(57)【要約】【課題】本発明は所定の半導体基板の製造工程における加熱処理および冷却処理を行う半導体製造用加熱冷却装置に関し、単一のチャンバ内でベーキングと冷却において効率的な処理を可能として設備全体の縮小化を図ることを目的とする。【解決手段】単一のチャンバ内で、半導体基板としてのフォトマスクにベーキングを行う加熱ヒータ１２を、炭化珪素（ＳｉＣ）を含んで形成されて常温以上で膨張率が小の薄板基材に発熱体を所定パターンで形成し、ベーキング後の当該半導体基板に冷却手段１３で当該加熱ヒータ１２を介在させた状態で常温程度まで冷却する構成とする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
単一のチャンバ内の所定領域内で、半導体基板に対し、常温以上でベーキングを行い、当該ベーキング後に常温程度に冷却する半導体製造用加熱冷却装置であって、
前記半導体基板を所定温度で加熱してベーキングを行うもので、炭化珪素（ＳｉＣ）を含んで形成されて常温以上で膨張率が小の薄板基材上に、所定パターンの発熱体が形成された加熱ヒータと、
前記加熱ヒータによるベーキング後の前記半導体基板に、当該加熱ヒータを介在させた状態で常温程度まで冷却する冷却手段と、
を有することを特徴とする半導体製造用加熱冷却装置。
【請求項２】
請求項１記載の半導体製造用加熱冷却装置であって、前記半導体基板のベーキング後に、前記加熱ヒータに前記冷却手段を当接させる駆動手段を備えることを特徴とする半導体製造用加熱冷却装置。
【請求項３】
請求項１または２記載の半導体製造用加熱冷却装置であって、前記半導体基板に対し、前記加熱ヒータの対向する側に反射板を位置させることを特徴とする半導体製造用加熱冷却装置。
【請求項４】
請求項１〜３の少なくとも何れかに記載の半導体製造用加熱冷却装置であって、前記加熱ヒータと前記冷却手段との間に、熱伝導率の良好なゲルシートが少なくとも介在されることを特徴とする半導体製造用加熱冷却装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、所定の半導体基板の製造工程における加熱処理および冷却処理を行う半導体製造用加熱冷却装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、半導体集積回路が形成される半導体基板の高密度化、微細化が進み、その処理工程において高解像の描画、処理が必要とされる。半導体製造においては、例えばフォトマスクやウエハに露光装置によりパターンを形成する際、その前処理としてレジスト処理するもので、レジスト塗布後に加熱（ベーキング）処理を行い、次処理のために冷却を行っている。そのため、加熱および冷却を行う際の効率向上が望まれている。
【０００３】
従来、例えばフォトマスクをフォトリソグラフィ技術で製造する場合、基板上に金属薄膜を形成し、この上にフォトレジストを塗布してプリベークした後に、露光装置でパターンを描画する。そして、レジスト現像、ポストベーク、金属薄膜の選択エッチング、レジスト剥離等を経て製造されるものである。この場合、ベーキング工程で使用されている基板加熱装置によるベーキングと、次工程のための冷却装置にによる冷却とは別チャンバで別工程として行われている。
【０００４】
上記加熱装置で使用される加熱ヒータの基材は、一般的にアルミナや窒化アルミニウムであり、上記処理工程でのベーキングは例えば２００°Ｃ位である。そのため、加熱ヒータが薄いと加熱時に反りを生じることから均一な加熱を行おうすると当該加熱ヒータを厚く（２０ｍｍ〜３０ｍｍ）せざるを得ないというのが実情である。
【０００５】
仮に、加熱装置と冷却装置を一体のチャンバで行おうとする場合、処理対象の半導体基板に対し、冷却装置により加熱ヒータを介して２００°Ｃ位から常温まで冷却を行わなければならない。すなわち、加熱ヒータを厚くするとその分だけ冷却に時間を要して効率的でなく、一方で加熱ヒータを薄くすると加熱後の反りや冷却での反り返しで反りが残って均一な加熱、冷却を行うことが困難であることから、結局はベーキングと冷却とを別チャンバにより別工程で行わざるを得ないというのが現状である。
