(57)【要約】【課題】誘電体の材料への依存性を減じて電波吸収特性を制御し得るような構成の電波吸収体を提供すること、特に、そのような構成によって、透明であり、かつ、斜入射特性の良好な電波吸収体を提供すること。【解決手段】第１の抵抗膜１（表面抵抗率ｒ１）と、第１の誘電体層２（厚さｄ１、誘電率ε１）と、第２の抵抗膜３（表面抵抗率ｒ２）と、第２の誘電体層４（厚さｄ２、誘電率ε２）とをこの順に有していて、吸収を意図する電波の中心波長をλとするとき、ｒ１が０．０１Ω／□〜４０Ω／□であり、さらに、ｒ２とｄ１×√（ε１）＋ｄ２×√（ε２）が所定の関係を満たす電波吸収体。【選択図】　図１
2004063587.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の抵抗膜（表面抵抗率ｒ１）と、第１の誘電体層（厚さｄ１、誘電率ε１）と、第２の抵抗膜（表面抵抗率ｒ２）と、第２の誘電体層（厚さｄ２、誘電率ε２）とをこの順に有していて、吸収を意図する電波の中心波長をλとするとき、
ｒ１が０．０１Ω／□〜４０Ω／□であり、かつ、
下記〔１〕〜〔１１〕の少なくとも一つを満たす電波吸収体。
〔１〕ｄ１×√（ε１）＋ｄ２×√（ε２）が０．２８０λ〜０．３００λであり、かつ、ｒ２が３２０Ω／□〜６２０Ω／□である。
〔２〕ｄ１×√（ε１）＋ｄ２×√（ε２）が０．３００λ〜０．３１０λであり、かつ、ｒ２が２８０Ω／□〜５１０Ω／□である。
〔３〕ｄ１×√（ε１）＋ｄ２×√（ε２）が０．３１０λ〜０．３２５λであり、かつ、ｒ２が２４０Ω／□〜４３０Ω／□である。
〔４〕ｄ１×√（ε１）＋ｄ２×√（ε２）が０．３２５λ〜０．３５０λであり、かつ、ｒ２が２１０Ω／□〜３６０Ω／□である。
〔５〕ｄ１×√（ε１）＋ｄ２×√（ε２）が０．３５０λ〜０．３７５λであり、かつ、ｒ２が１６５Ω／□〜２７０Ω／□である。
〔６〕ｄ１×√（ε１）＋ｄ２×√（ε２）が０．３７５λ〜０．４００λであり、かつ、ｒ２が１５０Ω／□〜２４０Ω／□である。
〔７〕ｄ１×√（ε１）＋ｄ２×√（ε２）が０．４００λ〜０．４２５λであり、かつ、ｒ２が１３５Ω／□〜２１５Ω／□である。
〔８〕ｄ１×√（ε１）＋ｄ２×√（ε２）が０．４２５λ〜０．６００λであり、かつ、ｒ２が１０５Ω／□〜１９０Ω／□である。
〔９〕ｄ１×√（ε１）＋ｄ２×√（ε２）が０．６００λ〜０．６５０λであり、かつ、ｒ２が１３５Ω／□〜２００Ω／□である。
〔１０〕ｄ１×√（ε１）＋ｄ２×√（ε２）が０．６５０λ〜０．６８０λであり、かつ、ｒ２が１５０Ω／□〜２２０Ω／□である。
〔１１〕ｄ１×√（ε１）＋ｄ２×√（ε２）が０．６８０λ〜０．７１０λであり、かつ、ｒ２が１９０Ω／□〜２５５Ω／□である。
【請求項２】
上記ｄ１、ε１およびλが、
ｄ１×√（ε１）が０．１５λ〜０．２１λなる関係を満たす請求項１に記載の電波吸収体。
【請求項３】
上記中心波長λが５０ｍｍ〜５２ｍｍである請求項１または２に記載の電波吸収体。
【請求項４】
電波の入射を意図する面に耐候性膜をさらに有する請求項１〜３のいずれかに記載の電波吸収体。
【請求項５】
上記電波吸収体が可視光を透過するものである請求項１〜４のいずれかに記載の電波吸収体。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電波吸収体に関する。
【０００２】
【従来の技術】
所定の波長の電波を吸収するよう意図された電波吸収体は、例えば、高速道路などの料金所の天井などに設けられている。これは、最近、導入され始めている料金自動収受システム（ＥＴＣシステム）において、不要電波（例えば、中心周波数５．８ＧＨｚ）による機器の誤動作を低減するためである。そのためには、不要電波の吸収特性、特に斜入射特性（高角度から入射する電波の吸収）が良好であることが求められ、その基準の一つとしてＪＨ（日本道路公団）が発行している「ＥＴＣ対策工法書」に記載されている電波吸収体に関するスペック（以後、「ＪＨスペック」とよぶ）がある。
【０００３】
典型的な電波吸収体としては、「λ／４型電波吸収体」が公知である。これは、金属板で裏打ちした誘電体の表面に所定の表面抵抗率をもつ抵抗被膜を設けた構造であって、前記誘電体の厚さを、吸収すべき電波の波長λｇ（該誘電体内での電波の波長）の１／４とすることを特徴とする（特開平８−３０７０８８号公報参照）。λ／４型電波吸収体を用いる場合、電波吸収特性の改良は、電波吸収体、特に誘電体の材料を最適化することによりなされるのが一般的であった。
【０００４】
しかし、λ／４型電波吸収体の改良によるのみでは、電波吸収体に現在要求される、および今後要求されるであろう種々の課題を達成するのは困難である。その一例として透明電波吸収体の電波吸収特性（特に斜入射特性）の向上の課題がある。すなわち、ＥＴＣシステムにおいて、タンクローリーや大型トラックの荷台等で反射する電波も電波吸収体に吸収させて、隣の道路を走行する車の機器の誤動作をより軽減することが計画されているが、そのためには、料金所の天井のみならず、隣接する走行レーン間を電波吸収体で区切ることが望ましいとされている。この場合、通行するドライバーに圧迫感を与えないようにするとともに視認性を確保するため、電波吸収体は光学的に透明であることが要求されている。すなわち、上述のＪＨスペックを満足する（つまり、良好な電波吸収特性を示す）透明な電波吸収体という課題が提示されているのであるが、λ／４型電波吸収体で当該課題を達成しようとする場合、その設計裕度は非常に狭いものであった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、誘電体の材料への依存性を減じて電波吸収特性を制御し得るような構成の電波吸収体を提供すること、特に、そのような構成によって、透明であり、かつ、斜入射特性の良好な電波吸収体を提供することを課題とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、上述のλ／４型電波吸収体とは全く異なる概念に基く、後述する構成の電波吸収体が、誘電体の材料以外の要素で電波吸収特性を制御し得ることを見出し、さらに、種々な条件から斜入射特性が特に良好な数値範囲を膨大な試行錯誤を経て見出して以下の特徴を有する本発明を完成した。
（１）第１の抵抗膜（表面抵抗率ｒ１）と、第１の誘電体層（厚さｄ１、誘電率ε１）と、第２の抵抗膜（表面抵抗率ｒ２）と、第２の誘電体層（厚さｄ２、誘電率ε２）とをこの順に有していて、吸収を意図する電波の中心波長をλとするとき、
ｒ１が０．０１Ω／□〜４０Ω／□であり、かつ、
下記〔１〕〜〔１１〕の少なくとも一つを満たす電波吸収体。
〔１〕ｄ１×√（ε１）＋ｄ２×√（ε２）が０．２８０λ〜０．３００λであり、かつ、ｒ２が３２０Ω／□〜６２０Ω／□である。
〔２〕ｄ１×√（ε１）＋ｄ２×√（ε２）が０．３００λ〜０．３１０λであり、かつ、ｒ２が２８０Ω／□〜５１０Ω／□である。
