(57)【要約】【課題】ガラス基板での黄変の発生を抑制することで、良好な画像表示が可能な画像表示装置用のガラス基板の製造方法を提供することができる。【解決手段】ガラス基板の、Ａｇ電極を形成する面上のＳｎ++の量が許容値以下となるように、フロート窯２２内の還元力を弱めるように制御し、その後に得られるガラス基板の、Ａｇ電極を形成する面上のＳｎ++の量が許容値を超える場合には、その面を除去することで許容値以下とするものである。【選択図】図７
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラス基板のＳｎ++の量が許容値を超える場合、フロート窯内の還元力を弱めるように制御する画像表示装置用のガラス基板の製造方法。
【請求項２】
ガラス基板のＳｎ++の量が許容値以下となるように、フロート窯内の還元力を弱めるように制御し、その後に得られるガラス基板のＳｎ++の量が許容値を超える場合には、このガラス基板表面を除去することで許容値以下とする画像表示装置用のガラス基板の製造方法。
【請求項３】
フロート窯内の水素濃度を低下させることで、フロート窯内の還元力を弱める請求項１または２に記載の画像表示装置用のガラス基板の製造方法。
【請求項４】
前記Ｓｎ++の量の許容値は、Ａｇ電極からのＡｇ+を還元することで発生するＡｇコロイドによるガラス基板の変色が問題とならない量である請求項１から３のいずれかに記載の画像表示装置用のガラス基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）などの、画像表示装置用のガラス基板の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
高品位テレビジョン画像を大画面で表示するための画像表示装置として、様々な方式がある。ＰＤＰはその一つであり、以下ではＰＤＰを例として説明する。
【０００３】
ＰＤＰは、２枚の、画像が表示される側である前面側のガラス基板と、それに対向する背面側のガラス基板とで構成されている。前面側のガラス基板には、その一方の主面上に、ストライプ状の透明電極とバス電極とからなる表示電極とを形成し、さらにこの表示電極を覆うようにコンデンサとしての働きをする誘電体膜と、この誘電体膜上にＭｇＯ保護層とを形成した構成である。一方、背面側のガラス基板には、その一方の主面上にストライプ状のアドレス電極と、このアドレス電極を覆う誘電体膜とを形成し、さらにその上に隔壁と、各隔壁間に、赤色、緑色および青色でそれぞれ発光する蛍光体層とを形成した構成である。
【０００４】
ここで、前面側のガラス基板および背面側のガラス基板としては、大面積化が容易で平坦性に優れ、且つ安価な、フロート法によるガラス基板が用いられる（例えば、非特許文献１参照）。
【０００５】
フロート法とは、還元性雰囲気下で溶融金属錫上に溶融ガラス材料を浮上・搬送することによりガラスを板状に形成する方法であり、大面積の板ガラスを精度良くしかも安価に製造することができるという特長を有し、窓ガラスの製造をはじめとして広く用いられている。
【非特許文献１】（株）電子ジャーナル編、電子ジャーナル別冊「２００１  ＦＰＤテクノロジー大全」（株）電子ジャーナル出版、２０００年１０月２５日、ｐ７０６−ｐ７１０
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、フロート法で製造されたガラス基板（フロートガラス）上に銀材料を用いた電極（Ａｇ電極）を形成すると、ガラス基板の表面に着色層が形成されて黄色に変化（黄変）するという課題がある。
【０００７】
