(57)【要約】【課題】磁気ヘッド、薄膜磁気ヘッド、及び、磁気記録装置に関し、磁区制御膜を構成する反強磁性層を充分に磁化するとともに、フリー層における磁化方向の回転を容易にする。【解決手段】磁気抵抗効果膜面に少なくとも垂直成分を含んだ方向に電流を流す構造の磁気ヘッドの磁区制御膜を構成する反強磁性層６によるバイアス磁界を再生信号を検出するセンス電流により磁気抵抗効果膜１の磁気記録媒体側端部に発生する電流磁界と逆方向になるように設定する。【選択図】          図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁気抵抗効果膜面に少なくとも垂直成分を含んだ方向に電流を流す構造の磁気ヘッドにおいて、磁区制御膜を構成する反強磁性層によるバイアス磁界を再生信号を検出するセンス電流により磁気抵抗効果膜の磁気記録媒体側端部に発生する電流磁界と逆方向になるように設定したことを特徴とする磁気ヘッド。
【請求項２】
上記磁区制御膜を構成する反強磁性層が、上記磁気抵抗効果膜を構成する反強磁性層と異なったブロッキング温度を有する膜で構成したことを特徴とする請求項１記載の磁気ヘッド。
【請求項３】
上記磁区制御膜を構成する反強磁性層を、少なくとも非磁性層を介して上記磁気抵抗効果膜を構成するフリー層と隣接させたことを特徴とする請求項１または２に記載の磁気ヘッド。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか１項に記載の磁気ヘッドを誘導型書込みヘッドと一体化して複合化したことを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
【請求項５】
請求項４記載の薄膜磁気ヘッドを搭載したことを特徴とする磁気記録装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は磁気ヘッド、薄膜磁気ヘッド、及び、磁気記録装置に関するものであり、特に、ハードディスクドライブ（ＨＤＤ）等の磁気ディスク装置の再生ヘッドに用いる磁気抵抗効果膜のフリー層の磁区を反強磁性層により制御する場合に感度を向上させるための構成に特徴のある磁気ヘッド、薄膜磁気ヘッド、及び、磁気記録装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
磁気抵抗効果型ヘッドは、巨大磁気抵抗効果（ＧＭＲ）膜或いはトンネル磁気抵抗効果（ＴＭＲ）膜等の磁気抵抗効果膜を再生部に用いたヘッドで、再生出力が磁気記録媒体と磁気ヘッド間の相対速度に依存しないため、磁気記録装置の高記録密度化、及び小型化に対して有利な磁気ヘッドである。
【０００３】
一方、近年では磁気ディスク装置の大容量化と共に媒体上のビット長およびトラック幅が急激に狭くなってきているが、これに伴って磁気記録媒体からの信号も減少しているため、再生ヘッドの高感度化が要請されている。
【０００４】
さらに、トラック幅が狭くなることで再生ヘッド及び磁気抵抗効果膜の微細化が進んでいるが、磁気抵抗効果膜を用いた再生ヘッドは、磁気抵抗効果膜が単磁区とならない場合、バルクハウゼンノイズが発生し、再生出力が大きく変動する問題がある。
【０００５】
このため、磁気抵抗効果膜の磁区を制御するため、磁区制御膜が設けられているが、この磁区制御膜としてはＣｏＰｔ等に代表される高保磁力膜や或いはＰｄＰｔＭｎ等に代表される反強磁性層が用いられている。
【０００６】
一方、高感度化をねらう構造の一つとして、高い抵抗変化を得るために磁気抵抗効果膜の面内垂直方向に電流を流す構造、即ち、ＣＰＰ（Ｃｕｒｒｅｎｔ  Ｐｅｒｐｅｎｄｉｃｕｌａｒ  ｔｏ  ｔｈｅ  Ｐｌａｎｅ）構造も知られており、この様なＣＰＰ構造磁気センサにおいてもフリー層の磁区を制御するために磁区制御膜が用いられる。
【０００７】
図１０（ａ）参照
