(57)【要約】【課題】ノズルの基盤の表面で反射し感知される反射光の量を抑制し、適正値範囲の拡大を図ることが可能である半導体装置検査装置用ノズル及び半導体装置検査装置を提供する。【解決手段】半導体装置に光を照射し、その反射光を感知することによって半導体装置の検査を行う半導体装置検査装置のノズル台座に固定される基盤２と、基盤の略中央部を基端とし、その先端部で半導体装置を吸着保持する保持部３が設けられた半導体装置検査装置用ノズル１において、基盤に略錐体形状の凹部４を形成する。【選択図】　　図１
2004045141.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体装置に光を照射し、その反射光を感知することによって半導体装置の検査を行う半導体装置検査装置のノズル台座に固定される基盤と、該基盤の略中央部を基端とし、その先端部で半導体装置を吸着保持する保持部が設けられた半導体装置検査装置用ノズルにおいて、
前記基盤に、略錐体形状の凹部を形成した
ことを特徴とする半導体装置検査装置用ノズル。
【請求項２】
前記凹部の傾斜は、入射光面に対して略４５度に形成した
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置検査装置用ノズル。
【請求項３】
ノズル台座に固定される基盤と該基盤の略中央部を基端としその先端で半導体装置を吸着保持する保持部が設けられたノズルと、該ノズルに吸着保持された前記半導体装置に光を照射する照明と、該照明により照射され前記半導体装置で反射した反射光を感知する認識部とを備える半導体装置検査装置において、
前記ノズルの基盤に、略錐体形状の凹部を形成した
ことを特徴とする半導体装置検査装置。
【請求項４】
前記凹部の傾斜は、入射光面に対して略４５度に形成した
ことを特徴とする請求項３に記載の半導体装置検査装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置検査装置用ノズル及び半導体装置検査装置に関する。詳しくは、半導体装置の裏面検査を行う際に使用する半導体装置検査装置用ノズル及び半導体装置の裏面検査を行う半導体装置検査装置に係るものである。
【０００２】
【従来の技術】
半導体装置が最終的に出荷可能な製品として認められるまでには、様々な検査が行われている。
以下、従来の半導体装置の検査方法の一例である画像検査方法について図面を参酌しながら説明する。
【０００３】
図４及び図５に従来の半導体装置の画像検査方法を説明するための模式的な図を示す。
従来の半導体装置の画像検査方法では、先ず図４で示す様に、ノズル１０１の保持部１０２で検査対象物である半導体装置１０３の表面を吸着保持した状態でノズルを画像検査部１０４に挿入する。
【０００４】
次に、画像検査部では、図５で示す様に照明１０５により照射された光がハーフミラー１０６で反射して半導体装置の裏面を照らし、ハーフミラー越しに照明により照らされた半導体装置の裏面をカメラ１０７で感知して画像検査を実行する。
【０００５】
ここで画像検査は、カメラで感知した画像に対して、検査対象物の形状を認識すべく画像を白色と黒色の２値からなる画像に変換する２値化を施し、半導体装置が存在する個所を白色として、半導体装置が存在しない個所を黒色として把握し、半導体装置が存在すべき個所が白色として検出されるか否かの判断を行っている。
即ち、半導体装置に割れや欠けが存在する場合には、割れや欠けの存在個所が黒色として検出されるために、本来半導体装置が存在すべき個所が白色として検出されるか否かを判断することによって半導体装置に割れや欠けが存在するか否かの検査を行っている。
なお、従来の半導体装置の画像検査方法に用いられている半導体装置を吸着保持する保持部の基端であるノズルの基盤１０８は図６で示す様に、照明から半導体装置検査装置へ照射された光の入射光面に対して傾斜は形成されておらず、保持部に対して直角に形成されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
ここで画像検査方法では、検査対象物たる半導体装置からの反射光のみならず、ノズルの基盤の表面からの反射光をもカメラで感知してしまうのであるが、上述した従来の画像検査方法では、ノズルの基盤の表面から反射し、カメラで感知する反射光の量が多いために、本来は黒色として把握されるべき半導体装置が存在しない個所について白色として把握することなく画像検査を適正に行うことが可能な２値化の条件範囲である適正値範囲が狭く、安定した画像検査を実行するためには、この狭い適正値範囲内の条件で２値化を行わなければならなかった。即ち、基盤の表面で反射し、カメラで感知する反射光の量が多いために、半導体装置に割れや欠けが存在する場合であって、本来は黒色として把握されるべき割れや欠けが存在する個所について割れや欠けが存在しない白色として把握してしまわないように、厳格な適性値範囲が求められている。
