(57)【要約】【課題】微結晶薄膜構造体を製造する場合に、成膜時に微結晶となる基板温度や成膜速度などの成膜条件と、薄膜内部の応力が、薄膜構造体としたときに変形や破壊を生じない成膜条件とが必ずしも一致せず、微結晶を有する平面度の高い薄膜構造体を製造することは困難であり、曲りはりなどの立体的な微結晶構造体を精度よく製造することや、薄膜構造体に非結晶部と微結晶部が傾斜的に存在するような構造体を製造することはさらに困難であった。【解決手段】過冷却液体域を有する組成および成膜条件により非晶質薄膜を成膜し、非晶質の薄膜構造体を形成する。次にこの非晶質の薄膜構造体を所定の構造に保持し微結晶を生じるような熱処理を行なうことにより、微結晶薄膜構造体を製造する。また熱勾配を生じるような加熱および保持方法を用いることにより、比し溶質部分と微結晶部分が傾斜的に存在する微結晶薄膜構造体を製造する。【選択図】　　　図１０
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に非晶質薄膜を成膜する工程と、
前記非晶質薄膜を所定の形状にパターニングする工程と、
前記パターンニングされた非晶質薄膜をガラス転移点以上で結晶化開始温度以下の温度にて所定時間加熱処理し前記非晶質薄膜に微結晶を生成させる工程と、
前記基板の少なくとも一部を除去し、薄膜構造体を形成する工程と
を備えたことを特徴とする微結晶薄膜構造体の製造方法。
【請求項２】
基板上に非晶質薄膜を成膜する工程と、
前記非晶質薄膜を所定の形状にパターニングする工程と、
前記非晶質薄膜の少なくとも一部を冷却し残りの部分をガラス転移点以上で結晶化開始温度以下の温度にて所定時間加熱処理して微結晶を生成させる工程と、
前記基板の少なくとも一部を除去し、薄膜構造体を形成する工程と、
を備えたことを特徴とする微結晶薄膜構造体の製造方法。
【請求項３】
基板上に非晶質薄膜を成膜する工程と、
前記非晶質薄膜を所定の形状にパターニングする工程と、
前記基板の少なくとも一部を除去し、薄膜構造体を形成する工程と、
前記薄膜構造体の少なくとも一部に外力を印加し前記非晶質薄膜の一部に変形を生じさせる工程と、
前記薄膜構造体の少なくとも一部をガラス転移点以上で結晶化開始温度以下の温度にて所定時間加熱処理し微結晶を生成させる工程と、
を備えたことを特徴とする微結晶薄膜構造体の製造方法。
【請求項４】
基板上に非晶質薄膜を成膜する工程と、
前記非晶質薄膜を所定の形状にパターニングする工程と、
前記基板の少なくとも一部を除去し、薄膜構造体を形成する工程と、
前記薄膜構造体の少なくとも一部に外力を印加し前記非晶質薄膜の一部に変形を生じさせる工程と、
前記非晶質薄膜の少なくとも一部を冷却し残りの部分をガラス転移点以上結晶化開始温度以下の温度で所定時間加熱処理し微結晶を生成させる工程と
を備えたことを特徴とする微結晶薄膜構造体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、薄膜構造体の製造方法に関し、さらに詳しくはマイクロアクチュエータなどのマイクロマシン、探針、触針、マイクロセンサなどの各種センサ、および走査型フローブ顕微鏡用フローブなどの各種プローブの構造部品などとして使用することのできる、一部もしくは全体が微結晶構造である薄膜構造体の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
マイクロマシン、各種センサ、各種プローブなどにおいては、基板面外へ作用する力を発生させ、また基板外の各種近接効果や流体の流動、他の電子回路の電圧などを検出する。このため、半導体製造に用いられる薄膜成膜技術および微細加工技術を応用したマイクロマシーニングによって、さまざまな薄膜からなる、はりなどの微小な平面構造体や、平面構造体を立体的に湾曲・変形させた微小な立体構造の薄膜構造体が用いられるようになった。
【０００３】
