(57)【要約】　　　（修正有）【課題】この発明は、封止樹脂内に気泡を巻き込むことなく、半導体素子のマウントに要する時間を短縮することができる半導体装置の製造方法を提供することにある。【解決手段】半導体素子Ｉを基板Ｗにフリップチップ実装する半導体装置製造方法において、液状の封止樹脂１１を上記基板Ｗの表面に供給する供給工程と、上記半導体素子Ｉをボンディングヘッド４で保持し、上記封止樹脂の上から上記基板Ｗに押圧する押圧工程とを具備し、上記押圧工程では、上記半導体素子Ｉを第１の速度で上記封止樹脂に接触させ、その後、この半導体素子Ｉを上記第１の速度よりも大きい第２の速度で下降させて基板Ｗ表面に接合する。【選択図】　　図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子を基板にフリップチップ実装する半導体装置製造方法において、
液状の樹脂材を上記基板の表面に供給する供給工程と、
上記半導体素子をボンディングヘッドで保持し、上記樹脂材の上から上記基板に押圧する押圧工程と
を具備し、
上記押圧工程では、上記半導体素子を第１の速度で上記樹脂材に接触させ、その後、この半導体素子を上記第１の速度よりも大きい第２の速度で下降させて基板表面に接合することを特徴とする半導体装置製造方法。
【請求項２】
半導体素子を基板にフリップチップ実装する半導体装置製造装置において、
上記基板を保持する保持部と、
この保持部に保持された基板の表面に液状の樹脂材を供給する供給手段と、
上記半導体素子を保持し、保持した半導体素子を上記基板に押圧するボンディングヘッドと、
上記基板の表面高さを測定する測定手段と、
この測定手段により測定された基板の表面高さに基づいて、ボンディングヘッドの下降速度を制御する制御手段と
を具備することを特徴とする半導体装置製造装置。
【請求項３】
上記制御手段は、上記測定手段によって測定された基板の表面高さに基づいて、上記樹脂材の供給時におけるディスペンサの高さを制御することを特徴とする請求項２記載の半導体装置製造装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、半導体装置製造方法、及びこれに用いられる半導体装置製造装置に係り、特に、半導体素子のマウント方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、半導体素子をＢＧＡ用基板などのパッケージ用配線基板（以下、基板と呼ぶ）にフリップチップ実装したエリアアレイ型の半導体パッケージが製造されている。この半導体パッケージは、半導体素子裏面に複数の電極部を備えており、半導体素子と基板との間の隙間には樹脂材としての封止樹脂が充填されている。
【０００３】
半導体素子裏面の電極部に形成された半田バンプを用いて半導体素子を基板にフリップチップ実装する場合、半田バンプの表面酸化膜を除去するため、基板の表面に酸化膜還元剤としてのフラックスを塗布する。
【０００４】
次いで、基板表面にフラックスの上から半導体素子をマウントし、半導体素子の裏面に形成された半田バンプをリフローする。それによって、各半田バンプは基板表面に形成された各ボンディングパッドとそれぞれ溶着する。
【０００５】
半導体素子を基板にマウントする際は、半導体素子を半田バンプの頂点と基板との距離が約０．５［ｍｍ］になる高さまで適当な下降速度で下降させ、その後、下降速度を約２．０［ｍｍ／ｓ］に制御している。そのため、この方法では、半導体素子を基板にマウントするのに、３［ｓ］〜５［ｓ］程度の時間がかかっていた。
【０００６】
次いで、半導体素子と基板との間の隙間に液状の封止樹脂を充填し、この封止樹脂を加熱によって硬化させる。（以下、従来のフリップチップ実装と呼ぶ）
ところで、半田バンプのリフロー後には、半田バンプ表面にフラックスが残渣している。半田バンプにフラックスが残渣していると、種々の問題が生じることがある。
【０００７】
