(57)【要約】【課題】反り量の制御された半導体ウェーハを接着保持した保持基板を提供する。【解決手段】半導体ウェーハの回路面　（Ａ面）　と保持基板とを接着フィルムで接着し、半導体ウェーハの露出面（裏面：Ｂ面）　を研削、研磨してウェーハを薄葉化し、所望により該Ｂ面に金属化など処理を施した後、薄葉化ウェーハを保持基板から剥離することからなる薄葉化ウェーハの製造法において該接着に用いる金型であって、半導体ウェーハ、保持基板及び接着フィルムおよび必要に応じてクッション材を配置する雌型と、該雌型の凹みと対をなす雄型からなり、該雌型の凹みの底面中心がウェハー外周に相当する底面外周に対して　０．１〜２ｍｍ　凹である滑らかな曲面であり、該雄型の凸部面が該雌型の凹み曲面と対をなす滑らかな凸面である接着用反り矯正型。【効果】実質的に反り量を±２００　μｍの範囲に制御した半導体ウェーハを接着保持した保持基板が得られた。【選択図】　なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウェーハの回路面　（Ａ面）　と保持基板とを接着フィルムで接着し、半導体ウェーハの露出面（裏面：Ｂ面）　を研削、研磨してウェーハを薄葉化し、所望により該Ｂ面に金属化など処理を施した後、薄葉化ウェーハを保持基板から剥離することからなる薄葉化ウェーハの製造法において該接着に用いる金型であって、半導体ウェーハ、保持基板及び接着フィルムおよび必要に応じてクッション材を配置する雌型と、該雌型の凹みと対をなす雄型からなり、該雌型の凹みの底面中心がウェハー外周に相当する底面外周に対して　０．１〜２ｍｍ　凹である滑らかな曲面であり、該雄型の凸部面が該雌型の凹み曲面と対をなす滑らかな凸面である接着用反り矯正型。
【請求項２】
該凹み曲面または凸面の仕上り精度が、最大高さ（Ｒｍａｘ　）　５０μｍ以下または転がり円最大うねり（ＷＥＭ）　２０μｍ以下であることを特徴とする請求項１記載の接着用反り矯正型。
【請求項３】
該接着用反り矯正型が、チタン合金、ステンレス合金、アルミニウム合金などの金属製である請求項１記載の接着用反り矯正型。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は、保持基板に接着保持した半導体ウェーハの裏面を研削、研磨およびＣＭＰ　などを施して薄葉化し、適宜、金属化等の処理をした後、得られた薄葉化ウェーハを保持基板から剥離する薄葉化ウェーハの製造法において、該接着保持に用いる接着用反り矯正型関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、携帯電話、ＩＣカード、モバイルコンピューター等の電子機器の軽薄短小化、高性能化が進むにつれ、これらの機器の組み立てに使用される半導体デバイス等の薄型化、軽量化が進行している。加えて、該半導体デバイスから発生する熱量の抑制、電気特性の向上、低消費電力化、動作安定性向上の観点からも半導体ウェーハを薄葉化することが望ましい状況となってきている。
ところが、予め薄くした半導体ウェーハ等を用い、片面にのみ電子回路を形成すると、回路形成材料となる金属、特にアルミニウム、銅、金等と半導体ウェーハの熱膨張率差が　５〜１５×１０−６　Ｋ−１であることに起因する反り・歪みを生じてしまう。この反り、歪みは、裏面への回路形成を困難にするだけでなく、その後の製造工程において半導体ウェーハが破損する原因となる。このため、予め薄葉化された半導体ウェーハを用いてデバイスの薄型化、軽量化等を図ることは実際上不可能であった。
【０００３】
そこで、従来の　２００〜３００　μｍまでの薄葉化は、片面にのみ電子回路を形成してもその形状を十分に保持可能な程度に薄葉化されたウェーハを使用し、回路形成後、該回路面側をバックグラインド用テープと称される研削保護テープ、ダイシングテープ等に貼り合わせるか、又は、ワックスを用いてダミーウェーハ等の保持基板に貼り合わせるなどして半導体ウェーハを支持、補強した状態で裏面を更に研削して実施している。
【０００４】
例えば、特開２０００−２１２５２４　では、熱可塑性樹脂製の基材フィルムの表面に粘着剤層を形成した半導体ウェーハ保護、粘着テープが提案されている。この基材フィルムとして、弾性率の高いＰＥＴ　フィルム等を使用すれば、反り・歪などを低減できるとしている。
