(57)【要約】      （修正有）【課題】導体配線パターンをめっきによりファインピッチで形成しても、その導体配線パターンの一部として形成される接続端子と、外部端子との良好な接続信頼性を確保することのできる、配線回路基板、および、その配線回路基板の製造方法、ならびに、配線回路基板と電子部品との接続構造を提供する。【解決手段】ベース絶縁層１の上に、導体配線パターンを、幅方向の両側端部８に対して中央部７が盛り上がる形状の複数の配線５からなるように、めっきにより形成し、この接続端子５と半導体素子のバンプ電極とを接続する。接続端子５の中央部７が両側端部８よりも先にバンプ電極にめり込むので、バンプ電極の幅方向の広がりを抑制でき、隣接する各バンプ電極間でのショートの発生を有効に防止することができる。【選択図】    図３
2004281483.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導体配線パターンを備える配線回路基板であって、
前記導体配線パターンは、その一部が、外部端子と接続するための接続端子となるように、めっきにより形成されており、
前記接続端子は、その厚みが、前記接続端子の長手方向と直交する幅方向の両側端部に対して、前記幅方向の中央部が厚くなるように形成されていることを特徴とする、配線回路基板。
【請求項２】
前記接続端子において、前記幅方向の両側端部と、前記幅方向の中央部との厚みの差が、２μｍ以上であることを特徴とする、請求項１に記載の配線回路基板。
【請求項３】
前記接続端子が前記幅方向において複数設けられており、各前記接続端子のピッチが、６０μｍ以下であることを特徴とする、請求項１または２に記載の配線回路基板。
【請求項４】
前記接続端子が、前記幅方向の断面形状において、両側端部に対して中央部が盛り上がる形状に、形成されていることを特徴とする、請求項１〜３のいずれかに記載の配線回路基板。
【請求項５】
絶縁層を用意する工程、
前記絶縁層の上に、導体配線パターンと反転するパターンで、めっきレジストを形成する工程、
前記めっきレジストの間に、めっきにより、前記導体配線パターンの長手方向と直交する幅方向の両側端部に対して、前記幅方向の中央部が厚くなるような配線が複数形成される、導体配線パターンを形成する工程、および、
前記めっきレジストを除去する工程を含んでいることを特徴とする、配線回路基板の製造方法。
【請求項６】
電子部品に設けられる外部端子が、請求項１〜４のいずれかに記載の配線回路基板の前記接続端子に、前記接続端子が前記外部端子にめり込んで前記接続端子の幅方向に膨出するように、接続されていることを特徴とする、配線回路基板と電子部品との接続構造。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、配線回路基板およびその製造方法、ならびに、その配線回路基板と電子部品との接続構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、電子部品の小型化、高性能化に伴なって、電子部品が実装される配線回路基板の導体配線パターンも微細化し、高密度化している。
【０００３】
配線回路基板のパターンニング方法として、従来より、サブトラクティブ法、アディティブ法あるいはセミアディティブ法などが知られている。
【０００４】
サブトラクティブ法では、例えば、ベース絶縁層の表面に、まず、導体層を積層し、次いで、エッチングレジストを、導体配線パターンに対応するパターンとして形成し、その後、エッチングレジストをレジストとして、導体層をエッチングすることにより、導体配線パターンを形成する。
【０００５】
