(57)【要約】【課題】窒化アルミニウム質焼結体の体積固有抵抗を常温において１０８〜１０１１Ω・ｃｍの範囲内の所望の範囲となるように容易に制御する。【解決手段】窒化アルミニウムを主成分とし、Ｓｉの含有量が１００〜５０００質量ｐｐｍであって、窒化アルミニウム質焼結体の結晶中及び結晶粒界にＳｉを存在させる。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
窒化アルミニウムを主成分とし、Ｓｉの含有量が１００〜５０００質量ｐｐｍであって、前記Ｓｉが窒化アルミニウム結晶中及び結晶粒界に存在していることを特徴とする窒化アルミニウム質焼結体。
【請求項２】
焼結助剤として第３ａ族元素を酸化物換算で１〜３０質量％含有することを特徴とする請求項１に記載の窒化アルミニウム質焼結体。
【請求項３】
全含有酸素量から前記焼結助剤と結合している酸素量を差し引いた酸素量が０．５〜２．０質量％であることを特徴とする請求項２に記載の窒化アルミニウム質焼結体。
【請求項４】
焼成前の含有炭素量が０．０５〜２．０質量％であることを特徴とする請求項１〜３の何れかに記載の窒化アルミニウム質焼結体。
【請求項５】
請求項１〜４の何れかに記載の窒化アルミニウム質焼結体に静電吸着用電極を備えてなる静電チャック。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
ＣＶＤ、ＰＶＤ、スパッタリング、ＳＯＤ、ＳＯＧ、等の成膜装置やエッチング装置において、半導体ウエハを保持する静電チャックを製造するセラミックス材料である窒化アルミニウム質焼結体に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体デバイスを製造する半導体ウエハ（以下、ウエハという）の処理工程であるＣＶＤ、ＰＶＤ、スパッタリング、ＳＯＤ、ＳＯＧ等の成膜工程やエッチング工程では、被処理物であるウエハに均一な厚みで均質な膜を成膜することや、成膜した膜に均一な深さでエッチングを施すことが重要である。このため、ウエハを吸着し、加熱する静電チャックには、強い吸着力や、ウエハを均一に加熱することが要求されてきた。
【０００３】
しかしながら近年、半導体デバイスの内部配線は従来のアルミニウム配線から銅配線へと移行が進み、銅配線ではウエハを高温に加熱する必要はなくなり、室温付近でウエハを吸着する静電チャックが必要となっている。
【０００４】
このため、特開平４−３９５６号公報には電極とウェハの間に１０８〜１０１２Ω・ｃｍの体積固有抵抗を有する誘電体膜を有した静電チャックが開示されている。しかしながら、具体的に誘電体膜の体積固有抵抗を常温において１０８〜１０１２Ω・ｃｍの範囲内で一定の値に制御する方法については記されておらず、たとえば誘電体膜として使用する窒化アルミニウム質焼結体の体積固有抵抗を常温において上記の範囲内の一定の値に制御する方法については皆無であった。
【０００５】
また、特開平２０００−３３２０９１号公報に、静電チャックの誘電体膜としてアルミナに酸化クロムや酸化チタンを添加して抵抗を１０１０〜１０１３Ω・ｃｍとしたものが開示されている。
【０００６】
更に、特開平９−３１５８６７号公報に、希土類元素を除く金属不純物が９００質量ｐｐｍ以下で、カソードルミネッセンスによるスペクトルにおいて３５０から３７０ｎｍの波長領域に主要ピークを有している窒化アルミニウムが開示されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記のアルミナに酸化クロムや酸化チタンを添加した誘電体膜からなる静電チャックは、酸化クロムや酸化チタンが半導体ウェハを汚染するとの問題があった。
【０００８】
また、特開平９−３１５８６７号公報に記載の窒化アルミニウムはホットプレス法やホットアイソスタティックプレス法による加圧焼結法でしか焼結させることができず、焼結体の体積固有抵抗値がバラツクとの問題があった。
【０００９】