このような、フロートガラスがＡｇ電極により着色する現象は、フロートガラス表面に存在する還元性の錫イオン（Ｓｎ++）と銀イオン（Ａｇ+）との酸化還元反応により銀コロイドが生成し、これによって波長３５０ｎｍから４５０ｎｍ付近に光吸収が生じることに起因するものである。
【０００８】
すなわち、フロートガラスは、フロート窯内での成型過程において、水素を含む還元性雰囲気に晒されるため、表面には、溶融錫（Ｓｎ）由来の錫イオン（Ｓｎ++）が存在する厚さ数ミクロンの還元層が生成した状態となっている。このような還元層を表面に有するフロートガラスに、Ａｇ電極、例えばバス電極を形成すると、熱処理の際に、バス電極から銀イオン（Ａｇ+）が離脱し、ガラス中に含まれるアルカリ金属イオンとの間のイオン交換により、ガラス中に銀イオン（Ａｇ+）が侵入する。そして、侵入した銀イオン（Ａｇ+）は還元層に存在する錫イオン（Ｓｎ++）によって還元され、金属銀（Ａｇ）のコロイドが生成する。そして、この銀（Ａｇ）コロイドによって、フロートガラスであるガラス基板は黄色く着色した状態となるというものである。これは、バス電極が透明電極の上に形成された構成の前面側のガラス基板においてでも同様に発現する。
【０００９】
ガラス基板、特に前面側のガラス基板が、このように黄色に着色した状態となった場合、画像表示装置としては致命的な欠陥となる。なぜなら、ガラス基板の黄色への着色により、パネルが黄色く着色して見え、商品価値を下げるとともに、青色の表示輝度が低下するため表示色度が変化し、特に白色表示時には色温度が低下するなどして画質が劣化するからである。
【００１０】
以上のような課題は、ＰＤＰに限らず、フロートガラスにＡｇ電極を形成した構成を有する画像表示装置に共通のものである。
【００１１】
本発明は上記課題を解決するためになされたものであり、ガラス基板での黄変の発生を抑制することで、良好な画像表示が可能な画像表示装置用のガラス基板の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記目的を実現するための本発明の画像表示装置用のガラス基板の製造方法は、ガラス基板のＳｎ++の量が許容値を超える場合、フロート窯内の還元力を弱めるように制御するものである。
【００１３】
また、上記目的を実現するための本発明の画像表示装置用のガラス基板の製造方法は、ガラス基板のＳｎ++の量が許容値以下となるように、フロート窯内の還元力を弱めるように制御し、その後に得られるガラス基板のＳｎ++の量が許容値を超える場合には、このガラス基板の表面を除去することで許容値以下とするものである。
【発明の効果】
【００１４】
本発明の画像表示装置用のガラス基板の製造方法は、ガラス基板での黄変の発生を抑制することで、良好な画像表示が可能な画像表示装置用のガラス基板の製造方法を実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
すなわち、本発明の請求項１に記載の発明は、ガラス基板のＳｎ++の量が許容値を超える場合、フロート窯内の還元力を弱めるように制御する画像表示装置用のガラス基板の製造方法である。
【００１６】
また、請求項２に記載の発明は、ガラス基板のＳｎ++の量が許容値以下となるように、フロート窯内の還元力を弱めるように制御し、その後に得られるガラス基板のＳｎ++の量が許容値を超える場合には、このガラス基板の表面を除去することで許容値以下とする画像表示装置用のガラス基板の製造方法である。
【００１７】
また、請求項３に記載の発明は、請求項１または２に記載の発明において、フロート窯内の水素濃度を低下させることで、フロート窯内の還元力を弱めるものである。
【００１８】
