(57)【要約】【課題】製造コストの増大を招くことなく、感度校正精度の向上に寄与できる異物測定器校正用ウェハ及びその製造方法を提供する。【解決手段】ウェハ１の上面に形成された高融点金属からなる凸部２と、この凸部２を含むウェハ１の上面全体に形成された被覆膜３とで、疑似異物Ｐを形成する。【選択図】        図２
2004264124.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウェハの上面に疑似異物が形成されてなる異物測定器校正用ウェハであって、
前記疑似異物は、前記ウェハの上面に形成された凸状の高融点金属を被覆膜で覆ったものであることを特徴とする異物測定器校正用ウェハ。
【請求項２】
ウェハの上面に疑似異物が形成されてなる異物測定器校正用ウェハであって、
前記疑似異物は、前記ウェハの上面に付着させた金属粒子を被覆膜で覆ったものであることを特徴とする異物測定器校正用ウェハ。
【請求項３】
前記被覆膜は、ＣＶＤ膜、金属膜、レジスト膜のいずれかであることを特徴とする請求項１又は２に記載の異物測定器校正用ウェハ。
【請求項４】
ウェハの上面に疑似異物が形成されてなる異物測定器校正用ウェハであって、
前記疑似異物は、前記ウェハに形成された凹部内に、疑似異物形成用粒子を、前記ウェハの上面よりも突出した状態で熱溶融性物質を介して固定したものであることを特徴とする異物測定器校正用ウェハ。
【請求項５】
ウェハの上面に疑似異物が形成されてなる異物測定器校正用ウェハであって、
前記疑似異物は、前記ウェハの上面に成膜された絶縁膜に形成された凹部内に、疑似異物形成用粒子を、前記絶縁膜の上面よりも突出した状態で熱溶融性物質を介して固定したものであることを特徴とする異物測定器校正用ウェハ。
【請求項６】
ウェハの上面に、高融点金属膜を成膜する工程と、
前記高融点金属膜をパターニングして、前記高融点金属からなる疑似異物形成用の凸部を形成する工程と、
前記凸部が形成されたウェハの上面に、被覆膜を成膜する工程と、
を備えたことを特徴とする異物測定器校正用ウェハの製造方法。
【請求項７】
ウェハの上面に、金属粒子を付着させる工程と、
前記金属粒子を付着させたウェハの上面に、被覆膜を成膜する工程と、
を備えたことを特徴とする異物測定器校正用ウェハの製造方法。
【請求項８】
前記金属粒子を、インプランテーション法によって前記ウェハの上面に付着させることを特徴とする請求項７に記載の異物測定器校正用ウェハの製造方法。
【請求項９】
前記被覆膜は、ＣＶＤ膜、配線金属薄膜、レジスト膜のいずれかであることを特徴とする請求項６乃至８のいずれか一項に記載の異物測定器校正用ウェハの製造方法。
【請求項１０】
ウェハの疑似異物形成領域に、凹部を形成する工程と、
前記凹部内に、熱溶融性物質を充填する工程と、
前記熱溶融性物質が充填された凹部内に、疑似異物形成用粒子を配する工程と、
前記ウェハに熱処理を施し、前記凹部内に、前記疑似異物形成用粒子を、前記ウェハの上面よりも突出した状態で前記熱溶融性物質を介して固定する工程と、を備えたことを特徴とする異物測定器校正用ウェハの製造方法。
【請求項１１】
ウェハの上面に、絶縁膜を成膜する工程と、
前記絶縁膜をパターニングして、疑似異物形成領域に凹部を形成する工程と、
前記凹部内に、熱溶融性物質を充填する工程と、
前記熱溶融性物質が充填された凹部内に、疑似異物形成用粒子を配する工程と、
前記ウェハに熱処理を施し、前記凹部内に、前記疑似異物形成用粒子を、前記絶縁膜の上面よりも突出した状態で前記熱溶融性物質を介して固定する工程と、を備えたことを特徴とする異物検出器校正用ウェハの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、異物測定器の校正に用いられる異物測定器校正用ウェハ及びその製造方法に関し、特に異物測定器校正用ウェハに形成される疑似異物を、容易且つ確実に形成するために有効な技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体装置の高集積化及び高微細化が進むにつれて、半導体装置の製造工程中、半導体ウェハに付着する異物による製品歩留まりが顕著となってきており、この異物の有無やその量を正確に把握し評価することが切望されている。
