(57)【要約】【課題】　光学的記録再生装置用光学ヘッドにおいて、記録用ビームと再生用ビームの光軸設定を容易にする。【解決手段】　光学的記録再生装置用光学ヘッドのレーザ光源として、記録用および再生用ビームを出力する複数の半導体レーザチップを基板２３のガイド溝に沿って配置するようにした。半導体レーザチップは、半導体基板３１上に活性層３４を含む半導体レーザ構成要素３２〜３６が積層されて構成され、この半導体レーザ構成要素は、少なくとも２つに分離された素子領域のそれぞれから上記記録用ビームと再生用ビームを出力するものであり、上記それぞれの素子領域における上記活性層のバンドギャップが互いに異なっている。【選択図】　　　　図１０
2004047096.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
記録用ビームと再生用ビームを出力するレーザ光源を備え、このレーザ光源からの記録用ビームにより光情報記録媒体に情報を記録し、前記再生用ビームにより前記光情報記録媒体に記録された情報を再生するようにした光学的記録再生装置用光学ヘッドにおいて、
　前記レーザ光源は、前記記録用ビームと前記再生用ビームを出力する半導体レーザチップを有しており、
　この半導体レーザチップは、半導体基板上に、活性層を含む半導体レーザ構成要素が積層されて構成されており、前記半導体レーザ構成要素は、少なくとも２つに分離された素子領域のそれぞれから前記記録用ビームと前記再生用ビームを出力するように構成され、かつそれぞれの素子領域における活性層のバンドギャップが互いに異なっており、
　前記半導体レーザチップが基板上に複数配置されており、
　その設置構造は、前記基板に形成されたガイド溝に沿って前記半導体レーザチップが配置される構造であることを特徴とする光学的記録再生装置用光学ヘッド。
【請求項２】
前記ガイド溝は、前記複数の半導体レーザチップに対応した複数のガイド溝であって、それぞれの溝内には位置決め用の端部が形成されており、前記複数の半導体レーザチップのそれぞれの一面が前記複数のガイド溝内の端部にそれぞれ位置決めされていることを特徴とする請求項１に記載の光学的記録再生装置用光学ヘッド。
【請求項３】
前記ガイド溝は、前記複数の半導体レーザチップが設置される１つのガイド溝であって、溝内には位置決め用の両端部が形成されており、複数の半導体レーザチップのそれぞれの一面が前記両端部にそれぞれ位置決めされていることを特徴とする請求項１に記載の光学的記録再生装置用光学ヘッド。
【請求項４】
前記ガイド溝は、前記基板の両面に形成されたガイド溝であって、前記複数の半導体レーザチップが前記両面のガイド溝にそれぞれ設置されていることを特徴とする請求項１に記載の光学的記録再生装置用光学ヘッド。
【請求項５】
少なくとも一方の素子領域における活性層が混晶化されて他方の素子領域における活性層とバンドギャップが異なっていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１つに記載の光学的記録再生装置用光学ヘッド。
【請求項６】
前記レーザ光源と前記光情報記録媒体の間の光路上に偏光分離手段と偏光変換手段を有し、
　前記偏光分離手段は、前記レーザ光源からの前記記録用ビームおよび前記再生用ビームを通過させるとともに、前記光情報記録媒体の記録膜にて反射した反射ビームを偏光分離するものであり、
　前記偏光変換手段は、前記偏光分離手段を通過した前記記録用ビームおよび前記再生用ビームを円偏光に変換するとともに、前記記録膜にて反射した反射ビームを直線偏光に変換するものであることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１つに記載の光学的記録再生装置用光学ヘッド。
【請求項７】
前記偏光分離手段は偏光ビームスプリッタであり、前記偏光変換手段は１／４波長板であることを特徴とする請求項６に記載の光学的記録再生装置用光学ヘッド。
【請求項８】
前記基板は放熱基板であることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１つに記載の光学的記録再生装置用光学ヘッド。
