(57)【要約】【課題】透明電極間の短絡を薄膜トランジスタや他の構成層への影響を伴うことなく修復可能な構造として、製品製造の歩留りを向上可能とする。【解決手段】透明電極の下層に絶縁膜を介して重畳された金属の熱拡散部材を設ける。該熱拡散部材は薄膜トランジスタとの間の距離より遠い部分に突出部を設け、該突出部で前記透明電極と重畳させる。【選択図】        図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
液晶を介して対向配置された一対の基板のうちの一方の基板に、
薄膜トランジスタと、走査信号線と、該走査信号線と交差して配置されたデータ信号線と、前記薄膜トランジスタの出力電極に接続された画素電極と、前記画素電極との間に電界を形成するための共通電極とを有する液晶表示装置において、
隣接する走査信号線と隣接するデータ信号線により囲まれた画素領域内に、前記薄膜トランジスタと離間して設置された金属の熱拡散部材を有し、
該熱拡散部材は前記薄膜トランジスタと該熱拡散部材の間の距離より遠い部分に突出部を有し、
該突出部と前記画素電極および前記共通電極の少なくともいずれかが重畳部を有し、かつ該重畳部では、該突出部と重畳する前記画素電極および前記共通電極のいずれかが透明電極であることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
前記突出部の幅が、前記突出部と重畳する部分での前記画素電極あるいは前記共通電極の幅以上であることを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記画素電極が透明電極であり、前記突出部で前記熱拡散部材と該画素電極が重畳することを特徴とする請求項２記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記熱拡散部材が前記薄膜トランジスタの出力電極と同層であり、該熱拡散部材上のスルーホールで該熱拡散部材と前記画素電極が接続されていることを特徴とする請求項３記載の液晶表示装置。
【請求項５】
共通信号線を有し、該共通信号線に前記熱拡散部材が重畳し、前記熱拡散部材の突出部は該共通信号線から突出していることを特徴とする請求項４記載の液晶表示装置。
【請求項６】
前記熱拡散部材が共通信号線を兼ねることを特徴とする請求項３記載の液晶表示装置。
【請求項７】
前記共通電極が透明電極であり、前記突出部で前記熱拡散部材と該共通電極が重畳することを特徴とする請求項２記載の液晶表示装置。
【請求項８】
共通信号線を有し、該共通信号線が前記熱拡散部材を兼ねることを特徴とする請求項７記載の液晶表示装置。
【請求項９】
液晶を介して対向配置された一対の基板のうちの一方の基板に、
薄膜トランジスタと、走査信号線と、該走査信号線と交差して配置されたデータ信号線と、前記薄膜トランジスタの出力電極に接続された画素電極と、前記画素電極との間に電界を形成するための共通電極とを有する液晶表示装置において、
隣接する走査信号線と隣接するデータ信号線により囲まれた画素領域内に、前記薄膜トランジスタと離間して設置された金属の熱拡散部材を有し、
該熱拡散部材は孤立して配置され、かつ前記画素電極および前記共通電極の少なくともいずれかと重畳部を有することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１０】
前記重畳する前記画素電極および前記共通電極の少なくともいずれかが透明電極であることを特徴とする請求項９記載の液晶表示装置。
【請求項１１】
