(57)【要約】【課題】　ダイヤフラム型圧力検出器を管路へ組み込みした際に、応力によってダイヤフラムが歪み、出力特性や温度特性が変動するのを防止する。【解決手段】　ダイヤフラムを備えたダイヤフラムベースと、前記ダイヤフラムの変位により作動するセンサー素子を内蔵したセンサーベースとを組み合せ固着して成る圧力検出器を、配管路や機械装置に取付けした取付具本体の挿着孔内へガスケットを介設して挿着し、上方より挿着孔内へ挿入した押え部材により圧力検出器を気密状に押圧固定するようにした圧力検出器の取付け構造に於いて、前記ダイヤフラムベースの本体部上面に押え部材を、また、ダイヤフラムベースの本体部下面にガスケットを夫々接当させると共に、前記本体部上面の押え部材との接当部の内側位置に浅溝を、前記本体部下面のガスケットとの接当部の内側位置に浅溝を夫々リング状に形成し、押え部材による押圧により生じた歪を両浅溝により吸収する。【選択図】　　　図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
　ダイヤフラムを備えたダイヤフラムベースと、前記ダイヤフラムベースの変位により作動するセンサー素子を内蔵したセンサーベースとを組み合せ固着して成る圧力検出器を、配管路や機械装置に取付けした取付具本体の挿着孔内へガスケットを介設して挿着し、上方より挿着孔内へ挿入した押え部材により圧力検出器を気密状に押圧固定するようにした圧力検出器の取付け構造に於いて、前記ダイヤフラムベース（４）のダイヤフラム側とは反対側である本体部上面（４ｅ）に押え部材（１２）を、また、ダイヤフラムベース（４）のダイヤフラム側である本体部下面（４ｆ）にガスケット（１７）を夫々接当させると共に、前記本体部上面（４ｅ）の押え部材（１２）との接当部の内側位置にリング状に浅溝（１８ａ）を、また、前記本体部下面（４ｆ）のガスケット（１７）との接当部の内側位置にリング状に浅溝（１８ｂ）を夫々上下方向に対向させて形成し、更に、前記両浅溝（１８ａ）、（１８ｂ）の溝の深さ寸法を同等にすると共に両浅溝（１８ａ）、（１８ｂ）の溝の深さ寸法の合計をダイヤフラムベース（４）の厚み寸法の１／４〜２／３とし、押え部材（１２）による押圧により生じた歪を両浅溝（１８ａ）、（１８ｂ）により吸収する構成としたことを特徴とする圧力検出器の取付け構造。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
　本発明は、主としてセンサーチップ（感圧素子）を利用した圧力検出器の取付け構造の改良に関するものであり、半導体製造設備に於ける強腐食性ガスの供給系等で主に使用されるものである。
【背景技術】
【０００２】
　管路内の流体圧の検出には従前からセンサーチップ（感圧素子）やストレンゲージを利用したダイヤフラム型の圧力検出器が広く利用されている。
　図９及び図１０はダイヤフラム型圧力検出器の構造の一例を示すものであり、本件出願人が特開平１０−８２７０７号（特許文献１）及び特開平１１−２１１５９３号（特許文献２）として公開しているものである。即ち、図９及び図１０に於いて、１はセンサーベース、２はセンサーチップ（感圧素子）、３はダイヤフラム、４はダイヤフラムベース、５は圧力伝達用媒体（シリコンオイル）、６は封止用ボール、７はリードピン、８は溶接部、１０は流体圧であり、流体圧１０がダイヤフラム３及び圧力伝達用媒体５を介してセンサーチップ２へ加わると、センサーチップ２を形成する半導体圧力トランスジューサから圧力に比例した電圧信号が、リードピン７を通して外部へ出力される。
【０００３】
