(57)【要約】【課題】基板１上に、陽極２、発光層８、正孔輸送層５及び陰極８とからなる積層体を有する発光部を備えた有機エレクトロルミネセンス表示装置の製造方法において、陰極側取り出し電極３上に付着した正孔輸送層５を、発光部に悪影響を及ぼすことなく容易に除去できるようにし、もって正孔輸送層５の形成を塗布法により簡便に行えるようにする。【解決手段】基板１上に、陽極２と、陽極側引き出し電極と、陰極側引き出し電極３とを形成した後、正孔輸送層５を塗布法により形成し、陰極側引き出し電極３上に形成された正孔輸送層５を、当該陰極側引き出し電極３を電磁誘導加熱することで除去する。【選択図】　　　図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、陽極、少なくとも発光層を含む１または複数層の有機層及び陰極とからなる積層体を有する発光部を備えた有機エレクトロルミネセンス表示装置の製造方法において、基板上に、陽極と、陽極側引き出し電極と、陰極側引き出し電極とを形成した後、少なくとも前記有機層の１層を塗布法により形成し、陰極側引き出し電極上に形成された有機層を、当該陰極側引き出し電極を電磁誘導加熱することで除去することを特徴とする有機エレクトロルミネセンス表示装置の製造方法。
【請求項２】
前記陰極側取出し電極が陽極と同材質であることを特徴とする請求項１に記載の有機エレクトロルミネセンス表示装置の製造方法。
【請求項３】
前記陰極側取出し電極の膜厚が陽極より薄いことを特徴とする請求項２に記載の有機エレクトロルミネセンス表示装置の製造方法。
【請求項４】
前記陰極側取出し電極が、材質の異なる２層以上の導電層からなり、少なくとも１層の導電層のパターン形状が他の導電層のパターン形状と異なることを特徴とする請求項１に記載の有機エレクトロルミネセンス表示装置の製造方法。
【請求項５】
前記陰極側取出し電極が、高発熱層、低抵抗層の順に形成された構造を有することを特徴とする請求項１に記載の有機エレクトロルミネセンス表示装置の製造方法。
【請求項６】
前記発光部の周辺部に、高発熱層と絶縁層が順次形成された構造を有することを特徴とする請求項１〜５いずれか１項に記載の有機エレクトロルミネセンス表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、表示デバイス、光源として利用される有機エレクトロルミネセンス表示装置（以下「有機ＥＬ表示装置」という）の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
一般に、有機ＥＬ表示装置は、有機エレクトロルミネセンス素子（以下、有機ＥＬ素子と称する）から構成された画素を多数備えてなるもので、図８及び図９に示すように、ガラス板などの透明な基板１上にＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ　ｔｉｎｏｘｉｄｅ）などの透明導電膜からなる陽極２を設け、その上に有機層（図９では正孔輸送層５および発光層６）と、陽極２と交差してストライプ状に成膜されたアルミニウムなどからなる陰極８とを順次設けることにより構成されたものである。陽極２と陰極８の交差部のそれぞれが１画素となる有機ＥＬ素子であり、各有機ＥＬ素子に電圧が印加されると、その陰極８から電子が、陽極２から正孔がそれぞれ有機層に注入され、この有機層中で電子−正孔の再結合が起こることにより発光が生じる。また、図８に示すように、有機ＥＬ素子がマトリクス状に配置された発光部（画素部）の周辺部には、陽極２及び陰極８を外部回路または内部駆動回路に接続させるための陽極側取り出し電極４および陰極側取り出し電極３が形成されている。
【０００３】
このような構成の有機ＥＬ表示装置の製造方法の一例を以下に説明する。
【０００４】
