(57)【要約】【課題】光導波路のコア内に良好な屈折率変調パターンを形成することが可能な平面導波路型回折格子素子の製造方法を提供する。【解決手段】Ｓｉ基板１０上に、アンダークラッド層２１、光導波層１５をパターニングしたコア層２０、及びコア層２０等を覆うオーバークラッド層２２を形成した平面導波路型光回路を、回折格子を形成する対象となる光回路として準備する（図１（ａ）〜（ｃ））。そして、この平面導波路型光回路に対して、位相格子マスク３０を介して紫外レーザ光５０を照射して、屈折率変調パターンによる回折格子２５をコア層２０内に形成する（図１（ｄ））。このとき、紫外光の基板１０による反射光が、コア層２０での格子形成領域の外側を通過するように設定された照射条件によって、光回路に対する紫外光の照射を行う。【選択図】　図１
2004021220.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板、前記基板の表面上に所定の導波路パターンによって形成されたコア層、及び前記基板と前記コア層とを覆うように形成されたクラッド層を有する平面導波路型光回路を準備する光回路準備工程と、
前記平面導波路型光回路に対して表面側から紫外光を照射し、所定の格子形成領域内の前記コア層に所定の屈折率変調パターンによって回折格子を形成して、平面導波路型回折格子素子を作成する格子形成工程とを備え、
前記格子形成工程において、前記紫外光の前記基板による反射光が前記格子形成領域外を通過するように設定された条件で、前記平面導波路型光回路に対して前記紫外光を照射することを特徴とする平面導波路型回折格子素子の製造方法。
【請求項２】
前記格子形成工程において、前記平面導波路型光回路に対して位相格子マスクを介して前記紫外光を照射するとともに、前記コア層に平行な方向での前記紫外光の照射幅ｗ、前記位相格子マスクの下面から前記基板の表面までの距離ｄ、及び前記位相格子マスクでの前記紫外光の回折角度θが、条件
ｗ≦２ｄ・ｔａｎθ
を満たすように前記紫外光を照射することを特徴とする請求項１記載の平面導波路型回折格子素子の製造方法。
【請求項３】
前記格子形成工程において、前記平面導波路型光回路に対して、前記基板の表面に直交する垂直軸からみて前記コア層に垂直な面内で傾いた照射軸によって前記紫外光を照射することを特徴とする請求項１記載の平面導波路型回折格子素子の製造方法。
【請求項４】
前記光回路準備工程において、前記基板の表面に平行な面からみて前記コア層に垂直な面内で傾いた面が表面となるように形成された前記クラッド層を有する前記平面導波路型光回路を準備することを特徴とする請求項１記載の平面導波路型回折格子素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、基板上に形成された平面導波路型の光導波路を有する光回路において、所定の領域内のコア層に回折格子を形成する平面導波路型回折格子素子の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
光導波路型の回折格子素子は、光が伝搬される光導波路に対して、回折格子として機能する屈折率変調パターンを光導波路の長手方向に沿って形成した光素子である。このような回折格子素子としては、光導波路として光ファイバを用いた光ファイバグレーティングや、基板上に形成された平面導波路型の光導波路を用いた平面導波路型グレーティングなどがある。
【０００３】
回折格子素子の作製工程においては、例えば、石英ガラスにＧｅＯ２が添加された光導波路のコアに対し、所定のパターンによって強度変調された紫外光を照射する。このとき、紫外光が照射された領域内において、コアの各部位での屈折率が紫外光の照射光量等に応じて変化する。これにより、回折格子状の屈折率変調パターンが光導波路のコア内に形成される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
平面導波路型の光導波路を用いた回折格子素子、及びその製造方法として、例えば、特許第３０１９８０９号公報に記載されたものがある。ここで、平面導波路型光回路を用いた回折格子素子では、その作製時において、光導波路のコアへと照射される紫外光の一部がＳｉ（シリコン）基板で反射され、この反射光によって、光導波路のコア内に形成される屈折率変調パターンのコントラストが低下する場合がある。
【０００５】
