(57)【要約】【課題】多層配線を有する固体撮像装置における斜め入射光の配線層による蹴られを抑制し、感度シェーディング、感度のＦ値依存性、混色の改善を図る。【解決手段】複数の受光センサ部２４と、各受光センサ部２４に対応する部分に開口部が形成されるように、層間絶縁膜２５を介して形成された複数層の配線層２６と、少なくとも一部が最上層の配線層２６間に存して形成され、または配線層２６間に埋め込まれるように形成されたオンチップカラーフィルタ２８とを有して成る。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の受光センサ部と、
前記各受光センサ部に対応する部分に開口部が形成されるように、層間絶縁膜を介して形成された複数層の配線層と、
少なくとも一部が前記最上層の配線層間に存して形成されたオンチップカラーフィルタとを有して成る
ことを特徴とする固体撮像装置。
【請求項２】
複数の受光センサ部と、
前記各受光センサ部に対応する部分に開口部が形成されるように、層間絶縁膜を介して形成された複数層の配線層と、
前記配線層間の開口部に埋め込まれたオンチップカラーフィルタとを有して成る
ことを特徴とする固体撮像装置。
【請求項３】
複数の受光センサ部を形成した基板上に、該各受光センサ部に対応する部分に開口部が形成されるように各平坦化された層間絶縁膜を介して複数層の配線層を形成する工程と、
前記最上層の配線層を形成した後、少なくとも一部が前記最上層の配線層間に存するようにオンチップカラーフィルタを形成する工程と、
前記オンチップカラーフィルタ上にオンチップマイクロレンズを形成する工程とを有する
ことを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
【請求項４】
複数の受光センサ部を形成した基板上に、該各受光センサ部に対応する部分に開口部が形成されるように各平坦化された層間絶縁膜を介して複数層の配線層のうち、任意の層までの配線層を形成する工程と、
前記任意の層の配線層上に平坦化された層間絶縁膜を介してエッチングストッパ膜を形成する工程と、
前記エッチングストッパ膜上に残りの配線層を、層間絶縁膜を介して形成する工程と、
前記層間絶縁膜を、最上層の配線層をマスクに前記エッチングストッパ膜まで選択的にエッチング除去する工程と、
前記エッチング除去された部分にオンチップカラーフィルタを埋め込む工程とを有する
ことを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、固体撮像装置及びその製造方法に関する。より詳しくは多層配線を有するＣＭＯＳ型の固体撮像装置及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
固体撮像装置としては、ＣＣＤ型の固体撮像装置及び特許文献１、２などで示される多層配線を有するＣＭＯＳ型固体撮像装置が知られている。図１２は、従来のＣＭＯＳ型固体撮像装置の例を示す。この固体撮像装置１は、半導体基板２に素子分離用の選択酸化層（ＬＯＣＯＳ）３で区画された各単位画素領域に受光センサ部４及び複数のＭＯＳトランジスタが形成され、半導体基板２上に層間絶縁膜５〔５１、５２、５３、５４〕を介して複数の配線層６〔６１、６２、６３〕が形成され、更に平坦化されたパッシベーション膜７の直上にオンチップカラーフィルタ８と受光センサ部２上に入射光を趣向するためのオンチップマイクロレンズ９が形成されて成る。
【０００３】
