(57)【要約】【課題】スプロケットホールを基準として、リール状ＴＡＢテープの配線体を精密に積層することを可能にする。【解決手段】絶縁テープ基材５Ａ、５Ｂの両面に配線６ａ、６ｂ又は６ｃ、６ｄを備えた構造の配線体１Ａ、１Ｂを有する第一基板テープと第二基板テープを、間に積層用接着材７を介し重ね合わせてラミネートロール対１０に通すことにより積層するに際し、両テープの幅方向両端に形成したスプロケットホール１２に対して、上記ラミネートロール対１０の一方の周面に形成したスプロケット１１の歯１１ａを挿入させ、これにより両テープのスプロケットホール１２の位置を整合変位させながらラミネートロール対１０に通過させ、このときテープに生じる上記整合変位を、テープの長手方向に存する配線体相互の間に設けた位置ズレ吸収用スリット２により吸収する。【選択図】　　　図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁テープ基材の少なくとも片面に配線を備えた構造の配線体を有する第一基板テープと、絶縁テープ基材の少なくとも片面に配線を備えた構造の配線体を有する第二基板テープとの間に積層用接着材を介し重ね合わせてラミネートロール対に通すことにより、上記配線が内側同士になるように積層するに際し、
第一基板テープと第二基板テープの幅方向両端にそれぞれテープ長手方向に予め形成したスプロケットホールに対して、上記ラミネートロール対の少なくとも一方の周面に形成したスプロケットの歯を挿入させ、これにより両基板テープのスプロケットホールの位置を整合変位させながら、第一基板テープと第二基板テープをラミネートロール対に通過させ、
このときテープに生じる上記整合変位を、第一基板テープと第二基板テープの一方又は双方においてテープの長手方向に存する配線体相互の間に設けた位置ズレ吸収用開口により吸収することを特徴とする半導体装置用テープキャリアの積層方法。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置用テープキャリアの積層方法において、
上記ラミネートロール対をスプロケットの無いラミネートロール対により構成し、
このラミネートロール対の直前に、スプロケット付きの位置決め用ロールとスプロケット無しのロールの対を設けるか又はスプロケット付きの位置決め用ベルトとスプロケット無しのベルトの対を設けて、第一基板テープと第二基板テープにおけるスプロケットホールの位置を整合変位させることを特徴とする半導体装置用テープキャリアの積層方法。
【請求項３】
請求項１又は２記載の半導体装置用テープキャリアの積層方法において、
上記位置ズレ吸収用開口がテープの幅方向に連続的に設けた穴又はスリットから成ることを特徴とする半導体装置用テープキャリアの積層方法。
【請求項４】
請求項３記載の半導体装置用テープキャリアの積層方法において、
上記位置ズレ吸収用開口を構成する連続的な穴又はスリットが、テープの長手方向に並置した複数のラインとして配設されていることを特徴とする半導体装置用テープキャリアの積層方法。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれかに記載の半導体装置用テープキャリアの積層方法において、
テープの長手方向に所定個数を一単位として上記配線体を順次配列し、その各一単位毎の配線体と配線体の間又は複数単位毎の配線体と配線体の間に、上記位置ズレ吸収用開口を形成することを特徴とする半導体装置用テープキャリアの積層方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は４層配線ＴＡＢ（Ｔａｐｅ　Ａｕｔｏｍａｔｅｄ　Ｂｏｎｄｉｎｇ）テープ等を構成する半導体装置用テープキャリアの積層方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、携帯電話やＰＤＡに代表される小型携帯機器を始め、小スペースに高効率に半導体チップや抵抗やコンデンサ等の部品を実装する方式としては、各部品接続用配線を設けたガラスエポキシ基板の両面に上記部品を設ける両面実装が最も一般的であった。その後、更なる省スペース化を目的として、より薄く、且つ高密度配線が可能なＴＡＢテープを採用した携帯機器が登場してきている。
