(57)【要約】【課題】Ｂａ−Ａｌ−Ｓｉ−Ｚｎ系の低誘電率の低温焼成磁器において、Ｑ値を一層向上させることである。【解決手段】誘電率εｒが１０以下であるＢａ−Ａｌ−Ｓｉ−Ｚｎ系低温焼成磁器であって、ホウ素の含有量がＢ２Ｏ３に換算して０．０５重量％以上、０．３重量％以下である。また、誘電率εｒが１０以下である低温焼成磁器であって、ＢａＳｉ2Ｏ5  相およびＢａＡｌ2Ｓｉ2Ｏ8相を含有しており、結晶相の含有量を１００重量部としたときの非晶質相の含有量が７０重量部以下であり、この非晶質相が、バリウム、アルミニウム、珪素、亜鉛およびホウ素からなる群より選ばれた一種以上の元素を含む。【選択図】          図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
誘電率εｒが１０以下であるＢａ−Ａｌ−Ｓｉ−Ｚｎ系低温焼成磁器であって、
ホウ素の含有量がＢ２Ｏ３に換算して０．０５重量％以上、０．３重量％以下であることを特徴とする、低温焼成磁器。
【請求項２】
結晶相の含有量を１００重量部としたときの非晶質相の含有量が７０重量％以下であり、この非晶質相が、バリウム、アルミニウム、珪素、亜鉛およびホウ素からなる群より選ばれた一種以上の元素を含むことを特徴とする、請求項１記載の低温焼成磁器。
【請求項３】
ＣｕＯ、ＭｏＯ３、ＷＯ３およびＶ2Ｏ5からなる群より選ばれた一種以上の添加剤を含むことを特徴とする、請求項１または２記載の低温焼成磁器。
【請求項４】
粉末Ｘ線回折測定法において、ＩＣＤＤ  Ｎｏ．８１−０５１１またはＮｏ．７９−１８１０に適合するピーク分布を有する結晶相を含むことを特徴とする、請求項３記載の低温焼成磁器。
【請求項５】
誘電率εｒが１０以下である低温焼成磁器であって、ＢａＳｉ2Ｏ5相およびＢａＡｌ2Ｓｉ2Ｏ8相を含有しており、結晶相の含有量を１００重量部としたときの非晶質相の含有量が７０重量部以下であり、この非晶質相が、バリウム、アルミニウム、珪素、亜鉛およびホウ素からなる群より選ばれた一種以上の元素を含むことを特徴とする、低温焼成磁器。
【請求項６】
ＣｕＯ、ＭｏＯ３、ＷＯ３およびＶ2Ｏ5からなる群より選ばれた一種以上の添加剤を０．０５重量％以上、１０．０重量％以下含有することを特徴とする、請求項５記載の低温焼成磁器。
【請求項７】
粉末Ｘ線回折測定法において、ＩＣＤＤ  Ｎｏ．８１−０５１１またはＮｏ．７９−１８１０に適合するピーク分布を有する結晶相を含むことを特徴とする、請求項６記載の低温焼成磁器。
【請求項８】
バリウム成分をＢａＯに換算して30.0−65.0重量％、
珪素成分をＳｉＯ２に換算して15.0−60.0重量％、
アルミニウム成分をＡｌ２Ｏ３に換算して0.1−20.0重量％、
亜鉛成分をＺｎＯに換算して0.5−20.0重量％、および
ビスマス成分をＢｉ２Ｏ３に換算して10.0重量％以下含有していることを特徴とする、請求項１〜７のいずれか一つの請求項に記載の低温焼成磁器。
【請求項９】
品質係数Ｑが３５００以上であることを特徴とする、請求項１〜８のいずれか一つの請求項に記載の低温焼成磁器。
【請求項１０】
共振周波数の温度係数τｆの絶対値が５５ｐｐｍ／℃以下であることを特徴とする、請求項１〜９のいずれか一つの請求項に記載の低温焼成磁器。
【請求項１１】
請求項１〜１０のいずれか一つの請求項に記載の低温焼成磁器によって少なくとも一部が構成されていることを特徴とする、電子部品。
【請求項１２】
金属電極を備えていることを特徴とする、請求項１１記載の電子部品。
【請求項１３】
前記低温焼成磁器からなる低誘電率層と、この低誘電率層と接合されている他の誘電体層とを備えており、他の誘電体層が、誘電率εｒが１０−１５０の他の低温焼成磁器からなることを特徴とする、請求項１１または１２記載の電子部品。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、誘電率が低く、品質係数Ｑが大きい低温焼成磁器、およびこれを用いた電子部品に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】携帯電話機等の高周波回路無線機器においては、高周波回路フィルターとして、例えばトップフィルター、送信用段間フィルター、ローカルフィルター、受信用段間フィルター等として、積層型誘電体フィルターが使用されている。