【０００６】
一方、半導体製造におけるエッチング処理で、一のチャンバ内に加熱ヒータと冷却手段とを設けているものが、以下の特許文献で知られている。
【０００７】
【特許文献１】
特開平０７−１８３２８１号公報
【０００８】
上記特開平０７−１８３２８１号公報は、低温エッチング（一般的に−１２０°Ｃでのエッチング）を行う装置であって、半導体ウエハを固着するチャックの下方にアルミナや窒化アルミニウムを基材とした温調用ヒータが設けられ、当該温調用ヒータの下方に冷却手段が設けられた構成のものを開示している。この低温エッチング装置は、冷却手段で半導体ウエハを−１２０°Ｃに冷却する際に、当該半導体ウエハの温度分布を均一にするために温度検出器に応じて温調用ヒータを駆動するものとして示されている。この場合の温調用ヒータにおける基材が、低温領域（一般的に−１２０°Ｃ）において、熱膨張率４．５×１０−６／°Ｃの窒化アルミニウム（従前のアルミナで７．３×１０−６／°Ｃ）を使用することが開示されている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述のように加熱装置によるベーキングと冷却装置による冷却とを別チャンバで行わせることは、搬送手段をも必要として設備が増えることとなって製造効率の向上を図ることが困難であるという問題がある。
【００１０】
また、上記特開平０７−１８３２８１号公報に開示されているエッチング装置をそのまま適用したのでは、上記低温では反りを生じない薄板の加熱ヒータであっても、常温から２００°Ｃ位までの温度範囲では熱膨張率が増大することから、上述と同様に、加熱ヒータが薄いと加熱時の反りと冷却時の反り返しによる反りを生じ、また、厚くすると冷却に時間を要することとなり、結局は別チャンバでベーキングおよび冷却をそれぞれ別個に行わなければならず、効率的な処理や製造効率の向上を図ることが困難であるという問題がある。
【００１１】
そこで、本発明は上記課題に鑑みなされたもので、単一のチャンバ内でベーキングと冷却において効率的な処理を可能として設備全体の縮小化を図る半導体製造用加熱冷却装置を提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、請求項１の発明では、単一のチャンバ内の所定領域内で、半導体基板に対し、常温以上でベーキングを行い、当該ベーキング後に常温程度に冷却する半導体製造用加熱冷却装置であって、前記半導体基板を所定温度で加熱してベーキングを行うもので、炭化珪素（ＳｉＣ）を含んで形成されて常温以上で膨張率が小の薄板基材上に、所定パターンの発熱体が形成された加熱ヒータと、前記加熱ヒータによるベーキング後の前記半導体基板に、当該加熱ヒータを介在させた状態で常温程度まで冷却する冷却手段と、を有する構成とする。
【００１３】
請求項２〜４の発明では、「前記半導体基板のベーキング後に、前記加熱ヒータに前記冷却手段を当接させる駆動手段を備える」構成であり、
「前記半導体基板に対し、前記加熱ヒータの対向する側に反射板を位置させる」構成であり、
「前記加熱ヒータと前記冷却手段との間に、熱伝導率の良好なゲルシートが少なくとも介在される」構成である。
【００１４】
このように、半導体基板にベーキングを行う加熱ヒータを、炭化珪素（ＳｉＣ）を含んで形成されて常温以上で膨張率が小の薄板基材に発熱体を所定パターンで形成し、ベーキング後の当該半導体基板に冷却手段で当該加熱ヒータを介在させた状態で常温程度まで冷却する。すなわち、加熱ヒータを常温以上で膨張率が小の薄板基材で構成することから、加熱時に加熱ヒータに反り発生が防止され、冷却時でも反り発生が防止されて単一のチャンバ内で効率的なベーキングおよび冷却の処理を可能として設備全体の縮小化を図ることが可能となるものである。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の好ましい実施形態を図により説明する。本実施形態では、加熱冷却する半導体基板をフォトマスクとして説明するが、半導体ウエハの処理工程においても適用することができるものである。また、本訴うちはレジスト処理に限らず、半導体製造での他の処理においても適用することができるものである。
