(57)【要約】【課題】設定した条件通りにプロセスを実行することができる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】反応室と真空ポンプとの間を、凸部と凹部とを有し、硬い材料で形成されたチューブ本体と、このチューブ本体の外部表面に設けられ、弾性材料で形成されたカバーとを有するフレキシブルチューブで接続する。反応室内に半導体基板を配置した後に真空ポンプを動作させて、反応室を減圧状態にして反応ガスを反応室に供給する。この反応ガスを反応させることによって半導体基板上に反応物を堆積させる。【選択図】　　　図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
反応室から真空ポンプを経て無害化装置に至る経路の少なくとも一部を、凸部と凹部とを有し、硬い材料で形成されたチューブ本体と、このチューブ本体の外部表面に設けられ、弾性材料で形成されたカバーとを有するフレキシブルチューブで接続し、
前記反応室内に半導体基板を配置し、
前記真空ポンプを動作させて前記反応室を減圧状態にして反応ガスを前記反応室に供給し、
前記反応ガスを反応させることによって前記半導体基板上に反応物を堆積させる半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記チューブ本体の厚さは約１〜２ｍｍであり、前記カバーとの厚さは約０．１５〜０．３ｍｍである請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記カバーはシリンダー形状で、その内部表面は前記チューブ本体の凸部と接触するが、凹部とは接触しない請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記カバーは前記チューブ本体の凸部および凹部を含む表面全体と接触する形状を有する請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記カバーは、その内部表面は前記チューブ本体の凸部近傍で接触し、凹部近傍では接触せず、前記カバーと前記チューブ本体との間に空隙が形成される請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記カバーは、
シリンダー形状のカバーを準備し、
チューブ本体を前記シリンダー形状のカバーに挿入し、
カバーに熱処理を施すことによりカバーを収縮させてチューブ本体の外部表面全体にわたってカバーを接触させるように形成される請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
処理室から真空ポンプを経て無害化装置に至る経路の少なくとも一部を、凸部と凹部とを有し、硬い材料で形成されたチューブ本体と、このチューブ本体の外部表面に設けられ、弾性材料で形成されたカバーとを有するフレキシブルチューブで接続し、
前記処理室内に半導体基板を配置し、
前記真空ポンプを動作させて前記処理室を減圧状態にして処理ガスを前記処理室に供給し、
前記処理ガスを前記半導体基板上の物質と反応させることによって前記半導体基板上に処理を施す半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記基板に施す処理は、エッチング処理である請求項７記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記基板に施す処理は、アッシング処理である請求項７記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記チューブ本体の厚さは約１〜２ｍｍであり、前記カバーとの厚さは約０．１５〜０．３ｍｍである請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
前記カバーはシリンダー形状で、その内部表面は前記チューブ本体の凸部と接触するが、凹部とは接触しない請求項７記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
前記カバーは前記チューブ本体の凸部および凹部を含む表面全体と接触する形状を有する請求項７記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
前記カバーは、その内部表面は前記チューブ本体の凸部近傍で接触し、凹部近傍では接触せず、前記カバーと前記チューブ本体との間に空隙が形成される請求項７記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
前記カバーは、
シリンダー形状のカバーを準備し、
チューブ本体を前記シリンダー形状のカバーに挿入し、
カバーに熱処理を施すことによりカバーを収縮させてチューブ本体の外部表面全体にわたってカバーを接触させるように形成される請求項７記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１５】
ターゲットが設けられた処理室から真空ポンプを経て無害化装置に至る経路の少なくとも一部を、凸部と凹部とを有し、硬い材料で形成されたチューブ本体と、このチューブ本体の外部表面に設けられ、弾性材料で形成されたカバーとを有するフレキシブルチューブで接続し、
前記処理室内に半導体基板を配置し、
前記真空ポンプを動作させて前記処理室を減圧状態にしてスパッタリングガスを前記反応室に供給し、
前記スパッタリングガスのイオンをターゲットに衝突させることにより、ターゲットを構成する材料を前記半導体基板上に堆積させる半導体装置の製造方法。
【請求項１６】
前記チューブ本体の厚さは約１〜２ｍｍであり、前記カバーとの厚さは約０．１５〜０．３ｍｍである請求項１５記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１７】
前記カバーはシリンダー形状で、その内部表面は前記チューブ本体の凸部と接触するが、凹部とは接触しない請求項１５記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１８】
前記カバーは前記チューブ本体の凸部および凹部を含む表面全体と接触する形状を有する請求項１５記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１９】
前記カバーは、その内部表面は前記チューブ本体の凸部近傍で接触し、凹部近傍では接触せず、前記カバーと前記チューブ本体との間に空隙が形成される請求項１５記載の半導体装置の製造方法。
