(57)【要約】【課題】複数の放電電極２３，２４の配線２５，２６が放電に与える影響を低減し、放電電極２３，２４間の所定の放電領域において、放電を集中して行わせる。【解決手段】ガラス基板２１の上に第１絶縁層３１及び第２絶縁層３２を順に積層し、各絶縁層３１，３２を上下に貫通する主スルーホール３４を形成する。その主スルーホール３４の底に第１放電電極２３を設ける一方、第２絶縁層の上面に第２放電電極２４を設ける。さらに、第１配線２５を第１絶縁層３１とガラス基板２１との間に設ける一方、第２配線２６を第１絶縁層３１と第２絶縁層３２との間に設ける。そして、第１配線２５を第１放電電極２３に直接に接続する一方、第２配線２４を第２放電電極２４に第２接続部２８を介して接続する。【選択図】  図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に設けられた複数の電極と、
上記各電極に接続され、該各電極にそれぞれ通電するための配線とを備え、
上記電極の少なくとも２つの間で放電を行うように構成された放電素子であって、
上記基板は、基板層と、該基板層の上に積層された絶縁層とを備え、
上記絶縁層には、上方に開口する穴部が設けられ、
上記電極は、上記穴部の底と、絶縁層の上面とにそれぞれ設けられ、
上記穴部の底に設けられた電極には、上記絶縁層の下側に設けられた配線が接続されている
ことを特徴とする放電素子。
【請求項２】
請求項１において、
上記穴部の底に設けられた電極は、上記絶縁層の下側に設けられた配線の一部により構成されている
ことを特徴とする放電素子。
【請求項３】
請求項１又は２において、
上記基板は、複数の絶縁層を備え、
上記各絶縁層の間には、絶縁層の上面の電極に対し、該絶縁層を挿通する接続部を介して接続される配線が設けられている
ことを特徴とする放電素子。
【請求項４】
請求項１〜３の何れか１つにおいて、
上記複数の電極は、互いの間で放電を行う一対の放電電極と、該放電電極間の放電状態を制御する制御電極とにより構成され、
上記放電電極は、絶縁層の上面に設けられる一方、
上記制御電極は、穴部の底に設けられている
ことを特徴とする放電素子。
【請求項５】
請求項１〜３の何れか１つにおいて、
上記複数の電極は、互いの間で放電を行う一対の放電電極を備え、
上記放電電極の一方は、絶縁層の上面に設けられる一方、
上記放電電極の他方は、穴部の底に設けられている
ことを特徴とする放電素子。
【請求項６】
請求項５において、
上記複数の電極は、放電電極間の放電状態を制御する制御電極を備えている
ことを特徴とする放電素子。
【請求項７】
請求項４又は６において、
上記制御電極は、放電電極間における放電経路の下方に設けられている
ことを特徴とする放電素子。
【請求項８】
請求項４又は６において、
上記制御電極は、放電電極間における放電経路の側方に設けられている
ことを特徴とする放電素子。
【請求項９】
請求項１の放電素子と、
上記放電素子を収納し、該放電素子の放電により紫外線を発生する放電ガスが封入されたガス封入部と、
上記ガス封入部内に設けられ、紫外線に反応して発光する蛍光体とを備えている
ことを特徴とする発光素子。
【請求項１０】
マトリクス状に配列された複数の画素と、
上記各画素毎に設けられた請求項９の発光素子と、
上記発光素子における電極の配線によりそれぞれ構成された走査配線及び信号配線とを備えている
ことを特徴とする表示装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、放電素子及びそれを備えた発光素子並びに表示装置に関し、特に、放電電極の配線が放電に与える影響を低減するための対策に係るものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、基板上に設けられた複数の放電電極を備え、該放電電極間で気体放電を行う放電素子は知られており、例えば、プラズマディスプレイ（以下、ＰＤＰと称する）や、プラズマアドレス液晶装置（ＰＡＬＣ）等の表示装置に適用されている。
【０００３】
上記放電素子を備えるＰＤＰ等の表示装置は、以前より主流であったブラウン管を利用したディスプレイ（ＣＲＴ）に比べて薄型化且つ軽量化が可能であるため、省スペース性に優れており、今後の表示装置としての期待が高まっている。
【０００４】
例えば、実用化が進められている反射型のＰＤＰは、一対の表示電極（アノード及びカソード）が設けられた前面基板と、該前面基板にリブ（スペーサー）を介して対向して設けられ、アドレス電極を有する背面基板とを備えている（例えば、特許文献１参照）。上記表示電極とアドレス電極とは、放電素子の放電電極を構成している。
【０００５】
上記前面基板には、表示電極を覆う誘電体層が設けられている。さらに、前面基板と背面基板との間には、ガスが封入された放電空間が設けられており、該放電空間には、蛍光体が設けられている。そして、上記表示電極間のプラズマ放電により発生した紫外線を、蛍光体に照射させることにより表示を行うようになっている。
【０００６】
そして、所定の表示画素を選択する場合には、一方の表示電極と、アドレス電極との間で予め放電を行い、該放電の荷電粒子を所定の表示画素の誘電体層に残留させる。
【０００７】
上記表示電極とアドレス電極との間隔は、上記各基板間のリブの高さにより決定される。このリブ高さは１００〜２００μｍが一般的であり、厚膜加工プロセスで形成される。しかし、このリブ高さのばらつきが、そのまま表示電極とアドレス電極との間隔のばらつきとなり、これが表示の色ムラを発生させる原因となっている。特に、表示画面の対角長さが２０インチ以上の大型パネルにおいては、非常に精度の高い加工技術が必要となってしまう。
【０００８】
ところで、この点に関し、表示電極及びアドレス電極を、１つの基板上に設けることも知られている（例えば、特許文献２参照）。すなわち、１つの基板に各放電電極を設けることにより、電極間の間隔のばらつきを解消することが可能となる。
【０００９】
図１５に示すように、上記特許文献２のＰＤＰは、互いに対向して設けられる基板１０１，１０７を備えている。基板１０１には、略平行に延びる一対の表示電極Ｘ，Ｙが同一平面上に設けられ、該表示電極Ｘ，Ｙは、誘電体層１０４により覆われている。誘電体層１０４上には、表示電極Ｘ，Ｙと垂直な方向に延びるセパレータ１０５が設けられ、該セパレータ１０５には、その長さ方向に延びる選択電極Ｗ（アドレス電極）が設けられている。
【００１０】
上記表示電極Ｘ，Ｙは、電極部Ｘ１，Ｙ１と、該電極部Ｘ１，Ｙ１に通電するための配線として機能する配線部Ｘ２，Ｙ２とにより構成されている。表示電極Ｘの電極部Ｘ１は、配線部Ｘ２から表示電極Ｙ側へ突出している。一方、表示電極Ｙの電極部Ｙ１は、配線部Ｙ２から表示電極Ｘ側へ突出している。そして、各電極部Ｘ１，Ｙ１は、互いに近接し、各画素領域に一組ずつ設けられている。
