(57)【要約】【課題】インターポーザ基板へのワイヤーボンドが可能であるとともに小型化ができ、しかも、放熱性に優れた半導体パッケージを提供する。【解決手段】インターポーザ基板１の下面１ａにはランド２を介して半田ボール３が多数配置されている。インターポーザ基板１における上面１ｂに放熱板６を介在させて半導体チップ４がフェイスアップで搭載されている。放熱板６は基板側電極５を露出させるための貫通部７ａを有している。インターポーザ基板１での半導体チップ搭載面１ｂに設けられた基板側電極５と半導体チップ４に設けられたチップ側電極９とがボンディングワイヤー１０を用いて電気的に接続されている。放熱蓋１１が放熱板６における半導体チップ４の周囲で連結するように配置され、放熱蓋１１はチップ４を収容する凹部１３を有している。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
一方の面（１ａ）に外部接続用のランド（２）またはそのランド（２）と導通する導電性ボール（３）を多数配したインターポーザ基板（１）における他方の面（１ｂ）側に半導体チップ（４）をフェイスアップで搭載するとともに、前記インターポーザ基板（１）での半導体チップ搭載面（１ｂ）に設けられた基板側電極（５）と前記半導体チップ（４）に設けられたチップ側電極（９）とをボンディングワイヤー（１０）を用いて電気的に接続した半導体パッケージであって、
前記インターポーザ基板（１）と半導体チップ（４）の間に、前記基板側電極（５）を露出させるための貫通部（７ａ，７ｂ）を有する放熱板（６）を介在させるとともに、前記半導体チップ（４）を収容する凹部（１３）を有する放熱蓋（１１）を、前記放熱板（６）における半導体チップ（４）の周囲で連結するように配置したことを特徴とする半導体パッケージ。
【請求項２】
前記インターポーザ基板（１）の一方の面（１ａ）に配したランド（２）と、相手側の回路基板（２０）のランドとが接合するランドグリッドアレイであることを特徴とする請求項１に記載の半導体パッケージ。
【請求項３】
前記放熱板（６）の線膨張係数が相手側の回路基板（２０）の線膨張係数±５ｐｐｍ／Ｋであることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体パッケージ。
【請求項４】
前記放熱蓋（１１）で囲まれた半導体チップ（４）の周囲の空間（Ｓ１）に、封止材として熱硬化性の樹脂またはゲルを配したことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体パッケージ。
【請求項５】
前記放熱蓋（１１）に、封止材注入用の透孔を設けたことを特徴とする請求項４に記載の半導体パッケージ。
【請求項６】
前記放熱蓋（１１）に、封止後のガス抜き用の透孔を設けたことを特徴とする請求項４または５に記載の半導体パッケージ。
【請求項７】
前記放熱蓋（１１）に、封止材注入用および封止後のガス抜き用を兼ねる透孔を設けたことを特徴とする請求項４に記載の半導体パッケージ。
【請求項８】
前記放熱蓋（１１）の内面に半導体チップ（４）の能動面との距離を小さくするための突起（３０）を設けたことを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の半導体パッケージ。
【請求項９】
前記放熱板（６）の貫通部（４０〜４７）は放熱板（６）の側面（４８）に開放している切欠きであることを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項に記載の半導体パッケージ。
【請求項１０】
前記放熱板（６）の貫通部（５０）の内壁に絶縁部材（５１）を配置するとともにその内部に導電材料（５２）を埋設し、貫通部（５０）の一方の開口部において前記導電材料（５２）を前記基板側電極（５４）と電気的に接続し、また、貫通部（５０）の他方の開口部において前記導電材料（５２）を前記ボンディングワイヤー（１０）と接続したことを特徴とする請求項１〜９のいずれか１項に記載の半導体パッケージ。
【請求項１１】
