(57)【要約】【課題】被覆樹脂絶縁層のうち疎領域ランド部を被覆する部分が、疎領域ランド部の絶縁性、耐湿性等を確保するのに十分な厚みを有する配線基板の製造方法を提供する。【解決手段】本発明の配線基板１００の製造方法は、１回目の充填ビア導体形成工程及び被覆樹脂絶縁層形成工程と２回目の充填ビア導体形成工程及び被覆樹脂絶縁層形成工程とを有する。このうち、１回目の充填ビア導体形成工程では、疎領域充填ビア導体２１０ｃを形成すると共に、この疎領域ランド部２１０ｃを間隙を介して囲む包囲導体層２６０を形成する。さらに、２回目の充填ビア導体形成工程では、疎領域充填ビア導体１１０ｃ及び疎領域配線１５０を形成すると共に、疎領域ランド部１１０ｃを間隙を介して囲みつつ、疎領域配線１５０に間隙を介して沿う包囲導体層１６０を形成する。【選択図】　図１
2004087840.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基層の厚さ方向外側に積層された外側樹脂絶縁層のうち、これをその厚さ方向に貫通する多数のビアホールに、電解メッキを含む処理により充填ビア導体を形成する充填ビア導体形成工程であって、
上記ビアホールが密集した密領域に位置する密領域ビアホールに、
上記密領域ビアホール内に位置する密領域充填部、及び
上記密領域充填部よりも上記外側樹脂絶縁層の厚さ方向外側に位置する密領域ランド部を有する
密領域充填ビア導体を形成し、
上記密領域よりも上記ビアホールが疎らに配置された疎領域に位置する疎領域ビアホールに、
上記疎領域ビアホール内に位置する疎領域充填部、及び
上記疎領域充填部よりも上記外側樹脂絶縁層の厚さ方向外側に位置する疎領域ランド部を有する
疎領域充填ビア導体を形成すると共に、
上記外側樹脂絶縁層の外側面上に、上記疎領域ランド部の少なくとも一部を間隙を介して囲む包囲導体層を形成する
充填ビア導体形成工程と、
上記外側樹脂絶縁層の外側面上に、上記密領域ランド部、上記疎領域ランド部、及び上記包囲導体層を被覆する被覆樹脂絶縁層を積層する被覆樹脂絶縁層形成工程と、
を備える配線基板の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の配線基板の製造方法であって、
前記充填ビア導体形成工程は、前記密領域ランド部が周囲より盛り上がった密領域凸部を含むように、前記密領域充填ビア導体を形成する
配線基板の製造方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の配線基板の製造方法であって、
前記充填ビア導体形成工程では、
前記外側樹脂絶縁層の外側面上のうち前記疎領域内に、前記疎領域ランド部から延びる疎領域配線を形成すると共に、
上記疎領域配線に間隙を介して沿うように前記包囲導体層を形成する
配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、充填ビア導体を有する配線基板の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来の配線基板５００について、図９にその上面図、図１０にそのＬ−Ｌ断面図を示す。この配線基板５００は、図１０に示すように、第１樹脂絶縁層５８０、第２樹脂絶縁層５２０、第３樹脂絶縁層５３０、第４樹脂絶縁層５４０の順に配線基板５００の厚さ方向外側に向かって積層された樹脂絶縁層を有している。このうち、第２樹脂絶縁層５２０は、その厚さ方向に貫通する多数のビアホール６１１、このビアホール６１１内に充填された多数の充填ビア導体６１０を有している。さらに、第３樹脂絶縁層５３０も、厚さ方向に貫通する多数のビアホール５１１、このビアホール５１１内に充填された多数の充填ビア導体５１０を有している。さらに、充填ビア導体５１０，６１０は、ビアホール５１１，６１１内に位置する充填部５１３，６１３、及びこの充填部５１３，６１３より配線基板５００の厚さ方向外側に位置するランド部５１５，６１５をそれぞれ有している。
