(57)【要約】【課題】半導体デバイスに関し、フリップチップ実装における高精度の位置合わせ、高歩留まりを実現すること。【解決手段】半導体デバイス１０の表面の四隅には円筒状の突起１８が配置されている。これらの突起１８は、デバイスの製造工程において周知のフォトリソグラフィー技術により保護層１４を形成する際に同一の工程で形成することができ、したがって、保護層１４と同様に樹脂等のレジスト材からなる。突起１８の高さは、保護層１４の突出高さより１μｍ以上大きく、かつ、各先端は平面状で、同一の仮想平面に位置するように同じ高さであることが好ましい。【選択図】　　　　図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に第１の突出部を有する半導体デバイスにおいて、
前記表面において前記第１の突出部の周囲に配置され、前記第１の突出部よりも突出した第２の突出部を備えており、
該第２の突出部の上端が同一の仮想平面上にあることを特徴とする半導体デバイス。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体デバイスにおいて、
前記第１の突出部と前記第２の突出部は、同一の材料を用いて形成されていることを特徴とする半導体デバイス。
【請求項３】
請求項１または２に記載の半導体デバイスにおいて、
前記第１の突出部内には磁気検出素子が配置されており、前記第１の突出部は前記磁気検出素子を保護するための樹脂材料からなる保護層であることを特徴とする半導体デバイス。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の半導体デバイスにおいて、
前記第２の突出部は、それぞれ異なる位置に形成された複数の第２の突出部からなり、該複数の第２の突出部の上端によって前記仮想平面が決定されることを特徴とする半導体デバイス。
【請求項５】
請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の半導体デバイスにおいて、
前記第２の突出部は、前記第１の突出部のほぼ全体を取り囲むように延在し、該延在する部分の上端によって前記仮想平面が決定されることを特徴とする半導体デバイス。
【請求項６】
請求項４または５に記載の半導体デバイスにおいて、
バンプを介してフリップチップ実装される基板をさらに備えたことを特徴とする半導体デバイス。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体デバイスに関し、特に、フリップチップ実装される半導体デバイスに関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、半導体デバイス製造において行なわれているフリップチップ実装工程では、図４に示すようにチップ４１０をダイシングテープ４１５またはトレイ（図示せず）からピックアップコレット４００により真空吸着してピックアップ（図４（ａ））した後、これを裏返して移載コレット４０５により真空吸着した状態で（図４（ｂ））、中間台４２０の上に載せ（図４（ｃ））、画像認識技術を利用して中間台４２０上のチップ４１０の外形認識を行ない、位置ずれ・角度ずれを把握する。そして、これらのずれを補正するために超音波・加温・荷重ヘッドなどの接合ツール４３０によりチップ４１０をピックアップし直して（図４（ｄ）、ここには超音波振動子を利用した超音波接合ツール４３０を示した）、チップ４１０を搬送して被実装側の基板４４０上で位置合わせを行なってバンプ４３５と接合し（図４（ｅ））、位置ずれが許容誤差内に収まるようにフリップチップ実装を行なう。
【０００３】
チップにホール素子が形成されている半導体デバイスの場合、チップ表面の中央に感磁部が配置されているものがあり、この感磁部がチップ表面よりも高く突出した形状とされるものがある。また、樹脂等のレジスト材からなる保護層で感磁部を被覆して保護する構造のものがあり、この構造のものは、保護層で被覆した部分がチップ表面よりも高く盛り上がる形状となっている。
【０００４】
図５は、このような構造の半導体チップの二面図である。
図５において、５１０は半導体チップ、５２０はホール素子の感磁部、５１６はホール素子の電極を示している。５１４は感磁部５２０を覆う、チップ表面より突出した保護層を示している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、上述したフリップチップボンダーを用いてこのような半導体チップをフリップチップ実装する場合、裏返したチップを図４（ｃ）の工程において中間台４２０に載せたときに、図６に示すように中間台４２０上でチップ５１０が傾いてしまうために、チップ５１０の裏面を認識するカメラ（図示せず）がチップ裏面の適切な画像（中間台上面とチップ裏面が平行なときの裏面の画像）を得ることが出来ないことがあった。
【０００６】
したがって、チップ裏面を認識できても認識位置を誤ってしまうために、実装ツールによりピックアップし直して位置ずれの補正を行なう際に正しい位置に補正することができず、被実装側の基板４４０に対する実装位置がずれてしまう場合があった。また、チップの傾斜のためにチップ自体を認識できず、そのチップを廃棄せざるを得ないこともあった。
【０００７】
本発明の目的は、上記の問題点を解消することのできる半導体デバイスを提供することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために本発明では、表面に第１の突出部を有する半導体デバイスにおいて、前記表面において前記第１の突出部の周囲に配置され、前記第１の突出部よりも突出した第２の突出部を備えており、該第２の突出部の上端が同一の仮想平面上にある形態の半導体デバイスを実施した。
【０００９】
ここで、前記第１の突出部と前記第２の突出部は、同一の材料を用いて形成されている形態も好ましい。
【００１０】
ここで、前記第１の突出部内には磁気検出素子が配置されており、前記第１の突出部は前記磁気検出素子を保護するための樹脂材料からなる保護層である形態も好ましい。
【００１１】
