(57)【要約】【課題】可変形状鏡の変形状態における制御パラメータに対する感度格差を低減することにより、反射面の形状制御性を向上させること。【解決手段】静電引力によって変形する反射面及び上部電極１２を有する可撓性薄膜２４と、上記上部電極１２に対向して配置された制御電極１８と、を備えた可変形状鏡１０と、上記可変形状鏡１０の上部電極１２及び制御電極１８間に電位差を与え、上記可変形状鏡１０の反射面の形状を所望の形状に制御する電源部とからなる可変形状鏡システムにおいて、上記上部電極１２及び制御電極１８に印加する電圧のデューティ比を変動させることによって上記反射面の変形量を制御する。【選択図】    図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
静電引力によって変形する反射面及び上部電極を有する可撓性薄膜と、前記上部電極に対向して配置された制御電極と、を備えた可変形状鏡と、
前記可変形状鏡の上部電極及び制御電極間に電位差を与え、前記可変形状鏡の反射面の形状を所望の形状に制御する電源部と、
からなる可変形状鏡システムであって、
前記上部電極及び制御電極に印加する電圧のデューティ比を変動させることによって前記反射面の変形量を制御することを特徴とする可変形状鏡システム。
【請求項２】
前記上部電極及び制御電極間に印加する電圧の周波数は、前記反射面及び上部電極を含む可撓性薄膜の共振周波数以上とすることを特徴とする請求項１に記載の可変形状鏡システム。
【請求項３】
前記上部電極及び制御電極間に印加する電圧の周波数は、前記反射面及び上部電極を含む可撓性薄膜の共振周波数または最高可聴周波数のいずれか高い方の周波数以上とすることを特徴とする請求項１に記載の可変形状鏡システム。
【請求項４】
前記最高可聴周波数は、２０ＫＨｚであることを特徴とする請求項３に記載の可変形状鏡システム。
【請求項５】
前記上部電極及び制御電極間に印加される電圧の波形は、矩形波に比べて高周波成分が抑圧された波形であることを特徴とする請求項１に記載の可変形状鏡システム。
【請求項６】
前記電源部と前記上部電極間または前記電源部と前記制御電極間の電気回路中に、少なくとも抵抗またはインダクタンス成分を有する素子が挿入されていることを特徴とする請求項５に記載の可変形状鏡システム。
【請求項７】
前記可撓性薄膜または制御電極を支持する部材をシリコン基板で構成し、前記シリコン基板上に前記抵抗またはインダクタンス成分を有する素子を配置したことを特徴とする請求項６に記載の可変形状鏡システム。
【請求項８】
前記電源部は、前記可変形状鏡の上部電極または制御電極に流れる電流を所定の値以下に制限することを特徴とする請求項１に記載の可変形状鏡システム。
【請求項９】
静電引力によって変形する反射面及び上部電極を有する可撓性薄膜と、前記上部電極に対向して配置された制御電極と、を備えた可変形状鏡の上部電極及び制御電極間に電位差を与え、前記可変形状鏡の反射面の形状を所望の形状に制御する際に、
前記上部電極及び制御電極に印加する電圧のデューティ比を変動させることによって前記反射面の変形量を制御することを特徴とする反射面形状制御方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、静電気力により駆動する可変形状鏡システム、及び、可変形状鏡の反射面の変形量を制御する反射面形状制御方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
静電気力により駆動する装置は半導体製造技術を適用した、いわゆるＭＥＭＳ（Micro Electro-Mechanical System）技術を適用する事によって、小型・低コスト・高精度の装置が期待できる。
【０００３】
