(57)【要約】【課題】両基板の貼り合わせ工程が位置的に正確に行われる結果、正確な動作等を期しうる電気光学装置を提供する。【解決手段】電気光学装置は、液晶層（５０）を挟持してなるＴＦＴアレイ基板（１０）及び対向基板（２０）と、対向基板上に形成された柱状スペーサ（４０１）と、ＴＦＴアレイ基板上に形成され、前記柱状スペーサの先端部を嵌め込み可能な、凸部（１６Ａ）間にある凹部（１６Ｂ）を備えている。【選択図】　　　図７
2004045561.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気光学物質を挟持してなる一対の基板と、
前記一対の基板のうちの一方たる第１基板上且つ該第１基板における前記電気光学物質に対向する側に設けられた柱状スペーサと、
前記一対の基板のうちの他方たる第２基板上に形成され、前記柱状スペーサの先端部を嵌め込む凹部と、
を備えたことを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記第２基板上には、前記電気光学物質を透過した光を反射するための反射板と、該反射板下に形成された下部凹凸層とを更に備え、
前記凹部は、前記下部凹凸層の凹凸形状を反映した前記反射板の全部若しくは一部として形成されていることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記凹部が前記反射板の全部若しくは一部として形成されていることに加えて又は代えて、
前記凹部は、前記反射板上に直接若しくは間接に、又は、前記下部凹凸層上に直接若しくは間接に形成されていることを特徴とする請求項２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記反射板は、前記電気光学物質に対して電界を印加するための画素電極の全部又は一部としての反射電極を含むことを特徴とする請求項２又は３に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記柱状スペーサの前記第１基板に平行な面における断面形状は、前記凹部を平面視した形状に一致していることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項６】
前記第１基板上にストライプ状の第１配線を備えるとともに、
前記第１基板及び前記第２基板のいずれか一方の上に、前記第１配線に交差する方向に延在するストライプ状の第２配線と、該第２配線及び前記第１配線の交差領域に対応して形成されたスイッチング素子及び画素電極とを備え、
前記第１基板及び前記第２基板の少なくとも一方の上に前記第１配線及び第２配線の形成位置に対応する位置に形成された遮光膜を更に備えてなり、
前記柱状スペーサは、平面視して、前記遮光膜の形成位置の少なくとも一部にかかるように配置されていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項７】
前記第１基板上に形成されたストライプ状の第１電極と、前記第２基板上に形成され前記第１電極とは交差する方向に延在するストライプ状の第２電極とを更に備えるとともに、
前記第１基板及び前記第２基板の少なくとも一方の上に前記第１電極及び前記第２電極の交差領域を除く位置に形成された遮光膜とを更に備えてなり、
前記柱状スペーサは、平面視して、前記遮光膜の形成位置の少なくとも一部にかかるように配置されていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項８】
電気光学物質を挟持してなる一対の基板を備えた電気光学装置の製造方法であって、
前記一対の基板のうちの一方たる第１基板上且つ該第１基板における前記電気光学物質に対向する側に柱状スペーサを形成する工程と、
前記一対の基板のうちの他方たる第２基板上に、前記柱状スペーサの先端部を嵌め込む凹部を形成する工程と、
前記柱状スペーサの先端部が前記凹部に位置するように前記第１基板及び前記第２基板を貼り合わせる貼合工程と
を含むことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項９】
前記凹部を形成する工程は、
前記第２基板上に下部凹凸層を形成する工程と、
該下部凹凸層の上に、その凹凸形状を反映するように、前記電気光学物質を透過した光を反射するための反射板を形成する工程とからなり、
前記凹部は、前記反射板の全部又は一部として形成されることを特徴とする請求項８に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項１０】
前記凹部を形成する工程は、
前記第２基板上に下部凹凸層を形成する工程と、
該下部凹凸層の上に、その凹凸形状を反映するように、前記電気光学物質を透過した光を反射するための反射板を形成する工程と、
該反射板又は前記下部凹凸層の上に前記凹部を構成する膜を形成する工程と、
を含むことを特徴とする請求項８に記載の電気光学装置。
【請求項１１】
前記貼合工程の際に、
前記第１基板及び前記第２基板の少なくとも一方の周囲に、仮止め用接着剤を塗布する工程と、
前記仮止め用接着剤を硬化させる工程と
を更に含むことを特徴とする請求項８乃至１０のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項１２】
請求項１乃至７のいずれか一項に記載の電気光学装置を具備してなることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電気光学装置及び電子機器の技術分野に属し、特に、二枚の基板に挟まれた間隙の間隔を所定の値に保つため、柱状のスペーサが利用される電気光学装置及びその製造方法並びにそのような電気光学装置を具備してなる電子機器の技術分野に属するものである。
【０００２】
【背景技術】
液晶装置等の電気光学装置は、通常、電極、配線、素子等が作り込まれた二枚の基板間に、電気光学物質の一例たる液晶が封入されて構成される。より具体的には例えば、一方の基板の上に、マトリクス状の画素電極及び該画素電極に接続されたスイッチング素子の一例としての薄膜ダイオード（ＴＦＤ；Ｔｈｉｎ　Ｆｉｌｍ　Ｄｉｏｄｅ）を形成し、他方の基板の上に、比較的幅広のストライプ状電極を形成する、等というものを想定することができる。この場合においては、前記ＴＦＤに接続されるストライプ状の配線を形成することにより、これら配線及びＴＦＤによって画素電極に対する電圧印加を制御し、かつ、他方の基板の上のストライプ状電極に対して所定の電圧を印加することによって、画素電極及びストライプ状電極間に所定の電位差を生じさせることが可能となり、これにより、液晶に対して所定の電界を印加することが可能となる。
【０００３】
このような電気光学装置は、例えば、次のように製造される。すなわち、一対の基板上に上述したような各種構成を作り込んだ上、両基板のうちの少なくとも一方の上の適当な位置に例えば熱硬化型のシール材を塗布した後、これら基板を向かい合わせるように配置し、前記シール材に対する加熱を行って、両基板を固着・貼り合せる（貼り合わせ工程）、というようなものである。
【０００４】
従来例としては、特開２０００−７５３０５号公報に示された技術が知られている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述のような電気光学装置ないしその製造方法にあっては、次のような問題点があった。すなわち、このような電気光学装置では、前記二枚の基板の貼り合わせを位置的に正確に行わなければならないが、従来、これを実現することが一般に困難であったことである。例えば、上述した具体例のように、一方の基板上にマトリクス状画素電極が、他方の基板上にストライプ状電極がそれぞれ形成される場合においては、前者の画素電極の行に対し、後者のストライプ状電極の列が位置的に正確に対応していなければならない。もし、このような位置的な対応がとれていない状態で、両基板を貼り合わせてしまうと、液晶への有効な電界の印加が困難となり、画像の表示にも影響を及ぼすこととなる。
【０００６】
従来においては、このような問題に対処するため、次のような対策がとられていた。すなわち、前記のシール材を熱硬化させて、両基板を本格的に貼り合わせてしまう前に、いわゆる「仮止め工程」を行っていた。ここに「仮止め工程」とは、基板の周辺部の数箇所に予め紫外線硬化樹脂を塗布した後両基板を向かい合わせ、当該紫外線硬化樹脂に対して紫外線を照射しこれを硬化させて両基板を仮止めするという工程である。これによれば、仮止めによって両基板の位置決めを行った後、本格的な貼り合わせ工程を実施することから、上述のような問題点をある程度有効に解消することができる。
