(57)【要約】【課題】半導体素子表面の保護特性およびレーザーマーキングによる視認性が優れた半導体素子表面保護用フィルム及び半導体素子ユニットを得る。【解決手段】回路面が半導体配線基板１側に向けて配置される半導体素子３に使用され、かつ、半導体素子３の回路面と対向する面側を保護するためのフィルム４であって、不透明のフィルム４中に当該フィルムとは色が異なる着色剤が含有されていることを特徴とする。【選択図】　　　図１
2004063551.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
回路面が半導体配線基板側に向けて配置される半導体素子に使用され、かつ、当該半導体素子の回路面と対向する面側を保護するためのフィルムであって、不透明なフィルム中に当該フィルムとは色が異なる着色剤が含有されていることを特徴とする半導体素子表面保護用フィルム。
【請求項２】
前記着色剤の含有量が、フィルムに対して０．１〜１０質量％であることを特徴とする請求項１記載の半導体素子表面保護用フィルム。
【請求項３】
前記フィルムに白色のフィラーが含有されており、当該白色のフィラーの含有量が、１〜７０質量％であることを特徴とする請求項１または２記載の半導体素子表面保護用フィルム。
【請求項４】
前記着色剤は、カーボンフィラーであることを特徴とする請求項１または２記載の半導体素子表面保護用フィルム。
【請求項５】
前記フィルムの２５℃における弾性率が、２０〜２０００ＭＰａであることを特徴とする請求項１から４までのいずれかに記載の半導体素子表面保護用フィルム。
【請求項６】
前記フィルムの厚さが、２５〜２００μｍであることを特徴とする請求項１から５までのいずれかに記載の半導体素子表面保護用フィルム。
【請求項７】
回路面が半導体配線基板側に向けて配置される半導体素子と、当該半導体素子の回路面と対向する面側に形成され、不透明なフィルム中に当該フィルムとは色が異なる着色剤が含有された半導体素子表面保護用フィルムと、を備えることを特徴とする半導体素子ユニット。
【請求項８】
前記半導体素子表面保護用フィルムが、請求項２から６までのいずれかに記載の半導体素子表面保護用フィルムであることを特徴とする半導体素子ユニット。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば、回路面が半導体配線基板側に向けて配置されるフェイスダウン構造の半導体装置に適用され、半導体素子の表面を保護するための半導体素子表面保護用フィルム及び本半導体素子表面保護用フィルムを使用した半導体素子ユニットに関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来から、電子機器の小型化・軽量化が進められており、これに伴い基板への高密度実装が要求され、電子機器に搭載する半導体パッケージの小型化・軽量化が進められている。
【０００３】
半導体パッケージは、時代の変遷とともに各種変化しており、従来、ＬＯＣ（Ｌｅａｄ　Ｏｎ　Ｃｈｉｐ）やＱＦＰ（Ｑｕａｄ　Ｆｌａｔ　Ｐａｃｋａｇｅ）等と呼ばれるパッケージがあり、例えば、１６Ｍ以降のＤＲＡＭでは、ＬＯＣのパッケージが使用されている。
【０００４】
通常、パッケージには、製品を識別するためにロットナンバーやメーカー名などの識別情報を印字しており、製品がどのように作製されたかが判別できるようになっている。そして、ＬＯＣやＱＦＰ等のパッケージの場合には、パッケージ外面に形成された封止材に、製品を判別するための識別情報を直接レーザーマーキングしていた。
【０００５】
レーザーマーキングに使用されるレーザーとしては、炭酸ガスレーザーとＹＡＧレーザーとがあり、封止材にレーザーマーキングをする際には、主に、ＹＡＧレーザーが使用されている。ＹＡＧレーザーを使用して封止材にレーザーマーキングする方法の原理について、以下、図１０（ａ）〜図１０（ｃ）を用いて簡単に説明する。
【０００６】
図１０（ａ）は、レーザーマーキングを行う被処理材である封止材２０の断面を示す図であり、本図に示すように、樹脂２１中にはシリカフィラー２２及び顔料（カーボン）２３が均一に分散されている。
