(57)【要約】【課題】マルチドメイン型ＶＡＮモードを採用した場合であっても、高い透過率及び高い応答速度の双方を実現可能な液晶表示装置を提供すること。【解決手段】本発明の液晶表示装置は、互いに対向した第１及び第２基板７，１５、前記第１基板７の前記第２基板１５との対向面に設けられた画素電極１０、前記第２基板１５の前記第１基板７との対向面に設けられた共通電極１６、及び前記画素電極１０と前記共通電極１６との間に介在した液晶層４を備えた液晶セル１０１と、前記液晶セル１０１の一方の主面に対向し且つ前記液晶セル１０１側から順次配置されたλ／４波長板及び偏光板を備えた第１円偏光素子とを具備し、前記画素電極１０は櫛歯の長手方向が互いに異なり且つ互いに電気的に接続された複数の櫛形導電層を備えたことを特徴とする。【選択図】　　図２
2004077697.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに対向した第１及び第２基板、前記第１基板の前記第２基板との対向面に設けられた画素電極、前記第２基板の前記第１基板との対向面に設けられた共通電極、及び前記画素電極と前記共通電極との間に介在した液晶層を備えた液晶セルと、
前記液晶セルの一方の主面に対向し且つ前記液晶セル側から順次配置されたλ／４波長板及び偏光板を備えた第１円偏光素子とを具備し、
前記画素電極と前記共通電極との間に電圧を印加した場合に、前記液晶層の前記画素電極と前記共通電極とに挟まれた領域である画素領域内に、電界の強さが互いに異なる第１及び第２領域を形成し、
前記第１及び第２領域はそれぞれ前記液晶層を含む面内の一方向に延びた形状を有し且つ前記面内の前記方向と交差する方向に交互に及び繰り返し配列したことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
互いに対向した第１及び第２基板、前記第１基板の前記第２基板との対向面に設けられた画素電極、前記第２基板の前記第１基板との対向面に設けられた共通電極、及び前記画素電極と前記共通電極との間に介在した液晶層を備えた液晶セルと、
前記液晶セルの一方の主面に対向し且つ前記液晶セル側から順次配置されたλ／４波長板及び偏光板を備えた第１円偏光素子とを具備し、
前記画素電極と前記共通電極との間に電圧を印加した場合に、前記液晶層の前記画素電極と前記共通電極とに挟まれた領域である画素領域内に、透過率または反射率が互いに異なる第１及び第２領域を形成し、
前記第１及び第２領域はそれぞれ前記液晶層を含む面内の一方向に延びた形状を有し且つ前記面内の前記方向と交差する方向に交互に及び繰り返し配列したことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項３】
互いに対向した第１及び第２基板、前記第１基板の前記第２基板との対向面に設けられた画素電極、前記第２基板の前記第１基板との対向面に設けられた共通電極、及び前記画素電極と前記共通電極との間に介在した液晶層を備えた液晶セルと、
前記液晶セルの一方の主面に対向し且つ前記液晶セル側から順次配置されたλ／４波長板及び偏光板を備えた第１円偏光素子とを具備し、
前記画素電極と前記共通電極との間に電圧を印加した場合に、前記液晶層の前記画素電極と前記共通電極とに挟まれた領域である画素領域内に、前記液晶層に含まれる液晶分子のチルト角が互いに異なる第１及び第２領域を形成し、
前記第１及び第２領域はそれぞれ前記液晶層を含む面内の一方向に延びた形状を有し且つ前記面内の前記方向と交差する方向に交互に及び繰り返し配列したことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項４】
互いに対向した第１及び第２基板、前記第１基板の前記第２基板との対向面に設けられた画素電極、前記第２基板の前記第１基板との対向面に設けられた共通電極、及び前記画素電極と前記共通電極との間に介在した液晶層を備えた液晶セルと、
前記液晶セルの一方の主面に対向し且つ前記液晶セル側から順次配置されたλ／４波長板及び偏光板を備えた第１円偏光素子とを具備し、
前記画素電極は櫛歯の長手方向が互いに異なり且つ互いに電気的に接続された複数の櫛形導電層を備えたことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項５】
前記液晶セルの他方の主面に対向し且つ前記液晶セル側から順次配置されたλ／４波長板及び偏光板を備えた第２円偏光素子をさらに具備したことを特徴とする請求項１乃至請求項４の何れか１項に記載の液晶表示装置。
【請求項６】
前記液晶層は誘電率異方性が負の液晶材料を含有したことを特徴とする請求項１乃至請求項４の何れか１項に記載の液晶表示装置。
【請求項７】
前記画素電極及び前記共通電極のそれぞれの上に垂直配向性を有する配向膜をさらに具備したことを特徴とする請求項６に記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、液晶表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
