(57)【要約】【課題】基板の材質によらずインクジェット法によって良好な導電膜パターンを形成する。【解決手段】多孔性の受容層１２が設けられた分離用基体１０の上に、第１配線層２０を形成する工程と、前記第１配線層２０を基体１００に接着させることにより分離用基体１０から分離する工程と、を含む、導電膜パターンの形成方法。【選択図】        図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
多孔性の受容層が設けられた分離用基体の上に、第１導電膜パターンを形成する工程と、
前記第１導電膜パターンを基体に接着させることにより分離用基体から分離する工程と、を含む、導電膜パターンの形成方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記受容層は、多孔性シリカ、アルミナ、アルミナ水和物のうちの少なくとも一つとバインダーとを含む層である、導電膜パターンの形成方法。
【請求項３】
請求項１または２において、
前記第１導電膜パターンは、液滴吐出法により形成される、導電膜パターンの形成方法。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれかにおいて、
前記接着は、前記基体の上に設けられた粘着層を介して行なわれる、導電膜パターンの形成方法。
【請求項５】
請求項１〜３のいずれかにおいて、
前記基体として、樹脂層を用いる、導電膜パターンの形成方法。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれかにおいて、
さらに、（ａ）前記第１導電膜パターンが接着された基体の所定の箇所にプラグを形成する工程と、
（ｂ）前記基体と、第２導電膜パターンが接着された他の基体とを積層する工程と、を含む、導電膜パターンの形成方法。
【請求項７】
請求項６において、
前記（ａ）および（ｂ）を繰り返し行なうことにより、複数の導電膜パターンを積層すること、を含む、導電膜パターンの形成方法。
【請求項８】
請求項６または７において、
前記積層は、前記基体の上に設けられた粘着層を介して行なわれる、導電膜パターンの形成方法。
【請求項９】
請求項１〜８に記載の導電膜パターンの形成方法により形成された導電膜パターン。
【請求項１０】
請求項９に記載の導電膜パターンを配線として有する、配線基板。
【請求項１１】
請求項１０に記載の配線基板が他の配線基板と接合されている、配線基板。
【請求項１２】
請求項９に記載の導電膜パターンを配線として有する、電子機器。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、導電膜パターンおよびその形成方法、配線基板、電子機器に関する。
【０００２】
【背景技術】
電子回路または集積回路などに使われる配線の製造には、例えばリソグラフィー法が用いられている。このリソグラフィー法では、あらかじめ導電膜を塗布した基板上に所定のパターンを有するマスク層を形成し、マスク層に応じて導電膜をエッチングすることで配線を形成するものである。このリソグラフィー法は真空装置などの大掛かりな設備と複雑な工程を必要とし、また材料使用効率も数％程度でそのほとんどを捨ててしまわざるを得ず、製造コストが高かった。
【０００３】
近年では、インクジェット法にて、所定の材料を基板上に吐出して、各種の電気光学装置に含まれる配線や絶縁層等を所定のパターンに形成する方法が開発されている。例えば、特許文献１には、導電性微粒子を分散させた液状物をインクジェット法にて基板に直接パターン塗布し、その後熱処理やレーザ照射を行なって導電膜パターンに変換する方法が提案されている。この方法によれば、配線形成のプロセスが大幅に簡単なものになるとともに、原材料の使用量も少なくてすむというメリットがある。
【０００４】
しかしながら、上記インクジェット法による配線パターンの形成方法には、以下のような問題点がある。たとえば、微細化されたデバイスでは、微細な配線の形成が望まれるが、線幅を所望する寸法内に納めるためには、例えば基板に親液パターンと撥液パターンとを形成し、インクジェット法で吐出する液滴が親液部のみに配置されるようにする方法や、線幅が広がらないように撥液性基板上に液滴を吐出するようにし、その場合にバルジと呼ばれるふくらみが生じないよう、隣り合った液滴どうしの重なりを制御する方法などが考えられる。
【０００５】
【特許文献１】
