(57)【要約】【課題】主偏向と副偏向により半導体装置の回路パターンを分割して荷電ビームで描画する際の繋ぎ精度の悪化の影響が無い描画パターンデータを提供できる。【解決手段】回路パターンを繰り返しパターンに基づいて分割しセルを抽出する。セルに含まれ半導体装置を製造する際に製造マージンが少ないクリティカルパターンの長辺方向のパターン幅とセルの大きさと配置位置を有するセル毎のセルデータを作成する。副偏向のみの荷電ビームの偏向で描画可能な最大幅から、その長辺方向のパターン幅だけ小さくした幅を有する単位描画領域でセルを分割する。単位描画領域の外郭にその長辺方向のパターン幅と同じ幅の分割マージン帯を設定する。分割マージン帯にクリティカルパターンが配置されている場合は分割マージン帯を単位描画領域に加える。単位描画領域が含まれるセルの識別表示と単位描画領域の大きさとセルの座標系に対する配置位置と単位描画領域に含まれるパターンの大きさと単位描画領域の座標系に対する配置位置を有する描画データを作成する。【選択図】　　　図６
2004087580.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
主偏向と副偏向をすることが可能な荷電ビームで、前記副偏向のみの前記荷電ビームの偏向で描画可能な単位描画領域毎に、半導体装置の回路パターンを分割して描画するために使用する荷電ビーム描画のパターンデータの作成方法において、
前記回路パターンを繰り返しパターンに基づいて分割し、セルを抽出することと、
前記セルに含まれ前記半導体装置を製造する際に製造マージンが少ないパターンの長辺方向のパターン幅と前記セルの大きさと配置位置を有する前記セルのセルデータを作成することと、
前記副偏向のみの前記荷電ビームの偏向で描画可能な最大幅から、前記製造マージンが少ないパターンの長辺方向のパターン幅だけ小さくした幅を有する前記単位描画領域で前記セルを分割することと、
前記単位描画領域の外郭に前記製造マージンが少ないパターンの長辺方向のパターン幅と同じ幅を有する分割マージン帯を設定することと、
前記分割マージン帯に、前記半導体装置を製造する際に製造マージンが少ない前記パターンが配置されている場合は、前記分割マージン帯を前記単位描画領域に加えることと、
前記単位描画領域が含まれる前記セルの識別表示と前記単位描画領域の大きさと前記セルの座標系に対する配置位置と、前記単位描画領域に含まれるパターンの大きさと前記単位描画領域の座標系に対する配置位置を有する前記単位描画領域の描画データを作成することとを有することを特徴とする荷電ビーム描画のパターンデータの作成方法。
【請求項２】
前記半導体装置を製造する際に製造マージンが少ないパターンを　前記セルが含まない場合は、前記副偏向のみの前記荷電ビームの偏向で描画可能な最大の幅を有する前記単位描画領域で前記セルが分割されることを特徴とする請求項１に記載の荷電ビーム描画のパターンデータの作成方法。
【請求項３】
前記セルが、前記副偏向のみの前記荷電ビームの偏向で描画可能な最大の幅を有する前記単位描画領域より小さい場合は、前記副偏向のみの前記荷電ビームの偏向で描画可能な最大の幅を有する前記単位描画領域で前記セルが分割されることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の荷電ビーム描画のパターンデータの作成方法。
【請求項４】
主偏向と副偏向をすることが可能な荷電ビームで、前記副偏向のみの前記荷電ビームの偏向で描画可能な単位描画領域毎に、半導体装置の回路パターンを分割して描画するために使用する荷電ビーム描画のパターンデータをコンピュータに作成させるための荷電ビーム描画のパターンデータの作成プログラムにおいて、
前記回路パターンを繰り返しパターンに基づいて分割し、セルを抽出する手順と、
前記セルに含まれ前記半導体装置を製造する際に製造マージンが少ないパターンの長辺方向のパターン幅と前記セルの大きさと配置位置を有する前記セルのセルデータを作成する手順と、
前記副偏向のみの前記荷電ビームの偏向で描画可能な最大幅から、前記製造マージンが少ないパターンの長辺方向のパターン幅だけ小さくした幅を有する前記単位描画領域で前記セルを分割する手順と、
前記単位描画領域の外郭に前記製造マージンが少ないパターンの長辺方向のパターン幅と同じ幅を有する分割マージン帯を設定する手順と、
前記分割マージン帯に、前記半導体装置を製造する際に製造マージンが少ない前記パターンが配置されている場合は、前記分割マージン帯を前記単位描画領域に加える手順と、
前記単位描画領域が含まれる前記セルの識別表示と前記単位描画領域の大きさと前記セルの座標系に対する配置位置と、前記単位描画領域に含まれるパターンの大きさと前記単位描画領域の座標系に対する配置位置を有する前記単位描画領域の描画データを作成する手順とをコンピュータに実行させることを特徴とする荷電ビーム描画のパターンデータの作成プログラム。
【請求項５】
主偏向と副偏向をすることが可能な荷電ビームで、前記副偏向のみの前記荷電ビームの偏向で描画可能な単位描画領域毎に、半導体装置の回路パターンを分割して描画する荷電ビーム描画方法において、
前記回路パターンを繰り返しパターンに基づいて分割し、セルを抽出することと、
前記セルに含まれ前記半導体装置を製造する際に製造マージンが少ないパターンの長辺方向のパターン幅と前記セルの大きさと配置位置を有する前記セルのセルデータを作成することと、
前記副偏向のみの前記荷電ビームの偏向で描画可能な最大幅から、前記製造マージンが少ないパターンの長辺方向のパターン幅だけ小さくした幅を有する前記単位描画領域で前記セルを分割することと、
前記単位描画領域の外郭に前記製造マージンが少ないパターンの長辺方向のパターン幅と同じ幅を有する分割マージン帯を設定することと、
前記分割マージン帯に、前記半導体装置を製造する際に製造マージンが少ない前記パターンが配置されている場合は、前記分割マージン帯を前記単位描画領域に加えることと、
前記単位描画領域が含まれる前記セルの識別表示と前記単位描画領域の大きさと前記セルの座標系に対する配置位置と、前記単位描画領域に含まれる描画パターンの大きさと前記単位描画領域の座標系に対する配置位置を有する前記単位描画領域の描画データを作成することと、
前記描画データに基づいた前記描画パターンの前記大きさに荷電ビームが成型可能なように少なくとも２枚のアパーチャマスクを電子光学的に重ねることと、前記セルデータと前記描画データに基づいて、前記半導体装置上の前記単位描画領域内に成型された前記荷電ビームが照射可能なように前記主偏向を行うことと、