そこで、耐食性の優れた窒化アルミニウム質焼結体からなり、且つ、常温において体積固有抵抗が１０８〜１０１１Ω・ｃｍの範囲内の中で一定の値に安定した材料を供給できることが要求されていた。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る窒化アルミニウム質焼結体は、窒化アルミニウム質焼結体において、Ｓｉの含有量が１００〜５０００質量ｐｐｍであって、前記窒化アルミニウム質焼結体の窒化アルミニウム結晶及び該結晶粒界に前記Ｓｉを含有していることを特徴とする。
【００１１】
また、前記窒化アルミニウム質焼結体において、焼結助剤として第３ａ族元素を酸化物換算で１〜３０質量％含有することを特徴とする。
【００１２】
また、前記窒化アルミニウム質焼結体の含有酸素量から前記焼結助剤と結合している酸素量を差し引いた酸素量が０．５〜２．０質量％とすることを特徴とする。
【００１３】
また、前記窒化アルミニウム質焼結体を焼結させる前の含有炭素量が０．０５〜２．０質量％とすることを特徴とする。
【００１４】
【発明の実施の形態】
さて、本発明者らは、半導体デバイスの内部配線が従来のアルミニウム配線から銅配線へと移行が進み、銅配線においてはウエハを高温に加熱する必要はなくなり、室温付近でウエハを吸着する静電チャックが必要となってくるに従い、静電チャックの誘電体膜となる窒化アルミニウム質焼結体の常温付近での体積固有抵抗を、１０８〜１０１１Ω・ｃｍの範囲内の例えば１０９〜１０１０Ω・ｃｍといった狭い範囲の一定の値に制御する方法が渇望されている状況に鑑み、静電チャックを製造する際の代表的な材質である窒化アルミニウム質焼結体において体積固有抵抗を容易にしかも所望の値に制御する方法を鋭意検討した結果、窒化アルミニウム質焼結体において、Ｓｉの含有量が１００〜５０００質量ｐｐｍであって、前記窒化アルミニウム結晶中及び結晶粒界に前記Ｓｉを含有させることにより、いとも容易に窒化アルミニウム質焼結体の体積固有抵抗を制御できることを見いだした。
【００１５】
Ｓｉを含有してなる窒化アルミニウム質焼結体であって、Ｓｉの含有量が１００〜５０００質量ｐｐｍとしたのは、Ｓｉの含有量が１００質量ｐｐｍ未満では、体積固有抵抗が１０１１Ω・ｃｍより大きくなり、小さな値に制御する効果が得られなかった。Ｓｉの含有量が５０００質量ｐｐｍより多いと、窒化アルミニウムのポリタイプである８Ｈ、１５Ｒ、１２Ｈ、２１Ｒ、２７Ｒ、２Ｈδといった化合物が析出した。そして、これらの窒化アルミニウムのポリタイプは、純粋な窒化アルミニウム質焼結体に比べて熱伝導率が小さく、作製した窒化アルミニウム質焼結体の熱伝導率が５０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以下と小さくなり、静電チャックの誘電体膜としてこの窒化アルミニウムを使用することは好ましくない。尚、窒化アルミニウム質焼結体の体積固有抵抗を１０８〜１０１１Ω・ｃｍの範囲内で特定の値に制御できる原因の１つは、Ｓｉ元素の半導体としての性質から窒化アルミニウム質焼結体の体積固有抵抗が小さくなる点が考えられる。
【００１６】
しかし、Ｓｉの含有量が１００〜５０００質量ｐｐｍの範囲内であっても、Ｓｉが窒化アルミニウム質焼結体に存在する状態により体積固有抵抗が異なることを見いだした。つまり、窒化アルミニウム質焼結体を透過電子顕微鏡（ＴＥＭ）を使い、加速電圧２００Ｖ、倍率４０万倍で観察し、ＥＤＳ検出器により窒化アルミニウム質焼結体の粒界相の三重点をランダムに１０箇所解析した際に、一箇所もＳｉが粒界相に検出されなかった試料は、１０１１Ω・ｃｍより大きな体積固有抵抗となった。又、同様のＴＥＭによる解析で、１０箇所の粒界相の内に一箇所でもＳｉの存在を確認できた窒化アルミニウム質焼結体は、体積固有抵抗を１０８〜１０１１Ω・ｃｍの範囲内で特定の値となるように制御することができた。
【００１７】
