(57)【要約】【課題】本発明は、情報機器の表示部等に用いられる液晶表示装置に関し、特に広視野角及び高輝度が要求される液晶表示装置に関し、製造歩留まりが向上し、広視野角および高輝度で良好な表示品質が得られる液晶表示装置を提供することを目的とする。【解決手段】所定のセルギャップで対向配置されるＴＦＴ基板２及びＣＦ基板４と、基板２、４間に封止された液晶と、ＴＦＴ基板２の液晶に面する側に形成された画素電極１６と、ＣＦ基板４の液晶に面する側に形成された共通電極２４と、画素電極１６に形成された第１のスリット２２と、共通電極２４に形成され、基板面に垂直方向にみて、第１のスリット２２の延伸方向とほぼ直交する方向に延伸する第２のスリット２８とを有するように構成する。【選択図】    図３
2004151525.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定のセルギャップで対向配置される第１及び第２の基板と、
前記第１及び第２の基板間に封止された液晶と、
前記第１の基板の前記液晶に面する側に形成された第１の電極と、
前記第２の基板の前記液晶に面する側に形成された第２の電極と、
前記第１の電極に形成された第１のスリットと、
前記第２の電極に形成され、基板面に垂直方向にみて、前記第１のスリットの延伸方向とほぼ直交する方向に延伸する第２のスリットと
を有することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
請求項１記載の液晶表示装置において、
前記液晶は、
前記第１及び第２の電極に対して電圧無印加の時には、液晶分子が基板面に対してほぼ垂直に配向し、
電圧印加により前記液晶分子が傾斜する際には、前記第１及び第２のスリットにより配向方位が規制されること
を特徴とする液晶表示装置。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の液晶表示装置において、
前記第１の電極は、画素領域毎に形成された画素電極であり、
前記第２の電極は、複数の前記画素領域を含む表示領域に形成された共通電極であること
を特徴する液晶表示装置。
【請求項４】
請求項３記載の液晶表示装置において、
前記画素電極は長方形形状であり、
前記第１のスリットの延伸方向は、前記画素電極の長辺方向であること
を特徴とする液晶表示装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか１項に記載の液晶表示装置において、
基板面に垂直方向にみて、前記第１及び第２のスリットにより画定される前記第１及び第２の電極の重なり領域は、ほぼ正方形形状であること
を特徴とする液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、情報機器の表示部等に用いられる液晶表示装置に関し、特に広視野角及び高輝度が要求される液晶表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、画素毎に薄膜トランジスタ（ＴＦＴ；Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）を備えたアクティブマトリクス型の液晶表示装置は、薄型・軽量、低電圧駆動、低消費電力といった特徴を活かして、様々な用途に広く用いられるようになってきている。近年の液晶表示装置は、大画面で且つ高精細を実現し、さらに広視野角及び高輝度、高コントラスト化が図られている。これにより、ＣＲＴ（Ｃａｔｈｏｄｅ−Ｒａｙ  Ｔｕｂｅ）に匹敵するほどの表示特性が実現され、従来、ＣＲＴが主流であったモニタやテレビ受像機などの用途にも用いられるようになってきている。
【０００３】
液晶分子を垂直配向させて駆動するＶＡ（Ｖｅｒｔｉｃａｌｌｙ  Ａｌｉｇｎｅｄ）モードの液晶表示装置では、配向膜にラビング等の配向処理を施さないと電圧印加時に液晶分子は様々な方向に傾斜する。この結果、各画素でそれぞれ異なる面積の配向領域が形成される。また各画素では、配向領域の境界線（ディスクリネーション）が、画素毎に配置が異なる暗線として視認される。これにより、特に斜め方向から表示画面を見たときに表示画面上にむらやざらつき、残像等が視認され、表示品質が極めて低くなってしまう。このため、ＣＲＴに匹敵する表示特性を実現する液晶表示装置として、ＭＶＡ（Ｍｕｌｔｉ−ｄｏｍａｉｎ  Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）などの配向分割方式を利用した広視野角を実現した液晶表示装置が実用化されている（例えば、特許文献３参照）。
