(57)【要約】【課題】ひさし折れが修復された、微細パターンを高精度に転写できるひさし型レベンソン位相シフトマスクと、ひさし型位相シフトマスクのひさし折れ部分を修復できるマスク欠陥修正方法を提供する。【解決手段】ひさしが折れた欠陥箇所部分を検出する工程と、欠陥箇所の形状と大きさから、透過光強度の分布と、転写されるパターンのシミュレーションを行う工程と、ひさし折れ部分に形成する遮光材料層の幅を決定する工程と、その厚さで遮光材料層を形成する工程とを有するマスク欠陥修正方法、およびそれにより得られるマスク。【選択図】　図５
2004077840.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光透過性基板の一部である少なくとも一つの第１の光透過領域と、
前記光透過性基板の他の一部である少なくとも一つの第２の光透過領域であって、所定波長の透過光の位相が前記第１の光透過領域の透過光の位相と反転するように、前記第１の光透過領域より薄く形成されている前記第２の光透過領域と、
前記第１および第２の光透過領域以外の前記光透過性基板上に形成された遮光膜と、
前記第２の光透過領域周囲の前記遮光膜の縁部が、前記第２の光透過領域上に延長した延長部分と、
前記縁部または前記延長部分と連続して前記第２の光透過領域内の一部に形成された、前記第１の光透過領域と前記第２の光透過領域の透過光強度の分布を調整する所定幅の遮光材料層とを有する
マスク。
【請求項２】
光透過性基板の一部である少なくとも一つの第１の光透過領域と、
前記光透過性基板の他の一部である少なくとも一つの第２の光透過領域であって、所定波長の透過光の位相が前記第１の光透過領域の透過光の位相と反転するように、前記第１の光透過領域より薄く形成されている前記第２の光透過領域と、
前記第１および第２の光透過領域以外の前記光透過性基板上に形成された遮光膜と、
前記第２の光透過領域周囲の前記遮光膜の縁部が、前記第２の光透過領域上に延長した延長部分とを有するマスクにおいて、前記延長部分が欠損した欠陥箇所を検出し、該欠陥箇所の形状および大きさを解析する工程と、
前記縁部または前記延長部分と連続して前記第２の光透過領域内の一部に遮光材料層を形成する所定幅であって、前記第１の光透過領域と第２の光透過領域との透過光強度の差を小さくする前記所定幅を、該欠陥箇所の形状および大きさに応じて決定する工程と、
前記所定幅で前記遮光材料層を形成する工程とを有する
マスク欠陥修正方法。
【請求項３】
前記所定幅を決定する工程は、予め欠陥箇所の形状および大きさと前記遮光材料層の幅が異なる複数の条件で、透過光強度の分布と転写されるパターンを計算する第１のシミュレーションを行う工程と、
該第１のシミュレーションの結果からデータベースを作成する工程と、
前記マスクで検出された前記欠陥箇所の形状および大きさを、前記データベースに照合し、前記データベースから前記所定幅を選択する工程とを含む
請求項２記載のマスク欠陥修正方法。
【請求項４】
前記マスクで検出された前記欠陥箇所の形状および大きさを、前記データベースに照合し、前記データベースに登録されていないとき、前記マスクで検出された前記欠陥箇所の形状および大きさを用いて、前記遮光材料層の幅が異なる複数の条件で、透過光強度の分布と転写されるパターンを計算する第２のシミュレーションを行う工程と、
該第２のシミュレーションの結果から前記所定幅を決定する工程とをさらに有する
請求項３記載のマスク欠陥修正方法。
【請求項５】
前記所定幅を決定する工程は、前記マスクで検出された前記欠陥箇所の形状および大きさを用いて、前記遮光材料層の幅が異なる複数の条件で、透過光強度の分布と転写されるパターンを計算する第２のシミュレーションを行う工程と、
該第２のシミュレーションの結果から前記所定幅を決定する工程とを含む
請求項２記載のマスク欠陥修正方法。
【請求項６】
