(57)【要約】【課題】微細な配線構造を具備することが可能であって、適切に低熱膨張率化が図られた多層配線基板を提供すること。【解決手段】多層配線基板Ｘにおいて、カーボンファイバ材１１ａを包含するコア絶縁層１１を有するコア部１０と、ガラスクロス２１ａを包含する少なくとも１つの第１絶縁層２１および第１配線パターン２２による積層構造を有し、コア部１０に接合している第１積層配線部２０と、少なくとも１つの第２絶縁層３１および第２配線パターン３２による積層構造を有し、第１積層配線部２０に接合している第２積層配線部３０と、による積層構造を具備する。【選択図】　図１
2004087856.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
カーボンファイバ材を包含するコア絶縁層を有するコア部と、
ガラスクロスを包含する少なくとも１つの第１絶縁層および第１配線パターンによる積層構造を有し、前記コア部に接合している第１積層配線部と、
少なくとも１つの第２絶縁層および第２配線パターンによる積層構造を有し、前記第１積層配線部に接合している第２積層配線部と、による積層構造を備えることを特徴とする、多層配線基板。
【請求項２】
カーボンファイバ材を包含するコア絶縁層を有するコア部と、
ガラスクロスを包含する少なくとも１つの第１絶縁層および第１配線パターンによる積層構造を有し、前記コア部における相対する側に接合している２つの第１積層配線部と、
少なくとも１つの第２絶縁層および第２配線パターンによる積層構造を有し、前記２つの第１積層配線部の一方に接合している第２積層配線部と、による積層構造を備えることを特徴とする、多層配線基板。
【請求項３】
少なくとも１つの第２絶縁層および第２配線パターンによる積層構造を有し、前記２つの第１積層配線部の他方に接合している第２積層配線部を更に含む積層構造を備える、請求項２に記載の多層配線基板。
【請求項４】
前記コア絶縁層の面広がり方向における１５０℃以下での熱膨張率は−３ｐｐｍ／Ｋ以上であって８ｐｐｍ／Ｋ未満であり、前記第１絶縁層の面広がり方向における１５０℃以下での熱膨張率は８ｐｐｍ／Ｋ以上であって２０ｐｐｍ／Ｋ未満であり、前記第２絶縁層の面広がり方向における１５０℃以下での熱膨張率は２０ｐｐｍ／Ｋ以上であって１００ｐｐｍ／Ｋ未満である、請求項１から３のいずれか１つに記載の多層配線基板。
【請求項５】
前記コア絶縁層における前記カーボンファイバ材の含有率は、３０〜８０ｖｏｌ％である、請求項１から４のいずれか１つに記載の多層配線基板。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体チップ実装基板、マザーボード、プローブカード用基板などに適用され得る多層配線基板に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、電子機器に対する高性能化および小型化などの要求に伴い、電子機器に組み込まれる電子部品の高密度実装化が急速に進んでいる。そのような高密度実装化に対応すべく、半導体チップについては、ベアチップの状態で配線基板に面実装される即ちフリップチップ実装される場合が多い。半導体チップを搭載するための配線基板については、半導体チップの多ピン化に伴って、配線の高密度化を達成するうえで好適な多層配線基板が採用される傾向にある。このような半導体チップおよび多層配線基板による実装構造を有する半導体パッケージは、所定の電子回路の一部を構成すべく、更にマザーボードに実装される。マザーボードについても、配線の高密度化を達成するうえで好適な多層配線基板が採用される場合がある。一方、複数の半導体素子が造り込まれた半導体ウエハや単一の半導体チップを検査する際に当該ウエハやチップが搭載されるプローブカードの基板においても、素子やチップの多ピン化に応じて多層配線基板が採用されている。
【０００３】
フリップチップ実装においては、一般に、配線基板とこれに搭載された半導体チップの間の隙間に対してアンダーフィル剤が充填される。アンダーフィル剤が充填されない状態では、配線基板および半導体チップの熱膨張率の差に起因して、配線基板および半導体チップの間の電気的接続の信頼性は低い場合が多い。一般的な半導体材料による半導体チップにおける面広がり方向の熱膨張率は約３．５ｐｐｍ／Ｋであり、コア基板としてガラスエポキシ基板を採用する一般的な配線基板における面広がり方向の熱膨張率は１２〜２０ｐｐｍ／Ｋであり、両者の熱膨張率の差は比較的大きい。そのため、環境温度の変化により、或は、環境温度の変化を経ることにより、配線基板と半導体チップの間における電気的接続部には応力が発生しやすい。電気的接続部にて所定以上の応力が発生すると、電気的接続部における半導体チップのバンプと配線基板の電極パッドとの界面にて、クラックや剥がれが生じやすくなる。フリップチップ実装における半導体チップと配線基板の間に充填されるアンダーフィル剤は、電気的接続部に発生するこのような応力を緩和する機能を有する。この応力緩和機能により、電気的接続部におけるクラックや剥がれが抑制され、フリップチップ実装における接続信頼性の確保が図られる。
【０００４】
しかしながら、大型の半導体チップを配線基板に実装する場合には、アンダーフィル剤の応力緩和機能のみでは、充分な接続信頼性を確保できない場合が多い。半導体チップおよび配線基板の熱膨張率の差に起因する両者の熱膨張差の絶対量は、チップが大型であるほど大きくなるためである。熱膨張差が大きいほど、電気的接続部にて発生する応力も大きくなる。このような不具合は、半導体ウエハや比較的大型の半導体チップの機能を検査する際、これらをプローブカードに搭載した状態においても生じ得る。
【０００５】
配線基板および半導体チップの熱膨張率の差に起因する上述の不具合を解消ないし軽減するための手法の一つとして、熱膨張率の小さな配線基板を採用することが考えられる。熱膨張率の小さな配線基板としては、従来より、低熱膨張率の金属をコア基板として採用する配線基板が知られている。金属コア基板を構成する金属材料としては、一般に、アルミニウム、銅、ケイ素鋼、ニッケル−鉄合金、ＣＩＣ（銅／インバー／銅の構成のクラッド材）などが採用される。銅コア基板を有する配線基板については、例えば、特開２０００−１３８４５３号公報に開示されている。しかしながら、これらの金属材料は、比重が相当程度に大きいので、得られる配線基板の重量が大きくなり、好ましくなかった。また、金属コア基板は、微細なプロセスによる加工性に乏しく、例えば、孔加工や薄板化が困難な場合が多い。