【００１６】
図１に本発明に係る加熱冷却装置の構成図を示すと共に、図２に図１の加熱冷却装置の斜視説明図を示す。図１（Ａ）は加熱冷却装置の概略断面図、図１（Ｂ）は概略斜視図である。図１（Ａ）、（Ｂ）において、加熱冷却装置１１は、加熱ヒータ１２、冷却手段１３、カバー１４、反射板１５、カバー上下駆動機構１６、反射板上下駆動機構１７および駆動手段である冷却手段上下駆動機構１８を備える。
【００１７】
上記加熱ヒータ１２は、ベース板２１の中央部分に形成された開口部分で保持板２２により保持されるもので、詳細は図３で説明する。上記冷却手段１３は、詳細は図４で説明するが、冷却手段上下駆動機構１８上に例えば調整ネジ２３が介在されて設けられる。上記カバー１４は、カバー上下駆動機構１６により上下動されるもので、最下降したときにベース板２１上に位置され、当該内部を密閉状態の処理領域とする。
【００１８】
また、当該カバー１４の側部内側であって後述の各保持部２５，２５の両端に設けられる第２係止部に対応する４つ（対向部分は図１（Ｂ）等では図示を省略）の係合部２４Ａと、側部外側であって後述の係止部３３，３３に対応する４つ（対向部分は図１（Ｂ）等では図示を省略）の係合部２４Ｂとが設けられる。上記反射板１５は、加熱冷却を補助して効率を向上させるためのもので、上記カバー１４内で保持部２５，２５により保持され、反射板上下駆動機構１７により上下動される。なお、加熱ヒータ１２上には、位置される半導体基板のフォトマスクを位置規制する規制部２６が例えば環状で設けられると共に、適宜載置部が設けられる。
【００１９】
上記カバー上下駆動機構１６は、例えば二つのシリンダ３１，３１のロッド３２，３２の先端に係止部３３が上記カバー１４の係合部２４Ｂに対応して設けられ、当該係止部３３とカバー１４に設けられた係合部２４Ｂとが固着状態とされる。また、上記反射板１５を保持する保持部２５，２５にはそれぞれ第１係止部３４および第２係止部３５が所定数形成され、上記カバー１４がシリンダ３１で上下動されるときに当該カバー１４内に設けられた係合部２４Ａと対応の第２係止部３５とが当接して当該カバー１４と共に上下動される。
【００２０】
上記反射板上下駆動機構１７は、例えば二つのシリンダ３６，３６のロッド３７，３７が昇降板３８に取り付けられ、当該昇降板３８に所定数（例えば４つ）の昇降ロッド３９と所定数（例えば４つ）の昇降ピン４０が取り付けられる。当該昇降ロッド３９は、ベース板２１に形成された孔より上方に延出して保持部２５，２５の各第１係止部３４と適宜係合される。また、当該各昇降ピン４０は、後述の取付板、昇降板、冷却手段１３および加熱ヒータ１２にそれぞれ形成された孔より延出自在に上下動される。この各昇降ピン４０は、加熱ヒータ１２上に設けられたフォトマスクの下面と当接して昇降させるものである。
【００２１】
上記冷却手段上下駆動機構１８は、取付板４１にシリンダ４２が取り付けられ、当該シリンダ４２のロッド４３が昇降枠４４に取り付けられ、当該昇降枠４４の上部からの延出部に上記調整ネジ２３が取り付けられる。この調整ネジ２３に、上述のように冷却手段１３が設けられ、当該調整ネジ２３により配置高さが調整されるものである。
【００２２】
すなわち、図１（Ｂ）に示すように、加熱ヒータ１２が取り付けられたベース板２１の下方に、冷却手段１３、反射板上下駆動機構１７および冷却手段上下駆動機構１８が配置されるもので、当該配置された状態が図２（Ａ）に示される。このような半導体製造用加熱冷却装置１１は、図２（Ｂ）に示されるように単一のチャンバ４５内に配置される。すなわち、半導体製造用加熱冷却装置１１は、単一のチャンバ４５内の所定領域としてのカバー１４内で、半導体基板であるフォトマスクに対し、加熱ヒータ１２により常温以上でベーキングを行い、当該ベーキング後に冷却手段１３が上昇して加熱ヒータ１２と当接されることで常温程度に冷却するものである。
【００２３】
