(57)【要約】【課題】　第１にＣｏ−Ｎｉ−Ｆｅ膜や４５ＮｉＦｅ膜を複合ヘッドに適用時にも、低再生ノイズの記録ヘッド、複合ヘッドを実現し、高飽和磁化のコア材料、２Ｔの飽和磁化のＣｏ−Ｎｉ−Ｆｅ膜で、その高飽和磁化特性を活用できる記録ヘッドを、第３に、高周波での高記録性能の記録ヘッドを、高密度記録の狭トラック幅の記録ヘッドを提供し、以上の記録ヘッド、複合ヘッドの製造方法を提供し、上記の記録、複合ヘッド、を搭載の磁気記録再生装置で、大容量、高速データ転送用の記憶装置を提供する。【解決手段】　対向する第１、第２の磁気コアとの一端が記録ギャップ、他端が磁気的接合で、第１、第２磁気コア間に、絶縁コイルが設け、これで励磁の前記第１、第２の磁気コアの磁束が、前記記録ギャップから漏の洩で磁気媒体に記録を行う磁気ヘッド、該ギャップの磁気媒体に近接する先端部から、前記磁気的な接合の接点までの距離が、＜２０μｍを特徴の記録ヘッド。【選択図】　図１
2004087123.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
対向する第１の磁気コアと第２の磁気コアの一方の端部が記録ギャップを形成し、その他方の端部が磁気的接合を形成しており、前記第１の磁気コアと前記第２の磁気コアとの間に、絶縁体により絶縁されたコイルが設けられ、前記コイルにより励磁された前記第１、第２の磁気コアの磁束が、前記記録ギャップから漏れることにより磁気媒体に記録を行う磁気ヘッドであって、前記記録ギャップの磁気媒体に近接する先端部から、前記磁気的な接合の接点までの距離（以下、ヨーク長という）が、２０μｍ以下であることを特徴とする記録ヘッドであって、前記対向する第１、第２の磁気コアの少なくとも一方の磁気コアの記録ギャップ近傍が、Ｃｏ，Ｆｅ，Ｎｉから選択される少なくとも２種類の元素を主成分とすることを特徴とする記録ヘッド。
【請求項２】
対向する第１の磁気コアと第２の磁気コアの一方の端部が記録ギャップを形成し、その他方の端部が磁気的接合を形成しており、前記第１の磁気コアと前記第２の磁気コアとの間に、絶縁体により絶縁されたコイルが設けられ、前記コイルにより励磁された前記第１、第２の磁気コアの磁束が、前記記録ギャップから漏れることにより磁気媒体に記録を行う磁気ヘッドであって、前記記録ギャップの磁気媒体に近接する先端部から、前記磁気的な接合の接点までの距離（以下、ヨーク長という）が、２０μｍ以下であることを特徴とする記録ヘッドであって、前記対向する第１、第２の磁気コアの少なくとも一方の磁気コアの記録ギャップ近傍が、Ｃｏ，Ｆｅ，Ｎｉを主成分とすることを特徴とする記録ヘッド。
【請求項３】
対向する第１の磁気コアと第２の磁気コアの一方の端部が記録ギャップを形成し、その他方の端部が磁気的接合を形成しており、前記第１の磁気コアと前記第２の磁気コアとの間に、絶縁体により絶縁されたコイルが設けられ、前記コイルにより励磁された前記第１、第２の磁気コアの磁束が、前記記録ギャップから漏れることにより磁気媒体に記録を行う磁気ヘッドであって、前記記録ギャップの磁気媒体に近接する先端部から、前記磁気的な接合の接点までの距離（以下、ヨーク長という）が、２０μｍ以下であることを特徴とする記録ヘッドであって、前記対向する第１、第２の磁気コアの少なくとも一方の磁気コアが、飽和磁化の大きさの異なる磁性体の積層体で構成されており、且つ前記記録ギャップ近傍の磁性体の飽和磁化が、当該記録ギャップから遠い方の磁性体の飽和磁化よりも大きくなる様に構成されている事を特徴とする記録ヘッド。
【請求項４】
対向する第１の磁気コアと第２の磁気コアの一方の端部が記録ギャップを形成し、その他方の端部が磁気的接合を形成しており、前記第１の磁気コアと前記第２の磁気コアとの間に、絶縁体により絶縁されたコイルが設けられ、前記コイルにより励磁された前記第１、第２の磁気コアの磁束が、前記記録ギャップから漏れることにより磁気媒体に記録を行う磁気ヘッドであって、前記記録ギャップの磁気媒体に近接する先端部から、前記磁気的な接合の接点までの距離（以下、ヨーク長という）が、２０μｍ以下であることを特徴とする記録ヘッドであって、前記互いに対向する第１と第２の磁気コアの各々を構成する磁性体の飽和磁化（単位：Ｔ）と膜厚（単位：μｍ）との積が、ヨーク長Ｌ（単位：μｍ）に対して、
０．０５（Ｔ）×ヨーク長Ｌ（μｍ）＋０．５（Ｔ・μｍ）≦飽和磁化（Ｔ）×膜厚（μｍ）
の関係を満たす様に構成されている事を特徴とする記録ヘッド。
【請求項５】
対向する第１の磁気コアと第２の磁気コアの一方の端部が記録ギャップを形成し、その他方の端部が磁気的接合を形成しており、前記第１の磁気コアと前記第２の磁気コアとの間に、絶縁体により絶縁されたコイルが設けられ、前記コイルにより励磁された前記第１、第２の磁気コアの磁束が、前記記録ギャップから漏れることにより磁気媒体に記録を行う磁気ヘッドであって、前記記録ギャップの磁気媒体に近接する先端部から、前記磁気的な接合の接点までの距離（以下、ヨーク長という）が、２０μｍ以下であることを特徴とする記録ヘッドであって、前記互いに対向する第１と第２の磁気コアの各々を構成する磁性体が複数の磁性体を積層した構成を有しており、且つそれぞれの磁気コアを構成する個々の磁性体における飽和磁化（単位：Ｔ）と膜厚（単位：μｍ）との積の総和Σ（飽和磁化（Ｔ）×膜厚（μｍ））が、ヨーク長Ｌ（単位：μｍ）に対して、
０．０５（Ｔ）×ヨーク長Ｌ（μｍ）＋０．５（Ｔ・μｍ）≦Σ（飽和磁化（Ｔ）×膜厚（μｍ））
の関係を満たす様に構成されている事を特徴とする記録ヘッド。
【請求項６】
対向する第１の磁気コアと第２の磁気コアの一方の端部が記録ギャップを形成し、その他方の端部が磁気的接合を形成しており、前記第１の磁気コアと前記第２の磁気コアとの間に、絶縁体により絶縁されたコイルが設けられ、前記コイルにより励磁された前記第１、第２の磁気コアの磁束が、前記記録ギャップから漏れることにより磁気媒体に記録を行う磁気ヘッドであって、前記記録ギャップの磁気媒体に近接する先端部から、前記磁気的な接合の接点までの距離（以下、ヨーク長という）が、２０μｍ以下であることを特徴とする記録ヘッドであって、前記互いに対向する第１と第２の磁気コアの間に形成された空間部を当該絶縁体を介して貫通する様に構成された当該コイルであって、当該空間部を貫通している当該コイルの幅は、当該空間部以外に配置されている当該コイルの幅と同等もしくはそれよりも細くなる様に構成されている事を特徴とする記録ヘッド。
【請求項７】
対向する第１の磁気コアと第２の磁気コアの一方の端部が記録ギャップを形成し、その他方の端部が磁気的接合を形成しており、前記第１の磁気コアと前記第２の磁気コアとの間に、絶縁体により絶縁されたコイルが設けられ、前記コイルにより励磁された前記第１、第２の磁気コアの磁束が、前記記録ギャップから漏れることにより磁気媒体に記録を行う磁気ヘッドであって、前記記録ギャップの磁気媒体に近接する先端部から、前記磁気的な接合の接点までの距離（以下、ヨーク長という）が、２０μｍ以下であることを特徴とする記録ヘッドであって、前記互いに対向する第１と第２の磁気コアの間に形成された空間部を当該絶縁体を介して貫通する様に構成されたコイルであって、当該コイル幅を適宜変化させることによって、当該コイル幅を一定として構成した場合よりコイルの抵抗値が小さくなるように構成した事を特徴とする記録ヘッド。
【請求項８】
対向する第１の磁気コアと第２の磁気コアの一方の端部が記録ギャップを形成し、その他方の端部が磁気的接合を形成しており、前記第１の磁気コアと前記第２の磁気コアとの間に、絶縁体により絶縁されたコイルが設けられ、前記コイルにより励磁された前記第１、第２の磁気コアの磁束が、前記記録ギャップから漏れることにより磁気媒体に記録を行う磁気ヘッドであって、前記記録ギャップの磁気媒体に近接する先端部から、前記磁気的な接合の接点までの距離（以下、ヨーク長という）が、２０μｍ以下であることを特徴とする記録ヘッドであって、当該コイルの厚さｄ（μｍ）、最端部のコイルからコイルを覆う絶縁体の端部までの距離Ｗ１，Ｗ２（μｍ）とすると、当該距離Ｗ１，Ｗ２（μｍ）は、それぞれ、
Ｗ１／ｄ≧０．５、Ｗ２／ｄ≧０．５
を満足する様に構成されている事を特徴とする記録ヘッド。
【請求項９】
対向する第１の磁気コアと第２の磁気コアの一方の端部が記録ギャップを形成し、その他方の端部が磁気的接合を形成しており、前記第１の磁気コアと前記第２の磁気コアとの間に、絶縁体により絶縁されたコイルが設けられ、前記コイルにより励磁された前記第１、第２の磁気コアの磁束が、前記記録ギャップから漏れることにより磁気媒体に記録を行う磁気ヘッドであって、前記記録ギャップの磁気媒体に近接する先端部から、前記磁気的な接合の接点までの距離（以下、ヨーク長という）が、２０μｍ以下であることを特徴とする記録ヘッドであって、当該コイルの厚さｄ（μｍ）、コイルを被覆する絶縁体のコイル上での厚さｈ（μｍ）とすると、当該厚さｈ（μｍ）は、
ｈ／ｄ≧０．２
を満足する様に構成されている事を特徴とする記録ヘッド。
【請求項１０】
前記対向する第１、第２の磁気コアの少なくとも一方の磁気コアの記録ギャップ近傍が、飽和磁化１．５Ｔ以上の磁性体で構成されていることを特徴とする請求項１乃至9の何れかに記載の記録ヘッド。
【請求項１１】
前記対向する第１、第２の磁気コアの少なくとも一方の磁気コアの記録ギャップ近傍が、Ｃｏ，Ｆｅ，Ｎｉを主成分とする磁性体であって、それぞれの元素の比率が、Ｃｏが６０〜７０ｗｔ％、Ｆｅが１５〜３０ｗｔ％、Ｎｉが５〜１５ｗｔ％である事を特徴とする請求項１乃至１０の何れかに記載の記録ヘッド。
【請求項１２】
前記した請求項１乃至１１の何れかに記載された当該記録ヘッドに於ける前記第１、第２の磁気コアの一方の磁気コアを第１の磁気シールドとして兼用し、前記第１の磁気シールドと、前記第１の磁気シールドと対向して設けられた第２の磁気シールドとの間に設けられた磁気抵抗効果素子によって再生を行う様に構成されている事を特徴とする複合ヘッド。
【請求項１３】
対向して設けられた第１の磁気シールドと第２の磁気シールドとの間に設けられた磁気抵抗効果素子によって再生を行い、請求項１乃至１１の何れかに記載の記録ヘッドによって記録を行うことを特徴とする複合ヘッド。
【請求項１４】
前記磁気抵抗効果素子の再生出力とその標準偏差との関係が、（標準偏差）÷（再生出力の平均）≦０．０１であることを特徴とする、請求項１２又は１３記載の複合ヘッド。
【請求項１５】
請求項１乃至１４に記載された磁気ヘッドを有する記録ヘッドを製造する方法であって、前記コイルの形成は、
　絶縁体膜上にシード層を形成する第１の工程、
　前記シード層上にレジストパタンを形成する第２の工程、
　前記レジストパタン間にコイル材をめっき成形により堆積せしめる第３の工程、
　前記レジストパタンを除去する第４の工程、
　レジストパタン下にあったシード層を除去する第５の工程、及び絶縁体で当該コイル材を覆う第６の工程、
　とが上記の順番で実行される様に構成されている事を特徴とする記録ヘッドの製造方法。
【請求項１６】
当該第６の工程は、スピンコートにより実行されるものである事を特徴とする請求項１５記載の記録ヘッドの製造方法。
【請求項１７】
請求項１乃至１４に記載された磁気ヘッドを有する記録ヘッドを製造する方法であって、前記コイルの形成は、
　絶縁体膜パタンを形成する第１の工程、
