(57)【要約】【課題】矩形状の整然とした粒界を有する超伝導薄膜が形成されるサファイア基板へのバッファ層付き酸化物超伝導薄膜の製造方法及び装置を提供する。【解決手段】サファイア基板へのバッファ層付き酸化物超伝導薄膜の製造方法において、Ｒ面サファイア基板１上にＣｅＯ２　からなる第１のバッファ層２を形成し、次いで、Ｓｍ２（１−ｘ）Ｇｄ２ｘＯ３　（０≦ｘ≦１）からなる第２のバッファ層３を形成し、次いで、超伝導薄膜４を形成する。【選択図】　　図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
サファイア基板へのバッファ層付き酸化物超伝導薄膜の製造方法において、
（ａ）Ｒ面サファイア基板上にＣｅＯ２　からなる第１のバッファ層を形成し、
（ｂ）次いで、Ｓｍ２（１−ｘ）Ｇｄ２ｘＯ３　（０≦ｘ≦１）からなる第２のバッファ層を形成し、
（ｃ）次いで、酸化物超伝導薄膜を形成することを特徴とするサファイア基板へのバッファ層付き酸化物超伝導薄膜の製造方法。
【請求項２】
請求項１記載のサファイア基板へのバッファ層付き酸化物超伝導薄膜の製造方法において、更に、前記第２のバッファ層上に、ＬａＡｌＯ３　、ＮｄＧａＯ３　、ＰｒＧａＯ３　、ＹＡｌＯ３　、ＬａＧａＯ３　、ＳｒＴｉＯ３　、ＳｒＲｕＯ３　、Ｙ２　Ｏ３　、ＹＳＺ、ＺｒＯ２　、ＳｒＯ２　、ＰｒＯ２　、ＢａＯ２　の単一または複合の材料からなる第３のバッファ層を形成することを特徴とするサファイア基板へのバッファ層付き酸化物超伝導薄膜の製造方法。
【請求項３】
請求項１又は２記載のサファイア基板へのバッファ層付き酸化物超伝導薄膜の製造方法において、前記第１のバッファ層は厚さを２０−４００Åに形成することを特徴とするサファイア基板へのバッファ層付き酸化物超伝導薄膜の製造方法。
【請求項４】
バッファ層を有する酸化物超伝導薄膜付きのサファイア基板において、
（ａ）Ｒ面サファイア基板上に形成されるＣｅＯ２　からなる第１のバッファ層と、
（ｂ）該第１のバッファ層上に形成されるＳｍ２（１−ｘ）Ｇｄ２ｘＯ３　（０≦ｘ≦１）からなる第２のバッファ層と、
（ｃ）該第２のバッファ層上に形成される酸化物超伝導薄膜を具備することを特徴とするバッファ層を有する酸化物超伝導薄膜付きサファイア基板。
【請求項５】
バッファ層を有する酸化物超伝導薄膜付きのサファイア基板において、
（ａ）Ｒ面サファイア基板上に形成されるＣｅＯ２　からなる第１のバッファ層と、
（ｂ）該第１のバッファ層上に形成されるＳｍ２（１−ｘ）Ｇｄ２ｘＯ３　（０≦ｘ≦１）からなる第２のバッファ層と、
（ｃ）該第２のバッファ層上に形成されるＬａＡｌＯ３　、ＮｄＧａＯ３　、ＰｒＧａＯ３　、ＹＡｌＯ３　、ＬａＧａＯ３　、ＳｒＴｉＯ３　、ＳｒＲｕＯ３　、Ｙ２　Ｏ３　、ＹＳＺ、ＺｒＯ２　、ＳｒＯ２　、ＰｒＯ２　、ＢａＯ２　の単一または複合の材料からなる第３のバッファ層と、
（ｄ）該第３のバッファ層上に形成される酸化物超伝導薄膜を具備することを特徴とするバッファ層を有する酸化物超伝導薄膜付きサファイア基板。
【請求項６】
請求項４又は５記載のバッファ層を有する酸化物超伝導薄膜付きサファイア基板において、前記第１のバッファ層は厚さ２０−４００Åであることを特徴とするサファイア基板へのバッファ層付き酸化物超伝導薄膜の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、サファイア基板へのバッファ層付き酸化物超伝導薄膜の製造方法及び装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