【０００６】
一方、配線基板の熱膨張率を低減する手法として、炭素材料を利用する技術が知られている。そのような技術は、例えば、特開昭６０−１４０８９８号公報、特開平１１−４０９０２号公報、および、特開２００１−３３２８２８号公報に開示されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
特開昭６０−１４０８９８号公報には、炭素繊維シートを含有する絶縁層であるグラファイト層と銅配線とが交互に積層された多層配線構造を有する配線基板が開示されている。グラファイト層を備えるため、当該配線基板の熱膨張率は小さい。しかしながら、このような配線基板の多層配線構造は、いわゆる一括積層法により形成される。一括積層法では、微細な多層配線構造ひいては微細なピッチの外部接続用電極を形成することが困難であることが知られている。そのため、特開昭６０−１４０８９８号公報に開示されている配線基板は、外部接続用の電極が微細なピッチで形成された半導体チップを実装ないし搭載するのには適していない。
【０００８】
特開平１１−４０９０２号公報には、炭素繊維シートを含有するコア基板の両面に、ガラス繊維を含有するプリプレグによる絶縁層と銅配線とが積層された多層配線構造を有する配線基板が開示されている。コア基板が炭素繊維シートを含有するため、当該配線基板の熱膨張率は小さい。しかしながら、特開平１１−４０９０２号公報によると、このような多層配線基板の多層配線構造は、一括積層法により形成される。そのため、特開平１１−４０９０２号公報に開示されている配線基板は、外部接続用の電極が微細なピッチで形成された半導体チップを実装ないし搭載するのには適していない。
【０００９】
特開２００１−３３２８２８号公報には、炭素系繊維を含有するコア基板の両面に、ガラス繊維を含有しないプリプレグによる絶縁層と銅配線の積層構造を有する配線基板が開示されている。しかしながら、炭素系繊維を含有するコア基板と、ガラス繊維を含有しないプリプレグとの熱膨張率の差は、相当程度に大きい。熱膨張率差が大きいと、コア基板と絶縁層とは剥離しやすい。コア基板と絶縁層とが剥離すると、配線に対して不当な応力が作用して断線してしまう場合があり、好ましくない。したがって、特開２００１−３３２８２８号公報に開示されている技術によると、全体の熱膨張率が小さな配線基板を適切に得ることが困難な場合がある。
【００１０】
本発明は、このような事情のもとで考え出されたものであって、微細な配線構造を具備することが可能であって、適切に低熱膨張率化が図られた多層配線基板を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明の第１の側面により提供される多層配線基板は、カーボンファイバ材を包含するコア絶縁層を有するコア部と、ガラスクロスを包含する少なくとも１つの第１絶縁層および第１配線パターンによる積層構造を有し、コア部に接合している第１積層配線部と、少なくとも１つの第２絶縁層および第２配線パターンによる積層構造を有し、第１積層配線部に接合している第２積層配線部と、による積層構造を備えることを特徴とする。
【００１２】
このような構成の多層配線基板においては、微細な配線を具備することが可能である。本発明の第１の側面に係る多層配線基板の第２積層配線部は、第２絶縁層と第２配線パターンとの積層構造を有する。第２絶縁層は、カーボンファイバ材やガラスクロスなどの繊維製部材を含有しない。そのため、第２積層配線部は、いわゆるビルドアップ法により形成することが可能である。ビルドアップ法による多層配線構造などの積層配線構造の形成においては、微細な配線パターンを高密度で形成できることが知られている。したがって、本発明における第２積層配線部については、ビルドアップ法により微細配線を高密度で形成することが可能なのである。
【００１３】
第２積層配線部にて微細配線を具備することができるので、第２積層配線部の最上位の第２配線パターンにおいて、外部接続用の電極部を微細なピッチで設けることが可能となる。その結果、外部接続用の電極が微細なピッチで形成された半導体チップを実装ないし搭載することが可能となる。このように、本発明の第１の側面に係る多層配線基板は、微細な配線を具備することが可能であるため、半導体チップの多ピン化、すなわち高密度実装に適切に対応可能なのである。
【００１４】
本発明の第１の側面に係る多層配線基板は、適切に低熱膨張率化が図られている。具体的には、コア部と第１積層配線部と第２積層配線部との間において良好な接合状態が達成されつつ、多層配線基板全体の正味の熱膨張率は低減されている。
【００１５】
本発明の第１の側面において、コア部のコア絶縁層は、カーボンファイバ材を含有する。カーボンファイバ材とは、例えば、カーボンファイバを束ねたカーボンファイバ糸から構成されるカーボンファイバメッシュ、カーボンファイバ糸から織られたカーボンファイバクロス、或は、カーボンファイバ糸から構成されるカーボンファイバ不織布である。本発明の第１の側面においては、これらのようなカーボンファイバ材が、コア絶縁層の内部において、当該コア絶縁層の面広がり方向に展延している。そのため、コア絶縁層ひいてはコア部の面広がり方向における熱膨張率は小さく、半導体チップの熱膨張率に近似する値をとり得る。多層配線基板全体の正味の熱膨張率は、コア部の熱膨張率に強く依存する。
【００１６】
一方、第１積層配線部の絶縁層すなわち第１絶縁層は、ガラスクロスを包含する。ガラスクロスは、カーボンファイバ材よりも大きな熱膨張率を有し、且つ、樹脂材料よりも小さな熱膨張率を有する。本発明の第１の側面においては、ガラスクロスは、第１絶縁層の内部にて当該第１絶縁層の面広がり方向に展延している。また、第２積層配線部の絶縁層すなわち第２絶縁層は、ガラスクロスやカーボンファイバ材などの基材を含んでいない。したがって、ガラスクロスを包含する第１絶縁層が有意な体積を占める第１積層配線部の面広がり方向における熱膨張率は、カーボンファイバ材を包含するコア部の面広がり方向における熱膨張率よりも大きい値であって、基材を包含しない第２絶縁層が有意な体積を占める第２積層配線部の面広がり方向における熱膨張率よりも小さい値となる。すなわち、面広がり方向の熱膨張率については、第１積層配線部は、コア部と第２積層配線部との間の値をとるのである。このような構成においては、コア部と第１積層配線部との間の熱膨張率の差は比較的小さく、且つ、第１積層配線部と第２積層配線部との間の熱膨張率の差は比較的小さい。その結果、コア部と第１積層配線部との間の剥離は防止ないし抑制され、且つ、第１積層配線部と第２積層配線部との間の剥離は防止ないし抑制される。
