(57)【要約】【課題】クロストークを低減することが可能な光スイッチを実現する。【解決手段】屈折率変化により光信号の伝送経路を切り換える光スイッチにおいて、前記光信号が一方から入射され途中で２つに分岐して出射される光導波路が形成された光導波路層と、前記光導波路以外の部分に形成された光吸収体とを設ける。【選択図】                    図１
2004264631.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
屈折率変化により光信号の伝送経路を切り換える光スイッチにおいて、
前記光信号が一方から入射され途中で２つに分岐して出射される光導波路が形成された光導波路層と、
前記光導波路以外の部分に形成された光吸収体と
を備えたことを特徴とする光スイッチ。
【請求項２】
半導体基板と、
この半導体基板上に形成されたクラッド層と、
このクラッド層上に形成された前記光導波路層と、
前記光導波路の分岐部分にキャリアを注入する１対の電極と
を備えたことを特徴とする
請求項１記載の光スイッチ。
【請求項３】
強誘電体で形成された前記光導波路層と、
前記光導波路に電界を印加して光の位相を半波長分ずらす１対の電極と
を備えたことを特徴とする
請求項１記載の光スイッチ。
【請求項４】
ガラスで形成された前記光導波路層と、
前記光導波路に熱を印加して光の位相を半波長分ずらすヒーターと
を備えたことを特徴とする
請求項１記載の光スイッチ。
【請求項５】
前記光吸収体が、
前記光導波路層内の光導波路以外の部分に形成されたことを特徴とする
請求項２乃至請求項４のいずれかに記載の光スイッチ。
【請求項６】
前記光吸収体が、
前記光導波路層上の光導波路以外の部分に形成されたことを特徴とする
請求項２乃至請求項４のいずれかに記載の光スイッチ。
【請求項７】
前記光吸収体が、
前記光導波路層内の光導波路以外の部分、且つ、前記光導波路層上の光導波路以外の部分に形成されたことを特徴とする
請求項２乃至請求項４のいずれかに記載の光スイッチ。
【請求項８】
前記光吸収体が、
前記光導波路を構成する半導体よりもエネルギーバンド幅の小さい素材であることを特徴とする
請求項２記載の光スイッチ。
【請求項９】
前記光吸収体を、
前記光導波路層をエッチングした後に堆積させたことを特徴とする
請求項２乃至請求項４のいずれかに記載の光スイッチ。
【請求項１０】
前記光吸収体を、
前記光導波路層に拡散、若しくは、イオン注入により形成させたことを特徴とする
請求項２乃至請求項４のいずれかに記載の光スイッチ。
【請求項１１】
前記光導波路層が、
２本の直線の光導波路が交差した光導波路を有することを特徴とする
請求項２乃至請求項４のいずれかに記載の光スイッチ。
【請求項１２】
前記光導波路層が、
１本の直線の光導波路の途中から異なる角度で分岐する光導波路を有することを特徴とする
請求項２乃至請求項４のいずれかに記載の光スイッチ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
本発明は、屈折率変化により光信号の伝送経路を切り換える光スイッチに関し、特にクロストークを低減することが可能な光スイッチに関する。
【０００２】
【従来の技術】
現在の通信ネットワークであるＬＡＮ（Ｌｏｃａｌ  Ａｒｅａ  Ｎｅｔｗｏｒｋ）やＷＡＮ（Ｗｉｄｅ  Ａｒｅａ  Ｎｅｔｗｏｒｋ）等では、通常電気信号をもって情報を伝送する通信方式となっている。
【０００３】
光信号をもって情報を伝送する通信方法は大量のデータを伝送する基幹ネットワークやその他一部のネットワークで用いられているだけである。また、これらのネットワークは”ｐｏｉｎｔ  ｔｏ  ｐｏｉｎｔ”の通信であり、”フォトニックネットワーク”と言える通信網までは発達していないのが現状である。
【０００４】