前記インターポーザ基板（１）に複数の半導体チップ（６３，６４）を搭載するとともに、放熱板（６）は各半導体チップ（６３，６４）の電極（９）に対応する前記基板側電極（５）を露出させるための貫通部（６０，６１，６２）を有し、放熱蓋（１１）は、各半導体チップ（６３，６４）を収容する凹部（１３）を有することを特徴とする請求項１〜１０のいずれか１項に記載の半導体パッケージ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体パッケージに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
効率の良い放熱が要求されるリードフレームパッケージの一例を図９に示す。リードフレーム１０１に半導体チップ１０２が搭載されるとともにリードフレーム１０１は放熱板１００の上面に導電性接着剤にて固着されている。半導体チップ１０２はボンディングワイヤー１０３を介してリードフレーム１０４と電気的に接続されている。さらに、半導体チップ１０２は樹脂１０５にてモールドされている。そして、半導体チップ１０２の発する熱は放熱板１００を通してパッケージ下面から放熱される。
【０００３】
一方、昨今の電子製品の小型化により、実装効率の向上のため、パッケージの背面からの放熱の要求がある。それに対しては、図１０のような構造をとる。リードフレーム２０１に半導体チップ２０２が搭載され、リードフレーム２０１は放熱板２００の下面に導電性接着剤にて固着されている。半導体チップ２０２はボンディングワイヤー２０３を介してリードフレーム２０４と電気的に接続されている。半導体チップ２０２は樹脂２０５にてモールドされている。そして、半導体チップ２０２の発する熱は放熱板２００を通してパッケージ上面から放熱される。
【０００４】
さらに、パッケージ自体の小型化も要求される場合、特許文献１に開示されているようなリードフレームを用いない方式がある。詳しくは、図１１に示すように、放熱板３００の下面においてインターポーザ基板３０１が接着されるとともにインターポーザ基板３０１での貫通部に半導体チップ３０２が配置され放熱板３００に接着されている。また、ボンディングワイヤー３０３にてインターポーザ基板３０１と半導体チップ３０２が電気的に接続されている。インターポーザ基板３０１には半田ボール３０４が配置され、樹脂３０５でモールドされている。よって、この構造においては、下面で相手側の回路基板（メイン基板）３１０と接続がとられる。これによりＣＳＰ化が可能となる。
【０００５】
また、図１２に示すように、フリップチップタイプのパッケージがある。つまり、放熱板４００に導電性接着剤４０１を介して半導体チップ４０２が接着されるとともに、半導体チップ４０２が、バンプ４０２ａを用いてインターポーザ基板４０３の上面に実装されている。インターポーザ基板４０３には半田ボール４０４が配置されている。また、インターポーザ基板４０３と半導体チップ４０２との間にはアンダーフィルム材（樹脂）４０５が配置されている。これにより、パッケージ背面放熱と下面放熱が可能となる。
【０００６】
高放熱効率という観点からは、放熱板はチップの非能動面に熱抵抗の低い導電性接着剤等を介して接着されなければならない。更にパッケージ外への放熱まで考えれば、放熱板の一面は、パッケージの外面に露出している必要がある。更に回路基板（メイン基板）でなくパッケージ背面からの放熱を可能にするためには、回路基板（メイン基板）との接合面とは反対面に放熱板が露出している必要がある。また、ワイヤーボンディングを行う場合、半導体チップは接続対象にフェイスアップで搭載される。
【０００７】
このような理由から、リードフレームを使ったタイプのパッケージでは、図１０のようにリードフレーム２０４を曲げる方向で可能にすることができるが、図１０に示されるリードフレーム２０４を使ったパッケージは、近年の小型化の要求を満足することは到底できない。従って、ＢＧＡ（ボールグリットアレイ）のようなパッケージ下面で回路基板（メイン基板）と接続できるような構造のパッケージが必要になるが、上述した理由により、図１１（特許文献１）に示すようにインターポーザ基板３０１に貫通部を設けてそこに半導体チップ３０２を収納する形態をとるしかなかった。しかし、これではパッケージの下面の全てを回路基板（メイン基板）３１０との接合に使用することができず、効率的なパッケージの小型化ができない。チップサイズに比べて、外部出力端子の多いチップの場合、小型化の効率は更に悪くなる。
【０００８】
