(57)【要約】【課題】高周波で伝送損失が低く、９３０  ℃以下で焼成可能で、ＢＧＡの接続信頼性の高いセラミックス基板を提供する。【解決手段】室温から８００  ℃までの温度範囲の線膨張係数が９〜１４ｐｐｍ／℃、Ｑｆ値が３０００  ＧＨｚ以上、抗折強度が１７０ＭＰａ以上、誘電率が６以下という特性を満たすセラミックス材料を、石英を主成分とする骨材４０〜５０％とＳｒＯ  およびＳｉＯ２を含むガラス５０〜６０％の、との焼結体から構成する。ガラスの組成は、ＳｒＯ  ：４０〜４６％、ＳｉＯ２：３５〜４０％、Ｂ２０３：８〜１１％、ＺｎＯ  ：１〜２％、Ａｌ２０３  ：１．５  〜１１％、その他不純物：合計２％以下である。【選択図】    なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
質量％で、石英を主成分とする骨材４０％超、５０％以下と、ＳｒＯ  およびＳｉＯ２を含むガラス５０％以上、６０％未満との焼結体からなるセラミックス材料であって、
室温から８００  ℃までの温度範囲の熱膨張係数が９〜１４  ｐｐｍ／℃、
Ｑｆ値が３０００ＧＨｚ  以上、
抗折強度が１７０ＭＰａ以上、
であることを特徴とする回路基板用セラミックス材料。
【請求項２】
質量％で、前記骨材が、骨材＋ガラスの合計量に対し、石英３６〜４６％を含有し、前記ガラスの組成が、
ＳｒＯ  ：４０〜４６％、ＳｉＯ２：３５〜４５％、
Ｂ２０３：  ８〜１１％、ＺｎＯ  ：  １〜２  ％、
Ａｌ２０３  ：１．５  〜１１％、
その他不純物：合計２％以下
である、請求項１記載のセラミックス材料。
【請求項３】
Ｃｕターゲットを用いた場合の、クリストバライトの（１０１）  のＸ線回折ピーク強度を石英の（１０１）  のＸ線回折ピーク強度で割った値が０．５  以下であることを特徴とする請求項１または２記載の回路基板用セラミックス材料。
【請求項４】
質量％で、前記ガラスのＡｌ２０３  含有量が４％超、１１％以下である、請求項２記載のセラミックス材料。
【請求項５】
前記骨材が、アルミナ、窒化アルミニウムおよび水酸化アルミニウムから成る群から選ばれた少なくとも１種のアルミニウム化合物を、骨材＋ガラスの合計量に対し、合計  ０．５〜５質量％の割合で含有する、請求項１ないし４のいずれかに記載のセラミックス材料。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれかに記載のセラミックス材料から構成され、内部および／または外部に導体配線を有する回路基板。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、セラミックス材料、特にＩＣパッケージおよび高周波モジュール用等の回路基板  （以下、回路基板と総称する）  に適した回路基板用セラミックス材料に関する。より具体的には、本発明は、低温焼成が可能でかつ、高い熱膨張係数と、高いＱｆ値と、十分高い抗折強度と、低い比誘電率とを同時に有したガラスセラミックス型のセラミックス材料とそれを用いた回路基板に関する。
【０００２】
【従来の技術】
最近のＩＣチップ  （ＬＳＩ）  の高性能化と小型化に伴い、ＩＣチップのパッケージ用セラミックス材料についても高周波特性が求められ、また低温焼成可能な材料が求められている。
【０００３】
セラミックス材料の代表例はアルミナ焼結体である。アルミナ焼結体は、絶縁性に優れ、かつ機械強度も、抗折強度が３００ＭＰａ以上と非常に高い。しかし、アルミナ焼結体は、焼成温度が１５００〜１６００℃と高いため、かかる材料を用いて多層セラミックス基板を構成する場合には、配線材料としてＷ、Ｍｏといった高融点金属を使用しなければならない。しかも、これらの金属は電気抵抗が比較的高いので、それらの金属を配線材料に使った回路基板の場合、信号の伝送損失、および電力損失が大きくなる。また、アルミナは比誘電率が約９と比較的高く、伝送信号の高周波数化に伴って信号遅延速度が大きくなる。
【０００４】
