(57)【要約】【課題】磁気記録媒体のエラーレートを低減化させる。【解決手段】金属薄膜よりなる磁性層を有する磁気記録媒体に適用する磁気記録システムにおいて、孤立再生波形半値幅を、使用する最短記録波長以下に選定する。【選択図】      図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
非磁性支持体の一主面上に、金属薄膜よりなる磁性層を有する磁気記録媒体のエラーレート低減化方法であって、
孤立再生波形半値幅を、磁気記録システムにおいて使用する最短記録波長以下に選定することを特徴とする磁気記録媒体のエラーレート低減化方法。
【請求項２】
使用する最短記録波長が、０．１〜０．２４μｍであることを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体のエラーレート低減化方法。
【請求項３】
磁気抵抗効果型磁気ヘッドまたは巨大磁気抵抗効果型磁気ヘッドを再生用磁気ヘッドとして適用することを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体のエラーレート低減化方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、非磁性支持体上に金属磁性薄膜よりなる磁性層が形成された磁気記録媒体のエラーレートの低減化方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来において、例えばビデオテープレコーダー（ＶＴＲ）等の分野においては、高画質化を図るために、磁気記録媒体の高密度記録化が一層強く要求されてきており、より短波長記録を行うことが重要となっている。
【０００３】
一方、デジタル磁気記録システムにおいては、より高密度記録を目指しており、感度の高い磁気抵抗効果型磁気ヘッド（ＭＲヘッド）や、巨大磁気抵抗効果型磁気ヘッド（ＧＭＲヘッド）が適用されるようになっているが、エラーレートを良好に保つため、信号の再生欠損であるドロップアウト（Ｄ．Ｏ．）が少なく、高出力、高ＣＮＲを実現することが必要となってきている。
【０００４】
また、エラーレートを良好に保つためには磁気システムの特性に合わせた波形歪を持つことも重要であり、通常は、システムが磁気記録媒体の特性に合わせ、読み出しタイミングの最適値を決定している。例えば、Ｃｏの斜方蒸着によって磁性層を形成した磁気記録媒体は磁性層平面方向に対し約３０度の磁化容易軸を持つため、通常、５５〜６０％の波形歪が発生することに合わせ、読み出しタイミングが決定されている。
【０００５】
このような問題に鑑み、従来においては、磁気特性をもとに半値幅を規定しようとする提案がなされているが（例えば、特許文献１参照。）、磁気記録システムに依存することを前提としているに過ぎず、半値幅の本質は磁気記録システムで使用する時決定される事項であることが考慮されていなかった。
【０００６】
そこで従来においては、磁気記録媒体の設計においては、Ｄ．Ｏ．を少なくすること、高ＣＮ比を実現しつつ、波形歪を適切な値に制御することが必要とされてきたが、低Ｄ．Ｏ．と高ＣＮ比を実現しても、今後さらなる高性能化が進む磁気記録媒体の低エラーレート化を図るためには未だ不充分である。
【０００７】
一方、近年においては、益々高画質化への要求が高まってきており、これに従って磁気記録媒体の電磁変換特性が向上し、例えば８ｍｍ幅以下の幅狭のテープを使用したデジタルＶＴＲシステムについての提案がなされている。
【０００８】
また、コンピューター用の記録メディアにおいても、より高密度にて記録再生を行うために、１／２インチ以下のテープが提案されている。
【０００９】
しかし、このような幅狭のテープにおいても、充分な記録密度を確保するためには、高い電磁変換特性を有していることが必要であり、これについては、蒸着テープのような薄膜型磁気記録媒体でなければ対応できないのが現状であり、また、より高密度記録に対応するためには、より高感度で出力の高いＭＲヘッドやＧＭＲヘッドに好適な磁気記録媒体の使用が不可欠であると考えられている。
【００１０】
従来はＤ．Ｏ．が充分に少なく、高出力で高いＣＮ比を有し、波形歪が所望の範囲内に収まっていれば、低エラーレートの媒体が実現すると考えられていたが、、更なる高密度化を図るためには、エラーレートの低減化を図ることが重要である。
