(57)【要約】【目的】回路側端子とＳＭＤ用端子を容易且つ確実に導通接続でき、プリント基板への実装時にマンハッタン現象を生じさせることのない薄膜回路モジュール及びその製造方法を得る。【構成】先ず、ＬＴＣＣ基板２に、その表裏の回路側端子及びＳＭＤ用端子形成エリアに対応させて、表裏に貫通するスルーホール５を形成し、このスルーホール５内に導体６を充填する。次に、ＬＴＣＣ基板表面２ａに回路側端子３ａを含む薄膜回路３を形成する。続いて、ＬＴＣＣ基板裏面２ｂの各スルーホール５上にＳＭＤ用端子４を形成し、スルーホール５内の導体６を介して各ＳＭＤ用端子４と回路側端子３ａをそれぞれ導通接続する。そして、各スルーホール５の中心位置でＬＴＣＣ基板２を切断してＬＴＣＣ基板側面２ｃにスルーホール５内の導体６を露出させ、個々の薄膜回路モジュール１を得る。【選択図】　図１
2004087921.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板表面に回路側端子を含む薄膜回路を有し、該基板裏面にＳＭＤ用端子を有し、該基板側面に、前記表裏の回路側端子とＳＭＤ用端子を導通させる側面導体を有する薄膜回路モジュールにおいて、
前記側面導体は、複数の薄膜回路モジュールを同時に形成するＬＴＣＣ基板に予め形成したスルーホール内に充填され、後に該ＬＴＣＣ基板から薄膜回路モジュールを切り出す際に切断されたスルーホール内導体からなっていることを特徴とする薄膜回路モジュール。
【請求項２】
請求項１記載の薄膜回路モジュールにおいて、前記スルーホールは表面開口位置と裏面開口位置とが異なっており、前記スルーホール内導体は、前記ＳＭＤ用端子側の基板側面に露出し、前記回路側端子側の基板側面には露出していない薄膜回路モジュール。
【請求項３】
請求項１または２記載の薄膜回路モジュールにおいて、前記スルーホール内導体がＡｇＰｄまたはＣｕである薄膜回路モジュール。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれか一項に記載の薄膜回路モジュールにおいて、前記ＳＭＤ用端子がＣｒ／ＣｕまたはＴｉ／Ｃｕからなるメッキシード膜とＣｕ／Ｎｉ／Ａｕ導体膜またはＮｉ／Ａｕ導体膜との積層体から形成されている薄膜回路モジュール。
【請求項５】
ＬＴＣＣ基板に、その表裏の回路側端子及びＳＭＤ用端子形成エリアに対応させて、表裏に貫通するスルーホールを形成し、このスルーホール内に導体を充填する工程と、
ＬＴＣＣ基板表面に、前記回路側端子を含む薄膜回路を形成する工程と、
ＬＴＣＣ基板裏面の各スルーホール上にＳＭＤ用端子を形成し、前記スルーホール内導体を介して該ＳＭＤ用端子と前記回路側端子を導通接続する工程と、
前記ＬＴＣＣ基板をスルーホール導体部分で切断し、基板側面に前記スルーホール内導体を露出させた薄膜回路モジュールを得る工程と、
を有することを特徴とする薄膜回路モジュールの製造方法。
【請求項６】
請求項５記載の薄膜回路モジュールの製造方法において、前記スルーホールの表面開口位置と裏面開口位置とを異ならせ、前記ＬＴＣＣ基板を前記裏面開口側のスルーホール導体部分で切断して、前記ＳＭＤ用端子側の基板側面に前記スルーホール内導体を露出させ、前記回路側端子側の基板側面にはスルーホール導体を露出させない薄膜回路モジュールの製造方法。
【請求項７】
請求項６記載の薄膜回路モジュールの製造方法において、前記ＬＴＣＣ基板を３層構造とし、該ＬＴＣＣ基板に前記スルーホールを形成して該スルーホール内に導体を充填させる工程では、前記ＬＴＣＣ基板の裏面となる第１層に、ＳＭＤ用端子形成エリアに対応させて、表裏を貫通する第１スルーホールを形成し、この第１スルーホール内に導体を充填するステップと；前記ＬＴＣＣ基板の第２層に、前記ＳＭＤ用端子形成エリアから該ＳＭＤ用端子形成エリアとは平面位置が異なる回路側端子形成エリアに跨らせて、表裏を貫通する中継スルーホールを形成し、この中継スルーホール内に導体を充填するステップと；前記ＬＴＣＣ基板の表面となる第３層に、前記回路側端子形成エリアに対応させて、表裏を貫通する第２スルーホールを形成し、この第２スルーホール内に導体を充填するステップと；前記第１層から第３層の各層を圧接させると共に、前記中継スルーホールを介して前記第１スルーホールと前記第２スルーホールとを導通接続させるステップと；を有する薄膜回路モジュールの製造方法。
