(57)【要約】【課題】スティフナ取り付け面の銅層が形成されていない部分にボイドが生じることを防止し、半田ボールリフロー時に導電性テープからリードの剥がれやマイグレーションの発生を防止したＴＡＢテープ、及びその製造方法並びにそのようなＴＡＢテープを使用した半導体装置を提供することを目的とする。【解決手段】両面に第１及び第２の配線パターン１０、１１が形成された絶縁性テープ５と、第１及び第２の配線パターン１０、１１間を電気的に導通させるビアホール６と、絶縁性テープ５と接着剤７を介して取り付けられたスティフナ８とから構成されるＴＡＢテープにおいて、絶縁性テープ５は、第２の配線パターンが形成されていない部分に感光性を有するソルダーレジスト１７を塗布してある。また、そのようなＴＡＢテープを使用して半導体装置を得た。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁性のテープ状基材の片面に導電性材料で形成した第１の配線パターンと、
前記テープ状基材の他面に導電性材料で形成した第２の配線パターンと、
前記第１及び第２の配線パターンを電気的に導通する導通部と、
前記テープ状基材の他面と接着剤を介して取り付けられたスティフナとから構成されるＴＡＢテープにおいて、
前記テープ状基材は、前記第２の配線パターンが形成されていない部分に感光性を有するソルダーレジスト等の絶縁材が塗布されていることを特徴とするＴＡＢテープ。
【請求項２】
前記感光性を有するソルダーレジスト等の絶縁材は、前記第２の配線パターンの厚さに対して−１０μｍから＋２０μｍの厚さに形成されることを特徴とする請求項１記載のＴＡＢテープ。
【請求項３】
前記感光性を有するソルダーレジスト等の絶縁材は、液状であり、スクリーン印刷法により塗布されることを特徴とする請求項１又は２のいずれか１項記載のＴＡＢテープ。
【請求項４】
絶縁性のテープ状基材の片面に導電性材料で第１の配線パターンを形成するステップと、
前記テープ状基材の他面に導電性材料で第２の配線パターンを形成するステップと、
前記第１及び第２の配線パターンを電気的に導通する導通部を形成するステップと、
前記テープ状基材の他面に接着剤を介してスティフナを取り付けるステップとを含むＴＡＢテープの製造方法において、
前記第２の配線パターンを形成するステップは、テープ状基材の前記第２の配線パターンが形成されていない部分に感光性を有するソルダーレジスト等の絶縁材を塗布するステップを含むことを特徴とするＴＡＢテープの製造方法。
【請求項５】
前記第２の配線パターンを形成するステップは、形成された前記第２の配線パターンの厚さに対して−１０μｍから＋２０μｍの厚さでソルダーレジスト層等の絶縁材を形成するステップを含むことを特徴とする請求項４記載のＴＡＢテープの製造方法。
【請求項６】
前記第２の配線パターンを形成するステップは、液状の感光性を有するソルダーレジスト等の絶縁材をスクリーン印刷法により塗布するステップを含むことを特徴とする請求項４又は５のいずれか１項記載のＴＡＢテープの製造方法。
【請求項７】
中央に開口部を有した絶縁性のテープ状基材と、
前記絶縁性のテープ状基材の片面に導電性材料で形成した第１の配線パターンと、
前記テープ状基材の他面に導電性材料で形成した第２の配線パターンと、
前記第１及び第２の配線パターンを電気的に導通する導通部と、
前記テープ状基材の他面と接着剤を介して取り付けられたスティフナと、
前記絶縁性のテープ状基材の前記開口部の位置において前記スティフナに取り付けられた半導体チップと、
前記半導体チップと前記第２の配線パターンを接続するワイヤボンディングと、
前記半導体チップと前記ワイヤボンディングとを封止する封止剤と、
前記第１の配線パターンと外部の端子と接続するための半田ボールとから構成される半導体装置において、
前記テープ状基材は、前記第２の配線パターンが形成されていない部分に感光性を有するソルダーレジスト等の絶縁材が塗布されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
前記感光性を有するソルダーレジスト等の絶縁材は、前記第２の配線パターンの厚さに対して−１０μｍから＋２０μｍの厚さに形成されることを特徴とする請求項７記載の半導体装置。
【請求項９】
