(57)【要約】【課題】高線速高密度化に対応でき、繰返し特性と保存特性に優れた光記録媒体を提供する。【解決手段】円盤状基板上に電磁波の照射により非結晶相と結晶相の間を相転移する記録層を設けた光記録媒体において、該記録層が微小な電磁波の照射により結晶化処理が行え、かつ、その形成された結晶相は下記の回析条件１を満足するものであることを特徴とする。（回折条件１）上記記録層の粉末Ｘ線回折スペクトルにおいて、面間隔ｄ＝２．５６〜２．７１Åの領域に（銅のＫα線を入射Ｘ線の光源に用いるとその回折の角度２θ＝１６．５０〜１７．５°である）回折ピークを有すること。【選択図】      なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
円盤状基板上に電磁波の照射により非結晶相と結晶相の間を相転移する記録層を設けた光記録媒体において、該記録層が微小な電磁波の照射により結晶化処理が行え、かつ、その形成された結晶相は下記の回析条件１を満足するものであることを特徴とする光記録媒体。
（回折条件１）
上記記録層の粉末Ｘ線回折スペクトルにおいて、面間隔ｄ＝２．５６〜２．７１Åの領域に（銅のＫα線を入射Ｘ線の光源に用いるとその回折の角度２θ＝１６．５０〜１７．５°である）回折ピークを有すること。
【請求項２】
さらに下記の回折条件２を満足することを特徴とする請求項１記載の光記録媒体。
（回折条件２）
上記記録層の粉末Ｘ線回折スペクトルにおいて、面間隔ｄ＝１．９０〜１．９５Åの領域（銅のＫα線を入射Ｘ線の光源に用いるとその回折の角度２θ＝２３．２６〜２３．９０°である）に回折ピークが存在しないこと。
【請求項３】
さらに下記の回折条件３を満足することを特徴とする請求項１または２記載の光記録媒体。
（回折条件３）
上記記録層の粉末Ｘ線回折スペクトルにおいて、面間隔ｄ＝２．５６〜２．７１Åの（銅のＫα線を入射Ｘ線の光源に用いるとその回折の角度２θ＝１６．５０〜１７．５°である）回折ピークの強度をＩ１、面間隔ｄ＝１．７４〜１．８５Åの（銅のＫα線を入射Ｘ線の光源に用いるとその回折の角度２θ＝２４．６〜２６．３０°である）の強度をＩ２とするとＩ１＜Ｉ２の関係を満足すること。
【請求項４】
記録層を構成する元素が、ＳｂとＴｅと、１Ｂ族、３Ｂ族、及び４Ｂ族の元素から選ばれる少なくとも１つを主成分としてなることを特徴とする請求項２または３記載の光記録媒体。
【請求項５】
記録層を構成するＳｂ元素の量がＴｅ元素の量よりも多いことを特徴とする請求項４記載の光記録媒体。
【請求項６】
記録層を構成する１Ｂ族、３Ｂ族、及び４Ｂ族の元素から選ばれる少なくとも１つの元素の量は、記録層全体の構成元素の１０ａｔｍ％以下であることを特徴とする請求項４または５記載の光記録媒体。
【請求項７】
記録層に１Ｂ族の中から選ばれた元素を少なくとも１つ含有することを特徴とする請求項４〜６のいずれかに記載の光記録媒体。
【請求項８】
記録層に３Ｂ族の中から選ばれた元素を少なくとも１つ含有することを特徴とする請求項４〜６のいずれかに記載の光記録媒体。
【請求項９】
記録層に４Ｂ族の中から選ばれた元素を少なくとも１つ含有することを特徴とする請求項４〜６のいずれかに記載の光記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光記録媒体に関し、さらに詳しくは、光ビームを照射することにより相変化材料からなる記録層に光学的な変化を生じさせることにより、情報の記録と再生を行う書換え可能な光情報記録媒体に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