液晶表示装置は、薄型であり且つ低消費電力であるなどの様々な特徴を有しており、ワープロ、ノート型パソコン、携帯電話、及びカーナビゲーションシステムなどのディスプレイとして広く使用されている。このような液晶表示装置では、現在、薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴという）などの能動素子をスイッチング素子として使用するとともにネマチック液晶を用いたＴＦＴ−ＴＮモードを主に利用している。この表示モードを利用した液晶表示装置では、１０インチ程度の画面サイズとフルカラー表示とが実現されており、そのような液晶表示装置は情報端末用ディスプレイなどとして利用されている。
【０００３】
しかしながら、ＴＮモードの液晶表示装置にフルカラー表示可能な構成を採用した場合、視野角が極めて狭くなるという問題を生じる。また、動画を表示した際に尾引き現象を生じ、動画表示品位が低いという問題がある。このような理由から、ネマチック液晶を用いた液晶表示装置の用途は制限されている。
【０００４】
近年、液晶表示装置は、デスクトップコンピュータやワークステーションなどのモニタに加え、テレビなどへの応用が要求され始めている。上述したＴＮモードでは、そのような用途に要求される視野角特性と応答速度とを実現することができず、そのため、ネマチック液晶を用いたＯＣＢモード、ＶＡＮ（Ｖｅｒｔｉｃａｌ　Ａｌｉｇｎｅｄ　Ｎｅｍａｔｉｃ）モード、及びＩＰＳモードや、スメクチック液晶を用いた界面安定型強誘電性液晶（Ｓｕｒｆａｃｅ　Ｓｔａｂｉｌｉｚｅｄ　Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ　Ｌｉｑｕｉｄ　Ｃｒｙｓｔａｌ）モード及び反強誘電性液晶モードを採用することが検討されている。
【０００５】
これら表示モードのうち、ＶＡＮモードでは、従来のＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ　Ｎｅｍａｔｉｃ）モードよりも速い応答速度を得ることができ、しかも、垂直配向のため静電気破壊などの不良を発生させるラビング処理が不要である。なかでも、各画素領域を液晶分子のチルト方向が互いに異なる複数のドメインへと分割したマルチドメイン型ＶＡＮモードは、視野角の補償設計が比較的容易なことから特に注目を集めている。
【０００６】
しかしながら、マルチドメイン型ＶＡＮモードの液晶表示装置は、ドメイン分割によって誘起されるディスクリネーションなどにより、ＴＮモードの液晶表示装置に比べて透過率が低い傾向にある。また、マルチドメイン型ＶＡＮモードの液晶表示装置では、必ずしも十分な応答速度が実現されている訳ではない。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、マルチドメイン型ＶＡＮモードを採用した場合であっても、高い透過率及び高い応答速度の双方を実現可能な液晶表示装置を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明の第１の側面によると、互いに対向した第１及び第２基板、前記第１基板の前記第２基板との対向面に設けられた画素電極、前記第２基板の前記第１基板との対向面に設けられた共通電極、及び前記画素電極と前記共通電極との間に介在した液晶層を備えた液晶セルと、前記液晶セルの一方の主面に対向し且つ前記液晶セル側から順次配置されたλ／４波長板及び偏光板を備えた第１円偏光素子とを具備し、前記画素電極と前記共通電極との間に電圧を印加した場合に、前記液晶層の前記画素電極と前記共通電極とに挟まれた領域である画素領域内に、電界の強さが互いに異なる第１及び第２領域を形成し、前記第１及び第２領域はそれぞれ前記液晶層を含む面内の一方向に延びた形状を有し且つ前記面内の前記方向と交差する方向に交互に及び繰り返し配列したことを特徴とする液晶表示装置が提供される。
【０００９】
本発明の第２の側面によると、互いに対向した第１及び第２基板、前記第１基板の前記第２基板との対向面に設けられた画素電極、前記第２基板の前記第１基板との対向面に設けられた共通電極、及び前記画素電極と前記共通電極との間に介在した液晶層を備えた液晶セルと、前記液晶セルの一方の主面に対向し且つ前記液晶セル側から順次配置されたλ／４波長板及び偏光板を備えた第１円偏光素子とを具備し、前記画素電極と前記共通電極との間に電圧を印加した場合に、前記液晶層の前記画素電極と前記共通電極とに挟まれた領域である画素領域内に、透過率または反射率が互いに異なる第１及び第２領域を形成し、前記第１及び第２領域はそれぞれ前記液晶層を含む面内の一方向に延びた形状を有し且つ前記面内の前記方向と交差する方向に交互に及び繰り返し配列したことを特徴とする液晶表示装置が提供される。
【００１０】