例えば、イオン系の残渣の場合、リーク電流を引き起こし、電気的な絶縁不良を発生させることがある。また、湿気が存在する場合、残渣が導電気を持ち、電圧印加により腐食を起こすことがある。そのため、半田バンプをリフローした後、にフラックス残渣の洗浄が必要となる。
【０００８】
しかしながら、フラックス残渣の洗浄には設備、材料の面で多大なコストがかかり、さらに、洗浄液は有害物質であるため環境に与える影響が大きいという問題がある。
【０００９】
また、半導体素子と基板との間の隙間を封止樹脂で封止する際、液状の封止樹脂を半導体素子の外側に供給し、毛細管現象によってこの封止樹脂を半導体素子と基板との隙間に浸透させている。
【００１０】
しかしながら、この方法によると、例えば外形寸法が１０［ｍｍ］×１０［ｍｍ］の矩形状の半導体素子で、封止樹脂が半導体素子と基板の隙間を浸透するのに９０秒以上の時間がかかり、生産性向上の障害となっていた。
【００１１】
これらの問題を解決するため、例えば、特開平４−２８０４４３号公報に開示されているように、有機酸などのフラックス剤が添加された封止樹脂を用いる新規のフリップ実装方法が開発されている。
【００１２】
この実装方法では、まず、フラックスを添加した封止樹脂を基板表面に塗布する。次いで、半導体素子を封止樹脂の上からバンプの表面がボンディングパッドに接触するようマウントし、バンプをリフロー炉内で加熱する。
【００１３】
それによって、各バンプはボンディングパッドにそれぞれ溶着し、さらに、半導体素子とパッケージ用配線基板の間の隙間には封止樹脂が充填される。なお、封止樹脂はバンプのリフロー時の加熱により硬化される。（以下、新規フリップチップ実装方法と呼ぶ）
このように、新規のフリップチップ実装方法では、封止樹脂にフラックスを添加することによって、フラックスが果たしていた半田の表面酸化膜を除去する能力を封止樹脂に持たせた。
【００１４】
そのため、従来のフリップチップ実装方法におけるフラックス残渣を洗浄する工程、及び液状の封止樹脂を半導体素子と基板の隙間に充填する工程が不要となるので、フリップチップ実装に要する時間を短縮でき、高い生産性を確保できる。しかも、フラックス残渣を洗浄するための洗浄液が不要となるから、材料コストを削減することができる。
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、半導体素子のマウント工程では、基板に塗布された封止樹脂の内部に気泡が混入し、機械的強度の低下を招くことがある。
【００１６】
そこで、最近は、半導体素子の下降速度を従来のフリップチップ実装における下降速度の１／１００程度、すなわち約０．０２［ｍｍ／ｓ］に低速化することで、封止樹脂内に気泡が巻き込まれるのを抑制している。
【００１７】
すなわち、図６に示すように、同図中に点ヘで示す初期位置からボンディングヘッドを適当な速度で下降させ、半導体素子が点トで示す高さ、すなわちはんだバンプの頂点が基板表面から約０．６［ｍｍ］の高さに到達したら、半導体素子を約０．０２［ｍｍ／ｓ］で下降させる。
【００１８】
そして、半田バンプが点チで示す高さ、すなわち半田バンプが基板表面に接触する高さに到達したら、その高さを所定の時間だけ維持し、その後、ボンディングヘッドを上昇させる。
【００１９】
しかしながら、上述したマウント工程を用いた場合、フリップチップ実装に３５［ｓ］程度の時間がかかり、従来のフリップチップ実装と比較すると１０倍程度の長い時間を必要としていた。
【００２０】
なお、新規のフリップチップ実装方法において、下降速度を切り替える高さである上記０．６［ｍｍ］は、基板の厚さのばらつきと、塗布した封止樹脂の基板表面からの高さばらつきを考慮し、マージンを持たせて設定した値である。
【００２１】
この発明は、上記事情に基づいてなされたもので、封止樹脂内に気泡を巻き込むことなく、半導体素子のマウントに要する時間を短縮することができる半導体装置製造方法を提供することを目的とする。
【００２２】
【課題を解決するための手段】
請求項１記載の発明は、半導体素子を基板にフリップチップ実装する半導体装置製造方法において、液状の樹脂材を上記基板の表面に供給する供給工程と、