しかるに、このサブトラクティブ法においては、図６に示すように、エッチングによって、導体配線パターン２２の各配線２３が、トップに対してボトム面（ベース絶縁層２１との界面）が広くなる略台形状に形成されるので、例えば、６０μｍ以下のファインピッチで形成すると、オーバーエッチングにより、エッチングレジスト２４の剥がれを生じるなど、ファインピッチ化には限界がある。
【０００６】
一方、アディティブ法やセミアディティブ法では、例えば、ベース絶縁層の表面に、めっきレジストを導体配線パターンの反転パターンとして形成し、次いで、めっきレジストの間に、めっきにより導体配線パターンを形成するようにしている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００７】
このようなアディティブ法やセミアディティブ法では、図７に示すように、めっきによって、導体配線パターン２２の各配線２３が断面略矩形状に形成されるので、各配線２３のトップ面を、サブトラクティブ法でパターニングするよりも、広く形成することができ、ファインピッチ化に、より対応することができる。
【０００８】
そして、このようにして、アディティブ法やセミアディティブ法により形成された導体配線パターン２２の一部が、そのまま外部端子と接続するための接続端子となる場合には、図８に示すように、例えば、液晶ガラス基板２５の外部端子２６と、異方導電膜や異方導電ペースト２７を介して、各接続端子２３を接続する場合においては、各外部端子２６と各接続端子２３との間に挟まれる数μｍφレベルの導電粒子２８の数が多くなり、接触機会が増大するため、電気接続信頼性には有利となる。
【０００９】
【特許文献１】
特開平８−４５２１３号公報
【発明が解決しようとする課題】
しかし、図９に示すように、半導体素子２９に設けられる、はんだや金などの軟らかい金属からなるバンプ電極３０を、上記した接続端子２３と接続する場合には、そのバンプ電極３０が接続端子２３のトップ面からめり込んで、幅方向に膨出するので、そうすると、各接続端子２３のトップ面が広いことから、隣接する各バンプ電極３０がショートするという不具合を生じる。
【００１０】
本発明の目的は、導体配線パターンをめっきによりファインピッチで形成しても、その導体配線パターンの一部として形成される接続端子と、外部端子との良好な接続信頼性を確保することのできる、配線回路基板、および、その配線回路基板の製造方法、ならびに、配線回路基板と電子部品との接続構造を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するため、本発明の配線回路基板は、導体配線パターンを備える配線回路基板であって、前記導体配線パターンは、その一部が、外部端子と接続するための接続端子となるように、めっきにより形成されており、前記接続端子は、その厚みが、前記接続端子の長手方向と直交する幅方向の両側端部に対して、前記幅方向の中央部が厚くなるように形成されていることを特徴としている。
【００１２】
また、本発明の配線回路基板は、前記接続端子において、前記幅方向の両側端部と、前記幅方向の中央部との厚みの差が、２μｍ以上であることが好適であり、また、前記接続端子が前記幅方向において複数設けられており、各前記接続端子のピッチが、６０μｍ以下であるものに好適とされる。
【００１３】
また、本発明の配線回路基板では、前記接続端子が、前記幅方向の断面形状において、両側端部に対して中央部が盛り上がる形状に、形成されていることが好適である。
【００１４】
また、本発明は、絶縁層を用意する工程、前記絶縁層の上に、導体配線パターンと反転するパターンで、めっきレジストを形成する工程、前記めっきレジストの間に、めっきにより、前記導体配線パターンの長手方向と直交する幅方向の両側端部に対して、前記幅方向の中央部が厚くなるような配線が複数形成される、導体配線パターンを形成する工程、および、前記めっきレジストを除去する工程を含んでいる、配線回路基板の製造方法を含んでいる。
