して、ほぼ鉛直軸線を中心に基板を回転させる基板回転手段と、
この基板回転手段に保持された基板の上面に対向してほぼ水平に設けられ、所定の外周面を有する円板と、
上記基板回転手段に保持された基板の周囲を取り囲むように設けられ、上記円板の外周面よりも大きい内径の内周面を有する周囲部材と、
この周囲部材を上記円板に対して相対的に上下動させる移動手段と、
上記周囲部材の内側を排気する排気手段と、
上記基板回転手段により基板を回転させつつ、上記排気手段により排気を行うとともに、上記移動手段により、上記円板の外周面と上記周囲部材の内周面とが、少なくとも一部、同じ高さになるように上記周囲部材を上記円板に対して相対的に上下動させる制御部と
を含むことを特徴とする基板液処理装置。
【請求項２】
上記円板の外周面は、上記鉛直軸線に対して平行な円筒面を有していることを特徴とする請求項１記載の基板液処理装置。
【請求項３】
上記周囲部材の内周面は、上記鉛直軸線に平行な円筒面を有していることを特徴とする請求項１または２記載の基板液処理装置。
【請求項４】
上記周囲部材の内周面の上部が、内向きに傾斜していることを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の基板液処理装置。
【請求項５】
基板を回転させつつ基板に処理液を供給して基板を処理する基板液処理方法であって、
基板回転手段によって、基板を保持し、ほぼ鉛直軸線を中心にその基板を回転させる基板回転工程と、
上記基板回転手段に保持された基板の上面に対向して、所定の外周面を有する円板をほぼ水平に配置する工程と、
上記基板回転手段に保持された基板の周囲を取り囲み、上記円板の外周面よりも大きい内径の内周面を有する周囲部材を、上記円板の外周面と上記周囲部材の内周面とが、少なくとも一部、同じ高さになるように配置する工程と、
上記周囲部材の内側を排気する排気工程とを含むことを特徴とする基板液処理方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、基板を回転させつつ、この基板に処理液を供給することによって、この基板の表面に対して処理を施す基板液処理装置および基板液処理方法に関する。処理対象の基板には、半導体ウエハ、液晶表示装置用ガラス基板、プラズマディスプレイパネル用ガラス基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、およびフォトマスク用基板などの各種の基板が含まれる。
【０００２】
【従来の技術】
半導体装置の製造工程においては、半導体ウエハ（以下、単に「ウエハ」という。）の表面および周端面（場合によってはさらに裏面）の全域に銅薄膜などの金属薄膜を形成した後、この金属薄膜の不要部分をエッチング除去する処理が行われる場合がある。たとえば、配線形成のための銅薄膜は、ウエハの表面の素子形成領域に形成されていればよいから、ウエハの表面の周縁部（たとえば、ウエハの周端から幅５ｍｍ程度の部分）、裏面および周端面に形成された銅薄膜は不要となる。そればかりでなく、周縁部、裏面および周端面の銅または銅イオンは、基板処理装置に備えられた基板搬送ロボットのハンドを汚染し、さらにこの汚染が当該ハンドによって保持される別の基板へと転移するという問題を引き起こす。
【０００３】
同様の理由から、基板周縁に形成された金属膜以外の膜（酸化膜や窒化膜など）を薄くエッチングすることによって、その表面の金属汚染物（金属イオンを含む）を除去するための処理が行われることがある。
ウエハの周縁部および周端部の薄膜を選択的にエッチングするための基板周縁処理装置は、たとえば、ウエハを水平に保持して回転するスピンチャックと、このスピンチャックの上方においてウエハ上の空間を制限する遮断板と、ウエハの下面にエッチング液を供給するエッチング液供給ノズルとを含む。ウエハの下面に供給されたエッチング液は、遠心力によってウエハの下面を伝わってその回転半径方向外方へと向かい、ウエハの端面を伝ってその上面に回り込み、このウエハの上面の周縁部の不要物をエッチングする。このとき、遮断板は、ウエハの上面に近接して配置され、この遮断板とウエハとの間には、窒素ガス等の不活性ガスが供給される。
【０００４】