【００１７】
本発明の第１の側面に係る多層配線基板は、上述のように、基板全体の熱膨張率を充分に低下せしめる低熱膨張率のコア部と、ビルドアップ法により微細配線形成が可能であって且つコア部との熱膨張率差が比較的大きな第２積層配線部と、熱膨張率についてコア部と第２積層配線部の中間の値を示す第１積層配線部とを備える。そのため、コア部と第１積層配線部との間における接合状態、および、第１積層配線部と第２積層配線部との間における接合状態は良好に維持されつつ、多層配線基板全体の正味の熱膨張率は小さい。
【００１８】
このように、本発明の第１の側面によると、多層配線基板において、微細な配線構造を具備することが可能であって、適切に低熱膨張率化を図ることができるのである。このような多層配線基板は、外部接続用の電極部が微細なピッチで設けられ且つ本来的に低熱膨張率の半導体チップを搭載するうえで好適である。
【００１９】
本発明の第２の側面によると他の多層配線基板が提供される。この多層配線基板は、カーボンファイバ材を包含するコア絶縁層を有するコア部と、ガラスクロスを包含する少なくとも１つの第１絶縁層および第１配線パターンによる積層構造を有し、コア部における相対する側に接合している２つの第１積層配線部と、少なくとも１つの第２絶縁層および第２配線パターンによる積層構造を有し、２つの第１積層配線部の一方に接合している第２積層配線部と、による積層構造を備えることを特徴とする。
【００２０】
このような構成は、本発明の第１の側面に係る構成を含んでいる。したがって、本発明の第２の側面によっても、第１の側面に関して上述したのと同様の効果が奏される。加えて、第２の側面に係る構成は、比較的剛性の第１積層配線部がコア部の両側に対称的に配設されているため、コア部および一対の第１積層配線部を含むいわゆるベース基板の反り量を低減するうえで、ひいては、多層配線基板全体の反り量を低減するうえで好適である。
【００２１】
本発明の第２の側面において、好ましくは、少なくとも１つの第２絶縁層および第２配線パターンによる積層構造を有し、２つの第１積層配線部の他方に接合している第２積層配線部を更に含む積層構造を備える。このような構成は、第１積層配線部に加えて第２積層配線部もコア部の両面に対称的に配設されているため、多層配線基板全体の反り量を低減するうえで好適である。
【００２２】
本発明の第１および第２の側面において、好ましくは、コア部および全ての第１積層配線部による積層構造体は、当該積層構造体の積層方向に貫通するスルーホールビアを有し、当該スルーホールビアは、コア部において絶縁膜で被覆されている。第１積層配線部の第１配線パターンおよび第２積層配線部の第２配線パターンは、スルーホールビアを介して、コア部の反対側に引き回すことが可能である。また、本構成のスルーホールビアは、コア部において表面が絶縁膜で被覆されているため、コア部に含まれるカーボンファイバ材とは絶縁される。
【００２３】
好ましくは、コア絶縁層の面広がり方向における１５０℃以下での熱膨張率は−３ｐｐｍ／Ｋ以上であって８ｐｐｍ／Ｋ未満であり、第１絶縁層の面広がり方向における１５０℃以下での熱膨張率は８ｐｐｍ／Ｋ以上であって２０ｐｐｍ／Ｋ未満であり、第２絶縁層の面広がり方向における１５０℃以下での熱膨張率は２０ｐｐｍ／Ｋ以上であって１００ｐｐｍ／Ｋ未満である。熱膨張率に関するこのような構成は、コア部、第１積層配線部、および第２積層配線部よりなる積層構造において、各部間の剥離を抑制しつつ多層配線基板全体の熱膨張率を低減するうえで好適である。
【００２４】
好ましくは、カーボンファイバ材は、メッシュ、クロス、または、不織布の形態を有する。また、コア絶縁層におけるカーボンファイバ材の含有率は、３０〜８０ｖｏｌ％である。カーボンファイバ材のグラファイト化率は、９９％以上である。カーボンファイバ材に関するこれらの構成は、コア部ひいては多層配線基板全体の低熱膨張率化を図るうえで好適である。
【００２５】
好ましくは、コア絶縁層は、ポリサルホン、ポリエーテルサルホン、ポリフェニルサルホン、ポリフタルアミド、ポリアミドイミド、ポリケトン、ポリアセタール、ポリイミド、ポリカーボネート、変性ポリフェニレンエーテル、ポリフェニレンオキサイド、ポリブチレンテレフタレート、ポリアクリレート、ポリスルホン、ポリフェニレンスルフィド、ポリエーテルエーテルケトン、テトラフルオロエチレン、エポキシ、シアネートエステル、および、ビスマレイミドからなる群より選択される樹脂材料を含んで構成される。
【００２６】
【発明の実施の形態】
図１は、本発明に係る多層配線基板Ｘの部分断面図である。多層配線基板Ｘは、コア部１０および多層配線部２０による積層構造を有するベース基板１００と、当該ベース基板１００の両面に積層形成されたビルドアップ部３０とを備える。ベース基板１００には、その厚み方向に延びるスルーホールビア４０が形成されている。
【００２７】
コア部１０は、カーボンファイバ強化樹脂（ＣＦＲＰ）の板材から加工されたものであり、ＣＦＲＰ部１１と、絶縁樹脂部１２とを有する。ＣＦＲＰ部１１は、カーボンファイバ材１１ａおよびこれを包容して硬化している樹脂材料１１ｂよりなる。
【００２８】
カーボンファイバ材１１ａは、カーボンファイバを束ねたカーボンファイバ糸により織られたカーボンファイバクロスであり、コア部１１の面広がり方向に展延するように配向している。本実施形態では、５枚のカーボンファイバ材１１ａが厚み方向に積層して樹脂材料１１ｂに埋設されている。カーボンファイバ材１１ａとしては、カーボンファイバクロスに代えて、カーボンファイバメッシュまたはカーボンファイバ不織布を採用してもよい。ＣＦＲＰ部１１におけるカーボンファイバ材１１ａの含有率は、３０〜８０ｖｏｌ％である。また、カーボンファイバ材１１ａのグラファイト化率は、９９％以上である。本実施形態では、これらの構成によって、ＣＦＲＰ部１１の面広がり方向における１５０℃以下での熱膨張率は−３ｐｐｍ／Ｋ以上であって８ｐｐｍ／Ｋ未満とされている。
【００２９】
カーボンファイバ材１１ａを包容する樹脂材料１１ｂとしては、例えば、ポリサルホン、ポリエーテルサルホン、ポリフェニルサルホン、ポリフタルアミド、ポリアミドイミド、ポリケトン、ポリアセタール、ポリイミド、ポリカーボネート、変性ポリフェニレンエーテル、ポリフェニレンオキサイド、ポリブチレンテレフタレート、ポリアクリレート、ポリスルホン、ポリフェニレンスルフィド、ポリエーテルエーテルケトン、テトラフルオロエチレン、エポキシ、シアネートエステル、ビスマレイミドなどが挙げられる。