上記半導体素子をボンディングヘッドで保持し、上記樹脂材の上から上記基板に押圧する押圧工程とを具備し、上記押圧工程では、上記半導体素子を第１の速度で上記樹脂材に接触させ、その後、この半導体素子を上記第１の速度よりも大きい第２の速度で下降させて基板表面に接合することを特徴とする半導体装置製造方法にある。
【００２３】
請求項２記載の発明は、半導体素子を基板にフリップチップ実装する半導体装置製造装置において、上記基板を保持する保持部と、この保持部に保持された基板の表面に液状の樹脂材を供給する供給手段と、上記半導体素子を保持し、保持した半導体素子を上記基板に押圧するボンディングヘッドと、上記基板の表面高さを測定する測定手段と、この測定手段により測定された基板の表面高さに基づいて、ボンディングヘッドの下降速度を制御する制御手段とを具備することを特徴とする半導体装置製造装置にある。
【００２４】
請求項３記載の発明は、上記制御手段は、上記測定手段によって測定された基板の表面高さに基づいて、上記樹脂材の供給時におけるディスペンサの高さを制御することを特徴とする請求項２記載の半導体装置製造装置にある。
【００２５】
この発明によれば、樹脂材内に気泡を巻き込むことなく、半導体素子のマウントに要する時間を短縮することができる。
【００２６】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照しながらこの発明の一実施の形態を説明する。
【００２７】
図１は、この発明の一実施の形態に係る半導体装置製造装置の概略的構成を示している。図中矢印ＸＹＺは互いに直交する３方向を示しており、特に矢印Ｘ、Ｙは水平方向、矢印Ｚは鉛直方向を示している。
【００２８】
この半導体装置製造装置は、ＢＧＡ用基板などの基板Ｗを保持する保持部としてのボンディングステージ１を有する。このボンディングステージ１の上面側にはボンディングユニット２が配置されている。
【００２９】
ボンディングユニット２は、ボンディングヘッド４と、供給手段としてのディスペンサ６と、測定手段としてのレーザ変位計７とを備え、駆動装置２０によって矢印ＸＹＺで示す方向に駆動されるようになっている。
【００３０】
ボンディングヘッド４は、下端に半導体素子Ｉを吸引保持する吸引ブロック４ａを備え、保持した半導体素子Ｉをボンディングステージ１上の基板Ｗに押圧できるようになっている。
【００３１】
ディスペンサ６は樹脂材としての封止樹脂１１を収容するシリンジ６ａを有する。このシリンジ６ａの上端にはシリンジ６ａ内にエアーを供給するエアーホース６ｂが接続され、下端にはシリンジ６ａ内の封止樹脂１１を吐出させるディスペンスニードル６ｃが接続されている。
【００３２】
レーザ変位計７は、ボンディングステージ１上面を基準とする基板Ｗの表面高さ、及び基板Ｗ表面に塗布された封止樹脂１１の厚さを測定するものである。レーザ変位計７には制御手段２１を介して上記駆動装置２０が接続され、上記測定結果に基づいてボンディングユニット２を駆動するようになっている。
【００３３】
次に、上記構成の半導体装置製造装置を使用して、半導体素子Ｉをマウントするマウント工程について説明する。
【００３４】
ボンディングステージ１の上面に基板Ｗを保持したならば、レーザ変位計７によってボンディングステージ１を基準とした基板Ｗの表面高さを測定する。
【００３５】
なお、この実施の形態では、基板Ｗとして、平面形状がほぼ３０［ｍｍ］×３０［ｍｍ］の方形状をなし、約０．８［ｍｍ］の厚さを有するガラスエポキシ製のＢＧＡ用基板を用いた。
【００３６】
この基板Ｗの表面には複数のボンディングパッド１２が形成され、これらボンディングパッド１２にはそれぞれ２０［μｍ］〜４０［μｍ］程度の厚さに半田がプリコートされている。（以下、この半田をプリコート半田１３と呼ぶ）
次いで、ボンディングユニット２を駆動してディスペンサ６を基板Ｗの所定位置に対応させる。このとき、レーザ変位計７の出力、すなわち、基板Ｗの表面高さを用いて、基板Ｗ表面とディスペンスニードル６ｃ下端との距離を設定する。