前記感光性を有するソルダーレジスト等の絶縁材は、液状であり、スクリーン印刷法により塗布されることを特徴とする請求項７又は８のいずれか１項記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、スティフナと称される放熱板兼補強板の付いたＴＡＢ（Ｔａｐｅ　Ａｕｔｏｍａｔｅｄ　Ｂｏｎｄｉｎｇ）テープ及びその製造方法並びにこれを用いたテープＢＧＡ（Ｂａｌｌ　Ｇｒｉｄ　Ａｒｒａｙ）半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
テープＢＧＡ半導体装置は、通信機器などのサーバー制御に使用される。この半導体装置は、伝送速度の高速化により数１０ＧＨｚの高周波領域での動作が求められ、高熱放散性、低ノイズ性等の高特性が要求される。そのためテープは、接地電位層と信号配線層とを分離した両面配線テープが用いられ、このテープに接着剤を介して銅合金などの熱放散性の良好なスティフナを貼り付けたものが用いられる。
【０００３】
テープＢＧＡ半導体装置として、例えば、図５に示されるものが知られている。テープＢＧＡ半導体装置は、ポリイミドなどの可撓性のある絶縁性テープ５と、絶縁性テープ５の片面に形成された第１の配線パターン１０と絶縁性テープの他面に形成された第２の配線パターン１１と、第１及び第２の配線パターン１０、１１間を電気的に導通させるため絶縁性テープ５に形成したビアホール６と、絶縁性テープ５の他面と接着剤７を介して取り付けられたスティフナ８と、スティフナ８のキャビティ１５側に取り付けられる半導体チップ１と、半導体チップ１の電極（図示せず）と第１の配線パターンの端子（図示せず）とを接続するボンディングワイヤ９と、第２の配線パターン１０と接続され図示しない外部回路に接続される電極としての半田ボール３とから構成される。
【０００４】
ここで、半導体チップ１とボンディングワイヤ９は、封止樹脂２により封止される。また、第１の配線パターン１０側の面は、半田ボール３が搭載される部分及び封止樹脂２以外の面に感光性を有するソルダーレジスト（以下「ＰＳＲ」という。）層４が形成され、半田ボールを搭載する際にボール形状の偏りやボール間の短絡を防止する。
【０００５】
第１の配線パターン１０は、主として信号層として使用され、第２の配線パターン１１は、後述するように、接地電位層と複数のリードから構成される。
【０００６】
以上の半導体装置の製造工程について説明する。図６は、スティフナ付きＴＡＢテープの製造工程を示す図、図７は、スティフナの製造工程を示す図である。
【０００７】
まず、スパッタリングやキャスティング等の手法によりポリイミドフィルムなどの絶縁性テープ５の両面に第１及び第２の銅箔１０ａ、１１ａを貼り付けた銅張積層基材を準備し（図６（ａ））、パンチングにより貫通孔６ａをあける（図６（ｂ））。貫通孔６ａをあけた銅張積層基材の両面に銅めっきを施し（図６（ｃ））、めっき層６ｂにより第１の銅箔１０ａ及び第２の銅箔１１ａ間の電気的導通をとるビアホール６を形成するとともに、第１及び第２の銅箔１０ａ、１１ａ上に第１及び第２の銅めっき層１０ｂ、１１ｂを形成する。
【０００８】
所定の広さにフォトレジスト１４を塗布し（図６（ｄ））、露光、現像を行い、配線パターンを形成しない第１及び第２の銅めっき層１０ｂ、１１ｂを露出させる（図６（ｅ））。第１及び第２の銅めっき層１０ｂ、１１ｂ及び第１及び第２の銅箔１０ａ、１１ａをエッチングして除去し、第１及び第２の配線パターン１０、１１を形成する（図６（ｆ））。このとき第２の配線パターン１１が形成された面には、リード３０、３１及び接地電位層２１も形成される。
【０００９】
フォトレジスト１４を除去し（図６（ｇ））、第１の配線パターン１０側の適宜箇所に半田ボールを搭載する際にボール形状の偏りやボール間の短絡を防止するためのＰＳＲ４を塗布する（図６（ｈ））。
【００１０】
ついで、第２の配線パターン１１側に接着剤７を塗布する（図６（ｉ））。そして、半導体チップを搭載するキャビティ１５をくり抜き（図６（ｊ））、後述するスティフナ８を貼り付ける（図６（ｋ））。接着剤７を熱硬化させるためのキュア工程等を経てスティフナ付きＴＡＢテープが完成する。
【００１１】
