(57)【要約】【課題】マスクの描画に使用されている電子ビーム描画装置では、描画時間が数十から数百時間も掛かり、短時間で作成できなかったことに鑑み、マスクを短時間で高精度に製作できるマスク作成方法、及びマスク作成装置を提供することである。【解決手段】マスクパターンデータ出力装置１０７のマスクデータに基づいて制御されている二次元配列微小ミラー１０６で反射するパターン状のレーザ光は、拡大パターン１１０を形成し、これを縮小投影光学系１０２によってマスク基板１０９上に縮小投影して、描画パターン１１１が形成される。二次元配列微小ミラー１０６によって大量のパターンが一瞬で描画されるため、マスクパターン全てを描画する時間が従来と比較して桁違いに短縮される。その結果、マスクコストを大幅に低下できる。【選択図】    図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
二次元配列状の光制御素子を用いたマスクパターン投影装置と縮小投影光学装置とを含み、前記光制御素子をマスクパターンデータによって制御することによって前記マスクパターン投影装置から第１のマスクパターンを出力させ、この第１のマスクパターンを前記縮小投影光学装置に入力して縮小された第２のマスクパターンを形成することを特徴とする、半導体装置製造用マスク作成方法。
【請求項２】
二次元配列状の光制御素子を用いたマスクパターン投影装置と第１の縮小投影光学装置と第２の縮小投影光学装置とを含み、前記光制御素子をマスクパターンデータによって制御することによって前記マスクパターン投影装置から第１のマスクパターンを出力させ、この第１のマスクパターンを前記第１の縮小投影光学装置に入力して縮小された第２のマスクパターンを形成し、この第２のマスクパターンを前記第２の縮小投影光学装置に入力してさらに縮小された第３のマスクパターンを形成することを特徴とする、半導体装置製造用マスク作成方法。
【請求項３】
前記光制御素子として、２次元配列状の微小ミラーを用いることを特徴とする前記請求項１または２の半導体装置製造用マスク作成方法。
【請求項４】
前記光制御素子として、自発光素子を用いることを特徴とする前記請求項１または２の半導体装置製造用マスク作成方法。
【請求項５】
前記光制御素子として、液晶表示素子ないしは反射鏡表示素子を用いることを特徴とする前記請求項１または２の半導体装置製造用マスク作成方法。
【請求項６】
前記第１のマスクパターンが空間パターンであることを特徴とする前記請求項１または２の半導体装置製造用マスク作成方法。
【請求項７】
前記第２のマスクパターンによって等倍マスクを得ることを特徴とする前記請求項１、３、４あるいは５の半導体装置製造用マスク作成方法。
【請求項８】
前記第３のマスクパターンによって等倍マスクを得ることを特徴とする前記請求項２、３、４あるいは５の半導体装置製造用マスク作成方法。
【請求項９】
二次元配列状の光制御素子を用いたマスクパターン投影装置と縮小投影光学装置とを含み、前記光制御素子をマスクパターンデータによって制御することによって前記マスクパターン投影装置から第１のマスクパターンを出力させ、この第１のマスクパターンを前記縮小投影光学装置に入力して縮小された第２のマスクパターンを形成することを特徴とする、半導体装置製造用マスク作成装置。
【請求項１０】
二次元配列状の光制御素子を用いたマスクパターン投影装置と第１の縮小投影光学装置と第２の縮小投影光学装置とを含み、前記光制御素子をマスクパターンデータによって制御することによって前記マスクパターン投影装置から第１のマスクパターンを出力させ、この第１のマスクパターンを前記第１の縮小投影光学装置に入力して縮小された第２のマスクパターンを形成し、この第２のマスクパターンを前記第２の縮小投影光学装置に入力してさらに縮小された第３のマスクパターンを形成することを特徴とする、半導体装置製造用マスク作成装置。
【請求項１１】
前記光制御素子として、２次元配列状の微小ミラーを用いることを特徴とする前記請求項９または１０の半導体装置製造用マスク作成装置。
【請求項１２】