【０００７】
本発明は、以上の点に鑑みて創案されたものであって、ノズルの基盤の表面で反射し感知される反射光の量を抑制することにより、適正値範囲の拡大を図ることが可能である半導体装置検査装置用ノズル及び半導体装置検査装置を提供することを目的とするものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために、本発明に係る半導体装置検査装置用ノズルは、半導体装置に光を照射し、その反射光を感知することによって半導体装置の検査を行う半導体装置検査装置のノズル台座に固定される基盤と、該基盤の略中央部を基端とし、その先端部で半導体装置を吸着保持する保持部が設けられた半導体装置検査装置用ノズルにおいて、前記基盤に、略錐体形状の凹部を形成した。
【０００９】
ここで、基盤に略錐体形状の凹部を形成したことによって、基盤の表面で反射し、感知される反射光の量を抑制することができる。
【００１０】
また、上記の目的を達成するために、本発明に係る半導体装置検査装置では、ノズル台座に固定される基盤と該基盤の略中央部を基端としその先端で半導体装置を吸着保持する保持部が設けられたノズルと、該ノズルに吸着保持された前記半導体装置に光を照射する照明と、該照明により照射され前記半導体装置で反射した反射光を感知する認識部とを備える半導体装置検査装置において、前記ノズルの基盤に、略錐体形状の凹部を形成した。
【００１１】
ここで、ノズルの基盤に略錐体形状の凹部を形成したことによって、ノズルの基盤の表面で反射し、認識部で感知する反射光の量を抑制することができる。
【００１２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面を参照しながら説明し、本発明の理解に供する。
【００１３】
図１に本発明を適用した半導体装置検査装置用ノズルの一例を説明するための斜視図を示し、図２に本発明を適用した半導体装置検査装置用ノズルの一例を説明するための断面図を示す。ここで示すノズル１は半導体装置検査装置のノズル台座に固定される基盤２と基盤の中央部を基端として形成され、半導体装置をその先端部で吸着保持する保持部３とを備え、基盤には略円錐形状の凹部４が形成され、この凹部は保持部に対して図２中符号ａで示す角度で傾斜を有する様に形成されている。
【００１４】
ここで、基盤は半導体装置検査装置のノズル台座に固定することができれば充分であり、必ずしも図１及び図２に示す様に円柱形状（凹部の部分を除く）の基盤である必要は無く、例えば図３に示す様な四角柱形状（凹部の部分は除く）の基盤であっても構わない。
また、基盤に形成された凹部の形状は、基盤の表面が円形状であるために略円錐形状の凹部を形成しているが、保持部で吸着保持された半導体装置に向けて照射された光のうち基盤の表面で反射し、カメラで感知される反射光の量を抑制することができれば充分であって、必ずしも略円錐形状の凹部が形成される必要は無く、例えば図３に示す様に略四角錐形状の凹部が形成されても構わない。
更に、図２中符号ａで示す保持部と凹部の間の角度は、上記した様に、保持部で吸着保持された半導体装置に向けて照射された光のうち基盤の表面で反射し、カメラで感知される反射光の量を抑制することができれば充分であって、必ずしも特定の角度に限定されるものでは無いが、後述する実施例からも明らかな様に、より一層の適正値範囲の拡大が可能である様に図２中符号ａで示す角度は４５度である方が好ましい。
【００１５】
以下、本発明を適用した半導体装置検査装置用ノズルの一例を用いた実施例に基づいて説明し、更に本発明の理解に供する。
【００１６】
ここで、下記の各実施例では、図２中符号ａで示す角度が下記所定の角度となる様に凹部が形成され、この様な凹部が形成された基盤を備えるノズルを用いて上記した従来の半導体装置の検査方法と同様に画像検査を実行する。
即ち、先ず、ノズルの保持部で検査対象物である半導体装置の表面を吸着保持した状態でノズルを画像検査部に挿入する。続いて、画像検査部では、照明により照射された光がハーフミラーで反射して半導体装置の裏面を照らし、ハーフミラー越しに照明により照らされた半導体装置の裏面をカメラで感知して画像検査を実行する。
【００１７】
また、以下の各実施例では、２値化を行うにあたって白色及び黒色の調整のための値であり、２値化を行う装置固有の感度調整値である２値化レベルは６０、６５、７０、７５、８０、８５、９０、９５及び１００の条件の時に、カメラで感知した画像において半導体装置の個所と背景の個所とが鮮明に分かれているか否かに留意し、画像検査の際に理想的な条件であるか否かの観点から適正値範囲を求めている。
