(57)【要約】      （修正有）【課題】輝度が高く、濃度消光を起こしにくく、比較的短波長に発光ピークを示す有機電界発光素子の提供。【解決手段】一般式（１）で表される化合物、およびこれを用いた有機電界発光素子。2004161892.tif 000026〔式中、Ａは無置換の、あるいはハメットの置換基定数σｐ値が０＜σｐ＜０．９である置換基を有する芳香族炭化水素残基または芳香族複素環残基を表す。Ｘ、Ｙは各々独立に、硫黄原子、酸素原子、−ＮＲ１−、−Ｎ＝、セレン原子または−ＣＨ＝を表す。点線は単結合または二重結合を表す。（但し、Ｒ１は置換基を有していても良いアルキル基、芳香族炭化水素基、または芳香族複素環基を表す。）Ｚ、Ｂは各々独立して芳香族炭化水素基または芳香族複素環基を表す。〕【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式（Ｉ）で表される化合物。
【化１】
2004161892.tif 000025
〔式中、Ａは置換基を有していてもよい６員環の単環または縮合環からなる、芳香族炭化水素残基または芳香族複素環残基を表す。
ＸおよびＹは各々独立に、硫黄原子、酸素原子、−ＮＲ１−、−Ｎ＝、または−ＣＨ＝を表す。炭素原子−Ｘ間および炭素原子−Ｙ間の点線は単結合または二重結合を表し、ＸおよびＹを含む環は、置換基を有していてもよい５員環芳香族複素環を表す。（但し、Ｒ１は水素原子、アルキル基、芳香族炭化水素基、または−ＳＯ２Ｒ２（Ｒ２は置換基を有していても良いアルキル基、置換基を有していても良い芳香族炭化水素基、または置換基を有していても良い芳香族複素環基を表す。）を表す。
Ｚは置換基を有していても良い５〜６員環の、単環または縮合環からなる、芳香族炭化水素基または芳香族複素環基を表す。
Ｂは、電子供与性基を有する、芳香族炭化水素基または芳香族複素環基を表す。〕
【請求項２】
一般式（Ｉ）におけるＢが、
置換基を有していても良いアミノ基、置換基を有していても良いアルコキシ基、および置換基を有していても良いアリールオキシ基から選ばれた、少なくとも１つの基を有する、芳香族炭化水素基または芳香族複素環である、請求項１記載の化合物。
【請求項３】
一般式（Ｉ）におけるＢが、置換基を有していても良いアミノ基を有する、６員環の単環または縮合環からなる芳香族炭化水素基または芳香族複素環基であり、
該アミノ基が−ＮＲ４Ｒ５で表される、請求項２記載の化合物。
〔但し、Ｒ４およびＲ５は、それぞれ独立に水素原子、置換基を有していても良いアルキル基、置換基を有していても良い芳香族炭化水素基、置換基を有していても良い芳香族複素環基、または置換基を有していても良いアラルキル基を表す。
Ｒ４およびＲ５は互いに結合して環を形成していても良く、また各々独立に、−ＮＲ４Ｒ５が結合している芳香族炭化水素環または芳香族複素環に結合し、該環に縮合する環を形成していてもよい。〕
【請求項４】
一般式（Ｉ）におけるＢが、置換基を有していても良いアルコキシ基および／または置換基を有していても良いアリールオキシ基を有する、６員環の単環または縮合環からなる芳香族炭化水素基または芳香族複素環基である、請求項１乃至３のいずれか一項に記載の化合物。
【請求項５】
一般式（Ｉ）におけるＺが、置換基を有していても良い、チオフェン環、置換基を有していてもよいフラン環、置換基を有していてもよいチアゾール環または置換基を有していてもよいピロール環である請求項１乃至４のいずれか一項に記載の化合物。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一項に記載の化合物からなる発光色素。
【請求項７】
請求項１乃至５のいずれか一項に記載の化合物からなる、有機電界発光素子材料。
【請求項８】
基板上に、陽極、有機層および陰極が順次積層されてなる有機電界発光素子において、該有機層に、請求項１乃至５のいずれか一項に記載の、一般式（Ｉ）で表される化合物を含有する有機電界発光素子。
【請求項９】
有機層の一つとして、電子輸送材料および／または正孔輸送材料をホスト材料とし、該ホスト材料に対して前記一般式（Ｉ）で表される化合物がドープされている層を有する、請求項８記載の有機電界発光素子。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は有機電界発光素子、特に青〜緑色に発光する素子に適した新規化合物、発光色素、有機電界発光素子材料、および該化合物を使用した有機電界発光素子に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、蛍光色素は、樹脂、染料、インクなどの種々の材料の着色に利用されているが、近年その蛍光効率を利用して、薄膜発光素子等の電子機器分野への用途が開発されている。蛍光性色素については種々の構造および発光色の色素が知られているが、高効率で発光し、堅牢性の優れた化合物は少ない。
【０００３】
特許文献１には、下記化合物を発光層に使用した有機電界発光素子が記載されている。
【０００４】
【化２】
2004161892.tif 000002
【０００５】
【化３】
2004161892.tif 000003
【０００６】
しかし、上記の化合物はいずれも、１分子中に含まれる２つのアミノ基が全て同じ基で置換されており、かつ該アミノ基が２価の連結基部分の両側に位置し、化合物全体として対称性の高い構造となっている。
【０００７】
【特許文献１】
特開平１０−２５１６３３号公報
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
これに対して本発明者らは、別の観点から分子構造を最適化し、青〜緑色発光素子に適した化合物を提供しうることに想到し、本発明に至った。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは鋭意検討を重ね、芳香族環、特に５員環である芳香族複素環の両側に、電子供与性基の基Ｂと、電子吸引性基の基（すなわち、ＸおよびＹを含んで形成される５員環と、これに縮合する環Ａ）を配置させてなる分子構造に想到した。このような配置を有する化合物は、分子内における効率の良い電子のｐｕｓｈ−ｐｕｌｌの効果により、容易に青〜緑色発光を示す発光色素が得られ、また、該系化合物を用いることで、特に青〜緑の波長範囲において高発光効率で高堅牢性を有する有機電界発光素子を得られることを見いだし、本発明を達成した。
【００１０】
即ち、本発明の概要は以下の通りである。
〔１〕  下記一般式（Ｉ）で表される化合物。
【００１１】
【化４】
2004161892.tif 000004
【００１２】
〔式中、Ａは置換基を有していてもよい、６員環の単環または縮合環からなる、芳香族炭化水素残基または芳香族複素環残基を表す。
ＸおよびＹは各々独立に、硫黄原子、酸素原子、−ＮＲ１−、−Ｎ＝、または−ＣＨ＝を表す。炭素原子−Ｘ間および炭素原子−Ｙ間の点線は単結合または二重結合を表し、ＸおよびＹを含む環は、置換基を有していてもよい５員環芳香族環を表す。（但し、Ｒ１は水素原子、アルキル基、芳香族炭化水素基、または−ＳＯ２Ｒ２（Ｒ２は置換基を有していても良いアルキル基、置換基を有していても良い芳香族炭化水素基、または置換基を有していても良い芳香族複素環基を表す。）を表す。
【００１３】
Ｚは置換基を有していても良い５〜６員環の、単環または縮合環からなる、芳香族炭化水素基または芳香族複素環基を表す。
Ｂは電子供与性基を有する、芳香族炭化水素基または芳香族複素環基を表す。）
〔２〕  一般式（Ｉ）におけるＢが、置換基を有していても良いアミノ基、置換基を有していても良いアルコキシ基、および置換基を有していても良いアリールオキシ基から選ばれた、少なくとも１つの基を有する、芳香族炭化水素基または芳香族複素環である、前記〔１〕記載の化合物。
〔３〕  一般式（Ｉ）におけるＢが、置換基を有していても良いアミノ基を有する、６員環の単環または縮合環からなる芳香族炭化水素基または芳香族複素環基であり、該アミノ基が−ＮＲ４Ｒ５で表される、前記〔２〕記載の化合物。
〔但し、Ｒ４およびＲ５は、それぞれ独立に水素原子、置換基を有していても良いアルキル基、置換基を有していても良い芳香族炭化水素基、置換基を有していても良い芳香族複素環基、または置換基を有していても良いアラルキル基を表す。
【００１４】
Ｒ４およびＲ５は互いに結合して環を形成していても良く、また各々独立に、−ＮＲ４Ｒ５が結合している芳香族炭化水素環または芳香族複素環に結合し、該環に縮合する環を形成していてもよい。〕
〔４〕  一般式（Ｉ）におけるＢが、置換基を有していても良いアルコキシ基および／または置換基を有していても良いアリールオキシ基を有する、６員環の単環または縮合環からなる芳香族炭化水素基または芳香族複素環基である、前記〔１〕乃至〔３〕のいずれかに記載の化合物。
〔５〕  一般式（Ｉ）におけるＺが、置換基を有していても良いチオフェン環、置換基を有していても良いフラン環、置換基を有していても良いチアゾール環または置換基を有していても良いピロール環である前記〔１〕乃至〔４〕のいずれかに記載の化合物。
〔６〕  前記〔１〕乃至〔５〕のいずれかに記載の化合物からなる、発光色素。
〔７〕  前記〔１〕乃至〔５〕のいずれかに記載の化合物からなる、有機電界発光素子材料。
〔８〕  基板上に、陽極、有機層および陰極が順次積層されてなる有機電界発光素子において、該有機層に、前記〔１〕乃至〔５〕のいずれかに記載の、一般式（Ｉ）で表される化合物を含有する有機電界発光素子。
〔９〕  有機層の一つとして、電子輸送材料および／または正孔輸送材料をホスト材料とし、該ホスト材料に対して前記一般式（Ｉ）で表される化合物がドープされている層を有する、前記〔８〕記載の有機電界発光素子。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を詳細に説明する。
