(57)【要約】【課題】ディスクノイズの低減、記録マークのエッジ位置の高精度化ができ、高記録密度の多値記録が可能な相変化型記録媒体及び情報記録方法の提供。【解決手段】１）相変化型記録媒体に対し、トラック方向における記録マークの前後エッジ位置の組み合わせによって多値情報を記録するに際して、レーザーパワーがＰ１＞Ｐ２＞Ｐ３の関係にあり、パワー比が０．７≧Ｐ２／Ｐ１≧０．４の範囲にあるレベル間で変調し、多値情報に応じてパワーレベルＰ２からＰ１への立ち上がりのタイミングを変えると共に、Ｐ１レベルに保持する期間をＴ１、Ｐ３レベルに保持する期間をＴ３として、２．５≧Ｔ３／Ｔ１≧１．０の範囲内でＴ１及びＴ３の長さを変える情報記録方法。２）上記情報記録方法によって多値情報を記録した際に、記録層が結晶状態である場合の反射光強度が、非晶質状態である場合の反射光強度よりも低くなる相変化型記録媒体。【選択図】　　　　図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
相変化型記録媒体に対し、トラック方向における記録マークの前後エッジ位置の組み合わせによって多値情報を記録するに際して、レーザーパワーがＰ１＞Ｐ２＞Ｐ３の関係にあり、パワー比が０．７≧Ｐ２／Ｐ１≧０．４の範囲にあるレベル間で変調し、多値情報に応じてパワーレベルＰ２からＰ１への立ち上がりのタイミングを変えると共に、Ｐ１レベルに保持する期間をＴ１、Ｐ３レベルに保持する期間をＴ３として、２．５≧Ｔ３／Ｔ１≧１．０の範囲内でＴ１及びＴ３の長さを変えることを特徴とする情報記録方法。
【請求項２】
トラック方向における記録マークの前後エッジ位置の組み合わせを変えるに際して、パワーレベルＰ２からＰ１への立ち上がりのタイミングに応じて、Ｔ１及びＴ３の長さを調整することを特徴とする請求項１記載の情報記録方法。
【請求項３】
請求項１又は２記載の情報記録方法によって多値情報を記録した際に、記録層が結晶状態である場合の反射光強度が、非晶質状態である場合の反射光強度よりも低くなることを特徴とする相変化型記録媒体。
【請求項４】
請求項１又は２記載の情報記録方法によって多値情報を記録した際に、記録マークのトラック方向における周期をＬとして、ｎ×Ｌ（ｎは正の整数）の周期において、前後エッジ間の長さがＬ以上である記録マーク及び／又は未記録部分が形成されることを特徴とする相変化型記録媒体。
【請求項５】
請求項１又は２記載の情報記録方法によって多値情報を記録することができる相変化型記録媒体であって、記録マークのトラック方向における周期をＬとして、支持基板表面にｎ×Ｌ（ｎは正の整数）の周期でプリピットが設けられていることを特徴とする相変化型記録媒体。
【請求項６】
請求項１又は２記載の情報記録方法によって多値情報を記録することができる相変化型記録媒体であって、トラック方向における記録マークの周期をＬとして、支持基板表面にｎ×Ｌ（ｎは正の整数）の周期で蛇行する溝が設けられていることを特徴とする相変化型記録媒体。
【請求項７】
少なくとも支持基板と相変化型記録材料からなる記録層を有し、該相変化型記録材料はＳｂ／Ｔｅ比が１〜４の範囲にあるＳｂとＴｅを含み、その他に、Ａｇ、Ｉｎ、Ｇｅ、Ｇａ、Ａｌ、Ｓｎ、Ｂ、Ｓｉの群から選ばれる少なくとも一つの元素を含有することを特徴とする請求項３〜６の何れかに記載の相変化型記録媒体。
【請求項８】
少なくとも支持基板、金属層、誘電体層、相変化型記録層をこの順に有し、該金属層はＡｇ単体からなるか、又はＡｇを主成分とし、Ａｕ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｒｕ、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｚｒの群から選ばれる少なくとも１つの元素を含有する材料からなることを特徴とする請求項３〜７の何れかに記載の相変化型記録媒体。
【請求項９】
