(57)【要約】【課題】配線導体に高周波の電気信号を伝送させた場合、電気信号の反射により伝送特性が大きく劣化する。【解決手段】比誘電率が７（室温、１ＭＨｚ）以下の絶縁基体１と、該絶縁基体１に形成され、比電気抵抗が２．５μΩ・ｃｍ以下、外表面の凹凸が５０μｍ以下の屈曲部２ａを有する配線導体２とから成り、前記配線導体２の屈曲部２ａの屈曲角度が１００°以上である。【選択図】図１
2004087517.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
比誘電率が７（室温、１ＭＨｚ）以下の絶縁基体と、該絶縁基体に形成され、比電気抵抗が２．５μΩ・ｃｍ以下、外表面の凹凸が５０μｍ以下の屈曲部を有する配線導体とから成り、前記配線導体の屈曲部の屈曲角度が１００°以上であることを特徴とする配線基板。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は光通信や無線通信等の機器に実装される配線基板に関し、より詳細には配線導体に極めて高い周波数の電気信号を高速で伝送させることができる配線基板に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
光通信や無線通信等の機器には多数の半導体装置や電子装置が実装されている。かかる各装置、例えば、半導体装置は半導体素子と該半導体素子を収容する半導体素子収納用パッケージとにより構成されており、半導体素子収納用パッケージには絶縁基体に配線導体を形成した配線基板が用いられている。
【０００３】
この半導体素子を収容するための半導体素子収納用パッケージに使用されている配線基板は、一般に、酸化アルミニウム質焼結体等の電気絶縁材料から成り、その上面の略中央部に半導体素子を収容するための凹部を有する絶縁基体と、前記絶縁基体の凹部周辺から外周縁にかけて導出されたタングステン、モリブデン、マンガン等の高融点金属粉末から成る配線導体とから構成されており、絶縁基体の凹部底面に半導体素子をガラス、樹脂、ロウ材等の接着剤を介して接着固定するとともに半導体素子の各電極を凹部周辺に位置する配線導体にボンディングワイヤを介して電気的に接続し、しかる後、前記絶縁基体の上面に金属やセラミックス等から成る蓋体を絶縁基体の凹部を塞ぐようにガラス、樹脂、ロウ材等から成る封止材を介して接合させ、絶縁基体の凹部内に半導体素子を気密に収容することによって製品としての半導体装置となる。
【０００４】
また上述の半導体素子収納用パッケージに用いられる配線基板は一般に以下に述べるセラミックスの積層技術及びスクリーン印刷法等の厚膜形成技術を採用することによって製作されている。
【０００５】
即ち、
（１）まず、酸化アルミニウム、酸化珪素、酸化カルシウム、酸化マグネシウム等のセラミック原料粉末に有機溶剤、溶媒を添加混合して複数枚のセラミックグリーンシートを得るとともに該複数枚のセラミックグリーンシートの所定位置にスルーホールを形成する。
（２）次に前記各々のセラミックグリーンシートの表面に、タングステン、モリブデン、マンガン等の高融点金属粉末に有機溶剤、溶媒を添加混合して得た導電ペーストを従来周知のスクリーン印刷法等の厚膜形成技術を採用することによって所定パターンに印刷塗布し、配線導体パターンを形成するとともに各セラミックグリーンシートに設けたスルーホール内に導電ペーストを充填する。
（３）最後に前記各セラミックグリーンシートを上下の配線パターンがスルーホールに充填した導電ペーストで電気的に接続されるように積層するとともにこれを還元雰囲気中、１６００℃の温度で焼成し、これによって酸化アルミニウム質焼結体から成る絶縁基体の内部及び表面にタングステン、モリブデン、マンガン等から成る配線導体を被着させた配線基板となる。
【０００６】
しかしながら、近年、光通信や無線通信等の機器は電気信号が高周波領域に達するとともに高速で伝送させることが要求されるようになってきており、従来の配線基板は、絶縁基体を形成する酸化アルミニウム質焼結体の比誘電率が９乃至１０（室温、１ＭＨｚ）と高いことから絶縁基体に設けた配線導体を伝わる電気信号の伝送速度が遅く、高周波の電気信号を高速で伝送させるという要求を満足させることができなかった。
【０００７】