【００３７】
ディスペンサ６が基板Ｗの所定位置に設定されたならば、エアーホース６ｂからエアーを供給し、図２（ａ）に示すように、シリンジ６ａ内の液状の封止樹脂１１をディスペンスニードル６ｃによって約２４［ｍｇ］だけ供給する。
【００３８】
このとき、封止樹脂１１の供給開始と同時にディスペンサ６をＸ、及びＹ方向駆動して、基板Ｗ表面に封止樹脂１１を半導体素子Ｉの対角を結ぶよう×印状に塗布する。なお、この実施の形態の場合、基板Ｗ表面の封止樹脂１１の塗布厚さは約０．４５［ｍｍ］〜０．５［ｍｍ］となる。
【００３９】
また、封止樹脂１１の供給方法としては、上記ディスペンス法に限定されるものではなく、たとえば、印刷法などを用いてもよい。
【００４０】
また、この実施の形態では、封止樹脂１１として、酸化膜還元能力を有していることが知られる酸無水物を硬化剤として添加したエポキシ系樹脂を用いている。その主成分は以下の通りである。
【００４１】
ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（ｅｐｏｘｙ　ｒｅｓｉｎ）…１ｍｏｌ、
メチルヘキサヒドロ無水フタル酸…１．５〜２．０ｅｑｕｉｖａｌｅｎｔ　ａｇａｉｎｓｔ　ｔｈｅ　ｅｐｏｘｙ　ｒｅｓｉｎ、
アミン（ａｍｉｎｅ）…０．２〜０．７ｗｔ％　ｏｆ　ｔｈｅ　ｅｐｏｘｙ　ｒｅｓｉｎ、
有機酸…１５〜２０ｅｑｕｉｖａｌｅｎｔ　ａｇａｉｎｓｔ　ｔｈｅ　ａｍｉｎｅ
なお、このエポキシ系樹脂は、発明者らにより報告されている（“下川一生他、７ｔｈ　Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ　ｏｎ　Ｍｉｃｒｏｊｏｉｎｉｎｇ　ａｎｄ　Ａｓｓｅｍｂｌｙ　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ　ｉｎ　Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ“２００１、ｐｐ．１４７〜１５２）により、高い酸化膜還元能力が確認されている。
【００４２】
すなわち、この封止樹脂１１は、後述するように、リフロー時における半田バンプ１４とプリコート半田１３との接合性を向上させるため、硬化剤、及び硬化促進剤の抑制剤としての有機酸を増加し、封止樹脂１１の酸化還元能力を向上させたものである。
【００４３】
基板Ｗ表面に封止樹脂１１を塗布したならば、駆動装置２０によってレーザ変位計７を駆動し、基板Ｗ表面に塗布された封止樹脂１１の塗布厚さを測定する。
【００４４】
次いで、半導体素子Ｉを吸引ブロック４ａの下面に吸引保持し、駆動装置２０によってボンディングヘッド４を基板Ｗ表面の封止樹脂１１に対応位置させる。このときの半導体素子Ｉの高さ位置を下降開始位置として図５に点イで示す。
【００４５】
なお、この実施の形態で用いられる半導体素子Ｉは、外形寸法がほぼ１０［ｍｍ］×１０［ｍｍ］、厚さが約０．６［ｍｍ］である。この半導体素子Ｉの裏面には複数の電極１７が２５０［μｍ］〜５００［μｍ］程度のピッチ間隔でマトリクス状に形成されており、これら電極１７には、それぞれ約φ１００［μｍ］の直径寸法を有する半田バンプ１４が突設されている。
【００４６】
半導体素子Ｉが下降開始位置イに設定されたならば、駆動装置２０によりボンディングヘッド４を下降させ、半導体素子Ｉのマウント工程を開始する。
【００４７】
ところで、このマウント工程は、従来において、封止樹脂１１内に気泡が混入するという問題を有していた。
【００４８】
そこで、発明者らは、マウント時における封止樹脂１１内への気泡の巻き込み現象を明確化するためにマウント実験を行った。
【００４９】
この実験では、図３（ａ）に示すように、基板Ｗ表面に×印状にディスペンスされた封止樹脂１１の上から半導体素子Ｉを様々な下降速度でマウントし、それぞれの下降速度における気泡の分布状態を調べた。
【００５０】
その結果、下降速度の増加に伴って、封止樹脂１１内に巻き込まれる気泡の量が増加することを確認し、さらに、封止樹脂１１に巻き込まれた気泡は、最初に封止樹脂１１をディスペンスした×印部分に集中していることも確認した。