【０００７】
封止材２０の表面側からＹＡＧレーザー２４を照射すると、図１０（ｂ）に示すように、レーザーを照射した部位に存在するカーボンの粒２３ａ，２３ｂ，２３ｃが、レーザーの波長に応じて選択的に熱せられる。
【０００８】
すると、図１０（ｃ）に示すように、カーボン粒２３ａ，２３ｂ，２３ｃがその周囲の樹脂２１とともに蒸発し、樹脂２１中にシリカフィラー２２のみが残る。カーボンが蒸発した後の色が白色であるため、レーザー照射位置が、白くマーキングされているように見える。このようにして封止材上にレーザーマーキングが行われる。
【０００９】
近年、半導体パッケージの小型化・軽量化がより一層進められており、上述したＬＯＣやＱＦＰ等のパッケージよりもさらに小型化・軽量化したＣＳＰ（ＣｈｉｐＳｉｚｅ　Ｐａｃｋａｇｅ）やμＢＧＡ（Ｂａｌｌ　Ｇｒｉｄ　Ａｒｒａｙ）等のパッケージの開発が行われている。このようなパッケージでは、半導体素子と基板とを接続する配線を半導体素子の中央部に配置してその部分のみを封止しているため、従来における半導体素子の全体を封止材により封止した形状と比べ、より一層パッケージの小型化・軽量化を図ることができる。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述したパッケージでは、小型化・軽量化を図ることができるが、半導体素子がフェイスダウン型となっており、つまり、半導体素子の回路面が半導体配線基板側に向けられ、パッケージの上部に半導体素子の裏面が露出している形状であるため、パッケージを製造し、あるいは、パッケージを搬送する時に、半導体素子の端部が欠けてしまう等の問題を有していた。
【００１１】
また、特に、ＣＳＰなどのパッケージの中には、封止材により封止していない形状のものもあるため、半導体素子に直接レーザーマーキングするか、あるいは、半導体素子に直接印刷することにより、製品を判別するための識別情報を印字していた。
【００１２】
しかし、半導体素子に直接レーザーマーキングをした場合には、半導体素子と識別情報との明確なコントラストが出ないため、半導体素子とマーキングとの識別力が低く、視認性が悪いという問題を有していた。
【００１３】
また、半導体素子に直接印刷することにより識別情報のマーキングをした場合には、半導体素子上に識別情報を明確に表示できるため、半導体素子と識別情報との識別性が高いという利点を有する。しかし、印刷によると工程数が多いため、識別情報を印字するための作業時間が大幅に増大してしまうという問題を有していた。
【００１４】
さらに、封止材により封止しない形状のＣＳＰ等のパッケージにあっては、保護膜を形成する方法や、あるいは、保護フィルムを貼り付ける等の方法を用いて半導体素子の表面を保護している。このような保護膜または保護フィルムとしては、例えば、透明または半透明の膜またはフィルムが使用されている。この理由は、半導体に用いられる材料はイオン性不純物の析出を嫌うため不純物の混入はできるだけ避けているというのが現状であり、また、材料中にイオン補足剤を導入してイオン性不純物の析出を防止しており、顔料及び染料といった不純物の混入をしないことが前提となっているためである。このため、透明あるいは半透明の膜またはフィルムに直接レーザーを照射して製品を判別する識別情報を表示した場合であってもレーザーマーキングの視認性は劣っていた。
【００１５】
本発明は、上述した問題を解決するためになされたものであり、半導体素子表面の保護特性およびレーザーマーキングによる視認性が優れた半導体素子表面保護用フィルム及び半導体素子ユニットを得ることを目的とする。
【００１６】
【課題を解決するための手段】
上記目的を解決すべく種々研究し、回路面と対向する面側の半導体素子の表面にフィルムを被覆して半導体素子の表面を保護すると共に、不透明なフィルム中にフィルムの色とは異なる着色剤を添加して、フィルムに識別情報を表示する際、レーザーを照射して着色剤を揮発させて、レーザー照射によるマーキング部と非マーキング部との色の差を明確とすることにより、レーザーマーキングの視認性が優れた半導体素子表面保護用フィルム及びこの半導体素子表面保護用フィルムを使用した半導体素子ユニットを得たものである。
