(57)【要約】【課題】金属板を積層して複数の樹脂モールド型素子を並行に配置することにより、装置全体をコンパクトに形成し、寄生インダクタンスの低減等を図る。【解決手段】インバータ装置１のベース金属板２には、絶縁材６を介して積層金属板５，８を積層し、配線基板１０を設ける。また、例えば樹脂モールド型の汎用的な半導体素子等からなる複数のＩＧＢＴ１１，１２を横向き状態で金属板５，８にそれぞれ実装し、これらを並行に並べて配置する。これにより、金属板２，５，８の幅寸法等を大きく形成して寄生インダクタンスを低減でき、また電流経路を幅広に形成して一部のＩＧＢＴ１１，１２に電流が集中するのを防止することができる。また、金属板２，５，８を積層してＩＧＢＴ１１，１２を横向きに配置できるから、インバータ装置１を薄型化してコンパクトに形成することができる。【選択図】　　　　図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属材料により板状に形成され電源の低電圧側に接続される低電圧端子が設けられた第１の金属板と、
該第１の金属板の表面側に絶縁材を介して積層され前記電源の高電圧側に接続される高電圧端子が設けられた第２の金属板と、
前記第１の金属板の表面側に絶縁材を介して積層され外部に電流を出力する出力端子が設けられた第３の金属板と、
前記第１の金属板の表面側に設けられ前記第３の金属板に接続される出力配線部と前記第１の金属板に接続される低電圧配線部とが形成された配線基板と、
モールド樹脂封止された半導体素子を前記第２の金属板上に配置することにより構成され、該半導体素子のドレインまたはコレクタを前記第２の金属板と接続すると共に該半導体素子のソースまたはエミッタを前記配線基板の出力配線部に接続した高電圧側素子と、
モールド樹脂封止された半導体素子を前記第３の金属板上に配置することにより構成され、該半導体素子のドレインまたはコレクタを前記第３の金属板と接続すると共に該半導体素子のソースまたはエミッタを前記配線基板の低電圧配線部に接続した低電圧側素子と、
前記高電圧側素子と低電圧側素子の通電状態を該各素子のゲートを介して制御する制御回路基板とにより構成してなる半導体装置。
【請求項２】
前記高電圧側素子と低電圧側素子とを構成する半導体素子は前記ドレインまたはコレクタと接続された裏面電極を有し、前記高電圧側素子の裏面電極を前記第２の金属板に接続し、前記低電圧側素子の裏面電極を前記第３の金属板に接続する構成としてなる請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
金属材料により板状に形成され電源の高電圧側に接続される高電圧端子が設けられた第１の金属板と、
該第１の金属板の表面側に絶縁材を介して積層され前記電源の低電圧側に接続される低電圧端子が設けられた第２の金属板と、
前記第１の金属板の表面側に絶縁材を介して積層され外部に電流を出力する出力端子が設けられた第３の金属板と、
前記第１の金属板の表面側に設けられ前記第３の金属板に接続される出力配線部と前記第２の金属板に接続される低電圧配線部とが形成された配線基板と、
モールド樹脂封止された半導体素子を前記第１の金属板上に配置することにより構成され、該半導体素子のドレインまたはコレクタを前記第１の金属板と接続すると共に該半導体素子のソースまたはエミッタを前記配線基板の出力配線部に接続した高電圧側素子と、
モールド樹脂封止された半導体素子を前記第３の金属板上に配置することにより構成され、該半導体素子のドレインまたはコレクタを前記第３の金属板と接続すると共に該半導体素子のソースまたはエミッタを前記配線基板の低電圧配線部に接続した低電圧側素子と、
前記高電圧側素子と低電圧側素子の通電状態を該各素子のゲートを介して制御する制御回路基板とにより構成してなる半導体装置。
【請求項４】
前記高電圧側素子と低電圧側素子とを構成する半導体素子は前記ドレインまたはコレクタと接続された裏面電極を有し、前記高電圧側素子の裏面電極を前記第１の金属板に接続し、前記低電圧側素子の裏面電極を前記第３の金属板に接続する構成としてなる請求項３に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記半導体素子のソースまたはエミッタは前記半導体素子の本体側から伸びる電極として形成し、この電極を前記配線基板に接続する構成としてなる請求項１，２，３または４に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記高電圧側素子と低電圧側素子とはそれぞれ複数個設け、これら複数個の高電圧側素子と複数個の低電圧側素子とを互いに並行な位置関係をもって並べる構成としてなる請求項１，２，３，４または５に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記高電圧側素子と低電圧側素子とは前記ソースまたはエミッタからなる電極が互いに同じ向きに伸びるように配置され、前記配線基板の出力配線部と低電圧配線部とは前記電極の伸長方向に対して前記第３の金属板を挟んで配置する構成としてなる請求項１，２，３，４，５または６に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記高電圧側素子と低電圧側素子とは前記ソースまたはエミッタからなる電極が互いに向い合って前記第２，第３の金属板間に伸びるように配置され、前記配線基板の出力配線部と低電圧配線部とは前記第２，第３の金属板間に配置する構成としてなる請求項１，３，４，５または６に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記配線基板には前記高電圧側素子と低電圧側素子のゲートが接続される制御配線部を形成し、前記配線基板の出力配線部、低電圧配線部、制御配線部のうち少なくとも制御配線部を前記制御回路基板に接続する構成としてなる請求項１，２，３，４，５，６，７または８に記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記第２，第３の金属板のうち少なくとも一方の金属板は絶縁性のセラミックス層に固着された金属層によって形成し、前記セラミックス層と金属層とはセラミックス基板として構成してなる請求項１，２，３，４，５，６，７，８または９に記載の半導体装置。
【請求項１１】
前記高電圧側素子と低電圧側素子とは電気機械のハウジング内に電動モータと一緒に配置され前記電動モータを交流電流により駆動するインバータ装置を構成してなる請求項１，２，３，４，５，６，７，８，９または１０に記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ（ＩＧＢＴ）、ＭＯＳトランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）等の半導体素子により大電流を出力するのに好適に用いられる半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
一般に、半導体装置としては、例えばバッテリ等の直流電源を交流に変換し、電動モータ等を交流電流によって駆動する３相交流式のインバータ装置が知られている（例えば、特開平１０−２２９６８０号公報等）。
【０００３】
この種の従来技術によるインバータ装置は、例えば３相交流の各相（Ｕ相、Ｖ相、Ｗ相）が高電圧側の回路ユニットと低電圧側の回路ユニットとによってそれぞれ構成され、これらの回路ユニットは、複数の半導体素子を並列に接続することによって構成されている。
【０００４】
この場合、例えば高電圧側の回路ユニットは、その本体部分となるベース板上にＵ字状の金属フィンが垂直に立設され、各半導体素子は、例えばねじ止め等の手段により金属フィンに対して垂直に立てた状態で取付けられている。また、３相の各相を構成する高電圧側の回路ユニットは、バッテリ等のプラス電極に接続される略Ｌ字状の高電圧端子板を用いて互いに並列に接続されている。
