(57)【要約】【課題】ボート上の基板支持位置にかかわらず、基板処理の面内均一性を改善する。【解決手段】基板処理部１０は、複数枚の基板Ｗをボート１７により支持した状態で反応炉１１内に入れて、基板Ｗを処理する。ボート１７の基板支持領域Ａを複数の領域、例えば上部基板支持領域ＴＣ、下部基板支持領域Ｂに分け、各領域ＴＣ、Ｂで支持する基板間の間隔を各領域毎に異ならせる。基板移載機２０に基板支持領域位置をティーチングするには、全基板支持位置を教えるのではなく、例えば基板移載機２０が１枚の基板Ｗを搬送する場合は、各領域ＴＣ、Ｂの最上位置ＴＣ１、Ｂ１、最下位置ＴＣ２、Ｂ２をそれぞれ教えるようにする。また、基板移載機２０が複数枚、例えば５枚の基板Ｗを一括搬送する場合は、各領域ＴＣ、Ｂの下端位置は同じであるが、上端位置は最上位置ＴＣ１から４枚下、Ｂ１から４枚下をそれぞれ教えるようにする。【選択図】　図１
2004047767.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数枚の基板をボートの基板支持領域に積層して支持した状態で基板を処理する基板処理装置において、
前記ボートの基板支持領域を複数の領域に分け、
各領域で支持する基板間の間隔を各領域毎に異ならせたことを特徴とする基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は基板処理装置に係り、特に基板を積載支持するボートに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
基板処理装置、例えば縦型基板処理装置は、縦型炉とボートを備え、複数枚の基板を積層支持したボートを炉にロードして、複数枚の基板を同時に処理するものである。図６、図７に示すように、ボート１は、複数枚の基板Ｗを積層支持するための基板支持領域２を有し、基板支持領域２の全領域において基板間隔はＸｍｍと一定に設定されている。
【０００３】
なお、基板移載機（図示せず）により、ボート２と基板搬送容器（図示せず）との間で基板Ｗの搬送を行なうが、ボート１の基板支持位置に基板Ｗを移載するには、予め基板支持位置を基板移載機に教える必要がある。これをティーチングという。ここで、図６は、ティーチングを最下位置ａの１点指示で行なう場合を示す。また、図７は、ティーチングを上下の２点指示で行なう場合を示しており、下点は、枚葉搬送の場合も５枚一括搬送の場合も共通して最下位置ａを指示し、上点は、枚葉搬送の場合には最上位置ｂを、５枚一括搬送の場合は最上位置ｂから４枚下（５枚目）をそれぞれ指示する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述した従来の基板処理装置では、ボートの基板支持領域の全領域において基板間隔が一定であるので、基板支持位置によって基板面内均一性がばらつくという問題があった。
【０００５】
本発明の課題は、上述した従来技術の問題点を解消して、基板位置にかかわらず基板面内均一性を改善することが可能な基板処理装置を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
第１の発明は、複数枚の基板をボートの基板支持領域に積層して支持した状態で基板を処理する基板処理装置において、前記ボートの基板支持領域を複数の領域に分け、各領域で支持する基板間の間隔を各領域毎に異ならせたことを特徴とする基板処理装置である。基板間の間隔が大きい領域では、間隔が小さい領域に比べて、処理ガスを基板中心部に入れやすくすることができる。また間隔が大きい領域では、間隔が小さい領域に比べて、基板面内の温度差を小さくすることができる。したがって、基板間の間隔を各領域毎に異ならせると、異ならせた間隔に応じて、基板中心部への処理ガス量や、基板面内の温度差を調整することができるので、複数枚の基板処理の面内均一性を向上することが可能になる。
【０００７】
