(57)【要約】【課題】ワイヤーボンディングによるワイヤーの影響を受けにくいリードフレーム及びその製造方法を提供し、また、信頼性の高い半導体装置、回路基板並びに電子機器を提供することにある。【解決手段】リードフレーム１０は、外枠１２と、ダウンセットされてなるダイパッド１４と、前記外枠１２と前記ダイパッド１４とを連結し、ダウンセット方向へ屈曲する複数の屈曲部２１、２３を有する。【選択図】　　　　図５
2004063566.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
外枠と、
ダウンセットされてなるダイパッドと、
前記外枠と前記ダイパッドとを連結し、ダウンセット方向へ屈曲する複数の屈曲部を有するタブ吊りリードと、
を含むリードフレーム。
【請求項２】
外枠と、
ダウンセットされてなるダイパッドと、
前記外枠と前記ダイパッドとを連結し、屈曲部を有するタブ吊りリードと、
を含み、
前記タブ吊りリードは、少なくとも前記屈曲部で、曲面を有する断面形状が長さ方向に連続する形状をなすリードフレーム。
【請求項３】
請求項２記載のリードフレームにおいて、
前記タブ吊りリードの少なくとも前記屈曲部には溝が形成されてなるリードフレーム。
【請求項４】
請求項２記載のリードフレームにおいて、
前記タブ吊りリードは、少なくとも前記屈曲部で、表裏面が同じ方向に湾曲した形状をなすリードフレーム。
【請求項５】
請求項２から請求項４のいずれかに記載のリードフレームにおいて、
前記タブ吊りリードは、ダウンセット方向へ屈曲する複数の前記屈曲部を有するリードフレーム。
【請求項６】
請求項１から請求項５のいずれかに記載のリードフレームと、
前記ダイパッドに搭載された半導体チップと、
前記半導体チップの複数の電極と、前記リードフレームのリードと、を電気的に接続するワイヤーと、
前記半導体チップを封止する樹脂と、
を有する半導体装置。
【請求項７】
ダウンセットされたダイパッドに搭載されてなる半導体チップの複数の電極と、リードと、をワイヤーボンディングによって接続する工程を含み、
ワイヤーボンディングを行う工程で、外枠と前記ダイパッドとを連結するタブ吊りリードをダウンセット方向に屈曲させ、前記タブ吊りリードを、ダウンセット方向へ屈曲する複数の屈曲部を有するように形成する半導体装置の製造方法。
【請求項８】
請求項７記載の半導体装置の製造方法において、
前記リードフレームを下型にセットして、クランパに形成された押圧部によって、前記リードを前記下型に押圧しながらワイヤーボンディングを行い、
前記クランパに形成された凸部によって前記タブ吊りリードを押圧し、前記タブ吊りリードをダウンセット方向に屈曲させる半導体装置の製造方法。
【請求項９】
請求項７又は請求項８記載の方法で形成されてなる半導体装置。
【請求項１０】
請求項６又は請求項９記載の半導体装置が実装されてなる回路基板。
【請求項１１】
請求項６又は請求項９記載の半導体装置を有する電子機器。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、リードフレーム、半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器に関する。
【０００２】
【発明の背景】
リードフレームのリードと半導体チップの電極とを、ワイヤーによって接続することを含む半導体装置の製造方法が知られている。従来、リードと半導体チップの電極とをワイヤーボンディングで接続した場合、ワイヤーの影響を受けてダイパッドが持ち上げられるため、ワイヤーボンディングの前後でダウンセット量が変化することがあった。
【０００３】
本発明は、この問題点を解決するためのものであり、その目的は、ワイヤーボンディングによるワイヤーの影響を受けにくいリードフレーム及びその製造方法を提供し、また、信頼性の高い半導体装置、回路基板並びに電子機器を提供することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】
（１）本発明に係るリードフレームは、
外枠と、
ダウンセットされてなるダイパッドと、
