(57)【要約】【課題】接続信頼性の劣化を抑制しつつ、異種チップの３次元実装構造を実現する。【解決手段】半導体チップ３がＡＣＦ接合により実装された半導体パッケージＰＫ１１上に、半導体チップ１３が封止樹脂１７で封止された半導体パッケージＰＫ１２を積層し、封止樹脂１７で封止される範囲を、半導体チップ１３上を覆うとともに、半導体チップ１３の実装面側において突出電極１６の配置領域にかかるように設定する。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１キャリア基板と、
前記第１キャリア基板上に搭載された第１半導体チップと、
第２キャリア基板と、
前記第２キャリア基板上に搭載された第２半導体チップと、
前記第２キャリア基板が前記第１半導体チップ上に保持されるように、前記第２キャリア基板と前記第１キャリア基板とを接続する突出電極と、
前記突出電極の配置領域が含まれるようにして、前記第２半導体チップを封止する封止材とを備えることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記第２キャリア基板は前記第１半導体チップ上に跨るように、第１キャリア基板上に固定されていることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記封止材はモールド樹脂であることを特徴とする請求項１または２記載の半導体装置。
【請求項４】
前記封止材の側壁は前記第２キャリア基板の側壁の位置に一致していることを特徴とする請求項１または２記載の半導体装置。
【請求項５】
前記第１半導体チップは第１キャリア基板上にフリップチップ実装されていることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項記載の半導体装置。
【請求項６】
前記第１半導体チップは、前記第１キャリア基板上に並列して複数設けられていることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項記載の半導体装置。
【請求項７】
前記第１半導体チップは、圧接接合により前記第１キャリア基板上に接続されていることを特徴とする請求項６記載の半導体装置。
【請求項８】
前記第１キャリア基板及び前記第１キャリア基板に搭載された第１半導体チップを含む半導体装置と、前記第２キャリア基板及び前記第２キャリア基板に搭載された第２半導体チップを含む半導体装置とは、等しい温度で弾性率が異なることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項記載の半導体装置。
【請求項９】
前記第１半導体チップが搭載された第１キャリア基板はフリップチップ実装されたボールグリッドアレイ、前記第２半導体チップが搭載された第２キャリア基板はモールド封止されたボールグリッドアレイまたはチップサイズパッケージであることを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項記載の半導体装置。
【請求項１０】
キャリア基板と、
前記キャリア基板上に搭載された第１半導体チップと、
前記キャリア基板上に搭載された第２半導体チップと、
前記第２半導体チップが前記第１半導体チップ上に保持されるように、前記第２半導体チップと前記キャリア基板とを接続する突出電極と、
前記突出電極の配置領域が含まれるようにして、前記第２半導体チップを封止する封止材とを備えることを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
前記第２半導体チップは積層された複数個の半導体チップであることを特徴とする請求項１〜１０のいずれか１項記載の半導体装置。
【請求項１２】
前記第２半導体チップは、前記第２キャリア基板上に並列に搭載された複数個の半導体チップであることを特徴とする請求項１〜１１のいずれか１項記載の半導体装置。
【請求項１３】
第１キャリア基板と、
前記第１キャリア基板上に搭載された第１電子部品と、
第２キャリア基板と、
前記第２キャリア基板上に搭載された第２電子部品と、
前記第２キャリア基板が前記第１電子部品上に保持されるように、前記第２キャリア基板と前記第１キャリア基板とを接続する突出電極と、
前記突出電極の配置領域が含まれるようにして、前記第２電子部品を封止する封止材とを備えることを特徴とする電子デバイス。
【請求項１４】
第１キャリア基板と、
前記第１キャリア基板上に搭載された第１半導体チップと、
第２キャリア基板と、
前記第２キャリア基板上に搭載された第２半導体チップと、
前記第２キャリア基板が前記第１半導体チップ上に保持されるように、前記第２キャリア基板と前記第１キャリア基板とを接続する突出電極と、
前記突出電極の配置領域が含まれるようにして、前記第２半導体チップを封止する封止材と、
前記第１キャリア基板が実装されたマザー基板とを備えることを特徴とする電子機器。
【請求項１５】
第１キャリア基板上に第１半導体チップをフリップチップ実装する工程と、
突出電極を配置する配置領域が設けられた第２キャリア基板上に第２半導体チップを実装する工程と、
前記突出電極の配置領域に封止樹脂がかかるようにして、前記第２半導体チップを前記封止樹脂で封止する工程と、
前記第２キャリア基板が前記第１半導体チップ上に保持されるように、前記突出電極を介して前記第２キャリア基板と前記第１キャリア基板とを接続する工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１６】
前記第２半導体チップを前記封止樹脂で封止する工程は、
前記第２キャリア基板に実装された複数の第２半導体チップを封止樹脂で一体的にモールド成形する工程と、
前記封止樹脂によりモールド成形された前記第２キャリア基板を前記第２半導体チップごとに切断する工程とを備えることを特徴とする請求項１５記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１７】
第１キャリア基板上に第１電子部品を実装する工程と、
突出電極を配置する配置領域が設けられた第２キャリア基板上に第２電子部品を実装する工程と、
前記突出電極の配置領域に封止樹脂がかかるようにして、前記第２電子部品を前記封止樹脂で封止する工程と、
前記第２キャリア基板が前記第１電子部品上に保持されるように、前記突出電極を介して前記第２キャリア基板と前記第１キャリア基板とを接続する工程とを備えることを特徴とする電子デバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体装置、電子デバイス、電子機器、半導体装置の製造方法および電子デバイスの製造方法に関し、特に、半導体パッケージなどの積層構造に適用して好適なものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来の半導体装置では、半導体チップ実装時の省スペース化を図るため、例えば、特許文献１に開示されているように、キャリア基板を介して半導体チップを３次元実装する方法がある。