該シミュレーション結果が許容される欠陥箇所を修正不要と判定する工程をさらに有し、
該シミュレーション結果が許容されない欠陥箇所で、前記所定幅の決定と、前記遮光材料層の形成を行う
請求項２記載のマスク欠陥修正方法。
【請求項７】
前記遮光材料層を形成する工程は、有機ガスの存在下で集束イオンビームを照射して、カーボンを堆積させる工程を含む
請求項２記載のマスク欠陥修正方法。
【請求項８】
前記遮光材料層を形成する工程は、前記遮光材料層形成領域を除く前記光透過性基板上にレジストを形成する工程と、
該レジストをマスクとしてスパッタを行い、前記遮光材料層を形成する工程と、
前記レジストを除去する工程とを含む
請求項２記載のマスク欠陥修正方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置製造のリソグラフィ工程に用いるマスクと、マスク欠陥修正方法に関し、特にレベンソン型位相シフトマスクとその欠陥修正方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体集積回路は高集積化、微細化の一途を辿っている。その半導体集積回路の製造に際し、リソグラフィ技術は加工の要として特に重要である。このようなリソグラフィ技術で用いられるマスクの作製技術に対しては、遮光膜が部分的に形成された通常のバイナリマスクの他に、１９８２年にＩＢＭ社のレベンソンらにより位相シフトマスク法が提案されている。それ以降、各社が様々な位相シフト法を提案している。
【０００３】
位相シフトマスクにはハーフトーン型位相シフトマスク、レベンソン型位相シフトマスクなどがある。ハーフトーン型位相シフトマスクは遮光膜として光が僅かに透過する材質を用いるものである。レベンソン位相シフトマスクにはシフタ上置き型と石英（Ｑｚ）掘り込み型がある。
【０００４】
シフタ上置き型では、透明な薄膜をマスク上に設けて位相差をつける。Ｑｚ掘り込み型では、Ｑｚ基板を掘り込み、薄膜化することにより位相差をつける。シフタ上置き型は、例えばＳＯＧ（ｓｐｉｎ　ｏｎ　ｇｌａｓｓ）を使用する複雑なプロセスで製造されるため、Ｑｚ掘り込み型レベンソン位相シフトマスクが一般化されている。
図１２（ａ）はＱｚ掘り込み型レベンソン位相シフトマスクの断面図である。図１２（ａ）に示すように、Ｑｚ基板２１上に遮光膜２２が形成され、遮光膜２２が形成されていない光透過部２３の一部が掘り込まれている（シフタ部２４）。
【０００５】
図１２（ｂ）は図１２（ａ）の断面図をもとに電磁場シミュレーションを行った結果を示す。図１２（ａ）に示すＱｚ掘り込み型レベンソン位相シフトマスクにおいて、単にＱｚ基板２１を掘り込むだけでは、Ｑｚ基板２１を掘り込んだシフタ部２４と掘り込んでいない光透過部２３との光強度のバランス（図１２（ｂ）参照）が、導波路効果の影響などにより悪化する。
【０００６】
これを解消するためにデュアルトレンチ型、シフタ幅バイアス型、ひさし型などの様々な手法が検討されてきた。図１３（ａ）はデュアルトレンチ型位相シフトマスクの断面図であり、図１３（ｂ）はその透過光強度のバランスを示す。デュアルトレンチ型では、Ｑｚ基板２１を異なる深さで掘り込んで第１のシフタ部２５と第２のシフタ部２６を形成し、光強度のバランスを調整しながら透過光に位相差をつける。
【０００７】
図１４（ａ）はシフタ幅バイアス型位相シフトマスクの断面図であり、図１４（ｂ）はその透過光強度のバランスを示す。シフタ幅バイアス型では、シフタ部２４と掘り込まれていない光透過部２３の幅Ｗ２４、Ｗ２３を変化させることで光強度のバランスを調整し、透過光に位相差をつける。
【０００８】
