(57)【要約】【課題】製造歩留まりを改善できると共に、電気めっきにより金属被膜を効率よく形成できる配線基板の製造方法を提供する。【解決手段】薄肉部を有する基板上に金属薄膜を形成した後、金属薄膜をパターニングして基板上に初期回路パターンを形成する。初期回路パターンは、互いから孤立する第１および第２回路パターンと、これらの回路パターン間を一時的に電気接続するために薄肉部上に形成される導体層とを含む。初期回路パターンへの通電により電気めっきを実施し、初期回路パターン上に追加金属被膜を形成する。電気めっき後、導体層とともに薄肉部を打抜くことで第１回路パターンと第２回路パターンとの間の電気絶縁が得られる。【選択図】　　　　図１
2004063801.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
薄肉部を有する基板上に第１回路パターンを形成し；前記基板上に第１回路パターンとは孤立する第２回路パターンを形成し；前記薄肉部上に導体層を形成して第１回路パターンと第２回路パターンとの間に一時的な電気接続を提供し；前記導体層によって接続された第１および第２回路パターンへの通電により電気めっきを実施して第１回路パターンおよび第２回路パターン上に金属被膜を同時に形成し；前記電気めっき後、前記導体層を薄肉部とともに除去することにより第１回路パターンを第２回路パターンから電気的に絶縁することを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項２】
上記薄肉部は、導体層が形成される基板の平坦上面と、基板の下面に形成される凹部の底面との間に定義されることを特徴とする請求項１に記載の配線基板の製造方法。
【請求項３】
上記薄肉部は、導体層を形成するために基板上面に設けられる凹部の底面と、基板の平坦下面との間に定義されることを特徴とする請求項１に記載の配線基板の製造方法。
【請求項４】
上記薄肉部は、基板上面に設けられる第１凹部の底面と、基板下面に形成される第２凹部の底面との間に定義され、上記導体層は、第１凹部と第２凹部の少なくとも一方の底面に形成されることを特徴とする請求項１に記載の配線基板の製造方法。
【請求項５】
上記薄肉部は、外表面が導体層の形成に使用され、内部に空洞を有するように基板に一体成形される突起によって提供され、第１回路パターンを第２回路パターンから電気的に絶縁するため、前記突起の少なくとも一部を導体層とともに除去することを特徴とする請求項１に記載の配線基板の製造方法。
【請求項６】
上記薄肉部は、薄肉部上に形成された導体層の周囲に少なくとも一つの貫通孔を有することを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の配線基板の製造方法。
【請求項７】
上記薄肉部は、導体層の形成方向における薄肉部の両端付近に一対のノッチを有し、前記ノッチ間の薄肉部が導体層とともに除去されて、第１回路パターンが第２回路パターンから電気的に絶縁されることを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の配線基板の製造方法。
【請求項８】
上記導体層とともに薄肉部を除去する工程は、突起を有する補助基板を上記基板上に設けた導体層と対向する側に配置し、前記突起で導体層とともに薄肉部を打ち抜いて行われ、上記補助基板は、第１および第２回路パターンと基板を貫通する前記突起との間の電気絶縁性を保ちながら上記基板に接合されることを特徴とする請求項１に記載の配線基板の製造方法。
【請求項９】
上記突起は、第１および第２回路パターンと上記基板を貫通する突起との間の電気絶縁性を確保するため、その側面に窪みを有することを特徴とする請求項８に記載の配線基板の製造方法。
【請求項１０】
上記導体層とともに薄肉部を除去する工程は、突起と、前記突起をその軸方向に貫通する孔とを有する補助基板を準備し、前記突起が上記基板の凹部にフィットするように前記補助基板を基板に装着し、パンチで上記導体層の上方から薄肉部を打ち抜いて、前記突起の孔内にパンチを進行させることを特徴とする請求項２もしくは４に記載の配線基板の製造方法。
【請求項１１】