【０００３】
一般に、ビア導体が均一な密度で配置されることは希であり、配線基板５００のように、充填ビア導体５１０，６１０が密集した密領域Ｈと、この密領域Ｈよりも充填ビア導体５１０，６１０が疎らに配置された疎領域Ｇとに分けられる（図９参照）。なお、密領域Ｈに位置する充填ビア導体５１０，６１０を密領域充填ビア導体５１０ｂ，６１０ｂ、疎領域Ｇに位置する充填ビア導体５１０を疎領域充填ビア導体５１０ｃ，６１０ｃとする。このうち、密領域充填ビア導体５１０ｂ，６１０ｂは、充填ビア導体が配線基板５００の厚さ方向外側に向かって積み重ねられた、いわゆるスタックビアを構成している。さらに、第４樹脂絶縁層５４０が配線基板５００の最外層を構成し、密領域充填ビア導体５１０ｂの密領域ランド部５１５ｂが、ＩＣ等をフリップチップ実装するために第４樹脂絶縁層５４０から露出した、いわゆるフリップチップパッドを構成している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、このような配線基板５００の充填ビア導体５１０，６１０は、例えば、セミアディティブ法により、ビアホール５１１，６１１に無電解銅メッキ、メッキレジスト形成、及び電解銅メッキ等を行うことで形成される。しかし、無電解銅メッキ層及び所定パターンのメッキレジストを形成し、電解銅メッキを行うと、疎領域Ｇ内では密領域Ｈ内に比してメッキ面積が小さく電界が集中するので、疎領域Ｇ内に露出する無電解銅メッキ層には多量の銅が析出し、密領域Ｈ内に露出する無電解銅メッキ層に比してメッキ厚が厚くなる傾向があった。さらに、配線基板５００では、密領域充填ビア導体６１０ｂに対し、配線基板５００の厚さ方向外側に積み重ねた密領域充填ビア導体５１０ｂを接続し易くするため、電解メッキ液の液質やメッキ時間を調整し、図１０に示すように、密領域充填ビア導体６１０ｂの密領域ランド部６１５ｂが少し盛り上がるようにすることがある。
【０００５】
しかしながら、このようにすると、疎領域充填ビア導体６１０ｃの疎領域ランド部６１５ｃは、密領域ランド部６１５ｂより厚く、また大きく盛り上がり、図１０に拡大して示すような、疎領域凸部６１６ｃが形成されてしまう。このため、例えば、熱硬化性樹脂フィルムを積層し、加熱硬化して第３樹脂絶縁層５３０とする際、疎領域ランド部６１５ｃを被覆する部分の樹脂が流動して周囲に拡がり易くなっていた。さらに、第２樹脂絶縁層５２０の外側面５２０ｂ上のうち疎領域ランド部６１５ｃの周囲の大部分には、ランド部５１５等の導体が形成されていないので、より一層、疎領域ランド部５１５ｃを被覆する部分の樹脂が周囲に拡がり易くなっていた。ゆえに、図１０に拡大して示すように、この疎領域ランド部６１５ｃを被覆する樹脂である疎領域ランド被覆部５３１の厚みＪ２が極めて薄くなる場合があった。具体的には、第３樹脂絶縁層５３０を積層するために、厚さ３５μｍのエポキシ樹脂フィルムを加熱硬化した場合に、疎領域ランド被覆部５４１の厚みＪが７μｍ程度になってしまうことがあった。従って、疎領域ランド部６１５ｃの絶縁性、耐湿性等が十分に確保できない虞があった。
【０００６】
さらに、配線基板５００では、密領域充填ビア導体５１０ｂの密領域ランド部５１５ｂを介してＩＣ等をフリップチップ実装し易くするため、図１０に示すように、密領域ランド部５１５ｂも少し盛り上がるようにすることがある。
