(57)【要約】【課題】両面実装の半導体装置を短タクトで製造することができる半導体装置の製造方法及びそれに用いる半導体実装設備を提供する。【解決手段】回路基板の両面に半導体素子が実装された半導体装置の製造に際して、回路基板４をステージ１１に取付けた状態で、ステージ１１の上下両側にそれぞれ配設した搭載ヘッド１２ａ、１２ｂにて同一処理単位で回路基板４の上下両面に半導体素子１ａ、１ｂを実装するようにした。【選択図】　　　図１
2004063618.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
回路基板の両面に半導体素子が実装された半導体装置の製造方法であって、回路基板をステージに取付けた状態で、ステージの上下両側にそれぞれ配設した搭載ヘッドにて回路基板の上下両面に半導体素子を実装することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
回路基板の両面に半導体素子が実装された半導体装置の製造方法において、
（ａ）回路基板をステージに取付ける工程
（ｂ）下面側の搭載ヘッドに半導体素子を吸着保持して認識を行う工程
（ｃ）回路基板の下面の認識を行い、ステージと下面側の搭載ヘッドの一方又は両方の移動にて半導体素子とのアライメントを行う工程
（ｄ）下面側の搭載ヘッドを上昇させて回路基板の下面に半導体素子を実装する工程
（ｅ）上面側の搭載ヘッドに半導体素子を吸着保持して認識を行う工程
（ｆ）回路基板の上面の認識を行い、ステージと上面側の搭載ヘッドの一方又は両方の移動にて半導体素子とのアライメントを行う工程
（ｇ）上面側の搭載ヘッドを下降させて回路基板の上面に半導体素子を実装する工程
とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
工程（ｄ）において、下面側の搭載ヘッドで回路基板を保持する工程と、工程（ｇ）において上面側の搭載ヘッドで回路基板を保持する工程の少なくとも一方を含むことを特徴とする請求項２記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
工程（ｄ）と工程（ｇ）を同時に行うことを特徴とする請求項２記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
半導体素子の電極パッドに突起電極を形成する工程と、半導体素子又は回路基板の半導体素子実装部に絶縁性樹脂を塗布する工程と、工程（ｄ）と工程（ｇ）において搭載ヘッドを加熱して絶縁性樹脂を硬化する工程とを含むことを特徴とする請求項２〜４の何れかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
突起電極がＡｕ、Ｎｉなどの金属、あるいは半田、Ｉｎなどの低温溶融金属で構成されていることを特徴とする請求項５記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
半導体素子の電極パッドに形成された突起電極に導電性ペーストを付着する工程と、半導体素子または回路基板の半導体素子実装部に絶縁性樹脂を塗布する工程と、工程（ｄ）と工程（ｇ）において搭載ヘッドを加熱して絶縁性樹脂を硬化する工程とを含むことを特徴とする請求項２〜６の何れかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
絶縁性接着剤を半導体素子または回路基板の半導体素子実装部の一部に塗布する工程と、工程（ｄ）と工程（ｇ）において搭載ヘッドを加熱して絶縁性接着剤を硬化する工程と、回路基板と半導体素子の隙間に絶縁性樹脂を毛細管現象を利用して充填する工程と、絶縁性樹脂を加熱硬化する工程とを含むことを特徴とする請求項２〜６の何れかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