【０００４】
ＭＶＡ方式の液晶パネルは、一対の基板の少なくとも一方の表面に、突起、窪み、または電極に設けたスリットのいずれか、またはそれらの組み合わせからなるドメイン規制手段を備えている。液晶材料としては負の誘電率異方性を有するネマティック液晶が用いられる。当該液晶は、電圧無印加時において液晶分子が基板に対してほぼ垂直に配向している。電圧印加時には、ドメイン規制手段により、液晶分子の傾斜する配向方位が各画素内において複数方位になるように規制される。液晶パネルの両側には、吸収軸が互いに直交するように偏光素子が配置される。
【０００５】
図８は、従来のＭＶＡ方式の液晶表示装置のＴＦＴ基板の１画素の構成を示している。図８（ａ）は、４分割配向を実現する画素電極構造を示し、図８（ｂ）は、上下２分割配向を実現する画素電極構造を示している。図８（ａ）に示すように、ＴＦＴ基板上には、図中左右方向に延びるゲートバスライン１１２が互いにほぼ平行に複数形成されている。不図示の絶縁膜を介してゲートバスライン１１２に交差して、図中上下方向に延びるドレインバスライン１１４が互いにほぼ平行に複数形成されている。複数のゲートバスライン１１２とドレインバスライン１１４とで囲まれた領域が画素領域になっている。
また、画素領域のほぼ中央を横切って、ゲートバスライン１１２にほぼ平行に延びる蓄積容量バスライン１１８が形成されている。
【０００６】
ゲートバスライン１１２及びドレインバスライン１１４の交差位置近傍には、ＴＦＴ１１０が形成されている。ＴＦＴ１１０のドレイン電極１２２は、ドレインバスライン１１４から引き出され、ゲートバスライン１１２上に形成された動作半導体層及びその上に形成されたチャネル保護膜（ともに図示せず）の一端辺側に位置するように形成されている。一方、ＴＦＴ１１０のソース電極１２４は、ドレイン電極１２２に所定の間隙を介して対向し、動作半導体層及びチャネル保護膜の他端辺側に位置するように形成されている。ゲートバスライン１１２のチャネル保護膜直下の領域は、ＴＦＴ１１０のゲート電極として機能するようになっている。また、ソース電極１２４は、コンタクトホール（図示せず）を介して画素電極１１６に電気的に接続されている。
【０００７】
画素領域には、画素電極１１６が形成されている。図８（ａ）に示すように、画素電極１１６は、両バスライン１１２、１１４にほぼ平行又は垂直に延びる幹部１２８と、幹部１２８から分岐して斜めに延びる枝部１３０と、隣接する枝部１３０間のスリット１３２とを有している。ＴＦＴ基板と所定のセルギャップで対向して貼り合わされる対向基板上には、複数の画素領域を含む表示領域全面に透明電極（図示せず）が形成されている。図８（ａ）に示すＴＦＴ基板と不図示の対向基板とを用いて作製されたＭＶＡ−ＬＣＤでは、画素電極１１６の幹部１２８と枝部１３０及びスリット１３２によって液晶分子の配向方向が決定される。
【０００８】
両基板間には、負の誘電率異方性を有する液晶が封止されている。液晶分子は、両基板の対向面に形成された垂直配向膜（図示せず）の配向規制力により基板面にほぼ垂直に配向している。図８（ａ）に示す枝部１３０とスリット１３２の幅は例えば共に３μｍであり、枝部ピッチ及びスリットピッチは共に６μｍである。この程度の微細なスリット構造になると、電圧印加時に液晶分子Ｌｃがスリット１３２の延伸方向と平行な方向に傾斜するようになる。両基板の透明電極間に所定の電圧が印加されて、液晶分子Ｌｃがスリット１３２の延伸方向に沿って傾斜し始めると、その傾斜は各液晶分子Ｌｃに順次伝播してスリット１３２間の領域の液晶分子Ｌｃは同一方向に傾斜する。
【０００９】
このように、画素電極１１６にスリット１３２を配置することにより、液晶分子Ｌｃの傾斜方向を領域毎に規制することができる。図８（ａ）に示すようにスリット１３２を互いにほぼ垂直な２方向に形成すると、液晶分子は１画素内で４方向に傾斜する。各領域の視角特性が混合される結果、ＭＶＡ−ＬＣＤでは白表示又は黒表示において広い視野角が得られる。ＭＶＡ−ＬＣＤでは、表示画面に垂直な方向から上下左右方向への角度８０°においても１０以上のコントラスト比が得られる。
【００１０】
