(57)【要約】【課題】  種々の試験用構造体に使用することができるプローブフィンガ構造体及びプローブフィンガ構造体を製造する方法を提供する。【解決手段】  上層、下層、及び、上層と下層との間に位置する絶縁又はエッチング停止層を有するウェーハ又はウェーハ部分を準備する段階を含むプローブフィンガ構造体を製造する方法。本方法は、取付部分を形成するために下層をエッチングする段階と、複数のプローブフィンガを形成するために上層をエッチングする段階とを更に含む。本方法はまた、プローブフィンガの各々に導電材料を配置する段階を含む。【選択図】      図１
2004205511.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上層と、下層と、該上層と該下層との間に位置するほぼ電気的に絶縁された層又はエッチング停止層とを有するウェーハ又はウェーハ部分を準備する段階と、
取付部分を形成するために前記下層をエッチングする段階と、
複数のプローブフィンガを形成するために前記上層をエッチングする段階と、
該プローブフィンガの各々に導電材料を配置する段階と、
を含むことを特徴とする、プローブフィンガ構造体を製造する方法。
【請求項２】
前記上層をエッチングする段階は、前記下層をエッチングする段階の後で行なわれることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
第２のエッチング段階の後に、前記複数のプローブフィンガの下に位置する前記下層の部分を除去して、該複数のプローブフィンガがほぼ空洞の上に懸架されるようにする段階を更に含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記ウェーハ又はウェーハ部分は、絶縁体上シリコン型ウェーハ又は絶縁体上シリコン型ウェーハの一部分であることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項５】
第１のエッチング段階は、前記下層の少なくとも一部を前記絶縁又はエッチング停止層の深さまでエッチングする段階を含み、
前記第２のエッチング段階は、前記上層の少なくとも一部を前記絶縁又はエッチング停止層の深さまでのエッチングする段階を含む、
ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記第１のエッチング段階は、異方性エッチングを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記第２のエッチング段階は、ドライエッチングを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記第２のエッチング段階は、第１の層にベース構造を形成する段階を含み、
各プローブフィンガは、該ベースから外向きに延びてほぼ櫛様の構造体を形成する、
ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記上層及び下層は、それぞれ半導体材料であることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記第１のエッチング段階は、空洞をエッチングする段階を含み、
前記第２のエッチング段階は、該空洞の上に前記複数のプローブフィンガを形成する段階を含む、
ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
各フィンガの下に位置する前記上層の部分を前記絶縁又はエッチング停止層の深さまでエッチングして除去する段階を更に含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
前記ウェーハ又はウェーハ部分は、前記上層上に位置する上部絶縁部分と、前記下層上に位置する下部絶縁部分とを含み、
前記方法は、前記第１のエッチング段階の前に、該下部絶縁部分の少なくとも一部を除去する段階を含み、
該第１のエッチング段階は、前記プローブフィンガが形成されることになる領域の下に空洞を形成するために、前記下層を該下層の厚みよりも浅い深さまでエッチングする段階を含む、
ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
前記第１のエッチング段階の後に、前記上部絶縁部分をほぼ前記複数のプローブフィンガの形状にパターン形成する段階を更に含むことを特徴とする請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記第２のエッチング段階の後に、前記複数のプローブフィンガ上にフィンガ絶縁層を配置する段階を更に含むことを特徴とする請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記フィンガ絶縁層は、各プローブフィンガのいずれの露出表面もほぼ覆っていることを特徴とする請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
各プローブフィンガ上にシード層を配置する段階を更に含み、
前記導電材料は、該シード層上に配置される、
ことを特徴とする請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
各プローブフィンガ上に結合パッドを配置して、各プローブフィンガの間に位置する前記シード層の部分を除去する段階を更に含むことを特徴とする請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
各フィンガがほぼ懸架されるように、該各フィンガの下に位置する前記下層及び前記下部絶縁層の部分を除去する段階を更に含むことを特徴とする請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
前記上層は、その上の上部絶縁層を含み、
前記方法は該上部絶縁層の上にシード層を配置する段階を更に含む、
ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項２０】
前記シード層を複数のプローブフィンガの形状にパターン形成する段階を更に含むことを特徴とする請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
各プローブフィンガの間に位置する前記シード層の部分、前記上部絶縁層の部分、及び前記上層の部分を除去する段階を更に含み、
前記導電材料は、該シード層の部分の上に堆積される、
ことを特徴とする請求項２０に記載の方法。
【請求項２２】
前記配置する段階の後に、結合パッドを各プローブフィンガ上に配置する段階を更に含むことを特徴とする請求項２１に記載の方法。
【請求項２３】
各フィンガがほぼ懸架されるように、該各フィンガの下に位置する前記下層及び前記下部絶縁層の部分を除去する段階を更に含むことを特徴とする請求項２２に記載の方法。
【請求項２４】
前記方法は、少なくとも２つのプローブフィンガ構造体が前記ウェーハ又はウェーハ部分上に形成されるようなバッチ処理であり、
前記第２のエッチング段階は、該プローブフィンガ構造体の両方の前記プローブフィンガとほぼ共面のフレームを形成するように前記上層をエッチングする段階を含む、
ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項２５】