しかしながら、このようにすると、疎領域充填ビア導体５１０ｃの疎領域ランド部５１５ｃは、密領域ランド部５１５ｂより厚く、また大きく盛り上がり、図１０に拡大して示すような、疎領域凸部５１６ｃが形成されてしまう。このため、例えば、熱硬化性樹脂フィルムを積層し、加熱硬化して第４樹脂絶縁層５４０とする際、疎領域ランド部５１５ｃを被覆する部分の樹脂が流動して周囲に拡がり易くなっていた。さらに、第２樹脂絶縁層５２０の外側面５２０ｂ上のうち疎領域ランド部５１５ｃの周囲の大部分にも、ランド部５１５等の導体が形成されていないので、より一層、疎領域ランド部５１５ｃを被覆する部分の樹脂が周囲に拡がり易くなっていた。ゆえに、図１０に拡大して示すように、この疎領域ランド部５１５ｃを被覆する樹脂である疎領域ランド被覆部５４１の厚みＪ１が極めて薄くなる場合があった。具体的には、第４樹脂絶縁層５４０を積層するために、厚さ２１μｍのエポキシ樹脂フィルムを加熱硬化した場合に、疎領域ランド被覆部５４１の厚みＪ１が５μｍ程度になってしまうことがあった。従って、疎領域ランド部５１５ｃの絶縁性、耐湿性等も十分に確保できない虞があった。
【０００７】
また、配線基板５００は、図９，図１０に示すように、疎領域Ｇ内に位置し、疎領域ランド部５１５ｃから延びる疎領域配線５５０を有している。この疎領域配線５５０も、疎領域充填ビア導体５１０ｃと同様にしてメッキ厚が厚くなるので、図１１に示すように、第４樹脂絶縁層５４０のうち疎領域配線５５０を被覆する部分である疎領域配線被覆部５４２の厚みＫも薄くなる場合があった。
【０００８】
本発明は、かかる現状に鑑みてなされたものであって、被覆樹脂絶縁層のうち疎領域ランド部を被覆する部分が、疎領域ランド部の絶縁性、耐湿性等を確保するのに十分な厚みを有する配線基板の製造方法を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段、作用及び効果】
その解決手段は、基層の厚さ方向外側に積層された外側樹脂絶縁層のうち、これをその厚さ方向に貫通する多数のビアホールに、電解メッキを含む処理により充填ビア導体を形成する充填ビア導体形成工程であって、上記ビアホールが密集した密領域に位置する密領域ビアホールに、上記密領域ビアホール内に位置する密領域充填部、及び上記密領域充填部よりも上記外側樹脂絶縁層の厚さ方向外側に位置する密領域ランド部を有する密領域充填ビア導体を形成し、上記密領域よりも上記ビアホールが疎らに配置された疎領域に位置する疎領域ビアホールに、上記疎領域ビアホール内に位置する疎領域充填部、及び上記疎領域充填部よりも上記外側樹脂絶縁層の厚さ方向外側に位置する疎領域ランド部を有する疎領域充填ビア導体を形成すると共に、上記外側樹脂絶縁層の外側面上に、上記疎領域ランド部の少なくとも一部を間隙を介して囲む包囲導体層を形成する充填ビア導体形成工程と、上記外側樹脂絶縁層の外側面上に、上記密領域ランド部、上記疎領域ランド部、及び上記包囲導体層を被覆する被覆樹脂絶縁層を積層する被覆樹脂絶縁層形成工程と、を備える配線基板の製造方法である。
【００１０】
本発明の配線基板の製造方法では、充填ビア導体形成工程において、電解メッキを含む処理により、外側樹脂絶縁層の外側の面上に、疎領域ランド部の少なくとも一部を間隙を介して囲む包囲導体層を形成する。
このようにすることで、電解メッキによって疎領域充填ビア導体を形成する際、疎領域ビアホール部分とその周囲の包囲導体層部分とに電界が分散する。ゆえに、本発明の充填ビア導体形成工程では、疎領域ランド部が厚くなり過ぎることを抑制できる。このため、本発明の充填ビア導体形成工程後の被覆樹脂絶縁層形成工程において、例えば、熱硬化性樹脂フィルムを加熱硬化する際、疎領域ランド部を被覆する部分の樹脂が周囲に拡がりにくくなる。さらに、疎領域ランド部を包囲導体層によって囲んでいるから、疎領域ランド部を被覆する部分の樹脂が周囲に拡がろうとするのを抑制できる。
従って、本発明の配線基板の製造方法では、被覆樹脂絶縁層のうち疎領域ランド部を被覆する部分について、疎領域ランド部の絶縁性、耐湿性等を確保するのに十分な厚みにすることができる。
【００１１】
さらに、上記配線基板の製造方法であって、前記充填ビア導体形成工程は、前記密領域ランド部が周囲より盛り上がった密領域凸部を含むように、前記密領域充填ビア導体を形成する配線基板の製造方法とすると良い。