したがって、図８（ａ）に示すように、液晶分子が４つの方位に傾斜するようにスリット電極を形成した場合には、４ドメインの配向が実現される。また、図８（ｂ）に示すように、液晶分子が２つの方位に傾斜するようにスリット電極を形成した場合には、２ドメインの配向が実現される。
【００１１】
しかしながら、図８（ａ）、（ｂ）に示す画素電極１１６を用いたＭＶＡ−ＬＣＤでは、電圧印加から液晶分子Ｌｃの配向の伝播が完了するまでの応答時間が長くなってしまう結果、枝部１３０上で液晶分子Ｌｃの配向ベクトルの特異点がランダムに発生してしまう。また、画素毎あるいはフレーム毎に特異点の形成位置が移動するため、特に斜め方向から表示画面を見たときに表示画面上にむらやざらつき等が視認され、表示品質が低下してしまうという問題が生じる。
【００１２】
次に、液晶分子Ｌｃの傾斜方位と２つの偏光素子Ｐ、Ａの吸収軸の方向との関係について、図８及び図９を用いて説明する。図８（ａ）、（ｂ）に示すように、液晶分子Ｌｃの傾斜時の配向方位から４５°傾いて２つの偏光素子Ｐ、Ａの吸収軸の方向が設定されている。図９は基板面に垂直にみたときの液晶分子Ｌｃの傾斜方位と２つの偏光素子Ｐ、Ａの吸収軸の方向との関係を示している。図９（ａ）は電圧無印加時であり、液晶分子Ｌｃは基板面に対して垂直に配向している。一方の偏光素子Ｐを通過した光は、液晶分子Ｌｃの複屈折の影響を受けることなく液晶中を通過し、他方の偏光素子Ａにより遮断され、黒表示が得られる。
【００１３】
電圧印加時には、負の誘電率異方性を有する液晶分子Ｌｃは基板面に対して傾き、十分大きな電圧を印加したときには液晶分子Ｌｃは基板面に対してほぼ平行になる。最適な白表示を実現するためには、液晶分子Ｌｃの配向方位は偏光素子Ｐ、Ａの吸収軸の方向に対して制約を受ける。
【００１４】
電圧印加時に液晶分子Ｌｃが偏光素子Ｐ、Ａの吸収軸と平行あるいは直交する方位に傾斜した場合を図９（ｂ）に示す。この場合は、電圧無印加時と同様に、一方の偏光素子Ｐを通過した光は、液晶分子Ｌｃの複屈折の影響を受けることなく液晶中を通過し、他方の偏光素子Ａにより遮断される。したがって、白表示を得ることができない。
【００１５】
最適な白表示を得るためには、図９（ｃ）に示すように、液晶分子Ｌｃの配向方位が偏光素子Ｐ、Ａの吸収軸に対して４５°をなすようにしなければならない。この場合、一方の偏光素子Ｐを通過した直線偏光の光は、液晶分子Ｌｃの複屈折の影響を受け楕円偏光となり、他方の偏光素子Ａを通過する光が生じるため白表示が得られる。
したがって、４ドメイン分割のＭＶＡ−ＬＣＤで良好な白表示を得るには、電圧印加時に液晶分子Ｌｃが傾斜配向すべき方位は、図９（ｄ）に示す４方位に限られる。
【００１６】
【特許文献１】
特開２０００−２９０１０号公報
【００１７】
【特許文献２】
特開平９−２１１４４５号公報
【００１８】
【特許文献３】
特許第２９４７３５０号公報
【００１９】
【非特許文献１】
岩本、都甲、飯村、２０００年日本液晶学会討論会講演予稿集、ＰＣａ０２、２０００
【００２０】
【発明が解決しようとする課題】
以上説明したように、例えば４ドメイン分割のＭＶＡ−ＬＣＤでは、液晶分子Ｌｃの傾斜配向する方位が図９（ｄ）に示す４方位のみであることが望ましい。しかしながら液晶の連続性により、実際には図９（ｄ）に示す４方位以外の配向方位に傾斜する液晶分子Ｌｃが存在する。
【００２１】
例えば、図８（ａ）に示す４ドメインの電極構造を有するＭＶＡ−ＬＣＤでは、偏光素子Ｐ、Ａの吸収軸に対して４５°をなすように形成された微細なスリット１３２により、液晶分子Ｌｃはそれぞれ異なる４つの方位に傾斜する。しかし、各ドメインが隣接する境界の領域においては、液晶分子Ｌｃは偏光素子Ｐ、Ａの吸収軸に対して平行あるいは直交する方位に傾斜せざるを得ない。
【００２２】
液晶分子Ｌｃが偏光素子Ｐ、Ａの吸収軸に対して平行あるいは直交する方位に傾斜した領域では光は透過しない。したがって、図８（ａ）に示す電極構造の場合、白表示において十字状に黒い領域が生じ、透過率を低下させる大きな要因となっている。
また、液晶分子Ｌｃを所定の方向に傾斜させるためには、図８（ａ）に示すような微細なピッチのライン・アンド・スペースパターンを形成して、電極の枝部１３０とスリット１３２とを形成する必要がある。しかし、パネルの大型化に伴い、フォトリソグラフィ工程で分割露光を用いるような場合には、露光条件のわずかな変化から各分割領域毎に枝部１３０とスリット１３２の幅が異なって形成されてしまうことがあり、パネルに画像を表示する際の表示画面に輝度むらが生じてしまい、製造歩留まりが低下してしまうという問題が生じる。
