(57)【要約】【課題】アスペクト比の高い細孔が多数形成された大口径のビーム源用電極を安価かつ容易に製造することができるビーム源用電極の製造方法を提供する。【解決手段】複数の薄板６０，７０を互いに連接させて、略平行に連通する細孔を有する電極４０を形成する。切り欠き６０ａが形成された横方向薄板６０と切り欠き７０ａが形成された縦方向薄板７０ａとを用意する。横方向薄板６０を横方向に平行に並べ、縦方向薄板７０を縦方向に平行に並べる。横方向薄板６０の切り欠き６０ａと縦方向薄板７０の切り欠き７０ａとを互いに嵌合させて、格子状の細孔４０ａを有する電極４０を形成する。【選択図】  図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
略平行に連通する多数の細孔が形成された立体構造を有することを特徴とするビーム源用電極。
【請求項２】
多数の細孔を有するナノポーラス材料からなることを特徴とするビーム源用電極。
【請求項３】
多数の細孔を有するナノポーラスアルミナからなることを特徴とするビーム源用電極。
【請求項４】
複数の薄板を互いに連接させて、略平行に連通する細孔を有する電極を形成することを特徴とするビーム源用電極の製造方法。
【請求項５】
前記複数の薄板には切り欠きが形成され、
前記複数の薄板の切り欠きを互いに嵌合させて前記細孔を形成することを特徴とする請求項４に記載のビーム源用電極の製造方法。
【請求項６】
前記複数の薄板を相対的に移動させて前記細孔を形成することを特徴とする請求項４に記載のビーム源用電極の製造方法。
【請求項７】
前記複数の薄板を変形させて前記細孔を形成することを特徴とする請求項４に記載のビーム源用電極の製造方法。
【請求項８】
粉末材料の圧縮、焼結、通電、又は感光成形により多数の細孔を有する電極を形成することを特徴とするビーム源用電極の製造方法。
【請求項９】
プラズマ生成室と、前記プラズマ生成室の内部にプラズマを生成するプラズマ生成部と、前記プラズマ生成室内に配置された第１の電極と、前記プラズマ生成室内に前記第１の電極と対向するように配置された第２の電極と、前記第１の電極と前記第２の電極との間に電圧を印加することで、前記プラズマ生成室内に生成されたプラズマから粒子を引き出す電圧印加部とを備えたビーム源であって、
前記第１の電極は、多数の細孔を有するナノポーラスアルミナからなることを特徴とするビーム源。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体集積回路の製造工程などに用いられるビーム源に使用される電極及びその製造方法に係り、特に高密度プラズマから高指向性でかつ高密度の正イオン、負イオン、中性粒子等の各種のビームを生成するビーム源に使用される電極及びその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、半導体集積回路、ハードディスク等の情報記憶媒体、あるいはマイクロマシーン等の分野において、その加工パターンが著しく微細化されている。かかる分野の加工においては、直進性が高く（高指向性であり）、且つ比較的大口径で高密度のイオンビーム等のエネルギービームを照射して被処理物の成膜又はエッチングなどを施す技術が注目されている。
【０００３】
このようなエネルギービームのビーム源としては、正イオン、負イオン、中性粒子等の各種のビームを生成するものが知られている（例えば、特許文献１から特許文献６参照）。このような正イオン、負イオン、中性粒子等のビームをビーム源から被処理物の任意の部位に照射することで、被処理物の局所的な成膜やエッチング、表面改質、接合、接着などを行うことができる。また、プラズマを利用した類似のビーム源（例えば、特許文献７から特許文献１５参照）や、中性粒子ビームを生成するその他のビーム源（例えば、特許文献１６参照）も知られている。
【０００４】
図１は、従来のビーム源を用いたビーム処理装置の全体構成を示す概念図である。図１に示すビーム処理装置は、プラズマ生成室５００と、被処理物Ｘの加工を行う処理室５０２とを有する真空チャンバ５０４を備えている。プラズマ生成室５００の外周には誘導結合型のコイル状のアンテナ５０６が配置されており、このアンテナ５０６は高周波電源５０８に接続されている。この高周波電源５０８によって高周波電圧がアンテナ５０６に印加されるようになっている。
【０００５】