【０００３】
このＴＡＢテープにおいては、ポリイミドテープをベース材としてその片面に配線パターンを形成した１メタル（１層配線）ＴＡＢテープが一般的であるが、半導体チップの高周波化に伴い伝送速度の早い回路の必要性が高まってきていることから、信号層の他にグランド層を持つ２層配線又は３層配線のＴＡＢテープが実用化されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、最近になって、さらに集積度の向上および高周波対応が進み、半導体チップを最表面層に設け、且つその他の配線層に高周波デバイスからの発信されるノイズ対策として、信号層をグラウンド層で挟み込むストリップ構造を採用する必要性が強くでてきている。この要請に対し、従来の２メタル（２層配線）ＴＡＢテープ等では対応することができず、２メタルＴＡＢテープから成る２つの基板を積層して４層配線以上の積層構造とする必要がある。
【０００５】
しかしながら、従来の積層方法では、２メタルＴＡＢテープから成る２つの基板について、その４層配線部分を精密に位置合わせすることが困難である。すなわち、ＴＡＢテープはプロセス上、リール上で製作するが、幅方向両端にスプロケットホールを設け、これを位置の基準としている。そのスプロケットホールに累積ピッチのズレやバラツキがあり（１００ｍｍに付き２０ミクロン程度）、通常のロールラミネーションでは、スプロケットホールを基準とする精密な積層が困難となる。
【０００６】
詳述するに、ＴＡＢテープへのスプロケットホールはプレス加工により形成する。その形成方法は、テープを一定長さ送り、その後プレスし、その工程を繰り返してスプロケットホールを形成する。ところが、テープ送り量が必ずしも一定ではない。実際には、ＴＡＢテープの長さが短ければ問題は生じないが、長さが数１０ｍにもなると、別々の二本のテープの長さ送り誤差が、無視できないほどの長さの違いとなって生じてしまうことになる。このため、通常のロールラミネーションでは、スプロケットホールを基準として精密な積層をすることが困難となる。
【０００７】
そこで、本発明の目的は、上記課題を解決し、スプロケットホールを基準として、リール状ＴＡＢテープの配線体を精密に積層することのできる半導体装置用テープキャリアの積層方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明は、次のように構成したものである。
【０００９】
請求項１の発明に係る半導体装置用テープキャリアの積層方法は、絶縁テープ基材の少なくとも片面に配線を備えた構造の配線体を有する第一基板テープと、絶縁テープ基材の少なくとも片面に配線を備えた構造の配線体を有する第二基板テープとの間に積層用接着材を介し重ね合わせてラミネートロール対に通すことにより、上記配線が内側同士になるように積層するに際し、
第一基板テープと第二基板テープの幅方向両端にそれぞれテープ長手方向に予め形成したスプロケットホールに対して、上記ラミネートロール対の少なくとも一方の周面に形成したスプロケットの歯を挿入させ、これにより両基板テープのスプロケットホールの位置を整合（合致）変位させながら、第一基板テープと第二基板テープをラミネートロール対に通過させ、
このときテープに生じる上記整合変位を、第一基板テープと第二基板テープの一方又は双方においてテープの長手方向に存する配線体相互の間に設けた位置ズレ吸収用開口により吸収することを特徴とする。
【００１０】