また従来の配線基板においては、絶縁基体に形成されている配線導体はタングステンやモリブデン、マンガン等の高融点金属材料により形成されており、該タングステン等はその比電気抵抗が５．４μΩ・ｃｍ（２０℃）以上と高いことから配線導体に高周波の電気信号を伝送させた場合、電気信号に大きな減衰が生じ、電気信号を正確かつ確実に伝送させることができないと言う欠点も有していた。
【０００８】
更に従来の配線基板においては、配線導体が導電ペーストを絶縁基体となるセラミックグリーンシートにスクリーン印刷法等の厚膜形成技術を採用することによって形成されており、導電ペーストをセラミックグリーンシートに所定パターンに印刷した際、にじみが発生し、配線導体の側面に深さが１００μｍ以上の凹凸が多数形成されていることから、この配線導体に３０ＧＨｚ程度の高周波の電気信号を伝送させた場合、高周波の電気信号は配線導体の表面領域を伝送し表面に形成されている凹凸で反射を起こして伝送特性が大きく劣化してしまい、その結果、３０ＧＨｚ以上の高周波の電気信号は伝送させることができないという欠点を有していた。
【０００９】
特に近年、光通信や無線通信等の機器は駆動の電気信号の周波数が３０ＧＨｚ以上、６０ＧＨｚを超える極めて高いものとなってきており、かかる駆動の電気信号の周波数が光通信や無線通信等の機器には従来の配線基板は実装が不可であった。
【００１０】
そこで上記欠点に鑑み本願出願人は先に比誘電率が７（室温、１ＭＨｚ）以下の絶縁基体と、該絶縁基体に形成され、比電気抵抗が２．５μΩ・ｃｍ以下、外表面の凹凸が５０μｍ以下の配線導体とからなる配線基板を提案した。
【００１１】
かかる配線基板によれば絶縁基体を比誘電率が７（室温、１ＭＨｚ）以下の材料で形成したことから絶縁基体に形成される配線導体を伝わる高周波の電気信号の伝送速度を速いものとなすことができる。
【００１２】
また配線導体の比電気抵抗を２．５μΩ・ｃｍ（２０℃）以下としたことから配線導体に高周波の電気信号を伝送させた場合、電気信号に大きな減衰を生じることはなく、これによって電気信号を正確かつ確実に伝送させることが可能となる。
【００１３】
更に絶縁基体に設けた配線導体の外表面に形成される凹凸を５０μｍ以下としたことから配線導体に高周波の電気信号を伝送させた場合、高周波の電気信号が配線導体の外表面に形成されている凹凸で反射を起こし伝送特性が劣化するのが有効に防止され、３０ＧＨｚ以上の高周波の電気信号を伝送させることが可能となる。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述の配線基板においては配線導体の外表面の凹凸による高周波電気信号の反射は有効に改善され、３０ＧＨｚ以上の高周波電気信号を伝送させることが可能となるものの配線導体は回路を形成するために９０°未満の屈曲角度を持つ屈曲部を多数有しており、配線導体に９０°未満の屈曲角度を有する屈曲部が形成されているとこの屈曲部で高周波電気信号が反射を起こし６０ＧＨｚ以上の高周波の電気信号は伝送させることができないという問題を有していた。
【００１５】
本発明は上記諸欠点に鑑み案出されたもので、その目的は配線導体に３０ＧＨｚ以上、８０ＧＨｚ程度までの高周波の電気信号を伝送させることが可能な配線基板を提供することにある。
【００１６】
【課題を解決するための手段】
本発明の配線基板は、比誘電率が７（室温、１ＭＨｚ）以下の絶縁基体と、該絶縁基体に形成され、比電気抵抗が２．５μΩ・ｃｍ以下、外表面の凹凸が５０μｍ以下の屈曲部を有する配線導体とから成り、前記配線導体の屈曲部の屈曲角度が１００°以上であることを特徴とするものである。
【００１７】
本発明の配線基板によれば、絶縁基体を比誘電率が７（室温、１ＭＨｚ）以下の材料で形成したことから絶縁基体に形成される配線導体を伝わる高周波の電気信号の伝送速度を速いものとなすことができる。
【００１８】
また本発明の配線基板によれば、配線導体の比電気抵抗を２．５μΩ・ｃｍ（２０℃）以下としたことから配線導体に高周波の電気信号を伝送させた場合、電気信号に大きな減衰を生じることはなく、これによって電気信号を正確かつ確実に伝送させることが可能となる。
【００１９】
