(57)【要約】【課題】点像観察手段による点像認識が容易であって、測定中心の決定、カバーガラス又は球面鏡のアラインメントをスムーズに行うことができる波面収差測定装置を提供する。【解決手段】光源と、光源の光路中に順に光源側から配置された基準平面板及び球面鏡と、球面鏡によって折り返された光の光路中に配置された平面基板と、平面基板で反射された光を点像化する点像化手段と、点像化手段で点像化された光を観察する点像観察手段と、基準平面板によって反射された光と、基準平面板を透過した後に、所定位置に配置した被検レンズを透過し球面鏡によって折り返され、再び被検レンズ及び基準平面板を透過した光と、によって得られる干渉縞を観察する干渉縞観察手段と、を備え、基準平面板は、平面基板と干渉縞観察手段との間に配置されている。【選択図】  図１
2004340735.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光源と、
前記光源の光路中に光源側から順に配置された基準平面板及び球面鏡と、
前記球面鏡によって折り返された光の光路中に配置された平面基板と、
前記平面基板で反射された光を点像化する点像化手段と、
前記点像化手段で点像化された光を観察する点像観察手段と、
前記基準平面板によって反射された光と、前記基準平面板を透過した後に被検レンズを透過し前記球面鏡によって折り返され再び前記被検レンズ及び前記基準平面板を透過した光と、の干渉によって得られる干渉縞を観察する干渉縞観察手段と、
を備える波面収差測定装置であって、
前記基準平面板は、前記平面基板と前記干渉縞観察手段との間に配置されていることを特徴とする波面収差測定装置。
【請求項２】
光源と、
前記光源の光路中に光源側から順に配置された基準平面板及び球面鏡と、
前記球面鏡によって折り返された光の光路中に配置された平面基板と、
前記平面基板で反射された光を点像化する点像化手段と、
前記点像化手段で点像化された光を観察する点像観察手段と、
前記基準平面板によって反射された光と、前記基準平面板を透過した後に被検レンズを透過し前記球面鏡によって折り返され再び前記被検レンズ及び前記基準平面板を透過した光と、の干渉によって得られる干渉縞を観察する干渉縞観察手段と、
を備える波面収差測定装置であって、
前記点像観察手段に入射される光は前記基準平面板を透過した光のみであることを特徴とする波面収差測定装置。
【請求項３】
前記光源と前記基準平面板との間に配置されたハーフミラーと、前記基準平面板と前記球面鏡との間に配置された平面基板と、前記干渉縞観察手段と前記ハーフミラーとの間に配置された偏光板と、
前記平面基板と前記被検レンズとの間に配置された四分の一波長板と、を備えた請求項１又は請求項２記載の波面収差測定装置。
【請求項４】
前記光源から発せられる光は直線偏光であって、前記ハーフミラー及び前記平面基板に対して、Ｐ偏光またはＳ偏光とする請求項３記載の波面収差測定装置。
【請求項５】
前記偏光板においては、偏光方向が互いに直交する二つの直線偏光が入射されたとき、前記二つの直線偏光の透過光を、偏光方向が入射前に対して傾いた同一の直線偏光とさせる請求項４記載の波面収差測定装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【技術分野】
本発明は、反射点像の観測が容易な波面収差測定装置、及び、円偏光を被検レンズに入射してその波面収差を測定することができる波面収差測定装置に関する。
【０００２】
【従来技術及びその問題点】
従来の波面収差測定装置は図７に示すような構成からなっており、半導体レーザ１１０から出射し、集光レンズ１５０を経てハーフミラー１５２でその進行方向を９０度曲げられた光はコリメータレンズ１５３で平行光化されて平面基板１５４を透過して基準平面板１５６に至る。
【０００３】