図１０（ａ）はＣＰＰ構造磁気センサにおけるセンス電流に伴う電流磁界の説明図であり、この様なＣＰＰ構造においては、センス電流を膜面垂直方向に流すために、このセンス電流による電流磁界は磁気抵抗効果膜の膜面において周回する方向となる。
【０００８】
図１０（ｂ）参照
一方、磁気抵抗効果膜のフリー層における磁区の発生を抑制し、磁化方向を安定化させる磁区制御膜によるバイアス磁界は、図１０（ｂ）に示すようにトラック幅方向で略一方向となる。
【０００９】
このとき、磁区制御膜としてハード膜を用いた場合、このセンス電流を、磁気抵抗効果膜の磁気記録媒体側端部（ＡＢＳ面側端部）において、センス電流による電流磁界と、ハード膜によるバイアス磁界が逆方向となるように流す、即ち、センス電流方向を負方向とすることが提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【００１０】
一方、磁区制御膜として反強磁性層を用いた場合、センス電流方向とは逆向きに通電しながら熱処理を行うことで、反強磁性層によるバイアス磁界方向を、センス電流による電流磁界方向とは逆向きの周回方向とすることも提案されている（例えば、特許文献２参照）。
【００１１】
【特許文献１】
特開２００２−１７１０１３号公報
【特許文献２】
特開２００２−３５９４１５号公報
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、磁区制御膜としてハード膜を用いる場合、ＣＰＰ構造では、センス電流のシャントを防ぐために、磁気抵抗効果膜とハード膜をＡｌ２  Ｏ３  等の絶縁膜等で隔離しなければならない。
【００１３】
この場合、磁気抵抗効果膜とハード膜との間隔によって磁気抵抗効果膜にかかるハード膜磁界が大きく変化することから、素子が微細化するに従い、ＣＰＰ構造でハード膜による磁区制御を行うことは困難になる。
【００１４】
一方、磁区制御膜として反強磁性層を用いる場合、熱処理時に反強磁性層に印加される電流磁界が十分に得られる程度に大きな電流を流した場合、素子が焼き切れたりするため、磁区制御のための十分な磁界強度を付与することは困難である。
【００１５】
この様な問題を解決するために、本発明者は、磁区制御膜として反強磁性層を用いた場合に、センス電流を、磁気抵抗効果膜の磁気記録媒体側端部において、センス電流による電流磁界と、反強磁性層によるバイアス磁界が同方向となるように流すことによって磁区制御を容易にすることを提案している。
【００１６】
しかし、この場合、バイアス磁界に電流磁界が加わるため、フリー層の磁化方向が外部磁界によって回転しずらくなるため、再生出力が減少してしまうという問題がある。
【００１７】
したがって、本発明は、磁区制御膜を構成する反強磁性層を充分に磁化するとともに、フリー層における磁化方向の回転を容易にすることを目的とする。
【００１８】
【課題を解決するための手段】
図１は本発明の原理的構成図であり、この図１を参照して本発明における課題を解決するための手段を説明する。
なお、図における符号３，４，９，１０は、それぞれ非磁性中間層、ピンド層、下部電極、及び、上部電極である。
図１参照
上記目的を達成するため、本発明は、磁気抵抗効果膜面に少なくとも垂直成分を含んだ方向に電流を流す構造の磁気ヘッドにおいて、磁区制御膜を構成する反強磁性層６によるバイアス磁界を再生信号を検出するセンス電流により磁気抵抗効果膜１の磁気記録媒体側端部に発生する電流磁界と逆方向になるように設定したことを特徴とする。
【００１９】
このように、磁区制御膜を反強磁性層６で構成する場合に、バイアス磁界を磁気記録媒体側端部に発生する電流磁界と逆方向になるように設定することによって、即ち、電流磁界による周回する磁界ではなく磁気記録媒体側端部と平行な磁界に設定することによって磁区制御のための磁界を十分大きくすることができる。
また、電流磁界と逆方向に設定することによって、フリー層５における磁化方向の回転が容易になるため、感度が向上する。
