(57)【要約】【課題】電気的導通に優れるセラミック素子と摺動端子との摺動接触構造を提供すること。【解決手段】セラミック本体の内部リード部２３３，２８２と外表面２１１，２８６に露出形成した電極端子２３６，２８３と，内部リード部２３３，２８２及び電極端子２３６，２８３とを電気的に導通させるスルーホール２３４，２８０とを有するセラミック素子２において，電極端子２３６，２８３の表面２３６０，２８３０を摺動端子４ａ，４ｂが摺動接触することにより摺動接触構造が形成され，電極端子２３６，２８３に対する摺動端子４ａ，４ｂの摺動範囲Ｈ１，Ｈ２においてスルーホール２３４，２８０が形成されていない。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
セラミック本体と，該セラミック本体に内蔵形成した内部リード部と，上記セラミック本体の外表面に露出形成した電極端子と，上記内部リード部及び上記電極端子とを電気的に導通させるために上記内部リード部と上記電極端子との間に貫通形成したスルーホールとを有するセラミック素子において，
上記電極端子の表面を摺動端子が摺動接触することにより摺動接触構造が形成され，
上記電極端子に対する上記摺動端子の摺動範囲において上記スルーホールが形成されていないことを特徴とするセラミック素子と摺動端子との摺動接触構造。
【請求項２】
請求項１において，上記摺動範囲の終端と上記電極端子に形成されたスルーホールとの最短距離を０．５ｍｍ以上としたことを特徴とするセラミック素子と摺動端子との摺動接触構造。
【請求項３】
請求項１または２において，上記摺動端子は上記セラミック素子の一方の端部位置ｔ１から上記電極端子に向かって摺動接触しつつ摺動接触構造を形成してなり，
上記摺動端子が摺動接触する際の始点となる電極端子の端部位置をｔ２とすると，
上記摺動端子の摺動方向に沿ったｔ１とｔ２との最短距離は０．２ｍｍ以上であることを特徴とするセラミック素子と摺動端子との摺動接触構造。
【請求項４】
請求項３において，上記端部位置ｔ２における，上記セラミック本体の外表面から計った上記電極端子の厚みは３〜５０μｍであることを特徴とするセラミック素子と摺動端子との摺動接触構造。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１項において，上記セラミック素子は，被測定ガス中の特定ガス濃度を測定する電気化学的セルを少なくとも１つ有するガスセンサ素子であり，ガスセンサ素子に電圧を印加したり，ガスセンサ素子からの出力を取出す際は上記摺動端子を用いるよう構成されてなることを特徴とするセラミック素子と摺動端子との摺動接触構造。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【技術分野】
本発明は，排気ガス中の特定ガス濃度を測定可能なガスセンサ素子等として用いるセラミック素子における電極端子と摺動端子との接触構造に関する。
【０００２】
【従来技術】
自動車エンジンの排気系には排気ガス中の酸素濃度やＮＯｘ濃度を測定して，エンジンの燃焼制御や触媒の劣化検知を行うためのガスセンサを設置する。このガスセンサに内蔵するガスセンサ素子の一例として，後述する図５，図６に示すごとき構成の積層型のガスセンサ素子が知られている。
【０００３】
上記ガスセンサ素子は，セラミック本体と，該セラミック本体に内蔵形成した内部リード部と，上記セラミック本体の外表面に露出形成した電極端子と，上記内部リード部及び上記電極端子とを電気的に導通させるために上記内部リード部と上記電極端子との間に貫通形成したスルーホールとを有する（後述する図６参照）。
そして，上記ガスセンサ素子に電圧を印加する，あるいは素子からの出力を取り出すために，後述する図１に示すごとく，摺動端子をガスセンサ素子の電極端子と接触させてなる。
【０００４】
【特許文献１】
特開２００２−２８６６８１号公報
