(57)【要約】【課題】穏やかな反応条件で有害な物質生成のない、置換オニウムテトラ置換ボレートの合成方法を提供すること。【課題手段】置換オニウムテトラ置換ボレートが、テトラヒドロボレート金属塩と置換オニウム塩を反応させて得られる置換オニウムテトラヒドロボレートと、分子外に放出しうるプロトンを少なくとも１個以上分子内に有するｍ価の有機酸又はアルコールとを反応させて得られることを特徴とする置換オニウムテトラ置換ボレートの合成方法。【特許請求の範囲】
【請求項１】
一般式（１）、一般式（２）又は一般式（３）で表される置換オニウムテトラ置換ボレートが、一般式（４）、一般式（５）又は一般式（６）のテトラヒドロボレート金属塩と一般式（７）、一般式（８）又は一般式（９）の置換オニウム塩を反応させて得られる一般式（１０）、一般式（１１）又は一般式（１２）で表される置換オニウムテトラヒドロボレートと、一般式（１３）で表される分子外に放出しうるプロトンを少なくとも１個以上分子内に有するｍ価の有機酸又はアルコールとを反応させて得られることを特徴とする置換オニウムテトラ置換ボレートの合成方法。
【化１】
2004161680.tif 000089
（Ｒ１〜Ｒ４はアルキル基、アリール基、アラルキル基からなる群より選ばれる基であり、Ｒ１〜Ｒ４が窒素原子を含む環を形成するものも含む。Ｙはｍ価の有機酸又はアルコールが水素原子を失い、ホウ素と結合したものである。ｍは１以上の整数である。）
【化２】
2004161680.tif 000090
（Ｒ１〜Ｒ４はアルキル基、アリール基、アラルキル基からなる群より選ばれる基であり、Ｒ１〜Ｒ４がリン原子を含む環を形成するものも含む。Ｙはｍ価の有機酸又はアルコールが水素原子を失い、ホウ素と結合したものである。ｍは１以上の整数である。）
【化３】
2004161680.tif 000091
（Ｒ１〜Ｒ３はアルキル基、アリール基、アラルキル基からなる群より選ばれる基であり、Ｒ１〜Ｒ３が硫黄原子を含む環を形成するものも含む。Ｙはｍ価の有機酸又はアルコールが水素原子を失い、ホウ素と結合したものである。ｍは１以上の整数である。）
【化４】
2004161680.tif 000092
（Ｍ＋は一価の金属陽イオン）
【化５】
2004161680.tif 000093
（Ｍ２＋は二価の金属陽イオン）
【化６】
2004161680.tif 000094
（Ｍ３＋は三価の金属陽イオン）
【化７】
2004161680.tif 000095
（Ｒ１〜Ｒ４はアルキル基、アリール基、アラルキル基からなる群より選ばれる基であり、Ｒ１〜Ｒ４が窒素原子を含む環を形成するものも含む。Ｘはｎ価のアニオンであり、ｎは１以上の整数である。）
【化８】
2004161680.tif 000096
（Ｒ１〜Ｒ４はアルキル基、アリール基、アラルキル基からなる群より選ばれる基であり、Ｒ１〜Ｒ４がリン原子を含む環を形成するものも含む。Ｘはｎ価のアニオンであり、ｎは１以上の整数である。）
【化９】
2004161680.tif 000097
（Ｒ１〜Ｒ３はアルキル基、アリール基、アラルキル基からなる群より選ばれる基であり、Ｒ１〜Ｒ３が硫黄原子を含む環を形成するものも含む。Ｘはｎ価のアニオンであり、ｎは１以上の整数である。）
【化１０】
2004161680.tif 000098
（Ｒ１〜Ｒ４はアルキル基、アリール基、アラルキル基からなる群より選ばれる基であり、Ｒ１〜Ｒ４が窒素原子を含む環を形成するものも含む。）
【化１１】
2004161680.tif 000099
（Ｒ１〜Ｒ４はアルキル基、アリール基、アラルキル基からなる群より選ばれる基であり、Ｒ１〜Ｒ４がリン原子を含む環を形成するものも含む。）
【化１２】
2004161680.tif 000100
（Ｒ１〜Ｒ３はアルキル基、アリール基、アラルキル基からなる群より選ばれる基であり、Ｒ１〜Ｒ３が硫黄原子を含む環を形成するものも含む。）
【化１３】
2004161680.tif 000101
（Ｈは水素原子を示し、ｍはその価数である。Ｙはｍ価の有機酸又はアルコールが水素原子を失ったものである。ｍは１以上の整数である。）