【００１２】
本発明の充填ビア導体形成工程では、密領域ランド部が周囲より盛り上がった密領域凸部を含むように形成する。
例えば、被覆樹脂絶縁層が配線基板の最外層を構成し、この被覆樹脂絶縁層から露出させた密領域充填ビア導体の密領域ランド部を介してＩＣ等をフリップチップ実装する場合は、この密領域ランド部上にハンダバンプを形成する。このとき、密領域凸部を含むように密領域ランド部を形成しておけば、ハンダバンプと密領域ランド部との接続性が向上する。また、被覆樹脂絶縁層が配線基板の内側層を構成し、密領域充填ビア導体に対し、配線基板の厚さ方向外側に充填ビア導体を積み重ねる場合でも、密領域凸部を含むように密領域ランド部を形成しておけば、両者の接続性が向上する。しかし、従来の製造方法では、密領域凸部を含むように密領域ランド部を形成しようとすると、疎領域充填ビア導体の疎領域ランド部が大きく盛り上がってしまう虞があった。
【００１３】
これに対し、本発明の充填ビア導体形成工程では、前述したように、疎領域ランド部の周囲に、間隙を介して疎領域ランド部の少なくとも一部を囲む包囲導体層を形成している。このため、本発明の充填ビア導体形成工程では、密領域凸部を含むように密領域ランド部を形成しつつも、疎領域ランド部の盛上がり高さを抑制することができる。従って、密領域ランド部を盛り上げつつも、被覆樹脂絶縁層のうち疎領域ランド部を被覆する部分について、疎領域ランド部の絶縁性、耐湿性等を確保するのに十分な厚みにすることができる。
【００１４】
さらに、上記いずれかの配線基板の製造方法であって、前記充填ビア導体形成工程では、前記外側樹脂絶縁層の外側面上のうち前記疎領域内に、前記疎領域ランド部から延びる疎領域配線を形成すると共に、上記疎領域配線に間隙を介して沿うように前記包囲導体層を形成する配線基板の製造方法とすると良い。
【００１５】
本発明の充填ビア導体形成工程では、疎領域配線に間隙を介して沿うように包囲導体層を形成している。このようにすることで、電解メッキによって疎領域配線を形成する際、疎領域配線部分とその周囲の包囲導体層部分とに電界が分散する。ゆえに、本発明の充填ビア導体形成工程では、疎領域配線が厚くなり過ぎることを抑制できる。このため、被覆樹脂絶縁層を形成するために、例えば、熱硬化性樹脂フィルムを加熱硬化する際、疎領域配線を被覆する部分の樹脂も周囲に拡がりにくくなる。さらに、疎領域ランド部を包囲導体層によって囲んでいるから、疎領域ランド部を被覆する部分の樹脂が周囲に拡がろうとするのを抑制できる。従って、本発明の配線基板の製造方法では、被覆樹脂絶縁層のうち疎領域配線を被覆する部分についても、疎領域配線の絶縁性、耐湿性等を確保するのに十分な厚みにすることができる。
【００１６】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の形態である配線基板１００について、図面を参照しつつ説明する。まず、図１に本実施形態の配線基板１００の上面図を示し、図２に図１のＡ−Ａ断面図を示す。図１，図２に示すように、本実施形態の配線基板１００は、第１樹脂絶縁層１８０、第２樹脂絶縁層１２０、第３樹脂絶縁層１３０、第４樹脂絶縁層１４０の順に配線基板１００の厚さ方向外側に向かって積層された樹脂絶縁層を有している。このうち、第２樹脂絶縁層１２０は、その厚さ方向に貫通する多数のビアホール２１１、このビアホール２１１内に充填された多数の充填ビア導体２１０を有している。さらに、第３樹脂絶縁層１３０も、その厚さ方向に貫通する多数のビアホール１１１、このビアホール１１１内に充填された多数の充填ビア導体１１０を有している。さらに、充填ビア導体１１０，２１０は、ビアホール１１１，２１１内に位置する充填部１１３，２１３、及びこの充填部１１３，２１３より配線基板１００の厚さ方向外側に位置するランド部１１５，２１５をそれぞれ有している。