以上のような問題点があることから、アルミナ焼結体はＩＣチップの高速化には不向きである。
この問題を解決するため、８５０  ℃〜１０５０℃で焼成可能な低温焼成セラミックス材料が開発された。焼成温度が低いと、低抵抗のＣｕ、Ａｇ、Ａｕ等の比較的融点の低い金属を配線材料として使用することができ、信号の伝送損失や電力損失が著しく低減する。低温焼成セラミックス材料の多くは、ガラスと骨材の結晶質セラミックスとの混合物からなる複合材料（ガラスセラミックス）である。この種のセラミックス材料は一般にアルミナ焼結体より比誘電率が低く、高周波での信号遅延も抑えられる。
【０００５】
一方、ＩＣチップを搭載したパッケージをプリント配線基板に実装する方法として、従来のＰＧＡ（Ｐｉｎ  Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａｙ）やＱＦＰ（Ｑｕａｄ  Ｆｌａｔ  Ｐａｃｋａｇｅ）  実装に代わって、今日では高密度で電気接続性にも優れた、ＢＧＡ（Ｂａｌｌ  Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａｙ）  実装が主流になりつつある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
ＢＧＡによる接続は、高密度化が可能で、パッケージの小型化や実装密度の増大といった要求に応えることができる。しかし、ＰＧＡなどに比べるとパッケージとプリント配線板との間隔が狭いため、チップの発熱に起因した熱応力が発生すると、接続部には大きなひずみが生じる。このときの熱応力は、チップの発熱量が大きくパッケージ温度が高くなるほど、また、パッケージとプリント配線板とをそれぞれ構成する材料の熱膨張係数の差が大きいほど高くなる。
【０００７】
しかしながら、今後とも、ＬＳＩの集積度の向上により、ＬＳＩの発熱量は大きくなる一方であり、接続部に加わる熱応力は増大傾向にある。
ここに、パッケージ材料としてセラミックスを用いる場合、一般的なパッケージ用セラミックス材料の熱膨張係数は樹脂とガラス繊維からなるプリント基板のそれよりかなり小さく、熱膨張係数の差が大きいため、高い接続信頼性を得ることは困難であった。そこで、熱膨張係数が大きいセラミックス材料が必要となる。
【０００８】
また、高周波モジュール用の回路基板では、高周波化に対応するため、伝送損失の低い基板、即ち、Ｑ×ｆで与えられるＱｆ値  （Ｑは誘電損失［ｔａｎδ］  の逆数、即ち、Ｑ＝１／ｔａｎδ、ｆは周波数）  の高い基板が求められている。
【０００９】
さらに、伝送信号の高周波化に伴って、パッケージ材料の比誘電率が高いと信号遅延速度が大きくなるため、比誘電率の低いパッケージ材料が求められている。
【００１０】
ガラスセラミックス型の低温焼成セラミックス材料は、アルミナ焼結体に比べると、強度が低くならざるを得ないが、抗折強度がある程度高くないと、いくら熱膨張係数を高くしても、熱応力により破壊されてしまう。
【００１１】
ここに、本発明の解決すべき課題は、これらの点に注目し、内層導体の低抵抗化のために低温焼成が可能で、熱膨張係数が適度に高く、さらにＱｆ値が高く、そして抗折強度が高く、さらに比誘電率が低いという特性を満たすセラミックス材料を提供することである。
【００１２】
さらに具体的には、本発明の課題は、例えばＡｇ配線が可能なように９３０  ℃以下で焼成できる下記諸特性を満たすセラミックス材料を提供することである。
室温〜８００  ℃までの温度範囲の線膨張係数：  ９〜１４  ｐｐｍ／℃、
Ｑｆ値：  ３０００ＧＨｚ  以上、
抗折強度：  が１７０ＭＰａ以上、好ましくは２００ＭＰａ以上、そして
比誘電率：  ６以下。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、かかる課題を解決すべく、種々検討を行った結果、石英を主成分とする骨材と、ＳｒＯ  およびＳｉＯ２を含むガラスとの焼結体からなるセラミックス材料であって、その成分調整により線膨張膨張係数、Ｑｆ値、そして抗折強度をそれぞれ所定範囲に規定することで上述の課題が達成できることを知り、本発明を完成した。