まず、図２に示すように、透明な基板１上に透明導電材料、例えばＩＴＯをスパッタ法や真空蒸着法にて成膜し、さらにこれをフォトエッチングなどによりパターニングしてストライプ状の陽極２を形成する。また、陰極側取り出し電極３および陽極側取り出し電極４は、形状が複雑であり、陰極８の形成に用いられる蒸着マスクを用いた金属蒸着では形成しにくいことから、この陽極２と同時にフォトエッチングにより形成するのが通常である。
【０００５】
次いで、図９に示すように、陽極２上に、有機層として例えば正孔輸送層５および発光層６を順次形成する。正孔輸送層５および発光層６の成膜は、真空蒸着法によるものが一般的である。
【０００６】
続いて、図８に示すように、前記発光層６上に導電材料を蒸着法によって成膜し、陽極２に直交するストライプ状の陰極８を、先に形成した陰極側取り出し電極３に接続して形成する。そして、封止缶９を封止樹脂１２で接着し、さらに外部駆動回路に接続するためのＦＰＣ１１を異方性導電膜１０にて接着することにより有機ＥＬ表示装置を得る。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、有機層の形成を、真空蒸着法ではなく、スピンコート法やディップ法などの塗布法で行えば、真空蒸着装置を使用しないより簡便な方法で積層でき、特に大画面の有機ＥＬ表示装置を製造する際に大型の真空蒸着装置を必要としない点で有利である。
【０００８】
しかしながら、スピンコート法やディップ法などの塗布法により正孔輸送層５や発光層６などの有機層を塗布成膜すると、予めパターニングされた陰極側および陽極側取り出し電極３，４を含めた基板１上の全面に有機層が成膜されてしまうことになる。有機層の形成を蒸着法によって行う場合には、発光部以外をマスクすることで、陰極側および陽極側取り出し電極３，４上への有機層の形成を防げることができるが、スピンコート法により有機層を形成すると、基板１の全面に成膜されてしまうため、そのまま陰極８を蒸着すると、陰極８と陰極側取り出し電極３との間に絶縁物である有機層が介在してしまい、電気的接続が損なわれることになる。
【０００９】
陰極側および陽極側取り出し電極３，４への外部駆動回路の接続は、封止缶９を封止樹脂１２で接着した後に封止缶９から外部に延出した部分で行われることから、陰極側および陽極側取り出し電極３，４上に付着した有機層の除去を発光部に悪影響を及ぼすことなく容易に行うことができる。しかし、少なくとも陰極側取り出し電極３の陰極８との接続側からの有機層の除去は、上記封止缶９による封止前に行う必要があることから、有機層の除去に伴う発光部への悪影響が問題となる。
【００１０】
有機層を除去する手段として異方性のドライエッチングである反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）が効果的であるが、発光部の保護のためにマスクをおいても、有機層とマスクの隙間などから若干の反応ガスの回り込みがあり、発光部にダメージを与えてしまう問題がある。また、有機層の除去には、一般に反応ガスとして酸素が用いられるため、酸素、水分に弱い有機ＥＬ素子の製造には好ましくない。
【００１１】
他の手段としては、発泡ウレタンなどの吸水性の弾性体に有機溶剤を含ませて有機層を拭き取り除去する方法があるが、有機溶剤は表面張力が小さいために有機層に浸透し、除去部周囲にまで浸透・拡散してしまいやすい。このため、発光部にまで有機溶剤が浸透・拡散し、有機層が膨潤して膜厚が変化したり、乾燥速度の違いから膜質が不均一になってしまいやすい問題がある。発光部と陰極側取り出し電極３を十分に離しておくことでこれを防止することも考えられるが、陰極８と陰極側取り出し電極３の接点が発光部から離れるほど基板１も大型になり、陰極８を形成する真空蒸着装置も大型化してしまうことになる。
【００１２】