【００２３】
本発明の目的は、製造歩留まりが向上し、広視野角および高輝度で良好な表示品質が得られる液晶表示装置を提供することにある。
【００２４】
【課題を解決するための手段】
上記目的は、所定のセルギャップで対向配置される第１及び第２の基板と、前記第１及び第２の基板間に封止された液晶と、前記第１の基板の前記液晶に面する側に形成された第１の電極と、前記第２の基板の前記液晶に面する側に形成された第２の電極と、前記第１の電極に形成された第１のスリットと、前記第２の電極に形成され、基板面に垂直方向にみて、前記第１のスリットの延伸方向とほぼ直交する方向に延伸する第２のスリットとを有することを特徴とする液晶表示装置によって達成される。
【００２５】
【発明の実施の形態】
本発明の一実施の形態による液晶表示装置について図１乃至図７を用いて説明する。まず、本実施の形態による液晶表示装置の概略の構成を図１を用いて説明する。図１に示す液晶表示装置は、ＴＦＴ等が形成されたＴＦＴ基板２とカラーフィルタ（ＣＦ）等が形成されたＣＦ基板４とを対向させて貼り合わせ、両基板２、４間に液晶を封止した構造を有している。
【００２６】
図２は、ＴＦＴ基板２上に形成された素子の等価回路を模式的に示している。ＴＦＴ基板２上には、図中左右方向に延びるゲートバスライン１２が互いに平行に複数形成されている。絶縁膜を介してゲートバスライン１２に交差して、図中上下方向に延びるドレインバスライン１４が互いに平行に複数形成されている。複数のゲートバスライン１２とドレインバスライン１４とで囲まれた各領域が画素領域となる。マトリクス状に配置された各画素領域には、ＴＦＴ１０と画素電極１６が形成されている。各ＴＦＴ１０のドレイン電極は隣接するドレインバスライン１４に接続され、ゲート電極は隣接するゲートバスライン１２に接続され、ソース電極は画素電極１６に接続されている。各画素領域のほぼ中央には、ゲートバスライン１２と平行に蓄積容量バスライン１８が形成されている。これらのＴＦＴ１０や画素電極１６、各バスライン１２、１４、１８は、フォトリソグラフィ工程で形成され、「成膜→レジスト塗布→露光→現像→エッチング→レジスト剥離」という一連の半導体プロセスを繰り返して形成される。
【００２７】
図１に戻り、ＴＦＴ基板２には、複数のゲートバスライン１２を駆動するドライバＩＣが実装されたゲートバスライン駆動回路８０と、複数のドレインバスライン１４を駆動するドライバＩＣが実装されたドレインバスライン駆動回路８１とが設けられている。これらの駆動回路８０、８１は、制御回路８２から出力された所定の信号に基づいて、走査信号やデータ信号を所定のゲートバスライン１２あるいはドレインバスライン１４に出力するようになっている。ＴＦＴ基板２の素子形成面と反対側の基板面には偏光板８３が配置され、偏光板８３のＴＦＴ基板２と反対側の面にはバックライトユニット８５が取り付けられている。一方、ＣＦ基板４のＣＦ形成面と反対側の面には、偏光板８４が貼り付けられている。
【００２８】
図３は、ＴＦＴ基板２とＣＦ基板４の１画素の電極構成の一部を示している。なお、図３では、説明を容易にするためＴＦＴ基板２側に形成されたＴＦＴ１０や各バスライン１２、１４、１８等の図示は省略し、ＣＦ基板４側のＣＦの図示等も省略している。
【００２９】
図３において、ＴＦＴ基板２の画素領域には、例えばＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）等の透明導電膜からなる画素電極１６が形成されている。画素電極１６は、幅ａで図の上下に延伸する複数（図では４本例示）の長方形状（帯状）の電極部２０を有している。それぞれ隣り合う電極部２０間には、透明導電膜が形成されていない幅ｂのスリット２２が形成されている。スリット２２で分離された各電極部２０は図示を省略した接続電極で電気的に接続されている。
【００３０】
ＴＦＴ基板２の画素領域に対向するＣＦ基板２の対応領域には、例えばＩＴＯ等の透明導電膜からなる共通電極２４が形成されている。共通電極２４は、幅ａで図の左右に延伸する複数（図では４本例示）の長方形状（帯状）の電極部２６を有している。それぞれ隣り合う電極部２６間には、透明導電膜が形成されていない幅ｂのスリット２８が形成されている。スリット２８で分離された各電極部２６は図示を省略した接続電極で電気的に接続されている。電極部２０、２６の幅ａは例えば３７μｍであり、スリット２２、２８の幅ｂは例えば８μｍである。