しかし、研削保護テープ法は、保護テープと半導体ウェーハの熱膨張率差が著しく大きく、保護テープと半導体ウェーハの界面に大きな残留応力が潜在するため、研削等で半導体ウェーハが薄くなるにつれ、反りが顕在化してくるという問題がある。このため、実際上、薄葉化の限界は　２００〜３００　μｍとなっている。加えて、半導体ウェーハと基材フィルムを固定するための粘着剤が半導体ウェーハ回路面に転写・残留し、回路の清浄性を害するという欠点が顕在している。
更に、薄葉化後の裏面に回路を形成する場合に必須の化学洗浄・研磨等の予備工程では保護テープの耐薬品性が不足し、回路形成のための金属化やアロイ化工程では保護テープの耐熱性が不足することから、これらの工程へ進む前段で、薄葉化半導体ウェーハを基材フィルムから剥がす必要があった。
【０００５】
このため、厚み　１００μｍ以下、場合によっては３０μｍ程度にまで薄葉化する必要のあるディスクリート用途やミリ波用途に用いる半導体、化合物半導体の製造においては、半導体ウェーハサイズの大型化も伴って、反りの増大、厚み精度の低下、製造中の破損による歩留まりの低下、設備投資やランニングコストの肥大化等が問題となっている。
【０００６】
一方で、半導体ウェーハを硬質な保持基板に接着して研削、研磨する方法も実施されている。その保持基板としては、ガラス、石英ガラス、サファイアなどが用いられ、半導体ウェーハがシリコンの場合には、シリコン自身も用いることが出来る。半導体ウェーハと保持基板との接着には、両面テープやワックスが使用される。例えば、特開２０００−３３１９６２　では、ガラス板を保持基板とし、両面粘着テープで半導体ウェーハをガラス板に固定する方法が提案され、特開平８−２２９６９　では、半導体ウェーハをワックスでガラス板に固定する方法が提案されている。しかしながら、粘着剤を使用する場合には、本質的に上記した耐熱性や耐薬品性が劣るという欠点を有し、ワックスを使用する場合には、ワックス塗布面に気泡が残りやすい、研削・研磨後の面精度が低下する、剥離後のワックス除去が困難である、という欠点を有し、また耐熱性も低い。保持基板としてシリコンウェーハを使用する場合　（特開平６−２４４３８９号公報など）　、回路形成用シリコンウェーハと保持側シリコンウェーハの接着性が不安定であり、逆に十分安定に接着された場合には、剥離が極めて困難になるという問題がある。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
発明者等は、上記の様な従来技術の課題に鑑み、先に特願２０００−１９４０７７　号、特願２０００−４０１０７７　号において、反りが小さく、面精度が高く、残留粘着剤のない半導体ウェーハの薄葉化方法を提案した。しかしながら、半導体ウェーハの仕上がり厚みが５０〜１００　μｍとなると、数μｍの厚み誤差が半導体の特性に著しく影響を与えるため、更なる厚み精度の改善が求められている。また、接着品の反り量は工程上問題となるほどの大きさではない場合でも、薄葉化により内包応力のバランスが崩れて反り量が増大する場合等は、薄葉化接着品が半導体ウェーハの自動製造ラインで搬送されないという不具合を生じる。
【０００８】
そのため、理想的には半導体ウェーハと保持基板の熱膨張率差が小さくなる様、各半導体ウェーハに合わせて保持基板の熱膨張率を調節することが望ましい。しかしながら、耐熱性・耐薬品性、強度等の観点から、保持基板として使用可能な材料には制約があり、また、半導体ウェーハの種類が益々増える現状においては、個々の半導体ウェーハに対して、各々理想的な保持基板を選択することには限界がある。また、一般に、熱膨張率はある温度範囲、例えば　０〜３００　℃等の温度範囲における熱膨張係数の平均値で表されるため、仮に、半導体ウェーハと保持基板の熱膨張率が物性上同一であっても、熱膨張率の温度変化を示す曲線が完全に一致しているとは限らず、接着品で反りを生じる場合がある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記課題に関して鋭意検討した結果、完成したものである。
