(57)【要約】【課題】電解メッキ用引出し線を配線するワークシートを使用することなく、ＢＧＡ基板の電解メッキする電解メッキ装置及びその方法を提供すること。【解決手段】一方の面１１にボールパッドが形成され、他の面１２にボンディングパッドが形成され、前記ボールパッド１１ａ及びボンディングパッド１２ａがスルーホール１６を介して導通され、且ついずれかの面に導電性シリコンゴム１４が圧接されたＢＧＡ基板１０と、この導電性シリコンゴムが圧接された前記ＢＧＡ基板１０が挿入される電解メッキ槽と、この電解メッキ槽内に前記ＢＧＡ基板に対向配置された電極板とを備え、この電極板及び前記導電性シリコンゴム１４を電極として電解メッキを行なうことを特徴とするＢＧＡ基板の電解メッキ装置。【選択図】　図１
2004140075.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一方の面にボールパッドが形成され、他の面にボンディングパッドが形成され、前記ボールパッド及びボンディングパッドがスルーホールを介して導通され、且ついずれかの面に導電性シリコンゴムが圧接されたＢＧＡ基板と、
この導電性シリコンゴムが圧接された前記ＢＧＡ基板が挿入される電解メッキ槽と、
この電解メッキ槽内に前記ＢＧＡ基板に対向配置された電極板とを備え、この電極板及び前記導電性シリコンゴムを電極として電解メッキを行なうことを特徴とするＢＧＡ基板の電解メッキ装置。
【請求項２】
前記導電性シリコンゴムは、その背面に絶縁性保護板を備えて、この絶縁性保護板が前記ＢＧＡ基板の方向に押圧され、前記導電性シリコンゴムがいずれかの面に圧接されることを特徴とする請求項１記載のＢＧＡ基板の電解メッキ装置。
【請求項３】
一方の面にボールパッドが形成され、他の面にボンディングパッドが形成され、前記ボールパッド及びボンディングパッドがスルーホールを介して導通されたＢＧＡ基板のいずれかの面に、導電性シリコンゴムを圧接させるステップと、
電解メッキ槽内で前記ＢＧＡ基板に対向配置された電極板及び前記導電性シリコンゴムを電極として電解メッキを行なうステップとから成るＢＧＡ基板の電解メッキ方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体表面実装型パッケージのボール・グリッド・アレイ（ＢＧＡ）基板の製造工程における、特にボンディングパッド及びボールパッドの電解メッキ装置及びその方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
表面実装型パッケージのボール・グリッド・アレイ基板（以降ＢＧＡ基板と呼ぶ）の製造工程において、図２（ｃ）に図示した電解メッキのカソード２９を装着したＢＧＡ基板２０の断面模式図のＢ部を拡大して示す同図（ａ）のように、ＢＧＡ基板２０のボールパッド２１及びボンディングパッド２２の導電性と固着性を高めるために、Ａｕ被膜２１ａ、２２ａやＮｉ被膜２１ｂ、２２ｂ等の電解メッキが、Ｃｕ箔２１ｃ、２２ｃの表面に行われる。なお、ボールパッド２１及びボンディングパッド２２の表面はソルダレジスト２４により非電解メッキ部分が形成され、対になるボールパッド２１のＣｕ箔２１ｃとボンディングパッド２２のＣｕ箔２２ｃは、スルーホール２３により導通されている。
【０００３】
従来、この電解メッキには、メッキ対象の部分を電極とするために、同図（ｂ）に示すように、ＢＧＡ基板２０の外周部から大きい板状のワークシート２７と呼ばれる基材に多数のメッキ用引き出し線２８を製品であるＢＧＡ基板の内部にまで配線導通させて、これにカソード（陰電極）２９を接続し、陰極として使用する電解メッキが通常行われる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
上に述べた従来のワークシートによるメッキ用引き出し線を使用する電解メッキの方法では、本来製品としては不要なメッキ用引出し線を配線しなければならないため、配線密度を高めるファインピッチ化には制約が生じる問題点があった。また、マトリックス仕様のＢＧＡ基板では、メッキ用引き出し線により全ての配線が短絡されるため、配線ショート不良の電気的チェックが実施できないことも大きな問題点となっていた。