更に本発明の配線基板によれば、絶縁基体に設けた配線導体の外表面に形成される凹凸を５０μｍ以下としたことから配線導体に高周波の電気信号を伝送させた場合、高周波の電気信号が配線導体の外表面に形成されている凹凸で反射を起こし伝送特性が劣化するのが有効に防止され、３０ＧＨｚ以上の高周波の電気信号を伝送させたることが可能となる。
【００２０】
また更に本発明の配線基板によれば、配線導体に形成されている屈曲部の屈曲角度を１００°以上としたことから、配線導体に高周波の電気信号を伝送させた場合、配線導体の屈曲部で電気信号が反射し伝送特性が大きく劣化するのを有効に防止することができ、これによって配線導体に３０ＧＨｚ以上、８０ＧＨｚ程度までの高周波の電気信号を伝送させることが可能となる。
【００２１】
【発明の実施の形態】
次に、本発明を添付図面に示す実施例に基づき詳細に説明する。
図１は本発明の配線基板を光通信や無線通信等の機器に実装される半導体装置に用いられる半導体素子収納用パッケージに適用した場合の一実施例を示し、１は絶縁基体、２は配線導体である。この配線導体２を絶縁基体１に被着させたものが配線基板Ａとなる。
【００２２】
前記絶縁基体１はその上面の略中央部に半導体素子４を収容するための空所を形成する凹部１ａが設けてあり、該凹部１ａの周辺から外周縁にかけて複数個の配線導体２が被着形成されている。
【００２３】
前記絶縁基体１の凹部１ａには半導体素子４がガラス、樹脂、ロウ材等の接着剤を介して接着固定され、該半導体素子４の各電極は配線導体２の凹部１ａ周辺部にボンディングワイヤ５を介して電気的に接続される。
【００２４】
前記絶縁基体１は半導体素子４を収容支持する支持部材として作用し、ガラスセラミックス焼結体等の比誘電率が７（室温、１ＭＨｚ）以下の絶縁材料で形成されている。
【００２５】
前記絶縁基体１は、例えば、ガラスセラミックス焼結体等からなる場合、ガラスセラミックスの原料粉末に適当な有機溶剤、溶媒、可塑剤、分散剤を添加混合して泥漿物を作り、この泥漿物を従来周知のドクターブレード法やカレンダーロール法等のシート形成法を採用しシート状に形成してグリーンシート（ガラスセラミック生シート）を得、しかる後、それらグリーンシートに適当な打ち抜き加工を施すとともにこれを必要に応じて複数枚積層し、約１０００℃の温度で焼成することによって製作される。
【００２６】
また前記配線導体２は銅、銀、金等の比電気抵抗が２．５μΩ・ｃｍ（２０℃）以下の金属粉末に適当な有機バインダー、溶剤等を添加混合して得られた金属ペーストを従来周知のスクリーン印刷法等の厚膜手法を採用して絶縁基体１となるグリーンシートに予め印刷塗布しておき、これをグリーンシートと同時に焼成することによって絶縁基体１の凹部１ａ周辺から外周縁にかけて所定パターンに被着形成される。
【００２７】
更に前記配線導体２は銅や銀から成る場合、その露出する表面にニッケル、金等の良導電性で耐蝕性に優れる金属を１μｍ乃至２０μｍの厚みにメッキ法により被着させておくと、配線導体２の酸化腐蝕を有効に防止することができるとともに配線導体２とボンディングワイヤ５との接続を極めて強固となすことができる。従って、配線導体２の酸化腐蝕を防止し、配線導体２とボンディングワイヤ５との接続を強固となすには、配線導体２の露出する表面にニッケル、金等をメッキ法により１μｍ乃至２０μｍの厚みに被着させておくことが好ましい。
【００２８】
前記配線導体２はまた絶縁基体１の外周縁の部分に外部リード端子６が銀ロウ等のロウ材を介してロウ付け取着されており、該外部リード端子６は容器内部に収容する半導体素子４の各電極を外部電気回路に電気的に接続する作用をなし、外部リード端子６を外部電気回路に接続することによって容器内部に収容される半導体素子４は配線導体２および外部リード端子６を介して外部電気回路に電気的に接続されることとなる。
【００２９】
前記外部リード端子６は鉄−ニッケル−コバルト合金や鉄−ニッケル合金等の金属材料から成り、例えば、鉄−ニッケル−コバルト合金等の金属から成るインゴット（塊）に圧延加工法や打ち抜き加工法等、従来周知の金属加工法を施すことによって所定形状に形成される。
【００３０】
前記外部リード端子６はまたその表面にニッケル、金等の良導電性で耐蝕性に優れ、かつロウ材との濡れ性に優れる金属をメッキ法により１μｍ乃至２０μｍの厚みに被着させておくと、外部リード端子６と外部電気回路との電気的接続を良好と成すことができる。従って、外部リード端子６はまたその表面にニッケル、金等をメッキ法により１μｍ乃至２０μｍの厚みに被着させておくことが好ましい。
