(57)【要約】【課題】半導体基板に形成した三次元構造体を封止する中空構造のサイズを小さく、かつ簡素化する。また、前記構造体と半導体チップとの熱膨張係数の差による熱応力等に起因する特性の変化を防止する。【解決手段】半導体基板に三次元構造体を形成した半導体チップを中空構造で封止した半導体装置において、前記半導体基板に、前記三次元構造体を囲む凸部を形成し、この凸部と蓋部材とによって前記中空構造を構成する。また、その製造方法において、前記半導体基板に、前記三次元構造体を囲む凸部を形成する工程と、前記凸部に蓋部材を接着する工程とを有し、この凸部と蓋部材とによって前記中空構造を構成する。上述した本発明によれば、半導体チップの凸部と蓋部材とによって中空構造を構成するため、中空構造に要するスペースが小さくなり、凸部が半導体チップと同一材料であり、熱膨張による応力を防止することが可能となる。【選択図】        図１
2004340730.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板に三次元構造体を形成した半導体チップを中空構造で封止した半導体装置において、
前記半導体基板に、前記三次元構造体を囲む凸部を形成し、この凸部と蓋部材とによって前記中空構造を構成することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記蓋部材が別の半導体基板或いはベース基板であることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記半導体基板及び凸部がシリコンであることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記凸部が異方導電性接着層であることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の半導体装置。
【請求項５】
半導体基板に三次元構造体を形成した半導体チップを中空構造で封止した半導体装置の製造方法において、
前記半導体基板に、前記三次元構造体を囲む凸部を形成する工程と、前記凸部に蓋部材を接着する工程とを有し、この凸部と蓋部材とによって前記中空構造を構成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置及びその製造方法に関し、特に、半導体チップを中空構造で封止する半導体装置に適用して有効な技術に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
半導体装置では、微細化の進展によって小型化が進められているが、半導体装置と並んで実装基板に実装される半導体装置以外の個別部品についても小型化が求められている。このため、半導体装置製造技術を用いて、センサ或いはＲＦスイッチ等の微細な三次元構造体を半導体チップに形成するＭＥＭＳ（ＭｉｃｒｏＥｌｅｃｔｒｏＭｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｓｙｓｔｅｍ）が注目されている。
【０００３】
ＭＥＭＳでは、部品の小型化による実装寸法の縮小に加えて、可動部分の微細化によって、消費電力を低減させることができる或いは動作速度を高速化することができるという利点があり、加えて、個別部品とその制御回路等とを同一チップに形成することによって部品点数の削減を図ることができる。
【０００４】
ＭＥＭＳでは、可動部分を有するために、中空構造の封止体を形成する必要があるので、従来はセラミックのパッケージが用いられていた。しかし、セラミックのパッケージはパッケージ自体が高価なために、製品価格が上昇してしまうので、幅広い用途に用いられるためには、樹脂封止等のより安価な封止形態を採用して中空構造を形成する必要がある。
【０００５】
【特許文献１】
特開２０００−２１４１７７号公報
このため、特許文献１には、緩衝部材とカバー部材とによってセンサチップを覆い、樹脂封止を行なう技術が記載されている。
【０００６】
【特許文献２】
特開２００１−２２７９０２号公報
また、特許文献２には、封止樹脂によって密閉空間を形成した後に、全体の樹脂封止を行なう技術が記載されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、前述した技術では、中空の密閉部分を構成する構造体のサイズが大きなために、半導体装置を小型化する上での障害となる、或いは中空の密閉部分を形成するための構造体が複雑なために、工程数が増加してしまうという問題がある。
【０００８】
