(57)【要約】　　　（修正有）【課題】使用する歪ゲージの総数を減らすことで、チップの小型化、高感度化、消費電力の低減を可能とする６軸力覚センサを提供する。【解決手段】外端部を台座２に固定されたセンサ基部３と、該センサ基部の略中央部に設けられ、外部から力が加えられる力作用部４と、前記センサ基部上に設けられ、前記センサ基部に生じる歪を検知する歪ゲージ５と、該歪ゲージの抵抗変化を測定するブリッジ回路とを具備し、前記力作用部に加えられた力を、前記センサ基部上面において互いに直交する第１軸及び第２軸と、前記センサ基部に直交する第３軸について、各軸方向への力、及び各軸回りのモーメントの６つの軸力に分けて検出する６軸力覚センサにおいて、センサ基部の上面を、シリコン半導体の面方位（１１１）の結晶面とした。【選択図】　　　図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
外端部を台座に固定されたセンサ基部と、該センサ基部の略中央部に設けられ、外部から力が加えられる力作用部と、前記センサ基部上に設けられ、前記センサ基部に生じる歪を検知する歪ゲージと、該歪ゲージの抵抗変化を測定するブリッジ回路とを具備し、前記力作用部に加えられた力を、前記センサ基部上面において互いに直交する第１軸及び第２軸と、前記センサ基部に直交する第３軸について、各軸方向への力、及び各軸回りのモーメントの６つの軸力に分けて検出する６軸力覚センサにおいて、
前記センサ基部の上面を、シリコン半導体の面方位（１１１）の結晶面としたことを特徴とする６軸力覚センサ。
【請求項２】
前記センサ基部上に、前記第１軸方向に沿って、前記第１軸方向への力を検出する少なくとも１対の通常型歪ゲージを設けたことを特徴とする請求項１に記載の６軸力覚センサ。
【請求項３】
前記第１軸方向への力を検出する前記通常型歪ゲージは、前記第２軸回りのモーメント作用時に生じる前記センサ基部の変形における変曲点上に位置することを特徴とする請求項２に記載の６軸力覚センサ。
【請求項４】
前記センサ基部上に、前記第２軸方向に沿って、前記第２軸方向への力を検出する少なくとも１対の通常型歪ゲージを設けたことを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の６軸力覚センサ。
【請求項５】
前記第２軸方向への力を検出する前記通常型歪ゲージは、前記第１軸回りのモーメント作用時に生じる前記センサ基部の変形における変曲点上に位置することを特徴とする請求項４に記載の６軸力覚センサ。
【請求項６】
前記センサ基部上に、前記第１軸と前記第２軸のいずれか一方に沿って、前記第３軸方向への力を検出する少なくとも２対の通常型歪ゲージを設けたことを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の６軸力覚センサ。
【請求項７】
前記センサ基部上に、前記第２軸方向に沿って、前記第１軸回りのモーメントを検出する少なくとも２対の通常型歪ゲージを設けたことを特徴とする請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の６軸力覚センサ。
【請求項８】
前記センサ基部上に、前記第１軸方向に沿って、前記第２軸回りのモーメントを検出する少なくとも２対の通常型歪ゲージを設けたことを特徴とする請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の６軸力覚センサ。
【請求項９】
前記センサ基部上に、前記第１軸と前記第２軸のいずれか一方に沿って、前記第３軸回りのモーメントを検出するせん断型歪ゲージを設けたことを特徴とする請求項１から請求項８のいずれか１項に記載の６軸力覚センサ。
【請求項１０】
前記第１軸、及び前記第２軸を、力及びモーメントの各々について、歪ゲージが等しい感度を有する２つの直交する結晶方位のいずれか一方と他方に沿って定めたことを特徴とする請求項１から請求項９のいずれか１項に記載の６軸力覚センサ。
【請求項１１】