【００３１】
更に前記外部リード端子６が取着された絶縁基体１はその上面に凹部１ａを塞ぐように蓋体３が封止材を介して接合され、これによって絶縁基体１と蓋体３とから成る容器の内部に半導体素子４が気密に収容される。
【００３２】
前記蓋体３は絶縁基体１に設けた凹部１ａを塞ぐ作用をなし、一般に鉄−ニッケル−コバルト合金や鉄−ニッケル合金等で形成されている。
【００３３】
前記蓋体３は鉄−ニッケル−コバルト合金で形成されている場合、鉄−ニッケル−コバルト合金から成るインゴット（塊）に圧延加工法や打ち抜き加工法等、従来周知の金属加工法を施すことによって所定形状に形成される。
【００３４】
かくして上述の半導体素子収納用パッケージによれば、配線基板Ａを構成する絶縁基体１の凹部１ａ底面に半導体素子４をガラス、樹脂、ロウ材等から成る接着材を介して接着固定するとともに半導体素子４の各電極を配線導体２にボンディングワイヤ５を介して電気的に接続し、しかる後、絶縁基体１の上面に凹部１ａを覆うように蓋体３を封止材を介して接合させ、絶縁基体１と蓋体３とから成る容器の内部に半導体素子４を気密に収容することによって最終製品としての半導体装置が完成する。
【００３５】
本発明の配線基板Ａにおいては配線導体２が被着形成される絶縁基体１を比誘電率が７（室温、１ＭＨｚ）以下の材料で形成しておくこと、および配線導体２を比電気抵抗が２．５μΩ・ｃｍ（２０℃）以下の材料で形成しておくことが重要である。
【００３６】
前記絶縁基体１を比誘電率が７（室温、１ＭＨｚ）以下の材料で形成しておくと絶縁基体１に設けた配線導体２に高周波の電気信号を伝送させた際、絶縁基体１の比誘電率が小さいことから電気信号の伝送速度が極めて速いものとなり、その結果、高周波の電気信号を高速で伝送することが要求される光通信や無線通信等の機器に実装が可能となる。特に、従来の酸化アルミニウム質焼結体（比誘電率が１０：室温、１ＭＨｚ）にタングステンからなる配線導体を形成した配線基板に対して伝送速度を約２０％程度改善することが可能となる。
【００３７】
なお、前記絶縁基体１の比誘電率が７を超えると配線導体２を伝送する電気信号の伝送速度が遅いものとなり、高周波の電気信号を高速で伝送することが要求されている光通信や無線通信等の機器への実装ができなくなってしまう。従って、前記絶縁基体１はその比誘電率が７（室温、１ＭＨｚ）以下のものに特定される。
【００３８】
また前記配線導体２を比電気抵抗が２．５μΩ・ｃｍ（２０℃）以下の材料、具体的には銅、銀、金等で形成しておくと、配線導体２の比電気抵抗が小さいことから配線導体２に高周波の電気信号を伝送させた際、電気信号に大きな減衰を生じることはなく、これによって電気信号を正確かつ確実に伝送させることが可能となる。特に、従来の酸化アルミニウム質焼結体にタングステン（比電気抵抗が５．４μΩ・ｃｍ以上：２０℃）からなる配線導体を形成した配線基板に対し電気信号の導体損による減衰を１／３以下に大きく改善することができる。
【００３９】
前記配線導体２はその比電気抵抗が２．５μΩ・ｃｍ（２０℃）を超えると配線導体２に高周波の電気信号を伝送させた場合、電気信号に減衰が生じて電気信号を正確かつ確実に伝送させることができなくなってしまう。従って、前記配線導体２はその比電気抵抗が２．５μΩ・ｃｍ（２０℃）以下に特定される。
【００４０】
前記絶縁基体１を構成する比誘電率が７（室温、１ＭＨｚ）以下の材料としては、
〔材料１〕
Ｌｉ２Ｏ３を５乃至３０質量％含有する屈服点が４０乃至８００℃のリチウム珪酸ガラスを２０乃至８０体積％と、クオーツ、クリストバライト、トリジマイト、エンスタタイト、フォルステライトの少なくとも１種から成るフィラー成分を２０乃至８０体積％の割合で含む形成体を焼成して得られたクオーツ、クリストバライト、トリジマイト、エンスタタイト、フォルステライトの少なくとも１種の結晶相を含有する焼結体（比誘電率：５）
〔材料２〕
５乃至６０質量％のＢａＯを含有する屈伏点が４００乃至８００℃のガラス２０乃至８０体積％と、クオーツ、クリストバライト、トリジマイト、エンスタタイトの少なくとも１種から成るフィラー２０乃至８０体積％とからなり、前記ガラス及び／またはフィラー中にＺｒ化合物がＺｒＯ２換算で０．１乃至３０質量％含有しているガラスセラミックス焼結体（比誘電率：６）