今日では、電子製品の小型化により一般的になった図１２に示すような、インターポーザ基板４０３と半導体チップ４０２を接続する工法として、ワイヤーボンディングでなくフリップチップを使った構造のパッケージでは、上述した課題は解決できる。ここで、ワイヤーボンディングの場合、長さが１ｍｍ以上あるワイヤーにより、材質の異なる部材の組み合わせによって生じる膨張収縮等の応力を緩和することができる。これに対し、フリップチップでは、半導体チップ４０２とインターポーザ基板４０３との接続媒体である金バンプ４０２ａ等においては距離が２０μｍ〜６０μｍ程度であり、上記応力の緩和はほとんどなく、接合部にダイレクトにかかる。従って、フリップチップ工法を用いた構造のパッケージでは、例えば自動車搭載用途に用いるパッケージには、耐環境信頼性に問題がある。
【０００９】
【特許文献１】
特開平８−２５０５２９号公報
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
本発明はこのような背景の下になされたものであり、その目的は、インターポーザ基板へのワイヤーボンドが可能であるとともに小型化ができ、しかも、放熱性に優れた半導体パッケージを提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
請求項１に記載の発明は、インターポーザ基板と半導体チップの間に、基板側電極を露出させるための貫通部を有する放熱板を介在させるとともに、半導体チップを収容する凹部を有する放熱蓋を、放熱板における半導体チップの周囲で連結するように配置したことを特徴としている。
【００１２】
よって、放熱板に貫通部を設けることで、インターポーザ基板へのワイヤーボンドを可能にし、インターポーザ基板の裏面を、全面、相手側の回路基板との接合に使用でき、そのため、小型化ができる。また、放熱蓋により、半導体チップの裏面から放熱板を通して、パッケージの背面で外部への放熱が可能になり、効率的な放熱を行うことができるとともに、相手側の回路基板に放熱用の面積が不要になり、回路基板の小型化にも貢献できる。
【００１３】
請求項２に記載の発明によれば、相手側の回路基板との接続をランドグリッドアレイによって行うことにより、導電性ボールのコスト及び導電性ボール搭載の加工費が削減できる。
【００１４】
請求項３に記載の発明によれば、放熱板の線膨張係数を相手側の回路基板の線膨張係数±５ｐｐｍ／Ｋとすることにより、放熱板の線膨張を相手側の回路基板に合わせることによって、パッケージと相手側の回路基板の接合部にかかる熱応力を緩和でき、接合信頼性が向上する。
【００１５】
請求項４に記載の発明によれば、放熱蓋で囲まれた半導体チップの周囲の空間に、封止材として熱硬化性の樹脂またはゲルを配することにより、ボンディングワイヤーの接合部における湿度や振動による故障を飛躍的に遅延することができ、パッケージの耐環境信頼性が向上する。
【００１６】
請求項５に記載の発明によれば、放熱蓋に、封止材注入用の透孔を設けることにより、蓋をしてから封止材を注入することによって作業性が飛躍的に向上する。
【００１７】
請求項６に記載の発明によれば、放熱蓋に、封止後のガス抜き用の透孔を設けることにより、注入時に発生する気泡による内部圧力を調整し、圧力変化による故障をなくし、パッケージの耐環境信頼性が向上する。
【００１８】
請求項７に記載の発明によれば、放熱蓋に、封止材注入用および封止後のガス抜き用を兼ねる透孔を設けることにより、蓋をしてから封止材を注入することによって作業性が飛躍的に向上するとともに、注入時に発生する気泡による内部圧力を調整し、圧力変化による故障をなくし、パッケージの耐環境信頼性が向上する。
【００１９】
請求項８に記載の発明によれば、放熱蓋の内面に半導体チップの能動面との距離を小さくするための突起を設けることにより、半導体チップの能動面から直接、放熱蓋へ放熱する熱量が増え、放熱効果が向上する。
【００２０】
請求項９に記載の発明によれば、放熱板の貫通部として放熱板の側面に開放している切欠きを用いることにより、放熱板の加工コストを低減することが可能となる。
【００２１】
請求項１０に記載のように、放熱板の貫通部の内壁に絶縁部材を配置するとともにその内部に導電材料を埋設し、貫通部の一方の開口部において導電材料を基板側電極と電気的に接続し、また、貫通部の他方の開口部において導電材料をボンディングワイヤーと接続することにより、放熱板の放熱経路が増え、放熱効率が向上する。
【００２２】