【請求項２０】
前記カバーは、
シリンダー形状のカバーを準備し、
チューブ本体を前記シリンダー形状のカバーに挿入し、
カバーに熱処理を施すことによりカバーを収縮させてチューブ本体の外部表面全体にわたってカバーを接触させるように形成される請求項１５記載の半導体装置の製造方法。
【請求項２１】
処理室から真空ポンプを経て無害化装置に至る経路の少なくとも一部を、凸部と凹部とを有し、硬い材料で形成されたチューブ本体と、このチューブ本体の外部表面に設けられ、弾性材料で形成されたカバーとを有するフレキシブルチューブで接続し、
前記処理室内にパージガスを導入し、
半導体基板を前記処理室内に配置し、
前記真空ポンプを動作させて前記処理室を減圧状態にし、
この減圧状態下で前記半導体基板上に処理を施す半導体装置の製造方法。
【請求項２２】
前記基板に施す処理は、イオン打ち込み処理である請求項２１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項２３】
前記基板に施す処理は、ベーク処理である請求項２１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項２４】
前記チューブ本体の厚さは約１〜２ｍｍであり、前記カバーとの厚さは約０．１５〜０．３ｍｍである請求項２１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項２５】
前記カバーはシリンダー形状で、その内部表面は前記チューブ本体の凸部と接触するが、凹部とは接触しない請求項２１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項２６】
前記カバーは前記チューブ本体の凸部および凹部を含む表面全体と接触する形状を有する請求項２１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項２７】
前記カバーは、その内部表面は前記チューブ本体の凸部近傍で接触し、凹部近傍では接触せず、前記カバーと前記チューブ本体との間に空隙が形成される請求項２１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項２８】
前記カバーは、
シリンダー形状のカバーを準備し、
チューブ本体を前記シリンダー形状のカバーに挿入し、
カバーに熱処理を施すことによりカバーを収縮させてチューブ本体の外部表面全体にわたってカバーを接触させるように形成される請求項２１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項２９】
前記半導体基板は、前記処理室が減圧状態になる前に配置される請求項２１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３０】
前記半導体基板は、前記処理室が減圧状態になった後に配置される請求項２１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３１】
ビーム発生源に隣接設置した処理室から第１の真空ポンプを経て無害化装置に至る経路の少なくとも一部を、凸部と凹部とを有し、硬い材料で形成されたチューブ本体と、このチューブ本体の外部表面に設けられ、弾性材料で形成されたカバーとを有するフレキシブルチューブで接続し、
前記処理室内にパージガスを導入し、
半導体基板を前記処理室内に配置し、
前記第１の真空ポンプを動作させて前記処理室を減圧状態にし、
この減圧状態下でビーム発生源からビームを前記処理室に向けて照射し、前記半導体基板に処理を施す半導体装置の製造方法。
【請求項３２】
前記ビーム発生源は第２の真空ポンプによって減圧状態にされ、前記ビーム発生源から第２の真空ポンプを経て無害化装置に至る経路の少なくとも一部を前記フレキシブルチューブで接続した請求項３１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３３】
前記ビームはレーザービームであり、前記基板に施す処理は、加熱処理である請求項３１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３４】
前記ビームはレーザービームであり、前記基板に施す処理は、不純物拡散処理である請求項３１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３５】
前記ビームはハロゲンランプからのビームであり、前記基板に施す処理は、ラピッドサーマル処理である請求項３１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３６】
前記ビームは走査型の電子ビームであり、前記基板に施す処理は、ＳＥＭ測定処理である請求項３１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３７】
前記ビームはＸ線であり、前記基板に施す処理は、蛍光Ｘ線測定処理である請求項３１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３８】
前記ビームは電子ビームであり、前記基板に施す処理は、電子ビーム蒸着処理である請求項３１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３９】
前記チューブ本体の厚さは約１〜２ｍｍであり、前記カバーとの厚さは約０．１５〜０．３ｍｍである請求項３１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４０】
前記カバーはシリンダー形状で、その内部表面は前記チューブ本体の凸部と接触するが、凹部とは接触しない請求項３１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４１】
前記カバーは前記チューブ本体の凸部および凹部を含む表面全体と接触する形状を有する請求項３１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４２】
前記カバーは、その内部表面は前記チューブ本体の凸部近傍で接触し、凹部近傍では接触せず、前記カバーと前記チューブ本体との間に空隙が形成される請求項３１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４３】
前記カバーは、
シリンダー形状のカバーを準備し、
チューブ本体を前記シリンダー形状のカバーに挿入し、