すなわち、本発明は、半導体ウェーハの回路面　（Ａ面）　と保持基板とを接着フィルムで接着し、半導体ウェーハの露出面（裏面：Ｂ面）　を研削、研磨してウェーハを薄葉化し、所望により該Ｂ面に金属化など処理を施した後、薄葉化ウェーハを保持基板から剥離することからなる薄葉化ウェーハの製造法において該接着に用いる金型であって、半導体ウェーハ、保持基板及び接着フィルムおよび必要に応じてクッション材を配置する雌型と、該雌型の凹みと対をなす雄型からなり、該雌型の凹みの底面中心がウェハー外周に相当する底面外周に対して　０．１〜２ｍｍ　凹である滑らかな曲面であり、該雄型の凸部面が該雌型の凹み曲面と対をなす滑らかな凸面である接着用反り矯正型である。
【００１０】
また、好ましくは、該凹み曲面または凸面の仕上り精度が、最大高さ（Ｒｍａｘ　）　５０μｍ以下または転がり円最大うねり（ＷＥＭ）　２０μｍ以下であること、該接着用反り矯正型が、チタン合金、ステンレス合金、アルミニウム合金などの金属製である接着用反り矯正型である。
【００１１】
以下、本発明の構成を説明する。
接着用反り矯正型
まず、本発明の接着用反り矯正型を添付図面にて説明する。
図１は、落とし蓋形式の型の断面模式図であり、凹（雌）型の穴を深くし、この穴内に積層物がすべて入り、かつ、対応する凸（雄）型も厚くし、凹（雌）型の穴にて位置決めが成される形式としたものである。図２は、この図１の型にさらに、位置決め用のピン、ピン立て形式としたものである。図３は、凹（雌）型の形式の例についての模式図であり、ａは、反り矯正に必要不可欠な部分を主体とし、位置決めなどはセットの操作にて行う最も簡便な形式である平皿形式や落とし蓋形式などの場合、ｂはａの場合に位置決め用のピンを設けた場合、ｃはオリフラがある場合、およびｄは、取り出しを考慮して取り出し用の切り欠き部分を設けた場合である。
【００１２】
本発明の接着用反り矯正型は、半導体ウェーハ、保持基板及び接着フィルムおよび必要に応じてクッション材を配置する雌型と、該雌型の凹みと対をなす雄型からなる。そして、半導体ウェーハと保持基板との熱膨張率の相違から、接着後に冷却されることにより発生する反りを考慮した凹みを形成した雌型と、該雌型の凹みに対応した凸面を有する雄型からなる。そして、その凹凸度、すなわち、該雌型の凹みの底面中心がウェハー外周に相当する底面外周に対して　０．１〜２ｍｍ　、より好ましくは　０．２〜１．５ｍｍ　凹である滑らかな曲面であり、該雄型の凸部面が該雌型の凹み曲面と対をなす滑らかな凸面である接着用反り矯正型である。
【００１３】
材質としては、通常、チタン合金、ステンレス合金、アルミニウム合金等の金属などの金属が使用される。ポリイミドなどの樹脂、セラミックスも使用できるが、樹脂は熱伝導率が小さいことから、また、セラミックスは欠けやすいことから金属が通常使用される。
一方、接着操作中に、凹型と凸型の上下位置関係がずれることを防止するため、例えば、凹型に凸型を落とし込む、所謂「落し蓋」構造とすること、凹型と凸型を貫通する「位置決めピン」等の加工を施すことが好ましい。
【００１４】
また、凹型と凸型の加工仕上り精度は、選択された断面曲線を平均線と見なした場合に、最大高さ（Ｒｍａｘ　）　５０μｍ以下、若しくは転がり円最大うねり（ＷＥＭ）　２０μｍ以下であることが好ましく、最大高さ（Ｒｍａｘ　）　２０μｍ以下、若しくは転がり円最大うねり（ＷＥＭ）　１０μｍ以下であることが、より好ましい。
この加工精度を満たすため、ＮＣ機器等を用いて加工することが好ましい。但し、機械加工後の接着型に対し、アブレシブペーパー等による研磨で微調整を加えることも構わない。
【００１５】
半導体ウェーハ
本発明の半導体ウェーハとしては、シリコン（Ｓｉ）に代表されるが、この他に、ゲルマニウム（Ｇｅ）、セレン（Ｓｅ）、錫（Ｓｎ）、テルル（Ｔｅ）等の元素系半導体、ガリウム−砒素（ＧａＡｓ）の他、ＧａＰ　、ＧａＳｂ、ＡｌＰ　、ＡｌＡｓ、ＡｌＳｂ、ＩｎＰ　、ＩｎＡｓ、ＩｎＳｂ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、ＣｄＳ　、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ、ＡｌＧａＡｓ、ＧａＩｎＡｓ、ＡｌＩｎＡｓ、ＩｎＧａＰ　、ＡｌＧａＩｎＡｓ等の化合物半導体が挙げられ、適宜使用出来る。