このような”フォトニックネットワーク”を実現するためには、電気信号の送信先を切り換えるルータやスイッチングハブ等といった装置と同様の機能を有する”光ルータ”や”光スイッチングハブ”等が必要になる。
【０００５】
また、このような装置では高速に伝送経路を切り換える光スイッチが必要になり、ニオブ酸リチウムやＰＬＺＴ（Ｌｅａｄ  Ｌａｎｔｈａｎｕｍ  Ｚｉｒｃｏｎａｔｅ  Ｔｉｔａｎａｔｅ）等の強誘電体を用いたものや、半導体に光路導波路を形成し半導体中にキャリアを注入して屈折率を変化させ光信号の伝送経路を切り換えるものが存在する。
【０００６】
さらに、最近では平面ガラス光導波路上に集積したヒーターで発熱させ、当該ヒータが形成され部分の屈折率を変化させることにより、スイッチング動作を行わせるものもある。
【０００７】
そして、従来の半導体に光路導波路を形成し半導体中にキャリアを注入して屈折率を変化させ光信号の伝送経路を切り換える光スイッチに関連する先行技術文献としては次のようなものがある。
【０００８】
【特許文献１】
特開平６−０５９２９４号公報
【特許文献２】
特開平６−１３０２３６号公報
【非特許文献１】
「２ｘ２  Ｏｐｔｉｃａｌ  Ｗａｖｅｇｕｉｄｅ  Ｓｗｉｔｃｈ  ｗｉｔｈ  Ｂｏｗ−Ｔｉｅ  Ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ  Ｂａｓｅｄ  ｏｎ  Ｃａｒｒｉｅｒ−Ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ  Ｔｏｔａｌ  Ｉｎｔｅｒｎａｌ  Ｒｅｆｌｅｃｔｉｏｎ  ｉｎ  ＳｉＧｅ  Ａｌｌｏｙ」，  Ｂａｏｊｕｎ  Ｌｉ  ａｎｄ  Ｓｏｏ−Ｊｉｎ  Ｃｈｕａ，  ｐ２０６−ｐ２０８，  ＩＥＥＥ  ＰＨＯＴＯＮＩＣＳ  ＴＥＣＨＮＯＬＯＧＹ  ＬＥＴＴＥＲＳ，  ＶＯＬ．１３，  ＮＯ．３，  ＭＡＲＣＨ  ２００１
【０００９】
図５及び図６はこのような従来の光スイッチの一例を示す平面図及び断面図である。図５において１は”Ｘ字状”の光導波路を有する光導波路層、２及び３はキャリアを注入するための１対の電極である。
【００１０】
図５において光導波路層１上には”Ｘ字状”の光導波路が形成され、図５中”ＣＰ０１”に示すような”Ｘ字状”の光導波路の交差部分には長方形状の電極２が形成される。また、”Ｘ字状”の光導波路の交差部分の近傍であって電極２に並行して長方形状の電極３が形成される。
【００１１】
一方、図６は図５中”Ａ−Ａ’”における断面図であり、図６において１、”ＷＧ０１”及び”ＷＧ０２”は図５と同一符号を付してあり、４はクラッド層、５は基板である。
【００１２】
基板５上にはクラッド層４及び光導波路層１が順次形成され、光導波路層１には図６中”ＷＧ０１”及び”ＷＧ０２”に示すような”Ｘ字状”の光導波路が形成される。また、光導波路層１に形成される光導波路はリッジ型の光導波路となっており、例えば、図６中”ＰＳ０１”に示すように光信号は分布して伝播する。
【００１３】
ここで、図５に示す従来例の動作を図６を参照しながら説明する。光スイッチが”ＯＦＦ”の場合、電極２及び電極３には電流が供給されない。
【００１４】
このため、図５中”ＣＰ０１”に示す”Ｘ字状”の光導波路の交差部分の屈折率の変化は生じないため、例えば、図５中”ＰＩ０１”に示す入射端から入射した光信号は交差部分を直進して図５中”ＰＯ０１”に示す出射端から出射される。
【００１５】
一方、光スイッチが”ＯＮ”の場合、電極２から電子が注入され、電極３からは正孔が注入され、このため、前記交差部分にはキャリア（電子、正孔）が注入される。
【００１６】
このため、プラズマ効果によって図５中”ＣＰ０１”に示す”Ｘ字状”の光導波路の交差部分の屈折率が低くなるように変化するため、例えば、図５中”ＰＩ０１”に示す入射端から入射した光信号は図５中”ＣＰ０１”に示す交差部分に生じた低屈折率部分で全反射されて図５中”ＰＯ０２”に示す出射端から出射される。
