(57)【要約】【課題】  炭素ナノチューブを用いながらも駆動電圧の増加を防止し、かつ漏れ電流特性及び電子ビームの集束度を確保すること。【解決手段】  絶縁性基板４０１上に設けられた下部電極（カソード）４０２と、下部電極４０２上に一定間隔の格子形態で設けられた炭素ナノチューブ混合物４０５と、炭素ナノチューブ混合物４０５の位置に対応する多数の孔を備え、その孔の上部の直径が下部の直径より小さい絶縁性メッシュゲート板４０３と、メッシュゲート板４０３の上部面に設けられた取り出し電極（ゲート）４０４と、取り出し電極４０４上に垂直方向に設けられたスペーサ４０６と、スペーサ４０６を媒介として陰極板パネルと所定間隔で離隔されて設けられた陽極板パネルを備えている。陽極板パネルには、上部電極（アノード電極）４０７とその上部に設けられた透明基板４０８とが備えられている。【選択図】  図４
2004193105.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁性基板上に設けられた下部電極と、
該下部電極上に設けられた炭素ナノチューブ混合物アレイと、
該炭素ナノチューブ混合物アレイの位置に対応して多数の孔を備え、該孔の上部のサイズが下部のサイズより小さい絶縁性メッシュゲート板と、
該絶縁性メッシュゲート板上に設けられた取り出し電極と、
該取り出し電極と一定間隔で離隔されて設けられた上部電極と、
前記取り出し電極と前記上部電極との間に設けられた第１スペーサと
を備えたことを特徴とする三極型電界放出素子。
【請求項２】
前記絶縁性メッシュゲート板の下部に設けられた第１補助電極を備えたことを特徴とする請求項１に記載の三極型電界放出素子。
【請求項３】
前記絶縁性メッシュゲート板の前記孔の側面に設けられた第２補助電極を備えたことを特徴とする請求項２に記載の三極型電界放出素子。
【請求項４】
前記第２補助電極は、前記孔の下部の一部に設けられたことを特徴とする請求項３に記載の三極型電界放出素子。
【請求項５】
前記第１及び第２補助電極は、前記下部電極に印加される電圧と同じ電圧を印加されることを特徴とする請求項３に記載の三極型電界放出素子。
【請求項６】
前記下部電極と前記第１補助電極との間を離隔させるため、前記絶縁性メッシュゲート板の下部に設けられた第２スペーサを備えたことを特徴とする請求項２に記載の三極型電界放出素子。
【請求項７】
絶縁性基板と、
該絶縁性基板上に設けられた下部電極と、
該下部電極上に設けられた炭素ナノチューブ混合物アレイと、
該炭素ナノチューブ混合物アレイの位置に対応して多数の孔を備え、該孔の上部のサイズが下部のサイズより小さい絶縁性メッシュゲート板と、
該絶縁性メッシュゲート板上に設けられた取り出し電極と、
該取り出し電極と一定間隔で離隔されて設けられた上部電極と、
前記取り出し電極と前記上部電極との間に設けられたスペーサと、
前記上部電極の表面に設けられた蛍光物質と、
前記上部電極の上部に設けられた透明基板と、
を備えたことを特徴とする電界放出ディスプレイ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、三極型電界放出素子及びそれを用いた電界放出ディスプレイに関し、より詳細には、炭素ナノチューブを用いた三極型電界放出素子及びそれを用いた電界放出ディスプレイに関する。
【背景技術】
【０００２】
電界放出ディスプレイ（Ｆｉｅｌｄ  Ｅｍｉｓｓｉｏｎ  Ｄｉｓｐｌａｙ；ＦＥＤ）は、ＣＲＴ、ＬＣＤなどの長所を全て揃えたディスプレイとして注目されつつ研究開発が活発に進められている次世代ディスプレイである。電界放出ディスプレイには、電界放出素子が用いられるが、電界放出素子は、微細チップから電子が電界場に放出される原理を用いたものであって、その中でも三極型電界放出素子が最も広く用いられている。一方、三極型電界放出素子は、ＦＥＤだけでなく、電子銃や増幅器などに応用されている。