〔材料３〕
４０乃至４６質量％の酸化珪素と、２５乃至３０質量％の酸化アルミニウムと、８乃至１３質量％の酸化マグネシウムと、６乃至９質量％の酸化亜鉛と、８乃至１１質量％の酸化硼素から成る結晶性ガラス（比誘電率：５）
〔材料４〕
硼珪酸ガラスにアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）もしくはムライト（３Ａｌ２Ｏ３・２ＳｉＯ２）を添加してなる原料粉末より製作されるガラスセラミックス焼結体（比誘電率５〜６）
〔材料５〕
コージェライト系結晶化ガラスにアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）もしくはムライト（３Ａｌ２Ｏ３・２ＳｉＯ２）を添加して成る原料粉末より製作されるガラスセラミックス焼結体（比誘電率５〜６）
〔材料６〕
ムライト系結晶化ガラスにアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）もしくはムライト（３Ａｌ２Ｏ３・２ＳｉＯ２）を添加して成る原料粉末より製作されるガラスセラミックス焼結体（比誘電率５〜６）が好適に使用される。
【００４１】
前記絶縁基体１を例えば〔材料１〕で、即ちＬｉ２Ｏ３を５乃至３０質量％含有する屈服点が４０乃至８００℃のリチウム珪酸ガラスを２０乃至８０体積％と、クオーツ、クリストバライト、トリジマイト、エンスタタイト、フォルステライトの少なくとも１種から成るフィラー成分を２０乃至８０体積％の割合で含む形成体を焼成して得られたクオーツ、クリストバライト、トリジマイト、エンスタタイト、フォルステライトの少なくとも１種の結晶相を含有する焼結体で形成すると、絶縁基体１の比誘電率が約５（室温、１ＭＨｚ）と低い値になり、その結果、絶縁基体１に設けた配線導体２に高周波の電気信号を伝送させた場合、その伝送速度は極めて速いものとなる。
【００４２】
また上述の焼結体はその焼成温度が８５０乃至１１００℃と低いことから絶縁基体１と同時焼成により形成される配線導体２を比電気抵抗が２．５μΩ・ｃｍ（２０℃）以下と低い銅や銀、金で形成することができ、その結果、配線導体２に高周波の電気信号を伝送させた場合、電気信号に大きな減衰が生じることはなく、電気信号を正確かつ確実に伝送させることも可能となる。
【００４３】
更に上述の〔材料２〕である５乃至６０質量％のＢａＯを含有する屈伏点が４００乃至８００℃のガラス２０乃至８０体積％と、クオーツ、クリストバライト、トリジマイト、エンスタタイトの少なくとも１種から成るフィラー２０乃至８０体積％とからなり、前記ガラス及び／またはフィラー中にＺｒ化合物がＺｒＯ２換算で０．１乃至３０質量％含有しているガラスセラミックス焼結体、〔材料３〕である４０乃至４６質量％の酸化珪素と、２５乃至３０質量％の酸化アルミニウムと、８乃至１３質量％の酸化マグネシウムと、６乃至９質量％の酸化亜鉛と、８乃至１１質量％の酸化硼素から成る結晶性ガラス、〔材料４〕である硼珪酸ガラスにアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）もしくはムライト（３Ａｌ２Ｏ３・２ＳｉＯ２）を添加してなる原料粉末より製作されるガラスセラミックス焼結体、〔材料５〕であるコージェライト系結晶化ガラスにアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）もしくはムライト（３Ａｌ２Ｏ３・２ＳｉＯ２）を添加して成る原料粉末より製作されるガラスセラミックス焼結体、及び〔材料６〕であるムライト系結晶化ガラスにアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）もしくはムライト（３Ａｌ２Ｏ３・２ＳｉＯ２）を添加して成る原料粉末より製作されるガラスセラミックス焼結体はいずれも〔材料１〕と同様、比誘電率が７（室温、１ＭＨｚ）以下と低い値であることから、これらの材料を使用して絶縁基体１を形成した場合、絶縁基体１に設けた配線導体２に高周波の電気信号を伝送させた際、絶縁基体１の比誘電率が小さいことから電気信号の伝送速度が極めて速いものとなり、その結果、高周波の電気信号を高速で伝送することが要求される光通信や無線通信等の機器に実装が可能となる。
