(57)【要約】【課題】パワー半導体モジュールに用いられる半田等のろう接用溶加材に発生する熱応力から、ろう接用溶加材を保護する。【解決手段】パワー素子１００は、絶縁基板１０３の両面に形成されている金属回路１０２と、ハンダなどのろう接用溶加材（接合材）１０１により接合されている。このろう接用溶加材１０１の融点をパワー素子１００が動作可能な最高素子温度より低く、かつ、パワー素子１００の実使用時の最高温度よりも高く設定し、パワー素子１００の使用時に、ろう接用溶加材１０１を溶融させる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
内部にパワー素子を有するパワー半導体モジュールに使用されるろう接用溶加材の融点を前記パワー素子が動作可能な最高素子温度より低く、かつ、前記パワー素子の実使用時の最高温度よりも高く設定し、前記パワー素子を使用する時に前記ろう接用溶加材を溶融させることを特徴とするパワー半導体モジュールの制御方法。
【請求項２】
内部にパワー素子を有するパワー半導体モジュールに使用されるろう接用溶加材の融点を前記パワー素子が動作可能な最高素子温度より低く、かつ、前記パワー素子の実使用時の最高温度よりも高く設定し、
前記パワー素子を使用する時に前記ろう接用溶加材を溶融させる溶融手段を備えることを特徴とするパワー半導体モジュールの制御装置。
【請求項３】
請求項２に記載のパワー半導体モジュールの制御装置において、
前記パワー半導体モジュールは、交流モータ用電力変換装置に使用されるものであって、
前記溶融手段は、互いに直交するｄ軸とｑ軸とからなり、交流モータの回転に同期して回転するｄｑ座標系におけるｄ軸電流を増加させることにより、前記ろう接用溶加材を溶融させることを特徴とするパワー半導体モジュールの制御装置。
【請求項４】
請求項２または３に記載のパワー半導体モジュールの制御装置において、
前記パワー半導体モジュールは、交流モータ用ＰＷＭインバータに使用されるものであって、
前記溶融手段は、ＰＷＭに用いられるキャリア周波数を高くすることにより、前記ろう接用溶加材を溶融させることを特徴とするパワー半導体モジュールの制御装置。
【請求項５】
請求項２〜４のいずれかに記載のパワー半導体モジュールの制御装置において、
前記溶融手段は、前記パワー素子のスイッチング速度を低下させることにより、前記ろう接用溶加材を溶融させることを特徴とするパワー半導体モジュールの制御装置。
【請求項６】
請求項２〜５のいずれかに記載のパワー半導体モジュールの制御装置において、
前記パワー素子は、ゲートを有する電圧駆動型素子であって、
前記溶融手段は、前記パワー素子に印加するゲート電圧を低下させることにより、前記ろう接用溶加材を溶融させることを特徴とするパワー半導体モジュールの制御装置。
【請求項７】
請求項２〜６のいずれかに記載のパワー半導体モジュールの制御装置において、
前記溶融手段は、前記パワー半導体モジュールを冷却する冷却装置の冷却効果を低減させることにより、前記ろう接用溶加材を溶融させることを特徴とするパワー半導体モジュールの制御装置。
【請求項８】
請求項７に記載のパワー半導体モジュールの制御装置において、
前記冷却装置は、冷却水または冷却風を用いることにより前記パワー半導体モジュールを冷却するものであって、
前記溶融手段は、前記冷却水または前記冷却風の流速を低下させることにより、前記冷却装置の冷却効果を低減させることを特徴とするパワー半導体モジュールの制御装置。
【請求項９】
請求項２〜８のいずれかに記載のパワー半導体モジュールの制御装置において、
前記パワー半導体モジュールは車両に搭載されて使用されるものであって、
前記溶融手段は、車両を起動するためのメインスイッチがオンされると、前記ろう接用溶加材を溶融させることを特徴とするパワー半導体モジュールの制御装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、パワー半導体モジュールに用いられる半田等のろう接用溶加材に発生する熱応力から、ろう接用溶加材を保護するパワー半導体モジュールの制御装置および制御方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