ここで、図３に、図１の加熱冷却装置における加熱ヒータの説明図を示す。図３（Ａ）は平面図、図３（Ｂ）はＡ−Ａ断面図、図３（Ｃ）はフォトマスクを加熱したときの当該マスクの温度特性の図である。図３（Ａ）、（Ｂ）において、加熱ヒータ１２は、薄板基材５１上に図に示すようなパターン５２で発熱体５３が形成され、当該発熱体５３上に保護層５４が形成されたものである。上記薄板基材５１は、炭化珪素（ＳｉＣ）を含んで形成されて常温以上で膨張率が小のもので、例えば炭化珪素（ＳｉＣ）５５％とアルミニウム−シリコン（Ａｌ−Ｓｉ）４５％とで厚さ３ｍｍで作製されたものである。この場合の薄板基材５１は、２０°Ｃ（常温）〜４００°Ｃでの熱膨張率が１０×１０−６／°Ｃ（熱伝導度１５９Ｗ／ｍ．°Ｃ）である。ところで、炭化珪素（ＳｉＣ）の含有比率によっては、熱膨張率が上記より大きくなる場合もあるが、もともと炭化珪素（ＳｉＣ）には反りの性質がきわめて小であることから、加熱冷却時の温度均一性に問題は生じない。
【００２４】
また、上記発熱体５３は、従前より知られている材質のもので充分であり、例えばタングステン等で蒸着等により形成され、配線のための電極が所定数形成される。この場合のパターン５２は、加熱対象のフォトマスク全面を均一の加熱するためのパターン形状とされている。そして、上記保護層５４は、発熱体５３のパターン５２上に、例えばポリイミド等の絶縁材で構成されるものである。
【００２５】
上記のような加熱ヒータ１２は、発熱体５３側を下面（冷却手段１３側）として設けられるもので、フォトマスクを加熱したときの温度特性が図３（Ｃ）に示される。図３（Ｃ）は、加熱ヒータ１２上で例えば１７点を温度測定したときのもので、略常温より所定時間後に所望の１５０°Ｃ近辺でフォトマスク全面の熱分布が均一に加熱されたことを示している。
【００２６】
続いて、図４に、図１の加熱冷却装置における冷却手段の説明図を示す。図４（Ａ）は冷却手段の構成説明図、図４（Ｂ）は加熱後のフォトマスクを冷却したときの当該マスクの温度特性の図である。図４（Ａ）において、冷却手段１３は、内部に適宜所定数の仕切板６１が設けられるもので、当該仕切板６１で仕切られた各領域内で、供給される冷却水を内部で循環し、排出する構成のものである。この場合、加熱ヒータ１２と当接する面上には適宜ゲルシート６２が設けられる。
【００２７】
上記ゲルシート６２は、冷却手段１３と加熱ヒータ１２との接触を確実とさせるためのもので、熱伝導の良好な例えばシリコン系のものが採用される。この場合、ゲルシート６２が加熱ヒータ１２との接触側に粘着性を有するものであれば、適宜当該ゲルシート６２上にさらに粘着性のない、または粘着性の小な例えば剥離剤として一般的に使用されているシリコン層を形成してもよい。
【００２８】
このような冷却手段１３により、加熱後のフォトマスクを常温程度まで冷却した場合の温度特性が図４（Ｂ）に示される。図４（Ｂ）は、加熱ヒータ１２上で上記同様に、例えば１７点を温度測定したときのもので、１５０°Ｃ近辺より所定時間後の略常温までのフォトマスク全面の熱分布で均一に冷却されたことを示している。
【００２９】
そこで、図５〜図７に、図１および図２の加熱冷却装置の動作説明図を示す。まず、図５（Ａ）、（Ｂ）において、シリンダ３１，３１が駆動されてロッド３２，３２を上方に押し上げると、係止部３３，３３に固着された各係合部２４Ｂを介してカバー１４を上昇させ、その途中で各係合部２４Ａと保持部２５，２５の対応の第２係止部３５とが係合して反射板１５をも上昇させる（▲１▼）。
【００３０】
続いて、シリンダ３６，３６が駆動されてロッド３７，３７を引き込ませると、昇降板３８が上昇されることで昇降ロッド３９および４本の昇降ピン４０を上昇させる（▲２▼）。この昇降ピン４０は、冷却手段１３および加熱ヒータ１２のそれぞれに形成された孔により突き抜ける構成であり、その先端が規制部２６の上部近傍に位置される。そして、作業者またはハンドラにより各昇降ピン４０上に処理対象のフォトマスク７１が載置される（▲３▼）。
【００３１】