プラズマ生成室５００の下端には、グラファイトなどの導電体で形成された第１の電極５１０が配置され、この第１の電極５１０に対向する位置には、同様に導電体で形成された第２の電極５１２が配置されている。図１に示す例では、第２の電極５１２に電源５１４が接続されており、第１の電極５１０と第２の電極５１２との間に所定の電圧を印加できるようになっている。
【０００６】
このような構成において、アンテナ５０６に高周波電流を流すことで誘導磁場を生じさせ、磁界の時間変化が電界を誘導し、その電界で電子が加速される。ガス供給源５１６からプラズマ生成室５００に導入されたガスは、加速された電子により電離され、プラズマ生成室５００内に高密度プラズマが生成される。そして、第１の電極５１０と第２の電極５１２との間に適切な電圧を印加することにより、正イオン、負イオン、中性粒子等の各種のビームを生成し、このビームを処理室５０２内の被処理物Ｘに照射する。
【０００７】
ここで、第１の電極５１０には、高アスペクト比（１０程度）、直径１ｍｍ程度の多数の細孔５１０ａが形成されている。例えば、プラズマ生成室５００から電場によって加速された正イオン又は負イオンを、この第１の電極５１０の細孔５１０ａを通過させるときに電荷の交換により中性化することが可能である。このようにして中性化された原子を処理室５０２内の被加工物Ｘに照射し、エッチングなどのプロセスを行うことができる。
【０００８】
【特許文献１】
特開２００２−２８９３９９号公報
【特許文献２】
特開２００２−２８９５８１号公報
【特許文献３】
特開２００２−２８９５８２号公報
【特許文献４】
特開２００２−２８９５８３号公報
【特許文献５】
特開２００２−２８９５８４号公報
【特許文献６】
特開２００２−２８９５８５号公報
【特許文献７】
特開平１０−１２５４９７号公報
【特許文献８】
特許第３１１４８７３号公報
【特許文献９】
特表２００１−５１１９４５号公報
【特許文献１０】
特表２００１−５０７０８１号公報
【特許文献１１】
特開平８−８３６９６号公報
【特許文献１２】
特開平９−８２６９２号公報
【特許文献１３】
特開２００１−３５６９７号公報
【特許文献１４】
特許第３０１７９４４号公報
【特許文献１５】
特許第３３１８６３８号公報
【特許文献１６】
米国特許第６３３１７０１号明細書
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
従来のビーム源のビーム直径は１００ｍｍ程度であるが、最近では半導体ウェハをはじめとする被加工物の大型化に伴って、更に大きな直径、例えば３００ｍｍ以上の直径のビームが必要とされている。この場合には、上述した第１の電極５１０の直径を３００ｍｍ以上とし、この大きな直径の第１の電極５１０に多くの細孔５１０ａを形成する必要が生じる。しかしながら、従来のビーム源用電極の製造方法では、多数の細孔が形成された大きな電極を作製することは困難であり、作製できたとしても極めてコストの高い電極となってしまう。また、従来のビーム源用電極の製造方法においては、電極に多数の細孔を形成するためにドリルが用いられており、大口径の電極を製作する場合には極めてコストが高くなってしまう。
【００１０】
本発明は、このような従来技術の問題点に鑑みてなされたもので、アスペクト比の高い細孔が多数形成された大口径のビーム源用電極及びかかるビーム源用電極を安価かつ容易に製造することができるビーム源用電極の製造方法を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
このような従来技術における問題点を解決するために、本発明の第１の態様は、略平行に連通する多数の細孔が形成された立体構造を有することを特徴とするビーム源用電極である。
【００１２】
本発明の第２の態様は、複数の薄板を互いに連接させて、略平行に連通する細孔を有する電極を形成することを特徴とするビーム源用電極の製造方法である。細孔は、三角形状、四角形状、六角形状、ハニカム形状、曲面形状など種々の形状をとることができる。
【００１３】
本発明の好ましい一態様は、前記複数の薄板には切り欠きが形成され、前記複数の薄板の切り欠きを互いに嵌合させて前記細孔を形成することを特徴としている。例えば、複数の切り欠きが形成された複数枚の横方向薄板と複数の切り欠きが形成された複数枚の縦方向薄板とを用意し、上記複数枚の横方向薄板を上記縦方向薄板の切り欠きのピッチと同じ間隔で横方向に平行に並べるとともに、上記横方向薄板の切り欠きと上記縦方向薄板の切り欠きとを互いに対向させた状態で上記複数枚の縦方向薄板を上記横方向薄板の切り欠きのピッチと同じ間隔で縦方向に平行に並べ、上記横方向に平行に並べられた横方向薄板の切り欠きと上記縦方向に平行に並べられた縦方向薄板の切り欠きとを互いに嵌合させて、格子状の細孔を有する電極を形成することができる。