【請求項８】
請求項５ないし７のいずれか一項に記載の薄膜回路モジュールの製造方法において、前記スルーホール内に充填される導体がＡｇＰｄまたはＣｕである薄膜回路モジュールの製造方法。
【請求項９】
請求項７記載の薄膜回路モジュールの製造方法において、前記第１スルーホール内に充填される導体がＡｇＰｄまたはＣｕであり、前記第２スルーホール及び前記中継スルーホール内に充填される導体がＡｇ、ＡｇＰｄまたはＣｕである薄膜回路モジュールの製造方法。
【請求項１０】
請求項５ないし９のいずれか一項に記載の薄膜回路モジュールの製造方法において、前記ＳＭＤ用端子を、Ｃｒ／ＣｕまたはＴｉ／Ｃｕからなるメッキシード膜と、Ｃｕ／Ｎｉ／Ａｕ導体膜またはＮｉ／Ａｕ導体膜との積層体から形成する薄膜回路モジュールの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の技術分野】
本発明は、表面実装用の薄膜回路モジュール及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来技術およびその問題点】
近年、携帯電話や小型モバイル等に代表される通信機器は、急速に小型軽量化、高性能化及び高周波化されつつある。これに伴い、通信機器に使用される回路モジュールには更なる小型軽量化及び高性能化が要求されており、厚膜印刷を用いた厚膜回路モジュールに替わって、基板上に薄膜抵抗や微細配線などの薄膜微細加工を施した薄膜回路モジュールが用いられる傾向にある。
【０００３】
従来の薄膜回路モジュールには、ガラス基板やアルミナセラミック基板が主に使用されている。このような基板材料ではスルーホール配線を施すことが難しく、従来では、以下の手順で、薄膜回路モジュールをプリント基板に表面実装している。先ず、基板の回路形成側とは反対側の面にＳＭＤ（表面実装部品）用端子を形成する。次に、回路側端子とＳＭＤ用端子とを導通させるＡｇペーストを基板側面に印刷し、このＡｇペースト上にＮｉ／Ａｕ導体膜を無電解メッキにより形成する。あるいは、スパッタ成膜法を用いてＣｒ／Ｃｕ等によるメッキシード膜を基板側面に形成し、このメッキシード膜上にＮｉ／Ａｕ導体膜を無電解メッキにより形成して回路側端子とＳＭＤ用端子とを導通させる。そして、ＳＭＤ用端子とプリント基板の導体膜とを半田付けする。このとき、溶融された半田はＳＭＤ用端子だけでなく基板側面のＮｉ／Ａｕ導体膜にも接触し、ＳＭＤ用端子及び基板側面がプリント基板に対して固定される。
【０００４】
上記Ｎｉ／Ａｕ導体膜の無電解メッキ及びメッキシード膜のスパッタ成膜は、上記端子が一箇所であれば容易に実現可能である。しかしながら、薄膜回路モジュールでは基板上に端子となるべき箇所が複数存在するため、Ａｇペーストを用いる場合はＡｇペーストと基板との密着性を良好に確保しなければならないこと、Ａｇペースト印刷時に位置ずれが生じてピッチが狭くなってしまうこと、無電解メッキの前処理によってＡｇペーストがダメージを受けてしまうこと等の課題がある。また、メッキシード膜を用いる場合には、端子形成エリアのみにメッキシード膜を成膜させるためマスクを用いたり、成膜時にスパッタ回り込みを利用したりすることから、基板との接続が不安定になる虞がある。さらに、Ｎｉ／Ａｕ導体膜を形成する際には、無電解メッキを用いるため、Ａｇペーストまたはメッキシード膜との密着が不安定となっている。このように従来では、回路側端子とＳＭＤ用端子を導通させる導体を基板側面に形成する際に課題が多かった。