受光センサ部４はフォトダイオードで形成される。この例ではｐ型半導体基板２あるいはｎ型半導体基板２の場合はｐ型ウェル領域に、ｎ型半導体領域を形成して受光センサ部４が構成される。受光センサ部２を構成するｎ型半導体領域上にはｐ領域１０が形成される。複数のＭＯＳトランジスタのうち、読み出し用ＭＯＳトランジスタ１１が受光センサ部２に接続される。読み出し用ＭＯＳトランジスタ１１は、ｎ型半導体領域１２とｎ型の受光センサ部２間にゲート絶縁膜を介してトランスファゲート電極１３を形成した構成される。
【０００４】
層間絶縁膜５〔５１〜５４〕は例えばＳｉＯ２膜で形成される。この例では複数の配線層６〔６１〜６３〕が例えばアルミニウム（Ａｌ）膜で形成され、そのうちの第２層目の配線層６２と第３層目の配線層６２とがタングステン（Ｗ）プラグ１５を介して接続される。オンチップカラーフィルタ８は、例えば赤（Ｒ）、荷取り（Ｇ）及び青（Ｂ）の３色のフィルタ成分からなり、各色の分光感度を膜厚により適正化している。
【０００５】
【特許文献１】
特開２０００ー１５０８４６号公報
【特許文献２】
特開２００１ー２９８１７５号公報
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、通常のＣＭＯＳ型固体撮像装置１においては、上述したように多層の配線層６〔６１〜６３〕を形成し、平坦化されたパッシベーション膜７の直上にオンチップカラーフィルタ８及びオンチップマイクロレンズ９を形成した構成であるため、ＣＣＤ型固体撮像装置に比べて受光センサ部２の表面からオンチップマイクロレンズ９までの距離が各配線層６〔６１〜６３〕の層厚分遠ざかることになる。この為ＣＭＯＳ型固体撮像装置１では、１３  に示すように、各画素において斜め光Ｌａが入射した場合にオンチップマイクロレンズ９の焦点が受光センサ部２からＸ，Ｙ方向に外れやすくなる。従って、オンチップマイクロレンズ９に入射してきた光Ｌａが集光されて最終的に受光センサ部２の表面に届くまでに、配線層６〔６１〜６３〕による蹴られや隣接画素への漏れ込みにより、感度低下や感度シェーディングが発生する。
【０００７】
更には使用するカメラの対物レンズが短射出瞳距離の場合には、周辺画素に斜め光が入射することで、配線層６による光学的な蹴られが発生し、顕著な感度シェーディングとなり、画質劣化を招く（図２参照）。即ち、射出瞳距離の短い対物レンズとの組み合わせでは、画面周辺での減光が激しくなり、感度シェーディングの発生やＦ値開放側での感度低下率の拡大（Ｆ値依存性の悪化）が顕著となる。
【０００８】
シェーディング対策としてオンチップマイクロレンズ９のマスク描画時に倍率補正をかけて撮像領域周辺に行くに従いオンチップマイクロレンズ９の位置を意図的にずらすことによる対処法も知られている。しかし、セルサイズに対して受光センサ部２からオンチップマイクロレンズ９までの距離が大き過ぎると、配線層６による光線の蹴られを避けることが出来なくなる。このため、微細画素サイズのＣＭＯＳ固体撮像装置と短射出瞳距離のモジュールレンズとの組み合わせになると、この対処法ではシェーディングを改善することが困難であった。
【０００９】
本発明は、上述の点に鑑み、受光センサ部とオンチップマイクロレンズ間の距離の短縮化を図り、感度シェーディング、感度のＦ値依存性、混色などの改善を可能にした固体撮像装置及びその製造方法を提供するものである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る固体撮像装置は、複数の受光センサ部と、各受光センサ部に対応する部分に開口部が形成されるように層間絶縁膜を介して形成された複数層の配線層を有し、オンチップカラーフィルタを、少なくとも一部が最上層の配線層間に存するように形成するか、または配線層間に埋め込まれるように形成した構成とする。
【００１１】