　図１１及び図１２は、前記図９及び図１０に示したダイヤフラム型圧力検出器の管路等への取付け構造の一例を示すものであり、また、図１３は図１２のＡ部の拡大断面図である。
　図１１乃至図１３に於いて、１１は取付具本体、１２・１３は押え部材、１４はベアリング、１５・１６は固定具、１７はメタルガスケットであり、押え部材１２・１３に加えた押圧力により、メタルガスケット１７を介してダイヤフラムベース４と取付具本体１１との間の気密性が保持されている。
【０００４】
　前記図９及び図１０に示した構造のダイヤフラム型圧力検出器は、管路等へ取付けした状態に於ける所謂デッドスペースを極めて小さくすることができ、ガスの置換性を高める上で好都合なだけでなく、ダイヤフラム３の接ガス面に所望の不働態膜を比較的容易に、しかも斑の無い均一な厚みに形成することができ、優れた実用的効用を奏するものである。
　しかし、当該ダイヤフラム型圧力検出器にも解決すべき問題が多く残されており、その中でも最も大きな問題は、管路等へ取付けした場合におけるダイヤフラム３の応力歪等に起因する測定値の変動の点である。
【０００５】
　即ち、圧力の検出感度を高めるため、ダイヤフラム３の厚みは０．０５〜０．０６ｍｍ程度の極薄に選定されている。その結果、図１１に示すような形態でもって、ダイヤフラムベース４の本体部下面４ｆへガスケット１７の接当面を当てた場合には、固定ボルト１５による締込み時にダイヤフラム３に生じる応力歪みが不可避となり、これによってシリコンオイル５を介してセンサー素子２にかかる応力が大きく変化することになる。
　例えば、ダイヤフラム３の厚さ‥０．０５〜０．０６ｍｍ、内径約‥１０ｍｍφ、検出圧力‥数Ｔｏｒｒ〜７ｋｇｆ／ｃｍ2 ａｂｓの圧力検出器を用いた試験によれば、ダイヤフラム３に加わる圧力ＰがＰS ＝７ｋｇｆ／ｃｍ2 ａｂｓ程度の高圧力の場合には、圧力検出器を圧力検出器取付具本体１１へ組み付けたときでも、圧力検出器がフリーな状態下にある場合に比較して出力ＶS （ｍｖ）及び温度特性ＳＴＣ（％ＦＳ／℃）に大きな差異は見られない。
【０００６】
　しかし、ダイヤフラム３に加わる圧力Ｐが低圧、例えば圧力Ｐ0 ＝０ｋｇｆ／ｃｍ2 ａｂｓのときには、圧力検出器の組み付けにより出力Ｖ0 に５．２ｍｖ（組み付け前の出力１６．６６ｍｖ、組み付け後の出力２１．８６ｍｖ）以上の大きな変動が表れると共に、温度特性ＺＴＣ（％ＦＳ／℃）の値も０．１６２〜０．７１９のように大きく変動する。即ち、出力の点からは測定値のバラツキが大き過ぎるうえ、温度特性の点でも補償可能な範囲外の大きな変動となり、圧力検出器としての実用化に問題がある。
【０００７】
　これに対して、ダイヤフラムベース４の外周縁部の形態を図１０の如き形態とし、図１３に示すように、ダイヤフラムベース４の本体部外周面４ｄとメタルガスケット１７の内周面１７ｄとを非接触の状態として締付け固定した場合には、圧力Ｐ0 ＝０ｋｇｆ／ｃｍ2 ａｂｓに於ける組み付け前・後の出力変動量△Ｖ0 を±約３．５ｍｖ以下に引下げることができる。同様に、温度特性ＺＴＣ（％ＦＳ／℃）の方も０．０５２〜０．２５９の範囲内の値となり、現実の管路等へ当該圧力検出器を組み付けても、所定の校正操作により十分実用化に対応することができる。
【０００８】