　前記絶縁体膜パタンにコイルを形成するための溝部を形成する第２の工程、
　前記溝部が形成された絶縁体パタンにシード層を形成する第３の工程、
　前記シード層上にめっきによりコイル材を形成する第４の工程、
研磨により、前記溝部以外に形成されたコイル材を除去するとともに、前記溝部中に形成されたコイル材表面の高さと、前記溝部以外の前記絶縁体膜表面の高さとを合せる第５の工程、及び前記溝部以外に形成されたコイル材と、前記溝部以外の前記絶縁体膜表面を絶縁体で覆う第６の工程、とが上記の順番で実行される様に構成されている事を特徴とする記録ヘッドの製造方法。
【請求項１８】
前記シード層がＣｕを主成分として形成されると共に、当該シード層は、Ｔａ、ＴａＮ、Ｔｉ、ＴｉＮから選択される少なくとも１種類の下地層上に形成されることを特徴とする請求項１５乃至１７の何れかに記載の記録ヘッドの製造方法。
【請求項１９】
請求項１乃至１４の何れかに記載されている当該記録ヘッド、或いは、複合ヘッドを搭載した磁気記録再生装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
　本発明は磁気記録再生装置用の磁気ヘッド、ならびに磁気記録再生装置に関するものであり、特に詳しくは、高い記録能力を実現する飽和磁化の大きい材料を磁気コアに用いた場合にも、再生特性の変動を抑制した記録ヘッド、複合ヘッド、ならびに磁気記録再生装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
　磁気記憶装置の小型化および大容量化に伴って、磁気媒体上に記録される１ビット当りの体積が急速に小さくなって来ている。この微小なビットから発生する磁気信号を大きな再生出力として検出できるのが、磁気抵抗効果型ヘッド（以下「ＭＲヘッド」という。）である。
【０００３】
　このＭＲヘッドについては、非特許文献１において「Ａ  ＭａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔｉｖｉｔｙＲｅａｄｏｕｔＴｒａｎｓｄｕｃｅｒ」として論じられている。
【０００４】
　更に最近では、このＭＲヘッドに対して大幅な高出力化を実現できる巨大磁気抵抗効果（以下「ＧＭＲ」という。）を用いたＧＭＲヘッドが実用化されてきている。
【０００５】
　このＧＭＲ効果において、特に、抵抗の変化が２枚の隣接する磁性層の磁化方向間の余弦と対応する、一般にスピンバルブ効果と呼ばれる磁気抵抗効果は、小さな動作磁界で大きな抵抗変化をすることから、これを用いてのＧＭＲヘッドが「ＧＭＲヘッド」の総称となっている。
【０００６】
　このスピンバルブ効果を用いたＧＭＲヘッドについては非特許文献２において「Ｄｅｓｉｇｎ，Ｆａｂｒｉｃａｔｉｏｎ  ＆  Ｔｅｓｔｉｎｇ  ｏｆ  Ｓｐｉｎ−ＶａｌｖｅＲｅａｄ  Ｈｅａｄｓ  ｆｏｒ  Ｈｉｇｈ  ＤｅｎｓｉｔｙＲｅｃｏｒｄｉｎｇ」として論じられている。
【０００７】
　この中で、スピンバルブ効果を発生させる２枚の磁性層の内の一方の磁性層は、この磁性層に反強磁性膜を積層することにより発生する交換結合磁界によって、ヘッド感磁部に進入する媒体磁界の方向に実質的に揃うように磁化が固定された磁化固定層となっている。
【０００８】
　そして、この磁化固定層とＣｕ等の導電層とを介して隣接するもう一方の磁性層は、媒体磁界に対して自由に磁化方向を変えることができる磁化自由層となっている。以下ではこのスピンバルブ効果を用いたＧＭＲヘッドを「ＧＭＲヘッド」と称する。
【０００９】
　図６、図７は従来に於けるＧＭＲ再生ヘッド７０とＩＤ記録ヘッド６０からなる複合ヘッド５０の一具体例の構成図であり、図７はＧＭＲヘッドの構造を、磁気媒体と対向する面であるエア・ベアリング・サーフェイス面（ＡＢＳ面）から見た図、および、図６は、図７中のＡ−Ｂの線での断面図である。
【００１０】
　すなわち、スライダとなるセラミック１上に積層された下シールド２及び上シールド６の間に、絶縁体から成る磁気分離層３を介し、中央領域４としてＧＭＲ効果を発生させるスピンバルブ積層構造体を配置し、この中央領域４の両端に、これに電流とバイアス磁界とを供給するための端部領域５を形成する。以上が再生を行うＧＭＲ素子である。
【００１１】
　さらに、上シールド６を第１の磁気コア６とし、この磁気コア６のＧＭＲ素子と反対側の面に、記録ギャップ７を介して、第２の磁気コア１１を配置する。
【００１２】
　磁気コア６、１１のＡＢＳから少し奥には、記録ギャップ膜７、非磁性絶縁体１０ａおよび非磁性絶縁体１０ｂで挟まれたコイル９を配置し、このコイルからの発生磁界によって磁化された磁気コア６、１１間の記録ギャップ７から漏れる磁束によって記録を行う。
【００１３】
　以上のＧＭＲ、あるいはＭＲによる再生ヘッドと、インダクティブ（以下「ＩＤ」という。）による記録ヘッドとが積層された複合構造ヘッドを称して、ここでは複合ヘッドと呼ぶこととする。
【００１４】
　ところで、ＧＭＲを用いた複合ヘッドが実際に使用される記録密度は、１平方インチ当たり３ギガビット以上の高密度記録領域である。これ以下の記録密度では、従来からの磁気異方性を用いた複合ヘッドで十分にまかなうことができる。
【００１５】
　すなわち、実用的に意味のあるＧＭＲを用いた複合ヘッドは、１平方インチ当たり３ギガビット以上の高密度な磁気記録再生を実現するものとなる。
【００１６】
　逆に言えば、ＧＭＲを用いた複合ヘッドを用いて構築される磁気記録再生装置は、１平方インチ当たり３ギガビット以上の高密度な記録再生を行う装置である。
【００１７】
　ところで、磁気媒体への記録機能を担うＩＤヘッドは、常に高密度な記録性能の向上が求められてきた。特に、高密度な記録を行うためには磁気媒体の高保磁力化が必須である。これは、記録密度の向上とともに媒体上に記録される磁化の遷移長を小さくするため、また、１ビット当りの磁化長が短くなっても磁化を安定に保持するためである。
【００１８】
　このことから従来より、ＩＤヘッドとしては高密度記録に適した高保磁力媒体に記録を行えるよう記録磁界を増大させるための開発が精力的に進められてきた。
【００１９】
　従来、ＩＤヘッドの磁気コアには、Ｎｉが８０重量％程度のＮｉ−Ｆｅめっき膜（以下、パーマロイと言う）が使用されてきた。この材料は１Ｔ（テスラ）程度の飽和磁化（Ｂｓ）を持ち、１平方インチ当たり３ギガビットの記録を行えることが、非特許文献３において「３Ｇｂ／ｉｎ２ ｒｅｃｏｒｄｉｎｇｄｅｍｏｎｓｔｒａｔｉｏｎ  ｗｉｔｈ  ｄｕａｌ  ｅｌｅｍｅｎｔ  ｈｅａｄｓ  ＆  ｔｈｉｎ  ｆｉｌｍ  ｄｉｓｋｓ」として述べられている。
【００２０】
　しかしながら、１平方インチ当たり５ギガビット以上の記録を行うためには、パーマロイに代えて、Ｎｉが４５重量％程度のＮｉ−Ｆｅめっき膜（以下、４５ＮｉＦｅと略す）が必要なことが、非特許文献４において「５Ｇｂ／ｉｎ２ ｒｅｃｏｒｄｉｎｇ  ｄｅｍｏｎｓｔｒａｔｉｏｎ  ｗｉｔｈｃｏｎｖｅｎｔｉｏｎａｌ  ＡＭＲ  ｄｕａｌ  ｅｌｅｍｅｎｔ  ｈｅａｄｓ＆  ｔｈｉｎ  ｆｉｌｍ  ｄｉｓｋｓ」として述べられている。
【００２１】
　この材料は最大で１．６Ｔ（テスラ）程度の飽和磁化を持つ。また、この材料で１平方インチ当たり１２ギガビット程度の記録を行えることが、非特許文献５において「１２Ｇｂ／ｉｎ２ ｒｅｃｏｒｄｉｎｇ  ｄｅｍｏｎｓｔｒａｔｉｏｎ  ｗｉｔｈ  ＳＶ  ｒｅａｄ  ｈｅａｄｓ  ＆  ｃｏｎｖｅｎｔｉｏｎａｌ  ｎａｒｒｏｗ  ｐｏｌｅ−ｔｉｐｗｒｉｔｅ」として述べられている。一方、Ｂｓが１．６程度のＮｉ−Ｆｅめっき膜を用いた例としては、特許文献１や特許文献２が挙げられる。
【００２２】
　又、スパッタ法により形成された高飽和磁化Ｂｓ材料を用いた例としては、特許文献３のように、Ｃｏ−Ｔａ−Ｚｒスパッタ膜に代表される、Ｃｏ系の非晶質を用いた例がある。
【００２３】
　Ｃｏ系非晶質膜では１．５Ｔ程度までの高Ｂｓが可能である。また、特許文献４では、窒化第２鉄などの高Ｂｓ材料の適用が開示されている。鉄−窒素系材料では１．９Ｔ程度の高Ｂｓが可能と思われる。
【００２４】
　更に、磁気ヘッドとしての製造工程の簡便性、低コスト性を考慮した場合、記録磁極を形成する磁性材料としては、めっき法で形成されることが有効である。
【００２５】
　めっき法においては、予め磁極の形状を貫いたフォトレジスト枠を形成し、この枠内にめっき膜を成長させることで所望のパタンを得ることができる。この方法の簡便性、低コスト性から、現在ではこの方法が薄膜磁気ヘッドの標準的な製造方法になっている。
【００２６】
　一方、スパッタ法により磁気コアパタンを形成する場合は、予め成膜した磁性膜上にフォトレジストマスクをコア形状に形成し、イオンビームを用いたエッチングによりコアパタンを形成することになる。
【００２７】
　この方法では、第１に高価なイオンビームエッチング装置が必要であり、第２に数μｍという厚い磁気コア膜をパタニングするためには長い加工時間が必要であり、第３に媒体への記録幅を決定する磁気コア先端部を狭幅に形成することがたいへん難しいという問題がある。
【００２８】
　特に、図６のようにコイルおよびその上下の絶縁体層による大きな段差のある条件下での上コア１１のパタニングはたいへん難しい。
【００２９】
　特許文献５では、コイルおよび絶縁層による大きな段差を形成する前に磁気コア先端部のみを形成し、この部分に鉄−窒素スパッタ膜を導入する方法を開示しているが、本来、イオンビームエッチングを用いる方法であり、安価な製造方法を提供することはできない。
【００３０】
　以上のように、スパッタ膜を磁気コアに適用することは、製造工程の複雑化に伴うコストの上昇を免れ得ない。
【００３１】
　又、記録密度の向上とともに、４５Ｎｉ−Ｆｅで得られる１．５Ｔを超える高Ｂｓ膜が必須となることが考えられる。これを安価なめっき法で実現することには大きな意義がある。めっき膜で１．５Ｔを超える高Ｂｓを実現する材料系としてはＣｏ−Ｆｅ−Ｎｉ系が有望と考えられる。
【００３２】
　更には、特許文献６の第１図の３元素の組成図には、Ｃｏ−Ｆｅ−Ｎｉめっき膜における磁歪λｓ＝０の線が示され、同公報第２図の３元組成図には、Ｃｏ−Ｆｅ−Ｎｉめっき膜におけるＢｓが示されている。
【００３３】
　これらの図から、λｓが実質的にゼロとなる８０Ｃｏ１０Ｆｅ１０Ｎｉ付近でのＢｓは１．６Ｔ程度であることが開示されている。
【００３４】
　一方、特許文献７では、上記の特許文献８で実現されなかった低磁歪と高Ｂｓとを両立するために、Ｃｏ−Ｆｅ−Ｎｉめっき膜の結晶性の調整を行っている。
【００３５】
　この結果、λｓ＜５×１０−６でＢｓが１．７Ｔ程度のめっきＣｏ−Ｆｅ−Ｎｉ膜を得ている。
【００３６】
　また、特許文献９では、やはり結晶性の調整により低保磁力を得るとともに、１．３から２Ｔの範囲のＢｓを得た旨が述べられている。
【００３７】
　さらに、特許文献１０では、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｆｅ めっき膜をサッカリンなどのＳを含む添加剤の無い浴で成膜し、膜中のイオウ濃度を０．１重量％以下に抑えた高純度な膜とすることによって、特許文献１１に対して、Ｆｅ組成の多い領域にｆｃｃとｂｃｃの混晶組成が移動するとともに、この組成で磁歪が実用水準にまで低減し、１．９Ｔから２．２Ｔという極めて高いＢｓが、保磁力２．５０ｅ以下という良好な軟磁気特性とともに実現することが開示されている。