【００４４】
また〔材料２〕乃至〔材料６〕はいずれも焼成温度が１１００℃以下と低いことからこれらの材料を用いて絶縁基体１を形成する際、絶縁基体１と同時焼成により銅や銀、金等の比電気抵抗が２．５μΩ・ｃｍ（２０℃）以下の金属材料で配線導体２を形成することができ、その結果、配線導体２に高周波の電気信号を伝送させた場合、電気信号に大きな減衰が生じることはなく電気信号を正確かつ確実に伝送させることが可能となる。
【００４５】
更に本発明の配線基板Ａにおいては配線導体２の外表面に形成されている凹凸を５０μｍ以下の大きさとしておくことが重要である。
【００４６】
前記配線導体２の外表面に形成されている凹凸を５０μｍ以下の大きさとすると、配線導体２に高周波の電気信号を伝送させた場合、高周波の電気信号が配線導体２の表面を流れ、配線導体２の外表面に形成されている凹凸で反射を起こすことはほとんどなく、これによって伝送特性が大きく改善され、３０ＧＨｚ以上の高周波の電気信号まで伝送させることが可能となる。
【００４７】
前記配線導体２はその外表面に形成されている凹凸の大きさが５０μｍを超えると、配線導体２に高周波の電気信号を伝送させた際、高周波の電気信号が配線導体２の外表面に形成されている凹凸で反射を起こして伝送特性が急激に劣化してしまう。従って、前記配線導体２はその外表面に形成されている凹凸の大きさは５０μｍ以下のものに特定される。
【００４８】
前記配線導体２の外表面に形成されている凹凸を５０μｍ以下の大きさとするには、例えば、配線導体２の外表面にブラスト処理や化学エッチング処理を施すことによって行われ、ブラスト処理で配線導体２の外表面の凹凸を５０μｍ以下とする場合には、配線導体２以外の領域を予めエポキシ樹脂等の有機樹脂でコーティングし、しかる後、配線導体２の表面に液体と研磨剤粒子を混合した混合物を空気圧で吹き付けて対象物の表面を平滑にすることによって行われる。
【００４９】
なお、前記液体としては水が使用され、前記研磨剤粒子としてはアルミナ、窒化珪素、ガラス等の無機物粒子が使用される。
【００５０】
前記配線導体２が銅の場合、水と平均粒径が５乃至５０μｍのアルミナ粒子を混合したものを０．０５ＭＰａ乃至０．３ＭＰａの圧力で、０．０５秒乃至０．３秒の時間吹き付けることによって好適に行われる。
【００５１】
前記研磨剤粒子はその平均粒径が５μｍ未満となると配線導体２の外表面を平滑にする効果がなくなり、また５０μｍを超えると配線導体２の外表面の凹凸を５０μｍ以下の小さな凹凸とすることができなくなることから、前記研磨剤粒子の平均粒径は５乃至５０μｍの範囲とすると良い。
【００５２】
更に、液体と研磨剤粒子を混合した混合物を吹き付ける空気圧は０．０５ＭＰａ未満となると配線導体２の外表面を平滑にする研磨効果がなくなり、また０．３ＭＰａを超えると配線導体２の外表面を研磨しすぎて平滑にする効果がなくなることから、前記空気圧は０．０５ＭＰａ乃至０．３ＭＰａの範囲とすると良い。
【００５３】
更に液体と研磨剤粒子とを混合した混合物を空気圧で吹き付ける吹きつけ時間は０．０５秒未満となると配線導体２の外表面を平滑にする研磨効果がなくなり、また０．３秒を超えると配線導体２の外表面を研磨しすぎて平滑にする効果がなくなることから、前記吹きつけ時間は０．０５秒乃至０．３秒の範囲とすると良い。
【００５４】
また更に、化学エッチング処理を施すことによって配線導体２の外表面の凹凸を５０μｍ以下とする場合には、配線導体２以外の領域を予めエポキシ樹脂等の有機樹脂でコーティングした後、配線導体２の外表面を化学エッチングすることによって行われる。
【００５５】
前記配線導体２が銅の場合、１．２ｍｏｌ／ｌ乃至１．８ｍｏｌ／ｌの濃度で、温度３０℃乃至５０℃の塩化第二鉄溶液を０．０５ＭＰａ乃至０．２ＭＰａの圧力で吹き付け、配線導体２の外表面を化学エッチングすることによって行われる。
【００５６】
前記塩化第二鉄はその濃度が１．２ｍｏｌ／ｌ未満となると配線導体２の外表面を平滑にする効果がなくなり、また１．８ｍｏｌ／ｌを超えるとエッチング速度が大きくなり配線導体２の外表面の凹凸を５０μｍ以下の小さな凹凸とすることができなくなることから、前記塩化第二鉄の濃度は１．２ｍｏｌ／ｌ乃至１．８ｍｏｌ／ｌの範囲とすると良い。