これに対して、上記文献に記載された平面導波路型回折格子素子においては、基板と、コア層及びクラッド層からなる光導波路層との間に、高濃度でＧｅＯ２が添加されたＧｅ添加石英ガラス層などの光吸収層を設けている。これにより、回折格子素子の作製時において、基板による紫外光の反射が抑制されるので、屈折率変調パターンでのコントラストが向上される。
【０００６】
しかしながら、このような構成を用いた場合でも、基板による紫外光の反射はある程度発生し、屈折率変調パターンのコントラストの低下、及びそれによる回折格子素子の光学特性の劣化の原因となる。また、高濃度Ｇｅ添加石英ガラス層を形成する工程が必要となるため、回折格子素子が高コスト化する。さらに、紫外光を吸収するために充分な濃度でＧｅＯ２を添加した場合、紫外光を照射したときにＧｅ添加石英ガラス層内に気泡が発生するという問題もある。
【０００７】
また、平面導波路型回折格子素子の作製時において、紫外光の基板による反射光が発生すると、上述した屈折率変調パターンのコントラストの低下に加えて、設定されている反射波長帯域外での光の反射率が充分に下がりきらない、という問題がある。
【０００８】
すなわち、紫外光の基板による反射光が発生した場合、平面導波路型光回路での光導波路のコアに対して照射されている紫外光と、その基板による反射光との干渉が発生する。そして、この紫外光と反射光との干渉パターンによって、光導波路のコア内に余分な屈折率変調が生成される。このとき、屈折率変調パターンによる回折格子において設定されている反射波長帯域に対して、その反射波長帯域外の波長範囲で光の反射率が余分に上がってしまうこととなる。
【０００９】
本発明は、以上の問題点を解決するためになされたものであり、平面導波路型光回路を用いた回折格子素子の作製時において、光導波路のコア内に良好な屈折率変調パターンを形成することが可能な平面導波路型回折格子素子の製造方法を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
このような目的を達成するために、本発明による平面導波路型回折格子素子の製造方法は、（１）基板、基板の表面上に所定の導波路パターンによって形成されたコア層、及び基板とコア層とを覆うように形成されたクラッド層を有する平面導波路型光回路を準備する光回路準備工程と、（２）平面導波路型光回路に対して表面側から紫外光を照射し、所定の格子形成領域内のコア層に所定の屈折率変調パターンによって回折格子を形成して、平面導波路型回折格子素子を作成する格子形成工程とを備え、（３）格子形成工程において、紫外光の基板による反射光が格子形成領域外を通過するように設定された条件で、平面導波路型光回路に対して紫外光を照射することを特徴とする。
【００１１】
上記した平面導波路型回折格子素子の製造方法においては、光導波路のコアへと照射される紫外光の一部がＳｉ基板などの基板で反射された反射光について、反射光が格子形成領域の外側を通過するように、光回路に対する紫外光の照射条件を設定している。このとき、回折格子素子の作製時において、紫外光の基板による反射光が発生した場合でも、照射されている紫外光と、その基板による反射光との干渉が発生しないこととなる。
【００１２】
これにより、紫外光と反射光との干渉パターンに起因する光導波路のコア内での余分な屈折率変調の生成、及び屈折率変調パターンのコントラストの低下などが抑制される。したがって、光導波路のコア内に良好な屈折率変調パターンを形成して、回折格子素子の光学特性を向上することが可能となる。
【００１３】
また、このような方法では、基板と、コア層及びクラッド層からなる光導波路層との間に、高濃度Ｇｅ添加石英ガラス層などの光吸収層を設けることが不要となる。これにより、回折格子素子の製造工程が簡単化され、素子の低コスト化が可能となる。また、石英ガラス層内での気泡の発生等が防止される。
【００１４】
具体的な紫外光の照射条件としては、格子形成工程において、平面導波路型光回路に対して位相格子マスクを介して紫外光を照射するとともに、コア層に平行な方向での紫外光の照射幅ｗ、位相格子マスクの下面から基板の表面までの距離ｄ、及び位相格子マスクでの紫外光の回折角度θが、条件
【００１５】
ｗ≦２ｄ・ｔａｎθ
を満たすように紫外光を照射することを特徴とする。
【００１６】
このような方法によれば、光導波路であるコア層に平行な方向について、紫外光の基板による反射光が、紫外光が照射されている格子形成領域の外側を通過する条件が実現される。
【００１７】