上記薄肉部を導体層とともに除去するに先立って、基板を加熱することを特徴とする請求項１乃至７のいずれかに記載の配線基板の製造方法。
【請求項１２】
上記導体層とともに薄肉部を除去する工程は、超音波振動を印加したパンチの使用により実施されることを特徴とする請求項１乃至７のいずれかに記載の配線基板の製造方法。
【請求項１３】
上記導体層とともに薄肉部を除去する工程は、レーザー光の使用により実施されることを特徴とする請求項１乃至７のいずれかに記載の配線基板の製造方法。
【請求項１４】
上記導体層とともに薄肉部を除去する工程は、液体、粉体、およびその混合物のいずれかのジェットの使用により実施されることを特徴とする請求項１乃至７のいずれかに記載の配線基板の製造方法。
【請求項１５】
上記基板の材料は、セラミックス材料であることを特徴とする請求項１乃至１４のいずれかに記載の配線基板の製造方法。
【請求項１６】
上記第１回路パターン、第２回路パターンおよび導体層は、基板上に設けた金属薄膜をパターニングすることにより一度に形成することを特徴とする請求項１乃至１５のいずれかに記載の配線基板の製造方法。
【請求項１７】
上記パターニングは、レーザーパターニングであることを特徴とする請求項１６に記載の配線基板の製造方法。
【請求項１８】
薄肉部を有する基板上に金属薄膜を形成し；前記金属薄膜をパターニングすることにより、互いから孤立する第１および第２回路パターンと、第１および第２回路パターンの間を一時的に電気接続するために前記薄肉部上に設けられる導体層とを含む初期回路パターンを前記基板上に形成し；前記初期回路パターンへの通電により電気めっきを実施して初期回路パターン上に追加金属被膜を形成し；前記電気めっき後、前記導体層とともに薄肉部を除去することにより第１回路パターンを第２回路パターンから電気的に絶縁することを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項１９】
請求項１乃至１８のいずれかの配線基板の製造方法に使用される基板であって、互いから電気的に孤立する回路パターン間を一時的に電気接続する導体層の形成に使用される薄肉部を具備してなることを特徴とする配線基板製造用基板。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、互いから電気的に孤立する複数の回路パターンを有する配線基板を効率よく製造する方法、および同製造方法に使用される基板に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来の配線基板の製造方法においては、まず基板上に金属薄膜が形成され、次いで金属薄膜の所定領域を除去することで基板上に金属薄膜のパターンが形成される。その後、電気めっきを実施して金属薄膜のパターン上に追加金属膜を形成すれば、所望の厚みを有する回路パターンが基板上に得られる。
【０００３】
しかし、基板上において金属薄膜の複数のパターンが互いから電気的に孤立している場合は、電気めっき工程が非常に煩雑になる。例えば、図１８に示すように、絶縁基板１Ｓ上において回路パターン２０Ｓが回路パターン２２Ｓから電気的に絶縁されている場合、これらの回路パターンの各々に関して個別に電気めっきを実施して追加金属被膜を形成する必要がある。結果として、電気めっき工程に要する時間の延長が製造コスト増加を招く。また、配線基板の製造歩留まりを安定に維持するため、めっき液の品質が頻繁にチェックされなければならないという問題がある。
【０００４】
一方、電気めっき用の給電回路を孤立回路の各々に設けることにより、それらの回路パターン上に一度に追加金属被膜を形成することは可能である。しかしながら、この方法では、高密度プリント配線基板の製造において限界がある。すなわち、回路パターン密度が高くなるにつれて、電気めっきにより形成した回路パターンの信頼性が低下する。
【０００５】
上記した問題点を解消するため、特開平７−０６６５３３号公報は、プリント配線基板の改善された製造方法を開示している。この方法によれば、孤立回路パターンに複数の給電回路を介して電流を供給することなく、電気めっきにより孤立回路パターン上に追加金属被膜を同時に形成することができる。
【０００６】
