(57)【要約】【課題】より高密度な情報の記録／再生を行うことが可能な光学的情報記録媒体を提供する。【解決手段】１つのランドＬもしくはグルーブＧ内に情報を記録或いは再生する情報トラックを少なくとも二列形成する。また、少なくとも二列の情報トラックを有するランドＬ或いはグルーブＧにトラック方向に垂直な方向にほぼ等分するように、予めアニール処理を行うことによって磁性が変質して情報トラックを磁気的に分断するアニール領域を形成する。【選択図】　　　　　図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ランドとグルーブを有すると共に、前記ランドもしくはグルーブ内に情報を記録或いは再生する情報トラックを少なくとも二列有し、且つ、前記少なくとも二列の情報トラックを有するランド或いはグルーブには、トラック方向に垂直な方向にほぼ等分するように、予めアニール処理を行うことによって磁性が変質して情報トラックを磁気的に分断するアニール領域が形成されていることを特徴とする光学的情報記録媒体。
【請求項２】
少なくとも、磁壁移動層、スイッチング層、記録保持層を有する磁壁移動型光磁気記録媒体において、ランドもしくはグルーブ内に情報を記録或いは再生する情報トラックを少なくとも二列有し、且つ、前記少なくとも二列の情報トラックを有するランド或いはグルーブには、トラック方向に垂直な方向にほぼ等分するように、予めアニール処理を行うことによって磁性が変質して情報トラックを磁気的に分断するアニール領域が形成されていることを特徴とする光磁気記録媒体。
【請求項３】
請求項２に記載の光磁気記録媒体の製造方法において、前記記録媒体上に２つのサブビームと前記２つのサブビームの間にアニール用のメインビームを照射する手段と、前記サブビームの媒体による反射光を検出する検出素子と、前記２つのサブビームに対応する２つの検出素子の出力差に基づいてトラッキング制御を行う第１のトラッキング制御手段と、前記メインビームの媒体による反射光を検出する少なくとも媒体の溝方向に平行方向に２分割された分割検出素子と、前記分割検出素子の出力に基づいてトラッキング制御を行う第２のトラッキング制御手段と、前記２つのサブビームの反射光を検出する各々媒体の溝方向に平行方向に２分割された検出素子と、前記２分割検出素子の出力に基づいてトラッキング制御を行う第３のトラッキング制御手段と、前記第１乃至第３のトラッキング制御手段を切り替える手段とを備え、前記記録媒体のアニールする位置に応じて前記第１乃至第３のトラッキング制御手段を切り替えることによって、前記グルーブ又はランドの所望の位置をアニールすることを特徴とする光磁気記録媒体の製造方法。
【請求項４】
前記第１と第２のトラッキング制御手段と、前記第１と第２のトラッキング制御手段を切り替える手段とを備え、前記記録媒体のアニールする位置に応じて前記第１と第２のトラッキング制御手段を切り替えることによって、前記グルーブ又はランドの所望の位置をアニールすることを特徴とする、請求項３に記載の光磁気記録媒体の製造方法。
【請求項５】
前記第２のトラッキング制御手段と、前記２つのサブビームのうち少なくとも１つの反射光を検出する媒体の溝方向に平行方向に２分割された検出素子と、前記２分割検出素子の出力に基づいてトラッキング制御を行う第４のトラッキング制御手段と、前記第２と第４のトラッキング制御手段を切り替える手段とを備え、前記記録媒体のアニールする位置に応じて前記第２と第４のトラッキング制御手段を切り替えることによって、前記グルーブ又はランドの所望の位置をアニールすることを特徴とする、請求項３に記載の光磁気記録媒体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光学的情報記録媒体に関し、特に、１つの溝内或いは溝間に少なくとも２列の情報トラックを有する光学的情報記録媒体、光磁気記録媒体及びその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