少なくとも支持基板、金属層、第一誘電体層、相変化型記録層、第二誘電体層をこの順に有し、該第二誘電体層は、窒化珪素の単一層からなるか、又は窒化珪素と他の誘電体材料の積層構成からなることを特徴とする請求項３〜８の何れかに記載の相変化型記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、レーザービームによって情報を記録する相変化型記録媒体の高密度化技術に関し、多値記録可能な相変化型記録媒体及び情報記録方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
相変化型記録媒体の記録密度を上げる方法として多値記録が検討されている。記録周期一定で、記録マークの面積や、前後エッジの位置を多値情報に応じて変調する方法である。その公知例としては次のようなものがある。
なお、以下の説明では、記録マークのエッジについて、レーザーービーム進行方向に対して手前を「前エッジ」、後ろを「後エッジ」と記載する。
特開２００１−８４５９１号公報には、単一パルスでパルス幅を変え記録マークの長さを多値情報に応じて変える方法が開示されている。
特開２００２−０２５０６５号公報には、単一パルスでパワーレベルを変えて記録マークを形成した後エッジの位置を多値情報に応じて変える方法が開示されている。
特開平０７−２１０８７０号公報には、基板の凹凸と相変化記録マークの相互作用により多値情報を記録する方法が開示されている。
特開平０８−１４７６９５号公報には、一旦記録した相変化記録マークの一部を第２のレーザービームで消去することにより、多値情報を記録する方法が開示されている。
特開平０９−００７２２４号公報及び特開平１０−２４１２０５号公報には、相変化記録膜を多層構造として多値情報を記録する方法が開示されている。
【０００３】
多値記録では、従来の２値記録よりも高いＳ／Ｎ比が必要であり、そのためにはディスクノイズを低減する必要がある。しかしながら、上記公知例の中には低ノイズ化に対する有効な媒体構成、記録方式は示されていない。
また、多値記録方式では、記録マークの長さを細かく刻む必要があり、マーク長制御の高精度化が必要になる。従来の外部からのクロック信号を基準として記録する方法では高精度化に限界があるが、公知例の中には高精度化方法に関する取り組みは見られない。また、マーク長制御の高精度化には、記録ストラテジの工夫も必要になる。従来、２値記録で用いられてきたマルチパルスではマーク長の微調整に限界があることから、単一のパルスを使ってパルス幅を変える方法が必要になってくる。単一パルスによってマーク長を制御する方法は、特開２００１−８４５９１号公報、特開２００２−０２５０６５号公報に開示されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
多値記録で記録密度を上げるには、ディスクノイズの低減、記録マークのエッジ位置の高精度化が課題である。本発明は、これらの課題を解決する相変化型記録媒体及び情報記録方法の提供を目的とする。
【０００５】
上記課題は、次の１）〜９）の発明（以下、本発明１〜９という）によって解決される。
１）　相変化型記録媒体に対し、トラック方向における記録マークの前後エッジ位置の組み合わせによって多値情報を記録するに際して、レーザーパワーがＰ１＞Ｐ２＞Ｐ３の関係にあり、パワー比が０．７≧Ｐ２／Ｐ１≧０．４の範囲にあるレベル間で変調し、多値情報に応じてパワーレベルＰ２からＰ１への立ち上がりのタイミングを変えると共に、Ｐ１レベルに保持する期間をＴ１、Ｐ３レベルに保持する期間をＴ３として、２．５≧Ｔ３／Ｔ１≧１．０の範囲内でＴ１及びＴ３の長さを変えることを特徴とする情報記録方法。
２）　トラック方向における記録マークの前後エッジ位置の組み合わせを変えるに際して、パワーレベルＰ２からＰ１への立ち上がりのタイミングに応じて、Ｔ１及びＴ３の長さを調整することを特徴とする１）記載の情報記録方法。
３）　１）又は２）記載の情報記録方法によって多値情報を記録した際に、記録層が結晶状態である場合の反射光強度が、非晶質状態である場合の反射光強度よりも低くなることを特徴とする相変化型記録媒体。