【００３８】
　以上のように、Ｃｏ- Ｎｉ−Ｆｅ系のめっき膜は、その結晶性や膜中への混入物の含有量の制御などによって、ＩＤヘッドの磁気コア材料としての実用的な軟磁気特性を実現することができる。そして、特許文献１２に開示されたように、極めて大きなＢｓを有し、かつ、良好な軟磁性を実現することも可能である。
【非特許文献１】「ＩＥＥＥＴｒａｎｓ．ｏｎＭａｇｎ，．ＭＡＧ７（１９７１）１５０」
【非特許文献２】「ＩＥＥＥ  Ｔｒａｎｓ．ｏｎ  Ｍａｇｎ，．Ｖｏｌ．３０，Ｎｏ．６（１９９４）３８０１」
【非特許文献３】「ＩＥＥＥ  Ｔｒａｎｓ．ｏｎ  Ｍａｇｎ，．Ｖｏｌ．３２，Ｎｏ．１（１９９６）ｐｐ．７−１２」
【非特許文献４】「ＩＥＥＥ  Ｔｒａｎｓ．ｏｎ  Ｍａｇｎ，．Ｖｏｌ．３３，Ｎｏ．５（１９９７）ｐｐ．２８６６−２８７１」
【非特許文献５】「ＩＥＥＥＴｒａｎｓ．ｏｎ  Ｍａｇｎ，．Ｖｏｌ．３２，Ｎｏ．１（１９９６）ｐｐ．７−１２」
【特許文献１】特開平８−２１２５１２号公報
【特許文献２】特開平１１−１６１２０号公報
【特許文献３】特開平１０−１６２３２２号公報
【特許文献４】特開平７−２６２５１９号公報
【特許文献５】特開平７−２６２５１９号公報
【特許文献６】特公昭６３−５３２７７号公報
【特許文献７】特開平６−３４６２０２号公報
【特許文献８】特公昭６３−５３２７７号公報
【特許文献９】特開平７−３４８９号公報
【特許文献１０】特許第２８２１４５６号公報
【特許文献１１】特公昭６３−５３２７７号公報
【特許文献１２】特許第2821456号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００３９】
　上記した様に、高密度な磁気記録を達成するための記録コア材料として、以上のように、めっき法により形成された飽和磁化の大きい、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｆｅ膜や４５ＮｉＦｅ膜が極めて有望であるといえる。しかしながら、これらの膜には、以下のような性質があるために、従来、この性質に起因した様々な問題を引き起こしていた。
【００４０】
　即ち、第１の問題点は、高ＢｓのＣｏ−Ｎｉ−Ｆｅ膜や４５ＮｉＦｅ膜の磁歪が正である点である。
【００４１】
　例えば、４５ＮｉＦｅ膜を記録コアと兼用されたＧＭＲ再生ヘッドの上シールドに適用した場合、記録動作後の再生出力の変動が著しく顕著となり、実用に耐えない複合ヘッドとなっていた。
【００４２】
　これは、磁歪が正であるために、記録動作後の上シールドの磁化状態が一定の状態に安定しにくくなり、再生特性に影響を与えるためである。
【００４３】
　よって、記録用の磁気コアと兼用された上シールドに、４５ＮｉＦｅを適用することは出来なかった。
【００４４】
　このため、飽和磁化の大きい４５ＮｉＦｅは上コアのみへの適用となり、上シールドは通常のパーマロイが適用されたため、記録能力自体にも制限を与える結果となっていた。
【００４５】
　また、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｆｅ膜は、組成の制御によって磁歪を正から負へと制御することはできるが、飽和磁化が１．７Ｔ以上と大きい組成では正磁歪である。よって、前述の４５ＮｉＦｅと同様の問題を抱えていた。
【００４６】
　更には、従来から上シールドに用いられてきたパーマロイの場合には、パーマロイ膜の磁歪は膜組成で制御されるため、上シールドとして適切な磁歪とするための組成の管理が厳密にされる必要があった。これは製造コストを引き上げる原因となっていた。
【００４７】
　又、第２の問題点は、特に、飽和磁化が２Ｔ程度と大きな値が得られるＣｏ−Ｎｉ−Ｆｅ膜で、応力が大きい点である。
【００４８】
　応力としては０．８ＧＰａ程度であり、２μｍ以上の厚い膜を形成しようとすると、膜の剥離が顕著となっていた。
【００４９】
　その結果、従来、上磁気コア全体を飽和磁化の大きいＣｏ−Ｎｉ−Ｆｅ膜で形成しようとすると、膜厚として２μｍ以上を必要とするために、製造が困難であった。Ｃｏ−Ｎｉ−Ｆｅ膜を上磁気コアに適用する方法としては、記録ギャップ近傍にＣｏ−Ｎｉ−Ｆｅ膜を０．５μｍ程度形成し、さらにパーマロイを３．５μｍ程度積層する方法が用いられてきた。
【００５０】
　この方法でも高飽和磁化材料の効果を大きく引き出すことに成功しているが、更に、効果を最大限引き出すためには、上コア全体をＣｏ−Ｎｉ−Ｆｅ膜で形成することが望ましい。
【００５１】
　更に、第３の問題点は、一般的に、記録ヘッドには、記録密度の向上とともに、より高周波での動作が求められている。特に、飽和磁化が２Ｔ程度と大きな値が得られるＣｏ−Ｎｉ−Ｆｅ膜では、比抵抗が２０μΩｃｍ程度と小さいために、高周波動作での渦電流損失が増大し、記録特性の劣化を招きやすいと言う点である。
【００５２】
　従って、本発明の主たる目的は、上記した従来技術の欠点を改良し、高い記録能力を実現する飽和磁化の大きいＣｏ−Ｎｉ−Ｆｅ膜や４５ＮｉＦｅ膜を複合ヘッドの上シールドに適用した場合にも、再生特性の変動の抑制された記録ヘッド、および、複合ヘッドを提供することである。
【００５３】
　又、本発明の第２の目的は、飽和磁化の大きい磁気コア材料、特に、１．５以上の飽和磁化の得られるＣｏ−Ｎｉ−Ｆｅ膜やＮｉ−Ｆｅ合金膜を用いて、その高飽和磁化特性を最大限に記録特性として活用できる、記録ヘッドを提供することである。
【００５４】
　又、本発明の第３の目的は、高周波での記録性能の高い、記録ヘッドを提供することである。
【００５５】
　更に、本発明の第４の目的は、上記の記録ヘッド、複合ヘッドの製造方法を提供することである。特に、本発明の記録ヘッドを適用することにより実現する高密度記録に対応した狭幅な記録を可能とする磁気コアの製造方法を提供することである。
【００５６】
　更に、本発明の第５の目的は、上記の記録ヘッド、複合ヘッドを搭載した磁気記録再生装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００５７】
　本発明は上記した目的を達成するため、基本的には以下に記載されたような技術構成を採用するものである。
【００５８】
　即ち、本発明に係る第１の態様としては、対向する第１の磁気コアと第２の磁気コアの一方の端部が記録ギャップを形成し、その他方の端部が磁気的接合を形成しており、前記第１の磁気コアと前記第２の磁気コアとの間に、絶縁体により絶縁されたコイルが設けられ、前記コイルにより励磁された前記第１、第２の磁気コアの磁束が、前記記録ギャップから漏れることにより磁気媒体に記録を行う磁気ヘッドであって、前記記録ギャップの磁気媒体に近接する先端部から、前記磁気的な接合の接点までの距離Ｌ（以下、ヨーク長という）が、２０μｍ以下であって、前記対向する第１、第２の磁気コアの少なくとも一方の磁気コアの記録ギャップ近傍が、Ｃｏ，Ｆｅ，Ｎｉから選択される少なくとも２種類の元素を主成分とすることを特徴とする記録ヘッドであり、又、本発明に係る第２の態様としては、上記した様な磁気ヘッドを有する記録ヘッドを製造する方法であって、前記コイルの形成は、絶縁体膜上にシード層を形成する第１の工程、前記シード層上にレジストパタンを形成する第２の工程、前記レジストパタン間にコイル材をめっき成形により堆積せしめる第３の工程、前記レジストパタンを除去する第４の工程、レジストパタン下にあったシード層を除去する第５の工程、及び絶縁体で当該コイル材を覆う第６の工程、とが上記の順番で実行される様に構成されている記録ヘッドの製造方法である。
【００５９】
　更に、本発明に係る第３の態様としては、上記した様な磁気ヘッドを有する記録ヘッドを製造する方法であって、前記コイルの形成は、絶縁体膜パタンを形成する第１の工程、前記絶縁体膜パタンにコイルを形成するための溝部を形成する第２の工程、前記溝部を形成された絶縁体パタンにシード層を形成する第３の工程、前記シード層上にめっきによりコイル材を形成する第４の工程、研磨により、前記溝部以外に形成されたコイル材を除去するとともに、前記溝部中に形成されたコイル材表面の高さと、前記溝部以外の前記絶縁体膜表面の高さとを合せる第５の工程、及び前記溝部中に形成されたコイル材と、前記溝部以外の前記絶縁体膜表面を絶縁体で覆う第６の工程、とが上記の順番で実行される様に構成されている記録ヘッドの製造方法である。
【００６０】
　一方、本発明に係る第４の態様としては、前記した記録ヘッドに設けられている当該第１、第２の磁気コアの一方の磁気コアを第１の磁気シールドとして兼用し、前記第１の磁気シールドと、前記第１の磁気シールドと対向して設けられた第２の磁気シールドとの間に設けられた磁気抵抗効果素子によって再生を行う様に構成されている複合ヘッドであり、本発明に係る第５の態様としては、上記した当該複合ヘッドを搭載した磁気記録再生装置である。
【発明の効果】
【００６１】
　本発明により、第１に、高い記録能力を実現する飽和磁化の大きいＣｏ−Ｎｉ−Ｆｅ膜や４５ＮｉＦｅ膜を複合ヘッドの上シールドに適用した場合でも、再生ノイズの抑制された記録ヘッド、および、複合ヘッドが実現した。
【００６２】
　第２に、飽和磁化の大きい磁気コア材料、特に、２Ｔの飽和磁化の得られるＣｏ−Ｎｉ−Ｆｅ膜を用いて、その高飽和磁化特性を最大限に記録特性として活用できる記録ヘッドが提供された。
【００６３】
　第３に、高周波での記録性能の高い、記録ヘッドが提供された。
【００６４】
　第４に、高密度記録に対応したトラック幅の狭い記録ヘッドを提供する事が可能となった。
【００６５】
　第５に、以上の記録ヘッド、複合ヘッドの製造方法が提供しえる様になった。第６に、上記の記録ヘッド、複合ヘッドを搭載した磁気記録再生装置により、大容量で高速データ転送に適した記憶装置が実現された。
【発明を実施するための最良の形態】
【００６６】
　本発明に係る当該記録ヘッド、複合ヘッド、或いは磁気記録再生装置は、上記した様な技術構成を採用しているので、高い記録能力を実現する飽和磁化の大きいＣｏ−Ｎｉ−Ｆｅ膜や４５ＮｉＦｅ膜を複合ヘッドの上シールドに適用した場合でも、再生ノイズの抑制された記録ヘッド、および、複合ヘッドを実現させる事が可能となると同時に、飽和磁化の大きい磁気コア材料、特に、１．５以上の飽和磁化の得られるＣｏ−Ｎｉ−Ｆｅ膜を用いて、その高飽和磁化特性を最大限に記録特性として活用できる記録ヘッドが実現し得る。
【００６７】
　特に、Ｂｓが１・７以上のＣｏ−Ｎｉ−Ｆｅ膜や、Ｎｉ−Ｆｅ合金膜などでは、いずれも、高Ｂｓになるほど磁歪が正に大きくなる傾向があるため再生ノイズが大きくなる問題があったが、本発明の構成では磁歪が大きな材料でも再生ノイズを抑制できる為、より高Ｂｓ膜を磁気コアに適用する事が出来る。
【００６８】
　又、本発明に係る当該記録ヘッド、複合ヘッド、或いは磁気記録再生装置は、高周波での記録性能が高く、又高密度記録に対応したトラック幅の狭い記録ヘッドを構成しえるので、大容量で高速データの記録、再生並びにその転送に適した記憶装置が実現出来ることになる。
【実施例】
【００６９】
　以下に、本発明に係る記録ヘッド及びその製造方法の一具体例の構成を図面を参照しながら詳細に説明する。
【００７０】