本発明の固体撮像装置においては、オンチップカラーフィルタを少なくとも一部が最上層の配線間に存するように形成されるか、または配線層間に埋め込まれるように形成されるので、オンチップマイクロレンズが受光センサ部表面に近づく。これにより、短射出瞳レンズを使用した場合においても、斜め光の集光効率が上がり、感度シェーディング、感度のＦ値依存性、混色が改善される。
【００１２】
本発明に係る固体撮像装置の製造方法は、複数の受光センサ部を形成した基板上に、各受光センサ部に対応する部分に開口部が形成されるように各平坦化された層間絶縁膜を介して複数層の配線層を形成する工程と、最上層の配線層を形成した後、少なくとも一部が最上層の配線層間に存するようにオンチップカラーフィルタを形成する工程と、オンチップカラーフィルタ上にオンチップマイクロレンズを形成する工程とを有する。
【００１３】
本発明の固体撮像装置の製造方法においては、最上層の配線を形成した後、平坦化された層間絶縁膜を形成せずに最上層の配線間に少なくとも一部が存するようにオンチップカラーフィルタを形成するので、オンチップカラーフィルタ上のオンチップマイクロレンズと受光センサ部の表面との間の距離が短くなる。
【００１４】
本発明に係る固体撮像装置の製造方法は、複数の受光センサ部を形成した基板上に、各受光センサ部に対応する部分に開口部が形成されるように各平坦化された層間絶縁膜を介して複数層の配線層のうち、任意の層までの配線層を形成する工程と、任意の層の配線層上に平坦化された層間絶縁膜を介してエッチングストッパ膜を形成する工程と、エッチングストッパ膜上に残りの配線層を層間絶縁膜を介して形成する工程と、層間絶縁膜を、最上層の配線層をマスクに前記エッチングストッパ膜まで選択的にエッチング除去する工程と、エッチング除去された部分にオンチップカラーフィルタを埋め込む工程とを有する。
【００１５】
本発明の固体撮像装置の製造方法においては、最上層の配線層をマスクに層間絶縁膜を途中のエッチングストッパ膜まで選択的にエッチング除去し、オンチップカラーフィルタをその除去された配線層間に埋め込まれるように形成するので、オンチップカラーフィルタ上のオンチップマイクロレンズと受光センサ部の表面との間の距離が短くなる。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を説明する。
【００１７】
図１は、本発明に係るＣＭＯＳ型の固体撮像装置の一実施の形態を示す。同図は撮像領域の要部の断面構造である。
本実施の形態に係る固体撮像装置２１は、半導体（シリコン）基板２２に素子分離用の選択酸化層間絶縁膜（ＬＯＣＯＳ膜）２３で区画された各単位画素領域に受光センサ部２４及び複数のトランジスタ（図ではそのうちの読み出しトランジスタ３１を示す）が形成され、半導体基板２２上に層間絶縁膜２５〔２５１、２５２、２５３〕を介して複数層、本例では３層の配線層２６〔２６１、２６２、２６３〕が形成さ、更にパッシベーション膜２７を介してオンチップカラーフィルタ２８及びオンチップマイクロレンズ２９が形成されて成る。３層の配線層２６〔２６１，２６３，２６３〕では、各受光センサ部２４に対応する部分に開口部１３２が形成されるように配置される。
【００１８】
受光センサ部２４はフォトダイオードで形成される。本例ではｐ型半導体基板２２あるいはｎ型半導体基板２２の場合はｐ型半導体ウェル領域に、ｎ型半導体領域を形成して受光センサ部２４構成される。受光センサ部２４を構成するｎ型半導体領域上にはホール蓄積領域となるｐ半導体領域３０が形成される。複数のＭＯＳトランジスタのうち、読み出し用ＭＯＳトランジスタ３１がセンサ部２４に接続される。読み出し用ＭＯＳトランジスタ３１は、ｎ型半導体領域３２とｎ型受光センサ部２４間にゲート絶縁膜を介してトランスファゲート電極３３を形成して構成される。