このような評価を行う異物測定器として、半導体ウェハの表面に照射する検出光が異物に当たることで発生する散乱光により、半導体ウェハの表面に存在する異物の有無を測定する装置が公知となっており、常時正確な測定結果を得るために、測定感度を的確に把握し校正することが行われている。
【０００３】
この異物測定器の測定感度を校正する方法としては、例えば、意図的に異物を載せた校正用ウェハに対して測定を行い、この測定結果と校正用ウェハに載せられた異物の情報とを照合することにより、異物測定器の感度を評価し校正する手段が公知となっている。
ここで、この校正用ウェハを製造する方法として、ウェハの上面に散布した標準粒子（ラテックス粒子）を擬似的な異物として利用する手段が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
また、校正用ウェハを製造する別の方法として、ウェハの上面に疑似異物形成用膜を成膜し、この膜をエッチングすることで擬似的に異物を形成する手段が提案されている（例えば、特許文献２及び特許文献３参照）。
【０００５】
【特許文献１】
特開昭６３−１００８３８号公報
【特許文献２】
特開平７−１２０４０４号公報
【特許文献３】
特開平１１ー６３４２３９号公報
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述した特許文献１に記載の手段においては、ウェハの上面に標準粒子を散布することで疑似的に異物を形成しているため、標準粒子の付着数や付着位置を制御することは困難であり、感度校正精度が低いという不具合があった。
【０００７】
また、標準粒子の付着数や付着位置を正確に調整したい場合には、ウェハ上面への標準粒子の散布を手作業で行うようにしているため、作業効率が良好ではないという不具合があった。
さらに、上述した特許文献２及び特許文献３に記載の手段においては、疑似異物形成用膜に擬似的な異物を凸状に形成するためのエッチング工程時に、ウェハの表面がオーバーエッチングされないように、疑似異物形成用膜の材料やエッチング条件を制限する必要があるため、製造工程が煩雑であるとともに、製造コストが増大してしまうという不具合があった。
【０００８】
そこで、本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、製造コストの増大を招くことなく、感度校正精度の向上に寄与できる異物測定器校正用ウェハ及びその製造方法を提供することを課題としている。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
このような課題を解決するために、本発明の第一の異物測定器校正用ウェハは、ウェハの上面に疑似異物が形成されてなる異物測定器校正用ウェハであって、前記疑似異物は、前記ウェハの上面に形成された凸状の高融点金属を被覆膜で覆ったものであることを特徴とするものである。
【００１０】
本発明の第二の異物測定器校正用ウェハは、ウェハの上面に疑似異物が形成されてなる異物測定器校正用ウェハであって、前記疑似異物は、前記ウェハの上面に付着させた金属粒子を被覆膜で覆ったものであることを特徴とするものである。
ここで、第一及び第二の異物測定器校正用ウェハにおいて、前記被覆膜は、ＣＶＤ膜、金属膜、レジスト膜のいずれかであることが好ましい。
【００１１】
本発明の第三の異物測定器校正用ウェハは、ウェハの上面に疑似異物が形成されてなる異物測定器校正用ウェハであって、前記疑似異物は、前記ウェハに形成された凹部内に、疑似異物形成用粒子を、前記ウェハの上面よりも突出した状態で熱溶融性物質を介して固定したものであることを特徴とするものである。
本発明の第四の異物測定器校正用ウェハは、ウェハの上面に疑似異物が形成されてなる異物測定器校正用ウェハであって、前記疑似異物は、前記ウェハの上面に成膜された絶縁膜に形成された凹部内に、疑似異物形成用粒子を、前記絶縁膜の上面よりも突出した状態で熱溶融性物質を介して固定したものであることを特徴とするものである。