請求項１１に記載の発明によれば、複数の半導体チップを１パッケージ内に実装することにより、1チップ毎に別のパッケージに組むよりも、１つのパッケージに組んだ方が、インターポーザ基板を有効利用でき、相手側の回路基板に占めるパッケージの面積を縮小することができ、回路基板の小型化に貢献できる。
【００２３】
【発明の実施の形態】
以下、この発明を具体化した実施の形態を図面に従って説明する。
図１には、本実施形態における半導体パッケージの縦断面図を示す。図１のＡ−Ａ線での断面図を図２に示すとともに、図１のＢ−Ｂ線での断面図を図３に示す。
【００２４】
図１において、四角形状のインターポーザ基板１の下面（一方の面）１ａには外部接続用のランド２が多数形成されるとともに各ランド２には半田ボール（広義には導電性ボール）３が導通する状態で配置されている。つまり、インターポーザ基板１の半導体チップ４を実装する面１ｂとは反対の面１ａには、相手側の回路基板（メイン基板）２０に実装するための半田ボール３が取付けられている。インターポーザ基板１での半導体チップ搭載面１ｂには基板側電極（ボンディングパッド）５が多数設けられ、金メッキが施されている。
【００２５】
インターポーザ基板１の上面１ｂには放熱板６が配置され、絶縁性の接着剤によって固着されている。放熱板６は金属材料、例えば、銅やアルミ等からなる。図２に示すように、放熱板６には貫通部（透孔）７ａ，７ｂが形成され、貫通部７ａ，７ｂにより基板側電極５が露出している。つまり、放熱板６には、インターポーザ基板１の上面の基板側電極（ボンディングパッド）５を覆わないような貫通部７ａ，７ｂが形成されている。放熱板６は、インターポーザ基板１と同じ寸法（縦横寸法）である。なお、放熱板６は、インターポーザ基板１に比べ周囲において０．１ｍｍ〜０．５ｍｍ程度小さい寸法であってもよい。図２に示すように、放熱板６は、貫通部７ａ，７ｂにより、四角枠部６ａとチップ搭載部６ｂと連結部６ｃ，６ｄとに区画形成され、四角枠部６ａの内方に位置するチップ搭載部６ｂが連結部６ｃ，６ｄにて連結されている形状をなしている。
【００２６】
この放熱板６のチップ搭載部６ｂの上には、図１に示すように、半導体チップ４が熱伝導の良い導電性接着剤８にて固着され、インターポーザ基板１の上面（他方の面）１ｂ側において半導体チップ４がフェイスアップで搭載されている。半導体チップ４の上面には、図３に示すように、チップ側電極（ボンディングパッド）９が多数設けられている。前述の基板側電極５とチップ側電極９とはボンディングワイヤー１０を用いて電気的に接続されている。つまり、図１のインターポーザ基板１の上面（半導体チップ実装面）１ｂにおいて、径が２０μｍ〜３０μｍのボンディングワイヤー１０によって半導体チップ４とインターポーザ基板１とが電気的に接続されている。
【００２７】
放熱板６は、回路基板２０の線膨張係数に比べ±５ｐｐｍ／Ｋの線膨張係数をもつ材質を用いることによって、回路基板２０との接合部（ＢＧＡ部）の接続信頼性を向上させることができる。
【００２８】
放熱板６の上には放熱蓋１１が放熱板６の四角枠部６ａ、即ち、放熱板６における半導体チップ４の周囲で連結する（接する）ように配置され、熱伝導の良い導電性接着剤１２にて固着されている。放熱蓋１１は放熱板６と同じ材質であり、金属材料、例えば銅やアルミ等からなる。放熱蓋１１は、図１，３に示すように、半導体チップ４を収容する凹部１３を有し、半導体チップ４の周囲は空間（空隙）Ｓ１となっている。放熱蓋１１は放熱板６と同じ寸法（縦横寸法）である。
【００２９】
このような構造とすることにより、半導体チップ４の非能動面（下面）から放熱板６への放熱が可能になり、例えば、特許文献１（図１１）に示されているような構造と異なり、インターポーザ基板１に半導体チップ４を収めるための貫通部を設ける必要がなくなる。そのため、インターポーザ基板１のチップ実装面（１ｂ）とは反対の面１ａは、全面において回路基板２０との接合に使用することができる。その結果、特許文献１に示されているような構造に比べパッケージを小型化することができる。
【００３０】
さらに、放熱板６と、この放熱板６と同じサイズの放熱蓋１１とを、熱伝導の良い導電性接着剤１２によって接着する構造としたことにより、パッケージの背面（回路基板２０との接合面とは反対の面）から放熱板６と放熱蓋１１を通してパッケージ外部への放熱を可能にできる。
【００３１】