【００１４】
すなわち、本発明は次の通りである。
（１）質量％で、石英を主成分とする骨材４０％超、５０％以下、ＳｒＯ  およびＳｉＯ２を含むガラス５０％以上、６０％未満との焼結体からなるセラミックス材料であって、
室温から８００  ℃までの温度範囲の熱膨張係数が９〜１４  ｐｐｍ／℃、
Ｑｆ値が３０００ＧＨｚ  以上、
抗折強度が１７０ＭＰａ以上、
であることを特徴とする回路基板用セラミックス材料。
【００１５】
（２）質量％で、前記骨材が、骨材＋ガラスの合計量に対し、石英３６〜４６％を含有し、前記ガラスの組成が、
ＳｒＯ  ：４０〜４６％、ＳｉＯ２：３５〜４５％、
Ｂ２０３：  ８〜１１％、ＺｎＯ  ：  １〜２  ％、
Ａｌ２０３  ：１．５  〜１１％、
その他不純物：合計２％以下
である、上記（１）  記載のセラミックス材料。
【００１６】
（３）クリストバライトと石英のピークＸ線強度比、すなわち、Ｃｕターゲットを用いた場合の、クリストバライトの（１０１）  のＸ線回折ピーク強度を石英の（１０１）  のＸ線回折ピーク強度で割った値が０．５  以下であることを特徴とする上記（１）  または（２）  記載の回路基板用セラミックス材料。
【００１７】
（４）質量％で、前記ガラスのＡｌ２０３  含有量が４％超、１１％以下である、上記（２）  記載のセラミックス材料。
（５）前記骨材が、アルミナ、窒化アルミニウムおよび水酸化アルミニウムから成る群から選ばれた少なくとも１種のアルミニウム化合物を、骨材＋ガラスの合計量に対し、合計  ０．５〜５質量％の割合で含有する、上記（１）  ないし（４）  のいずれかに記載のセラミックス材料。
【００１８】
（６）上記（１）  〜（５）  のいずれかに記載のセラミックス材料から構成され、内部および／または外部に導体配線を有する回路基板。
【００１９】
【発明の実施の形態】
次に、本発明において、セラミックス材の組成および特性を上述のように限定した理由について、その実施の形態とともに説明する。なお、本明細書において、骨材およびガラスの組成を示す「％」は、とくにことわりがない限り、「質量％」である。また、骨材中の石英の量は  （骨材＋ガラス）  に対するものであり、ガラスの組成はガラスそれ自体のそれである。
【００２０】
本発明のガラスセラミックス型のセラミックス材料は、焼成温度が９３０  ℃以下と低く、かつ誘電率が６以下と低く、さらに室温から８００  ℃までの温度範囲での熱膨張係数が９  〜１４ｐｐｍ／℃と、またＱｆ値が３０００ＧＨｚ  以上および抗折強度が１７０ＭＰａ以上と共に大きいという優れた特性を示す。そして、このような特性は、以下に説明するように、ガラスおよび骨材の組成の選択によって達成することができる。
【００２１】
骨材としては、シリカ結晶の１つである石英を主成分として使用する。石英は熱膨張係数が１４  ｐｐｍ／℃程度と高くかつ比誘電率が低い。骨材として、非晶質のシリカ、あるいはクリストバライトやトリジマイトといった、他のシリカ結晶を用いた場合、熱膨張係数が低くなるか、或いは３００  ℃以下に相転移があり、異常な熱膨張を示す。
【００２２】
したがって、石英を主成分として、これ以外のＳｉＯ２成分は少ない方が良いが、これは組成によっては焼結反応によりクリストバライトが形成されてしまう場合があるからである。
【００２３】
本発明において、骨材に関して「石英を主成分とする」と規定する理由は、アルミナ、ムライト等のシリカ以外の成分を多量に含む骨材を用いた場合には、前述の熱膨張係数、Ｑｆ値、抗折強度の少なくとも１つの特性が低下するからである。
【００２４】
ここに、「主成分」とは、通常は、骨材に対し、５０％  （質量％）  以上を云うが、本発明の場合、好ましくは、７０％以上、多くは、９０％以上である。
