(57)【要約】【課題】口径の大きなウェハを使用する場合でも低コストで、かつ、信頼性の高いウェハレベルＣＳＰを製造することができる製造方法を提供する。【解決手段】半導体ウェハに造り込んだ複数の半導体素子の電極パッド上に先端の尖った形状のバンプを形成し、このバンプを被覆するようにシート状封止樹脂をウェハ表面に貼り付ける。この際にバンプがシート状封止樹脂を貫通し、バンプの先端が露出される。その後シート状封止樹脂表面に配線金属層をバンプと接続するように形成し、配線金属層の所定の位置に外部接続用端子を設けた後各半導体素子を切り出す。【選択図】      図１
2004193497.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウェハに形成された複数の半導体素子の電極パッドに先端の尖ったバンプを形成する工程と、
前記ウェハの主面上に前記バンプの尖った先端が露出するように封止樹脂層を形成する工程と、
前記封止樹脂層上に前記バンプと電気的に接続する配線金属層を形成する工程と、
前記配線金属層の所定の位置に外部接続用端子を形成する工程と、
前記ウェハから個々の半導体素子を切り出す工程と、
を含むことを特徴とするチップサイズパッケージの製造方法。
【請求項２】
ウェハに形成された複数の半導体素子の電極パッドに第１の先端の尖ったバンプを形成する工程と、
前記ウェハの主面上に前記第１のバンプの尖った先端が露出するように第１の封止樹脂層を形成する工程と、
前記第１の封止樹脂層上に前記第１のバンプと電気的に接続する第１の配線金属層を形成する工程と、
前記第１の配線金属層の所定の位置に第２の先端の尖ったバンプを形成する工程と、
前記第１の配線金属層上に前記第２のバンプの尖った先端が露出するように第２の封止樹脂層を形成する工程と、
前記第２の封止樹脂層上に前記第２のバンプと電気的に接続する第２の配線金属層を形成する工程と、
前記第２の配線金属層の所定の位置に外部接続用端子を形成する工程と、
前記ウェハから個々の半導体素子を切り出す工程と、
を含むことを特徴とするチップサイズパッケージの製造方法。
【請求項３】
（ａ）ウェハに形成された複数の半導体素子の電極パッドに第１の先端の尖ったバンプを形成する工程と、
（ｂ）前記ウェハの主面上に前記第１のバンプの尖った先端が露出するように第１の封止樹脂層を形成する工程と、
（ｃ）前記第１の封止樹脂層上に前記第１のバンプと電気的に接続する第１の配線金属層を形成する工程と、
（ｄ）前記第１の配線金属層の所定の位置に第２の先端の尖ったバンプを形成する工程と、
（ｅ）前記第１の配線金属層上に前記第２のバンプの尖った先端が露出するように第２の封止樹脂層を形成する工程と、
（ｆ）前記第２の封止樹脂層上に前記第２のバンプと電気的に接続する第２の配線金属層を形成する工程と、
（ｇ）前記（ｄ）（ｅ）および（ｆ）工程と同様の工程を必要回数反復し、第Ｎ（Ｎは３以上の整数）の配線金属層までを形成する工程と、
（ｈ）前記第Ｎ（Ｎは３以上の整数）の配線金属層の所定の位置に外部接続用端子を形成する工程と、
（ｉ）前記ウェハから個々の半導体素子を切り出す工程と、
を含むことを特徴とするチップサイズパッケージの製造方法。
【請求項４】
前記封止樹脂はシート状であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一に記載のチップサイズパッケージの製造方法。
【請求項５】
前記シート状封止樹脂を前記ウェハの主面上に被着する際に、前記バンプの先端が前記シート状封止樹脂を貫通することを特徴とする請求項４に記載のチップサイズパッケージの製造方法。
【請求項６】
ウェハに形成された複数の半導体素子の電極パッドに先端の尖ったバンプを形成する工程と、
前記ウェハの主面上に金属薄膜付きシート状封止樹脂を貼着し、同時に前記バンプの先端を前記シート状封止樹脂を貫通させ前記金属薄膜と接続する工程と、
前記金属薄膜を給電層として電気メッキにより配線金属層を形成する工程と、
前記配線金属層の所定の位置に外部接続用端子を形成する工程と、
前記ウェハから個々の半導体素子を切り出す工程と、
を含むことを特徴とするチップサイズパッケージの製造方法。
【請求項７】
