(57)【要約】【課題】半導体チップの損傷および半導体チップ裏面へのアンダーフィルの付着を防ぎながら、薄型のフリップチップタイプの半導体パッケージを得ることができる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】半導体チップ５の機械強度を補強するための補強フィルム２を半導体チップ５の電気回路を形成した面の反対面に貼り付ける補強フィルム貼り付け工程と、半導体チップ５の電気回路を形成した面を配線基板８に対向させた状態で半導体チップ５と配線基板８を電気的および機械的に接続するフリップチップボンディング工程とを有し、フリップチップボンディング工程において、半導体チップの電気回路を形成した面の反対面に補強フィルムを貼り付けた状態で配線基板８に接続する。【選択図】　図３
2004063516.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
補強フィルムを半導体チップの電気回路を形成した面の反対面に貼り付ける補強フィルム貼り付け工程と、前記半導体チップの電気回路を形成した面を配線基板に対向させた状態で前記半導体チップと前記配線基板を電気的および機械的に接続するフリップチップボンディング工程とを含む半導体装置の製造方法。
【請求項２】
フリップチップボンディング工程の後に半導体チップの近傍にノズルからアンダーフィルを塗布することにより前記半導体チップと配線基板との間の間隙にアンダーフィルを充填するアンダーフィル充填工程を有し、前記半導体チップと補強フィルムの一体物の電気回路を形成した面の反対面の高さ方向の位置は、アンダーフィルを塗布する際のノズルの開口部の高さ方向の位置よりも高い請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
フリップチップボンディング工程の後に半導体チップと配線基板との間の間隙にアンダーフィルを充填するアンダーフィル充填工程と、アンダーフィルを硬化するアンダーフィル硬化工程とを有し、前記アンダーフィル硬化工程において半導体チップの電気回路を形成した面の反対面には補強フィルムが貼り付けられており、前記アンダーフィル硬化工程の後に前記補強フィルムを半導体チップから離脱させる請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
アンダーフィルはエポキシ樹脂を含み、補強フィルムはシリコーン樹脂を含む請求項３記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
フリップチップボンディング工程の後に半導体チップの電気回路を形成した面の反対面に補強フィルムを貼り付ける請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
補強フィルムの半導体チップが貼り付けられた面の反対面に第２の半導体チップの電気回路を形成した面の反対面を貼り付ける請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
補強フィルムは複数の層構成を有する請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
補強フィルムは熱伝導性の良い材料からなる請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置の製造方法に関し、より詳細には薄型化に有利なフリップチップタイプの半導体装置の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、ＩＣカードやチップスタックタイプの半導体装置の開発に伴い、半導体チップの薄型化への要求が強くなってきている。実際に従来は３００μｍから４００μｍ程度の厚みに加工して使用するのが主流であったが、最近は１００μｍ程度の厚みの半導体チップの使用が実用化されてきている。
【０００３】
しかし、従来の半導体装置の製造方法では、薄型の半導体チップを使用する際にはいくつかの課題が発生していた。以下、その点に関して図１０から図１３に従って説明する。
【０００４】