【００１５】
また、本発明は、電子部品に設けられる外部端子が、上記した配線回路基板の前記接続端子に、前記接続端子が前記外部端子にめり込んで前記接続端子の幅方向に膨出するように、接続されている、配線回路基板と電子部品との接続構造を含んでいる。
【００１６】
【発明の実施の形態】
図１は、本発明の配線回路基板の製造方法の一実施形態を示す工程図である。
【００１７】
まず、この方法では、図１（ａ）に示すように、絶縁層としてベース絶縁層１を用意する。ベース絶縁層１は、特に限定されず、配線回路基板のベース絶縁層として通常使用される材料が用いられる。例えば、ポリエステル系樹脂、ポリエチレン系樹脂、ポリスチレン系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリイミド系樹脂、ウレタン系樹脂、ＡＢＳ樹脂、エポキシ系樹脂、フッ素系樹脂、シリコーン系樹脂などの熱可塑性樹脂あるいは熱硬化性樹脂などが用いられる。また、ベース絶縁層１に強度を付与すべく、上記した熱可塑性樹脂あるいは熱硬化性樹脂に、例えば、充填材、ガラス繊維、不織布などの強化材を配合することにより、複合化してもよい。
【００１８】
また、ベース絶縁層１の厚みは、機械特性や電気絶縁性の観点から、５μｍ以上が好ましく、また、可撓性が必要な場合には、５００μｍ以下が好ましい。
【００１９】
次いで、この方法では、図１（ｂ）に示すように、ベース絶縁層１の上に、導電性薄膜２を形成する。
【００２０】
導電性薄膜２の形成は、特に限定されず、セミアディティブ法で通常使用される方法を用いることができ、例えば、真空蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法などの蒸着法、例えば、無電解めっき法などが用いられる。これらのうち、好ましくは、スパッタリング法が用いられる。また、導電性薄膜２を形成する導電体は、特に限定されないが、例えば、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｎｉ／Ｃｒ合金、Ｃｕ／Ｎｉ合金、Ｔｉおよびそれらの合金などが用いられる。なお、導電性薄膜２の厚みは、例えば、０．０１μｍ以上、０．５μｍ以下である。また、導電性薄膜２は、２層以上の複数層として形成することもできる。
【００２１】
なお、実際の製造においては、予め導電性薄膜２が形成されているベース絶縁層１を、市販品の入手により用意してもよい。
【００２２】
次いで、この方法では、図１（ｃ）に示すように、導電性薄膜２の上に、導体配線パターン４の反転パターンでめっきレジスト３を形成する。
【００２３】
めっきレジスト３の形成は、特に限定されず、セミアディティブ法で通常使用される方法を用いることができ、例えば、写真法や印刷法などが用いられる。これらのうち、好ましくは写真法が用いられ、より具体的には、例えば、耐電解めっき液性を有するドライフィルムレジストなどを用いて、露光および現像がなされるフォト加工法などにより、レジストパターンとして形成することができる。
【００２４】
そして、この方法では、図１（ｄ）に示すように、導電性薄膜２におけるめっきレジスト３が形成されていない部分に、電解めっきにより、導体配線パターン４を形成する。
【００２５】
導体配線パターン４は、特に限定されないが、例えば、図２に示すように、多数の配線５が、長手方向に沿って互いに所定間隔を隔てて並列するパターンであって、その目的や用途によって、任意形状のパターンとして形成することができる。
【００２６】
また、この方法においては、このような導体配線パターン４の各配線５の長手方向の一端部が、後述する電子部品としての半導体素子１３の外部端子としてのバンプ電極１４と接続するための接続端子６とされる。
【００２７】