【００１１】
すなわち、表示電極Ｘ，Ｙの電極部Ｘ１，Ｙ１は、放電電極の放電電極を構成している。一方、選択電極Ｗは、放電素子の放電電極を構成すると同時に、配線をも構成している。
【００１２】
そして、所定の画素領域において、選択電極Ｗと、表示電極Ｙの電極部Ｙ１との間で放電を行うことにより、電極部Ｙ１上の誘電体層に荷電粒子を残留させて該画素領域を選択し、続いて、電極部Ｘ１，Ｙ１間で放電させるようにしている。
【００１３】
【特許文献１】
内田龍男、内池平樹監修、「フラットパネルディスプレイ大辞典」、株式会社工業調査会、２００１年１２月２５日、ｐ．５８２、図２（ｂ）
【特許文献２】
特開昭６３−１５１９９７号公報  図６
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記特許文献２におけるＰＤＰの放電素子によると、所定の画素領域において電極部Ｘ１，Ｙ１間で行われるの放電の一部が、表示電極Ｘ，Ｙの長さ方向に隣接する他の画素領域の配線部Ｘ２，Ｙ２に対しても行われてしまう虞れがある。
【００１５】
また、選択電極Ｗは、他の複数の画素に亘って配線状に延びているため、画素領域の選択時に、所定の画素領域における表示電極Ｙの電極部Ｙ１に対して放電するだけでなく、隣接する画素領域における電極部Ｙ１等に対しても放電する虞れがある。
【００１６】
その結果、上記所定の画素領域における放電が、表示電極Ｘ，Ｙの長さ方向に隣接する画素と、選択電極Ｗの長さ方向に隣接する画素とにそれぞれ影響を与えることにより、表示画質が低下してしまう。
【００１７】
このように、放電素子の放電電極が設けられている同一の基板上に、該電極の配線が放電可能に設けられていると、該配線が放電に影響を与えてしまう。そのため、放電電極間の放電を、該放電電極間の所定の放電領域内においてのみ行うことは難しいという問題がある。そして、この問題は、配線の数が多いほど顕著なものとなる。
【００１８】
本発明は斯かる諸点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、複数の電極が同一の基板上に設けられた放電素子及びそれを備えた発光素子並びに表示装置について、電極の配線が放電に与える影響を低減し、電極間の所定の放電領域において、可及的に集中して放電させようとすることにある。
【００１９】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために、この発明では、基板上に、上方に開口する穴部を有する絶縁層を設け、電極を絶縁層の上面と穴部の底とにそれぞれ設けると共に、上記穴部の底の電極に接続される配線を絶縁層の下側に設けるようにした。
【００２０】
具体的に、請求項１に係る発明は、基板に設けられた複数の電極と、上記各電極に接続され、該各電極にそれぞれ通電するための配線とを備え、上記電極の少なくとも２つの間で放電を行うように構成された放電素子が対象である。そして、上記基板は、基板層と、該基板層の上に積層された絶縁層とを備え、上記絶縁層には、上方に開口する穴部が設けられ、上記電極は、上記穴部の底と、絶縁層の上面とにそれぞれ設けられ、上記穴部の底に設けられた電極には、上記絶縁層の下側に設けられた配線が接続されている。
【００２１】
上記の発明によると、基板に設けられた各電極には、配線を介して通電される。これらの電極のうち、穴部の底に設けられた電極には、絶縁層の下側の配線から通電される。その結果、通電された所定の電極間で放電が生じる。
【００２２】
ここで、「放電」とは、電極間に電圧を印加することにより、ガスが充満しているガス空間に生ずる絶縁破壊現象である。放電発生後のガス空間内には、プラズマ状態が現れて正イオンと電子とが略等量ずつ存在する。
【００２３】
このとき、穴部の底に電極を設けると共に、該接続される配線を絶縁層の下側に設けることにより、該配線を電極間の放電領域に対して絶縁させることができる。その結果、上記絶縁層の下側の配線は放電に影響を与えないため、複数の電極及び配線を基板の表面上に設けるものに比べて、配線が放電に与える影響を、全体として低減させることができる。この場合、より多くの配線を、電極が設けられている絶縁層の下側に設けることが望ましい。その結果、放電を、電極間の放電領域において集中して行うことが可能となる。
【００２４】
請求項２に係る発明は、上記請求項１に係る発明において、上記穴部の底に設けられた電極は、上記絶縁層の下側に設けられた配線の一部により構成されている。
【００２５】
すなわち、各電極を基板の表面に形成する場合や、各電極を絶縁層の下側に予め形成する場合には、電極間の間隔を正確に維持するために、該電極を所定の位置に正確に形成しなければならない。
【００２６】
これに対して、本発明によると、電極の形状及び位置を、絶縁層に形成する穴部の形状、大きさ及び配線長さ方向の位置により容易に調節できるため、電極を配線の一部により容易且つ正確に形成することが可能となる。
【００２７】
請求項３に係る発明は、上記請求項１又は２に係る発明において、上記基板は、複数の絶縁層を備え、上記各絶縁層の間には、絶縁層の上面の電極に対し、該絶縁層を挿通する接続部を介して接続される配線が設けられている。
【００２８】
この発明によると、絶縁層上の複数の電極には、各絶縁層の間の配線から接続部を介して通電される。すなわち、複数の配線が、絶縁層により、電極間の放電領域に対して絶縁されているため、各配線が放電に与える影響を、全体としてさらに低減することができる。
【００２９】
請求項４に係る発明は、上記請求項１〜３の何れか１つに係る発明において、上記複数の電極は、互いの間で放電を行う一対の放電電極と、該放電電極間の放電状態を制御する制御電極とにより構成され、上記放電電極は、絶縁層の上面に設けられる一方、上記制御電極は、穴部の底に設けられている。
【００３０】
すなわち、一対の放電電極の間に所定の電位差が与えられると、該各放電電極間で放電が発生する。この放電は、制御電極によって制御される。すなわち、制御電極に所定の電圧を印加することにより、放電電極間の電界を変化させ、放電電極間に放電が生じるＯＮ状態と、放電が生じないＯＦＦ状態とに切り換えることができる。さらに、制御電極に印加する電圧に応じて放電の強さ（放電電流の大きさ）を制御することが可能となる。
【００３１】
ここで、「放電電流」とは、放電状態（プラズマ状態）において、正電荷をもつ正イオンと、負電荷をもつ電子とがキャリアとしての役割を果たす電流のことである。