一般に、光学的情報記録媒体の記録情報の再生は、集光レンズによって信号面上に微小スポットを形成し、反射光を光電変換素子で受光することによって行う。この光学的情報記録媒体の高密度化の要求は年々高まるばかりである。
【０００３】
この高密度化を実現する方法としては、例えば、磁壁移動検出（ＤＷＤＤ）等の手段を用いることにより、トラック方向の高密度化を光学的な分解能の制限を超えて実現することが知られている。更なる高密度化を実現するためには、トラックピッチを狭めて半径方向の高密度化を実現する必要がある。ところが、案内溝の周期が光学系の分解能に近づくと、トラッキング信号が十分に得られなくなる。周知のように光学系の分解能ｄは、収束光の波長λ、対物レンズの開口数ＮＡとすると、
ｄ＝λ／（２・ＮＡ）
によって定められる。
【０００４】
例えば、ＤＶＤ−ＲＷで用いられるような光学系では、光源の波長λが６３５ｎｍ、対物レンズの開口数ＮＡが０．６０であるから、分解能ｄは０．５３μｍとなる。媒体のトラックピッチを０．５３μｍに近づけると、十分なトラッキング信号を得ることはできなくなるので、ＤＶＤ−ＲＷではトラックピッチを０．７４μｍにしてトラッキング信号を得ている。
【０００５】
このような光学系の分解能による制限を緩和するため、例えば、特開２０００−３３１３８３に記載されているように隣り合うグルーブの幅が異なるようにグルーブを形成した光学的記録媒体が提案されている。図１４は同公報の記録媒体を示す。同公報のものでは、見かけ上２トラックで１周期の周期構造となるため、解像限界を超えるトラックピッチにまでトラックピッチを狭くしてもトラッキング信号を得ることができる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、同公報に記載の記録媒体においては、各トラックの両側に幅の異なるグルーブを構成する必要があり、トラッキング信号が十分な変調を持つためには、グルーブの幅の差を大きくしなければならず、更なる高密度化を制限する原因となっていた。
【０００７】
本発明は、上記従来の問題点に鑑みなされたもので、その目的は、より高密度の情報記録が可能な光学的情報記録媒体、光磁気記録媒体及びその製造方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明の光学的情報記録媒体は、上記目的を達成するため、ランドとグルーブを有すると共に、前記ランドもしくはグルーブ内に情報を記録或いは再生する情報トラックを少なくとも二列有し、且つ、前記少なくとも二列の情報トラックを有するランド或いはグルーブには、トラック方向に垂直な方向にほぼ等分するように、予めアニール処理を行うことによって磁性が変質して情報トラックを磁気的に分断するアニール領域が形成されていることを特徴とする。
【０００９】
また、本発明の光磁気記録媒体は、少なくとも、磁壁移動層、スイッチング層、記録保持層を有する磁壁移動型光磁気記録媒体において、ランドもしくはグルーブ内に情報を記録或いは再生する情報トラックを少なくとも二列有し、且つ、前記少なくとも二列の情報トラックを有するランド或いはグルーブには、トラック方向に垂直な方向にほぼ等分するように、予めアニール処理を行うことによって磁性が変質して情報トラックを磁気的に分断するアニール領域が形成されていることを特徴とする。
【００１０】