　尚、図１２及び図１３の圧力検出器の取付け構造に於いて、組み付け前後の出力変動量△Ｖ0 が小さくなるのは、ダイヤフラムベース４に設けた鍔部４ａの下面４ｃと、ダイヤフラムベース４の厚肉（約２ｍｍ）の本体部４ｂの外周面４ｄとの間にガスケット１７が配設されており、且つガスケット１７の内周面１７ｄと本体部４ｂの外周面４ｄとは非接触の状態となっているため、センサー押え部材１３によって下方向の押圧力がセンサーベース１及びダイヤフラムベース４を介してガスケット１７にかかっても、ガスケット１７の上・下方向の反力は全てダイヤフラムベース４の鍔部４ａによって受け止められ、ダイヤフラムベース４の本体部４ｂに一体的に形成したダイヤフラム３には、締め込み時の歪み応力が殆どかからないからである。
【０００９】
　しかし、前記圧力検出器の組み付け前後の出力変動量△Ｖ0 や温度特性ＺＴＣ（％ＦＳ／℃）等は小さいほど好都合であり、前記図１３の如き構造の組み付けに於いても、未だ出力変動量△Ｖ0 が大き過ぎると云う難点がある。
【特許文献１】特開平１０−８２７０７号公報
【特許文献２】特開平１１−２１１５９３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
　本発明は、前記特開平１０−８２７０７号や特開平１１−２１１５９３号に開示した図９〜図１３に示す如き構成のダイヤフラム型圧力検出器を、実際に配管路等へ適用した場合に於ける上述の如き問題、即ち圧力検出器を圧力検出器取付具本体へ組み込みした場合に生ずるダイヤフラムの応力歪みのバラツキにより、出力や温度特性に大きな変動が生じて圧力測定器の測定精度が低下すると云う問題を解決せんとするものであり、圧力検出器取付具本体への圧力検出器の取付け構造に改良を加えることにより、取付具本体へ圧力検出器を固定した場合に於いても、出力や温度特性がフリーの状態下に於ける出力や温度特性と殆んど差異を生せず、しかも流体通路のデッドスペースの増加を招くことなしに圧力検出器を配管路等へ適用できるようにすることを、発明の主たる目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
　請求項１の発明は、ダイヤフラムを備えたダイヤフラムベースと、前記ダイヤフラムベースの変位により作動するセンサー素子を内蔵したセンサーベースとを組み合せ固着して成る圧力検出器を、配管路や機械装置に取付けした取付具本体の挿着孔内へガスケットを介設して挿着し、上方より挿着孔内へ挿入した押え部材により圧力検出器を気密状に押圧固定するようにした圧力検出器の取付け構造に於いて、前記ダイヤフラムベース４のダイヤフラム側とは反対側である本体部上面４ｅに押え部材１２を、また、ダイヤフラムベース４のダイヤフラム側である本体部下面４ｆにガスケット１７を夫々接当させると共に、前記本体部上面４ｅの押え部材１２との接当部の内側位置にリング状に浅溝１８ａを、また、前記本体部下面４ｆのガスケット１７との接当部の内側位置にリング状に浅溝１８ｂを夫々上下方向に対向させて形成し、更に、前記両浅溝１８ａ、１８ｂの溝の深さ寸法を同等にすると共に両浅溝１８ａ、１８ｂの溝の深さ寸法の合計をダイヤフラムベース４の厚み寸法の１／４〜２／３とし、押え部材１２による押圧により生じた歪を両浅溝１８ａ、１８ｂにより吸収する構成としたことを、発明の基本構成とするものである。
【発明の効果】
【００１２】
　請求項１の発明に於いては、ダイヤフラム４の本体部上面及び下面の内側部分に浅溝１８ａ・１８ｂを対向状に形成し、押え部材１２による圧力検出器の締付け固定時に発生する歪力を前記浅溝１８ａ・１８ｂにより吸収する構成としているため、ダイヤフラム３に生ずる応力歪が一層低減されることになり、締付け固定の前・後に於ける測定値の変動量が大幅に減少する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
　以下、図面に基づいて本発明の各実施形態を説明する。
