(57)【要約】【課題】大型化を来たすことなくリードフレームのアウターリード部の外部電極に対する接続作業における作業性の向上を図る。【解決手段】半導体レーザー７が搭載される搭載面４ａを有する素子搭載部４と、該素子搭載部の搭載面と略同一平面上に位置する第１の面３ａと該第１の面の反対側に位置する第２の面３ｂとを有すると共に非導電性の材料によって形成されたベース部３と、該ベース部に配置されるインナーリード部９、９、・・・とベース部から外方へ突出されたアウターリード部１０、１０、・・・とを有すると共にインナーリード部が半導体レーザーに接続されアウターリード部が外部電極１０１ａ、１０１ａ、・・・に接続されるリードフレーム８、８、・・・とを設け、該リードフレームのアウターリード部を折り曲げて該アウターリード部の先端部をベース部の第２の面から突出させ、アウターリード部の先端部を外部電極に半田付けする半田接合部１０ａ、１０ａ、・・・とした。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザー光を出射する半導体レーザーと、
該半導体レーザーが搭載される搭載面を有する素子搭載部と、
該素子搭載部の搭載面と略同一平面上に位置する第１の面と該第１の面の反対側に位置する第２の面とを有すると共に非導電性の材料によって形成されたベース部と、
該ベース部に配置されるインナーリード部とベース部から外方へ突出されたアウターリード部とを有すると共にインナーリード部が半導体レーザーに接続されアウターリード部が外部電極に接続されるリードフレームとを備え、
該リードフレームのアウターリード部を折り曲げて該アウターリード部の先端部をベース部の第２の面から突出させ、アウターリード部の先端部を外部電極に半田付けする半田接合部とした
ことを特徴とする半導体レーザー装置。
【請求項２】
上記素子搭載部を金属材料によって形成しベース部に埋設状に配置し、
素子搭載部の搭載面の反対側に位置する面を外部に露出する放熱面として形成した
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザー装置。
【請求項３】
上記素子搭載部を搭載面から放熱面に近づくに従って断面積が大きくなる形状に形成した
ことを特徴とする請求項２に記載の半導体レーザー装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体レーザー装置に関する。詳しくは、リードフレームのアウターリード部の外部電極に対する接続作業における作業性の向上等を図る技術分野に関する。
【０００２】
【従来の技術】
例えば、ディスクドライブ装置の光ピックアップに設けられた半導体レーザー装置があり、このような半導体レーザー装置には、例えば、リードフレームに半導体レーザー及び受光素子が接続されたものがある（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
このような半導体レーザー装置にあっては、ベース部材の内部に位置するリードフレームのインナーリード部にワイヤーボンディングによって半導体レーザー及び受光素子が各別に接続されている。リードフレームのアウターリード部はベース部材の側面から側方へ突出され、該アウターリード部がフレキシブルプリント配線板等に形成された外部電極に半田付けにより接続されている。
【０００４】
【特許文献１】
特開平１１―２５９８９８号公報（第３頁、第１図乃至第３図）
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、上記した従来の半導体レーザー装置にあっては、アウターリード部がベース部材の側面から側方へ突出しているため、アウターリード部を外部電極に接続する際の半田付け作業において、半田コテがベース部材の側面に触れてしまうおそれがあり、接続作業における作業性が悪いという問題がある。特に、ベース部材は、樹脂材料によって形成されている場合が多く、半田コテの接触によりベース部材が溶融する等の不具合を生じてしまう。
【０００６】
そこで、このような半田コテとベース部材の接触を防止するために、アウターリード部のベース部材からの突出量を大きくした半導体レーザー装置も存在するが、このような半導体レーザー装置にあっては、アウターリード部の突出量が大きい分、全体が大型となってしまうという問題がある。
【０００７】