前記フレームは、前記プローブフィンガ構造体の両方の前記プローブフィンガに隣接することを特徴とする請求項２４に記載の方法。
【請求項２６】
前記導電材料を配置する段階の前に、前記フレーム及び両方のプローブフィンガ構造体がほぼ電気的に結合されるように、ほぼ導電性のシード層を前記フレームの上面及び前記両方のプローブフィンガ構造体の上面上に配置する段階を更に含むことを特徴とする請求項２５に記載の方法。
【請求項２７】
前記第１又は第２のエッチング段階の少なくとも一方は、前記取付部分及びプローブフィンガに隣接して配置されるフレームを形成するように前記ウェーハをエッチングする段階を含み、該フレームは該取付部分及びプローブフィンガの上面とほぼ共面の上面を有することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項２８】
前記フレームは、前記プローブフィンガの周りに位置するほぼ閉じた形状を有することを特徴とする請求項２７に記載の方法。
【請求項２９】
前記導電材料を配置する段階の前に、前記フレーム及び前記プローブフィンガ構造体がほぼ電気的に結合されるように、ほぼ導電性のシード層を前記フレームの上面及び前記プローブフィンガ構造体の上面上に配置する段階を更に含むことを特徴とする請求項２７に記載の方法。
【請求項３０】
前記導電材料を配置する段階の後に、各プローブフィンガがどの隣接するプローブフィンガからも電気的に絶縁されるように前記シード層の部分を除去する段階を更に含むことを特徴とする請求項２９に記載の方法。
【請求項３１】
前記第２のエッチング段階は、ほぼ垂直な側壁を有するプローブフィンガを形成する段階を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３２】
上層と、下層と、該上層と該下層との間に位置するほぼ電気的に絶縁された層又はエッチング停止層とを有するウェーハ又はウェーハ部分を準備する段階、
取付部分を形成するために前記下層をエッチングする段階、
複数のプローブフィンガを形成するために前記上層をエッチングする段階、及び
該プローブフィンガの各々に導電材料を配置する段階、
により形成されることを特徴とするプローブフィンガ構造体。
【請求項３３】
上層と、下層材料層と、該上層と該下層との間に位置するほぼ電気的に絶縁された層又はエッチング停止層とを有するウェーハ又はウェーハ部分を準備する段階と、
空洞を形成するために、前記下層を該下層の厚みよりも浅い深さまでエッチングする段階と、
ほぼ垂直の側壁を有する複数のプローブフィンガを形成するために、前記上層をエッチングする段階と、
導電材料を前記プローブフィンガの各々に配置する段階と、
を含むことを特徴とする、プローブフィンガ構造体を製造する方法。
【請求項３４】
前記第２のエッチング段階の間に形成された前記複数のプローブフィンガは、前記空洞の上方に配置されることを特徴とする請求項３３に記載の方法。
【請求項３５】
各フィンガの下に位置する前記下層の部分を前記絶縁又はエッチング停止層の深さまでエッチングして除去する段階を更に含むことを特徴とする請求項３３に記載の方法。
【請求項３６】
前記第２のエッチング段階は、ドライエッチング段階であることを特徴とする請求項３３に記載の方法。
【請求項３７】
上層と、下層と、該上層と該下層との間に位置するほぼ電気的に絶縁された層又はエッチング停止層とを含むベース、及び
該ベースからほぼ外向きに延びる複数のほぼ導電性のプローブフィンガ、
を含むことを特徴とするプローブフィンガ構造体。
【請求項３８】
各プローブフィンガは、前記上層と同じ材料で作られた支持部分と、その上に配置された導電部分とを含むことを特徴とする請求項３７に記載の構造体。
【請求項３９】
各フィンガの前記支持部分は、前記上層とほぼ共面であり、該上層とほぼ同じ厚みを有することを特徴とする請求項３８に記載の構造体。
【請求項４０】
各支持部分とその付随する導電部分との間に配置されたシード層を更に含むことを特徴とする請求項３８に記載の構造体。
【請求項４１】
前記上層及び前記下層は、単結晶シリコン、アモルファスシリコン、ポリシリコン、炭化ケイ素、ゲルマニウム、ポリイミド、セラミック材料、窒化物、サファイア、ヒ化ガリウム、窒化ガリウム、及びガラス類から成る群から選ばれる少なくとも１つの材料を含むことを特徴とする請求項３７に記載の構造体。
【請求項４２】
前記上層及び下層の各々は、シリコンであり、
前記絶縁又はエッチング停止層は、二酸化ケイ素である、
ことを特徴とする請求項３７に記載の構造体。
【請求項４３】
前記ベース及び前記プローブフィンガは、ほぼ櫛形状の構造体を形成することを特徴とする請求項３７に記載の構造体。
【請求項４４】
各フィンガは、導電部分が配置された支持部分を含み、
各支持部分は、ほぼ電気的絶縁性の材料にほぼ封入されている、
ことを特徴とする請求項３７に記載の構造体。
【請求項４５】
各フィンガは、各フィンガのベースに配置された結合パッドを含むことを特徴とする請求項３７に記載の構造体。
【請求項４６】
各フィンガは、どの隣接するフィンガからもほぼ電気的に絶縁されることを特徴とする請求項３７に記載の構造体。
【請求項４７】
各フィンガの間にほぼ横方向に位置する前記上層の部分はないことを特徴とする請求項３７に記載の構造体。
【請求項４８】
各フィンガは、ほぼ片持ちであることを特徴とする請求項３７に記載の構造体。
【請求項４９】
各フィンガは、ほぼ垂直な側壁を有することを特徴とする請求項３７に記載の構造体。
【請求項５０】
前記ベースは、ウェーハに結合され、
該ウェーハは、該ベースとほぼ共面の支持部を含み、
該ウェーハはまた、補助的なベースと、該補助的なベースからほぼ外向きに延びる複数の補助的なプローブフィンガとを含み、
前記補助的なベースは、前記支持部とほぼ共面であってそれに結合される、
ことを特徴とする請求項３７に記載の構造体。
【請求項５１】
前記支持部は、導電材料が該支持部、前記ベース、及び前記補助的なベース上に配置されて該ベースと該補助的なベースとを電気的に結合することができるように、該ベース及び該補助的なベースに隣接していることを特徴とする請求項５０に記載の構造体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、種々の試験用構造体に使用することができるプローブフィンガ構造体、及びプローブフィンガ構造体を製造する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
接触構造体は、ＩＣチップ、半導体ウェーハ、半導体素子、プリント基板、ＩＣリード、及びメモリチップなどの様々な電気及び電子コンポーネントを試験するために使用することができる。接触構造体はまた、化学センサ、電気センサ、慣性センサ、「ＤＮＡ」スクリーニング装置、マイクロアクチュエータ、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）、及び走査プローブ顕微鏡（ＳＰＭ）などとして使用することができる。このような接触構造体は、一般的に、試験されるコンポーネント、表面、又は流体上の接触点又は接触位置に係合するように成形されて配置された複数のプローブフィンガを含む。試験されるいくつかのコンポーネントの小さな寸法と接触位置間に存在し得る小さな間隔とのために、プローブフィンガは、正確に配置されて方向付けされ、正確に制御された寸法を有するべきである。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
