(57)【要約】【課題】検知用巨大磁気抵抗素子に対して磁気センサ外部から磁気ノイズが加わりにくく安定した磁界検出を行うことができる磁気センサ及び無接点スイッチを提供する。【解決手段】周方向半々ずつがそれぞれＮ極及びＳ極とされた円筒部１２ａ内に巨大磁気抵抗素子Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４を配置し、円筒部１２ａから巨大磁気抵抗素子Ｒ２，Ｒ３へ磁束Ｚ（磁界）が常に付与されるようにする。磁性体１４が許容位置に位置する際には、円筒部１２ａから巨大磁気抵抗素子Ｒ１，Ｒ４へ磁束Ｚ（磁界）が付与されるようにする。磁性体１４が遮断位置に位置する際には、円筒部１２ａからの磁束Ｚを磁性体１４の遮蔽筒部１４ａにて遮断することにより、巨大磁気抵抗素子Ｒ１，Ｒ４へその磁束Ｚ（磁界）が付与されないようにする。【選択図】  図２
2004198186.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
周方向半々ずつがそれぞれＮ極及びＳ極とされた磁界発生筒部を備える磁石と、
前記磁界発生筒部内に配置されると共に検出する磁界の大きさに応じた検出値を出力する基準用巨大磁気抵抗素子及び検知用巨大磁気抵抗素子と、
磁界遮断部材とを備え、
前記基準用巨大磁気抵抗素子及び前記検知用巨大磁気抵抗素子にてブリッジ回路を構成し、
前記磁界遮断部材は、前記磁界発生筒部から前記検知用巨大磁気抵抗素子へ磁界が付与されないように磁界を遮断する遮断位置と、前記磁界発生筒部から前記検知用巨大磁気抵抗素子への磁界の付与を許容する許容位置との間を変位自在に設けられたことを特徴とする磁気センサ。
【請求項２】
前記磁界遮断部材は、前記検知用巨大磁気抵抗素子を収納可能に設けられており、
前記磁界遮断部材が前記検知用巨大磁気抵抗素子を収納していない非収納状態の位置を許容位置とし、
前記磁界遮断部材が検知用巨大磁気抵抗素子を収納する位置を遮断位置とし、前記磁界遮断部材が前記磁界発生筒部の軸線方向へ移動することにより、前記許容位置と前記遮断位置とを変位自在に設けられていることを特徴とする請求項１に記載の磁気センサ。
【請求項３】
前記磁界遮断部材は、筒状をなすと共に前記検知用巨大磁気抵抗素子を収納するように配置されており、その外周には前記磁界発生筒部の磁界が通過可能な一対の磁界導入孔を備え、
前記一対の磁界導入孔を介して前記磁界発生筒部から前記検知用巨大磁気抵抗素子への磁界の付与を許容する際の前記磁界遮断部材の位置を許容位置とし、
前記一対の磁界導入孔を介して前記磁界発生筒部から前記検知用巨大磁気抵抗素子への磁界の付与を許容しない際の前記磁界遮断部材の位置を遮断位置とし、前記磁界遮断部材が前記磁界発生筒部の軸線を中心として回転することにより、前記許容位置と前記遮断位置とを変位自在に設けられていることを特徴とする請求項１に記載の磁気センサ。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のうちいずれか１項に記載の磁気センサを備え、前記ブリッジ回路からの検出信号を二値化する二値化手段を備えたことを特徴とする無接点スイッチ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、磁気センサ及び無接点スイッチに係り、詳しくは磁界の大きさを検出する磁気センサ及び無接点スイッチに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、巨大磁気抵抗素子にてブリッジ回路を構成し、そのブリッジ回路により外部磁界を検出する磁気センサが提案されている。上記磁気センサの一例として、磁界変化領域に配置された検知用巨大磁気抵抗素子と、磁界が変化しない領域に配置された基準用巨大磁気抵抗素子とからなるブリッジ回路を備えた磁気センサが提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００３】