パワー半導体モジュールに用いられるパワー素子は、通常、金属回路が形成された絶縁基板に、２００℃前後の融点を有する半田を介して接続される。この半田には、パワー素子と金属電極間の熱膨張差に起因する熱応力が発生するために、信頼性の確保が重要となる。特許文献１に記載のパワー半導体モジュールでは、パワー素子の最高使用温度より低い融点を有する低融点材を用いて、金属箔の形成されている絶縁性基板とパワー素子とを接合し、パワー素子の動作時に融点材を溶融することにより、部材間の熱応力フリーを実現している。
【０００３】
【特許文献１】
特開平１１−２３３６９６号公報
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、電気自動車のインバータに用いられるパワー素子のように、様々な状況で使用される場合には、低融点材が長時間溶融する場合や、逆に、低融点材が溶融するまで温度が上昇せずに、ほとんどの期間溶融しない場合がある。前者の場合には、溶融した低融点材と接触している固相金属との間で金属原子同士が溶け合う量が多くなって、パワー素子の金属膜が変質する可能性があり、後者の場合には、熱応力の発生により接合部の寿命が短くなる可能性がある。
【０００５】
本発明は、パワー半導体モジュールに用いられる半田等のろう接用溶加材に発生する熱応力から、ろう接用溶加材を保護するパワー半導体モジュールの制御装置および制御方法を提供するものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明によるパワー半導体モジュールの制御装置および制御方法は、内部にパワー素子を有するパワー半導体モジュールに使用されるろう接用溶加材の融点をパワー素子が動作可能な最高素子温度より低く、かつ、パワー素子の実使用時の最高温度よりも高く設定し、パワー素子を使用する時にろう接用溶加材を溶融させることを特徴とする。
【０００７】
【発明の効果】
本発明によるパワー半導体モジュールの制御装置および制御方法によれば、パワー半導体モジュールに使用されるろう接用溶加材をパワー素子の使用時に溶融させることにより、ろう接用溶加材に発生する熱応力によってろう接用溶加材の寿命が短くなるのを防ぐことができる。
【０００８】
【発明の実施の形態】
図１は、本発明によるパワー半導体モジュールの制御方法が適用されるパワー半導体モジュール１のパワー素子実装構造の一例を示す図である。以下では、パワー半導体モジュール１が電気自動車に搭載されるインバータ（電力変換装置）に用いられているものとして説明する。このパワー半導体モジュール１では、金属製ヒートシンク１０５の上に、金属回路１０２が両面に形成された絶縁基板１０３が半田（ハンダ）等のろう接用溶加材１０４（以下、接合材１０４と呼ぶ）により接合されている。パワー素子１００は、絶縁基板１０３の上面に形成されている金属回路１０２と、半田等の接合材１０１により接合されている。パワー素子１００は、例えば、ＭＯＳＦＥＴである。
【０００９】
図２は、パワー素子１００の最高使用温度（耐熱温度）Ｔｊ＿ｍａｘ、接合材１０１，１０４の溶融指令時の接合材最高温度Ｔｍ＿ｍａｘ、接合材１０１，１０４の融点Ｔｍｐ、パワー素子１００の実使用推定最高温度Ｔｄ＿ｍａｘについてまとめた表である。接合材１０１，１０４の融点Ｔｍｐは、パワー素子１００の最高使用温度Ｔｊ＿ｍａｘより低く、かつ、パワー素子１００の実使用推定最高温度Ｔｄ＿ｍａｘより高い温度に設定する。例えば、Ｔｊ＿ｍａｘが３００℃、Ｔｄ＿ｍａｘが２００℃の場合には、融点Ｔｍｐを２２０℃に設定する。また、溶融指令時の接合材最高温度Ｔｍ＿ｍａｘを２７０℃に設定する。なお、パワー素子１００として、ＳｉＣ（炭化珪素）のようにバンドギャップの大きい材料を用いれば、最高使用温度Ｔｊ＿ｍａｘ＝３００℃を実現することはできる。また、接合材１０１，１０４として、Ｓｎ（錫）を主体にした金属や合金を用いれば、接合材の融点Ｔｍｐ＝２２０℃を実現することは可能である。
【００１０】
図３は、一実施の形態におけるパワー半導体モジュールの制御方法の制御手順を示すフローチャートである。また、図４は、一実施の形態におけるパワー半導体モジュールの制御方法が適用されるシステムのブロック構成を示す図である。図３のフローチャートのステップＳ１０から始まる処理は、電気自動車の走行制御を含む各種制御処理を行うコントロールユニット２０により行われる。このコントロールユニット２０には、電気自動車を起動するためのメインスイッチ１０、接合材１０１，１０４を溶融するための溶融装置３０、および、パワー半導体モジュール１が接続されている。