　即ち、図１は、本発明に係る当該記録ヘッドの一具体例の構成を示す断面図であって、図中、対向する第１の磁気コア６と第２の磁気コア１１の一方の端部６１が記録ギャップ７を形成し、その他方の端部６２が磁気的接合６３を形成しており、前記第１の磁気コア６と前記第２の磁気コア１１との間に、絶縁体１０により絶縁されたコイル９が設けられ、前記コイル９により励磁された前記第１、第２の磁気コア６、１１からの磁束が、前記記録ギャップ７から漏れることにより磁気媒体３１に記録を行う磁気ヘッド６０であって、前記記録ギャップ７の磁気媒体３１に近接する先端部６４から、前記磁気的な接合６３の接点６５までの距離Ｌ（以下、ヨーク長という）が、２０μｍ以下である様に設定された記録ヘッド６０が示されている。
【００７１】
　又、図３は、上記した本発明に係る記録ヘッド６０の他の構成例を示すものであって、コイル９を覆う下側の絶縁体として、フォトレジスト８を配置した場合である。又、図４は、上記した本発明に係る記録ヘッド６０の更に他の構成例を示すものであって、コイル９を２層構成とした場合である。
【００７２】
　図１、図３、図４には、本発明に係る当該記録ヘッド６０で定義される各パラメータの呼び名が示されている。
【００７３】
　即ち、上記した各具体例に於いても、ヨーク長Ｌは、磁気コア１１のＡＢＳ面４０から、磁気コア１１と磁気コア６とが接する点６５までの長さとする。最端部のコイルからコイルを図中、上側から覆う絶縁体１０、１０ａ、１０ｂの端部までの距離をＷ１、Ｗ２、Ｗ１’、Ｗ２’と表す。コイル９を覆う図中上側の絶縁体１０、１０ａ、１０ｂのコイル上の厚さをｈ、ｈ’と表す。
【００７４】
　又、本発明に係る当該記録ヘッド６０に於いては、前記対向する第１、第２の磁気コア６、１１の少なくとも一方の磁気コアの記録ギャップ近傍が、Ｃｏ，Ｆｅ，Ｎｉから選択される少なくとも２種類の元素を主成分とする磁性体であって、且つ飽和磁化１．５Ｔ以上の磁性体で構成されている事が望ましい。
【００７５】
　更に、本発明に於ける当該記録ヘッド６０に於いては、前記対向する第１、第２の磁気コアの少なくとも一方の磁気コアが、飽和磁化の大きさの異なる磁性体の積層体で構成されており、且つ前記記録ギャップ近傍の磁性体の飽和磁化が、当該記録ギャップから遠い方の磁性体の飽和磁化よりも大きくなる様に構成されている事も望ましい。
【００７６】
　この場合、前記記録ギャップ近傍の磁性体が、Ｃｏ，Ｆｅ，Ｎｉから選択される少なくとも２種類の元素を主成分とする磁性体であって、且つ飽和磁化が、１．５Ｔ以上である事が望ましい。
【００７７】
　又、本発明に係る当該記録ヘッド６０に於いては、前記互いに対向する第１と第２の磁気コア６、１１の各々を構成する磁性体の飽和磁化（単位：Ｔ）と膜厚（単位：μｍ）との積が、ヨーク長（単位：μｍ）に対して、０．０５（Ｔ）×ヨーク長（μｍ）＋０．５（Ｔ・μｍ）≦飽和磁化（Ｔ）×膜厚（μｍ）の関係を満たす様に構成されている事が好ましい。
【００７８】
　また、より好ましい条件としては、０．０５（Ｔ）×ヨーク長（μｍ）＋０．５（Ｔ・μｍ）≦飽和磁化（Ｔ）×膜厚（μｍ）≦４（Ｔ・μｍ）の関係式を満足するものである。
【００７９】
　本願発明者等は、上記した従来技術の問題点を解決する為に種々の実験を行い本発明に到達したものである。
【００８０】
　即ち、本願発明者等は、上記した本発明の主たる目的である、高い記録能力を実現する飽和磁化の大きいＣｏ−Ｎｉ−Ｆｅ膜や４５ＮｉＦｅ膜を記録ヘッドの上シールド或いは磁気コアに於ける記録ギャップの近傍に配置する事によって、再生特性の変動の抑制された記録ヘッド、および、複合ヘッドが製造出来ることを知得したものであるが、その際に種々の技術的な問題が発生する事が判明し、その対策も合わせて検討する必要が有った。
【００８１】
　そこで、本願発明者等は、表１から表３に記載されている様な、磁気ヘッドに於ける上コアを構成する磁気コアと上シールドを構成する磁気コアを表１から表３に示す様な種々の膜構成有する試料を作成し、それを使用して種々の磁気ヘッドを制作した。
【００８２】
【表１】
2004087123.tif 000003
【００８３】
【表２】
2004087123.tif 000004
【００８４】
【表３】
2004087123.tif 000005
【００８５】
　上記各試料は、各種のパーマロイ膜をはじめ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｆｅのそれぞれの組成の構成比率を種々変更した磁性膜をメッキ法或いはスパッタ法で製造したものである。
【００８６】
　又それぞれの試料膜の飽和磁界（Ｔ）、磁歪、比抵抗及び膜厚は、それぞれ表１に示した通り変化させると共に、当該各試料膜を使用して磁気ヘッドを製造する場合のヨーク長Ｌの長さも種々に変化させて製造した。
【００８７】
　特に、当該ヨーク長Ｌに関しては、表１から表３に記載された通り、当該ヨーク長Ｌを５μｍから７５μｍの間で種々に変化された磁気ヘッドを作成し、当該ヨーク長を変化させた場合の当該記録ヘッド６０に対する影響に付いて検討した。
【００８８】
　尚、当該磁気ヘッドを構成するコイルに関しては、図３４に示すパターン形状とし、ヨーク長Ｌの長さに応じてこのパターン形状を縮小、拡大して形成した。そして、コイルにより発生する磁界強度（コイル巻数×電流）の大きさはいずれも同じとなる様にして測定を行った。
【００８９】
　先ず、表１に示す本発明に於ける第１の実施形態及比較例１、２、３に於いては、図２及び図５に示す様に、当該磁気ヘッドの構成は、当該コイルの形態は２段で、磁気コア６は２層の磁性膜で構成し、構成する磁気コア１１は１層の磁性膜で構成されている。
【００９０】
　又、表２に於ける本発明に係る第２の実施形態及び表１に示す比較例４乃至１４に於いては、図８及び図９に示す様な構成を有する磁気ヘッドを構成したものであり、当該コイルの形態は１段で、磁気コア６は２層の磁性膜で構成し、構成する磁気コア１１も２層の磁性膜で構成されている。
【００９１】
　又、表２に於ける本発明に係る第３の実施形態に於いては、図１１及び図１２に示す様に、当該磁気ヘッドの構成は、当該コイルの形態は１段で、磁気コア６は１層の磁性膜で構成し、構成する磁気コア１１は２層の磁性膜で構成されている。
【００９２】
　更に、表２に示す本発明に於ける第４の実施形態に於いては、図１３及び図１４に示す様に、当該磁気ヘッドの構成は、当該コイルの形態は１段で、磁気コア６は１層の磁性膜で構成し、構成する磁気コア１１も１層の磁性膜で構成されている。
【００９３】
　更に、表３に示す本発明に於ける第５の実施形態及比較例１５に於いては、図１５に示す様に、当該磁気ヘッドの構成は、当該コイルの形態は１段で、磁気コア６は２層の磁性膜で構成し、構成する磁気コア１１は１層の磁性膜で構成されている。
【００９４】
　又、上記表１から表３に於ける各試料に付いての評価は、後述する出力変動率、３０％Ｒｏｌｌ−ｏｆｆ周波数が１００ＭＨｚ及びＯ／Ｗ値（ｄＢ）を採用し、当該出力変動率が１．０％以下であって、且つ、当該３０％Ｒｏｌｌ−ｏｆｆ周波数が１００ＭＨｚ以上であり、且つオーバーライトＯ／Ｗ値（ｄＢ）が３０以上の場合は、磁気ヘッドとして良好なる特性を示すものとする基準を設けて評価した。
【００９５】
　又、記録再生条件としては、磁気媒体の保磁力４０００Ｏｅ、磁気スペーシング３５ｎｍを基準として評価した。
【００９６】
　先ず、当該第１の実施形態の各特性値から判断すると、当該ヨーク長が、１９μｍ以下であれば、当該磁性膜の構成や、その製造方法には関係なく、後述する出力変動率が１．０％以下であって、且つ、３０％Ｒｏｌｌ−ｏｆｆ周波数が１００ＭＨｚ以上であると言う磁気ヘッドとして良好なる特性を示す事が判った。これに対し、比較例１に示した様に、ヨーク長が長いと特に周波数特性が悪化する事が判った。
【００９７】
　又、特に当該上コア１１に４５ＮｉＦｅ膜を使用した場合で当該４５ＮｉＦｅ膜の磁歪の値が１５×１０−６であっても、良好な磁気ヘッド特性を示すことが理解される。
【００９８】
　尚、比較例２及び比較例３は、上記した本発明に係る第１の実施形態と同一の構成を有してはいるものの、特に上コアを構成する磁気コア１１の膜厚が薄すぎた為、Ｏ／Ｗ値（ｄＢ）が著しく小さくなるので、当該磁気ヘッドとしては、好ましくない特性を示す事が判った。
【００９９】
　次に、本発明に於ける第２の実施形態、及びヨーク長Ｌを２３μｍから７５μｍまで変化させた比較例４乃至１４の結果から、記録動作に伴う出力変動、及び３０％Ｒｏｌｌ−ｏｆｆ周波数特性のヨーク長に対する評価結果を図１８及び図１９に示した。
【０１００】
　尚、ここでの「記録動作に伴う出力変動」とは記録動作後ごとに再生出力を測定した時の、再生出力の標準偏差の、再生出力の平均値に対する割合（「標準偏差」／再生出力の平均値」）である。
【０１０１】
　係る実験に於いては、複合ヘッド５０では、図８、図９に示すように、記録ギャップ７の近傍の磁気コア６ａ、磁気コア１１ａに、飽和磁化が大きく磁歪が正であるＣｏ−Ｎｉ−Ｆｅ膜を配置した。又、記録ギャップ７から遠い磁気コア６ｂ、磁気コア１１ｂにはパーマロイ膜を配置した。
【０１０２】
　図１８より明らかな様に、ヨーク長Ｌを２０μｍ以下となる様に、短くすることによって、上記に説明した、記録動作に伴う出力変動が減少することが明確である。
【０１０３】
　このヨーク長Ｌを短くすることでのノイズの低減効果は、従来全く指摘されていなかった事柄であるが、実際には驚くほど顕著であることが判明した。
【０１０４】
　図１８で示すように、ヨーク長が２０μｍ以下となると、出力変動は１％以下（「標準偏差」／再生出力の平均値」≦０．０１」）となる。
【０１０５】
　この水準は、記録ヘッドの記録動作の影響がほとんど無視できる水準である。一方、図１９は、ヨーク長Ｌを変えた複合ヘッド（構成は図８及び図９）において、インダクタンスの周波数特性を測定し、高周波側でのインダクタンスが低周波側に対して３０％低減する周波数（「３０％Ｒｏｌｌ−ｏｆｆ周波数」、と言う）を示す。
【０１０６】
　ここで、３０％Ｒｏｌｌ−ｏｆｆ周波数を高周波特性の目安としたのは、記録再生特性の内のノン−リニア−トランジション−シフト（ＮＬＴＳ）が、インダクタンスが３０％程度低減する周波数であるならば２０％未満となり、磁気記録再生系として満足の得られる範囲となることが確認されたことによる。
【０１０７】
　本発明に於いては、当該３０％Ｒｏｌｌ−ｏｆｆ周波数を１００ＭＨｚ以上である場合を当該磁気ヘッドとして適切な特性を有するものとして評価したものである。
【０１０８】
　図１８及び図１９から明らかな様に、磁気ヘッドに於けるヨーク長Ｌを短くすることによって、高周波特性は改善され、特に、ヨーク長Ｌが２０μｍ以下での改善が極めて顕著であることが確認された。
【０１０９】
　ヨーク長Ｌを短くすることによる、出力変動減少の原因については、定性的には、記録動作時に上シールドが磁化される体積が減少したことによって、実効的な磁歪の影響が減少したためである、と推察される。
【０１１０】
　しかしながら、この体積の減少が、実質的に再生出力の変動としてどの程度の影響になるかについては、定量的な見積りは困難であり、これまでも全く予測されて来なかった。
【０１１１】
　本発明の上記実験結果によって、出力変動とヨーク長Ｌとの関係が初めて定量化したものである。
【０１１２】