図１０は従来の半導体装置の製造方法を説明するための図面である。まず、シリコン等の半導体ウェハ１の片面に電気回路を形成する（図１０（ａ））。このとき、半導体ウェハ１は通常７００μｍ程度の厚みである。次に、半導体ウェハ１の回路形成面の反対面（裏面）を砥石等により研削しウェハ厚みを４００μｍ程度まで薄くする（図１０（ｂ））。裏面を研削した半導体ウェハ１を、周囲をダイシングリング１７に固定したダイシングテープ３に固定し、ダイシングソー４で切削した（図１１（ａ））後、ダイシングテープ３から分離して半導体チップ５を得る（図１１（ｂ））。半導体チップ５の回路面にはアルミニウムや銅からなる電極パッド６が形成されている。この電極パッド６に金や半田などからなる電極バンプ７を形成し（図１１（ｃ））、配線基板８に半導体チップ５の回路面を対向させるようにして電気的に接続する（図１２（ａ））。このように半導体チップ５の回路面を配線基板７に対向させて電気的に接続する方法をフリップチップ接続方式と一般に呼んでいる。接続は、電極バンプ７が金の場合には導電性の接着剤により行い、半田バンプを使用する場合には半田の溶融により行う。フリップチップ接続の後、アンダーフィル９を半導体チップ５と配線基板８との間に充填する（図１２（ａ）、（ｂ））。アンダーフィル９はエポキシ樹脂等からなる液状の有機樹脂であり、アンダーフィル９を充填すると、半導体チップ１の回路面を保護し半導体チップ１と配線基板８との間の電気接続を良好に保つことができる。アンダーフィル９の充填は、ノズル１０からアンダーフィル９を半導体チップ５の端辺付近に塗出させ、半導体チップ５の側面と配線基板８で囲まれたエリアにアンダーフィル９を充満させ（図１２（ａ））、一定時間放置しておくと毛細管現象によりアンダーフィル９が自然に半導体チップ５と配線基板８の間に浸入し充填が完了する（図１２（ｂ））。なお、ノズル１０からの一回の塗出でアンダーフィル量が十分に供給できない場合は、数回に分けて塗出を行う。アンダーフィル９の充填が完了した後、１５０℃程度の高温環境下にてアンダーフィル９を熱硬化させる。これにより、半導体チップ５の回路面はしっかりと保護され電極バンプ７による電気的接続が良好に確保される。その後、必要に応じて半田等からなる外部電極端子１１を配線基板８に取り付けて半導体パッケージを完成する（図１２（ｃ））。半導体チップ５と外部電気機器の配線基板８は、電極バンプ７、配線基板８および外部電極端子１１を経由して電気的に接続される。但し、外部電極端子１１として、半田等の金属ボールを用いないで、ＬＧＡ（Ｌａｎｄ　Ｇｒｉｄ　Ａｒｒａｙ）という形態の半導体パッケージとする場合がある。その場合、外部電極端子１１は配線基板８上に形成した金属箔からなる電極ランドを利用する。
【０００５】
上記の従来の半導体装置の製造方法において、半導体チップ５は従来３００μｍ〜４００μｍ程度であったが、上述したように最近では半導体装置の薄型への要望やスタックド装置化への要望が強く、それに伴い半導体チップ５の薄型化への要望が強くなってきている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、半導体ウェハ１を単に薄く加工して従来の半導体装置の製造方法を適用した場合には、次のような課題が発生する。
【０００７】
第１の課題は、半導体チップ５の強度が低下し、半導体チップ５を配線基板８に搭載する前、および、搭載時に外力により半導体チップ５が破損しやすくなるということである。
【０００８】
第２の課題は、アンダーフィル９を塗布する際にアンダーフィル９が半導体チップ５の裏面上に漏れ出ることである。この点を図１２と図１３に従って説明する。従来の厚みの厚い半導体チップ５を搭載した場合、配線基板８の表面から半導体チップ５の裏面までの高さがノズル１０から塗出されるアンダーフィル９の高さより高いため（図１２（ａ））、裏面にアンダーフィル９が付着することは無かった。
【０００９】
しかし、厚みの薄い半導体チップ５を搭載すると、半導体チップ５の裏面が塗布高さよりも低くなるので（図１３（ａ））、半導体チップ５の裏面にアンダーフィル９が付着する（図１３（ｂ））。裏面にアンダーフィル９が付着すると、半導体チップ５と配線基板８との間に浸入するアンダーフィル９の量が一定とならず不足するので、アンダーフィル９の未充填が発生しやすくなる。また、フリップチップボンディングにより搭載した半導体チップ５の裏面上にさらに第２の半導体チップ１２を搭載するスタックド装置の場合、下の半導体チップ５の裏面にアンダーフィル９が付着していると、第２の半導体チップの固着面が平坦でなくなるために第２の半導体チップを良好に固着することが難しくなる。