前記セルデータと前記描画データに基づいて、前記描画パターンを前記半導体装置上の前記単位描画領域内の前記描画パターンの前記配置位置に成型された前記荷電ビームが照射可能なように前記副偏向を行うこととを有することを特徴とする荷電ビーム描画方法。
【請求項６】
半導体装置の仕様に基づいて、回路パターンを設計することと、
請求項５に記載の荷電ビーム描画方法をフォトマスクに対して実行することと、
前記フォトマスクを用いて前記回路パターンを半導体基板に転写することを有することを特徴とする　半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電子ビームやイオンビームなどの荷電ビームにより、半導体装置の回路パターンをフォトマスクや半導体基板などの試料に高精度に描画する方法に係り、特に２段偏向方式と可変成形ビーム方式による荷電ビーム描画方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、電子ビーム描画装置による半導体装置の回路パターンの描画方法では、主偏向（大偏向）手段と副偏向（小偏向）手段とを組合せた２重偏向方式が主流となっている。
【０００３】
主偏向手段では、ビット数の大きなデジタルアナログ（Ｄ／Ａ）変換器で大偏向領域であるフレーム内のビーム位置を決定する。副偏向手段では、ビット数は小さいが高速なＤ／Ａ変換器でフレームを分割した小偏向領域のサブフィールド領域内のビーム位置を決定する。
【０００４】
上記描画方式では以下の３つの繋ぎ精度を有する。第１の繋ぎ精度は、２枚のアパーチャマスクで成形したビームを副偏向手段でつないで描画するつなぎ精度（以下ショット繋ぎ精度と呼ぶ）である。第２の繋ぎ精度は、主偏向手段でサブフィールド領域間をつないで描画する際の繋ぎ精度（以下サブフィールド繋ぎ精度と呼ぶ）である。第３の繋ぎ精度は、サブフィールド領域の集合体であるフレーム領域間の繋ぎ精度（以下バッティング精度と呼ぶ）である。この３つの描画の際の繋ぎ精度は、この順にその繋ぎ精度の悪化が大きくなる。
【０００５】
従来方法ではこれらの繋ぎ精度に起因する半導体装置の回路パターンの寸法精度の悪化が配慮されていない。例えば、短辺が最小形成パターン寸法であり、長辺が最小形成パターン寸法より長い矩形のパターンにおいては、その矩形のパターンの配置の向きによっては、長辺が分割されるようにその矩形パターンが分割されてしまう場合があった。この分割された矩形パターンは繋ぎ精度の影響を受ける。このため、半導体装置を製造する過程で使用するフォトマスクの寸法精度の低下は、それら繋ぎ精度で決定されるといっても過言ではない状況になっていた。
【０００６】
また、露光裕度についてであるが、半導体装置の回路パターンの形状、この半導体装置の回路パターンが描画されたフォトマスクを装着する露光装置の装置性能、及び、この露光装置の露光条件やレジスト塗布から現像までの工程の製造条件から露光裕度が決定する。この　露光裕度が確保しにくいいわゆるクリティカルパターンに対して、描画の際の繋ぎ精度の影響をなくして露光裕度を大きくすることが求められている。これは、製造された半導体装置での回路パターンの寸法精度の向上が求められているからである。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、描画の際の繋ぎ精度の悪化の影響が無く、　微細な半導体装置の回路パターンの寸法精度を向上できる荷電ビーム描画方法を提供することにある。
【０００８】
本発明の目的は、描画の際の繋ぎ精度の悪化の影響が無く、　微細な半導体装置の回路パターンの寸法精度を向上できる荷電ビーム描画に用いる描画パターンデータの作成方法を提供することにある。
【０００９】
本発明の目的は、描画の際の繋ぎ精度の悪化の影響が無く、　微細な半導体装置の回路パターンの寸法精度を向上できる荷電ビーム描画に用いる描画パターンデータの作成プログラムを提供することにある。
【００１０】
本発明の目的は、描画の際の繋ぎ精度の悪化の影響が無く、　微細な半導体装置の回路パターンの寸法精度を向上できる半導体装置の製造方法を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本発明の第１の特徴は、主偏向と副偏向をすることが可能な荷電ビームで、副偏向のみの荷電ビームの偏向で描画可能な単位描画領域毎に、半導体装置の回路パターンを分割して描画するために使用する荷電ビーム描画のパターンデータの作成方法において、
回路パターンを繰り返しパターンに基づいて分割し、セルを抽出することと、
セルに含まれ半導体装置を製造する際に製造マージンが少ないパターンの長辺方向のパターン幅とセルの大きさと配置位置を有するセルのセルデータを作成することと、
副偏向のみの荷電ビームの偏向で描画可能な最大幅から、製造マージンが少ないパターンの長辺方向のパターン幅だけ小さくした幅を有する単位描画領域でセルを分割することと、
単位描画領域の外郭に製造マージンが少ないパターンの長辺方向のパターン幅と同じ幅を有する分割マージン帯を設定することと、
分割マージン帯に、半導体装置を製造する際に製造マージンが少ないパターンが配置されている場合は、分割マージン帯を単位描画領域に加えることと、
単位描画領域が含まれるセルの識別表示と単位描画領域の大きさとセルの座標系に対する配置位置と、単位描画領域に含まれるパターンの大きさと単位描画領域の座標系に対する配置位置を有する単位描画領域の描画データを作成することとを有する荷電ビーム描画のパターンデータの作成方法にある。
【００１２】
本発明の第２の特徴は、主偏向と副偏向をすることが可能な荷電ビームで、副偏向のみの荷電ビームの偏向で描画可能な単位描画領域毎に、半導体装置の回路パターンを分割して描画するために使用する荷電ビーム描画のパターンデータをコンピュータに作成させるための荷電ビーム描画のパターンデータの作成プログラムにおいて、
回路パターンを繰り返しパターンに基づいて分割し、セルを抽出する手順と、
セルに含まれ半導体装置を製造する際に製造マージンが少ないパターンの長辺方向のパターン幅とセルの大きさと配置位置を有するセルのセルデータを作成する手順と、
副偏向のみの荷電ビームの偏向で描画可能な最大幅から、製造マージンが少ないパターンの長辺方向のパターン幅だけ小さくした幅を有する単位描画領域でセルを分割する手順と、
単位描画領域の外郭に製造マージンが少ないパターンの長辺方向のパターン幅と同じ幅を有する分割マージン帯を設定する手順と、
分割マージン帯に、半導体装置を製造する際に製造マージンが少ないパターンが配置されている場合は、分割マージン帯を単位描画領域に加える手順と、