この請求項１の発明はスプロケットホール一体型のラミネートロールにてリール状配線付き半導体装置用テープを積層する方法である。
【００１１】
請求項２の発明は、請求項１記載の半導体装置用テープキャリアの積層方法において、上記ラミネートロール対をスプロケットの無いラミネートロール対により構成し、このラミネートロール対の直前に、スプロケット付きの位置決め用ロールとスプロケット無しのロールの対を設けるか又はスプロケット付きの位置決め用ベルトとスプロケット無しのベルトの対を設けて、第一基板テープと第二基板テープにおけるスプロケットホールの位置を整合変位させることを特徴とする。
【００１２】
請求項３の発明は、請求項１又は２記載の半導体装置用テープキャリアの積層方法において、上記位置ズレ吸収用開口がテープの幅方向に連続的に設けた穴又はスリットから成ることを特徴とする。
【００１３】
請求項４の発明は、請求項３記載の半導体装置用テープキャリアの積層方法において、上記位置ズレ吸収用開口を構成する連続的な穴又はスリットが、テープの長手方向に並置した複数のラインとして配設されていることを特徴とする。
【００１４】
この複数のライン相互において、穴又はスリットを千鳥状に配列するとすることができる。
【００１５】
請求項５の発明は、請求項１〜４のいずれかに記載の半導体装置用テープキャリアの積層方法において、テープの長手方向に所定個数を一単位として上記配線体を順次配列し、その各一単位毎の配線体と配線体の間又は複数単位毎の配線体と配線体の間に、上記位置ズレ吸収用開口を形成することを特徴とする。
【００１６】
＜作用＞
本発明において、テープに生じる整合変位とは、スプロケットホールの累積ピッチズレに起因して生じる第一基板テープ及び第二基板テープ間の長手方向の位置ズレを意味する。このスプロケットホールの累積ピッチズレが存在する場合、上下のスプロケットホールに共通にスプロケットの歯を挿入させることにより、両テープのスプロケットホールの位置が整合（合致）させられる、つまり第一基板テープと第二基板テープの一方が他方に対して強制的に寄せられてずらされる。この整合作用は、スプロケットの歯が先細状（台形や円錐形）に形成されていると、より効果的に営まれる。そして、上記ずらされた分の変位分は、テープの長手方向において配線体相互の間に設けた位置ズレ吸収用開口により吸収される。このためスプロケットホールを基準として、リール状ＴＡＢテープ等の配線体を精密に積層することができる。
【００１７】
上記配線体の配列の数や配列パターンには特に制約はないが、所定個数を一単位とする配線体をテープの長手方向に順次配列し、その各一単位毎の配線体と配線体の間又は複数単位毎の配線体と配線体の間に、上記位置ズレ吸収用開口を形成することができる。
【００１８】
本発明の積層方法には、配線層が４層構造である半導体装置用テープキャリアを得る場合の方法として、次の二形態が含まれる。第１は、絶縁テープ基材の両面に配線を有し、その両配線が導電性の貫通穴により導通された構造の配線体を有する第一基板テープと、絶縁テープ基材の両面に配線を有し、その両配線が導電性の貫通穴により導通された構造の配線体を有する第二基板テープとを、積層用接着材を介して積層する形態であり、第２は、絶縁テープ基材の片面に配線を備えた構造の配線体を有する第一基板テープと、絶縁テープ基材の片面に配線を備えた構造の配線体を有する第二基板テープとを、積層用接着材を介し、上記配線（第二層目の配線層と第三層目の配線層）が内側同士になるように積層し、積層後に外側の配線（第一層目の配線層と第四層目の配線層）を設ける形態である。
【００１９】
上記第一基板テープと第二基板テープにおける各配線体が絶縁テープ基材の両面に配線を有し、その両配線が導電性の貫通穴により各テープ毎に更には両テープに共通に導通された構造であれば、配線層が４層構造となり、信号層をグラウンド層で挟み込んだストリップ構造のＴＡＢテープを容易に製造することができる。