〔３〕ｄ１×√（ε１）＋ｄ２×√（ε２）が０．３１０λ〜０．３２５λであり、かつ、ｒ２が２４０Ω／□〜４３０Ω／□である。
〔４〕ｄ１×√（ε１）＋ｄ２×√（ε２）が０．３２５λ〜０．３５０λであり、かつ、ｒ２が２１０Ω／□〜３６０Ω／□である。
〔５〕ｄ１×√（ε１）＋ｄ２×√（ε２）が０．３５０λ〜０．３７５λであり、かつ、ｒ２が１６５Ω／□〜２７０Ω／□である。
〔６〕ｄ１×√（ε１）＋ｄ２×√（ε２）が０．３７５λ〜０．４００λであり、かつ、ｒ２が１５０Ω／□〜２４０Ω／□である。
〔７〕ｄ１×√（ε１）＋ｄ２×√（ε２）が０．４００λ〜０．４２５λであり、かつ、ｒ２が１３５Ω／□〜２１５Ω／□である。
〔８〕ｄ１×√（ε１）＋ｄ２×√（ε２）が０．４２５λ〜０．６００λであり、かつ、ｒ２が１０５Ω／□〜１９０Ω／□である。
〔９〕ｄ１×√（ε１）＋ｄ２×√（ε２）が０．６００λ〜０．６５０λであり、かつ、ｒ２が１３５Ω／□〜２００Ω／□である。
〔１０〕ｄ１×√（ε１）＋ｄ２×√（ε２）が０．６５０λ〜０．６８０λであり、かつ、ｒ２が１５０Ω／□〜２２０Ω／□である。
〔１１〕ｄ１×√（ε１）＋ｄ２×√（ε２）が０．６８０λ〜０．７１０λであり、かつ、ｒ２が１９０Ω／□〜２５５Ω／□である。
（２）上記ｄ１、ε１およびλが、
ｄ１×√（ε１）が０．１５λ〜０．２１λなる関係を満たす上記（１）に記載の電波吸収体。
（３）上記中心波長λが５０ｍｍ〜５２ｍｍである上記（１）または（２）に記載の電波吸収体。
（４）電波の入射を意図する面に耐候性膜をさらに有する上記（１）〜（３）のいずれかに記載の電波吸収体。
（５）上記電波吸収体が可視光を透過するものである上記（１）〜（４）のいずれかに記載の電波吸収体。
【０００７】
本明細書において、例えば、√（ε１）のような表記は丸カッコ内の式（この例では「ε１」）の平方根を示す。
【０００８】
【発明の実施の形態】
図１は、本発明の電波吸収体の模式図である。本発明の電波吸収体は、各々後述する、第１の抵抗膜１と、第１の誘電体層２と、第２の抵抗膜３と、第２の誘電体層４とをこの順に有し、前記抵抗膜１、３の表面抵抗率および前記誘電体層２、４の厚さ、誘電率が後述の条件を満たすことを特徴とする。本発明の電波吸収体は、通常、吸収を意図する電波が入射する方向に前記第２の誘電体層４を向けるように配置される。すなわち、第２の誘電体層４の第２の抵抗膜３の反対側の面が、電波の入射を意図する面となる。本発明の電波吸収体が吸収を意図する電波としては、上記ＥＴＣシステムの通信用の電波のように、周波数分布が比較的シャープなものを想定している（当該電波の中心波長をλとする）が、そのような電波に限定されるわけではない。
【０００９】
従来のλ／４型電波吸収体と比較したとき、第２の誘電体層４を有することが本発明の特徴である。この誘電体層４を有することにより、第１および第２の誘電体層２、４の厚さを変えても電波吸収特性が発現し、かつ、第１、第２の抵抗膜１、３の抵抗値および誘電体層２、４の誘電率や厚さを調整することで、電波吸収特性、特に斜入射特性を制御することができるようになった。このことにより、所望の電波吸収特性を実現するために変更し得る物性値が、従来のλ／４型電波吸収体（誘電体層の誘電率しか変更の余地がなかった）に比べて増加するので、材料等に制約がある場合であっても、その他の物性値（抵抗膜１、３の抵抗値等）の調整により所望の電波吸収特性をより容易に実現することができる。
【００１０】
このように、第２の誘電体層４を設けることにより、誘電体層２、４の厚さ（電気長）をλ／４以外の値に変更しても電波吸収特性が発現する理由は詳細には把握されていないが、概ね以下に記す伝送線路理論に基くものと推察される。
【００１１】
単層型電波吸収体の場合、吸収体前面から背面を見込んだ入力インピーダンスＺｉｎは次式で与えられる。
【００１２】
【数１】
2004063587.tif 000003
【００１３】
ここで、伝播定数および各層の特性インピーダンスはＴＥ波、ＴＭ波の両偏波に対して、それぞれ、
【００１４】
【数２】
2004063587.tif 000004
【００１５】
で与えられる。
また、得られた入力インピーダンスを用いて、反射係数および電波吸収量は、（３）、（４）式より計算することができる。
【００１６】
【数３】
2004063587.tif 000005
【００１７】
吸収層が２層以上の多層型吸収体の場合、２層目の入力インピーダンスは１層目前面から背面を見込んだ入力インピーダンスを終端負荷（（１）式におけるＺＬに相当）として与えることにより算出できる。同様の計算を順次繰返し、吸収体の表面から見込んだ入力インピーダンスを算出することで、多層型電波吸収体の吸収量を求めることができる。
【００１８】
本発明の電波吸収体の第１の抵抗膜１および第２の抵抗膜３は、後述の抵抗値を有するものであれば特に限定はなく、通常、金属酸化物薄膜または金属メッシュ等からなる。前記抵抗膜１、３は、所定の抵抗値を有するのであれば、電波吸収体全体の透明性を確保することが好ましい。
【００１９】
前記抵抗膜１の表面抵抗率ｒ１は、０．０１Ω／□〜４０Ω／□であることが必要である。表面抵抗率（単位Ω／□）は、ＪＩＳ　Ｋ　７１９４に規定される単位面積あたりの抵抗である。
【００２０】
図３は、表面抵抗率ｒ１と電波の透過減衰量との関係を示すグラフである。ｒ１が大きいほど電波が電波吸収体を通り抜け易い（透過減衰量が小さい）ことが分かる。十分な透過減衰を得る点から、ｒ１は４０Ω／□以下であることが必要である。実用可能な材料を得易いという観点から、ｒ１の下限は０．０１Ω／□である。
【００２１】
図４は、各電波吸収体について、縦軸に第２の抵抗膜３の表面抵抗率ｒ２を、横軸に第１および第２の誘電体層２、４の電気長の和（ｄ１’＋ｄ２’）をとった図である。ｄ１’、ｄ２’はそれぞれ、ｄ１×√（ε１）、ｄ２×√（ε２）である。本発明者らの膨大な数にのぼる試行錯誤の結果、ｒ１が上記範囲内（０．０１Ω／□〜４０Ω／□）である場合には、図４における矩形の領域のｒ２、（ｄ１’＋ｄ２’）という限られた条件を満たす場合に限り、後述するＪＨスペックを満たすことが見出された。この図から明らかなように、ｒ２、ｄ１、ｄ２、ε１、ε２は次の〔１〕〜〔１１〕の少なくとも一つを満たす必要がある。
下記〔１〕〜〔１１〕の少なくとも一つを満たす電波吸収体。
〔１〕ｄ１×√（ε１）＋ｄ２×√（ε２）が０．２８０λ〜０．３００λであり、かつ、ｒ２が３２０Ω／□〜６２０Ω／□である。
〔２〕ｄ１×√（ε１）＋ｄ２×√（ε２）が０．３００λ〜０．３１０λであり、かつ、ｒ２が２８０Ω／□〜５１０Ω／□である。
〔３〕ｄ１×√（ε１）＋ｄ２×√（ε２）が０．３１０λ〜０．３２５λであり、かつ、ｒ２が２４０Ω／□〜４３０Ω／□である。
〔４〕ｄ１×√（ε１）＋ｄ２×√（ε２）が０．３２５λ〜０．３５０λであり、かつ、ｒ２が２１０Ω／□〜３６０Ω／□である。
〔５〕ｄ１×√（ε１）＋ｄ２×√（ε２）が０．３５０λ〜０．３７５λであり、かつ、ｒ２が１６５Ω／□〜２７０Ω／□である。