第２の発明は、複数枚の基板をボートにより支持した状態で基板を処理する半導体装置の製造方法において、ボートの基板支持領域を複数の領域に分け、各領域で支持する基板間の間隔が各領域毎に異なるよう基板を支持し、この状態で基板を処理するようにしたことを特徴とする半導体装置の製造方法である。基板間の間隔が各領域毎に異なるよう基板を支持し、この状態で基板を処理すると、異ならせた間隔に応じて、基板中心部への処理ガス量や、基板面内の温度差を調整することが可能となるので、基板面内均一性の高い処理を施された半導体デバイスを得ることができる。
【０００８】
第３の発明は、複数の基板支持領域を有し、各領域で支持する基板間の間隔を各領域毎に異ならせたボートに対して基板移載機のティーチングを行なう工程と、ティーチング終了後、ティーチングされた基板移載機により基板をボートに移載する工程と、基板が支持されたボートを反応炉内にロードする工程と、反応炉内で基板を処理する工程とを有し、前記ティーチング工程では、各領域の両端位置の２点をティーチングするようにしたことを特徴とする半導体装置の製造方法である。ティーチング工程では、各領域の両端位置の２点をティーチングさせるようにしたので、各領域で支持する基板間の間隔を各領域毎に異ならせても、各領域の２点で全領域の支持位置のティーチングを代表させることができるため、基板移載機のティーチング時間を短縮できる。また、各領域のいずれか一端の１点をティーチングさせる場合に比して、ティーチングを正確に行なうことができる。
【０００９】
【発明の実施の形態】
以下に本発明の実施の形態を説明する。
【００１０】
図１に第１の実施の形態の半導体製造装置の概略構成図を示す。基板処理装置としての半導体製造装置は、基板Ｗ上に成膜処理する基板処理部１０と、基板Ｗを基板処理部１０に移載する基板移載機２０とから主に構成され、基板移載機２０によって移載された基板Ｗを基板処理部１０によって成膜処理することにより、半導体デバイスを製造する。なお、成膜する膜種としては、酸化膜、窒化膜、Ｐｏｌｙ　Ｓｉ膜、Ｄｏｐｅｄ−Ｐｏｌｙ　Ｓｉ膜等がある。
【００１１】
基板処理部１０は縦型の反応炉１１を備える。反応炉は減圧炉でも常圧炉でもよい。縦型の反応炉１１は基板Ｗを加熱するための円筒状のヒータ１２と、ヒータ１２内に配置され複数枚の基板Ｗを収容する反応管１３とから構成される。反応管１３には処理ガスを反応管１３内に供給する給気ポート１４と、反応管１３内の雰囲気を排気する排気ポート１５が設けられる。給気ポート１４は図示しない処理ガス源に接続される。排気ポート１５は反応炉１１が減圧炉の場合には真空ポンプ１６に接続されるが、常圧炉の場合には真空ポンプは不要である。
【００１２】
反応炉１１の下方にはボート１７が昇降自在に設けられる。ボート１７は複数枚の基板Ｗを水平姿勢で積層して支持し、反応管１３内に挿脱可能に収容される。ボート１７の基板支持領域Ａを複数の領域、ここでは便宜上、下部基板支持領域Ｂ、上部基板支持領域ＴＣの２つの領域に分けてある。各領域で支持する基板Ｗ間の間隔は、各領域毎に異ならせてある。ティーチング位置は各領域の両端位置を指定する。すなわち多点ティーチングとする。ティーチング位置例として、下部基板支持領域Ｂでは領域最上位置Ｂ１、領域最下位置Ｂ２、上部基板支持領域ＴＣでは領域最上位置ＴＣ１、領域最下位置ＴＣ２としてある。
【００１３】
基板移載機２０は、複数枚の基板Ｗを積載して支持する複数枚のツィーザ２１を有し、半導体製造装置内に配置した基板搬送容器３０からボート１７へ、あるいはボート１７から基板搬送容器３０へ基板Ｗを搬送する。基板移載機２０は、複数枚一括して搬送する複数枚搬送モードと、１枚だけ搬送する枚葉搬送モードとを選択できるようになっている。複数枚搬送モードを選択したときは、基板搬送容器３０に対する基板Ｗの搬送は複数枚、例えば５枚一括で行なうようになっている。また、ボート１７に対する基板Ｗの搬送も、基板搬送容器３０と同じ枚数で行うようになっている。
【００１４】