また、格子形成工程において、平面導波路型光回路に対して、基板の表面に直交する垂直軸からみてコア層に垂直な面内で傾いた照射軸によって紫外光を照射することを特徴とする。あるいは、光回路準備工程において、基板の表面に平行な面からみてコア層に垂直な面内で傾いた面が表面となるように形成されたクラッド層を有する平面導波路型光回路を準備することを特徴とする。
【００１８】
このような方法によれば、光導波路であるコア層に垂直な方向について、紫外光の基板による反射光が、紫外光が照射されている格子形成領域の外側を通過する条件が実現される。
【００１９】
【発明の実施の形態】
以下、図面とともに本発明による平面導波路型回折格子素子の製造方法の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、図面の説明においては同一要素には同一符号を付し、重複する説明を省略する。また、図面の寸法比率は、説明のものと必ずしも一致していない。
【００２０】
まず、本発明による平面導波路型回折格子素子の製造方法の概要について、回折格子を形成する対象となる平面導波路型光回路の製造方法を含めて説明する。
【００２１】
図１は、平面導波路型回折格子素子の製造方法を概略的に示す工程図である。ここでは、基板上に直線状の導波路パターンによって形成された単一の光導波路を有する平面導波路型光回路を用いて回折格子素子を作製する場合について説明する。なお、図１（ａ）〜（ｃ）においては光導波路の光軸に垂直な断面図によって、また、図１（ｄ）においては光導波路の光軸に平行な断面図によって、各工程を図示している。
【００２２】
図１（ａ）〜（ｄ）に示す平面導波路型回折格子素子の製造方法では、まず、光導波路を形成するためのＳｉ基板１０を用意する。そして、この基板１０の表面１１上に、ＣＶＤ法によって、石英ガラスからなる厚さ４０μｍのアンダークラッド層２１を形成し、さらに、同じくＣＶＤ法によって、所定の添加量でＧｅＯ２が添加されたＧｅ添加石英ガラスからなる厚さ６μｍの光導波層１５を形成する（図１（ａ））。
【００２３】
次に、フォトリソグラフィ及びＲＩＥによって、アンダークラッド層２１上の光導波層１５を、直線状の導波路パターンによってパターニング加工する。これにより、幅６μｍで光軸に沿って直線状に伸びるコア層２０が形成される（図１（ｂ））。このとき、コア層２０の断面形状は、６μｍ×６μｍの略矩形状となっている。
【００２４】
続いて、基板１０上のアンダークラッド層２１、及びパターニングされたコア層２０を覆うように、ＦＨＤ法によって、Ｂ／Ｐ添加石英ガラスからなる厚さ２５μｍのオーバークラッド層２２を形成する（図１（ｃ））。以上により、基板１０、コア層２０、及びクラッド層２１、２２を有する平面導波路型光回路が準備される（光回路準備工程）。
【００２５】
上記した構成の光回路において、アンダークラッド層２１及びオーバークラッド層２２は、いずれもコア層２０よりも低い屈折率となっている。コア層２０及びクラッド層２１、２２からなる光導波路層でのこのような屈折率分布構造により、コア層２０は、光が伝搬される光導波路として機能する。また、この平面導波路型光回路が、回折格子を形成する対象の光回路となる。なお、このような平面導波路型光回路としては、あらかじめ作成されて準備されている光回路を用いても良い。
【００２６】
続いて、準備された平面導波路型光回路に対して、所定条件で高圧水素処理を行った後、平面導波路型光回路への回折格子の形成を行う（図１（ｄ）、格子形成工程）。回折格子の形成は、基板１０、コア層２０、及びクラッド層２１、２２からなる平面導波路型光回路に対して、その表面側から紫外レーザ光５０を照射することによって行う。
【００２７】
紫外レーザ光５０は、位相格子マスク３０を介して、所定のパターンによって強度変調された紫外光５１として平面導波路型光回路に照射される。このとき、紫外光５１が照射されている領域である格子形成領域内において、石英ガラスにＧｅＯ２が添加されたコア層２０の各部位で、紫外光５１の照射パターンに応じて屈折率が変化する。これにより、格子形成領域内にある光導波路のコア層２０内に所定の屈折率変調パターンが形成されて、光導波路上に屈折率変調パターンによる回折格子２５を有する平面導波路型回折格子素子が作成される。
【００２８】
ここで、回折格子素子の作製時において、平面導波路型光回路での光導波路のコア層２０に対し、上記のように屈折率変調パターンを形成するための紫外光を照射すると、紫外光の基板１０による反射光が発生する場合がある。これに対して、図１に示した製造方法においては、紫外光の基板１０による反射光が格子形成領域外を通過するように設定された照射条件によって、光回路に対する紫外光の照射を行っている。
