(57)【要約】【課題】樹脂組成物とフレームとの接着力を向上させ、半導体封止装置の耐リフロー性を向上させ、リフロー後の耐湿劣化を防止し、信頼性の高い封止用樹脂組成物および半導体封止装置を提供する。【解決手段】（Ａ）最大粒子径が２００μｍ以下で、平均粒子径が１μｍ以上６０μｍ以下である充填剤、（Ｂ）エポキシ樹脂、（Ｃ）フェノール硬化剤、（Ｄ）ホスファゼン化合物および、（Ｅ）４，４−ジチオジモルホリンを必須成分とし、樹脂組成物全体に対して、前記（Ａ）成分を７０〜９０重量％、（Ｄ）成分を０．１〜４重量％、また前記（Ｅ）成分を０．０１〜０．１重量％の割合で含有してなる封止用樹脂組成物であり、また、この封止用樹脂組成物の硬化物によって半導体チップを封止してなる半導体封止装置である。【選択図】  なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）最大粒子径が２００μｍ以下で、平均粒子径が１μｍ以上６０μｍ以下である充填剤、
（Ｂ）エポキシ樹脂、
（Ｃ）フェノール硬化剤、
（Ｄ）ホスファゼン化合物および、
（Ｅ）次の構造式で示される４，４−ジチオジモルホリン
【化１】
2004244556.tif 000008
を必須成分とし、樹脂組成物全体に対して、前記（Ａ）の充填剤を７０〜９０重量％、前記（Ｄ）ホスファゼン化合物を０．１〜４重量％、また前記（Ｅ）４，４−ジチオジモルホリンを０．０１〜０．１重量％の割合で含有してなることを特徴とする封止用樹脂組成物。
【請求項２】
（Ａ）の充填剤が、シリカ粉末、金属酸化物およびシリコーンパウダーからなる群より選ばれた１種又は２種以上のものである請求項１記載の封止用樹脂組成物。
【請求項３】
（Ｄ）ホスファゼン化合物が、次の一般式に示される環状ホスファゼン化合物
【化２】
2004244556.tif 000009
（但し、式中、Ｒ１  はフェニル基および／または置換フェニル基を、ｎは３〜１５の整数をそれぞれ表す）
である請求項１記載の封止用樹脂組成物。
【請求項４】
化２に示される環状ホスファゼン化合物が、Ｒ１  のうち１〜５０％が次式に示される−ＯＲ２  Ｏ−の構造に縮合した環状ホスファゼン化合物
【化３】
2004244556.tif 000010
（但し、式中、Ｒ１  はフェニル基および／または置換フェニル基を、Ｒ２  はｏ−，ｍ−もしくはｐ−フェニレン基および下記一般式で表される基から選ばれた少なくとも１種のジフェノール骨格を、ｍ，ｎは同じであっても異なってもよく３〜１５の整数をそれぞれ表す）
【化４】
2004244556.tif 000011
（但し、式中、Ａは、それが無い場合、又は−Ｃ（ＣＨ３  ）２  −、−ＳＯ２  −、−Ｓ−若しくは−Ｏ−を、それぞれ表す）
である請求項３記載の封止用樹脂組成物。
【請求項５】
化２または化３に示される環状ホスファゼン化合物が、Ｒ１  のうちの１〜５０％がヒドロキシフェニル基である請求項３〜４記載の封止用樹脂組成物。
【請求項６】
請求項１〜５記載の封止用樹脂組成物の硬化物によって、半導体チップを封止してなることを特徴とする半導体封止装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、高温リフロー性等の信頼性に優れた封止用樹脂組成物および半導体封止装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来の熱硬化性樹脂および無機充填剤からなる樹脂組成物によって封止した半導体装置は、インサートと封止樹脂の接着性が著しく悪いという欠点があった。特に、吸湿したその半導体装置をリフロー方式などにより表面実装すると、封止樹脂とリードフレーム、あるいは封止樹脂と半導体チップとの間の剥離が生じて著しい耐湿劣化を起こし、電極の腐食による断線や水分によるリーク電流を生じ、その結果、半導体装置は、長期間の信頼性を保証することができないという欠点があった。このため、耐リフロー性に優れ、耐湿性の影響が少なく、耐湿劣化の少ない成形性のよい材料の開発が強く要望されていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上記欠点を解消し、上記要望に応えるためになされたもので、耐リフロー性とリフロー後の信頼性に優れた、成形性のよい、封止樹脂組成物および半導体封止装置を提供しようとするものである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】
