(57)【要約】【課題】発光層を含む有機層の成膜前に基板に付着した水分を取り除き、耐久劣化の少ない有機ＥＬ素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】対向する一対の電極間に、少なくとも有機発光材料からなる発光層４を含む有機層３４を積層して成る積層構造体が基板上に形成され、有機層３４を形成する前に、基板１の有機層成膜面に吸水性物質からなる吸水膜６を形成する工程と、吸水膜６を除去する工程とを行い、吸水膜６を除去する工程の後、大気に晒すことなく有機層３４を形成する。【選択図】　　　図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
対向する一対の電極間に、少なくとも有機発光材料からなる発光層を含む有機層を積層して成る積層構造体が基板上に形成され、
前記有機層を形成する前に、前記基板の有機層成膜面に吸水性物質からなる吸水膜を形成する工程と、該吸水膜を除去する工程とを行い、
前記吸水膜を除去する工程の後、大気に晒すことなく前記有機層を形成することを特徴とする有機エレクトロルミネセンス素子の製造方法。
【請求項２】
前記吸水膜を構成する吸水性物質が、吸水率が５％以上の有機物であることを特徴とする請求項１に記載の有機エレクトロルミネセンス素子の製造方法。
【請求項３】
前記吸水膜を除去する工程が、ドライエッチング法によりなされることを特徴とする請求項１または２に記載の有機エレクトロルミネセンス素子の製造方法。
【請求項４】
前記吸水膜を除去する工程が、陽極の表面改質処理を兼ねていることを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の有機エレクトロルミネセンス素子の製造方法。
【請求項５】
前記吸水膜を除去する工程において、陽極上に形成された吸水膜を選択的に除去することを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載の有機エレクトロルミネセンス素子の製造方法。
【請求項６】
残留した吸水膜が陽極間絶縁膜を形成することを特徴とする請求項５に記載の有機エレクトロルミネセンス素子の製造方法。
【請求項７】
請求項１から６のいずれかの方法により製造されることを特徴とする有機有機エレクトロルミネセンス素子。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、表示デバイスや光源として利用される有機エレクトロルミネセンス素子及びその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、各種産業機器の表示ユニットや画素に用いられている電界発光素子として、有機エレクトロルミネセンス素子（以下、「有機ＥＬ素子」と称す。）が知られている。
【０００３】
図５は、従来の一般的な有機ＥＬ素子の断面構造を示す模式図である。図示するように、ガラス基板２１上には透明電極よりなる陽極２がスパッタリング法又はＥＢ蒸着法等により形成されており、その上に陽極２から注入される正孔を輸送する有機化合物からなる正孔輸送層３、可視領域に蛍光を有する成膜性が良い蛍光体である有機化合物からなる発光層４、ＭｇＡｇ，ＡｌＬｉ等の仕事関数の低い金属類からなる陰極５が順に形成される。陽極２から正孔が注入されると共に、陰極５から電子が注入され、発光層４で再結合が行われて発光する。
【０００４】
一般的に、正孔輸送層３から陰極５までは、ガラス基板２１及び陽極２上に抵抗加熱蒸着法やＥＢ加熱蒸着法等の真空薄膜形成技術を用いて形成される。各層の膜厚は、陽極２が通常１００〜３００ｎｍ、正孔輸送層３及び発光層４がそれぞれ数十ｎｍ、陰極が１００〜３００ｎｍ程度に形成される。
【０００５】
ここで、従来の有機ＥＬ素子における各層の代表的な材料について説明すると、陽極２としては、酸化錫をドープした酸化インジウム（以下、「ＩＴＯ」と称す。）、正孔輸送層３としては、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−１，１’−ジフェニル−４，４’−ジアミン（以下「ＴＰＤ」と称す。）、発光層４としては、トリス（８−ヒドロキシキノリン）アルミニウム（以下「Ａｌｑ３」と称す。）、陰極５としては、ＭｇとＡｇを１０：１の比率で共蒸着したＭｇＡｇ電極が用いられる。
【０００６】