【０００５】
この発明は上記の問題点に鑑みてなされたもので、電解メッキ用引出し線を配線するワークシートを使用することなく、ＢＧＡ基板の電解メッキをする電解メッキ装置及びその方法を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明のＢＧＡ基板の電解メッキ装置は、一方の面にボールパッドが形成され、他の面にボンディングパッドが形成され、前記ボールパッド及びボンディングパッドがスルーホールを介して導通され、且ついずれかの面に導電性シリコンゴムが圧接されたＢＧＡ基板と、この導電性シリコンゴムが圧接された前記ＢＧＡ基板が挿入される電解メッキ槽と、この電解メッキ槽内に前記ＢＧＡ基板に対向配置された電極板とを備え、この電極板及び前記導電性シリコンゴムを電極として電解メッキを行なうことを特徴とするものである。
【０００７】
さらに、本発明のＢＧＡ基板の電解メッキ方法は、前記導電性シリコンゴムが、その背面に絶縁性保護板を備えて、この絶縁性保護板が前記ＢＧＡ基板の方向に押圧され、いずれかの面に圧接されることを特徴とするものである。
【０００８】
また、本発明のＢＧＡ基板の電解メッキ方法は、一方の面にボールパッドが形成され、他の面にボンディングパッドが形成され、前記ボールパッド及びボンディングパッドがスルーホールを介して導通されたＢＧＡ基板のいずれかの面に、導電性シリコンゴムを圧接させるステップと、電解メッキ槽内で前記ＢＧＡ基板に対向配置された電極板及び前記導電性シリコンゴムを電極として電解メッキを行なうステップとから成る方法である。
【０００９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態を図面により詳細に説明する。
【００１０】
図１は、本発明のＢＧＡ基板の製造方法の一実施形態を示す概念図である。図１（ａ）はＢＧＡ基板のボンディングパッド面を電解メッキする場合の構成を示す図であり、同図（ｂ）は同図（ａ）のボールパッド付近を示す拡大断面図である。図１（ｃ）は同じくボールパッド面を電解メッキする場合の構成を示す図である。
【００１１】
ボンディングパッド面の電解メッキには、図１（ａ）に示すように、電解メッキ対象のＢＧＡ基板１０と、背部に絶縁性保護板１３ａを有して、このＢＧＡ基板１０のボールパッド面１１の全面に柔軟性を有して接触する導電性シリコンゴム１４ａと、この導電性シリコンゴム１４ａの一部に接触するカソード（棒）１５ａと、このカソード（棒）１５ａが接続される、図示していない対極を有する電解メッキ槽とにより行われる。
【００１２】
このボンディングパッド面の電解メッキでは、図１（ａ）の円で囲んだ部分の拡大図である同図（ｂ）に示すように、背部を絶縁性保護板１３ａで覆われる導電性シリコンゴム１４ａが、ＢＧＡ基板１０のボールパッド面１１に密着されて、さらに背部の絶縁性保護板１３ａでＢＧＡ基板の方向に強く押し当てられ、この導電性シリコンゴム１４ａの有する柔軟性により、これが変形してボールパッド面１１のボールパッド１１ａのＣｕ箔（導体）１６ａ、またはＣｕ箔１６ａの表面に本実施形態により既に電解メッキされて形成されている、例えばＮｉ被膜メッキ面に、接触し、導通する。
【００１３】
一方、ボールパッド１１ａのＣｕ箔（導体）１６ａまたは既にメッキされたＮｉ被膜の下のＣｕ箔（導体）は、ＢＧＡ基板１０の基材１７を貫通するスルーホール１６により、通常、ボンディング面１２のボンディングパッド１２ａのＣｕ箔（導体）１６ｂと導通している。したがって、ボールパッド面１１の全面に密着された導電性シリコンゴム１４ａは、ボンディンパッド面１２の全てのボンディングパッド１２ａと導通する。
【００１４】
ここで、電解メッキ槽のカソード（棒）１５ａを導電性シリコンゴム１４ａの一部と接触すると、全てのボンディングパッド１２ａが電解メッキの陰極となって、電解メッキ槽内の対極である陽極との間でＢＧＡ基板１０のソルダレジスト１８が形成されていない部分のボンディングパッドにＣｕ、Ｎｉ、Ａｕなどの電解メッキが行われる。
