(57)【要約】【課題】プラズマディスプレイパネルの構造物の形成をフォトリソグラフィ法により行う際、構造物の反り上がり、剥がれなども抑制することができるＰＤＰの製造方法およびＰＤＰを実現することを目的とする。【解決手段】フォトリソグラフィ法によってプラズマディスプレイパネルの構造物の形成を行うプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、上記プラズマディスプレイパネルの構造物の少なくとも一つは、その形成工程において露光を、露光部２２ａ、２４ａのパターンが同一で開口幅Ａ、Ｂが異なる複数のフォトマスク２２、２４により、フォトマスク毎に露光量を異ならせて行うことを特徴とするものである。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
フォトリソグラフィ法によってプラズマディスプレイパネルの構造物の形成を行うプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、上記プラズマディスプレイパネルの構造物の少なくとも一つは、その形成工程において露光を、露光部のパターンが同一で開口幅が異なる複数のフォトマスクにより、フォトマスク毎に露光量を異ならせて行うことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項２】
開口幅の広いフォトマスクによる露光の際の露光量を、開口幅の狭いフォトマスクによる露光の際の露光量よりも大きくすることを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項３】
大きい露光量が、必要な全露光量の２／３程度であることを特徴とする請求項２に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項４】
フォトリソグラフィ法によって形成された構造物を備えるプラズマディスプレイパネルであって、前記構造物の少なくとも一つは、その露光直後の状態において、パターン形状におけるエッジ部と中央部とで架橋反応の進行度合いが異なり、中央部がエッジ部に対し進行していることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、大画面で、薄型、軽量のディスプレイ装置として知られるプラズマディスプレイパネル（以下、ＰＤＰと記す）の構造物の形成を行うＰＤＰの製造方法及びその製造方法によって製造されるＰＤＰに関する。
【背景技術】
【０００２】
ＰＤＰは、液晶パネルに比べて高速の表示を行うことが可能である。また、視野角が広いこと、大型化が容易であること、さらには自発光型であるため表示品質が高いことなどの理由から、フラットパネルディスプレイの中でも注目されてきている。特に、多くの人が集まる公共の場所での表示装置や家庭で大画面の映像を楽しむための表示装置として各種の用途に多く使用されている。
【０００３】
ＰＤＰは、ガス放電により紫外線を発生させ、この紫外線で蛍光体を励起して発光させることにより画像表示を行うもので、駆動方式は、大別して、ＡＣ型とＤＣ型とに分かれる。また、放電方式は面放電型と対向放電型とに分けられる。昨今では、高精細化、大画面化及び構造の簡素性に伴う製造の簡便性から、３電極構造の面放電型のＰＤＰが主流になってきている。
【０００４】
この構造は、ガラス等の基板上に、走査電極と維持電極とからなる表示電極と、それを覆う誘電体層と、さらにそれを覆う保護層とを有する前面板と、表示電極に対して直交する複数のアドレス電極と、それを覆う誘電体層と、誘電体層上の隔壁とを有する背面板とを対向配置させることにより、表示電極とデータ電極との交差部に放電セルを形成し、且つ放電セル内に蛍光体層を備えたものである。
【０００５】
このＰＤＰにおいては、例えば、表示電極やアドレス電極などに対しては、その形状及び配設ピッチに高精度が要求される。このため、例えば、金属材料等のような導電性材料に、感光性材料を含有させた材料を基板全面に塗布し、それを電極パターンを備えたフォトマスクにより露光、現像するという、いわゆるフォトリソグラフィ法が採用されている（例えば、非特許文献１参考）。
