(57)【要約】【課題】半導体レーザチップの後端面側にフォトダイオードを有しない半導体レーザにおいて、本来の用途として用いるべき光の光量低下を最小限に抑えて光量のモニタを行う。【解決手段】光源装置３において、半導体レーザチップ２１の前端面から出射された光ビームＬａは、まずコリメートレンズ３８により略平行光とされる。前記略平行光となった光束Ｌ０は、開口部３４ａを有する平面鏡（反射鏡）３４により周辺光束Ｌｃと中心光Ｌｂとに空間分割される。ここで、平面鏡３４により反射された周辺光Ｌｃはフォトダイオード２６へ導かれ、光量のモニタに使用される。平面鏡３４の開口部３４ａを通過した中心光Ｌｂは画像記録に使用される。【選択図】　　　　図７
2004087816.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光源装置であって、
第１の光を発生する光源本体と、
前記第１の光を、当該第１の光の空間的広がりの中心側に存在する中心光と、前記広がりの周辺側に存在する周辺光とに空間分割する光学系と、
前記周辺光を受光してモニタする光センサと、
を備え、
前記中心光を第２の光として当該光源装置の外部に出射することを特徴とする光源装置。
【請求項２】
請求項１に記載の光源装置であって、
前記光学系は、中心側に透光部が形成された反射鏡を備え、
前記中心光は、前記第１の光のうち前記透光部を通過した部分によって得られる一方、前記周辺光は前記第１の光のうち前記反射鏡で反射された部分によって得られることを特徴とする光源装置。
【請求項３】
請求項２に記載の光源装置であって、
前記透光部は、前記反射鏡に貫通形成された中空の開口部であることを特徴とする光源装置。
【請求項４】
請求項２または請求項３に記載の光源装置であって、
前記光センサは、前記反射鏡に関して前記光源本体と同じ側の空間に、前記光源本体と並列的に配置されているとともに、
前記反射鏡の光軸が前記第１の光の光軸から傾いており、
前記周辺光は前記第１の光の光軸から傾いた方向に反射されて前記光センサの受光面に入射することを特徴とする光源装置。
【請求項５】
請求項３または請求項４に記載の光源装置であって、
前記反射鏡の前記開口部の内壁面は、前記第２の光の出射方向に向かって開いたテーパ状とされていることを特徴とする光源装置。
【請求項６】
請求項２ないし請求項５のいずれかに記載の光源装置であって、
前記第１の光は、前記光源本体から出射した拡散光の状態で前記反射鏡に入射し、
前記反射鏡として凹面鏡が用いられていることによって、前記周辺光は収束光の状態で前記光センサに入射することを特徴とする光源装置。
【請求項７】
請求項２ないし請求項５のいずれかに記載の光源装置であって、
前記反射鏡として平面鏡が使用され、
前記光源本体と前記反射鏡との間の光路に介挿されたコリメートレンズ、
をさらに備え、
前記第１の光は、前記光源本体から拡散光の状態で出射した後に、前記コリメートレンズによって略平行光に変換されて前記平面鏡に入射し、
該平面鏡で反射された周辺光は略平行光の状態で前記光センサに入射することを特徴とする光源装置。
【請求項８】
請求項２ないし請求項７のいずれかに記載の光源装置であって、
筒体の一端側に取り付け部材を介して前記光源本体が取り付けられ、前記筒体の他端側に前記反射鏡が取り付けられているとともに、
前記取り付け部材に関して前記反射鏡の反対側に前記光センサが配置され、
前記周辺光は、前記取り付け部材に設けた開口を通過して前記光センサに到達することを特徴とする光源装置。
【請求項９】
請求項１ないし請求項８のいずれかに記載の光源装置であって、
前記光源本体は半導体レーザチップであることを特徴とする光源装置。
【請求項１０】
請求項１ないし請求項９のいずれかに記載の光源装置と、前記光源装置から出射される前記第２の光ビームを画像信号に応じて変調する変調手段と、
変調後の前記第２の光によって記録媒体を露光走査する走査機構と、
