(57)【要約】【課題】本発明は、半導体装置に係わり、特にＢＣＣ（Ｂｕｍｐ　Ｃｈｉｐ　Ｃａｒｒｉｅｒ）パッケージ構造を有するパッケージにおいて、半導体素子と実装端子間が２ｍｍ〜十数ｍｍ程度の配線距離を有する場合でも、高周波入出力信号の伝達特性が良好な半導体装置を提供する。【解決手段】表面上に電極パッドを有する半導体素子と、前記半導体素子を封止するパッケージと、前記樹脂パッケージの実装面側に前記樹脂パッケージと一体に突出形成された樹脂突起と、前記樹脂突起に配設された金属膜状電極とを備える半導体装置において、前記半導体素子表面上の電極パッドと前記樹脂に配設された前記金属膜状電極とを、少なくとも、絶縁基板の表面又は内面に形成された金属膜状配線層を介して電気的に接続したことを特徴とする半導体装置により、上記課題を解決する。【選択図】　　　図１
2004087616.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面上に電極パッドを有する半導体素子と、
前記半導体素子を封止する樹脂パッケージと、
前記樹脂パッケージ下部の実装面側に前記樹脂パッケージと一体に突出形成された樹脂突起と、
前記樹脂突起に配設された金属膜状電極と、
前記電極パッド側と前記金属膜状電極とに隣接して設けられた絶縁基板と、
前記絶縁基板の表面又は内層に形成され、かつ、一端が前記電極パッドと電気的に接続され、他端が前記金属膜状電極と電気的に接続された第１の金属膜状配線層を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置において、さらに、
前記絶縁基板の表面又は内層に形成され、かつ、固定電位に接続された第２の金属膜状配線層を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１記載の半導体装置において、
前記樹脂パッケージ下部の実装面側に前記樹脂パッケージと一体に突出形成された樹脂突起は前記樹脂パッケージ中央部及び周辺部に形成されており、
樹脂パッケージ中央部の樹脂突起の底部には、前記半導体素子が設置され、
前記周辺部に突出形成された樹脂突起に配設された金属膜状電極と接続し、かつ、前記樹脂パッケージ中央部及び周辺部の樹脂突起との間の領域に形成された第３の金属膜状配線層を有し、
前記半導体素子用の信号伝達線と固定電位伝達線とを構成することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項３記載の半導体装置において、
前記半導体素子表面上の電極パッドと前記樹脂パッケージ中央及び周辺に突出形成された樹脂上突起との間の領域に形成された第３の金属膜状配線層とが樹脂パッケージの底部から同じ高さであることを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置及びその製造方法に係わり、特に湾曲性を有する絶縁基板を用いてその表面に形成された配線により、半導体素子とパッケージの実装用端子を接続したことを特徴とするＢＣＣ（Ｂｕｍｐ　Ｃｈｉｐ　Ｃａｒｒｉｅｒ）パッケージ構造を有する半導体装置に係わる。
【０００２】
【従来の技術】
従来のＢＣＣパッケージ構造を有する半導体装置の例を図６及び図７に示す。図６は背面端子が突出したタイプを示したもので、半導体素子１と、ボンディングワイヤ２と、金属バンプ３と、接着剤４と、実装用端子５と、封止用樹脂（パッケージ６）と、背面端子７から構成されている。
【０００３】
また、図７に背面端子が無いタイプを示す。図６に示した半導体装置と図７に示した半導体装置の構成する要素は同じであるが、背面端子を無くした為、パッケージ形状が異なるものとなっている。
さらに、図７に示した従来の半導体装置の製造方法を図８に示すとともに、従来の製造方法を構成する製造工程について以下に説明する。
リードフレーム工程では、銅フレーム１４に、実装用端子５用の溝を形成し、実装用端子５となるメッキ１３を上記溝内及び半導体素子１設置場所に設置する。ダイス付け工程では、半導体素子１の設置場所に接着材で、接着する。