本発明は、上記従来の問題点に鑑みてなされたもので、特に陰極側取り出し電極３上に付着した有機層を、発光部に悪影響を及ぼすことなく容易に除去できるようにし、もって有機層の形成を塗布法により簡便に行えるようにすることを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記目的のために、基板上に、陽極、少なくとも発光層を含む１または複数層の有機層及び陰極とからなる積層体を有する発光部を備えた有機エレクトロルミネセンス表示装置の製造方法において、基板上に、陽極と、陽極側引き出し電極と、陰極側引き出し電極とを形成した後、少なくとも前記有機層の１層を塗布法により形成し、陰極側引き出し電極上に形成された有機層を、当該陰極側引き出し電極を電磁誘導加熱することで除去することを特徴とする有機エレクトロルミネセンス表示装置の製造方法を提供するものである。
【００１４】
上記本発明によれば、高周波の電磁界を陰極側取り出し電極に照射することにより、陰極側取り出し電極を選択的に発熱させて有機層を除去することができるため、発光部の有機層に悪影響を与えることなく、陰極側取り出し電極上の有機層を除去することができる。また、有機層の形成をスピンコート法、ディップ法などの簡便な塗布法で行うことができるため、有機ＥＬ表示装置の製造が容易になり、大面積化も容易になる。
【００１５】
また、上記本発明は、その好ましい態様として、第１に、前記陰極側取出し電極が陽極と同材質であること、第２に、前記陰極側取出し電極の膜厚が陽極より薄いこと、第３に、前記陰極側取出し電極が、材質の異なる２層以上の導電層からなり、少なくとも１層の導電層のパターン形状が他の導電層のパターン形状と異なること、第４に、前記陰極側取出し電極が、高発熱層、低抵抗層の順に形成された構造を有すること、第５に、前記発光部の周辺部に、高発熱層と絶縁層が順次形成された構造を有すること、を含むものである。
【００１６】
上記好ましい第１の態様のように、陰極側取り出し電極が陽極と同材質であれば、陰極側取り出し電極と陽極の形成を同時に行うことができ、製造工程を簡略化することができる。好ましい第２の態様のように、陰極側取り出し電極を陽極と同材質にすると共に、陰極側取り出し電極の厚みを陽極の厚みより薄く形成すると、陰極側取り出し電極の抵抗を陽極部よりも高くでき、電磁誘導加熱する際に周波数を下げても有機層を除去できる温度にすることができる。そのため、高周波電磁界が多少陽極側に漏れても、陽極上の有機層にダメージを与えることなく陰極側取り出し電極上の有機層を除去することができる。好ましい第３の態様のように、陰極側取出し電極を、パターン形状の相違する２層以上の導電層で構成すると、例えば陰極側取り出し電極の下層を低抵抗の材質で形成し、その上面の一部に高抵抗もしくは高透磁率材質からなる高発熱層を設けることができ、これによって電磁誘導で発熱量の多い高発熱部を小さく絞ることができる。よって発光部への熱伝導が少なくなり、ダメージを与えることが防止できる。好ましい第４の態様のように、陰極側取り出し電極を、高抵抗もしくは高透磁率材質からなる高発熱層、低抵抗層の順に形成された構造とすると、陰極と陰極側取り出し電極の接続部の抵抗値を増加させることなく、発熱量の多い高発熱層からの熱伝導により陰極側取り出し電極上の有機層を除去することができる。さらに、好ましい第５の態様のように、発光部の周辺部に、高抵抗もしくは高透磁率材質からなる高発熱層、絶縁層の順に形成された構造を有すると、陰極側取り出し電極以外領域、例えば封止缶接着部における有機層をも除去することができる。
【００１７】
【発明の実施の形態】
本発明の製造対象である有機ＥＬ表示装置は、陰極と陽極の間に１層以上の有機層を有する積層体による発光部を備えたものであればよく、その積層構造には特に制限はない。発光部の積層構造としては、たとえば以下の構造を挙げることができる。
【００１８】
（１）陽極／発光層／陰極
（２）陽極／正孔輸送層／発光層／陰極
（３）陽極／正孔注入層／発光層／陰極
（４）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／陰極
（５）陽極／発光層／電子輸送層／陰極
（６）陽極／正孔注入層／発光層／電子輸送層／陰極
（７）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極
【００１９】