また、請求項４に記載の発明は、請求項１から３のいずれかに記載の発明において、前記Ｓｎ++の量の許容値は、Ａｇ電極からのＡｇ+を還元することで発生するＡｇコロイドによるガラス基板の変色が問題とならない量であるというものである。
【００１９】
本発明の一実施の形態について、以下に説明する。
【００２０】
なお、以下の説明においては、画像表示装置としてＰＤＰを例として説明するが、本発明の効果は、ＰＤＰに限らず、フロート法によるガラス基板（以下、単にガラス基板と記す）等、表面にＳｎ++が存在するガラス基板に、電極としてＡｇ電極を配設した構成を有する画像表示装置に対して同様の効果が得られるものである。
【００２１】
ＰＤＰの場合、画像が表示される側である前面側のガラス基板と、それに対向する背面側のガラス基板との２枚のガラス基板で構成されている。
【００２２】
図１は、ＰＤＰの概略構造を示す断面斜視図である。
【００２３】
ＰＤＰ１の前面基板２は、前面側のガラス基板３の一主面上に形成した走査電極４と維持電極５とからなる表示電極６と、その表示電極６を覆う誘電体層７と、さらにその誘電体層７を覆う、例えばＭｇＯによる保護層８とを有する構造である。走査電極４と維持電極５は、電気抵抗の低減を目的として、透明電極４ａ、５ａに金属材料からなるバス電極４ｂ、５ｂを積層した構造としている。
【００２４】
背面基板９は、背面側のガラス基板１０の一主面上に形成したアドレス電極１１と、そのアドレス電極１１を覆う誘電体層１２と、誘電体層１２上のアドレス電極１１の間に相当する場所に位置する隔壁１３と、隔壁１３間の蛍光体層１４Ｒ、１４Ｇ、１４Ｂとを有する構造である。
【００２５】
そして、前面基板２と背面基板９とは、隔壁１３を挟んで、表示電極６とアドレス電極１１とが直交するように対向し、画像表示領域の外の周囲を封着部材により封止した構成であり、前面基板２と背面基板９との間に形成された放電空間１５には、例えばＮｅ−Ｘｅ５％の放電ガスが６６．５ｋＰａ（５００Ｔｏｒｒ）の圧力で封入されている。
【００２６】
そして、放電空間１５の表示電極６とアドレス電極１１との交差部が放電セル１６（単位発光領域）として動作する。
【００２７】
ここで、前面側のガラス基板３および背面側のガラス基板１０としては、前述したように、大面積化が容易で平坦性に優れ、且つ安価な、フロート法によるガラス基板が用いられる。
【００２８】
以上の構成においては、前面側のガラス基板３にＡｇ電極であるバス電極４ｂ、５ｂを形成した構成であるので、前面側のガラス基板３にＳｎ++が存在する場合、バス電極４ｂ、５ｂとの間に透明電極４ａ、５ａが介在していても黄変が発生する恐れがあり、その黄変の度合いによっては、画像表示装置としての画像表示の特性に悪影響を与える場合がある。
【００２９】
そこで、そのような悪影響の発生を抑制するため、まず、画像表示装置であるＰＤＰ１の前面側の、Ａｇ電極であるバス電極４ｂ、５ｂを形成するガラス基板３に対し、Ｓｎ++の量の分析を行う。外観上の品質も問題とするのであるならば、Ａｇ電極であるアドレス電極１１を形成する背面側のガラス基板１０に対しても、Ｓｎ++（２価の錫イオン）の量の分析を同様に行う。
【００３０】
この際の分析の具体的な方法は、ガラス基板の、波長２２０ｎｍにおける反射率を測定し、この反射率に基づいて分析するという方法である。これは、本発明者らが行った検討の結果、ガラス基板のＳｎ++濃度の増加に応じて波長２２０ｎｍ近傍の反射率が増加し、さらに波長２２０ｎｍ付近の反射率と銀コロイドによるガラス基板の着色と相関があることを見出したことに基づくものである。ここで、反射率の測定は、一般的な測定装置を用いればよい。