【０００５】
また、低電圧側の回路ユニットも同様に、各半導体素子がベース板上の金属フィンに立てた状態で取付けられ、各相の回路ユニットは、バッテリ等のマイナス電極に接続される略Ｌ字状の低電圧端子板を用いて互いに並列に接続されている。また、高電圧側と低電圧側の回路ユニットの間には、両者間を接続する略Ｌ字状の接続板が設けられている。
【０００６】
ここで、各半導体素子は、例えばねじ止め等の手段により金属フィンに逆さに立てた状態で取付けられ、ソース、ゲート等の端子が上向きに突出している。このため、接続板は、その一端側が高電圧側の各半導体素子を覆う位置でソースに接続されると共に、他端側が下向きに略Ｌ字状をなして屈曲し、低電圧側の回路ユニットと接続されている。また、低電圧側の各半導体素子も同様に、上向きに突出したソース等が他の接続板に接続され、この接続板は下向きに屈曲して低電圧端子板と接続されている。
【０００７】
また、高電圧端子板と低電圧端子板とは、例えば各回路ユニットのベース板の裏面側に沿って延びる金属板等により形成され、これらの端子板と接続板とは各半導体素子を上，下で挟むように配置されている。また、各端子板の一端側は、ベース板の裏面側から上向きに略Ｌ字状をなして屈曲し、インバータ装置に設けられた電源コンデンサ等の上面側に引出されている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、上述した従来技術では、ベース板上に金属フィンを立設し、各半導体素子を逆さに立てた状態で金属フィンに取付ける構成としている。しかし、この場合には、例えば低電圧側の各半導体素子のソース等を接続板と低電圧端子板とによって素子の上側から下側へと略コ字状に引回す必要がある。
【０００９】
このため、従来技術では、接続板と低電圧端子板とを含めた低電圧側の配線構造が複雑化して長くなり、その寄生インダクタンスが大きくなるため、インバータ装置の作動時には、例えば低電圧側の配線に大きなサージ電圧等が発生して装置の動作が不安定となることがあり、信頼性が低下するという問題がある。
【００１０】
また、従来技術のインバータ装置にあっては、高電圧側と低電圧側の半導体素子間を接続する接続板や、低電圧端子板、高電圧端子板等もＬ字状に屈曲して形成されているため、これらの部位でも寄生インダクタンスが増大する虞れがある。しかも、半導体素子、金属フィン等を立てた状態で配置したり、Ｌ字状の接続板や端子板等を用いることにより、これらの部位で厚みが増して装置全体が大型化し、インバータ装置を他の電気機械等に搭載し難くなるという問題がある。
【００１１】
本発明は上述した従来技術の問題に鑑みなされたもので、本発明の目的は、例えば多数の半導体素子を実装する場合でも、装置全体の配線構造を簡略化して寄生インダクタンスを小さく抑制でき、装置全体を薄型でコンパクトに形成できると共に、信頼性を向上できるようにした半導体装置を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
上述した課題を解決するために請求項１の発明は、金属材料により板状に形成され電源の低電圧側に接続される低電圧端子が設けられた第１の金属板と、該第１の金属板の表面側に絶縁材を介して積層され前記電源の高電圧側に接続される高電圧端子が設けられた第２の金属板と、前記第１の金属板の表面側に絶縁材を介して積層され外部に電流を出力する出力端子が設けられた第３の金属板と、前記第１の金属板の表面側に設けられ前記第３の金属板に接続される出力配線部と前記第１の金属板に接続される低電圧配線部とが形成された配線基板と、モールド樹脂封止された半導体素子を前記第２の金属板上に配置することにより構成され、該半導体素子のドレインまたはコレクタを前記第２の金属板と接続すると共に該半導体素子のソースまたはエミッタを前記配線基板の出力配線部に接続した高電圧側素子と、モールド樹脂封止された半導体素子を前記第３の金属板上に配置することにより構成され、該半導体素子のドレインまたはコレクタを前記第３の金属板と接続すると共に該半導体素子のソースまたはエミッタを前記配線基板の低電圧配線部に接続した低電圧側素子と、前記高電圧側素子と低電圧側素子の通電状態を該各素子のゲートを介して制御する制御回路基板とからなる構成を採用している。
【００１３】
このように構成することにより、第１の金属板等による低電圧側の電流経路と、第２の金属板等による高電圧側の電流経路とを幅広に形成して積層することができる。これにより、電流経路の寄生インダクタンスを低減して素子がサージ電圧等により損傷するのを防止することができる。
【００１４】
また、例えば樹脂モールド型の汎用的な半導体素子を用いて高電圧側素子と低電圧側素子とを構成でき、これらの素子を電極が金属板に沿って突出した横向き状態で金属板に実装できるから、装置全体を薄型でコンパクトに形成でき、素子の放熱性を高めることができると共に、コストダウンを図ることができる。
【００１５】
また、請求項２の発明によると、高電圧側素子と低電圧側素子とを構成する半導体素子はドレインまたはコレクタと接続された裏面電極を有し、前記高電圧側素子の裏面電極を前記第２の金属板に接続し、前記低電圧側素子の裏面電極を前記第３の金属板に接続する構成としている。
【００１６】
これにより、例えば樹脂モールド型の汎用的な半導体素子の裏面側に形成された裏面電極、または放熱部材（ヒートスプレッダ）を兼ねた裏面電極等を金属板に接続することができる。
【００１７】
従って、例えば半導体素子のドレインまたはコレクタとなる電極等に折曲げ加工や半田付け等を施して金属板と接続する必要がなくなるから、ドレインまたはコレクタを裏面電極によって簡単な作業で金属板と接続することができる。また、ドレインまたはコレクタの大きな電流を通電する太い配線等を配線基板上に設けずに済むので、配線基板を小型化することができる。また、例えば汎用的な半導体素子においては、ドレインとなる電極の両側にソース及びゲートとなる電極が比較的狭い間隔をもって並んでいるから、中央のドレインを金属板や配線基板と接続しない構造とすることにより、両側のソース及びゲート用の配線構造を容易に形成することができる。
【００１８】
また、請求項３の発明によると、金属材料により板状に形成され電源の高電圧側に接続される高電圧端子が設けられた第１の金属板と、該第１の金属板の表面側に絶縁材を介して積層され前記電源の低電圧側に接続される低電圧端子が設けられた第２の金属板と、前記第１の金属板の表面側に絶縁材を介して積層され外部に電流を出力する出力端子が設けられた第３の金属板と、前記第１の金属板の表面側に設けられ前記第３の金属板に接続される出力配線部と前記第２の金属板に接続される低電圧配線部とが形成された配線基板と、モールド樹脂封止された半導体素子を前記第１の金属板上に配置することにより構成され、該半導体素子のドレインまたはコレクタを前記第１の金属板と接続すると共に該半導体素子のソースまたはエミッタを前記配線基板の出力配線部に接続した高電圧側素子と、モールド樹脂封止された半導体素子を前記第３の金属板上に配置することにより構成され、該半導体素子のドレインまたはコレクタを前記第３の金属板と接続すると共に該半導体素子のソースまたはエミッタを前記配線基板の低電圧配線部に接続した低電圧側素子と、前記高電圧側素子と低電圧側素子の通電状態を該各素子のゲートを介して制御する制御回路基板とにより構成している。
【００１９】
これにより、第１ないし第３の金属板により高電圧側と低電圧側の電流経路を幅広に形成して積層できるから、電流経路の寄生インダクタンスを低減でき、半導体素子を寄生インダクタンスによるサージ電圧等から保護することができる。また、例えば樹脂モールド型の汎用的な半導体素子を横向き状態で金属板に実装できるから、装置全体を薄型でコンパクトに形成でき、素子の放熱性を高めることができる。