従って、改善されたプローブフィンガ構造体、及びプローブフィンガ構造体を製造する改善された方法に対する必要性が存在する。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
一実施形態において、本発明は、プローブ構造体を形成するために絶縁体上半導体型ウェーハ（例えば、絶縁体上シリコン型ウェーハ）を機械加工することによるプローブ構造体を製造する方法である。絶縁体上半導体型ウェーハの使用は、プローブフィンガの正確な深さ制御、正確な寸法、及び改善された電気的絶縁をもたらすことを助けることができる。
一実施形態において、本発明は、上層、下層、及び、上層と下層との間に位置する絶縁層又はエッチング停止層を有するウェーハ又はウェーハ部分を準備する段階を含むプローブフィンガ構造体を製造する方法である。本方法は、取付部分を形成するために下層をエッチングする段階と、複数のプローブフィンガを形成するために上層をエッチングする段階とを更に含む。本方法はまた、プローブフィンガの各々に導電材料を配置する段階を含む。本発明の他の目的及び利点は、以下の説明及び添付図面から明白であろう。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００５】
図１に示すように、全体として１０で示す試験用構造体は、基板１２及び１つ又は複数のプローブ構造体１４を含むことができる。各プローブ構造体１４は、基板１２からほぼ下方にそれと鋭角で延びることができる複数のプローブフィンガ１６を含むことができる。プローブフィンガ１６の各々は、導電材料で製造することができ、又は、導電材料を含むことができる。一実施形態において、接触構造体１０は、被験コンポーネント１８の作動又は電気的接続を試験するために使用することができ、コンポーネント１８は、以下に限定されるものではないが、ＩＣチップ、半導体ウェーハ、半導体素子、プリント基板、ＩＣリード、及びメモリチップなどを含む種々の電気又は電子コンポーネントの何れかとすることができる。被験コンポーネント１８は、複数の接続点又は接続位置２０を含むことができ、各プローブフィンガ１６は、接触点２０の１つに接触するように成形して配置することができる。プローブフィンガ１６の各々は、基板１２を通過するか又はその周りに延びる付属リード線２４により、基板１２の上面に位置する接点２２と電気的に結合することができる。
【０００６】
試験用構造体１０が降ろされた時、及び／又は、被験コンポーネント１８が持上げられた時に、各プローブフィンガ１６は、被験コンポーネント１８の接触点２０に接触することができる。各プローブフィンガ１６は、基板上１２の接点２２を通じてプロセッサ、コントローラ、又はＣＰＵなど（図示せず）に接続することができる。このようにして、プロセッサ、コントローラ、又はＣＰＵと被験コンポーネント１８との間で種々の電気信号を送ることができる。例えば、プロセッサは、被験コンポーネント１８に試験信号を送り、被験コンポーネント１８から得られる出力信号を受信することができる。受信信号は、次に期待された又は望ましい結果と比較され、試験された被験コンポーネント１８の作動又は他の特性を判断することができる。このようにして、プローブ構造体１４は、例えば、製造工程の最後での品質管理段階としてコンポーネント１８を検査するために使用することができる。
【０００７】
被験コンポーネント１８又は試験される他のコンポーネントは、接触点２０が比較的接近した間隔を有し得るほど（すなわち、例えば、約４０ミクロン又はそれ以下までの狭い間隔を有し得る）比較的小さいことがある。従って、プローブフィンガ１６は、正確に配置されて正確な寸法を有することが望ましく、プローブフィンガ１６を製造する製造工程は、目標とする寸法及び特性を有するプローブフィンガ１６を確実に繰り返し生産することが望ましいであろう。一実施形態において、各プローブフィンガ１６は、例えば、長さ約１ミリメートル、幅約３０ミクロン、及び高さ約５５ミクロンを有することができる。
【０００８】
プローブフィンガ１６の傾斜配置は、各プローブフィンガ１６が被験コンポーネント１８と接触した時に「スプリング」様の方法で曲がることを可能にすることができる。このようにして、各プローブフィンガ１６は、被験コンポーネント１８のあらゆる非平面性に対処するために、及び／又は、プローブフィンガ１６の不均一な長さ又は他の変動する寸法に対処するために垂直方向にずれることができるであろう。プローブフィンガ１６の傾斜した向きは、各プローブフィンガ１６の先端が接触点２０上に位置するいかなる天然酸化物も「こすり」落とすことを可能にして、プローブフィンガ１６と対応する接触点２０との間の良好な電気的接触を保証することができる。しかし、プローブフィンガ１６は、必ずしも基板１２から鋭角で延びる必要はなく、代わりに、プローブフィンガ１６は、例えば基板１２とほぼ垂直に延びることができることを理解すべきである。各プローブフィンガ１６はまた、目標とする１つ又は複数の機能を実行するのに必要な他の形状、構成、及び／又は寸法を有することもできる。
【０００９】
図２は、基板１２から分離された図１のプローブ構造体１４を示す。図２に見られるように、プローブ構造体１４は、ベース２６に結合されてほぼ櫛様の構造体を形成する複数のプローブフィンガ１６を含むことができる。ベース２６は、テーパの付いた又は傾斜した表面２８を有することができ、この表面は、基板１２（図１参照）と結合されて、プローブフィンガ１６がある角度で基板１２から延びることを可能にすることができる。
【００１０】
ベース２６は、下層３０（シリコンのような半導体材料で製造することができる）、上層３２（シリコンのような半導体材料で製造することができる）、及び、上層３２と下層３０との間に位置する中間絶縁層又はエッチング停止層３４（例えば、二酸化ケイ素とすることができる）を含むことができる。ベース２６は、その上面に位置する上部絶縁層３５（二酸化ケイ素又は窒化ケイ素など）を含むことができ、シード金属、シード材料、又はシード層３８（Ｔｉ／Ａｕなど）は、各プローブフィンガ１６に沿って上部絶縁層３５上に位置することができる。シード層３８の上には、導電材料４０（ニッケルなど）の層を配置することができ、導電材料４０の各部分の上には、そのベースにおいて結合パッド４２（金など）を配置することができる。上層３２は、導電材料４０に機械的強度をもたらすことができる。各プローブフィンガ１６の導電材料４０は、被験構造体１８の接触点２０と係合するように成形して配置することができ、結合パッド４２は、リード線２４が結合することができる表面を形成することができる（図１参照）。
【００１１】
図３は、基板１２に結合されたプローブフィンガ構造体の別の実施形態を示す。しかし、図３の実施形態においては、上層３２（特に、プローブフィンガ１６を形成する上層３２の各部分）は、二酸化ケイ素のような絶縁層３３に封入される。以下で論じられるように、絶縁層３３は、処理中にプローブフィンガ１６を保護するのを助けることができる。