前記熱拡散部材が形成された層と、該熱拡散部材に重畳する電極が形成された層の間に無機絶縁膜と有機絶縁膜を有し、該有機絶縁膜は前記熱拡散部材と前記電極の重畳部の少なくとも一部に除去部を有することを特徴とする請求項１ないし請求項１０のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、液晶表示装置に係り、特に絶縁基板上の画素領域内に細線状あるいはストライプ状の透明電極からなる画素形成用電極対を並設したアクティブ・マトリクス型の液晶表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
高画質を実現するフラットパネル型の液晶表示装置として、所謂横電界方式の液晶表示装置が知られている。この方式の液晶表示装置は、ガラス等の絶縁基板（第１の絶縁基板）上に薄膜トランジスタ等のアクティブ素子（以下、薄膜トランジスタと称する）を有する画素回路をマトリクス状に配置し、この画素回路の上に絶縁層を介して当該薄膜トランジスタで駆動される細線状あるいはストライプ状（以下、細線状と称する）の透明な第１の透明電極（画素電極）と、この第１の透明電極に隣接する細線状の透明な第２の透明電極（共通電極）とを同一の絶縁基板上に形成し、画素領域における第１および第２の透明電極の間に当該絶縁基板の面の略平行な電界を形成して液晶の配向を制御して画像を表示する。上記各透明電極はＩＴＯ等の透明導電膜からなる。なお、第１の絶縁基板は図示しないガラスを好適とする第２の絶縁基板に貼り合わされ、両絶縁基板の間に液晶が封止される。
【０００３】
【特許文献１】
特許第３１７０４４６号公報
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
このような透明電極の対で画素を点灯する画素構造を有する液晶表示装置では、隣接する第１と第２の透明電極間（画素電極と共通電極）で当該各透明電極を形成する際の電極残渣による短絡が生じた場合、当該画素は点欠陥となり、表示機能が喪失してしまう。このような短絡を除去して修復するため、当該短絡部にレーザを照射して第１と第２の透明電極を切断し分離することが考えられる。透明電極の短絡をレーザの照射で修復する場合、透明電極は照射したレーザの吸収効率が低いため迅速な切断に至らないことが多い。レーザの強度を強くして切断しようとすると、レーザ照射部の周辺も高温となり、本来切断したい領域のみでなく、その周辺部も含めて下層の絶縁膜が蒸発してしまい、所望の修復を行うことができない。
【０００５】
図１１は透明電極間の短絡状態を説明する模式図であり、図１１（ａ）は平面図、図１１（ｂ）は同（ａ）のＤ−Ｄ’線に沿った断面図を示す。また、図１２は透明電極間の短絡部分の修復作業を説明する模式図であり、図１２（ａ）は平面図、図１２（ｂ）は同（ａ）のＥ−Ｅ’線に沿った断面図を示す。図１１に示したように、隣接する第１の透明電極である画素電極ＰＸとこの画素電極ＰＸに隣接する第２の透明電極である共通電極ＣＴとが電極残渣等による短絡部ＸＰＤで短絡していた場合、図１２に示したように絶縁基板ＳＵＢ側から短絡部ＸＰＤを分離する強さでレーザＬを照射すると、短絡部ＸＰＤは絶縁膜ＰＡＳと共に蒸発し、かつ画素電極ＰＸや共通電極ＣＴまで除去されてしまい、これら画素電極ＰＸと共通電極ＣＴをもつ画素は画素機能を喪失し、点欠陥となる。
【０００６】
また、例えば「特許文献１」に開示されたような電極構造、すなわち、アクティブ素子である薄膜トランジスタ部分にまで金属膜上に絶縁膜を介して透明電極が形成された液晶表示装置が知られている。このような画素構造を持つ液晶表示装置に上記と同様のレーザ照射により修復作業を行ったところ、金属膜がレーザに対して不透明であることから、その上層にあるＩＴＯ等の透明電極はレーザ照射で分離できるが、レーザ照射による熱が金属膜を伝わって薄膜トランジスタに至り、薄膜トランジスタを構成する半導体膜が変質し、その特性が他の薄膜トランジスタと異なったものとなり、やはり点欠陥となることが分かった。このようなことが修復作業における解決すべき課題の一つとなっていた。