まず本発明における化合物について説明する。本発明に係る化合物は前記一般式（Ｉ）で示される構造を有するものである。
一般式（Ｉ）において、Ａで表される６員環の、単環または縮合環からなる、芳香族炭化水素残基としては、例えば、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ナフタセン環、等を形成するものが挙げられる。また芳香族複素環残基としては、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、ピリダジン環等が挙げられる。
【００１６】
以下に、Ａの具体例を示すが、これらに限定されるものではない。
【００１７】
【化５】
2004161892.tif 000005
【００１８】
（なお、上記構造中では記載を省略したが、Ａ部分には、後述するように各種置換基を有していてもよい。ＸおよびＹは前記一般式（Ｉ）におけると同義である。）
中でも、Ａとして好ましくは単環または２縮合環を形成するものであり、より好ましくはベンゼン環、ナフタレン環またはピリジン環を形成するものである。さらに好ましくはベンゼン環またはピリジン環を形成するものである。
【００１９】
ＸおよびＹは各々独立に、硫黄原子、酸素原子、−ＮＲ１−、−Ｎ＝、または−ＣＨ＝を表す。炭素原子−Ｘ間および炭素原子−Ｙ間の点線は単結合または二重結合を表し、ＸおよびＹを含む環は、置換基を有していてもよい５員環芳香族環を表す。（但し、Ｒ１は水素原子、アルキル基、芳香族炭化水素基、または−ＳＯ２Ｒ２（Ｒ２は置換基を有していても良いアルキル基、置換基を有していても良い芳香族炭化水素基、または置換基を有していても良い芳香族複素環基を表す。）を表す。
【００２０】
Ｒ２として、好ましくは炭素数１〜５のアルキル基、炭素数１〜５のハロゲン化アルキル基、炭素数１〜５のアルキル基またはハロゲン化アルキル基で置換されていてもよい炭素数６〜２０の芳香族炭化水素基、炭素数１〜５のアルキル基またはハロゲン化アルキル基で置換されていてもよい５または６員環の単環または２〜３縮合環からなる芳香族複素環基等があげられる。
【００２１】
ＸおよびＹとして好ましくは、硫黄原子と−Ｎ＝、酸素原子と−Ｎ＝の組み合わせであり、さらに好ましくは、硫黄原子と−Ｎ＝の組み合わせである。
Ａで表される、６員環の単環または縮合環からなる、芳香族炭化水素残基または芳香族複素環残基は置換基を有していてもよい。
【００２２】
前述した本発明化合物の分子内Ｐｕｓｈ−Ｐｕｌｌ効果を損なわない限りＡが有する置換基に特に制限はないが、例えばアルキル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、芳香族炭化水素基、芳香族複素環基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、シリル基、ヒドロキシ基、シアノ基、アシル基、アシルオキシ基、アシルアミノ基、カルバモイル基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリールオキシカルボニルアミノ基、アラルキル基またはハロゲン原子等が挙げられる。これらは、環ＡおよびＸ、Ｙを含む基全体の電子吸引性を大幅に損なわない範囲で、更に置換基を有していてもよい。
【００２３】
アルキル基としては、例えばメチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、２−エチルヘキシル基等の炭素数１〜８程度の直鎖もしくは分岐のアルキル基が挙げられる。これらのアルキル基は置換されていても良く、置換アルキル基の総炭素数は通常１〜１５程度、好ましくは１〜１０であり、さらに好ましくは炭素数１〜４である。
【００２４】
アルコキシ基としては、例えばメトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基等の炭素数１〜８の直鎖もしくは分岐のアルコキシ基が挙げられる。これらのアルコキシ基は置換されていても良く、置換アルコキシ基の総炭素数は通常１〜１５程度、好ましくは１〜１０であり、さらに好ましくは、炭素数１〜４である。
【００２５】
アリールオキシ基としては、例えばフェノキシ基、ナフトキシ基等の炭素数６〜２０のアリールオキシ基が挙げられる。これらのアリールオキシ基は置換されていても良く、置換アルコキシ基の総炭素数は通常６〜３０程度、好ましくは６〜１５であり、さらに好ましくは、炭素数６〜１２である。
アルキルチオ基としては、例えばメチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、ブチルチオ基等の炭素数１〜８の直鎖もしくは分岐のアルキルチオ基が挙げられる。これらのアルキルチオ基は置換されていても良く、置換アルキルチオ基の総炭素数は通常１〜１５程度、好ましくは１〜１０であり、さらに好ましくは、炭素数１〜４である。
【００２６】
アリールチオ基としては、例えばフェニルチオ基、ナフチルチオ基等の炭素数６〜２０のアリールチオ基が挙げられる。これらのアリールチオ基は置換されていても良く、置換アリールチオ基の総炭素数は通常６〜３０程度、好ましくは６〜１５であり、さらに好ましくは、炭素数６〜１２である。
芳香族炭化水素基としては、例えばフェニル基（ｐｈｅｎｙｌ）、ナフチル基（ｎａｐｈｔｈｙｌ）、アンスリル基（ａｎｔｈｒｙｌ）、フェナンスリル基（ｐｈｅｎａｎｔｈｒｙｌ）、ピレニル基（ｐｙｒｅｎｙｌ）、フルオレニル基（ｆｌｕｏｒｅｎｙｌ）などの炭素数６〜２０程度、好ましくは炭素数６〜１５の芳香族炭化水素基が挙げられる。これらの芳香族炭化水素基は置換されていてもよく、置換芳香族炭化水素基の総炭素数は通常６〜３０程度、好ましくは６〜２０であり、さらに好ましくは炭素数６〜１２である。
【００２７】
芳香族複素環基としては、例えばチエニル基（ｔｈｉｅｎｙｌ）、フリル基（ｆｕｒｙｌ）、ピリジル基（ｐｙｒｉｄｙｌ）、カルバゾリル基（ｃａｒｂａｚｏｌｙｌ）、キノキサリニル基（ｑｕｉｎｏｘａｌｉｎｙｌ）、イミダゾリル基（ｉｍｉｄａｚｏｌｙｌ）、ピラジニル基（ｐｙｒａｚｉｎｙｌ）などの炭素数４〜２０程度、好ましくは炭素数４〜１５の芳香族複素環基が挙げられる。これらの芳香族複素環基は置換されていてもよく、置換芳香族複素環基の総炭素数は通常４〜３０程度、好ましくは４〜２０であり、さらに好ましくは炭素数５〜１０である。
【００２８】
アルコキシカルボニル基は−ＣＯ２Ｒ１１で表される。ここでＲ１１基は置換基を有していてもよいアルキル基であり、該アルキル基として、例えばメチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、２−エチルヘキシル基等の炭素数１〜８程度の直鎖もしくは分岐のアルキル基が挙げられる。置換アルキル基部分の総炭素数は通常１〜１５程度、好ましくは１〜１０であり、さらに好ましくは炭素数１〜４である。
【００２９】
アリールオキシカルボニル基は−ＣＯ２Ｒ１２で表される。ここでＲ１２基は置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基であり、該芳香族炭化水素基として、例えばフェニル基などの炭素数６〜２０程度の、単環もしくは縮合環の芳香族炭化水素基が挙げられる。置換芳香族炭化水素基の総炭素数は通常６〜３０程度、好ましくは６〜２０であり、さらに好ましくは炭素数６〜１２である。
【００３０】
シリル基は−ＳｉＲ１３Ｒ１４Ｒ１５で表され、Ｒ１３基、Ｒ１４基およびＲ１５基として、それぞれ例えばメチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、２−エチルヘキシル基等の炭素数１〜８程度の直鎖もしくは分岐のアルキル基が挙げられる。これらＲ１３基、Ｒ１４基およびＲ１５基は置換されていても良く、置換アルキル基部分の総炭素数は、各々通常１〜１５程度、好ましくは１〜１０であり、さらに好ましくは炭素数１〜４である。
【００３１】
アシル基としては、例えばアセチル基（ａｃｅｔｙｌ）、ピバロイル基（ｐｉｖａｌｏｙｌ）、プロピオニル基（ｐｒｏｐｉｏｎｙｌ）、ベンゾイル基（ｂｅｎｚｏｙｌ）、ナフトイル基（ｎａｐｈｔｏｙｌ）など炭素数１〜２０程度の直鎖もしくは分岐のアルキル基部分、あるいは、単環または縮合環からなる芳香族炭化水素基部分を有するものが挙げられる。
これらのアルキル基部分および芳香族炭化水素基部分は置換されていても良く、置換アルキル基部分の総炭素数は通常１〜１５程度、好ましくは１〜１０であり、さらに好ましくは炭素数１〜４である。置換芳香族炭化水素基部分の総炭素数は通常６〜３０程度、好ましくは６〜２０であり、さらに好ましくは炭素数６〜１５である。
【００３２】
アシルオキシ基としては、例えばアセトキシ基（ａｃｅｔｏｘｙ）、ベンゾイルオキシ基（ｂｅｎｚｙｌｏｘｙ）等の炭素数２〜２０のアシルオキシ基が挙げられる。これらのアシルオキシ基は置換されていても良く、置換アシルオキシ基の総炭素数は通常２〜３０程度、好ましくは２〜１５であり、さらに好ましくは、炭素数２〜１２である。
【００３３】
アシルアミノ基としては、例えばアセチルアミノ基、ベンゾイルアミノ基等の炭素数２〜２０のアシルアミノ基が挙げられる。これらのアシルアミノ基は置換されていても良く、置換アシルアミノ基の総炭素数は通常２〜３０程度、好ましくは２〜１５であり、さらに好ましくは、炭素数２〜１２である。
カルバモイル基としては、例えばメチルカルバモイル基、フェニルカルバモイル基等の炭素数２〜２０のカルバモイル基が挙げられる。これらのカルバモイル基は置換されていても良く、置換カルバモイル基の総炭素数は通常２〜３０程度、好ましくは２〜１５であり、さらに好ましくは、炭素数２〜１２である。
【００３４】