前記センサ基部が、略十字型の横断面形状を有することを特徴とする請求項１から請求項１０のいずれか１項に記載の６軸力覚センサ。
【請求項１２】
前記通常型歪ゲージ及び前記せん断型歪ゲージは、前記センサ基部の幅方向中央部に設けたことを特徴とする請求項１１に記載の６軸力覚センサ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば、ロボットの力覚量検出や、流体場における微小物体の抗力検出に用いられる、互いに直交する３軸方向への力、及び各軸回りのモーメントを検出する６軸力覚センサに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
ロボットの指先部分に加わる力覚量を検出したり、乱流中の微小物体に作用する力を検出したりする際には、微小な力やモーメントを検出できるセンサが必要とされる。このように微小な力やモーメントを検出するためには、半導体の持つ高いピエゾ抵抗効果を利用した力覚センサが一般に用いられており、特に、互いに直交する３軸について、各軸方向への力と各軸回りのモーメントを検出する、６軸力覚センサが広く用いられている。
【０００３】
以下、図９により、十字型ビーム構造を有する従来の６軸力覚センサについて説明する。６軸力覚センサ１３は、ｎ型シリコン半導体であるセンサ基部３上面の２４箇所に４８個のｐ型の通常型歪ゲージ５ａを設け、該センサ基部３を不図示の起歪体の上面に固着することにより形成されている。この時、力やモーメントの作用により各通常型歪ゲージ５ａに生じる抵抗の変化をまとめたものが表２である。表２において、「＋」は抵抗の増加を、「−」は抵抗の減少を、また「０」は抵抗の変化が無いことを示している。さらに、力及びモーメントの各成分を測定するために、図１０に示すブリッジ回路１４が形成されており、ｒ１乃至ｒ４は、表３に示すＲ１乃至Ｒ２４の各組み合わせにより構成されている。
【０００４】
【表２】
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【０００５】
【表３】
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【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、前記のような十字型ビーム構造を有する従来の６軸力覚センサ１３は、６軸力を検出するために、前記センサ基部３上面の２４箇所に総数４８個の通常型通常型歪ゲージ５ａを配置する必要があるため、前記センサ基部３の幅が広くなり、この前記６軸力覚センサ１３を組み込んだチップを製作した場合、そのチップの大きさは２×２ｃｍ（縦×横）となり、チップの小型化には不適である、という問題点がある。また、電気回路が複雑となり、その結果、消費電力が多くなる、という問題点もある。
【０００７】
本発明は、前記課題に鑑みてなされたものであり、センサ基部の上面を、シリコン半導体の面方位（１１１）の結晶面とし、前記第３軸回りのモーメントを検出するために、せん断型歪ゲージを用いると共に、歪ゲージを前記センサ基板上に新規な配列方法により配置し、適切な測定回路を構築することにより、使用する歪ゲージの総数を減らし、その結果として、チップの小型化、高感度化、消費電力の低減を可能とする６軸力覚センサを提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
前記目的を解決するための具体的手段は、次のようなものである。すなわち、請求項１に記載する発明は、外端部を台座に固定されたセンサ基部と、該センサ基部の略中央部に設けられ、外部から力が加えられる力作用部と、前記センサ基部上に設けられ、前記センサ基部に生じる歪を検知する歪ゲージと、該歪ゲージの抵抗変化を測定するブリッジ回路とを具備し、前記力作用部に加えられた力を、前記センサ基部上面において互いに直交する第１軸及び第２軸と、前記センサ基部に直交する第３軸について、各軸方向への力、及び各軸回りのモーメントの６つの軸力に分けて検出する６軸力覚センサにおいて、前記センサ基部の上面を、シリコン半導体の面方位（１１１）の結晶面としたことを特徴としている。