この磁気センサにおける基準用巨大磁気抵抗素子は、特殊な加熱処理を施したり、常に強い磁界を与えたりすることにより磁気センサ外部から磁気ノイズが加えられても、その検出値が変化しないように構成されている。そして、前記検知用巨大磁気抵抗素子に対して与えられる磁界の変化に応じて、前記ブリッジ回路から所定の検出値が得られるようになっている。
【０００４】
【特許文献１】
特開２０００−１７４３５８号公報（段落番号「００１７」、「００２４」、第１図）
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、特許文献１の磁気センサにおいては、基準用巨大磁気抵抗素子は磁気センサ外部からの磁気ノイズに対して強いものの、検知用巨大磁気抵抗素子は磁気センサ外部からの磁気ノイズが加わりやすく、かつその磁気ノイズに弱いという問題があった。従って、検知用巨大磁気抵抗素子に対して磁気センサ外部からの磁気ノイズが加えられると、検出精度が悪くなるという問題があった。
【０００６】
本発明は、前述した事情に鑑みてなされたものであって、その目的は検知用巨大磁気抵抗素子に対して磁気センサ外部から磁気ノイズが加わりにくく安定した磁界検出を行うことができる磁気センサ及び無接点スイッチを提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、請求項１に記載の発明は、周方向半々ずつがそれぞれＮ極及びＳ極とされた磁界発生筒部を備える磁石と、前記磁界発生筒部内に配置されると共に検出する磁界の大きさに応じた検出値を出力する基準用巨大磁気抵抗素子及び検知用巨大磁気抵抗素子と、磁界遮断部材とを備え、前記基準用巨大磁気抵抗素子及び前記検知用巨大磁気抵抗素子にてブリッジ回路を構成し、前記磁界遮断部材は、前記磁界発生筒部から前記検知用巨大磁気抵抗素子へ磁界が付与されないように磁界を遮断する遮断位置と、前記磁界発生筒部から前記検知用巨大磁気抵抗素子への磁界の付与を許容する許容位置との間を変位自在に設けられたことを要旨とする。
【０００８】
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の磁気センサにおいて、前記磁界遮断部材は、前記検知用巨大磁気抵抗素子を収納可能に設けられており、前記磁界遮断部材が前記検知用巨大磁気抵抗素子を収納していない非収納状態の位置を許容位置とし、前記磁界遮断部材が検知用巨大磁気抵抗素子を収納する位置を遮断位置とし、前記磁界遮断部材が前記磁界発生筒部の軸線方向へ移動することにより、前記許容位置と前記遮断位置とを変位自在に設けられていることを要旨とする。
【０００９】
請求項３に記載の発明は、請求項１に記載の磁気センサにおいて、前記磁界遮断部材は、筒状をなすと共に前記検知用巨大磁気抵抗素子を収納するように配置されており、その外周には前記磁界発生筒部の磁界が通過可能な一対の磁界導入孔を備え、前記一対の磁界導入孔を介して前記磁界発生筒部から前記検知用巨大磁気抵抗素子への磁界の付与を許容する際の前記磁界遮断部材の位置を許容位置とし、前記一対の磁界導入孔を介して前記磁界発生筒部から前記検知用巨大磁気抵抗素子への磁界の付与を許容しない際の前記磁界遮断部材の位置を遮断位置とし、前記磁界遮断部材が前記磁界発生筒部の軸線を中心として回転することにより、前記許容位置と前記遮断位置とを変位自在に設けられていることを要旨とする。
【００１０】
請求項４に記載の発明は、請求項１乃至請求項３のうちいずれか１項に記載の磁気センサを備え、前記ブリッジ回路からの検出信号を二値化する二値化手段を備えたことを特徴とすることを要旨とする。
【００１１】
【発明の実施の形態】
（第１実施形態）
以下、本発明を具体化した第１実施形態を図１〜図６に従って説明する。
【００１２】
図１に示すように、本実施形態の無接点スイッチ１１は、磁石１２、基板１３、及び磁界遮断部材としての磁性体１４を備えている。前記磁石１２は、磁界発生筒部としての円筒部１２ａと、底部１２ｂとを備えている。