【００１１】
【特許文献１】
特開２００２−９２８５３号公報
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】
そこで本発明においては、従来の問題点に鑑み、従来考えていたデジタル記録システムにおける所定のパラメータを制御して、充分な低エラーレート化を図った磁気記録媒体のエラーレート低減化方法を提供することとした。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
本発明においては、非磁性支持体の一主面上に金属薄膜よりなる磁性層を有する磁気記録媒体のエラーレートの低減化を図るために、適用する磁気記録システムにおいて、孤立再生波形半値幅を、使用する最短記録波長以下に選定する。
【００１４】
本発明方法によれば、従来行われていたＤ．Ｏ．の低減化を図ること、高出力、高ＣＮ比であること、適切な波形歪を有することに加え、孤立再生波形半値幅を最短記録波長以下に選定することにより、さらなる低エラーレートを実現することが可能となる。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明方法において適用する磁気記録媒体を図に示して説明するが、以下の例に限定されるものではない。
磁気記録媒体は、図１に示すように、非磁性支持体１の一の主面上に粒子２が配されてなり、磁性層３、保護層４およびトップコート層７が積層形成された構成を有している。また、粒子２によって磁性層側の最表面には、微小突起５が形成されており、非磁性支持体１の他の主面には、バックコート層６が形成されているものとする。
【００１６】
非磁性支持体１は、従来磁気テープ用の支持体として公知のものをいずれも適用可能である。例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル類、ポリエチレン、ポリプロピレン等のポリオレフィン類、セルローストリアセテート、セルロースダイアセテート、セルロースアセテートブチレート等のセルロース誘導体、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン等のビニル系樹脂、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリアミド、ポリアミドイミド等のプラスチック、紙、アルミニウム、銅等の金属、アルミニウム合金、チタン合金等の軽合金、セラミックス、単結晶シリコン等が挙げられる。
【００１７】
非磁性支持体１の表面に配する粒子２としては、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２  、Ａｌ２  Ｏ３  、ＣａＣＯ３  等の粒子や、エマルジョン等が使用可能である。
エマルジョンとしては、水性エマルジョンであっても非水エマルジョンであってもよく、さらにはラテックス等も使用可能である。また、エマルジョンに含まれる合成樹脂の種類としても、酢酸ビニル、アクリル酸エステル、メタクリル酸エステル、塩化ビニリデン、塩化ビニル、エチレン、スチレン等のホモポリマー、コポリマーからなる熱可塑性樹脂や、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂、ブタジエン−スチレン共重合体、ブタジエン−アクリロニトリル共重合体等の合成ゴム等、特に限定されるものではない。
粒子２は、微小突起５の高さをコントロールするために、所望の粒径のものを適用する。粒子２を形成する材料は、上記の材料に限定されるわけではなく、微小突起５を好適な高さに制御できるものであれば、上記の材料以外のものでも使用可能である。
【００１８】
磁性層３としては、Ｃｏを主成分とした合金が適用可能であり、成膜方法としては真空薄膜形成技術が挙げられ、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等のいずれの方法も適用可能である。
【００１９】
保護層４は、例えばカーボン膜により形成されているものとする。保護層４は、例えばスパッタリング装置のようなＰＶＤ装置を用いて形成することが可能であり、その他ガスからの反応を利用するＣＶＤ装置により形成してもよい。