【０００５】
そこで最近では、アルミナセラミック基板に替えて、低誘電率のＬＴＣＣ（低温焼結多層セラミック）基板を用いることが提案されている。このＬＴＣＣ基板を用いれば、スルーホール配線を施すことができ、該スルーホール配線によって回路側端子とＳＭＤ用端子を簡単且つ確実に導通させることが可能となる。しかしながら、スルーホール配線を施した薄膜回路モジュールでは、基板側面に半田ぬれ性が付与されていないため、ＳＭＤ用端子とプリント基板の導体膜とを半田付けする際に溶融した半田が薄膜回路モジュールの自重により逃げてしまい、各ＳＭＤ用端子に接する半田の表面張力にばらつきが生じる。この結果、薄膜回路モジュールの一端部が浮き上がって該薄膜回路モジュールが立ち上がってしまう、いわゆるマンハッタン現象（またはツームストーン現象）と呼ばれる不良が多発することが判明した。
【０００６】
【発明の目的】
本発明は、上記課題に鑑み、回路側端子とＳＭＤ用端子を容易且つ確実に導通接続でき、プリント基板への実装時にマンハッタン現象を生じさせることのない薄膜回路モジュール及びその製造方法を得ることを目的とする。
【０００７】
【発明の概要】
本発明は、導体を充填したスルーホール部分でＬＴＣＣ基板を切断すれば、基板側面にスルーホール内導体が露出することに着目してなされたものである。すなわち、本発明は、基板表面に回路側端子を含む薄膜回路を有し、該基板裏面にＳＭＤ用端子を有し、該基板側面に、前記表裏の回路側端子とＳＭＤ用端子を導通させる側面導体を有する薄膜回路モジュールにおいて、前記側面導体は、複数の薄膜回路モジュールを同時に形成するＬＴＣＣ基板に予め形成したスルーホール内に充填され、後に該ＬＴＣＣ基板から薄膜回路モジュールを切り出す際に切断されたスルーホール内導体からなっていることに特徴を有している。
【０００８】
上記構成によれば、印刷やスパッタ成膜等を用いることなく基板側面に導体を設けることができ、印刷ずれや導体の密着不良などの従来課題が解消される。
【０００９】
スルーホールは表面開口位置と裏面開口位置とが異なっており、スルーホール内導体は、ＳＭＤ用端子側の基板側面に露出し、回路側端子側の基板側面には露出していないことが好ましい。このようにスルーホール内導体がＳＭＤ用端子側にのみ露出していれば、薄膜回路モジュールをプリント基板へ表面実装する際に、溶融された半田が基板側面から基板表面の薄膜回路に達することがなく、且つ、マンハッタン現象を生じさせずにＳＭＤ用端子と側面導体とをプリント基板に半田付けすることができる。
【００１０】
また本発明は、薄膜回路モジュールの製造方法の態様によれば、ＬＴＣＣ基板に、その表裏の回路側端子及びＳＭＤ用端子形成エリアに対応させて、表裏に貫通するスルーホールを形成する工程と、このスルーホール内に導体を充填する工程と、ＬＴＣＣ基板表面に、前記回路側端子を含む薄膜回路を形成する工程と、ＬＴＣＣ基板裏面の各スルーホール上にＳＭＤ用端子を形成し、前記スルーホール内導体を介して該ＳＭＤ用端子と前記回路側端子を導通接続する工程と、前記ＬＴＣＣ基板をスルーホール導体部分で切断し、基板側面に前記スルーホール内導体を露出させた薄膜回路モジュールを得る工程とを有することを特徴としている。
【００１１】