米国特許第５１３２２４８号明細書
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、基板の材質によらずインクジェット法によって良好な導電膜パターンを形成することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
（１）本発明の導電膜パターンの形成方法は、多孔性の受容層が設けられた分離用基体の上に、第１導電膜パターンを形成する工程と、
前記第１導電膜パターンを基体に接着させることにより分離用基体から分離する工程と、を含む。
【０００８】
本発明の導電膜パターンの形成方法によれば、基体の上に導電性液体を直接吐出して配線層を形成するのではなく、まず、受容層が形成された分離用基体の上に導電性液体を直接吐出して配線を形成している。ついで、基体と分離用基体とを接合した後に、分離用基体を剥離することにより、基体に導電膜パターンを容易に形成することができる。そのため、基体の材質に関わりなく、所望の導電膜パターンを基体に接着させることができる。また、第１導電膜パターンは、多孔性の受容層の上に形成されている。そのため、たとえば、液滴吐出法により導電性微粒子を含む液状体を形成した場合、液状成分が多孔性の受容層に吸収され、導電性微粒子を受容層上に残存させることができる。その結果、微細な導電膜パターンであっても良好な形状の導電膜パターンを形成でき、かつ、導電膜パターンの剥離性を向上させることができる。
【０００９】
本発明は、さらに、下記の態様をとることができる。
【００１０】
（Ａ）本発明の導電膜パターンの形成方法において、前記受容層は、多孔性シリカ粒子、アルミナ、アルミナ水和物のうちの少なくとも一つとバインダーとを含む層であることができる。
【００１１】
（Ｂ）本発明の導電膜パターンの形成方法において、前記第１導電膜パターンは、液滴吐出法により形成されることができる。この態様によれば、基板の全面に導電性材料を形成する必要がなく原料の使用効率を上昇させ、製造コストの低減を図ることができる。
【００１２】
（Ｃ）本発明の導電膜パターンの形成方法において、前記接着は、前記基体の上に設けられた粘着層を介して行なわれることができる。
【００１３】
（Ｄ）本発明の導電膜パターンの形成方法において、前記基体として、前記第１導電膜パターンを粘着する機能を有する樹脂層を用いることができる。この態様によれば、たとえば、熱硬化性樹脂であるポリイミドを用いることにより、より簡易な工程でポリイミド配線基板を形成することができる。
【００１４】
（Ｅ）本発明の導電膜パターンの形成方法において、さらに、（ａ）前記第１導電膜パターンが接着された基体の所定の箇所にプラグを形成する工程と、
（ｂ）前記基体と、第２導電膜パターンが接着された基体とを積層する工程と、を含むことができる。この態様によれば、簡易な工程で多層配線層を形成することができ、高集積化を図ることができる。
【００１５】
（Ｆ）本発明の導電膜パターンの形成方法において、前記（ａ）および（ｂ）を繰り返し行なうことにより、複数の導電膜パターンを積層すること、を含むことができる。
【００１６】
（Ｇ）本発明の導電膜パターンの形成方法において、前記積層は、前記基体の上に設けられた粘着層を介して行なわれることができる。
【００１７】
（２）本発明の導電膜パターンは、上記発明の導電膜パターンの形成方法により形成される。本発明の導電膜パターンは、微細なパターンを有する場合においても簡易な形成方法により得ることができ、また、信頼性の高い導電膜パターンを提供することができる。
【００１８】
（３）本発明の配線基板は、上記発明の導電膜パターンを配線として有する。
【００１９】
（４）本発明の配線基板は、上記発明の配線基板が他の配線基板と接合されている。
【００２０】
（５）本発明の電子機器は、請求項９に記載の導電膜パターンを配線として有する。
【００２１】
【発明の実施の形態】
１．第１の実施の形態
以下に、本発明の導電膜パターンの形成方法の実施形態について図１〜４を参照しながら説明する。
【００２２】
（１）図１に示すように、分離用基体１０の上に、受容層１２を形成する。分離用基体１０としては、受容層１２を形成できる基板であれば特に制限されず、ガラス基板、ポリイミドなどの樹脂基板などを用いることができる。受容層１２の材質としては、空孔を有する多孔性の層を用いる。受容層１２は、多孔性シリカ粒子、アルミナ、アルミナ水和物のうちの少なくとも一つと、バインダーとの混合物を塗布することにより形成され、特にアルミナ、アルミナ水和物のうちの少なくとも一つと、多孔性シリカ粒子と、バインダーとの混合物を塗布した後、混合物中の液分を蒸発させ、乾燥処理を行ないバインダーを固化することにより形成される。