そこで、本発明半導体レーザー装置は、大型化を来たすことなくリードフレームのアウターリード部の外部電極に対する接続作業における作業性の向上を図ることを課題とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明半導体レーザー装置は、上記した課題を解決するために、半導体レーザーが搭載される搭載面を有する素子搭載部と、該素子搭載部の搭載面と略同一平面上に位置する第１の面と該第１の面の反対側に位置する第２の面とを有すると共に非導電性の材料によって形成されたベース部と、該ベース部に配置されるインナーリード部とベース部から外方へ突出されたアウターリード部とを有すると共にインナーリード部が半導体レーザーに接続されアウターリード部が外部電極に接続されるリードフレームとを設け、該リードフレームのアウターリード部を折り曲げて該アウターリード部の先端部をベース部の第２の面から突出させ、アウターリード部の先端部を外部電極に半田付けする半田接合部としたものである。
【０００９】
従って、本発明半導体レーザー装置にあっては、ベース部の第２の面から突出された半田接合部が外部電極に半田付けによって接続される。
【００１０】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明半導体レーザー装置の実施の形態を添付図面に従って説明する。
【００１１】
半導体レーザー装置１は、例えば、ディスクドライブ装置に設けられた光ピックアップの移動ベース１００に配置されている。移動ベース１００はディスク状記録媒体に対する情報信号の記録時又は再生時に、ディスク状記録媒体の半径方向へ移動される。移動ベース１００上には図示しない駆動回路と接続された配線板、例えば、フレキシブルプリント配線板１０１が取り付けられ、該フレキシブルプリント配線板１０１の一端部に外部電極１０１ａ、１０１ａ、・・・が形成されている。
【００１２】
半導体レーザー装置１は略直方体状を為すベース体２を有し、該ベース体２はベース部３と素子搭載部４とから成る（図１参照）。
【００１３】
ベース部３は非導電性の材料、例えば、液晶ポリマー等の樹脂材料によって形成され、上面が第１の面３ａとされ、下面が第２の面３ｂとされている。
【００１４】
素子搭載部４はベース部３の略中央部に埋設状に配置されている。素子搭載部４は放熱性の高い材料、例えば、銅等の金属材料によって形成され、上面が搭載面４ａとされ、下面が放熱面４ｂとされている。素子搭載部４は搭載面４ａから放熱面４ｂに近づくに従って断面積が大きくなる形状に形成され、搭載面４ａがベース部３の第１の面３ａと略同一平面上に位置され、放熱面４ｂがベース部３の第２の面３ｂと略同一平面上に位置されている。従って、放熱面４ｂは外部に露出されている。
【００１５】
素子搭載部４の搭載面４ａ上には、銀ペーストを介してサブマウント５と受光素子６とが各別に搭載され、サブマウント５上には半導体レーザー７が搭載されている。
【００１６】
リードフレーム８、８、・・・は銅等の導電性の材料によって形成され、互いに平行に配置されている（図２参照）。リードフレーム８、８、・・・は、図１に示すように、それぞれインナーリード部９、９、・・・とアウターリード部１０、１０、・・・とから成り、インナーリード部９、９、・・・はベース部３の第１の面３ａ上に配置され、アウターリード部１０、１０、・・・はインナーリード部９、９、・・・に対して直角に折り曲げられベース部３の側面３ｃ、３ｃに沿って配置されている。
【００１７】
アウターリード部１０、１０、・・・は、先端部がベース部３の第２の面３ｂより下方へ突出され半田接合部１０ａ、１０ａ、・・・として形成されている。半田接合部１０ａ、１０ａ、・・・はそれぞれ半田１１、１１、・・・によってフレキシブルプリント配線板１０１の外部電極１０１ａ、１０１ａ、・・・に接続されている。
【００１８】
インナーリード部９、９、・・・はそれぞれ受光素子６と半導体レーザー７にワイヤー１２、１２、・・・を介して接続されている。
【００１９】
ベース部３の長手方向における両端部には、それぞれ位置調整用の調整突部１３、１３が設けられている。調整突部１３、１３は受光素子６にレーザー光が適正な向きで入射されるように半導体レーザー装置１の移動ベース１００に対する位置を調整する際に、位置決めの基準とされる突部である。
【００２０】
受光素子６と半導体レーザー７はカバー１４によって密閉されている。カバー１４は天板部１５と該天板部１５の外周縁から垂設された側板部１６とから成り、天板部１５の中央部に素子配置孔１５ａが形成されている。素子配置孔１５ａには光路変換素子として、例えば、ホログラム素子１７が配置されている。
