(57)【要約】【課題】精密な検出が可能な変位センサを提供する。【解決手段】本変位センサは、コイル内部において変位可能に配置された導電棒ＡＢの変位をコイル両端間電圧Ｖｏに基づいて検出する変位センサにおいて、コイルＬを囲む磁束補強材ＲＭと、磁束補強材ＲＭの外側に設けられた磁束遮蔽材ＳＤとを備えている。【選択図】　図１
2004077135.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コイル内部において変位可能に配置された導電棒の変位を前記コイル両端間電圧に基づいて検出する変位センサにおいて、前記コイルを囲む高透磁率且つ高抵抗の磁束補強材と、前記磁束補強材を囲む磁束遮蔽材とを備えることを特徴とする変位センサ。
【請求項２】
前記コイルの数は１個であることを特徴とする請求項１に記載の変位センサ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、変位センサに関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来の変位センサは特許２６６８７８５号公報に記載されている。この変位センサは、１次コイルと２次コイルを有する差動変圧器を構成している。
【０００３】
例えば、この変位センサを用いて、自動車エンジンのバルブリフト量を検出する場合、２次コイルを検出用としてバルブ近傍のセンサ部に内設し、他方のコイルはダミーコイルとしてセンサ部の外部に配置している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来の変位センサでは、ダミーコイルが外部導電体の近くに装着された場合、この外部導電体がダミーコイルへ影響を与え、変位センサの出力が変動するという問題がある。
【０００５】
また、エンジンスペースの関係から、変位センサの長さ方向を短くする必要がある。変位センサの長さを短くするためには、１個のコイルのみを用いた変位センサが好適であるが、ダミーコイルがないため、変位センサの出力が変動し、精密な検出ができないという問題がある。
【０００６】
本発明は、このような課題に鑑みてなされたものであり、精密な検出が可能な変位センサを提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る変位センサは、コイル内部において変位可能に配置された導電棒の変位を前記コイル両端間電圧に基づいて検出する変位センサにおいて、前記コイルを囲む高透磁率且つ高抵抗の磁束補強材と、前記磁束補強材を囲む磁束遮蔽材とを備えることを特徴とする。
【０００８】
ここで、磁束補強材は、高透磁率であるため、コイル周囲の磁束を増加させることにより検出感度を増加させると共に、自身で発生する渦電流は高抵抗であるため小さく、したがって、検出感度の低下が抑制される。更に、磁束遮蔽材は外部導電体の影響を抑制することによって出力変動を抑制するので、検出感度が高いにも拘らず外的要因による出力変動が抑制されることとなる。
【０００９】
また、コイルの数は１個であることが好ましい。この場合、変位センサの長さを短くすることができ、コイル数が１個であるため、出力変動が生じ易いにも拘らず、上述の構成によって、検出感度の変動を抑制することができる。なお、本発明は、回路的に出力変動を抑制することを排するものではない。
【００１０】
また、「高透磁率」とは、空気よりも透磁率が高いものであり、「高抵抗」とは鉄よりも抵抗が高いものとする。なお、磁束遮蔽材は、磁束吸収作用のある軟磁性体を含むことが好ましく、外部ノイズを遮断するという目的では導電体材料であることが好ましい。すなわち、好適な磁束遮蔽材は磁性体且つ導電体である。
【００１１】
【発明の実施の形態】