前記光制御素子として、自発光素子を用いることを特徴とする前記請求項９または１０の半導体装置製造用マスク作成装置。
【請求項１３】
前記光制御素子として、液晶表示素子を用いることを特徴とする前記請求項９または１０の半導体装置製造用マスク作成装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体集積回路の製造時の露光工程で用いられるマスクの作成方法、及びマスクの作成装置に関する。また、本発明に係るマスクの対象としては、紫外線やＸ線を露光光源とした光リソグラフィ用のフォトマスクでも良いし、電子ビーム用の等倍マスクでもよい。
【０００２】
【従来の技術】
一般に、半導体集積回路の製造時に用いられるマスク（レチクルと呼ばれることもある。）を作成するには、マスクの基板となる石英板などの表面に、目的とする回路パターンに相当するパターン状に露光光を遮光するクロム膜などを付ける必要がある。このクロム膜などは、パターン露光によって形成され、そのパターン状に描画して露光する一般的な手法は、電子ビームを用いた電子ビーム描画である。これは電子ビーム直接描画と呼ばれるように、細く絞った電子ビームをパターンに沿って描画するものであり、装置としては通常ＥＢ描画装置と呼ばれている。
【０００３】
また、一般の紫外光による露光装置では、製造する半導体チップの回路パターンの大きさの４倍から５倍の大きさのマスクが用いられているのに対して、半導体チップの回路パターンと同じ大きさのマスク（以下、等倍マスクと呼ぶ。）を用いる露光方法もある。これは等倍露光と呼ばれ、例えば、ＬＥＥＰＬ（Ｌｏｗ  Ｅｎｅｒｇｙ  Ｅ−Ｂｅａｍ  Ｐｒｏｘｉｍｉｔｙ  Ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙの頭文字である）や等倍Ｘ線露光などがある。更に、この露光技術では、ウエハの直上に等倍マスクを配置し、マスクの上から、ＬＥＥＰＬでは電子ビームを、等倍Ｘ線露光ではＸ線を照射することで露光する。
【０００４】
一方、マスク製造装置として、電子ビームではなく、紫外域のレーザ光（以下、紫外レーザ光と略す。）を用いてパターン描画（即ち、レジストが塗布されたマスク基板に対して、パターン状に露光）する手法に基づくものも（レーザビーム描画装置と呼ばれることがある。）製品化されている。この装置には構成的に２通りあり、１つには、１本あるいは複数本に分割された紫外レーザ光をマスク基板にパターン描画するものである。また、もう１つの構成としては、微小なミラーを二次元配列状に多数並べた反射鏡表示素子（デジタルマイクロミラーなどと呼ばれるデバイス）を用いて、これに紫外レーザ光を照射し、反射光をパターン的に制御して、マスク基板上にパターン描画するものである。このレーザビーム描画装置では、回路パターンの中の一部のパターンを一括して露光できることから、処理速度が速い特徴があることが知られている。なお、これに関しては、例えば、Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ  Ｊｏｕｒｎａｌ  ２００１年７月号、第１４０〜１４２頁において示されている。
【０００５】
【非特許文献１】
Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ  Ｊｏｕｒｎａｌ  ２００１年７月号、第１４０〜１４２頁
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
マスク製造における課題として近年広く指摘されていることは、マスク価格の高騰である。その理由としては、年々高集積化、及び微細化していく半導体に対応させるため、マスクパターンの情報量が膨大になっていくことから、一般的なＥＢ描画装置による描画時間は、マスク１枚当たり数十時間から数百時間にも達するためである。ＥＢ描画装置は１台数億円から数十億円以上もする極めて高価な装置であるため、何台も揃えることは困難であり、１枚のマスクの製造に長時間占有されることから、償却費等を考慮した結果、マスクの価格は、設計ルールが０．１０μｍ以下の世代になると、０．１８μｍの世代までの一般的なマスク価格の１０倍程度にも相当することが知られている。