【００１０】
上述したように、従来の半導体装置の製造方法では、薄い半導体チップを搭載しようとした場合、半導体チップの強度が小さく損傷しやすく、アンダーフィルの充填時に半導体チップの裏面に付着しやすいので充填量を一定に保ちにくく、また、半導体チップの裏面にさらに別の半導体チップを搭載しようとした場合、接合が良好に保ちにくい、といった課題が発生する。
【００１１】
そこで、本発明は従来の半導体装置の製造方法における上記の課題を解決し、薄い半導体チップを搭載したフリップチップタイプの半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
請求項１記載の半導体装置の製造方法は、補強フィルムを半導体チップの電気回路を形成した面の反対面に貼り付ける補強フィルム貼り付け工程と、半導体チップの電気回路を形成した面を配線基板に対向させた状態で半導体チップと配線基板を電気的および機械的に接続するフリップチップボンディング工程とを含むものである。
【００１３】
請求項１記載の半導体装置の製造方法によれば、半導体チップの裏面を補強フィルムで補強した状態で、フリップチップボンディングまたはアンダーフィル充填を行うので、各工程で半導体チップの機械的強度が補強されるため半導体チップが損傷しにくくなるという効果が得られる。また、半導体チップの裏面に補強フィルムを貼り付けた状態で、アンダーフィル充填を行うので、半導体チップの厚みが薄くても半導体チップと補強フィルムとの一体物の厚みは大きいので、この一体物の裏面すなわち補強フィルムの上面へのアンダーフィルの付着は発生しにくくなる。それと同時に半導体チップの裏面は補強フィルムで被覆されているのでアンダーフィルが付着することはなくなる。
【００１４】
請求項２記載の半導体装置の製造方法は、請求項１において、フリップチップボンディング工程の後に半導体チップの近傍にノズルからアンダーフィルを塗布することにより半導体チップと配線基板との間の間隙にアンダーフィルを充填するアンダーフィル充填工程を有し、半導体チップと補強フィルムの一体物の電気回路を形成した面の反対面の高さ方向の位置はアンダーフィルを塗布する際のノズルの開口の高さ方向の位置よりも高いものである。
【００１５】
請求項２記載の半導体装置の製造方法によれば、請求項１と同様な効果がある。
【００１６】
請求項３記載の半導体装置の製造方法は、請求項１において、フリップチップボンディング工程の後に半導体チップと配線基板との間の間隙にアンダーフィルを充填するアンダーフィル充填工程と、アンダーフィルを硬化するアンダーフィル硬化工程とを有し、アンダーフィル硬化工程において半導体チップの電気回路を形成した面の反対面には補強フィルムが貼り付けられており、アンダーフィル硬化工程の後に補強フィルムを半導体チップから離脱させるものである。
【００１７】
請求項３記載の半導体装置の製造方法によれば、請求項１と同様な効果のほか、薄型のフリップチップタイプの半導体装置を製造する際に、半導体チップの破損および半導体チップの裏面へのアンダーフィルの付着を防ぐことができる。
【００１８】
請求項４記載の半導体装置の製造方法は、請求項３において、アンダーフィルはエポキシ樹脂を含み、補強フィルムはシリコーン樹脂を含むものである。
請求項４記載の半導体装置の製造方法によれば、請求項３と同様な効果のほか、アンダーフィルと補強フィルムとの間にはじく性質を与えることができるので、半導体チップと補強フィルムとの一体物の裏面へのアンダーフィルの付着をより確実に防ぐことができる。
【００１９】
請求項５記載の半導体装置の製造方法は、請求項１において、フリップチップボンディング工程の後に半導体チップの電気回路を形成した面の反対面に補強フィルムを貼り付けるものである。
【００２０】
請求項５記載の半導体装置の製造方法によれば、請求項１と同様な効果のほか、フリップチップボンディング工程での補強フィルムの特性に起因する不具合を抑えながら、アンダーフィルの半導体チップ裏面への付着を防止することができる。
【００２１】
請求項６記載の半導体装置の製造方法は、請求項１において、補強フィルムの半導体チップが貼り付けられた面の反対面に第２の半導体チップの電気回路を形成した面の反対面を貼り付けるものである。
【００２２】