　以上の結果は、上シールドに磁歪が正である磁性膜が配置されても、再生特性に及ぼす記録動作の影響を、十分に小さくできることを示している。すなわち、従来の如く、パーマロイ膜のみを上シールドに適用してきた場合においては、その膜組成の管理を緩めることができることを意味し、製造歩留を向上させることが可能となる。
【０１１３】
　また、本発明の実施例において使用したＣｏ−Ｎｉ−Ｆｅめっき膜（元素の組成比が組成比が、Ｃｏが６０〜７０ｗｔ％、Ｆｅが１５〜３０ｗｔ％、Ｎｉが５〜１５ｗｔ％のもの）は特に高Ｂｓ膜であるため、高密度記録に適した材料であるが、その反面、磁歪や応力が大きい材料である。この為、本発明の技術を適用する上では特に好ましい材料であると言える。
【０１１４】
　更に、上記実施例から明らかのように、スパッタ法により形成されたＦｅ−Ｎ膜であっても、本発明の目的を達成し得ることが判る。
【０１１５】
　一方、図２０、図２１、図２２はヨーク長Ｌが５μｍ、１０μｍ、２０μｍと短い長さに於て変化させた時の、記録ギャップから発生する記録磁界強度と、磁気コアの飽和磁化と膜厚との積の関係（シュミレーション結果）を示すものである。
【０１１６】
　このとき、記録ギャップ長や記録ギャップの奥行きなどは一定とした。
【０１１７】
　また、各ヘッドのコイルの発生磁界（コイルの巻数×コイルに流す電流）はいずれも一定となるようにした。
【０１１８】
　さらに、磁界強度は、飽和値で規格化した。
【０１１９】
　各図を参照すると判る様に、記録磁界強度が飽和する飽和磁化×膜厚は、ヨーク長５μｍで０．７５（Ｔ・ｎｍ）、１０μｍで１．００（Ｔ・ｎｍ）、２０μｍで１．５（Ｔ・ｎｍ）と大きくなる。
【０１２０】
　各々のヨーク長に対して、前記以上の飽和磁化×膜厚とすることによって、記録磁界強度が飽和すること、即ち十分な記録磁界を得ることが判る。
【０１２１】
　つまり、上記の結果から判断すると、飽和磁化を一定としてみた場合、ヨーク長が短いほど、磁性膜の膜厚はより薄く構成出来ることが判る。即ち、ヨーク長に対しては、それに応じた適切な膜厚を設定する必要がある事を示している。
【０１２２】
　記録密度の向上に対応して、再生ギャップと記録ギャップとを近づけるために、上シールドを薄くすることが求められている。
【０１２３】
　従来、上シールドを薄くすると、記録動作後の出力変動が大きくなると言う傾向を示していた。そこで、上記の結果の如く、ヨーク長Ｌを２０μｍ以下と短くすることによって、上シールドを薄膜化しても、出力変動の抑制された複合ヘッドを提供できることが判る。
【０１２４】
　更に、上記の結果から判断すると、磁気コアの膜厚は、薄いほど渦電流損失の影響が小さくなる。
【０１２５】
　また、ヨーク長Ｌを短くすることによって、ヨーク幅やヨーク膜厚を小さくすることができることから、磁気コアの体積を飛躍的に減少できる。
【０１２６】
　この結果、高周波での渦電流損失が大幅に減少するために、ヨーク長Ｌを短くすればするほど、高周波での特性が飛躍的に改善される結果をもたらすものと考えられる。ただし、実用上は、使用する周波数帯域での記録特性を満足できれば良く、これを満たす範囲であるならば、製造しやすい厚さとすれば良い。
【０１２７】
　めっき法で磁気コア膜を形成する場合、膜厚があまり薄くなると、膜厚の管理は難しくなる。よって、ある程度膜厚が厚いことも製造上は利点がある。
【０１２８】
　更に、上記した各実施形態によって得られたそれぞれの記録ヘッドに関する特性データから、当該記録ヘッドとして好ましい特性を示す当該ヨーク長Ｌと飽和磁化及び膜厚との関係を図２４に示す。
【０１２９】
　つまり、図２４は、上記した各実験結果に基づいて、好ましい磁気コアの領域を示したグラフである。
【０１３０】
　即ち、図２４の好ましい領域は、ヨーク長Ｌが２０μｍ以下であって、磁気コアは、０．０５（Ｔ）×ヨーク長Ｌ（μｍ）＋０．５（Ｔ・μｍ）≦飽和磁化（Ｔ）×コア膜厚（μｍ）の関係を満たす様に設定されている事が望ましい。
【０１３１】
　また、図２４の結果は、磁気コアが磁性膜の積層体で構成された場合も含む。即ち、磁性膜が２層以上の場合には、上記の、飽和磁化（Ｔ）×コア膜厚（μｍ）は、磁気コアを構成する個々の磁性体に於ける飽和磁化（Ｔ）×コア膜厚（μｍ）との積の総和Σ（飽和磁化（Ｔ）×コア膜厚（μｍ））であり、この場合、０．０５（Ｔ）×ヨーク長Ｌ（μｍ）＋０．５（Ｔ・μｍ）≦Σ（飽和磁化（Ｔ）×膜厚（μｍ））の関係を満足するように設定されることが望ましい。
【０１３２】
　さらに、飽和磁化の大きいＣｏ−Ｎｉ−Ｆｅめっき膜の場合、その応力が問題となる。
【０１３３】
　例えば、飽和磁化２ＴのＣｏ−Ｎｉ−Ｆｅめっき膜では、０．８ＧＰａ程度の応力を持つ場合もあることから、あまり膜が厚いと膜の剥離が発生する。
【０１３４】
　図２３は、飽和磁化が２ＴのＣｏ−Ｎｉ−Ｆｅめっき膜の膜厚と膜の剥離発生率との関係を示した図である。
【０１３５】
　この図から判る様に、膜厚２μｍ以上で急激に剥離が発生する。
【０１３６】
　このことから、本発明において、高ＢｓのＣｏ−Ｎｉ−Ｆｅめっき膜を用いる場合には、ヨーク長Ｌが２０μｍ以下であって、磁気コアは、０．０５（Ｔ）×ヨーク長Ｌ（μｍ）＋０．５（Ｔ・μｍ）≦飽和磁化（Ｔ）×コア膜厚（μｍ）≦４（Ｔ・μｍ）の関係を満足するように設定されることが望ましい。
【０１３７】
　上記した様に、上記の表１乃至表３に示された各試料に於いては、図３４に示す様な、巻数が５ターンのコイル或いは二段に配置されているコイルの場合には、９ターンの巻数を持つコイルを使用するもので、従って、当該ヨーク長Ｌの長さが短くなれば、それに伴って、当該磁気コア間を貫通するコイルの幅は、それ以外に配置されていれる同一コイルの幅よりも細く形成されている。
【０１３８】
　従って、当該ヨーク長Ｌの長さに応じて、当該磁気コア間を貫通しているコイルの幅も変化する事になる。
【０１３９】
　そこで、本発明に係る当該磁気ヘッドに使用されるコイルとしては、互いに対向する第１と第２の磁気コアの間に形成された空間部を当該絶縁体を介して貫通する様に構成された当該コイルであって、当該コイルが形成されている面に上面（図３４の方向）から見た場合の、当該空間部を貫通している当該コイルの幅は、当該空間部以外に配置されている当該コイルの幅よりも細くなる様に構成されていることが好ましい。これによって、コイル抵抗の増大を抑制することができる。
【０１４０】
　つまり、磁気コア間に形成するコイル部分はヨーク長Ｌが短くなるに伴って、コイル幅を小さくする必要がある。しかしコイル幅を小さくするとコイル抵抗の増大を招く。
【０１４１】
　この為、このコイル抵抗の増大を抑制するために、コイル幅を小さくする必要のない部分、つまり磁気コア間に形成するコイル部分以外の所を大きくする。
【０１４２】
　これによって、コイル全体としてのコイル抵抗の増大を抑制することができる。
【０１４３】
　本発明においては、特にヨーク長Ｌを２０μｍ以下とすることに特徴があるため、特に磁気コア間に形成するコイル部分の幅は小さくする必要があり、よって、本発明において、上記の如くコイル間隔を適宜変えることによってコイル抵抗を抑制することの効果は非常に大きい。
【０１４４】
　上記表１〜表３の各実施形態に於いては、ヨーク長Ｌが短くなると、コイルの発生磁界（＝コイル巻数×電流）を同電流で一定とする為には、コイル幅を狭くして巻数を同じとする必要がある。
【０１４５】
　然しながら、一般的には、コイル磁界は全てヨークに吸収されるので、物理的に考慮すると、コイルが細くなっても、太くなっても当該磁気ヘッドからの出力には変化は無い。
【０１４６】
　図３３は、ヨーク長Ｌを４４μｍに設定し、上コアとしての磁気コア１１を１１ａが６７Ｃｏ８Ｎｉ２５Ｆｅ、１１ｂが８２Ｎｉ１８Ｆｅの２層で構成された磁性膜で構成し、上シールドとしての磁気コア６を６ａが６７Ｃｏ８Ｎｉ２５Ｆｅ、６ｂが  ８２Ｎｉ１８Ｆｅの２層で構成された磁性膜で構成した磁気ヘッドに於いて、当該磁気コア間を貫通するコイルの幅を変化させた場合の出力変動（％）を測定した結果を示すものである。
【０１４７】
　図３３から理解される様に、当該コイルの幅を変化させても、当該磁気ヘッドに於ける出力変動には、影響がない事が理解される。
【０１４８】
　この事は、コイルの発生磁界はコイルの幅には無関係であり、コイルの幅の変化が、当該磁気ヘッドの出力変動に影響を及ぼす物理的な要因とはなりえない事を示している。
【０１４９】
　同様に、本発明にかかる上記各実施形態に於て、磁気コアを構成する組成が変わると磁歪の値も変化する事が判る。
【０１５０】
　然しながら、図３２に示す様に、図１８と同様に、ヨーク長Ｌと出力変動値との関係を、磁歪が５×１０−６である磁性膜と磁歪が０．５×１０−６である磁性膜とに付いて比較実験を行い、その相違を検討した結果、出力変動が１％以下となる条件は、何れもヨーク長Ｌが２０μｍ以下である事が判った。
【０１５１】
　従って、当該ヨーク長Ｌが２０μｍ以下であれば、当該出力変動値に於て当該磁歪の影響が無い事が理解出来る。
【０１５２】
　従って、上記した様に、磁気ヘッドに於けるヨーク長Ｌの２０μｍ以下に短くする事により得られる効果は、それ以外の各種の要因とは無関係に得られるものである事を示している。
【０１５３】
　次に、本発明に係る当該磁気ヘッドに関する製造工程に於ける応力の問題に付いて検討した。
【０１５４】
　処で、前述したように、特に、飽和磁化が大きいめっき膜では応力が大きく、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｆｅ膜では０．８ＧＰａ程度の応力を持つ場合もあることから、あまり膜が厚いと膜の剥離が発生することになる。
【０１５５】
　図２３は、飽和磁化が２ＴであるＣｏ−Ｎｉ−Ｆｅ膜をめっき成膜した時の、膜厚と膜の剥離発生率との関係を示すグラフである。
【０１５６】
　即ち、膜厚が２μｍ以上で、急激に剥離発生率が増大する。すなわち、大きい飽和磁化を有する記録ヘッドを製造するためには、磁気コアとしては２μｍ以下であることが必要である事が判る。
【０１５７】
　次に、本発明に係る当該磁気ヘッドを製造する場合に於ける上記した当該記録ヘッド或いは再生ヘッドの構造に係わる技術的な問題点に付いて検討した。
【０１５８】
　特に、本発明に於いては、めっき処理方法による当該磁気ヘッドの製造が有利と考えられていることから、以下の検討では、めっき処理方法を中心に検討した。
【０１５９】
　即ち、前記した様に、本発明にかかる当該記録ヘッドの製造方法の一具体例としては、対向する第１の磁気コアと第２の磁気コアの一方の端部が記録ギャップを形成し、その他方の端部が磁気的接合を形成しており、前記第１の磁気コアと前記第２の磁気コアとの間に、絶縁体により絶縁されたコイルが設けられ、前記コイルにより励磁された前記第１、第２の磁気コアの磁束が、前記記録ギャップから漏れることにより磁気媒体に記録を行う磁気ヘッドを有する記録ヘッドを製造するに際し、当該コイルを形成する工程が、絶縁体膜上にシード層を形成する第１の工程、前記シード層上にレジストパタンを形成する第２の工程、前記レジストパタン間にコイル材をめっき成形により堆積せしめる第３の工程、前記レジストパタンを除去する第４の工程、レジストパタン下にあったシード層を除去する第５の工程、及び絶縁体で当該コイル材を覆う第６の工程、とが上記の順番で実行される様に構成されている記録ヘッドの製造方法である。
