(57)【要約】【課題】従来の２波長半導体レーザ及びその製造方法では、２つの半導体レーザは共通の半導体基板上に横方向に並べて配置されるため、構造上、２つの発光部間の距離は、どうしても１００μｍ〜２００μｍ程度となり、これを小さくすることには限界があった。また、単に、２つの半導体レーザを上下方向に積層すると２つの半導体レーザに対して均等な熱放散が得られないと言う問題があった。【解決手段】本発明の２波長半導体レーザ１０１は、ｎ型ＧａＡｓ基板２上に、第１半導体レーザ１０２と第２半導体レーザ１０３とが上下に配置されており、第１半導体レーザ１０２上の共通電極としての第１電極１１２の上面は、第２半導体レーザ１０３の第３電極１２０の上面と面一となるように形成されている。【選択図】  図１
2004193151.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
２つの半導体レーザを共通のコンタクト層を介して上下に配置した２波長半導体レーザであって、
半導体基板と、その上に形成したダブルヘテロ接合構造と、その上に形成した第１コンタクト層と、前記第１コンタクト層上面の一部領域に形成した第１電極と、前記半導体基板下面に形成した第２電極とを備える下側の半導体レーザと、
前記第１電極を共通とし、前記第１コンタクト層上面の前記第１電極以外の一部領域に形成したダブルヘテロ接合構造と、その上に形成した第２コンタクト層と、前記第２コンタクト層上面に形成した第３電極とを備える上側の半導体レーザとで構成したことを特徴とする２波長半導体レーザ。
【請求項２】
前記２つの半導体レーザは、それぞれの活性層が凹型であることを特徴とする請求項１に記載の２波長半導体レーザ。
【請求項３】
前記第１電極の厚さを厚くして、前記第１電極の上面と、前記第３電極の上面とが面一であることを特徴とする請求項１に記載の２波長半導体レーザ。
【請求項４】
第１導電型の半導体基板と、その上に形成したストライプ状の溝を有する第２導電型の第１ブロック層と、その上に順次、前記溝を反映しながら積層形成した、第１導電型の第１下部クラッド層，第１活性層，第２導電型の第１上部クラッド層，第２導電型の第１コンタクト層と、前記第１コンタクト層上面の一部領域に形成した第１電極と、前記半導体基板下面に形成した第２電極とで成る下側の半導体レーザと、
前記第１コンタクト層上面の前記第１電極以外の一部領域に順次、前記溝を反映しながら積層形成した、第２導電型のバッファ層，第２導電型の第２下部クラッド層，第２活性層，第１導電型の第２上部クラッド層，前記第２上部クラッド層の一部とその上に形成した第１導電型の第２コンタクト層とで成すメサ部と、そのメサ部を埋め込むように形成したｐ型ＧａＡｓで成る第２導電型の第２ブロック層と、前記第２上部クラッド層及び前記第２ブロック層上に形成した第３電極とで成る上側の半導体レーザとで構成したことを特徴とする２波長半導体レーザ。
【請求項５】
半導体基板上に、ダブルヘテロ接合構造と、その上の第１コンタクト層を積層形成し、下側の半導体レーザとなる第１積層体を形成する工程と、
前記第１積層体上に、ダブルヘテロ接合構造と、その上の第２コンタクト層を積層形成し、上側の半導体レーザとなる第２積層体を形成する工程と、
前記第２積層体の不要部分をエッチング除去し、前記第１コンタクト層を露呈させる工程と、
前記露呈した第１コンタクト層上面の一部領域に第１電極を、前記半導体基板下面に第２電極を、前記第２積層体上面に第３電極をそれぞれ形成する工程とを含むことを特徴とする２波長半導体レーザの製造方法。
【請求項６】
前記電極形成工程で、前記第１電極は、前記第２，第３電極よりも先に形成し、先ず、蒸着あるいはスパッタで金属薄膜を形成後、メッキを施し金属膜厚を厚くして、前記第１電極の上面が、形成予定の前記第２電極の上面と面一となるように形成することを特徴とする請求項５に記載の２波長半導体レーザの製造方法。
【請求項７】
第１導電型の半導体基板の上にストライプ状の溝を有する第２導電型の第１ブロック層を形成する工程と、