　図１は本発明の第１実施形態に係る圧力検出器の断面概要図であり、図２は第１実施形態に係る圧力検出器の取付構造を示す部分拡大断面図である。
　尚、以下の説明に於いて、前記図９乃至図１３に於いて使用した部材と同じ部材には、これと同一の参照番号を使用するものとする。
【００１４】
　図１乃至図２に於いて、１はセンサーベース、２はセンサーチップ、３はダイヤフラム、４はダイヤフラムベース、５は圧力伝達用媒体、７はリードピン、８は溶接部、１０は取付具本体、１２は押え部材、１４はベアリング、１５は固定具、１７はメタルガスケットである。
　前記センサーベース１はステンレス鋼から厚円盤状に形成されており、下面中央にはチップ収納部１ｃが形成されており、更にオイル注入孔１ｄ及びリードピン貫挿孔（図示省略）が形成されている。
　また、前記センサーチップ（感圧素子）には、公知の拡散形半導体圧力トランスジューサが使用されている。即ち、センサーチップ２は圧力を受けると変形をするダイヤフラム構造を有しており、これにＩＣと同じ製法で４本の抵抗体が形成されていて、ブリッジ状に接続された４本の抵抗の抵抗値が加圧によって変化することにより、圧力に比例した電圧信号がブリッジの出力端に出力される。
【００１５】
　前記ダイヤフラム３はダイヤフラムベース４と一体的に形成されており、ステンレス鋼を用いて厚さ約５０μｍ、内径約１０ｍｍφに形成されている。当該ダイヤフラム３の厚さは検出器の検出圧力範囲に応じて適宜に変るものであり、数ｔｏｒｒから７ｋｇｆ／ｃｍ2 の絶対圧力値の測定を目的とする本実施形態の圧力検出器では、φ＝１０ｍｍのダイヤフラム３の厚さを５０μｍ程度とするのが望ましい。
　尚、ダイヤフラム３をダイヤフラムベース４と別に形成し、両者を溶接により一体化することも可能である。
　また、当該ダイヤフラム３の接ガス面には、公知の方法により所謂不働態膜の形成処理が施されており、接ガス面の外表層部には厚さ約２００Åの略１００％酸化クロムから成る不働態膜又は厚さ約１０００〜３０００Åの弗化不働態膜若しくは厚さ約２００Åの主としてアルミニウム酸化物とクロム酸化物の混合酸化不働態膜が形成されている。
【００１６】
　前記圧力伝達用媒体であるシリコンオイル５はダイヤフラム３に加わった圧力１０をセンサーチップ２へ伝達する。尚、ここでは温度膨張係数や圧縮係数が小さく且つ化学的にも安定したシリコンオイルが使用されている。
　前記封止用ボール６は、オイル注入孔１ｄ内のシリコンオイル５を密封するためのものであり、ここでは軸受鋼のボール６が使用されている。
　上記ダイヤフラム型圧力検出器の構成そのものは公知であるため、ここではその詳細な説明は省略する。
【００１７】
　本発明で使用するダイヤフラム型圧に於いては、図１に示すように、ダイヤフラムベース４の本体部４ｂの上面４ｅと下面４ｆとに所謂歪み逃し用の浅溝１８ａ、１８ｂがリング状に形成されている。
　即ち、当該浅溝１８ａ、１８ｂは、押え部材１２及びメタルガスケット１７の接当部分よりも内側位置に夫々リング状に形成されている。また、両浅溝１８ａ，１８ｂの断面形状はＶ字形（逆Ｖ形）又はＵ字形（逆Ｕ字形）に、またその深さは、ダイヤフラムベース４の厚みが１．５〜２．５ｍｍの場合、約０．３〜０．５ｍｍに選定されている。
【００１８】
　尚、両浅溝１８ａ，１８ｂの深さ寸法は、図１及び図２に示すようにほぼ同じ深さ寸法で上下方向に対向状に形成されているが、両浅溝１８ａ，１８ｂは必ずしも同じ深さ寸法である必要は無い。同様に、両浅溝１８ａ，１８ｂは必ずしも一直線上に形成されている必要はなく、両者の形成位置が図１及び図２の位置より左右方向へ相互に若干ずれていても良いことは勿論である。