本発明者は、上記の目的を達成しようと鋭意研究を重ねた結果、樹脂組成物に、ホスファゼン化合物成分を０．１〜４．０重量％の割合で含有するとともに、４，４−ジチオジモルホリン成分を０．０１〜０．１重量％の割合で含有させることによって、フレームとの接着性を向上させ、上記目的が達成されることを見いだし、本発明を完成させたものである。
【０００５】
即ち、本発明は、
（Ａ）最大粒子径が２００μｍ以下で、平均粒子径が１μｍ以上６０μｍ以下である充填剤、
（Ｂ）エポキシ樹脂、
（Ｃ）フェノール硬化剤、
（Ｄ）ホスファゼン化合物および、
（Ｅ）４，４−ジチオジモルホリン
を必須成分とし、樹脂組成物全体に対して、前記（Ａ）の充填剤を７０〜９０重量％、前記（Ｄ）ホスファゼン化合物を０．１〜４重量％、また前記（Ｅ）４，４−ジチオジモルホリンを０．０１〜０．１重量％の割合で含有してなることを特徴とする封止用樹脂組成物、また、この封止用樹脂組成物の硬化物によって、半導体チップを封止してなることを特徴とする半導体封止装置である。
【０００６】
以下、本発明を詳細に説明する。
【０００７】
本発明に用いる（Ａ）無機充填剤としては、シリカ粉末、アルミナ粉末、窒化珪素、タルク、炭酸カルシウム、酸化チタン、ガラス繊維、シリコーンパウダー等が挙げられ、これらは単独もしくは２種類以上混合して用いることができる。具体的な化合物としては、これらの中でも特にシリカ粉末、金属酸化物およびシリコーンパウダーが好ましく、これらはよく使用される。充填剤の配合割合は、全体の樹脂組成物に対して７０〜９０重量％の割合で含有することが望ましい。この割合が７０重量％未満では、耐熱性、耐湿性、半田耐熱性、機械的特性よび成形性が悪くなり、また９０重量％を超えるとかさばりが大きくなり成形性に劣り実用に適さない。
【０００８】
本発明に用いる（Ｂ）エポキシ樹脂としては、その分子中にエポキシ基を少なくとも２個有する化合物である限り、分子構造および分子量など特に制限はなく、一般に封止用材料として使用されるものを広く包含することができる。例えば、ビフェニル型、ナフチル型、ビスフェノール型の芳香族系、ジシクロペンタジエン誘導体等の脂肪族系、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂等が挙げられ、これらのエポキシ樹脂は、単独もしくは２種類以上混合して用いることができる。
【０００９】
本発明に用いる（Ｃ）フェノール樹脂としては、その分子中にフェノール性水酸基を少なくとも２個有する化合物である限り、分子構造および分子量など特に制限はなく、一般に封止用材料として使用されるものを広く包含することができる。例えば、ビフェニル型、ナフチル型、ビスフェノール型の芳香族系、ジシクロペンタジエン誘導体等の脂肪族系、クレゾールノボラック型樹脂等が挙げられる。
【００１０】
本発明に用いる（Ｄ）成分であるホスファゼン化合物は、次の一般式に示されるものであって、環状であっても鎖状であってもよいが、
【化５】
2004244556.tif 000002
（但し、式中、Ｒ３  、Ｒ４  は同じであっても異なってもよく、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、フェニル基、フェノキシ基などを、ｎは、３〜２５の整数を、それぞれ表す）
特に、化６に示される環状ホスファゼン化合物、そのＲ１  のうち１〜５０％が化７に示されるように−ＯＲ２  Ｏ−の構造に縮合した環状ホスファゼン化合物、また化６または化７に示される環状ホスファゼン化合物が、そのＲ１  のうちの１〜５０％がヒドロキシフェニル基であるものが好ましい。
【００１１】
【化６】
2004244556.tif 000003