基準平面板１５６に入射した光の一部は反射されてコリメータレンズ１５３、ハーフミラー１５２を経て干渉縞観察用ＣＣＤ１４０に入射する。一方、基準平面板１５６を透過した光は、被検レンズ１８０、カバーガラス１５８を経て反射基準凹面鏡１５９で折り返し、再びカバーガラス１５８、被検レンズ１８０を経て基準平面板１５６を透過した後に、平面基板１５４、コリメータレンズ１５３、ハーフミラー１５２を経て干渉縞観察用ＣＣＤ１４０に入射する。
【０００４】
このように、基準平面板１５６で反射された光と、基準平面板１５６及び被検レンズ１８０を透過した光により、干渉縞観察用ＣＣＤ１４０ではこれらの光による干渉縞を得ることができる。
【０００５】
また、平面基板１５４は、基準平面板１５６側から入射した光の一部の進行方向を９０度曲げることができる。平面基板１５４で反射された光は集光レンズ１５５で点像化されて反射点像観察用ＣＣＤ１２０に入射される。このＣＣＤ１２０は、コーナーキューブプリズム（不図示）を用いた測定中心の決定、及び、カバーガラス１５８又は反射基準凹面鏡１５９のアラインメントに使用される。
【０００６】
しかし、反射点像観察用ＣＣＤ１２０には、基準平面板１５６で反射された光による点像と、基準平面板１５６を透過して、被検レンズ１８０、カバーガラス１５８を経て反射基準凹面鏡１５９で折り返された光、又はコーナーキューブプリズム、カバーガラス１５８、によって反射された光による点像と、が入射される。すなわち、反射点像観察用ＣＣＤ１２０には二つの点像が入射するため、これらの判別が困難な場合は、目的の点像が認識できないため、測定中心の決定、及び、カバーガラス１５８又は反射基準凹面鏡１５９のアラインメントが滞ることになる。
【０００７】
一方、干渉縞による被検レンズの波面収差の測定においては、被検レンズの種類、仕様などによって、被検レンズに入射する光を円偏光又は直線偏光のいずれかに設定する必要がある。
【０００８】
しかし、円偏光に設定して測定する場合、従来の波面収差測定装置においては、λ／４板などによって円偏光に変換された光が被検レンズに入射するまでに、途中経由するハーフミラーやレンズなどの影響により、その円偏光の状態が変化し楕円偏光になっていた。このため正しい円偏光に設定した状況での測定が困難であった。
【０００９】
【特許文献】
特開平７−８３６０９号公報
実登−２５２１３２４号公報
特許−２９９０９１３号公報
【００１０】
【発明の目的】
そこで本発明の目的は、点像観察手段による点像認識が容易であって、測定中心の決定、カバーガラス又は球面鏡のアラインメントをスムーズに行うことができる波面収差測定装置を提供することにある。また、本発明のさらなる目的は、被検レンズに対して正しい円偏光を入射させて、測定を行うことができる波面収差測定装置を提供することにある。
【００１１】
【発明の概要】
上記問題点を解決するために、本発明の波面収差測定装置においては、光源と、光源の光路中に光源側から順に配置された基準平面板及び球面鏡と、球面鏡によって折り返された光の光路中に配置された平面基板と、平面基板で反射された光を点像化する点像化手段と、点像化手段で点像化された光を観察する点像観察手段と、基準平面板によって反射された光と、基準平面板を透過した後に被検レンズを透過し球面鏡によって折り返され再び被検レンズ及び基準平面板を透過した光と、の干渉によって得られる干渉縞を観察する干渉縞観察手段と、を備え、基準平面板は、平面基板と干渉縞観察手段との間に配置されていることを特徴としている。
【００１２】
また、点像観察手段に入射される光は前記基準平面板を透過した光のみであることが好ましい。
【００１３】
本発明の波面収差測定装置は、さらに、光源と基準平面板との間に配置されたハーフミラーと、基準平面板と球面鏡との間に配置された平面基板と、干渉縞観察手段とハーフミラーとの間に配置された偏光板と、平面基板と被検レンズとの間に配置された四分の一波長板と、を備えることが好ましい。
【００１４】
光源から発せられる光は直線偏光であって、ハーフミラー及び平面基板に対して、Ｐ偏光またはＳ偏光とすることができる。
【００１５】
偏光板においては、偏光方向が互いに直交する二つの直線偏光が入射されたとき、二つの直線偏光の透過光を、偏光方向が入射前に対して傾いた同一の直線偏光とさせることができる。