【００１７】
さらに、本実施形態の配線基板１００は、充填ビア導体１１０，２１０が密集した密領域Ｈと、この密領域Ｈよりも充填ビア導体１１０，２１０が疎らに配置された疎領域Ｇとに分けられる（図１参照）。なお、本実施形態では、密領域Ｈ内に位置するビアホール１１１，２１１をそれぞれ密領域ビアホール１１１ｂ，２１１ｂとし、充填ビア導体１１０、２１０をそれぞれ密領域充填ビア導体１１０，２１０ｂとする。同様に、疎領域Ｇ内に位置するビアホール１１１，２１１をそれぞれ疎領域ビアホール１１１ｃ，２１１ｃとし、充填ビア導体１１０，２１０をそれぞれ疎領域充填ビア導体１１０ｃ，２１０ｃとする（図１，図２参照）。
【００１８】
さらに、疎領域Ｇ内のうち、第２樹脂絶縁層１２０と第３樹脂絶縁層１３０との層間には、疎領域ランド部２１５ｃから延びる疎領域配線２５０と、疎領域ランド部２１５ｃの周囲を間隙を介して囲む包囲導体層２６０とを有している。さらに、疎領域Ｇ内のうち、第３樹脂絶縁層１３０と第４樹脂絶縁層１４０との層間には、疎領域ランド部１１５ｃから延びる疎領域配線１５０と、疎領域ランド部２１５ｃ及び疎領域配線１５０の周囲を間隙を介して囲む包囲導体層１６０とを有している（図１，図２参照）。
【００１９】
なお、本実施形態の配線基板１００では、密領域充填ビア導体１１０ｂ，２１０ｂは、充填ビア導体が配線基板１００の厚さ方向外側に向かって積み重ねられた、いわゆるスタックビアを構成している。さらに、第４樹脂絶縁層１４０が配線基板１００の最外層を構成し、密領域充填ビア導体１１０ｂのランド部である密領域ランド部１１５ｂが、ＩＣ等をフリップチップ実装するために第４樹脂絶縁層１４０の貫通孔１４５から露出した、いわゆるフリップチップパッドを構成している（図１，図２参照）。
【００２０】
そして、本実施形態の配線基板１００では、図２に示すように、密領域ランド部２１５ｂは、周囲より盛り上がった密領域凸部２１６ｂを有している。このため、密領域充填ビア導体２１０ｂとこの外側に積み重ねた密領域充填ビア導体１１０ｂとの接続性が良好となる。さらに、密領域ランド部１１５ｂが、周囲より盛り上がった密領域凸部１１６ｂを有している。ゆえに、密領域ランド部１１５ｂを介してＩＣ等をフリップチップ実装するため、この密領域ランド部１１５ｂ上に図示しないハンダバンプを形成する際、ハンダバンプと密領域ランド部１１５ｂとの接続性が良好となる。
【００２１】
さらに、本実施形態の配線基板１００は、密領域凸部２１６ｂを含む密領域ランド部２１５ｂを有しつつも、図２に拡大して示すように、第３樹脂絶縁層１３０のうち疎領域ランド部２１５ｃを被覆する部分である疎領域ランド被覆部１３１の厚みＪ２が、疎領域ランド部２１５ｃと疎領域配線１５０との絶縁性を確保するのに十分な厚みとなっている。具体的には、疎領域ランド被覆部１４１の厚みＪ２は１５μｍ程度となっている。
【００２２】
さらに、本実施形態の配線基板１００は、密領域凸部１１６ｂを含む密領域ランド部２１５ｂを有しつつも、図２に拡大して示すように、第４樹脂絶縁層１４０のうち疎領域ランド部１１５ｃを被覆する部分である疎領域ランド被覆部１４１の厚みＪ１が、疎領域ランド部１１５ｃの絶縁性、耐湿性等を確保するのに十分な厚みとなっている。具体的には、疎領域ランド被覆部１４１の厚みＪ１は１５μｍ程度となっている。さらに、図３に拡大して示すように、第４樹脂絶縁層１４０のうち疎領域配線１５０を被覆する部分である疎領域配線被覆部１４２の厚みＫも、疎領域配線１５０の絶縁性、耐湿性等を確保するのに十分な厚みとなっている。具体的には、疎領域配線被覆部１４２の厚みＫは１５μｍ程度となっている。
【００２３】
以上に説明した本実施形態の配線基板１００は、次のようにして製造する。