【０００７】
本発明は上記のような従来技術における課題に鑑みてなされたもので、その目的は、画素点灯のための電極として細線状の透明電極の対を同一の絶縁基板に隣接して並設した液晶表示装置における透明電極間の短絡を薄膜トランジスタ等のアクティブ素子への影響を伴うことなく、また他の構成層の蒸発や液晶への侵入を伴うことなく修復して製品製造の歩留りを向上させることにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明の液晶表示装置は、絶縁基板上に、マトリクス状に配置された複数の薄膜トランジスタ、多数の走査信号線、走査信号線と交差する多数のデータ信号線、画素領域に形成された共通信号線、走査信号線とデータ信号線で囲まれる画素領域に並設されて薄膜トランジスタの出力電極に接続した画素電極となる第１の透明電極、共通信号線に接続して第１の透明電極に隣接して形成された対向電極となる第２の透明電極、第１の透明電極および第２の透明電極の下層に絶縁膜を介して重畳されて第１の透明電極と同電位が印加される金属膜とを具備する。
【０００９】
そして、上記金属膜に、走査信号線の延在方向に沿って延びる幅広部と、当該幅広部の幅より狭い幅でデータ信号線の延在方向に突出した突出部を形成し、この突出部を第１の透明電極および第２の透明電極とそれぞれ重畳する部分を持たせると共に、重畳部の幅を第１の透明電極および第２の透明電極の幅より幅広とした。
【００１０】
金属膜に有する突出部は、その突出面積が金属膜より小面積であるため熱容量が小さい。第１の透明電極および第２の透明電極の短絡を修復する場合に、この突出部に対し絶縁基板側から低エネルギーのレーザを照射して短絡部を金属膜ごとに蒸発させて切断分離する。また、この突出部を薄膜トランジスタから遠い側に形成することでレーザ照射で突出部に発生する熱が上記幅広部で拡散され、薄膜トランジスタに伝達される熱が大幅に低減されて、当該薄膜トランジスタの特性が熱によって劣化するのを回避できる。
【００１１】
また、本発明は、第１および第２の透明電極に重畳させて、当該透明電極の幅より幅広の孤立した金属膜を設ける。第１の透明電極および第２の透明電極の短絡を修復する場合に、この金属膜部分で透明電極を上記と同様のレーザ照射で切断分離するように構成できる。この場合も同様に、レーザ照射で金属膜に発生する熱が上記幅広の孤立した金属膜で拡散され、薄膜トランジスタに伝達される熱を大幅に低減して熱による当該薄膜トランジスタの特性劣化を回避できる。
【００１２】
また、本発明は、前記第１の透明電極と重畳すると共に当該第１の透明電極の幅より幅広の突出部を共通信号線設け、第１の透明電極および第２の透明電極の短絡を修復する場合に、この金属膜部分で透明電極を上記と同様のレーザ照射で切断分離するように構成できる。この場合も同様に、レーザ照射で金属膜に発生する熱が上記幅広の孤立した金属膜で拡散され、薄膜トランジスタに伝達される熱を大幅に低減して熱による当該薄膜トランジスタの特性劣化を回避できる。
【００１３】
本発明のさらなる例を説明すると、次のようになる。
（１）液晶を介して対向配置された一対の基板のうちの一方の基板に、
薄膜トランジスタと、走査信号線と、該走査信号線と交差して配置されたデータ信号線と、前記薄膜トランジスタの出力電極に接続された画素電極と、前記画素電極との間に電界を形成するための共通電極とを有する液晶表示装置において、