上記（１）〜（７）の構造においてそれぞれの層は１層からなるものでもよいし、２層以上からなるものでもよい。
【００２０】
以下、本発明を図１〜図７に基づいてより詳しく説明する。なお、図１〜図７において、同じ符号は同じ部材又は部位を示すものである。また、以下の説明は、上記（２）の構造である、陽極／正孔輸送層／発光層／陰極からなる積層構造を有する発光部の有機ＥＬ表示装置について述べるが、本発明がこれに限定されるものではく、上記（１）または（３）〜（７）のいずれの積層構造であってもよい。
【００２１】
まず、図１（Ａ）に示すように、透明な基板１を用意し、続いてこれの上に透明導電材料、本例ではＩＴＯをスパッタ法などの物理的成膜法によって成膜し、さらにこれを公知のリソグラフィー技術およびエッチング技術を用いてパターニングし、ストライプ状の陽極２を形成する。
【００２２】
基板１は透光性を有するもので、ガラス板などの平滑な材料で構成されている。ガラス板としては、例えばソーダ石灰ガラス、バリウム・ストロンチウム含有ガラス、ホウケイ酸ガラス、石英ガラス、無アルカリガラスなどが用いられる。
【００２３】
本実施形態例においては、図２に示されるように、陽極の形成と同時に、陽極側および陰極側取り出し電極４，３を基板１上に形成する。
【００２４】
陽極２は、仕事関数の大きい（４ｅＶ以上）金属、合金、電気伝導性化合物またはこれらの混合物が好ましく、具体的にはＡｕ、Ｐｔ、Ａｇ、Ｃｕ、ＣｕＩ、ＩＴＯ、ＳｎＯ２、ＺｎＯなどが挙げられる。この陽極２は、後述する正孔輸送層５および発光層６からなる有機層からの発光を取り出すために、可視光透過率が１０％以上であることが望ましい。また、陽極２のシート抵抗は５００Ω／□以下としてあるものが望ましく、さらに膜厚は材料にもよるが、通常５ｎｍ〜１μｍの範囲で選択される。
【００２５】
陽極側および陰極側取り出し電極４，３は、導電性材料であれば制限はなく、可視光透過性も不要である。本例のように、陽極２と同時に形成して工程を簡略化する上では、陽極２と同じ材料が好ましいが、陽極２と異なる材料、抵抗値、膜厚のものでも使用することができる。また、ＩＴＯとＣｒなど異種材料の積層構造であっても問題はない。この陽極２、陽極側および陰極側取り出し電極４，３の形成は、真空蒸着法やスパッタリング法、メッキ法などの方法で成膜し、さらにこれを公知のリソグラフィー技術およびエッチング技術を用いてパターニングし、ストライプ状の陽極２、陽極側および陰極側取り出し電極４，３を形成する。陽極２、陽極側および陰極側取り出し電極４，３は同時に形成しても順次形成しても良い。
【００２６】
続いて、図１（Ｂ）に示すように、基板１上に正孔輸送層５を形成する。本発明の有機ＥＬ表示装置の製造方法では、前述した基板１上に１層目の有機層をスピンコート法またはディップ法などの塗布法にて形成するが、少なくとも１層が前記塗布法であれば良く、たとえば有機層が２層以上から構成される場合には１層目に引き続き２層目以降を塗布法で形成することも可能であるし、１層目を蒸着法で形成し、２層目を塗布法で形成することも可能である。通常１層目の有機層としては正孔注入層（図示されていない）、正孔輸送層５、正孔注入輸送層（図示されていない）および発光層６のいずれかが形成される。
【００２７】
有機層としては、材料の種類、構成、膜厚、色素のドーピング形態などについて特に限定されるものではなく、１種類または多種類の有機発光材料のみからなる薄膜や、１種類または多種類の有機発光材料と正孔輸送材料、電子注入材料との混合物からなる薄膜など、有機ＥＬ素子の発光層６として機能する単層構造でも発光層６以外に正孔輸送材料、電子注入材料を個別に有する２層以上の積層構造であってもよい。