まず、図４に示すように、第１樹脂絶縁層１８０の厚さ方向外側に厚さ３５μｍのエポキシ樹脂フィルムを積層し、露光・現像して厚さ方向に貫通する多数のビアホール２１１を形成し、その後加熱硬化して第２樹脂絶縁層１２０を形成する。この第１樹脂絶縁層１８０の厚さ方向外側に第２樹脂絶縁層１２０を積層したものを積層体１９０とする。なお、第１積層体１９０は、ビアホール２１１が密集した密領域Ｈと、この密領域Ｈよりもビアホール２１１が疎らに配置された疎領域Ｇとに分けられる。また、このとき、第１樹脂絶縁層１８０が基層、第２樹脂絶縁層１２０が外側樹脂絶縁層に相当する。
【００２４】
次に、１回目の充填ビア導体形成工程において、公知のセミアディティブ法により、無電解銅メッキ、メッキレジスト形成、電解銅メッキ、メッキレジスト除去、ソフトエッチング等の処理を行うことで、図５に示すように、密領域Ｈ内に位置する密領域ビアホール２１１ｂに、密領域充填部２１３ｂ及び密領域ランド部２１５ｂを有する密領域充填ビア導体２１０ｂを形成する。これと同時に、疎領域Ｇ内に位置する疎領域ビアホール２１１ｃに、疎領域充填部２１３ｃ及び疎領域ランド部２１５ｃを有する疎領域充填ビア導体２１０ｃを形成する。さらに、第２樹脂絶縁層１２０の外側面１２０ｂ上に、疎領域ランド部２１５ｃから延びる疎領域配線２５０を形成すると同時に、間隙を介して疎領域ランド部２１５ｃを囲む包囲導体層２６０を形成する。
【００２５】
このように、本実施形態の１回目の充填ビア導体形成工程では、疎領域充填ビア導体２１０ｃを形成すると同時に、この疎領域ランド部２１０ｃを間隙を介して囲む包囲導体層２６０を形成している。このため、電解銅メッキ処理の際、疎領域ビアホール２１１ｃの部分とその周囲の包囲導体層２６０の部分とに電界が分散する。ゆえに、本実施形態の充填ビア導体形成工程では、疎領域ランド部２１５ｃが厚くなり過ぎることを抑制できる（図５参照）。
【００２６】
ところで、従来の充填ビア導体形成工程では、図５に拡大して示すように、密領域凸部２１６ｂを有する密領域ランド部２１５ｂを形成しようとすると、同時に形成される疎領域ランド部２１５ｃの疎領域凸部２１６ｃが大きく盛り上がってしまう虞があった。これに対し、本実施形態の１回目の充填ビア導体形成工程では、前述したように、間隙を介して疎領域ランド部２１５ｃを囲む包囲導体層２６０を形成しているので、密領域凸部２１６ｂを含むように密領域ランド部２１５ｂを形成して、図５に拡大して示すように、疎領域ランド部２１５ｃの疎領域凸部２１６ｃの盛上がり高さを小さくすることができる。
【００２７】
次に、１回目の被覆樹脂絶縁層形成工程において、図６に示すように、第２樹脂絶縁層１２０の外側面１２０ｂ上に厚さ３５μｍのエポキシ樹脂フィルムを積層する。次いで、露光・現像して、密領域Ｈ内に密領域ランド部２１５ｂを露出させる密領域ビアホール１１１ｂを形成すると共に、疎領域Ｇ内の所定の位置に疎領域ビアホール１１１ｃを形成する。その後、加熱硬化して、密領域ランド部２１５ｂの一部、疎領域ランド部２１５ｃ、疎領域配線２５０、及び包囲導体層２６０を被覆する第３樹脂絶縁層１３０を形成する。
【００２８】
ところで、１回目の充填ビア導体形成工程において、疎領域ランド部２１５ｃが厚くなり過ぎないようにすると共に、疎領域凸部２１６ｃの盛上がり高さを小さくしているので、エポキシ樹脂フィルムを加熱硬化させる際、疎領域ランド部２１５ｃを被覆する部分の樹脂が周囲に拡がりにくくなる。さらに、包囲導体層２６０によって疎領域ランド部２１５ｃを囲んでいるので、疎領域ランド部２１５ｃを被覆する部分の樹脂が周囲に拡がろうとするのを抑制できる。このため、図６に示すように、第３樹脂絶縁層１３０の疎領域ランド被覆部１３１の厚みＪ２について、疎領域ランド部２１５ｃの絶縁性等を確保するのに十分な厚みにすることができる。具体的には、疎領域ランド被覆部１３１の厚みＪ２を１５μｍ程度にすることができた。
【００２９】