【非特許文献１】２００１  ＦＰＤテクノロジー大全、株式会社電子ジャーナル、２０００年１０月２５日、ｐ５８９−５９４、ｐ６０１−ｐ６０３、ｐ６０４−ｐ６０７
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
感光性材料は露光により架橋反応し、硬化するのであるが、その露光の条件次第では露光が過露光となってしまう場合がある。そのような場合には架橋反応が過度に進行してしまい、電極膜には応力が内在した状態となり、このような状態で焼成を行うと電極膜が収縮し、例えば、電極のパターン形状におけるエッジ部で、反り上がりや剥がれといった問題が発生する場合がある。
【０００７】
以上は電極の例であるが、ＰＤＰにおいては、大画面であるにも関わらずその構造物には精度を要求されている。したがって、電極以外の、例えば隔壁などの形成にも、同様にフォトリソグラフィ法が用いられる場合があり、そのような場合にも、上記と同様、画像表示に支障が生じる場合がある。このような問題が発生すると、表示する画像に対して悪影響を与えることとなる。
【０００８】
本発明は上述した問題を解決するためになされたものであり、ＰＤＰの構造物の形成をフォトリソグラフィ法により行う際、形成した構造物の反り上がり、剥がれなどを抑制することができるＰＤＰの製造方法およびＰＤＰを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成するために本発明のＰＤＰの製造方法は、フォトリソグラフィ法によってＰＤＰの構造物の形成を行うＰＤＰの製造方法であって、上記ＰＤＰの構造物の少なくとも一つは、その形成工程において露光を、露光部のパターンが同一で開口幅が異なる複数のフォトマスクにより、フォトマスク毎に露光量を異ならせて行うことを特徴とするものである。
【００１０】
また、上記目的を達成するために本発明のＰＤＰは、フォトリソグラフィ法によって形成された構造物を備えるプラズマディスプレイパネルであって、前記構造物の少なくとも一つは、その露光直後の状態において、パターン形状におけるエッジ部と中央部とで架橋反応の進行度合いが異なり、中央部がエッジ部に対し進行していることを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、ＰＤＰの構造物の形成をフォトリソグラフィ法により行う際、形成した構造物の反り上がり、剥がれなどを抑制することができるＰＤＰの製造方法およびＰＤＰを提供することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
すなわち、本発明の請求項１に記載の発明は、フォトリソグラフィ法によってプラズマディスプレイパネルの構造物の形成を行うプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、上記プラズマディスプレイパネルの構造物の少なくとも一つは、その形成工程において露光を、露光部のパターンが同一で開口幅が異なる複数のフォトマスクにより、フォトマスク毎に露光量を異ならせて行うことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法である。
【００１３】
また、請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の発明において、開口幅の広いフォトマスクによる露光の際の露光量を、開口幅の狭いフォトマスクによる露光の際の露光量よりも大きくすることを特徴とするものである。
【００１４】
また、請求項３に記載の発明は、請求項２に記載の発明において、大きい露光量が、必要な全露光量の２／３程度であることを特徴とするものである。
【００１５】
