(57)【要約】【課題】良好な排気を実現することができるゲッターおよびゲッターを備えた密閉装置ならびにゲッターを利用した排気方法を提供する。【解決手段】ゲッターは、化学的に活性な金属ピースであり、カプセルに包蔵された形態となっている。ゲッターは、プラズマディスプレイを作製するプロセスにおいて、最終の排気工程で用いる。前面板と、ゲッターを配置した排気管を固定した背面板を封着した後、排気管を排気管ジョイントに接続し（Ｓ９）、ガスを吸引排気し（Ｓ１０）、パネルを加熱し（Ｓ１１）、排気が十分に行われた適宜の時点で、金属ピースを覆うカプセルを破壊して金属ピースを露出させる（図６中、Ｓ１２）。真空ポンプによる排気作用および金属ピースにより残存するガスをさらに排気した後、放電ガスをパネルに封入する（Ｓ１３）。【選択図】      図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
化学的に活性な金属ピースであって、気体の吸着作用を利用して排気を行うことができるゲッターにおいて、
破壊可能なカプセルに包蔵されてなることを特徴とするゲッター。
【請求項２】
前記カプセルが金属材料またはガラス材料で形成されてなることを特徴とする請求項１記載のゲッター。
【請求項３】
前記カプセルに、不活性ガスがさらに包蔵されてなることを特徴とする請求項１または２記載のゲッター。
【請求項４】
前記不活性ガスが、希ガスの単一成分または混合成分であることを特徴とする請求項３記載のゲッター。
【請求項５】
大気圧を下回る減圧状態に保持される密閉装置であって、
請求項１〜４のいずれか１項に記載のゲッターが内部に配置されてなることを特徴とする密閉装置。
【請求項６】
ガス放電型表示装置または電界放出型表示装置であることを特徴とする請求項５記載の密閉装置。
【請求項７】
大気圧を下回る減圧状態に保持される密閉装置の製造過程において減圧状態を生成するための排気方法において、
請求項１〜４のいずれか１項に記載のゲッターが排気経路に配置される配置工程と、
配置される該ゲッターの前記カプセルを破壊して該ゲッターを露出させる露出工程と、
排気源を用いて排気する排気工程とを有することを特徴とする排気方法。
【請求項８】
前記密閉装置がガス放電型表示装置または電界放出型表示装置であり、
前記排気工程が、放電ガスを封入する前までの段階においてプロセスで発生する不純物ガスを概ね排出する第１の排出ステップと、該第１の排出ステップの後の時点において残存する該不純物ガスを該放電ガス封入段階においてまたは該放電ガス封入段階に先立ち排出する第２の排出ステップとを有し、
前記露出工程を第２の排出ステップと平行して実施することを特徴とする請求項７記載の排気方法。
【請求項９】
前記露出工程において、排気により前記カプセルの内外の圧力差を生成して該カプセルを破壊することを特徴とする請求項７または８記載の排気方法。
【請求項１０】
前記露出工程において、高周波加熱または光線によリ前記カプセルを加熱して該カプセルを破壊することを特徴とする請求項７または８記載の排気方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ゲッターおよび密閉装置ならびに排気方法に関し、特に、プラズマディスプレイ等のガス放電型またはフィールドエミッションディスプレイ等の電界放出型の各表示装置の排気方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
大気圧を大きく下回る減圧状態（以下、この状態を真空状態といい、また、このときの圧力を真空あるいは高真空ということがある。）に保持される密閉装置（真空装置）には、大規模な処理装置のようなものから電気・電子装置のようなものまで多種多様に存在する。
【０００３】
このうち、放電ガスを封入する放電管あるいはプラズマディスプレイ（以下、これをＰＤＰと表記する。）のようなガス放電型表示装置やフィールドエミッションディスプレイ（以下、ＦＥＤと表記する。）のような電界放出型表示装置等の装置（以下、これらをまとめて単に表示装置あるいは装置ということがある。）においては、装置製作過程で発生する不純物ガスを確実に排出するとともに、高真空下で放電ガスを装置に封入することが必須である（例えば、非特許文献１および非特許文献２参照。）。