更に、本発明の光磁気記録媒体の製造方法は、光磁気記録媒体上に２つのサブビームと前記２つのサブビームの間にアニール用のメインビームを照射する手段と、前記サブビームの媒体による反射光を検出する検出素子と、前記２つのサブビームに対応する２つの検出素子の出力差に基づいてトラッキング制御を行う第１のトラッキング制御手段と、前記メインビームの媒体による反射光を検出する少なくとも媒体の溝方向に平行方向に２分割された分割検出素子と、前記分割検出素子の出力に基づいてトラッキング制御を行う第２のトラッキング制御手段と、前記２つのサブビームの反射光を検出する各々媒体の溝方向に平行方向に２分割された検出素子と、前記２分割検出素子の出力に基づいてトラッキング制御を行う第３のトラッキング制御手段と、前記第１乃至第３のトラッキング制御手段を切り替える手段とを備え、前記記録媒体のアニールする位置に応じて前記第１乃至第３のトラッキング制御手段を切り替えることによって、前記グルーブ又はランドの所望の位置をアニールすることを特徴とする。
【００１１】
【発明の実施の形態】
次に、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。
【００１２】
（第１の実施形態）
図１は本発明の光学的情報記録媒体の第１の実施形態を示す断面図である。なお、図１では光学的情報記録媒体として光磁気ディスクを示す。図１（ａ）は光磁気ディスクの基板の断面図、図１（ｂ）は光磁気ディスクの断面図を示す。基板３２はポリカーボネート等の樹脂材料の射出成型により形成され、その表面にはランドＬとグルーブＧが形成されている。光磁気ディスク８は記録マークの磁壁を移動させて記録情報を再生する磁壁移動型光磁気媒体である。
【００１３】
磁壁移動型光磁気媒体については、例えば、特開平６−２９０４９６号公報等に詳しく記載されているので詳しい説明は省略するが、基板３２上には、移動層、スイッチング層、記録層が積層された磁性膜Ｍが成膜されている。光磁気ディスク８の層構成は、これに限ることなく、上記公報等に記載されているように様々な層構成があることは言うまでもない。
【００１４】
また、情報トラックは図１（ｂ）に示すようにグルーブＧ内に等幅でトラックＴ１、Ｔ２の２列設けられている。グルーブＧの中央には、アニール処理によって磁性を変質させている領域Ａを設けてある。同様にランドＬの中央には、アニール処理によって磁性を変質させている領域Ｂを設けてある。領域Ａと領域ＢによってトラックＴ１とＴ２が磁気的に分断されている。
【００１５】
より具体的に述べると、ランド幅ＷＬは０．２μｍ、グルーブ幅ＷＧは０．８μｍであり、ランドピッチＰＬは１．０μｍ、グルーブＧの深さＤは０．０３μｍである。グルーブ中央のアニールされた領域Ａは０．２μｍ程度、ランド上のアニールされた領域Ｂは、ほぼランド幅ＷＬの全体を占めている。なお、ランド幅ＷＬを０．８μｍ、グルーブ幅ＷＧを０．２μｍと逆になっても良く、その場合はランドＬにトラックＴ１、Ｔ２を設けて記録を行う。
【００１６】
次に、グルーブＧの中心及びランドＬの中心をアニール処理により磁性を変質させる方法について説明する。図２は本実施形態におけるアニール装置の光学系を示す。まず、波長４１０ｎｍの半導体レーザ１からの光束が回折格子２によって３本の光束に分けられ、各々の光束はカップリングレンズ３によって平行光束とされる。この平行光束は、偏光ビームスプリッタ４を透過し、更に１／４波長板５を透過した後、アクチュエータ６で位置制御されたＮＡ０．８５の対物レンズ７によって集光され、光磁気ディスク８に膜面側から入射する。
【００１７】
光磁気ディスク８の情報記録面からの反射光は再び対物レンズ７を透過し、更に１／４波長板５を透過した後、偏光ビームスプリッタ４で反射され、センサレンズ９を透過して受光素子１０に入射する。フォーカスエラー信号はメインビームを用いた非点収差法により得られる。また、アニール処理は対物レンズ７により収束されたメインビームにより行う。
【００１８】