保護層４の材料としては、カーボンの他、金属磁性薄膜型の磁気記録媒体において通常使用されているものがいずれも使用可能である。例えば、ＣｒＯ２  、Ａｌ２  Ｏ３  、ＢＮ  、Ｃｏ酸化物、ＭｇＯ、ＳｉＯ２、Ｓｉ３  Ｏ４、ＳｉＮｘ、ＳｉＣ、ＳｉＮｘ−ＳｉＯ２、ＺｒＯ２  、ＴｉＯ２、ＴｉＣ  等を真空薄膜成膜手段によって成膜した単層膜、多層膜あるいは複合膜等が挙げられる。
磁性層３および保護層４は、一般に透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）を適用し、所望の厚さに制御する。
【００２０】
非磁性支持体１上の表面突起を形成する粒子の粒径、および密度を制御し、さらに磁性層３および保護層４の膜厚を制御することにより、良好な走行性が確保され、適度のクリーニング力を確保でき、磨耗特性も低く抑えることが可能となる。
【００２１】
粒子２により非磁性支持体１上に表面突起を形成する方法としては、例えば、非磁性支持体原材料（チップ）に粒径が１５ｎｍ±５ｎｍの粒子２を添加して、分散させて非磁性支持体１を作製すると、粒子の突出分と、この上を覆う樹脂被膜の厚さを合わせて粒径に相当する高さの表面突起が形成される。
あるいは、この非磁性支持体１上に粒径が１５ｎｍ±５ｎｍの粒子２を配置してバインダー樹脂等により定着させることにより、高さが３５ｎｍ±５ｎｍ程度の表面突起を有する非磁性支持体１が得られる。
【００２２】
なお、突起を有する非磁性支持体１上に金属磁性薄膜を成膜すると、突起形状が金属磁性薄膜の表面に反映できる。
なお、非磁性支持体の突起形状が磁性層３の表面へ反映される精度は、金属磁性薄膜の膜厚に依存する。金属磁性薄膜の膜厚が薄い場合には、比較的精度良く表面に非磁性支持体の突起形状が反映される。
【００２３】
また、表面突起を予め非磁性支持体上に形成してもよく、非磁性支持体としては表面平坦なものを用い、磁性層３に所定の粒子を所定の密度で配置し、この上を保護層４で覆うことにより微小突起を形成してもよい。
【００２４】
表面突起の高さを測定する手法としては、例えば原子間力顕微鏡（ＡＦＭ  ）により磁気記録媒体の表面の原子像を観察する方法が挙げられる。
原子間力顕微鏡は、先端曲率半径の小さな探針を有する板ばね状のカンチレバー部と、このカンチレバーの変位を測定する測定系から構成されてなり、探針の先端の原子と被測定試料の原子間に働く反発力によって変化する上記カンチレバーの変位を検出するようになされたものである。
【００２５】
原子間力顕微鏡においては、カンチレバーにレーザー光が照射され、その反射光の位置を感知することによって、カンチレバーの変位が測定される。そして、このカンチレバーの変位を一定に維持するために、被測定試料が設置された試料台（所謂、ピエゾ・トランスレータ）のＺ軸（試料台に対して鉛直方向の軸）を上下動させるとともに、この試料台をＸ  軸及びＹ  軸（試料台に対して水平方向の互いに直交する２軸）の方向にスキャンし、これらＸ  軸，Ｙ  軸及びＺ  軸をコントロールするための信号を基にして三次元像を得ている。
【００２６】
なお、磁気記録媒体１０においては、必要に応じて非磁性支持体上に下塗り膜を設けたり、バックコート層、トップコート層等を適宜形成したりしてもよい。この場合、下塗り膜、バックコート層、およびトップコート層等の成膜方法は、通常この種の磁気記録媒体に適用される方法であればいずれでも良い。
【００２７】
図２に、磁気記録媒体１０における孤立再生波形の概略図を示す。
本発明においては、孤立再生波の最大振幅点から基準線Ｌに下ろした垂線の中間位置（孤立再生波の振幅ｂの中間位置）における波幅、すなわち孤立再生波形半値幅ｃ（以下、単に半値幅とする）が、磁気記録システムにて使用する最短記録波長以下になるように選定するものとする。
【００２８】
カーボン膜よりなる保護層４の膜厚と、図２に示した半値幅ｃの関係を図３に示す。この例においては、磁性層３の膜厚を１５０ｎｍの固定値とし、保護層４の膜厚を変更し、複数のサンプル磁気記録媒体を作製し、半値幅の測定を行った。図３に示すように保護層４が厚いほど半値幅が大きくなっており、保護層４を８ｎｍとした時、半値幅が４５ｎｓｅｃ、１２ｎｍとした時５０ｎｓｅｃとなることがわかった。
