(57)【要約】　　　（修正有）【課題】効果的に漏電とクロストークを減少させ、デバイスの特質と回路設計を改善させる薄膜トランジスタと発光ダイオードに用いる有機集積デバイスを提供する。【解決手段】本発明の有機集積デバイスは、トップゲート有機薄膜トランジスタ（トップゲートＯＴＦＴ）と有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）を同じ基板上に形成する。その有機集積デバイスの幾つかの層はＯＴＦＴとＯＬＥＤの両方によって共用でき、幾つかの層は同じ材料からなり、また同じ工程で形成されるため、全ての製造工程を簡素化する。【選択図】　　　図１ｅ
2004087458.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上のトップゲート有機薄膜トランジスタ（ＯＴＦＴ）と、
前記基板上の有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）と、
からなる薄膜トランジスタと発光ダイオードに用いる有機集積デバイス。
【請求項２】
前記トップゲートＯＴＦＴは、前記ＯＬＥＤを駆動し、ゲート、誘電体、ソース、ドレイン、及び前記ソースとドレイン間の有機活性層を含み、
前記ＯＬＥＤは、アノード、カソード、及び前記アノードとカソード間の発光層を含み、
前記ＯＴＦＴのソース或いはドレインは、前記ＯＬＥＤのアノード或いはカソードと同じ層からなる請求項１記載の有機集積デバイス。
【請求項３】
（ａ）ＯＴＦＴ領域とＯＬＥＤ領域を含む基板を提供するステップと、
（ｂ）前記基板上に第一導電層を形成するステップと、
（ｃ）前記第一導電層がトップゲートＯＴＦＴのソースとドレイン及びＯＬＥＤのアノードとなるように、ＯＴＦＴ領域内の前記第一導電層に第一開口部を形成して前記基板を露出させるステップと、
（ｄ）有機半導体層を形成して前記第一開口部を充填させ、トップゲートＯＴＦＴの有機活性層とするステップと、
（ｅ）ＯＴＦＴ領域に誘電層とゲートを形成するステップと、
（ｆ）ＯＬＥＤ領域にホール輸送層、発光層、電子輸送層、及びカソードを形成するステップと、
を含む薄膜トランジスタと発光ダイオードに用いる有機集積デバイスの製造工程。
【請求項４】
（ａ）ＯＴＦＴ領域とＯＬＥＤ領域を含む基板を提供するステップと、
（ｂ）前記基板上に第一導電層を形成するステップと、
（ｃ）前記第一導電層がトップゲートＯＴＦＴのソースとドレイン及びＯＬＥＤのアノードとなるように、ＯＴＦＴ領域内の前記第一導電層に第一開口部を形成して前記基板を露出させるステップと、
（ｄ）前記第一導電層上に有機半導体層を形成して前記第一開口部を充填させ、トップゲートＯＴＦＴの有機活性層とＯＬＥＤ領域内のホール輸送層とするステップと、
（ｅ）ＯＴＦＴ領域に誘電層とゲートを形成するステップと、
（ｆ）ＯＬＥＤ領域に発光層、電子輸送層、及びカソードを形成するステップと、
を含む薄膜トランジスタと発光ダイオードに用いる有機集積デバイスの製造工程。
【請求項５】
（ａ）　ＯＴＦＴ領域とＯＬＥＤ領域を含む基板を提供するステップと、
（ｂ）前記基板上に第一導電層を形成するステップと、
（ｃ）前記第一導電層がトップゲートＯＴＦＴのソースとドレイン及びＯＬＥＤのアノードとなるように、ＯＴＦＴ領域内の前記第一導電層に第一開口部を形成して前記基板を露出させるステップと、
（ｄ）ＯＴＦＴとＯＬＥＤの両方の前記第一導電層上にホール輸送層を形成して、前記第一開口部を充填させるステップと、
（ｅ）ホール輸送層上に有機半導体層を形成するステップと、
（ｆ）ＯＴＦＴ領域に誘電層とゲートを形成するステップと、