また、例えば加速度センサでは、可動電極の微量の位置変化によって加速度を検出しているが、前記構造体と半導体チップとの熱膨張係数の差による熱応力等が加わると、温度変化によって加速度センサに歪が生じ、センサの検出精度が低下する、或いはセンサの測定範囲に大きな偏差が生じる等の、特性の変化を招くことがある。
【０００９】
本発明の課題は、これらの問題点を解決し、より簡単な構造で小型の中空構造部分を形成し、加えて、熱膨張係数の差による影響を回避することが可能な技術を提供することにある。
本発明の前記ならびにその他の課題と新規な特徴は、本明細書の記述及び添付図面によって明らかになるであろう。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
半導体基板に三次元構造体を形成した半導体チップを中空構造で封止した半導体装置において、前記半導体基板に、前記三次元構造体を囲む凸部を形成し、この凸部と蓋部材とによって前記中空構造を構成する。
【００１１】
また、半導体基板に三次元構造体を形成した半導体チップを中空構造で封止した半導体装置の製造方法において、前記半導体基板に、前記三次元構造体を囲む凸部を形成する工程と、前記凸部に蓋部材を接着する工程とを有し、この凸部と蓋部材とによって前記中空構造を構成する。
【００１２】
上述した本発明によれば、半導体チップの凸部と蓋部材とによって中空構造を構成するため、中空構造に要するスペースが小さくなり、半導体装置を小型化することができる。また、凸部が半導体チップと同一材料であり、熱膨張による応力を防止することが可能となるため、実装・搬送・測定等によるセンサの特性変動を低減させることができる。
【００１３】
以下、本発明の実施の形態を説明する。
なお、実施の形態を説明するための全図において、同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。
【００１４】
【発明の実施の形態】
（実施の形態１）
図１は、本発明の一実施の形態である半導体装置を示す縦断面図である。この半導体装置では、半導体チップ１の周縁に沿って形成された凸部２とベース基板３とを接着して、半導体チップ１の凸部２と蓋部材としても機能するベース基板３とによって中空構造を構成し、ベース基板３の上面と半導体チップ１とは、樹脂を用いた封止体４によって被覆してある。半導体チップ１は５ｍｍ×４ｍｍ程度のサイズであり、ベース基板３及び封止体４は平面寸法が６ｍｍ×５ｍｍ程度となっている。
【００１５】
ベース基板３は、ガラスエポキシ等の絶縁性樹脂を用いた基体３ａに銅等の金属膜からなる配線３ｂを形成し、ベース基板３に形成された配線３ｂの一端に半導体チップ１の接続端子であるバンプ電極５を接続し、配線３ｂの他端にベース基板３の下面に形成され半導体装置の外部端子となるバンプ電極６を接続する。
【００１６】
図２は半導体チップ１を示す平面図であり、図３は、図２中のａ‐ａ線に沿った縦断面図である。半導体チップ１は、周縁に形成された凸部２に囲まれた中央部分の中央に、１ｍｍ×１ｍｍ程度の微細な加速度センサ７が形成されている。
【００１７】
この加速度センサ７は、部分拡大して示すように半導体チップ１の基板上に片持ち支持された可動電極７ａと固定電極７ｂとを対向させ、外力が加わった際に生じる可動電極７ａの位置変化を、可動電極７ａと固定電極７ｂとの間の容量変化として検出し、検出した位置変化を微分することによって加速度を測定する。前記位置変化に対する容量変化を拡大するために、可動電極７ａ及び固定電極７ｂは、櫛歯状に複数の電極を共通接続して容量を確保している。
【００１８】
この半導体チップ１の加速度センサ７では、同様の可動電極７ａ及び固定電極７ｂの組が９０度向きを変えて２組配置されており、２軸の加速度変化を検出することができる。また、図２中の加速度センサ７の上下には加速度センサ７の制御回路８が、通常の集積回路形成技術によって形成されており、加速度センサ７及び制御回路８は、半導体チップ１に形成された配線によって半導体チップ１の接続端子となるバンプ電極５に接続されている。
【００１９】
半導体チップ１の周縁に形成される凸部２は、図４に縦断面図を示すように、先ず、中央部分を露出させたレジストマスク９を半導体基板に形成し、このレジストマスク９を用いたウエットエッチングによって、図５に縦断面図を示すように、半導体基板を等方性エッチングして中央部分を除去することによって形成されている。
【００２０】
この等方性エッチングは、例えばＫＯＨをエッチング液として、電圧を印加した状態で行ない、（１１０）面の半導体基板主面に対して、凸部２の内壁が傾斜した（１００）面（１１１）面となるため、凸部２の角が緩やかになり、内壁が結晶面となるため、凸部２の強度が増加するので、凸部２の形成に要するスペースを小さくすることができる。
【００２１】