【０００３】誘電体積層フィルターを製造するためには、誘電体を構成するセラミック粉末の成形体を複数作製し、各成形体に対して、所定の導体ペーストを塗布することによって所定の電極パターンを各成形体に作製する。次いで、各成形体を積層して積層体を得、この積層体を焼成することによって、導体ペースト層と各成形体とを同時に焼成し、緻密化させる。
【０００４】この際、電極は一般的に銀系導体、銅系導体、ニッケル系導体のような低融点金属の導体を使用しているが、これらの融点は例えば１１００℃以下であり、９３０℃程度まで低下する場合もある。このため、電極を構成する低融点金属よりも低い焼成温度で誘電体を焼結させることが必要である。
【０００５】ストレー容量を低減し、遅延時間を低減し、内蔵共振器およびコンデンサーの高周波損失を低減するために、低温焼成磁器の誘電率εｒを低くし、かつ品質係数Ｑを増加させることが望まれている。本出願人は、特許文献１において、１０００℃以下の最適焼成温度を有しており、誘電率εｒが１０以下であり、品質係数Ｑが２５００以上である低温焼成磁器を開示した。
【特許文献１】
特開２０００−２１１９６９号公報
【０００６】また、本出願人は、特許文献２において、品質係数Ｑが一層改善された低温焼成磁器を開示した。
【特許文献２】
特開２００２−２６５２６７号公報
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】特許文献１、２に記載のような低温焼成磁器を製造する際には、通常は、Ｂａ−Ａｌ−Ｓｉ−Ｚｎの各酸化物の混合物を仮焼し、仮焼物を粉砕した後、これにＳｉＯ２、Ｂ２Ｏ３およびＺｎＯからなるガラス粉末を添加し、焼成している。しかし、このようにして得られた磁器のＱ値には限界があった。
【０００８】本発明の課題は、Ｂａ−Ａｌ−Ｓｉ−Ｚｎ系の低誘電率の低温焼成磁器においてＱ値を一層向上させることである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】第一の発明は、誘電率εｒが１０以下であるＢａ−Ａｌ−Ｓｉ−Ｚｎ系低温焼成磁器であって、ホウ素の含有量がＢ２Ｏ３に換算して０．０５重量％以上、０．３重量％以下であることを特徴とする。
【００１０】通常は、Ｂａ−Ａｌ−Ｓｉ−Ｚｎの各酸化物の混合物を仮焼し、仮焼物を粉砕した後、これにＳｉＯ２、Ｂ２Ｏ３およびＺｎＯからなるガラス粉末を添加し、焼成している。
【００１１】このガラス粉末は、焼成過程において主結晶相と反応し、新たにＱ値の低い非晶質相を生成させ、粒子を結合させている。こうした非晶質相はＱ値を低減させる作用があった。しかし、このガラス粉末は、通常は磁気の低温での焼成（例えば１０５０℃以下での焼成）に必要なものと考えられてきている。従って、ガラス粉末量を減らすと、磁器の焼結性が悪くなり、Ｑ値や強度が低下するものと考えられてきた。
【００１２】本発明者は、このガラス粉末に着目し、定量的に検討を加えることによって、ガラス量を低減することでＱ値を向上させ得ること、そして焼結性の低下は他の添加剤によって解決できることを見いだし、本発明に到達した。
【００１３】本発明においては、ガラスを構成する成分のうち、焼結性と非晶質相の生成に最も大きな影響を与えるホウ素の含有量に着目しており、そのＢ２Ｏ３含有量を０．３重量％以下とすることによって、Ｑ値を向上させ得る。この観点からは、ホウ素含有量をＢ２Ｏ３に換算して０．２８重量％以下とすることが更に好ましい。また、ホウ素含有量がＢ２Ｏ３に換算して０．０５重量％未満になると、Ｑ値がかえって低下する。