本発明においては骨材４０％超、５０％以下、そしてガラス５０％以上、６０％未満とするが、かかる骨材とガラスの比率は、骨材が多すぎると、焼結性が不良となり、緻密な焼結体を得ることができない。一方、ガラスが多すぎると、セラミックス基板の機械的強度が低下する。
【００２５】
ここに、本発明にかかるセラミックス材料にあっては、室温から８００  ℃までの温度範囲の熱膨張係数が９〜１４  ｐｐｍ／℃、Ｑｆ値が３０００  ＧＨｚ以上、抗折強度が１７０ＭＰａ以上、好ましくは２００ＭＰａ以上に規定される。
【００２６】
かかるセラミックス材料は、本発明の好適態様によれば、質量％で、骨材＋ガラスの合計量に対し石英３６〜４６％を含む骨材４０％超、５０％以下、ガラス５０％以上、６０％未満からなり、上記ガラスの組成が、
ＳｒＯ  ：４０〜４６％、ＳｉＯ２：３５〜４５％、
Ｂ２０３：  ８〜１１％、ＺｎＯ  ：  １〜２  ％、
Ａｌ２０３  ：１．５  〜１１％、好ましくは４％超１１％以下、
その他不純物：合計２％以下、
であるという組成によって達成される。
【００２７】
本発明において、骨材は、好ましくは、アルミナ、窒化アルミニウム、および水酸化アルミニウムから選ばれた少なくとも１種のアルミニウム化合物を骨材＋ガラスの合計量に対し合計  ０．５〜５質量％の割合で含有する。このうち、水酸化アルミニウムは焼成中にアルミナに変化する。これらの化合物はＳｒＯ−ＳｉＯ２−Ａｌ２Ｏ３といった熱膨張係数の高い結晶がガラス内部から析出するのを促進する。
【００２８】
しかし、骨材にこれらの化合物が含有されていなくても、ガラス中に含まれるＡｌ２Ｏ３  により、この結晶の析出が起こる。但し、その場合には、骨材中の石英の上限は３９．５％となり、これより石英の量が多いと  （例、４０％）  、熱膨張係数またはＱｆ値を満たすことができなくなる。なお、石英などの骨材の割合は骨材＋ガラスの合計量に対するものである。
【００２９】
ここに、上記骨材の石英とガラス中のＳｉＯ２とについては、焼成後も石英は結晶形態が変化しないので、Ｘ線回折により基材中の骨材由来の石英の量を定量することができる。
【００３０】
ガラスについても、熱膨張係数が高くなるように、ＳｒＯ  とＳｉＯ２を主成分とする。それにより、焼成時に熱膨張係数の高い、ＳｒＯ−ＳｉＯ２−Ａｌ２Ｏ３といった結晶がガラス内部から析出し、熱膨張係数の高いセラミックス材料となる。かかる作用効果は、ＳｒＯ：４０〜４６％、ＳｉＯ２：３５  〜４５％の範囲でより効果的に実現できる。なお、ガラスの組成を示す「％」はガラスそれ自体の組成割合を示す。
【００３１】
さらに、かかるガラスには、内部配線の低抵抗化や、誘電特性と強度の向上のために、Ａｇ配線の場合に必要な９３０  ℃以下の低温焼成で緻密に焼結が促進し、ガラス内部に結晶を多く析出させる必要がある。このために、Ｂ２Ｏ３、ＺｎＯ  、Ａｌ２Ｏ３  を添加する。また、Ａｌ２Ｏ３  はクリストバライト形成を抑制する効果もある。
【００３２】
ガラス中のＢ２Ｏ３は、ガラスの軟化温度を下げ、セラミックスを焼結しやすくするが、添加量が多くなりすぎると焼結体のＱｆ値が３０００ＧＨｚ  未満となり、高周波パッケージや高周波用の回路基板に用いるには実用的でない。添加量としては８〜１１％が望ましい。
【００３３】
ＺｎＯ  は、ガラスの軟化温度を下げるために配合され、上記範囲を外れると所期の目的を達成できない。
ガラス中のＡｌ２Ｏ３  は、ガラス内部に結晶を多く析出させ、セラミックスの強度を上げる効果を有するが、添加量が多くなりすぎるとガラスの軟化温度が上昇し、セラミックスの焼結温度が上がることにより低温焼成での緻密化が難しくなる。添加量として１．５  〜１１％が望ましい。なお、Ａｌ２Ｏ３  の添加量が４％を超えると、クリストバライトのＸ線強度比が０．５  より小さくなり熱膨張異常を示さなくなり、また強度が２００ＭＰａを上回ることから、Ａｌ２Ｏ３  の添加量は、４％を超え１１％以下の範囲の場合、実装信頼性と強度とがさらに高くなり、より望ましい。
【００３４】