スティフナ８は、図７に示すように、銅板１２（図７（ａ））をプレス又はエッチングにより所定の形状に加工した後（図７（ｂ））、接着剤７との密着性を向上させる目的で、表面に黒化処理１３を施したもの（図７（ｃ））である。
【００１２】
このようにして得られたスティフナ付きＴＡＢテープのスティフナ８のキャビティ１５側に半導体チップ１を搭載し、半導体チップ１の電極（図示せず）と第１の配線パターン１０とをボンディングワイヤ９で接続する。半導体チップ１及びボンディングワイヤ９とを封止樹脂２により封止する。
【００１３】
第１の配線パターン１０の所定箇所に半田ボール３を搭載してＢＧＡ半導体装置が完成する（図５参照）。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、従来のスティフナが貼り付けられたＴＡＢテープによると、図８に示すように、接着剤７を介してスティフナ８が貼り付けられる面は、第２の配線パターン１１のリード３０、３１が形成されていない部位３２、３３、３４に接着剤７が十分に塗布されず、ボイド１６が生ずるおそれがあるため、半田ボールリフロー時のボイドの膨張によりスティフナ８から第２の配線パターン１１のリード３０、３１の銅層が剥がれるおそれやマイグレーションの発生原因となるおそれがあるという問題がある。
【００１５】
従って、本発明の目的は、第２の配線パターン上にスティフナを取り付ける場合、第２の配線パターンの銅層が形成されていない部分にボイドが生じることを防止し、半田ボールリフロー時に導電性テープから第２の配線パターンの銅層の剥がれやマイグレーションの発生を防止したＴＡＢテープ、及びその製造方法並びにそのようなＴＡＢテープを使用した半導体装置を提供することにある。
【００１６】
【課題を解決するための手段】
本発明は、前記目的を達成するために、請求項１記載の発明において、絶縁性のテープ状基材の片面に導電性材料で形成した第１の配線パターンと、前記テープ状基材の他面に導電性材料で形成した第２の配線パターンと、前記第１及び第２の配線パターンを電気的に導通する導通部と、前記テープ状基材の他面と接着剤を介して取り付けられたスティフナとから構成されるＴＡＢテープにおいて、前記テープ状基材は、前記第２の配線パターンが形成されていない部分に感光性を有するソルダーレジスト等の絶縁材が塗布されていることを特徴とするＴＡＢテープを提供する。
【００１７】
請求項２記載の発明において、前記感光性を有するソルダーレジスト等の絶縁材は、前記第２の配線パターンの厚さに対して−１０μｍから＋２０μｍの厚さに形成されることを特徴とする請求項１記載のＴＡＢテープを提供する。
【００１８】
請求項３記載の発明において、前記感光性を有するソルダーレジスト等の絶縁材は、液状であり、スクリーン印刷法により塗布されることを特徴とする請求項１又は２のいずれか１項記載のＴＡＢテープを提供する。
【００１９】
請求項４記載の発明において、絶縁性のテープ状基材の片面に導電性材料で第１の配線パターンを形成するステップと、前記テープ状基材の他面に導電性材料で第２の配線パターンを形成するステップと、前記第１及び第２の配線パターンを電気的に導通する導通部を形成するステップと、前記テープ状基材の他面に接着剤を介してスティフナを取り付けるステップとを含むＴＡＢテープの製造方法において、前記第２の配線パターンを形成するステップは、テープ状基材の前記第２の配線パターンが形成されていない部分に感光性を有するソルダーレジスト等の絶縁材を塗布するステップを含むことを特徴とするＴＡＢテープの製造方法を提供する。
【００２０】
請求項５記載の発明において、前記第２の配線パターンを形成するステップは、形成された前記第２の配線パターンの厚さに対して−１０μｍから＋２０μｍの厚さでソルダーレジスト層等の絶縁材を形成するステップを含むことを特徴とする請求項４記載のＴＡＢテープの製造方法を提供する。
【００２１】
請求項６記載の発明において、前記第２の配線パターンを形成するステップは、液状の感光性を有するソルダーレジスト等の絶縁材をスクリーン印刷法により塗布するステップを含むことを特徴とする請求項４又は５のいずれか１項記載のＴＡＢテープの製造方法を提供する。
【００２２】
請求項７記載の発明において、中央に開口部を有した絶縁性のテープ状基材と、