前記外部接続用端子を形成する前にソルダーレジスト層を形成する工程を更に有することを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一に記載のチップサイズパッケージの製造方法。
【請求項８】
前記先端の尖ったバンプは、ワイヤボンディングの引きちぎりにより形成することを特徴とする請求項１乃至７のいずれか一に記載のチップサイズパッケージの製造方法。
【請求項９】
前記外部接続用端子はボール電極端子であることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか一に記載のチップサイズパッケージの製造方法。
【請求項１０】
前記封止樹脂層の全体厚さは５０μｍ以上であることを特徴とする請求項１乃至９のいずれか一に記載のチップサイズパッケージの製造方法。
【請求項１１】
前記請求項１乃至１０のいずれか一に記載の製造方法により製造されたチップサイズパッケージ。
【請求項１２】
ウェハに形成された複数の半導体素子の電極パッドに接続されるバンプと、前記ウェハの主面上に形成され前記バンプの側面を覆う封止樹脂層と、前記封止樹脂層上に前記バンプと電気的に接続するように形成された配線金属層と、前記配線金属層に接続される外部接続用端子を具備するチップサイズパッケージであって、前記バンプは先端の尖った形状であり、前記電極パッドと前記外部接続用端子とが、多層化された前記バンプおよび配線金属層を介して接続されていることを特徴とするチップサイズパッケージ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ＣＳＰ（チップサイズパッケージ）およびその製造方法に関するものであり、更に詳しくはインターポーザ基板を用いない半導体ウェハレベルＣＳＰおよびその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
電子機器への小型化、高性能化、低コスト化の要求に伴い、半導体部品自体の小型化、高性能化、低コスト化が求められている。具体的には、半導体部品の配線幅、配線長の短縮化、高集積化、パッケージレベルでの小型化、低コスト化等が図られている。
【０００３】
近年、パッケージレベルの小型化の観点でＣＳＰが盛んに開発されている。従来のＣＳＰの主流は、ウェハから個々に切り出されたＬＳＩチップ表面の周辺に沿って設けられた電極にバンプを形成し、このバンプがベースとなる薄いポリイミド等の有機フィルム上に数十μｍ厚再配置パターンが予め形成された構造を有するインターポーザ基板を介して外部端子用のはんだバンプに接続されている。即ち、このパッケージでは、ＬＳＩをインターポーザ基板に実装し、次にこれを目的の配線基板に実装する形態をとっていた。
【０００４】
しかしながら、上述したように、このパッケージではＬＳＩをウェハから切り出した後各々のＣＳＰを作成することになるため、専用の金型を必要とし、低コスト化の障害となっていた。また、ＬＳＩを配線基板に実装するのに２回実装することになるため工程数が多くなり、結果としてコストアップにつながっていた。
【０００５】
このような背景から、ウェハ状態のまま半導体チップをパッケージ化する技術、いわゆるウェハレベルＣＳＰが生まれ開発が進められている。ウェハレベルＣＳＰとは、個々の半導体チップをウェハから切り出す前の段階で、そのパッケージ化を行う技術である。この技術において、前述したようなインターポーザ基板を適用することも可能ではあるが、特に口径の大きなウェハを使用する場合には難がある。インターポーザ基板は、ウェハ表面に設けられたバンプとの接続部を位置合わせしてウェハ表面に貼り付けられるが、ウェハレベルの大面積になるとそれに相当する大面積のインターポーザ基板との位置合わせが難しくなる。この傾向はパターンが微細であるほど、また、ウェハの口径が大きくなるほど顕著となる。面積の小さいインターポーザ基板を個別に貼りつけることも可能ではあるが、その場合貼付け工程数が増え、結果として低コスト化が図れない。また、インターポーザ基板自体のコストも高い。
【０００６】