【００２０】
また、請求項４の発明によると、高電圧側素子と低電圧側素子とを構成する半導体素子はドレインまたはコレクタと接続された裏面電極を有し、前記高電圧側素子の裏面電極を前記第１の金属板に接続し、前記低電圧側素子の裏面電極を前記第３の金属板に接続する構成としている。
【００２１】
これにより、例えば樹脂モールド型の汎用的な半導体素子の裏面側に形成された裏面電極、または放熱部材（ヒートスプレッダ）を兼ねた裏面電極等をドレインまたはコレクタとして簡単な作業で金属板に接続できるから、ソース及びゲート用の配線構造を容易に形成でき、配線基板を小型化することができる。
【００２２】
また、請求項５の発明によると、半導体素子のソースまたはエミッタは半導体素子の本体側から伸びる電極として形成し、この電極を配線基板に接続する構成としている。
【００２３】
これにより、例えばワイヤボンディングやリード線等の配線構造を用いることなく、ソースまたはエミッタとなる電極を金属板に沿うように伸ばして配線基板側と接続でき、これらの接続構造を簡略化することができる。
【００２４】
また、請求項６の発明によると、高電圧側素子と低電圧側素子とはそれぞれ複数個設け、これら複数個の高電圧側素子と複数個の低電圧側素子とを互いに並行な位置関係をもって並べる構成としている。
【００２５】
これにより、例えば金属板を幅広に形成して高電圧側素子と低電圧側素子とを互いに近接した状態で各金属板の幅方向等に並べて並行に配置できるから、個々の金属板や高電圧側素子と低電圧側素子との間の寄生インダクタンスをより低減することができる。また、個々の素子に通電される電流量を金属板の幅方向に分散でき、各素子を電流の集中等による損傷から保護することができる。
【００２６】
また、請求項７の発明によると、高電圧側素子と低電圧側素子とはソースまたはエミッタからなる電極が互いに同じ向きに伸びるように配置され、配線基板の出力配線部と低電圧配線部とは前記電極の伸長方向に対して第３の金属板を挟んで配置する構成としている。
【００２７】
これにより、高電圧側素子から第３の金属板に向けて伸びた電極を配線基板の出力配線部と接続でき、低電圧側素子から第３の金属板の外側に伸びた電極を配線基板の低電圧配線部と容易に接続できると共に、これらを小さな面積範囲内にコンパクトに配置することができる。
【００２８】
また、請求項８の発明によると、高電圧側素子と低電圧側素子とはソースまたはエミッタからなる電極が互いに向い合って第２，第３の金属板間に伸びるように配置され、配線基板の出力配線部と低電圧配線部とは前記第２，第３の金属板間に配置する構成としている。
【００２９】
これにより、高電圧側素子から第２，第３の金属板間に伸びた電極を配線基板の出力配線部と接続でき、低電圧側素子から第２，第３の金属板間に伸びた電極を配線基板の低電圧配線部と接続することができる。従って、各素子や配線基板等のレイアウト設計を容易に行うことができ、これらを小さな面積範囲内にコンパクトに配置することができる。
【００３０】
また、請求項９の発明によると、配線基板には前記高電圧側素子と低電圧側素子のゲートが接続される制御配線部を形成し、前記配線基板の出力配線部、低電圧配線部、制御配線部のうち少なくとも制御配線部を前記制御回路基板に接続する構成としている。これにより、配線基板を介在させることによって各素子と制御回路基板とを容易に接続でき、例えば多数の素子間を接続する配線のパターン設計等を円滑に行うことができる。
【００３１】
また、請求項１０の発明によると、第２，第３の金属板のうち少なくとも一方の金属板は絶縁性のセラミックス層に固着された金属層によって形成し、前記セラミックス層と金属層とはセラミックス基板として構成している。これにより、汎用的なセラミックス基板を用いて半導体装置を構成できるから、絶縁材等の部品点数を削減して組立作業を効率よく行うことができる。
【００３２】
また、請求項１１の発明によると、高電圧側素子と低電圧側素子とは電気機械のハウジング内に電動モータと一緒に配置され前記電動モータを交流電流により駆動するインバータ装置を構成している。
【００３３】
これにより、例えば樹脂モールド型の汎用的な半導体素子と第１ないし第３の金属板とを用いてインバータ装置をコンパクトに形成でき、これを電気機械のハウジング内に容易に搭載することができる。また、例えばインバータ装置の低電圧端子、高電圧端子、出力端子等を装置の側面から金属板と平行に引出すことができるので、これらの端子をハウジングの外側へと容易に延ばすことができる。
【００３４】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態による半導体装置を、添付図面に従って詳細に説明する。
【００３５】
ここで、図１ないし図４は第１の実施の形態を示し、本実施の形態では、半導体装置としてインバータ装置を例に挙げて述べる。
【００３６】
１は後述の負荷１７を駆動するインバータ装置で、該インバータ装置１は、後述のベース金属板２、樹脂ケース４、積層金属板５，８、配線基板１０、ＩＧＢＴ１１，１２、制御回路基板１４等を含んで構成されている。
【００３７】
また、インバータ装置１は、後述の図４に示す３相交流式のインバータ回路１６において、例えばＵ相、Ｖ相、Ｗ相からなる３相のうち１相分の回路を構成しているものである。
【００３８】
２はインバータ装置１を構成する第１の金属板としてのベース金属板で、該ベース金属板２は略四角形状の平板として形成され、図２中の左，右方向（Ｘ軸方向）及び前，後方向（Ｙ軸方向）に沿って水平方向に延びている。
【００３９】
３はベース金属板２と一体に形成された低電圧端子で、該低電圧端子３は、ベース金属板２から張出した平板状の端子として形成され、例えばインバータ装置１の左側面から突出すると共に、その突出端側は後述するバッテリ１５のマイナス極側に接続されるものである。この場合、低電圧端子３と後述の高電圧端子７、出力端子９とは、インバータ装置１の側面のうちベース金属板２に近い裏面側の部位から外部に引出され、金属板２等とほぼ平行に延びている。
【００４０】
４は例えば接着、樹脂モールド等の手段を用いてベース金属板２の表面側に固着された絶縁性の樹脂ケースで、該樹脂ケース４は、積層金属板５，８、制御回路基板１４等を取囲む枠状体として形成され、蓋板（図示せず）等によって閉塞されるものである。
【００４１】
５はベース金属板２に絶縁材６を介して積層された第２の金属板としての高電圧側の積層金属板で、該積層金属板５は、図２、図３に示す如く、ベース金属板２よりも小さな略四角形状の平板として形成され、例えばベース金属板２のＸ軸方向一側（左側）に配置されると共に、Ｙ軸方向の幅寸法Ｗ１を有している。
【００４２】
７は高電圧側の積層金属板５と一体に形成された高電圧端子で、該高電圧端子７は、積層金属板５から張出した平板状の端子として形成され、例えば樹脂ケース４の左側面から低電圧端子３と同じ向きに突出すると共に、低電圧端子３と重なり合わない位置に配置されている。そして、高電圧端子７はバッテリ１５のプラス極側に接続されるものである。
【００４３】
８はベース金属板２に絶縁材６を介して積層された第３の金属板としての出力側の積層金属板で、該積層金属板８は、図２に示す如く、積層金属板５とほぼ同様に、Ｙ軸方向の幅寸法Ｗ２をもつ略四角形状の平板として形成されている。また、積層金属板８は、例えばベース金属板２のＸ軸方向他側（右側）に配置され、積層金属板５とＸ軸方向の隙間を挟んで対向している。
【００４４】
９は複数の金属線９Ａを用いて出力側の積層金属板８に接続して設けられた平板状の出力端子で、該出力端子９は細長い金属片等によって形成され、例えば樹脂モールド等の手段により樹脂ケース４の左側面に取付けられると共に、樹脂ケース４の内，外に突出している。そして、出力端子９は、電動モータ等の負荷１７に接続されるものである。