【００３２】
請求項５に係る発明は、上記請求項１〜３の何れか１つに係る発明において、上記複数の電極は、互いの間で放電を行う一対の放電電極を備え、上記放電電極の一方は、絶縁層の上面に設けられる一方、上記放電電極の他方は、穴部の底に設けられている。
【００３３】
この発明によると、上記一対の放電電極の間に所定の電位差が与えられることにより、該各放電電極間で放電が発生する。特に、穴部の底に設けられた電極がカソードである場合には、スパッタリングが生じてカソードの粒子が、該カソードの周囲に飛散する。このとき、穴部の内周面に衝突した粒子を該内周面に付着させることができるため、スパッタリングによる電極粒子の拡散を低減させることが可能となる。
【００３４】
請求項６に係る発明は、上記請求項５に係る発明において、上記複数の電極は、放電電極間の放電状態を制御する制御電極を備えている。
【００３５】
この発明によると、制御電極に所定の電圧を印加することにより、上記放電電極間の放電状態を制御することが可能となる。
【００３６】
請求項７に係る発明は、上記請求項４又は６に係る発明において、上記制御電極は、放電電極間における放電経路の下方に設けられている。
【００３７】
この発明によると、放電電極間の放電は、該放電の経路の下方から制御電極により制御される。すなわち、一対の放電電極の間のスペースを利用して、制御電極を設けることが可能となる。特に、各放電電極を絶縁層の上面に設けると共に、制御電極を穴部の底に設けた場合には、制御電極と放電電極とが、それぞれ異なる平面上に配置されているため、制御電極の位置に拘わらず各放電電極を互いに近接させることが可能となる。その結果、放電素子の小型化を図ることができる。
【００３８】
請求項８に係る発明は、上記請求項４又は６に係る発明において、上記制御電極は、放電電極間における放電経路の側方に設けられている。
【００３９】
この発明によると、放電電極間の放電は、該放電の経路の側方から制御電極により制御される。すなわち、これらの電極を、直線状に配置するのではなく、所定の領域内でまとめて配置させることが可能となり、表示装置に適用する場合には、最適な画素領域を形成でき、また、高詳細表示が可能となる。
【００４０】
請求項９に係る発明は、発光素子であって、上記請求項１の放電素子と、上記放電素子を収納し、該放電素子の放電により紫外線を発生する放電ガスが封入されたガス封入部と、上記ガス封入部内に設けられ、紫外線に反応して発光する蛍光体とを備えている。
【００４１】
上記の発明によると、ガス封入部内において、所定の電極間で放電が行われると、該放電によりガス封入部内のガスが反応して紫外線が発生する。ガス封入部内の蛍光体は、その紫外線に反応して発光する。このとき、放電が電極間の放電領域において集中して行われるため、発光にムラが生じず、発光の輝度を高めることができる。
【００４２】
請求項１０に係る発明は、表示装置であって、マトリクス状に配列された複数の画素と、上記各画素毎に設けられた請求項９の発光素子と、上記発光素子における電極の配線によりそれぞれ構成された走査配線及び信号配線とを備えている。
【００４３】
上記の発明によると、各画素のうち所定の発光素子に対し、走査配線を介して通電することにより走査すると共に、走査された発光素子に対し、信号配線を介して通電することにより該発光素子を発光させる。すなわち、表示装置の所定の画素をそれぞれ発光させることにより表示が行われる。このとき、各放電素子の放電が所定の放電領域で集中して行われるため、輝度が高く、コントラスト比が高く、詳細な表示が可能となり、高い表示画質を得ることができる。
【００４４】
特に、穴部の底の電極が放電電極のカソードである場合には、スパッタリングにより飛散する電極粒子を穴部の内周面に付着させることができるため、スパッタリングによる表示性能の劣化を抑制することが可能となる。
【００４５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。尚、本発明は以下の実施形態に限定されるものではない。
【００４６】
（実施形態１）
図１及び図２は、本発明に係る放電素子及びそれを備えた発光素子並びに表示装置の実施形態１を示している。図２は、放電素子２を備える発光素子３の断面を示し、図１は、複数の発光素子３がマトリクス状に配置された表示装置１の一部を示す平面図である。尚、説明のため、図２における上下方向を、上下方向とする。
【００４７】
表示装置１は、図２に示すように、前面基板１１と、該前面基板１１に対向する背面基板１２とを備える反射型のＰＤＰ（プラズマディスプレイ）である。そして、表示装置１は、図１に示すように、マトリクス状に配列された複数の画素５と、該各画素５毎に設けられた放電素子２と、該放電素子２の放電により発光する発光素子３と、該発光素子３の配線により構成された走査配線２６及び信号配線２５とを備えている。そして、所定の画素５に対し、走査配線２６及び信号配線２５を介して通電することにより、該所定の画素５を発光させて表示を行うようになっている。尚、図１では、説明のために、背面基板１２の図示を省略している。
【００４８】
上記背面基板１２は、図２に示すように、ガラス基板１５と、該ガラス基板１５に設けられた複数のスペーサ１６とを備えている。スペーサ１６は、ガラス基板１６における前面基板１１との対向面上に、所定の間隔で平行に並ぶように形成されている。また、各スペーサ１６は、それぞれ所定の高さを有しており、ガラス基板１５と前面基板１１との間に一定の間隔を維持するようになっている。そして、これらの複数のスペーサ１６により、背面基板１２には、複数の凹溝１７が形成されることとなる。
【００４９】
背面基板１２は、紫外線に反応して発光する蛍光体により構成された蛍光体層１８を備えている。蛍光体層１８は、上記凹溝１７の内壁面に沿って設けられることにより、凹溝状に形成されている。蛍光体層１８は、各凹溝１７毎に、赤色、緑色及び青色の何れか１色に発光するようになっている。
【００５０】
上記前面基板１１は、基板層である透明なガラス基板２１と、該ガラス基板２１の上に積層された絶縁層３０とを備えている。
【００５１】
上記絶縁層３０は、例えば約５５０℃程度の比較的低い融点を有する高透過率の透明ガラスにより形成されている。絶縁層３０は、第１絶縁層３１と第２絶縁層３２との２つの層により構成されている。第１絶縁層３１は、ガラス基板２１上に積層されており、第２絶縁層３２は、該第１絶縁層３１上に積層されている。
【００５２】
上記絶縁層３０には、上方に開口する穴部である主スルーホール３４が設けられている。主スルーホール３４は、第１絶縁層３１及び第２絶縁層３２を上下に貫通するように形成されている。