【００１７】
すなわち、本発明は、回路面が半導体配線基板側に向けて配置される半導体素子に使用され、かつ、当該半導体素子の回路面と対向する面側を保護するためのフィルムであって、不透明なフィルム中に当該フィルムとは色が異なる着色剤が含有されていることを特徴とする。
【００１８】
また、上記発明において、フィルムに着色剤が含有されており、当該着色剤の含有量が、フィルムに対して０．１〜１０質量％であることを特徴とする。
【００１９】
さらに、上記発明において、フィルムに白色のフィラーが含有されており、当該白色のフィラーの含有量が、１〜７０質量％であることを特徴とする。
【００２０】
また、上記発明において、着色剤は、カーボンフィラーであることを特徴とする。
【００２１】
上記発明において、フィルムの２５℃における弾性率が、２０〜２０００ＭＰａであることを特徴とする。
【００２２】
また、フィルムの厚さが、２５〜２００μｍであることを特徴とする。
【００２３】
本発明の半導体素子ユニットは、回路面が半導体配線基板側に向けて配置される半導体素子と、当該半導体素子の回路面と対向する面側に形成され、不透明なフィルム中に当該フィルムとは色が異なる着色剤が含有された半導体素子表面保護用フィルムと、を備えることを特徴とする。
【００２４】
また、上記半導体素子ユニットの半導体素子表面保護用フィルムが、上記記載の半導体素子表面保護用フィルムであることを特徴とする。
【００２５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態について図１〜図９、表１及び表２を用いて説明する。
【００２６】
図１は、本発明の半導体表面保護用フィルムを適用した半導体装置の一部の断面を示す図である。図１に示すように、半導体配線基板１上に樹脂等の接着剤から成る接着剤層２を介して半導体素子３が搭載されており、半導体素子３の回路面は半導体配線基板１側に向けて配置されるとともに、半導体素子３の回路面と対向する面側には半導体素子表面保護用フィルム４が被覆形成されている。半導体配線基板１及び接着剤層２の中央部には、半導体配線基板１の配線の一部と半導体素子のボンディングパッドとを各端部とする接続部材５がボンディングされており、ボンディング部位の周囲は封止材６により封止されている。また、半導体配線基板１の裏面には配線７を介して外部接続端子８が接続されている。
【００２７】
上記構成の半導体装置に適用される本発明の半導体素子ユニットＡは、図２の断面図に示すように、半導体素子３の表面上に半導体素子表面保護用フィルムが被覆形成される。この半導体素子表面保護用フィルム４は、通常、図３の断面図に示すように３層構造のフィルムを有しており、半導体素子表面保護用フィルム４の両面に、ベースフィルム９および保護フィルム１０が各々形成されている。なお、保護フィルム１０は半導体素子表面保護用フィルム４の種類に応じて形成され、保護フィルム１０が必ず形成されるものではない。
【００２８】
本発明の半導体素子表面保護用フィルム４に使用する樹脂としては、半導体素子３がリフロー温度にさらされたときに剥離することがない半導体素子３との接着力を有していれば特に成分に制限はなく、例えば、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリアミドイミド樹脂等の熱可塑性樹脂、エポキシ樹脂、ビスマレイミド樹脂、シアネート樹脂、フェノール樹脂、ポリウレタン樹脂等の熱硬化性樹脂またはそれらを含有する接着剤及びその混合物を使用することができる。また、ベースフィルム９としては耐熱フィルムを使用することができ、ベースフィルム９の表面は、例えば、シリコーン等で離型処理することが好ましい。
【００２９】
