(57)【要約】【課題】微細な凹構造を有する構造体を簡易に製造する方法を提供する。【解決手段】凸部１０１０を有する第１の基板１０００を用意する工程（図１（ａ））、前記凸部上に第１の層１０２０を形成する工程（図１（ｂ））、前記第１の層を第２の基板２０００に移す工程（図１（ｃ））、及び該第１の層を用いて該第２の基板に凹凸構造２０２０を形成する工程（図１（ｄ））を有する構造体の製造方法。第１の基板は、アルミニウムの陽極酸化処理により細孔が形成されている基板である。凹凸構造を形成する工程がウエットエッチングまたはドライエッチングである。【選択図】　　　　　　　図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
凸部を有する第１の基板を用意する工程、前記凸部上に第１の層を形成する工程、前記第１の層を第２の基板に移す工程、該第１の層を用いて該第２の基板に凹凸構造を形成する工程を有することを特徴とする構造体の製造方法。
【請求項２】
前記凹凸構造を形成する工程は、前記第１の層をマスクとして用い、前記第２の基板に前記凹凸構造を形成する工程である請求項１記載の構造体の製造方法。
【請求項３】
前記第２の基板は、その表面に第２の層を有する請求項１記載の構造体の製造方法。
【請求項４】
前記第２の層に前記凹凸構造が形成される請求項３記載の構造体の製造方法。
【請求項５】
前記凹凸構造を形成後、前記第１の層を除去する工程を有する請求項１記載の構造体の製造方法。
【請求項６】
前記第１の基板と前記第１の層の間に、第３の層が設けられている請求項１記載の構造体の製造方法。
【請求項７】
前記第２の基板が、少なくとも一部に平坦な表面を有し、前記表面に接着層または粘着層が設けられている請求項１に記載の構造体の製造方法。
【請求項８】
前記第１の基板の前記凸部は、前記第１の基板上にナノサイズの間隔で複数個設けられている請求項１記載の構造体の製造方法。
【請求項９】
前記第１の基板は、アルミニウムの陽極酸化処理により細孔が形成されている基板である請求項１記載の構造体の製造方法。
【請求項１０】
前記凹凸構造を形成する工程が、ウエットエッチングまたはドライエッチングである請求項１記載の構造体の製造方法。
【請求項１１】
前記凹凸構造を形成する工程が、前記第２の基板を陽極酸化することにより行われる請求項１に記載の構造体の製造方法。
【請求項１２】
前記第２の基板が、アルミニウムを含む金属からなる請求項１に記載の構造体の製造方法。
【請求項１３】
前記第２の基板が、アルミニウム以外を主成分とする下地層と、アルミニウムを主成分とする表面層を含み構成される請求項１に記載の構造体の製造方法。
【請求項１４】
前記第１の層が、金属、半導体または樹脂を含み構成される請求項１に記載の構造体の製造方法。
【請求項１５】
凸部を有する第１の基板を用意する工程、前記第１の基板の少なくとも凸部上に第１の層を形成する工程、前記第１の層を第２の基板に押し付けて、少なくとも前記第２の基板上に前記第１の層を移す工程、前記第１の層をマスクとして前記第２の基板に凹凸構造を形成する工程と、前記凹凸構造の凹部を開始点として前記第２の基板を陽極酸化して細孔を形成する陽極酸化工程を有することを特徴とする構造体の製造方法。
【請求項１６】
前記凹凸構造を形成後、前記陽極酸化工程の前に、前記第１の層を除去する工程を有する請求項１５記載の構造体の製造方法。
【請求項１７】
請求項１あるいは１５のいずれかに記載の構造体が有する凹部あるいは細孔内に、機能材料を充填して得られる機能デバイス。
【請求項１８】
請求項１あるいは１５のいずれかの方法により製造された凹凸を有する構造体。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、凹凸を有する構造体、その製造方法、さらには、該構造体を利用した機能デバイスに関する。また、本発明はナノスケールの間隔を有するナノ構造体の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