【００１２】
本発明の第一の異物測定器校正用ウェハの製造方法は、ウェハの上面に、高融点金属膜を成膜する工程と、前記高融点金属膜をパターニングして、前記高融点金属からなる疑似異物形成用の凸部を形成する工程と、前記凸部が形成されたウェハの上面に、被覆膜を成膜する工程と、を備えたことを特徴とするものである。
【００１３】
本発明の第二の異物測定器校正用ウェハの製造方法は、ウェハの上面に、金属粒子を付着させる工程と、前記金属粒子を付着させたウェハの上面に、被覆膜を成膜する工程と、を備えたことを特徴とするものである。
ここで、本発明の第二の異物測定器校正用ウェハの製造方法において、前記金属粒子を、インプランテーション法によって前記ウェハの上面に付着させることが好ましい。
【００１４】
また、本発明の第一及び第二の異物測定器校正用ウェハの製造方法において、前記被覆膜は、ＣＶＤ膜、配線金属薄膜、レジスト膜のいずれかであることが好ましい。
本発明の第三の異物測定器校正用ウェハの製造方法は、ウェハの疑似異物形成領域に、凹部を形成する工程と、前記凹部内に、熱溶融性物質を充填する工程と、前記熱溶融性物質が充填された凹部内に、疑似異物形成用粒子を配する工程と、前記ウェハに熱処理を施し、前記凹部内に、前記疑似異物形成用粒子を、前記ウェハの上面よりも突出した状態で前記熱溶融性物質を介して固定する工程と、を備えたことを特徴とするものである。
【００１５】
本発明の第四の異物測定器校正用ウェハの製造方法は、ウェハの上面に、絶縁膜を成膜する工程と、前記絶縁膜をパターニングして、疑似異物形成領域に凹部を形成する工程と、前記凹部内に、熱溶融性物質を充填する工程と、前記凹部内に、疑似異物形成用粒子を配する工程と、前記ウェハに熱処理を施し、前記凹部内に、前記疑似異物形成用粒子を、前記絶縁膜の上面よりも突出した状態で前記熱溶融性物質を介して固定する工程と、を備えたことを特徴とするものである。
【００１６】
なお、本発明の第三及び第四の異物測定器校正用ウェハにおいて、凹部は、前記疑似異物形成用粒子を、ウェハ或いは絶縁膜の上面よりも突起した状態で固定可能であれば、その形状及び寸法は特に限定されない。
また、本発明の第三及び第四の異物測定器校正用ウェハにおいて、凹部内に充填する熱溶融性物質の厚みは、少なくとも凹部内に疑似異物形成用粒子を固定可能な厚みであれば、特に限定されない。
【００１７】
このように、本発明の第一の異物測定器校正用ウェハによれば、ウェハの上面に形成する凸状の高融点金属の寸法、個数、及び配置を調整することによって疑似異物を形成することができるため、良好な感度校正精度を得ることが可能となる。
また、本発明の第一の異物測定器校正ウェハによれば、その疑似異物が、ウェハの上面に形成する凸状の高融点金属を被覆膜で覆ったものであることによって、ウェハの上面に凸状の高融点金属を形成するエッチング工程でウェハがオーバーエッチングされてもその影響が感度校正精度に及ばなくなる。このため、特許文献２或いは特許文献３に記載のような煩雑なエッチング工程や材料規制が不要となるため、製造コストの増大を招くことなく、良好な感度校正精度を得ることが可能となる。
【００１８】
本発明の第二の異物測定器校正用ウェハによれば、ウェハの上面に付着させる金属粒子の寸法及び個数を調整することによって疑似異物を形成することができるため、良好な感度校正精度を得ることが可能となる。
また、本発明の第二の異物測定器校正用ウェハによれば、その疑似異物が、ウェハの上面に付着される金属粒子を被覆膜で覆ったものであることによって、ウェハ表面が変質してもその影響が感度校正精度に及ばなくなる。このため、ウェハの上面への金属粒子の付着を、インプランテーション法によって行うことができるようになるため、疑似異物形成に要する作業効率を大幅に向上させることが可能となる。
【００１９】
ここで、本発明の第一及び第二の異物測定器校正用ウェハにおいて、被覆膜を変更することで、最上面に様々な膜が形成された半導体ウェハの校正に好適に用いることが可能となる。