また、このような導体配線パターン４における各配線５のピッチ（配線５の幅＋各配線５間の隙間）、より具体的には、各接続端子６のピッチ（接続端子６のボトム面９の幅＋各接続端子６のボトム面９間の隙間、図３参照）Ｐが、例えば、６０μｍ以下のファインピッチで形成される。
【００２８】
また、導体配線パターン４を形成する金属は、特に制限されないが、例えば、銅、ニッケル、クロム、鉄、錫、鉛、アルミニウム、および、それらの合金などが用いられる。好ましくは、銅または銅合金が用いられる。
【００２９】
また、導体配線パターン４の厚み（後述するボトム面９から中央部７に至る厚みＴａ、図３参照）は、例えば、３μｍ以上５０μｍ以下、好ましくは、５μｍ以上２０μｍ以下である。導体配線パターン４の厚みが、３μｍ未満では、後述するように、バンプ電極１４が接続端子６の幅方向の中央部７と最初に接触しても、加圧すると、バンプ電極１４がその接続端子６の両側のベース絶縁層１にも接触してしまい、バンプ電極１４の幅方向への広がりを抑制できない場合がある。また、５０μｍを超えると、めっきレジスト３の解像度の制約から、例えば、６０μｍ以下のファインピッチに形成することができない場合がある。
【００３０】
次いで、この方法では、図１（ｅ）に示すように、めっきレジスト３を除去する。めっきレジスト３の除去は、特に限定されず、セミアディティブ法で通常使用される方法を用いることができ、例えば、アルカリ剥離液などの剥離液を用いる剥離法や、化学エッチング（ウェットエッチング）などのエッチング法が用いられる。
【００３１】
その後、この方法では、図１（ｆ）に示すように、めっきレジスト３が形成されていた部分に対応する導電性薄膜２を除去し、これによって、配線回路基板１０を得る。導電性薄膜２の除去は、特に限定されず、セミアディティブ法で通常使用される方法を用いることができ、例えば、酸エッチング液などのエッチング液を用いる化学エッチング（ウェットエッチング）など、公知のエッチング法が用いられる。
【００３２】
そして、この方法では、図３に示すように、導体配線パターン４の各配線５（各接続端子６を含む。）の厚みが、導体配線パターン４の幅方向（長手方向と直交する方向）の両側端部８に対して、幅方向の中央部７が厚くなるように形成される。
【００３３】
より具体的には、各配線５（各接続端子６を含む。）は、幅方向の断面形状において、中央部７が盛り上がる丸みのある円弧状または紡錘状として、各配線５（各接続端子６を含む。）が均一な厚みとして形成され、その幅方向の両側端部８の厚みＴｂと、その幅方向の中央部７の厚みＴａとの差ΔＴが、２μｍ以上、好ましくは、４μｍ以上、通常、５０μｍ以下となるように形成される。厚みの差ΔＴが、２μｍ未満であると、後述するように、バンプ電極１４の幅方向への広がりを抑制できない場合がある。
【００３４】
なお、幅方向の両側端部８は、図３に示すように、各配線５（各接続端子６を含む。）の幅方向における最も外側の側縁であり、また、幅方向の中央部７は、それら両側端部８の間の中央と厚み方向において対向する上縁である。
【００３５】
これによって、各配線５（各接続端子６を含む。）は、ベース絶縁層１と接触するボトム面９から幅方向中央の中央部７（上縁）に至るまで、その幅が次第にあるいは厚み方向途中から次第に幅狭となる丸みのある形状として形成される。
【００３６】
なお、中央部７を、平たくなるように形成してもよいが、その場合には、少なくとも中央部７の幅が、ボトム面９の幅よりも小さくなるように形成する。
【００３７】
このように、各配線５（各接続端子６を含む。）を、両側端部８の厚みＴｂに対して中央部７の厚みＴａを厚く形成するには、電解めっきにおいて、めっき液の添加剤、すなわち、促進剤や平滑剤の成分比の選択や、めっき液の攪拌流動性（例えば、めっきする表面に対して、流液が垂直にあたるようにめっき液を供給する。）、電流条件、ダミー電極の形成などによって、めっき析出近傍の電界を制御する方法などを、単独または組み合わせて採用することにより、実現することができる。