【００５３】
そして、前面基板１１の第２絶縁層３２と、上記背面基板１２のスペーサ１６の先端とが接続されることにより、放電ガスを気密状に封入するガス封入部１９が形成されている。
【００５４】
上記放電素子２は、前面基板１１に設けられて上記ガス封入部１９の内部で放電を行う２つの放電電極２３，２４と、各放電電極２３，２４に接続されて通電するための配線２５，２６とを備えている。
【００５５】
上記電極２３，２４は、図２に示すように、第１放電電極２３と、第２放電電極２４とにより構成されている。第１放電電極２３は、上記主スルーホール３４の底に設けられてカソードに構成される一方、第２放電電極２４は、第２絶縁層３２の上面に設けられてアノードに構成されている。
【００５６】
上記放電素子２を構成する一組の放電電極２３，２４は、第２絶縁層３２上に複数組設けられ、マトリクス状に配置されている。すなわち、図１に示すように、第２絶縁層３２上には、所定の第１方向Ａに沿って延びる第１放電電極２３の列と、同じ第１方向Ａに延びる第２放電電極２４の列とがそれぞれ設けられている。第１放電電極２３の列と、第２放電電極２４の列とは、第１方向Ａに垂直な第２方向Ｂに、交互に並んで設けられている。
【００５７】
上記配線２５，２６は、第１放電電極２３に接続される第１配線２５と、第２放電電極２４に接続される第２配線２６とにより構成されている。ここで、第１配線２５は、信号配線２５であり、第２配線２６は、走査配線２６である。そして、各配線２５，２６は、ガラス基板２１上で、立体配線構造を構成している。
【００５８】
すなわち、第１配線２５及び第２配線２６は、第２放電電極２４が設けられている第２絶縁層３２の下側に配設されている。すなわち、第１配線２５は、第１絶縁層３１とガラス基板２１との間に配設され、第２方向Ｂに沿って延びている。一方、第２配線２６は、第１絶縁層３１と第２絶縁層３２との間に配設され、第１方向Ａに沿って延びている。
【００５９】
上記第２放電電極２４の下方には、第２絶縁層３２を上下方向に貫通する第２スルーホール３６が形成されている。第２スルーホール３６の内部には、導電性を有する第２接続部２８が充填して設けられている。そして、第２配線２６は、上記第２接続部２８を介して第２放電電極２４に接続されている。
【００６０】
上記第２接続部２８が接続する第２放電電極２４と第２配線２６とは、同一の導電材料により構成され、各放電電極２３，２４と接続部２７，２８とは、一体に形成されている。
【００６１】
そして、第１配線２５には、データドライバ（図示省略）が接続される一方、第２配線２６には、ゲートドライバ（図示省略）が接続されており、各放電素子２をマトリクス駆動するように構成されている。
【００６２】
上記発光素子３は、ガス封入部１９と、該ガス封入部１９の内部に収納された上記放電素子２と、ガス封入部１９内に設けられた上記蛍光体層１８とを備えている。
【００６３】
ガス封入部１９の内部に封入される放電ガスは、放電素子２の放電により紫外線を発生するガスであり、例えばキセノンガス等が適用される。その他に、キセノンガスと、ヘリウム、アルゴン、及びネオン等の希ガスとにより構成される混合ガスを、放電ガスに適用してもよい。このように、混合ガスを放電ガスとすることによって、比較的低い電圧で放電を発生させることが可能となる。そして、放電素子２がガス封入部１９内で放電すると、紫外線が発生する。発光素子３は、この紫外線に蛍光体層１８が反応することにより発光するようになっている。
【００６４】
−製造方法−
次に、放電素子２、発光素子３及び表示装置１の製造方法について説明する。
【００６５】
まず、ガラス基板２１上に、第１放電電極２３及び第１配線２５を形成する。すなわち、ガラス基板２１に対し、銀粉体やバインダー材料等を含む銀ペーストを、スクリーン印刷法等により所定のパターンに塗布する。次に、ガラス基板２１上にパターン化された銀ペーストを約１５０℃に加熱して乾燥し、その後、５８０℃程度で焼成することにより導電性が得られる。そして、第１配線２５の膜厚を焼成後で約５μｍとする一方、該第１配線２５の幅を約８０μｍとする。また、第１放電電極２３を２００×２００μｍの正方形パターンに形成する。
【００６６】
その後、第１絶縁層３１を形成する。すなわち、セラミックス等のフィラー、有機成分、及び溶剤を含むペースト状の低融点ガラスを、ガラス基板２１上に対し、第１放電電極２３及び第１配線２５を被覆するように塗布する。この低融点ガラスの塗布は、スクリーン印刷法や厚膜コーター等により行い、約３０μｍの厚さに形成する。続いて、ガラス基板２１上に塗布された絶縁ペースト膜を、１５０℃程度で乾燥させた後、約５７０℃で焼成することにより、厚さが約１５μｍの第１絶縁層３１が形成される。
【００６７】
次に、第２配線２６を形成する。第２配線２６は、第１絶縁層３１に対し、上記第１配線２５と同様に、銀ペーストをスクリーン印刷等により所定のパターンに塗布し、乾燥させた後に約５５０℃程度で焼成することにより形成する。焼成後の第２配線２６の膜厚は、約５μｍである。
【００６８】
尚、上記各配線２５，２６は、銀に限定されず、導電性が良好なその他の金属を用いることができる。例えば、ニッケル、アルミニウム、銅、Ｃｒ−Ｃｕ−Ｃｒ、ＩＴＯ等を用いてもよい。また、各配線２５，２６の形成方法もスクリーン印刷法に限定されず、感光性ペースト法や、サンドブラスト法を用いて１μｍ以上の厚膜に形成してもよい。また、スパッタ法や電子ビーム蒸着法を用いて厚さ１μｍ以下の薄膜を形成し、ドライエッチング又はウエットエッチングプロセスにより所定の配線パターンに形成してもよい。
【００６９】
続いて、第２絶縁層３２を形成する。すなわち、上記第１絶縁層３１と同様に、低融点ガラスを、第１絶縁層３１に対して、スクリーン印刷法や厚膜コーター等により塗布し、第２配線２６を被覆する。その後、第１絶縁層３１上に塗布された絶縁ペースト膜を、１５０℃程度で乾燥させた後、約５７０℃で焼成することにより、厚さが約１５μｍの第２絶縁層３２が形成される。
【００７０】
次に、主スルーホール３４及び第２スルーホール３６を、サンドブラスト法により形成する。主スルーホール３４は、第１放電電極２３の上方に形成する一方、第２スルーホール３６は、第２配線２６上の所定の位置に形成する。すなわち、溶剤分が充分に乾燥して固化した第１絶縁層３１及び第２絶縁層３２に対し、ドライフィルムレジスト（以下、ＤＦＲと呼ぶ）をラミネートし、露光工程、及び現像工程を行う。このことにより、各スルーホール３４，３６の形成位置に開口を形成し、該開口をサンドブラスト法で切削することにより、各スルーホール３４，３６を形成する。主スルーホール３４は、第１絶縁層３１及び第２絶縁層３２の双方を貫通させることにより形成する。第２スルーホール３６は、第２絶縁層３２のみを貫通させることにより形成する。このことにより、第１放電電極２３は、主スルーホール３４を介して上方の空間に露出されている。