【００１５】
また、ボールパッド面１１の電解メッキには、、同図（ｃ）に示すように、同じく電解メッキ対象のＢＧＡ基板１０と、背部に絶縁性保護板１３ｂを有して、このＢＧＡ基板１０のボンディングパッド面１２の全面に柔軟性を有して接触する導電性シリコンゴム１４ｂと、この導電性シリコンゴム１４ｂの一部に接触するカソード（棒）１５ｂと、このカソード（棒）１５ｂが接続される、図示していない対極を有する電解メッキ槽とにより行われる。
【００１６】
ボールパッド面１１の電解メッキでは、図１（ｃ）に示すように、背部を絶縁性保護板１３ｂで覆われる導電性シリコンゴム１４ｂを、ボンディングパッド面１２に密着して、さらに背部の絶縁性保護板１３ｂで同じくＢＧＡ基板の方向に強く押し当てる。この導電性シリコンゴム１４ｂがその柔軟性により変形して、ボンディングパッド面１２のボンディングパッド１２ａのＣｕ箔（導体）１６ｂまたは既に電解メッキされた例えばＮｉ被膜メッキ面に接触し、導通する。
【００１７】
前述のように、ボンディングパッド１２ａのＣｕ箔（導体）１６ｂ、スルーホール１６、ボールパッド１１ａのＣｕ箔（導体）１６ａがそれぞれ導通しているので、ボンディングパッド面１２の全面に密着された導電性シリコンゴム１４ｂは、ボールパッド面１１の全てのボールパッド１１ａと導通し、電解メッキ槽のカソード（棒）１５ｂを導電性シリコンゴム１４ｂの一部と接触すると、全てのボールパッド１１ａを電解メッキの陰極とすることができて、電解メッキ槽内の対極との間でＢＧＡ基板１０のソルダレジスト１８が形成されていない部分のボールパッド１１ａに同じくＣＵ、Ｎｉ、Ａｕなどの電解メッキが行われる。
【００１８】
上述の本発明のボンディングパッド面或いはボールパッド面の電解メッキ工程によれば、ワークシート等を設け、製品として不要のメッキ用の引出し線を設けること無く、ボンディングパッド或いはボールパッドを電解メッキの陰電極に設定できるので、ＢＧＡ基板自体の配線の自由度が大幅に向上して、ファインピッチ化への対応も可能となる電解メッキを行なえる。
【００１９】
また、ボンディングパッド面或いはボールパッド面の電解メッキ工程によれば、製品特性に関連する不要なショート配線が無くなるために、マトリックスＢＧＡにおける電気的ショート検査が実施できるので、ショート不良品を工程からリジェクトできる。
【００２０】
本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。例えば、上述の実施形態の説明では、ボンディングパッド面とボールパッド面の両方に対し電解メッキを行なったが、いずれか一方の面にたいしてのみ電解メッキを行なっても良い。
【００２１】
【発明の効果】
以上、説明したように本発明によるＢＧＡ基板の製造方法は、電解メッキ用引出し線を配線するワークシートを使用することなく、メッキ対象のボールパッド及びボンディングパッドのそれぞれを電解メッキすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のＢＧＡ基板の製造方法の一実施形態を示す概念図。
【図２】ワークシートによる引出し線を配線する従来のＢＧＡ基板のメッキの概念図。
【符号の説明】
１０、２０・・・ＢＧＡ基板、
１１、２１・・・ボールパッド面、
１１ａ・・・ボールパッド、
１２、２２・・・ボンディンパッド面、
１２ａ・・・ボンディンパッド、
１３、１３ａ、１３ｂ・・・絶縁性保護板、
１４、１４ａ、１３ｂ・・・導電性シリコンゴム、
１５ａ、１５ｂ、２９・・・カソード（棒）、
１６、２３・・・スルーホール、
１６ａ、１６ｂ、２１ｃ、２２ｃ・・・Ｃｕ箔（導体）、
１７・・・基材、
１８、２４・・・ソルダレジスト、
２１ａ、２２ａ・・・Ａｕメッキ、
２１ｂ、２２ｂ・・・Ｎｉメッキ、
２７・・・ワークシート、
２８・・・引出し線。
【図１】
2004140075.tif 000003
【図２】
2004140075.tif 000004