(57)【要約】【課題】ナトリウム（Ｎａ）が汚染土壌中のＰＣＢと良好に反応出来るようにし、以って、土壌中のＰＣＢを還元して無害化することが出来る様な汚染土壌浄化工法の提案。【解決手段】ポリ塩化ビフェニル（ＰＣＢ）で汚染された土壌にシールド（ケーシング１）を被せる工程と、該シールド（１）内の空気を排除し及び／又はシールド（１）内にナトリウムに対して化学的に不活性なガス（例えばＮ２ガス）を充填する工程と、空気が排除され及び／または前記ガスで充満された環境下のシールド（１）内で土壌中にナトリウム（Ｎａ）を添加して混合する工程、とを有している。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ポリ塩化ビフェニルで汚染された土壌にシールドを被せる工程と、該シールド内の空気を排除し及び／又はシールド内にナトリウムに対して化学的に不活性なガスを充填する工程と、空気が排除され及び／または前記ガスで充満された環境下のシールド内で土壌中にナトリウムを添加して混合する工程、とを有していることを特徴とする汚染土壌浄化工法。
【請求項２】
ポリ塩化ビフェニルで汚染された土壌にシールドを被せる工程と、該シールド内で土壌中にナトリウムを添加して混合する工程と、シールド内の空気を排除し及び／又はシールド内にナトリウムに対して化学的に不活性なガスを充填する工程、とを有していることを特徴とする汚染土壌浄化工法。
【請求項３】
ポリ塩化ビフェニルで汚染された土壌にシールドを被せる工程と、高圧粉体流噴射手段からナトリウムに対して化学的に不活性なガス及びそれに連行されたナトリウムを加圧された状態で噴射する噴射工程とを有していることを特徴とする汚染土壌浄化工法。
【請求項４】
土壌中のポリ塩化ビフェニルで汚染された領域の最下方に到達する深度までボーリング孔を穿孔する工程と、噴射手段を前記ボーリング孔内に挿入する工程と、噴射手段からナトリウムに対して化学的に不活性なガス及びそれに連行されたナトリウムを加圧された状態で噴射すると共に回転して、汚染された領域の上方のレベルまで引き上げる工程、とを有していることを特徴とする汚染土壌浄化工法。
【請求項５】
ナトリウムに対して化学的に不活性なガス及びそれに連行されたナトリウムを加圧された状態で噴射するに際しては、前記ガスは螺旋状に流れる様に構成される請求項１〜４のいずれか１項の汚染土壌浄化工法。
【請求項６】
ナトリウムを汚染領域に添加・供給するのに先立って、当該汚染領域の周囲及び下方に隔壁を造成する工程を有する請求項１〜５のいずれか１項の汚染土壌浄化工法。
【請求項７】
ナトリウムを汚染領域に添加・供給するのに先立って、水分を除去する作用を奏する材料を汚染領域に噴射して混合する工程を有する請求項１〜６のいずれか１項の汚染土壌浄化工法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ポリ塩化ビフェニル（ｐｏｌｙｃｈｌｏｒｉｎａｔｅｄ  ｂｉｐｈｅｎｙｌ：ＰＣＢ）で汚染された土壌を浄化するための技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ポリ塩化ビフェニル（ｐｏｌｙｃｈｌｏｒｉｎａｔｅｄ  ｂｉｐｈｅｎｙｌ：ＰＣＢ）で汚染された土壌を浄化する技術として、ＮａＯＨ系（カセイソーダ）及びＣ２  Ｈ５  ＯＨ（エタノール）を少々加えるのが一般的ではあるが、ＮａＯＨ系（カセイソーダ）及びＣ２  Ｈ５  ＯＨ（エタノール）を加えることによる再汚染が問題となる。
【０００３】
上記以外の方法としてＮａを細かくして加える方法もある。この方法は、Ｎａを細かくすることにより、化学反応速度、活性が向上し、表面がイオン化する。そのため、反応活性が向上することを利用している。
【０００４】
Ｎａを土壌中に混ぜるとＣｌと結合し、ＮａＣｌとなる。一方、Ｃｌ基を分離されたＰＣＢは殆ど無害となる。但し、この反応は酸素の無い状態での化学反応である。
酸素のない状態での化学反応