これら有機層の構成材料は、高分子系、低分子系に関わらず、例えば正孔注入及び輸送材料としては、可溶性のフタロシアニン化合物、トリアリールアミン化合物、導電性高分子、ペリレン系化合物、Ｅｕ錯体など、有機発光材料としてはトリアリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、ポリアリーレン、芳香族縮合多環化合物、芳香族複素環化合物、芳香族複素縮合環化合物、金属錯体化合物等及びこれらの単独オリゴ体あるいは複合オリゴ体など、電子注入および輸送材料としては、８−キノリノール・アルミニウム錯体（Ａｌｑ３）、アゾメチン亜鉛錯体、ジスチリルビフェニル誘導体系等、また高分子系材料としてポリ［２−メトキシ−５−（２’−エチルヘキシルオキシ）］−パラ−フェニレンビニレン、ポリ（３−アルキルチオフェン）、ポリ（９，９−ジアルキルフルオレン）など、従来より有機ＥＬ素子で用いられている正孔注入・輸送材料、有機発光材料、電子注入・輸送材料をそのまま使用できる。
【００２８】
本実施形態例では、有機層のうち、正孔輸送層５をスピンコート法にて成膜するが、スピンコート法にて成膜する有機層は正孔輸送層５に限定されるものではなく、前述した有機材料のいずれの層でもよく、成膜法もディップ法などのスピンコート法以外の塗布法を使用することもできる。
【００２９】
正孔輸送層５をスピンコート法にて成膜するにあたり、有機溶媒に溶解させて塗布液を作製する。塗布液に用いる有機溶媒としては、アルコール系、ケトン系、エステル系、エーテル系、芳香族系、ハロゲン化アルキル系などから、用いる有機材料に応じて適宜選択すればよい。
【００３０】
スピンコート法による成膜は、要求膜厚、塗布液濃度、塗布液粘度などにより条件が異なるが、通常は１００〜３０００ｒｐｍで１０秒〜５分間程度回転させることにより行うことが好ましい。また、ディップ法による成膜は、塗布液に浸漬させた後に所定の速度で引き上げる通常の方法で良い。
【００３１】
スピンコート法またはディップ法により成膜される正孔輸送層５の具体的膜厚としては、５ｎｍ以上、好ましくは１０ｎｍ以上であり、また上限としては、好ましくは１０００ｎｍ以下、より好ましくは２００ｎｍ以下が好ましい。有機膜が薄すぎるとピンホールなどが発生しやすく、厚くなりすぎると電荷移動度などが低下し、発光効率が低下してくる。
【００３２】
続いて、図１（Ｃ）に示すように、スピンコート法などの塗布法で成膜した時に同時に成膜される、少なくとも陰極側取り出し電極３上の正孔輸送層５を除去する。これは前述したように、陰極側取り出し電極３上に成膜された有機層である正孔輸送層５が絶縁物として働くために、陰極８を蒸着して陰極側取り出し電極３と電気的に接合する前に前記正孔輸送層５を除去することを目的とするものである。なお、本実施形態例では、正孔輸送層５の除去を行うが、正孔輸送層５以外の有機層を塗布法により形成した場合には、当該有機層を同様にして除去すればよい。
【００３３】
有機層である正孔輸送層５の除去は、図３に示すように、励磁コイル２０と芯材２１を備えた高周波誘導装置を用い、前記陰極側取り出し電極３に高周波電磁界をかけて陰極側取り出し電極３を電磁誘導加熱し、陰極側取り出し電極３上の正孔輸送層５（図１参照）を溶融・蒸発あるいは昇華させることによって行う。電磁誘導加熱は、誘磁コイル２０に数ＫＨｚ〜数十ＫＨｚ、例えば３０ＫＨｚの高周波電流を流した際に発生する高周波電磁界を利用するものであり、電磁力線が変化する空間に配置した陰極側取り出し電極３に渦電流が生じ、そのジュール熱により陰極側取り出し電極３は自己発熱する。
【００３４】
電磁誘導加熱は、高周波電磁界に置かれた導体内に発生する渦電流によるジュール熱によるものであるが、導体の表皮抵抗Ｒｓに比例して発熱する。表皮抵抗Ｒｓは角周波数ω、透磁率μ、固有抵抗ρから得られる表皮深さδとすると
δ＝（２ρ／ωμ）１／２
に対して
Ｒｓ＝ρ／δ＝（ωμρ／２）１／２
と示される。
【００３５】
また、導体に発生する電力Ｐは、導体内を流れる電流をＩとすると
Ｐ∝Ｒｓ∫｜Ｉ｜２ｄｓ
と表せる。
【００３６】
したがって、発熱量を増やすには周波数ωを高くするか透磁率μの高い材料、固有抵抗ρの高いものを選択すれば良い。
【００３７】
