(57)【要約】【課題】高精度かつ高精細なパターンを有する真空成膜法による薄膜を、高い生産性かつ低コストで形成することができるパターン膜形成方法を提供する。【解決手段】形成する膜のパターンに応じた凹凸を有する転写部材の少なくとも凸部表面を剥離処理した後、少なくとも前記凸部表面に真空成膜法による薄膜を形成し、転写部材の凸部の薄膜を基板に転写して、前記基板にパターン膜を形成することにより、前記課題を解決する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
形成する膜のパターンに応じた凹凸を有する転写部材の少なくとも凸部表面を剥離処理した後、少なくとも前記凸部表面に真空成膜法による薄膜を形成し、前記転写部材の凸部の薄膜を基板に転写することにより、前記基板にパターン膜を形成することを特徴とするパターン膜形成方法。
【請求項２】
前記転写部材の凹凸の形成面に真空成膜を行うことにより、前記転写部材の凸部の表面に真空成膜法による薄膜を形成する請求項１に記載のパターン膜形成方法。
【請求項３】
任意部材の表面に真空成膜法によって薄膜を形成し、この薄膜を前記転写部材の凸部表面に転写することにより、前記転写部材の凸部の表面に真空成膜法による薄膜を形成する請求項１に記載のパターン膜形成方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は真空成膜によるパターン膜形成の技術分野に属し、詳しくは、真空成膜によるパターン膜を、低コストかつ良好な生産性で形成できるパターン膜形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
液晶ディスプレイなどの電子ディスプレイに用いられる透明電極や不透明電極、ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ　Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）などの電子ディスプレイ用の発光体（画素）、液晶ディスプレイなどにスイッチング素子として利用されるＴＦＴ（Ｔｈｉｎ　Ｆｉｌｍ　Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）素子、１ビット毎に分割した記録層を有するパターンド磁気メディア等、各種の用途において、真空成膜法による薄膜（以下、真空薄膜とする）が基板にパターン化されて形成されている。
【０００３】
基板にパターン化した真空薄膜を形成する方法としては、まず、基板表面に連続する真空薄膜を形成した後に、形成するパターンに応じて描画したレジスト層をフォトリソグラフィーを利用して形成し、ドライあるいはウエットのエッチングによって不要な薄膜を除去することにより、真空薄膜をパターン化する方法が例示される。
また、形成するパターンに応じた開口を有するマスクを用い、このマスクを介して真空成膜を行うことにより、マスクを通過した成膜材料のみを基板に堆積して、パターン化した真空薄膜を形成する方法も利用されている。
さらに、基板表面に連続する真空薄膜を形成した後に、形成するパターンに応じて変調したエネルギビーム（レーザビーム等）による加工で直接、あるいは、同エネルギビームとエッチングとの組み合わせによって、パターン化した真空薄膜を形成する方法も利用されている。
【０００４】
さらに、特許文献１には、表示画素に応じてパターン化された高熱伝導性の凸状突起を有する転写基板に発光性有機材料を蒸着成膜し、この発光性有機材料を成膜された転写基板を、透明性導電膜基板（または透明性導電膜上に形成された正孔輸送層）に圧着し、前記転写基板の凸状突起を加熱して発光性有機材料を昇華させることにより、透明性導線膜基板の表面に発光性有機材料を転写する工程を有する、カラー有機ＥＬディスプレイの製造方法が開示されている。
しかしながら、これらの方法は、いずれも生産性や生産コスト、材料選択の自由度等の点で、問題がある。
【０００５】
【特許文献１】
特許第２９１８０３７号公報
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
例えば、最初に例示したフォトリソグラフィーを利用する方法は、パターンの精度や精細性には優れているが、基板の洗浄、レジスト塗布、レジストのプリベーク、レジストの露光、レジストのポストベーク、現像処理、エッチング等の多数の工程が必要であるため、大がかりな設備投資が必要であり、その上、歩留りも低い。さらに、多数の工程を有し、さらに、歩留りが低いために、コストが高く、しかも生産性も低い。
【０００７】
マスクを用いてパターン化した真空薄膜を形成する方法では、成膜を行うにしたがって、マスクに成膜材料が堆積する。精度かつ精細なパターンを形成する場合には、この堆積によって、マスクが短期間で使用不可能になってしまうため、短期間でマスクを交換あるいは再生する必要がある。その結果、手間が掛かり、かつ、生産性の低下およびコストの向上を引き起こす。
さらに、高精度なパターンを形成するためには、マスクと基板とを接触した状態で真空成膜を行うのが好ましいが、これでは、基板を損傷してしまう可能性が高く、両者は、離間して配置せざるを得ない。そのため、薄膜蒸気等がマスクを裏回りしてしまい、形成されるパターンの境界がボケてしまう場合がある。
【０００８】
形成するパターンに応じて変調したエネルギビームを利用する方法では、エネルギビームの走査を行う必要があるので、高い生産性を実現することが困難である。逆に、生産性を向上するためには、高出力の光源が必要であるため、設備コストが高くなり、装置の機構も複雑になってしまう。しかも、エネルギの出力によっては、加工できる膜厚にも限界を生じる。
また、エッチングを併用する場合には、最初に例示したフォトリソグラフィーによる方法と同様の工程の増加などの不都合も生じてしまう。
【０００９】
さらに、特許文献１に開示される方法をパターン膜の形成に応用すれば、上述の各パターン膜の形成方法が有する問題点は解決することができる。
ところが、この方法は、転写基板を５００℃近い高温に加熱して、成膜材料を基板（被成膜基板）に昇華転写する。そのため、耐熱性の低い材料からなるパターン膜を形成することは出来ず、また、生産性を考慮すれば、パターン膜の材料は昇華性や蒸発性の良好な材料に限られる。さらに、凸状突起を有する転写基板は、この温度に耐え得るものである必要がある。そのため、パターン膜の材料選択性、転写基板の選択性が非常に狭く、自由度や汎用性に欠ける。