これに対して、半導体チップ上にフォトリソ技術を用いて再配置用の配線を直接形成する方法がある。図４は特許文献１に開示されているウェハレベルＣＳＰの部分断面図である。前処理を終了し各ＬＳＩの電極にバンプが形成されている。図４において、１０４はウェハレベルＣＳＰを構成する一つのＬＳＩであり、２０４，２０５はＬＳＩのアルミニウム電極である。３０４，３０５はワイヤボンディング技術を用いて形成された金または銅バンプであり、各バンプの先端の表面は平坦化されている。全てのアルミニウム電極にバンプが形成されたウェハ全面にはエポキシ樹脂が被着封止される。この際平らなバンプ３０４，３０５上面は露出される。そして、エポキシ樹脂表面には再配置用の金属配線４０４，４０５が形成され、バンプ３０４，３０５と各々接続されており、金属配線４０４，４０５上の所定の位置にはんだボール６０４，６０５が設置された後個々のＬＳＩ毎に切り出される。同様の技術は、特許文献２にも開示されている。なお、特許文献３には、尖端を有するバンプを具備した半導体チップをシート状絶縁性接着部材を介して配線基板と熱圧着するＣＳＰの製造技術が開示されている。
【０００７】
【特許文献１】特開平９−６４０４９号公報（第４〜５頁、図４〜６）
【特許文献２】特開２００１−２０３２９７号公報（第９〜１０頁、図７）
【特許文献３】特開平１１−１３５５４９号公報（第２〜３頁、図１，２）
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、特許文献１および２に開示されているウェハレベルＣＳＰ製造技術では、先端が予め平坦化されたバンプを使用するため、樹脂がバンプ表面に残存しやすく、樹脂によるバンプ封止後バンプ表面を露出させるための研磨工程が実質的に必要であることが示唆される。この研磨工程により発生した研磨かすがバンプ表面に付着していると、後に形成される再配置用配線とバンプとの接続信頼性に悪影響を与える可能性があるため、表面を十分清浄化する必要がある。そのため、単に樹脂を研磨する工程だけでは済まず、清浄化工程も必要となる。したがって、製造工程数が増加し、結果的にコストアップにつながる。なお、特許文献３に開示されているウェハレベルＣＳＰは、インターポーザ基板を使用したＣＳＰであるため、製造工程が多く、低コスト化に難がある。
【０００９】
本発明は、口径の大きなウェハを使用する場合でも低コストで、かつ、信頼性の高いウェハレベルＣＳＰの製造方法を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本発明のＣＳＰの製造方法は、ウェハに形成された複数の半導体素子の電極パッドに先端の尖ったバンプを形成する工程と、このウェハの主面上にバンプの尖った先端が露出するように封止樹脂層を形成する工程と、封止樹脂層上にバンプと電気的に接続する配線金属層を形成する工程と、この配線金属層の所定の位置に外部接続用端子を形成する工程と、ウェハから個々の半導体素子を切り出す工程と、を含むことを特徴とする。また、ウェハに形成された複数の半導体素子の電極パッドに第１の先端の尖ったバンプを形成する工程と、このウェハの主面上に第１のバンプの尖った先端が露出するように第１の封止樹脂層を形成する工程と、第１の封止樹脂層上に第１のバンプと電気的に接続する第１の配線金属層を形成する工程と、この第１の配線金属層の所定の位置に第２の先端の尖ったバンプを形成する工程と、第１の配線金属層上に第２のバンプの尖った先端が露出するように第２の封止樹脂層を形成する工程と、第２の封止樹脂層上に第２のバンプと電気的に接続する第２の配線金属層を形成する工程と、この第２の配線金属層の所定の位置に外部接続用端子を形成する工程と、ウェハから個々の半導体素子を切り出す工程と、を含むことを特徴とする。更に、（ａ）ウェハに形成された複数の半導体素子の電極パッドに第１の先端の尖ったバンプを形成する工程と、（ｂ）このウェハの主面上に第１のバンプの尖った先端が露出するように第１の封止樹脂層を形成する工程と、（ｃ）第１の封止樹脂層上に前記第１のバンプと電気的に接続する第１の配線金属層を形成する工程と、（ｄ）第１の配線金属層の所定の位置に第２の先端の尖ったバンプを形成する工程と、（ｅ）第１の配線金属層上に第２のバンプの尖った先端が露出するように第２の封止樹脂層を形成する工程と、（ｆ）第２の封止樹脂層上に第２のバンプと電気的に接続する第２の配線金属層を形成する工程と、（ｇ）上記（ｄ）（ｅ）および（ｆ）工程と同様の工程を必要回数反復し、第Ｎ（Ｎは３以上の整数）の配線金属層までを形成する工程と、（ｈ）第Ｎ（Ｎは３以上の整数）の配線金属層の所定の位置に外部接続用端子を形成する工程と、（ｉ）ウェハから個々の半導体素子を切り出す工程と、を含むことを特徴とする。