光ピックアップなどのマイク口オプティクスに適用される微小な光学系においては、従来は電磁式アクチュエータを用いていたフォーカシング等に関係する機構の簡素化を目的として、反射面の曲率を変えることができる超小型の可変形状鏡の提案が行われている。また、小型の撮像用光学系においても可変形状鏡の適用は小型化に大きく寄与することができる。
【０００４】
一般的に、このような可変形状鏡において静電引力により形状を変化させる場合は、反射面を有する上部電極と制御電極とを対向して構成し、これらの電極間に電圧を印加することで静電引力により反射面の形状を変化させる（例えば、特許文献１参照）。
【０００５】
【特許文献１】
特開平２−１０１４０２号公報
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
上述のような可変形状鏡において、可変形状鏡に直流電圧を印加し、この電圧値により反射面の変形量を制御する（以降、定電圧制御と称する）場合、印加する電圧値がこの反射面の変形量を規定する制御パラメータとなる。しかし、反射面の変形量は制御パラメータに対して強い非線形を示し、変形量が小さい領域では感度が低く、大きい領域では高くなる。これは、反射面の形状制御を複雑にする要因となる。
【０００７】
本発明は、上記の点に鑑みてなされたもので、可変形状鏡の変形状態における制御パラメータに対する感度格差を低減することにより、反射面の形状制御性を向上させる可変形状鏡システム及び反射面形状制御方法を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために、請求項１に記載の発明による可変形状鏡システムは、
静電引力によって変形する反射面及び上部電極を有する可撓性薄膜と、上記上部電極に対向して配置された制御電極と、を備えた可変形状鏡と、
上記可変形状鏡の上部電極及び制御電極間に電位差を与え、上記可変形状鏡の反射面の形状を所望の形状に制御する電源部と、
からなる可変形状鏡システムであって、
上記上部電極及び制御電極に印加する電圧のデューティ比を変動させることによって上記反射面の変形量を制御することを特徴とする。
【０００９】
また、請求項２に記載の発明による可変形状鏡システムは、請求項１に記載の発明による可変形状鏡システムにおいて、上記上部電極及び制御電極間に印加する電圧の周波数は、上記反射面及び上部電極を含む可撓性薄膜の共振周波数以上とすることを特徴とする。
【００１０】
また、請求項３に記載の発明による可変形状鏡システムは、請求項１に記載の発明による可変形状鏡システムにおいて、上記上部電極及び制御電極間に印加する電圧の周波数は、上記反射面及び上部電極を含む可撓性薄膜の共振周波数または最高可聴周波数のいずれか高い方の周波数以上とすることを特徴とする。
【００１１】
また、請求項４に記載の発明による可変形状鏡システムは、請求項３に記載の発明による可変形状鏡システムにおいて、上記最高可聴周波数は、２０ＫＨｚであることを特徴とする。
【００１２】
また、請求項５に記載の発明による可変形状鏡システムは、請求項１に記載の発明による可変形状鏡システムにおいて、上記上部電極及び制御電極間に印加される電圧の波形は、矩形波に比べて高周波成分が抑圧された波形であることを特徴とする。
【００１３】
また、請求項６に記載の発明による可変形状鏡システムは、請求項５に記載の発明による可変形状鏡システムにおいて、上記電源部と上記上部電極間または上記電源部と上記制御電極間の電気回路中に、少なくとも抵抗またはインダクタンス成分を有する素子が挿入されていることを特徴とする。
【００１４】
また、請求項７に記載の発明による可変形状鏡システムは、請求項６に記載の発明による可変形状鏡システムにおいて、上記可撓性薄膜または制御電極を支持する部材をシリコン基板で構成し、上記シリコン基板上に上記抵抗またはインダクタンス成分を有する素子を配置したことを特徴とする。
【００１５】