ボート１７に対する基板Ｗの搬送、移載を正確に行うためには、基板搬送容器３０に対すると同様に、基板移載機２０にボート１７に対する基板支持位置のティーチングを行なう必要がある。ティーチングは、基板移載機２０の動きを制御する制御コントローラ２２により行なう。多点ティーチング時にも複数枚搬送を基本とする。例えば５枚一括搬送の場合、各領域下位置のティーチング位置は各領域最下位置であるが、各領域上位置のティーチング位置は各領域最上位置から４枚下である。なお、基板Ｗを１枚だけ搬送する枚葉搬送の場合、各領域の上下のティーチング位置は、最上位置及び最下位置である。
【００１５】
図２にボート１７の概略図を示す。ボート１７は、複数枚、例えば１００〜１５０枚の基板Ｗを支持する基板支持領域Ａを垂直方向に有する。この基板支持領域Ａを上部基板支持領域ＴＣと下部基板支持領域Ｂとの２領域に分けてある。２つの領域ＴＣ、Ｂで支持する基板Ｗ間の間隔は上部基板支持領域ＴＣと下部基板支持領域Ｂとで異なるように設定する。基板間隔は上部基板支持領域ＴＣではＸｍｍ、下部基板支持領域ＢではＹｍｍ（Ｘ＜Ｙ）とする。上部基板支持領域ＴＣ最上位置をＴＣ１、最下位置をＴＣ２とし、下部基板支持領域Ｂの最上位置をＢ１、最下位置をＢ２としてある。前述した基板移載機２０へのティーチングはこれらの基板支持領域ＴＣ、Ｂに対してそれぞれ行なわれる。
【００１６】
さて、上述したような半導体製造装置を用いて半導体装置を製造する基板処理方法を説明する。処理内容として、多点ティーチング作業工程、ティーチング後の一連の処理工程（ボート移載工程、ボートロード工程、基板処理工程、ボートアンロード工程、基板搬送容器移載（回収）工程等）がある。
【００１７】
多点ティーチング作業工程
まず、多点ティーチング作業工程は次のように行われる。ここでは、基本通り複数枚搬送、例えば５枚一括搬送で行なう。１枚の基板Ｗを、ボート１７の下部基板支持領域Ｂのティーチング最下位置Ｂ２に手動または自動でずれがないように置く。つぎに基板移載機２０を複数枚搬送モードで駆動して、複数枚の空のツィーザ２１を、最下位のツィーザがボート１７の最下位置Ｂ２に置いた基板Ｗの下側に来るように一括して滑り込ます。最下位ツィーザ２１の所定位置に基板Ｗが正しく支持されるように目視で確認しながらツィーザ２１を前進させる。最下位ツィーザ２１の所定位置に基板Ｗのエッジが来たら、基板移載機２０を上昇し、基板Ｗをボート１７から最下位ツィーザ２１上に移載する。最下位ツィーザ２１上に正しく基板Ｗが載っていれば、その基板支持位置を、基板移載機２０を制御する制御コントローラ２２に記憶させる。移載された基板Ｗが最下位ツィーザ２１上に正しく載っていなければ、基板移載機２０を下げて、基板Ｗをボート１７の最下位置Ｂ２に戻す。基板Ｗが最下位置にあることを確認し、再び基板移載機２０の位置を補正し、最下位ツィーザ２１の所定位置に基板Ｗのエッジが正しく載るように目視で確認し、基板移載機２０を再度上昇する。最下位ツィーザ２１上に正しく基板Ｗが載るまで基板移載機２０の位置補正作業を繰り返す。そして最下位ツィーザ２１上に正しく基板Ｗが載ったら、その基板支持位置を、基板移載機２０を制御する制御コントローラ２２に記憶させる。
【００１８】
同様にして、このティーチング作業を、ボート１７の下部基板支持領域Ｂの最上位置Ｂ１から４枚下、上部基板支持領域ＴＣの最下位置ＴＣ２、及び上部基板支持領域ＴＣの最上位置ＴＣ１から４枚下について行ない、各基板支持領域の基板支持位置を、基板移載機２０を制御する制御コントローラ２２にそれぞれ記憶させ、ティーチングは完了する。制御コントローラ２２に、予めボート１７の基板支持領域Ａの全長を入力しておけば、各基板支持領域ＴＣ、Ｂ内での基板Ｗ間の間隔Ｘｍｍ、Ｙｍｍはそれぞれ等しく設定してあるから、記憶させた各基板支持領域ＴＣ、Ｂの最下位置ＴＣ２，Ｂ２、及び最上位置ＴＣ１，Ｂ１から４枚下から、各基板支持領域ＴＣ、Ｂにおける全基板支持位置をＸｍｍ、Ｙｍｍピッチでそれぞれ割り出すことができる。従って、４回の操作で１００〜１５０枚分のツィーザのティーチングを代表させることができる。
