(57)【要約】【課題】伝播遅延を低減することにより、多画素化や大画面化を図ることができる固体撮像素子及び固体撮像素子の製造方法を提供する。【解決手段】電荷転送部３の転送電極１１，１２を同一層の多結晶シリコン４，５から構成し、この多結晶シリコン４，５の、少なくとも電荷転送部３に平行な方向における受光部２間の部分上に、高融点金属シリサイド６が積層形成されている固体撮像素子１を構成する。また、多結晶シリコン膜４，５上の絶縁膜のうち、少なくとも電荷転送部３に平行な方向における受光部２間となる部分に開口を形成する工程と、高融点金属膜を成膜し、熱処理によりこの高融点金属膜と開口の下の多結晶シリコン膜４，５とを反応させて、高融点金属シリサイド６を形成する工程と、未反応の高融点金属膜を除去する工程と、多結晶シリコン膜４，５及び高融点金属シリサイド６を覆って絶縁層を形成する工程とを有して、前記固体撮像素子１を製造する。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ライン状又はマトリクス状に配置された受光部の、少なくとも一列の一側に電荷転送部が設けられ、
前記電荷転送部の転送電極が、同一層の多結晶シリコンから構成され、
前記多結晶シリコンの、少なくとも前記電荷転送部に平行な方向における前記受光部間の部分上に、高融点金属シリサイドが積層形成されている
ことを特徴とする固体撮像素子。
【請求項２】
前記高融点金属シリサイドは、コバルトシリサイドであることを特徴とする請求項１に記載の固体撮像素子。
【請求項３】
ライン状又はマトリクス状に配置された受光部の、少なくとも一列の一側に電荷転送部が設けられて成る固体撮像素子を製造する方法であって、
シリコン基板上に、絶縁膜を介して多結晶シリコン膜を成膜し、前記多結晶シリコン膜をパターニングする工程と、
前記多結晶シリコン膜の表面を覆って絶縁膜を形成した後、前記多結晶シリコン膜上の前記絶縁膜のうち、少なくとも前記電荷転送部に平行な方向における前記受光部間となる部分に開口を形成する工程と、
高融点金属膜を成膜し、熱処理により前記高融点金属膜と前記開口の下の前記多結晶シリコン膜とを反応させて、高融点金属シリサイドを形成する工程と、
未反応の前記高融点金属膜を除去する工程と、
前記多結晶シリコン膜及び前記高融点金属シリサイドを覆って絶縁層を形成する工程とを少なくとも有する
ことを特徴とする固体撮像素子の製造方法。
【請求項４】
前記高融点金属膜としてコバルト膜を成膜することを特徴とする請求項３に記載の固体撮像素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、固体撮像素子及び固体撮像素子の製造方法に係わる。
【０００２】
【従来の技術】
ＣＣＤ固体撮像素子は、通常、ＣＣＤ転送レジスタの転送電極に多結晶シリコンを用いて構成されている。
【０００３】
ところで、ＣＣＤ固体撮像素子において、例えば撮像素子の大型化や、高速フレームレート等の高速読み出し駆動を実現しようとすると、転送電極に供給される転送クロックの伝播遅延を防ぐために、転送電極のシート抵抗をなるべく低くすることが求められる。
【０００４】
そして、転送電極のシート抵抗を低減する方法としては、例えば転送電極を厚く形成する方法、ＷＳｉ等の高融点金属シリサイド等の低抵抗材料を転送電極の材料に用いる方法（例えば特許文献１参照）、Ａｌ膜等から成るシャント配線を転送電極に接続する方法、等が提案されている。
【０００５】
【特許文献１】
特開２００２−１８４９６８号公報
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述した転送電極のシート抵抗の低減方法は、いずれも何らかの問題を生じてしまう。
【０００７】
転送電極を厚く形成する方法では、転送電極による段差が大きくなるため、入射光のケラレにより感度が低下する。
また、２層目以降の電極層から成る転送電極をパターニングする際に、オーバーエッチングや電極層のエッチング残りを生じやすくなる。
このため、オーバーエッチングによるゲート絶縁膜の膜切れや、エッチング残りによる短絡を生じてしまう問題がある。