【０００３】
ＦＥＤの基本理論は、真空マイクロエレクトロニクスに基づいている。真空マイクロエレクトロニクスの最大長所は、既存の真空管素子とは異なって真空中において電子が電界放出されるということである。このような理論に基づいて、米国のスピント（Ｓｐｉｎｄｔ）博士が微細な金属チップを用いる場合、電界放出が大きく向上するというスピントカソード理論を見出して、ＦＥＤの基礎理論を完成した。
【０００４】
ＦＥＤは、陰極板パネルと陽極板パネルとから構成されているが、基本的に陰極板から放出された電子が陽極板の蛍光体にぶつかって画像を表すようにする。ＦＥＤの陰極板パネルは、電子を放出するマイクロチップ（Ｆｉｅｌｄ  Ｅｍｉｔｔｅｒ  Ａｒｒａｙ；ＦＥＡ）から構成されており、陽極板パネルは、蛍光体が塗布されて人が見られる画像を提供する。
【０００５】
図１は、従来のスピント型（Ｓｐｉｎｄｔ  Ｔｙｐｅ）三極型電界放出素子の断面構成図である。  
図１によれば、従来のスピント型三極型電界放出素子は、絶縁性基板１０１上に、順に積層された下部電極（カソード）１０２及び抵抗層１０３と、抵抗層１０３上に順に積層され複数の孔を備える絶縁膜１０４及び取り出し電極１０５と、絶縁膜１０４及び取り出し電極（ゲート）１０５に形成された複数の孔内に配置されたチップ１０６から構成された陰極板パネルを備えている。
【０００６】
また、従来のスピント型三極型電界放出素子を用いたＦＥＤは、上部電極（アノード）１０８及び透明基板１０９からなる陽極板パネルを備えている。陽極板パネルと陰極板パネルは、スペーサ１０７を媒介として一定間隔に離隔されており、このような三極型電界放出素子をＦＥＤに応用する場合、上部電極１０８の表面には蛍光物質が塗布されている。
【０００７】
このような従来のスピント型三極型電界放出素子は、絶縁膜１０４に小サイズ（１μｍ以下）の孔を形成し、その上に犠牲分離膜（図示せず）を形成した後に、電子ビーム蒸着法を利用して自己整列方式でチップ１０６を形成する工程を用いて製造している。この場合、工程の際微細パターンを形成しなければならないという困難さがあり、電子ビーム蒸着法を通した自己整列方式を用いるため、大面積のＦＥＤの応用には難さが伴う。
【０００８】
したがって、さらに容易な工程により大面積のＦＥＤを製作するための努力がなされており、これに最も好適な物質として台頭しているものが炭素ナノチューブである。炭素ナノチューブは、ｍｍ級以下の非常に小さな直径を有しているのに対して、長さがμｍ級で長いため、電子放出源としては非常に好適な構造を有している。
【０００９】
図２は、従来の炭素ナノチューブを用いた三極型電界放出素子の断面構成図である。  
図２によれば、従来の炭素ナノチューブを用いた三極型電界放出素子は、絶縁性基板２０１、下部電極（カソード）２０２、抵抗層２０３、絶縁膜２０４、取り出し電極（ゲート）２０５、炭素ナノチューブ混合物２０６、スペーサ２０７、上部電極（アノード）２０８、透明基板２０９から構成されている。すなわち、図１に示された電界放出素子と比較する場合、チップ１０６が炭素ナノチューブ混合物２０６に置き換えられた点のみ異なり、その他の構成は同様である。
【００１０】
このような従来の炭素ナノチューブを用いた三極型電界放出素子は、炭素ナノチューブをバインダー物質と混合して予め形成された孔の内部に塗布する工程を用いて製造している。しかし、実際炭素ナノチューブを電界による電子放出源として用いる場合、駆動電圧を低くするためには、三極型電極構造を有するべきであるが、図１に示されたスピント型チップに比べて自己整列方式により取り出し電極を形成することが困難であるという問題点がある。