上記製造方法では、スルーホールの表面開口位置と裏面開口位置とを異ならせておき、ＬＴＣＣ基板を裏面開口側のスルーホール導体部分で切断して、ＳＭＤ用端子側の基板側面にスルーホール内導体を露出させ、回路側端子側の基板側面にはスルーホール導体を露出させないことが好ましい。この表面開口位置と裏面開口位置とが異なるスルーホールは、例えばＬＴＣＣ基板を３層構造とした場合、以下のステップで形成可能である。すなわち、ＬＴＣＣ基板の裏面となる第１層に、ＳＭＤ用端子形成エリアに対応させて、表裏を貫通する第１スルーホールを形成し、この第１スルーホール内に導体を充填するステップと；ＬＴＣＣ基板の第２層に、ＳＭＤ用端子形成エリアから該ＳＭＤ用端子形成エリアとは平面位置が異なる回路側端子形成エリアに跨らせて、表裏を貫通する中継スルーホールを形成し、この中継スルーホール内に導体を充填するステップと；ＬＴＣＣ基板の表面となる第３層に、回路側端子形成エリアに対応させて、表裏を貫通する第２スルーホールを形成し、この第２スルーホール内に導体を充填するステップと；上記ＬＴＣＣ基板の第１層から第３層の各層を圧接させると共に、中継スルーホールを介して第１スルーホールと第２スルーホールとを導通接続させるステップと；から形成することができる。
【００１２】
スルーホール内導体は、半田ぬれ性が良好なＡｇＰｄまたはＣｕであることが好ましい。特にスルーホールが上記第１スルーホール、第２スルーホール及び中継スルーホールから形成される場合は、第１スルーホール内に充填される導体にＡｇＰｄまたはＣｕを用いることが好ましく、第２スルーホール及び中継スルーホール内に充填される導体にはＡｇ、ＡｇＰｄまたはＣｕを用いるとよい。
【００１３】
ＳＭＤ用端子は、Ｃｒ／ＣｕまたはＴｉ／Ｃｕからなるメッキシード膜と、Ｃｕ／Ｎｉ／Ａｕ導体膜またはＮｉ／Ａｕ導体膜との積層体から形成することができる。
【００１４】
【発明の実施の形態】
図１は、本発明の第１実施形態による薄膜回路モジュール１を示す断面図である。薄膜回路モジュール１は、ＬＴＣＣ基板２と、ＬＴＣＣ基板表面２ａに形成された薄膜回路３と、ＬＴＣＣ基板裏面２ｂに形成されたＳＭＤ用端子４とを備えている。薄膜回路３には、例えばＴａＮ導体膜からなる抵抗Ｒ、誘電体となるＳｉＯ２膜３１及びこのＳｉＯ２膜３１を挟む導体膜３２、３３からなるコンデンサＣ、導体膜３４を渦巻状に形成してなるコイルＬ、薄膜回路３の入口部または出口部となる複数の回路側端子３ａ等が含まれている。ＳＭＤ用端子４は、薄膜回路モジュール１をプリント基板に実装する際に該プリント基板の導体に対して半田付けされる端子であって、各回路側端子３ａに対向してそれぞれ設けられている。対向する回路側端子３ａとＳＭＤ用端子４は、ＬＴＣＣ基板側面２ｃに設けられた導体６によって導通接続されている。
【００１５】
次に、図２〜図６を参照し、薄膜回路モジュール１の製造工程について説明する。図２〜図４において、（ａ）は薄膜回路モジュール１の製造工程を示す断面図、（ｂ）は（ａ）を基板表面２ａ側または裏面２ｂ側から見て示す平面図の一部である。また、図５及び図６は、ＳＭＤ用端子４の形成工程を示す断面図である。
【００１６】
先ず、図２に示すように、ＬＴＣＣ基板２に、その表裏の回路側端子及びＳＭＤ用端子形成エリアに対応させて、基板表面２ａから裏面２ｂを垂直に貫通するスルーホール５を形成し、このスルーホール５内に導体６を充填する。導体６には、半田ぬれ性の良好なＡｇＰｄまたはＣｕ等を用いることが好ましい。上記スルーホール５は、図２（ｂ）から分かるように、各薄膜回路モジュール１の境界位置（ＬＴＣＣ基板２の切断位置）がスルーホール中心となるように配置されている。
【００１７】
次に、図３に示すように、ＬＴＣＣ基板表面２ａに、回路側端子３ａを含む薄膜回路３を形成する。このとき、各回路側端子３ａは、図３（ｂ）に示すようにスルーホール５上にそれぞれ配置される。詳細は図示していないが、薄膜回路３には、例えばＴａＮ導体膜からなる抵抗Ｒ、誘電体を導体膜で挟んで形成したコンデンサＣ、導体膜を渦巻状に形成したコイルＬ等が含まれている。
【００１８】