〔６〕ｄ１×√（ε１）＋ｄ２×√（ε２）が０．３７５λ〜０．４００λであり、かつ、ｒ２が１５０Ω／□〜２４０Ω／□である。
〔７〕ｄ１×√（ε１）＋ｄ２×√（ε２）が０．４００λ〜０．４２５λであり、かつ、ｒ２が１３５Ω／□〜２１５Ω／□である。
〔８〕ｄ１×√（ε１）＋ｄ２×√（ε２）が０．４２５λ〜０．６００λであり、かつ、ｒ２が１０５Ω／□〜１９０Ω／□である。
〔９〕ｄ１×√（ε１）＋ｄ２×√（ε２）が０．６００λ〜０．６５０λであり、かつ、ｒ２が１３５Ω／□〜２００Ω／□である。
〔１０〕ｄ１×√（ε１）＋ｄ２×√（ε２）が０．６５０λ〜０．６８０λであり、かつ、ｒ２が１５０Ω／□〜２２０Ω／□である。
〔１１〕ｄ１×√（ε１）＋ｄ２×√（ε２）が０．６８０λ〜０．７１０λであり、かつ、ｒ２が１９０Ω／□〜２５５Ω／□である。
【００２２】
製造条件が広く取れるので、製品歩留まりが良いという理由により、上記の範囲の中でも、より好ましい範囲は上記〔８〕の領域である。
【００２３】
ε１およびε２については、上記条件の範囲内では特に限定はないが、ε１、ε２のいずれも２．０〜５．０であることが好ましい。ε１、ε２の好ましい下限が２．０であるのは、ε１、ε２が大きい方がｄ１、ｄ２を小さくすることができ電波吸収体を小型化できるという理由によるものであり、さらに低コストで透明な材料を得易いという理由から当該下限は２．７（具体例；ポリカーボネート、アクリル）であるのがより好ましい。ε１、ε２の好ましい上限が５．０であるのは、ε１、ε２が大きすぎると、ｄ１、ｄ２が小さくなりすぎて電波吸収体の強度が弱くなるという理由によるものであり、さらに低コストで透明な材料を得易いという理由から当該上限は３．２（具体例；ポリエチレンテレフタレート）であるのがより好ましい。
【００２４】
また、電波吸収体全体の厚さを小さくするという観点から、ｄ１×√（ε１）は、０．１５λ〜０．２１λであるのが好ましい。
【００２５】
次に、本発明の電波吸収体の各膜・層について具体的に説明する。第１および第２の抵抗膜１、３は上記の条件を満たせば、材料等に特に制限はない。通常は、電波吸収体全体が可視光線に対して透明となるように、透明の金属酸化物または金属メッシュ等が好ましく用いられる。金属酸化物の場合、スパッタリング、蒸着法などで例示される公知の方法で製造することができる。金属酸化物の薄膜としては酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化スズ等の薄膜が例示される。金属メッシュとしては、樹脂繊維の外周に金属をメッキしたものを編んだり、樹脂繊維を編んだものに金属メッキを施したり、金属箔をパンチングで打抜きするなどの方法により製造することができるほか、セーレン社製４Ｘシリーズ、４Ｆシリーズなどとして市販されているものを用いることもできる。これらの中でも、金網で素線径０．２ｍｍ以下、メッシュが５０以下の金属メッシュ（すなわち、目の粗いもの）が好ましい。
【００２６】
上記抵抗膜１、３の具体的な形成方法としては、例えば、後述する第１の誘電体層２の両面に直接スパッタリングで金属酸化物の薄膜を形成して各面をそれぞれ第１の抵抗膜１、第２の抵抗膜３とする方法や、ＰＥＴフィルム上にスパッタリングで金属酸化物の薄膜を形成し、そのＰＥＴフィルムを接着剤または粘着剤で第１の誘電体層２へ貼り付ける方法などがあるが、特に限定されない。ＰＥＴフィルム等を接着剤または粘着剤で貼り付ける場合には、該フィルム、接着剤や粘着剤も各誘電体層の一部（その際は、誘電体層の誘電率は合成実効誘電率として考える必要がある）となる。
【００２７】
第１および第２の抵抗膜１、３の抵抗値ｒ１、ｒ２は、従来公知の方法によって容易に制御することができる。例えば、酸化インジウムスズのスパッタリングによって前記抵抗膜１、３を形成する場合には、スパッタリングの時間、雰囲気等で膜厚を調整することで当業者であれば容易に所望のｒ１、ｒ２を有する抵抗膜１、３を得ることができる。別の例として、前記抵抗膜１、３が金属メッシュである場合には、樹脂繊維へ金属メッキをする場合の電流密度、時間等でメッキ厚を調整することで、当業者であれば容易に所望のｒ１、ｒ２を有する抵抗膜１、３を得ることができる。さらに、金網、ステンレス、黄銅の極細線を織って抵抗膜１、３を形成する場合は、当該織りの密度、極細線の材料等によっても、ｒ１、ｒ２を制御することができる。
【００２８】
次に、第１、第２の誘電体層２、４について説明する。第２の誘電体層４を設けることにより、各誘電体層の厚さを上述の範囲内で自由に設定することができ、それにより電波吸収体の電波吸収特性の制御手段が多様化することは上述したとおりである。
【００２９】
第１および第２の誘電体層２、４の材料、製法等は特に限定はなく、該誘電体層２、４は従来公知の材料を用いて従来公知の製法によって得てもよい。上記好ましい誘電率を有する誘電体層としては、ポリカーボネート樹脂（以下、ＰＣともいう）、アクリル樹脂（以下、ＡＣともいう）、ポリエステル樹脂（以下、ＰＥＴともいう）、塩化ビニル樹脂（以下、ＰＶＣともいう）、ポリメタクリル酸メチル樹脂（以下、ＰＭＭＡともいう）からなる層が例示される。これらのうち、耐候性、耐衝撃性の点からポリカーボネート樹脂が好ましい。
【００３０】
本発明の電波吸収体には上述の第１および第２の抵抗膜１、３ならびに第１および第２の誘電体層２、４の他に、電波の入射を意図する面を保護するための耐候性膜（ポリカーボネート（例；旭硝子社製、ニューＳＧ等）等）、上記各層や膜を保護するための保護膜等をさらに有していてもよい。
【００３１】
本発明の電波吸収体を屋外に設置する場合（ＥＴＣシステムにおける料金所に設置する場合等）には、上記のうちでも耐候性膜（図示せず）を設けることが好ましい。耐候性膜の材料としては、紫外線を吸収し得る物質であれば特に限定はなく、例えば、光安定剤、紫外線吸収剤などが配合された透明な塗料を電波の入射を意図する面に塗布すればよい。耐候性膜の厚さは電波吸収特性、透明性を低下させない程度の厚さであればよい。
【００３２】
本発明の電波吸収体は、不要電波を吸収するあらゆる用途に適用することが可能であり、上述したようなＥＴＣシステム（中心波長；５０ｍｍ〜５２ｍｍ（５．８ＧＨｚ周波数帯））における料金所への設置や電波反射を制御しなければならない照明下への設置等が例示されるがそれらに限られない。
【００３３】
本発明の応用として、第１の抵抗膜１を中心に、第１の抵抗膜１の両側にそれぞれ第１の誘電体層２、第２の抵抗膜３および第２の誘電体層４を積層させることで、両面から入射してくる電波を良好に吸収することができる電波吸収体を得ることができる（図２参照）。
【００３４】