【０００７】
ところで、前記二次元配列微小ミラーを用いたレーザビーム描画装置において、一括して露光できる部分パターンを露光してから、隣の部分パターンを露光する際に、マスク基板を移動させる必要があるが、その移動精度を高めることが困難であり、微細化に対応できないことが問題であった。すなわち、製作するチップの最小線幅が０．１８μｍの場合、マスク倍率が４倍であれば、マスク基板の移動精度（すなわちマスク基板を載せたステージ移動精度）はマスクにおける最小線幅０．７２μｍの少なくとも１／１０の約０．０７μｍ以下の精度で瞬時に移動できなければならず、それが困難であった。０．０７μｍ程度の高い精度で正確に移動しようとすると、ステージ位置の測距離に時間が掛かるからである。
【０００８】
一方、等倍マスクを用いる露光技術では、マスクの面積が小さいことから、比較的短時間でマスクを製造できるため、マスクのコストを低く抑えることが可能であると考えられている。ところが、パターンの線幅が実際のチップと同程度の約０．０７μｍ以下の狭い値が要求されるため、ＥＢ描画装置によってマスクを製作する場合、高い製作精度を得ることが困難であった。
【０００９】
また、前記レーザビーム描画装置を用いて、等倍マスクを描画しようとすると、マスク基板の移動精度は、上記最小線幅の１／１０以下の０．００７μｍとなり、この精度で瞬時にステージ移動させることはほとんど不可能である。したがって、等倍マスクに対しては、高速で描画できるマスク描画装置がないことが問題であった。
【００１０】
本発明の目的は、以上に述べた従来の問題点を解決するために、マスクを短時間で高精度に製作できるマスク作成方法、及びマスク作成装置を提供することである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
前記目的を達成するために、本発明では、二次元配列状の光制御素子を用いたマスクパターン投影装置と縮小投影光学装置とを含み、前記光制御素子をマスクパターンデータによって制御することによって前記マスクパターン投影装置から第１のマスクパターンを出力させ、この第１のマスクパターンを前記縮小投影光学装置に入力して縮小された第２のマスクパターンを形成することを特徴とする、半導体装置製造用マスク作成方法を提供する。
【００１２】
また、本発明では二次元配列状の光制御素子を用いたマスクパターン投影装置と第２の縮小投影光学装置と第２の縮小投影光学装置とを含み、前記光制御素子をマスクパターンデータによって制御することによって前記マスクパターン投影装置から第１のマスクパターンを出力させ、この第１のマスクパターンを前記第２の縮小投影光学装置に入力して縮小された第２のマスクパターンを形成し、この第２のマスクパターンを前記第２の縮小投影光学装置に入力してさらに縮小された第３のマスクパターンを形成することを特徴とする、半導体装置製造用マスク作成方法を提供する。
【００１３】
この方法によると、二次元配列状の光制御素子によって形成される第１のパターンを用いて直接マスクを描画せずに、さらに縮小された第２のパターン、あるいはさらに第３のパターンを用いて、マスクを形成することから、第１のパターンの大きさを大きくすることが可能である。その結果、第１のパターンを形成していく際の移動精度を１桁前後も大きく（すなわち低い精度に）することができる。したがって、瞬時に移動でき、全体を描画する時間を短縮できる。
【００１４】
なお、二次元配列状の光制御素子としては、液晶表示素子や、デジタルマイクロミラーあるいはデジタルミラーデバイスなどの二次元配列微小ミラーを使用した反射鏡表示素子を用いてもよいし、あるいは自発光素子であるプラズマ素子や蛍光素子、燐光素子、有機ＥＬ素子、無機ＥＬ素子などを用いてもよい。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態を図面を用いて説明する。
【００１６】