（但し、式中、Ｒ１  はフェニル基および／または置換フェニル基を、ｎは３〜１５の整数をそれぞれ表す）
【化７】
2004244556.tif 000004
（但し、式中、Ｒ１  はフェニル基および／または置換フェニル基を、Ｒ２  はｏ−，ｍ−もしくはｐ−フェニレン基および下記一般式で表される基から選ばれた少なくとも１種のジフェノール骨格を、ｍ，ｎは同じであっても異なってもよく３〜１５の整数をそれぞれ表す）
【化８】
2004244556.tif 000005
（但し、式中、Ａは、それが無い場合、又は−Ｃ（ＣＨ３  ）２  −、−ＳＯ２  −、−Ｓ−若しくは−Ｏ−を、それぞれ表す）
（Ｄ）成分のホスファゼン化合物の配合割合は、全体の樹脂組成物に対して０．１〜４重量％含有することが望ましい。この割合が０．１重量％未満では、フレームとの接着力の向上に効果がなく、また、４重量％を超えると封止樹脂の硬化等に悪影響を与え、実用に適さず好ましくない。
【００１２】
本発明に用いる（Ｅ）４，４−ジチオジモルホリンの配合割合は、全体の樹脂組成物に対して０．０１〜０．１重量％含有することが望ましい。この割合が、０．０１重量％未満ではフレームとの接着力の向上に効果がなく、また、０．１重量％を超えると封止樹脂の硬化等に悪影響を与え、実用に適さず好ましくない。
【００１３】
また、エポキシ樹脂とフェノール樹脂の硬化反応を促進する硬化促進剤を、必要に応じて使用することができる。例えば、１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）ウンデセン−７などのジアザビシクロアルケン系、２−メチルイミダゾールなどのイミダゾール系、トリフェニルホスフィンなどのホスフィン系、テトラフェニルホスホニル・テトラフェニルボレートなどのテトラ置換ホスホニル・テトラ置換ボレート系、２−エチル−４−メチルイミダゾール・テトラフェニルボレートなどのテトラフェニルボロン塩系等が挙げられる。
【００１４】
本発明の封止用樹脂組成物は、無機充填剤、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、環状ホスファゼン化合物および４，４−ジチオジモルホリンを主成分とするが、本発明の目的に反しない限度において、また必要に応じて、例えば、天然ワックス類、合成ワックス類、直鎖脂肪族の金属塩、酸アミド類、エステル類、パラフィン系等の離型剤、エラストマー等の低応力化成分、カーボンブラック等の着色剤、シランカップリング剤等の無機充填剤の処理剤、種々の硬化促進剤などを適宜、添加配合することができる。
【００１５】
本発明の封止用樹脂組成物を成形材料として調製する場合の一般的な方法としては、前述したホスファゼン化合物、４，４−ジチオジモルホリン、エポキシ樹脂、フェノール樹脂および無機充填剤、その他の成分を配合し、ミキサー等によって十分均一に混合した後、さらに熱ロールによる溶融混合処理、またはニーダ等による混合処理を行い、次いで冷却固化させ、適当な大きさに粉砕して成形材料とすることができる。こうして得られた成形材料は、半導体封止をはじめとする電子部品あるいは電気部品の封止、被覆、絶縁等に適用すれば、優れた特性と信頼性を付与させることができる。
【００１６】
本発明の半導体装置は、上記のようにして得られた封止用樹脂を用いて、半導体チップを封止することにより容易に製造することができる。封止の最も一般的な方法としては、低圧トランスファー成形法があるが、射出成形、圧縮成形および注型などによる封止も可能である。封止用樹脂組成物を封止の際に加熱して硬化させ、最終的にはこの組成物の硬化物によって封止された半導体封止装置が得られる。加熱による硬化は、１５０℃以上に加熱して硬化させることが望ましい。封止を行う半導体装置としては、例えば、集積回路、大規模集積回路、トランジスタ、サイリスタおよびダイオード等で特に限定されるものではない。
【００１７】
【作用】