本発明の第３の側面によると、互いに対向した第１及び第２基板、前記第１基板の前記第２基板との対向面に設けられた画素電極、前記第２基板の前記第１基板との対向面に設けられた共通電極、及び前記画素電極と前記共通電極との間に介在した液晶層を備えた液晶セルと、前記液晶セルの一方の主面に対向し且つ前記液晶セル側から順次配置されたλ／４波長板及び偏光板を備えた第１円偏光素子とを具備し、前記画素電極と前記共通電極との間に電圧を印加した場合に、前記液晶層の前記画素電極と前記共通電極とに挟まれた領域である画素領域内に、前記液晶層に含まれる液晶分子のチルト角が互いに異なる第１及び第２領域を形成し、前記第１及び第２領域はそれぞれ前記液晶層を含む面内の一方向に延びた形状を有し且つ前記面内の前記方向と交差する方向に交互に及び繰り返し配列したことを特徴とする液晶表示装置が提供される。
【００１１】
本発明の第４の側面によると、互いに対向した第１及び第２基板、前記第１基板の前記第２基板との対向面に設けられた画素電極、前記第２基板の前記第１基板との対向面に設けられた共通電極、及び前記画素電極と前記共通電極との間に介在した液晶層を備えた液晶セルと、前記液晶セルの一方の主面に対向し且つ前記液晶セル側から順次配置されたλ／４波長板及び偏光板を備えた第１円偏光素子とを具備し、前記画素電極は櫛歯の長手方向が互いに異なり且つ互いに電気的に接続された複数の櫛形導電層を備えたことを特徴とする液晶表示装置が提供される。
【００１２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、各図において、同様または類似する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する説明は省略する。
【００１３】
図１は、本発明の一実施形態に係る液晶表示装置を概略的に示す斜視図である。図１に示す液晶表示装置１００は、ＶＡＮ型の液晶表示装置であって、液晶セル１０１を一対の偏光板１０２ａ，１０２ｂで挟み、液晶セル１０１と偏光板１０２ａとの間及び液晶セル１０１と偏光板１０２ｂとの間にλ／４波長板１０３ａ，１０３ｂをそれぞれ介在させた構造を有している。なお、偏光板１０２ａとλ／４波長板１０３ａとは円偏光素子１０５ａを構成し、偏光板１０２ｂとλ／４波長板１０３ｂとは円偏光素子１０５ｂを構成している。
【００１４】
図２は、図１に示す液晶表示装置１００の液晶セル１０１を概略的に示す断面図である。図２に示す液晶セルは、アクティブマトリクス基板（或いは、アレイ基板）２と対向基板３との間に液晶層４を挟持させた構造を有している。これらアクティブマトリクス基板２と対向基板３との間隔は図示しないスペーサによって一定に維持されている。
【００１５】
アクティブマトリクス基板２は、ガラス基板のような透明基板７を有している。透明基板７の一方の主面上には配線及びスイッチング素子８が形成されている。また、それらの上には、カラーフィルタ層９、画素電極１０、及び配向膜１１が順次形成されている。
【００１６】
透明基板７上に形成する配線は、アルミニウム、モリブデン、及び銅などからなる走査線及び信号線などである。また、スイッチング素子８は、例えば、アモルファスシリコンやポリシリコンを半導体層とし、アルミニウム、モリブデン、クロム、銅、及びタンタルなどをメタル層としたＴＦＴであり、走査線及び信号線などの配線並びに画素電極１０と接続されている。アクティブマトリクス基板２では、このような構成により、所望の画素電極１０に対して選択的に電圧を印加することを可能としている。
【００１７】
カラーフィルタ層９は、青、緑、赤色の着色層９ａ〜９ｃで構成されている。カラーフィルタ層９には、コンタクトホールが設けられており、画素電極１０は、このコンタクトホールを介してスイッチング素子８と接続されている。着色層９ａ〜９ｃは、着色染料や着色顔料を含有した感光性樹脂を用いて形成することができる。
【００１８】
画素電極１０は、ＩＴＯのような透明導電材料で構成され得る。画素電極１０は、例えばスパッタリング法などにより薄膜を形成した後、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術を用いてその薄膜をパターニングすることにより形成することができる。
【００１９】
画素電極１０上に形成する配向膜１１は、ポリイミドなどの透明樹脂からなる薄膜で構成されている。なお、本実施形態では、この配向膜１１には、ラビング処理は施さずに垂直配向性を付与している。
【００２０】
対向基板３は、ガラス基板のような透明基板１５上に、共通電極１６及び配向膜１７を順次形成した構造を有している。これら共通電極１６及び配向膜１７は、アクティブマトリクス基板２に設けた画素電極１０及び配向膜１１と同様の材料で形成され得る。なお、本実施形態では、共通電極１６は平坦な連続膜として形成されている。
【００２１】
図３は、図２に示す液晶セル１０１で利用可能な構造の一例を概略的に示す平面図である。図３に示す構造では、１つの画素電極１０は、櫛歯の長手方向が互いに異なり且つ互いに電気的に接続された４つ櫛形導電層１０ａ〜１０ｄで構成されている。画素電極１０を構成するそれぞれの櫛形導電層１０ａ〜１０ｄは、櫛歯部１０−１とスリット部１０−２とを交互に及び繰り返し配列した構造を有している。図２に示す液晶セル１０１では、このような構成を採用することにより、画素領域を、画素電極１０を構成する櫛形導電層１０ａ〜１０ｄに対応して、液晶分子のチルト方向が互いに異なる４つのドメインへと分割することができる。これについては、図４（ａ）〜（ｄ）を参照しながら説明する。