隣接する走査信号線と隣接するデータ信号線により囲まれた画素領域内に、前記薄膜トランジスタと離間して設置された金属の熱拡散部材を有し、
該熱拡散部材は前記薄膜トランジスタと該熱拡散部材の間の距離より遠い部分に突出部を有し、
該突出部と前記画素電極および前記共通電極の少なくともいずれかが重畳部を有し、かつ該重畳部では、該突出部と重畳する前記画素電極および前記共通電極のいずれかが透明電極であることを特徴とする。
【００１４】
（２）（１）において、前記突出部の幅が、前記突出部と重畳する部分での前記画素電極あるいは前記共通電極の幅以上であることを特徴とする。
【００１５】
（３）（２）において、前記画素電極が透明電極であり、前記突出部で前記熱拡散部材と該画素電極が重畳することを特徴とする。
【００１６】
（４）（３）において、前記熱拡散部材が前記薄膜トランジスタの出力電極と同層であり、該熱拡散部材上のスルーホールで該熱拡散部材と前記画素電極が接続されていることを特徴とする。
【００１７】
（５）（４）において、共通信号線を有し、該共通信号線に前記熱拡散部材が重畳し、前記熱拡散部材の突出部は該共通信号線から突出していることを特徴とする。
【００１８】
（６）（３）において、前記熱拡散部材が共通信号線を兼ねることを特徴とする。
【００１９】
（７）（２）において、前記共通電極が透明電極であり、前記突出部で前記熱拡散部材と該共通電極が重畳することを特徴とする。
【００２０】
（８）（７）において、共通信号線を有し、該共通信号線が前記熱拡散部材を兼ねることを特徴とする。
【００２１】
（９）液晶を介して対向配置された一対の基板のうちの一方の基板に、
薄膜トランジスタと、走査信号線と、該走査信号線と交差して配置されたデータ信号線と、前記薄膜トランジスタの出力電極に接続された画素電極と、前記画素電極との間に電界を形成するための共通電極とを有する液晶表示装置において、
隣接する走査信号線と隣接するデータ信号線により囲まれた画素領域内に、前記薄膜トランジスタと離間して設置された金属の熱拡散部材を有し、
該熱拡散部材は孤立して配置され、かつ前記画素電極および前記共通電極の少なくともいずれかと重畳部を有することを特徴とする。
【００２２】
（１０）（９）において、前記重畳する前記画素電極および前記共通電極の少なくともいずれかが透明電極であることを特徴とする。
【００２３】
（１１）（１）ないし（１０）のいずれかにおいて、前記熱拡散部材が形成された層と、該熱拡散部材に重畳する電極が形成された層の間に無機絶縁膜と有機絶縁膜を有し、該有機絶縁膜は前記熱拡散部材と前記電極の重畳部の少なくとも一部に除去部を有することを特徴とする。
【００２４】
なお、本発明の他の特徴は、後述する実施の形態の記述から明らかになるが、本発明はこれらの構成に限定されるものではなく、本発明の技術思想を逸脱することなく種々の変更が可能であることは言うまでもない。
【００２５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について、実施例の図面を参照して詳細に説明する。図１は本発明による液晶表示装置の第１実施例を説明する一画素付近の構成図であり、図１（ａ）は平面図、図１（ｂ）は同（ａ）のＡ−Ａ’に沿った断面図を示す。図１において、ガラスを好適とする絶縁基板ＳＵＢ１上にマトリクス状に複数の薄膜トランジスタＴＦＴが配置されている。絶縁基板ＳＵＢ１上の第１方向（以下ｘ方向）に延在して前記ｘ方向に交差する第２方向（以下ｙ方向）に前記薄膜トランジスタに選択信号を印加する多数の走査信号線ＧＬが形成されている。また、ｙ方向に延在してｘ方向に形成され、薄膜トランジスタＴＦＴにデータ信号を供給する多数のデータ信号線ＤＬが形成されている。さらに、走査信号線ＧＬとデータ信号線ＤＬで囲まれる画素領域にｘ方向に延在した共通信号線ＣＬが形成されている。