を備えることを特徴とする画像記録装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、画像読取装置や画像記録装置、それに光ディスクのピックアップユニットの光源として用いられる光源装置および前記光源装置を備える画像記録装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
画像信号に応じて変調した光ビームによって記録材料上を走査することにより画像を記録する画像記録装置においては、光ビームの出力が安定化するように制御する必要がある。
【０００３】
このような画像記録装置においては、光源として半導体レーザを用いた光源装置が多く使用される。半導体レーザの光ビーム出力を安定化する技術として、オートパワーコントロール（以下ＡＰＣという。）がある。ＡＰＣは、半導体レーザ素子から出射される光ビームの光量をフォトダイオードなどの光センサでモニタして、前記光量が一定となるように半導体レーザ素子への注入電流を制御するものである。
【０００４】
ＡＰＣの光量モニタを行う第１の従来技術として、半導体レーザチップの後端面から出射する光ビームをフォトダイオードで受けて、光量をモニタする方式がある。半導体レーザチップの前後のへき開面の反射率が等しい場合には、後端面からも前端面と同出力の光が出射されるため、このような光量モニタの方式は有効である。
【０００５】
また、半導体レーザチップの後端面側にフォトダイオードを有しない半導体レーザ素子を使用する場合においては、ＡＰＣの光量モニタを行う第２の従来技術として、ハーフミラーによる光ビームの分離を利用したものがある。図９は、ハーフミラーを用いた場合のＡＰＣの機能を示す概略図である。半導体レーザチップ４１の前端面から出射した光ビームはハーフミラー４４などで分割され、一方の光４０１が画像記録などの本来の用途に使用される。他の光４０２はフォトダイオードなどの光センサ４２へ導かれ、光量モニタの用途に使用される。制御機構４３は、光センサ４２の検出結果を所定の基準値と比較し、その比較結果に応じたフィードバック制御を行うことによって、半導体レーザチップ４１の前端面からの光ビームの出力が一定となるように制御を行う。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
上記の第１の従来技術において、高出力の半導体レーザ素子では、レーザチップの後端面からの光出力を抑え、前端面から光ビームを集中して出射する工夫がなされる。このため、後端面からの光出力では光量モニタに十分ではない場合がある。
【０００７】
また、第２の従来技術においては、本来の用途として用いるべき光の一部を光量モニタの用途に使用するため、本来の用途として用いる光の光量が低下する、という問題があった。
【０００８】
本発明は、上記問題に鑑みなされたものであり、本来の用途として用いるべき光の光量低下を最小限に抑えつつ光量のモニタを行うことが可能な光源装置を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、請求項１に係る発明は、光源装置であって、第１の光を発生する光源本体と、前記第１の光を、当該第１の光の空間的広がりの中心側に存在する中心光と、前記広がりの周辺側に存在する周辺光とに空間分割する光学系と、前記周辺光を受光してモニタする光センサとを備え、前記中心光を第２の光として当該光源装置の外部に出射することを特徴とする。
【００１０】
請求項２に係る発明は、請求項１に記載の光源装置であって、前記光学系は、中心側に透光部が形成された反射鏡を備え、前記中心光は、前記第１の光のうち前記透光部を通過した部分によって得られる一方、前記周辺光は前記第１の光のうち前記反射鏡で反射された部分によって得られることを特徴とする。
【００１１】
請求項３に係る発明は、請求項２に記載の光源装置であって、前記透光部は、前記反射鏡に貫通形成された中空の開口部であることを特徴とする。
【００１２】