前記外枠と前記ダイパッドとを連結し、ダウンセット方向へ屈曲する複数の屈曲部を有するタブ吊りリードと、
を含む。
【０００５】
本発明によれば、タブ吊りリードはダウンセット方向に複数の屈曲部で屈曲しているため、応力を受けても変形しにくくなる。したがって、ワイヤーボンディングの前後でダウンセット量が変化しにくくなるため、設計通りのダウンセット量を確保することができ、信頼性の高い半導体装置を製造することができる。
【０００６】
（２）本発明に係るリードフレームは、
外枠と、
ダウンセットされてなるダイパッドと、
前記外枠と前記ダイパッドとを連結し、屈曲部を有するタブ吊りリードと、
を含み、
前記タブ吊りリードは、少なくとも前記屈曲部で、曲面を有する断面形状が長さ方向に連続する形状をなす。
【０００７】
本発明によれば、タブ吊りリードの屈曲部は曲面を有するように形成されているため、タブ吊りリードは応力を受けても変形しにくくなる。したがって、ワイヤーボンディングの前後でダウンセット量が変化しにくくなるため、設計通りのダウンセット量を確保することができ、信頼性の高い半導体装置を製造することができる。
【０００８】
（３）このリードフレームにおいて、
前記タブ吊りリードの少なくとも前記屈曲部には溝が形成されてもよい。
【０００９】
（４）このリードフレームにおいて、
前記タブ吊りリードは、少なくとも前記屈曲部で、表裏面が同じ方向に湾曲した形状をなしてもよい。
【００１０】
（５）このリードフレームにおいて、
前記タブ吊りリードは、ダウンセット方向へ屈曲する複数の前記屈曲部を有してもよい。
【００１１】
これによれば、タブ吊りリードはダウンセット方向に屈曲し、かつ、屈曲部が曲面を有するように形成されている。このため、タブ吊りリードは応力を受けても変形しにくくなる。したがって、ワイヤーボンディングの前後でダウンセット量が変化しにくくなるため、設計通りのダウンセット量を確保することができ、信頼性の高い半導体装置を製造することができる。
【００１２】
（６）本発明に係る半導体装置は、
上記リードフレームと、
前記ダイパッドに搭載された半導体チップと、
前記半導体チップの複数の電極と、前記リードフレームのリードと、を電気的に接続するワイヤーと、
前記半導体チップを封止する樹脂と、
を有する。
【００１３】
本発明によれば、信頼性の高い半導体装置を提供することができる。
【００１４】
（７）本発明に係る半導体装置の製造方法は、
ダウンセットされたダイパッドに搭載されてなる半導体チップの複数の電極と、リードと、をワイヤーボンディングによって接続する工程を含み、
ワイヤーボンディングを行う工程で、外枠と前記ダイパッドとを連結するタブ吊りリードをダウンセット方向に屈曲させ、前記タブ吊りリードを、ダウンセット方向へ屈曲する複数の屈曲部を有するように形成する。
【００１５】
本発明によれば、リードフレームのタブ吊りリードを、ダイパッドのダウンセット方向に複数の屈曲部で屈曲させることができる。これにより、タブ吊りリードは応力を受けても変形しにくくなり、ワイヤーボンディングの前後でダウンセット量が変化しにくくなる。このため、設計通りのダウンセット量を確保することができ、信頼性の高い半導体装置を製造することができる。また、ワイヤーボンディングの工程でタブ吊りリードを屈曲させることができるため、効率面で優れている。
【００１６】
（８）この半導体装置の製造方法において、
前記リードフレームを下型にセットして、クランパに形成された押圧部によって、前記リードを前記下型に押圧しながらワイヤーボンディングを行い、
前記クランパに形成された凸部によって前記タブ吊りリードを押圧し、前記タブ吊りリードをダウンセット方向に屈曲させてもよい。
【００１７】
これによれば、凸部によってリードフレームを下型に押し付けることができ、リードフレームを下型に押し付けるための吸引機構を別途設ける必要がなくなる。
【００１８】
（９）本発明に係る半導体装置は、上記半導体装置の製造方法によって製造されてなる。
【００１９】
（１０）本発明に係る回路基板には、上記半導体装置が実装されてなる。
【００２０】
（１１）本発明に係る電子機器は、上記半導体装置を有する。