【００４５】
１０はベース金属板２の表面側に設けられた配線基板で、該配線基板１０は、例えば絶縁性の樹脂材料等により略コ字状の枠体として形成され、積層金属板８をＸ軸方向の左，右両側等から取囲んで配置されている。また、配線基板１０には、例えば印刷等の手段により所定の配線パターンが設けられ、この配線パターンは、積層金属板８の左側に配置された出力配線部１０Ａと、積層金属板８の右側に配置された低電圧配線部１０Ｂと、これらの配線部１０Ａ，１０Ｂにそれぞれ隣接して配置された制御配線部１０Ｃ，１０Ｄとを有している。
【００４６】
この場合、出力配線部１０Ａは、積層金属板５の幅寸法Ｗ１にわたってＹ軸方向に細長く形成され、積層金属板５，８間に配置されると共に、例えばワイヤボンディング等の手段により各金属線１０Ｅ等を用いて出力側の積層金属板８と複数箇所で接続されている。また、低電圧配線部１０Ｂは、出力配線部１０Ａとほぼ同様に細長く形成され、各金属線１０Ｆ等を用いて低電圧側のベース金属板２と複数箇所で接続されている。
【００４７】
また、出力配線部１０Ａと低電圧配線部１０Ｂとは、後述するＩＧＢＴ１１，１２のエミッタＥ等の伸長方向（Ｘ軸方向）に対して、積層金属板８を挟んで配置されている。さらに、制御配線部１０Ｃ，１０Ｄは、それぞれ出力配線部１０Ａ、低電圧配線部１０Ｂと並んで細長く延びる配線パターンとして形成され、後述の金属線１４Ａ等を用いて制御回路基板１４と接続されている。
【００４８】
１１は高電圧側の積層金属板５に面実装された例えばＩＧＢＴ、ＭＯＳＦＥＴ等からなる４個の高電圧側素子（以下、ＩＧＢＴ１１という）で、該各ＩＧＢＴ１１は、例えば樹脂モールド等の手段により封止して形成された汎用的な半導体素子からなり、Ｙ軸方向に一定のピッチ（間隔）をもって直線状に並んでいる。また、ＩＧＢＴ１１は、例えば金属材料等により形成され後述のコレクタＣに接続された裏面電極としての導体板１１Ａと、該導体板１１Ａ上に固着された樹脂ケース１１Ｂと、例えば一定の剛性をもつ細長い金属線等により形成され、該樹脂ケース１１Ｂから突出した複数の電極としてのコレクタＣ、エミッタＥ、ゲートＧとにより構成されている。
【００４９】
ここで、ＩＧＢＴ１１は、例えばコレクタＣ、エミッタＥ及びゲートＧが金属板２，５，８等に沿って横向きに伸びるような状態（横向き状態）で、導体板１１Ａが半田等を用いて積層金属板５に固着されている。また、コレクタＣ、エミッタＥ及びゲートＧは横向きに伸びつつ、下側に向けて斜めに屈曲し、それぞれ必要に応じた長さにカットされている。そして、コレクタＣは、例えば半田付け等の手段によって積層金属板５と接続され、エミッタＥは配線基板１０の出力配線部１０Ａと接続されると共に、ゲートＧは配線基板１０の制御配線部１０Ｃと接続されている。
【００５０】
１２は出力側の積層金属板８に面実装された例えばＩＧＢＴ、ＭＯＳＦＥＴ等からなる４個の低電圧側素子（以下、ＩＧＢＴ１２という）で、該各ＩＧＢＴ１２は、ＩＧＢＴ１１とほぼ同様に、例えば樹脂モールド型の汎用的な半導体素子等からなり、導体板１２Ａ、樹脂ケース１２Ｂ、コレクタＣ、エミッタＥ、ゲートＧ等によって構成されている。
【００５１】
そして、ＩＧＢＴ１２は横向き状態で積層金属板８に固着され、そのコレクタＣ、エミッタＥ及びゲートＧは、金属板２，５，８等に沿ってＩＧＢＴ１１のエミッタＥ等と同じ伸長方向に伸びつつ、下側に向けて斜めに屈曲している。また、コレクタＣ（導体板１２Ａ）は積層金属板８と接続され、エミッタＥは配線基板１０の低電圧配線部１０Ｂと接続されると共に、ゲートＧは配線基板１０の制御配線部１０Ｄと接続されている。また、高電圧側の各ＩＧＢＴ１１と低電圧側の各ＩＧＢＴ１２には、そのコレクタＣとエミッタＥとの間にダイオード１３（図４参照）がそれぞれ並列に接続されている。
【００５２】
ここで、インバータ装置１は、高電圧側のＩＧＢＴ１１と低電圧側のＩＧＢＴ１２とを４個ずつ並列に接続することにより、汎用的な樹脂モールド型の半導体素子を用いた場合でも、装置全体として通電可能な電流量を増大し、また各ＩＧＢＴ１１，１２の内部抵抗等による損失を小さく抑える構成となっている。
【００５３】
この場合、高電圧側と低電圧側のＩＧＢＴ１１，１２は、互いにほぼ等しいピッチでＹ軸方向に沿って列設され、積層金属板５，８の幅寸法Ｗ１，Ｗ２のほぼ全長にわたって互いに並行な位置関係をもつように並べて配置されると共に、個々のＩＧＢＴ１１，１２がＸ軸方向の間隔をもってそれぞれ対向している。
【００５４】
これにより、インバータ装置１は、高電圧側の各ＩＧＢＴ１１等を介して積層金属板５，８間に大電流が流れるとき、または低電圧側の各ＩＧＢＴ１２等を介して積層金属板８とベース金属板２との間に大電流が流れるときに、これらの電流経路が金属板２，５，８のほぼ全幅にわたって均等に形成され、高電圧側と低電圧側の電流経路が金属板２，５等によって上，下に積層された状態となる。従って、本実施の形態では、金属板２，５，８等の寄生インダクタンスを幅寸法Ｗ１，Ｗ２等に応じて小さく抑制でき、また大電流を個々のＩＧＢＴ１１，１２に安定的に分散できる構成となっている。
【００５５】
１４は樹脂ケース４内に取付けられる制御回路基板で、該制御回路基板１４は、図３に示す如く、金属板２，５，８の上側に隙間をもって配置され、各ＩＧＢＴ１１，１２の通電状態を制御する制御回路（図示せず）が設けられている。また、制御回路基板１４は、複数の金属線１４Ａ等を用いて配線基板１０の制御配線部１０Ｃ，１０Ｄに接続され、これらの制御配線部１０Ｃ，１０Ｄを介して個々のＩＧＢＴ１１，１２のゲートＧに制御信号を出力するものである。
【００５６】
そして、インバータ装置１は、制御回路基板１４を用いて各ＩＧＢＴ１１，１２をＯＮ，ＯＦＦ制御することにより、バッテリ１５等の直流電源を交流に変換する。この場合、インバータ装置１は、図４に示す如く、例えばインバータ装置１とほぼ同様に構成された他のインバータ装置１′，１″と一緒にバッテリ１５に対して並列に接続され、これらのインバータ装置１，１′，１″をＵ相，Ｖ相，Ｗ相とする３相交流式のインバータ回路１６を構成する。そして、インバータ回路１６の各出力端子９，９′，９″は、例えば３相交流の電流を出力して電動モータ等の負荷１７を駆動するものである。
【００５７】
本実施の形態によるインバータ装置１は上述の如き構成を有するもので、次にその作動について説明する。
【００５８】
まず、インバータ装置１の作動時には、各ＩＧＢＴ１１，１２が制御回路基板１４により所定のタイミングでＯＮ，ＯＦＦされると、高電圧側の積層金属板５と出力側の積層金属板８との間には、各ＩＧＢＴ１１、配線基板１０の出力配線部１０Ａ等を介して大電流がＸ軸方向に流れ、また低電圧側の積層金属板８とベース金属板２との間にも、各ＩＧＢＴ１２、配線基板１０の低電圧配線部１０Ｂ等を介して大電流がＸ軸方向に流れる。
【００５９】
この場合、各ＩＧＢＴ１１，１２は、互いに並行な位置関係をもって対向するように積層金属板５，８の幅寸法Ｗ１，Ｗ２にわたって並べて配置されているため、これらの大電流の電流経路は積層金属板５，８のほぼ全幅にわたって均等に形成され、高電圧側と低電圧側の電流経路が上，下に積層された状態となる。
【００６０】
これにより、金属板２，５，８の寄生インダクタンスを幅寸法Ｗ１，Ｗ２等に応じて低減することができる。また、大電流が個々のＩＧＢＴ１１，１２にほぼ均等に分散して通電されるようになるため、一部のＩＧＢＴ１１，１２が電流の集中等によって損傷するのを防止することができる。
【００６１】
また、ＩＧＢＴ１１，１２の通電時には、その電流量に応じて多量の熱が発生する。しかし、各ＩＧＢＴ１１，１２は積層金属板５，８に面実装され、これらの金属板５，８はベース金属板２に広い面積をもって積層されているため、ＩＧＢＴ１１，１２の熱を金属板２，５，８を介して効率よく逃すことができる。