【００７１】
このサンドブラスト法によるスルーホールの形成は、各絶縁層が切削されやすい焼成前の状態で形成するのが一般的であるが、硬度の高い研磨剤により、焼結した絶縁層にスルーホールを形成することも可能である。
【００７２】
主スルーホール３４は、断面正方形の開口に形成され、該開口は第１放電電極２３よりも小さくなっている。第２スルーホール３６は、直径１００μｍの円状のパターンをＤＦＲで開口し、これをサンドブラストで切削することにより円筒状に形成できるが、四角柱、三角柱、及び円錐状等に形成しても構わない。ただし、第２スルーホール３６の下部は、第２配線２６上において開口していることが必要である。
【００７３】
焼結前の絶縁層にスルーホールを形成した場合、形成後に５６０℃程度で焼成を行う。
【００７４】
続いて、第２接続部２８及び第２放電電極２４を形成する。すなわち、第２スルーホール３６に対し、感光性を有する銀ペーストをスクリーン印刷法によりベタパターン印刷する。その結果、第２スルーホール３６に銀ペーストを充填すると共に、第２絶縁層３２上にベタ状の導電膜を形成する。その後、該導電膜に対し、露光、現像の工程を行うことにより、第２放電電極２４を２００×２００μｍの正方形パターンに形成する。また、該第２放電電極２４と第２配線２６とを、第２接続部２８を介して電気的に接続するために、約５５０℃で焼成する。以上のようにして、前面基板１１は製造される。
【００７５】
尚、第２スルーホール３６に導電性材料を埋め込んで第２接続部２８を形成する方法は、スクリーン印刷法の他に、サンドブラスト法や電着法等によっても形成することができる。また、第２放電電極２４、第２接続部２８及び第２配線２６は、必ずしも同じ材料でなくてもよく、第２接続部２８の第２スルーホール３６への充填と、第２放電電極２４の形成とは、別工程で行ってもよい。ただし、同じ材料により同じ工程で形成することが、製造工程を全体として短縮する上で有利である。
【００７６】
また、上記各放電電極２３，２４については、表面に六ホウ化ランタン、六ホウ化ガドリニウム又は酸化マグネシウム等の２次電子放出係数が高く、高い耐スパッタ性を有する材料からなる被覆膜を形成してもよい。このような被覆膜は、例えば、電着法やスパッタ法又は電子ビーム蒸着法等により形成することができる。
【００７７】
次に、ガス封入部１９を形成する。すなわち、上記前面基板１１における主スルーホール３４及び第２放電電極２４の周囲に、低融点ガラスを主成分とするフリット材料を塗布する。
【００７８】
続いて、ガス封入部１９の高さ（つまり、放電空間）を規定するスペーサ１６（高さ約２００μｍ）と、ガラス基板１５とを所定の位置に配置し、蛍光体層１８を塗布すると共に約５００℃で焼成する。このことにより、前面基板１１と背面基板１２とがフリット材料によって接合されたガス封入部１９が形成される。その後、ガス封入部１９の内部を真空引きし、放電ガスとしてキセノンを約４０ｋＰａの圧力で気密状に封入する。
【００７９】
−表示装置の作動−
次に、表示装置１の作動について説明する。各画素５の放電素子２には、走査配線２６及び信号配線２５によりそれぞれ通電される。各放電素子２に送られる信号は、ゲートドライバ及びソースドライバにより制御される。その結果、第１放電電極２３と第２放電電極２４との間に、例えば３００Ｖの電位差を付与すると、第２放電電極２４から第１放電電極２３へ向かって放電電流が流れて放電が発生する。図２に示すように、放電は、第２放電電極２４から第１放電電極２３へ向かってアーチ状に発生する。この放電により、ガス封入部１９内のガスから紫外線が発生する。蛍光体層１９は、放電により発生した紫外線に反応して発光する。発光した光は、背面基板１２で反射し、前面基板１１を介して観察者側へ出射する。放電（放電電流）の強度は、各放電電極２３，２４間に印加する電位差の大きさにより調整される。こうして、各画素５をそれぞれ発光させることにより画像の表示が行われる。
【００８０】
−実施形態１の効果−
以上説明したように、この実施形態１によると、第１配線２５及び第２配線２６は、第２絶縁層３２の下側に設けられているので、該配線２５，２６は、第２絶縁層３２の上方の放電空間に対して電気的に絶縁されている。その結果、各配線２５，２６が、放電電極２３，２４間の放電に対して電気的な影響を与えないため、各放電電極２３，２４間の放電を所定の放電領域において集中して行わせることができる。
【００８１】
さらに、上記放電電極２３，２４間の放電がガス封入部１９内において、集中して行われるため、発光素子３の発光にムラが生じず、発光の輝度を高めることができる。したがって、表示装置１として、輝度が高く詳細な表示が可能となり、高い表示画質を得ることができる。
【００８２】
さらに、カソードである第１放電電極２３を主スルーホール３４の底に設けるようにしたので、スパッタリングが生じて、第１放電電極２３から飛散して主スルーホール３４の内周面に衝突した電極粒子を、該内周面に付着させることができる。すなわち、スパッタリングによる電極粒子の拡散を低減させることができる。その結果、背面基板１２の蛍光体層１８や、前面基板１１の絶縁層３０の上面等の電極粒子による汚染を低減することができるため、スパッタリングによる表示性能の劣化を効果的に抑制することができる。
【００８３】
また、ガラス基板２１上に絶縁層３０を設けるようにしたので、２つの配線２５，２６を、１枚の基板１１上に直交する立体配線構造として形成することができ、その結果、マトリクス状に配置された各画素５の放電素子２を個別に制御することが可能となる。
【００８４】
そのことに加えて、放電を行うための電極２３，２４を、１つの基板１１上に全て配置することが可能となるため、対向する２つの基板の双方に放電電極２３，２４を設けるものに比べて、スペーサ１９の高さ精度に拘わらず、該放電電極２３，２４間の間隔を高精度に維持することができる。その結果、表示装置１の画質を高度に維持しつつ画面の大型化を図ることができる。
【００８５】
また、一方の基板１１上に放電電極２３，２４をまとめて形成することにより、他方の基板１２に電極を設けずに簡単な構成としたので、該他方の基板１２を容易に形成することが可能となる。また、その他方の基板１２をソーダガラス基板等の安価な材料により形成することができる。
【００８６】
