(57)【要約】【課題】調芯時間を短縮し、調芯の作業効率を向上する光モジュールの調芯方法を提供することにある。【解決手段】光源９２と光伝送用部品９３とを調芯結合させる光モジュールの調芯方法において、上記光源９２と上記光伝送用部品９３との隙間ｚ１を広くして上記光源９２と上記光伝送用部品９３とを相対的に移動させることにより仮の調芯位置Ｐ３を求めた後、上記隙間ｚ１を狭くして上記光源９２と上記光伝送用部品９３とを相対的に移動させることにより真の調芯位置Ｐｆを求める方法である。【選択図】      図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
光源と光伝送用部品とを調芯結合させる光モジュールの調芯方法において、上記光源と上記光伝送用部品との隙間を広くして上記光源と上記光伝送用部品とを相対的に移動させることにより仮の調芯位置を求めた後、上記隙間を狭くして上記光源と上記光伝送用部品とを相対的に移動させることにより真の調芯位置を求めることを特徴とする光モジュールの調芯方法。
【請求項２】
上記隙間を広くして第一の仮の調芯位置を求め、その第一の仮の調芯位置から上記隙間を狭くして第二の仮の調芯位置を求め、その第二の仮の調芯位置から上記隙間をさらに狭くして第三の仮の調芯位置を求め、その第三の仮の調芯位置から真の調芯位置を求める請求項１記載の光モジュールの調芯方法。
【請求項３】
上記隙間を、上記光源と上記光伝送用部品とを相対的に移動させる範囲における最大光出力と最小光出力との差が約２０〜３０ｄＢｍとなるようにする請求項１または２記載の光モジュールの調芯方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体レーザなどの光源と光ファイバなどの光伝送用部品とを調芯結合させる光モジュールの調芯方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
ＬＤ（半導体レーザ）などの光源と、光ファイバなどの光伝送用部品とを備えた光伝送用の光モジュールを組み立てる際には、図１２に示すような調芯機９１を用いてＬＤ９２と光ファイバ９３とを高精度に調芯結合させる必要がある。
【０００３】
調芯機９１は、光ファイバ９３の下端に取り付けられたキャピラリブロック９４を把持するホルダーチャック９５と、そのホルダーチャック９５を水平方向（Ｘ軸方向）に移動させる調芯Ｘ軸用ステージ９６ｘと、ホルダーチャック９５をＸ軸用ステージ９６ｘの移動方向と直交する水平方向（Ｙ軸方向）に移動させる調芯Ｙ軸用ステージ９６ｙと、ホルダーチャック９５の下方に設けられ、Ｘ軸およびＹ軸用ステージ９６ｘ，９６ｙに対して相対的に上下方向（Ｚ軸方向）に移動する調芯Ｚ軸用ステージ９６ｚとを備えている。
【０００４】
Ｚ軸用ステージ９６ｚの上部には、上面に集光レンズ９７が取り付けられたＬＤ９２が挿入されて把持される。ホルダーチャック９５には、図示していないが、ＬＤ９２からの光出力（受光パワー）を測定するパワーメーターが備えられている。パワーメーターには、パワーメーターからのデータを処理するパソコン等の端末が接続される。
【０００５】
さて、従来の光モジュールの調芯方法は、ＬＤ９２と光ファイバ９３の調芯面（厳密にはＬＤ９２の上面とキャピラリブロック９４の下面）を面合わせする面合わせ作業の終了後、まず、ホルダーチャック９５を下方に移動し、キャピラリブロック９４の下面とＬＤ９２の上面とを、互いに接触しないように調芯用隙間ｇまで狭くし、この調芯用隙間ｇを保持した状態で調芯を開始する。調芯用隙間ｇは、キャピラリブロック９４とＬＤ９２とを溶接固定する隙間であり、例えば１０μｍである。
【０００６】