すなわち、図１９（ａ）に示すように、基板上に形成した金属薄膜をパターニングすることにより、互いから孤立する回路パタ−ン（３０Ｐ、３２Ｐ）とそれらの間に延出する導体層４０Ｐが基板上に形成される。導体層４０Ｐ上にレジスト被膜９０Ｐを形成した後、導体層４０Ｐによって接続された孤立回路パターン（３０Ｐ、３２Ｐ）に給電して電気めっきを実施すると、図１９（ｂ）に示すように、それらの回路パターン上に追加金属被膜５０Ｐを同時形成できる。この時、導体層４０Ｐはレジスト被膜９０Ｐで覆われているので、追加金属被膜５０Ｐは導体層４０Ｐ上には形成されない。電気めっき後、レジスト被膜９０Ｐを除去して導体層４０Ｐを露見させ、導体層４０Ｐをソフトエッチングにより除去すれば、図１９（ｃ）に示すように、孤立回路パターン（３０Ｐ、３２Ｐ）間に電気絶縁が得られる。
【０００７】
しかしながら、導体層４０Ｐ上にレジスト被膜９０Ｐを形成する工程が必要であるので、結果的に製造コストの増加を招くことになる。特に、ＭＩＤ用基板に３次元回路パターンを形成したり、高密度プリント回路板を製造する場合は、導体層上へのレジスト被膜形成の困難性が問題になる。さらに、電気めっき後の導体層４０Ｐの除去が十分でないと、絶縁不良を招く恐れがある。
【０００８】
一方、特開平１０−９３２２５号は、電気めっきにより導体パターンを比較的安価に且つ迅速に形成できる配線基板の製造方法について開示している。この方法では、まず、図２０（ａ）に示すように、基板１Ｒ上に無電解めっき用接着剤層１０Ｒおよびめっきレジスト層２０Ｒが形成される。次に、めっきレジスト層２０Ｒの一部が除去され、無電解めっき用接着剤層１０Ｒが露出され、この露出面に無電解めっきにより導体パターン８Ｒ、パッド７Ｒおよび電気めっき用リード９Ｒが形成される（図２０（ｂ））。さらに、図２０（ｃ）に示すように、このリード９Ｒを介して電気めっきを行うことで導体パターン８Ｒ、パッド７Ｒおよびリード９Ｒ上に金属厚膜５０Ｒが形成される。その後、図２０（ｄ）に示すように、金属厚膜５０Ｒとともにパッド７Ｒを打抜き加工もしくはエッチングすることで導体パターン８Ｒと電気めっき用リード９Ｒの間の電気絶縁が得られる。尚、図中、番号４０Ｒは、打抜き加工により基板１Ｒに形成された開口を示している。
【０００９】
さらに、配線基板の別の製造方法が特開昭５７−１９８６９５号公報に開示されている。この方法では、まず、絶縁基板の所定領域が露出するようにレジスト材料が塗布され、次いで無電解めっきのための触媒処理が実施される。レジスト材料を基板から除去した後、無電解めっきにより前記所定領域に金属薄膜を形成すると、絶縁基板上に電路部および電路連結部が得られる。さらに、この金属薄膜を介して通電することにより電気めっきを実施し、電路部および電路連結部上に追加金属膜を形成する。電気めっき後、追加金属膜を有する電路連結部を型抜き加工や穿孔加工によって除去すれば、互いから電気的に孤立する複数の回路パターン、すなわち、追加金属膜を有する電路部を得ることができる。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、これらの方法にあっては、パンチングや穿孔加工によってパッドや電路連結部を除去する際に、絶縁基板にクラックが発生して製造歩留まりが悪くなるという問題がある。特に、絶縁基板にセラミックやフィラー含有量の多い絶縁樹脂基板を使用する場合や、比較的厚みの厚い基板を使用する場合は、前記問題に加えて、パンチングや穿孔加工にかかる時間が長くなって、製造効率が大幅に低下するという問題もある。このように、従来の配線基板の製造方法には、製造効率および製造歩留まりの観点から依然として改善の余地が残されている。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
したがって、本発明の目的は、互いから電気的に孤立する複数の回路パターンを有する配線基板の製造において、製造歩留まりを改善できると共に、電気めっきにより金属被膜を効率よく形成できる配線基板の製造方法を提供することにある。
【００１２】