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電気・電子材料用エポキシ樹脂の硬化促進剤等に有用な置換オニウム置換ボレートの合成方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、置換ボレートを合成する方法は、以下の３種類の方法が知られている。（１）無水酢酸存在下、トリアセテートボレートと酢酸カリウムとを反応させる方法（例えば、非特許文献１参照。）。
（２）テトラ置換ホスホニウムテトラ置換ボレートと分子外に放出しうるプロトンを少なくとも１個以上分子内に有するｎ（ｎ≧１）価の有機酸とを反応させる方法（例えば、特許文献１参照。）。
（３）テトラキス（アシロキシ）ボレート（１−）の３級アミン塩とテトラ置換オニウムハロゲン塩を反応させることにより、テトラ置換オニウムテトラ置換ボレートを得る方法（例えば、特許文献２参照。）。
【０００３】
しかし、前記（１）の方法は、反応する酸無水物を溶媒として用いるため、分子量の大きい酸などを用いる場合、反応が困難である。また、最終ステップまで、カチオンとしてアルカリ金属を使用しているため、合成プロセスにおける有機溶媒への低溶解性や、電気・電子材料において問題となるイオン性不純物の残存等が問題となる。
前記（２）の方法は、反応を２００℃以上の高温で行うため、テトラ置換ホスホニウムテトラ置換ボレートのボレート置換基がアルキル基である場合、ボレート側が大気中で不安定であり、取り扱いが困難である。ボレート置換基が、フェニル基、その他のアリール基である場合、コスト面で問題がある。特に、テトラ置換ホスホニウムテトラフェニルボレートを用いた場合、反応時に副生成物として、人体に有害なベンゼンを生じるため望ましくない。
前記（３）の方法は３級アミンを用いるが、３級アミン自体が人体に対する毒性などの問題があり、望ましくない。
【０００４】
【特許文献１】
特開平８−１９６９１１号公報（第２〜５頁）
【特許文献２】
特開２００１−１８１２８２号公報（第２〜１３頁）
【非特許文献１】
Ｉ．Ｇ．ルイス、Ｖ．Ｎ．プラホトニク  無機化学ジャーナル  ＶＯＬ．１３，２０５０（１９６８，ソ連）
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、前記問題点を解決するため成されたもので、有害物質の発生もなく、イオン性不純物の残存もなく、安定性に優れた置換オニウム置換ボレートの合成方法に関するものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明は、一般式（１）、一般式（２）又は一般式（３）で表される置換オニウムテトラ置換ボレートが、一般式（４）、一般式（５）又は一般式（６）のテトラヒドロボレート金属塩と一般式（７）、一般式（８）又は一般式（９）の置換オニウム塩を反応させて得られる一般式（１０）、一般式（１１）又は一般式（１２）で表される置換オニウムテトラヒドロボレートと、一般式（１３）で表される分子外に放出しうるプロトンを少なくとも１個以上分子内に有するｍ価の有機酸又はアルコールとを反応させて得られることを特徴とする置換オニウムテトラ置換ボレートの合成方法である。
【０００７】
【化１４】
2004161680.tif 000002
（Ｒ１〜Ｒ４はアルキル基、アリール基、アラルキル基からなる群より選ばれる基であり、Ｒ１〜Ｒ４が窒素原子を含む環を形成するものも含む。Ｙはｍ価の有機酸又はアルコールが水素原子を失い、ホウ素と結合したものである。ｍは１以上の整数である。）
【０００８】
【化１５】
2004161680.tif 000003
（Ｒ１〜Ｒ４はアルキル基、アリール基、アラルキル基からなる群より選ばれる基であり、Ｒ１〜Ｒ４がリン原子を含む環を形成するものも含む。Ｙはｍ価の有機酸又はアルコールが水素原子を失い、ホウ素と結合したものである。ｍは１以上の整数である。）
【０００９】
【化１６】
2004161680.tif 000004