カバーに熱処理を施すことによりカバーを収縮させてチューブ本体の外部表面全体にわたってカバーを接触させるように形成される請求項３１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４４】
前記半導体基板は、前記処理室が減圧状態になる前に配置される請求項３１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４５】
前記半導体基板は、前記処理室が減圧状態になった後に配置される請求項３１記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明が属する技術分野】
この発明は、フレキシブルチューブを利用した半導体装置の製造方法に関するもので、詳しくは、半導体製造装置にフレキシブルチューブを用い、その半導体製造装置で半導体装置を製造する方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
半導体装置の製造には数多くの化学材料が用いられる。特に、半導体装置は化学反応を伴う製造過程が多い。この化学反応は通常とは異なる圧力や温度条件で行われることが一般的であるため、化学反応は外気とは遮断された反応室内で行なわれる。このような化学反応を利用した半導体装置の製造ステップとしては、エッチング、アッシング、化学的気相成長（ＣＶＤ）、スパッタリング、イオンインプラント、蒸着、真空ベーク、ＳＥＭ測定などさまざまなものがある。また、化学反応には気体や液体の有毒な物質が使われることもあり、化学反応物質の移送は慎重に行われる。
上述のような前提の下、半導体装置を製造するための半導体製造装置は、液体や気体の物質を移送するルートが数多く存在する。たとえばＣＶＤ装置を例にとって考える。ＣＶＤ装置においては、ＣＶＤで実際に反応を起こす数種類の反応ガスと、反応の環境を維持する数種類のキャリアガスとが反応室内に導入される。キャリアガスには安定度の高いものが多いが、反応ガスは化学反応を起こすため安定度が低く、有毒なものも少なくない。ＣＶＤ反応は真空に近い低い気圧で行うため、反応室内は真空ポンプによって排気されている。排気されるガスには上述のように有毒なものや反応性の高いものが含まれるため、これらを無害化する必要がある。そのため、真空ポンプから排出されるガスは、無害化装置を介して排出される。
【０００３】
このようなＣＶＤ装置においては、ガスを移送するためチューブを用いている。反応ガスやキャリアガスなどはボンベなどのガスソースから装置まではチューブを用いて接続されている。反応ガスやキャリアガスは流量がそれほど大きくないため、移送するためのチューブには、管の直径が小さく硬質な材料で形成されているチューブが多い。
一方、反応室から真空ポンプまでの間及び真空ポンプから無害化装置との間は、真空引きするための流量を確保するため上述のチューブよりは菅の直径が大きいチューブが必要とされる。このようなチューブとして、フレキシブルチューブが挙げられる。フレキシブルチューブは薄い金属シートで構成され、凹凸がある表面を有している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
フレキシブルチューブ表面の凸部に機器や他の硬いものがぶつかった場合、この凸部が変形したり壊れたりして、反応室の真空度が保たれず、リークしてしまうことがあった。真空システムのフレキシブルチューブは、通常真空下の気圧と大気圧との大きな気圧差のもとで使われることが多い。したがって、このようなフレキシブルチューブは内部と外部の気圧差によって変形したり、壊れたりする。また、フレキシブルチューブが電気配線と偶然接触した場合、ショートが起こりフレキシブルチューブに小さな穴が形成されることもある。
反応室の真空度が保たれないと、反応室で行われるプロセス条件が本来設定しようとしたプロセス条件と異なってしまうため、最適なプロセスが実行できない可能性がある。
【０００５】
この発明の目的は、設定した条件通りにプロセスを実行することができる半導体装置の製造方法を提供することにある。
この発明の他の目的、新規な特徴および利点は、一部は詳細に記載され、またその一部はその記載から当業者が明らかになるものであり、この発明を実施することにより理解できる。この発明の目的と利点は、記載された特許請求の範囲に指摘された構成、組み合わせから実現され、達成される。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、この発明の半導体装置の製造方法では、反応室と真空ポンプとの間を、凸部と凹部とを有し、硬い材料で形成されたチューブ本体と、このチューブ本体の外部表面に設けられ、弾性材料で形成されたカバーとを有するフレキシブルチューブで接続する。反応室内に半導体基板を配置した後に真空ポンプを動作させて、反応室を減圧状態にして反応ガスを反応室に供給する。この反応ガスを反応させることによって半導体基板上に反応物を堆積させる。
【０００７】
【発明の実施の形態】
この発明の好適な実施例を添付した図面を参照しつつ説明する。なお、記載している好適な実施例は、当業者が実施可能なように詳細に説明している。この実施例以外に、発明の主旨を逸脱しない範囲内において論理的、機械的または電気的な変更を施した他の好適な実施例が存在することは容易に理解できる。しかたがって、以下に記載する事項は、この発明の範囲を限定するものではなく、発明の範囲は特許請求の範囲に記載された事項のみにより定義されるものである。
【０００８】
図１は、この発明の半導体装置の製造方法で用いるＣＶＤ装置の概略ブロック図である。実際のＣＶＤ装置においては、図１に図示しないさまざまな装置が付加的に存在しているが、この発明の説明をわかりやすくするため、それらの装置は記載していない。
このＣＶＤ装置１００は、半導体装置の基材となる半導体ウエハー１４０にＣＶＤプロセスを施すための反応室１１０と、この反応室１１０を減圧状態（以下、真空に近いほど減圧するため真空状態という）にする真空ポンプ１２０、及び反応室１１０へ反応ガス及びキャリアガスをそれらの流量を調節して導入させるガス流量調節部１３０から構成されている。真空ポンプ１２０は、ここではブロックで記載しているが、２台以上の真空ポンプを用いるような場合も考えられる。
なお、反応室１１０には、プラズマ発生装置１１２が設けられており、プラズマ反応が起こせるようになっている。なお、反応室１１０は、デポジションチャンバーなどとも呼ばれることがある。なお、この実施例では反応室１１０にプラズマ発生装置１１２が設けられているが、プラズマ装置が無いＣＶＤ装置でもこの発明の半導体装置の製造方法が実現可能であることは言うまでもない。