【００２６】
走査信号線ＧＬとデータ信号線ＤＬで囲まれる画素領域に、薄膜トランジスタＴＦＴの出力電極（ここでは、ソース電極）に接続した第１の透明電極（以下、画素電極）ＰＸ、および共通信号線ＣＬに接続して画素電極ＰＸの対向電極となる第２の透明電極（以下、共通電極）ＣＴが並設されている。共通電極ＣＴに接続する共通信号線ＣＬは画素領域に設けられている。
【００２７】
前記画素電極ＰＸの下層には、絶縁膜ＰＡＳ１，ＰＡＳ２を介して重畳して当該画素電極ＰＸと同電位が印加される金属膜ＰＸＭを有している。この金属膜ＰＸＭは共通信号線ＣＬの上層に配置され、前記走査信号線ＧＬの延在方向に沿って延びる幅広部ＰＸＭＷと、当該幅広部ＰＸＭＷの幅より狭い幅でデータ信号線ＤＬの延在方向に突出した突出部ＰＸＭＰを有している。突出部ＰＸＭＰは画素電極ＰＸに重畳すると共に当該重畳部での幅が画素電極ＰＸより幅広となっている。複数の（ここでは２つ）の画素電極ＰＸは絶縁膜ＰＡＳ１，ＰＡＳ２を貫通するスルーホールを通して金属膜ＰＸＭで相互に接続されている。
【００２８】
なお、画素電極ＰＸ（共通電極ＣＴ）の幅が１０μｍである場合、突出部ＰＸＭＰの突出長さは２０μｍ以下、その幅は２０μｍ以下であることが望ましい。この理由はＰＸＭＰが開口率の低下を引き起こすからである。
【００２９】
図１において、薄膜トランジスタＴＦＴは、データ信号線ＤＬから延びるドレイン電極ＳＤ１と出力電極であるソース電極ＳＤ２および半導体膜（例えば、ａ−Ｓｉ）から構成され、ソース電極ＳＤ２は画素電極ＰＸに接続されている。なお、薄膜トランジスタＴＦＴのゲート電極は走査信号線ＧＬであり、データ信号線ＤＬや金属膜ＰＸＭはゲート絶縁層ＧＩを介して、その上層に形成されている。また、画素電極ＰＸはスルーホールＴＨ１，ＴＨ２で金属膜ＰＸＭに接続されている。この絶縁基板ＳＵＢ１は通常薄膜トランジスタ基板と称し、この絶縁基板ＳＵＢ１に対して図示しない第２の基板であるカラーフィルタ基板（ＳＵＢ２）が配置され、両基板の間に液晶層が封入される。
【００３０】
図２〜図４は本発明の第１実施例における短絡の修復手順の説明図である。ここでは、図２に示すように薄膜トランジスタのソース電極ＳＤ２に接続して直接画素領域に延びる画素電極ＰＸと、この画素電極ＰＸに隣接する共通電極ＣＴとが当該画素電極と共通電極を形成する際の電極残渣により短絡部ＸＤＰで短絡しているものとする。この短絡を修復するため、金属膜ＰＸＭの突出部ＰＸＭＰの図３に「×」で示したレーザ照射位置ＬＲＰにレーザを照射する。レーザ照射位置ＬＲＰは金属膜ＰＸＭに関して薄膜トランジスタＴＦＴから遠い側である。このレーザのエネルギーは下層の絶縁膜の蒸発を起こさない強さであり、金属膜ＰＸＭに絶縁膜ＰＡＳ１，ＰＡＳ２（図１参照）を介して重畳されている画素電極ＰＸを当該金属膜ＰＸＭと共に蒸発させて切断して画素電極ＰＸを共通電極ＣＴから分離する。切断分離後の状態を図４に示す。
【００３１】
上記の修復作業により、画素の一部（分離された画素電極ＰＸの部分と短絡部ＸＤＰをぶら下げた共通電極ＣＴとで構成される部分）は表示に寄与しないものとなるが、画素全体としては点灯・消灯が可能となり、画素全体が点灯も消灯もしない点欠陥から本来の画素としての点灯・消灯機能をもつ画素として回復がなされる。
【００３２】
また、図４の他の部分、例えばスルーホールＴＨ２で金属膜ＰＸＭに接続されている画素電極ＰＸと図の中央にある共通電極ＣＴとが短絡部ＸＤＰＡで短絡している場合はレーザ照射位置ＬＲＰＡで分離し、スルーホールＴＨ２で金属膜ＰＸＭに接続されている画素電極ＰＸと図の右端にある共通電極ＣＴとが短絡部ＸＤＰＢで短絡している場合はレーザ照射位置ＬＲＰＢで分離することにより、上記と同様に修復がなされる。