単位描画領域が含まれるセルの識別表示と単位描画領域の大きさとセルの座標系に対する配置位置と、単位描画領域に含まれるパターンの大きさと単位描画領域の座標系に対する配置位置を有する単位描画領域の描画データを作成する手順とをコンヒュータに実行させることを特徴とする荷電ビーム描画のパターンデータの作成プログラムにある。
【００１３】
本発明の第３の特徴は、主偏向と副偏向をすることが可能な荷電ビームで、副偏向のみの荷電ビームの偏向で描画可能な単位描画領域毎に、半導体装置の回路パターンを分割して描画する荷電ビーム描画方法において、
回路パターンを繰り返しパターンに基づいて分割し、セルを抽出することと、
セルに含まれ半導体装置を製造する際に製造マージンが少ないパターンの長辺方向のパターン幅とセルの大きさと配置位置を有するセルのセルデータを作成することと、
副偏向のみの荷電ビームの偏向で描画可能な最大幅から、製造マージンが少ないパターンの長辺方向のパターン幅だけ小さくした幅を有する単位描画領域でセルを分割することと、
単位描画領域の外郭に製造マージンが少ないパターンの長辺方向のパターン幅と同じ幅を有する分割マージン帯を設定することと、
分割マージン帯に、半導体装置を製造する際に製造マージンが少ないパターンが配置されている場合は、分割マージン帯を単位描画領域に加えることと、
単位描画領域が含まれるセルの識別表示と単位描画領域の大きさとセルの座標系に対する配置位置と、単位描画領域に含まれる描画パターンの大きさと単位描画領域の座標系に対する配置位置を有する単位描画領域の描画データを作成することと、
描画データに基づいた描画パターンの大きさに荷電ビームが成型可能なように少なくとも２枚のアパーチャマスクを電子光学的に重ねることと、
セルデータと描画データに基づいて、半導体装置上の単位描画領域内に成型された荷電ビームが照射可能なように主偏向を行うことと、
セルデータと描画データに基づいて、描画パターンを半導体装置上の単位描画領域内の描画パターンの配置位置に成型された荷電ビームが照射可能なように副偏向を行うこととを有することを特徴とする荷電ビーム描画方法。
【００１４】
本発明の第４の特徴は、半導体装置の仕様に基づいて、回路パターンを設計することと、　本発明の第３の特徴の荷電ビーム描画方法をフォトマスクに対して実行することと、フォトマスクを用いて回路パターンを半導体基板に転写することを有する　半導体装置の製造方法にある。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下図面を参照して、本発明の実施の形態と実施例を説明する。以下の図面の記載において、同一又は類似の部分には同一又は類似の符号を付している。ただし、図面は模式的なものであり、現実のものとは異なることに留意すべきである。また図面相互間においても互いの寸法の関係や比率の異なる部分が含まれるのはもちろんである。
【００１６】
半導体装置の製造時のフォトマスクを使用してシリコンウェーハなどに露光処理する場合に、その露光裕度を決定づけるクリティカルパターンが存在する。露光裕度は、露光装置の開口率（ＮＡ）、波長、しぼり（σ：コヒーレンスファクター）等の装置固有性能及び露光管理条件で決定される。露光裕度はフォトマスク上のクリティカルパターンの寸法精度の低下により低下する。これは、フォトマスク上のクリティカルパターンの寸法が、設計上の所望の寸法からずれているので、露光時にデバイス上の寸法がその所望の寸法になるように露光条件を設定するために、露光裕度が低下するのである。この露光裕度の低下により、半導体装置の回路パターンの寸法がばらつきやすくなっている。そこで、少なくともそのクリティカルパターンで単位描画パターンの分割を行わないこととする。このような分割を行わないことを描画パターンデータの生成条件とする事で、露光裕度の低下を防ぐ。以下にこのような分割の方法について詳細に説明する。
【００１７】
（半導体装置の製造方法）
半導体装置の製造方法は、図１に示すように、ステップＳ１で半導体装置の仕様を決定する。ステップＳ２で半導体装置の仕様に基づいて、その半導体装置の回路パターンを設計する。ステップＳ３で、荷電ビームの描画方法を各製造工程用のフォトマスクに対して実行する。ステップＳ４で各製造工程においてフォトマスクを用いて回路パターンを半導体基板に転写する。以上により　半導体装置を製造することができる。なお、ステップＳ３とＳ４の代わりに、荷電ビームの描画方法を半導体基板に対して実行し、回路パターンを半導体基板に直接描画してもよい。
【００１８】
（荷電ビーム描画装置）
荷電ビーム描画装置は、半導体装置の製造方法のステップＳ３の荷電ビームの描画方法で使用する。
【００１９】
荷電ビーム描画装置は、図２に示すように、描画パターンデータの作成装置１、　セルデータバッファ２、描画データのデコーダ３、パターンデータデコーダ４、主偏光器コントローラ５、副偏光器コントローラ６、可変ビーム成型器ドライバ７、主偏光器ドライバ８、副偏光器ドライバ９、筐体１０、電子ビーム銃１１、可変ビーム成型器１６、主偏光器１７、副偏光器１８、試料台２０と試料台のステッピング移動の駆動部２１を有している。
【００２０】
描画パターンデータの作成装置１は、半導体装置の回路パターンに基づいて、描画パターンデータＤ１とＤ２を出力する。描画パターンデータＤ１とＤ２は、セルデータＤ１と描画データＤ２で構成される。
【００２１】
セルデータＤ１は、セル毎に、セルの識別表示と、セルの大きさと半導体装置の全回路パターンに対する配置位置のセルサイズデータＤ６と、セル内の描画パターンの大きさＤ８とセルに対する配置位置の描画パターンデータＤ５と、クリティカルパターンの有無と、クリティカルパターンの大きさとセルに対する配置位置と、分割マージン幅とを有する。
【００２２】
描画データＤ２は、サブフィールド領域毎に、サブフィールド領域の属するセルの識別表示Ｄ３と、サブフィールド領域の識別表示、大きさと属するセルに対する配置位置Ｄ４と、サブフィールド領域内の描画パターンの大きさとサブフィールド領域に対する配置位置のオフセットデータＤ７とを有する。
【００２３】
セルデータＤ１はセルデータバッファ２に格納される。描画データＤ２は描画パターンデータデコーダ３で解釈されて、セルデータＤ１に含まれるサブフィールド領域の属するセルの識別表示Ｄ３がセルデータバッファ２に送られる。そしてセルの識別表示Ｄ３に一致するセルの識別表示を有するセルのセルデータがセルデータバッファ２から選択されて読み出される。セルデータバッファ２から読み出されたセルデータのうち描画パターンデータＤ５はパターンデータデコーダ４に送られる。セルデータのうちセルサイズデータＤ６は副偏向器コントローラ６に送られる。パターンデコーダ４は、パターンデータＤ５を解釈して所望する描画パターンの荷電ビームの照射形状の寸法データＤ８を可変ビーム成形器ドライバ７に送る。そして、可変ビーム成形器ドライバ７から可変ビーム成形器１６に所望の偏向信号Ｄ１１が印加され、荷電ビームの形状及び寸法が制御される。荷電ビームは、電子ビーム、イオンビームや、帯電したクラスターであってもよい。図２では電子ビームの例として、電子ビーム銃１１を用いている。