また、請求項８に記載の発明による可変形状鏡システムは、請求項１に記載の発明による可変形状鏡システムにおいて、上記電源部は、上記可変形状鏡の上部電極または制御電極に流れる電流を所定の値以下に制限することを特徴とする。
【００１６】
また、上記の目的を達成するために、請求項９に記載の発明による反射面形状制御方法は、
静電引力によって変形する反射面及び上部電極を有する可撓性薄膜と、上記上部電極に対向して配置された制御電極と、を備えた可変形状鏡の上部電極及び制御電極間に電位差を与え、上記可変形状鏡の反射面の形状を所望の形状に制御する際に、
上記上部電極及び制御電極に印加する電圧のデューティ比を変動させることによって上記反射面の変形量を制御することを特徴とする。
【００１７】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面を参照して説明する。
【００１８】
［第１の実施の形態］
まず、本発明の第１の実施の形態を、図１の（Ａ）乃至図２を用いて説明する。
【００１９】
図１の（Ａ）は可変形状鏡１０の構成を示す図で、反射面兼上部電極１２及び外部リード電極１４を含む上部基板１６と、制御電極１８及び外部リード電極２０を含む下部基板２２とを示した斜視図である。
【００２０】
これら上部基板１６と下部基板２２は、上部電極１２と制御電極１８とが対向するように、適当なギャップを隔てて配置されている。ここで、外部リード電極１４，２０を介して、上部電極１２と制御電極１８との間に電圧を印加すると、両電極間に静電引力が働き、可撓性薄膜２４に支持された反射面が制御電極１８側へ撓み、曲率が変化する。
【００２１】
図１の（Ｂ）は、このような可変形状鏡１０と電圧印加装置２６との関係を模式的に示す図である。
【００２２】
電圧印加装置２６は、上記可変形状鏡１０へ印加する電圧を発生させる装置である。この電圧印加装置２６からの出力電圧をｖ（ｔ）、上記可変形状鏡１０に流入する電流をｉ（ｔ）とする。
【００２３】
図１の（Ｃ）は、上記可変形状鏡１０へ印加する電圧の波形の一例を示す図である。本実施の形態においては、同図に示すように、電圧の最大値を一定とし、印加する時間を制御する（ＰＷＭ制御）。同図において、実線はデューティ比が２５％、破線はデューティ比が５０％の印加電圧波形を示し、また、Ｖｍａｘは印加電圧の最大値を示している。このようなＰＷＭ制御の場合、デューティ比は反射面の変形量を規定し、Ｖｍａｘは反射面の最大変形量を規定する。また、Ｖｍａｘを一定値にすることで、反射面の変形量をデューティ比で一意的に決定する事ができる。
【００２４】
このようにＰＷＭ制御をした場合と、定電圧制御の場合とを比較する。
【００２５】
可変形状鏡１０を平行平板のコンデンサと考えると、上部電極１２と制御電極１８との間に生ずる静電引力は、次の（１）式で表される。
【００２６】
ｆ＝（１／２）ε（Ｖ／ｄ）２                          …（１）
但し、ｆ：静電引力、ε：電極間の誘電率、Ｖ：電極間の電圧、ｄ：電極間のギャップ、である。
【００２７】
また、ＰＷＭによりデューティ比を変えることにより、実効的な静電引力は、次の（２）式で表す事ができる。
【００２８】
ｆ＝（１／２）ε（Ｖｍａｘ／ｄ）２Ｄ                  …（２）
但し、ｆ：静電引力、ε：電極間の誘電率、Ｖｍａｘ：電極間の最大電圧値、ｄ：電極間のギャップ、Ｄ：デューティ比、である。
【００２９】
上記（１）式により、定電圧制御の場合、静電引力は、印加電圧つまり制御パラメータの二乗に比例する事になる。一方、上記（２）式により、ＰＷＭ制御の場合、静電引力は、デューティ比つまり制御パラメータに比例する事になる。
【００３０】