【００１４】
本発明の他の好ましい一態様は、前記複数の薄板を相対的に移動させて、あるいは、前記複数の薄板を変形させて、前記細孔を形成することを特徴としている。例えば、複数枚の薄板を用意し、上記複数枚の薄板を平行に並べ、１つの薄板の両側の接合部が互い違いになるように隣り合う薄板を複数の接合部において接合し、上記隣り合う薄板間の間隔を広げて、ハニカム形状の細孔を有する電極を形成することができる。
【００１５】
また、複数の細管を用意し、上記複数の細管を平行にして束ね、隣り合う細管を側面において互いに接合して、多数の細孔を有する電極を形成してもよい。
【００１６】
更に、複数の凸部と凹部とを有する複数の部材を用意し、上記複数の部材を平行に重ね、隣り合う部材を少なくとも一方の部材の凸部において接合して、上記部材の凹部による多数の細孔を有する電極を形成してもよい。
【００１７】
本発明の第３の態様は、粉末導電材料の圧縮、焼結、通電、又は感光成形により多数の細孔を有する電極を形成することを特徴とするビーム源用電極の製造方法である。粉末導電材料としては微粒状の粉末導電材を用いることができる。また、必要に応じて結合材を使用することができる。粉末導電材を焼結させる場合には結合材は不要である。例えば、粉末導電材と結合材とを用意し、上記粉末導電材と上記結合材とを型を用いて成型して、多数の細孔を有する電極を形成することができる。
【００１８】
上述した第１から第３の態様によれば、アスペクト比の高い細孔が多数形成された大口径のビーム源用電極を安価かつ容易に製造することができる。したがって、大口径のプロセスに適したビーム源を安価に製造することが可能になるので、ビームの大口径化に伴い急上昇していたビーム源のコストの低減にも大きく貢献することができる。
【００１９】
本発明の第４の態様は、多数の細孔を有するナノポーラス材料からなることを特徴とするビーム源用電極である。このようなナノポーラス材料としては、セラミクスやボーラスガラスに導電材をコーティングしたものなどが考えられる。
【００２０】
本発明の第５の態様は、多数の細孔を有するナノポーラスアルミナからなることを特徴とするビーム源用電極である。
【００２１】
本発明の第６の態様は、プラズマ生成室と、上記プラズマ生成室の内部にプラズマを生成するプラズマ生成部と、上記プラズマ生成室内に配置された第１の電極と、上記プラズマ生成室内に上記第１の電極と対向するように配置された第２の電極と、上記第１の電極と上記第２の電極との間に電圧を印加することで、上記プラズマ生成室内に生成されたプラズマから粒子を引き出す電圧印加部とを備えたビーム源であって、上記第１の電極は、多数の細孔を有するナノポーラスアルミナからなることを特徴とするビーム源である。第１の電極としてアルミニウムを使用するものは知られているが、アルミニウムは熱変形が大きいため、大口径のビーム源の電源としては不向きな材料である（特許文献１６、カラム４の４５行−４８行参照）。本発明では、多数の細孔を有するナノポーラスアルミナを第１の電極として使用しており、これによりアスペクト比の高い細孔が多数形成された大口径のビーム源用電極を安価に実現することができる。
【００２２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に係るビーム源用電極の製造方法の実施形態について図面を参照して詳細に説明する。
【００２３】
図２は、本発明の一実施形態におけるビーム処理装置の全体構成を示す概念図である。このビーム処理装置において、本発明に係る方法により製造されたビーム源用電極が用いられる。図２に示すように、ビーム処理装置は、高密度プラズマから正イオン、負イオン、中性粒子等の各種のビームを生成するビーム源１０と、このビーム源１０に隣接して配置される処理室１２とを備えている。処理室１２内には、半導体基板、ガラス、有機物、セラミックスなどの被処理物Ｘを保持する保持部１４が配置されており、保持部１４の上面に載置された被処理物Ｘがビーム源１０からのビームにより加工されるようになっている。保持部１４は、前後左右、或いは回転方向に移動可能となっている。