【０００３】
【特許文献１】
特開平１０−２８４６８３号公報
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、キャリア基板を介して半導体チップを３次元実装する方法では、キャリア基板の反りが発生し、３次元実装時の接続信頼性が劣化するとともに、異種チップの積層が困難であるという問題があった。
そこで、本発明の目的は、接続信頼性の劣化を抑制しつつ、異種チップの３次元実装構造を実現することが可能な半導体装置、電子デバイス、電子機器、半導体装置の製造方法および電子デバイスの製造方法を提供することである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
上述した課題を解決するために、本発明の一態様に係る半導体装置によれば、第１キャリア基板と、前記第１キャリア基板上に搭載された第１半導体チップと、第２キャリア基板と、前記第２キャリア基板上に搭載された第２半導体チップと、前記第２キャリア基板が前記第１半導体チップ上に保持されるように、前記第２キャリア基板と前記第１キャリア基板とを接続する突出電極と、前記突出電極の配置領域が含まれるようにして、前記第２半導体チップを封止する封止材とを備えることを特徴とする。
【０００６】
これにより、第２半導体チップを封止する封止材で突出電極の配置領域を補強することが可能となり、第１キャリア基板上に第２キャリア基板を積層した際の高さの増大を抑制しつつ、第２半導体チップが搭載される第２キャリア基板の反りを低減させることが可能となる。
このため、第１キャリア基板と第２キャリア基板との間の接続信頼性の劣化を抑制しつつ、半導体チップ実装時の省スペース化を図ることが可能となる。
【０００７】
また、本発明の一態様に係る半導体装置によれば、前記第２キャリア基板は前記第１半導体チップ上に跨るように、第１キャリア基板上に固定されていることを特徴とする。
これにより、第１半導体チップと第２半導体チップとを重ねて配置することが可能となり、複数の半導体チップを実装する際の実装面積を低減させて、半導体チップ実装時の省スペース化を図ることが可能となる。
【０００８】
また、本発明の一態様に係る半導体装置によれば、前記封止材はモールド樹脂であることを特徴とする。
これにより、第２キャリア基板を含む異種パッケージを第１キャリア基板上に積層させることが可能となり、半導体チップの種類が異なる場合においても、半導体チップの３次元実装構造を実現することが可能となる。
【０００９】
また、本発明の一態様に係る半導体装置によれば、前記封止材の側壁は前記第２キャリア基板の側壁の位置に一致していることを特徴とする。
これにより、第１キャリア基板上に第２キャリア基板を積層した際の高さの増大を抑制しつつ、第２半導体チップを封止する封止材で第２キャリア基板の一面全体を補強することが可能となるとともに、封止材のセル分割を行うことなく、第２半導体チップを封止することが可能となり、第２キャリア基板上に搭載される第２半導体チップの搭載面積を増大させることが可能となる。
【００１０】
また、本発明の一態様に係る半導体装置によれば、前記第１半導体チップは第１キャリア基板上にフリップチップ実装されていることを特徴とする。
これにより、第１半導体チップ上でワイヤを引き回すことなく、第１キャリア基板上に第１半導体チップを実装することができる。このため、第１キャリア基板上で第２キャリア基板を保持する突出電極の高さを低くすることが可能となり、省スペース化を可能としつつ、第１キャリア基板と第２キャリア基板との間の接続信頼性を向上させることができる。
【００１１】
また、本発明の一態様に係る半導体装置によれば、前記第１半導体チップは、前記第１キャリア基板上に並列して複数設けられていることを特徴とする。
これにより、複数の第１半導体チップ上に第２半導体チップを重ねて配置することが可能となり、複数の半導体チップを実装する際の実装面積を低減させて、半導体チップ実装時の省スペース化を図ることが可能となる。
【００１２】
また、本発明の一態様に係る半導体装置によれば、前記第１半導体チップは、圧接接合により前記第１キャリア基板上に接続されていることを特徴とする。
これにより、第１半導体チップを第１キャリア基板上に接続する際の低温化を図ることが可能となり、実際の使用時の第１キャリア基板の反りを低減することが可能となる。
【００１３】
また、本発明の一態様に係る半導体装置によれば、前記第１キャリア基板及び前記第１キャリア基板に搭載された第１半導体チップを含む半導体装置と、前記第２キャリア基板及び前記第２キャリア基板に搭載された第２半導体チップを含む半導体装置とは、等しい温度で弾性率が異なることを特徴とする。
これにより、一方のキャリア基板で発生する反りを他方のキャリア基板で抑えることが可能となり、第１キャリア基板と第２キャリア基板との間の接続信頼性を向上させることが可能となる。
【００１４】
また、本発明の一態様に係る半導体装置によれば、前記第１半導体チップが搭載された第１キャリア基板はフリップチップ実装されたボールグリッドアレイ、前記第２半導体チップが搭載された第２キャリア基板はモールド封止されたボールグリッドアレイまたはチップサイズパッケージであることを特徴とする。
これにより、３次元実装構造の高さの増大を抑制しつつ、異種パッケージを積層させることが可能となり、半導体チップの種類が異なる場合においても、半導体チップ実装時の省スペース化を図ることが可能となる。
【００１５】
また、本発明の一態様に係る半導体装置によれば、キャリア基板と、前記キャリア基板上に搭載された第１半導体チップと、前記キャリア基板上に搭載された第２半導体チップと、前記第２半導体チップが前記第１半導体チップ上に保持されるように、前記第２半導体チップと前記キャリア基板とを接続する突出電極と、前記突出電極の配置領域が含まれるようにして、前記第２半導体チップを封止する封止材とを備えることを特徴とする。
【００１６】
これにより、半導体チップの種類またはサイズが異なる場合においても、第１半導体チップと第２半導体チップとの間にキャリア基板を介在させることなく、第１半導体チップ上に第２半導体チップが配置されるようにして、第２半導体チップをキャリア基板上にフリップチップ実装することが可能となるとともに、第２半導体チップを封止する封止材で突出電極の配置領域を補強することが可能となる。
【００１７】
このため、半導体チップ積層時の高さの増大を抑制しつつ、キャリア基板の反りを低減させることが可能となり、３次元実装時の接続信頼性の劣化を抑制しつつ、半導体チップ実装時の省スペース化を図ることが可能となる。
また、本発明の一態様に係る半導体装置によれば、前記第２半導体チップは積層された複数個の半導体チップであることを特徴とする。