【００３０】
絶縁樹脂部１２は、ＣＦＲＰ部１１のカーボンファイバ材１１ａとスルーホールビア４０との間の電気的絶縁を確保するためのものである。絶縁樹脂部１２を構成するための材料としては、樹脂材料１１ｂに関して上掲した樹脂を採用することができる。
【００３１】
多層配線部２０は、いわゆる一括積層法により配線が多層化された部位であり、絶縁層２１および配線パターン２２による積層構造を有する。絶縁層２１は、ガラスクロス２１ａに樹脂材料２１ｂを含浸させてなるプリプレグを用いて形成されたものであって、当該樹脂は硬化されている。図の簡潔化の観点より、図１において、ガラスクロス２１ａは、コア部１０の側から４段目の絶縁層２１についてのみ表し、他の絶縁層２１については省略する。絶縁層２１を構成するための樹脂材料２１ｂとしては、例えば、樹脂材料１１ｂに関して上掲した樹脂を採用することができる。本実施形態では、絶縁層２１の面広がり方向における１５０℃以下での熱膨張率は８ｐｐｍ／Ｋ以上であって２０ｐｐｍ／Ｋ未満とされている。配線パターン２２は、例えば銅により構成されており、各々所望の形状を有している。各層の配線パターン２２は、スルーホールビア４０によって相互に電気的に接続している。
【００３２】
ビルドアップ部３０は、いわゆるビルドアップ法により配線が多層化された部位であり、絶縁層３１および配線パターン３２による積層構造を有する。絶縁層３１は、例えば、樹脂材料１１ｂに関して上掲した樹脂により構成することができる。本実施形態では、絶縁層３１の面広がり方向における１５０℃以下での熱膨張率は２０ｐｐｍ／Ｋ以上であって１００ｐｐｍ／Ｋ未満とされている。配線パターン３２は、例えば銅により構成されており、各々、所望の形状を有している。隣接する層に形成されている配線パターン３２は、ビア３３により相互に電気的に接続している。最上位の配線パターン３２には、外部接続用の電極パッド３２ａが形成されている。ビルドアップ部３０の最上表面には、電極パッド３２ａに対応して開口しているオーバーコート層３４が設けられている。
【００３３】
スルーホールビア４０は、ベース基板１００の両側に設けられている配線構造、即ち、多層配線部２０の配線パターン２２およびビルドアップ部３０の配線パターン３２による配線構造を、相互に電気的に接続するためのものである。スルーホールビア４０は、ベース基板１００を貫通するように形成されたスルーホール１００ａにおいて、例えば銅めっきにより形成されている。本発明では、銅めっきに代えて、或は銅めっきに加えて、銀粉末や銅粉末を含有する導電ペーストをスルーホール１００ａに対して充填することによってスルーホールビアを形成してもよい。
【００３４】
図２〜図９は、多層配線基板Ｘの製造方法を表す。多層配線基板Ｘの製造においては、まず、図２（ａ）に示すようなＣＦＲＰ板１１’を用意する。ＣＦＲＰ板１１’は、５枚のカーボンファイバ材１１ａと、これを包容して硬化している樹脂材料１１ｂよりなる。ＣＦＲＰ板１１’の作製においては、例えば、まず、１枚のカーボンファイバ材１１ａに対して液状の樹脂材料１１ｂを含浸させる。次に、未硬化状態を維持しつつ樹脂材料１１ｂを乾燥させることによって、カーボンファイバ強化プリプレグを作製する。次に、このようにして作製したプリプレグを５枚積層し、加熱下で積層方向に加圧することによって、５枚のプリプレグを一体化させる。このようにして、ＣＦＲＰ板１１’を作製することができる。図の簡潔化の観点より、以降の工程図においては、カーボンファイバ材１１ａを省略する。
【００３５】
次に、図２（ｂ）に示すように、ＣＦＲＰ板１１’における所定の箇所に貫通孔１１ｃを形成する。貫通孔１１ｃは、上述のスルーホールビア４０の横断面の直径よりも大きな開口径で形成される。具体的には、貫通孔１１ｃの開口径は、スルーホールビア４０の直径よりも０．２〜１．０ｍｍの範囲で大きい。貫通孔１１ｃを形成する手法としては、ドリルによる切削加工、パンチング金型による打ち抜き加工、或は、レーザによるアブレーション加工を採用することができる。
【００３６】
次に、このようにして加工されたＣＦＲＰ板１１’と、多層配線部２０を構成するための積層板２０ａおよびプリプレグ２０ｂとを、図３に示す順序でレイアップする。
【００３７】
各積層板２０ａは、両面銅張板から加工されたものであって、ガラスクロス２１ａと、これを包容して硬化している樹脂材料２１ｂと、所定の配線パターン２２とからなる。図の簡潔化の観点より、図３〜図９においては全てのガラスクロス２１ａを省略する。本実施形態では、図３の最上位および最下位に配設される積層板２０ａの片側の銅箔は、この時点では未加工である。積層板２０ａの作製においては、例えば、まず、ガラスクロス２１ａに対して液状の樹脂材料２１ｂを含浸させる。次に、未硬化状態を維持しつつ樹脂材料２１ｂを乾燥させることによって、ガラスクロス強化プリプレグを作製する。次に、このようにして得られたプリプレグを高温高圧下において熱硬化させつつ、両面に銅箔を圧着させる。次に、配線形成を目的とする銅箔の上にレジストパターンを形成した後、当該レジストパターンをマスクとして銅箔に対してエッチング処理を施すことによって、配線パターン２２を形成する。この後、レジストパターンを剥離する。このようにして、各々が所定の配線パターン２２を有する積層板２０ａが作製される。
【００３８】
プリプレグ２０ｂは、ガラスクロス２１ａと、これを包容する未硬化の樹脂材料２１ｂとからなる。プリプレグ２０ｂは、例えば、ガラスクロス２１ａに対して液状の樹脂材料２１ｂを含浸させた後、未硬化状態を維持しつつ樹脂材料２１ｂを乾燥させることによって、作製することができる。
【００３９】
多層配線基板Ｘの製造においては、次に、図３に示す順序でレイアップされた積層構造体を加熱下にて厚み方向にプレスする。これにより、図４に示すように、プリプレグ２０ｂの樹脂材料２１ｂが熱硬化することによってＣＦＲＰ板１１’と複数の積層板２０ａとが一体化され、絶縁層２１の間に配線パターン２２が埋め込まれた多層配線構造が形成される。このとき、ＣＦＲＰ板１１’の貫通孔１１ｃは、プリプレグ２０ｂに由来する樹脂材料２１ｂにより填塞される。貫通孔１１ｃの填塞については、このような一括積層前に、プリプレグ２０ｂ由来の樹脂材料２１ｂとは別の樹脂材料を穴埋め樹脂として用いて予め行っておいてもよい。このようにして、ベース基板１００が作製される。
【００４０】