陰極側取り出し電極３の材質は、陽極２と同じものが使用できるため、陽極２と同時に形成できるが、この場合、陰極側取り出し電極３の厚みを公知のフォトエッチングや研磨などで陽極２よりも薄くすることにより抵抗値を増加させて、弱い高周波電磁界でも強い高周波磁界と同じ発熱量を得ることができる。よって薄くした陰極側取り出し電極３周辺への高周波電磁界の漏れによる不要な発熱を防止しやすくなる。
【００３８】
陰極側取り出し電極３の抵抗値は低いことが望ましいため、この低抵抗性を満たしつつ電磁誘導加熱時の発熱量を補うために、図４に示すように、アルミニウム、クロム、モリブデンなどの低抵抗材質で形成された低抵抗層３２の上にマンガン、チタン、クロム、鉄、銅、コバルト、ニッケルなどの高透磁率材質からなる高発熱層３１を設けても良い。上記構成によれば、電磁誘導による発熱量の多い高発熱層３１を、例えば陰極８（図１参照）と接続される領域付近の小さい範囲に絞って設けることにより、発熱領域を小さく絞ることができ、発光部への熱伝導が少なくなり、ダメージを与えることが防止できる。
【００３９】
また、図５に示すように、基板１上にマンガン、チタン、クロム、鉄、銅、コバルト、ニッケルなどの高透磁率材質からなる高発熱層３１を形成し、その上に低抵抗材質で低抵抗層３２を形成しても良い。上記構成によれば取り出し電極３の抵抗値を増加させること無く、発熱量の多い高発熱層３１からの熱伝導により取り出し電極３上の正孔輸送層５を除去することができる。
【００４０】
また、図６および図７に示すように、発光部となる陽極２形成領域周辺の基板１上に、マンガン、チタン、クロム、鉄、銅、コバルト、ニッケルなどの高透磁率材質からなる高発熱層３１を形成し、その上を絶縁層３３で覆い、陰極側取り出し電極３をその上に形成しても良い。前記絶縁層３３の上に陰極側取り出し電極３が形成されていれば、高発熱層３１からの熱によりその上の正孔輸送層５を除去できる。また、封止缶９（図１参照）の接着部に有機層である正孔輸送層５が成膜されていると、接着強度が弱くなり、封止缶９が基板１から剥がれやすくなるが、接着部を高発熱層３１と絶縁層３３の積層構造にしておけば、高発熱層３２からの熱により接着部に形成された正孔輸送層５を除去することができ、封止缶９の剥がれを防止できる。
【００４１】
陰極側取り出し電極３上の正孔輸送層５を除去した後に、図１（Ｄ）に示すように、発光層６および陰極８を蒸着する。発光層６としては前述した有機発光材料が使用でき、非発光部には成膜されないように蒸着マスクを使用する。陰極８としては仕事関数の小さい（４ｅＶ以下）金属、合金、電気伝導性化合物およびこれらの混合物を電極物質として蒸着やスパッタリングなどの方法により形成する。このような電極物質の具体例としては、ナトリウム、ナトリウム−カリウム合金、マグネシウム、リチウム、マグネシウム−銀合金、アルミニウム／酸化アルミニウム、アルミニウム・リチウム合金、インジウム、希土類金属などが挙げられる。陰極８の形成時にはストライプ状のマスクを使用しても、特開平８−３１５９８１号公報に開示されているような隔壁を使用しても良く、図８に示すように、陰極８の少なくとも一方の端部は前述した取り出し電極３上の正孔輸送層５を除去した部分に接合される。
【００４２】
そして、有機ＥＬ素子に水分が吸着することを防ぐため、図１（Ｅ）に示すように、不図示の水分吸着材を封入した封止缶９を封止樹脂１２により基板１に接着し、陰極側取り出し電極３と図２および図７に示した陽極側取り出し電極４のそれぞれに外部駆動回路に接続するためのＦＰＣ１１を異方性導電膜１０によって接着する。
【００４３】
【実施例】
実施例１
まず、図１（Ａ）および図２に示すように、厚み３００ｎｍのＩＴＯからなる陽極２、陽極側取り出し電極４および陰極側取り出し電極３がパターニングされたＩＴＯ付きガラス基板１をアセトン、ＩＰＡで超音波洗浄し、ＵＶ／０３処理した後に、正孔輸送材料として公知のＮ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ｍ−トリル−４，４’−ジアミノ−１，１’−ビフェニル（ＴＰＤ）のクロロホルム溶液をスピンコート法にて塗布し、厚さ１０ｎｍの正孔輸送層５を、図１（Ｂ）のように、陽極２、陽極側取り出し電極４および陰極側取り出し電極３が形成された基板１の片面全面に成膜した。