【００２２】
図４（ａ）〜（ｄ）は、図２に示す液晶セル１０１に図３に示す構造を採用した場合に生じる液晶分子の配向変化を概略的に示す図である。なお、図４（ａ），（ｃ）は平面図であり、図４（ｂ），（ｄ）は図４（ａ），（ｃ）に示す構造を図中下側から見た側面図である。また、図４（ａ）〜（ｄ）では、簡略化のため、幾つかの構成要素を省略している。
【００２３】
画素電極１０と共通電極１６との間に電圧を印加していない場合、配向膜１１，１７は、液晶層４を構成する液晶分子２５，具体的には誘電率異方性が負の液晶分子，にそれらを垂直配向させるように作用する。そのため、液晶分子２５は、それらの長軸が配向膜１１の膜面に対してほぼ垂直となるように配向する。
【００２４】
画素電極１０と共通電極１６との間に比較的低い第１電圧を印加すると、画素電極１０に設けたスリット部１０−２の上方には漏れ電界が生じる。そのため、そこでは、電気力線は図４（ｂ）に示すように傾く。
【００２５】
画素電極１０と共通電極１６との間に電圧を印加することによって生じる電界はその電気力線に垂直な方向に液晶分子２５を配向させるように作用する。したがって、液晶分子２５は、配向膜１１，１７及び電界からの作用によって、図４（ａ）に示すように配向しようとする。
【００２６】
しかしながら、図４（ａ）に示す状態では、右側の液晶分子２５の配向状態と左側の液晶分子２５の配向状態とが干渉し合う。そのため、液晶分子２５は、図中、上向きまたは下向きにチルト方向を変化させて、より安定な配向状態をとろうとする。
【００２７】
ここで、図４（ａ）に示すように、櫛歯部１０−１及びその近傍が、図中、上下方向に関して対称的な（或いは、等方的な）形状を有しているとする。この場合、液晶分子２５が、矢印３１で示すように上向きにチルト方向を変化させる確率と、矢印３２で示すように下向きにチルト方向を変化させる確率とは等しくなる。
【００２８】
これに対し、図４（ｃ）に示すように、櫛歯部１０−１及びその近傍が、図中、上下方向に関して非対称な（或いは、異方的な）形状を有している場合、画素電極１０の両端部間で電気力線が非対称となり、同様に、スリット部１０−２の両端部間でも電気力線が非対称になる。そのため、液晶分子２５が矢印３２で示す方向に配向した配向状態は、液晶分子２５が矢印３１で示す方向に配向した配向状態に比べてより安定となる。その結果、液晶分子２５の平均的なチルト方向（ディレクタ）は、図４（ｃ）に矢印３２で示すように下向きとなる。
【００２９】
画素電極１０と共通電極１６との間に印加する電圧を第１電圧よりも高い第２電圧にまで高めると、配向膜１１，１７が液晶分子２５を垂直配向させようとする作用に対して、電界が液晶分子２５をその電気力線に垂直な方向に配向させようとする作用がより大きくなる。したがって、液晶分子２５は、水平配向に近づく方向にチルト角を変化させる。
【００３０】
ここで、電極１０，１６間に印加する電圧を第２電圧とした場合でも、電極１０，１６間に印加する電圧を第１電圧とした場合と同様に、液晶分子２５が矢印３２で示す方向に配向した配向状態は、液晶分子２５が矢印３１で示す方向に配向した配向状態に比べてより安定である。そのため、電極１０，１６間に印加する電圧を第１及び第２電圧間で変化させた場合、液晶分子２５のディレクタは櫛歯部１０−１やスリット部１０−２の配列方向に垂直な面内で変化することとなる。すなわち、電極１０，１６間に印加する電圧を第１及び第２電圧間で変化させた場合、液晶分子２５は、その平均的なチルト方向を櫛歯部１０−１やスリット部１０−２の配列方向に垂直な面内に維持したままチルト角を変化させる。
【００３１】
したがって、画素電極１０を構成する４つの櫛形導電層１０ａ〜１０ｄ間で櫛歯部１０−１やスリット部１０−２の長手方向を異ならしめることにより、液晶分子２５のチルト方向を図３に示すように維持したまま、そのチルト角を変化させることができる。すなわち、アクティブマトリクス基板２に設けた構造のみで、１つの画素領域内に液晶分子２５のチルト方向が互いに異なる４つのドメインを形成することができる。また、本実施形態では、液晶分子２５の平均的なチルト方向を櫛歯部１０−１やスリット部１０−２の配列方向に垂直な面内に維持したままチルト角を変化させることができるため、より速い応答速度を実現することができるのに加え、配向不良が発生し難く、良好な配向分割が可能である。
【００３２】
このように、本実施形態では、画素領域内に平面波状の電界の強さの分布を形成するとともにその強さを変化させて液晶層４の光学特性を制御することにより表示を行う。上述したような制御を行う場合、液晶層４中の櫛歯部１０−１上の部分には、スリット部１０−２上の部分に比べてより強い電界が形成される。そのため、櫛歯部１０−１上の部分では、スリット部１０−２上の部分に比べて、液晶分子２５はより大きく倒れる。すなわち、液晶層４の櫛歯部１０−１上の部分とスリット部１０−２上の部分とでは、液晶分子２５の平均的なチルト角は互いに異なる。このようなチルト角の違いは、光学的な違いとして観察可能である。