【０００９】
請求項２に記載する発明は、請求項１に記載する構成において、前記センサ基部上に、前記第１軸方向に沿って、前記第１軸方向への力を検出する少なくとも１対の通常型歪ゲージを設けたことを特徴としている。
【００１０】
請求項３に記載する発明は、請求項２に記載する構成において、前記第１軸方向への力を検出する前記通常型歪ゲージは、前記第２軸回りのモーメント作用時に生じる前記センサ基部の変形における変曲点上に位置することを特徴としている。
【００１１】
請求項４に記載する発明は、請求項１から請求項３のいずれか１項に記載する構成において、前記センサ基部上に、前記第２軸方向に沿って、前記第２軸方向への力を検出する少なくとも１対の通常型歪ゲージを設けたことを特徴としている。
【００１２】
請求項５に記載する発明は、請求項４に記載する構成において、前記第２軸方向への力を検出する前記通常型歪ゲージは、前記第１軸回りのモーメント作用時に生じる前記センサ基部の変形における変曲点上に位置することを特徴としている。
【００１３】
請求項６に記載する発明は、請求項１から請求項５のいずれか１項に記載する構成において、前記センサ基部上に、前記第１軸と前記第２軸のいずれか一方に沿って、前記第３軸方向への力を検出する少なくとも２対の通常型歪ゲージを設けたことを特徴としている。
【００１４】
請求項７に記載する発明は、請求項１から請求項６のいずれか１項に記載する構成において、前記センサ基部上に、前記第２軸方向に沿って、前記第１軸回りのモーメントを検出する少なくとも２対の通常型歪ゲージを設けたことを特徴としている。
【００１５】
請求項８に記載する発明は、請求項１から請求項７のいずれか１項に記載する構成において、前記センサ基部上に、前記第１軸方向に沿って、前記第２軸回りのモーメントを検出する少なくとも２対の通常型歪ゲージを設けたことを特徴としている。
【００１６】
請求項９に記載する発明は、請求項１から請求項８のいずれか１項に記載する構成において、前記センサ基部上に、前記第１軸と前記第２軸のいずれか一方に沿って、前記第３軸回りのモーメントを検出するせん断型歪ゲージを設けたことを特徴としている。
【００１７】
請求項１０に記載する発明は、請求項１から請求項９のいずれか１項に記載する構成において、前記第１軸、及び前記第２軸を、力及びモーメントの各々について、歪ゲージが等しい感度を有する２つの直交する結晶方位のいずれか一方と他方に沿って定めたことを特徴としている。
【００１８】
請求項１１に記載する発明は、請求項１から請求項１０のいずれか１項に記載する構成において、前記センサ基部が、略十字型の横断面形状を有することを特徴としている。
【００１９】
請求項１２に記載する発明は、請求項１１に記載する構成において、前記通常型歪ゲージ及び前記せん断型歪ゲージは、前記センサ基部の幅方向中央部に設けたことを特徴としている。
【００２０】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態に係る６軸力覚センサ１を図面に基づいて説明する。尚、従来技術と同一構成部材については、同じ番号を用いて説明を省略する。図１及び図２に示すように、本発明の実施形態に係る６軸力覚センサ１は、十字型ビーム構造を有し、外端部を台座２に固定されたセンサ基部３と、該センサ基部３の略中央部に設けられ、外部から力が加えられる力作用部４と、前記センサ基部３上に設けられ、前記センサ基部３に生じる歪を検知する歪ゲージ５と、該歪ゲージ５の抵抗変化を測定するブリッジ回路６とを具備している。
【００２１】
また、図２に示すように、前記力作用部４の中央を原点とし、結晶方位＜１１０＞方向にｘ軸を、＜１１２＞方向にｙ軸を、＜１１１＞方向にｚ軸を有する座標系を定めた。もちろん、これとは逆に＜１１０＞方向にｙ軸を、＜１１２＞方向にｘ軸を定めても構わないし、正負の向きを逆にしても構わない。また、各軸方向の力をＦｘ、Ｆｙ、Ｆｚとし、各軸回りのモーメントをＭｘ、Ｍｙ、Ｍｚとした。以下、更に詳細に説明する。
【００２２】