【００２９】
上述した平面導波路型回折格子素子の製造方法の効果について説明する。
【００３０】
図１に示した平面導波路型回折格子素子の製造方法では、基板１０上に形成されたコア層２０からなる光導波路に対して紫外光を照射して、コア層２０内に所定の屈折率変調パターンからなる回折格子２５を形成する。そして、紫外光の一部がＳｉ基板などの基板１０で反射された反射光について、コア層２０に対して紫外光が照射されて回折格子２５の形成が行われている格子形成領域の外側を反射光が通過するように、光回路に対する紫外光の照射条件を設定している。
【００３１】
このとき、回折格子素子の作製時において、紫外光の基板１０による反射光が発生した場合でも、照射されている紫外光と、その基板１０による反射光との干渉が発生しないこととなる。これにより、紫外光と反射光との干渉パターンに起因する光導波路のコア層２０内での余分な屈折率変調の生成、及び回折格子２５となる屈折率変調パターンのコントラストの低下などが抑制されるので、コア層２０内に良好な屈折率変調パターンを形成することができる。したがって、回折格子２５による良好な光の反射特性が実現され、また、回折格子２５において設定されている反射波長帯域に対して、その反射波長帯域外の波長範囲での余分な光の反射率が低減される。
【００３２】
また、この方法では、平面導波路型光回路に対する紫外光の照射条件を調整することによって、紫外光の基板１０による反射光の影響を抑制している。このため、基板と、コア層及びクラッド層からなる光導波路層との間に、高濃度Ｇｅ添加石英ガラス層からなる光吸収層（特許第３０１９８０９号公報参照）などの余分な層を設けることが不要となる。これにより、回折格子素子の製造工程が簡単化され、素子の低コスト化が可能となる。
【００３３】
また、高濃度Ｇｅ添加石英ガラス層を設けない構成の平面導波路型光回路を用いることが可能な上記の方法では、光回路の石英ガラス層内での気泡の発生等を防止することができる。すなわち、基板と光導波路層との間に高濃度Ｇｅ添加石英ガラス層を設けた構成の平面導波路型光回路を用いる回折格子素子の製造方法では、紫外光を吸収するために充分な濃度でＧｅＯ２を添加すると、紫外光を照射したときにＧｅ添加石英ガラス層内に気泡が発生する場合がある。
【００３４】
一般に、高濃度でＧｅＯ２が添加された石英ガラス層内には、酸素欠損による欠陥が含まれやすい。このため、このような石英ガラス層では、紫外レーザ光を照射したときに、照射エネルギーによって層内にＧｅＯ結晶が析出しやすい。また、このＧｅＯ結晶は気化温度が低いため、紫外レーザ光を照射することによって発生する熱で気化してしまい、石英ガラス層内に気泡が発生する原因となる。
【００３５】
また、特許第３０１９８０９号公報には、ＧｅＯ２以外の光吸収物質として、ＴｉＮ、ＴｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４を用いることが記載されている。しかしながら、これらの石英ガラス層など、Ｓｉと線膨張係数が大きく異なる膜を基板上に厚く堆積する場合、膜剥がれなどが発生しやすくなる。
【００３６】
また、上記文献には、基板と光導波路層との間に光吸収層を形成する構成に加えて、Ｓｉ基板の表面を荒研磨して光散乱層とする構成についても記載されている。この場合、ＣＶＤ法では、荒研磨された基板の表面上に堆積する膜の膜面も粗くなってしまう。また、ＦＨＤ法では、粗い面を起点に結晶が生じたりしやすくなる。したがって、いずれの場合も、基板上に形成された光導波路における光の伝送損失が大きくなるという問題がある。
【００３７】
これに対して、平面導波路型光回路に対する紫外光の照射条件によって紫外光の基板による反射光の影響を低減する上述した製造方法によれば、基板と光導波路層との間に、高濃度Ｇｅ添加石英ガラス層などの光吸収層や、基板表面を荒研磨した光散乱層などを設けることが不要となる。これにより、石英ガラス層内での気泡の発生や、基板上の光導波路における光の伝送損失の増大などが防止される。
【００３８】
図１に示した平面導波路型回折格子素子の製造方法について、具体的な実施形態とともにさらに説明する。なお、以下に示す各実施形態においては、回折格子素子の作成に用いられる平面導波路型光回路の構成及びその製造方法等については、図１に関して上述したものと同様である。
【００３９】