請求項４に係る発明は、請求項２または請求項３に記載の光源装置であって、前記光センサは、前記反射鏡に関して前記光源本体と同じ側の空間に、前記光源本体と並列的に配置されているとともに、前記反射鏡の光軸が前記第１の光の光軸から傾いており、前記周辺光は前記第１の光の光軸から傾いた方向に反射されて前記光センサの受光面に入射することを特徴とする。
【００１３】
請求項５に係る発明は、請求項３または請求項４に記載の光源装置であって、前記反射鏡の前記開口部の内壁面は、前記第２の光の出射方向に向かって開いたテーパ状とされていることを特徴とする。
【００１４】
請求項６に係る発明は、請求項２ないし請求項５のいずれかに記載の光源装置であって、前記第１の光は、前記光源本体から出射した拡散光の状態で前記反射鏡に入射し、前記反射鏡として凹面鏡が用いられていることによって、前記周辺光は収束光の状態で前記光センサに入射することを特徴とする。
【００１５】
請求項７に係る発明は、請求項２ないし請求項５のいずれかに記載の光源装置であって、前記反射鏡として平面鏡が使用され、前記光源本体と前記反射鏡との間の光路に介挿されたコリメートレンズ、をさらに備え、前記第１の光は、前記光源本体から拡散光の状態で出射した後に、前記コリメートレンズによって略平行光に変換されて前記平面鏡に入射し、該平面鏡で反射された周辺光は略平行光の状態で前記光センサに入射することを特徴とする。
【００１６】
請求項８に係る発明は、請求項２ないし請求項７のいずれかに記載の光源装置であって、筒体の一端側に取り付け部材を介して前記光源本体が取り付けられ、前記筒体の他端側に前記反射鏡が取り付けられているとともに、前記取り付け部材に関して前記反射鏡の反対側に前記光センサが配置され、前記周辺光は、前記取り付け部材に設けた開口を通過して前記光センサに到達することを特徴とする。
【００１７】
請求項９に係る発明は、請求項１ないし請求項８のいずれかに記載の光源装置であって、前記光源本体は半導体レーザチップであることを特徴とする。
【００１８】
請求項１０に係る発明は、請求項１ないし請求項９のいずれかに記載の光源装置と、前記光源装置から出射される前記第２の光ビームを画像信号に応じて変調する変調手段と、変調後の前記第２の光によって記録媒体を露光走査する走査機構とを備えることを特徴とする。
【００１９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の好適な実施の形態について説明する。
【００２０】
＜１．　第１の実施の形態＞
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る光源装置２を含む画像記録装置１の全体構成を示す概略図である。
【００２１】
図１に示すように、画像記録装置１は、光源装置２、コリメートレンズ１１、シリンドリカルレンズ１２、ポリゴンミラー（回転多面鏡）１３、ｆθレンズ１４、およびアナモルフィックレンズ１５、を備える。この実施形態における被走査面１６は画像記録媒体としての感材フィルムの感光面であり、この被走査面１６は、それを挟持するローラ対によって、図１の紙面を貫くＸ方向に順次に送られる。
【００２２】
この画像記録装置にはさらに、光源装置２に電力Ｐを供給する電源回路１９と、電源回路１９へデジタル画像信号Ｓを供給する画像信号供給装置１８とを備えている。画像信号供給装置１８はその内部に画像データを記憶しておく装置であってもよく、他の装置から画像データを受け取って電源回路１９へ与える装置であってもよい。
【００２３】
光源装置２の詳細は後述するが、この光源装置２へ電力Ｐを供給する電源回路１９は、画像信号供給装置１８から与えられる画像信号Ｓに応じて電力ＰのＯＮ／ＯＦＦ制御を行い、光源装置２から出射する光ビーム（レーザビーム）２０１の変調を行う。光源装置２から出射された光ビーム２０１は、コリメートレンズ１１およびシリンドリカルレンズ１２により略平行光へとビーム整形される。ポリゴンミラー１３はモータによって毎分数万回転しており、整形された前記光ビームは、ポリゴンミラー１３により等角速度で周期的に反射偏向される。