(57)【要約】【課題】リードフレーム又は回路基板を製造する場合において、安価で簡便なサブトラクティブ法を用い、その場合であっても、リードパターン又は導体パターンの微細化を達成すると共に、導体パターンの形成工程を連続して行うことができるようにする。【解決手段】金属層（２）に、上層として感光性を有するレジスト層（６）と下層として非硬化性のゲル性レジスト層（５）との２層からなるレジストを形成し、露光・現像後、ハーフエッチングを施し、レジストを加圧して金属層のハーフエッチングされた溝の側部へ下層のレジスト層の端部を垂れ込ませて保護層（７）を形成し、この保護層を含むレジストを用いて再度エッチングを行い、リードパターン又は導体パターンを形成する。その後、上層（６）、下層（５）及び保護層（７）を含むレジストを除去する。【選択図】      図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属板に、上層として感光性を有するレジスト層と下層として非硬化性のゲル性レジスト層との２層からなるレジストを形成し、該レジストを所要パターンに露光・現像後、前記金属板にハーフエッチングを施す工程と、
前記レジストを加圧して金属板のハーフエッチングされた溝の側部へ前記下層のレジスト層の端部を垂れ込ませて保護層を形成する工程と、
該保護層を含む前記レジストを用いて前記金属板に再度エッチングを行い、リードパターンを形成する工程と、
前記上層、下層及び保護層を含むリードフレームを除去する工程と、
からなることを特徴とするリードフレームの製造方法。
【請求項２】
金属板の両面のそれぞれに、上層として感光性を有するレジスト層と下層として非硬化性のゲル性レジスト層との２層からなるレジストを形成し、該レジストを所要のパターンに露光・現像後、前記金属板の両面からハーフエッチングを施す工程と、
前記金属板の両面から前記レジストを加圧して金属板のハーフエッチングされた溝の側部へ前記下層のレジスト層の端部を垂れ込ませて保護層を形成する工程と、
該保護層を含む前記レジストを用いて前記金属板の両面から再度エッチングを行い、リードパターンを形成する工程と、
前記金属板の両面の、前記上層、下層及び保護層を含むレジストをそれぞれ除去する工程と、
からなることを特徴とするリードフレームの製造方法。
【請求項３】
前記レジストへの加圧は、ローラにて加熱しながら加圧することを特徴とする請求項１又は２に記載のリードフレームの製造方法。
【請求項４】
再度のエッチングは、リードパターンのリードトップ幅の確定後に低温エッチングにより行うことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載のリードフレームの製造方法。
【請求項５】
ハーフエッチング工程の前に、前記２層からなるレジストを予備加熱する工程を含むことを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載のリードフレームの製造方法。
【請求項６】
金属板に前記２層からなるレジストを形成した後、該金属板を搬送しながら、順次、予備加熱工程、ハーフエッチング工程、レジストの加熱・加圧工程、再度のエッチング工程を、該金属板の搬送を停止することなく連続的に行うことを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載のリードフレームの製造方法。
【請求項７】
前記２層からなるレジストの上層は、回路形成用液状レジスト、電着塗装用レジスト、又はドライフィルムレジスト等の感光性フォトレジストであり、下層は、カルボン酸基、メタクリル酸、メタクリル酸アミド、フェノール性水酸基、スルホン酸基、スルホン酸アミド、スルホンイミド基、ホスホン酸基等の、非硬化性のアルカリ可溶性ポリマー、及びゼラチン、寒天、カラギーナン、ペクチン等のゲル化剤に、アルコール類、エーテル類、ケトン類、芳香族炭化水素類、エステル類、アミド類等の溶剤を使用したものであることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載のリードフレームの製造方法。
【請求項８】