　また、ダイヤフラムベース４の厚み寸法が１．５ｍｍのとき、溝の深さ寸法を０．３ｍｍとすると、溝の深さ寸法の合計がダイヤフラムベース４の厚さ寸法に占める割合は０．３×２／１．５＝２／５となり、溝の深さ寸法が０．５ｍｍであれば０．５×２／１．５＝２／３となる。
　同様にダイヤフラムベース４の厚み寸法が２．５ｍｍのときには、上記各値は０．３×
２／２．５≒１／４及び０．５×２／２．５＝２／５となる。
　即ち、溝の深さ寸法の合計が、ダイヤフラムベース４の厚さ寸法の約１／４〜２／３を占める深さ寸法であれば、後述するようにダイヤフラムにかかる応力は十分に吸収され、しかもダイヤフラムベース４は、必要な機械的強度を保持できることになる。
【００１９】
　図２に於いて、固定具１５が締め込まれると、押え部材１２及びメタルガスケット１７を介してダイヤフラムベース４の本体部４ｂの外側部分に上・下方向の圧縮力（上・下方向の反力）が掛かる。万一、固定具１５の締め込み時に、このダイヤフラムベース４の本体部４ｂにかかる上・下方向の圧縮力が原因となって、ダイヤフラム３に歪力（例えば、上・下方向の圧縮力の分力が生じて、これがダイヤフラム３に掛ったような場合）が加わる場合でも、前記ダイヤフラムベース４の本体部上面４ｅ及び本体部下面４ｆに対向状に設けた浅溝１８ａ、１８ｂによりこの部分Ｐの肉厚が薄くなっているため、歪力による変位は前記薄肉部Ｐの近傍に於いて吸収される。これにより、歪力が直接にダイヤフラム３へ伝達されなくなり、結果としてダイヤフラム３に歪みが生ずるのが防止されることになる。
【００２０】
　図３及び図４は、本発明に関連する発明の実施形態に係る圧力検出器の断面概要図及びその取付構造を示す部分拡大断面図である。
　当該実施形態に於いては、センサーベース１とダイヤフラムベース４の上方部に夫々鍔部１ａと鍔部４ａとが形成されており、両鍔部１ａ、４ａを対向せしめた状態でその外周部が溶接８されている。
　又、前記ダイヤフラムベース４は、リング状の本体部４ｂと鍔部４ａとから形成されており、鍔部４ａの下面４ｃが、第４図に示すようにガスケット１７の上部接当面１７ａと当接するシール面になっている。従って、鍔部４ａの下面４ｃは高精度な平滑面に仕上げられている。
【００２１】
　更に、本実施形態に於いては、ダイヤフラムベース４の直径が１３ｍｍφ、ダイヤフラム受圧面の直径１１ｍｍφ、ダイヤフラム３の厚さ０．０６ｍｍ、不働態膜が厚さ約２００Åの酸化クロム皮膜、全厚さ４ｍｍ、リードピン７本（内１本はアース極）に夫々選定されており、入力回路（図示省略）へはＤＣ１．５ｍＡが印加され、センサー素子（センサーチップ）に加わる圧力が変化することにより、センサーチップより形成した４ケの抵抗値が変わり、出力端子間の出力電圧Ｖが変化する。
【００２２】
　本実施形態で用いる圧力検出器に於いては、図３に示すようにセンサーベース１の鍔部上面１ｂの内側寄り位置と、ダイヤフラムベース４の鍔部下面４ｃの内側寄り位置に夫々浅溝１８ｃ、１８ｄが形成されており、前者の浅溝１８ｃの断面形状は皿形に、また後者の浅溝１８ｄは逆Ｕ字形（又は逆Ｖ字形）に形成されている。
【００２３】
　この実施形態に於いては、図４に示すように、ステンレス製の取付具本体１１の挿着孔１１ａ内へメタルガスケット１７及び圧力検出器を挿入し、固定具１６により押え部材１３を介してセンサーベース１の鍔部上面１ｂを押圧することにより、メタルガスケット１７を介して圧力検出器が気密状に取り付けされる。
【００２４】