【００１１】
封止樹脂はシート状であることが好ましい。シート状封止樹脂をウェハの主面上に被着する際に、バンプの先端が前記シート状封止樹脂を貫通することを特徴とする。
【００１２】
また、ウェハに形成された複数の半導体素子の電極パッドに先端の尖ったバンプを形成する工程と、このウェハの主面上に金属薄膜付きシート状封止樹脂層を貼着着し、同時に前記バンプの先端を前記シート状封止樹脂を貫通させ前記金属薄膜と接続する工程と、金属薄膜を給電層として電気メッキにより配線金属層を形成する工程と、この配線金属層の所定の位置に外部接続用端子を形成する工程と、ウェハから個々の半導体素子を切り出す工程と、を含むことを特徴とする。
【００１３】
先端の尖ったバンプは、ワイヤボンディングの引きちぎりにより形成することが好ましい。
【００１４】
本発明のＣＳＰは、上記製造方法により製造されることを特徴としている。特に、ウェハに形成された複数の半導体素子の電極パッドに接続されるバンプと、ウェハの主面上に形成され上記バンプの側面を覆う封止樹脂層と、記封止樹脂層上に上記バンプと電気的に接続するように形成された配線金属層と、配線金属層に接続される外部接続用端子を具備するチップサイズパッケージであって、上記バンプは先端の尖った形状であり、電極パッドと外部接続用端子とが、多層化された上記バンプおよび配線金属層を介して接続されていることを特徴とする。
【００１５】
【作用】
前述したように、特許文献１および２では、樹脂によるバンプ封止後バンプ表面を露出させるための研磨工程が必要である。これに対して、本発明では、バンプの形状を先端の尖った形状としているため、このバンプを被覆するようにシート状封止材をウェハに被着する際にバンプがシート状封止樹脂を貫通し、バンプの先端が露出する。このため、樹脂によるバンプ封止後バンプ表面を露出させるための研磨工程が不要となり、低コスト化が図れる。本発明では、バンプは層間接続用のビアとして機能するため、通常のフォトリソ技術を適用してビアホールを形成後めっき技術によりビアを形成する場合に比べて製造工程が簡略である。また、本発明では、先端の尖ったバンプをワイヤボンディングの引きちぎりにより半導体素子の電極パッドに直接形成できるため、めっき技術を使用する際に半導体素子のアルミニウム電極パッド表面のめっき液による腐食防止加工（バリア層形成）が不要である。更に、金属薄膜付きシート状封止樹脂を使用することにより、配線金属層の形成工程も簡略化することができる。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して説明する。なお、図中、各構成成分の大きさ、形状および配置関係は、本発明が理解できる程度に概略的に示してある。
【００１７】
図１は後述の本発明のウェハレベルＣＳＰの製造方法に基づき製造されたＣＳＰの一例を示す断面図である。シリコン基板１１に形成された半導体素子の電極パッド１２には先端の尖った形状のバンプ１３（第１のバンプ）が形成されている。このバンプ１３周辺の半導体素子表面は、バンプ高さと概ね同じ厚みの絶縁樹脂１４層（第１の封止樹脂層）により封止されている。この絶縁樹脂表面には配線金属層１５（第１の配線金属層）が形成されており、バンプ１３と電気的に接続されている。そして、配線金属層１５の所定の位置に先端の尖った形状のバンプ１３（第２のバンプ）が形成されており、このバンプ１３周辺の半導体素子表面には、バンプ高さと概ね同じ厚みの絶縁樹脂１４層（第２の封止樹脂層）が形成されている。この絶縁樹脂表面には配線金属層１５（第２の配線金属層）が形成されており、第２のバンプ１３と電気的に接続されている。そして、第２の配線金属層１５の所定の位置には、外部接続用端子１７が形成されている。なお、第２の配線金属層１５の外部接続用端子１７との接続部以外には、ソルダーレジスト層１６が被覆されている。なお、本発明でいう先端の尖った形状とは、先端近傍が徐々に先細となっている形状を意味する。
【００１８】