絶縁性樹脂が異方導電性ペーストであることを特徴とする請求項２〜８の何れかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
半導体素子の電極端子に突起電極を形成する工程と、半導体素子または回路基板の半導体素子実装部に絶縁性フィルムを貼り付ける工程と、工程（ｄ）と工程（ｇ）において搭載ヘッドを加熱して絶縁性フィルムを硬化する工程とを含むことを特徴とする請求項２〜４の何れかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
絶縁性フィルムは異方導電性フィルムであることを特徴とする請求項１０記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
半導体素子の電極パッドに突起電極を形成する工程と、半導体素子または回路基板の半導体素子実装部に絶縁性フィルムを貼り付ける工程と、絶縁性フィルムの回路基板と半導体素子の接続位置に穴あけ加工する工程と、穴あけ部に導電性ペーストを充填する工程と、工程（ｄ）と工程（ｇ）において搭載ヘッドを加熱して絶縁性フィルムを硬化する工程とを含むことを特徴とする請求項２〜４の何れかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
回路基板の上面側と下面側の半導体素子が同一サイズでかつ回路基板の上面と下面の同一座標位置に実装されていることを特徴とする請求項２〜１２の何れかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
回路基板の両面に半導体素子を実装する半導体実装設備であって、回路基板を保持するステージと、ステージの上下両側にそれぞれ配設された搭載ヘッドとを備え、回路基板の上下両面に半導体素子を同一処理単位で実装するように構成したことを特徴とする半導体実装設備。
【請求項１５】
ステージは回路基板を固定してＸ軸及びＹ軸方向に移動可能に構成し、下面側の搭載ヘッドはＺ軸方向に移動可能に構成し、下面側に実装する半導体素子のアライメントマークと回路基板下面のアライメントマークを認識した後ステージをＸＹ軸方向に移動して回路基板と半導体素子のアライメントを行った後搭載ヘッドをＺ軸方向に移動して半導体素子を回路基板に実装する手段を有することを特徴とする請求項１４記載の半導体実装設備。
【請求項１６】
上面側の搭載ヘッドはＸ軸又はＹ軸又はＸＹ方向に移動可能に構成し、上面側に実装する半導体素子のアライメントマークと回路基板上面のアライメントマークを認識した後、搭載ヘッドをＸＹ軸方向に移動し、あるいはステージと搭載ヘッドのそれぞれＸＹ軸の何れか一方に移動して回路基板と半導体素子のアライメントを行った後搭載ヘッドをＺ軸方向に移動して半導体素子を回路基板に実装する手段を有することを特徴とする請求項１４又は１５記載の半導体実装設備。
【請求項１７】
半導体素子を実装する工程で、下面側又は上面側の搭載ヘッドが、半導体素子が実装される回路基板の反対側面に配置され、半導体素子を実装する際の荷重を受けるように構成したことを特徴とする請求項１４〜１６の何れかに記載の半導体実装設備。
【請求項１８】
回路基板の上面と下面のアライメントマークと上面側と下面側に実装される半導体素子のアライメントマーク認識後、回路基板の両面に半導体素子を同時に実装するようにしたことを特徴とする請求項１４〜１６の何れかに記載の半導体実装設備。
【請求項１９】
上面側と下面側の搭載ヘッドの少なくとも一方に、加圧加熱する手段を設けたことを特徴とする請求項１４〜１８の何れかに記載の半導体実装設備。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、回路基板の両面に半導体素子を実装した半導体装置の製造方法と半導体実装設備に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、携帯用電子機器等の小型化、高性能化に伴い、半導体素子の集積度が高くなり、半導体装置の小型化及び接続端子の狭ピッチ化が進んでいる。さらには、回路基板両面に半導体素子の実装を行う必要が高まっている。このため、フリップチップ実装技術を用いて回路基板両面に半導体素子を実装した両面実装構造体の開発が行われ始めている。