【００１９】
なお、枚葉搬送モードで多点ティーチング作業を行なう場合は、ボート１７の下部基板支持領域Ｂの上端のティーチング位置が最上位置Ｂ１となり、上部基板支持領域ＴＣの上端のティーチング位置が最上位置ＴＣ１となる点を除いて、複数枚搬送モードと同じである。
【００２０】
このように上下領域の２つに分割した図２の場合には、前述の位置Ｂ２をティーチングする一連の作業を１セットとすると、この作業を、５枚一括搬送モードの場合は、Ｂ２→Ｂ１から４枚下→ＴＣ２→ＴＣ１から４枚下、また枚葉搬送モードの場合は、Ｂ２→Ｂ１→ＴＣ２→ＴＣ１というように計４セットの作業を順次行なって多点ティーチングの完了とする。なお、２点以上のティーチング位置がある場合にこの方法が適用できる。また、上述したティーチング工程では、ボート１７の下部から上部に向けてティーチング作業を行なったが、ボート１７の上部から下部に向かってティーチング作業を行なってもよい。
【００２１】
ティーチング後の一連の処理工程
ここでは減圧炉の場合について説明する。ティーチング後の一連の処理工程は次のように行われる。ここでは、シリコン基板上にＳｉ３Ｎ４膜を成膜する場合について説明する。基板処理動作を開始する前に、ヒータ１２を炉内がボートロード可能な温度となるような温度に予め設定し、真空ポンプ１６は排気運転状態に設定する。この状態でまず、基板Ｗをボート１７に移載するためのウェーハチャージ処理を実行する。ボート１７は下降して反応炉１１の下方に位置決めされる。ボート１７の各基板支持領域に対する基板支持位置が、ティーチングされた基板移載機２０により、処理すべき基板Ｗが５枚単位で基板搬送容器３０からボート１７に移載される。この移載を繰り返すことにより、ボート１７の各基板支持領域ＴＣ、Ｂの全領域を多数枚（１００枚〜１５０枚）の基板Ｗでチャージする。例えば下部基板支持領域Ｂで支持する枚数は３０枚〜５０枚、上部基板支持領域ＴＣで支持する枚数は７０枚〜１００枚である。なお、基板支持領域で支持する全基板枚数は、基板間隔により当然枚数は異なる。例えば基板間隔が６ｍｍのとき１５０枚、９ｍｍのとき１００枚となる。
【００２２】
つぎに、ボートロード処理が実行されて、処理すべき多数の基板Ｗがボート１７にＸｍｍ、Ｙｍｍピッチで積載支持された状態で反応炉１１にロードされる。ボートロード後、反応炉１１の内部の雰囲気を排出する真空排気処理が実行され、反応炉１１の内部の圧力を１００Ｐａまで減圧させる。また、ヒータ１２により反応炉１１の内部の温度を予め定めた基板処理温度である７５０℃に昇温させる。
【００２３】
つぎに、基板処理が実行されて、反応炉１１内に反応ガスＳｉＨ２Ｃｌ２３０ｓｃｃｍ、ＮＨ３３００ｓｃｃｍを供給しつつ排気して、ボート１７に支持されている基板Ｗの表面にＳｉ３Ｎ４薄膜を１００Å（Åはオングストロームの略、以下同じ。）形成する。この処理が終了すると、アフタパージ処理が実行されて、反応炉１１に対する反応ガスの供給に代えてＮ２等の不活性ガスの供給を開始しつつ排気して、反応炉１１の内部に残留している残留ガスを排出する。
【００２４】
つぎに、大気戻し処理が実行されて、不活性ガスの供給は続けるが、排気を停止することにより、反応炉１１の内部の圧力を上昇して、反応炉１１の内部の圧力を大気圧に戻す。また、ヒータ１２により反応炉１１の内部の温度をボートアンロード可能な温度となるような温度に降温させる。その後、ボートアンロード処理が実行されて、反応炉１１に対する不活性ガスの供給を停止し、処理の済んだ基板Ｗをボート１７に収容された状態で、反応炉１１の内部からアンロードする。
【００２５】
そして、最後に、ボート１７から処理の済んだ基板Ｗを取り出すための基板ディスチャージ処理を実行して、基板搬送容器３０に移載し、基板Ｗの表面に所定の処理を施すための全動作を終了する。
【００２６】
なお、上述した実施の形態では膜種がＳｉ３Ｎ４膜の場合について説明したが、膜種ＳｉＯ２膜である場合の成膜条件は、つぎの通りである。
成膜温度　９００℃
炉内圧力　０．０５ＫＰａ