図１では、再配置用の配線層が２層の場合を例示しているが、単層で再配置用配線金属層を形成できる場合は単層とすることもできるし、必要であれば３層以上とすることも可能である。なお、図１では半導体素子の電極パッド位置と外部接続端子の位置が図面上あまりずれていないように表示してあるが、通常の半導体素子の電極パッドは周辺に沿って複数配列されており、アレイ状の外部接続端子に再配列するように再配置配線金属層は形成されており、本発明においても同様の再配置配線金属層を形成できることを意図する。
【００１９】
電極パッド１２は、例えばアルミニウムまたは銅で形成できるが、その他の材質も適用できるし、アルミニウムまたは銅表面に必要に応じて金等を積層することもできる。バンプ１３は、金または銅を使用することができる。配線金属層１５としては、比抵抗値が小さくエッチングが容易な銅が好ましいが、銀、クロム、ニッケル、コバルト等も適用できる。ソルダーレジスト層１６としては、従来のエポキシ樹脂系やポリイミド樹脂系のものが使用できる。外部接続用端子１７としては、はんだに代表されるボール状のものが好ましい。
【００２０】
封止樹脂１４は、液状のものも使用可能ではあるが、製造工程の簡略化に有利なシート状のものが好ましい。また、後述する材料物性の条件範囲を満足するものであり、製造上および使用環境下で問題とならない耐熱性、耐薬品性に優れるものであればよく、これらを満足する限り熱可塑性、熱硬化性、光硬化性等種々のものを使用することが可能であるが、硬化収縮の問題が殆どない熱可塑性樹脂、あるいは、硬化収縮の小さい芳香環、または脂環を主骨格に有する熱硬化性樹脂が好ましい。
【００２１】
一般的に、封止樹脂層は厚みが厚いほど実装基板と半導体素子との線膨張係数差に基づき生じる熱応力を吸収する能力を増すため、外部接続端子に加わる応力を軽減でき、基板実装後の信頼性は向上する傾向がある。このため、封止樹脂層は厚みが５０μｍ以上、更に好ましくは１００μｍ以上であることが好ましい。しかしながら、上記熱応力は半導体装置自体を破損させる危険性も有する。
【００２２】
また、封止樹脂層には、半導体素子およびバンプとの線膨張係数格差による熱応力も発生している。この熱応力によって半導体装置自体を破損させる危険性を有するため、封止樹脂は半導体素子およびバンプとの線膨張係数格差の小さい材料とする必要がある。例えば、半導体素子をシリコン（線膨張係数：３ｐｐｍ／℃）、バンプを金（線膨張係数：１５ｐｐｍ／℃）とすると、封止樹脂の線膨張係数は３から１５ｐｐｍ／℃の間とすることが好ましい。
【００２３】
（第１の実施の形態）
図２〜４は、本発明のウェハレベルＣＳＰの製造方法の一例を示す工程図である。図１に示すような再配置用配線金属層が２層のＣＳＰの製造例である。図１と共通の構成要素は同じ番号で示している。はじめに、図２（ａ）に示すような前処理により複数の半導体素子が造り込まれた半導体ウェハ１１を用意する。半導体素子表面には電極パッド１２が形成されている。図示していないが、電極パッド形成部以外の半導体素子表面には、半導体素子の保護および封止樹脂との密着性向上のためのポリイミド膜が形成されている。この電極パッド１２上に、図２（ｂ）に示すように先端の尖った形状の第１のバンプ１３を形成する。このバンプの形成には、ワイヤボンディングの引きちぎりにより行うことが製造工程が簡単であるため好ましいが、この方法に限定されるものではない。続いて、図２（ｃ）に示すように、バンプ１３を被覆するようにウェハの表面にシート状封止樹脂１４を貼り付けることにより第１の封止樹脂層を形成する。シート状封止樹脂１４の片面にはＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレ−ト）製のカバーフィルム１８が積層されており、カバーフィルムが積層された状態でシート状封止樹脂１４をウェハ表面に貼り付ける。この貼り付け工程は、シートが軟化し接着性を十分発現する温度で実施することが好ましく、熱可塑性樹脂の場合はガラス転移温度以上で行うことができる。もちろん接着剤層を有する等の常温で接着性を有する場合は常温で実施することもできる。熱硬化性樹脂の場合は、貼り付け後必要に応じて熱処理することができる。貼り付け方法は特に限定されず、例えば通常のドライフィルム用のラミネータ、高圧プレス、真空プレス等を使用することができるが、加熱と加圧を同時に行うことができ、しかも貼り付け時の巻き込み気泡を防ぐのに好適な真空ラミネータや真空プレス等の減圧下で貼り付けすることができるものが好ましい。