その上に順次、前記溝を反映しながら、第１導電型の第１下部クラッド層，第１活性層，第２導電型の第１上部クラッド層，第２導電型の第１コンタクト層を積層形成し、下側の半導体レーザとなる第１積層体を形成する工程と、
前記第１積層体上に順次、前記溝を反映しながら、第２導電型のバッファ層，第２導電型の第２下部クラッド層，第２活性層，第１導電型の第２上部クラッド層，第１導電型の第２コンタクト層を積層形成し、上側の半導体レーザとなる第２積層体を形成する工程と、
前記第２上部クラッド層の一部及び前記第２コンタクト層で成るメサ部を形成する工程と、
前記メサ部を埋め込むように第２導電型の第２ブロック層を形成する工程と、
前記第２ブロック層及び前記第２積層体の不要部分をエッチング除去して、前記第１コンタクト層を露出させる工程と、
前記露出した第１コンタクト層上面の一部領域に第１電極を、前記半導体基板下面に第２電極を、前記第２積層体上面に第３電極を、それぞれ形成する工程とを含むことを特徴とする２波長半導体レーザの製造方法。
【請求項８】
前記電極形成工程で、前記第１電極は、前記第２，第３電極よりも先に形成し、先ず、蒸着あるいはスパッタで金属薄膜を形成後、メッキを施し金属膜厚を厚くして、前記第１電極の上面が、形成予定の前記第２電極の上面と面一となるように形成することを特徴とする請求項７に記載の２波長半導体レーザの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、波長の異なるレーザ光を発光する２つの半導体レーザを１つのチップに集積した２波長半導体レーザ及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、ＤＶＤとＣＤの両ディスクを読取るために、６５０ｎｍ波長の半導体レーザと７８０ｎｍ波長の半導体レーザの両方を備えた両ディスク用光ピックアップの開発が進められている。ここで、それぞれの波長の半導体レーザを２個使用した光ピックアップとすると、光学系が複雑となるため、２波長の半導体レーザを１つのチップに集積し小型化すると共に、レーザ光の間隔や平行性を高精度に実現することが望まれている。また、この２波長半導体レーザは、ヒートシンク部にマウントした際、それぞれの半導体レーザが共に熱放散がよい構造であることも要求されている。
【０００３】
従来の２波長半導体レーザの一例の断面図を図５（ａ）に示す。２波長半導体レーザ１は、共通のｎ型ＧａＡｓ基板２上に、７８０ｎｍ波長（ＣＤ用）の第１半導体レーザ３と、６５０ｎｍ波長（ＤＶＤ用）の第２半導体レーザ４とが横方向に配置されている。
【０００４】
第１半導体レーザ３（図中左）は、順次、ｎ型ＡｌＧａＡｓで成る第１下部クラッド層５，ＡｌＧａＡｓで成る第１ＭＱＷ活性層６，ｐ型ＡｌＧａＡｓで成る第１上部クラッド層７及び、その一部とその上のｐ型ＧａＡｓで成る第１コンタクト層８とで構成するメサ部，そのメサ部を埋め込むｎ型ＧａＡｓで成る第１ブロック層９が積層形成されており、その上面には、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕで成る第１電極１０が形成されている。
【０００５】
また、その横の第２半導体レーザ４（図中右）は、順次、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰで成る第２下部クラッド層１１，ＡｌＧａＩｎＰで成る第２ＭＱＷ活性層１２，ｐ型ＡｌＧａＩｎＰで成る第２上部クラッド層１３及び、その一部とその上のｐ型ＧａＩｎＰで成るバッファ層１４その上のｎ型ＧａＡｓで成る第２コンタクト層１５とで構成するメサ部，そのメサ部を埋め込むように形成したｎ型ＧａＡｓで成る第２ブロック層１６が積層形成されており、その上面には、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕで成る第２電極１７が形成されている。
【０００６】
また、ｎ型ＧａＡｓ基板２下面には、共通電極としてＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ａｕで成る第３電極１８が形成されている。
