(57)【要約】【課題】金属膜のコンタクト抵抗を減少させることができるインサイチュー化学気相蒸着による金属膜形成方法及びその装置を提供する。【解決手段】半導体基板上に障壁金属膜を形成し、障壁金属膜を有する半導体基板を真空状態を開放せずに冷却する。インサイチュー冷却工程は、相互隔離された第１と第２トランスファーチャンバーＴ１，Ｔ２の間に設けられた冷却チャンバーＣ１，Ｃ２内で実施される。続いて、冷却された障壁金属膜上に金属膜を形成する。また、障壁金属膜は、前記第１トランスファーチャンバーＴ１に付着されたＣＶＤ工程チャンバーＰ１１，Ｐ１２，Ｐ１３内で形成され、金属膜は第２トランスファーチャンバーＴ２に付着されたＣＶＤ工程チャンバーＰ２１，Ｐ２２内で形成される。【選択図】図１ａ
2004363596.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
化学気相蒸着装置を使用するインサイチューによる金属膜形成方法において、
半導体基板上に障壁金属膜を形成する工程と、
前記障壁金属膜を有する半導体基板を、真空状態を開放することなく冷却する工程と、
前記冷却された前記障壁金属膜上に金属膜を形成する工程と、
を含むことを特徴とする金属膜形成方法。
【請求項２】
前記障壁金属膜を形成する前に、
前記半導体基板の所定領域に不純物領域を形成し、
前記不純物領域を有する半導体基板上に層間絶縁膜を形成し、
前記層間絶縁膜は、前記不純物領域を露出させるコンタクトホールを有し、前記層間絶縁膜上の前記コンタクトホール内にコンフォーマルなオーミック層を形成することをさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の金属膜形成方法。
【請求項３】
前記オーミック層は、チタニウム膜で形成することを特徴とする請求項２に記載の金属膜形成方法。
【請求項４】
前記障壁金属膜は、チタニウム窒化膜で形成することを特徴とする請求項１に記載の金属膜形成方法。
【請求項５】
前記障壁金属膜は、熱的ＣＶＤ技術を使用して６００℃ないし８００℃の温度で形成することを特徴とする請求項１に記載の金属膜形成方法。
【請求項６】
前記冷却工程は、冷却媒体を使用して実施することを特徴とする請求項１に記載の金属膜形成方法。
【請求項７】
前記冷却媒体は、アルゴンガス、窒素ガス、ヘリウムガス及びタルイオン水からなる一群のうち、少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項６に記載の金属膜形成方法。
【請求項８】
前記金属膜を形成する工程は、前記冷却工程の後に真空状態を開放することなく、連続的に実施されることを特徴とする請求項１に記載の金属膜形成方法。
【請求項９】
前記金属膜は、タングステン膜で形成することを特徴とする請求項１に記載の金属膜形成方法。
【請求項１０】
前記金属膜は、熱的ＣＶＤ技術を使用して３００℃ないし４５０℃の温度で形成することを特徴とする請求項１に記載の金属膜形成方法。
【請求項１１】
前記金属膜を形成した後に、
前記層間絶縁膜の上部面が露出されるまで、前記金属膜、前記障壁金属膜、及び前記オーミック層を平坦化して、前記コンタクトホールの内壁を順に覆うオーミック層パターン及び障壁金属膜パターンと共に、前記障壁金属膜パターンによって囲まれている金属コンタクトプラグを形成し、
前記金属コンタクトプラグを覆う金属配線を形成することをさらに含むことを特徴とする請求項２に記載の金属膜形成方法。
【請求項１２】
半導体基板を第１トランスファーチャンバー内にローディングさせ、
前記第１トランスファーチャンバー内の前記半導体基板を前記第１トランスファーチャンバーに付着された第１ＣＶＤ工程チャンバー内に転送させ、
前記第１ＣＶＤ工程チャンバー内の前記半導体基板上に第１金属膜を形成し、
前記第１金属膜を有する半導体基板を前記第１トランスファーチャンバーから隔離された第２トランスファーチャンバー内に真空状態を開放することなく転送させ、
前記第２トランスファーチャンバー内の前記半導体基板を前記第２トランスファーチャンバーに付着された第２ＣＶＤ工程をチャンバー内に転送させ、
前記第２ＣＶＤ工程をチャンバー内の前記半導体基板上に第２金属膜を形成することを含むことを特徴とする金属膜形成方法。
【請求項１３】
前記第１金属膜は、障壁金属膜であることを特徴とする請求項１２に記載の金属膜形成方法。
【請求項１４】
前記障壁金属膜は、チタニウム窒化膜で形成することを特徴とする請求項１３に記載の金属膜形成方法。
【請求項１５】
前記半導体基板を前記第１トランスファーチャンバー内にローディングさせる前に、前記半導体基板の所定領域に不純物領域を形成し、
前記不純物領域を有する半導体基板上に層間絶縁膜を形成し、
前記層間絶縁膜は、前記不純物領域を露出させるコンタクトホールを有し、前記層間絶縁膜上で前記コンタクトホール内にコンフォーマルなオーミック層を形成することをさらに含むことを特徴とする請求項１３に記載の金属膜形成方法。
【請求項１６】
前記オーミック層は、チタニウム膜で形成することを特徴とする請求項１５に記載の金属膜形成方法。
【請求項１７】
前記第２金属膜は、タングステン膜で形成することを特徴とする請求項１５に記載の金属膜形成方法。
【請求項１８】
前記タングステン膜を形成した後に、
前記層間絶縁膜の上部面が露出されるまで、前記タングステン膜、前記障壁金属膜及び前記オーミック層を平坦化させ、前記コンタクトホールの内壁を順に覆うオーミック層パターン及び障壁金属膜パターンと共に、前記障壁金属膜パターンによって囲まれているタングステンプラグを形成し、
前記タングステンプラグを覆う金属配線を形成することをさらに含むことを特徴とする請求項１７に記載の金属膜形成方法。