【０００８】
ＷＳｉ等の高融点金属シリサイドを転送電極の材料に用いる方法では、高融点シリサイドが酸化されにくいため、酸化には高温プロセスが必要になり、多結晶シリコンを転送電極の材料に用いた場合のような、熱酸化による層間絶縁膜の形成が難しくなる。一方、熱酸化以外の方法、例えば窒化膜で転送電極を囲む方法等により層間絶縁膜を形成すると、層間絶縁膜の形成のための工程が別途必要になるため、製造プロセスが複雑化してしまう。
また、高融点金属は、シリコン基板に対して、基板表面に界面準位を生じさせたり、基板内部にバルク中準位を生じさせたりするため、製造工程で高融点金属がシリコン基板に入り込むことにより、製造された固体撮像素子において、白点や白キズ、暗電流を発生してしまうことになる。
【０００９】
シャント配線を転送電極に接続する方法では、シャント配線を形成することにより遮光膜の下の段差が増大するため、入射光のケラレによる感度の低下が懸念される。
また、シャント配線及び遮光膜間の絶縁耐圧を確保する必要があることから、遮光膜の下の絶縁膜をある程度以上の膜厚とする必要があり、この絶縁膜が受光部上にも形成されることから、遮光膜と受光部のシリコン基板との間隔を狭くしてスミアを防ぐことが難しくなる。
【００１０】
従って、多画素化や大画面化を図るためには、転送電極のシート抵抗を低減して伝播遅延を抑制すると共に、上述した問題の発生を抑制することが必要になる。
【００１１】
上述した問題の解決のために、本発明においては、伝播遅延を低減することにより、多画素化や大画面化を図ることができる固体撮像素子及び固体撮像素子の製造方法を提供するものである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本発明の固体撮像素子は、ライン状又はマトリクス状に配置された受光部の、少なくとも一列の一側に電荷転送部が設けられ、電荷転送部の転送電極が同一層の多結晶シリコンから構成され、多結晶シリコンの、少なくとも電荷転送部に平行な方向における受光部間の部分上に、高融点金属シリサイドが積層形成されているものである。
【００１３】
本発明の固体撮像素子の製造方法は、ライン状又はマトリクス状に配置された受光部の、少なくとも一列の一側に電荷転送部が設けられた固体撮像素子を製造する際に、シリコン基板上に絶縁膜を介して多結晶シリコン膜を成膜し、この多結晶シリコン膜をパターニングする工程と、多結晶シリコン膜の表面を覆って絶縁膜を形成した後、多結晶シリコン膜上の絶縁膜のうち、少なくとも電荷転送部に平行な方向における受光部間となる部分に開口を形成する工程と、高融点金属膜を成膜し、熱処理によりこの高融点金属膜と開口の下の多結晶シリコン膜とを反応させて、高融点金属シリサイドを形成する工程と、未反応の高融点金属膜を除去する工程と、多結晶シリコン膜及び高融点金属シリサイドを覆って絶縁層を形成する工程とを少なくとも有するものである。
【００１４】
上述の本発明の固体撮像素子の構成によれば、多結晶シリコンの、少なくとも電荷転送部に平行な方向における受光部間の部分上に、高融点金属シリサイドが積層形成されていることにより、少なくともこの受光部間の部分において、多結晶シリコン上に高融点金属シリサイドが積層形成された構造、即ちいわゆるサリサイド構造を有しており、このサリサイド構造により、転送電極のシート抵抗を低減することができる。これにより、転送電極において、伝搬遅延を抑制することができる。
また、高融点金属シリサイドが、ゲート絶縁膜上に直接形成されているのではなく、多結晶シリコン上に形成されているので、製造の際に高融点金属が受光部のシリコン基板に入り込みにくくなる。
さらに、転送電極の多結晶シリコンが同一層であることから、転送電極による段差を低減することができると共に、高融点金属シリサイドを形成する工程を各転送電極において同時に行うことができる。
従って、転送電極による入射光のケラレを低減し、受光部に入射する光の範囲を広げることができると共に、転送電極のシート抵抗が低く伝搬遅延を抑制することができる構成の固体撮像素子を、比較的短い工程で製造することが可能になる。
【００１５】
