(57)【要約】　　　（修正有）【課題】各々の電子ビームを光軸に合わせて形成し、かつ一枚のウェーハ内に多数の光軸を形成する手段を提供することにより、各電子ビームの収差を最小限にすることができる電子線装置を提供することである。【解決手段】この電子線装置１は一次電子線を集束して照射させるレンズを各電子銃毎に配列したレンズ群を備えている。レンズ群は、板厚の薄い薄板部５５と板厚の大きいハリ部５４とを有する絶縁部材の薄板部５５において、各電子銃の光軸Ｏ１に対応した位置に複数の穴４５３を形成し、かつ前記絶縁部材の表面に選択的に金属のコーティング層を施してなる複数のレンズ電極Ｒ１ないしＲ４を備えている。各レンズ電極は光軸方向に隔てて配置されている。【選択図】　図１
2004047348.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の電子銃から放出された一次電子線を集束して試料上に走査させて照射する電子線装置において、
前記一次電子線を集束して照射させるレンズを各電子銃毎に配列したレンズ群を備え、
前記レンズ群は、板厚の薄い薄板部と板厚の大きいハリ部とを有する絶縁部材の前記薄板部において各電子銃の光軸に対応した位置に複数の穴を形成し、かつ前記絶縁部材の表面に金属のコーティング層を施してなる複数のレンズ電極を備え、前記各レンズ電極は前記光軸方向に隔てて配置されていることを特徴とする電子線装置。
【請求項２】
複数の電子銃から放出された一次電子線を集束して試料上に走査させて照射し、試料からの二次電子を検出する電子線装置において、
前記一次電子線を偏向させる電磁偏向器を各電子銃毎に配列し、
前記電磁偏向器は、リングの一部の形状をした２つの高透磁率部材と２つの永久磁石とがリング状に組み合せられ、前記２つの永久磁石はそれぞれから発生する磁力線が相互に反発する方向に向けられていることを特徴とする電子線装置。
【請求項３】
複数の電子銃から放出された一次電子線を集束して試料上に走査させて照射し、試料から放出された二次電子を分離して検出する電子線装置において、
前記二次電子を分離するＥ×Ｂ分離器を各電子銃毎に配列し、
前記Ｅ×Ｂ分離器は、絶縁基板に前記複数の電子銃のそれぞれの光軸に対応する位置に穴を形成しかつ前記各穴の周囲にある絶縁基板の部材を分割して形成された静電偏向器と、前記多極の静電偏向器の周囲に設けられた電磁偏向器とからなっていることを特徴とする電子線装置。
【請求項４】
一次電子線を放出する複数の電子銃を配列した電子銃群において、
前記電子銃群は、各光軸に対応する位置に複数のウェネルト穴が形成されていて各光軸の少なくとも近傍において前記ウェネルト穴と同軸の円形形状の薄い部分を有するウェーネルト電極と、前記各ウェネルト穴に対して高い精度で中心合わせされた複数のカソードと、各光軸に対応する位置に前記ウェネルト穴と同軸の複数の穴を有するアノードとを備えていることを特徴とする電子銃群。
【請求項５】
請求項１ないし３のいずれかに記載の電子線装置又は請求項４に記載の電子銃群を備えた電子線装置を用いて、プロセス途中或いは終了後のウエハの評価を行うことを特徴とするデバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は、試料の表面に形成されたパターン等を評価する電子線装置及びその電子線装置を用いてプロセス途中又は終了後の試料の評価を行うデバイス製造方法に関し、詳しくは、最小線幅０．１μｍ以下のパターンを有する基板等の試料の評価を高いスループットでかつ高い信頼性のもとで行える電子線装置及びそのような電子線装置を用いてプロセス途中又は終了後の試料の評価を行うデバイス製造方法に関する。
【０００２】
【従来技術】