【００２４】
可変ビーム成形器１６は、電子ビーム銃１１から試料１９への光軸方向に沿って対向配置された２枚の成型アパーチャマスク１２と１４及びこれらの成型アパーチャマスク１２と１４間に配置された偏向板などで構成される。第１成型アパーチャマスク１２は第１の開口１３を有している。第２成型アパーチャマスク１４は第２の開口１４を有している。偏向板により２枚の成型アパーチャマスク１２と１４の開口１３と１４の電子光学的重なりを変化させることで、電子ビームの寸法及び形状を変えることができる。
【００２５】
一方、前記描画データデコーダ３では、描画データＤ２からサブフィールド領域の識別表示Ｄ４及びサブフィールド領域の配置位置であるオフセットデータＤ７を解釈し、サブフィールド領域の識別表示Ｄ４は主偏向器コントローラ５に送られ、オフセットデータＤ７は副偏向コントローラ６に送られる。主偏向器コントローラ５は、サブフィールド領域の識別表示Ｄ４を解釈してサブフィールド領域の配置位置Ｄ９を主偏向器ドライバ８に送る。そして、主偏向器ドライバ８から主偏向器１７に所望の偏向信号Ｄ１２が印加され、これにより電子ビームは指定のサブフィールド領域の配置位置に偏向制御される。また、副偏向器コントローラ６は、入力されたセルサイズデータＤ６および描画パターンのセル内の配置位置であるオフセットデータＤ７から副偏向器１８のコントロール信号Ｄ１０を発生させる。このコントロール信号Ｄ１０を副偏向器ドライバ９に送る。そして、副偏向器ドライバ９から副偏向器１８に定の副偏向信号Ｄ１３が印加される。以上により、サブフィールド領域毎の描画を試料１９に行うことができる。
【００２６】
試料１９は試料台２０の上に固定される。　試料台２０は駆動部２１によって、試料台２０と共に試料１９をステッピング移動させることができる。
【００２７】
荷電ビーム描画装置は、主偏向器１７と副偏向器１８とを組合せた２重偏向方式である。主偏向コントローラ５で、ビット数の大きなデジタルアナログ（Ｄ／Ａ）変換を行い、大偏向領域であるフレーム内の荷電ビームの配置位置を決定する。副偏向コントローラ６で、ビット数は小さいが高速なＤ／Ａ変換を行い、フレームを分割したサブフィールド領域の小偏向領域内のビーム位置を決定する。
【００２８】
（荷電ビームの描画方法）
荷電ビームの描画方法では、図３に示すように、まず、ステップＳ１１で、描画パターンデータの作成装置１において、後述する描画パターンデータの作成方法を実行し、描画パターンデータであるセルデータＤ１と描画データＤ２を作成する。
【００２９】
まず、試料１９となる半導体装置の回路パターンを、図４に示すように、ほぼ一定のフレーム幅を有する複数のフレーム２２乃至２７に分割する。このことにより、フレーム２２乃至２７単位の描画パターンデータを生成すればよいことになる。
【００３０】
更に、フレーム単位２４の回路パターンをほぼ一定の領域幅を有するサブフィールド領域３１乃至４１に分割する。サブフィールド領域単位３１乃至４１の回路パターンによって描画パターンデータＤ１とＤ２が構成される。サブフィールド領域単位３６には、単位描画パターン４４乃至４８が配置されている。単位描画パターン４４乃至４８は、回路パターンの分割によって最終的に形成されたものである。
【００３１】
ステップＳ１２で、セルデータＤ１と描画データＤ２に基づいて、セルデータバッファ２、描画データデコーダ３、パターンデータデコーダ４と可変ビーム成型器ドライバ７を用いて、可変ビーム成型器１６で荷電ビームを単位描画パターン４４乃至４８毎の形状に成型可能にする。
【００３２】
ステップＳ１３で、セルデータＤ１と描画データＤ２に基づいて、セルデータバッファ２、描画データデコーダ３、副偏光器コントローラ６と副偏光器ドライバ９を用いて、副偏光器１８で成型された荷電ビームをサブフィールド領域３６内の単位描画パターン４４乃至４８それぞれが配置された特定の位置に照射可能にする。単位描画パターン４４乃至４８それぞれの配置位置は、サブフィールド領域３６の座標原点４２に基づいて特定することができる。
【００３３】
ステップＳ１４で、セルデータＤ１と描画データＤ２に基づいて、セルデータバッファ２、描画データデコーダ３、主偏光器コントローラ５と主偏光器ドライバ８を用いて、主偏光器１７でサブフィールド領域を試料１９の特定の位置に設定可能にする。また、必要な場合は、駆動部２１により、試料台２０を移動し、サブフィールド領域を試料１９の特定の位置に設定可能にする。
【００３４】
ステップＳ１５で、電子ビーム銃１１によってビームを、可変ビーム成型器１６、主偏光器１７と副偏光器１８を介して試料１９へ照射する。
【００３５】
ステップＳ１６で、全ての成型ビームを試料１９に照射したかを判断する。まだ、照射が済んでいなければステップＳ１２に戻り、照射が済んでいれば、荷電ビームの描画方法を終了する。
【００３６】
主偏光器１７と副偏光器１８による２重偏向方式の描画方法では、フレーム２４が、複数のサブフィールド領域３１乃至４１に格子状に分割されているので、サブフィールド領域３１乃至４１内の描画を、フレーム２４内の左の行のサブフィールド領域から各行毎に順次右の行へおこなう。各行毎の描画は、行方向のビーム偏向を上方向と下方向を交互のサーペンタイン状に行う。
【００３７】
更にフォトマスクなどの描画対象の試料１９を載置した試料台２０にＸＹ座標を想定し、例えば、この試料台２０をＸ軸方向に駆動部２１で連続移動しながらフレーム２７内の描画処理を行い、Ｙ軸方向にステップ移動し、試料台２０をＸ軸方向に連続移動しながらフレーム２６内の描画処理を行うという一連の処理を繰り返す。これらのことにより、フォトマスク等の試料１９全面に所望の半導体装置の回路パターンを描画することができる。
【００３８】
（描画パターンデータの作成装置１）
描画パターンデータの作成装置１は、図５に示すように、セル形成部５１、セルデータ作成部５２、セル分割部５３、描画データの作成部５４、入出力部５５と記録部５６を有している。
【００３９】
セル形成部５１では、半導体装置の回路パターンを繰り返しパターンに基づいて分割しセルを抽出する。
【００４０】
セルデータ作成部５２では、セルに含まれ半導体装置を製造する際に製造マージンが少ないパターンいわゆるクリティカルパターンの長辺方向のパターン幅とセルの大きさと配置位置を有する抽出されたセル毎のセルデータを作成する。