４）　１）又は２）記載の情報記録方法によって多値情報を記録した際に、記録マークのトラック方向における周期をＬとして、ｎ×Ｌ（ｎは正の整数）の周期において、前後エッジ間の長さがＬ以上である記録マーク及び／又は未記録部分が形成されることを特徴とする相変化型記録媒体。
５）　１）又は２）記載の情報記録方法によって多値情報を記録することができる相変化型記録媒体であって、記録マークのトラック方向における周期をＬとして、支持基板表面にｎ×Ｌ（ｎは正の整数）の周期でプリピットが設けられていることを特徴とする相変化型記録媒体。
６）　１）又は２）記載の情報記録方法によって多値情報を記録することができる相変化型記録媒体であって、トラック方向における記録マークの周期をＬとして、支持基板表面にｎ×Ｌ（ｎは正の整数）の周期で蛇行する溝が設けられていることを特徴とする相変化型記録媒体。
７）　少なくとも支持基板と相変化型記録材料からなる記録層を有し、該相変化型記録材料はＳｂ／Ｔｅ比が１〜４の範囲にあるＳｂとＴｅを含み、その他に、Ａｇ、Ｉｎ、Ｇｅ、Ｇａ、Ａｌ、Ｓｎ、Ｂ、Ｓｉの群から選ばれる少なくとも一つの元素を含有することを特徴とする３）〜６）の何れかに記載の相変化型記録媒体。
８）　少なくとも支持基板、金属層、誘電体層、相変化型記録層をこの順に有し、該金属層はＡｇ単体からなるか、又はＡｇを主成分とし、Ａｕ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｒｕ、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｚｒの群から選ばれる少なくとも１つの元素を含有する材料からなることを特徴とする３）〜７）の何れかに記載の相変化型記録媒体。
９）　少なくとも支持基板、金属層、第一誘電体層、相変化型記録層、第二誘電体層をこの順に有し、該第二誘電体層は、窒化珪素の単一層からなるか、又は窒化珪素と他の誘電体材料の積層構成からなることを特徴とする３）〜８）の何れかに記載の相変化型記録媒体。
【０００６】
以下、上記本発明について詳しく説明する。
図１により本発明３について説明する。図１には、記録マーク及び未記録部分（スペース部）の反射光強度の変化を示す。
図１（ａ）は、多値情報に応じて記録マークの前後エッジ位置の組み合わせを変えて記録する様子を示している。１０１はレーザービーム、１０２は相変化記録マーク、１０３は記録マークの前エッジ、１０４は記録マークの後エッジを示している。
図示したように、記録マークの前後エッジを４段階（０、１、２、３）で変える。図の状態は前エッジ２、後エッジ２の組み合わせを示す。このように、前後エッジの組み合わせで１６値の多値記録を行う。
図１（ｂ）は信号の再生信号の状態を示している。記録マークとスペース部によって反射光強度が変化する。本記録媒体では、本発明３のように、非晶質状態である記録マークに対して、結晶状態である未記録部分（スペース部）の反射光強度を低く設定する。記録マークと未記録部分（記録マーク間のスペース部、隣接トラック間のスペース部）の反射光強度の総和が再生信号レベルになる。未記録部分の反射光強度を低く設定することで平均信号レベル（平均ＤＣレベル）が下げられる。電圧方向にアイが開く多値記録信号の品質を上げるには、変調率（最大信号振幅／平均ＤＣレベル）を大きくする必要がある。また、再生信号のジッターに影響するディスクノイズを下げる必要がある。平均ＤＣレベルを下げることで高変調率化、低ノイズ化を実現する。
【０００７】
図２により本発明４について説明する。
図２（ａ）は記録媒体の上方視であり記録状態を示している。本発明４のように、トラック方向において基準記録マーク及びスペース部が一定の周期で存在している。２０１は情報を記録する記録マークを示し、２０２は基準記録マーク・スペース部を示している。記録マークの周期をＬとして、基準記録マーク及びスペース部の前後エッジ間の長さをＬ以上に設定する。図２（ａ）は２倍の長さ（２Ｌ）の記録マークとスペース部を交互に形成し、基準記録マーク・スペース部２０２としている。
