(57)【要約】【課題】少なくとも内部に厚み７０μｍ以下の絶縁層を内蔵する多層配線基板においてブラスト処理などによる基板表面の傷によってメッキ処理や高湿雰囲気での水分の侵入によって配線回路層間の絶縁不良が発生することのない多層配線基板を得る。【解決手段】少なくとも７０μｍ以下の薄層の絶縁層を含む複数の絶縁層２ａ〜２ｉを積層してなる絶縁基板２の表面および内部に配線回路層３を形成してなるセラミック多層配線基板１において、表面配線回路層３が形成された最表面側の絶縁層２ａ，２ｉの厚みを７５μｍ以上とする。特に、表面配線回路層３に厚み１〜２０μｍのメッキ層６を形成してなり、さらには、難焼結性シートを成形体表面に積層して焼成後、難焼結性シートを除去して寸法精度の高い配線基板を製造する場合に好適である。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも７０μｍ以下の薄層の絶縁層を含む複数の絶縁層を積層してなる絶縁基板の表面および内部に配線回路層を形成してなるセラミック多層配線基板において、表面配線回路層が形成された最表面側の絶縁層の厚みが７５μｍ以上であることを特徴とするセラミック多層配線基板。
【請求項２】
前記表面配線回路層に厚み１〜２０μｍのメッキ層を形成してなることを特徴とする請求項１記載のセラミック多層配線基板
【請求項３】
８００〜１０００℃の温度で焼成されたものである請求項１または請求項２乃至請求項３のいずれか記載のセラミック多層配線基板。
【請求項４】
前記絶縁層が、ガラス、またはガラスとセラミックフィラーとの混合物を焼成されたものである請求項１乃至請求項３記載のセラミック多層配線基板。
【請求項５】
前記表面配線回路層がＣｕまたはＡｇを主成分とすることを特徴とする請求項３乃至請求項４記載のセラミック多層配線基板。
【請求項６】
前記表面配線回路層が無機成分を２体積％以上含有することを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれか記載のセラミック多層配線基板。
【請求項７】
焼成後の厚みが７０μｍ以下である複数の第１のセラミックグリーンシートにビア導体および配線回路層を形成した後、それらを積層する工程と、ビア導体および配線回路層を形成した焼成後の厚みが７５μｍ以上である第２のセラミックグリーンシートを前記積層体の表面および／または裏面に積層する工程と、該第１および第２のグリーンシートの積層体を焼成する工程と、を具備することを特徴とするセラミック多層配線基板の製造方法。
【請求項８】
焼成後の表面配線回路層に厚み１〜２０μｍのメッキ層を形成する工程を具備することを特徴とする請求項７記載のセラミック多層配線基板の製造方法。
【請求項９】
焼成前に、第１および第２のセラミックグリーンシートの積層体の表面に焼成温度で焼結しない難焼結性のシートを積層する工程と、前記焼成工程後に前記難焼結性のシートを除去する工程とを具備することを特徴とする請求項７または請求項８記載のセラミック多層配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ガラスセラミックなどのセラミック絶縁基板の表面および内部に配線回路層を配設した多層配線基板とその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来技術】
従来、セラミック多層配線基板は、半導体素子や各種電子部品を搭載、または気密に封止するパッケージ基板として用いられている。この多層配線基板は、一般に次のような方法で製造される。１）セラミック組成物に樹脂成分あるいは溶剤を混錬し、ドクターブレード法によりグリーンシートを成形する。２）得られたグリーンシートに穴あけ加工を行い、この穴に導体ペーストを充填してビア導体を形成する。３）このグリーンシートの表面に導体ペーストを回路パターンにスクリーン印刷を行うことにより、グリーンシート上に配線回路層を被着する。４）これを複数枚位置合わせして脱バインダーを行った後、焼成する。また、表面の配線回路層の表面には、酸化防止、あるいはワイヤーボンドを行う為にＮｉやＡｕからなるメッキ層が形成される。
【０００３】
最近では、電子部品の小型化、低背位化が求められることから基板内部の層厚みの薄層化が行われている。さらに、配線の微細化を行う場合にはインピーダンスの整合を考慮し基板内部の絶縁層を薄層化することが望まれる。
