(57)【要約】【課題】本発明の目的は、信頼性が高く、実装性に優れた半導体装置及び半導体ウエハ並びにそれらその製造方法、回路基板並びに電子機器を提供することにある。【解決手段】半導体装置は、内部に集積回路１２を有し、集積回路１２に電気的に接続された電極１４を最表面に有する半導体基板１０と、半導体基板１０上に形成された、表面の少なくとも一部に凹部２５と凸部２７とを有する樹脂層２０と、樹脂層２０の表面に形成された複数の配線３０とを有する。複数の配線３０のうちの少なくとも１つは、樹脂層２０の凸部２７の側面２９に形成された部分を有する。【選択図】　　　　図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
内部に集積回路を有し、前記集積回路に電気的に接続された電極を最表面に有する半導体基板と、
前記半導体基板上に形成され、表面の少なくとも一部に凹部と凸部とを有する樹脂層と、
前記電極に電気的に接続され、前記樹脂層の前記凹部と凸部とを有する表面に形成された相互に交差しない複数の配線と、
を有し、
前記複数の配線のうちの少なくとも１つは、前記樹脂層の前記凸部の側面に形成された部分を有する半導体装置。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置において、
前記凸部の前記側面は、前記半導体基板の前記表面に対して、斜め上方を向くように傾斜してなる半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２記載の半導体装置において、
前記複数の配線のうちの少なくとも１つは、前記樹脂層の凹部の底面に支持された部分を有する半導体装置。
【請求項４】
請求項１から請求項３のいずれかに記載の半導体装置において、
前記複数の配線のうちの少なくとも１つは、前記樹脂層の前記凸部の上面に支持された部分を有する半導体装置。
【請求項５】
請求項１から請求項４のいずれかに記載の半導体装置において、
前記複数の配線は、相互に交差しないように設けられてなる半導体装置。
【請求項６】
請求項１から請求項５のいずれかに記載の半導体装置において、
前記樹脂層は、第１の樹脂部と前記第１の樹脂部の上に設けられ、前記第１の樹脂部とは異なる材料からなる第２の樹脂部とを含む複数の樹脂部で形成されてなり、
前記凹部の前記底面の少なくとも一部は、前記第１の樹脂部からなり、
前記凸部の前記上面の少なくとも一部は、前記第２の樹脂部からなる半導体装置。
【請求項７】
請求項１から請求項６のいずれかに記載の半導体装置において、
前記複数の配線の少なくとも一部を覆うように形成された他の樹脂層をさらに有する半導体装置。
【請求項８】
請求項１から請求項７のいずれかに記載の半導体装置が実装された回路基板。
【請求項９】
請求項１から請求項７のいずれかに記載の半導体装置を有する電子機器。
【請求項１０】
内部に集積回路が形成されてなり、前記集積回路に電気的に接続された電極を最表面に有する半導体基板における前記電極が形成された面に樹脂層を形成し、
前記樹脂層の表面の少なくとも一部に凹部と凸部とを形成し、
前記電極に電気的に接続された複数の配線を、少なくとも１つが前記樹脂層の前記凸部の側面に形成された部分を有するように形成することを含む半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項１０記載の半導体装置の製造方法において、
前記凸部の前記側面を、前記半導体基板の前記表面に対して、斜め上方を向くように傾斜させる半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項１０又は請求項１１記載の半導体装置の製造方法において、
前記複数の配線のうちの少なくとも１つを、前記樹脂層の凹部の底面に支持される部分を有するように形成する半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
請求項１０から請求項１２のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
前記複数の配線のうちの少なくとも１つを、前記樹脂層の前記凸部の上面に支持される部分を有するように形成する半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
請求項１０から請求項１３のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
前記配線を形成する工程よりも後に、前記樹脂層の表面に前記凹部と前記凸部とを形成する半導体装置の製造方法。