【００３３】
図５は、図２に示す液晶セル１０１に図３に示す構造を採用した場合に観察される透過率分布の一例を示す図である。なお、図５は、液晶セル１０１の光源側及び観察者側に一対の偏光板（或いは、偏光フィルム）をそれらの透過容易軸が櫛歯部１０−１の長手方向に対して±４５°の角度を為すように配置し、この状態で電極１０，１６間に第１電圧乃至第２電圧の範囲内の第３電圧を印加した場合に観察される平面波状の透過率分布を示している。このように、本実施形態によると、図２乃至図４を参照して説明した特徴は、光学的特徴として観察することも可能である。
【００３４】
ところで、図５に示す透過率分布では、櫛形導電層１０ａ〜１０ｄ間の境界位置に略十字型の暗部が生じている。より明るい表示を行うためには、このような暗部の存在を排除することが望まれる。
【００３５】
本実施形態に係る液晶表示装置１００では、図１に示すように、液晶セル１０１と偏光板１０２ａとの間及び液晶セル１０１と偏光板１０２との間に、λ／４波長板１０３ａ，１０３ｂをそれぞれ介在させている。このような構造を採用すると、以下に説明するように、上述した略十字型の暗部が発生するのを抑制することができる。
【００３６】
すなわち、上記の十字状の黒線異常は、櫛形導電層１０ａ〜１０ｄ間の境界位置では液晶分子２５のチルト方向が偏光板の透過容易軸と平行または垂直となるために生じたものである。λ／４波長板１０３ａ，１０３ｂを用いると、液晶層４には直線偏光ではなく円偏光が入射するため、透過率のチルト方向依存性が消滅する。したがって、明表示時に十字状の黒線異常は無くなり、透過率が向上する。なお、λ／４波長板１０３ａ，１０３ｂを用いても、透過率のチルト角依存性は変化しない。そのため、暗表示が明るくなることはない。また、櫛歯部１０−１やスリット部１０−２に対応した櫛歯状の透過率分布も観察され得る。
【００３７】
λ／４波長板１０３ａ，１０３ｂを用いた場合、明表示時の透過率が向上するのに加え、以下に説明するように、見掛け上の応答速度も向上する。電圧印加後の液晶分子の配向変化過程では、まず、液晶分子２５が倒れ、次いで、倒れた液晶分子２５のチルト方向が変化する（回転する）。上記のように、λ／４波長板１０３ａ，１０３ｂを用いると、透過率のチルト方向依存性がなくなるため、液晶分子２５が倒れた時点で透過率変化は完了することとなる。したがって、見掛け上の応答速度が向上する。
【００３８】
図３乃至図５を参照して説明した構造では、櫛歯部１０−１やスリット部１０−２の幅を一定としたが、櫛歯部１０−１やスリット部１０−２の幅をそれらの長手方向に沿って変化させてもよい。
【００３９】
図６は、図２に示す液晶セル１０１で利用可能な構造の他の例を概略的に示す平面図である。また、図７は、図２に示す液晶セル１０１に図６に示す構造を採用した場合に生じる液晶分子の配向変化を概略的に示す図である。なお、図６では、画素電極１０を構成する４つの櫛形導電層１０ａ〜１０ｄのうち導電層１０ａのみが描かれており、図７では、図６に示す導電層１０ａの一部のみが描かれている。
【００４０】
図６及び図７に示す構造では、櫛歯部１０−１の幅は画素電極１０の中央部から周縁部に向けて連続的に減少し、スリット部１０−２の幅は画素電極１０の中央部から周縁部に向けて連続的に増加している。このような構造によると、図７に示すように、櫛歯部１０−１の上端における液晶配向及びスリット部１０−２の下端における液晶配向に加え、櫛歯部１０−１やスリット部１０−２の両側端における液晶配向も、ディレクタの方向が矢印３２で示す方向となるように作用する。したがって、図６及び図７に示す構造によると、透過率や応答速度をさらに向上させることができる。
【００４１】
上記の説明では、画素電極１０を櫛歯部１０−１とスリット部１０−２とを備えた櫛形導電層１０ａ〜１０ｄで構成することにより、各ドメイン内に、電界の強さが弱い領域と電界の強さが強い領域とを交互に及び周期的に配列した電界分布を生じさせた。このように櫛形導電層１０ａ〜１０ｄを利用した場合、比較的高い自由度で設計を行うことが可能である。しかしながら、そのような電界分布は他の方法で生じさせることもできる。
【００４２】
例えば、スリット部１０−２が設けられていない一般的な形状の画素電極１０上に、スリット部１０−２と同様のパターンで誘電体層を設けてもよい。この場合、誘電体層の材料がアクリル系樹脂、エポキシ系樹脂、ノボラック系樹脂などのように液晶材料よりも誘電率が低いものであれば、誘電体層の上方に電界の強さがより弱い領域を形成することができる。したがって、スリット部１０−２を設けた場合と同様の効果を得ることができる。
【００４３】