図１５（ａ）はひさし型位相シフトマスクの断面図であり、図１５（ｂ）はその透過光強度のバランスを示す。ひさし型では、シフタ部２４と遮光膜２２の境界部分で、遮光膜２２の下部のＱｚ基板２１の一部を除去し、ひさし部分２７を形成する。これにより光強度のバランスを調整しながら、透過光に位相差をつける。上記の各位相シフトマスクのうち、ひさし型レベンソン位相シフトマスクは比較的プロセスが容易で、所望の光強度が得られる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、ひさし型レベンソン位相シフトマスクには、マスクの作製における洗浄などのプロセスによって、遮光膜のひさし部分が折れやすいという問題がある。現状では、ひさしが折れた場合の修正方法がないため、最初からマスクを再作製する必要があった。
【００１０】
位相シフトマスクは通常のバイナリマスクに比較してプロセスの工程数が多いことと、Ｑｚ掘り込みという複雑なプロセスが適用されていることから、マスクの再作製となると非常にスループットが悪化する要因となる。
【００１１】
本発明は上記の問題点に鑑みてなされたものであり、したがって本発明は、ひさしが折れた場合にも、適切な透過光強度のバランスが得られ、微細パターンの転写に用いることができる位相シフトマスクを提供することを目的とする。
また、本発明は、ひさし型レベンソン位相シフトマスクでひさしが折れた場合に、マスクを使用可能に修復できるマスク欠陥修正方法を提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するため、本発明のマスクは、光透過性基板の一部である少なくとも一つの第１の光透過領域と、前記光透過性基板の他の一部である少なくとも一つの第２の光透過領域であって、所定波長の透過光の位相が前記第１の光透過領域の透過光の位相と反転するように、前記第１の光透過領域より薄く形成されている前記第２の光透過領域と、前記第１および第２の光透過領域以外の前記光透過性基板上に形成された遮光膜と、前記第２の光透過領域周囲の前記遮光膜の縁部が、前記第２の光透過領域上に延長した延長部分と、前記縁部または前記延長部分と連続して前記第２の光透過領域内の一部に形成された、前記第１の光透過領域と前記第２の光透過領域の透過光強度の分布を調整する所定幅の遮光材料層とを有することを特徴とする。
【００１３】
これにより、ひさし型レベンソン位相シフトマスクにおいて、ひさし部分が破損した場合にマスクを修復して使用することが可能となる。本発明のマスクによれば、ひさし型レベンソン位相シフトマスクの破損時に、マスクを再作製する必要が低減し、マスク作製のスループットが向上する。また、マスク作製のコストも低減できる。
【００１４】
上記の目的を達成するため、本発明のマスク欠陥修正方法は、光透過性基板の一部である少なくとも一つの第１の光透過領域と、前記光透過性基板の他の一部である少なくとも一つの第２の光透過領域であって、所定波長の透過光の位相が前記第１の光透過領域の透過光の位相と反転するように、前記第１の光透過領域より薄く形成されている前記第２の光透過領域と、前記第１および第２の光透過領域以外の前記光透過性基板上に形成された遮光膜と、前記第２の光透過領域周囲の前記遮光膜の縁部が、前記第２の光透過領域上に延長した延長部分とを有するマスクにおいて、前記延長部分が欠損した欠陥箇所を検出し、該欠陥箇所の形状および大きさを解析する工程と、前記縁部または前記延長部分と連続して前記第２の光透過領域内の一部に遮光材料層を形成する所定幅であって、前記第１の光透過領域と第２の光透過領域との透過光強度の差を小さくする前記所定幅を、該欠陥箇所の形状および大きさに応じて決定する工程と、前記所定幅で前記遮光材料層を形成する工程とを有することを特徴とする。
【００１５】
前記所定幅を決定する工程は、予め欠陥箇所の形状および大きさと前記遮光材料層の幅が異なる複数の条件で、透過光強度の分布と転写されるパターンを計算する第１のシミュレーションを行う工程と、該第１のシミュレーションの結果からデータベースを作成する工程と、前記マスクで検出された前記欠陥箇所の形状および大きさを、前記データベースに照合し、前記データベースから前記所定幅を選択する工程とを含む。