【００２０】
そのためには、磁区制御膜を構成する反強磁性層６を、磁気抵抗効果膜１を構成する反強磁性層２と異なったブロッキング温度を有する膜で構成すれば良く、それによって、電流印加下における熱処理を要することなく、磁場印加下における互いに温度の異なる２度の熱処理工程によって、２つの反強磁性層２，６における磁化方向を互いに異なるように、通常は、互いに直交するように設定することができる。
【００２１】
この場合、２つの反強磁性層２，６におけるブロッキング温度を互いに異なるようにするためには、磁区制御膜を構成する反強磁性層６と磁気抵抗効果膜１を構成する反強磁性層２とを、異なった材料で構成しても良いし、或いは、同じ材料系を用いるとともに異なった組成或いは異なった成膜条件で堆積させても良い。
【００２２】
また、磁区制御膜を構成する反強磁性層６は、少なくとも非磁性層７を介して磁気抵抗効果膜１を構成するフリー層５と隣接させることが望ましく、それによって、フリー層５の磁化方向の固定を防止することができる。
【００２３】
この場合、磁区制御膜を構成する反強磁性層６と非磁性層７との間に強磁性層８を設けることが望ましく、それによって、強磁性層８による還流磁界によりフリー層５の端部において強く影響を受けることになるので良好な磁区制御が可能になる。
【００２４】
なお、この様な磁気抵抗効果膜１としては、スピンバルブ型巨大磁気抵抗効果膜或いはトンネル磁気抵抗効果膜のいずれかが好適である。
【００２５】
また、上述の磁気ヘッドを誘導型書込みヘッドと一体化して複合化することによって、高記録密度の書込みと再生とが可能になる薄膜磁気ヘッドを実現することができ、さらに、この様な薄膜磁気ヘッドを搭載することによって磁気記録装置の高記録密度化が可能になる。
【００２６】
【発明の実施の形態】
ここで、図２乃至図８を参照して、本発明の第１の実施の形態のスピンバルブＣＰＰ磁気ヘッドを説明する。
なお、（ａ）図は平面図であり、（ｂ）図は、平面図におけるＡ−Ａ′を結ぶ一点鎖線に沿った断面図であり、（ｃ）図は、平面図におけるＢ−Ｂ′を結ぶ一点鎖線に沿った断面図である。
【００２７】
図２（ａ）乃至（ｃ）参照
まず、Ａｌ２  Ｏ３  −ＴｉＣ基板１１上に、Ａｌ２  Ｏ３  膜１２を介して厚さが、メッキ法により例えば、３００ｎｍのＮｉＦｅからなる下部磁気シールド層１３を形成したのち、厚さが、例えば、１０ｎｍのＴａからなる下部電極１４を蒸着法により形成する。
【００２８】
次いで、スパッタ法を用いて厚さが、例えば、１３ｎｍのＰｄＰｔＭｎピン層１６及び厚さが、例えば、３ｎｍのＣｏＦｅピンド層１７、厚さが、例えば、２ｎｍのＣｕ中間層１８、厚さが、例えば、３ｎｍのＮｉＦｅフリー層１９を順次堆積させて磁気抵抗効果膜２０を形成する。
【００２９】
引き続いて、磁区制御膜を構成するために、厚さが、例えば、２ｎｍのＣｕ層２１、厚さが、例えば、３ｎｍのＮｉＦｅ層２２、及び、厚さが、例えば、１０ｎｍのＩｒＭｎ層２３を順次堆積させたのち、厚さが、例えば、１０ｎｍのＣｕからなる上部電極２４を蒸着法により形成する。
【００３０】
図３（ａ）乃至（ｃ）参照
次いで、レジストパターン２５をマスクとしてイオンミリングを施すことによって、上部電極２４乃至下部電極１４を必要とする下部電極１４の形状が得られるようにエッチングする。
【００３１】
図４（ａ）乃至（ｃ）参照
次いで、レジストパターン２５を除去したのち、新たなレジストパターン２６をマスクとしてイオンミリングを施すことによって上部電極２４乃至ＰｄＰｔＭｎピン層１６を除去して磁気センサ部２７を形成する。
【００３２】
図５（ａ）乃至（ｃ）参照
次いで、レジストパターン２６を除去したのち、新たなレジストパターン２８をマスクとしてイオンミリングを施すことによって上部電極２４を所定形状にエッチングする。
【００３３】
図６（ａ）乃至（ｃ）参照