このようにして、本半導体パッケージは、ワイヤーボンディングによって半導体チップ４とインターポーザ基板１の接続を行っており、ＣＳＰ化している。この半導体パッケージは、半導体チップ４の放熱は非能動面から放熱板６を介して放熱する構造で、かつパッケージの放熱は回路基板（メイン基板）２０との接続面とは反対の面（パッケージの背面）で放熱蓋１１を介して放熱することができる。詳しくは、半導体チップ４とインターポーザ基板１の間に、インターポーザ基板１にワイヤーボンディングできるように貫通部７ａ，７ｂを形成した放熱板６を介在している。これによって、（ｉ）半導体チップ４の非能動面からの放熱と、（ｉｉ）パッケージの下面を回路基板（メイン基板）２０との接続に全面使用できるパッケージの小型化とを両立できる。さらに、放熱板６の周囲に熱伝導性の良い導電性接着剤１２等を用いて放熱蓋１１を接着することによって、パッケージの背面からの放熱が可能になる。
【００３２】
以上のように本実施形態は下記の特徴を有する。
（イ）インターポーザ基板１と半導体チップ４の間に、基板側電極５を露出させるための貫通部７ａ，７ｂを有する放熱板６を介在させるとともに、半導体チップ４を収容する凹部１３を有する放熱蓋１１を、放熱板６における半導体チップ４の周囲で連結するように配置した。よって、放熱板６に貫通部７ａ，７ｂを設けることで、インターポーザ基板１へのワイヤーボンドを可能にし、インターポーザ基板１の裏面を、全面、相手側の回路基板（メイン基板）２０との接合に使用でき、そのため、小型化ができる。また、放熱蓋１１により、半導体チップ４の裏面から放熱板６を通して、パッケージの背面で外部への放熱が可能になり、効率的な放熱を行うことができるとともに、相手側の回路基板（メイン基板）２０に放熱用の面積が不要になり、回路基板（メイン基板）２０の小型化にも貢献できる。
（ロ）放熱板６の線膨張係数を相手側の回路基板２０の線膨張係数±５ｐｐｍ／Ｋとすることにより、放熱板６の線膨張を相手側の回路基板２０に合わせることによって、パッケージと相手側の回路基板２０の接合部（半田）にかかる熱応力を緩和でき、接合信頼性が向上する。
【００３３】
以下、変形例を説明する。
半導体チップ４の周囲（空間Ｓ１）は、耐湿、耐振のための封止材で満たすようにしてもよい。封止材としては、熱硬化性のエポキシ系樹脂やゲルを用いる。このように、放熱蓋１１で囲まれた半導体チップ４の周囲の空間Ｓ１に、封止材として熱硬化性の樹脂またはゲルを配するようにすると、ボンディングワイヤー１０の接合部における湿度や振動による故障を飛躍的に遅延することができ、パッケージの耐環境信頼性が向上する。
【００３４】
また、放熱蓋１１の上面または側面に透孔を設けてもよい。この透孔は、封止材の注入のために使用したり、封止後のボイド（気泡）による内部圧力変化による故障を避けるために用いる。詳しくは、封止材注入のための専用の透孔を設けたり、封止材注入のための専用の透孔と封止後のガス抜きのための専用の透孔とを設けたり、あるいは、封止材注入と封止後のガス抜きとの両方を行うための透孔を設ける。このように、放熱蓋１１に、封止材注入用の透孔を設けることにより、放熱蓋１１を用いて蓋をしてから封止材を注入することによって作業性が飛躍的に向上する。また、放熱蓋１１に、封止後のガス抜き用の透孔を設けることにより、注入時に発生する気泡による内部圧力を調整し、圧力変化による故障をなくし、パッケージの耐環境信頼性が向上する。さらに、放熱蓋１１に、封止材注入用および封止後のガス抜き用を兼ねる透孔を設けることにより、放熱蓋１１を用いて蓋をしてから封止材を注入することによって作業性が飛躍的に向上するとともに、注入時に発生する気泡による内部圧力を調整し、圧力変化による故障をなくし、パッケージの耐環境信頼性が向上する。
【００３５】
さらに、回路基板２０とパッケージの接続は、半田ボール３によらず、ランド２のみとし、ランドグリッドアレイ（ＬＧＡ）構造としてもよい。このように、インターポーザ基板１の一方の面１ａに配したランド２と、相手側の回路基板２０のランドとが接合するランドグリッドアレイであると（相手側の回路基板２０との接続をランドグリッドアレイによって行うことにより）、半田ボールのコスト及び半田ボール搭載の加工費が削減できる。
【００３６】
さらには、放熱蓋１１の凹部１３には、半導体チップ４の能動面（上面）からの直接的な放熱を向上させるために、図４に示すように、突起３０を設けるようにしてもよい。このように、放熱蓋１１の内面に半導体チップ４の能動面との距離を小さくするための突起３０を設けると、半導体チップ４の能動面から直接、放熱蓋１１へ放熱する熱量が増え、放熱効果が向上する。