【００６２】
かくして、本実施の形態では、ベース金属板２に積層金属板５，８を積層し、これらの積層金属板５，８には、例えば樹脂モールド型の汎用的な半導体素子からなる高電圧側と低電圧側のＩＧＢＴ１１，１２を互いに並行に並べて実装する構成としたので、金属板２，５，８のほぼ全幅にわたって均等な電流経路を形成でき、高電圧側と低電圧側の電流経路を上，下に積層することができる。
【００６３】
これにより、金属板２，５，８の幅寸法Ｗ１，Ｗ２等を大きくして寄生インダクタンスを低減できると共に、高電圧側と低電圧側のＩＧＢＴ１１，１２を近接させて両者間の寄生インダクタンスも容易に減少させることができる。また、金属板２，５，８を用いて装置全体の配線構造を簡略化でき、従来技術のようにＬ字状に屈曲した接続板、端子板等の部品を用いる必要がなくなるから、これらの部品による寄生インダクタンスの増大も防止することができる。
【００６４】
そして、インバータ装置１の作動時には、配線の寄生インダクタンスに応じて発生するサージ電圧等を小さく抑制でき、ＩＧＢＴ１１，１２がサージ電圧等によって損傷するのを防止できると共に、個々のＩＧＢＴ１１，１２に通電される電流量を均等な電流経路により分散でき、これらの素子を電流の集中等による損傷から確実に保護することができる。
【００６５】
また、ＩＧＢＴ１１，１２が切換動作を行うときには、ベース金属板２側の寄生インダクタンスを低減できる上に、ＩＧＢＴ１１，１２間の寄生インダクタンスも小さくできるから、金属板８，２間に負の誘導起電力等が発生し、これによって低電圧端子３側に負のサージ電圧や電圧のリンギング等が発生するのを防止することができる。従って、ベース金属板２の電位が負のサージ電圧等によってグランド電位よりもマイナス側に変動するのを避けることができるので、例えばベース金属板２の電位を制御回路基板１４の基準電位として用いる場合でも、制御回路基板１４を安定的に作動させることができる。
【００６６】
従って、本実施の形態によれば、ＩＧＢＴ１１，１２を大きな電流等に対しても安定的に作動させることができ、信頼性を向上させることができる。また、例えば５個以上の多数のＩＧＢＴ１１，１２等をインバータ装置１に実装する場合には、金属板２，５，８の幅寸法Ｗ１，Ｗ２等をＩＧＢＴ１１，１２の個数に対応して広くするだけで対応でき、電流許容量の大きなインバータ装置１を容易に実現することができる。
【００６７】
しかも、本実施の形態では、金属板２，５，８の積層化するだけでなく、例えば樹脂モールド型の汎用的なＩＧＢＴ１１，１２を横向き状態で配置したので、これらのコレクタＣ、エミッタＥ及びゲートＧを金属板２，５，８に沿って伸ばすことができる。これにより、インバータ装置１全体を薄型でコンパクトに形成でき、これを他の電気機械等に容易に搭載できると共に、汎用的な樹脂モールド素子を用いてコストダウンを促進することができる。
【００６８】
しかも、ＩＧＢＴ１１，１２の裏面電極となる導体板１１Ａ，１２Ａを金属板５，８に接続できるから、コレクタＣとなる電極等に折曲げ加工や半田付け等を施して金属板５，８と接続しなくてもよくなり、コレクタＣを導体板１１Ａ，１２Ａによって簡単な作業で金属板５，８と接続することができる。また、コレクタＣの大きな電流を通電する太い配線等を配線基板１０上に設けずに済むので、配線基板１０を小型化することができる。
【００６９】
また、例えば汎用的な半導体素子であるＩＧＢＴ１１，１２には、コレクタＣとなる電極の両側にエミッタＥ及びゲートＧとなる電極が比較的狭い間隔をもって並んでいるから、中央のコレクタＣを金属板５，８と接続しない構造とすることにより、両側のエミッタＥ及びゲートＧ用の配線構造を容易に形成することができる。さらに、ＩＧＢＴ１１，１２のエミッタＥとゲートＧとは、例えばワイヤボンディングやリード線等の配線構造を用いることなく配線基板１０と接続でき、これらの接続構造を簡略化することができる。
【００７０】
また、金属板２，５，８を積層化し、ＩＧＢＴ１１，１２を半田付け等により横向き状態で面実装したから、ねじ止め等の手段と比較してＩＧＢＴ１１，１２と積層金属板５，８との間の熱抵抗を小さくできると共に、積層金属板５，８とベース金属板２との間に広い接触面積を確保でき、これによってＩＧＢＴ１１，１２の放熱性を高めることができる。また、ＩＧＢＴ１１，１２をねじ止めする取付スペースや工数を削減でき、装置を水平方向にも小型化することができる。
【００７１】
また、各ＩＧＢＴ１１，１２のエミッタＥ、ゲートＧ等を互いに同じ伸長方向に伸ばして配置し、配線基板１０の出力配線部１０Ａと低電圧配線部１０Ｂとは、積層金属板８を挟んで配置したので、高電圧側のＩＧＢＴ１１から積層金属板８に向けて突出したコレクタＣを出力配線部１０Ａと接続でき、低電圧側のＩＧＢＴ１２から積層金属板８の外側に突出したコレクタＣを低電圧配線部１０Ｂと接続することができる。これにより、配線基板１０、ＩＧＢＴ１１，１２等のレイアウト設計を容易に行うことができ、これらを小さな面積範囲内にコンパクトに配置することができる。
【００７２】
また、制御回路基板１４を金属板２，５，８の上側に隙間をもって配置し、この基板１４を金属線１４Ａにより配線基板１０の制御配線部１０Ｃ，１０Ｄを介して各ＩＧＢＴ１１，１２のゲートＧと接続したので、制御配線部１０Ｃ，１０Ｄを介在させることによって各ＩＧＢＴ１１，１２と制御回路基板１４とを容易に接続でき、多数のＩＧＢＴ１１，１２間を接続する配線のパターン設計を円滑に行うことができる。また、例えば金属板２，５，８と同じ平面上に制御回路基板１４を設ける必要がなくなり、高電圧側と低電圧側のＩＧＢＴ１１，１２を容易に近接させることができる。
【００７３】
さらに、例えばワイヤボンディング等の手段によって配線基板１０と制御回路基板１４との間を接続したので、従来技術のように半導体素子の端子等を制御回路基板の貫通孔に挿通する場合と比較して、各部品を高い精度で位置合わせする必要がなくなり、各部品の組立や接続作業を効率よく行うことができる。
【００７４】
一方、低電圧端子３はベース金属板２と一体に形成し、高電圧端子７は積層金属板５と一体に形成したので、これらの端子３，７を容易に形成でき、インバータ装置１の部品点数を削減することができる。また、平板状の端子３，７をインバータ装置１の側面から引出すことができるので、例えば各端子を樹脂ケース４の上面側から引出すためにＬ字状に屈曲させる必要がなくなり、寄生インダクタンスの低減を促進することができる。
【００７５】
次に、図５及び図６は本発明による第２の実施の形態を示し、本実施の形態の特徴は、第１の金属板に高電圧端子を設け、第２の金属板に低電圧端子を設ける構成としたことにある。なお、本実施の形態では、第１の実施の形態と同一の構成要素に同一の符号を付し、その説明を省略するものとする。
【００７６】
２１はインバータ装置で、該インバータ装置２１は、後述のベース金属板２２、樹脂ケース２４、積層金属板２５，２８、配線基板３０、ＩＧＢＴ３１，３２、制御回路基板３３等を含んで構成され、例えば３相交流式のインバータ回路のうち１相分の回路を構成しているものである。
【００７７】
２２はインバータ装置２１を構成する第１の金属板としてのベース金属板で、該ベース金属板２２は、略四角形状の平板として形成され、図５中のＸ軸方向及びＹ軸方向に沿って水平方向に延びている。また、ベース金属板２２には平板状の高電圧端子２３が一体に形成され、該高電圧端子２３は、例えばインバータ装置２１の右側面のうちベース金属板２２に近い裏面側の部位から突出している。
【００７８】
ここで、インバータ装置２１は、ベース金属板２２が高電圧端子２３を介してバッテリ１５のプラス極側に接続され、後述の積層金属板２５が低電圧端子２７を介してバッテリ１５のマイナス極側に接続される構成となっている。これにより、インバータ装置２１は、第１の実施の形態と比較して低電圧側（積層金属板２５）の導体面積が小さく形成されている。