【００１１】
ステップＳ１０では、メインスイッチ１０がオンになったか否かを判定する。メインスイッチ１０がオンになったと判定すると、ステップＳ２０に進む。ステップＳ２０では、主電源と接続されているリレー（不図示）をオンにして、パワー半導体モジュール１の直流入力端子に主電源を接続する。ここでの主電源とは、電気自動車に搭載されるメインバッテリのことである。
【００１２】
ステップＳ２０に続くステップＳ３０では、溶融装置３０に対して、接合材１０１，１０４の溶融指令を出す。接合材１０１，１０４の溶融方法および溶融装置３０の具体的な構成については、後述する。ステップＳ３０に続くステップＳ４０では、通常の車両走行制御を行う。通常の車両走行制御とは、例えば、運転者のアクセルペダルの踏み込み量に応じたトルクをモータで発生させて、車両を駆動する制御であり、一般の車両において通常行われる制御のことである。
【００１３】
メインスイッチ１０をオンにした直後のパワー素子１００の温度は、接合材１０１，１０４の融点を超えることは無いので、接合材１０１，１０４を溶融させるためには、パワー素子１００の発熱を促すか、または、パワー半導体モジュール１の冷却効果を落として、パワー素子１００の温度を上昇させる必要がある。初めに、パワー素子１００の発熱を促す方法について説明する。
【００１４】
電気自動車に搭載される車両駆動用のモータは、小型・高出力・高効率の観点から、磁石式の三相同期モータが使用されることが多い。このような同期モータでは、モータに流れる３相電流の励磁電流成分に対応するｄ軸とトルク電流成分に対応するｑ軸とからなる直交座標系、すなわち、モータ回転に同期して回転するｄｑ座標系（回転座標系）でモータ電流を制御することが行われる。
【００１５】
一実施の形態におけるパワー半導体モジュールの制御方法では、コントロールユニット２０から接合材１０１，１０４の溶融指令が出された時に、通常制御時に設定される電流値よりも大きな相電流が流れるような制御を行う。すなわち、通常制御時と同様の手法によりｑ軸電流を制御して、同期モータの回転数およびトルクが所望の値になるようにするとともに、通常制御時の時と比べてｄ軸電流を増加させるようにする。これにより、パワー素子１００の発熱を促すことができる。また、ｑ軸電流を制御して所望の回転数およびトルクを実現するので、運転者は、接合材１０１，１０４の溶融制御の影響を受けずに、違和感を感じることなく運転を行うことができる。
【００１６】
上述した制御に際して、ｄ軸電流を増加させる時間は、パワー素子１００が発熱することにより、接合材１０１，１０４の温度が融点Ｔｍｐ以上となって溶融するまでの時間とし、例えば、数秒から数十秒である。この時間は、ｄ軸電流の増加量や、パワー半導体モジュール１の構造などに応じて、予め定めておく。ｄ軸電流を増加させる時間を経過すると、例えば、ｄ軸電流を０にしてｑ軸電流のみで制御を行うｉｄ＝０制御や、相電流を最小にする最大トルク制御、モータの効率を最大にする最大効率制御などの通常時に行われる制御が行われる（図３のステップＳ４０）。
【００１７】
パワー素子１００の発熱を促す別の方法について説明する。図５は、パワー素子１００の発熱を促すための回路図の一例を示す図である。ＭＯＳＦＥＴ４０１，４０２は、パワー素子１００を駆動するためのプリドライバである。また、ＭＯＳＦＥＴ４０３，４０４も、パワー素子１００を駆動するためのプリドライバであるが、ＭＯＳＦＥＴ４０３，４０４には、パワー素子１００のゲートと接続されている側に抵抗４０５，４０６がそれぞれ直列に接続されている。通常は、パワー素子１００のスイッチ損失を低減するために、できるだけ低インピーダンスにてパワー素子１００を駆動する。従って、通常制御時において、パワー素子１００は、２つのプリドライバ４０１，４０２によって、パワー素子１００のゲート電圧を制御することにより、パワー素子１００の駆動制御を行っている。
【００１８】