前記センサ基部３としては、面方位が（１１１）の単結晶シリコンを用いている。シリコンの結晶面としては、（１００）、（１１０）、（１１１）面の３種が代表的なものとして知られているが、（１００）面と（１１０）面については、Ｆｘ、Ｆｙ、Ｆｚ、Ｍｘ、Ｍｙに対する感度は有するが、Ｍｚに対する感度がなく検出することができない。この点において、前記（１１１）面は、その面上の全方向について等方的に感度があるという特徴があり、Ｍｚに対しても、また他の５軸力に対しても感度を有するので、６軸力全てについて独立して検出することが可能である、という利点がある。
【００２３】
前記十字型ビーム構造とは、前記センサ基部３がビーム状の形状を有し、互いに直交する２方向へ伸びる２本の前記センサ基部３が、各々の上面が同一平面を形成するように、その長手方向中央部において交差した構造を指している。この前記センサ基部３の形状はこれに限られたものではなく、円形や矩形等であっても構わない。しかし、このような形状にした場合、前記６軸力覚センサ１全体の、引圧・曲げ・ねじり剛性が高くなるので、引圧・曲げ・ねじり成分に対する前記６軸力覚センサ１の感度は悪くなる。また、２本の前記センサ基部３の形状をより細く、より薄くすることにより、前記センサ基部３の引圧・曲げ・ねじり剛性が低くなり、引圧・曲げ・ねじり成分に対する前記６軸力覚センサ１の感度を良くすることが可能である。
【００２４】
本実施形態の場合、２本の前記センサ基部３は、結晶方位＜１１０＞、及び＜１１２＞の２つの方向に沿って形成されている。これは、この方向には多軸感度がなく、６軸力を検出するために必要な感度を歪ゲージが有することができる方位だからである。
【００２５】
６軸力覚センサ１の実際の利用に際しては、図７に示すように、前記力作用部４上に、力伝達部材７を固着して用いる。外部から作用する力やモーメントは、該力伝達部材７を経由して前記力作用部４に伝えられる。これにより、力覚センサや流体抗力センサとしての利用が可能となる。
【００２６】
図７における、２本の前記センサ基部３の寸法、及びチップ８全体の寸法の決定方法としては、まず、力やモーメントの作用すると予測される領域、必要とされる感度、シリコンのピエゾ抵抗効果、非座屈条件、及び配線のために必要な前記センサ基部３の幅等を考慮して、モデルを作成し、このモデルについて有限要素法による数値解析を行えばよい。本実施形態の場合、前記センサ基部３の寸法を、５００×１２０×４０μｍ３（縦×横×高さ）に、またチップ８全体の寸法を３０００×３０００×４００μｍ３と定めた。
【００２７】
前記歪ゲージ５は、１６個の通常型歪ゲージ５ａと、２個のせん断型歪ゲージ５ｂで構成され、該通常型歪ゲージ５ａは、全てを同一の設計とし、また前記せん断型歪ゲージ５ｂについても同一の設計としている。ここで、前記通常型歪ゲージ５ａとは、縦方向の垂直応力と横方向の垂直応力により前記歪ゲージ５に生じる抵抗変化を測定する２端子型のものであり、前記せん断型歪ゲージ５ｂとは、せん断応力により、前記歪ゲージ５の入力電圧端子に対して直交方向に存在する出力端子間に生じる電圧を測定する４端子型のものである。前記各歪ゲージ５は、ｎ型シリコン半導体である前記センサ基部３の表面に、ＩＩＩ族元素であるホウ素を不純物拡散することにより強制的にｐ型に転換し、ｐ型シリコン半導体の部分を他の部分から電気的に絶縁することにより形成している。
【００２８】
前記歪ゲージ５は、図２に示す配列で前記各センサ基部３上に配置した。これは、前記有限要素法解析によって得られた応力分布状態に基づき、測定対象とする各軸力に対する感度を最も良くするように、また、他の軸力の影響を排除できるように定めている。ここで、全ての前記歪ゲージ５は、前記各センサ基部３の幅方向中央部に位置し、ｘ軸に沿う前記センサ基部３上に設けた歪ゲージ５はその主軸がｘ軸方向、すなわち結晶方位＜１１０＞に沿うように、また、ｙ軸に沿う前記センサ基部３上に設けた歪ゲージ５は、その主軸がｙ軸方向、すなわち結晶方位＜１１２＞に沿うように一列に配置している。
【００２９】