ワイヤボンディング工程では、
前記実装用端子５用の電極パッド上に、金属バンプ３を形成し、前記実装用端子５用の電極パッドと、前記半導体素子表面上の電極パッドとを、ボンディングワイヤ２を介して接続する。
モールド工程では、
前記半導体素子１と、前記実装用端子５とをモールド樹脂（パッケージ６）で覆い、モールド樹脂で封止する。
エッチング工程では、
銅フレーム１４をエッチングにより除去し、パッケージ形状を整える。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
図６及び図７に示すようなＢＣＣパッケージ構造を有する従来の半導体装置では、半導体素子１の表面上の電極パッドと実装端子５間が２ｍｍ〜十数ｍｍ程度の距離があるにも係わらず、ボンディングワイヤ径が２０μｍ〜４０μｍ程度のボンディングワイヤで接続していた為、半導体素子の動作が高速で、パッケージ外部との信号の入出力において、高周波信号を必要とする場合に、次に説明する点で都合が悪かった。従って、信号の伝達特性が悪く、結果として信号の電位確定期間が短くなっていた。
（１）ワイヤ長が長い端子では、ワイヤ径に制限がある為、ワイヤの抵抗及びインダクタンスを十分に下げられないので、高周波信号ほど接続端からの反射波の影響で波形が乱れる。その結果、信号の電位確定期間が短くなっていた。
（２）ワイヤ長さが端子により異なる為、信号の位相のずれが、端子により異なるので、各端子で信号電位確定期間の始まる時がことなり、同一クロックで各端子の信号を受け取る場合には、素子全体の入力信号確定期間が各端子の入力信号電位確定期間の重なりで決定される為、素子全体の信号電位確定期間は短くなっていた。また、出力信号の電位確定期間の始まる時もパッケージから外部にでる時点で異なるものとなる為、外部機器にとっては、信号電位確定期間が短くなっていた。
従って、従来例に示すパッケージに、高速動作するロジック製品を搭載することは困難であった。
【０００５】
また、ボンディングワイヤで所定の２点間を接続する場合に、ワイヤが自己の重みで垂れるのを防止する為、２点間の距離が長くなるほどワイヤループの高さを高くして対応する必要がある。一方、端子数の多い半導体素子においては、実装用端子の数も多くする必要があり、その領域を確保する為、半導体素子と実装用端子までの距離は長くなる。従って、ワイヤループの高さを最遠の実装用端子の為にある程度確保する必要があるので、パッケージの厚さを薄くすることができなかった。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明は上記の点に鑑みてなされたもので、請求項１に係わる発明は、
表面上に電極パッドを有する半導体素子と、
前記半導体素子を封止する樹脂パッケージと、
前記樹脂パッケージの実装面側に前記樹脂パッケージと一体に突出形成された樹脂突起と
前記樹脂突起に配設された金属膜状電極と、
前記半導体素子の電極パッド側の表面と前記パッケージの実装面とは反対側の面との間に設けられた絶縁基板と、
前記絶縁基板の表面又は内面に形成されており、一端が前記半導体表面上の前記電極パッドと電気的に接続され、他端が前記樹脂突起に配設された前記金属膜状電極と電気的に接続された第１の金属膜状配線層を有することを特徴とする半導体装置を提供する。
【０００７】
本発明に係わる半導体装置によれば、絶縁基板表面上の配線で、実装端子と半導体素子は接続されている為、ボンディングワイヤによる接続と比較し、配線抵抗、配線の寄生容量、インダクタンスの調整が容易である為、信号線を伝送線路とすることができ、その信号線の特性インピーダンスと半導体素子の入出力回路のインピーダンスとの整合が容易となり、配線長によらずに高周波信号の伝達特性を向上することができる。さらに、従来の半導体装置では、ボンディングワイヤでの接続の際に、半導体素子と実装用端子との距離に応じ、ある程度の高さを有するボンディングワイヤループを形成する必要があった為、パッケージの高さを低くできなかった。しかし、本発明が提供する半導体装置では、絶縁基板の厚さを調節することにより、パッケージの高さをより低くすることができる。