本発明の電波吸収体で、ＥＴＣシステムにおける料金所全体を囲む際には、該電波吸収体は可視光を透過する（透明である）ものであることが、ドライバーに圧迫感を与えない点から好ましい。透明な電波吸収体を得るためには、上述した各抵抗膜、誘電体層に透明な材料を用いることで容易に実現できる。従来は、誘電体層の誘電率を所定の値にすることが電波吸収特性の制御にとって必須であったために、該誘電体層の材料の選定において、透明性という観点は最優先できなかったが、本発明では、抵抗膜１、３の表面抵抗率（ｒ１、ｒ２）および誘電体層２、４の厚さ（ｄ１、ｄ２）等によって電波吸収特性を制御できるので、誘電体層の材料の選定に際して、透明性を優先できる。
【００３５】
【実施例】
以下、実施例を示すことにより本発明をより具体的に説明するが、本発明は実施例の記載により何ら限定されるものではない。各実施例、比較例にて得られた電波吸収体はいずれも可視光を透過するものであった。
【００３６】
［実施例１］
第１の誘電体層であるポリカーボネートの両面にスパッタリングにより第１および第２の抵抗膜としての酸化インジウムスズ薄膜（ＩＴＯ膜）を形成した。各抵抗膜の表面抵抗率は、ロレスタＥＰ（ダイアインスツルメンツ社製）を用いて、室温で測定した。第２の抵抗膜側に、第１の誘電体層と同様のポリカーボネートを貼り付けて、第２の誘電体層とした。すなわち、
第１の誘電体層（ポリカーボネート、ε１は２．７３、ｄ１は６．９ｍｍ）、
第１の抵抗膜（ＩＴＯ膜、ｒ１は１０Ω／□）、
第２の誘電体層（ポリカーボネート、ε２は２．７３、ｄ２は２．１ｍｍ）、第２の抵抗膜（ＩＴＯ膜、ｒ２は４３０Ω／□）からなる電波吸収体を製造した。したがって、λが５１．６ｍｍのとき、ｄ１×√（ε１）は０．２２０λであり、ｄ１×√（ε１）＋ｄ２×√（ε２）は０．２８７λである。
【００３７】
［実施例２］
実施例１と同様にして電波吸収体を製造した。ただし、各誘電体層、抵抗膜は以下のとおりにした。すなわち、
第１の誘電体層（ポリカーボネート、ε１は２．７３、ｄ１は６．９ｍｍ）、
第１の抵抗膜（ＩＴＯ膜、ｒ１は４０Ω／□）、
第２の誘電体層（ポリカーボネート、ε２は２．７３、ｄ２は２．１ｍｍ）、
第２の抵抗膜（ＩＴＯ膜、ｒ２は６２０Ω／□）とした。
したがって、λが５１．６ｍｍのとき、ｄ１×√（ε１）は０．２２０λであり、ｄ１×√（ε１）＋ｄ２×√（ε２）は０．２８７λである。
【００３８】
［実施例３］
実施例１と同様にして電波吸収体を製造した。ただし、第１の抵抗膜として金属メッシュ膜（セーレン社製、Ｓｕ−４Ｘ１３５３０）を用い、各誘電体層、抵抗膜は以下のとおりにした。すなわち、
第１の誘電体層（ポリカーボネート、ε１は２．７３、ｄ１は６．９ｍｍ）、
第１の抵抗膜（金属メッシュ膜、ｒ１は０．１４Ω／□）、
第２の誘電体層（ポリカーボネート、ε２は２．７３、ｄ２は２．１ｍｍ）、
第２の抵抗膜（ＩＴＯ膜、ｒ２は３２０Ω／□）とした。
したがって、λが５１．６ｍｍのとき、ｄ１×√（ε１）は０．２２０λであり、ｄ１×√（ε１）＋ｄ２×√（ε２）は０．２８７λである。
【００３９】
［実施例４］
実施例１と同様にして電波吸収体を製造した。ただし、各誘電体層、抵抗膜は以下のとおりにした。すなわち、
第１の誘電体層（ポリカーボネート、ε１は２．７３、ｄ１は６．５ｍｍ）、
第１の抵抗膜（ＩＴＯ膜、ｒ１は１０Ω／□）、
第２の誘電体層（ポリカーボネート、ε２は２．７３、ｄ２は３．０ｍｍ）、
第２の抵抗膜（ＩＴＯ膜、ｒ２は３５０Ω／□）とした。
したがって、λが５１．６ｍｍのとき、ｄ１×√（ε１）は０．２０８λであり、ｄ１×√（ε１）＋ｄ２×√（ε２）は０．３０３λである。
【００４０】
［実施例５］
実施例１と同様にして電波吸収体を製造した。ただし、各誘電体層、抵抗膜は以下のとおりにした。すなわち、
第１の誘電体層（ポリカーボネート、ε１は２．７３、ｄ１は６．５ｍｍ）、
第１の抵抗膜（ＩＴＯ膜、ｒ１は４０Ω／□）、
第２の誘電体層（ポリカーボネート、ε２は２．７３、ｄ２は３．０ｍｍ）、
第２の抵抗膜（ＩＴＯ膜、ｒ２は５１０Ω／□）とした。
したがって、λが５１．６ｍｍのとき、ｄ１×√（ε１）は０．２０８λであり、ｄ１×√（ε１）＋ｄ２×√（ε２）は０．３０３λである。
【００４１】
［実施例６］
実施例３と同様にして電波吸収体を製造した。ただし、各誘電体層、抵抗膜は以下のとおりにした。すなわち、
第１の誘電体層（ポリカーボネート、ε１は２．７３、ｄ１は６．５ｍｍ）、
第１の抵抗膜（金属メッシュ膜、ｒ１は０．１４Ω／□）、
第２の誘電体層（ポリカーボネート、ε２は２．７３、ｄ２は３．０ｍｍ）、
第２の抵抗膜（ＩＴＯ膜、ｒ２は２８０Ω／□）とした。
したがって、λが５１．６ｍｍのとき、ｄ１×√（ε１）は０．２０８λであり、ｄ１×√（ε１）＋ｄ２×√（ε２）は０．３０３λである。
【００４２】
［実施例７］
実施例１と同様にして電波吸収体を製造した。ただし、各誘電体層、抵抗膜は以下のとおりにした。すなわち、
第１の誘電体層（ポリカーボネート、ε１は２．７３、ｄ１は６．０ｍｍ）、
第１の抵抗膜（ＩＴＯ膜、ｒ１は１０Ω／□）、
第２の誘電体層（ポリカーボネート、ε２は２．７３、ｄ２は４．０ｍｍ）、
第２の抵抗膜（ＩＴＯ膜、ｒ２は３２０Ω／□）とした。
したがって、λが５１．６ｍｍのとき、ｄ１×√（ε１）は０．１９２λであり、ｄ１×√（ε１）＋ｄ２×√（ε２）は０．３１９λである。
【００４３】
［実施例８］
実施例１と同様にして電波吸収体を製造した。ただし、各誘電体層、抵抗膜は以下のとおりにした。すなわち、
第１の誘電体層（ポリカーボネート、ε１は２．７３、ｄ１は６．０ｍｍ）、
第１の抵抗膜（ＩＴＯ膜、ｒ１は４０Ω／□）、
第２の誘電体層（ポリカーボネート、ε２は２．７３、ｄ２は４．０ｍｍ）、
第２の抵抗膜（ＩＴＯ膜、ｒ２は４３０Ω／□）とした。
したがって、λが５１．６ｍｍのとき、ｄ１×√（ε１）は０．１９２λであり、ｄ１×√（ε１）＋ｄ２×√（ε２）は０．３１９λである。
【００４４】
［実施例９］
実施例３と同様にして電波吸収体を製造した。ただし、各誘電体層、抵抗膜は以下のとおりにした。すなわち、
第１の誘電体層（ポリカーボネート、ε１は２．７３、ｄ１は６．０ｍｍ）、
第１の抵抗膜（金属メッシュ膜、ｒ１は０．１４Ω／□）、
第２の誘電体層（ポリカーボネート、ε２は２．７３、ｄ２は４．０ｍｍ）、
第２の抵抗膜（ＩＴＯ膜、ｒ２は２４０Ω／□）とした。
したがって、λが５１．６ｍｍのとき、ｄ１×√（ε１）は０．１９２λであり、ｄ１×√（ε１）＋ｄ２×√（ε２）は０．３１９λである。
【００４５】
［実施例１０］
実施例１と同様にして電波吸収体を製造した。ただし、各誘電体層、抵抗膜は以下のとおりにした。すなわち、
第１の誘電体層（ポリカーボネート、ε１は２．７３、ｄ１は５．８ｍｍ）、
第１の抵抗膜（ＩＴＯ膜、ｒ１は１０Ω／□）、
第２の誘電体層（ポリカーボネート、ε２は２．７３、ｄ２は４．７ｍｍ）、
第２の抵抗膜（ＩＴＯ膜、ｒ２は２７０Ω／□）とした。
したがって、λが５１．６ｍｍのとき、ｄ１×√（ε１）は０．１８５λであり、ｄ１×√（ε１）＋ｄ２×√（ε２）は０．３３５λである。
【００４６】
［実施例１１］
実施例１と同様にして電波吸収体を製造した。ただし、各誘電体層、抵抗膜は以下のとおりにした。すなわち、