一実施の形態におけるパワー半導体モジュールの制御方法では、コントロールユニット２０から接合材１０１，１０４の溶融指令が出された時に、プリドライバ４０１，４０２による駆動から、プリドライバ４０３，４０４による駆動に変更する。上述したように、プリドライバ４０３，４０４には、パワー素子１００のゲート側に抵抗４０５，４０６がそれぞれ接続されているので、パワー素子１００の駆動速度（スイッチング速度）が遅くなる。これにより、スイッチング損失が大きくなり、パワー素子１００の温度が上昇する。この場合でも、パワー素子１００のスイッチング速度が車両の挙動に影響を及ぼす程度までは遅延させない。従って、電気自動車の運転者は、接合材１０１，１０４の溶融制御による影響を受けずに、違和感を感じることなく運転することができる。なお、プリドライバ４０３，４０４によりパワー素子１００を駆動する時間は、接合材１０１，１０４を溶融することができる予め設定した時間とする。
【００１９】
パワー素子１００の発熱を促すさらに別の方法について説明する。図６は、パワー素子１００の発熱を促すためのシステム構成を示すブロック図である。ＰＷＭ（ｐｕｌｓｅ  ｗｉｄｔｈ  ｍｏｄｕｌａｔｉｏｎ）信号発生部５０１は、三角波などのキャリア周波数をベースにして、入力される電圧指令値に基づいてＰＷＭ信号を発生させて、プリドライバ５０２に出力する。プリドライバ５０２は、ＰＷＭ信号発生部５０１から入力されるＰＷＭ信号に基づいてオン／オフすることにより、パワー素子１００を駆動する。
【００２０】
一実施の形態におけるパワー半導体モジュールの制御方法では、パワー半導体モジュール１の接合材１０１，１０４を溶融するために、キャリア周波数変更部５００を備え、接合材１０１，１０４の溶融時にキャリア周波数を変更する。キャリア周波数変更部５００は、コントロールユニット２０から入力される周波数変更指令に基づいて、通常時のキャリア周波数よりも高い周波数に変更し、変更したキャリア周波数をＰＷＭ信号発生部５０１に出力する。キャリア周波数が高くなると、パワー素子１００のスイッチング損失が増加するので、パワー素子１００の温度が上昇する。
【００２１】
このように、接合材１０１，１０４の溶融時に、ＰＷＭ信号を発生する際に用いられるキャリア周波数を高くすることにより、車両の走行には影響を与えることなく、パワー素子１００の発熱を促して、接合材１０１，１０４を溶融することができる。なお、接合材１０１，１０４を溶融させるためにキャリア周波数を高くする時間は、接合材１０１，１０４を溶融することができる予め設定した時間とする。
【００２２】
パワー素子１００の発熱を促すさらに別の方法について説明する。図７は、パワー素子１００を駆動するプリドライバ５０２に印加する電圧を変更する電圧変更部６００を備えたシステムのブロック構成図である。通常は、パワー素子１００のオン抵抗を小さくして損失を低減するために、パワー素子１００の最高許容ゲート電圧範囲内で、できるだけ高い電圧をプリドライバ５０２に印加する制御が行われている。
【００２３】
一実施の形態におけるパワー半導体モジュールの制御方法では、パワー半導体モジュール１の接合材１０１，１０４の溶融時に、コントロールユニット２０から電圧変更指令が電圧変更部６００に入力される。電圧変更部６００は、入力された電圧変更指令に基づいて、プリドライバ５０２に印加する電圧を低下させる。これにより、パワー素子１００には、通常時よりも低いゲート電圧しか印加されないので、パワー素子１００の定常損失が増大する。
【００２４】
このように、接合材１０１，１０４の溶融時に、パワー素子１００に印加するゲート電圧を低下させることにより、車両の走行には影響を与えることなく、パワー素子１００の発熱を促して、接合材１０１，１０４を溶融することができる。なお、接合材１０１，１０４を溶融させるために低いゲート電圧を印加する時間は、接合材１０１，１０４を溶融することができる予め設定した時間とする。
【００２５】
続いて、パワー素子１００からの放熱を抑制する方法について、図８を用いて説明する。図８は、パワー半導体モジュール１の冷却システムを示すブロック図である。パワー半導体モジュール１のパワー素子１００から放出される熱は、冷却装置７０３により冷却水に移される。この冷却装置７０３は、図１に示すヒートシンク１０５に対応するものである。冷却水は、電動ポンプなどの冷却水循環装置７０２により循環されて、放熱装置７０１により、車外に放出される。