【００１６】
あるいは、データベースを作成せずに、前記マスクで検出された前記欠陥箇所の形状および大きさを用いて、前記遮光材料層の幅が異なる複数の条件で、透過光強度の分布と転写されるパターンを計算する第２のシミュレーションを行い、該第２のシミュレーションの結果から前記所定幅を決定してもよい。
前記遮光材料層は、例えば集束イオンビームを用いて、あるいはスパッタなどにより形成できる。
【００１７】
これにより、ひさし型レベンソン位相シフトマスクにおいて、透過光強度分布のバランスを崩さずに、ひさし折れを修復することが可能となる。したがって、本発明のマスクによれば、ひさし型レベンソン位相シフトマスクの破損時に、マスクを再作製する必要が低減し、マスク作製のスループットが向上する。また、マスク作製のコストも低減できる。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明のマスクおよびマスク欠陥修正方法の実施の形態について、図面を参照して説明する。
（実施形態１）
ひさし型レベンソン位相シフトマスクの製造プロセスを図１および図２に示す。まず、図１（ａ）に示すように、石英（Ｑｚ）基板１上の遮光膜２にエッチングを行い、光透過部３を形成する。遮光膜２としては例えばクロム膜を用いる。図１（ａ）は通常のバイナリマスクの状態である。
【００１９】
次に、図１（ｂ）に示すように、マスク上にレジスト４を塗布してから、電子ビームＥＢで重ね合わせ描画を行う。レジスト４の現像により、Ｑｚ基板１を掘り込む部分のレジスト４のみ選択的に除去される。Ｑｚ基板１を掘り込まない光透過部上にはレジスト４が残る。
【００２０】
次に、図２（ｃ）に示すように、レジスト４が除去された部分のＱｚ基板１に、遮光膜２をマスクとするドライエッチングを行う。引き続き、図２（ｄ）に示すように、フッ酸によるＱｚ基板１のウェットエッチングを行う。これにより、Ｑｚ基板１の掘り込み部分が遮光膜２の下部まで広がる。
【００２１】
その後、図２（ｅ）に示すように、レジスト４を剥離し、洗浄、検査工程へと進める。Ｑｚ基板１を掘り込んだ部分、すなわち位相をシフトさせる部分をシフタ部５とする。また、Ｑｚ基板１を掘り込んでいない光透過部を非シフタ部６とする。シフタ部５上には遮光膜２のひさし部分７が延びている。
【００２２】
以下、作製されたマスクの検査工程で、ひさしが折れている箇所が検出された場合の修正方法を説明する。検査工程で、ひさしが折れている欠陥箇所を検出した場合、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）により欠陥箇所の形状、線幅を上面から確認する。そのＳＥＭ測定結果を、あらかじめ用意しておいたシミュレーション結果（第１のシミュレーションの結果）と照らし合わせ、欠陥箇所の修正を行う。
【００２３】
図３および図４を用いてシミュレーションについて説明する。図３（ａ）は正常、すなわちひさし折れなどの欠陥がない状態でのひさし型レベンソン位相シフトマスクの断面図である。図３（ｂ）は図３（ａ）の断面図をもとに電磁場シミュレーションを行った結果を示す。
【００２４】
一方、図４（ａ）はひさし部分７の一部が折れた状態（ひさし折れ部分８が生じた状態）でのひさし型レベンソン位相シフトマスクの断面図である。図４（ｂ）は図４（ａ）の断面図をもとに電磁場シミュレーションを行った結果を示す。正常のひさし型レベンソン位相シフトマスクの光強度（図３（ｂ）参照）と比較すると、ひさしが折れた状態でのシミュレーション結果（図４（ｂ）参照）では、シフタ部５と非シフタ部６の光強度のバランスが崩れ、光強度差Ｄが生じている。
【００２５】
この結果から、ひさしが折れるとＣＤ（ｃｒｉｔｉｃａｌ　ｄｉｍｅｎｓｉｏｎ）エラーが増加して、光強度のアンバランスによりパターンの転写位置ずれが起こることがわかる。なお、上記のシミュレーションはＡｒＦ波長（１９３ｎｍ）、開口数ＮＡ＝０．６８、コヒーレンスファクターσ＝０．３４、ターゲット線幅７０ｎｍの条件で行った。