（ｇ）ＯＬＥＤ領域に発光層、電子輸送層、及びカソードを形成するステップと、
を含む薄膜トランジスタと発光ダイオードに用いる有機集積デバイスの製造工程。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、薄膜トランジスタと発光ダイオードの有機集積デバイスに関するもので、特にトップゲート薄膜トランジスタと発光ダイオードを含む有機集積デバイスに関する。
【０００２】
【従来の技術】
有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）は、活性層として有機層を使った発光ダイオード（ＬＥＤ）である。近年、ＯＬＥＤはだんだんとフラットパネルディスプレイにおいて見られるようになり、またそれは例えば低電圧操作、高輝度、軽量薄型、広い視野角及び高コントラスト値等の優れた点を持つ。
【０００３】
有機薄膜トランジスタ（ＯＴＦＴ）は、活性層として有機層を使った薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）で、ＯＬＥＤを駆動するために使われている。近年、製造の簡素化と製造コストを下げる為に、研究者はＯＬＥＤとＯＴＦＴを同じ基板上にモノリシックに製造する集積技術を発明している。
【０００４】
例えば、ケンブリッジ大学のＳｉｒｒｉｎｇｈａｕｓ等はＯＬＥＤの集積デバイスとボトムゲートＯＴＦＴを発表し、それは、ＯＬＥＤの発光層としてＭＥＨ−ＰＰＶ［ｐｏｌｙ［２−ｍｅｔｈｏｘｙ−５−（２’−ｅｔｈｙｌ−ｈｅｘｓｙｌｏｘｙ）−ｐ−ｐｈｅｎｙｌｅｎｅ−ｖｉｎｙｌｅｎｅ］］を使う。ＯＬＥＤは不透明な金属電極を通して放射するので、発光効率は良くない。また、製造工程も複雑である（非特許文献１参照）。
【０００５】
Ｃｈｏｉ等は、他のＯＬＥＤの集積デバイスとボトムゲートＯＴＦＴを開示した（特許文献１参照）。ＯＴＦＴの中で、有機半導体層は、有機電荷移動錯体或いはチオフェンポリマーで、誘電層もまた有機材料である。しかしながら、そのような有機材料をパターン化するのはとても難しく、またＯＴＦＴの組立も困難である。
【０００６】
Ｎａｇａｍｉ等は、ＯＬＥＤの集積デバイスと、このＯＬＥＤ上に形成されてＯＬＥＤを駆動するｎｐｎ型のトランジスタを開示した（特許文献２参照）。しかしながら、有機材料を何層も積層することは、製造工程を複雑にする。
【０００７】
Ｂａｏ等は、また他のＯＬＥＤの集積デバイスとボトムゲートＯＴＦＴを開示した（特許文献３参照）。これによれば、有機半導体材料はＯＴＦＴの半導体層とＯＬＥＤ　のホール輸送層の両方に使われる。しかしながら、有機半導体材料が堆積された後は、デバイスの信頼性を高める為、更に保護層を加える必要がある。加えて、有機半導体層はパターン化されていないものなので、画素と画素の間で漏電やクロストークが生じる可能性があり、回路設計の要求に満たすことは難しい。
【０００８】
【特許文献１】
米国特許第５，９７０，３１８号
【特許文献２】
米国特許第６，０３７，７１８号
【特許文献３】
米国特許第６，１５０，６６８号
【非特許文献１】
Ｓｃｉｅｎｃｅ，　Ｖｏｌ．２８０，　ｐ．１７４１
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