続いて、ＭＡＰ（Ｍｕｌｔｉ  ａｒｒａｙｅｄ  Ｐａｃｋａｇｅ）方式によるこの半導体装置の製造方法について、図６乃至図１３を用いて工程毎に説明する。ＭＡＰでは、複数の半導体装置となるベース基板３を一体とし、そこに封止体４を一体に形成した後に、ベース基板３及び封止体４を切断して個々の半導体装置を分離する。
【００２２】
本実施の形態のベース基板３は、図６に平面図を図７にその縦断面図を示すように、８個の半導体装置に相当するベース基板３が行列状に一体となっており、夫々のベース基板３はガラスエポキシ樹脂等の板状絶縁体の基体３ａに銅箔等の配線３ｂを形成したものであり、このベース基板３の所定位置に半導体チップ１を実装する。
【００２３】
半導体チップ１の実装には、例えば銀ペースト或いは熱硬化性の接着剤を用い、接着層１０を加熱して所定の温度及び圧力を接着層１０に加え、加圧状態で接着層１０を硬化させて半導体チップ１の凸部２とベース基板３とを接着し、同時に、半導体チップ１のバンプ電極５をベース基板３の配線３ｂと接続して、半導体チップ１がベース基板３に固定される。
【００２４】
続いて、図８に平面図を図９にその縦断面図を示すように、トランスファーモールディングによって、ベース基板３上面及び半導体チップ１を封止する夫々の半導体装置の封止体４をエポキシ樹脂等によって一体に一括形成する。なお、図８では封止体４を透過して示してある。
【００２５】
次に、ベース基板３の下面の配線３ｂ端部にハンダボールを付着させた後に、リフロー加熱を行なうことによってハンダボールを溶融・固化させると、図１０に底面図を図１１にその縦断面図を示すように、ベース基板３の配線３ｂ端部にバンプ電極６が形成され、このバンプ電極６が半導体装置の外部端子となる。
【００２６】
次に、図１２に底面図を図１３にその縦断面図を示すように、ベース基板３及び一括形成された封止体４を切断するダイシングを行なう。分離後の半導体装置が離散するのを防止するために、封止体４を粘着性のダイシングテープ１１に貼り付けた状態で半導体装置を固定し、ダイシングブレード１２によってベース基板３及び封止体４を縦横に切断した後に、ダイシングテープ１１を剥離させれば、一体化されていた複数の半導体装置が分離されて夫々の半導体装置に個片化され、図１に示す状態となる。
【００２７】
本実施の形態の半導体装置では、半導体チップ１の凸部２とベース基板３とによって中空構造を構成するため、中空構造に要するスペースが小さいので、半導体装置を小型化することができる。また、凸部２が半導体チップ１と同一材料であり、熱膨張による応力を防止することが可能となるため、実装・搬送・測定等によるセンサ７の特性変動を低減させることができる。
【００２８】
図１４は、本実施の形態の変形例を示す縦断面図であり、図１５及び図１６は、その半導体装置に用いられる半導体チップ１の平面図及び縦断面図である。この例では、凸部２をセンサ７とバンプ電極５のパッドとの間に配置し、凸部２をノンドープシリコン或いは酸化シリコン等を用いてホトリソグラフィにより形成している。
【００２９】
この例では、半導体チップ１の半導体基板主面に制御回路８及び配線を形成した後に、凸部２を形成することができるので、平坦な基板の状態でプロセスを進めた後に凸部２を形成することが可能になるので、制御回路８或いは配線形成が容易となり、加えて、バンプ電極５が凸部２の外側に位置しているため、半導体チップ１をベース基板３に実装した状態でバンプ電極５の接続状態を確認することができる。
【００３０】
また、バンプ電極５を凸部２の外部に配置して、中空構造をより小型化することが可能であり、加えて、センサ７とバンプ電極５とが凸部２によって隔てられるので、バンプ電極５に生じる応力がセンサ７に与える影響を低減させることができる。なお、本例の凸部２を前述した例と同様にエッチングによって形成することも可能である。
【００３１】
図１７は、本実施の形態の変形例を示す縦断面図であり、図１８及び図１９は、その半導体装置に用いられる半導体チップ１の平面図及び縦断面図である。この例では、凸部２を半導体チップ１の半導体基板上にて形成せずに、別に加工した枠状のものを半導体チップ１の周縁に貼り付けてある。
【００３２】
この例では、凸部２を別に加工するため、凸部２の形成が容易であり、加えて、センサの形成後に凸部２を形成することが可能になり、基板が平坦な状態でセンサ７を形成することができる。なお、同様の枠状の凸部２を貼り付ける方法は、図１４乃至図１６に示す半導体装置に適用してもよい。
【００３３】