【００１７】
この結果、電極に電流を供給して”Ｘ字状”の光導波路の交差部分にキャリア（電子、正孔）を注入して交差部分の屈折率を制御することにより、光信号の出射される位置を制御、言い換えれば、光信号の伝播経路を切り換えることが可能になる。
【００１８】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、図５及び図６に示す従来例では、シミュレーション等によって光信号の経路を調べた場合、光スイッチの”ＯＮ／ＯＦＦ”動作によって光信号が伝播する光導波路が切り替わっているものの、光スイッチの”ＯＮ”若しくは”ＯＦＦ”に関わり無く光導波路以外の部分に光信号の一部が漏れ出してしまうと言った問題点があった。
【００１９】
このような問題点の原因としては２つ以上の光導波路が交差する部分では、光導波路の形状が著しく変化するため、光の導波モードが変化し、反射や散乱を起こすためであると推察される。
【００２０】
すなわち、複数の光導波路が交差する光スイッチでは多少の差はあれ反射や散乱に起因する光の漏れが存在することになる。
【００２１】
このような、光の漏れは図５に示すような光スイッチの構成では、光導波路以外の部分に漏れ出した光は図５中”ＰＯ０１”及び”ＰＯ０２”に示す出射端に到達しにくいので、光の漏れによる影響は少ない。
【００２２】
但し、図７に示すように図５に示すような光スイッチを集積した場合には、光導波路以外の部分に漏れ出した光が再び別の光導波路に流れ込んで（結合して）しまう可能性が高くなる。
【００２３】
図７は図５に示すような光スイッチを集積した光スイッチの平面図である。図７において６は”Ｘ字状”の光導波路を有し、それらの出射端側の光導波路の途中から異なる角度で分岐する”ｙ字状”の光導波路をそれぞれ有する光導波路層である。
【００２４】
但し、図７においてはキャリアを注入するための電極対が、図７中”ＣＰ１１”に示す光導波路の交差部分、図７中”ＢＰ１１”及び”ＢＰ１２”に示す出射端側の光導波路の分岐部分にそれぞれ必要であるが、図７においてはその記載は省略している。
【００２５】
ここで、図７に示す従来例の動作を簡単に説明する。例えば、図７中”ＰＩ１１”に示す入射端から入射された光信号は図７中”ＣＰ１１”に示す交差部分にキャリアが注入され屈折率が低くなっていれば（”ＯＮ”状態）、図７中”ＢＰ１１”に示す分岐部分に向かって反射され、さらに、図７中”ＢＰ１１”に示す示す分岐部分にキャリアが注入され屈折率が低くなっていれば（”ＯＮ”状態）、図７中”ＢＰ１１”に示す分岐部分で更に反射されて図７中”ＰＯ１２”に示す出射端から出射される。
【００２６】
また、例えば、図７中”ＰＩ１１”に示す入射端から入射された光信号は図７中”ＣＰ１１”に示す交差部分にキャリアが注入されていなければ（”ＯＦＦ”状態）、図７中”ＢＰ１２”に示す分岐部分に向かって直進し、さらに、図７中”ＢＰ１２”に示す示す分岐部分にキャリアが注入されていなければ（”ＯＦＦ”状態）、更に直進して図７中”ＰＯ１４”に示す出射端から出射される。
【００２７】
すなわち、図７中”ＣＰ１１”に示す交差部分、図７中”ＢＰ１１”及び”ＢＰ１２”に示す分岐部分へのキャリアの注入を制御することにより、図７中”ＰＩ１１”に示す入射端から入射された光信号を、図７中”ＰＯ１１”、”ＰＯ１２”、”ＰＯ１３”若しくは”ＰＯ１４”に示す出射端の何れかから出射させることが可能になる。
【００２８】
ここで、図７中”ＬＫ１１”に示すように図７中”ＣＰ１１”に示す交差部分で光導波路以外の部分で漏れ出した光は図７中”ＷＧ１３”若しくは”ＷＧ１４”に示すような光導波路に流れ込んで（結合して）しまう可能性が高くなる。
【００２９】