上記の問題を解決するために、本発明は薄膜トランジスタと発光ダイオードに用いる有機集積デバイスとその有機集積デバイスの製造方法を提供することを目的とする。また本発明は、薄膜トランジスタと発光ダイオードに用いる有機集積デバイスを含む有機集積デバイスディスプレイを提供することも目的とする。本発明は最初にトップゲートＯＴＦＴとＯＬＥＤを統合する。幾つかの層はトップゲートＯＴＦＴとＯＬＥＤの両方に共用でき、また幾つかの層は、同じ材料からなり、同じ製造工程で形成され、その工程を簡素化できる。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成する為に、本発明薄膜トランジスタと発光ダイオードに用いる有機集積デバイスにおける第一の特徴は、基板と、その基板上にトップゲート有機薄膜トランジスタ（ＯＴＦＴ）及び有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）を含むことである。そして、トップゲートＯＴＦＴは、ＯＬＥＤを駆動するために使用される。
【００１１】
上述による本発明集積デバイスの第二の特徴は、トップゲートＯＴＦＴはゲート、誘電体、ソース、ドレイン、及びソースとドレイン間には有機活性層を含み、ＯＬＥＤは、アノード、カソード、及びアノードとカソード間に発光層を含み、またＯＴＦＴのソース或いはドレインは、ＯＬＥＤのアノード或いはカソードと同じ層であることである。
【００１２】
本発明における第三の特徴は、薄膜トランジスタと発光ダイオードに用いる有機集積デバイスの製造工程で、それは更に以下から成る。最初に基板はＯＴＦＴ領域とＯＬＥＤ領域を備えている。次ぎに、第一導電層は基板上に形成される。第一開口部は、ＯＴＦＴ領域内の第一導電層内に形成され、基板を露出し、その第一導電層はトップゲートＯＴＦＴのソースとドレイン及びＯＬＥＤのアノードとなる。次ぎに、有機半導体層は第一開口部に充填し形成され、トップゲートＯＴＦＴの有機活性層となる。次ぎに、誘電層とゲートはＯＴＦＴ領域内に形成される。最後に、ホール輸送層、発光層、電子輸送層及びカソードはＯＬＥＤ領域内に形成される。
【００１３】
本発明における第四の特徴は、薄膜トランジスタと発光ダイオードに用いる有機集積デバイスの製造工程で、それは更に以下から成る。最初に基板はＯＴＦＴ領域とＯＬＥＤ領域を備えている。次ぎに、第一導電層は基板上に形成される。第一開口部は、ＯＴＦＴ内の第一導電層内に形成され、基板を露出し、その第一導電層はトップゲートＯＴＦＴのソースとドレイン及びＯＬＥＤのアノードとなる。次ぎに、有機半導体層は第一導電層上に形成され、第一開口部に充填し、トップゲートＯＴＦＴの有機活性層とＯＬＥＤのホール輸送層となる。次ぎに、誘電層とゲートはＯＴＦＴ領域内に形成される。最後に、発光層、電子輸送層、及びカソードはＯＬＥＤ領域内に形成される。
【００１４】
本発明における第五の特徴は、薄膜トランジスタと発光ダイオードに用いる有機集積デバイスの製造工程で、それは更に以下から成る。最初に基板はＯＴＦＴ領域とＯＬＥＤ領域を備えている。次ぎに、第一導電層は基板上に形成される。第一開口部は、ＯＴＦＴ内の第一導電層内に形成され、基板を露出し、その第一導電層はトップゲートＯＴＦＴのソースとドレイン及びＯＬＥＤのアノードとなる。次ぎに、ホール輸送層は、ＯＴＦＴとＯＬＥＤ領域内の両方の第一導電層上に形成され、第一開口部に充填する。次ぎに、有機半導体層はホール輸送層上に形成される。次ぎに、誘電層とゲートはＯＴＦＴ領域内に形成される。最後に、発光層、電子輸送層、及びカソードはＯＬＥＤ領域内に形成される。
【発明実施の形態】
本発明の目的、特徴並びに長所が一層理解されるよう、以下に実施例を例示し、図面を参照しながら詳細に説明する。
【００１５】
（実施例）
図１ａから１ｅは、本発明の第一実施例による、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）と発光ダイオード（ＬＥＤ）の有機集積デバイスを形成する製造工程の断面図である。
【００１６】