【００２６】
次に、ひさしが折れた状態から、ＣＤエラーを最小に抑えられる修正条件をシミュレーション結果から求める。図５（ａ）はひさし折れが修正された状態での断面図である。図５（ａ）に示すように、ひさし折れ部分や、その近傍のシフタ部５の内壁に遮光材料層９を所定の幅で堆積させる。遮光材料層９としては、例えばカーボン膜を用いる。図５（ｂ）は図５（ａ）の断面図をもとに電磁場シミュレーションを行った結果を示す。
【００２７】
ＣＤエラーが最小となる遮光材料層９の幅を求めた。図６に、ひさしの状態が異なる３つの条件でのシミュレーション結果をまとめて示す。ａはひさし折れがない正常の状態（図３（ｂ））、ｂはひさし折れが生じた状態（図４（ｂ））、ｃは遮光材料層を形成してひさし折れを修正した状態（図５（ｂ））を示す。
【００２８】
以上のように、予め欠陥箇所の形状および大きさが異なる複数の条件で、透過光強度の分布と転写されるパターンについて、第１のシミュレーションを行い、そのシミュレーション結果をデータベース化しておき、ひさしの折れた箇所の状態に合わせて最適修正量が算出できるようにする。データベースから選択された最適修正量で、欠陥の修正を行う。
【００２９】
本実施形態の欠陥修正に用いるデータベースとは、具体的にはひさし量（ひさし部分の長さ）、ひさしの折れた位置、シフタ部と非シフタ部の線幅、遮光膜２（クロム）の線幅、ひさし修正量、光学条件などをパラメータとしてシミュレーション（第１のシミュレーション）を行い、各条件での光強度バランス制御とＣＤエラーの最小化が可能なひさし修正量の最適値を集めたものである。
【００３０】
図７に示すようなＦＩＢ修正装置で、上記のデータベースをもとにして得られた最適な幅で、集束イオンビーム（ＦＩＢ；ｆｏｃｕｓｅｄ　ｉｏｎ　ｂｅａｍ）によりカーボン膜を堆積させる。図７に示す装置では、マスク表面にノズル１１から有機ガス１２を吹き付けながら、欠陥部分にＧａイオンビーム１３を照射する。
【００３１】
図７にはガス分子１２を模式的に示す。イオンビーム１３のエネルギーでガス１２が分解し、遮光材料層であるカーボン膜１４が堆積する。このカーボン膜１４は遮光膜として十分な光学濃度をもつだけでなく、一般のマスク洗浄に対しても十分な耐久性をもつ。
【００３２】
上記の方法でカーボン膜を堆積させることにより、欠陥の修正が完了する。本実施形態では、最適なひさし修正量のデータベース化を行い、そのデータベースをもとに修正を行うが、データベースと照合して登録されている条件に当てはまらない欠陥などが検査工程で検出される可能性もある。
【００３３】
このような場合には、欠陥検出後にＳＥＭにより取得しておいた欠陥箇所の形状、線幅データをもとに新規にシミュレーションを行う（第２のシミュレーション工程）。このシミュレーションによって、ひさし修正量の最適値を求め、図７と同様の方法により欠陥を修正する。
【００３４】
図８に本実施形態の修正フローをまとめた。ステップ１（ＳＴ１）で欠陥を検出し、欠陥の形状、サイズを解析する。ステップ２（ＳＴ２）でデータベース照合を行い、ステップ３（ＳＴ３）でＣＤエラー、光強度バランスを確認する。データベースに適合する欠陥の場合は、ステップ４（ＳＴ４）でデータベースに基づく修正を行い、ステップ５（ＳＴ５）で出荷する。
【００３５】
データベースに適合せず、最適修正量をデータベースから求められない欠陥の場合は、ステップ６（ＳＴ６）でシミュレーション（第２のシミュレーション）を行い、最適修正量を算出する。その後、ステップ７（ＳＴ７）で欠陥の修正を行い、出荷する（ＳＴ５）。
【００３６】
あるいは、最適修正量をデータベース化せずに、欠陥検出毎にシミュレーションを行って、最適修正量を算出してもよい。この場合の修正フローを図９に示す。シミュレーションによる最適修正量の算出は、図８に示すフローにおいて、データベースに当てはまらない欠陥に対して行うもの（ＳＴ６）と同様にすればよい。