【００１８】
これにより、種類またはサイズが異なる第２半導体チップを第１半導体チップ上に複数積層することが可能となり、様々の機能を持たせることを可能としつつ、半導体チップ実装時の省スペース化を図ることが可能となる。
また、本発明の一態様に係る半導体装置によれば、前記第２半導体チップは、前記第２キャリア基板上に並列に搭載された複数個の半導体チップであることを特徴とする。
【００１９】
これにより、第２半導体チップ積層時の高さの増大を抑制しつつ、複数の第２半導体チップを第１半導体チップ上に配置することが積可能となり、３次元実装時の接続信頼性の劣化を抑制しつつ、半導体チップ実装時の省スペース化を図ることが可能となる。
また、本発明の一態様に係る電子デバイスによれば、第１キャリア基板と、前記第１キャリア基板上に搭載された第１電子部品と、第２キャリア基板と、前記第２キャリア基板上に搭載された第２電子部品と、前記第２キャリア基板が前記第１電子部品上に保持されるように、前記第２キャリア基板と前記第１キャリア基板とを接続する突出電極と、前記突出電極の配置領域が含まれるようにして、前記第２電子部品を封止する封止材とを備えることを特徴とする。
【００２０】
これにより、第２電子部品を封止する封止材で突出電極の配置領域を補強することが可能となり、第１キャリア基板上に第２キャリア基板を積層した際の高さの増大を抑制しつつ、第２電子部品が搭載される第２キャリア基板の反りを低減させることが可能となる。
また、本発明の一態様に係る電子機器によれば、第１キャリア基板と、前記第１キャリア基板上に搭載された第１半導体チップと、第２キャリア基板と、前記第２キャリア基板上に搭載された第２半導体チップと、前記第２キャリア基板が前記第１半導体チップ上に保持されるように、前記第２キャリア基板と前記第１キャリア基板とを接続する突出電極と、前記突出電極の配置領域が含まれるようにして、前記第２半導体チップを封止する封止材と、前記第１キャリア基板が実装されたマザー基板とを備えることを特徴とする。
【００２１】
これにより、第２半導体チップを封止する封止材で突出電極の配置領域を補強することが可能となり、第２半導体チップが搭載される第２キャリア基板の反りを低減させることが可能となることから、半導体チップ実装時の接続信頼性を向上させることが可能となる。
また、本発明の一態様に係る半導体装置の製造方法によれば、第１キャリア基板上に第１半導体チップをフリップチップ実装する工程と、突出電極を配置する配置領域が設けられた第２キャリア基板上に第２半導体チップを実装する工程と、前記突出電極の配置領域に封止樹脂がかかるようにして、前記第２半導体チップを前記封止樹脂で封止する工程と、前記第２キャリア基板が前記第１半導体チップ上に保持されるように、前記突出電極を介して前記第２キャリア基板と前記第１キャリア基板とを接続する工程とを備えることを特徴とする。
【００２２】
これにより、第２半導体チップを封止する封止樹脂で突出電極の配置領域を補強することが可能となり、第２キャリア基板の反りを低減させることが可能となる。このため、突出電極を介して第１キャリア基板上に第２キャリア基板を積層する際に、第１キャリア基板と第２キャリア基板との間隔のバラツキを低減することが可能となり、第１キャリア基板と第２キャリア基板との間の接続信頼性を向上させることが可能となる。
【００２３】
また、本発明の一態様に係る半導体装置の製造方法によれば、前記第２半導体チップを前記封止樹脂で封止する工程は、前記第２キャリア基板に実装された複数の第２半導体チップを封止樹脂で一体的にモールド成形する工程と、前記封止樹脂によりモールド成形された前記第２キャリア基板を前記第２半導体チップごとに切断する工程とを備えることを特徴とする。
【００２４】
これにより、個々の第２半導体チップごとに封止樹脂をセル分割することなく、第２半導体チップを封止樹脂で封止することが可能となるとともに、第２キャリア基板の一面全体を封止樹脂で補強することが可能となる。
このため、第２半導体チップの種類またはサイズが異なる場合においても、モールド成形時の金型を共通化することが可能となり、封止樹脂工程を効率化することが可能となるとともに、セル分割するためのスペースが不要となることから、第２キャリア基板上に搭載される第２半導体チップの搭載面積を増大させることが可能となる。
【００２５】
また、本発明の一態様に係る電子デバイスの製造方法によれば、第１キャリア基板上に第１電子部品を実装する工程と、突出電極を配置する配置領域が設けられた第２キャリア基板上に第２電子部品を実装する工程と、前記突出電極の配置領域に封止樹脂がかかるようにして、前記第２電子部品を前記封止樹脂で封止する工程と、前記第２キャリア基板が前記第１電子部品上に保持されるように、前記突出電極を介して前記第２キャリア基板と前記第１キャリア基板とを接続する工程とを備えることを特徴とする。
【００２６】
これにより、第２電子部品を封止する封止樹脂で突出電極の配置領域を補強することが可能となり、第２キャリア基板の反りを低減させることが可能となる。このため、突出電極を介して第１キャリア基板上に第２キャリア基板を積層する際に、第１キャリア基板と第２キャリア基板との間隔のバラツキを低減することが可能となり、第１キャリア基板と第２キャリア基板との間の接続信頼性を向上させることが可能となる。
【００２７】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態に係る半導体装置、電子デバイスおよびそれら製造方法について図面を参照しながら説明する。
図１は、本発明の第１実施形態に係る半導体装置の構成を示す断面図である。なお、この第１実施形態は、半導体チップ（または半導体ダイ）３がＡＣＦ接合により実装された半導体パッケージＰＫ１上に、半導体チップ（または半導体ダイ）１３が封止樹脂１７で封止された半導体パッケージＰＫ２を積層したものである。
【００２８】
図１において、半導体パッケージＰＫ１にはキャリア基板１が設けられ、キャリア基板１の両面にはランド２ａ、２ｃがそれぞれ形成されるとともに、キャリア基板１内には内部配線２ｂが形成されている。そして、キャリア基板１上には半導体チップ３がフリップチップ実装され、半導体チップ３には、フリップチップ実装するための突出電極４が設けられている。そして、半導体チップ３に設けられた突出電極４は、異方性導電フィルム５を介してランド２ｃ上にＡＣＦ（Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｆｉｌｍ）接合されている。また、キャリア基板１の裏面に設けられたランド２ａ上には、キャリア基板１をマザー基板上に実装するための突出電極６が設けられている。
【００２９】