【請求項１５】
請求項１０から請求項１３のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
前記配線を形成する工程よりも前に、前記樹脂層の表面に前記凹部と前記凸部とを形成する半導体装置の製造方法。
【請求項１６】
請求項１０から請求項１５のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
前記複数の配線を、相互に交差しないように形成することを含む半導体装置の製造方法。
【請求項１７】
請求項１０から請求項１６のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
前記複数の配線の少なくとも一部を覆うように、他の樹脂層を形成することをさらに含む半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器に関する。
【０００２】
【発明の背景】
半導体装置のパッケージとして、ＣＳＰ（チップスケール／サイズパッケージ）の普及率が高まってきている。また、パッケージをウエハレベルで製造する技術（ウエハレベルパッケージ）が開発されている。この方法で製造されたパッケージ（例えばウエハレベルＣＳＰ）は、外部寸法が半導体チップ寸法になっているため、従来のパッケージとは構造が異なっているが、従来のパッケージと同等又はそれ以上の信頼性が要求される。
【０００３】
本発明の目的は、信頼性が高く、実装性に優れた半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器を提供することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】
（１）本発明に係る半導体装置は、
内部に集積回路を有し、前記集積回路に電気的に接続された電極を最表面に有する半導体基板と、
前記半導体基板上に形成され、表面の少なくとも一部に凹部と凸部とを有する樹脂層と、
前記電極に電気的に接続され、前記樹脂層の前記凹部と凸部とを有する表面に形成された相互に交差しない複数の配線と、
を有し、
前記複数の配線のうちの少なくとも１つは、前記樹脂層の前記凸部の側面に形成された部分を有してもよい。
【０００５】
本発明によれば、配線間の距離を狭くすることなく、配線を高密度に形成することができる。そのため小型化が可能な、実装性の高い半導体装置を提供することができる。本発明において、半導体基板とは、半導体チップでもよいし、半導体ウエハであってもよい。半導体チップ及び半導体ウエハは、不純物を含む半導体材料からなる基板と、この基板上に設けられ、集積回路に接続された内部配線と、内部配線間を絶縁する層間絶縁膜を有する。電極は、この層間絶縁膜の最外層上に形成されたものである。
【０００６】
（２）この半導体装置において、
前記凸部の前記側面は、前記半導体基板の前記表面に対して、斜め上方を向くように傾斜してもよい。
【０００７】
（３）この半導体装置において、
前記複数の配線のうちの少なくとも１つは、前記樹脂層の凹部の底面に支持された部分を有してもよい。
【０００８】
（４）この半導体装置において、
前記複数の配線のうちの少なくとも１つは、前記樹脂層の前記凸部の上面に支持された部分を有してもよい。
【０００９】
（５）この半導体装置において、
前記複数の配線は、相互に交差しないように設けられてもよい。
【００１０】
（６）この半導体装置において、
前記樹脂層は、第１の樹脂部と前記第１の樹脂部の上に設けられ、前記第１の樹脂部とは異なる材料からなる第２の樹脂部とを含む複数の樹脂部で形成されてなり、
前記凹部の前記底面の少なくとも一部は、前記第１の樹脂部からなり、
前記凸部の前記上面の少なくとも一部は、前記第２の樹脂部からなってもよい。
【００１１】
（７）この半導体装置において、
前記複数の配線の少なくとも一部を覆うように形成された他の樹脂層をさらに有してもよい。
【００１２】
（８）本発明に係る回路基板には、上記半導体装置が実装されてなる。
【００１３】
（９）本発明に係る電子機器は、上記半導体装置を有する。
【００１４】
（１０）本発明に係る半導体装置の製造方法は、
内部に集積回路が形成されてなり、前記集積回路に電気的に接続された電極を最表面に有する半導体基板における前記電極が形成された面に樹脂層を形成し、
前記樹脂層の表面の少なくとも一部に凹部と凸部とを形成し、
前記電極に電気的に接続された複数の配線を、少なくとも１つが前記樹脂層の前記凸部の側面に形成された部分を有するように形成することを含む。
【００１５】