さらに、光ビームはｆθレンズ１４を通過することにより前記等角速度運動から周期的な等速度運動に変換され、アナモルフィックレンズ１５を通過することにより主走査方向（Ｙ方向）に対して垂直方向（Ｘ方向）に収束されて被走査面１６上に結像される。一方、被走査面１６は、既述したローラ対などにより副走査方向（Ｘ方向）へ順次に移動する。ポリゴンミラー１３による周期的偏向は主走査を実現し、被走査面１６の順次移動は副走査を実現する。以上の機構により、光源装置２から出射された光ビーム２０１は、画像信号Ｓに応じてＯＮ／ＯＦＦ変調を受けつつ、Ｘ−Ｙ面内で被走査面１６上を２次元的に露光走査する。画像信号Ｓが網点画像を表現している場合には、この画像信号Ｓに応じた網点画像（潜像）が、被走査面１６上に形成されることになる。
【００２４】
光ビーム２０１を画像信号Ｓに応じて変調する手段は、前記のように電源回路１９により直接変調する方式以外に、光源装置２から連続的に出射される光ビームを、光路上に挿入された音響光学変調器（ＡＯＭ）が画像信号Ｓに応答してＯＮ／ＯＦＦ制御を行う方式であってもよい。
【００２５】
図２（ａ）は、画像記録装置１に設けられた光源装置２の内部構造を示す図である。図２（ａ）に示すように、光源装置２では、光源本体としての半導体レーザチップ２１が、取り付け板２２上に取り付けられて固定されている。半導体レーザチップ２１の発光面は、取り付け板２２のほぼ中央に形成した凹部２２ａから露出している。また、この取り付け板２２の板面には鏡筒２３の一端が固定されており、この鏡筒２３の他端には、円形の開口２５ａを有する凹面鏡ホルダ２５が設けられている。また、凹面鏡ホルダ２５の内面には、透光部として円形の開口部２４ａが貫通形成された凹面鏡（反射鏡）２４が取り付けられているが、この凹面鏡２４の光軸ＡＭ（図２（ｂ））すなわち凹面鏡２４の光学的回転中心軸は、半導体レーザチップ２１からの光Ｌａの光軸ＡＬから角度φだけ傾いている。ただし、図２（ｂ）におけるこの傾き角度φは、実際の傾きよりも誇張して描かれている。
【００２６】
一方、取り付け板２２のうち半導体レーザチップ２１を取り付けている凹部２２ａから所定距離だけオフセットした箇所には開口部２２ｂが形成されており、この開口部２２ｂの後方にはフォトダイオード２６が設けられている。
【００２７】
すなわち、フォトダイオード２６は、凹面鏡２４に関して半導体レーザチップ２１と同じ側の空間に、半導体レーザチップ２１と並列的に配置されており、取り付け板２２に関して凹面鏡２４の反対側に配置されていることになる。
【００２８】
フォトダイオード２６の受光面２６ａは、凹面鏡２４に対向している。取り付け板２２の後面には、棒状の中継部材２８ａとボルト２８ｂとによって回路基板２７が取り付けられている。この回路基板２７は、フォトダイオード２６での受光信号Ｆに基づいて半導体レーザチップ２１への供給電流Ｇをフィードバック制御する注入電流制御用の回路が組まれている。
【００２９】
中継部材２８ａからボルト２８ｂを取り外すことによって、半導体レーザチップ２１、フォトダイオード２６および回路基板２７は、この光源装置２からそれぞれ単独にとりはずすことが可能な着脱自在構造となっている。
【００３０】
半導体レーザチップ２１の前端面から出射したレーザ光束（第１の光）Ｌａは拡散光束となっており、この光束Ｌａは凹面鏡２４に向かって進んだ後、凹面鏡２４の開口部２４ａを通過する光束Ｌｂと、凹面鏡２４の鏡面２４ｍで反射される光束Ｌｃとに空間分割される。このうち凹面鏡２４の開口部２４ａを通過する光束Ｌｂは、入射光束Ｌａの空間的広がりの中心側に存在する中心光であって、この光源装置２から出射して図１の光ビーム（第２の光）２０１となる。また、凹面鏡２４の鏡面２４ｍで反射された光束Ｌｃは、入射光束Ｌａの空間的広がりの周辺側に存在してリング状の断面光量分布を持つ周辺光であって、取り付け板２２の開口部２２ｂを通過して収束光の状態でフォトダイオード２６の受光面２６ａへ導かれ、この受光面２６ａにおいて、ある程度の広がりで受光される。
【００３１】