【０００４】
上記の工程は、通常一括して排気工程と呼ばれるが、この排気工程における排気が不十分な場合、あるいは、装置を製作した後、装置を使用する過程で障壁や電極等の内部構成部材から発生した不純物ガスが装置内に蓄積する等した場合、放電ガスによる放電効果が十分に発現されないことになる。例えば、ガス放電表示装置の場合であれば、輝度の低下や動作電圧の上昇を招く。
【０００５】
このため、放電管やパネル内の離脱不純物ガスを低減し良好な放電特性を得る補助手段として、ゲッターを活用することが提案されている。
【０００６】
ゲッターとは、バリウムやジルコニア等の金属を主成分とする、化学的に活性な金属ピースであり、水分、水素、酸素、一酸化炭素、二酸化炭素、窒素等のような活性ガスであって、放電特性や装置の構成材料に悪影響を与えるガスを不可逆的に吸着する一方で、放電ガス成分であるネオンやキセノン等の希ガスは吸着しないという特性をもつ。
【０００７】
例えば、ＰＤＰの場合、構造上、内部構成部材の表面積が非常に大きいため、高性能の真空ポンプ等を排気源として用いたとしても、一定の制約された時間内で確実に排気するには限界があるため、ゲッターをうまく活用することが求められている（例えば、非特許文献２参照。）。
【０００８】
【非特許文献１】
関他、映像情報メディア学会誌、Ｖｏｌ．５４、Ｎｏ．２、
ｐｐ３０１−３０９（２０００）
【０００９】
【非特許文献２】
株式会社プレスジャーナル  平成９年１２月１日発行、
最新プラズマディスプレイ製造技術、ｐｐ１１８−１２３
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記排気工程でゲッターを用いる場合、上記のゲッターの特性が十分に発揮されないおそれがある。
【００１１】
排気工程でゲッターを用いる場合、ゲッターの取り扱いの便宜上、排気工程の初期段階、すなわち、パネル内の離脱不純物ガスを排気する前に予めゲッターを配置し、その後、不純物ガスを排気した後、放電ガスを封入する手順を経ることになる。この場合、多量の不純物ガスが存在し、かつ、真空度の低い環境下でゲッターが不純物ガスを吸着するために、ゲッターが急速に活性を失ってしまい、放電ガスを封入する段階ではゲッターの機能を発揮することができず、高真空化で残存する不純物ガスを排気して放電ガスを高純度に保持することが難しい。
【００１２】
このため、高真空に排気した後、あるいはさらに放電ガスを封入した後に、高温加熱することによりゲッターを活性化することが提案されている。しかしながら、この場合、ゲッターの性能を十分に回復させるためには通常７００〜９００℃程度の高温に所定時間保つことが必要とされており、このように高温化することは、例えばパネルを構成する部材に熱による損傷を与えてしまうおそれがある。一方、この高熱化の不具合を避けるために活性化のための加熱温度を例えば３００〜４００℃程度とすると、ゲッターが十分に活性化されないおそれがある。
【００１３】
また、例えば、通常の方法により不純物ガスの排気を行う等した後、放電ガスを封入する段階でゲッターを配置して放電ガスを高純度に保持しようとしても、ゲッター配置用の部材の取り付け作業等のゲッターを配置する作業が困難となる。
【００１４】
本発明は、上記の課題に鑑みてなされたものであり、良好な排気を実現することができるゲッターおよびゲッターを備えた密閉装置ならびにゲッターを利用した排気方法を提供することを目的とする。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明に係るゲッターは、化学的に活性な金属ピースであって、気体の吸着作用を利用して排気を行うことができるゲッターにおいて、  破壊可能なカプセルに包蔵されてなることを特徴とする。
【００１６】
これにより、所望のタイミングでカプセルを破壊してゲッターの機能を発揮させることで、ゲッターの機能を発揮させるまでの間にゲッターが置かれた環境によってゲッターの特性が劣化してゲッターの機能の十分な発現が妨げられるおそれが軽減される。