【００１４】また、第二の発明は、誘電率εｒが１０以下である低温焼成磁器であって、ＢａＳｉ2Ｏ5  相およびＢａＡｌ2Ｓｉ2Ｏ8相を結晶相として含有しており、結晶相の含有量を１００重量部としたときの非晶質相の含有量が７０重量％以下であり、この非晶質相が、バリウム、アルミニウム、珪素、亜鉛およびホウ素からなる群より選ばれた一種以上の元素を含むことを特徴とする。
【００１５】前記と同様の観点から、本発明者は、磁器中に存在する非晶質相の量とＱ値との関係に着目した。そして、非晶質相の含有率を７０重量％以下とすることによって、磁器のＱ値を向上させ得ることを見いだした。
【００１６】第二の発明の磁器は、ＢａＳｉ2Ｏ5相およびＢａＡｌ2Ｓｉ2Ｏ8相を結晶相として含有している。これらの結晶相は、粉末Ｘ線回折法によって、以下のICDD  Ｎｏ．によって同定される。
ＢａＳｉ2Ｏ5：26-0176、  ＢａＡｌ2Ｓｉ2Ｏ8：74-1677
【００１７】
【発明の実施の形態】好適な実施形態においては、磁器にＣｕＯ、ＭｏＯ３、ＷＯ３およびＶ２Ｏ５からなる群より選ばれた一種以上の添加剤を含有させる。これらの添加剤は、磁器粒子間の結合促進成分として作用する。これらの添加により、酸化ホウ素含有低融点ガラスを一層減量化しつつ、磁器焼結性を保持し、最適焼成温度を低く維持できる。更に、これらの添加剤を使用すると、本発明の磁器を異種材料と接合した場合のケミカルボンディング材となり、異種材料との相間剥離を抑制できる。
【００１８】また、上記の粒子間の結合促進材は、主結晶相が仮焼により形成された後に、粉砕工程或いはテープ成形用バインダー混合過程及びプレス体成形用バインダー混合過程にて添加することにより、より効果を発揮する。
【００１９】好適な実施形態においては、粉末Ｘ線回折測定法において、ＩＣＤＤ  Ｎｏ．８１−０５１１またはＮｏ．７９−１８１０に適合するピーク分布を有する結晶相が検出される。これらのピークは、ＢａＣｕ（Ｓｉ4Ｏ10）、Ｂｉ2ＣｕＯ4およびこれらの類似組成の結晶相に対応する。これらの結晶相が析出すると、粒子間の結合がさらに促進されるとともに、共振周波数の温度係数が改善される。
【００２０】磁器のQ値は特に限定されないが、3500以上であることが好ましく、4000以上であることが一層好ましい。また4800以上であれば、さらに一層好ましい。（3GHz換算）。
【００２１】また、本発明により、磁器の強度を高く維持することができる。磁器の強度は特に限定はされないが、例えば磁器からなる基板の強度を２５０MPa以上とすることができる。
【００２２】本発明の低温焼成磁器においては、珪素成分をＳｉＯ２に換算して15.0重量％以上含有させることが好ましく、これによって誘電率を１０以下に制御できる。誘電率を一層低くするという観点からは、珪素成分をＳｉＯ２に換算して25.0重量％以上含有させることが好ましい。また、珪素成分をＳｉＯ２に換算して60.0重量％以下含有させることが好ましく、これによって磁器の最適焼成温度を低くできる。この観点からは、50重量％以下とすることが一層好ましい。
【００２３】本発明の低温焼成磁器においては、アルミニウム成分をＡｌ２Ｏ３に換算して0.1重量％以上含有させることが好ましく、これによって磁器からなる基板の強度を上昇させることができる。この観点からは、アルミニウム成分をＡｌ２Ｏ３に換算して0.5重量％以上含有させることが好ましい。また、磁器の適正焼成温度を低下させるという観点からは、アルミニウム成分をＡｌ２Ｏ３に換算して20.0重量％以下含有させることが好ましく、15.0重量％以下含有させることが更に好ましい。
【００２４】本発明の低温焼成磁器においては、バリウム成分をＢａＯに換算して30.0重量％以上含有させることが好ましく、これによって磁器の品質係数Ｑを一層高くすることができる。この観点からは、バリウム成分をＢａＯに換算して40.0重量％以上含有させることが好ましい。また、バリウム成分をＢａＯに換算して65.0重量％以下含有させることが好ましく、これによって１０以下の誘電率εｒを確保できる。誘電率εｒを一層低くするという観点からは、バリウム成分をＢａＯに換算して60.0重量％以下含有させることが更に好ましい。