【００２６】
ここで、冷却装置７０３の熱伝達率は、冷却水の流速と正の相関があり、流速が低下すると熱伝達率が低下し、パワー素子１００の温度は上昇する。従って、冷却水量変更部７００は、パワー半導体モジュール１の接合材１０１，１０４の溶融時に、コントロールユニット２０から入力される冷却水量変更指令に基づいて、冷却水の流速を低下させることにより、パワー素子１００から放出される熱量を低減させる。この場合、冷却水の循環を一時的に停止させるようにしてもよい。
【００２７】
このように、接合材１０１，１０４の溶融時に、パワー素子１００からの放熱を抑制することにより、車両の走行には影響を与えることなく、パワー素子１００の温度を上昇させて、接合材１０１，１０４を溶融することができる。なお、接合材１０１，１０４を溶融させるために冷却水の流速を低下させる時間は、接合材１０１，１０４を溶融することができる予め設定した時間とする。
【００２８】
（１）一実施の形態におけるパワー半導体モジュールの制御方法によれば、内部にパワー素子１００を有するパワー半導体モジュール１に使用されるろう接用溶加材（接合材）１０１，１０４の融点Ｔｍｐをパワー素子１００が動作可能な最高素子温度Ｔｊ＿ｍａｘより低く、かつ、パワー素子１００の実使用時の推定最高温度Ｔｄ＿ｍａｘよりも高く設定し、パワー素子１００を使用する時に、ろう接用溶加材１０１，１０４を溶融させる。これにより、ろう接用溶加材１０１，１０４に発生する熱応力によって、ろう接用溶加材１０１，１０４の寿命が短くなるのを防ぐことができる。
【００２９】
（２）一実施の形態におけるパワー半導体モジュールの制御方法によれば、パワー半導体モジュール１は、交流モータ用電力変換装置に使用されるものであって、ろう接用溶加材を溶融させるために、互いに直交するｄ軸とｑ軸とからなり、交流モータの回転に同期して回転するｄｑ座標系におけるｄ軸電流を増加させる。これにより、パワー素子１００の発熱を促して、ろう接用溶加材１０１，１０４を溶融させることができる。また、ｑ軸電流を制御して所望の回転数およびトルクを実現するので、交流モータを搭載した車両の運転者は、違和感を感じることなく運転を行うことができる。
【００３０】
（３）一実施の形態におけるパワー半導体モジュールの制御方法によれば、パワー半導体モジュール１は、交流モータ用ＰＷＭインバータに使用されるものであって、ろう接用溶加材を溶融させるために、ＰＷＭに用いられるキャリア周波数を通常制御時のキャリア周波数よりも高くする。これにより、パワー素子１００の温度を上昇させてろう接用溶加材１０１，１０４を溶融させることができる。また、交流モータを搭載した車両の運転者は、違和感を感じることなく運転を行うことができる。
【００３１】
（４）一実施の形態におけるパワー半導体モジュールの制御方法によれば、ろう接用溶加材を溶融させるために、パワー素子１００のスイッチング速度を低下させる。特に、パワー素子１００のゲート抵抗を増大させることにより、パワー素子１００のスイッチング速度を低下させる。これにより、パワー素子１００の温度を上昇させてろう接用溶加材１０１，１０４を溶融させることができる。
【００３２】
（５）一実施の形態におけるパワー半導体モジュールの制御方法によれば、ろう接用溶加材を溶融させるために、パワー素子１００に印加するゲート電圧を低下させる。これにより、パワー素子１００の温度を上昇させて、ろう接用溶加材１０１，１０４を溶融させることができる。
【００３３】
（６）一実施の形態におけるパワー半導体モジュールの制御方法によれば、ろう接用溶加材を溶融させるために、パワー半導体モジュール１の冷却効果を低減させる。特に、パワー半導体モジュール１を冷却するための冷却水の流速を低下させることにより、冷却効果を低減させる。これにより、パワー素子１００の温度を上昇させて、ろう接用溶加材１０１，１０４を溶融させることができる。
【００３４】
本発明は、上述した一実施の形態に限定されることはない。例えば、パワー素子１００は、ＭＯＳＦＥＴに限定されることはなく、ＩＧＢＴ、ＧＴＯ、サイリスタ、バイポーラトランジスタなどを用いることができる。また、接合材１０１，１０４として、半田を挙げて説明したが、他の材料を用いてもよい。
【００３５】