続いて、図４に示すように、ＬＴＣＣ基板裏面２ｂの各スルーホール５上にＳＭＤ用端子４を形成する。このＳＭＤ用端子４の形成工程では、先ず、図５に示すように、ＬＴＣＣ基板裏面２ｂにＣｒ／ＣｕまたはＴｉ／Ｃｕからなるメッキシード膜４ａを全面的にスパッタ成膜した後、端子形成エリア外のメッキシード膜４ａをレジスト層Ｒｇで覆い、レジスト層Ｒｇで覆われていない端子形成エリア内のメッキシード膜４ａ上にのみ、Ｃｕ／Ｎｉ／ＡｕまたはＮｉ／Ａｕからなる導体膜４ｂをメッキにより形成する。そして、図６に示すようにレジスト層Ｒｇを除去し、さらにウエットエッチングやイオンミリング等のエッチング処理によって端子形成エリア外のメッキシード膜４ａを除去する。これにより、図４に示すＳＭＤ用端子４が得られ、スルーホール５内の導体６を介して各回路側端子３ａとＳＭＤ用端子４とが導通接続される。
【００１９】
上記薄膜回路３の形成工程とＳＭＤ用端子４の形成工程は、どちらを先に行なってもよい。
【００２０】
ＳＭＤ用端子４を形成したら、スルーホール５の導体部分、好ましくは図４のＩ−Ｉ切断線で示すスルーホール５の中心位置でＬＴＣＣ基板２を切断する。すると、その切断面、すなわちＬＴＣＣ基板２の側面全体に導体６が露出し、図１に示す個々の薄膜回路モジュール１が得られる。
【００２１】
上記製造工程によれば、印刷やスパッタ法を用いずにＬＴＣＣ基板側面２ｃに導体６を形成することができ、導体の印刷位置ずれや密着不良などの問題が生じることもない。また、印刷やスパッタ法を用いる場合よりも製造工程が簡略化する。
【００２２】
上記薄膜回路モジュール１は、図７〜図９に示す手順で、プリント基板１０に対して表面実装される。プリント基板１０は、ガラスエポキシ樹脂基板１１、このガラスエポキシ樹脂基板１１上に形成された導体１２、導体１２の所定位置に形成されたＰＣＢソルダーレジスト１３を有している。
【００２３】
先ず、図７に示すように、プリント基板１０の導体１２上であってＰＣＢソルダーレジスト１３近傍の所定位置に、半田ペースト１４を印刷塗布する。次に、図８に示すように、各ＳＭＤ用端子４を半田ペースト１４上に位置させて薄膜回路モジュール１をプリント基板１０上に設置する。そして、半田ペースト１４を溶融する。すると、溶融された半田１４’が図９に示すようにＳＭＤ用端子４だけでなく基板側面２ｃの導体６までを覆って再固化し、ＳＭＤ用端子４及び導体６とプリント基板１０の導体１２とを確実に導通接続する。
【００２４】
以上のように薄膜回路モジュール１では、ＬＴＣＣ基板側面２ｃに半田ぬれ性のある導体６が露出しているので、ＳＭＤ用端子４とプリント基板１０の導体１２とを確実に半田付けすることができ、いわゆるマンハッタン現象を防止することができる。
【００２５】
図１０は、本発明の第２実施形態による薄膜回路モジュール１００を示している。第２実施形態は、ＳＭＤ用端子４とプリント基板１０の導体１２を接続する際に溶融した半田が薄膜回路３内の回路部品まで達しないように、上述の第１実施形態を改善したものである。すなわち、ＬＴＣＣ基板側面２ｃのＳＭＤ用端子４側にだけ導体６が露出している点において、第１実施形態と異なる。図１０では、第１実施形態と実質的に同一の構成要素に、図１と同一符号を付してある。
【００２６】
スルーホール５０は、基板裏面２ｂに開口する縦長の第１スルーホール５１と、基板表面２ａに開口する縦長の第２スルーホール５２と、これら第１、第２スルーホール５１、５２を連通する横長の中継スルーホール５３とから階段状に形成されていて、第１スルーホール５１と第２スルーホール５２の開口位置が異なっている。ＬＴＣＣ基板２は３層構造（図１１参照）をなしており、第１ＬＴＣＣ層２１に第１スルーホール５１、第２ＬＴＣＣ層２２に中継スルーホール５３、第３ＬＴＣＣ層２３に第２スルーホール５２がそれぞれ形成されている。各スルーホール５１、５２、５３内にはそれぞれ導体６が充填されていて、第１スルーホール５１内の導体６ａだけがＬＴＣＣ基板側面２ｃに露出する。
【００２７】
次に、図１１〜図１３を参照し、薄膜回路モジュール１００の製造工程について説明する。図１１〜図１３において、（ａ）は薄膜回路モジュール１００の製造工程を示す断面図、（ｂ）は（ａ）を基板表面２ａ側または裏面２ｂ側から見て示す平面図の一部である。