【００１１】
また、従来の炭素ナノチューブを利用した三極型電界放出素子は、炭素ナノチューブから放出された電子が取り出し電極２０５に流れ込んで漏れ電流を形成する場合が多く発生する。また、放出された電子ビームが上部電極２０８に到る時、放出の際に比べて広く広がる現象が発生するようになる。このような現象は、電界放出素子の特性を阻害し、特に、ＦＥＤへの応用時に大きい問題を発生させ得る。
【００１２】
図３は、従来の他の炭素ナノチューブを用いた三極型電界放出素子の断面構成図である。  
図３によれば、図示された電界放出素子は、絶縁性基板３０１、取り出し電極（ゲート）３０２、絶縁膜３０３、下部電極（カソード）３０４、炭素ナノチューブ混合物３０５、スペーサ３０６、上部電極（アノード）３０７、透明基板３０８から構成されている。
【００１３】
すなわち、図２に示された電界放出素子と比較すると、陽極板パネル側は変化がないが、陰極板パネル側で電極の位置が変化された。陰極板の構成を見ると、絶縁性基板３０１上に取り出し電極３０２及び絶縁膜３０３が設けられ、絶縁膜３０３の上部に下部電極３０４が配置され、下部電極３０４上に炭素ナノチューブ混合物３０５が設けられている。
【００１４】
図示された電界放出素子においては、取り出し電極３０２が炭素ナノチューブ混合物３０５の下部に位置している。この場合、炭素ナノチューブから放出された電子は、取り出し電極３０２に流れ込む現象は防止できるが、実際駆動においてオン／オフ（Ｏｎ／Ｏｆｆ）状態の差が大きくならず、図２において示された電界放出素子に比べて駆動電圧が大きくなる短所がある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
本発明は、このような問題に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、炭素ナノチューブを用いながらも駆動電圧の増加を防止すると共に、漏れ電流特性及び電子ビームの集束度も確保し得る三極型電界放出素子及びそれを用いた電界放出ディスプレイを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
本発明は、このような目的を達成するためになされたもので、本発明は、炭素ナノチューブを用いた三極型電界放出素子において、絶縁性基板上に設けられた下部電極と、該下部電極上に設けられた炭素ナノチューブ混合物アレイと、該炭素ナノチューブ混合物アレイの位置に対応して多数の孔を備え、該孔の上部のサイズが下部のサイズより小さい絶縁性メッシュゲート板と、該絶縁性メッシュゲート板上に設けられた取り出し電極と、該取り出し電極と一定間隔で離隔されて設けられた上部電極と、前記取り出し電極と前記上部電極との間に設けられた第１スペーサとを備えたことを特徴とする。
【００１７】
また、本発明は、電界放出ディスプレイにおいて、絶縁性基板と、該絶縁性基板上に設けられた下部電極と、該下部電極上に設けられた炭素ナノチューブ混合物アレイと、該炭素ナノチューブ混合物アレイの位置に対応して多数の孔を備え、該孔の上部のサイズが下部のサイズより小さい絶縁性メッシュゲート板と、該絶縁性メッシュゲート板上に設けられた取り出し電極と、該取り出し電極と一定間隔で離隔されて設けられた上部電極と、前記取り出し電極と前記上部電極との間に設けられたスペーサと、前記上部電極の表面に設けられた蛍光物質と、前記上部電極の上部に設けられた透明基板とを備えたことを特徴とする。