（Ｒ１〜Ｒ３はアルキル基、アリール基、アラルキル基からなる群より選ばれる基であり、Ｒ１〜Ｒ３が硫黄原子を含む環を形成するものも含む。Ｙはｍ価の有機酸又はアルコールが水素原子を失い、ホウ素と結合したものである。ｍは１以上の整数である。）
【００１０】
【化１７】
2004161680.tif 000005
（Ｍ＋は一価の金属陽イオン）
【００１１】
【化１８】
2004161680.tif 000006
（Ｍ２＋は二価の金属陽イオン）
【００１２】
【化１９】
2004161680.tif 000007
（Ｍ３＋は三価の金属陽イオン）
【００１３】
【化２０】
2004161680.tif 000008
（Ｒ１〜Ｒ４はアルキル基、アリール基、アラルキル基からなる群より選ばれる基であり、Ｒ１〜Ｒ４が窒素原子を含む環を形成するものも含む。Ｘはｎ価のアニオンであり、ｎは１以上の整数である。）
【００１４】
【化２１】
2004161680.tif 000009
（Ｒ１〜Ｒ４はアルキル基、アリール基、アラルキル基からなる群より選ばれる基であり、Ｒ１〜Ｒ４がリン原子を含む環を形成するものも含む。Ｘはｎ価のアニオンであり、ｎは１以上の整数である。）
【００１５】
【化２２】
2004161680.tif 000010
（Ｒ１〜Ｒ３はアルキル基、アリール基、アラルキル基からなる群より選ばれる基であり、Ｒ１〜Ｒ３が硫黄原子を含む環を形成するものも含む。Ｘはｎ価のアニオンであり、ｎは１以上の整数である。）
【化２３】
2004161680.tif 000011
（Ｒ１〜Ｒ４はアルキル基、アリール基、アラルキル基からなる群より選ばれる基であり、Ｒ１〜Ｒ４が窒素原子を含む環を形成するものも含む。）
【００１６】
【化２４】
2004161680.tif 000012
（Ｒ１〜Ｒ４はアルキル基、アリール基、アラルキル基からなる群より選ばれる基であり、Ｒ１〜Ｒ４がリン原子を含む環を形成するものも含む。）
【００１７】
【化２５】
2004161680.tif 000013
（Ｒ１〜Ｒ３はアルキル基、アリール基、アラルキル基からなる群より選ばれる基であり、Ｒ１〜Ｒ３が硫黄原子を含む環を形成するものも含む。）
【００１８】
【化２６】
2004161680.tif 000014
（Ｈは水素原子を示し、ｍはその価数である。Ｙはｍ価の有機酸又はアルコールが水素原子を失ったものである。ｍは１以上の整数である。）
である。
【００１９】
【発明の実施の形態】
本発明において、一般式（１０）、一般式（１１）又は一般式（１２）で表される置換オニウムテトラヒドロボレートは、一般式（４）、一般式（５）又は一般式（６）で表されるテトラヒドロボレート金属塩と一般式（７）、一般式（８）又は一般式（９）で表される置換オニウム塩との反応により合成する方法により得られるが、本発明は、一般式（４）、一般式（５）又は一般式（６）で表されるテトラヒドロボレート金属塩がジメチルジグリコール、ジメトキシエタンなどのエーテル系溶媒、イソプロピルアルコールなどの２級アルコール及び水への溶解性が良好であり、極めて取り扱い性がよいことが特徴の一つである。
また、イソプロピルアルコールや水の使用は副生成物である塩の除去にも優れていることも特徴である。
【００２０】
【化２７】
2004161680.tif 000015
【００２１】
【化２８】
2004161680.tif 000016
【００２２】
【化２９】
2004161680.tif 000017
【００２３】
【化３０】
2004161680.tif 000018
【００２４】
【化３１】
2004161680.tif 000019
【００２５】
【化３２】
2004161680.tif 000020
【００２６】
【化３３】
2004161680.tif 000021
【００２７】
【化３４】
2004161680.tif 000022
【００２８】
【化３５】
2004161680.tif 000023
【００２９】