また、半導体素子表面保護用フィルム４に使用する樹脂に含まれる着色剤としては、例えば、カーボンブラック、黒鉛、チタンカーボン、二酸化マンガン、フタロシアニン系等の顔料及び染料を用いることができる。半導体素子表面保護用フィルム４に含有する着色剤の含有量は、０．１〜１０質量％が好ましく、より好ましくは０．５〜２．０質量％である。着色剤の含有量が０．１質量％以下になると、フィルムに色が付かずレーザーマーキング後の視認性が悪くなり、逆に、着色剤の含有量が１０質量％以上になると、イオン性不純物の増加、フィルム延性の低下または半導体素子との接着強度の低下等の問題が発生してしまうからである。
【００３０】
また、レーザーマーキングに使用されるレーザーは、ＹＡＧレーザーであることが多いため、着色剤としてＹＡＧレーザーにより揮発し易いカーボンブラックを使用することが好ましい。
【００３１】
さらに、半導体素子表面保護用フィルム４に使用する樹脂に含まれる白色フィラーとしては、例えば、結晶性シリカ、非晶性シリカ、酸化アルミニウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、窒化アルミニウム、窒化ホウ素等が挙げられる。また、白色フィラーの含有量は１〜７０質量％とすることが好ましく、特に、５〜５０質量％とすることが好ましい。白色フィラーの含有量が１質量％以下になると、レーザーマーキングにより着色剤が揮発した後に、半導体素子表面保護用フィルム４の色が白くならず、レーザーマーキングした後の視認性が悪くなり、逆に、白色フィラーの含有量が７０質量％以上になると、半導体素子表面保護用フィルム４がもろくなり成形性が低下し、シリコンウエハとの接着強度の低下等の問題が発生するためである。
【００３２】
また、半導体素子表面保護用フィルム４の樹脂中の着色剤と白色フィラーとの割合は、適宜調整することができる。例えば、マーキングのかすれが生じた場合には、着色剤の含有量を増加させると良く、コントラストが不足している場合には、白色フィラーの含有量を増加させると良い。また、すすが出やすい場合には、着色剤の含有量を低下させてレーザーマーキングを行うことができる。
【００３３】
上記３層構造のフィルムは、例えば、耐熱性フィルムから成るベースフィルム９上に接着フィルムの形成する材料のワニスを塗布した後、加熱乾燥し、その後、溶剤を除去して形成される。このときの加熱乾燥条件は、使用するフィルムの成分やワニスの溶媒等によって異なるが、一般的には７０〜２００℃の温度により３〜３０分間加熱するものである。
【００３４】
また、このような接着フィルムを使用して半導体素子３上に半導体素子表面保護用フィルムを形成する場合には、半導体素子に負荷を与えず、作業性に優れる点で、半導体素子３への接着可能な温度が１８０℃以下であることが好ましく、１４０℃以下であることがより好ましい。
【００３５】
さらに、本発明の半導体素子表面保護用フィルム４の厚さは、２５〜２００μｍであることが好ましく、特に、５０〜１００μｍであることがより好ましい。半導体素子表面保護用フィルム４の厚さが２５μｍ以下になると半導体素子３の欠けの原因となる衝撃を吸収しきれないため、半導体素子３を保護する保護フィルムとしての特性が低下し、逆に、半導体素子表面保護用フィルムの厚さが２００μｍ以上になると、パッケージ全体の厚さが増えてパッケージ設計の障害になるからである。
【００３６】
本発明の半導体素子表面保護用フィルム４は、２５℃での弾性率が２０〜２０００ＭＰａであることが好ましく、５０〜１０００ＭＰａであることがより好ましい。弾性率が２０ＭＰａ以下になると半導体素子表面保護用フィルム４にタック性が残り、搬送中にフィルム同士が貼り付く、またはフィルムに埃が貼り付くなどして作業性の低下、不純物の増加に繋がるからである。逆に、弾性率が２０００ＭＰａ以上になると、半導体素子表面保護用フィルム４を成形し、貼り付けた後に半導体素子３にそりが発生し、パッケージの信頼性の悪化、作業性の低下等の問題が発生するからである。
【００３７】
上記３層構造のフィルムに含まれる半導体素子表面保護用フィルム４を使用して、半導体装置を製造する手順について図４〜図９を用いて説明する。
【００３８】