本発明によれば、配線間の距離を狭くすることなく、配線を高密度に形成することができる。そのため小型化が可能な、実装性の高い半導体装置を製造することができる。
【００１６】
（１１）この半導体装置の製造方法において、
前記凸部の前記側面を、前記半導体基板の前記表面に対して、斜め上方を向くように傾斜させてもよい。
【００１７】
（１２）この半導体装置の製造方法において、
前記複数の配線のうちの少なくとも１つを、前記樹脂層の凹部の底面に支持される部分を有するように形成してもよい。
【００１８】
（１３）この半導体装置の製造方法において、
前記複数の配線のうちの少なくとも１つを、前記樹脂層の前記凸部の上面に支持される部分を有するように形成してもよい。
【００１９】
（１４）この半導体装置の製造方法において、
前記複数の配線を形成する工程よりも後に、前記樹脂層の表面に前記凹部と前記凸部とを形成してもよい。
【００２０】
（１５）この半導体装置の製造方法において、
前記複数の配線を形成する工程よりも前に、前記樹脂層の表面に前記凹部と前記凸部とを形成してもよい。
【００２１】
（１６）この半導体装置の製造方法において、
前記複数の配線を、相互に交差しないように形成することを含んでもよい。
【００２２】
（１７）この半導体装置の製造方法において、
前記複数の配線の少なくとも一部を覆うように、他の樹脂層を形成することをさらに含んでもよい。
【００２３】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。ただし、本発明は、以下の実施の形態に限定されるものではない。
【００２４】
図１は、本発明を適用した実施の形態に係る半導体装置１を示す図であり、図２は、そのＩＩ−ＩＩ線断面の一部拡大図である。本実施の形態に係る半導体装置は、半導体基板１０を有する。半導体基板１０には、１つあるいは複数の集積回路１２が形成されている。半導体基板１０は半導体チップであってもよい。集積回路１２は、半導体基板１０の内部に形成されてもよい。半導体基板１０には、集積回路１２に電気的に接続された複数の電極１４が形成されてもよい。電極１４は、半導体基板１０の最表面に形成されてもよい。半導体基板１０は、不純物を含む半導体材料からなる基板と、この基板上に設けられ、集積回路１２に接続された内部配線と、内部配線間を絶縁する層間絶縁膜を有する。電極１４は、この層間絶縁膜の最外層上に形成されたものである。電極１４は、図１に示すように、半導体基板１０の平行な２辺に沿って端部に配列されていてもよく、４辺に沿って端部に配列されてもよい。電極１４は、たとえばＡｌで形成することができる。電極１４を避けて、半導体基板１０の表面（電極１４が形成された面）には、図示しないパッシベーション膜が形成されてもよい。パッシベーション膜は、電極１４上に開口部を有する絶縁膜からなるものであってもよい。パッシベーション膜は、ＳｉＮ、ＳｉＯ２、ＭｇＯ等で形成してもよい。
【００２５】
半導体基板１０の一方の面（例えばパッシベーション膜上）には、樹脂層２０が形成されている。樹脂層２０は、半導体基板１０の電極１４が形成された面に形成されてもよい。樹脂層２０は応力緩和機能を有してもよい。樹脂層２０は、ポリイミド樹脂、シリコーン変形ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン変形エポキシ樹脂、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ；ｂｅｎｚｏｃｙｃｌｏｂｕｔｅｎｅ）、ポリベンゾオキサゾール（ＰＢＯ；ｐｏｌｙｂｅｎｚｏｘａｚｏｌｅ）等の樹脂で形成することができる。樹脂層２０は、半導体基板１０と外部端子１６との間に形成されてもよい。すなわち、外部端子１６は、半導体基板１０上に設けられた樹脂層２０の上方に設けられてもよい。外部端子１６は、半導体基板１０の電極１４と電気的に接続した導電材料からなる。樹脂層２０は、半導体基板１０の端部側よりも、中央側の方が厚くなるように形成されてもよい。この場合、樹脂層２０は、半導体基板１０の端部側から中央側に向けて厚みが増すように傾斜する部分を有してもよい。
なお、後述する凹凸は、樹脂層２０の傾斜する部分にのみ形成されてもよい。
【００２６】