さらに、例えば、第２放電電極２４に対して−２５０Ｖの電圧をパルス的に印加し続ける一方、第１放電電極２３に印加する電圧を直流の０〜＋１００Ｖと変化させることにより、放電強度を０から滑らかに上昇させることができる。つまり、１００Ｖ以下の比較的低電圧の印加により、放電強度を変化させることができる。
【００８７】
尚、放電強度の制御は、各電極の電位差により制御することも可能であるが、一方の放電電極を接地すると共に、他方の放電電極に印加する電圧値を変化させることによって制御することも可能である。
【００８８】
また、上記実施形態１では、各放電電極２３，２４に対して直流電流を通電するいわゆる直流型のＰＤＰに構成したが、その他に、上記第２絶縁層３２の上に誘電体層を各放電電極２３，２４を覆うように設け、交流型のＰＤＰに構成してもよい。ただし、印加する電圧の低減を図る観点から、直流型のＰＤＰに構成することが望ましい。
【００８９】
（実施形態２）
図３及び図４は、本発明に係る放電素子及びそれを備えた発光素子並びに表示装置の実施形態２を示している。尚、以下の各実施形態において、図１及び図２と同じ部分については、同じ符号を付してその詳細な説明は省略する。また、以降の各図において、背面基板１２の図示は省略している。
【００９０】
上記実施形態１では、絶縁層３０を２つの層により構成したのに対し、この実施形態２では、絶縁層３０を１つの絶縁層により構成している。すなわち、前面基板１１は、ガラス基板２１と絶縁層３０とを備え、該絶縁層３０の上面に第２放電電極２４が設けられる一方、主スルーホール３４の底に第１放電電極２３が設けられている。
【００９１】
第２放電電極２４に接続される第２配線２６は、図３に示すように、絶縁層３０の上面において、所定の第１方向Ａに沿って延びるように設けられている。一方、第１放電電極２３に接続される第１配線２５は、ガラス基板２１と、絶縁層３０との間に配設され、上記第１方向Ａに直交する第２方向Ｂに沿って延びるように設けられている。
【００９２】
この実施形態２に係る表示装置１は、上記実施形態１と同様に形成される。すなわち、ガラス基板２１上に第１放電電極２３及び第１配線２５をパターン形成した後に、絶縁層３０を積層する。その後、絶縁層３０に主スルーホール３４を形成し、第２放電電極２４及び第２配線２６をスクリーン印刷等により形成する。
【００９３】
−実施形態２の効果−
したがって、この実施形態２によると、第１配線２５が絶縁層３０の下側に配設されているので、該第１配線２５は、絶縁層３０の上方の放電空間に対して電気的に絶縁されている。その結果、各配線２５，２６が放電に与える影響を、全体として低減させることができる。すなわち、各配線２５，２６の少なくとも１つが絶縁層３０の下側に設けられているため、各配線２５，２６の双方が絶縁層３０の上面（前面基板１１の上面）に設けられている場合に比べて、各放電電極２３，２４間の放電を、該放電電極２３，２４間の所定の放電領域のおいて集中して行わせることができる。
【００９４】
（実施形態３）
図５及び図６は、本発明に係る放電素子及びそれを備えた発光素子並びに表示装置の実施形態３を示している。尚、以降の各実施形態において、放電素子２は、上記実施形態１と同様の方法により製造されるため、その詳細な説明は省略する。
【００９５】
この実施形態３では、放電素子２が備える複数の電極２３，２４，４１は、互いの間で放電を行う一対の放電電極２３，２４と、該放電電極２３，２４間の放電状態を制御する制御電極４１とにより構成されている。また、放電素子２が備える複数の配線２５，２６，４３は、第１放電電極２３に接続される第１配線２５と、第２放電電極２４に接続される第２配線２６と、制御電極４１に接続される第３配線４３とにより構成されている。ここで、第１配線２５及び第２配線２６は、走査配線２６に構成される一方、第３配線４３は信号配線２５に構成されている。
【００９６】
すなわち、前面基板１１は、上記実施形態１と同様に、ガラス基板２１上に積層された第１絶縁層３１と、該第１絶縁層３１上に積層された第２絶縁層３２とからなる絶縁層３０を備えている。第１絶縁層３１には、該第１絶縁層３１を上下に貫通する主スルーホール３４が形成されている。
【００９７】
上記主スルーホール３４の底には、第１放電電極２３が設けられる一方、第２絶縁層３２の上面には、制御電極４１及び第２放電電極２４が設けられている。各電極２３，２４，４１は、図５に示すように、上方から見て１つの直線上に配置されている。言い換えれば、制御電極４１は、放電電極２３，２４間における放電経路の下方に設けられている。ここで、各電極２３，２４，４１の大きさは、全て２００×２００μｍであり、各電極２３，２４，４１間の間隔は１００μｍとなっている。
【００９８】
第１放電電極２３、第２放電電極２４及び制御電極４１により構成される一組の電極２３，２４，４１は、第２絶縁層３２上に複数組設けられ、マトリクス状に配置されることにより、アクティブマトリクス駆動可能な表示装置１が構成されている。すなわち、図５に示すように、第２絶縁層３２上には、第１放電電極２３の列と、制御電極４１の列と、第２放電電極２４の列とが、所定の第１方向Ａに沿って延びるように設けられている。一方、第２放電電極２４の列と、制御電極４１の列と、第１放電電極２３の列とは、この順に、第１方向Ａと垂直な第２方向Ｂに並んで設けられている。
【００９９】
第２放電電極２４の下方には第２スルーホール３６が形成されている。第２スルーホール３６は、第２絶縁層３２を上下に貫通するように形成されている。一方、制御電極４１の下方には、第３スルーホール３７が、第２絶縁層３２及び第１絶縁層３１の双方を貫通するように形成されている。そして、第２スルーホール３６及び第３スルーホール３７には、それぞれ、第２接続部２８、及び第３接続部２９が充填して設けられている。
【０１００】
上記各配線２５，２６，４３は、それぞれ第２絶縁層３２の下側に設けられている。すなわち、第１配線２５及び第２配線２６は、第２絶縁層３２と第１絶縁層３１との間に配設されている。そして、第１配線２５は、第１放電電極２３に直接に接続される一方、第２配線２６は、第２接続部２８を介して第２放電電極２４に接続されている。一方、第３配線４３は、第１絶縁層３１とガラス基板２１との間に配設されており、第３接続部２９を介して制御電極４１に接続されている。また、図５に示すように、上記第１配線２５及び第２配線２６は、上記第１方向Ａに沿って延びる一方、上記第３配線４３は、上記第２方向Ｂに沿って延びている。
【０１０１】
上記第１配線２５及び第２配線２６には、ゲートドライバ（図示省略）が接続される一方、制御電極４１には、データドライバ（図示省略）が接続されている。そして、ゲートドライバにより第１放電電極２３及び第２放電電極２４に対して通電し、該各電極２３，２４に所定の電圧を印加すると共に、データドライバにより制御電極４１に対し通電し、上記第１放電電極と第２放電電極との間における放電の発生や強度を制御するようにしている。