【００１０】
本発明の目的は、前記従来技術の問題点を解決することにあり、高精度かつ高精細なパターンを有する、真空成膜法による薄膜を、高い生産性かつ低コストで形成することができ、さらにパターン膜の形成材料や基板等の選択自由度も高いパターン膜形成方法を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
前記目的を達成するために、本発明のパターン膜形成方法は、形成する膜のパターンに応じた凹凸を有する転写部材の少なくとも凸部表面を剥離処理した後、少なくとも前記凸部表面に、真空成膜法による薄膜を形成し、前記転写部材の凸部の薄膜を基板に転写することにより、前記基板にパターン膜を形成することを特徴とするパターン膜形成方法を提供する。
【００１２】
また、前記転写部材の凹凸の形成面に真空成膜を行うことにより、前記転写部材の凸部の表面に真空成膜法による薄膜を形成するのが好ましく、もしくは、任意部材の表面に真空成膜法によって薄膜を形成し、この薄膜を前記転写部材の凸部表面に転写することにより、前記転写部材の凸部の表面に真空成膜法による薄膜を形成するのが好ましい。
【００１３】
【発明の実施の形態】
以下、本発明のパターン膜形成方法について、詳細に説明する。
【００１４】
本発明は、形成する膜のパターンに応じた凹凸が形成された面（転写面）を有する転写部材（以下、マスタとする）を用いて、真空成膜法によって成膜された、パターンを有する薄膜（パターン膜）を基板に形成するものであり、マスタの少なくとも凸部表面に真空成膜法による薄膜（以下、真空薄膜とする）を形成し、この凸部の真空薄膜を基板に転写することにより、低コストかつ高生産性で、真空薄膜によるパターン膜を基板に形成する。
【００１５】
本発明において、マスタは、前述のように、形成する膜のパターンに応じた凹凸が形成された転写面を有するものであり、基板への真空薄膜の加圧転写等に対して十分な強度を有するものであれば、任意の材料で形成された任意の形状のものが利用可能である。
従って、マスタは、例えば、転写面が形成された平面を有するプレート、円柱や角柱、球体等のディスクリート（不連続的）なものであってもよく、側面に転写面が形成されたドラム状でもよく、一面に転写面が形成されたエンドレスベルト状であってもよく、一面に転写面が形成された金属ストリップなどのウエブ状の連続的なものであってもよい。また、転写面は、平面でも曲面でもよい。
マスタの形成材料も、十分な強度を確保できるものであれば、各種の材料が利用可能であり、例えば、各種の金属材料、セラミックス材料、樹脂材料、ガラス、フィルム等を利用すればよい。中でも、エッジ性や形状等のパターン状態が良好で、かつ、表面平坦性にも優れたマスタを得られる等の点で、ガラスは好適である。
【００１６】
マスタ転写面の凹凸の形成方法には、特に限定はなく、マスタの形成材料や形成するパターン膜等に応じた描画的な加工方法が、各種利用可能である。
例えば、機械加工、半導体装置製造などで利用されているフォトリソグラフィーとエッチングとによる加工、電鋳による加工等が例示される。
これらの加工方法によれば、マスタにフォトリソグラフィー並の微細なパターンを高い寸法精度で形成できるので、従って、フォトリソグラフィー並の高精度かつ高精細なパターンを有するパターン膜を形成できる。
【００１７】
マスタの転写面における凹凸の段差の大きさ（凸部の高さ）には特に限定はなく、パターン膜の膜厚等に応じて、凸部の真空薄膜のみを基板に転写できる段差を有すればよい。なお、段差を大きめにすることにより、マスタの清掃（再生）の頻度を減らすことができるので、生産性等の点で、より好ましい。
以上の点、加工精度や精細性、本発明は樹脂塗膜に比して形成する膜厚が薄くてもよい真空薄膜のパターン膜形成であること等を考慮すると、段差は、後述するマスタの転写面に直接真空薄膜を成膜する場合には、１０ｎｍ〜５００μｍ、特に、１００ｎｍ〜１００μｍとするのが好ましい。また、同様の理由で、段差は、後述する任意の部材に形成した真空薄膜をマスタの転写面（凸部表面）に転写する場合にも、同じく、１０ｎｍ〜５００μｍ、特に、１００ｎｍ〜１００μｍとするのが好ましい。
【００１８】
本発明のパターン膜形成方法は、このようなマスタの転写面の少なくとも凸部表面に真空薄膜を形成し、凸部の真空薄膜を基板に転写することにより、真空薄膜のパターン膜を形成するものである。
マスタの転写面に真空薄膜を形成する方法としては、転写面に、直接、真空成膜法によって真空薄膜を形成する方法と、任意の部材の表面に真空薄膜を形成して、この薄膜をマスタの転写面（凸部の表面）に転写する方法が例示される。
【００１９】
本発明において、マスタの転写面や前記任意部材の表面に薄膜（乾膜）を形成する真空成膜法には、特に限定はなく、スパッタリング、真空蒸着、イオンプレーティング、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）　等、各種の真空成膜法が全て利用可能である。また、成膜条件も、利用する真空成膜法、真空薄膜の組成や膜厚等に応じて、適宜、決定すればよい。
成膜する膜には、特に限定はなく、真空成膜法で成膜可能なものが全て利用可能で、例えば、インジウム−錫酸化物、酸化亜鉛、窒化チタンなどの透明導電膜、コバルト合金、クロム合金などの磁性膜、酸化硅素、酸化チタン、酸化アルミニウムなどの酸化膜、窒化硅素、窒化ホウ素などの窒化膜、アルミニウム、亜鉛、ニッケル、クロム、チタンやその他の金属の金属膜、炭化膜、金属化合物膜、有機化合物や有機金属材料などの有機材料膜等が例示される。また、膜厚も、パターン膜（パターン膜を形成した基板）の用途に応じた厚さとすればよい。
【００２０】
ここで、特開平８−１７１００８号公報には、所定のパターンを有する版面に着色パターンを形成し、これを透明基板上に転写するカラーフィルタの製造方法、および、着色材が分散された着色固化膜を有するドライシートから、前記版面に着色固化膜を転写した後、これを透明基板上に転写するカラーフィルタの製造方法が開示されている。
しかしながら、ここに開示される方法は、いずれも、着色材を分散した樹脂塗料を用いる、いわゆるウエットの成膜方法を利用するものであり、真空成膜法を利用する本発明とは、基本的に異なる技術に関するものである。
【００２１】