【請求項１９】
半導体基板を化学気相蒸着装置の第１トランスファーチャンバー内にローディングさせ、
前記第１トランスファーチャンバー内の前記半導体基板を前記第１トランスファーチャンバーに付着された第１ＣＶＤ工程チャンバー内に転送させ、
前記第１ＣＶＤ工程チャンバー内の前記半導体基板上に第１温度で障壁金属膜を形成し、
前記障壁金属膜を有する半導体基板を、真空状態を開放することなく前記第１トランスファーチャンバーを経由して前記トランスファーチャンバーに付着された冷却チャンバー内に転送させ、
前記冷却チャンバー内の前記半導体基板を前記第１温度よりも低い第２温度に冷却させ、
前記冷却された半導体基板を真空ブレークなしで、前記第１トランスファーチャンバーから隔離された第２トランスファーチャンバー内にローディングさせるが、前記第１及び第２トランスファーチャンバーは、前記冷却チャンバーによって相互隔離され、
前記第２トランスファーチャンバー内の前記冷却された半導体基板を前記第２トランスファーチャンバーに付着された第２ＣＶＤ工程チャンバー内にローディングさせ、
前記第２ＣＶＤ工程チャンバー内の前記半導体基板上に金属膜を形成することを含むことを特徴とする金属膜形成方法。
【請求項２０】
前記半導体基板を前記第１トランスファーチャンバー内にローディングさせる前に、
前記半導体基板の所定領域に不純物領域を形成し、
前記不純物領域を有する半導体基板上に層間絶縁膜を形成することをさらに含むが、前記層間絶縁膜は、前記不純物領域を露出させるコンタクトホールを有することを特徴とする請求項１９に記載の金属膜形成方法。
【請求項２１】
前記コンタクトホールを有する半導体基板を前記第１ＣＶＤ工程チャンバー内にローディングさせる前に、
前記第１トランスファーチャンバー内の前記半導体基板を前記第１トランスファーチャンバーに付着された第３ＣＶＤ工程チャンバー内にローディングさせ、
前記第３ＣＶＤ工程チャンバー内の前記半導体基板上にオーミック層を形成することをさらに含むことを特徴とする請求項２０に記載の金属膜形成方法。
【請求項２２】
前記オーミック層は、チタニウム膜で形成することを特徴とする請求項２１に記載の金属膜形成方法。
【請求項２３】
前記障壁金属膜は、熱的ＣＶＤ工程を使用してチタニウム窒化膜で形成することを特徴とする請求項１９に記載の金属膜形成方法。
【請求項２４】
前記冷却チャンバー内の、前記半導体基板を冷却させることは、
前記チャンバー内に冷却ガスを注入することを含むことを特徴とする請求項１９に記載の金属膜形成方法。
【請求項２５】
前記冷却ガスは、アルゴンガス、窒素ガス及びヘリウムガスからなる一群のうち、少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項２４に記載の金属膜形成方法。
【請求項２６】
前記第２温度は、常温であることを特徴とする請求項１９に記載の金属膜形成方法。
【請求項２７】
前記金属膜は、タングステン膜で形成することを特徴とする請求項１９に記載の金属膜形成方法。
【請求項２８】
前記タングステン膜は、前記第１温度と前記第２温度との間の第３温度で熱的ＣＶＤ工程を使用して形成することを特徴とする請求項２７に記載の金属膜形成方法。
【請求項２９】
前記金属膜を有する半導体基板を前記化学気相蒸着装置からアンローディングさせ、
前記層間絶縁膜の上部面が露出されるまで、前記金属膜、前記障壁金属膜及び前記オーミック層を平坦化させて、前記コンタクトホールの内にオーミック層パターン、障壁金属膜パターン及びコンタクトプラグを形成し、
前記金属コンタクトプラグを覆う金属配線を形成することをさらに含むことを特徴とする請求項２１に記載の金属膜形成方法。
【請求項３０】
相互隔離された第１及び第２トランスファーチャンバーと、
前記第１と第２トランスファーチャンバーとの間に設けられた少なくとも一つの冷却チャンバーと、
前記第１トランスファーチャンバーに付着された第１グループのＣＶＤ工程チャンバーと、
前記第２トランスファーチャンバーに付着された第２グループのＣＶＤ工程チャンバーと、
前記第１トランスファーチャンバーに付着された第１及び第２ロードロックチャンバーと、を含むことを特徴とするインサイチュー化学気相蒸着装置。
【請求項３１】
前記少なくとも一つの冷却チャンバーは、その内部に設けられたステージを含み、前記ステージは、冷却媒体が流れる循環配管を有することを特徴とする請求項３０に記載のインサイチュー化学気相蒸着装置。
【請求項３２】
前記少なくとも一つの冷却チャンバーは、その内部に設けられたチャック及び前記冷却チャンバー内部に冷却ガスを供給する少なくとも一つの冷却ガス注入管を含むことを特徴とする請求項３０に記載のインサイチュー化学気相蒸着装置。
【請求項３３】
前記第１グループのＣＶＤ工程チャンバーのうち、一つはプラズマＣＶＤ工程チャンバーであり、前記第１グループのＣＶＤ工程チャンバーのうち、他の一つは熱的ＣＶＤ工程チャンバーであることを特徴とする請求項３０に記載のインサイチュー化学気相蒸着装置。
【請求項３４】
前記第２グループのＣＶＤ工程チャンバーのうち、少なくとも一つは熱的ＣＶＤ工程チャンバーであることを特徴とする請求項３０に記載のインサイチュー化学気相蒸着装置。
【請求項３５】
前記第１グループのＣＶＤ工程チャンバー内に注入されるソースガスは、前記第２グループのＣＶＤ工程チャンバー内に注入されるソースガスとは異なるということを特徴とする請求項３０に記載のインサイチュー化学気相蒸着装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子の製造工程及びそれに使われる装置に関するもので、特に、インサイチューによる金属膜形成方法及びそれに使われる化学気相蒸着装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