この不活性ガスの流量やスピンチャックの回転数を適切に調整することによって、エッチング液の回り込み量を調整できるので、ウエハ上面の周縁部の所定幅（たとえば１〜７ｍｍ）の領域を選択的にエッチング処理することができる（いわゆるベベルエッチング処理）。
スピンチャックは、鉛直方向に沿って配置された回転軸と、この回転軸の上端に固定されたスピンベースと、このスピンベースの周縁部に立設された３本のチャックピンとを備えている。このチャックピンによってウエハの端面を挟持した状態で、回転軸に回転力が与えられ、スピンベースとともにウエハが回転されるようになっている。
【０００５】
スピンチャックによってウエハが保持されて回転されている期間に、ウエハの下面からエッチング液が供給されることにより、ウエハの上面の周縁部の不要物がエッチング除去され、その後は、ウエハの上下面に対して純水リンス処理が行われた後、スピンチャックが高速回転されて、ウエハの上下面の水滴を振り切る乾燥処理が行われる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
上記のような基板周縁処理装置は、ウエハの上面の周縁部に供給されたエッチング液やリンス用の純水は、遠心力によって、ウエハ外へと排除される。この排除されたエッチングまたは純水は、その周囲に飛び散り、周囲の部材で跳ね返って、その一部が、ウエハと遮断板との間に入り込み、ウエハの表面に再付着する。これにより、ウエハの処理品質が悪くなっている。
【０００７】
そこで、この発明の目的は、基板上への処理液の再付着を抑制することができ、これにより、基板処理品質を向上できる基板液処理装置および基板液処理方法を提供することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段および発明の効果】
上記の目的を達成するための請求項１記載の発明は、基板（Ｗ）を回転させつつ基板に処理液を供給して基板を処理する基板液処理装置であって、基板を保持して、ほぼ鉛直軸線を中心に基板を回転させる基板回転手段（１）と、この基板回転手段に保持された基板の上面に対向してほぼ水平に設けられ、所定の外周面（２２）を有する円板（２）と、上記基板回転手段に保持された基板の周囲を取り囲むように設けられ、上記円板の外周面よりも大きい内径の内周面（７１，７２）を有する周囲部材（６）と、この周囲部材を上記円板に対して相対的に上下動させる移動手段（７０）と、上記周囲部材の内側を排気する排気手段（３８，３９）と、上記基板回転手段により基板を回転させつつ、上記排気手段により排気を行うとともに、上記移動手段により、上記円板の外周面と上記周囲部材の内周面とが、少なくとも一部、同じ高さになるように上記周囲部材を上記円板に対して相対的に上下動させる制御部（８０）とを含むことを特徴とする基板液処理装置である。なお、括弧内の英数字は後述の実施形態における対応構成要素等を表す。以下、この項において同じ。
【０００９】
上記の構成によれば、基板回転手段に保持されて回転される基板の周囲では、円板の外周面と周囲部材の内周面との少なくとも一部が重なり合って、整流作用を有する気体通路（８１，８２）が形成されることになる。したがって、排気手段によって周囲部材の内側を排気（たとえば、基板保持手段に保持された基板よりも下方側へ排気）すると、基板の周囲には、一定方向の気流（９１，９２）が形成される。この気流によって、処理液のミストや水滴を一定方向に導いて排出することができるから、基板と円板との間に処理液の跳ね返りが入り込むことを確実に防止でき、処理液の再付着に起因するパーティクルを減少させることができる。このようにして、基板処理品質を向上することができる。
【００１０】
上記周囲部材の内周面は、上記円板の外周面に沿う部分（７１ａ，７２ａ）を有していることが好ましい。
請求項２記載の発明は、上記円板の外周面は、上記鉛直軸線に対して平行な円筒面（２２ａ）を有していることを特徴とする請求項１記載の基板液処理装置である。さらに、上記円板の外周面は、上記鉛直軸線を中心とした外向きの円筒面を有していることが好ましい。
【００１１】