絶縁基材の表面に形成した金属層に、上層として感光性を有するレジスト層と下層として非硬化性のゲル性レジスト層との２層からなるレジストを形成し、該レジストを所要パターンに露光・現像後、前記金属層にハーフエッチングを施す工程と、
前記レジストを加圧して金属層のハーフエッチングされた溝の側部へ前記下層のレジスト層の端部を垂れ込ませて保護層を形成する工程と、
該保護層を含む前記レジストを用いて前記金属層に再度エッチングを行い、前記絶縁基材上に導体パターンを形成する工程と、
前記上層、下層及び保護層を含むレジストを除去する工程と、
からなることを特徴とする回路基板の製造方法。
【請求項９】
絶縁基材の両面に形成した金属層のそれぞれに、上層として感光性を有するレジスト層と下層として非硬化性のゲル性レジスト層との２層からなるレジストを形成し、該レジストを所要パターンに露光・現像後、前記金属層の両面からハーフエッチングを施す工程と、
前記金属層の両面から前記レジストを加圧して金属層のハーフエッチングされた溝の側部へ前記下層のレジスト層の端部を垂れ込ませて保護層を形成する工程と、
該保護層を含む前記レジストを用いて前記金属層の両面から再度エッチングを行い、前記絶縁基材の両面上に導体パターンを形成する工程と、
前記金属層の両面の、前記上層、下層及び保護層を含むレジストをそれぞれ除去する工程と、
からなることを特徴とする回路基板の製造方法。
【請求項１０】
前記レジストへの加圧は、ローラにて加熱しながら加圧することを特徴とする請求項８又は９に記載の回路基板の製造方法。
【請求項１１】
再度のエッチングは、導体パターンのパターントップ幅の確定後に低温エッチングにより行うことを特徴とする請求項８〜１０のいずれか１項に記載の回路基板の製造方法。
【請求項１２】
ハーフエッチング工程の前に、前記２層からなるレジストを予備加熱する工程を含むことを特徴とする請求項８〜１１のいずれか１項に記載の回路基板の製造方法。
【請求項１３】
金属層に前記２層からなるレジストを形成した後、該金属層を搬送しながら、順次、予備加熱工程、ハーフエッチング工程、レジストの加熱・加圧工程、再度のエッチング工程を、該金属層の搬送を停止することなく連続的に行うことを特徴とする請求項８〜１２のいずれか１項に記載の回路基板の製造方法。
【請求項１４】
前記２層からなるレジストの上層は、回路形成用液状レジスト、電着塗装用レジスト、又はドライフィルムレジスト等の感光性フォトレジストであり、下層は、カルボン酸基、メタクリル酸、メタクリル酸アミド、フェノール性水酸基、スルホン酸基、スルホン酸アミド、スルホンイミド基、ホスホン酸基等の、非硬化性のアルカリ可溶性ポリマー、及びゼラチン、寒天、カラギーナン、ペクチン等のゲル化剤に、アルコール類、エーテル類、ケトン類、芳香族炭化水素類、エステル類、アミド類等の溶剤を使用したものであることを特徴とする請求項８〜１３のいずれか１項に記載の回路基板の製造方法。
【請求項１５】
金属板に、上層として感光性を有するレジスト層と下層として非硬化性のゲル性レジスト層との２層からなるレジストを形成し、該レジストを所要のパターンに露光・現像後、前記金属板にハーフエッチングを施し、前記レジストを加圧して金属板のハーフエッチングされた溝の側部へ前記下層のレジスト層の端部を垂れ込ませて保護層を形成し、該保護層を含む前記レジストを用いて前記金属板に再度エッチングを行って、リードパターンを形成し、前記上層、下層及び保護層を含むレジストを除去して成ることを特徴とするリードフレーム。
【請求項１６】
金属板の両面のそれぞれに、上層として感光性を有するレジスト層と下層として非硬化性のゲル性レジスト層との２層からなるレジストを所要パターンに形成し、該レジストを露光・現像後、前記金属板の両面からハーフエッチングを施し、前記金属板の両面から前記レジストを加圧して金属板のハーフエッチングされた溝の側部へ前記下層のレジスト層の端部を垂れ込ませて保護層を形成し、該保護層を含む前記レジストを用いて前記金属板の両面から再度エッチングを行ってリードパターンを形成し、前記金属板の両面の、前記上層、下層及び保護層を含むレジストをそれぞれ除去して成ることを特徴とするリードフレーム。
【請求項１７】