請求項６記載の半導体装置の製造方法によれば、請求項１と同様な効果のほか、下の半導体チップの補強材料と上の半導体チップの接着材料を兼用することができるので、補強フィルムを剥離する必要がないため、製造材料費および製造工数において経済的に有利となる。
【００２３】
請求項７記載の半導体装置の製造方法は、請求項１において、補強フィルムは複数の層構成を有するものである。
【００２４】
請求項７記載の半導体装置の製造方法によれば、請求項１と同様な効果のほか、補強フィルムの特性改善や材料設計の自由度向上を容易にすることができる。
【００２５】
請求項８記載の半導体装置の製造方法は、請求項１において、補強フィルムは金属材料やダイヤモンド等の熱伝導性の良い材料からなるものである。
【００２６】
請求項８記載の半導体装置の製造方法によれば、補強フィルムとして金属材料やダイヤモンド等の熱伝導性の良い材料を使用するので、半導体チップの電気動作中に発生する熱を効率的に半導体装置の外部に放出することができる。
【００２７】
【発明の実施の形態】
本発明の一実施の形態である半導体装置の製造方法について図１から図６を参照しながら説明する。
【００２８】
図１は本発明の一実施の形態である半導体装置の製造方法を説明するための各工程を示す図面である。図１（ａ）は裏面研削前の半導体ウェハ１を示す斜視図である。半導体ウェハ１の片面には電気回路を形成しており、半導体ウェハ１の厚みは７００μｍ程度である。図１（ｂ）は裏面研削工程を示す。半導体ウェハ１の電気回路を形成した面の反対面を砥石等で研削し、たとえば、半導体ウェハ１の厚みを１００μｍ程度に薄くする。図２（ａ）は、裏面研削工程後に行われるウェハマウント工程を示す。半導体ウェハ１を、補強フィルム２を介して、ダイシングテープ３に固定する。補強フィルム２は、半導体チップの機械的強度を補強するためのもので、剛性がありかつ塑性変形可能な、有機材料や金属材料等からなるフィルムである。例えば、ポリイミド材料、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）、アルミニウム、銅、鉄等の材料である。ダイシングテープ３はダイシングリング１７と呼ぶ金属製の治具に周囲を固定する。図２（ｂ）はウェハマウント工程後に行われるダイシング工程を示す。ダイシングソー４により、半導体ウェハ１および補強フィルム２を同時に切削し、各電気回路毎すなわち半導体チップ毎に分割する。このとき、ダイシングテープ３の上面を一部切り込むまでダイシングソー４により切削する。このようにすることで、半導体ウェハ１および補強フィルム２を両方共に確実に切削できる。ダイシング工程の後、ダイシングテープ３から半導体チップ５を分離したときの外観を図２（ｃ）に示す。ダイシングテープ３との分離はダイシングテープ３と補強フィルム２との界面で行うことにより、半導体チップ５の裏面に補強フィルム２が貼り付いた一体物を得ることができる。半導体チップ５の回路面には電極パッド６が配置されている。図では半導体チップ５の周縁に配置されたペリフェラル型の半導体チップを示したが、半導体チップの全面に配置されたエリアアレイ型の半導体チップを用いても構わない。半導体チップ５に分割した後の電極バンプ形成工程を図３（ａ）に示す。半導体チップ５上の電極パッド６に電極バンプ７を形成する。電極バンプ７は半田ボールや金スタッドバンプ等で構成する。電極バンプ形成工程後のフリップチップボンディング工程及びアンダーフィル充填工程を図３（ｂ）に示す。半導体チップ５を回路面を配線基板８に対向させて配線基板８に搭載し、電極バンプ７を介して配線基板８と電気的および機械的に接続する。このとき、接続の方法は電極バンプの種類によって大きく異なる。たとえば、半田バンプを採用した場合半田の溶融により接続し、金スタッドバンプを採用した場合導電性の接着剤により接続する。また、配線基板８はセラミックやポリイミドフィルム、ガラスエポキシ等からなり、銅やタングステン等の金属により電気配線が施されたものである。フリップチップボンディング工程で接続した電極バンプ接続は機械強度の小さい接続であり、過剰な外力により接続が破損しやすく、そのままでは電極バンプ接続を良好に保つことが難しい。そこで、アンダーフィル９を半導体チップ５と配線基板８との間の間隙に充填することにより、電極バンプ接続の外力からの耐性を付与する。アンダーフィル９は液状であり、エポキシ樹脂等の��硬化性樹脂である。アンダーフィル９の充填は、ノズル１０からアンダーフィル９を半導体チップ５の端辺付近に塗出させ、半導体チップ５の側面と配線基板８で囲まれたエリアにアンダーフィル９を充満させ、一定時間放置しておくことにより行う。こうすることにより毛細管現象によりアンダーフィル９が自然に半導体チップ５と配線基板８の間に浸入し充填が完了する。この場合、半導体チップ５と補強フィルム２の一体物の電気回路を形成した面の反対面の高さ方向の位置が、アンダーフィル９を塗布する際のノズル１０の開口部の高さ方向の位置よりも高くなるので、補強フィルム２の上面へのアンダーフィル９の付着は発生しにくくなる。