【０００５】
【特許文献２】
特開２００１−１８８０６０号公報
【０００６】
【解決しようとする課題】
しかしながら，従来，上述した構成の摺動接触する摺動端子を電極端子に設けることで，以下の問題が生じることが知られている。
すなわち，電極端子でスルーホールが存在する部分は強度的に弱く，スルーホールの上を摺動端子が摺動接触する際の摺動圧力によってスルーホールの端部からセラミック本体に至るひび割れが発生することがある。
図１６に示すごとく，セラミック本体９０に内部リード部９１，端子電極９２を備え，両者の間にスルーホール９３を設けてなるセラミック素子９に，摺動端子９９が摺動接触する。摺動端子９９が摺動接触する際に加わる摺動圧力がスルーホール９３の端部からセラミック本体９０に向かうひび割れ９０１を発生させる。
【０００７】
また，図１７に示すごとく，セラミック素子９の内部リード部９１の背面に絶縁層９５を設けることがあるが，スルーホール９３を貫通する隙間９３０が存在する場合，摺動圧力によってスルーホール９３下の絶縁層９５の成分がスルーホール９３の隙間９３０を通じて電極端子９２の表面に染み出して絶縁皮膜９３１を形成することがある。この絶縁皮膜９３１が摺動端子９９と電極端子９２との間の導通不良を起こすおそれがある。
【０００８】
本発明は，かかる従来の問題点に鑑みてなされたもので，電気的導通に優れるセラミック素子と摺動端子との摺動接触構造を提供しようとするものである。
【０００９】
【課題の解決手段】
第１の発明は，セラミック本体と，該セラミック本体に内蔵形成した内部リード部と，上記セラミック本体の外表面に露出形成した電極端子と，上記内部リード部及び上記電極端子とを電気的に導通させるために上記内部リード部と上記電極端子との間に貫通形成したスルーホールとを有するセラミック素子において，
上記電極端子の表面を摺動端子が摺動接触することにより摺動接触構造が形成され，
上記電極端子に対する上記摺動端子の摺動範囲において上記スルーホールが形成されていないことを特徴とするセラミック素子と摺動端子との摺動接触構造にある（請求項１）。
【００１０】
第１の発明によれば，スルーホールは摺動範囲になく，摺動接触の摺動圧力をスルーホールが受けない構成となっている。従って，摺動圧力によるスルーホールの端部からセラミック本体に至るひび割れの発生や，内部から染み出した絶縁物による電極端子の表面での絶縁被膜形成が生じ難い。
【００１１】
以上，本発明によれば，電気的導通に優れるセラミック素子と摺動端子との摺動接触構造を提供することができる。
【００１２】
【発明の実施の形態】
摺動接触する摺動端子としては，摺動端子が移動して摺動接触する場合と，実施例１に記載したようにセラミック素子が移動して摺動接触する場合，さらに摺動端子とセラミック素子とが双方共に摺動して摺動接触する場合とがある。本発明はいずれのケースにかかる摺動接触構造についても適用することができる。
【００１３】
本発明にかかる摺動範囲について説明する。
摺動範囲は，摺動端子５９がセラミック素子５の電極端子５１に接触開始する始端と摺動を終えて停止する終端との間の領域であり，一例を挙げると図１２に示す直線ａ１〜ａ２で囲まれた範囲である。
図１２に記載した摺動範囲の場合，摺動端子５９はセラミック素子５の長手方向と直交する幅方向と同程度あるいはそれ以上の幅をもっている。従って，摺動範囲はセラミック素子５の幅方向全体に広がることになり，図面において直線ａ２より左側にスルーホール５２を設けることができる。
【００１４】
また，図１３に示すごとく，摺動端子の幅がセラミック素子５５の幅よりも細い場合，摺動範囲の幅は摺動端子の幅と同じで，摺動範囲は破線で囲まれた領域Ｂである。この場合，摺動範囲の幅方向からはずれる位置や領域Ｂよりも図面における左側などにスルーホール５２を設けることができる。
【００１５】