絶縁基材の表面に形成した金属層に、上層として感光性を有するレジスト層と下層として非硬化性のゲル性レジスト層との２層からなるレジストを形成し、該レジストを所要パターンに露光・現像後、前記金属層にハーフエッチングを施し、前記レジストを加圧して金属層のハーフエッチングされた溝の側部へ前記下層のレジスト層の端部を垂れ込ませて保護層を形成する工程と、該保護層を含む前記レジストを用いて前記金属層に再度エッチングを行って前記絶縁基材上にリードパターンを形成する工程と、前記上層、下層及び保護層を含むレジストを除去して成ることを特徴とする回路基板。
【請求項１８】
絶縁基材の両面に形成した金属層のそれぞれに、上層として感光性を有するレジスト層と下層として非硬化性のゲル性レジスト層との２層からなるレジストを形成し、該レジストを所要パターンに露光・現像後、前記金属層の両面からハーフエッチングを施し、前記金属層の両面から前記レジストを加圧して金属層のハーフエッチングされた溝の側部へ下層のレジスト層の端部を垂れ込ませて保護層を形成し、該保護層を含む前記レジストを用いて前記金属層の両面から再度エッチングを行って前記絶縁基材の両面上に導体パターンを形成し、前記金属層の両面の、前記上層、下層及び保護層を含むレジストをそれぞれ除去して成ることを特徴とする回路基板。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はリードフレーム、回路基板及びそれらの製造方法に関し、更に詳しくは、サブトラクティブ法によって、金属板にリードパターンを形成したり、或いは回路基板に導体パターンを形成するリードフレーム又は回路基板の製造方法及びこれらの方法によって製造されたリードフレーム又は回路基板に関する。
【０００２】
【従来の技術】
回路基板を製造する場合において、サブトラクティブ法は安価で簡便な方法であり、従来から最も広く使用されている。その半面、近年における半導体装置や各種の電子機器の高密度化、微細化に伴って、回路基板におけるより微細な導体パターンを得るという点では、不利な面もある。
【０００３】
サブトラクティブ法により回路基板に導体パターンを形成する場合、通常、樹脂基材に銅箔を貼り付けた基板素材を準備し、基板素材の銅箔の表面にマスキング用として、ドライ・フィルム・レジスト（ＤＦＲ）を形成し又は液状レジストを塗布することにより、レジストを形成し、周知の方法でこのレジストの露光、現像を行ってレジストパターンを形成する。次に、エッチング液を吹き付けて銅箔のレジストパターン形成部分以外の部分を溶解させて銅パターン部分を残す。そして、レジストパターンを除去することにより、残された銅箔の部分が導体パターンとなる。
【０００４】
しかしながら、このような従来の回路基板の製造方法によると、導体パターンの断面形状が、樹脂基材と銅箔との界面の側のパターン幅に対してレジストを形成した上部側の幅が小さい略台形の形状となる傾向にある。これは、エッチングの進行過程において、エッチング液がマスキングの直下の部分にまで浸透し、サイドエッチングが発生するからである。特に、樹脂基材と銅箔との間の界面は、一般には微小な凹凸があり、この凹凸部分の銅箔を十分にエッチング液で溶解するのに時間を要することもあり、その間に上述のようにエッチング液がマスキングの直下の部分にまで浸透されてしまうからである。
【０００５】
このため、導体パターンの幅そのもの、或いは隣接するパターン間のピッチを縮小しようとすると、パターンの特に樹脂基材から離れた側（上部側）において十分な幅を確保することが困難となり、結局、得られる導体パターンの微細化を達成することが困難となっていた。
【０００６】
上記のようにエッチング液がマスキングの直下まで浸透するのを防止して、導体パターンの断面形状が略台形となるのを防いで微細化を達成するために、特許文献１及び２では、図１に示すように、レジスト４のマスキングを利用して、絶縁基材３上に形成又は貼り付けられている銅箔２のハーフエッチングを行なった後（図１（ａ））、１層のレジスト層４をその軟化温度以上で加熱することで、レジストパターンの端部の浮き部分が熱変形し、ハーフエッチングにて形成された溝部９の側壁部に再付着する（図１（ｂ））。この再付着した部分４ａが、再度エッチングを行う場合の保護層となり、この保護層４ａが導体パターンの側壁への更なるエッチングを防止することとなり、最終的にエッチングにより形成される導体パターンの断面形状が、略台形より修正された形状となり、導体パターンの微細化を達成することができる。エッチング後は、レジスト層４，４ａを剥離する。