【０００４】
また、基板の小型化の要求から配線幅は細く、また、絶縁層厚みは薄くなりつつある。さらに、小型化に伴い、配線の寸法精度を高める為に、焼成温度では焼結しない難焼結性シートを積層して基板が平面方向に収縮しないように焼成し、焼成後に難焼結性シートをブラスト処理等により取り除く方法が取られている（例えば、特許文献１、２参照）。
【０００５】
〔特許文献１〕
特開平２０００−２７７９１４号
〔特許文献２〕
特許第３２７５３２６号
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、セラミック絶縁層には通常１〜３０μｍのボイドが存在しており、さらに、難焼結性のシートを積層して、基板が平面方向に収縮しないように焼成する場合、難焼結性シートの除去の際に絶縁基板表面に傷が発生しやすい。そのために、表面配線回路層にメッキ処理を施した場合や、配線基板を高温の多湿雰囲気中に保持した場合に、表面の絶縁層のボイドや傷に酸やアルカリあるいは金属を含むメッキ処理液が浸入したり、水分が浸入し、表面の配線回路層と内部の配線回路層の間で絶縁抵抗が劣化しやすいという問題があった。
【０００７】
従って、本発明は、多層配線基板における表面部分でメッキ処理時のメッキ液の浸入や、高湿雰囲気での水分の浸入による絶縁不良が発生することのない多層配線基板とその製造方法を提供することを目的とするものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記課題に対して検討を重ねた結果、絶縁層の厚みが７５μｍ以下の薄層からなる絶縁層が積層された多層配線基板において、表面の絶縁層のみを７５μｍよりも厚く形成することによって、前記基板表面に露出する絶縁層の両側に設置した配線回路層間の絶縁不良を抑制できることを見出し、本発明に至った。
【０００９】
即ち、本発明の多層配線基板は、少なくとも７０μｍ以下の薄層の絶縁層を含む複数の絶縁層を積層してなる絶縁基板の表面および内部に配線回路層を形成してなるセラミック多層配線基板において、表面配線回路層が形成された最表面側の絶縁層の厚みが７５μｍ以上であることを特徴とするものである。
【００１０】
また、本発明の多層配線基板は、さらにその表面配線回路層に厚み１〜２０μｍのメッキ層を形成することで、配線の酸化防止、あるいは半田濡れ性およびワイヤーボンディング性を高めることができるが、このようなメッキ層を形成する場合でも、メッキ液の絶縁層への浸入による絶縁性の劣化を防止することができる。
【００１１】
また、前記絶縁層は、８００〜１０００℃の温度で焼成されたものであり、特にガラスまたは、ガラスとセラミックフィラーとの混合物を焼成されたものからなることによってＣｕ、Ａｇなどからなる配線回路層と同時焼成することができる。その場合、前記表面配線回路層がガラスあるいはセラミックフィラーの少なくとも一つ以上からなる無機成分を２体積％以上含有することによって、基板の反りを低減するとともに、配線回路層と絶縁層の接着強度を高く保つことができる。
【００１２】
また、本発明のセラミック多層配線基板の製造方法は、焼成後の厚みが７０μｍ以下である複数の第１のセラミックグリーンシートにビア導体および配線回路層を形成した後、それらを積層する工程と、ビア導体および配線回路層を形成した焼成後の厚みが７５μｍ以上である第２のセラミックグリーンシートを前記積層体の表面および／または裏面に積層する工程と、該第１および第２のグリーンシートの積層体を焼成する工程と、を具備することを特徴とするものである。
【００１３】
また、焼成後の表面の配線回路層表面に厚み１〜２０μｍのメッキ層を形成する工程を具備する場合に好適であり、さらには、焼成前に、第１および第２のセラミックグリーンシートの積層体の表面に焼成温度で焼結しない難焼結性のシートを積層する工程と、焼成後に難焼結性シートを除去する工程とを具備することによって、平面方向への焼成収縮を抑制し寸法精度の高い配線基板を作成することができる。
【００１４】