【００２５】亜鉛成分をＺｎＯに換算して0.5重量％以上（特に好ましくは1.0重量％以上）含有させることによって、低温焼成磁器の熱膨張係数が減少し、焼結し易くなることから、低温焼成が可能となる。亜鉛成分をＺｎＯに換算して20.0重量％以下（特に好ましくは15.0重量％以下）含有させることによって、磁器の品質係数Ｑを一層向上させることができる。
【００２６】ビスマス成分を含有させることによって、磁器におけるクラックの発生率が減少する。この作用効果は、本発明の磁器に対して金属電極を積層させる場合、あるいは磁器の成形体に金属電極を接触させた状態で磁器の成形体を焼成した場合、あるいは磁器の成形体中に金属電極を埋設した状態で磁器の成形体を焼成した場合に顕著である。ビスマス成分は蛍光Ｘ線分析法によって検出可能であれば良い。好ましくは、ビスマス成分の含有量は、Ｂｉ２Ｏ３に換算して0.10    重量％以上であることが好ましく、0.5重量％以上であることが更に好ましく、1.0重量％以上であることが特に好ましい。
【００２７】ビスマス成分をＢｉ２Ｏ３に換算して10.0重量％以下含有させることにより、品質係数Ｑを一層増大させることができる。この観点からは、  8.0重量％以下が特に好ましい。
【００２８】ＣｕＯ、ＭｏＯ３、ＷＯ３およびＶ2Ｏ5からなる群より選ばれた一種以上の添加剤の含有量は、前記観点から、０．０５重量％以上であることが好ましく、0.1重量％以上であることが更に好ましい。しかし、この含有量が多すぎると、磁器の強度が低下してくる傾向があるので、この観点からは、１０．０重量％以下であることが好ましい。
【００２９】本発明の磁器は、実質的にバリウム成分、珪素成分、アルミニウム成分、ホウ素成分、亜鉛成分およびビスマス成分からなっていてよい。しかし、この場合にも、各金属原料中に含まれる不可避的不純物は含有されていてよい。また、上記成分以外の酸化物や金属成分を含有していてよい。こうした酸化物や金属成分としては、例えば、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ２、Ｙ２Ｏ３、ＭｎＯ、Ｍｎ２Ｏ３、ＣｏＯ、ＮｉＯ、Ｎｄ２Ｏ３、Ｓｍ  ２Ｏ３、Ｌａ２Ｏ３、Ａｇ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄがある。
【００３０】電子部品において使用できる金属電極は限定されないが、銀電極、銅電極、ニッケル電極、またはこれらの合金からなる電極が好ましく、銀または銀合金からなる電極が更に好ましく、銀電極が特に好ましい。
【００３１】本発明の電子部品においては、本発明の低温焼成磁器を、他の低温焼成磁器、例えば誘電率εｒが１０−１５０の他の低温焼成磁器と一体化することができる。
【００３２】他の誘電体層を構成する低温焼成磁器の組成系は、以下のものが特に好ましい。
ＢａＯ−ＴｉＯ２−ＺｎＯ−ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３
ＢａＯ−ＴｉＯ２−Ｂｉ２Ｏ３−Ｎｄ２Ｏ３−ＺｎＯ−ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３
ＢａＯ−ＴｉＯ２−Ｂｉ２Ｏ３−Ｌａ２Ｏ３−Ｓｍ２Ｏ３−ＺｎＯ−ＳｉＯ２  −Ｂ２Ｏ３
ＭｇＯ−ＣａＯ−ＴｉＯ２−ＺｎＯ−Ａｌ２Ｏ３−ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３
【００３３】本発明の対象となる電子部品は特に限定されないが、例えば積層誘電体フィルター、多層配線基板、誘電体アンテナ、誘電体カプラー、誘電体複合モジュールを例示できる。