マイクロ波素子に使用される酸化物超伝導薄膜には、無歪みで単結晶性の良好な原子配列が要求される。そして、サファイア基板（Ｒ面）は、低誘電率（ε＝９）の大型基板が低価格で得られるため、酸化物超伝導体の高周波応用の基板として有望である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、かかるサファイア基板（Ｒ面）には、薄膜形成温度で酸化物超伝導体と反応すること、また、Ｙ系酸化物超伝導体の底面（底面；３．８８Å×３．８２Å）との格子整合性が悪いことの２つの欠点があった。
【０００４】
そこで、ＣｅＯ２　をバッファ層として付与したサファイア基板が開発された。格子定数５．４１ÅのＣｅＯ２　（立方晶）は５．４１／２２／１　＝３．８３Åとなり、超伝導体と良好な格子整合性を持ち、かつ、３０Åから反応防止層として機能するが、薄膜の場合、Ｒ面サファイアの単位面（５．３８Å×４．７６Å）の影響を受けて歪んだ正方形の菱形面を呈する。その上に成長させたＹ系酸化物超伝導薄膜のｃ軸配向膜は、歪んだ形状（菱形）の結晶粒となり、粒界の乱れた超伝導薄膜となる。
【０００５】
このような粒界を持つ超伝導薄膜は、大きな値の高周波表面抵抗を示し、超伝導特性が低下する。そこで、このサファイアの格子不整からくる影響を抑制するために、ＣｅＯ２　の膜厚を増加させることが考えられるが、膜厚の増加とともにＣｅＯ２　の表面はカマボコ状になり、その上では、Ｙ系超伝導薄膜は、ｃ軸以外の配向粒を含む低品位のエピタキシャル薄膜となるため、ＣｅＯ２　膜厚の増加は本質的な解決策とならない。
【０００６】
以上のことから、ＣｅＯ２　バッファ層付きサファイア基板では、高品質のｃ軸配向Ｙ系超伝導薄膜の作製に課題があった。
【０００７】
本発明は、上記状況に鑑みて、矩形状の整然とした粒界を有する超伝導薄膜が形成されるサファイア基板へのバッファ層付き酸化物超伝導薄膜の製造方法及び装置を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記目的を達成するために、
〔１〕サファイア基板へのバッファ層付き酸化物超伝導薄膜の製造方法において、Ｒ面サファイア基板上にＣｅＯ２　からなる第１のバッファ層を形成し、次いで、Ｓｍ２（１−ｘ）Ｇｄ２ｘＯ３　（０≦ｘ≦１）からなる第２のバッファ層を形成し、次いで、酸化物超伝導薄膜を形成することを特徴とする。
【０００９】
〔２〕上記〔１〕記載のサファイア基板へのバッファ層付き酸化物超伝導薄膜の製造方法において、更に、前記第２のバッファ層上に、ＬａＡｌＯ３　、ＮｄＧａＯ３　、ＰｒＧａＯ３　、ＹＡｌＯ３　、ＬａＧａＯ３　、ＳｒＴｉＯ３　、ＳｒＲｕＯ３　、Ｙ２　Ｏ３　、ＹＳＺ、ＺｒＯ２　、ＳｒＯ２　、ＰｒＯ２　、ＢａＯ２　の単一または複合の材料からなる第３のバッファ層を形成することを特徴とする。
【００１０】
〔３〕上記〔１〕又は〔２〕記載のサファイア基板へのバッファ層付き酸化物超伝導薄膜の製造方法において、前記第１のバッファ層は厚さを２０−４００Åに形成することを特徴とする。
【００１１】