【０００７】
尚、２波長半導体レーザ１は、図５（ｂ）に示すように、第１電極１０，第２電極１７をそれぞれハンダ１９を介してヒートシンク部２０にマウントされ、その後、ワイヤーボンディング２１（配線）される。ここで、第１電極１０の上面と第２電極１７の上面とは面一となっており、ヒートシンク部２０にマウントする際に傾くことがなく、また、それぞれの半導体レーザ３，４が直接、ヒートシンク部２０にマウントされるため均等な熱放散が得られる。
【０００８】
次に、上記の２波長半導体レーザ１の製造方法の一例の断面図を図６〜図８に示す。先ず、図６（ａ）に示すように、ｎ型ＧａＡｓ基板２上に、ｎ型ＡｌＧａＡｓで成る第１下部クラッド層５ａ，ＡｌＧａＡｓで成る第１ＭＱＷ活性層６ａ，ｐ型ＡｌＧａＡｓで成る第１上部クラッド層７ａ，ｐ型ＧａＡｓで成る第１コンタクト層８ａを有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ）で順次、全面に積層成長させ、その上の所定位置に、酸化シリコンで成るストライプ状の第１酸化膜マスク２２を形成する。
【０００９】
次に、図６（ｂ）に示すように、第１酸化膜マスク２２をエッチングマスクとして、第１コンタクト層と第１上部クラッド層７ａを、第１上部クラッド層７ａの途中までエッチング除去して、第１上部クラッド層７ａの一部とその上の第１コンタクト層８で成るメサ部を形成した後、そのメサ部を埋め込むように、選択成長法によりｎ型ＧａＡｓで成る第１ブロック層９ａを形成する。
【００１０】
次に、図６（ｃ）に示すように、第１酸化膜マスクを除去した後、第１半導体レーザとなる側の部分（図中左半分）を第１レジストマスク２３で覆い、硫酸系およびフッ酸系のエッチャントで不要部（図中右半分の第１ブロック層，第１上部クラッド層，第１ＭＱＷ活性層，第１下部クラッド層）をエッチング除去して、ｎ型ＧａＡｓ基板２面を露呈させる。
【００１１】
次に、図７（ｄ）に示すように、第１レジストマスクを除去した後、順次、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰで成る第２下部クラッド層１１ａ，ＡｌＧａＩｎＰで成る第２ＭＱＷ活性層１２ａ，ｐ型ＡｌＧａＩｎＰで成る第２上部クラッド層１３ａ，ｐ型ＧａＩｎＰで成るバッファ層１４ａ，ｎ型ＧａＡｓで成る第２コンタクト層１５ａを有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ）で全面に積層形成し、その上の所定位置に、酸化シリコンで成るストライプ状の第２酸化膜マスク２４を形成する。
【００１２】
次に、図７（ｅ）に示すように、第２酸化膜マスク２４をエッチングマスクとして、第２コンタクト層，バッファ層，第２上部クラッド層１３ａを、第２上部クラッド層１３ａの途中までエッチング除去して、第２上部クラッド層１３ａの一部とその上のバッファ層１４とその上の第２コンタクト層１５とで構成するメサ部を形成した後、そのメサ部を埋め込むように、選択成長法により第２ブロック層１６ａを形成する。
【００１３】
次に、図８（ｆ）に示すように、第２酸化膜マスクを除去した後、第２半導体レーザとなる側の部分（図中右半分）を第２レジストマスク２５で覆い、不要部（図中左半分の第２ブロック層，第２上部クラッド層，第２ＭＱＷ活性層，第２下部クラッド層）を硫酸系およびリン酸／塩酸系のエッチャントでエッチング除去する。
【００１４】
次に、図８（ｇ）に示すように、第２レジストマスクを除去した後、第１，第２半導体レーザとなる予定の部分を第３レジストマスク２６ａ，２６ｂで覆い、塩酸系のエッチャントで不要部（図中中央と両端の第２ブロック層，第２上部クラッド層，第２ＭＱＷ活性層，第２下部クラッド層）をエッチング除去して、第１下部クラッド層５，第１ＭＱＷ活性層６，第１上部クラッド層７及び、その一部とその上の第１コンタクト層８とで構成するメサ部，そのメサ部を埋め込む第１ブロック層９で成る第１積層体２７と、第２下部クラッド層１１，第２ＭＱＷ活性層１２，第２上部クラッド層１３及び、その一部とその上のバッファ層１４その上の第２コンタクト層１５とで構成するメサ部，そのメサ部を埋め込む第２ブロック層１６で成る第２積層体２８とに分離する。