【０００７】
また、特許文献３では、図２に示すように、絶縁基材３上に形成又は貼り付けられている銅箔２に２層のレジスト５，６を形成する。下層のレジスト層は光硬化性を持たない、非硬化性のアルカリ可溶性ポリマー層であり、上層のレジスト層は光硬化性のレジスト層である。このように２層のレジスト層の下層は光硬化性を持たないため、オーバーハングした部分がエッチングの進行の経時で垂れる。そのため、横方向のエッチング液の流れが妨げられ、銅箔２に対するサイドエッチングの影響を少なくすることができる。
【０００８】
【特許文献１】
特開２０００−３０７２１８号公報
【特許文献２】
特開２００１−９４２３４号公報
【特許文献３】
特開２００２−２４６７２６号公報
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
特許文献１〜３の回路基板の導体パターンの形成方法では、導体パターンの断面形状を略台形から矩形に近い形状とすることができ、導体パターンの微細化を達成することができるものの、ハーフエッチング、レジスト層の加熱工程、パターン形成のためのエッチングの各工程を、それぞれ別々の工程で行なわなければならず回路基板の製造工程が複雑化するという問題がある。
【００１０】
そこで、本発明では、回路基板を製造する場合において、安価で簡便なサブトラクティブ法を用い、その場合であっても、導体パターンの微細化を達成すると共に、導体パターンの形成工程を連続して行うことができるリードフレーム又は回路基板の製造方法、及びこのような方法によって製造されたリードフレーム又は回路基板を得ることを課題とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上記の課題を達成するために、本発明によれば、金属板に、上層として感光性を有するレジスト層と下層として非硬化性のゲル性レジスト層との２層からなるレジストを形成し、該レジストを所要パターンに露光・現像後、前記金属板にハーフエッチングを施す工程と、前記レジストを加圧して金属板のハーフエッチングされた溝の側部へ前記下層のレジスト層の端部を垂れ込ませて保護層を形成する工程と、該保護層を含む前記レジストを用いて前記金属板に再度エッチングを行い、リードパターンを形成する工程と、前記上層、下層及び保護層を含むリードフレームを除去する工程と、からなることを特徴とするリードフレームの製造方法が提供される。
【００１２】
また、本発明によると、金属板の両面のそれぞれに、上層として感光性を有するレジスト層と下層として非硬化性のゲル性レジスト層との２層からなるレジストを形成し、該レジストを所要のパターンに露光・現像後、前記金属板の両面からハーフエッチングを施す工程と、前記金属板の両面から前記レジストを加圧して金属板のハーフエッチングされた溝の側部へ前記下層のレジスト層の端部を垂れ込ませて保護層を形成する工程と、該保護層を含む前記レジストを用いて前記金属板の両面から再度エッチングを行い、リードパターンを形成する工程と、
前記金属板の両面の、前記上層、下層及び保護層を含むレジストをそれぞれ除去する工程と、からなることを特徴とするリードフレームの製造方法が提供される。
【００１３】
また、本発明によると、絶縁基材の表面に形成した金属層に、上層として感光性を有するレジスト層と下層として非硬化性のゲル性レジスト層との２層からなるレジストを形成し、該レジストを所要パターンに露光・現像後、前記金属層にハーフエッチングを施す工程と、前記レジストを加圧して金属層のハーフエッチングされた溝の側部へ前記下層のレジスト層の端部を垂れ込ませて保護層を形成する工程と、該保護層を含む前記レジストを用いて前記金属層に再度エッチングを行い、前記絶縁基材上に導体パターンを形成する工程と、前記上層、下層及び保護層を含むレジストを除去する工程と、からなることを特徴とする回路基板の製造方法が提供される。