以下、実施の形態に係る変位センサについて説明する。なお、同一要素には同一符号を用い、重複する説明は省略する。
【００１２】
図１は変位センサの縦断面図である。変位センサは、コイルＬ内に配置された金属コアとしての導電棒ＡＢの軸方向（矢印Ｚで示す）変位を、コイルＬの両端間の電圧に応じて検出する。コイルＬはソレノイドコイルである。なお、コイルの「両端」とは物理的両端ではなく、コイルの電気的な両端である。本例のコイルＬの数は１つである。また、本例の導電棒ＡＢはアルミニウム等の非磁性体からなる。
【００１３】
コイルＬの両端間には交流電源によって、一定の振幅及び周波数を有する交流電流が供給されており、検出部によってコイル両端間電圧を検出することにより、コイルＬ内に配置された導電棒ＡＢの軸方向変位を測定することができる。
【００１４】
導電棒ＡＢはコイルＬの一方の開口ＯＰを介してコイルＬ内に挿入されている。基準位置Ｚ０からの導電棒ＡＢの変位を挿入量ΔＺとする。導電棒ＡＢの挿入量ΔＺに対するコイルＬのインダクタンス変化量ΔＬは、導電棒ＡＢ内で発生する単位長当たりの渦電流に略比例する。コイルのインダクタンスはＬ−ΔＬとなる。インダクタンスに応じてインピダンスは高くなるので、コイル両端の電圧Ｖｏは低くなる。すなわち、導電棒ＡＢの挿入量ΔＺを拡大すると、コイル両端間電圧Ｖｏは小さくなる。
【００１５】
コイルＬは下部容器Ｈ１内に配置されており、下部容器Ｈ１の上端開口部は上部容器Ｈ２に取り付けられるフランジを構成している。下部容器Ｈ１と上部容器Ｈ２はフランジの部分でスポット溶接してある。下部容器Ｈ１は外部導電体Ｃの貫通孔内に嵌っており、フランジは外部導電体Ｃの表面に当接している。このフランジは、螺子ＳＣによって外部導電体Ｃに固定されている。
【００１６】
容器Ｈ１，Ｈ２の材料はＡｌとすることもできるが、電磁シールドの観点からは軟磁性体であることが好ましい。コイルＬの両端は上部容器Ｈ２内に設けられた端子（Ｔ１，Ｔ２：図２参照）に電気的に接続されている。
【００１７】
下部容器Ｈ１及び上部容器Ｈ２によって構成されるハウジング内にはコイルボビンＢＢが配置されており、コイルＬを構成する導電線はコイルボビンＢＢに巻かれている。コイルボビンＢＢは熱硬化性フェノール樹脂（ベークライト）製であり、その表面にはメッキが施されている。コイルＬはエナメル線からなり、好適にはポリウレタン銅線からなる。
【００１８】
コイルＬの線径は０．１４ｍｍであり、巻き数は４００回である。このコイルＬの両端は、入力端子Ｔ１，Ｔ２を与えるリード線ＬＷにそれぞれ半田付けされており、また、ポッティング剤で接着してある。上部容器Ｈ２には、ゴムブッシュＲＢが設けられており、ゴムブッシュＲＢはリード線ＬＷを上部容器Ｈ２に固定している。
【００１９】
本変位センサは、コイルＬの内部において変位可能に配置された導電棒ＡＢの変位をコイル両端間電圧Ｖｏに基づいて検出する変位センサにおいて、コイルＬを囲む磁束補強材ＲＭと、磁束補強材ＲＭを囲む磁束遮蔽材ＳＤとを備えている。
【００２０】
本例では、磁束遮蔽材ＳＤは上部容器Ｈ２及び下部容器Ｈ１（保護ケース）と同一であるが、これらは別部材としてもよい。磁束遮蔽材ＳＤは、鉄板（ＳＰＥＣ）からなり、メッキが施してある。
【００２１】
ここで、磁束補強材ＲＭは、高透磁率であるため、コイル周囲の磁束を増加させることにより検出感度を増加させるが、高抵抗であるため、自身で発生する渦電流は小さく、検出感度の低下が抑制される。磁束補強材ＲＭは好適にはアモルファス合金からなる。このアモルファス合金は、Ｃｏ系アモルファス磁性薄帯であり（日本非晶質金属（株）製：製品番ＭＥＴＧＬＡＳ２７０５Ｍ）、この薄帯を２巻きし、コイルＬにポッティング材を用いて接着してある。
【００２２】
