(57)【要約】【課題】混成集積回路装置１０に於いて、ヒートシンク１３の放熱効果を向上させる。【解決手段】矩形の基板１１と、基板１１の表面に形成された導電パターン１２と、導電パターン１２上の所定の位置に実装された回路素子１４から、混成集積回路装置１０は構成されている。更に、パワー系の半導体素子１４Ａは、ヒートシンク１３を介して導電パターン１２に実装されている。ヒートシンク１３の上面には凹部１６が設けられている。そして、凹部１６に設けられた半田１７の表面に半導体素子１４Ａは実装されている。【選択図】　図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、前記基板の表面に形成された導電パターンと、前記導電パターンに固着されたヒートシンクと、前記ヒートシンクの上面に半田を介して実装された半導体素子とを有する混成集積回路装置に於いて、
前記ヒートシンクの上面に凹部を設け、前記凹部の底面および側面に接触するように前記半田を設け、前記半田の上面に前記半導体素子を実装したことを特徴とする混成集積回路装置。
【請求項２】
前記凹部の平面的な大きさは、前記半導体素子の平面的な大きさよりも大きいことを特徴とする請求項１記載の混成集積回路装置。
【請求項３】
前記凹部の底面および側面に凹凸を設けることにより、前記半田と前記ヒートシンクとが接触する面積を更に増大させることを特徴とする請求項１記載の混成集積回路装置。
【請求項４】
表面に導電パターンが設けられた基板を用意する工程と、
上面に凹部が設けられたヒートシンクを前記導電パターンに固着する工程と、
前記凹部に半田を充填する工程と、
前記半田の表面に半導体素子を載置する工程とを有することを特徴とする混成集積回路装置の製造方法。
【請求項５】
前記半田の表面に前記半導体素子を載置する工程では、真空コレットを用いて前記半導体素子の載置を行い、前記真空コレットが過度に下降した場合でも、前記ヒートシンクの前記凹部に充填された半田が緩衝領域となることで前記半導体素子が破損しないことを特徴とする請求項４記載の混成集積回路装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は混成集積回路装置およびその製造方法に関し、特に、放熱効果を向上させたヒートシンクを有する混成集積回路装置およびその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
図７を参照して、従来の混成集積回路装置３０の構成を説明する。図７（Ａ）は混成集積回路装置３０の斜視図であり、図７（Ｂ）は図７（Ａ）の断面図である。
【０００３】
図７（Ａ）および図７（Ｂ）を参照して、従来の混成集積回路装置３０は次のような構成を有する。矩形の基板３１と、基板３１の表面に設けられた導電パターン３２と、導電パターン３２上に固着された回路素子３４と、回路素子３４と導電パターン３２とを電気的に接続する金属細線３５等で、混成集積回路装置３０は構成されている。そして、回路基板３１の表面に形成された混成集積回路を、絶縁性樹脂もしくはケース材等で封止することにより、混成集積回路装置３０は製品として提供されていた。
【０００４】
回路素子３４としてパワー系の半導体素子３４Ａが採用された場合は、半導体素子３４Ａから放出される熱を基板３１に効率よく伝導させるために、ヒートシンク３３が設けられた。即ち、半導体素子３４Ａは導電パターン３２に固着されたヒートシンク３３の上面に半田を介して実装されていた。
【０００５】
また、半導体素子３４Ａのヒートシンク３３の上面への実装は、真空コレット（図示せず）を用いて行われていた。そして、半田付けを良好に行うために、半導体素子３４Ａを実装する際に、半導体素子３４Ａを吸着した真空コレットを平面的に移動させていた。このように、半導体素子３４Ａの裏面を半田に接触させてから、半導体素子３４Ａを平面的に移動させて半田に含まれた気泡を除去する作業をスクライブと言う。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述したような混成集積回路装置とその製造方法は以下に示すような問題を有していた。
【０００７】
第１に、半導体素子３４Ａとヒートシンク３３とを電気的・熱的に結合させる半田の厚みが一定でない場合があった。このことから、混成集積回路装置の使用状況下に於いて、半導体素子３４Ａとヒートシンク３３の温度が上昇した場合、両者の熱膨張係数の違いから、半田に局所的な熱応力が作用していた。このことから、半田１７が破損してしまう問題があった。