アルコキシカルボニルアミノ基としては、アミノ基の少なくとも一方の水素原子が、アルコキシカルボニル基として前記した基であるようなアミノ基が挙げられる。アルコキシカルボニル基部分は、炭素数１〜８程度の直鎖もしくは分岐のアルキル基部分を有しており、該アルキル基部分はさらに置換されていてもよい。置換アルキル基部分の総炭素数は通常１〜１５程度、好ましくは１〜１０であり、さらに好ましくは炭素数１〜４である。
【００３５】
アリールオキシカルボニルアミノ基としては、アミノ基の少なくとも一方の水素原子が、アリールオキシカルボニル基として前記した基であるようなアミノ基が挙げられる。アリールオキシカルボニル基部分は、炭素数６〜２０程度の、単環もしくは縮合環の芳香族炭化水素基部分を有しており、該芳香族炭化水素基部分はさらに置換されていてもよい。置換芳香族炭化水素基部分の総炭素数は通常６〜３０程度、好ましくは６〜２０であり、さらに好ましくは炭素数６〜１２である。
【００３６】
アラルキル基としては、例えばベンジル基（ｂｅｎｚｙｌ）、フェネチル基（ｐｈｅｎｅｔｈｙｌ）、ジフェニルメチル基（ｄｉｐｈｅｎｙｌｍｅｔｈｙｌ）などの炭素数７〜２０のアラルキル基が挙げられ、好ましくは７〜１２のアラルキル基である。
これらのアラルキル基は置換されていても良く、置換アラルキル基の総炭素数は通常７〜３０程度、好ましくは７〜１５である。
【００３７】
また、ハロゲン原子としては、具体的には塩素原子、臭素原子、フッ素原子およびヨウ素原子が挙げられる。
前述のように、これらアルキル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、芳香族炭化水素基、芳香族複素環基、アルコキシカルボニル基におけるＲ１１、アリールオキシカルボニル基におけるＲ１２、シリル基におけるＲ１３、Ｒ１４およびＲ１５、アシル基、アシルオキシ基、アシルアミノ基、カルバモイル基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリールオキシカルボニルアミノ基およびアラルキル基は、いずれもさらに置換されていてもよい。
【００３８】
該置換基としては、例えばアルキル基、アラルキル基、ヒドロキシ基、芳香族炭化水素基、芳香族複素環基、アルコキシ基、アリールオキシ基、シリル基、アシル基、アルキルチオ基、アリールチオ基、シアノ基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アシルオキシ基、アシルアミノ基、カルバモイル基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリールオキシカルボニルアミノ基、ハロゲン原子等が挙げられ、各基の具体例としては、Ａが有しうる基として前述した基等が挙げられる。
【００３９】
一般式（Ｉ）におけるＡが有しうる基として、好ましくはアルキル基、アルコキシカルボニル基およびアリールオキシカルボニル基、シアノ基が挙げられ、中でも炭素数１〜４のアルキル基、炭素数１〜４のアルコキシカルボニル基、または炭素数６〜１２のアリールオキシカルボニル基がより好ましい。
Ｚは置換基を有していても良い、５員環〜６員環の、単環または縮合環からなる、芳香族炭化水素基または芳香族複素環基を表す。具体的には、例えば、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環などの芳香族炭化水素環、あるいはフラン環、チオフェン環、ピロール環、ピラゾール環、イミダゾール環、トリアゾール環、オキサゾール環、イソオキサゾール環、フラザン環、イソチアゾール環、チアゾール環、ピラン環、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、トリアジン環、テトラジン環、オキサジン環、チアジン環、チオナフテン環、ベンゾフラン環、イソベンゾフラン環、ベンゾチオフェン環、インドール環、イソインドール環、インドリジン環、インダゾール環、ベンゾイミダゾール環、ベンゾトリアゾール環、ベンゾオキサゾール環、ベンゾチアゾール環、プリン環、ベンゾピラン環、キノリン環、イソキノリン環、キノリジン環、シンノリン環、キナゾリン環、キノキサリン環、フタラジン環、ナフチリジン環、プテリジン環などの芳香族複素環が挙げられ、これらはいずれも置換基を有していてもよい。
【００４０】
好ましくは芳香族複素環であり、中でも、Ｚが員数５の芳香族複素環を含む単環または縮合環であり、該５員環にＡおよびＢが結合している場合が好ましい。特に好ましくは、Ｚが置換基を有していてもよいチオフェン環、置換基を有していてもよいフラン環、置換基を有していても良いチアゾール環または置換基を有していてもよいピロール環の場合である。
【００４１】
上記芳香族炭化水素基および芳香族複素環基が有しうる置換基としては、例えば、アルキル基、アラルキル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、芳香族炭化水素基、芳香族複素環基、アシル基、アルキルチオ基、アリールチオ基、シアノ基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アシルオキシ基、アシルアミノ基、カルバモイル基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリールオキシカルボニルアミノ基、ハロゲン原子等が挙げられる。また該置換基同士が結合して、上記芳香族炭化水素基または芳香族複素環基に縮合する、非芳香族性の環を形成していてもよい。
【００４２】
上記各置換基および各環は、更に置換されていてもよく、該置換基としては、特に制限は無いが、例えば前述のＡが有することの出来る置換基として記述したものと同様の官能基が挙げられる。
一般式（Ｉ）におけるＢ基は、電子供与性基を少なくとも１つ有し、単環または縮合環からなる、芳香族炭化水素基あるいは芳香族複素環基を表す。該環として、中でも好ましくは、６員環の単環または縮合環からなる、芳香族炭化水素基または芳香族複素環基を表す。
【００４３】
具体的には、該芳香族炭化水素基としては、例えば、フェニル基、ナフチル基、アンスリル基、フェナンスリル基、ピレニル基、フルオレニル基などの炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基、より好ましくは炭素数６〜１４の芳香族炭化水素基が挙げられ、特に好ましくはフェニル基あるいはナフチル基である。
該芳香族複素環基としては、例えば、ピロール環、フラン環、チオフェン環、イミダゾール環、ピラゾール環、チアゾール環、オキサゾール環、ピリジン環、ピリミジン環、ピペリジン環など炭素数５〜３０の芳香族複素環基、より好ましくは炭素数５〜１４の芳香族複素環基が挙げられ、特に好ましくはピリジン環あるいはキノリン環である。
【００４４】
Ｂ基において、芳香族炭化水素基または芳香族複素環基は、分子内の電子のｐｕｓｈ−ｐｕｌｌ効果を充分に発揮させるために、少なくとも１つの電子供与性の基を有する。具体的には、Ｂ基における芳香族炭化水素基または芳香族複素環基は、置換基を有していても良いアミノ基、置換基を有していても良いアルコキシ基および置換基を有していても良いアリールオキシ基から選択された、少なくとも１つの基を有することが好ましい。
【００４５】
前記アミノ基、アルコキシ基およびアリールオキシ基は、該芳香族炭化水素基または該芳香族複素環基に２個以上有していてもよく、複数個有する場合には、同じ基であっても異なる基であってもよい。
Ｂ基における「置換基を有していても良いアミノ基」として、好ましくは、例えば−ＮＲ４Ｒ５で表されるアミノ基が挙げられる。Ｒ４およびＲ５はそれぞれ独立に水素原子、置換基を有していても良いアルキル基、置換基を有していても良い芳香族炭化水素基、置換基を有していても良い芳香族複素環基、または置換基を有していても良いアラルキル基を表す。
【００４６】
Ｒ４およびＲ５は互いに結合して環を形成していても良く、また各々独立に、−ＮＲ４Ｒ５が結合している芳香族炭化水素環または芳香族複素環に結合し、該環に縮合する環を形成していてもよい。
Ｒ４またはＲ５が置換基を有していてもよいアルキル基の場合、これらの具体例としては、例えばメチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、２−エチルヘキシル基等の炭素数１〜８程度の直鎖もしくは分岐のアルキル基が挙げられる。これらのアルキル基は置換されていても良く、置換アルキル基の総炭素数は通常１〜１５程度、好ましくは１〜１０であり、さらに好ましくは炭素数１〜４である。
【００４７】
置換基を有していても良い芳香族炭化水素基としては、例えば、フェニル基（ｐｈｅｎｙｌ）、ナフチル基（ｎａｐｈｔｈｙｌ）、アンスリル基（ａｎｔｈｒｙｌ）、フェナンスリル基（ｐｈｅｎａｎｔｈｒｙｌ）、ピレニル基（ｐｙｒｅｎｙｌ）、フルオレニル基（ｆｌｕｏｒｅｎｙｌ）、などの炭素数６〜２０程度の芳香族炭化水素基が挙げられ、好ましくは炭素数６〜１５の芳香族炭化水素基である。
【００４８】
これらの芳香族炭化水素基は置換されていても良く、置換芳香族炭化水素基の総炭素数は６〜３０、好ましくは６〜２０である。
置換基を有していても良い芳香族複素環としては、例えば、チエニル基（ｔｈｉｅｎｙｌ）、フリル基（ｆｕｒｙｌ）、ピリジル基（ｐｙｒｉｄｙｌ）、カルバゾリル基（ｃａｒｂａｚｏｌｙｌ）、キノキサリニル基（ｑｕｉｎｏｘａｌｉｎｙｌ）、イミダゾリル基（ｉｍｉｄａｚｏｌｙｌ）、ピラジニル基（ｐｙｒａｚｉｎｙｌ）などの炭素数４〜２０程度の複素環が挙げられ、好ましくは炭素数４〜１２の複素環である。
【００４９】
これらの芳香族複素環は置換されていても良く、置換複素環基の総炭素数は４〜３０、好ましくは４〜１２である。
前記置換基を有していても良いアラルキル基としては、例えば、ベンジル基、フェネチル基、ジフェニルメチル基などの炭素数７〜３０程度のアラルキル基が挙げられ、好ましくは７〜１５のアラルキル基である。