次に，上記摺動範囲の終端と上記電極端子に形成されたスルーホールとの最短距離を０．５ｍｍ以上とすることが好ましい（請求項２）。
スルーホールの近傍は強度的に脆弱である。
スルーホールから離れた位置で摺動端子の摺動が終わるよう構成することで，摺動圧力によるスルーホールの端部からセラミック本体に達するひび割れや，電極端子表面における絶縁被膜の形成などを生じ難くすることができる。
上記最短距離が０．５ｍｍ未満である場合は，強度的に弱いスルーホールの周辺を保護する効果が不十分となるおそれがある。
【００１６】
次に，上記摺動端子は上記セラミック素子の一方の端部位置ｔ１から上記電極端子に向かって摺動接触しつつ摺動接触構造を形成してなり，
上記摺動端子が摺動接触する際の始点となる電極端子の端部位置をｔ２とすると，
上記摺動端子の摺動方向に沿ったｔ１とｔ２との最短距離は０．２ｍｍ以上であることが好ましい（請求項３）。
【００１７】
これにより，摺動端子は電極端子が形成されていないセラミック本体の外表面から乗り上がり，その後電極端子の端部位置ｔ２から電極端子の外表面に乗り上げて摺動接触する。摺動端子が摺動接触し始める位置は，摺動方向に大きな力が加わりやすいが，電極端子をセラミック素子の端部位置から内側に摺動方向に引っ込めてセラミック本体に形成することで，電極端子の特に端部位置に過大な力が加わることを防止して，電極端子の剥離などを防止することができる。
上記最短距離が０．２ｍｍ未満である場合は，摺動端子の摺動移動開始に伴って大きな力が電極端子の端部位置に加わるため，電極端子の剥離が生じるおそれがあった。
【００１８】
また，上記端部位置ｔ２における，上記セラミック本体の外表面から計った上記電極端子の厚みは３〜５０μｍであることが好ましい（請求項４）。
これにより，摺動端子がセラミック本体の外表面から電極端子の外表面に乗り上げて摺動接触する際に，電極端子に過大な力が加わることを防止して，電極端子の剥離などを防止することができる。
上記電極端子の厚みが３μｍ未満である場合は，摺動端子の摺動移動時の力に対して充分な厚みがないため，電極端子の剥離が生じるおそれがあった。
厚みが５０μｍより大である場合は，摺動端子の摺動移動開始に伴って大きな力が加わってしまい，電極端子の剥離が生じるおそれがある。
【００１９】
また，本発明にかかる摺動接触構造はガスセンサ素子に対し適用することができる。
すなわち，上記セラミック素子は，被測定ガス中の特定ガス濃度を測定する電気化学的セルを少なくとも１つ有するガスセンサ素子であり，ガスセンサ素子に電圧を印加したり，ガスセンサ素子からの出力を取出す際は上記摺動端子を用いるよう構成されてなる（請求項５）。
【００２０】
これにより，摺動端子とガスセンサ素子との電気的導通を確実に確保することができ，ガスセンサの信頼性を高めることができる。
なお，ガスセンサ素子としては，被測定ガス中の酸素濃度やＮＯｘ濃度，ＣＯ濃度，ＨＣ濃度を測る素子や，２種類以上の特定ガス濃度を測定する素子がある。
また，電気化学的セルを複数個備えており，本発明にかかる摺動接触構造を複数備えた素子もある。
【００２１】
【実施例】
以下に，図面を用いて本発明の実施例について説明する。
（実施例１）
本発明にかかるセラミック素子２と摺動端子４ａ，４ｂ，４９ａ，４９ｂとの接触構造は，図１〜図１１に示すごとく，セラミック本体２０と，該セラミック本体２０に内蔵形成した内部リード部２８２，２３３と，上記セラミック本体２０の外表面２１１，２８６に露出形成した電極端子２８３，２３６と，上記内部リード部２８２，２３３及び上記電極端子２８３，２３６とを電気的に導通させるために上記内部リード部２８２，２３３と上記電極端子２８３，２３６との間に貫通形成したスルーホール２８０，２３４とを有するセラミック素子２において，上記電極端子２８３，２３６の表面２８３０，２３６０を摺動端子４ａ，４ｂ，４９ａ，４９ｂが摺動接触することにより摺動接触構造が形成され，上記電極端子２３６に対する上記摺動端子４ａ，４ｂ，４９ａ，４９ｂの摺動範囲Ｈ１，Ｈ２において上記スルーホール２８０，２３４が形成されていない。