一方、半導体パッケージＰＫ２にはキャリア基板１１が設けられ、キャリア基板１１の両面にはランド１２ａ、１２ｃがそれぞれ形成されるとともに、キャリア基板１１内には内部配線１２ｂが形成されている。そして、キャリア基板１１上には、接着層１４を介し半導体チップ１３がフェースアップ実装され、半導体チップ１３は、導電性ワイヤ１５を介してランド１２ｃにワイヤボンド接続されている。
【００３０】
また、キャリア基板１１の裏面に設けられたランド１２ａ上には、キャリア基板１１が半導体チップ３上に保持されるようにして、キャリア基板１１をキャリア基板１上に実装するための突出電極１６が設けられている。ここで、突出電極１６は、半導体チップ３の搭載領域を避けるようにして配置され、例えば、キャリア基板１１の裏面の周囲に突出電極１６を配置することができる。そして、キャリア基板１上に設けられたランド２ｃに突出電極１６を接合させることにより、キャリア基板１１がキャリア基板１上に実装されている。なお、キャリア基板１１をキャリア基板１上に実装する場合、キャリア基板１１の裏面は半導体チップ３上に密着していてもよいし、キャリア基板１１の裏面は半導体チップ３から離れていてもよい。
【００３１】
また、キャリア基板１１上に実装された半導体チップ１３は封止樹脂１７で封止されている。ここで、封止樹脂１７で封止される範囲は、半導体チップ１３上を覆うとともに、半導体チップ１３の実装面側において突出電極１６の配置領域にかかるように設定することができる。なお、封止樹脂１７で半導体チップ１３を封止する場合、例えば、エポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂を用いたモールド成形などにより行うことができる。
【００３２】
これにより、半導体チップ１３を封止する封止樹脂１７により、突出電極１６の配置領域の剛性を向上させることが可能となり、半導体パッケージＰＫ２の高さの増大を抑制しつつ、半導体チップ１３が搭載されるキャリア基板１１の反りを低減させることが可能となる。
このため、半導体パッケージＰＫ１上に半導体パッケージＰＫ２を積層した際に、キャリア基板１とキャリア基板１１との間の間隔のバラツキを低減させることが可能となり、突出電極１６による接続信頼性の劣化を抑制しつつ、半導体チップ３、１３実装時の省スペース化を図ることが可能となる。
【００３３】
また、フリップチップ実装された半導体パッケージＰＫ１上に、モールド封止された半導体パッケージＰＫ２を積層することにより、異種パッケージＰＫ１、ＰＫ２または異種チップ３、１３を積層することが可能となる。このため、半導体パッケージＰＫ１、ＰＫ２の積層構造を用いることにより、実装面積の低減を図りつつ、様々の機能を実現することが可能となる。
【００３４】
なお、キャリア基板１、１１としては、例えば、両面基板、多層配線基板、ビルドアップ基板、テープ基板またはフィルム基板などを用いることができ、キャリア基板１、１１の材質としては、例えば、ポリイミド樹脂、ガラスエポキシ樹脂、ＢＴレジン、アラミドとエポキシのコンポジットまたはセラミックなどを用いることができる。また、突出電極４、６、１６としては、例えば、Ａｕバンプ、半田材などで被覆されたＣｕバンプやＮｉバンプ、あるいは半田ボールなどを用いることができ、導電性ワイヤ１５としては、例えば、ＡｕワイヤやＡｌワイヤなどを用いることができる。また、キャリア基板１１をキャリア基板１上に実装するために、突出電極１６をキャリア基板１１のランド１２ａ上に設ける方法について説明したが、突出電極１６をキャリア基板１のランド２ｃ上に設けるようにしてもよい。
【００３５】
また、上述した実施形態では、ＡＣＦ接合により半導体チップ３をキャリア基板１上に実装する方法について説明したが、例えば、ＮＣＦ（Ｎｏｎｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｆｉｌｍ）接合、ＡＣＰ（Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｐａｓｔｅ）接合、ＮＣＰ（Ｎｏｎｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｐａｓｔｅ）接合などのその他の圧接接合を用いるようにしてもよく、半田接合や合金接合などの金属接合を用いるようにしてもよい。また、半導体チップ１３をキャリア基板１１上に実装する場合、ワイヤボンド接続を用いる方法について説明したが、キャリア基板１１上に半導体チップ１３をフリップチップ実装するようにしてもよい。さらに、上述した実施形態では、キャリア基板１上に半導体チップ３を１個だけ実装する方法を例にとって説明したが、キャリア基板１上に複数の半導体チップを実装するようにしてもよい。また、キャリア基板１とキャリア基板１１との間の隙間には、必要に応じて樹脂を注入するようにしてもよい。
【００３６】
図２は、本発明の第２実施形態に係る半導体装置の構成を示す断面図である。なお、この第２実施形態は、半導体チップ２３がＡＣＦ接合により実装された半導体パッケージＰＫ１１上に、スタックド構造の半導体チップ３３ａ、３３ｂがワイヤボンド接続された半導体パッケージＰＫ１２を積層したものである。
図２において、半導体パッケージＰＫ１１にはキャリア基板２１が設けられ、キャリア基板２１の両面にはランド２２ａ、２２ｃがそれぞれ形成されるとともに、キャリア基板２１内には内部配線２２ｂが形成されている。そして、キャリア基板２１上には半導体チップ２３がフリップチップ実装され、半導体チップ２３には、フリップチップ実装するための突出電極２４が設けられている。そして、半導体チップ２３に設けられた突出電極２４は、異方性導電フィルム２５を介してランド２２ｃ上にＡＣＦ接合されている。また、キャリア基板２１の裏面に設けられたランド２２ａ上には、キャリア基板２１をマザー基板上に実装するための突出電極２６が設けられている。
【００３７】
ここで、ＡＣＦ接合により半導体チップ２３をキャリア基板２１上に実装することにより、ワイヤボンドやモールド封止するためのスペースが不要となり、３次元実装時の省スペース化を図ることが可能となるとともに、半導体チップ２３をキャリア基板２１上に接合する際の低温化を図ることが可能となり、実際の使用時のキャリア基板２１の反りを低減することが可能となる。
【００３８】
一方、半導体パッケージＰＫ１２にはキャリア基板３１が設けられ、キャリア基板３１の両面にはランド３２ａ、３２ｃがそれぞれ形成されるとともに、キャリア基板３１内には内部配線３２ｂが形成されている。そして、キャリア基板３１上には、接着層３４ａを介し半導体チップ３３ａがフェースアップ実装され、半導体チップ３３ａは、導電性ワイヤ３５ａを介してランド３２ｃにワイヤボンド接続されている。さらに、半導体チップ３３ａ上には、導電性ワイヤ３５ａを避けるようにして、半導体チップ３３ｂがフェースアップ実装され、半導体チップ３３ｂは、接着層３４ｂを介して半導体チップ３３ａ上に固定されるとともに、導電性ワイヤ３５ｂを介してランド３２ｃにワイヤボンド接続されている。