レーザビーム照射による情報の記録、再生及び消去可能な光情報記録媒体の一つとして、結晶―非結晶相間、又は、結晶―結晶相間の転移を利用する、いわゆる相変化光ディスクが知られている。このディスクは、単一ビームによるオーバーライトが可能であり、ドライブ側の光学系もより単純ですむため、コンピュータ関連や映像、音響に関する記録媒体として応用されている。
【０００３】
この記録材料としては、ＧｅＴｅ、ＧｅＴｅＳｅ、ＧｅＴｅＳ、ＧｅＳｅＳ、ＧｅＳｅＳｂ、ＧｅＡｓＳｅ、ＩｎＴｅ、ＳｅＴｅ、ＳｅＡｓ、ＧｅＴｅ（Ｓｎ、Ａｕ、Ｐｄ）、ＧｅＴｅＳｅＳｂ、ＧｅＴｅＳｂ、ＡｇＩｎＳｂＴｅ等の合金材料が挙げられる。特に、ＡｇＩｎＳｂＴｅは、高感度であり、アモルファスマーク部分の輪郭が明確であるという特徴を有し、マークエッジ記録用の記録層として開発されている〔特開平３−２３１８８９号公報（特許文献１）、特開平４−１９１０８９号公報（特許文献２）、特開平４−２３２７７９号公報（特許文献３）、特開平４−２６７１９２号公報（特許文献４）、特開平５−３４５４７８号公報（特許文献５）、特開平６−１６６２６６号公報（特許文献６）等〕。また、ＳｂＴｅを主成分とし、これにＡｇ、Ｉｎ、Ｇａ、Ｓｉ等を添加した記録材料で単一なγ相を有するものが知られている〔特開平１−３０３６４３号公報（特許文献７）〕。
【０００４】
ここで、前記特開平３−２３１８８９号公報に記載される記録層は、ＩをＩ族元素、ＩＩＩをＩＩＩ族元素、ＶをＶ族元素、ＶＩをＶＩ族元素として、Ｉ・（ＩＩＩ１−γＶγ）・ＶＩ２型の一般組成式で表されるものである。しかし、このような記録層では、繰り返し記録特性に問題があった。
【０００５】
前記特開平４−１９１０８９号公報に開示された情報記録媒体に使用されている記録層による場合は、消去比の向上と高速記録とは達成されるものの、繰り返し記録特性に問題があった。
【０００６】
前記特開平４−２３２７７９号公報に開示された情報記録媒体に使用されている記録層のみの未記録部分（結晶化部分）の構造は、安定相（ＡｇＳｂＴｅ２）とこの安定相の周囲に存在するアモルファス相とが混在したものとなっている。このため、繰返し記録特性は向上するものの、結晶化部に微細な結晶粒界が存在することになり、ノイズ発生の原因となっている。
これは、記録再生波長が７８０ｎｍ程度のレーザ光を使用するＣＤ−ＲＷ（Ｃｏｍｐａｃｔ  Ｄｉｓｃ  Ｒｅｗｒｉｔａｂｌｅ）等のように比較的低い記録密度を有する光記録媒体の記録特性には重大な悪影響を与えないが、波長６８０ｎｍ以下のレーザ光を使用し、記録密度がＣＤ−ＲＷの約７倍であるＤＶＤ（Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ  Ｄｉｓｋ）−ＲＡＭやＤＶＤ−ＲＷ、ＤＶＤ＋ＲＷ等の高密度記録を実現するうえでは障害となるものであった。また、繰返し記録特性においても問題が残っている。
【０００７】
前記特開平４−２６７１９２号公報に使用されている記録層の結晶化部分の構造は、一様なアモルファス相から相分離したＡｇＳｂＴｅ２とその他の相（安定相またはアモルファス相）との混相状態である。その他の相がアモルファス相である場合には、上記した特開平４−２３２７７９号公報に開示された情報記録媒体の場合と同様な問題点があり、その他の相が安定結晶相である場合には、後記するように、良好な記録特性が得られないという課題がある。同様な問題は、前記特開平５−３４５４７８号公報、前記特開平６−１６６２６６号公報に見られる記録層にも残されている。
【０００８】
また、前記特開平１−３０３６４３号公報で開示された情報記録媒体では、単一なγ相が得られ、良好な繰返し特性が得られたとしているが、このγ相がどのような結晶構造をしているかについては言及しておらず、今後の高線速、高密度対応の記録媒体を実現する上で問題を有するものであった。