層構成としては、上述したものに限定されるものでなく、正孔輸送層３のない有機発光層が発光層４のみの構成や、発光層３と陰極５の間に電子輸送層を挿入する構成も見られる。
【０００７】
有機ＥＬ素子の駆動方法としては、陽極２と陰極５の間に直流電圧を印加することにより行われる。陽極２から正孔が注入されると共に、陰極５から電子が注入され、発光層４内において正孔と電子が再結合し、そのときの放出エネルギーにより発光する。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、有機ＥＬ素子に使用される発光材料や正孔輸送材料、電子輸送材料などの有機化合物が水分に弱いことは周知の事実であり、従来の有機ＥＬ素子を大気中で駆動させると、発光特性が急激に劣化したり、ダークスポットと呼ばれる非発光点が発生したりする。そのため、有機ＥＬ素子内に水分が侵入しないように吸湿材を封入したカバー板で覆ったり、保護膜を有機ＥＬ層の上に積層している。
【０００９】
有機ＥＬ素子の製造工程においては、陽極がパターニングされたＩＴＯ付き基板を洗浄、乾燥後に有機発光層を蒸着するために真空蒸着装置に投入されるが、この時に大気に触れると基板表面に水分が吸着してしまい、そのまま有機発光層を蒸着すると吸着した水分により有機発光層の劣化が促進される。
【００１０】
本発明は、上記の課題に鑑みて創案されたものであり、その目的は、発光層を含む有機層の成膜前に基板に付着した水分を取り除き、耐久劣化の少ない有機ＥＬ素子及びその製造方法を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上記の課題を解決すばく、本発明に係る有機ＥＬ素子の製造方法は、対向する一対の電極間に、少なくとも有機発光材料からなる発光層を含む有機層を積層して成る積層構造体が基板上に形成され、
前記有機層を形成する前に、前記基板の有機層成膜面に吸水性物質からなる吸水膜を形成する工程と、該吸水膜を除去する工程とを行い、
前記吸水膜を除去する工程の後、大気に晒すことなく前記有機層を形成することを特徴とする。
【００１２】
上記の有機ＥＬ素子の製造方法において、吸水膜を構成する吸水性物質が、吸水率が５％以上の有機物であることが好ましい。
【００１３】
また、吸水膜を除去する工程が、ドライエッチング法によりなされることが好ましい。
【００１４】
さらに、吸水膜を除去する工程が、陽極の表面改質処理を兼ねていることが好ましい。
【００１５】
そして、吸水膜を除去する工程において、陽極上に形成された吸水膜を選択的に除去することが好ましい。
【００１６】
この場合、残留した吸水膜が陽極間絶縁膜を形成することになる。
【００１７】
一方、本発明に係る有機ＥＬ素子は、上記のいずれかの方法により製造されることを特徴とする。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明するが、本発明は本実施形態に限るものではない。
【００１９】
本発明に係る有機ＥＬ素子は、陰極と陽極との間に１層以上の有機層を有する有機ＥＬ素子であり、例えば、以下の▲１▼から▲７▼の構造等を挙げることができる。
▲１▼陽極／発光層／陰極
▲２▼陽極／正孔輸送層／発光層／陰極
▲３▼陽極／正孔注入層／発光層／陰極
▲４▼陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／陰極
▲５▼陽極／発光層／電子輸送層／陰極
▲６▼陽極／正孔注入層／発光層／電子輸送層／陰極
▲７▼陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極
【００２０】
また、上記の▲１▼〜▲７▼の構造において、それぞれの層は１層からなるものとしてもよいし、２層以上からなるものでもよい。
【００２１】
以下、本実施形態の有機ＥＬ素子の製造方法を図１から図４に基づいて詳しく説明する。ここでは上記▲２▼の構造である陽極／正孔輸送層／発光層／陰極からなる有機ＥＬ素子の製造方法について述べるが、本発明はこれに限定されるものではない。
【００２２】
まず、図１に示すように基板１を用意し、続いて、この基板１上に透明導電材料、本実施形態ではＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ　ｔｉｎ　ｏｘｉｄｅ）を蒸着法やスパッタ法などによって成膜し、さらにこれを公知のリソグラフィー技術およびエッチング技術を用いてパターニングし、陽極２を形成する。