図２は、ＰＷＭ制御と定電圧制御を行った場合の可変形状鏡１０の中心変位特性の測定結果である。測定に使用した可変形状鏡１０は、反射面及び上部電極１２がφ８ｍｍの円形形状であり、上部電極１２と制御電極１８との間のギャップは２５μｍである。ＰＷＭ制御の波形条件は、周波数が２０ｋＨｚ、Ｖｍａｘが１００Ｖである。この図２の横軸は、ＰＷＭ制御の場合がデューティ比を、定電圧制御の場合が電圧値を示している。また、縦軸は、反射面の中心の変位量を示している。
【００３１】
同図に示すように、ＰＷＭ制御の方が定電圧制御に比べ入力パラメータに対する中心変位量の線形性が高くなり、反射面の変形制御が容易になる。ちなみに、ＰＷＭ制御における、デューティ比と中心変位量の線形からのずれ、また、定電圧制御における、印加電圧と中心変位量の二乗特性からのずれは、反射膜が変形するにつれ、上部電極１２と制御電極１８との間のギャップが狭くなり、実質的に可変形状鏡１０の等価静電容量が大きくなる為である。
【００３２】
また、ＰＷＭ制御の周波数を、反射面と上部電極１２とを有する可撓性薄膜２４の共振周波数にしてしまうと、反射面が共振により大きく振動してしまい、反射面の形状を制御する事が出来なくなってしまう。その為、周波数は反射面と上部電極１２とを有する可撓性薄膜２４の共振周波数以上にする必要がある。また、可聴領域の周波数を印加した場合、可変形状鏡１０の微小な振動により振動音が発生する。この振動音が問題となる場合は、ＰＷＭ制御時の周波数を可聴周波数以上にする必要がある。一般的に人間の可聴周波数は２０ｋＨｚ程度までの為、ＰＷＭ制御時の周波数を２０ｋＨｚ以上にする事で、この振動音は聞こえなくなる。
【００３３】
［第２の実施の形態］
次に、本発明の第２の実施の形態を、図３の（Ａ）及び（Ｂ）を用いて説明する。
【００３４】
可変形状鏡１０は、電気特性ではコンデンサと等価に考える事ができる。その為、ＰＷＭ制御により電圧の状態が遷移する時、可変形状鏡１０に電流が流れる。仮に、図３の（Ａ）の破線で示すように電圧の遷移が急峻な矩形波を可変形状鏡１０に印加した場合、図３の（Ｂ）の破線で示すように、この可変形状鏡１０に流れる電流は最大値の大きいパルス波形となる。このような電流は、電源への負荷が大きくなる。特に、携帯機器のように電源容量が限られている機器に可変形状鏡１０を適用する場合は非常に大きな問題となる。
【００３５】
このようなピーク電流を低減させる方法として、本第２の実施の形態では、電圧印加装置２６から発生する電圧波形を高周波成分の小さい波形にする。
【００３６】
その方法としては、図３の（Ａ）の実線で示すように、台形波形を可変形状鏡１０に印加するものである。即ち、可変形状鏡１０へ流れる電流をｉ、台形波形の勾配をα、可変形状鏡１０の等価静電容量をＣとすると、ｉ＝αＣで表されるので、このように勾配を小さくする事で、ピーク電流を低減させる事が可能となる。即ち、図３の（Ｂ）の実線で示すように、破線に比べて積算量は同じでもピーク値が非常に小さい波形とすることができる。
【００３７】
［第３の実施の形態］
次に、本発明の第３の実施の形態を、図４の（Ａ）乃至（Ｃ）を用いて説明する。
【００３８】
本第３の実施の形態では、上記のようなピーク電流を低減させる方法として、可変形状鏡１０へ流れる電流を検出し、規定値以上の電流が流れないようにする構成をとっている。
【００３９】
即ち、図４の（Ａ）に示すように、本実施の形態に係る可変形状鏡システムは、可変形状鏡１０へ流れる電流を検出する電流検出器２８を有すると共に、電圧印加装置２６が、上記電流検出器２８の出力により、電流値が規定値を超えないよう制御する電流リミッタ３０を備えたものとしている。
【００４０】
このような構成とすることにより、図４の（Ｂ）及び（Ｃ）に示すように、可変形状鏡１０へ流れる電流が、規定値（ｉｍａｘ）以下の場合は、電圧印加装置２６の出力電圧の勾配は大きいままであるが、規定値に達した時にはそれ以上とならないように電流を制限することで、電圧印加装置２６の出力電圧の勾配は小さくなる。
【００４１】