【００３１】
すなわち、本発明者らは、まず、フロート法によるガラス基板の非錫接触面側（トップ面側）表面を一様に、７、１５、２０μｍ除去し、そのようにして得たガラス基板の、波長２００〜３００ｎｍにおける反射スペクトルを測定した。その結果を図２に示す。図２には、比較のため、除去を行わなかったガラス基板に対する測定結果も示している。ここで、トップ面側の表面を除去したのはトップ面側の方がボトム面側（錫接触面側）よりも錫の付着および拡散量が小さく黄変の程度が低いため、銀を電極材料としてＡｇ電極を形成する際には、通常、トップ面側に形成するためである。なお、ボトム面側にＡｇ電極を形成すると、トップ面側に形成した場合の２〜３倍の着色がみられる。
【００３２】
図２から明らかなように、除去量が１５μｍまでは、除去量の増加と共に波長２２０ｎｍ近傍での反射率のピーク（図２中のＡ）が減少するが、１５μｍ以上では減少が飽和してしまうことが判る。ここで、ガラス基板のトップ面側からのＳｎ++濃度は単調に減少すると考えられているが、これと図２に示す結果とは一致している。これが、このピークＡがＳｎ++に起因すると考える第一の理由である。
【００３３】
次に、反射スペクトルに現れる２２０ｎｍ近傍のピークとガラス基板の黄変との関係を明確にするため、上記のガラス基板上に実際にＡｇ電極を形成しガラス基板の着色強度を測定した。すなわち、Ａｇ電極として銀ペーストをガラス基板上にスクリーン印刷法で厚み５μｍに塗布して６００℃で焼成を行うことで、ガラス基板の着色強度と波長２２０ｎｍにおける反射率との関係を調べた。その結果を図３に示す。ここでガラス基板の着色強度は、Ｌ＊ａ＊ｂ＊表色系（ＪＩＳ  Ｚ  ８７２９参照）におけるｂ＊を用いて評価を行った。ｂ＊の値が大きいほど黄色く強く着色していることを意味する。なお、ガラス基板の着色強度測定は、Ａｇ電極を形成していない面側から行った。図３から明らかなように、波長２２０ｎｍの光に対するガラス基板の反射率とガラス基板の着色強度ｂ＊との間には正の相関が認められる。
【００３４】
以上の検討結果から、ガラス基板の、波長２２０ｎｍにおける反射率の増加がガラス基板に存在するＳｎ++、少なくとも黄変の原因となる還元性物質の濃度と相関があることは明らかである。従って、波長２２０ｎｍにおける反射率を測定することにより、ガラス基板のＳｎ++の量の分析を行うことができ、ガラス基板の黄変度合いを推定することができると考えられる。
【００３５】
ここで、図２において、１５μｍ以上、除去することで反射率のピークの減少が飽和した状態での、２２０ｎｍ近傍での反射率（図２において、２％程度）はＳｎ++によるものではなく、他の波長でピークを持つ反射率スペクトルの裾の部分である。２２０ｎｍでの反射率の減少が飽和した状態では、Ｓｎ++の存在は非常に微量であると考えられる。すなわち、図４に示すように、ガラス基板の反射スペクトルＲS（λ）と、Ｓｎ++が存在しない状態、つまり１５μｍ以上の表面除去により反射率の減少が飽和した状態での反射スペクトルＲB（λ）との差ΔＲ（λ）＝ＲS（λ）−ＲB（λ）が、Ｓｎ++の存在によるものである。
【００３６】
また、波長２２０ｎｍにおける反射率は、図２もしくは図３に示すような、反射スペクトルの分布から読み取っても良いが、Ｓｎ++と相関のある反射帯の信号強度をさらに正確に検討するためには、例えば１８０〜２８０ｎｍのより広範囲で反射スペクトルを測定し、反射スペクトルを図５に示すようにＳｎ++と相関のある成分とそれ以外の成分との二つのガウス型ピーク：
【００３７】
【数１】
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【００３８】