【００１６】
保持基板
本発明の保持基板、　３５０℃以上の高温に耐えるものであり、ラップ研磨等の研磨工程に耐える機械的強度を有し、更に電子回路形成のための前処理や後処理で使用される薬品類に対する耐薬品性が高いことを必須とする。一方、保持基板の熱膨張率と半導体ウェーハの熱膨張率が小さい場合には、接着型による反りの矯正は容易になる。具体的には、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化アルミニウム−炭化珪素、炭化珪素、窒化珪素、窒化硼素、硼珪酸ガラス、各種カーボン等の無機物ベースの材料から、薄葉化の条件等を勘案して選択される。
【００１７】
本発明においては、好ましくは、連続気孔を０．５ｖｏｌ％以上、より好ましくは　５〜３５　ｖｏｌ％有し、その平均気孔径が　０．１〜１０μｍの無機連続気孔焼結体から選択し、該連続気孔に耐熱性の樹脂を含浸し、硬化させたものが好適に採用される。
具体的には、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）　、窒化アルミニウム−窒化硼素（ＡｌＮ−ｈ−ＢＮ）、窒化アルミニウム−窒化珪素−窒化硼素（ＡｌＮ−ＳｉＣ−ｈ−ＢＮ）、窒化珪素（Ｓｉ３Ｎ４）　、窒化珪素−窒化硼素（Ｓｉ３Ｎ４−ｈ−ＢＮ）、炭化珪素（ＳｉＣ）　、アルミナ（Ａｉ２Ｏ３）　、アルミナ−窒化硼素（Ａｉ２Ｏ３−ｈ−ＢＮ）、酸化ジルコニア−窒化アルミニウム−窒化硼素（ＺｒＯ３−ＡｌＮ−ｈ−ＢＮ）　、アルミナ−酸化チタン−窒化硼素（Ａｉ２Ｏ３−ＴｉＯ−ｈ−ＢＮ）、アモルファスカーボン、炭素繊維強化炭素などが例示される。
【００１８】
該基板に含浸する耐熱性樹脂としては、本発明者らによる特開平８−２４４１６３公報、同９−３１４７３２、その他による、付加重合あるいは架橋型の耐熱性樹脂の芳香族多官能性シアン酸エステル化合物等があり、使用可能であるが、特に　３５０℃を超える高温で好適に使用出来るものとして高耐熱性シリコーン樹脂、例えばシリコーンラダーオリゴマー　（商品名；Ｇｌａｓｓ　Ｒｅｓｉｎ　品番ＧＲ１００Ｆ、ＧＲ１５０　、ＧＲ６５０Ｆ、ＧＲ９０８Ｆ、ＧＲ９５０Ｆ他、Ｔｅｃｈｎｅｇｌａｓ製）　が挙げられる。
【００１９】
上記の基板に樹脂を含浸するに際して、該無機連続気孔焼結体の連続気孔内表面を含む表面と樹脂により形成される界面において、無機連続気孔焼結体と樹脂の親和性を改善するため、無機連続気孔焼結体の表面を適当な方法で処理することが好適である。表面処理として、アルミニウム、チタン、或は珪素を含む有機金属化合物又は有機金属錯体、或は重量平均分子量１０，０００未満のプレポリマーである有機金属化合物又は有機金属錯体の溶液を使用し、これを真空含浸し、風乾して溶媒を除去した後、予備加熱処理し、更に最高温度　８５０℃以下において熱分解させることが好ましい。
本表面処理を実施することにより、含浸する樹脂との親和性が改善され、更には、接着に使用する熱可塑性樹脂フィルムとの接着性も改善される。
【００２０】
接着フィルム
本発明の接着フィルムは、１種若しくは２種類以上の好適な熱可塑性樹脂を組み合わせた単層、若しくは多層構造フィルムからなる。
具体的には、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）　、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）　、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリアミド（ＰＡ）、ポリサルフォン（ＰＳＯ）　、ポリフェニレンスルフィド（ＰＰＳ）　、ポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）　、ポリアミドイミド（ＰＡＩ）　、ポリイミド（ＰＩ）、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、全芳香族ポリエステル、ポリアセタール（ＰＯＭ）　、ポリフェニレンオキシド（ＰＰＯ）　等が使用可能で有る。
【００２１】