図４は、プローブフィンガ構造体１４の別の実施形態を示し、これは、図２及び図３のものに類似しているが、ベース２６の選択された部分（すなわち、プローブフィンガ１６の間に位置する上層３２の部分）が除去されている。ベース２６のこれらの部分（特に、上層３２の部分）の除去は、プローブフィンガの各々を互いに更に電気的に絶縁するのを助ける。図示の実施形態においては、各プローブフィンガ１６の上層３２の各部分は、プローブフィンガの各々を更に電気的に絶縁するのを助ける酸化物層３３に封入される。
【００１２】
図３のプローブフィンガ構造体１６を形成するための１つの処理は、図５〜図２９に示されて以下で論じられるが、本発明の範囲から逸脱することなく、この処理において異なる段階を使用することができ、又は、完全に異なる処理を使用することができる点を理解すべきである。従って、本明細書に示された製造段階は、プローブ構造体１４を製造することができる単に一方法であり、本明細書に説明する各段階の順序及び詳細は変更することができ、又は、他の段階を使用することができ、又は、当業技術で公知の他の段階と置換することができる。バッチ製造工程により、いくつかのプローブフィンガ構造体１４を単一のウェーハ上に同時に形成することができる。しかし、説明を明快にするために、図５〜図２９（以下に論じられる図３０〜図４７も同様）には、形成されている単一のプローブフィンガ構造体１４のみが示されている。
【００１３】
図５〜図２９の大部分は、プローブフィンガ１６の例えば端部に沿って取られた横断面である（図２の線５−５を参照）。しかし、図９は、製造中におけるプローブフィンガ１６の長さに沿って取られた縦方向断面であり、図１１、図１３、図１５、図２０、図２２、図２４、図２６、及び図２９は、製造の種々の段階におけるプローブ構造体１４の上面図である。
図５に示すように、処理は、絶縁体上シリコン（ＳＯＩ）Ｎ型両側研磨ウェーハのような絶縁体上半導体型ウェーハ５０を用いて開始することができる。ウェーハ５０は、上部又は活性（シリコン）層３２、下部（シリコン）層３０、及びそれらの間に位置する絶縁層又はエッチング停止層３４（二酸化ケイ素など）を含むことができる。上層（３２）及び下層（３０）は、ドープされないか又は非常に僅かにドープされた単結晶シリコンとすることができ、そのために層３０及び層３２は、高い電気抵抗（すなわち、１つの場合においては、約８００〜１２００オーム・センチメートルの抵抗）を有する。しかし、ウェーハ５０（すなわち、上層３２及び下層３０）はまた、以下に限定されるものではないが、アモルファスシリコン、ポリシリコン、炭化ケイ素、ゲルマニウム、ポリイミド、セラミック材料、窒化物、サファイア、ヒ化ガリウム、窒化ガリウム、ガラス類、材料の組合せ、及び、他の任意の機械加工可能で好ましくは電気的抵抗性を有する材料を含む、単結晶シリコン以外の種々の材料から製造することができる。
【００１４】
上層３２及び下層３０の厚みは、最終製品（プローブ構造体１４）に目標とする厚みをもたらすように選択することができる。例えば、上層３２の厚みは、プローブフィンガ１６の下部部分の厚みに寄与し、下層３０の厚みは、ベース２６の厚みに寄与することになる。一実施形態において、上層３２は、約１０から約１００ミクロン（１つの場合においては、約３５ミクロン）の厚みを有することができ、中間絶縁層３４は、約０．１から約１０ミクロン（１つの場合においては、約１ミクロン）の厚みを有することができ、下層３０は、約５０から約１、０００ミクロン（１つの場合においては、約３００ミクロン）の厚みを有することができる。
【００１５】
ウェーハ５０は、ウェーハ５０の上面に位置する窒化ケイ素のような上部絶縁層３６（すなわち、１つの場合においては、約１５００オングストロームの厚み）、及び、ウェーハ５０の下面に位置する窒化ケイ素のような下部絶縁層５２を含むことができる。上部絶縁層３６及び下部絶縁層５２は、低圧化学蒸着（ＬＰＣＶＤ）のような任意の望ましい方法でウェーハ５０上に配置することができる。窒化ケイ素３６及び５２の代わりに、酸化物を使用することができるが、後に続く加工段階におけるエッチングに対するその抵抗性のために窒化ケイ素が好ましいであろう。
【００１６】
図６に示すように、フォトレジスト５４がウェーハ５０の下面に配置され、絶縁層５２の中央部分を露出させるようにパターン形成することができる。次に、図７に示すように、下部絶縁層５２の露出部分は、プラズマエッチング又は他の任意の満足できる方法により除去される。次に、フォトレジスト５４が除去される。
次に、下層３０がエッチングされ、空洞５６（図８）及び空洞６０（図９）が形成される（ウェーハ又はウェーハ部分の「エッチング」により、ウェーハ又はウェーハ部分を除去することが意味されるか、又は、ウェーハ又はウェーハ部分を「パターン形成する」ことが意味されることを理解すべきである）。図２に示すように、この段階の間に形成された空洞５６は、懸架されたプローブフィンガ１６の下に最終的に位置することになる空間を形成する。プローブフィンガ１６の長さに沿って取られた断面である図９は、後部空洞６０が最終的にベース２６を形成することになるウェーハ５０の部分の背後に位置することを示す。このようにして、空洞５６及び後部空洞６０は、最終的にベース２６になることになる構造体の側壁を形成する。この段階の間の下層３０のエッチングは、異方性エッチング段階であることが好ましく、このエッチング段階は、シリコン下層３０の（１１１）結晶平面に沿った傾斜又はテーパ付け表面５８を作り出し、その１つは最終的に傾斜表面２８を形成する（図９参照）。エッチング角度は、約３５°〜約５５°の間、又は約４０°〜約５０°の間としてもよく、又は、１つの場合においては、約５４．７°とすることができる。空洞５０及び５６の上方に位置する下層３２の残りの部分（すなわち、ダイアフラム５９）の厚みは、例えば約６０ミクロンとすることができる。ダイアフラム５９は、後に続く加工段階の間にダイアフラム５９の上方に位置するコンポーネントに対して十分な剛度又は剛性をもたらすために十分な厚みを有するべきである。
【００１７】
このようにして、図８及び図９に示すエッチング段階は、プローブフィンガ１６が上述のように基板１２に対してある角度で延びることができるように、ベース２６のテーパ付き表面２８を作り出すのに使用することができる。代替的に、傾斜プローブフィンガ１６が必要でない場合、空洞５６及び６０は、リアクティブ・イオン・エッチング（ＲＩＥ）又はディープ・リアクティブ・イオン・エッチング（ＤＲＩＥ）のようなドライ及び／又は異方性エッチング法により形成することができる。例示のために、図９の切り抜き通路Ａ及びＢは、後に続く加工段階の間にフィンガ１６を外すためにエッチング除去されることになる構造体の部分を示す。
【００１８】
図１０及び図１１に示すように、次に、フォトレジスト６２がウェーハ５０の上面に配置され、図示の方法でパターン形成される。フォトレジスト６２は、切り抜き通路Ａ及びＢの上部部分を形成すると共にタブ７０及び７２とフレーム５１とを形成するために、主としてプローブフィンガ１６の目標とする形状にパターン形成される。次に、例えばリアクティブ・イオン・エッチング（ＲＩＥ）又は他の満足できるエッチング法により、上部絶縁層３６の露出部分が除去される。
【００１９】
次に、図１２及び図１３に示すように、ドライエッチング及び／又は異方性エッチング（すなわち、「ＤＲＩＥ」又はプラズマエッチング）、ウェットエッチング、又は他の方法のような任意の満足できる方法により、上層３２の露出部分が除去される。上層３２をエッチングしてフィンガ１６を形成するためのドライ及び／又は異方性エッチングの使用は、ほぼ垂直な側壁をもたらすことができ、フィンガ幅のより良好な制御とフィンガ１６のより詰まった間隔とを可能にすることができる。フィンガの側壁は、約８０〜約１００度の間とすることができ、好ましくは約９０度である。ドライ及び／又は異方性エッチングの使用はまた、フィンガ１６の先端のエッチングを制限することもでき、より正確な寸法のフィンガを形成する。