【００３１】
このように、本実施の形態によるＭＶＡ−ＬＣＤは、所定のセルギャップで対向配置されるＴＦＴ基板（第１の基板）２及びＣＦ基板（第２の基板）４と、基板２、４間に封止された液晶と、ＴＦＴ基板２の液晶に面する側に形成された画素電極（第１の電極）１６と、ＣＦ基板４の液晶に面する側に形成された共通電極（第２の電極）２４と、画素電極１６に形成された第１のスリット２２と、共通電極２４に形成され、基板面に垂直方向にみて、第１のスリット２２の延伸方向とほぼ直交する方向に延伸する第２のスリット２８とを有している。
【００３２】
画素電極１６及び共通電極２４の間に封止されている液晶は、画素電極１６及び共通電極２４に対して電圧無印加の時には、液晶分子が基板面に対してほぼ垂直に配向し、電圧印加により液晶分子が傾斜する際には、第１及び第２のスリット２２、２８により配向方位が規制される。
【００３３】
また、図３に示すように、基板面に垂直方向にみて、第１及び第２のスリット２２、２８により画定される画素電極１６及び共通電極２４の重なり領域は、ほぼ正方形形状になっている。
【００３４】
ＴＦＴ基板２の液晶に面する側と反対側に配置された偏光板（第１の偏光素子）８３とＣＦ基板４の液晶に面する側と反対側に配置された偏光板（第２の偏光素子）８４とは、偏光板８３の吸収軸Ｐと偏光板８４の吸収軸Ａとがほぼ直交するクロスニコルに配置されている。また、偏光板８３、８４の吸収軸Ｐ、Ａは、第１及び第２のスリット２２、２８の延伸方向に対し、ほぼ４５°傾いている。
【００３５】
図３に示す電極構造は、従来より格段に広幅の電極部２０、２６及び第１及び第２のスリット２２、２８を有しており、電極形成時のフォトリソグラフィ工程で微細なパターニングを必要としないため、高い歩留まりで製造することが可能となる。また、液晶分子の配向を規制する第１及び第２のスリット２２、２８が、画素電極１６だけでなく共通電極２４にも形成されているため、一方の電極にのみスリットが設けられている従来構造に比べて、配向の安定性、均一性、および応答性が格段に向上する。また、両電極の第１及び第２のスリット２２、２８の延伸方向が直交しているため、基板同士を貼り合わせる際の精度を高くする必要も生じない。
【００３６】
図４は、本実施の形態による液晶表示装置の電圧印加時の液晶配向の様子を示している。図４（ａ）は、電極部２０、２６間に２．５Ｖの電圧を印加したときの液晶配向状態を示している。同様に、図４（ｂ）は、電極部２０、２６間に３．０Ｖの電圧を印加したときの液晶配向状態を示し、図４（ｃ）、（ｄ）は、それぞれ４．０Ｖ、５．０Ｖの電圧を印加したときの液晶配向状態を示している。図４に示すように、いずれの印加電圧においても安定した配向特性が得られ、各領域の液晶分子が均一な傾斜角度で配向している。これにより、画像のちらつきや、ざらつき感を抑制して表示品質を向上させることができる。
【００３７】
図５は、電極部２６の幅を変化させた電極構造における電圧印加時の液晶配向の様子を示している。電極部２０の電極幅ａ１は３７μｍでスリット２２のスリット幅ｂは８μｍであるが、電極部２６の電極幅ａ２は２５μｍでスリット２８のスリット幅ｂは８μｍである。基板面に垂直方向にみて、第１及び第２のスリット２２、２８により画定される画素電極１６及び共通電極２４の重なり領域は横長の長方形形状になっている。図５（ａ）は、電極部２０、２６間に２．５Ｖの電圧を印加したときの液晶配向状態を示している。同様に、図５（ｂ）は、電極部２０、２６間に３．０Ｖの電圧を印加したときの液晶配向状態を示し、図５（ｃ）、（ｄ）は、それぞれ４．０Ｖ、５．０Ｖの電圧を印加したときの液晶配向状態を示している。図５に示すように、画素電極１６及び共通電極２４の重なり領域が長方形形状になると、図４に示したような正方形形状の構造と比較して、液晶分子の配向の安定性及び均一性が低下することが分かる。したがって、画素電極１６及び共通電極２４の重なり領域はほぼ正方形形状になるようにすることが望ましい。
【００３８】