【０００９】
一方、特開２０００−３１３１７０号公報（特許文献８）で開示された情報記録媒体では、ＣＤ−ＲＷの８倍速記録までの高速記録についてＧｅＩｎＳｂＴｅを実施例として特性が改善されることを示しているが、ここで開示されている組成、構造を持った情報記録媒体でも更なる高線速記録、あるいは高密度記録に対しては十分とはいえない。
【特許文献１】
特開平３−２３１８８９号公報
【特許文献２】
特開平４−１９１０８９号公報
【特許文献３】
特開平４−２３２７７９号公報
【特許文献４】
特開平４−２６７１９２号公報
【特許文献５】
特開平５−３４５４７８号公報
【特許文献６】
特開平６−１６６２６６号公報
【特許文献７】
特開平１−３０３６４３号公報
【特許文献８】
特開２０００−３１３１７０号公報
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上記従来技術の問題点を解消し、高線速高密度化に対応でき、繰返し特性と保存特性に優れた光記録媒体を提供することをその課題とするものである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは高線速に対応でき、繰り返し特性、及び保存特性の課題を解決するために検討を行った結果、結晶中でＴｅ原子のサイトがある位置に定まっている場合に高線速に対応でき、繰り返し特性や保存特性を向上できることを見出した。これは、以下に示すようなある粉末Ｘ線回折ピークに関する条件となることを見出したことに関連している。
【００１２】
すなわち、結晶からアモルファスへの相変化においては、結晶構造をＴｅ原子の並びがＳｂ原子の並びを壊す働きをする。従って、Ｔｅ原子が、結晶中にランダムに入っている、もしくは一部に局在していると、このような効果、すなわち高線速に対応できなくなる。従って、Ｔｅ原子はある規則性を持って、均一に結晶相の中に存在していることが高線速に対応できることを見出した。このＴｅ原子の規則性が結晶相の粉末Ｘ線回折である特定のピークとして現れる。そして、この回折ピークの強度はある条件を満足していることが好ましい。
また、ある回折ピークが結晶相の中に存在すると、上述したＴｅの並びが壊された状態にあるため、この結晶相をアモルファス化し、さらに結晶化させるといった繰り返し特性が失われ、結晶化した状態の方が安定なため、保存特性も失われる。
記録層を構成する元素が、ＳｂとＴｅと、それ以外の少なくとも１つ以上添加した構成元素からなることが、繰り返し特性向上に有効であることから望ましい。
本発明者は、こうした知見に基づいてなされたものであり、上記課題は下記（１）〜（９）によって達成される。
【００１３】
（１）円盤状基板上に電磁波の照射により非結晶相と結晶相の間を相転移する記録層を設けた光記録媒体において、該記録層が微小な電磁波の照射により結晶化処理が行え、かつ、その形成された結晶相は下記の回析条件１を満足するものであることを特徴とする光記録媒体。
（回折条件１）
上記記録層の粉末Ｘ線回折スペクトルにおいて、面間隔ｄ＝２．５６〜２．７１Åの領域に（銅のＫα線を入射Ｘ線の光源に用いるとその回折の角度２θ＝１６．５０〜１７．５°である）回折ピークを有すること。
【００１４】
（２）さらに下記の回折条件２を満足することを特徴とする上記（１）記載の光記録媒体。
（回折条件２）
上記記録層の粉末Ｘ線回折スペクトルにおいて、面間隔ｄ＝１．９０〜１．９５Åの領域（銅のＫα線を入射Ｘ線の光源に用いるとその回折の角度２θ＝２３．２６〜２３．９０°である）に回折ピークが存在しないこと。