【００２３】
基板１は透光性を有するもので、ガラス基板や合成樹脂からなる平滑な基板であり、ガラス板としては、ソーダガラス、バリウム・ストロンチウム含有ガラス、ホウケイ酸ガラス、石英ガラス、無アルカリガラスあるいはソーダガラスに金属イオン拡散防止膜を成膜したものなどが用いられ、合成樹脂としては、ポリカーボネート、ポリサルホンなどが用いられる。
【００２４】
基板１上には陽極２が形成されている。陽極２は仕事関数の大きい（４ｅＶ以上）金属、合金、電気伝導性化合物またはこれらの混合物が好ましく、一般的にはＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ　ｔｉｎ　ｏｘｉｄｅ）が用いられるが、Ａｕ、Ｐｔ、Ａｇ、Ｃｕ、ＣｕＩ、ＳｎＯ２、ＺｎＯなども使用できる。この陽極２は前記正孔輸送層３および発光層４からなる有機発光層３４（図４参照）からの発光を取り出すために、可視光透過率が１０％以上であることが望ましい。また陽極２のシート抵抗は５００Ω／□以下としてあるものが望ましく、さらに膜厚は材料にもよるが、通常５ｎｍ〜１μｍの範囲で選択される。
【００２５】
そして、上述した陽極付き基板１をアセトン、ＩＰＡの順に超音波洗浄を行った後にＩＰＡベーパー乾燥し、通常はこの後基板１をＵＶ処理して表面改質を行い、不図示の蒸着装置にセットし有機層３４を蒸着する。
【００２６】
ここで本発明者らはベーパー乾燥した基板１上に吸水性物質からなる吸水膜６を成膜し、有機発光層３４を蒸着する前にドライエッチング法にて前記吸水膜６を除去することにより基板１上の水分が除去され、また大気に晒すことなく不図示の有機発光層の蒸着装置に基板１を搬入できるため、基板１に水分が付着することなく、有機発光層３４を蒸着することができ、有機ＥＬ素子の耐久性が向上することを見出した。
【００２７】
吸水性物質としては吸水率５％以上の有機物が好ましく、ポリビニルアルコール（吸水率８０％）、ナイロン６（吸水率９．５％）、ナイロン６６（吸水率８．５％）、アセチルセルロース（吸水率６．５％）等の有機物や橋架けポリアクリル酸塩系、イソブチレン／マレイン酸塩系、デンプン／ポリアクリル酸塩系、アクリル繊維の加水分解物系、橋架けＰＶＡ系、橋架けカルボキシメチル化セルロース系の高吸水性高分子があげられる。
【００２８】
吸水膜６の成膜方法は特に限定されるものでなく、ディッピング法、キャスト法、塗布法、印刷、蒸着法などが用いられる。
【００２９】
吸水膜６の除去方法としては減圧下で大気に晒すことなく処理できるドライエッチング法などを用いるが、具体的にはプラズマエッチング法、反応性イオンエッチング法などがあげられる。吸水膜６の除去は、基板上の全面に亘って行っても良いが、ストライプ状にパターニングされた陽極ライン間をマスクして異方性エッチングができる反応性イオンエッチング法を採用し、反応ガスとして酸素を用いて陽極２上のみ除去すれば、陽極２のライン間に残った吸水膜６が隣り合う陽極ライン間のショートを防止する絶縁膜として機能する。
【００３０】
反応性イオンエッチング法は、図２に示すようなエッチング装置を用いて行う。図２において、１は透明基板、６は吸水膜、７はマスク、８はプラズマ、９は陰極、１０は整合器、１１は高周波電源である。反応性イオンエッチング法は、対向する平板間に高周波の電界をかけて反応ガスのプラズマを形成し、プラズマ中のイオンと陰極の電位差によりイオンが被エッチング膜に方向性を持って衝突し反応するものである。そのため被エッチング面上にマスクを置けばサイドエッチングの少ないエッチングが可能である。
【００３１】
また、有機ＥＬ素子の製造工程においては、陽極２と有機発光層３４との密着性を良くするために、陽極２の表面をＵＶ処理やプラズマ処理などの方法で表面改質することが必要であるが、本発明における吸水膜６を反応ガスに酸素を用いた反応性イオンエッチング法で除去することにより、同じ装置で続けて陽極２の表面を表面改質することができる。
【００３２】
そして、吸水膜６を除去した後に、基板１を大気に晒すことなく有機発光層の蒸着装置に搬入し、有機発光層３４および陰極５を蒸着し、さらに大気に晒すことなく蒸着装置から基板１を取り出し、窒素雰囲気中にて不図示の吸湿材を封入したカバー板を封止樹脂で基板に接着して、有機ＥＬ素子が得られる。