ところで、図１乃至図４を用いて説明した本実施形態による液晶表示装置（ＭＶＡ−ＬＣＤ）は、偏光板８３、８４の吸収軸Ｐ、Ａに対して４５°以外の方位に配向した液晶分子からの光の透過光量は減衰するため透過率が低下してしまうという欠点を有している。この欠点を改善する方法として、図６に示すように、液晶パネルの両側に第１及び第２の１／４波長板３０、３２を１層ずつ配置する方法が知られている（例えば、非特許文献１参照）。
【００３９】
図６に示すように、液晶パネル（ＴＦＴ基板２及びＣＦ基板４、及びそれらに挟持された液晶層を含む）を挟んで、互いにクロスニコルに偏光板８３、８４が配置されている。液晶パネルと偏光板８３との間には、１／４波長板３０が配置されている。また液晶パネルと偏光板８４との間には、１／４波長板３２が配置されている。液晶パネルと１／４波長板３０、３２の間には、視角特性を向上させるために、ＴＡＣフィルムのような負の位相差を有する層が配置されてもよい。なお、図中上方が観察者側になり、図中下方が光源側になっている。
【００４０】
１／４波長板３０の光学軸（遅相軸）Ｃ１と偏光板８３の吸収軸Ｐとのなす角は、ほぼ４５°である。すなわち、光源から射出された光が偏光板８３と１／４波長板３０とをこの順に透過すると円偏光になる。また、１／４波長板３２の光学軸Ｃ２と偏光板８４の吸収軸Ａとのなす角は、ほぼ４５°である。両１／４波長板３０、３２の光学軸Ｐ、Ａは互いにほぼ直交している。
【００４１】
図６に示した配置の場合、入射光強度をＩｉｎ、透過光強度をＩｏｕｔ、液晶層のリタデーションをＲＬＣとすると、以下の関係が成り立つ。
Ｉｏｕｔ＝（１／２）Ｉｉｎｓｉｎ２（ＲＬＣ／２）
すなわち、透過光強度Ｉｏｕｔは、入射光強度をＩｉｎを一定とすればＲＬＣのみで決まる。つまり、透過光強度Ｉｏｕｔは、リタデーションをＲＬＣを変化させる液晶分子の傾斜角度には依存するが液晶分子の配向方位には依存しない。
【００４２】
このような構成を採用することにより、図４に示したような、格子状やＸ状に生じる低透過率領域を消滅させることができ、十分高い光透過率を有するＭＶＡ−ＬＣＤが実現できる。
【００４３】
図７は、本実施の形態による液晶表示装置の変形例に係る電極構造を示している。図７に示すように、ＴＦＴ基板上には、図中左右方向に延びるゲートバスライン１２が互いにほぼ平行に複数形成されている。不図示の絶縁膜を介してゲートバスライン１２に交差して、図中上下方向に延びるドレインバスライン１４が互いにほぼ平行に複数形成されている。複数のゲートバスライン１２とドレインバスライン１４とで囲まれた領域が画素領域になっている。
また、画素領域のほぼ中央を横切って、ゲートバスライン１２にほぼ平行に延びる蓄積容量バスライン１８が形成されている。
【００４４】
ゲートバスライン１２及びドレインバスライン１４の交差位置近傍には、ＴＦＴ１０が形成されている。ＴＦＴ１０のドレイン電極１１は、ドレインバスライン１４から引き出され、ゲートバスライン１２上に形成された動作半導体層及びその上に形成されたチャネル保護膜（ともに図示せず）の一端辺側に位置するように形成されている。一方、ＴＦＴ１０のソース電極１３は、ドレイン電極１１に所定の間隙を介して対向し、動作半導体層及びチャネル保護膜の他端辺側に位置するように形成されている。ゲートバスライン１２のチャネル保護膜直下の領域は、ＴＦＴ１０のゲート電極として機能するようになっている。また、ソース電極１１は、コンタクトホール（図示せず）を介して後述する画素電極１６の図左側の電極部２０と電気的に接続されている。
【００４５】
ＴＦＴ基板２の画素領域には、例えばＩＴＯ等の透明導電膜からなる画素電極１６が形成されている。画素電極１６は、長辺が図の上下方向にある長方形形状に形成されており、図の上下に等幅で延伸する２本の長方形状（帯状）の電極部２０を有している。隣り合う電極部２０間には、透明導電膜が形成されておらず画素電極１６の長辺方向に延伸する所定幅のスリット２２が形成されている。スリット２２で分離された２つの電極部２０は例えば蓄積容量バスライン１８上部に形成した接続電極２９で電気的に接続されている。
【００４６】
ＴＦＴ基板２の画素領域に対向するＣＦ基板２の対応領域には、例えばＩＴＯ等の透明導電膜からなる共通電極２４が形成されている。共通電極２４は、所定幅で図の左右に延伸する複数（図では７本例示）の長方形状（帯状）の電極部２６を有している。それぞれ隣り合う電極部２６間には、透明導電膜が形成されていないスリット２８が形成されている。スリット２８で分離された各電極部２６は図示を省略した接続電極で電気的に接続されている。