そこで、図６（Ａ）、（Ｂ）に示すように、シリンダ３６，３６が駆動されてロッド３７，３７が延出されると、昇降板３８が下降し、フォトマスク７１が規制部２６内で下降して加熱ヒータ１２上に設けられた所定の載置部上に載置される（▲１▼）。この段階では、反射板１５は上昇位置のままである。そして、シリンダ３１，３１が駆動されてロッド３２，３２が下降するとカバー１４も共に下降し、その途中で保持部２５の第１係止部３４とロッド３９の先端部とが係合したときに、各係合部２４Ａと各第２係止部３５との係合状態が解除されると共に、当該反射板１５が規制部２６上に位置されることによりフォトマスク７１の近似した上方に位置されるものである（▲２▼）。なお、上記▲１▼および▲２▼の動作を同時に行っても問題は生じない。
【００３２】
ところで、処理対象のフォトマスク７１がセットされる以前に、加熱ヒータ１２に通電しておくことで当該フォトマスク７１がセットされたときには所望の温度（例えば１５０°Ｃ）としておくことで直ちに加熱を開始することができ、処理時間を短縮することができる。すなわち、図６（Ｂ）に示す状態にフォトマスク７１がセットされたときに加熱（ベーキング）が所定時間行われるものである。
【００３３】
上記カバー１４内の領域にフォトマスク７１がセットされて加熱（ベーキング）が所定時間後に終了すると加熱ヒータ１２への通電は停止され、図７（Ａ）、（Ｂ）に示すように、シリンダ４２が駆動されてロッド４３が上昇することで昇降枠４４が上昇し、加熱ヒータ１２に冷却手段１３が当接される。このとき、冷却手段１３は予め（下方位置のとき）冷却水が供給、排出されている冷却状態で加熱ヒータ１２に当接されることにより、直ちに冷却が開始されるものである。
【００３４】
そして、冷却が終了すると、シリンダ４２が駆動されることで冷却手段１３が下降され（図６）、また、シリンダ３１，３１が駆動されてロッド３２が上昇することでカバー１４および反射板１５が上昇し、続いてシリンダ３６，３６が駆動されて昇降ピン４０が上昇されることで図５に示すような加熱冷却処理が済んだフォトマスク７１が取り出し可能とされるものである。
【００３５】
このように、加熱ヒータ１２を常温以上で膨張率が小の炭化珪素を含んで形成された薄板基材５１で構成することから、加熱時に当該加熱ヒータ１２に反り発生が防止され、冷却手段１３による冷却時でも反り発生が防止されて単一のチャンバ４５内で効率的なベーキングおよび冷却の処理を行うことができ、設備全体の縮小化を図ることができるものである。また、フォトマスク７１の出し入れに際し、カバー上下駆動機構１６によるカバー１４の動作のように、簡易な機構により反射板１５を確実に移動させることができ、安全性を確保することができるものである。
【００３６】
次に、図８に  本発明に係る加熱冷却装置におけるカバー開閉の他の動作機構の説明図を示すと共に、図９に図８の加熱冷却装置の斜視説明図を示す。図８（Ａ）において、加熱冷却装置８１は、図１の加熱冷却装置１１のカバー上下駆動機構１６に代えて、カバー１４の背部にカバー開閉機構８２を設けたものであり、当該カバー開閉機構８２は筐体内にシリンダ８３（カム機構を含む）および可動部８４を備える。すなわち、図８（Ｂ）に示すように、カバー開閉機構８２がベース板２１に取り付けられ、可動部８４がカバー１４の背部に取り付けられたものである。この状態が図９（Ａ）に示される。
【００３７】
カバー開閉機構８２は、図９（Ｂ）に示すように、シリンダ８３のロッド８５の上部にカム板８６が設けられ、当該カム板８６にカム溝８７が形成されている。このカム溝８７は、上方に直線的溝が形成され直線上部より所定角度で傾斜（カバー１４と反対側で、例えば４０度〜４５度）された形態のものである。一方、可動部８４内には可動板８８が固着され、当該可動板８８には例えば２つの摺動部８９Ａ，８９Ｂが固着される。そして、当該摺動部８９Ａ，８９Ｂはカム板８６のカム溝８７と係合状態とされ、可動板８８の下部がロッド８５の先端と係合状態とされる。なお、カバー１４には、図１で示す外側の係合部２４Ｂが不要とされ、内側の４つの係合部２４Ａ（対向部分は図示を省略）がそのままとされている。
【００３８】
そこで、図１０および図１１に、図８および図９の加熱冷却装置におけるカバー開閉の動作説明図を示す。まず、カバー１４およびカバー開閉機構８２が図９の状態より、シリンダ８３が駆動されてロッド８５が上昇すると、図１０（Ａ）および図１１（Ａ）に示すように、当該ロッド８５により可動板８８が押し上げられてカバー１４を上昇させる。当該カバー１４は、摺動部８９Ａ，８９Ｂがカム溝８７Ｂに沿って、まず直上直線で案内される。このとき、カバー１４の側部内側の各係合部２４Ａが保持部２５の各第２係止部３５と係合状態となり、反射板１５をも上昇させる。