このような帰還をかける事により、可変形状鏡１０の負荷変動に関わらず、規定電流以下で、電圧の遷移時間を最短にする事ができる。即ち、ＰＷＭ制御では、電圧の遷移時間は、デューティ比の誤差原因となり、また、電圧印加時間の最小幅を決定する要因になる為、出来る限り短くする必要がある。その為、本実施の形態に示すように、可変形状鏡１０の負荷変動に関わらず、規定電流以下で、電圧の遷移時間を最短にする事は、可変形状鏡１０の制御精度を向上させる為に非常に有効である。
【００４２】
［第４の実施の形態］
次に、本発明の第４の実施の形態を、図５の（Ａ）及び（Ｂ）を用いて説明する。
【００４３】
本第４の実施の形態は、上記のようなピーク電流を低減させる方法として、電圧印加装置２６と制御電極１８との間に、抵抗またはインダクタンスまたはこれら双方を挿入する構成をとったものである。抵抗及びインダクタンスは高周波に対してインピーダンスを持つ為、これらの素子を電圧印加装置２６と制御電極１８との間に挿入することにより、可変形状鏡１０に印加する電圧の高周波成分を小さくする事ができる。
【００４４】
即ち、図５の（Ａ）に示すように、電圧印加装置２６と制御電極１８との間に抵抗Ｒを挿入する事により、電圧印加装置２６からの出力波形が矩形波であったとしても、可変形状鏡１０に印加される電圧ｖ’（ｔ）は、図５の（Ｂ）に示すように、遷移時がなまった波形になる。これにより、ピーク電流を低減させる事が可能となる。
【００４５】
なお、上記抵抗Ｒの値は、立ち上がり及び立下り時間、可変形状鏡１０の等価静電容量、ＰＷＭ制御の最大電圧値、最大ピーク電流を考慮し、決定される。
【００４６】
また、抵抗Ｒの代わりに、インダクタンスを挿入しても、高周波に対するインピーダンスは高くなるが、インピーダンス成分と可変形状鏡１０の等価静電容量により、共振してしまう可能性がある為、抵抗成分をさらに付加するか、インダクタンスの値を注意する等の配慮が必要となる。
【００４７】
また、これらの素子は可変形状鏡１０を構成する基板（上部基板１６）をシリコン基板とする事で、半導体製造技術により、比較的容易に基板上にモノリシックに形成する事が可能である。こうすることで、必要な構成要素を可変形状鏡１０内に作り込む事ができるので、以上の外部素子を付加する必要が無くなり。システムを小型化するのに有効である。
【００４８】
以上実施の形態に基づいて本発明を説明したが、本発明は上述した実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨の範囲内で種々の変形や応用が可能なことは勿論である。
【００４９】
（付記）
前記の具体的実施の形態から、以下のような構成の発明を抽出することができる。
【００５０】
（１）  静電引力によって変形する反射面及び上部電極を有する可撓性薄膜と、上記上部電極に対向して配置された制御電極と、を備えた可変形状鏡と、
上記可変形状鏡の上部電極及び制御電極間に電位差を与え、上記可変形状鏡の反射面の形状を所望の形状に制御する電源部と、
からなる可変形状鏡システムであって、
上記上部電極及び制御電極に印加する電圧のデューティ比を変動させることによって上記反射面の変形量を制御することを特徴とする可変形状鏡システム。
【００５１】
（対応する実施の形態）
この（１）に記載の可変形状鏡システムに関する実施の形態は、第１の実施の形態が該当する。
（手段）
この（１）に記載の可変形状鏡システムでは、ＰＷＭ制御により可変形状鏡１０を制御する。
（作用効果）
この（１）に記載の可変形状鏡システムによれば、定電圧制御における印加電圧と中心変位量との関係と比較すると、ＰＷＭ制御におけるデューティ比と中心変位量との関係が線形的になるため、制御が容易になる。
【００５２】
（２）  上記上部電極及び制御電極間に印加する電圧の周波数は、上記反射面及び上部電極を含む可撓性薄膜の共振周波数以上とすることを特徴とする（１）に記載の可変形状鏡システム。