【０００８】
第２に、真空コレットを用いて半導体素子３４Ａをヒートシンク３３の上面に実装する際に、真空コレットが過度に半導体素子３４Ａを下方向に押し込む場合があった。このような場合に於いては、半導体素子３４Ａが真空コレットにより破壊されてしまう場合があった。
【０００９】
第３に、真空コレットを用いて半導体素子３４Ａをヒートシンク３３の上面に実装する際に、半導体素子３４Ａの裏面と半田との間に介在する気泡が押しつぶされてしまい、気泡の平面的な大きさが大きくなっていた。結果的に、半田の平面的な断面に於いて、気泡の占める割合が大きくなっていた。このことから、半導体素子３４Ａの過渡熱抵抗が大きくなってしなう問題があった。同様の理由から、半田の平面的な断面に於いて、電流が通過できる面積が小さくなることから、半田の抵抗値が大きくなってしまう問題があった。
【００１０】
本発明は、上記した問題を鑑みて成されたものである。従って、本発明の主な目的は、半導体素子から放出された熱を効果的に伝達させるヒートシンクを有する混成集積回路装置およびその製造方法を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明は、第１に、基板と、前記基板の表面に形成された導電パターンと、前記導電パターンに固着されたヒートシンクと、前記ヒートシンクの上面に半田を介して実装された半導体素子とを有する混成集積回路装置に於いて、前記ヒートシンクの上面に凹部を設け、前記凹部の底面および側面に接触するように前記半田を設け、前記半田の上面に前記半導体素子を実装したことを特徴とする。
【００１２】
本発明は、第２に、前記凹部の平面的な大きさは、前記半導体素子の平面的な大きさよりも大きいことを特徴とする。
【００１３】
本発明は、第３に、前記凹部の底面および側面に凹凸を設けることにより、前記半田と前記ヒートシンクとが接触する面積を更に増大させることを特徴とする。
【００１４】
本発明は、第４に、表面に導電パターンが設けられた基板を用意する工程と、上面に凹部が設けられたヒートシンクを前記導電パターンに固着する工程と、前記凹部に半田を充填する工程と、前記半田の表面に半導体素子を載置する工程とを有することを特徴とする。
【００１５】
本発明は、第５に、前記半田の表面に前記半導体素子を載置する工程では、真空コレットを用いて前記半導体素子の載置を行い、前記真空コレットが過度に下降した場合でも、前記ヒートシンクの前記凹部に充填された半田が緩衝領域となることで前記半導体素子が破損しないことを特徴とする。
【００１６】
【発明の実施の形態】
（混成集積回路装置１を説明する第１の実施の形態）
図１を参照して、本発明の混成集積回路装置１０の構成を説明する。図１（Ａ）は混成集積回路装置１の斜視図であり、図１（Ｂ）は図１（Ａ）の断面図である。
【００１７】
図１（Ａ）および図１（Ｂ）を参照して、混成集積回路装置１０の構造を説明する。混成集積回路装置１０は次のような構成を有する。即ち、矩形の基板１１と、基板１１の表面に形成された導電パターン１２と、導電パターン１２上の所定の位置に実装された回路素子１４等から、混成集積回路装置１０は構成されている。このような各構成要素を以下にて詳細に説明する。
【００１８】
基板１１は、機械的強度・熱の伝導性・加工性に優れた材料から製造される。具体的には、樹脂製の基板、セラミック系の材料から成る基板および金属基板を採用することができる。ここで、金属基板を基板１１として採用する場合は、表面に形成される導電パターン１２との絶縁を行うために、基板１１の表面には絶縁層を設ける。
【００１９】
導電パターン１２は、基板１１の表面に形成される。また、導電パターン１２は、配線、ダイパッド、ボンデングパッド等を基板１１の表面に形成する。
【００２０】
回路素子１４としては、半導体素子等の能動素子やチップ抵抗等の受動素子を全般的に採用することができる。これらの回路素子１４は、半田等のロウ材を介して導電パターン１２上に実装される。また、半導体素子等の能動素子をフェイスアップで実装した場合は、半導体素子の電極と導電パターン１２とを金属細線１５を介して電気的に接続される。
【００２１】