図２に示すように、樹脂層２０は、表面の少なくとも一部が凹凸を有するように形成されてもよい。図２に示す例では、樹脂層２０は、樹脂部２２と樹脂部２２上に設けられ、樹脂部２２に達する開口部を有する樹脂部２４との２層によって形成されている。この場合、樹脂部２４を凸部２７と称してもよく、樹脂部２２における樹脂部２４から露出した部分を凹部２５と称してもよい。すなわち、樹脂層２０は、表面に凹部２５と凸部２７とを有してもよい。なお、凹部２５の底面２６の少なくとも一部は、樹脂部２２からなっていてもよく、凸部２７の上面２８の少なくとも一部は、樹脂部２４からなっていてもよい。樹脂部２２と樹脂部２４とは、同じ材料からなるものであってもよいし、異なる材料からなるものであってもよい。異なる材料からなる場合、樹脂部２２を構成する材料のエッチングレートと樹脂部２４を構成する材料のエッチングレートの比が３〜５程度のものであってもよい。なお、樹脂部２２を第１の樹脂部と称してもよく、樹脂部２４を第２の樹脂部と称してもよい。図２に示すように、樹脂層２０の凸部２７の側面２９は、半導体基板１０の表面に対して、斜め上方を向くように傾斜してもよい。すなわち凸部２７は、半導体基板１０側の基端部よりも上端部が細くなるように形成されてもよい。凸部２７は、ほぼ同一の縦断面が連続する線状をなしてもよい。なお、図２に示す例では、樹脂層２０は、樹脂部２２と樹脂部２４との２層によって形成されているが、これとは別に樹脂層２０を１つの層で形成してもよく、あるいは２つ以上の複数の層で形成してもよい。
【００２７】
本実施の形態に係る半導体装置は、複数の配線３０を有する。配線３０は、電極１４に電気的に接続されていてもよい。配線３０は樹脂層２０の表面に形成されてもよい。配線３０の少なくとも一部は、樹脂層２０の表面における凹部２５と凸部２７とが形成された領域に形成されてもよい。配線３０のうちの少なくとも１つは、凸部２７の側面２９に形成された部分を有してもよい。また、配線３０は凹部２５の底面２６に支持された部分を有する配線を含んでいてもよく、凸部２７の上面２８に支持された部分を有する配線を含んでいてもよい。これによれば、隣り合う配線３０の間の距離を狭くすることなく、配線３０を高密度に形成することができる。そのため、信頼性が高く、実装性に優れた半導体装置を製造することができる。なお、配線３０は、一層あるいは複数層の導電層で形成してもよい。導電層は、例えば、金属、合金や金属化合物であってもよい。また、配線３０は、相互に交差しないように形成されてもよい。
【００２８】
半導体基板１０には、複数の配線３０の少なくとも一部を覆うように絶縁膜からなる保護膜（図示せず）が形成されてもよい。例えば、保護膜は感光性樹脂からなるレジスト層で形成してもよい。配線３０の外部端子が設けられた部分を除いた部分を全て保護膜で覆うことで、配線３０の酸化、腐食を防止し、さらに電気的不良を防止することができる。
【００２９】
本実施の形態に係る半導体装置は、複数の配線３０の少なくとも一部を覆う他の樹脂層１８を有してもよい。樹脂層１８によって、複数の配線３０の全てを覆ってもよい。樹脂層１８を被覆層と称してもよい（図２参照）。樹脂層１８は外部端子１６の根本部を覆ってもよく、これによって外部端子１６の少なくとも根本部を補強することができる。樹脂層１８によって、半導体装置が回路基板に実装された後の外部端子１６に応力が集中することを防止することができる。
【００３０】
本実施の形態に係る半導体装置は、半導体基板１０（半導体チップ）がベアチップとなり、パッケージサイズが半導体チップにほぼ等しくなり、ＣＳＰに分類することができる。あるいは、半導体装置１は、応力緩和機能を備えるフリップチップであるということもできる。
【００３１】
本実施の形態に係る半導体装置１は、上記のように構成されており、以下その製造方法を説明する。図３（Ａ）〜図５（Ｃ）は、本実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための図である。
【００３２】
はじめに、半導体基板１０に、表面の少なくとも一部に凹凸を有する樹脂層を形成する。図３（Ａ）〜図３（Ｃ）は、半導体基板１０に、樹脂部２２及び樹脂部２４を含む樹脂層２０を形成する工程を説明するための図である。内部に集積回路１２が形成され、集積回路１２に電気的に接続された電極１４を最表面に有する半導体基板１０を用意する。半導体基板１０は、半導体チップであってもよい。そして、半導体基板１０の一方の面（電極１４が形成された面）に樹脂部２２を設け、さらに樹脂部２４を、樹脂部２２上に全面に形成する（図３（Ａ）参照）。なお、樹脂部２２と樹脂部２４とによって形成される層を、樹脂層２０と称してもよい。ただし、２以上の複数の層から形成された層を、樹脂層２０としてもよい。ここで、樹脂部２４は感光性の樹脂であってもよい。そして、例えば凸部２７の形成領域上で光等のエネルギーを遮断し、それ以外の領域でエネルギーを通すマスク４０を樹脂部２４の上方に配置し、エネルギー４２を照射する（図３（Ｂ）参照）。その後現像することで樹脂部２４をパターニングすることができる（図３（Ｃ）参照）。これによって、樹脂層２０の表面の少なくとも一部に凹部２５と凸部２７とを形成してもよい。