次に、図５に示すように、ベース基板１００に対して、スルーホール１００ａを形成する。スルーホール１００ａは、その軸心が貫通孔１１ｃのそれと一致するように形成される。スルーホール１００ａの形成手法については、貫通孔１１ｃに関して上述したのと同様の加工技術を採用することができる。
【００４１】
次に、図６に示すように、スルーホール１００ａにてスルーホールビア４０を形成する。具体的には、例えば、まず、必要に応じてスルーホール内壁のデスミア処理を行なった後、無電解めっき法により、スルーホール内壁に無電解銅めっき膜を形成する。続いて、電気めっき法により、無電解銅めっき膜をシード層として利用して、当該無電解銅めっき膜上に電気銅めっき膜を成長させる。本発明では、このような銅めっきによるスルーホールビア４０に代えて、銀粉末や銅粉末を含有する導電ペーストをスルーホール１００ａに対して充填することによってスルーホールビアを形成してもよい。或は、スルーホールビア４０の形成されたスルーホール１００ａに対して更に導電ペーストを充填することによって複合的なスルーホールビアを形成してもよい。
【００４２】
次に、図７に示すように、ベース基板１００表面の未加工の銅箔において、サブトラクティブ法により、所定の配線パターン２２を形成する。具体的には、未加工銅箔の上に配線パターン２２に対応する形状を有するレジストパターンを形成し、当該レジストパターンをマスクとして銅箔をエッチングすることによって、配線パターン２２を形成することができる。
【００４３】
次に、図８に示すように、ベース基板１００の両面において、ビルドアップ部３０における最下位の絶縁層３１を形成する。具体的には、所定の樹脂材料をベース基板表面に成膜する。このとき、例えば、スルーホールビア４０が形成されたスルーホール１００ａ内を減圧することによって、当該樹脂材料をスルーホール１００ａ内に引込み、当該樹脂材料によりスルーホール１００ａを填塞する。図７を参照して上述した工程において、導電ペーストを充填することによってスルーホール１００ａ内にスルーホールビアを形成する場合には、本工程において、樹脂材料によってはスルーホール１００ａ内を填塞しない。また、スルーホール１００ａの填塞については、ビルドアップ部３０の形成の前に、ビルドアップ部３０における最下位の絶縁層３１を形成するための樹脂材料とは別の樹脂材料を穴埋め樹脂として用いて行ってもよい。
【００４４】
次に、図９（ａ）に示すように、絶縁層３１に対してビアホール３１ａを形成する。ビアホール３１ａは、ＵＶ−ＹＡＧレーザ、炭酸ガスレーザ、エキシマレーザ、プラズマを利用するドライエッチング法などにより形成することができる。或は、ビアホール３１ａは、絶縁層３１が感光性樹脂により形成されている場合にはフォトリソグラフィにより形成することができる。図９（ａ）以降においては、片方のビルドアップ部３０を表す。
【００４５】
次に、図９（ｂ）に示すように、セミアディティブ法により、絶縁層３１の上に配線パターン３２を形成するとともに、ビアホール３１ａにてビア３３を形成する。具体的には、まず、必要に応じてデスミア処理を行って絶縁層３１およびビアホール３１ａの表面を粗化した後、無電解めっき法により、絶縁層３１およびビアホール３１ａの表面に無電解銅めっき膜を形成する。次に、無電解銅めっき膜上にフォトレジストを成膜した後、これを露光および現像することによって、レジストパターンを形成する。当該レジストパターンは、形成を目的とする配線パターン３２に対応する非マスク領域を有する。次に、電気めっき法により、当該非マスク領域に対して、無電解銅めっき膜をシード層として利用して電気銅めっきを堆積させる。次に、レジストパターンをエッチング除去した後、それまでレジストパターンで被覆されていた無電解銅めっき膜をエッチング除去する。このようにして、配線パターン３２およびビア３３を形成することができる。
【００４６】
多層配線基板Ｘの製造においては、このようなビルドアップ法による、絶縁層３１の形成、並びに、配線パターン３２およびビア３３の形成を所定の回数繰り返すことにより、図９（ｃ）に示すようなビルドアップ多層配線構造を形成する。本実施形態では、配線パターン３２の積層数は６であり、最上位の配線パターン３２には、外部接続用の電極パッド３２ａが形成されている。
【００４７】
次に、図９（ｄ）に示すように、ビルドアップ多層配線構造の表面にオーバーコート層３４を形成する。オーバーコート層３４は、電極パッド３２ａに対応して開口している。オーバーコート層３４の形成においては、まず、印刷技術により、オーバーコート層用の樹脂材料をビルドアップ部３０の上に成膜する。次に、フォトリソグラフィにより、所定の開口部を形成する。このようにして、ビルドアップ多層配線を有して表面がオーバーコート層３４により被覆されたビルドアップ部が形成される。
【００４８】
図９（ａ）〜図９（ｄ）を参照して上述した工程を、ベース基板１００の両側において並行して行う工程を経ることによって、ベース基板１００の両面においてビルドアップ部３０を形成する。このようにして、コア部１０および多層配線部２０による積層構造を有するベース基板１００と、当該ベース基板１００の両面に積層形成されたビルドアップ部３０とを備える、図１に示す多層配線基板Ｘが製造される。
【００４９】
多層配線基板Ｘは、ビルドアップ部３０において微細かつ高密度な配線構造を有しており、ビルドアップ部３０の最上位の配線パターン３２においては、外部接続用の電極パッド３２ａを微細なピッチで設けることが可能である。したがって、多層配線基板Ｘに対しては、外部接続用の電極が微細なピッチで形成された半導体チップを実装ないし搭載することが可能である。
【００５０】
多層配線基板Ｘのコア部１０は、熱膨張率の極めて小さなカーボンファイバ材１１ａを含んで構成されている。このようなコア部１０を有する多層配線基板Ｘの全体の正味の熱膨張率は、本実施形態では−１〜５ｐｐｍ／Ｋである。このような低熱膨張率の多層配線基板Ｘは、半導体チップとの間で熱膨張率の差が小さいので、半導体チップを搭載した状態において、熱膨張率差に起因する接続信頼性の低下を抑制することができる。
【００５１】