また、請求項４に記載の発明は、フォトリソグラフィ法によって形成された構造物を備えるプラズマディスプレイパネルであって、前記構造物の少なくとも一つは、その露光直後の状態において、パターン形状におけるエッジ部と中央部とで架橋反応の進行度合いが異なり、中央部がエッジ部に対し進行していることを特徴とするプラズマディスプレイパネルである。
【００１６】
以下、本発明の一実施の形態に係るＰＤＰの製造方法について、図を用いて以下に説明する。
【００１７】
（実施の形態１）
まず、ＰＤＰの構造の一例について説明する。図１は、本発明の一実施の形態に係るＰＤＰの製造方法によって製造される、ＰＤＰの概略構成の一例を示す断面斜視図である。
【００１８】
ＰＤＰ１の前面板２は、例えばフロート法により得られたガラスのような、平滑、透明且つ絶縁性を備えた基板３の一主面上に形成された、走査電極４と維持電極５とからなる表示電極６を有する。また表示電極６と、それに隣接する他の表示電極６との間に設けた遮光層７と、表示電極６と遮光層７とを覆う誘電体層８と、さらにその誘電体層８を覆う、例えばＭｇＯを含む保護層９とを有する。
【００１９】
走査電極４と維持電極５は、電気抵抗の低減を図るために、透明電極４ａ及び５ａに金属材料のような良導電性材料によるバス電極４ｂ及び５ｂをそれぞれ積層した構造としている。また、遮光層７は、非発光時に蛍光体層（後述）からの白色を遮蔽し、コントラストを向上させるために効果的である。
【００２０】
背面板１０は、背面側の、例えばフロート法により得られたガラスのような、平滑、且つ絶縁性を備えた基板１１の一主面上に形成したアドレス電極１２と、そのアドレス電極１２を覆う誘電体層１３と、誘電体層１３上の、隣り合うアドレス電極１２の間に相当する場所に配置される隔壁１４と、その隣の他の隔壁１４との間の蛍光体層１５Ｒ、１５Ｇ及び蛍光体層１５Ｂとを有する。
【００２１】
前面板２と背面板１０とは、隔壁１４を挟んで、表示電極６とアドレス電極１２とが直交するように対向配置し、前面板２と背面板１０の周囲を封着部材により封止した構成である。前面板２と背面板１０との間に形成された放電空間１６には、例えばＮｅ−Ｘｅ５％の放電ガスを６６．５ｋＰａ（５００Ｔｏｒｒ）の圧力で封入する。
【００２２】
そして、放電空間１６の表示電極６とアドレス電極１２との交差部が放電セル１７（単位発光領域）として動作する。
【００２３】
次に、ＰＤＰ１について、その製造方法を図１を参照しながら説明する。
【００２４】
前面板２を製造するに当たっては、まず基板３の上に、走査電極４及び維持電極５を例えばストライプ状に形成する。具体的には、基板３の上に透明電極４ａ、５ａの材料である例えばＩＴＯによる膜を、例えば電子ビーム蒸着法により形成する。さらにそのＩＴＯ膜の上にレジストを、透明電極４ａ、５ａのパターンとして残るようにパターニングを行う。そしてこの状態で透明電極４ａ、５ａをエッチングし、その後、レジストを剥離して、ストライプ状に透明電極４ａ、５ａを形成する。なお、透明電極材料としてはＳｎＯ2等も用いることができる。
【００２５】
そして、透明電極４ａ、５ａの上にバス電極４ｂ、５ｂを形成する。バス電極４ｂ、５ｂの材料としては、黒色顔料、ガラスフリット（ＰｂＯ−Ｂ2Ｏ3−ＳｉＯ2系やＢｉ2Ｏ3−Ｂ2Ｏ3−ＳｉＯ2系等）、重合開始剤、光硬化性モノマー、有機溶剤を含む感光性黒色ペーストを用いる。
【００２６】
そして、この感光性黒色ペーストをスクリーン印刷法等によりガラス基板上に黒色電極膜を成膜した後、乾燥させ、引き続き、スクリーン印刷法等により黒色電極膜の上にＡｇを材料に含有する導電性材料、ガラスフリット（ＰｂＯ−Ｂ2Ｏ3−ＳｉＯ2系やＢｉ2Ｏ3−Ｂ2Ｏ3−ＳｉＯ2系等）、重合開始剤、光硬化性モノマー、有機溶剤を含む感光性Ａｇペーストを用いて金属電極膜を成膜し、再度、乾燥する。その後、フォトリソグラフィ法によってパターニングし、焼成してバス電極４ｂ、５ｂを形成する。
【００２７】
上述の製造方法により、走査電極４及び維持電極５からなる表示電極６を形成することができる。
【００２８】