磁束遮蔽材ＳＤは外部導電体の影響を抑制することによって、出力変動を抑制するので、検出感度が高いにも拘らず外的要因による出力変動が抑制されることとなる。
【００２３】
また、コイルＬの数は１個であるので、変位センサの長さを短くすることができる。この場合、出力変動が生じ易いが、上述の構成によって、検出感度の変動を抑制することができる。本発明は、回路的に出力変動を抑制するものを排するものではない。
【００２４】
また、「高透磁率」とは、空気よりも透磁率が高いものであり、「高抵抗」とは鉄よりも抵抗が高いものである。本例では、磁束補強材ＲＭは、磁束遮蔽材よりも透磁率及び抵抗が高いものとする。なお、磁束遮蔽材ＳＤは、磁束吸収作用のある軟磁性体を含むことが好ましく、外部ノイズを遮断するという目的では導電体材料であることが好ましい。すなわち、好適な磁束遮蔽材は磁性体且つ導電体である。
【００２５】
図２は変位センサに接続される変位センサ用外部回路のブロック図である。
【００２６】
この回路は、コイルＬの両端Ｔ１，Ｔ２間に一定の振幅を有する交流電流を供給する交流電源（発振回路）ＯＳＣと、コイルＬの両端Ｔ１，Ｔ２に入力端子が接続された電圧検出回路（差動増幅回路）ＤＩＦを備えている。コイル両端間電圧ＶｏはコイルＬのインピダンスと電流に比例するので、電流の周波数と振幅を一定とすれば、インピダンスと電流を固定することができ、電圧検出回路ＤＩＦによってコイル両端間電圧Ｖｏ、すなわち導電棒挿入量ΔＺを精密に測定することができる。
【００２７】
コイルＬの一方の端子Ｔ２は電流検出用抵抗Ｒを介してグランドに接続されており、この抵抗Ｒを流れる電流が一定となるように、定電流回路ＣＣは端子Ｔ１に供給する電流を制御する。発振回路ＯＳＣの出力電圧に定電流回路ＣＣの出力電流は同期している。電圧検出回路ＤＩＦの出力であるコイル両端間電圧Ｖｏは後段の回路で処理され、外部に出力される。
【００２８】
なお、本例の交流電源ＯＳＣは１００ｋＨｚ〜１ＭＨｚの周波数の正弦波を出力する。例えば、周波数は２００ｋＨｚとし、コイルＬの内部抵抗は１５Ω、コイルのインダクタンスは４００μＨ、コイルＬのインダクタンス変化量は０〜４０μＨとする。インダクタンス変化量ΔＬは挿入量ΔＺに比例する。なお、コイルの合計インダクタンスはＬ−ΔＬとなり、電圧Ｖｏは挿入量（リフト量）ΔＺに対して直線的に減少する。
【００２９】
コイルＬの後段に設けられる出力処理回路は、電圧検出回路ＤＩＦから出力される交流信号Ｖｏを整流回路ＲＥＣ１によって全波又は半波整流し、整流後の信号をローパスフィルタ等の平滑回路ＬＰＦ１で平滑化することで、交流信号の振幅に応じた直流レベル信号を得ている。この直流レベル信号はＡ／Ｄ変換器によってデジタル信号に変換され、ＣＰＵに入力される。交流信号又は直流レベル信号は適当な箇所でオフセットレベル調整することができる。
【００３０】
図３はコイルＬの等価回路を示す回路図である。
【００３１】
この等価回路は、コイルＬのインダクタンス（Ｌ）、導電棒ＡＢによるインダクタンスの変化分ΔＬ、電流検出用抵抗Ｒ、インダクタンスＬの内部抵抗ｒを接続してなり、定電流回路ＣＣからコイルＬへの入力電圧Ｖｉ、コイルＬの出力電圧Ｖｏが図示の如く与えられる。
【００３２】
コイルＬの両端の電圧Ｖｏは（１）式で与えられる。なお、Ｖｏ及びＩは複素数であり、「ｊ」は虚数単位を示す。なお、発振回路ＯＳＣから出力されコイルＬに印加される交流信号の周波数を「ｆ」とする。角周波数「ω」と周波数「ｆ」とはω＝２πｆの関係を満たす。この交流信号はサイン波である。
【００３３】
【数１】
2004077135.tif 000003
【００３４】
妥当なコイルＬのインダクタンス（Ｌ）、インダクタンス変化量ΔＬ、内部抵抗ｒ、周波数ｆについて以下のように設定する。すなわち、Ｌ＝４００μＨ、ΔＬは０〜４０μＨ、ｒ＝１５Ω、ｆ＝２００ｋＨｚであるとする。