に分離し、Ｓｎ++に起因する成分のピーク面積を比較すればよい。ここで、λは波長（単位：ｎｍ）、Ｍ１〜Ｍ６はフィッティングパラメータである。
【００３９】
なお、測定波長範囲の下限を１８０ｎｍとしたのは、１８０ｎｍより短波長側では大気中の酸素による光吸収のため、測定には真空中あるいは酸素を含まない雰囲気が必須となり、測定系の構築および測定に手間を要するためである。
【００４０】
また、Ｓｎ++に起因する反射率のピーク波長の位置は、ガラス基板の製造条件や組成により若干の変化を伴う場合があるため、Ｓｎ++の分析精度を上げるためには、波長２２０ｎｍでの反射率のみに拘らず、より広範囲の、例えば２００〜２５０ｎｍの、反射率の裾が広がっている範囲も含めて分析すると、より効果的である。
【００４１】
具体的には、例えば、図６に示すように、波長２００ｎｍ〜２５０ｎｍにおける、ガラス基板の反射スペクトルＲS（λ）と、Ｓｎ++が存在しない状態での反射スペクトルＲB（λ）との差ΔＲ（λ）＝ＲS（λ）−ＲB（λ）が最大となる波長λ*が、Ｓｎ++の存在を示す波長であると考えられるため、その波長λ*における反射率ＲS（λ*）、もしくは反射率の差ΔＲ（λ*）＝ＲS（λ*）−ＲB（λ*）により、ガラス基板のＳｎ++の量を分析するというものである。
【００４２】
なお、上記の、反射率の差ΔＲ（λ*）＝ＲS（λ*）−ＲB（λ*）は、その意味から、基板の波長２００ｎｍ〜２５０ｎｍにおける反射スペクトルＲS（λ）と、Ｓｎ++が存在しない状態での反射スペクトルＲB（λ）との差ΔＲ（λ）＝ＲS（λ）−ＲB（λ）の最大値と同じ意味である。
【００４３】
また、Ｓｎ++が存在しない状態での反射スペクトルＲB（λ）としては、例えば、図２に示す結果からも明らかなように、Ｓｎ++は、ガラス基板最表面から高々１５μｍ程度の深さまでの領域にのみ局在している点に注目し、ガラス基板のトップ面側から１５μｍ以上、望ましくは２０μｍ以上除去した部分での反射スペクトルとすれば良い。
【００４４】
また、より広範囲の、例えば２００〜２５０ｎｍの、反射率の裾が広がっている範囲も含めて分析することの、別の具体例としては、例えば、波長２００〜２５０ｎｍにおける平均の反射率を求め、それによりＳｎ++の量を分析するという方法を挙げることができる。
【００４５】
次に、上述のようにして行った、ガラス基板のＳｎ++の量の分析結果に対しての判定基準について述べる。Ｓｎ++の存在により、Ａｇ電極からのＡｇ+が還元されてしまいＡｇコロイドが生成され、ガラス基板に変色（黄変）が発生し、Ｓｎ++の量が多ければ変色の度合いも大きくなることから、ガラス基板に発生した変色の度合いが、画像表示装置用として用いることに対して問題となるのか否かが、Ｓｎ++の量の許容値となる。
【００４６】
ここで、図２の結果から、黄変防止の観点からは、Ｓｎ++の存在を示す波長での反射率、すなわち例えば、波長２２０ｎｍでの反射率ＲS（２２０）、もしくは反射スペクトルの差ΔＲ（λ）＝ＲS（λ）−ＲB（λ）が最大となる波長λ*での反射率ＲS（λ*）、もしくは反射率の差ΔＲ（λ*）＝ＲS（λ*）−ＲB（λ*）、もしくは波長２００〜２５０ｎｍでの平均の反射率ＲS-mean（２００〜２５０）は、低い方が好ましく、具体的には、反射率ＲS（２２０）が５％以下、もしくは反射率ＲS（λ*）が５％以下、もしくは反射率の差ΔＲ（λ*）が３％以下、もしくは平均の反射率ＲS-mean（２００〜２５０）が５％以下の場合には、このガラス基板にＡｇ電極を形成して画像表示装置を製造しても、ガラス基板の黄変が問題となることは少ない程度のガラス基板のＳｎ++量であることを確認している。