【請求項９】
前記ガイド溝は前記記録用ビーム及び前記再生用ビームの出光方向と平行に形成されていることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１つに記載の光学的記録再生装置用光学ヘッド。
　　                                                                    
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
　本発明は、記録および再生の可能な光情報記録媒体をドライブする装置に用いられる光学的記録再生装置用光学ヘッドに関する。
【背景技術】
【０００２】
　この種の光学的記録再生装置用光学ヘッドは、記録用ビームを出力する半導体レーザからなる第１の光源と、再生用ビームを出力する発光ダイオードからなる第２の光源を備え、記録用ビームを用いて光情報記録媒体のトラック上に記録用スポット光を照射して情報単位であるピットを生成記録し、再生用ビームを用いて再生用スポット光を上記ピット上に照射し再生を行うようにしている（特許文献１）。
【０００３】
　また、２つの独立配置した半導体レーザを用いて、情報の記録および再生を行うようにしている（特許文献２）。
【特許文献１】特公平７−７５０９号公報
【特許文献２】特開昭５８−１４６０３８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
　しかしながら、これらのものは、いずれも２つの独立配置した光源を用いているため、光学系が複雑になるとともに、光軸の調整を必要とするという問題がある。
【０００５】
　本発明は上記問題に鑑みたもので、記録用ビームと再生用ビームの光軸設定を容易にすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
　請求項１乃至４に記載の発明においては、半導体基板上に積層形成された半導体レーザ構成要素に、２つに分離された素子領域を形成し、それぞれの素子領域における活性層のバンドギャップを互いに異ならせるようにして、１つの半導体レーザチップから記録用ビームと再生用ビームを出力させるようにし、この半導体レーザチップを基板上に複数配置し、その設置構造を、上記基板に形成されたガイド溝に沿って上記前記半導体レーザチップを配置した構造としたことを特徴としている。
【０００７】
　従って、複数の半導体レーザチップの光軸合せを高精度に行うとともに、より多くの波長を有するレーザ光を出力することができる。
【０００８】
　また、ガイド溝を光軸に合わせて形成しておくことにより、複数の半導体レーザチップをガイド溝に沿って設置するだけで、容易にかつ高精度に所望の光軸を得ることができる。この場合、請求項２、３に記載の発明のように、ガイド溝内の端部に合わせて複数の半導体レーザチップの一面を位置決めすることにより、光軸を一層高精度に設定することができる。
【０００９】
　また、請求項５に記載の発明においては、活性層のバンドギャップが異なることにより、それぞれの素子領域における活性層から波長の異なる記録用ビームと再生用ビームを出力させることができる。この場合、半導体基板上にそれぞれの素子領域が形成されるため、それぞれのレーザ光の光軸を高精度に設定することができる。
【００１０】
　また、本発明に係る光学的記録再生装置用光学ヘッドの光学系において、請求項６、７に記載したように、レーザ光源と光情報記録媒体の間の光路上に、偏光分離手段と偏光変換手段を有して構成することができる。
【００１１】
　この場合、偏光分離手段を通過した記録用ビームおよび再生用ビームを円偏光に変換するとともに、その円偏光を記録膜上で反射させるとπ（１８０°）だけ位相がずれるため、偏光変換手段にて直線偏光に変換された反射ビームを偏光分離手段で偏光分離することができ、記録した情報の再生を行うことができる。この場合、その光路上での損失を少なくすることができるため、光の利用効率を高めることができる。