本発明の接着フィルムは、通常、押出、キャスティングにより製造する。接着フィルムとしては、熱可塑性樹脂の製造に際して通常添加される可塑剤、滑剤、安定剤、発色剤、その他の添加物を添加していないフィルムであることが、通常、ウェーハへの不純物の転写を防止するために好ましい。但し、添加剤の種類や転写される添加剤の濃度、転写した場合の除去の容易性等を考慮した上で、ウェーハの特性に支障を来さないことが判明すれば、これらの添加剤を適宜使用することが出来る。
また、延伸、無延伸どちらでも使用できる。厚さは、１０〜１００　μｍ、より好ましくは１５〜５０μｍの範囲である。また、接着力を向上するため、コロナ放電処理等を実施しても良い。剥離性を向上するため、エンボス加工等の他、上記の通り、ウェーハの特性に支障を来さない範囲において、コーティング等を実施しても良い。
【００２２】
本発明は、上記材料を主要な構成材料として使用し、通常、下記　（１）〜（４）　からなる薄葉化の工程を実施する。
（１）．半導体ウェーハ（ａ）　の回路面（Ａ面）　と保持基板（ｂ）　を接着フィルムにより接
着する。
（２）．半導体ウェーハ（ａ）　の裏面（Ｂ面）　を研削、研磨、ＣＭＰ　、エッチング等して半
導体ウェーハ（ａ）　を薄葉化する。
（３）．所望により、Ｂ面の金属化、アロイ化、回路形成等を行う。
（４）．薄葉化ウェーハを保持基板（ｂ）　から剥離する。
【００２３】
本発明の接着　（工程（１））は、（２）　、（３）　の工程で信頼性良く、保持基板（ｂ）　に半導体ウェーハ（ａ）　を接着保持して、裏面（Ｂ面）　加工時　（研削、研磨等）　の機械な力により剥離してしまうことが無く、且つ、裏面（Ｂ面）　加工完了後、容易に剥離出来る状態であることが必須である。このことから、通常、　２５０〜３５０　℃の範囲から選択する。
一般的には、接着温度としてより高温側を選択すれば、より強固な接着が可能となり、逆に、より低温側を選択すれば、より弱い接着となる。また、半導体ウェーハ（ａ）　の回路面（Ａ面）　に樹脂性の絶縁膜や保護膜がある場合、薄葉化後の裏面（Ｂ）　に回路形成や金属化、アロイ化等の工程があり、その工程で接着フィルム（ｃ）　が加熱される場合には、その接着力は、通常、上昇する。上記した理由を考慮して、工程（２）、（３）中に信頼性良く接着保持出来る条件で、且つ、剥離が可
能な接着フィルム（ｃ）　の構成、接着温度等を選択し設定できる。
【００２４】
また、接着は、減圧雰囲気下に最高面圧０．０５〜５ＭＰａの範囲、より好ましくは最高面圧　０．１〜０．５ＭＰａの範囲で実施する。最高温度、および最高圧力での保持時間は　３〜９０分の範囲から、通常、選択する。
圧力負荷は、真空チャンバーを具備したプレス機などが適宜使用出来るが、０．０５ＭＰａ　程度の低圧から５ＭＰａ程度の高圧まで設定した圧力を安定的に保持出来るものでなければならない。更に、無圧状態からの昇圧、および最高圧力からの解圧が滑らかで、急激な圧力変動を起こさないものでなければならない。
一般に、被接着体へ圧力を付加すると、被接着体は加熱され、熱膨張する。例えば、エアプランジャー式のプレス機を使用した場合には、エアプランジャーが緩衝機構として作用し、熱膨張による反発力を吸収して圧力過剰を防止する。一方、オイルプランジャー式のプレス機を使用した場合には、オイルプランジャーの緩衝作用は限られているので、熱膨張による反発力を吸収出来ずに圧力上昇を引き起こす。この場合、設定圧力以上の圧力で接着することによるウェーハの破損を防止するため、熱膨張による圧力上昇を吸収するクッション材等と共にプレスすることが好ましい。
【００２５】
本工程（２）　は、上記の方法で接着した接着品の半導体ウェーハ裏面側を研削し、更にＣＭＰ　研磨、若しくはエッチングすることにより、半導体ウェーハを薄葉化する。工程（２）　に続き、適宜、工程（３）　において半導体ウェーハ裏面に金属化、アロイ化、回路形成等を実施する。
【００２６】
工程（３）　を必須としない半導体ウェーハの製造については、この限りではないが、工程（３）　を必須とする半導体ウェーハの製造においては、接着フィルムとして、回路形成の際に使用される薬品類、及びその他の予備処理工程等で使用される薬品類に対する耐性を備え、且つ、金属化等での真空・加熱工程において、実質的にガス等を発生することのないものを選択する。工程（３）　の処理条件に適合する耐薬品性、耐熱性、その他の耐性を満たすことが、本薄葉化の実用化に重要な要素である。