金属配線は、半導体素子の製造に使われている。このような金属配線の形成は、半導体基板上に金属膜を形成することと、前記金属膜を写真／食刻工程を使用してパターニングすることを含む。前記写真工程の間、前記金属膜の表面から乱反射（ｉｒｒｅｇｕｌａｒ  ｒｅｆｌｅｃｔｉｏｎ）が甚だしく発生する恐れがある。このような乱反射は、前記金属膜の表面の粗さ（ｓｕｒｆａｃｅ  ｒｏｕｇｈｎｅｓｓ）に起因する。よって、乱反射を抑えるために反射防止膜（ａｎｔｉ−ｒｅｆｌｅｃｔｉｖｅ  ｃｏａｔｉｎｇ  ｌａｙｅｒ）が広く使用されている。
【０００３】
前記金属膜及び反射防止膜を形成する方法が特許文献１に「集積回路上に金属膜、及び／または、反射防止膜を形成する方法（Ｍｅｔｈｏｄ  ｏｆ  ｆｏｒｍｉｎｇ  ｍｅｔａｌ  ｌａｙｅｒ  ａｎｄ／ｏｒ  ａｎｔｉｒｅｆｌｅｃｔｉｖｅ  ｃｏａｔｉｎｇ  ｌａｙｅｒ  ｏｎ  ａｎ  ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  ｃｉｒｃｕｉｔ）」という題目でシャン（Ｓｈａｎ）などにより開示された（特許文献１参照）。シャンによると、金属膜上に反射防止膜を形成する前に、前記金属膜を冷却させる。これにより、前記反射防止膜を形成する間、前記金属膜の表面上にバンプのような突出部が形成されるのを防ぐことができる。
【０００４】
一方、前記金属膜が層間絶縁膜の所定領域を貫通するコンタクトホールを通じて半導体基板の所定領域に形成された不純物領域に直接接触する場合、前記金属膜の金属原子は、前記不純物領域内に拡散できる。この場合、前記不純物領域の接合漏洩電流が増えて半導体素子の誤動作（ｍａｌｆｕｎｃｔｉｏｎ）を惹き起こす。これにより、高集積半導体素子の殆どは前記金属膜と不純物領域との間に介在される障壁金属膜を広く採択している。
【０００５】
一般的に、前記障壁金属膜は、優れた段差塗布性（ｇｏｏｄ  ｓｔｅｐ  ｃｏｖｅｒａｇｅ）を得るためにほぼ７００℃の高温で化学気相蒸着技術を使用して形成され、前記金属膜は、５００℃よりも低い低温で形成される。従って、前記障壁金属膜及び金属膜を一つの蒸着装置内でインサイチュー工程（ｉｎ−ｓｉｔｕ  ｐｒｅｃｅｓｓ）を使用して連続的に形成する場合、前記障壁金属膜の高い温度によって前記金属膜とその下部の不純物領域との間のコンタクト抵抗の特性が低下することがある。
【０００６】
さらに、銅膜を採択する金属膜形成方法が特許文献２に「二重ダマシーン金属工程（Ｄｕａｌ  ｄａｍａｓｃｅｎｅ  ｍｅｔａｌｌｉｚａｔｉｏｎ）」という題目でチェン（Ｃｈｅｎ）により開示された（特許文献２参照）。チェンによると、銅配線を形成するための蒸着装置（ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ  ｓｙｓｔｅｍ）が開示されている。しかし、前記蒸着装置は、一つのトラスファーチャンバーにＣＶＤチタニウム窒化物チャンバー及びＣＶＤ銅チャンバーが付着された形態（ｃｏｎｆｉｇｕｒａｔｉｏｎ）を見せる。これにより、前記ＣＶＤチタニウム窒化物の形成に使われるソースガスが前記トラスファーチャンバーを通じて前記ＣＶＤ銅チャンバー内に流入されたり、または、その反対であることもある。この場合、前記チタニウム窒化膜、または銅膜内に不純物が含有されることもある。
【０００７】
なおさらに、コンタクトホールを埋め込む技術（ａ  ｃｏｎｔａｃｔ  ｈｏｌｅ  ｆｉｌｌｉｎｇ  ｐｒｏｃｅｓｓ）が特許文献３に「イオン化された金属接着層を使用してホール内にアルミニウムを埋めるための統合された物理的気相蒸着システム（Ｉｎｔｅｒｇｒａｔｅｄ  ＰＶＤ  ｓｙｓｔｅｍ  ｆｏｒ  ａｌｕｍｉｎｕｍ  ｈｏｌｅ  ｆｉｌｌｉｎｇ  ｕｓｉｎｇ  ｉｏｎｉｚｅｄ  ｍｅｔａｌ  ａｄｈｅｓｉｏｎ  ｌａｙｅｒ）」という題目でサティプンウェーチャ（Ｓａｔｉｐｕｎｗａｙｃｈａ）などによって開示された（特許文献３参照）。サティプンウェーチャによると、アルミニウム配線を形成するための蒸着装置が開示されている。前記蒸着装置は、相互隔離された二つのトランスファーチャンバー及び前記トランスファーチャンバーに付着された物理的気相蒸着チャンバーなど（ＰＶＤ  ｃｈａｍｂｅｒｓ）を含む。しかし、このような物理的気相蒸着技術は、一般的な化学気相蒸着技術と比べて甚だしく低い段差塗布性を見せる。これにより、サティプンウェーチャによると、高いアスペクト比率を有するコンタクトホール内に均一な障壁金属膜及び金属コンタクトプラグを形成することには限界がある。
【特許文献１】米国特許第６，１８７，６６７号明細書
【特許文献２】米国特許第５，９８９，６２３号明細書
【特許文献３】米国特許第６，２３８，５５３号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明が解決しようする技術的課題は、金属膜のコンタクト抵抗を減少させることができるインサイチュー化学気相蒸着による金属膜形成方法を提供することにある。
【０００９】
本発明が解決しようする他の技術的課題は、相互異なるソースガスを使用して二つの金属膜を形成する間、前記ソースガスが混合されることを防ぐことができるインサイチュー化学気相蒸着による金属膜形成方法を提供することにある。
【００１０】
本発明が解決しようするもう一つ他の技術的課題は、インサイチュー化学気相蒸着による金属膜形成方法に好適する化学気相蒸着装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