【００２８】
先ず、図１１に示すように、第１ＬＴＣＣ層２１を形成し、この第１ＬＴＣＣ層２１に、ＳＭＤ用端子形成エリアに対応させて、その表裏を貫通する第１スルーホール５１を形成し、この第１スルーホール５１内に導体６（６ａ）を充填する。次に、第１ＬＴＣＣ層２１上に第２ＬＴＣＣ層２２を形成し、この第２ＬＴＣＣ層２２に、回路側端子形成エリアからＳＭＤ用端子形成エリアに跨らせて、その表裏を貫通する中継スルーホール５３を形成し、この中継スルーホール５３内に導体６を充填する。続いて、第２ＬＴＣＣ層２２上に第３ＬＴＣＣ層２３を形成し、この第３ＬＴＣＣ層２３に、回路側端子形成エリアに対応させて、その表裏を貫通する第２スルーホール５２を形成し、この第２スルーホール５２内に導体６を充填する。そして、第３ＬＴＣＣ層２３の上から圧力をかけて各ＬＴＣＣ層２１、２２、２３を接続し、各スルーホール５１、５２、５３を接続する。これにより、階段状のスルーホール５０を有する３層構造のＬＴＣＣ基板２が得られる。本実施形態では、図１１（ｂ）から分かるように、第１スルーホール５１と第２スルーホール５２の開口位置を異ならせる。
【００２９】
上記導体６には、例えばＡｇ、ＡｇＰｄまたはＣｕ等を用いることができ、特に第１スルーホール５１内に充填される導体６ａにはＡｇＰｄまたはＣｕを用いることが好ましい。
【００３０】
次に、図１２に示すように、ＬＴＣＣ基板表面２ａに、回路側端子３ａを含む薄膜回路３を形成する。このとき、各回路側端子３ａは、図１２（ｂ）に示すように第２スルーホール５２上にそれぞれ配置される。詳細は図示していないが、薄膜回路３には、例えばＴａＮ導体膜からなる抵抗Ｒ、誘電体を導体膜で挟んで形成したコンデンサＣ、導体膜を渦巻状に形成したコイルＬ等が含まれている。
【００３１】
続いて、図１３に示すように、ＬＴＣＣ基板裏面２ｂに、第１スルーホール５１上に位置させて、ＳＭＤ用端子４をそれぞれ形成する。これにより、スルーホール５０を介して回路側端子３ａとＳＭＤ用端子４とが導通接続される。
【００３２】
上記薄膜回路３及びＳＭＤ用端子４の形成工程は、第１実施形態と同様であり、どちらを先に行なってもよい。
【００３３】
ＳＭＤ用端子４を形成したら、第１スルーホール５１の導体部分、好ましくは図１３のＸ−Ｘ切断線で示すように第１スルーホール５１の中心位置でＬＴＣＣ基板２を切断する。すると、その切断面から、ＳＭＤ用端子４に直接接続されている第１スルーホール５１内の導体６ａが露出する。すなわち、ＬＴＣＣ基板側面２ｃのＳＭＤ用端子４側にのみ導体６が露出し、図１０に示す個々の薄膜回路モジュール１００が得られる。
【００３４】
このように第２実施形態によっても、上述の第１実施形態と同様、印刷やスパッタ法を用いずにＬＴＣＣ基板側面２ｃに導体６を形成することができ、導体の印刷位置ずれや密着不良などの問題が生じることがない。
【００３５】
上記薄膜回路モジュール１００は、図１４に示すように各ＳＭＤ用端子４をプリント基板１０の半田ペースト１４上に位置させてプリント基板１０上に設置され、この設置状態で半田ペースト１４が溶融される。すると、図１５に示すように、溶融された半田１４’がＳＭＤ用端子４だけでなく基板側面２ｃの導体６までを覆った状態で再固化し、ＳＭＤ用端子４及び導体６ａとプリント基板１０の導体１２とを確実に導通接続する。以上により、マンハッタン現象を生じさせることなく、薄膜回路モジュール１００をプリント基板１０に表面実装することができる。
【００３６】
以上のように第２実施形態では、ＬＴＣＣ基板側面２ｃにおいて、ＳＭＤ用端子４側にのみ、半田ぬれ性のある導体６が設けられている。別言すれば、ＬＴＣＣ基板側面２ｃの回路側端子３ａ側には導体６が設けられておらず、半田ぬれ性が付与されていない。よって、薄膜回路モジュール１００をプリント基板１０に表面実装する際に溶融された半田１４’は、基板側面２ｃの回路側端子３ａ側まで到達することがなく、薄膜回路３内の回路部品がプリント基板１０の導体１２に導通接続される虞がない。