【０００３】
以下、従来の半導体実装設備を用いた両面実装の半導体装置とその製造方法の一例について図７〜図９を参照して説明する。
【０００４】
図７、図８において、半導体装置は回路基板１０４の両面に半導体素子１０１ａ、１０１ｂが配設されている。半導体素子１０１ａ、１０１ｂには素子形成面上にアルミ電極パッド（図示せず）が形成され、このアルミ電極パッド上に導電性金属材料からなる突起電極１０２が形成されている。回路基板１０４の両面には配線パターン（図示せず）及び電極端子１０３が形成され、半導体素子１０１ａ、１０１ｂの突起電極１０２が接触され、さらに導電性接着剤１０５を介して接続され、突起電極１０２と導電性接着剤１０５とが電気的接合層を形成している。また、半導体素子１０１ａ、１０１ｂと回路基板１０４との隙間部に絶縁性樹脂１０６が充填されている。
【０００５】
次に、このような半導体装置を従来の半導体実装設備を用いて製造する方法について、図９を参照して説明する。まず、（ａ）に示すように、半導体素子１０１ａ上にワイヤボンディングなどの手段により突起電極１０２を形成し、突起電極１０２の先端部に導電性接着剤１０５を付着し、この半導体素子１０１ａをフェースダウンし、各突起電極１０２が電極端子１０３に対向するように回路基板１０４上に対向配置する。次に、（ｂ）に示すように、半導体素子１０１ａを回路基板１０４上にフリップチップ実装し、突起電極１０２と電極端子１０３を導電性接着剤１０５を介して電気的に接続させ、１２０℃で加熱処理を行い、導電性接着剤１０５を硬化させる。その後、（ｃ）に示すように、半導体素子１０１ａと回路基板１０４の隙間に絶縁性樹脂１０６を毛細管現象を利用して充填注入した後、１５０℃で加熱処理を行い、絶縁性樹脂１０６を硬化させる。
【０００６】
以上のようにして回路基板１０４の一面（Ａ面）側の実装を行った後、（ｄ）に示すように、回路基板１０４を反転させる。その後、上記工程（ａ）〜（ｃ）と同様の工程（ｄ）〜（ｆ）により、回路基板１０４の他面（Ｂ面）に半導体素子１０１ｂの実装を行う。このようにして、フリップチップ実装技術を用いて両面実装した半導体装置を製造している。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記従来例の製造方法では、片面づつの実装や加熱処理を行うために工程数が多く、タクトタイムが長く、生産性が低いという問題がある。
【０００８】
本発明は、上記従来の問題点に鑑み、両面実装の半導体装置を短タクトで製造することができる半導体装置の製造方法及びそれに用いる半導体実装設備を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明の半導体装置の製造方法は、回路基板の両面に半導体素子が実装された半導体装置の製造方法であって、回路基板をステージに取付けた状態で、ステージの上下両側にそれぞれ配設した搭載ヘッドにて回路基板の上下両面に半導体素子を実装するものであり、回路基板をステージに取付けた状態の同一処理単位で回路基板の上下両面に半導体素子を実装することで従来に比較して工程数を大幅に減少でき、両面実装の半導体装置を短タクトで製造することができる。
【００１０】
また、回路基板の両面に半導体素子が実装された半導体装置の製造方法において、（ａ）回路基板をステージに取付ける工程と、（ｂ）下面側の搭載ヘッドに半導体素子を吸着保持して認識を行う工程と、（ｃ）回路基板の下面の認識を行い、ステージと下面側の搭載ヘッドの一方又は両方の移動にて半導体素子とのアライメントを行う工程と、（ｄ）下面側の搭載ヘッドを上昇させて回路基板の下面に半導体素子を実装する工程と、（ｅ）上面側の搭載ヘッドに半導体素子を吸着保持して認識を行う工程と、（ｆ）回路基板の上面の認識を行い、ステージと上面側の搭載ヘッドの一方又は両方の移動にて半導体素子とのアライメントを行う工程と、（ｇ）上面側の搭載ヘッドを下降させて回路基板の上面に半導体素子を実装する工程とを含むものであり、両面実装の半導体装置を短タクトで製造することができる。