図１は本発明の第１の実施携帯に係るマスク作成装置１００の構成図である。マスク作成装置１００は、任意なパターンを形成できる二次元配列微小ミラー１０６が備えられた拡大パターン生成部１０１、縮小投影光学系１０２、マスク基板１０９を載せたステージ１０３、及びマスク基板１０９に塗布するレジストが感光する紫外波長域のレーザ光Ｌ１を発生する紫外レーザ発振器１０４とによって構成される。
【００１７】
紫外レーザ発振器１０４から取り出されたレーザ光Ｌ１は、ミラー１０５ａ、１０５ｂで反射して、拡大パターン生成部１０１におけるミラー１０５ｃに当たり、二次元配列微小ミラー１０６を照射する。
【００１８】
二次元配列微小ミラー１０６は、マスクパターンデータ出力装置１０７からのデータによって、各微小ミラーを個別に制御され、目的とするマスクの描画パターンの一部分のパターン状に微小ミラーを制御している。描画パターンの一部分のパターンを形成するミラーに入射するレーザ光は、ここで反射すると図で下方のレーザ光Ｌ２のように進み、レンズ１０８ａとレンズ１０８ｂを通過して、図で拡大パターン１１０で示された部分の一部に、二次元配列微小ミラー１０６の像が投影される。すなわち、レンズ１０８ａとレンズ１０８ｂとは投影光学系を形成している。
【００１９】
二次元配列微小ミラー１０６で形成されるパターンは、目的とするマスク描画パターンの一部であるため、その描画パターンが拡大された拡大パターン１１０全体を形成するために、拡大パターン生成部１０１全体が、図１でＸ方向及びＹ方向に微動可能な構造になっている。
【００２０】
拡大パターン１１０は、縮小投影光学系１０２によって、ステージ１０３上のマスク基板１０９上の描画領域に投影される。これにより、拡大パターン１１０を縮小した描画パターン１１１がマスク基板１０９上に描画されることになる。なお、拡大パターン１１０としては、その位置で実際のマスクを製作してもよいし、紫外光のパターン状集合体である空間パターンでもよい。拡大パターン生成部１０１の構成については、前記の文献、米国特許５，８７０，１７６号、同６，３１２，１３４号、同６，４２５，６６９号等に記載されたものを用いても良い。
【００２１】
本実施形態で示したように、本発明のマスク作成装置１００は、本発明を構成する二次元配列状の光制御素子として二次元配列微小ミラー１０６を用いており、これによって目的とするマスク描画パターンの一部のパターンを生成し、パターンを随時変化させながら、拡大パターン生成部１０１自体が移動していき、それによって、描画パターンと同じパターンが作られ、拡大パターン１１０となる。ただし、拡大パターン１１０のみでは、実際のマスクよりも大きいため、縮小投影光学系１０２によって、実際のマスクの大きさの描画パターンを生成したものである。
【００２２】
以上より、本発明では、縮小投影光学系１０２を有することで、マスク描画パターンと同じパターンで拡大されたものを先ずは発生させればよいことから、実際のマスクパターンの線幅よりも十分大きな寸法の微小ミラーを用いることができ、市販のデジタルミラーデバイス等を利用することができる。
【００２３】
本実施形態に実際の寸法を当てはめて説明する。例えば、最小線幅０．１８μｍの半導体集積回路用の４倍マスクを作成する場合を想定してみる。この場合、描画パターン１１１の最小線幅は０．７２μｍとなるが、縮小投影光学系１０２の縮小倍率が５倍ならば、拡大パターン１１０における最小線幅は３．６μｍとなる。そのため、拡大パターン生成部１０１を順次移動する際の精度は、この値の約１／１０の０．３６μｍ程度でよい。これは、従来の装置における移動精度０．０７μｍの５倍も大きいため、測距離が楽になり、高速で移動できる。
【００２４】
しかも、拡大パターン生成部１０１におけるレンズ１０８ａとレンズ１０８ｂとによる投影光学系の縮小倍率を上げることで、拡大パターン１１０自体を、実際の半導体集積回路のパターンの４〜５倍まで小さくすることができる。その結果、さらに縮小投影光学系１０２によって１／４〜１／５に縮小することで、描画パターンを実際の半導体集積回路と同じサイズのパターンにすることが可能である。これによって、本発明によって等倍マスクを高精度で製作することも可能になった。