【００５７】
また、前記塩化第二鉄の温度は３０℃未満となると配線導体２の外表面を平滑にするエッチング効果がなくなり、また５０℃を超えるとエッチング速度が大きくなり配線導体２の外表面の凹凸を５０μｍ以下の小さな凹凸とすることができなくなることから、前記溶液の温度は３０乃至５０℃の範囲とすると良い。
【００５８】
更に前記塩化第二鉄の吹きつけ圧力は０．０５ＭＰａ未満となると配線導体２の外表面を平滑にするエッチング効果がなくなり、また０．２ＭＰａを超えると配線導体２の外表面のエッチングが激しくなりすぎて配線導体２の外表面の凹凸を５０μｍ以下の小さな凹凸とすることができなくなることから、前記圧力は０．０５ＭＰａ乃至０．２ＭＰａの範囲とすると良い。
【００５９】
本配線の配線基板Ａにおいては、図２（ａ）（ｂ）に示すように配線導体２に形成されている屈曲部２ａの屈曲角度θを１００°以上としておくことが重要である。
【００６０】
前記配線導体２に形成されている屈曲部２ａの屈曲角度θを１００°以上としておくと配線導体２に高周波の電気信号を伝送させた場合、配線導体２の屈曲部２ａで電気信号が反射し伝送特性が大きく劣化するのを有効に防止することができ、これによって配線導体に３０ＧＨｚ以上、８０ＧＨｚ程度までの高周波の電気信号を伝送させることが可能となる。
【００６１】
なお、前記配線導体２の屈曲部２ａはその角度θが１００°未満となると配線導体２に高周波の電気信号を伝送させた際、屈曲部２ａで電気信号が反射して伝送特性が悪いものとなってしまう。従って前記配線導体２の屈曲部２ａはその角度θが１００°以上に特定される。
【００６２】
前記配線導体２の屈曲部２ａの角度θを１００°以上とするには配線導体２を金属ペーストをスクリーン印刷法を採用し印刷塗布することによって形成する際、スクリーンマスクの開口部の形状を予め１００°以上の角度θをもつ屈曲形状としておくことによって形成される。
【００６３】
次に本発明の作用効果の一つである伝送特性（反射）について以下の実験例に基づき説明する。
〔実験例１〕
まず、前述の〔材料１〕から成るガラスセラミック焼結体（誘電率ε＝６．１）で形成された厚さ２ｍｍ、大きさ２５ｍｍ×５０ｍｍの絶縁基体に、銅から成る幅：０．３ｍｍ、厚さ：０．０１ｍｍ、長さ：１．５５ｍｍの中央部に屈曲角度が９０°の屈曲部を有する配線導体を形成した配線基板を準備する。
【００６４】
次に、この配線基板の配線導体にブラスト処理を行って、配線導体の外表面の凹凸を４９μｍ（試料Ａ）、３１μｍ（試料Ｂ）、１２μｍ（試料Ｃ）に調整した配線基板試料を得る。
【００６５】
併せて比較試料として酸化アルミニウム質焼結体（誘電率ε＝１０）から成る絶縁基体にタングステンから成る幅：０．３ｍｍ、厚さ：０．０１ｍｍ、長さ：１．５５ｍｍ、外表面の凹凸の大きさが１０９μｍ（試料Ｄ）の直線状の配線導体を形成した配線基板を準備する。
【００６６】
なお配線基板試料及び比較試料における配線導体の外表面の凹凸の大きさは小坂研究所製サーフコーダＳＥ−２３００（表面粗さ測定器）を用いてＪＩＳ　Ｂ０６０１−１９９４に則り最大高さ（Ｒｙ）を測定して得た値である。
【００６７】
次に前記各試料の配線導体の両端にネットワークアナライザー（アジレントテクノロジー社製ＨＰ８５１０Ｃ）に接続されたプローブ（ＧＧＢ社製ピコプローブ）を接触させ、配線導体での高周波電気信号に対する反射損失Ｓ１１を測定し、この反射損失Ｓ１１から配線導体を伝送することが可能である最大周波数を求めた。
【００６８】
なお、伝送が可能な最大周波数の判定は反射損失Ｓ１１が−１５ｄＢ以下であることとした。
【００６９】
その結果を図３に示す。
図３から明らかなように従来の酸化アルミニウム質焼結体で形成された絶縁基体に、外表面の凹凸の大きさが１０９μｍであるタングステンから成る配線導体を形成した試料Ｄは３０ＧＨｚを超える高周波電気信号は反射損失Ｓ１１が−１５ｄＢを超えて伝送が不可であることがわかる。
【００７０】
これに対し、本発明の配線基板、即ちガラスセラミック焼結体（誘電率ε＝６．１）で形成された絶縁基体に、外表面の凹凸の大きさが４９μｍ、３１μｍ、１２μｍである銅から成る配線導体を形成した試料Ａ、Ｂ、Ｃはいずれも６０ＧＨｚまで反射損失Ｓ１１が−１５ｄＢ未満であり、３０ＧＨ以上６０ＧＨｚまでの高周波の電気信号を伝送することが可能であることが判る。