また、真空成膜法を利用する本発明によれば、高精細かつ高精度なパターン膜を高い生産性および低コストで形成することができる。これに対し、同公報に開示されるような、ウエットの成膜方法を利用する場合には、本発明のように、高精細かつ高精度なパターン膜を高い生産性および低コストで形成することはできない。
【００２２】
ウエットの成膜方法において、版面（以下、本発明に準じてマスタとする）の転写面への直接的な樹脂塗料の膜（以下、樹脂塗膜とする）の形成は、転写面に塗料を塗布（浸漬塗布も含む）して、その後、乾燥することで行われる。
しかしながら、塗布による転写面への樹脂塗膜の形成では、高精度な膜厚の制御は非常に困難であり、適正膜厚のパターン膜を形成できない。また、転写面に樹脂塗料を塗布すると、液垂れ等によって凸部の側壁にも樹脂塗料が付着してしまう。その結果、この樹脂塗膜を基板に転写すると、この側壁部分の膜も基板に転写されてしまい、高精細なパターン膜を高精度に形成することはできない。
すなわち、樹脂塗料を用いるパターン形成方法では、樹脂塗膜を有するドライフィルムを作製して、此処からマスタの凸部に樹脂塗膜を転写し、これを基板に転写する方法以外、実質的に、パターン膜を形成する方法は無い。
【００２３】
これに対し、真空成膜を行う本発明のパターン膜形成方法によれば、マスタの転写面に、所望の膜厚を有する真空薄膜を容易に形成することができる。
しかも、成膜は、凸部表面および凹部表面のみに選択的に行われ、凸部の側壁には、ほとんど成膜されない。従って、基板への膜の転写は凸部の表面に成膜された膜のみであり、すなわち、高精細なパターン膜を高精度に形成できる。
【００２４】
一方、樹脂塗料を用いるパターン膜の形成方法でも、前記公報に開示されるように、樹脂塗膜を有するドライフィルムを作製し、ドライフィルムからマスタに樹脂塗膜を転写して、これを基板に転写することにより、基板にパターン膜を形成することはできる。
ここで、樹脂塗膜は、バインダを含有するために、膜内の結合力が強く、しかも、粘りがあるために、膜を破断させるのに強い力が必要である。そのため、ドライフィルムから、マスタの凸部に転写された樹脂塗膜が、凸部の形状に適正に添って破断されることは稀であり、多くの場合は、凸部の形状とは異なった形の膜が転写されてしまう。しかも、樹脂塗膜には、バインダ等の機能成分以外の成分の含有量が多いので、機能を適正に発現する膜を形成するためには、ある程度の厚さが必要であるが、樹脂塗料膜でも真空薄膜でも、厚い程、膜内の結合力は強くなるので、前記不都合は、ますます増長されてしまう。
さらに、膜厚が厚い以上、好適な転写を繰り返し行うためには、それに応じてマスタの凸部の高さを高くする必要あるが、凸部の高さが高い程（すなわち、加工深さが深い程）、微細な加工は困難になり、高精細なパターンをマスタに形成することは困難である。
すなわち、樹脂塗膜の転写によるパターン膜の形成では、このようなドライフィルムを用いた場合であっても、高精細なパターン膜を高精度に形成することは、非常に困難である。
【００２５】
これに対し、真空薄膜は、必要にして十分な強度を有する上に、膜内の結合力が樹脂塗膜ほど強固ではなく、また、樹脂塗膜のような粘りもない。そのため、力を加えることにより、膜内での破断が比較的容易に発生する。しかも、真空薄膜は、機能材料以外の成分をほとんど含まないので、樹脂塗膜に比して、膜厚を大幅に薄くできる。さらに、膜厚を薄くできるので、マスタの凸部の高さを低くでき、より微細な加工を行って、より高精細なパターンを高精度にマスタに形成することが可能である。
従って、何らかの部材に真空薄膜を成膜し、これをマスタの凸部に転写する際には、これらの相乗効果により、凸部の形状に適正に沿った真空薄膜を転写することができ、この凸部の真空薄膜を基板に転写することにより、高精細なパターン膜を高精度に形成することができる。
【００２６】
以下、本発明のパターン膜形成方法について、さらに説明する。
前述のように、本発明において、形成するパターン膜に応じた凹凸が形成された転写面を有するマスタの凸部表面に、真空薄膜を形成する方法としては、転写面に、直接、真空成膜法によって真空薄膜を形成する方法、および、別部材に真空薄膜を形成して、マスタの凸部表面に転写する方法が例示される。
なお、マスタに真空薄膜を形成する前に、必要に応じて、転写面の凹部に堆積した真空薄膜の除去等、マスタ転写面の清掃（再生）を行う。
【００２７】
まず、マスタの転写面に、直接、真空薄膜を形成する場合には、通常の真空成膜と同様にして、マスタの転写面に所定厚さの真空薄膜を成膜する。
ここで、本発明のパターン膜形成方法では、前述のように、転写面の凸部の真空薄膜を基板に転写する。従って、凸部の表面は、真空薄膜の剥離性が良好な方が好ましいのは当然のことであり、そのために、本発明においては、マスタの転写面に真空薄膜を形成する前に、転写面の少なくとも凸部に剥離処理を施す。
【００２８】
剥離処理の方法には、特に限定はなく、表面性、耐熱性、硬度、性能保持性、マスタとの密着性等を考慮して、マスタの材料と真空薄膜の材料（すなわち形成するパターン膜の材料）等とに応じて、目的とする剥離効果を得られる方法を、適宜、選択すればよい。
一例として、膜の形成に先立ち、マスタの転写面の少なくとも凸部表面に、剥離層を形成する方法が例示される。剥離層としては、シリコーン層、フッ素樹脂層、ワックス層、水溶性剥離層、フッ素樹脂やシリコーンなどを用いる撥水層、金などの不活性物質からなる層などが例示される。また、剥離層の形成は、ディップコートやスピンコート等の方法で塗料を塗布／乾燥して形成する方法、真空蒸着などの真空成膜法、プラズマ重合等によって形成する方法等、形成する剥離層に応じた各種の方法で行えばよい。
また、膜の形成に先立ち、転写面の少なくとも凸部表面に金属酸化膜やカーボン膜を形成する、真空中あるいは大気中で凸部表面にコロナ放電やその他のプラズマ処理を行う等の処理を行って、膜形成面を不活性化することにより、剥離処理を行ってもよい。
さらに、真空成膜では、一般的に、成膜時における運動エネルギが低い程、剥離しやすい膜が形成できる。そのため、成膜開始時には低いエネルギで膜形成を行って、転写面の凸部表面に剥離用の下地層を形成した後に、目的とする膜に応じたエネルギで成膜を行うようにして、これを剥離処理としてもよい。
【００２９】