【００２０】
例えば、絶縁テープ基材両面に配線を設け、且つその配線が絶縁テープ基材中に設けた貫通穴または非貫通穴への銅めっきまたは導電性材料充填にて導通させたリール状半導体装置用テープ、いわゆる２メタルＴＡＢテープの積層構造において、その片方もしくは両方のテープの回路（配線体）間に累積ピッチズレ吸収用の穴やスリット（位置ズレ吸収用開口）を設け、且つパーフォレーション付きラミネートロールによって累積ピッチズレやばらつきを吸収しながらラミネートし、リール状配線テープの高位置精度の積層を実現することができる。
【００２１】
半導体装置用テープに設ける回路（配線体）間の穴やスリット（位置ズレ吸収用開口）は積層する片方のテープにのみ設けても良いし、双方のテープに設けても良い。また使用する半導体装置用テープに設ける回路間の穴やスリット（位置ズレ吸収用開口）は１ピース分又は複数ピース分の各回路（配線体）相互間毎に設けるのではなく、複数ピース分の回路（配線体）間隔を置いて設けても良い。
【００２２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を図示の実施形態に基づいて説明する。
【００２３】
図３に本実施形態における積層方法により作成しようとする半導体装置用多層ＴＡＢテープの概略構造を示す。
【００２４】
この半導体装置用テープキャリアは、絶縁テープ基材（配線層間絶縁材）５Ａの両面に所定の配線パターンを持つ配線６ａ、６ｂ（配線層）を設けた２メタルＴＡＢテープから成る第一配線体１Ａと、そして同じく絶縁テープ基材（配線層間絶縁材）５Ｂの両面に所定の配線パターンを持つ配線６ｃ、６ｄを設けた２メタルＴＡＢテープから成る第二配線体１Ｂとを、２メタルＴＡＢ積層用接着材７により貼り合わせた構造を有する。
【００２５】
第一配線体１Ａは、その表裏の配線６ａと配線６ｂの一部が、絶縁テープ基材５Ａの部分のみを貫く非貫通穴（非貫通導通ビア８ａ）により導通されており、一方の配線６ａがシグナル層として機能し、他方の配線６ｂがそのグラウンド層として機能するようになっている。
【００２６】
また、第二配線体１Ｂも同様に、その表裏の配線６ｃと配線６ｄの一部が、絶縁テープ基材５Ｂの部分のみを貫く非貫通穴（非貫通導通ビア８ｂ）により導通されており、一方の配線６ｃがシグナル層として機能し、他方の配線６ｄがそのグラウンド層として機能するようになっている。
【００２７】
さらにまた、第一配線体１Ａと第二配線体１Ｂとは、その配線６ａ、６ｂの一部と配線６ｃ、６ｄの一部が、絶縁テープ基材５Ａ、５Ｂ及び積層用接着材７を共通に貫く導電性の付与された貫通穴（貫通導通ビア９）により導通されている。
【００２８】
これらの非貫通導通ビア８ａ、８ｂ及び貫通導通ビア９の導電化は、非貫通穴（ブラインドビア）または貫通穴（ビアホール）へ、銅めっきを施すことにより、または導電性材料を充填することによりなされる。
【００２９】
本実施形態の積層方法の一例は、次のようになる。すなわち絶縁テープ基材５Ａ、５Ｂの両面に配線６ａ、６ｂ又は６ｃ、６ｄを有し、その両配線６ａ、６ｂ又は６ｃ、６ｄが導電性の貫通穴により導通された構造の配線体１Ａ、１Ｂを有する第一基板テープと第二基板テープを、間に積層用接着材７を介して重ね合わせ、ラミネートロール対１０に通すことにより積層するに際し、第一基板テープと第二基板テープの幅方向両端にそれぞれテープ長手方向に予め形成したスプロケットホール１２に対して、上記ラミネートロール対１０の少なくとも一方１０ａの周面に形成したスプロケット１１の歯１１ａを挿入させ、これにより両テープのスプロケットホール１２の位置を整合（合致）変位させながら、上記第一基板テープと第二基板テープをラミネートロール対１０に通過させ、このときスプロケットホール１２の累積ピッチズレに起因して生じる第一基板テープ及び第二基板テープ間の長手方向の上記整合変位（位置ずれ）を、第一基板テープと第二基板テープの一方においてテープの幅方向に設けた位置ズレ吸収用スリット２により吸収し、以てスプロケットホール１２を基準として積層するものである。