【００２１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。ただし、本発明は、以下の実施の形態に限定されるものではない。
【００２２】
（第１の実施の形態）
図１〜図１０は、本発明を適用した第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための図である。
【００２３】
はじめに、リードフレーム１０を用意する（図１参照）。リードフレーム１０は、銅系又は鉄系の板材を加工して形成してもよい。その加工方法には、化学的なエッチングや、機械的な打ち抜きを適用できる。
【００２４】
リードフレーム１０は、外枠１２を有する。外枠１２は、長方形をなしていることが多く、外枠１２の形状がリードフレーム１０の外形となる。外枠１２には、図示しない治具穴を形成し、モールド用の型に設けられたガイドピンを入れられるようにしてもよい。これにより、リードフレーム１０の型に対する位置決めを簡単に行える。
【００２５】
リードフレーム１０は、ダイパッド１４を有する。ダイパッド１４は半導体チップ等の電子部品を搭載する部分であり、矩形（特に正方形）をなす場合が多い。ダイパッド１４はダウンセットされてなる。そして、ダイパッド１４における外枠１２からシフトした方向とは反対側の面に、半導体チップ等の電子部品が搭載される。
【００２６】
リードフレーム１０は、タブ吊りリード２０を有する。タブ吊りリード２０はダイパッド１４を支持する役割を果たすもので、ダイパッド１４の角部に接続されてもよい。ダイパッド１４はダウンセットされることから、タブ吊りリード２０は、ダウンセット方向へ屈曲する屈曲部２１（図５（Ａ）参照）を有する。
【００２７】
リードフレーム１０は、複数のリード２２を有する。リード２２は、外枠１２からダイパッド１４に向けて延びて設けられている。リード２２は、詳しくは、インナーリード２４及びアウターリード２６を含む。インナーリード２４は、半導体装置において封止材で封止される部分であり、アウターリード２６は、封止材から引き出された部分であって外部との電気的な接続に使用される部分である。
【００２８】
アウターリード２６は、矩形のダイパッド１４の各辺に対して直角に、外枠１２から延びている。インナーリード２４は、アウターリード２６から、ダイパッド１４の中央部に向けて傾斜して延びている。隣同士のリード２２は、ダムバー２８によって連結されている。詳しくは、ダムバー２８は、隣同士のアウターリード２６におけるインナーリード２４に近い部分を連結している。
【００２９】
本実施の形態に係るリードフレーム１０には、上述した構成の他に、周知のリードフレームの構成が適用されている。
【００３０】
本実施の形態に係るダイパッド１４には、半導体チップ３０を搭載する（図５（Ａ）参照）。半導体チップ３０は、例えば接着剤（図示しない）によってダイパッド１４に固定してもよい。この場合、接着剤として熱硬化性樹脂を用いてもよいが、熱伝導率の高い材料、例えば金属ペースト（銀ペースト等）を用いてもよい。なお、ダイパッド１４をダウンセットする工程は、半導体チップ３０を搭載する前に行ってもよく、半導体チップ３０を搭載した後に行ってもよい。
【００３１】
次に、ダイパッド１４に半導体チップ３０を搭載したリードフレーム１０を、図２に示す下型４０にセットする。図２は、下型４０における、リードフレーム１０がセットされる側を示す図である。下型４０の形状は特に限定されないが、外周部４２でリード２２を支持できる形状としてもよい。また、下型４０は凹部４４を有し、凹部４４にはダイパッド１４が配置される。さらに、下型４０は、凹部４４とつながったくぼみ４６を有する。くぼみ４６にはタブ吊りリード２０が配置される。くぼみ４６の形状も特に限定されないが、タブ吊りリード２０に沿って形成されてもよい。
【００３２】