次に、Ｘ軸およびＹ軸用ステージ９６ｘ，９６ｙによってホルダーチャック９５を、図１３に示すように調芯開始位置から外側に一定間隔広げながらのスパイラル（らせん）形状で移動させてスパイラル調芯（粗調芯）を行い、ＬＤ９２からの光出力が所定値以上となる仮の調芯位置を求める。
【０００７】
さらに、仮の調芯位置からＸ軸およびＹ軸用ステージ９６ｘ，９６ｙにより、キャピラリブロック９４をＸ軸およびＹ軸方向に微調芯し、光出力が最大になる真の調芯位置を求め、その位置でＬＤ９２と光ファイバ９３とを調芯結合させる。
【０００８】
なお、この出願の発明に関連する先行技術文献情報としては、次のものがある。
【０００９】
【特許文献１】
特開２０００−３４７０７１号公報
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
従来の光モジュールの調芯方法では、キャピラリブロック９４とＬＤ９２とを溶接固定する調芯用隙間ｇを保持した状態での調芯開始となるが、真の調芯位置は個々のキャピラリブロック９４とＬＤ９２の精度に依存する。すなわち、あるキャピラリブロック９４とＬＤ９２における真の調芯位置を原点とすると、別のキャピラリブロック９４とＬＤ９２における真の調芯位置は上記原点に対してＸ軸およびＹ軸方向とも±２００μｍ程度の範囲でばらつきがある。
【００１１】
また、図１４に示すように、図１２で説明した調芯機９１により、調芯用隙間ｇが１０μｍにおけるＬＤ９２と光ファイバ９３とのＸ軸あるいはＹ軸方向の光損失のトレランス（公差）曲線ａを簡単に求めることができるが、そのトレランス曲線ａを見ると、最大光出力は−５ｄＢｍ程度なのに対し、調芯位置が±２００μｍ離れると最小光出力は−６５ｄＢｍ程度となり、調芯範囲が±２００μｍにおける最大光出力と最小光出力とは約６０ｄＢｍもの差がある。
【００１２】
この場合、ホルダーチャック９５に備えられたパワーメーターのアナログ出力のダイナミックレンジは、通常約２０〜３０ｄＢｍであり、それ以上の光出力の差が存在するとパソコン等の端末にデータを取り込むことができなくなるので、調芯範囲が±２００μｍにおいて、Ｘ軸およびＹ軸方向に極めて細かい調芯ステップを刻みながらのスパイラル調芯をする必要がある。
【００１３】
そこで、従来の光モジュールの調芯方法では、調芯ステップの刻みを真の調芯位置を求めるために有効である１０μｍ程度に設定し、Ｘ軸およびＹ軸方向とも調芯範囲が±２００μｍ程度でスパイラル調芯を行っている。
【００１４】
しかしながら、スパイラル調芯を行うと、調芯総移動距離が最大で１６ｍｍ程度となるので、調芯ステップの刻みが極めて細かいことからも、調芯回数が増えて調芯時間が長くなる。
【００１５】
また、調芯用隙間ｇが１０μｍと極めて狭いので、キャピラリブロック９４とＬＤ９２の集光レンズ９７がぶつかって集光レンズ９７に傷がついたり、最悪の場合集光レンズ９７が破損したりするおそれがあり、ひいては光モジュールの歩留まりの悪化や生産数量が減少するという問題がある。
【００１６】
さらに、ＬＤ９２のロットが変わると、以前のロットと条件が変わるので調芯に時間を要し、あるいは全く調芯できなくなってしまい、その都度、調芯機９１の調整や手直しを要求され、調芯の作業効率が悪いという問題がある。
【００１７】
そこで、本発明の目的は、調芯時間を短縮し、調芯の作業効率を向上し、光モジュールの生産数量を増大する光モジュールの調芯方法を提供することにある。
【００１８】
【課題を解決するための手段】
本発明は上記目的を達成するために創案されたものであり、請求項１の発明は、光源と光伝送用部品とを調芯結合させる光モジュールの調芯方法において、上記光源と上記光伝送用部品との隙間を広くして上記光源と上記光伝送用部品とを相対的に移動させることにより仮の調芯位置を求めた後、上記隙間を狭くして上記光源と上記光伝送用部品とを相対的に移動させることにより真の調芯位置を求める光モジュールの調芯方法である。