【００１９】
そして、本実施の形態においては、特に、最上層の配線層２６３上に平坦化された層間絶縁膜を形成せずに、配線層２６３を含む表面にパッシベーション膜２７を形成し、この上に一部が最上層の配線層２６３間、すなわち開口部３２に入り込むように所要の色フィルタ成分からなるオンチップカラーフィルタ２８が形成される。オンチップマイクロレンズ２９は、最上層の配線層２６３上に層間絶縁膜がなくオンチップカラーフィルタ２８の一部が配線層２６３間に入り込み、受光センサ部２４の表面とオンチップマイクロレンズ２９間の距離が従来に比べて短くなる分、レンズ曲率半径の小さいオンチップマイクロレンズとすることができる。
【００２０】
図２〜図４は、本実施の形態に係るＣＭＯＳ型固体撮像装置２１の製造方法の実施の形態を示す。
先ず、フロント・エンド・オブ・ライン（ＦＥＯＬ）工程において、図２に示すように、第１導電型、本例ではｎ型の半導体（シリコン）基板２２に、選択酸化膜（ＬＯＣＯＳ膜）２３、ｐ型半導体ウェル領域（図示せず）、各単位画素領域において複数のＭＯＳトランジスタのゲート電極３３をゲート絶縁膜を介して形成した後、ゲート電極３３をマスクに所要の不純物、本例ではｎ型不純物をイオン注入して、セルファラインで各ＭＯＳトランジスタ（図では読み出し用ＭＯＳトランジスタ３１）のソース／ドレイン領域となるｎ型拡散層３２及び受光センサ部となるｎ型半導体領域２４を形成する。
【００２１】
次に、バック・エンド・オブ・ライン（ＢＦＯＬ）工程において、図３に示すように、平坦化した層間絶縁膜２５〔２５１、２５２、２５３〕を介して３層の配線層２６〔２６１、２６２、２７３〕を形成する。配線層２６は例えばＡｌなどの金属で形成することができる。即ち、層間絶縁膜２６として例えばＳｉＯ２膜をＴＥＯＳ等で形成し、化学機械研磨（ＣＭＰ）法やエッチバック法で平坦化する。ゲート電極３３及び拡散層３２と配線層２６とを接続するためのコンタクトホールを層間絶縁膜２５に形成する。コンタクトホールは、フォトリソグラフィとドライエッチングを用いて形成する。次いで、コンタクトホール内にバリアメタル、プラグタングステンを埋め込み、その上に配線層２６の形成、層間絶縁膜２５の形成を繰り返して、３層の配線層間絶縁膜までを順次作り込む。
なお、拡散層３２と各配線層２６とのコンタクト、及び配線層２６間のコンタクトをタングステン（Ｗ）プラグ３６で必要に応じて作り込むが、図３では簡略化のために３層目の配線層２６３と２層目の配線層２６２間のコンタクトのみを示している。
【００２２】
次に、図４に示すように、通常構造で行う３層の配線層を形成後の層間絶縁膜の形成及びその平坦化処理を行わず、３層目の配線層２６３上に直接に例えばプラズマシリコン窒化膜（ＰーＳｉＮ膜）によるパッシベーション膜２７を被着形成し、続いて各色、本例では赤（Ｒ）、緑（Ｇ）．青（Ｂ）のフィルタ成分からなるオンチップカラーフィルタ２８を形成する。その後、オンチップカラーフィルタ２８上にオンチップマイクロレンズ２９を形成して、図１に示す目的のＣＭＯＳ型固体撮像装置１を得る。
【００２３】
本実施の形態に係るＣＭＯＳ型固体撮像装置１によれば、従来３層目の配線層２６３より高い位置に、したがって受光センサ部２４の表面から離れた位置に形成されていたオンチップカラーフィルタ２８が、３層目（最上層）の配線層２６３間（つまり３層目の配線層２６３の開口部内）に一部入り込むように、即ちオンチップカラーフィルタ２８の下面が３層目の配線層２６３の下面とほぼ同じ高さになるように形成される。このため、その後に形成されるオンチップマイクロレンズ２９が受光センサ部２４の表面に近くなるので、かかる構造に合わせてオンチップマイクロレンズ２９の曲率を最適化すれば、図５に示すように、Ｆ値開放時などの斜め光Ｌａの配線層２６での蹴られが抑制され、斜め光Ｌａの入射時の集光効率が上がり、感度シェーディング、感度のＦ値依存性、さらに混色を改善することができる。