【００２１】
半導体レーザー装置１の半導体レーザー７からレーザー光が出射されると、出射されたレーザー光はホログラム素子１７を介して図示しない対物レンズへ向かい、該対物レンズによってディスク状記録媒体の記録面に集光される。ディスク状記録媒体の記録面に集光されたレーザー光は、該記録面で反射されて戻り光として再び対物レンズを介してホログラム素子１７に入射される。ホログラム素子１７に入射されたレーザー光は光路が変換されて受光素子６に入射され、例えば、再生時にはディスク状記録媒体に記録された情報信号の読取が行われる。
【００２２】
以上に記載した通り、半導体レーザー装置１にあっては、リードフレーム８、８、・・・のアウターリード部１０、１０、・・・をインナーリード部９、９、・・・に対して折り曲げてアウターリード部１０、１０、・・・の半田接合部１０ａ、１０ａ、・・・をベース部３の第２の面３ｂから下方へ突出させている。
【００２３】
従って、アウターリード部１０、１０、・・・をフレキシブルプリント配線板１０１の外部電極１０１ａ、１０１ａ、・・・に接続する際の半田付け作業において、半田コテのベース部３の側面３ｃ、３ｃへの接触を防止することができ、接続作業における作業性の向上を図ることができる。
【００２４】
また、半田コテのベース部３の側面３ｃ、３ｃへの接触を防止するために、アウターリード部１０、１０、・・・をベース部３の側面３ｃ、３ｃから側方へ大きく突出させる必要がないため、半導体レーザー装置１の小型化を維持することができる。
【００２５】
さらに、ベース体２に放熱面４ｂを有する素子搭載部４を設けているため、半導体レーザー７からのレーザー光の出射時の放熱性を向上することができ、レーザー光の出射に伴う温度上昇を抑制することができる。
【００２６】
加えて、素子搭載部４を搭載面４ａから放熱面４ｂに近づくに従って断面積が大きくなる形状に形成しているため、放熱面積が大きくなり良好な放熱性を確保することができると共に搭載面４ａを必要最小限の大きさにすることにより半導体レーザー装置１の小型化を図ることができる。
【００２７】
次に、アウターリード部１０、１０、・・・とフレキシブルプリント配線板１０１の外部電極１０１ａ、１０１ａ、・・・との別の接続例について説明する（図３参照）。
【００２８】
移動ベース１００Ａには配置孔１００ａが形成され、フレキシブルプリント配線板１０１の一端部が配置孔１００ａに挿入されるように屈曲されている。フレキシブルプリント配線板１０１の外部電極１０１ａ、１０１ａ、・・・は配置孔１００ａの下側開口縁から下方へ突出されている。
【００２９】
移動ベース１００Ａの配置孔１００ａには、半導体レーザー装置１の一部が挿入された状態で配置され、アウターリード部１０、１０、・・・の半田接合部１０ａ、１０ａ、・・・が配置孔１００ａの下側開口縁から下方へ突出されている。
【００３０】
アウターリード部１０、１０、・・・とフレキシブルプリント配線板１０１の外部電極１０１ａ、１０１ａ、・・・とは、各先端面が半田１１、１１、・・・によって接続されている。
【００３１】
図３に示した別の接続例にあっては、図１及び図２に示した接続例の場合と同様の効果を有する他、半田付け面積が小さいため小型化を図ることができる。
【００３２】
次に、アウターリード部１０、１０、・・・とフレキシブルプリント配線板１０１Ｂの外部電極１０１ａ、１０１ａ、・・・とのまた別の接続例について説明する（図４参照）。
【００３３】
移動ベース１００Ｂにはリード挿入穴１００ｂ、１００ｂ、・・・が形成され、フレキシブルプリント配線板１０１Ｂの一端部に挿入用切欠１０１ｂ、１０１ｂ、・・・が形成されている。フレキシブルプリント配線板１０１Ｂは、挿入用切欠１０１ｂ、１０１ｂ、・・・が移動ベース１００Ｂのリード挿入穴１００ｂ、１００ｂ、・・・の真上に位置されている。
【００３４】
移動ベース１００Ｂのリード挿入穴１００ｂ、１００ｂ、・・・には、フレキシブルプリント配線板１０１Ｂの挿入用切欠１０１ｂ、１０１ｂ、・・・を介してアウターリード部１０、１０、・・・の先端部が挿入されている。
【００３５】
アウターリード部１０、１０、・・・とフレキシブルプリント配線板１０１Ｂの外部電極１０１ａ、１０１ａ、・・・とは、フレキシブルプリント配線板１０１Ｂの上面側において半田１１、１１、・・・によって接続されている。