例えば、スイッチングにより図７中”ＰＯ１４”に示す出射端から光信号を出射させるように制御した場合であっても、図７中”ＰＯ１２”若しくは”ＰＯ１３”に示す出射端からも光信号が出射されてしまう、言い換えれば、クロストークが生じてしまうことになる。
従って本発明が解決しようとする課題は、クロストークを低減することが可能な光スイッチを実現することにある。
【００３０】
【課題を解決するための手段】
このような課題を達成するために、本発明のうち請求項１記載の発明は、
屈折率変化により光信号の伝送経路を切り換える光スイッチにおいて、
前記光信号が一方から入射され途中で２つに分岐して出射される光導波路が形成された光導波路層と、前記光導波路以外の部分に形成された光吸収体とを備えたことにより、クロストークを低減することが可能になる。
【００３１】
請求項２記載の発明は、
請求項１記載の発明である光スイッチにおいて、
半導体基板と、この半導体基板上に形成されたクラッド層と、このクラッド層上に形成された前記光導波路層と、前記光導波路の分岐部分にキャリアを注入する１対の電極とを備えたことにより、クロストークを低減することが可能になる。
【００３２】
請求項３記載の発明は、
請求項１記載の発明である光スイッチにおいて、
強誘電体で形成された前記光導波路層と、前記光導波路に電界を印加して光の位相を半波長分ずらす１対の電極とを備えたことにより、クロストークを低減することが可能になる。
【００３３】
請求項４記載の発明は、
請求項１記載の発明である光スイッチにおいて、
ガラスで形成された前記光導波路層と、前記光導波路に熱を印加して光の位相を半波長分ずらすヒーターとを備えたことにより、クロストークを低減することが可能になる。
【００３４】
請求項５記載の発明は、
請求項２乃至請求項４のいずれかに記載の発明である光スイッチにおいて、
前記光吸収体が、
前記光導波路層内の光導波路以外の部分に形成されたことにより、クロストークを低減することが可能になる。
【００３５】
請求項６記載の発明は、
請求項２乃至請求項４のいずれかに記載の発明である光スイッチにおいて、
前記光吸収体が、
前記光導波路層上の光導波路以外の部分に形成されたことにより、クロストークを低減することが可能になる。
【００３６】
請求項７記載の発明は、
請求項２乃至請求項４のいずれかに記載の発明である光スイッチにおいて、
前記光吸収体が、
前記光導波路層内の光導波路以外の部分、且つ、前記光導波路層上の光導波路以外の部分に形成されたことにより、クロストークを低減することが可能になる。
【００３７】
請求項８記載の発明は、
請求項２記載の発明である光スイッチにおいて、
前記光吸収体が、
前記光導波路を構成する半導体よりもエネルギーバンド幅の小さい素材であることにより、クロストークを低減することが可能になる。
【００３８】
請求項９記載の発明は、
請求項２乃至請求項４のいずれかに記載の発明である光スイッチにおいて、
前記光吸収体を、
前記光導波路層をエッチングした後に堆積させたことにより、クロストークを低減することが可能になる。
【００３９】
請求項１０記載の発明は、
請求項２乃至請求項４のいずれかに記載の発明である光スイッチにおいて、
前記光吸収体を、
前記光導波路層に拡散、若しくは、イオン注入により形成させたことにより、クロストークを低減することが可能になる。
【００４０】
請求項１１記載の発明は、
請求項２乃至請求項４のいずれかに記載の発明である光スイッチにおいて、
前記光導波路層が、
２本の直線の光導波路が交差した光導波路を有することにより、クロストークを低減することが可能になる。
【００４１】
請求項１２記載の発明は、
請求項２乃至請求項４のいずれかに記載の発明である光スイッチにおいて、
前記光導波路層が、
１本の直線の光導波路の途中から異なる角度で分岐する光導波路を有することにより、クロストークを低減することが可能になる。
【００４２】
【発明の実施の形態】