本発明の封止用樹脂組成物および半導体封止装置は、樹脂配合成分として４，４−ジチオジモルホリンとホスファゼン化合物を用いたことにより、目的とする特性が得られるものである。即ち、フレームとの接着力を向上させ、表面実装後のインサートと封止樹脂との接着性の劣化を防止し、長期の信頼性を保証するものである。
【００１８】
【発明の実施の形態】
次に、本発明を実施例によって具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例によって限定されるものではない。以下の実施例および比較例において「％」とは「重量％」を意味する。
【００１９】
実施例１
クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（エポキシ当量１９８）９．３％に、ノボラック型フェノール樹脂（フェノール当量１０５）４．０％、４，４−ジチオジモルホリン０．０３％、化６および化７に示した環状フェノキシホスファゼン化合物のＳＰＥ−１００（大塚化学社製、商品名）０．２％、溶融シリカ粉末のＦＢ−８２０（電気化学工業社製、商品名）８５．０％、着色剤カーボンブラックのＣＢ＃３０（三菱化学社製、商品名）０．５％、硬化触媒としてＰＰ−２００（北興化学社製、商品名）０．２％、カルナバ１号（北興ファインケミカル社製、商品名）およびカップリング剤のＡ−１８７（日本ユニカ社製、商品名）０．８％を配合し常温で混合し、さらに９０〜９５℃で混練してこれを冷却粉砕して成形材料を製造した。
【００２０】
この成形材料を１７５℃に加熱した金型内にトランスファー注入し、硬化させて成形品（封止品）を成形した。この成形品について耐湿性および耐リフロー性の試験を行った。その結果を表１に示す。
【００２１】
実施例２
クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（エポキシ当量１９８）８．７％に、ノボラック型フェノール樹脂（フェノール当量１０５）３．８％、４，４−ジチオジモルホリン０．０３％、ホスファゼン化合物のＳＰＥ−１００（大塚化学社製、商品名）１．０％、溶融シリカ粉末のＦＢ−８２０（電気化学工業社製、商品名）８５．０％、着色剤カーボンブラックのＣＢ＃３０（三菱化学社製、商品名）０．５％、硬化触媒としてＰＰ−２００（北興化学社製、商品名）０．２％、カルナバ１号（北興ファインケミカル社製、商品名）およびカップリング剤のＡ−１８７（日本ユニカ社製、商品名）０．８％を配合し常温で混合し、さらに９０〜９５℃で混練してこれを冷却粉砕して成形材料を製造した。
【００２２】
この成形材料について、実施例１におけると同様に、成形品を得るとともに各種試験をした。その結果を表１に示す。
【００２３】
実施例３
クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（エポキシ当量１９８）７．３％に、ノボラック型フェノール樹脂（フェノール当量１０５）３．２％、４，４−ジチオジモルホリン０．０３％、ホスファゼン化合物のＳＰＥ−１００（大塚化学社製、商品名）３．０％、溶融シリカ粉末のＦＢ−８２０（電気化学工業社製、商品名）８５．０％、着色剤カーボンブラックのＣＢ＃３０（三菱化学社製、商品名）０．５％、硬化触媒としてＰＰ−２００（北興化学社製、商品名）０．２％、カルナバ１号（北興ファインケミカル社製、商品名）およびカップリング剤のＡ−１８７（日本ユニカ社製、商品名）０．８％を配合し常温で混合し、さらに９０〜９５℃で混練してこれを冷却粉砕して成形材料を製造した。
【００２４】
この成形材料について、実施例１におけると同様に、成形品を得るとともに各種試験をした。その結果を表１に示す。
【００２５】
実施例４
クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（エポキシ当量１９８）８．７％に、ノボラック型フェノール樹脂（フェノール当量１０５）３．８％、４，４−ジチオジモルホリン０．０３％、化６および化７に示した部分ヒドロキシル化環状ホスファゼン化合物のＳＰＨ−１００（大塚化学社製、商品名）１．０％、溶融シリカ粉末のＦＢ−８２０（電気化学工業社製、商品名）８５．０％、着色剤カーボンブラックのＣＢ＃３０（三菱化学社製、商品名）０．５％、硬化触媒としてＰＰ−２００（北興化学社製、商品名）０．２％、カルナバ１号（北興ファインケミカル社製、商品名）およびカップリング剤のＡ−１８７（日本ユニカ社製、商品名）０．８％を配合し常温で混合し、さらに９０〜９５℃で混練してこれを冷却粉砕して成形材料を製造した。