本発明に用いる一般式（４）、一般式（５）又は一般式（６）で表されるテトラヒドロボレート金属塩における式中のＭは、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓなどのアルカリ金属、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａなどのアルカリ土類金属、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎなどの遷移金属などの金属が例示される。一般的にはＬｉ、Ｎａ、Ｋなどが容易に入手可能である。
【００３０】
【化３６】
2004161680.tif 000024
【００３１】
【化３７】
2004161680.tif 000025
【００３２】
【化３８】
2004161680.tif 000026
【００３３】
一般式（７）、一般式（８）又は一般式（９）で表される置換オニウム塩は、式中のＸｎ−は、特に限定されないが、カルボン酸イオン、ハロゲンイオン、硝酸イオン、硫酸イオン、リン酸イオン、水酸化物イオン、６フッ化リンイオンなどが例示される。一般的にはハロゲンである、塩素イオン、臭素イオンなどが容易に入手可能である。
【００３４】
【化３９】
2004161680.tif 000027
【００３５】
【化４０】
2004161680.tif 000028
【００３６】
【化４１】
2004161680.tif 000029
【００３７】
本発明において、一般式（１）、一般式（２）又は一般式（３）で表される置換オニウムテトラ置換ボレートは、一般式（１０）、一般式（１１）又は一般式（１２）で表される置換オニウムテトラヒドロボレートと、一般式（１３）で表される分子外に放出しうるプロトンを少なくとも１個以上分子内に有するｍ価の有機酸又はアルコールとを反応させて得ることができる。
【００３８】
【化４２】
2004161680.tif 000030
【００３９】
【化４３】
2004161680.tif 000031
【００４０】
【化４４】
2004161680.tif 000032
【００４１】
【化４５】
2004161680.tif 000033
【００４２】
【化４６】
2004161680.tif 000034
【００４３】
【化４７】
2004161680.tif 000035
【００４４】
【化４８】
2004161680.tif 000036
【００４５】
本発明に用いる一般式（１３）で表される化合物は、分子外に放出しうるプロトンを少なくとも１個以上分子内に有するｍ価の有機酸又はアルコールでよく、一般的には酢酸、プロピオン酸、酪酸、安息香酸、１−ナフトエ酸、マレイン酸、テレフタル酸、オルソフタル酸、フェノール、クレゾール、ノボラック樹脂、レゾール樹脂、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＳ、２，２―ビフェノール、４，４−ビフェノール、フェノールアラルキル樹脂、トリフェノールメタン、メタノール、エタノール、エチレングリコール、グリセリン、２−メトキシエタノールなどの物質が例示される。
これらの反応の際には、溶剤としてこれらの一般式（１３）で表される分子外に放出しうるプロトンを少なくとも１個以上分子内に有するｍ価の有機酸又はアルコール、又は不活性な溶媒、例えばジメトキシエタン、ジメチルジグリコール、ジメチルトリグリコール、トルエン、キシレン等を用いることができる。
【００４６】
本発明の合成方法で得られた置換オニウム置換ボレート及びその前駆体である置換オニウムテトラヒドロボレートは、電気・電子材料用のエポキシ樹脂の硬化促進剤等として用いることができる。
【００４７】
【実施例】
以下に、実施例を挙げて、更に本発明について説明するが、本発明は実施例になんら制限されるものではない。
［置換オニウムテトラヒドロボレートの合成］
【００４８】
（実施例１）
フラスコにテトラフェニルホスホニウムブロマイド４．１９ｇ（１０ｍｍｏｌ）（式（１４））、ソーディウムボロハイドライド０．３８ｇ（１０ｍｍｏｌ）（式（１５））、ジメチルジグリコール１００ｇを仕込み、窒素気流下、室温で１時間攪拌後、１６０℃で４時間加熱攪拌した。これにより、テトラフェニルホスホニウムテトラヒドロボレート（式（１６））が得られた。次に生成物をＤＭＦ／水＝１／１の混合溶液に溶解再結晶することにより、副生成物の臭化ナトリウムを除去し、目的物を得た。収量２．１６ｇ（６１％）分子量３５４。