回路素子１４として採用される半導体素子１４Ａは、発熱量の大きいパワー系の素子である。従って、半導体素子１４Ａから放出される熱を積極的に基板１１に伝達させて外部に放出させるために、半導体素子１４Ａは、導電パターン１２に固着されたヒートシンクの上面に半田１７を介して実装されている。半導体素子１４Ａが実装されるヒートシンク１３の詳細は後述する。
【００２２】
図２を参照して、上面に半導体素子１４Ａが実装されるヒートシンク１３の構造を説明する。図２（Ａ）は混成集積回路装置のヒートシンク１３周辺部の斜視部である。図２（Ｂ）は図２（Ａ）の断面図である。
【００２３】
図２（Ａ）を参照して、ヒートシンク１３およびその周辺部の構造を説明する。ヒートシンク１３は銅等の良熱伝導体からなり、半田等のロウ材を介して導電パターン１２に固着されている。そして、ヒートシンク１３の上面には半田１７を介して半導体素子１４Ａが実装されている。ここでは、ヒートシンク１３は半導体素子１４Ａの電極としての働きを有する。それと同時に、ヒートシンク１３は、半導体素子１４Ａから放出される熱を基板１１に伝導させる働きを有する。また、半導体素子１４Ａの上面部に設けた電極と、導電パターン１２とは金属細線１５を介して電気的に接続される。
【００２４】
ヒートシンク１３の上面には、凹部１６が設けられている。凹部１６の平面的な大きさは、半導体素子１４Ａの大きさよりも大きく形成されている。そして、凹部１６には半田１７が設けられている。従って、半田１７は凹部１６の側面および底面に接触している。このことから、半田１７と凹部１６が接触する実質的な面積は大きく成っている。半導体素子１４Ａは、上記のように構成された半田１７の表面に実装されている。従って、半導体素子１４Ａから発生した熱は、半田１７と凹部１６が接触する面を通過して、ヒートシンク１３に良好に伝導する。
【００２５】
図２（Ｂ）を参照して、ヒートシンク１３の断面について説明する。ここでは、ヒートシンク１３に設けられた凹部１６の側面および底面に、凹凸が設けられている。そして凹部１６に半田が充填されている。従って、凹部１６側面および底面に凹凸を設けることにより、凹部１６の側面および底面と、半田１７とが接触する面積を更に増大させることができる。しかしながら、凹部１６の側面および底面は平滑な面を形成しても良い。
【００２６】
上記した混成集積回路装置１０の構成要素の他に、次のような構成要素を追加しても良い。即ち、導電パターン１２により形成されたパッドに、入力・出力端子となるリードを接続することができる。また、基板１１の表面に形成された混成集積回路を絶縁性樹脂やケース材で封止することもできる。
【００２７】
上記したような混成集積回路装置１０の構成により、以下に示すような効果を奏することができる。
【００２８】
第１に、ヒートシンク１３の上面に設けた凹部１６に半田１７を形成することにより、凹部１６の底面および側面と半田１７とが接触することになる。従って、半田１７とヒートシンク１３とが接触する面積が増大するので、半導体素子１４Ａから発生する熱を効率的にヒートシンク１３に伝導させることができる。このことから、半導体素子１４Ａから発生する熱を外部に効率的に放散させることができる。
【００２９】
第２に、ヒートシンク１３の上面に設けた凹部１６に半田１７を形成することにより、半田１７の厚さを、有る程度の厚みを持って一定にすることができる。混成集積回路装置１０の使用状況下に於いて、半導体素子１４Ａおよびヒートシンク１３の温度が上昇すると、両者の熱膨張係数の違いから、接続部である半田１７には熱応力が発生する。本発明では、半田１７の厚みを確保することができるので、半田１７に熱応力が集中するのを防止することができる。従って、使用状況下の温度変化により、半田１７が破損してしまうのを防止することができる。
【００３０】
第３に、凹部１６の側面および底面に凹凸を設けることにより、凹部１６の側面および底面の表面積を増大させることができる。このことから、半田１７とヒートシンク１３との接触面積を更に増大させることができる。従って、半導体素子１４Ａから発生する熱を効率的に外部に放出させることができる。
【００３１】
（混成集積回路装置の製造方法を説明する第２の実施の形態）
図３〜図７を参照して、混成集積回路装置１０の製造方法を説明する。本実施の形態では、次のような工程により混成集積回路装置１０を製造する。即ち、表面に導電パターン１２が設けられた基板１１を用意する工程と、上面に凹部１６が設けられたヒートシンク１３を導電パターン１２に固着する工程と、凹部に半田１７を充填する工程と、半田１７の表面に半導体素子１４を載置する工程等で混成集積回路装置１０は製造される。これらの各工程を以下にて説明する。