これらのことから本発明における体積固有抵抗の制御には、窒化アルミニウム質焼結体の粒界相に存在するＳｉの半導体的性質からか、あるいは、粒界相においてＳｉが形成している化合物によるものかは明らかではないが、結晶粒界相に存在しているＳｉが大きく関与していることが明白となった。即ち、窒化アルミニウムの結晶中だけでなく、結晶粒界にもＳｉを存在させることで、体積固有抵抗を制御できることを見出したのである。
【００１８】
次に、本発明の窒化アルミニウム質焼結体の製造方法について説明する。
【００１９】
Ｓｉを窒化アルミニウム質焼結体に含有させる方法として、窒化アルミニウム粉末と焼結助剤粉末を混合する際に、Ｓｉ金属、ＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４、ＳｉＣといったＳｉの化合物の形で添加してもよいし、又窒化アルミニウム質焼結体を製造する際の一次原料である窒化アルミニウム粉末の不純物としてＳｉを含ませた場合でも同様の効果が得られる。
【００２０】
更に、窒化アルミニウムを非酸化性雰囲気中で焼成する際にＳｉ金属、ＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４、ＳｉＣといったＳｉの化合物を焼成雰囲気とする事によって、これらの焼成雰囲気から飛散したＳｉＯなどの蒸気種が窒化アルミニウム質焼結体中に拡散する事によっても同様の効果が得られる。しかしながら、窒化アルミニウム結晶中及び該結晶粒界に前記Ｓｉを含有させないと本発明の窒化アルミニウム質焼結体は得られない。
【００２１】
上記の方法で添加したＳｉまたはＳｉ化合物は、焼成過程において窒化アルミニウム結晶に固溶しやすい。これは窒化アルミニウムが不可避不純物として酸素を含有しているため、ＡｌＮ−Ａｌ２Ｏ３系のいわゆる窒化アルミニウムとアルミナのポリタイプ化合物を作りやすいからである。窒化アルミニウムのポリタイプはＳｉの含有量が５０００質量ｐｐｍ以下では、Ｘ線回折では検出限界以下か検出できないアモルファスな状態になっているものと考えられる。
【００２２】
このＳｉの全量が窒化アルミニウム結晶へ固溶するのを防ぎ、窒化アルミニウム質焼結体の窒化アルミニウム結晶中及び結晶粒界に含有させるためには、窒化アルミニウム質焼結体の酸素含有量を低減することが重要であり好ましい。窒化アルミニウム質焼結体の酸素含有量を低減する方法としては、カーボン断熱材、カーボンヒータの焼成炉で５気圧以上の窒素を含む非酸化性雰囲気下において１８００℃以上の温度で２時間以上焼成し、焼成前の重量から焼成後の重量を差し引いた値を焼成前の重量で除したいわゆる焼成分解量を２〜８質量％とすることによって窒化アルミニウム質焼結体中の酸素を還元窒化することにより低減し、Ｓｉの全量が窒化アルミニウム結晶へ固溶するのを防ぎ、窒化アルミニウム質焼結体の窒化アルミニウム結晶と結晶粒界の双方に含有させることができる。
【００２３】
焼成分解量が２質量％以下では、窒化アルミニウム質焼結体の酸素低減効果が十分でなく、本発明の効果が得られない。焼成分解量が８質量％以上では、Ｓｉ自体の分解が起こるため、本発明の効果が得られない。焼成分解量は、窒化アルミニウム質焼結体の組成、焼成雰囲気、圧力、焼成温度、焼成時間で変わってくるが、窒化アルミニウム質焼結体の嵩密度の理論比重に対する比である相対比重が８５〜９５％の段階で窒素を含む非酸化性雰囲気を５気圧以上まで導入する事が焼成分解量を２〜８質量％に制御できる目安となる。
【００２４】
また、仮にカーボン断熱材、カーボンヒータの焼成炉ではないＷ断熱材、Ｗヒータの焼成炉であっても、カーボン鉢中で窒化アルミニウム質焼結体を焼成しても焼成分解量を２〜８質量％とする事によって同様の効果が得られる。
【００２５】
更に、カーボン断熱材、カーボンヒータの焼成炉でなく、単にカーボン鉢中で窒化アルミニウムを焼成していなくても、焼成前の脱脂終了時点の含有炭素量を０．０５〜２．０質量％の範囲内とすることで、本発明と同様の効果を得る事ができる。焼成前の含有炭素量を０．０５〜２．０質量％としたのは、前述のようにＳｉの粒界相への残存確率を高めるためには、窒化アルミニウム質焼結体の含有酸素量を低減させることが重要であり、窒化アルミニウム質焼結体を焼結させる前の含有炭素量が０．０５〜２．０質量％の範囲内であれば、焼成炉の種類、鉢の種類などの影響を和らげることができ、本発明の効果が得られるからである。