【００１３】
なお、本明細書における磁性体とは、強磁性体のことをいう。
図３に示すように、前記円筒部１２ａ及び前記底部１２ｂは、円筒部１２ａにおける周方向半々ずつがそれぞれＮ極及びＳ極とされている。以下、図３及び図４に示すように前記円筒部１２ａにおけるＮ極とＳ極との境界面を境界面Ｍという。このように、磁石１２における円筒部１２ａの周方向半々ずつがそれぞれＮ極及びＳ極とされていることにより、図４に示すように、前記磁石１２におけるＮ極からＳ極へ発せられる磁束Ｚの方向は、前記境界面Ｍに対して直交する方向となる。
【００１４】
図１に示すように、前記磁石１２内において、底部１２ｂには前記基板１３が固定されている。前記基板１３は矩形状に形成され、その一対の長辺１３ａが円筒部１２ａの軸線Ｏに平行となるように配置されている。図４に示すように、前記基板１３は、その主面１３ｂが前記境界面Ｍに対して直交するように配置されている。図１に示すように、前記基板１３の主面１３ｂには、４つの巨大磁気抵抗素子Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４が形成されている。
【００１５】
図５に示すように、前記巨大磁気抵抗素子Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４によりブリッジ回路としてのフルブリッジ回路Ｂが構成されている。前記巨大磁気抵抗素子Ｒ１と巨大磁気抵抗素子Ｒ２とが互いに直列接続され、巨大磁気抵抗素子Ｒ３と巨大磁気抵抗素子Ｒ４とが互いに直列接続されている。そして、前記巨大磁気抵抗素子Ｒ１，Ｒ２と、前記巨大磁気抵抗素子Ｒ３，Ｒ４とが互いに並列接続されている。巨大磁気抵抗素子Ｒ１と巨大磁気抵抗素子Ｒ２との間には中点ａが形成され、巨大磁気抵抗素子Ｒ３と巨大磁気抵抗素子Ｒ４との間には中点ｂが形成されている。前記基板１３の主面１３ｂには、二値化手段としてのコンパレータＣＰが形成されている。前記コンパレータＣＰの反転入力端子には前記中点ａが接続され、同コンパレータＣＰの非反転入力端子には前記中点ｂが接続されている。なお、説明の便宜上、コンパレータＣＰは図１及び図２においては、図示していない。
【００１６】
図１に示すように、前記主面１３ｂ上において、前記底部１２ｂに近い側の長手端部には前記巨大磁気抵抗素子Ｒ２，Ｒ３が配置され、もう一方の長手端部には前記巨大磁気抵抗素子Ｒ１，Ｒ４が配置されている。また、前記巨大磁気抵抗素子Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４は、前記軸線Ｏに沿って電流が流れるように配置されている。前記巨大磁気抵抗素子Ｒ１，Ｒ４は検知用巨大磁気抵抗素子に相当し、前記巨大磁気抵抗素子Ｒ２，Ｒ３は基準用巨大磁気抵抗素子に相当する。
【００１７】
そして、前記底部１２ｂには、前記基板１３に設けられた図示しない配線を導出するための配線導出孔１２ｃが形成され、その配線導出孔１２ｃを介して図示しない配線が導出されている。この配線は、前記フルブリッジ回路Ｂへの電源供給用の配線やフルブリッジ回路Ｂからの信号出力用の配線である。
【００１８】
また、前記磁石１２において、底部１２ｂを備える端部とは反対側の端部には開口部１２ｄを備えている。前記磁性体１４は鉄にて形成されており、同磁性体１４は筒状をなす遮蔽筒部１４ａと底部１４ｂとを備えている。前記磁性体１４において、底部１４ｂを備える端部とは反対側の端部には開口部１４ｃを備えている。そして、前記磁性体１４の開口部１４ｃ側が、前記磁石１２の開口部１２ｄを介して磁石１２内を往復動可能に配置されている。前記磁石１２に対して磁性体１４の遮蔽筒部１４ａが挿入可能となるように、前記遮蔽筒部１４ａの外径は前記磁石１２の円筒部１２ａの内径より若干小さく形成されている。また、前記磁性体１４の遮蔽筒部１４ａに対して基板１３が挿入可能となるように、前記遮蔽筒部１４ａの内径は、前記基板１３の幅（図１における基板１３の上下方向長さ）より若干大きく形成されている。