【０００９】
ガス流量調節部１３０と反応室１１０とはチューブ１４２、１４４及び１４６とで接続されている。これらのチューブ１４２、１４４及び１４６は、上述したように菅の直径が小さい硬質材料でできている。一方、真空ポンプ１２０と反応室１１０とはバルブ１５２を介してフレキシブルチューブ１６２によって接続されている。なお、真空ポンプ１２０は排気のためにバルブ１５４を介して無害化装置１５６にフレキシブルチューブ１６４で接続されている。なお、真空ポンプ１２０及び無害化装置１５６は反応室１１０とは離れた場所である工場の別のフロアに設けられている。
ガス流量調節部１３０は反応室１１０と一体化されており、複数のマスフローコントローラー１７２〜１７８及び複数のバルブ１８２〜２０２を有している。ガス流量部１３０は、チューブ２１２を介してキャリアガス供給源２２２と接続されている。キャリアガスはバルブ１９０、１９２、１９６、２００を介してマスフローコントローラー１７２〜１７８に送られる。これらのマスフローコントローラー１７２〜１７８で流量が調整され、チューブ１４２〜１４６を介してキャリアガスは、反応室１１０に送られる。なお、キャリアガスを反応室１１０に導入するときは、マスフローコントローラー１７２及びチューブ１４２を経由して導入される。一方、その他の経路については、キャリアガスを反応室に導入するより、マスフローコントローラー１７４〜１７８及びチューブ１４４、１４６をクリーニングする目的で導入されるほうが一般的である。なお、キャリアガスとしては、Ａｒ、Ｈｅ、Ｎ２などが一般的に用いられている。
一方、反応ガス供給源２２４〜２２８はそれぞれチューブ２１４〜２１８を介してガス流量調節部１３０に接続されている。反応ガスは、ＣＶＤ工程で堆積する膜の種類によって様々のガスが存在する。ＳｉＨ４、ＣｌＦ３、ＴＥＯＳ、ＳｉＨ２Ｃｌ２、ＮＨ３などは反応ガスとして一般的に知られている。
【００１０】
つぎに、このＣＶＤ装置１００を用いたＣＶＤプロセスを説明する。
まず、上述したＣＶＤ装置を準備する。ここで、重要な点は、反応室１１０と真空ポンプ１２０の間及び真空ポンプ１２０と無害化装置１５６との間をフレキシブルチューブ１６２、１６４で接続することである。次に、キャリアガスをキャリアガス供給源２２２からガス流量調節部１３０を介して反応室１１０に導入しながら、真空ポンプ１２０により反応室１１０を真空状態にする。一方反応室１１０はプラズマ発生装置１１２によってプラズマが発生している。反応ガス供給源２２４〜２２８からは反応ガスがガス流量調節部１３０を介して反応室に導入される。これにより、反応室１１０内ではプラズマにより反応ガスの化学反応がおきる。化学反応により生成された物質は、反応室内に導入された半導体ウエハ１１４上に堆積され、ＣＶＤ膜が半導体ウエハ１１４上に生成されるのである。
【００１１】
ここで、この発明で用いているフレキシブルチューブについて説明する。図２はこの発明で用いるフレキシブルチューブを用いたＣＶＤ装置１００の一部を示す概略図である。図１では、フレキシブルチューブ１０、真空引きする真空ポンプ１４および真空状態を維持する真空チャンバー１６を開示している。フレキシブルチューブ１０は、真空ポンプ１４と真空チャンバー１６との間に設けられる。また、フレキシブルチューブ１０の両端は、接続ポート１８、２０に固定されている。
【００１２】
図３（Ａ）は、上述したフレキシブルチューブ１０の構造を示す断面図である。また、図３（Ｂ）は、図３（Ａ）に示したフレキシブルチューブ１０の一部拡大断面図である。また、図４は、チューブ本体２２の一部切り欠き断面斜示図である。
フレキシブルチューブ１０は、ステンレス金属材料などの薄い金属シートで構成されるチューブ本体２２と弾性カバー２４とを有する。図３は、この発明で用いられるチューブ本体２２の部分切り欠き断面図である。チューブ本体は柔軟性を得るために、凸部２２ａと凹部２２ｂとを有する。弾性カバー２４は、チューブ本体２２の外部表面上に設けられている。弾性カバー２４はたとえばシリコン樹脂のような弾性材で形成されており、フレキシブルチューブの直径にもよるが、弾性カバー２４は約１〜２ｍｍの厚さｔ１を有している。また、チューブ本体２２の厚さｔ０は、約０．１５〜０．３ｍｍである。
【００１３】
製造過程において、チューブ本体２２は単に弾性カバー２４に挿入される。弾性カバー２４はシリンダー形状をしており、チューブ本体２２の凸部２２ａと接触するが、凹部２２ｂとは接触しない内部表面を有する。
機器や他の硬いものがフレキシブルチューブ１０にぶつかった場合でもフレキシブルチューブ１０は、簡単には変形したり、壊れたりはしない。また、フレキシブルチューブ１０の内部および外部の気圧差によっても、フレキシブルチューブ１０は、簡単には変形したり、壊れたりはしない。さらに、フレキシブルチューブ１０が電気配線と偶然接触した場合でも、チューブ本体２２が絶縁性を有する弾性カバー２４で覆われているため、ショートが起こらない。
【００１４】
図５（Ａ）は、ＣＶＤ装置１００に用いることができる他のフレキシブルチューブ３０の構造を示す断面図である。また、図５（Ｂ）は、図５（Ａ）に示したフレキシブルチューブ３０の一部拡大断面図である。図５（Ｃ）は、図５（Ｂ）に示したフレキシブルチューブの変形例の構造を示す断面図である。
フレキシブルチューブ３０は、フレキシブルチューブ１０と同様に用いられる。したがって、フレキシブルチューブ３０において、フレキシブルチューブ１０と同一部分には同一符号を付してその説明を省略する。
【００１５】
図５（Ａ）及び図５（Ｂ）において、フレキシブルチューブ３０は、ステンレス金属材料などの薄い金属シートで構成されるチューブ本体２２と弾性カバー３２とを有する。弾性カバー３２は、チューブ本体２２の凸部２２ａ及び凹部２２ｂを含む外部表面全体にわたって接触するように形成されている。弾性カバー３２はシリコン樹脂のような熱収縮性を有する弾性材で形成されている。
図５（Ｃ）においても、フレキシブルチューブは、ステンレス金属材料などの薄い金属シートで構成されるチューブ本体２２を有する。図５（Ｃ）において、弾性カバー３２ａは、チューブ本体２２の凸部近傍においてはチューブ本体２２と接触している。しかしながら、チューブ本体２２の凹部近傍においては、弾性カバー３２ａはチューブ本体と接触しておらず、空隙３４が形成される。
フレキシブルチューブの直径にもよるが、弾性カバー２４は約１〜２ｍｍの厚さｔ１を有している。また、チューブ本体２２の厚さｔ０は、約０．１５〜０．３ｍｍである。
【００１６】