この場合に、請求項３に記載のように、上記周囲部材の内周面は、上記鉛直軸線に平行な円筒面（７１ａ，７２ａ）を有していることが好ましい。さらに、上記周囲部材の内周面は、上記鉛直軸線を中心とした内向きの円筒面を有していることが好ましい。
また、上記円板の外周面および周囲部材の外周面は、いずれも上記鉛直軸線を中心とした同軸の円筒面を有していることが好ましい。
【００１２】
このような構成によって、ほぼ水平に保持されて回転されている基板の周囲に、この基板にほぼ垂直な気流を形成することができるので、処理液ミストなどの再付着をさらに確実に抑制できる。
請求項４記載の発明は、上記周囲部材の内周面の上部が、内向きに傾斜していることを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の基板液処理装置である。
【００１３】
この構成により、周囲部材の内周面と円板の外周面との間に、下方に向かって絞り込まれていく気体通路を形成できるから、基板の周囲に、十分な流速の気流（ダウンフロー）を確実に形成することができる。これにより、基板表面への処理液の再付着をさらに確実に抑制できる。
請求項５記載の発明は、基板（Ｗ）を回転させつつ基板に処理液を供給して基板を処理する基板液処理方法であって、基板回転手段（１）によって、基板を保持し、ほぼ鉛直軸線を中心にその基板を回転させる基板回転工程と、上記基板回転手段に保持された基板の上面に対向して、所定の外周面（２２）を有する円板（２）をほぼ水平に配置する工程と、上記基板回転手段に保持された基板の周囲を取り囲み、上記円板の外周面よりも大きい内径の内周面（７１，７２）を有する周囲部材（６）を、上記円板の外周面と上記周囲部材の内周面とが、少なくとも一部、同じ高さになるように配置する工程と、上記周囲部材の内側を排気する排気工程とを含むことを特徴とする基板液処理方法である。
【００１４】
この発明により、請求項１記載の発明と同様な効果を達成できる。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下では、この発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図１は、この発明の一実施形態に係る基板液処理装置の構成を説明するための図解的な断面図である。この基板液処理装置は、ほぼ円形の基板である半導体ウエハ（以下単に「ウエハ」という。）Ｗの表面の周縁部の所定幅の領域に対して選択的にエッチング処理を施すための基板周縁処理装置である。この装置は、ウエハＷをほぼ水平に保持するとともに、ウエハＷのほぼ中心を通る鉛直軸線まわりに回転させるスピンチャック１と、このスピンチャック１の上方に設けられ、スピンチャック１と共通の鉛直軸線まわりに回転駆動される遮断板２とを備えている。スピンチャック１は、処理カップ３内に配置されており、モータ５によって回転駆動されるようになっている。また、処理カップ３の上方には、スピンチャック１に保持されたウエハＷを取り囲むように、大略的に円筒状のスプラッシュガード６が配置されている。
【００１６】
スピンチャック１は、ほぼ水平に配置された円板状のスピンベース１１と、このスピンベース１１の周縁部から等角度間隔（たとえば１２０度間隔）で立ち上がった複数本（たとえば３本）のチャックピン１２とを有し、スピンベース１１の下面にモータ５によって回転される回転軸４が固定されている。ウエハＷは、チャックピン１２によって挟持されるようになっていて、ウエハＷをチャックピン１２で挟持した状態でモータ５を駆動することにより、ウエハＷをほぼ水平な姿勢で鉛直軸線まわりに回転させることができる。
【００１７】
回転軸４は中空軸となっていて、その内部には、処理液供給管７が挿通されている。この処理液供給管７には、エッチング液供給源からのエッチング液をエッチング液供給バルブ８を介して供給することができ、純水供給源からの純水を純水供給バルブ９を介して供給することができる。処理液供給管７の上端は、スピンチャック１に保持されたウエハＷの下面の中央に向けて処理液を供給する処理液供給ノズル７ａを構成している。
【００１８】