【００３０】
詳述するに、上記半導体装置用テープキャリアの積層方法は、図１に示すように、絶縁テープ基材５Ａの両面に配線６ａ、６ｂを有し、その両配線が導電性の貫通穴８ａ、９により導通された構造の第一配線体１Ａを有する第一基板テープと、そして絶縁テープ基材５Ｂの両面に配線６ｃ、６ｄを有し、その両配線６ｃ、６ｄが導電性の貫通穴８ｂ、９により導通された構造の第二配線体１Ｂを有する第二基板テープとを用意する。そして、第一基板テープと第二基板テープの幅方向両端には、それぞれテープ長手方向に予めスプロケットホール１２を形成する。
【００３１】
さらに、一方の第一基板テープには、図２に示すように、第一リール状絶縁テープ基材５Ａの長手方向に、所定個数（この例では２×４のマトリックス状に配置した８個）を一単位ないし一グループとする第一配線体１Ａを順次配設すると共に、その各一単位毎の配線体（８個）と配線体（８個）の間に、位置ズレ吸収用開口として、テープの幅方向に延びる位置ズレ吸収用の穴又はスリット２を設けて累積ピッチズレ吸収帯３を形成する。ここでは位置ズレ吸収用開口を構成する連続的なスリット２が、テープの長手方向に並置した複数のラインとして配設され、３ラインのスリット２が千鳥状に配置されている。
【００３２】
また第二基板テープには、図１に示すように、第二リール状絶縁テープ基材５Ｂの長手方向に、第一基板テープに対応する所定個数（この例では２×４のマトリックス状に配置した８個）を一単位ないし一グループとする第二配線体１Ｂを順次配設する。
【００３３】
上記第一基板テープと第二基板テープを、両者の間に積層用接着材７を介在させて重ね合わせ、上側ロール１０ａ及び下側ロール１０ｂから成るラミネートロール対１０に通すことにより、配線層が４層である積層構造とする。この場合、第二層目の配線６ｂと第三層目の配線６ｃが内側同士に重なるように積層する。第一層目の配線６ａと第四層目の配線６ｄはラミネートロール対１０に通した後で付加しても良い。
【００３４】
一方、ラミネートロール対１０は、これを構成する上側ロール１０ａ及び下側ロール１０ｂのうちの少なくとも一方、ここでは上側ロール１０ａの周面にスプロケット１１を設ける。そして、そのスプロケット１１の歯１１ａが、上記重ね合わされた第一基板テープと第二基板テープのスプロケットホール１２を共通に貫き差すように構成する。ここでスプロケット１１の歯１１ａは、通常、抜き差しを容易にするため先細状に形成されるが、更に積極的に傾斜付けしても良い。
【００３５】
第一基板テープと第二基板テープの幅方向両端にそれぞれテープ長手方向に予め形成したスプロケットホール１２に対して、上記ラミネートロール対１０の少なくとも一方の周面に形成したスプロケット１１の歯１１ａを挿入させ、これにより両テープのスプロケットホール１２の位置を整合（合致）変位させながら、上記第一基板テープと第二基板テープをラミネートロール対１０に通過させる。
【００３６】
スプロケットホール１２の累積ピッチズレに起因して、第一基板テープ及び第二基板テープ間の長手方向の位置ズレが生じている場合、上下のスプロケットホール１２に共通にスプロケット１１の歯１１ａを挿入させることにより、両テープのスプロケットホール１２の位置が整合（合致）させられる、つまり第一基板テープと第二基板テープの一方が他方に対して強制的に寄せられてずらされる。そして、このずらされた分の変位分は、テープの長手方向において配線体相互の間に設けた位置ズレ吸収用開口である累積ピッチズレ吸収用スリット２により吸収される。このためスプロケットホール１２を基準として、リール状ＴＡＢテープ等の配線体１Ａ、１Ｂを精密に積層することができる。