図３は受光素子１０上の受光面を示す。メインビームの反射光は受光素子１０上の４分割受光面１０ａ、１０ｂ、１０ｃ、１０ｄで受光され、それぞれの出力をＡ、Ｂ、Ｃ、Ｄとする場合、（Ａ＋Ｃ）−（Ｂ＋Ｄ）なる演算で得られる信号をフォーカスエラー信号として用いる。
【００１９】
次に、アニール処理時におけるトラッキング方法について説明する。図４はグルーブＧ中央の領域Ａをアニール処理する場合の媒体面上のビームスポット、及びメインビーム１３の情報記録面上でのスポット位置に対するトラッキングエラー信号を示す。スポットサイズは概ね半値での大きさで示している。サブビーム１１と１２のディスク半径方向の間隔は、情報記録面上でランドピッチＰＬの１／４以上でグルーブ幅ＷＧ以下程度にし、メインビーム１３は２つのサブビーム１１、１２の中間に位置するようにする。サブビーム１１、１２の反射光は受光素子１０上の受光面１０ｅ及び１０ｆでそれぞれ受光され、それぞれの出力をＴＥ１、ＴＥ２とする場合、
ＴＥ３＝ＴＥ１−ＴＥ２
で得られる信号ＴＥ３を用いてトラッキング制御を行う。図４にＴＥ１、ＴＥ２、ＴＥ３を示す。このようにフォーカス制御及びトラッキング制御を行いながら、メインビーム１３をグルーブＧの中央に走査することによって領域Ａのアニール処理を行う。
【００２０】
なお、トラッキング制御を行う場合、サブビーム１１、１２のプッシュプル信号を用いても良い。この場合は、サブビーム１１、１２のディスク半径方向の間隔は、記録面上でランドピッチＰＬに等しくなるようにする。
【００２１】
図５はランドＬ上の領域Ｂをアニール処理する場合の媒体面上のビームスポット、及びメインビーム１３のスポット位置に対するトラッキングエラー信号ＴＥ３を示す。図５に示すようにランドＬの中心にメインビーム１３をトラッキングする場合には、メインビーム１３の反射光は受光素子１０上の４分割受光面１０ａ、１０ｂ、１０ｃ、１０ｄで受光され、それぞれの出力をＡ、Ｂ、Ｃ、Ｄとする場合、（Ａ＋Ｄ）−（Ｂ＋Ｃ）なる演算で得られる、いわゆるプッシュプル信号をトラッキングエラー信号としてトラッキング制御を行う。
【００２２】
フォーカス制御はグルーブをアニールする場合と同様であり、フォーカス制御及び前述のようなプッシュプル信号を用いたトラッキング制御を行いながら、メインビーム１３をランドＬの中央に走査することによって領域Ｂのアニール処理を行う。
【００２３】
このようにランドをアニールする場合とグルーブをアニールする場合とでトラッキングを切り替えることで、グルーブ中心の領域Ａ及びランド上の領域Ｂのアニール処理を行う。このようにしてグルーブＧの中心及びランドＬの中心をアニール処理することにより、磁性を変質させて磁壁移動型光磁気媒体を実現することができる。
【００２４】
次に、上述の光磁気ディスク８を用いて情報を記録及び記録情報を再生する方法について説明する。図６は本実施形態による光磁気ディスク８を用いて情報を記録／再生する光学系の例を示す。まず、波長６５０ｎｍの半導体レーザ素子１４からの出射光束は、回折格子１５によって３本の光束に分けられる。各々の光束は、カップリングレンズ１６によって平行光束とされ、偏光ビームスプリッタ１７を透過する。更に、この光束はアクチュエータ１８で位置制御されたＮＡ０．６の対物レンズ１９によって集光され、光磁気ディスク８上に微小スポットとして照射される。光磁気ディスク８の上面には対物レンズ１９と対向して変調磁界を印加する磁気ヘッド２０が設けられている。
【００２５】
光磁気ディスク８の情報記録面からの反射光は再び対物レンズ１９を透過し、偏光ビームスプリッタ１７で反射され、センサレンズ２１、ウォラストンプリズム２２を経て受光素子２３に入射する。情報の再生時は収束光の照射によって磁壁移動を引き起こし、情報の読み出しを行う。磁壁移動再生は周知であるので詳しい説明は省略する。一方、情報の記録時は収束光の照射と共に磁気ヘッド２０から変調磁界を印加して情報を記録する。なお、情報の記録及び再生は対物レンズ１９により収束されたメインビームにより行い、フォーカスエラー信号はメインビームの反射光を用いた非点収差法によって生成する。