次に、クランパ５０によってリードフレーム１０を押圧する。図３は、本実施の形態に係るクランパ５０における、リードフレーム１０と対向する側を示す図である。本実施の形態に係るクランパ５０は、リード２２を外周部４２に押し付けるための押圧部５４を有する。押圧部５４は、クランパ５０の本体部５２に形成される。押圧部５４は、複数位置で同時にリード２２を押さえるように、複数形成されている。この場合、押圧部５４は、他の押圧部５４とは独立してリード２２を押さえるように形成されてもよい。また、押圧部５４は、複数のリード２２を押さえるときに、リード２２の延びる方向と交差する方向に延びるように形成されてもよい。押圧部５４は、リード２２を押さえるときに、リード２２の先端部を除いて、先端部に近い部分を押さえるように形成されてもよい。なお、リード２２を押さえるときの押圧部５４の、リード２２との接触面積の大きさ及び形態は特に限定されない。
【００３３】
押圧部５４は、本体部５２に形成されたほぼ矩形の開口５８の各辺に沿って形成されてもよい。例えば、ほぼ矩形をなすダイパッド１４の各辺を向く、一群のリード２２ごとに押さえられるように押圧部５４が形成されてもよい。また、少なくとも２本以上のリード２２を一群のリード２２として、一群のリード２２ごとに押さえるように押圧部５４が形成されてもよい。これらによって、確実に複数のリード２２を押さえることができる。
【００３４】
複数の押圧部５４は、それぞれの押圧部５４の端部同士が接触して、全体として枠を形成してもよい。また、これとは異なり、複数の押圧部５４は、その端部がそれぞれ離れており、枠とならないように形成されてもよい。
【００３５】
なお、複数位置に設けられた押圧部５４の形態はこれに限定されず、例えば複数のリード２２を１本ごとに押さえるように押圧部５４が形成されてもよい。
【００３６】
クランパ５０の本体部５２は、開口５８を有する。開口５８は、クランパ５０によってリードフレーム１０を押圧する際に、リード２２（例えばインナーリード２４）の先端が露出するように形成してもよい（図４参照）。開口５８の形態は特に限定されないが、矩形又はそれに近似する形状であることが一般的である。
【００３７】
本実施の形態に係るクランパ５０は、このほかにタブ吊りリード２０を押圧するための凸部５６を有してもよい。凸部５６は押圧部５４に形成されてもよく、あるいは押圧部５４と独立して、本体部５２に形成されてもよい。凸部５６が押圧部５４と独立して形成される場合は、凸部５６の高さを押圧部５４の高さよりも高く形成してもよい。
【００３８】
図４〜図６（Ｂ）は、下型４０にセットされたリードフレーム１０を、クランパ５０で押圧する工程を示す図である。ここで、図４は、クランパ５０でリードフレーム１０を押圧する工程を、クランパ５０の上方から見た図である。また、図５（Ａ）は図４におけるＶ−Ｖ線断面図であり、図６（Ａ）は図４におけるＶＩ−ＶＩ線断面図である。
【００３９】
詳しくは、図５（Ａ）又は図６（Ａ）に示すように、下型４０にリードフレーム１０をセットし、その上方にクランパ５０を配置する。そして、図５（Ｂ）又は図６（Ｂ）に示すように、クランパ５０を降下させてリードフレーム１０を押圧する。上述したように、本実施の形態に係るクランパ５０は凸部５６を有する。そのため、クランパ５０を降下させてリードフレーム１０を押圧する際に、凸部５６でタブ吊りリード２０を押圧することができる。そして、下型４０にはくぼみ４６が形成されているため、タブ吊りリード２０を押し下げることができ、タブ吊りリードに屈曲部２３を形成することができる。
【００４０】
なお、屈曲部２３を形成する方法は、これに限られるものではないが、本実施の形態に係る半導体装置の製造方法によれば、屈曲部２３を設けるための工程を別途設ける必要がないため、効率面で優れている。
【００４１】
次に、ワイヤーボンディング工程を行う。すなわち、図７に示すように、押圧部５４によって、リード２２を外周部４２に押し付けた状態で、インナーリード２４と半導体チップ３０のパッド（図示せず）とに、ワイヤー３２をボンディングする。本実施の形態に係るクランパ５０は開口５８を有するため、クランパ５０でリードフレーム１０を下型４０に押し付けた状態でも、リード２２の先端が露出する（図４参照）。そのため、クランパ５０でインナーリード１０を押圧した状態で、ワイヤーボンディングを行うことができる。本工程には既に公知のワイヤーボンダーを使用することができる。また、ワイヤー３２の材料は特に限定されず、例えば金などを使用してもよい。