以下本発明を図面を用いて詳細に説明する。図１及び図２は本発明に係る光スイッチの一実施例を示す平面図及び断面図である。
【００４３】
図１において７は”Ｘ字状”の光導波路を有し、それらの出射端側の光導波路の途中から異なる角度で分岐する”ｙ字状”の光導波路をそれぞれ有する光導波路層、８，９，１０，１１及び１２は光導波路を構成する半導体よりもエネルギーバンド幅の小さい素材で構成される光吸収体である。
【００４４】
図１において光導波路層７上にはＸ字状”の光導波路を有し、それらの出射端側の光導波路の途中から異なる角度で分岐する”ｙ字状”の光導波路がそれぞれ形成される。また、光導波路層７内の前記光導波路以外の部分であって２つの入射端に挟まれる部分以外には光吸収体８，９，１０，１１及び１２がそれぞれ形成される。
【００４５】
但し、図１においてはキャリアを注入するための電極対が、図１中”ＣＰ２１”に示す光導波路の交差部分、図１中”ＢＰ２１”及び”ＢＰ２２”に示す出射端側の光導波路の分岐部分にそれぞれ必要であるが、図１においてはその記載は省略している。
【００４６】
一方、図２は図１中”Ｂ−Ｂ’”における断面図であり、図２において７、”ＷＧ２１”及び”ＷＧ２２”は図１と同一符号を付してあり、１３はクラッド層、１４は基板である。
【００４７】
基板１４上にはクラッド層１３及び光導波路層７が順次形成され、光導波路層７内には図２中”ＷＧ２１”及び”ＷＧ２２”に示すような光導波路が形成される。また、光導波路層７に形成される光導波路はリッジ型の光導波路となっており、例えば、図２中”ＰＳ２１”に示すように光信号は分布して伝播する。
【００４８】
また、光導波路層７内であって図２中”ＷＧ２１”及び”ＷＧ２２”に示す光導波路以外の部分には光吸収体８，９及び１２がそれぞれ形成される。
【００４９】
ここで、図１及び図２に示す実施例の動作を説明する。例えば、図１中”ＰＩ２１”に示す入射端から入射された光信号は図１中”ＣＰ２１”に示す交差部分にキャリアが注入され屈折率が低くなっていれば（”ＯＮ”状態）、図１中”ＢＰ２１”に示す分岐部分に向かって反射され、さらに、図１中”ＢＰ２１”に示す示す分岐部分にキャリアが注入され屈折率が低くなっていれば（”ＯＮ”状態）、図１中”ＢＰ２１”に示す分岐部分で更に反射されて図１中”ＰＯ２２”に示す出射端から出射される。
【００５０】
また、例えば、図１中”ＰＩ２１”に示す入射端から入射された光信号は図１中”ＣＰ２１”に示す交差部分にキャリアが注入されていなければ（”ＯＦＦ”状態）、図１中”ＢＰ２２”に示す分岐部分に向かって直進し、さらに、図１中”ＢＰ２２”に示す示す分岐部分にキャリアが注入されていなければ（”ＯＦＦ”状態）、更に直進して図１中”ＰＯ２４”に示す出射端から出射される。
【００５１】
すなわち、図１中”ＣＰ２１”に示す交差部分、図１中”ＢＰ２１”及び”ＢＰ２２”に示す分岐部分へのキャリアの注入を制御することにより、図１中”ＰＩ２１”に示す入射端から入射された光信号を、図１中”ＰＯ２１”、”ＰＯ２２”、”ＰＯ２３”若しくは”ＰＯ２４”に示す出射端の何れかから出射させることが可能になる。
【００５２】
この状態で、図１中”ＬＫ２１”に示すように図１中”ＣＰ２１”に示す交差部分で光導波路以外の部分で光が漏れ出した場合であっても、光吸収体１２によって当該漏れ出した光は吸収されることになるので、図７に示す従来例のように、図１中”ＷＧ２３”若しくは”ＷＧ２４”に示すような光導波路に流れ込んで（結合して）しまうことを防止できる。言い換えれば、クロストークを低減することが可能になる。
【００５３】
この結果、光導波路の交差部分若しくは分岐部分における反射や散乱に起因して漏れ出す光を吸収する光吸収体を光導波路層７内の光導波路以外の部分であって２つの入射端に挟まれる部分以外に形成することにより、クロストークを低減することが可能になる。
【００５４】