【００３５】
この場合、内部抵抗ｒは、リアクタンス成分ｊω（Ｌ−ΔＬ）に対して十分に小さな値となる。したがって、内部抵抗ｒはコイル両端間電圧Ｖｏに関しては無視することができる。したがって、コイル両端間電圧Ｖｏは以下の式を満たす。
【００３６】
【数２】
2004077135.tif 000004
【００３７】
交流電流Ｉの振幅及び周波数は一定であるとする。この場合、（２）式で与えられるコイル両端間電圧Ｖｏは、インダクタンスＬの変化分ΔＬに対して直線的に変化する。導電棒ＡＢのコイルＬへの挿入量を「ｘ」とし、単位挿入量に対するインダクタンスを「Ｌｏ」とすると、インダクタンス変化量ΔＬは、ΔＬ＝Ｌｏ・ｘで与えられる。
【００３８】
従って、（２）式で与えられるコイル両端間電圧Ｖｏは、（３）式で表現することができる。
【００３９】
【数３】
2004077135.tif 000005
【００４０】
（３）式から明らかなように、コイル両端間電圧Ｖｏは、挿入量ｘに対して直線的に減少する。なお、この電圧Ｖｏは整流及び平滑化が行われることにより、挿入量ｘに比例した直流電圧（平均値）となるが、この直流電圧に対して適当な反転増幅やレベル調整を行っても良い。
【００４１】
上述の変位センサの作用について説明する。上述の変位センサにおいては、コイルＬの数が１個であるため、コイルＬの両端間電圧Ｖｏは、周囲の金属の影響を特に受けることとなる。
【００４２】
図４は、コイルＬと周囲に位置する筒状導電体Ｃとの関係を説明するための図である。同図はコイルＬに通電したときのある一瞬の状態の磁束の流れを示している。コイルＬにより発生した磁束は、コイルＬの内側から出て外側に向かい、最後に内側に戻るループを描く。コイルＬの近傍に導電体Ｃが存在する場合、導電体Ｃの透磁率に応じた磁束が導電体Ｃ内を通る。
【００４３】
導電体ＣがＡｌの場合には透磁率μは約１である。導電体Ｃに交流の磁束が流れると、導電体Ｃ内に渦電流が発生する。渦電流損が発生すると、コイルＬのインダクタンスが変化することになり、最終出力が変化してしまう。すなわち、通常、変位センサを導電体Ｃに装着させたり、コイルＬの付近に導電体Ｃがあると、出力特性が変化する。コイルＬからの距離が近いほど磁束は導電体Ｃに影響を与えるので、コイルＬと導電体Ｃとの間隔が小さいほど出力特性に大きな影響が生じる。
【００４４】
一方、筒状の磁束遮蔽材ＳＤは周辺の導電体Ｃの影響を抑制する。すなわち、磁束遮蔽材ＳＤはコイルＬから発生する磁束が周辺の導電体Ｃを通らないように遮蔽する。
【００４５】
磁束遮蔽材ＳＤの効果を検証した。磁束遮蔽材ＳＤは、厚さは０．５ｍｍ、外径１３．０ｍｍを有し、鉄の板金（ＳＰＣＥメッキ製）からなることとした。外部導電体Ｃのセンサ取り付穴の直径を１３．１ｍｍとした。外部導電体Ｃも磁束遮蔽材ＳＤも無い場合における、挿入量ｘ（リフト量）０ｍｍ時の変位センサの出力を１００％とする。磁束遮蔽材ＳＤが無い場合、変位センサの出力は１８００％であり、磁束遮蔽材ＳＤが有る場合、変位センサの出力は０．１５％以下であった。
【００４６】
しかしながら、磁束遮蔽材ＳＤを用いた場合、磁束遮蔽材ＳＤ内部で渦電流が発生してしまう。磁束遮蔽材ＳＤによりコイルＬのインダクタンスが変化することになり、最終出力が低下してしまう。すなわち、このままの状態では検出感度が低下するという問題がある。その対策として磁束が通過しやすい高透磁率で渦電流損の小さい高抵抗率の磁束補強材ＲＭをコイルＬと磁束遮蔽材ＳＤとの間に介在させた。
【００４７】
これにより、コイルＬの外側の磁気抵抗は低減するため、磁束量が増加して検出感度の低下を防止することができる。ここで、磁束補強材ＲＭは、金属箔となるため、金族箔の巻数を増やすことにより、飽和磁束を増加させた。