次いで、レジストパターン２８をそのままリフトオフ用マスクとして用いて、スパッタ法を用いてＡｌ２  Ｏ３  膜を堆積させて、平坦化膜２９を形成する。
なお、レジストパターン２８上に堆積したＡｌ２  Ｏ３  膜は図示を省略する。
【００３４】
図７（ａ）乃至（ｃ）参照
次いで、レジストパターン２８を除去したのち、選択メッキ法により、厚さが、例えば、１μｍのＮｉＦｅからなる上部磁気シールド層３０を形成する。
【００３５】
次いで、例えば、２Ｔ（テスラ）の磁場を印加した状態で、３００℃で３時間のアニール処理を行うことによって、ＰｄＰｔＭｎピン層１６の磁化方向をＡＢＳ面側端部と直交するように固定し、次いで、２００℃で２時間のアニール処理を行うことによって、ＩｒＭｎ層２３の磁化方向をＰｄＰｔＭｎピン層１６の磁化方向と直交するように、即ち、ＡＢＳ面側端部と平行になるように磁化方向を固定する。
【００３６】
この場合、ＰｄＰｔＭｎピン層１６のブロッキング温度は、ＩｒＭｎ層２３のブロッキング温度より高いので、２度目の熱処理工程においてＰｄＰｔＭｎピン層１６の磁化方向が変化することはない。
【００３７】
以降は従来の誘導型のライトヘッドを上部磁気シールドを兼ねる上部電極２４上に形成し、スライダー加工等を施すことによって反強磁性層を磁区制御層として用いたスピンバルブＣＰＰ磁気センサを利用した複合型磁気ヘッドが得られる。
【００３８】
図８参照
図８は、スライダー加工後の上下の磁気シールド層の形状を示す平面図であり、下部磁気シールド層１３及び上部磁気シールド層３０の研磨端面に磁気センサ部２７が露出する構成となる。
【００３９】
この本発明の実施の形態のスピンバルブＣＰＰ磁気センサの膜面に垂直にセンス電流を流すと、ＡＢＳ面側端部においてセンス電流によって発生する電流磁界と、ＩｒＭｎ層２３によって発生する磁界とがほぼ逆平行となり、ＮｉＦｅフリー層１９の磁化方向が回転し易くなるので、感度が向上する。
【００４０】
また、ＩｒＭｎ層２３の固定磁化は、磁界印加下における熱処理によって付与しており、電流磁界を利用していないので、十分大きな固定磁化を付与することができる。
【００４１】
また、本発明は、ＮｉＦｅフリー層１９に対する磁区制御磁界をＮｉＦｅ層２２を介して付与しているので、ＮｉＦｅ層２２による還流磁界はＮｉＦｅフリー層１９のＡＢＳ面側端部の両端部において強く印加されるのでＮｉＦｅフリー層の磁区制御を良好に行うことができる。
【００４２】
図９参照
図９は、本発明の実施の形態のスピンバルブＣＰＰ磁気ヘッドを搭載した磁気ディスク装置の平面図であり、スピンドルモータ３３の回転軸に取り付けられるとともに、ディスククランプリング３２によって固定された磁気記録媒体３１、先端部にサスペンション３５を介してスピンバルブＣＰＰ磁気センサを備えたスライダー３６と取り付けられたヘッドアーム３４から基本構成が構成される。
【００４３】
以上、本発明の各実施の形態を説明したが、本発明は各実施の形態に記載した構成及び条件に限られるものではなく、各種の変更が可能である。
例えば、上記の実施の形態においては、磁気抵抗効果膜１５をＮｉＦｅフリー層１９が上側になる構成としているが、ＮｉＦｅフリー層１９が下側になる構成にしても良いものであり、その場合には、下部電極１４上に、ＩｒＭｎ層、ＮｉＦｅ層、及び、Ｃｕ層を順次堆積させたのち、フリー層／非磁性層中間層／ピンド層／ピン層を順次堆積させれば良く、フリー層と磁区制御用の反強磁性層を近接させて設ければ良い。
【００４４】
また、上記の実施の形態においては、磁区制御用の反強磁性層からのバイアス磁界を強磁性層であるＮｉＦｅ層を介して印加しているが、フリー層上に極薄の非磁性層または強磁性層を介して反強磁性層を設け、反強磁性層からのバイアス磁界を弱めながら直接印加するようにすれば良い。
なお、この場合も、フリー層が下側になるスピンバルブ膜構造を用いる場合には、下部電極１４上に、例えば、ＩｒＭｎ層及び極薄の非磁性層または強磁性層を順次堆積させたのち、フリー層／非磁性層中間層／ピンド層／ピン層を順次堆積させれば良い。