【００５０】
これらのアラルキル基は置換されていても良く、置換アラルキル基の総炭素数は７〜３０、好ましくは７〜１５である。
これらアルキル基、芳香族炭化水素基、芳香族複素環基およびアラルキル基が有しうる置換基としては、Ａが有しうる置換基として前述した基などが挙げられ、これらの具体例および炭素数等も前述の通りである。
【００５１】
―ＮＲ４Ｒ５としては、Ｒ４およびＲ５の少なくとも一方が芳香族基である場合、およびＲ４とＲ５が結合して環を形成している場合が好ましい。さらに好ましくは、Ｒ４およびＲ５がいずれも芳香族炭化水素基であるか、該炭化水素基同士が結合して環を形成している場合である。該炭化水素基同士が結合して環を形成している場合では、−ＮＲ４Ｒ５全体でカルバゾリル基を形成している場合が特に好ましい。
【００５２】
Ｂが、置換基を有していても良いアルコキシ基を含む場合、該アルコキシ基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基等の炭素数１〜８のアルコキシ基が挙げられる。
これらのアルコキシ基は置換されていても良く、置換基としては、Ａが有しうる基を置換しうる基がいずれも挙げられる。置換アルコキシ基の総炭素数は１〜１５、好ましくは１〜１０であり、さらに好ましくは、炭素数１〜４である。
【００５３】
Ｂが、置換基を有していても良いアリールオキシ基を含む場合、該アリールオキシ基としては、例えば、フェノキシ基、ナフトキシ基等の炭素数６〜３０のアリールオキシ基が挙げられる。
これらのアリールオキシ基は置換されていても良く、置換基としては、Ａが有しうる基を置換しうる基がいずれも挙げられる。置換アリールオキシ基の総炭素数は６〜３０、好ましくは６〜２０であり、さらに好ましくは、炭素数６〜１５である。
【００５４】
さらに、Ｂにおける芳香族炭化水素基または芳香族複素環基は、前記アミノ基、アルコキシ基およびアリールオキシ基以外に、本発明の化合物の特性を損なわない限り、任意の置換基を有していてもよい。好ましくは、アルキル基（好ましくはメチル基、エチル基、ｉ−プロピル基、ｔ−ブチル基等の炭素数１〜５程度の直鎖もしくは分岐のアルキル基）、アルキルチオ基（好ましくはメチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、ブチルチオ基等の炭素数１〜８の直鎖もしくは分岐のアルキルチオ基）、またはアリールチオ基（好ましくはフェニルチオ基、ナフチルチオ基等の炭素数６〜２０のアリールチオ基）が挙げられる。
【００５５】
前述したように、Ｂが−ＮＲ４Ｒ５で表されるアミノ基を有する場合、Ｒ４およびＲ５は互いに結合して環を形成していても良く、また−ＮＲ４Ｒ５が結合している、６員環の単環または縮合環からなる、芳香族炭化水素基または芳香族複素環基の炭素原子と結合し、これに縮合する環を形成してもよい。
その場合、Ｂがベンゼン環であるか、または該ベンゼン環に他の芳香族環が縮合してなる環であり、該ベンゼン環部分にて連結基Ｚおよび−ＮＲ４Ｒ５に結合しており、Ｚに対してベンゼン環のｐ−位に結合した−ＮＲ４Ｒ５が、該ベンゼン環と結合して環を形成するケースが最も好ましい。
【００５６】
以下に、このような環形成基の具体例を挙げるが、これらに限定されるものではない。
【００５７】
【化６】
2004161892.tif 000006
【００５８】
（上記構造式には殆ど置換基を記していないが、置換可能な部位はそれぞれ置換基を有していてもよく、該置換基としては、各々独立に前述のＺの置換基として述べたものと同様の基が挙げられ、さらにこれら置換基は互いに結合して環を形成してもよい。）
あるいは、ベンゼン環のｏ−位置換および／またはｍ−位に置換した−ＮＲ４Ｒ５において、Ｒ４およびＲ５が互いに結合して環を形成していても良く、また、Ｒ４および／またはＲ５が該ベンゼン環と結合して環を形成していても良い。このような例としては下記のものが挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【００５９】
【化７】
2004161892.tif 000007
【００６０】
（上記構造式には殆ど置換基を記していないが、置換可能な部位はそれぞれ置換基を有していてもよく、該置換基としては、各々独立に前述のＺの置換基として述べたものと同様の基が挙げられ、更にこれら置換基は互いに結合して環を形成してもよい。）
Ｂが、置換基を有していてもよいベンゼン環または該ベンゼン環に他の芳香族環が縮合してなる環に、前記アミノ基、アルコキシ基またはアリールオキシ基が結合したものである場合、該アミノ基、アルコキシ基またはアリールオキシ基のうち少なくとも１つの基を、Ｚに対してｍ−位またはｐ−位に有することが好ましい。
【００６１】
本発明化合物の代表例を表−１に示すが、本発明化合物はこれらに限定されるものではない。
【００６２】
【表１】
2004161892.tif 000008
【００６３】
【表２】
2004161892.tif 000009
【００６４】
一般式（Ｉ）で表される化合物は、後述するように、例えば有機電界発光素子における有機層形成時には真空蒸着法を使用することが多い点を考慮すると、それほど高分子量でない方が好ましい。具体的には、総分子量は３０００以下程度が好ましく、さらに好ましくは３００〜１５００程度である。
本発明における一般式（Ｉ）で表わされる化合物は、公知の方法により製造することができる。
【００６５】
例えば、２−チオフェンボロン酸とＮ，Ｎ’−ジアルキル−４−ブロモアニリンとのＳｕｚｕｋｉ反応と、これに続くホルミル化により前駆体を得た後、α―アミノチオフェノールとの縮合反応により合成する方法や、２−ブロモチオフェン−５−カルボキシアルデヒドとα−アミノチオフェノールとの縮合反応と、これに続くＮ，Ｎ’−ジアリールアニリン−４−トリブチルスズとのｓｔｉｌｌｅ反応により合成する方法など、種々の方法が採用される。
【００６６】
本発明に係る前記一般式（Ｉ）で表される化合物は、高効率で発光し、堅牢性の優れるため、発光色素として樹脂、染料、インクなどの種々の材料の着色、および有機電界発光素子等の電子機器分野に好適に使用される。
また前記一般式（Ｉ）で表される化合物を用いることにより、高発光効率で高堅牢性を有する有機電界発光素子が得られるため、有機電界発光素子材料として好適である。
【００６７】
次に、一般式（Ｉ）で示される化合物を用いた、本発明の有機電界発光素子について説明する。
本発明の有機電界発光素子は対向する陽極と陰極の間に有機層を有し、該有機層が一般式（Ｉ）の化合物を含有することを特徴とする。
かかる有機層としては特に限定はされないが、後述するごとく、正孔輸送層、発光層、電子輸送層等が挙げられる。尚、本発明における「有機層」とは、陽極と陰極の間に位置する、実質的に有機物からなる層を意味し、これらの層は本発明の性能を損なわない範囲で無機物を含んでも良い。
【００６８】
上述した、一般式（Ｉ）で表される化合物の有用性から、有機層の中でも発光層に含まれている場合が好ましい。
本発明における有機電界発光素子の層構成としては、例えば以下の例が挙げられる。
基板／陽極／発光層／陰極
基板／陽極／陽極バッファー層／発光層／陰極
基板／陽極／正孔輸送層／発光層／陰極
基板／陽極／陽極バッファー層／正孔輸送層／発光層／陰極
基板／陽極／発光層／電子輸送層／陰極
基板／陽極／陽極バッファー層／発光層／電子輸送層／陰極
基板／陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極
基板／陽極／陽極バッファー層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極
基板／陽極／発光層／正孔阻止層／電子輸送層／陰極
基板／陽極／陽極バッファー層／発光層／正孔阻止層／電子輸送層／陰極
基板／陽極／正孔輸送層／発光層／正孔阻止層／電子輸送層／陰極
基板／陽極／陽極バッファー層／正孔輸送層／発光層／正孔阻止層／電子輸送層／陰極
これら有機電界発光素子構造中の各有機層は、単層であっても、または２層以上の積層構造であっても良い。
【００６９】
本発明に係る前記一般式（Ｉ）で表される化合物は、有機電界発光素子における有機層のうち、いずれの層に含有されていても良い。例えば、前記一般式（Ｉ）において、Ｂが−ＮＲ４Ｒ５で置換された芳香族基であり、該Ｒ４とＲ５が結合し、−ＮＲ４Ｒ５が全体としてカルバゾリル基を形成している場合、カルバゾリル基に含まれる平面性を帯びた窒素原子の作用により、短波長での発光とともに、電子輸送性が期待でき、後述する発光層のホスト材料や、発光層−陰極間に設ける電子輸送性の層の材料できると考えられる。また、Ｂがアリールオキシ基で置換された芳香族基である場合にも、発光層のホスト材料として有効であると考えられる。このように、一般式（Ｉ）における各可変基を適宜調整することにより、有機電界発光素子の各層に適した材料とすることが可能である。
【００７０】
以下、該化合物を発光層に含む場合を例に、本発明の有機電界発光素子について、図面を参照して説明する。
図２は、本発明の有機電界発光素子の、基本的な実施形態の一つを示す模式的な断面図であり、１は基板、２は陽極、４は正孔輸送層、５は発光層、６は電子輸送層、７は陰極を各々表す。
【００７１】
基板１は有機電界発光素子の支持体となるものであり、石英やガラスの板、金属板や金属箔、プラスチックフィルムやシートなどが用いられる。特にガラス板や、ポリエステル、ポリメタクリレート、ポリカーボネート、ポリスルホンなどの透明な合成樹脂の板が好ましい。合成樹脂基板を使用する場合にはガスバリヤ性に留意する必要がある。基板のガスバリヤ性が小さすぎると、基板を通過した外気により有機電界発光素子が劣化する虞がある。このため、合成樹脂基板の少なくとも片面に緻密なシリコン酸化膜等を設けてガスバリヤ性を確保してもよい。