【００４１】
セル分割部５３では、副偏向器１８による副偏向のみの荷電ビームの偏向で描画可能な最大幅から、セル毎にセルが有するクリティカルパターンの長辺方向のパターン幅だけ小さくした幅を有する基準サブフィールド領域となる単位描画領域でそれぞれのセルを分割する。さらに、基準サブフィールド領域の外郭にクリティカルパターンの長辺方向のパターン幅と同じ幅を有する分割マージン帯を設定する。最後に、分割マージン帯に、クリティカルパターンが配置されている場合は、分割マージン帯を基準サブフィールド領域に加える。
【００４２】
描画データの作成部５４では、基準サブフィールド領域が含まれるセルの識別表示と基準サブフィールド領域の大きさとセルの座標系に対する配置位置と、基準サブフィールド領域に含まれるパターンの大きさと基準サブフィールド領域の座標系に対する配置位置を有する基準サブフィールド領域の描画データを作成する。
【００４３】
入出力部５５では、半導体装置の回路パターンを入力し、セルデータＤ１と描画データＤ２を出力する。記録部５６では、入力された半導体装置の回路パターン、作成されたセルデータＤ１と描画データＤ２を記録する。
【００４４】
（描画パターンデータの作成方法）
描画パターンデータの作成方法では、図６に示すように、まず、ステップＳ２１で、入出力部５５において、半導体装置の回路パターンを入力する。
【００４５】
ステップＳ２２で、セル形成部５１において、回路パターンを繰り返しパターンに基づいて分割し、セルを抽出する。
【００４６】
ステップＳ２３で、セルデータ作成部５２において、セル毎にセルデータを作成する。セルデータは、セルの識別表示、セルの大きさと配置位置、セル内の回路パターンの大きさと配置位置、クリティカルパターンの有無と大きさと配置位置と、分割マージン幅となるセルに含まれるクリティカルパターンの長辺方向のパターン幅を含んでいる。なお、セルの配置位置を指定するための座標点等は、セルの繰り返しの回数に相当する個数だけ存在する。作成されたセルデータは記録部５６に記録され、入出力部５５から出力可能な状態におかれる。
【００４７】
ステップＳ２４で、セル分割部５３において、抽出された全てのセルを選択するために、まず、適当なセルの識別表示を選択する。
【００４８】
ステップＳ２５で、セル分割部５３において、副偏向器１８による副偏向のみの荷電ビームの偏向で描画可能な最大の領域を最大のサブフィールド領域として設定する。そして、選択された識別表示のセルの大きさが、最大のサブフィールド領域より大きいか否かを判断する。選択されたセルの方が大きい場合はステップＳ２６に進み、小さい場合はステップＳ３２に進む。
【００４９】
ステップＳ２６で、セル分割部５３において、選択されたセルがクリティカルパターンを有するか否かを、作成されたセルデータに基づいて判断する。選択されたセルがクリティカルパターンを有する場合はステップＳ２８に進み、有していない場合はステップＳ２７に進む。
【００５０】
ステップＳ２７で、セル分割部５３において、最大のサブフィールド領域で選択されたセルを分割する。そして、ステップＳ３２に進む。
【００５１】
ステップＳ２８で、セル分割部５３において、最大のサブフィールド領域を外周から分割マージン幅だけ小さくした幅を有する基準サブフィールド領域で、選択されたセルを分割する。なお、最大のサブフィールド領域から基準サブフィールド領域を除いた領域が分割マージン帯である。
【００５２】
ステップＳ２９で、セル分割部５３において、分割された基準サブフィールド領域毎に分割マージン帯を設ける。
【００５３】
ステップＳ３０で、セル分割部５３において、分割マージン帯毎にクリティカルパターンが存在するか判断する。クリティカルパターンが存在する場合はステップＳ３１に進み、存在しない場合はステップＳ３２に進む。
【００５４】
ステップＳ３１で、セル分割部５３において、クリティカルパターンが存在する分割マージン帯を基準サブフィールド領域に加える。
【００５５】
ステップＳ３２で、描画データの作成部５４において、描画データを作成する。ステップＳ２５から直接ステップＳ３２に進んだ場合は、選択されたセルがサブフィールド領域になる。ステップＳ２７から直接ステップＳ３２に進んだ場合は、最大のサブフィールド領域がサブフィールド領域になる。ステップＳ３１からステップＳ３２に進んだ場合は、基準サブフィールド領域がサブフィールド領域になる。描画データは、サブフィールド領域が含まれるセルの識別表示と、サブフィールド領域の大きさと含まれるセルの座標系に対する配置位置と、サブフィールド領域に含まれる単位描画パターンの大きさとサブフィールド領域の座標系に対する配置位置を含んでいる。作成された描画データは記録部５６に記録され、入出力部５５から出力可能な状態におかれる。
【００５６】
ステップＳ３３で、セル分割部５３において、全てのセルについてサブフィールド領域が決定できたか判断する。全てのセルについて決定できていない場合は、ステップＳ３４に進み次のセルを選択し、ステップＳ２５に戻る。全てのセルについて決定できている場合は、描画パターンデータの作成方法を終了する。
【００５７】
この描画パターンデータの作成方法によれば、一つのクリティカルパターンが複数のサブフィールド領域に分割されることがない。このことにより、繋ぎ精度、例えば、サブフィールド領域の繋ぎ精度による精度低下を招くことがない。つまり、サブフィールド領域間でクリティカルパターンが分割されていないので、サブフィールド繋ぎ精度とバッティング精度の低下を招くことがない。クリティカルパターンでの寸法精度低下を抑制することができる。そして、半導体装置の回路パターンの品質を向上させることができる。なお、クリティカルパターンとは、フォトマスクを用いて半導体装置の回路パターンを露光処理する際の露光条件により大きさが変動しやすいパターンであるともいえる。
【００５８】
（実施例）
図７に示すような試料１９に描画された半導体装置の回路パターンを、図６のステップＳ２１で、入出力部５５が入力する。
【００５９】
ステップＳ２２で、セル形成部５１が、回路パターンから矩形の繰り返しコピー可能な合同な図形であるセルＣ１とＣ４を抽出し、回路パターンをセルＣ１とＣ４で分割する。セルＣ１とＣ４で分割されない回路パターンから、矩形の図形であるセルＣ２とＣ３を抽出する。回路パターンはセルＣ１乃至Ｃ４を適当に配置することによって構成することができる。半導体装置の回路パターンを描画パターンデータに変換するために、回路パターンを図形パターンの集合体であるセルの集合体として構成する。回路パターンは、セル内の図形パターンとセルの配置位置とセルの繰り返し情報によって表現される。セルＣ１乃至Ｃ４の抽出では、具体的には、図形パターンのリサイズ（図形パターンを太めたり細めたりする処理）、白黒反転、及び、図形パターン相互の重なりの除去（セル内の重なりの除去とセル間の重なりの除去）を行う。このことにより、セルを構成する図形パターン相互には重なりのないセルＣ１乃至Ｃ４が抽出できる。