【００１８】
炭素ナノチューブを用いた電界放出素子の場合、駆動電圧を低くするためには、三極型電極構造を適用しなければならない。この場合、取り出し電極が電子放出源に対してどのような構造を有するかにより動作特性が大きく変わる。本発明では、取り出し電極がその上部に提供され、炭素ナノチューブ混合物アレイの位置に対応して多数の孔を備えるが、孔の上部のサイズが下部のサイズより小さい絶縁性メッシュゲート板を用いて放出された電子ビームの集束度も大きく高め、漏れ電流を抑制する。一方、本発明は、補助電極を追加するか、各電極の形態を最適化して電子ビームの集束度及び漏れ電流特性を最適化できる。
【発明の効果】
【００１９】
以上説明したように、本発明によれば、炭素ナノチューブを用いた三極型電界放出素子の問題点として指摘される漏れ電流問題を緩和させ、電子ビームの集束度を改善する効果がある。特に、本発明の三極型電界放出素子を電界放出ディスプレイに適用する場合、炭素ナノチューブ素材の特徴である大面積化が可能となり、三極型電界放出素子の特徴である低い駆動電圧を実現でき、漏れ電流がないので消費電力を最小化でき、電子ビームの集束度が高いため、動作特性に優れたディスプレイを具現できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、図面を参照して本発明の実施例について説明する。  
図４は、本発明に係る炭素ナノチューブを用いた三極型電界放出素子の一実施例を説明するための断面構成図である。
【００２１】
図４によれば、本実施例に係る炭素ナノチューブを用いた三極型電界放出素子は、絶縁性基板４０１上に設けられた下部電極（カソード）４０２と、下部電極４０２上に一定間隔の格子形態で設けられた炭素ナノチューブ混合物４０５と、炭素ナノチューブ混合物４０５の位置に対応する多数の孔を備え、その孔の上部の直径が下部の直径より小さい絶縁性メッシュゲート板４０３と、メッシュゲート板４０３の上部面に設けられた取り出し電極（ゲート）４０４と、取り出し電極４０４上に垂直方向に設けられたスペーサ４０６と、スペーサ４０６を媒介として陰極板パネルと所定間隔離隔されて設けられた陽極板パネルを備えている。また、陽極板パネルには、上部電極（アノード電極）４０７とその上部に設けられた透明基板４０８とが備えられ、ＦＥＤへの応用時上部電極４０７の表面には蛍光物質が塗布されている。
【００２２】
以下、上述した本実施例に係る三極型電界放出素子の製造過程について説明する。  
まず、絶縁体またはガラスから構成された絶縁性基板４０１上に導電体、または金属からなる下部電極４０２を形成する。その上に炭素ナノチューブとバインダーとが混合されている炭素ナノチューブ混合物４０５をスクリーンプリントなどの方法により形成する。
【００２３】
そして、絶縁体または数百μｍの厚さのガラス板からなり、炭素ナノチューブ混合物４０５が置かれた位置に孔が形成されているメッシュゲート板４０３を準備する。この場合、メッシュゲート板４０３に形成された孔は、その上部の直径が下部の直径に比べて小さい形態になるようにする。
【００２４】
次いで、メッシュゲート板４０３上に導電体または金属薄膜４０４を蒸着して取り出し電極４０４として用いる。取り出し電極４０４は、メッシュゲート板４０３上に形成されるので、取り出し電極４０４もメッシュ形態を示す。
【００２５】
次いで、取り出し電極４０４が形成されたメッシュゲート板４０３を炭素ナノチューブ混合物４０５が形成されているカソード電極４０２上にメッシュゲート板４０３の孔と炭素ナノチューブ混合物４０５とが整列されるように位置させる。
【００２６】