【００４５】
また、上記の実施の形態においては、下部電極１４及び上部電極２４を、それぞれ下部磁気シールド層１３及び上部磁気シールド層３０と別個に形成しているが、電極が磁気シールドを兼ねるように強磁性体により形成しても良いものである。
【００４６】
また、上記の実施の形態においては、磁気抵抗効果膜として、ＮｉＦｅ／Ｃｕ／ＣｏＦｅ／ＰｄＰｔＭｎ構造のスピンバルブ巨大磁気抵抗効果膜を用いているが、他の膜構造でも良く、例えば、フリー層はＣｏＦｅ、ＣｏＦｅＢ、或いは、ＮｉＦｅ／ＣｏＦｅ構造等としても良い。
【００４７】
また、ピンド層は、ＮｉＦｅ層或いはＣｏＦｅＢ層としても良いし、さらには、ＣｏＦｅＢ／Ｒｕ／ＣｏＦｅＢ等の積層フェリ構造としても良く、反強磁性ピン層としては、ＩｒＭｎ、ＦｅＭｎ等の他の反強磁性体を用いても良いものである。
【００４８】
さらには、巨大磁気抵抗効果膜に限られるものではなく、例えば、ＮｉＦｅ／Ａｌ２  Ｏ３  ／ＮｉＦｅ／ＰｄＰｔＭｎ等のトンネル接合型磁気抵抗効果膜を用いても良いものである。
【００４９】
また、上記の実施の形態においては、磁気抵抗効果膜の反強磁性ピン層を構成する膜のブロッキング温度を磁区制御膜を構成する反強磁性層のブロッキング温度より高くしているが、低くしても良いものであり、その場合には、磁区制御膜を構成する反強磁性層の磁化方向を先に固定するようにすれば良い。
【００５０】
また、上記の実施の形態においては、磁気抵抗効果膜の反強磁性ピン層と磁区制御膜を構成する反強磁性層とを異なった材料で構成しているが、同じ材料系で構成しても良いものである。
その場合には組成比を変えるか、或いは、同じ組成比の場合には成膜速度或いは、成膜雰囲気気圧等の成膜条件を変えれば良い。
【００５１】
また、上記の実施の形態においては、図４におけるレジストパターン２６の端子高さ方向の長さを図３におけるレジストパターン２５の長さと同じにしているが、短くしても良いものである。
【００５２】
また、上記の実施の形態においては、図５におけるレジストパターン２８の幅を図４におけるレジストパターン２６の幅と同じにしているが、狭くして良いものである。
その場合、上部電極２４の幅は磁気センサ部２７の幅より狭くなるが、再生特性に大きな影響は無いか、若しくは、トラック幅方向の分解能が高まり、良い再生特性になる。
【００５３】
また、上記の実施の形態においては、反強磁性ピン層の磁化方向は、トラック幅方向とほぼ直交する方向であり、一方、磁区制御のためのバイアス磁界を与えるための反強磁性層の磁化方向はほぼトラック幅方向であるが、反磁界の影響や再生出力向上等の目的で設計において、いずれの反強磁性層の方向も、通常の方向から約０〜４５°程度傾いても良い。
【００５４】
また、上記の実施の形態においては、磁気ヘッドを複合型薄膜磁気ヘッドとしているが、スピンバルブＣＰＰ磁気センサのみからなる単独の磁気リードヘッドをも対象とするものである。
【００５５】
ここで、再び図１を参照して、改めて本発明の詳細な特徴を説明する。
再び、図１参照
（付記１）  磁気抵抗効果膜面に少なくとも垂直成分を含んだ方向に電流を流す構造の磁気ヘッドにおいて、磁区制御膜を構成する反強磁性層６によるバイアス磁界を再生信号を検出するセンス電流により磁気抵抗効果膜１の磁気記録媒体側端部に発生する電流磁界と逆方向になるように設定したことを特徴とする磁気ヘッド。
（付記２）  上記磁区制御膜を構成する反強磁性層６が、上記磁気抵抗効果膜１を構成する反強磁性層２と異なったブロッキング温度を有する膜で構成したことを特徴とする付記１記載の磁気ヘッド。
（付記３）  上記磁区制御膜を構成する反強磁性層６と上記磁気抵抗効果膜１を構成する反強磁性層２とを、異なった材料で構成したことを特徴とする付記２記載の磁気ヘッド。