本発明の第三及び第四の異物測定器校正用ウェハによれば、ウェハに形成された凹部、或いはウェハの上面に成膜された絶縁膜に形成された凹部の寸法、個数、及び配置を調整することによって疑似異物を形成することができるため、良好な感度校正精度を得ることが可能となる。
【００２０】
本発明の第一乃至第四の異物測定器校正用ウェハの製造方法によれば、本発明の第一乃至第四の異物測定器校正用ウェハを容易且つ確実に実現することが可能となる。
【００２１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面を参照して説明する。
＜第一実施形態＞
図１は、第一実施形態における異物測定器校正用ウェハの一構成例を示す平面図である。図２は、図１に示す異物測定器校正用ウェハのＡ−Ａ線に沿った拡大断面図である。なお、本実施形態は本発明の一例を示すものであり、本発明は本実施形態に限定されるものではない。
【００２２】
本実施形態における異物測定器校正用ウェハは、図１に示すように、ウェハ１の上面において、格子状の頂点に平面視略円形状の疑似異物Ｐが複数形成されている。
疑似異物Ｐは、図２に示すように、ウェハ１の上面に形成される略立方体状の高融点金属からなる凸部２と、この凸部２を含むウェハ１の上面全体を被覆する被覆膜３と、によって形成されている。
【００２３】
ここで、高融点金属からなる凸部２の形成材料としては、特に限定されないが、例えば、Ｖ（バナジウム）、Ｎｂ（ニオブ）、Ｔａ（タンタル）、Ｃｒ（クロム）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｔｉ（チタン）、Ｚｒ（ジルコニウム）、Ｈｆ（ハフニウム）、Ｗ（タングステン）及びその化合物などが挙げられる。
また、被覆膜３としては、異物測定器で測定を行う半導体ウェハの最上面に形成される膜と同種類の膜を形成することが好ましく、例えば、ＣＶＤ膜、金属膜、レジスト膜などが挙げられる。
【００２４】
次に、本実施形態における異物測定器校正用ウェハの一製造方法について説明する。図３は、図２に示す異物測定器校正用ウェハの一製造工程を示す一部拡大断面図である。
まず、図３（ａ）に示すように、ウェハ１の上面に、公知のＣＶＤ法を用いて、高融点金属膜２Ａを成膜する。
【００２５】
次いで、図３（ｂ）に示すように、高融点金属膜２Ａの上面に、疑似異物形成領域は覆い、それ以外は露出するようなマスクパターンを有するレジスト膜Ｒ１を形成した状態でエッチングを行い、図３（ｃ）に示すように、ウェハ１の上面における疑似異物形成領域に、略立方体状の高融点金属からなる凸部２を形成する。
【００２６】
このとき、高融点金属からなる凸部２に被覆膜３を形成した後のウェハ１上面に、必要とする寸法、個数、配置の疑似異物Ｐが形成されるように、レジスト膜Ｒ１のマスクパターンの寸法及び配置や、高融点金属膜２Ａの膜厚を決定するようにする。
次いで、図２に示すように、疑似異物形成領域に高融点金属からなる凸部２が形成されたウェハ１の上面全体に、公知のＣＶＤ法を用いて、例えばシリコン酸化膜からなる被覆膜３を成膜する。そして、凸部２の上面に被覆される被覆膜３に平面視円形状の疑似異物Ｐが形成された、異物測定器校正用ウェハを完成させる。
【００２７】
このように、本実施形態における異物測定器校正用ウェハによれば、ウェハ１の上面に形成される疑似異物Ｐの寸法、個数、配置を、ウェハ１の上面に形成した高融点金属からなる凸部２の寸法、個数、配置によって調整するようにしたことによって、疑似異物Ｐを容易且つ確実に形成することが可能となる。
また、本実施形態における異物測定器校正用ウェハによれば、疑似異物Ｐを、ウェハ１の上面に形成した高融点金属からなる凸部２を被覆膜３で覆ったものとしたことによって、凸部２を形成するための高融点金属膜２Ａのエッチング工程でウェハ１へのオーバーエッチングが発生しても、その影響が感度校正精度に及ばなくなるため、製造コストを増大させることなく、良好な感度校正精度を備えた異物測定器校正用ウェハを実現することが可能となる。
【００２８】