【００１１】
上記工程（ｄ）において下面側の搭載ヘッドで回路基板を保持する工程と、工程（ｇ）において上面側の搭載ヘッドで回路基板を保持する工程の少なくとも一方を含むと、回路基板をバックアップした状態で実装できて好適であり、また工程（ｄ）と工程（ｇ）を同時に行うこともできる。
【００１２】
また、半導体素子の電極パッドに突起電極を形成する工程と、半導体素子又は回路基板の半導体素子実装部に絶縁性樹脂を塗布する工程と、工程（ｄ）と工程（ｇ）において搭載ヘッドを加熱して絶縁性樹脂を硬化する工程とを含むと、突起電極による接合と絶縁性樹脂の硬化工程まで完了できて好適である。また、その突起電極はＡｕ、Ｎｉなどの金属、あるいは半田、Ｉｎなどの低温溶融金属で構成するのが好適である。
【００１３】
また、半導体素子の電極パッドに形成された突起電極に導電性ペーストを付着する工程と、半導体素子または回路基板の半導体素子実装部に絶縁性樹脂を塗布する工程と、工程（ｄ）と工程（ｇ）において搭載ヘッドを加熱して絶縁性樹脂を硬化する工程とを含むと、突起電極と導電性ペーストによる接合と絶縁性樹脂の硬化工程まで完了できて好適である。
【００１４】
また、絶縁性接着剤を半導体素子または回路基板の半導体素子実装部の一部に塗布する工程と、工程（ｄ）と工程（ｇ）において搭載ヘッドを加熱して絶縁性接着剤を硬化する工程と、回路基板と半導体素子の隙間に絶縁性樹脂を毛細管現象を利用して充填する工程と、絶縁性樹脂を加熱硬化する工程とを含むと、絶縁性接着剤の硬化までを搭載ヘッドにて行い、絶縁性樹脂の充填と硬化を後続工程とすることで、実装工程のタクトをさらに短縮することもできる。
【００１５】
また、上記絶縁性樹脂を異方導電性ペーストとすると、搭載ヘッドによる実装にて半導体素子の突起電極などの電極と回路基板の電極端子との接合を確実に実現することができる。
【００１６】
また、半導体素子の電極端子に突起電極を形成する工程と、半導体素子または回路基板の半導体素子実装部に絶縁性フィルムを貼り付ける工程と、工程（ｄ）と工程（ｇ）において搭載ヘッドを加熱して絶縁性フィルムを硬化する工程とを含むと、絶縁性樹脂に代えてＢステージの絶縁性フィルムを用いることで作業性良く同様の作用効果を奏することができる。また、その絶縁性フィルムは異方導電性フィルムであると、搭載ヘッドによる実装にて半導体素子の突起電極などの電極と回路基板の電極端子との接合を確実に実現することができる。
【００１７】
また、半導体素子の電極パッドに突起電極を形成する工程と、半導体素子または回路基板の半導体素子実装部に絶縁性フィルムを貼り付ける工程と、絶縁性フィルムの回路基板と半導体素子の接続位置に穴あけ加工する工程と、穴あけ部に導電性ペーストを充填する工程と、工程（ｄ）と工程（ｇ）において搭載ヘッドを加熱して絶縁性フィルムを硬化する工程とを含む製造方法によっても、同様の作用効果を奏することができる。
【００１８】
また、上記回路基板の上面側と下面側の半導体素子が同一サイズでかつ回路基板の上面と下面の同一座標位置に実装するのが好適である。
【００１９】
また、本発明の半導体実装設備は、回路基板の両面に半導体素子を実装する半導体実装設備であって、回路基板を保持するステージと、ステージの上下両側にそれぞれ配設された搭載ヘッドとを備え、回路基板の上下両面に半導体素子を同一処理単位で実装するように構成したものであり、上記製造方法を実施してその効果を奏することができる。
【００２０】
また、ステージは回路基板を固定してＸ軸及びＹ軸方向に移動可能に構成し、下面側の搭載ヘッドはＺ軸方向に移動可能に構成し、下面側に実装する半導体素子のアライメントマークと回路基板下面のアライメントマークを認識した後ステージをＸＹ軸方向に移動して回路基板と半導体素子のアライメントを行った後搭載ヘッドをＺ軸方向に移動して半導体素子を回路基板に実装する手段を有する構成が好適である。