このような寸法精度の高い配線基板を作製する場合における難焼結性シートの除去時に絶縁層表面にクラックが発生しても、絶縁層の絶縁抵抗を低下させることがない。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の多層配線基板について、図面に基づいて説明する。図１は本発明の多層配線基板の一例を示す概略断面図である。図１の多層配線基板１によれば、絶縁基板２は、複数のセラミック絶縁層２ａ〜２ｉを積層してなる積層体から構成され、その絶縁層２ａ〜２ｉ間および絶縁基板２表面には、配線回路層が形成されている。
【００１６】
さらに、各セラミック絶縁層２ａ〜２ｉには、厚み方向を貫くように形成された直径が５０〜２００μｍのビア導体４が形成され、これにより、配線回路層３間を接続し所定回路を達成するための回路網が形成される。また配線回路層３の表面には半導体素子５が実装搭載される。
【００１７】
本発明では、この多層配線基板１内部に厚み７０μｍ以下の絶縁層２ｂ、２ｃ、及び２ｅ〜２ｈを設置し、基板表面に存在する絶縁層２ａおよび２ｉの厚みを７５μｍ以上とすることが重要である。
【００１８】
本発明によれば、この表面に存在する絶縁層２ａおよび２ｉの厚みを７５μｍ以上、特に１００μｍ以上の厚みに形成することによって、後述するこの絶縁層中におけるボイドや、後述する平面方向への焼成収縮を抑制した焼成を行なった場合の難焼結性シートの除去に伴い形成された傷を通じた、メッキ処理や高湿雰囲気でのメッキ液や水分の侵入による表面に露出する絶縁層の両側に設置された配線回路層間の絶縁不良の発生を防止することができる。
【００１９】
また、望ましくは、この絶縁層２ａ，２ｉのボイド面積占有率が０．５％以下、特に０．３％以下、さらには０．１％以下であることがメッキ液の浸入を抑制する上で望ましい。
【００２０】
なお、配線基板の内部には、７０μｍ以下の絶縁層とともに、厚みが７５μｍ以上の絶縁層２ｄを形成していてもよい。
【００２１】
本発明におけるセラミック絶縁層２ａ〜２ｉからなる絶縁基板２は、ガラス粉末、あるいはガラス粉末とセラミックフィラー粉末との混合物を焼成してなるガラスセラミックスによって形成されたものであることが望ましく、特に、ガラス成分１０〜７０質量％と、セラミックフィラー成分３０〜９０質量％の割合からなる組成物を焼成したものであることが望ましい。このようなガラスセラミックスは、焼成温度が８００〜１０５０℃と低いために、後述する低抵抗導体との同時焼成が可能である点で有利であり、また、概して誘電率が低いために、高周波信号などの伝送損失を低減することができる。
【００２２】
ここで、用いられるガラス成分としては、少なくともＳｉＯ２を含み、Ａｌ２Ｏ３、Ｂ２Ｏ３、ＺｎＯ、ＰｂＯ、アルカリ土類金属酸化物、アルカリ金属酸化物のうちの少なくとも１種を含有したものであって、例えば、ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３系、ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−Ａｌ２Ｏ３系−ＭＯ系（但し、ＭはＣａ、Ｓｒ、Ｍｇ、ＢａまたはＺｎを示す）等のホウケイ酸ガラス、アルカリ珪酸ガラス、Ｂａ系ガラス、Ｐｂ系ガラス、Ｂｉ系ガラス等が挙げられる。
【００２３】
これらのガラスは、焼成処理することによっても非晶質のままである非晶質ガラス、また焼成処理によって、リチウムシリケート、クォーツ、クリストバライト、コージェライト、ムライト、アノーサイト、セルジアン、スピネル、ガーナイト、ウイレマイト、ドロマイト、ペタライトやその置換誘導体の結晶を少なくとも１種類を析出する結晶化ガラスのいずれでも用いられる。
【００２４】
また、セラミックフィラーとしては、クォーツ、クリストバライト等のＳｉＯ２や、Ａｌ２Ｏ３、ＺｒＯ２、ムライト、フォルステライト、エンスタタイト、スピネル、マグネシア、ジルコン酸カルシウム、珪酸ストロンチウム、チタン酸カルシウム、チタン酸バリウム、等が好適に用いられる。
【００２５】
また、配線回路層３は、粒径２〜５μｍのＣｕやＡｇを主成分とする電気導電率の高い金属粉末に軟化点の高いガラス粉末、あるいは粒径０．１〜２μｍのアルミナ、シリカ、ムライト、ジルコニアの群から選ばれる少なくとも１種のセラミックフィラーの少なくとも一つ以上からなる無機成分を２体積％以上含有することが脱バインダー性、あるいは基板の反りおよび配線回路層と絶縁層の接合強度を高める上で望ましい。