Ｏ２　１０ｓｌｍ
ＨＣｌ　１００ｓｃｃｍ
膜厚　２００Å
【００２７】
また実施の形態では、減圧炉の場合について説明したが、前述したように本発明は常圧炉にも適用できる。常圧炉の場合は、真空排気処理を実行せず、反応炉内部の圧力を大気圧とほぼ同等の圧力に制御する点を除いて、減圧炉の場合と同じである。
【００２８】
実施の形態による効果
図３〜図５はウェーハ間隔とウェーハ面内均一性データの関係を示す特性図である。データを取得したときの実験では、図１に示す減圧ＣＶＤ装置を用いた。ボートの基板間隔はＸ＝６ｍｍ、Ｙ＝１２ｍｍであり、ボート全長は１０００ｍｍ、炉長は３０００ｍｍである。成膜条件は、成膜温度９００℃、炉内圧力０．０５ＫＰａ、Ｏ２１０ｓｌｍ、ＨＣｌ１００ｓｃｃｍ、膜種ＳｉＯ２膜、膜厚２００Åある。また、実験方法は、ウェーハを前洗浄した直後に半導体製造装置に投入し、半導体製造装置にて処理を実施し、処理終了後、回収して膜厚測定を行なった。
【００２９】
なお、図１ではボート領域を２分割にしているにもかかわらず、図３〜図５のデータでは、そのウェーハ位置を、上領域（ＴＯＰ）、中領域（ＣＥＮ）、下領域（ＢＯＴ）の３つに分けている。これは、上領域、中領域、下領域で支持する基板枚数は、通常膜厚を確認するために製品領域の上下に一枚ずつ、さらに製品領域の真ん中に一枚、計３枚の基板をモニタとして投入して処理する。このときの３枚の基板を上から順にトップモニタ、センタモニタ、ボトムモニタと称することがある。したがって、図３〜図５のように上領域、中領域、下領域と３つに分けたのは、モニタに対応した便宜的なものである。
【００３０】
ボート１７の基板間の間隔を全領域にわたって等しく設定した場合には、間隔が比較的狭いＸｍｍのときには、図３に示すように、上領域（ＴＯＰ）と中領域（ＣＥＮ）では、ウェーハ面内均一性は±１％程度と良好であるが、下領域（ＢＯＴ）では±１．８％程度となって悪い。また間隔が比較的広いＹｍｍのときには、図４に示すように、下領域のウェーハ面内均一性は約±０．８％と改善され、上領域及び中領域では±０．５％前後とさらに改善されているのがわかる。このように、ボート１７の基板支持領域に応じて、ウェーハ面内均一性にばらつきが生じる。
【００３１】
処理ガスの上流側に位置するボート下部領域では、下流側に位置するボート上部領域と比べて、ガス濃度が高くなるため面内均一性が悪くなる傾向がある。また基板間隔が小さいと、間隔が大きい場合に比べて、処理ガスは基板中心部に入りにくくなるので、基板面内均一性が悪くなる傾向がある。さらに、基板間の間隔が小さいと、基板間隔の大きい場合に比して、基板面内の温度差が大きくなるので、基板面内均一性が悪くなる傾向がある。逆に、基板間隔が広くなると、基板位置にかかわらず均一性が向上する傾向がある。
【００３２】
そこで図２に示す実施の形態では、ボート１７の基板間の間隔を、ウェーハ面内均一性が良好な上部基板支持領域ＴＣでは比較的狭いＸｍｍとし、ウェーハ面内均一性の悪い下部基板支持領域Ｂでは、ウェーハ間隔をＸｍｍからＹｍｍ（Ｘ＜Ｙ）に変更してある。均一性だけを考慮すれば、ウェーハ間隔は全領域にわたって間隔の広いＹｍｍとすればよいが、その場合、処理枚数が少なくなる。これに対し、均一性のよくない下部領域のみウェーハ間隔をＹｍｍとし、その他の領域のウェーハ間隔を間隔の狭いＸｍｍとすれば、処理枚数をそれほど減らすことなく均一性を向上できる。
【００３３】
基板間隔が全領域にわたって同一である従来のボートと比較すると、下領域の基板間隔が広くなっているため、下領域の均一性が向上する。その結果、図５に示すように、上領域〜下領域の全領域にわたってウェーハ面内均一性のばらつきが改善され、全領域でも概ね±１％以下となりウェーハ面間均一性も改善することができる。
【００３４】