【０００８】
次に、請求項２に係わる発明は、
請求項１記載の半導体装置において、さらに、
絶縁基板の表面又は内面に形成されており、
固定電位に接続された第２の金属膜状配線層を有することを特徴とする半導体装置を提供する。
【０００９】
上記、第１の金属膜状配線層と第２の金属膜状配線層で、いわゆる高周波マイクロストリップライン構造をとることができる為、配線層の形状及び配置、配線層間の絶縁層の厚さの調整により、信号線を伝送線路とすることができ、その信号線の特性インピーダンスと半導体素子の入出力回路のインピーダンスとの整合が容易となり、配線長によらずに高周波信号の伝達特性を向上することができる。
【００１０】
また、請求項３に係わる発明は、
請求項１記載の半導体装置において、
前記樹脂パッケージの実装面側に前記樹脂パッケージと一体に突出形成された樹脂突起は樹脂パッケージ中央及び周辺に形成されており、
樹脂パッケージ中央の樹脂突起の底部には、前記半導体素子が設置され、
前記周辺に突出形成された樹脂突起に配設された金属膜状電極と接続し、かつ、前記樹脂パッケージ中央及び周辺に突出形成された樹脂突起との間の領域に形成された第３の金属膜状配線層を有し、
前記第３の金属膜状配線層は、半導体素子用の信号伝達線と固定電位伝達線とを構成し、
前記信号伝達線と前記固定電位伝達線は同一平面内に交互に配置されていることを特徴とする半導体装置を提供する。
【００１１】
上記、半導体装置においては、前記第３の金属膜状配線層が信号配線とそれに隣接する固定電位伝達線とで構成されるので、いわゆる高周波コプレーナ構造を構成し、信号配線間の信号干渉が起きにくくなると共に、信号配線の特性インピーダンスの調整が容易となる。
さらに、請求項４に係わる発明は、
請求項３記載の半導体装置において、前記半導体素子表面上の電極パッドと前記樹脂パッケージ中央及び周辺に突出形成された樹脂突起との間の領域に形成された第３の金属膜状配線層とが樹脂パッケージの底部から同じ高さであることを特徴とする半導体装置を提供する。
【００１２】
請求項４に示す製造方法によれば、半導体表面上の電極パッドと実装用端子（樹脂パッケージ周辺の樹脂突起に配設された金属膜状電極）からの引き出し線（樹脂パッケージ中央及び周辺に突出形成された樹脂突起との間の領域に形成された第３の金属膜状配線層）が同一の高さにあるので、絶縁性基板上の第１の金属膜状の配線層で、金属バンプによる電気的接続が容易となる。
【００１３】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態について図面をもって、具体的に説明する。
図１は、第１の実施例に係わる半導体装置の断面図を示し、図２は斜視図の例による図面を示す。
従って、図１及び図２に示す第１の実施例に係わる半導体装置の構成要素は共通である。すなわち、半導体素子１と、接着剤４と、実装用端子５と、封止用樹脂（パッケージ６）と、背面端子７と、引き出しパターン８と、金属バンプＢ９と、フレキ基板の表面上に形成された金属膜状の信号パターン１０と、フレキ基板１１と、フレキ基板の信号配線形成面と反対面上に形成された金属膜状の接地層（ＧＮＤ層１２）とから、実施例１に係わる半導体装置は構成されている。
【００１４】
また、図２の第１の実施例に係わる半導体装置の斜視図に示すように、半導体素子１はパッケージ６の中央に位置する樹脂突出部の低部に配置され、その半導体素子１動作の為に、半導体素子１の表面上に形成されている電極パターンと、フレキ基板１１の表面に形成された信号パターン１０と実装用端子５に接続されている引き出しパターン８とを介して、パッケージ外部より、必要な信号及び電源は供給される。
【００１５】
ここで、フレキ基板とは、いわゆるフレキシブル基板といわれるものの略称であって、例えば、０．０５ｍｍ〜０．２ｍｍ程度の厚さを有する板状で、フレキシブルに湾曲可能な絶縁層又はその絶縁層を重ねあわせて製造されており、絶縁層の材質は、例えば、ポリミド樹脂膜等が採用されている。