陽極酸化法による多孔質構造体の製造は、ナノメータからマイクロメータサイズの凹凸をもった構造が形成される簡易な手法として従来より注目されている。陽極酸化法は、一般に酸性溶液中に被加工物を浸し、これを陽極として電圧を印加することで表面に溶解と酸化現象を同時に起こし、微細な凹凸構造を形成するものである。この微細構造は、ある一定の条件（電圧、温度、酸の種類など）において自己組織的な規則性を示すことが知られており、記録媒体や光機能素子等の様々なナノデバイスへの利用が期待されている。
【０００３】
その具体例としては、アルミニウムの陽極酸化であり、蓚酸やリン酸や硫酸水溶液中でアルミニウムを陽極として電圧を印加すると、表面がバリア層（アルミナ）からなる細孔がナノメータサイズの間隔で形成され、ポーラス皮膜が得られる。他の金属でもこの現象は起こるが、一般にアルミニウムが最も直進性の良い円柱細孔を得られる物質として知られている。規則化的に配列した細孔では間隔数十ｎｍ（例えば、非特許文献１参照）、不規則細孔では平均間隔約１８ｎｍ、直径８ｎｍ（例えば、特許文献１参照）の細孔が得られている。この規則的に配列した細孔を得るには、酸の種類・濃度・温度・印加電圧等の条件をある一定値に保って陽極酸化を行なえば良いが、細孔が自己組織的に規則化するためには長時間を要する。
【０００４】
従来、この問題を改善する方法として、被加工物の表面に予め何らかの方法で規則的に配列した凹部を作製し、これを開始点とし陽極酸化をすると、極めて短時間で被加工物の表面から直接延びた規則的で且つ垂直な細孔を得る事が出来る。既に、特許文献２において、図５に示す様に、フォトリソグラフィや電子ビーム描画にて規則的に配列した凸構造１０１を有するスタンパ１００を作製し、プレスにより被転写物１０２の被陽極酸化基板上に凹構造１０３の開始点を作製する手法が提案されている（図５（ｂ）、（ｃ）参照）。
【０００５】
【特許文献１】
特開平２０００−１９５０３６号公報
【特許文献２】
特開平１０−１２１２９２号公報
【非特許文献１】
“Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．”，７２，ｐ１１７３，１９９８年
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記の特許文献２による手法では、陽極酸化をする金属製被加工物への直接プレスであるため大面積の凹構造を作製するには非常に大きな圧力を要し、基板への負荷が高く破壊され易いと共に、繰り返しの使用に耐え得る強度を持つスタンパも必要となる。
【０００７】
本発明は、このような課題に着目してなされたものであり、凹凸を有する構造体やその製造方法、さらには該構造体を利用した機能デバイスを提供することを目的とするものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る構造体の製造方法に関する発明は、凸部を有する第１の基板を用意する工程、前記凸部上に第１の層を形成する工程、前記第１の層を第２の基板に移す工程、及び該第１の層を用いて該第２の基板に凹凸構造を形成する工程を有することを特徴とする。
【０００９】
ここで、前記凹凸構造を形成する工程は、例えば前記第１の層をマスクとして用い、前記第２の基板に前記凹凸構造を形成する工程である。
また、前記第２の基板は、その表面に第２の層を有していてもよく、前記凹凸構造が前記第２の層に形成されてもよい。
【００１０】
また、前記凹凸構造を形成後、前記第１の層を除去することもできる。
また、前記第１の基板と前記第１の層の間に、第３の層が設けられていてもよい。