一方、任意の部材の表面に真空薄膜を形成し、この真空薄膜をマスタの転写面（凸部表面）に転写することにより、マスタの凸部表面に真空薄膜を形成する場合には、例えば、図１に模式的に示すように、シート状の部材１４の表面に真空成膜法によって真空薄膜１６を形成する。その後、転写面の少なくとも凸部に前述のような剥離処理を施したマスタ１２の転写面を真空薄膜１６に押圧して、引き離すことにより、真空薄膜１６をマスタ１２に加圧転写する。なお、この際においては、真空薄膜１６の表面に同様の剥離処理を施して、マスタ１２表面の剥離処理としてもよい。
【００３０】
この真空薄膜を形成する部材１４は、真空成膜による成膜、および、マスタ１２への真空薄膜１６の転写が可能であれば、任意の部材を利用すればよく、ディスクリートな部材でも、ウエブ状の連続的な部材でもよい。
部材１４からマスタ１２への真空薄膜の転写方法にも、特に限定はなく、加圧転写や真空プレスによる転写等、各種の転写方法が利用可能であり、また、加熱しつつ転写を行ってもよい。この際の温度、圧力、転写時間には、特に、限定はなく、真空薄膜１６の材料や部材１４からの剥離性等に応じて、適正な転写を行える条件を、適宜、設定すればよい。
なお、このマスタ１２への真空薄膜の形成方法においては、真空薄膜１６の成膜に先立ち、部材１４の表面にも、マスタ１２と同様の剥離処理を施すのが好ましいのは、もちろんである。
【００３１】
このようにして、マスタの転写面に真空薄膜を形成したら、次いで、パターン膜を形成される基板に、マスタの凸部表面に形成された真空薄膜を転写し、基板にパターン膜を形成する。
すなわち、図２に模式的に示すように、マスタ１２に形成された真空薄膜１６を、例えばシート状の基板１８に押圧し、引き離すことにより、基板１８に真空薄膜１６を加圧転写する。
この際における転写温度、転写圧力、転写時間（転写ロールによる挟持搬送を行う場合には、搬送速度）には、特に、限定はなく、真空薄膜１６の材料やマスタ１２の材料、マスタ１２からの真空薄膜１６の剥離性等に応じて、マスタ１２から基板１８への真空薄膜１６の転写を確実に行える条件を、適宜、設定すればよい。
【００３２】
マスタから基板に真空薄膜を転写する方法には、特に限定はなく、加圧転写や真空プレスによる転写等の各種の転写方法が利用可能であり、また、加熱しつつ転写を行ってもよい。
【００３３】
以上の説明より明らかなように、本発明のパターン膜形成方法によれば、マスタを１回作製すれば、あとは、これを繰り返し使用してパターン膜を形成できるので、マスタの作製に多少のコストをかけても、従来から利用されているフォトリソグラフィーやマスクを用いる方法に比して、パターン膜の生産性を大幅に向上でき、かつ、低コスト化でき、さらに、形成したパターン膜の再現性も高い。しかも、本発明の形成方法は、工程も簡易であるので、パターン膜製造のための設備投資も、大幅に低減できる。
また、マスタの作製に、フォトリソグラフィーや電鋳等を利用することにより、マスタにフォトリソグラフィー並の高精細なパターンを高精度に作製することができ、従って、高精細なパターン膜を、高精度に作製することができる。特に、マスタを電鋳によって作製する場合には、一度、母型（マスタの原盤）を作製すれば、これを用いて繰り返しマスタを作製できるので、低コスト化や大量生産性、さらには長期にわたるパターンの再現性等の点で、特に、有利である。
【００３４】
しかも、本発明のパターン膜形成方法によれば、マスタに剥離処理を施すので、転写のための高温加熱や高圧力での押圧等を不要にして、任意の材料を用いてかつ、確実な転写を行うことが可能である。
マスタ（転写部材）に成膜した真空薄膜を、基板（パターン膜の被形成基板）に転写して、基板にパターン膜を形成する方法としては、前述の特許文献１に示されるように、マスタ（転写基板）を高温に加熱して、昇華や蒸発を利用してマスタから基板にパターン膜を転写する方法がある。しかしながら、この方法では、要求される耐熱性や昇華性等に起因して、パターン膜の形成材料や基板等の選択自由度が非常に低いのは、前述のとおりである。
また、マスタに成膜した真空薄膜を、基板に確実に転写するためには、基板とパターン膜との密着力を確保するために、ある程度の加熱や強い力で押圧が必要である。ところが、この際には、マスタと真空薄膜の密着力も高くなり、その結果、多層膜の表面に真空薄膜を転写する場合等に、他に密着性の低い層間が存在すると、マスタと真空薄膜とが剥離せず、密着性の低い層間などで剥離が生じ、逆に、マスタ（真空薄膜）に膜が転写されてしまう場合もある（以下、便宜的に「逆転写」とする）。
【００３５】
これに対し、本発明においては、マスタの表面に前述のような剥離処理を施し、その上で真空成膜による膜を形成することにより、高温に加熱して昇華や蒸発による転写を行わなくても確実な転写を可能にし、かつ、前記逆転写を防止し、しかも、パターン膜（真空薄膜）の成膜材料、マスタや基板の形成材料等も任意に選択することが可能である。
また、マスタから基板にパターン膜を転写する際に転写における温度や加圧力を低減できるので、真空薄膜（形成するパターン膜）、多層膜における他の膜、基板等に与える応力やダメージを低減して高品質なパターン膜を形成でき、さらに、この点でも前記逆転写をより確実に防止することができる。
さらに、マスタの表面を剥離処理することにより、マスタ表面の異物付着を抑制する効果も有り、例えば、後述する発光素子等に利用した際には、発光欠陥などの特性劣化も抑制することができる。
【００３６】
ここで、マスタの転写面に、直接、真空薄膜を形成する態様では、真空薄膜の一面には剥離性、他面には接着性という、それぞれの面に要求される特性は１つであるので、マスタから基板への真空薄膜の転写を、より確実に行うことができる。また、マスタの転写面に直接、真空成膜法で成膜を行うので、高精度な真空薄膜をマスタの凸部表面に形成できる。すなわち、この態様は、高精細なパターン膜を、より高精度に作製するのに適している。
他方、任意の部材に真空薄膜を形成し、これをマスタの転写面に転写する態様では、ある程度の面積を有するシート材等の表面に一度真空薄膜を形成してしまえば、その後は、真空成膜を行う必要なく、繰り返し、基板にパターン膜を形成できる。また、この方法では、マスタ転写面の凹部等への真空薄膜の付着が少ないので、マスタの清掃頻度も、大幅に少なくできる。すなわち、この態様は、パターン膜の生産性をより向上したい場合に適している。
【００３７】
本発明において、パターン膜を形成される基板には、特に限定はなく、用途に応じた各種のものが利用可能である。従って、基板は、プラスチック板等のディスクリートなものであってもよく、長尺なプラスチックフィルムなどのウエブ状の連続的なものであってもよい。