【００２６】
また、Ｓｉが窒化アルミニウム結晶へ固溶するのを防ぎ、窒化アルミニウム質焼結体の窒化アルミニウム結晶中及び結晶粒界に含有させるためには、窒化アルミニウムの焼成過程において、５〜１００気圧の窒素圧力下で１８００℃以上の温度で２時間以上焼成させることが重要である。これは、窒化アルミニウム粉末に不可避不純物として必ず存在する酸素を還元窒化する効果があるためであり、特開平９−３１５８６７公報に記載の加圧焼結法とは異なることは言うまでもない。
【００２７】
また、本発明の窒化アルミニウム質焼結体において、焼結助剤として第３ａ族元素を酸化物換算で１〜３０質量％含有することが好ましい。これは、静電チャックに使用する窒化アルミニウム質焼結体は、常温付近の体積固有抵抗が１０８〜１０１１Ω・ｃｍであることが重要であるとともに熱伝導率を６０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上とさせることも最重要課題であり、第３ａ族元素を酸化物換算で１〜３０質量％含有させることで窒化アルミニウム質焼結体の熱伝導率を向上できるからである。
【００２８】
窒化アルミニウム質焼結体に含まれる第３ａ族元素が酸化物換算で１質量％を下回ると、熱伝導率が６０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以下と小さく好ましくない。また、前記第３ａ族元素が酸化物換算で３０質量％を越えると、熱伝導率がやはり、６０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以下となり好ましくない。
【００２９】
また、窒化アルミニウム質焼結体の全含有酸素量から前記の焼結助剤と結合している酸素量を差し引いた酸素量が０．５〜２．０質量％であると更に体積固有抵抗の制御の点から好ましい。前記の酸素量としたのは、Ｓｉを窒化アルミニウム結晶中と結晶粒界相の双方に析出させるためには、前述のように窒化アルミニウム質焼結体の酸素含有量を低下させ、Ｓｉの全量が窒化アルミニウム結晶へ固溶するのを防ぎ、窒化アルミニウム質焼結体の結晶粒界に含ませることが必要であるからであり、窒化アルミニウム質焼結体の全含有酸素量から第３ａ族酸化物やアルカリ土類酸化物としてＣａＯといった焼結助剤と結合している酸素量を差し引いた酸素量を２．０質量％以下とすることにより、窒化アルミニウム質焼結体の粒界相へＳｉを含ませることができるとともに、体積固有抵抗を１０１１Ω・ｃｍ以下と小さくすることができ、体積固有抵抗を所望の値に制御しやすくなった。しかし、前記の酸素量が０．５質量％を下回るとＳｉが粒界相に含まれ難くなり、体積固有抵抗が小さくならず、体積固有抵抗を１０９〜１０１１Ω・ｃｍの範囲内で一定の値に制御することができなくなり好ましくない。
【００３０】
以下に本発明の具体的な製造方法について説明する。窒化アルミニウム質焼結体の製造に当たっては、窒化アルミニウム粉末に重量換算で１から３０質量％程度の第３ａ族酸化物を添加し、ＩＰＡとウレタンボールを用いてボールミルにより４８時間混合し、得られた窒化アルミニウムのスラリーを２００メッシュに通し、ウレタンボールやボールミル壁の屑を取り除いた後、防爆乾燥機にて１２０℃で２４時間乾燥して、均質な窒化アルミニウム混合粉末を得る。得られた窒化アルミニウム混合粉末にアクリル系やワックス系からなる有機バインダーを１〜１０質量％添加し、スプレードライなどの方法で乾燥させ、窒化アルミニウム混合粉末の造粒された顆粒を得る。得られた窒化アルミニウム混合粉末の顆粒を一軸プレス法、ＣＩＰ法などの方法により成形し、必要に応じて生切削を施して、所望の形状の窒化アルミニウム成形体を得る。
【００３１】