なお、実施形態中における説明の際には、第１の基板を凹凸基板と、第１の層を転写薄膜層と、第２の基板を被転写基板と、記載している。
【００１１】
第２の基板上に第２の層を設けている場合には、第２の層上にある前記第１の層をマスクとして利用し、該第２の層の所定部分を選択的に露光等することもできる。斯かる場合は、第２の基板の凹凸構造を形成するためのマスクとして、該第２の層が用いられる。
【００１２】
また、本発明に係る構造体の製造方法は、凸部を有する第１の基板を用意する工程、前記第１の基板の少なくとも凸部上に第１の層を形成する工程、前記第１の層を第２の基板に押し付けて、少なくとも前記第２の基板上に前記第１の層を移す工程、前記第１の層をマスクとして前記第２の基板に凹凸構造を形成する工程と、前記凹凸構造の凹部を開始点として前記第２の基板を陽極酸化して細孔を形成する陽極酸化工程を有することを特徴とする。
【００１３】
また、本発明の第一の発明は、基板に凹凸構造を形成し凹凸基板とする工程（１）と、前記凹凸基板上の少なくとも凸部に転写薄膜層を形成する工程（２）と、前記転写薄膜層を被転写基板に押し付けて、少なくとも前記凸部に設けられた転写薄膜層を剥離して被転写基板上に転写する工程（３）と、前記転写薄膜層をマスクとして被転写基板をエッチングして被転写基板表面に凹凸構造を形成する工程（４）を有することを特徴とするナノ構造体の製造方法である。
【００１４】
また、本発明の第二の発明は、基板に凹凸構造を形成し凹凸基板とする工程（１）と、前記凹凸基板上の少なくとも凸部に転写薄膜層を形成する工程（２）と、前記転写薄膜層を被転写基板に押し付けて、少なくとも前記凸部に設けられた転写薄膜層を剥離して被転写基板上に転写する工程（３）と、前記転写薄膜層をマスクとして被転写基板をエッチングして被転写基板の表面に凹凸構造を形成する工程（４）と、前記被転写基板の表面から転写薄膜層を除去する工程（５）を有することを特徴とするナノ構造体の製造方法である。
【００１５】
また、本発明の第三の発明は、基板に凹凸構造を形成し凹凸基板とする工程（１）と、前記凹凸基板上の少なくとも凸部に転写薄膜層を形成する工程（２）と、前記転写薄膜層を被転写基板に押し付けて、少なくとも前記凸部に設けられた転写薄膜層を剥離して被転写基板上に転写する工程（３）と、前記転写薄膜層をマスクとして被転写基板をエッチングして被転写基板表面に凹構造を形成する工程（４ａ）と、前記凹構造を開始点として陽極酸化して細孔を形成する工程（４ｂ）を有することを特徴とするナノ構造体の製造方法である。
【００１６】
また、本発明の第四の発明は、基板に凹凸構造を形成し凹凸基板とする工程（１）と、前記凹凸基板上の少なくとも凸部に転写薄膜層を形成する工程（２）と、前記転写薄膜層を被転写基板に押し付けて、少なくとも前記凸部に設けられた転写薄膜層を剥離して被転写基板上に転写する工程（３）と、前記転写薄膜層をマスクとして被転写基板をエッチングして被転写基板の表面に凹構造を形成する工程（４ａ）と、前記被転写基板の表面から転写薄膜層を除去する工程（５）と、前記凹構造を開始点として陽極酸化して細孔を形成する工程（４ｂ）を有することを特徴とするナノ構造体の製造方法である。
【００１７】
前記凹凸基板が、少なくとも一部に凹凸構造を有し、前記凹凸構造の表面に離型層が設けられているのが好ましい。
前記被転写基板が、少なくとも一部に平坦な表面を有し、前記表面に接着層または粘着層が設けられているのが好ましい。
【００１８】
前記工程（１）の凹凸構造を、電子線、イオンビーム、Ｘ線、ＥＵＶ（超紫外線）および紫外線および可視光線から選ばれた少なくとも１つを用いたリソグラフィ、ウェットエッチングまたはドライエッチングにより形成するのが好ましい。
【００１９】
前記工程（１）の凹凸構造を、アルミニウムを主成分とする金属を表面に有する基板を用いて、溶液中における陽極酸化により形成するのが好ましい。