しかし、ガラス基板のＳｎ++量が少ないということは、フロート窯内の雰囲気の還元力が弱いことが理由である場合があり、そのような場合、ガラス基板の製造時に、錫浴に含まれる金属錫が次々と酸化し、揮発してしまうという問題が生じてしまう。従って、ガラス基板のＳｎ++濃度が低すぎるのも良くはなく、以上から、好ましくは、反射率ＲS（２２０）が２．５％以上、５％以下、もしくは反射率ＲS（λ*）が２．５％以上、５％以下、もしくは反射率の差ΔＲ（λ*）が０．５％以上、３％以下、もしくは平均の反射率ＲS-mean（２００〜２５０）が２．５％以上、５％以下、となる。
【００４７】
すなわち、ガラス基板に対する反射率の分析結果が、上述の範囲を超える場合には、そのガラス基板には許容値を超えるＳｎ++が存在する、すなわち、Ａｇ電極を形成して画像表示装置を製造すると、画像表示装置用として用いるには問題となる程度の変色（黄変）が発生するということになる。
【００４８】
そこで、Ｓｎ++の量が許容値を超えると分析された場合には、製造工程においてフロート窯内の還元力を弱めるように制御することで、ガラス基板のＳｎ++を減少させるようにすれば良い。ここで、フロート窯内の還元力を弱める具体的な方法としては、フロート窯内の水素濃度を低下させることが挙げられる。
【００４９】
この場合の、ガラス基板の製造装置の一例を図７に示す。溶融炉２１に投入されたガラス基板の材料は、高温に加熱されることにより溶融した後、フロート窯２２に供給される。フロート窯２２の下部は溶融錫２４、上部空間は錫の酸化を防ぐため還元性雰囲気２５（水素と窒素の混合ガス）となっている。溶融ガラスは溶融錫２４上を連続的に移動することにより板状のガラスリボン２３に成形される。ガラスリボン２３は搬送ローラー２６によって錫浴から引き上げられ徐冷窯２７へ移動する。この徐冷窯２７でガラスリボン２３は徐冷されることにより成形時に生じた歪みは緩和する。
【００５０】
図７に示す製造装置の一例には、徐冷工程以降に、反射率測定装置３２により反射率を測定することで、ガラス基板のＳｎ++の量を分析する表面分析工程が設けられており、この工程で、ガラス基板の、Ｓｎ++の存在を示す波長での反射率、すなわち、波長２２０ｎｍでの反射率ＲS（２２０）、もしくはΔＲ（λ）＝ＲS（λ）−ＲB（λ）が最大となる波長λ*での反射率ＲS（λ*）、もしくは反射率の差ΔＲ（λ*）＝ＲS（λ*）−ＲB（λ*）、もしくは波長２００〜２５０ｎｍでの平均の反射率ＲS-mean（２００〜２５０）が、測定される。
【００５１】
そして、以上での反射率の測定により、Ｓｎ++の量が許容値を超えると分析された場合には、フロート窯２２内の還元力を弱めるように制御する。ここで、黄変防止の観点からは上述した観点での反射率の分析結果は、できるだけ低い方が好ましいが、ガラス基板のＳｎ++量を少なくするために、フロート窯２２内の雰囲気２５の還元力を弱めすぎると、ガラス基板の製造時に、溶融錫２４に含まれる金属錫が次々と酸化し、揮発してしまうという問題が発生することになる。従って、ガラス基板のＳｎ++濃度は、前述した値以上となるように制御することが好ましく、その値以下となる場合には、金属錫の酸化を防止するためフロート窯雰囲気の水素濃度を上げることが望ましい。
【００５２】
ここで、以上における反射率測定は、非破壊・非接触で行うことができ、更に短時間で行うことができるため、日々のガラス基板製造工程の工程管理にも適用可能である。また、表示装置は面内均一性が特に求められるため、ガラス基板の面方向でのばらつきを把握するため、複数カ所測定することが望ましい。
【００５３】