図１ａにおいて先ず、ＯＴＦＴ領域とＯＬＥＤ領域を備える基板１０を準備する。基板として好ましいのは、シリコンウェハー、ガラス、水晶、プラスチック基板或いは可とう性基板等である。第一導電層１２は、基板１０上に形成される。次ぎに第一導電層内のＯＴＦＴ領域内に第一開口部１４を形成して、基板１０を露出させる。こうすることによって、第一導電層１２は、これから形成されるトップゲートＯＴＦＴのソースとドレイン及びこれから形成されるＯＬＥＤのアノードとなる。第一導電層１２は、金属、導電性ポリマー、或いはその他如何なる導電材料を用いてもよい。ＯＬＥＤのアノードに適した材料には、電子ホールを有機半導体に注入するもの、例えばインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）或いは酸化亜鉛が好ましい。
【００１７】
続いて、図１ｂによると、有機半導体層２０は第一開口部１４に充填され、トップゲートＯＴＦＴの有機活性層（ＯＡＬ）となる。有機半導体層２０は小分子材料、高分子材、或いは有機金属錯体を用いることができる。
【００１８】
続いて、図１ｃによると、誘電層３０は基板１０上に形成され、第二開口部３５はＯＬＥＤ領域内の誘電層３０に形成される。誘導層３０は無機材料、有機材料、或いは強誘電材料のようなその他高誘電定数の材料（Ｋ＞３）とすることができる。
【００１９】
続いて、図１ｄによると、ホール輸送層（ＨＴＬ）４１、発光層（ＥＬ）４３、及び電子輸送層（ＥＴＬ）４５が順序形成され、第二開口部３５に充填される。ホール輸送層（ＨＴＬ）４１と電子輸送層（ＥＴＬ）４５は、有機或いは無機材料になる。発光層４３は、小分子材料、高分子材或いは有機金属錯体のような有機半導体材料になる。
【００２０】
最後に、図１ｅによると、第二導電層は、誘電層３０と電子輸送層４５上に形成される。第二導電層はそれからパターン化され、ＯＴＦＴ領域内にゲート５０とＯＬＥＤ領域内にカソード５２をそれぞれ形成する。ゲート５０とカソード５２は、同じ材料とすることができる。ＯＬＥＤのカソードとしての要求を満たすために、材料は、電子を有機半導体に注入できるものが好ましく、例えばＣａ、Ｍｇ、Ａｌ或いはこれらの合金のような低仕事関数材料である。
【００２１】
図１ｅの集積デバイスに基づく変化は、本発明の範囲内である。図２ａから図２ｃは図１ｅの構造に基づき変化させた集積デバイスの断面図である。
【００２２】
図２ａが図１ｅと異なるのは、ホール輸送層（ＨＴＬ）が誘電層の前に形成されるという点である。図２ａの集積デバイスの製造工程は、大体図１ｅと同じで、それゆえ、製造工程の詳しい断面図は省略される。この工程を下に簡単に説明する。図１ｂの構造が形成された後、ホール輸送層６０は基板１０上に形成され、それから誘電層３０がホール輸送層６０上に形成される。次ぎに、第二開口部３６がＯＬＥＤ領域内の誘電層３０に形成され、次ぎに、発光層４３と電子輸送層４５が順次形成され、第二開口部３６に充填される。最後に、第二導電層は誘電層３０と電子輸送層４５上に形成され、それからパターン化されＯＴＦＴ領域内にゲート５０とＯＬＥＤ領域内にカソード５２がそれぞれ形成される。
【００２３】
図２ｂが図１ｅと異なるのは、ホール輸送層（ＨＴＬ）と発光層（ＥＬ）は最初に誘電層の前に形成されるという点である。図２ｂの集積デバイスの製造工程は、大体図１ｅと同じで、それゆえ、製造工程の詳しい断面図は省略される。この工程を下に簡単に説明する。図１ｂの構造が形成された後、ホール輸送層６０と発光層６２は順次基板１０上に形成され、それから誘電層３０が発光層６２上に形成される。次ぎに、第二開口部３７がＯＬＥＤ領域内の誘電層３０に形成される。次ぎに、電子輸送層４５が形成されて誘電層３０内の第二開口部３７に充填される。最後に、第二導電層は誘電層３０と電子輸送層４５上に形成され、それからパターン化されＯＴＦＴ領域内にゲート５０とＯＬＥＤ領域内にカソード５２をそれぞれ形成する。