図２（ｂ）には、基準記録マークのトラック方向におけるレイアウトを示す。記録マーク周期をＬとすると、基準記録マーク・スペース部の周期はｎ×Ｌ（ｎは正の整数）になっている。
図２（ｃ）は再生信号（和信号）を示す。和信号には、基準記録マーク・スペース部による大きな信号振幅２０３と、記録マークによる小さな信号振幅２０４が現れる。前述の通り、記録マークに対してスペース部の反射光強度は低い。よって信号はスペース部で大きく低下する。再生信号を一定周期でサンプリングすることによって、信号の大きな低下を検出する。
図２（ｄ）はＡ／Ｄ変換後の基準信号２０５と、基準クロック２０６を示す。基準信号に対して、基準クロックの同期を合わせる。同期を採った後に基準クロックに基づいて、再生信号をサンプリングし多値レベルを判定する。
【０００８】
図３により本発明５について説明する。
図３（ａ）は記録媒体の上方視であり、記録状態を示している。説明のために、基板のプリピットのレイアウトに記録マーク３０１を重ねて記載している。本発明５のように、トラック方向において基準ピットが一定の周期で存在している。３０２は同期ピットであり、３０３はトラッキングピットである。サンプルサーボ方式によってピット間（記録トラック）３０４に対してトラッキングする。
図３（ｂ）には、プリピットのトラック方向におけるレイアウトを示す。記録マーク３０１の周期をＬとすると、同期ピット３０２の周期はｎ×Ｌ（ｎは正の整数）になっている。
図３（ｃ）は再生信号（和信号）を示す。和信号には、同期ピットによる大きな信号振幅３０５と、記録マークによる小さな信号振幅３０６が現れる。再生信号を一定周期でサンプリングすることによって、信号の大きな低下を検出する。
図３（ｄ）はＡ／Ｄ変換後の基準信号３０７と、基準クロック３０８を示す。基準信号に対して、基準クロックの同期を合わせる。同期を採った後に基準クロックに基づいてレーザーパワーレベルを変調し情報を記録する。記録情報を再生するに際しても記録時と同様に、基準信号に対して基準クロックの同期を採る。同期を採った後に基準クロックに基づいて再生信号をサンプリングし多値レベルを判定する。
【０００９】
図４により本発明６について説明する。
図４（ａ）は記録媒体の上方視であり、記録状態を示している。説明のために、基板の溝のレイアウトに記録マーク４０１を重ねて記載している。
図４（ｂ）に示す通り、溝は一定の周期で蛇行している。つまり、ウォーブル基板である。記録マーク４０１の周期をＬとすると、ウォーブルの周期はｎ×Ｌ（ｎは正の整数）になっている。４０２は記録トラックである。
図４（ｃ）はプッシュプル信号（差信号）を示す。差信号にはウォーブル周期に対応する振幅が現れる。プッシュプル信号におけるゼロクロス点４０３を検出し基準信号とする。
図４（ｄ）はＡ／Ｄ変換後の基準信号４０４と、基準クロック４０５を示す。４０４はプッシュプル信号のゼロクロス点を検出し生成した基準信号に対して、基準クロックの同期を合わせる。同期を採った後に基準クロックに基づいてレーザーパワーレベルを変調し情報を記録する。記録情報を再生するに際しても記録時と同様に、基準信号に対して基準クロックの同期を採る。同期を採った後に基準クロックに基づいて再生信号をサンプリングし多値レベルを判定する。
【００１０】
図５により本発明７、８、９について説明する。
図５は相変化型記録媒体の一例の断面図である。記録媒体の構成は、支持基板５０１、金属層５０２、単一層又は複数層の第一誘電体層５０３、相変化型記録層５０４、単一層又は複数層の第二誘電体層５０５からなる。矢印５０６はレーザービームの照射方向を示す。
支持基板５０１の材料としては、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、ポリオレフィン樹脂、エポキシ樹脂、ビニルエステル樹脂、紫外線硬化樹脂、ガラス、石英などを用いることができる。