【００１７】
この場合、前記カプセルが金属材料またはガラス材料で形成されてなると、カプセルの破壊の制御が容易であり、また、カプセルからの不純物ガスの発生が少ない。
【００１８】
また、この場合、前記カプセルに、不活性ガスがさらに包蔵されてなると、カプセルの破壊のタイミングの制御を容易に行うことができて好適である。
【００１９】
不活性ガスとしては、ゲッターの活性に影響を与えることのない希ガスの単一成分または混合成分を好適に用いることができる。
【００２０】
また、本発明に係る密閉装置は、大気圧を下回る減圧状態に保持される密閉装置であって、上記のゲッターが内部に配置されてなることを特徴とする。
【００２１】
これにより、例えばパネルを排気して真空状態に到達してから、あるいは、放電ガスを装置に封入した後にカプセルを破壊することで、密閉装置を使用する際に装置内に残存する不純物ガスによって装置の真空度が低下しあるいは封入した放電ガスの純度が低下する等の不具合を軽減することができる。
【００２２】
この場合、密閉装置が、プラズマディスプレイ等のガス放電型表示装置またはフィールドエミッションディスプレイ等の電界放出型表示装置であると、好適に本発明の効果を得ることができ、表示装置を使用する際の真空度の低下を軽減し、また、放電ガスの純度が低下する等して生じうる輝度の低下や動作電圧の上昇等を軽減することができる。また、これにより、表示装置の寿命を延ばすことができる。
【００２３】
また、本発明に係る排気方法は、大気圧を下回る減圧状態に保持される密閉装置の製造過程において減圧状態を生成するための排気方法において、上記のゲッターが排気経路に配置される配置工程と、配置される該ゲッターの前記カプセルを破壊して該ゲッターを露出させる露出工程と、排気源を用いて排気する排気工程とを有することを特徴とする。ここで、排気経路は、密閉装置の外部に排気手段の一部として設けられるもののみでなく、密閉装置内部に設けられるものも含む。また、露出工程は、高真空状態に達してから排気工程と平行してあるいは排気工程の一部として行われてもよい。
【００２４】
これにより、本発明のゲッターの効果を好適に得ることができる。
【００２５】
この場合、前記密閉装置がガス放電型表示装置または電界放出型表示装置であり、前記排気工程が、放電ガスを封入する前までの段階においてプロセスで発生する不純物ガスを概ね排出する第１の排出ステップと、該第１の排出ステップの後の時点において残存する該不純物ガスを該放電ガス封入段階においてまたは該放電ガス封入段階に先立ち排出する第２の排出ステップとを有し、前記露出工程を第２の排出ステップと平行して実施すると、排気管をチップオフした後に発生する不純物ガスを、ケミカルな排出手段で効率的に排出することができる。また、これにより、装置を高真空に保つことや、封入された放電ガスを高純度に保つことが可能となる。
【００２６】
また、この場合、前記露出工程において、排気により前記カプセルの内外の圧力差を生成して該カプセルを破壊し、あるいは、高周波加熱または光線によリ前記カプセルを加熱して該カプセルを破壊すると好適である。特に、カプセルを破壊する際の応力や熱によって密閉装置の構成部材に損傷を与えるおそれがない。
【００２７】
【発明の実施の形態】
本発明に係るゲッターおよび密閉装置ならびに排気方法の好適な実施の形態（以下、本実施の形態例という。）について、密閉装置としてプラズマディスプレイパネルを例にとり、図を参照して、以下に説明する。
【００２８】
まず、本実施の形態例に係るゲッターについて、図１を参照して説明する。
【００２９】
本実施の形態例に係るゲッター（カプセル包蔵ゲッター）は、化学的に活性な金属ピース（ゲッター）１０であり、カプセル１２に包蔵された形態となっている。
【００３０】
金属ピース１０は、気体の吸着作用を有するものであり、このような金属ピース１０の材料として、通常のゲッターの材料として使用されるものを用いることができ、例えば、バリウム、ジルコニウム等を主成分として好適に用いることができる。また、さらに、気体の吸着作用を好適に発現しうるものである限り、他の金属を主成分として有する材料を用いてもよい。金属ピース１０は、これらの金属の精製粉末を原料として成形加工することで得られる。