このような薄膜構造体の製造方法として、本発明者らは、過冷却液体域を有する非晶質材料の性質に着目し、過冷却液体域を有する非晶質材料からなる薄膜を所定の基板上に形成し、この薄膜加工体を過冷却液体域から室温まで冷却し、基板の少なくとも一部を除去する平面構造の薄膜構造体の造方法（特許第３１２５０４８号）、および過冷却液体域を有する非晶質材料からなる薄膜構造体を過冷却液体域に加熱して軟化させ、この薄膜構造体に外力を加えて所定の形状に変形させてから室温に冷却する立体構造の薄膜構造体の製造方法（特許第３０９９０６６号）を開発した。
【０００４】
ところで従来の数十から数百ミクロンオーダの結晶粒を有する多結晶材料に比べ、高い靭性などの優れた機械的性質を有することや、非晶質材料よりも電気伝導性が高くできるなど、非晶質材料よりもさらに優れた多くの性質が得られる材料として、数十ミクロンからナノメートルオーダーの大きさの微結晶を持つ微結晶材料が知られるようになった。
【０００５】
しかしながら、微結晶材料を用いたカンチレバーなどの平面的な薄膜構造体を製造する場合には、成膜時に微結晶構造となる基板温度や成膜速度などの成膜条件と、薄膜構造体としたときに薄膜内部の応力が変形や破壊を生じない成膜条件とを必要とするが、これらを同時に満たすことができないことから、微結晶構造を持ち平面度の高い薄膜構造体を製造することは困難であり、曲りはりなどの立体的な微結晶構造体を精度よく製造することは、さらに困難であった。また成膜時に微結晶を形成する方法では、薄膜全体が微結晶となるため、薄膜構造体に非結晶部と微結晶部が傾斜的に存在するような構造体を製造することは極めて困難であるという問題があった。
【０００６】
【発明の解決しようとする課題】
本発明の目的は、従来技術におけるこうした問題点を解決し、微結晶材料または非晶質と微結晶部が傾斜的に存在する材料を有する、平面的または立体的薄膜構造体を製造する製造方法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、微結晶を持つ薄膜構造体の製造方法について研究を重ねた結果、まず非晶質薄膜により薄膜構造体を形成し、次にこの非晶質薄膜の構造体をガラス転移点以上、結晶化開始温度以下の温度で所定時間熱処理を行い、非晶質相に微結晶を生成させることにより、微結晶薄膜構造体を得ることができることを見出し、さらに研究を進めた結果、本発明に到達した。
【０００８】
本発明における第１の微結晶薄膜構造体の製造方法は、基板上に非晶質薄膜を成膜する工程と、前記非晶質薄膜を所定の形状にパターニングする工程と、前記パターンニングされた非晶質薄膜をガラス転移点以上で結晶化開始温度以下の温度にて所定時間加熱処理し前記非晶質薄膜に微結晶を生成させる工程と、前記基板の少なくとも一部を除去し薄膜構造体を形成する工程とを備え、平板状の微結晶薄膜構造体を製造することを特徴とする。
【０００９】
また本発明における第２の微結晶薄膜構造体の製造方法は、基板上に非晶質薄膜を成膜する工程と、前記非晶質薄膜を所定の形状にパターニングする工程と、前記非晶質薄膜の少なくとも一部を冷却し残りの部分をガラス転移点以上で結晶化開始温度以下の温度にて所定時間加熱処理して微結晶を生成させる工程と、前記基板の少なくとも一部を除去し、薄膜構造体を形成する工程とを備え、平板状で微結晶部分と非晶質部分とが傾斜的に存在する微結晶薄膜構造体を製造することを特徴とする。
【００１０】
また本発明における第３の微結晶薄膜構造体の製造方法は、基板上に非晶質薄膜を成膜する工程と、前記非晶質薄膜を所定の形状にパターニングする工程と、前記基板の少なくとも一部を除去し、薄膜構造体を形成する工程と、前記薄膜構造体の少なくとも一部に外力を印加し前記非晶質薄膜の一部に変形を生じさせる工程と、前記薄膜構造体の少なくとも一部をガラス転移点以上で結晶化開始温度以下の温度にて所定時間加熱処理し微結晶を生成させる工程とを備え、立体構造の微結晶薄膜構造体を製造することを特徴とする。
【００１１】
さらに本発明における第４の微結晶薄膜構造体の製造方法は、基板上に非晶質薄膜を成膜する工程と、前記非晶質薄膜を所定の形状にパターニングする工程と、前記基板の少なくとも一部を除去し、薄膜構造体を形成する工程と、前記薄膜構造体の少なくとも一部に外力を印加し前記非晶質薄膜の一部に変形を生じさせる工程と、前記非晶質薄膜の少なくとも一部を冷却し残りの部分をガラス転移点以上結晶化開始温度以下の温度で所定時間加熱処理し微結晶を生成させる工程とを備え、立体構造で微結晶部分と非晶質部分とが傾斜的に存在する微結晶薄膜構造体を製造することを特徴とする。