製造過程においては、においては、チューブ本体の外部直径よりも大きな内部直径を有するシリンダー形状の弾性カバー３２が準備される。次に、チューブ本体２２が弾性カバー３２に挿入される。その後弾性カバー３２は均一に熱処理が施され、弾性カバー３２が収縮してチューブ本体２２の外部表面全体にわたって接触する。なお、熱収縮によっても、チューブ本体２２の外部表面全体にわたって接触する構造が得られない場合がある。そのような構造を示したのが、図５（Ｃ）のフレキシブルチューブである。
機器や他の硬いものがフレキシブルチューブ３０にぶつかった場合でもフレキシブルチューブ３０は、簡単には変形したり、壊れたりはしない。また、フレキシブルチューブ３０の内部および外部の気圧差によっても、フレキシブルチューブ３０は、簡単には変形したり、壊れたりはしない。さらに、フレキシブルチューブ３０が電気配線と偶然接触した場合でも、チューブ本体２２が絶縁性を有する弾性カバー３２で覆われているため、ショートが起こらない。
【００１７】
図６（Ａ）は、ＣＶＤ装置１００に用いることができるさらに他のフレキシブルチューブ４０の構造を示す断面図である。また、図６（Ｂ）は、図６（Ａ）に示したフレキシブルチューブ４０の一部拡大断面図である。
フレキシブルチューブ４０は、フレキシブルチューブ１０と同様に用いられる。フレキシブルチューブ４０の説明において、フレキシブルチューブ１０及び３０と同一部分には同一符号を付してその説明を省略する。
【００１８】
フレキシブルチューブ４０は、ステンレス金属材料などの薄い金属シートで構成されるチューブ本体２２と弾性カバー４２とを有する。弾性カバー４２は、チューブ本体２２の凸部２２ａ及び凹部２２ｂを含む外部表面全体にわたって接触するように形成されている。弾性カバー４２はゴムのような弾性材で形成されている。フレキシブルチューブの直径にもよるが、弾性カバー４２は約１〜２ｍｍの厚さｔ１を有している。また、チューブ本体２２の厚さｔ０は、約０．１５〜０．３ｍｍである。
【００１９】
製造過程においては、溶融したゴムがチューブ本体２２を完全に覆うまで、チューブ本体２２の凹部２２ｂに充填される。
機器や他の硬いものがフレキシブルチューブ４０にぶつかった場合でもフレキシブルチューブ４０は、簡単には変形したり、壊れたりはしない。また、フレキシブルチューブ４０の内部および外部の気圧差によっても、フレキシブルチューブ４０は、簡単には変形したり、壊れたりはしない。さらに、フレキシブルチューブ４０が電気配線と偶然接触した場合でも、チューブ本体２２が絶縁性を有する弾性カバー４２で覆われているため、ショートが起こらない。
【００２０】
図７（Ａ）は、ＣＶＤ装置１００に用いることができる他のフレキシブルチューブ５０の構造を示す断面図である。また、図７（Ｂ）は、図７（Ａ）に示したフレキシブルチューブ５０の一部拡大断面図である。
フレキシブルチューブ５０は、フレキシブルチューブ１０と同様に用いられる。フレキシブルチューブ５０において、フレキシブルチューブ３０または４０と同一部分には同一符号を付してその説明を省略する。
【００２１】
フレキシブルチューブ５０は、ステンレス金属材料などの薄い金属シートで構成されるチューブ本体２２と弾性カバー５２とを有する。弾性カバー５２は、チューブ本体２２の凸部２２ａ及び凹部２２ｂを含む外部表面全体にわたって接触するように形成されている。弾性カバー５２はゴムのような弾性材で形成されている。チューブ本体２２の厚さｔ０は、約０．３ｍｍである。図７（Ｂ）に示すように、弾性カバー５２の凸部２２ａにおける厚さｔ１は約１ｍｍである。弾性カバー５２は、チューブ本体２２の凹部２２ｂにおいてＶ型スリット５２ａが形成されている。Ｖ型スリット５２ａは、チューブ本体２２の外部表面を露出させないよう、チューブ本体２２の外部表面までとどかない深さで形成されている。
【００２２】
製造過程においては、溶融したゴムがチューブ本体２２を完全に覆うまで、チューブ本体２２の凹部２２ｂに充填される。その後、Ｖ型スリット５２ａがチューブ本体２２の凹部２２ｂに形成される。
機器や他の硬いものがフレキシブルチューブ５０にぶつかった場合でもフレキシブルチューブ５０は、簡単には変形したり、壊れたりはしない。また、フレキシブルチューブ５０の内部および外部の気圧差によっても、フレキシブルチューブ５０は、簡単には変形したり、壊れたりはしない。さらに、フレキシブルチューブ５０が電気配線と偶然接触した場合でも、チューブ本体２２が絶縁性を有する弾性カバー５２で覆われているため、ショートが起こらない。
加えて、弾性カバー５２にＶ型スリット５２ａが形成されているので、フレキシブルチューブ５０の柔軟性はフレキシブルチューブ４０に比べて改善される。これにより屈曲半径がより小さくなる。
【００２３】
図８は、この発明の半導体装置の製造方法で用いるエッチング装置の概略ブロック図である。実際のエッチング装置においては、図８に図示しないさまざまな装置が付加的に存在しているが、この発明の説明をわかりやすくするため、それらの装置は記載していない。なお、図８において、図１と同一部分には同一符号を付してその説明を省略する。
このエッチング装置８００は、半導体装置の基材となる半導体ウエハー８１４にエッチングプロセスを施すための処理室８１０と、この処理室８１０を真空状態にする真空ポンプ１２０、及び処理室８１０へエッチングガス及びパージガスをそれらの流量を調節して導入させるガス流量調節部８３０から構成されている。なお、処理室８１０には、プラズマ発生装置１１２が設けられており、プラズマ反応が起こせるようになっている。なお、処理室８１０は、チャンバーなどとも呼ばれることがある。なお、この実施例では処理室８１０にプラズマ発生装置１１２が設けられているが、プラズマ装置が無いエッチング装置でもこの発明の半導体装置の製造方法が実現可能であることは言うまでもない。
【００２４】
ガス流量調節部８３０と処理室８１０とはチューブ１４２、１４４及び１４６とで接続されている。ガス流量調節部８３０は処理室８１０と一体化されており、複数のマスフローコントローラー１７２〜１７８及び複数のバルブ１８２〜２０２を有している。ガス流量部８３０は、チューブ２１２を介してパージガス供給源８２２と接続されている。パージガスはバルブ１９０、１９６、２００を介してマスフローコントローラー１７２〜１７８に送られる。これらのマスフローコントローラー１７２〜１７８で流量が調整され、チューブ１４２〜１４６を介してパージガスは、処理室８１０に送られる。なお、パージガスを処理室８１０に導入するときは、マスフローコントローラー１７２及びチューブ１４２を経由して導入される。一方、その他の経路については、パージガスを処理室に導入するより、マスフローコントローラー１７４〜１７８及びチューブ１４４、１４６をクリーニングする目的で導入されるほうが一般的である。なお、パージガスとしては、Ｎ２、Ｈｅ、Ａｒなどが一般的に用いられている。パージガスはエッチング反応を制御したり、均一性を良くしたりする働きもある。