【００３１】
金属ピース１０は、その形状を限定するものではなく、タブレット状やリング状等の適宜の形状とすることができる。但し、小さいスペースに配置して効率的に性能を発揮させる観点からは比表面積（体積当たりの表面積）の大きな、例えば図１に示すピル（ペレット）状等の形状のものが好ましく、一方、密閉装置に金属ピースを封入して用いる場合には装置の構造上、支障とならない、例えばピン状等の形状のものが好ましい。
【００３２】
金属ピース１０の寸法は、ゲッターを利用する排気工程の条件に応じて適宜設定されるが、例えば、後述するＰＤＰの排気工程で用いる場合、上記したピル形状で、長さＬが２ｍｍ程度で径Ｄが６ｍｍ程度のものを用いることができる。
【００３３】
カプセル１２は、ゲッターを使用する前の取り扱い時において、温度変化や外力等作用によっては簡単に破損しない程度の剛性を有するとともに、ゲッター使用時において、適宜の手段によって容易に破壊して、包蔵された金属ピース１０を容易に露出させることができるものを用いる。
【００３４】
カプセル１２の材料は、不純物ガスの発生が少なく、また、上記の機能を好適に発現することができ、また、通常の技術を用いて容易に作製する観点からは、金属材料やガラス材料を用いる。また、カプセル１２の形態は、特に限定するものではないが、上記の観点および配置スペースを大きく占めないようにする観点から、破壊が容易でかつ金属ピース１０より過度に大きくならない形状に形成する。カプセル１２の厚みＴは、カプセル１２の材料に応じて、また、ゲッターを利用する排気工程の諸条件に応じて適宜設定されるが、例えば、後述するＰＤＰの排気工程で用いる場合においてガラス材料を用いるときは０．１ｍｍ程度の厚みとすることができる。
【００３５】
カプセル１２には、金属ピース１０とともにさらに適宜の不活性ガスを包蔵（封入）してもよい。このような不活性ガスとしては、周期表の１８族元素のヘリウム、ネオン、アルゴン、キセノンまたはクリプトンのいずれかの希ガスの単一成分または混合成分を好適に用いることができる。このとき、不活性ガスの封入圧力が大気圧を越える圧力となるように加圧状態で不活性ガスを封入してもよい。
【００３６】
つぎに、上記本実施の形態例に係るゲッターを用いた本実施の形態例に係る排気工程（排気方法）を含むＰＤＰ作製工程の概要について、図２および図３を参照して説明する。
【００３７】
図２に、４２型ハイビジョンＤＣ−ＰＤＰ（直流駆動型プラズマディスプレイパネル。以下、これをＤＣ−ＰＤＰという。）の概略構成を示す。
【００３８】
ＤＣ−ＰＤＰ１４（以下、これをパネルということがある。）は、パネルを前面板１６と背面板１８の２枚のガラス板で構成し、前面板１６と背面板１８との間の空間に表示セル２０と補助セル２２を形成している。
【００３９】
前面板１６には、陰極２４を、背面板１８には、陽極２６、３色の蛍光体２８、および高さ約１８０μｍの隔壁２９等を、それぞれ形成している。
【００４０】
パネル中には、放電ガスとしてＨｅ（ヘリウム）とＸｅ（キセンノン）の混合ガスを封入し、放電により発生した紫外線で蛍光体２８を発光させる。
【００４１】
表示セル２０のピッチは、水平０．４８ｍｍ、垂直０．５ｍｍとなっている。
【００４２】
ＤＣ−ＰＤＰ１４の作製プロセスの概要を図３の工程図を参照して説明する。
【００４３】
ＤＣ−ＰＤＰ１４の作製プロセスは、前工程と後工程に大別される。
【００４４】
前工程では、前面板および背面板それぞれ別々に、必要な上記の部材を、図３に示す各工程（Ｓ１〜Ｓ３およびＳ４）を経て、薄膜あるいは厚膜技術を用いて形成する。なお、図３では、図２で説明を省いた一部の部材の形成工程を省略している。
【００４５】
後工程では、前面板および背面板を気密に貼り合せて放電パネルに仕上げる。
【００４６】
後工程について詳細に説明する。
【００４７】
後工程は、図３に示すように、シール層形成工程（Ｓ５）、貼り合わせ工程（Ｓ６）、封着工程（Ｓ７）および排気工程（Ｓ８）に大別される。
【００４８】