なお、ディスクリートな基板へのパターン膜の転写は、基本的に、基板を停止して行う。他方、連続的な基板へのパターン膜の転写は、基板を連続的に搬送しつつ行う場合と、間欠的に搬送しつつ行う場合とが考えられ、マスタが連続的なものである場合には、連続的な搬送を行いつつパターン膜を転写してもよく、マスタがディスクリートなものである場合には、位置決めのために、基本的に、基板の搬送を停止して転写を行う。
【００３８】
ここで、基板へのパターン膜（真空薄膜）の密着性は、良好である方が好ましいのは当然のことである。そのために、マスタから基板へのパターン膜の転写に先立ち、必要に応じて、基板の密着性を向上するための処理を施してもよい。
【００３９】
一例として、転写に先立って、電子線照射、オゾン処理、コロナ放電、グロー放電等の表面処理を行って、基板の表面（転写面）を活性化処理しておく方法が例示される。
また、転写に先立って、基板やマスタ凸部の真空薄膜表面に接着層や粘着層を形成しておく方法も好適である。なお、使用する接着剤等は、転写される膜の種類、膜を形成された非耐熱性基板の用途等に応じて、適宜、選択すればよい。
【００４０】
本発明においては、このようなパターン膜の形成を繰り返し行ってもよい。すなわち、マスタへの真空薄膜形成→基板へのパターン膜の転写→マスタへの真空薄膜形成のループを繰り返し行うことにより、複数のパターン膜を１つの基板に形成してもよい。
このループの途中に、必要に応じて、マスタの清掃工程を入れてもよい。
【００４１】
このようなループを繰り返す際に、マスタを変更することにより、複数の異なるパターン膜を形成した基板を作製することも可能である。
さらに、このようなループを繰り返す際には、一ヶ所の転写で膜を積層してもよく、また、転写位置を変更してもよい。転写位置を変更する際には、複数のパターン膜を連結した連続的なパターンを形成してもよく、離間する複数のパターン膜を形成してもよい。
このような、マスクの変更、パターン膜の積層、転写位置の変更等は、併用してもよいのは、もちろんである。
なお、１つの基板に繰り返し転写を行う場合には、必要に応じて、マスタからの真空薄膜の転写に先立ち、マスタもしくは基板の位置決め工程を加える。
【００４２】
本発明において、基板に形成するパターン膜は、単層でも多層膜でもよい。多層膜を形成する際には、マスタの転写面に多層膜を形成して基板に多層膜を転写してもよく、あるいは、マスタの転写面に形成した単層膜もしくは多層膜の転写を複数回行って基板に多層膜を形成してもよく、あるいは、これらの方法を併用して基板に多層膜を形成してもよい。
【００４３】
ここで、本発明のパターン膜形成方法を利用して多層膜を形成する場合には、多層膜の形成基板から、順次、本発明のパターン膜形成方法を少なくとも一層含む成膜を行って、薄膜を積層して、多層膜を形成してもよい。
あるいは、少なくとも一方に本発明のパターン膜形成方法を少なくとも一層含む成膜を行って、目的とする多層膜を２分割（あるいは３分割以上でも可）した２つの多層膜（一方は、単層膜でも可）を形成し、これらを積層することで、目的とする多層膜を形成してもよい。この際において、例えば金属層と有機金属材料層とが隣り合わせる場合など、密着力が弱い層間を有する場合には、この層間を有する側の多層膜では、転写を含む本発明のパターン膜形成方法を行わないようにするのが好ましい。これにより、前記逆転写をより好適に防止でき、しかも、本発明によれば、前述のようにマスタの表面に剥離処理を行うので、より確実に逆転写を防止できる。さらに、このように、複数の多層膜を形成して積層する方法によれば、加熱処理が必要な成膜と、耐熱性が低い膜とを分けて成膜を行うことができるので、熱による多層膜の特性劣化等も好適に防止できる。
【００４４】
以上、本発明のパターン膜形成方法について詳細に説明したが、本発明は上述の例に限定はされず、本発明の要旨を逸脱しない範囲において、各種の改良や変更を行ってもよいのは、もちろんである。
例えば、図２に示される例では、ディスクリートなマスタからウエブ状の基板にパターン膜を転写したが、本発明において、マスタと基板との組み合わせは、これ以外にも各種の組み合わせが利用可能であり、マスタと基板を共にディスクリートなもの同士もしくは同ウエブ状のもの同士を組み合わせてもよく、ウエブ状のマスタからディスクリートな基板にパターン膜を転写してもよい。
【００４５】
【実施例】
以下、本発明の具体的実施例を挙げ、本発明のパターン膜形成方法について、より詳細に説明する。なお、本発明は、以下の実施例に限定されないのは、もちろんのことである。また、以下の各実施例の操作は、基本的に、窒素置換によって不活性雰囲気としたグローブボックス内で行った。
【００４６】
［実施例１］
＜透明電極板ａ（発明例）＞
２５ｍｍ×２５ｍｍのガラス板の表面の中央部１５ｍｍ×１５ｍｍの領域に、１００μｍ×１００μｍの凸部を２５μｍの間隔で形成してなる凹凸パターンを形成して、表面（転写面＝成膜面）に凹凸パターンを有するマスタとした。
なお、凹凸パターンは、前記ガラス板の表面に凸部を覆うマスクパターンをフォトレジストで作製し、フォトレジスト開口部の深さが２μｍとなるように、プラズマ中でＣＨＦ３　ガスを用いてドライエッチングし、その後、ガラス板からフォトレジストを剥離することで形成した。
【００４７】
このマスタの表面をイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）で洗浄した後、ディップコートによってオプツール（フッ素系樹脂　ダイキン社製）を塗布し有機溶剤を乾燥することにより、マスタの表面に厚さ約２０ｎｍの撥水層を形成した。この撥水層は剥離層として作用する。
その表面に、ＤＣスパッタ法によって、厚さ約２００ｎｍの透明導電膜（インジウム−錫酸化物（ＩＴＯ）膜）を成膜した。成膜は、到達真空度を１×１０−３Ｐａ、成膜圧力０．５Ｐａ、基板温度２５０℃として、１ｎｍ／ｓｅｃの成膜速度で行った。
次いで、透明電極膜を形成したマスタと、基板（厚さ１８８μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）膜）とを積層して、この積層体を、熱ローラ対を用いて、温度５０℃、加圧力０．３ＭＰａ、搬送速度０．０５ｍ／ｍｉｎの条件で挟持搬送して積層体を加熱加圧し、その後、マスタを引き剥がして、基板表面に透明電極膜を形成してなる透明電極板ａを作製した。