【００２４】
ビーム源１０は、内部にプラズマを生成するプラズマ生成室１６を備えている。このプラズマ生成室１６と処理室１２とは円筒状の真空チャンバ１８により構成されており、この真空チャンバ１８は、石英ガラス、セラミック、又は金属などの材質から形成される。なお、真空チャンバ１８は、円筒形状だけでなく直方体形状など種々の形状をとることができる。また、プラズマ生成室１６側と処理室１２側とで異なる形状の真空チャンバ１８を用いることができる。このような場合にも本発明を適用できることは言うまでもない。
【００２５】
プラズマ生成室１６の外周には、プラズマ生成室１６内にプラズマを生成するために誘導磁界を生じさせるためのアンテナ２０が配置されている。このアンテナ２０は高周波電源２２に接続されており、高周波電源２２により高周波電圧がアンテナ２０に印加される。アンテナ２０に高周波電流を流すことでプラズマ生成室１６に誘導磁界が生じ、磁界の時間変化が電界を誘導し、その電界で電子が加速されてプラズマ２４が生成される。このように、アンテナ２０と高周波電源２２とによってプラズマ生成室１６内にプラズマを生成するプラズマ生成部が構成されている。
【００２６】
プラズマ生成室１６の上部には、プラズマ生成室１６内にガスを導入するガス導入ポート２６が設けられており、このガス導入ポート２６はガス供給配管２８を介してガス供給源３０に接続されている。このガス供給源３０からはＳＦ６，ＣＨＦ３，ＣＦ４，Ｃｌ２，Ａｒ，Ｏ２，Ｎ２，Ｃ４Ｆ８等などのガスがプラズマ生成室１６内に供給される。
【００２７】
プラズマ生成室１６の下端には、導電体で形成された第１の電極４０が配置されており、この第１の電極４０は接地電位とされる。また、プラズマ生成室１６の上端には、同様に導電体で形成された第２の電極５０が第１の電極４０に対向するように配置されている。この第２の電極５０は直流電源（電圧印加部）５２に接続されている。なお、第１の電極４０は、プラズマ生成室１６の内に生成されたプラズマ２４から粒子を引き出すだけでなく、ビームを構成する粒子を中性化する手段としても機能する。
【００２８】
ビーム源１０は、上述した第１の電極４０を介して処理室１２に接続されている。処理室１２にはガスを排出するためのガス排出ポート５４が設けられており、このガス排出ポート５４はガス排出配管５６を介して真空ポンプ５８に接続されている。この真空ポンプ５８によって処理室１２は所定の圧力に維持される。プラズマ生成室１６内の圧力は、主としてこの処理室１２に接続された真空ポンプ５８の排気量と、第１の電極４０に形成された細孔のコンダクタンス、及びガス供給源３０から供給されるガスの流量によって決まる。
【００２９】
次に、上述したビーム源１０の第１の電極の製造方法、すなわち本発明に係るビーム源用電極の製造方法の第１の実施形態について説明する。まず、図３（ａ）に示すように、所定のピッチ（例えば１ｍｍ）で複数の切り欠き６０ａが形成された複数枚の横方向薄板６０と、所定のピッチ（例えば１ｍｍ）で複数の切り欠き７０ａが形成された複数枚の縦方向薄板７０とを用意する。これらの薄板６０，７０の材質としては、Ｍｏ，Ａｌ，Ｎｉ，Ｔａ，Ｗ，ステンレス，銅，銀，金，白金などの金属材料、グラファイト，パイロリティックグラファイト，シリコンなどの四族材料，ＴｉＮ，ＴｉＣ，ＷＣ，ＳｉＣ，ＳｉＮ，ＢＮなどの化合物材料などを用いることができる。
【００３０】
次に、複数の横方向薄板６０を縦方向薄板７０の切り欠き７０ａのピッチと同じ間隔で横方向に平行に並べる。また、複数の縦方向薄板７０を横方向薄板６０の切り欠き６０ａのピッチと同じ間隔で縦方向に平行に並べる。このとき、横方向薄板６０の切り欠き６０ａと縦方向薄板７０の切り欠き７０ａとが互いに対向するようにこれらの薄板６０，７０を配置する。
【００３１】
この状態で、横方向に平行に並べられた横方向薄板６０の切り欠き６０ａと縦方向に平行に並べられた縦方向薄板７０の切り欠き７０ａとを互いに嵌合させると、図３（ｂ）に示すように、格子状の細孔８０が形成される。したがって、適当な長さの横方向薄板６０と適当な長さの縦方向薄板７０とを用意することによって、図３（ｃ）に示すような格子状の多数の細孔４０ａが形成された円形のビーム源用電極（第１の電極４０）を形成することができる。このように、本実施形態によれば、アスペクト比が高く、略平行に連通する細孔が多数形成された大口径のビーム源用電極を安価かつ容易に製造することができる。したがって、ビーム源１０及びビーム処理装置のコストを低減することができる。なお、ビーム源用電極の形状は、円形だけでなく正方形、長方形など種々の形状をとることができ、このような場合にも本発明を適用できることは言うまでもない。