【００２９】
なお、ノズル１０からの一回の塗出でアンダーフィル量が十分に供給できない場合は、数回に分けて塗出を行う。また、補強フィルム２としてはアンダーフィル９をはじく性質を有するものを採用するのが好ましい。例えば、アンダーフィル材料としてエポキシ樹脂を使用した場合、補強フィルム２としてはシリコーン樹脂を使用すると良い。このようにすることで、補強フィルム２上面へのアンダーフィル９の付着防止を効果的にすることができる。アンダーフィル充填工程の後のアンダーフィル硬化工程を図４（ａ）に示す。アンダーフィル９の充填が完了した後、１５０℃程度の高温環境下にてアンダーフィル９を熱硬化させる。これにより、半導体チップ５の回路面はしっかりと保護され電極バンプ７による電気的接続が良好に確保される。アンダーフィル硬化工程の後の補強フィルム剥離工程を図４（ｂ）に示す。アンダーフィル９を硬化した後、補強フィルム２を剥離する。そのようにすることで、半導体チップ５がアンダーフィル９により十分に固定された状態なので、補強フィルム２の剥離による半導体チップ５への損傷の発生する可能性は低い。補強フィルム剥離工程の後の外部電極端子形成工程を図４（ｃ）に示す。補強フィルム剥離工程の後、必要に応じて半田ボール等を配線基板８に接続して外部電極端子１１を形成する。半導体チップ５と外部電気機器の配線基板は、電極バンプ７、配線基板８および外部電極端子１１を経由して電気的に接続される。但し、外部電極端子１１として、半田等の金属ボールを用いないで、ＬＧＡ（Ｌａｎｄ　Ｇｒｉｄ　Ａｒｒａｙ）という形態の半導体装置とする場合がある。その場合、外部電極端子１１は配線基板８上に形成した金属箔からなる電極ランドを利用する。
【００３０】
上記の本発明の実施の形態のように、補強フィルム２を貼り付けた状態でフリップチップボンディング工程、アンダーフィル充填工程およびアンダーフィル硬化工程を実施することにより、以下の利点がある。すなわち、第１の利点は、補強フィルム２を貼り付けた状態で上記工程を実施するので、各工程で半導体チップ５の機械的強度が補強されるため、半導体チップ５が損傷しにくいということである。また、第２の利点は、アンダーフィル充填工程において、半導体チップ５の厚みが薄いにもかかわらず、半導体チップ５と補強フィルム２との一体物の厚みは大きいので、この一体物の裏面すなわち補強フィルムの上面へのアンダーフィル９の付着は発生しにくくなるということである。それと同時に半導体チップ５の裏面は補強フィルム２で被覆されているのでアンダーフィル９が付着することはなくなる。
【００３１】
上記の本発明の実施の形態において、補強フィルム２はウェハマウント工程において、半導体ウェハ裏面すなわち半導体チップ裏面に貼り付けていたが、図５に示すごとく、ダイシング工程後に概半導体チップサイズの補強フィルムを各半導体チップ５毎に貼り付けてもよい。このような工程にすることにより、電極バンプ７を形成する際に補強フィルムの特性、例えば、耐熱性や耐薬品性等を考慮する必要がなくなるので、電極バンプの形成方法に対する制約が少なくなる等の利点がある。
【００３２】
また、図６のごとく、フリップチップボンディング工程後に補強フィルム２を貼り付けてもよい。この場合、フリップチップボンディング工程での半導体チップへの外力の影響を低減することはできないが、フリップチップボンディング工程での補強フィルムの特性に起因する影響は考慮する必要がなくなる。なお、アンダーフィル９の半導体チップ裏面への付着防止については、上記の実施の形態と同様に有効である。
【００３３】