【００２２】
また，本例にかかるセラミック素子２は，図６に示すごとく，被測定ガス中の特定ガス濃度を測定する電気化学的セル２００を１つ有するガスセンサ素子であり，セラミック素子２に電圧を印加したり，セラミック素子２から出力を取出す際に上記摺動端子４ａ，４ｂ，４９ａ，４９ｂを用いる。
【００２３】
以下，詳細に説明する。
本例のセラミック素子２は上述したごときガスセンサ素子であり，自動車エンジンの排気系に設置して，排気ガス中の酸素濃度を測定して，エンジンの燃焼制御や触媒の劣化検知を行うためのガスセンサに内蔵して用いる。
【００２４】
図１〜図６に示すごとく，上記セラミック素子２はヒータ基板２８５，スペーサ２５，固体電解質板２１を積層してなるセラミック本体２０からなり，先端部２９３に電気化学セル２００を設けてなる。
電気化学セル２００は，図３〜図６に示すごとく，固体電解質板２１と，拡散抵抗層２４１を通して素子外部の被測定ガスと接する被測定ガス側電極２２１と，セラミック素子２の内部に設けた大気室２５０に対面する基準電極２３１とからなる。
図３，図５に示すごとく，拡散抵抗層２４１は緻密でガスを通さない保護層２４２で覆ってなる。
図３，図６に示すごとく，被測定ガス側電極２２１は，外部リード部２２２を通じて電極端子２２３と電気的に接続する。基準電極２３１は，内部リード部２３２，固体電解質板２１に貫通形成したスルーホール２３４を通じて電極端子２３６と電気的に接続する。
図３に示すごとく，外部リード部２２２，電極端子２２３，２３６は固体電解質板２１の外表面２１１に設けてある。
【００２５】
図６に示すごとく，セラミック素子２のセラミック本体２０にはヒータ部２８が一体形成されてなる。上記ヒータ部２８はヒータ基板２８５，発熱体２８１，内部リード部２８２，ヒータ基板２８５に貫通形成した２個のスルーホール２８０，素子の外表面２８６に露出形成した電極端子２８３（図４参照）からなる。
上記発熱体２８１は通電により発熱し，該発熱体２８１への電力供給は，内部リード部２８２，２個のスルーホール２８０，電極端子２８３を通じて行う。
また，図２に示すごとく，ヒータ基板２８５とスペーサ２５との間には薄い絶縁層２５１を設けてある。
なお，図１〜図６において，符号２３６０，２８３０は，電極端子２３６，２８３の電極端子表面である。
【００２６】
上記セラミック素子２と摺動端子４ａ，４ｂ，４９ａ，４９ｂとの摺動接触構造について説明する。
図１，図２に示すごとく，摺動端子４ａ（４ｂ，４９ａ，４９ｂについても同様，以降４ａについてのみ説明する。）の突部４３０は，セラミック素子２の電極端子２８３（電極端子２３６についても同様，以降２８３についてのみ説明する。）と接触し，両者の接触位置において両者の電気的導通が確保される。
【００２７】
両者の接触位置は，図２に示す符号Ｘの位置である。電極端子２８３の表面２８３０における符号Ｘから，セラミック素子２の内部に向かう法線をｍ１とする。また，電極端子２８３と導通するスルーホール２８０の端部位置で，最も符号Ｘに近い端部位置Ｙから，セラミック素子２の内部に向かう法線をｍ０とする。
ｍ１〜ｍ０が摺動端子４ａの摺動範囲Ｈ２の終端と電極端子２８３と導通するスルーホール２８０との最短距離となり，本例にかかるセラミック素子２では０．５ｍｍである。
【００２８】
本例のセラミック素子２を内蔵するガスセンサ１について説明する。
図８に示すごとく，本例のガスセンサ１はハウジング１０と該ハウジング１０の基端側１０１に設けた大気側カバー１２１と，ハウジング１０の先端側１０２に設けた２重の被測定ガス側カバー１４１，１４２とよりなる。
【００２９】