〔実験例２〕
次に、前述の〔材料１〕から成るガラスセラミック焼結体で形成された厚さ２ｍｍ、大きさ２５ｍｍ×５０ｍｍの絶縁基体に、銅から成る幅：０．３ｍｍ、厚さ：０．０１ｍｍ、長さ：１．５５ｍｍで屈曲角度が１８０°、１４０°、１００°及び８０°の屈曲部を１つずつ有する配線導体試料（屈曲角度が１８０°：試料ｇ、屈曲角度が１４０°：試料ｈ、屈曲角度が１００°：試料ｉ、屈曲角度が８０°：試料ｊ）を得る。なお試料ｇ、ｈ、ｉ、ｊの配線導体の外表面の凹凸の大きさは３０乃至４２μｍの範囲内であった。
【００７１】
次に前記各試料の配線導体の両端にネットワークアナライザー（アジレントテクノロジー社製ＨＰ８５１０Ｃ）に接続されたプローブ（ＧＧＢ社製ピコプローブ）を接触させ、配線導体での高周波電気信号に対する反射損失Ｓ１１を測定し、この反射損失Ｓ１１から配線導体を伝送することが可能である最大周波数を求めた。
【００７２】
なお、伝送が可能な最大周波数の判定は反射損失Ｓ１１が−１５ｄＢ以下であることとした。
【００７３】
その結果を図４に示す。
図４から明らかなように配線導体に形成された屈曲部の屈曲角度が９０°未満である試料ｊは６０ＧＨｚ程度で反射損失Ｓ１１が−１５ｄＢを超えてしまうのに対し、配線導体に形成された屈曲部の屈曲角度が１００°以上である試料ｇ、ｈ、ｉはそのいずれもが８０ＧＨｚまで反射損失Ｓ１１が−１５ｄＢ未満であり、３０ＧＨｚを超え８０ＧＨｚまでの高周波の電気信号を伝送することが可能であることが判る。
【００７４】
なお、本発明は上述の実施例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば種々の変更は可能であり、例えば、上述の実施例では本発明の配線基板を半導体素子を収容する半導体素子収納用パッケージに適用した場合の例で説明したが、これを混成集積回路装置等に使用される配線基板にも適用し得る。
【００７５】
【発明の効果】
本発明の配線基板によれば、絶縁基体を比誘電率が７（室温、１ＭＨｚ）以下の材料で形成したことから絶縁基体に形成される配線導体を伝わる高周波の電気信号の伝送速度を速いものとなすことができる。
【００７６】
また本発明の配線基板によれば、配線導体の比電気抵抗を２．５μΩ・ｃｍ（２０℃）以下としたことから配線導体に高周波の電気信号を伝送させた場合、電気信号に大きな減衰を生じることはなく、これによって電気信号を正確かつ確実に伝送させることが可能となる。
【００７７】
更に本発明の配線基板によれば、絶縁基体に設けた配線導体の外表面に形成される凹凸を５０μｍ以下としたことから配線導体に高周波の電気信号を伝送させた場合、高周波の電気信号が配線導体の外表面に形成されている凹凸で反射を起こし伝送特性が劣化するのが有効に防止され、３０ＧＨｚ以上の高周波の電気信号を伝送させたることが可能となる。
【００７８】
また更に本発明の配線基板によれば、配線導体に形成されている屈曲部の屈曲角度を１００°以上としたことから、配線導体に高周波の電気信号を伝送させた場合、配線導体の屈曲部で電気信号が反射し伝送特性が大きく劣化するのを有効に防止することができ、これによって配線導体に３０ＧＨｚ以上、８０ＧＨｚ程度までの高周波の電気信号を伝送させることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の配線基板を半導体素子収納用パッケージに適用した場合の一実施例を示す断面図である。
【図２】（ａ）（ｂ）は図１に示す配線基板の要部拡大平面図である。
【図３】本発明の実験例を示し、信号周波数と反射損失Ｓ１１の関係を示す線図である。
【図４】本発明の他の実験例を示し、信号周波数と反射損失Ｓ１１の関係を示す線図である。
【符号の説明】
１・・・・・絶縁基体
１ａ・・・・凹部
２・・・・・配線導体
２ａ・・・・屈曲部
３・・・・・蓋体
４・・・・・半導体素子
５・・・・・ボンディングワイヤ
６・・・・・外部リード端子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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