前記工程（１）の凹凸構造を、電子線直描技術により形成するのが好ましい。前記工程（４）のエッチングが、ウエットエッチングまたはドライエッチングであるのが好ましい。
前記工程（４）のエッチングが、前記被転写基板の陽極酸化によるエッチングであるのが好ましい。
【００２０】
前記被転写基板が、アルミニウムを主成分とする金属からなるのが好ましい。前記被転写基板が、アルミニウム以外を主成分とする下地層と、アルミニウムを主成分とする表面層からなるのが好ましい。
前記転写薄膜層が、金属、半導体または樹脂からなるのが好ましい。
【００２１】
さらに、本発明は、上記のナノ構造体の製造方法により作製されることを特徴とするナノ構造体である。
【００２２】
【発明の実施の形態】
本発明に係る構造体の製造方法に関する発明は、以下の工程を有することになる。図１を用いて説明する。
【００２３】
即ち、凸部１０１０を有する第１の基板１０００を用意する工程（図１（ａ））、前記凸部上に第１の層１０２０を形成する工程（図１（ｂ））、前記第１の層を第２の基板２０００に移す工程（図１（ｃ））、及び該第１の層を用いて該第２の基板に凹凸構造２０２０を形成する工程（図１（ｄ））を経て、本発明に係る構造体が作製される。
【００２４】
図１（ｂ）では、凸部にのみ第１の層１０２０が形成されているが、凹部にも形成されていてもよい。なお、図１（ｄ）において、第１の層１０２０から第１の基板１０００が離れているように記載されているが、第１の基板は第１の層から離れていなくてもよい。
【００２５】
なお、上記方法により作製された凹凸を有する構造体の凹部内（当該凹部は、細孔であってもよい。）に機能性材料、例えば半導体材料や金属材料や樹脂材料、あるいは磁性材料を充填することにより種々の機能デバイス（例えば、記録媒体）が得られる。
【００２６】
以下、本発明を詳細に説明する。
本発明の第一の発明のナノ構造体の製造方法は、基板に凹凸構造を形成し凹凸基板とする工程（１）と、前記凹凸基板上の少なくとも凸部に転写薄膜層を形成する工程（２）と、前記転写薄膜層を被転写基板に押し付けて、少なくとも前記凸部に設けられた転写薄膜層を剥離して被転写基板上に転写する工程（３）と、前記転写薄膜層をマスクとして被転写基板の露出した部分をウエットないしドライエッチングして被転写基板表面に凹凸構造を形成する工程（４）からなるものであり、この凹凸構造の凹部を陽極酸化ナノホールの開始点とすることで被転写基板の表面に任意の位置に配列した細孔（ナノホール）を有する細孔構造を短時間で容易に作製することができる。
また本発明は、凹凸基板の凸部に固体状の薄膜を形成し、被転写基板の表面に転写することを特徴とする。
【００２７】
次に、本発明におけるナノ構造体の製造方法を図面に基づいて説明する。
図２は本発明のナノ構造体の製造方法の一実施態様を示す工程図である。
【００２８】
工程（１）：凹凸基板の作製
図２において、本発明のナノ構造体の製造方法は、基板に、例えば、電子線、イオンビーム、Ｘ線、ＥＵＶ（超紫外線）または紫外線または可視光線によるリソグラフィ、ウェットエッチングまたはドライエッチング、電子線直描技術、または陽極酸化法によって少なくとも一つの凹凸を有する凹凸基板４を作製する（図２（ａ））。この凸部６の表面は平坦であることが好ましく、凸部が複数形成される場合にはこの表面が同一平面内に位置することが好ましい。
【００２９】
工程（２）：転写薄膜層の形成
次に、この凹凸基板４上にスピンコート法等によって、凹凸基板上の凹凸構造が崩れない程度の薄さで離型層３を形成する。離型層３は、例えばシリコーンオイルやフッ素系樹脂等であり、凹凸基板または転写薄膜層のいずれかに対して密着性の悪いものが好ましい。
【００３０】