【００３８】
すなわち、各配線５（各接続端子６を含む。）のピッチを小さくする（つまり、めっきレジスト３の間隔を狭くする）と、露出している導電性薄膜２への析出金属イオンの供給や、促進剤や平滑剤などの添加剤の供給が少なくなる。
【００３９】
とりわけ、めっきレジスト３の壁面と導電性薄膜２とで形成される配線５（接続端子６を含む。）の隅部には、上記成分の供給が少なくなる。そのため、促進剤と平滑剤との成分比によって、めっき促進と抑制効果のバランスをとって、両側端部８よりも中央部７にめっき成長を促したり、あるいは、両側端部８のめっき成長を阻害することで、配線５（接続端子６を含む。）に厚み差を設けることができる。
【００４０】
例えば、電解銅めっき液の調製においては、硫酸銅などの可溶性銅塩と、硫酸イオンや塩素イオンを主成分として、促進剤として、例えば、チオ尿素やその誘導体などからなる含イオウ化合物などを適宜の割合で配合し、また、平滑剤として、例えば、アゾ染料、アミド系化合物、チオアミド系化合物、アニリンまたはピリジン環を有する化合物などの含窒素化合物などを、適宜の割合で配合する。
【００４１】
さらに、ポリエチレングリコール、ポリビニルアルコール、カルボキシメチルセルロースなどの高分子界面活性剤などを、適宜の割合で配合すれば、めっきの析出を制御することができる。
【００４２】
その後、効率よくめっき液の金属イオンを供給することによって、上記した形状の各配線５（各接続端子６を含む。）を均一に形成することができる。
【００４３】
なお、このようにして得られる配線回路基板１０は、必要に応じて、ソルダーレジストやカバー絶縁層を、公知の方法により積層して、導体配線パターン４を保護したり、あるいは、補強板を積層してもよい。
【００４４】
そして、このようにして得られた配線回路基板１０は、その用途が限定されることなく用いられるが、例えば、図２に示すようなテープキャリアなどとして、好適に用いられる。
【００４５】
すなわち、図２においては、略矩形状に開口された開口部１１を有するカバー絶縁層１２が、導体配線パターン４を含むベース絶縁層１の上に形成されており、その開口部１１から、導体配線パターン４の一部として形成されている接続端子６が露出している。そして、この開口部１２には、図４に示すように、半導体素子１３が実装され、その半導体素子１３のバンプ電極１４が、接続端子６に接続される。
【００４６】
なお、カバー絶縁層１２は、例えば、上記したベース絶縁層１と同様の材料が用いられ、樹脂溶液の塗布後に、乾燥あるいは硬化させることにより、形成することができる。また、開口部１１は、例えば、ドリル穿孔、打ち抜き、エッチング、感光性樹脂の露光および現像によるパターンニングなどにより、形成することができる。
【００４７】
次に、本発明の配線回路基板と電子部品との接続構造を、図４を参照して、半導体素子１３のバンプ電極１４が、配線回路基板１０の接続端子６に接続されている態様を例にとって説明する。
【００４８】
図４において、この半導体素子１３のバンプ電極１４は、例えば、はんだや金などの軟らかい金属からなり、半導体素子１３において、各接続端子６に対応して複数設けられている。
【００４９】
そして、半導体素子１３を開口部１１に配置して、各バンプ電極１４を各接続端子６に、その上方から対向状に圧着させる。そうすると、各接続端子６の中央部７が各バンプ電極１４にめり込んで、各バンプ電極１４が幅方向に膨出するように接続される。なお、このめり込みは、例えば、バンプ電極１４の陥没の深さＤとして、１μｍ以上、さらには、２〜１０μｍであることが好ましい。１μｍ未満では、電気的な接続が不十分となる場合があり、また、１０μｍを超えると、バンプ電極１４の幅方向の広がりが大きくなり過ぎて、隣接する各バンプ電極１４間でショートが発生する場合がある。