【００５３】
（対応する実施の形態）
この（２）に記載の可変形状鏡システムに関する実施の形態は、第１の実施の形態が該当する。
（手段）
この（２）に記載の可変形状鏡システムでは、ＰＷＭ制御の周波数を反射面と上部電極１２とを有する可撓性薄膜２４の共振周波数以上で駆動する。
（作用効果）
この（２）に記載の可変形状鏡システムによれば、反射面と上部電極１２とを有する可撓性薄膜２４が共振を起こす事を防ぐ。
【００５４】
（３）  上記上部電極及び制御電極間に印加する電圧の周波数は、上記反射面及び上部電極を含む可撓性薄膜の共振周波数または最高可聴周波数のいずれか高い方の周波数以上とすることを特徴とする（１）に記載の可変形状鏡システム。
【００５５】
（対応する実施の形態）
この（３）に記載の可変形状鏡システムに関する実施の形態は、第１の実施の形態が該当する。
（手段）
この（３）に記載の可変形状鏡システムでは、ＰＷＭ制御の周波数を反射面と上部電極１２とを有する可撓性薄膜２４の共振周波数または可聴周波数のどちらか高い周波数以上で駆動する。
（作用効果）
この（３）に記載の可変形状鏡システムによれば、反射面と上部電極１２とを有する可撓性薄膜２４が共振を起こす事、及び、微小振動による振動音を防ぐ。
【００５６】
（４）  上記最高可聴周波数は、２０ＫＨｚであることを特徴とする（３）に記載の可変形状鏡システム。
【００５７】
（対応する実施の形態）
この（４）に記載の可変形状鏡システムに関する実施の形態は、第１の実施の形態が該当する。
（手段）
この（４）に記載の可変形状鏡システムでは、ＰＷＭ制御の周波数を反射面と上部電極１２とを有する可撓性薄膜２４の共振周波数または２０ｋＨｚのどちらか高い周波数以上で駆動する。
（作用効果）
この（４）に記載の可変形状鏡システムによれば、反射面と上部電極１２とを有する可撓性薄膜２４が共振を起こす事、及び、微小振動による振動音を防ぐ。
【００５８】
（５）  上記上部電極及び制御電極間に印加される電圧の波形は、矩形波に比べて高周波成分が抑圧された波形であることを特徴とする（１）に記載の可変形状鏡システム。
【００５９】
（対応する実施の形態）
この（５）に記載の可変形状鏡システムに関する実施の形態は、第２の実施の形態が該当する。
（手段）
この（５）に記載の可変形状鏡システムでは、電圧印加装置２６で台形波形を生成し、可変形状鏡１０に印加する。
（作用効果）
この（５）に記載の可変形状鏡システムによれば、ＰＷＭ制御により電圧の状態が遷移する時に流れる電流の最大値を小さくし、電源への負荷を軽減する事ができる。
【００６０】
（６）  上記電源部と上記上部電極間または上記電源部と上記制御電極間の電気回路中に、少なくとも抵抗またはインダクタンス成分を有する素子が挿入されていることを特徴とする（５）に記載の可変形状鏡システム。
【００６１】
（対応する実施の形態）
この（６）に記載の可変形状鏡システムに関する実施の形態は、第４の実施の形態が該当する。
（手段）
この（６）に記載の可変形状鏡システムでは、抵抗またはインダクタンスまたはこれら双方を電源及び制御電極１８間に挿入する。
（作用効果）
この（６）に記載の可変形状鏡システムによれば、電圧印加装置２６からの出力波形を矩形波としても可変形状鏡１０に印加される電圧は遷移時がなまった波形になるため、ピーク電流を低減させる事が可能となる。
【００６２】
（７）  上記可撓性薄膜または制御電極を支持する部材をシリコン基板で構成し、上記シリコン基板上に上記抵抗またはインダクタンス成分を有する素子を配置したことを特徴とする（６）に記載の可変形状鏡システム。
【００６３】
（対応する実施の形態）
この（７）に記載の可変形状鏡システムに関する実施の形態は、第４の実施の形態が該当する。
（手段）