【００１９】
請求項２の発明は、上記隙間を広くして第一の仮の調芯位置を求め、その第一の仮の調芯位置から上記隙間を狭くして第二の仮の調芯位置を求め、その第二の仮の調芯位置から上記隙間をさらに狭くして第三の仮の調芯位置を求め、その第三の仮の調芯位置から真の調芯位置を求める請求項１記載の光モジュールの調芯方法である。
【００２０】
請求項３の発明は、上記隙間を、上記光源と上記光伝送用部品とを相対的に移動させる範囲における最大光出力と最小光出力との差が約２０〜３０ｄＢｍとなるようにする請求項１または２記載の光モジュールの調芯方法である。
【００２１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の好適実施の形態を添付図面にしたがって説明する。
【００２２】
本発明に係る光モジュールの調芯方法の実施には、例えば、図１２で説明した調芯機９１を使用する。まず本発明者は、この調芯機９１により、図１に示すように、調芯用隙間がそれぞれ１０μｍ、０．５ｍｍ、１ｍｍ、２ｍｍにおけるＬＤと光ファイバとのＸ軸あるいはＹ軸方向の光損失のトレランス曲線ａ〜ｄをそれぞれ求めた。
【００２３】
図１では、調芯用隙間が１０μｍのトレランス曲線ａを実線で示し、調芯用隙間が０．５ｍｍのトレランス曲線ｂを一点鎖線で示し、調芯用隙間が１ｍｍのトレランス曲線ｃを二点鎖線で示し、調芯用隙間が２ｍｍのトレランス曲線ｄを点線で示した。また、横軸をＬＤの光軸と略垂直方向（Ｘ軸あるいはＹ軸方向）の調芯位置（μｍ）にとり、縦軸を上述したパワーメーターで測定したＬＤからの光出力（ｄＢｍ）にとっている。
【００２４】
トレランス曲線ａは、例えば図１２に示すように、調芯機９１にＬＤ９２と光ファイバ９３とをセットし、ＬＤ９２と光ファイバ９３の調芯面（厳密にはＬＤ９２の上面とキャピラリブロック９４の下面）を面合わせする面合わせ作業の終了後、ホルダーチャック９５を下方に移動し、キャピラリブロック９４の下面とＬＤ９２の上面との調芯用隙間ｇが１０μｍとなるように狭くし、その状態でＸ軸およびＹ軸用ステージ９６ｘ，９６ｙによってホルダーチャック９５を適宜蛇行移動し、ホルダーチャック９５のパワーメーターからのデータをパソコン等の端末で処理することで、簡単に得られる。得られたトレランス曲線ａは、端末に記憶される。トレランス曲線ｂ〜ｄについても同様である。
【００２５】
図１に示すように、トレランス曲線ａ〜ｄは、調芯用隙間を光軸と略平行方向に広くすれば広くするほど傾きが緩やかになるので、光軸と略垂直方向のズレが大きくなっても、その調芯用隙間における最大光出力位置に対する光損失の劣化が小さくなる。つまり、ＬＤに対して光ファイバをＸ軸およびＹ軸方向に移動させる範囲（調芯範囲）において、最大光出力と最小光出力との差を小さくすることができる。本発明者は、このトレランス曲線ａ〜ｄの性質に着目し、以下に説明する光モジュールの調芯方法を創案するに至った。
【００２６】
さて、本発明に係る光モジュールの調芯方法を図２のフローチャートを中心にして図２〜図９で説明する。以下の説明では、図７に示すように、ＬＤ９２の上面の中心を原点Ｏにとり、ＬＤ９２の光軸Ｌは、Ｚ軸からＸ軸回りに傾き角θｘずれているものとする。ただし、光軸ＬのＺ軸からＹ軸回りの傾き角θｙは０とする。
【００２７】
まず、上述したように調芯機９１によって、図２に示すようなトレランス曲線ａ，ｃ，ｄを求める。これは、品種あるいはロットの１個目のＬＤ９２のみについて行う。トレランス曲線ａ，ｃ，ｄは、ＬＤ９２の品種あるいはロットが変わらない限り同一とみなせるからである。
【００２８】