ハウジング１０に下方絶縁碍子１３を介してセラミック素子２が挿入固定され，図１〜図６に示すごとく，電極端子２８３，２３６を設けたセラミック素子２の基端側２９１が，上記大気側カバー１２１内の絶縁碍子３内に，被測定ガス側電極２２１を設けた先端側２９３は被測定ガス側カバー１４２内に位置する。
【００３０】
上記ハウジング１０の基端側１０１に対し，大気側カバー１２１は溶接固定され，該大気側カバー１２１の基端側に撥水フィルタ１２５を介して別の大気側カバー１２２をかしめ固定する。上記ハウジング１０の内部に配置した筒状の下方絶縁碍子１３の内部にセラミック素子２を挿通固定する。
セラミック素子２と下方絶縁碍子１３との間はガラス封着材１３１により封止されている。
【００３１】
上記大気側カバー１２１の内部で，上記下方絶縁碍子１３の上方（基端側）には絶縁碍子３が載置されている。上記絶縁碍子３の更に上方（基端側）にはゴムブッシュ１２９が載置されている。
上記ゴムブッシュ１２９は４つの収納穴を有し（図示略），各収納穴にリード線１６１，１６３と図示されていない他の２本のリード線の合計４本が挿通配置されている。これら４本のリード線は接続金具１５１，１５３により，４本の摺動端子４ａ，４ｂ，４９ａ，４９ｂにそれぞれ接続される。
【００３２】
上記絶縁碍子３について説明する。
図９（ａ），（ｂ），図１０に示すごとく，上記絶縁碍子３は断面が略四角形状の４つの端子収納穴を有し，これら４つの端子収納穴は絶縁碍子３の中心軸近傍において素子挿入穴３２０と連通してなる。各端子収納穴の間には絶縁碍子の内壁面から突出形成したリブ３２１，３２２，３２３，３２４がある。
そして，図９，図１０に示すごとく，摺動端子４ａ，４ｂ，４９ａ，４９ｂは各リブ３２１，３２２，３２３，３２４を挟んで端子収納穴に設置する。
【００３３】
上記摺動端子４ａについて説明する。
図１１（ａ），（ｂ）に示すごとく，上記摺動端子４ａは接続部４１と弾性接触部４５とよりなり，両者の間は直角に曲折された肩部４０で結合される。
上記弾性接触部４５は端子収納穴３１１〜３１４に面する背面４２，セラミック素子２に面する素子当接面４３と背面４２側に折り返された折り返し部４４とよりなる。
【００３４】
素子当接面４３には突部４３０が設けてあり，突部４３０の傾斜はセラミック素子２を収納する方向，つまり図面下方の傾斜面４３１が，その反対方向の傾斜面４３２よりもなだらかとなるよう構成されている。
摺動端子４ａの接続部４１の中心線４１０と弾性接触部４５の中心線４５０は同一直線状になく，同図より知れるごとく，図面右方向に中心線４５０がずれている。上記突部４３０は中心線４５０よりも図面左方向にずれた位置に形成する。
【００３５】
また，摺動端子４９ａは摺動端子４ａを左右反転した形状である。
摺動端子４９ａにかかる詳細な図示は省略するが，中心線４５０は中心線４１０に対し左方向にずれ，突部４３０は中心線４５０よりも右方向にずれた位置に形成する。なお，左方向，右方向とは図１１を基準とした表現である。
摺動端子４ｂは４ａと同じ形状，摺動端子４９ｂは４９ａと同じ形状である。
【００３６】
素子挿入穴３２０にセラミック素子２を挿入した状態を示す図面が図１０である。
摺動端子４ａ，４９ａはセラミック素子２の外表面２１１と対面し，外表面２１１はセラミック素子２の電気化学的セル２００を構成する電極２２１，２３１と電気的に導通する電極端子２２３，２３６が設けてある。摺動端子４ａは電極端子２３６と摺動端子４９ａは電極端子２２３と摺動接触する。
摺動端子４ｂ，４９ｂはセラミック素子２の外表面２８６と対面し，外表面２８６はセラミック素子２の発熱体２８１への電力印加用の電極端子２８３が２つ設けてある。摺動端子４ｂ，４９ｂはそれぞれ電極端子２８３と摺動接触する。
【００３７】
上記素子挿入穴３２０にセラミック素子２を挿入することで，セラミック素子２の各電極端子２２３，２３６，２８３に対し摺動端子４ａ，４ｂ，４９ａ，４９ｂが摺動接触する。