【００１４】
更にまた、本発明によると、絶縁基材の両面に形成した金属層のそれぞれに、上層として感光性を有するレジスト層と下層として非硬化性のゲル性レジスト層との２層からなるレジストを形成し、該レジストを所要パターンに露光・現像後、前記金属層の両面からハーフエッチングを施す工程と、前記金属層の両面から前記レジストを加圧して金属層のハーフエッチングされた溝の側部へ前記下層のレジスト層の端部を垂れ込ませて保護層を形成する工程と、該保護層を含む前記レジストを用いて前記金属層の両面から再度エッチングを行い、前記絶縁基材の両面上に導体パターンを形成する工程と、前記金属層の両面の、前記上層、下層及び保護層を含むレジストをそれぞれ除去する工程と、からなることを特徴とする回路基板の製造方法が提供される。
【００１５】
上記のようなリードフレーム又は回路基板の製造方法において、前記レジストへの加圧は、ローラにて加熱しながら加圧することを特徴とする。
【００１６】
また、再度のエッチングはリードパターンのリードトップ幅又は導体パターンのパターントップ幅の確定後に、下層のレジスト層を軟化・流動させない程度の温度での低温エッチングにより行うことを特徴とする。
【００１７】
また、ハーフエッチング工程の前に、前記２層からなるレジストを予備加熱する工程を含むことを特徴とする。
【００１８】
また、金属板又は金属層に前記２層からなるレジストを形成した後、該金属板（層）を搬送しながら、順次、予備加熱工程、ハーフエッチング工程、レジストの加熱・加圧工程、再度のエッチング工程を、該金属板（層）の搬送を停止することなく連続的に行うことを特徴とする。
【００１９】
また、前記２層からなるレジストの上層は、回路形成用液状レジスト、電着塗装用レジスト、又はドライフィルムレジスト等の感光性フォトレジストであり、下層は、カルボン酸基、メタクリル酸、メタクリル酸アミド、フェノール性水酸基、スルホン酸基、スルホン酸アミド、スルホンイミド基、ホスホン酸基等の、非硬化性のアルカリ可溶性ポリマー、及びゼラチン、寒天、カラギーナン、ペクチン等のゲル化剤に、アルコール類、エーテル類、ケトン類、芳香族炭化水素類、エステル類、アミド類等の溶剤を使用したものであることを特徴とする。ここで、ゲル化剤は具体的には、ゼラチン（コラーゲン）、寒天（アガロース、アガロペクチン）、カラギーナン（ガラクトース、アンヒドロ・ガラクトース）、ペクチン（ガラクチュロン酸、ガラクチュロン酸メチルエステル）等である。
【００２０】
更にまた、本発明では、上記のリードフレーム又は回路基板の製造方法により製造されたリードフレーム又は回路基板をも提供するものである。
【００２１】
【発明の実施の形態】
以下、添付図面を参照して本発明の実施の形態について詳細に説明する。
【００２２】
図３及び図４はサブトラクティブ法を用いた本発明によるリードフレームの製造工程を示す概略図であり、図３はリードフレームの搬送中に処理される工程を示し、図４はリードフレームの製造の各工程を示すものである。
【００２３】
処理される金属板２、例えばリードフレーム製造用の金属板（銅板）の上下両面には、予め、上層として感光性を有するレジスト層６、例えば感光性ドライフィルムレジスト（ＤＦＲ）と、下層として非硬化性のゲル状のレジスト層５の２層からなるレジストが既に形成されている。そして、形成すべき所定のリードパターンの形状に対応して、レジストが予め露光・現像されている。なお、ここで「非硬化性」のレジストとは、光の照射や加熱により硬化しないレジストをいう。
【００２４】
この金属板２は、上下に配置された多数の搬送用ホイールリング２０によって、搬送方向に図１の矢印で示す右方から左方へ水平方向に搬送される。
【００２５】
第１ゾーンでは、金属板２の上部及び下部の両面から金属板に対してエッチング液を噴射して、ハーフエッチングを行う。このハーフエッチングにより、レジストのエッチング液通過部分の下側の金属板２の周辺領域を溶解させる。そして、金属板２の溶解する部分がパターンの上部及び下部の所望の領域を未エッチングの状態で残すように、ハーフエッチングの条件（エッチング時間、エッチング液の噴射圧力、噴射量等）を調整する。