【００７２】
基板１上には陽極２が設けられるが、陽極２は正孔輸送層４への正孔注入の役割を果たすものである。この陽極は、通常、アルミニウム、金、銀、ニッケル、パラジウム、白金等の金属、インジウムおよび／またはスズの酸化物などの金属酸化物、ヨウ化銅などのハロゲン化金属、カーボンブラック、あるいは、ポリ（３−メチルチオフェン）、ポリピロール、ポリアニリン等の導電性高分子などにより構成される。陽極２の形成は通常、スパッタリング法、真空蒸着法などにより行われることが多い。また、銀などの金属微粒子、ヨウ化銅などの微粒子、カーボンブラック、導電性の金属酸化物微粒子、導電性高分子微粉末などの場合には、適当なバインダー樹脂溶液に分散し、基板１上に塗布することにより陽極２を形成することもできる。さらに、導電性高分子の場合は電解重合により直接基板１上に薄膜を形成したり、基板１上に導電性高分子を塗布して陽極２を形成することもできる（Ａｐｐｌ．  Ｐｈｙｓ．  Ｌｅｔｔ．，  ６０巻，２７１１頁，１９９２年）。
【００７３】
陽極２は異なる２種類以上の物質からなる層を積層して、形成することも可能である。
陽極２の厚みは、必要とする透明性により異なる。透明性が必要とされる場合は、可視光の透過率を、通常６０％以上、好ましくは８０％以上とすることが望ましく、この場合、厚みの下限は通常５ｎｍ、好ましくは１０ｎｍ程度であり、上限は通常１０００ｎｍ、好ましくは５００ｎｍ程度である。不透明でよい場合は陽極２の厚みは基板１と同程度でもよい。また、さらには上記の陽極２の上に異なる導電材料を積層することも可能である。
【００７４】
図２に示す素子において、陽極２の上には正孔輸送層４が設けられる。
正孔輸送層４に用いられる正孔輸送材料に要求される条件としては、陽極からの正孔注入効率が高く、かつ、注入された正孔を効率よく輸送することができる材料であることが必要である。そのためには、イオン化ポテンシャルが小さく、可視光の光に対して透明性が高く、しかも正孔移動度が大きく、さらに安定性に優れ、トラップとなる不純物が製造時や使用時に発生しにくいことが要求される。また、発光層の発光を消光するような物質を含まないことが必要とされる。上記の一般的要求以外に、車載表示用の応用を考えた場合、素子にはさらに耐熱性が要求される。従って、Ｔｇとして７０℃以上の値を有する材料が望ましい。
【００７５】
このような正孔輸送材料としては、例えば、１，１−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）シクロヘキサン、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニルで代表される２個以上の３級アミンを含み２個以上の縮合芳香族環が窒素原子に置換した芳香族ジアミン（特開平５−２３４６８１号公報）、４，４’，４”−トリス（１−ナフチルフェニルアミノ）トリフェニルアミン等のスターバースト構造を有する芳香族アミン化合物（Ｊ．  Ｌｕｍｉｎ．，  ７２−７４巻、９８５頁、１９９７年）、トリフェニルアミンの四量体から成る芳香族アミン化合物（Ｃｈｅｍ．  Ｃｏｍｍｕｎ．，  ２１７５頁、１９９６年）、トリフェニルベンゼンの誘導体でスターバースト構造を有する芳香族トリアミン（米国特許第４，９２３，７７４号）、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）ビフェニル−４，４’−ジアミン等、ピレニル基に芳香族ジアミノ基が複数個置換した化合物、スチリル構造を有する芳香族ジアミン（特開平４−２９０８５１号公報）、チオフェン基で芳香族３級アミンユニットを連結したもの（特開平４−３０４４６６号公報）、スターバースト型芳香族トリアミン（特開平４−３０８６８８号公報）、フルオレン基で３級アミンを連結したもの（特開平５−２５４７３号公報）、トリアミン化合物（特開平５−２３９４５５号公報）、ビスジピリジルアミノビフェニル、Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリフェニルアミン誘導体（特開平６−１９７２号公報）、フェノキサジン構造を有する芳香族ジアミン（特開平７−１３８５６２号公報）、ジアミノフェニルフェナントリジン誘導体（特開平７−２５２４７４号公報）、シラザン化合物（米国特許第４，９５０，９５０号公報）、シラナミン誘導体（特開平６−４９０７９号公報）、ホスファミン誘導体（特開平６−２５６５９号公報）、２，２’，７，７’−テトラキス−（ジフェニルアミノ）−９，９’−スピロビフルオレン等のスピロ化合物（Ｓｙｎｔｈ．  Ｍｅｔａｌｓ，  ９１巻、２０９頁、１９９７年）等が挙げられる。これらの化合物は、単独で用いてもよいし、必要に応じて、各々、混合して用いてもよい。
【００７６】
上記の化合物以外に、正孔輸送層４の材料として、ポリビニルカルバゾールやポリシラン（Ａｐｐｌ．  Ｐｈｙｓ．  Ｌｅｔｔ．  ，５９巻，２７６０頁，１９９１年）、ポリフォスファゼン（特開平５−３１０９４９号公報）、ポリアミド（特開平５−３１０９４９号公報）、ポリビニルトリフェニルアミン（特開平７−５３９５３号公報）、トリフェニルアミン骨格を有する高分子（特開平４−１３３０６５号公報）、トリフェニルアミン単位をメチレン基等で連結した高分子（Ｓｙｎｔｈｅｔｉｃ  Ｍｅｔａｌｓ，５５−５７  巻，４１６３頁，１９９３年）、芳香族アミンを含有するポリメタクリレート（Ｊ．  Ｐｏｌｙｍ．  Ｓｃｉ．，  Ｐｏｌｙｍ．  Ｃｈｅｍ．Ｅｄ．  ，２１巻，９６９  頁，１９８３年）等の高分子材料が挙げられる。
【００７７】
上記の正孔輸送材料を、塗布法あるいは真空蒸着法により前記陽極２上に積層することにより正孔輸送層４を形成する。
塗布法の場合は、例えば正孔輸送材料を１種または２種以上と、必要により正孔のトラップにならないバインダー樹脂や塗布性改良剤などの添加剤とを添加し、溶解して塗布溶液を調製し、スプレー法、印刷法、スピンコート法、ディップコート法、ダイコート法などの通常のコーティング法や、インクジェット法等により陽極２上に塗布し、乾燥して正孔輸送層４を薄膜形成する。バインダー樹脂としては、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエステル等が挙げられる。バインダー樹脂は添加量が多いと正孔移動度を低下させるので、少ない方が望ましく、５０重量％以下が好ましい。
【００７８】
または、フィルム、基板、ロール等の媒体に、前述の薄膜形成方法によってあらかじめ薄膜を形成しておき、媒体上の薄膜を熱転写または圧力転写することにより薄膜形成することも出来る。
真空蒸着法の場合には、正孔輸送材料を真空容器内に設置されたるつぼに入れ、真空容器内を適当な真空ポンプで１０−４Ｐａ程度にまで排気した後、るつぼを加熱して、正孔輸送材料を蒸発させ、るつぼと向き合って置かれた、陽極が形成された基板１上に正孔輸送層４を形成させる。
【００７９】
正孔輸送層４の膜厚の下限は、通常１ｎｍ、好ましくは５ｎｍ程度であり、上限は通常３００ｎｍ、好ましくは１００ｎｍ程度である。この様に薄い膜を一様に形成するためには、一般に真空蒸着法がよく用いられる。
発光層５は、前記一般式（Ｉ）で表される化合物を含有するが、実質的に該化合物のみからなる層であってもよいし、該化合物をホスト材料とし、これに対して各種発光色素をドープすることにより形成される層であってもよく、更に前述の正孔輸送層４または後述の電子輸送層７の材料として挙げた各種電荷輸送性材料、或いは公知の電荷輸送性材料から選択した材料をホスト材料とし、このホスト材料に対して、前記一般式（Ｉ）で表される化合物をドープすることにより形成された層であってもよい。一般的には、前記一般式（Ｉ）で表される化合物を、ホスト材料に対してドープすることにより形成される。
【００８０】
ホスト材料としては、正孔輸送層４または電子輸送層７の材料と同一の材料を使用しても良く、両層のいずれとも異なる材料を使用しても良い。また、発光層５中のホスト材料は１種類でもよいが、複数種併用しても良い。さらに、該ホスト材料は、低分子材料・高分子材料のいずれであってもよく、両者を併用してもよい。なお、高分子材料を使用する場合は、例えば正孔輸送層４材料の例として挙げたような、正孔輸送性の高分子材料と、発光層には、さらに電子輸送性化合物を含有していても良い。前記一般式（Ｉ）で表される化合物は、発光層５中に１種類のみ含まれていてもよく、複数種含まれていてもよい。
【００８１】
また、前記一般式（Ｉ）で表される化合物は２種類以上の複数を併用してもかまわないし、他の蛍光色素などを併用しても良い。この場合、前記一般式（Ｉ）で表される化合物をホスト材料として他の蛍光色素をドーパントとして使用することもできるし、前記一般式（Ｉ）で表される化合物を、特開２０００−１６４３６２号公報に記載されている様に、他のドーパントの発光を助ける励起エネルギー移動用のドーパントとして用いることもできる。併用しても良い他の蛍光色素としては、例えば、ペリレン系化合物誘導体、ピレン系化合物誘導体、アントラセン系化合物誘導体、クマリン系化合物誘導体、キナクリドン系化合物誘導体、ナフタル酸系化合物誘導体等が挙げられる。
【００８２】
前記一般式（Ｉ）で表される化合物がドープされる領域は、発光層５の、層全体であってもその一部分であってもよく、各層の膜厚方向において均一にドープされても、膜厚方向において濃度分布があっても構わない。なお、前記一般式（Ｉ）で表される化合物のドープされる量は、ホスト材料に対して１０−３重量％以上が好ましく、０．１重量％以上であればなお好ましい。また２０重量％以下が好ましく、１０重量％以下であればより好ましい。
【００８３】
前記一般式（Ｉ）で表される化合物の発光層へのドープは、前述した正孔輸送層４または後述する電子輸送層６の形成方法と同様に、塗布法あるいは真空蒸着法などにて行われる該層形成時に行われる。