【００２９】
保護層４の膜厚を調整して半値幅を制御したサンプル磁気記録媒体について、磁気システムで使用する最短記録波長が０．５μｍであるＤＶフォーマットのシステムを使用し、エラーレートを測定した。測定結果を図４に示す。なお、エラーレートは、実用上１×１０−５以下となることが必要であるとした。図４に示すように、エラーレートを１×１０−５以下に低減化させるためには、半値幅を、磁気システムで使用する最短記録波長すなわち０．５μｍ以下にすることが必要であることがわかった。
【００３０】
保護層４の膜厚が厚くなるに従い、出力も小さくなることからＣＮＲ（Ｔｏｔａｌ）も小さくなる。ＣＮＲとエラーレートの関係を図５に示す。図５に示すように、ＣＮＲが小さくなるとともにエラーレートが劣化する。
【００３１】
上記のように、図４、図５に示したデータのみでは、エラーレートは半値幅、ＣＮＲのいずれに起因するのか結論が出せないが、いずれも関連を示唆しており、ＣＮＲと半値幅のどちらが支配的に起因しているのかについては後述する。
【００３２】
次に、磁気システムで使用する最短記録波長が０．５μｍであるＤＶフォーマットのシステムを使用し、磁気記録媒体の保護層４の膜厚を１０ｎｍに固定し、磁性層３の膜厚を変更して、同様に半値幅とＣＮＲ（Ｔｏｔａｌ）、エラーレートの関係を調べた。測定結果を図６および図７に示す。
【００３３】
図６から、エラーレートを１×１０−５以下とするためには、半値幅を５００ｎｍ以下、すなわち磁気システムで使用する最短記録波長以下に選定することが必要であることがわかり、半値幅とエラーレートとは関連性が認められる。
一方、図７に示すように、エラーレートを１×１０−５以下とするためのＣＮＲ値は、５４〜５７ｄＢの範囲にばらついており、これらの間には関連性が認められない。
すなわち、磁性層３の膜厚を１２０ｎｍ以下の薄層として出力が小さくなった場合や、また磁性層３の膜厚を２４０ｎｍよりも厚くし、ノイズが極端に大きくなったときは、ＣＮＲとエラーレートとの間には関連性が認められるが、中間領域においては、必ずしもＣＮＲとエラーレートの間に関連性は見られないことがわかった。
上述したことから、ＣＮＲが一定レベル以上の領域ではＣＮＲよりも半値幅がエラーレートに対し支配的であることが確かめられた。
【００３４】
次に、ドロップアウト（Ｄ．Ｏ．）を測定し、エラーレートとの対応関係を調べた。測定結果を図８に示す。
図８に示すように、比較範囲において、Ｄ．Ｏ．とエラーレートの関連性は確認されなかった。しかしながら、Ｄ．Ｏ．はエラーレートの原因になることは自明のことであり、寄与度を確認するために、図６を考慮して半値幅を３８ｎｓ〜４２ｎｓの範囲に選定して半値幅がエラーレートには影響を及ぼさないと考えられる試料について、Ｄ．Ｏ．とエラーレートの関係を調べた。
その結果、６ｄＢ−１μｓサイズのＤ．Ｏ．がエラーレートに影響を及ぼしていることがわかったが、３０００個／分以上でなければ、実用上問題となるレベルにはならないことが確認でき、Ｄ．Ｏ．が３０００個以下で使用するのであれば半値幅が最もエラーレートを支配するパラメータであることが確認された。
【００３５】
上述したように、ＣＮＲを５４ｄＢ以上、Ｄ．Ｏ．を３０００個／分以下にできた時、エラーレートを決定している因子は半値幅であることが判明した。
【００３６】
なお、ＣＮＲを５４ｄＢ以上、Ｄ．Ｏ．を３０００個／分以下の条件を実現するためには、磁性層３と保護層４の膜厚が重要なパラメータとなっているが、これらを実現するための手段について具体的に説明する。
【００３７】
磁性層３の膜厚と保護層４の膜厚の制御をすることは、実際のメディアおいては、スペーシングファクターと磁気特性（Ｂｒ・δ／Ｈｃ）を制御することに繋がる。
スペーシングファクターについては、図３に示す結果から、保護層４の膜厚１ｎｍあたり、０．８ｎｓｅｃの影響があると考えられる。
【００３８】
一方、Ｂｒ・δ／Ｈｃについては、図４おいて適用した試料の特性を調べたところ関連があることが確認でき、磁性層３の膜厚を変更することにより図４の特性を得たものはＢｒ・δ／Ｈｃと表面酸化層を考慮した結果と一致していることがわかった。
【００３９】