【００１２】
　また、請求項９に記載の発明のように、ガイド溝を、記録用ビーム及び再生用ビームの出光方向と平行に形成することにより、記録用ビームと再生用ビームの光軸を平行にすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
　以下、本発明の参照例としての光学的記録再生装置用光学ヘッド（以下、光学ヘッドと略す）の構成について図１を参照して説明する。レーザ光源１は記録用ビーム２と再生ビーム３を出力する。記録用ビーム２は波長８３０ｎｍのレーザ光、再生ビーム３は波長７８０ｎｍ（ＣＤ規格の波長）のレーザ光である。
【００１４】
　その出力されたレーザ光の光軸上には、コリメータレンズ４、偏光ビームスプリッタ５、１／４波長板６、対物レンズ７が配置されている。コリメータレンズ４は球面レンズで、記録用ビーム２と再生ビーム３を平行光線に変換する。偏光ビームスプリッタ５は、一対の直角プリズムの斜面どうしを接着したキューブ状のもので、斜面５ａに誘電体多層膜コーティングがなされている。誘電体多層膜コーティングとしては、ＴｉＯ２などの高屈折率材料で形成された薄膜、ＳｉＯ２やＭｇＦ２などの低屈折率材料で形成された薄膜を交互に積層コーティングしたものを用いることができる。
【００１５】
　この偏光ビームスプリッタ５は、記録用ビーム２と再生ビーム３に対して、入射面（入射光線の光軸と斜面に対する法線が作る平面）に平行な電界ベクトルを持つ光（Ｐ偏光）を透過して直進させ、入射面に垂直な電界ベクトルを持つ光（Ｓ偏光）を上記斜面５ａで反射する。１／４波長板６は、雲母や水晶などの複屈折性材料からなり、直線偏光を円偏光に、円偏光を直線偏光に変換する。
【００１６】
　対物レンズ７は、１／４波長板６を通過した光を光ディスク（光情報記録媒体）８上に集光する。この対物レンズ７としては、非点収差を抑えるために非球面レンズを用いる。光ディスク８は、記録膜が結晶質（消去状態）の場合に反射率が６５％以上（コンパクトディスク規格）となるもので、光学的情報の記録、消去および再生をすることができる相変化型書換え可能光ディスクである（特開平５−２０５３１６号公報記載のもの）。
【００１７】
　また、偏光ビームスプリッタ５の斜面５ａで反射された反射光の光軸上には、フィルタ９、ハーフミラー１０が配置されている。フィルタ９は、光ディスク８の記録膜にて反射した反射ビームのうち記録用ビーム２の波長の光を遮断し、再生用ビーム３の波長の光を透過する。ハーフミラー１０は、フィルタ９を透過した反射ビームを分割する。そして、ハーフミラー１０からの一方の反射ビームは、レンズ１１を介してトラッキング用フォトダイオード１２に入射され、トラッキングサーボを駆動するために用いられる。また、ハーフミラー１０からの他方の反射ビームはレンズ１３を介して再生・フォーカシング用フォトダイオード１４に入射され、焦点調整および光学情報の再生のために用いられる。
【００１８】
　上記構成においてその作動を説明する。レーザ光源１から出力された記録用ビーム２は、コリメータレンズ４で平行光線に変換され、偏光ビームスプリッタ５へ入射される。レーザ光は直線偏光であり、偏光ビームスプリッタ５に対してＰ偏光であるため、記録用ビーム２、再生用ビーム３は、偏光ビームスプリッタ５を通過して直進し、１／４波長板６に入射されて円偏光に変換される。
【００１９】
　この円偏光に変換された記録用ビーム２は、対物レンズ７で集光され、光ディスク８のトラック上に照射される。その照射された記録用ビーム２により光ディスク８の記録膜部分が結晶状態から非晶質状態へ相変化し、ピット（光情報）が形成される。円偏光に変換された記録用ビーム２は、記録膜上で反射されたときに位相が１８０°ずれる（回転方向が逆転する）。このため、対物レンズ７を介し１／４波長板６にて直線偏光に変換された時、偏光ビームスプリッタ５に対してＳ偏光となるため、偏光ビームスプリッタ５の斜面５ａで反射される。この反射光は、記録用ビーム２の波長を有するためフィルタ９で遮断される。
【００２０】