【００２６】
この成形材料について、実施例１におけると同様に、成形品を得るとともに各種試験をした。その結果を表１に示す。
【００２７】
実施例５
ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂（エポキシ当量２７０）９．５％に、ノボラック型フェノール樹脂（フェノール当量１０５）３．８％、４，４−ジチオジモルホリン０．０３％、ホスファゼン化合物のＳＰＥ−１００（大塚化学社製、商品名）１．０％、溶融シリカ粉末のＦＢ−８２０（電気化学工業社製、商品名）８５．０％、着色剤カーボンブラックのＣＢ＃３０（三菱化学社製、商品名）０．５％、硬化触媒としてＰＰ−２００（北興化学社製、商品名）０．２％、カルナバ１号（北興ファインケミカル社製、商品名）およびカップリング剤のＡ−１８７（日本ユニカ社製、商品名）０．８％を配合し常温で混合し、さらに９０〜９５℃で混練してこれを冷却粉砕して成形材料を製造した。
【００２８】
この成形材料について、実施例１におけると同様に、成形品を得るとともに各種試験をした。その結果を表１に示す。
【００２９】
実施例６
ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂（エポキシ当量２７０）８．９％に、ノボラック型フェノール樹脂（フェノール当量１０５）３．６％、４，４−ジチオジモルホリン０．０３％、ホスファゼン化合物のＳＰＥ−１００（大塚化学社製、商品名）１．０％、溶融シリカ粉末のＦＢ−８２０（電気化学工業社製、商品名）８５．０％、着色剤カーボンブラックのＣＢ＃３０（三菱化学社製、商品名）０．５％、硬化触媒としてＰＰ−２００（北興化学社製、商品名）０．２％、カルナバ１号（北興ファインケミカル社製、商品名）およびカップリング剤のＡ−１８７（日本ユニカ社製、商品名）０．８％を配合し常温で混合し、さらに９０〜９５℃で混練してこれを冷却粉砕して成形材料を製造した。
【００３０】
この成形材料について、実施例１におけると同様に、成形品を得るとともに各種試験をした。その結果を表１に示す。
【００３１】
実施例７
ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂（エポキシ当量２７０）７．５％に、ノボラック型フェノール樹脂（フェノール当量１０５）３．０％、４，４−ジチオジモルホリン０．０３％、ホスファゼン化合物のＳＰＥ−１００（大塚化学社製、商品名）３．０％、溶融シリカ粉末のＦＢ−８２０（電気化学工業社製、商品名）８５．０％、着色剤カーボンブラックのＣＢ＃３０（三菱化学社製、商品名）０．５％、硬化触媒としてＰＰ−２００（北興化学社製、商品名）０．２％、カルナバ１号（北興ファインケミカル社製、商品名）およびカップリング剤のＡ−１８７（日本ユニカ社製、商品名）０．８％を配合し常温で混合し、さらに９０〜９５℃で混練してこれを冷却粉砕して成形材料を製造した。
【００３２】
この成形材料について、実施例１におけると同様に、成形品を得るとともに各種試験をした。その結果を表１に示す。
【００３３】
実施例８
ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂（エポキシ当量２７０）８．９％に、ノボラック型フェノール樹脂（フェノール当量１０５）３．６％、４，４−ジチオジモルホリン０．０３％、部分ヒドロキシル化環状ホスファゼン化合物のＳＰＨ−１００（大塚化学社製、商品名）１．０％、溶融シリカ粉末のＦＢ−８２０（電気化学工業社製、商品名）８５．０％、着色剤カーボンブラックのＣＢ＃３０（三菱化学社製、商品名）０．５％、硬化触媒としてＰＰ−２００（北興化学社製、商品名）０．２％、カルナバ１号（北興ファインケミカル社製、商品名）およびカップリング剤のＡ−１８７（日本ユニカ社製、商品名）０．８％を配合し常温で混合し、さらに９０〜９５℃で混練してこれを冷却粉砕して成形材料を製造した。