次に、図１ないし図３はクリストバライトのＸ線強度比をそれぞれ０．１６、０．６０、１．０７と変えたときの熱膨張率の変化を示すグラフであるが、図２および図３に示すように、クリストバライトのＸ線強度比が０．５  より高くなると、２００  ℃付近でクリストバライトの相転移による熱膨張の異常が認められるようになる。したがって、信頼性をさらに高めるためには、クリストバライトと石英のピークＸ線強度比、つまり、Ｃｕターゲットを用いた場合の、クリストバライトの（１０１）  のＸ線回折ピーク強度を、石英の（１０１）  のＸ線回折ピーク強度で割った値が０．５  以下のセラミックス材料が、好ましい。
【００３５】
このように、本発明の好適態様にあっては、クリストバライトと石英のピークＸ線強度比、つまり、クリストバライトのＸ線強度比を０．５  以下に制限したほうが好ましい。このようにクリストバライトと石英のピークＸ線強度比を０．５  以下に制限した場合は、２００  ℃付近の熱膨張の異常は無視できる程度に小さくなる。
【００３６】
しかし、ガラス中のＡｌ２Ｏ３  が４％を上回るとクリストバライトのＸ線強度比が０．５  より小さくなり熱膨張異常を示さなくなる。また、同時に強度が２００ＭＰａを上回る。そこで、ガラス中のアルミナは好ましくは４％超、１１％以下の範囲で、実装信頼性と強度がさらに高く、かつ緻密なセラミックスパッケージを得ることができる。
【００３７】
本発明においてガラスに含まれる不純物としては、例えばＢａＯ  等が存在するが、それらは合計量で２％程度まではその存在が許容される。
本発明のセラミックス基材は、基本的には、骨材とガラスの各粉末を混合し、必要に応じて成形してから焼成し、ガラスを少なくとも部分的に溶融させて焼結体とすることにより製造できる。このときの具体的製造方法は特に制限されず、従来法と同様でよい。粉末の混合と成形は、適当なバインダーとバインダーの溶媒とを使用して、例えば、スリップキャスティングによるシート成形により行うことができる。厚膜印刷法のように、バインダーと少量の溶媒と粉末混合物から作製したペーストをスクリーン印刷し、焼成してセラミックス基板を作製することもできる。単層基板の場合には、バインダーを用いなくても成形可能である。
【００３８】
焼成温度は、９３０  ℃以下であれば、緻密な焼結体が得られる限り制限は無いが、通常は８５０  ℃以上である。焼成雰囲気は、配線材料に応じて選択する。例えば、Ａｇ、Ａｇ−Ｐｄ、Ａｕのように貴金属の場合は大気でよい。Ｃｕの場合は、非酸化性雰囲気  （例えば、真空または不活性ガス雰囲気）  を用いる。
【００３９】
本発明のセラミックス材料は、周知のグリーンシート積層法または厚膜多層印刷法により、内部に内層導体配線を有する多層セラミックスパッケージを構成することが好ましい。低温焼成であるので、内層導体には上記のようなＡｇなどの低抵抗の配線材料を使用でき、信号の伝送損失が少なくなる。伝送損失は、基板それ自体のＱｆ値が高いため、さらに低下する。
【００４０】
かくして、本発明にかかるセラミックス材料は、室温から８００  ℃までの温度範囲の線膨張係数が９〜１４  ｐｐｍ／℃、Ｑｆ値が３０００  ＧＨｚ以上、抗折強度が１７０ＭＰａ以上  （好ましくは２００ＭＰａ以上）  、誘電率が６以下という性質を示す。
【００４１】
一般的なプリント配線基板の材料であるガラス−エポキシ材料の線膨張係数は約１４〜１５  ｐｐｍ／℃であるので、本発明のセラミックス材料は、プリント配線板との熱膨張係数の差が小さい。そのため、例えば、リフロー実装時に３００  ℃近くまで加熱されても、ＢＧＡ接続部に発生する熱応力は小さく、接続の信頼性を確保することができる。
【００４２】
また、本発明のセラミックス材料は、Ｑｆ値が３０００  ＧＨｚ以上と高いため、高周波での伝送損失が小さい。従って、高速処理のために動作周波数を高くしたＬＳＩを搭載した場合にも良好な信号応答性を保持できる。
【００４３】
【実施例】
表１の組成を持つＡ〜Ｆの６種類のガラスを、通常の溶融・急冷法により調製し、１０μｍ程度の平均粒径となるように粉砕した。
【００４４】
【表１】