【００４８】
図５は、各種磁束補強材ＲＭの箔の巻数に対する検出感度の変化率を示すグラフである。なお、同グラフ中の記号は、以下の磁束補強材ＲＭの種類を示すこととする。
【００４９】
すなわち、グラフ中のＡは、アモルファス２７０５Ｍを磁束補強材ＲＭとして用いた場合の特性を示し、グラフ中のＢは、ＮＫスーパーＥコア０５ＥＸ２５００を磁束補強材ＲＭとして用いた場合の特性を示し、グラフ中のＣは、鉄を磁束補強材ＲＭとして用いた場合の特性を示す。Ａ及びＢの示す材料は、双方とも高透磁率且つ高抵抗率である。
【００５０】
アモルファス２７０５Ｍは、日本非晶質金属（株）製の合金であり、Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉを主成分とし、Ｍｏ、Ｂ及びＳｉを含む磁性体からなり、直流透磁率３００００、抵抗率１３６μΩｃｍを有し、本例の場合は厚さ２０μｍ、幅１５ｍｍの帯状体である。本例では、巻数は２とした。
【００５１】
ＮＫスーパーＥコア０５ＥＸ２５００は、日本鋼管（株）製の合金であり、Ｓｉが６．５％添加された無方向性電磁鋼板であり、直流透磁率１６０００、抵抗率８２μΩｃｍを有し、本例の場合は厚さ５０μｍ、幅１５ｍｍの帯状体である。
【００５２】
本例の鉄は、直流透磁率７０００、抵抗率１０μΩｃｍを有し、本例の場合は厚さ２０μｍ、幅１５ｍｍの帯状体である。
【００５３】
上述のグラフによれば、磁束補強材ＲＭとして、高透磁率且つ高抵抗率の材料を用いた場合に、感度変化率が小さいことが判明した。すなわち、磁束補強材ＲＭとして、好適な直流透磁率は７０００よりも大きく、抵抗率は１０μΩｃｍよりも大きいことが好ましく、更に好適には、直流透磁率は１６０００以上であり、抵抗率は８２μΩｃｍ以上であることが好ましい。
【００５４】
磁束補強材ＲＭとしては、単なる鉄は検出感度が低下してしまうため用いることができない。また、電磁鋼板は巻き数を２巻き以上にすれば、検出感度を向上して外部導電体Ｃによる出力低下分を補うことができる。
【００５５】
以上の実験結果は以下の理由によるものである。
【００５６】
まず、検出コイルＬの外側の磁束は透磁率μが約１の空気中を通るが、外側の磁気抵抗について考える。磁気抵抗ＲｕはＫａ÷透磁率で表される。Ｋａは磁束が通る所の断面積や長さで決まる定数である。したがって、透磁率が大きくなればなるほど、磁気抵抗は小さくなる。
【００５７】
一方、磁束φ＝起磁力÷磁気抵抗である。起磁力はコイルの巻き数Ｎ×電流Ｉであり、一定であるため磁気抵抗が小さくなれば、磁束φは大きくなる。しかしながら、磁束が大きくなっても、この材料が低抵抗率である場合には渦電流損が大きくなり、実質感度が低下してしまうため、高抵抗率が必要となる。以上のことから、上述の高透磁率及び高抵抗を有する材料、すなわち磁束補強材を用いれば、検出感度の低下を抑制することができる。
【００５８】
以上の理由から、図１に示した変位センサにおいては、磁束補強材ＲＭとして、厚さ２０μｍのアモルファス材箔を２巻きにしており、これをポッティング材を用いてコイルＬに接着することとした。また、磁束遮蔽材ＳＤは金属の導電体であり、外部からも電気ノイズを遮断するために、磁性体かつ導電体である鉄を使用している。
【００５９】
なお、直流透磁率（初透磁率）は、交流に対しては周波数特性を有しており、周波数が高くなるほど、透磁率は低下する。例えば、珪素鋼板であるＧＴ２３０（新日本製鉄株式会社製のＳｉ含有量３％の帯鋼板）を用いた場合においても、周波数が２００ｋＨｚを超えると、透磁率は１００以下となってしまう。
【００６０】
コイルＬの有効磁力線の到達距離が１０ｋＨｚにおいて約１０ｍｍの場合、１００ｋＨｚの高周波になると約１ｍｍになり、５００ｋＨｚの場合には１／５ｍｍとなる。したがって、高周波になればなるほど、磁束補強材ＲＭ内を磁束が通りにくくなる。したがって、磁束補強材ＲＭをコイルＬに密着させた方が、有効に磁束を集めることができる。