上述の本発明の固体撮像素子の製造方法によれば、多結晶シリコン膜の表面を覆って絶縁膜を形成した後、多結晶シリコン膜上の絶縁膜のうち、少なくとも電荷転送部に平行な方向における受光部間となる部分に開口を形成する工程と、高融点金属膜を成膜し、熱処理によりこの高融点金属膜と開口の下の多結晶シリコン膜とを反応させて、高融点金属シリサイドを形成する工程とにより、少なくとも電荷転送部に平行な方向における受光部間となる部分に形成された開口を通じて、この部分の多結晶シリコン膜の上部に高融点金属シリサイドが形成される。
そして、未反応の高融点金属膜を除去する工程を行うことにより、多結晶シリコン膜上に高融点金属シリサイドが積層形成された構造、いわゆるサリサイド構造を有する転送電極が形成される。これにより、転送電極のシート抵抗を低減して伝搬遅延を抑制する構成の固体撮像素子を製造することができる。
また、このとき、高融点金属シリサイドが、ゲート絶縁膜上に直接形成されるのではなく、多結晶シリコン上に形成されるので、高融点金属が受光部のシリコン基板に入り込むことを抑制することができる。
さらに、多結晶シリコン膜及び高融点金属シリサイドを覆って絶縁層を形成する工程により、この転送電極が絶縁層で覆われて、その後形成される遮光膜や配線等と絶縁される。
【００１６】
【発明の実施の形態】
本発明は、ライン状又はマトリクス状に配置された受光部の少なくとも一列の一側に電荷転送部が設けられ、電荷転送部の転送電極が同一層の多結晶シリコンから構成され、多結晶シリコンの、少なくとも電荷転送部に平行な方向における受光部間の部分上に、高融点金属シリサイドが積層形成されている固体撮像素子である。
【００１７】
また本発明は、上記固体撮像素子において、高融点金属シリサイドがコバルトシリサイドである構成とする。
【００１８】
本発明は、ライン状又はマトリクス状に配置された受光部の、少なくとも一列の一側に電荷転送部が設けられて成る固体撮像素子を製造する方法であって、シリコン基板上に絶縁膜を介して多結晶シリコン膜を成膜し、この多結晶シリコン膜をパターニングする工程と、多結晶シリコン膜の表面を覆って絶縁膜を形成した後、多結晶シリコン膜上の絶縁膜のうち、少なくとも電荷転送部に平行な方向における受光部間となる部分に開口を形成する工程と、高融点金属膜を成膜し、熱処理によりこの高融点金属膜と開口の下の多結晶シリコン膜とを反応させて、高融点金属シリサイドを形成する工程と、未反応の高融点金属膜を除去する工程と、多結晶シリコン膜及び高融点金属シリサイドを覆って絶縁層を形成する工程とを少なくとも有する固体撮像素子の製造方法である。
【００１９】
また本発明は、上記固体撮像素子の製造方法において、高融点金属膜としてコバルト膜を成膜する。
【００２０】
本発明の固体撮像素子の一実施の形態の概略構成図（平面図）を図１に示す。また、図１のＡ−Ａにおける断面図を図２に示す。
本実施の形態は、本発明をＣＣＤ固体撮像素子に適用した場合を示している。
【００２１】
この固体撮像素子１は、受光部２がマトリクス状に配置され、受光部２の各列の一側に、電荷転送部として、垂直方向（図中上下方向）Ｖに延びる垂直転送レジスタ３が設けられている。垂直転送レジスタ３の一端には図示しないが水平転送レジスタが接続される。
受光部２は、それぞれが画素を構成するものであり、図示しないが光を電荷に変換する光電変換部と、変換された電荷を蓄積する電荷蓄積部とを有する。
【００２２】
垂直転送レジスタ３は、転送電極１１，１２と、その下のシリコン基板２１に形成された、信号電荷が転送される転送チャネル（図示せず）により構成され、ＣＣＤ構造の電荷転送部となっている。
【００２３】
転送電極１１，１２と、その下のシリコン基板２１との間には、ゲート絶縁膜（シリコン酸化膜等）２２が形成されている。
また、転送電極１１，１２の上を覆って、遮光膜８が形成されている。この遮光膜８は、受光部２に光が入射するように、受光部２上に開口８Ａを有している。
【００２４】
本実施の形態の固体撮像素子１においては、特に、同一層（単層）の電極層から、即ち第１層の多結晶シリコン膜４，５から各垂直転送レジスタ３の転送電極１１，１２を構成している。