【００４４】
次に、図２に示すように、高周波電磁界発生装置に前記基板１の陰極側取り出し電極３部分をセットし、３０ＫＨｚの周波数で高周波電磁界を発生させたところ、陰極側取り出し電極３上の有機層である正孔輸送層５は溶融・蒸発した。このとき、陰極側取り出し電極３の温度を放射温度計にて測定したところ、約２４０℃であった。また、陰極側取り出し電極３に最も近い発光部の温度を測定したところ、約８０℃であった。
【００４５】
次に、上記のようにして陰極側取り出し電極３上の有機層を除去した基板１を真空蒸着装置にセットし、図１（Ｄ）に示すように、電子輸送層６として８−キノリノール・アルミニウム錯体（Ａｌｑ３）を６０ｎｍの厚みに蒸着した。この時、発光部以外の部分には蒸着されないように蒸着マスクを用いた。そして真空を保持したまま蒸着機内にて蒸着マスクをストライプ状のものに交換し、Ｍｇ／Ａｇ（配合重量比１０／１）合金からなる厚み３００ｎｍの陰極８を形成した。
【００４６】
そして、蒸着機から基板１を取り出し、封止缶９及びＦＰＣ１１を接着して、図２（Ｅ）に示す有機ＥＬ表示装置を得た。
【００４７】
この様にして作製した有機ＥＬ表示装置を外部回路に接続し、直流１２Ｖを印加したところ、平均輝度は４０ｃｄ／ｍ２ですべての画素が発光し、陰極側取り出し電極３と陰極８の導通が良好であることが確認された。また、陰極側取り出し電極３に近い発光部の輝度低下も見られなかった。
【００４８】
実施例２
陰極側取り出し電極３の厚みを２５０ｎｍとした他は実施例１と同様にして有機ＥＬ表示装置を作製した。
【００４９】
本実施例では、２５ＫＨｚの周波数で有機層の除去が可能であり、このとき陰極側取り出し電極３に最も近い発光部の温度を測定したところ、約５０℃であった。
【００５０】
この様にして作製した有機ＥＬ表示装置を外部回路に接続し、直流１２Ｖを印加したところ、平均輝度は４０ｃｄ／ｍ２で総ての画素が発光し、陰極側取り出し電極３と陰極８の導通が良好であることが確認された。また、陰極側取り出し電極３に近い発光部の輝度低下も見られなかった。
【００５１】
実施例３
図４に示すように、陰極側取り出し電極３として、ＩＴＯより抵抗の低いアルミニウムを２００ｎｍの厚みに形成し、さらに陰極側取り出し電極３の一部に、高発熱層３１として、蒸着法でクロム層を１００ｎｍの厚みに形成した他は実施例１と同様にして有機ＥＬ表示装置を作製した。
【００５２】
本実施例では、２０ＫＨｚの周波数で有機層の除去が可能であり、このとき陰極側取り出し電極３に最も近い発光部の温度を測定したところ、約４０℃であった。
【００５３】
この様にして作製した有機ＥＬ表示装置を外部回路に接続し、直流１１Ｖを印加したところ、平均輝度は４０ｃｄ／ｍ２で総ての画素が発光し、陰極側取り出し電極３と陰極８の導通が良好であることが確認された。また、陰極側取り出し電極３に近い発光部の輝度低下も見られなかった。
【００５４】
実施例４
図５に示すように、基板１上に高発熱層３２として厚み１００ｎｍのニッケル層を形成し、その上に陰極側取り出し電極３として２００ｎｍのアルミニウム層を形成した他は実施例１と同様にして有機ＥＬ表示装置を作製した。
【００５５】
本実施例では、２５ＫＨｚの周波数で有機層の除去が可能であり、このとき陰極側取り出し電極３に最も近い発光部の温度を測定したところ、約４０℃であった。
【００５６】
この様にして作製した有機ＥＬ表示装置を外部回路に接続し、直流１０Ｖを印加したところ、平均輝度は４０ｃｄ／ｍ２で総ての画素が発光し、陰極側取り出し電極３と陰極８の導通が良好であることが確認された。また、陰極側取り出し電極３に近い発光部の輝度低下も見られなかった。
【００５７】
実施例５