【００３４】本発明の低温焼成磁器を製造する際には、好ましくは、各金属成分の原料を所定比率で混合して混合粉末を得、混合粉末を８００−１２００℃で仮焼し、仮焼体を粉砕し、セラミック粉末を得る。そして、好ましくは、セラミック粉末と、ＳｉＯ２、Ｂ２Ｏ３およびＺｎＯからなる低融点ガラス粉末とを使用して、グリーンシートを作製し、グリーンシートを８５０−９３０℃で焼成する。各金属成分の原料としては、各金属の酸化物、硝酸塩、炭酸塩、硫酸塩などを使用できる。本発明の観点からは、前記低融点ガラスの割合は、セラミック１００重量部に対して、1.5以下とすることが好ましく、1.0以下とすることが一層好ましい。
【００３５】
【実施例】（セラミック粉末の製造）
炭酸バリウム、アルミナ、酸化珪素、酸化亜鉛、酸化ビスマスの各粉末を、所定の組成になるように秤量し、湿式混合する。この混合粉末を９００〜１０００℃で仮焼し、仮焼体を得る。仮焼物の結晶相とその結晶性を調べるために、粉末Ｘ線回折測定を行う。その後、仮焼粉末を、ボールミルにて、所定粒度まで粉砕し、粉末を乾燥し、セラミック粉末を得る。
【００３６】（低融点ガラス粉末の製造）
酸化亜鉛、酸化ホウ素および酸化珪素の各粉末を秤量し、乾式混合し、混合粉末を白金ルツボ中で溶融させ、溶融物を水中に投下して急速冷却し、塊状のガラスを得る。このガラスを湿式粉砕し、低融点ガラス粉末を得る。
【００３７】（誘電特性評価用サンプルの製造）
得られたセラミック粉末と低融点ガラス粉末とを、イオン交換水、有機バインダーと共に、アルミナポット、アルミナボールを使用して混合し、スラリーを得、スラリーを乾燥して粉体を得る。得られた粉体を金型プレスにて所定の形状に成形し、９００〜９３０℃にて焼成する。焼成体を所定形状に加工する。３ＧＨｚ換算での誘電率εｒ、品質係数Ｑ値、τｆを測定する。
【００３８】（基板強度の測定）
また、焼成体を加工し、寸法３０ｍｍ×４ｍｍ×１ｍｍの測定用サンプルを作製した。このサンプルについて、ＪＩＳ  Ｒ  １６０１に従って基板強度を測定する。
【００３９】（相間剥離の有無）
本発明組成からなるグリーンシートとBa6-3XR8+2XTi18O54（X＝0.0〜0.8）系組成からなるグリーンシートを85℃×20MPaの条件でCIPにより接合し、50mm角に切断し、920℃で焼成後、超音波探傷装置により、相間剥離を検査した。
【００４０】（各結晶相のピークの検出）
以下のＸ線回折装置および条件を用いて，各結晶相を検出した。
装置名称：リガク製X線回折装置「RAD-X1」
測定形式：2θ-θ
出力：35KV  20mA
発散スリット：1/2°
散乱スリット：1/2°
受光スリット：0.15mm
スキャン方法：ステッフ゜スキャン（FT）
ステッフ゜幅：0.02°
計数時間：2sec
【００４１】（非晶質相の含有量）
上述のＸ線回折測定装置および条件を用い、非晶質相の含有量を測定した。
ただし、非晶質相は、X線回折ピークでは、ハローパターンと呼ばれるブロードなピークの形で検出される。従って、非晶質相の含有量は、X線検量線法と呼ばれる以下の方法にて決定した。
（検量線の作成）
磁器を構成する主結晶相（ＢａＳｉ2Ｏ5  相およびＢａＡｌ2Ｓｉ2Ｏ8相）の粉体に対して、前記低融点ガラス粉末を添加し、乳鉢にて10分間混合し、混合粉末を得る。得られた混合粉末について、X線回折装置にて、2θで10°〜60°まで測定する。測定したデータをピーク分離ソフトウエアにより、バックグランドと非晶質相とにピーク分離する。ピーク分離する上で、非晶質相はアモルファス相として分離させる。
主結晶相からなる粉末の重量を１００重量部とし、低融点ガラスの添加量（外配：重量部）を種々変更する。そして、各混合粉末について、低融点ガラスのピーク強度と添加量との関係をプロットし、検量線とする。
図１は、本実施例での磁器系における検量線の例を示す。
【００４２】（非晶質相の含有量の測定）