　取付具本体１１の上部中央には円筒形の検出器挿着孔１１ａが形成されており、また、この挿着孔１１ａの底部は第１段部１９と第２段部２０の２段に亘って縮径されており、第１段部１９の周壁面１９ａが押え部材１３のガイド面となっている。また、第２段部２０の周壁面２０ａは、ガスケット１７の外周面１７ｃに、水平面１９ｂはガスケット１７の下部接当面１７ｂに夫々接しており、周壁面２０ａと水平面２０ｂによりガスケット１７の嵌合部が形成されている。
　尚、第２段部２０の水平面２０ｂの内側部分はテーパー部２１に形成されており、また挿入孔１１ａの底面の中央には、流体通路２２が穿設されている。
【００２５】
　前記ガスケット１７はリング状を呈しており、そのシート部の断面形状は矩形の四隅部を面取りした横長の四角形に形成されている。
　当該ガスケット１７の内周面１７ｄは前記ダイヤフラムベース４の本体部４ｂの外周面４ｄと非接触の状態となっている。また、ガスケット１７の上部接当面１７ａはダイヤフラムベース４の鍔部４ａの下面４ｃへ接当している。更に、ガスケット１７の外周面１７ｃは第２段部２０の周壁面２０ａへ接触した状態となっている。即ち、ダイヤフラムベース４の鍔部下面４ｃと第２段部２０の周壁面２０ａと水平面２０ｂとでガスケット１７の嵌合部が形成されており、検出器挿着孔１１ａの第２段部２０の周壁面２０ａと鍔部本体部の外周面４ｄとの間隔長さは、ガスケット１７の横幅長さとほぼ同じか、又は僅かに大きな長さに設定されている。
【００２６】
　尚、図４に於いては、ガスケット１７は外径１４．７ｍｍφ、内径１３．０ｍｍ、シート部の横幅１．５ｍｍ、シート部の厚さ（高さ）０．９ｍｍ、シート部の接当面１７ａ・１７ｂの横幅０．８ｍｍに夫々形成されており、またガスケット１７の材質としてはＳＵＳ３１６Ｌ−Ｐ（ｗメルト）が使用されている。
【００２７】
　前記浅溝１８ｃ・１８ｄの作用は図２に示した第１実施例の場合と同様であり、押え部材１３を介して加えられた上・下方向の圧縮力（反力）によって生ずる歪力を両浅溝１８ｃ・１８ｄ及び両者の間の薄肉部Ｐで吸収することにより、ダイヤフラム３へ直接に歪力が加わるのが防止される。
【００２８】
　図５及び図６は、本発明に関連する発明の他の実施形態に係る圧力検出器の断面概要図及び取付構造を示す部分拡大断面図である。
　当該実施形態に於いては、ダイヤフラム３とダイヤフラムベース４とが別個に形成されており、溶接部２３を設けることにより両者が一体化されている。
　また、当該実施形態に於いては、ダイヤフラムベース４の下面側にシール面４ｇが、ダイヤフラム３より下方位置まで突出せしめた状態（即ち、ダイヤフラムベース４の本体部下面４ｆより下方へ突出せしめた状態）で形成されており、この突出せしめたシール面４ｇより上方のダイヤフラム取付レベルとほぼ水平な高さ位置に、断面Ｕ字形（又はＶ字形）の浅溝１８ｇ・１８ｈが対向状に形成されている。
　更に、センサーベース１の鍔部上面１ｂの内側寄り及びダイヤフラムベース４の本体部下面４ｆの中間位置には夫々断面Ｕ字形（又はＶ字形）の浅溝１８ｅ・１８ｆが形成されている。
【００２９】
　当該実施形態に於いては、前記浅溝１８ｅ・１８ｆによっても、押え部材１３を介してダイヤフラムベース４にかかる上・下方向の押圧力によって生ずる歪力が吸収され、固定具１６の締め込み時にダイヤフラム３に直接かかる歪力の影響がより少なくなる。
【００３０】
　図７及び図８は、本発明に関連する発明の更に他の実施形態に係る圧力検出器の断面概要図と要部を示す部分拡大断面図である。
　当該実施形態に係る圧力検出器の構造並びにその取付構造は、前記図５及び図６に示した実施形態の場合と基本的に同一であるが、円盤状のセンサーベース１の鍔部１ａの外周部分２４及びダイヤフラムベース４の外周部分２５（図７及び図８の点線の外側部分）が、硬化処理を施した高硬度な部分に形成されている。