この（７）に記載の可変形状鏡システムでは、可変形状鏡１０を構成する基板をシリコン基板とし、半導体製造技術により、シリコン基板上に抵抗またはインダクタンスまたはこれら双方をモノリシックに形成する。
（作用効果）
この（７）に記載の可変形状鏡システムによれば、システムを小型化するのに有効である。
【００６４】
（８）  上記電源部は、上記可変形状鏡の上部電極または制御電極に流れる電流を所定の値以下に制限することを特徴とする（１）に記載の可変形状鏡システム。
【００６５】
（対応する実施の形態）
この（８）に記載の可変形状鏡システムに関する実施の形態は、第３の実施の形態が該当する。
（手段）
この（８）に記載の可変形状鏡システムでは、電流検出器２８により、可変形状鏡１０へ流れる電流を検出し、規定電流以上の電流が流れないように電流を制限する。
（作用効果）
この（８）に記載の可変形状鏡システムによれば、可変形状鏡１０の負荷変動に関わらず、規定電流以内で、電圧の遷移時間を最短にする事ができる。
【００６６】
（９）  静電引力によって変形する反射面及び上部電極を有する可撓性薄膜と、上記上部電極に対向して配置された制御電極と、を備えた可変形状鏡の上部電極及び制御電極間に電位差を与え、上記可変形状鏡の反射面の形状を所望の形状に制御する際に、
上記上部電極及び制御電極に印加する電圧のデューティ比を変動させることによって上記反射面の変形量を制御することを特徴とする反射面形状制御方法。
【００６７】
（対応する実施の形態）
この（９）に記載の反射面形状制御方法に関する実施の形態は、第１の実施の形態が該当する。
（手段）
この（９）に記載の反射面形状制御方法では、ＰＷＭ制御により可変形状鏡１０を制御する。
（作用効果）
この（９）に記載の反射面形状制御方法によれば、定電圧制御における印加電圧と中心変位量の関係と比較すると、ＰＷＭ制御におけるデューティ比と中心変位量の関係が線形的になるため、制御が容易になる。
【００６８】
【発明の効果】
以上詳述したように、本発明によれば、可変形状鏡の変形状態における制御パラメータに対する感度格差を低減することにより、反射面の形状制御性を向上させる可変形状鏡システム及び反射面形状制御方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（Ａ）は本発明の第１の実施の形態に係る可変形状鏡システムにおける可変形状鏡の構成を示す図、（Ｂ）は可変形状鏡と電圧印加装置との関係を模式的に示す図であり、（Ｃ）は可変形状鏡へ印加する電圧の波形の一例を示す図である。
【図２】ＰＷＭ制御と定電圧制御を行った場合の可変形状鏡の中心変位特性の測定結果を示す図である。
【図３】（Ａ）及び（Ｂ）はそれぞれ本発明の第２の実施の形態に係る可変形状鏡システムにおける可変形状鏡へ印加する電圧及び可変形状鏡に流れる電流の波形の一例を示す図である。
【図４】（Ａ）は本発明の第３の実施の形態に係る可変形状鏡システムを模式的に示す図であり、（Ｂ）及び（Ｃ）はそれぞれ可変形状鏡へ印加する電圧及び可変形状鏡に流れる電流の波形の一例を示す図である。
【図５】（Ａ）は本発明の第４の実施の形態に係る可変形状鏡システムを模式的に示す図であり、（Ｂ）は可変形状鏡へ印加する電圧の波形の一例を示す図である。
【符号の説明】
１０      可変形状鏡
１２      反射面兼上部電極
１４，２０      外部リード電極
１６      上部基板
１８      制御電極
２２      下部基板
２４      可撓性薄膜
２６      電圧印加装置
２８      電流検出器
３０      電流リミッタ
Ｒ      抵抗
【図１】
2004198626.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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