【００１６】
【発明の実施形態】
以下、本発明にかかる実施形態を図面を参照しつつ詳しく説明する。
＜第１実施形態＞
第１実施形態に係る波面収差測定装置１は、図１に示すように、干渉縞及び反射点像を観察するための光学系Ｏ、光学系Ｏに対して基準光を出射する半導体レーザ（ＬＤ）（光源）１０、被検レンズ８０からの反射光を点像として受光する反射点像観察用ＣＣＤ（固体撮像素子）２０、及び、干渉縞観察用ＣＣＤ４０を備えている。
【００１７】
半導体レーザ１０は光学系Ｏを介して被検レンズ８０に対して所定のレーザ光を射出する。半導体レーザ１０から出るレーザ光の進行方向には、半導体レーザ１０側から順に集光レンズ５０、ピンホール５１、ハーフミラー５２が配置されている。半導体レーザ１０から出たレーザ光は集光レンズ５０によりピンホール５１へ集光される。ピンホール５１を通過した光は、その光路に対して４５度傾けて配置されたハーフミラー５２によりその一部の進行方向が９０度曲げられる。
【００１８】
ハーフミラー５２により反射された光の光路上には、ハーフミラー５２側から順にコリメータレンズ５３、基準平面板５６、光路に対して４５度傾けられた平面基板５４が配置されている。さらに、平面基板５４につづいて、被検レンズ８０、カバーガラス５８、反射基準凹面鏡５９又はコーナーキューブプリズム７０が配置される。なお、ハーフミラー５２により反射された光はコリメータレンズ５３により平行光化される。
【００１９】
基準平面板５６は、表面を高精度に研磨された平面ガラス板であって、コリメータレンズ５３から遠い面には参照面５６ａが設けられている。参照面５６ａは基準平面板５６に入射した光の一部を透過し、残りを反射する性質を有している。この性質を利用して、参照面５６ａにより反射した光と、参照面５６ａを透過した後に被検レンズ８０を透過した光との干渉縞を得ることが可能となる。基準平面板５６のアラインメントは、コーナーキューブプリズム７０からの反射光と基準平面板５６からの反射光による干渉縞を用いて行うことができる（図２）。
【００２０】
参照面５６ａにより反射した光は、コリメータレンズ５３を経て、ハーフミラー５２を透過する。ハーフミラー５２を透過した光は、その光路上に配置されたピンホール５７を通ってＣＣＤ（干渉縞観察手段）４０に入射する。ＣＣＤ４０に入射した光は電気信号に変換され、イメージスキャナ（不図示）によって画像化され、コンピュータ（不図示）で波面収差が算出される。
【００２１】
一方、参照面５６ａを透過した光は、光路に対して４５度傾けて配置された平面基板５４を透過する。この透過光は、測定中心の測定時にはコーナーキューブプリズム７０で反射され（図２）、カバーガラス５８のアラインメント（位置、角度合わせ）時にはカバーガラス５８で反射され（図３）、球面鏡のアラインメント時には被検レンズ８０を透過した後に反射基準凹面鏡（球面鏡）５９で反射される。
【００２２】
コーナーキューブプリズム７０、カバーガラス５８、または、反射基準凹面鏡５９で折り返された光は、その光路中に配置された平面基板５４によってその一部が反射されて進行方向が９０度曲げられる。この反射光は、光路上に配置された集光レンズ（点像化手段）５５によって集光されて点像としてＣＣＤ（点像観察手段）２０に入射される。ＣＣＤ２０に入射した光は電気信号に変換され、コンピュータ３３に入力される。
【００２３】
以上の構成の装置により、被検レンズの波面収差の測定を行う。以下にその測定工程を説明する。
【００２４】
（１）測定中心を設定するステップ（図２）
このステップにおいては、コリメータレンズ５３、基準平面板５６、平面基板５４を通る光の光路の延長上の所定位置にコーナーキューブプリズム７０が配置されている。コーナーキューブプリズム７０は入射した光を入射方向と同じ方向に反射する性質を有する。このため、半導体レーザ１０から出射され、集光レンズ５０、ピンホール５１を経てハーフミラー５２で９０度曲げられた後に、コリメータレンズ５３、基準平面板５６を経て平面基板５４からコーナーキューブプリズム７０に入射した光は、平面基板５４に向かって反射される。この反射光は平面基板５４によってその進行方向を９０度曲げられ、集光レンズ５５によって点像化されてＣＣＤ２０に入射する。ＣＣＤ２０に入射した画像はコンピュータ３３によって処理され、コーナーキューブプリズム７０からの反射光による点画像の位置が測定中心として記憶される。