これは下部基板支持領域Ｂでのウェーハ間隔の拡大により、処理ガスがウェーハ中心部に入りやすくなるので、ウェーハ周辺のガス濃度、均一性が向上し、その結果、面内均一性が向上したからである。また、下部基板支持領域Ｂでのウェーハ間隔の拡大により、ウェーハ面内の温度差をより小さくできるので、ウェーハ面内の温度分布均一性が向上し、その結果、ウェーハ面内均一性が向上したからである。さらに、スリップ（結晶欠陥、結晶面のすべり）や反りを抑制することもできる。
【００３５】
なお、ボートの全基板支持領域のうち、いずれの部分の基板間隔を幾つに設定するかは、炉の構造（反応管が二重管や単管）や処理（分割加熱、ガス給排）等の処理条件に応じて、最適なウェーハ特性が得られるように決定されるべきであり、固定的に決定されるべきものではない。処理条件に応じて基板間隔を適切に選択することにより、全基板支持領域でウェーハ面内均一性のみならず、ウェーハ面間均一性を得ることが可能となる。
【００３６】
また、基板間隔を異ならせる基板支持領域を幾つに分割するかも、処理条件に応じて決定されるべきものである。本実施の形態における装置の場合には、図３〜図５の実験結果から、基板支持領域は２つに分ければ十分であることがわかったが、他の装置あるいは成膜条件などに応じて、基板支持領域を３つ以上に分ける必要も生じうると考えられる。
【００３７】
図８は、そのような基板支持領域を３つ以上に分割した第２の実施の実施の形態による半導体製造装置の概略構成図を示す。図１に示す第１の実施の形態による半導体製造装置と異なる点は、ボート１７の基板支持領域Ａを複数の領域、ここでは下領域Ｂ、中領域Ｃ、上領域Ｔの３つの領域に分けた点である。各領域で支持する基板Ｗ間の間隔は、各領域毎に異ならせてある。ティーチング位置は各領域の両端位置を指定する多点ティーチングとする。ティーチング位置例として、５枚一括搬送モードの場合、下領域Ｂでは領域最下位置Ｂ２、領域最上位置Ｂ１から４枚下、中領域Ｃでは領域最下位置Ｃ２、領域最上位置Ｃ１から４枚下、上領域では領域最下位置Ｔ２、領域最上位置Ｔ１から４枚下となる。枚葉搬送モードの場合は、各領域の領域下端位置は同じであるが、領域上端位置が、それぞれ領域最上位置Ｂ１、Ｃ１、Ｔ１となる。また、上、中、下領域の３つに分けた場合には、上記多点ティーチング作業を順次Ｂ２→Ｂ１（Ｂ１から４枚下）→Ｃ２→Ｃ１（Ｃ１から４枚下）→Ｔ２→Ｔ１（Ｔ１から４枚下）のように計６セットの作業を行なって多点ティーチングの完了とする。
【００３８】
【発明の効果】
本発明によれば、ボートの基板支持領域を複数の領域に分け、各領域で支持する基板間の間隔を各領域毎に異ならせるようにしたので、基板支持領域位置にかかわらず基板面内均一性を改善することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１の実施の形態による半導体製造装置の概略構成図である。
【図２】第１の実施の形態によるティーチングを説明するボートの概略構成である。
【図３】ウェーハ間隔が一定値（Ｘｍｍ）のときのウェーハ面内均一性特性図である。
【図４】ウェーハ間隔が一定値（Ｙｍｍ）のときのウェーハ面内均一性特性図である。
【図５】ウェーハ間隔を異ならせたときのウェーハ面内均一性特性図である。
【図６】従来例のティーチングを１点指示で行なうボートの概略構成図である。
【図７】従来例のティーチングを２点指示で行なうボートの概略構図である。
【図８】第２の実施の形態による半導体製造装置の概略構成図である。
【符号の説明】
１７　　ボート
Ｂ　　下部基板支持領域
ＴＣ　　上部基板支持領域
Ｘ　　基板間の間隔
Ｙ　　基板間の間隔
Ｗ　　基板
【図１】
2004047767.tif 000003
【図２】
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【図３】
2004047767.tif 000005
【図４】
2004047767.tif 000006
【図５】
2004047767.tif 000007
【図６】
2004047767.tif 000008
【図７】
2004047767.tif 000009
【図８】
2004047767.tif 000010