【００３９】
また、キャリア基板３１の裏面に設けられたランド３２ａ上には、キャリア基板３１が半導体チップ２３上に保持されるようにして、キャリア基板３１をキャリア基板２１上に実装するための突出電極３６が設けられている。ここで、突出電極３６は、半導体チップ２３の搭載領域を避けるようにして配置され、例えば、キャリア基板３１の裏面の周囲に突出電極３６を配置することができる。そして、キャリア基板２１上に設けられたランド２２ｃに突出電極３６を接合させることにより、キャリア基板３１がキャリア基板２１上に実装されている。なお、キャリア基板３１をキャリア基板２１上に実装する場合、キャリア基板３１の裏面は半導体チップ２３上に密着していてもよいし、キャリア基板３１の裏面は半導体チップ２３から離れていてもよい。
【００４０】
なお、突出電極２６、３６としては、例えば、半田ボールを用いることができる。これにより、汎用のＢＧＡを用いることで、異種パッケーＰＫ１１、ＰＫ１２同士を積層することができ、製造ラインを流用することができる。
また、半導体チップ３３ａ、３３ｂの実装面側のキャリア基板３１の一面全体に封止樹脂３７が設けられ、この封止樹脂３７により半導体チップ３３ａ、３３ｂが封止されている。なお、封止樹脂３７で半導体チップ３３ａ、３３ｂを封止する場合、例えば、エポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂を用いたモールド成形などにより行うことができる。
【００４１】
これにより、突出電極３６の配置領域を封止樹脂３７で補強することを可能としつつ、半導体チップ３３ａ、３３ｂを封止することが可能となり、半導体パッケージＰＫ１２の高さの増大を抑制しつつ、突出電極３６の配置領域の剛性を向上させることが可能となる。
このため、半導体チップ３３ａ、３３ｂが搭載されるキャリア基板３１の反りを低減させることが可能となり、突出電極３６による接続信頼性を向上させることが可能となるとともに、スタックド構造の半導体チップ３３ａ、３３ｂを半導体チップ２３上に３次元実装することが可能となり、半導体チップ２３、３３ａ、３３ｂの実装時の省スペース化を図ることが可能となる。
【００４２】
また、半導体チップ３３ａ、３３ｂの実装面側のキャリア基板３１の一面全体に封止樹脂３７を形成することにより、様々の種類の半導体チップ３３ａ、３３ｂがキャリア基板３１上に実装される場合においても、モールド成形時の金型を共通化することが可能となり、封止樹脂工程を効率化することが可能となるとともに、封止樹脂３７をセル分割するためのスペースが不要となることから、キャリア基板３１上に搭載される半導体チップ３３ａ、３３ｂの搭載面積を増大させることが可能となる。
【００４３】
図３は、本発明の第３実施形態に係る半導体装置の構成を示す断面図である。なお、この第３実施形態は、半導体チップ４３がＡＣＦ接合により実装された半導体パッケージＰＫ２１上に、スタックド構造の半導体チップ５３ａ、５３ｂがそれぞれフリップチップ実装およびワイヤボンド接続された半導体パッケージＰＫ２２を積層したものである。
【００４４】
図３において、半導体パッケージＰＫ２１にはキャリア基板４１が設けられ、キャリア基板４１の両面にはランド４２ａ、４２ｃがそれぞれ形成されるとともに、キャリア基板４１内には内部配線４２ｂが形成されている。そして、キャリア基板４１上には半導体チップ４３がフリップチップ実装され、半導体チップ４３には、フリップチップ実装するための突出電極４４が設けられている。そして、半導体チップ４３に設けられた突出電極４４は、異方性導電フィルム４５を介してランド４２ｃ上にＡＣＦ接合されている。また、キャリア基板４１の裏面に設けられたランド４２ａ上には、キャリア基板４１をマザー基板上に実装するための突出電極４６が設けられている。
【００４５】
ここで、ＡＣＦ接合により半導体チップ４３をキャリア基板４１上に実装することにより、ワイヤボンドやモールド封止するためのスペースが不要となり、３次元実装時の省スペース化を図ることが可能となるとともに、半導体チップ４３をキャリア基板４１上に接合する際の低温化を図ることが可能となり、実際の使用時のキャリア基板４１の反りを低減することが可能となる。
【００４６】
一方、半導体パッケージＰＫ２２にはキャリア基板５１が設けられ、キャリア基板５１の両面にはランド５２ａ、５２ｃがそれぞれ形成されるとともに、キャリア基板５１内には内部配線５２ｂが形成されている。そして、キャリア基板５１上には半導体チップ５３ａがフリップチップ実装され、半導体チップ５３ａには、フリップチップ実装するための突出電極５５ａが設けられている。そして、半導体チップ５３ａに設けられた突出電極５５ａは、異方性導電フィルム５４ａを介してランド５２ｃ上にＡＣＦ接合されている。さらに、半導体チップ５３ａ上には、半導体チップ５３ｂがフェースアップ実装され、半導体チップ５３ｂは、接着層５４ｂを介して半導体チップ５３ａ上に固定されるとともに、導電性ワイヤ５５ｂを介してランド５２ｃにワイヤボンド接続されている。
【００４７】
ここで、フェースダウン実装された半導体チップ５３ａ上に半導体チップ５３ｂをフェースアップ実装することにより、キャリア基板を介在させることなく、半導体チップ５３ａよりもサイズが同等かそれ以上の半導体チップ５３ｂを半導体チップ５３ａ上に積層することが可能となり、実装面積を縮小することが可能となる。
【００４８】
また、キャリア基板５１の裏面に設けられたランド５２ａ上には、キャリア基板５１が半導体チップ４３上に保持されるようにして、キャリア基板５１をキャリア基板５１上に実装するための突出電極５６が設けられている。ここで、突出電極５６は、半導体チップ４３の搭載領域を避けるようにして配置され、例えば、キャリア基板５１の裏面の周囲に突出電極５６を配置することができる。そして、キャリア基板４１上に設けられたランド４２ｃに突出電極５６を接合させることにより、キャリア基板５１がキャリア基板４１上に実装されている。なお、キャリア基板５１をキャリア基板４１上に実装する場合、キャリア基板５１の裏面は半導体チップ４３上に密着していてもよいし、キャリア基板５１の裏面は半導体チップ４３から離れていてもよい。
【００４９】
なお、突出電極４６、５６としては、例えば、半田ボールを用いることができる。これにより、汎用のＢＧＡを用いることで、異種パッケーＰＫ２１、ＰＫ２２同士を積層することができ、製造ラインを流用することができる。
また、半導体チップ５３ａ、５３ｂの実装面側のキャリア基板５１の一面全体に封止樹脂５７が設けられ、この封止樹脂５７により半導体チップ５３ａ、５３ｂが封止されている。なお、封止樹脂５７で半導体チップ５３ａ、５３ｂを封止する場合、例えば、エポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂を用いたモールド成形などにより行うことができる。