図２は、平面導波路型回折格子素子の製造方法の第１実施形態について示す図である。なお、図２においては、光導波路の光軸に平行な断面図によって、光回路に紫外光を照射して回折格子を形成する格子形成工程を図示している。
【００４０】
本実施形態においては、基板１０、コア層２０、及びクラッド層２１、２２からなる平面導波路型光回路に対し、位相格子マスク３０を介して紫外光５０を照射して、コア層２０内に回折格子２５を形成する。そして、紫外光５０の照射について、光導波路であるコア層２０の光軸に平行な方向での紫外光５０の照射幅をｗ、位相格子マスク３０の下面３１から基板１０の表面１１までの距離をｄ、位相格子マスク３０での紫外光５０の回折角度をθとしたときに、以下の条件
【００４１】
ｗ≦２ｄ・ｔａｎθ
が満たされる照射条件によって紫外光５０を照射する。
【００４２】
このような方法によれば、光導波路であるコア層２０に平行な方向について、紫外光５０の基板１０による反射光が、紫外光５０が照射されている格子形成領域の外側を通過する条件が実現される。
【００４３】
すなわち、紫外光５０の照射幅ｗの左端に対応する位相格子マスク３０の下面３１での点Ａを通過した光は、図２中において紫外光５１ａ（実線）として示すように、点Ａから右側に向けて回折角度θで平面導波路型光回路に照射される。そして、点Ａからみて距離ｄ・ｔａｎθだけ右側の位置で基板表面１１に到達する。また、紫外光５０の照射幅ｗの右端に対応する位相格子マスク３０の下面３１での点Ｂを通過した光は、紫外光５１ｂとして示すように、点Ｂから左側に向けて、回折角度θで光回路に照射される。そして、点Ｂからみて距離ｄ・ｔａｎθだけ左側の位置で基板表面１１に到達する。
【００４４】
これに対して、上述した条件
【００４５】
ｗ≦２ｄ・ｔａｎθ
を満たすように、マスク下面３１から基板表面１１までの距離ｄを設定する。このとき、位相格子マスク３０を通過して光回路へと照射される点Ａ、Ｂからの紫外光５１ａ、５１ｂは、基板表面１１に到達する前に互いに交差する。そして、左端の点Ａからの紫外光５１ａが基板表面１１で反射された反射光５２ａ（点線）は、右端の点Ｂからの紫外光５１ｂよりもさらに右側を通過する。また、右端の点Ｂからの紫外光５１ｂが基板表面１１で反射された反射光５２ｂは、左端の点Ａからの紫外光５１ａよりもさらに左側を通過する。
【００４６】
以上より、本実施形態では、コア層２０に平行な方向について、紫外光の基板１０による反射光が格子形成領域の外側を通過することとなり、格子形成領域内での紫外光と反射光との干渉の発生が防止される。したがって、回折格子２５において設定されている反射波長帯域に対して、その反射波長帯域外の波長範囲での光の余分な反射率が低減されて、良好な光学特性を有する平面導波路型回折格子素子が得られる。
【００４７】
このような紫外光の照射条件の具体的な例としては、紫外光の照射ビーム幅をｗ＝２００μｍ、マスク下面３１から基板表面１１までの距離をｄ＝４５０μｍとする構成がある。また、ブラッグ波長が１．５５μｍ波長帯域となる回折格子２５を形成するための位相格子マスク３０では、回折角度はθ＝１３°程度である。
【００４８】
また、紫外光の照射幅ｗに対応するコア層２０での格子形成領域の光軸方向の幅に対して、回折格子２５を形成しようとする領域の幅が大きい場合には、上記した照射条件を満たしつつ、平面導波路型光回路へと照射する紫外レーザ光５０の照射位置をコア層２０に平行な方向に順次移動していけば良い。
【００４９】
また、図２に示した構成の平面導波路型光回路に対して、良好な屈折率変調パターンを有する回折格子２５をコア層２０内に効率的に形成するためには、照射される紫外光のコヒーレンス性が高い位置、具体的には位相格子マスク３０に近い位置にコア層２０を位置させることが好ましい。また、アンダークラッド層２１の厚さを充分に厚くすることが好ましい。
【００５０】
図３は、アンダークラッド層の厚さを１５０μｍと厚く設定した場合での、回折格子の光学特性の波長依存性を示すグラフである。このグラフにおいて、横軸は、光導波路であるコア層２０を伝搬される光の波長（ｎｍ）を示している。また、縦軸は、コア層２０内に形成された回折格子２５での光の透過率（ｄＢ）、及び反射率（ｄＢ）を示している。
【００５１】
図３のグラフより、回折格子２５において設定されている反射波長帯域外での余分な反射率が小さく、良好な反射特性を有する平面導波路型回折格子素子が得られていることがわかる。
【００５２】