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【０００５】
以上の方法は公知事実である。すなわち、Ｎａ微粉末を利用したＰＣＢ処理は、公知であり、既に公に用いられている。
【０００６】
Ｎａは、酸素に触れれば急激に反応して、極めて危険な存在である。ところが、酸素が無い状態を如何に創り出すかについて、従来は、有効な提案が為されていない。
【０００７】
ナトリウム（Ｎａ）の反応は急激であるため、ＰＣＢと反応する以前の段階で、例えば土壌中の水分と反応してしまう場合がある。そのような場合はＰＣＢを浄化できない。また、Ｎａを土壌中に供給する際に、供給装置内で他の物質（水分、その他）と反応してしまうと、これまた極めて危険である。
【０００８】
このように、Ｎａを汚染土壌中のＰＣＢと反応せしめるためには、種々の条件を充足する必要がある。しかし、従来技術では、その様な条件を充足することが出来る技術は提案されていない。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は上述した従来技術の問題点に鑑みて提案されたものであり、ナトリウム（Ｎａ）が汚染土壌中のＰＣＢと良好に反応出来るようにし、以って、土壌中のＰＣＢを還元して無害化することが出来る様な汚染土壌浄化工法の提案を目的としている。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明の汚染土壌浄化工法は、ポリ塩化ビフェニル（ＰＣＢ）で汚染された土壌にシールド（ケーシング１）を被せる工程と、該シールド（１）内の空気を排除し及び／又はシールド（１）内にナトリウムに対して化学的に不活性なガス（例えばＮ２ガス）を充填する工程と、空気が排除され及び／または前記ガスで充満された環境下のシールド（１）内で土壌中にナトリウム（Ｎａ）を添加して混合する工程、とを有している（請求項１）。
【００１１】
或いは、本発明の汚染土壌浄化工法は、ポリ塩化ビフェニル（ＰＣＢ）で汚染された土壌にシールド（ケーシング１）を被せる工程と、該シールド（１）内で土壌中にナトリウム（Ｎａ）を添加して混合する工程と、シールド（１）内の空気を排除し及び／又はシールド内にナトリウムに対して化学的に不活性なガス（例えばＮ２ガス）を充填する工程、とを有している（請求項２）。
【００１２】
かかる構成を具備する本発明によれば、例えばブロワ（２）等の機器を用いて、シールド（１）内を極力低圧にするか、或いは、シールド（１）内の空気を抜いたり、窒素ガス（Ｎ２）、ヘリウムガス（Ｈｅ）の様なＮａとは反応しないガスをシールド（１）内に送り、当該ガスリッチの雰囲気を創り出すことにより、シールド（１）内を酸素が存在しないか、酸素が乏しい環境にせしめる。
その環境でＮａを汚染土壌（Ｇｐ）内に添加・混合し、或いは、Ｎａを汚染土壌（Ｇｐ）内に添加・混合した直後にシールド（１）内を上記した環境とせしめることにより、Ｎａは酸素とは反応せずに、土壌（Ｇｐ）中の汚染物質であるＰＣＢと反応して、ＰＣＢからＣｌを遊離して、無害化する。
遊離したＣｌは、ＮａＣｌとなり、これも無害である。
【００１３】
或いは、本発明の汚染土壌浄化工法は、ポリ塩化ビフェニル（ＰＣＢ）で汚染された土壌（Ｇｐ）にシールド（ケーシング１）を被せる工程と、高圧粉体（粉粒体）流噴射手段（３）からナトリウムに対して化学的に不活性なガス（例えばＮ２ガス）及びそれに連行されたナトリウム（微小片となったナトリウム、或いは粉体のナトリウム）を加圧された状態で噴射する噴射工程とを有している（請求項３）。
【００１４】
この様に構成すれば、例えば粉粒体となったナトリウムにより（土壌）が切削されるので、地表（Ｇｆ）からＰＣＢ汚染領域（Ｇｐ）までの土壌が掘削される。その結果、ナトリウムがＰＣＢ汚染土壌（Ｇｐ）まで供給される。
ここで、ナトリウムに対して化学的に不活性なガス（例えばＮ２ガス）が噴射されるので、汚染領域のＰＣＢは酸素が乏しい（或いは存在しない）環境下でＮａと反応する。したがって、Ｎａは酸素と反応することなく、ＰＣＢと反応するのである。