【００２７】
工程（４）　において、薄葉化された半導体ウェーハと保持基板とを、好ましくは接着フィルムを保持基板側に残した状態で剥離する。剥離の操作方法は、先の特願２０００−１９４０７７号、同２０００−４０１０７７などに示された方法が使用可能である。
簡単には、保持基板付き半導体ウェーハを、水、各種水溶液、その他に浸漬して半導体ウェーハと接着フィルムの界面接着力を弱める処理　（緩和処理）　を施し、剥離する。
剥離は、通常、薄葉化半導体ウェーハを真空若しくは減圧で吸着し、また、保持基板も吸着盤へ吸着し、薄葉化半導体ウェーハと保持基板との間を、通常、片側から押し開く様に吸着盤を移動することにより行う。
【００２８】
【実施例】
以下、実施例により本発明を詳しく説明する。尚、実施例中の「部」、「％」は特に断らない限り重量基準である。
実施例１
接着用反り矯正型
凹（雌）型は、　２００ｍｍ×２００ｍｍ　、厚さ　５ｍｍのアルミニウム合金（５０８３）板に深さ１．５０ｍｍ、直径　１５２ｍｍの穴を形成し、その底面を中心部最大深さ　１．４０ｍｍ　となる断面部分円弧である部分球面状に切削してなる。また、これに対応する凸（雄）型は、直径　１５１．５０ｍｍ　、最大厚さ　１．５０ｍｍ　であり、端部厚み　０．２５ｍｍ　の平皿形式の接着用反り矯正型を準備した。
【００２９】
保持基板
窒化アルミニウム−窒化硼素−炭化珪素焼結体（ｈ−ＢＮ　１３％、ＳｉＣ　１０％、嵩密度２．５５　、全気孔率　１６．５　ｖｏｌ　％）　の円板　（厚さ　０．８ｍｍ、直径　１５０ｍｍ）　を　７００℃で加熱洗浄　（有機物を燃焼して除去）　した後、室温においてアルミニウムトリス　（エチルアセトアセテート）（川研ファインケミカル製、商品名　ＡＬＣＨ−ＴＲ）　　５％のイソプロパノール（ＩＰＡ）　溶液を真空含浸し、一夜風乾した後、最高温度　７５０℃で焼成して気孔内部を含む基板表面にアルミニウム酸化物を生成させた。
この基板に、シリコーンラダーオリゴマー　（Ｔｅｃｈｎｅｇｌａｓ製、商品名　ＧｌａｓｓＲｅｓｉｎ　ＧＲ６５０Ｆ）の４０％のメチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）溶液を真空含浸し、乾燥することを繰り返した後、　３５０℃において熱硬化した。基板両面を研磨し、厚み０．６２５ｍｍ、表面粗さＲａ　０．３μｍの保持基板　（以下「ＡＮＢ　」と記す）　を得た。
【００３０】
半導体ウェーハ
厚み　０．６２５ｍｍ、直径　１５０ｍｍのシリコンウェーハ　（以下「Ｓｉ」と記す）　を使用した。
接着フィルム
熱可塑性ポリイミドフィルム　（東レ・デュポン製、商品名：カプトン　１００ＫＪ、厚み２５μｍ、ガラス転移温度　２２０℃）　を直径　１５０ｍｍの円　（以下「ＰＩ」と記す）　に切り取った。
【００３１】
半導体ウェーハと保持基板との貼り合わせ
アルミニウム製キャリアプレート上に耐熱無塵クッション　（特願２００１−１３０９８７）を配置し、この上に接着凹型、保持基板、接着フィルム、半導体ウェーハを重ね、最後に接着凸型を重ね、さらに、この上に耐熱無塵クッション、アルミニウム製カバープレートをそれぞれ中心が一致する様に位置合わせしつつ重ねて積層セットとした。
この積層セットを、エアプランジャー式のプレス機の真空チャンバー内の温度３３０℃の熱盤間に配置し、真空チャンバーを閉じ、雰囲気圧力が１．３ｋＰａ以下となった時点で加圧を開始し、最高面圧　　０．２ＭＰａ、温度　３３０℃の状態を　８分間保持した。
その後、雰囲気を大気開放、プレス圧力を解圧し、積層体をアルミニウム製キャリアプレートごと取り出した。積層体を放冷して、半導体ウェーハ／保持基板の接着品　（以下「Ｓｉ／ＡＮＢ」と記す）　を得た。
【００３２】
得られたＳｉ／ＡＮＢの反りは＋４７μｍであった。また、Ｓｉ／ＡＮＢを常温の純水中に入れ、３０分間の超音波照射を行ったが、剥離は起こらなかった。
尚、反りは、Ｓｉ／ＡＮＢのウェーハ側を上にして３次元測定器　（東京精密製）　のテーブル上に置き、ウェーハ裏面の高さを１７点測定した際の最高値と最低値の差と定義した。また、ウェーハ側が凸となる反りに対して符号（＋）　、ウェーハ側が凹となる反りに対して符号（−）　とした。