次に、被測定サンプルをX線回折装置にて2θで10°〜60°まで測定し、非晶質相のピーク強度を測定する。ここで、磁器サンプルから得られた非晶質相のピーク強度が、検量線上での低融点ガラスのピーク強度と同じである場合には、磁器サンプル中の非晶質相の含有量が、前記混合粉末中の低融点ガラスの含有量と同じであるものとする。従って、磁器サンプルから非晶質相のピーク強度を測定すれば、この測定値を検量線上に載せることによって、磁器サンプル中の非晶質相の含有量を決定できる。
【００４３】（Ａｇとの同時焼成）
各磁器の適正焼成温度を求めた。適正焼成温度は、焼成温度の変化に対する誘電率εｒの変化が０．１／℃以内となる温度とした。適正焼成温度が９２０℃以下の場合には、「Ａｇとの同時焼成」の欄を「○」とし、その他の場合は「×」とした。
【００４４】
【表１】
2004203646.tif 000003
【００４５】表１のＡ１〜Ａ７においては、主としてＣｕＯの添加量を変更した。Ａ１においては、ＣｕＯの割合が０．０２重量％と低く、焼成温度が若干上がり、相間剥離も生ずる。しかしＱ値は比較的に高い。Ａ７においては、ＣｕＯの添加量が１２．０重量％であるが、適正焼成温度が若干上がる傾向がある。Ａ２〜Ａ６においては、全体にＱ値、強度が高く、τｆは低くなっており、適正焼成温度が低く、相間剥離も見られない。
【００４６】表１のＢ１〜Ｂ７においては、主としてＢａＯの添加量を変更した。Ｂ１においては、ＢａＯの割合が２５重量％であるが、焼成温度が若干上がり、強度が低下する。Ｂ７においては、ＢａＯの添加量が７０重量％であるが、適正焼成温度が若干上がる傾向がある。Ｂ２〜Ｂ６においては、全体にＱ値、強度が高く、τｆは低くなっており、適正焼成温度が低く、相間剥離も見られない。
【００４７】
【表２】
2004203646.tif 000004
【００４８】表２のＣ１〜Ｃ７においては、主としてＡｌ２Ｏ３の添加量を変更した。Ｃ１においては、Ａｌ２Ｏ３の割合が０．０５重量％であるが、若干強度が低いことを除けば他の例と遜色ない。Ｃ７においては、Ａｌ２Ｏ３の添加量が２５重量％であるが、適正焼成温度が若干上がり、強度が若干低下する。Ｃ２〜Ｃ６においては、全体にＱ値、強度が高く、τｆは低くなっており、適正焼成温度が低く、相間剥離も見られない。
【００４９】表２のＤ１〜Ｄ７においては、主としてＳｉＯ２の添加量を変更した。Ｄ１においては、ＳｉＯ２の割合が１２重量％であるが、Ｑ値、強度が低くなっている。Ｄ７においては、ＳｉＯ２の添加量が６３重量％であるが、適正焼成温度が若干上がり、Ｑ値、強度が低下する。Ｄ２〜Ｄ６においては、全体にＱ値、強度が高く、τｆは低くなっており、適正焼成温度が低く、相間剥離も見られない。
【００５０】
【表３】
2004203646.tif 000005
【００５１】表３のＥ１〜Ｅ７においては、主としてＺｎＯの添加量を変更した。Ｅ１においては、ＺｎＯの割合が０．２重量％であるが、適正焼成温度が若干高くなっている。Ｅ７においては、ＺｎＯの添加量が２３重量％であるが、適正焼成温度が若干上がる。Ｅ２〜Ｅ６においては、全体にＱ値、強度が高く、τｆは低くなっており、適正焼成温度が低く、相間剥離も見られない。
【００５２】表３のＦ１〜Ｆ７においては、主としてＢｉ２Ｏ３の添加量を変更した。Ｆ１においては、Ｂｉ２Ｏ３の割合が０．０５重量％であるが、若干強度が低く、適正焼成温度が上昇する。Ｆ２〜Ｆ７においては、全体にＱ値、強度が高く、τｆは低くなっており、適正焼成温度が低く、相間剥離も見られない。
【００５３】
【表４】
2004203646.tif 000006
【００５４】表４のＧ１〜Ｇ７においては、主としてＢ２Ｏ３の添加量を変更した。Ｇ１においては、Ｂ２Ｏ３の割合が０．０２重量％であるが、非晶質相含有量が大きく、適正焼成温度が上昇し、Ｑ値、強度が低い。Ｇ７においては、非晶質相含有量が７３重量部であり、Ｑ値が低い。Ｇ２〜Ｇ７においては、全体にＱ値、強度が高く、τｆは低くなっており、適正焼成温度が低く、相間剥離も見られない。