図示の便宜上、図２（ａ）では周辺光Ｌｃはフォトダイオード２６の受光面２６ａに光源が像を結ぶかのように表現されているが、周辺光Ｌｃは、単独かつ小型のフォトダイオード２６の受光面２６ａによってそのほとんどの光量を受光できる程度まで凹面鏡２４によって集光されて収束光の状態になるだけであって、ある程度の広がり（オフフォーカス）で受光面２６ａに入射する。それは、受光面２６ａ上で結像させた場合には、その結像箇所だけに継続して周辺光Ｌｃが集中して入射し続けることとなり、それによって受光面２６ａの局所的劣化が生じやすいためである。
【００３２】
これに対して、この実施形態のように受光面２６ａのある程度以上の部分で周辺光Ｌｃを受光するように、凹面鏡２４の鏡面２４ｍの曲率を選択することにより、フォトダイオード２６の寿命を伸ばすことが可能となる。好ましくは、受光面２６ａの有効受光面積の約１／５以上、さらに好ましくは約１／３以上の部分で周辺光Ｌｃを受光する。
【００３３】
このフォトダイオード２６の受光面２６ａで受光した周辺光Ｌｃの光量は、半導体レーザチップ２１の発光量にほぼ比例している。このため、フォトダイオード２６の受光信号Ｆに基づいて、回路基板２７上の制御回路が半導体レーザチップ２１への供給電流Ｇをフィードバック制御（ＡＰＣ制御）することにより、半導体レーザチップ２１からの光Ｌａとして安定した光出力が得られる。
【００３４】
ここで、本実施形態において半導体レーザチップ２１から出射する光Ｌａのうち周辺光Ｌｃを光量のモニタの用途に使用することの意味について、図３および図４を参照しながら以下に説明する。
【００３５】
一般に、半導体レーザチップ５３から出射される光の広がり角θは、半値全角で示すと、垂直方向で２０〜３０度程度ある。この広がり角を持つ光を全て使用するためには、図４に示すように、光源側に開口数の大きいレンズ６１を使用しなければならない。しかし、像側のレンズ５２の開口数が焦点深度の関係などで変えることが出来ない場合には、光源側の開口数の大きなレンズ６１による像拡大効果だけが残るために、図４に示すように、全体の光学倍率が大きくなり、半導体レーザチップ５３の位置ずれ等が像面の焦点の位置変化に及ぼす影響が大きくなってしまう。
【００３６】
したがって、画像記録装置（特に光ビーム偏向型の画像記録装置）においては、図３に示すように、通常は半導体レーザチップ５３から出射される光束のうち、周辺光５０２は使用されない。本発明では、このような周辺光を光量モニタの用途として使用することにより、本来の用途として使用する中心部の光量の低下を最小限に抑えつつ光量モニタを有効に行うことが可能となる。
【００３７】
また図２に示すように、この実施形態では、凹面鏡２４の開口部２４ａの内壁面２４ｂが、外向き（すなわち出射光束Ｌａが進む方向）に広がるテーパ状に加工されている。その理由を図５を参照して説明する。
【００３８】
図５においては、反射鏡７４（図２の凹面鏡２４に対応する鏡部材）の開口部７４ａがテーパ状に加工されておらず、鏡面に対して直角に貫通した直孔とされている。この場合には、反射鏡７４の開口部７４ａ付近に入射する光束７０１〜７０４のうち、光束７０１、７０４は反射鏡７４の鏡面により反射され、光量のモニタの用途に使用される。光束７０２、７０３は、反射鏡７４の開口部７４ａの入口側の断面は通過するが、このうち開口部７４ａを無反射で通過して本来の用途に使用されるべき光束７０２ａとなるのは光束７０２だけであり、光束７０３は反射鏡７４の開口部７４ａの内壁面に当たって反射し（いわゆる「ケラれ」が生じ）、光束７０３ａのように意図しない方向に進むか、あるいは散乱光ないしは迷光となって画像記録その他の本来の用途の障害となる。また、光量の利用効率という観点からも、本来の用途に使用されるべき光束７０２，７０３のうち、光束７０３に相当する分の光量損失が生じることになる。そこで、本実施形態では、図５中に点線で示したように、反射鏡７４の開口部の内壁面７４ｂをテーパ状に加工することにより、光束７３も開口部７４ａを通過させるようにしている。図２の凹面鏡２４における開口部２４ｂのテーパ形状がこれに相当する。これによって、この光源装置２は光量損失が特に少ない光源装置となっている。