【００５０】
これにより、突出電極５６の配置領域を封止樹脂５７で補強することを可能としつつ、半導体チップ５３ａ、５３ｂを封止することが可能となり、半導体パッケージＰＫ２２の高さの増大を抑制しつつ、突出電極５６の配置領域の剛性を向上させることが可能となる。
このため、半導体チップ５３ａ、５３ｂが搭載されるキャリア基板５１の反りを低減させることが可能となり、突出電極５６による接続信頼性を向上させることが可能となるとともに、スタックド構造の半導体チップ５３ａ、５３ｂを半導体チップ４３上に３次元実装することが可能となり、半導体チップ４３、５３ａ、５３ｂの実装時の省スペース化を図ることが可能となる。
【００５１】
図４は、本発明の第４実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。なお、この第４実施形態は、複数の半導体チップ６２ａ〜６２ｃを封止樹脂６４で一体的にモールド成形した後、個々の半導体チップ６２ａ〜６２ｃごとに切断することにより、半導体チップ６２ａ〜６２ｃがそれぞれ実装されたキャリア基板６１ａ〜６１の一面全体に封止樹脂６４ａ〜６４ｃをそれぞれ形成するようにしたものである。
【００５２】
図４（ａ）において、キャリア基板６１には、複数の半導体チップ６２ａ〜６２ｃを搭載する搭載領域が設けられている。そして、複数の半導体チップ６２ａ〜６２ｃをキャリア基板６１上に実装し、導電性ワイヤ６３ａ〜６３ｃをそれぞれ介してキャリア基板６１にワイヤボンド接続する。なお、半導体チップ６２ａ〜６２ｃをワイヤボンド接続する方法以外にも、半導体チップ６２ａ〜６２ｃをキャリア基板６１上にフリップチップ実装するようにしてもよく、半導体チップ６２ａ〜６２ｃの積層構造をキャリア基板６１上に実装してもよい。
【００５３】
次に、図４（ｂ）に示すように、キャリア基板６１上に実装された複数の半導体チップ６２ａ〜６２ｃを封止樹脂６４で一体的にモールド成形する。ここで、複数の半導体チップ６２ａ〜６２ｃを封止樹脂６４で一体的にモールド成形することにより、様々の種類の半導体チップ６２ａ〜６２ｃがキャリア基板６１上に実装される場合においても、モールド成形時の金型を共通化することが可能となり、封止樹脂工程を効率化することが可能となるとともに、封止樹脂６４をセル分割するためのスペースが不要となることから、キャリア基板６１上に搭載される半導体チップ６２ａ〜６２ｃの搭載面積を増大させることが可能となる。
【００５４】
次に、図４（ｃ）に示すように、半田ボールなどの突出電極６５ａ〜６５ｃを各キャリア基板６１ａ〜６１ｃの裏面に形成する。そして、図４（ｄ）に示すように、キャリア基板６１および封止樹脂６４を個々の半導体チップ６２ａ〜６２ｃごとに切断することにより、半導体チップ６２ａ〜６２ｃが封止樹脂６４ａ〜６４ｃでそれぞれ封止されたキャリア基板６１ａ〜６１ｃごとに分割する。また、個々の半導体チップに切断した後に、はんだボールなどの突出電極を形成しても良い。
【００５５】
ここで、キャリア基板６１および封止樹脂６４を一体的に切断することにより、半導体チップ６２ａ〜６２ｃの実装面側のキャリア基板１ａ〜６１ｃの一面全体に封止樹脂６４ａ〜６４ｃをそれぞれ形成することが可能となる。このため、製造工程の複雑化を抑制しつつ、突出電極６５ａ〜６５ｃの配置領域の剛性を向上させることが可能となり、キャリア基板６１ａ〜６１ｃの反りを低減させることが可能となる。
【００５６】
図５は、本発明の第５実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。なお、この第５実施形態は、半導体チップ７３がＡＣＦ接合により実装された半導体パッケージＰＫ３１上に、封止樹脂８４で封止された半導体パッケージＰＫ３２を積層したものである。
図５（ａ）において、半導体パッケージＰＫ３１にはキャリア基板７１が設けられ、キャリア基板７１の両面にはランド７２ａ、７２ｂがそれぞれ形成されている。そして、キャリア基板７１上には半導体チップ７３がフリップチップ実装され、半導体チップ７３には、フリップチップ実装するための突出電極７４が設けられている。そして、半導体チップ７３に設けられた突出電極７４は、異方性導電フィルム７５を介してランド７２ｂ上にＡＣＦ接合されている。
【００５７】
一方、半導体パッケージＰＫ３２にはキャリア基板８１が設けられ、キャリア基板８１の裏面にはランド８２が形成され、ランド８２上には半田ボールなどの突出電極８３が設けられている。また、キャリア基板８１上には半導体チップが実装され、半導体チップが実装されたキャリア基板８１の一面全体は、封止樹脂８４で封止されている。なお、キャリア基板８１上には、ワイヤボンド接続された半導体チップを実装するようにしてもよいし、半導体チップをフリップチップ実装するようにしてもよく、半導体チップの積層構造を実装するようにしてもよい。
【００５８】
そして、半導体パッケージＰＫ３１上に半導体パッケージＰＫ３２を積層する場合、キャリア基板７１のランド７２ｂ上にフラックス７６を供給する。なお、キャリア基板７１のランド７２ｂ上には、フラックス７６の代わりに半田ペーストを供給してもよい。
次に、図５（ｂ）に示すように、半導体パッケージＰＫ３１上に半導体パッケージＰＫ３２をマウントし、リフロー処理を行うことにより、突出電極８３をランド７２ｂ上に接合させる。
【００５９】
次に、図５（ｃ）に示すように、キャリア基板７１の裏面に設けられたランド７２ａ上に、キャリア基板７１をマザー基板上に実装するための突出電極７７を形成する。
図６は、本発明の第６実施形態に係る半導体装置の構成を示す断面図である。なお、この第６実施形態は、半導体チップ１０３、１１１をキャリア基板１０１上にフリップチップ実装することにより、半導体チップ１０３、１１１を３次元実装するようにしたものである。
【００６０】
図６において、キャリア基板１０１の両面にはランド１０２ａ、１０２ｃがそれぞれ形成されるとともに、キャリア基板１０１内には内部配線１０２ｂが形成されている。そして、キャリア基板１０１上には半導体チップ１０３がフリップチップ実装され、半導体チップ１０３には、フリップチップ実装するための突出電極１０４が設けられている。そして、半導体チップ１０３に設けられた突出電極１０４は、異方性導電フィルム１０５を介してランド１０２ｃ上にＡＣＦ接合されている。なお、半導体チップ１０３をキャリア基板１０１上に実装する場合、ＡＣＦ接合を用いる方法以外にも、例えば、ＮＣＦ接合などのその他の圧接接合を用いるようにしてもよく、半田接合や合金接合などの金属接合を用いるようにしてもよい。また、キャリア基板１０１の裏面に設けられたランド１０２ａ上には、キャリア基板１０１をマザー基板上に実装するための突出電極１０６が設けられている。
【００６１】