【００３３】
ここで有機ＥＬ素子を構成する正孔輸送層３、発光層４などの有機発光層３４および陰極５は一般的に真空蒸着法などで成膜されるが、これに限定されるものでなく塗布法などで成膜しても良い。
【００３４】
正孔輸送層３としては、正孔の移動度が大きく、さらに安定性に優れ、トラップとなる不純物が製造時や使用時に発生し難いことが要求される。このような正孔輸送材料としては、例えば、トリフェニルベンゼンの誘導体でスターバースト構造を有する芳香族トリアミン（米国特許第４，９２３，７７４号）、４，４’−ビス［（Ｎ−１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニルで代表される２個以上の３級アミンを含み２個以上の縮合芳香族環が窒素原子に置換した芳香族アミン（特開平５−２３４６８１号公報）、１，１−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）シクロヘキサン等の３級芳香族アミンユニットを連結した芳香族ジアミン化合物（特開昭５９−１９４３９３号公報）、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−ビフェニル−４，４’−ジアミン等の芳香族ジアミン（米国特許第４，７６４，６２５号）、α，α，α’，α’−テトラメチル−α，α’−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）−ｐ−キシレン（特開平３−２６９０８４号公報）、分子全体として立体的に非対称なトリフェニルアミン誘導体（特開平４−１２９２７１号公報）、ピレニル基に芳香族ジアミノ基が複数個置換した化合物（特開平４−１７５３９５号公報）、エチレン基で３級芳香族アミンユニットを連結した芳香族ジアミン（特開平４−２６４１８９号公報）、ベンジルフェニル化合物（特開平４−３６４１５３号公報）、スチリル構造を有する芳香族ジアミン（特開平４−２９０８５１号公報）、チオフェン基で芳香族３級アミンユニットを連結したもの（特開平４−３０４４６６号公報）、スターバースト型芳香族トリアミン（特開平４−３０８６８８号公報）、フルオレン基で３級アミンを連結したもの（特開平５−２５４７３号公報）、トリアミン化合物（特開平５−２３９４５５号公報）、ビスジピリジルアミノビフェニル（特開平５−３２０６３４号公報）、Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリフェニルアミン誘導体（特開平６−１９７２号公報）、フェノキサジン構造を有する芳香族ジアミン（特願平５−２９０７２８号）、ジアミノフェニルフェナントリジン誘導体（特願平６−４５６６９号）に示される芳香族アミン系化合物、ヒドラゾン化合物（特開平２−３１１５９１号公報）、シラザン化合物（米国特許第４，９５０，９５０号公報）、シラナミン誘導体（特開平６−４９０７９号公報）、ホスファミン誘導体（特開平６−２５６５９号公報）、キナクリドン化合物等が挙げられる。これらの化合物は、単独で用いるか、必要に応じて、各々を混合して用いてもよい。
【００３５】
また、上記の化合物以外に、正孔輸送性の高分子である、ポリビニルカルバゾールやポリシラン（Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，５９巻，２７６０頁，１９９１年等が挙げられる）、ポリフォスファゼン（特開平５−３１０９４９号公報）、トリフェニルアミン骨格を有する高分子（特開平４−１３３０６５号公報）、トリフェニルアミン単位をメチレン基等で連結した高分子（Ｓｙｎｔｈｅｔｉｃ　Ｍｅｔａｌｓ，５５−５７巻，４１６３頁，１９９３年）、ポリアミド（特開平５−３１０９４９号公報）、ポリビニルトリフェニルアミン（特願平５−２０５３７７）、芳香族アミンを含有するポリメタクリレート（Ｊ．Ｐｏｌｙｍ．Ｓｃｉ．，Ｐｏｌｙｍ．Ｃｈｅｍ．Ｅｄ．，２１巻，９６９頁，１９８３年）等の高分子材料が挙げられる。
【００３６】