【００２５】
また、測定中心を設定するステップに先立って、コーナーキューブプリズム７０からの反射光と、基準平面板５６からの反射光とによってＣＣＤ４０で観察される干渉縞を用いて、基準平面板５６のアラインメントを行う。
【００２６】
第１実施形態においては、基準平面板５６を平面基板５４とＣＣＤ４０との間に配置してある。このため、従来のように基準平面板５６からの反射光がＣＣＤ２０に入射することがない。よって、ＣＣＤ２０に入射するのは基準平面板５６を透過した光のみであって、本ステップにおいては、コーナーキューブプリズム７０からの反射光のみである。このため、点像化されたコーナーキューブプリズム７０からの反射光を認識することが容易となり、測定中心をスムーズに設定、記憶することができる。
【００２７】
（２）カバーガラス５８のアラインメントを行うステップ（図３）
このステップにおいては、測定中心を設定するステップにおけるコーナーキューブプリズム７０に代えて、ＸＹＺαβ軸ステージ９０上にカバーガラス５８を載置するとともに、カバーガラス５８に入射する光の光路上に反射基準凹面鏡５９を配置している。
【００２８】
カバーガラス５８に入射した光のうち、カバーガラス５８の表面で反射した光は平面基板５４でその進行方向を９０度曲げられ、集光レンズ５５で点像化されてＣＣＤ２０に入射される。この点像のＣＣＤ２０における入射位置は、カバーガラス５８の姿勢によって異なってくる。カバーガラス５８の表面又は裏面が、カバーガラス５８へ入射する光の進行方向と垂直であるときは、ＣＣＤ２０に入射する点像の位置は、コーナーキューブプリズム７０から反射された光による点像の位置（測定中心）と一致する。しかし、カバーガラス５８の表面が、被検レンズ８０へ入射する光の進行方向に対して垂直から傾いているときは、ＣＣＤ２０に入射する点像の位置は、測定中心からずれてくる。
【００２９】
コンピュータ３３は、ＸＹＺαβ軸ステージ９０に接続されており、その姿勢を電気的に制御することができる。ＣＣＤ２０に入射され画像化された画像において、カバーガラス５８からの反射光の点像の位置がすでに記憶させた測定中心とは一致しないときは、コンピュータ３３は、カバーガラス５８の表面がカバーガラス５８へ入射する光の進行方向に対して垂直ではないと判断し、そのずれ量を算出、記憶する。そして、コンピュータ３３はＸＹＺαβ軸ステージ９０に対してその姿勢を変えるための駆動信号を発することにより、カバーガラス５８の表面からの反射光による点像が測定中心と一致するように、カバーガラス５８の表面がカバーガラス５８へ入射する光の進行方向に対して垂直になるように制御することができる。ＣＣＤ２０への点像入射、コンピュータ３３によるＸＹＺαβ軸ステージ９０の姿勢制御は繰り返し行うことができ、これにより、カバーガラス５８をより適切な姿勢に配置することが可能となる。もちろん、任意の姿勢に配置することもできる。
【００３０】
なお、カバーガラス５８に入射する光はコリメータレンズ５３によって平行光化されているため、カバーガラス５８を透過して反射基準凹面鏡５９に入射した光は発散してしまう。よって、反射基準凹面鏡５９から折り返した光は、カバーガラス５８にはほとんど入射しない。よって、この折り返し光がカバーガラス５８のアラインメントに与える影響は無視することができる。
【００３１】
さらに、上述のように、基準平面板５６は平面基板５４とＣＣＤ４０との間に配置してあるため、従来のように基準平面板５６からの反射光がＣＣＤ２０に入射することがない。よって、ＣＣＤ２０に入射するのは基準平面板５６を透過した光のみであって、本ステップにおいては、ＣＣＤ２０に入射するのは実質的にカバーガラス５８の表面からの反射光のみである。このため、点像化されたカバーガラス５８からの反射光を認識することが容易となり、カバーガラス５８のアラインメントをスムーズに行うことができる。