すなわち、本発明の製造方法は、薄肉部を有する基板上に第１回路パターンを形成し；前記基板上に第１回路パターンとは孤立する第２回路パターンを形成し；前記薄肉部上に導体層を形成して第１回路パターンと第２回路パターンとの間に一時的な電気接続を提供し；前記導体層によって接続された第１および第２回路パターンへの通電により電気めっきを実施して第１回路パターンおよび第２回路パターン上に金属被膜を同時に形成し；前記電気めっき後、前記導体層を薄肉部とともに除去することにより第１回路パターンを第２回路パターンから電気的に絶縁することを特徴とするものである。
【００１３】
本発明によれば、導体層を薄肉部上に設けるので、電気めっき後に穿孔加工や打抜き加工等の手段により導体層とともに薄肉部を容易にかつ迅速に除去することができる。さらに、薄肉部の除去時の基板への負荷が小さいので、基板内のクラック伝播や欠損の発生を抑制して製造歩留まりを改善することができるのである。
【００１４】
本発明において、薄肉部は、導体層が形成される基板の平坦上面と、基板の下面に形成される凹部の底面との間に定義されることが好ましい。あるいは、薄肉部は、導体層を形成するために基板上面に設けられる凹部の底面と、基板の平坦下面との間に定義されることが好ましい。さらに、薄肉部は、基板上面に設けられる第１凹部の底面と、基板下面に形成される第２凹部の底面との間に定義されても良い。この場合、導体層は、第１凹部と第２凹部の少なくとも一方の底面に形成される。
【００１５】
また、薄肉部は、外表面が導体層の形成に使用され、内部に空洞を有するように基板に一体成形される突起によって提供されることが好ましい。この場合は、突起の少なくとも一部を導体層とともに除去することにより、第１回路パターンと第２回路パターンとの間に電気絶縁を得ることができる。
【００１６】
薄肉部の除去し易さを改善するため、薄肉部上に形成された導体層の周囲に少なくとも一つの貫通孔を設けたり、導体層の形成方向における薄肉部の両端付近に一対のノッチを設けることも好ましい。
【００１７】
また、製造効率のさらなる改善のため、第１回路パターン、第２回路パターンおよび導体層が基板上に設けた金属薄膜をパターニングすることにより一度に形成することが特に好ましい。
【００１８】
本発明のさらなる目的は、プリント配線基板をさらに効率よく製造する方法を提供することにある。すなわち、本発明の製造方法は、薄肉部を有する基板上に金属薄膜を形成し；金属薄膜をパターニングすることにより、互いから孤立する第１および第２回路パターンと、第１および第２回路パターンの間を一時的に電気接続するために前記薄肉部上に設けられる導体層とを含む初期回路パターンを前記基板上に形成し；前記初期回路パターンへの通電により電気めっきを実施して初期回路パターン上に追加金属被膜を形成し；電気めっき後、導体層とともに薄肉部を除去することにより第１回路パターンを第２回路パターンから電気的に絶縁することを特徴とする。
【００１９】
本発明の別の目的は、上記した本発明の製造方法に使用される配線基板製造用基板を提供することにある。すなわち、本発明の基板は、互いから電気的に孤立する回路パターン間を一時的に電気接続する導体層の形成に使用される薄肉部を具備してなることを特徴とする。
【００２０】
以下、本発明の配線基板の製造方法を好ましい実施形態に基づいて詳細に説明する。
【００２１】
【発明の実施の形態】
（第１実施例）
第１実施形態において使用した基板１を図１（ａ）および図１（ｂ）に示す。この基板１は、基板の平坦上面１２と、基板の下面に形成される凹部１４の底面１３との間に定義される薄肉部１０を有する。薄肉部１０は、射出成形やトランスファー成形により基板１と一体に形成されることが好ましい。基板１は、セラミック材料や電気絶縁性樹脂材料で作製できる。例えば、セラミック材料は、アルミナ、窒化珪素、炭化珪素、ジルコニア等を含み、樹脂材料は、液晶ポリマー、ポリフタルアミド、ポリフタルサルフォン、エポキシ樹脂、ＳＰＳ、ＰＢＴ等を含む。また、樹脂バインダーとセラミック粉末の混合物を射出成形して所定形状の成形体を作製し、次いで、この成形体を脱脂、焼結することにより薄肉部を有する基板を作製しても良い。薄肉部１０は、機械加工により基板に設けても良い。
【００２２】