次いで、取り出し電極４０４上に真空シーリング作業のためのスペーサ４０６を設け、その表面に蛍光物質が形成されている上部電極（アノード）４０７と、透明絶縁体またはガラスからなる透明基板４０８をスペーサ４０６の上部に載せ、真空シーリングを実施する。
【００２７】
ＦＥＤを製作する場合には、上部電極４０７の表面に蛍光物質を塗布するステップを追加する。このように製作されたＦＥＤの下部電極４０２に低電圧または接地電圧を接続し、取り出し電極４０４に適当な電圧（１００Ｖ以下）を印加して電界を形成することにより、炭素ナノチューブから電子が放出されるようにし、上部電極４０７に高電圧（数ｋＶ）を印加して放出された電子を加速させ、蛍光体を励起させることによりディスプレイが可能となる。
【００２８】
図５Ａ（ａ）,（ｂ）乃至図５Ｉ（ａ）,（ｂ）は、各々のメッシュゲート板の構造に係る電子放出特性を示す図である。
【００２９】
まず、図５Ａ（ａ）,（ｂ）は、メッシュゲート板に形成されている孔の上部の直径が下部の直径に比べて大きい場合（従来技術）を示す図である。構造を簡略に表示するため、カソード５０１と絶縁体５０２、ゲート（取り出し電極）５０３、アノード５０４のみを示し、この時形成される等電位線５０５を示した。図５Ａ（ａ）は、アノード５０４により形成される電界Ｅａｎｏｄｅの大きさがゲート５０３により形成される電界Ｅｇａｔｅより小さい場合であり、図５Ａ（ｂ）は、その逆の場合である。
【００３０】
図５Ａを見ると、メッシュゲート板の孔の中心部Ａから放出される電子ビームと周辺部Ｂから放出される電子ビームの全てが広く広がる形態を有することが確認できる。これは等電位線５０５の形態を見ると容易に説明できるが、電子の放出面であるカソード５０１の周辺での等電位線５０５の形態が上方に凸な形態を示しているので、カソード５０１から出発した電子が互いに遠くなる形態に進行することが容易に推察できる。特に、周辺部Ｂから放出される電子の場合、その現象がより激しくなってゲート５０３への漏れ電流に対する危険も相当に大きいと見られる。
【００３１】
図５Ｂ（ａ）,（ｂ）の場合には、図５Ａ（ａ）,（ｂ）とは異なってメッシュゲート板６０２に形成されている孔の上方の直径が下方の直径に比べて小さい場合である。等電位線６０５を見ると、図５Ａの場合での等電位線５０５に比べてカソード６０１の周辺において上方へ凸な程度が多く減少したことが確認できる。その結果、放出された電子ビームの広がる程度が相当に減少し、周辺部Ｂから放出された電子ビームがゲート６０３側に抜け出る傾向も相当に減少した。符号６０４はアノードを示すものである。
【００３２】
以下に説明する図５Ｃ（ａ）,（ｂ）乃至図５Ｉ（ａ）,（ｂ）は、図５Ｂ（ａ）,（ｂ）に示されたメッシュゲート板の孔の形態を基本とする変形例を示す図である。  
図５Ｃ（ａ）,（ｂ）の場合には、図５Ｂ（ａ）,（ｂ）に比べてメッシュゲート板７０２に形成されている孔の下方の直径をより大きくした場合である。カソード７０１の周辺で等電位線７０５が上方に凸な傾向がさらに減少し、その結果、放出された電子ビームが中央側に集束される効果がより一層大きくなることが確認できる。符号７０３はゲート、７０４はアノードを各々示す。
【００３３】
図５Ｄ（ａ）,（ｂ）を図５Ｃ（ａ）,（ｂ）と比較すると、メッシュゲート板８０３の下部面に低電圧、または接地電圧を印加するための補助電極８０２を追加に形成した場合である。図５Ａ、図５Ｂ、図５Ｃで検討したように、電子が放出される地域での等電位線がどのような形態に形成されるかに応じて電子ビームの集束程度が変わり、漏れ電流も影響を受ける。図５Ｄで追加に導入した補助電極８０２は、等電位線８０６がさらに扁平な形態を有するようにする。電子ビームの形態を見ると、特に中心部Ａから放出される電子ビームの集束がよくなっていることが確認できる。符号８０１はカソード、８０４はゲート、８０５はアノードを各々示す。