【００５０】
このような接続構造では、各接続端子６において、両側端部８に対して中央部７が厚く形成されており、接続時には、その中央部７がバンプ電極１４に両側端部８よりも先にめり込むように接続されるので、バンプ電極１４の幅方向の広がりを抑制して、バンプ電極１４の幅方向への膨出の度合いを低減することができる。そのため、導体配線パターン４を、例えば、６０μｍ以下のファインピッチで形成しても、隣接する各バンプ電極１４間でのショートの発生を有効に防止することができ、バンプ電極１４と接続端子６との間の接続信頼性の向上を図ることができる。
【００５１】
なお、上記の説明では、配線回路基板１０を、セミアディティブ法により形成したが、本発明の配線回路基板の製造方法は、特に限定されず、例えば、アディティブ法により形成してもよい。
【００５２】
アディティブ法では、まず、上記と同様に、ベース絶縁層１を用意して、そのベース絶縁層１の上に、導電性薄膜２を形成することなく導体配線パターン４の反転パターンでめっきレジスト３を形成し、その後、ベース絶縁層１におけるめっきレジスト３が形成されていない部分に、無電解めっきにより、導体配線パターン４を、上記と同様に、両側端部８に対して中央部７が厚くなる各配線５が並列状に複数形成されるように形成する。
【００５３】
また、本発明の配線回路基板は、上記のように作製された配線回路基板に、別途作製した配線回路基板を積層することによって、多層配線回路基板として形成することもできる。
【００５４】
【実施例】
以下、実施例および比較例を挙げて、本発明をさらに具体的に説明する。
【００５５】
実施例１
厚さ２５μｍのポリイミドフィルム（宇部興産製ユーピレックス）からなるベース絶縁層１を用意し（１（ａ）参照）、このベース絶縁層１に、厚さ５００ÅのＮｉ／Ｃｕからなる導電性薄膜２を、スパッタリングにより形成した（図１（ｂ）参照）。次いで、この導電性薄膜２の上に、感光性ドライフィルムレジスト（旭化成製、ＳＦＧ１５２、厚さ１５μｍ）からなるめっきレジスト３を、ラミネーションにより貼着し、露光および現像によって、導体配線パターン４の反転パターン（ライン幅１５μｍ／各ライン間の隙間２０μｍ）を形成した（図１（ｃ）参照）。
【００５６】
その後、導電性薄膜２におけるめっきレジスト３が形成されていない部分に、電解銅めっきして、導体配線パターン４（配線５の幅２０μｍ／各配線５間の隙間１５μｍ）を形成した（図１（ｄ）参照）。
【００５７】
電解銅めっきは、２００ｇ／ＬのＣｕＳＯ４・５Ｈ２Ｏ、６０ｇ／Ｌの濃硫酸、１７ｍＬ／Ｌの塩酸を含むベース溶液に、１００ｍｇ／Ｌのポリエチレングリコール、１０ｍｇ／Ｌのビス−３−スルホプロピルジサルファイド２ナトリウム（ＳＰＳ）を配合して得ためっき液を、めっきレジスト３の反転パターンの間の導電性薄膜２の表面に、垂直に流液があたるようにして、２．０Ａ／ｄｍ２で、１８分間実施し、厚み８μｍに形成した。
【００５８】
その後、めっきレジスト３を、アルカリ溶液により除去し（図１（ｅ）参照）、次いで、導電性薄膜２を、塩酸酸性の薬液により除去することにより、配線回路基板１０を得た（図１（ｆ）参照）。
【００５９】
得られた配線回路基板１０の導体配線パターン４の各配線５は、幅方向の断面形状において中央部７が両側端部８に対して盛り上がる丸みのある円弧状をなし、その両側端部８と中央部７との厚みの差ΔＴが４μｍであった。
【００６０】
そして、この配線回路基板１０の各配線５の一端部を接続端子６として、この接続端子６に半導体素子１３の厚さ１５μｍの金からなるバンプ電極１４を、接続端子６がバンプ電極１４にめり込んでバンプ電極１４が３μｍ陥没するように接続した。その後、各接続端子６と各バンプ電極１４との接続を確認したが、隣接する各バンプ電極１４間でのショートは発生しなかった。