まず、３層構造から成るフィルムの保護フィルム１０を剥離し、図４に示すように、ベースフィルム９の付いた半導体素子表面保護用フィルム４を半導体素子３であるシリコンウエハ上にヒートプレス、ラミネーター等で圧着して半導体表面保護用フィルム４を形成する。その後、ベースフィルム９を剥離する。ここで、半導体素子表面保護用フィルム４が熱硬化性樹脂の場合は必要に応じてフィルムの硬化を行う。その後、図５に示すようにウエハをダイシンングした後、図６に示すように接着剤から成る接着剤層１１を介してＴＡＢ１２を貼り付ける。さらに、図７に示すようにワイヤボンディング及び半田ボール付けをする。その後、図８に示すように、半導体素子表面保護用フィルム４側からＹＡＧレーザーを照射し、製品を判別するための識別情報を表示した後、図９に示すように、実装基板１５上に設置して半導体装置が形成される。
【００３９】
また、半導体表面保護用フィルム４を形成する方法は、上述したフィルムラミネートやヒートプレス等による方法に限定されるものではなく、半導体表面保護用フィルム４の原材料を溶剤に溶解したワニスをウエハの上にスピンコーター、バーコーター等によって塗布し、加熱乾燥し、溶剤を除去して、直接シリコンウエア上に製膜することができる。なお、この時のスピンコート条件及び加熱乾燥条件は使用するフィルム成分、ワニスの溶媒によって異なるが、一般に７０〜２００℃、３〜３０分である。なお、スピンコーターによりウエハ上に半導体表面保護用フィルム４を製膜する場合には、前述した樹脂中で接着性を有していない樹脂でも半導体素子３がリフロー温度にさらされたときに剥離することがない半導体素子３との接着力を有していれば使用することができる。
【００４０】
上述したように、ＹＡＧレーザーの照射により識別情報をマーキングしているが、本発明は、着色剤を含有させて着色した半導体素子表面保護用フィルム４を使用したため、レーザーマーキングを行った後の視認性が良好である。また、フィルムの視認性は、画像処理装置を用いてマーキング部と非マーキング部の正反射光強度を２５６段階に数値化し、その数値の差を比較することにより、視認性の評価を行った。また、良好な視認性を得るためには反射光強度の差が４０以上必要であり、６０以上であれば特に好ましい。
【００４１】
以下、例１〜例８を用いて、さらに具体的に説明する。
【００４２】
例１
エポキシ樹脂としてビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（エポキシ当量１７５、東都化成株式会社製のＹＤ−８１２５を使用）６０重量部、フェノールノボラック型のエポキシ樹脂（東都化成株式会社製のＹＤＣＮ−７０３を使用）５重量部、硬化剤としてビスフェノールＡノボラック樹脂（大日本インキ製のＬＦ−２８８２を使用）３５重量部、白色フィラーとしてシリコンフィラー（株式会社アドマテックス製のアドマファインＳＯ−Ｃ２を使用）３０重量部、着色剤としてカーボンブラックを含有した樹脂系加工顔料（御国色素のＣＦブラックＨＧＢＫ−０２）を３５重量部、溶剤としてシクロヘキサノン３０重量部をビーズミルにより混合したワニスに、エポキシ基含有アクリル系共重合体としてエポキシ基含有アクリルゴム（分子量１００万、帝国化学産業株式会社製のＨＴＲ−８６０Ｐ−３）２３０重量部、硬化促進剤として１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール（キュアゾール２ＰＺ−ＣＮを使用）０．５重量部からなる成分に溶剤としてシクロヘキサノンを１７００重量部加えて攪拌混合し、半導体素子表面保護用ワニスを得た。（これをワニスＡとする）
得られたワニスＡを離型剤付きのベースフィルム（帝人製ピューレックスＡ３１）上に５０μｍ厚みで塗工し、ベースフィルム付き接着フィルムを得た。この接着フィルムをシリコンウエハの裏面に１２０℃でラミネートし、シリコンウエハ上に形成された半導体素子表面保護用フィルムを得た。
【００４３】
例２
本例では、例１に示したワニスを乾燥後の厚さが４５〜５５μｍになるようにシリコンウエハの裏面にスピンコートによって製膜した後、１４０℃で５分乾燥してシリコンウエハ上に半導体素子表面保護用フィルムを形成した。