塗布法の場合は、例えば電子輸送材料と、前記一般式（Ｉ）で表される化合物、さらに必要により、電子のトラップや発光の消光剤とならないバインダー樹脂や、レベリング剤等の塗布性改良剤などの添加剤を添加し溶解した塗布溶液を調整し、スプレー法、印刷法、スピンコート法、ディップコート法、ダイコート法などの通常のコーティング法や、インクジェット法等により正孔輸送層４上に塗布し、乾燥して発光層５を薄膜形成することが出きる。また、前記一般式（Ｉ）で表される化合物と、前記正孔輸送性高分子材料と、電子輸送材料を１種または２種以上と、必要により電子のトラップにならないバインダー樹脂や塗布性改良剤などの添加剤とを添加し、溶解して塗布溶液を調製し、同様に発光層を形成することもできる。バインダー樹脂としては、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエステル等が挙げられる。バインダー樹脂は添加量が多いと正孔／電子移動度を低下させるので、少ない方が望ましく、５０重量％以下が好ましい。または、フィルム、基板、ロール等の媒体に、前述の薄膜形成方法によってあらかじめ薄膜を形成しておき、媒体上の薄膜を熱転写または圧力転写することにより薄膜形成することも出来る。
【００８４】
真空蒸着法の場合には、例えば、ホスト材料となる電子輸送材料を真空容器内に設置されたるつぼに入れ、前記一般式（Ｉ）で表される化合物を別のるつぼに入れ、真空容器内を適当な真空ポンプで１０−４Ｐａ程度にまで排気した後、各々のるつぼを同時に加熱して蒸発させ、るつぼと向き合って置かれた基板上に層を形成する。また、他の方法として、上記の材料を予め所定比で混合し、同一のるつぼを用いて蒸発させてもよい。正孔輸送材料にドープする場合も同様に行う。
【００８５】
これらの層形成方法のうち、通常は真空蒸着法が用いられる。
発光層５の膜厚の下限は、通常１ｎｍ、好ましくは５ｎｍ程度であり、上限は通常３００ｎｍ、好ましくは１００ｎｍ程度である。
図２に示す構造の有機電界発光素子において、発光層５の上には電子輸送層６が設けられる。
【００８６】
電子輸送層６に用いられる電子輸送性材料としては、陰極７からの電子注入効率が高く、かつ、注入された電子を効率よく正孔輸送層４の方向へ輸送することができることが必要である。そのためには、電子親和力が大きく、しかも電子移動度が大きく、さらに安定性に優れトラップとなる不純物が製造時や使用時に発生しにくい化合物であることが要求される。
【００８７】
このような条件を満たす材料としては、テトラフェニルブタジエンなどの芳香族化合物（特開昭５７−５１７８１号公報）、８−ヒドロキシキノリンのアルミニウム錯体などの金属錯体（特開昭５９−１９４３９３号公報）、１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリンの金属錯体（特開平６−３２２３６２号公報）、混合配位子アルミニウムキレート錯体（特開平５−１９８３７７号公報、特開平５−１９８３７８号公報、特開平５−２１４３３２号公報、特開平６−１７２７５１号公報）、シクロペンタジエン誘導体（特開平２−２８９６７５号公報）、ペリノン誘導体（特開平２−２８９６７６号公報）、オキサジアゾール誘導体（特開平２−２１６７９１号公報）、ビススチリルベンゼン誘導体（特開平１−２４５０８７号公報、同２−２２２４８４号公報）、ペリレン誘導体（特開平２−１８９８９０号公報、特開平３−７９１号公報）、クマリン化合物（特開平２−１９１６９４号公報、特開平３−７９２号公報）、希土類錯体（特開平１−２５６５８４号公報）、ジスチリルピラジン誘導体（特開平２−２５２７９３号公報）、ｐ−フェニレン化合物（特開平３−３３１８３号公報）、チアジアゾロピリジン誘導体（特開平３−３７２９２号公報）、ピロロピリジン誘導体（特開平３−３７２９３号公報）、ナフチリジン誘導体（特開平３−２０３９８２号公報）、ビススチリルアリーレン誘導体（特開平２−２４７２７８号公報）、（２−ヒドロキシフェニル）ベンゾチアゾールの金属錯体（特開平８−３１５９８３号公報）、シロール誘導体（日本化学会第７０春季年会，  ２Ｄ１  ０２および２Ｄ１  ０３，  １９９６年）等が挙げられる。
【００８８】
電子輸送層６の膜厚は、通常下限は１ｎｍ、好ましくは５ｎｍ程度であり、上限は通常３００ｎｍ、好ましくは１００ｎｍ程度である。
電子輸送層も正孔輸送層と同様の方法で形成することができるが、通常は真空蒸着法が用いられる。
陰極７は、有機層（図２に示す素子の場合、直接には電子輸送層６）に電子を注入する役割を果たす。陰極７として用いられる材料は、前記陽極２に使用される材料から選択することが可能であるが、効率よく電子注入を行うには、仕事関数の低い金属が好ましく、スズ、マグネシウム、インジウム、カルシウム、アルミニウム、銀等の適当な金属またはそれらの合金が用いられる。具体例としては、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、アルミニウム−リチウム合金等の低仕事関数合金電極が挙げられる。
【００８９】
さらに、陰極の有機層側の界面にＬｉＦ、ＭｇＦ２、Ｌｉ２Ｏ等の極薄絶縁膜（０．１〜５ｎｍ）を設けることも、素子の発光効率向上に有効である（Ａｐｐｌ．  Ｐｈｙｓ．  Ｌｅｔｔ．，  ７０巻，１５２頁，１９９７年；特開平１０−７４５８６号公報；ＩＥＥＥ  Ｔｒａｎｓ．  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ．  Ｄｅｖｉｃｅｓ，４４巻，１２４５頁，１９９７年）。
陰極７の膜厚は通常、陽極２と同様である。低仕事関数金属から成る陰極を保護する目的で、この上にさらに、仕事関数が高く大気に対して安定な金属層を積層することは素子の安定性を増すため好ましい。この目的のために、アルミニウム、銀、銅、ニッケル、クロム、金、白金等の金属が使われる。
【００９０】
図２の構成の素子では、正孔輸送層４は陽極２から正孔を受け取る（正孔注入）機能と、受け取った正孔を発光層５へ運ぶ（正孔輸送）機能を果たしており、電子輸送層６は、陰極７から電子を受け取る（電子注入）機能と、受け取った電子を発光層５へ運ぶ（電子輸送）機能を果たしている。
しかし本発明の素子の、さらなる発光特性や駆動安定性の向上のために、例えば陰極の陽極側の界面に接する層として、電子輸送層６と陰極７の間に電子注入層を設けたり、図３に示すように、陽極２と正孔輸送層４の間に陽極バッファー層３を設けるなど、機能毎に層を分ける構造、すなわち機能分離型の素子にすることも可能である。
【００９１】
陰極の陽極側の界面に接する層として設けられる電子注入層に用いられる材料には、陰極からの電子注入が容易で、電子の輸送能力がさらに大きいことが要求される。この様な電子注入材料としては、既に電子輸送材料として挙げた８−ヒドロキシキノリンのアルミ錯体、オキサジアゾール誘導体（Ａｐｐｌ．  Ｐｈｙｓ．  Ｌｅｔｔ．，  ５５巻，  １４８９頁，  １９８９年他）やそれらをポリメタクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）などの樹脂に分散した系（Ａｐｐｌ．  Ｐｈｙｓ．  Ｌｅｔｔ．，  ６１巻，  ２７９３頁，  １９９２年）、フェナントロリン誘導体（特開平５−３３１４５９号公報）、２−ｔ−ブチル９，１０−Ｎ，Ｎ’−ジシアノアントラキノンジイミン（Ｐｈｙｓ．  Ｓｔａｔ．  Ｓｏｌ．  （ａ），  １４２巻，  ４８９頁，  １９９４年）、ｎ型水素化非晶質炭化シリコン、ｎ型硫化亜鉛、ｎ型セレン化亜鉛などが挙げられる。
【００９２】
電子注入層の膜厚の下限は、通常１ｎｍ、好ましくは５ｎｍ程度であり、上限は通常２００ｎｍ、好ましくは１００ｎｍ程度である。
さらに、正孔注入の効率を向上させ、かつ、有機層全体の陽極への付着力を改善させる目的で、正孔輸送層４と陽極２との間に陽極バッファー層３を挿入することも行われている（図３参照）。
【００９３】
陽極バッファー層３を挿入することで、初期の素子の駆動電圧が下がると同時に、素子を定電流で連続駆動した時の電圧上昇も抑制される効果がある。陽極バッファー層に用いられる材料に要求される条件としては、陽極とのコンタクトがよく均一な薄膜が形成でき、熱的に安定、すなわち、融点およびガラス転移温度が高いことが挙げられ、融点としては  ３００℃以上、ガラス転移温度としては  １００℃以上が好ましい。さらに、イオン化ポテンシャルが低く陽極からの正孔注入が容易なこと、正孔移動度が大きいことが挙げられる。
【００９４】
この目的のために、これまでにポルフィリン誘導体やフタロシアニン化合物（特開昭６３−２９５６９５号公報）、ヒドラゾン化合物、アルコキシ置換の芳香族ジアミン誘導体、ｐ−（９−アントリル）−Ｎ，Ｎ’−ジ−ｐ−トリルアニリン、ポリチエニレンビニレンやポリ−ｐ−フェニレンビニレン、ポリアニリン（Ａｐｐｌ．  Ｐｈｙｓ．  Ｌｅｔｔ．，  ６４巻、１２４５頁，１９９４年）、ポリチオフェン（Ｏｐｔｉｃａｌ  Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，  ９巻、１２５頁、１９９８年）、スターバスト型芳香族トリアミン（特開平４−３０８６８８号公報）等の有機化合物や、スパッタ・カーボン膜（Ｓｙｎｔｈ．  Ｍｅｔ．，  ９１巻、７３頁、１９９７年）や、バナジウム酸化物、ルテニウム酸化物、モリブデン酸化物等の金属酸化物（Ｊ．Ｐｈｙｓ．  Ｄ，  ２９巻、２７５０頁、１９９６年）が報告されている。
【００９５】