また、図１（ａ）に示すように、互いから孤立する第１および第２回路パターン（２０、２２）が基板の上面１２に形成される。次に、図２（ａ）および図２（ｂ）に示すように、薄肉部１０上に導体層４０を形成し、第１回路パターン２０と第２回路パターン２２との間を一時的に電気接続する。導体層４０は、後に実施される電気めっき工程においてのみ使用される。
【００２３】
次に、図３（ａ）および図３（ｂ）に示すように、導体層４０によって接続された第１および第２回路パターン（２０、２２）への通電により電気銅めっきのような電気めっきを実施してこれらの回路パターン上に所望の厚さの追加金属（銅）被膜５０を同時に形成する。例えば、第１回路パターン２０に電流を供給すれば、電流は薄肉部１０上の導電層４０を介して第２回路パターン２２に流れる。
【００２４】
電気めっき終了後、図４（ａ）および図４（ｂ）に示すように、導体層４０および追加金属被膜５０を有する薄肉部１０を除去して、第１および第２回路パターン（２０、２２）間の電気絶縁を得る。薄肉部１０は、導体層４０と追加金属被膜５０とともに打抜き加工により基板１から除去されることが好ましい。尚、図中、番号１５は、薄肉部１０をパンチングすることにより基板１に形成された開口を示している。
【００２５】
尚、基板１が樹脂製である場合、薄肉部１０の厚み（Ｔ）は、２ｍｍ以下であることが好ましい。また、基板１がセラミック製である場合、薄肉部１０の厚み（Ｔ）を１ｍｍ以下とすることが好ましい。さらに、薄肉部１０の厚み（Ｔ）と、薄肉部を打抜くことにより形成される開口１５の直径に実質的に等しい打抜き径（Ｄ）との比は、２もしくはそれ以下（Ｔ／Ｄ≦２）であることが好ましい。この場合は、打抜き加工の精度が向上すると共に、基板の割れやクラックの防止に効果的である。
【００２６】
上記方法においては、製造効率改善のため、第１および第２回路パターン（２０、２２）の形成、および導体層４０の形成を一度に行うことが特に好ましい。すなわち、まず、薄肉部１０を有する基板１の平坦上面１２に銅のような金属薄膜を形成する。金属被膜は、真空蒸着、ＤＣスパッタリング法、ＲＦスパッタリング法により形成できる。金属被膜の厚みは１μｍ以下であることが好ましく、例えば、約０．３μｍである。
【００２７】
次いで、金属薄膜をパターニングすることにより基板１上に初期回路パターンを形成する。パターニング方法としては、ガルバノミラーを使用して所定のパターンに沿って金属薄膜にレーザー光を照射するレーザーパターニングを採用することが好ましい。この方法によれば、正確に且つ効率よく金属薄膜の高密度パターンを形成することができる。例えば、第２あるいは第３高調波ＹＡＧレーザーの使用がレーザーパターニングに好適である。また、レーザー光は、基板１へのレーザー吸収率が金属薄膜へのレーザー吸収率と大きく異なる波長を有することが好ましい。初期回路パターンは、互いから孤立する第１および第２回路パターン（２０、２２）と、これらの回路パターン間を一時的に電気接続するために薄肉部１０上に設けられる導体層４０とを含む。
【００２８】
その後、初期回路パターンへの通電により電気銅めっきのような電気めっきを実施し、初期回路パターン上に追加金属被膜５０を形成する。電気めっき後、導体層４０および追加金属被膜５０とともに薄肉部１０が除去され、それにより第１回路パターン２０と第２回路パターン２２との間の電気絶縁が開口１５の形成によって形成される。必要に応じて、薄肉部１０の除去工程に先立って、ニッケルめっき、銀めっき、金めっきを必要に応じて追加金属皮膜５０上に実施しても良い。
【００２９】
ところで、初期回路パターンは、レーザーパターニングによって基板上に残留する金属薄膜の不使用領域から電気的に分断されているので、電気めっき時に追加金属薄膜５０は金属薄膜の不使用領域には形成されない。この金属薄膜の不使用領域は、ソフトエッチングにより容易に除去することができる。
【００３０】