相変化型記録層５０４としては、ＡｇＩｎＳｂＴｅ、ＧｅＳｂＴｅ、ＳｂＴｅ、ＧｅＴｅ、ＩｎＳｂＴｅ、ＳｂＳｅなどの材料を用いることができる。また、本発明７のように、Ｓｂ／Ｔｅ比が１〜４の範囲にあるＳｂＴｅを含み、その他に、Ａｇ、Ｉｎ、Ｇｅ、Ｇａ、Ａｌ、Ｓｎ、Ｂ、Ｓｉの群から選ばれる少なくとも１つの元素を含有する相変化記録材料を用いることもできる。その具体例としては、ＡｇＩｎＳｂＴｅ、ＧｅＳｂＴｅ、ＧｅＩｎＳｂＴｅ、ＧｅＧａＳｂＴｅ、ＧａＳｂＴｅ、ＧｅＡｌＳｂＴｅ、ＧｅＳｎＳｂＴｅ、ＳｎＳｂＴｅ、ＧｅＢＳｂＴｅ、ＢＳｂＴｅ、ＧｅＳｉＳｂＴｅ、ＳｉＳｂＴｅなどが挙げられる。
このような相変化型記録材料を用いることによって、マークエッジ位置の面内バラツキが低減できる。
【００１１】
金属層５０２としては、Ａｌ、ＡｌＴｉ、ＡｌＴｉＣｕなどのＡｌ合金材料を用いることができる。また、本発明８のように、Ａｇ単体又はＡｇを主成分として他の元素を添加したＡｇ合金を用いることもできる。その具体例としては、Ａｇ、ＡｇＰｄＣｕ、ＡｇＡｕＣｕ、ＡｇＣｕ、ＡｇＺｎ、ＡｇＣｕＡｌ、ＡｇＲｕＺｒ、ＡｇＮｉＡｌＴｉなどが挙げられる。ここで、Ａｇを主成分とするとは、Ａｇを９０重量％以上、好ましくは９５重量％以上含有することを意味する。
媒体表面の粗れはディスクノイズの一つの要因になる。本発明８に記載する金属材料を用いることによって、媒体の表面平坦性が改善でき、ディスクノイズが低減できる。また、ＡｇやＡｇ合金は熱伝導率が高い金属材料であることから、媒体構成を急冷構造とすることができ、記録パルス幅に対するマーク長の延びが抑制できる。記録パルス幅通りにマークエッジが形成でき、マークエッジ位置の面内バラツキが低減できる。
【００１２】
第一誘電体層５０３、及び第二誘電体層５０５としては、ＺｎＳ−ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＡｌＮ、ＳｉＯ２などを用いることができる。これらの材料を単層で又は積層して用いる。
また、本発明９のように、第二誘電体層を窒化珪素（ＳｉＮ）の単層、又は窒化珪素とＺｎＳ−ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＡｌＮ、ＳｉＯ２などの誘電体材料の積層構造としてもよい。窒化珪素（ＳｉＮ）を最表面に設けることによって、媒体の強度が向上し、対物レンズとの接触によるスクラッチの発生が抑制できる。
本発明の相変化型記録媒体は、対物レンズの開口数ＮＡが０．８５〜０．９である光学系に適応できる。また、ソリッドイマージョンレンズ（ＳＩＬ）や、ソリッドイマージョンミラー（ＳＩＭ）などの開口数ＮＡが１を越える光学系にも適用できる。更には、開口又は構造体を光路に設けて微小ビームスポットを作る近接場光学系にも適用できる。
【００１３】
図６に本発明１に係る記録ストラテジを示す。
図６（ａ）は相変化記録マークの前後エッジ位置の変化を示す。６０１は記録周期Ｌで記録された相変化記録マークを示している。Ｍ１〜Ｍ７は記録マークの前エッジ６０２及び後エッジ６０３の位置が異なる記録マークを示している。
図６（ｂ）はＭ１〜Ｍ７に前後のマークエッジを変える際の記録ストラテジであり、レーザーパワーの変調信号を示している。レーザーパワーをＰ１＞Ｐ２＞Ｐ３の関係にある３水準で変調する。ここで、Ｐ２／Ｐ１比を０．７≧Ｐ２／Ｐ１≧０．４、好ましくは０．６≧Ｐ２／Ｐ１≧０．４の範囲に設定する。基準信号に基づいてパワーレベルＰ２からＰ１への立ち上がりのタイミングを変える。パルスの立ち上がり位置によって、記録マークの前エッジ位置６０２を制御する。図中Ｔ１はＰ１レベルに保持する期間を示し、Ｔ３はＰ３レベルに保持する期間を示している。Ｔ１及びＴ３の長さを変えることによって、記録マークの後エッジ６０３の位置を制御する。