多層配線基板Ｘにおいては、コア部１０と多層配線部２０との間、および、多層配線部２０とビルドアップ部３０との間において、良好な接合状態が達成されている。多層配線基板Ｘは、基板全体の熱膨張率を充分に低下せしめる低熱膨張率を有するコア部１０と、ビルドアップ法により微細配線が形成されて且つ熱膨張率の比較的大きなビルドアップ部３０とを備える。仮に、コア部１０とビルドアップ部３０とを直接的に接合すると、両者の熱膨張率の差が比較的大きいため、両者の間で剥離が生じやすい。多層配線基板Ｘでは、熱膨張率についてコア部１０とビルドアップ部３０の中間の値を示す多層配線部２０が、コア部１０とビルドアップ部３０の間に介在している。そのため、コア部１０と多層配線部２０との間における接合状態、および、多層配線部２０とビルドアップ部３０との間における接合状態は良好に維持され、多層配線基板Ｘの全体の構造的劣化は抑制されている。
【００５２】
【実施例】
次に、本発明の実施例について比較例とともに説明する。
【００５３】
【実施例１】
＜多層配線基板の製造＞
本実施例では、ＣＦＲＰ材として、カーボンファイバクロスとポリイミド樹脂とを複合化したものを使用した。本実施例のＣＦＲＰ板の作製においては、まず、カーボンファイバクロス（商品名：ＴＯＲＡＹＣＡ、東レ製）に熱硬化型の変性ポリイミド樹脂ワニス（ポリイミドへと高分子化するモノマー等を含有するワニス）を含浸させた後にこれを乾燥し、厚さ０．２ｍｍのプリプレグを作製した。このカーボンファイバクロスは、断面直径１０μｍ以下のカーボンファイバを平均本数２００本以上で束ねたカーボンファイバ糸を平織りしたものである。このようにして用意したプリプレグを６枚積層し、真空プレスにより、２００℃で１時間、積層方向に加圧することによって、厚さ約１．２ｍｍの未加工のＣＦＲＰ板を作製した。このＣＦＲＰ板の面広がり方向における１５０℃以下での平均熱膨張率は、０．５ｐｐｍ／Ｋであった。
【００５４】
次に、このＣＦＲＰ板の所定の箇所に対して、ドリルにより、開口径０．５ｍｍの貫通孔を形成した。次に、ＣＦＲＰ板の両面に対して、ＣＦＲＰ板側から、厚さ０．１ｍｍのプリプレグと、厚さ０．１ｍｍであって所定の配線パターンを片面に有する積層板とを、当該配線パターンがプリプレグに接するようにレイアップした。当該プリプレグは、ガラスクロスとエポキシ樹脂とが複合化されたＦＲ−４材のプリプレグ（商品名：Ｒ−１６６１、松下電工製）である。積層板は、ガラスクロスとエポキシ樹脂とが複合化されたＦＲ−４材の両面銅張板（商品名：Ｒ−１７６６、松下電工製）において、一方の面の銅箔からサブトラクティブ法により配線パターンを形成し、他方の面の銅箔は未加工のものである。次に、上述のようにしてレイアップしたＣＦＲＰ板と、２枚のプリプレグと、２枚の積層板とを、真空プレスを使用して一括積層し、一体化させた。プレス条件については、ピーク温度を１８０℃とし、プレス時間を１時間とし、圧力を４０ｋｇｆ／ｃｍ２とした。このとき、ＣＦＲＰ板の両表面に接合されるプリプレグの一部により、ＣＦＲＰ板の貫通孔を填塞した。このようして、厚さ１．６ｍｍのベース基板を作製した。ベース基板の面広がり方向における１５０℃以下での平均熱膨張率は、３ｐｐｍ／Ｋであった。また、ベース基板におけるＣＦＲＰ板以外の層のみ即ちＦＲ−４材による層のみの面広がり方向における１５０℃以下での平均熱膨張率は、１５ｐｐｍ／Ｋであった。
【００５５】
次に、このベース基板に対して、ＣＦＲＰ板の貫通孔の略中央を通るように、ドリルにより、開口径０．２ｍｍのスルーホールを形成した。次に、デスミア処理を施した後、スルーホール壁面に対して、銅の無電解めっき及び電気めっきを施すことによって銅めっき層を形成した。このようにして、ベース基板を貫通して銅めっきよりなるスルーホールビアを形成した。
【００５６】
次に、ベース基板の両表面における各々の未加工銅箔において配線パターンを形成した。具体的には、まず、銅箔上にドライフィルムレジスト（商品名：ＮＩＴ−２４０、日合モートン製）を貼り合わせた後、露光および現像を経て、形成目的の配線パターンに対応する形状を有するレジストパターンを形成した。次に、このレジストパターンをマスクとして、塩化第二銅水溶液を用いて銅箔をエッチングした。次に、３ｗｔ％の水酸化ナトリウム水溶液を用いて、レジストパターンを剥離した。このようにして、ベース基板の両面に配線パターンを形成した。
【００５７】
次に、ベース基板の両面にビルドアップ部を形成した。ビルドアップ部の形成においては、まず、ベース基板に対して、ビルドアップ絶縁層を積層形成した。具体的には、真空プレスにより、２００℃および３０分の条件で、厚さ０．０５ｍｍとなるように、熱可塑性ポリイミド樹脂シート（商品名：エスパネックス、新日鉄化学製）を両面にラミネートした。このとき、当該ポリイミド樹脂の一部によりスルーホールを填塞した。このポリイミド層の１５０℃以下での平均熱膨張率は６０ｐｐｍ／Ｋであった。スルーホールの填塞については、熱可塑性ポリイミド樹脂シートをラミネートする前に、別の樹脂材料を穴埋め樹脂として用いて行ってもよい。次に、ビルドアップ絶縁層の所定箇所に対して、ＵＶ−ＹＡＧレーザによりビアホールを形成した。次に、セミアディティブ法により、絶縁層上に銅配線パターンを形成した。このとき、ビアホール表面にも銅を堆積させることにより、銅配線パターンとともにビアも形成した。具体的には、まず、必要に応じてデスミア処理を行った後、無電解めっき法により、絶縁層およびビアホールの表面に無電解銅めっき膜を形成した。次に、無電解銅めっき膜上にフォトレジストを成膜した後、これを露光および現像することによって、レジストパターンを形成した。当該レジストパターンは、形成を目的とする配線パターンに対応する非マスク領域を有する。次に、電気めっき法により、当該非マスク領域に対して、無電解銅めっき膜をシード層として利用して電気銅めっきを堆積させた。次に、レジストパターンをエッチング除去した後、それまでレジストパターンで被覆されていた無電解銅めっき膜をエッチング除去した。このようなセミアディティブ法により、配線パターンおよびビアを形成した。この後、ビルドアップ絶縁層の積層形成から配線パターンおよびビアの形成までの一連の工程を、ベース基板の両面にて４回繰り返すことにより、ベース基板の両面において５層配線構造のビルドアップ部を形成した。
【００５８】
次に、スクリーン印刷およびフォトリソグラフィにより、ビルドアップ部の表面にオーバーコート層を形成した。オーバーコート層の所定箇所には、ビルドアップ部における最上位の配線パターンの一部が電極パッドとして臨むように開口部を設けた。
【００５９】
このようにして作製した多層配線基板の面広がり方向における１５０℃以下での平均熱膨張率は６ｐｐｍ／Ｋであった。また、本実施例の多層配線基板について反り量を測定したところ、多層配線基板表面に設けたチップ搭載エリアの２０ｍｍスパンにおいて１０μｍ以下であった。
【００６０】