【００１９】
以下、前記磁性体１４の遮蔽筒部１４ａが検知用巨大磁気抵抗素子である前記巨大磁気抵抗素子Ｒ１，Ｒ４を収納していない状態（非収納状態）の磁性体１４の位置を許容位置（図１参照）という。また、同磁性体１４の遮蔽筒部１４ａが前記巨大磁気抵抗素子Ｒ１，Ｒ４を収納した状態の磁性体１４の位置を遮断位置（図２参照）という。
【００２０】
図１に示すように、前記磁性体１４が許容位置に位置する際には、前記磁石１２の円筒部１２ａから前記巨大磁気抵抗素子Ｒ１，Ｒ４へ磁束Ｚ（磁界）の付与が許容される。一方、図２に示すように、前記磁性体１４が遮断位置に位置する際には、前記磁石１２の円筒部１２ａから前記巨大磁気抵抗素子Ｒ１，Ｒ４へ磁束Ｚ（磁界）が付与されないように磁束Ｚをその磁性体１４の遮蔽筒部１４ａにて遮断する。
【００２１】
上記磁石１２、磁性体１４、及び巨大磁気抵抗素子Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４にて磁気センサ１５が構成されている。
次に、上記第１実施形態のように構成された無接点スイッチ１１の作用について説明する。
【００２２】
図１に示すように、前記磁性体１４を許容位置に位置させると、前記磁石１２の円筒部１２ａから前記巨大磁気抵抗素子Ｒ１，Ｒ４へ磁束Ｚ（磁界）が付与される。そして、前記巨大磁気抵抗素子Ｒ２，Ｒ３には、常に円筒部１２ａから磁束Ｚ（磁界）が付与されている。このため、磁性体１４が許容位置に位置する際には、前記巨大磁気抵抗素子Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４はそれぞれ磁束Ｚ（磁界）が付与されて抵抗値が減少した状態とされている。この結果、コンパレータＣＰから出力される信号はＬレベルとなる。
【００２３】
一方、図２に示すように、前記磁性体１４を遮断位置に位置させると、前記磁石１２の円筒部１２ａから発せられる磁束Ｚは磁性体１４の遮蔽筒部１４ａに遮断されて前記巨大磁気抵抗素子Ｒ１，Ｒ４に付与されない。そして、前記巨大磁気抵抗素子Ｒ２，Ｒ３には、常に円筒部１２ａから磁束Ｚ（磁界）が付与されている。このため、磁性体１４が遮断位置に位置する際には、前記巨大磁気抵抗素子Ｒ２，Ｒ３はそれぞれ磁束Ｚ（磁界）が付与されて抵抗値が減少した状態とされ、前記巨大磁気抵抗素子Ｒ１，Ｒ４はそれぞれ磁束Ｚ（磁界）が付与されず元々備わっている抵抗値とされている。この結果、コンパレータＣＰから出力される信号はＨレベルとなる。
【００２４】
そして、巨大磁気抵抗素子Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４は、磁石１２と磁性体１４との協働により覆われているため、無接点スイッチ１１外部から磁気ノイズが加わりにくく、安定した磁界検出を行える。本実施形態では、底部１２ｂに図示しない配線を導出するための配線導出孔１２ｃが形成されているが、同配線導出孔１２ｃは、前記配線を導出するために最小限の大きさで形成されているため、この円筒部１２ａを介して無接点スイッチ１１外部からの磁気ノイズが入りにくい。
【００２５】
従って、上記第１実施形態の無接点スイッチ１１によれば、以下のような効果を得ることができる。
（１）本実施形態では、周方向半々ずつがそれぞれＮ極及びＳ極とされた円筒部１２ａ内に巨大磁気抵抗素子Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４を配置し、円筒部１２ａから巨大磁気抵抗素子Ｒ２，Ｒ３へ磁束Ｚ（磁界）が常に付与されるようにした。そして、磁性体１４が許容位置に位置する際には、円筒部１２ａから巨大磁気抵抗素子Ｒ１，Ｒ４へ磁束Ｚ（磁界）が付与されるようにした。磁性体１４が遮断位置に位置する際には、円筒部１２ａからの磁束Ｚを同磁性体１４の遮蔽筒部１４ａにて遮断することにより、巨大磁気抵抗素子Ｒ１，Ｒ４へその磁束Ｚ（磁界）が付与されないようにした。
【００２６】