前記技術的課題を解決するために本発明は、インサイチュー化学気相蒸着による金属膜形成方法を提供する。
【００１２】
本発明の一つの形態によると、金属膜形成方法は、半導体基板上に障壁金属膜を形成することを含む。前記障壁金属膜を有する半導体基板を真空状態を開放することなく冷却する。前記冷却された障壁金属膜上に金属膜を形成する。
【００１３】
前記障壁金属膜は、熱的ＣＶＤ技術を使用して６００℃ないし８００℃の温度で形成する。
【００１４】
前記冷却工程は、冷却ガスを使用して実施することができる。これにより、前記金属膜を３００℃ないし４５０℃の低温でインサイチュー工程を使用して形成する場合に、前記障壁金属膜の高い温度に起因するコンタクト不良（ｃｏｎｔａｃｔ  ｆａｉｌ）を防ぐことができる。
【００１５】
本発明の他の形態によると、前記インサイチュー化学気相蒸着による金属膜形成方法は、半導体基板を第１トランスファーチャンバー内にローディングさせることと、前記第１トランスファーチャンバー内の前記半導体基板を前記第１トランスファーチャンバーに付着された第１ＣＶＤ工程チャンバー内に転送させることを含む。前記第１ＣＶＤ工程チャンバー内の前記半導体基板上に第１金属膜を形成する。前記第１金属膜を有する半導体基板を前記第１トランスファーチャンバーから隔離された（ｓｅｐａｒａｔｅｄ）第２トランスファーチャンバー内に真空ブレークなしで転送させる。続いて、前記第２トランスファーチャンバー内の前記半導体基板を前記第２トランスファーチャンバーに付着された第２ＣＶＤ工程チャンバー内に転送させる。前記第２ＣＶＤ工程チャンバー内の前記半導体基板上に第２金属膜を形成する。
【００１６】
前記第１金属膜は、前記第１トランスファーチャンバーに付着された前記第１ＣＶＤ工程チャンバー内で形成され、前記第２金属膜は、前記第１トランスファーチャンバーから隔離された前記第２トランスファーチャンバーに付着された第２ＣＶＤ工程チャンバー内で形成されるので、前記第１金属膜を形成するのに使用されるソースガスが前記第２ＣＶＤ工程チャンバー内に流入される（ｉｎｔｒｏｄｕｃｅｄ）ことを防ぐことができる。従って、前記第１及び第２金属膜を形成するのに使用されるソースガスが相互違っても、前記第２金属膜内に前記第１金属膜を形成するためのソースガスから分解された不純物が含有されることを防ぐことができる。
【００１７】
また、前記技術的課題を解決するために本発明は、化学気相蒸着装置を提供する。この装置は相互隔離された（ｓｅｐａｒａｔｅｄ）第１及び第２トランスファーチャンバーを含む。前記第１及び第２トランスファーチャンバーとの間に少なくとも一つの冷却チャンバーが設けられる。前記第１トランスファーチャンバーに第１グループのＣＶＤ工程チャンバーが付着され（ａｔｔａｃｈｅｄ）、前記第２トランスファーチャンバーに第２グループのＣＶＤ工程チャンバーが付着される。
【００１８】
前記第１グループのＣＶＤ工程チャンバーのうち一つは、プラズマＣＶＤ工程チャンバーに該当し、前記第１グループのＣＶＤ工程チャンバーのうち、他の一つは、熱的ＣＶＤ工程チャンバーに該当することもある。また、前記第２グループのＣＶＤ工程チャンバーのうち一つは、熱的ＣＶＤ工程チャンバーに該当することもある。前記第１グループのＣＶＤ工程チャンバーのうち、前記プラズマＣＶＤ工程チャンバーは、チタニウム膜のようなオーミック層を形成する場合に使用でき、前記第１グループのＣＶＤ工程チャンバーのうち、前記熱的ＣＶＤ工程チャンバーは、チタニウム窒化膜のような障壁金属膜を形成する時に使用することができる。また、前記第２グループのＣＶＤ工程チャンバーのうち前記熱的ＣＶＤ工程チャンバーは、タングステン膜のような金属膜を形成する場合に使用されることもある。
【００１９】
一方、前記冷却チャンバーは、前記第１グループのＣＶＤ工程チャンバー内で形成された金属膜を有する半導体基板を前記第２トランスファーチャンバー内に転送させる前に冷却させるのに使用することができる。これとは反対に、前記冷却チャンバーは、前記第２グループのＣＶＤ工程チャンバー内で形成された金属膜を有する半導体基板を前記第１トランスファーチャンバー内に転送させる前に冷却させる場合に使用されることもある。
【発明の効果】
【００２０】
前述したように本発明によると、障壁金属膜を有する半導体基板は、インサイチュー冷却チャンバーを使用して冷却され、前記冷却された半導体基板上に金属膜が形成される。これにより、前記障壁金属膜の温度がコンタクト抵抗に及ぼす影響を著しく減少させることができる。結果的に、生産性（ｔｈｒｏｕｇｈｐｕｔ）の低下なしで信頼性のあるコンタクト構造体を形成することが可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、添付した図面を参照して本発明の実施形態を詳しく説明することにする。しかし、本発明は、ここで説明する実施形態に限定されず他の形態で具体化されることもできる。むしろ、ここで紹介される実施形態は、開示された内容が徹底的で完全となるように、そして当業者に本発明の思想が充分に伝わるようにするために提供されるものである。図面において、層及び領域の厚みは明確性を期するために誇張されたものである。また、層が他の層、または基板「上」にあると言及される場合に、それは他の層、または基板上に直接形成されことができたり、またはそれらの間に第３の層が介在されることもある。明細書全体にかけて同一の参照番号で表示された部分は同一の構成要素を示す。
【００２２】
図１ａは、本発明の一つの実施形態による化学気相蒸着装置を示した概略図である。
【００２３】
図１ａを参照すると、相互隔離された第１トランスファーチャンバーＴ１と第２トランスファーチャンバーＴ２との間に少なくとも一つの冷却チャンバーが設けられている。