【０１６０】
　又、本発明に係る当該記録ヘッド６０の製造方法の他の具体例としては、対向する第１の磁気コアと第２の磁気コアの一方の端部が記録ギャップを形成し、その他方の端部が磁気的接合を形成しており、前記第１の磁気コアと前記第２の磁気コアとの間に、絶縁体により絶縁されたコイルが設けられ、前記コイルにより励磁された前記第１、第２の磁気コアの磁束が、前記記録ギャップから漏れることにより磁気媒体に記録を行う磁気ヘッドを有する記録ヘッドを製造するに際し、当該コイルを形成する工程が、絶縁体膜パタンを形成する第１の工程、前記絶縁体膜パタンにコイルを形成するための溝部を形成する第２の工程、前記溝部が形成された絶縁体パタンにシード層を形成する第３の工程、前記シード層上にめっきによりコイル材を形成する第４の工程、機械研磨により、前記溝部以外に形成されたコイル材を除去するとともに、前記溝部中に形成されたコイル材表面の高さと、前記溝部以外の前記絶縁体膜表面の高さとを合せる第５の工程、及び前記溝部中に形成されたコイル材と、前記溝部以外の前記絶縁体膜表面を絶縁体で覆う第６の工程、とが上記の順番で実行される様に構成されている記録ヘッドの製造方法である。
【０１６１】
　本発明に係る上記の記録ヘッド６０の製造方法に於いては、前記コイル材がＣｕを主成分とするものである事が望ましく、又、前記シード層がＣｕを主成分とするものである事も望ましい。
【０１６２】
　更には本発明に係る当該記録ヘッドの製造方法に於いて、前記シード層がＣｕの拡散を防止する目的から、Ｔａ、ＴａＮ、Ｔｉ、ＴｉＮから選択される少なくとも１種類の下地層上に形成されることが好ましい。
【０１６３】
　以下に、本発明に係る当該記録ヘッド６０及びその製造方法に付いて、より詳細に実施例の形で説明する。
【０１６４】
　即ち、図１、図２及び図５は、表１に示す本発明に係る当該記録ヘッド６０の第１の実施形態の一部の構成を示す図であり、図１は記録媒体３１と対向するＡＢＳ面４０と垂直な断面図で見た図であり、又図２は、ＡＢＳ面４０から見た平面図である。（つまり図１は、図２に於けるＡ−Ｂ線で見た断面図である。）又、図５は、本発明に係る記録ヘッド６０を含み、適宜の再生ヘッド部７０を含む複合ヘッド５０の一具体例の構成を示す断面図であり、図に於いて、スライダとなる基体１は、アルミナとチタンカーバイドとからなる複合セラミック１ａとアルミナ膜１ｂとからなる。この上に再生機能を有するＧＭＲヘッド７０が形成されている。
【０１６５】
　このＧＭＲヘッド７０は、パタン化された膜厚１μｍのＣｏ−Ｚｒ−Ｔａ−Ｃｒ膜（軟磁気特性を示す組成のもの、例えば、Ｃｏ８７Ｚｒ５ Ｔａ５ Ｃｒ３）からなる下シールド２と、上シールド６の間にあって、アルミナからなる磁気分離層３を介した磁気抵抗効果素子４とから構成されている。
【０１６６】
　更には、下シールド２と上シールド６の間のギャップ長は０．１２μｍである。
【０１６７】
　この磁気抵抗効果素子４は、図２に示すように、記録媒体３１からの磁界を感磁する中央領域４と、この中央領域４にバイアス磁界と電流とを供給する機能を有する端部領域５とからなる。
【０１６８】
　この中央領域４は一般にスピンバルブ効果と呼ばれるＧＭＲ効果を有する積層構造体からなり、具体的には下シールド２側から、下地Ｚｒ膜（膜厚３ｎｍ）、Ｐｔ−Ｍｎ膜（膜厚２０ｎｍ）、Ｃｏ−Ｆｅ膜（膜厚２ｎｍ）、Ｃｕ膜（膜厚２．１ｎｍ）、Ｃｏ−Ｆｅ膜（膜厚０．５ｎｍ）、Ｎｉ−Ｆｅ膜（膜厚２ｎｍ）、Ｚｒ膜（膜厚３ｎｍ）をこの順に積層した構成からなる。この中央領域４の幅は０．４μｍであり、再生トラック幅を規定している。
【０１６９】
　また、当該端部領域５は永久磁石膜としてのＣｏ−Ｐｔ膜（膜厚２０ｎｍ）、電極膜としてのＡｕ膜（膜厚５０ｎｍ）の積層構造である。
【０１７０】
　一方、上シールド６は、記録ヘッド６０の第１の磁気コア６として兼用される。上シールド６は、膜厚２μｍのパーマロイ膜６ｂと、膜厚０．５μｍのＣｏ−Ｎｉ−Ｆｅ膜（軟磁気特性を示す組成のもの、例えば、６５Ｃｏ１２Ｎｉ２３Ｆｅ）６ａとからなる。
【０１７１】
　更に、本発明に於ける記録ヘッド６０としては、前記上シールド６を第１の磁気コア６とし、磁気コア６上の膜厚０．１８μｍのアルミナによる記録ギャップ７を介して存在する非磁性絶縁体１０ａによってゼロスロートハイトを規定する。
【０１７２】
　この非磁性絶縁体１０ａはフォトレジストからなる。コイル９はＣｕめっき膜からなる二層構成とし、第一層目は非磁性絶縁体１０ａにより絶縁され、第二層目は非磁性絶縁体１０ｂにより絶縁される。
【０１７３】
　以上のコイル９と非磁性絶縁体１０からなる構造体を跨るように第２の磁気コア１１を形成する。
【０１７４】
　第２の磁気コア１１は、飽和磁化が２ＴのＣｏ−Ｎｉ−Ｆｅ膜（軟磁気特性を示す組成のもの、例えば、６５Ｃｏ１２Ｎｉ２３Ｆｅ）からなる。磁気コア１１のヨーク長は９．５μｍ、膜厚は１μｍである。
【０１７５】
　次に、図８、図９、図１０は、前記表２に示す本発明の第２の実施態様の構成に係る一部の記録ヘッドを使用した複合ヘッド５０の構成例を示すものであり、図８は記録媒体３１と対向するＡＢＳ面４０から見た構成図であり、図９、図１０は、当該ＡＢＳ面４０と垂直な断面図（図８のＡＢ断面）である。
【０１７６】
　本具体例に於ける当該複合ヘッド５０は、上記した第２の実施態様に於ける一部の記録ヘッド６０と適宜の再生ヘッド７０とが積層して形成された構成を有するものである。
【０１７７】
　図に於いては、スライダとなる基体１の上に、下シールド２、ＧＭＲ素子４、上シールド６からなる再生ヘッド７０と、当該上シールド６を第１の磁気コア６とする上記した第２の実施態様に示す記録ヘッド６０が形成された構成が示されている。
【０１７８】
　本具体例に於ける当該記録ヘッド６０部に於けるゼロスロートハイトは、図９では非磁性絶縁体１０で規定されるており、又、図１０では非磁性絶縁体８で規定される構成になっている。
【０１７９】
　又、本具体例に於いては、コイル９は、一層構成としている。
【０１８０】
　更に、本実施形態に於ける一部の当該記録ヘッド６０に於ける第２の磁気コア１１は、飽和磁化が２ＴのＣｏ−Ｎｉ−Ｆｅ膜（軟磁気特性を示す組成のもの、例えば、６５Ｃｏ１２Ｎｉ２３Ｆｅ）１１ａと、パーマロイ膜１１ｂの積層構成とした。
【０１８１】
　係る第２の実施態様に於ける一部の磁気コア１１に関するより詳細な構成としては、当該第２の磁気コア１１に於けるヨーク長Ｌは９．５μｍ、膜厚はＣｏ−Ｎｉ−Ｆｅ膜１１ａが０．６μｍ、パーマロイ膜が１１ｂが１μｍである。
【０１８２】
　次に、表２に示す、本発明に係る第３の実施形態に於ける一部の構成の例を図１１及び図１２に示す。
【０１８３】
　即ち、本発明の第３の実施形態では、第２の実施形態と同様に、本発明に係る当該記録ヘッド６０を含む複合ヘッド５０の形で示されるものであり、図１１は記録媒体３１と対向するＡＢＳ面４０から見た構成を示す平面図であり、図１２は当該ＡＢＳ面４０と垂直な断面図で見た構成を示す断面図、つまり図１１に於けるＡ−Ｂ線から見た断面図である。
【０１８４】
　本実施形態の一部の具体例に於いては、スライダとなる基体１上に、下シールド２、ＧＭＲ素子４、上シールド６で構成された適宜の再生ヘッド７０の上に、当該上シールド６を第１の磁気コア６とする上記した第１の実施形態に示す記録ヘッド６０が形成された構成が示されている。
【０１８５】
　本実施形態に於ける一部の当該記録ギャップ７の構成は、前述の本発明の第１の実施形態と同様であり、上記上シールド６は、膜厚２μｍのＣｏ−Ｎｉ−Ｆｅ膜（軟磁気特性を示す組成のもの、例えば、６５Ｃｏ１２Ｎｉ２３Ｆｅ）であり、当該第２の磁気コア１１は、飽和磁化が２ＴのＣｏ−Ｎｉ−Ｆｅ膜（軟磁気特性を示す組成のもの、例えば、６５Ｃｏ１２Ｎｉ２３Ｆｅ）１１ａと、パーマロイ膜１１ｂの積層構成からなる。
【０１８６】
　尚、当該実施形態における、該磁気コア１１のヨーク長Ｌは９．５μｍ、膜厚はＣｏ−Ｎｉ−Ｆｅ膜１１ａが０．６μｍ、パーマロイ膜１１ｂが１μｍである。
【０１８７】
　一方、図１３、図１４は、本発明に係る当該記録ヘッド６０を含む複合ヘッド５０の第４の実施形態を示す図であり、図１３は記録媒体３１と対向するＡＢＳ面４０から見た構成を示す平面図であり、図１４は記録媒体３１と対向するＡＢＳ面４０と垂直な断面図、つまり図１３に於けるＡ−Ｂ線でみた断面図である。本実施形態に於いては、スライダとなる基体１上に、下シールド２、ＧＭＲ素子４、及び上シールド６で構成された再生ヘッド７０の上に、前記した実施形態に於けると同様、当該上シールド６を第１の磁気コア６とする構成からなる記録ヘッド６０が搭載された構成を有している。
【０１８８】
　そして、当該記録ギャップ７、第２の磁気コア１１の構成は、前述の本発明の第１の実施形態と同様である。
【０１８９】
　又、当該実施形態の一部に於ける当該記録ヘッドでの上シールド６は、膜厚２μｍのＣｏ−Ｎｉ−Ｆｅ膜（軟磁気特性を示す組成のもの、例えば、６５Ｃｏ１２Ｎｉ２３Ｆｅ）である。
【０１９０】
　既に説明した様に、上記した各実施形態に係る試料のそれぞれに付いて、当該上シールド６（６ａ，６ｂ）、第２の磁気コア１１（１１ａ、１１ｂ）を構成する磁性膜の組成、製造方法、飽和磁化、磁歪、比抵抗およびその膜厚、ヨーク長Ｌを変化させて記録再生機能に関する特性値を測定した結果を表１に示すと共に、本発明の実施の形態に対する比較例として、従来のヨーク長の長い複合ヘッドに於ける特性値を表１に示した。
【０１９１】
　上記した比較実験結果から明らかな様に、本発明のヘッドの低ノイズ特性、良好な高周波特性が明らかであり、Ｏ／Ｗ特性も十分である。
【０１９２】
　次に、本発明に係る上記の記録ヘッド６０の製造方法に付いて検討する。
【０１９３】
　処で、ヨーク長Ｌが２０μｍ以下の記録ヘッドは、従来、製造されたことが無かった。又、ヨーク長Ｌの短い磁気コアを製造するためには、コイルの幅と厚さ、コイル間隔、コイルを絶縁するための絶縁体のコイルに対する位置関係、絶縁体の厚さなどが適切に設定されなければならない。
【０１９４】
　この内、コイルの幅と厚さ、およびコイル間隔は、必要とされるコイル巻数とコイル抵抗から任意に設定される。この際、主には、コイルパタン形成時の露光解像度が限界を規定する。
【０１９５】
　また、コイル抵抗が大きくなりすぎる場合には、前記した様に、図３４で示す磁気コア間を貫通しているコイル部分よりも貫通していないコイル部分のコイル幅を広くすることが有効である。
【０１９６】
　一方、ヨーク長Ｌが短くなることによって、コイルを絶縁する絶縁体の体積も適宜変更する必要がある。すなわち、絶縁体の厚さが薄くなり過ぎると、コイル絶縁不良の発生が問題となる。
【０１９７】
　そこで、特に、コイルの絶縁不良の原因となりやすい、最端部のコイルの被覆性、および、コイル上面の被覆性について、種々の試料を作成し、試験評価を行った。
【０１９８】
　その結果を図２５に示す。即ち、図２５は、上記した記録ヘッド６０の各部分の好ましい位置関係において、最短部のコイルから、例えば図１中で上側からコイル９を覆う絶縁体１０の端部までの距離Ｗ１，Ｗ２（μｍ）と、コイル９の厚さｄ（μｍ）との比Ｗ１／ｄと、絶縁不良率との関係を示す。
【０１９９】