なお、本実施形態において、疑似異物Ｐを形成する高融点金属からなる凸部２を略立方体状に形成したが、凸部２に被覆膜３を形成した後のウェハ１の上面に、必要とする寸法、個数、配置の疑似異物Ｐを形成することが可能であればこれに限らない。例えば、高融点金属からなる凸部２を円柱形状や多角柱状に形成するようにしても構わない。
＜第一実施形態の変形例＞
図４は、第一実施形態の変形例における異物測定器構成用ウェハの一構成例を示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は図４（ａ）のＢ−Ｂ線に沿った一部拡大断面図である。
【００２９】
本変形例における異物測定器校正用ウェハは、図４（ａ）に示すように、ウェハ１の上面において、格子状の頂点に平面視楕円形状の疑似異物Ｐが同一向きで複数形成されている。
この疑似異物Ｐは、図４（ｂ）に示すように、ウェハ１の上面に、直方体を横に倒した形状の高融点金属からなる凸部２ａと、この凸部２ａを含むウェハ１の上面全体を覆う被覆膜３と、から構成したものである。
【００３０】
本変形例における異物測定器校正用ウェハの製造方法は、第一実施形態で示した高融点金膜２Ａのエッチング工程において、そのレジスト膜Ｒ１のマスクパターンを変更することで、ウェハ１の上面における疑似異物形成領域に直方体を横に寝かせた形状の高融点金属からなる凸部２ａを同じ向きで形成する。
次いで、疑似異物形成領域に高融点金属からなる凸部２ａが形成されたウェハ１の上面全体に、第一実施形態と同様に被覆膜３を成膜する。そして、凸部２ａの上面に被覆される被覆膜３に平面視楕円形状の疑似異物Ｐが形成された、異物測定器校正用ウェハを完成させる。
【００３１】
このように、本変形例における異物測定器校正用ウェハによれば、平面視長方形状の疑似異物Ｐの長辺Ｌ１側及び短辺Ｌ２側から別々に検出光を照射して異物測定を行うことで、同一寸法の疑似異物Ｐが形成された一枚の異物測定器校正用ウェハで、二つの寸法（長辺Ｌ１及び短辺Ｌ２）の異物測定を行うことが可能となる。よって、異物測定器校正用ウェハの製造コストを大幅に削減させることが可能となる。
＜第二実施形態＞
図５は、第二実施形態における異物測定器校正用ウェハの一部拡大断面図である。
【００３２】
本実施形態における異物測定器校正用ウェハは、第一実施形態で示した異物測定器校正用ウェハの疑似異物Ｐが、図５に示すように、ウェハ１の上面に付着された金属粒子４と、この金属粒子４を含むウェハ１の上面全体を被覆する被覆膜５と、によって構成されている。
ここで、金属粒子４は、特に限定されないが、例えば、Ａｌ（アルミニウム）粒子、Ｃａ（カルシウム）粒子、Ｓｉ（シリコン）粒子、Ｍｏ（モリブデン）粒子、Ｔｉ（チタン）粒子、Ｔａ（タングステン）粒子などが挙げられる。
【００３３】
また、被覆膜５は、上述した第一実施形態と同様のものが用いられる。
次に、本実施形態における異物測定器校正用ウェハの製造方法について説明する。図６は、イオン注入装置を示す模式図である。図７は、図６に示すイオン注入装置のターゲット部を示す斜視図である。
まず、ウェハ１の上面における疑似異物形成領域に、図６に示すイオン注入装置を用いて、金属粒子４を付着させる。
【００３４】
ここで、図６に示すイオン注入装置は、例えば、Ｐなどの不純物ガスをアーク放電によりイオン化するイオンソース部１０と、イオン化された不純物のうち注入種と荷電種を選択する質量分析マグネット部２０と、この質量分析マグネット部２０において選択されたイオンを衝突させることで所望の金属粒子４を飛び出させる略円筒状のターゲット部３０とから構成されており、ターゲット部３０から飛び出させた金属粒子４をウェハ１の表面に付着させるようになっている。
【００３５】
このとき、この金属粒子４の上面に被覆膜５を形成した後のウェハ１の上面に必要とする寸法、個数、配置の疑似異物Ｐを形成するために、イオン注入装置の加速電圧、磁場、ドーズ時間を調整することにより、金属粒子４の粒径及び個数を決定するようにする。
次いで、金属粒子４が付着したウェハ１の上面全体に、公知のＣＶＤ法を用いて、シリコン酸化膜などからなる被覆膜５を成膜する。そして、金属粒子４の上面に形成された被覆膜３に平面視円形状の疑似異物Ｐが形成された、異物測定器校正用ウェハを完成させる。