【００３９】
＜２．　第２の実施の形態＞
図６は、本発明の第２の実施の形態に係る光源装置３を含む画像記録装置１０の全体構成を示す概略図である。また、図７はこの光源装置３の内部構造を示す図であり、図８はその先端部の拡大図である。
【００４０】
以下では、画像記録装置１０および光源装置３の構成のうち、第１の実施の形態の装置と異なる部分だけを説明し、第１の実施の形態と同一の部分については同一の参照符号を付して重複説明を省略する。
【００４１】
後述するようにこの第２の実施の形態の光源装置３では、光源装置３の内部にコリメートレンズを内蔵している。したがって、図６の画像記録装置１０においては、図１のコリメートレンズ１１に相当するレンズは光源装置３の外部には設けられていない。
【００４２】
図７を参照して、光源装置３では、鏡筒２３の内部空間のうち半導体レーザチップ２１の取り付け板２２に隣接する位置にコリメートレンズホルダ３９が設けられている。このコリメートレンズホルダ３９には段差を有する貫通孔３９ａが形成されており、貫通孔３９ａのこの段差の部分にコリメートレンズ３８が固定されている。この内蔵コリメートレンズ３８が、図１における外部コリメートレンズ１１の代替機能を果たしている。
【００４３】
一方、鏡筒２３の他端には略円板状の平面鏡ホルダ３５が取り付けられており、平面鏡ホルダ３５のほぼ中心には略円形の開口部３５ａ（図８）が形成されている。ここで、第１の実施の形態に関連して図２（ｂ）で説明したものと同様に、平面鏡３４の光軸ＡＭはこれに入射する光束Ｌ０の光軸ＡＬ（図８）と平行ではなく、光軸ＡＬに対してゼロでない有限の傾き角度φを持っている。
【００４４】
半導体レーザチップ２１の前端面から出射された拡散光状態の光ビーム（第１の光）Ｌａは、まずコリメートレンズ３８により略平行光の光束Ｌ０とされる。平行光束Ｌ０の光軸ＡＬは、半導体レーザチップ２１の出射光Ｌａの光軸と略一致している。そして、この光束Ｌ０は、平面鏡３４の開口部３４ａを通過する中心光Ｌｂと、平面鏡３４の鏡面３４ｍで反射される周辺光Ｌｃとに空間分割される。このうち平面鏡３４の開口部３４ａを通過した中心光Ｌｂは、この光源装置３から出て図６の光ビーム３０１（第２の光）となる。
【００４５】
また、平面鏡３４の鏡面３４ｍで反射された周辺光Ｌｃは、取り付け板２２の開口部２２ｂを通過してフォトダイオード２６の受光面２６ａへ導かれ、この受光面２６ａにおいて、ある程度の広がりで受光される。
【００４６】
受光面２６ａにおける周辺光Ｌｃの受光スポットのサイズに関する好ましい条件は第１の実施の形態と同じである。第２の実施の形態においては、このような好ましい条件は、コリメートレンズ３８の曲率の選択によって満足される。
【００４７】
フォトダイオード２６の受光信号Ｆは、ＡＰＣ制御に使用される。すなわち、基板２７上の回路により、この受光信号Ｆのレベルが一定となるように半導体レーザチップ２１への注入電流Ｇが制御される。
【００４８】
この第２の実施の形態においても、第１の実施の形態と同様に、本来の用途には使用されない周辺光を光量モニタの用途として使用することにより、本来の用途として使用する中心光の光量の低下を最小限に抑えることが可能である。
【００４９】
さらに、第１の実施の形態と同様に、平面鏡３４の開口部３４ａの内壁面３４ｂが外向き（すなわち出射光Ｌｂが進む方向）に向かって広がるテーパ状に加工されおり、開口部の内壁面による光の反射は最小限に抑えられている。
【００５０】
なお、反射鏡として平面鏡３４を用いることにより反射後の周辺光Ｌｃも略平行光となり、仮にフォトダイオード２６側での位置ずれが起こったとしても、フォトダイオード２６の受光面２６ａ上の一点に光が結像してしまってフォトダイオード２６の劣化が進むということもない。
【００５１】
＜３．　変形例＞