【００１５】
次に、図８（ｈ）に示すように、第３レジストマスクを除去した後、第１積層体２７上面に第１電極１０を、第２積層体２８上面に第２電極１７を、ｎ型ＧａＡｓ基板２下面に第３電極１８を、それぞれスパッタリングで形成し、２波長半導体レーザ１が完成する。（例えば、特許文献１参照。）
【００１６】
【特許文献１】
特開２００１−６０７４２号公報（第３，４頁、０００６段落〜００１４段落、図９，図１０）
【発明が解決しようとする課題】
【００１７】
従来の２波長半導体レーザ１及びその製造方法では、２つの半導体レーザ３，４は共通のｎ型ＧａＡｓ基板２上に横方向に並べて配置されるため、ヒートシンク部２０にマウントする際に傾くことがなく、また、それぞれの半導体レーザ３，４は直接、ヒートシンク部２０にマウントされるため均等な熱放散が可能であった。しかしながら、構造上、２つの発光部間の距離は、どうしても１００μｍ〜２００μｍ程度となり、これを小さくすることには限界があり、このため、２つのレーザ光の光学経路を合わせるために多くの部品を必要とした。また、これに対して単に、半導体基板上に２つの半導体レーザを上下方向に積層する構成とした場合、ヒートシンク部にマウントした際、一方の半導体レーザは他方の半導体レーザを介して放熱することになり、２つの半導体レーザに対して均等な熱放散が得られないと言う問題があった。
【００１８】
本発明の目的は、２つの半導体レーザの熱放散の均等性を確保し、かつ、２つの半導体レーザの発光部を接近させることができる２波長半導体レーザ及びその製造方法を提供することである。
【００１９】
【課題を解決するための手段】
本発明の２波長半導体レーザは、
２つの半導体レーザを共通のコンタクト層を介して上下に配置した２波長半導体レーザであって、
半導体基板と、その上に形成したダブルヘテロ接合構造と、その上に形成した第１コンタクト層と、第１コンタクト層上面の一部領域に形成した第１電極と、半導体基板下面に形成した第２電極とを備える下側の半導体レーザと、
第１電極を共通とし、第１コンタクト層上面の第１電極以外の一部領域に形成したダブルヘテロ接合構造と、その上に形成した第２コンタクト層と、第２コンタクト層上面に形成した第３電極とを備える上側の半導体レーザとで構成したことを特徴とする２波長半導体レーザである。
【００２０】
また、本発明の２波長半導体レーザは、
第１導電型の半導体基板と、その上に形成したストライプ状の溝を有する第２導電型の第１ブロック層と、その上に順次、溝を反映しながら積層形成した、第１導電型の第１下部クラッド層，第１活性層，第２導電型の第１上部クラッド層，第２導電型の第１コンタクト層と、第１コンタクト層上面の一部領域に形成した第１電極と、半導体基板下面に形成した第２電極とで成る下側の半導体レーザと、
第１コンタクト層上面の第１電極以外の一部領域に順次、溝を反映しながら積層形成した、第２導電型のバッファ層，第２導電型の第２下部クラッド層，第２活性層，第１導電型の第２上部クラッド層，第２上部クラッド層の一部とその上に形成した第１導電型の第２コンタクト層とで成すメサ部と、そのメサ部を埋め込むように形成したｐ型ＧａＡｓで成る第２導電型の第２ブロック層と、第２上部クラッド層及び第２ブロック層上面に形成した第３電極とで成る上側の半導体レーザとで構成したことを特徴とする２波長半導体レーザである。
【００２１】
本発明の２波長半導体レーザの製造方法は、
半導体基板上に、ダブルヘテロ接合構造と、その上の第１コンタクト層を積層形成し、下側の半導体レーザとなる第１積層体を形成する工程と、
第１積層体上に、ダブルヘテロ接合構造と、その上の第２コンタクト層を積層形成し、上側の半導体レーザとなる第２積層体を形成する工程と、
第２積層体の不要部分をエッチング除去し、第１コンタクト層を露呈させる工程と、