次に、この離型層３の上からスパッタや蒸着によりアルミニウム等の転写材料を積層し、転写薄膜層２を形成する。ここで、数１０ｎｍから１００ｎｍ程度の間隔で凹部が存在するような凹凸基板では、基板に対し垂直方向から転写材料をスパッタすることにより凹部７の底まで転写材料が充填され、入射角度が斜入射であるときよりも比較的凹凸構造が保たれる。これを利用し適当な条件を用いると、凸部上面に積層した転写材料と凹部底部に積層した転写材料との中間部８の厚さを非常に薄く形成することが出来る（図２（ａ）参照）。
【００３１】
工程（３）：転写薄膜層の転写
次に、図２（ａ）のように、作製した転写薄膜層２を被転写基板１にプレスすると、例えば被転写基板１と転写薄膜層２の密着力が、凹凸基板４から転写薄膜層３を剥離する力よりも大きい場合には、凹凸基板の凸部上に作製された転写薄膜層３が被転写基板上に接着され、凹部と凸部の境界のような強度の弱い部分で膜が分断され、図２（ｂ）のように転写する。ここで、被転写基板上には接着剤等からなる粘着層を塗布しておいても良い。
【００３２】
工程（４）：エッチング
次に、前記転写薄膜層２をマスクとして被転写基板１の露出した部分をウエットないしドライエッチングして、マスクパターンを反映した凹凸構造を被転写基板１上に作製する（図２（ｃ）参照）。例えば、転写薄膜層２が陽極酸化の酸液に耐性があり、被転写基板１がアルミニウムを主成分とする薄膜である場合には、作製されたナノ構造体は陽極酸化ナノホールの開始点となり、被転写基板１を酸性浴に浸し陽極として電圧を印加することでマスクパターンを反映したナノホールを作製することが出来る。
【００３３】
また、転写薄膜層２に酸性浴に対する耐性が無い場合は、通常のドライエッチング法やウエットエッチング法によるエッチングで被転写基板１に凹構造を作製した後に、これを開始点として陽極酸化を行なっても良い。また、陽極酸化を行なわずにナノ構造体としてそのまま用いても良い。
【００３４】
また、本発明の第二の発明のナノ構造体の製造方法は、基板に凹凸構造を形成し凹凸基板とする工程（１）と、この凹凸基板上の少なくとも凸部に転写薄膜層を形成する工程（２）と、被転写基板表面に転写薄膜層表面を押し付け剥離して、少なくとも凸部に設けられた転写薄膜層を凹凸基板上から被転写基板上に転写する工程（３）と、エッチングにより被転写基板表面に凹凸構造を形成する工程（４）と、被転写基板表面から転写薄膜層を除去する工程（５）からなる。
【００３５】
この第二のナノ構造体の製造方法は、上述の第一のナノ構造体の製造方法と同様の手法により被転写基板上に転写薄膜層を転写し、エッチングによりマスクパターンを反映した構造を被転写基板上に作製した後に、転写薄膜層を溶解する液により被転写基板上から転写薄膜層を除去することで、被転写基板上に作製されたナノ構造体のみを得ることが出来る。特に、陽極酸化の酸性浴に対し溶解するような転写薄膜層の場合は、酸性浴を汚染するため、転写薄膜層を除去した後に陽極酸化を行なった方が良い。
【００３６】
【実施例】
以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細に説明する。
【００３７】
実施例１
本発明の第一のナノ構造体の製造方法について一例を示す。
本発明の第一の方法は、図２に示すように、基板に凹凸構造を形成し凹凸基板４を得る工程（１）と、凹凸基板４上の少なくとも凸部６に転写薄膜層２を形成する工程（２）と、転写薄膜層２の表面を被転写基板１の表面に押し付けて転写薄膜層２を剥離して、少なくとも凸部に設けられた転写薄膜層２を凹凸基板４上から被転写基板１上に転写する工程（３）と、エッチングにより被転写基板１の表面に凹凸構造を形成する工程（４）から成る。
【００３８】
例として、Ｓｉ基板に１００ｎｍ間隔で配列した直径２００ｎｍ、高さ５００ｎｍの円柱構造を、電子ビーム露光とドライエッチングプロセスにより作製し、凹凸基板４とする（工程（１））。凹凸の高低差は大きい方が好ましく、円柱の側壁はＳｉ基板に対し垂直に近い方が好ましい。