図４は、平面導波路型回折格子素子の製造方法の第２実施形態について示す図である。なお、図４においては、光導波路の光軸に垂直な断面図によって、光回路に紫外光を照射して回折格子を形成する格子形成工程を図示している。
【００５３】
本実施形態においては、基板１０、コア層２０、及びクラッド層２１、２２からなる平面導波路型光回路に対し、位相格子マスク３０を介して紫外光５０を照射して、コア層２０内に回折格子２５を形成する。そして、紫外光５０の照射について、基板１０の表面１１に直交する垂直軸からみて、コア層２０の光軸に垂直な面内で所定の傾き角度α（α＞０°）で傾いた軸を照射軸とする照射条件によって紫外光５０を照射する。
【００５４】
このような方法によれば、図４に示すように、位相格子マスク３０を通過した紫外光５１が格子形成領域内のコア層２０に照射されるとともに、紫外光５１の基板１０による反射光５２が、コア層２０から外れた位置を通過する。これにより、光導波路であるコア層２０に垂直な方向について、紫外光５０の基板１０による反射光が、紫外光５０が照射されている格子形成領域の外側を通過する条件が実現される。
【００５５】
図５は、平面導波路型回折格子素子の製造方法の第３実施形態について示す図である。なお、図５においては、光導波路の光軸に垂直な断面図によって、光回路に紫外光を照射して回折格子を形成する格子形成工程を図示している。
【００５６】
本実施形態においては、基板１０、コア層２０、及びクラッド層２１、２２からなる平面導波路型光回路に対し、位相格子マスク３０を介して紫外光５０を照射して、コア層２０内に回折格子２５を形成する。そして、紫外光５０の照射について、基板１０の表面１１に平行な面からみて、コア層２０の光軸に垂直な面内で所定の傾き角度β（β＞０°）で傾いた面が表面２３となるように形成されたクラッド層２２を有する平面導波路型光回路を用いている。
【００５７】
このような方法によれば、図５に示すように、位相格子マスク３０を通過してクラッド表面２３で屈折された紫外光５１が格子形成領域内のコア層２０に照射されるとともに、紫外光５１の基板１０による反射光５２が、コア層２０から外れた位置を通過する。これにより、図４に示した場合と同様に、光導波路であるコア層２０に垂直な方向について、紫外光５０の基板１０による反射光が、紫外光５０が照射されている格子形成領域の外側を通過する条件が実現される。
【００５８】
本発明による平面導波路型回折格子素子の製造方法は、上述した実施形態に限られるものではなく、様々な変形が可能である。例えば、回折格子を形成する対象となる平面導波路型光回路の構成については、上述した光回路に限らず、光導波路の導波路パターン、基板の種類、コア層及びクラッド層の厚さ、幅や各層の材料など、個々の回折格子素子において適宜設定して良い。
【００５９】
【発明の効果】
本発明による平面導波路型回折格子素子の製造方法は、以上詳細に説明したように、次のような効果を得る。すなわち、平面導波路型光回路での光導波路のコアへと照射される紫外光の基板による反射光について、反射光が格子形成領域の外側を通過するように光回路に対する紫外光の照射条件を設定する回折格子素子の製造方法によれば、紫外光と反射光との干渉パターンに起因する光導波路のコア内での余分な屈折率変調の生成、及び屈折率変調パターンのコントラストの低下などが抑制される。したがって、光導波路のコア内に良好な屈折率変調パターンを形成して、回折格子素子の光学特性を向上することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】平面導波路型回折格子素子の製造方法を概略的に示す工程図である。
【図２】平面導波路型回折格子素子の製造方法の第１実施形態を示す光軸に平行な断面図である。
【図３】回折格子の光学特性の波長依存性を示すグラフである。
【図４】平面導波路型回折格子素子の製造方法の第２実施形態を示す光軸に垂直な断面図である。
【図５】平面導波路型回折格子素子の製造方法の第３実施形態を示す光軸に垂直な断面図である。
【符号の説明】
１０…基板、１１…基板表面、１５…光導波層、２０…コア層、２１…アンダークラッド層、２２…オーバークラッド層、２３…クラッド表面、２５…回折格子、３０…位相格子マスク、３１…マスク下面、５０、５１、５２…紫外光。
【図１】
2004021220.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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