発光層４としては、可視領域に蛍光を有し成膜性が良い任意の蛍光体を用いることができる。例えば、特開平４−２５５６９２号公報に記載のベンジチアゾール系、ベンゾイミダゾール系、ベンゾオキサゾール系等の蛍光増白剤、金属キレート化オキシノイド化合物、スチリルベンゼン系化合物等を挙げることができる。その代表としては、２，５−ビス（５，７−ジ−ｔ−ペンチル−２−ベンゾオキサゾリル）−１，３，４−チアジアゾール、４，４’−ビス（５，７−ｔ−ペンチル−２−ベンゾオキサゾリル）スチルベン、２，５−ビス（５，７−ジ−ｔ−ペンチル−２−ベンゾオキサゾリル）チオフェン、２，５−ビス〔５−α，α−ジメチルベンジル〕−２−ベンゾオキサゾル）チオフェン、２，５−ビス〔５，７−ジ−ｔ−ペンチル−２−ベンゾオキサゾル〕−３，４−ジフェニルチオフェン；２，５−ビス（５−メチル−２−ベンゾオキサゾル）チオフェン、４，４−ビス（２−ベンゾオキサイゾリル）チオフェン、４，４’−ビス（２−ベンゾオキサイゾリル）ビフェニン、５−メチル−２−〔２−〔４−（５−メチル−２−ベンゾオキサイゾリル）フェニル〕ビニル〕ベンゾオキサイゾリル、２−〔２−（４−クロロフェニル）ビニル〕ナフト〔１，２−ｄ〕オキサゾール等のベンゾオキサゾール系、２，２’−（ｐ−フェニレンジビニレン）−ビスベンゾチアゾ−ル等のベンゾチアゾール系、２−〔２−〔４−（２−ベンゾイミダゾリル）フェニル〕ビニル〕ベンゾイミダゾール、２−〔２−（４−カルボキシフェニル）ビニル〕ベンゾイミダゾール等のベンゾイミダゾール系等の蛍光増白剤等が挙げられる。
【００３７】
前述の金属キレート化オキサイドの例としては、トリス（８−キノリノール）アルミニウム、ビス（８−キノリノール）マグネシウム、ビス（ベンゾ〔ｆ〕−８−キノリノール）亜鉛、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）アルミニウムオキシド、トリス（８−キノリノール）インジウム、トリス（５−メチル−８−キノリノール）アルミニウム、８−キノリノールリチウム、トリス（５−クロロ−８−キノリノール）カルシウム、ポリ〔亜鉛（ＩＩ）−ビス（８−ヒドロキシ−５−キノリノニル）メタン〕等の８−ヒドロキシキノリン系金属錯体やジリチウムエピンドリジオン等が挙げられる。スチルベンゼン系化合物としては、１，４−ビス（２−メチルスチリル）ベンゼン、１，４−（３−メチルスチリル）ベンゼン、ジスチリルベンゼン、１，４−ビス（２−エチルスチリル）ベンゼン、１，４−ビス（３−エチルスチリル）ベンゼン、１，４−ビス（２−メチルスチリル）２−メチルベンゼン、１，４−ビス（２−メチルスチリル）２−エチルベンゼン等が挙げられる。
【００３８】
また、ジスチルピラジン誘導体も発光層に用いられ、その代表例としては、２，５，ビス（４−メチルスチリル）ピラジン、２，５−ビス（４−エチルスチリル）ピラジン、２，５−ビス〔２−（１−ナフチル）ビニル〕ピラジン、２，５−ビス（４−メトキシスチル）ピラジン、２，５−ビス〔２−（４−ビフェニル）ビニル〕ピラジン、２，５−ビス〔２−（１−ピレニン）ビニル〕ピラジン等が挙げられる。さらに、ナフタルイミド誘導体、ペリレン誘導体、スチルリアミン誘導体、あるいはクマリン系誘導体、芳香族ジメチリディン誘導体、またさらに特開平４−１３２１８９号公報に記載の発光層として、アントラセン、サリチル酸塩、ピレン、コロネン等も挙げられる。
【００３９】
陰極５としては、仕事関数の低い金属もしくは合金が用いられ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｔｉ、Ｍｇ／Ａｇ合金、Ａｌ−Ｌｉ合金等が用いられる。
【００４０】
【実施例】
以下に、本発明の実施例を図１及至図４に基づいて説明するが、本発明はこれらの実施例に限るものではない。
【００４１】
〔実施例１〕
図４は、本発明の製造方法で作製された有機ＥＬ素子の断面構造を示す模式図である。本実施例では、陽極／正孔輸送層／発光層／陰極という構成の有機ＥＬ素子を作製した。
【００４２】
まず、基板１として無アルカリガラスを使用した。基板１上には、陽極２としてＩＴＯをイオンプレーティング法にて３００ｎｍの厚みに成膜し、通常のフォトエッチングプロセスにてストライプ状にパターニングを行い、ＩＴＯ付の基板１を得た。そして、得られたＩＴＯ付き基板１をアセトン、ＩＰＡの順に各１０分間ずつ超音波洗浄を行った後、ＩＰＡベーパー乾燥させた。
【００４３】
続いて、吸水性物質としてＰＶＡを予めセットしておいた不図示の蒸着装置に基板をセットし、０．５ｎｍ／ｓｅｃの蒸発速度で蒸発させて厚さ５００ｎｍの吸水膜６を形成した。
【００４４】