【００２３】
ここで、用いられる多孔性シリカ粒子としては、平均粒子直径が２〜５０μｍ、平均細孔直径８〜５０ｎｍ、細孔容積０．８〜２．５ｃｃ／ｇ程度のものが好ましい。多孔性シリカ粒子は、２０重量％以下のボリア、マグネシア、ジルコニア、チタニア等を含有するものであってもよい。
【００２４】
アルミナまたはアルミナ水和物としては、半径３〜１０ｎｍを有する細孔容積の和が０．２〜１．５ｃｃ／ｇを有する多孔質のアルミニウム酸化物やその含水物が挙げられる。細孔物性の測定手段としては、アルミナまたはアルミナ水和物の乾燥固形分が有する細孔の分布を、窒素吸着法（定流量法）により、たとえばオミクロンテクノロジー社製オムニソープ１００を使用して測定することができる。そして、半径３〜１０ｎｍを有する細孔容積の和が、０．２〜１．５ｃｃ／ｇである場合はさらに好ましい。また、アルミナまたはアルミナ水和物の使用量は、多孔性シリカ粒子に対して５〜５０重量％程度とするのが好ましい。
【００２５】
また、これらアルミナまたはアルミナ水和物は、結晶質または非晶質のいずれでもよく、その形態としては不定形粒子、球状粒子等適宜な形態を用いることができる。アルミナゾルを用い、これを乾燥することによって得られるゲル状物は特に好ましい。中でも、凝ベーマイトは、特に、ゾルを乾燥して得られる擬ベーマイトゾルが好ましい。
【００２６】
バインダーとしては、主にポリビニルアルコールが好適に用いられるが、その他、カチオン変成、アニオン変成、シラノール変成等の各種変成ポリビニルアルコール、デンプン誘導体およびその変成体、セルロース誘導体、スチレン−マレイン酸共重合体等を、適宜単独あるいは混合して使用することができる。
【００２７】
前記混合物の塗布方法としては、たとえばエアナイフコーター、ブレードコーター、バーコーター、ロッドコーター、ロールコーター、グラビアコーター、サイズプレス、スピンコート、液滴吐出法、スクリーン印刷等各種の方法を採用することができる。
【００２８】
多孔性シリカ粒子及び／又はアルミナまたはアルミナ水和物とバインダーとの混合物中の液分を蒸発させ、さらにバインダーを固化する目的で乾燥処理としては次にような方法を行なうことができる。このような乾燥処理としては、シリカ粒子やアルミナ粒子が焼結されない温度、たとえば５０〜１３０℃程度の温度で加熱処理を行う方法や、減圧処理による方法、さらにはこれら加熱処理と減圧処理とを併用する方法などが採用可能である。このようにして乾燥処理がなされることにより、受容層１２を構成する多孔性シリカ粒子またはアルミナまたはアルミナ水和物は、その粒子間などに微小の空孔が形成された多孔性の層となる。
【００２９】
また、前記のようにして形成される受容層１２は、さらに材質や構造の異なる複数の層とすることもできる。たとえば、多孔性シリカ粒子およびアルミナ水和物とバインダーとの混合物を前記のように塗布、乾燥処理を行なって多孔質層を形成した後、多孔性シリカ粒子およびアルミナとバインダーとの混合物を塗布、乾燥処理を行なうことにより、材質の異なる複数の層からなる受容層１２を形成することができる。
【００３０】
また、通常のインクジェット印刷で用いられる受容層１２の膜厚は１０μｍ〜１００μｍ程度であるが、導電性パターンを形成する場合にはより膜厚の小さいものが好ましい。この場合には、たとえば、アルミナ、アルミナ水和物のうち少なくとも一つと、バインダーとの混合物を塗布するにあたり、さらに溶剤で希釈してから塗布したり、スピンコートによって塗布を行なえば、膜厚１μｍ以下の受容層１２を形成することができる。
【００３１】
また、必要であれば、このような受容層１２を形成するにあたり、基板の全面に塗布するのではなく、必要な部分にのみ選択的に塗布することもできる。これは、たとえばスクリーン印刷や、液滴吐出法による塗布を採用することで行なうことができる。また、場合によっては、全面に受容層１２を塗布した後、さらにレジスト塗布、露光、現像、エッチングを行なうことで不要な部分を除去してもよい。
【００３２】
なお、受容層１２としては、上述の製造方法により形成することもできるが、市販の空孔型の受容層１２を用いることもできる。