2004161562.tif 000002
【００４５】
これらから選んだガラス粉末に、表２に示す配合比で、骨材の石英粉末  （平均粒径約２μｍ）  を加え、さらに骨材の一部としてＡｌ２Ｏ３  の粉末を加えた。この粉末混合物を、ボールミル内で、有機溶媒を粉砕溶媒として混合粉砕した。
【００４６】
ここに、アクリル系バインダーと可塑剤を添加し、ボールミル内での混合をさらに続けて、スラリー化した。このスラリーをドクターブレード法によりシート成形し、乾燥して、厚み０．１  ｍｍのグリーンシートを作製した。
【００４７】
（１）  Ｑｆ値の測定
上記グリーンシート中のバインダーを大気中で５００  ℃で１０時間保持することによって取り除き、残った原料粉末にＰＶＡバインダーを添加して造粒し、得られた造粒粉を金型プレスにより直径１５ｍｍの円柱状に成形し、この成形体を大気中９００  ℃にて２時間の保持時間で焼成し、焼結体を作製した。得られた円柱状のサンプルを用いて、誘電体共振器法によりＱ値と共振周波数ｆを測定し、Ｑｆ値を算出した。
【００４８】
（２）  抗折強度測定
上記グリーンシートを１２枚積層し、熱プレスで接着後、１０．０ｍｍ×５０．０ｍｍにカットした。この積層体を大気中９００  ℃にて２時間の保持時間で焼成し、焼結体を作製した。得られた焼結体を用いて三点曲げ試験を行い、抗折強度を測定した。
【００４９】
（３）  線熱膨張係数の測定
上記グリーンシートを３５枚積層し、熱プレスで接着後、３．５  ｍｍ×１７．５  ｍｍ  にカットした。この積層体を大気中９００  ℃にて２時間の保持時間で焼成し、焼結体を作製した。得られた焼結体を室温から８００  ℃まで５℃／ｍｉｎで昇温した。そのときのサンプルの伸び量をＴＭＡ  （熱機械分析）  により測定して線熱膨張係数を算出した。
【００５０】
（４）  クリストバライト量
上記グリーンシートを大気中９００  ℃にて２時間の保持時間で焼成し、焼結体を作製した。得られた焼結体を「らいかい器」で粉末にし、ＣｕターゲットのＸ線源を用いてＸ線回折強度を測定した。そのうち、クリストバライトの（１０１）  Ｘ線回折ピーク強度を、石英の（１０１）  Ｘ線回折ピーク強度で割った値を簡易的なクリストバライト量を表す指標として用いた。
【００５１】
上記の測定項目において、焼結体のＱｆ値が３０００  ＧＨｚ以下の試料については、（２）  、（３）  の各測定は実施しなかった。
以上の測定結果を表２にまとめて示す。
【００５２】
【表２】
2004161562.tif 000003
【００５３】
【発明の効果】
本発明により、９３０  ℃以下の低温度での焼成を可能とし、誘電率が６以下のセラミックス材料が提供される。
【００５４】
本発明のセラミックス材料は、低抵抗のＡｇを内層導体とする多層セラミックスパッケージや多層セラミックス回路基板などの回路基板とすることができる。このように本発明にかかるセラミックス材料で構成された回路基板は、配線の低抵抗化に加え、基板それ自体のＱｆ値が高く、その上、比誘電率が低いため、高周波での伝送損失が小さい。また、熱膨張係数がプリント基板に近いため、ＢＧＡパッケージを実装した場合の熱応力が低く、その実装信頼性が高い。従って、高速処理のために動作周波数を高くしたＬＳＩを搭載した場合にも良好な信号応答性を保持できかつ、高い実装信頼性を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】クリストバライトと石英のピークＸ線強度比が０．１６の場合における温度に対する熱膨張率の変化を示すグラフである。
【図２】クリストバライトと石英のピークＸ線強度比が０．６０の場合における温度に対する熱膨張率の変化を示すグラフである。
【図３】クリストバライトと石英のピークＸ線強度比が１．０７の場合における温度に対する熱膨張率の変化を示すグラフである。
【図１】
2004161562.tif 000004
【図２】
2004161562.tif 000005
【図３】
2004161562.tif 000006