なお、従来の半導体装置の検査方法に用いられている基盤、即ち、凹部が形成されていない基盤の場合には、２値化レベルが８５、９０及び９５の条件の時に安定した画像検査が可能であった。即ち、適正値範囲は下記の表１に示す様に２値化レベルが８５、９０及び９５の条件の時であった。
【００１８】
（実施例１）
実施例１では、図２中符号ａで示す角度が２５度となる様に凹部が基盤に形成され、この様な凹部が形成された基盤を備えるノズルを用いて画像検査を行った。
実施例１においては、２値化レベルが７５、８０、８５、９０及び９５の条件の時に安定した画像検査が可能であった。即ち、適正値範囲は下記の表１に示す様に２値化レベルが７５、８０、８５、９０及び９５の条件の時であった。
【００１９】
（実施例２）
実施例２では、図２中符号ａで示す角度が３５度となる様に凹部が基盤に形成され、この様な凹部が形成された基盤を備えるノズルを用いて画像検査を行った。
実施例２においては、２値化レベルが７０、７５、８０、８５、９０及び９５の条件の時に安定した画像検査が可能であった。即ち、適正値範囲は下記の表１に示す様に２値化レベルが７０、７５、８０、８５、９０及び９５の条件の時であった。
【００２０】
（実施例３）
実施例３では、図２中符号ａで示す角度が４５度となる様に凹部が基盤に形成され、この様な凹部が形成された基盤を備えるノズルを用いて画像検査を行った。
実施例３においては、２値化レベルが６５、７０、７５、８０、８５、９０及び９５の条件の時に安定した画像検査が可能であった。即ち、適正値範囲は下記の表１に示す様に２値化レベルが６５、７０、７５、８０、８５、９０及び９５の条件の時であった。
【００２１】
（実施例４）
実施例４では、図２中符号ａで示す角度が５５度となる様に凹部が基盤に形成され、この様な凹部が形成された基盤を備えるノズルを用いて画像検査を行った。
実施例４においては、２値化レベルが８０、８５、９０及び９５の条件の時に安定した画像検査が可能であった。即ち、適正値範囲は下記表１に示す様に２値化レベルが８０、８５、９０及び９５の条件の時であった。
【００２２】
【表１】
2004045141.tif 000003
【００２３】
本発明を適用した半導体装置検査装置用ノズルでは、保持部で吸着保持された半導体装置に向けて照射された光のうち基盤の表面で反射し、カメラで感知される反射光の量を抑制することができ、適正値範囲の拡大を図ることができる。
また、適正値範囲が拡大するために、ノズルの基盤の表面状態や照明の状態により安定して画像検査を行うことができる適正値に若干の変化が生じたとしても、引き続き安定した画像検査を行うことができる。
更に、適正値範囲が拡大するために、画像検査を行う前提としての適正値の条件出しに要する時間の短縮が図れると共に、上記した様に、安定した画像検査を行うことができる適正値に若干の変化が生じたとしても引き続き安定した画像検査を行うことができるために、画像検査を継続的に行うにあたって、適正値の確認・更新作業を行う周期を長くすることができ、画像検査を行うために行わなければならない工数や費用の削減が可能となる。
【００２４】
【発明の効果】
以上述べてきた如く、本発明の半導体装置検査装置用ノズル及び半導体装置検査装置によれば、ノズルの基盤の表面で反射し感知される反射光の量を抑制することにより、適正値範囲の拡大を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明を適用した半導体装置検査装置用ノズルの一例を説明するための斜視図である。
【図２】本発明を適用した半導体装置検査装置用ノズルの一例を説明するための断面図である。
【図３】本発明を適用した半導体装置検査装置用ノズルの他の一例を説明するための斜視図である。
【図４】ノズルに吸着保持された半導体装置を画像検査部に挿入する工程を説明するための模式的な図である。
【図５】画像検査部における画像検査を説明するための模式的な図である。
【図６】従来の半導体装置の検査方法に用いられているノズルの基盤を説明するための断面図である。
【符号の説明】
１　　ノズル
２　　基盤
３　　保持部
４　　凹部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
2004045141.tif 000007
【図５】
2004045141.tif 000008
【図６】
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