また、接着剤４は、例えば、ポリミド樹脂とエポキシ樹脂等の混合物で、熱可塑性有し、シリカ、アルミナ等の無機物質で粒径が１００μｍ程度の粒状物質を含有するフィルム状接着剤が採用される。
【００１６】
さらに、実装端子に配設してなる金属膜状電極パッドの金属膜の材質として、実装基板と対する面には、半田付け性がよい材質が採用され、その反対面には、金属バンプとの相性がよい材質が採用される。従って、通常、複数の金属層を積層して、上記の金属膜は形成されるが、上記条件を満たせば、単層の金属膜で形成されていてもよい。
【００１７】
加えて、フレキ基板の表面上に形成された配線及び配線層は、例えば、銅（Ｃｕ）箔に金（Ａｕ）メッキをしたものが採用される。
次に図３において、第１の実施例に対する製造工程例を示す。また、工程の内容を、順番に従って、以下に説明する。
リードフレーム形成工程では、まず、樹脂突起を形成する為、銅フレームに、離間して凹部を設け、金属膜を形成し、エッチングにより引き出し線を形成する。
【００１８】
そして、組み立て完成後に背面端子となる、中央の凹部は半導体チップを設置できる程度の開口をもち、深さは、半導体チップが８５μｍ程度の場合には１００μ程度であることが望ましい。また、組み立て完成後に実装端子となる凹部は、中央の凹部を囲むように配置するが望ましい。
ここで、半導体チップの厚さに比較し、凹部のくぼみを深くしたのは、半導体チップの表面上の電極パッドと、組み立て完成後に実装端子となるパッケージ周辺部の凹部に形成されている金属膜からの引き出し線とが、金属バンプ形成後にほぼ同一高さとなることが、フレキシブル板の表面に形成された配線で接続する上で望ましいからである。
【００１９】
ダイス付け工程では、中央の凹部に半導体チップを接着剤で、ダイス付けをする。
フレキ基板制作工程では、絶縁基板の両面に金（Ａｕ）メッキを施した銅（Ｃｕ）箔を貼り付け、配線面とする面の銅箔をエッチングして配線パターンを形成する。
【００２０】
バンプ形成工程では、上記で制作したフレキ基板の配線面上の電極パターンに金属バンプＢを作成する。ここで、金属バンプＢは、金属バンプＢを構成する金属材料をメッキし、エッチングすることにより作成する方法が望ましい。
一方、銅フレーム上に作成した、メッキにより形成された電極パターン及びダイス付けされた半導体チップの回路面上の電極パターンにも、金属バンプを形成する。
【００２１】
ここで、金属バンプは、ボンディングワイヤをボンディングし、金属パッドを作成した後で、ワイヤを引きちぎる方法により形成することが望ましい。
搭載工程では、フレキ基板を銅フレーム上の引き出し線及び半導体チップ対し、金属バンプ同士が重なるように位置合わせを行った後、搭載し、超音波振動等により、金属バンプ同士を融合させ、接続する。
【００２２】
モールド工程では、モールド樹脂で全面を覆い、熱処理を行うことにより、樹脂を硬化させて樹脂封じをする。
エッチング工程では、エッチングにより、余分な部分を取り除き、パッケージ形状を整形する。
以上の工程により、実施例１の半導体装置を製造することができる。
【００２３】
次に図４に、実装端子からの引き出し線について図示する。図５に示すように、信号線として使用する端子と固定電位線に使用する端子は交互に配置されており、いわゆる高周波コプレーナ型の配線となっている。従って、信号線１５と固定電位線１６との距離、信号線１５及び固定電位線１６の形状等を調整することにより、各信号線に一定の特性インピーダンスをもつ、伝送線路の特性をもたせることができる。
【００２４】
ここで、特性インピーダンスとは、下記の数式で与えられ、一般的には５０Ω
（数１）
Ｚ＝ｋ×　√（Ｌ／Ｃ）
Ｚ：特性インピーダンス、Ｌ：信号線のインダクタンス、
Ｃ：　信号線の寄生容量、ｋ：一定定数
となるように信号線等の形状等を調整するのが望ましいが、信号線を駆動する回路とインピーダンスが整合していればよく、上記の値でなくてもよい。
【００２５】