【００２４】
前記少なくとも一つの冷却チャンバーは、第１及び第２冷却チャンバーＣ１、Ｃ２を含むことができる。前記第１トランスファーチャンバーＴ１は、その内部に設けられた第１ロボットＲ１を備える。これと同様に、前記第２トランスファーチャンバーＴ２は、その内部に設けられた第２ロボットＲ２を備える。
【００２５】
前記第１トランスファーチャンバーＴ１に第１及び第２ロードロック（ｌｏａｄ  ｌｏｃｋ）チャンバーＬ１，Ｌ２が付着される。前記第１ロードロックチャンバーＬ１は、前記第１トランスファーチャンバーＴ１内にローディングされる半導体基板を一時的に貯蔵させるための空間を提供し、前記第２ロードロックチャンバーＬ２は、前記第１トランスファーチャンバーＴ１からアンローディングされる半導体基板を一時的に貯蔵させるための空間を提供する。結果的に、前記第１ロードロックチャンバーＬ１は入力ロードロックチャンバー（ｉｎｐｕｔ  ｌｏａｄ  ｌｏｃｋ  ｃｈａｍｂｅｒ）に該当し、前記第２ロードロックチャンバーＬ２は出力ロードロックチャンバー（ｏｕｔｐｕｔ  ｌｏａｄ  ｌｏｃｋ  ｃｈａｍｂｅｒ）に該当する。
【００２６】
前記第１トランスファーチャンバーＴ１に第１グループのＣＶＤ工程チャンバーＰ１１，Ｐ１２，Ｐ１３が付着される。前記第１ロボットＲ１は、前記第１ロードロックチャンバーＬ１内に貯蔵された半導体基板を前記第１グループのＣＶＤ工程チャンバーＰ１１，Ｐ１２，Ｐ１３及び前記冷却チャンバーＣ１，Ｃ２のうち、どれか一つのチャンバー内部に転送させる。これと反対に、前記第１ロボットＲ１は、前記第１グループのＣＶＤ工程チャンバーＰ１１，Ｐ１２，Ｐ１３及び前記冷却チャンバーＣ１，Ｃ２のうち、どれか一つのチャンバー内部の半導体基板を前記第２ロードロックチャンバーＬ２内部に転送させることもできる。
【００２７】
前記第１グループのＣＶＤ工程チャンバーＰ１１，Ｐ１２，Ｐ１３のうち、どれか一つはプラズマＣＶＤチャンバーに該当することもある。例えば，前記第１ＣＶＤ工程チャンバーＰ１１は、前記第１ＣＶＤ工程チャンバーＰ１１内部に設けられた陰極板（ｃａｔｈｏｄｅ  ｐｌａｔｅ）５１及び陽極板（ａｎｏｄｅ  ｐｌａｔｅ）５３を備えるプラズマＣＶＤチャンバーであることもある。前記陰極板５１は、半導体基板が置かれるチャックとしての役割をし、前記陽極板５３は、前記陰極板５１上に設置される。この場合、前記第１ＣＶＤ工程チャンバーＰ１１は、複数のソースガス注入管（ｓｏｕｒｃｅ  ｇａｓ  ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ  ｃｏｎｄｕｉｔｓ）５５、５７を含む。前記ソースガス注入管５５，５７を通じて前記第１ＣＶＤ工程チャンバーＰ１１の内部にソースガスが注入される。また、前記第１ＣＶＤ工程チャンバーＰ１１は、排気管（ｅｘｈａｕｓｔ  ｌｉｎｅ）５９を備える。前記第１ＣＶＤ工程チャンバーＰ１１内部の大気は前記排気管５９を通じて排出される。前記第１ＣＶＤ工程チャンバーＰ１１、すなわち、前記プラズマＣＶＤチャンバーＰ１１はチタニウム膜のようなオーミック層（ｏｈｍｉｃ  ｌａｙｅｒ）を形成するのに使用されることができる。
【００２８】
一方、前記第１グループのＣＶＤ工程チャンバーＰ１１，Ｐ１２，Ｐ１３のうち、他の一つは熱的ＣＶＤチャンバー（ｔｈｅｒｍａｌ  ＣＶＤ  ｃｈａｍｂｅｒ）でもある。例えば、前記第２ＣＶＤ工程チャンバーＰ１２は、その内部に設けられたチャック６１及びヒーターブロック６３を含む熱的ＣＶＤチャンバーでもある。前記ヒーターブロック６３は、前記チャック６１の下部に設けられて前記チャック６１上に置かれる半導体基板を加熱させる。この場合、前記第２ＣＶＤ工程チャンバーＰ１２もやはり前記第１ＣＶＤ工程チャンバーＰ１１のように複数のソースガス注入管（ｓｏｕｒｃｅ  ｇａｓ  ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ  ｃｏｎｄｕｉｔｓ）６５，６７及び排気管６９を含む。前記第２ＣＶＤ工程チャンバーＰ１２、すなわち前記熱的ＣＶＤチャンバーＰ１２は、チタニウム窒化膜のような障壁金属膜を形成するのに使用されることもできる。
【００２９】
前記第３ＣＶＤ工程チャンバーＰ１３もやはり前記第１ＣＶＤ工程チャンバーＰ１１、または第２ＣＶＤ工程チャンバーＰ１２と同一の形態（Ｃｃｏｎｆｉｇｕｒａｔｉｏｎ）を有することができる。
【００３０】
前記第２トランスファーチャンバーＴ２に第２グループのＣＶＤ工程チャンバーＰ２１，Ｐ２２が付着される。この場合、前記第２ロボットＲ２は、前記第１冷却チャンバーＣ１、または第２冷却チャンバーＣ２内の半導体基板を前記第２グループのＣＶＤ工程チャンバーＰ２１，Ｐ２２のうち、どれか一つのチャンバー内部に転送させる。これとは反対に、前記第２ロボットＲ２は、前記第２グループのＣＶＤ工程チャンバーＰ２１，Ｐ２２のうち、どれか一つのチャンバー内部の半導体基板を前記第１冷却チャンバーＣ１、または第２冷却チャンバーＣ２内部に転送させることもできる。
【００３１】
前記第２グループのＣＶＤ工程チャンバーＰ２１、Ｐ２２のうち、一つは前記第２ＣＶＤ工程チャンバーＰ１２と同一の形態を有する熱的ＣＶＤチャンバーでもある。すなわち、前記第４ＣＶＤ工程チャンバー２１は、その内部に設けられたチャック７１及びヒーターブロック７３と共に複数のソースガス注入管７５，７７，７９及び排気管８１を含む。前記第４ＣＶＤ工程チャンバーＰ２１、すなわち前記熱的ＣＶＤチャンバーＰ２１は、タングステン膜のような金属膜を形成するのに使用されることができる。前記第５ＣＶＤ工程チャンバーＰ２２もやはり前述したプラズマＣＶＤチャンバー、または熱的ＣＶＤチャンバーと同一の形態を有することができる。