【００１５】
（３）さらに下記の回折条件３を満足することを特徴とする上記（１）または（２）記載の光記録媒体。
（回折条件３）
上記記録層の粉末Ｘ線回折スペクトルにおいて、面間隔ｄ＝２．５６〜２．７１Åの（銅のＫα線を入射Ｘ線の光源に用いるとその回折の角度２θ＝１６．５０〜１７．５°である）回折ピークの強度をＩ１、面間隔ｄ＝１．７４〜１．８５Åの（銅のＫα線を入射Ｘ線の光源に用いるとその回折の角度２θ＝２４．６〜２６．３０°である）の強度をＩ２とするとＩ１＜Ｉ２の関係を満足すること。
【００１６】
（４）記録層を構成する元素が、ＳｂとＴｅと、１Ｂ族、３Ｂ族、及び４Ｂ族の元素から選ばれる少なくとも１つを主成分としてなることを特徴とする上記（２）または（３）記載の光記録媒体。
【００１７】
（５）記録層を構成するＳｂ元素の量がＴｅ元素の量よりも多いことを特徴とする上記（４）記載の光記録媒体。
【００１８】
（６）記録層を構成する１Ｂ族、３Ｂ族、及び４Ｂ族の元素から選ばれる少なくとも１つの元素の量は、記録層全体の構成元素の１０ａｔｍ％（原子％）以下であることを特徴とする上記（４）または（５）記載の光記録媒体。
【００１９】
（７）記録層に１Ｂ族の中から選ばれた元素を少なくとも１つ含有することを特徴とする上記（４）〜（６）のいずれかに記載の光記録媒体。
【００２０】
（８）記録層に３Ｂ族の中から選ばれた元素を少なくとも１つ含有することを特徴とする上記（４）〜（６）のいずれかに記載の光記録媒体。
【００２１】
（９）記録層に４Ｂ族の中から選ばれた元素を少なくとも１つ含有することを特徴とする上記（４）〜（６）のいずれかに記載の光記録媒体。
【００２２】
なお、上記において、微小な電磁波とはレーザー光を意味するものである。また、回析ピークとは結晶の格子面からの反射を意味するものである。
【００２３】
【発明の実施の形態】
以下、本発明をさらに詳細に説明する。
本発明は後述するように、反射層や保護層を具備した光記録媒体の状態でレーザーによって結晶化した記録層の粉末回折測定の結果において、ある特徴的な粉末Ｘ線回折ピークを持つ記録層を有することを特徴としている。
【００２４】
まず、第一の特徴は面間隔ｄ＝２．５６〜２．７１Å（ＣｕのＫα線換算で回折角２θ＝１６．５０〜１７．５°）に回折ピークを持つことである。これは先述したように、結晶中のＴｅ原子の並びに起因する回折ピークである。
【００２５】
第二の特徴は面間隔ｄ＝１．９０〜１．９５Å（ＣｕのＫα線換算で回折角２θ＝２３．２６〜２３．９０°）に回折ピークが存在しないことである。Ｓｂ結晶ではこの領域に回折ピークを有しているため、ここに回折ピークを有することは、結晶中の一部がＳｂ結晶となっていることを示し、従って、先述したＴｅの並びが壊されてしまっていることを示す。このため繰り返し特性、及び安定性がが失われる。
【００２６】
第三の特徴として、結晶中のＴｅ原子の並びは乱れたものであるが、乱れが大きいと高線速には対応できるが、逆に再結晶化が妨げられる。これは、面間隔ｄ＝２．５６〜２．７１Å（ＣｕのＫα線換算で回折角２θ＝１６．５０〜１７．５°）に回折ピークの強度に現れる。一方、面間隔ｄ＝１．７４〜１．８５Å（ＣｕのＫα線換算で回折角２θ＝２４．６〜２６．３０°）にも回折ピークの強度が現れる。
このため、前者のｄ＝２．５６〜２．７１Å（ＣｕのＫα線換算で回折角２θ＝１６．５０〜１７．５°）の強度をＩ１、後者の面間隔ｄ＝１．７４〜１．８５Å（ＣｕのＫα線換算で回折角２θ＝２４．６〜２６．３０°）の強度をＩ２とするとＩ１＜Ｉ２の関係を満足していることが好ましい。
【００２７】