【００４８】
＜透明電極板ｂ（発明例）＞
マスタから基板に透明電極膜を転写する際の温度を９０℃とした以外は、前記透明電極板ａと全く同様にして透明電極板ｂを作製した。
【００４９】
＜透明電極板ｃ（発明例）＞
剥離層として作用する撥水層に変えて、マスタの表面に剥離層として厚さ約２０ｎｍの金（Ａｕ）層を真空蒸着した以外は、前記透明電極板ａと全く同様にして透明電極板ｃを作製した。
なお、金層の成膜は、到達真空度を５×１０−４Ｐａとして１．０ｎｍ／ｓｅｃの成膜速度で行った。
【００５０】
＜透明電極板ｄ（発明例）＞
マスタから基板に透明電極膜を転写する際の温度を９０℃とした以外は、前記透明電極板ｃと全く同様にして透明電極板ｄを作製した。
【００５１】
＜透明電極板ｅ（比較例）＞
剥離層として作用する撥水層を形成しない以外は、前記透明電極板ａと全く同様にして透明電極板ｅを作製した。
【００５２】
＜透明電極板ｆ（比較例）＞
マスタから基板に透明電極膜を転写する際の温度を９０℃とした以外は、前記透明電極板ｅと全く同様にして透明電極板ｆを作製した。
【００５３】
このようにして作製した透明電極板ａ〜透明電極板ｆについて、光学顕微鏡を用いて表面を観察し（２５倍〜１７０倍の複数の倍率で観察）、透明電極膜の転写性を評価した。結果を下記表１に示す。なお、表１における評価は、以下のとおりである。
◎：　全転写面積において透明電極膜が転写されており、さらに、個々の転写部（マスタの凸部）のエッジがシャープで欠陥が無いもの。
○：　全転写面積において透明電極膜が転写されているが、個々の転写部のエッジに乱れが認められるもの。
△：　転写面積が全転写面積の８０％以上１００％未満のもの。
×：　転写面積が全転写面積の８０％未満のもの。
【００５４】
【表１】
2004063458.tif 000003
【００５５】
従来の方法では、ＰＥＴ基板等の耐熱性の低い基板にパターンニングした透明電極膜を形成する際には、透明電極膜の結晶性が不均一なことにより、エッチングレートのバラツキが大きい、パターンのエッジに乱れが生じる等の問題があり、また、エッチング性を安定化させるためのアモルファス化による膜質低下（例えば、抵抗率の上昇）等の問題点を有する。
これに対して、本発明のパターン膜形成方法によれば、上記結果より明らかなように、エッチング等を行うことなく、パターンニングしたＩＴＯ膜等の透明電極膜を形成でき、しかも、ＰＥＴ膜のような耐熱性の低い基板にも、高温で成膜した結晶性の良好な透明電極膜を形成することができる。すなわち、本発明によれば、耐熱性の低い基板であっても、好適にパターンニングされた優れた特性を有する透明電極膜を、エッチング等を不要にした高い生産性で形成することができる。
【００５６】
［実施例２］
２５ｍｍ×２５ｍｍのガラス板の一面に、ＤＣスパッタ法によって厚さ約２００ｎｍの透明導電膜（ＩＴＯ膜）を成膜した。成膜は、到達真空度を１×１０−３Ｐａ、成膜圧力０．５Ｐａ、基板温度２５０℃として、１ｎｍ／ｓｅｃの成膜速度で行った。
この透明電極膜にアルミニウムリード線を結線し、さらに、透明電極膜の上に、真空蒸着によって厚さ約１０ｎｍの銅フタロシアニン層を成膜した。成膜は、到達真空度を５×１０−４Ｐａとして０．４ｎｍ／ｓｅｃの成膜速度で行った。
さらに、この銅フタロシアニン層の上に、真空蒸着によって、厚さ約４０ｎｍのα−ＮＰＤ（α−Ｎ，Ｎ’−ジナフチル−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルベンジジン）層を成膜して、透明電極板とした。成膜は、到達真空度を５×１０−４Ｐａとして０．４ｎｍ／ｓｅｃの成膜速度で行った。
【００５７】
２５ｍｍ×２５ｍｍのガラス板の表面の中央部１５ｍｍ×１５ｍｍの領域に、１００μｍ×１００μｍの凸部を２５μｍの間隔で形成してなる凹凸パターンを形成して、表面（転写面＝成膜面）に凹凸パターンを有するマスタとした。なお、凹凸パターンは、前記実施例１と同様に形成した。
【００５８】
このマスタの表面をＩＰＡで洗浄した後、ディップコートによってオプツール（フッ素系樹脂　ダイキン社製）を塗布し有機溶剤を乾燥することにより、マスタの表面に厚さ約２０ｎｍの撥水層を形成した。この撥水層は剥離層として作用する。
撥水層の上に、真空蒸着によって、赤色発光層となる低分子系赤色発光性材料を約５５ｎｍ成膜した。なお、低分子系赤色発光性材料は、Ａｌｑ３（下記構造式）にＤＣＭ（４−ジシアノメチレン−２−メチル−６−（ｐ−ジメチルアミノスチリル）−４Ｈ−ピラン）を１ｗｔ％ドープした物を用いた。また、成膜は、到達真空度を５×１０−４Ｐａとして０．４ｎｍ／ｓｅｃの成膜速度で行った。
【００５９】
【化１】
2004063458.tif 000004
【００６０】
前記透明電極板と、赤色発光層を成膜したマスタとを積層し、この積層体を、熱ローラ対を用いて、温度９０℃、加圧力０．３ＭＰａ、搬送速度０．０５ｍ／ｍｉｎの条件で挟持搬送して積層体を加熱加圧し、その後、マスタを引き剥がして、透明基板（α−ＮＰＤ層）の表面に赤色発光層を形成した。
なお、形成した赤色発光層の表面に紫外線を照射し、蛍光顕微鏡（ＫＥＹＥＮＣＥ　社製　ＶＢ−６０００）を用いて表面を観察（２５倍〜１７０倍の複数の倍率で観察）したところ、全画素面積において発光層が転写されており、さらに、各画素のエッジがシャープで、欠陥も認められなかった。
【００６１】
この赤色発光層の上に、真空蒸着によって、厚さ約１５ｎｍの前記Ａｌｑ３からなる有機薄膜層を成膜した。成膜は、到達真空度を５×１０−４Ｐａとして０．４ｎｍ／ｓｅｃの成膜速度で行った。
この有機薄膜層の上に、真空蒸着によって、厚さ約１．５ｎｍのフッ化リチウム（ＬｉＦ）層を成膜した。成膜は、到達真空度を５×１０−４Ｐａとして０．１ｎｍ／ｓｅｃの成膜速度で行った。
さらに、ＬｉＦ層の上に、真空蒸着によって、厚さ約２５０ｎｍのアルミニウム層を成膜した。成膜は、到達真空度を５×１０−４Ｐａとして５ｎｍ／ｓｅｃの成膜速度で行った。
このアルミニウム層にアルミニウムリード線を結線し、赤色の発光素子を作製した。
【００６２】
得られた発光素子について、ＫＥＹＥＮＣＥ　社製ソースメジャーユニット２４００型を用いて直流電流を印加して発光させ、発光状態を顕微鏡で観察（２５倍〜１７０倍の複数の倍率で観察）した。
その結果、全画素面積が発光し、輝度が１００ｃｄ以上で全面的に均一であり、かつ、各画素のエッジもシャープで欠陥も認められなかった。