なお、Ｓｎ++濃度の評価方法としては、二次イオン質量分析法（ＳＩＭＳ：Ｓｅｃｏｎｄａｒｙ  Ｉｏｎ−ｍａｓｓ  ｓｐｅｃｔｒｏｇｒａｐｈｙ）を挙げることもできるが、この手法は質量分析であり、イオンの価数を評価することができない。そのためＳｎ++に加えて黄変と無関係であるＳｎ4+も同時に測定してしまうという問題がある。また、測定には真空を要しかつ測定自体が破壊検査であり、また大面積の測定が困難なため、ガラス基板製造工程でのガラス基板のＳｎ++量のインライン測定には不適である。
【００５４】
なお、フロート窯の雰囲気の水素濃度が高くなると、雰囲気の還元性が強くなるためガラス基板のＳｎ++濃度が増加し、これまで述べてきたようにガラス基板の黄変が問題となる。また、前述のようにガラス基板のＳｎ++濃度の変化は、ガラス基板の黄変の程度差として現れるため、一定範囲内とする必要がある。ガラス基板の反射率が前述した所定の範囲を上回った場合は、フロート窯の水素濃度を低下させれば、雰囲気の還元性が弱まるためガラス基板の反射率を下げることが可能である。
【００５５】
そして、反射率を測定する表面分析工程に引き続き、ガラスリボン２３は切断工程において裁断装置２８により任意の大きさに切断され、ガラス基板１００として完成する。
【００５６】
また、上述のように、フロート窯２２内の還元力を弱めるように制御したにも拘らず、得られるガラス基板のＳｎ++の量の分析結果が、なお、許容値を超える場合には、図８に示すように、表面除去窯２９にて、表面除去工程により、Ｓｎ++の量が許容値以下となる領域にまで、ガラス基板の表面を除去すれば良い。これは、フロート窯２２内の還元力を弱めるように制御することと、ガラス基板表面を除去するということを併用することで、ガラス基板のＳｎ++の量を削減するようにして得られたガラス基板に対して、その表面を除去することとなることから、フロート窯２２内の還元力を制御することなく表面を除去するという場合に比べ、除去に必要な量を低減することが可能である。これは、図２の結果から、フロート窯内の還元力を制御しない場合、Ｓｎ++はガラス表面から１５μｍ程度の深さまで存在するため、完全に除去するには大面積のガラス基板を１５μｍ以上、望ましくは２０μｍ以上に、一様な深さに除去する必要があり、このような除去加工は、鏡面仕上げが必要であることからも、除去量が大きくなるほどコストが極端に上昇するため、除去量を低減することは、コスト面で非常に有利となる。
【００５７】
ここで、表面除去工程は、フッ酸溶液や水酸化ナトリウム水溶液などのエッチング液３０にガラス基板１００を浸漬することによりガラス基板表面をエッチングする化学的手法であってもよいし、バフ研磨法やサンドブラスト法等の物理的手法であってもよい。表面除去量は３μｍ〜１５μｍ程度で十分である。
【００５８】
また、図９に示すように、表面除去窯２９にて表面除去した後、再度、反射率測定装置３２により、ガラス基板１００のＳｎ++の量を分析する第二の表面分析工程を行い、必要であるならば再度、表面を除去するというように、表面分析工程と表面除去工程とを繰り返し、ガラス基板の表面状態を厳密に管理することにより、本発明の効果をさらに高めることができる。
【００５９】
また、Ｓｎ++の量が許容値を超えると分析された場合、そのガラス基板は画像表示装置の背面側のガラス基板として用い、Ｓｎ++の量が許容値以下の場合には画像表示装置の前面側のガラス基板として用いるということでも良い。
【００６０】
上述のようにして得られたガラス基板を用いて製造した画像表示装置であるＰＤＰには、その画像表示特性に影響を与える程度の黄変が発生することはなく、良好な画像表示を行うことができる。
【００６１】