【００３３】
（２）次に、図２に示すように、受容層１２が形成された分離用基体１０の上に、液滴吐出法により導電膜パターン２０を形成する。なお、この液滴吐出法は、インクジェット法と呼ばれることもある。液滴吐出法では、膜形成成分を含有した液状物からなる液滴（導電性微粒子を含む液状体）を、受容層１２の所定の膜形成領域に吐出することで導電膜パターン２０が形成される。吐出工程は、所望の膜厚の導電膜パターン２０が得られるよう複数回行なう。このとき、多孔性の受容層１２の上に導電性微粒子を含む液状体が吐出されているため、液状成分は、受容層１２に吸収され受容層１２の上には導電性微粒子を残存させられることとなる。その結果、膜形成成分を含有した液状物から液状成分をほとんどなくすことができ、吐出工程の間に乾燥工程を設ける必要がなく、効率よく所望の膜厚の導電膜パターンを形成することができる。特に、膜厚の厚い導電膜パターンを形成する場合には、必要に応じて乾燥工程を設けてもよい。このようにして、受容層１２の上に、導電性微粒子のパターンを形成したのち、熱処理を施し焼成を行ない、導電膜パターン２０が形成される。
【００３４】
導電性微粒子を含む液状体としては、導電性微粒子を液状物（分散媒）に分散させた液状物（分散液）を用いる。ここで用いられる導電性微粒子は、金、銀、銅、パラジウム、ニッケルの何れかを含有する金属微粒子の他、導電性ポリマーや超伝導体の微粒子などが用いられる。
【００３５】
（３）次に、図３に示すように、導電膜パターン２０を接着させるための基体１００を用意する。基体１００としては、特に限定されず、たとえば、合成樹脂、薄板の金属、ガラス基板および半導体基板などを用いることができる。この基体１００に、粘着層１０２を形成する。粘着層１０２としては、たとえば、反応硬化型接着剤、熱硬化型接着剤、および紫外線硬化型接着剤等の光硬化型接着剤などの各種接着剤が挙げられる。
【００３６】
ついで、図３に示すように、導電膜パターン２０を含む分離用基体１０の上に、粘着層１０２を介して基体１００を接合させる。このように、分離用基体１０と、基体１００とを接合させることにより、導電膜パターン２０が基体１００側に粘着層１０２を介して接着される。このとき、必要に応じて加圧してもよい、加圧することにより、導電膜パターン２０を確実に基体１００に接着させることができる。
【００３７】
（４）次に、図４に示すように、導電膜パターン２０が接着された基体１００を、分離用基体１０から剥離することにより、本実施の形態にかかる導電膜パターン２０が形成される。このとき、導電膜パターン２０は、多孔性の受容層１２の上に形成されているため、剥離性に優れており、その結果、導電膜パターン２０を容易に分離用基体１０から分離することができる。このようにして、基体１００の上に、所望のパターンを有する導電膜パターン２０を形成することができる。
【００３８】
本実施の形態の導電膜パターン２０の形成方法の利点について述べる。
【００３９】
（Ａ）本実施の形態の導電膜パターンの形成方法では、基体１００の上に導電性材料を直接吐出して導電膜パターン２０を形成するのではなく、まず、受容層１２が形成された分離用基体１０の上に導電性微粒子の液状物を直接吐出して配線２０を形成している。その後に、導電膜パターン２０を基体１００に接着することで、導電膜パターン２０を形成することができる。液滴吐出法により良好な形状の導電膜パターンを形成する場合には、基体の材質や性質に制限があるが、本実施の形態によれば、基体の材質や性質などに関わりなく、基体１００に液滴吐出法により形成された導電膜パターン２０を形成することができる。その結果、簡便なプロセスで微細な導電膜パターン２０を形成することができる。
【００４０】
（Ｂ）本実施の形態の導電膜パターン２０の形成方法では、受容層１２の上に導電膜パターン２０を形成されており、受容層１２は空孔型の材質で形成されている。そのため、液滴吐出法により導電膜パターン２０を形成する場合に、導電性微粒子が分散されている液状成分を受容層１２中に吸収することができる。その結果、受容層１２上には、主に導電性微粒子を残存させられる。これにより、乾燥処理を行うことなく重ね塗りを行うことができる。また、受容層１２上には、導電性微粒子成分が残存させられて導電膜パターン２０が形成されているために、分離用基体１０から導電膜パターン２０の剥離を容易に行なうことができる。その結果、所望の膜厚が確保された導電膜パターン２０の形成を効率よく行うことができ、かつ微細な導電膜パターン２０であっても良好な形状の導電膜パターン２０を形成することができる。