次に、遮光層７を形成する。これは、感光性黒色ペーストをスクリーン印刷法等により成膜した後、フォトリソグラフィ法によってパターニングし、焼成して形成する。なお、遮光層７は、バス電極４ｂ、５ｂの下地黒色層と同時に形成しても良い。また、感光性ペーストが黒色であればペーストを用いた形成方法でなくとも良い。なお、遮光層７は、バス電極４ｂ、５ｂ形成の前に形成しても良い。
【００２９】
次に、表示電極６と遮光層７とを、誘電体層８で被覆する。誘電体層８は、鉛系のガラス材料を含むペーストを例えばスクリーン印刷で塗布して形成する。その後、所定温度で所定時間、例えば５６０℃で２０分間、ペーストを焼成することによって、誘電体層８は所定の厚み、たとえば約２０μｍの厚みに形成される。
【００３０】
鉛系のガラス材料を含むペーストとしては、例えば、ＰｂＯ（７０ｗｔ％）、Ｂ2Ｏ3（１５ｗｔ％）、ＳｉＯ2（１０ｗｔ％）、及びＡｌ2Ｏ3（５ｗｔ％）と有機バインダ（例えば、α−ターピネオールに１０％のエチルセルローズを溶解したもの）との混合物が使用される。ここで、有機バインダとは樹脂を有機溶媒に溶解したものであり、エチルセルローズ以外に樹脂としてアクリル樹脂、有機溶媒としてブチルカービトールなども使用することができる。
【００３１】
さらに、こうした有機バインダに分散剤、例えば、グリセルトリオレエートを混入させても良い。また、ペーストを用いてスクリーン印刷する代わりに、成型されたフィルム状の誘電体前駆体をラミネートして焼成することによって形成しても良い。
【００３２】
次に、誘電体層８を保護層９で被覆する。保護層９は、例えばＭｇＯを主成分とするものである。蒸着やスパッタなどの成膜プロセスにより、保護層９が所定の厚み、たとえば約０．５μｍになるように形成する。
【００３３】
一方、背面板１０は、基板１１上に、アドレス電極１２をストライプ状に形成する。具体的には、基板１１上に、アドレス電極１２の材料となる、例えば感光性Ａｇペーストを用い、スクリーン印刷法等により膜を形成し、その後、フォトリソグラフィ法などによってパターニングし、焼成して形成する。
【００３４】
次に、アドレス電極１２を、誘電体層１３により被覆する。誘電体層１３は、例えば、鉛系のガラス材料を含むペーストを、例えば、スクリーン印刷で塗布した後、所定温度で所定時間、例えば５６０℃で２０分間焼成する。これによって、誘電体層１３は約２０μｍの所定の厚みに形成される。
【００３５】
また、ペーストをスクリーン印刷する代わりに、成型されたフィルム状の下地誘電体層前駆体をラミネートして焼成することによって形成しても良い。
【００３６】
次に、隔壁１４を例えばストライプ状に形成する。隔壁１４は、Ａｌ2Ｏ3等の骨材とガラスフリットとを主剤とする感光性ペーストを印刷法やダイコート法等により成膜し、フォトリソグラフィ法によりパターニングし、焼成して形成する。または、例えば、鉛系のガラス材料を含むペーストを、例えば、スクリーン印刷法により所定のピッチで繰り返し塗布した後、焼成することによって形成しても良い。ここで、隔壁１４の間隙の寸法は、例えば３２インチ〜５０インチのＨＤ−ＴＶの場合、１３０μｍ〜２４０μｍ程度である。
【００３７】
そして、隔壁１４と、隣の隔壁１４との間の溝には、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）及び青色（Ｂ）の各蛍光体粒子により構成される蛍光体層１５Ｒ、１５Ｇ及び１５Ｂを形成する。これは、各色の蛍光体粒子と有機バインダとからなるペースト状の蛍光体インキを塗布し、これを例えば、４００〜５９０℃の温度で焼成して有機バインダを焼失させる。これによって、各蛍光体粒子が結着してなる蛍光体層１５Ｒ、１５Ｇ及び１５Ｂが形成される。
【００３８】
前面板２と背面板１０とを、前面板２の表示電極６と背面板１０のアドレス電極１２とが直交するように重ね合わせるとともに、前面板２と背面板１０との周縁に封着用ガラス等の封着部材を介挿し、これを例えば４５０℃程度で１０〜２０分間焼成して形成した気密シール層（図示せず）により封着する。そして、一旦、放電空間１６内を高真空、例えば、１．１×１０-4Ｐａで排気したのち、放電ガス（例えば、Ｈｅ−Ｘｅ系、Ｎｅ−Ｘｅ系の不活性ガス）を所定の圧力で封入することによってＰＤＰ１を作製する。