【００１２】
本発明において、ガラス転移点Ｔｇは、非晶質薄膜を温度上昇させたときに、固相から高粘度の過冷却液体に転移する温度である。また結晶化開始温度Ｔｘはこの過冷却液体を温度上昇させたときに、結晶化が観測され始める温度である。ところで過冷却液体からの結晶化が観測される温度は、観測時の温度上昇速度に依存し、また測定手段にも依存する。本発明においては、結晶化開始温度を、示差走査熱量計（ＤＳＣ）を用い、温度上昇速度を０．１６℃／秒とし、この温度上昇速度で昇温した場合に、結晶化による発熱の開始がＤＳＣによって検出される温度を結晶化開始温度Ｔｘと定義する。
【００１３】
本発明において、製造する微結晶薄膜構造体における微結晶の大きさ、例えば粒子径は、着目する微結晶薄膜構造体の特性や微結晶薄膜構造体の用途に応じ、さまざまの大きさの選定が可能である。しかし結晶の大きさが大きすぎると通常の多結晶薄膜と同様になり、微結晶薄膜の性質を得ることができないし、結晶の大きさが小さすぎても結晶としての性質が失われるので微結晶薄膜の性質を得ることができない。したがって微結晶の粒子径としては、およそ２，０００ｎｍ以下で１ｎｍ以上であることが好ましく、１，０００ｎｍ以下で１ｎｍ以であることがより好ましく、１００ｎｍ以下で１ｎｍ以上であることがさらに好ましい。
【００１４】
本発明によれば、非晶質の状態で成膜することにより、微結晶薄膜を直接成膜する場合に比べて、基板温度など成膜条件を大幅に緩和することができる。特に過冷却液体域を有する非晶質合金は、低い臨界冷却速度を有し、特に基板冷却などを行わずに非晶質薄膜を成膜することができる。
【００１５】
また本発明によれば、成膜後、過冷却液体域で熱処理し、微結晶化することで、薄膜の内部応力または弾性応力を緩和することができるので、安定性の優れた平面または立体的な薄膜構造体を製造することができる。
【発明の実施の形態】
本発明の微結晶薄膜構造体の製造方法において使用する基板は、微結晶薄膜構造体の用途によって適宜選択でき、例えば単結晶シリコンや、酸化膜または窒化膜を設けた単結晶シリコン、パイレックス（登録商標）ガラス、およびステンレス板などを用いることができる。
【００１６】
また本発明の微結晶薄膜構造体の製造方法においては、基板上に非晶質薄膜を形成する形成方法として、高周波マグネトロンスパッタなどのスパッタリング、蒸着などの物理蒸着法や、ＣＶＤ法などの化学蒸着法など、公知の方法を用いることができる。このような薄膜形成方法を用いて、過冷却液体域を有する非晶質材料の薄膜を基板上に形成する。ここで用いる非晶質材料は、過冷却液体域を有し、本発明の目的を達成できるものであれば、非晶質材料の種類は限定されず、各種非晶質金属合金、例えばＺｒ−Ｃｕ−ＡｌやＰｄ−Ｃｕ−Ｓｉなどのほか、各種の非晶質体を用いることができる。
【００１７】
本発明のナノ結晶薄膜構造体の製造方法においては、上記のようにして基板上に形成した薄膜を所定形状にパターンニングして製造する。前記パターンニング形成には、フッ酸や水酸化カリウム溶液を用いたウエットエッチングやＲＩＥ（反応性イオンエッチング）などのドライエッチングに代表される公知の微細加工技術を用いることができる。
【００１８】
本発明のナノ結晶薄膜構造体の製造方法において、パターンニングされた非晶質薄膜は、加熱して過冷却液体域にて熱処理する。非品質薄膜はガラス転移温度を超えると１０１１〜１０１３Ｐａ・ｓの過冷却液体状態となり、薄膜内部の応力が除去できる。また非晶質薄膜をこの過冷却液体状態の温度範囲に保つことにより、この過冷却液体状態の相から微結晶を生成することができる。
【００１９】
図１は２種の非晶質薄膜について、ＤＳＣにより各温度の結晶化の開始時間を求めた時間温度変態線図である。微結晶を生成するためには、図１において線よりも右上の結晶化の領域に達するように熱処理を行えばよい。Ｔｘの近くでは結晶化が早く進むので熱処理時間は短くでき、他方Ｔｇの近くでは結晶化が遅いので比較的に長時間の熱処理が必要となる。なお、こうした熱処理による結晶化は、電子顕微鏡観察によって微結晶粒子の生成を観察したり、電子線回折によって回折線を見出すなどの方法により確認することができる。