シール層形成工程では、気密を保つため、フリットガラスを用いてシール層を形成して、前面板および背面板を接着する。
【００４９】
パネルの完成までの各工程では、それまでの工程で焼成形成した材料、形成物に悪影響を与えないように、工程が進むにしたがって、順次、その作業温度を下げていくのが基本であり、シール層の接着焼成温度のできるだけ低いほうが望ましい。但し、一方で、後述する排気工程では、パネル内の吸蔵ガスの放出を促して確実に排気するために、できるだけ高い温度条件とすることが望まれる。このため、フリットガラスは、比較的低温焼成が可能なＴｇ（転移点）４００〜４５０℃程度のものを好適に用いる。
【００５０】
シール層は、スクリーン印刷法やディスペンサ法等により、好適には背面板の４辺に形成される。
【００５１】
貼り合わせ工程では、光学的な方法により、前面板および背面板を正確に位置合わせしたうえで、シール層に均一な荷重をかけて仮固定する。
【００５２】
封着工程では、シール層を溶融接着する。
【００５３】
すなわち、所定の昇降温温度プロファイルで、例えば８時間程度の時間をかけて、例えば最大４００℃程度の温度で加熱し、フリットガラスを溶融固化して、気密封着を行う。
【００５４】
この封着工程において、後述する排気工程で必要な排気管を背面板に設けておく。なお、これに限らず、排気管の固定は、全体のプロセス構成やフリット材の温度特性等を勘案して、封着工程の前に行ってもよく、あるいはまた封着工程の後に行ってもよい。
【００５５】
例えば図４に示すように、排気管３０は、後述する排気管ジョイントに接続可能な径Ｄ１に形成された細径管部３０ａと、細径管部３０ａよりも大きな径Ｄ２に形成された太径管部３０ｂとが段差状に接続された形状を有する。太径管部３０ｂの径Ｄ２は、背面板１８に形成した排気孔３２を確実に覆うことができるとともに、カプセル１２に包蔵された金属ピース（ゲッター）１０を収容可能な寸法に設けられている。太径管部３０ｂには、例えば金網で形成した、細径管部３０ａの径Ｄ１と同程度の径を有する内管３０ｃが設けられる。そして、内管３０ｃと太径管部３０ｂの壁部との間にカプセル１２に包蔵された金属ピース１０からなるゲッターが配置される。内管３０ｃによって、寸法の小さなゲッターが細径管部３０ａから脱落したり、あるいは、細径管部３０ａを閉塞することが防止される。
【００５６】
排気管３０は、背面板１８に形成した排気孔３２と連通するようにして、パネル封着と同様に、フリット材料３４を用いて背面板１８に気密固定される。
【００５７】
排気工程では、排気、放電ガスの封入および排気管封止を行い、ＰＤＰ１４を完成する。以下、排気工程についてさらに図５の排気装置の概略構成図および図６の工程図をさらに参照して詳細に説明する。
【００５８】
排気装置は、例えば、図５に示すように、排気源３６と放電ガス供給源３８と、電気炉４０とを備える。
【００５９】
排気源３６は、例えば、油回転ポンプ４２を有し、さらに必要に応じてターボ分子ポンプ４３等が併用される。放電ガス供給源３８として、例えば、Ｈｅ−Ｘｅの混合ガス等の複数の放電ガス材料が充填されたボンベ４４ａ、４４ｂと、複数のガスを所定の比率で均一に混合することができる混合機４６とを有する。これらの排気源３６および放電ガス供給源３８は配管４８によって接続され、配管４８の一端は、電気炉４０に接続される。配管４０の先端には排気管ジョイント５０が設けられる。なお、図５中、参照符号５２ａ〜５２ｃは、圧力計をはじめとする各ゲージを示す。
【００６０】
電気炉４０は、加熱源とパネル載置台とが設けられている（いずれも図示せず。）。
【００６１】
上記の排気装置を用いて、以下の手順により排気工程が実施される。
【００６２】
前面板１６および背面板１８を封着したパネル５４を電気炉４０のパネル載置台に載置し、パネル５４に固定された排気管３０の開放端を排気装置の排気管ジョイント５０に接続する（図６中、Ｓ９）。
【００６３】
ついで、油回転ポンプ４２等を運転し、例えば０．１Ｐａ程度の圧力までパネル５４内のガスを吸引排気する（図６中、Ｓ１０）。
【００６４】