【００７９】
２４はベース金属板２２の表面側に固着された絶縁性の樹脂ケースで、該樹脂ケース２４は、第１の実施の形態とほぼ同様に、積層金属板２５，２８、制御回路基板３３等を取囲む枠状体として形成されている。
【００８０】
２５はベース金属板２２に絶縁材２６を介して積層された第２の金属板としての低電圧側の積層金属板で、該積層金属板２５は、図５、図６に示す如く、ベース金属板２２よりも小さな略四角形状の平板として形成されている。また、積層金属板２５には平板状の低電圧端子２７が一体に形成され、該低電圧端子２７は、例えば樹脂ケース２４の右側面から突出している。
【００８１】
２８はベース金属板２２に絶縁材２６を介して積層された第３の金属板としての出力側の積層金属板で、該積層金属板２８は、ベース金属板２２よりも小さな略四角形状の平板として形成されている。
【００８２】
ここで、積層金属板２８は、ベース金属板２２のＸ軸方向の中央近傍に配置されている。そして、ベース金属板２２には、積層金属板２８のＸ軸方向一側（左側）に後述のＩＧＢＴ３１が配置され、積層金属板２８のＸ軸方向他側（右側）に低電圧側の積層金属板２５が配置されている。
【００８３】
２９は金属線２９Ａを用いて出力側の積層金属板２８に接続して設けられた平板状の出力端子で、該出力端子２９は細長い金属片等によって形成され、例えば樹脂モールド等の手段により樹脂ケース２４の左側面に取付けられると共に、樹脂ケース２４の内，外に突出している。そして、出力端子２９は、電動モータ等の負荷１７に接続されるものである。
【００８４】
３０はベース金属板２２の表面側に設けられた配線基板で、該配線基板３０は、第１の実施の形態とほぼ同様に、例えば絶縁性の樹脂材料等により略コ字状の枠体として形成され、積層金属板２８をＸ軸方向の左，右両側等から取囲んで配置されている。また、配線基板３０には、例えば印刷等の手段により所定の配線パターンが設けられ、この配線パターンは、積層金属板２８の左側に位置して各ＩＧＢＴ３１と金属板２８との間に配置された出力配線部３０Ａと、積層金属板２８の右側に位置して金属板２５，２８間に配置された低電圧配線部３０Ｂと、これらの配線部３０Ａ，３０Ｂにそれぞれ隣接して配置された制御配線部３０Ｃ，３０Ｄとを有している。
【００８５】
この場合、出力配線部３０Ａは、積層金属板２５，２８の全幅にわたってＹ軸方向に細長く形成され、例えばワイヤボンディング等の手段により各金属線３０Ｅ等を用いて出力側の積層金属板２８と複数箇所で接続されている。また、低電圧配線部３０Ｂは、出力配線部３０Ａとほぼ同様に細長く形成され、各金属線３０Ｆ等を用いて低電圧側の積層金属板２５と複数箇所で接続されている。また、制御配線部３０Ｃ，３０Ｄは、それぞれ出力配線部３０Ａ、低電圧配線部３０Ｂと並んで細長く延びる配線パターンとして形成され、後述の金属線３３Ａ等を用いて制御回路基板３３と接続されている。
【００８６】
３１はベース金属板２２に横向き状態で面実装された例えば４個の高電圧側素子としてのＩＧＢＴで、該各ＩＧＢＴ３１は、第１の実施の形態とほぼ同様に、例えば樹脂モールド型の汎用的な半導体素子によって構成されている。また、ＩＧＢＴ３１は、導体板３１Ａ上に固着された樹脂ケース３１ＢからコレクタＣ、エミッタＥ及びゲートＧが金属板２２，２５，２８等にほぼ沿って横向きに突出し、これらのコレクタＣ、エミッタＥ及びゲートＧは横向きに伸びつつ、先端側が上，下方向に折曲げられている。
【００８７】
そして、各ＩＧＢＴ３１は、Ｙ軸方向に沿って一定のピッチで直線状に並んで配置され、そのコレクタＣ（導体板３１Ａ）は、例えば半田付け等の手段によってベース金属板２２と接続されている。また、ＩＧＢＴ３１のエミッタＥは配線基板３０の出力配線部３０Ａと接続され、ゲートＧは配線基板３０の制御配線部３０Ｃと接続されている。
【００８８】
３２は出力側の積層金属板２８に横向き状態で面実装された例えば４個の低電圧側素子としてのＩＧＢＴで、該各ＩＧＢＴ３２は、ＩＧＢＴ３１とほぼ同様に、例えば樹脂モールド型の汎用的な半導体素子等からなり、導体板３２Ａ、樹脂ケース３２Ｂ、コレクタＣ、エミッタＥ、ゲートＧ等によって構成されている。
【００８９】
そして、これらのコレクタＣ、エミッタＥ及びゲートＧは、金属板２２，２５，２８等に沿って横向きに伸びつつ、下側に向けて斜めに屈曲している。この場合、コレクタＣ（導体板３２Ａ）は積層金属板２８と接続され、エミッタＥは配線基板３０の低電圧配線部３０Ｂと接続されると共に、ゲートＧは配線基板３０の制御配線部３０Ｄと接続されている。また、各ＩＧＢＴ３１，３２のコレクタＣとエミッタＥとの間には、第１の実施の形態とほぼ同様に、ダイオード（図示せず）がそれぞれ並列に接続されている。
【００９０】
ここで、高電圧側と低電圧側の各ＩＧＢＴ３１，３２は、第１の実施の形態とほぼ同様に、互いにほぼ等しいピッチでＹ軸方向に沿って列設され、個々のＩＧＢＴ３１，３２がＸ軸方向の間隔をもってそれぞれ対向すると共に、積層金属板２５，２８のほぼ全幅にわたって並行に並んでいる。
【００９１】
これにより、インバータ装置２１は、高電圧側の各ＩＧＢＴ３１を介してベース金属板２２と積層金属板２８との間に大電流がＸ軸方向に流れるとき、または低電圧側の各ＩＧＢＴ３２を介して積層金属板２５，２８間に大電流がＸ軸方向に流れるときに、金属板２２，２５，２８のＹ軸方向のほぼ全幅にわたって幅広な電流経路を形成し、高電圧側と低電圧側の電流経路が金属板２２，２５によって上，下に積層された状態となる。従って、本実施の形態では、金属板２２，２５，２８等の寄生インダクタンスをこれらの幅寸法に応じて小さく抑制でき、また大電流を個々のＩＧＢＴ３１，３２に安定的に分散できるものである。
【００９２】
３３は樹脂ケース２４内に取付けられる制御回路基板で、該制御回路基板３３は、図５、図６に示す如く、第１の実施の形態とほぼ同様に、複数の金属線３３Ａ等を用いて配線基板３０の制御配線部３０Ｃ，３０Ｄに接続され、各ＩＧＢＴ３１，３２のゲートＧに制御信号を出力するものである。
【００９３】
かくして、このように構成される本実施の形態でも、前記第１の実施の形態とほぼ同様の作用効果を得ることができる。そして、特に本実施の形態では、ベース金属板２２に高電圧端子２３を設け、積層金属板２５に低電圧端子２７を設ける構成としたので、積層金属板２５からなる低電圧側の導体面積を小さく形成でき、低電圧側の寄生インダクタンスをより低減することができる。
【００９４】
次に、図７は本発明による第３の実施の形態を示し、本実施の形態の特徴は、前記第１の実施の形態にセラミックス基板を用いる構成としたことにある。なお、本実施の形態では、第１の実施の形態と同一の構成要素に同一の符号を付し、その説明を省略するものとする。
【００９５】
４１はインバータ装置で、該インバータ装置４１は、第１の実施の形態とほぼ同様に、ベース金属板２、樹脂ケース４、配線基板１０、ＩＧＢＴ１１，１２、制御回路基板１４と、後述の積層金属板４３，４６等とを含んで構成されている。しかし、積層金属板４３，４６は、後述するセラミックス基板４２，４５の一部として構成されている。
【００９６】
４２は例えば半田付け、接着等の手段によりベース金属板２上に設けられたセラミックス基板で、該セラミックス基板４２は、例えば汎用的な積層基板等により構成され、第１の実施の形態における高電圧側の積層金属板５と絶縁材６とに代えて用いられるものである。そして、セラミックス基板４２は、絶縁材となるセラミックス層４２Ａの両面側に金属層４２Ｂが積層されている。
【００９７】
４３はセラミックス基板４２の表面側の金属層４２Ｂを用いて形成された第２の金属板としての積層金属板で、該積層金属板４３には、高電圧側のＩＧＢＴ１１が実装されている。また、積層金属板４３には、例えば半田付け、超音波接合等の手段により高電圧端子４４が接合され、該高電圧端子４４は樹脂ケース４の外部に突出している。