【００３４】
この成形材料について、実施例１におけると同様に、成形品を得るとともに各種試験をした。その結果を表１に示す。
【００３５】
比較例１
クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（エポキシ当量１９８）９．４％に、ノボラック型フェノール樹脂（フェノール当量１０５）４．０５％、４，４−ジチオジモルホリン０．０３％、ホスファゼン化合物のＳＰＥ−１００（大塚化学社製、商品名）０．０５％、溶融シリカ粉末のＦＢ−８２０（電気化学工業社製、商品名）８５．０％、着色剤カーボンブラックのＣＢ＃３０（三菱化学社製、商品名）０．５％、硬化触媒としてＰＰ−２００（北興化学社製、商品名）０．２％、カルナバ１号（北興ファインケミカル社製、商品名）およびカップリング剤のＡ−１８７（日本ユニカ社製、商品名）０．８％を配合し常温で混合し、さらに９０〜９５℃で混練してこれを冷却粉砕して成形材料を製造した。
【００３６】
この成形材料について、実施例１におけると同様に、成形品を得るとともに各種試験をした。その結果を表２に示す。
【００３７】
比較例２
クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（エポキシ当量１９８）５．９％に、ノボラック型フェノール樹脂（フェノール当量１０５）２．６％、４，４−ジチオジモルホリン０．０３％、ホスファゼン化合物のＳＰＥ−１００（大塚化学社製、商品名）５．０％、溶融シリカ粉末のＦＢ−８２０（電気化学工業社製、商品名）８５．０％、着色剤カーボンブラックのＣＢ＃３０（三菱化学社製、商品名）０．５％、硬化触媒としてＰＰ−２００（北興化学社製、商品名）０．２％、カルナバ１号（北興ファインケミカル社製、商品名）およびカップリング剤のＡ−１８７（日本ユニカ社製、商品名）０．８％を配合し常温で混合し、さらに９０〜９５℃で混練してこれを冷却粉砕して成形材料を製造した。
【００３８】
この成形材料について、実施例１におけると同様に、成形品を得るとともに各種試験をした。その結果を表２に示す。
【００３９】
比較例３
ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂（エポキシ当量２７０）９．６％に、ノボラック型フェノール樹脂（フェノール当量１０５）３．８５％、４，４−ジチオジモルホリン０．０３％、ホスファゼン化合物のＳＰＥ−１００（大塚化学社製、商品名）０．０５％、溶融シリカ粉末のＦＢ−８２０（電気化学工業社製、商品名）８５．０％、着色剤カーボンブラックのＣＢ＃３０（三菱化学社製、商品名）０．５％、硬化触媒としてＰＰ−２００（北興化学社製、商品名）０．２％、カルナバ１号（北興ファインケミカル社製、商品名）およびカップリング剤のＡ−１８７（日本ユニカ社製、商品名）０．８％を配合し常温で混合し、さらに９０〜９５℃で混練してこれを冷却粉砕して成形材料を製造した。
【００４０】
この成形材料について、実施例１におけると同様に、成形品を得るとともに各種試験をした。その結果を表２に示す。
【００４１】
比較例４
ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂（エポキシ当量２７０）６．０％に、ノボラック型フェノール樹脂（フェノール当量１０５）２．５％、４，４−ジチオジモルホリン０．０３％、ホスファゼン化合物のＳＰＥ−１００（大塚化学社製、商品名）５．０％、溶融シリカ粉末のＦＢ−８２０（電気化学工業社製、商品名）８５．０％、着色剤カーボンブラックのＣＢ＃３０（三菱化学社製、商品名）０．５％、硬化触媒としてＰＰ−２００（北興化学社製、商品名）０．２％、カルナバ１号（北興ファインケミカル社製、商品名）およびカップリング剤のＡ−１８７（日本ユニカ社製、商品名）０．８％を配合し常温で混合し、さらに９０〜９５℃で混練してこれを冷却粉砕して成形材料を製造した。