ついで、ターボ分子ポンプ４３等を運転し、パネル５４を例えば３５０℃程度の温度に加熱する（図６中、Ｓ１１）。これにより、パネル５４の構成材料である隔壁２９や蛍光体２８等が吸蔵する水分等のガスが放出される。これにより、パネル５４内の空間部（シール領域）の圧力は、例えば大気圧から減圧され、例えば１０−５Ｐａ程度に至る。
【００６５】
上記した不純物ガス等や水分等のガスをパネル内から排出する工程（第１の排出ステップ）において、排気が十分に行われた適宜の時点で、金属ピース１０を覆うカプセル１２を破壊して金属ピース１０を露出させる（図６中、Ｓ１２）。
【００６６】
このとき、カプセル１２を破壊する方法としては、例えば、油回転ポンプ４２等の排気により、パネル５４の空間部の排気圧力を例えば１０−５Ｐａ程度まで高真空とする方法を用いることができ、これにより、カプセル１２内外の圧力差によってカプセル１２が破壊される。この際、カプセル１２に不活性ガスを加圧封入したゲッターを用いると、カプセル１２をより容易に破壊することができる。
【００６７】
また、カプセル１２を破壊する方法として、例えば、高周波加熱装置を設けて、高周波加熱によりカプセルのみを、例えば、７００℃の温度にまで加熱して、熱によってカプセルに亀裂を生成させて破壊してもよい。
【００６８】
また、カプセル１２を加熱して破壊する方法としては、さらに、例えばレーザ源あるいは赤外線照射源からなるピンポイントの加熱源を配置して、レーザあるいは赤外線によりカプセル１２のみを加熱する方法を用いることもできる。
【００６９】
露出した金属ピース１０は、その直前までカプセル１２で覆われており、不純物ガスの吸蔵（吸着）による活性の低下を生じておらず、十分な活性を有するため、いわばターボ分子ポンプ等の補助ポンプ、さらに言いかえればケミカルポンプとして機能し、排気管のチップオフ後、排出しきれずに残存しあるいは排出が不可避な不純物ガス等や水分等のガスをパネル内から確実に排出することができる。
【００７０】
なお、前記したように、カプセル１２で包蔵していない通常のゲッターをそのまま用いた場合は、不純物ガス等や水分等のガスをパネル内から排出する工程で多量の不純物ガス等や水分等を吸着して活性を失った状態になる。このため、この時点でゲッターに活性を与えるためには加熱によりゲッターを再活性化することが必要であり、特に、高効率に再活性化するには例えば９００℃を越える温度に加熱する必要があり、このような高温加熱はパネル構成材料の熱による損傷等を避ける観点から、この段階では適用できない。一方、この段階で、活性化された状態にある、カプセル１２で包蔵していない通常のゲッターを配置しようとしても、例えば、ゲッターを収容する排気管をガラス細工等の方法でパネルに固定する作業を、封着工程とは別に行うことは煩雑であり、かつ、作業性もよくない。
【００７１】
ついで、パネル５４を例えば室温まで冷却する（図６中、Ｓ１３）。
【００７２】
さらに、放電ガスをパネル５４に封入して、例えば４０ｋＰａ程度の封入圧力に保持した後（図６中、Ｓ１４）、例えばガスバーナーによりガラス細工で排気管を焼き切る等の方法で排気管３０をパネル５４から取り除く（チップオフする）ことにより（図６中、Ｓ１５：第２の排気ステップ）、ＤＣ−ＰＤＰ１４が完成する。
【００７３】
なお、ゲッターのカプセル１２の破壊は、放電ガス封入作業と平行して、同時に行ってもよい。
【００７４】
本実施の形態例に係るゲッターおよびゲッターを用いた排気方法により得られる上記ＤＣ−ＰＤＰは高い真空度で高純度の放電ガスがパネル内に密閉されているため、ＤＣ−ＰＤＰ使用時、輝度の劣化や動作電圧の上昇を抑制することができる。また、これにより、装置の寿命を長くすることができる。
【００７５】
なお、本実施の形態例に係るゲッターの使用方法の変形例として、例えばパネルの内部にゲッターを収容可能なスペースを設けておき、あるいは、パネルの密閉空間に連通するゲッターを収容可能な部材をパネルに外付けしておき、パネルを貼り合わせる前にゲッターをこれらの箇所に配置してもよい。
【００７６】
そして、上記の不純物ガス等を排気する工程においてカプセルを破壊することなく、例えば放電ガスをパネルに封入し、さらに、排気管をチップオフした後、上記のいずれかの方法によりカプセルを破壊してＰＤＰを完成してもよい。