ｘ軸方向の力Ｆｘを検出する２個の歪ゲージ、ＲＦｘ１、及びＲＦｘ２は前記通常型歪ゲージ５ａを用いており、ｘ軸に沿う前記センサ基部３上に、図２に示すように、センサ中心に対して略対称な位置に設けられている。また、その配置位置は、図３（ａ）、及び図３（ｂ）に示すように、ｙ軸回りのモーメントＭｙが作用した時の、ｘ軸に沿う前記センサ基部３の変形における、引張領域と圧縮領域の境界である変曲点９上であり、これにより、前記ＲＦｘ１、及びＲＦｘ２が前記Ｍｙの作用に対し影響を受けないよう設計されている。ここで、図３は、軸力Ｆｘ、Ｍｙ、Ｆｚが作用した時の、ｘ軸方向に沿う前記センサ基部３の変形の様子を、その側面から見て模式的に示したものであり、前記センサ基部３の両端部は前記台座２に固定されている。また、前記センサ基部３の中央部は実際にはある面積を有するが、便宜的に点としている。また、図３において、（＋）は、前記歪ゲージ５に引張歪が発生して抵抗が増加することを、（−）は、前記歪ゲージ５に圧縮歪が発生して抵抗が減少することを、（０）は、抵抗の変化が無いことを、また（＝）は、ある１つの前記ブリッジ回路６を構成する前記歪ゲージ５が、符号も大きさも等しい抵抗の変化を示すことを表している。ところで、前述した引張領域と圧縮領域とは、力の作用する向きにより逆になることもあるのは言うまでもなく、以下も同様の意で使用する。また、以上のことは、ｙ軸方向の力Ｆｙを検出するために、ｙ軸に沿う前記センサ基部３上に設けた２個の歪ゲージ、ＲＦｙ１、及びＲＦｙ２に関しても同様である。
【００３０】
ｙ軸回りのモーメントＭｙを検出する４個の歪ゲージ、ＲＭｙ１乃至ＲＭｙ４は、前記通常型歪ゲージ５ａを用いており、ｘ軸に沿う前記センサ基部３上に、図２に示す配列で設けられている。ここで、図３（ｂ）に示すように、前記Ｍｙが作用した時の、ｘ軸に沿う前記センサ基部３の変形において、ＲＭｙ１は引張領域に位置し、ＲＭｙ２は圧縮領域に位置しており、さらに、センサ中心に対して略対称な位置にＲＭｘ３とＲＭｘ４を設けている。この配置位置は、他の軸力に対する挙動に影響を与えない範囲内であれば、引張領域内と圧縮領域内において適宜変更可能である。また、以上のことは、ｘ軸回りのモーメントＭｘを検出するために、ｙ軸に沿う前記センサ基部３上に設けた４個の歪ゲージ、ＲＭｘ１乃至ＲＭｘ４に関しても同様である。
【００３１】
ｚ軸方向の力Ｆｚを検出する４個の歪ゲージ、ＲＦｚ１乃至ＲＦｚ４は、前記通常型歪ゲージ５ａを用いており、ｘ軸に沿う前記センサ基部３上に、図２に示す配列で設けられている。ここで、図３（ｃ）に示すように、前記Ｆｚが作用した時の、ｘ軸に沿う前記センサ基部３の変形において、ＲＦｚ１は引張領域に位置し、ＲＦｚ２は圧縮領域に位置しており、さらに、センサ中心に対して略対称な位置にＲＦｚ３とＲＦｚ４を設けている。この配置位置は、他の軸力に対する挙動に影響を与えない範囲内であれば、引張領域内と圧縮領域内において適宜変更可能である。
【００３２】
ｚ軸回りのモーメントＭｚを検出する２個の歪ゲージ、ＲＭｚ１、及びＲＭｚ２は、前記せん断型歪ゲージ５ｂを用いており、ｙ軸に沿う前記センサ基部３上に、図２に示す配列で設けられている。また、ＲＭｚ１及びＲＭｚ２は、図６（ｃ）に示すように、Ｍｚ回路１０において、それぞれが合計演算回路１１に接続されており、各出力電圧ＶｏｕｔＭｚ１とＶｏｕｔＭｚ２を合計することにより出力電圧ＶｏｕｔＭｚを検出する。ＲＭｚ１とＲＭｚ２の、ＭｙとＦｚに対する感度は、大きさが等しく符号が反対になるため、本実施形態のように、２個の前記せん断型歪ゲージ５ｂの出力を合計することで、ＭｙとＦｚに対する多軸感度を相殺しＭｚを検出する。
【００３３】
本実施形態では、前記ＲＦｚ１乃至ＲＦｚ４をｘ軸に沿う前記センサ基部３上に設け、前記ＲＭｚ１及びＲＭｚ２をｙ軸に沿う前記センサ基部３上に設けたが、これとは逆に、前記ＲＦｚ１乃至ＲＦｚ４をｙ軸に沿う前記センサ基部３上に設け、前記ＲＭｚ１及びＲＭｚ２をｘ軸に沿う前記センサ基部３上に設ける形態であってもよい。また、前記ＲＦｚ１乃至ＲＦｚ４と、前記ＲＭｚ１及びＲＭｚ２の双方を、例えばｘ軸に沿うセンサ基部３上に設けても構わないが、本実施形態のように、２本の前記センサ基部３の一方と他方に分けてバランス良く配置した方が、前記センサ基部３の長さを短く設計することができ、前記チップ８をより小型化できる、という利点がある。