【００３３】
ウェーハの研削・研磨
研削機で、Ｓｉ／ＡＮＢのＳｉウェーハ厚みが　１０５μｍとなるまで研削、その後、Ｓｉウェーハ厚みが　１００μｍとなるまで研磨した。
研削は、横型精密平面研削盤　（岡本工作機械製作所製、機種ＧＲＩＮＤ−Ｘ　ＳＲＧ−２００）を使用し、粗研削を＃３２０のダイアモンド砥石、仕上げ研削を＃２０００　のダイアモンド砥石で行った。研磨は、ＣＭＰ　仕様卓上ラップ盤　（岡本工作機械製作所製、機種ＳＰＬ１５Ｔ　型）　を使用し、研磨布にＳＵＢＡ８００（ロデール・ニッタ製）　、スラリーにＣＯＭＰＯＬ８０　（フジミインコーポレーテッド製）　を使用して薄葉化Ｓｉ／ＡＮＢを得た。薄葉化Ｓｉ／ＡＮＢの反りは＋２６μｍであった。
【００３４】
実施例２
実施例１において、雄型の位置決めガイドとしてのピンを用いた金型（ピン立て形式）とするための治具を用いている点以外は同一である接着用反り矯正型（アルミニウム合金（５０８３））を使用し、その他は同様とし、Ｓｉ／ＡＮＢを得た。
Ｓｉ／ＡＮＢの反りは、＋７５μｍであった。
また、薄葉化Ｓｉ／ＡＮＢの反りは、＋３２μｍであった。
【００３５】
実施例３
実施例１において、図１に示すアルミニウム合金（５０８３）製型を使用した以外は同様とし、Ｓｉ／ＡＮＢを得た。
Ｓｉ／ＡＮＢの反りは、＋１４３　μｍであった。
また、薄葉化Ｓｉ／ＡＮＢの反りは、＋８０μｍであった。
なお、図１に示すアルミニウム合金（５０８３）製型は、凹（雌）型・凸（雄）型共に、直径　１５１．０ｍｍの型部を有する。凹（雌）型は、　２００ｍｍ×２００ｍｍ　、厚さ　８ｍｍのアルミニウム合金板に直径　１５１．５０ｍｍ　、垂直壁壁面高さ　４．１０　ｍｍで底面断面曲線形状は半径　２１１５ｍｍ　の部分円弧　（凹面深さ１．４００ｍｍ）とし、垂直部分と部分円弧との境界部分の接続　（巻き上げ率Ｒ）は半径　０．２ｍｍ以下の円弧である。また、これに対応する凸（雄）型は、直径　１５１．００ｍｍ　、厚さ　４．２２５ｍｍであり、垂直面高さ　２．８３５ｍｍ、凸曲面高さ　１．３９０ｍｍである落とし蓋形式の接着用反り矯正型である。
【００３６】
実施例４
実施例３において、接着フィルムとして熱可塑性ポリイミドフィルム（宇部興産製、商品名ＶＴ４４１Ｓ、厚み２５μｍ）を使用したこと、接着温度　３３０℃を　３５０℃としたこと以外は同様として、Ｓｉ／ＡＮＢを得た。
Ｓｉ／ＡＮＢの反りは、＋１０３　μｍであった。
また、薄葉化Ｓｉ／ＡＮＢの反りは、＋１２μｍであった。
【００３７】
実施例５
実施例３において、凹面深さ　１．０００ｍｍとし、これに対応した雄型を用いたこと、接着温度　３３０℃を　３１０℃としたこと以外は同様として、Ｓｉ／ＡＮＢを得た。
Ｓｉ／ＡＮＢの反りは、＋１５６　μｍであった。
また、薄葉化Ｓｉ／ＡＮＢの反りは、＋７８μｍであった。
実施例６
実施例５において、接着フィルムとして熱可塑性ポリイミドフィルム（宇部興産製、商品名ＶＴ４４１Ｓ、厚み２５μｍ）を使用したこと、接着温度　３３０℃を　３５０℃としたこと以外は同様とし、Ｓｉ／ＡＮＢを得た。
Ｓｉ／ＡＮＢの反りは、＋５６μｍであった。
また、薄葉化Ｓｉ／ＡＮＢの反りは、＋２２μｍであった。
【００３８】
実施例７
実施例３において、型材質としてアルミニウム製合金（５０５２）を使用したこと、接着温度　３３０℃を　３１０℃としたこと以外は同様とし、Ｓｉ／ＡＮＢを得た。
Ｓｉ／ＡＮＢの反りは、−９２μｍであった。
また、薄葉化Ｓｉ／ＡＮＢの反りは、−２１μｍであった。
実施例８
実施例７において、凹面深さ　１．３３０ｍｍとし、これに対応した雄型を用いたこと、接着温度　３１０℃を　３２０℃としたこと以外は同様とし、Ｓｉ／ＡＮＢを得た。
Ｓｉ／ＡＮＢの反りは、＋２４μｍであった。
また、薄葉化Ｓｉ／ＡＮＢの反りは、＋１０μｍであった。
【００３９】
実施例９
実施例３において、シリコンウェーハ（Ｓｉ）のサイズを５インチとしたこと、凹面深さ　１．０００ｍｍとし、これに対応した雄型を用いたこと以外は同様として、Ｓｉ／ＡＮＢを得た。
Ｓｉ／ＡＮＢの反りは、−６２μｍであった。
また、薄葉化Ｓｉ／ＡＮＢの反りは、−１８μｍであった。
【００４０】
実施例１０