また、正孔注入・輸送性の低分子有機化合物と電子受容性化合物を含有する層（特開平１１−２５１０６７号公報、特開２０００−１５９２２１号公報等に記載）や、芳香族アミノ基等を含有する非共役系高分子化合物に、必要に応じて電子受容性化合物をドープしてなる層（特開平１１−１３５２６２号公報、特開平１１−２８３７５０号公報、特開２０００−３６３９０号公報、特開２０００−１５０１６８号公報、特開平２００１−２２３０８４号公報、およびＷＯ９７／３３１９３号公報など）、またはポリチオフェン等の導電性ポリマーを含む層（特開平１０−９２５８４号公報）なども挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【００９６】
上記陽極バッファー層材料としては、低分子・高分子いずれの化合物を用いることも可能である。
低分子化合物のうち、よく使用されるものとしては、ポルフィン化合物またはフタロシアニン化合物が挙げられる。これらの化合物は中心金属を有していてもよいし、無金属のものでもよい。これらの化合物の好ましい例としては、以下の化合物が挙げられる：
ポルフィン
５，１０，１５，２０−テトラフェニル−２１Ｈ，２３Ｈ−ポルフィン
５，１０，１５，２０−テトラフェニル−２１Ｈ，２３Ｈ−ポルフィンコバルト（ＩＩ）
５，１０，１５，２０−テトラフェニル−２１Ｈ，２３Ｈ−ポルフィン銅（ＩＩ）
５，１０，１５，２０−テトラフェニル−２１Ｈ，２３Ｈ−ポルフィン亜鉛（ＩＩ）
５，１０，１５，２０−テトラフェニル−２１Ｈ，２３Ｈ−ポルフィンバナジウム（ＩＶ）オキシド
５，１０，１５，２０−テトラ（４−ピリジル）−２１Ｈ，２３Ｈ−ポルフィン
２９Ｈ，３１Ｈ−フタロシアニン
銅（ＩＩ）フタロシアニン
亜鉛（ＩＩ）フタロシアニン
チタンフタロシアニンオキシド
マグネシウムフタロシアニン
鉛フタロシアニン
銅（ＩＩ）４，４’４’’，４’’’−テトラアザ−２９Ｈ，３１Ｈ−フタロシアニン
陽極バッファー層の場合も、低分子化合物の場合は、前述の正孔輸送層と同様にして薄膜形成可能であるが、無機物の場合には、さらに、スパッタ法や電子ビーム蒸着法、プラズマＣＶＤ法が用いられる。
【００９７】
以上の様にして、低分子化合物を用いて形成される陽極バッファー層３の膜厚の下限は、通常３ｎｍ、好ましくは１０ｎｍ程度であり、上限は通常１００ｎｍ、好ましくは５０ｎｍ程度である。
高分子化合物を用いる場合は、例えば、前記高分子化合物や電子受容性化合物、さらに必要により、正孔のトラップとならない、バインダー樹脂やレベリング剤等の塗布性改良剤などの添加剤を添加し溶解した塗布溶液を調整し、スプレー法、印刷法、スピンコート法、ディップコート法、ダイコート法などの通常のコーティング法や、インクジェット法等により陽極２上に塗布し、乾燥することにより陽極バッファー層３を薄膜形成することができる。
【００９８】
バインダー樹脂としては、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエステル等が挙げられる。バインダー樹脂は該層中の含有量が多いと正孔移動度を低下させる虞があるので、少ない方が望ましく、５０重量％以下が好ましい。
また、フィルム、支持基板、ロール等の媒体に、前述の薄膜形成方法によってあらかじめ薄膜を形成しておき、媒体上の薄膜を、陽極２上に熱転写または圧力転写することにより、薄膜形成することも出来る。
【００９９】
以上の様にして、高分子化合物を用いて形成される陽極バッファー層３の、膜厚の下限は通常５ｎｍ、好ましくは１０ｎｍ程度であり、上限は通常１０００ｎｍ、好ましくは５００ｎｍ程度である。
また、発光層の陰極側界面に接して正孔阻止層を設けることにより、素子の発光効率をさらに向上させることが可能である。
【０１００】
正孔阻止層は正孔輸送層から移動してくる正孔が陰極に到達するのを阻止する役割と、電子注入層から注入された電子を効率よく発光層の方向に輸送することができる化合物より形成される。また、発光層で再結合によって生成するエキシトンを発光層内に閉じこめるために、発光層材料よりは広いバンドギャップを有することが必要である。この場合のバンドギャップは、電気化学的に決定される酸化電位−還元電位の差、または、光吸収端から求められる。正孔阻止層は電荷キャリアとエキシトンの両方を発光層内に閉じこめて、発光効率を向上させる機能を有する。
【０１０１】
このような条件を満たす正孔阻止層材料としては、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（フェノラト）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（トリフェニルシラノラト）アルミニウム等の混合配位子錯体、ビス（２−メチル−８−キノラト）アルミニウム−μ−オキソ−ビス−（２−メチル−８−キノリラト）アルミニウム二核金属錯体等の金属錯体、ジスチリルビフェニル誘導体等のスチリル化合物（特開平１１−２４２９９６）、３−（４−ビフェニルイル）−４−フェニル−５（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，２，４−トリアゾール等のトリアゾール誘導体（特開平７−４１７５９号公報）、バソクプロイン等のフェナントロリン誘導体（特開平１０−７９２９７号公報）が挙げられる。
【０１０２】
正孔阻止層の膜厚の下限は、通常０．１ｎｍ、好ましくは１ｎｍ程度であり、上限は通常３００ｎｍ、好ましくは１００ｎｍ程度である。
以上、図２に示す層構成の素子を中心に説明してきたが、本発明の有機電界発光素子は、少なくとも陽極、陰極、および両電極間に一般式（Ｉ）で表される化合物を含む発光層を有していればよく、具体的には図１に示したように、電子輸送層６を有さずに発光層５と陰極７が接していてもよい。
【０１０３】
また、本発明の有機電界発光素子の性能を損なわない限り、図３や上記説明にある層の他にも、陽極・陰極と発光層との間には、任意の層を有していてもよい。
尚、図１とは逆の構造、すなわち、基板１上に陰極７、発光層５、正孔輸送層４、陽極２の順に積層することも可能であり、既述したように少なくとも一方が透明性の高い２枚の基板の間に本発明の有機電界発光素子を設けることも可能である。同様に、図２および図３に示した前記各層構成とは逆の構造に積層することも可能である。
【０１０４】
本発明は、有機電界発光素子が、単一の素子、アレイ状に配置された構造からなる素子、陽極と陰極がＸ−Ｙマトリックス状に配置された構造のいずれにおいても適用することができる。
本発明の有機電界発光素子によれば、有機層に特定の構造を有する化合物を含むために、駆動電圧が低く、発光効率が高く、素子の安定性に優れた青ないし緑色の有機電界発光が得られる。
【０１０５】
【実施例】
以下に、本発明を実施例および試験例により更に具体的に説明するが、本発明はその要旨を超えない限り、これらに限定されるものではない。
（参考例１）
【０１０６】
【化８】
2004161892.tif 000010
【０１０７】
４，４‘−ジメチルトリフェニルアミン１０ｇを塩化メチレン１２０ｍＬに溶かし、その溶液を０℃まで冷却し、Ｎ−ブロモスクシンイミド６．５ｇをＤＭＦ３０ｍＬにとかし、塩化メチレン３０ｍＬで希釈した溶液を３０分かけて滴下した。反応溶液をさらに３０分、０℃で撹拌後、塩化メチレンで抽出した。有機層を１Ｎの塩酸水溶液で洗った後、さらに有機層を飽和炭酸水素ナトリウム水溶液で洗った。この有機層を硫酸ナトリウムで乾燥後、溶液を濃縮した。得られた粗生成物を、シリカゲルカラムで精製し、目的物を定量的に得た。
（参考例２）
【０１０８】
【化９】
2004161892.tif 000011
【０１０９】
参考例１で得られたＮ，Ｎ’−ジトリル−４−ブロモアニリン１２．９ｇを無水ＴＨＦ１０５ｍＬと無水ヘキサン３５ｍＬの混合溶液に溶かした。反応溶液を−７８℃に冷却し、１．５８Ｍ  ｎＢｕＬｉヘキサン溶液２８ｍＬを３０分かけて滴下した。滴下後反応溶液を−７８℃で１時間撹拌し、トリイソプロポキシボラン２５ｍＬを一気に加えた。反応溶液をさらに−７８℃で１時間撹拌し、室温で２時間撹拌した。１Ｎ塩酸水溶液１４０ｍＬを加え、室温で１２時間撹拌した。反応溶液を炭酸ナトリウムで中和し、酢酸エチルで抽出した。有機層を飽和炭酸水素ナトリウム水溶液で洗った後、硫酸ナトリウムで乾燥した。溶液を濃縮し、目的物を白色固体として、収率８６％で得た。
（参考例３）
【０１１０】
【化１０】
2004161892.tif 000012
【０１１１】
５−ブロモチオフェン−２−カルボキシルアルデヒド５ｇと、参考例２で得られたホウ酸誘導体９．６ｇを、１，４−ジオキサン１４０ｍＬとエタノール８０ｍＬに溶解させた。混合溶液に２Ｍ炭酸ナトリウム水溶液４６ｍＬとテトラキストリフェニルホスフィンパラジウム（０）１ｇを加えた後、６時間還流した。反応後、反応溶液を濃縮し、酢酸エチルで抽出し、有機層を飽和食塩水で洗った後、硫酸ナトリウムで乾燥した。溶液を濃縮し、粗生成物をシリカゲルカラムで精製し、目的物である中間体を９１％収率で得た。
（実施例１）
【０１１２】
【化１１】
2004161892.tif 000013
【０１１３】
参考例３で得られたアルデヒド誘導体１．４ｇと２−アミノチオフェノール０．４８ｍＬを酢酸２５ｍＬ中、５０℃で６時間撹拌した。反応後、ヘキサン２５ｍＬを加え、生成する沈殿をろ取した。この粗生成物のケーキをクロロホルムに溶かし、有機層を飽和炭酸水素ナトリウム水溶液で洗った後、硫酸ナトリウムで乾燥した。溶液を濃縮後、シリカゲルカラムで精製し、目的化合物である例示化合物（Ｎｏ．（３））を８７％収率で得た。
【０１１４】
以下に、得られた化合物の１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，δ）、質量分析、吸収スペクトルおよび蛍光スペクトルの測定結果を示す。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，δ）：