遮断板２は、厚い円板状（たとえば、厚さ約５０ｍｍ）に構成されており、スピンチャック１に保持されたウエハＷの上面に対向するウエハ対向面２１と、このウエハ対向面２１の外周縁から立ち上がった外周面２２とを有している。この外周面２２は、ウエハ対向面２１の外周縁から鉛直に立ち上がった外向きの円筒面２２ａと、この円筒面２２ａの上縁に連なり、上方に向かうに従って内方（遮断板２の回転軸線側）へと傾斜した傾斜面２２ｂ（この実施形態では凸湾曲傾斜面）とを有している。
【００１９】
遮断板２の上面には、中空の回転軸２３が結合されている。この回転軸２３には、処理液供給管２４が挿通されている。この処理液供給管２４は、回転軸２３内を挿通し、さらに、遮断板２の回転中心に形成された貫通孔２５を挿通していて、その下端は、スピンチャック１に保持されたウエハＷの上面の中央に臨む処理液供給ノズル２４ａを構成している。処理液供給管２４と、回転軸２３の内壁との間の空間は、ウエハＷの上面へと処理ガスを供給する処理ガス通路２６を形成している。
【００２０】
処理液供給管２４には、エッチング液供給源からのエッチング液をエッチング液供給バルブ２８を介して供給することができ、純水供給源からの純水を純水供給バルブ２９を介して供給することができる。さらに、処理ガス通路２６には、処理ガス供給源からの処理ガス（たとえば窒素ガス等の不活性ガス）を処理ガス供給バルブ２７を介して供給することができる。
回転軸２３には、モータ等を含む遮断板回転駆動機構４０が結合されていて、ウエハＷのほぼ中心を通る鉛直な回転軸線まわりに遮断板２を回転駆動することができるようになっている。さらに、回転軸２３は、図示しない支持機構によって支持されており、この支持機構には、遮断板昇降駆動機構４１が結合されている。これにより、遮断板２をスピンチャック１に対して相対的に上下動することができるようになっている。
【００２１】
処理カップ３は、有底円筒容器状に構成されており、円筒状の外壁３０と、この外壁３０よりも内方に同軸に配置された円筒状の第１隔壁３１および第２隔壁３２と、底面壁３３とを有している。外壁３０と第１隔壁３１との間には、薬液回収溝３４が形成されており、第１隔壁３１と、これよりも内側に配置された第２隔壁３２との間には純水回収溝３５が形成されている。薬液回収溝３４の底面には、回収配管３６が結合されており、この回収配管３６は、回収された薬液（この実施形態ではエッチング液）をエッチング液供給源へと循環させる。また、純水回収溝３５の底面には、排液配管３７が結合されており、リンス処理等に用いられた後の純水を廃棄できるようになっている。
【００２２】
さらに、第２隔壁３２よりも内側において、底面壁３３には、排気配管３８が接続されている。この排気配管３８は、排気ファンや工場内の排気設備等の排気手段３９に接続されている。これにより、処理カップ３内の排気がされるようになっている。排気手段３９には、必要に応じて、排気配管３８を開閉する排気バルブを含めてもよい。
スプラッシュガード６は、スピンチャック１の周囲において、このスピンチャック１に保持されたウエハＷから飛び出してくる処理液（エッチング液または純水）を受け止めて、周囲への処理液の飛散を防止するための飛散防止部材である。
【００２３】
このスプラッシュガード６は、エッチング液を受け止めて薬液回収溝３４に導くための薬液受け部６１と、リンス処理に用いられた後の純水を受け止めて純水回収溝３５に導くための純水受け部６２とを、内方側に有している。このスプラッシュガード６は、スプラッシュガード昇降駆動機構７０によって上下動されるようになっており、これにより、薬液受け部と純水受け部６２とのいずれかを、スピンチャック１に保持されたウエハＷの側方に位置させることができるようになっている。
【００２４】
純水受け部６２は、薬液受け部６１よりも上方に配置されていて、ウエハＷの回転半径方向に関して外方側に向かって窪んだ環状凹所をなしている。この純水受け部６２の下方には、純水受け部６２によって受け止められた純水を純水回収溝３５に導くための円筒状の案内部６３が設けられている。
この案内部６３は、スプラッシュガード６を純水受け部６２がウエハＷの側方に位置する高さとしたときに、第１隔壁３１の内周面の近傍において純水回収溝３５に入り込み、純水を純水回収溝３５に導くとともに、薬液回収溝３４への純水の侵入を阻止する。第２隔壁３２は、スピンベース１１の外周縁よりも十分に内方に配置されていて、その内方へは処理液はほとんど導かれることはない。