【００３４】
前記各歪ゲージ５に生じた抵抗変化を、それに比例した電圧変化として検出するために、前記各歪ゲージ５は、図４に示すように、共有のハーフブリッジ回路１２と組み合せることにより、５つの並列なブリッジから成る、前記ブリッジ回路６を形成している。前記共有のハーフブリッジ回路１２は、同一の特性を持つ２つの固定抵抗Ｒｃにより構成され、前記チップ８上の応力が加わらない領域に配置されている。また、各ブリッジごとに取り出して回路構成を分かり易くしたものが図５及び図６である。
【００３５】
ここで、表１は、作用する各軸力に対する、前記通常型歪ゲージ５ａの抵抗変化、及び前記せん断型歪ゲージ５ｂの出力電圧の変化をまとめたものである。表１において、「＋」及び「−」は増減を、「０」は変化の無いことを表し、「＝」は符号も大きさも等しい変化が生じることを表している。
【００３６】
【表１】
2004045044.tif 000005
【００３７】
例えば、ｘ軸方向への力Ｆｘが作用した場合、図３（ａ）に示すように、ＲＦｘ１には引張歪（＋）が発生し、ＲＦｘ２には圧縮歪（−）が発生する。この時、図５（ａ）に示すＦｘブリッジ６ａにおいて、ＲＦｘ１の抵抗が増加し、ＲＦｘ２の抵抗が減少すると、前記Ｆｘブリッジ６ａのバランスが崩れ、不平衡電圧として出力電圧を検出する。また、表１に示すように、前記Ｆｘの作用に対しては、Ｆｚブリッジ６ｃ、Ｍｙブリッジ６ｅ、及び前記Ｍｚ回路１０を構成する前記各歪ゲージ５の抵抗も変化を示すが、該Ｆｚブリッジ６ｃでは、ＲＦｚ１とＲＦｚ４、及びＲＦｚ２とＲＦｚ３の組合わせが１辺の位置にくるブリッジ構成となっており、表１に示すように、ＲＦｚ１とＲＦｚ２の抵抗が増加し、ＲＦｚ３とＲＦｚ４の抵抗が減少した場合には、Ｆｚブリッジ６ｃのバランスは崩れず、出力電圧は検出しない。同様な理由により、前記Ｍｙブリッジ６ｅも出力電圧を検出しない。また、前記Ｍｚ回路１０を構成するＲＭｚ１の出力電圧は増加し、ＲＭｚ２の出力電圧は減少するが、図６（ｃ）に示す前記合計演算回路１１によって両者の出力電圧が合計されて打ち消し合うため、前記Ｍｚ回路１０全体としては、出力電圧を検出しない。
【００３８】
ｙ軸方向への力Ｆｙが作用した場合、表１に示すように、ＲＦｙ１の抵抗は増加し、ＲＦｙ２の抵抗が減少する。この場合、図５（ｂ）に示すＦｙブリッジ６ｂのバランスは崩れ、出力電圧を検出する。また、表１によると、Ｍｘブリッジ６ｄを構成する前記各歪ゲージ５の抵抗も変化を示すが、図６（ａ）に示すブリッジ構成を有する前記Ｍｘブリッジ６ｄでは、対角成分同士が打ち消し合ってバランスは崩れず、出力電圧は検出しない。
【００３９】
ｚ軸方向への力Ｆｚが作用した場合、ｘ軸に沿う前記センサ基部３には、図３（ｃ）に示すような変形が生じる。この時、図５（ｃ）に示す前記Ｆｚブリッジ６ｃにおいて、ＲＦｚ１とＲＦｚ４の抵抗が増加し、ＲＦｚ２とＲＦｚ３の抵抗が減少することにより、バランスが崩れ、出力電圧を検出する。一方、表１に示すように、前記Ｆｘブリッジ６ａ、前記Ｆｙブリッジ６ｂ、前記Ｍｘブリッジ６ｄ、及び前記Ｍｙブリッジ６ｅにおいても、前記各歪ゲージ５の抵抗が変化を示すが、各ブリッジのバランスは崩れず、出力電圧は検出しない。
【００４０】
ｘ軸回りのモーメントＭｘが作用した場合、表１に示すように、ＲＭｘ１とＲＭｘ３の抵抗は増加し、ＲＭｘ２とＲＭｘ４の抵抗は減少することにより、図６（ａ）に示す前記Ｍｘブリッジ６ｄのバランスが崩れ、出力電圧を検出する。また、前記Ｍｘの作用に対して、他のブリッジを構成する前記歪ゲージ５の抵抗は変化を示さない。
【００４１】
ｙ軸回りのモーメントＭｙが作用した場合、ｘ軸に沿う前記センサ基部３には、図３（ｂ）に示すような変形が生じる。この時、図６（ｂ）に示す前記Ｍｙブリッジ６ｅにおいて、ＲＭｙ１とＲＭｙ３の抵抗は増加し、ＲＭｙ２とＲＭｙ４の抵抗は減少することにより、バランスが崩れ、出力電圧を検出する。一方、表１に示すように、前記Ｆｚブリッジ６ｃを構成する前記各歪ゲージ５の抵抗も変化を示すが、図５（ｃ）に示すＦｚブリッジのバランスは崩れず、出力電圧は検出しない。また、前記Ｍｚ回路１０を構成する前記各歪ゲージ５の各出力電圧も変化を示すが、前記Ｆｘの場合と同様の理由で出力電圧は検出しない。