【００２６】
また、前記表面配線回路層には厚み１〜２０μｍのメッキ層６を形成することが配線の酸化防止、あるいは半田濡れ性およびワイヤーボンディング性を高める上で望ましい。このメッキ層６は、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｃｒ、ＡｕおよびＣｕの群から選ばれる少なくとも１種の金属からなる形成されることが望ましく、とりわけ、Ｎｉメッキ層およびＡｕメッキ層を順次形成することが望ましい。
【００２７】
また、本発明の多層配線基板において、表面の配線回路層は、ＩＣチップなどの各種電子部品５を搭載するためのパッドとして、またシールド用導体膜として、さらには外部回路と接続する端子電極として用いられ、各種電子部品５が配線回路層３に半田や導電性接着剤などを介して接合される。尚、図示していないが、必要に応じて、配線基板の表面には、さらに珪化タンタル、珪化モリブデンなどの厚膜抵抗体膜や配線保護膜などを形成しても構わない。
【００２８】
次に、本発明の配線基板を作製する方法について図２をもとに説明する。まず、上述したような結晶化ガラス又は非結晶ガラスと前記のセラミックフィラー成分を混合してセラミック組成物を調製し、その混合物に有機バインダー等を加えた後、ドクターブレード法、圧延法、プレス法などによりシート状に成形して厚さ約５０〜５００μｍのグリーンシート１１を作製する（ａ）。
【００２９】
そして、このグリーンシート１１にレーザーやマイクロドリル、パンチングなどにより、直径８０〜２００μｍの貫通孔を形成し、その内部に導体ペーストを充填してビアホール導体１２を形成する（ｂ）。導体ペースト中には、Ｃｕ、Ａｇ等の金属成分以外に、アクリル樹脂などからなる有機バインダーとトルエン、イソプロピルアルコール、アセトンなどの有機溶剤とを均質混合して形成される。有機バインダーは、金属成分１００質量部に対して、０．５〜１５．０質量部、有機溶剤は、金属成分１００質量部に対して、３〜２０質量部の割合で混合されることが望ましい。なお、この導体ペースト中には若干のガラス成分等を添加してもよい。
【００３０】
次に、このグリーンシート１１の表面に前記導体ペーストをスクリーン印刷等の手法を用いて配線回路層１３を形成する（ｃ）。グリーンシートの表面に成形する導体ペーストの中には、Ｃｕ、Ａｇ等の金属成分以外に、アクリル樹脂などからなる有機バインダーとトルエン、イソプロピルアルコール、アセトンなどの有機溶剤とを均質混合して形成される。有機バインダーは、金属成分１００質量部に対して、０．５〜１５．０質量部、有機溶剤は、金属成分１００質量部に対して、５〜２０質量部の割合で混合されることが望ましい。なお、この導体ペースト中にはガラスあるいはセラミックフィラーの少なくとも一つ以上からなる無機成分を２体積％以上含有することが基板の反りを低減するため、あるいは配線回路層と絶縁層の接着強度を高く保つ為に望ましい。導体ペーストに添加するガラスとしては例えば絶縁層に含まれるガラス粉末を、また、セラミックフィラーとしては例えば粒径０．１〜３μｍのアルミナやシリカ、あるいは絶縁層中のセラミックフィラーを加えることができる。
【００３１】
なお、基板の反りや配線回路層と絶縁層の接着強度に問題がなければ、配線回路層に金属板や金属箔をフォトリソ法でエッチング加工した導体パターンを用いることにより微細配線基板、あるいは配線幅精度の高い基板を得ることも可能である。
【００３２】
次に、上記と同様にして作製された複数のグリーンシート１１を積層圧着して積層体１５を形成する（ｄ）。グリーンシート１１の積層には、積み重ねられたグリーンシートに熱と圧力を加えて熱圧着する方法、有機バインダー、可塑剤、溶剤等からなる接着剤をシート間に塗布して熱圧着する方法等が採用可能である。
【００３３】
その後、この積層体１５を焼成するが、焼成にあたっては、必要に応じて平面方向への焼成収縮を抑制しながら焼成することで寸法精度の高い基板を得ることができる。
【００３４】
平面方向の収縮を抑制しながら焼成する方法としては、例えば、１）積層体に対して積層方向に１０〜３０ＭＰａの圧力を印加しながら焼成する、２）図２の（ｅ）に示すように、焼成温度で焼成収縮しないアルミナなどの難焼結性セラミックシート１６を上記の積層体１５の表面、あるいは表裏面に接着して焼成する方法が挙げられる。また、１）と２）とを組み合わせることもできる。