また、スリット部１０−２が設けられていない一般的な形状の画素電極１０上に、透明絶縁体層を介して配線を設けてもよい。この配線は、例えば、信号線、ゲート線、補助容量配線などであり、スリット部１０−２と同様のパターンで配列する。このような構造によると、配線の上方に電界の強さがより強い領域を形成することができる。したがって、この場合も、スリット部１０−２を形成した場合と同様の効果を得ることができる。
【００４４】
なお、液晶表示装置１００が透過型である場合、上述した誘電体層及び配線の材料は、透過率の観点から、透明な材料であることが好ましい。また、液晶表示装置１００が反射型である場合、上述した誘電体層及び配線の材料として、透明な材料に加え、金属材料のように不透明な材料を用いてもよい。
【００４５】
以上説明した実施形態において、液晶層４中の電界の強さがより強い領域の幅Ｗ１と電界の強さがより弱い領域の幅Ｗ２との和Ｗ１２は２０μｍ以下であることが好ましい。通常、和Ｗ１２が２０μｍ以下であれば、液晶分子の配向を上述したように制御することができ、十分な透過率を実現することができる。また、和Ｗ１２は６μｍ以上であることが好ましい。一般に、和Ｗ１２が６μｍ以上であれば、液晶層４中に電界の強さがより強い領域とより弱い領域とを生じさせるための構造を十分に高い精度で形成することができるのに加え、上述した液晶配向を安定に生じさせることができる。
【００４６】
なお、和Ｗ１２は、画素電極１０の櫛歯部１０−１の幅とスリット部１０−２の幅との和、画素電極１０上の誘電体層に挟まれた領域の幅と誘電体層の幅との和、画素電極１０上に設けた配線の幅と配線に挟まれた領域の幅との和、第３電圧印加時にチルト角がより大きな領域の幅とより小さな領域の幅との和、第３電圧印加時に透過率がより高い領域の幅とより低い領域の幅との和などとほぼ等しい。したがって、これら幅も２０μｍ以下であること及び６μｍ以上であることが好ましい。
【００４７】
本実施形態において、幅Ｗ１及び幅Ｗ２は、それぞれ、８μｍ以下であることが好ましい。また、幅Ｗ１及び幅Ｗ２は、それぞれ、４μｍ以上であることが好ましい。この範囲においては、応答速度及び透過率に関して実用上十分な性能を期待することができる。
【００４８】
なお、幅Ｗ１と幅Ｗ２とは、画素電極１０の櫛歯部１０−１の幅とスリット部１０−２の幅、画素電極１０上の誘電体層に挟まれた領域の幅と誘電体層の幅、画素電極１０上に設けた配線の幅と配線に挟まれた領域の幅、第３電圧印加時にチルト角がより大きな領域の幅とより小さな領域の幅、第３電圧印加時に透過率がより高い領域の幅とより低い領域の幅などに対応している。したがって、これら幅も８μｍ以下であること及び４μｍ以上であることが好ましい。
【００４９】
本実施形態において、液晶層４中の電界の強さがより強い領域の長さ及び電界の強さがより弱い領域の長さは、それぞれ、幅Ｗ１及び幅Ｗ２よりも長ければよいが、それらの和である幅Ｗ１２に対して２倍以上であることが好ましい。この場合、より多くの液晶分子をそれら領域の長さ方向に配向させることができる。
【００５０】
上記実施形態では、液晶層４中の電界の強さがより強い領域及びより弱い領域の双方を、図４（ｃ）に示すように上下方向に関して非対称としたが、図４（ａ）に示すように上下方向に関して対称としてもよい。但し、前者の場合、応答速度などの点で有利である。
【００５１】
本実施形態では、誘電率異方性が負のネマチック液晶を垂直配向させたＶＡＮモードを採用したが、誘電率異方性が正のネマチック液晶を用いることも可能である。特に、高いコントラストが望まれる場合は、ＶＡＮモードを採用し且つノーマリブラックとすることにより、例えば、４００：１以上の高いコントラストと高透過率設計による明るい画面設計とが可能である。
【００５２】
本実施形態において、見掛け上、液晶の光学応答を速めるために、偏光フィルム１０２ａ，１０２ｂの光透過容易軸或いは光吸収軸と電界の強い領域と弱い領域との配列方向とが為す角度を４５°から所定の角度θだけずらしてもよい。この角度θは、視野角などに応じて設定することもできるが、応答時間を短縮するには２２．５°とすることが最も効果的である。
【００５３】
本実施形態において、画素電極１０を構成する櫛形導電層１０ａ〜１０ｄの形状に特に制限はなく、例えば、矩形や扇形とすることができる。また、本実施形態では、画素電極を４つの櫛形導電層１０ａ〜１０ｄで構成したが、画素電極を構成する櫛形導電層の数は２以上であれば特に制限はない。
【００５４】
本実施形態では、第３電圧印加時に液晶層中に電界の強さがより強い領域とより弱い領域とを生じさせる構造を、アクティブマトリクス基板２のみに設けたが、アクティブマトリクス基板２及び対向基板３の双方に設けてもよい。但し、前者の場合、アクティブマトリクス基板２と対向基板３とを貼り合わせてセルを形成する際にアライメントマークなどを利用した高精度な位置合わせが不要となる。
【００５５】
また、本実施形態では、カラーフィルタ層９をアクティブマトリクス基板２に設けた構造（ＣＯＡ：ｃｏｌｏｒ　ｆｉｌｔｅｒ　ｏｎ　ａｒｒａｙ）を採用したが、カラーフィルタ層９は対向基板３に設けてもよい。但し、前者の場合、アクティブマトリクス基板２と対向基板３とを貼り合わせてセルを形成する際にアライメントマークなどを利用した高精度な位置合わせが不要となる。