【００３３】
図５は本発明による液晶表示装置の第２実施例を説明する一画素付近の構成図である。本実施例の液晶表示装置は、画素の中央部にある共通電極ＣＴは左右両側端の共通電極とは独立した構成を有し、共通信号線ＣＬに形成した突出部において、スルーホールＴＨ３で接続されている。この構造の液晶表示装置でも、前記図３と同様の位置に短絡がある場合の修復は同様に行うことができる。そして、図５に示した位置に短絡部ＸＤＰＣや短絡部ＸＤＰＤがある場合はレーザ照射位置ＬＲＰＣで中央の共通電極ＣＴを分離し、またレーザ照射位置ＬＲＰＣで右側の画素電極ＰＸを分離することで修復が可能である。さらに、図示した以外の位置で短絡が生じている場合にも、金属膜ＰＸＭの突出部あるいは共通信号線ＣＬに形成した突出部の位置でレーザ照射を行うことで、弱いエネルギーのレーザを用いて修復を行うことができる。また、図１〜図４の修復手順と図５の修復手順を組み合わせることで１または２以上の短絡を修復することができる。
【００３４】
図６は共通電極と共通信号線との接続形態の他の構成例を説明する模式平面図である。この構成は、絶縁基板ＳＵＢ１上に形成した共通電極ＣＴとを表示領域ＡＲの外側における絶縁基板ＳＵＢ１と他方の絶縁基板（カラーフィルタ基板）ＳＵＢ２との貼り合わせ領域内に位置する接続部ＪＴＬで接続する構成としている。そのため、スルーホールの加工工程を要せず、製造プロセスを簡略化できる。
【００３５】
図７は透明電極と金属膜の突出部の重畳部で短絡修復を行う場合の他の構成例を説明する要部模式図であり、図７（ａ）は平面図、図７（ｂ）は図７（ａ）のＢ−Ｂ’線に沿った断面図を示す。この構成例では、画素電極ＰＸと金属膜ＰＸＭの間に無機絶縁膜ＰＡＳ１と有機絶縁膜ＰＡＳ２の積層膜を有する。そして、有機絶縁膜ＰＡＳ２は突出部ＷＰの画素電極ＰＸとの重畳部の少なくとも一部に除去部ＨＯＬを設ける。図中、参照符号ＳＵＢ１は第１の絶縁基板、ＧＩはゲート絶縁膜である。
【００３６】
有機絶縁膜ＰＡＳ２は無機絶縁膜ＰＡＳ１よりも熱による体積膨張率が大きい。そのため、短絡部をレーザ照射で蒸発させる修復の際に有機絶縁膜ＰＡＳ２が膨張、飛散して、その一部が液晶中に侵入し、液晶の特性を劣化させる。これを防止するため、突出部ＷＰの画素電極ＰＸとの重畳部の有機絶縁膜ＰＡＳ２の一部に除去部ＨＯＬを設けることで、短絡部をレーザ照射で蒸発させる修復の際の有機絶縁膜ＰＡＳ２の膨張、飛散をこの除去部ＨＯＬの存在により低減する。その結果、液晶中への有機絶縁膜ＰＡＳ２の侵入を回避できる。除去部ＨＯＬの形状、個数は図示したものに限らない。また、透明電極が共通電極ＣＴである場合も同様である。電極の幅より除去部の幅を大きくすることで、効果はより向上する。
【００３７】
図８は本発明による液晶表示装置の第３実施例を説明する一画素付近の構成図であり、図８（ａ）は平面図、図８（ｂ）は同（ａ）のＣ−Ｃ’に沿った断面図を示す。図中、参照符号ＩＭは孤立した金属膜であり、前記実施例と同一参照符号が同一機能部分に対応する。本実施例では、第１の透明電極である画素電極ＰＸの下層に絶縁膜（ＰＡＳ１，ＰＡＳ２）を介して他の電極類と電気的に接続しない孤立した金属膜ＩＭを重畳させて設けた。共通電極である第２の透明電極ＣＴについても同様である。
【００３８】
この孤立した金属膜ＩＭは上層の画素電極ＰＸ（または、共通電極ＣＴ）の幅より幅広に形成する。孤立した金属膜ＩＭは、短絡部分ＸＤＰの修復時に第１の絶縁基板ＳＵＢ１側から照射されるレーザの熱を効率よく画素電極ＰＸ（または、共通電極ＣＴ）に集中させるため、短時間で画素電極ＰＸ（または、共通電極ＣＴ）を切断することができる。したがって、修復時の熱の絶縁膜やその他の部分への影響を低減することができる。