【００３２】
（３）反射基準凹面鏡のアラインメントを行うステップ（図４）
このステップにおいては、半導体レーザ１０から出射され、集光レンズ５０、ピンホール５１を経てハーフミラー５２で９０度曲げられ、コリメータレンズ５３、基準平面板５６を経て平面基板５４を透過した光の光路上に、平面基板５４側から順に、被検レンズ８０、カバーガラス５８、反射基準凹面鏡５９、ＸＹＺステージ９１が配置されている。反射基準凹面鏡５９は、ＸＹＺステージ９１上に載置されている。
【００３３】
被検レンズ８０に入射した光は、カバーガラス５８を透過して反射基準凹面鏡５９で折り返し、再びカバーガラス５８及び被検レンズ８０を透過した後に、平面基板５４でその進行方向を９０度曲げられ、集光レンズ５５で点像化されてＣＣＤ２０に入射される。この点像のＣＣＤ２０における入射位置は、反射基準凹面鏡５９の位置によって異なってくる。反射基準凹面鏡５９の光軸が、被検レンズ８０の光軸と一致するときは、ＣＣＤ２０に入射する点像の位置は、コーナーキューブプリズム７０から反射された光による点像の位置（測定中心）と一致する。しかし、反射基準凹面鏡５９の光軸が、被検レンズ８０の光軸と一致しないときは、ＣＣＤ２０に入射する点像の位置は、測定中心からずれてくる。
【００３４】
コンピュータ３３は、ＸＹＺステージ９１に接続されており、その姿勢を電気的に制御することができる。ＣＣＤ２０に入射され画像化された画像において、反射基準凹面鏡５９からの反射光の点像の位置がすでに記憶させた測定中心と一致しないときは、コンピュータ３３は、反射基準凹面鏡５９の光軸が被検レンズ８０の光軸とずれていると判断し、そのずれ量を算出、記憶する。そして、コンピュータ３３はＸＹＺステージ９１に対してその位置を変えるための駆動信号を発することにより、反射基準凹面鏡５９からの反射光による点像が測定中心と一致するように、反射基準凹面鏡５９の光軸が被検レンズ８０の光軸と一致するように制御することができる。ＣＣＤ２０への点像入射、コンピュータ３３によるＸＹＺステージ９１の姿勢制御は繰り返し行うことができ、これにより、反射基準凹面鏡５９はより適切な位置に配置することが可能となる。もちろん、任意の位置に配置することもできる。
【００３５】
上述のように、基準平面板５６は平面基板５４とＣＣＤ４０との間に配置してある。このため、従来のように基準平面板５６からの反射光がＣＣＤ２０に入射することがない。よって、ＣＣＤ２０に入射するのは基準平面板５６を透過した光のみであって、本ステップでＣＣＤ２０に入射するのは反射基準凹面鏡５９からの反射光のみである。このため、点像化された反射基準凹面鏡５９からの反射光を認識することが容易となり、反射基準凹面鏡５９のアラインメントをスムーズに行うことができる。
【００３６】
（４）波面収差を測定するステップ（図１）
このステップにおいては、半導体レーザ１０から出射され、集光レンズ５０、ピンホール５１を経てハーフミラー５２で９０度曲げられ、コリメータレンズ５３を経て、基準平面板５６、平面基板５４の順に透過した光は、被検レンズ８０を透過した後に反射基準凹面鏡５９によって折り返される。この光は、入射時とは逆の順番で、被検レンズ８０、平面基板５４及び基準平面板５６を透過した後、コリメータレンズ５３、ハーフミラー５２、ピンホール５７を経てＣＣＤ４０に入射する。
【００３７】
一方、ＣＣＤ４０には、被検レンズ８０には到達せずに参照面５６ａで反射された光も、コリメータレンズ５３、ハーフミラー５２、ピンホール５７を経て入射している。したがって、ＣＣＤ４０においては、被検レンズ８０を透過した光と、平面基板５４及び被検レンズ８０は透過せずに参照面５６ａで反射した光とが入射しているため、これらの光による干渉縞を得ることができる。この干渉縞に基づいて、コンピュータ（不図示）において周知の算出方法によって被検レンズ８０の波面収差を算出することができる。