【００５６】
さらに、本実施形態では、液晶表示装置１００が透過型である場合について説明したが、反射型とすることも可能である。この場合、図１において上側を観察者側とすると、円偏光素子１０５ａは不要である。
【００５７】
【実施例】
以下、本発明の実施例について説明する。
（実施例１）
本例では、以下に説明する方法により図１に示す液晶表示装置１００を作製した。なお、本例では、画素電極１０は図８（ａ）に示す形状に形成した。
【００５８】
まず、通常のＴＦＴ形成プロセスと同様に成膜とパターニングとを繰返し、ガラス基板７上に走査線及び信号線等の配線並びにＴＦＴ８を形成した。次に、ガラス基板７のＴＦＴ８等を形成した面に、常法によりカラーフィルタ層９を形成した。
【００５９】
次いで、ガラス基板７の透明絶縁膜９を形成した面に対し、所定のパターンのマスクを介してＩＴＯをスパッタリングした。その後、このＩＴＯ膜上にレジストパターンを形成し、このレジストパターンをマスクとして用いてＩＴＯ膜の露出部をエッチングした。以上のようにして、図８（ａ）に示すように画素電極１０を形成した。なお、ここでは、櫛歯部１０−１の幅及びスリット部１０−２の幅は何れも５μｍとした。
【００６０】
その後、ガラス基板７の画素電極１０を形成した面の全面に熱硬化性樹脂を塗布し、この塗膜を焼成することにより、垂直配向性を示す厚さ７０ｎｍの配向膜１１を形成した。以上のようにして、アクティブマトリクス基板２を作製した。
【００６１】
次に、別途用意したガラス基板１５の一方の主面上に、共通電極１６として、スパッタリング法を用いてＩＴＯ膜を形成した。続いて、この共通電極１６の全面に、アクティブマトリクス基板２に関して説明したのと同様の方法により配向膜１７を形成した。以上のようにして、対向基板３を作製した。
【００６２】
次いで、アクティブマトリクス基板２と対向基板３の対向面周縁部とを、それらの配向膜１１，１７が形成された面が対向するように及び液晶材料を注入するための注入口が残されるように接着剤を介して貼り合わせることにより、図２に示す液晶セル１０１を形成した。なお、この液晶セル１０１のセルギャップは、アクティブマトリクス基板２と対向基板３との間にスペーサとして高さ４μｍの樹脂を介在させることにより一定に維持した。また、それら基板２，３を貼り合わせる際、基板２，３の位置合わせはそれらの端面位置を揃えることにより行い、アライメントマークなどを利用する高精度な位置合わせは行わなかった。
【００６３】
次いで、この空の液晶セル１０１中に誘電率異方性が負である液晶材料を通常の方法により注入して液晶層４を形成した。その後、液晶注入口を紫外線硬化樹脂で封止し、液晶セル１０１の両面にλ／４波長板１０３ａ，１０３ｂ及び偏光フィルム１０２ａ，１０２ｂを貼り付けることにより図１に示す液晶表示装置１００を得た。ここでは、図８（ａ）に示すように、偏光フィルム１０２ａ，１０２ｂは、それらの透過容易軸（図中、両矢印で示す）が櫛形導電層１０ａ〜１０ｄ間の境界に対して２２．５°または６７．５°の角度を為すように貼り付けた。また、λ／４波長板１０３ａ，１０３ｂは、図１に示すように、それらの光軸が偏光フィルム１０２ａ，１０２ｂの透過容易軸に対して４５°の角度を為すとともに、それらの光軸同士が直交するように貼り付けた。なお、この液晶表示装置１００は、例えば、画素電極１０と共通電極１６との間に印加する電圧を約１．５Ｖと約５Ｖとの間で変化させることにより駆動され得る。
【００６４】
次に、以上のようにして作製した液晶表示装置１００を、画素電極１０と共通電極１６との間に５Ｖの電圧を印加した状態で観察した。その結果、画素電極１０の櫛歯部１０−１とスリット部１０−２とに対応した透過率分布が見られたが、櫛形導電層１０ａ〜１０ｄ間の境界に対応した略十字状の暗部は見られなかった。
【００６５】
（比較例）
λ／４波長板１０３ａ，１０３ｂを使用しなかったこと以外は上記実施例１で説明したのと同様の方法により図１に示す液晶表示装置を作製した。この液晶表示装置１００を、画素電極１０と共通電極１６との間に５Ｖの電圧を印加した状態で観察した。その結果、画素電極１０の櫛歯部１０−１とスリット部１０−２とに対応した透過率分布に加え、櫛形導電層１０ａ〜１０ｄ間の境界に対応した略十字状の暗部が見られた。
【００６６】
次に、実施例１で作製した液晶表示装置１００と本比較例で作製した液晶表示装置とについて、画素電極１０と共通電極１６との間に５Ｖの電圧を印加して、電圧印加開始からの経過時間に応じた透過率変化を調べた。すなわち、見掛け上の応答時間を調べた。
【００６７】
図９（ａ）は、実施例１に係る液晶表示装置１００の応答速度を示すグラフである。図９（ｂ）は、比較例に係る液晶表示装置の応答速度を示すグラフである。図中、横軸は電圧印加開始からの経過時間を示し、縦軸は透過率を示している。図９（ａ），（ｂ）に示すように、電圧印加開始から透過率変化が完了するまでの時間である応答時間Ｔｏｎは、比較例に係る液晶表示装置では２５ｍｓであったのに対し、実施例１に係る液晶表示装置１００では１０ｍｓと半分以下に短縮されていた。また、実施例１に係る液晶表示装置１００では、比較例に係る液晶表示装置に比べて高い透過率が得られた。