図３のフローチャートでは、車両のメインスイッチ１０がオンになった後（ステップＳ１０）に、常に接合材１０１，１０４の溶融指令を出すようにしたが、コントロールユニット２０により、溶融するか否かの判定処理を行い、溶融すると判定した時にのみ、接合材１０１，１０４を溶融するようにしてもよい。溶融するか否かは、例えば、車両のメインスイッチ１０のオン／オフが所定回数行われたか否かに基づいて判定したり、車両が所定時間走行したか否かに基づいて判定することができる。接合材１０１，１０４を溶融させる際の車両の状況は、車両の停止中でもよいし、走行中であってもよい。
【００３６】
接合材１０１，１０４を溶融させる方法を図４〜図７を用いて説明したが、必ずしも１つだけの方法を用いる必要はなく、２つ以上の複数の方法を組み合わせることにより溶融させてもよい。この場合には、上述したいずれか１つの方法により溶融させる場合と比べて、溶融時間を短縮することができる。
【００３７】
上述した説明では、接合材１０１，１０４を溶融させるための制御を予め設定した時間だけ行うようにしたが、例えば、パワー半導体モジュール１に温度センサを設けて、パワー素子１００の温度が接合材１０１，１０４の融点Ｔｍｐを超えるまで、接合材１０１，１０４を溶融させるための制御を行うようにしてもよい。すなわち、接合材１０１，１０４を溶融することができればよいので、必ずしも時間に基づいて接合材１０１，１０４を溶融させる制御を行う必要はない。
【００３８】
パワー半導体モジュール１の冷却効果を落とすことにより、パワー素子１００の温度を上昇させる制御の説明では、冷却水を用いてパワー素子１００を冷却する例について説明したが、冷却風を用いて冷却するシステムにも適用することができる。この場合、接合材１０１，１０４の溶融指令が出された時に、冷却風の流速を低下、または、停止させるようにすればよい。
【００３９】
上述した実施の形態では、パワー半導体モジュール１を電気自動車のインバータに使用する例について説明したが、ハイブリッド自動車や燃料電池自動車などの他の車両に搭載されていてもよい。また、パワー半導体モジュール１をインバータ以外の装置に使用している場合にも、本発明を適用することができる。
【００４０】
特許請求の範囲の構成要素と一実施の形態の構成要素との対応関係は次の通りである。すなわち、溶融装置３０、特に、抵抗４０５，４０６、キャリア周波数変更部５００、電圧変更部６００および冷却水量変更部７００が溶融手段を構成する。なお、本発明の特徴的な機能を損なわない限り、各構成要素は上記構成に限定されるものではない。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明によるパワー半導体モジュールの制御方法が適用されるパワー半導体モジュールのパワー素子実装構造の一例を示す図
【図２】パワー素子の最高使用温度（耐熱温度）Ｔｊ＿ｍａｘ、接合材の溶融指令時の接合材最高温度Ｔｍ＿ｍａｘ、接合材の融点Ｔｍｐ、パワー素子の実使用推定最高温度Ｔｄ＿ｍａｘについてまとめた表
【図３】本発明によるパワー半導体モジュールの制御方法の制御手順を示すフローチャート
【図４】本発明によるパワー半導体モジュールの制御方法が適用されるシステムのブロック構成を示す図
【図５】パワー素子の発熱を促すための回路図の一例を示す図
【図６】パワー素子の発熱を促すための他の例について説明するためのブロック構成図
【図７】パワー素子を駆動するプリドライバに印加する電圧を変更する電圧変更部を備えたシステムを表すブロック構成図
【図８】パワー半導体モジュールの冷却システムを示すブロック図
【符号の説明】
１…パワー半導体モジュール、１０…メインスイッチ、２０…コントロールユニット、３０…溶融装置、１００…パワー素子、１０１，１０４…接合材、１０２…金属回路、１０３…絶縁基板、１０５…ヒートシンク、４０１，４０２，４０３，４０４…プリドライバ、４０５，４０６…抵抗、５００…キャリア周波数変更部、５０１…ＰＷＭ信号発生部、５０２…プリドライバ、６００…電圧変更部、７００…冷却水量変更部、７０１…放熱装置、７０２…冷却水循環装置、７０３…冷却装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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