【００３２】
なお、細孔の寸法、すなわち、横方向薄板６０の切り欠き６０ａのピッチ及び縦方向薄板７０の切り欠き７０ａのピッチは１ｍｍ程度であることが好ましいが、必要に応じて変更することができる。例えば、薄板６０，７０の厚さ及び切り欠き６０ａ，７０ａのピッチを適切に調整することによって、細孔４０ａの開口寸法及び開口比を任意に変更することができる。
【００３３】
次に、本発明に係るビーム源用電極の製造方法の第２の実施形態について説明する。まず、図４（ａ）に示すように、複数枚の薄板１６０を用意し、これらの薄板１６０を平行に並べる。これらの薄板１６０の材質としては、Ｍｏ，Ａｌ，Ｎｉ，Ｔａ，Ｗ，ステンレス，銅，銀，金，白金などの金属材料、グラファイト，パイロリティックグラファイト，シリコンなどの四族材料，ＴｉＮ，ＴｉＣ，ＷＣ，ＳｉＣ，ＳｉＮ，ＢＮなどの化合物材料などを用いることができる。
【００３４】
そして、隣り合う薄板１６０，１６０を複数の接合部１６２において接合（接着）する。この接合部１６２は一定の間隔で配置され、また、１つの薄板１６０に関して両側の接合部１６２が互い違いになるように配置される。この状態で、隣り合う薄板１６０，１６０間の間隔を広げる（すなわち、隣り合う薄板１６０，１６０を相対的に移動させる、あるいは、薄板１６０を変形させる）ことにより、図４（ｂ）に示すようなハニカム形状の多数の細孔１８０を有するビーム源用電極を形成することができる。このように、本実施形態によれば、アスペクト比が高く、略平行に連通する細孔が多数形成された大口径のビーム源用電極を安価かつ容易に製造することができる。なお、本実施形態においても、例えば、薄板１６０の厚さ及び接合部１６２のピッチを適切に調整することによって、細孔１８０の開口寸法及び開口比を任意に変更することができる。
【００３５】
次に、本発明に係るビーム源用電極の製造方法の第３の実施形態について説明する。まず、図５（ａ）に示すように、例えば直径１ｍｍ程度の細管２６０を複数本用意する。これらの細管２６０の材質としては、Ｍｏ，Ａｌ，Ｎｉ，Ｔａ，Ｗ，ステンレス，銅，銀，金，白金などの金属材料、グラファイト，パイロリティックグラファイト，シリコンなどの四族材料，ＴｉＮ，ＴｉＣ，ＷＣ，ＳｉＣ，ＳｉＮ，ＢＮなどの化合物材料などを用いることができる。
【００３６】
そして、図５（ｂ）に示すように、これらの細管２６０を平行にして束ねる。このとき、隣り合う細管２６０，２６０を側面において互いに接合する。これによって、図５（ｃ）に示すような多数の細孔２４０ａを有するビーム源用電極２４０を形成することができる。このように、本実施形態によれば、アスペクト比が高く、略平行に連通する細孔が多数形成された大口径のビーム源用電極を安価かつ容易に製造することができる。なお、本実施形態においては、例えば、細管２６０の直径及び肉厚を適切に調整することによって、細孔２４０ａの開口寸法及び開口比を任意に変更することができる。
【００３７】
次に、本発明に係るビーム源用電極の製造方法の第４の実施形態について説明する。まず、図６（ａ）に示すように、複数の凸部３６０ａと凹部３６０ｂとを有する複数の部材３６０を用意する。これらの部材３６０の材質としては、Ｍｏ，Ａｌ，Ｎｉ，Ｔａ，Ｗ，ステンレス，銅，銀，金，白金などの金属材料、グラファイト，パイロリティックグラファイト，シリコンなどの四族材料，ＴｉＮ，ＴｉＣ，ＷＣ，ＳｉＣ，ＳｉＮ，ＢＮなどの化合物材料などを用いることができる。
【００３８】
そして、図６（ｂ）に示すように、これらの部材３６０を平行に重ね、隣り合う部材３６０，３６０を一方の部材３６０の凸部３６０ａにおいて接合する。これによって、隣り合う部材３６０，３６０の間に部材３６０の凹部３６０ｂによる細孔３６０ｃが形成され、多数の細孔３６０ｃを有するビーム源用電極を形成することができる。このように、本実施形態によれば、アスペクト比が高く、略平行に連通する細孔が多数形成された大口径のビーム源用電極を安価かつ容易に製造することができる。なお、本実施形態においては、例えば、部材３６０の肉厚及び凸部３６０ａや凹部３６０ｂの形状を適切に調整することによって、細孔３６０ｃの開口寸法及び開口比を任意に変更することができる。
【００３９】