【０００７】
しかしながら、前記仮止め工程は、両基板をあくまでも「仮止め」するだけであるから、これらの相対的な位置関係を完璧に固定し得るものではない。すなわち、仮止め用の紫外線硬化樹脂は、基板周辺部の数箇所に塗布されるだけであるから、両基板がずれようとする力を十分に規制することができないのである。したがって、上述のような「仮止め工程」の実施は、両基板の貼り合わせ工程における正確な位置決めに、ある程度は貢献するものの、問題の根本的な解決には至っていなかった。
【０００８】
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、液晶装置等二枚の基板が貼り合わされた構造を有する電気光学装置であって、両基板の貼り合わせ工程が位置的に正確に行われる結果、正確な動作等を期しうる電気光学装置の提供を課題とする。また、本発明は、そのような電気光学装置の製造方法を提供することも課題とし、更には、該電気光学装置を具備してなる電子機器を提供することをも課題とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明の電気光学装置は、上記課題を解決するため、電気光学物質を挟持してなる一対の基板と、前記一対の基板のうちの一方たる第１基板上且つ該第１基板における前記電気光学物質に対向する側に設けられた柱状スペーサと、前記一対の基板のうちの他方たる第２基板上に形成され、前記柱状スペーサの先端部を嵌め込む凹部とを備えている。
【００１０】
本発明の電気光学装置によれば、まず、第１基板上に設けられた柱状スペーサによって、一対の基板により挟まれた間隙を所定の厚さに保つことが可能となる。また、この間隙に対しては、該一対の基板の周囲に別途設けられ得る注入口を通じて、該間隙の外部から液晶等の電気光学物質（以下、「液晶」で代表させる。）を導入することができる。これにより、基板の面のほぼ全面に関して、該間隙内の液晶層の厚さ、すなわちセルギャップを好適に一定に保つことが可能となり、光透過率、コントラスト比、応答速度等の表示特性を好適に維持することができる。
【００１１】
ここで、本発明では特に、第２基板上に凹部が備えられており、かつ、該凹部には、前記柱状スペーサの先端を嵌め込まれる。すなわち、本発明においては、第１基板上に形成された柱状スペーサの、第２基板上における接触面（例えば、該第２基板上に形成された配向膜の面等）が、当該接触面の周囲からみて窪んだ形（凹部）を有するようにされているのである。
【００１２】
これにより、本発明に係る電気光学装置において、その第１基板及び第２基板間の相対的な位置関係は正確であるということがいえる。というのも、柱状スペーサ及び凹部が、上述のような関係にあることにより、当該電気光学装置の製造段階においては、第１基板及び第２基板の貼り合わせ工程を、位置的に正確に行うことができるからである。すなわち、該貼り合わせ工程においては、第１基板上の柱状スペーサの先端が、第２基板上の凹部に嵌め込まれるような形となることから、これにより、両基板が相対的にずれようとする力を有効に規制することができるのである。
【００１３】
以上のように、本発明に係る電気光学装置は、第１基板及び第２基板が位置的に正確に対応した上で貼り合わせられているから、例えば、両基板上の電極は正確に対向しており、その結果、液晶に対する正確な電圧印加を行うことができるなど、高品質画像を表示することが可能となる。
【００１４】
ちなみに、本発明に係る電気光学装置において、前記柱状スペーサは、上述したように、第１基板及び第２基板間のセルギャップを、基板全面において一定に保つ機能（すなわち、スペーサとしての本来的な機能）を有するが、このようなセルギャップの具体値としては例えば、約３〜５μｍ程度等となる。また、その精度は、液晶からなる層を構成する液晶分子の、二枚の基板間における「ねじれ角度」の相違に応じて異なり、例えば、該ねじれ角度が９０°であるＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ　Ｎｅｍａｔｉｃ）形の場合には±０．１μｍ程度以下、該ねじれ角度が２６０°程度であるＳＴＮ（Ｓｕｐｅｒ　Ｔｗｉｓｔｅｄ　Ｎｅｍａｔｉｃ）形の場合には±０．３μｍ程度以下が要求される。
【００１５】
そして、このような場合においては、前記凹部の深さは、例えば約１μｍ程度とすると好ましい。この場合、柱状スペーサは、その先端から１μｍ程度が凹部に嵌め込まれることとなり、これにより、柱状スペーサ、あるいは第１基板の第２基板に対する拘束を好適に実現することができる。
【００１６】
また、本発明においては、セルギャップ一定の要請によりよく応えるため、前記柱状スペーサのほかに、前記の熱硬化型シール材の中に、例えば微小な略球状の形状を有するスペーサを混入させてもよい。
【００１７】
本発明の電気光学装置の一態様では、前記第２基板上には、前記電気光学物質を透過した光を反射するための反射板と、該反射板下に形成された下部凹凸層とを更に備え、前記凹部は、前記下部凹凸層の凹凸形状を反映した前記反射板の全部若しくは一部として形成されている。
【００１８】
この態様によれば、電気光学物質を透過した光が反射する反射板が備えられているから、当該電気光学装置は、いわゆる反射型の電気光学装置として使用することが可能である。ここに反射型の電気光学装置とは、例えば太陽光、あるいは蛍光灯の光などのように、装置外の光を電気光学物質に透過させた上で、その反射光を、画像を構成する光（すなわち、視認者によって視認される光）とするものである。
【００１９】
そして、本態様では特に、このような反射板の下に下部凹凸層が形成されており、前記凹部は、この下部凹凸層の凹凸形状を反映した反射板の全部若しくは一部として形成されている。すなわちまず、反射板は、下部凹凸層の形状を反映したものとなっているから、その面は平坦なものではなく凹凸を有するものとなっている。これにより、上述のような光の反射には、散乱反射光が混じることとなり、視野角依存性の小さい画像を表示することなどが可能となる。また、前記凹部は、このような凹凸を有する反射板の全部若しくは一部として形成されている。すなわち、前記の柱状スペーサの先端は、該反射板における凹部、例えば凸部間にある凹部に位置するようになっているのである。
【００２０】
このように、本態様によれば、反射板の面が凹凸を有することにより、視野角依存性の小さい画像を表示することが可能となるほか、この凹凸を、既述のように、両基板の貼り合わせ工程における位置決めに利用することが可能となるのである。換言すれば、本態様では、柱状スペーサの先端を固定するための層を別途新たに形成する必要はなく、画像の視野角依存性をより小さくするなどの目的の下、凹凸をつけた反射板を形成するのであれば、その凹凸を、前述したような第１基板及び第２基板間の固定に利用することができることを意味する。
【００２１】
なお、本態様に係る電気光学装置は、上述のように、反射型としての使用が可能であるが、前記の反射板のほかに、透過窓等を備えることで、半透過反射型としての使用が可能なように構成してもよい。
【００２２】
あるいはまた、本態様では特に、前記凹部が前記反射板の全部若しくは一部として形成されていることに加えて又は代えて、前記凹部は、前記反射板上に直接若しくは間接に、又は、前記下部凹凸層上に直接若しくは間接に形成されているようにしてもよい。
【００２３】
このような構成によれば、反射板はそれ自身で下部凹凸層を反映した凹凸を有するとともに、凹部は、該反射板上に形成され、その凹凸を反映した、例えば有機材料からなる膜等によって構成されることとなる。これによっても、上述と略同様な作用効果が達成されることとなるのは明白である。なお、本態様にいう「間接に」とは、例えば、反射板と凹部を構成する膜との間に、別の層間絶縁膜等が形成される場合等を意味している。
【００２４】
また、柱状スペーサは、必ずしも反射板上に位置する必要はないから、下部凹凸層を形成するのであれば、この上に直接若しくは間接に有機材料からなる膜等を設け該膜を凹部を構成する膜とする、というような形態としても、上述と略同様な作用効果が達成されることとなる。
【００２５】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記反射板は、前記電気光学物質に対して電界を印加するための画素電極の全部又は一部としての反射電極を含む。
【００２６】