【００７７】
これにより、放電ガス封入後のパネルに不可避的に残存し、あるいはまた、パネル使用時に新たに離脱する不純物ガスをゲッターで捕捉することで、パネルの真空度の低下や放電ガスの純度の低下を抑制することができる。
【００７８】
本実施の形態例は、ガス放電型表示装置としてのＰＤＰを例にとって説明したが、これに限らず、共通の構造部分を有する電界放出型表示装置であるＦＥＤについても、好適に本発明を適用することができる。
【００７９】
また、本発明は、ガス放電型表示装置や電界放出型表示装置に限らず、放電管や、それ以外の高い真空度で装置を密閉することが必要な密閉装置についても適用可能である。
【００８０】
【発明の効果】
本発明に係るゲッターによれば、化学的に活性な金属ピースであって、気体の吸着作用を利用して排気を行うことができるゲッターにおいて、破壊可能なカプセルに包蔵されてなるため、ゲッターの機能の十分な発現が妨げられるおそれが軽減される。
【００８１】
また、本発明に係るゲッターによれば、カプセルに、不活性ガスがさらに包蔵されてなるため、カプセルの破壊を容易に行うことができる。
【００８２】
また、本発明に係る密閉装置によれば、大気圧を下回る減圧状態に保持される密閉装置であって、上記のゲッターが内部に配置されてなるため、密閉装置を使用する際に残存する不純物ガスによって装置の真空度が低下しあるいは封入した放電ガスの純度が低下する等の不具合を軽減することができる。
【００８３】
また、本発明に係る密閉装置によれば、ガス放電型表示装置または電界放出型表示装置であるため、表示装置を使用する際の真空度の低下を軽減することができ、また、放電ガスの純度が低下する等して生じうる輝度の低下や動作電圧の上昇等を軽減することができる。また、これにより、表示装置の寿命を延ばすことができる。
【００８４】
また、本発明に係る排気方法によれば、大気圧を下回る減圧状態に保持される密閉装置の製造過程において減圧状態を生成するための排気方法において、上記のゲッターが排気経路に配置される配置工程と、配置されるゲッターのカプセルを破壊してゲッターを露出させる露出工程と、排気源を用いて排気する排気工程とを有するため、本発明のゲッターの効果を好適に得ることができる。
【００８５】
また、本発明に係る排気方法によれば、密閉装置がガス放電型表示装置または電界放出型表示装置であり、排気工程が、放電ガスを封入する前までの段階においてプロセスで発生する不純物ガスを概ね排出する第１の排出ステップと、第１の排出ステップの後の時点において残存する不純物ガスを該放電ガス封入段階においてまたは放電ガス封入段階に先立ち排出する第２の排出ステップとを有し、露出工程を第２の排出ステップと平行して実施するため、残存する不純物ガスをケミカルな排出手段で効率的に排出することができる。また、装置を高真空に保つことや、封入された放電ガスを高純度に保つことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本実施の形態例に係るゲッターの形態を示す図である。
【図２】図１のゲッターを装置の作製工程で利用するプラズマディスプレイの概略構成を説明するための図である。
【図３】図２のプラズマディスプレイの作製工程の概要を示す工程図である。
【図４】ゲッターを配置した排気管を説明するための図である。
【図５】排気装置の概略構成を説明するための図である。
【図６】排気工程の詳細を説明するための工程図である。
【符号の説明】
１０  金属ピース
１２  カプセル
１４  ＤＣ−ＰＤＰ
１６  前面板
１８  背面板
２８  蛍光体
２９  隔壁
３０  排気管
３０ａ  細径管部
３０ｂ  太径管部
３０ｃ  内管
３６  排気源
３８  放電ガス供給源
４０  電気炉
４４ａ、４４ｂ  ボンベ
４６  混合機
５０  排気管ジョイント
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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