一方、エッチングガス供給源８２６、８２８はそれぞれチューブ２１６、２１８を介してガス流量調節部８３０に接続されている。エッチングガスは、エッチング工程で除去する膜の種類に応じて様々のガスが存在する。ＣＨＣｌ３、ＣＣｌ４、Ｃｌ２、ＣＦ４、ＣＨＦ３などはエッチングガスとして一般的に知られている。また、エッチングには直接関与しないが、エッチング反応を制御したり、均一性を良くしたりする働きがある添加ガス、制御ガスなどと呼ばれるガスも処理室８１０に導入される。
【００２５】
つぎに、このエッチング装置８００を用いたエッチングプロセスを説明する。まず、上述したエッチング装置を準備する。ここで、重要な点は、処理室８１０と真空ポンプ１２０の間及び真空ポンプ１２０と無害化装置１５６との間をフレキシブルチューブ１６２、１６４で接続することである。次に、パージガスをパージガス供給源８２２からガス流量調節部８３０を介して処理室８１０に導入する。このとき、半導体ウエハ８１４はすでに処理室内の所定の場所に置かれている。次に、真空ポンプ１２０により処理室８１０を真空状態にする。また、処理室８１０はプラズマ発生装置１１２によってプラズマが発生している。エッチングガス供給源８２６、８２８からは、エッチングガスがガス流量調節部８３０を介して処理室に導入される。これにより、処理室８１０内ではプラズマによりエッチングガスの化学反応がおきる。化学反応により半導体ウエハ８１４上に形成された物質は除去されるのである。
なお、フレキシブルチューブの詳細については、上述したものと同じであるため、その説明は省略する。
【００２６】
図９は、この発明の半導体装置の製造方法で用いるアッシング装置の概略ブロック図である。実際のアッシング装置においては、図９に図示しないさまざまな装置が付加的に存在しているが、この発明の説明をわかりやすくするため、それらの装置は記載していない。なお、図９において、図８と同一部分には同一符号を付してその説明を省略する。
このアッシング装置９００は、半導体装置の基材となる半導体ウエハー９１４に形成されたレジストなどを酸化するアッシングプロセスを施すための処理室９１０と、この処理室９１０を真空状態にする真空ポンプ１２０、及び処理室９１０へ酸化ガス及び制御ガスをそれらの流量を調節して導入させるガス流量調節部９３０から構成されている。なお、処理室９１０には、プラズマ発生装置１１２が設けられており、プラズマ反応が起こせるようになっている。なお、処理室９１０は、チャンバーなどとも呼ばれることがある。なお、この実施例では処理室９１０にプラズマ発生装置１１２が設けられているが、プラズマ装置が無いアッシング装置でもこの発明の半導体装置の製造方法が実現可能であることは言うまでもない。
【００２７】
ガス流量調節部９３０と処理室９１０とはチューブ１４２、１４４及び１４６とで接続されている。ガス流量調節部９３０は処理室９１０と一体化されており、複数のマスフローコントローラー１７２〜１７８及び複数のバルブ１８２〜２０２を有している。ガス流量部９３０は、チューブ２１２を介して酸化ガス供給源９２２と接続されている。酸化ガスはバルブ１９０を介してマスフローコントローラー１７２に送られる。このマスフローコントローラー１７２で流量が調整され、バルブ１８２およびチューブ１４２を介して酸化ガスは、処理室９１０に送られる。酸化ガスとしては、Ｏ２が一般的に用いられている。
一方、制御ガス供給源９２６、９２８はそれぞれチューブ２１６、２１８を介してガス流量調節部９３０に接続されている。制御ガスは、アッシング工程での酸化を制御する目的で処理室９１０に導入される。Ｈ２、Ｈｅなどは制御ガスとして一般的に知られている。
【００２８】
つぎに、このアッシング装置９００を用いたアッシングプロセスを説明する。
まず、上述したアッシング装置を準備する。ここで、重要な点は、処理室９１０と真空ポンプ１２０の間及び真空ポンプ１２０と無害化装置１５６との間をフレキシブルチューブ１６２、１６４で接続することである。次に、酸化ガスを酸化ガス供給源９２２からガス流量調節部９３０を介して処理室９１０に導入する。このとき、被アッシング膜であるレジストなどが形成された半導体ウエハ９１４は、すでに処理室９１０内の所定の場所に置かれている。次に、真空ポンプ１２０により処理室９１０を真空状態にする。また、処理室９１０はプラズマ発生装置１１２によってプラズマが発生している。制御ガス供給源９２６、９２８からは、制御ガスがガス流量調節部９３０を介して処理室９１０に導入される。これにより、処理室９１０内ではプラズマにより強められた酸化反応がおきる。この酸化反応により、半導体ウエハ９１４上に形成された被アッシング膜は酸化されるのである。
なお、フレキシブルチューブの詳細については、上述したものと同じであるため、その説明は省略する。
【００２９】
図１０は、この発明の半導体装置の製造方法で用いるスパッタリング装置の概略ブロック図である。実際のスパッタリング装置においては、図１０に図示しないさまざまな装置が付加的に存在しているが、この発明の説明をわかりやすくするため、それらの装置は記載していない。なお、図１０において、図９と同一部分には同一符号を付してその説明を省略する。
このスパッタリング装置１０００は、半導体装置の基材となる半導体ウエハー１０１４上に金属膜などを形成するスパッタリングプロセスを施すための処理室１０１０と、この処理室１０１０を真空状態にする真空ポンプ１２０、及び処理室１０１０へスパッタリングガス及び反応性ガスをそれらの流量を調節して導入させるガス流量調節部１０３０から構成されている。なお、処理室１０１０には、プラズマ発生装置１１２が設けられており、プラズマ反応が起こせるようになっている。
【００３０】
ガス流量調節部１０３０と処理室１０１０とはチューブ１４２および１４６とで接続されている。ガス流量調節部１０３０は処理室１０１０と一体化されており、マスフローコントローラー１７２、１７８及びバルブ１８２、１８８、１９０および２０２を有している。ガス流量部１０３０は、チューブ２１２を介してスパッタリングガス供給源１０２２と接続されている。スパッタリングガスはバルブ１９０を介してマスフローコントローラー１７２に送られる。このマスフローコントローラー１７２で流量が調整され、バルブ１８２およびチューブ１４２を介してスパッタリングガスは、処理室１０１０に送られる。スパッタリングガスは、処理室１０１０内に設置されたターゲット１０１６にエネルギーを与えるもので、Ａｒ、Ｎｅ、Ｘｅ、Ｈｅなどの希ガスが一般的に用いられている。