【００３９】
図９は本発明による液晶表示装置の第４実施例を説明する一画素付近の構成図である。本実施例は、共通信号線ＣＬに画素電極ＰＸと重畳して当該画素電極ＰＸに延在方向に突出するする突出部ＣＬＰを画素電極ＰＸの幅より幅広に形成したものである。短絡部ＸＤＰを修復する場合は、「×」で示したレーザ照射位置をレーザ照射で切断する。なお、薄膜トランジスタのソース電極ＳＤ２はスルーホールＴＨ１で画素電極ＰＸに接続されている。この構成では、共通信号線ＣＬを走査信号線ＧＬに寄せて図示しないブラックマトリクスで覆われる部分に形成してあるが、前記実施例のように画素領域内に共通信号線ＣＬを設け、この共通信号線ＣＬに突出部ＣＬＰを形成することもできる。本実施例によっても、短絡欠陥が修復でき、点欠陥のない液晶表示装置を得ることができる。
【００４０】
図１０は本発明による液晶表示装置の第５実施例を説明する一画素付近の構成図である。本実施例は図１で説明した実施例と図８で説明した実施例を組み合わせたもので、図１に示したものと同様の突出部ＰＸＭＰを形成した金属膜ＰＸＭと図８に示したものと同様の孤立した金属膜ＩＭとを設けたものである。他の構成および効果は図１および図８で説明したものと同様である。
【００４１】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、画素電極や共通電極を構成する透明電極の短絡をレーザの照射で修復する場合、当該短絡部分を迅速に切断することができ、本来切断したい領域のみを下層の絶縁膜の蒸発を抑えて修復し、歩留りを向上することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による液晶表示装置の実施例を説明する一画素付近の構成図である。
【図２】本発明の実施例における短絡の修復手順の説明図である。
【図３】本発明の実施例における短絡の修復手順の説明図である。
【図４】本発明の実施例における短絡の修復手順の説明図である。
【図５】本発明による液晶表示装置の他の実施例を説明する一画素付近の構成図である。
【図６】共通電極と共通信号線との接続形態の他の構成例を説明する模式平面図である。
【図７】透明電極と金属膜の突出部の重畳部で短絡修復を行う場合の他の構成例を説明する要部模式図である。
【図８】本発明による液晶表示装置の他の実施例を説明する一画素付近の構成図である。
【図９】本発明による液晶表示装置の他の実施例を説明する一画素付近の構成図である。
【図１０】本発明による液晶表示装置の他の実施例を説明する一画素付近の構成図である。
【図１１】透明電極間の短絡状態を説明する模式図である。
【図１２】透明電極間の短絡部分の修復作業を説明する模式図である。
【符号の説明】
ＳＵＢ１・・・・絶縁基板（第１の絶縁基板）、ＳＵＢ２・・・・絶縁基板（第２の絶縁基板、ＧＬ・・・・走査信号線、ＤＬ・・・・データ信号線、ＰＸ・・・・画素電極、ＣＴ・・・・共通電極、ＣＬ・・・・共通信号線、ＰＡＳ１，ＰＡＳ２・・・・絶縁膜、ＰＸＭ・・・・金属膜、ＰＸＭＷ・・・・幅広部、ＰＸＭＰ・・・・突出部、ＸＤＰＡ・・・・短絡部、ＬＲＰＡ・・・・レーザ照射位置。
【図１】
2004226549.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2004226549.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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