電子線を使用して基板等の試料の評価を高いスループットで行うために、一つの光軸の周りに複数の電子ビームを形成し、それら複数の電子ビームで試料上を同時に照射し、それぞれの照射点から放出された二次電子を検出するマルチビーム方式の電子線装置及びそのような装置を使用して試料を評価する方法が、従来から提案されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記のような電子線装置では光軸は一つであるから、複数の電子ビームはそれぞれ光軸から外れた位置に形成され、そのため比較的大きい収差を受ける。従って、一定の寸法に電子ビームを絞った場合、得られるビーム電流は光軸上にある電子ビームに比較して小さいものとなる。
また、二次電子検出を行うにも比較的複雑な光学系を必要とし、全ての二次電子を１００％近い検出効率で検出することが困難である。
更に、複数の電子ビームの強度を合わせることが困難で、全ての電子ビームをそれぞれ独立して調整することが不可能である、という問題点があった。
【０００４】
本発明は上記の問題点に鑑みなされたものであって、発明が解決しようとする一つの課題は、各々の電子ビームを光軸に合わせて形成し、かつ一枚のウェーハ内に多数の光軸を形成する手段を提供することにより、各電子ビームの収差を最小限にすることができる電子線装置を提供することである。
本発明の別の課題は、全ての二次電子を１００％近い検出効率で検出することが可能な電子線装置を提供することである。
本発明の更に別の課題は、複数の電子ビームの強度を合わせることが容易で、全ての電子ビームをそれぞれ独立して調整することが可能な電子線装置を提供することである。
本発明が解決しようとする更に別の課題は、上記のような電子線装置を用いてプロセス途中又は後の試料の評価を、高い製造歩留まりで行えるデバイスの製造方法を提供することである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本願の発明は、複数の電子銃から放出された一次電子線を集束して試料上に走査させて照射する電子線装置において、前記一次電子線を集束して照射させるレンズを各電子銃毎に配列したレンズ群を備え、前記レンズ群は、板厚の薄い薄板部と板厚の大きいハリ部とを有する絶縁部材の前記薄板部において各電子銃の光軸に対応した位置に複数の穴を形成し、かつ前記絶縁部材の表面に金属のコーティング層を施してなる複数のレンズ電極を備え、前記各レンズ電極は前記光軸方向に隔てて配置されて構成されている。
本願の別の発明は、複数の電子銃から放出された一次電子線を集束して試料上に走査させて照射し、試料からの二次電子を検出する電子線装置において、前記一次電子線を偏向させる電磁偏向器を各電子銃毎に配列し、前記電磁偏向器は、リングの一部の形状をした２つの高透磁率部材と２つの永久磁石とがリング状に組み合せられ、前記２つの永久磁石はそれぞれから発生する磁力線が相互に反発する方向に向けられて構成されている。
本願の更に別の発明は、複数の電子銃から放出された一次電子線を集束して試料上に走査させて照射し、試料から放出された二次電子を分離して検出する電子線装置において、前記二次電子を分離するＥ×Ｂ分離器を各電子銃毎に配列し、前記Ｅ×Ｂ分離器は、絶縁基板に前記複数の電子銃のそれぞれの光軸に対応する位置に穴を形成しかつ前記各穴の周囲にある絶縁基板の部材を分割して形成された多極静電偏向器と、前記多極静電偏向器の周りに設けられた電磁偏向器とから構成されている。
【０００６】
本願の更に別の発明は、一次電子線を放出する複数の電子銃を配列した電子銃群において、前記電子銃群は、各光軸に対応する位置に複数のウェネルト穴が形成されていて各光軸の少なくとも近傍において前記ウェネルト穴と同軸の円形形状の薄い部分を有するウェーネルト電極と、前記各ウェネルト穴に対して高い精度で中心合わせされた複数のカソードと、各光軸に対応する位置に前記ウェネルト穴と同軸の複数の穴を有するアノードとを備えて構成されている。