【００４７】
このように、本変形例によるＭＶＡ−ＬＣＤは、所定のセルギャップで対向配置されるＴＦＴ基板（第１の基板）２及びＣＦ基板（第２の基板）４と、基板２、４間に封止された液晶とを有している。液晶には、負の誘電率異方性を有するネマティック液晶が用いられている。また、本変形例によるＭＶＡ−ＬＣＤは、ＴＦＴ基板２の液晶に面する側に形成された画素電極（第１の電極）１６と、ＣＦ基板４の液晶に面する側に形成された共通電極（第２の電極）２４と、画素電極１６に形成された第１のスリット２２と、共通電極２４に形成され、基板面に垂直方向にみて、第１のスリット２２の延伸方向とほぼ直交する方向に延伸する第２のスリット２８とを有している。
【００４８】
画素電極１６及び共通電極２４の間に封止されている液晶は、画素電極１６及び共通電極２４に対して電圧無印加のときには、液晶分子が基板面に対してほぼ垂直に配向し、電圧印加により液晶分子が傾斜する際には、第１及び第２のスリット２２、２８により配向方位が規制される。
【００４９】
また、図７に示すように、スリット２２、２８により画定される画素電極１６及び共通電極２４の重なり領域は、基板面に垂直方向にみてほぼ正方形形状になっている。
【００５０】
また、ＴＦＴ基板２の液晶に面する側と反対側に配置された偏光板（第１の偏光素子）８３の吸収軸Ｐと、ＣＦ基板４の液晶に面する側と反対側に配置された偏光板（第１の偏光素子）８４の吸収軸Ａとがほぼ直交するようにクロスニコルに配置されている。また、偏光板８３、８４の吸収軸Ｐ、Ａは、第１及び第２のスリット２２、２８の延伸方向に対し、ほぼ４５°傾いている。
【００５１】
また、ＴＦＴ基板２と偏光板８３との間には図６に示した第１の１／４波長板３０が配置され、ＣＦ基板４と偏光板８４との間には図６に示した第２の１／４波長板３２が配置されている。さらに、偏光板８３の吸収軸Ｐと第１の１／４波長板３０の遅相軸Ｃ１とが４５°をなし、偏光板８４の吸収軸Ａと第２の１／４波長板３２の遅相軸Ｃ２とが４５°をなし、第１の１／４波長板３０の遅相軸Ｃ１と第２の１／４波長板３２の遅相軸Ｃ２とは互いにほぼ直交している。
【００５２】
図７に示す電極構造は、従来より格段に広幅の電極部２０、２６及びスリット２２、２８を有しており、電極形成時のフォトリソグラフィ工程で微細なパターニングを必要としないため、高い歩留まりで製造することが可能となる。また、液晶分子の配向を規制するスリット２２、２８が、画素電極１６だけでなく共通電極２４にも形成されているため、一方の電極にのみスリットが設けられている従来構造に比べて、配向の安定性、均一性、および応答性が格段に向上している。また、両電極のスリット２２、２８の方向が直交しているため、基板同士を貼り合わせる際の精度を高くする必要も生じない。
【００５３】
本変形例によれば、いずれの印加電圧においても安定した配向特性が得られ、各領域の液晶分子を均一な傾斜角度で配向させることができる。これにより、画像のちらつきや、ざらつき感を抑制して表示品質を向上させることができる。さらに、図１乃至図４に示したＭＶＡ−ＬＣＤより透過率が向上するため明るい表示を得ることができる。また、輝度を同じにすればバックライト等の光源装置の射出光量を抑制できるため、低消費電力のＭＶＡ−ＬＣＤを実現できる。
【００５４】
本変形例においても、両側の基板とも電極をパターニングしてスリットを設け、且つ両方のスリットの方向を直交させている。これにより、片側の基板のみ電極をパターニングしている場合に比べて、配向の安定性、均一性、および応答性が格段に向上する。従って、製造歩留りを向上させて、広視野角および高輝度の液晶表示装置を実現することが可能となる。
【００５５】
本発明は、上記実施の形態に限らず種々の変形が可能である。
例えば、上記実施形態では対向基板にＣＦが形成されたＣＦ基板を用いているが、本発明はこれに限らず、例えば、ＴＦＴ基板側にＣＦを形成したいわゆるＣＦ−ｏｎ−ＴＦＴ構造のＭＶＡ−ＬＣＤにももちろん適用可能である。また、画素電極に反射導電膜を用いた反射型ＭＶＡ−ＬＣＤあるいは、例えば透明電極と反射電極とを組み合わせた半透過型ＭＶＡ−ＬＣＤに本発明の電極構造を適用することができる。
【００５６】
なお、上記実施形態及びその変形例における共通電極２４と画素電極１６の重なり領域は必ずしも正方形形状でなくともよく、共通電極２４と画素電極１６に設けるスリット２２、２８のピッチも、画素サイズなどに合わせて適宜変化させることができる。