【００３２】
図１ｂは、図１ａに示す冷却チャンバーＣ１，Ｃ２の一例を示した拡大図である。
【００３３】
図１ｂを参照すると、密閉された空間（ｓｅａｌｅｄ  ｓｐａｃｅ）を提供するチャンバーの壁１０１内にステージ１０３が設けられる。前記ステージ１０３上に半導体基板（図示せず）が置かれる。前記ステージ１０３の内部には、冷却媒体（ｃｏｏｌｉｎｇ  ｍｅｄｉａ）の循環通路（ｃｉｒｃｕｌａｔｉｏｎ  ｐａｔｈ）の役割をする循環配管（ｃｉｒｃｕｌａｔｉｏｎ  ｃｏｎｄｕｉｔ）１０５が設けられる。前記冷却媒体としては、脱イオン水またはヘリウムガスなどが使用されることができる。前記循環配管を通じて前記冷却媒体が流れる場合、前記ステージ１０３上の半導体基板は冷却される。前記チャンバー壁１０１の所定領域に排気管（ｅｘｈａｕｓｔ  ｌｉｎｅ）１０７が設けられ、前記排気管１０７は排気ポンプ１０９に連結される。従って、前記チャンバー壁１０１内の大気は前記排気管１０７を通じて排出される。
【００３４】
これとは違って（ａｌｔｅｒｎａｔｉｖｅｌｙ）、前記冷却チャンバーＣ１，Ｃ２は、図１ｃに示すように図１ｂとは違った形態を有することもある。
【００３５】
図１ｃを参照すると、密閉された空間を提供するチャンバー壁１１１内にチャック１１３が設けられる。前記チャンバー壁１１１に少なくとも一つの冷却ガス注入管（ｃｏｏｌｉｎｇ  ｇａｓ  ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ  ｌｉｎｅ）が設けられる。例えば、前記チャンバー壁１１１に第１ないし第３冷却ガス注入管１１５，１１７，１１９を設けることができる。
【００３６】
前記冷却ガス注入管１１５，１１７，１１９のうち、少なくとも一つを通じて前記チャンバー壁１１１の内部に冷却ガスが注入され、前記冷却ガスは前記チャック１１３上にローディングされた半導体基板を冷却させる。詳しくは、前記第１ないし第３冷却ガス注入管１１５，１１７，１１９はそれぞれアルゴンガス、窒素ガス及びヘリウムガスを供給するための配管として使用されることができる。
【００３７】
さらに、前記チャンバー壁１１１の所定領域に排気管（ｅｘｈａｕｓｔ  ｌｉｎｅ）１２１が設けられ、前記排気管１２１は排気ポンプ１２３に連結される。従って、前記チャンバー壁１１１内の大気は前記排気管１２１を通じて排出される。
【００３８】
次に、図１ａないし図１ｃと共に図２ないし図６を参照して本発明におけるインサイチュー化学気相蒸着による金属膜の形成方法を説明する。
【００３９】
図２は、本発明の一つの実施形態によるインサイチュー化学気相蒸着による金属膜の形成方法を説明するための工程順序図（ｐｒｏｃｅｓｓ  ｆｌｏｗ  ｃｈａｒｔ）であり、図３ないし図６は、本発明の一つの実施形態によるインサイチュー化学気相蒸着による金属膜の形成方法を説明するための断面図である。
【００４０】
図３を参照すると、半導体基板１１上に素子分離膜１３を形成して相互離隔された第１及び第２活性領域１３ａ，１３ｂを限定する。通常のイオン注入工程及び熱処理工程を使用して、前記第１及び第２活性領域１３ａ、１３ｂにそれぞれＮ型不純物領域１５及びＰ型不純物領域１７を形成する。前記不純物領域１５，１７を有する半導体基板上に層間絶縁膜１９を形成する。前記層間絶縁膜１９は、前記Ｎ型不純物領域１５を露出させる第１コンタクトホール２１ａ及び前記Ｐ型不純物領域１７を露出させる第２コンタクトホール２１ｂを有するように形成される。
【００４１】
図１ａ、図２及び図４を参照すると、前記層間絶縁膜１９を備える半導体基板を前記第１ロードロックチャンバー（図１ａのＬ１）内に一時的にローディングさせる。続いて、前記第１ロボットＲ１を使用して前記第１ロードロックチャンバーＬ１内の半導体基板を前記第１ＣＶＤ工程チャンバーＰ１１内の前記陰極板５１上に転送させる。前記第１ＣＶＤ工程チャンバーＰ１１内の前記半導体基板上にオーミック層２３を形成する（図２の段階１）。
【００４２】
前記オーミック層２３は、前記陰極板５１と陽極板５３との間に高周波電力（ＲＦ  ｐｏｗｅｒ）を印加し、前記ソースガス注入管５５，５７を通じて前記第１ＣＶＤ工程チャンバーＰ１１内にソースガスを注入することによって形成される。前記ソースガスがＴｉＣｌ４ガス及び水素ガスである場合、前記半導体基板上にプラズマＣＶＤチタニウム膜が形成される。前記プラズマＣＶＤチタニウム膜は、４００℃ないし６５０℃の温度で形成される。前記第１及び第２コンタクトホール２１ａ，２１ｂが前記不純物領域１５，１７の代わりに導電膜で形成された配線（図示せず）を露出させる場合、前記オーミック層２３を形成する工程は省略されることもある。
【００４３】
続いて、前記オーミック層２３を有する半導体基板を、前記第１ロボットＲ１を使用して前記第２ＣＶＤ工程チャンバーＰ１２内の前記チャック６１上に転送させる。前記第２ＣＶＤ工程チャンバーＰ１２内の前記半導体基板上に障壁金属膜２５を形成する（図２の段階３）。前記障壁金属膜２５は、前記ヒーターブロック６３を使用して前記半導体基板を６００℃ないし８００℃の温度で加熱し、前記ソースガス注入管６５，６７を通じて前記第２ＣＶＤ工程チャンバーＰ１２内にソースガスを注入することによって形成される。前記ソースガスがＴｉＣｌ４ガス及びＮＨ３ガスである場合、前記半導体基板上にチタニウム窒化膜ＴｉＮが形成される。
【００４４】
また、他の方法としては、前記オーミック層２３及び障壁金属膜２５のすべてを、前記プラズマＣＶＤ工程、または前記熱的ＣＶＤ工程を使用して形成することもできる。
【００４５】