本願の更に別の発明は、上記の電子線装置若しくは上記の電子銃群を備えた電子線装置を用いてプロセス途中のウエハの欠陥を検出する事を特徴とするデバイスの製造方法を提供するものである。
【０００７】
【実施の形態】
以下図面を参照して本発明による電子線装置の一つの実施の形態について説明する。
図１（Ａ）は本発明による電子線装置の一つの実施形態の縦断面図であり、図１（Ｂ）のＡ−Ａ線に沿って見た断面図である。本図において、電子線装置１は、複数の電子銃１０と、各電子銃に対応して設けられておりかつ電子銃１０から放出された一次電子線を集束して試料Ｓに照射する複数の一次光学系３０と、各一次光学系３０に対応して設けられており、試料から放出された二次電子が導入される複数の二次光学系５０と、各二次光学系５０に導入された二次電子を検出する複数の検出系６０とを備えている。これら電子銃１０，複数の一次光学系３０、二次光学系５０及び検出系６０の組合せは複数組設けられている。図１（Ｂ）は上記複数の電子銃、一次光学系、二次光学系及び検出系の組合せを配列した状態を示す概略平面図であり、これらは本実施形態ではＸ方向に沿って交互に２列に配列されている（図１（Ａ）ではその内の２つのみを示す）。図１（Ｂ）において上記光学系が一点鎖線の円で簡略化して示されている。
【０００８】
図２は本発明による複数の電子銃１０の配列を示す平面図であって、図３のＢ−Ｂ線に沿って見た断面図、図３は図２のＣ−Ｃ線に沿って見た一つの電子銃の断面図、図４はウェネルトを上部から見た平面図である。この配列は図１（Ｂ）に示された配列に対応している。
複数の電子銃１０（本実施形態では例示的に１３個）は、図２に示されるようにＸ方向に沿って２列に交互に配列され全体で一つの電子銃群を構成する。図２及び図３において、各電子銃１０は熱電子放出（ＬａＢ６）型のカソード１１と、ウェネルト板１２と，絶縁スペーサ１３，１４と、アノード１５とを備えている。カソード１１はタングステンフィラメント１１１に溶接されていてステム１６に溶接されている。このステム１６は複数の電子銃を支持する単一のプレート１７に取り付けられている。ウェーネルト板１２は、各電子銃１０のカソード１１の中心軸線でもある光軸Ｏ１に対応する位置に形成された円形のウェーネルト穴１２１と、ウェーネルト穴１２１の周りにウェーネルト穴１２１と同軸状に円形に形成されている薄い部分１２２と、薄い部分１２２から外方に延在していて薄い部分１２２よりも板厚の厚い部分１２３とを有する。これらウェーネルト穴１２１及び薄い部分１２２で電子銃のウェーネルト電極を構成する。
カソード１１はそのＸーＹ方向の位置がウェーネルト穴１２１の中心（即ち、光軸Ｏ１）に正確に一致するように、調整ねじ１８で調整することができる。この調整ねじ１８はハリ又はリブ付板１９，２０に取り付けられている。
カソード１１のＺ方向位置はカソードを溶接する際にバラツキが生じるため、各ウェーネルト電極に印加するバイアス電圧を独立して調整することによりカソード電流若しくは輝度を調整することが必要である。そのため、図４に示されているように、ウェーネルト板１２の薄い部分１２２はカソード１１のＸーＹ座標と一致するように加工されており、更に、ウェーネルト板１２のセラミック表面、すなわち、上面、下面及びウェーネルト穴１２１の内面には金属のコーティング層が施される。その後、ウェーネルト板１２の上面及び下面に施された金属のコーティング層は、図４に示された剥離部２１１のパターン２１に従って選択的に除去される。すなわち、これら金属のコーティング層は剥離部２１１により複数の区域に分割され、これら複数の区域は互いに隣接する区域から電気的に絶縁される。各区域のコーティング層は導体２１２を構成し、これら導体２１２を介して各ウェーネルト電極がそれぞれの外部電源（図示せず）に接続される。従って、これらウェーネルト板１２に形成された導体２１２に与える電圧で、各ウェーネルト電極に印加するバイアス電圧を独立的に調整することができる。