一方、反応性ガス供給源１０２８は、チューブ２１８を介してガス流量調節部９３０に接続されている。反応性ガスは、スパッタリング工程においてターゲットの材料と反応させる目的で処理室１０１０に導入される。例として、Ｔｉターゲットを用いて、スパッタリングによりＴｉＮ膜を生成したい場合、反応性ガスとしてＮ２ガスが用いられる。ターゲットのＴｉとＮ２ガスのＮとが反応してＴｉＮとなり、それが半導体ウエハ１０１４上に膜として形成されるのである。
【００３１】
つぎに、このスパッタリング装置１０００を用いたアッシングプロセスを説明する。
まず、上述したスパッタリング装置を準備する。ここで、重要な点は、処理室１０１０と真空ポンプ１２０の間及び真空ポンプ１２０と無害化装置１５６との間をフレキシブルチューブ１６２、１６４で接続することである。次に、スパッタリングガスをスパッタリングガス供給源１０２２からガス流量調節部１０３０を介して処理室１０１０に導入する。このとき、半導体ウエハ１０１４は、すでに処理室１０１０内の所定の場所に置かれている。また、処理室１０１０は真空ポンプ１２０により真空状態になっている。その後、処理室１０１０にはプラズマ発生装置１１２によってプラズマが発生させられる。反応性ガス供給源１０２８からは、必要に応じて反応性ガスがガス流量調節部１０３０を介して処理室１０１０に導入される。これにより、処理室１０１０内ではプラズマにより励起されたスパッタリングガスの分子がターゲットに衝突し、ターゲットからはじき出されたターゲット材料が半導体ウエハ１０１４上に堆積される。これにより、半導体ウエハ１０１４上にターゲット材料（またはターゲット材料と反応性ガスとの化合物）の膜が形成されるのである。
なお、フレキシブルチューブの詳細については、上述したものと同じであるため、その説明は省略する。
【００３２】
図１１は、この発明の半導体装置の製造方法で用いる製造装置の概略ブロック図である。実際の製造装置においては、図１１に図示しないさまざまな装置が付加的に存在しているが、この発明の説明をわかりやすくするため、それらの装置は記載していない。なお、図１１において、図１０と同一部分には同一符号を付してその説明を省略する。
この製造装置１１００は、半導体装置の基材となる半導体ウエハー１１１４上にプロセス処理を施すための処理室１１１０と、この処理室１１１０を真空状態にする真空ポンプ１２０、及び処理室１１１０へパージガスの流量を調節して導入させるガス流量調節部１１３０から構成されている。ここで、処理室１１１０とは、イオンインプランテーション、真空ベークなどができる部屋のことを総称しており、それぞれのプロセスごとに個別の製造装置１１００が存在する。ただし、この発明の製造方法では、これら個別の製造装置をまとめて説明することができるため、図１１のように、製造装置１１００として示している。
【００３３】
ガス流量調節部１１３０と処理室１１１０とはチューブ１４２で接続されている。ガス流量調節部１１３０は処理室１１１０と一体化されており、マスフローコントローラー１７２及びバルブ１８２および１９０を有している。ガス流量調節部１１３０は、チューブ２１２を介してパージガス供給源１１２２と接続されている。パージガスはバルブ１９０を介してマスフローコントローラー１７２に送られる。このマスフローコントローラー１７２で流量が調整され、バルブ１８２およびチューブ１４２を介してパージガスは、処理室１１１０に送られる。パージガスは、処理室１１１０内においてそれぞれのプロセスで不要な物質をとり除くために導入されるもので、Ｎ２、Ａｒなどの不活性ガスが一般的に用いられている。
【００３４】
つぎに、この製造装置１１００を用いた半導体装置の製造方法を説明する。
まず、上述した製造装置を準備する。ここで、重要な点は、処理室１１１０と真空ポンプ１２０の間及び真空ポンプ１２０と無害化装置１５６との間をフレキシブルチューブ１６２、１６４で接続することである。次に、パージガスをパージガス供給源１１２２からガス流量調節部１１３０を介して処理室１１１０に導入する。このとき、半導体ウエハ１１１４は、すでに処理室１１１０内の所定の場所に置かれていてもよく、また、処理室１１１０がパージガスで満たされてから処理室１１１０内の所定の場所に移送されても良い。この後、処理室１１１０は真空ポンプ１２０により真空状態になる。その後、処理室１１１０では各種のプロセス処理が実行される。製造装置１１１０がイオンインプランテーション装置の場合、半導体ウエハ１１１４には所望のイオンインプランテーション（イオン打ち込み）が行われる。また、製造装置１１１０が真空ベーク装置の場合、半導体ウエハ１１１４は真空状態のまま加熱処理が施される。
なお、フレキシブルチューブの詳細については、上述したものと同じであるため、その説明は省略する。
【００３５】
図１２は、この発明の半導体装置の製造方法で用いるビーム発生源付き処理装置の概略ブロック図である。実際のビーム発生源付き処理装置においては、図１２に図示しないさまざまな装置が付加的に存在しているが、この発明の説明をわかりやすくするため、それらの付加的装置は記載していない。なお、図１２において、図１１と同一部分には同一符号を付してその説明を省略する。
このビーム発生源付き処理装置１２００は、半導体装置の基材となる半導体ウエハー１２１４上に所定のプロセス処理を施すまたは半導体ウエハを観察／測定するための処理室１２１０と、この処理室１２１０を真空状態にする真空ポンプ１２０、及び処理室１２１０へパージガスの流量を調節して導入させるガス流量調節部１２３０を有している。さらに、ビーム発生源付き処理装置１２００は、処理室１２１０に所定のビームを照射するビーム発生源１２４０と、このビーム発生源１２４０を真空状態にする真空ポンプ１２２０とを有している。ここで、処理室１２１０とは、ＥＢ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ　Ｂｅａｍ）蒸着、レーザーアニール、レーザードープ、ラピッドサーマルプロセス（ＲＴＰ）、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）測定、蛍光Ｘ線測定などができる部屋のことを総称しており、それぞれのプロセス／測定ごとに個別のビーム発生源付き処理装置１２００が存在する。ただし、この発明の製造方法では、これら個別の製造装置をまとめて説明することができるため、図１２のように、ビーム発生源付き処理装置１２００として示している。
【００３６】