この多結晶シリコン膜４，５は、例えばノンドープの多結晶シリコン膜を形成した後に、不純物のドープを行うことにより形成することができる。
これら転送電極１１，１２の多結晶シリコン膜４，５は、その表面を覆った絶縁膜（シリコン酸化膜等）２３により、互いに絶縁されている。
【００２５】
これら多結晶シリコン膜４，５は、水平方向（図中左右方向）Ｈに延びる導線部と、垂直転送レジスタ３に沿って突出した電極部とを有している。導線部は、垂直方向Ｖの画素間の部分に配置形成されている。
多結晶シリコン膜４は、受光部２に対して図中上側に配置され、電極部が下向きに突出している。
多結晶シリコン膜５は、受光部２に対して図中下側に配置され、電極部が上向きに突出している。
図中上下に隣接する多結晶シリコン膜４，５は、各導線部同士及び各電極部同士が、それぞれ絶縁膜による狭いギャップを挟んで対向するように、配置されている。
垂直転送レジスタ３の転送チャネル領域は、多結晶シリコン膜４，５の電極部の下のシリコン基板内に形成される。
【００２６】
本実施の形態の固体撮像素子１においては、さらに、転送電極１１，１２において、各多結晶シリコン膜４，５上に、例えばコバルト（Ｃｏ）シリサイド等の高融点金属シリサイドから成るシリサイド膜６を積層形成している。
即ち、多結晶シリコン膜４，５と、シリサイド膜６とを積層形成させていることにより、いわゆるサリサイド構造の転送電極１１，１２を構成している。
【００２７】
このシリサイド膜６は、後述するように、多結晶シリコン膜４，５上にコバルト等の高融点金属を成膜して、これらを反応させることにより形成されているものである。
サリサイド構造のシリサイド膜としては、コバルトシリサイドが一般的であるが、その他の高融点金属シリサイドも、シリサイド膜６に使用することが可能である。
【００２８】
このようにサリサイド構造を有する転送電極１１，１２を構成したことにより、多結晶シリコン膜４，５だけで転送電極を構成した場合と比較して、転送電極のシート抵抗を、例えば数分の１程度に低減することができる。
シリサイド膜６は、多結晶シリコン膜４，５のうち、水平方向（図中左右方向）Ｈに延びる導線部上に形成されている。
【００２９】
なお、図２中、２４はＳｉＯ２等による層間絶縁層を示し、２５は、パッシベーション膜や平坦化膜を含む絶縁層を示している。
また、絶縁層２５の上方には、必要に応じて、図示しないカラーフィルタやオンチップレンズ等が設けられる。
【００３０】
上述の本実施の形態の固体撮像素子１の構成によれば、転送電極１１，１２の多結晶シリコン膜４，５が同一層の（単層の）電極層により形成されているため、一般的な多層の電極層により転送電極が構成されたＣＣＤ固体撮像素子と比較して、転送電極による段差が小さくなる。
これにより、受光部２に入射する光の範囲を広げて、転送電極１１，１２による入射光のケラレを低減することができることから、入射光量を増やすことができ、受光部２の感度の向上を図ることができる。
従って、高感度の固体撮像素子１を実現することができる。
【００３１】
また、転送電極１１，１２の多結晶シリコン膜４，５の導線部上に、シリサイド膜６が積層形成されて、サリサイド構造とされていることにより、多結晶シリコン膜４，５だけで転送電極を構成した場合と比較して、転送電極のシート抵抗を、例えば数分の１程度に低減することができる。
これにより、転送電極１１，１２を低抵抗化して、伝播遅延を抑制することができるため、固体撮像素子１の多画素化や大画角（大型）化、並びに読み出しの高速化を容易に実現することが可能になる。
【００３２】
なお、直接ゲート絶縁膜上にシリサイド膜を形成した場合には、シリサイド膜のパターニングの際のエッチング等によって、シリサイド膜の高融点金属が受光部のシリコン基板に入り込む可能性がある。
これに対して、本実施の形態の固体撮像素子１では、シリサイド膜６が、ゲート絶縁膜２２上の多結晶シリコン膜４，５上に形成されており、直接ゲート絶縁膜２２上には形成されていない。また、サリサイド構造のシリサイド膜６は、後述するように、通常ウエットエッチングによってパターニングが行われる。
従って、本実施の形態の固体撮像素子１の構成によれば、シリサイド膜６の高融点金属が受光部２のシリコン基板２１に入り込みにくくなる。