【００６１】
実施例２
厚さ１８μｍの銅箔からなる金属層１５と、厚さ１２μｍのポリイミドフィルムからなるベース絶縁層１とが積層されている二層基材１６（新日鐵化学製エスパネックス）を用意して（図５（ａ）参照）、この二層基材１６のベース絶縁層１に、その表面から厚み方向を貫通して金属層１５が露出されるように、ＹＡＧレーザにより１００μｍφのブラインド孔１７を形成した（図５（ｂ）参照）。
【００６２】
次いで、ベース絶縁層１に、厚さ４００ÅのＣｒと、厚み２０００ÅのＣｕとを順次スパッタリングすることにより、導電性薄膜２を形成した（図５（ｃ）参照）。
【００６３】
その後、この二層基材１６の両面に、感光性ドライフィルムレジスト（旭化成製、ＳＦＧ２５２、厚さ２５μｍ）からなるめっきレジスト３を、ラミネーションにより貼着し、導電性薄膜２が形成される側のみに、露光および現像によって、導体配線パターン４の反転パターン（ライン幅２５μｍ／各ライン間の隙間２５μｍ）を形成した（図５（ｄ）参照）。
【００６４】
その後、導電性薄膜２におけるめっきレジスト３が形成されていない部分に、電解銅めっきして、ダミー電極１８を含む導体配線パターン４（配線５の幅２５μｍ／各配線５間の隙間２５μｍ）を形成した（図５（ｅ）参照）。
【００６５】
電解銅めっきは、２００ｇ／ＬのＣｕＳＯ４・５Ｈ２Ｏ、６０ｇ／Ｌの濃硫酸、１７ｍＬ／Ｌの塩酸を含むベース溶液に、１００ｍｇ／Ｌのポリエチレングリコール、５ｍｇ／Ｌのビス−３−スルホプロピルジサルファイド２ナトリウム（ＳＰＳ）、０．６ｍｇ／Ｌの２，２’−ビピリジルを配合して得ためっき液を、めっきレジスト３の反転パターンの間の導電性薄膜２の表面に、垂直に流液があたるようにして、２．５Ａ／ｄｍ２で、２５分間実施し、厚み１２μｍに形成した。
【００６６】
その後、めっきレジスト３を、アルカリ溶液により除去し（図５（ｆ）参照）、次いで、導電性薄膜２を、過硫酸ナトリウム溶液でＣｕ層、フェリシアン化カリウム溶液でＣｒ層を順次エッチングして、除去した（図５（ｇ）参照）。
【００６７】
これによって形成された導体配線パターン４の各配線５は、幅方向の断面形状において中央部７が両側端部８に対して盛り上がる丸みのある円弧状をなし、その両側端部８と中央部７との厚みの差ΔＴが５μｍであった。
【００６８】
次に、この両面に、感光性ドライフィルムレジストを、ラミネーションにより貼着し、露光および現像した後、塩化第二鉄溶液でエッチングし、金属層１５のみを導体配線パターンに形成した後、ドライフィルムレジストを除去することによって、両面配線基板を形成した（図５（ｈ）参照）。
【００６９】
その後、電解銅めっきにより形成した導体配線パターン４の表面に、厚さ０．７μｍの無電解Ｓｎめっきを施した。
【００７０】
そして、この配線回路基板１０の各配線５の一端部を接続端子６として、この接続端子６に、半導体素子１３の厚み２０μｍの金からなるバンプ電極１４を、接続端子６がバンプ電極１４にめり込んでバンプ電極１４が３μｍ陥没するように接続した。その後、各接続端子６と各バンプ電極１４との接続を確認したが、隣接する各バンプ電極１４間でのショートは発生しなかった。
【００７１】
比較例１
電解銅めっきを、２００ｇ／ＬのＣｕＳＯ４・５Ｈ２Ｏ、６０ｇ／Ｌの濃硫酸、１７ｍＬ／Ｌの塩酸を含むベース溶液に、１００ｍｇ／Ｌのポリエチレングリコール、５ｍｇ／Ｌのビス−３−スルホプロピルジサルファイド２ナトリウム（ＳＰＳ）、８ｍｇ／ＬのヤーヌスグリーンＢ（ＪＧＢ）を配合して得ためっき液を、めっきレジスト３の反転パターンの間の導電性薄膜２の表面に、平行に流液があたるようにして、２．０Ａ／ｄｍ２で、１８分間実施し、厚み８μｍに形成した以外は、実施例１と同様の操作により、配線回路基板を得た。
【００７２】