【００３９】
ここで、ＰＤＰ１は大画面であると同時に、表示電極６、遮光層７、アドレス電極１２、隔壁１４などの、ＰＤＰ１の構造物には形状及び位置に対する精度が要求されるため、これらＰＤＰ１の構造物の形成方法としては、フォトリソグラフィ法が多く用いられている。
【００４０】
そこで、本発明に係るＰＤＰの製造方法におけるフォトリソグラフィ法について、ＰＤＰの一構造物であるアドレス電極１２の形成を例として、本発明の特徴的な点である、露光工程の流れを中心に、図を用いて説明する。
【００４１】
図２は、アドレス電極１２を形成する際の工程の概略の流れを示す図である。
【００４２】
まず図２（ａ）に示すように、基板１１上に、スクリーン印刷法等により感光性Ａｇペースト均一に塗布することで感光性Ａｇペースト膜２１を形成する。Ａｇペースト膜２１は図１に示したアドレス電極１２の前駆体となる。
【００４３】
次に、図２（ｂ）に示すように、フォトリソグラフィ法によりアドレス電極１２を得るための露光パターンを備えるフォトマスク２２を、基板１１上の所定の位置に位置合わせして配置する。図２（ｂ）においては、第１のフォトマスク２２のハッチングのない部分が開口幅Ａの開口部であり露光部２２ａとなる。
【００４４】
次に、図２（ｃ）に示すように、フォトマスク２２を介して、感光性Ａｇペースト膜２１に対して１回目の露光を行う。具体的には、超高圧水銀ランプによる紫外線２３（境界となる箇所に対して表示している）を照射する。
【００４５】
次に、図２（ｄ）に示すように、フォトリソグラフィ法によりアドレス電極１２を得るための露光パターンで、第１のフォトマスク２２と同一のパターンであるがその開口部の開口幅Ｂが異なる露光パターンを備える第２のフォトマスク２４を、所定の位置に位置合わせして設置する。図２（ｄ）では、第２のフォトマスク２４におけるハッチングのない部分が開口幅Ｂの開口部であり露光部２４ａとなる。
【００４６】
そして以上のようにしてアドレス電極１２のパターンを露光した感光性Ａｇペースト膜２１に対して、現像を行うことで、感光性Ａｇペースト膜２１をアドレス電極１２のパターンとし、それを焼成することでアドレス電極１２を形成する。
【００４７】
ここで、第１のフォトマスク２２の開口幅Ａと第２のフォトマスク２４の開口幅Ｂとは、その位置合わせの誤差による、１回目の露光と２回目の露光とにより露光される領域の位置ずれによる線幅の変化を抑制するために、以下の関係を有するものとする。すなわち、どちらか一方のフォトマスク、例えば第１のフォトマスク２２の開口幅Ａは、アドレス電極１２のパターンを形成するための所定の開口幅とする。そしてもう一方のフォトマスクである第２のフォトマスク２４の開口幅Ｂは、第１のフォトマスク２２と同一の露光パターンであるが、第１のフォトマスク２２の開口幅Ａよりも、狭くした開口幅Ｂとしている。
【００４８】
そして、第１のフォトマスク２２による１回目の露光による露光領域内に、２回目の露光領域が収まるように、第２のフォトマスク２４を位置合わせして露光を行う。ここで、第１のフォトマスク２２の露光部２２ａの開口幅Ａに対して狭くした、第２のフォトマスク２４の露光部２４ａの開口幅Ｂの大きさは、露光パターンのデザイン、各フォトマスクの位置決め精度、及び感光性材料の焼成時の収縮率などの材料特性、等に基づき決定すればよい。
【００４９】
さらに、上述の露光においては、１回目の露光と２回目の露光とで露光量を異ならせるようにする。具体的には、開口幅の広い方のフォトマスク、すなわち上述の例では第１のフォトマスク２２による露光の際の露光量を、開口幅の狭い方のフォトマスク、すなわち上述の例では第２のフォトマスク２４による露光の際の露光量より大きくする。さらに具体的には、例えば、第１のフォトマスク２２による露光の際の露光量を、感光性Ａｇペースト膜２１の露光に必要とされる露光量の２／３程度とし、また、第２のフォトマスク２４による露光の際の露光量は、感光性Ａｇペースト膜２１の露光に必要とされる露光量の１／３程度となるようにし、１回目の露光と２回目の露光との合計の露光量が感光性Ａｇペースト膜２１の露光に必要とされる露光量を超えないようにする。