【００３８】
上記実施形態においては、カバーガラス５８及び反射基準凹面鏡５９の姿勢、位置を制御してカバーガラス５８及び反射基準凹面鏡５９からの反射光が測定中心と一致するようにした状態で測定することとしたが、カバーガラス５８及び反射基準凹面鏡５９の姿勢、位置を定量評価して任意に指定された傾き量、配置を設定して測定することも可能である。
【００３９】
＜第２実施形態＞
図５及び図６に示す第２実施形態においては、図１に示す第１実施形態の構成に加えて、平面基板５４と被検レンズ８０との間、及び、ハーフミラー５２とピンホール５７との間に、λ／４板（四分の一波長板）６０及び偏光板６１が、それぞれ配置されている。ここで、第１実施形態と同じ部材については同じ参照符号を使用する。
【００４０】
λ／４板６０は、直線偏光（図５（ｂ））を入射させると透過光が円偏光（図５（ｃ））となり、円偏光を入射させると透過光が直線偏光となる複屈折板である。このλ／４板６０に直線偏光を入れて円偏光とし、この円偏光を反射させて再びλ／４板６０に入れて直線偏光とした場合の偏光方向は、λ／４板６０をまったく透過させていない直線偏光の偏光方向と直交する。
【００４１】
半導体レーザ１０から出射されたレーザ光は、直線偏光として一部は基準平面板５６を透過し、残りは基準平面板５６で反射される。基準平面板５６を透過した直線偏光は、平面基板５４を経てλ／４板６０に入射されると円偏光としてλ／４板６０を透過する。λ／４板６０の透過光は、被検レンズ８０、カバーガラス５８を透過した後に反射基準凹面鏡５９で折り返され、カバーガラス５８、被検レンズ８０を再び透過した後に円偏光（図６（ｂ））としてλ／４板６０に入射し、直線偏光（図６（ｃ））としてλ／４板６０を透過する。この透過光の偏光方向（図６（ｄ）のＡ）は、図６（ｄ）に示すように、半導体レーザ１０を出射しλ／４板６０に入射するまでの直線偏光の偏光方向（図６（ｄ）のＢ）と直交している。
【００４２】
λ／４板６０の透過光は、その光路中に配置された平面基板５４によってその一部が反射されて進行方向が９０度曲げられる。この反射光は、光路上に配置された集光レンズ（点像化手段）５５によって集光され、点像としてＣＣＤ（点像観察手段）２０に入射される。ＣＣＤ２０に入射した光は電気信号に変換され、コンピュータ（不図示）に入力される。入力された信号は、測定中心の設定、及び、カバーガラス又は反射基準凹面鏡のアラインメントに供される。なお、基準平面板５６のアラインメントは、ハーフミラー５２により反射された光の光路上において被検レンズ８０に代えて配置するコーナーキューブプリズム（不図示）からの反射光と基準平面板５６からの反射光による干渉縞を用いて行うことができる。
【００４３】
一方、平面基板５４を透過した光は、基準平面板５６、コリメータレンズ５３を透過した後、ハーフミラー５２を透過、又は、ハーフミラー５２で反射される。ハーフミラー５２を透過した光はその光路上に配置された偏光板６１及びピンホール５７を通ってＣＣＤ（干渉縞観察手段）４０に入射する。ＣＣＤ４０に入射した光は電気信号に変換され、イメージスキャナ（不図示）によって画像化され、コンピュータ（不図示）で波面収差が算出される。つまり、ＣＣＤ４０においては、基準平面板５６によって反射された光と、基準平面板５６を透過した後に被検レンズ８０を透過し反射基準凹面鏡５９によって折り返され再び被検レンズ８０及び基準平面板５６を透過した光と、の干渉によって得られる干渉縞を観察することができる。
【００４４】
偏光板６１は、入射した直線偏光の偏光方向を変更することができる。変更された後の直線偏光の方向を偏光板６１の軸と呼ぶものとすると、偏光板６１の軸を、入射される互いに直交する二つの直線偏光の偏光方向に対して４５度ずらしておくことにより、偏光板６１に入射された二つの直線偏光は、それぞれ反対の方向に４５度だけ偏光方向が回転されて透過する。よって、半導体レーザ１０から出射され基準平面板５６で反射した光と、基準平面板５６を透過した後にλ／４板６０及び被検レンズ８０を透過した光とを偏光板６１に入射させると、入射前は互いに直交していた偏光方向が、偏光板６１を透過することによってそれぞれ反対方向に４５度だけ偏光方向が回転するために同一の偏光方向を有する直線偏光となる（図６（ｅ））。