【００３７】
以上の第２実施形態では、ＬＴＣＣ基板２を３層構造としてあるが、ＬＴＣＣ基板２はこれに限定されず、２層構造または３層以上の多層構造で形成されていてもよい。また、スルーホール５０は、基板裏面２ｂに開口する第１スルーホール５１が基板切断面を含んで形成され、第２スルーホール５２及び中継スルーホール５３が基板切断面を避けて形成されていれば、その形状は問わない。
【００３８】
【発明の効果】
本発明によれば、回路側端子とＳＭＤ用端子を容易且つ確実に導通接続でき、プリント基板への実装時にマンハッタン現象を生じさせることのない薄膜回路モジュール及びその製造方法を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施形態による薄膜回路モジュールの構造を示す断面図である。
【図２】図２の薄膜回路モジュールの製造工程を示す（ａ）断面図、（ｂ）上面図の一部である。
【図３】図２に示す工程の次工程を示す（ａ）断面図、（ｂ）上面図の一部である。
【図４】図３に示す工程の次工程を示す（ａ）断面図、（ｂ）底面図の一部である。
【図５】図４に示すＳＭＤ用端子の形成工程の一工程を示す断面図である。
【図６】図５に示す工程の次工程を示す断面図である。
【図７】図１の薄膜回路モジュールが実装されるプリント基板の一例（半田ペーストを塗布した状態）を示す断面図である。
【図８】図１の薄膜回路モジュールを図７のプリント基板に設置した状態を示す断面図である。
【図９】図１の薄膜回路モジュールを図７のプリント基板に表面実装した状態を示す断面図である。
【図１０】本発明の第２実施形態による薄膜回路モジュールの構造を示す断面図である。
【図１１】図１０に示す薄膜回路モジュールの製造工程の一工程を示す（ａ）断面図、（ｂ）上面図の一部である。
【図１２】図１１に示す工程の次工程を示す（ａ）断面図、（ｂ）上面図の一部である。
【図１３】図１２に示す工程の次工程を示す（ａ）断面図、（ｂ）底面図の一部である。
【図１４】図１０に示す薄膜回路モジュールを図７のプリント基板に設置した状態を示す断面図である。
【図１５】図１０に示す薄膜回路モジュールを図７のプリント基板に表面実装した状態を示す断面図である。
【符号の説明】
１　　薄膜回路モジュール
２　　ＬＴＣＣ基板
２ａ　基板表面
２ｂ　基板裏面
２ｃ　基板側面
３　　薄膜回路
３ａ　回路側端子
４　　ＳＭＤ用端子
４ａ　メッキシード膜
４ｂ　導体膜
５　　スルーホール
６　　導体
６ａ　導体
１０　　プリント基板
１１　　ガラスエポキシ樹脂基板
１２　　導体
１３　　ＰＣＢソルダーレジスト
１４　　半田ペースト
５１　　第１スルーホール
５２　　第２スルーホール
５３　　中継スルーホール
Ｒｇ　　レジスト層
【図１】
2004087921.tif 000003
【図２】
2004087921.tif 000004
【図３】
2004087921.tif 000005
【図４】
2004087921.tif 000006
【図５】
2004087921.tif 000007
【図６】
2004087921.tif 000008
【図７】
2004087921.tif 000009
【図８】
2004087921.tif 000010
【図９】
2004087921.tif 000011
【図１０】
2004087921.tif 000012
【図１１】
2004087921.tif 000013
【図１２】
2004087921.tif 000014
【図１３】
2004087921.tif 000015
【図１４】
2004087921.tif 000016
【図１５】
2004087921.tif 000017