【００４４】
例３
エポキシ樹脂としてビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（エポキシ当量１７５、東都化成株式会社製のＹＤ−８１２５を使用）５０重量部、フェノールノボラック型のエポキシ樹脂（東都化成株式会社製のＹＤＣＮ−７０３を使用）１５重量部、硬化剤としてビスフェノールＡノボラック樹脂（大日本インキ製のＬＦ−２８８２を使用）２０重量部、フェノキシ樹脂としてビスフェノール型フェノキシ樹脂（東都化成株式会社製のＹＰ−５０を使用）１５重量部、着色剤としてカーボンブラックを含有した樹脂系加工顔料（御国色素のＣＦブラックＨＧＢＫ−０２）を３５重量部、溶剤としてシクロヘキサノン３０重量部をビーズミルにより混合したワニスに、エポキシ基含有アクリル系共重合体としてエポキシ基含有アクリルゴム（分子量１００万、帝国化学産業株式会社製のＨＴＲ−８６０Ｐ−３）２３０重量部、硬化促進剤として１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール（キュアゾール２ＰＺ−ＣＮを使用）０．５重量部からなる成分に溶剤としてシクロヘキサノンを１７００重量部加えて攪拌混合し、半導体素子表面保護用ワニスを得た。（これをワニスＢとする）
このフィルムは樹脂自体が乳白色であるため、シリコンフィラーを含有させなかった。その他は、例１と同様の方法を用いて半導体素子表面保護用フィルムを形成した。
【００４５】
例４
例１に示すワニス組成のうちシリコンフィラーの含有量を８０質量％としてワニスを作製し、その他は例１と同じ手順を用いて、シリコンウエハ上に半導体素子表面保護用フィルムを形成した。
【００４６】
例５
例１に示すワニス組成のうち樹脂系加工顔料の含有量を２０質量％としてワニスを作製し、その他は例１と同じ手順を用いて、シリコンウエハ上に半導体素子表面保護用フィルムを形成した。
【００４７】
例６
例１と同様にしてシリコンウエハ上に半導体素子表面保護用フィルムを形成したものであるが、フィルムの厚さを１５μｍとした。
【００４８】
例７
本例では、例１に示すワニス組成のうちシリコンフィラーを含有しなかった。その他は例１と同じ手順を用いてシリコンウエハ上に半導体素子表面保護用フィルムを形成した。
【００４９】
例８
本例では、例１に示すワニスの組成のうち樹脂系加工顔料の含有量を０．０５質量％としてワニスを作製し、その他は例１と同じ手順を用いてシリコンウエハ上に半導体素子表面保護用フィルムを形成した。
【００５０】
上記例１〜例８で使用した各フィルムの配合及び特性を示す。
【００５１】
【表１】
2004063551.tif 000003
【００５２】
得られた各半導体素子表面保護用フィルムを硬化した後、出力５．０Ｊ／パルスのＹＡＧレーザーによりレーザーマーキングを行って視認性を確認した。なお、視認性の評価は、レーザーマーキング後のフィルム表面をスキャナによって画像取り込みを行い、画像処理ソフト（Ａｄｏｂｅ社製ＰＨＯＴＯＳＨＯＰ）によってマーキング部分及びその周りの非マーキング部分の２階調化を行う。この操作により、画像は明度によって白黒の２５６段階に分けられる。次に、マーキング部分が白く、非マーキング部分が黒く表示される「２階調化する境界のしきい値」と、マーキング部分も黒く表示されマーキング／非マーキング部分の境界が無くなる「２階調化する境界のしきい値」の値を求め、その差が４０以上である場合に視認性が良好であるとし（○）、その差が３０以上４０未満である場合に視認性がほぼ良好であるとし（△）、その差が３０未満である場合に視認性が不良である（×）として評価を行った。評価結果を表２に示す。
【００５３】
また、上述した例１〜例８の各組成材料及び製造方法を用いて、フィルム試験片を各々作製した。なお、各フィルム試験片のサイズは、３ｍｍ×２０ｍｍとし、各フィルム試験片について、試験条件を昇温速度２℃／分、測定温度２０〜２００℃として弾性率を測定した。測定結果を表２に示す。
【００５４】
【表２】
2004063551.tif 000004
【００５５】