【００２１】
また、上面側の搭載ヘッドはＸ軸又はＹ軸又はＸＹ方向に移動可能に構成し、上面側に実装する半導体素子のアライメントマークと回路基板上面のアライメントマークを認識した後、搭載ヘッドをＸＹ軸方向に移動し、あるいはステージと搭載ヘッドのそれぞれＸＹ軸の何れか一方に移動して回路基板と半導体素子のアライメントを行った後搭載ヘッドをＺ軸方向に移動して半導体素子を回路基板に実装する手段を有する構成が好適である。
【００２２】
また、半導体素子を実装する工程で、下面側又は上面側の搭載ヘッドが、半導体素子が実装される回路基板の反対側面に配置され、半導体素子を実装する際の荷重を受けるように構成するのが好適である。
【００２３】
また、回路基板の上面と下面のアライメントマークと上面側と下面側に実装される半導体素子のアライメントマーク認識後、回路基板の両面に半導体素子を同時に実装するように構成するのが好適である。
【００２４】
また、上面側と下面側の搭載ヘッドの少なくとも一方に、加圧加熱する手段を設けるのが好適である。
【００２５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の両面実装構造体の半導体装置の製造方法とそれに用いる半導体実装設備の各実施形態について、図１〜図６を参照して説明する。
【００２６】
（第１の実施形態）
まず、第１の実施形態における半導体実装設備について、図１を参照して説明する。図１において、１ａ、１ｂは半導体素子、２は半導体素子１ａ、１ｂの素子形成面上のアルミ電極パッド（図示せず）上に形成された導電性金属材料からなる突起電極である。４は、その両面に配線パターン（図示せず）及び電極端子３が形成された回路基板である。
【００２７】
１１は回路基板４を取付けるステージ、１２ａ、１２ｂは半導体素子１ａ、１ｂを回路基板４の上下両面にそれぞれ実装する搭載ヘッド、１３ａ、１３ｂは半導体素子１ａ、１ｂ及び回路基板４の実装部を認識する認識カメラである。ステージ１１はＸ軸及びＹ軸方向に移動可能に構成され、上部の搭載ヘッド１２ａはＸ軸及びＹ軸方向に移動可能でかつＺ軸（上下）方向に移動可能に構成され、下部の搭載ヘッド１２ｂはＺ軸（上下）方向に移動可能に構成され、認識カメラ１３ａ、１３ｂはＸ軸方向に移動可能に構成されている。
【００２８】
次に、半導体装置の製造工程について、図２、図３を参照して説明する。半導体素子１ａ、１ｂのアルミ電極パッド（図示せず）にワイヤーボンディング法で金の２段突起状の突起電極２を予め形成しておく。そして、（ａ）に示すように、回路基板４をステージ１１に取付け固定し、また半導体素子１ｂを搭載ヘッド１２ｂで吸着保持した後、半導体素子１ｂの突起電極２の先端部分に導電性接着剤５を転写付着し、搭載ヘッド１２ｂを１３０℃、５秒加熱して導電性接着剤５を乾燥させる。次に、絶縁性樹脂６を半導体素子１ｂの表面に塗布する。次に、認識カメラ１３ｂで半導体素子１ｂと回路基板４の下面のアライメントマークを認識し、ステージ１１のＸＹ移動にてアライメントを行う。
【００２９】
次に、（ｂ）に示すように、回路基板４の半導体素子実装側の下面と反対側の上面に当接するように搭載ヘッド１２ａを移動させて回路基板４をバックアップ支持した後、搭載ヘッド１２ｂのＺ軸移動を行い、半導体素子１ｂを回路基板４の下面に実装する。その後、搭載ヘッド１２ｂを１６０℃５秒加熱して絶縁性樹脂６を硬化させる。
【００３０】
次に、（ｃ）に示すように、搭載ヘッド１２ａで半導体素子１ａを吸着保持した後、半導体素子１ａの突起電極２の先端部分に導電性接着剤５を転写付着し、搭載ヘッド１２ａを１３０℃、５秒加熱して導電性接着剤５を乾燥させる。次に、絶縁性樹脂６を回路基板４の上面に塗布する。次に、認識カメラ１３ａで半導体素子１ａと回路基板４の上面のアライメントマークを認識し、ステージ１１若しくは搭載ヘッド１２ａのＸＹ移動にてアライメントを行う。また、回路基板４上面の半導体素子実装位置の下面側に搭載ヘッド１２ｂを移動させ、回路基板４の下面に実装された半導体素子１ｂに当接させ、回路基板４をバックアップ支持する。