この態様によれば、反射板には更に、例えば液晶容量を構成する一対の電極の一方としての機能が付加されている。すなわち、本態様に係る反射板には、液晶を透過した光を反射する機能及び該反射において散乱反射光を含ませる機能に加え、液晶容量に対する電界印加を行う機能という三つの機能が備わることになる。また、上述のように、前記凹部が反射板の全部又は一部として形成されるのであれば、該反射板は、柱状スペーサの先端部を拘束する機能をも併せもつ。以上のように、本態様によれば、電気光学装置の効率的な構成を実現することができる。
【００２７】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記柱状スペーサの前記第１基板に平行な面における断面形状は、前記凹部を平面視した形状に一致している。
【００２８】
この態様によれば、凹部による柱状スペーサの拘束をより確実になすことが可能となるから、第１基板及び第２基板の貼り合わせ工程時における、両基板の位置決めをより確実になすことができる。例えば、柱状スペーサの断面形状が正方形であり、凹部を平面視した形状もまた正方形であるというような場合や、変則的ではあるが、柱状スペーサの断面形状が十字型形状であり、凹部を平面視した形状もまた十字型形状であるというような場合を考えることができる。なお、本態様に言う「一致」とは、完全一致を含むほか、両者に若干の相違がある場合をも含む。
【００２９】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記第１基板上にストライプ状の第１配線を備えるとともに、前記第１基板及び前記第２基板のいずれか一方の上に、前記第１配線に交差する方向に延在するストライプ状の第２配線と、該第２配線及び前記第１配線の交差領域に対応して形成されたスイッチング素子及び画素電極とを備え、前記第１基板及び前記第２基板の少なくとも一方の上に前記第１配線及び第２配線の形成位置に対応する位置に形成された遮光膜を更に備えてなり、前記柱状スペーサは、平面視して、前記遮光膜の形成位置の少なくとも一部にかかるように配置されている。
【００３０】
この態様によれば、スイッチング素子を利用することで、いわゆるアクティブマトリクス駆動が可能となる。具体的には例えば、第１基板上に、第１配線の一例たるデータ線、第２配線の一例たる走査線、スイッチング素子の一例たる薄膜トランジスタ（ＴＦＴ；Ｔｈｉｎ　Ｆｉｌｍ　Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）及び画素電極のすべてを備える形態では、走査線を通じてＴＦＴのＯＮ・ＯＦＦを制御することで、データ線を通じて供給される画像信号の画素電極に対する印加を制御することが可能となる。この場合、第２基板上に対向電極を備えれば、この対向電極と画素電極との間に所定の電位差を生じさせることが可能となるから、液晶に対して所定の電界を印加することが可能となる。また、別の例として、第１基板上に第１配線の一例たる走査線（又はデータ線）を備えるとともに、第２基板上に第２配線の一例たるデータ線（又は走査線）、スイッチング素子の一例たる薄膜ダイオード（ＴＦＤ；Ｔｈｉｎ　Ｆｉｌｍ　Ｄｉｏｄｅ）及び画素電極を備える形態では、データ線（又は走査線）及び画素電極間に所定の電位差を生じさせることが可能となるから、液晶に対して所定の電界を印加することが可能となる。
【００３１】
そして、本態様では特に、前記第１基板及び前記第２基板の少なくとも一方の上に前記第１配線及び前記第２配線の形成位置に対応する位置に形成された遮光膜を更に備えてなり、前記柱状スペーサは、平面視して、前記遮光膜の形成位置の少なくとも一部にかかるように配置されている。これによれば、柱状スペーサは、画像表示に寄与することのない領域に、その少なくとも一部がかかるように配置されることとなり、液晶中の光の透過に邪魔になるようなことがないから配置として好適である。
【００３２】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記第１基板上に形成されたストライプ状の第１電極と、前記第２基板上に形成され前記第１電極とは交差する方向に延在するストライプ状の第２電極とを更に備えるとともに、前記第１基板及び前記第２基板の少なくとも一方の上に前記第１電極及び前記第２電極の交差領域を除く位置に形成された遮光膜とを更に備えてなり、前記柱状スペーサは、平面視して、前記遮光膜の形成位置の少なくとも一部にかかるように配置されている。
【００３３】
この態様によれば、いわゆるパッシブマトリクス駆動が可能となる。すなわち、本態様では、第１電極及び第２電極の交差領域において両者間に所定の電位差を生じさせることが可能となるから、液晶に対して所定の電界を印加することが可能となる。
【００３４】
そして、本態様でも、上述のアクティブマトリクス駆動可能な電気光学装置と略同様に、第１基板及び第２基板の少なくとも一方の上に、第１電極及び第２電極の交差領域を除く位置に形成された遮光膜を更に備えてなり、前記柱状スペーサは、平面視して、前記遮光膜の幅の形成位置の少なくとも一部にかかるように配置されている。これによれば、柱状スペーサは、画像表示を寄与することのない領域に、その少なくとも一部がかかるように配置されることとなり、液晶中の光の透過に邪魔になるようなことがないから配置として好適である。
【００３５】
本発明の電気光学装置の製造方法は、上記課題を解決するために、電気光学物質を挟持してなる一対の基板を備えた電気光学装置の製造方法であって、前記一対の基板のうちの一方たる第１基板上且つ該第１基板における前記電気光学物質に対向する側に柱状スペーサを形成する工程と、前記一対の基板のうちの他方たる第２基板上に、前記柱状スペーサの先端部を嵌め込む凹部を形成する工程と、前記柱状スペーサの先端が前記凹部に位置するように前記第１基板及び前記第２基板を貼り合わせる貼合工程とを含む。
【００３６】
本発明の電気光学装置の製造方法によれば、まず、第１基板上に柱状スペーサを形成する。この柱状スペーサの形成工程は、具体的には例えば、アクリル系樹脂、ポリイミド等の材料からなる膜を形成した後、フォトリソグラフィ及びエッチング工程を実施することによって、形成することができる。一方、第２基板上には、柱状スペーサの先端部を嵌め込む凹部を形成する。この凹部の形成工程は、具体的には例えば、第一に、第２基板上に点在するように有機系樹脂等の感光性樹脂等の材料によってブロック塊を形成し、第二に、該ブロック塊を覆うように同材料からなる覆い膜を成膜する、等という方法を採ることが可能である。
【００３７】
そして、本発明では、上述した第１基板上の柱状スペーサの先端部が、第２基板上の前記凹部に位置するように、第１基板及び第２基板を貼り合わせる。この際、前記柱状スペーサの動きが凹部によって規制され、これにより第１基板の第２基板に対する動きが規制されることになる。すなわち、本発明によれば、第１基板及び第２基板の位置決めを正確に行うことができるのである。このような状態で、例えば、第１基板及び第２基板間に配置された熱硬化型シール材に対する加熱を行い、両基板の本格的な貼り合わせを実施することにより、最終的に、第１基板及び第２基板の相対的な位置関係が正確に定められた電気光学装置を製造することができる。
【００３８】
このように、本発明に係る電気光学装置の製造方法によれば、例えば、両基板上の電極が正確に対向しており、その結果、液晶に対する正確な電圧印加を行うことができるなど、高品質画像を表示することが可能な電気光学装置を製造することができる。
【００３９】
本発明の電気光学装置の製造方法の一態様では、前記凹部を形成する工程は、前記第２基板上に下部凹凸層を形成する工程と、該下部凹凸層の上に、その凹凸形状を反映するように、前記電気光学物質を透過した光を反射するための反射板を形成する工程とからなり、前記凹部は、前記反射板の全部又は一部として形成される。
【００４０】
この態様によれば、まず、反射板を形成することから、反射型の電気光学装置を製造することができる。また、この反射板は、下部凹凸層の凹凸形状を反映するように、該下部凹凸層の上に形成されることから、反射特性の良好な（すなわち、視野角依存性が小さい等）反射板を得ることができる。そして、本態様では特に、このような反射板の形成が、即、凹部の形成を意味することから、製造工程の一部簡略化を行うことができる。
【００４１】
本発明の電気光学装置の製造方法の他の態様では、前記凹部を形成する工程は、前記第２基板上に下部凹凸層を形成する工程と、該下部凹凸層の上に、その凹凸形状を反映するように、前記電気光学物質を透過した光を反射するための反射板を形成する工程と、該反射板又は前記下部凹凸層の上に前記凹部を構成する膜を形成する工程とからなる。
【００４２】