以下に、本発明の一実施の形態に基づいて作製したＰＤＰに対して行った検討について述べる。
【００６２】
まず、フロート法により製造したガラス基板（旭硝子製ＰＤ−２００）に対し、波長２１０ｎｍ〜２５０ｎｍの範囲における反射スペクトルＲS（λ）と反射スペクトルＲB（λ）との差：ΔＲ（λ）＝ＲS（λ）−ＲB（λ）の最大値が、０．１％、０．８％、２．１％、３．３％、４．０％となるよう、ガラス基板表面の還元層の残量が異なるように除去を行った。表面除去の具体的な方法としては、ガラス基板をフッ酸水溶液（１０％）からなるエッチング液に浸漬する方法とし、表面除去量は浸漬時間で制御した。フッ酸水溶液の温度は２７℃とし、エッチング速度は毎分２μｍであった。そして、所定時間の浸漬の後、水洗を行った。その後、反射スペクトルの測定を行った。
【００６３】
これらのガラス基板を用いて解像度・構造の異なる三種類のＰＤＰを製造し、反射スペクトルの差ΔＲ（λ）とＰＤＰの黄変による着色強度（ｂ＊）との関係を調べた。
【００６４】
ここで、３種類のＰＤＰは、ＰＤＰ１が、ＶＧＡ（４８０×６４０画素）相当、Ａｇ電極（バス電極）とガラス基板との間に透明電極４ａ、５ａ有り、またＰＤＰ２が、ＸＧＡ（７６８×１０２４画素）相当、Ａｇ電極とガラス基板との間に透明電極有り、そしてＰＤＰ３が、ＸＧＡ相当、Ａｇ電極とガラス基板との間に透明電極無し、である。
【００６５】
以上の結果を表１に示す。ｂ＊の値は低いほど望ましいが、実際上はｂ＊は２以下であれば黄変が特に問題となることはない。従って、ＰＤＰ１のようにＡｇ電極とガラス基板との間に透明電極があり、かつ画素間隔が広い構造の場合はΔＲ（λ）が３％以下、ＰＤＰ２のようにＡｇ電極とガラス基板との間に透明電極があっても画素間隔が狭い構造ではΔＲが２％以下、ＰＤＰ３のように透明電極がない構造ではΔＲが１％以下となる。
【００６６】
【表１】
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【産業上の利用可能性】
【００６７】
以上述べたように本発明は、ガラス基板での黄変の発生を抑制することを可能とし、もって良好な画像表示が可能な画像表示装置用のガラス基板の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００６８】
【図１】画像表示装置の一例である、プラズマディスプレイパネルの概略構造を示す断面斜視図
【図２】フロート法によるガラス基板の、表面除去量と反射スペクトルとの関係を示す図
【図３】波長２２０ｎｍに対する反射率とガラス着色度との関係を示す図
【図４】ガラス基板面の反射スペクトルＲS（λ）と、Ｓｎ++が存在しない状態での反射スペクトルＲB（λ）との差ΔＲを示す図
【図５】ガラス基板面の反射スペクトルの解析結果を示す図
【図６】ガラス基板面の反射スペクトルＲS（λ）と、Ｓｎ++が存在しない状態での反射スペクトルＲB（λ）との差ΔＲが最大となる波長λ*を説明する図
【図７】画像表示装置用のガラス基板の製造装置の概略構成を示す図
【図８】同じく、画像表示装置用のガラス基板の製造装置の概略構成を示す図
【図９】同じく、画像表示装置用のガラス基板の製造装置の概略構成を示す図
【符号の説明】
【００６９】
１  ＰＤＰ（画像表示装置）
３  前面側のガラス基板
４ｂ、５ｂ  バス電極（Ａｇ電極）
１０  背面側のガラス基板
１１  アドレス電極（Ａｇ電極）
２２  フロート窯
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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