【００６８】
（実施例２）
画素電極１０を図８（ｂ）に示す形状とし、櫛歯部１０−１の幅及びスリット部１０−２の幅を何れも４μｍとしたこと以外は実施例１で説明したのと同様の方法により図１に示す液晶表示装置１００を作製した。なお、この液晶表示装置１００は、例えば、画素電極１０と共通電極１６との間に印加する電圧を約１．５Ｖと約５Ｖとの間で変化させることにより駆動され得る。
【００６９】
次に、以上のようにして作製した液晶表示装置１００を、画素電極１０と共通電極１６との間に５Ｖの電圧を印加した状態で観察した。その結果、画素電極１０の櫛歯部１０−１とスリット部１０−２とに対応した透過率分布が見られたが、櫛形導電層１０ａ〜１０ｄ間の境界に対応した略十字状の暗部は見られなかった。また、この液晶表示装置１００の応答時間及び透過率は実施例１に係る液晶表示装置１００と同等であった。
【００７０】
（実施例３）
画素電極１０を図８（ｃ）に示す形状としたこと以外は実施例１で説明したのと同様の方法により図１に示す液晶表示装置１００を作製した。なお、この液晶表示装置１００は、例えば、画素電極１０と共通電極１６との間に印加する電圧を約１．５Ｖと約５Ｖとの間で変化させることにより駆動され得る。
【００７１】
次に、以上のようにして作製した液晶表示装置１００を、画素電極１０と共通電極１６との間に５Ｖの電圧を印加した状態で観察した。その結果、画素電極１０の櫛歯部１０−１とスリット部１０−２とに対応した透過率分布が見られたが、櫛形導電層１０ａ〜１０ｄ間の境界に対応した略十字状の暗部は見られなかった。また、この液晶表示装置１００の応答時間及び透過率は実施例１に係る液晶表示装置１００と同等であった。
【００７２】
【発明の効果】
以上説明したように、画素領域内に所定のパターンで電界の強さの分布を形成して液晶分子のチルト方向を制御し、それにより、画素領域を液晶分子のチルト方向が互いに異なる複数のドメインへと分割した場合、これらドメイン間の境界では、液晶分子のチルト方向を所望の方向に制御できないため、明表示時に暗部を生じる。また、この場合、これらドメイン間の境界では、チルト方向が安定化するまでに比較的長い時間を要するため、電圧印加から透過率が安定化するまでに要する時間が長い。
【００７３】
これに対し、本発明では、液晶セルと偏光板との間にλ／４波長板を介在させて、液晶層に直線偏光ではなく円偏光を入射させるため、透過率のチルト方向依存性が消滅する。したがって、明表示時にドメイン間の境界に暗部が生じるのを防止すること、及び、透過率が安定化するまでの時間を短縮することができる。すなわち、本発明によると、マルチドメイン型ＶＡＮモードを採用した場合であっても、高い透過率及び高い応答速度の双方を実現可能な液晶表示装置が提供される。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態に係る液晶表示装置を概略的に示す斜視図。
【図２】図１に示す液晶表示装置の液晶セルを概略的に示す断面図。
【図３】図２に示す液晶セルで利用可能な構造の一例を概略的に示す平面図。
【図４】（ａ）〜（ｄ）は、図２に示す液晶セルに図３に示す構造を採用した場合に生じる液晶分子の配向変化を概略的に示す図。
【図５】図２に示す液晶セルで図３に示す構造を採用した場合に観察される透過率分布の一例を示す画像。
【図６】図２に示す液晶セルで利用可能な構造の他の例を概略的に示す平面図。
【図７】図２に示す液晶セルに図６に示す構造を採用した場合に生じる液晶分子の配向変化を概略的に示す図。
【図８】（ａ）〜（ｃ）は、それぞれ、実施例１乃至実施例３で採用した構造を概略的に示す平面図。
【図９】（ａ）は実施例１に係る液晶表示装置の応答速度を示すグラフ、（ｂ）は比較例に係る液晶表示装置の応答速度を示すグラフ。
【符号の説明】
２…アクティブマトリクス基板
３…対向基板
４…液晶層
７…透明基板
８…スイッチング素子
９…カラーフィルタ層
９ａ〜９ｃ…着色層
１０…画素電極
１０ａ〜１０ｄ…櫛形導電層
１０−１…櫛歯部
１０−２…スリット部
１１…配向膜
１５…透明基板
１６…共通電極
１７…配向膜
２５…液晶分子
３１，３２…矢印
１００…液晶表示装置
１０１…液晶セル
１０２ａ，１０２ｂ…偏光フィルム
１０３ａ，１０３ｂ…λ／４波長板
１０５ａ，１０５ｂ…円偏光素子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2004077697.tif 000009
【図８】
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【図９】
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