【００３４】
図５Ｅ（ａ）,（ｂ）は、図５Ｄ（ａ）,（ｂ）において導入したメッシュゲート板９０４の下部面に設置されている補助電極９０２の以外にメッシュゲート板９０４の孔の側面にも低電圧、または接地電圧を印加するための補助電極９０３を設けた場合である。ここで、メッシュゲート板９０４の下部面に設けられた補助電極９０２とメッシュゲート板９０４の孔の側面に設けられた補助電極９０３は、相互接続されて同じ電圧を印加され得るし、別の電圧を印加されることもできる。等電位線９０７を見ると、電界の大きさの変化とは関係せず孔の内部において常に下方へ凸な形態の等電位線が保持されていることが確認できる。
【００３５】
その結果、周辺部Ｂから放出された電子ビームの場合にも非常によく集束されることが確認でき、特に、ゲート９０５への漏れ電流がほとんど発生しないことと予想される。しかし、この場合、孔の内部で補助電極９０３の影響が大きくて、特に周辺部Ｂから放出された電子ビームの場合、反対側への偏向が発生することが確認できる。符号９０１はカソード、９０６はアノードを各々示す。
【００３６】
図５Ｆ（ａ）,（ｂ）及び図５Ｇ（ａ）,（ｂ）は、図５Ｅ（ａ）,（ｂ）の場合に現れる電子ビーム偏向現象を減少させるため、メッシュゲート板（１００４及び１１０４）の孔の内部に形成された補助電極の長さを調節した場合を示す図である。図５Ｆの場合には、全体孔の高さの半分に該当する高さまでのみ補助電極１００３を位置させ、図５Ｇの場合には、全体孔の高さの１／４程度に該当する高さまで補助電極１１０３を位置させた。その結果、図５Ｇの場合に中心部Ａと周辺部Ｂから放出された電子ビーム全てが中心側によく偏向されて放出されている形態を示している。この結果から孔の内部に配置する補助電極（１００３及び１１０３）の高さを適切に調節することにより、放出された電子ビームの偏向を防止することが可能であることが確認できる。
【００３７】
補助電極（１００３及び１１０３）の適切な高さは、印加電圧のレベルにより変わる。符号１００１及び１１０１はカソード、１００２及び１１０２はメッシュゲート板の下部電極、１００５及び１１０５はゲート、１００６及び１１０６はアノード、１００７及び１１０７は等電位線を各々示す。
【００３８】
図５Ｈ（ａ）,（ｂ）及び図５Ｉ（ａ）,（ｂ）は、メッシュゲート板（１２０３及び１３０３）とカソード（１２０１及び１３０１）の位置関係に係る電子ビームの形態を示す図である。この場合、メッシュゲート板（１２０３及び１３０３）の下部面に低電圧、または接地電圧が印加される補助電極（１２０２及び１３０２）が配置されているため、補助電極（１２０２及び１３０２）の高さにより電子が放出される位置での等電位線（１２０６及び１３０６）の形態が変わるようになる。
【００３９】
結果的に、図５Ｉの場合が、図５Ｈの場合に比べて等電位線（１２０６及び１３０６）が下方に凸な程度がより大きくなることが確認でき、図５Ｉの場合が、図５Ｈの場合に比べて電子ビームの集束度が優れていることが確認できる。補助電極（１２０２及び１３０２）とカソード（１２０１及び１３０１）との間の間隔をおくため、メッシュゲート板（１２０３及び１３０３）の下部にスペーサを配置できる。もちろんこの場合にも、メッシュゲート板（１２０３及び１３０３）の孔の側面に補助電極をさらに配置できる。符号１２０４及び１３０４はゲート、１２０５及び１３０５はアノード、１２０６及び１３０６は等電位線を各々示す。
【００４０】