一方、半導体チップ１１１には、電極パッド１１２が設けられるとともに、電極パッド１１２が露出するようにして、絶縁膜１１３が設けられている。そして、電極パッド１１２上には、半導体チップ１１１が半導体チップ１０３上に保持されるようにして、半導体チップ１１１をフリップチップ実装するための突出電極１１４が設けられている。
【００６２】
ここで、突出電極１１４は、半導体チップ１０３の搭載領域を避けるようにして配置され、例えば、半導体チップ１１１の周囲に突出電極１１４を配置することができる。そして、キャリア基板１０１上に設けられたランド１０２ｃ上に突出電極１１４が接合されるとともに、キャリア基板１０１上に実装された半導体チップ１１１の表面が封止樹脂１１５で封止され、半導体チップ１１１がキャリア基板１０１上にフリップチップ実装されている。
【００６３】
これにより、半導体チップ１０３、１１１の種類またはサイズが異なる場合においても、半導体チップ１０３、１１１間にキャリア基板を介在させることなく、半導体チップ１０３上に半導体チップ１１１をフリップチップ実装することが可能となるとともに、半導体チップ１１１を封止する封止樹脂１１５で突出電極１１４の配置領域を補強することが可能となる。このため、半導体チップ１０３、１１１積層時の高さの増大を抑制しつつ、キャリア基板１０１の反りを低減させることが可能となり、３次元実装時の接続信頼性の劣化を抑制しつつ、半導体チップ１０３、１１１実装時の省スペース化を図ることが可能となる。
【００６４】
なお、半導体チップ１１１をキャリア基板１０１上に実装する場合、半導体チップ１１１は半導体チップ１０３上に密着していてもよいし、キャリア基板１１１は半導体チップ１０３から離れていてもよい。また、半導体チップ１１１をキャリア基板１０１上に実装する場合、例えば、ＡＣＦ接合やＮＣＦ接合などの圧接接合を用いるようにしてもよく、半田接合や合金接合などの金属接合を用いるようにしてもよい。また、突出電極１０４、１０６、１１４としては、例えば、Ａｕバンプ、半田材などで被覆されたＣｕバンプやＮｉバンプ、あるいは半田ボールなどを用いることができる。また、上述した実施形態では、キャリア基板１０１上にフリップチップ実装された１個の半導体チップ１０３上に半導体チップ１１１をフリップチップ実装する方法を例にとって説明したが、キャリア基板１０１上にフリップチップ実装された複数の半導体チップ上に半導体チップ１１１をフリップチップ実装するようにしてもよい。
【００６５】
図７は、本発明の第７実施形態に係る半導体装置の構成を示す断面図である。なお、この第７実施形態は、半導体チップ２０３がフリップチップ実装されたキャリア基板２０１上に、スタックド構造の半導体チップ２１１ａ〜２１１ｃを３次元実装するようにしたものである。
図７において、キャリア基板２０１の両面にはランド２０２ａ、２０２ｃがそれぞれ形成されるとともに、キャリア基板２０１内には内部配線２０２ｂが形成されている。そして、キャリア基板２０１上には半導体チップ２０３がフリップチップ実装され、半導体チップ２０３には、フリップチップ実装するための突出電極２０４が設けられている。そして、半導体チップ２０３に設けられた突出電極２０４は、異方性導電フィルム２０５を介してランド２０２ｃ上にＡＣＦ接合されている。なお、半導体チップ２０３をキャリア基板２０１上に実装する場合、ＡＣＦ接合を用いる方法以外にも、例えば、ＮＣＦ接合などのその他の圧接接合を用いるようにしてもよく、半田接合や合金接合などの金属接合を用いるようにしてもよい。また、キャリア基板２０１の裏面に設けられたランド２０２ａ上には、キャリア基板２０１をマザー基板上に実装するための突出電極２０６が設けられている。
【００６６】
一方、半導体チップ２１１ａ〜２１１ｃには、電極パッド２１２ａ〜２１２ｃがそれぞれ設けられるとともに、各電極パッド２１２ａ〜２１２ｃが露出するようにして、絶縁膜２１３ａ〜２１３ｃがそれぞれ設けられている。そして、半導体チップ２１１ａ〜２１１ｃには、例えば、各電極パッド２１２ａ〜２１２ｃの位置に対応して、貫通孔２１４ａ〜２１４ｃがそれぞれ形成され、貫通孔２１４ａ〜２１４ｃ内には、絶縁膜２１５ａ〜２１５ｃおよび導電膜２１６ａ〜２１６ｃをそれぞれ介して、貫通電極２１７ａ〜２１７ｃがそれぞれ形成されている。そして、貫通電極２１７ａ〜２１７ｃが形成された半導体チップ２１１ａ〜２１１ｃは、貫通電極２１７ａ〜２１７ｃをそれぞれ介して積層され、半導体チップ２１１ａ〜２１１ｃ間の隙間には樹脂２１８ａ、２１８ｂがそれぞれ注入されている。
【００６７】
そして、半導体チップ２１１ａに形成された貫通電極２１７ａ上には、半導体チップ２１１ａ〜２１１ｃの積層構造が半導体チップ２０３上に保持されるようにして、半導体チップ２１１ａ〜２１１ｃの積層構造をフリップチップ実装するための突出電極２１９が設けられている。
ここで、突出電極２１９は、半導体チップ２０３の搭載領域を避けるようにして配置され、例えば、半導体チップ２１１ａの周囲に突出電極２１９を配置することができる。そして、キャリア基板２０１上に設けられたランド２０２ｃ上に突出電極２１９が接合されるとともに、キャリア基板２０１上に実装された半導体チップ２１１ａの表面が封止樹脂２２０で封止され、半導体チップ２１１ａ〜２１１ｃの積層構造がキャリア基板２０１上にフリップチップ実装されている。
【００６８】
これにより、半導体チップ２１１ａ〜２１１ｃの積層構造と半導体チップ２０３との間にキャリア基板を介在させることなく、半導体チップ２０３上に半導体チップ２１１ａ〜２１１ｃの積層構造をフリップチップ実装することが可能となり、積層時の高さの増大を抑制しつつ、半導体チップ２０３と異なる種類の半導体チップ２１１ａ〜２１１ｃを複数積層することが可能となる。
【００６９】
なお、半導体チップ２１１ａ〜２１１ｃの積層構造をキャリア基板２０１上に実装する場合、例えば、ＡＣＦ接合やＮＣＦ接合などの圧接接合を用いるようにしてもよく、半田接合や合金接合などの金属接合を用いるようにしてもよい。また、突出電極２０４、２０６、２１９としては、例えば、Ａｕバンプ、半田材などで被覆されたＣｕバンプやＮｉバンプ、あるいは半田ボールなどを用いることができる。また、上述した実施形態では、半導体チップ２１１ａ〜２１１ｃの３層構造をキャリア基板２０１上に実装する方法について説明したが、キャリア基板２０１上に実装される半導体チップの積層構造は、２層または４層以上であってもよい。
【００７０】
図８は、本発明の第８実施形態に係る半導体装置の構成を示す断面図である。なお、この第８実施形態は、半導体チップ３０３がフリップチップ実装されたキャリア基板３０１上に、Ｗ−ＣＳＰ（ウエハレベル−チップサイズパッケージ）を３次元実装するようにしたものである。