【００４２】
ｚ軸回りのモーメントＭｚが作用した場合、表１に示すように、ＲＭｚ１とＲＭｚ２の抵抗は、符号も大きさも等しい変化を示す。この時、図６（ｃ）に示す前記Ｍｚ回路１０では、各出力電圧を合計した結果が出力電圧として検出される。また、前記Ｍｚの作用に対して、他のブリッジを構成する前記歪ゲージ５の抵抗は変化を示さない。これは、全ての前記歪ゲージ５は、せん断応力に対する感度が０であるためである。
【００４３】
以上のように、ある軸力の作用に対しては、それに対応するブリッジのみが出力電圧を検出し、他のブリッジが影響を受けることはない。これにより、６軸力を同時に、且つ独立して検出することが可能となっている。
【００４４】
一方、前記通常型歪ゲージ５ａのピエゾ抵抗効果は、以下の式（１）によって表される。
【数１】
2004045044.tif 000006
ここで、ΔＲ／Ｒは、縦方向の応力σｌと、横方向の応力σｔにより生じる抵抗変化率であり、πｌ及びπｔは、それぞれの方向に応じたピエゾ抵抗係数である。本実施形態では、前記歪ゲージ５に予期せぬ応力成分が加わることのないよう、２本の前記センサ基部３の固定端部より十分に離して前記歪ゲージ５を配置している。従って、前記通常型歪ゲージ５ａ各々に加わる応力は、σｌのみと考えられ、σｔは０とすることができる。よって、式（１）は以下のように書き直すことができる。
【数２】
2004045044.tif 000007
これにより、前記通常型歪ゲージ５ａにおける、前記抵抗変化率の理論値を算出できる。
【００４５】
また、前記せん断型歪ゲージ５ｂのピエゾ抵抗効果は、以下の式（３）によって表される。
【数３】
2004045044.tif 000008
ここで、Ｖｏｕｔはせん断応力τｓに対する前記せん断型歪ゲージ５ｂの出力電圧、Ｖｉｎは供給電圧であり、πｓはせん断応力に対するピエゾ抵抗係数である。また、前記Ｍｚ回路１０における前記合計演算回路１１は、以下の式によって表される。
【数４】
2004045044.tif 000009
これにより前記せん断型歪ゲージ５ｂの出力電圧の理論値を算出できる。ここで、ＶｏｕｔＭｚ１、ＶｏｕｔＭｚ２は、前記ＲＭｚ１、及び前記ＲＭｚ２の出力電圧であり、式（３）により算出できる。
【００４６】
図８に示したグラフは、前記６軸力センサ１に対して、正確な大きさの力を作用させ、その時に検出される出力電圧と、式（２）及び式（４）に基づいて計算される、出力電圧の理論値との関係を示したものである。これによると、Ｆｘ、Ｆｙ、Ｆｚ、及びＭｚに関しては、測定値と理論値はかなり合致している。Ｍｘ及びＭｙについては、測定値は十分な線形性は有しているものの、理論値と較べて３０％程度の誤差を生じた。しかし、これは許容範囲内の誤差と言え、適宜出力の増幅等を補正すればよい。
【００４７】
【発明の効果】
以上説明したように、請求項１の発明によれば、センサ基部の上面を、シリコン半導体の面方位（１１１）の結晶面とすることにより、第３軸回りのモーメントに対する感度と、それ以外の５軸力に対する感度を同時に得ることができる。
【００４８】
請求項２の発明によれば、上述の効果に加えて、前記第１軸方向への力の検出のために使用する前記通常型歪ゲージの数が従来に比べ少なくなることにより、センサチップの小型化、消費電力の削減を図ることができる。さらに、設計が容易で、製作は半導体ＩＣプロセスに適合しているためバッチ処理が可能であり、安価なチップを作製することが可能となる。
【００４９】
請求項３の発明によれば、上述の効果に加えて、第１軸方向への力を検出する通常型歪ゲージに対する第２軸回りのモーメントの影響を排除することが可能となる。
【００５０】