【００２６】
これにより、図４（ａ）に示すように、金属板２のマスキングであるレジストに近接する部分においては、金属板２の溶解した部分がレジストパターンのエッチング液通過部分の幅より金属板２の内側へ若干食い込んでいて、溶解された部分の幅がレジストパターン空間幅より大きく、半面、金属板２の内部では、丸みを帯びていて、断面形状が全体として略Ｕ字形状の溝が形成される。
【００２７】
第２ゾーンでは、金属板２は搬送方向に沿って更に左方へ移動され、金属板の上下複数対に配置された搬送・加熱・加圧用平ロール２１により金属板２が左方へ搬送されながら、２つのレジスト層からなるレジストが加熱され、且つ押圧される。これにより、上層のレジスト６は感光性フォトレジストであるため、剛性のある状態のままであるが、下層の非硬化性のゲル状ＤＦＲ５は軟化し、図４（ｂ）に示すように、下層レジスト５の端部がハーフエッチングにより形成された溝の端部に這い落ちることにより、ハーフエッチングにより形成された溝の側部特に、上部レジスト６の投影領域の内側へ窪んだ部分に保護層７を形成する。
【００２８】
第３ゾーンでは、金属板２は搬送方向に沿って更に左方へ移動され、金属板２の上部及び下部の両面から金属板に対してエッチング液を噴射する。なお、エッチング液の噴射は、図３に示しているように、第１ゾーンから第３ゾーンまで一様に連続して行なっても良い。この第３ゾーンでは、引き続きエッチングが行なわれる。ただし、第２ゾーンにて、金属板のエッチングされた溝の側部には、保護層が形成されているので、溝の側部へのエッチング、いわゆるサイドエッチングは防止され、これらの保護層７によってエッチング幅（パターン幅）が確定された状態で、更なるエッチングが行われるので、図４（ｃ）に示すように、エッチングによって形成されたリードパターン８の断面形状がいわゆる台形状にはならず、矩形に近い状態となる。したがって、リードパターン８の断面形状を上部から下部にわたって幅を安定させることができ、微細なリードパターンの形成が可能となり、且つ導体パターンのピッチを小さくすることができ、高密度化を達成することができる。また、上記実施形態では、金属板の上下両面からのエッチングが可能であるので、リードフレームのように両面からエッチング加工が必要なる製品への適用が簡易である。
【００２９】
図５は金属板２の両面からエッチングを施して、リードパターン８を形成する場合の１実施形態を示す。図４で説明した形成方法と実質的に同様である。まず、図５（ａ）に示すように、リードフレーム形成用の銅板等の金属板２を準備する。この金属板の両面に、図５（ｂ）に示すように、上層として感光性を有するレジスト層６、例えば感光性ドライフィルムレジスト（ＤＦＲ）と、下層として非硬化性のゲル状のレジスト層５、の２層からなるレジストを形成する。ついで、図５（ｃ）に示すように、この金属板から形成すべき所定の導体パターンに対応して、レジストを露光・焼付け・現像を行う。
【００３０】
次に、図５（ｄ）に示すように、金属板２の上部及び下部の両面から金属板に対してエッチング液を噴射して、ハーフエッチングを行う。このハーフエッチングにより、レジストのエッチング液通過部分の下側の金属板の周辺領域を溶解させる。そして、金属板の溶解する部分がパターンの上部の所望の幅を残すことになるように、ハーフエッチングの条件（エッチング時間やエッチング液の噴射圧力・噴射量等）を調整する。このハーフエッチングの結果、レジストに近接する上部においては、金属板の溶解した部分がレジストパターンのエッチング液通過部分の幅より金属板の内側へ若干食い込んでいて、溶解された部分の幅がレジストパターン幅より大きく、半面、金属板の内部では、丸みを帯びていて、断面形状が全体として略Ｕ字形状の溝が形成される。
【００３１】
ハーフエッチングの後、図５（ｅ）に示すように、レジストを下層のゲル状のレジストの軟化温度まで加熱することにより、ゲル状のレジストを軟化させておき、この状態で、レジスト５，６を押圧する。上層のレジスト６は感光性フォトレジストであるため、剛性のある状態のままであるが、下層のゲル状ＤＦＲ５は軟化し、下層レジスト５の端部がハーフエッチングにより形成された溝の端部に這い落ち、ハーフエッチングにより形成された溝の側部に保護層７を形成する。