次に、磁性層形成時における蒸着時の酸素導入量、蒸着時の最低入射角を制御することにより、磁性層３の膜厚と磁気特性の異なるサンプル磁気テープを作製した。図４に示すような特性を得たサンプル試料について、表面酸化層によるスペーシングに対応した影響を補正し、磁気特性と半値幅との関係について調べた。測定結果を図９示す。
【００４０】
図９に示すように、磁気記録媒体の半値幅は、スペーシングファクターと磁気特性（Ｂｒ・δ／Ｈｃ）０．５により規定されることがわかった。
図９に示す結果から、半値幅を磁気記録最短波長０．５μｍ以下に選定するためには、スペーシングファクター（ＳＲｚ＋保護層４の膜厚）≦３５ｎｍであり、（Ｂｒ・δ／Ｈｃ）０．５≦０．３５の磁気エネルギーをもつ磁気記録媒体を作製することが好適であることがわかった。
図９に示す結果から、スペーシングファクター≦３８ｎｍとし、（Ｂｒ・δ／Ｈｃ）０．５≦０．３０にした場合においても、半値幅を磁気記録最短波長０．５μｍ以下に選定するためには好適であることがわかった。
【００４１】
図９中の○に示される特性を有する磁気記録媒体について、それぞれエラーレートと半値幅の関係を調べたところ、図５に示したデータと同様の結果が得られた。上述したことから、出力、ＣＮＲ、およびＤ．Ｏ．を実用上好適な範囲の規定以内に制限すると、エラーレートに支配的な影響を及ぼすパラメータは半値幅であることが確認できた。
【００４２】
さらにエラーレートが許容範囲に低減させるためには、ＤＶＣフォーマットでは半値幅を最短記録波長以下にすることが必要であることがわかった。このことは、記録方式の一例としてＰＲ−４記録の時の信号処理手法との関連があり、Ｄ（１−Ｄ）処理の時使用周波数がｆｎ／２と一致するためと考えられる。
【００４３】
同様にＰＲ−４を使用したＭｉｃｒｏＭＶフォーマットについても同様の検証を行った結果、エラーレートと半値幅との間には相関関係が確認でき、半値幅を最短記録波長以下にすることによりエラーレートが実用上充分に低減化できることが確認された。
【００４４】
次に、ＭｉｃｒｏＭＶフォーマットを流用し、ＧＭＲヘッドを使用可能なシステムに対して、本発明方法が有効であるかの検証を行った。
最短記録波長を０．２８６μｍとしたときの半値幅とエラーレートとの関係を図１０に示す。
図１０から、エラーレートを実用上充分に低減化させるためには、半値幅が２８６ｎｍ以下程度であることが必要であることがわかり、ＧＭＲヘッドについても、最短記録波長以下の半値幅をもつシステムは、エラーレートを良好にすることができることがわかった。なお、インダクティブヘッドを使用したシステムにおいても同様に効果があることがわかった。
【００４５】
以下においては、図１に示す構成を有する磁気記録媒体１０について磁性層３の膜厚を５０ｎｍとした場合について説明する。この磁気記録媒体について、保護層４の膜厚を制御し、半値幅とエラーレートとの関係を検証したところ、図１１に示すように、保護層４が厚いほど半値幅が大きくなることがわかった。
【００４６】
保護層４の膜厚を変えることによって半値幅を制御した種々のサンプルを用意し、これらを磁気記録システムに適用し、磁気記録媒体と磁気ヘッドの相対速度を変えることによって最短記録波長を０．１〜０．２４μｍの範囲で制御し、最短記録波長とエラーレートとの関係を調べた。測定結果を図１２に示す。
図１２によれば、エラーレートを１×１０−５以下とするためには、半値幅を、磁気システムで使用する最短記録波長以下にすること、すなわち最短記録波長を０．１μｍ、０．１５μｍ、０．２４μｍとしたときには、半値幅は、それぞれ１００ｎｍ以下、１５０ｎｍ以下、２４０ｎｍ以下に選定することが必要であることがわかった。
【００４７】
次に、保護層４の膜厚を１０ｎｍに固定し、磁性層３の膜厚を変えることによりＣＮＲを制御し、ＣＮＲとエラーレートとの関係を調べたところ、図５に示した結果と同様の結果が得られ、ＣＮＲとエラーレートとの間には関連があることがわかった。
【００４８】
次に、ドロップアウト（Ｄ．Ｏ．）を測定し、エラーレートとの対応関係を調べた。測定結果を図１３に示す。
図１３に示すように、比較範囲において、Ｄ．Ｏ．とエラーレートの関連性は確認されなかった。しかしながら、Ｄ．Ｏ．はエラーレートの原因になることは自明のことであり、寄与度を確認するために、最短記録波長を０．２４μｍとし、半値幅を１２０〜２００ｎｍの範囲として半値幅がエラーレートに影響を及ぼさないと考えられる試料を作製し、これについてＤ．Ｏ．とエラーレートの関係を調べた。