【００５１】
封止樹脂１１の半導体素子Ｉ裏面への濡れは、大きく二つの段階に分けられる。第一段階は、図３（ｂ）〜（ｃ）及び図４（ｂ）〜（ｃ）に示すように、半導体素子Ｉの下降過程で、基板Ｗ表面に塗布された封止樹脂１１に半田バンプ１４の頂点が接触してから半導体素子Ｉ裏面が接触する段階であり、第二段階は、図３（ｃ）〜（ｄ）及び図４（ｃ）〜（ｄ）に示すように、半導体素子Ｉ裏面が封止樹脂１１と接触した後に、さらに下降する過程で封止樹脂１１を半導体素子Ｉと基板Ｗとの間に押し広げる段階である。
【００５２】
すなわち、この実験により、気泡は、第一段階、つまり封止樹脂１１に半田バンプ１４が接触してから半導体素子Ｉの裏面が接触するまでの間に混入し易く、第二段階、つまり封止樹脂１１を半導体素子Ｉと基板Ｗとの間に押し広げる際には、封止樹脂１１内に混入し難いことが明らかになった。
【００５３】
そこで、このマウント実験の結果を踏まえて、この発明の一実施の形態に係る半導体素子Ｉのマウント方法を提案する。以下、このマウント方法に基づいたマウント工程を説明する。なお、図５は、この実施の形態に係るマウントヘッド４の時間に対するＺ軸方向の軌跡を示す。
【００５４】
このマウント工程では、まず、駆動装置２０によって、半導体素子Ｉを保持したボンディングヘッド４を適当な速度で下降させる。レーザ変位計７の出力、すなわち、基板Ｗの表面高さ、及び封止樹脂１１の塗布厚さに基づいて半導体素子Ｉが点ロで示す高さ、すなわち、半田バンプ１４の頂点が封止樹脂１１の表面から約０．１［ｍｍ］の高さに到達したと判断したら、駆動装置２０によってボンディングヘッド４を第１の速度、この実施の形態では０．０２［ｍｍ／ｓ］で下降させ、半田バンプ１４を基板Ｗに塗布された封止樹脂１１に上述した第１段階として接触させる。なお、半田バンプ１４と封止樹脂１１とが接触するときの半導体素子Ｉの高さを図５に点ハで示す。
【００５５】
そして、半導体素子Ｉが点ニで示す高さ、すなわち、半田バンプ１４の頂点が基板Ｗ表面から約０．１５［ｍｍ］の高さに到達し、封止樹脂１１が基板Ｗ表面と半導体素子Ｉ裏面との間に完全に充填されたら、ボンディングヘッド４の下降速度を第２の速度、この実施の形態では約２．００［ｍｍ／ｓ］に切り替え、半導体素子Ｉをさらに下降させる。
【００５６】
このとき、封止樹脂１１は上述した第２段階として、半導体素子Ｉの裏面全体に濡れ広がり、最終的に、図２（ｂ）に示すように、半導体素子Ｉの外周部分にフィレット１５を形成する。
【００５７】
次いで、半導体素子Ｉが点ホで示す高さに到達したら、すなわち、半田バンプ１４の頂点が基板Ｗ表面に接触したら、半導体素子Ｉに５０［ｍＮ／ｂｕｍｐ］程度の荷重をかけ、その状態を所定時間だけ維持する。そして、吸引ブロック４ｂによる半導体素子Ｉの保持を解除するとともに、ボンディングヘッド４を上昇させ、基板Ｗに半導体素子Ｉを設定する。
【００５８】
基板Ｗに半導体素子Ｉが設定されたならば、基板Ｗ及び半導体素子Ｉをリフロー炉に通し、約４２３［Ｋ］で２分程度加熱することで、図２（ｃ）に示すように、半田バンプ１４及びプリコート半田１３を溶着させる。基板Ｗと半導体素子Ｉとの間に充填された封止樹脂１１は、この加熱によって仮硬化される。
【００５９】
次いで、オーブンによって、約４２３［Ｋ］で１時間程度加熱して、封止樹脂１１を完全に硬化させる。以上で、半導体装置の製造工程が終了する。
【００６０】
上述した半導体装置製造方法及び半導体装置製造装置によれば、基板Ｗ表面に塗布された封止樹脂１１の内部に気泡が巻き込まれやすい第１段階において、半導体素子Ｉを第１の速度でゆっくりと下降させ、気泡が巻き込まれ難い第二段階において、半導体素子Ｉを第１の速度よりも大きい第２の速度で下降させた。
【００６１】
そのため、封止樹脂１１内に気泡を巻き込むことなく、マウントにかかる時間を短縮することができる。
【００６２】