この発明の光源装置を単一のモジュールに組み付ける場合には、上記のように反射鏡を使用することが好ましいが、他の光学系（レンズやプリズムなど）を使用して中心光と周辺光との空間分割を行ってもよい。反射鏡を用いる場合にも、中心光を透過させる部分は、中空の開口部でなくてもよく、一般に、光が通過する透光部であれば足りる。したがって、中心部が透明ガラスエリアとなっており、周辺部が反射エリアとなっているような光学部材を使用してもよい。
【００５２】
また、光源本体と反射鏡との間にコリメートレンズを配置したうえで、反射鏡として凹面鏡を用いる構成であってもよい。すなわち、光源本体から出射した拡散光をコリメートレンズで略平行光とした後、凹面鏡により周辺光を収束光としてフォトダイオードの受光面へ導く構成であってもよい。
【００５３】
光センサによる受光信号に応答して光源本体への供給電力を制御する回路は、この光源装置に内蔵しておいてもよく、外部に設けておいても良い。
【００５４】
この発明の光源装置は、画像記録装置だけでなく、画像読取り装置や光ディスクのピックアップユニットの光源装置などとしても利用可能である。
【００５５】
【発明の効果】
以上のように、請求項１に記載の発明によれば、光源本体から出射される光束の中で、本来の用途として使用しない周辺光を利用して、光量のモニタを行うことが可能である。すなわち、光源本体から出射される光束のうち、本来の用途として使用する中心光の光量低下を最小限に抑えて光量のモニタを行うことが可能である。
【００５６】
請求項２、請求項３、および請求項４に記載の発明によれば、光量のモニタに使用する周辺光を第１の光から傾いた方向に反射させることにより、光源装置全体をより小型化することが可能である。
【００５７】
請求項５に記載の発明によれば、反射鏡の開口部の内壁面において本来の用途に使用されるべき光束の一部が反射し、画像記録その他の本来の用途の障害となることを防止できる。また、光量の利用効率という観点からも本来の用途に使用する光量の損失をより減少することが可能である。
【００５８】
請求項６に記載の発明によれば、光量のモニタに使用する周辺光を、凹面鏡で反射するとともに集光することにより、単独かつ小型の光センサを用いて光量のモニタを行うことが可能である。
【００５９】
請求項７に記載の発明によれば、反射鏡として平面鏡を使用することにより、反射後の周辺光も略平行光となるため、仮に光センサの位置ずれが生じたとしても、光センサの受光面上の一点に光が結像してしまって光センサの劣化が進むということが起こり得ない。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る光源装置２を含む画像記録装置１の全体構成を示す概略図である。
【図２】光源装置２の内部構造と光軸関係とを示す図である。
【図３】半導体レーザチップ５３の周辺の光束を利用しない場合の光学系を示す図である。
【図４】光源側に開口数の大きいコリメートレンズ６１を使用し、半導体レーザチップ５３の周辺光も利用する場合の光学系を示す図である。
【図５】反射鏡の開口部の内壁面がテーパ状でない場合の光束の進路を示す図である。
【図６】本発明の第２の実施の形態に係る光源装置３を含む画像記録装置１０の全体構成を示す概略図である。
【図７】光源装置３の内部構造を示す図である。
【図８】光源装置３の先端構造を示す拡大図である。
【図９】ハーフミラー４４を用いた場合のＡＰＣの機能を示す概略図である。
【符号の説明】
１、１０　画像記録装置
２、３　光源装置
１１、３８　コリメートレンズ
１６　被走査面
２１　半導体レーザチップ（光源本体）
２２　半導体レーザチップの取り付け板
２３　鏡筒
２４　凹面鏡
２５　凹面鏡ホルダ
２６　フォトダイオード（光センサ）
２７　基板
３４　平面鏡
３５　平面鏡ホルダ
３９　コリメートレンズホルダ
Ｌａ、Ｌ０　光源本体からの光（第１の光）
Ｌｂ　中心光（第２の光）
Ｌｃ　周辺光
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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