また、図７で後述する調芯用隙間ｚ３を以下のようにして予め求めておく。まず図８に示すように、調芯機９１のホルダーチャックに備えられたパワーメーターｍを±Ｚ軸方向に移動し、図９に示されるようなＬＤ９２の光軸と略平行方向（Ｚ軸方向）のトレランス曲線ｅを求める。図９では、図７で後述する調芯用隙間ｚ１，ｚ２も示した。このトレランス曲線ｅを参照し、Ｚ軸用ステージ９６ｚのＬＤ９２のセット基準面ｆから最も受光パワーが大きくなる距離ｚｓを求め、その距離ｚｓから調芯用隙間ｚ３を求める。この調芯用隙間ｚ３は基準となるので、端末に記憶される。これも、品種あるいはロットの１個目のＬＤ９２のみについて行う。トレランス曲線ｅは、ＬＤ９２の品種あるいはロットが変わらない限り同一とみなせるからである。
【００２９】
トレランス曲線ａ，ｃ，ｄと調芯用隙間ｚ３を求めた後、図３に示すように、ホルダーチャック９５をＬＤ９２の光軸と略平行方向の上方（＋Ｚ軸方向）に移動し、キャピラリブロック９４の下面とＬＤ９２の上面とを調芯用隙間ｚ１まで広くする。ただし、調芯用隙間ｚ１は、調芯範囲における最大光出力と最小光出力との差が約２０〜３０ｄＢｍとなるようにする。この調芯用隙間ｚ１を保持した状態の調芯開始位置Ｐ１（図７参照）から調芯を開始し、Ｘ軸およびＹ軸用ステージ９６ｘ，９６ｙによってホルダーチャック９５をＬＤ９２の光軸と略垂直方向（Ｘ軸およびＹ軸方向）に移動して調芯し、調芯開始位置Ｐ１のＸ軸方向に存在する位置Ｐ２（図７参照）と、その位置Ｐ２のＹ軸方向に存在する第一の仮の調芯位置Ｐ３（図７参照）とを探す（図２のステップＦ２１）。
【００３０】
本実施の形態では、調芯用隙間ｚ１を図２のトレランス曲線ｄに合わせて２ｍｍとした。これは、トレランス曲線ｄにおいて、調芯範囲が±２００μｍにおける最大光出力と最小光出力の差が約２０〜３０ｄＢｍとなり、光出力ピーク範囲ａ１が広く、ピークサーチが容易になるからである。また、ホルダーチャック９５に備えられたパワーメーターのアナログ出力のダイナミックレンジが、通常約２０〜３０ｄＢｍであることも考慮した。
【００３１】
次に、端末に記憶されたトレランス曲線ｄを参照して光出力ピーク範囲ａ１を確認し、図４に示すように、トレランス曲線ｄのピーク位置である第一の仮の調芯位置Ｐ３（図７参照）を求める（図２のステップＦ２２）。
【００３２】
ここで、調芯開始位置Ｐ１から第一の仮の調芯位置Ｐ３を求めるステップＦ２１からステップＦ２２までの詳細を説明する。図７に示すように、▲１▼調芯開始位置をＰ１（ｘ１，ｙ１，ｚ１）とし、▲２▼その位置Ｐ１から±Ｘ軸方向の調芯を行い、ＬＤ９２の想定される楕円状のファーフィールド・パターンＦにおいて、パワーメーターの受光パワーが最大になる長軸上の受光ＭＡＸ点を位置Ｐ２（ｘ２，ｙ１，ｚ１）として求め、▲３▼その位置Ｐ２から±Ｙ軸方向の調芯を行い、ファーフィールド・パターンＦにおいて、パワーメーターの受光パワーが最大になる短軸上の受光ＭＡＸ点を位置Ｐ３（ｘ２，ｙ２，ｚ１）として求め、この位置Ｐ３を第一の仮の調芯位置とする。
【００３３】
第一の仮の調芯位置Ｐ３を求めた後、図５に示すように、ホルダーチャック９５をＬＤ９２の光軸と略垂直方向の下方（−Ｚ軸方向）に移動し、キャピラリブロック９４の下面とＬＤ９２の上面とを調芯用隙間ｚ２（＜ｚ１）まで狭くする。ただし、調芯用隙間ｚ２は、予め決めておくようにする。本実施の形態では、調芯用隙間ｚ２を図２のトレランス曲線ｃに合わせて１ｍｍとした。この調芯用隙間ｚ２を保持した状態の位置Ｐ４（図７参照）から、Ｘ軸およびＹ軸用ステージ９６ｘ，９６ｙによってホルダーチャック９５をＬＤ９２の光軸と略垂直方向に移動して調芯し、位置Ｐ４のＸ軸方向に存在する位置Ｐ５（図７参照）と、その位置Ｐ５のＹ軸方向に存在する第二の仮の調芯位置Ｐ６を探す（図２のステップＦ２３）。
【００３４】
端末に記憶されたトレランス曲線ｃを参照して光出力ピーク範囲ａ２（＜ａ１）を確認し、トレランス曲線ｃのピーク位置である第二の仮の調芯位置Ｐ６を求める（図２のステップＦ２４）。
【００３５】