【００３５】
この２）の方法における難焼結性セラミックシート１６は、難焼結性セラミック材料を主成分とするセラミック成分に、有機バインダー、可塑剤、溶剤等を加えたスラリーをシート状に成形して得られる。難焼結性セラミック材料としては、具体的には１１００℃以下の温度で緻密化しないようなセラミック組成物から構成され、具体的にはＡｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＭｇＯ、ＺｒＯ２、ＢＮ、ＴｉＯ２の少なくとも１種又はその化合物（フォルステライト、エンスタタイト等）の粉末が挙げられる。また、有機バインダー、可塑剤及び溶剤としてはガラスセラミックグリーンシートで使用したのと同様の材料が使用可能である。また、この難焼結性セラミックシート中には、ガラス成分を０．５〜１５体積％加えることによって、グリーンシートとの密着性が高くなり、収縮を抑制する作用が大きくなり、またグリーンシート表面のガラス成分の拡散によるボイドの発生を抑制できるなどの利点を有する。
【００３６】
焼成は、１００〜８５０℃、特に４００〜７５０℃の窒素雰囲気中で加熱処理してグリーンシート内やビアホール導体ペースト中の有機成分を分解除去した後、８００〜１０５０℃の窒素雰囲気中で焼成する。また、配線回路層としてＡｇ導体を用いる場合、焼成雰囲気は大気中で行うことができる。
【００３７】
その後、難焼結性セラミックシートを研磨、ウォータージェット、ケミカルブラスト、サンドブラスト、ウェットブラスト等によって完全に除去することによって多層配線基板１７を作製することができる（ｆ）。
【００３８】
このようにして得られる多層配線基板１７は、焼成時の収縮が圧力または難焼結性セラミックシートによって厚さ方向だけに抑えられているので、その平面方向の収縮を０．５％以下に抑えることが可能となり、しかもガラスセラミックグリーンシートは拘束シートによって全面にわたって均一にかつ確実に結合されているので、拘束シートの一部剥離等によって反りや変形が起こるのを防止することができる。
【００３９】
その後、多層配線基板１７における表面の配線回路層３ａの表面にメッキ層１８を形成する（ｇ）。メッキ層１８の形成は、電解メッキ法や無電解メッキ法によって、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｃｒ、ＡｕおよびＣｕの群から選ばれる少なくとも１種の金属を形成する。本発明によれば、かかるメッキ層１８の形成にあたり、多層配線基板１７をメッキ液中に浸漬した時に、仮に多層配線基板１７の表面に微小マイクロクラックが発生していても、最表面の絶縁層の厚みが７５μｍ以上と厚みことによって、メッキ液が内部の配線回路層まで達することがなく、表面配線回路層と内部配線回路層間の絶縁性が低下するのを防止することができる。
【００４０】
【実施例】
ＳｉＯ２：３７質量％、Ａｌ２Ｏ３：２７質量％、ＣａＯ：１１質量％、ＺｎＯ：１２質量％、Ｂ２Ｏ３：１３質量％の組成を有する平均粒径３μｍの結晶性ガラス粉末（軟化点８５０℃）７３質量％と、セラミックフィラーとして、平均粒径２μｍのシリカ２７質量％からなるガラスセラミック原料粉末１００質量部に対して、有機バインダーとしてメタクリル酸イソブチル樹脂を固形分で１１質量部、可塑剤としてフタル酸ジブチルを５質量部添加し、トルエンを溶媒としてボールミルにより３６時間混合しスラリーを調整した。得られたスラリーをドクターブレード法により焼成後の厚みが５０μｍ、７５μｍ、１００μｍおよび２００μｍになるように形成した。
【００４１】
また、平均粒径が２μｍのアルミナ粉末１００質量部に対して、有機バインダーとしてメタクリル酸イソブチル樹脂を固形分で１１質量部、可塑剤としてフタル酸ジブチルを５質量部添加して成形し、焼成後の厚みが７５μｍとなる難焼結性シートを作成した。
【００４２】
そして、各々のグリーンシートに直径２００μｍの穴あけ加工を行い、導体ペーストをスクリーン印刷法により充填した。
【００４３】
次に、グリーンシートの表面に図３に示す配線回路層２３ａ、２３ｂを後述の導体ペーストＡ〜Ｃでスクリーン印刷した。配線回路層２３ａは幅１ｍｍ、合計線路長５００ｍｍの配線と接続する電極２３ａ、およびビアホール導体２７を介して絶縁基板内部の配線回路層２３ｂと電気的に電極２６と接続した。