シート状封止樹脂１４は、ウェハの口径よりも広幅の長尺状のものを使用することが好ましく、このシートの適当な位置にウェハを貼り付け後ウェハ外寸に沿って切断することができる。なお、シート貼り付け時にウェハ裏面に離型性の保護シートを被覆しておくと、樹脂が流動してウェハ裏面に回り込むのを防止できる。バンプ１３の高さは、シート状封止樹脂１４の厚み以上で、シート状封止樹脂１４の厚みとカバーフィルム１８の厚みの総和より小さい範囲とすることが好ましい。この貼り付け工程により、バンプ１３の先端がシート状封止樹脂１４を貫通し、シート状封止樹脂１４の上面に露出する。この際バンプ先端への封止樹脂の付着は伴わないため、樹脂研磨工程を設ける必要がない。その後カバーフィルム１８を剥離する。各バンプの高さばらつきが大きい場合バンプの高さを揃えるための平坦化処理を行うことができる。この平坦化処理によりバンプ高さを封止樹脂表面と概ね面一にすると更に好ましい。なお、上記シート状封止樹脂貼り付け工程により、バンプ１３の先端を平坦化することもできる。
【００２４】
続いて、第１のバンプの先端および第１の封止樹脂層の表面に再配置配線パターンを形成する。この配線パターンの形成方法は特に限定されず、例えばサブトラクティブ法、セミアディティブ法、スクリーン印刷法が適用できる。一例として、以下にセミアディティブ法を使用する方法を示す。図２（ｅ）に示すように、バンプの先端および封止樹脂層の表面に金属薄膜１９を形成する。この金属薄膜１９は、電解めっきの給電層として機能するものである。金属薄膜の形成方法は特に限定されず、例えば無電解めっき、スパッタリング、蒸着等で形成できる。この金属薄膜１９上に図３（ｆ）に示すようにメッキレジストパターン１０を形成後、図３（ｇ）に示すように電解めっきにより所定の厚みの金属配線パターン１５を形成する。その後メッキレジストパターン１０を除去し、続いてメッキレジストパターン１０下に位置した金属薄膜をフラッシュエッチング除去することにより第１の配線金属層が形成される（図３（ｈ）参照）。なお、第１の封止樹脂層の表面に再配置配線パターンを形成する前に、第１の封止樹脂層と配線パターンとの密着性を強化させるために第１の封止樹脂層を粗化することができる。
【００２５】
続いて、第１の配線金属層の所定の位置に、図２（ｂ）と同様に先端の尖った第２のバンプ１３を形成し（図３（ｉ）参照）、第２の封止樹脂層を図２（ｃ）と同様に第２のバンプ１３を被覆するように貼り付け（図３（ｊ）参照）、その後カバーフィルムを剥離、必要に応じてバンプの平坦化処理を行い、図４（ｋ）の状態を得る。そして、図２（ｅ）から図３（ｈ）の工程と同様の工程により第２の配線金属層を形成する（図４（ｌ）参照）。
【００２６】
そして、図４（ｍ）に示すように第２の配線金属層１５の外部電極端子との接続部分を除いた第２の配線金属層１５を含めた第２の封止樹脂層１４上にソルダーレジスト層１６を被覆後、第２の配線金属層１５の外部電極端子との接続部分に外部接続端子２７を形成する（図４（ｎ）参照）。最後に各半導体素子を個々に切り出すことにより、図１に示すＣＳＰが完成する。
【００２７】
以上は、配線金属層を２層に形成した場合であるが、単層の場合は、図３（ｈ）工程後に図４（ｍ）および（ｎ）と同様の工程を施せばよい。３層以上とする場合には、図３（ｉ）から図４（ｌ）までと同様の工程を必要回数反復した後図４（ｍ）および（ｎ）と同様の工程を施せばよい。
【００２８】
以上のように、第１の実施の形態では、層間接続用のビアとして先端の尖った形状のバンプが機能し、シート状封止樹脂を貼り付けることにより先端の尖った形状のバンプをシート状封止樹脂に貫通させることができる。そのため、ビアの形成工程が従来のめっき技術を利用する場合よりも簡単である。また、バンプ表面を露出させる研磨工程が不要となり、製造工程を短縮できる。特に、多層化する場合に有利である。
【００２９】
（第２の実施の形態）
図５は本発明のウェハレベルＣＳＰの製造方法の他の一例を示す工程図である。第１の実施の形態との相違は、予め金属薄膜がシート状封止樹脂の片面に積層されたものを使用する点である。図１および２と共通の構成要素は同じ番号で示している。
【００３０】