【００６０】
ステップＳ２３で、セルデータ作成部５２がセルＣ１乃至Ｃ４毎にセルデータを作成する。
【００６１】
セルＣ１のセルデータは、図７と図８（ａ）に示すように、セルＣ１の識別表示としてＣ１を有する。さらに、セルデータは、セルＣ１の外形の矩形の大きさと４行４列に配置された１６個それぞれのセルＣ１の配置位置を特定可能な回路パターンの有する座標系に対する座標等を有する。さらにセルデータは、セルＣ１内の図形パターン６１と６２の外形の矩形や三角形の大きさと配置位置を特定可能なセルＣ１の有する座標系に対する座標等を有する。さらにセルデータには、セルＣ１はクリティカルパターンを含んでいないことのフラグ等が立てられる。そして、セルＣ１がクリティカルパターンを含んでいないので、そのクリティカルパターンの配置位置と分割マージン幅のデータは含まれない。
【００６２】
セルＣ２のセルデータは、図７と図８（ｂ）に示すように、セルＣ２の識別表示としてＣ２を有する。さらに、セルデータは、セルＣ２の外形の矩形の大きさとセルＣ２の配置位置を特定可能な座標等を有する。さらにセルデータは、セルＣ２内の図形パターン６３乃至７０の外形の矩形の大きさと配置位置を特定可能な座標等を有する。さらにセルデータには、セルＣ２はクリティカルパターンを含んでいないことのフラグ等が立てられる。そのクリティカルパターンの配置位置と分割マージン幅のデータは含まれない。
【００６３】
セルＣ３のセルデータは、図７と図８（ｃ）に示すように、セルＣ３の識別表示としてＣ３を有する。さらに、セルデータは、セルＣ３の外形の矩形の大きさとセルＣ３の配置位置を特定可能な座標等を有する。さらにセルデータは、セルＣ３内の図形パターン７１乃至７２の外形の矩形の大きさと配置位置を特定可能な座標等を有する。さらにセルデータには、セルＣ３はクリティカルパターンを含んでいないことのフラグ等が立てられる。そのクリティカルパターンの配置位置と分割マージン幅のデータは含まれない。
【００６４】
セルＣ４のセルデータは、図７と図８（ｄ）に示すように、セルＣ４の識別表示としてＣ４を有する。さらに、セルデータは、セルＣ４の外形の矩形の大きさと２行１列に配置された２個それぞれのセルＣ４の配置位置を特定可能な座標等を有する。さらにセルデータは、セルＣ４内の図形パターン７３乃至７８の外形の矩形の大きさと配置位置を特定可能な座標等を有する。さらにセルデータには、セルＣ４はクリティカルパターン７４を含んでいることのフラグ等が立てられる。そして、セルＣ４がクリティカルパターン７４を含んでいるので、セルデータは、そのクリティカルパターン７４の配置位置とクリティカルパターン７４の矩形の長辺の長さである分割マージン幅のデータを含む。
【００６５】
ステップＳ２４で、抽出された全てのセルＣ１乃至Ｃ４を順次選択するために、まず、適当なセルＣ１の識別表示Ｃ１を選択する。
【００６６】
ステップＳ２５で、図９（ａ）に示すように、副偏向器１８による副偏向のみの荷電ビームの偏向で描画可能な最大の領域を最大のサブフィールド領域８１として設定する。そして、選択された識別表示Ｃ１のセルＣ１の大きさが、最大のサブフィールド領域８１より大きいか否かを判断する。選択されたセルＣ１の方が小さいのでステップＳ３２に進む。
【００６７】
ステップＳ３２で、描画データを作成する。選択されたセルＣ１をサブフィールド領域Ｃ１として扱う。描画データは、サブフィールド領域Ｃ１であるセルＣ１の識別表示Ｃ１と、サブフィールド領域Ｃ１の大きさと、サブフィールド領域Ｃ１に含まれる単位描画パターン６１と６２の大きさとサブフィールド領域Ｃ１の座標系に対する配置位置を含んでいる。
【００６８】
ステップＳ３３で、全てのセルＣ１乃至Ｃ４についてサブフィールド領域が決定できたか判断する。セルＣ２乃至Ｃ４についてサブフィールド領域が決定していないので、ステップＳ３４に進み次のセルＣ２を選択し、ステップＳ２５に戻る。
【００６９】
ステップＳ２５で、図９（ｂ）に示すように、最大のサブフィールド領域８１を設定する。そして、選択された識別表示Ｃ２のセルＣ２の大きさが、最大のサブフィールド領域８１より大きいか否かを判断する。セルＣ２の方が最大のサブフィールド領域８１より大きいのでステップＳ２６に進む。
【００７０】
ステップＳ２６で、セルＣ２がクリティカルパターンを有するか否かを、作成されたセルデータに基づいて判断する。セルＣ２がクリティカルパターンを有していないのでステップＳ２７に進む。
【００７１】
ステップＳ２７で、最大のサブフィールド領域８１乃至８９でセルＣ２を分割する。そして、ステップＳ３２に進む。
【００７２】
ステップＳ３２で、描画データを作成する。最大のサブフィールド領域８１乃至８９それぞれがサブフィールド領域８１乃至８９になる。描画データは、サブフィールド領域８１乃至８９が含まれるセルＣ２の識別表示Ｃ２と、サブフィールド領域８１乃至８９の大きさと含まれるセルＣ２の座標系に対する配置位置を含んでいる。また、描画データは、サブフィールド領域８１に含まれる単位描画パターン１１３、１１６、１２１、１２５と１２２の大きさとサブフィールド領域８１の座標系に対する配置位置を有している。描画データは、サブフィールド領域８２に含まれる単位描画パターン６９、１２６と１２３の大きさとサブフィールド領域８２の座標系に対する配置位置を有している。描画データは、サブフィールド領域８３に含まれる単位描画パターン７０、１２７と１２４の大きさとサブフィールド領域８３の座標系に対する配置位置を有している。描画データは、サブフィールド領域８４に含まれる単位描画パターン１１２、１１５、１１９と１２０の大きさとサブフィールド領域８４の座標系に対する配置位置を有している。描画データは、サブフィールド領域８７に含まれる単位描画パターン１１１、１１４と１１８の大きさとサブフィールド領域８７の座標系に対する配置位置を有している。
【００７３】
ステップＳ３３で、全てのセルＣ１乃至Ｃ４についてサブフィールド領域が決定できたか判断する。セルＣ３とＣ４について決定できていないので、ステップＳ３４に進み次のセルＣ３を選択し、ステップＳ２５に戻る。
【００７４】
ステップＳ２５で、図９（ｄ）に示すように、最大のサブフィールド領域８１を設定する。そして、選択された識別表示Ｃ３のセルＣ３の大きさが、最大のサブフィールド領域８１より大きいか否かを判断する。セルＣ３の方が小さいので、ステップＳ３２に進む。