【００２０】
上層３２は、この段階の間に中間絶縁層３４の深さまでエッチングすることができ、それによって中間絶縁層３４は、エッチング停止の作用をする。このようにして、上部シリコン層３２の厚みは、プローブフィンガ１６の高さの少なくとも一部分を形成するように選択することができる。すなわち、「ＳＯＩ」ウェーハ５０の使用は、正確なエッチング制御をもたらすことができ、従って、プローブフィンガ１６のシリコン又は支持部分３２の上の高さに対する制御を提供する。得られるフィンガ１６の正確な寸法は、フィンガ１６の全てが目標とする接触位置２０と確実に繰り返し接触するように既知の力が基板１２に加えられることを可能にする（すなわち、フィンガ１６が被験コンポーネント１８と接触するように基板１２を下げる際に）。
【００２１】
次に、図１４及び図１５に示すように、フォトレジスト６２が除去され、上部絶縁層３６の残りの部分が、例えば「ＲＩＥ」又は他の満足できる方法により除去される。次に、図１６及び図１７に示すように、絶縁層３３（１ミクロンの厚みの熱酸化物など）が、フィンガ１６と空洞５６及び６０の露出表面とを含むウェーハ５０の全ての露出シリコン表面上に成長又は配置される。各プローブフィンガ１６を取り囲む絶縁層３３及び下に重なる絶縁層３４は、各プローブフィンガ１６をどの隣り合うプローブフィンガ１６からも電気的に絶縁し、後に続くエッチング段階中のフィンガ１６のバルク（シリコン）材料を保護する。
【００２２】
次に、空洞５６及び６０の露出表面を覆う絶縁層３３が除去される（図１８）。絶縁層３３の目標とする部分を除去する１つの方法は、ウェーハ５０の上面にフォトレジストをコーティングして（除去する必要のない酸化物３３及び３４を保護するために）、空洞５６及び６０上に配置された絶縁材料３３を例えば「ＲＩＥ」によりエッチングし、次にウェーハ５０の前面からフォトレジストを除去することである。絶縁層３３の目標とする部分はまた、緩衝酸化物エッチング又は他の方法により除去することができる。
【００２３】
次に、任意の満足できる方法により、シード層３８がウェーハ５０の上面に堆積される。シード層３８は、プローブフィンガ１６上への金属又は他の導電材料４０のその後の堆積を助ける。シード層３８は、酸化物層３３及び３４上に配置されたチタン（酸化物層３３及び３４とウェーハ５０とに対する良好な付着のため）、及び、チタンの上に配置された金（後に続くメッキ処理のための比較的酸素物を含まない層を準備するため）のような２つ又は２つ程度の層を含むことができる。しかし、限定的ではないがＮｉＣｒ及びＣｕを含む広範囲なシード金属又は材料の何れも使用することができる。１つ又は複数のシード材料３８は、スパッタリングのような任意の望ましい方法で、ウェーハ５０上に０．１ミクロンのような任意の目標とする厚みに配置することができる。
【００２４】
次に、図２１及び図２２に示すように、導電材料４０（例えば、ニッケル、金、タングステン、又は、ほとんど任意の金属又は他の導電材料）が、各プローブフィンガ１６のシード層３８の上、及びベース２６の部分の上に堆積される。ニッケルは、その薄膜応力が小さいために導電材料４０として使用することができる。導電材料４０は、ほとんど任意の望ましい方法で配置することができ、ほとんど任意の目標とする厚みに堆積させることができる。しかし、一実施形態においては、導電材料４０は、シード層３８上に約５〜４０ミクロン（１つの場合においては、約１８ミクロン）の厚みに電気メッキされたニッケルである。図２１及び図２２に見られるように、導電材料４０の各部分は、電気メッキ処理中における導電材料４０の配置のいかなるずれにも適応するために、付随する下に重なるシード層３８及び上層３２よりも幅を僅かに狭くすることができる。
【００２５】
電気メッキを容易にするために、各プローブフィンガ１６のシード層３８は、電気メッキ処理中に電気的に結合されることが必要な場合がある。図１９及び図２０に示すように、タブ７０及び７２、フレーム５１、ベース２６、及びフィンガ１６の上面は、実質的に全て同一平面とすることができる。このようにして、シード層３８がウェーハ５０の上面に堆積される時、実質的に水平で共面の表面７０、７２、５１、２６、及び１６上にシード層３８が確実に堆積され、それによってそれらの間の良好な電気的接続が保証される。例えば、電流は、フレーム５１からベース２６に、及び、フィンガ１６の各々にかつそれらの間に、図２０に示す様々な例示的な短い矢印の方向に流れることができる。更に、電気メッキ中に各プローブフィンガ構造体１４の各フィンガ１６に電圧を印加するためにウェーハの部分の上にのみ電気的接続が行えば済むように、バッチ処理中のウェーハ上の各プローブフィンガ構造体１４を電気的に結合することができる。
【００２６】
すなわち、導電材料４０の電気メッキ処理又は堆積中に、フィンガ１６に導電材料４０をメッキするために、フレーム５１、タブ７０及び７２、又はベース２６上のどこにでも電気的接触を行うことができる。この実施形態の構造体はまた、フィンガ１６の間の良好な電気的接触を保証するためのフィンガ１６の垂直側壁に沿うシード層３８又は他の導電材料のスパッタリング又は堆積を必要としない。代わりに、上述のように、フレーム５１、ベース２６、フィンガ１６、及び、タブ７０及び７２の水平表面上にシード層３８の導電部分が堆積される。フレーム５１又は他の接触表面は、フィンガ１６及び／又はベース２６の表面積の約１／４から約４倍のような、フィンガ１６及びベース２６の表面積に匹敵する表面積を有することができる。
導電材料４０を堆積した後、次に、一組の結合パッド４２（金又は任意の望ましい適切な結合パッド材料など）を導電材料４０の上に各プローブフィンガ１６のベースにおいて堆積させることができる（図２３及び図２４）。一実施形態においては、結合パッド４２は、導電材料４０上に約２ミクロンの厚みに電気メッキされた金から作られる。
【００２７】
プローブフィンガの各々を電気的に絶縁させるために、プローブフィンガ４０の各々の間に位置するシード層３８（すなわち、図２３の領域Ｃにおける）を除去することができる。フィンガ１６の間に位置するシード層３８の部分を除去するために、ウェーハ５０の上面にフォトレジストが配置することができ、プローブフィンガ１６の間に位置するフォトレジストの各部分（すなわち、領域Ｃ）を標準の露出及び洗浄／剥離段階により除去することができる。各フィンガ４０の間のフォトレジストが完全に除去されることが保証されるように注意すべきである。次に、シード層３８の露出部分は、ウェットエッチングなどによる任意の種々の望ましい方法によりエッチングで除去することができ、次に、残りのフォトレジストを除去することができる。
【００２８】
代替的に、フィンガ１６の間のシード層３８を除去するためにフォトレジストとエッチングとを用いるのではなく、領域Ｃに位置するシード層３８を除去するために、正確に制御されたイオンエッチングで領域Ｃの各々を標的にすることができる。適切な制御の下で、イオンエッチングは、シード層３８を除去してシード層の下の層を基本的に損傷せずに残すことになる。図２５及び図２６は、フィンガ１６の間に位置するシード層３８が望ましい処理により除去された後のウェーハ５０を示す。