第１の誘電体層（ポリカーボネート、ε１は２．７３、ｄ１は５．８ｍｍ）、
第１の抵抗膜（ＩＴＯ膜、ｒ１は４０Ω／□）、
第２の誘電体層（ポリカーボネート、ε２は２．７３、ｄ２は４．７ｍｍ）、
第２の抵抗膜（ＩＴＯ膜、ｒ２は３６０Ω／□）とした。
したがって、λが５１．６ｍｍのとき、ｄ１×√（ε１）は０．１８５λであり、ｄ１×√（ε１）＋ｄ２×√（ε２）は０．３３５λである。
【００４７】
［実施例１２］
実施例３と同様にして電波吸収体を製造した。ただし、各誘電体層、抵抗膜は以下のとおりにした。すなわち、
第１の誘電体層（ポリカーボネート、ε１は２．７３、ｄ１は５．８ｍｍ）、
第１の抵抗膜（金属メッシュ膜、ｒ１は０．１４Ω／□）、
第２の誘電体層（ポリカーボネート、ε２は２．７３、ｄ２は４．７ｍｍ）、
第２の抵抗膜（ＩＴＯ膜、ｒ２は２１０Ω／□）とした。
したがって、λが５１．６ｍｍのとき、ｄ１×√（ε１）は０．１８５λであり、ｄ１×√（ε１）＋ｄ２×√（ε２）は０．３３５λである。
【００４８】
［実施例１３］
実施例１と同様にして電波吸収体を製造した。ただし、各誘電体層、抵抗膜は以下のとおりにした。すなわち、
第１の誘電体層（ポリカーボネート、ε１は２．７３、ｄ１は５．４ｍｍ）、
第１の抵抗膜（ＩＴＯ膜、ｒ１は１０Ω／□）、
第２の誘電体層（ポリカーボネート、ε２は２．７３、ｄ２は６．０ｍｍ）、
第２の抵抗膜（ＩＴＯ膜、ｒ２は２１０Ω／□）とした。
したがって、λが５１．６ｍｍのとき、ｄ１×√（ε１）は０．１７２λであり、ｄ１×√（ε１）＋ｄ２×√（ε２）は０．３６４λである。
【００４９】
［実施例１４］
実施例１と同様にして電波吸収体を製造した。ただし、各誘電体層、抵抗膜は以下のとおりにした。すなわち、
第１の誘電体層（ポリカーボネート、ε１は２．７３、ｄ１は５．４ｍｍ）、
第１の抵抗膜（ＩＴＯ膜、ｒ１は４０Ω／□）、
第２の誘電体層（ポリカーボネート、ε２は２．７３、ｄ２は６．０ｍｍ）、
第２の抵抗膜（ＩＴＯ膜、ｒ２は２７０Ω／□）とした。
したがって、λが５１．６ｍｍのとき、ｄ１×√（ε１）は０．１７２λであり、ｄ１×√（ε１）＋ｄ２×√（ε２）は０．３６４λである。
【００５０】
［実施例１５］
実施例３と同様にして電波吸収体を製造した。ただし、各誘電体層、抵抗膜は以下のとおりにした。すなわち、
第１の誘電体層（ポリカーボネート、ε１は２．７３、ｄ１は５．４ｍｍ）、
第１の抵抗膜（金属メッシュ膜、ｒ１は０．１４Ω／□）、
第２の誘電体層（ポリカーボネート、ε２は２．７３、ｄ２は６．０ｍｍ）、
第２の抵抗膜（ＩＴＯ膜、ｒ２は１６５Ω／□）とした。
したがって、λが５１．６ｍｍのとき、ｄ１×√（ε１）は０．１７２λであり、ｄ１×√（ε１）＋ｄ２×√（ε２）は０．３６４λである。
【００５１】
［実施例１６］
実施例１と同様にして電波吸収体を製造した。ただし、各誘電体層、抵抗膜は以下のとおりにした。すなわち、
第１の誘電体層（ポリカーボネート、ε１は２．７３、ｄ１は５．７ｍｍ）、
第１の抵抗膜（ＩＴＯ膜、ｒ１は１０Ω／□）、
第２の誘電体層（ポリカーボネート、ε２は２．７３、ｄ２は６．４ｍｍ）、
第２の抵抗膜（ＩＴＯ膜、ｒ２は１９０Ω／□）とした。
したがって、λが５１．６ｍｍのとき、ｄ１×√（ε１）は０．１８２λであり、ｄ１×√（ε１）＋ｄ２×√（ε２）は０．３８７λである。
【００５２】
［実施例１７］
実施例１と同様にして電波吸収体を製造した。ただし、各誘電体層、抵抗膜は以下のとおりにした。すなわち、
第１の誘電体層（ポリカーボネート、ε１は２．７３、ｄ１は５．７ｍｍ）、
第１の抵抗膜（ＩＴＯ膜、ｒ１は４０Ω／□）、
第２の誘電体層（ポリカーボネート、ε２は２．７３、ｄ２は６．４ｍｍ）、
第２の抵抗膜（ＩＴＯ膜、ｒ２は２４０Ω／□）とした。
したがって、λが５１．６ｍｍのとき、ｄ１×√（ε１）は０．１８２λであり、ｄ１×√（ε１）＋ｄ２×√（ε２）は０．３８７λである。
【００５３】
［実施例１８］
実施例３と同様にして電波吸収体を製造した。ただし、各誘電体層、抵抗膜は以下のとおりにした。すなわち、
第１の誘電体層（ポリカーボネート、ε１は２．７３、ｄ１は５．７ｍｍ）、
第１の抵抗膜（金属メッシュ膜、ｒ１は０．１４Ω／□）、
第２の誘電体層（ポリカーボネート、ε２は２．７３、ｄ２は６．４ｍｍ）、
第２の抵抗膜（ＩＴＯ膜、ｒ２は１５０Ω／□）とした。
したがって、λが５１．６ｍｍのとき、ｄ１×√（ε１）は０．１８２λであり、ｄ１×√（ε１）＋ｄ２×√（ε２）は０．３８７λである。
【００５４】
［実施例１９］
実施例１と同様にして電波吸収体を製造した。ただし、各誘電体層、抵抗膜は以下のとおりにした。すなわち、
第１の誘電体層（ポリカーボネート、ε１は２．７３、ｄ１は６．０ｍｍ）、
第１の抵抗膜（ＩＴＯ膜、ｒ１は１０Ω／□）、
第２の誘電体層（ポリカーボネート、ε２は２．７３、ｄ２は６．９ｍｍ）、
第２の抵抗膜（ＩＴＯ膜、ｒ２は１７０Ω／□）とした。
したがって、λが５１．６ｍｍのとき、ｄ１×√（ε１）は０．１９２λであり、ｄ１×√（ε１）＋ｄ２×√（ε２）は０．４１２λである。
【００５５】
［実施例２０］
実施例１と同様にして電波吸収体を製造した。ただし、各誘電体層、抵抗膜は以下のとおりにした。すなわち、
第１の誘電体層（ポリカーボネート、ε１は２．７３、ｄ１は６．０ｍｍ）、
第１の抵抗膜（ＩＴＯ膜、ｒ１は４０Ω／□）、
第２の誘電体層（ポリカーボネート、ε２は２．７３、ｄ２は６．９ｍｍ）、
第２の抵抗膜（ＩＴＯ膜、ｒ２は２１５Ω／□）とした。
したがって、λが５１．６ｍｍのとき、ｄ１×√（ε１）は０．１９２λであり、ｄ１×√（ε１）＋ｄ２×√（ε２）は０．４１２λである。
【００５６】
［実施例２１］
実施例３と同様にして電波吸収体を製造した。ただし、各誘電体層、抵抗膜は以下のとおりにした。すなわち、
第１の誘電体層（ポリカーボネート、ε１は２．７３、ｄ１は６．０ｍｍ）、
第１の抵抗膜（金属メッシュ膜、ｒ１は０．１４Ω／□）、
第２の誘電体層（ポリカーボネート、ε２は２．７３、ｄ２は６．９ｍｍ）、
第２の抵抗膜（ＩＴＯ膜、ｒ２は１３５Ω／□）とした。
したがって、λが５１．６ｍｍのとき、ｄ１×√（ε１）は０．１９２λであり、ｄ１×√（ε１）＋ｄ２×√（ε２）は０．４１２λである。
【００５７】
［実施例２２］
実施例１と同様にして電波吸収体を製造した。ただし、各誘電体層、抵抗膜は以下のとおりにした。すなわち、
第１の誘電体層（ポリカーボネート、ε１は２．７３、ｄ１は７．８ｍｍ）、
第１の抵抗膜（ＩＴＯ膜、ｒ１は１０Ω／□）、
第２の誘電体層（ポリカーボネート、ε２は２．７３、ｄ２は８．３ｍｍ）、
第２の抵抗膜（ＩＴＯ膜、ｒ２は１６０Ω／□）とした。
したがって、λが５１．６ｍｍのとき、ｄ１×√（ε１）は０．２４９λであり、ｄ１×√（ε１）＋ｄ２×√（ε２）は０．５１４λである。
なお、この電波吸収体の第２の誘電体層の第２の抵抗膜と反対側の面に、耐候性膜としてのポリカーボネート（旭硝子社製、ニューＳＧ）を設けた。