Ｔｅ原子の並びの制御は、結晶化条件や、微量に添加元素（１Ｂ族、３Ｂ族及び／又は４Ｂ族の元素）を加えることによって制御され、Ｓｂの量がＴｅの量より多くＳｂとＴｅを主体とする結晶構造に、１種類以上の添加元素（Ｍ）を微量加えた結晶相とすることを特徴としている。
【００２８】
添加元素（Ｍ）としては、Ｓｂのイオン半径が９０ｐｍ、Ｔｅのイオン半径が２０７ｐｍとなっているため、ＳｂとＴｅで構成される構造を、添加してもあまり変化を生じさせないものがよく、そのイオン半径はＳｂのイオン半径に近い６０〜１３０ｐｍ程度の範囲にあるものがよい。
添加する元素（Ｍ）としては、３価のイオン半径が１００〜１２０ｐｍの、１Ｂ族のＣｕ、Ａｇ、Ａｕ、３Ｂ族のＡｌ、Ｇａ、Ｉｎ、もしくは４Ｂ族のＧｅ、Ｓｎが好ましい。また、結晶化や非結晶化の際に、原子が動きやすいものがよく、特に元素の単体での状態のデバイ温度が５０〜２７０Ｋのものが望ましい。これには例えばＡｇ（２２６Ｋ）、Ａｕ（１６２Ｋ）、Ｉｎ（１１０ｋ）、Ｓｎ（１９９Ｋ）などがある。
【００２９】
記録層における各元素の構成比は、Ｓｂ：６０〜８０ａｔｍ％好ましくは６５〜７０ａｔｍ％、Ｔｅ：２０〜３０ａｔｍ％好ましくは２０〜２５ａｔｍ％、Ｍ：５〜１５ａｔｍ％好ましくは５〜１０ａｔｍ％である。
この構成比を逸脱すると、本発明の所期の目的が達成できない場合が生じることがある。
これらは、上述した粉末の回折条件さえ満足すれば、これらに限ったものではなく、同じ組成でも結晶化条件によっても変化する。
【００３０】
次に、本発明を用いた具体的な光記録媒体の構成を図面に基づいて説明する。図１は、本発明の光記録媒体の構成例の１つを示すもので、基板１側から再生光を入射する場合は、基板１上に下部保護層２、記録層３、上部保護層４、反射層５が設けられている。また、図示されていないが記録層側から再生光を入射する場合は、順に基板、反射層、下部保護層、記録層、上部保護層の層構成とされているのが好ましい。
【００３１】
保護層は、必ずしも記録層の両側に設ける必要はないが、基板１がポリカーボネート樹脂のように耐熱性が低い材料の場合には、下部保護層２を設けることが望ましい。また上部保護層４と反射放熱層５の間に中間層（例えば、半透明の極めて薄い金属、半導体、吸収を有する誘電体層等）を設けることもできる。この中間層により上部保護層と反射放熱層の間の化学的な反応等を抑えることができ、保存特性の改善につながる。さらに中間層に光学的な役割を持たせることで信号特性を改善することも可能である。これは特にＤＯＷ特性の改善に有効である。
【００３２】
基板１の材料は、通常、ガラス、セラミックス、あるいは樹脂であり、樹脂基板が成形性、コストの点で好適である。樹脂の代表例としては、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリスチレン樹脂、アクリロニトリル−スチレン共重合体樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、シリコン系樹脂、フッ素系樹脂、ＡＢＳ樹脂、ウレタン樹脂などがあげられるが、加工性、光学特性などの点でポリカーボネート樹脂が好ましい。
また、基板の形状はディスク状、カード状あるいはシート状であってもよい。
【００３３】
下部保護層２、及び、上部保護層４の材料としては、ＳｉＯ、ＳｉＯ２、ＺｎＯ・ＳｎＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、Ｉｎ２Ｏ３、ＭｇＯ、ＺｒＯ２などの金属酸化物、Ｓｉ２Ｎ４、ＡｌＮ、ＴｉＮ、ＢＮ、ＺｒＮなどの窒化物、ＺｎＳ、Ｉｎ２Ｓ３、ＴａＳ４などの硫化物、ＳｉＣ、ＴａＣ、Ｂ４Ｃ、ＷＣ、ＴｉＣ、ＺｒＣなどの炭化物やダイヤモンド状カーボンあるいはそれらの混合物が挙げられる。