【００３３】
ここで、マスク４０は、エネルギー４２を透過させる基板４４と、エネルギーを遮断する遮断材４６とを有してもよく、遮断材４６を、端部側よりも中央側の方が厚くなるように形成してもよい（図３（Ｂ）参照）。これによると、遮断材４６の中央付近ではエネルギー４２がほとんど透過せず、その一方で、遮断材４６の端部に近づくほど、透過するエネルギー４２の量が多くなる。そのため、樹脂部２４は、遮断材４６の中央付近では、ほとんどエネルギー４２にさらされることがなく、遮断材４６の端部付近では、端部に近づくほど多量のエネルギー４２にさらされることになるので、側面２９が斜め上方を向くように傾斜した凸部２７を形成することができる（図３（Ｃ）参照）。
【００３４】
上述の記載は、エネルギーが照射されると現像液への溶解性が増加するもの（ポジ型レジスト）の場合であるが、エネルギーが照射されると現像液への溶解性が減少するもの（ネガ型レジスト）であってもよい。後者の場合は、凸部２７を形成したい領域上でエネルギーを通過させ、それ以外の領域でエネルギーを遮断するマスクを配置してエネルギー４２を照射することになる。
【００３５】
ただし、樹脂層２０を形成する方法はこれに限られず、例えば表面が平坦な樹脂層に、あらかじめ複数の開口部が設けられた別の樹脂層を搭載して、樹脂層２０を形成してもよい。また、可塑性の樹脂を、熱や光等を利用して塑性変形させて、樹脂層２０を形成してもよい。あるいは、半導体基板１０に樹脂層を全面に形成し、その一部を、光やドライエッチング等により凹ませることで、表面に凹凸を有する樹脂層２０を形成してもよい。この場合、樹脂層２０は１つの層で形成される。
【００３６】
次に、図４（Ａ）〜図４（Ｃ）は、レジスト５２層を形成し、これをパターニングする工程を説明するための図である。半導体基板１０に形成された樹脂層２０（樹脂部２２及び樹脂部２４）にスパッタリングやＣＶＤ等で導電膜５０を形成し、さらにレジスト層５２を、導電膜５０上に全面に形成する（図４（Ａ）参照）。そして、マスク４１をレジスト層５２の上方に配置してエネルギー４３を照射し（図４（Ｂ）参照）、その後現像することでレジスト層５２をパターン化してもよい（図４（Ｃ）参照）。凸部２７の側面２９の一部を除く領域に、レジスト層５２を形成してもよい。また、凹部２５の底面２６の一部、及び、凸部２７の上面２８の一部を除く領域にレジスト層５２を形成してもよい。例えばレジスト層５２は感光性であってもよく、その場合照射するエネルギー４３は光であってもよい。レジスト層５２の性質も、いわゆるポジ型、ネガ型のいずれであってもよく、それにあわせてマスク４１によりエネルギーを遮断する領域を選択してもよい。
【００３７】
次に、配線３０を形成する。図５（Ａ）〜図５（Ｃ）は、配線３０を形成する工程を説明するための図である。導電層５０における、レジスト層５２から露出した部分に配線３０を形成する（図５（Ａ）参照）。配線３０は、例えば導電膜５０を利用した電解メッキによって形成することができる。凸部２７の側面２９の一部を除く領域にレジスト層５２を形成することで、凸部２７の側面２９に形成された部分を有する配線３０を形成することができる。凹部２５の底面２６の一部を除く領域にレジスト層５２を形成することで、凹部２５の底面２６に支持される部分を有する配線３０を形成することができる。凸部２７の上面２８の一部を除く領域にレジスト層５２を形成することで、凸部２７の上面２８に支持される部分を有する配線３０を形成することができる。その後、レジスト層５２を除去し（図５（Ｂ）参照）、導電膜５０をエッチングして、配線３０を形成することができる（図５（Ｃ）参照）。本工程によると、配線３０の凸部２７の側面２９に形成される部分の側面は、半導体基板１０の厚み方向へ立ち上がるように形成される。なお、複数の配線３０を、相互に交差しないように形成してもよい。
【００３８】
以上の工程によって形成された配線３０に外部端子１６等を接続し、配線３０の少なくとも一部を覆うように、他の樹脂層１８を形成する等の工程を経て、本実施の形態に係る半導体装置１を製造することができる。
【００３９】
本実施の形態に係る半導体装置１は、内部に集積回路１２を有し、集積回路１２に電気的に接続された電極１４を最表面に有する半導体基板１０を有する。半導体装置１は、半導体基板１０上に形成され、表面の少なくとも一部に凹部２５と凸部２７とを有する樹脂層２０を有する。半導体装置１は、電極１４に電気的に接続され、樹脂層２０の表面に形成された複数の配線３０を有する。複数の配線３０のうち少なくとも１つは、樹脂層２０の凸部２７の側面２９に形成された部分を有する。