【００５８】
［実施例２３］
実施例１と同様にして電波吸収体を製造した。ただし、各誘電体層、抵抗膜は以下のとおりにした。すなわち、
第１の誘電体層（ポリカーボネート、ε１は２．７３、ｄ１は７．８ｍｍ）、
第１の抵抗膜（ＩＴＯ膜、ｒ１は４０Ω／□）、
第２の誘電体層（ポリカーボネート、ε２は２．７３、ｄ２は８．３ｍｍ）、
第２の抵抗膜（ＩＴＯ膜、ｒ２は１９０Ω／□）とした。
したがって、λが５１．６ｍｍのとき、ｄ１×√（ε１）は０．２４９λであり、ｄ１×√（ε１）＋ｄ２×√（ε２）は０．５１４λである。
【００５９】
［実施例２４］
実施例３と同様にして電波吸収体を製造した。ただし、各誘電体層、抵抗膜は以下のとおりにした。すなわち、
第１の誘電体層（ポリカーボネート、ε１は２．７３、ｄ１は７．８ｍｍ）、
第１の抵抗膜（金属メッシュ膜、ｒ１は０．１４Ω／□）、
第２の誘電体層（ポリカーボネート、ε２は２．７３、ｄ２は８．３ｍｍ）、
第２の抵抗膜（ＩＴＯ膜、ｒ２は１１０Ω／□）とした。
したがって、λが５１．６ｍｍのとき、ｄ１×√（ε１）は０．２４９λであり、ｄ１×√（ε１）＋ｄ２×√（ε２）は０．５１４λである。
【００６０】
［実施例２５］
実施例１と同様にして電波吸収体を製造した。ただし、各誘電体層、抵抗膜は以下のとおりにした。すなわち、
第１の誘電体層（ポリカーボネート、ε１は２．７３、ｄ１は１０．０ｍｍ）、
第１の抵抗膜（ＩＴＯ膜、ｒ１は１０Ω／□）、
第２の誘電体層（ポリカーボネート、ε２は２．７３、ｄ２は９．６ｍｍ）、
第２の抵抗膜（ＩＴＯ膜、ｒ２は１６０Ω／□）とした。
したがって、λが５１．６ｍｍのとき、ｄ１×√（ε１）は０．３１９λであり、ｄ１×√（ε１）＋ｄ２×√（ε２）は０．６２６λである。
【００６１】
［実施例２６］
実施例１と同様にして電波吸収体を製造した。ただし、各誘電体層、抵抗膜は以下のとおりにした。すなわち、
第１の誘電体層（ポリカーボネート、ε１は２．７３、ｄ１は１０．０ｍｍ）、
第１の抵抗膜（ＩＴＯ膜、ｒ１は４０Ω／□）、
第２の誘電体層（ポリカーボネート、ε２は２．７３、ｄ２は９．６ｍｍ）、
第２の抵抗膜（ＩＴＯ膜、ｒ２は２００Ω／□）とした。
したがって、λが５１．６ｍｍのとき、ｄ１×√（ε１）は０．３１９λであり、ｄ１×√（ε１）＋ｄ２×√（ε２）は０．６２６λである。
【００６２】
［実施例２７］
実施例３と同様にして電波吸収体を製造した。ただし、各誘電体層、抵抗膜は以下のとおりにした。すなわち、
第１の誘電体層（ポリカーボネート、ε１は２．７３、ｄ１は１０．０ｍｍ）、
第１の抵抗膜（金属メッシュ膜、ｒ１は０．１４Ω／□）、
第２の誘電体層（ポリカーボネート、ε２は２．７３、ｄ２は９．６ｍｍ）、
第２の抵抗膜（ＩＴＯ膜、ｒ２は１３５Ω／□）とした。
したがって、λが５１．６ｍｍのとき、ｄ１×√（ε１）は０．３１９λであり、ｄ１×√（ε１）＋ｄ２×√（ε２）は０．６２６λである。
【００６３】
［実施例２８］
実施例１と同様にして電波吸収体を製造した。ただし、各誘電体層、抵抗膜は以下のとおりにした。すなわち、
第１の誘電体層（ポリカーボネート、ε１は２．７３、ｄ１は１０．７ｍｍ）、
第１の抵抗膜（ＩＴＯ膜、ｒ１は１０Ω／□）、
第２の誘電体層（ポリカーボネート、ε２は２．７３、ｄ２は１０．１ｍｍ）、
第２の抵抗膜（ＩＴＯ膜、ｒ２は１８０Ω／□）とした。
したがって、λが５１．６ｍｍのとき、ｄ１×√（ε１）は０．３４２λであり、ｄ１×√（ε１）＋ｄ２×√（ε２）は０．６６４λである。
【００６４】
［実施例２９］
実施例１と同様にして電波吸収体を製造した。ただし、各誘電体層、抵抗膜は以下のとおりにした。すなわち、
第１の誘電体層（ポリカーボネート、ε１は２．７３、ｄ１は１０．７ｍｍ）、
第１の抵抗膜（ＩＴＯ膜、ｒ１は４０Ω／□）、
第２の誘電体層（ポリカーボネート、ε２は２．７３、ｄ２は１０．１ｍｍ）、
第２の抵抗膜（ＩＴＯ膜、ｒ２は２２０Ω／□）とした。
したがって、λが５１．６ｍｍのとき、ｄ１×√（ε１）は０．３４２λであり、ｄ１×√（ε１）＋ｄ２×√（ε２）は０．６６４λである。
【００６５】
［実施例３０］
実施例３と同様にして電波吸収体を製造した。ただし、各誘電体層、抵抗膜は以下のとおりにした。すなわち、
第１の誘電体層（ポリカーボネート、ε１は２．７３、ｄ１は１０．７ｍｍ）、
第１の抵抗膜（金属メッシュ膜、ｒ１は０．１４Ω／□）、
第２の誘電体層（ポリカーボネート、ε２は２．７３、ｄ２は１０．１ｍｍ）、
第２の抵抗膜（ＩＴＯ膜、ｒ２は１５０Ω／□）とした。
したがって、λが５１．６ｍｍのとき、ｄ１×√（ε１）は０．３４２λであり、ｄ１×√（ε１）＋ｄ２×√（ε２）は０．６６４λである。
【００６６】
［実施例３１］
実施例１と同様にして電波吸収体を製造した。ただし、各誘電体層、抵抗膜は以下のとおりにした。すなわち、
第１の誘電体層（ポリカーボネート、ε１は２．７３、ｄ１は１０．９ｍｍ）、
第１の抵抗膜（ＩＴＯ膜、ｒ１は１０Ω／□）、
第２の誘電体層（ポリカーボネート、ε２は２．７３、ｄ２は１０．９ｍｍ）、
第２の抵抗膜（ＩＴＯ膜、ｒ２は２２０Ω／□）とした。
したがって、λが５１．６ｍｍのとき、ｄ１×√（ε１）は０．３４８λであり、ｄ１×√（ε１）＋ｄ２×√（ε２）は０．６９６λである。
【００６７】
［実施例３２］
実施例１と同様にして電波吸収体を製造した。ただし、各誘電体層、抵抗膜は以下のとおりにした。すなわち、
第１の誘電体層（ポリカーボネート、ε１は２．７３、ｄ１は１０．９ｍｍ）、
第１の抵抗膜（ＩＴＯ膜、ｒ１は４０Ω／□）、
第２の誘電体層（ポリカーボネート、ε２は２．７３、ｄ２は１０．９ｍｍ）、
第２の抵抗膜（ＩＴＯ膜、ｒ２は２５５Ω／□）とした。
したがって、λが５１．６ｍｍのとき、ｄ１×√（ε１）は０．３４８λであり、ｄ１×√（ε１）＋ｄ２×√（ε２）は０．６９６λである。
【００６８】
［実施例３３］
実施例３と同様にして電波吸収体を製造した。ただし、各誘電体層、抵抗膜は以下のとおりにした。すなわち、
第１の誘電体層（ポリカーボネート、ε１は２．７３、ｄ１は１０．９ｍｍ）、
第１の抵抗膜（金属メッシュ膜、ｒ１は０．１４Ω／□）、
第２の誘電体層（ポリカーボネート、ε２は２．７３、ｄ２は１０．９ｍｍ）、
第２の抵抗膜（ＩＴＯ膜、ｒ２は１９０Ω／□）とした。
したがって、λが５１．６ｍｍのとき、ｄ１×√（ε１）は０．３４８λであり、ｄ１×√（ε１）＋ｄ２×√（ε２）は０．６９６λである。
【００６９】
［実施例３４］
実施例１と同様にして電波吸収体を製造した。ただし、各誘電体層としてアクリル樹脂を用い、各誘電体層、抵抗膜は以下のとおりにした。すなわち、
第１の誘電体層（アクリル、ε１は２．８５、ｄ１は７．６ｍｍ）、
第１の抵抗膜（ＩＴＯ膜、ｒ１は１０Ω／□）、
第２の誘電体層（アクリル、ε２は２．８５、ｄ２は８．１ｍｍ）、
第２の抵抗膜（ＩＴＯ膜、ｒ２は１４０Ω／□）とした。