【００２６】
図７は受光素子２３の受光面を示す。メインビームの反射光は受光素子２３上の４分割受光面２３ａ、２３ｂ、２３ｃ、２３ｄで受光され、それぞれの出力をＡ、Ｂ、Ｃ、Ｄとする場合、（Ａ＋Ｃ）−（Ｂ＋Ｄ）なる演算で得られる信号をフォーカスエラー信号として用いる。これは、前述の非点収差法によるフォーカスエラー信号である。また、再生信号を生成する場合には、ウォラストンプリズム２２によって互いに直交する成分に偏光分離された光束が受光面２３ｉ、２３ｊで受光され、それぞれの出力をＩ、Ｊとする場合、Ｉ−Ｊなる演算を行うことによって得られる。
【００２７】
次に、上述の構成を有する光磁気ディスク８を用いて情報を記録及び再生する場合のトラッキング方法について説明する。図８は記録及び再生時の媒体面上のビームスポット及びトラッキング信号を示す。スポットサイズは概ね半値での大きさで示している。
【００２８】
サブビーム２４、２５はディスク半径方向の間隔が媒体の情報記録面上においてランドピッチＰＬの１／２に等しくなるようにし、メインビーム２６はサブビーム２４、２５の中心に位置するようにする。サブビーム２４、２５の反射光は、光磁気ディスク８の溝方向に平行な方向に２分割された受光面２３ｅ、２３ｆ及び２３ｇ、２３ｈによって受光される。それぞれの出力をＥ、Ｆ及びＧ、Ｈとする場合、
ＴＥ４＝Ｅ−Ｆ
ＴＥ５＝Ｇ−Ｈ
なる演算を行い、図８に示すようにいわゆるプッシュプル信号ＴＥ４、ＴＥ５がそれぞれ得られる。
【００２９】
この時、プッシュプル信号ＴＥ４及びＴＥ５はランドピッチＰＬを周期とする周期信号となる。そこで、サブビーム２４、２５間の距離をランドピッチＰＬの１／２すれば、サブビーム２４、２５のプッシュプル信号ＴＥ４及びＴＥ５間の位相が半周期ずれるので、更に、ＴＥ４−ＴＥ５なる演算を行うことによって周知の差動プッシュプル法によるトラッキングエラー信号ＴＥ６（図８参照）が得られる。
【００３０】
このトラッキングエラー信号ＴＥ６に基づいてメインビーム２６がトラックＴ１、Ｔ２上をトレースするようにトラッキング制御を行う。この時、トラッキングエラー信号の極性を切り替えることにより、トラックＴ１からＴ２へ、もしくはトラックＴ２からＴ１へ、ビームのトラック引き込みを切り替えることができる。このようにトラッキングエラー信号ＴＥ６を用いることで１つのグルーブ（又はランド）内に２つの情報トラックを有する光学的情報記録媒体に良好に情報を記録／再生することができる。
【００３１】
（第２の実施形態）
図９は本発明の第２の実施形態を示す断面図である。図９（ａ）は光磁気ディスクの基板の断面図、図９（ｂ）は光磁気ディスクの断面図である。光磁気ディスクは磁壁移動型光磁気媒体である。また、本実施形態では１つのグルーブ内に４本の情報トラックを有する例を示す。基板３２上には、移動層、スイッチング層、記録層が積層された磁性膜Ｍが成膜されている。光磁気ディスク８の層構成は、これに限ることはない。
【００３２】
また、情報トラックは図９（ｂ）に示すようにグルーブＧ内に等幅でトラックＴ１、Ｔ２、Ｔ３、Ｔ４の４列設けられている。グルーブＧの中央及びグルーブＧの中央からランドピッチＰＬの１／４だけ離れた両側には、アニール処理によって磁性を変質させている領域Ａ及びＣを設けてある。同様にランドＬの中央には、アニール処理によって磁性を変質させている領域Ｂを設けてある。領域Ａ、領域Ｂ、領域Ｃによって情報トラックＴ１、Ｔ２、Ｔ３、Ｔ４が磁気的に分断されている。
【００３３】