２．３４（ｓ，６Ｈ），  ６．９８−７．１４（ｍ，１２Ｈ），  ７．２１（ｄ，１Ｈ），  ７．３２−７．５２（ｍ，４Ｈ），  ７．５８（ｄ，１Ｈ），  ７．８４（ｄ，１Ｈ），  ８．０２（ｄ，１Ｈ）
ＥＩ  ＭＳ（Ｍ＋１）  ４８９
吸収スペクトル：ｌｍａｘ  ４１８  ｎｍ  （溶媒：クロロホルム）
蛍光スペクトル：ｌｍａｘ  ５２５  ｎｍ  （励起波長４１８ｎｍ、溶媒：クロロホルム）
（参考例４）
【０１１５】
【化１２】
2004161892.tif 000014
【０１１６】
参考例２のホウ酸誘導体の代わりに、上式ホウ酸誘導体を使用した他は、参考例３と同様に上式の反応を行い、目的中間体を得た。
（実施例２）
【０１１７】
【化１３】
2004161892.tif 000015
【０１１８】
参考例４で得られた上記ホルミル体１．５ｇを用いた他は、実施例１と同様に、上式の反応を行った。カラムクロマトグラフィーで精製し、目的化合物である例示化合物（Ｎｏ．（１））を９０％収率で得た。
以下に、得られた化合物の１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，δ）、質量分析、吸収スペクトルおよび蛍光スペクトルの測定結果を示す。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，δ）：
１．２０（ｔ，６Ｈ），  ３．４１（ｑ，４Ｈ），  ６．７９（ｄ，２Ｈ），  ７．１７（ｄ，１Ｈ），  ７．３０−７．５９（ｍ，５Ｈ），  ７．８３（ｄ，１Ｈ），  ８．０１（ｄ，１Ｈ）
ＥＩ  ＭＳ（Ｍ＋１）  ４６５
吸収スペクトル：ｌｍａｘ  ４２０  ｎｍ  （溶媒：クロロホルム）
蛍光スペクトル：ｌｍａｘ  ５０８  ｎｍ  （励起波長４２０ｎｍ、溶媒：クロロホルム）
（参考例５）
【０１１９】
【化１４】
2004161892.tif 000016
【０１２０】
２−ブロモ−３−メチルチオフェン１．５ｇと、上式のホウ酸誘導体（参考例２に準じて合成した）３ｇを、１，４−ジオキサン５０ｍＬとエタノール２０ｍＬに溶解させた。混合溶液に２Ｍ炭酸ナトリウム水溶液１６ｍＬとテトラキストリフェニルホスフィンパラジウム（０）０．６６ｇを加えた後、１０時間還流した。反応後、反応溶液を濃縮し、酢酸エチルで抽出し、有機層を飽和食塩水で洗った後、硫酸ナトリウムで乾燥した。溶液を濃縮し、粗生成物をシリカゲルカラムで精製し、目的物である中間体を定量的に得た。
（参考例６）
【０１２１】
【化１５】
2004161892.tif 000017
【０１２２】
参考例５で得られた上記ホルミル体２．９ｇを無水ＴＨＦ４５ｍＬと無水ヘキサン１０ｍＬの混合溶液に溶解し、−７８℃に冷却した。ｎＢｕＬｉヘキサン溶液６．５ｍＬをゆっくりと滴下し、混合溶液を−７８℃で１時間撹拌した。これに無水ＤＭＦ０．８ｍＬを加え、−７８℃で１時間撹拌した後、昇温し、室温で、さらに３時間撹拌した。反応後、酢酸エチルで抽出し、有機層を飽和食塩水で洗った後、硫酸ナトリウムで乾燥した。溶液を濃縮し、粗生成物をシリカゲルカラムで精製し、目的物である中間体を７０％収率で得た。
（実施例３）
【０１２３】
【化１６】
2004161892.tif 000018
【０１２４】
参考例６で得られた上記ホルミル体０．７ｇを用いた他は、実施例１と同様に、上式の反応を行った。カラムクロマトグラフィーで精製し、目的化合物である例示化合物（Ｎｏ．（２））を８８％収率で得た。
以下に、得られた化合物の１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，δ）、質量分析、吸収スペクトルおよび蛍光スペクトルの測定結果を示す。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，δ）：
２．４０（ｓ，３Ｈ），  ７．０１−７．１９（ｍ，８Ｈ），  ７．２４−７．５０（ｍ，９Ｈ），  ７．８４（ｄ，１Ｈ），  ８．０２（ｄ，１Ｈ）
ＥＩ  ＭＳ（Ｍ＋１）  ４７５
吸収スペクトル：ｌｍａｘ  ３９８  ｎｍ  （溶媒：クロロホルム）
蛍光スペクトル：ｌｍａｘ  ５０３  ｎｍ  （励起波長３９８ｎｍ、溶媒：クロロホルム）
（実施例４）
図４に示す構造を有する開口絶縁膜ＩＴＯ基板１０を用い、図５に示す構造を有する有機電界発光素子を、以下の方法で作成した。
【０１２５】
まず、図４において、ガラス基板１上にインジウム・スズ酸化物（ＩＴＯ）透明導電膜をスパッタ法にて１６０ｎｍ堆積したものを、通常のフォトリソグラフィ技術と塩酸エッチングを用いてパターニングして、陽極ＩＴＯ２を形成した。ＩＴＯをパターン形成した基板には、通常のフォトレジストを用いて、陽極ＩＴＯ２上に、２ｍｍ×２ｍｍの絶縁膜開口部８を有する開口絶縁膜９を設け、図４に示す構造を有する開口絶縁膜ＩＴＯ基板１０を作成した。
【０１２６】
次いで開口絶縁膜ＩＴＯ基板１０を超純水による水洗、界面活性剤を用いた超音波洗浄、超純水による超音波洗浄、超純水による水洗の順で洗浄後、窒素ブローで乾燥させた。最後に紫外線オゾン洗浄を行って、真空蒸着装置内に設置した。上記装置の粗排気を油回転ポンプにより行った後、装置内の真空度が２．０×１０−６Ｔｏｒｒ（約２．７×１０−４Ｐａ）以下になるまで液体窒素トラップを備えた油拡散ポンプを用いて排気した。
【０１２７】
陽極バッファー層３の材料として、下記に示す構造式の銅フタロシアニン
【０１２８】
【化１７】
2004161892.tif 000019
【０１２９】
をモリブデンボートを用いて、蒸着速度０．１２ｎｍ／秒、真空度１．３×１０−６Ｔｏｒｒ（約１．７×１０−４Ｐａ）で、１０ｎｍの膜厚で陽極２の上に成膜した。
次に、上記陽極バッファー層の上に、正孔輸送層４の材料として、下記に示す構造式の４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル
【０１３０】
【化１８】
2004161892.tif 000020
【０１３１】
をセラミックるつぼに入れ、るつぼの周囲のタンタル線ヒーターで加熱して蒸着を行った。蒸着時の真空度は１．２×１０−６Ｔｏｒｒ（約１．６×１０−４Ｐａ）で、蒸着速度０．１２ｎｍ／秒で膜厚６０ｎｍの正孔輸送層４を得た。
次に、発光層の材料として以下の構造式に示す４，４’−Ｎ，Ｎ’−ジカルバゾリルビフェニル（ＣＢＰ）
【０１３２】
【化１９】
2004161892.tif 000021
【０１３３】
と実施例３で得られた構造を有する化合物とを上記正孔輸送層４の上に体積比で１００：１の割合で共蒸着を行なった。蒸着時の真空度は０．９×１０−６Ｔｏｒｒ（約１．２×１０−４Ｐａ）、ＣＢＰの蒸着速度は０．１ｎｍ／秒で、全膜厚は３０ｎｍであった。
次に、発光層５の上に正孔阻止層として以下の構造式に示すシラノールアルミニウムの８−ヒドロキシキノリン錯体
【０１３４】
【化２０】
2004161892.tif 000022
【０１３５】
を１０ｎｍ蒸着した。
次に、電子輸送層６の材料として、下記に示す構造式のアルミニウムの８−ヒドロキシキノリン錯体（ＥＭ−１）
【０１３６】
【化２１】
2004161892.tif 000023
【０１３７】
を上記正孔阻止層の上に３５ｎｍ蒸着した。
次に、電子輸送層６までの蒸着を行った素子を、一度前記真空蒸着装置内より大気中に取り出して、少なくとも開口絶縁膜９の外側の陽極ＩＴＯ２には陰極が蒸着されないようマスクし、別の真空蒸着装置内に設置して有機層と同様にして装置内の真空度が３．０×１０−６Ｔｏｒｒ（約４．０×１０−４Ｐａ）以下になるまで排気した。
【０１３８】
陰極７として、先ず、フッ化リチウム（ＬｉＦ）をモリブデンボートを用いて、蒸着速度０．０７ｎｍ／秒、真空度３．０×１０−６Ｔｏｒｒ（約４．０×１０−４Ｐａ）で、０．５ｎｍの膜厚で電子輸送層６の上に成膜した。次に、アルミニウムを同様にモリブデンボートにより加熱して、蒸着速度０．４５ｎｍ／秒、真空度６．０×１０−６Ｔｏｒｒ（約８×１０−４Ｐａ）で膜厚８０ｎｍのアルミニウム層を形成し、陰極７を完成させた。
【０１３９】
以上の様にして、２ｍｍ×２ｍｍのサイズの発光面積部分を有する有機電界発光素子が得られた。
この素子の発光特性を表−２に示す。表−２において、発光輝度は電流密度２５０ｍＡ／ｃｍ２での値を、電流発光効率１００ｃｄ／ｍ２での値を示す。
この素子は青色の発光を示し、発光ピークの波長は４８１ｎｍ、ＣＩＥ色度座標値は、ｘ＝０．２０、ｙ＝０．３４であった。
【０１４０】
【表３】
2004161892.tif 000024
【０１４１】
【発明の効果】
本発明は、特定構造の化合物を用いることにより、安定性に優れ、濃度消光しにくい、広範囲の波長範囲における高輝度の発光、特に青〜緑の波長範囲における高輝度の発光を効率よく得ることができる有機電界発光素子を提供するものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の有機電界発光素子の実施の形態の一例を示した模式断面図である。
【図２】本発明の有機電界発光素子の実施の形態の別の例を示した模式断面図である。
【図３】本発明の有機電界発光素子の実施の形態の別の例を示した模式断面図である。
【図４】本発明の有機電界発光素子に用いられるＩＴＯガラス基板の模式断面図である。
【図５】実施例６で作成した有機電界発光素子の層構成を示す模式的断面図である。
【符号の説明】
１      基板
２      陽極（ＩＴＯ）
３      陽極バッファー層
４        正孔輸送層
５      発光層
６      電子輸送層
７      陰極
８      絶縁膜開口部
９      開口絶縁膜
１０    開口絶縁膜ＩＴＯ基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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