【００３１】
次に、（ｄ）に示すように、搭載ヘッド１２ａのＺ軸移動を行い、半導体素子１ａを回路基板４の上面に実装する。その後、搭載ヘッド１２ａを１６０℃５秒加熱して絶縁性樹脂６を硬化させる。以上のようにして、（ｅ）に示すように、両面実装体である半導体装置が完成する。
【００３２】
なお、上記説明では半導体素子１ａと半導体素子１ｂは同一装置内で順次実装するように説明を行ったが、同時に実装を行ってもよい。また、２段突起状の突起電極２に導電性接着剤５を付着したが、これを省略して突起電極２と電極端子３を圧接させて電気的導通を図ってもよい。また、絶縁性樹脂６は異方導電性樹脂ペーストであってもよい。
【００３３】
（第２の実施形態）
次に、第２の実施形態の半導体装置の製造方法について、図４を参照して説明する。
【００３４】
半導体素子１ａ、１ｂのアルミ電極パッド（図示せず）にワイヤーボンディング法で金の２段突起状の突起電極２を予め形成しておく。そして、（ａ）に示すように、回路基板４をステージ１１に取付け固定し、また半導体素子１ｂを搭載ヘッド１２ｂで吸着保持した後、半導体素子１ｂの突起電極２の先端部分に導電性接着剤５を転写付着する。次に、絶縁性接着剤７を半導体素子１ｂの表面若しくは回路基板４の下面の実装領域に部分的に塗布する。また、認識カメラ１３ｂで、半導体素子１ｂと回路基板４の下面のアライメントマークを認識し、ステージ１１のＸＹ移動にてアライメントを行う。
【００３５】
続いて、搭載ヘッド１２ａで半導体素子１ａを吸着保持した後、半導体素子１ａに設けられた突起電極２の先端部分に導電性接着剤５を転写形成する。次に、絶縁性接着剤７を回路基板４の上面の実装領域に部分的に塗布する。次に、認識カメラ１３ａで、半導体素子１ａと回路基板４の上面のアライメントマークを認識し、ステージ１１若しくは搭載ヘッド１２ａのＸＹ移動にてアライメントを行う。
【００３６】
次に、（ｂ）に示すように、搭載ヘッド１２ａ、１２ｂのＺ軸移動を行い、半導体素子１ａと１ｂを回路基板４の上面と下面に同時に実装する。その後、搭載ヘッド１２ａ、１２ｂを１３０℃５秒加熱して絶縁性接着剤７を硬化させる。
【００３７】
次に、（ｃ）に示すように、半導体素子１ａ、１ｂが実装された回路基板４を半導体実装設備から取り出し、回路基板４と半導体素子１ａ、１ｂの隙間に絶縁性樹脂６を充填注入した後、乾燥機等によって１５０℃３０分の加熱処理を行い、絶縁性樹脂６を硬化させる。以上のようにして、両面実装体である半導体装置が完成する。
【００３８】
なお、上記説明では、半導体素子１ａと半導体素子１ｂは同時に実装を行うように説明したが、同一装置内で順次実装を行っても構わない。
【００３９】
（第３の実施形態）
次に、第３の実施形態の半導体装置の製造方法について、図５を参照して説明する。
【００４０】
半導体素子１ａ、１ｂのアルミ電極パッド（図示せず）にワイヤーボンディング法で金の２段突起状の突起電極２を予め形成しておく。また、（ａ）に示すように、回路基板４の半導体実装領域にＢステージ化された絶縁性の接着剤フィルム８を貼り付けておく。
【００４１】
次に、（ｂ）に示すように、回路基板４をステージ１１に固定し、搭載ヘッド１２ｂで半導体素子１ｂを吸着保持した後、認識カメラ１３ｂで半導体素子１ｂと回路基板４の下面のアライメントマークを認識し、ステージ１１のＸＹ移動にてアライメントを行う。続いて、搭載ヘッド１２ａで半導体素子１ａを吸着保持した後、認識カメラ１３ａで半導体素子１ａと回路基板４の上面のアライメントマークを認識し、ステージ１１若しくは搭載ヘッド１２ａのＸＹ移動にてアライメントを行う。
【００４２】
次に、搭載ヘッド１２ａ及び１２ｂのＺ軸移動を行い、半導体素子１ａと１ｂを回路基板４の上面と下面に同時に実装する。その後搭載ヘッド１２ａ、１２ｂを１６０℃５秒加熱してＢステージ化された接着剤フィルム８を硬化させる。以上のようにして、（ｃ）に示すように、両面実装体である半導体装置が完成する。