ガス流量調節部１２３０と処理室１２１０とはチューブ１４２で接続されている。ガス流量調節部１２３０は処理室１２１０と一体化されており、マスフローコントローラー１７２及びバルブ１８２および１９０を有している。ガス流量調節部１２３０は、チューブ２１２を介してパージガス供給源１２２２と接続されている。パージガスはバルブ１９０を介してマスフローコントローラー１７２に送られる。このマスフローコントローラー１７２で流量が調整され、バルブ１８２およびチューブ１４２を介してパージガスは、処理室１２１０に送られる。パージガスは、処理室１１１０内においてそれぞれのプロセス／測定で不要な物質をとり除くために導入されるもので、Ｎ２、Ａｒなどの不活性ガスが一般的に用いられている。
一方、真空ポンプ１２２０とビーム発生源１２４０とはバルブ１２５２を介してフレキシブルチューブ１２６２によって接続されている。なお、真空ポンプ１２２０は排気のためにバルブ１２５４を介して無害化装置１２５６にフレキシブルチューブ１２６４で接続されている。なお、真空ポンプ１２２０及び無害化装置１２５６はビーム発生源１２４０とは離れた場所である工場の別のフロアに設けられている。
【００３７】
つぎに、このビーム発生源付き処理装置１２００を用いた半導体装置の製造方法を説明する。
まず、上述したビーム発生源付き処理装置を準備する。ここで、重要な点は、処理室１２１０と真空ポンプ１２０の間及び真空ポンプ１２０と無害化装置１５６との間をフレキシブルチューブ１６２、１６４で接続すること、および、ビーム発生源１２４０と真空ポンプ１２２０の間及び真空ポンプ１２２０と無害化装置１２５６との間をフレキシブルチューブ１２６２、１２６４で接続することである。次に、ビーム発生源１２４０を真空ポンプ１２２０によって真空状態にする。この処理は、ビーム発生源１２４０から処理室１２１０に照射されるビームの安定性のために必要である。さらに、パージガスをパージガス供給源１２２２からガス流量調節部１２３０を介して処理室１２１０に導入する。このとき、半導体ウエハ１２１４は、すでに処理室１２１０内の所定の場所に置かれていてもよく、また、処理室１２１０がパージガスで満たされてから処理室１２１０内の所定の場所に移送されても良い。この後、処理室１２１０は真空ポンプ１２０により真空状態になる。その後、処理室１２１０では各種のプロセス処理／測定が実行される。
処理装置１２１０がＥＢ蒸着装置の場合、ビーム発生源１２４０からは電子ビームが処理室１２１０に向け照射され、半導体ウエハ１２１４上にはＥＢによりＡｕ、Ａｇなどの金属が蒸着される。処理装置１２１０がレーザーアニール／レーザードープ装置の場合、ビーム発生源１２４０からはレーザービームが処理室１２１０に向け照射され、半導体ウエハ１２１４は加熱処理が施されたり、半導体ウエハ１２１４に不純物が拡散されたりする。処理装置１２１０がラピッドサーマルプロセス装置の場合、ビーム発生源１２４０はＸｅランプなどのハロゲンランプとなり、半導体ウエハ１２１４は加熱、酸化、窒化などの急速処理が施される。処理装置１２１０がＳＥＭ測定装置の場合、ビーム発生源１２４０からは電子ビームが走査する形で処理室１２１０に向け照射され、半導体ウエハ１２１４から放出される２次電子線の輝度変調をすることにより、走査部分の測定ができる。処理装置１２１０が蛍光Ｘ線測定装置の場合、ビーム発生源１２４０からはＸ線が処理室１２１０に向け照射され、半導体ウエハ１２１４上の物質に含まれる元素固有の特定Ｘ線の波長及び強度を測定することができる。
なお、フレキシブルチューブの詳細については、上述したものと同じであるため、その説明は省略する。
【００３８】
【発明の効果】
以上詳細に説明したように、この発明の半導体装置の製造方法によれば、外部からの機械的衝撃に強く、内部と外部の気圧差によっても変形、破壊の起こりにくいフレキシブルチューブを利用するため、設定した条件通りにプロセスを実行することができる半導体装置の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の半導体製造方法で用いるＣＶＤ装置の概略ブロック図である。
【図２】フレキシブルチューブを用いた図１で示したＣＶＤ装置の一部を示す概略図である。
【図３】図２で示したフレキシブルチューブの構造を示す図で、図２（Ａ）は断面図、図２（Ｂ）は、図２（Ａ）に示したフレキシブルチューブの一部拡大断面図である。
【図４】チューブ本体の部分切り欠き断面図である。
【図５】図２で示したフレキシブルチューブの他の構造を示す図で、図５（Ａ）は断面図、図５（Ｂ）は、図５（Ａ）に示したフレキシブルチューブの一部拡大断面図、図５（Ｃ）は、図５（Ｂ）に示したフレキシブルチューブの変形例の構造を示す断面図である。
【図６】図２で示したフレキシブルチューブのさらに他の構造を示す図で、図６（Ａ）は断面図、図６（Ｂ）は、図６（Ａ）に示したフレキシブルチューブの一部拡大断面図である。
【図７】図２で示したフレキシブルチューブの他の構造を示す図で、図７（Ａ）は断面図、図７（Ｂ）は、図７（Ａ）に示したフレキシブルチューブの一部拡大断面図である。
【図８】この発明の半導体製造方法で用いるエッチング装置の概略ブロック図である。
【図９】この発明の半導体製造方法で用いるアッシング装置の概略ブロック図である。
【図１０】この発明の半導体製造方法で用いるスパッタリング装置の概略ブロック図である。
【図１１】この発明の半導体製造方法で用いる製造装置の概略ブロック図である。
【図１２】この発明の半導体製造方法で用いるビーム発生源付き処理装置の概略ブロック図である。
【符号の説明】
１１０　反応室
１２０　真空ポンプ
１３０、８３０、９３０、１０３０、１１３０、１２３０　流量調節部
１０、３０、４０、５０、１６２、１６４　　フレキシブルチューブ
２２　　チューブ本体
２２ａ　　凸部
２２ｂ　　凹部
２４、３２、４２、５２　　弾性カバー
８１０、９１０、１０１０、１１１０、１２１０　処理室
【図１】
2004063818.tif 000003
【図２】
2004063818.tif 000004
【図３】
2004063818.tif 000005
【図４】
2004063818.tif 000006
【図５】
2004063818.tif 000007
【図６】
2004063818.tif 000008
【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
2004063818.tif 000012
【図１１】
2004063818.tif 000013
【図１２】
2004063818.tif 000014