【０００９】
ウェーネルト板１２の剥離部２１１すなわち絶縁部分を一次電子線から遮蔽するため、薄い部分１２２のカソード１１に隣接する部分には、表側と裏側にウェーネルト電極と同電位のシールド板２２が設けられている。ウェーネルト板１２のウェーネルト電極及びシールド板２２で電子銃のウェーネルトを構成する。また、当該絶縁部分を一次電子線から遮蔽するため、各ステム１６には金属円板２３が溶接されている（図３）。更に、絶縁スペーサ１３、１４を一次電子線から遮蔽するためメタライズ２４及び遮蔽板２５が設けられている。
アノード１５には、各カソード１１に対応する位置に、ウェーネルト穴１２１と同軸の複数の穴１５１が形成されている。アノード１５はノックピン１５２を使用して絶縁スペーサ１４を介してウェーネルト板１２の下側に配置されている。
【００１０】
図１（Ａ）において、一次光学系３０は、電子ビームを基板等の評価対象（以下試料と呼ぶ）Ｓの表面に照射する光学系で、電子銃１０から放出された一次電子線を偏向する軸合わせ用の静電偏向器３１と、一次電子線を集束して電子ビームに形成するコンデンサレンズ３２と、試料上で電子ビームを走査するための静電偏向器３３と、Ｅ×Ｂ分離器３４と、対物レンズ４５とを備え、それらは、図１に示されるように配置されている。
【００１１】
図５（Ａ）は本発明による複数のＥ×Ｂ分離器を配列した状態を示す平面図であり、図５（Ｂ）は図５のＤ−Ｄ線に沿って見た一つのＥ×Ｂ分離器の断面図である。また、図６は各Ｅ×Ｂ分離器を下側からみた底面図である。
図１及び図５において、複数のＥ×Ｂ分離器３４（本実施形態では例示的に１３個）はＸ方向に沿って２列に交互に配列され全体で一つのＥ×Ｂ分離器群を構成する。各Ｅ×Ｂ分離器３４は、それぞれの電子銃の光軸Ｏ１に対応する位置に配置されている。各Ｅ×Ｂ分離器３４は多極（本実施形態では、例えば８極）の静電偏向器３５と静電偏向器の周囲に設けられた電磁偏向器３６とから構成される。
静電偏向器３５は、マシナブルセラミック等の絶縁性材料からなる絶縁基板３７にそれぞれの光軸に対応する位置において設けられた内筒３５１と、この内筒３５１の内壁部を放射状に、例えば８つの部分に、分割する分離溝３５２とを有する。この分離溝３５２により内筒３５１の内壁部に８極の電極が形成される。また、静電偏向器３５の周囲にはリング状の溝３５３が形成されている（図５（Ａ））。絶縁基板３７には、図５（Ｂ）において下面、内筒３５１の内面及び分離溝３５２の内面にニッケル、リン及び金によるコーティング層が施される。その後リソグラフィを利用してエッチングを行うことにより、分離溝３５２の内面及び絶縁基板３７の下面に剥離部３７１を形成する。絶縁基板３７の下面のコーティング層には、図６に示されるパターンに従って、各分離溝３５２の内面の半径方向最外側部分から延在する剥離部３７１が形成される。それにより、コーティング層は、各剥離部３７１により電気的に絶縁された複数の区域に分割され、これら複数の区域は内筒３５１の各電極と対応するリード線取付穴３５４との間の導体３７２を形成する。上面はリング状の溝３５３の内側のみ分離しておき、リード線への接続は下面からのみ行えばよい。
電磁偏向器３６は、リング状の溝３５３内に嵌挿されていてリングの一部の形状をした２つの高透磁率部材（本実施形態では例えばパーマロイ）３６１からなる磁気回路と、同様にリング状の溝３５３内に嵌挿された２つの永久磁石３６３とで構成される。２つの永久磁石３６３は、高透磁率部材３６１のそれぞれの端部において磁石のＮ，Ｓ極が図５のように対称に向くように配置されており、それにより、２つの磁石の磁力線が相互に反発し、Ｘ方向に向く磁場が光軸Ｏ１上に形成される。