また、ボンディングユニット２にレーザ変位計７を設け、このレーザ変位計７によって測定された基板Ｗの表面高さ、及び基板Ｗ表面に塗布された封止樹脂１１の塗布厚さを用いてボンディングヘッド４の下降速度の切り替え高さを制御するようにした。
【００６３】
そのため、製造ロットによって基板Ｗの厚さに±０．１［ｍｍ］程度のばらつきが生じたり、ディスペンサ６から供給される封止樹脂１１の厚さに多少のばらつきが生じても、下降速度の切り替え高さがこれらのばらつきに左右されないから、半導体素子Ｉを安定した速度でマウントすることができる。
【００６４】
さらに、レーザ変位計７によって測定された基板Ｗの表面高さに基づいて、基板Ｗとディスペンサ６との間の距離を制御するようにした。
【００６５】
そのため、基板Ｗ表面に封止樹脂１１を安定した供給量および塗布厚さで供給することができる。
【００６６】
なお、この発明は、上記一実施の形態に限定されるものではなく、たとえば、樹脂材として異方性導電接着剤などを用いたフリップチップ実装にも適用することができる。
【００６７】
また、測定手段としては、レーザ変位計７に限定されず、渦電流式の変位計を用いてもよい。
【００６８】
さらに、レーザ変位計７によって、基板Ｗの表面高さのみを測定し、この出力を用いて切り替え高さを設定するようにしてもよい。しかしながら、この場合、封止樹脂１１の塗布厚さのばらつきを考慮して、切り替え高さに多少のマージンを持たせる必要がある。
【００６９】
具体的には、使用する半導体素子Ｉ、基板Ｗ、及び封止樹脂１１の供給量が上記実施の形態と同じである場合、半田バンプ１４の頂点が基板Ｗ表面から０．６０［ｍｍ］の高さに到達してから、半田バンプ１４の頂点が基板Ｗ表面から約０．１５［ｍｍ］の高さに到達するまで、すなわち、封止樹脂１１が半導体素子Ｉ裏面に接触するまで第１の速度で下降させ、その後、半田バンプ１４が基板Ｗ表面に接触するまで、第２の速度で下降させる。
【００７０】
この場合、封止樹脂１１内に気泡を巻き込むことなく、マウント工程に要する時間を２５秒程度に短縮することができる。
【００７１】
また、ボンディングユニット２を矢印Ｚ方向にのみ駆動可能な構成とし、ボンディングステージ１を矢印Ｘ、及び矢印Ｙ方向に移動可能な構成としてもよい。
【００７２】
【発明の効果】
この発明によれば、半導体装置を高い生産性で製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】
この発明の一実施の形態に係る半導体装置製造装置の概略的構成図。
【図２】
同実施の形態に係る半導体素子と基板とをフリップチップ実装する際の工程を示し、（ａ）は基板表面に封止樹脂が供給された状態を示す概略図、（ｂ）は半導体素子と基板とが接触した状態を示す概略図、（ｃ）は半導体素子と基板とが接合された状態を示す概略図。
【図３】
同実施の形態に係る半導体素子と基板とのフリップチップ実装におけるマウント工程を示し、（ａ）は半導体素子が封止樹脂に接触していない状態を示す概略図、（ｂ）は半導体素子の半田バンプのみが封止樹脂に接触した状態を示す概略図、（ｃ）は半導体素子の裏面全体に封止樹脂が接触した状態を示す概略図、（ｄ）は半導体素子の半田バンプが基板表面のプリコート半田と接触した状態を示す概略図。
【図４】図３（ａ）〜（ｄ）に示す状態における半導体素子裏面への封止樹脂の濡れ状態を示す概略図。
【図５】同実施の形態に係るボンディングヘッドの時間に対するＺ軸方向の軌跡を示す参考図。
【図６】従来におけるボンディングヘッドの時間に対するＺ軸方向の軌跡を示す参考図。
【符号の説明】
１４…半田バンプ
Ｉ…半導体素子
Ｗ…基板
１１…封止樹脂（樹脂材）
４…ボンディングヘッド
１…ボンディングステージ（保持部）
６…ディスペンサ（供給手段）
７…レーザ変位計（測定手段）
２１…制御手段
【図１】
2004087611.tif 000003
【図２】
2004087611.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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