また、伝送線路とは、伝搬周波数をもつ信号を効率よく伝達する為の信号伝達線をいい、一般的には信号源線と負荷線とで構成されているものをいう。さらに、高周波コプレーナ型の配線とは、一平面内に信号源線と負荷線を配置した配線をいう。
次に図５に、フレキ板上の配線のようすを示す。図５に示すように、フレキ板の一の表面全体は、ＧＮＤ層１２を形成すべく、銅箔で被覆されており、他方の表面には信号線１５及び固定電位線１６が配線されており、いわゆる高周波マイクロストリップライン構造をなしている。従って、フレキシブル基板の厚さ、信号線１５と固定電位線１６との距離、信号線１５及び固定電位線１６の形状等を調整することにより、各信号線に一定の特性インピーダンスをもつ、伝送線路の特性をもたせることができる。
【００２６】
ここで、高周波マイクロストリップライン構造とは、絶縁基板の信号線面とは逆の面を一定電位を与えた導体で被覆することにより、信号線面上の信号線に対し、負荷線の一部として機能させ、伝送線路を構成するようにした構造をいう。以上、図３に示す半導体装置の製造方法、図４に示す高周波コプレーナ型の配線、図５に示す高周波マイクロストリップライン構造により、例えば、下記の表１に示すようなインダクタンスの低減及び５０Ω整合が実現でき、本発明に係わる半導体装置は、優れた高周波特性を有する。
【００２７】
【表１】
2004087616.tif 000003
【００２８】
また、従来の半導体装置では、半導体素子の表面状の電極パッドと実装端子とを接続するのにボンディングワイヤを採用する為、パッケージの厚さは０．８ｍｍ程度であるのに対し、半導体素子の表面状の電極パッドと実装端子とを接続するのにフレキシブル基板状の金属膜による配線を用いた場合は、フレキシブル基板の厚さを薄くできる為、パッケージの厚さは０．２５ｍｍ程度とすることができる。
【００２９】
（付記１）
表面上に電極パッドを有する半導体素子と、
前記半導体素子を封止する樹脂パッケージと、
前記樹脂パッケージ下部の実装面側に前記樹脂パッケージと一体に突出形成された樹脂突起と、
前記樹脂突起に配設された金属膜状電極と、
前記電極パッド側と前記金属膜状電極とに隣接して設けられた絶縁基板と、
前記絶縁基板の表面又は内層に形成され、かつ、一端が前記電極パッドと電気的に接続され、他端が前記金属膜状電極と電気的に接続された第１の金属膜状配線層を有することを特徴とする半導体装置。
【００３０】
（付記２）
表面上に電極パッドを有する半導体素子と、
前記半導体素子を封止する樹脂パッケージと、
前記樹脂パッケージ下部の実装面側に前記樹脂パッケージと一体に突出形成された樹脂突起と、
前記樹脂突起に配設された金属膜状電極と、
前記電極パッド側と前記金属膜状電極とに隣接して設けられた絶縁基板と、
前記絶縁基板の表面又は内層に形成され、かつ、一端が前記電極パッドと金属バンプを介して接続され、他端が前記金属膜状電極と金属バンプを介して接続された第１の金属膜状配線層を有することを特徴とする半導体装置。
【００３１】
（付記３）
付記１記載の半導体装置において、さらに、
絶縁基板の表面又は内面に形成されており、固定電位に接続された第２の金属膜状配線層を有することを特徴とする半導体装置。
（付記４）
付記３記載の半導体装置において、前記第１の金属膜状配線層内の信号配線の形状又は配置、及び、前記第１の金属膜状配線層と前記第２の金属膜状配線層間の絶縁層の厚さが、前記信号配線の特性インピーダンスが前記半導体素子の出力回路又は外部機器の出力回路部のインピーダンスと整合するように形成されていることを特徴とする半導体装置。
【００３２】
（付記５）
付記１記載の半導体装置において、
前記樹脂パッケージ下部の実装面側に前記樹脂パッケージと一体に突出形成された樹脂突起は前記樹脂パッケージ中央部及び周辺部に形成されており、
樹脂パッケージ中央部の樹脂突起の底部には、前記半導体素子が設置され、
前記周辺部に突出形成された樹脂突起に配設された金属膜状電極と接続し、かつ、前記樹脂パッケージ中央部及び周辺部の樹脂突起との間の領域に形成された第３の金属膜状配線層を有し、