これにより、シリコン基板２１の表面の界面準位や内部の準位の発生を防止して、白傷や暗電流の発生が少ない固体撮像素子１を実現することができる。
【００３３】
また、転送電極１１，１２の多結晶シリコン膜４，５が同一層の（単層の）電極層により形成されているため、それぞれの多結晶シリコン膜４，５とコバルト等高融点金属との反応によるシリサイド膜６の形成工程を、一度に行うことができる。
仮に、サリサイド構造を有する転送電極を多層の電極層とした場合には、各層の電極層の導線部が重なるため、各層の電極層に対して個別にシリサイド化の反応を行う必要が生じることから、製造工程が複雑になってしまう。
従って、本実施の形態の固体撮像素子１によれば、転送電極１１，１２が低抵抗である構成の固体撮像素子１を、比較的短いプロセスで製造することが可能になる利点も有している。
【００３４】
本実施の形態の固体撮像素子１は、例えば次のようにして製造することができる。
【００３５】
まず、シリコン基板２１内に、垂直転送レジスタ３及び水平転送レジスタの転送チャネル領域、チャネルストップ領域、受光部２を構成する光電変換部及び電荷蓄積部となる半導体領域、周辺回路部のフィールド等を、それぞれ不純物のイオン注入により形成する。
さらに、シリコン基板２１の表面に、酸化膜やシリコンナイトライド膜等から成るゲート絶縁膜２２を形成する。
【００３６】
次に、ゲート絶縁膜２２上に多結晶シリコン膜を成膜し、これをパターニングすることにより、平面図を図３Ａに示し、断面図を図３Ｂに示すように、サリサイド構造の転送電極のうちの、多結晶シリコン膜４，５を形成する。
【００３７】
次に、多結晶シリコン膜４，５を上面及び側面から覆う絶縁膜（酸化膜又は窒化膜）２３を形成する。この絶縁膜２３を酸化膜により形成する場合には、多結晶シリコン膜４，５の表面を熱酸化して酸化膜としてもよい。また、多結晶シリコン膜４，５を窒化して、窒化膜により絶縁膜２３を形成してもよい。
【００３８】
続いて、多結晶シリコン膜４，５を覆う絶縁膜２３のうち、多結晶シリコン膜４，５の上面を覆う部分を一部エッチングオフすることにより、平面図を図４Ａに示し、断面図を図４Ｂに示すように、絶縁膜２３に開口３１を形成して、多結晶シリコン膜４，５の一部を露出させる。
この開口３１により露出した領域は、多結晶シリコン膜４，５の導線部上に、転送クロックが伝播する方向（水平方向）Ｈに向けてレイアウトされている。
【００３９】
次に、例えばスパッタ法等により、高融点金属膜として、コバルト膜をデポジッションする。
続いて、例えば５００℃前後の窒素雰囲気中て、短時間の熱処理を行うことにより、コバルト膜とその下の多結晶シリコン膜４，５とを反応させる。これにより、多結晶シリコン膜４，５の上部がコバルト膜と反応して、シリサイド化していく。
次に、ウエットエッチング処理により、多結晶シリコン膜４，５表面上以外の領域の未反応のコバルト膜を除去する。
その後、８００℃〜９００℃のアニールを行うことにより、シリサイド膜６を安定化させて、平面図を図５Ａに示し、断面図を図５Ｂに示すように、多結晶シリコン膜４，５上にシリサイド膜６を積層形成して成るサリサイド構造の転送電極１１，１２を形成する。
【００４０】
次に、転送電極１１，１２の多結晶シリコン膜４，５及びシリサイド膜６を覆って層間絶縁膜２４を形成する。
さらに、表面を覆って全面的に遮光膜８となる金属膜を成膜し、この金属膜をパターニングして、受光部２上に開口８Ａを開けることにより、遮光膜８を形成する。
遮光膜８は、Ｃｕ系、タングステン系でもよいし、アルミニウム系でもよい。
その後は、メタル配線を形成する工程や、パッシベーション膜・平坦化膜等の絶縁層２５（図２参照）を形成する工程等を行う。
さらに、必要に応じて、カラーフィルタやオンチップレンズを形成する。
【００４１】
このようにして、図１及び図２に示した本実施の形態の固体撮像素子１を製造することができる。
【００４２】
なお、受光部２の不純物領域は、上述の製造工程では多結晶シリコン膜４，５を成膜する前に予め形成しているが、例えば転送電極１１，１２の多結晶シリコン膜４，５を形成した後に、多結晶シリコン膜４，５をマスクとして多結晶シリコン膜４，５の開口と自己整合させて形成することも可能である。