これらの材料は単体で保護層とすることもできるが、お互いの混合物としてもよい。また、必要に応じて不純物を含んでいてもよい。ただし、これら保護層の融点は記録層の融点よりも高いことが必要であり、さらに、熱伝導率が高く、熱膨張係数が小さく、密着性が良いことも要求される。また、必要に応じて保護層を多層化することもできる。
【００３４】
下部保護層２の膜厚としては２０〜３００ｎｍ、好適には３５〜２００ｎｍとするのがよい。２０ｎｍ未満であると、耐熱保護層としての機能が失われ、また、３００ｎｍを超えると界面剥離が生じやすくなる。
上部保護層４の膜厚としては５〜１００ｎｍ、好適には１０〜２０ｎｍとするのがよい。５ｎｍ未満であると基本的に層間のバリアとしての効果が低下し、好ましくない。１００ｎｍを超えると温度上昇による膜剥離、変形、放熱性の低下によりオーバーライト特性が悪くなる。
【００３５】
記録層３には前記のように１Ｂ族、３Ｂ族、４Ｂ族の元素例えば、Ｇｅと、Ａｌ、Ｇａ及びＩｎの中から選ばれた少なくともひとつの元素と、Ｓｂと、Ｔｅとからなるものが用いられる。膜厚は、５〜５０ｎｍ、好ましくは１０〜３０ｎｍである。５ｎｍ未満であると吸収能が低下し記録層としての機能を果たさなくなる。５０ｎｍを超えると、記録感度が低下し、膜剥離やクラックが生じやすくなる。
【００３６】
反射層５の材料としては、Ａｌ、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｃｒ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｉｎ、Ｐｄ、Ｚｒ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｂ、Ｔａ、Ｗ、Ｔｉ、Ｐｂ等の金属を中心とした材料の単体、あるいは合金を用いることができる。必要に応じて、異なる金属、合金を複数積層しても良い。この層は、熱を効率的に逃がすことが重要であり、膜厚は３０〜３００ｎｍ、好ましくは５０〜２００ｎｍが良い。膜厚が厚すぎると、放熱効率が良すぎて感度が悪くなり、３０ｎｍ未満であると感度は良いがオーバーライト特性が悪くなる。その他の特性としては、熱伝導率が高く、高融点で保護層材料との密着性が良いこと等が要求される。
【００３７】
このような保護層や反射層、また、記録層は、各種気相成長法、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、イオンプレーティング法、電子ビーム蒸着法などによって形成できる。また、本発明の光記録媒体は、これまで説明してきたような各種の層を有するものに限定されるものではなく、例えば反射層の上に有機保護膜を設けてもよく、また、それらを接着剤によって貼り合わせてもよい。
【００３８】
各実施例と具体的な光記録媒体に用いられる記録層の結晶相の評価測定方法について説明する。
試料はディスク上のポリカーボネート基板にＳｂ、Ｔｅ、Ｉｎ、Ａｇ、Ｇｅで構成される材料を実際の光記録媒体の厚さである１６０〜２００Åに蒸着し、レーザー光により回転させながら結晶化させたものを用いた。結晶化させた後、ポリカーボネート基板から記録層を剥離し、記録層の粉末を採取した。
【００３９】
粉末のＸ線回折の測定はデバイシェラー型のカメラが備わる放射光施設ＳＰｒｉｎｇ−８のビームラインで行った。Ｘ線の入射光は短波長のＸ線を用いたが、銅のＫα線（波長λ＝１．５４Å）に換算した測定結果を図２に示す。試料はφ０．２のガラスキャピラリに入れて測定された。回折像はイメージングプレートに記録された。