【００４１】
（Ｃ）分離用基体１０は、繰り返し何度も使用できることにより、資源を有効に利用することができるため、コストの低減を図ることができる。
【００４２】
（変形例）
次に、本実施の形態の導電膜パターンの形成方法の変形例について図５，６を参照しながら述べる。上述の実施の形態では、基体１００に粘着層１０２を設けて導電膜パターン２０の接着を行なったが、変形例では、粘着層１０２を設けることなく基体１００の性質を用いて導電膜パターン２０を接着する場合について説明する。
【００４３】
（１）まず、第１の実施の形態の図１に示すように、分離用基体１０の上に受容層１２を介して導電膜パターン２０を形成する。次に、図５に示すように、導電膜パターン２０を含む分離用基体１０の上に樹脂成分を含む原料液を用いて、スピンコート法などの塗布法により基体１１０を構成する塗布層を形成する。基体１１０としては、たとえば、熱硬化性樹脂、光硬化性樹脂、熱可塑性樹脂などを挙げることができる。ついで、原料液の性質に応じてたとえば、熱処理、光照射などの硬化処理を行ない、基体１１０となる樹脂層を形成する。これにより、樹脂層である基体１１０に導電膜パターン２０が接着されることとなる。
【００４４】
（２）次に、図６に示すように、導電膜パターン２０を基体１１０と共に、分離用基体１０から剥離することにより、樹脂層からなる基体１１０に導電膜パターン２０を接着させることができる。
【００４５】
この態様によれば、上述の実施の形態と同様の効果を有し、基体１１０の材質に関わりなく、液滴吐出法により形成された導電膜パターン２０を基体１１０の上に形成することができる。また、基体１１０として樹脂層を使用することにより、より簡易な工程で、フレキシブル配線基板を形成することができる。
【００４６】
２．第２の実施の形態
次に第２の実施の形態について、図７〜１１を参照しながら説明する。第２の実施の形態では、導電膜パターンを多層化する場合の形成方法について説明する。
【００４７】
（１）図７に示すように、第１の実施の形態の製造方法に従い、基体１００の上に粘着層１０２を介して導電膜パターン２０を形成する。ついで、基体１００の所定の領域に第１導電膜パターン２０と後の工程で形成する他の配線層とを電気的に接続するためのコンタクトホール３０を形成し、コンタクトホール３０にはプラグ４０を充填する。コンタクトホール３０の形成は、一般的なリソグラフィおよびエッチング技術により行うことができる。また、コンタクトホール３０の形成は、レーザーを照射することにより行なうことができ、この態様によれば、所望の位置に確実にコンタクトホール３０を形成することができる。プラグ４０の形成としては、導電材料を含む液体状の金属材料をコンタクトホール３０に埋め込むことにより形成することができる。プラグ４０は、後の工程で基体１００に形成される接着層に覆われてしまうことを防ぐために、その上面が、後に形成される接着層の上面よりも高い位置になるように形成する。
【００４８】
（２）次に、図８に示すように、後述する工程で形成される他の導電膜パターンを積層させるために、基体１００に接着層５０を形成する。接着層５０としては、反応硬化型接着剤、熱硬化型接着剤、および紫外線硬化型接着剤等の光硬化型接着剤などの各種接着剤などを用いることができる。
【００４９】
（３）次に、図９（Ａ）に示すように、第１の実施の形態の製造方法に従い、導電膜パターン２２が粘着層１１２を介して接着された基体１１０を形成する。その後、導電膜パターン２０が接着された基体１００と、導電膜パターン２２が接着された基体１１０とを接着層５０を介して接合することにより、導電膜パターン２０と導電膜パターン２２とを積層することができる。このとき、導電膜パターン２０と導電膜パターン２２とは、プラグ４０により電気的な接続が図られる。ついで、基体１１０には、基体１００と同様に所定の箇所にコンタクトホール３２を形成しコンタクトホール３２にプラグ４２を充填する。ついで、導電膜パターン２４が粘着層１２２を介して接着された基体１２０を積層する。このようにして、導電膜パターン２０、２２，２４を積層することができる。なお、下層にある導電膜パターン２０の相互間には、必要に応じて絶縁層６２を形成することができる。この絶縁層６２の形成は、たとえば、絶縁材料を溶液塗布法などにより塗布することにより行うことができる。また、本実施の形態では、３層の導電膜パターンを形成する場合について説明したが、これに限定されず、さらに複数層形成してもよい。また、図９（Ｂ）に示すように、導電膜パターン２２が形成された基体１１０を基体１００に積層する場合、導電膜パターン２２の相互間に上述したような接着剤を形成した後に、基体１１０を基体１００に積層させてもよい。