【００１２】
絶縁基板の絶縁表面を電子ビームから遮蔽するため、各Ｅ×Ｂ分離器３４の上側及び下側にシールド板３８及び３９が配置されている。また、上側のシールド板３８には、電磁偏向器３６がＺ方向に上下に移動しないように押さえ部３８１が設けられている。
リード線取付穴３５４へのリード線４０の接続はリード線取付穴３５４にビス及びナット３５５で圧着端子３５６を固定し、圧着端子３５６にリード線４０を圧着することにより、はんだ付けを行わずにパーティクルフリーな結線をすることができる。
【００１３】
図７は永久磁石を使用した電磁偏向器における磁力線の形成概念を示した図である。本図において、符号４１及び４２はパーマロイによる磁気回路であり、符号４３は磁力線である。
【００１４】
図８（Ａ）は本発明によるレンズの一部を取り除いて示した平面図であり、図８（Ｂ）は図８（Ａ）のＥ−Ｅ線に沿って見たレンズの断面図である。この実施形態において、コンデンサレンズ３２と対物レンズ４５は実質的に同じ構造になっているので、コンデンサレンズ３２で代表して詳しく説明する。
本実施形態において、レンズ４５は４枚のレンズ電極Ｒ１ないしＲ４からなる。レンズ電極Ｒ１ないしＲ４の各々は、絶縁部材からなる薄板部４５１とハリ構造部４５２とを有し、かつ各電子銃の光軸Ｏ１に対応する位置に同軸の穴４５３が形成されている。図８（Ｂ）において、Ｚ方向下から２枚のレンズ電極Ｒ１及びＲ２には各一次光学系に共通の電圧が与えられるため、レンズ電極Ｒ１及びＲ２の各々は全面に金属のコーティング層が施されている。詳述すれば、レンズ電極Ｒ１には、穴４５３の内面、薄板部４５１の上面と下面、及びハリ構造部４５２の内側側面、上面並びに下面に亘り金属のコーティング層が施されており、レンズ電極Ｒ２についても同様のコーティング層が形成されている。従って、レンズ電極Ｒ１及びＲ２にはその周辺部の任意の位置にリード線（図示せず）を接続することができる。
【００１５】
Ｚ方向下から３枚目のレンズ電極Ｒ３は本来的には接地電極であるが、各一次光学系毎に焦点距離を微調整することが可能なように電極を分離して構成されている。図８（Ａ）はＺ方向下から４枚目のレンズ電極Ｒ４を取り除いて上部から見た図であり、レンズ電極Ｒ３における当該電極を分離するパターン４５０が細線４５４により図示されている。細線４５４は金属のコーティング層が除去された絶縁部分を表すが、この絶縁部分は、実際には隣接するコーティング層によって形成される導電部相互間の電気的導通を阻止するため、一定の幅を持たせて形成されている。レンズ電極Ｒ３は穴４５３の内面、薄板部４５１の上面と下面、及びハリ構造部４５２の内側側面、上面並びに下面に金属のコーティング層が施され、この金属のコーティング層は、図８（Ａ）に表されているように、細線４５４で示されるパターンに従って剥離されて複数の区域に分割される。これら複数の区域は互いに隣接する区域から電気的に絶縁される。各区域のコーティング層は導体４５５を構成し、これら導体４５５を介してレンズ電極Ｒ３が外部電源のリード線（図示せず）に接続される。それにより、上述のように、各一次光学系毎に焦点距離を微調整することが可能となる。レンズ電極Ｒ３の下面、すなわちその薄板部４５１の下面及びハリ構造部４５２の下面にも図８（Ａ）の絶縁部分のパターンを少し簡略化した絶縁部分（図示せず）が形成されている。絶縁部分のパターンを少し簡略化したのは、レンズ電極Ｒ３の下面においても電極を相互に絶縁する必要はあるが、リード線の取り出し部は設けられていないためその分だけ絶縁部分のパターンを簡略できるからである。