【００４２】
この成形材料について、実施例１におけると同様に、成形品を得るとともに各種試験をした。その結果を表２に示す。
【００４３】
比較例５
クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（エポキシ当量１９８）８．７％に、ノボラック型フェノール樹脂（フェノール当量１０５）３．８％、ホスファゼン化合物のＳＰＥ−１００（大塚化学社製、商品名）１．０％、溶融シリカ粉末のＦＢ−８２０（電気化学工業社製、商品名）８５．０％、着色剤カーボンブラックのＣＢ＃３０（三菱化学社製、商品名）０．５％、硬化触媒としてＰＰ−２００（北興化学社製、商品名）０．２％、カルナバ１号（北興ファインケミカル社製、商品名）およびカップリング剤のＡ−１８７（日本ユニカ社製、商品名）０．８％を配合し常温で混合し、さらに９０〜９５℃で混練してこれを冷却粉砕して成形材料を製造した。
【００４４】
この成形材料について、実施例１におけると同様に、成形品を得るとともに各種試験をした。その結果を表２に示す。
【００４５】
比較例６
ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂（エポキシ当量２７０）８．９％に、ノボラック型フェノール樹脂（フェノール当量１０５）３．６％、ホスファゼン化合物のＳＰＥ−１００（大塚化学社製、商品名）１．０％、溶融シリカ粉末のＦＢ−８２０（電気化学工業社製、商品名）８５．０％、着色剤カーボンブラックのＣＢ＃３０（三菱化学社製、商品名）０．５％、硬化触媒としてＰＰ−２００（北興化学社製、商品名）０．２％、カルナバ１号（北興ファインケミカル社製、商品名）およびカップリング剤のＡ−１８７（日本ユニカ社製、商品名）０．８％を配合し常温で混合し、さらに９０〜９５℃で混練してこれを冷却粉砕して成形材料を製造した。
【００４６】
この成形材料について、実施例１におけると同様に、成形品を得るとともに各種試験をした。その結果を表２に示す。
【００４７】
【表１】
2004244556.tif 000006
＊１：成形材料を用いてＰＩコートしたシリコン製チップ（テスト素子）（９×９ｍｍ）を銅フレームに接着し、１７５℃で２分間トランスファー成形して、ＱＦＰ−２０８Ｐ（ｄｉｅ  ｐａｄ  ｓｉｚｅ  １０×１０ｍｍ）、２．８ｍｍｔ  の成形品を作製し、１７５℃において４時間、後硬化させた。こうして得た成形品を予め、３０℃、７０％ＲＨ、１６８時間の吸湿処理した後、Ｍａｘ２６０℃のＩＲリフロー炉を４回通した。その後、ＳＡＴ（超音波探査評価装置）を用いて、内部のシリコンチップ−樹脂（Ｄｉｅ／Ｒｅｓｉｎ）、ベットフレーム−樹脂（Ｂｏｔｔｏｍ  ｄｉｅｐａｄ／Ｒｅｓｉｎ）、リードフレーム−樹脂（Ｌｅａｄ  ｄｅｌａｍｉｎａｔｉｏｎ）界面等の剥離面積を比較評価した。
【００４８】
【表２】
2004244556.tif 000007
＊１：成形材料を用いてＰＩコートしたシリコン製チップ（テスト素子）（９×９ｍｍ）を銅フレームに接着し、１７５℃で２分間トランスファー成形して、ＱＦＰ−２０８Ｐ（ｄｉｅ  ｐａｄ  ｓｉｚｅ  １０×１０ｍｍ）、２．８ｍｍｔ  の成形品を作製し、１７５℃において４時間、後硬化させた。こうして得た成形品を予め、３０℃、７０％ＲＨ、１６８時間の吸湿処理した後、Ｍａｘ２６０℃のＩＲリフロー炉を４回通した。その後、ＳＡＴ（超音波探査評価装置）を用いて、内部のシリコンチップ−樹脂（Ｄｉｅ／Ｒｅｓｉｎ）、ベットフレーム−樹脂（Ｂｏｔｔｏｍ  ｄｉｅｐａｄ／Ｒｅｓｉｎ）、リードフレーム−樹脂（Ｌｅａｄ  ｄｅｌａｍｉｎａｔｉｏｎ）界面等の剥離面積を比較評価した。
【００４９】
【発明の効果】
以上の説明および表１、表２から明らかなように、本発明の封止用樹脂組成物および半導体封止装置によれば、樹脂成分としてホスファゼン化合物と４，４−ジチオジモルホリンを用いたことにより、目的とする特性が得られるものである。すなわち、フレームとの接着力を向上させ、表面実装後のインサートと封止樹脂との接着性の劣化を防止し、長期にわたる信頼性を保証するものである。