図２０は、本実施の形態の変形例を示す縦断面図であり、図２１及び図２２は、その半導体装置に用いられる半導体チップ１の平面図及び縦断面図である。この例では、バンプ電極５に替えて、異方導電膜１３（ＡＣＦ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｆｉｌｍ）によって半導体チップ１とベース基板３とを接続するが、この異方導電膜１３は、図２１中に斜線を付したようにセンサ７の周囲に枠状に配置することにより、前述した凸部としても機能している。このため、凸部形成の工程を省略することができる。
【００３４】
また、異方導電膜１３を用いた場合には、更に、図２３に縦断面図を示すように、異方導電膜１３によって半導体チップ１の周縁の封止を行なうことで封止体４を省略し、半導体装置をチップサイズに縮小することも可能である。封止体４を省略することによって、封止体形成の工程が不要になり、併せて、ウェハの切断とベース基板３の切断とを同時に行なうことができるので、工程数を更に削減することができる。
【００３５】
なお、中空構造に収容する三次元構造体としては、前述した加速度センサの他に、表面弾性波ＳＡＷ（Ｓｕｒｆａｃｅ  Ａｃｏｕｓｔｉｃ  Ｗａｖｅ）  フィルタ、ＲＦスイッチ等の他のＭＥＭＳであってもよい
（実施の形態２）
図２４は、本発明の一実施の形態である半導体装置を示す縦断面図であり、図２５及び図２６は、その半導体装置に用いられる半導体チップ１の平面図及び縦断面図である。
【００３６】
前述した実施の形態では、半導体チップ１をフェイスダウンでベース基板３に実装したが、本実施の形態の半導体装置では、半導体チップ１の裏面をベース基板３に接着するフェイスアップで半導体チップ１をベース基板３に実装する。半導体チップ１は５ｍｍ×４ｍｍ程度のサイズである。
【００３７】
このため、中空構造を構成するための蓋部材としては、半導体チップとして用いられる半導体基板とは別の半導体基板１４を用い、前述した実施の形態と同様に形成した半導体チップ１の凸部２に蓋部材としても機能する半導体基板１４を接着して中空構造を構成し、ベース基板３の上面と半導体チップ１と基板１４とは、樹脂を用いた封止体４によって被覆してある。ベース基板３及び封止体４は平面寸法が６ｍｍ×５ｍｍ程度となっている。
【００３８】
ベース基板３は、ガラスエポキシ等の絶縁性樹脂を用いた基体３ａに銅等の金属膜からなる配線３ｂを形成し、ベース基板３に形成された配線３ｂの一端に半導体チップ１の接続端子となるボンディングパッド１５を、金線等のボンディングワイヤ１６によって電気的に接続している。配線３ｂの他端には、ベース基板３の下面に形成され半導体装置の外部端子となるバンプ電極６を接続する。
【００３９】
半導体チップ１は、周縁に形成された凸部２に囲まれた中央部分の中央に、前述した実施の形態と同様の加速度センサ７が形成されている。
また、図２５中の加速度センサ７の上下には加速度センサの制御回路８が、通常の集積回路形成技術によって形成されており、加速度センサ７及び制御回路８は、半導体チップ１に形成された配線によって半導体チップ１の接続端子となるボンディングパッド１５に接続されている。
【００４０】
本実施の形態の半導体装置では、半導体チップ１の凸部２と基板１４とによって中空構造を構成するため、中空構造に要するスペースが小さいので、半導体装置を小型化することができる。また、凸部２及び基板１４が半導体チップ１と同一材料であり、熱膨張による応力を防止することが可能となるため、実装・搬送・測定等によるセンサ７の特性変動を低減させることができる。
【００４１】
また、半導体チップ１のボンディングパッド１５とベース基板３とをボンディングワイヤによって接続するため、製造が容易であり、コストの低減及び信頼性の向上を図ることができる。加えて、半導体チップ１の製造工程で、中空構造が密閉されるため、以降の工程にて異物の付着等によるセンサ７の動作不良を防止することができる。更に、半導体チップ１が密閉状態となるため、以降の工程では半導体チップ１の管理・取り扱いが容易になる。
【００４２】
図２７は、本実施の形態の変形例を示す縦断面図であり、図２８及び図２９は、その半導体装置に用いられる半導体チップ１の平面図及び縦断面図である。この例では、半導体基板１４の蓋部材を半導体チップ１と同一サイズとしており、このため、半導体基板１４にはボンディングパッド１５と対応させた貫通電極１７を形成し、ボンディングパッド１５と貫通電極１７とを異方導電膜１３によって接続し、半導体基板１４の貫通電極１７とベース基板３とをボンディングワイヤ１６によって接続する。
【００４３】
この図２８及び図２９に示す半導体チップの製造方法について、図３０乃至図３７を用いて工程毎に説明する。
先ず、半導体チップ１は、図３０に平面図を図３１にその縦断面図を示すように、複数の半導体チップ１が行列状に一体となったウェハの状態で各種の処理が行なわれ、夫々の半導体チップ１には、枠状になった凸部２、センサ７、制御回路８及びボンディングパッド１５等が形成されている。