したがって、λが５１．６ｍｍのとき、ｄ１×√（ε１）は０．２４８λであり、ｄ１×√（ε１）＋ｄ２×√（ε２）は０．５１２λである。
【００７０】
［実施例３５］
実施例３４と同様にして電波吸収体を製造した。ただし、各誘電体層、抵抗膜は以下のとおりにした。すなわち、
第１の誘電体層（アクリル、ε１は２．８５、ｄ１は７．６ｍｍ）、
第１の抵抗膜（ＩＴＯ膜、ｒ１は４０Ω／□）、
第２の誘電体層（アクリル、ε２は２．８５、ｄ２は８．１ｍｍ）、
第２の抵抗膜（ＩＴＯ膜、ｒ２は１４０Ω／□）とした。
したがって、λが５１．６ｍｍのとき、ｄ１×√（ε１）は０．２４８λであり、ｄ１×√（ε１）＋ｄ２×√（ε２）は０．５１２λである。
【００７１】
［実施例３６］
実施例３４と同様にして電波吸収体を製造した。ただし、第１の抵抗膜として金属メッシュ膜（セーレン社製、Ｓｕ−４Ｘ１３５３０）を用い、各誘電体層、抵抗膜は以下のとおりにした。すなわち、
第１の誘電体層（アクリル、ε１は２．８５、ｄ１は７．６ｍｍ）、
第１の抵抗膜（金属メッシュ、ｒ１は０．１４Ω／□）、
第２の誘電体層（アクリル、ε２は２．８５、ｄ２は８．１ｍｍ）、
第２の抵抗膜（ＩＴＯ膜、ｒ２は１０５Ω／□）とした。
したがって、λが５１．６ｍｍのとき、ｄ１×√（ε１）は０．２４８λであり、ｄ１×√（ε１）＋ｄ２×√（ε２）は０．５１２λである。
【００７２】
［比較例１］
実施例１と同様にして電波吸収体を製造した。ただし、各誘電体層、抵抗膜は以下のとおりにした。すなわち、
第１の誘電体層（ポリカーボネート、ε１は２．７３、ｄ１は６．０ｍｍ）、
第１の抵抗膜（ＩＴＯ膜、ｒ１は１０Ω／□）、
第２の誘電体層（ポリカーボネート、ε２は２．７３、ｄ２は２．０ｍｍ）、
第２の抵抗膜（ＩＴＯ膜、ｒ２は３６０Ω／□）とした。
したがって、λが５１．６ｍｍのとき、ｄ１×√（ε１）は０．１９２λであり、ｄ１×√（ε１）＋ｄ２×√（ε２）は０．２５６λである。
【００７３】
［比較例２］
実施例３６と同様にして電波吸収体を製造した。ただし、各誘電体層、抵抗膜は以下のとおりにした。すなわち、
第１の誘電体層（アクリル、ε１は２．８５、ｄ１は６．５ｍｍ）、
第１の抵抗膜（金属メッシュ、ｒ１は０．１４Ω／□）、
第２の誘電体層（アクリル、ε２は２．８５、ｄ２は７．０ｍｍ）、
第２の抵抗膜（ＩＴＯ膜、ｒ２は２００Ω／□）とした。
したがって、λが５１．６ｍｍのとき、ｄ１×√（ε１）は０．２１２λであり、ｄ１×√（ε１）＋ｄ２×√（ε２）は０．４４１λである。
【００７４】
［比較例３］
実施例３６と同様にして電波吸収体を製造した。ただし、各誘電体層、抵抗膜は以下のとおりにした。すなわち、
第１の誘電体層（アクリル、ε１は２．８５、ｄ１は６．５ｍｍ）、
第１の抵抗膜（金属メッシュ、ｒ１は０．１４Ω／□）、
第２の誘電体層（アクリル、ε２は２．８５、ｄ２は７．０ｍｍ）、
第２の抵抗膜（ＩＴＯ膜、ｒ２は８０Ω／□）とした。
したがって、λが５１．６ｍｍのとき、ｄ１×√（ε１）は０．２１２λであり、ｄ１×√（ε１）＋ｄ２×√（ε２）は０．４４１λである。
【００７５】
［比較例４］
実施例３６と同様にして電波吸収体を製造した。ただし、各誘電体層、抵抗膜は以下のとおりにした。すなわち、
第１の誘電体層（アクリル、ε１は２．８５、ｄ１は１１．５ｍｍ）、
第１の抵抗膜（金属メッシュ、ｒ１は０．１４Ω／□）、
第２の誘電体層（アクリル、ε２は２．８５、ｄ２は１１．０ｍｍ）、
第２の抵抗膜（ＩＴＯ膜、ｒ２は２２０Ω／□）とした。
したがって、λが５１．６ｍｍのとき、ｄ１×√（ε１）は０．３７５λであり、ｄ１×√（ε１）＋ｄ２×√（ε２）は０．７３４λである。
【００７６】
［比較例５］
従来のλ／４型電波吸収体を製造した。厚さ７．８２ｍｍのポリカーボネート樹脂（誘電率；２．７３）の両面にスパッタリングにより第１および第２の抵抗膜としての酸化インジウムスズ薄膜（ＩＴＯ膜）を形成したものを電波吸収体とした（すなわち、本発明の第２の誘電体層に相当する層を設けなかった）。ｒ１は１０Ω／□、ｒ２は３７７Ω／□とした。表面抵抗率は、ロレスタＥＰ（ダイアインスツルメンツ社製）を用いて、室温で測定した。λが５１．６ｍｍのとき、ｄ１×√（ε１）は０．２５０λとなる。
【００７７】
［比較例６］
実施例１と同様にして電波吸収体を製造した。ただし、各誘電体層、抵抗膜は以下のとおりにした。すなわち、
第１の誘電体層（ポリカーボネート、ε１は２．７３、ｄ１は６．０ｍｍ）、
第１の抵抗膜（ＩＴＯ膜、ｒ１は５０Ω／□）、
第２の誘電体層（ポリカーボネート、ε２は２．７３、ｄ２は４．０ｍｍ）、
第２の抵抗膜（ＩＴＯ膜、ｒ２は３３０Ω／□）とした。
したがって、λが５１．６ｍｍのとき、ｄ１×√（ε１）は０．１９２λであり、ｄ１×√（ε１）＋ｄ２×√（ε２）は０．３１９λである。
【００７８】
［評価］
上記各実施例、比較例にて製造した電波吸収体に対し、５．８ＧＨｚ帯（中心波長λ；５０〜５２ｍｍ）の円偏波アンテナ（キーコム社製ＣＰＡ−５．８Ａ）を用いて、アーチ法により、斜入射角度が０°より大きく６０°以下の範囲で反射減衰量を測定した。図５〜図４６はそれぞれ、実施例１〜比較例６の電波吸収体についての結果である。図中、「ＪＨスペック」とは上述の日本道路公団が定めるＥＴＣシステムにおける基準である。各実施例の電波吸収体は前記ＪＨスペックを満足しているが、比較例１〜５は該スペックを満足しなかった。比較例６は該スペックを満たしていたが、後述の表のとおり、透過減衰量が小さすぎて実使用には不適であった。
【００７９】
ここで、ＪＨスペックは以下のとおりである。
電波の入射角度をθとしたとき、
０°＜θ≦４７．５°の場合、反射減衰量が２５ｄＢ以上、
４７．５°＜θ≦５０°の場合、反射減衰量が１５ｄＢ以上、
５０°＜θ≦５５°の場合、反射減衰量が１０ｄＢ以上。
【００８０】
また、各実施例、比較例について、以下のようにして透過減衰量を測定した。すなわち、標準利得ホーンアンテナ（ＥＭＣＯ社製、Ｍｏｄｅｌ　３１６０−０６）２個を、地上１．６ｍの位置で３ｍ隔てて対向させ、一方のアンテナに標準信号発生器から周波数５．８ＧＨｚの電波を供給し、他方のアンテナの受信レベルＶ０を測定した。次に各実施例、比較例の透明電波吸収体（５００ｍｍ×１０００ｍｍ）を対向するアンテナの中間に、アンテナ軸と直角に設置したときの受信レベルＶ１を測定した。このときの透明電波吸収体の透過減衰量を、Ｖ０−Ｖ１として求めた。
このようにして求めた透過減衰量は、下記表１のとおりであった。
【００８１】
【表１】
2004063587.tif 000006
【００８２】
【発明の効果】
本発明の電波吸収体は従来のλ／４型電波吸収体とは全く異なり、誘電体層の誘電率のみならず、抵抗膜の抵抗値および誘電体層の厚さ等によっても電波吸収特性を制御できる。そのため、所望の電波吸収特性を発現し得る誘電体層の材料の選択の幅が大きく広がる。その結果、例えば、斜入射特性が良好であり、かつ、透明である電波吸収体といった、電波吸収特性とそれ以外の特性とを両立した電波吸収体を製造するのが容易になる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の電波吸収体の模式図である。