【００４９】
【化４９】
2004161680.tif 000037
【００５０】
【化５０】
2004161680.tif 000038
【００５１】
【化５１】
2004161680.tif 000039
【００５２】
（実施例２）
フラスコにトリフェニルスルホニウムクロライド２．９８ｇ（１０ｍｍｏｌ）（式（１７））、カリウムボロハイドライド０．５４ｇ（１０ｍｍｏｌ）（式（１８））、ジメチルジグリコール１００ｇを仕込み、窒素気流下、室温で１時間攪拌後、１６０℃で４時間加熱攪拌した。これにより、トリフェニルスルホニウムテトラヒドロボレート（式（１９））が得られた。この後、濾過を行い、副生成物の塩化カリウムをイソプロピルアルコール洗浄により除去し、目的物を得た。収量１．８１ｇ（６５％）分子量２７８。
【００５３】
【化５２】
2004161680.tif 000040
【００５４】
【化５３】
2004161680.tif 000041
【００５５】
【化５４】
2004161680.tif 000042
【００５６】
（実施例３）
フラスコにソーディウムボロハイドライド０．３８ｇ（１０ｍｍｏｌ）（式（１５））、水１０ｇを仕込み、室温で攪拌した。これにエチルトリフェニルホスホニウムブロマイド３．７１ｇ（１０ｍｍｏｌ）（式（２０））を水に加熱溶解させた溶液を滴下すると、テトラフェニルホスホニウムテトラヒドロボレート（式（２１））の沈殿が得られた。この沈殿を濾過、充分に真空乾燥することにより、目的物を得た。収量２．１７ｇ（７１％）分子量３０６。
【００５７】
【化５５】
2004161680.tif 000043
【００５８】
【化５６】
2004161680.tif 000044
【００５９】
【化５７】
2004161680.tif 000045
【００６０】
（実施例４〜５）
表１に示した置換オニウム塩、テトラヒドロボレート金属塩を用いて、実施例３と同様の操作により、置換オニウムテトラヒドロボレートを合成した。
【００６１】
【表１】
2004161680.tif 000046
【００６２】
【化５８】
2004161680.tif 000047
【００６３】
【化５９】
2004161680.tif 000048
【００６４】
【化６０】
2004161680.tif 000049
【００６５】
【化６１】
2004161680.tif 000050
【００６６】
【化６２】
2004161680.tif 000051
【００６７】
【化６３】
2004161680.tif 000052
【００６８】
［置換オニウムテトラ置換ボレートの合成］
（実施例６）
実施例１のテトラフェニルホスホニウムテトラヒドロボレート塩８．８５ｇ（２５ｍｍｏｌ）（式（１６））をトルエン１００ｇに加えた。スラリー状態で攪拌し、これに１−ナフトエ酸１７．２ｇ（１００ｍｍｏｌ）（式（２８））を加え、室温で４時間攪拌後、昇温還流させ、反応を終了させた。
次に水１００ｇを追加すると水層、トルエン層の２層に分かれた。
トルエン層を除去し、水中で加熱還流させ、臭化ナトリウムなどの不純物を除去した。これらの操作により、目的物である生成物（式（２９））を濾過により得た。収量２２．５ｇ（８７％）
生成物１ｇを５０ｇの水を用いて、プレッシャークッカー１２５℃２０時間で加熱抽出を実施した。ナトリウムイオンは８０ｐｐｍ、臭素イオンは２８０ｐｐｍ残存していた。
【００６９】
【化６４】
2004161680.tif 000053
【００７０】
【化６５】
2004161680.tif 000054
【００７１】
【化６６】
2004161680.tif 000055
【００７２】
（実施例７）
実施例２のトリフェニルスルホニウムテトラヒドロボレート塩（式（１９））６．９５ｇ（２５ｍｍｏｌ）をジメチルジグリコール１００ｇに加えた。スラリー状態で攪拌し、これに安息香酸１２．２ｇ（１００ｍｍｏｌ）（式（３０））を加え、室温で４時間攪拌後、昇温還流させ、反応を終了させた。