【００２５】
ところで、本実施例における紫外レーザ発振器１０４として、エキシマレーザ（例えば、ＫｒＦエキシマレーザやＡｒＦエキシマレーザ）を用いると、本発明を構成する縮小投影光学系１０２に、エキシマ露光機用（すなわちＫｒＦ露光機やＡｒＦ露光機）の縮小投影光学系をそのまま利用することができる。しかし、エキシマレーザからのレーザ光は、パルスレーザであるため、エネルギーが高く、本発明を構成する二次元配列微小ミラー１０６にダメージが生じる場合がある。
【００２６】
そこで、本発明の他の実施形態として、紫外レーザ発振器１０４に、アルゴンイオンレーザを使用する。アルゴンイオンレーザは、多数の波長で同時にレーザ発振するが、その中で、特に波長３６３．８ｎｍのみを選択して利用すると、水銀ランプのｉ線の波長３６５ｎｍに極めて近いことから、ｉ線用のレジストを利用することができる。さらに、本発明を構成する縮小投影光学系１０２に、ｉ線露光機用の縮小投影光学系をそのまま利用することもできる。しかもアルゴンイオンレーザは連続発振することから、本発明を構成する二次元配列微小ミラー１０６にダメージが生じることもない。
【００２７】
図２は、本発明の第２の実施形態に係るマスク作成装置２００の構成図である。本実施形態では、図１に示したマスク作成装置１００と比べて、以下に説明する２点が異なっているが、それ以外の基本構成は同じであり、紫外域のレーザ光を発生させるための紫外レーザ発振器およびパターンデータ出力装置も用いられているが、図２では省略している。異なる点は、拡大パターン生成部２０２における紫外のレーザ光の制御方式と、縮小投影光学系の構成である。
【００２８】
レーザ光Ｌ３は、拡大パターン生成部２０２におけるビームスプリッタ２２１に入射して、上方向に反射し、波長板２２２を通過して、二次元配列微小ミラー２０６に入射する。二次元配列微小ミラー２０６において、目的とするマスク描画パターンの一部分を形成するパターンに相当する微小ミラーで反射していくレーザ光は、レンズ２２３ａを通過後、アパーチャー２２４（微小穴の空いた板）を通過する。一方、二次元配列微小ミラー２０６において、マスク描画パターンを形成しないパターンに相当する微小ミラーで反射していくレーザ光は、反射角度が僅かに偏向するため、アパーチャー２２４で止められる。なお、波長板２２２の機能としては、ビームスプリッタ２２１で反射して来る直線偏光のレーザ光を円偏光に変換するためであり、二次元配列微小ミラー２０６で反射後、再度、波長板２２２を通過すると、元の偏光方向と直交する偏光方向になるため、ビームスプリッタ２２１で９９％以上が透過（すなわち直進）するからである。
【００２９】
また、本実施形態では、本発明の縮小投影光学系は、第１縮小投影光学系２０２ａと第２縮小投影光学系２０２ｂとの２段構成になっている。したがって、第１縮小投影光学系２０２ａの手前で形成する第１拡大パターン２１０ａとしては、一辺約１２８ｃｍ程度の巨大なマスクになっている。したがって第１縮小投影光学系２１０ａによって、一辺約３２ｃｍの第２拡大パターンが形成される。これを第２縮小投影光学系２０２ｂによって、一辺約８ｃｍの通常の４〜５倍の描画パターン２１１が、ステージ２１３上のマスク基板２０９上に形成される。
【００３０】
本実施形態の特徴としては、縮小投影光学系を２段用いているため、第１拡大パターン２１０ａにおける線幅を実際の半導体集積回路の寸法（すなわちウエハサイズ）の６４〜８０倍も太くできるため、これを特に高い精度で形成しなくても、最終的に２回縮小して形成する描画パターン２１１の寸法精度が著しく向上する。また、拡大パターン生成部２０１の位置決めに高い精度は不用となり、これを高速で移動できるため、描画速度がさらに向上する。
【００３１】
つまり、本実施形態では、図１に示したように、縮小投影光学系を１台用いた第１の実施形態に比べて、拡大パターン生成部２０１の移動誤差の許容範囲をさらに４〜５倍大きくすることができ、さらに高速で移動でき、より短期間でマスクを作成できる。