【００３９】
さらにロッド８５が上昇すると、図１０（Ｂ）および図１１（Ｂ）に示すように、摺動部８９Ａ，８９Ｂがカム溝８７Ｂの傾斜部分に沿って案内されることにより、可動板８８を介してカバー１４が上昇しながら傾斜することとなり、当該カバー１４の前面部が開いた状態となる。このときには、反射板１５においても傾斜状態となる。
【００４０】
上記カバー１４の動作中または動作後に、シリンダ１７，１７が駆動されて各昇降ピン４０が上昇され、上記カバー１４の前面部が開いた状態で作業者またはハンドラにより処理対象のフォトマスク７１がセットされる。そして、シリンダ８３が駆動されてロッド８５を下降させることで、図１０および図１１の逆の動作でカバー１４が図９のように下降して当該フォトマスク７１を略密閉するものであり、加熱ヒータ１２および冷却手段１３により加熱、冷却が行われるものである。
【００４１】
このように、カバー開閉機構８２によるカバー１４の動作によっても、上記同様に、フォトマスク７１の出し入れに際して、簡易な機構により反射板１５を確実に移動させることができ、安全性を確保することができるものである。
【００４２】
【発明の効果】
以上のように、本発明によれば、半導体基板にベーキングを行う加熱ヒータを、炭化珪素（ＳｉＣ）を含んで形成されて常温以上で膨張率が小の薄板基材に発熱体を所定パターンで形成し、ベーキング後の当該半導体基板に冷却手段で当該加熱ヒータを介在させた状態で常温程度まで冷却する構成とすることにより、単一のチャンバ内で効率的なベーキングおよび冷却の処理を行うことができ、設備全体の縮小化を図ることができるものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る加熱冷却装置の構成図である。
【図２】図１の加熱冷却装置の斜視説明図である。
【図３】図１の加熱冷却装置における加熱ヒータの説明図である。
【図４】図１の加熱冷却装置における冷却手段の説明図である。
【図５】図１および図２の加熱冷却装置の動作説明図（１）である。
【図６】図１および図２の加熱冷却装置の動作説明図（２）である。
【図７】図１および図２の加熱冷却装置の動作説明図（３）である。
【図８】本発明に係る加熱冷却装置におけるカバー開閉の他の動作機構の説明図である。
【図９】図８の加熱冷却装置の斜視説明図である。
【図１０】図８および図９の加熱冷却装置におけるカバー開閉の動作説明図（１）である。
【図１１】図８および図９の加熱冷却装置におけるカバー開閉の動作説明図（２）である。
【符号の説明】
１１，８１              加熱冷却装置
１２                    加熱ヒータ
１３                    冷却手段
１４                    カバー
１５                    反射板
１６                    カバー上下駆動機構
１７                    反射板上下駆動機構
１８                    冷却手段上下駆動機構
３１，３６，４２，８３  シリンダ
３２，３７，４３，８５  ロッド
３９                    昇降ロッド
４０                    昇降ピン
４５                    チャンバ
５１                    薄板基材
５２                    パターン
５３                    発熱体
７１                    フォトマスク
８２                    カバー開閉機構
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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