レンズ電極Ｒ３の上面に形成された絶縁部分を電子ビームから遮蔽するため、レンズ電極Ｒ４が設けられている。一方、レンズ電極Ｒ３の下面の絶縁部分はレンズ電極Ｒ２により遮蔽されているため、別途シールド電極を設ける必要はない。しかしながら、レンズ電極Ｒ２とＲ３の間のレンズギャップが大きい場合は、レンズ電極Ｒ４を焦点微調整用の電極とし、その上にシールド電極を更に設けても良い。
【００１６】
図１において、二次光学系５０は一次光学系の光軸に関して傾斜した光軸Ｏ２に沿って配置されている。検出系６０は検出器６１を備えている。なお、これら二次光学系５０及び検出器６１の構成要素は公知のものであるから、詳細説明は省略する。
【００１７】
図１の電子線装置において、各々の電子銃１０のカソード１１から放出された一次電子線はアノード１５によって加速される。この場合、ウェーネルト電極１２に独立な電圧を付与することができるので、カソード１１及びウェーネルト電極間の距離にバラツキが存在する場合でも、各電子ビームの輝度を独立して合わせることができる。一次電子線は、コンデンサレンズ３２及び対物レンズ４５とで細い電子ビームに成形されて試料Ｓ上に走査して照射される。この場合、各一次光学系３０毎に独立してレンズの焦点距離を調整することができる。そのため、一枚の試料内に多くの電子ビームを照射する場合でも、各電子ビームの強度を各一次光学系３０毎に独立して調整できる。この電子ビームによる照射により試料から放出された二次電子は対物レンズ４５を通過し、Ｅ×Ｂ分離器３４により一次光学系３０から分離されて二次光学系５０に導入され、検出系６０の検出器６１によって検出される。
【００１８】
次に図９及び図１０を参照して本発明による電子線装置を使用した半導体デバイスの製造方法の実施例を説明する。
図９は、本発明による半導体デバイスの製造方法の一実施例を示すフローチャートである。この実施例の製造工程は以下の主工程を含んでいる。
（１）ウエハを製造するウエハ製造工程（又はウエハを準備するウエハ準備工程）
（２）露光に使用するマスクを製造するマスク製造工程（又はマスクを準備するマスク準備工程）
（３）ウエハに必要な加工処理を行うウエハプロセッシング工程
（４）ウエハ上に形成されたチップを１個ずつ切り出し、動作可能にならしめるチップ組立工程
（５）できたチップを検査するチップ検査工程
なお、上記のそれぞれの主工程は更に幾つかのサブ工程からなっている。
【００１９】
これらの主工程の中で、半導体デバイスの性能に決定的な影響を及ぼすのが（３）のウエハプロセッシング工程である。この工程では、設計された回路パターンをウエハ上に順次積層し、メモリやＭＰＵとして動作するチップを多数形成する。このウエハプロセッシング工程は以下の各工程を含んでいる。
（Ａ）絶縁層となる誘電体薄膜や配線部、或いは電極部を形成する金属薄膜等を形成する薄膜形成工程（ＣＶＤやスパッタリング等を用いる）
（Ｂ）この薄膜層やウエハ基板を酸化する酸化工程
（Ｃ）薄膜層やウエハ基板等を選択的に加工するためにマスク（レチクル）を用いてレジストパターンを形成するリソグラフィー工程
（Ｄ）レジストパターンに従って薄膜層や基板を加工するエッチング工程（例えばドライエッチング技術を用いる）
（Ｅ）イオン・不純物注入拡散工程
（Ｆ）レジスト剥離工程
（Ｇ）加工されたウエハを検査する工程
なお、ウエハプロセッシング工程は必要な層数だけ繰り返し行い、設計通り動作する半導体デバイスを製造する。
【００２０】
図１０は、図９のウエハプロセッシング工程の中核をなすリソグラフィー工程を示すフローチャートである。このリソグラフィー工程は以下の各工程を含む。
（ａ）前段の工程で回路パターンが形成されたウエハ上にレジストをコートするレジスト塗布工程
（ｂ）レジストを露光する工程