【００５５】表４のＨ１〜Ｈ７においては、主としてＷＯ３の添加量を変更した。Ｈ１においては、ＷＯ３の割合が０．０２重量％であるが、適正成温度が上昇し、強度が低い。Ｈ７においては、適正焼成温度が高く，Ｑ値が若干低い。Ｈ２〜Ｈ６においては、全体にＱ値、強度が高く、τｆは低くなっており、適正焼成温度が低く、相間剥離も見られない。
【００５６】
【表５】
2004203646.tif 000007
【００５７】表５のＪ１〜Ｊ７においては、主としてＭｏＯ３の添加量を変更した。Ｊ１においては、ＭｏＯ３の割合が０．０２重量％であるが、適正成温度が上昇し、強度が低い。Ｊ７においては、適正焼成温度が高く，Ｑ値が低い。Ｊ２〜Ｊ６においては、全体にＱ値、強度が高く、τｆは低くなっており、適正焼成温度が低く、相間剥離も見られない。
【００５８】表５のＫ１〜Ｋ７においては、主としてＶ２Ｏ５の添加量を変更した。Ｋ１においては、Ｖ２Ｏ５の割合が０．０２重量％であるが、適正成温度が上昇し、強度、Ｑ値が低く、相間剥離が見られる。Ｋ７においては、適正焼成温度が高く、強度、Ｑ値が低い。Ｋ２〜Ｋ６においては、全体にＱ値、強度が高く、τｆは低くなっており、適正焼成温度が低く、相間剥離も見られない。なお、上述の全例において、ＢａＳｉ2Ｏ5  相およびＢａＡｌ2Ｓｉ2Ｏ8相が検出された。
【００５９】次に、上記と同様にして低温焼成磁器を作成した。ただし、以下のセラミック組成Ａを採用した。
ＢａＯ46.3重量％
ＳｉＯ２42.0重量％
Ａｌ２Ｏ３2.5重量％
ＺｎＯ  5.2重量％
Ｂｉ２Ｏ３3.0重量％
【００６０】そして、セラミック組成Ａを上記のように仮焼し、仮焼体を粉砕した後、下記のような組成で添加剤を添加した。
（比較例１）
組成Ａのセラミック＋前記低融点ガラス粉末３重量％（焼結温度920℃）
（実施例１）
組成Aのセラミック＋前記低融点ガラス1重量％＋CuO  0.75重量％（焼成温度９２０℃）
（実施例２）
組成Aのセラミック＋前記低融点ガラス0.2重量％＋Bi2O3  0.61重量％＋CuO  0.01重量％（焼成温度９２０℃）
（比較例２）
組成Ａのセラミックのみ（焼成温度１１００℃）
【００６１】各例の磁器について、前述のように非晶質相の含有量、Ｑ値、τｆを測定し、結果を表６に示す。また、非晶質相の含有量とＱ値との関係を図２に示す。比較例１に対して、実施例１では、低融点ガラスの添加量を２重量％減らし、ＣｕＯを０．７５重量％添加した。この結果、非晶質相の含有量は比較例１に比べて低下した。磁器のＱ値は上昇し、τｆの絶対値は低下した。
【表６】
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【００６２】比較例１に対して、実施例２では、低融点ガラスの添加量を２．８重量％減らし、その代わりにBi2O3を0.61重量％とCuOを0.01重量％とを添加した。この結果、磁器の非晶質相含有量は一層低下し、Ｑ値は一層向上した。比較例２では、１１００℃焼成で、ガラス成分を含まないので非晶質相が含有されておらず、磁器のＱ値は一層上昇した。但し、ＩＣＤＤ  Ｎｏ．８１−０５１１またはＮｏ．７９−１８１０に相当するBa-Cu-O系或いはBa-Cu-Si-O系化合物を含まないために、τｆの絶対値は低下しなかった。
【００６３】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、Ｂａ−Ａｌ−Ｓｉ−Ｚｎ系の低誘電率の低温焼成磁器において、Ｑ値を一層向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】非晶質相含有量とＸ線回折強度との関係を示す検量線である。
【図２】磁器の非晶質相含有量とＱ値との関係を示すグラフである。
【図１】
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【図２】
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