〔４〕バッファ層を有する酸化物超伝導薄膜付きのサファイア基板において、Ｒ面サファイア基板上に形成されるＣｅＯ２　からなる第１のバッファ層と、この第１のバッファ層上に形成されるＳｍ２（１−ｘ）Ｇｄ２ｘＯ３　（０≦ｘ≦１）からなる第２のバッファ層と、この第２のバッファ層に形成される酸化物超伝導薄膜を具備することを特徴とする。
【００１２】
〔５〕バッファ層を有する酸化物超伝導薄膜付きのサファイア基板において、Ｒ面サファイア基板上に形成されるＣｅＯ２　からなる第１のバッファ層と、この第１のバッファ層上に形成されるＳｍ２（１−ｘ）Ｇｄ２ｘＯ３　（０≦ｘ≦１）からなる第２のバッファ層と、この第２のバッファ層上に形成されるＬａＡｌＯ３　、ＮｄＧａＯ３　、ＰｒＧａＯ３　、ＹＡｌＯ３　、ＬａＧａＯ３　、ＳｒＴｉＯ３　、ＳｒＲｕＯ３　、Ｙ２　Ｏ３　、ＹＳＺ、ＺｒＯ２　、ＳｒＯ２　、ＰｒＯ２　、ＢａＯ２　の単一または複合の材料からなる第３のバッファ層と、この第３のバッファ層上に形成される酸化物超伝導薄膜を具備することを特徴とする。
【００１３】
〔６〕上記〔４〕又は〔５〕記載のバッファ層を有する酸化物超伝導薄膜付きサファイア基板において、前記第１のバッファ層は厚さ２０−４００Åであることを特徴とする。
【００１４】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について詳細に説明する。
【００１５】
まず、本発明の第１実施例のサファイア基板へのバッファ層付き酸化物超伝導薄膜の製造方法について説明する。
【００１６】
図１は本発明の第１実施例を示すバッファ層を有する酸化物超伝導薄膜付きサファイア基板の製造工程断面図である。
（１）まず、図１（ａ）に示すように、Ｒ面サファイア基板１にＲＦマグネトロンスパッタ法（Ａｒ＋　２０％Ｏ２　，２００Ｗ）により、ＣｅＯ２　焼結ターゲットを使用して、５０ÅのＣｅＯ２　よりなる第１のバッファ層２を６５０℃の温度で堆積する。
（２）次に、図１（ｂ）に示すように、第１のバッファ層２上にＳｍ２　Ｏ３　とＧｄ２　Ｏ３　の２つの焼結ターゲットを用いて、６５０℃でスパッタ（Ａｒ＋　１０％Ｏ２　，２００Ｗ）し、Ｓｍ２　Ｏ３　とＧｄ２　Ｏ３　を２００Åを堆積した第２のバッファ層３を形成する。つまり、２つのバッファ層付き基板を作製した。
【００１７】
Ｘ線回折の結果、ＣｅＯ２　とＳｍ２　Ｏ３　及びＧｄ２　Ｏ３　は何れも（００１）配向したエピタキシャル薄膜であった。
（３）次に、図１（ｃ）に示すように、これら２つのバッファ層付き基板上に、ＤＣマグネトロンスパッタ法（Ａｒ＋　７％Ｏ２　，１６０Ｗ）により、ＥｕＢａ２　Ｃｕ３　Ｏ７　（ＥＢＣＯ）焼結ターゲットを用いて、６６０℃で６０００ÅのＥＢＣＯ薄膜４を堆積し、ｃ軸配向のエピタキシャル膜を形成した。原子間力顕微鏡観察では、２つの薄膜とも矩形状の結晶粒が観察された。液体窒素温度、５０ＧＨｚで測定した高周波表面抵抗は、０．１ｍΩの非常に小さな値を示した。
【００１８】
次に、本発明の第２実施例のサファイア基板へのバッファ層付き酸化物超伝導薄膜の製造方法について説明する。
【００１９】
図２は本発明の第２実施例を示すバッファ層を有する酸化物超伝導薄膜付きサファイア基板の製造工程断面図である。
【００２０】
（１）まず、図２（ａ）に示すように、第１実施例と同様の条件で２０ÅのＣｅＯ２　よりなる第１のバッファ層１２を堆積したＲ面サファイア基板１１を得る。
【００２１】