【００３７】
図９のフローでは、ステップ１（ＳＴ１）で欠陥を検出し、欠陥の形状、サイズを解析する。ステップ２（ＳＴ２）でシミュレーションを行い、ステップ３（ＳＴ３）でＣＤエラー、光強度バランスを確認する。ＣＤエラー、光強度バランスが良好であれば、ステップ４（ＳＴ４）で出荷する。
【００３８】
ＣＤエラー、光強度バランスに問題があれば、ステップ５（ＳＴ５）でシミュレーション（第２のシミュレーション）を行い、最適修正量を算出する。その後、ステップ６（ＳＴ６）で欠陥の修正を行い、出荷する（ＳＴ４）。
上記の本実施形態のマスク欠陥修正方法によれば、ひさし型レベンソン位相シフトマスクでひさしが折れた場合にも、光強度のバランスを崩さずにマスクを修復することが可能となる。
【００３９】
これにより、バイナリマスクに比較するとプロセスの工程数が多い位相シフトマスクを、再作製する必要がなくなる。したがって、マスクの作製やマスクを用いたリソグラフィ工程のスループットを向上させることが可能となる。
また、本実施形態のマスク欠陥修正方法によれば、マスクの製造過程でひさしが折れた場合だけでなく、使用後のマスクを洗浄してひさしが折れた場合にも、マスクを修復することが可能であり、マスクを長寿命化させることもできる。
【００４０】
（実施形態２）
本実施形態では、スパッタを用いて欠陥の修正を行う。ひさし型レベンソン位相シフトマスクのプロセスフローは実施形態１と同様であり（図１および図２参照）、省略する。
【００４１】
マスクの検査工程において、図１０（ａ）に示すように、ひさし折れ部分８が検出されたら、その欠陥箇所１６の座標を求める。図１０（ａ）にスパッタ修正用に形成するレジストのパターン（上面図）１７を示す。欠陥箇所１６の座標にもとづき、欠陥箇所１６のレジストのみ開口するように電子ビームの描画データ（ＥＢデータ）を用意する。
【００４２】
次に、図１０（ｂ）に示すように、レジスト１８を塗布し、ひさしが折れている欠陥箇所１６にのみ電子ビームＥＢを露光する。その後、レジスト１８を現像すると、欠陥箇所１６上のレジスト１８のみ除去される。
次に、図１１（ｃ）に示すように、クロム１９をスパッタにより堆積させる。これにより、欠陥箇所１６（図１０（ａ）参照）が修正される。その後、図１１（ｄ）に示すように、レジスト１８を剥離すると、欠陥の修正が完了する。
【００４３】
ＦＩＢを照射して欠陥を修正する実施形態１と異なり、実施形態２では、レジスト１８に電子ビーム露光を行うとき、欠陥箇所１６との重ね合わせ精度を考慮する必要がある。あらかじめ、重ね合わせ精度から重ね合わせマージンを求めておき、合わせずれが許容されるようなＥＢデータを用意する。
【００４４】
ひさし折れ部分が複数存在する場合、ＥＢデータを作成する工程で、欠陥個数分の描画領域を設定しておく。電子ビーム露光と現像により各欠陥箇所上のレジストを除去すれば、１度のスパッタで複数の欠陥箇所を修正できる。
欠陥の修正をスパッタで行うことを除き、本実施形態の修正フローは実施形態１と同様である。
【００４５】
すなわち、図８に示すように、最適修正量をデータベース化しておき、検出された欠陥の形状やサイズにもとづいて、その欠陥の最適修正量をデータベースから求めて修正を行う。あるいは、図９に示すように、最適修正量をデータベース化せずに、欠陥検出毎にシミュレーションを行って、最適修正量を算出する。
【００４６】
上記の本実施形態のマスク欠陥修正方法によれば、ひさし型レベンソン位相シフトマスクのひさし折れ部分を、光強度のバランスを適切に制御しながら修復することが可能となる。本実施形態のマスク欠陥修正方法は、特に、複数のひさし折れ部分が検出された場合に、効率よく欠陥を修正することができる。
【００４７】