【００３９】
一方、末端基にカルボキシル基（ＣＯＯＨ）を持つパーフルオロ樹脂（例えば、旭硝子社製サイトップ、末端基ＣＯＯＨのパーフルオロブテニルビニルエーテル）は、金属に対する密着性が良い。そこで、このパーフルオロ樹脂をスピンコート法によりＳｉ基板の凹凸構造を崩さない程度（厚さ約２０ｎｍ）に塗布し、離型層３とする。
【００４０】
次に、凹凸基板に対し垂直方向からアルミニウムを厚さ３０ｎｍ程度スパッタリングして転写薄膜層２を形成する。垂直方向からのスパッタリングにより、アルミニウムはＳｉ円柱壁面には殆ど付かないため、凸部上面と凹部底面についたアルミニウムの接続強度は弱くなる（工程（２））。
【００４１】
次に、図２（ｂ）に示すように、凹凸基板４の転写薄膜面とエポキシ樹脂製の被転写基板１の表面を対向して、圧力３ＭＰａで押し付けた後に剥離すると、Ｓｉ凹凸基板４の凸部６に設けられたアルミニウム転写薄膜層２はパーフルオロ樹脂と比較しエポキシ樹脂とは大きな密着性を持つため、被転写基板１側に転写される（工程（３））。凹部７に形成されたアルミニウムはエポキシ樹脂とは接せず、凸部のアルミニウムとの接続強度が弱いために、凹凸基板上に残留する。
【００４２】
次に、工程（４）として、転写されたアルミニウム薄膜を遮蔽マスクとし酸素ガスでドライエッチングを行なうと、図２（ｃ）に示すようなマスクパターンを反映した被転写基板１のナノ構造体が得られる。
【００４３】
実施例２
本発明の第一のナノ構造体の製造方法について他の例を示す。
本実施例は、図３に示すように、実施例１の第１の方法の工程（２）において、凸部６に設けられた離型層３と転写薄膜層２が被転写基板１上に転写される例である。
【００４４】
被転写基板としてのガラス基板に１００ｎｍ間隔で配列した直径２００ｎｍ、高さ５００ｎｍの円柱構造を、電子ビーム露光とドライエッチングプロセスにより作製し、凹凸基板４とする（工程（１））。
【００４５】
一方、末端基にＣＦ３を持つパーフルオロ樹脂（例えば、旭硝子社製サイトップ、末端基ＣＦ３のパーフルオロブテニルビニルエーテル）は金属への密着力と比較してガラスとの密着性が非常に弱い。このＣＦ３を持つパーフルオロ樹脂を、スピンコート法によりガラス基板の凹凸構造を崩さない程度（厚さ約１５ｎｍ）塗布し、離型層３とする。
【００４６】
更に、凹凸基板に対し垂直方向からアルミニウムを厚さ３０ｎｍ程度スパッタリングする。垂直方向からのスパッタリングして転写薄膜層２を形成する。アルミニウムはガラス円柱壁面には殆ど付かないため、凸部上面と凹部表面についたアルミニウムの接続強度は弱くなる（工程（２））。
【００４７】
次に、図３に示すように、凹凸基板４の転写薄膜層面とエポキシ樹脂製の被転写基板１の表面を対向して、圧力３ＭＰａで押し付けた後に剥離すると、ガラス凹凸基板４の凸部６に設けられたパーフルオロ樹脂離型層３とアルミニウム転写薄膜層２は、パーフルオロ樹脂離型層３とガラス凹凸基板４との密着力が小さく、これに比較してパーフルオロ樹脂離型層とアルミニウム転写薄膜層の密着力が大きいため、被転写基板１側に積層して転写される（工程（３））。
【００４８】
パーフルオロ樹脂は、薬品に対して非常に良い耐性を示すため、これをマスクとしてリン酸溶液中にてガラス基板の化学的エッチングを行ない、マスクパターンを反映した構造の転写をすることが出来る（工程（４））。
【００４９】
また、ガラス基板がアルミニウム基板表面の酸化アルミニウム層である場合、工程（１）による凹凸構造を規則的に配列しておき、工程（２）〜（４）まで上記と同様に実施し作製される凹凸構造を開始点として陽極酸化すれば規則的に配列した陽極酸化アルミナナノホールを容易に得る事が出来る。
【００５０】
実施例３
本発明の第一のナノ構造体の製造方法について他の例を示す。