実施例３において、シリコンウェーハ（Ｓｉ）のサイズを４インチとしたこと、凹面深さ　０．４５０ｍｍとし、これに対応した雄型を用いたこと以外は同様として、Ｓｉ／ＡＮＢを得た。
Ｓｉ／ＡＮＢの反りは、＋６１μｍであった。
また、薄葉化Ｓｉ／ＡＮＢの反りは、＋２５μｍであった。
実施例１１
実施例１０において、凹面深さ　０．２５０ｍｍとし、これに対応した雄型を用いたこと、接着温度　３３０℃を　３１０℃としたこと以外は同様として、Ｓｉ／ＡＮＢを得た。
Ｓｉ／ＡＮＢの反りは、＋３６μｍであった。
また、薄葉化Ｓｉ／ＡＮＢの反りは、＋２０μｍであった。
【００４１】
実施例１２
実施例３において、図３のＣに示したようなオリフラ付きの落とし蓋形式の型を使用したこと、接着温度　３３０℃を　３１０℃としたこと以外は同様とし、Ｓｉ／ＡＮＢを得た。
Ｓｉ／ＡＮＢの反りは、−６６μｍであった。
また、薄葉化Ｓｉ／ＡＮＢの反りは、−４２μｍであった。
【００４２】
実施例１３
実施例８において、図−８に示すアルミニウム合金（５０５２）製接着型（ｅ）を使用し
て、リングによる直径補正を可能にした以外は同様とし、Ｓｉ／ＡＮＢを得た。
Ｓｉ／ＡＮＢの反りは、−６６μｍであった。
また、薄葉化Ｓｉ／ＡＮＢの反りは、−３７μｍであった。
【００４３】
実施例１４
実施例９において、図３のｄに示したような取り出し用切り欠き部分を設けた型を使用したこと、凹面深さ　０．７８２ｍｍとし、これに対応した雄型を用いたこと、接着温度　３３０℃を　３１０℃としたこと以外は同様として、Ｓｉ／ＡＮＢを得た。
Ｓｉ／ＡＮＢの反りは、＋８４μｍであった。
また、薄葉化Ｓｉ／ＡＮＢの反りは、＋５１μｍであった。
【００４４】
実施例１５
実施例３において、凹（雌）型として、厚み　８ｍｍで　３４０ｍｍ×３４０ｍｍ　のアルミニウム合金（５０８３）板に、４つの凹型を該凹型の中心位置がそれぞれ両辺から　８５．００ｍｍである位置に形成した型を使用して、試料４枚を同時に接着することが出来るようにしたこと、接着温度　３３０℃を　３１０℃としたこと以外は同様とし、Ｓｉ／ＡＮＢを得た。
Ｓｉ／ＡＮＢの反り（４枚の平均値）　は、＋４０μｍであった。
また、薄葉化Ｓｉ／ＡＮＢの反り（４枚の平均値）　は、＋２２μｍであった。
【００４５】
実施例１６
実施例１において、保持基板としてガラス基板を使用したこと以外は同様とし、接着品を得た。
接着品の反りは、＋１８９　μｍであった。
また、薄葉化接着品の反りは、＋８８μｍであった。
【００４６】
比較例１
実施例１において、型を用いずに、ステンレス製平滑プレート　（上下一対）　に挟み込んで接着を実施したこと以外は同様とし、Ｓｉ／ＡＮＢを得た。
接着品の反りは、＋７６８　μｍであった。
また、薄葉化接着品の反りは、＋４９２　μｍであった。
比較例２
比較例１において、接着フィルムとして、熱可塑性ポリイミドフィルム　（宇部興産製、商品名ＶＴ４４１Ｓ、厚み２５μｍ）　を使用したこと、接着温度　３３０℃を　３５０℃とした以外は同様とし、Ｓｉ／ＡＮＢを得た。
接着品の反りは、＋８４０　μｍであった。
また、薄葉化接着品の反りは、＋５４１　μｍであった。
【００４７】
2004087678.tif 000002
【００４８】
【発明の効果】
以上、本発明により、実質的に接着品の反り量を±２００　μｍの範囲に制御することが可能となった。これにより、研削・研磨が安定して可能となり、また、半導体ウェーハ製造ラインでの搬送不良等のトラブルが解消でき、その意義は極めて高い。
【図面の簡単な説明】
【図１】落とし蓋形式の接着用反り矯正型の断面模式図である。
【図２】ピン立て形式の接着用反り矯正型の断面模式図である。
【図３】種々の雌（凹）型形式の平面模式図であり、ａは標準的なもの、ｂは位置決め用ピンを設けたもの、ｃはオリフラがある場合にそれに対応したもの、およびｄは取り出し用切り欠けを設けた場合をそれぞれ示す。
【図１】
2004087678.tif 000003
【図２】
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【図３】
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