【００５０】
（４）次に、図１０に示すように、最上層にある基体１２０において基体１２０の上方のプラグ４４の上部が露出するように絶縁層６０を形成する。絶縁層６０は、たとえば、溶液塗布法により形成することができる。ついで、第１の実施の形態の製造方法を適用して、分離用基体１０に端子７０を形成する。端子７０が形成された分離用基体１０と、基体１２０を接合する。そして、分離用基体１０を剥離することにより基体１２０のプラグ４４の上に、端子７０を接合することができる。
【００５１】
本実施の形態の導電膜パターンの形成方法によれば、導電膜パターン２０，２２，２４が形成された基体１００，１１０，１２０を順次積層することで容易に導電膜パターンの多層化を実現することができる。そのため、配線層の高集積化が図ることができる。
【００５２】
３．第３の実施の形態
第３の実施の形態では、本実施の形態にかかる導電膜パターンを配線層として有する基体１００Ａ（以下、「第１配線基板」という）を、他の配線基板２００（以下「第２配線基板」という）等に設ける場合について、図１２を参照しながら説明する。図１２（Ａ）は、本実施の形態にかかる配線基板を模式的に示す平面図であり、図１２（Ｂ）は、図１２（Ａ）のＡ−Ａ線に沿った断面図である。
【００５３】
本実施の形態にかかる配線基板は、図１２（Ａ）および（Ｂ）に示すように、第１配線基板１００Ａと第２配線基板２００とを含む。第２配線基板２００としては、たとえば、既存の配線基板を用いることができる。第２配線基板２００の上には、電源用ＩＣなどの電子部品２０２が設けられており、電子部品２０２と端子２０６とは、配線２０４および電極２１０ａを介して電気的に接続されている。第１配線基板１００Ａは、第２配線基板２００の電子部品２０２と端子２０８とを電気的に接続するように設けられている。具体的には、第１配線基板１００Ａにバンプ２１２を形成し、異方性導電フィルム（ＡＣＦ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｆｉｌｍ）２１４を介して第２配線基板２００に接合される。つまり、電子部品２０２の電極２１０ｂはバンプ２１２を介して第１配線基板１００Ａと電気的な接続がなされ、同様に第２配線基板２００の端子２０８は、バンプ２１２を介して第１配線基板１００Ａと電気的な接続がなされることとなる。
【００５４】
本実施の形態の配線基板によれば、第１配線基板１００Ａを必要に応じて、種々の配線基板の上に設けることができ、容易に高集積化を図ることができる。特に、第１配線基板１００Ａを既存の配線基板に設ける場合には、新たに配線基板を製造することなく、高集積化を図ることができ、コストの削減を図ることができる。
【００５５】
４．第４の実施の形態
第４の実施の形態では、上述の導電膜パターンからなる配線層を有した電子機器について、図１３を参照しながら説明する。
【００５６】
図１３（Ａ）は、携帯電話の一例を示した斜視図である。  図１３（Ａ）において、６００は携帯電話本体を示し、６０１は前記導電膜パターン２０を有した表示部を示している。
【００５７】
図１３（Ｂ）は、ワープロ、パソコンなどの携帯型情報処理装置の一例を示した斜視図である。図１３（Ｂ）において、７００は情報処理装置、７０１はキーボードなどの入力部、７０３は情報処理本体、７０２は前記導電膜パターン２０を有した表示部を示している。
【００５８】
図１３（Ｃ）は、腕時計型電子機器の一例を示した斜視図である。図１３（Ｃ）において、８００は時計本体を示し、８０１は前記導電膜パターン２０を有した表示部を示している。
【００５９】
図１３（Ａ）〜（Ｃ）に示す電子機器は、前記の導電性パターン４（導電膜パターン）を有した表示部を備えているので、生産性の高い良好なものとなる。
【００６０】
【実施例】
［実施例１］
（１）第１の実施の形態の製造方法に基づき、以下のようにして導電膜パターンを形成した。まず、ガラス基板上に、空孔型インク受容層の（たとえば、旭ガラス製  ピクトリコ）を形成した分離用基板を用意した。
【００６１】