【図２】本発明の電波吸収体の応用例の模式図である。
【図３】表面抵抗率ｒ１と電波の透過減衰量との関係を示す図である。
【図４】各電波吸収体について、縦軸に第２の抵抗膜３の表面抵抗率ｒ２を、横軸に第１および第２の誘電体層２、４の電気長の和（ｄ１’＋ｄ２’）をとった図である。
【図５】実施例１の電波吸収体の入射角度に対する反射減衰量をプロットした図である。
【図６】実施例２の電波吸収体の入射角度に対する反射減衰量をプロットした図である。
【図７】実施例３の電波吸収体の入射角度に対する反射減衰量をプロットした図である。
【図８】実施例４の電波吸収体の入射角度に対する反射減衰量をプロットした図である。
【図９】実施例５の電波吸収体の入射角度に対する反射減衰量をプロットした図である。
【図１０】実施例６の電波吸収体の入射角度に対する反射減衰量をプロットした図である。
【図１１】実施例７の電波吸収体の入射角度に対する反射減衰量をプロットした図である。
【図１２】実施例８の電波吸収体の入射角度に対する反射減衰量をプロットした図である。
【図１３】実施例９の電波吸収体の入射角度に対する反射減衰量をプロットした図である。
【図１４】実施例１０の電波吸収体の入射角度に対する反射減衰量をプロットした図である。
【図１５】実施例１１の電波吸収体の入射角度に対する反射減衰量をプロットした図である。
【図１６】実施例１２の電波吸収体の入射角度に対する反射減衰量をプロットした図である。
【図１７】実施例１３の電波吸収体の入射角度に対する反射減衰量をプロットした図である。
【図１８】実施例１４の電波吸収体の入射角度に対する反射減衰量をプロットした図である。
【図１９】実施例１５の電波吸収体の入射角度に対する反射減衰量をプロットした図である。
【図２０】実施例１６の電波吸収体の入射角度に対する反射減衰量をプロットした図である。
【図２１】実施例１７の電波吸収体の入射角度に対する反射減衰量をプロットした図である。
【図２２】実施例１８の電波吸収体の入射角度に対する反射減衰量をプロットした図である。
【図２３】実施例１９の電波吸収体の入射角度に対する反射減衰量をプロットした図である。
【図２４】実施例２０の電波吸収体の入射角度に対する反射減衰量をプロットした図である。
【図２５】実施例２１の電波吸収体の入射角度に対する反射減衰量をプロットした図である。
【図２６】実施例２２の電波吸収体の入射角度に対する反射減衰量をプロットした図である。
【図２７】実施例２３の電波吸収体の入射角度に対する反射減衰量をプロットした図である。
【図２８】実施例２４の電波吸収体の入射角度に対する反射減衰量をプロットした図である。
【図２９】実施例２５の電波吸収体の入射角度に対する反射減衰量をプロットした図である。
【図３０】実施例２６の電波吸収体の入射角度に対する反射減衰量をプロットした図である。
【図３１】実施例２７の電波吸収体の入射角度に対する反射減衰量をプロットした図である。
【図３２】実施例２８の電波吸収体の入射角度に対する反射減衰量をプロットした図である。
【図３３】実施例２９の電波吸収体の入射角度に対する反射減衰量をプロットした図である。
【図３４】実施例３０の電波吸収体の入射角度に対する反射減衰量をプロットした図である。
【図３５】実施例３１の電波吸収体の入射角度に対する反射減衰量をプロットした図である。
【図３６】実施例３２の電波吸収体の入射角度に対する反射減衰量をプロットした図である。
【図３７】実施例３３の電波吸収体の入射角度に対する反射減衰量をプロットした図である。
【図３８】実施例３４の電波吸収体の入射角度に対する反射減衰量をプロットした図である。
【図３９】実施例３５の電波吸収体の入射角度に対する反射減衰量をプロットした図である。
【図４０】実施例３６の電波吸収体の入射角度に対する反射減衰量をプロットした図である。
【図４１】比較例１の電波吸収体の入射角度に対する反射減衰量をプロットした図である。
【図４２】比較例２の電波吸収体の入射角度に対する反射減衰量をプロットした図である。
【図４３】比較例３の電波吸収体の入射角度に対する反射減衰量をプロットした図である。
【図４４】比較例４の電波吸収体の入射角度に対する反射減衰量をプロットした図である。
【図４５】比較例５の電波吸収体の入射角度に対する反射減衰量をプロットした図である。
【図４６】比較例６の電波吸収体の入射角度に対する反射減衰量をプロットした図である。
【符号の説明】
１　第１の抵抗膜
２　第１の誘電体層
３　第２の抵抗膜
４　第２の誘電体層
【図１】
2004063587.tif 000007
【図２】
2004063587.tif 000008
【図３】
2004063587.tif 000009
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2004063587.tif 000013
【図８】
2004063587.tif 000014
【図９】
2004063587.tif 000015
【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
2004063587.tif 000020
【図１５】
2004063587.tif 000021
【図１６】
2004063587.tif 000022
【図１７】
2004063587.tif 000023
【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
2004063587.tif 000041
【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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【図３９】
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【図４０】
2004063587.tif 000046
【図４１】
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【図４２】
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【図４３】
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【図４４】
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【図４５】
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【図４６】
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