この態様によれば、凹凸をもつ反射板が形成される点に関する、上述したような作用効果は同様に享受しうる。本態様では特に、上述の態様では反射板それ自体が凹部を構成していたのに代えて、該反射板上又は下部凹凸層上に凹部を形成する工程を含んでいる。このような態様であっても、第１基板の第２基板に対する拘束を有効に行うことができることに変わりはなく、したがって、第１基板及び第２基板の貼り合わせ工程において、両者の相対的な位置関係を正確に定めることが可能となる。
【００４３】
なお、本態様にいう「凹部を構成する膜」としては例えば、液晶分子の配向状態を一定方向に揃えるための「配向膜」等を考えることができる。このような形態によれば、該配向膜において、液晶層における液晶分子の配向状態を一定方向に揃えるという機能の他、柱状スペーサを拘束する機能を併せ持たせることが可能となるから、効率的である。
【００４４】
本発明の電気光学装置の製造方法の他の態様では、前記貼合工程の際に、前記第１基板及び前記第２基板の少なくとも一方の周囲に、仮止め用接着剤を塗布する工程と、前記仮止め用接着剤を硬化させる工程とを更に含む。
【００４５】
この態様によれば、第１基板及び第２基板の貼り合わせ工程を行うに際し、仮止め用接着剤を利用する。ここに、仮止め用接着剤としては、例えば、紫外線硬化樹脂等を考えることができる。これによれば、第１基板及び第２基板は、前述の柱状スペーサ及び凹部による拘束のほか、仮止め用接着剤による拘束を受けることになるから、両基板の相対的な位置決めをより正確に実施することができる。
【００４６】
本発明の電子機器は、上記課題を解決するために、上述した本発明の電気光学装置（ただし、その各種態様を含む。）を具備してなる。
【００４７】
本発明の電子機器によれば、上述した本発明の電気光学装置、すなわち、それらの相対的な位置関係が正確に定められた第１基板及び第２基板を備えてなる電気光学装置を具備してなるから、例えば、より高品質な画像を表示することが可能となるなどの特徴を備えた、投射型表示装置（液晶プロジェクタ）、液晶テレビ、携帯電話、電子手帳、ワードプロセッサ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネル等の各種電子機器を実現することができる。
【００４８】
本発明のこのような作用及び他の利得は次に説明する実施の形態から明らかにされる。
【００４９】
【発明の実施の形態】
以下では、本発明の実施の形態について図を参照しつつ説明する。以下の実施形態は、本発明の電気光学装置を液晶装置に適用したものである。
【００５０】
まず、本実施形態に係る電気光学装置の全体構成を、図１乃至図４を参照して説明する。ここに図１は、ＴＦＴアレイ基板をその上に形成された各構成要素とともに対向基板２０の側からみた平面図であり、図２は、図１のＨ−Ｈ´断面図である。また、図３は、対向基板上における柱状スペーサの配置態様を示す平面図である。さらに、図４は、電気光学装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路である。なお、以下で参照する各図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材ごとに縮尺を異ならしめてある。
【００５１】
図１及び図２において、本実施形態に係る電気光学装置では、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とが対向配置されている。ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間には、液晶層５０が封入されており、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とは、画像表示領域１０ａの周囲に位置するシール領域に設けられたシール材５２により相互に接着されている。
【００５２】
ここで、液晶層５０は、例えば一種又は数種類のネマテッィク液晶を混合した液晶からなり、後述する一対の配向膜間で、所定の配向状態をとるものである。また、シール材５２は、図１に示すように、画像表示領域１０ａの周囲を囲むように、平面的にみて、「ロ」の字状に設けられている。このようなシール材５２の一部においては、図１の下方に示すように、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０により挟まれた間隙内に液晶を注入するための液晶注入口５２ａが設けられている。完成された電気光学装置では、この液晶注入口５２ａには、前記間隙内に導入された液晶が外部に漏れることのないようにするため、例えば紫外線硬化型アクリル系樹脂からなる封止材５４が設けられる。このようなシール材５２を構成する材料としては、例えば熱硬化樹脂等を挙げることができる。ただし、上記のほか、紫外線硬化樹脂を利用してもよい。
【００５３】
また、図２において、ＴＦＴアレイ基板１０上には、画素スイッチング用のＴＦＴや走査線、データ線等の配線が形成された後の画素電極９ａ上に、配向膜１６（「凹部を構成する膜」の一例に該当する（以下「拘束層」ということがある。）。後述の図５乃至図７及びその説明等参照。）が形成されている。他方、対向基板２０上には、ＩＴＯ（インデウィム・ティン・オキサイド）等の透明材料からなる対向電極２１のほか、遮光領域を規定する遮光膜２３や、これらの最上層部分に配向膜２２が形成されている。
【００５４】
そして、本実施形態では特に、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０間のセルギャップを所定の値に保つため、図２に示すように、対向基板２０側の対向電極２１上（図中下側）、かつ、遮光膜２３の上であって、配向膜２２の下（図中上側）に、略円柱状となる柱状スペーサ４０１が設けられている。この柱状スペーサ４０１は、例えばアクリル系樹脂、ポリイミド等の材料からなる。
【００５５】
この柱状スペーサ４０１は、対向基板２０上において、図３に示すように配置されている。図３において、対向基板２０上には、格子状の遮光膜２３及び画像表示領域１０ａの最外周を規定するための額縁遮光膜５３が形成され（図１及び図２も参照）、これら遮光膜２３及び額縁遮光膜５３上には対向電極２１が形成されている。なお、図３では、対向電極を示す符号「２１」の横に「（９ａ（１００ａ））」という記載があるが、これは、図３に示す略四辺形の領域の一つ一つが、ＴＦＴアレイ基板１０上に形成される画素電極９ａの一つ一つ、あるいは画素１００ａ（後述する）の一つ一つに対応していることを意味している。
【００５６】
そして、本実施形態に係る柱状スペーサ４０１は、この図に示すように、格子状に形成された遮光膜２３上、あるいは該遮光膜２３の幅の範囲内に収まるように配置されている。これによれば、柱状スペーサ４０１は、画像表示に寄与する光が透過する前記の略四辺形状の領域には位置しないことになるから、より明るい画像表示を行うことができる。
【００５７】
また、本実施形態に係る柱状スペーサ４０１は、図３に示すように、四つの画素電極９ａに対して１本ずつの割合で形成されている。これによれば、後の製造方法で説明するように、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０間の間隙内に液晶を注入する際、柱状スペーサ４０１がこの液晶の進行を妨げるようなことがない。つまり、該間隙内の隅々まで、満遍なく液晶を行き渡らせることが可能となる。ただし、本発明においては、このような配置態様に限定されるわけではなく、例えば、柱状スペーサ４０１の配置密度が基板面において均等になるようにといった基準をも併せ考慮するなどして、該柱状スペーサ４０１の具体的な配置態様を決めることができる。
【００５８】
以上のような構成のほか、図１及び図２においては、シール材５２の外側の領域に、後述するデータ線６ａに画像信号を所定のタイミングで供給することにより該データ線６ａを駆動するデータ線駆動回路１０１及び外部回路接続端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って設けられている一方、後述する走査線３ａに走査信号を所定のタイミングで供給することにより該走査線３ａを駆動する走査線駆動回路１０４が、この一辺に隣接する二辺に沿って設けられている。なお、走査線３ａに供給される走査信号遅延が問題にならないのならば、走査線駆動回路１０４は片側だけでもよいことは言うまでもない。また、データ線駆動回路１０１を画像表示領域１０ａの辺に沿って両側に配列してもよい。他方、ＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺には、画像表示領域１０ａの両側に設けられた走査線駆動回路１０４間をつなぐための複数の配線１０５が設けられている。また、対向基板２０のコーナ部の少なくとも一箇所においては、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的に導通をとるための導通材１０６が設けられている。