　この時のコイル、および、絶縁体の製造方法は、例えば、後述する様に、図３０に示すように、（ａ）絶縁体膜１２上にシード層１３を形成する工程、（ｂ）シード層上にレジストパタン１４を形成する工程、（ｃ）レジストパタン間にコイル材１５をめっき形成する工程、（ｄ）レジストパタンを除去する工程、（ｅ）レジストパタン下にあったシード層を除去する工程、（ｆ）レジストによる絶縁体１６でコイルを覆う工程から構成されているものである。
【０２００】
　つまり、図２５のように、Ｗ１／ｄが０．５以上で絶縁不良はほぼ無くなる。
【０２０１】
　これは、コイル９の厚さに対して、コイル端からレジスト絶縁層端までの距離を十分に確保することで、最端部のコイル９の角の被覆性が十分に確保されるようになるためである。
【０２０２】
　この傾向は、図１乃至図３に示す本発明に係る当該記録ヘッド６０の構成に於けるＷ２／ｄ、Ｗ１’／ｄ’、Ｗ２’／ｄ’の場合も同様である。
【０２０３】
　一方、図２６は、コイル９を被覆する絶縁体のコイル９上での厚さｈ（μｍ）と、コイルの厚さｄ（μｍ）との比ｈ／ｄと、絶縁不良率との関係を示す。
【０２０４】
　コイル部の製造方法は図２５のときと同様である。ｈ／ｄが０．２以上で絶縁不良はほぼ無くなる。これは、コイル９上のレジスト膜厚が薄いときには、コイル間の凹凸を表面に残した状態となるために、コイル９の角などでの被覆性が十分でなくなるためである。この傾向は、例えば図３にように、コイルを２層構成とした時の、下層コイル、上層コイルの場合にも当てはまる。
【０２０５】
　また、図２５で絶縁不良が無くなる、Ｗ１／ｄ≧０．５以上は、図２６で示されたｈ／ｄ≧０．２であれば成り立つ。
【０２０６】
　つまり、本発明に於ける記録ヘッドに於て、当該コイル９の厚さｄ（μｍ）と最端部のコイル９から当該コイル９を覆う絶縁体１０の端部までの距離をＷ１、Ｗ２（μｍ）とすると、当該距離Ｗ１，Ｗ２（μｍ）は、それぞれ、Ｗ１／ｄ≧０．５、Ｗ２／ｄ≧０．５を満足する様に構成されている事が望ましい。
【０２０７】
　更には、本発明に於ける当該記録ヘッド６０に於いては、当該コイル９の厚さｄ（μｍ）、コイル９を被覆する絶縁体１０のコイル上での厚さｈ（μｍ）とすると、当該厚さｈ（μｍ）は、ｈ／ｄ≧０．２を満足する様に構成されている事が望ましい。
【０２０８】
　以上のようにコイル９をレジスト１０を用いて被覆する構成ならびに工程を用いた場合には、上記のような規定が必要である。例えば、ｉ線ステッパ露光の場合、上記の工程で作製可能なコイル幅、および、コイル間隔は、それぞれ０．８μｍ、０．３μｍ程度と見積られる。
【０２０９】
　これは、コイル厚さを１μｍ程度確保するためには、レジストパタン高さとしては２μｍ程度が必要であること、また、めっき時のレジストパタンの密着性を確保する必要があること、などから見積られる現実的な寸法である。
【０２１０】
　この時、コイル９を２層構成とし、下層５ターン、上層４ターンとすると、ヨーク長として１０μｍ程度が実現する。本発明により作製される複合ヘッド５０は、例えば、図５に示すとおりである。
【０２１１】
　さらなる短ヨークを実現する方法としては、前記した様に、図３１に示すように、（ａ）絶縁体膜パタン１７を形成する工程、（ｂ）前記の絶縁体膜パタンにコイルを形成するための溝部を形成する工程として、レジストパタン１８を形成する工程、（ｃ）前記レジストパタンを用いてエッチングを行う工程、（ｄ）レジストパタンを除去する工程、（ｅ）前記の溝部を形成された絶縁体パタンに下地層１９、シード層２０を形成する工程、（ｆ）前記のシード層上にめっきによりコイル材２１を形成する工程、（ｇ）研磨により、前記の溝部以外に形成されたコイル材を研磨により除去するとともに、前記の溝部中に形成されたコイル材２２表面の高さと、溝部以外の絶縁体膜表面の高さとを合せる工程、（ｈ）溝部中に形成されたコイル材と、溝部以外の絶縁体膜表面を絶縁体２３で覆う工程から構成される方法を採用する事が望ましい。
【０２１２】
　この方法によると、絶縁体膜１７のパタン化の際のレジスト厚は１μｍ程度で済むため、コイル幅、および、コイル間隔は、それぞれ０．３μｍ、０．３μｍ程度でも作製できる。
【０２１３】
　即ち、当該製造方法によって、コイル幅、及びコイル間隔をより精密に作製することの可能な製造方法である。
【０２１４】
　又、この方法では、図３０の方法の際の規定となったＷとｄとの関係、ｈとｄとの関係から開放される。
【０２１５】
　以上の製造方法によって、ヨーク長Ｌが２０μｍ以下の磁気コアの製作も可能になり、更には、５μｍ以下の磁気コアの作製も可能となる。本方法により作製される複合ヘッドは、図１５に示すとおりである。
【０２１６】
　本発明により作製される記録ヘッド６０を用いた複合ヘッド５０としては、図１６、図１７に示すように、再生ヘッド７０と記録ヘッド６０とが独立しており、上シールド６’と下側の記録コア６とが兼用されていない構成とすることもできる。
【０２１７】
　本発明の複合ヘッド５０を搭載した磁気記録再生装置８０の構成は図２９に示すとおりである。駆動用のモータ３０で回転する磁気媒体３１の、磁気記録面に対向して本発明のヘッド３２が、サスペンション３３、アーム３４により取り付けられ、ヴォイスコイルモータ（ＶＣＭ）３５でトラッキングされる。
【０２１８】
　ヘッド３２は図２８に示すように、スライダ２５、電極２７、記録再生素子（複合ヘッド）２６から構成されている。記録再生動作は、ヘッドへの記録再生チャネル３８からの信号により行われ、この記録再生チャネル３８、ヘッドの位置決めを行うＶＣＭ３５、および媒体を回転させる駆動モータ３０は、制御ユニット３７により連動している。
【０２１９】
　次に、上記の各種の条件を参照しながら、本発明の複合型ヘッド５０の製造方法についての一実施形態を図５を参照しながら詳細に説明する。
【０２２０】
　即ち、スライダである基体１となるアルミナとチタンカーバイドとからなる複合セラミック１ａ上に、絶縁体であるアルミナ膜１ｂをスパッタ法により形成する。
【０２２１】
　その後、この上に再生機能を有するＧＭＲヘッド７０、記録機能を有するＩＤヘッド６０の順に形成する。
【０２２２】
　本実施形態に於ける当該再生ヘッド７０として機能するＧＭＲヘッド７０は、以下の手順で形成する。
【０２２３】
　まず、下シールド２となるＣｏ−Ｔａ−Ｚｒ膜をスパッタ法により１μｍの膜厚で成膜した後に、フォトレジストマククを用いてイオンビームでエッチングしパタン化する。
【０２２４】
　次に、磁気分離層に相当する再生ギャップ３を形成するアルミナ膜をスパッタ法により０．０３μｍの膜厚で形成する。
【０２２５】
　その後、この上に、スパッタ法を用いて中央領域４となるスピンバルブ積層構造体を、下シールド２側から、下地Ｚｒ膜（膜厚３ｎｍ）、Ｐｔ−Ｍｎ膜（膜厚２０ｎｍ）、Ｃｏ−Ｆｅ膜（膜厚２ｎｍ）、Ｃｕ膜（膜厚２．１ｎｍ）、Ｃｏ−Ｆｅ膜（膜厚０．５ｎｍ）、Ｎｉ−Ｆｅ膜（膜厚２ｎｍ）、Ｚｒ膜（膜厚３ｎｍ）の順に積層する。さらに、フォトレジストマスクを用いてイオンビームでエッチングしパタン化する。
【０２２６】
　次いで、このフォトレジストマスクを用いて、スパッタ法により端部領域５となるＣｏ−Ｐｔ膜（膜厚２０ｎｍ）、Ａｕ膜（膜厚５０ｎｍ）の積層構造膜を成膜し、フォトレジストマスクをリフトオフすることによってＭＲ素子４を完成させる。
【０２２７】
　このＭＲ素子４上に、もう一方の再生ギャップ３を形成するアルミナ膜をスパッタ法により０．０５７μｍの膜厚で形成する。再生ギャップ長は０．１２μｍとなる。
【０２２８】
　一方、本実施形態に係るＩＤヘッド６０は以下の手順で形成する。
【０２２９】
　即ち、記録磁極と兼用される上シールド６は、フォトレジストの枠内にめっき膜を成長させる方法により形成する。
【０２３０】
　本実施形態に於いて使用する当該上シールド６ｂを構成するパーマロイ膜のめっき浴の条件は次のとおりである。
【０２３１】
名    称              濃  度（ｍｏｌ／Ｌ）
塩化ニッケル          ０．１６
硫酸ニッケル          ０．０８
塩化ナトリウム        ０．４２
ほう酸                ０．４０
サッカリンＮａ        ０．００７２
硫酸第一鉄            ０．００４５
ラウリル硫酸Ｎａ      ０．０００３５
３６％塩酸            ０．００１７
ＰＨ                ２．６
電流密度            ６ｍＡ／ｃｍ２
　さらに、上シールド６ａを構成するＣｏ−Ｎｉ−Ｆｅ膜のめっき浴の条件は次のとおりである。
【０２３２】
名    称                濃  度（ｍｏｌ／Ｌ）
硫酸コバルト          ０．０９２
硫酸ニッケル          ０．２０
塩化アンモニウム      ０．２８
ほう酸                ０．４０
硫酸第一鉄            ０．００１６
ラウリル硫酸Ｎａ      ０．０００３５
８０％硫酸            ０．００１２
ＰＨ            ２．８
電流密度        １５ｍＡ／ｃｍ２
　上記した第１の磁気コア６と上シールド６とは兼用であり、上シールド６上に、膜厚０．１８μｍのアルミナによる記録ギャップ７をスパッタ法で成膜する。この上に、フォトレジストの枠内にＣｕめっき膜を成長させる方法で、コイル９の１層目を形成し、さらにフォトレジストからなる非磁性絶縁体１０ａを形成する。同様の方法でコイル９の２層目を形成し、さらにフォトレジストからなる非磁性絶縁体１０ｂを形成する。
【０２３３】
　この工程は図３０に示す通りである。
【０２３４】
　ヨーク長Ｌが９．５μｍの磁気コアを作製する際には、図５のように２層コイル構成とし、１層目５ターン、２層目４ターンとすると、コイル厚１μｍ、コイル幅１μｍ、コイル間隔０．３μｍ程度で可能となる。
【０２３５】
　この際、図４で示したＷ１、Ｗ２はスロートハイトを０．５μｍとすると、１．４μｍとなり、Ｗ１／ｄ≧０．５、Ｗ２／ｄ≧０．５、Ｗ１’／ｄ≧０．５、Ｗ２’／ｄ≧０．５を満足できる。
【０２３６】
　また、ｈ／ｄ≧０．２、ｈ’／ｄ’≧０．２を満足するためには、ｈ（ｈ’）≧０．２μｍであり、これは十分に作製可能である。
【０２３７】
　この時のコイル抵抗は１８Ω程度であった。
【０２３８】
　コイルの断面積が小さいことで抵抗は増大するが、磁気コアと交差しない部分でのコイル幅を大きくすることによって、抵抗値を小さく保つことが可能であった。
【０２３９】
　図５に於いてｄとｄ’を１μｍ、ｈとｈ’を０．５μｍとすると、２層コイルと絶縁体との構造体の高さは３μｍとなる。
【０２４０】
　従来、ヨーク長Ｌの長いヘッドでは、コイル幅２μｍ、コイル厚さ２μｍ、コイル上の絶縁膜厚２μｍ程度が標準的であるため、２層コイルと絶縁体との構造体の高さは８μｍ程度となっていた。
【０２４１】
　本発明の記録ヘッド６０では、上磁気コア１１を形成する際の、コイルと絶縁体との構造体の高さによる段差を、従来の８μｍから３μｍへと大幅に減少させることができた。
【０２４２】
　当該第２の磁気コア１１を形成する際には図２７に示すように、コイル／絶縁体の段差上に、フォトレジスト２８を塗布する。
【０２４３】