表２に示すように、例１〜例３は視認性に優れ、チップ保護膜としての特性にも優れるものであった。例４〜例６は、それぞれフィルム成形性、素子との接着性、チップ保護性において例１及び例３より劣るものの、レーザーマーキングの視認性には優れるものであった。例７では、白色のフィラーを含有しなかったため、元の接着剤の色が透明に近く、レーザーマーキングを行って表面付近の着色剤が揮発しても下層に存在する着色剤の色がフィルム表面から見えてしまい、レーザーマーキングを行った場合であっても、結果として色の違いが生じず、視認性が低下していた。また、例８では、着色剤の含有量が少ないため、マーキング部分とそれ以外の部分のコントラストは上記例に比べると劣り、着色剤を含有させないよりは視認性は向上したが、充分ではなかった。
【００５６】
これに対し例１はフィルムに着色剤と白色のシリコンフィラーを含有することによりレーザーマーキング後に良好な視認性を得られた。また、例２は、フィルムを単体で形成してからシリコンウエハに貼り付ける方法によっても、レーザーマーキング後に良好な視認性を持つフィルムを得られることが判明した。また、例３では、ベースとなる樹脂が不透明な乳白色であることから、白色フィラーを含有しない場合であっても、視認性が良好であった。
【００５７】
本実施形態によれば、フィルムを着色することによりレーザーマーキングの視認性を良好とすることができ、容易に識別情報を製品に表示することが可能であり、かつ、半導体素子の表面の保護特性が優れているため、パッケージの製造時あるいはパッケージの搬送時に、半導体素子端部の欠けを防止することができる。
【００５８】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の半導体素子表面保護用フィルムによれば、優れた半導体素子表面の保護特性およびレーザーマーキングによる視認性を得ることができ、その結果、製造コストを削減することができると共に高品質の製品を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本実施形態における、半導体素子表面保護用フィルムを適用した半導体装置の一部を示す断面図。
【図２】半導体素子ユニットの構成を示す断面図。
【図３】本発明の半導体用フィルムを備えた３層構造のフィルムを示す断面図。
【図４】半導体装置の製造工程の一部を示し、半導体素子表面保護用フィルムをシリコンチップ上に形成する際の工程を示す図。
【図５】半導体装置の製造工程の一部を示し、ウエハをダイシングする工程を示す図。
【図６】半導体装置の製造工程の一部を示し、ＴＡＢを貼り付ける工程を示す図。
【図７】半導体装置の製造工程の一部を示し、ワイヤボンディング及び半田ボール付けをする工程を示す図。
【図８】半導体装置の製造工程の一部を示し、レーザー照射により識別情報を表示する工程を示す図。
【図９】半導体装置の製造工程の一部を示し、実装基板上に実装する工程を示す図。
【図１０】ＹＡＧレーザーを使用して封止材にレーザーマーキングする方法の原理について説明する図であり、（ａ）〜（ｃ）は、封止材の断面を示す図。
【符号の説明】
１　半導体配線基板
２　接着剤層
３　半導体素子
４　半導体素子表面保護用フィルム
５　接続部材
６　封止材
７　配線
８　外部接続端子
９　ベースフィルム
１０　保護フィルム
１１　接着剤層
１２　ＴＡＢ
１３　ワイヤボンディング
１４　半田ボール
１５　実装基板
Ａ　半導体素子ユニット
【図１】
2004063551.tif 000005
【図２】
2004063551.tif 000006
【図３】
2004063551.tif 000007
【図４】
2004063551.tif 000008
【図５】
2004063551.tif 000009
【図６】
2004063551.tif 000010
【図７】
2004063551.tif 000011
【図８】
2004063551.tif 000012
【図９】
2004063551.tif 000013
【図１０】
2004063551.tif 000014