図６および図７に示すように、発光部となる陽極２の形成領域周辺の基板１上に、高発熱層３２として厚み１００ｎｍのニッケル層を形成し、その上に絶縁層３３として１０ｎｍの厚みにＳｉＯ２膜を形成し、さらにその上に陰極側引き出し電極３として低抵抗層３２である厚み２００ｎｍのアルミニウム層を形成した。高発熱層３２および絶縁層３３は、図７に示すように、陰極側取り出し電極３以外の発光部周辺にも形成されているものとした。
【００５８】
実施例１と同様に、正孔輸送層５を形成した後に前記高発熱層３１上に成膜された有機層を除去するために発光部周辺に高周波電磁界を照射した。そして、高発熱層３１上の有機層を除去した後は実施例１と同様に有機ＥＬ表示装置を作製した。
【００５９】
本実施例では、２５ＫＨｚの周波数で有機層の除去が可能であり、このとき陰極側取り出し電極３に最も近い発光部の温度を測定したところ、約６０℃であった。
【００６０】
この様にして作製した有機ＥＬ表示装置を外部回路に接続し、直流１０Ｖを印加したところ、平均輝度は４０ｃｄ／ｍ２で総ての画素が発光し、陰極側取り出し電極３と陰極８の導通が良好であることが確認された。また、陰極側取り出し電極３に近い発光部の輝度低下も見られなかった。さらに、この有機ＥＬ表示装置を８０℃９０％の環境に１０００時間放置しても封止缶９の剥離は見られなかった。
【００６１】
比較例１
正孔輸送層５を成膜後、陰極側取り出し電極３上に形成された有機層をクロロホルムを染み込ませた多孔質ポリウレタンで拭き取り除去した以外は実施例１と同様にして有機ＥＬ表示装置を作製した。
【００６２】
この様にして作製した有機ＥＬ表示装置を外部回路に接続し、直流１２Ｖを印加したところ、陰極側取り出し電極３近傍の画素に輝度の低下している部分が見られた。
【００６３】
比較例２
正孔輸送層５を成膜後、陰極側取り出し電極３上に形成された有機層の除去を全く行わなかった以外は実施例１と同様にして有機ＥＬ表示装置を作製した。
【００６４】
この様にして作製した有機ＥＬ表示装置を外部回路に接続し、直流１２Ｖを印加したが、この有機ＥＬ表示装置は発光しなかった。また、この有機ＥＬ表示装置を８０℃９０％の環境に１００時間放置したところ、封止缶９の剥離が見られた。
【００６５】
【発明の効果】
以上詳述したように、本発明によれば発光部にダメージを与えることなく陰極側取り出し電極上に形成された有機層を除去することが可能であるため、製造プロセスが簡便なスピンコート法やディップ法などの塗布法にて低コストで有効発光面積の大きい有機ＥＬ表示装置を製造することができる。また、封止缶接着部に形成された有機層をも除去するようにすれば、封止缶の剥離も抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の有機ＥＬ表示装置の製造手順を説明するための要部断面図である。
【図２】基板上に、陽極、陽極側引き出し電極および陰極側引き出し電極を形成した状態の平面図である。
【図３】本発明における電磁誘導加熱による有機層除去の説明図である。
【図４】低抵抗層上の一部に高発熱層を設けた陰極側引き出し電極の例を示す断面図である。
【図５】高発熱層上に低抵抗層を設けた陰極側引き出し電極の例を示す断面図である。
【図６】発光部の周辺に高発熱層と絶縁層を順次重ねて設け、その上に陰極側引き出し電極を構成する低抵抗層を設けた例を示す断面図である。
【図７】図６の例の平面図である。
【図８】陽極、陽極側引き出し電極、陰極および陰極側引き出し電極の配置状態を示す平面図である。
【図９】従来の一般的な有機ＥＬ表示装置の構造の一例を示す断面図である。
【符号の説明】
１　　透明基板
２　　陽極
３　　陰極側取り出し電極
４　　陽極側取り出し電極
５　　正孔輸送層（有機層）
６　　発光層（有機層）
８　　陰極
９　　封止缶
１０　異方性導電膜
１１　ＦＰＣ
１２　封止樹脂
２０　励磁コイル
２１　芯材
３１　高発熱層
３２　低抵抗層
３３　絶縁層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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