【００２４】
図６は、本発明に係るＣＭＯＳ型固体撮像装置の他の実施の形態を示す。度図は撮像領域の要部の断面構造である。
本実施の形態に係る固体撮像装置４１は、半導体（シリコン）基板２２に素子分離用の選択酸化層間絶縁膜（ＬＯＣＯＳ膜）２３で区画された各単位画素領域に受光センサ部２４及び複数のトランジスタ（図ではそのうちの読み出しトランジスタ３１を示す）が形成され、半導体基板２２上に層間絶縁膜２５〔２５１、２５２、２５３〕を介して複数層、本例では３層の配線層２６〔２６１、２６２、２６３〕が形成さ、更にパッシベーション膜２７を介してオンチップカラーフィルタ２８及びオンチップマイクロレンズ２９が形成されて成る。３層の配線層２６〔２６１，２６３，２６３〕では、各受光センサ部２４に対応する部分に開口部３２が形成されるように配置される。
【００２５】
受光センサ部２４はフォトダイオードで形成される。本例ではｐ型半導体基板２２あるいはｎ型半導体基板２２の場合はｐ型半導体ウェル領域に、ｎ型半導体領域を形成して受光センサ部２４構成される。受光センサ部２４を構成するｎ型半導体領域上にはホール蓄積領域となるｐ半導体領域３０が形成される。複数のＭＯＳトランジスタのうち、読み出し用ＭＯＳトランジスタ３１がセンサ部２４に接続される。読み出し用ＭＯＳトランジスタ３１は、ｎ型半導体領域３２とｎ型受光センサ部２４間にゲート絶縁膜を介してトランスファゲート電極３３を形成して構成される。
【００２６】
そして、本実施の形態においては、特に、平坦化された層間絶縁膜２５〔２５１、２５２、２５３〕を介して複数の配線層２６が形成されるが、中間の任意の層間絶縁膜２５上、本例では２層目の層間絶縁膜２５２上にエッチングストッパ膜３５が形成され、３層目の配線層２６３間に対応する部分の層間絶縁膜２５３をエッチングストッパ膜３５までエッチング除去して除去された部分に埋め込まれるように所要の色フィルタ成分からなるオンチップカラーフィルタ２８が形成される。オンチップマイクロレンズ２９は、最上層の配線層２６３上に層間絶縁膜がなくオンチップカラーフィルタ２８が配線層２６３間に埋め込まれ、受光センサ部２４の表面とオンチップマイクロレンズ２９間の距離が従来に比べて短くなる分、レンズ曲率半径の小さいオンチップマイクロレンズとすることができる。
【００２７】
図７〜図１０は、本実施の形態に係るＣＭＯＳ型固体撮像装置４１の製造方法の実施の形態を示す。
フロント・エンド・オブ・ライン（ＦＥＯＬ）工程は前述と同様である。図面は省略するも、第１導電型、本例ではｎ型の半導体（シリコン）基板２２に、選択酸化膜（ＬＯＣＯＳ膜）２３、ｐ型半導体ウェル領域（図示せず）、各単位画素領域において複数のＭＯＳトランジスタのゲート電極３３をゲート絶縁膜を介して形成した後、ゲート電極３３をマスクに所要の不純物、本例ではｎ型不純物をイオン注入して、セルファラインで各ＭＯＳトランジスタ（図では読み出し用ＭＯＳトランジスタ３１）のソース／ドレイン領域となるｎ型拡散層３２及び受光センサ部となるｎ型半導体領域２４を形成する。
【００２８】