【００１５】
そして、本発明の汚染土壌浄化工法は、土壌中のポリ塩化ビフェニル（ＰＣＢ）で汚染された領域（Ｇｐ）の最下方に到達する深度までボーリング孔（Ｈ）を穿孔する工程と、噴射手段（モニタ６）を前記ボーリング孔（Ｈ）内に挿入する工程と、噴射手段（モニタ６）からナトリウムに対して化学的に不活性なガス（例えばＮ２ガス）及びそれに連行されたナトリウム（微小片となったナトリウム、或いは粉体のナトリウム）を加圧された状態で噴射すると共に回転して、汚染された領域（Ｇｐ）の上方のレベルまで引き上げる工程、とを有している（請求項４）。
【００１６】
噴射手段（モニタ６）から加圧されて噴射されたＮａにより土壌が切削されると共に、Ｎａが汚染領域中のＰＣＢと混合される。
ここで、Ｎ２ガスが噴射されるので、汚染領域のＰＣＢは酸素が乏しい（或いは存在しない）環境下でＮａと反応する。
【００１７】
本発明の実施に際して、ナトリウムに対して化学的に不活性なガス（例えばＮ２ガス）及びそれに連行されたナトリウム（微小片となったナトリウム、或いは粉体のナトリウム）を加圧された状態で噴射するに際しては、前記ガスは螺旋状に流れる様に構成される（スパイラル流Ｓを構成する）のが好ましい（請求項５）。
係る構成を採用すれば、スパイラル流（Ｓ）により、噴射手段の周囲にＮａが付着することはない。
【００１８】
また、例えば地下水流が存在する領域が汚染されている場合には、ナトリウムを汚染領域（Ｇｐ）に添加・供給するのに先立って、当該汚染領域（Ｇｐ）の周囲及び下方に隔壁（側壁Ｗ１及び底壁Ｗ２）を造成する工程を有するのが好ましい（請求項６）。
そのような隔壁（Ｗ１、Ｗ２）を構成すれば、ＰＣＢが地下水により拡散してしまうことが防止できる。
【００１９】
さらに、本発明において、ナトリウムを汚染領域（Ｇｐ）に添加・供給するのに先立って、水分を除去する作用を奏する材料（例えば、石灰等の粉体Ｍ２）を汚染領域（Ｇｐ）に噴射して混合する工程を有することが好ましい（請求項７）。
係る工程を有することにより、汚染土壌（Ｇｐ）中の地下水が前記材料（例えば石灰Ｍ２等）で除去されるので、ＮａがＰＣＢと反応する以前に地下水と反応してしまう、という事態が防止される。
【００２０】
【発明の実施の形態】
以下、添付図面を参照して、本発明の実施形態について説明する。
【００２１】
図１を参照して、本発明によるＰＣＢ汚染土壌の浄化の原理を説明する。
先ず、ＰＣＢ汚染領域Ｇｐを含めて、土壌Ｇ及びその地上空間Ａごと、シールド或いはケーシング１で包囲する。
次に、汚染土壌Ｇｐ中のＰＣＢがＮａと反応して、Ｃｌが脱離する様にせしめるため、ブロワ２等の機器を用いて、シールド１内を極力低圧にするか、或いは、シールド１内の空気を抜く。
Ｎ２、Ｈｅの様なＮａとは反応しないガスをシールド内に送り、当該ガスリッチの雰囲気を創り出す。その結果、酸素が存在しない環境下で土壌Ｇ中の汚染物質であるＰＣＢがＮａと反応して、Ｃｌを遊離して、無害化する。
【００２２】
次に、上述の作動原理に基いて、図２〜図４を参照して、本発明の第１実施形態を説明する。
【００２３】
先ず、図２において汚染土壌を含む領域の汚染土壌Ｇｐの存在する深さより深く下端が埋没するようにシールド（ケーシング１）を被せる。
【００２４】
図３では、ブロワ２等でシールド１内の空気を排除する。及び／又は、Ｎａとの反応が不活性なガス（例えばＮ２ガス、Ｈｅガス）をポンプ３等でシールド１内に充填させる。
【００２５】
図４では、減圧されて酸素が減少し、或いは、Ｎ２ガスが充満した環境下（シールド１内）で、土壌中にＮａを添加し、混合する。
【００２６】
ここで、図３で示す空気の排除及び／又はＮａとの反応が不活性なガスの充填と、図４で示すＮａの添加、混合との順番を、入れ替えることも可能である。
【００２７】
図５〜図７を参照して第２実施形態を説明する。
図５〜図７の第２実施形態は、ＰＣＢで汚染された領域が、比較的深度の浅い場合に有効な実施形態である。
【００２８】