図８において、半導体パッケージＰＫ４１にはキャリア基板３０１が設けられ、キャリア基板３０１の両面にはランド３０２ａ、３０２ｃがそれぞれ形成されるとともに、キャリア基板３０１内には内部配線３０２ｂが形成されている。そして、キャリア基板３０１上には半導体チップ３０３がフリップチップ実装され、半導体チップ３０３には、フリップチップ実装するための突出電極３０４が設けられている。そして、半導体チップ３０３に設けられた突出電極３０４は、異方性導電フィルム３０５を介してランド３０２ｃ上にＡＣＦ接合されている。また、キャリア基板３０１の裏面に設けられたランド３０２ａ上には、キャリア基板３０１をマザー基板上に実装するための突出電極３０６が設けられている。
【００７１】
一方、半導体パッケージＰＫ４２には半導体チップ３１１が設けられ、半導体チップ３１１には、電極パッド３１２が設けられるとともに、電極パッド３１２が露出するようにして、絶縁膜３１３が設けられている。そして、半導体チップ３１１上には、電極パッド３１２が露出するようにして応力緩和層３１４が形成され、電極パッド３１２上には、応力緩和層３１４上に延伸された再配置配線３１５が形成されている。そして、再配置配線３１５上にはソルダレジスト膜３１６が形成され、ソルダレジスト膜３１６には、応力緩和層３１４上において再配置配線３１５を露出させる開口部３１７が形成されている。そして、開口部３１７を介して露出された再配置配線３１５上には、半導体チップ３１１が半導体チップ３０３上に保持されるようにして、半導体チップ３１１をキャリア基板３０１上にフェースダウン実装するための突出電極３１８が設けられている。
【００７２】
ここで、突出電極３１８は、半導体チップ３０３の搭載領域を避けるようにして配置され、例えば、半導体チップ３１１の周囲に突出電極３１８を配置することができる。そして、キャリア基板３０１上に設けられたランド３０２ｃ上に突出電極３１８が接合されるとともに、キャリア基板３０１上に実装された半導体パッケージＰＫ４２の表面が封止樹脂３１９で封止され、半導体パッケージＰＫ４２がキャリア基板３０１上に実装されている。
【００７３】
これにより、半導体チップ３０３がフリップチップ実装されたキャリア基板３０１上にＷ−ＣＳＰを積層することができ、半導体チップ３０３、３１１の種類またはサイズが異なる場合においても、半導体チップ３０３、３１１間にキャリア基板を介在させることなく、半導体チップ３０３上に半導体チップ３１１を３次元実装することが可能となるとともに、半導体パッケージＰＫ４２を封止する封止樹脂３１９で突出電極３１８の配置領域を補強することが可能となる。このため、半導体チップ３０３、３１１積層時の高さの増大を抑制しつつ、キャリア基板３０１の反りを低減させることが可能となり、３次元実装時の接続信頼性の劣化を抑制しつつ、半導体チップ３０３、３１１実装時の省スペース化を図ることが可能となる。
【００７４】
なお、半導体パッケージＰＫ４２をキャリア基板３０１上に実装する場合、半導体パッケージＰＫ４２は半導体チップ３０３上に密着していてもよいし、半導体パッケージＰＫ４２は半導体チップ３０３から離れていてもよい。また、半導体パッケージＰＫ４２をキャリア基板３０１上に実装する場合、例えば、ＡＣＦ接合やＮＣＦ接合などの圧接接合を用いるようにしてもよく、半田接合や合金接合などの金属接合を用いるようにしてもよい。また、突出電極３０４、３０６、３１８としては、例えば、Ａｕバンプ、半田材などで被覆されたＣｕバンプやＮｉバンプ、あるいは半田ボールなどを用いることができる。また、上述した実施形態では、キャリア基板３０１上にフリップチップ実装された１個の半導体チップ３０３上に半導体パッケージＰＫ４２を実装する方法を例にとって説明したが、キャリア基板３０１上にフリップチップ実装された複数の半導体チップ上に半導体パッケージＰＫ４２を実装するようにしてもよい。
【００７５】
なお、上述した半導体装置および電子デバイスは、例えば、液晶表示装置、携帯電話、携帯情報端末、ビデオカメラ、デジタルカメラ、ＭＤ（Ｍｉｎｉ  Ｄｉｓｃ）プレーヤなどの電子機器に適用することができ、電子機器の小型・軽量化を可能としつつ、電子機器の信頼性を向上させることができる。
また、上述した実施形態では、半導体チップまたは半導体パッケージを実装する方法を例にとって説明したが、本発明は、必ずしも半導体チップまたは半導体パッケージを実装する方法に限定されることなく、例えば、弾性表面波（ＳＡＷ）素子などのセラミック素子、光変調器や光スイッチなどの光学素子、磁気センサやバイオセンサなどの各種センサ類などを実装するようにしてもよい。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１実施形態に係る半導体装置の構成を示す断面図。
【図２】第２実施形態に係る半導体装置の構成を示す断面図。
【図３】第３実施形態に係る半導体装置の構成を示す断面図。
【図４】第４実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図。
【図５】第５実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図。
【図６】第６実施形態に係る半導体装置の構成を示す断面図。
【図７】第７実施形態に係る半導体装置の構成を示す断面図。
【図８】第８実施形態に係る半導体装置の構成を示す断面図。
【符号の説明】
１、１１、２１、３１、４１、５１、６１、６１ａ〜６１ｃ、７１、８１、１０１、２０１  キャリア基板、２ａ、２ｃ、１２ａ、１２ｃ、２２ａ、２２ｃ、３２ａ、３２ｃ、４２ａ、４２ｃ、５２ａ、５２ｃ、７２ａ、７２ｂ、８２、１０２ａ、１０２ｃ、２０２ａ、２０２ｃ  ランド、２ｂ、１２ｂ、２２ｂ、３２ｂ、４２ｂ、５２ｂ、１０２ｂ、２０２ｂ  内部配線、３、１３、２３、３３ａ、３３ｂ、４３、５３ａ、５３ｂ、６２ａ〜６２ｃ、７３、１０３、１１１、２０３、２１１ａ〜２１１ｃ、３１１  半導体チップ、４、６、１６、２４、２６、３６、４４、４６、５５ａ、５６、６５ａ〜６５ｃ、７４、７７、８３、１０４、１０６、１１４、２０４、２０６、２１９  突出電極、５、２５、４５、５４ａ、７５、１０５、２０５  異方性導電フィルム、１４、３４ａ、３４ｂ、５４ｂ  接着層、１５、３５ａ、３５ｂ、５５ｂ、６３ａ〜６３ｃ  導電性ワイヤ、１７、３７、５７、６４、６４ａ〜６４ｃ、８４、１１５、２１８ａ、２１８ｂ、２２０、３１９  封止樹脂、７６  フラックス、１１２、２１２ａ〜２１２ｃ、３１２  電極パッド、１１３、２１３ａ〜２１３ｃ、２１５ａ〜２１５ｃ、３１３  絶縁膜、２１４ａ〜２１４ｃ  貫通孔、２１６ａ〜２１６ｃ  導電膜、２１７ａ〜２１７ｃ  貫通電極、３１４  応力緩和層、３１５  再配置配線、３１６  ソルダレジスト層、３１７  開口部、ＰＫ１、ＰＫ２、ＰＫ１１、ＰＫ１２、ＰＫ２１、ＰＫ２２、ＰＫ３１、ＰＫ３２、ＰＫ４１、ＰＫ４２  半導体パッケージ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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