【００２０】
良好な微結晶相を生成するためには、過冷却液体域の温度幅　Ｔｘ−Ｔｇが１０℃以上であることが望ましく、２０℃以上であることがさらに望ましい。また比較的広い過冷却液体域を有することによって、薄膜の加熱工程が安定し、このため工程が簡易化できる。
【００２１】
本発明の微結晶薄膜構造体の製造方法において、過熱処理に用いる加熱手段としては、赤外線加熱、レーザ加熱、高周波加熱などの公知の各加熱手段を用いることができる。この加熱処理では、薄膜構造体を全体的に加熱処理して構造体全体を微結晶化することができるほか、熱処理において薄膜構造体に温度差を与えることにより、微結晶の生成量が傾斜を持つ微結晶傾斜薄膜構造体とすることもできる。
【００２２】
薄膜構造体の熱処理において薄膜構造体に温度差を与えるには、冷却材を薄膜構造体に接触させて、局部的に冷却を行う方法を用いることができる。例えば熱処理の際に、非晶質薄膜パターン上の所定の位置に冷却部材を接触させ、非晶質薄膜パターンまたは薄膜構造体に熱勾配を生じさせる。このような状態で熱処理を行うことにより、温度の高い部分がより結晶化し、冷却部剤を接触させた部分は、非晶質のままとなるなどして、熱勾配にしたがって非晶質部分と微結晶部分が傾斜的に存在する非晶質−微結晶材料による構造体が実現できる。薄膜構造を立体形状に変形させるために治具を使用する場合には、この冶具を冷却部材として用いることができる。
【００２３】
本発明の微結晶薄膜構造体の製造方法においては、薄膜構造体を加熱して過冷却液体域にて熱処理する際に、薄膜構造体に応力を加えて変形させ、変形によって生じた内部応力をこの熱処理によって除いた後、これを冷却することにより、変形を保った立体構造を得ることができる。薄膜構造体を変形させて立体構造を得るための応力の印加方法としては、治具を用いるなどして機械的に応力を印加する方法、電極層などを用い薄膜構造体との間に静電的な応力を印加する方法、磁性体を用いて薄膜構造体との間に磁気的な応力を印加する方法や、また目的によって薄膜構造体を熱膨張率の異なる層状にし、層間の熱膨張の差によるバイメタル効果により変形させる方法など、特許第３０９９０６６号に記載の各方法を用いることができる。
【００２４】
過冷却液体域においてこの薄膜を加熱保持する時間は、図１に示したように、加熱温度によって大きく異なるほか、薄膜を構成する材料の種類や薄膜の厚さ、薄膜の形成条件などによっても異なるものとなる。一般にはこのような温度領域において１０２〜１０４秒程度保持する。これによって、薄膜加工体内の応力を十分に除去するとともに微結晶化することができ、本発明の目的を達成することができる。加熱処理の後は、薄膜を過冷却液体域から室温にまで冷却する。冷却手段としては、熱放射などによる自然冷却、冷却用ガス導入による冷却、冷却盤との接触による冷却などの手段を用いることができる。
【００２５】
本発明の微結晶薄膜構造体の製造方法においては、基板の少なくとも一部の除去を行う。基板の少なくとも一部を除去する方法としては、前述したようなウエットエッチングあるいはドライエッチングなどに代表される公知の微細加工技術によって行うことができる。この基板の少なくとも一部の除去は、熱処理時の変形を防いで平面構造のナノ結晶構造体を得るために、熱処理の後に行うことができる。また、上記熱処理の前に基板の少なくとも一部の除去を行ない、熱処理時には構造体に応力を加えて変形させ所定の立体構造を得るようにすることもできる。
【００２６】
本発明の微結晶薄膜構造体の製造においては、基板に過冷却液体域を有する非晶質材料からなる薄膜を形成する前に、特許第３１２５０４８号に記載されているように、所定の形状にパターニングされた犠牲層を形成しておくことができる。この場合には、犠牲層を覆うように非晶質薄膜を基板上に形成し、前記基板の少なくとも一部を除去する代わりに、この犠牲層を除去することによって、薄膜平面構造体を得ることができる。