ランド幅ＷＬは０．２μｍ、グルーブ幅ＷＧは２．０μｍであり、ランドピッチＰＬは２．２０μｍ、グルーブＧの深さＤは０．０３μｍである。グルーブ内のアニール領域Ａ及び領域Ｃは０．２μｍ程度、ランド上のアニールされた領域Ｂはほぼランド幅ＷＬの全体を占めている。なお、ランド幅ＷＬを２．０μｍ、グルーブ幅ＷＧを０．２μｍと逆になっても良く、その場合はランドＬにトラックＴ１、Ｔ２、Ｔ３、Ｔ４を設けて記録を行う。
【００３４】
次に、グルーブＧの中央及びグルーブＧの中央からランドピッチＰＬの１／４だけ離れた両側、及びランドＬの中央をアニール処理によって磁性を変質させる方法について説明する。アニール処理は図２の光学系を用いて行うが、回析格子２と受光素子１０が異なっている。図１０は本実施形態で用いる回析格子、図１１は受光素子の受光面を示す。
【００３５】
続いて、アニール処理の方法について説明する。まず、グルーブ中央の領域Ａ及びランド上の領域Ｂをアニールする方法は第１の実施形態と同様である。図１２はグルーブ中央からランドピッチの１／４だけ離れた領域Ｃにアニール用ビームをトラッキングする場合のビーム配置とトラッキングエラー信号を示す。サブビーム２６、２７はディスク半径方向の間隔が媒体の情報記録面上においてランドピッチＰＬの１／２に等しくなるようにし、メインビーム２８はサブビーム２６、２７の中心に位置するようにする。
【００３６】
また、回析格子の回析格子部１５ａは図１０に示すように入射ビーム径ＤＭより小さい円形状のものにし、回析光のビーム径ＤＳをＤＭより小さくして光磁気ディスク８への集光時のＮＡを落とし、情報記録面上でのサブビーム２６、２７のスポットをランドピッチＰＬ程度に大きくする。サブビーム２６、２７の反射光は図１１に示すように光磁気ディスク８の溝方向に平行な方向に２分割された受光面１０ｅ、１０ｆ及び１０ｇ、１０ｈによって受光され、受光面１０ｅ、１０ｆ及び１０ｇ、１０ｈの出力をＥ、Ｆ及びＧ、Ｈとする場合、
ＴＥ８＝Ｅ−Ｆ
ＴＥ９＝Ｇ−Ｈ
なる演算を行い、いわゆるプッシュプル信号がそれぞれ得られる。
【００３７】
更に、ＴＥ８−ＴＥ９なる演算を行うことによって周知の差動プッシュプル法によるトラッキングエラー信号ＴＥ１０が得られ、このＴＥ１０を用いて領域Ｃのアニール処理を行う。このようにしてグルーブＧ内の領域Ａ及びＣ、ランド上の領域Ｂのアニール処理を行う。
【００３８】
次に、第２の実施形態の光磁気ディスク８を用いて情報の記録／再生を行う方法について説明する。記録／再生に用いる装置は第１の実施形態と同様であるが、アニール処理の場合と同様に回析格子１５として図１０のものを用いる。図１３は記録／再生時の媒体上のビーム配置とトラッキングエラー信号を示す。サブビーム２９、３０はディスク半径方向の間隔が媒体の情報記録面上においてランドピッチＰＬの１／２に等しくなるようにし、メインビーム３１はサブビーム２９、３０の中心に位置するようにする。
【００３９】
また、回析格子の回析格子部１５ａは図１０に示すように入射ビーム径ＤＭより小さい円形状のものにし、回析光のビーム径ＤＳをＤＭより小さくして光磁気ディスク８への集光時のＮＡを落とし、情報記録面上でのサブビーム２９、３０のスポットをランドピッチＰＬ程度に大きくする。
【００４０】
グルーブＧ内のトラックＴ１〜Ｔ４にメインビームをトラッキングする場合は、アニール時と同様に差動プッシュプル信号を用いる（ＴＥ１０）。まず、トラックＴ１、Ｔ４にトラッキングする場合には、サーボ制御回路（図示せず）において図１３に示すようにトラッキングエラー信号にトラックオフセットを加えてトラッキング位置をＰＬ／８ずらす。
【００４１】
また、トラックＴ２、Ｔ３にトラッキングする場合には、トラックＴ１、Ｔ４にトラッキングする場合の逆極性のトラックオフセットを加えることによりトラッキング制御を行う。このようにして１つのグルーブ内の４本のトラックに情報の記録／再生を行う。
【００４２】