【００５９】
なお、ＴＦＴアレイ基板１０上には、これらのデータ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４等に加えて、複数のデータ線６ａに画像信号を所定のタイミングで印加するサンプリング回路、複数のデータ線６ａに所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行して各々供給するプリチャージ回路、製造途中や出荷時の当該電気光学装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路等を形成してもよい。
【００６０】
このような構成となる電気光学装置の画像表示領域１０ａにおいては、図４に示すように、複数の画素１００ａがマトリクス状に構成されているとともに、これらの画素１００ａの各々には、画素スイッチング用のＴＦＴ３０が形成されている。
【００６１】
図４において、複数の画素１００ａには、それぞれ、画素電極９ａと当該画素電極９ａをスイッチング制御するためのＴＦＴ３０とが形成されており、画像信号が供給されるデータ線６ａが当該ＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。データ線６ａに書き込む画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、この順に線順次に供給しても構わないし、相隣接する複数のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給するようにしてもよい。
【００６２】
また、ＴＦＴ３０のゲートに走査線３ａが電気的に接続されており、所定のタイミングで、走査線３ａにパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍを、この順に線順次で印加するように構成されている。画素電極９ａは、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけそのスイッチを閉じることにより、データ線６ａから供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを所定のタイミングで書き込む。
【００６３】
画素電極９ａを介して電気光学物質の一例としての液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、対向基板２０に形成された対向電極２１との間で一定期間保持される。液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能とする。ノーマリーホワイトモードであれば、各画素１００ａの単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が減少し、ノーマリーブラックモードであれば、各画素１００ａの単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が増加され、全体として電気光学装置からは画像信号に応じたコントラストをもつ光が出射する。
【００６４】
なお、保持された画像信号がリークするのを防ぐために、画素電極９ａと対向電極２１との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量７０を付加することがある。例えば、画素電極９ａの電圧は、ソース電圧が印加された時間よりも３桁も長い時間だけ蓄積容量７０により保持される。これにより、電荷の保持特性は改善され、コントラスト比の高い電気光学装置を実現することができる。なお、蓄積容量７０を形成する方法としては、それ専用の特別の配線である容量線３００を形成する場合、及び前段の走査線３ａとの間に形成する場合のいずれであってもよい。
【００６５】
上述したような画素１００ａは、より実際的には、図５及び図６に示すような構成を有する。ここに、図５は、本実施形態に用いたＴＦＴアレイ基板の相互に隣接する複数の画素群の平面図であり、図６は、図５のＡ−Ａ´断面図である。なお、図５においては、四つの画素についてのみ、その詳細を示している。
【００６６】
図５において、ＴＦＴアレイ基板上には、上述した走査線３ａ及びデータ線６ａ等のほか、画素１００ａの一つずつに対応して、ＴＦＴ３０、蓄積容量７０、透明電極８及び反射電極９等が設けられている。なお、上述までの画素電極９ａとは、いま述べた透明電極８及び反射電極９の両者を含意した用語である。
【００６７】
このうちまず、反射電極９は、ＴＦＴアレイ基板１０上に、マトリクス状に形成されている。この反射電極９の各々には、図５に示すような透過窓１４が形成され、この透過窓１４に対応する領域は透明電極８によって覆われている。このような反射電極９は、アルミニウムや銀、若しくはこれらの合金、又はチタン、窒化チタン、モリブデン、タンタル等との積層膜から構成されており、透明電極８は、ＩＴＯ（インディウム・ティン・オキサイド）等から構成されている。
【００６８】
このように、マトリクス状に配列された反射電極９及び透明電極８の形成領域の縦横の境界に沿っては、データ線６ａ、走査線３ａ及び容量線３００が形成されており、該反射電極９の一つ一つには、透明電極８を介して、画素スイッチング用のＴＦＴ３０が電気的に接続されている。データ線６ａは例えばアルミニウム等により、走査線３ａ及び容量線３００は例えば導電性のポリシリコン等からなる。また、ＴＦＴ３０は、図５及び図６に示すように、半導体層１ａを備えており、該半導体層１ａ中には適当な不純物が導入されることで高濃度ソース領域１ｄ、高濃度ドレイン領域１ｅ及びチャネル領域１ａ´が形成されている。このうちＴＦＴ３０の高濃度ソース領域１ｄには、データ線６ａがコンタクトホールを介して電気的に接続されており、高濃度ドレイン領域１ｅには、透明電極８がソース線６ｂ及びコンタクトホール１５を介して電気的に接続されている。また、ＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ´の上には、これに対向するように、ゲート絶縁膜２を介して、前記の走査線３ａが延在するように形成されている。なお、本実施形態におけるＴＦＴ３０は、図５及び図６に示すように、いわゆるダブルゲート構造となっており、これに伴って、半導体層１ａは、図中左側から、高濃度ソース領域１ｄ、低濃度領域１ｂ、チャネル領域１ａ´、低濃度領域１ｂ、チャネル領域１ａ´、低濃度領域１ｂ及び高濃度ドレイン領域１ｅという順番で各領域が形成されたものとなっている。
【００６９】
また、本実施形態に係る電気光学装置には、蓄積容量７０が形成されている。この蓄積容量７０は、下部電極として、画素スイッチング用のＴＦＴ３０を形成するための半導体膜１の延設部分１ｆを導電化したものを、上部電極として、走査線３ａと同層の容量線３００を備えるとともに、これらの間にＴａＯｘ、ＳｉＯｘ等からなる誘電体膜を備えた構造になっている。このような蓄積容量７０を備えることで、液晶容量における電荷の保持特性を格段に向上することができる。
【００７０】
一方、反射電極９及び透明電極８の下には、図６に示すように、ブロック塊層１３（本発明にいう「下部凹凸層」の一例に該当する。）、及びその上層の層間膜７（いずれも、図５では示されない）が形成されている。ここでブロック塊層１３及び層間膜７は、例えば、有機系樹脂等の感光性樹脂からなり、特に前者は、基板面に点在するブロック塊を含むような形で形成される層であり、後者は、このようなブロック塊層１３を含む基板の全面を覆うような形で形成される層である。したがって、層間膜７の表面は、ブロック塊層１３を構成するブロック塊の点在態様に応じた凹凸形状を有するものとなる。ちなみに、このような層間膜７を形成することによって、該層間膜７の表面における凹凸形状は、ブロック塊層１３における、いわば急峻な凹凸形状を均したような、適度な滑らかさを備えたものとなる。
【００７１】
そして、このような層間膜７の上には、透明電極８、反射電極９及び配向膜１６が形成されるが、該層間膜７の表面が上述のような凹凸形状を含むことから、これら透明電極８、反射電極９及び配向膜１６もまた、その凹凸形状を反映することで、同じような凹凸形状を有するものとなる。
【００７２】