【００４４】
導体ペーストは、平均粒径が５μｍのＣｕ粉末またはＡｇ粉末１００質量部に対して適宜、絶縁層のガラス成分１．５質量部、粒径１μｍのアルミナ０．５質量部混合し、この混合物１００質量部に対してｉ−ＢＭＡバインダーを５質量部およびＤＢＰを１８質量部混合した。
【００４５】
そして、配線回路層２３が形成されたグリーンシート２２ａ〜２３ｅを積層して、さらに適宜、前記難焼結性シートを積層した後、８０℃、１０ＭＰａで加熱圧着を行い積層体を得た。
【００４６】
その後、この積層体中の有機成分（バインダー、可塑剤等）を分解除去するために水蒸気を含んだ窒素雰囲気中で７５０℃、３時間の熱処理を行い残留炭素量を３００ｐｐｍ以下に低減せしめた後、９３０℃で１時間の焼成を行い、配線回路層２３を具備する配線基板を作製した。
【００４７】
また、難焼結性シートを積層した場合は、焼成後に、アルミナ粉末を用いたブラスト処理を行い、難焼結性シートを除去した。なお、除去後の絶縁層の表面粗さＲｚを測定し、表１に示した。
【００４８】
また、この配線基板におけるＣｕを主導体とする表面配線回路層２３ａに対して、厚み３μｍのＮｉメッキ層及び厚み２μｍのＡｕメッキ層を無電解めっき法により被着した。Ａｇを主導体とする配線回路層を形成する基板については脱バインダーおよび焼成は大気雰囲気中で行ない、メッキ層の被着を行わなかった。
【００４９】
（評  価）
次に、配線基板の測定用電極２５及び２６にリード線を付け、温湿度サイクルバイアス試験を行い、電極２５及び２６間の電気抵抗を測定し、絶縁性の評価を行った。温湿度サイクルバイアス試験は、電極２５及び２６間に５Ｖの電圧を負荷した状態で温度５℃、湿度４０％および温度８５℃、湿度９５％の雰囲気にそれぞれ２時間づつ繰り返し晒した。温湿度サイクルバイアス試験は４００サイクルまで行い、測定用電極２６間の電気抵抗を測定した。
【００５０】
【表１】
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【００５１】
表１の結果によれば、参考試料１、２、３に示すように、従来の絶縁層の厚みが７５μｍ以上である場合には、ある程度の絶縁性を維持できる。また、拘束焼成後に難焼結性シートをブラスト除去することによって絶縁層表面が荒れることによってサイクル試験後の抵抗は低下する傾向にあることがわかる。
【００５２】
この場合、配線基板の最表面の絶縁層の厚みが７５μｍ未満の試料Ｎｏ．１、２は温湿度バイアス試験を１００サイクル終了した時点で電極間の絶縁抵抗が１０６Ω以下と低い値となった。これに対し、表面に露出する絶縁層の厚みが７５μｍ以上の試料Ｎｏ．３〜８は温湿度バイアス試験を１００サイクル終了した時点で電極間の絶縁抵抗が１０の１０１０Ω以上と高い値となった。
【００５３】
また、試料Ｎｏ．９〜１２の銀を主導体とする配線回路層を形成した基板では、メッキを形成しなかったが、最表面の絶縁層の厚みが７５μｍよりも薄い試料Ｎｏ．９、１０では、同様にサイクル試験後の抵抗値が大きく低下したが、７５μｍ以上とすることで、抵抗値の低下を抑制することができた。
【００５４】
【発明の効果】
以上詳述した通り、本発明の多層配線基板によれば、厚み７０μｍ以下の絶縁層を内蔵した基板においても、最表面の絶縁層を挟む配線回路層間の絶縁性がメッキ処理時のメッキ液の浸入や、高温高湿雰囲気中に保持されることによる水分の侵入によって損なわれるのを有効に防止することができ、信頼性の高い配線基板を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の多層配線基板の一例を示す概略断面図である。
【図２】本発明の多層配線基板の製造方法における製造工程図である。
【図３】評価用の配線回路のパターン図である。
【符号の説明】
１  多層配線基板
２  絶縁基板
２ａ〜２ｉ  絶縁層
３  配線回路層
４  ビアホール導体
５  半導体素子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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