【００２４】
図２ｃが図１ｅと異なるのは、ＯＬＥＤデバイスが完成した後、誘電層が形成されるという点である。図２ｃの集積デバイスの製造工程は、大体図１ｅと同じで、それゆえ、製造工程の詳しい断面図は省略される。この工程を下に簡単に説明する。図１ｂの構造が形成された後、ホール輸送層６０と発光層６２は順次基板１０上に形成される。次ぎに、電子輸送層４５とカソード５２が続いてＯＬＥＤ領域内の発光層６２上に形成され、ＯＬＥＤデバイスが完成する。次ぎに、誘電層７０は発光層６２とカソード５２を覆うように形成され、最後に、ゲート５０はＯＴＦＴ領域内の誘電層７０上に形成される。
【００２５】
図３ａから図３ｃは、本発明の第二の好ましい実施例によるＯＴＦＴとＯＬＥＤの集積デバイスの断面図である。第二実施例（図３ａから図３ｃ）が第一実施例（図１ｅと図２ａから図２ｃ）と違うのは、主にＯＴＦＴの有機活性層（ＯＡＬ）とＯＬＥＤのホール輸送層（ＨＴＬ）が、同じ材料から製造された同じ層であるという点である。
【００２６】
図３ａから図３ｃの集積デバイスの製造工程は、大体図１ｅと同じで、それゆえ、製造工程の詳しい断面図は省略される。最初に図３ａを見ると、その工程は簡単には下記の通りである。基板１０はＯＴＦＴ領域とＯＬＥＤ領域を備える。第一導電層１２は基板１０上に形成され、第一開口部１４はＯＴＦＴ領域内の第一導電層１２に形成され、基板１０が露出される。これによって第一導電層１２はこれから形成されるトップゲートＯＴＦＴのソースとドレイン及びこれから形成されるＯＬＥＤのアノードとなる。次ぎに、有機半導体層６４は、第一開口部１４に充填するように第一導電層１２上に形成され、トップゲートＯＴＦＴの有機活性層（ＯＡＬ）とＯＬＥＤのホール輸送層（ＨＴＬ）となる。次ぎに、誘電層３２は、有機半導体層６４上に形成され、第二開口部３８はＯＬＥＤ領域内の誘電層３２に形成される。次ぎに、発光層４３と電子輸送層４５は、順次誘電層３２内の第二開口部３８に充填するように形成される。最後に第二導電層は、誘電層３２と電子輸送層４５上に形成され、それからパターン化されＯＴＦＴ領域内にゲート５０とＯＬＥＤ領域内にカソード５２がそれぞれ形成される。
【００２７】
図３ａの集積デバイスに基づく変化は、本発明の範囲内である。図３ｂと図３ｃは図３ａの構造に基づき変化させた集積デバイスの断面図である。
【００２８】
図３ｂが図３ａと異なるのは、発光層（ＥＬ）は最初に誘電層の前に形成される。この工程を下に簡単に説明する。ＯＴＦＴとＯＬＥＤによって共用されるＯＡＬ（＝ＨＴＬ）が形成された後、先ず発光層６６が形成され、それから誘電層３２は発光層６６上に形成され、次ぎに、第二開口部３９はＯＬＥＤ領域内の誘電層３２に形成される。最後に、第二導電層は誘電層３２と電子輸送層４５上に形成され、それからパターン化されＯＴＦＴ領域内にゲート５０とＯＬＥＤ領域内にカソード５２がそれぞれ形成される。
【００２９】
図３ｃが図３ａと異なるのは、その中で発光層（ＥＬ）が形成され、ＯＬＥＤデバイスが完成した後、誘電層は形成されるという点である。その工程は簡単には下記の通りである。ＯＴＦＴとＯＬＥＤによって共用されるＯＡＬ（＝ＨＴＬ）が形成された後、発光層６６が形成される。次ぎに、電子輸送層４５とカソード５２は順次ＯＬＥＤ領域内の発光層６６上に形成され、ＯＬＥＤは完成する。次ぎに、誘電層７２は発光層６６とカソード５２を覆うように形成され、最後に、ゲート５０はＯＴＦＴ領域内の誘電層７２上に形成される。