【００４３】
尚、上記説明では、半導体素子１ａと半導体素子１ｂは同時に実装を行うように説明したが、同一装置内で順次実装を行っても構わない。また、Ｂステージ化された接着剤フィルム８は異方導電性フィルムでも構わない。
【００４４】
（第４の実施形態）
次に、第４の実施形態の半導体装置の製造方法について、図６を参照して説明する。
【００４５】
まず、（ａ）に示すように、回路基板４の半導体実装領域にＢステージ化された絶縁性の接着剤フィルム８を貼り付ける。次に、（ｂ）に示すように、接着剤フィルム８の回路基板４と半導体素子１ａ、１ｂの電気的接合位置にレーザー内により貫通孔９を穿孔する。次に、（ｃ）に示すように、接着剤フィルム８の貫通孔９に導電性接着剤５を充填する。また、半導体素子１ａ、１ｂのアルミ電極パッド（図示せず）にワイヤーボンディング法で金の２段突起状の突起電極２を予め形成しておく。
【００４６】
次に、（ｄ）に示すように、上記回路基板４をステージ１１に固定し、搭載ヘッド１２ｂで半導体素子１ｂを吸着保持した後、認識カメラ１３ｂで半導体素子１ｂと回路基板４の下面のアライメントマークを認識し、ステージ１１のＸＹ移動にてアライメントを行う。続いて、搭載ヘッド１２ａで半導体素子１ａを吸着保持した後、認識カメラ１３ａで半導体素子１ａと回路基板４の上面のアライメントマークを認識し、ステージ１１若しくは搭載ヘッド１２ａのＸＹ移動にてアライメントを行う。
【００４７】
次に、搭載ヘッド１２ａ及び１２ｂのＺ軸移動を行い、半導体素子１ａと１ｂを回路基板４の上面と下面に同時に実装する。その後搭載ヘッド１２ａ、１２ｂを１６０℃５秒加熱してＢステージ化された接着剤フィルム８を硬化させる。以上のようにして、（ｅ）に示すように、両面実装体である半導体装置が完成する。
【００４８】
なお、上記説明では、半導体素子１ａと半導体素子１ｂは同時に実装を行うように説明したが、同一装置内で順次実装を行っても構わない。また、導電性接着剤５は単なる導電性ペーストでも構わない。
【００４９】
【発明の効果】
本発明の半導体装置の製造方法及び半導体実装設備によれば、以上の説明から明らかなように、半導体素子を回路基板の両面に同一処理単位で実装することが可能となり、従来のプロセスと比較して工程数を減少することができ、非常に短タクトで両面実装構造体の半導体装置を製造することができ、生産性を大きく向上することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施形態における半導体実装設備の全体構成を示す断面図である。
【図２】同実施形態における半導体装置の製造方法の先行する工程（ａ）、（ｂ）の断面図である。
【図３】同実施形態における半導体装置の製造方法の後続する工程（ｃ）〜（ｅ）の断面図である。
【図４】本発明の第２の実施形態における半導体装置の製造方法の工程（ａ）〜（ｃ）の断面図である。
【図５】本発明の第３の実施形態における半導体装置の製造方法の工程（ａ）〜（ｃ）の断面図である。
【図６】本発明の第４の実施形態における半導体装置の製造方法の工程（ａ）〜（ｅ）の断面図である。
【図７】従来例における両面実装体構造の半導体装置の断面図である。
【図８】図７の部分拡大詳細図である。
【図９】従来例の両面実装体構造の半導体装置の製造方法における工程（ａ）〜（ｆ）の断面図である。
【符号の説明】
１ａ、１ｂ　半導体素子
２　突起電極
３　電極端子
４　回路基板
５　導電性接着剤
６　絶縁性樹脂
７　絶縁性接着剤
８　絶縁性の接着剤フィルム
９　貫通孔
１１　ステージ
１２ａ、１２ｂ　搭載ヘッド
１３ａ、１３ｂ　認識カメラ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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