【００４０】
本実施の形態では、凹凸を有する樹脂層２０を形成した後に、配線３０を形成する半導体装置の製造方法を説明した。本実施の形態は、これに限らず、配線３０を形成した後に、樹脂層２０に凹凸を形成してもよい。この場合、複数の配線３０をマスクとして、自己整合的に樹脂層２０をパターニングして、複数の配線３０間に凹部を形成してもよい。
【００４１】
図６には、本発明の実施の形態に係る半導体装置１が実装された回路基板１０００が示されている。本発明の実施の形態に係る半導体装置１を有する電子機器として、図７にはノート型パーソナルコンピュータ２０００が示され、図８には携帯電話３０００が示されている。
【００４２】
（変形例）
図９及び図１０は、本発明を適用した実施の形態の変形例を示す図である。図９は、本発明を適用した実施の形態に係る半導体ウエハの一部拡大図であり、その全体を図１０に示す。なお、本実施の形態でも上述した内容を可能な限り適用することができる。
【００４３】
本実施の形態に係る半導体ウエハ２は、複数の集積回路１２を有してもよい。
半導体ウエハ２には、集積回路１２毎に半導体装置１と同様の樹脂層、配線、外部端子等が形成されてもよい。すなわち、半導体ウエハ２には、複数の半導体装置１が形成されてもよい。半導体装置１は、上述の方法によって製造してもよい。これによれば、隣り合う配線の間の距離を狭くすることなく、配線を高密度に形成することができる。そのため、信頼性が高く、実装性に優れた半導体ウエハを製造することができる。図１０に示すように、半導体ウエハ２を、例えばブレード１００によって、それぞれの集積回路１２を囲むラインＬで切断することで、複数の半導体装置１が得られる。
【００４４】
本実施の形態に係る半導体ウエハ２は、内部に複数の集積回路１２を有し、集積回路１２に電気的に接続された電極１４を最表面に有する半導体基板を有する。半導体ウエハ２は、半導体基板上に形成され、表面の少なくとも一部に凹部と凸部とを有する樹脂層を有する。半導体ウエハ２は、電極１４に電気的に接続され、樹脂層の凹部と凸部とを有する表面に形成された複数の配線を有する。複数の配線の少なくとも１つは、樹脂層の凸部の側面に形成された部分を有する。
【００４５】
本発明は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば、本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成（例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるいは目的及び結果が同一の構成）を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は、本発明の実施の形態に係る半導体装置を示す図である。
【図２】図２は、本発明の実施の形態に係る半導体装置を示す図である。
【図３】図３（Ａ）〜図３（Ｃ）は、本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を示す図である。
【図４】図４（Ａ）〜図４（Ｃ）は、本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を示す図である。
【図５】図５（Ａ）〜図５（Ｃ）は、本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を示す図である。
【図６】図６は、本発明の実施の形態に係る回路基板を示す図である。
【図７】図７は、本発明の実施の形態に係る電子機器を示す図である。
【図８】図８は、本発明の実施の形態に係る電子機器を示す図である。
【図９】図９は、本発明の実施の形態に係る半導体ウエハを示す図である。
【図１０】図１０は、本発明の実施の形態に係る半導体ウエハを示す図である。
【符号の説明】
１０　半導体基板チップ、　１２　集積回路、　１４　電極、　１８　他の樹脂層、　２０　樹脂層、　２６　底面、　２７　凸部、　２８　上面、　２９　側面、　３０　配線
【図１】
2004140116.tif 000003
【図２】
2004140116.tif 000004
【図３】
2004140116.tif 000005
【図４】
2004140116.tif 000006
【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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