上記の本発明の実施の形態である半導体装置の製造方法によれば、チップスタックタイプの半導体装置への応用も容易である。特開２００１−５７４０４号公報に開示されている半導体装置の製造方法では、上の半導体チップと配線基板を電気的に接続するためのワイヤーを接続する配線基板上の領域を清浄に確保しておくことが困難であったが、本発明の実施の形態である半導体装置の製造方法では、ワイヤーボンディングの前にはアンダーフィルで被覆される部分以外は樹脂が付着することはないからである。
【００３４】
また、図７のように、補強フィルム２として半導体チップ５と接着する面の反対面にも粘着性のある材料を採用すれば、補強フィルム２は、下の半導体チップ５の補強材料と上の半導体チップ１２の接着材料を兼用することができるので、補強フィルム２を剥離する必要がないため、製造材料費および製造工数において経済的である。１３は封止樹脂、１４はボンディングワイヤである。
【００３５】
上記の本発明の実施の形態では、補強フィルム２としては単層構造のフィルムを例示したが、図８に示すごとく複数の層からなる構成としても構わない。このようにすることで、例えば、半導体ウェハ１との接着性を接着層１５が有し、半導体ウェハ１を機械的に補強する剛性を剛性層１６が有するようにすることにより、補強フィルム２の特性改善や設計の自由度向上を容易にすることができる。
【００３６】
また、本発明の実施の形態では、アンダーフィル硬化工程後に補強フィルム２を剥離するという半導体装置の製造方法であるが、剥離せずそのままの状態で使用する製造方法として、図９に示す半導体装置を製造しても良い。この方法の利点は、半導体チップ５の裏面を補強フィルム２で被覆しているので、ハンドリング等による半導体チップ５の外的損傷を防ぐことができることである。
【００３７】
また、補強フィルム２として金属材料やダイヤモンド等の熱伝導性の良い材料を使用した場合、半導体チップ５の電気動作中に発生する熱を効率的に半導体装置の外部に放出することができる。
【００３８】
上述したように、本発明によれば、薄い半導体チップを搭載してフリップチップタイプの半導体装置を製造する場合に、従来の半導体装置の製造方法を用いた場合に比べて以下の効果が得られる。
【００３９】
すなわち、補強フィルムを貼り付けた状態でフリップチップボンディング工程、アンダーフィル充填工程またはアンダーフィル硬化工程を実施するので、各工程で半導体チップの機械的強度が補強されるため、半導体チップが損傷しにくくなる。
【００４０】
アンダーフィル充填工程において、半導体チップの厚みが薄いにもかかわらず、半導体チップと補強フィルムとの一体物の厚みは大きいので、この一体物の裏面すなわち補強フィルムの上面へのアンダーフィルの付着は発生しにくくなる。それと同時に半導体チップの裏面は補強フィルムで被覆されているのでアンダーフィルが付着することはなくなる。特に、エポキシ樹脂を含むアンダーフィルとシリコーン樹脂を含む補強フィルムを使用した場合、互いにはじき合うので確実にアンダーフィルの補強フィルムへの付着を防止することができる。
【００４１】
また、補強フィルムと半導体チップの剥離強度を小さく抑えることにより、補強フィルム剥離工程において、半導体チップおよび半導体チップと配線基板との接合へのダメージを低減することができる。
【００４２】
また、配線基板上に設定したワイヤーボンディング領域を樹脂で汚染することが無いのでチップスタックタイプの半導体装置への応用が容易となる。
【００４３】
また、補強フィルムをそのまま半導体チップの裏面に貼り付けた状態の半導体装置を製造すると、半導体チップの裏面を補強フィルムで被覆しているので、ハンドリング等による半導体チップの外的損傷を防ぐことができる。また、補強フィルムとして金属等の熱伝導性の良い材料を使用した場合、半導体チップの電気動作中に発生する熱を効率的に半導体装置の外部に放出することができる。
【００４４】
【発明の効果】
請求項１記載の半導体装置の製造方法によれば、半導体チップの裏面を補強フィルムで補強した状態で、フリップチップボンディングまたはアンダーフィル充填を行うので、各工程で半導体チップの機械的強度が補強されるため半導体チップが損傷しにくくなるという効果が得られる。また、半導体チップの裏面に補強フィルムを貼り付けた状態で、アンダーフィル充填を行うので、半導体チップの厚みが薄くても半導体チップと補強フィルムとの一体物の厚みは大きいので、この一体物の裏面すなわち補強フィルムの上面へのアンダーフィルの付着は発生しにくくなる。それと同時に半導体チップの裏面は補強フィルムで被覆されているのでアンダーフィルが付着することはなくなる。