露呈した第１コンタクト層上面の一部領域に第１電極を、半導体基板下面に第２電極を、第２積層体上面に第３電極をそれぞれ形成する工程とを含むことを特徴とする２波長半導体レーザの製造方法である。
【００２２】
また、本発明の２波長半導体レーザの製造方法は、
第１導電型の半導体基板の上にストライプ状の溝を有する第２導電型の第１ブロック層を形成する工程と、
その上に順次、溝を反映しながら、第１導電型の第１下部クラッド層，第１活性層，第２導電型の第１上部クラッド層，第２導電型の第１コンタクト層を積層形成し、下側の半導体レーザとなる第１積層体を形成する工程と、
第１積層体上に順次、溝を反映しながら、第２導電型のバッファ層，第２導電型の第２下部クラッド層，第２活性層，第１導電型の第２上部クラッド層，第１導電型の第２コンタクト層を積層形成し、上側の半導体レーザとなる第２積層体を形成する工程と、
第２上部クラッド層の一部及び第２コンタクト層で成るメサ部を形成する工程と、
メサ部を埋め込むように第２導電型の第２ブロック層を形成する工程と、
第２ブロック層及び第２積層体の不要部分をエッチング除去して、第１コンタクト層を露出させる工程と、
露出した第１コンタクト層上面の一部領域に第１電極を、半導体基板下面に第２電極を、第２積層体上面に第３電極を、それぞれ形成する工程とを含むことを特徴とする２波長半導体レーザの製造方法である。
【００２３】
【発明の実施の形態】
本発明の２波長半導体レーザの一例の断面図を図１（ａ）に示す。尚、図５（ａ）と同一部分には同一符号を付す。
【００２４】
２波長半導体レーザ１０１は、共通のｎ型ＧａＡｓ基板２上に、７８０ｎｍ波長（ＣＤ用）の第１半導体レーザ１０２と、６５０ｎｍ波長（ＤＶＤ用）の第２半導体レーザ１０３とが上下に配置されている。
【００２５】
図１（ａ）が示すように、第１半導体レーザ１０２（図中下側）は、ｎ型ＧａＡｓ基板２と、その上に形成したストライプ状の溝１０４を有するｐ型ＧａＡｓで成る第１ブロック層１０５と、その上に順次、溝１０４を反映しながら積層形成した、ｎ型ＡｌＧａＡｓで成る第１下部クラッド層１０６，ＡｌＧａＡｓで成る第１ＭＱＷ活性層１０７，ｐ型ＡｌＧａＡｓで成る第１上部クラッド層１０８，ｐ型ＧａＡｓで成る第１コンタクト層１０９と、第１コンタクト層１０９上面の一部領域に形成したＴｉ／Ｐｔ／Ａｕ層１１０及び、その上の厚いＡｕ層１１１で成る共通電極としての第１電極１１２及び、ｎ型ＧａＡｓ基板２下面に形成したＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ａｕで成る第２電極１１３とで構成されている。
【００２６】
また、第２半導体レーザ１０３（図中上側）は、第１電極１１２を共通として、第１コンタクト層１０９上面の第１電極１１２以外の一部領域に順次、溝１０４を反映しながら積層形成した、ｐ型ＧａＩｎＰで成るバッファ層１１４，ｐ型ＡｌＧａＩｎＰで成る第２下部クラッド層１１５，ＡｌＧａＩｎＰで成る第２ＭＱＷ活性層１１６，ｎ型ＡｌＧａＩｎＰで成る第２上部クラッド層１１７，第２上部クラッド層１１７の一部とその上に形成したｎ型ＧａＡｓで成る第２コンタクト層１１８とで成すメサ部と、そのメサ部を埋め込むように形成したｐ型ＧａＡｓで成る第２ブロック層１１９と、第２コンタクト層１１８及び第２ブロック層１１９上面に形成したＴｉ／Ｐｔ／Ａｕで成る第３電極１２０とで構成されている。
【００２７】
ここで、第１電極１１２のＡｕ層１１０の厚さは、第１電極１１２の上面が、第３電極１２０の上面と面一となるような厚さに形成されている。
【００２８】
尚、２波長半導体レーザ１０１は、図１（ｂ）に示すように、第１電極１１２，第３電極１２０をそれぞれハンダ１９を介してヒートシンク部２０にマウントされ、その後、ワイヤーボンディング２１（配線）される。ここで、第１電極１１２の上面は、第３電極１２０の上面と面一であり、２波長半導体レーザ１０１をヒートシンク部２０にマウントする際に傾くことがなく、また、それぞれの半導体レーザ１０２，１０３が直接、ヒートシンク部２０にマウントされるため均等な熱放散が得られる。