【００３２】
第１工程：図３参照
本工程は、表面に導電パターン１２が設けられた基板１１を用意する工程である。図３（Ａ）は表面に導電パターン１２が設けられた基板１１の斜視図であり、図３（Ｂ）は図３（Ａ）の断面図である。
【００３３】
図３（Ａ）および図３（Ｂ）を参照して、基板１１の表面には導電パターンが形成されている。基板１１は、機械的強度・熱の伝導性・加工性に優れた材料から製造される。具体的には、樹脂製の基板、セラミック系の材料から成る基板および金属基板を採用することができる。ここで、金属基板を基板１１として採用する場合は、表面に形成される導電パターン１２との絶縁を行うために、基板１１の表面には絶縁層を設ける。また、導電パターン１２は、基板１１の表面に形成される。また、導電パターン１２は、配線、ダイパッド、ボンデングパッド等を基板１１の表面に形成する。
【００３４】
第２工程：図４参照
本工程は、導電パターン１２上にヒートシンク１３を固着する工程である。図４（Ａ）は導電パターン１２にヒートシンク１３が固着された状態を示す斜視図であり、図４（Ｂ）は図４（Ａ）の断面図である。
【００３５】
図４（Ａ）および図４（Ｂ）を参照して、基板１１の表面に形成された導電パターン１２にヒートシンク１３を固着する。ヒートシンク１３は、半田等のロウ材を介して導電パターン１２により形成されたパッドに固着される。
【００３６】
ここで、ヒートシンク１３の構成について説明する。ヒートシンク１３の上面には、凹部１６が設けられている。凹部１６の平面的な大きさは、後の工程で実装される半導体素子１４Ａの大きさよりも大きく形成されている。また、ここでは、凹部１６の側面および底面は平滑に形成されている。更に、凹部１６の側面および底面に凹凸を設けることも可能である。このことにより、凹部１６の側面および底面の表面積を増大させることができる。
【００３７】
本工程では、ヒートシンク１３以外にも、その他の回路素子が導電パターン１２に実装される。この回路素子１４としては、半導体素子等の能動素子やチップ抵抗等の受動素子を全般的に採用することができる。これらの回路素子１４は、半田等のロウ材を介して導電パターン１２上に実装される。更に、複数個の回路素子を樹脂で封止した回路装置が、導電パターン１２上に固着されても良い。
【００３８】
第３工程：図５参照
本工程は、ヒートシンク１３の凹部に半田１７を充填する工程である。図５はヒートシンク１３の凹部１６に半田１７が充填された状態を示す断面図である。
【００３９】
図５を参照して、ヒートシンク１３の凹部１７に、融解して半田１７を充填する。半田１７は、凹部１６に充填しても固化せず、液状の状態で保持されている。この状態で、次工程を行う。
【００４０】
第４工程：図６参照
本工程は、半田１７の表面に半導体素子１４を載置する工程である。図６は、真空コレット２０を用いて、半導体素子１４Ａを半田１７の表面に実装する状態を示す断面図である。
【００４１】
図６を参照して、先ず、真空コレット２０により半導体素子１４Ａの上面を吸着する。次に、吸着コレット２０を移動させることにより、半田１７の上部まで半導体素子１４Ａを輸送する。そして、凹部１６に充填された半田１７の表面に、半導体素子１４Ａを載置する。本工程に於いては、半田１７は液体の状態である。従って、真空コレット２０を用いて半導体素子１４Ａを実装領域に載置しても、半導体素子１４Ａに作用する押圧力は非常に小さい。また、半田１７が硬化するまでは、半導体素子１４Ａは半田１７の表面に浮いた状態になる。
【００４２】
半導体素子１４Ａの材料であるシリコンは、接続面が各種処理されていることから、半田の濡れ性が一様でない。このことから、半導体素子１４Ａの裏面と半田との間に、気泡が介在する場合がある。本発明では、ヒートシンク１３の凹部１６に貯留された半田１７の表面に、半導体素子１４Ａを載置するのみである。即ち、真空コレット２０により、半導体素子１４Ａに過大な押圧力を加えない。従って、半導体素子１４Ａの裏面と半田との間に気泡が介在した場合でも、気泡の平面的な面積はそれほど大きくならない。
【００４３】
上記した工程の後に、金属細線１５をワイヤボンドする工程、回路を封止する工程およびリードを形成する工程等で、混成集積回路装置１０は製品として完成する。