前記障壁金属膜２５を有する半導体基板は、前記第１ロボットＲ１を使用して前記第１冷却チャンバーＣ１内に転送される。前記第１冷却チャンバーＣ１が図１ｂに示す形態を有する場合、前記障壁金属膜２５を有する半導体基板は前記ステージ１０３上にローディングされる。前記ステージ１０３上の半導体基板は、前記循環配管１０５を通じて流れる冷却媒体によって常温で冷却される（図２の段階５）。前記冷却媒体は脱イオン水、またはヘリウムガスである。
【００４６】
これとは違い、前記第２冷却チャンバーＣ１が図１ｃに示す形態を有する場合、前記障壁金属膜２５を有する半導体基板は、前記チャック１１３上にローディングされる。前記チャック１１３上の半導体基板は、前記第１ないし第３冷却ガス注入管１１５，１１７，１１９のうち、少なくとも一つを通って前記第１冷却チャンバーＣ１内部に注入される冷却ガスによって常温で冷却される（図２の段階５）。前記冷却ガスとしてアルゴンガス、窒素ガス及びヘリウムガスのうち、少なくとも一つが使用される。
【００４７】
結果的に、前記障壁金属膜２５は、真空ブレーク（ｖａｃｕｕｍ  ｂｒｅａｋ）なしで、すなわち、真空状態から大気中に開放されることなく、冷却ガス、または冷却媒体を使用して意図的に冷却されるので、大気中のパーティクルによる汚染なしで冷却時間を減少させることができる。
【００４８】
図１ａ、図２及び図５を参照すると、前記冷却された障壁金属膜を有する半導体基板は、前記第２トランスファーチャンバーＴ２内の前記第２ロボットＲ２を使用して前記第４ＣＶＤ工程チャンバーＰ２１内の前記チャック７１上にローディングされる。前記チャック７１上の前記半導体基板は、前記ヒーターブロック７３により約３００℃ないし４５０℃の温度で加熱され、前記ソースガス注入管７５，７７，７９を通って前記第４ＣＶＤ工程チャンバーＰ２１内部にソースガスが流入される。これにより、前記第４ＣＶＤ工程チャンバーＰ２１内の前記冷却された半導体基板上に金属膜２７が形成される（図２の段階７）。前記第１ないし第３ソースガス注入管７５，７７，７９を通ってそれぞれＷＦ６ガス、シラン（ＳｉＨ４）ガス及び水素ガスが注入される場合、前記金属膜２７は、タングステン膜に該当する。
【００４９】
前述したように、前記障壁金属膜２５は、前記第１トランスファーチャンバーＴ１に付着された前記第２ＣＶＤ工程チャンバーＰ１２内で形成され、前記金属膜２７は、前記第１トランスファーチャンバーＴ１から隔離された第２トランスファーチャンバーＴ２に付着された第４ＣＶＤ工程チャンバーＰ２１内で形成される。これにより、前記第１トランスファーチャンバーＴ１内に前記障壁金属膜２５を形成するためのソースガスが残存しているとしても、前記金属膜２７を形成するために前記障壁金属膜２５を有する半導体基板を前記第４ＣＶＤ工程チャンバーＰ２１内にローディングさせる間、前記第１トランスファーチャンバーＴ１内のソースガスが前記第４ＣＶＤ工程チャンバーＰ２１内に流入するのを防ぐことができる。すなわち、前記タングステン膜（金属膜２７）内に前記チタニウム窒化膜（障壁金属膜２５）を形成するためのＴｉＣｌ４ガス及びＮＨ３ガスから分解されたチタニウム原子、塩素原子及び窒素原子のような不純物が含有するのを防ぐことができる。
【００５０】
前記金属膜２７を有する半導体基板は、前記第２冷却チャンバーＣ２内部に転送される。前記第２冷却チャンバーＣ２内の前記半導体基板は、前記第１冷却チャンバーＣ１内で実施される冷却工程と同一の方法を使用して冷却されることができる。前記第２冷却チャンバーＣ２内の前記冷却された半導体基板は、前記第１ロボットＲ１を使用して前記第２ロードロックチャンバーＬ２内に転送され、前記第２ロードロックチャンバーＬ２内の半導体基板はアンローディングされる。
【００５１】
これとは違って、前記第２冷却チャンバーＣ２内の前記半導体基板は、前記冷却工程の使用なしで前記第１ロボットＲ１によって前記第２ロードロックチャンバーＬ２内に転送されることもできる。
【００５２】
図６を参照すると、前記金属膜２７、障壁金属膜２５及びオーミック層２３を前記層間絶縁膜１９の上部面が露出されるまで連続的に平坦化させる。その結果、前記第１コンタクトホール２１ａ内に第１オーミック層パターン２３ａ、第１障壁金属膜パターン２５ａ及び第１金属コンタクトプラグ２７ａが形成され、前記第２コンタクトホール２１ｂ内に第２オーミック層パターン２３ｂ、第２障壁金属膜パターン２５ｂ及び第２金属コンタクトプラグ２７ｂが形成される。前記金属コンタクトプラグ２７ａ、２７ｂを有する半導体基板上にアルミニウム膜のような金属配線膜を形成する。前記金属配線膜をパターニングして前記第１金属コンタクトプラグ２７ａを覆う第１金属配線２９ａ及び前記第２金属コンタクトプラグ２７ｂを覆う第２金属配線２９ｂを形成する。
【実施例】
【００５３】
図７ａは、本発明によって製作されたコンタクト構造体のＮ型不純物領域のコンタクト抵抗と、従来の金属膜形成方法によるコンタクト構造体のＮ型不純物領域のコンタクト抵抗を示すグラフであり、図７ｂは、本発明によって製作されたコンタクト構造体のＰ型不純物領域のコンタクト抵抗と、従来の金属膜形成方法によるコンタクト構造体のＰ型不純物領域のコンタクト抵抗を示すグラフである。図７ａ及び図７ｂで、横軸はスプリットグループを示し、縦軸はコンタクト抵抗を示す。
【００５４】
具体的には、グループ「Ａ」は真空ブレーク（すなわち金属膜形成工程中に真空状態が一時的に開放されることを含む工程）を使用して製作された従来のコンタクト構造体のコンタクト抵抗を示し、グループ「Ｃ」は冷却工程の使用なしでインサイチューによる金属膜形成方法を使用して製作された従来のコンタクト構造体のコンタクト抵抗を示す。また、グループ「Ｂ」は本発明によって政策されたコンタクト構造体のコンタクト抵抗を示す。