【００２９】
次に、上記の２波長半導体レーザ１０１の製造方法の一例の断面図を図２〜図４に示す。先ず、図２（ａ）に示すように、ｎ型ＧａＡｓ基板２上の所定位置に酸化シリコンで成る第１酸化膜マスク１２１をフォトリソグラフィ法で形成して、
その第１酸化膜マスク１２１を選択成長用マスクとして、ｎ型ＧａＡｓ基板２上にｐ型ＧａＡｓで成る第１ブロック層１０５を選択成長させる。
【００３０】
次に、図２（ｂ）に示すように、その第１酸化膜マスク１２１を除去してストライプ状の溝１０４を形成した後、その上に順次、有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ）で溝１０４を反映しながら、ｎ型ＡｌＧａＡｓで成る第１下部クラッド層１０６，ＡｌＧａＡｓで成る第１ＭＱＷ活性層１０７，ｐ型ＡｌＧａＡｓで成る第１上部クラッド層１０８，ｐ型ＧａＡｓで成る第１コンタクト層１０９を積層形成し、下側の半導体レーザとなる積層体を形成する。
【００３１】
そして、図２（ｃ）に示すように、さらに、その上に順次、溝１０４を反映しながら、有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ）で、ｐ型ＧａＩｎＰで成るバッファ層１１４ａ，ｐ型ＡｌＧａＩｎＰで成る第２下部クラッド層１１５ａ，ＡｌＧａＩｎＰで成る第２ＭＱＷ活性層１１６ａ，ｎ型ＡｌＧａＩｎＰで成る第２上部クラッド層１１７ａ，ｎ型ＧａＡｓで成る第２コンタクト層１１８ａを積層形成し、上側の半導体レーザとなる積層体を形成する。
【００３２】
次に、図３（ｄ）に示すように、溝１０４を反映して出来る第２コンタクト層１１８の凹部に酸化シリコンで成る第２酸化膜マスク１２２を形成して、それをエッチングマスクとして、第２コンタクト層１１８ａ及び第２上部クラッド層１１７ａを、第２上部クラッド層１１７ａの途中までエッチング除去し、第２上部クラッド層１１７ａの一部及び第２コンタクト層１１８ａとで成すメサ部１２３を形成する。
【００３３】
次に、図３（ｅ）に示すように、第２酸化膜マスク１２２を付けたまま、メサ部１２３を埋め込むように、ｐ型ＧａＡｓで成る第２ブロック層１１９ａを選択成長法により成長させる。
【００３４】
次に、図３（ｆ）に示すように、第２酸化膜マスクを除去し、上側の半導体レーザとなる予定の部分をレジストマスク１２４で覆い、それをエッチングマスクとして、不要部（第２ブロック層１１９ａ，第２上部クラッド層１１７ａ，第２ＭＱＷ活性層１１６ａ，第２下部クラッド層１１５ａ，バッファ層１１４ａ）を硫酸系および塩素系のエッチャントでエッチング除去して、第１コンタクト層１０９面を露呈させる。
【００３５】
次に、図４（ｇ）に示すように、レジストマスクを除去した後、第１コンタクト層１０９上面の所定の一部領域に、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ層１１０をスパッタリングで形成する。そして、さらに、その上に厚いＡｕ層１１１をメッキし、共通電極としての第１電極１１２を形成する。ここで、第１電極１１２のＡｕ層１１１の厚さは、第１電極１１２の上面が、形成予定の第３電極の上面と面一となるような厚さに形成する。
【００３６】
その後、図４（ｈ）に示すように、第２コンタクト層１１８及び第２ブロック層１１９上面にＴｉ／Ｐｔ／Ａｕから成る第３電極１２０をメタルマスク（図示せず）を用いてスパッタリングで形成した後、ｎ型ＧａＡｓ基板２下面にＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ａｕから成る第２電極１１３をスパッタリングで形成する。
【００３７】