なお、以上の実施形態では、１つのグルーブもしくはランドに２本又は４本の情報トラックを形成する例を示したが、本発明は、これに限ることなく、３本又は５本以上の情報トラックを形成することも可能である。この場合には、トラッキング位置に応じたトラックオフセットと極性の切り替えを行うことにより所望のトラックに情報の記録／再生を行うことができる。
【００４３】
また、１つのグルーブ又はランド内に３本又は５本以上の情報トラックを形成する場合においてアニール処理を行う場合には、同様にトラッキング位置に応じたトラックオフセットと極性の切り替えを行うことにより所望の位置のアニール処理を行うことが可能である。
【００４４】
【発明の効果】
以上説明したように本発明によれば、光学的な分解能を超えてトラック密度を高めることができ、また、トラック密度を高めても、良好な記録／再生性能を得ることができる。従って、従来に比べてより高密度なメモリシステムを実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の光学的情報記録媒体の一実施形態を示す断面図である。
【図２】図１の実施形態の記録媒体をアニール処理するアニール装置の光学系の一例を示す図である。
【図３】図２のアニール装置に用いる受光素子の受光面を示す図である。
【図４】図２のアニール装置を用いて図１の光磁気ディスクのグルーブ中心をアニール処理する場合の記録媒体の記録面上のビームスポット及びトラッキングエラー信号を示す図である。
【図５】図２のアニール装置を用いて図１の光磁気ディスクのランド上をアニール処理する場合の記録媒体の記録面上のビームスポット及びトラッキングエラー信号を示す図である。
【図６】図１の実施形態の光学的情報記録媒体に情報を記録／再生する記録再生装置の光学系の一例を示す図である。
【図７】図６の記録再生装置に用いる受光素子の受光面を示す図である。
【図８】図６の記録再生装置を用いて情報を記録／再生する場合の記録面上のビームスポット及びトラッキングエラー信号を示す図である。
【図９】本発明の第２の実施形態を示す断面図である。
【図１０】第２の実施形態のアニール処理に用いる光学系の回析格子を示す図である。
【図１１】第２の実施形態のアニール処理に用いる光学系の受光素子を示す図である。
【図１２】第２の実施形態のアニール処理を行う場合の媒体上のビームスポットとトラッキングエラー信号を示す図である。
【図１３】第２の実施形態の媒体を用いて記録／再生を行う場合の媒体上のビームスポットとトラッキングエラー信号を示す図である。
【図１４】従来例の媒体構造を示す図である。
【符号の説明】
１、１４　半導体レーザ
２、１５、３３　回折格子
３、１６　カップリングレンズ
４、１７　偏光ビームスプリッタ
５　１／４波長板
６、１８　アクチュエータ
７、１９　対物レンズ
８　光磁気ディスク
９、２１　センサレンズ
２２　ウォラストンプリズム
１０、２３　受光素子
１１、１２、２６、２７　アニール時のサブビーム
１３、２８　アニール時のメインビーム
２０　磁気ヘッド
２４、２５、２９、３０　記録／再生時のサブビーム
２６、３１　記録／再生時のメインビーム
３２　基板
Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３、Ｔ４　情報トラック
Ｇ　グルーブ
Ｌ　ランド
Ｍ　磁性膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
2004087034.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
2004087034.tif 000013
【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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