次いで、て基板１を取り出し図２に示す反応性イオンエッチング装置のチャンバー内にセットし、３×１０−３Ｐａまで減圧し、酸素ガスを１０ｃｍ３／分の流量で４分間流し、基板１上の吸水膜６を除去した。ここで、吸水膜６が形成された基板１上には、図３に示すように陽極６のパターンと同じピッチでスリットが形成された金属マスク７がセットされており、同図のように陽極６上の吸水膜を除去し陽極間の吸水膜は残した。反応ガスとして酸素を用いると、有機物はエッチングされるが、ガラスやＩＴＯはエッチングされない。また予備実験により、吸水膜は３分間で除去できることが確認されている。
【００４５】
そして、今度は基板１を不図示の蒸着装置の基板ホルダーにセットした。ここで反応性イオンエッチング装置と蒸着装置とはロードロックで接続されており、基板１を大気に晒すことなく蒸着装置に搬入できる。
【００４６】
蒸着装置内の真空度が２×１０−４Ｐａに達してから、正孔輸送層３、発光層４、陰極５の順に蒸着した。真空蒸着装置内には、正孔輸送層３、発光層４、陰極５の材料が予めセットしてある。正孔輸送層３として、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−１，１’−ジフェニル−４，４’−ジアミン（ＴＰＤ）を０．３ｎｍ／ｓｅｃの蒸着速度で３０ｎｍの厚みに成膜した。そして発光層４として、トリス（８−キノリノール）アルミニウム（Ａｌｑ３）を０．３ｎｍ／ｓｅｃの蒸着速度で５０ｎｍの厚みに成膜した。さらに陰極５として、ＭｇとＡｇを１０：１の割合で２００ｎｍの厚みに共蒸着した。このときのＭｇの蒸着速度は０．５ｎｍ／ｓｅｃであった。
【００４７】
そして最後に、窒素雰囲気下で基板１を取り出し、吸水材として酸化カルシウムを封入した封止カバーを封止樹脂で接着した。
【００４８】
〔実施例２〕
吸水膜としてポリカーボネート（吸水率０．２％）をクロロホルムに溶解し、基板上にスピンコートして５００ｎｍの厚みに形成した他は、実施例１と同様にして有機ＥＬ素子を作製した。
【００４９】
〔比較例１〕
基板１をアセトン、ＩＰＡで洗浄してからＩＰＡベーパー乾燥させ、さらに１００℃のクリーンオーブンで３０分乾燥させた後に大気中に取り出してから反応性イオンエッチングで１分間表面改質を行い、以降、実施例１と同様にして有機ＥＬ素子を作製した。
【００５０】
〔耐久性評価〕
実施例および比較例で得られた有機ＥＬ素子を１００ｍＡ／ｃｍ２の定電流で連続駆動させ、２４時間後の輝度低下率、および１画素内のダークスポットの数の平均値を比較した。ダークスポットは５０倍の顕微鏡で確認できるものをカウントした。１画素は０．４ｍｍ×０．３ｍｍである。
【００５１】
【表１】
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【００５２】
表１に示すように、実施例１で得られた有機ＥＬ素子が輝度劣化率、ダークスポット数ともに良好な性能を有していることが判る。実施例２は、吸水膜の吸水率が５％未満であるため、実施例１よりも性能が劣る結果となっているが、比較例１よりもダークスポット数が減少していることが判る。
【００５３】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明に係る有機ＥＬ素子及びその製造方法によれば、基板上の水分が吸水膜により除去されるため、耐久劣化の少ない有機ＥＬ素子を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る有機ＥＬ素子の製造方法の一実施形態を説明する模式図である。
【図２】本発明に係る有機ＥＬ素子の製造方法において、吸水膜を除去する反応性イオンエッチング装置を説明する概略図である。
【図３】本発明に有機ＥＬ素子の製造方法において、陽極上の吸水膜を除去した状態を示す模式図である。
【図４】本発明に係る有機ＥＬ素子の断面構造を示す模式図である。
【図５】従来の一般的な有機ＥＬ素子の断面構造を示す模式図である。
【符号の説明】
１　透明基板
２　陽極
３　有機層（正孔輸送層）
４　有機層（発光層）
５　陰極
６　吸水膜
７　マスク
８　プラズマ
９　陰極
１０　整合器
１１　高周波電源
３４　有機発光層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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