【００９８】
４５はベース金属板２上に設けられた他のセラミックス基板で、該セラミックス基板４５は、セラミックス基板４２とほぼ同様の汎用的な積層基板等からなり、第１の実施の形態における出力側の積層金属板８と絶縁材６とに代えて用いられるものである。そして、セラミックス基板４５は、絶縁材となるセラミックス層４５Ａの両面側に金属層４５Ｂが積層されている。
【００９９】
４６はセラミックス基板４５の表面側の金属層４５Ｂを用いて形成された第３の金属板としての積層金属板で、該積層金属板４６には、低電圧側のＩＧＢＴ１２が実装され、出力端子４７が接合されている。
【０１００】
かくして、このように構成される本実施の形態でも、第１の実施の形態とほぼ同様の作用効果を得ることができる。そして、特に本実施の形態では、汎用的なセラミックス基板４２，４５を用いてインバータ装置４１を構成できるから、絶縁材６等の部品点数を削減して組立作業を効率よく行うことができる。
【０１０１】
次に、図８は本発明による第４の実施の形態を示し、本実施の形態の特徴は、前記第２の実施の形態にセラミックス基板を用いる構成としたことにある。なお、本実施の形態では、第２の実施の形態と同一の構成要素に同一の符号を付し、その説明を省略するものとする。
【０１０２】
５１はインバータ装置で、該インバータ装置５１は、第２の実施の形態とほぼ同様に、ベース金属板２２、樹脂ケース２４、配線基板３０、ＩＧＢＴ３１，３２、制御回路基板３３と、後述の積層金属板５４，５７等とを含んで構成されている。しかし、積層金属板５４，５７は、後述するセラミックス基板５３，５６の一部として構成されている。
【０１０３】
５２は例えば半田付け、接着等の手段によりベース金属板２２上に設けられた第１のセラミックス基板で、該セラミックス基板５２は、前記第３の実施の形態とほぼ同様に、例えば汎用的な積層基板等により構成され、絶縁性のセラミックス層５２Ａの両面側に金属層５２Ｂが積層されている。そして、高電圧側のＩＧＢＴ３１は、セラミックス基板５２を介してベース金属板２２上に実装され、ＩＧＢＴ３１のコレクタＣは、金属線５２Ｃを用いてベース金属板２２と接続されている。
【０１０４】
５３はベース金属板２２上に設けられた第２のセラミックス基板で、該セラミックス基板５３は、第２の実施の形態における低電圧側の積層金属板２５と絶縁材２６とに代えて用いられ、絶縁材となるセラミックス層５３Ａの両面側に金属層５３Ｂが積層されている。
【０１０５】
５４はセラミックス基板５３の表面側の金属層５３Ｂを用いて形成された第２の金属板としての積層金属板で、該積層金属板５４には、例えば半田付け、超音波接合等の手段により低電圧端子５５が接合され、該低電圧端子５５は樹脂ケース２４の外部に突出している。
【０１０６】
５６はベース金属板２２上に設けられた第３のセラミックス基板で、該セラミックス基板５６は、第２の実施の形態における出力側の積層金属板２８と絶縁材２６とに代えて用いられ、絶縁材となるセラミックス層５６Ａの両面側に金属層５６Ｂが積層されている。
【０１０７】
５７はセラミックス基板５６の表面側の金属層５６Ｂを用いて形成された第３の金属板としての積層金属板で、該積層金属板５７には、低電圧側のＩＧＢＴ３２が実装され、金属線５８Ａ等を用いて出力端子５８が接合されている。
【０１０８】
かくして、このように構成される本実施の形態でも、第２，第３の実施の形態とほぼ同様の作用効果を得ることができる。
【０１０９】
次に、図９及び図１０は本発明による第５の実施の形態を示し、本実施の形態の特徴は、高電圧側素子と低電圧側素子とを電極が互いに向い合うように配置する構成としたことにある。なお、本実施の形態では、前記第１の実施の形態と同一の構成要素に同一の符号を付し、その説明を省略するものとする。
【０１１０】
６１はインバータ装置で、該インバータ装置６１は、第１の実施の形態とほぼ同様に、ベース金属板２、樹脂ケース４、積層金属板５、ＩＧＢＴ１１、制御回路基板１４′と、後述の積層金属板６２、配線基板６４、ＩＧＢＴ６５等とを含んで構成されている。
【０１１１】
６２はベース金属板２に絶縁材６を介して積層された第３の金属板としての積層金属板で、該積層金属板６２は、図９、図１０に示す如く、略四角形状の平板として形成され、積層金属板５とＸ軸方向の間隔をもって配置されている。また、積層金属板６２には、樹脂ケース４の外部に突出し電動モータ等の負荷１７に接続される平板状の出力端子６３が一体に形成されている。
【０１１２】
６４はベース金属板２の表面側に設けられた配線基板で、該配線基板６４は、例えば絶縁性の樹脂材料等により略四角形状に形成され、積層金属板５，６２間に配置されている。また、配線基板６４には、第１の実施の形態とほぼ同様に、所定の配線パターンが設けられ、この配線パターンは、配線基板６４の左側に配置された出力配線部６４Ａと、右側に配置された低電圧配線部６４Ｂと、これらの配線部６４Ａ，６４Ｂにそれぞれ隣接して配置された制御配線部６４Ｃ，６４Ｄとを有している。
【０１１３】
そして、配線基板６４の出力配線部６４Ａは、各金属線６４Ｅ等を用いて出力側の積層金属板６２と接続されている。また、低電圧配線部６４Ｂは、各金属線６４Ｆ等を用いて低電圧側のベース金属板２と接続され、制御配線部６４Ｃ，６４Ｄは、各金属線１４Ａ′を介して制御回路基板１４′に接続されている。
【０１１４】
６５は出力側の積層金属板６２に横向き状態で面実装された例えば４個の低電圧側素子としてのＩＧＢＴで、該各ＩＧＢＴ６５は、ＩＧＢＴ１１とほぼ同様に、例えば樹脂モールド型の汎用的な半導体素子等からなり、導体板６５Ａ、樹脂ケース６５Ｂ、コレクタＣ、エミッタＥ、ゲートＧ等によって構成されている。そして、各ＩＧＢＴ６５は、高電圧側のＩＧＢＴ１１とほぼ等しいピッチでＹ軸方向に沿って列設され、各ＩＧＢＴ１１と並行な位置関係をもって並んでいる。
【０１１５】
しかし、ＩＧＢＴ６５はＸ軸方向に対して高電圧側のＩＧＢＴ１１と逆向きに配置されている。これにより、ＩＧＢＴ１１，６５のコレクタＣ、エミッタＥ及びゲートＧは互いに向い合った状態で配置され、金属板２，５，６２等に沿って互いに逆向きに伸びている。
【０１１６】
そして、各ＩＧＢＴ１１は、ソースＤとゲートＧとが積層金属板５からＸ軸方向の一側に向けて積層金属板５，６２間に突出し、ソースＤは配線基板６４の出力配線部６４Ａに接続されると共に、ゲートＧは制御配線部６４Ｃに接続されている。また、各ＩＧＢＴ６５は、ソースＤとゲートＧとが積層金属板６２からＸ軸方向の他側に向けて積層金属板５，６２間に突出し、ソースＤは低電圧配線部６４Ｂに接続されると共に、ゲートＧは制御配線部６４Ｄに接続されている。
【０１１７】
かくして、このように構成される本実施の形態でも、第１の実施の形態とほぼ同様の作用効果を得ることができる。そして、特に本実施の形態では、ＩＧＢＴ１１，６５のコレクタＣ、エミッタＥ及びゲートＧを互いに向い合った状態で逆向きに伸長させることにより、配線基板６４の出力配線部６４Ａ、低電圧配線部６４Ｂ及び制御配線部６４Ｃ，６４Ｄを積層金属板５，６２間に配置できるから、これらの配線部６４Ａ〜６４Ｄを１箇所に集約して配線基板６４を小型化でき、またインバータ装置６１の設計自由度を高めることができる。
【０１１８】
次に、図１１は本発明による第６の実施の形態を示し、本実施の形態の特徴は、インバータ装置を電気機械に適用する構成としたことにある。
【０１１９】
７１は例えば自動車等の車両に搭載されるインバータ付き電気機械で、該インバータ付き電気機械７１は、その外郭となる段付き筒状のハウジング７２を有し、該ハウジング７２は、後述の電動モータ７５を収容する筒状のモータケース７２Ａと、自動変速機７３を収容する変速機ケース７２Ｂと、これらのケース７２Ａ，７２Ｂ間を仕切る仕切板７２Ｃとにより大略構成されている。