【００６１】
図１に示した変位センサにおいて、下部容器Ｈ１の内面に密着させて磁束補強材ＲＭを配置した場合、コイルＬから磁束補強材ＲＭが離れる傾向があるため、出力が低下するが、磁束補強材ＲＭをコイルＬに密着させて巻いた場合には、コイルＬと磁束補強材ＲＭが近接する傾向があるため、出力低下を抑制することができる。この場合の密着度、すなわち、コイルＬと磁束補強材ＲＭの間隔は１００μｍ以下に設定することが好ましく、この場合には出力が１０％ほど大きくなった。なお、本例の場合のアモルファス磁束補強材ＲＭの幅は１５ｍｍであり、厚さ４０μｍのものを二重巻きにして使用した。コイルＬの内径は６ｍｍ、下部容器Ｈ１の外径は１２ｍｍ、コイルＬの長さは１５ｍｍとした。
【００６２】
なお、センサ内部を機械的に保護するケースを用いる場合には、保護ケースと磁束遮蔽材を兼用することができる。
【００６３】
また、上述の変位センサの原理は、単一コイル式のものに有効であるが、差動トランス式のものにも適用することができる。
【００６４】
特開平９−２１０６１０号公報はかかる変位センサを開示している。渦電流方式の変位センサの場合、コアがコイルから遠ざかると、相互インダクタンスＭは増加し、近づくと減少する。相互インダクタンスの増分をΔＭとし、２つのコイルの出力Ｖ１，Ｖ２について考えると、Ｖ２の出力は（Ｍ＋ΔＭ）Ｉであり、Ｖ１は−ΔＭである。したがって、最終的な出力Ｖｏは、この従来技術の場合には、Ｖ２−Ｖ１となる。
【００６５】
この従来技術の変位センサの１次コイルに電磁ノイズが重畳すると、１次コイル印加電圧が変化するため、出力電圧が変化する。つまり、電磁気ノイズの影響を受ける。外部導電体に近づくとインピダンスが変化するため出力電圧が変化する。従来技術においては、電気ノイズについては確かに二次コイルの差動をとることにより相殺され、影響は小さいと説明されている。
【００６６】
このような従来技術に、磁束補強材と磁束遮蔽材を適用した場合においても、外部導電体による出力変動や低下が抑制され、検出出力の低下は磁束補強材によって補うことができる。
【００６７】
以上の説明から、差動トランス式の変位センサにおいても、コイルを磁束補強材で被覆し、磁束補強材を更に磁束遮蔽材で囲むことにより、外部からの電磁気ノイズを防止することができ、外部導電体の影響を無くすことができる。
【００６８】
【発明の効果】
本発明の変位センサによれば、精密な検出を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】変位センサの縦断面図である。
【図２】変位センサに接続される変位センサ用外部回路のブロック図である。
【図３】コイルＬの等価回路を示す回路図である。
【図４】コイルＬと周囲に位置する筒状導体Ｃとの関係を説明するための図である。
【図５】各種磁束補強材ＲＭの箔の巻数に対する検出感度の変化率を示すグラフである。
【符号の説明】
ＡＢ…導電棒、ＢＢ…コイルボビン、Ｃ…外部導電体、ＣＣ…定電流回路、ＤＩＦ…電圧検出回路、Ｈ１…下部容器、Ｈ２…上部容器、Ｌ…コイル、ＬＰＦ１…平滑回路、ＬＷ…リード線、ＯＰ…開口、ＯＳＣ…発振回路、Ｒ…電流検出用抵抗、ＲＢ…ゴムブッシュ、ＲＥＣ１…整流回路、ＲＭ…磁束補強材、ＳＣ…螺子、ＳＤ…磁束遮蔽材、Ｔ１，Ｔ２…入力端子。
【図１】
2004077135.tif 000006
【図２】
2004077135.tif 000007
【図３】
2004077135.tif 000008
【図４】
2004077135.tif 000009
【図５】
2004077135.tif 000010