次に、２回目の充填ビア導体形成工程において、公知のセミアディティブ法により、無電解銅メッキ、メッキレジスト形成、電解銅メッキ、メッキレジスト除去、ソフトエッチング等の処理を行うことで、図７に示すように、密領域ビアホール１１１ｂに、密領域充填部１１３ｂ及び密領域ランド部１１５ｂを有する密領域充填ビア導体１１０ｂを形成する。これと同時に、疎領域ビアホール１１１ｃに、疎領域充填部１１３ｃ及び疎領域ランド部１１５ｃを有する疎領域充填ビア導体１１０ｃを形成する。さらに、第３樹脂絶縁層１３０の外側面１３０ｂ上に、疎領域ランド部１１５ｃから延びる疎領域配線１５０を形成すると同時に、間隙を介して疎領域ランド部１１５ｃを囲むと共に、疎領域配線１５０に間隙を介して沿う包囲導体層１６０を形成する。なお、この２回目の充填ビア導体形成工程では、第１樹脂絶縁層１８０及び第２樹脂絶縁層１２０が基層、第３樹脂絶縁層１３０が外側樹脂絶縁層に相当する。
【００３０】
このように、本実施形態の２回目の充填ビア導体形成工程では、疎領域充填ビア導体１１０ｃを形成すると同時に、この疎領域ランド部１１０ｃを間隙を介して囲む包囲導体層１６０を形成している。このため、電解銅メッキ処理の際、疎領域ビアホール１１１ｃの部分とその周囲の包囲導体層１６０の部分とに電界が分散する。ゆえに、本実施形態の充填ビア導体形成工程では、疎領域ランド部１１５ｃが厚くなり過ぎることを抑制できる（図７参照）。さらに、疎領域配線１５０を形成すると同時に、この疎領域配線１５０に間隙を介して沿う包囲導体層１６０を形成している。このため、電解メッキ処理の際、疎領域配線１５０の部分とその周囲の包囲導体層部１６０の部分とに電界が分散する。ゆえに、本実施形態の充填ビア導体形成工程では、疎領域配線１５０が厚くなり過ぎることを抑制できる。
【００３１】
ところで、従来の充填ビア導体形成工程では、図７に拡大して示すように、密領域凸部１１６ｂを有する密領域ランド部１１５ｂを形成しようとすると、疎領域ランド部１１５ｃが大きく盛り上がってしまう虞があった。これに対し、本実施形態の２回目の充填ビア導体形成工程では、前述したように、間隙を介して疎領域ランド部１１５ｃを囲む包囲導体層１６０を形成しているので、密領域凸部１１６ｂを含むように密領域ランド部１１５ｂを形成しつつも、図７に拡大して示すように、疎領域ランド部１１５ｃの疎領域凸部１１６ｃの盛上がり高さを小さくすることができる。
【００３２】
次いで、２回目の被覆樹脂絶縁層形成工程において、図８に示すように、第３樹脂絶縁層１３０の外側面１３０ｂ上に厚さ２１μｍのエポキシ樹脂フィルムを積層する。次いで、露光・現像して、密領域Ｈ内に密領域ランド部２１５ｂの密領域凸部１１６ｂを露出させる貫通孔１４５を形成する。その後、加熱硬化して、密領域ランド部１１５ｂの一部、疎領域ランド部１１５ｃ、疎領域配線１５０、及び包囲導体層１６０を被覆する第４樹脂絶縁層１４０を形成する。
【００３３】
ところで、２回目の充填ビア導体形成工程において、疎領域ランド部１１５ｃが厚くなり過ぎないようにすると共に、疎領域凸部１１６ｃの盛上がり高さを小さくしているので、エポキシ樹脂フィルムを加熱硬化させる際、疎領域ランド部１１５ｃを被覆する部分の樹脂が周囲に拡がりにくくなる。さらに、包囲導体層１６０によって疎領域ランド部１１５ｃを囲んでいるので、疎領域ランド部１１５ｃを被覆する部分の樹脂が周囲に拡がろうとするのを抑制できる。このため、図８に示すように、第４樹脂絶縁層１４０の疎領域ランド被覆部１４１の厚みＪ１について、疎領域ランド部１１５ｃの絶縁性、耐湿性等を確保するのに十分な厚みにすることができる。具体的には、疎領域ランド被覆部１４１の厚みＪ１を１５μｍ程度にすることができた。
【００３４】
