(57)【要約】【課題】プローブの溶断を防止することができるプローブカードを提供する。【解決手段】このプローブカード１は、試験対象である半導体集積回路に接続されるｎ個のプローブ１１〜１ｎと、ｎ個のプローブ１１〜１ｎの中の１個のプローブ１１に一端が接続されたヒューズ３１と、半導体テスタに接続されるパッドであって、ヒューズ３１の他端及び（ｎ−１）個のプローブ１２〜１ｎにそれぞれ接続されたｎ個のパッド２１〜２ｎとを具備する。【選択図】　図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体テスタによって行われる半導体集積回路の試験に用いられるプローブカードであって、
前記半導体集積回路に接続されるＭ個（Ｍは、自然数）のプローブと、
前記Ｍ個のプローブの内のＮ個（Ｎは、Ｍ以下の自然数）のプローブにそれぞれ接続されたＮ個のヒューズと、
前記半導体テスタに接続されるＭ個のパッドであって、前記Ｎ個のヒューズ、及び前記Ｍ個のプローブの内の前記ヒューズが接続されていない（Ｍ−Ｎ）個のプローブにそれぞれ接続されたＭ個のパッドと、
を具備するプローブカード。
【請求項２】
前記ヒューズの溶断電流値が、当該ヒューズが接続されている前記プローブの最大許容電流値よりも小さいことを特徴とする請求項１記載のプローブカード。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体テスタによって行われる半導体集積回路の試験に用いられるプローブカードに関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体装置の製造工程について説明する。まず、半導体ウェハにイオン注入、成膜、エッチング等の工程が施されることにより、半導体ウェハ上に複数の半導体集積回路が形成される。その後、半導体ウェハは切断され、半導体ウェハ上に形成された複数の半導体集積回路は、複数のチップとなる。そして、これらの複数のチップにプラスチック、セラミック等を用いたパッケージング工程が施され、製品（半導体装置）となる。
【０００３】
ところで、半導体集積回路の試験は、パッケージングされた後に行われる場合もあり、半導体ウェハが切断される前に行われる場合もある。
半導体ウェハ上に形成された複数の半導体集積回路の試験を半導体ウェハが切断される前に行う場合には、一般に、プローブカードが用いられる。プローブカードは、試験対象である半導体集積回路のボンディングパッドに信号を出力し又は信号を受け取るための複数のプローブと、複数のプローブにそれぞれ接続され、半導体テスタに信号を出力し又は信号を受け取るための複数のパッドとを有している。そして、これらのプローブ及びパッドを介して半導体集積回路と半導体テスタとの間の信号の送受信が行われ、半導体集積回路の試験が行われる。
【０００４】
一方、近年、半導体集積回路の微細化が進んでおり、半導体集積回路のボンディングパッドの間隔は、数十μｍ程度となっている。そのため、プローブも、非常に細くなってきている。
【０００５】
現在用いられているプローブの最大許容電流値は、１本当たり５００ｍＡ程度であるが、これを上回る電流が流れてしまうことがある。例えば、（ｉ）半導体テスタのテストプログラムに誤りがあり、特定のボンディングパッド及びプローブに対して大きな電流が流れるようになっている場合、（ｉｉ）電源電流のクランプ設定を行い、過電流が流れないように設定しているが、テスト対象の半導体集積回路が不良品であるため、電源電圧を印加したときに局所的に過電流が流れてしまう場合等がある。
これらの場合には、過電流により、プローブが溶断してしまうこととなる。
【０００６】
上記のようにプローブが溶断した場合には、プローブカードをプローブカードメーカに送り、プローブ交換をしてもらう必要がある。そのため、時間、費用等のロスを招くという問題があった。
また、溶断したプローブの本数、配置等によっては、溶断したプローブだけではなく全てのプローブを本体から剥して交換する必要が生ずる場合があり、更に多くの時間、費用等のロスを招くという問題があった。
【０００７】
このようなプローブの溶断を防止するために、１Ａ程度の電流に耐えられるプローブを用いることが考えられる。しかしながら、１Ａ程度の電流に耐えられるプローブは太いため、近年微細化しており、今後更に微細化することが予想される半導体集積回路の試験に用いることができない。
【０００８】