即ち、巨大磁気抵抗素子Ｒ１，Ｒ４は、磁性体１４が許容位置に位置する際には、磁束Ｚ（磁界）が付与されていることにより、無接点スイッチ１１外部の磁気ノイズが加わりにくい。また、巨大磁気抵抗素子Ｒ１，Ｒ４は、磁性体１４が遮断位置に位置する際には、磁石１２及び磁性体１４の二重の部材に覆われていることにより、無接点スイッチ１１外部の磁気ノイズが加わりにくい。従って、巨大磁気抵抗素子Ｒ１，Ｒ４に対して無接点スイッチ１１外部から磁気ノイズが加わりにくく安定した磁界検出を行うことができる。
【００２７】
（２）本実施形態では、磁性体１４を軸線Ｏ方向へ移動させることにより、同磁性体１４を許容位置と遮断位置とに変位できるようにした。従って、無接点スイッチ１１は、往復動する被検出体に対して磁性体１４を固定することにより、その被検出体の往復動に基づいてスイッチングを行うことができる。
【００２８】
（３）本実施形態では、無接点スイッチ１１はフルブリッジ回路Ｂからの検出信号をＬレベル及びＨレベルに二値化するコンパレータＣＰを備えた。即ち、コンパレータＣＰはフルブリッジ回路Ｂからの検出信号に基づいてＬレベルまたはＨレベルの信号を出力するようにした。従って、無接点スイッチ１１は無接点のＯＮ・ＯＦＦスイッチングを行うことができる。
【００２９】
（４）本実施形態では、磁性体１４は筒状をなす遮蔽筒部１４ａを備えた。そして、前記遮蔽筒部１４ａは、その外径が磁石１２の円筒部１２ａの内径より小さく、かつその内部に前記巨大磁気抵抗素子Ｒ１，Ｒ４を挿入可能とした。即ち、磁性体１４を遮断位置に位置させると、巨大磁気抵抗素子Ｒ１，Ｒ４は軸線Ｏを中心とした周方向全周が遮蔽筒部１４ａにて覆われる。従って、磁性体１４を遮断位置に位置させると、巨大磁気抵抗素子Ｒ１，Ｒ４は軸線Ｏを中心とした周方向全周を遮蔽筒部１４ａにて覆われているため、円筒部１２ａから境界面Ｍに対して直交する方向へ向けて発せられる磁束Ｚ（磁界）が同巨大磁気抵抗素子Ｒ１，Ｒ４に付与されることがない。
【００３０】
（５）本実施形態では、巨大磁気抵抗素子Ｒ２，Ｒ３は常に磁束Ｚ（磁界）が付与されるようにした。
これが例えば、巨大磁気抵抗素子Ｒ２，Ｒ３には常に磁束Ｚ（磁界）が付与されないようにして無接点スイッチ（以下、「従来無接点スイッチ」という）を構成した場合、次のような問題を生じる（図６参照）。
【００３１】
図６は、巨大磁気抵抗素子Ｒ２（Ｒ３）のヒステリシスを示す特性図である。
図６は横軸に巨大磁気抵抗素子Ｒ２（Ｒ３）に加える磁束密度（Ｔ）をとり、縦軸に巨大磁気抵抗素子Ｒ２（Ｒ３）の抵抗変化率（％）をとっている。
【００３２】
即ち、巨大磁気抵抗素子Ｒ２，Ｒ３に対して、磁気ノイズを与えていない状態（磁束密度＝０）から、従来無接点スイッチ外部より、−０．０１Ｔ（テスラ）の磁気ノイズを加えた際には次に示すようになる。前記巨大磁気抵抗素子Ｒ２，Ｒ３が有するヒステリシスにより、その抵抗値が５％〜１２％の範囲（図６中のＥ１参照）でバラツキが出てしまう。このため、上記従来無接点スイッチは、その巨大磁気抵抗素子Ｒ２，Ｒ３に磁気ノイズが加えられると、正確な磁界検出を行うことができなかった。
【００３３】
しかしながら、無接点スイッチ１１は、例えば、磁石１２の円筒部１２ａから発せられる磁束Ｚを０．０５Ｔ（テスラ）となるように磁石１２を構成し、無接点スイッチ１１外部から巨大磁気抵抗素子Ｒ２，Ｒ３に対して、−０．０１Ｔ（テスラ）の磁気ノイズを加えた際には次に示すようになる。前記巨大磁気抵抗素子Ｒ２，Ｒ３が有するヒステリシスにより、その抵抗値が１％〜２％の範囲（図６中のＥ２参照）でしかバラツキが出ない。従って、無接点スイッチ１１は従来無接点スイッチと比して正確な磁界検出を行うことができる。
【００３４】
（第２実施形態）
以下、本発明を具体化した第２実施形態を図７〜図１０に従って説明する。なお、第２実施形態の無接点スイッチ２１は、前記第１実施形態を変更したものであり、前記第１実施形態と同様の構成については、同一符号を付して、その詳細な説明を省略し、異なるところのみを説明する。
【００３５】