【０１０２】
−制御電極による放電の制御−
ここで、制御電極４１による放電電極２３，２４間の放電の制御について説明する。放電が発生している放電電極２３，２４間には、特有の等電位面の分布が形成されている。すなわち、等電位面の間隔は、カソード（第１放電電極２３）の近傍で小さい一方、アノード（第２放電電極２４）の近傍で大きい。
【０１０３】
逆に言うと、そのような等電位面の分布が維持されなければ、放電は発生しない。本実施形態では、このような放電現象の特性を利用し、制御電極４１により外部電圧を印加することによって、各放電電極２３，２４間の等電位面の分布を変化させ、放電の発生や強度を制御する。
【０１０４】
すなわち、第１放電電極２３と第２放電電極２４との間の電位差が一定であり、放電が発生している場合に、例えば、制御電極４１に印加する電圧を大きくするに従って、放電の強度（放電電流）が徐々に小さくなり、その後、放電が消滅する。
【０１０５】
例えば、制御電極４１へ印加する電圧値の範囲を、−１０〜−６０Ｖとすると、放電のオンオフ（発生又は停止）を制御することができる。すなわち、第２放電電極２４に−３００Ｖを印加した状態で、制御電極４１への印加電圧を負電位として大きくしていくと、放電が停止する。
【０１０６】
より具体的には、制御電極４１への印加電圧が−１０Ｖのときには、放電が発生し、制御電極４１への印加電圧が−６０Ｖのときには、放電が発生せずに停止する。
【０１０７】
また、この放電素子２に対して、次のような電圧印加条件により駆動することもできる。すなわち、第２放電電極２４に対して放電発生用のパルス電圧（−３００Ｖ）を断続的に印加すると共に、制御電極４１に対して放電オンオフ制御用の電圧（−１０Ｖ又は−６０Ｖ）を印加し、第１放電電極２３には放電強度制御用の電圧（０〜−１００Ｖ）を印加する。
【０１０８】
そして、放電を発生させるときには、制御電極４１に−１０Ｖを印加すると共に、所望の放電強度を第１放電電極２３への印加電圧値により制御する。一方、放電を発生させないときには、制御電極４１に−６０Ｖを印加し続ける。
【０１０９】
次に、表示装置１の制御について説明する。所定の制御電極４１に対して−１０Ｖの電圧を印加することにより表示ラインを選択する。この表示ラインの選択と同期して、各放電素子２の第１放電電極２３に対し、画像を表示するために必要な放電強度に対応する電圧を印加する。その結果、各表示ライン毎に第１放電電極２３に所定の電圧を印加することによって、２次元的に任意の画像を表示する。
【０１１０】
−実施形態３の効果−
したがって、この実施形態３によると、上記実施形態１と同様に、各配線２５，２６，４３が、各放電電極２３，２４間の放電領域に対して電気的に絶縁されているため、各放電電極２３，２４間の放電を所定の放電領域において集中して行わせることができる。さらに、第１放電電極２３を、主スルーホール３４の底に設けたので、スパッタリングによる表示性能の劣化を抑制することができる。
【０１１１】
そのことに加えて、制御電極４１により、各放電電極２３，２４間に放電が生じるＯＮ状態と、放電が生じないＯＦＦ状態とに切り換えることができる。さらに、制御電極４１に印加する電位に応じて放電の強さ（放電電流の大きさ）を制御することができ、蛍光体の発光強度を制御して画像の諧調表示が可能となる。
【０１１２】
さらに、各配線２５，２６，４３が、上記放電領域に対して電気的に絶縁されているため、制御電極４１による放電状態の制御を正確に行うことができる。
【０１１３】
また、各放電電極２３，２４と、制御電極４１とを直線上に設けるようにしたので、一対の放電電極２３，２４間のスペースを利用して、制御電極４１を設けることができる。
【０１１４】
さらに、絶縁層３０を介して各放電電極２３，２４及び制御電極４１が立体配線構造を構成しているため、表示装置１の各画素５をアクティブマトリクス駆動することができる。
【０１１５】
（実施形態４）
図７及び図８は、本発明に係る放電素子及びそれを備えた発光素子並びに表示装置の実施形態４を示している。上記実施形態３では、絶縁層３０を２つの層により構成したのに対し、この実施形態２では、絶縁層３０を１つの絶縁層により構成している。すなわち、前面基板１１は、ガラス基板２１と絶縁層３０とを備え、該絶縁層３０の上面に第２放電電極２４及び制御電極４１が設けられる一方、絶縁層３０を上下方向に貫通する主スルーホール３４の底に第１放電電極２３が設けられている。
【０１１６】
制御電極４１に接続される第３配線４３と、第２放電電極２４に接続される第２配線２６とは、図７に示すように、絶縁層３０の上面において、所定の第１方向Ａに沿って延びるように設けられている。一方、第１放電電極２３に接続される第１配線２５は、ガラス基板２１と、絶縁層３０との間に配設され、上記第１方向Ａに直交する第２方向Ｂに沿って延びるように設けられている。
【０１１７】
−実施形態４の効果−
したがって、この実施形態４によると、第１配線２５は、絶縁層３０の下側に配設され、放電空間に対して電気的に絶縁されている。したがって、各配線２５，２６，４３が放電に与える影響を、全体として低減させることができる。すなわち、各配線２５，２６，４３の少なくとも１つが絶縁層３０の下側に設けられているため、各配線２５，２６，４３の全てが絶縁層３０の上面に設けられている場合に比べて、各放電電極２３，２４間の放電を、所定の放電領域のおいて集中して行わせることができる。
【０１１８】
（実施形態５）
図９及び図１０は、本発明に係る放電素子及びそれを備えた発光素子並びに表示装置の実施形態５を示している。上記実施形態４では、主スルーホール３４の底に、第１放電電極２３を設けたのに対し、制御電極４１を設けるようにしたものである。
【０１１９】
すなわち、第１放電電極２３及び第２放電電極２４は、絶縁層３０の上面に設けられる一方、制御電極４１は、主スルーホール３４の底に設けられている。
各電極２３，２４，４１は、図９に示すように、上方から見て１つの直線上に配置されている。そして、第１放電電極２３と第２放電電極２４との間隔は、制御電極４１の第２方向Ｂの幅よりも狭くなっている。すなわち、上方から見て、制御電極４１の一方の側端部は、第１放電電極２３の側端部とオーバーラップしていると共に、制御電極４１の他方の側端部は、第２放電電極２４の側端部とオーバーラップしている。
【０１２０】
こうして、各放電電極２３，２４間の放電状態を、その放電経路の下方から主スルーホール３４を介して、制御電極４１により制御するようにしている。