次に、バック・エンド・オブ・ライン（ＢＦＯＬ）工程において、先ず図７に示すように、平坦化した１層目の層間絶縁膜２５１を介して１層の配線層２６１を形成する。配線層２６は例えばＡｌなどの金属で形成することができる。即ち、層間絶縁膜２６として例えばＳｉＯ２膜をＴＥＯＳ等で形成し、化学機械研磨（ＣＭＰ）法やエッチバック法で平坦化する。ゲート電極３３及び拡散層３２と配線層２６とを接続するためのコンタクトホールを層間絶縁膜２５１に形成する。コンタクトホールは、フォトリソグラフィとドライエッチングを用いて形成する。次いで、コンタクトホール内にバリアメタル、プラグタングステン３６を埋め込み、その上に１層目の配線層２６１を形成する。
【００２９】
次に、同図に示すように、２層目の層間絶縁膜２５２を形成し平坦化した後、この平坦化された層間絶縁膜２５２上に、所要の膜厚のエッチングストッパ膜３５を形成する。このエッチングストッパ膜３５は、後のシリコン酸化膜（ＳｉＯ２膜）による層間絶縁膜２５のエッチング時のストッパとなる膜であり、例えばシリコン窒化膜（ＳｉＮ膜）で形成することができる。エッチングストッパ膜３５は、ストッパ効果が得られる膜厚、例えば５０ｎｍ程度の膜厚とすることできる。
【００３０】
次に、図８に示すように、１層目の配線層間絶縁膜２６１と２層目の配線層間絶縁膜２６２をタングステンプラグを介してコンタクトするためのコンタクトホールをエッチングストッパ膜３５及び層間絶縁膜２５２に形成する。コンタクトホールは、フォトリソグラフィとドライエッチングを用いて形成する。このとき、ドライエッチングの先のエッチングストッパ膜（ＳｉＮ膜）３５と層間絶縁膜（ＳｉＯ２）２５２の２層膜をエッチングするため、２段階エッチングを行い、コンタクトホールを形成する必要がある。その後、１層目の配線層２６１の形成方法と同様にして、コンタクトホール内にバリアメタル、プラグタングステンを埋め込み、エッチングストッパ膜３５上に２層目の配線層２６２を形成する。さらに、３層目の層間絶縁膜２５３を形成し、化学機械研磨（ＣＭＰ）等で層間絶縁膜２５３を平坦化する。
【００３１】
次に、図９に示すように、層間絶縁膜２５３上に３層目の配線層２６３を１層目の配線層２６１と同様の形成方法で形成する。ここで、通常構造で行う３層目の配線層形成後の層間絶縁膜の形成及びその平坦化処理を行わず、３層目の配線層２６３をマスクに先に形成したエッチングストッパ膜３５まで、３層目の層間絶縁膜（ＳｉＯ２膜）２５３を異方性にエッチングで除去する。このとき、エッチングストッパ膜（ＳｉＮ膜）３５及び配線層２５との選択比が取れるＳｉＯ２のエッチング条件を選ぶことで、エッチングは２層目の配線層２６２の高さまで制御よくエッチングされる。
【００３２】
次に、図１０に示すように、３層目の配線層２６３上に直接パッシベーション膜２７を被着形成し、続いて各色、本例では赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）のフィルタ成分からなるオンチップカラーフィルタ２８を形成する。その後、オンチップカラーフィルタ２８上にオンチップマイクロレンズ２９を形成して、図６に示す目的のＣＭＯＳ型固体撮像装置４１を得る。
【００３３】
本実施の形態に係るＣＭＯＳ型固体撮像装置４１によれば、従来３層目の配線層２６３より高い位置に、したがって受光センサ部２４の表面から離れた位置に形成されていたオンチップカラーフィルタ２８が、２層目及び３層目の配線層２６２及び２６３間に埋め込まれた形になる。即ち、オンチップカラーフィルタ２８は、オンチップカラーフィルタ２８の下面が３層目の配線層２６３の下面とほぼ同じ高さになるように形成される。このため、その後に形成されるオンチップマイクロレンズ２９が受光センサ部２４の表面に近くなるので、かかる構造に合わせてオンチップマイクロレンズ２９の曲率を最適化することで、図１１に示すように、Ｆ値開放時などの斜め光Ｌａの配線層２６での蹴られが抑制され、斜め光Ｌａの入射時の集光効率が上がり、感度シェーディング、感度のＦ値依存性、さらに混色を改善することができる。