　また、レーザ光源１から再生用ビーム３が出力された場合、再生用ビーム３は記録用ビーム２と略同一の光路に沿って進み、光ディスク８の記録膜部分で反射し、対物レンズ７、１／４波長板６、偏光ビームスプリッタ５の斜面５ａで反射される。この反射光は、フィルタ９を通過し、ハーフミラー１０で２方向に分割され、トラッキング用フォトダイオード１２、再生・フォーカシング用フォトダイオード１４に到達する。このことにより、記録された光学情報の再生を行うことができる。
【００２１】
　なお、光学情報の記録時には、その記録が正しく行われた否かを行うベリファイ動作を行うが、この場合には、記録用ビーム２と再生用ビーム３を同時に出力して、光学情報の記録と再生を同時に行う。また、上記した構成では詳述しなかったが、光学情報を消去する場合には、レーザ光源１から消去用ビームを出力し、上記記録用ビーム２と同じ光路を経て光ディスク８の記録膜上のピットに消去用ビームを照射し、そのピットが形成された記録膜部分を非晶質状態から結晶状態に相変化させてピットを消去させる。
【００２２】
　上述のように、この参照例の光学ヘッドによれば、レーザ光が直線偏光であり、そのレーザ光は偏光ビームスプリッタ５に対してＰ偏光であるため、偏光ビームスプリッタ５を光パワーの損失が生じることなく透過させることができる。また、記録膜上で反射されて１／４波長板６を透過したレーザ光は、偏光ビームスプリッタ５に対してＳ偏光であるため、偏光ビームスプリッタ５の斜面５ａにおいて、光パワーの損失が生じることなく反射させることができる。従って、この参照例の光学ヘッドによれば、光の利用効率を高めることができる。
【００２３】
　次に、上記した光学ヘッドの他の参照例について説明する。図２にその構成を示す。図に示すように、コリメータレンズ４から出た平行光線の光軸上には、入射面が約４５°傾いた干渉フィルタ１４が設けられている。干渉フィルタ１４は、その外面１４ａおよび内面１４ｂに多層干渉膜がコーティングされており、その膜厚の調整にて、記録用ビーム２が外面１４ａで反射し、再生用ビーム３が内面１４ｂで反射するようにし、記録用ビーム２と再生用ビーム３の光路を同一にする。
【００２４】
　このことにより、干渉フィルタ１４にて反射した記録用ビーム２と再生用ビーム３の光軸を一致させることができるため、記録用ビーム２が最初に照射された記録膜上の位置（原点）を装置に記憶しておけば、次に再生用ビーム３を照射するときの原点合わせが不要となる。なお、上記した構成において、適用する光記録情報媒体の種類に応じ、レーザ光の数、波長が適宜設定される。例えば、ＤＶＤのように高密度記録同時再生を行う場合には、上記したものと異なる波長の記録用と再生用のレーザ光が使用され、また上記したＣＤ規格の波長での再生を行う場合には、さらにもう１つの波長のレーザ光が使用される。
【００２５】
　次に、レーザ光源１の構成について説明する。図３に、レーザ光源１の主要部をなす半導体レーザアレイの構成を示す。図３（ａ）において、ヒートシンク２４上にサブマウント２３が設置され、サブマウント２３上に第１、第２の半導体レーザチップ２１、２２が並列に集積配置されている。第１、第２の半導体レーザチップ２１、２２の光軸は平行で、光軸間の距離は、２００ないし３００μｍ程度である。
【００２６】
　サブマウント２３は、ダイヤモンド製の基板、あるいはシリコン製の基板に金メッキが施されたものであり、ヒートシンク２４は、銅製の基板に金メッキが施されたものである。なお、サブマウント２３、ヒートシンク２４は放熱基板を構成している。第１の半導体レーザチップ２１は、波長８３０ｎｍの記録用ビームを出力し、第２の半導体レーザチップ２２は、波長７８０ｎｍの再生用ビームを出力する。この場合、図３の紙面における裏面から表面方向にビームを出力する。
【００２７】
　この図３（ａ）に示す半導体レーザアレイは、図１に示す基台１ａ上に設置され、その基台１ａにガラス製のパッケージ１ｂが被せられて図１に示すレーザ光源１が構成される。なお、半導体レーザアレイは、図３（ｂ）に示すように、第１、第２の半導体レーザチップ２１、２２を積層したものであってもよい。