【００３６】
このように、本実施形態における異物測定器校正用ウェハによれば、その疑似異物Ｐの寸法及び個数を、金属粒子４のイオン注入装置の調整で行うようにしたことによって、疑似異物を有する異物測定器校正用ウェハを容易且つ確実に実現することが可能となる。
また、本実施形態における異物測定器校正用ウェハによれば、疑似異物Ｐを、ウェハ１の上面に付着させた金属粒子４を被覆膜３で覆ったものとしたことによって、金属粒子４をウェハ１の上面に付着させるためのインプランテーション工程でウェハ１表面が変質しても、その影響が感度校正精度に及ばなくなる。このため、疑似異物Ｐの形成に要する作業効率を大幅に向上させることが可能となる。
【００３７】
なお、本実施形態におけるイオン注入装置は、そのターゲット部３０の形状を図７（ａ）に示すように略円筒状に形成したが、ターゲット部３０から飛び出す金属粒子４を効率よくウェハ１に付着可能であればこれに限らない。例えば、図７（ｂ）に示すように、略円筒状のターゲット部３０における内壁面を、ウェハ１側の開口面に向かって狭まるテーパ状に形成し、このテーパ状の内壁面にイオンを衝突させることで、飛び出した金属粒子４をウェハ１に付着させるようにしてもよい。また、図７（ｃ）に示すように、略円筒状のターゲット部３０の内面にターゲット部３０と同一材料からなる円錐状の補助部材３１を形成し、この補助部材３１にイオンを衝突させることで飛び出した金属粒子４をウェハ１に付着させるようにしてもよい。
＜第三実施形態＞
図８は、第三実施形態における異物測定器校正用ウェハの一構成例を示す一部拡大断面図である。
【００３８】
本実施形態における異物測定器校正用ウェハは、第一実施形態で示した異物測定器校正用ウェハの疑似異物Ｐが、図８に示すように、ウェハ１上に成膜されたシリコン酸化膜（絶縁膜）６に形成された凹部６Ａ内に、アルミニウム膜（熱溶融性物質）７を介して疑似異物形成用粒子（例えば、ラテックス粒子）８を固定させることで構成されている。
【００３９】
次に、本実施形態における異物測定器校正用ウェハの一製造方法について説明する。図９は、図８に示す異物測定器校正用ウェハの一製造工程を示す一部拡大断面図である。
まず、図９（ａ）に示すように、ウェハ１の上面に、例えば、熱酸化膜法を用いて、シリコン酸化膜６を成膜する。
【００４０】
次いで、図９（ｂ）に示すように、シリコン酸化膜６の上面に、疑似異物形成領域は露出し、それ以外は覆うようなマスクパターンが形成されたレジスト膜Ｒ２を形成した状態で、ウェハ１の上面に至るまでエッチングを行い、疑似異物形成領域となるシリコン酸化膜６に凹部６Ａを形成する。
このとき、必要とする寸法、個数、配置の疑似異物Ｐを形成するために、レジスト膜Ｒ２のマスクパターンの寸法及び配置を決定するようにする。
【００４１】
また、凹部６Ａの形状及び寸法は、疑似異物形成用粒子８がシリコン酸化膜６の上面よりも突出した状態で固定可能とするために、凹部６Ａの開口部を、疑似異物形成用粒子８の直径と同一寸法の正方形状に形成するとともに、凹部６Ａの深さを、疑似異物形成用粒子８の直径と同一寸法に形成することが好ましい。
次いで、図９（ｃ）に示すように、前工程で適用したレジスト膜Ｒ２は残した状態で、公知のスパッタリング法を用いて、レジスト膜Ｒ２の上面全体にアルミニウム膜７を成膜することで、シリコン酸化膜６に形成した凹部６Ａ内にアルミニウム膜７を充填する。
【００４２】
このとき、充填されるアルミニウム膜７の膜厚は、シリコン酸化膜６に形成した凹部６Ａ内に疑似異物形成用粒子８をより確実に固定するため、シリコン酸化膜６に形成した凹部６Ａの深さの少なくとも１／２以上成膜することが好ましく、さらに好ましくは、凹部６Ａの深さの２／３の厚さまで成膜するとよい。
次いで、図９（ｄ）に示すように、疑似異物形成領域に形成されたアルミニウム膜７及びレジスト膜Ｒ２は除去した後、シリコン酸化膜６の上面全体に、疑似異物形成領域よりも多くの個数の疑似異物形成用粒子８を配する。このとき、シリコン酸化膜６の疑似異物形成領域に形成されている各凹部６Ａ内には、疑似異物形成用粒子８の一部が嵌合された状態となる。