本実施形態においては、図１（ａ）に示すように、第１および第２回路パターン（２０、２２）を基板１上に設けたが、必要に応じて、さらに追加の回路パターンを基板上に設けても良い。例えば、互いから孤立する複数の追加回路パターンが第１および第２回路パターンを有する基板に形成される場合、図５（ａ）および図５（ｂ）に示すように導体層４０を薄肉部１０上に形成し、第１回路パターン、第２回路パターン、および追加回路パターンとの間に一時的な電気接続を提供することができる。電気めっき後、図５（ａ）に示すようなパターンに形成した導体層４０および追加金属被膜５０を薄肉部１０とともに除去すれば、第１回路パターン、第２回路パターンおよび前記の追加回路パターンを容易に互いから電気的に絶縁することができる。尚、図６（ａ）および図６（ｂ）に示すように、単一の薄肉部１０上に複数の導体層（４０、４１，４２）を形成しても良い。
【００３１】
これらの場合は、基板１上に形成すべき薄肉部１０の総数を減らすことによって回路設計の自由度を向上させることができる。したがって、これらの変更例は、高密度プリント配線板を製造するのに特に効果的である。また、電気めっき後の薄肉部１０の除去に要する時間が全体として短くなるという長所もある。
【００３２】
薄肉部１０の除去時に回路パターンの剥離や基板材料の欠けやバリの発生を防ぐため、導体層４０の形成方向における薄肉部の両端付近に一対のノッチ１６を設けることが好ましい。例えば、図７（ａ）および図７（ｂ）に示すように、Ｖ溝１６を円形状に薄肉部１０に形成しても良い。薄肉部１０はＶ溝１６で基板１から除去されるので、基板材料の欠けやバリの発生を低減しながら、回路パターン間に信頼性の高い電気絶縁を提供することができる。さらに、後の洗浄工程を簡素化できるという長所もある。
【００３３】
また、薄肉部１０には、導体層４０に隣接して少なくとも一つの貫通孔を設けることが好ましい。例えば、図８（ａ）および図８（ｂ）に示すように、薄肉部１０上の導体層４０の両側に一対の半月状の開口を設けても良い。あるいは、図９（ａ）および図９（ｂ）に示すように、複数の細孔１８を薄肉部１０の周辺部に設けても良い。これらの場合は、薄肉部１０の除去し易さをさらに改善することができる。
【００３４】
薄肉部１０を基板１から除去する手法としては、薄肉部に衝撃や振動を付加したり、水や空気などの流体を高速高圧で吹き付ければ良い。好ましい例としては、図１０に示すように、超音波振動を印加したパンチ６０の使用により薄肉部１０を除去することができる。図中、番号８０および８２は、それぞれホーンおよび超音波振動子を示す。この場合は、薄肉部１０を打抜くことにより形成される開口１５周辺でのバリ発生を防ぐ効果が高い。さらに、図１１に示すように、ＹＡＧレーザーやＣＯ２レーザーのようなレーザー光８４を使用して薄肉部１０を除去しても良い。この場合、薄肉部１０を正確に除去することができるので、互いから絶縁される高密度な回路パターンを基板１上に形成するのに特に有効である。さらに、基板１が樹脂材料で形成される場合は、打抜き加工や穿孔加工によって薄肉部１０を機械的に除去する場合に比べ、基板の反りや変形を低減することができる。あるいは、図１２に示すように、水のような液体、セラミック粉末のような粉体、およびその混合物から選択される流体ジェット８６を使用して薄肉部４０を除去しても良い。
【００３５】
図１の基板の代りに、図１３に示すように、薄肉部１０が、導体層４０を形成するために基板上面に設けられる凹部１４の底面１３と、基板１の平坦下面１１との間に定義される基板１を用いても良い。この場合は、肉薄部１０がパンチ６０の使用により凹部底面１３上の導体層４０および追加金属被膜５０とともに打ち抜かれ、回路パタ−ン（２０、２２）間に電気絶縁が形成される。
【００３６】
あるいは、図１４に示すように、薄肉部１０が、基板上面に設けられる第１凹部１４ａの底面と、基板下面に形成される第２凹部１４ｂの底面との間に定義される基板１を用いることも好ましい。図１４では、導体層４０が第１凹部１４ａの底面に形成されているが、導体層４０は第２凹部１４ｂの底面、もしくは必要に応じて第１凹部１４ａと第２凹部１４ｂの両方の底面に形成されても良い。特に、基板１の上下面の各々に互いから孤立する複数の回路パターンが形成される場合は、薄肉部１０を打抜くことで基板の上面および下面の両方における回路パターン間の電気絶縁を一度に得ることができる。したがって、製造効率のさらなる向上を図れる。また、基板の反りやバリ発生の低減と薄肉部１０の除去し易さ改善の観点から、パンチ６０が出てくる薄肉部１０の表面に上記したノッチ（１６）を設けることが好ましい。