【００２５】
一方、スプラッシュガード６を薬液受け部６１がウエハＷの側方に位置する高さとしたとき、案内部６３の下端は、ウエハＷよりも上方にある。したがって、ウエハＷから遠心力によって飛び出したエッチング液は、鉛直方向に沿う円筒面をなす薬液受け部６１にぶつかり、薬液回収溝３４へと流下することになる。
純水受け部６２の上縁には、回転対称な第１内周面７１が連なって形成されており、純水受け部６２の下縁には、同じく回転対称な第２内周面７２が連なって形成されている。第１内周面７１は、純水受け部６２の上縁に連なる鉛直な円筒面７１ａと、この円筒面の上縁に連なり、上方に向かうに従って外方へと傾斜した傾斜面７１ｂ（この実施形態では凸湾曲傾斜面）とを有している。第２内周面７２は、純水受け部６２の下縁に連なり、下方に向かうに従って内方へと傾斜した傾斜面７２ｂ（この実施形態では凸湾曲傾斜面）と、この傾斜面７２ｂの下縁に連なる鉛直な内向き円筒面７２ａとを有している。
【００２６】
上記第１内周面７１および第２内周面７２の円筒面７１ａ，７２ａは、たとえば、等しい内径を有しており、これらの内径は、いずれも、遮断板２の外周面２２の円筒面２２ａの外径よりも大きい。たとえば、第１内周面７１および第２内周面７２の内径は、遮断板２の外周面２２の外径よりも３ｍｍ〜２０ｍｍ程度（好ましくは約１０ｍｍ）大きくされる。
上記モータ５、エッチング液供給バルブ８、純水供給バルブ９、処理ガス供給バルブ２７、エッチング液供給バルブ２８、純水供給バルブ２９、遮断板回転駆動機構４０、遮断板昇降駆動機構４１およびスプラッシュガード昇降駆動機構７０の動作を制御するために、マイクロコンピュータなどを有する制御部８０が設けられている。
【００２７】
未処理のウエハＷは、基板搬送ロボット（図示せず）によってスピンチャック１に受け渡されてチャックピン１２により挟持される。このとき、制御部８０によってモータ５が停止状態に制御されることにより、スピンチャック１は静止しており、遮断板２がスピンチャック１の上方に離間した待避位置に位置するように遮断板昇降駆動機構４１が制御される。さらに、スプラッシュガード６が最下方位置となるようにスプラッシュガード昇降駆動機構７０が制御される。また、このとき、エッチング液供給バルブ８、純水供給バルブ９、処理ガス供給バルブ２７、エッチング液供給バルブ２８および純水供給バルブ２９は、いずれも閉成状態に制御される。
【００２８】
ウエハＷがスピンチャック１に保持されると、制御部８０は、遮断板昇降駆動機構４１を制御して、遮断板２を下降させ、そのウエハ対向面２１がウエハＷの上面の近傍に位置するようにする。また、制御部８０は、スプラッシュガード昇降駆動機構７０を制御して、スプラッシュガード６を、薬液受け部６１がウエハＷの端面に対向する薬液処理位置（図１において二点鎖線で示す位置）まで上昇させる。また、制御部８０は、モータ５を付勢して、スピンチャック１を、ウエハＷのほぼ中心を通る鉛直軸線まわりに回転させるとともに、遮断板回転駆動機構４０を付勢して、遮断板２を、スピンチャック１と共通の鉛直軸線まわりに回転させる。このとき、遮断板２は、スピンチャック１と同じ方向にほぼ同じ速さで同期回転されることが好ましい。
【００２９】
この状態で、制御部８０は、エッチング液供給バルブ８を開成するとともに、処理ガス供給バルブ２７を開成する。これにより、ウエハＷの下面中央に向けて、処理液供給ノズル７ａからエッチング液が供給されるとともに、ウエハＷの上面には処理ガス通路からの処理ガスが供給される。
ウエハＷの下面の中央に供給されたエッチング液は、遠心力を受け、ウエハＷの下面を伝ってその周端面に至り、さらに、上面の周縁部へと回り込んだ後に、遠心力によって、ウエハＷ外に排除される。この排除されたエッチング液は、薬液受け部６１の働きによって薬液回収溝３４に集められ、再利用のために、回収配管３６を介して回収される。
【００３０】
ウエハＷの上面に供給される処理ガスは、ウエハＷの上面の中央領域にエッチング液のミスト等が入り込むことを防ぐとともに、エッチング液の回り込み量を規制する。このようにして、ウエハＷの上面の周縁部を選択的にエッチング処理することができる。