【００６３】
なお、前記透明電極板と、赤色発光層を成膜したマスタとの積層体の加熱圧着温度を５０℃とした以外は、全く同様にして、発光素子を作成した。
その結果、透明電極板への赤色発光層の転写状態、および、発光素子の特性共に、同様の結果が得られた。
【００６４】
また、マスタの表面に剥離層としての撥水層を形成しない以外は、前記発光素子と全く同様にして、発光素子の作製を試みた。
ところが、赤色発光層を成膜したマスタとを積層した積層体を加熱加圧した後、マスタを引き剥がした際に、ＩＴＯ層と銅フタロシアニン層との間で層間剥離が発生してしまい、これ以降の作製を行うことができなかった。
【００６５】
［実施例３］
＜発光板ａ（発明例）＞
［基板の作製］
２５ｍｍ×２５ｍｍ、厚さ５０μｍのポリイミドフィルムを真空装置内の所定位置にセットして、一面（以下、この面を表面とする）に、真空蒸着によって、陰極となる厚さ約２５０ｎｍのアルミニウム層を成膜した。成膜は、到達真空度を５×１０−４Ｐａとして５ｎｍ／ｓｅｃの成膜速度で行った。
このアルミニウム層にアルミニウムリード線を結線し、さらに、アルミニウム層の上に、真空蒸着によって厚さ約１．５ｎｍのＬｉＦ層を成膜した。成膜は、到達真空度を５×１０−４Ｐａとして０．１ｎｍ／ｓｅｃの成膜速度で行った。
さらに、このＬｉＦ層の上に、真空蒸着によって、厚さ約１５ｎｍの前記Ａｌｑ３からなる有機薄膜層を成膜して、基板を作製した。成膜は、到達真空度を５×１０−４Ｐａとして０．４ｎｍ／ｓｅｃの成膜速度で行った。
【００６６】
［マスタの作製］
２５ｍｍ×２５ｍｍのガラス板の表面の中央部１５ｍｍ×１５ｍｍの領域に、１００μｍ×１００μｍの凸部を２５μｍの間隔で形成してなる凹凸パターンを形成して、表面（転写面＝成膜面）に凹凸パターンを有するマスタとした。なお、凹凸パターンは、前記実施例１のマスタと同様に形成した。
【００６７】
［赤色発光層の成膜］
前記マスタの表面をＩＰＡで洗浄した後、ディップコートによってオプツール（フッ素系樹脂　ダイキン社製）を塗布し有機溶剤を乾燥することにより、マスタの表面に厚さ約２０ｎｍの撥水層を形成した。この撥水層は剥離層として作用する。
撥水層の上に、真空蒸着によって、赤色発光層となる低分子系赤色発光性材料を約５５ｎｍ成膜した。なお、低分子系赤色発光性材料は、前記Ａｌｑ３にＤＣＭを１ｗｔ％ドープした物を用いた。また、成膜は、到達真空度を５×１０−４Ｐａとして０．４ｎｍ／ｓｅｃの成膜速度で行った。
【００６８】
［発光板ａの作製］
作製した基板と、赤色発光層を成膜したマスタとを積層し、この積層体を、熱ローラ対を用いて、温度９０℃、加圧力０．３ＭＰａ、搬送速度０．０５ｍ／ｍｉｎの条件で挟持搬送して積層体を加熱加圧し、その後、マスタを引き剥がして、基板表面に赤色発光層を転写して、赤色の発光板ａを作製した。
【００６９】
＜発光板ｂ（比較例）＞
撥水層を形成しない以外には、前記発光板ａと全く同様にして発光板ｂを作製した。
【００７０】
＜発光板ｃ（比較例）＞
マスタから基板に発光層を転写する際の温度を１６０℃とした以外は、前記発光板ｂと全く同様にして発光板ｃを作製した。
【００７１】
＜発光板ｄ（発明例）＞
マスタから基板に発光層を転写する際の温度を１６０℃とした以外は、前記発光板ａと全く同様にして発光板ｄを作製した。
【００７２】
＜発光板ｅ（発明例）＞
剥離層としての撥水層に変えて、マスタの表面に剥離層として厚さ約２０ｎｍの金（Ａｕ）層を真空蒸着した以外は、発光板ａと全く同様にして発光板ｅを作製した。
なお、金層の成膜は、到達真空度を５×１０−４Ｐａとして１．０ｎｍ／ｓｅｃの成膜速度で行った。
【００７３】
＜発光板ｆ（比較例）＞
赤色発光層（すなわちマスタの作製方法）を以下のような湿式塗布に変更した以外は、前記発光板ａと全く同様にして発光板ｆを作製した。
［発光層の作成］
シート状の基材表面に、高分子系の赤色発光材料を含有する塗料をディップコートで塗布し、乾燥して、厚さ４０ｎｍの赤色発光層を成膜してなるシートを作製した。次いで、このシートの発光層にマスタの表面を押圧して引き離すことにより、表面に赤色発光層を有するマスタＲを作製した。
なお、赤色発光材料を含有する塗料は、ポリビニルカルバゾール（分子量＝６３０００　アルドリッチ社製）とビス（２−（２’−ベンゾ［４，５−α］チエニル）ピリジナート−Ｎ，Ｃ３，）アセチルアセトネートイリジウム錯体とを、４０：１の重量比でジクロロエタンに溶解して、調整した。
【００７４】
＜発光板ｇ（比較例）＞
マスタＲから基板に赤色発光層を転写する際の温度を１６０℃とした以外は、前記発光板ｆと全く同様にして発光板ｇを作製した。
【００７５】
＜発光板ｈ（比較例）＞
マスタへの赤色発光層の成膜に先立ちマスタの表面に前記発光板ａと同様の撥水層を成膜した以外は、前記発光板ｆと全く同様にして発光板ｈを作製した。
【００７６】
＜発光板の評価＞
このようにして作製した発光板ａ〜発光板ｈについて、発光層表面に紫外線を照射し、蛍光顕微鏡（ＫＥＹＥＮＣＥ　社製　ＶＢ−６０００）を用いて表面を観察し（２５倍〜１７０倍の複数の倍率で観察）、材料の転写性を評価した。結果を下記表２に示す。なお、表２における評価は、以下のとおりである。
◎：　全画素面積において発光層が転写されており、さらに、各画素のエッジがシャープで欠陥が無いもの。
○：　全画素面積において発光層が転写されているが、各画素のエッジに乱れが認められるもの。
△：　転写面積が全画素面積の８０％以上１００％未満のもの。
×：　転写面積が全画素面積の８０％未満のもの。
【００７７】
【表２】
2004063458.tif 000005
【００７８】
＜発光素子の作製＞
［透明電極板の作製］
２５ｍｍ×２５ｍｍのガラス板の一面（以下、この面を表面とする）に、ＤＣスパッタ法によって、厚さ約２００ｎｍの透明導電膜（ＩＴＯ膜）を成膜した。成膜は、到達真空度を１×１０−３Ｐａ、成膜圧力０．５Ｐａ、基板温度２５０℃として、１ｎｍ／ｓｅｃの成膜速度で行った。
この透明電極膜にアルミニウムリード線を結線し、さらに、透明電極膜の上に、真空蒸着によって厚さ約１０ｎｍの銅フタロシアニン層を成膜した。成膜は、到達真空度を５×１０−４Ｐａとして０．４ｎｍ／ｓｅｃの成膜速度で行った。
さらに、この銅フタロシアニン層の上に、真空蒸着によって、厚さ約４０ｎｍのα−ＮＰＤ層を成膜して、透明電極板とした。成膜は、到達真空度を５×１０−４Ｐａとして０．４ｎｍ／ｓｅｃの成膜速度で行った。