【００３０】
図４ａから図４ｃは、本発明の第三の好ましい実施例によるＯＴＦＴとＯＬＥＤの集積デバイスの断面図である。第三実施例（図４ａから図４ｃ）は第一実施例（図１ｅと図２ａから図２ｃ）と違い、主にＯＴＦＴの有機活性層（ＯＡＬ）は、ＯＬＥＤ内においてホール輸送或いはホールブロック機能を具備する。よってＯＡＬは、ＯＴＦＴとＯＬＥＤ領域内の両方に形成される。これはＯＴＦＴの電気性質を強化するだけではなく、またＯＬＥＤの発光効率も高め、大面積への応用に適している。
【００３１】
図４ａから図４ｃの集積デバイスを製造工程は、大体図１ｅと同じで、それゆえ、製造工程の詳しい断面図は省略される。最初に図４ａを見ると、その工程は簡単には下記の通りである。最初に基板１０はＯＴＦＴ領域とＯＬＥＤ領域を備えている。次ぎに、第一導電層１２は基板１０上に形成され、第一開口部１４はＯＴＦＴ領域内の第一導電層１２に形成され、基板１０を露出させる。それゆえ、第一導電層１２は、これから形成されるトップゲートＯＴＦＴのソースとドレイン及びこれから形成されるＯＬＥＤのアノードとなる。次ぎに、ホール輸送層６７は、ＯＴＦＴとＯＬＥＤ領域内の両方の第一導電層１２上に形成されて、第一開口部１４に充填される。次ぎに、有機半導体層６８はホール輸送層６７上に形成される。次ぎに、誘電層３２は有機半導体層６８上に形成され、第二開口部４８はＯＬＥＤ領域内の誘電層３２に形成される。次ぎに、発光層４３と電子輸送層４５は順次形成されて第二開口部４８に充填される。次ぎに、第二導電層は、誘電層３２と電子輸送層４５上に形成され、それからパターン化されＯＴＦＴ領域内にゲート５０とＯＬＥＤ領域内にカソード５２がそれぞれ形成される。
【００３２】
図４ａの集積デバイスに基づく変化は、本発明の範囲内である。図４ｂと図４ｃは図４ａの構造に基づき変化された集積デバイスの断面図である。
【００３３】
図４ｂが図４ａと異なるのは、発光層（ＥＬ）は誘電層の前に形成されるという点である。その工程は簡単には下記の通りである。有機活性層（ＯＡＬ）が形成された後、発光層６９と誘電層３２はそれから形成される。次ぎに、第二開口部４９がＯＬＥＤ領域内の誘電層３２に形成される。電子輸送層４５が形成され、第二開口部４９に充填される。次ぎに、第二導電層は誘電層と電子輸送層４５上に形成され、それからパターン化されＯＴＦＴ領域内にゲート５０とＯＬＥＤ領域内にカソード５２がそれぞれ形成される。
【００３４】
図４ｃが図４ａと異なるのは、その中で発光層（ＥＬ）が形成され、ＯＬＥＤデバイスが完成した後、誘電層はそれから形成されるという点である。この工程を下に簡単に説明する。有機活性層（ＯＡＬ）が形成された後、発光層６９は形成される。次ぎに、電子輸送層４５とカソード５２は順次ＯＬＥＤ領域内の発光層６９上に形成され、こうしてＯＬＥＤ構造は完成する。次ぎに、誘電層７４は発光層６９とカソード５２を覆うように形成され、最後に、ゲート５０はＯＴＦＴ領域内の誘電層７４上に形成される。
【００３５】
以上本発明の好適な実施例を例示したが、これは本発明を限定するものではなく、本発明の精神及び範囲を逸脱しない限りにおいては、当業者であれば行い得る少々の変形や修飾を付加することは可能である。従って、本発明が保護を請求する範囲は特許請求の範囲を基準とする。
【００３６】
【発明の効果】
結論として、本発明は以下の優れた点を持つ。
（１）トップゲートＯＴＦＴとＯＬＥＤを一緒に同じ基板上に集積したのは本発明が初めてである。幾つかの層はＯＴＦＴとＯＬＥＤによって共用され、幾つかの層は同じ材料からなり、また同じ工程で形成されるため、全ての製造工程を簡素化する。