図２（ａ）および（ｂ）の工程同様に先端の尖った形状の第１のバンプ１３を半導体ウェハ１１に造り込まれた半導体素子表面の電極パッド１２上に形成する（図５（ａ）参照）。その後、予め片面に金属薄膜１９が積層されたシート状封止樹脂をバンプ１３を被覆するように第１の実施の形態同様ウェハの表面に貼り付けることにより第１の封止樹脂層１４を形成する。金属薄膜１９の厚みは極めて薄い場合、この貼り付け時にバンプ１３の先端が第１の封止樹脂層１４とともに金属薄膜１９をも貫通して接続される。金属薄膜１９の厚みがある程度厚い場合には、貼り付け時にバンプ１３の先端が第１の封止樹脂層１４を貫通し、金属薄膜１９に食い込むように接続される。その後必要に応じてバンプ高さの平坦化処理を行い、図５（ｂ）の状態を得る。金属薄膜１９は、第１の実施の形態における金属薄膜１９と同様の役割を演じる。その後は、図３（ｆ）から（ｈ）と同様メッキレジスト層１０の形成、電解めっき、メッキレジスト層１０の剥離、メッキレジスト層１０下層の金属薄膜１９フラッシュエッチング工程により第１の配線金属層を形成する（図５（ｃ）から（ｅ）参照）。第２の金属配線層を形成する必要がある場合は、更に図５（ａ）から（ｅ）までの工程を同様に行えばよい。
【００３１】
以上のように、第２の実施の形態では、シート状封止樹脂を貼り付けることにより先端の尖った形状のバンプをシート状封止樹脂に貫通させることができるため、バンプ表面を露出させる研磨工程が不要となり、更に金属薄膜を形成する工程が不要となるため、第１の実施の形態よりも更に製造工程を短縮できる。
【００３２】
本発明はこれらの実施の形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能であり、これらは本発明の範囲から逸脱するものではない。例えば、第１および２の実施の形態における配線金属層の形成方法をミックスして各層に適用した多層配線構成とすることができる。
【００３３】
【発明の効果】
本発明のＣＳＰの製造方法では、バンプの形状を先端の尖った形状としているため、このバンプを被覆するようにシート状封止材をウェハに被着する際にバンプがシート状封止樹脂を貫通し、バンプの先端が露出する。このため、樹脂によるバンプ封止後バンプ表面を露出させるための研磨工程が不要となり、低コスト化が図れる。シート状封止樹脂として金属薄膜付きのものを使用すれば、金属配線層の形成工程が更に簡略化できる。そのため、ＣＳＰの低コストでの製造が可能となる。
【００３４】
本発明では、バンプは層間接続用のビアとして機能するため、通常のフォトリソ技術を適用してビアホールを形成後めっき技術によりビアを形成する場合に比べて製造工程が簡略である。また、本発明では、先端の尖ったバンプをワイヤボンディングの引きちぎりにより半導体素子の電極パッドに直接形成できるため、めっき技術を使用する際に半導体素子のアルミニウム電極パッド表面のめっき液による腐食防止加工（バリア層形成）が不要となる効果もある。
【００３５】
また、多層化構造を容易に形成することができるため、設計の自由度が大きく多ピン化に有利である。更に（１）式を満足する封止樹脂を選定して使用することにより、樹脂クラック不良を低減でき、温度サイクル性の優れたＣＳＰを製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の製造方法により製造されるＣＳＰの断面図である。
【図２】本発明の第１の実施形態の製造工程説明断面図である。
【図３】図２に続く本発明の第１の実施形態の製造工程説明断面図である。
【図４】図３に続く本発明の第１の実施形態の製造工程説明断面図である。
【図５】本発明の第２の実施形態の製造工程説明断面図である。
【図６】特許文献１（特開平９−６４０４９号公報）に開示されているＣＳＰの断面図である。
【符号の説明】
１０  メッキレジスト層
１１  半導体ウェハ
１２  電極パッド
１３  バンプ１３
１４  封止樹脂層
１５  配線金属層
１６  ソルダーレジスト層
１７  外部接続用端子
１８  カバーフィルム
１９  金属薄膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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