前記絶縁性のテープ状基材の片面に導電性材料で形成した第１の配線パターンと、前記テープ状基材の他面に導電性材料で形成した第２の配線パターンと、前記第１及び第２の配線パターンを電気的に導通する導通部と、前記テープ状基材の他面と接着剤を介して取り付けられたスティフナと、前記絶縁性のテープ状基材の前記開口部の位置において前記スティフナに取り付けられた半導体チップと、前記半導体チップと前記第２の配線パターンを接続するワイヤボンディングと、前記半導体チップと前記ワイヤボンディングとを封止する封止剤と、前記第１の配線パターンと外部の端子と接続するための半田ボールとから構成される半導体装置において、前記テープ状基材は、前記第２の配線パターンが形成されていない部分に感光性を有するソルダーレジスト等の絶縁材が塗布されていることを特徴とする半導体装置を提供する。
【００２３】
請求項８記載の発明において、前記感光性を有するソルダーレジスト等の絶縁材は、前記第２の配線パターンの厚さに対して−１０μｍから＋２０μｍの厚さに形成されることを特徴とする請求項７記載の半導体装置を提供する。
【００２４】
請求項９記載の発明において、前記感光性を有するソルダーレジスト等の絶縁材は、前記第２の配線パターンの厚さに対して−１０μｍから＋２０μｍの厚さに形成されることを特徴とする請求項７記載の半導体装置を提供する。
【００２５】
【発明の実施の形態】
本発明によるテープＢＧＡ半導体装置の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。
【００２６】
図１は、本発明のＴＡＢテープを使用したテープＢＧＡ半導体装置を示す。なお図５と同一の符号は、同一の部材を表している。
【００２７】
テープＢＧＡ半導体装置は、ポリイミドなどの可撓性のある絶縁性テープ５と、絶縁性テープ５の表面に形成された第１の配線パターン１０と絶縁性テープの裏面に形成された第２の配線パターン１１と、第１及び第２の配線パターン１０、１１間を電気的に導通させるため絶縁性テープ５に形成したビアホール６と、絶縁性テープ５の他面と接着剤７を介して取り付けられたスティフナ８と、スティフナ８のキャビティ１５側に取り付けられる半導体チップ１と、半導体チップ１の電極（図示せず）と第１の配線パターンとを接続するボンディングワイヤ９と、第１の配線パターン１０と接続され図示しない外部回路に接続される電極としての半田ボール３とから構成される。
【００２８】
ここで、第２の配線パターン１１の配線間、すなわち、配線パターン１１を形成する部分の銅層が存在しない部分にＰＳＲ１７を塗布してある。
【００２９】
なお、半導体チップ１とボンディングワイヤ９は、封止樹脂２により封止される。また、第１の配線パターン１０側の面は、半田ボール３が搭載される部分及び封止樹脂２以外の面にＰＳＲ層４が形成され、半田ボールを搭載する際にボール形状の偏りやボール間の短絡を防止する。
【００３０】
図２は、絶縁性テープ５の第２の配線パターン１１を形成する面を示す図、図３は、第２の配線パターンを形成する部分の銅層が存在しない部分にＰＳＲを塗布したところを示す図で、（ａ）はＰＳＲを埋め込んだ状態の平面図、（ｂ）は図３（ａ）のＡ−Ａ線に沿う断面図である。第２の配線パターン１１を形成するリード１１０、１１１、１１２と接地電位層２１は、同一平面であるが、配線パターンが形成されていない部分は、エッチング等により銅めっき層及び銅箔が除去されて、凹部１１ｃが形成されている。そこで、この凹部１１ｃにＰＳＲ１７を充填し（図３（ａ））、第２の配線パターン１１を形成するリード１１０、１１１、１１２と接地電位層２１とが、同一平面となるように形成する（図３（ｂ））。
【００３１】
従って、第２の配線パターン１１を形成する面に接着剤７を塗布してスティフナ８を接着する際に気泡などのボイドの発生が防止でき、半田ボールリフロー時にスティフナから第２の配線パターン１１のリード１１０、１１１、１１２の剥がれやマイグレーションの発生を防止することができる。
【００３２】
なお、半導体チップ１とボンディングワイヤ９は、封止樹脂２により封止される。また、第１の配線パターン１０側の面は、半田ボール３が搭載される部分及び封止樹脂２以外の面にＰＳＲ４が形成され、半田ボール３を搭載する際にボール形状の偏りやボール間の短絡を防止する。
【００３３】