請求項４の発明によれば、上述の効果に加えて、前記第２軸方向への力の検出のために使用する前記通常型歪ゲージの数が従来に比べ少なくなることにより、センサチップの小型化、消費電力の削減を図ることができる。さらに、設計が容易で、製作は半導体ＩＣプロセスに適合しているためバッチ処理が可能であり、安価なチップを作製することが可能となる。
【００５１】
請求項５の発明によれば、上述の効果に加えて、第２軸方向への力を検出する通常型歪ゲージに対する第１軸回りのモーメントの影響を排除することが可能となる。
【００５２】
請求項６の発明によれば、上述の効果に加えて、前記第３軸方向への力の検出のために使用する前記通常型歪ゲージの数が従来に比べ少なくなることにより、センサチップの小型化、消費電力の削減を図ることができる。さらに、設計が容易で、製作は半導体ＩＣプロセスに適合しているためバッチ処理が可能であり、安価なチップを作製することが可能となる。
【００５３】
請求項７の発明によれば、上述の効果に加えて、前記第１軸回りのモーメントの検出のために使用する前記通常型歪ゲージの数が従来に比べ少なくなることにより、センサチップの小型化、消費電力の削減を図ることができる。さらに、設計が容易で、製作は半導体ＩＣプロセスに適合しているためバッチ処理が可能であり、安価なチップを作製することが可能となる。
【００５４】
請求項８の発明によれば、上述の効果に加えて、前記第２軸回りのモーメントの検出のために使用する前記通常型歪ゲージの数が従来に比べ少なくなることにより、センサチップの小型化、消費電力の削減を図ることができる。さらに、設計が容易で、製作は半導体ＩＣプロセスに適合しているためバッチ処理が可能であり、安価なチップを作製することが可能となる。
【００５５】
請求項９の発明によれば、上述の効果に加えて、前記第３軸回りのモーメントの検出のために前記せん断型歪ゲージを使用するため、歪ゲージの総数が従来に比べ少なくなることにより、センサチップの小型化、消費電力の削減を図ることができる。さらに、設計が容易で、製作は半導体ＩＣプロセスに適合しているためバッチ処理が可能であり、安価なチップを作製することが可能となる。
【００５６】
請求項１０の発明によれば、上述の効果に加えて、第１軸、及び第２軸を、力とモーメントの各々について等しい感度を有する２つの結晶方位のいずれか一方と他方に沿って定めることにより、第１軸方向と第２軸方向への感度を揃えることが可能となる。
【００５７】
請求項１１の発明によれば、上述の効果に加えて、センサ基部を略十字型の横断面形状とすることにより、他の形状の場合と比較して、引圧、曲げモーメント、及びねじりモーメントに対する感度を良くすることが可能となる。
【００５８】
請求項１２の発明によれば、上述の効果に加えて、前記通常型歪ゲージ各々に対する前記第３軸回りのモーメントの影響を排除することにより、各軸力の独立した検出が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態に係る６軸力覚センサの概略斜視図。
【図２】本発明の実施形態に係る６軸力覚センサの概略平面図。
【図３】本発明の実施形態に係るセンサ基部の変形を示す説明図。
【図４】本発明の実施形態に係るブリッジ回路全体を示す説明図。
【図５】本発明の実施形態に係るブリッジ回路を構成する各ブリッジを示す説明図。
【図６】本発明の実施形態に係るブリッジ回路を構成する各ブリッジ、及びＭｚ回路を示す説明図。
【図７】本発明を組み込んだチップを示す概略斜視図。
【図８】本発明の実施形態に係る測定値と理論値の関係を示すグラフ。
【図９】従来例に係る６軸力覚センサの概略平面図。
【図１０】従来例に係るブリッジ回路全体を示す説明図。
【符号の説明】
１、１３　６軸力覚センサ
２　台座
３　センサ基部
４　力作用部
５　歪ゲージ
５ａ　通常型歪ゲージ
５ｂ　せん断型歪ゲージ
６　ブリッジ回路
９　変曲点
【図１】
2004045044.tif 000010
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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