（２）本発明のＯＴＦＴにおいて、有機半導体層上に形成される誘電層は、保護層となることができる。したがって、保護層を追加する必要はない。
（３）画素と画素は誘電層によって分けられる。これは効果的に漏電とクロストークを減少させ、デバイスの特質と回路設計を改善させる。
【図面の簡単な説明】
【図１ａ】本発明の第一実施例による薄膜トランジスタと発光ダイオードに用いる有機集積デバイスを形成する製造工程を示す断面図である。
【図１ｂ】本発明の第一実施例による薄膜トランジスタと発光ダイオードに用いる有機集積デバイスを形成する製造工程を示す断面図である。
【図１ｃ】本発明の第一実施例による薄膜トランジスタと発光ダイオードに用いる有機集積デバイスを形成する製造工程を示す断面図である。
【図１ｄ】本発明の第一実施例による薄膜トランジスタと発光ダイオードに用いる有機集積デバイスを形成する製造工程を示す断面図である。
【図１ｅ】本発明の第一実施例による薄膜トランジスタと発光ダイオードに用いる有機集積デバイスを形成する製造工程を示す断面図である。
【図２ａ】図１ｅの薄膜トランジスタと発光ダイオードに用いる有機集積デバイスに基づく変化構造を示す断面図である。
【図２ｂ】図１ｅの薄膜トランジスタと発光ダイオードに用いる有機集積デバイスに基づく変化構造を示す断面図である。
【図２ｃ】図１ｅの薄膜トランジスタと発光ダイオードに用いる有機集積デバイスに基づく変化構造を示す断面図である。
【図３ａ】本発明の第二実施例による薄膜トランジスタと発光ダイオードに用いる有機集積デバイスを形成する製造工程を示す断面図である。
【図３ｂ】本発明の第二実施例による薄膜トランジスタと発光ダイオードに用いる有機集積デバイスを形成する製造工程を示す断面図である。
【図３ｃ】本発明の第二実施例による薄膜トランジスタと発光ダイオードに用いる有機集積デバイスを形成する製造工程を示す断面図である。
【図４ａ】本発明の第三実施例による薄膜トランジスタと発光ダイオードに用いる有機集積デバイスを形成する製造工程を示す断面図である。
【図４ｂ】本発明の第三実施例による薄膜トランジスタと発光ダイオードに用いる有機集積デバイスを形成する製造工程を示す断面図である。
【図４ｃ】本発明の第三実施例による薄膜トランジスタと発光ダイオードに用いる有機集積デバイスを形成する製造工程を示す断面図である。
【符号の説明】
１０　基板
１２　第一導電層
１４　第一開口部
２０　有機半導体層
３０、３２　誘電層
３５、３６、３７、３８、３９　第二開口部
４１　ホール輸送層
４３　発光層
４５　電子輸送層
４８、４９　第二開口部
５０　ゲート
５２　カソード
６０　ホール輸送層
６２　発光層
６４　有機半導体層
６６　発光層
６７　ホール輸送層
６８　有機半導体層
６９　発光層
７４　誘電層
【図１ａ】
2004087458.tif 000003
【図１ｂ】
2004087458.tif 000004
【図１ｃ】
2004087458.tif 000005
【図１ｄ】
2004087458.tif 000006
【図１ｅ】
2004087458.tif 000007
【図２ａ】
2004087458.tif 000008
【図２ｂ】
2004087458.tif 000009
【図２ｃ】
2004087458.tif 000010
【図３ａ】
2004087458.tif 000011
【図３ｂ】
2004087458.tif 000012
【図３ｃ】
2004087458.tif 000013
【図４ａ】
2004087458.tif 000014
【図４ｂ】
2004087458.tif 000015
【図４ｃ】
2004087458.tif 000016