（付記４）  上記磁区制御膜を構成する反強磁性層６と上記磁気抵抗効果膜１を構成する反強磁性層２とを、同じ材料系を用いるとともに異なった組成の膜或いは異なった成膜条件で堆積させた膜で構成したことを特徴とする付記２記載の磁気ヘッド。
（付記５）  上記磁区制御膜を構成する反強磁性層６を、少なくとも非磁性層７を介して上記磁気抵抗効果膜１を構成するフリー層５と隣接させたことを特徴とする付記１乃至４のいずれか項に記載の記載の磁気ヘッド。
（付記６）  上記磁区制御膜を構成する反強磁性層６と非磁性層７との間に強磁性層８を設けたことを特徴とする付記５記載の磁気ヘッド。
（付記７）  上記磁気抵抗効果膜１が、スピンバルブ型巨大磁気抵抗効果膜或いはトンネル磁気抵抗効果膜のいずれかであることを特徴とする付記１乃至６のいずれか項に記載の磁気ヘッド。
（付記８）  付記１乃至７のいずれか項に記載の磁気ヘッドを誘導型書込みヘッドと一体化して複合化したことを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
（付記９）  付記８記載の薄膜磁気ヘッドを搭載したことを特徴とする磁気記録装置。
【００５６】
【発明の効果】
本発明によれば、磁区制御膜を反強磁性層で構成する場合に、バイアス磁界を発生する反強磁性層の磁化方向を、外部磁界印加下における熱処理によって付与しているので、充分な固定磁化を付与することができ、また、その磁化方向を磁気抵抗効果膜の媒体側端部においてセンス電流による電流磁界と略逆方向となるように設定しているので再生出力を増加することができ、ひいては、高記録密度磁気記録装置に実現に寄与するところが大きい。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の原理的構成の説明図である。
【図２】本発明の実施の形態のスピンバルブＣＰＰ磁気ヘッドの途中までの製造工程の説明図である。
【図３】本発明の実施の形態のスピンバルブＣＰＰ磁気ヘッドの図２以降の途中までの製造工程の説明図である。
【図４】本発明の実施の形態のスピンバルブＣＰＰ磁気ヘッドの図３以降の途中までの製造工程の説明図である。
【図５】本発明の実施の形態のスピンバルブＣＰＰ磁気ヘッドの図４以降の途中までの製造工程の説明図である。
【図６】本発明の実施の形態のスピンバルブＣＰＰ磁気ヘッドの図５以降の途中までの製造工程の説明図である。
【図７】本発明の実施の形態のスピンバルブＣＰＰ磁気ヘッドの図６以降の製造工程の説明図である。
【図８】本発明の実施の形態のスピンバルブＣＰＰ磁気ヘッドの平面図である。
【図９】本発明の第１の実施の形態のスピンバルブＣＰＰ磁気ヘッドを搭載した磁気ディスク装置の平面図である。
【図１０】従来のＣＰＰ磁気ヘッドの説明図である。
【符号の説明】
１  磁気抵抗効果膜
２  反強磁性層
３  ピンド層
４  非磁性中間層
５  フリー層
６  反強磁性層
７  非磁性層
８  強磁性層
９  下部電極
１０  上部電極
１１  Ａｌ２  Ｏ３  −ＴｉＣ基板
１２  Ａｌ２  Ｏ３  膜
１３  下部磁気シールド層
１４  下部電極
１５  磁気抵抗効果膜
１６  ＰｄＰｔＭｎピン層
１７  ＣｏＦｅピンド層
１８  Ｃｕ中間層
１９  ＮｉＦｅフリー層
２０  磁区制御膜
２１  Ｃｕ層
２２  ＮｉＦｅ層
２３  ＩｒＭｎ層
２４  上部電極
２５  レジストパターン
２６  レジストパターン
２７  磁気センサ部
２８  レジストパターン
２９  平坦化膜
３０  上部磁気シールド層
３１  磁気記録媒体
３２  ディスククランプリング
３３  スピンドルモータ
３４  ヘッドアーム
３５  サスペンション
３６  スライダー
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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