【００３７】
また、図５に示すように、放熱板６の貫通部として、放熱板６の側面４８に開放している切欠き４０〜４７を用いてもよい。この場合、放熱板６の加工製法にもよるが、側面に開放していない貫通部（透孔）よりも、放熱板６の加工コストが低減される場合がある。
【００３８】
さらに、図６に示すようにしてよい。図６において、放熱板６に上面と下面の電気的接合をとるための貫通部（スルーホール）５０が設けられている。貫通部５０の内壁には絶縁膜５１が形成され、放熱板６と絶縁している。貫通部５０内には導電材料５２が埋設されている。貫通部５０の下側の開口部において導電材料５２が導電性接着剤５３（または半田ペースト等）を介して基板側電極５４と電気的に接続され、また、貫通部５０の上側の開口部において導電材料５２がボンディングワイヤー１０と接続されている。つまり、導電材料５２の上面は、半導体チップ４との接続をするためのボンディングパッドとなり、また、下面は、インターポーザ基板１上に設けられた接続用ランド（基板側電極５４）と導電性接着剤５３（または半田ペースト等）で接続するためのランドとなっている。
【００３９】
このように、放熱板６の貫通部５０の内壁に絶縁膜（広義には絶縁部材）５１を配置するとともにその内部に導電材料５２を埋設し、貫通部５０の一方の開口部において導電材料５２を基板側電極５４と電気的に接続し、また、貫通部５０の他方の開口部において導電材料５２をボンディングワイヤー１０と接続する。これにより、放熱板６の放熱経路が増え、放熱効率が向上する。
【００４０】
なお、導電材料５２のボンディングパッドとして使用する面は、金メッキを施すと更によい。
また、図７，８に示すようにしてもよい。図８は図７の縦断面図におけるＣ−Ｃ線での断面図である。図７，８に示すように、同一パッケージ内に２つ以上の半導体チップ６３，６４を実装したマルチチップパッケージとしており、この場合にも、本構造は適用できる。即ち、インターポーザ基板１に複数の半導体チップ６３，６４を搭載するとともに、放熱板６は各半導体チップ６３，６４の電極９に対応する基板側電極５を露出させるための貫通部６０，６１，６２を有し、放熱蓋１１は、各半導体チップ６３，６４を収容する凹部１３を有している。
【００４１】
このように複数の半導体チップを１パッケージ内に実装することにより、1チップ毎に別のパッケージに組むよりも、１つのパッケージに組んだ方が、インターポーザ基板１を有効利用でき、相手側の回路基板（メイン基板）２０に占めるパッケージの面積を縮小することができ、回路基板２０の小型化に貢献できる。
【００４２】
なお、この場合においても図７において二点鎖線で示すように、半導体チップ６３，６４の能動面（上面）からの直接的な放熱を向上させるために、突起３０を設けるようにしてもよい。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施の形態における半導体パッケージの縦断面図。
【図２】図１のＡ−Ａ線での断面図。
【図３】図１のＢ−Ｂ線での断面図。
【図４】別例の半導体パッケージの縦断面図。
【図５】別例の半導体パッケージの断面図。
【図６】別例の半導体パッケージの縦断面図。
【図７】別例の半導体パッケージの縦断面図。
【図８】図７のＣ−Ｃ線での断面図。
【図９】従来技術を説明するためのリードフレームパッケージの縦断面図。
【図１０】従来技術を説明するためのリードフレームパッケージの縦断面図。
【図１１】従来技術を説明するための半導体パッケージの縦断面図。
【図１２】従来技術を説明するための半導体パッケージの縦断面図。
【符号の説明】
１…インターポーザ基板、２…ランド、３…半田ボール、４…半導体チップ、５…基板側電極、６…放熱板、７ａ，７ｂ…貫通部、９…チップ側電極、１０…ボンディングワイヤー、１１…放熱蓋、１３…凹部、３０…突起、４０〜４７…切欠き、５０…貫通部、５１…絶縁膜、５２…導電材料、６０，６１，６２…貫通部、６３，６４…半導体チップ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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