得られた窒化アルミニウム成形体を非酸化性ガス気流中にて３００〜５００℃で３〜８時間程度の脱脂を行い、更に窒素を含む非酸化性雰囲気中、好ましくは５〜１００気圧の窒素雰囲気にて１８００〜２０００℃で２〜１０時間程度の焼成を行うが、焼成時の焼成炉の種類、使用する鉢の種類が重要であり、カーボン断熱材とカーボンヒータとからなる焼成炉で焼成し、焼成前の重量から焼成後の重量を差し引いた値を焼成前の重量で除したいわゆる焼成分解量を２〜８質量％とすることによって、窒化アルミニウム粉末中の不可避不純物である酸素を還元窒化することで本発明の効果が得られる。
【００３２】
しかし、仮にカーボン断熱材、カーボンヒータの焼成炉ではないタングステン（Ｗ）断熱材とタングステン（Ｗ）ヒータとからなる焼成炉であっても、カーボン製の鉢中で窒化アルミニウム質焼結体を焼成することによっても焼成分解量を２〜８質量％とすることにより、本発明と同様の効果が得られる。
【００３３】
本発明の窒化アルミニウム質焼結体の静電チャックを製造する場合には、前記と同様の方法で窒化アルミニウム混合粉末を作成し、得られた窒化アルミニウム混合粉末にアクリル系のバインダーと溶媒を混合して窒化アルミニム質のスリップを作成し、ドクターブレード法にてテープ成形を行う。得られた窒化アルミニウムのテープを複数枚積層し、その上に静電チャックの電極としてタングステンを印刷法で形成し、無地のテープに所望の密着液を塗り、テープを複数枚重ねてプレス成形を行う。得られた窒化アルミニウムにタングステン電極を埋設した成形体を非酸化性ガス気流中にて５００℃で５時間程度の脱脂を行い、更に非酸化性雰囲気、好ましくは５〜１００気圧の窒素下にて１９００℃で５時間程度の焼成を行い、誘電体である窒化アルミニウム質焼結体を得る。こうして得られた窒化アルミニウム質焼結体に所望の形状、所望の誘電体膜厚みが得られるように機械加工を施し、静電チャックとする。
【００３４】
【実施例】
（実施例１）
窒化アルミニウム粉末に重量換算で１質量％の酸化セリウムを添加し、ＩＰＡとウレタンボールを用いてボールミルにより４８時間混合した。得られた窒化アルミニウムのスラリーを２００メッシュを通し、ウレタンボールやボールミル壁の屑を取り除いた後、防爆乾燥機にて１２０℃で２４時間乾燥した。得られた窒化アルミニウム粉末にアクリル系のバインダーと溶媒を混合して窒化アルミニムのスラリーを作成した。Ｓｉの含有量は窒化アルミニウム粉末中のＳｉ含有量にて調整した。この窒化アルミニウムスラリーをスプレードライ法にて乾燥し、窒化アルミニウムの造粒粉末を得た。得られた窒化アルミニウム造粒粉末を一軸プレスにて外径６０ｍｍで厚みが５ｍｍの円板形状の試験片を作成した。この得られた試験片を窒素気流中にて５００℃で５時間の脱脂を行った。この際、脱脂後の残炭量は０．０５質量％になるように脱脂時間を調整した。又焼結助剤である酸化セリウムに含まれる酸素量を除く窒化アルミニウム質焼結体の酸素含有量は２．０質量％となるように窒化アルミニウム粉末の酸素含有量を調整した。更に、窒素圧力１０気圧で、Ｗヒータ及びＷ断熱材からなる焼成炉の中にて１８００℃で５時間の焼成を行い、外径φ４８ｍｍで厚み４ｍｍの窒化アルミニウム質焼結体を得た。この時の焼成分解量は３〜５質量％であった。
【００３５】
尚、試料Ｎｏ．１〜４は上記に説明した方法で製造したが、試料Ｎｏ．７，８の焼成は、窒素圧力１気圧で、Ｗヒータ及びＷ断熱材からなる焼成炉の中にて１７００℃で１時間の焼成を行った。試料Ｎｏ．７，８の焼成分解量は９質量％であった。
【００３６】
得られた窒化アルミニウム質焼結体の上下の端面を厚みが２ｍｍとなるまで研削し、研削された端面の両側に銀ペーストによる電極を形成し、体積固有抵抗を測定した。尚、体積固有抵抗は５個測定しその平均値で示した。体積固有抵抗測定後、窒化アルミニウム質焼結体にイオンミリングにより薄肉化し、作製した窒化アルミニウム質焼結体の粒界相をＴＥＭにより観察した。その結果を表１に示す。
【００３７】
【表１】