【００２９】
代替的に、プローブフィンガ１６の間に位置するシード層３８の部分は、「リフトオフ」処理により除去することができるが、この処理は、シード層３８上への導電材料４０の堆積の前にいくつかの段階を必要とする。例えば、シード層の堆積の前に（すなわち、図１８）、フォトレジストをウェーハ５０の上面に堆積させて、フィンガ１６の間に位置するウェーハ５０の部分（すなわち、図１８の領域Ｃにおける）にのみフォトレジストが残るようにパターン形成することができる。次に、領域Ｃにおいてフィンガ１６の間に位置するフォトレジストを含むウェーハ５０の上面全体上にシード層３８をコーティングすることができる。次に、目標とする領域のフォトレジスト及びシード層３８をリフトオフの方法で除去する溶剤にウェーハ５０を入れることができる。導電材料４０及び結合パッド４２は、シード層３８上に配置することができる。
シード層３８の各部分を除去するためのリフトオフ及びエッチング法は、リフトオフ及びエッチング法の使用が製造工程全体をクリーンルームで実行し得ることを可能にするので、シード層３８を除去する好ましい方法であろう。言うまでもなく、シード層３８の目標とする部分を除去する他の種々の方法を使用してもよい。
【００３０】
次に、図２７に示すように、プローブフィンガ１６の下、及びベース２６の両側上に位置する下層３０の残りの厚み（すなわち、空洞５６及び６０上方のダイアフラム２９）は、「ＫＯＨ／ＴＭＡＨ」を用いるウェットエッチングのような任意の望ましいエッチング方法により除去される。この段階の間に、エッチング材料がプローブフィンガ１６に接触してプローブフィンガ１６の不要なエッチングをひき起こすことを防ぐために、エッチング材料を中間絶縁層３４の下に保持することが望ましい場合がある。この理由のために、下層３０のエッチングの大部分は、製造工程中の早期に行われることが望ましいであろう（すなわち、図８及び図９に示すように）。下層３０のより早期でのエッチングは、製造工程の終りのこの段階で除去される下層３０の僅かな厚みのみを残し、不都合な影響を最小限に抑えることができる。
更に、各プローブフィンガ１６を完全に取り囲んで位置し、それらを基本的に「封入する」絶縁層３３は、このエッチング段階の間にプローブフィンガ１６に接触し得るいかなるエッチング材料をもプローブフィンガ１６のバルク材料３２から隔離し、従ってそれをエッチングで除去しないことを保証するのを助ける。
【００３１】
下層３０のより早期の部分的エッチング（すなわち、図８及び図９における）を行うことはまた、下層３０全体が製造のこの段階（すなわち図２７）でエッチングされた場合に、上側の重量からの応力が望ましくないエッチング角度を引き起こす可能性があり、従ってベース２６のテーパ付き表面２８及び５８に対する望ましくない角度を生じ得るという理由からも必要であろう。必要に応じて、この段階（図２７）の間に下層３０の残りの部分をエッチングするのに、プラズマエッチング又は他の満足できる方法のような異方性エッチング法を使用することもできる。図８及び図９の異方性エッチング段階は、この段階（図２７）での異方性エッチングが必要でないように、下部材料３０のベース２６のテーパ付き表面２８及び５８を十分に形成することができる。
【００３２】
最後に、図２８及び図２９に示すように、中間絶縁層３４の露出部分（すなわち、空洞５６及び６０の上方に位置する部分）が、次に「ＲＩＥ」のような任意の望ましい方法により除去され、プローブフィンガ１６の懸架された部分が外される。プローブ構造体１４は、タブ７０及び７２において切断又はダイスカットすることができ（図２９）、周りのフレーム又はウェーハ構造体５１から外される。プローブフィンガ構造体１４は、次に、基板１２に結合させることができ（図３）、得られた試験用構造体１０は、顧客に出荷されるか又は試験用装置において使用することができる。
【００３３】
図３０〜図４７は、図２に示すプローブ構造体１４を形成するのに使用することができる製造工程を示す。この製造工程の最初の段階は、以上で論じた製造工程について図５〜図８に示した段階と同様である。すなわち、「ＳＯＩ」ウェーハが準備され、下層３０がエッチングされて空洞５６が形成される。次に、絶縁層３６が、「ＲＩＥ」のような任意の望ましい方法により除去され、図３０に示すようなウェーハ５０が得られる（代替的に、上部絶縁層３６のない開始ウェーハを使用してもよい）。次に、空洞５６及び６０の表面を含む上層３２及び下層３０の露出表面上に、１ミクロン厚みの熱酸化物のような絶縁層３５及び１０２が堆積されるか又は成長させられる（図３１）。
【００３４】
図３２に示すように、空洞５６及び６０上に配置された絶縁層１０２の各部分が次に除去される。絶縁層１０２の目標とする部分は、ウェーハ５０の前面にフォトレジストを配置し、ウェーハ５０の下面上の露出絶縁層１０２をエッチングして（緩衝酸化物エッチング（ＢＯＥ）によるなど）、次にフォトレジストを除去するなどによる任意の望ましい方法により除去することができる。
次に、スパッタリングのような任意の望ましい方法により、シード層３８を上部絶縁層３５上に配置することができる（図３３）。次に、フォトレジスト１０６がシード層３８の上に堆積され（図３４及び図３５）、プローブフィンガ１６、タブ７０及び７２、及びフレーム５１の形状にほぼパターン形成される。次に、フォトレジスト１０６に覆われていないシード層３８の部分は、ウェットエッチング又は他の満足できる方法などにより、除去されるか又はエッチングで取り除かれる（図３６及び図３７）。
【００３５】
この段階でシード層３８の各部分を除去する時、フィンガ１６の間でベース２６から間隔の空いた領域Ｄにおけるシード層３８の各部分が除去される。しかし、シード層３８の選択された部分は、フィンガ１６を電気的に結合するようにウェーハ５０の上側に残る。特に、図３５及び図３７の上面図には見えないが、フィンガ１６、ベース２６、タブ７０及び７２、及びフレーム５１がシード層３８を通じて電気的に結合されたままであるように、シード層３８は、フォトレジスト１０６の下に配置される。フィンガ１６の各々のシード層３８を通じての電気的接続は、フィンガ１６が電気的に結合されたままで残り、後に続く電気メッキ処理を上述と同様に支援することを可能にする。シード層３８が堆積される時（図３３）、シード層３８は、ウェーハ５０へのシード層３８の良好な接着が保証されるように、ほぼ平面の水平面上に配置される。
【００３６】
次に、図３８及び図３９に示すように、フォトレジスト１０６で覆われていない絶縁層３５の部分は、例えばプラズマエッチング又は他の満足できる方法により、エッチングされるか又は除去される。最後に、フォトレジスト１０６で覆われていない上層３２の部分が中間絶縁層の深さまで除去され、プローブフィンガ１６が形成される（図４０及び図４１）。上層３２は、「ＤＲＩＥ」又は他の満足できる方法によりエッチングすることができる。
次に、フォトレジスト１０６が除去されるか又は剥離され、導電材料４０の各部分が、シード層３８上にニッケル４０を電気メッキするなどにより、プローブフィンガ１６のシード層３８上に配置される（図４２ａ及び図４２ｂ）。上述のように、フィンガ１６、ベース２６、タブ７０及び７２、及びフレーム５１は、シード層３８を通じて電気的に接続され、電気メッキ処理を助ける。
【００３７】