【００５０】
上述のような露光工程によれば、感光性Ａｇペースト膜２１においては、露光の履歴として図２（ｄ）に示すように、１回目と２回目との両方の露光を受けた領域Ｂ'（第２のフォトマスク２４の露光部２４ａを通して露光された領域）と、１回目の露光のみを受けた領域Ｃ'（第１のフォトマスク２２の露光部２２ａを通して露光された領域Ａ'から領域Ｂ'を除いた領域）とに分かれる。そして、露光パターンのエッジ部は、１回だけ露光される領域Ｃ'となることから、エッジ部が過露光となることは抑制されることとなり、過露光により発生する応力が原因となるパターンのエッジ部での反り上がりや剥がれといった問題の発生を抑制することが可能となる。
【００５１】
ここで、上述の例においては、露光パターンのエッジ部における露光量は、直接的には、必要とされる露光量の２／３程度である。そして、露光量が不足していると、露光時の光照射は膜表面から行われ架橋反応は膜表面から進行するため、電極膜表面では硬化が十分に行われているが電極膜内部では硬化が不充分な状態となる。このような場合も、露光パターンに剥がれ等が発生しやすくなる。
【００５２】
しかしながら、上述した露光工程においては、露光パターンに剥がれ等が発生するという不都合が生じることが非常に稀であることを実験的に確認している。これは、以下の理由によるものであると考えられる。
【００５３】
すなわち架橋反応は、露光の際、膜厚方向のみではなく面方向にも拡がる。したがって、２回目の露光の際、露光パターンのエッジ部（領域Ｃ'）には直接露光されなくても、その膜面方向に拡がる架橋反応により、実際には、架橋反応は進行しているものと考えられる。このことにより、必要とされる所定の露光量とまではならないまでも、パターン形成上、問題となるような露光不足には至らないものと考えられる。
【００５４】
また、上述では、先に開口幅が大きな方のフォトマスクで１回目の露光量の多い露光を行い、引き続き、開口幅が小さな方のフォトマスクで、２回目の露光量の少ない方の露光を行うという手順を示した。しかし、この手順を入れ替えて、先に開口幅が小さな方のフォトマスクを用いて１回目の、露光量の少ない露光を行い、引き続き、開口幅が大きな方のフォトマスクを用いて２回目の、露光量の多い露光を行うという形態の露光工程でも同様の効果を得ることができる。
【００５５】
上述したような本願発明の一実施の形態によるＰＤＰの製造方法よれば、過露光、露光不足といった問題の発生を抑制した状態で感光性Ａｇペースト膜２１に対するパターン露光を良好に行うことが可能となる。
【００５６】
なお、以上の説明においては、ＰＤＰ１の構造物としてアドレス電極を例としたが、表示電極６、遮光層７、隔壁１４など、フォトリソグラフィ法を用いて形成されるＰＤＰ１の構造物の少なくとも一つに対して適用することで同様の効果を得ることができる。
【００５７】
（実施の形態２）
図３は、アドレス電極１２を形成する際の工程の別の例の概略の流れを示す図である。
【００５８】
まず図３（ａ）に示すように、基板１１上に、スクリーン印刷法等により感光性Ａｇペースト均一に塗布して、感光性Ａｇペースト膜２１を形成する。
【００５９】
次に図３（ｂ）に示すように、フォトリソグラフィ法によりアドレス電極１２を得るための露光パターンを備えるフォトマスク２２を、基板１１上の所定の位置に位置合わせして配置する。図３（ｂ）においては、第１のフォトマスク２２のハッチングのない部分が開口幅Ａの開口部であり露光部２２ａとなる。
【００６０】
次に、図３（ｃ）に示すように、フォトマスク２２を介して、感光性Ａｇペースト膜２１に対して１回目の露光を行う。具体的には、超高圧水銀ランプによる紫外線２３（境界となる箇所に対して表示している）を照射する。