2004051445.tif 000002
【００３８】
試料Ｎｏ．５はＳｉの含有量が９０質量ｐｐｍと小さいことから体積固有抵抗が１０１３Ω・ｃｍと大き過ぎた。試料Ｎｏ．６はＳｉの含有量が６０００質量ｐｐｍと大きいことから熱伝導率が４０Ｗ／（ｍ・Ｋ）と小さかった。
【００３９】
また、試料Ｎｏ．７、８のＳｉ含有量はそれぞれ３０００、５０００質量ｐｐｍであるが、粒界相にＳｉが検出されないことから体積固有抵抗は、７×１０１３、６×１０１３Ω・ｃｍと大き過ぎることが分った。
【００４０】
従って、Ｓｉが粒界相に含まれ、Ｓｉの含有量が１００〜５０００質量ｐｐｍである試料Ｎｏ．１〜４は体積固有抵抗が１０９〜１０１１Ω・ｃｍの範囲内で一定の値となり優れた特性が得られた。
（実施例２）
実施例１の試料Ｎｏ．３と同様の製造方法で酸化セリウムの添加量を変えて窒化アルミニウム質焼結体の試料を作成し、体積固有抵抗並びに熱伝導率を同様に測定した。その結果を表２に示す。
【００４１】
【表２】
2004051445.tif 000003
【００４２】
試料Ｎｏ．２１は第３ａ族酸化物として酸化セリウムの含有量が０．７質量％と少ないことから熱伝導率が６０Ｗ／（ｍ・Ｋ）と小さかった。また、試料Ｎｏ．２７は酸化セリウムの含有量が３１質量％と大き過ぎることから熱伝導率が６０Ｗ／（ｍ・Ｋ）と小さかった。
【００４３】
また、試料Ｎｏ．２２〜２６は第３ａ族酸化物を１から３０質量％含み、熱伝導率が８２〜１５６Ｗ／（ｍ・Ｋ）と大きく好ましいことが分った。
（実施例３）
実施例１の試料Ｎｏ．３と同様の製造方法で焼結助剤に含まれる酸素含有量を除いた窒化アルミニウム質焼結体の酸素含有量を調整する方法として、原料となる窒化アルミニウム粉末をアルミナから還元窒化して作製する時の窒化温度を変えた窒化アルミニウムを作製し、この窒化アルミニウム粉末を使って窒化アルミニウム質焼結体の試料を作製した。そして、体積固有抵抗は同じ工程で作製した５個の試料を測定し、その抵抗値の最大値と最小値を求めた。その結果を表３に示す。
【００４４】
【表３】
2004051445.tif 000004
【００４５】
焼結助剤に含まれる酸素含有量を除いた窒化アルミニウム質焼結体の酸素含有量が０．５〜２質量％である試料Ｎｏ．３２〜３５は、体積固有抵抗の最大値と最小値の比率が１．０〜１．５であり体積固有抵抗値の範囲が狭くより好ましかった。
【００４６】
しかし、試料Ｎｏ．３１は体積固有抵抗の最大値と最小値の比率が２．５と大きく、試料Ｎｏ．３６は体積固有抵抗の最大値と最小値の比率が５と大きかった。
（実施例４）
実施例１の試料Ｎｏ．３と同様の製造方法で焼結前の含有炭素量を変えて窒化アルミニウム質焼結体の試料を作成し、体積固有抵抗を測定した。尚、体積固有抵抗は実施例３と同じように、同じ工程で作製した５個の試料を測定し、その抵抗値の最大値と最小値を求めた。その結果を表４に示す。
【００４７】
【表４】
2004051445.tif 000005
【００４８】
試料Ｎｏ．４２から４５は、焼結前の含有炭素量が０．０５〜２．０質量％であり、体積固有抵抗を１０８〜１０１１Ω・ｃｍの範囲内で、しかも体積固有抵抗の最大値と最小値の比率が１．０〜１．２と小さく更に好ましい事が分った。
【００４９】
しかし、試料Ｎｏ．４１は焼結前の含有炭素量が０．０３質量％と少なく、体積固有抵抗を１０８〜１０１１Ω・ｃｍの範囲内ではあるが、体積固有抵抗の最大値と最小値の比率は５と大きかった。また、試料Ｎｏ．４６は焼結前の含有炭素量が２．１質量％と多く、体積固有抵抗を１０８〜１０１１Ω・ｃｍの範囲内ではあるが、体積固有抵抗の最大値と最小値の比率は５と大きかった。
【００５０】
【発明の効果】
本発明によれば、窒化アルミニウムを主成分とし、Ｓｉの含有量が１００〜５０００質量ｐｐｍであって、前記Ｓｉが窒化アルミニウム結晶中及び結晶粒界に存在した窒化アルミニウム質焼結体とすることで、体積固有抵抗を常温において１０８〜１０１１Ω・ｃｍの範囲内で所望の範囲となるように容易に制御することができる。