【００２７】
パターニングされた犠牲層の形成は、スピンコートなどによってレジストを基板の主面上に均一に塗布した後、Ｃｒからなるマスクを通して露光・現像することによって行うことができる。さらには、ポリシリコンなどをＣＶＤなどの手段によって基板の主面上に均一に形成した後、レジストからなる保護膜を前記ポリシリコン膜上に形成し、ウエットエッチングすることによって形成することもできる。
【００２８】
本発明の微結晶薄膜構造体を構成する前記薄膜加工体の厚さは特に限定されず、用途に応じ、過冷却液体域を有する範囲内においてあらゆる厚さに形成することができる。特に、薄膜平面加工体の厚さが１〜２０μｍの範囲内においては、上記のような過冷却液体域を有するとともに、各種センサや各種プローブなどに使用するのに好ましい強度を有する。したがって、薄膜平面加工体、さらには薄膜平面加工体に加工する以前の薄膜を１〜２０μｍに形成することにより、各種センサや各種プローブに対して好適な微結晶薄膜構造体を提供することができる。
【００２９】
（実施例１）
図２に示したように、シリコン基板１上に、厚さ５μのＰｄ基薄膜金属ガラス（Ｐｄ７６Ｃｕ７Ｓｉ１７、添字は原子％）の非晶質薄膜２を次のような半導体プロセスによりパターンニングした。
【００３０】
まず基板の主面上にポリイミド膜をスピンコート法により厚さ５μｍに形成した。次にポリイミド膜をＲＩＥ（反応性イオンエッチング）によってパターニングすることにより、パターニング層を形成した。次に基板の裏面上に熱酸化法によって酸化シリコン層を厚さ１μｍに形成した。次いでスハパッタリング法によって上記組成の金属ガラスからなる薄膜をパターニング層で覆うようにして基板の主面上に厚さ２μｍに形成した。次に水酸化カリウムに基板を浸漬させることによってパターニング層を除去するとともに、薄膜をパターニングすることによって薄膜加工体を形成した。
【００３１】
図３には、この非晶質薄膜２の示差熱曲線を示差走査熱量計により、温度上昇速度０．１６℃／秒にて測定した結果を示す。図において、ガラス転移温度Ｔｇが６３７Ｋ、結晶化開始温度Ｔｘが６６９Ｋであり、ＴｘとＴｇの間に過冷却液体域が存在している。
【００３２】
この非晶質薄膜２を、赤外線を加熱手段として用い、酸化防止のためにこの非晶質薄膜２を１０−３Ｐａ以下に減圧した熱処理環境にて、結晶化温度Ｔｘにて１２０秒間加熱して熱処理し、冷却速度１０℃／分で室温まで冷却した。加熱途中の過冷却液体域での軟化により薄膜の内部応力緩和と、結晶化による薄膜構造の硬化とを得た。
【００３３】
冷却後、８０℃に加熱した水酸化カリウム水溶液に２時間浸漬させることによって、シリコン基板の一部を除去し、図４に示した平面的な片持ち梁形状の微結晶薄膜構造体３を得た。こうして得た薄膜構造体３が微結晶化していることは、電子顕微鏡観察を行なって微結晶粒子が存在することにより確認した。また電子線回折により微結晶による回折線の存在を確認した。
【００３４】
（実施例２）
実施例１と同様にして、シリコン基板１上に半導体プロセスなど公知の方法によりパターンニングされた非晶質薄膜を形成し、続いて図５に示したように、基板１上にパターンニングされた非晶質薄膜２の一部に、冷却部材４を接触させた。本実施例では、冷却部材４として、板１より十分大きいステンレス製のものを用いた。なお、必要に応じて冷却部材４に図示しない冷却パイプを接続し、そのパイプ内に冷媒を循環させる冷却装置を設けてもよい。
【００３５】
図５に示した冷却部材４を接触させた状態で、実施例１と同様に、酸化防止のため１０−３Ｐａ以下の減圧下にて、赤外線加熱により結晶化開始温度Ｔｘ（６６９Ｋ）にて２５０秒間加熱し、冷却部材５により冷却された部分は結晶化せず、冷却部材から遠ざかるにしたがって結晶化度が上昇する非晶質−微結晶傾斜材料で構成された図６の薄膜構造体５が製作できた。加熱途中に通過する過冷却液体域での軟化により、薄膜構造体５の内部応力が緩和され、また結晶化による構造の強化が得られた。得られた薄膜構造体５の結晶化度大の部分について電子顕微鏡観察の結果、よく微結晶化していることを確認した。また電子線回折により微結晶による回折線を確認した。