なお、図１に示す実施例では、光吸収体８〜１２を光導波路層７内に形成しているが、光導波路層７上の光導波路以外の部分であって２つの入射端に挟まれる部分以外に形成しても構わない。
【００５５】
図３はこのような本発明に係る光スイッチの他の実施例を示す断面図である。但し、平面図に関しては図１に示す実施例と同様であるので記載及び説明は省略する。
【００５６】
図３において７，１３及び１４は図２と同一符号を付してあり、１５，１６及び１７は光吸収体である。
【００５７】
基板１４上にはクラッド層１３及び光導波路層７が順次形成され、光導波路層７内には図３中”ＷＧ３１”及び”ＷＧ３２”に示すような光導波路が形成される。また、光導波路層７に形成される光導波路はリッジ型の光導波路となっており、例えば、図３中”ＰＳ３１”に示すように光信号は分布して伝播する。
【００５８】
また、光導波路層７上であって図３中”ＷＧ３１”及び”ＷＧ３２”に示す光導波路以外の部分には光吸収体１５，１６及び１７がそれぞれ形成される。
【００５９】
この場合、図１中”ＬＫ２１”に示すように図１中”ＣＰ２１”に示す交差部分で光導波路以外の部分で光が漏れ出した場合であっても、光吸収体１６によって当該漏れ出した光は吸収されることになるので、図７に示す従来例のように、図１中”ＷＧ２３”若しくは”ＷＧ２４”に示すような光導波路に流れ込んで（結合して）しまうことを防止できる。言い換えれば、クロストークを低減することが可能になる。
【００６０】
また、図３に示す構成は光吸収体の吸収係数が同程度であれば図１及び図２に示す構成と比較してクロストークの低減効果は低いものの製作が容易になると言った効果を奏する。
【００６１】
また、図２に示す構成と図３に示す構成を併せ持つようにしても構わない。図４はこのような本発明に係る光スイッチの他の実施例を示す断面図である。但し、平面図に関しては図１に示す実施例と同様であるので記載及び説明は省略する。
【００６２】
図４において７，８，９，１２，１３及び１４は図２と同一符号を付してあり、１５，１６及び１７は図３と同一符号を付してある。
【００６３】
基板１４上にはクラッド層１３及び光導波路層７が順次形成され、光導波路層７内には図４中”ＷＧ４１”及び”ＷＧ４２”に示すような光導波路が形成される。また、光導波路層７に形成される光導波路はリッジ型の光導波路となっており、例えば、図４中”ＰＳ４１”に示すように光信号は分布して伝播する。
【００６４】
また、光導波路層７内であって図４中”ＷＧ４１”及び”ＷＧ４２”に示す光導波路以外の部分には光吸収体８，９及び１２がそれぞれ形成され、光吸収体８，９及び１２の上には光吸収体１５，１７及び１６がそれぞれ形成される。
【００６５】
この場合も、図１中”ＬＫ２１”に示すように図１中”ＣＰ２１”に示す交差部分で光導波路以外の部分で光が漏れ出した場合であっても、光吸収体１２及び光吸収体１６によって当該漏れ出した光は吸収されることになるので、図７に示す従来例のように、図１中”ＷＧ２３”若しくは”ＷＧ２４”に示すような光導波路に流れ込んで（結合して）しまうことを防止できる。言い換えれば、クロストークを低減することが可能になる。
【００６６】
また、図１に示す実施例では、光導波路層７の光導波路以外の部分であって２つの入射端に挟まれる部分には光吸収体を形成していないが、勿論当該２つの入射端に挟まれる部分にも光吸収体を形成する構成であっても構わない。
【００６７】
また、図１、図２、図３及び図４に示す実施例では、光吸収体として光導波路を構成する半導体よりもエネルギーバンド幅の小さい素材を例示してるが、具体的には、波長が”１．５μｍ”の光で、光導波路がＩｎＰの場合にはＩｎＧａＡｓ等を光吸収体として用いることができる。
【００６８】
また、光導波路がガラスやニオブ酸リチウム等の素材の場合には、クロム等の金属、若しくは、当該金属のフィラー（粉末）を含有する有機膜、樹脂等を光吸収体として用いることができる。
【００６９】