ところで、日本国特許出願公開（特開）平６−５３２９９号公報（以下、「文献１」ともいう）には、被検査体上に形成された被検査チップの電極パッドに、プローブカードに配列された接触手段を接触させて電気的測定を行うプローブ装置において、被検査チップに温度ストレスを与える温度ストレス手段と、被検査チップに電気的ストレスを与える電気的ストレス手段と、被検査チップに電源電圧を印加する電源部と、被検査チップからの電気信号を測定する測定部と、電源部から被検査チップを切り離すための遮断部と、電源部から被検査チップに流れる電流を検出し、電流検出値が設定値を越えたときに遮断部に遮断指令を出力する電流監視部と、を設けてなることを特徴とするバーンイン装置が掲載されている。
しかしながら、文献１に掲載されたバーンイン装置は、バーンインテストにおいて、被検査チップの焼損を防止するものではあるが、プローブの溶断を防止するものではない。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
そこで、上記の点に鑑み、本発明は、プローブの溶断を防止することができ、微細化した半導体集積回路の試験を行うことができるプローブカードを提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
以上の課題を解決するため、本発明に係るプローブカードは、半導体テスタによって行われる半導体集積回路の試験に用いられるプローブカードであって、半導体集積回路に接続されるＭ個（Ｍは、自然数）のプローブと、Ｍ個のプローブの内のＮ個（Ｎは、Ｍ以下の自然数）のプローブにそれぞれ接続されたＮ個のヒューズと、半導体テスタに接続されるＭ個のパッドであって、Ｎ個のヒューズ、及びＭ個のプローブの内のヒューズが接続されていない（Ｍ−Ｎ）個のプローブにそれぞれ接続されたＭ個のパッドとを具備する。
【００１１】
上記のように構成した本発明によれば、プローブの溶断を防止することができ、微細化した半導体集積回路の試験を行うことができる。
【００１２】
【発明の実施の形態】
以下、図面に基づいて本発明の実施の形態について説明する。なお、同一の構成要素には同一の参照番号を付して、説明を省略する。
図１は、半導体テスタによって行われる半導体集積回路の試験に用いられる、本発明の一実施形態に係るプローブカードの外観を示す図である。図１に示すように、プローブカード１は、本体２と、試験対象である半導体集積回路のボンディングパッドに接続されるプローブ１１〜１ｎと、半導体テスタに接続されるパッド２１〜２ｎとを具備する。
【００１３】
図２は、プローブカード１の回路構成を示す図である。図２に示すように、プローブカード１は、ヒューズ３１を有している。このヒューズ３１の一端は、プローブ１１に接続されており、他端は、パッド２１に接続されている。なお、ヒューズ３１の溶断電流値は、プローブ１１の最大許容電流値よりも小さい。
プローブ１２〜１ｎは、パッド２２〜２ｎにそれぞれ接続されている。
パッド２１〜２ｎは、半導体テスタに接続され、半導体テスタから受信した信号をプローブ１１〜１ｎに伝達し、プローブ１１〜１ｎから受信した信号を半導体テスタに伝達する。
【００１４】
このように構成したプローブカード１によれば、半導体テスタ〜パッド２１〜ヒューズ３１〜プローブ１１〜半導体集積回路の経路に大きな電流が流れた場合に、ヒューズ３１の溶断電流値がプローブ１１の最大許容電流値よりも小さいため、ヒューズ３１が溶断する。そのため、プローブ１１が溶断することを防止することができる。
また、プローブカード１によれば、溶断を防止するためにプローブ１１を太くする必要がないので、近年微細化しており、今後更に微細化することが予想される半導体集積回路の試験を行うことができる。
なお、ヒューズ３１が溶断した場合には、ヒューズ３１のみを交換すれば良いので、プローブ１１を交換する必要がなく、時間、費用等のロスを低減することができる。
【００１５】
また、本実施形態においては、プローブ１１とパッド２１との間にヒューズ３１を接続することとしているが、他のプローブとパッドとの間にもヒューズを接続することとしても良いし、全てのプローブとパッドの間にヒューズを接続することとしても良い。
【００１６】
【発明の効果】
以上述べた様に、本発明によれば、プローブの溶断を防止することができ、微細化した半導体集積回路の試験を行うことが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態に係るプローブカードの外観を示す図である。
【図２】図１のプローブカードの回路構成を示す図である。
【符号の説明】
１　プローブカード
２　本体
１１、１２、…　プローブ
２１、２２、…　パッド
３１　ヒューズ
【図１】
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【図２】
2004045258.tif 000004