【００３６】
（実施例３）
図７は、本実施例に用いた厚さ５μｍのＺｒ基薄膜金属ガラス（Ｚｒ７５Ｃｕ１５Ａｌ６、添字は原子％）の非晶質の片持ち梁形状の薄膜構造体６を示す。この片持ち梁形状の薄膜構造体６は、次のようにして作製した。まず、シリコン基板上に実施例１と同様に、基板１の主面上にポリイミド膜をスピンコート法により厚さ５μｍに形成し、このポリイミド膜をＲＩＥ（反応性イオンエッチング）によってパターニング層を形成した。次に基板の裏面上に熱酸化法によって酸化シリコン層を厚さ１μｍに形成した。次にスパッタリング法によって上記組成の金属ガラスからなる薄膜をパターニング層を覆うようにして基板の主面上に厚さ２μｍに形成し、これを水酸化カリウムに基板を浸漬させることによってパターニング層を除去するとともに、薄膜をパターニングすることによって、薄膜加工体を形成し、続いて８０℃に加熱した水酸化カリウム水溶液に２時間浸漬させることによって、シリコン基板の一部を除去し、図７に示した片持ち梁形状の薄膜構造体６を得た。
【００３７】
この非晶質薄膜平面構造体６を、図８に示したように、ステンレス部材７により変形させ、結晶化開始温度Ｔｘ（７１３Ｋ）にて、赤外光加熱など公知の加熱手段により、１０−３Ｐａ以下の減圧下にて１１０秒間加熱し、加熱途中に通過する過冷却液体域での軟化により内部応力の緩和と、結晶化による構造の硬化が得られ、冷却後、図９に示した立体構造の微結晶薄膜構造体８を製作できた。得られた薄膜構造体８について電子顕微鏡観察の結果、微結晶化していることを確認した。また電子線回折により微結晶による回折線を確認した。
【００３８】
（実施例４）
図８に示した部材７を大きな熱容量を持つ冷却部材とし、他は実施例３と同様にすることにより、熱勾配にしたがって非晶質−微結晶傾斜材料で構成された図１０の薄膜立体構造体９が製作できた。得られた薄膜構造体４の結晶化度大の部分について電子顕微鏡観察の結果、よく微結晶化していることを確認した。また電子線回折により微結晶による回折線を確認した。
【００３９】
【発明の効果】
本発明によれば、微結晶または微結晶の量が傾斜的に変化して存在する材料を備えた薄膜平面構造体または薄膜立体構造体が製造できる。例えば応力の集中する根元の部分は微結晶化により破壊靭性を大きくし、耐磨耗性や高硬度の要求される先端部分は非晶質に保つなど、その部位ごとにその部位に適した性質を持たせることができるので、各種マイクロプローブや、マイクロマニュピレータのエンドフェクタなどのナノ・マイクロマシンその他多くの用途に適用可能な薄膜構造体を実現できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】２種の非晶質薄膜について各温度における結晶化の開始時間を示した時間温度変態線図である。
【図２】基板上にパターンニングした非晶質薄膜を示す図である。
【図３】示差走査熱量計により測定した非晶質薄膜の示差熱曲線を示す図である。
【図４】平面的な片持ち梁形状の微結晶薄膜構造体を示す図である。
【図５】基板上にパターンニングした非晶質薄膜に冷却部材を接触させることにより、温度勾配を与えて熱処理を行うことを示した図である。
【図６】非晶質−微結晶傾斜材料で構成された薄膜構造体を示した図である。
【図７】片持ち梁形状の薄膜構造体を示す図である。
【図８】非晶質の薄膜平面構造体をステンレス部材により変形させながら熱処理を行う状況を示した図である。
【図９】立体構造の微結晶薄膜の構造体を示す図である。
【図１０】非晶質−微結晶傾斜材料で構成された薄膜立体構造体を示した図である。
【符号の説明】
１……シリコン基板、２……薄膜、３……片持ち梁形状の微結晶薄膜構造体、４……冷却部材、５……薄膜構造体、６……非晶質の片持ち梁形状の薄膜構造体、７……ステンレス部材、８……立体構造の微結晶薄膜構造体、９……非晶質−微結晶傾斜材料で構成された薄膜立体構造体。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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