この場合において、部材３６０の断面形状は、図６（ａ）に示すように、凸部３６０ａ及び凹部３６０ｂが矩形状のものに限られるものではない。例えば、波形状の断面形状を有する部材を用いることができる。この場合においては、波形のピッチ、波形のピークの高さ、及び板厚を適切に調整することによって、細孔のピッチ、開口寸法、及び開口比を任意に変更することができる。
【００４０】
次に、本発明に係るビーム源用電極の製造方法の第５の実施形態について説明する。本実施形態においては、まず、粉末導電材と結合材とを用意し、これらの粉末導電材と結合材とを型を用いて例えば押し出し成型する。この押し出し成型したものを焼結すれば、多数の細孔を有するビーム源用電極を形成することができる。このように、本実施形態によれば、アスペクト比が高く、略平行に連通する細孔が多数形成された大口径のビーム源用電極を安価かつ容易に製造することができる。なお、本実施形態においては、例えば、使用する型の設計を変更することによって、細孔の直径、ピッチ、開口比を任意に変更することができる。また、粉末導電材は、主として金属であるが、ガラスやセラミックスであって、素材のそれぞれ又は全体が導電材でコーティングされたものでもよい。更に、上述した例に限らず、粉末導電材の圧縮、焼結、通電、又は感光成形により多数の細孔を有する電極を形成することもできる。
【００４１】
また、ビーム源用電極として多数の細孔を有するナノポーラス材料を用いることとしてもよい。このようなナノポーラス材料としては、セラミクスやボーラスガラスに導電材をコーティングしたものなどが考えられる。また、ビーム源用電極として多数の細孔を有するナノポーラスアルミナを用いることとしてもよい。このようなナノポーラスアルミナを製造する際には、細孔の寸法やピッチの平均値を適切に調整でき、また細孔の開口比も任意に変更することができる。
【００４２】
これまで本発明の一実施形態について説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されず、その技術的思想の範囲内において種々異なる形態にて実施されてよいことは言うまでもない。
【００４３】
【発明の効果】
上述したように、本発明によれば、アスペクト比の高い細孔が多数形成された大口径のビーム源用電極を安価かつ容易に製造することができる。したがって、大口径のプロセスに適したビーム源を安価に製造することが可能になるので、ビームの大口径化に伴い急上昇していたビーム源のコストの低減にも大きく貢献することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来のビーム源を用いたビーム処理装置の全体構成を示す概念図である。
【図２】本発明の一実施形態におけるビーム処理装置の全体構成を示す概念図である。
【図３】図３（ａ）から図３（ｃ）は、本発明に係るビーム源用電極の製造方法の第１の実施形態を説明する概念図である。
【図４】図４（ａ）及び図４（ｂ）は、本発明に係るビーム源用電極の製造方法の第２の実施形態を説明する概念図である。
【図５】図５（ａ）から図５（ｃ）は、本発明に係るビーム源用電極の製造方法の第３の実施形態を説明する概念図である。
【図６】図６（ａ）及び図６（ｂ）は、本発明に係るビーム源用電極の製造方法の第４の実施形態を説明する概念図である。
【符号の説明】
１０    ビーム源
１２    処理室
１４    保持部
１６    プラズマ生成室
１８    真空チャンバ
２０    アンテナ
２２    高周波電源
２４    プラズマ
２６    ガス導入ポート
２８    ガス供給配管
３０    ガス供給源
４０，２４０    第１の電極
４０ａ，８０，１８０，２４０ａ，３６０ｃ    細孔
５０    第２の電極
５２    直流電源
５４    ガス排出ポート
５６    ガス排出配管
５８    真空ポンプ
６０，７０，１６０    薄板
６０ａ，７０ａ  切り欠き
１６２    接合部
２６０    細管
３６０    部材
３６０ａ  凸部
３６０ｂ  凹部
Ｘ    被処理物
【図１】
2004281229.tif 000003
【図２】
2004281229.tif 000004
【図３】
2004281229.tif 000005
【図４】
2004281229.tif 000006
【図５】
2004281229.tif 000007
【図６】
2004281229.tif 000008