同様に、本実施形態の２回目の充填ビア導体形成工程において、疎領域配線１５０が厚くなり過ぎることを抑制できたので、エポキシ樹脂フィルムを加熱硬化させる際、疎領域配線１５０を被覆する部分の樹脂が周囲に拡がりにくくなる。このため、図８に示すように、第４樹脂絶縁層１４０の疎領域配線被覆部１４２の厚みＫについても、疎領域配線１５０の絶縁性、耐湿性等を確保するのに十分な厚みにすることができる。具体的には、疎領域配線被覆部１４２の厚みＫを１５μｍ程度にすることができた。
【００３５】
以上のようにして、本実施形態の配線基板１００が完成する。その後、本実施形態の配線基板１００では、第４樹脂絶縁層１４０の貫通孔１４５から露出した密領域ランド部１１５ｂを介してＩＣ等をフリップチップ実装するため、この密領域ランド部１１５ｂ上に図示しないハンダバンプを形成する。このとき、本実施形態の配線基板１００では、密領域凸部１１６ｂを含むように密領域ランド部１１５ｂを形成しているので、ハンダバンプを密領域ランド部１１５ｂに接続し易くなる。
【００３６】
以上において、本発明を実施形態に即して説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で、適宜変更して適用できることはいうまでもない。
例えば、１回目の充填ビア導体形成工程において、疎領域ランド部２１５ｃだけを囲むように包囲導体層２６０を形成したが、疎領域ランド部２１５ｃを囲むと共に、疎領域配線２５０に間隙を介して沿うように包囲導体層２６０を形成しても良い。
また、２回目の充填ビア導体形成工程において、間隙を介して疎領域ランド部１１５ｃを囲むと共に、疎領域配線１５０に間隙を介して沿う包囲導体層１６０を形成したが、疎領域ランド部１１５ｃだけを囲むように包囲導体層１６０を形成しても良い。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施形態にかかる配線基板１００の上面図である。
【図２】実施形態にかかる配線基板１００を示す図であり、図１のＡ−Ａ断面図である。
【図３】実施形態にかかる配線基板１００を示す図であり、図１のＢ−Ｂ断面図である。
【図４】実施形態にかかる配線基板１００の製造方法に関し、積層体１９０を示す断面斜視図である。
【図５】実施形態にかかる配線基板１００の製造方法に関し、１回目の充填ビア導体形成工程を説明するための断面斜視図である。
【図６】実施形態にかかる配線基板１００の製造方法に関し、１回目の被覆樹脂絶縁層形成工程を示す断面斜視図である。
【図７】実施形態にかかる配線基板１００の製造方法に関し、２回目の充填ビア導体形成工程を説明するための断面斜視図である。
【図８】実施形態にかかる配線基板１００の製造方法に関し、２回目の被覆樹脂絶縁層形成工程を説明するための断面斜視図である。
【図９】従来の配線基板５００の上面図である。
【図１０】従来の配線基板５００を示す図であり、図９のＬ−Ｌ断面図である。
【図１１】従来の配線基板５００を示す図であり、図９のＭ−Ｍ断面図である。
【符号の説明】
１００，５００　配線基板
１１０，２１０　充填ビア導体
１１０ｂ，２１０ｂ　密領域充填ビア導体
１１０ｃ，２１０ｃ　疎領域充填ビア導体
１１１，２１１　ビアホール
１１１ｂ，２１１ｂ　密領域ビアホール
１１１ｃ，２１１ｃ　疎領域ビアホール
１１３，２１３　充填部
１１３ｂ，２１３ｂ　密領域充填部
１１３ｃ，２１３ｃ　疎領域充填部
１１５，２１５　ランド部
１１５ｂ，２１５ｂ　密領域ランド部
１１５ｃ，２１５ｃ　疎領域ランド部
１１６ｂ，２１６ｂ密領域凸部
１２０　第２樹脂絶縁層（外側樹脂絶縁層、基層）
１３０　第３樹脂絶縁層（被覆樹脂絶縁層、外側樹脂絶縁層）
１４０　第４樹脂絶縁層（被覆樹脂絶縁層）
１５０，２５０　疎領域配線
１６０，２６０　包囲導体層
１８０　第１樹脂絶縁層（基層）
Ｇ　疎領域
Ｈ　密領域
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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