【００４２】
本実施の形態に係るクランパ５０は凸部５６を有するため、リードフレーム１０を下型４０に押し付けて固定することができる。そのため、リードフレーム１０を固定するための機構（例えば吸引機構）を別途設ける必要がなくなる。
【００４３】
次に、モールディング工程を行う。詳しくは、図８に示すように、モールド用の型（例えば金型）６０に、半導体チップ３０が搭載されたリードフレーム１０をセットする。そして、半導体チップ３０、ワイヤー３２及びインナーリード２４を封止材（モールド樹脂）３４で封止する。封止材３４として、熱硬化性樹脂を用いることが多いが、これに限定されるものではない。また、図８では、モールド用の型６０の内壁面にダイパッド１４の裏面が接触するように、リードフレーム１０がセットされている。これによれば、図９に示すように、ダイパッド１４の裏面が封止材３４から露出するため、放熱性の優れた半導体装置１を形成することができる。ただし、本実施の形態はこれに限られるものではない。
【００４４】
次に、第１のトリミング工程を行う。すなわち、リード２２を連結しているダムバー２８を切断する。ダムバー２８を切断しておくことで、次の電解メッキ工程で、ダムバー２８の切断面にもメッキを施すことができる。本実施の形態では、この時点では、タブ吊りリード２０を切断しない。
【００４５】
そして、電解メッキ工程を行う。すなわち、リードフレーム１０の封止材３４から露出した部分に、ロウ材（例えばハンダ）やスズ等の金属皮膜を形成する。例えば、複数のアウターリード２６は、外枠１２と連結されており、外枠１２を介して電気的に接続されているので電解メッキが可能である。また、ダイパッド１４は、タブ吊りリード２０によって外枠１２と連結されており、タブ吊りリード２０を介して電気的に接続されるので、電解メッキが可能である。こうして金属皮膜を形成することで、耐食性が向上する。
【００４６】
次に、第２のトリミング工程を行う。すなわち、アウターリード２６を外枠１２から切断し、タブ吊りリード２０を除去する（図１０参照）。続いて、フォーミング工程を行う。すなわち、アウターリード２６を回路基板に実装しやすい形態に曲げる。第２のトリミング工程及びフォーミング工程は同時に行ってもよい。
【００４７】
そして、必要があればマーキング工程、検査工程などを経て、半導体装置１（図１４参照）を製造することができる。
【００４８】
上述の通り、本実施の形態に係るリードフレーム１０のタブ吊りリード２０には、ダウンセット方向に屈曲する複数の屈曲部、すなわち屈曲部２１及び屈曲部２３が形成されている。これによって、タブ吊りリード２０は応力を受けても変形しにくくなる。そのため、ワイヤーボンディングの終了後、クランパ５０による押圧を解除する前後で、ダイパッド１４のダウンセット量が変化しにくいため、設計通りのダウンセット量を確保することができ、信頼性の高い半導体装置を製造することができる。
【００４９】
本発明を適用した実施の形態に係る半導体装置は、リードフレーム１０を有する。リードフレーム１０は、ダウンセット方向へ屈曲する複数の屈曲部を有するタブ吊りリード２０を有する。また、半導体装置は半導体チップ３０を有する。半導体チップ３０はリードフレーム１０のダイパッド１４に搭載される。さらに、半導体装置はワイヤー３２を有する。ワイヤー３２によって、半導体チップ３０とリードフレーム１０のインナーリード２４とが、電気的に接続される。そして、半導体装置は封止材３４を有する。封止材３４によって、半導体チップ３０やインナーリード２４等が封止される。
【００５０】
（第２の実施の形態）
図１１及び図１２は、本発明を適用した第２の実施の形態に係るリードフレームを説明するための図である。なお、以下に示す実施の形態においても、第１の実施の形態で説明した内容を可能な限り適用することができる。
【００５１】
図１１は実施の形態に係るリードフレーム１６を示す図であり、図１２は図１１のＸＩＩ−ＸＩＩ線断面図である。
【００５２】