その後、制御部８０は、エッチング液供給バルブ８を閉成し、さらに、スプラッシュガード６が、その純水受け部６２がウエハＷの端面に対向する純水処理位置（図１において実線で示す位置）となるように、スプラッシュガード昇降駆動機構７０を制御する。その後、制御部８０は、純水供給バルブ９，２９を開成する。これにより、ウエハＷの上下面に純水が供給され、純水リンス処理が行われる。遠心力によってウエハＷの外方へと排除された使用後の純水は、純水受け部６２および案内部６３の働きによって、純水回収溝３５に集められ、排液配管３７から排液される。
【００３１】
一定時間の純水リンス処理の終了後には、制御部８０は純水供給バルブ９，２９を閉成するとともに、スピンチャック１を高速回転させて、ウエハＷの上下面の水滴を振り切るための振り切り乾燥処理を実行する。
この振り切り乾燥処理の後には、スピンチャック１の回転が停止されるとともに、遮断板２が上方に待避させられ、スプラッシュガード６は下方に待避させられる。その状態で、処理済みのウエハＷが、スピンチャック１から基板搬送ロボットへと受け渡されて、この基板液処理装置から搬出される。
【００３２】
図２に拡大して示すように、遮断板２がウエハＷの近傍にあり、スプラッシュガード６が薬液処理位置にあるとき、遮断板２の外周面２２とスプラッシュガードの第２内周面７２とが高さ方向に関して少なくとも一部が重なり合っていて、これらは対向し、それらの間に気体通路８２が形成されることになる。この気体通路８２は、傾斜面２２ｂおよび７２ｂによって規定される絞り込み通路８２ａと、この絞り込み通路８２ａの下方に連なり、円筒面２２ａ，７２ａによって規定される鉛直な整流通路８２ｂとを有している。この整流通路８２ｂは、円筒面２２ａ，７２ａが高さ方向に関して少なくとも一部重なり合うことによって形成されるが、その重なり部分の鉛直方向の長さは、２０ｍｍ以上であることが好ましい。
【００３３】
スプラッシュガード６の内方の空間は、排気手段３９によって下方から排気されているから、スプラッシュガード６の上方から下方へと向かう気流が生じている。この気流は、絞り込み通路８２ａによって絞り込まれ、さらに整流通路８２ｂによって整流される。
その結果、整流通路８２ｂの直下、すなわち、ウエハＷの周端面近傍においては、鉛直下方に向かって整流され、十分な流速を有する良好なダウンフロー９２が形成されることになる。これにより、ウエハＷから飛び出したエッチング液の液滴やミストは、速やかに下方に導かれて排気される。また、ウエハＷと遮断板２のウエハ対向面２１との間に入り込もうとする液滴またはミストも、ダウンフロー９２に捕獲されて速やかに排気される。
【００３４】
一方、図３に拡大して示すように、遮断板２がウエハＷの近傍にあり、スプラッシュガード６が純水処理位置にあるとき、遮断板２の外周面２２とスプラッシュガードの第１内周面７１とが高さ方向に関して重なり合っていて、これらは対向し、それらの間に気体通路８１が形成されることになる。この気体通路８１は、傾斜面２２ｂおよび７１ｂによって規定される絞り込み通路８１ａと、この絞り込み通路８１ａの下方に連なり、円筒面２２ａ，７１ａによって規定される鉛直な整流通路８１ｂとを有している。この整流通路８１ｂは、円筒面２２ａ，７１ａが高さ方向に関して少なくとも一部重なり合うことによって形成されるが、その重なり部分の鉛直方向の長さは、２０ｍｍ以上であることが好ましい。
【００３５】
リンス処理時にも、スプラッシュガード６の内方の空間は、排気手段３９によって下方から排気されているから、スプラッシュガード６の上方から下方へと向かう気流が生じている。この気流は、絞り込み通路８１ａによって絞り込まれ、さらに整流通路８１ｂによって整流される。
その結果、リンス処理時においても、整流通路８１ｂの直下、すなわち、ウエハＷの周端面近傍においては、鉛直下方に向かって整流され、十分な流速を有する良好なたダウンフロー９１が形成されることになる。これにより、ウエハＷから飛び出した使用後の純水の液滴やミストは、速やかに下方に導かれて排気される。また、ウエハＷと遮断板２のウエハ対向面２１との間に入り込もうとする液滴またはミストも、ダウンフロー９１に捕獲されて速やかに排気される。