（ｃ）露光されたレジストを現像してレジストのパターンを得る現像工程
（ｄ）現像されたレジストパターンを安定化するためのアニール工程
上記の半導体デバイス製造工程、ウエハプロセッシング工程、リソグラフィー工程については、周知のものでありこれ以上の説明を要しないであろう。
上記（Ｇ）の検査工程に本発明に係る欠陥検査方法、欠陥検査装置を用いると、微細なパターンを有する半導体デバイスでも、スループット良く検査できるので、全数検査が可能となり、製品の歩留まりの向上、欠陥製品の出荷防止が可能と成る。
【００２１】
【発明の効果】
本発明によれば、次のような効果を奏することが可能である。
（イ）レンズを薄板部とハリ構造部とで構成したため、薄い電極であってもそりが発生しないように組み立てることができる。更に、各レンズの焦点距離を独立して調整することができるため、複数のレンズを個別に調整できる。
（ロ）Ｅ×Ｂ分離器の電磁偏向器が永久磁石で作られるためリード線が不要となり、構造が簡素化される。また、一定の領域に多数のＥ×Ｂ分離器を配置することができる。
（ハ）大部分のリード線がリソグラフィでエッチングされるため、組立が極めて容易になる。
（ニ）各電子銃のウェーネルトに個別の独立した電圧を印加できるため、カソード及びウェーネルト間の取付け間隔にバラツキがある場合でも、各電子銃から放出される一次電子線の輝度を各電子銃毎に調整して合わせることが可能である。
（ホ）電子ビームに曝される虞のある絶縁表面を全て遮蔽しているため、安定した電子ビームを得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（Ａ）は本発明による電子線装置の一つの実施形態の縦断面図である。
（Ｂ）は本発明による複数の一次光学系及び二次光学系の組合わせの配列状態を示す模式図である。
【図２】複数の電子銃の配列を示す図である。
【図３】図２のＣ−Ｃ線に沿って見た電子銃の断面図である。
【図４】ウェーネルトの平面図である。
【図５】（Ａ）は本発明によるＥ×Ｂ分離器を配列した状態を示す平面図である。
（Ｂ）は（Ａ）のＤ−Ｄ線に沿って見たＥ×Ｂ分離器の断面図である。
【図６】各Ｅ×Ｂ分離器のリード線取り出し方法を示す図である。
【図７】永久磁石を使用した電磁偏向器における磁力線の形成概念を示した図である。
【図８】（Ａ）は本発明によるレンズの一部を取り除いて示した電極パターンの平面図である。
（Ｂ）は（Ａ）のＥ−Ｅ線に沿って見たレンズの断面図である。
【図９】本発明による半導体デバイスの製造方法の一実施例を示すフローチャートである。
【図１０】図９のウエハプロセッシング工程の中核をなすリソグラフィー工程を示すフローチャートである。
【符号の説明】
１、　電子線装置　　　　　　　　　　　　　　１０　電子銃
１１　カソード　　　　　　　　　　　　　　　１２　ウェーネルト板
１５　アノード　　　　　　　　　　　　　　　３０　一次光学系
３２　コンデンサレンズ　　　　　　　　　　　３４　Ｅ×Ｂ分離器
３５　静電偏向器　　　　　　　　　　　　　　３６　電磁偏向器
４５　対物レンズ　　　　　　　　　　　　　　５４　ハリ構造部
５５　薄板部
【図１】
2004047348.tif 000003
【図２】
2004047348.tif 000004
【図３】
2004047348.tif 000005
【図４】
2004047348.tif 000006
【図５】
2004047348.tif 000007
【図６】
2004047348.tif 000008
【図７】
2004047348.tif 000009
【図８】
2004047348.tif 000010
【図９】
2004047348.tif 000011
【図１０】
2004047348.tif 000012