以上の半導体装置の製造工程について説明する。図４は、スティフナ付きＴＡＢテープの製造工程を示す図である。ＢＧＡ半導体装置の完成図は、図１に示す。なお、図６と同一符号は、同一の部材を示す。
【００３４】
まず、スパッタリングやキャスティング等の手法によりポリイミドフィルムなどの絶縁性テープ５の両面に第１及び第２の銅箔１０ａ、１１ａを貼り付けた銅張積層基材を準備し（図４（ａ））、パンチングにより貫通孔６ａをあける（図４（ｂ））。貫通孔６ａをあけた銅張積層基材の両面に銅めっきを施し（図４（ｃ））、銅めっき層６ｂにより第１の銅箔１０ａ及び第２の銅箔１１ａ間の電気的導通をとるビアホール６を形成するとともに、第１及び第２の銅箔１０ａ、１１ａ上に第１及び第２の銅めっき層１０ｂ、１１ｂを形成する。
【００３５】
所定の広さにフォトレジスト１４を塗布し（図４（ｄ））、露光、現像を行い、配線パターンを形成しない第１及び第２の銅めっき部分１０ｂ、１１ｂを露出させる（図４（ｅ））。第１及び第２の銅めっき部分１０ｂ、１１ｂ及び第１及び第２の銅箔１０ａ、１１ａをエッチングして除去し、第１及び第２の配線パターン１０、１１を形成する（図４（ｆ））。
【００３６】
フォトレジスト１４を除去し（図４（ｇ））、第１の銅箔１０ａ側の適宜箇所に半田ボール搭載する際にボール形状の偏りやボール間の短絡を防止するためのＰＳＲ４を塗布する（図４（ｈ）。
【００３７】
第２の配線パターン１１側の配線層間にＰＳＲ１７を充填し、露光・現像して配線層間にのみＰＳＲを残存させる（図４（ｉ））。
【００３８】
ついで、第２の配線パターン１１側に接着剤７を塗布する（図４（ｊ））。そして、半導体チップを搭載するキャビティ１５をくり抜き（図４（ｋ））、スティフナ８を貼り付ける（図４（ｌ））。接着剤７を熱硬化させるためのキュア工程等を経てＴＡＢテープが完成する。
【００３９】
スティフナ８は、前述した図７に記載のとおりであるので、説明を省略する。
【００４０】
このようにして得られたＴＡＢテープのスティフナ８のキャビティ１５側に半導体チップ１を搭載し、半導体チップ１と配線パターン１０とをボンディングワイヤ９で接続する。半導体チップ１及びボンディングワイヤ９とを封止樹脂２により封止する。
【００４１】
第１の配線パターン１０の所定箇所に半田ボール３を搭載してＢＧＡ半導体装置が完成する。
【００４２】
従って、以上のように製造された半導体装置にあっても、図２及び図３に示すように、第２の配線パターンを形成するリード１１０、１１１、１１２と接地電位層２１の中間はエッチング等により銅めっき層及び銅箔が除去されて、凹部１１ｃが形成されているが、この凹部１１ｃにＰＳＲ１７を充填し、第２の配線パターン１１を形成するリード１１０、１１１、１１２と接地電位層２１とが、同一平面となるように形成されているため、第２の配線パターン１１を含む面に接着剤７を塗布してスティフナ８を接着する際に気泡などのボイドの発生が防止でき、半田ボールリフロー時にスティフナから第２の配線パターン１１のリード１１０、１１１、１１２の剥がれやマイグレーションの発生を防止することができる。
【００４３】
【実施例】
前述の半導体製造工程において図４（ｈ）までの工程により作成した両面に配線パターンが形成されたテープを１００ｍ準備した。このテープのスティフナが取り付けられる面は、図２に示すように、中央から四隅に向けて第２の配線パターン１１が形成されている。第２の配線パターン１１は、１００μｍ間隔で７０μｍ幅のリード１１０、１１１、１１２の３本がそれぞれ１０ｍｍの長さで形成されている。このリード１１０、１１１、１１２の両端は、直径１００μｍのビアホール６が形成され、第１及び第２の配線パターンを電気的に導通している。２１は、接地電位層である。
【００４４】
この第２の配線パターン１１のリード１１０、１１１、１１２及び接地電位層２１が形成されていない凹部１１ｃに部分にインク状のＰＳＲ１７をスクリーン印刷法により塗布し、露光、現像を行い、凹部１１ｃにＰＳＲ１７を残存させた（図３）。
【００４５】
ＰＳＲの厚さは、リードの厚さが約３０μｍであるため、リードの厚さに対し−１０μｍから＋２０μｍの厚さとなるようにＰＳＲインクの粘度、印刷厚さを調節した。
【００４６】
所定の条件によりＰＳＲを熱硬化させた後、両面同時に金メッキを行い、上記のＰＳＲを塗布した面の全面に接着剤を貼り付けた。接着剤の貼り付けは、ロールラミネータを用い、搬送速度１．０ｍ／ｍｉｎ、ロール温度５０〜１００℃で行った。