＜温度サイクル試験＞
本実施例の多層配線基板に対して、外部接続用の複数のバンプ電極を有する所定の半導体チップを搭載し、温度サイクル試験により、半導体チップ−多層配線基板間の接続信頼性を調べた。具体的には、まず、半導体チップと多層配線基板の間の各電気的接続部について初期導通抵抗を測定した。次に、−６５℃〜１２５℃の範囲で温度サイクル試験を行った後、各電気的接続部の導通抵抗を再び測定した。温度サイクル試験は、−６５℃での１５分間冷却、および、１２５℃での１５分間加熱を１サイクルとし、このサイクルを１０００回繰り返した。その結果、各電気的接続部における抵抗変化率は１０％未満であり、良好な接続部が形成されていることが確認された。また、半導体チップのバンプ電極と多層配線基板の電極パッドとの間には、クラックや剥がれは生じなかった。
【００６１】
【実施例２】
＜多層配線基板の製造＞
本実施例では、ＣＦＲＰ材として、カーボンファイバクロスとエポキシ樹脂とを複合化したものを使用した。本実施例のＣＦＲＰ板の作製においては、まず、カーボンファイバクロス（商品名：ＴＯＲＡＹＣＡ、東レ製）にエポキシ樹脂ワニス（エポキシ樹脂へと高分子化するモノマー等を含有するワニス）を含浸させた後これを乾燥し、厚さ０．２ｍｍのプリプレグを作製した。このカーボンファイバクロスは、断面直径１０μｍ以下のカーボンファイバを平均本数２００本以上で束ねたカーボンファイバ糸を平織りしたものである。このようにして用意したプリプレグを１０枚積層し、真空プレスにより、１７０℃で１時間、積層方向に加圧することによって、厚さ約２ｍｍの未加工のＣＦＲＰ板を作製した。このＣＦＲＰ板の面広がり方向における１５０℃以下での平均熱膨張率は、０．３ｐｐｍ／Ｋであった。
【００６２】
次に、このＣＦＲＰ板の所定の箇所に対して、ドリルにより、開口径０．６ｍｍの貫通孔を形成した。次に、ＣＦＲＰ板の両面に対して、ＣＦＲＰ板側から、厚さ０．１ｍｍのプリプレグと、厚さ０．１ｍｍであって所定の配線パターンを両面に有する第１積層板と、厚さ０．１ｍｍのプリプレグと、厚さ０．１ｍｍであって所定の配線パターンを片面に有する第２積層板とを、配線パターンがプリプレグに接するようにレイアップした。当該プリプレグは、ガラスクロスとエポキシ樹脂とが複合化されたＦＲ−４材のプリプレグ（商品名：Ｒ−１６６１、松下電工製）である。第１積層板は、ガラスクロスとエポキシ樹脂とが複合化されたＦＲ−４材の両面銅張板（商品名：Ｒ−１７６６、松下電工製）において、両面の銅箔からサブトラクティブ法により配線パターンを形成したものである。第２積層板は、ガラスクロスとエポキシ樹脂とが複合化されたＦＲ−４材の両面銅張板（商品名：Ｒ−１７６６、松下電工製）において、一方の面の銅箔からサブトラクティブ法により配線パターンを形成し、他方の面の銅箔は未加工のものである。次に、上述のようにしてレイアップしたＣＦＲＰ板と、４枚のプリプレグと、４枚の積層板とを、真空プレスを使用して一括積層し、一体化させた。プレス条件については、ピーク温度を１８０℃とし、プレス時間を１時間とし、圧力を４０ｋｇｆ／ｃｍ２とした。このとき、ＣＦＲＰ板の両表面に接合されるプリプレグの樹脂材料の一部により、ＣＦＲＰ板の貫通孔を填塞した。貫通孔の填塞については、一括積層前に、プリプレグ由来の樹脂材料とは別の樹脂材料を穴埋め樹脂として用いて予め行ってもよい。このようして、厚さ２．８ｍｍのベース基板を作製した。ベース基板の面広がり方向における１５０℃以下での平均熱膨張率は、２．５ｐｐｍ／Ｋであった。また、ベース基板におけるＣＦＲＰ板以外の層のみ即ちＦＲ−４材による層のみの面広がり方向における１５０℃以下での平均熱膨張率は、実施例１に関して上述したように１５ｐｐｍ／Ｋである。
【００６３】
次に、このベース基板に対して、ＣＦＲＰ板の貫通孔の略中央を通るように、ドリルにより、開口径０．３ｍｍのスルーホールを形成した。次に、デスミア処理を施した後、スルーホール壁面に対して、銅の無電解めっき及び電気めっきを施すことによって銅めっき層を形成した。次に、表面に銅めっき層が形成されたスルーホールに対して、銅ペーストを充填した。銅ペーストは、加熱時に収縮するため、スルーホールから溢れるように充填する。銅ペーストは、銅粉末と、エポキシ樹脂（無溶剤タイプ）を含む。次に、１７０℃で１時間加熱した後、バフ研磨によって、スルーホールから溢れる余分な部分を除去した。
【００６４】
次に、ベース基板の両表面における各々の未加工銅箔において配線パターンを形成した。具体的には、実施例１におけるベース基板表面の配線パターン形成に関して上述したのと同様である。
【００６５】
次に、ベース基板の両面にビルドアップ部を形成した。ビルドアップ部の形成においては、まず、ベース基板に対して、ビルドアップ絶縁層を積層形成した。具体的には、真空プレスにより、１７０℃および３０分の条件で、厚さ０．０５ｍｍとなるように、エポキシ樹脂シート（商品名：ＳＨ−９、味の素製）を両面にラミネートした。このとき、当該エポキシ樹脂の一部によりスルーホールを填塞した。このエポキシ樹脂層の１５０℃以下での平均熱膨張率は７０ｐｐｍ／Ｋであった。スルーホールの填塞については、エポキシ樹脂シートをラミネートする前に、別の樹脂材料を穴埋め樹脂として用いて行ってもよい。次に、ビルドアップ絶縁層の所定箇所に対して、ＵＶ−ＹＡＧレーザによりビアホールを形成した。次に、セミアディティブ法により、実施例１と同様にして絶縁層上に銅配線パターンを形成した。このとき、ビアホール表面にも銅を堆積させることにより、銅配線パターンとともにビアも形成した。この後、ビルドアップ絶縁層の積層形成から配線パターンおよびビアの形成までの一連の工程を、ベース基板の両面において４回繰り返すことにより、ベース基板の両面において５層配線構造のビルドアップ部を形成した。
【００６６】
次に、スクリーン印刷およびフォトリソグラフィにより、ビルドアップ部の表面にオーバーコート層を形成した。オーバーコート層の所定箇所には、ビルドアップ部における最上位の配線パターンの一部が電極パッドとして臨むように開口部を設けた。
【００６７】
このようにして作製した多層配線基板の面広がり方向における１５０℃以下での平均熱膨張率は４ｐｐｍ／Ｋであった。また、本実施例の多層配線基板について反り量を測定したところ、多層配線基板表面に設けたチップ搭載エリアの２０ｍｍスパンにおいて１０μｍ以下であった。
【００６８】
＜温度サイクル試験＞