【００２８】
　上記した図３（ａ）の構成のように、波長の異なる２つの半導体レーザチップ２１、２２を同一基板上に配置した場合、それらの光軸がずれると記録再生精度が低下するため、レーザ光の光軸を高精度に設定することが重要になる。そこで、その光軸設定を容易かつ高精度にした半導体レーザアレイの例について以下説明する。
【００２９】
　図４は、その第１の例を示す半導体レーザアレイの斜視図である。波長ａ（８３０ｎｍ）の記録用ビームを出力する第１の半導体レーザチップ２１と、波長ｂ（７８０ｎｍ）の再生用ビームを出力する第２の半導体レーザチップ２２とが、サブマウント２３の上面に並列配置されている。ここで、サブマウント２３には、ガイド溝２３ａ、２３ｂが平行に形成されており、ガイド溝２３ａ、２３ｂ内に第１、第２の半導体レーザチップ２１、２２が設置される。従って、第１、第２の半導体レーザチップ２１、２２をガイド溝２３ａ、２３ｂに沿って設置するだけで、容易かつ高精度に平行な光軸を得ることができる。
【００３０】
　次に、上記した半導体レーザアレイの製造方法について説明する。まず、サブマウント２３となるシリコン基板を用意し、その上にシリコン酸化膜をスパッタ法により堆積する。その上にホトリソグラフィによりフォトレジストをパターニングし、レジストをマスクとしてシリコン酸化膜をフッ酸などによりエッチングする。
【００３１】
　次に、パターニングしたシリコン酸化膜をマスクとして、シリコン基板をエッチングし、ガイド溝２３ａ、２３ｂを形成する。この場合、半導体レーザチップの装着を容易にするため、半導体レーザチップの幅よりもガイド溝の幅を大きくしておく。例えば、半導体レーザチップの幅を３００μｍとすると、ガイド溝の幅を３０５μｍ程度にしておく。
【００３２】
　次に、ガイド溝２３ａ、２３ｂを形成したシリコン基板の表面にチタン、ニッケルおよび金の薄膜をこの順に形成する。これらは、第１、第２の半導体レーザチップ２１、２２のそれぞれの下部電極と電気的に接続される共通電極となる。この後、金錫はんだを用いて第１、第２の半導体レーザチップ２１、２２を、ガイド溝２３ａ、２３ｂに沿って取り付ける。この場合、図５（図４に示す半導体レーザアレイを光出力方向からみた平面図）に示すように、第１、第２の半導体レーザチップ２１、２２のそれぞれの一方の側面（レーザビームと平行になる面）をガイド溝２３ａ、２３ｂの一方の端部に合わせる、例えば図に示すように、ガイド溝２３ａ、２３ｂの左側端部Ａ、Ｂに半導体レーザチップ２１、２２の左側側面を合わせることにより、第１、第２の半導体レーザチップ２１、２２間の距離を一定にして取り付け精度を高くすることができる。
【００３３】
　なお、第１、第２の半導体レーザチップ２１、２２のそれぞれの上部電極は、ワイヤボンディングにより、図示しない駆動回路と電気的に接続される。上記した構成によれば、ガイド溝２３ａ、２３ｂは、上述した半導体技術を用いて精度よく作製できるため、第１、第２の半導体レーザチップ２１、２２を高精度に配置でき、それぞれの光軸を平行にすることができる。
【００３４】
　図６に、図５に示すものの変形例を示す。この変形例では、サブマウント２３に１つのガイド溝２３ｃを形成し、その両端部Ｃ、Ｄに第１、第２の半導体レーザチップ２１、２２の左側側面、右側側面を位置合わせして、第１、第２の半導体レーザチップ２１、２２を取り付けるようにしている。このような構成としても、第１、第２の半導体レーザチップ２１、２２間の距離を一定にして取り付け精度を高くすることができる。
【００３５】
　また、サブマウント２３は１つにすることなく、図７に示すように、サブマウント２３３上にサブマウント２３１、２３２を積層形成し、サブマウント２３１、２３２上に半導体レーザチップ２１ａ、２２ａ、２１ｂ、２２ｂをそれぞれ設置して、波長の異なる４つのレーザビームを出力するようにすることもできる。図８に、さらに他の変形例を示す。この変形例では、サブマウント２３の両面にガイド溝２３ｃ、２３ｄを形成し、第１、第２の半導体レーザチップ２１、２２をサブマウント２３の両面に取り付けるようにしている。この場合、２つの半導体レーザチップ２１、２２の距離はサブマウント２３の厚さとガイド溝２３ｃ、２３ｄの深さによって決まるが、どちらも精度よく作製することができるので、半導体レーザチップ２１、２２間の距離も精度よくすることができる。