【００４４】
本実施の形態により、以下に示すような効果を奏することができる。
【００４５】
第１に、半導体素子１４Ａをヒートシンク１３に実装する工程に於いて、凹部１６に充填された液状の半田１７の表面に、真空コレット２０を用いて半導体素子１４Ａを実装している。従って、ヒートシンク１３の縦方向の位置に多少の誤差が生じても、凹部１６に充填された半田１７が緩衝領域となるので、半導体素子１４Ａが破損してしまうのを防止することができる。
【００４６】
第２に、半導体素子１４Ａをヒートシンク１３に実装する工程に於いて、真空コレット２０により半導体素子１４Ａに作用する押圧力が小さい。従って、半導体素子１４Ａと半田１７との間に気泡が介在した場合でも、気泡が変形することに起因して、気泡の面的な大きさが大きくなってしまうのを防止することができる。このことから、変形した気泡により、半導体素子１４Ａの過渡熱抵抗が上昇してしまうのを防止することができる。更に、半田１７の抵抗値が上昇するのを防止することができる。
【００４７】
【発明の効果】
本発明では、以下に示すような効果を奏することができる。
【００４８】
第１に、ヒートシンク１３の上面に設けた凹部１６に半田１７を形成することにより、凹部１６の底面および側面と半田１７とが接触することになる。従って、半田１７とヒートシンク１３とが接触する面積が増大するので、半導体素子１４Ａから発生する熱を効率的にヒートシンク１３に伝導させることができる。このことから、半導体素子１４Ａから発生する熱を外部に効率的に放散させることができる。
【００４９】
第２に、ヒートシンク１３の上面に設けた凹部１６に半田１７を形成することにより、半田１７の厚さを、有る程度の厚みを持って一定にすることができる。混成集積回路装置１０の使用状況下に於いて、半導体素子１４Ａおよびヒートシンク１３の温度が上昇すると、両者の熱膨張係数の違いから、接続部である半田１７には熱応力が発生する。本発明では、半田１７の厚みを確保することができるので、半田１７に熱応力が集中するのを防止することができる。従って、使用状況下の温度変化により、半田１７が破損してしまうのを防止することができる。
【００５０】
第３に、凹部１６の側面および底面に凹凸を設けることにより、凹部１６の側面および底面の表面積を増大させることができる。このことから、半田１７とヒートシンク１３との接触面積を更に増大させることができる。従って、半導体素子１４Ａから発生する熱を効率的に外部に放出させることができる。
【００５１】
第４に、半導体素子１４Ａをヒートシンク１３に実装する工程に於いて、凹部１６に充填された液状の半田１７の表面に、真空コレット２０を用いて半導体素子１４Ａを実装している。従って、ヒートシンク１３の縦方向の位置に多少の誤差が生じても、凹部１６に充填された半田１７が緩衝領域となるので、半導体素子１４Ａが破損してしまうのを防止することができる。
【００５２】
第５に、半導体素子１４Ａをヒートシンク１３に実装する工程に於いて、真空コレット２０により半導体素子１４Ａに作用する押圧力が小さい。従って、半導体素子１４Ａと半田１７との間に気泡が介在した場合でも、気泡が変形することに起因して、気泡の面的な大きさが大きくなってしまうのを防止することができる。このことから、変形した気泡により、半導体素子１４Ａの過渡熱抵抗が上昇してしまうのを防止することができる。更に、半田１７の抵抗値が上昇するのを防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の混成集積回路装置の斜視図（Ａ）、断面図（Ｂ）である。
【図２】本発明の混成集積回路装置の斜視図（Ａ）、断面図（Ｂ）である。
【図３】本発明の混成集積回路装置の製造方法を説明する斜視図（Ａ）、断面図（Ｂ）である。
【図４】本発明の混成集積回路装置の製造方法を説明する斜視図（Ａ）、断面図（Ｂ）である。
【図５】本発明の混成集積回路装置の製造方法を説明する断面図である。
【図６】本発明の混成集積回路装置の製造方法を説明する断面図である。
【図７】従来の混成集積回路装置の斜視図（Ａ）、断面図（Ｂ）である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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