次に水１００ｇを追加、ジメチルジグリコール水混合溶液中で加熱還流させ、塩化カリウムなどの不純物を除去した。これらの操作により、目的物である生成物（式（３１））を濾過により得た。収量１６．７ｇ（８８％）。
この生成物を実施例６と同様な処理を行った結果、カリウムイオンは１２０ｐｐｍ、塩素イオンは１１０ｐｐｍ残存していた。
【００７３】
【化６７】
2004161680.tif 000056
【００７４】
【化６８】
2004161680.tif 000057
【００７５】
【化６９】
2004161680.tif 000058
【００７６】
（実施例８）
実施例３のエチルトリフェニルホスホニウムテトラヒドロボレート塩（式（２１））７．６５ｇ（２５ｍｍｏｌ）をＤＭＥ１００ｇに加えた。スラリー状態で攪拌し、これに酢酸（式（３２））６．００ｇ（１００ｍｍｏｌ）を加え、室温で４時間攪拌後、昇温還流させ、反応を終了させた。
次に水１００ｇを追加、ＤＭＥ水混合溶液中で加熱還流させ、洗浄した。これらの操作により、目的物である生成物（式（３３））を濾過により得た。収量１０．６ｇ（７９％）。
この生成物を実施例６と同様な処理を行った結果、ナトリウムイオンは１８ｐｐｍ、臭素イオンは７０ｐｐｍ残存していた。
【００７７】
【化７０】
2004161680.tif 000059
【００７８】
【化７１】
2004161680.tif 000060
【００７９】
【化７２】
2004161680.tif 000061
【００８０】
（実施例９）
実施例４のテトラブチルアンモニウムテトラヒドロボレート塩（（式（２４））６．４２ｇ（２５ｍｍｏｌ）をＤＭＥ１００ｇに加えた。スラリー状態で攪拌し、これにメタノール（式（３４））３．２ｇ（１００ｍｍｏｌ）を滴下、室温で４時間攪拌後、昇温還流させ、反応を終了させた。
その後、目的物である生成物（式（３５））を濾過により得た。収量７．８２ｇ（８３％）。
この生成物を実施例６と同様な処理を行った結果、リチウムは７ｐｐｍ、塩素イオンは３５ｐｐｍ残存していた。
【００８１】
【化７３】
2004161680.tif 000062
【００８２】
【化７４】
2004161680.tif 000063
【００８３】
【化７５】
2004161680.tif 000064
【００８４】
（実施例１０）
実施例５のベンジルトリフェニルホスホニウムテトラヒドロボレート塩（式（２７））９．２ｇ（２５ｍｍｏｌ）をＤＭＥ１００ｇに加えた。スラリー状態で攪拌し、これにエチレングリコール（式（３６））３．１ｇ（５０ｍｍｏｌ）を滴下、室温で４時間攪拌後、昇温還流させ、反応を終了させた。
次に水１００ｇを追加、ＤＭＥ水混合溶液中で加熱還流させ、洗浄した。これらの操作により、目的物である生成物（式（３７））を濾過により得た。収量１０．２ｇ（８４％）。
この生成物を実施例６と同様な処理を行った結果、カルシウムイオンは１００ｐｐｍ、塩素イオンは１８０ｐｐｍ残存していた。
【００８５】
【化７６】
2004161680.tif 000065
【００８６】
【化７７】
2004161680.tif 000066
【００８７】
【化７８】
2004161680.tif 000067
【００８８】
【表２】
2004161680.tif 000068
【００８９】
（比較例１）
フラスコに無水酢酸（式（３８））２０ｇ（２００ｍｍｏｌ）と酢酸カリウム塩（式（３９））２．４５ｇ（２５ｍｍｏｌ）とトリアセテートボレート（式（４０））４．７０ｇ（２５ｍｍｏｌ）を仕込み、１６０℃で無水酢酸を１時間還流を行い、室温で冷却することにより、カリウムテトラキスアセテートボレート（１−）塩（式（４１））を得た。この１０％アセトン溶解液とテトラブチルアンモニウムクロライド（式（２２））１０％イソプロパノール溶液を混合、これを濾過し、メタノールで数回洗浄し、真空加熱乾燥を行うことにより、生成物（式（４２））を得た。収量は８．９ｇ（酢酸カリウム塩に対する収率７３％）。この生成物を実施例６と同様な処理を行った結果、抽出されたカリウムイオンは８００ｐｐｍ、塩素イオンは１６００ｐｐｍであり、電気・電子機器の用途に用いるには不適である。