　この時、従来、３μｍ程度の膜厚の磁気コアを形成するためには５μｍ程度のレジストを塗布する必要があったが、記録幅を決定する最も狭幅でパタン化する必要のあるＡＢＳ付近でのレジスト厚は、前記段差の影響で１０μｍ程度にまで達していた。よって、従来のヘッドでパタン化できる最小の幅は１μｍ程度であった。
【０２４４】
　それに対して、本発明の記録ヘッド６０では、前記コイル／絶縁体の段差が３μｍ程度と低い上に、磁気コア自体の膜厚も薄くできることから、ＡＢＳ付近でのレジスト厚は５μｍ以下となり、０．５μｍ程度のパタン化が可能となった。一方、第２の磁極１１は、Ｂｓが２ＴのＣｏ−Ｎｉ−Ｆｅ膜を用いた。Ｃｏ−Ｎｉ−Ｆｅ膜のめっき浴の条件は次のとおりである。
名    称                濃  度（ｍｏｌ／Ｌ）
硫酸コバルト          ０．０９２
硫酸ニッケル          ０．２０
塩化アンモニウム      ０．２８
ほう酸                ０．４０
硫酸第一鉄            ０．００１６
ラウリル硫酸Ｎａ      ０．０００３５
８０％硫酸            ０．００１２
ＰＨ            ２．８
電流密度        １５ｍＡ／ｃｍ２
　次に、表３に示されている本発明の第５の実施形態を、複合ヘッド５０の構成として図１５に示す。
【０２４５】
　スライダとなる基体１、下シールド２、ＧＭＲ素子４、記録ギャップ７、上シールド６の構成は、前述の本発明の第１の実施形態と同様である。本実施形態でのヨーク長Ｌは５μｍである。本発明でのヘッドの実施形態例、および、比較例１５を、表３に示す。
【０２４６】
　第５の実施形態の製造方法を以下に述べる。本実施形態では、コイル９およびその絶縁体１０ａ、１０ｂの製造方法に、図３１に示す全く新しい方法を用いている。
【０２４７】
　まず、記録ギャップ７を構成するアルミナ膜上に、膜厚１μｍのＳｉＯ２ 膜を成膜しパタン化１７した（図３１（ａ））。
【０２４８】
　次に、前記のＳｉＯ２ 絶縁体膜パタン１７にコイルを形成するための溝部を形成する工程として、レジストパタン１８を形成した（図３１（ｂ））。
【０２４９】
　次に、前記レジストパタンを用いてＣＦ４ガスを用いてエッチングを行った（図３１（ｃ））。エッチング深さは０．８μｍとした。
【０２５０】
　次に、レジストパタンを除去し（図３１（ｄ））、前記の溝部の形成された絶縁体パタンにＴａＮ下地層１９、Ｃｕシード層２０を形成し（図３１（ｅ））、シード層上にめっきによりＣｕ膜２１を形成した（図３１（ｆ））。
【０２５１】
　次に、機械研磨によって、前記の溝部以外に形成されたＣｕ膜を研磨により除去するとともに、溝部中に形成されたＣｕ膜２２の表面の高さと、溝部以外の絶縁体膜表面の高さとを合せ（図３１（ｇ））、最後に、溝部中に形成されたＣｕコイルと、溝部以外の絶縁体膜表面を膜厚０．２μｍのＳｉＯ２ 絶縁体２３で覆うことにより、コイルと絶縁体との構造体を完成させた。
【０２５２】
　この方法により、コイル幅０．４μｍ、コイル厚さ（高さ）０．７μｍ、コイル間隔０．３μｍ、スロートハイト０．５μｍ、最端部コイル側面から磁気コア間のＳｉＯ２ 幅０．６５μｍとなり、ヨーク長５μｍが実現した。
【０２５３】
　また、このコイルと絶縁体との構造体の高さは、わずか１．１μｍであった。この低い段差によって、ＡＢＳ面付近では０．３μｍ幅程度のパタン化が可能であった。
【０２５４】
　よって、本プロセスは、ヨーク長の短い磁気コアを形成するのに有効であるのみならず、トラック幅の狭い記録ヘッドの製造にも好適であると言える。
【０２５５】
　次に、本発明の第６の実施形態を、複合ヘッドの構成として図１６及び、図１７に示す。
【０２５６】
　即ち、図１６は記録媒体３１と対向するＡＢＳ面４０から見た構成を示す平面図であり、図１７は、当該ＡＢＳ面４０と垂直な断面、つまり図１６のＡ−Ｂ線から見た断面図である。
【０２５７】
　本実施形態では、再生ＧＭＲヘッド７０の上シールド６’と記録ヘッド６０の下側の磁気コア６とは独立であり、非磁性層２４によって分離されている構成を採用している。
【０２５８】
　本実施形態に於ける当該上シールド６’は膜厚２μｍのパーマロイ膜である。又、そのヨーク長Ｌは９．５μｍであり、下側の磁気コア６、および、上側の磁気コア１１は、ともに膜厚１μｍのＣｏ−Ｎｉ−Ｆｅ膜（軟磁気特性を示す組成のもの、例えば、６５Ｃｏ１２Ｎｉ２３Ｆｅ）からなっている。
【０２５９】
　本実施形態の複合ヘッド５０でも、記録動作に伴う出力変動は０．５％以下、インダクタンスの３０％Ｒｏｌｌ−ｏｆｆ周波数は３９０ＭＨｚ、Ｏ／Ｗは４５ｄＢと良好であった。
【０２６０】
　一方、本発明の第７の実施形態は、本発明による記録ヘッド６０を含む複合ヘッド５０を搭載した磁気記録再生装置８０である。
【０２６１】
　図２９に示すように、駆動用のモータ３０で回転する磁気媒体３１の、磁気記録面に対向して本発明のヘッド３２が、サスペンション３３、アーム３４により取り付けられ、ヴォイスコイルモータ（ＶＣＭ）３５でトラッキングされる。
【０２６２】
　ヘッド３２は図２８に示すように、スライダ２５、電極２７、記録再生素子（複合ヘッド）２６から構成されている。
【０２６３】
　記録再生動作は、ヘッドへの記録再生チャネル３８からの信号により行われ、この記録再生チャネル、ヘッドの位置決めを行うＶＣＭ、および媒体を回転させる駆動モータは、制御ユニット３７により連動している。
【０２６４】
　本磁気記録再生装置は、高密度で大容量な記憶装置であるとともに、高速度でのデータ転送に有利な記憶装置である。
【０２６５】
　さらに、前記の第１、第２の磁気コアの一方を第１の磁気シールドとして兼用し、前記の第１の磁気シールド（上シールドと言う）と、前記の第１の磁気シールドと対向して設けられた第２の磁気シールド（下シールドと言う）との間に設けられた磁気抵抗効果素子４によって再生を行い、上記記載の記録ヘッド６０によって記録を行うことを特徴とする複合ヘッド５０である。
【０２６６】
　また、対向して設けられた第１の磁気シールド（上シールドと言う）と第２の磁気シールド（下シールドと言う）との間に設けられた磁気抵抗効果素子４によって再生を行い、これと積層された上記の記載の記録ヘッド６０によって記録を行うことを特徴とする複合ヘッド５０である。
【０２６７】
　そして、上記の複合ヘッド５０を搭載して構成されたのが、本発明に於ける上記実施形態に示す磁気記録再生装置８０である。
【図面の簡単な説明】
【０２６８】
【図１】図１は、本発明に係る記録ヘッドの第１の実施形態の構成を示す断面図である。
【図２】図２は本発明に係る記録ヘッドの１実施形態に於けるＡＢＳ面から見た構成を示す平面図である。
【図３】図３は、本発明に係る記録ヘッドの他の構成を示す断面図である。
【図４】図４は、本発明に係る記録ヘッドの別の構成を示す断面図である。
【図５】図５は、本発明にかかる複合ヘッドの構成例を示す断面図である。
【図６】図６は、従来の複合ヘッドの一例の構成を示す断面図である。
【図７】図７は、図６に示す従来の複合ヘッドのＡＢＳ面から見た構成を示す平面図である。
【図８】図８は、本発明の第２の実施形態を示す複合ヘッドのＡＢＳ面から見た構成図である。
【図９】図９は、本発明の第２の実施形態を示す複合ヘッドの断面図である。
【図１０】図１０は、本発明の第２の実施形態の他の構成を示す複合ヘッドの断面図である。
【図１１】図１１は、本発明の第３の実施形態を示す複合ヘッドのＡＢＳ面から見た構成図である。
【図１２】図１２は、本発明の第３の実施形態を示す複合ヘッドの断面図である。
【図１３】図１３は、本発明の第４の実施形態を示す複合ヘッドのＡＢＳ面から見た構成図である。
【図１４】図１４は、本発明の第４の実施形態を示す複合ヘッドの断面図である。
【図１５】図１５は、本発明の第５の実施形態を示す複合ヘッドの断面図である。
【図１６】図１６は、本発明の第６の実施形態を示す複合ヘッドのＡＢＳ面から見た構成図である。
【図１７】図１７は、本発明の第６の実施形態を示す複合ヘッドの断面図である。
【図１８】図１８は、記録動作に伴う出力変動とヨーク長Ｌの関係を示す図である。
【図１９】図１９は、インダクタンスの３０％低減する周波数とヨーク長の関係を示す図である。
【図２０】図２０は、記録磁界と磁気コアの飽和磁化×膜厚との関係図である。
【図２１】図２１は、記録磁界と磁気コアの飽和磁化×膜厚との関係図である。
【図２２】図２２は、記録磁界と磁気コアの飽和磁化×膜厚との関係図である。
【図２３】図２３は、磁気コア膜の剥離発生率と膜厚（飽和磁化は２Ｔ一定）との関係図である。
【図２４】図２４は、本発明のヨーク長Ｌと飽和磁化×膜厚の範囲を示す図である。
【図２５】図２５は、コイルの絶縁不良率とコイル−絶縁膜の位置関係を示す図である。
【図２６】図２６は、コイルの絶縁不良率と、コイル上の絶縁層厚（ｈ）／コイル厚（ｄ）との関係図である。
【図２７】図２７は、コイル／絶縁体構造体に磁気コア形成用のフォトレジストを塗布した断面図である。
【図２８】図２８は、本発明の複合ヘッドを搭載したスライダ図である。
【図２９】図２９は、本発明の磁気記録再生装置の一実施形態の構成を示す構成図である。
【図３０】図３０は、本発明の記録ヘッドを製造する製造工程の例を示す工程図である。
【図３１】図３１は、本発明の記録ヘッドを製造する製造工程の他の例を示す工程図である。
【図３２】図３２は、本発明に於ける記録ヘッドの記録動作に伴う出力変動とヨーク長Ｌの関係を磁歪をパラメータとして示したグラフである。
【図３３】図３３は、本発明の記録ヘッドに関するコイル幅と出力変動との関係を示すフラフである。
【図３４】図３４は、本発明の記録ヘッドに於て形成されるコイルの配線パターンの例を示す平面図である。
【符号の説明】
【０２６９】
１…基体
１ａ…複合セラミック
１ｂ…アルミナ膜
２…下シールド
３…再生ギャップ
４…中央領域
５…端部領域
６…磁気コア
６’…上シールド
６ａ…Ｃｏ−Ｎｉ−Ｆｅ膜
６ｂ…パーマロイ膜
７…記録ギャップ
８…フォトレジスト
９…コイル
１０、１０ａ、１０ｂ…絶縁体
１１…第２の磁気コア、上側磁気コア
１２…絶縁体膜
１３…シード層
１４…レジストパタン
１５…コイル材
１６…絶縁体
１７…絶縁体膜パタン
１８…レジストパタン
１９…下地層
２０…シード層
２１…コイル材
２２…コイル材
２３…絶縁体
２４…非磁性層
２５…スライダ
２６…記録再生素子（複合ヘッド）
２７…電極
３０…駆動用のモータ
３１…記録媒体
３２…ヘッド
３３…サスペンション
３４…アーム
３５…ヴォイスコイルモータ（ＶＣＭ）
３７…制御ユニット
３８…記録再生チャネル
４０…ＡＢＳ面
５０…複合ヘッド
６０…記録ヘッド
６１、６２…磁気コアの端部
６３…磁気的接合
６４…先端部
６５…接点
７０…再生ヘッド、ＧＭＲヘッド
８０…磁気記録再生装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
2004087123.tif 000024
【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
2004087123.tif 000027
【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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