【００３６】
図４に示した別の接続例にあっては、図１及び図２に示した接続例の場合と同様の効果を有する他、移動ベース１００Ｂのリード挿入穴１００ｂ、１００ｂ、・・・及びフレキシブルプリント配線板１０１Ｂの挿入用切欠１０１ｂ、１０１ｂ、・・・にアウターリード部１０、１０、・・・の先端部が挿入されるため、移動ベース１００Ｂ及びフレキシブルプリント配線板１０１Ｂと半導体レーザー装置１との間の位置決めを容易に行うことができる。
【００３７】
また、移動ベース１００Ｂのリード挿入穴１００ｂ、１００ｂ、・・・及びフレキシブルプリント配線板１０１Ｂの挿入用切欠１０１ｂ、１０１ｂ、・・・にアウターリード部１０、１０、・・・の先端部が挿入されるため、素子搭載部４の放熱面４ｂが移動ベース１００Ｂに接し、移動ベース１００Ｂを放熱性の高い材料によって形成することにより、良好な放熱性を確保することができる。
【００３８】
尚、上記には、本発明をディスクドライブ装置の光ピックアップに設けられた半導体レーザー装置に適用した例を示したが、本発明の適用範囲はこれに限られることはなく、リードフレームを有する各種の半導体レーザー装置に適用することができる。
【００３９】
上記した実施の形態において示した各部の形状及び構造は、何れも本発明の実施に際しての具体化のほんの一例を示したものに過ぎず、これらによって、本発明の技術的範囲が限定的に解釈されることがあってはならないものである。
【００４０】
【発明の効果】
以上に記載したところから明らかなように、本発明半導体レーザー装置は、レーザー光を出射する半導体レーザーと、該半導体レーザーが搭載される搭載面を有する素子搭載部と、該素子搭載部の搭載面と略同一平面上に位置する第１の面と該第１の面の反対側に位置する第２の面とを有すると共に非導電性の材料によって形成されたベース部と、該ベース部に配置されるインナーリード部とベース部から外方へ突出されたアウターリード部とを有すると共にインナーリード部が半導体レーザーに接続されアウターリード部が外部電極に接続されるリードフレームとを備え、該リードフレームのアウターリード部を折り曲げて該アウターリード部の先端部をベース部の第２の面から突出させ、アウターリード部の先端部を外部電極に半田付けする半田接合部としたことを特徴とする。
【００４１】
従って、アウターリード部を外部電極に接続する際の半田付け作業において、半田コテのベース部への接触を防止することができ、接続作業における作業性の向上を図ることができる。
【００４２】
また、半田コテのベース部への接触を防止するために、アウターリード部をベース部から大きく突出させる必要がないため、半導体レーザー装置の小型化を維持することができる。
【００４３】
請求項２に記載した発明にあっては、上記素子搭載部を金属材料によって形成しベース部に埋設状に配置し、素子搭載部の搭載面の反対側に位置する面を外部に露出する放熱面として形成したので、半導体レーザーからのレーザー光の出射時の放熱性を向上することができ、レーザー光の出射に伴う温度上昇を抑制することができる。
【００４４】
請求項３に記載した発明にあっては、上記素子搭載部を搭載面から放熱面に近づくに従って断面積が大きくなる形状に形成したので、放熱面積が大きくなり良好な放熱性を確保することができると共に搭載面を必要最小限の大きさにすることにより半導体レーザー装置の小型化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】図２乃至図４と共に本発明の実施の形態を示すものであり、本図は移動ベースとともに示す半導体レーザー装置の断面図である。
【図２】移動ベースとともに示す半導体レーザー装置の側面図である。
【図３】別の接続例を示すものであり、移動ベースとともに示す半導体レーザー装置の断面図である。
【図４】また別の接続例を示すものであり、移動ベースとともに示す半導体レーザー装置の断面図である。
【符号の説明】
１…半導体レーザー装置、３…ベース部、３ａ…第１の面、３ｂ…第２の面、４…素子搭載部、４ａ…搭載面、４ｂ…放熱面、７…半導体レーザー、８…リードフレーム、９…インナーリード部、１０…アウターリード部、１０ａ…半田接合部、１０１ａ…外部電極
【図１】
2004193242.tif 000003
【図２】
2004193242.tif 000004
【図３】
2004193242.tif 000005
【図４】
2004193242.tif 000006