【００５７】
以上説明した本実施の形態による液晶表示装置は、以下のようにまとめられる。
（付記１）
所定のセルギャップで対向配置される第１及び第２の基板と、
前記第１及び第２の基板間に封止された液晶と、
前記第１の基板の前記液晶に面する側に形成された第１の電極と、
前記第２の基板の前記液晶に面する側に形成された第２の電極と、
前記第１の電極に形成された第１のスリットと、
前記第２の電極に形成され、基板面に垂直方向にみて、前記第１のスリットの延伸方向とほぼ直交する方向に延伸する第２のスリットと
を有することを特徴とする液晶表示装置。
【００５８】
（付記２）
付記１記載の液晶表示装置において、
前記液晶は、
前記第１及び第２の電極に対して電圧無印加の時には、液晶分子が基板面に対してほぼ垂直に配向し、
電圧印加により前記液晶分子が傾斜する際には、前記第１及び第２のスリットにより配向方位が規制されること
を特徴とする液晶表示装置。
【００５９】
（付記３）
付記１又は２に記載の液晶表示装置において、
前記第１の電極は、画素領域毎に形成された画素電極であり、
前記第２の電極は、複数の前記画素領域を含む表示領域に形成された共通電極であること
を特徴する液晶表示装置。
【００６０】
（付記４）
付記３記載の液晶表示装置において、
前記画素電極は長方形形状であり、
前記第１のスリットの延伸方向は、前記画素電極の長辺方向であること
を特徴とする液晶表示装置。
【００６１】
（付記５）
付記１乃至４のいずれか１項に記載の液晶表示装置において、
基板面に垂直方向にみて、前記第１及び第２のスリットにより画定される前記第１及び第２の電極の重なり領域は、ほぼ正方形形状であること
を特徴とする液晶表示装置。
【００６２】
（付記６）
付記１乃至５のいずれか１項に記載の液晶表示装置において、
前記第１の基板の前記液晶に面する側と反対側に配置された第１の偏光素子と、
前記第２の基板の前記液晶に面する側と反対側に配置され、前記第１の偏光素子の吸収軸とほぼ直交するように吸収軸が配置された第２の偏光素子と
を有することを特徴とする液晶表示装置。
【００６３】
（付記７）
付記６記載の液晶表示装置において、
前記第１の基板と前記第１の偏光素子との間に配置された第１の１／４波長板と、
前記第２の基板と前記第２の偏光素子との間に配置された第２の１／４波長板と
を有することを特徴とする液晶表示装置。
【００６４】
【発明の効果】
以上の通り、本発明によれば、製造歩留まりが向上し、広視野角および高輝度で良好な表示品質が得られる液晶表示装置を実現できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施の形態による液晶表示装置の概略構成を示す図である。
【図２】本発明の一実施の形態による液晶表示装置の等価回路を模式的に示す図である。
【図３】本発明の一実施の形態による液晶表示装置の電極構造の概略を示す図である。
【図４】本発明の一実施の形態による液晶表示装置の電極構造による駆動状態を示す図である。
【図５】本発明の一実施の形態による液晶表示装置の他の電極構造による駆動状態を示す図である。
【図６】本発明の一実施の形態による液晶表示装置における偏光素子と１／４波長板の配置関係を示す図である。
【図７】本発明の一実施の形態による液晶表示装置の他のｌ電極構造の概略を示す図である。
【図８】ＭＶＡ−ＬＣＤのＴＦＴ基板の概略の構成を示す図である。
【図９】負の誘電率異方性を有する液晶分子に電圧を印加した際の動作を説明する図である。
【符号の説明】
２  ＴＦＴ基板
４  ＣＦ基板
１０、１１０  ＴＦＴ
１２、１１２  ゲートバスライン
１４、１１４  ドレインバスライン
１６、１１６  画素電極
１８、１１８  蓄積容量バスライン
２０、２６  電極部
２２、２８  スリット
２４  共通電極
３０、３２  １／４波長板
８０  ゲートバスライン駆動回路
８１  ドレインバスライン駆動回路
８３、８４  偏光板
８５  バックライトユニット
１２２  ドレイン電極
１２４  ソース電極
１３０  枝部
１３２  スリット
Ｌｃ  液晶分子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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