その結果、６ｄＢ−１μｓサイズのＤ．Ｏ．がエラーレートに影響を及ぼしていることがわかったが、３０００個／分以上でなければ、実用上問題となるレベルにはならないことが確認でき、Ｄ．Ｏ．が３０００個以下で使用するのであれば、半値幅が最もエラーレートを支配するパラメータであることが確認された。
【００４９】
上述したことから明らかなように、デジタル磁気記録において使用されているＰＲ−４記録において、最短記録波長を０．１〜０．２４μｍとしたものにおいても、インダクティブヘッド、ＭＲヘッド、ＧＭＲヘッドを使用したシステムのいずれにおいても、孤立再生波形半値幅を、最短記録波長以下に選定することにより、エラーレートを効果的に低減化できることがわかった。
【００５０】
【実施例】
次に、本発明の具体的な実施例について説明する。
図１に示す磁気記録媒体１０について構成に変更を加えることにより、孤立再生波形半値幅を制御し、下記のサンプル１〜５の磁気テープを作製した。
【００５１】
〔サンプル１〕
非磁性支持体の表面粗度Ｒｚ：３５ｎｍ
磁性層の膜厚：１６０ｎｍ
Ｈｃ：１２３ｋＡ／ｍ
（Ｂｒ・δ／Ｈｃ）０．５：０．３５
保護層の膜厚：１０ｎｍ
半値幅：４２ｎｓｅｃ
【００５２】
〔サンプル２〕
非磁性支持体の表面粗度Ｒｚ：３５ｎｍ
磁性層の膜厚：１６０ｎｍ
Ｈｃ：１２３ｋＡ／ｍ
（Ｂｒ・δ／Ｈｃ）０．５：０．３５
保護層の膜厚：１６ｎｍ
半値幅：５５ｎｓｅｃ
【００５３】
〔サンプル３〕
非磁性支持体の表面粗度Ｒｚ：２５ｎｍ
磁性層の膜厚：１６０ｎｍ
Ｈｃ：１２３ｋＡ／ｍ
（Ｂｒ・δ／Ｈｃ）０．５：０．２５
保護層の膜厚：１０ｎｍ
半値幅：４０ｎｓｅｃ
【００５４】
〔サンプル４〕
非磁性支持体の表面粗度Ｒｚ：１５ｎｍ
磁性層の膜厚：１５０ｎｍ
Ｈｃ：１０５ｋＡ／ｍ
（Ｂｒ・δ／Ｈｃ）０．５：０．２５
保護層の膜厚：１０ｎｍ
半値幅：３０ｎｓｅｃ
【００５５】
〔サンプル５〕
非磁性支持体の表面粗度Ｒｚ：１５ｎｍ
磁性層の膜厚：１８０ｎｍ
Ｈｃ：１００ｋＡ／ｍ
（Ｂｒ・δ／Ｈｃ）０．５：０．３５
保護層の膜厚：１０ｎｍ
半値幅      ４８ｎｓｅｃ
【００５６】
上記〔サンプル１〜５〕の磁気テープについて、最短記録波長が０．５μｍであるＤＶフォーマットの磁気記録システムを使用し、エラーレートを測定した。
〔サンプル１、３〜５〕の磁気テープにおいては、いずれもエラーレートが１×１０−５以下に低減化されており実用上良好な特性が得られた。
一方、〔サンプル２〕の磁気テープにおいては、エラーレートが１×１０−５を超えてしまい、実用上充分な特性が得られなかった。
【００５７】
【発明の効果】
本発明方法によれば、孤立再生波形半値幅を、磁気記録システムにおいて使用する最短記録波長以下に選定したことにより、従来行われていたＤ．Ｏ．の低減化を図ること、高出力、高ＣＮ比であること、適切な波形歪を有することに加えて、さらなる低エラーレートを実現することが可能となった。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明方法に適用する磁気記録媒体の一例の概略構成図を示す。
【図２】孤立再生波形の概念図を示す。
【図３】保護層の膜厚と半値幅との関係を示す。
【図４】半値幅とエラーレートとの関係を示す。
【図５】ＣＮＲとエラーレートとの関係を示す。
【図６】半値幅とエラーレートとの関係を示す。
【図７】ＣＮＲとエラーレートとの関係を示す。
【図８】ドロップアウトとエラーレートとの関係を示す。
【図９】磁気特性と半値幅の関係を示す。
【図１０】半値幅とエラーレートとの関係を示す。
【図１１】保護層の膜厚と半値幅との関係を示す。
【図１２】半値幅とエラーレートとの関係を示す。
【図１３】ドロップアウトとエラーレートとの関係を示す。
【符号の説明】
１……非磁性支持体、２……粒子、３……磁性層、４……保護層、５……微小突起、６……バックコート層、７……トップコート層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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