【００６１】
次に、図３（ｄ）に示すように、フォトリソグラフィ法によりアドレス電極１２を得るための露光パターンであって、第１のフォトマスク２２と同一のパターンであるがその開口部の開口幅Ｂが異なる露光パターンを備える第２のフォトマスク２４を、所定の位置に位置合わせして設置する。図３（ｄ）では、第２のフォトマスク２４におけるハッチングのない部分が開口幅Ｂの開口部であり露光部２４ａとなる。
【００６２】
ここで、第１のフォトマスク２２の開口幅Ａと第２のフォトマスク２４の開口幅Ｂとは、その位置合わせの誤差による、１回目の露光と２回目の露光とにより露光される領域の位置ずれによる線幅の変化を抑制するために、以下の関係を有するものとする。すなわち、どちらか一方のフォトマスク、例えば第１のフォトマスク２２の開口幅Ａは、アドレス電極１２のパターンを形成するための所定の開口幅とする。そしてもう一方のフォトマスクである第２のフォトマスク２４の開口幅Ｂは、第１のフォトマスク２２と同一の露光パターンであるが、第１のフォトマスク２２の開口幅Ａよりも、狭くした開口幅Ｂとしている。
【００６３】
そして、第１のフォトマスク２２による１回目の露光による露光領域内に、２回目の露光領域が収まるように、第２のフォトマスク２４を位置合わせして露光を行う。ここで、第１のフォトマスク２２の露光部２２ａの開口幅Ａに対して狭くした、第２のフォトマスク２４の露光部２４ａの開口幅Ｂの大きさは、露光パターンのデザイン、各フォトマスクの位置決め精度、及び感光性材料の焼成時の収縮率などの材料特性、等に基づき決定すればよい。
【００６４】
さらに、上述の露光においては、１回目の露光と２回目の露光とで露光量を異ならせるようにする。具体的には、開口幅の広い方のフォトマスク、すなわち上述の例では第１のフォトマスク２２による露光の際の露光量を、開口幅の狭い方のフォトマスク、すなわち上述の例では第２のフォトマスク２４による露光の際の露光量より大きくする。さらに具体的には、例えば、第１のフォトマスク２２による露光の際の露光量を、感光性Ａｇペースト膜２１の露光に必要とされる露光量の２／３程度とし、また、第２のフォトマスク２４による露光の際の露光量は、感光性Ａｇペースト膜２１の露光に必要とされる露光量の１／３程度となるようにし、１回目の露光と２回目の露光との合計の露光量が感光性Ａｇペースト膜２１の露光に必要とされる露光量を超えないようにする。
【００６５】
上述のような露光工程により、実施の形態１で説明したように、過露光、露光不足といった問題の発生を抑制した状態で感光性Ａｇペースト膜２１に対するパターン露光を行うことが可能となるが、さらに、図３に示すように、第１のフォトマスク２２の一部にダスト２２ｂが付着し、また第２のフォトマスク２４の一部にダスト２４ｂが付着した状態となってしまった場合であっても、その影響を極めて小さいものとすることができる。
【００６６】
すなわち、図３（ｃ）に示すように、フォトマスク２２を介して、感光性Ａｇペースト膜２１に対して１回目の露光を行う際、フォトマスク２２の開口部２２ａにダスト２２ｂが付着していると、感光性Ａｇペースト膜２１は、第１のフォトマスク２２の露光部２２ａを通して露光される領域Ａ'からダスト２２ｂに対応する領域２１ａを除いた領域が実際に露光、感光されることとなる。
【００６７】
次に、図３（ｄ）に示すように、第２のフォトマスク２４にダスト２４ｂが付着しているとしても、それは第１のフォトマスク２２に付着していたダスト２２ｂと同一の箇所となる確率は非常に小さいものと考えられる。
【００６８】
したがって、２回目の露光の際にダスト２４ｂによって感光しない領域２１ｂは、１回目の露光の際にダスト２２ｂによって感光しなかった領域２１ａとは異なる領域となる可能性が非常に高くなる。すなわち、第１のフォトマスク２２にダスト２２ｂが付着していることで、１回目の露光においてダスト２２ｂに対応する領域２１ａが感光しなくても、第２のフォトマスク２４を用いた２回目の露光の際には、領域２１ａは感光する可能性が非常に高い。また、２回目の露光の際、ダスト２４ｂにより露光が遮られ感光しなかった領域２１ｂは、すでに１回目の露光により感光している可能性が非常に高い。