このうち反射電極９においては特に、凹凸パターン９ｇが形成されることになる。図５においては、この凹凸パターン９ｇが円形状で示されており、該円形状の部分は、その他の部分に比べて、図の紙面に向かってこちら側に突出した形となっていることを示している。すなわち、当該円形状の部分における、図の紙面に向かって向こう側には、層間膜７を介して、前記のブロック塊層１３が形成されているのである（図６参照）。
【００７３】
このような構成を備える電気光学装置では、透明電極８及び透過窓１４を利用することで、透過モードによる画像表示を行うことが可能となり、反射電極９並びにブロック塊層１３、層間膜７及び凹凸パターン９ｇを利用することで、反射モードによる画像表示を行うことが可能となる。すなわち、前者の構成により規定される領域は、図示されない内部光源から発せられた光を図５の紙面向こう側からこちら側に至るように透過させる透過領域であり、後者の構成により規定される領域は、紙面こちら側から前記反射電極９に至って反射した後、再び紙面こちら側に至らせるような反射領域となる。なお、後者の場合では特に、凹凸パターン９ｇによって光の散乱反射が起きるから、画像の視野角依存性を小さくすることができる。
【００７４】
そして本実施形態では特に、図５のＺ−Ｚ´断面図である図７に示すように、上述のブロック塊層１３に起因して、配向膜１６の表面上に現れた凸部１６Ａ間にある凹部１６Ｂに対し、対向基板２０上に形成された前記の柱状スペーサ４０１の先端部が位置するようにされている。換言すれば、柱状スペーサ４０１の先端部が、凹部１６Ｂに対して、いわば嵌め込まれるようにされているのである。これを平面的に見ると、図５に示すように、柱状スペーサ４０１の先端部は、四つの凸部１６Ａに囲まれた凹部１６Ｂに位置するようにされている。なお、図７においては、該凹部１６Ｂの形成領域が図３に示したような柱状スペーサ４０１の配置態様に合致するようにされていることによって、当該領域には、反射電極９及び透明電極８は存在せず、柱状スペーサ４０１を拘束する拘束層たる配向膜１６は、前述のブロック塊層１３及び層間膜７の上に直接的に形成された形となっている。
【００７５】
図６及び図７においては上記のほか、ＴＦＴアレイ基板１０上に、厚さが１００〜５００ｎｍのシリコン酸化膜（絶縁膜）からなる下地保護膜１１１が形成され、この下地保護膜１１１とＴＦＴ３０の上に、厚さが３００〜８００ｎｍのシリコン酸化膜からなる第１層間絶縁膜４、更に、この第１層間絶縁膜４の上に厚さが１００〜８００ｎｍのシリコン窒化膜からなる第２層間絶縁膜５（表面保護膜）等が形成されている。ただし、場合により、この第２層間絶縁膜５は、形成してなくてもよい。
【００７６】
このような構成となる電気光学装置においては、柱状スペーサ４０１及び凹部１６Ｂ間に図５及び図７に示すような関係があることから、次のような作用効果を得ることができる。すなわち、当該電気光学装置の製造段階においては、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０の貼り合わせ工程を、両者の相対的な位置関係を正確に保った上で行うことができる。これは、該貼り合わせ工程において、対向基板２０上の柱状スペーサ４０１の先端部が、ＴＦＴアレイ基板１０上の配向膜１６における凹部１６Ｂに、いわば嵌め込まれるような形となることから、両基板１０及び２０が相対的にずれようとする力を有効に規制することができるからである。なお、この点については、以下で説明する電気光学装置の製造方法において、改めて触れる。
【００７７】
これにより、本実施形態に係る電気光学装置は、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０間の相対的な位置関係は正確にとられていることになる。例えば、対向基板２０上に形成される格子状の遮光膜２３と、ＴＦＴアレイ基板１０上にマトリクス状に配列された反射電極９及び透明電極８との、相対的な位置関係は正確に図られており、本来であれば光が透過すべき領域を覆うように遮光膜２３が存在する（例えば、透過窓１４の形成領域に遮光膜２３の端がかかる等）などということが殆ど起こりえないのである。したがって、本実施形態に係る電気光学装置によれば、より高品質な画像の表示等が可能となる。
【００７８】
しかも、本実施形態においては、第２層間絶縁膜５上に、ブロック塊層１３及びその上層に位置する各層を形成することによって、画像の視野角依存性を小さくするための反射電極９上の凹凸パターン９ｇの形成と、柱状スペーサ４０１の先端部を拘束する拘束層（配向膜１６）の形成とが実現されていることになる。つまり、本実施形態では、いわばベースともいうべきブロック塊層１３を形成することにより、異なる目的（視野角依存性の可及的排除及び柱状スペーサ４０１の拘束）を同時に達成することができ、効率的な構成の実現や、製造工程の一部簡略化等を果たすこともできる。
【００７９】
なお、上記実施形態においては、柱状スペーサ４０１の配置態様が、図３及び図５に示すように、四つの画素電極９ａごと、かつ、これらに囲まれるように１本ずつ配置されるようなものとされ、また、柱状スペーサ４０１の先端部の拘束形態が、平面的に見て、四つの凸部１６Ａ間にある凹部１６Ｂによって拘束されるようなものとなっていたが、本発明は、このような形態に限定されるものではない。
【００８０】
例えば、柱状スペーサ４０１の配置態様に関しては、上述のようなものの他、基板面に対する柱状スペーサ４０１の配置密度をより高めたり、又は、より低めたりすることが可能である。また、上述したように、柱状スペーサ４０１は、遮光膜２３の幅の範囲内に配置することが好ましくはあるが、必ずしも、そうしなければならないわけではない。例えば、画素電極９ａの形成領域（すなわち、透明電極８及び／又は反射電極９の形成領域）に、その全部又は一部がかかるような形で、柱状スペーサ４０１を形成してもよい。この場合、上述では、本発明にいう「拘束層」がブロック塊層１３及び層間膜７の上に直接に形成された配向膜１６に該当することとなっていたが、該「拘束層」が、反射電極９上に直接若しくは間接に形成された配向膜１６、あるいは反射電極９それ自身の全部又は一部が、それに該当するようなこともあり得る。ただし、このような場合であっても、画像を構成する光の進行を可能な限り妨げないように、柱状スペーサは、平面視して、遮光膜２３の形成位置の少なくとも一部にかかるように配置されていることが好ましい。
【００８１】
あるいは、上記実施形態においては、ブロック塊層１３上に層間膜７を介して、「拘束層」たる配向膜１６を形成していたが、場合によっては、該ブロック塊層１３そのものを「拘束層」とする形態や、該ブロック塊層１３の直上に「拘束層」を設けるような形態としてもよい。前者の場合においては、ブロック塊層１３を形成した後に、ベーク工程を行うことにより、ブロック塊層１３の凹凸の縁をなめらかにしてもよい。このようにすれば、該ブロック塊層１３のエッジ等が画像上に影響を及ぼすことを未然に防止することができる。つまり、反射特性の向上が見込める。
【００８２】
また、柱状スペーサ４０１の拘束形態に関しては、上述のようなものの他、やや変則的ではあるものの、図８に示すように、平面視すると略十字型の形状を有する凹部１６ＢＸに対して、対向基板２０に平行な面における断面形状が同じように十字型となる柱状スペーサ４０１Ｘの先端部を位置させるような形態としてもよい。ちなみに、凹部１６ＢＸは、上記の図５及び図７と同様に、凸部１６ＢＡ間に形成されるような形となっている。このような形態によれば、凹部１６ＢＸによる柱状スペーサ４０１Ｘの拘束はより強化されるから、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０間の相対的な位置関係はより正確になる。あるいはまた、図９に示すように、平面視するとホームベース様の五角形状を有する凹部１６ＦＢに対して、同様な断面形状を有する柱状スペーサ４０１Ｆの先端部を位置させるような形態としてもよい。ちなみに、このような形状となる柱状スペーサ４０１Ｆでは、その鋭角部分４０１Ｆａにおいて、配向膜２２上の配向不良領域を減少させることが可能となる。これは、該柱状スペーサ４０１Ｆを、その鋭角部分４０１Ｆａが配向膜２２に対するラビング方向ＲＤの下流側に位置するように配置することによって、ラビング処理において使用されるバフ布の毛先が、当該鋭角部分４０１Ｆａについて回り込みやすくなることによる。そして、このような形態となる柱状スペーサ４０１Ｆと凹部１６ＦＢとの間にあっても、図９に示すような配置関係をとれば、後者による前者の動きを相当程度制約することが可能となる。したがって、これによっても、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０間の相対的な位置関係はより正確になるということがいえる。
【００８３】