【００３６】
このように、この実施形態によれば、エッチング処理時およびリンス処理時において、ウエハＷの端面の近傍に良好なダウンフロー９１，９２を形成することができる。これにより、ウエハＷの表面への処理液の再付着を効果的に抑制できる。
以上、この発明の一実施形態について説明したが、この発明は、他の形態で実施することもできる。たとえば、上記の実施形態では、ウエハＷの端面付近に鉛直下方に向かうダウンフロー９１，９２を形成するようにしているが、たとえば、遮断板２の外周面２２の円筒面２２ａを下方に向かうに従って外方または内方に向かう傾斜面（たとえば、円錐面）に形成しておき、スプラッシュガード６側の円筒面７１ａ，７２ａをこれに対応する形状に形成しておくことによって、鉛直方向に対して傾斜した方向に向かうダウンフローを形成するようにしてもよい。
【００３７】
また、上記の実施形態では、スプラッシュガード６を上下動させることによって、その第１および第２内周面７１，７２を、高さ方向に関して遮断板２の外周面２２に重なり合うようにしているが、スプラッシュガード６を上下動する代わりに、遮断板２を上下動させるようにしてもよい。たとえば、スピンチャック１を上下動可能に構成し、このスピンチャック１の上下動と遮断板２の上下動とを連動させることにより、スピンチャック１、遮断板２およびスプラッシュガード６を所望の上下位置関係に導くようにしてもよい。むろん、スプラッシュガード６と遮断板２との両方を上下動することによって、それらの相対位置関係を所望の状態に導くこととしてもよい。
【００３８】
また、上記の実施形態では、ウエハの周縁部のエッチング処理を行う構成を例にとって説明したが、ウエハの周縁部の洗浄処理を行う基板液処理装置、ウエハの全面のエッチング処理または洗浄処理を行う基板液処理装置、ウエハに対してエッチングまたは洗浄以外の液処理を行う基板液処理装置などにも、この発明を適用することができる。
さらに、処理対象の基板は、ウエハに限らず、光ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、磁気ディスク用基板に代表される円形基板のほか、液晶表示装置用ガラス基板などの角形の基板の液処理に対しても、この発明を適用することができる。
【００３９】
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の一実施形態に係る基板液処理装置の構成を説明するための図解的な断面図である。
【図２】スプラッシュガードが薬液処理位置にあるときの状態を示す図解的な部分拡大断面図である。
【図３】スプラッシュガードが純水処理位置にあるときの状態を示す図解的な部分拡大断面図である。
【符号の説明】
１　　　スピンチャック
２　　　遮断板
３　　　処理カップ
４　　　回転軸
５　　　モータ
６　　　スプラッシュガード
７　　　処理液供給管
７ａ　　処理液供給ノズル
８　　　エッチング液供給バルブ
９　　　純水供給バルブ
１１　　スピンベース
１２　　チャックピン
２１　　ウエハ対向面
２２　　外周面
２２ａ　円筒面
２２ｂ　傾斜面
２３　　回転軸
２４　　処理液供給管
２４ａ　処理液供給ノズル
２５　　貫通孔
２６　　処理ガス通路
２７　　処理ガス供給バルブ
２８　　エッチング液供給バルブ
２９　　純水供給バルブ
３０　　外壁
３１　　第１隔壁
３２　　第２隔壁
３３　　底面壁
３４　　薬液回収溝
３５　　純水回収溝
３６　　回収配管
３７　　排液配管
３８　　排気配管
３９　　排気手段
４０　　遮断板回転駆動機構
４１　　遮断板昇降駆動機構
６１　　薬液受け部
６２　　純水受け部
６３　　案内部
７０　　スプラッシュガード昇降駆動機構
７１　　内周面
７１ａ　第１円筒面
７１ｂ　傾斜面
７２　　第２内周面
７２ａ　円筒面
７２ｂ　傾斜面
８０　　制御部
８１　　気体通路
８１ａ　絞り込み通路
８１ｂ　整流通路
８２　　気体通路
８２ａ　絞り込み通路
８２ｂ　整流通路
９１　　ダウンフロー
９２　　ダウンフロー
Ｗ　　　ウエハ
【図１】
2004087603.tif 000003
【図２】
2004087603.tif 000004
【図３】
2004087603.tif 000005