このようにして、２つの発光部間の距離が数μｍ程度と非常に接近した２波長半導体レーザ１０１が完成する。この２波長半導体レーザ１０１は、図１（ｂ）に示すように、第１電極１１２の上面と第３電極１２０の上面とが面一となっており、ヒートシンク部２０にマウントする際に傾くことがなく、また、それぞれの半導体レーザ１０２，１０３が直接、ヒートシンク部２０にマウントされ均等な熱放散が得られる。また、第１，第２ＭＱＷ活性層１０７，１１６が凹型ストライプ状となるため、第１ＭＱＷ活性層１０７に対しては、第１ブロック層１０５が、第２ＭＱＷ活性層１１６に対しては、第１コンタクト層１０９が、それぞれ光吸収層となり好適な光吸収型導波路が形成される。
【００３８】
尚、上記では、第１の半導体レーザ１０２を７８０ｎｍ波長（ＣＤ用）、第２の半導体レーザ１０３を６５０ｎｍ波長（ＤＶＤ用）としたが、反対であってもよいことは言うまでもない。また、各層や各電極の材料も一例を示すものであり、これに限定するものではない。
【００３９】
【発明の効果】
本発明の２波長半導体レーザ及びその製造方法によると、２つの半導体レーザを共通の半導体基板上に上下方向に配置するため、発光部間の距離を非常に接近させることができ、レーザ光の光学経路を合わせるための部品が少なくて済む。また、共通電極の厚さを厚くして、上側の半導体レーザの電極の上面と面一になるようにするため、ヒートシンク部にマウントする際に傾くことがなく、かつ、それぞれの半導体レーザが直接、ヒートシンク部にマウントでき均等な熱放散が得られる。また、第１，第２ＭＱＷ活性層が凹型ストライプ状であるため、第１ＭＱＷ活性層に対しては、第１ブロック層が、第２ＭＱＷ活性層に対しては、第１コンタクト層が、それぞれ光吸収層となり好適な光吸収型導波路が形成される。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の２波長半導体レーザの一例の断面図
【図２】本発明の２波長半導体レーザの製造方法の一例の断面図
【図３】本発明の２波長半導体レーザの製造方法の一例の断面図
【図４】本発明の２波長半導体レーザの製造方法の一例の断面図
【図５】従来の２波長半導体レーザの一例の断面図
【図６】従来の２波長半導体レーザの製造方法の一例の断面図
【図７】従来の２波長半導体レーザの製造方法の一例の断面図
【図８】従来の２波長半導体レーザの製造方法の一例の断面図
【符号の説明】
１  従来の２波長半導体レーザ
２  ｎ型ＧａＡｓ基板
３  第１半導体レーザ
４  第２半導体レーザ
５，５ａ  第１下部クラッド層
６，６ａ  第１ＭＱＷ活性層
７，７ａ  第１上部クラッド層
８，８ａ  第１コンタクト層
９，９ａ  第１ブロック層
１０  第１電極
１１，１１ａ  第２下部クラッド層
１２，１２ａ  第２ＭＱＷ活性層
１３，１３ａ  第２上部クラッド層
１４，１４ａ  バッファ層
１５，１５ａ  第２コンタクト層
１６，１６ａ  第２ブロック層
１７  第２電極
１８  第３電極
１９  ハンダ
２０  ヒートシンク部
２１  ワイヤーボンディング
２２  第１酸化膜マスク
２３  第１レジストマスク
２４  第２酸化膜マスク
２５  第２レジストマスク
２６ａ，２６ｂ  第３レジストマスク
２７  第１積層体
２８  第２積層体
１０１  本発明の２波長半導体レーザ
１０２  第１半導体レーザ
１０３  第２半導体レーザ
１０４  溝
１０５  第１ブロック層
１０６  第１下部クラッド層
１０７  第１ＭＱＷ活性層
１０８  第１上部クラッド層
１０９  第１コンタクト層
１１０  Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ層
１１１  Ａｕ層
１１２  第１電極
１１３  第２電極
１１４，１１４ａ  バッファ層
１１５，１１５ａ  第２下部クラッド層
１１６，１１６ａ  第２ＭＱＷ活性層
１１７，１１７ａ  第２上部クラッド層
１１８，１１８ａ  第２コンタクト層
１１９，１１９ａ  第２ブロック層
１２０  第３電極
１２１  第１酸化膜
１２２  第２酸化膜
１２３  レジストマスク
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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