このとき，摺動端子４ａ，４ｂ，４９ａ，４９ｂをセットした絶縁碍子３の素子収納孔３２０に対し，セラミック素子２の基端側２９１を差し込み，摺動端子４ａ，４ｂ，４９ａ，４９ｂに対しセラミック素子２を摺動させることで，摺動端子４ａ，４ｂ，４９ａ，４９ｂが各電極端子２２３，２３６，２８３に摺動接触する。
【００３８】
摺動端子４ａを例として説明すると，図７（ａ）に示すごとく，セラミック素子２の基端側２９１が摺動端子４ａの素子当接面４３に当接する。素子当接面４３から突部４３０に向かってセラミック素子２の電極端子２３６の表面２３６０を摺動して，図７（ｂ）に示すごとく，上記突部４３０が電極端子２３６の所定の位置に達したところでセラミック素子２を停止させる。
【００３９】
図１，図７に示すごとく，最初にセラミック素子２が摺動端子４ａと当接したセラミック素子２の先端側２９１の端部位置ｈ０から，突部４３０と電極端子２８３とが当接する位置ｈ１との間が，上記摺動範囲Ｈ２となる。
また，上記摺動の際に，セラミック素子２がｋ１の方向に移動するにつれて摺動端子４ａは矢線ｋ２の方向に変形する。
そして，上記摺動接触の際は，上記電極端子２３６と電気的に導通するスルーホール２３４が上記摺動範囲Ｈ２に含まれないように，ｈ１を選択する。
他の摺動端子４ｂ，４９ｂについても同様に摺動範囲を決定する。
なお，電極端子２２３はスルーホールで内部リード部と導通する構成を持ってないため，摺動端子４９ａの摺動範囲は特に限定する必要がない。
【００４０】
本例にかかる作用効果について説明する。
本例のセラミック素子２において，スルーホール２８０，２３４は摺動範囲Ｈ１，Ｈ２になく，摺動端子４ａ，４ｂ，４９ｂの摺動接触時の摺動圧力をスルーホール２８０，２３４が受けない。
従って，摺動圧力によるスルーホール２８０，２３４の端部からセラミック本体２０に至るひび割れの発生や，電極端子２３６，２８３の外表面２３６０，２８３０で内部から染み出した絶縁物による絶縁被膜形成が生じ難い。
【００４１】
以上，本例によれば，電気的導通に優れるセラミック素子と摺動端子との摺動接触構造を提供することができる。
【００４２】
（実施例２）
本例は，摺動範囲と電極端子とスルーホールとの位置関係等が異なるいくつかのセラミック素子について説明する。
図１２を用いて，セラミック本体５０と内蔵リード部５０１，スルーホール５２，電極端子５１を備えたセラミック素子５の幅方向（長手方向と直交する方向）と同程度あるいはそれ以上の幅をもった摺動端子５９が摺動接触する摺動接触構造について説明する。
摺動範囲Ｈ３はセラミック素子５の幅方向全体に広がり，摺動端子５９がセラミック素子５の電極端子５１に接触開始する始端と摺動を終えて停止する終端との間のａ１〜ａ２で囲まれた範囲である。スルーホール５２は図１２においてａ２よりも左側である。
さらに，スルーホール５２の端部位置で最もａ２に近い位置がａ３であり，ａ２〜ａ３の距離がスルーホール５２と摺動範囲Ｈ３の終端との最短距離となる。
その他詳細は実施例１と同様の構成を有し，同様の作用効果を有する。
【００４３】
次に，セラミック素子５の幅方向（長手方向と直交する方向）より狭い幅をもった摺動端子が摺動する場合について説明する。
図１３に示すごとく，摺動端子（図示は省略する）がセラミック素子５５よりも幅細の場合，摺動範囲は摺動端子と略同程度の幅で，図１３において破線で囲まれた領域Ｂとなる。摺動範囲の幅方向からはずれた位置や図１３で摺動範囲より左側等にスルーホール５２が位置するように摺動範囲を選択することができる。
その他詳細は実施例１と同様の構成を有し，同様の作用効果を有する。
【００４４】
図１４について説明する。
このセラミック素子５は端部位置ｔ１より電極端子５１の端部位置ｔ２が図１４において左側に位置し，ｔ１とｔ２との距離ｔが０．２ｍｍである。