先ず、図５において汚染土壌を含む領域の汚染土壌Ｇｐの存在する深さ以上まで下端が埋没するようにシールド（ケーシング）１Ａを被せる。
このシールド１Ａは、高圧粉体（粉粒体）流噴射手段４を備えている（シールド内に設けられている場合を含む）。
【００２９】
図６では、その高圧粉体流噴射手段４から地表ＧｆめがけてＮ２ガス及びそれに連行された粉体Ｎａを噴射する。
粉体Ｎａを連行したＮ２ガスは、土壌Ｄを切削して、ＰＣＢ汚染領域Ｇｐに到達する。粉粒体であるＮａにより土壌Ｇが切削されるので、地表ＧｆからＰＣＢ汚染領域Ｇｐまでの土壌Ｇが掘削される。
Ｎ２ガスが噴射されるので、汚染領域ＧｐのＰＣＢは酸素が乏しい（或いは存在しない）環境下でＮａと反応する。
【００３０】
図６で示す段階に先立って、或いは、図６で示す段階の直後に、シールド１Ａ内の空気の排除及び／又はＮａとの反応が不活性なガスの充填（図３参照）を行っても良い。
【００３１】
図７で断面を部分的に示す高圧粉体流噴射手段４の内部において、Ｎａが、例えば管路内壁４ａに付着した水と反応すると危険である。その様な危険を防止するため、Ｎ２ガスは、螺旋状に流れる所謂「スパイラル流Ｓ」を形成しつつシールド１Ａ内に流入する。
【００３２】
次に、図８〜図１０を参照して第３実施形態を説明する。
図８〜図１０の第３実施形態は、ＰＣＢで汚染された領域が比較的深度が深い場合に有効な実施形態である。
【００３３】
先ず、図８においてＰＣＢ汚染領域Ｇｐの最下方に至るボーリング孔Ｈを穿孔する。ボーリング孔の穿孔は、図示しないボーリングロッドによっても良いし、オーガその他の掘削ツールを使用しても良い。或いは、高圧水噴流等のジェットＪによる掘削であっても良い。
【００３４】
次の図９では、掘削されたボーリング孔Ｈ内に、第２実施形態と同様な、ＮａとＮ２ガスとを高圧で噴射する高圧粉体流噴射手段（モニタ５）が挿入され、該モニタ５は、地上側に設置された高圧粉体流供給源６に連通管７を介して連通している。そして高圧粉体流供給源６から、Ｎ２ガス及びそれに連行される粉（粒）体のＮａとの混合物の流れ（粉体流）が、加圧された状態でモニタ５へ供給される。
【００３５】
図１０では、加圧された粉体流（粉体のＮａとＮ２ガスとから成る高圧粉体流）がモニタ５からジェットＪとなって噴射され、ＰＣＢ汚染領域Ｇｐの土壌を切削する。この土壌切削の態様については、第２実施形態や第３実施形態と同様である。
モニタ５を回転しつつ、引き上げることにより、ＰＣＢ汚染領域Ｇｐの土壌は、Ｎａ粉体により切削されつつ混合される。
【００３６】
ここで、モニタ５から噴射される粉体流Ｊは、Ｎ２ガスとＮａであり、酸素は含んでいない。そのため、汚染土壌中のＰＣＢとＮａとは、酸素が存在しないか或いは酸素が乏しい状態で反応する。
その結果、ＰＣＢからＣｌが遊離して無害な状態となり、遊離したＣｌはＮａと結合して、無害なＮａＣｌとなる。
【００３７】
次に図１１〜図１５を参照して第４実施形態を説明する。
図１１〜図１５の第４実施形態は、地下水或いは地下水流の存在が前提となる実施形態である。
地下水或いは地下水流が汚染領域Ｇｐにある場合はＰＣＢが地下水流により拡散してしまうことを防止する必要ある。それと共に、ＮａがＰＣＢと化学反応を起こす以前に地下水と反応してしまう事態を、防止する必要もある。
【００３８】
これに対して図１１〜図１５の第４実施形態では汚染の拡散防止策として、汚染領域を封じ込めてしまう方法が採られている。すなわち、図１１〜図１３で示す「封じ込め段階」で、汚染領域Ｇｐの周囲に隔壁を造成する。この隔壁は、ＮａがＰＣＢと化学反応を起こす前に地下水と反応するのを防止するために構築される。そして、Ｎａ噴出以前の段階で、水分を除去する工程を設けている。
【００３９】
図１１〜図１５を参照しつつ、詳細に説明する。
【００４０】
先ず、図１１において、公知の方法及び公知の手段によって汚染領域Ｇｐの側面（周囲）部分に隔壁Ｗ１或いは側壁を造成する。
図１１では示されていないが、紙面に垂直な方向についても、同様に隔壁或いは側壁を造成する。