（２）次に、図２（ｂ）に示すように、第１のバッファ層１２上に５００−７００℃の温度で、２００ÅのＳｍ２　Ｏ３　よりなる第２のバッファ層１３を堆積し、そのエピタキシャル成長の条件を調べた。その結果、（００１）配向を示す温度は、５６０℃以上であった。
【００２２】
（３）次に、図２（ｃ）に示すように、その第２のバッファ層１３上に、ＥＢＣＯ薄膜と同じ条件で、ＹＢａ２　Ｃｕ３　Ｏ７　（ＹＢＣＯ）焼結ターゲットを用いて６７０℃で５０００ÅのＹＢＣＯ薄膜１４を堆積した結果、６２０℃以上で形成したＳｍ２　Ｏ３　のバッファ層１３上で矩形状のＹＢＣＯの結晶粒が観察された。そこで、６３０℃から６８０℃で堆積したＳｍ２　Ｏ３　バッファ層１３上のＹＢＣＯ薄膜１４を、５０ＧＨｚの空洞共振器法で測定した。
【００２３】
その結果、液体窒素温度での表面抵抗は、約０．１ｍΩの値を示した。この実験で、比較例としてサファイア基板に直接Ｓｍ２　Ｏ３　を２００Å形成し、その上に、ＹＢＣＯ薄膜を５０００Å形成したが、その場合、Ｔｃｅ＝８５Ｋの超低伝導特性を示した。
【００２４】
次に、本発明の第３実施例のサファイア基板へのバッファ層付き酸化物超伝導薄膜の製造方法について説明する。
【００２５】
図３は本発明の第３実施例を示すバッファ層を有する酸化物超伝導薄膜付きサファイア基板の製造工程断面図である。
【００２６】
（１）まず、図３（ａ）に示すように、実施例１と同様の条件で、５０ÅのＣｅＯ２　よりなる第１のバッファ層２２を堆積したＲ面サファイア基板２１を得る。
【００２７】
（２）次に、図３（ｂ）に示すように、第１のバッファ層２２上にＳｍ２　Ｏ３　焼結ターゲットを使用し、６６０℃で２０００ÅのＳｍ２　Ｏ３　よりなる第２のバッファ層２３をエピタキシャル成長させた。
【００２８】
（３）次に、図３（ｃ）に示すように、その第２のバッファ層２３上に、ＥＢＣＯ薄膜２４よりなるｃ軸配向薄膜を第１実施例と同様の条件で５０００Åを堆積させた。このＥＢＣＯ薄膜２４の臨界温度はＴｃｅ＝９１．５Ｋを示し、５０ＧＨｚでの表面抵抗は、０．１２ｍΩであった。また、原子間力顕微鏡で観察した結果、ＥＢＣＯの結晶粒は、矩形状を示した。
【００２９】
次に、本発明の第４実施例のサファイア基板へのバッファ層付き酸化物超伝導薄膜の製造方法について説明する。
【００３０】
図４は本発明の第４実施例を示すバッファ層を有する酸化物超伝導薄膜付きサファイア基板の製造工程断面図である。
【００３１】
（１）まず、図４（ａ）に示すように、第１実施例と同様の条件で、４００ÅのＣｅＯ２　よりなる第１のバッファ層３２を堆積したＲ面サファイア基板３１を得る。
【００３２】
（２）次に、図４（ｂ）に示すように、第１のバッファ層３２上にＳｍ１．５　Ｇｄ０．５　Ｏ３　焼結ターゲットを使用し、８０Åの第２のバッファ層３３を６５０℃で堆積した。この第２のバッファ層３３は、（００１）配向を示した。
【００３３】
（３）次に、図４（ｃ）に示すように、その第２のバッファ層３３上に、６７０℃でＥＢＣＯ薄膜３４を６０００Å堆積させた。原子間力顕微鏡で、矩形状の平坦なＥＢＣＯの結晶粒の成長が観測された。このＥＢＣＯ薄膜３４はＴｃｅ＝９１．７Ｋを示し、液体窒素温度での臨界電流密度は、７００万Ａ／ｃｍ２　であった。
【００３４】
次に、本発明の第５実施例のサファイア基板へのバッファ層付き酸化物超伝導薄膜の製造方法について説明する。
【００３５】