本実施例は、図４に示すように、本発明の第一の方法において、密着力の弱い基板へナノ構造体の作製を行なう際に、被転写基板表面に接着層を設けて転写薄膜層の剥離を促す例である。
【００５１】
工程（１）として、アルミニウム基板を１６℃の蓚酸浴中で陽極し、４０Ｖを印加して陽極酸化法によるナノホールを作製し、次いでリン酸水溶液中にて室温で５０分間保持し酸化アルミニウム（アルミナ）を溶解することで、ナノホール直径を約６０ｎｍまで拡大して凹凸基板４とする。一方で、タングステンとニッケルは、アルミナとタングステンに比較して密着性が弱い。
【００５２】
凹凸基板４に対し垂直方向からタングステンを厚さ厚さ約５ｎｍスパッタリングし、離型層３とする。垂直方向からの膜厚の薄いスパッタリングにより、タングステンはナノホールの凹構造を保持したまま、アルミナ表面を被覆する。次に、同様にニッケルを厚さ約１０ｎｍスパッタリングし、転写薄膜層２とする。
【００５３】
図４（ａ）に示すように、スピンコート法により厚さ約１００ｎｍのエポキシ樹脂製接着剤５を塗布したアルミニウム製被転写基板１を転写薄膜面と対向して、圧力２ＭＰａで押し付け、エポキシ樹脂を硬化した後に剥離すると、図４（ｂ）に示すようにニッケル転写薄膜層２はエポキシ樹脂接着剤５上に転写される（工程（３））。ニッケル転写薄膜層をマスクとして、ＣＦ４ガスでドライエッチングを行ない、被転写基板１にマスクパターンを転写することが出来る（図４（ｃ））。
【００５４】
実施例４
本発明の第二のナノ構造体の製造方法について他の例を示す。
本発明の第二の方法は、基板に凹凸構造を形成し凹凸基板４とする工程（１）と、凹凸基板４上の少なくとも凸部６に転写薄膜層２を形成する工程（２）と、被転写基板表面に転写薄膜層表面を押し付け剥離して、少なくとも凸部に設けられた転写薄膜層を凹凸基板上から被転写基板上に転写する工程（３）と、エッチングにより被転写基板表面に凹凸構造を形成する工程（４）と、被転写基板表面から転写薄膜層を除去する工程（５）から成る。
【００５５】
実施例３と同様の手法で図４（ｃ）に図示するナノ構造体を作製した後に、アセトン等の有機溶媒中で超音波洗浄し、エポキシ樹脂をニッケル転写薄膜層と共に除去する。１６℃の蓚酸浴中で陽極として４０Ｖを印加し、陽極酸化法によるナノホールを作製すれば、更にアスペクト比の高いナノ構造体を作製する事ができる。また樹脂層の除去により、樹脂の酸による溶解で酸性浴中の不純物濃度の増加を防ぐ事が出来る。
【００５６】
【発明の効果】
以上説明した様に、本発明の構造体の製造方法は、凹凸基板上に形成した離型層と転写薄膜層による被転写基板への凹凸構造の転写と、エッチングによる凹構造の形成により、微細な凹凸構造を有する構造体を簡易に製造することができる。
さらに、本発明は、該構造体を利用した機能デバイスを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る凹凸を有する構造体の製造方法の工程図である。
【図２】本発明のナノ構造体の製造方法の一実施態様を示す工程図である。
【図３】本発明のナノ構造体の製造方法の他の実施態様を示す説明図である。
【図４】本発明のナノ構造体の製造方法の他の実施態様を示す工程図である。
【図５】従来の被陽極酸化基板上に開始点を形成する方法を示す説明図である。
【符号の説明】
１　被転写基板
２　転写薄膜層
３　離型層
４　凹凸基板
５　接着剤
６　凸部
７　凹部
８　中間部
１００　スタンパ
１０１　凸構造
１０２　被転写物
１０３　凹構造
１０００　第１の基板
１０１０　凸部
１０２０　第１の層
２０００　第２の基板
２０２０　凹凸構造
【図１】
2004001191.tif 000003
【図２】
2004001191.tif 000004
【図３】
2004001191.tif 000005
【図４】
2004001191.tif 000006
【図５】
2004001191.tif 000007