【０１２１】
−実施形態５の効果−
したがって、この実施形態５によると、制御電極４１と各放電電極２３，２４とを、それぞれ異なる平面上に配置させたので、制御電極４１の大きさや位置に拘わらず各放電電極２３，２４同士を互いに近接させることができる。その結果、放電素子２及び発光素子３の小型化を図ることができるため、表示装置１の詳細表示を可能として、表示画像の質を向上させることができる。
【０１２２】
（実施形態６）
図１１及び図１２は、本発明に係る放電素子及びそれを備えた発光素子並びに表示装置の実施形態６を示している。上記実施形態４は、制御電極４１を第１放電電極２３と第２放電電極２４との間に設けたのに対し、この実施形態６では、制御電極４１を、放電電極２３，２４間における放電経路の側方に設けるようにしている。
【０１２３】
すなわち、上記実施形態４と同様に、第１放電電極２３は、主スルーホール３４の底に設けられる一方、第２放電電極２４及び制御電極４１は、それぞれ絶縁層３０の上面に設けられている。
【０１２４】
また、制御電極４１に接続される第３配線４３と、第２放電電極２４に接続される第２配線２６とは、図１１に示すように、絶縁層３０の上面において、所定の第１方向Ａに沿って延びるように設けられている。一方、第１放電電極２３に接続される第１配線２５は、ガラス基板２１と、絶縁層３０との間に配設され、上記第１方向Ａに直交する第２方向Ｂに沿って延びるように設けられている。
【０１２５】
図１１に示すように、第１放電電極２３及び第２放電電極２４は、上方から見て、所定の第２方向Ｂに沿って並んでいる。そして、制御電極４１によって、放電電極２３，２４間の等電位面の分布を、放電経路の側方から変化させて、放電状態を制御するようにしている。
【０１２６】
−実施形態６の効果−
したがって、この実施形態６によると、第１放電電極２３、第２放電電極２４及び制御電極４１を、比較的小さくまとめて配置させることができる。すなわち、表示装置１の画素５を、高画質化に適した正方形等の所望の形状とすることができる。
【０１２７】
（実施形態７）
図７及び図８は、本発明に係る放電素子及びそれを備えた発光素子並びに表示装置の実施形態７を示している。上記実施形態４では、主スルーホール３４の底に、第１放電電極２３を第１配線２５とは別個に形成したのに対し、この実施形態７では、第１放電電極２３を第１配線２５の一部により形成したものである。
【０１２８】
すなわち、放電素子２を製造する場合には、第１配線２５は、ガラス基板２１上に第２方向Ｂに沿って延びるようにパターン形成される。その後、絶縁層３０が、第１配線２５を覆うようにガラス基板２１上に積層される。そして、第１配線２５上の所定の位置に、主スルーホール３４を形成することにより、第１配線２５の一部を露出させる。この第１配線２５の露出した部分が第１放電電極２３となる。その後、絶縁層３０の上面に、第２放電電極２４、第２配線２６、制御電極４１及び第３配線４３を形成する。
【０１２９】
−実施形態７の効果−
すなわち、各電極２３，２４，４１を、絶縁層３０の上面（前面基板１１の上面）に形成する場合や、絶縁層３０の下側に予め形成する場合には、各電極２３，２４，４１間の間隔を正確に維持するために、該各電極２３，２４，４１を所定の位置に正確に形成しなければならない。
【０１３０】
これに対して、この実施形態７によると、主スルーホール３４の底に設ける第１放電電極２３（２５）の形状及び位置を、絶縁層３０に形成する主スルーホール３４の形状、大きさ、及び第１配線２５の長さ方向の位置により、容易に調節できるため、第１放電電極２３を第１配線２５の一部により容易且つ正確に形成することができる。
【０１３１】
尚、この実施形態７では、第１放電電極２３を第１配線２５の一部として形成したが、その他の配線を絶縁層の下側に設けると共に、その配線上で主スルーホール３４を形成することにより、該配線の一部を電極（放電電極や制御電極）に構成するようにしてもよい。
【０１３２】
また、上記実施形態３〜７では、放電素子２が１つの制御電極４１を備える場合について説明したが、その他に、複数の制御電極を設けて放電状態を制御するようにしてもよい。
【０１３３】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によると、複数の電極と配線とを備える放電素子について、配線が放電に与える影響を低減し、電極間の所定の放電領域において放電を集中させることができる。本発明に係る放電素子は、発光素子に好適に用いることができ、特に、表示装置に適用した場合には、輝度が高く、高いコントラスト比が得られ、詳細度の高い表示が可能となり、高い表示画質を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施形態１の表示装置の一部を示す平面図である。
【図２】実施形態１の放電素子を拡大して示す断面図である。
【図３】実施形態２の表示装置を示す図１相当図である。
【図４】実施形態２の放電素子を示す図２相当図である。
【図５】実施形態３の表示装置を示す図１相当図である。
【図６】実施形態３の放電素子を示す図２相当図である。
【図７】実施形態４の表示装置を示す図１相当図である。
【図８】実施形態４の放電素子を示す図２相当図である。
【図９】実施形態５の表示装置を示す図１相当図である。
【図１０】実施形態５の放電素子を示す図２相当図である。
【図１１】実施形態６の表示装置を示す図１相当図である。
【図１２】実施形態６の放電素子を示す図２相当図である。
【図１３】実施形態７の表示装置を示す図１相当図である。
【図１４】実施形態７の放電素子を示す図２相当図である。
【図１５】従来の放電素子を概略的に示す斜視図である。
【符号の説明】
１  表示装置
２  放電素子
３  発光素子
５  画素
１１  前面基板（基板）
１８  蛍光体層（蛍光体）
１９  ガス封入部
２１  ガラス基板（前面基板）
２３  第１放電電極
２４  第２放電電極
２５  第１配線（信号配線）
２６  第２配線（走査配線）
２７  第１接続部
２８  第２接続部
２９  第３接続部
３０  絶縁層
３１  第１絶縁層
３２  第２絶縁層
３４  主スルーホール（穴部）
４１  制御電極
４３  第３配線
【図１】
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【図２】
2004281345.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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