【００７９】
［発光素子の作成］
このようにして作成した透明電極板の表面に、先に作成した前記発光板ａを表面（転写発光層）を向けて積層し、熱ローラ対を用いて、この積層体を温度９０℃、加圧力０．３ＭＰａ、搬送速度０．０５ｍ／ｍｉｎの条件で挟持搬送して積層体を加熱加圧し、発光素子ａを作製した。
さらに、この透明電極板と、前記発光板ｂ〜発光板ｈとを用いて、全く同様にして、発光素子ｂ〜有機ＥＬ素子ｈを作製した。
【００８０】
＜発光素子の評価＞
このように作製した有機ＥＬ素子ａ〜有機ＥＬ素子ｈについて、ＫＥＹＥＮＣＥ　社製ソースメジャーユニット２４００型を用いて直流電流を印加して発光させ、各画素の発光状態を顕微鏡によって観察して（２５倍〜１７０倍の複数の倍率で観察）、発光状態を評価した。結果を下記表３に示す。なお、表３における評価は、以下のとおりである。
◎：　全画素面積が発光し、輝度が１００ｃｄ以上で全面的に均一であり、かつ、各画素のエッジがシャープで欠陥が無いもの。
○：　全画素面積が発光し、輝度が１００ｃｄ以上で全面的に均一であるが、各画素のエッジに乱れが認められるもの。
△：　発光面積が全画素面積の８０％以上１００％未満のもの。
×：　発光面積が全画素面積の８０％未満のもの。
【００８１】
【表３】
2004063458.tif 000006
【００８２】
＜発光板、発光素子の作製、および、評価　　その２＞
１回、発光層の成膜／転写を行ったマスタを洗浄せずに用いて前記発光板ａと全く同様にして発光板ｉを作製し、この発光板ｉを用いて、前記発光素子ａと全く同様にして発光素子ｉを作製した。
洗浄せずに１０回の発光層の成膜／転写を行ったマスタを用いて、前記発光板ａと全く同様にして発光板ｊを作製し、この発光板ｊを用いて、前記発光素子ａと全く同様にして発光素子ｊを作製した。
発光層の成膜／転写後、室温でＤＭＦ（Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド）中に１０分間放置することにより洗浄したマスタを用いて、前記発光板ａと全く同様にして発光板ｋを作製し、この発光板ｋを用いて、前記発光素子ａと全く同様にして発光素子ｋを作製した。
【００８３】
各サンプル共に、発光板の作製を終了した時点で、先と全く同様に材料の転写性を評価した。さらに、作製した各発光素子について、先と全く同様に発光状態を評価した。
その結果、ｉ〜ｋの全ての発光板、および、ｉ〜ｋの全ての発光素子で、評価は「◎」であった。
【００８４】
＜発光板、発光素子の作製、および、評価　　その３＞
前記発光板ａ、発光板ｂ、発光板ｅ、および発光板ｆの各発光板について、マスタから基板への発光層の転写温度を５０℃とした以外は、全く同様にして発光板を作製し、さらに、同様に発光素子を作製して、発光板および発光素子について、同様の評価を行った。
その結果、転写温度を５０℃としても、転写温度が９０℃の場合と全く同等の評価が得られた。
【００８５】
以上の結果より明らかなように、本発明の真空薄膜を転写する本発明のパターン膜形成方法は、マスタの微細加工の精度が高く、しかもマスクによる遮蔽に対して非成膜部の間隔（マスタの凹部間隔）を狭く出来る為、湿式塗布型の転写にによるパターン膜の形成やマスクを用いた蒸着等によるパターン膜の形成に比して、微細でシャープかつボケやニジミの無いパターン膜を作製でき、しかも、パターンが微細であるにも関わらず、パターン部の面積（例えば、発光素子であれば、いわゆる発光部）を広くできる。さらに、転写される基板の特性や形成するパターン膜の表面性等に影響を受けずに、マスタ表面の平滑性を反映してパターン膜を形成するため、全面的に均一なパターン膜を形成することができる。また、真空中における操作やグローブボックスを利用する操作等、マスタの作製や薄膜形成等の作業環境を管理することにより、異物に起因する欠陥等も大幅に低減できる。従って、本発明を、例えば発光素子に利用すれば、発光の均一性に優れ、発光面積を大きく鮮明にでき、かつ、画素エッジもシャープでボヤケやニジミのない画像を表示できる。
しかも、マスタの洗浄なしでの繰り返しのパターン膜形成や、マスタのクリーニング等による再生／再利用も用意であり、パターン膜を形成する各種の製品の生産性や作業性も向上できる。
【００８６】
なお、前記実施例３の発光板ｃから明らかなように、剥離処理を行わなくても、マスタから基板への転写時に加熱等を行うことにより、真空薄膜を基板に好適に転写はできる場合もある。しかしながら、同発光素子ｃからも明らかなように、加熱を行うと、発光層などの特性劣化を招くことも、多々、有る。
これに対し、マスタ表面に剥離処理を施す本発明によれば、真空薄膜の転写に必要な温度や圧力を低減でき、転写する真空薄膜や基板や基板側の各層の劣化、基板等の熱膨張に起因するパターン膜の転写位置ズレ等を防止でき、例えば、前記実施例からも明らかなように、発光素子の発光層のように、熱に弱いパターン膜を形成する際にも、安全かつ安定した製造が可能になる。しかも、剥離処理を行うことにより、例えば撥水性付与などによるマスタ表面への異物付着を抑制でき、これにより発光欠陥などの特性劣化も抑制できる。
以上の結果より、本発明の効果は明らかである。
【００８７】
なお、前記実施例３では、赤色の発光素子を作製したが、緑色発光材料や青色発光材料を用いてマスタに発光層を成膜し、各色の発光層を、発光素子のサブピクセルに合わせて１／３ずつずらして同様にして基板に転写することにより、３色（あるいはそれ以上）のカラーの発光素子を作製することも可能であるのは、もちろんのことである。なお、この際には１種のマスタで各色の発光層を転写してもよく、それぞれの色に応じてマスタを３種用いてもよい。
【００８８】
【発明の効果】
以上、詳細に説明したように、本発明のパターン膜形成方法によれば、所望の基板の表面に、高精細かつ高精度なパターン膜を、高い生産性かつ低コストで、しかも良好な再現性で作製することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のパターン膜形成方法におけるマスタへの真空薄膜形成方法の一例を示す概念図である。
【図２】本発明のパターン膜形成方法における基板へのパターン膜転写方法の一例を説明するための概念図である。
【符号の説明】
１２　マスタ
１４　部材
１６　真空薄膜
１８　基板
【図１】
2004063458.tif 000007
【図２】
2004063458.tif 000008