図１２に示すように、本実施の形態に係るダイパッド１４はダウンセットされてなり、本実施の形態に係るタブ吊りリード６０は、ダイパッド１４のダウンセット方向に屈曲する屈曲部６２を複数有する。図１２に示す例では、１のタブ吊りリード６０に屈曲部６２が２個（図１２全体では４個）形成されているが、本実施の形態はこれに限られない。また、本実施の形態に係るリードフレーム１６は、第１の実施の形態に係るリードフレーム１０と同様の外枠、リード等を有してもよい。
【００５３】
リードフレーム１６はプレス加工等により一体的に成型してもよく、あるいは第１の実施の形態で示した方法によって製造してもよい。
【００５４】
次に、本実施の形態に係るリードフレーム１６を使用して半導体装置を製造する。すなわち、本実施の形態に係るダイパッド１４に半導体チップを搭載し、半導体チップの電極とリードの先端を、ワイヤーによってボンディングする。これを樹脂で封止し、トリミング工程及びフォーミング工程等を経て、半導体装置１（図１４参照）を製造することができる。なお、これらの工程は第１の実施の形態で説明した方法で行ってもよく、あるいは、既に公知のいずれの方法によって行ってもよい。
【００５５】
上述の通り、本実施の形態に係るリードフレーム１６のタブ吊りリード６０は、ダウンセット方向に屈曲する屈曲部６２を複数有する。これによって、タブ吊りリード６０は応力を受けても変形しにくくなる。これにより、ダイパッド１４のダウンセット量も変化しにくくなるため、設計通りのダウンセット量を確保することができ、信頼性の高い半導体装置を製造することができる。
【００５６】
（第３の実施の形態）
図１３（Ａ）及び図１３（Ｂ）は、本発明を適用した第３の実施の形態に係るリードフレームを説明するための図である。なお、以下に示す実施の形態においても、第１の実施の形態及び第２の実施の形態で説明した内容を、可能な限り適用することができる。
【００５７】
図１３（Ａ）及び図１３（Ｂ）は、本実施の形態に係るタブ吊りリード８０及び、タブ吊りリード９０の長さ方向の軸に直交する断面を示したものである。すなわち、本実施の形態に係るタブ吊りリード８０、９０は、曲面を有する断面形状をなしてもよい。具体的には、図１３（Ａ）に示すように、タブ吊りリード８０の長さ方向の軸に直交する断面の形状が、溝２８を有する形状をなしてもよい。あるいは、図１３（Ｂ）に示すように、タブ吊りリード９０の長さ方向の軸に直交する断面の形状が、表裏面が同じ方向に湾曲した形状をなしてもよい。
【００５８】
本実施の形態に係るリードフレームは、第１の実施の形態に係るリードフレーム１０と同様のダイパッド、外枠、リード等を有してもよい。また、本実施の形態に係るタブ吊りリード８０は屈曲部８２を、タブ吊りリード９０は屈曲部９２を、それぞれ有してもよい。屈曲部８２、９２の数は特に限定されない。この場合、屈曲部８２、９２のみが曲面を有する断面形状をなしてもよく、あるいは、この断面形状が長さ方向に連続してタブ吊りリード８０、９０全体を形成してもよい。
【００５９】
本実施の形態に係るタブ吊りリード８０、またはタブ吊りリード９０を有するリードフレームは、プレス加工等によって一体的に成型してもよい。
【００６０】
次に、本実施の形態に係るリードフレームを使用して半導体装置を製造する。すなわち、本実施の形態に係るダイパッドに半導体チップを搭載し、半導体チップの電極とリードの先端を、ワイヤーによってボンディングする。これを樹脂で封止し、トリミング工程及びフォーミング工程等を経て、半導体装置１（図１４参照）を製造することができる。なお、これらの工程は第１の実施の形態で説明した方法で行ってもよく、あるいは、既に公知のいずれの方法によって行ってもよい。
【００６１】
上述の通り、本実施の形態に係るリードフレームのタブ吊りリード８０、９０は曲面を有する断面形状をなしている。これによって、タブ吊りリード８０、９０は応力を受けても変形しにくくなる。これにより、ダイパッドのダウンセット量も変化しにくくなるため、設計通りのダウンセット量を確保することができ、信頼性の高い半導体装置を製造することができる。
【００６２】
（半導体装置・回路基板）