第一の仮の調芯位置Ｐ３から第二の仮の調芯位置Ｐ６を求めるまでの時間は、光出力ピーク範囲ａ１内に光出力ピーク範囲ａ２が存在するので、調芯開始から第一の仮の調芯位置Ｐ３を求めるまでの時間よりも短い。
【００３６】
ここで、第一の仮の調芯位置Ｐ３から第二の仮の調芯位置Ｐ６を求めるステップＦ２３からステップＦ２４までの詳細を説明する。図７に示すように、▲４▼位置Ｐ３から−Ｚ軸方向に所定距離ｄ１２（ｚ１−ｚ２）移動して位置Ｐ４（ｘ２，ｙ２，ｚ２）を求め、▲５▼その位置Ｐ４から＋Ｘ軸方向あるいは−Ｘ軸方向のみの調芯を行い、上述した▲２▼と同様の受光ＭＡＸ点を位置Ｐ５（ｘ３，ｙ２，ｚ２）として求め、▲６▼その位置Ｐ５から＋Ｙ軸方向あるいは−Ｙ軸方向のみの調芯を行い、上述した▲３▼と同様の受光ＭＡＸ点を位置Ｐ６として求め、この位置Ｐ６を第二の仮の調芯位置とする。図７の例では傾き角θｙ＝０としたので、位置Ｐ５と位置Ｐ６は一致する。
【００３７】
第二の仮の調芯位置Ｐ６を求めた後、図６に示すように、ホルダーチャック９５をＬＤ９２の光軸と略垂直方向の下方（−Ｚ軸方向）にさらに移動し、キャピラリブロック９４の下面とＬＤ９２の上面とを予め求めておいた調芯用隙間ｚ３（＜ｚ２）まで狭くする。この調芯用隙間ｚ３を保持した状態で、第一および第二の仮の調芯位置Ｐ３，Ｐ６に基づいて第三の仮の調芯位置Ｐ７を求める（図２のステップＦ２５）。本実施の形態では、調芯用隙間ｚ３を図２のトレランス曲線ａに合わせて１０μｍとした。
【００３８】
ここで、第二の仮の調芯位置Ｐ６から第三の仮の調芯位置Ｐ７を求めるステップＦ２５の詳細を説明する。図７に示すように、▲７▼位置Ｐ３と位置Ｐ６とからＬＤ９２の光軸Ｌの傾き角θｘ，θｙを計算により求め、▲８▼位置Ｐ６から−Ｚ軸方向にｄ２３（ｚ２−ｚ３）移動し、さらに傾き角θｘ，θｙを補正して位置Ｐ７（ｘ，ｙ，ｚ３）を求め、この位置Ｐ７を第三の仮の調芯位置とする。このとき、位置Ｐ６から位置Ｐ７までの移動方向は、光軸ＬをＬＤ９２に向かって近づく方向である。
【００３９】
第三の仮の調芯位置Ｐ７を求めた後、さらにＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸用ステージ９６ｘ〜９６ｚによってホルダーチャック９５を微調整して図７に示した真の調芯位置Ｐｆ（ｘｆ，ｙｆ，ｚｆ）を求め、この真の調芯位置ＰｆにてＬＤ９２と光ファイバ９３を調芯結合させる（Ｆ２６）。
【００４０】
品種あるいはロットが変わらない２個目以降のＬＤ９２については、上述したステップＦ２１〜Ｆ２６の工程を再び行う。
【００４１】
このように、本発明に係る光モジュールの調芯方法は、ＬＤ９２と光ファイバ９３との調芯用隙間を広くした状態で調芯を開始するので、調芯用隙間を広くすると光出力ピーク範囲が広くなって傾きが緩やかになるトレランス曲線の性質を利用することで、ピークサーチの範囲が広くなり、仮の調芯位置を容易かつ短時間で求めることができる。さらに、その仮の調芯位置から調芯用隙間を狭くした状態で調芯を行うので、ピークサーチの範囲がより狭くなり、光出力のピーク位置を容易かつ短時間で確認できる。
【００４２】
これにより、ＬＤ９２と光ファイバ９３を溶接固定する調芯用隙間での調芯が容易になり、ＬＤ９２から光ファイバ９３への光出力が最大となる真の調芯位置を容易かつ短時間で確実に求めることができる。
【００４３】
また、従来の方法のように溶接固定する調芯用隙間で調芯を開始していないことから、細かい調芯ステップでのスパイラル調芯を行う必要がなく、調芯方法が簡素化できると共に調芯スピードの向上も期待できるため、調芯時間を短縮できるだけでなく、調芯の作業効率も向上でき、ひいては光モジュールの生産数量を増大できる。
【００４４】