【００６９】
以上説明したように、上述の例では露光を複数のフォトマスク毎に行っており、感光性Ａｇペースト膜２１に対してフォトマスクの交換によってでも同じ箇所にダストが位置するという確率は非常に小さいので、フォトマスクに付着したダストにより露光が全く遮られ全くの未感光となるという領域をほとんどなくすことが可能となる。
【００７０】
ここで、上述の例においても、開口幅の広い方のフォトマスク、すなわち上述の例では第１のフォトマスク２２での露光の露光量が、開口幅の狭い方のフォトマスク、すなわち上述の例では第２のフォトマスク２４での露光の露光量より大きくしており、さらに具体的には、例えば、第１のフォトマスク２２による露光の露光量を、感光性Ａｇペースト膜２１の露光に必要とされる露光量の２／３程度とし、また、第２のフォトマスク２４による露光の露光量は、感光性Ａｇペースト膜２１の露光に必要とされる露光量の１／３程度となるようにし、１回目の露光と２回目の露光との合計の露光量が感光性Ａｇペースト膜２１の露光に必要とされる露光量を超えないようにしている。
【００７１】
このことから、１回目の露光の際、未露光領域となった、領域２１ａの露光量は、直接的には、感光性Ａｇペースト膜２１の露光に必要とされる露光量の１／３程度しか露光されないこととなる。また、２回目の露光の際、未露光領域となった、領域２１ｂの露光量は、直接的には、感光性Ａｇペースト膜２１の露光に必要とされる露光量の２／３程度しか露光されないこととなる。しかしこのような場合にも、いずれも剥がれ等が発生する程度の露光不足となることがないことを実験的に確認している。
【００７２】
これも、架橋反応は、露光に対して、膜厚方向のみではなく面方向にも広がることから、例えば、領域２１ａは、１回目の露光の際に直接露光されなくてもその領域２１ａの周囲に対する露光によって、領域２１ａの部分にも架橋反応は進行しているものと考えられ、したがって、そのような状態で進行する架橋反応と、２回目の露光での、直接、露光されることにより進行する架橋反応との合算により、必要とされる所定の露光量とはならないまでも、パターン形成上、問題となるような露光不足には至らないものと考えられる。領域２１ｂに対しても同様の理由で、必要とされる所定の露光量とはならないまでも、パターン形成上、問題となるような露光不足には至らないものと考えられる。
【００７３】
以上のように、本願発明の一実施の形態によるＰＤＰの製造方法よれば、フォトマスクに付着したダストの影響を極めて小さくすることができ、且つ感光性Ａｇペースト膜に対するパターン露光を良好に行うことが可能となる。
【００７４】
なお、上述の説明における露光量とは、露光強度と露光時間とから決定されるものである。
【産業上の利用可能性】
【００７５】
以上述べたように本発明によれば、ＰＤＰの構造物の形成をフォトリソグラフィ法により行う際、形成した構造物の反り上がり、剥がれなどを抑制することができるＰＤＰの製造方法およびＰＤＰを提供することができるので、その産業上の利用可能性は高い。
【図面の簡単な説明】
【００７６】
【図１】本発明の一実施の形態によるＰＤＰの製造方法により製造される、ＰＤＰの概略構成の一例を示す断面斜視図
【図２】アドレス電極１２を形成する際の工程の一例の概略の流れを示す図
【図３】同じく、アドレス電極１２を形成する際の工程の一例の概略の流れを示す図
【符号の説明】
【００７７】
１１  基板
２１  感光性Ａｇペースト膜
２１ａ、２１ｂ  領域
２２  第１のフォトマスク
２２ａ  露光部
２２ｂ  ダスト
２４  第２のフォトマスク
２４ａ  露光部
２４ｂ  ダスト
【図１】
2004281389.tif 000003
【図２】
2004281389.tif 000004
【図３】
2004281389.tif 000005