得られた配線回路基板の導体配線パターンの各配線は、幅方向の断面形状において中央部と両側端部との厚みが同じであった。
【００７３】
そして、この配線回路基板の各配線の一端部を接続端子として、この接続端子に半導体素子の厚さ１５μｍの金からなるバンプ電極を、接続端子がバンプ電極にめり込んでバンプ電極が３μｍ陥没するように接続した。その後、各接続端子と各バンプ電極との接続を確認したが、隣接する各バンプ電極間でショートが発生した。
【００７４】
【発明の効果】
以上述べたように、本発明の配線回路基板の製造方法によれば、接続端子において、両側端部に対して中央部が厚く形成されるので、本発明の配線回路基板は、接続時には、その接続端子の中央部が外部端子にめり込むように接続されるので、その結果、本発明の配線回路基板と電子部品との接続構造では、外部端子の幅方向の広がりを抑制して、外部端子の幅方向への膨出の度合いを低減することができる。そのため、導体配線パターンを、ファインピッチで形成しても、隣接する各外部端子間でのショートの発生を有効に防止することができ、各外部端子と接続端子との間の接続信頼性の向上を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の配線回路基板の製造方法の一実施形態を示す工程図であって、
（ａ）は、ベース絶縁層を用意する工程、
（ｂ）は、ベース絶縁層の上に、導電性薄膜を形成する工程、
（ｃ）は、導電性薄膜の上に、導体配線パターンの反転パターンでめっきレジストを形成する工程、
（ｄ）は、導電性薄膜におけるめっきレジストが形成されていない部分に、電解めっきにより、導体配線パターンを形成する工程、
（ｅ）は、めっきレジストを除去する工程、
（ｆ）は、めっきレジストが形成されていた部分に対応する導電性薄膜を除去する工程を示す。
【図２】本発明の配線回路基板の一実施形態を示す要部平面図である。
【図３】本発明の配線回路基板の一実施形態を示す要部側断面図である。
【図４】本発明の配線回路基板と電子部品との接続構造の一実施形態を示す要部側断面図である。
【図５】本発明の配線回路基板の製造方法の他の実施形態を示す工程図であって、
（ａ）は、二層基材を用意する工程、
（ｂ）は、二層基材にブラインド孔を形成する工程、
（ｃ）は、二層基材のベース絶縁層に導電性薄膜を形成する工程、
（ｄ）は、導電性薄膜の上に、導体配線パターンの反転パターンでめっきレジストを形成する工程、
（ｅ）は、導電性薄膜におけるめっきレジストが形成されていない部分に、電解めっきにより、導体配線パターンを形成する工程、
（ｆ）は、めっきレジストを除去する工程、
（ｇ）は、めっきレジストが形成されていた部分に対応する導電性薄膜を除去する工程、
（ｈ）は、金属層を導体配線パターンに形成する工程を示す。
【図６】サブトラクティブ法によってファインピッチの導体配線パターンを形成した配線回路基板のオーバーエッチング状態を示す概略断面図である。
【図７】従来のアディティブ法によってファインピッチの導体配線パターンを形成した配線回路基板を示す概略断面図である。
【図８】図７の配線回路基板の各接続端子を、各外部端子と異方導電膜や異方導電ペーストを介して接続している状態を示す概略断面図である。
【図９】図７の配線回路基板の各接続端子を、各外部端子とバンプ電極を介して接続している状態を示す概略断面図である。
【符号の説明】
１    ベース絶縁層
２    導電性薄膜
３    めっきレジスト
４    導体配線パターン
５    配線
６    接続端子
７    中央部
８    両側端部
１０  配線回路基板
１３  半導体素子
１４  バンプ電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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