【００３２】
次に、図５（ｆ）では、金属板２の上部及び下部の両面から金属板に対してエッチング液を噴射する。ここでは、引き続きエッチングが行なわれる（低温エッチング）。ただし、金属板のエッチングされた溝の側部には、保護層７が形成されており、溝９の側部へのエッチング、いわゆるサイドエッチングは防止される。なお、「低温エッチング」とは、下層のレジスト層５が軟化−流動しない温度のエッチング液で行うエッチングである。
【００３３】
したがって、導体パターン８の断面形状の上部から下部にわたって幅を安定させることができ、微細な導体パターンの形成が可能となり、且つ導体パターンのピッチを小さくすることができ、高密度化を達成することができる。また、上記実施形態では、金属板の上下両面からのエッチングが可能であるので、リードフレームのように両面からエッチング加工が必要となる製品への適用が簡易である。
【００３４】
図６は本発明の第２実施形態を示すもので、樹脂からなる絶縁基材３の両面に金属層（例えば、銅箔等の金属層）２の貼り付けられた基板の両面からエッチングを施して金属層２に所内の形状の導体パターンを形成する、回路基板の製造方法を説明する図である。
【００３５】
まず、図６（ａ）において、回路基板製造用の基材を準備する。この基材は、樹脂板３の両面に銅等の金属箔からなる金属層２が形成又は貼り付けられたものである。両面の金属層の表面にそれぞれ、図６（ｂ）に示すように、上層として光感光性を有するレジスト層６、例えば感光性ドライフィルムレジスト（ＤＦＲ）と、下層として非硬化性のゲル状のレジスト層５、の２層からなるレジストを形成する。ついで、図６（ｃ）に示すように、これらの上下金属層２から形成すべき所定の導体パターンに対応して、レジストの露光・焼付け・現像を行う。
【００３６】
次に、図６（ｄ）に示すように、両面の金属層２に対して上部及び下部からエッチング液を噴射して、ハーフエッチングを行う。このハーフエッチングにより、レジストのエッチング液通過部分の下側の金属板の周辺領域を溶解させる。そして、金属板の溶解する部分がパターンの上部の所望の幅を残すことになるように、ハーフエッチングの条件（エッチング時間やエッチング液の噴射圧力・噴出量等）を調整する。このハーフエッチングの結果、レジストに近接する上部においては、金属層２の溶解した部分がレジストパターンのエッチング液通過部分の幅より金属層の内側へ若干食い込んでいて、溶解された部分の幅がレジストパターン幅より大きく、半面、金属層の内部では、丸みを帯びていて、断面形状が全体として略Ｕ字形状の溝が形成される。
【００３７】
ハーフエッチングの後、図６（ｅ）に示すように、レジスト５，６を下層のゲル状のレジストの軟化温度まで加熱することにより、ゲル状のレジストを軟化させておき、この状態で、レジスト５，６を押圧する。上層のレジスト６は感光性フォトレジストであるため、剛性のある状態のままであるが、下層の非硬化性のゲル状ＤＦＲ５は軟化し、下層レジストの端部がハーフエッチングにより形成された溝の端部に這い落ちる、レジストの下部であって、ハーフエッチングにより形成された溝の側部に保護層７を形成する。
【００３８】
次に、図６（ｆ）では、両面の金属層２に対してエッチング液を再度噴射する。これにより、引き続きエッチングが行なわれる。ただし、金属層２のエッチングされた溝９の側部には、保護層７が形成されており、溝の側部へのエッチング、いわゆるサイドエッチングは防止される。
【００３９】
したがって、導体パターンの断面形状の上部から下部にわたって幅を安定させることができ、微細な導体パターンの形成が可能となり、且つ導体パターンのピッチを小さくすることができ、高密度化を達成することができる。また、上記実施形態では、金属層の上下両面からのエッチングが可能であるので、両面配線回路基板のように両面からエッチング加工が必要なる製品への適用が簡易である。
【００４０】