図１４には、上述の実施の形態に係る半導体装置１を実装した回路基板１０００が示されている。また、本発明の実施の形態に係る半導体装置を有する電子機器として、図１５にはノート型パーソナルコンピュータ２０００が示され、図１６には携帯電話３０００が示されている。
【００６３】
本発明は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば、本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成（例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるいは目的及び結果が同一の構成）を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は、本発明を適用した第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を示す図である。
【図２】図２は、本発明を適用した第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を示す図である。
【図３】図３は、本発明を適用した第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を示す図である。
【図４】図４は、本発明を適用した第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を示す図である。
【図５】図５（Ａ）及び図５（Ｂ）は、本発明を適用した第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を示す図である。
【図６】図６（Ａ）及び図６（Ｂ）は、本発明を適用した第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を示す図である。
【図７】図７は、本発明を適用した第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を示す図である。
【図８】図８は、本発明を適用した第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を示す図である。
【図９】図９は、本発明を適用した第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を示す図である。
【図１０】図１０は、本発明を適用した第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を示す図である。
【図１１】図１１は、本発明を適用した第２の実施の形態に係るリードフレームを示す図である。
【図１２】図１２は、本発明を適用した第２の実施の形態に係るリードフレームを示す図である。
【図１３】図１３（Ａ）及び図１３（Ｂ）は、本発明を適用した第３の実施の形態に係るリードフレームを示す図である。
【図１４】図１４は、本発明を適用したいずれかの実施の形態に係る半導体装置の製造方法から製造されてなる半導体装置が実装された回路基板を示す図である。
【図１５】図１５は、本発明を適用したいずれかの実施の形態に係る半導体装置の製造方法から製造されてなる半導体装置を有する電子機器を示す図である。
【図１６】図１６は、本発明を適用したいずれかの実施の形態に係る半導体装置の製造方法から製造されてなる半導体装置を有する電子機器を示す図である。
【符号の説明】
１０　リードフレーム
１２　外枠
１４　ダイパッド
１６　リードフレーム
２０　タブ吊りリード
２１　屈曲部
２３　屈曲部
２８　溝
３０　半導体チップ
３２　ワイヤー
３４　封止材
４０　下型
４６　くぼみ
５０　クランパ
５２　本体部
５４　押圧部
５６　凸部
５８　開口
６０　タブ吊りリード
６２　屈曲部
８０　タブ吊りリード
８２　屈曲部
９０　タブ吊りリード
９２　屈曲部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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