【０１２０】
７３はハウジング７２の変速機ケース７２Ｂ内に収容された自動変速機で、該自動変速機７３は、車両のエンジン側に連結された入力軸７４と、車輪側に連結された出力軸（図示せず）との間に設けられ、例えば運転者の変速操作等に応じてエンジンの回転を変速しつつ、変速した回転を出力軸に伝達するものである。
【０１２１】
７５はハウジング７２のモータケース７２Ａ内に設けられた多相交流式の電動モータで、該電動モータ７５は、モータケース７２Ａ内に固定された環状のステータ７５Ａと、入力軸７４の外周側に固着されたマグネット等からなるロータ７５Ｂとにより構成されている。そして、電動モータ７５は、後述のインバータ装置７６から給電されることによって入力軸７４を回転駆動し、例えばエンジンと協働して車両を走行させるものである。
【０１２２】
７６はハウジング７２のモータケース７２Ａ内に設けられたインバータ装置で、該インバータ装置７６は、前記第１ないし第５の実施の形態で用いたインバータ装置１，２１，４１，５１，６１のいずれかによって構成され、ベース金属板７７、高電圧端子７８、低電圧端子７９、出力端子８０等を有している。
【０１２３】
ここで、インバータ装置７６は、例えばベース金属板７７が熱伝導性の高い絶縁材（図示せず）等を介してハウジング７２の仕切板７２Ｃに取付けられている。また、高電圧端子７８と低電圧端子７９とは、モータケース７２Ａの開口端に設けられた切欠き溝８１等を介してハウジング７２の外部に引出され、これらは車両のバッテリ等に接続されている。この場合、モータケース７２Ａの切欠き溝８１には、ケースの内，外をシールするシール部材８２が設けられている。
【０１２４】
そして、インバータ装置７６は、その出力端子８０がモータケース７２Ａ内で電動モータ７５と接続され、バッテリ等の電力を用いて電動モータ７５を交流電流により駆動するものである。
【０１２５】
かくして、このように構成される本実施の形態でも、前記第１ないし第５の実施の形態とほぼ同様の作用効果を得ることができる。そして、特に本実施の形態では、インバータ装置７６の裏面側に位置するベース金属板７７をハウジング７２の仕切板７２Ｃに取付ける構成としている。
【０１２６】
この場合、インバータ装置７６は、その側面のうちベース金属板７７に近い部位から高電圧端子７８と低電圧端子７９とが突出しているので、モータケース７２Ａの開口端に切欠き溝８１を形成するだけで、これらの端子７８，７９を仕切板７２Ｃに沿ってハウジング７２の外部へと容易に引出すことができる。これにより、従来のモータケース７２Ａに対して貫通孔等を形成する必要がなくなり、簡単な溝加工を施すだけで、インバータ装置７６をハウジング７２内に容易に配置できると共に、シール部材８２等の装着も円滑に行うことができる。
【０１２７】
また、例えば４２Ｖ程度の高電圧を有するバッテリ等を車両に搭載する場合でも、インバータ装置７６のベース金属板７７とハウジング７２の仕切板７２Ｃとの間に絶縁材等を介在させることにより、サージ電圧等に対する絶縁対策を確実に行うことができ、高電圧仕様の車両にも容易に適用することができる。
【０１２８】
なお、前記各実施の形態では、高電圧側素子として４個のＩＧＢＴ１１（３１）を実装し、低電圧側素子として４個のＩＧＢＴ１２（３２，６５）を実装した場合を例に挙げて述べた。しかし、本発明は、高電圧側素子と低電圧側素子の個数が実施例に限定されるものではなく、例えば２個または３個の高電圧側素子に対して、これと同数の低電圧側素子を並行に並べる構成としてもよく、また５個以上の高電圧側素子と低電圧側素子とを並行に並べる構成としてもよい。
【０１２９】
また、実施の形態では、高電圧側素子と低電圧側素子とをＩＧＢＴ１１，１２，３１，３２，６５等により構成した。しかし、本発明はＩＧＢＴに限らず、例えば高電圧側素子や低電圧側素子として通常のバイポーラトランジスタ等を用いる構成としてもよい。
【０１３０】
また、本発明では、高電圧側素子や低電圧側素子としてＭＯＳＦＥＴを用いる構成としてもよく、この場合には、例えば図４中において、高電圧側素子となるＭＯＳＦＥＴのドレイン、ソース、ゲートが、ＩＧＢＴ１１のコレクタＣ、エミッタＥ、ゲートＧにそれぞれ対応し、低電圧側素子となるＭＯＳＦＥＴのドレイン、ソース、ゲートが、ＩＧＢＴ１２のコレクタＣ、エミッタＥ、ゲートＧに対応するものである。
【０１３１】
また、実施の形態では、コレクタＣ、エミッタＥ及びゲートＧが針金状の電極として横向きに突出したＩＧＢＴ１１，１２，３１，３２，６５を用いる構成とした。しかし、本発明はこれに限らず、例えば針金状のコレクタＣを廃止し、コレクタＣが導体板１１Ａ，１２Ａ，３１Ａ，３２Ａ，６５Ａ自体により構成されたタイプの半導体素子を用いる構成としてもよく、この導体板１１Ａ，１２Ａ，３１Ａ，３２Ａ，６５Ａを金属板と接続する構成としてもよい。
【０１３２】
さらに、実施の形態では、半導体装置としてインバータ装置１，２１，４１，５１，６１，７６を例に挙げて述べた。しかし、本発明はこれに限らず、大電流を通電する各種の半導体装置に適用できるのは勿論である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態によるインバータ装置を示す斜視図である。
【図２】図１中の矢示ＩＩ−ＩＩ方向からみたインバータ装置の断面図である。
【図３】図２中の矢示ＩＩＩ−ＩＩＩ方向からみたインバータ装置の断面図である。
【図４】インバータ装置を含めたインバータ回路全体を示す回路図である。
【図５】本発明の第２の実施の形態によるインバータ装置を示す断面図である。
【図６】図５中の矢示ＶＩ−ＶＩ方向からみたインバータ装置の断面図である。
【図７】本発明の第３の実施の形態によるインバータ装置を示す断面図である。
【図８】本発明の第４の実施の形態によるインバータ装置を示す断面図である。
【図９】本発明の第５の実施の形態によるインバータ装置を示す断面図である。
【図１０】図９中の矢示Ｘ−Ｘ方向からみたインバータ装置の断面図である。
【図１１】本発明の第６の実施の形態によるインバータ装置を電気機械に搭載した状態を示す断面図である。
【符号の説明】
１，１′，１″，２１，４１，５１，６１，７６　インバータ装置（半導体装置）
２，２２，７７　ベース金属板（第１の金属板）
３，２７，５５，７９　低電圧端子
４，２４　樹脂ケース
５，２５，４３，５４　積層金属板（第２の金属板）
６，２６　絶縁材
７，２３，４４，７８　高電圧端子
８，２８，４６，５７，６２　積層金属板（第３の金属板）
９，９′，９″，２９，４７，５８，６３，８０　出力端子
１０，３０，６４　配線基板
１０Ａ，３０Ａ，６４Ａ　出力配線部
１０Ｂ，３０Ｂ，６４Ｂ　低電圧配線部
１０Ｃ，１０Ｄ，３０Ｃ，３０Ｄ，６４Ｃ，６４Ｄ　制御配線部
１１，３１　ＩＧＢＴ（高電圧側素子）
１１Ａ，１２Ａ，３１Ａ，３２Ａ，６５Ａ　導体板（裏面電極）
１１Ｂ，１２Ｂ，３１Ｂ，３２Ｂ，６５Ｂ　樹脂ケース
１２，３２，６５　ＩＧＢＴ（低電圧側素子）
１４，１４′，３３，６２　制御回路基板
１５　バッテリ（電源）
４２，４５，５２，５３，５６　セラミックス基板
４２Ａ，４５Ａ，５２Ａ，５３Ａ，５６Ａ　セラミックス層（絶縁材）
４２Ｂ，４５Ｂ，５２Ｂ，５３Ｂ，５６Ｂ　金属層
７１　インバータ付き電気機械
７２　ハウジング
７５　電動モータ
Ｃ　コレクタ（電極）
Ｅ　エミッタ（電極）
Ｇ　ゲート（電極）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2004063682.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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