前記第１実施形態の無接点スイッチ１１では、磁性体１４を軸線Ｏ方向へ移動させることにより、許容位置と遮断位置とを変位自在としていた。しかしながら、本実施形態の無接点スイッチ２１では、磁性体１４が軸線Ｏを中心として回転することにより、許容位置と遮断位置とを変位自在としている。即ち、本実施形態の磁性体１４は、軸線Ｏ方向へ移動不能に、かつ軸線Ｏを中心として回転可能に構成されている。
【００３６】
そして、図７及び図８に示すように、無接点スイッチ２１における磁性体１４の外周（遮蔽筒部１４ａ）には、円筒部１２ａから発せられる磁束Ｚが通過可能な一対の磁界導入孔２２が形成されている。前記一対の磁界導入孔２２は、両磁界導入孔２２が軸線Ｏを基準として互いに線対称となるように、かつ軸線Ｏ方向において巨大磁気抵抗素子Ｒ１，Ｒ４に対応するように遮蔽筒部１４ａに対して形成されている。
【００３７】
以下、磁性体１４の両磁界導入孔２２を磁束Ｚが通過すると共に、その磁界導入孔２２を通過した磁束Ｚが巨大磁気抵抗素子Ｒ１，Ｒ４に付与される際の磁性体１４の位置を許容位置（図７及び図８参照）という。即ち、許容位置とは、図８に示すように磁性体１４の両磁界導入孔２２が境界面Ｍに対して最も離間した際の磁性体１４の位置である。
【００３８】
また、磁性体１４の両磁界導入孔２２が境界面Ｍに差し掛かっている際（図１０参照）の磁性体１４の位置を遮断位置（図９及び図１０参照）という。
上記磁石１２、一対の磁界導入孔２２を有する磁性体１４、及び巨大磁気抵抗素子Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４にて磁気センサ２５が構成されている。
【００３９】
次に、上記第２実施形態のように構成された無接点スイッチ２１の作用について説明する。
図７及び図８に示すように、前記磁性体１４を許容位置に位置させると、前記磁石１２の円筒部１２ａから磁性体１４の磁界導入孔２２を介して前記巨大磁気抵抗素子Ｒ１，Ｒ４へ磁束Ｚ（磁界）が付与される。この結果、コンパレータＣＰから出力される信号はＬレベルとなる。
【００４０】
一方、図９及び図１０に示すように、前記磁性体１４を遮断位置に位置させると、前記磁石１２の円筒部１２ａから発せられる磁束Ｚは磁性体１４の遮蔽筒部１４ａに遮断されて前記巨大磁気抵抗素子Ｒ１，Ｒ４に付与されない。即ち、前記磁性体１４の両磁界導入孔２２は磁束Ｚの方向に対して直交する方向に向けて開口しているため、この両磁界導入孔２２を介して磁束Ｚが通過することがない。この結果、コンパレータＣＰから出力される信号はＨレベルとなる。
【００４１】
従って、上記第２実施形態の無接点スイッチ２１によれば、前記第１実施形態における（１）、（３）、（５）の効果に加えて、以下のような効果を得ることができる。
【００４２】
（１）本実施形態では磁性体１４を、軸線Ｏを中心として回転させることにより、同磁性体１４を許容位置と遮断位置とに変位できるようにした。従って、回転する被検出体に対して磁性体１４を固定することにより、その被検出体の回転に基づいてスイッチングを行うことができる。
【００４３】
（第３実施形態）
以下、本発明を具体化した第３実施形態を図１１及び図１２に従って説明する。なお、第３実施形態の無接点スイッチ３１は、前記第１実施形態を変更したものであり、前記第１実施形態と同様の構成については、同一符号を付して、その詳細な説明を省略し、異なるところのみを説明する。
【００４４】
前記第１実施形態の無接点スイッチ１１では、フルブリッジ回路Ｂを用いていた。しかしながら、本実施形態の無接点スイッチ３１は、ハーフブリッジ回路を用いている。即ち、本実施形態の無接点スイッチ３１は、互いに直列接続された検知用巨大磁気抵抗素子としての巨大磁気抵抗素子Ｒ１及び基準用巨大磁気抵抗素子としての巨大磁気抵抗素子Ｒ２からなるブリッジ回路としてのハーフブリッジ回路３２を備えている。巨大磁気抵抗素子Ｒ１と巨大磁気抵抗素子Ｒ２との間の中点ａは、コンパレータＣＰの反転入力端子に接続され、同コンパレータＣＰの非反転入力端子には基準電位が印加されている。