結合パッド４２が、次に各フィンガのベースに配置される（図４３ａ及び図４３ｂ）。次に、導電材料４０の下に配置されていないシード層３８の部分（すなわち、フィンガ１６の上、又は、フィンガ１６の形成部）は、フォトレジストを使用してウェットエッチングによりシード層３８をエッチングするなどにより除去される（図４４）。換言すれば、フィンガ１６の間及びベース２６上に位置する（すなわち、領域Ｅにおける）シード層３８の部分が除去され、フィンガ１６の各々が電気的に絶縁される。
【００３８】
次に、図４５に示すように、プローブフィンガ１６の下に位置する下層３０の残りの部分（すなわち、空洞５６及び６０の上方に位置する部分）が、ウェットエッチング（すなわち、ＫＯＨ／ＴＭＡＨ）又は異方性エッチング法を含む種々のエッチング法などにより除去される（すなわち、中間絶縁層３４の深さまで）。次に、中間絶縁層３４の露出部分が除去されてプローブフィンガ１６が外される（図４６及び図４７）。最後に、プローブフィンガ構造体１４は、タブ７０及び７２において切断又はダイスカットされ、周囲のウェーハ構造体又はフレーム５１からプローブフィンガ構造体１４を外すことができる。次に、プローブフィンガ構造体１４は基板１２に結合され、得られた試験用構造体１０は顧客に出荷されるか又は試験用装置において使用することができる。
【００３９】
図５〜図３０に示す処理は、製造工程の間又は他の腐食環境に曝された時にフィンガ１６のバルク材料３２を保護するための酸化物３３で完全に覆われた下層３２を有するプローブフィンガ１６を形成する。これは、フィンガ１６の最終寸法に対する高度の制御をもたらすことができる。他方、図３１〜図４８に示す処理は、シード層３８が容易にエッチングされてフィンガ１６を電気的に絶縁する（すなわち、図４４に示す段階において）という事実により、実施するのが容易である。
図４に示すプローブフィンガ構造体１４の生成が必要な場合は、フィンガ１６の間に位置する櫛構造のベース２６の部分（すなわち、上層３２の部分）は、上層３２の適切なエッチング段階において（すなわち、図１０〜図１３、又は、図４０及び図４１における）、上層３２のエッチング中にエッチングで除去することができる。
【００４０】
更に、本明細書に示されて説明されたプローブフィンガ構造体は、接触構造体での用途に加え、種々の他の用途を有するであろう。例えば、プローブフィンガ構造体１４又はプローブ構造体１４は、化学センサ、電気センサ、慣性センサ、ＤＮＡスクリーニング装置、マイクロアクチュエータ、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）、及び走査プローブ顕微鏡（ＳＰＭ）などの一部として使用することができる。
本発明を詳細に好ましい実施形態を参照することにより説明したが、本発明の範囲を逸脱することなくその修正及び変形が可能であることは明白であろう。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】基板に取付けられて試験構造体と共に示された本発明のプローブフィンガ構造体の一実施形態を示す概略図である。
【図２】本発明のプローブフィンガ構造体の一実施形態を示す斜視図である。
【図３】基板に取り付けられた本発明のプローブフィンガ構造体の別の実施形態を示す斜視図である。
【図４】本発明のプローブフィンガの別の実施形態を示す斜視図である。
【図５】本発明のプローブフィンガ構造体の一実施形態を形成するために使用される処理を示す一連の端面断面図、側面断面図、及び上面図のうちの１つである。
【図６】本発明のプローブフィンガ構造体の一実施形態を形成するために使用される処理を示す一連の端面断面図、側面断面図、及び上面図のうちの１つである。
【図７】本発明のプローブフィンガ構造体の一実施形態を形成するために使用される処理を示す一連の端面断面図、側面断面図、及び上面図のうちの１つである。
【図８】本発明のプローブフィンガ構造体の一実施形態を形成するために使用される処理を示す一連の端面断面図、側面断面図、及び上面図のうちの１つである。
【図９】本発明のプローブフィンガ構造体の一実施形態を形成するために使用される処理を示す一連の端面断面図、側面断面図、及び上面図のうちの１つである。
【図１０】本発明のプローブフィンガ構造体の一実施形態を形成するために使用される処理を示す一連の端面断面図、側面断面図、及び上面図のうちの１つである。
【図１１】本発明のプローブフィンガ構造体の一実施形態を形成するために使用される処理を示す一連の端面断面図、側面断面図、及び上面図のうちの１つである。
【図１２】本発明のプローブフィンガ構造体の一実施形態を形成するために使用される処理を示す一連の端面断面図、側面断面図、及び上面図のうちの１つである。
【図１３】本発明のプローブフィンガ構造体の一実施形態を形成するために使用される処理を示す一連の端面断面図、側面断面図、及び上面図のうちの１つである。
【図１４】本発明のプローブフィンガ構造体の一実施形態を形成するために使用される処理を示す一連の端面断面図、側面断面図、及び上面図のうちの１つである。
【図１５】本発明のプローブフィンガ構造体の一実施形態を形成するために使用される処理を示す一連の端面断面図、側面断面図、及び上面図のうちの１つである。
【図１６】本発明のプローブフィンガ構造体の一実施形態を形成するために使用される処理を示す一連の端面断面図、側面断面図、及び上面図のうちの１つである。
【図１７】本発明のプローブフィンガ構造体の一実施形態を形成するために使用される処理を示す一連の端面断面図、側面断面図、及び上面図のうちの１つである。
【図１８】本発明のプローブフィンガ構造体の一実施形態を形成するために使用される処理を示す一連の端面断面図、側面断面図、及び上面図のうちの１つである。
【図１９】本発明のプローブフィンガ構造体の一実施形態を形成するために使用される処理を示す一連の端面断面図、側面断面図、及び上面図のうちの１つである。
【図２０】本発明のプローブフィンガ構造体の一実施形態を形成するために使用される処理を示す一連の端面断面図、側面断面図、及び上面図のうちの１つである。
【図２１】本発明のプローブフィンガ構造体の一実施形態を形成するために使用される処理を示す一連の端面断面図、側面断面図、及び上面図のうちの１つである。
【図２２】本発明のプローブフィンガ構造体の一実施形態を形成するために使用される処理を示す一連の端面断面図、側面断面図、及び上面図のうちの１つである。
【図２３】本発明のプローブフィンガ構造体の一実施形態を形成するために使用される処理を示す一連の端面断面図、側面断面図、及び上面図のうちの１つである。
【図２４】本発明のプローブフィンガ構造体の一実施形態を形成するために使用される処理を示す一連の端面断面図、側面断面図、及び上面図のうちの１つである。
【図２５】本発明のプローブフィンガ構造体の一実施形態を形成するために使用される処理を示す一連の端面断面図、側面断面図、及び上面図のうちの１つである。
【図２６】本発明のプローブフィンガ構造体の一実施形態を形成するために使用される処理を示す一連の端面断面図、側面断面図、及び上面図のうちの１つである。
【図２７】本発明のプローブフィンガ構造体の一実施形態を形成するために使用される処理を示す一連の端面断面図、側面断面図、及び上面図のうちの１つである。
【図２８】本発明のプローブフィンガ構造体の一実施形態を形成するために使用される処理を示す一連の端面断面図、側面断面図、及び上面図のうちの１つである。