ここで、前記第２の突出部は、それぞれ異なる位置に形成された複数の第２の突出部からなり、該複数の第２の突出部の上端によって前記仮想平面が決定される形態も好ましい。
【００１２】
ここで、前記第２の突出部は、前記第１の突出部のほぼ全体を取り囲むように延在し、該延在する部分の上端によって前記仮想平面が決定される形態も好ましい。
【００１３】
ここで、バンプを介してフリップチップ実装される基板をさらに備えた形態も好ましい。
【００１４】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の好ましい形態について図面を参照して説明する。
（一実施形態）
図１は本発明に係る半導体デバイスの一実施形態の二面図である。
本実施形態に係る半導体デバイス１０には、その表面の中央に磁気検出素子であるホール素子が形成されている。ホール素子は磁気を検出する十文字状の感磁部１２を有し、感磁部１２は樹脂等のレジスト材からなる保護層１４で被覆されている。保護層１４はデバイス表面（図１（ｂ）において上面）から上方に突出して形成されている。ホール素子に電気的に結合した４つの電極１６のうち、１つは入力端子、もう１つはグランド端子、残り２つは出力端子とされる。
【００１５】
半導体デバイス１０の表面の四隅には円筒状の突起１８が配置されている。これらの突起１８は、デバイスの製造工程において周知のフォトリソグラフィー技術により保護層１４を形成する際に同一の工程で形成することができ、したがって、保護層１４と同様に樹脂等のレジスト材からなる。突起１８の高さ（図１（ｂ）中、上方への突出量）は、図１（ｂ）に示すことは困難であるが、保護層１４の突出高さより１μｍ以上大きく、かつ、各先端は平面状で、同一の仮想平面に位置するように同じ高さであることが好ましい。
【００１６】
図２は、このような構成の半導体デバイス１０をフリップチップ実装工程において真空吸着し、裏返して移載コレットにより真空吸着した状態で、図４（ｃ）に示したように中間台４２０の上に載せた状態を示す。
【００１７】
半導体デバイス１０は中間台４２０上で突起１８によって安定に支持され、かつ、保護層１４と中間台４２０の間には前述した突出高さの違いによって微小な間隙（図示せず）ができるため、保護層１４が中間台４２０と当たって損傷することはない。
【００１８】
この状態で半導体デバイス１０の表面（図２において下面）は傾斜することなく中間台４２０の上面と平行であり、したがって、中間台４２０の上面と半導体デバイス１０の裏面（図２において上面）が平行となるため、画像認識技術を利用して半導体デバイス１０の外形認識を行なう際に、認識位置を誤まることなく位置ずれ・角度ずれを精度よく把握することが可能となる。このことから、基板（図示せず）とフリップチップ実装する際に適切な補正を行なえ、基板と正確に位置合わせすることができる。また、半導体デバイス１０を確実に認識できるため、無駄に廃棄することもない。
【００１９】
なお、本実施形態における４個の突起１８は、ホール素子の中心位置を中心として互いに回転対称な位置に配置されることが安定な支持のためには最も好ましいが、必須の要件は、各突起の先端によって一つの仮想平面を決定できるように配置されていることである。
【００２０】
（他の実施形態）
以下、上述した必須の要件を満足する種々の実施形態を図３（ａ）〜（ｇ）に例示する。ここでは表面からの形状のみを示したが、突起の高さおよび材料についての要件は上記実施形態の場合と同様である。
【００２１】
図３（ａ）は突起３０を４角筒状とした例、図３（ｂ）は４角筒状の突起３１の配置の変形例、図３（ｃ）は上記実施形態の場合と同一形状の突起３２の配置の変形例、図３（ｄ）は図３（ｂ）の突起形状の変形例である。突起３３は、ホール素子の中心位置を中心として互いに回転対称に配置され、かつ放射状の形状とされている。
【００２２】
図３（ｅ）と（ｆ）は突起を三箇所に配置した例であり、突起３５は４角筒状、突起３６は円筒状である。
【００２３】
図３（ａ）〜（ｆ）は、保護層１４の周囲のそれぞれ異なる位置に３個または４個の突起を配置した例であるが、図３（ｇ）は保護層１４の全体を取り囲むように、半導体チップ１０の外周に突起３８を延在させて設けた例である。この例では突起３８は全体が連続して閉じているが、連続しない部分があっても（保護層１４の全体ではなくほぼ全体を取り囲む形状）構わない。
【００２４】
【発明の効果】
以上説明したように本発明に係る半導体デバイスによれば、表面の第１の突出部よりも突出した第２の突出部を第１の突出部の周囲に備え、第２の突出部の上端が同一の仮想平面上にあることから、半導体デバイスが裏返されて台に載せられた際に安定して支持されることとなり、裏面認識精度を向上させることができる。よって、フリップチップ実装における生産効率を向上でき、無駄なチップ廃棄をなくすことができ、さらに、実装時の位置合わせ精度を向上でき、歩留まり向上を実現できる効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る半導体デバイスの一実施形態の二面図である。
【図２】本発明に係る半導体デバイスの一実施形態のフリップチップ実装工程の途中を示す模式的な側面図である。
【図３】本発明に係る半導体デバイスの種々変形例を示す平面図である。
【図４】半導体デバイスのフリップチップ実装工程の工程図である。
【図５】フリップチップ実装される従来の半導体デバイスの一例の二面図である。
【図６】図５に示した従来の半導体デバイスの問題点を説明するための模式的な側面図である。
【符号の説明】
１０　半導体デバイス（半導体チップ）
１２，５２０　感磁部
１４　保護層
１６　電極
１８，３０〜３３，３５，３６，３８　突起
４００　ピックアップコレット
４０５　移載コレット
４１０，５１０　チップ（半導体デバイス）
４１５　ダイシングテープ
４２０　中間台
４３０　超音波接合ツール
４３５　バンプ
４４０　基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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