以上のようにして、パルスの立ち上がりのタイミングで前エッジ位置を制御し、パルスの長さで後エッジ位置を制御する。この場合、パルス比Ｔ３／Ｔ１は、２．５≧Ｔ３／Ｔ１≧１の範囲内に設定する。この範囲から外れた場合、例えば、Ｔ３／Ｔ１＜１の場合、又は、Ｔ３／Ｔ１＞２．５の場合には、記録マークの後エッジの位置を細かな刻みで制御することができない。急冷状態を形成しマークエッジを形成する相変化記録においては、Ｔ３／Ｔ１比を本発明１で限定する範囲に設定することによって、記録マークの後エッジ位置を細かな刻みで制御できる。
【００１４】
図７に本発明２に係る記録ストラテジを示す。
トラック方向において隣接する記録マークのエッジ位置が接近した場合、熱干渉によって記録済みマークの後エッジ位置が変化する。この変化を予め見込んで、マークエッジ位置の組み合わせに応じてパルス長を微調整する。本発明２のように、Ｔ１、Ｔ３の長さ及びＴ３／Ｔ１比を変えることによって、後マークエッジ位置が微調整できる。
図７は、記録マークの記録位置をＩ−１からＩ−７に変化させる場合の記録ストラテジを示す。図示の通り、Ｉ−４〜Ｉ−７では、Ｔ１、Ｔ３の長さを長めに設定する。Ｔ１及びＴ３の長さを前後マークエッジの組み合わせに応じて微調整することにより、熱干渉に伴うマークエッジ位置の変動が抑制できる。
【００１５】
【実施例】
以下、実施例により本発明を更に具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例により限定されるものではない。
【００１６】
実施例１
図５に示す層構成の相変化記録媒体をスパッタリング法により作成した。
支持基板５０１にはポリカーボネート板を用い、板厚は１．２ｍｍとした。
金属層５０２にはＡｇを用い、膜厚１４０ｎｍとした。
第一誘電体層５０３にはＺｎＳ−ＳｉＯ２を用い、膜厚２０ｎｍとした。
相変化記録層５０４にはＡｇ５Ｉｎ７Ｓｂ６３Ｔｅ２５（数値は原子％）を用い、膜厚１７ｎｍとした。従って、合金中のＳｂとＴｅの比率Ｓｂ／Ｔｅは、約２．５である。
第二誘電体層５０５にはＺｎＳ−ＳｉＯ２を用い、膜厚２０ｎｍとした。
この記録媒体に対し、レーザービーム波長４０５ｎｍ、対物レンズのＮＡ０．８５で、図６（ｂ）の記録ストラテジによりマークエッジ位置が異なるＭ１〜Ｍ７の記録マークを８個周期で記録した。トラック方向における記録周期Ｌは２８８ｎｍとした。その再生信号波形を図８に示す。
本実施例では、記録マークの反射光強度がスペース部の反射光強度よりも高く（本発明３のように、スペース部の反射光強度が記録マークの反射光強度よりも低く）、かつ、Ｍ１からＭ７にかけてマークエッジ位置が変化し、それに応じて、ビーム径内における記録マークとスペース部の比率が変化するため反射光レベルが変化する。即ち、Ｍ−１からＭ−７にかけて記録マークの比率が増加し、その結果、反射光レベルが段階的に増加する。各レベルに見られる細かな振幅は８個の記録マークに対応している。
更に、スペクトラムアナライザーで測定したノイズレベルからノイズ電圧を求め、多値信号振幅との比からジッター量を算出したところ、多値信号のジッター量は９％であり、再生限界である１５％よりも十分に低い値が得られていることが確認された。
【００１７】
実施例２
図９は、実施例１に記載した記録マークのエッジ位置を電子線顕微鏡（ＳＥＭ）で観察した結果である。図６（ｂ）に記載したパルスの長さＴ１＋Ｔ３に対する前後エッジ間の長さを示す。
図６（ｂ）に示すようにして、本発明１で規定する範囲内、つまり、２．５≧Ｔ３／Ｔ１≧１．０の範囲内においてＴ１及びＴ３の長さを変えた。その際、パワー比Ｐ２／Ｐ１＝０．５に設定した。
以上のような記録ストラテジを採用することによって、エッジ位置が制御でき、図９に示す通り、エッジ間隔をパルスの長さに応じて変化させることができる。Ｍ１からＭ７にかけて増加量２７〜４０ｎｍでマーク長が変化しており、この結果から、本発明１の記録ストラテジによって、数十ｎｍの刻みでマーク長を制御できることが確認できた。
【００１８】
実施例３