【図２９】本発明のプローブフィンガ構造体の一実施形態を形成するために使用される処理を示す一連の端面断面図、側面断面図、及び上面図のうちの１つである。
【図３０】本発明のプローブフィンガ構造体の一実施形態を形成するために使用される別の処理を示す一連の端面断面図及び上面図のうちの１つである。
【図３１】本発明のプローブフィンガ構造体の一実施形態を形成するために使用される別の処理を示す一連の端面断面図及び上面図のうちの１つである。
【図３２】本発明のプローブフィンガ構造体の一実施形態を形成するために使用される別の処理を示す一連の端面断面図及び上面図のうちの１つである。
【図３３】本発明のプローブフィンガ構造体の一実施形態を形成するために使用される別の処理を示す一連の端面断面図及び上面図のうちの１つである。
【図３４】本発明のプローブフィンガ構造体の一実施形態を形成するために使用される別の処理を示す一連の端面断面図及び上面図のうちの１つである。
【図３５】本発明のプローブフィンガ構造体の一実施形態を形成するために使用される別の処理を示す一連の端面断面図及び上面図のうちの１つである。
【図３６】本発明のプローブフィンガ構造体の一実施形態を形成するために使用される別の処理を示す一連の端面断面図及び上面図のうちの１つである。
【図３７】本発明のプローブフィンガ構造体の一実施形態を形成するために使用される別の処理を示す一連の端面断面図及び上面図のうちの１つである。
【図３８】本発明のプローブフィンガ構造体の一実施形態を形成するために使用される別の処理を示す一連の端面断面図及び上面図のうちの１つである。
【図３９】本発明のプローブフィンガ構造体の一実施形態を形成するために使用される別の処理を示す一連の端面断面図及び上面図のうちの１つである。
【図４０】本発明のプローブフィンガ構造体の一実施形態を形成するために使用される別の処理を示す一連の端面断面図及び上面図のうちの１つである。
【図４１】本発明のプローブフィンガ構造体の一実施形態を形成するために使用される別の処理を示す一連の端面断面図及び上面図のうちの１つである。
【図４２ａ】本発明のプローブフィンガ構造体の一実施形態を形成するために使用される別の処理を示す一連の端面断面図及び上面図のうちの１つである。
【図４２ｂ】本発明のプローブフィンガ構造体の一実施形態を形成するために使用される別の処理を示す一連の端面断面図及び上面図のうちの１つである。
【図４３ａ】本発明のプローブフィンガ構造体の一実施形態を形成するために使用される別の処理を示す一連の端面断面図及び上面図のうちの１つである。
【図４３ｂ】本発明のプローブフィンガ構造体の一実施形態を形成するために使用される別の処理を示す一連の端面断面図及び上面図のうちの１つである。
【図４４】本発明のプローブフィンガ構造体の一実施形態を形成するために使用される別の処理を示す一連の端面断面図及び上面図のうちの１つである。
【図４５】本発明のプローブフィンガ構造体の一実施形態を形成するために使用される別の処理を示す一連の端面断面図及び上面図のうちの１つである。
【図４６】本発明のプローブフィンガ構造体の一実施形態を形成するために使用される別の処理を示す一連の端面断面図及び上面図のうちの１つである。
【図４７】本発明のプローブフィンガ構造体の一実施形態を形成するために使用される別の処理を示す一連の端面断面図及び上面図のうちの１つである。
【符号の説明】
【００４２】
１０  試験用構造体
１２  基板
１４  プローブ構造体
１６  プローブフィンガ
１８  被験コンポーネント
２０  接続点又は接続位置
２２  接点
２４  付属リード線
【図１】
2004205511.tif 000003
【図２】
2004205511.tif 000004
【図３】
2004205511.tif 000005
【図４】
2004205511.tif 000006
【図５】
2004205511.tif 000007
【図６】
2004205511.tif 000008
【図７】
2004205511.tif 000009
【図８】
2004205511.tif 000010
【図９】
2004205511.tif 000011
【図１０】
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【図１１】
2004205511.tif 000013
【図１２】
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【図１３】
2004205511.tif 000015
【図１４】
2004205511.tif 000016
【図１５】
2004205511.tif 000017
【図１６】
2004205511.tif 000018
【図１７】
2004205511.tif 000019
【図１８】
2004205511.tif 000020
【図１９】
2004205511.tif 000021
【図２０】
2004205511.tif 000022
【図２１】
2004205511.tif 000023
【図２２】
2004205511.tif 000024
【図２３】
2004205511.tif 000025
【図２４】
2004205511.tif 000026
【図２５】
2004205511.tif 000027
【図２６】
2004205511.tif 000028
【図２７】
2004205511.tif 000029
【図２８】
2004205511.tif 000030
【図２９】
2004205511.tif 000031
【図３０】
2004205511.tif 000032
【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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【図３９】
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【図４０】
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【図４１】
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【図４２ａ】
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【図４２ｂ】
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【図４３ａ】
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【図４３ｂ】
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【図４４】
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【図４５】
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【図４６】
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【図４７】
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