摺動端子（図示は省略する）は，セラミック素子５の端部位置ｔ１から電極端子５１に向かって摺動接触して摺動接触構造を形成するが，摺動端子は最初にセラミック素子５１の端部位置ｔ１付近で電極端子５１が未形成の外表面５０５に接触し，その後外表面５０５と電極端子５１との外表面５１１から形成された段差にのり上げて，所定の位置まで摺動する。
この段差は端部位置ｔ２におけるセラミック本体５０の外表面５０５から計った電極端子の厚みｈと等しくなり，本例にかかるセラミック素子２では７μｍである。
【００４５】
摺動端子が摺動接触し始める位置は，摺動方向に大きな力が加わりやすいが，図１４に示すごとく，電極端子５１をセラミック素子５の端部位置ｔ１から内側に摺動方向に引っ込めてセラミック本体５０の外表面５０５に形成することで，電極端子５１の端部位置ｔ２に過大な力が加わることを防止して，電極端子５１の剥離を防止することができる。
さらに，ｔ２とｔ１との距離のｔや端部位置ｔ２における厚みｈを上述した値に構成することで，電極端子５１の剥離防止効果を確実に得ることができる。
その他詳細な構成は実施例１と同様であり，実施例１と同じ作用効果を得ることができる。
【００４６】
図１５について説明する。
このセラミック素子５にかかる電極端子５６は端部位置ｔ１に近い側が幅太部５６１で，遠い側が幅細部５６２である。幅細部５６２にスルーホール５２があり，幅太部５６１にかかる範囲Ｓが摺動範囲となる。摺動端子は幅太部５６１において電極端子５６と接触するため，接触面積がより大となって接触状態が安定する。また，摺動端子が接触しないスルーホール５２を設ける部分を幅細部５６２として構成したため，電極端子５６を形成する電極材料の使用量を減らしてコスト削減を図ることができる。
その他詳細な構成は実施例１と同様であり，実施例１と同じ作用効果を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施例１における，セラミック素子と摺動端子との摺動接触構造を示す説明図。
【図２】実施例１における，セラミック素子と摺動端子との摺動接触構造を示す要部説明図。
【図３】実施例１における，セラミック素子のセラミック本体外表面（固体電解質板側）を示す説明図。
【図４】実施例１における，セラミック素子のセラミック本体外表面（ヒータ基板側）を示す説明図。
【図５】実施例１における，セラミック素子の積層方向の断面を示す説明図。
【図６】実施例１における，セラミック素子の斜視展開図。
【図７】実施例１における，セラミック素子と摺動端子とが摺動接触する際の説明図。
【図８】実施例１における，ガスセンサの説明図。
【図９】実施例１における，絶縁碍子に配設された摺動端子の説明図。
【図１０】実施例１における，絶縁碍子に配設された摺動端子，セラミック素子の説明図。
【図１１】実施例１における，摺動端子の（ａ）側面図，（ｂ）平面図。
【図１２】実施例２における，電極端子，摺動範囲，スルーホールとの位置関係を示す説明図。
【図１３】実施例２における，摺動端子がセラミック素子よりも幅細となる電極端子，摺動範囲，スルーホールとの位置関係を示す説明図。
【図１４】実施例２における，セラミック素子の端部位置より内側で電極端子が形成された場合の説明図。
【図１５】実施例２における，幅太部と幅細部からなる電極端子とスルーホールの説明図。
【図１６】従来における，摺動端子と電極端子の接触状態とひび割れについての説明図。
【図１７】従来における，摺動端子と電極端子の接触状態と導通不良についての説明図。
【符号の説明】
２．．．セラミック素子，
２０．．．セラミック本体，
２３３，２８２．．．内部リード部，
２１１，２８６．．．外表面，
２８０．．．スルーホール，
２８３，２３６．．．電極端子，
４ａ，４ｂ，４９ａ，４９ｂ．．．摺動端子，
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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