【００４５】
偏光板６１を透過した光は同一の偏光方向を有する直線偏光であるため、参照面５６ａにより反射した光と、参照面５６ａを透過した後に被検レンズ８０を透過した光との干渉縞を得ることが可能となり、この干渉縞に基づいて、コンピュータ（不図示）において周知の算出方法によって被検レンズ８０の波面収差を算出することができる。
【００４６】
第２実施形態においては、偏光板６１はハーフミラー５２とピンホール５７との間に配置されていたが、ＣＣＤ４０とハーフミラー５２との間であればいずれの位置に配置しても良い。
また、λ／４板６０は、平面基板５４と被検レンズ８０との間であればいずれの位置に配置しても良い。
なお、その他の構成、作用、効果は第１実施形態と同様である。
【００４７】
本発明について上記実施形態を参照しつつ説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、改良の目的または本発明の思想の範囲内において改良または変更が可能である。
【００４８】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によると、点像観察手段に入射する点像を１種類とすることによって、点像観察手段による点像認識が容易であって、測定中心の決定、カバーガラス又は球面鏡のアラインメントをスムーズに行うことができる波面収差測定装置を提供することができる。さらに、被検レンズに対して正しい円偏光を入射させて、測定を行うことができる波面収差測定装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）は本発明の第１実施形態にかかる波面収差測定装置の構成を示す図であり、（ｂ）は基準平面板の構成を示す側面図である。
【図２】本発明の第１実施形態にかかる波面収差測定装置において、測定中心を設定するための構成を示す図である。
【図３】本発明の第１実施形態にかかる波面収差測定装置において、カバーガラスのアラインメントを行うための構成を示す図である。
【図４】本発明の第１実施形態にかかる波面収差測定装置において、反射基準凹面鏡のアラインメントを行うための構成を示す図である。
【図５】（ａ）は本発明の第２実施形態に係る波面収差測定装置の構成を示す図であり、（ｂ）及び（ｃ）はそれぞれλ／４板６０に入射する前の直線偏光及びλ／４板６０を透過直後の円偏光の偏光方向を示す図である。
【図６】（ａ）は本発明の第２実施形態に係る波面収差測定装置の構成を示す図であり、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）及び（ｅ）は、それぞれ、λ／４板６０及び被検レンズ８０透過後の円偏光、さらにλ／４板６０透過後の直線偏光、またさらに基準平面板５６透過後の直線偏光Ａと基準平面板５６で反射された直線偏光Ｂ、及び、さらに偏光板６１を透過後の直線偏光の偏光方向を示す図である。
【図７】従来の波面収差測定装置の構成を示す図である。
【符号の説明】
１        波面収差測定装置
１０    光源
２０    反射点像観察用ＣＣＤ（点像観察手段）
４０    干渉縞観察用ＣＣＤ（干渉縞観察手段）
５２  ハーフミラー
５４    平面基板
５５    集光レンズ（点像化手段）
５６    基準平面板
５９    反射基準凹面鏡（球面鏡）
６０    四分の一波長板
６１    偏光板
８０  被検レンズ
【図１】
2004340735.tif 000003
【図２】
2004340735.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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