【００３２】
図３は本発明の第３実施形態に係るマスク作成装置３００の構成図である。マスク作成装置３００では、本発明を構成する二次元配列状の光制御素子として、二次元配列自発光デバイス３０６が用いられている。二次元配列自発光デバイス３０６では、目的とするマスク描画パターンの一部分のパターンに相当する素子のみを発光させ、その発光パターンを第１縮小投影光学系３０２ａによって縮小して、第２拡大パターン３１０ｂを第２縮小投影光学系３０２ｂによって、ステージ３０３上のマスク基板３０９上に描画パターン３１１を形成する。二次元配列自発光デバイス３０６は、図でＸ、Ｙ方向にスキャンできるようになっており、それによって描画パターン全てを形成した第１拡大パターン３１０ａが構成されるようになっている。
【００３３】
本実施例において用いられる二次元配列自発光デバイス３０６としては、大型平板ディスプレイ等で用いられるＰＤＰ（プラズマディスプレイパネル）、ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）、あるいはＬＥＤ等で用いられるような自発光素子が適している。ただし、これらのディスプレイでは通常、赤、緑、青の光の３原色が用いられるが、本実施例では、露光光源として用いるため、単色発光のみの素子でよい。ただし、出来るだけ短波長で発光する材料を用いるのが好ましく、水銀ランプの３６５ｎｍ（ｉ線の波長）近傍で強く発光する材料を用いるのがよい。その理由としては、マスク基板に塗布するレジストとして、ｉ線用レジストがそのまま利用できるからである。なお、自発光素子だけでなく、バックライトによって発光を制御する液晶やデジタルマイクロミラーやデジタルデバイスなどの反射鏡表示素子を用いてもよい。
【００３４】
また、第１拡大パターンの寸法としては、第２実施形態と同様に、１辺約１２８ｃｍ、第２拡大パターンの寸法としては一辺約３２ｃｍとなっており、その結果、描画パターン３１１として、通常の４〜５倍マスクに相当するパターンが形成できる。
【００３５】
なお、本実施形態において、さらに同様に第３の縮小投影光学系を用いることで、等倍マスクの製作にも適用できる。
【００３６】
ところで、本１〜３の実施形態の光制御素子としては、図４（ａ）に示したように、光制御素子４１１が単純な縦横に並んだ二次元配列光制御素子４１０を用いてもよいが、（ｂ）に示したように隣合う光制御素子４２１が僅かづつずれて配列された二次元配列光制御素子４２０、または、（ｃ）に示したように、光制御素子４３１を斜めに配置された二次元配列光制御素子４３０を用いてもよい。（ｂ）や（ｃ）の配列の構造を用いることで、光制御素子をスキャンしていく際に、各素子に対応するマスク基板における各露光部間の隙間が無くなるため、描画パターンにおいて線が途切れたり、斜め線に段差が付くことがなくなり、解像度を向上させることができる。
【００３７】
また、図３に示した本発明の第３の実施形態に係るマスク作成装置３００における二次元配列自発光デバイスの代わりに、図５に示した二次元配列自発光デバイス５００を用いてもよい。二次元配列自発光デバイス５００は、通常の二次元配列自発光デバイス５０２が多数並べられて１つのデバイスを形成したものである。これを用いて、図３に示された第１拡大パターンを形成するには、二次元配列自発光デバイス５００を１つの二次元配列自発光デバイス５０２における発光デバイスの並んだ長さだけ移動してスキャンすることで、多数の発光デバイスに相当するパターンを一度に形成することができる。すなわち、図中では、Ｘ方向のスキャン時はΔＸ、及びＹ方向のスキャン時にはΔＹ移動すればよい。
【００３８】
【発明の効果】
以上のように、本発明に係る装置及び方法によれば、マスクを描画する際に、目的とするマスクパターン全体における一部分に相当する多量のパターンを一瞬に描画でき、しかもそれぞれの部分パターンを高速で移動することが可能になったことから、全体のマスクパターンを描画する時間も数分で行えるようになり、マスク描画時間が桁違いに短くなった。その結果、通常の半導体の製造に必要な２０〜３０枚のマスク全てを製作するのにも１日以内で可能となり、従来より１／１０以下期間に短縮できるようになった。また、それにより、マスク製作コストも大幅に低減することが可能となった。