図７に記載した記録ストラテジにおいて、Ｔ１、Ｔ３のパルスの長さは固定でパルス位置のみを変えた場合と、本発明２に係る方法でパルス位置に応じてＴ１、Ｔ３の長さを調整した場合を比較した。
図１０は、Ｉ−１〜Ｉ−７における記録マークの前後エッジ間隔を示す。図中の実線（黒三角）はＴ１、Ｔ３の長さ調整の場合、点線（黒丸）はＴ１、Ｔ３の長さ固定の場合を示す。
この図から、パルスの長さ固定の場合には、記録位置を変えた場合に隣接マークを記録するパルスの影響で後エッジの位置が変化し、Ｉ−１からＩ−７にかけて前後のパルス間隔が変化していることが分る。
また、パルスの長さ固定でパルス位置を変えた場合には、Ｉ−４からＩ−７にかけて後エッジの位置が変化することに伴いエッジ間隔が狭くなっていく。従って、パルス位置に応じてパルスの長さを調整すれば、後エッジの位置ズレが補正できる。
【００１９】
【発明の効果】
本発明１、３によれば、マークエッジ位置を細かい刻みで正確に形成することができ、高変調率化、低ノイズ化が図れ、多値信号のジッター量が低減できる。
本発明２によれば、更に熱干渉によるマークエッジ位置の変動を抑制できる。
本発明４によれば、更に基準クロックの補正ができる。
本発明５〜６によれば、更に記録・再生時の基準クロックの補正ができる。
本発明７〜８によれば、マークエッジ位置のバラツキ、ノイズレベルの低減が図れる。
本発明９によれば、更に表面記録に対応する高強度の相変化型記録媒体を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明３の説明図。
（ａ）　記録マークの状態
（ｂ）　反射光強度の変化
【図２】本発明４の説明図。
（ａ）　媒体上方視
（ｂ）　基準記録マークのレイアウト
（ｃ）　再生信号（和信号）
（ｄ）　基準信号と基準クロック
【図３】本発明５の説明図。
（ａ）　媒体上方視
（ｂ）　同期ピットのレイアウト
（ｃ）　再生信号（和信号）
（ｄ）　基準信号と基準クロック
【図４】本発明６の説明図。
（ａ）　媒体上方視
（ｂ）　溝のレイアウト
（ｃ）　プッシュプル信号（差信号）
（ｄ）　基準信号と基準クロック
【図５】本発明７〜９の説明図。
【図６】本発明１の説明図。
（ａ）　相変化記録マーク
（ｂ）　記録ストラテジ
【図７】本発明２の説明図。
【図８】再生信号波形を示す図。
【図９】パルスの長さとマークエッジ間隔の関係を示す図。
【図１０】パルス位置とマークエッジ間隔の関係を示す図。
【符号の説明】
１０１　レーザービーム
１０２　相変化記録マーク
１０３　前エッジ
１０４　後エッジ
０１２３　記録マークの前後エッジを変える４段階
２０１　相変化記録マーク
２０２　基準記録マーク
２０３　基準記録マーク部分の信号振幅
２０４　記録マーク部分の信号振幅
２０５　基準信号
２０６　基準クロック
３０１　相変化記録マーク
３０２　同期ピット
３０３　トラッキングピット
３０４　記録トラック
３０５　同期ピット部分の信号振幅
３０６　記録マーク部分の信号振幅
３０７　基準信号
３０８　基準クロック
４０１　相変化記録マーク
４０２　記録トラック
４０３　ゼロクロス点
４０４　基準信号
４０５　基準クロック
５０１　支持基板
５０２　金属層
５０３　第一誘電体層
５０４　相変化型記録層
５０５　第二誘電体層
５０６　レーザービーム照射方向
６０１　記録周期Ｌで記録された相変化記録マーク
６０２　相変化記録マークの前エッジ
６０３　相変化記録マークの後エッジ
ｎ　正の整数
Ｌ　記録マークの記録周期
Ｍ１〜Ｍ７　前後エッジ位置が異なる記録マーク
Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３　レーザーパワーレベル
Ｔ１　Ｐ１レベル保持期間
Ｔ３　Ｐ３レベル保持期間
Ｉ−１〜Ｉ−７　記録位置を変える際の記録ストラテジの変化
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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