【００７５】
ステップＳ３２で、描画データを作成する。セルＣ３がサブフィールド領域Ｃ３になる。描画データは、サブフィールド領域Ｃ３であるセルＣ３の識別表示Ｃ３と、サブフィールド領域Ｃ３の大きさと、サブフィールド領域Ｃ３に含まれる単位描画パターン７１と７２の大きさとサブフィールド領域Ｃ３の座標系に対する配置位置を含んでいる。
【００７６】
ステップＳ３３で、全てのセルＣ１乃至Ｃ４についてサブフィールド領域が決定できたか判断する。セルＣ４についてサブフィールド領域が決定できていないので、ステップＳ３４に進みセルＣ４を選択し、ステップＳ２５に戻る。
【００７７】
ステップＳ２５で、図９（ｄ）に示すように、最大のサブフィールド領域８１を設定する。そして、選択された識別表示Ｃ４のセルＣ４の大きさが、最大のサブフィールド領域８１より大きいか否かを判断する。セルＣ４の方が最大のサブフィールド領域８１より大きいのでステップＳ２６に進む。
【００７８】
ステップＳ２６で、セルＣ４がクリティカルパターン７４を有するか否かをセルデータに基づいて判断する。セルＣ４がクリティカルパターン７４を有するのでステップＳ２８に進む。
【００７９】
ステップＳ２８で、図１０（ｂ）に示すように、最大のサブフィールド領域８１を外周から分割マージン幅Ｗだけ小さくした幅を有する基準サブフィールド領域９１を設定する。なお、最大のサブフィールド領域８１から基準サブフィールド領域９１を除いた領域が分割マージン帯９５である。図１０（ａ）に示すように、基準サブフィールド領域９１乃至９４でセルＣ４を分割する。
【００８０】
この分割は、より具体的には、図１１（ａ）に示すように、クリティカルパターン７４の長辺の長さが分割マージン幅Ｗとなる。図９（ｄ）の最大のサブフィールド領域８１を縦方向と横方向のそれぞれに各辺分の分割マージン幅Ｗの２倍の幅２Ｗだけ小さくし、基準サブフィールド領域９１乃至９４でセルＣ４を分割する。
【００８１】
ステップＳ２９で、図１１（ｂ）に示すように、基準サブフィールド領域９１に境界線９６と９７で囲まれた分割マージン帯９５を設ける。基準サブフィールド領域９２に境界線９６と９９で囲まれた分割マージン帯を設ける。基準サブフィールド領域９３に境界線９８と９９で囲まれた分割マージン帯を設ける。基準サブフィールド領域９４に境界線９７と９８で囲まれた分割マージン帯を設ける。
【００８２】
ステップＳ３０で、分割マージン帯９５等にクリティカルパターン７４が存在するか判断する。クリティカルパターン７４が分割マージン帯９５等に存在するのでステップＳ３１に進む。
【００８３】
ステップＳ３１で、クリティカルパターン７４が存在する境界線９８と９７で囲まれた分割マージン帯を、基準サブフィールド領域９４に加える。具体的には、図１１（ｂ）（ｃ）（ｄ）に示すように、基準サブフィールド領域９１と９２と基準サブフィールド領域９３と９４の境界線を下方向に距離Ｗだけ移動し、境界線９８を新たな境界線にする。この移動により、基準サブフィールド領域９１乃至９４間の境界線が、クリティカルパターン７４を分割することはない。なお、基準サブフィールド領域９２と９３の境界線は、必ずしも下方に移動させる必要はない。また、新たに境界線１００を設けて、基準サブフィールド領域９３を分割して、新たに基準サブフィールド領域９３と１０１に分割しても良い。同様に、境界線１００で基準サブフィールド領域９４を分割して、新たに基準サブフィールド領域９４と１０２に分割しても良い。
【００８４】
ステップＳ３２で、描画データを作成する。図１１（ｃ）の基準サブフィールド領域９１乃至９４、１０１と１０２がサブフィールド領域９１乃至９４、１０１と１０２になる。描画データは、サブフィールド領域９１乃至９４、１０１と１０２が含まれるセルＣ４の識別表示Ｃ４と、サブフィールド領域９１乃至９４、１０１と１０２の大きさと含まれるセルＣ４の座標系に対する配置位置を有している。描画データは、サブフィールド領域９１に含まれる単位描画パターン７５と１３３の大きさとサブフィールド領域９１の座標系に対する配置位置を含んでいる。描画データは、サブフィールド領域９２に含まれる単位描画パターン７８と１３６の大きさとサブフィールド領域９２の座標系に対する配置位置を含んでいる。描画データは、サブフィールド領域９３に含まれる単位描画パターン１３５と１３８の大きさとサブフィールド領域９３の座標系に対する配置位置を含んでいる。描画データは、サブフィールド領域９４に含まれる単位描画パターン７４の大きさとサブフィールド領域９４の座標系に対する配置位置を含んでいる。描画データは、サブフィールド領域１０１に含まれる単位描画パターン１３４と１３７の大きさとサブフィールド領域１０１の座標系に対する配置位置を含んでいる。描画データは、サブフィールド領域１０２に含まれる単位描画パターン７３と１３１の大きさとサブフィールド領域１０２の座標系に対する配置位置を含んでいる。
【００８５】
ステップＳ３３で、全てのセルＣ１乃至Ｃ４についてサブフィールド領域が決定できたか判断する。全てのセルＣ１乃至Ｃ４についてサブフィールド領域が決定できているので、描画パターンデータの作成方法を終了する。
【００８６】
作成された描画パターンデータは、セルデータＤ１と描画データＤ２を合わせたデータである。描画パターンデータでは、図１２に示すように、図７の回路パターンを、サブフィールド領域８１乃至８９、Ｃ１、Ｃ１１乃至Ｃ２５、Ｃ３、セルＣ４の９１乃至９４、１０１と１０２、セルＣ５の９１乃至９４、１０１と１０２に分割している。サブフィールド領域の左下をサブフィールド領域内の座標原点４２としている。図１２では、この座標原点４２の位置に○を記載しサブフィールド領域の範囲が明確になるようにしている。これより、回路パターンは、サブフィールド領域８１乃至８９、Ｃ１、Ｃ１１乃至Ｃ２５、Ｃ３、セルＣ４の９１乃至９４、１０１と１０２、セルＣ５の９１乃至９４、１０１と１０２のいずれかに含まれている。
【００８７】
図１２に記載されたサブフィールド領域８１乃至８９、Ｃ１、Ｃ１１乃至Ｃ２５、Ｃ３、セルＣ４の９１乃至９４、１０１と１０２、セルＣ５の９１乃至９４、１０１と１０２は、図４の１つのフレーム２４に含まれている。フレーム２４の描画は、サブフィールド領域８１乃至８９、Ｃ１、Ｃ１１乃至Ｃ２５、Ｃ３、セルＣ４の９１乃至９４、１０１と１０２、セルＣ５の９１乃至９４、１０１と１０２ごとに行われる。サブフィールド領域の描画の順番は、矢印に示す順番で８７−８４−８１−８２−８５−８８−Ｃ１−Ｃ１１−Ｃ１２−Ｃ１３−Ｃ１７のようになる。
【００８８】