図７は、図５に示した実施形態のハーフエッチング以降の工程を連続的に行う場合の例を示したもので、図３に対応するもので、処理される金属板、例えばリードフレーム製造用の金属板（銅板）であって、金属板２の上下両面には、予め、上層として感光性を有するレジスト層６、例えば感光性ドライフィルムレジスト（ＤＦＲ）と、下層として非硬化性のゲル状のレジスト層５、の２層からなるレジストが既に形成されている。そして、形成すべき所定のリードパターンに対応して、レジストが予め露光・現像されている。
【００４１】
この金属板２は、上下対に配置された多数の搬送用ローラ２０、加圧・加熱ローラ２１により、搬送方向に左方から右方へ水平方向に搬送される（図３の場合と搬送方向が逆）。
【００４２】
第１の搬送ローラ対２０では金属板２が右方に搬送される。第２の予備加熱ローラ対２１では金属板２０が右方に搬送されると共に、予備加熱され、下層の非硬化性のゲル状のレジスト層５を軟化させる。第２及び第３のローラ対２１，２２の間では、金属板２の上下両面からハーフエッチング（１０）を行う。第３の加熱・加圧ローラ対２２では金属板２を更に右方搬送しながら、２つのレジスト層５，６からなるレジストを加熱し且つ押圧する。これにより、下層のゲル状ＤＦＲ５を軟化させて、下層レジストの端部をハーフエッチングにより形成された溝の端部に沿わせて保護層７を形成する。溝の両側に形成された保護層７により、リード幅を確定し、第４、第５、第６、第７ローラ対２０，２０…では金属板２を更に右方搬送させ、これらの各ローラ対の間の領域で、金属板２の上下両面から低温エッチング（１１）を行い、金属板２にリードパターンを形成する。
【００４３】
なお、この実施形態において、ローラでレジスト層を加圧・加熱すると、単に熱により下層のレジスト層５が軟化・変形させられるだけではなく、ローラにより下層のレジスト層５の端部がハーフエッチングされた金属板２の溝９の側部へしっかり圧着されるため、サイドエッチングを好適に防止できる。
【００４４】
以上添付図面を参照して本発明の実施の形態について説明したが、本発明は上記の実施の形態に限定されるものではなく、本発明の精神ないし範囲内において種々の形態、変形、修正等が可能である。
【００４５】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、リードフレームのリードパターン又は回路基板の導体パターンが断面形状において上部の幅を確保することができ、これらのパターンの上部と下部の幅の差が小さなパターンの形成が可能となり、これによりパターンのビッチを狭くすることができ高密度化を達成することができる。
【００４６】
また、このようにリードパターン又は導体パターンの上部と下部の幅の差を小さくすることができるので、パターンの厚さが厚くなればなる程有利な方法となる。また、リードフレームを製造する場合のように、両面からのエッチング加工が必要な部品への適用が可能となる。また、エッチング工程と、レジスト保護工程とを同時ないし連続的に行うことができるので、製造工程が簡単となり、安定した品質のリードフレーム又は回路基板を製造することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来のサブトラクティブ法による回路基板の製造工程の一例を示す。
【図２】従来のサブトラクティブ法による回路基板の製造工程の他の例を示す。
【図３】本発明によるリードフレームの製造工程の一例を概略断面図で示す。
【図４】本発明によるリードフレームの製造を工程順に示す。
【図５】本発明の第１実施形態に係るリードフレームの製造工程を示す。
【図６】本発明の第２実施形態に係る回路基板の製造工程を示す。
【図７】本発明の第１実施形態に係るリードフレームの製造装置を示す。
【符号の説明】
１…樹脂基材
２…金属板又は金属層（銅箔）
３…基板素材
４…レジスト
５…下層レジスト
６…上層レジスト
７…保護層
８…導体パターン
９…溝
１０…ハーフエッチング
１１…低温エッチング
２０…搬送用ホイールリング
２１…予備加熱ローラ
２２…加熱・加圧ローラ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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