ただし、この製法を採用する場合には、受光部２の不純物領域を形成するイオン注入の際に、シリサイド膜６が損傷して受光部２に高融点金属が混入することを防ぐ対策が必要になる。例えばあまり多結晶シリコン膜の端縁ぎりぎりまでシリサイド膜を形成しないようにすることや、例えば多結晶シリコン膜４，５を成膜した後、コバルト膜を成膜するよりも前に、受光部２のイオン注入を行うことが考えられる。
【００４３】
上述の製造工程によれば、転送電極１１，１２をサリサイド構造として形成し、転送電極１１，１２のシート抵抗が低く、伝播遅延を抑制できる構成の固体撮像素子１を製造することができる。
また、一連の工程で、全ての転送電極１１，１２をサリサイド構造にすることができるため、比較的短いプロセスで、転送電極１１，１２の低抵抗化を図る構成を製造することができる。
【００４４】
なお、上述の実施の形態では、シリサイド膜６をストライプ状パターンとして多結晶シリコン膜４，５の導線部上のみに形成しているが、シリサイド膜が多結晶シリコン膜の電極部上に多少張り出して形成されていても構わない。
ただし、あまり多結晶シリコン膜の端縁ぎりぎりまでシリサイド膜を形成してしまうと、その後の工程（例えば層間絶縁層２４の成膜とパターニング工程等）において、シリサイド膜の高融点金属が、飛散して受光部のシリコン基板内に入ってしまうおそれがある。このことから、多結晶シリコン膜の端縁からある程度後退させて、シリサイド膜を形成する。これは、画素間の部分（導線部）においても同様のことが言える。
【００４５】
また、上述の実施の形態では、本発明をＣＣＤ固体撮像素子に適用したが、その他の構成の固体撮像素子にも本発明を適用することができる。
例えば、ＣＣＤ構造以外の電荷転送部が、受光部の列の一側に設けられた構成の固体撮像素子に対しても、同様に本発明を適用することができる。
【００４６】
そして、本発明の固体撮像素子の構成は、ＦＴ（フレームトランスファ）方式、ＩＴ（インターライントランスファ）方式、ＦＩＴ（フレームインターライントランスファ）方式のいずれの方式のＣＣＤ固体撮像素子にも適用することが可能である。
【００４７】
本発明は、上述の実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲でその他様々な構成が取り得る。
【００４８】
【発明の効果】
上述の本発明によれば、転送電極が同一層の電極層により形成されるため、転送電極による段差を小さくすることができ、これにより入射光のケラレを少なくして感度を向上させることが可能になる。
さらに、転送電極のシート抵抗を低減することができるため、転送電極において伝搬遅延を抑制することができる。
従って、本発明により、固体撮像素子の多画素化や大画面化を図ることや、固体撮像素子において高速の読み出しを行うことが可能になる。
【００４９】
また、本発明によれば、高融点金属が受光部のシリコン基板中に入り込むことを抑制することができるため、白傷や暗電流の発生が少なく、かつ伝搬遅延を抑制することができる固体撮像素子を実現することが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施の形態の固体撮像素子の概略構成図（平面図）である。
【図２】図１のＡ−Ａにおける断面図である。
【図３】Ａ、Ｂ  図１の固体撮像素子の製造工程を示す工程図である。
【図４】Ａ、Ｂ  図１の固体撮像素子の製造工程を示す工程図である。
【図５】Ａ、Ｂ  図１の固体撮像素子の製造工程を示す工程図である。
【図６】Ａ、Ｂ  図１の固体撮像素子の製造工程を示す工程図である。
【符号の説明】
１  固体撮像素子、２  受光部、３  垂直転送レジスタ、４，５  多結晶シリコン膜、６  シリサイド膜、８  遮光膜、１１，１２  転送電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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