【００４５】
ところで、前記巨大磁気抵抗素子Ｒ１，Ｒ２は磁束Ｚ（磁界）が付与されるとその抵抗値が減少する。また、巨大磁気抵抗素子Ｒ１及び巨大磁気抵抗素子Ｒ２がともに抵抗値が減少した状態と、巨大磁気抵抗素子Ｒ１が抵抗値が減少せず巨大磁気抵抗素子Ｒ２のみが抵抗値が減少した状態とでは、前者の方が中点ａの電位が大きくなる。このため、前記巨大磁気抵抗素子Ｒ１，Ｒ２がともに磁束Ｚ（磁界）が付与されて抵抗値が減少した状態では、コンパレータＣＰから出力される信号はＬレベルとなる。また、巨大磁気抵抗素子Ｒ２にのみ磁束Ｚ（磁界）が付与されて抵抗値が減少した状態では、コンパレータＣＰから出力される信号はＨレベルとなる。
【００４６】
図１１に示すように、前記主面１３ｂ上において、前記底部１２ｂに近い側の長手端部には前記巨大磁気抵抗素子Ｒ２が配置され、もう一方の長手端部には前記巨大磁気抵抗素子Ｒ１が配置されている。また、前記巨大磁気抵抗素子Ｒ１，Ｒ２は、前記軸線Ｏに沿って電流が流れるように配置されている。
【００４７】
以下、前記磁性体１４の遮蔽筒部１４ａが検知用巨大磁気抵抗素子である前記巨大磁気抵抗素子Ｒ１を収納していない状態（非収納状態）の磁性体１４の位置を許容位置という。また、同磁性体１４の遮蔽筒部１４ａが前記巨大磁気抵抗素子Ｒ１を収納した状態の磁性体１４の位置を遮断位置という。
【００４８】
上記磁石１２、磁性体１４、及び巨大磁気抵抗素子Ｒ１，Ｒ２にて磁気センサ３５が構成されている。
次に、上記第３実施形態のように構成された無接点スイッチ３１の作用について説明する。
【００４９】
前記磁性体１４を許容位置に位置させると、前記磁石１２の円筒部１２ａから前記巨大磁気抵抗素子Ｒ１へ磁束Ｚ（磁界）が付与される。そして、前記巨大磁気抵抗素子Ｒ２には、常に円筒部１２ａから磁束Ｚ（磁界）が付与されている。
このため、磁性体１４が許容位置に位置する際には、前記巨大磁気抵抗素子Ｒ１，Ｒ２はそれぞれ磁束Ｚ（磁界）が付与されて抵抗値が減少した状態とされている。この結果、コンパレータＣＰから出力される信号はＬレベルとなる。
【００５０】
一方、前記磁性体１４を遮断位置に位置させると、前記磁石１２の円筒部１２ａから発せられる磁束Ｚは磁性体１４の遮蔽筒部１４ａに遮断されて前記巨大磁気抵抗素子Ｒ１に付与されない。そして、前記巨大磁気抵抗素子Ｒ２には、常に円筒部１２ａから磁束Ｚ（磁界）が付与されている。このため、磁性体１４が遮断位置に位置する際には、前記巨大磁気抵抗素子Ｒ２は磁束Ｚ（磁界）が付与されて抵抗値が減少した状態とされ、前記巨大磁気抵抗素子Ｒ１は磁束Ｚ（磁界）が付与されず元々備わっている抵抗値とされている。この結果、コンパレータＣＰから出力される信号はＨレベルとなる。
【００５１】
従って、上記第３実施形態の無接点スイッチ３１によれば、前記第１実施形態における（１）〜（５）の効果と同様の効果を得ることができる。
（他の実施形態）
なお、上記各実施形態は以下のような他の実施形態に変更して具体化してもよい。
【００５２】
・前記第２実施形態の無接点スイッチ２１においては、ブリッジ回路としてフルブリッジ回路Ｂを採用していたが、このフルブリッジ回路Ｂの代わりに前記第３実施形態のハーフブリッジ回路３２と同様のハーフブリッジ回路を採用してもよい。このハーフブリッジ回路においてもブリッジ回路に相当する。
【００５３】
・前記第１実施形態の無接点スイッチ１１では、磁石１２に底部１２ｂを、磁性体１４に底部１４ｂを備えるように構成していた。これに限らず、図１３及び図１４に示すように、磁石１２の底部１２ｂを省略し、磁性体１４の底部１４ｂを省略して無接点スイッチ１１を構成してもよい。この場合、基板１３は固定部材４０を介して磁石１２に固定する。また、このような変更を前記第２及び第３実施形態において具体化してもよい。
【００５４】