【００３９】
さらにまた、本装置によると、マスクが短期間でかつ低コストで製作することができるため、高価なマスクが短期間で劣化すると懸念されているＥＵＶＬ（Ｅｘｔｒｅｍｅｌｙ  Ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ  Ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ）用のマスクの製造に利用しても効果が大きい。すなわち、ＥＵＶＬでは、波長１３．５ｎｍのＸ線を露光光に用いるが、このような短波長では、フォトンエネルギーが非常に高いため、マスクがダメージを受けて、短期間で交換する必要が生じる。その場合に、従来のマスク描画装置を用いてマスクを頻繁に作り直すならば、その度に長期間半導体の製造がストップすることになる。
【００４０】
これに対して、本発明のマスク作成装置では、描画速度が桁違いに速いことから、全てのマスクを短時間に製造することも可能となり、しかもその結果、マスクを低コストで製造できるため、マスクを頻繁に交換しても、コスト的、及び生産計画的に問題になることはない。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施形態に係るマスク作成装置の全体構成図である。
【図２】本発明の第２の実施形態に係るマスク作成装置の全体構成図である。
【図３】本発明の第３の実施形態に係るマスク作成装置の全体構成図である。
【図４】（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は本発明において使用される光制御素子の配列を示す図である。
【図５】自発光デバイスの他の配列を示す平面図である。
【符号の説明】
１００、２００、３００          マスク作成装置
１０１、２０１                  拡大パターン生成部
１０２                          縮小投影光学系
１０３、２０３、３０３          ステージ
１０４                          紫外レーザ発振器
１０５ａ、１０５ｂ、１０５ｃ    ミラー
１０６、２０６                  二次元配列微小ミラー
１０７                          マスクパターンデータ出力装置
１０８ａ、１０８ｂ、２２３ａ、２２３ｂ    レンズ
１０９、２０９、３０９          マスク基板
１１０                          拡大パターン
１１１、２１１、３１１          描画パターン
２０２ａ、３０２ａ              第１縮小投影光学系
２０２ｂ、３０２ｂ              第２縮小投影光学系
２１０ａ、３１０ａ              第１拡大パターン
２１０ｂ、３１０ｂ              第２拡大パターン
２２１                          ビームスプリッタ
２２２                          波長板
２２４                          アパーチャー
４１０、４２０、４３０          二次元配列光制御素子
４１１、４２１、４３１          光制御素子
３０６、５００、５０２          二次元配列自発光デバイス
【図１】
2004264337.tif 000003
【図２】
2004264337.tif 000004
【図３】
2004264337.tif 000005
【図４】
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【図５】
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