要は、柱状スペーサの対向基板２０に平行な面における断面形状が、拘束層における凹部を平面視した形状に一致していれば、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０の相互拘束性をより強化することができるから、両基板１０及び２０の位置決めをより確実になすことができるのである。なお、図８及び図９に示すように、柱状スペーサ４０１Ｘ及び４０１Ｆの断面形状と凹部１６ＸＢ及び１６ＦＢの形状とは必ずしも完全一致している必要はない。両形状間に図に示すような程度の差異があったとしても、上述したような作用効果は問題なく奏される。
【００８４】
また、柱状スペーサを拘束するためには、上述のように、凸部間にある凹部を利用する形態が好ましくはあるが、場合によっては、平坦面に凹部のみを設け、該凹部によって柱状スペーサの先端部を拘束するような形態としてもよい。
【００８５】
さらに、上記実施形態においては、反射電極９は、液晶層５０を透過した光を反射するための反射板としての機能と、液晶層５０に対して電界を印加するための電極としての機能を併せ持っていたが、本発明は、このような形態に限定されるものではない。例えば、図６において、反射電極９の形成を省略するとともに、透明電極８下の適当な層に、例えばアルミニウム等からなる反射板を備える形態としてもよい。この場合、当該形態に係る電気光学装置は反射モードでのみ使用可能となるが、本発明は、このような形態もその範囲内に含む。ちなみに、この場合においても、上述にいう「反射板」に対し凹凸パターンを形成すれば、視野角依存性の小さい画像の表示等が可能となることに変わりはない。したがってまた、該反射板に凹凸パターンを形成するために、図６におけるブロック塊層１３と同様な層を該反射板下に形成するのであれば、それを利用することによって、柱状スペーサ４０１の先端部を拘束するための拘束層を形成することが可能となることも変わりはない。
【００８６】
なお、上記では、アクティブマトリクス駆動方式の電気光学装置について説明したが、本発明は、このような形態に限定されるものではなく、パッシブマトリクス駆動方式の電気光学装置に対しても、本発明の適用が可能であることは言うまでもない。
【００８７】
（電気光学装置の製造方法）
以下では、上述した構成となる電気光学装置の製造方法について、図１０を参照しながら説明する。なお、上述の電気光学装置においては、柱状スペーサ４０１及び配向膜１６に係る構成の形成工程、並びに、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０の貼り合わせ工程等に特徴を有するものであるから、以下では、これらの点について主に説明を加えることとし、残るＴＦＴ３０、画素電極９ａ等の製造方法等については、適宜、省略ないし簡略化した説明を行うこととする。
【００８８】
まず、ＴＦＴアレイ基板１０は、図１０に示すフローチャートのように製造される。すなわちまず、超音波洗浄等により清浄化したＴＦＴアレイ基板１０用のガラス基板等を準備する（ステップＳ１０）。次に、このガラス基板上に、シリコン酸化膜等からなる下地絶縁膜１１１をプラズマＣＶＤ法等によって形成した後、該下地絶縁膜１１１上に、半導体層１ａを含むＴＦＴ３０をはじめ、走査線３ａ、容量線３００、データ線６ａ、ソース線６ｂ及び蓄積容量７０、並びにこれら要素間の絶縁を図るための第１及び第２層間絶縁膜４及び５等々の各種構成を作り込む（ステップＳ１２）。なお、この際、第１層間絶縁膜４には、ＴＦＴ３０の高濃度ソース領域１ｄとデータ６ａとを電気的に接続するためのコンタクトホール、及び、高濃度ドレイン領域１ｅとソース線６ｂとを電気的に接続するためのコンタクトホールの形成が併せて行われる。
【００８９】
次に、第２層間絶縁膜５上に、有機系樹脂等の感光性樹脂材料からなるブロック塊層１３を形成する（ステップＳ１４）。このブロック塊層１３は、図６に示したように、基板面に点在するブロック隗を含むような形で形成される。このような構造は、具体的には例えば、基板全面に前記感光性樹脂材料からなる膜を、スピンコート等によって厚さ１〜３μｍ程度で形成した後、該膜に対してフォトリソグラフィ及びエッチング工程を実施すること（すなわち、パターニングすること）によって形成することができる。また、ブロック塊層１３を構成するブロック塊の具体的な配置態様は、例えば、図５に示すようなものとすることができる。この場合、少なくとも、該ブロック隗によって形作られる凹部の配置態様が、後述する対向基板２０上に形成される柱状スペーサ４０１の配置態様と一致する部分を含むように決定されなければならない。
【００９０】
次に、このようなブロック塊を含むブロック塊層１３の上に、有機系樹脂等の感光性樹脂材料からなる層間膜７を、スピンコート等によって厚さ１〜２μｍ程度で形成する（ステップＳ１６）。この層間膜７の形成により、ブロック塊層１３における、いわば急峻な凹凸が適度にならされ、エッジ等のない滑らかな凹凸パターン９ｇ（後述）の形成が可能となる。
【００９１】
続いて、該層間膜７の上に、例えばＩＴＯ等の透明導電性材料からなる透明電極８及び例えばアルミニウム等からなる反射電極９を、スパッタリング法等によって形成する（ステップＳ１８）。このうち透明電極８を形成する前の適当な段階で、前記の第２層間絶縁膜５及び層間膜７に対して、ソース線６ｂに到達するコンタクトホール１５（図５参照）を形成しておく。また、透明電極８及び反射電極９のいずれについても、適当なマトリクス状の配列が現れるように、フォトリソグラフィ及びエッチング工程を実施することで、パターニングをなしておく。なお、反射電極９における透過窓１４の形成は、このパターニングの際に併せて実施するようにしておけばよい。このように形成された反射電極９上には、前記のブロック塊層１３を起因とした、凹凸パターン９ｇが形成されることになる（図５及び図６参照）。これにより、本実施形態に係る電気光学装置は、視野角依存性の少ない画像を表示可能なものとなる。
【００９２】
次に、反射電極９上に、拘束層たる配向膜１６を形成する（ステップＳ２０）。すなわち、反射電極９上に、ポリイミド等からなる透明な有機膜を塗布し焼成した後、該膜に対して一定の方向にラビング処理を施す。これにより、該配向膜１６に接する液晶層５０の液晶分子の配向状態を、前記一定の方向に揃えることが可能となる。また、この配向膜１６の表面には、前記のブロック塊層１３を起因とした、凸部１６Ａ及び凹部１６Ｂを有する凹凸形状が形成されることとなる（図５及び図７参照）。これは、後述の貼り合わせ工程（ステップＳ８０）で利用されることとなる。
【００９３】
以上のような工程を経ることにより、ＴＦＴアレイ基板１０側の製造は完了することとなる。
【００９４】
一方、対向基板２０側においては、対向基板２０用のガラス基板等を準備した後（ステップＳ５０）、このガラス基板上に、図３に示したような格子状の遮光膜２３及び額縁遮光膜５３の形成（ステップＳ５２）、ＩＴＯ等の透明導電性材料からなる対向電極２１の形成（ステップＳ５４）を行う。
【００９５】
次に、この対向電極２１の上、かつ、前記の遮光膜２３の上に、柱状スペーサ４０１を形成する（ステップＳ５４）。これは例えば、アクリル系樹脂、ポリイミド等の材料からなる膜を形成した後、フォトリソグラフィ及びエッチング工程を実施することによって、形成することができる。ここで、この柱状スペーサ４０１の配置態様は、図３又は図５に示したようなものとすることができる。これにより、柱状スペーサ４０１の配置態様と、ＴＦＴアレイ基板１０側の配向膜１６上における凹部１６Ｂの配置態様とを合致させることができる。最後に、この柱状スペーサ４０１の上に、配向膜２２を形成することにより（ステップＳ５６）、対向基板２０側の製造は完了することとなる。なお、配向膜２２の形成は、ＴＦＴアレイ基板１０側の配向膜１６の形成と略同様に実施すればよい。
【００９６】
以上のようにＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０の製造が完了すると次に、これらの貼り合わせ工程を実施する（ステップＳ８０）。すなわち、ＴＦＴアレイ基板１０上の配向膜１６と、対向基板２０上の配向膜２２とが互いに向かい合うように、両基板１０及び２０を貼り合わせるのである。この際、まず、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０の少なくとも一方における適当な箇所、例えば基板周囲の領域に、図１で参照したような、熱硬化型のシール材５２を塗布しておく。なお、このシール材５２の塗布では、液晶注入口５２ａ（図１参照）が形成されるように、その塗布を一部省略する。
【００９７】