【００３７】
さらに、図１５（ａ）および図１５（ｂ）に示される薄肉部１０を有する基板１を使用しても良い。すなわち、薄肉部１０は、外表面が導体層４０の形成に使用され、内部に空洞（＝凹部１４）を有するように基板１と一体成形される突起１９によって提供される。この場合は、突起１９の少なくとも一部がパンチング、穿孔加工、切断、研削あるいはエンドミル加工により導体層４０および追加金属被膜５０とともに除去され、これにより回路パターン（２０、２２）間の電気絶縁が高い信頼性で得られる。さらに、突起１９が適切な方向からエンドミル８８によって除去される場合、エンドミルによって薄肉部１０に形成された開口１５周囲での回路パターンの剥離やバリ発生を防ぐことができる。
【００３８】
基板１が絶縁性樹脂材料で形成される場合、導体層４０および追加金属被膜５０とともに薄肉部１０を除去する工程に先立って、基板１を加熱することが好ましい。この場合は、加熱により基板１が軟化するので、薄肉部１０を容易に且つ効率よく打抜くことができる。
【００３９】
（第２実施例）
本実施例においては、図１６（ａ）および図１６（ｂ）に示すように、導体層４０および追加金属被膜５０とともに薄肉部１０を基板１から除去するに際して、少なくとも一つの突起７２を有する補助基板７０を基板１の下部、すなわち、導体層４０を設けた基板上面と対向する側に配置する。補助基板７０は、銀、アルミ、銅等の金属材料で形成することが好ましい。次に、図１６（ａ）中の矢印で示されるように、補助基板７０を基板１に向かって移動させ、突起７２にて追加金属被膜５０および導体層４０とともに薄肉部１０を打抜く。さらに、図１６（ｂ）に示すように、突起７２が基板１を貫通している状態で補助基板７０を基板１に接合する。補助基板７０を基板１に接合するために接着剤を使用する場合は、エポキシ樹脂やアクリル樹脂を使用することが好ましい。尚、補助基板７０を絶縁性と熱伝導性に優れた樹脂材料で形成する場合は、接着剤を使用することなく基板１に突起７２を圧入することで接合しても良い。
【００４０】
尚、補助基板７０が金属材料で形成される場合は、突起７２の側面に窪み７６を設けることが好ましい。突起７２が薄肉部１０を貫通する時、突起７２の側面と基板１上の回路パターン（２０、２２、５０）との間には図１６Ｂに示すような隙間Ｄが形成され、これにより回路パターン間の電気絶縁性が確保される。また、金属材料でなる補助基板７０は放熱板としても機能する。もちろん、基板の所望の特性を改善するため、樹脂材料もしくはセラミック材料で補助基板７０を作製しても良い。
【００４１】
また、補助基板７０の突起７２の別の応用例として、突起の端面に凹み部（図示せず）を設け、ＬＥＤのような電子部品をこの凹み部にマウントし、基板上の所定の回路パターンと電子部品との間をワイヤーボンディングにより電気接続しても良い。
【００４２】
（第３実施例）
本実施例では、図１７（ａ）に示すように、平坦上面１２と基板下面に設けた凹部１４との間に定義される薄肉部１０を有する基板１を使用する。次に、この平坦上面１２に互いから孤立する第１、第２および第３回路パターン（２０、２２、２４）を形成する（図１７（ｂ））。さらに、薄肉部１０上に導体層４０を形成してこれらの回路パターン間に一時的な電気接続を形成する（図１７（ｃ））。第１実施例で述べたように、製造効率改善の観点から、第１、第２および第３回路パターン（２０、２２、２４）の形成および導体層４０の形成を基板上に設けた金属薄膜をレーザーパターニングすることにより一度に実施することが特に好ましい。
【００４３】
その後、図１７（ｄ）に示すように、導体層４０によって接続された回路パターン（２０、２２、２４）への通電により電気めっきを実施し、これらの回路パターン上に追加金属被膜５０を同時に形成する。また、突起７２を有する補助基板７０を、前記突起が基板の対応する凹部１４にフィットするように基板１に接合する。突起７２の各々には貫通孔７４が設けられている。次いで、パンチ６０で上記基板１の平坦上面の上方から薄肉部１０を打ち抜いて、突起７２の貫通孔７４内にパンチ６０を進行させる。このように、補助基板７０はパンチ受けとして機能するので、図１７（ｅ）に示すように、薄肉部１０を正確に打抜くことができる。また、基板保持用の専用金型を使用することなく薄肉部１０を除去できるので、製造コスト削減に有効である。さらに、金属材料で形成された補助基板７０は、放熱板としても機能する。尚、本実施例で説明した補助基板は、図１４に示す基板１に使用しても良い。この場合は、パンチ６０により上記基板１上に設けた追加金属被膜５０の上方から薄肉部１０が打ち抜かれる。