【００３１】
　センサーベース１及びダイヤフラムベース４の外側部分を高硬度の材質とすることにより、押え部材１３による締め込み時に上・下方向に加わる圧縮力によって生ずる半径方向の歪力そのものがより小さくなると共に、浅溝１８ｅ〜１８ｆによって歪力が吸収されるため、ダイヤフラム３の歪みそのものが一層抑制されることになる。
　尚、硬化部分２４・２５を形成した構成は、前記図３及び図４に示した圧力検出器にも適用できることは勿論である。
【００３２】
　前記図３及び図４の実施形態に係る圧力検出器及びその取付構造を用いた試験によれば、圧力Ｐ0 ＝０ｋｇｆ／ｃｍ2 ・ａｂｓに於ける組み付け前後の出力変動量△Ｖ0 が約±１．０ｍｖ以下となり、従前の場合よりも約６０〜７０％程度出力変動量△Ｖ0 を減少させることができる。
　同様に、図５及び図６の実施形態の場合には、前記出力変動量△Ｖ0 が約±１．０ｍｖ以下に減少させることができる。
　また、図７及び図８の実施形態の場合には、上記第３実施形態の場合よりもより一層出力変動量△Ｖ0 を減少させ得ることが判明している。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】本発明の第１実施形態に係る圧力検出器の断面概要図である。
【図２】第１実施形態に係る圧力検出器の取付構造を示す部分拡大断面図である。
【図３】本発明に関連する発明の実施形態に係る圧力検出器の断面概要図である。
【図４】図３の実施形態に係る圧力検出器の取付構造を示す部分拡大断面図である。
【図５】本発明に関連する発明の他の実施形態に係る圧力検出器の断面概要図である。
【図６】図５の実施形態に係る圧力検出器の取付構造を示す部分拡大断面図である。
【図７】本発明に関連する発明の更に他の実施形態に係る圧力検出器の断面概要図である。
【図８】図７の実施形態に係る圧力検出器の取付構造を示す部分拡大断面図である。
【図９】従前の圧力検出器の構造の一例を示す縦断面図である。
【図１０】従前の圧力検出器の構造の他の例を示す縦断面図である。
【図１１】従前の図９に係る圧力検出器の取付け構造を示す縦断面図である。
【図１２】従前の図１０に係る圧力検出器の取付け構造を示す縦断面図である。
【図１３】図１２のＡ部の拡大断面図である。
【符号の説明】
【００３４】
　１はセンサーベース、１ａは鍔部、１ｂは鍔部上面、１ｃはチップ収納部、１ｄはオイル注入孔、２はセンサーチップ、３はダイヤフラム、４はダイヤフラムベース、４ａは鍔部、４ｂは本体部、４ｃは鍔部下面、４ｄは本体部外周面、４ｅは本体部上面、４ｆは本体部下面、４ｇはシール面、５は圧力伝達用媒体、６は封止用ボール、７はリードピン、８は溶接部、１０は流体圧、１１は取付具本体、１１ａは挿着孔、１２・１３は押え部材、１４はベアリング、１５は固定具、１７はメタルガスケット、１７ａは上部接当面、１７ｂは下部接当面、１７ｃはガスケット外周面、１７ｄはガスケット内周面、１８ａ・１８ｂは浅溝、１８ｃ・１８ｄは浅溝、１８ｅ・１８ｆは浅溝、１８ｇ・１８ｈは浅溝、１９は第１段部、２０は第２段部、２１はテーパー部、２２は流体通路、２３は溶接部、２４は硬化部分（センサーベース）、２５は硬化部分（ダイヤフラムベース）。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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