次に、前記のシール材５２が他方の基板に当接するように、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０を、上述のように向かい合わせる。このとき、対向基板２０上の柱状スペーサ４０１の先端部は、ＴＦＴアレイ基板１０上の配向膜１６の面における凸部１６Ａ間にある凹部１６Ｂに、いわば嵌め込まれるような形が実現されることになる（図７及び図５参照）。これは、両者の位置関係が、そのようになるように定められていたことによる（上述のステップＳ１４及びＳ５４）。したがって、柱状スペーサ４０１の動きは、凹部１６Ｂによって規制されるような形となり、これにより、対向基板２０のＴＦＴアレイ基板１０に対する動きは制約を受けることになる。つまり、両基板１０及び２０の相対的な位置関係は正確に定まることになるのである。
【００９８】
このように、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０の相対的な位置関係を正確に定めた後には、液晶注入口５２ａを通じて、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０間の間隙内に液晶を注入して液晶層５０を構成した後（ステップＳ８２）、液晶注入口５２ａを封止材５４によって封止し、最後に、前記の熱硬化型のシール材５２に対する加熱を行って、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０を本格的に貼り合わせることで（ステップＳ８４）、電気光学装置の完成をみる。ちなみに、液晶の注入工程は、柱状スペーサ４０１が図３又は図５に示すような配置態様を採っていることから、これを滞りなく、すなわち前記間隙内の隅々まで満遍なく液晶を行き渡らせることが可能である。
【００９９】
ちなみに、このような完成された電気光学装置では、柱状スペーサ４０１は、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０間の液晶層５０の厚さ、すなわちセルギャップを一定にするという、スペーサ本来の機能を発揮することとなる。
【０１００】
以上のように、本実施形態における電気光学装置の製造方法では、柱状スペーサ４０１の先端部が凹部１６Ｂにより拘束されることにより、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０の位置決めを正確に行った上で、両基板１０及び２０の貼り合わせ工程を実施することができる。
【０１０１】
なお、上述においては、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０の貼り合わせ工程において、柱状スペーサ４０１及び凹部１６Ｂによる拘束力のみを利用する形態となっていたが、本発明は、このような形態に限定されるものではない。例えば、図１０のステップＳ８４における熱硬化型シール材５２の硬化処理の前に、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０の周囲の適所に、紫外線照射によって硬化可能な仮止め用接着剤を塗布し、かつ、これを硬化する処理を行う形態としてもよい。これによれば、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０は、前述の柱状スペーサ４０１及び凹部１６Ｂによる拘束のほか、仮止め用接着剤による拘束を受けることになるから、両基板１０及び２０の相対的な位置決めをより正確に実施することができる。
【０１０２】
（電子機器）
上述のように構成された電気光学装置は、各種の電子機器の表示部として用いることができるが、その一例を、図１１〜図１３を参照しつつ具体的に説明する。
【０１０３】
図１１は、本発明に係る電気光学装置を表示装置として用いた電子機器の回路構成を示すブロック図である。
【０１０４】
図１１において、電子機器は、表示情報出力原７７、表示情報処理回路７１、電源回路７２、タイミングジェネレータ７７及び液晶表示装置７４を有する。また、液晶表示装置７４は、液晶表示パネル７５及び駆動回路７６を有する。液晶装置７４としては、前述した電気光学装置を用いることができる。
【０１０５】
表示情報出力原７０は、ＲＯＭ（Ｒｅａｄ　Ｏｎｌｙ　Ｍｅｍｏｒｙ）、ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ　Ａｃｃｅｓｓ　Ｍｅｍｏｒｙ）等のようなメモリ、各種ディスク等のストレージユニット、デジタル画像信号を同調出力する同調回路等を備え、タイミングジェネレータ７３によって生成された各種のクロック信号に基づいて、所定フォーマットの画像信号等のような表示情報を、表示情報処理回路７１に供給する。
【０１０６】
表示情報処理回路７１は、シリアル−パラレル変換回路や、増幅・反転回路、ローテーション回路、ガンマ補正回路、クランプ回路等のような周知の各種回路を備え、入力した表示情報の処理を実行して、その画像信号をクロック信号ＣＬＫとともに駆動回路７６へ供給する。電源回路７２は、各構成要素に所定の電圧を供給する。
【０１０７】
図１２は、本発明に係る電子機器の一実施形態であるモバイル型のパーソナルコンピュータを示している。ここに示すパーソナルコンピュータ８０は、キーボード８１を備えた本体部８２と、液晶表示ユニット８３とを有する。液晶表示ユニット８３は、前述した電気光学装置１００を含んで構成される。
【０１０８】
図１３は、他の電子機器である携帯電話機を示している。ここに示す携帯電話機９０は、複数の操作ボタン９１と、前述した電気光学装置１００からなる表示部とを有している。
【０１０９】
本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨、あるいは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う電気光学装置及びその製造方法並びに電子機器もまた、本発明の技術的範囲に含まれるものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態の電気光学装置におけるＴＦＴアレイ基板を、その上に形成された各構成要素とともに対向基板の側から見た平面図である。
【図２】図１のＨ−Ｈ´断面図である。
【図３】柱状スペーサの対向基板上における配置態様を示す平面図である。
【図４】図１に示す電気光学装置における画像表示領域を構成するマトリクス状の複数の画素に設けられた各種素子、配線等の等価回路を示す回路図である。
【図５】ＴＦＴアレイ基板の相互に隣接する複数の画素群の平面図である。
【図６】図５のＡ−Ａ´線断面図である。
【図７】図５のＺ−Ｚ´断面図である。
【図８】柱状スペーサ及び凹部間の拘束形態を示す図であって、図５に示すのとは異なる態様となるものを示している。
【図９】柱状スペーサ及び凹部間の拘束形態を示す図であって、図５及び図８に示すのとは異なる態様となるものを示している。
【図１０】本発明の実施形態に係る電気光学装置の製造方法を示すフローチャートである。
【図１１】本発明に係る電気光学装置を表示装置として用いた電子機器の回路構成を示すブロック図である。
【図１２】本発明に係る電気光学装置を用いた電子機器の一例としてのモバイル型のパーソナルコンピュータを示す説明図である。
【図１３】本発明に係る電気光学装置を用いた電子機器の他の例としての携帯電話機の説明図である。
【符号の説明】
３ａ…走査線
６ａ…データ線
７…層間膜
９ａ…画素電極
９…反射電極
１０…ＴＦＴアレイ基板
１３…ブロック塊層（下部凹凸層）
１６…配向膜
１６Ａ、１６ＸＡ、１６ＦＡ…凸部
１６Ｂ、１６ＢＸ、１６ＦＢ…凹部
２０…対向基板
２１…対向電極
２２…配向膜
２３…遮光膜
３０…ＴＦＴ
５０…液晶層
７０…蓄積容量
４０１、４０１Ｘ、４０１Ｆ…柱状スペーサ
【図１】
2004045561.tif 000003
【図２】
2004045561.tif 000004
【図３】
2004045561.tif 000005
【図４】
2004045561.tif 000006
【図５】
2004045561.tif 000007
【図６】
2004045561.tif 000008
【図７】
2004045561.tif 000009
【図８】
2004045561.tif 000010
【図９】
2004045561.tif 000011
【図１０】
2004045561.tif 000012
【図１１】
2004045561.tif 000013
【図１２】
2004045561.tif 000014
【図１３】
2004045561.tif 000015