【００５５】
前記グループ「Ａ」、「Ｂ」及び「Ｃ」のすべては、半導体基板に形成された不純物領域（ｉｍｐｕｒｉｔｙ  ｒｅｇｉｏｎｓ）、前記不純物領域を有する半導体基板上に形成された層間絶縁膜、前記層間絶縁膜の所定領域を貫通し前記不純物領域を露出させるコンタクトホール、前記コンタクトホールを埋める金属プラグと共に前記金属プラグと前記不純物領域との間に介在されたチタニウム膜及びチタニウム窒化膜を有するように製作された。本実験に使用されたＮ型コンタクトサイズ及びＰ型コンタクトサイズは、すべて０．２９μｍ×０．２９μｍであった。
【００５６】
図７ａ及び図７ｂの測定結果を示すコンタクト構造体は、次の［表１］に記載された主要工程条件を使用して製作された。
【００５７】
【表１】
2004363596.tif 000003
【００５８】
前記［表１］で、前記グループ「Ａ」の試料は、前記熱的ＣＶＤのＴｉｎ膜を形成した後に大気中で自然的に（ｎａｔｕｒａｌｌｙ）冷却され、前記グループ「Ｂ」の試料は、前記熱的ＣＶＤのＴｉＮ膜を形成した後にインサイチュー冷却チャンバー内で窒素ガスを使用して冷却された。すなわち、前記グループ「Ｂ」の試料は、図１ａに示された化学気相蒸着装置を使用して製作された。一方、前記グループ「Ｃ」の試料には、いかなる冷却工程も適用されていなかった。すなわち、前記熱的ＣＶＤのＴｉＮ膜上にインサイチュー工程を使用してタングステン膜を直接形成した。
【００５９】
図７ａ及び図７ｂからわかるように、本発明によって製作された試料（グループ「Ｂ」）のコンタクト抵抗値は、前記自然冷却工程（ｎａｔｕｒａｌ  ｃｏｏｌｉｎｇ  ｐｒｏｃｅｓｓ）を使用する従来の技術により製作された試料（グループ「Ａ」）のコンタクト抵抗値と似ていた。これに対して、いかなる冷却工程も適用せずに製作された従来の試料（グループ「Ｃ」）のコンタクト抵抗値は、本発明と比べて相対的に不均一であった。特に、図７ａに示されたＮ型不純物領域のコンタクト抵抗値において、前記グループ「Ｃ」の試料は、本発明と比べて高いコンタクト抵抗値を示した。これは前記ＴｉＮ膜を有する半導体基板の温度がタングステン膜の蒸着温度よりも高いためであるということで理解できる。
【図面の簡単な説明】
【００６０】
【図１ａ】本発明の実施の形態に係る化学気相蒸着装置を示す概略図である。
【図１ｂ】図１ａに示した冷却チャンバーの一実施形態を示す拡大図である。
【図１ｃ】図１ａに示した冷却チャンバーの他の実施形態を示す拡大図である。
【図２】図１ａ、図１ｂ及び図１ｃに示した化学気相蒸着装置を使用して金属膜を形成する方法を説明するための工程プロ‐チャートである。
【図３】図１ａ、図１ｂ及び図１ｃに示した化学気相蒸着装置を使用して金属膜を形成する方法を説明するための断面図である。
【図４】図１ａ、図１ｂ及び図１ｃに示した化学気相蒸着装置を使用して金属膜を形成する方法を説明するための断面図である。
【図５】図１ａ、図１ｂ及び図１ｃに示した化学気相蒸着装置を使用して金属膜を形成する方法を説明するための断面図である。
【図６】図１ａ、図１ｂ及び図１ｃに示した化学気相蒸着装置を使用して金属膜を形成する方法を説明するための断面図である。
【図７ａ】従来の金属膜の形成方法を利用して製作されたコンタクト構造体のＮ型不純物領域のコンタクト抵抗及び本発明に係る金属膜の形成方法を利用して製作されたコンタクト構造体のＮ型不純物領域のコンタクト抵抗を示すグラフである。
【図７ｂ】従来の金属膜の形成方法を利用して製作されたコンタクト構造体のＰ型不純物領域のコンタクト抵抗及び本発明に係る金属膜の形成方法を利用して製作されたコンタクト構造体のＰ型不純物領域のコンタクト抵抗を示すグラフである。
【符号の説明】
【００６１】
１１…半導体基板、
１３…素子分離膜、
１３ａ…第１活性領域、
１３ｂ…第２活性領域、
１５…Ｎ型不純物領域、
１７…Ｐ型前記不純物領域、
１９…層間絶縁膜、
２１ａ…第１コンタクトホール、
２１ｂ…第２コンタクトホール、
２１…工程チャンバー、
２３…オーミック層、
２５…障壁金属膜、
２５ａ…第１障壁金属膜パターン、
２５ｂ…第２障壁金属膜パターン、
２７…金属膜、
２７ａ…第１金属コンタクトプラグ、
２７ｂ…第２金属コンタクトプラグ、
２７ａ…金属コンタクトプラグ、
２９ａ…第１金属配線、
２９ｂ…第２金属配線、
５１…陰極板、
５３…陽極板、
５５，５７，６５，６７，７５，７７，７９…ソースガス注入管、
５９，６９，８１，１０７，１２１…排気管、
６１，７１，１１３…チャック、
６３，７３…ヒーターブロック、
１０１…チャンバー壁、
１０３…ステージ、
１０５…循環配管、
１０９，１２３…排気ポンプ、
１１１…チャンバー壁、
１１５，１１７，１１９…冷却ガス注入管、
Ｃ１…第１冷却チャンバー、
Ｃ２…第２冷却チャンバー、
Ｌ１…第１ロードロックチャンバー、
Ｌ２…第２ロードロックチャンバー、
Ｐ１１，Ｐ１２，Ｐ１３，Ｐ２１，Ｐ２２…ＣＶＤ工程チャンバー、
Ｒ１…第１ロボット、
Ｒ２…第２ロボット、
Ｔ１…第１トランスファーチャンバー、
Ｔ２…第２トランスファーチャンバー。
【図１ａ】
2004363596.tif 000004
【図１ｂ】
2004363596.tif 000005
【図１ｃ】
2004363596.tif 000006
【図２】
2004363596.tif 000007
【図３】
2004363596.tif 000008
【図４】
2004363596.tif 000009
【図５】
2004363596.tif 000010
【図６】
2004363596.tif 000011
【図７ａ】
2004363596.tif 000012
【図７ｂ】
2004363596.tif 000013