【００４４】
続いて、図３２に平面図を図３３にその縦断面図を示すように、半導体チップ１のボンディングパッド１５上に異方導電膜１３を貼り付ける。異方導電膜１３は、隣接する半導体チップ１にまたがって一体としたものが貼り付けてある。
【００４５】
次に、図３４に平面図を図３５にその縦断面図を示すように、半導体チップ１の形成されたウェハと、蓋部材となる半導体基板１４が半導体チップ１と同様に複数が一体となったウェハとを重ねて、半導体チップ１の凸部２と半導体基板１４とを接着し、異方導電膜１３によってボンディングパッド１５と半導体基板１４の貫通電極１７とを電気的に接続する。
【００４６】
次に、図３６に平面図を図３７にその縦断面図を示すように、半導体チップ１の形成されたウェハと半導体基板１４と異方導電膜１３とを切断するダイシングを行なう。分離後の半導体チップが離散するのを防止するために、半導体チップ１の形成されたウェハを粘着性のダイシングテープ１１に貼り付けた状態で半導体チップ１を固定し、ダイシングブレード１２によって半導体チップ１の形成されたウェハと半導体基板１４になるウェハとを縦横に切断した後に、ダイシングテープ１１を剥離させれば、一体化されていた複数の半導体チップ１が分離されて夫々の半導体チップ１に個片化され、図２８及び図２９に示す状態となる。
【００４７】
この製造方法では、個別の半導体チップに個片化される前に、中空構造が密閉されるため、以降の工程、例えばダイシングの工程等にて発生する異物の付着等に起因するセンサ７等の動作不良を防止することができ、半導体チップの状態で中空構造を形成するので、以降の取り扱いが容易になる。また、複数の蓋部材となる半導体基板１４がウェハの状態で一体となっているため、半導体基板１４を一括して半導体チップ１の凸部２に接着することができる。
【００４８】
また、この異方導電膜１３は、図２１中に斜線を付したようにセンサ７の周囲に枠状に配置することにより、前述した凸部としても機能させて、凸部２形成の工程を省略することができる。
【００４９】
以上、本発明を、前記実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は、前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であることは勿論である。
【００５０】
【発明の効果】
本願において開示される発明のうち代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
（１）本発明によれば、半導体チップに形成した凸部と蓋部材とによって中空構造を構成することができるという効果がある。
（２）本発明によれば、上記効果（１）により、中空構造に要するスペースが小さいので、半導体装置を小型化することができるという効果がある。
（３）本発明によれば、上記効果（１）により、凸部或いは蓋部材を半導体チップと同一材料として、熱膨張による応力を防止することができるという効果がある。
（４）本発明によれば、上記効果（３）により、実装・搬送・測定等によるセンサの特性変動を低減させることができるという効果がある。
（５）本発明によれば、半導体チップの状態で中空構造を形成することもできるので、中空構造を密閉した状態として、以降の取り扱いを容易にすることができるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施の形態である半導体装置を示す縦断面図である。
【図２】本発明の一実施の形態である半導体装置に用いられる半導体チップを示す平面図及び部分拡大図である。
【図３】図２中のａ−ａ線に沿った縦断面図及び部分拡大図である。
【図４】図２及び図３に示す半導体チップを工程ごとに示す縦断面図である。
【図５】図２及び図３に示す半導体チップを工程ごとに示す縦断面図である。
【図６】本発明の一実施の形態である半導体装置を工程ごとに示す平面図である。
【図７】本発明の一実施の形態である半導体装置を工程ごとに示す縦断面図である。
【図８】本発明の一実施の形態である半導体装置を工程ごとに示す平面図である。
【図９】本発明の一実施の形態である半導体装置を工程ごとに示す縦断面図である。
【図１０】本発明の一実施の形態である半導体装置を工程ごとに示す底面図である。
【図１１】本発明の一実施の形態である半導体装置を工程ごとに示す縦断面図である。
【図１２】本発明の一実施の形態である半導体装置を工程ごとに示す底面図である。
【図１３】本発明の一実施の形態である半導体装置を工程ごとに示す縦断面図である。