【００９０】
【化７９】
2004161680.tif 000069
【００９１】
【化８０】
2004161680.tif 000070
【００９２】
【化８１】
2004161680.tif 000071
【００９３】
【化８２】
2004161680.tif 000072
【００９４】
【化８３】
2004161680.tif 000073
【００９５】
【化８４】
2004161680.tif 000074
【００９６】
（比較例２）
フラスコに無水１−ナフトエ酸（式（４３））６５．２ｇ（２００ｍｍｏｌ）と１−ナフトエ酸カリウム塩（式（４４））５．２５ｇ（２５ｍｍｏｌ）とトリ（１−ナフトエ酸）ボレート（式（４５））１３．１ｇ（２５ｍｍｏｌ）を仕込み、１６０℃で数時間加熱し、室温まで冷却した。これを１０％アセトン溶解に調整し、テトラフェニルホスホニウムブロマイド（式（１４））１０％イソプロパノール溶液を混合したが、式（２９）の生成物は得られなかった。
【００９７】
【化８５】
2004161680.tif 000075
【００９８】
【化８６】
2004161680.tif 000076
【００９９】
【化８７】
2004161680.tif 000077
【０１００】
【化８８】
2004161680.tif 000078
【０１０１】
【化８９】
2004161680.tif 000079
【０１０２】
（比較例３）
フラスコに安息香酸（式（３０））１２．２ｇ（１００ｍｍｏｌ）とテトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート塩（式（４６））１６．５ｇ（２５ｍｍｏｌ）を仕込み、２３０℃で４時間加熱攪拌し、式（４７）のテトラフェニルホスホニウムテトラキス（ベンゾイルオキシ）ボレート（１−）塩１９．０ｇ（２３ｍｍｏｌ）（テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート塩に対して収率９１％）を得た。この合成方法では有害なベンゼンが発生し、更に２３０℃という極めて高温で反応しなければならず好ましくない。
【０１０３】
【化９０】
2004161680.tif 000080
【０１０４】
【化９１】
2004161680.tif 000081
【０１０５】
【化９２】
2004161680.tif 000082
【０１０６】
（比較例４）
フラスコに１−ナフトエ酸（式（２８））１７．２ｇ（１００ｍｍｏｌ）、トリブチルアミン（式（４８））３７．０ｇ（２００ｍｍｏｌ）を仕込み、氷冷し、これに三臭化ホウ素（式（４９））６．２６ｇ（２５ｍｍｏｌ）を滴下した。その後、内部温度を１００℃まで昇温させ、放冷し、濾過した。この生成物の１０％アセトン溶液とテトラフェニルホスホニウムブロマイド（式（１４））の１０％エタノール溶液を混合することにより、式（２９）の生成物２０．２ｇ（７８％）を得た。
この合成方法は人体に有害な可能性のある３級アミンを用いるため、好ましいとは言い難い。
【０１０７】
【化９３】
2004161680.tif 000083
【０１０８】
【化９４】
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【０１０９】
【化９５】
2004161680.tif 000085
【０１１０】
【化９６】
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【０１１１】
【化９７】
2004161680.tif 000087
【０１１２】
【表３】
2004161680.tif 000088
【０１１３】
【発明の効果】
本発明の合成方法は、従来の合成方法に比べて汎用性が高く、低温反応可能でベンゼン等の有害な物質を生成することもなく、反応操作も簡便で目的物を得ることができる。またテトラ置換ホスホニウムテトラ置換ボレート、テトラ置換アンモニウムテトラ置換ボレート、トリ置換スルホニウムテトラ置換ボレートはエポキシ樹脂等のアニオン重合の硬化触媒として有用である。