【００４３】
次いで、ウェハ１に熱処理を施すことで、シリコン酸化膜６の疑似異物形成領域に形成された凹部６Ａ内に充填されたアルミニウム膜７を溶融し、このアルミニウム膜７を介して、凹部６Ａ内に挟合された状態の疑似異物形成用粒子８を固定させる。
次いで、公知のスクラバー洗浄を用いて、シリコン酸化膜６の疑似異物形成領域に形成された凹部６Ａ内に挟合されず固定されなかった余剰の疑似異物形成用粒子８を、シリコン酸化膜６の上面から除去するようにする。そして、図８に示すように、シリコン酸化膜６に形成された凹部６Ａ内に固定された疑似異物形成用粒子８によって平面視円形状の疑似異物Ｐが形成された、異物測定器校正用ウェハを完成させる。
【００４４】
このように、本実施形態における異物測定器校正用ウェハによれば、その疑似異物Ｐの寸法、個数、及び配置を、ウェハ１上に成膜されたシリコン酸化膜６に形成された凹部６Ａの寸法、個数、及び配置と、この凹部６Ａ内に固定する疑似異物形成用粒子８の寸法によって決定するようにしたことによって、疑似異物Ｐを有する異物測定器校正用ウェハを容易且つ確実に実現することが可能となる。
【００４５】
なお、第三実施形態における異物測定器校正用ウェハにおいては、疑似異物形成用粒子８を固定するための凹部６Ａを、その開口部が疑似異物形成用粒子８の直径と同一寸法の正方形状で、且つ、その深さが疑似異物形成用粒子８の直径と同一寸法のものとしたが、疑似異物形成用粒子８がウェハ１の上面よりも突出した状態で凹部６Ａ内に固定可能であればこれに限らない。例えば、凹部６Ａの開口部を、円形状に形成するようにしても構わないし、凹部６Ａの深さを疑似異物形成用粒子８の直径以下に形成するようにしても構わない。
【００４６】
また、第三実施形態における異物測定器校正用ウェハにおいては、凹部６Ａ内に疑似異物形成用粒子８を固定するための熱溶融性物質としてアルミニウム膜を適用したが、ウェハ１に熱処理を施すことで溶融して凹部６Ａ内に疑似異物形成用粒子８を固定可能であればこれに限らない。例えば、アルミニウム膜以外の金属膜を適用しても構わないし、或いは、接着性樹脂を適用しても構わない。
＜第三実施形態の変形例＞
本実施形態における異物測定器校正用ウェハは、第三実施形態で示した異物測定器校正用ウェハにおいて、疑似異物Ｐとなる疑似異物形成用粒子８を固定させるための凹部を、ウェハ１に直接形成するようにしても構わない。
【００４７】
なお、第一乃至第三実施形態における異物測定器校正用ウェハにおいては、一枚の異物測定器校正用ウェハの上面に一定寸法の疑似異物Ｐのみを形成する場合について説明したが、疑似異物Ｐの寸法及び配置はこれに限らず、複数の寸法を有する疑似異物Ｐを一枚の異物測定器校正用ウェハの上面に形成するようにしても構わない。
【図面の簡単な説明】
【図１】第一実施形態における異物測定器校正用ウェハの一構成例を示す平面図である。
【図２】第一実施形態における異物測定器校正用ウェハの構成例を示す一部拡大断面図である。
【図３】図２に示す異物測定器校正用ウェハの一製造工程を示す一部拡大断面図である。
【図４】第一実施形態の変形例における異物測定器校正用ウェハの構成例を示す一部拡大平面図である。
【図５】第二実施形態における異物測定器校正用ウェハの構成例を示す一部拡大断面図である。
【図６】イオン注入装置の一構成例を示す模式図である。
【図７】図６に示すイオン注入装置のターゲットを示す斜視図である。
【図８】第三実施形態における異物測定器校正用ウェハの構成例を示す一部拡大断面図である。
【図９】図８に示す異物測定器校正用ウェハの一製造工程を示す一部拡大断面図である。
【符号の説明】１…ウェハ。２…凸部。２Ａ…高融点金属膜。３、５…被覆膜。４…金属粒子。６…酸化膜。７…熱溶融性物質。８…疑似異物形成用粒子。Ｒ１、Ｒ２…レジスト膜。Ｐ…疑似異物。１０…イオンソース部。２０…質量分析マグネット。３０…ターゲット部。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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