【００４１】
次の図１２では、ＰＣＢによる汚染領域Ｇｐよりも下方の位置まで、例えばボーリングロッド８によってボーリング孔Ｈを穿孔する。ボーリング孔Ｈを穿孔した後、そのボーリング孔Ｈに固化材（セメントミルク等）噴射手段（モニタ）５を挿入して、加圧された固化材ジェットＪを噴射しつつ、回転する。
加圧された固化材ジェットＪは地盤Ｇを切削しつつ、混合し、円盤状の底壁Ｗ２を造成する（図１３は底壁Ｗ２の造成が完了した状態を示している）。
尚、前記モニタ５はボーリング孔Ｈを削孔した際に用いたボーリングロッド５の先端に装着されている。
【００４２】
図１３の状態では、ＰＣＢ汚染土壌Ｇｐが完全に封じ込められ、ＰＣＢの拡散が防止される（封じ込め段階完了）。
【００４３】
次に、封じ込められたＰＣＢ汚染土壌Ｇｐを浄化する段階について図１４及び図１５を参照して説明する。
前述したように、封じ込められた領域Ｍには地下水が含まれており、そのままＮａを噴射したのでは、ＰＣＢと反応する以前にＮａが水と反応してしまう。
そのため、図１４で示す段階でＰＣＢ汚染領域Ｇｐに、石灰等の様な粉体を噴射Ｊｐする。
尚、粉体を噴射するに際しては、例えば本出願人提案の粉体噴射撹拌工法（特開７−２５２８２３号公報）を用いるのが効果的である。
【００４４】
ここで粉体は水分を吸収・吸着する等により、土壌Ｇ内から水分を除去する作用を奏する材料であれば、とくに限定はしない。
【００４５】
具体的には、モニタ５から加圧された粉体流Ｊｐを噴射しつつ、当該モニタ５を回転しつつ、引き上げる。その際に、噴射された粉体流Ｊｐは土壌Ｇを掘削しつつ、粉体と土壌とを混合する。そして、ＰＣＢ汚染土壌Ｇｐ中の水分は、粉体により除去される。
【００４６】
図１４の段階で、封じ込められた領域Ｍの水分が除去されるので、図１５において、粉体のＮａをＰＣＢ汚染土壌Ｇｐに混合する（ＮａとＮ２ガスによる高圧粉体流ＪｎａによりＰＣＢ汚染土壌Ｇｐを切削しつつ撹拌する）。
その態様については、図１０と概略同様である。
【００４７】
ただし、ＮａとＮ２ガスによる高圧粉体流Ｊｎａにより、側壁（或いは隔壁）Ｗ１が掘削されてしまう恐れがある。
そのため、ＮａとＮ２ガスによる高圧粉体流の噴射に際しては、いわゆる「交差噴流」を使用して、汚染領域の周囲に造成された側壁（或いは隔壁）Ｗ１を破損しないようにするのが好ましい。
【００４８】
交差噴流を用いて、ＮａとＮ２ガスによる高圧粉体流を噴射するには、図１６に示すように、ボーリングロッド８の先端に上下一対の撹拌翼Ｋを設け、その撹拌翼Ｋの先端に高圧分流体を噴射するノズルが設けられた装置が用いられる。
上方の撹拌翼Ｋの図示しないノズルの噴射方向は斜め下方を向き、下方の撹拌翼Ｋの図示しないノズルの噴射方向は斜め上方を向いて、上下一対のノズルから噴射された高圧粉体流Ｊｃは半径方向外方の所定の距離で交差するように構成されている。
そのように構成されているので、改良するべき領域を正確に制御することが出来る。
【００４９】
図示の実施形態はあくまでも例示であり、本発明の技術的範囲を限定する趣旨の記述ではない旨を付記する。
【００５０】
【発明の効果】
本発明の作用効果を、以下に列挙する。
（１）  ブロワ等の機器を用いて、シールド内を極力低圧にするか、或いは、シールド）内の空気を抜いたり、Ｎａとは反応しない不活性ガスをシールド内に送り、当該ガスリッチの雰囲気を創り出すことにより、シールド内を酸素が存在しないか、酸素が乏しい環境にせしめ、その環境でＮａを汚染土壌内に添加・混合し、或いは、Ｎａを汚染土壌内に添加・混合した直後にシールド内を上記した環境とせしめることにより、Ｎａは酸素とは反応せずに、土壌中の汚染物質であるＰＣＢと反応して、ＰＣＢからＣｌを遊離して、無害化出来る。
また、遊離したＣｌは、ＮａＣｌとなり、これも無害である。
（２）  高圧粉体流噴射手段からナトリウムに対して化学的に不活性なガス及びそれに連行されたナトリウムを加圧された状態で噴射するので、例えば粉粒体となったナトリウムにより地表からＰＣＢ汚染領域までの土壌が掘削され、その結果、ナトリウムがＰＣＢ汚染土壌まで供給されるので安定的にＰＣＢと反応して、ＰＣＢからＣｌを遊離して、無害化出来る。