【００３４】
上述した本実施の形態に係る固体撮像装置は、例えば撮像カメラや、携帯電話などのモバイル機器に搭載することができる。このような本発明の固体撮像装置を備えた撮像カメラや、モバイル機器においては、感度シェーディング、感度のＦ値依存性、混色などの改善が図られ、画質の良い画像が得られる。
【００３５】
【発明の効果】
本発明に係る固体撮像装置によれば、オンチップカラーフィルタ及びオンチップマイクロレンズから受光センサ部の表面までの距離を短くでき、即ちオンチップカラーフィルタ及びオンチップマイクロレンズを受光センサ部の表面に近づけることができる。このため、ＣＭＯＳ固体撮像装置の画素の微細化や多層配線化、またモジュールの小型化による短出射瞳レンズ（対物レンズ）の使用時においても、斜め光の入射時の受光センサ部への集光率を改善することができる。従って、感度シェーディング、感度のＦ値依存性、並びに混色を改善することができる。
【００３６】
本発明に係る固体撮像装置の製造方法によれば、上述のオンチップカラーフィルタ及びオンチップマイクロレンズと受光センサ部の表面までの距離を短くして、感度シェーディング、感度のＦ値依存性、並びに混色を改善できる固体撮像装置を精度良く製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係るＣＭＯＳ型固体撮像装置の一実施の形態を示す構成図である。
【図２】本発明の一実施の形態に係るＣＭＯＳ型固体撮像装置の製造方法の実施の形態を示す製造工程図（その１）である。
【図３】本発明の一実施の形態に係るＣＭＯＳ型固体撮像装置の製造方法の実施の形態を示す製造工程図（その２）である。
【図４】本発明の一実施の形態に係るＣＭＯＳ型固体撮像装置の製造方法の実施の形態を示す製造工程図（その３）である。
【図５】本発明に係るＣＭＯＳ型固体撮像装置の一実施の形態の動作説明図である。
【図６】本発明に係るＣＭＯＳ型固体撮像装置の他の実施の形態を示す構成図である。
【図７】本発明の他の実施の形態に係るＣＭＯＳ型固体撮像装置の製造方法の実施の形態を示す製造工程図（その１）である。
【図８】本発明の他の実施の形態に係るＣＭＯＳ型固体撮像装置の製造方法の実施の形態を示す製造工程図（その２）である。
【図９】本発明の他の実施の形態に係るＣＭＯＳ型固体撮像装置の製造方法の実施の形態を示す製造工程図（その３）である。
【図１０】本発明の他の実施の形態に係るＣＭＯＳ型固体撮像装置の製造方法の実施の形態を示す製造工程図（その４）である。
【図１１】本発明に係るＣＭＯＳ型固体撮像装置の他の実施の形態の動作説明図である。
【図１２】従来のＣＭＯＳ型固体撮像装置の例を示す構成図である。
【図１３】従来のＣＭＯＳ型固体撮像装置の動作説明図である。
【符号の説明】
２１、４１・・固体撮像装置、２２・・半導体基板、２３・・選択酸化膜、２４・・受光センサ部、２５〔２５１〜２５３〕・・層間絶縁膜、２６〔２６１〜２６３〕・・配線層、２７・・パッシベーション膜、２８・・オンチップカラーフィルタ、２９・・オンチップマイクロレンズ、３１・・ＭＯＳトランジスタ、３２・・拡散層、３３・・ゲート電極、３５・・エッチングストッパ膜、１３２・・開口部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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