次に、受容層の上に液滴吐出装置により所望の導電膜のパターンに沿うように液滴を滴下した。吐出する液状体を、以下のようにして用意した。直径１０ｎｍ程度の金微粒子をトルエン中に分散させた金微粒子分散液（真空冶金社製、商品名「パーフェクトゴールド」）に、トルエンを添加してこれを希釈し、その粘度を３ｍＰａ・ｓとなるように調整し、前記液状体とした。また、この液状体を吐出する液滴吐出ヘッドとしては、市販のプリンター（商品名「ＰＭ９５０Ｃ」）のヘッドを使用した。ただし、インク吸入部がプラスチック製であるため、有機溶剤に対して溶解しないよう吸入部を金属製の治具に変更したものを用いた。吐出させた液滴は、１回の滴下量が１０ｎｇであり、２０μｍの間隔となるように吐出した。受容層に滴下された液滴は、受容層によってその分散媒が速やかに吸収され、微粒子堆積膜となった。その後、この基板を３００℃で３０分加熱した。これにより、配線幅が３０μｍ、厚さが５μｍ、配線ピッチが６０μｍの導電膜パターンを形成することができた。
【００６２】
（２）次に、基体としてポリイミドフィルムを用意した。このポリイミドフィルムに粘着層として、ＮＣＰ（Ｎｏｎ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｐａｓｔｅ）を形成した。ついで、導電膜パターンが形成された分離用基体とポリイミドフィルムとを接合した。その後、ポリイミドフィルムと分離用基体とを分離することにより、ポリイミドフィルムに配線層が接着した配線基板を形成することができた。このようにして得られた配線の体積抵抗率は、３．５μΩ／ｃｍ２であった。よって、本実施例の導電膜パターンの形成方法によれば、良好な配線層を形成できることがわかった。
【００６３】
［実施例２］
まず、実施例１の（１）を同様に行ない、受容層が形成されたガラス基板（分離用基体）の上に導電膜パターンを形成した。次に、導電膜パターンが形成されたガラス基板の上に、熱硬化型樹脂の原料液（旭化成製  パイメル）をスピンコート法により塗布した、ついで、３５０℃の熱処理を２時間行なうことにより、熱硬化させポリイミド膜（基体）を得た。次に、このポリイミド膜に粘着フィルムを貼りつけた。この粘着フィルムとしては、熱処理を行なうと粘着性が低下する性質のフィルムを用いた。ついで、粘着フィルムを貼りつけたポリイミド膜をガラス基板から剥離することにより、ポリイミド膜に導電膜パターンが接着させることができた。その後、熱処理を行なうことにより、ポリイミド膜に貼りつけた粘着フィルムを剥離し、ポリイミド膜に導電膜パターンが形成された配線基板を形成した。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１の実施の形態にかかる導電膜パターンの形成工程を示す図。
【図２】第１の実施の形態にかかる導電膜パターンの形成工程を示す図。
【図３】第１の実施の形態にかかる導電膜パターンの形成工程を示す図。
【図４】第１の実施の形態にかかる導電膜パターンの形成工程を示す図。
【図５】第１の実施の形態にかかる導電膜パターンの形成工程を示す図。
【図６】第１の実施の形態にかかる導電膜パターンの形成工程を示す図。
【図７】第２の実施の形態にかかる導電膜パターンの形成工程を示す図。
【図８】第２の実施の形態にかかる導電膜パターンの形成工程を示す図。
【図９】第２の実施の形態にかかる導電膜パターンの形成工程を示す図。
【図１０】第２の実施の形態にかかる導電膜パターンの形成工程を示す図。
【図１１】第２の実施の形態にかかる導電膜パターンの形成工程を示す図。
【図１２】（Ａ）は、第３の実施の形態にかかる配線基板の平面図であり、（Ｂ）は、（Ａ）のＡ−Ａ線に沿った断面図。
【図１３】第４の実施の形態にかかる電子機器を示す図。
【符号の説明】
１０…分離用基体、  １２…受容層、  ２０，２２，２４…配線層、  ３０，３２，３４…絶縁層、  ４０，４２，４４…プラグ、  １００，１１０，１２０…基体、  １０２，１１２，１２２…粘着層  １００Ａ…第１配線基板、  ２００…第２配線基板、  ２０２…電子部品、  ２０４…配線、  ２０６、２０８…端子、  ２１０ａ，ｂ…電極、  ２１２…バンプ、  ２１４…異方性導電性フィルム、
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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