さらに、調芯回数についても、従来の方法に比べて大幅に低減できる。本実施の形態の調芯回数は、ステップＦ２１からステップＦ２２まで最大で４回、ステップＦ２３からステップＦ２４まで２回、ステップＦ２５とステップＦ２６が各１回の合計８回と非常に少ない。
【００４５】
また、上記実施の形態では、図１や図２において、光出力のピーク（山）が一つ存在するＬＤと光ファイバとの光損失のトレランス曲線ａ〜ｄについて説明したが、本発明はトレランス曲線の種類には限定されない。
【００４６】
トレランス曲線には、ＬＤの種類や形状によって光出力のピークが複数存在する場合もある。例えば、図１０に示したトレランス曲線αでは、光出力が最大となる真のピークα２と光出力が最大よりも小さい偽ピークα１とが存在する。図１１に示したトレランス曲線βでは、光出力が最大となる真のピークβ２と光出力が最大よりも小さい二つの偽ピークβ１，β３が存在する。
【００４７】
本発明に係る光モジュールの調芯方法は、上述したように、ＬＤから光ファイバへの光出力が最大となる真の調芯位置を確実に求めることができるので、トレランス曲線α，βのような特性を有するＬＤの場合でも、光出力の偽ピークを認識してしまう恐れがない。したがって、ＬＤの種類や形状に関係なく、ＬＤのみならず多種多様の光素子についても調芯が可能となり、新製品の開発にも役立つ。
【００４８】
上記実施の形態では、図１２で説明した調芯機９１を使用した例で説明したが、調芯機としては、ＬＤ９２と光ファイバ９３との相対位置を三次元的に変化できるものであればよい。
【００４９】
また、光源としてＬＤ９２を用い、光伝送用部品として光ファイバ９３を用いた例で説明したが、例えば、光源としては発光ダイオードを用い、光伝送用部品としては光導波路を用いてもよい。
【００５０】
【発明の効果】
以上説明したことから明らかなように、本発明によれば、次のような優れた効果を発揮する。
【００５１】
（１）調芯時間を短縮できる。
【００５２】
（２）調芯の作業効率を向上できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】ＬＤの光軸と略垂直方向のトレランス曲線の一例を示す図である。
【図２】本発明の好適実施の形態を示すフローチャートと、図１に示した光損失のトレランス曲線とを対応させた図である。
【図３】本発明に係る光モジュールの調芯方法の一工程を示す図である。
【図４】本発明に係る光モジュールの調芯方法の一工程を示す図である。
【図５】本発明に係る光モジュールの調芯方法の一工程を示す図である。
【図６】本発明に係る光モジュールの調芯方法の一工程を示す図である。
【図７】本発明に係る光モジュールの調芯方法の詳細を示す図である。
【図８】本発明に係る光モジュールの調芯方法の一工程を示す図である。
【図９】ＬＤの光軸と略平行方向のトレランス曲線の一例を示す図である。
【図１０】光出力の偽ピークがあるトレランス曲線の一例を示す図である。
【図１１】光出力の偽ピークがあるトレランス曲線の一例を示す図である。
【図１２】調芯機の概略図である。
【図１３】従来の光モジュールの調芯方法を説明する図である。
【図１４】ＬＤの光軸と略垂直方向のトレランス曲線の一例を示す図である。
【符号の説明】
９１  調芯機
９２  ＬＤ（光源）
９３  光ファイバ（光伝送用部品）
ｚ１，ｚ２，ｚ３  調芯用隙間
Ｐ３  第一の仮の調芯位置
Ｐ６  第二の仮の調芯位置
Ｐ７  第三の仮の調芯位置
Ｐｆ  真の調芯位置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
2004264754.tif 000013
【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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