なお、セルＣ１乃至Ｃ４は４種類の属性に分別できる。セルＣ１は、図７と図９（ａ）に示すように、上記最大のサブフィールド領域より小さいいわゆるスモールセルであり、繰り返し情報を付帯しアレイ状に配置される。セルＣ２は、図７と図９（ｂ）に示すように、ラージセルであり、アレイ配置されない非アレイセルである。セルＣ３は、図７と図９（ｃ）に示すように、スモールセルであり、非アレイセルである。セルＣ４は、図７と図９（ｄ）に示すように、最大のサブフィールド領域より大きな領域を有するいわゆるラージセルであり、繰り返し情報を付帯しアレイ状に配置される。これらの事柄がセルデータを構成し、このセルデータは、描画装置で解釈可能な描画パターンデータを構成する。
【００８９】
セルＣ１乃至Ｃ４は、セル内の図形パターンを描画装置が解釈可能な矩形及び台形で構成される単位図形群である。繰り返し情報は、回路パターンをそのまま継承する。
【００９０】
クリティカルパターン７４が複数存在するような場合、全てのクリティカルパターン７４で分割マージン帯９５等がかからないことはあり得ないが、その場合でもクリティカルパターン７４の長辺の長さＷに相当する分割マージン幅を設定しているのでクリティカルパターン７４での図形分割は発生しない。
【００９１】
更に、同一セルＣ４内に複数種類のクリティカルパターン７４が存在し、そのパターンサイズも複数に及ぶ場合は最も大きいパターンサイズを分割マージン幅Ｗとする事で図形分割が回避できる。なお、原理的に最大のサブフィールド領域のサイズより大きいパターンでは図形分割は回避不可である。しかし、そのようなパターンは露光裕度の観点からクリティカルパターンになり得ず実用上問題は生じない。
【００９２】
また、クリティカルパターン７４がラインパターンの場合には、マスクパターンでの寸法精度律則部分は、露光裕度の観点からその短辺部であるライン幅となる場合が殆どである。従って、分割マージン幅をライン幅とすればよい。
【００９３】
そして、クリティカルパターン７４をサブフィールド領域間で分割することがないので、サブフィールド領域の集合であるフレームの間でもクリティカルパターン７４が分割されることはない。したがって、クリティカルパターン７４に対して、サブフィールド繋ぎ精度とフレーム繋ぎ精度の影響を受けることのない高精度なパターン形成が可能となる。そして、描画のスループット低下も最小限に抑制することが可能となる。
【００９４】
なお、本発明は上述した実施例に限定されるものでなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。例えば、描画装置としては電子ビーム描画装置の他にイオンビーム描画装置にも適用可能であり、描画方式についても２段偏向方式の他１段偏向及び３段以上の多段偏向方式にも適用可能でショット方式の他スキャン方式にも適用可能である。
【００９５】
【発明の効果】
以上述べたように、本発明によれば、描画の際の繋ぎ精度の悪化の影響が無く、　微細な半導体装置の回路パターンの寸法精度を向上できる荷電ビーム描画方法を提供できる。
【００９６】
本発明によれば、描画の際の繋ぎ精度の悪化の影響が無く、　微細な半導体装置の回路パターンの寸法精度を向上できる荷電ビーム描画に用いる描画パターンデータの作成方法を提供できる。
【００９７】
本発明によれば、描画の際の繋ぎ精度の悪化の影響が無く、　微細な半導体装置の回路パターンの寸法精度を向上できる荷電ビーム描画に用いる描画パターンデータの作成プログラムを提供できる。
【００９８】
本発明によれば、描画の際の繋ぎ精度の悪化の影響が無く、　微細な半導体装置の回路パターンの寸法精度を向上できる半導体装置の製造方法を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造方法のフローチャートである。
【図２】本発明の実施の形態に係る荷電ビーム描画装置の構成図である。
【図３】本発明　の実施の形態に係る荷電ビームの描画方法のフローチャートである。
【図４】本発明　の実施の形態に係る荷電ビームの描画方法を模式的に説明するための図である。
【図５】本発明の実施の形態に係る描画パターンデータの作成装置の構成図である。
【図６】本発明　の実施の形態に係る描画パターンデータの作成方法のフローチャートである。
【図７】本発明　の実施の形態の実施例の半導体装置の回路パターン図である。
【図８】本発明　の実施の形態の実施例の形成されたセルのパターン図である。
【図９】本発明　の実施の形態の実施例のセルの分割を説明するための図である。
【図１０】本発明　の実施の形態の実施例のクリティカルパターンを有するセルの分割を説明するための図（その１）である。
【図１１】本発明　の実施の形態の実施例のクリティカルパターンを有するセルの分割を説明するための図（その２）である。
【図１２】本発明　の実施の形態の実施例の描画パターンデータの構造を説明するための図である。
【符号の説明】
１　描画パターンデータの作成装置
２　セルデータバッファ
３　描画データのデコーダ
４　パターンデータデコーダ
５　主偏光器コントローラ
６　副偏光器コントローラ
７　可変ビーム成型器ドライバ
８　主偏光器ドライバ
９　副偏光器ドライバ
１０　筐体
１１　電子ビーム銃
１２　第１成型アパーチャ
１３　第１開口
１４　第２成型アパーチャ
１５　第２開口
１６　可変ビーム成型器
１７　主偏光器
１８　副偏光器
１９　試料
２０　試料台
２１　試料台のステッピング移動の駆動部
２２乃至２７　フレーム
３１乃至４１　サブフィールド領域
４２　サブフィールド領域の座標原点
４４乃至４８　単位描画パターン
５１　セル形成部
５２　セルデータ作成部
５３　セル分割部
５４　描画データ作成部
５５　入出力部
５６　記録部
６１乃至７８　半導体装置の回路パターンの単位回路パターン
８１乃至８９　設定可能な最大のサブフィールド領域
９１乃至９４　基準サブフィールド領域
９５　分割マージン帯
９６乃至９９　設定可能な最大のサブフィールド領域の境界線
１００　基準サブフィールド領域の境界線
１０１、１０２　基準サブフィールド領域
１１１乃至１２７、１３１乃至１３８　単位描画パターン
【図１】
2004087580.tif 000003
【図２】
2004087580.tif 000004
【図３】
2004087580.tif 000005
【図４】
2004087580.tif 000006
【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
2004087580.tif 000011
【図１０】
2004087580.tif 000012
【図１１】
2004087580.tif 000013
【図１２】
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