【００４０】
図２に実施例の回折パターンを示す。図は２８．８°付近に見られる回折ピークの強度で、規格化してある。また、バックグランドは取り除いてある。図２の（ｄ）は、比較例としてあげたＳｂ結晶、（ａ）〜（ｃ）はＳｂ及びＴｅを主成分としたものに、微量な添加元素（Ｉｎ、Ａｇ、Ｇｅ）が加えられたものである。
【００４１】
図２に示すように、試料（ａ）〜（ｃ）は、回折角（２θ＝１６．５０〜１７．５°）に回折ピークを持つため、請求項１の条件を満足しており、また試料（ｂ）、（ｃ）は、請求項２の関係を満足していることが判る。さらに、試料（ｂ）のみが、請求項３の条件を満足している。
【００４２】
図２（ａ）〜（ｃ）の試料と回折結果と保存特性、高線速化の関係について◎、○、△、×の四段階に分けて評価した。この結果を表１に示す。
【表１】
2004318989.tif 000002
【００４３】
【発明の効果】
（１）請求項１のように、あるＸ線回折ピークが存在していることにより、Ｔｅ原子が結晶中で規則的に入ることで相変化が容易になるため、高線速性、繰り返し特性及び保存特性を良好にすることができる。
（２）請求項２のように、あるＸ線回折ピークが存在していないことによって、Ｓｂ原子及びＴｅ原子が局在化しておらず、結晶から非結晶への構造変化、及び非結晶から結晶への構造変化を最適にする結晶構造となり、繰り返し特性及び保存特性を良好にすることができる。
【００４４】
（３）請求項３のように、回折ピークの強度がある条件を満足していることによって、非結晶から結晶への構造変化を容易にし、繰り返し特性を良好にすることができる。
【００４５】
（４）請求項４のように、記録層を構成する元素を、ＳｂとＴｅと、１Ｂ族、３Ｂ族、及び４Ｂ族の元素から選ばれる少なくとも１つとを主成分として構成することによって、請求項２及び３のような光記録媒体を作成でき、高線速性、繰り返し特性及び保存特性を良好にすることができる。
【００４６】
（５）請求項５のように、記録層を構成するＳｂ元素の量がＴｅ元素の量よりも多い記録層で構成することによって、請求項２及び３のような光記録媒体を作製でき、繰り返し特性及び保存特性を良好にすることができる。
【００４７】
（６）請求項６のように、Ｓｅ、Ｔｅに添加される元素（１Ｂ族、３Ｂ族、４Ｂ族の元素から選択される）の量は、記録層全体の構成元素の１０ａｔｍ％以下とすることによって、ＳｂとＴｅで構成される結晶構造を大きく崩さずに構造を制御できる。
【００４８】
（７）請求項７のように、１Ｂ族の中から選ばれた元素（Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ）を記録層に添加することによって、良好にＴｅ原子の並びを制御できる。
【００４９】
（８）請求項８のように、３Ｂ族の中から選ばれた元素（Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ）を記録層に添加することによって、良好にＴｅ原子の並びを制御できる。
【００５０】
（９）請求項９のように、４Ｂ族の中から選ばれた元素（Ｇｅ、Ｓｎ）を記録層に添加することによって、良好にＴｅ原子の並びを制御できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の光記録媒体の層構成を示す図である。
【図２】本発明及び比較の光記録媒体における記録層の粉末のＸ線回折パターンを示す図である。
【符号の説明】
１  基板
２  下部保護層
３  記録層
４  上部保護層
５  反射層
【図１】
2004318989.tif 000003
【図２】
2004318989.tif 000004