なお、本発明は、上述した実施例として開示した範囲に限定されるものではない。本発明に係る技術的思想から逸脱しない範囲内で多くの改良、変更が可能であり、それらも本発明の技術的範囲に属する。
【００４１】
例えば、上述した実施例では、主に三極型電界放出素子をＦＥＤに応用する場合を一例として説明したが、上部電極の変形を通して電子銃や増幅器などにも応用することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】従来のスピント型（Ｓｐｉｎｄｔ  Ｔｙｐｅ）三極型電界放出素子の断面構成図である。
【図２】従来の炭素ナノチューブを用いた三極型電界放出素子の断面構成図である。
【図３】従来の他の炭素ナノチューブを用いた三極型電界放出素子の断面構成図である。
【図４】本発明に係る炭素ナノチューブを用いた三極型電界放出素子の一実施例を説明するための断面構成図である。
【図５Ａ】（ａ）,（ｂ）は、各々のメッシュゲート板の構造に係る電子放出特性を示す図（その１）である。
【図５Ｂ】（ａ）,（ｂ）は、各々のメッシュゲート板の構造に係る電子放出特性を示す図（その２）である。
【図５Ｃ】（ａ）,（ｂ）は、各々のメッシュゲート板の構造に係る電子放出特性を示す図（その３）である。
【図５Ｄ】（ａ）,（ｂ）は、各々のメッシュゲート板の構造に係る電子放出特性を示す図（その４）である。
【図５Ｅ】（ａ）,（ｂ）は、各々のメッシュゲート板の構造に係る電子放出特性を示す図（その５）である。
【図５Ｆ】（ａ）,（ｂ）は、各々のメッシュゲート板の構造に係る電子放出特性を示す図（その６）である。
【図５Ｇ】（ａ）,（ｂ）は、各々のメッシュゲート板の構造に係る電子放出特性を示す図（その７）である。
【図５Ｈ】（ａ）,（ｂ）は、各々のメッシュゲート板の構造に係る電子放出特性を示す図（その８）である。
【図５Ｉ】（ａ）,（ｂ）は、各々のメッシュゲート板の構造に係る電子放出特性を示す図（その９）である。
【符号の説明】
【００４３】
４０１  絶縁性基板
４０２  下部電極（カソード）
４０３  絶縁性メッシュゲート板
４０４  取り出し電極（ゲート）
４０５  炭素ナノチューブ混合物
４０６  スペーサ
４０７  上部電極（アノード電極）
４０８  透明基板
５０１,６０１,７０１,８０１,９０１, １００１,１１０１,１２０１,１３０１  カソード
５０２  絶縁体
５０３,６０３,７０３,８０４,９０５,１００５,１１０５,１２０４,１３０４  ゲート
５０４,６０４,７０４,８０５,９０６,１００６,１１０６,１２０５,１３０５  アノード
５０５,６０５,８０６,９０７,１００７,１１０７,１２０６,１３０６  等電位線
６０２,７０２,８０３,９０４,１００４,１１０４,１２０３,１３０３  メッシュゲート板
８０２,９０２,９０３,１００３,１１０３,１２０２,１３０２  補助電極
１００２,１１０２  下部電極
【図１】
2004193105.tif 000003
【図２】
2004193105.tif 000004
【図３】
2004193105.tif 000005
【図４】
2004193105.tif 000006
【図５Ａ】
2004193105.tif 000007
【図５Ｂ】
2004193105.tif 000008
【図５Ｃ】
2004193105.tif 000009
【図５Ｄ】
2004193105.tif 000010
【図５Ｅ】
2004193105.tif 000011
【図５Ｆ】
2004193105.tif 000012
【図５Ｇ】
2004193105.tif 000013
【図５Ｈ】
2004193105.tif 000014
【図５Ｉ】
2004193105.tif 000015