（３）  噴射手段によってナトリウムに対して化学的に不活性なガス及びそれに連行されたナトリウムを加圧された状態で噴射するに際しては、不活性ガスは螺旋状に流れる様に構成されているので、螺旋状の流れにより、噴射手段の周囲にＮａが付着することはない。
（４）  地下水流が存在する領域が汚染されている場合には、ナトリウムを汚染領域に添加・供給するのに先立って、当該汚染領域の周囲及び下方に隔壁を造成するので、ＰＣＢが地下水により拡散してしまうことが防止出来る。
（５）  ナトリウムを汚染領域に添加・供給するのに先立って、水分を除去する作用を奏する材料（例えば、石灰等の粉体）を汚染領域に噴射して混合することにより、汚染土壌中の地下水が前記材料（例えば石灰等）で除去されるので、ＮａがＰＣＢと反応する以前に地下水と反応してしまう事態が回避される。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明によるＰＣＢ汚染土壌の浄化の原理を説明するための図。
【図２】本発明の第１実施形態において施工領域にシールドを被せる工程を示した工程図。
【図３】本発明の第１実施形態においてブロワでシールド内の空気を排除し、Ｎａとの反応が不活性なガスをポンプでシールド内に充填する工程を示した工程図。
【図４】本発明の第１実施形態において減圧されて酸素が減少し、不活性ガスが充満したシールド内で土中にＮａを添加・混合する工程を示した工程図。
【図５】本発明の第２実施形態において施工領域にシールドを被せる工程を示した工程図。
【図６】本発明の第２実施形態において高圧粉体流噴射手段から不活性ガス及びそれに連行された粉体Ｎａを噴射する工程を示した工程図。
【図７】本発明の第２実施形態の高圧粉体流噴射手段の内部の流れを説明する断面図。
【図８】本発明の第３実施形態においてＰＣＢ汚染領域の最下方までボーリング穴を穿孔する工程を示した工程図。
【図９】本発明の第３実施形態において穿孔したボーリング穴にモニタを挿入した状態を示す断面図。
【図１０】本発明の第３実施形態においてモニタ先端から高圧粉体流を噴射させＰＣＢ汚染領域を切削し、Ｎａを混合する工程を示す工程図。
【図１１】本発明の第４実施形態においてＰＣＢ汚染領域の周囲に隔壁を造成する工程を示した工程図。
【図１２】本発明の第４実施形態においてＰＣＢ汚染領域の下方までボーリング穴を削孔する工程を示す工程図。
【図１３】本発明の第４実施形態においてＰＣＢ汚染領域の下方に底壁を造成した状態を示す断面図。
【図１４】本発明の第４実施形態においてＰＣＢ汚染領域に石灰のような粉体を噴射する工程を示した工程図。
【図１５】本発明の第４実施形態においてＰＣＢ汚染領域にＮａ粉体を噴射する工程を示した工程図。
【図１６】本発明の第４実施形態の別の実施例であり、Ｎａ粉体を噴射するに際して交差噴流を用いた場合の断面図。
【符号の説明】
１、１Ａ・・・シールド
２・・・ブロワ
３・・・ポンプ
４・・・高圧粉体流噴射手段
５・・・モニタ
６・・・高圧粉体流供給源
７・・・連通管
Ｇ・・・地盤
Ｇｆ・・・地表
Ｇｐ・・・汚染領域
Ｈ・・・ボーリング孔
Ｊ・・・ジェット
Ｍ・・・封じ込められた領域
Ｗ１・・・隔壁
Ｗ２・・・底壁
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
2004321853.tif 000014
【図１２】
2004321853.tif 000015
【図１３】
2004321853.tif 000016
【図１４】
2004321853.tif 000017
【図１５】
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【図１６】
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