本実施例の多層配線基板に対して、外部接続用の複数のバンプ電極を有する所定の半導体チップを搭載し、温度サイクル試験により、実施例１と同様にして半導体チップ−多層配線基板間の接続信頼性を調べた。その結果、各電気的接続部における抵抗変化率は１０％未満であり、良好な接続部が形成されていることが確認された。また、半導体チップのバンプ電極と多層配線基板の電極パッドとの間には、クラックや剥がれは生じなかった。
【００６９】
【比較例１】
実施例１のベース基板に代えて、同サイズの有機コア基板を用意し、当該有機コア基板に対して実施例１と同様にビルドアップ部を形成することによって、本比較例の多層配線基板を作製した。有機コア基板としては、コア基板がＢＴレジン基板であるものを用意した。本比較例の有機コア多層配線基板の反り量を測定したところ、チップ搭載エリアの２０ｍｍスパンにおいて約３０μｍであった。また、本比較例の有機コア多層配線基板に対して、外部接続用の複数のバンプ電極を有する所定の半導体チップを搭載し、温度サイクル試験により、実施例１と同様にして半導体チップ−多層配線基板間の接続信頼性を調べた。その結果、各電気的接続部における接続抵抗の上昇率は、３００サイクルにて１０％を超えた。また、３００サイクルにて、半導体チップのバンプ電極と多層配線基板の電極パッドとの界面にクラックが観察される接合部が存在した。
【００７０】
【評価】
温度サイクル試験によると、ガラスファイバにより低熱膨張率化されたＣＦＲＰ材と、ガラスクロスを含有するＦＲ−４材を使用して一括積層法により形成された多層配線構造と、ビルドアップ法により形成された多層配線構造とによる積層構造を有する実施例１および実施例２の多層配線基板は、比較例１に係る従来の有機コア多層配線基板よりも、半導体チップとの間における接続信頼性が高いことが確認された。実施例１および実施例２の多層配線基板において高い接続信頼性が得られたのは、これら多層配線基板の熱膨張率が、比較例１の有機コア多層配線基板の熱膨張率よりも小さいためであると考えられる。
【００７１】
以上のまとめとして、本発明の構成およびそのバリエーションを以下に付記として列挙する。
【００７２】
（付記１）カーボンファイバ材を包含するコア絶縁層を有するコア部と、
ガラスクロスを包含する少なくとも１つの第１絶縁層および第１配線パターンによる積層構造を有し、前記コア部に接合している第１積層配線部と、
少なくとも１つの第２絶縁層および第２配線パターンによる積層構造を有し、前記第１積層配線部に接合している第２積層配線部と、による積層構造を備えることを特徴とする、多層配線基板。
（付記２）カーボンファイバ材を包含するコア絶縁層を有するコア部と、
ガラスクロスを包含する少なくとも１つの第１絶縁層および第１配線パターンによる積層構造を有し、前記コア部における相対する側に接合している２つの第１積層配線部と、
少なくとも１つの第２絶縁層および第２配線パターンによる積層構造を有し、前記２つの第１積層配線部の一方に接合している第２積層配線部と、による積層構造を備えることを特徴とする、多層配線基板。
（付記３）少なくとも１つの第２絶縁層および第２配線パターンによる積層構造を有し、前記２つの第１積層配線部の他方に接合している第２積層配線部を更に含む積層構造を備える、付記２に記載の多層配線基板。
（付記４）前記コア部および全ての前記第１積層配線部による積層構造体は、当該積層構造体の積層方向に貫通するスルーホールビアを有し、当該スルーホールビアは、前記コア部において絶縁膜で被覆されている、付記１から３のいずれか１つに記載の多層配線基板。
（付記５）前記コア絶縁層の面広がり方向における１５０℃以下での熱膨張率は−３ｐｐｍ／Ｋ以上であって８ｐｐｍ／Ｋ未満であり、前記第１絶縁層の面広がり方向における１５０℃以下での熱膨張率は８ｐｐｍ／Ｋ以上であって２０ｐｐｍ／Ｋ未満であり、前記第２絶縁層の面広がり方向における１５０℃以下での熱膨張率は２０ｐｐｍ／Ｋ以上であって１００ｐｐｍ／Ｋ未満である、付記１から４のいずれか１つに記載の多層配線基板。
（付記６）前記カーボンファイバ材は、メッシュ、クロス、または、不織布の形態を有する、付記１から５のいずれか１つに記載の多層配線基板。
（付記７）前記コア絶縁層における前記カーボンファイバ材の含有率は、３０〜８０ｖｏｌ％である、付記１から６のいずれか１つに記載の多層配線基板。
（付記８）前記カーボンファイバ材のグラファイト化率は、９９％以上である、付記１から７のいずれか１つに記載の多層配線基板。
（付記９）前記第コア絶縁層は、ポリサルホン、ポリエーテルサルホン、ポリフェニルサルホン、ポリフタルアミド、ポリアミドイミド、ポリケトン、ポリアセタール、ポリイミド、ポリカーボネート、変性ポリフェニレンエーテル、ポリフェニレンオキサイド、ポリブチレンテレフタレート、ポリアクリレート、ポリスルホン、ポリフェニレンスルフィド、ポリエーテルエーテルケトン、テトラフルオロエチレン、エポキシ、シアネートエステル、および、ビスマレイミドからなる群より選択される樹脂材料を含んで構成される、付記１から８のいずれか１つに記載の多層配線基板。
【００７３】
【発明の効果】
本発明によると、多層配線基板において、微細な配線構造を具備することが可能であって、適切に低熱膨張率化を図ることができる。このような多層配線基板は、外部接続用の電極部が微細なピッチで設けられ且つ本来的に低熱膨張率の半導体チップを搭載するうえで好適であり、半導体チップ実装基板、マザーボード、プローブカード用基板などに適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る多層配線基板の部分断面図である。
【図２】図１に示す多層配線基板の製造方法の一部を表す。
【図３】図２に続く工程を表す。
【図４】図３に続く工程を表す。
【図５】図４に続く工程を表す。
【図６】図５に続く工程を表す。
【図７】図６に続く工程を表す。
【図８】図７に続く工程を表す。
【図９】図８に続く工程を表す。
【符号の説明】
Ｘ　　　　多層配線基板
１０　　　コア部
１１　　　ＣＦＲＰ部
１１ａ　　カーボンファイバ材
１２　　　絶縁樹脂部
２０　　　多層配線部
２１　　　絶縁層
２１ａ　　ガラスクロス
２２　　　配線パターン
３０　　　ビルドアップ部
３１　　　絶縁層
３２　　　配線パターン
【図１】
2004087856.tif 000003
【図２】
2004087856.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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