【００３７】
次に、より具体的に説明する。図２に半導体装置用多層ＴＡＢテープの第一基板テープを示す。この７０ｍｍ幅の両面配線付き第一基板テープには、第二基板テープも同様であるが、幅方向両端に４．７５ｍｍ間隔でスプロケットホール１２を設けてあり、１０ｍｍ×１５ｍｍの回路パターン（配線体１Ａ又は１Ｂ）が幅方向に４つ並列されている。その回路パターンが長手方向は２つ並びそれを１集合としている。そして特に第一基板テープについては、その１集合と１集合の間に位置ズレ吸収用スリット２を３ラインに設けている。このスリット２のそれぞれのスリット幅は０．５ｍｍであり、各スリット２は千鳥状に３ラインに設けてある。
【００３８】
このスリット２の幅については０．２ｍｍ以上、１．０ｍｍ以下とするのが好ましい。０．２ｍｍ未満ではスリット用パンチ製作及びスリット加工が難しいこと、また、１ｍｍを越えるとスペースが無駄になるためである。
【００３９】
またスリット２の配列の仕方ないし並べ方については、必ずしも千鳥状にする必要はないが、千鳥状にする方がテープの伸縮が容易になるため有利である。またスリット２のライン数については、金型を製作する便宜と、配設スペースを考慮すると３ラインとするのが好ましいが、これに限るものではなく、１ライン、２ライン又は４ラインと増減することができる。
【００４０】
図１に上記２メタルＴＡＢテープの積層プロセスのイメージ例を示す。
【００４１】
スリット２を設けた２メタルＴＡＢテープ（第一基板テープ）を上側から搬送し、積層用接着材７を設けたスリット無しの２メタルＴＡＢテープ（第二基板テープ）を下側から搬送した。両者はラミネートロール対１０のスプロケット付きロール１０ａにて位置決めされながら積層される。積層用接着剤７の材料としては、ＧａＡｓ等の高周波デバイス用チップが３００℃以上の高温で実装されるため、これに耐え得る高耐熱性接着性接着剤が必要であり、ここでは分解温度３００℃以上のイミド系接着材を使用した。
【００４２】
ラミネートロール対１０を構成する上側ロール１０ａ及び下側ロール１０ｂには表面に耐熱性シリコンゴムを被覆したものを用い、上側ロール１０ａの周面に設けるスプロケット１１をステンレス（ＳＵＳ）製として構成したが、他の材料の構成構造とすることもできる。
【００４３】
上記実施形態においては、４層の配線層のうちの第一層目と第二層目を有する第一配線体と、第三層目と第四層目を有する第二配線体とを、重ね合わせる形態としたが、第一層目と第四層目の配線層の形成は、４層積層後に行ってもよい。例えば、絶縁テープ基材５Ａの片面に配線６ｂ（第二層目の配線層）を備えた構造の配線体１Ａを有する第一基板テープと、絶縁テープ基材５Ｂの片面に配線６ｃ（第三層目の配線層）を備えた構造の配線体１Ｂを有する第二基板テープとを、間に積層用接着材７を介して、上記配線６ｂと６ｃ（第二層目の配線層と第三層目の配線層）が内側同士になるように積層し、積層後に外側の配線６ａと６ｄ（第一層目の配線層と第四層目の配線層）を設けることができる。
【００４４】
上記実施形態においては、スプロケット１１を片方の上側ロール１０ａにのみ設けたが、スプロケット１１はラミネートロール対１０を構成する上側ロール及び下側ロールの双方のロールに設けても良い。
【００４５】
上記実施形態では、スプロケットホール一体型のラミネートロール対１０にてリール状配線付き半導体装置用テープを積層したが、ラミネートロールの直前にスプロケットホール付き位置決め用ロールもしくはベルト設けて、リール状配線付き半導体装置用テープを積層しても良い。
【００４６】
図４及び図５にこの実施形態の例を示す。
【００４７】