本発明のマスクおよびマスク欠陥修正方法の実施形態は、上記の説明に限定されない。例えば、実施形態２でスパッタにより遮光材料を堆積させるかわりに、真空蒸着などのスパッタ以外の物理的蒸着法（ＰＶＤ；ｐｈｙｓｉｃａｌ　ｖａｐｏｒ　ｄｅｐｏｓｔｉｏｎ）や、分子線エピタキシャル（ＭＢＥ）など、他の成膜方法によって遮光材料層を形成してもよい。その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の変更が可能である。
【００４８】
【発明の効果】
本発明のマスクによれば、位相シフトマスクのひさし部分で欠陥が生じても、マスクを再作製せずに使用することが可能となる。
本発明のマスク欠陥修正方法によれば、ひさし型レベンソン位相シフトマスクでひさしが折れた場合に、マスクを使用可能に修復することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１（ａ）および（ｂ）は本発明の実施形態１および２に係り、ひさし型レベンソン位相シフトマスクの製造工程を示す断面図である。
【図２】図２（ｃ）〜（ｅ）は図１（ｂ）に続く工程を示す断面図である。
【図３】図３は本発明の実施形態１に係り、（ａ）は正常なひさし型レベンソン位相シフトマスクの断面図、（ｂ）は（ａ）の電磁場シミュレーションの結果を示す図である。
【図４】図４は本発明の実施形態１に係り、（ａ）はひさし折れ部分があるひさし型レベンソン位相シフトマスクの断面図、（ｂ）は（ａ）の電磁場シミュレーションの結果を示す図である。
【図５】図５は本発明の実施形態１に係り、（ａ）はひさし折れ部分を修復したひさし型レベンソン位相シフトマスクの断面図、（ｂ）は（ａ）の電磁場シミュレーションの結果を示す図である。
【図６】図６は図３（ｂ）、図４（ｂ）および図５（ｂ）のシミュレーション結果をまとめて示した図である。
【図７】図７は本発明の実施形態１に係り、欠陥箇所に遮光材料層を堆積させる装置の概略図である。
【図８】図８は本発明の実施形態１および２の欠陥修正フローを示す図である。
【図９】図９は本発明の実施形態１および２の欠陥修正フローを示す図である。
【図１０】図１０（ａ）および（ｂ）は本発明の実施形態２に係るマスク欠陥修正方法の工程を示す断面図である。
【図１１】図１１（ｃ）および（ｄ）は図１０（ｂ）に続く工程を示す断面図である。
【図１２】図１２（ａ）は石英（Ｑｚ）掘り込み型レベンソン位相シフトマスクの断面図、（ｂ）は（ａ）の電磁場シミュレーションの結果を示す図である。
【図１３】図１３（ａ）はデュアルトレンチ型レベンソン位相シフトマスクの断面図、（ｂ）は（ａ）の電磁場シミュレーションの結果を示す図である。
【図１４】図１４（ａ）はシフタ幅バイアス型レベンソン位相シフトマスクの断面図であり、（ｂ）は（ａ）の電磁場シミュレーションの結果を示す図である。
【図１５】図１５（ａ）はひさし型レベンソン位相シフトマスクの断面図であり、（ｂ）は（ａ）の電磁場シミュレーションの結果を示す図である。
【符号の説明】
１…石英（Ｑｚ）基板、２…遮光膜、３…光透過部、４…レジスト、５…シフタ部、６…非シフタ部、７…ひさし部分、８…ひさし折れ部分、９…遮光材料層、１１…ノズル、１２…有機ガス、１３…Ｇａイオンビーム、１４…カーボン膜、１６…欠陥箇所、１７…レジストのパターン（上面図）、１８…レジスト、１９…クロム、２１…Ｑｚ基板、２２…遮光膜、２３…光透過部、２４…シフタ部、２５…第１のシフタ部、２６…第２のシフタ部、２７…ひさし部分。
【図１】
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【図２】
2004077840.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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