・前記第１実施形態では、無接点スイッチ１１は、コンパレータＣＰから出力されるＬレベルまたはＨレベルの信号により磁性体１４が許容位置に位置しているのか遮断位置に位置しているのかを検出していた。これに限らず、無接点スイッチ１１からコンパレータＣＰを省略した磁気センサ１５における中点ａと中点ｂとの電位差により、磁性体１４の位置検出を行うようにしてもよい。また、このような変更を第３実施形態の無接点スイッチ３１に対して適応してもよい。
【００５５】
・前記第２実施形態では、無接点スイッチ２１は、コンパレータＣＰから出力されるＬレベルまたはＨレベルの信号により磁性体１４が許容位置に位置しているのか遮断位置に位置しているのかを検出していた。これに限らず、無接点スイッチ２１からコンパレータＣＰを省略した磁気センサ２５における中点ａと中点ｂとの電位差により、磁性体１４の位置検出を行うようにしてもよい。
【００５６】
・前記実施形態では、磁性体１４を鉄にて形成していたが、磁性体１４をニッケルや、コバルト等にて形成してもよい。
次に、上記各実施形態及び他の実施形態から把握できる技術的思想について以下に追記する。
【００５７】
（イ）前記磁界遮断部材は筒状をなす遮蔽筒部を備え、前記遮蔽筒部は、その外径が前記磁界発生筒部の内径より小さく、かつその内部に前記検知用巨大磁気抵抗素子を挿入可能とされていることを特徴とする請求項２に記載の磁気センサ。
【００５８】
【発明の効果】
以上詳述したように、本発明によれば、検知用巨大磁気抵抗素子に対して磁気センサ外部から磁気ノイズが加わりにくく安定した磁界検出を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１実施形態における磁性体が許容位置に位置する際の無接点スイッチの正面部分断面図。
【図２】第１実施形態における磁性体が遮断位置に位置する際の無接点スイッチの正面部分断面図。
【図３】第１実施形態における無接点スイッチの側面図。
【図４】図１におけるＡ−Ａ線矢視の磁石の断面図。
【図５】第１実施形態におけるフルブリッジ回路の回路図。
【図６】第１実施形態における巨大磁気抵抗素子のヒステリシスを示す特性図。
【図７】第２実施形態における磁性体が許容位置に位置する際の無接点スイッチの正面部分断面図。
【図８】図７におけるＢ−Ｂ線矢視断面図。
【図９】第２実施形態における磁性体が遮断位置に位置する際の無接点スイッチの正面部分断面図。
【図１０】図９におけるＣ−Ｃ線矢視断面図。
【図１１】第３実施形態における無接点スイッチの正面部分断面図。
【図１２】第３実施形態におけるハーフブリッジ回路の回路図。
【図１３】他の実施形態における無接点スイッチの正面部分断面図。
【図１４】図１３におけるＤ−Ｄ線矢視の磁石の断面図。
【符号の説明】
１１，２１，３１…無接点スイッチ、１２…磁石、
１２ａ…磁界発生筒部としての円筒部、１４…磁界遮断部材としての磁性体、
１５，２５，３５…磁気センサ、２２…磁界導入孔、
３２…ブリッジ回路としてのハーフブリッジ回路、
Ｂ…ブリッジ回路としてのフルブリッジ回路、
ＣＰ…二値化手段としてのコンパレータ、Ｏ…軸線、
Ｒ１，Ｒ４…検知用巨大磁気抵抗素子としての巨大磁気抵抗素子、
Ｒ２，Ｒ３…基準用巨大磁気抵抗素子としての巨大磁気抵抗素子、Ｚ…磁界。
【図１】
2004198186.tif 000003
【図２】
2004198186.tif 000004
【図３】
2004198186.tif 000005
【図４】
2004198186.tif 000006
【図５】
2004198186.tif 000007
【図６】
2004198186.tif 000008
【図７】
2004198186.tif 000009
【図８】
2004198186.tif 000010
【図９】
2004198186.tif 000011
【図１０】
2004198186.tif 000012
【図１１】
2004198186.tif 000013
【図１２】
2004198186.tif 000014
【図１３】
2004198186.tif 000015
【図１４】
2004198186.tif 000016