【００４７】
これとは別に、ＰＳＲを塗布しないものについて、接着剤をラミネートしたテープ１００ｍを準備した。
【００４８】
接着剤貼り付け後、貼り付け面を光学顕微鏡により４０倍の倍率で観察した結果、ＰＳＲを塗布したものについてはリード間にボイドが認められなかった。
【００４９】
しかし、ＰＳＲを塗布していないものは、全長にわたってボイドが観察された。
【００５０】
さらに、上記テープをスティフナに貼り付けた後、接着剤の硬化を行い、半田ボールリフローを模擬して、各１００ピースを最大２６０℃で１０秒の赤外線リフローを３回実施して、ＰＳＲ形成部のリード間の膨れを超音波顕微鏡により観察した。
【００５１】
その結果、ＰＳＲを塗布しなかったものについては、１００ピースのうち９５ピースに膨れが認められたが、ＰＳＲを塗布したものについてはまったく膨れが認められなかった。
【００５２】
ＰＳＲの厚さは、リードの厚さに対し１０μｍ以上薄いと接着剤貼り付け時にリードの間にボイドが生じ易くなる。また、リードより２０μｍ以上厚いとリードの上にＰＳＲが残ってしまうことがある。その後、接着剤を貼り付けると、リード上に残ったＰＳＲの部分にのみ貼り付けの圧力が集中してしまい、その部分のみ接着剤の厚さが薄くなったり、逆にリード側に押し出されてしまい凸状の圧痕となってしまう。
【００５３】
このような場合、通常の板状の基板であれば、バフ研磨などの機械的研磨により除去できるが、テープ状基板の場合、伸びやうねりを発生させることになるので、機械的な研磨は好ましくない。
【００５４】
従って、上記のように、ＰＳＲの厚さは、リードの厚さに対し−１０μｍ以上＋２０μｍ以下の厚さが好適である。
【００５５】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によるＴＡＢテープ又はその製造方法によれば、スティフナを接着する面に形成した配線パターンの銅層を形成しない部分にＰＳＲを塗布し、スティフナを接着する面の凹凸を小さくすることとしたため、接着剤を貼り付けても、ボイドが発生せず、半田ボールリフロー時の膨張による銅層層のはがれや、マイグレーションが発生することがないＴＡＢテープおよびその製造方法を得ることができる。
【００５６】
また、そのようなＴＡＢテープ又はその製造方法により得られたＴＡＢテープを使用した半導体装置によると、同様に、半田ボールリフロー時の膨張による銅層のはがれや、マイグレーションが発生することがない半導体装置を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のテープＢＧＡ半導体装置を示す図である。
【図２】絶縁性テープの第２の配線パターンを形成する面を示す図である。
【図３】第２の配線パターンを形成する部分の銅層が存在しない部分にＰＳＲを塗布したところを示す図である。
【図４】本発明のスティフナ付きＴＡＢテープの製造工程を示す図である。
【図５】従来のテープＢＧＡ半導体装置を示す図である。
【図６】従来のスティフナ付きＴＡＢテープの製造工程を示す図である。
【図７】スティフナの製造工程を示す図である。
【図８】従来のスティフナ付きＴＡＢテープの問題点を示す図である。
【符号の説明】
１　半導体チップ
２　封止樹脂
３　半田ボール
４　感光性を有するソルダーレジスト（ＰＳＲ）
５　絶縁性テープ
６　ビアホール
６ａ　貫通孔
６ｂ　銅めっき層
７　接着剤
８　スティフナ
９　ボンディングワイヤ
１０　第１の配線パターン
１０ａ　第１の銅箔
１０ｂ　第１の銅めっき層
１１　第２の配線パターン
１１ａ　第２の銅箔
１１ｂ　第２の銅めっき層
１１ｃ　凹部
１４　フォトレジスト
１５　キャビティ
１６　ボイド
１７　感光性を有するソルダーレジスト（ＰＳＲ）
２１　接地電位層
３０　リード
３１　リード
３２　リードが形成されていない部位
３３　リードが形成されていない部位
３４　リードが形成されていない部位
１１０　リード
１１１　リード
１１２　リード
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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