【００３６】
　図９に、さらに他の変形例を示す。この変形例では、ガイド溝２３ｅ、２３ｆを、断面が三角形になるように形成し、その一面において第１、第２の半導体レーザチップ２１、２２の底面を取り付けている。なお、図４〜図９に示す例において、サブマウント２３は図３に示すようにヒートシンク２４上に設置される。なお、図８に示す例においては、第１、第２の半導体レーザチップ２１、２２が設置されている面およびその光出力面を除く面において、ヒートシンク２４上にサブマウント２３が設置される。
【００３７】
　また、サブマウント２３にガイド溝２３ａ、２３ｂ等を形成する場合、サブマウント２３に突起を形成したり、サブマウント２３に他の基板を張りつけるなどして、突起間あるいは他の基板間でガイド溝を形成するようにしてもよい。
次に、。
【００３８】
　１つの半導体レーザチップから波長の異なる２つのレーザ光を出力するようにした本発明の実施形態について説明する。
【００３９】
　半導体レーザチップは、活性層を含む複数の半導体層にて構成されているが、その発振波長は、活性層のバンドギャップで決まる。従って、バンドギャップが異なる２つの活性層を１００μｍ程度以下の狭い間隔で並べると、１素子サイズで、波長の異なる２つのレーザ光を出力する半導体レーザチップが実現できる。そこで、以下に示す例では、混晶化技術を用いて２つの活性層のバンドギャップを異ならせている。ここで、混晶化とは、不純物原子を熱拡散したり、あるいはイオン注入によって不純物を導入した後に熱処理を行うことにより、ヘテロ界面によって空間内に隔てられていた構成元素が混じり合って結晶変態が変化する現象である。この混晶化技術を使い、低しきい値電流でかつ横モードが制御された半導体レーザチップを実現することができる。
【００４０】
　図１０に、この例における半導体レーザチップの斜視図を示す。図に示すように、ＧａＡｓウェハ３１上に、ｎ型ＧａＡｓのバッファ層３２、ｎ型ＡｌＧａＡｓのクラッド層３３、ＧａＡｓの活性層３４、ｐ型ＡｌＧａＡｓのクラッド層３５、およびｐ型ＧａＡｓのキャップ層３６が積層形成されている。ここで、クラッド層３５、およびキャップ層３６は、２つに分離された素子領域を形成するリッジ構造となっており、それぞれの素子領域のキャップ層３６上に開口部を有して絶縁層（ＳｉＯ２層）３７が形成され、その上に上部電極３８が形成されている。また、ＧａＡｓウェハ３１には下部電極３９が形成されている。
【００４１】
　ここで、上記した２つの素子領域における活性層３４は、混晶化技術を用いて互いにバンドギャップが異なるように形成されており、これによって、それぞれの素子領域から異なる波長のレーザ光が出力される。次に、上記半導体レーザチップの製造方法について図１１の工程図を基に説明する。
【００４２】
　〔図１１（ａ）の薄膜堆積工程〕まず、ＧａＡｓウェハ３１にｎ型ＧａＡｓのバッファ層３２を２μｍ、ｎ型ＡｌＧａＡｓのクラッド層３３を１μｍ、さらにＧａＡｓの活性層３４を０．１μｍ、ｐ型ＡｌＧａＡｓのクラッド層３５を１μｍ、さらにｐ型ＧａＡｓのキャップ層３６を１μｍ、それぞれＭＯＣＶＤ法により堆積する。ＡｌＧａＡｓのＧａに対するＡｌ組成は０．５とする。
【００４３】
　〔図１１（ｂ）のリッジ形成工程〕フォトリソ工程により、クラッド層３５およびキャップ層３６を幅４μｍのリッジ構造とし、横モードを制御する（横方向への電流の流れを制限して発光領域を規定する）。この工程により、２つに分離されたリッジ領域（素子領域）が形成される。
【００４４】
　〔図１１（ｃ）のＳｉ薄膜形成工程〕右側のリッジ領域にＳｉ薄膜４０を真空蒸着する。
【００４５】