また、光吸収体の形成方法としては光導波路層をエッチングした後に光吸収体を堆積させても、光導波路層に拡散、若しくは、イオン注入により光吸収体を形成させても構わない。
【００７０】
また、図１に示す実施例では光導波路層に”Ｘ字状”の光導波路を有し、それらの出射端側の光導波路の途中から異なる角度で分岐する”ｙ字状”の光導波路を形成する構成となっているが、光信号が一方から入射され途中で２つに分岐して出射される光導波路を形成する構成であれば構わない。
【００７１】
また、単純に、”Ｘ字状”、言い換えれば、２本の直線の光導波路が交差した形状の光導波路を形成する構成であっても構わない。
【００７２】
また、勿論、出射用の光導波路を２つ有する光導波路でれば”ｙ字状”であっても、その他の形状であっても構わない。ここで、”ｙ字状”の光導波路とは、１本の直線の光導波路の途中から異なる角度で分岐する形状である。
【００７３】
さらに、図１に示す実施例にように、”Ｘ字状”と”ｙ字状”とを組み合わせた形状の光導波路であっても構わない。
【００７４】
また、図１等に示す実施例ではキャリア注入による屈折率変化により光信号の伝送経路を切り換える光スイッチを例示しているが、屈折率変化により光信号の伝送経路を切り換える平面光導波路型の光スイッチであれば、電気光学効果を用いた光スイッチであっても、熱を用いた光スイッチであっても構わない。
【００７５】
例えば、前者としては、ニオブ酸リチウム等の強誘電体を用いて、光導波路に電界を印加して、当該電界が印加された光導波路の屈折率を変化（屈折率を下げて光の位相を半波長ずらす）させることにより、光信号の伝送経路を切り換えるものである。
【００７６】
例えば、後者としては、ガラスを用いて入力側及び出力側に５０％方向性結部分を有するマッハツェンダー構造を形成し、入力側方向性結合部分の後段で２つに分岐された光導波路の一方或いは両方の上にヒーターを設けてある。
【００７７】
ここで、当該ヒーターにより熱を光導波路に供給することにより、熱を供給された光導波路の屈折率を変化（屈折率を高くして光の位相を半波長分遅延させる）させることにより、出力側の方向性結合部分で光信号の伝送経路を切り換えるものである。
【００７８】
【発明の効果】
以上説明したことから明らかなように、本発明によれば次のような効果がある。
請求項１，２，３，４，５，６，７，８，９，１０，１１及び請求項１２の発明によれば、光導波路の交差部分若しくは分岐部分における反射や散乱に起因して漏れ出す光を吸収する光吸収体を光導波路層内、若しくは、光導波路層上、或いは、光導波路層内及び光導波路層上の光導波路以外の部分に形成することにより、クロストークを低減することが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る光スイッチの一実施例を示す平面図である。
【図２】本発明に係る光スイッチの一実施例を示す断面図である。
【図３】本発明に係る光スイッチの他の実施例を示す断面図である。
【図４】本発明に係る光スイッチの他の実施例を示す断面図である。
【図５】従来の光スイッチの一例を示す平面図である。
【図６】従来の光スイッチの一例を示す断面図である。
【図７】図５に示すような光スイッチを集積した光スイッチの平面図である。
【符号の説明】
１，６，７  光導波路層
２，３  電極
４，１３  クラッド層
５，１４  基板
８，９，１０，１１，１２，１５，１６，１７  光吸収体
【図１】
2004264631.tif 000003
【図２】
2004264631.tif 000004
【図３】
2004264631.tif 000005
【図４】
2004264631.tif 000006
【図５】
2004264631.tif 000007
【図６】
2004264631.tif 000008
【図７】
2004264631.tif 000009