【００４４】
【発明の効果】
本発明においては、互いから絶縁される回路パタ−ンの間に一時的に電気接続を提供する導体層を基板の薄肉部上に設け、この導体層によって接続された回路パタ−ンを介しての通電により電気めっきを行うことで、これらの回路パタ−ン上に一度に電気めっきにより金属被膜を形成することができる。これは、配線基板の製造方法における電気めっき工程に要する時間の節約をもたらす。さらに、電気めっき後に、打抜き加工やレーザー光等の使用によって導体層とともに薄肉部を基板から除去することにより回路パターン間の電気絶縁を信頼性よく且つ容易に得ることができる。このように、本発明は、高密度配線基板を効率よく製造する場合に特に有効である。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）は、本発明の第１実施例に基づく配線基板の製造方法の第１工程を示す概略斜視図であり、（ｂ）は（ａ）中のＭ−Ｍ線における切断面を示す図である。
【図２】（ａ）は、本発明の第１実施例に基づく製造方法の第２工程を示す概略斜視図であり、（ｂ）は（ａ）中のＭ−Ｍ線における切断面を示す図である。
【図３】（ａ）は、本発明の第１実施例に基づく製造方法の第３工程を示す概略斜視図であり、（ｂ）は（ａ）中のＭ−Ｍ線における切断面を示す図である。
【図４】（ａ）は、本発明の第１実施例に基づく製造方法の第４工程を示す概略斜視図であり、（ｂ）は（ａ）中のＭ−Ｍ線における切断面を示す図である。
【図５】（ａ）は、本発明の薄肉部上に形成された導体層の一例を示す拡大平面図であり、（ｂ）は（ａ）中のＭ−Ｍ線における切断面を示す図である。
【図６】（ａ）は、本発明の単一の薄肉部上に形成された複数の導体層を示す拡大平面図であり、（ｂ）は（ａ）中のＭ−Ｍ線における切断面を示す図である。
【図７】（ａ）は、本発明のＶ字状溝を有する薄肉部の拡大平面図であり、（ｂ）は（ａ）中のＭ−Ｍ線における切断面を示す図である。
【図８】（ａ）は、本発明の両側に一対の開口を有する薄肉部の拡大平面図であり、（ｂ）は（ａ）中のＭ−Ｍ線における切断面を示す図である。
【図９】（ａ）は、本発明の周囲に複数の細孔を有する薄肉部の拡大平面図であり、（ｂ）は（ａ）中のＭ−Ｍ線における切断面を示す図である。
【図１０】超音波印加パンチで薄肉部を除去する工程を示す概略断面図である。
【図１１】レーザー光で薄肉部を除去する工程を示す概略断面図である。
【図１２】流体ジェットで薄肉部を除去する工程を示す概略断面図である。
【図１３】本発明の製造方法に使用される基板の変更例を示す概略断面図である。
【図１４】本発明の製造方法に使用される基板のさらなる変更例を示す概略断面図である。
【図１５】（ａ）および（ｂ）は、本発明の製造方法に使用される基板の別の変更例を示す概略断面図である。
【図１６】（ａ）および（ｂ）は、本発明の第２実施例に基づく配線基板の製造方法を示す概略断面図である。
【図１７】（ａ）〜（ｅ）は、本発明の第３実施例に基づく配線基板の製造方法を示す概略断面図である。
【図１８】互いから電気的に絶縁される回路パターンを有するプリント配線板の概略斜視図である。
【図１９】（ａ）〜（ｃ）は、特開平７−０６６５３３号公報に記載された配線基板の製造方法を示す概略斜視図である。
【図２０】（ａ）〜（ｄ）は、特開平１０−９３２２５号公報に記載された配線基板の製造方法を示す概略斜視図である。
【符号の説明】
１　基板
１０　薄肉部
１２　平坦上面
１３　凹部底面
１４　凹部
２０　第１回路パターン
２２　第２回路パターン
４０　導体層
５０　追加金属被膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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