図４は、上記ラミネートロール対１０を、スプロケットの無い上側ロール２０ａ及び下側ロール２０ｂから成るラミネートロール対２０により構成し、このラミネートロール対２０の直前に、スプロケット１１付きの位置決め用ベルト１３ａとスプロケット無しベルト１３ｂの対から成るベルト対１３を設けて、第一基板テープと第二基板テープにおけるスプロケットホールの位置を整合変位させ、その後に別々にガイドローラ１５を通して、ラミネートロール対２０に導くようにした構成例である。
【００４８】
図５は、上記ラミネートロール対１０を、スプロケットの無い上側ロール２０ａ及び下側ロール２０ｂから成るラミネートロール対２０により構成し、このラミネートロール対２０の直前に、スプロケット付きの位置決め用ロール１４ａとスプロケット無しロール１４ｂの対から成るロール対１４を、テープ進行方向に二段に直線的に設けて、第一基板テープと第二基板テープにおけるスプロケットホールの位置を整合変位させ、その後にラミネートロール対２０に導くようにした構成例である。
【００４９】
【発明の効果】
以上説明したように本発明による半導体装置用テープキャリアの積層方法は、絶縁テープ基材の少なくとも片面に配線を備えた構造の配線体を有する第一基板テープと絶縁テープ基材の少なくとも片面に配線を備えた構造の配線体を有する第二基板テープとの間に積層用接着材を介し重ね合わせてラミネートロール対に通すことにより、上記配線が内側同士になるように積層するに際し、第一基板テープと第二基板テープの幅方向両端にそれぞれテープ長手方向に予め形成したスプロケットホールに対して、上記ラミネートロール対の少なくとも一方の周面に形成したスプロケットの歯を挿入させ、これにより両基板テープのスプロケットホールの位置を整合変位させながら、上記第一基板テープと第二基板テープをラミネートロール対に通過させ、このときテープに生じる上記整合変位を、第一基板テープと第二基板テープの一方又は双方においてテープの長手方向に存する配線体相互の間に設けた位置ズレ吸収用開口により吸収するものである。
【００５０】
従って、本発明によれば、スプロケットホールを基準として、リール状ＴＡＢテープ等の配線体を精密に積層することができることから、配線層が４層以上である多層ＴＡＢテープ、例えば信号層をグラウンド層で挟み込んだストリップ構造のＴＡＢテープを容易に製造することが可能となり、より高密度で高周波対応が可能な半導体装置を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の半導体装置用テープキャリアの積層方法を示した概念図である。
【図２】本発明の方法により積層される第一基板テープ及び第二基板テープの一方を示した平面図である。
【図３】本発明の積層方法で得ようとする半導体装置用多層ＴＡＢテープの構成を示した断面略図である。
【図４】本発明の半導体装置用テープキャリアの積層方法の他の実施形態を示した概念図である。
【図５】本発明の半導体装置用テープキャリアの積層方法の更に他の実施形態を示した概念図である。
【符号の説明】
１Ａ、１Ｂ　配線体
２　スリット（位置ズレ吸収用開口）
３　累積ピッチズレ吸収帯
４　配線層間絶縁材
５Ａ、５Ｂ　絶縁テープ基材
６ａ　配線（第一層目の配線層）
６ｂ　配線（第二層目の配線層）
６ｃ　配線（第三層目の配線層）
６ｄ　配線（第四層目の配線層）
７　積層用接着材
８ａ、８ｂ　非貫通導通ビア
９　貫通導通ビア
１０　ラミネートロール対
１１　スプロケット
１１ａ　歯
１２　スプロケットホール
１３　ベルト対
１４　スプロケット付ロール
１５　ガイドローラ
２０　ラミネートロール対
【図１】
2004087861.tif 000003
【図２】
2004087861.tif 000004
【図３】
2004087861.tif 000005
【図４】
2004087861.tif 000006
【図５】
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