　〔図１１（ｄ）の熱処理工程〕６７５℃、５時間の熱処理を施す。この熱処理は、活性層３４にＳｉ原子を熱拡散させて結晶変態を起こさせるために行う。この工程によって、右側のリッジ領域の点線で示す範囲でＳｉ原子が熱拡散して混晶化が生じる。その結果、右側のリッジ領域と左側のリッジ領域において活性層３４のバンドギャップが異なることになる。
【００４６】
　〔図１１（ｅ）の電極形成工程〕ＳｉＯ２　層３７を成膜し、窓開けを行ってそれぞれに上部電極３８を形成するとともに、裏面に下部電極３９を形成する。
【００４７】
　そして、素子長４００μｍに劈開し、図１０の半導体レーザチップを作製する。このようにして作製された半導体レーザチップにおいて、駆動電流１００ｍＡにおける各領域からの発光波長は、混晶化しない領域で約８００ｎｍ、混晶化した領域で約７００ｎｍであった。なお、上記図１１（ｃ）に示す工程では、混晶化を行うためにＳｉ薄膜４０を真空蒸着して全体に熱処理を施すものを示したが、右側のリッジ領域にＳｉをイオン注入し全体に熱処理を施して、Ｓｉ原子を活性層１４に導入し混晶化を行うようにしてもよい。
【００４８】
　また、左右のリッジ領域に混晶化を行うとともにその混晶化の程度を異ならせて、それぞれのバンドギャップを異ならせるようにしてもよい。なお、この例における半導体レーザチップは、サブマウント２３上に設置されるが、その場合に、図４〜図９に示した例のサブマウント２３上に複数設置するようにすれば、それらの光軸合わせを高精度に行うとともに、より多くの波長を有するレーザ光を出力することができる。
【００４９】
　また、上述した全ての例において、半導体レーザチップは、サブマウント２３上でなく、直接ヒートシンク２４上に形成するようにしてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】一参照例に係る光学ヘッドの構成図である。
【図２】図１に示すものの変形例を示す構成図である。
【図３】図１中のレーザ光源の主要部をなす半導体レーザアレイの構成図である。
【図４】ガイド溝に第１、第２の半導体レーザチップを設置した半導体レーザアレイの斜視図である。
【図５】図４に示す半導体レーザアレイを光出力方向からみた平面図である。
【図６】図４に示す半導体レーザアレイの変形例を示す平面図である。
【図７】サブマウントを積層した半導体レーザアレイを示す平面図である。
【図８】図４に示す半導体レーザアレイの他の変形例を示す平面図である。
【図９】図４に示す半導体レーザアレイのさらに他の変形例を示す平面図である。
【図１０】本発明の一実施形態における、波長の異なる２つのレーザ光を出力する半導体レーザチップの斜視図である。
【図１１】図１０に示す半導体レーザチップの製造工程を示す工程図である。
【符号の説明】
【００５１】
　１…レーザ光源、
　２…記録用ビーム、
　３…再生ビーム、
　４…コリメータレンズ、
　５…偏光ビームスプリッタ、
　６…１／４波長板、
　７…対物レンズ、
　８…光ディスク、
　９…フィルタ、
　１０…ハーフミラー、
　１１、１３…レンズ、
　１２、１４…フォトダイオード、
　１４…干渉フィルタ、
　２３…サブマウント、
　２４…ヒートシンク、
　３１…ＧａＡｓウェハ、
　３２…ｎ型バッファ層、
　３３…ｎ型ＡｌＧａＡｓクラッド層、
　３４…ＧａＡｓ活性層、
　３５…ｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層、
　３６…ｐ型ＧａＡｓキャップ層、
　３７…ＳｉＯ２層、
　３８…上部電極、
　３９…下部電極
【図１】
2004047096.tif 000003
【図２】
2004047096.tif 000004
【図３】
2004047096.tif 000005
【図４】
2004047096.tif 000006
【図５】
2004047096.tif 000007
【図６】
2004047096.tif 000008
【図７】
2004047096.tif 000009
【図８】
2004047096.tif 000010
【図９】
2004047096.tif 000011
【図１０】
2004047096.tif 000012
【図１１】
2004047096.tif 000013