前記半導体素子用の信号伝達線と固定電位伝達線とを構成することを特徴とする半導体装置。
【００３３】
（付記６）
付記５記載の半導体装置において、前記半導体素子表面上の電極パッドと前記樹脂パッケージ中央及び周辺に突出形成された樹脂上突起との間の領域に形成された第３の金属膜状配線層とが樹脂パッケージの底部から同じ高さであることを特徴とする半導体装置。
【００３４】
（付記７）
付記５記載の信号伝達線の形状、及び、前記信号伝達線と前記固定電位伝達線との配置関係が、前記信号伝達線の特性インピーダンスが前記半導体素子の出力回路又は外部機器の出力回路部のインピーダンスと整合するように形成されていることを特徴とする半導体装置。
【００３５】
（付記８）
付記１、付記３、乃至、付記５を製造する半導体装置の製造方法であって、
銅フレームに、前記樹脂パッケージ周辺の樹脂突起形成用の溝及び前記樹脂パッケージ中央の樹脂突起形成用の溝を離間して形成する工程と、
前記樹脂パッケージ周辺の樹脂突起形成用の溝内及び前記樹脂パッケージ中央の樹脂突起形成用の溝内に金属膜を形成する工程と、
前記金属膜を加工して、前記樹脂パッケージ周辺の樹脂突起に配設された第１の金属膜状電極と、それに接続する前記第３の金属膜状配線層と、前記樹脂パッケージ中央の樹脂突起に配設された第２の金属膜状電極とを形成する工程と、
前記樹脂パッケージ中央の樹脂突起形成用の溝の底部に半導体素子を設置する工程と、
前記絶縁基板の表面乃至内層に前記第１乃至第２の金属膜状配線層及び前記絶縁基板の表面上の電極パッドを形成する工程と、
前記樹脂パッケージ周辺の樹脂突起に配設された第１の金属膜状電極又はそれに接続する前記第３の金属膜状配線層と、前記半導体素子表面上の電極パッドと、前記絶縁基板の表面上の電極パッドとを金属バンプで接続し、前記樹脂パッケージ周辺の樹脂突起に配設された第１の金属膜状電極又はそれに接続する前記第３の金属膜状配線層と、前記半導体素子表面上の電極パッドとを、前記絶縁基板の表面乃至内面に形成された前記第１の金属膜状配線層を介して接続する工程と、前記半導体素子と、前記絶縁基板と、前記樹脂突起部とをモールド樹脂で覆い、モールド樹脂で封止する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【００３６】
【発明の効果】
以上、詳細に説明したように、本発明の半導体装置及びその製造方法によれば、絶縁基板表面上の配線で、実装端子と半導体素子は接続されている為、ボンディングワイヤによる接続と比較し、配線抵抗、配線の寄生容量、インダクタンスの調整が容易である為、半導体素子の入出力回路と特性インピーダンスの整合が容易となり、高周波信号の伝達特性が向上した半導体装置を提供できる。さらに、本発明が提供する半導体装置では、絶縁基板の厚さボンディングワイヤのループ高さより薄くできるので、パッケージの厚さをより薄くすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施例に係わる半導体装置の断面図
【図２】本発明の第１実施例に係わる半導体装置の斜視図の例による立体構造図
【図３】本発明の第１実施例に係わる半導体装置の製造方法
【図４】本発明の第１実施例に係わる半導体装置の実装端子からの引き出し線
【図５】本発明の第１実施例に係わる半導体装置のフレキ板上の配線
【図６】第１の従来例に係わる半導体装置の断面図（背面端子が突出したタイプ）
【図７】第２の従来例に係わる半導体装置の断面図（背面端子が無いタイプ）
【図８】従来の半導体装置の製造方法
【符号の説明】
１：半導体素子
２．ワイヤ
３．金属バンプ
４．接着剤
５．実装用端子
６．パッケージ
７．背面端子
８．引き出しパターン
９．金属バンプＢ
１０．信号パターン
１１．フレキ基板
１２．ＧＮＤ層
１３．メッキ
１４．銅フレーム
１５．信号線
１６．固定電位線
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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