【００４５】
請求項２記載の半導体装置の製造方法によれば、請求項１と同様な効果がある。
【００４６】
請求項３記載の半導体装置の製造方法によれば、請求項１と同様な効果のほか、薄型のフリップチップタイプの半導体装置を製造する際に、半導体チップの破損および半導体チップの裏面へのアンダーフィルの付着を防ぐことができる。
【００４７】
請求項４記載の半導体装置の製造方法によれば、請求項３と同様な効果のほか、アンダーフィルと補強フィルムとの間にはじく性質を与えることができるので、半導体チップと補強フィルムとの一体物の裏面へのアンダーフィルの付着をより確実に防ぐことができる。
【００４８】
請求項５記載の半導体装置の製造方法によれば、請求項１と同様な効果のほか、フリップチップボンディング工程での補強フィルムの特性に起因する不具合を抑えながら、アンダーフィルの半導体チップ裏面への付着を防止することができる。
【００４９】
請求項６記載の半導体装置の製造方法によれば、請求項１と同様な効果のほか、下の半導体チップの補強材料と上の半導体チップの接着材料を兼用することができるので、補強フィルムを剥離する必要がないため、製造材料費および製造工数において経済的に有利となる。
【００５０】
請求項７記載の半導体装置の製造方法によれば、請求項１と同様な効果のほか、補強フィルムの特性改善や材料設計の自由度向上を容易にすることができる。
【００５１】
請求項８記載の半導体装置の製造方法によれば、補強フィルムとして金属材料やダイヤモンド等の熱伝導性の良い材料を使用するので、半導体チップの電気動作中に発生する熱を効率的に半導体装置の外部に放出することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施の形態の半導体装置の製造方法における半導体ウエハの斜視図である。
【図２】本発明の一実施の形態の半導体装置の製造方法を説明するための半導体装置の組立工程を工程順に示す図である。
【図３】図２に続く工程の説明図である。
【図４】図３に続く工程の説明図である。
【図５】本発明の別の実施の形態の半導体装置の製造方法を説明するための補強フィルム貼付け工程を示す斜視図である。
【図６】本発明のさらに別の実施の形態の半導体装置の製造方法を説明するための補強フィルム貼付け工程およびアンダーフィル充填工程を示す断面図である。
【図７】本発明のさらに別の実施の形態の半導体装置の製造方法を説明するためのチップスタックタイプの半導体装置の断面図である。
【図８】本発明のさらに別の実施の形態の半導体装置の製造方法を説明するためのウェハマウント工程を示す断面図である。
【図９】本発明のさらに別の実施の形態の半導体の製造方法により得られる半導体装置を示す断面図である。
【図１０】従来の半導体装置の製造方法を説明するための半導体装置の組立工程を工程順に示す図である。
【図１１】図１０に続く組立工程を工程順に示す図である。
【図１２】図１１に続く組立工程を工程順に示す図である。
【図１３】従来の半導体装置の製造方法の課題を説明するためのアンダーフィル充填工程を示す断面図である。
【符号の説明】
１　　半導体ウェハ
２　　補強フィルム
３　　ダイシングテープ
４　　ダイシングソー
５　　半導体チップ
６　　電極パッド
７　　電極バンプ
８　　配線基板
９　　アンダーフィル
１０　　ノズル
１１　　外部電極端子
１２　　第２の半導体チップ
１３　　封止樹脂
１４　　ボンディングワイヤー
１５　　粘着層
１６　　剛性層
１７　　ダイシングリング
【図１】
2004063516.tif 000003
【図２】
2004063516.tif 000004
【図３】
2004063516.tif 000005
【図４】
2004063516.tif 000006
【図５】
2004063516.tif 000007
【図６】
2004063516.tif 000008
【図７】
2004063516.tif 000009
【図８】
2004063516.tif 000010
【図９】
2004063516.tif 000011
【図１０】
2004063516.tif 000012
【図１１】
2004063516.tif 000013
【図１２】
2004063516.tif 000014
【図１３】
2004063516.tif 000015