【図１４】本発明の一実施の形態である半導体装置の変形例を示す縦断面図である。
【図１５】図１４の半導体装置に用いられる半導体チップを示す平面図である。
【図１６】図１５中のａ−ａ線に沿った縦断面図である。
【図１７】本発明の一実施の形態である半導体装置の変形例を示す縦断面図である。
【図１８】図１７の半導体装置に用いられる半導体チップを示す平面図である。
【図１９】図１８中のａ−ａ線に沿った縦断面図である。
【図２０】本発明の一実施の形態である半導体装置の変形例を示す縦断面図である。
【図２１】図２０の半導体装置に用いられる半導体チップを示す平面図である。
【図２２】図２１中のａ−ａ線に沿った縦断面図である。
【図２３】本発明の一実施の形態である半導体装置の変形例を示す縦断面図である。
【図２４】本発明の他の実施の形態である半導体装置を示す縦断面図である。
【図２５】本発明の他の実施の形態である半導体装置に用いられる半導体チップを示す平面図及び部分拡大図である。
【図２６】図２５中のａ−ａ線に沿った縦断面図及び部分拡大図である。
【図２７】本発明の他の実施の形態である半導体装置の変形例を示す縦断面図である。
【図２８】図２７の半導体装置に用いられる半導体チップを示す平面図である。
【図２９】図２８中のａ−ａ線に沿った縦断面図である。
【図３０】図２８及び図２９の半導体チップを工程ごとに示す平面図である。
【図３１】図２８及び図２９の半導体チップを工程ごとに示す縦断面図である。
【図３２】図２８及び図２９の半導体チップを工程ごとに示す平面図である。
【図３３】図２８及び図２９の半導体チップを工程ごとに示す縦断面図である。
【図３４】図２８及び図２９の半導体チップを工程ごとに示す平面図である。
【図３５】図２８及び図２９の半導体チップを工程ごとに示す縦断面図である。
【図３６】図２８及び図２９の半導体チップを工程ごとに示す平面図である。
【図３７】図２８及び図２９の半導体チップを工程ごとに示す縦断面図である。
【符号の説明】
１…半導体チップ、２…凸部、３…ベース基板、３ａ…基体、３ｂ…配線、４…封止体、５，６…バンプ電極、７…加速度センサ、７ａ…可動電極、７ｂ…固定電極、８…制御回路、９…レジストマスク、１０…接着層、１１…ダイシングテープ、１２…ダイシングブレード、１３…異方導電膜、１４…半導体基板、１５…ボンディングパッド、１６…ボンディングワイヤ、１７…貫通電極。
【図１】
2004340730.tif 000003
【図２】
2004340730.tif 000004
【図３】
2004340730.tif 000005
【図４】
2004340730.tif 000006
【図５】
2004340730.tif 000007
【図６】
2004340730.tif 000008
【図７】
2004340730.tif 000009
【図８】
2004340730.tif 000010
【図９】
2004340730.tif 000011
【図１０】
2004340730.tif 000012
【図１１】
2004340730.tif 000013
【図１２】
2004340730.tif 000014
【図１３】
2004340730.tif 000015
【図１４】
2004340730.tif 000016
【図１５】
2004340730.tif 000017
【図１６】
2004340730.tif 000018
【図１７】
2004340730.tif 000019
【図１８】
2004340730.tif 000020
【図１９】
2004340730.tif 000021
【図２０】
2004340730.tif 000022
【図２１】
2004340730.tif 000023
【図２２】
2004340730.tif 000024
【図２３】
2004340730.tif 000025
【図２４】
2004340730.tif 000026
【図２５】
2004340730.tif 000027
【図２６】
2004340730.tif 000028
【図２７】
2004340730.tif 000029
【図２８】
2004340730.tif 000030
【図２９】
2004340730.tif 000031
【図３０】
2004340730.tif 000032
【図３１】
2004340730.tif 000033
【図３２】
2004340730.tif 000034
【図３３】
2004340730.tif 000035
【図３４】
2004340730.tif 000036
【図３５】
2004340730.tif 000037
【図３６】
2004340730.tif 000038
【図３７】
2004340730.tif 000039