図５は本発明の第５実施例を示すバッファ層を有する酸化物超伝導薄膜付きサファイア基板の製造工程断面図である。
【００３６】
（１）まず、図５（ａ）に示すように、第１実施例と同様に５０ÅのＣｅＯ２　よりなる第１のバッファ層４２を形成したＲ面サファイア基板４１を得る。
【００３７】
（２）次に、図５（ｂ）に示すように、第１のバッファ層４２上にＳｍ２　Ｏ３　を６５０℃で１００Å堆積した試料を５つ準備し、次いで、ペロプスカイト系のＬａＡｌＯ３　、ＮｄＧａＯ３　、ＰｒＧａＯ３　、ＳｒＴｉＯ３　、ＳｒＲｕＯ３　の５つの焼結ターゲットを用いて６４０℃で１００Åの第２のバッファ層４３を堆積した。Ｘ線回折の結果、５つの試料ともバッファ層は、（００１）配向を示し、完全なエピタキシャル成長が確かめられた。
【００３８】
（３）次に、図５（ｃ）に示すように、これら５つの複合バッファ層４３基板上にＹＢＣＯ薄膜４４を３０００Å堆積した。このＹＢＣＯ薄膜４４は、何れも９０−９１ＫのＴｃｅを示した。また、その結晶粒は矩形状を呈し、整然とした粒界を示した。この実験において、Ｓｍ２　Ｏ３　を１０Åとした場合、複合バッファ層４３上のＹＢＣＯ薄膜４４のＴｃｅは８９Ｋとやや減少した。
【００３９】
次に、本発明の第６実施例のサファイア基板へのバッファ層付き酸化物超伝導薄膜の製造方法について説明する。
【００４０】
図６は本発明の第６実施例を示すバッファ層を有する酸化物超伝導薄膜付きサファイア基板の製造工程断面図である。
【００４１】
（１）まず、図６（ａ）に示すように、第１実施例と同様に、１５０ÅのＣｅＯ２　よりなる第１のバッファ層５２を形成したＲ面サファイア基板５１を得る。
【００４２】
（２）次に、図６（ｂ）に示すように、第１のバッファ層５２上にＳｍ２　Ｏ３　を６７０℃で７０Å堆積した第２のバッファ層５３を有する試料を６つ準備した。
【００４３】
（３）次に、図６（ｃ）に示すように、その第２のバッファ層５３上にＬａＡｌＯ３　、Ｙ２　Ｏ３　、ＹＳＺ、ＺｒＯ２　、ＳｒＯ２　、ＰｒＯ２　、ＢａＯ２　をそれぞれ６５０℃で１００Å堆積した第３のバッファ層５４を有する基板を製造した。つまり、この第３のバッファ層５４である６つの単一バッファ層５４Ａ，５４Ｂ，５４Ｃ，５４Ｄ，５４Ｅ又は５４Ｆを有する基板を得た。
【００４４】
（４）次に、図６（ｄ）に示すように、その第３のバッファ層５４上にＹＢＣＯ薄膜５５を６６０℃で３０００Å堆積した。ＹＢＣＯ薄膜５５は、何れも約９１ＫのＴｃｅを示した。結晶粒は、矩形状を呈し、整然とした粒界を示した。
【００４５】
次に、本発明の第７実施例のサファイア基板へのバッファ層付き酸化物超伝導薄膜の製造方法について説明する。
【００４６】
図７は本発明の第７実施例を示すバッファ層を有する酸化物超伝導薄膜付きサファイア基板の製造工程断面図である。
【００４７】
（１）まず、図７（ａ）に示すように、第１実施例と同様に８０ÅのＣｅＯ２　よりなる第１のバッファ層６２を形成したＲ面サファイア基板６１を得る。
【００４８】
（２）次に、図７（ｂ）に示すように、第１のバッファ層６２上にＳｍ２　Ｏ３　を６６０℃で１００Å堆積した第２のバッファ層６３を有する基板を得る。
【００４９】
（３）次いで、図７（ｃ）に示すように、ＬａＡｌＯ３　とＹ２　Ｏ３　をそれぞれ６０Å、６６０℃で堆積した基板を５個づつ準備した。ＬａＡｌＯ３　を堆積した基板上に、ＮｄＧａＯ３　、ＰｒＧａＯ３　、ＳｒＴｉＯ３　、ＳｒＲｕＯ３　、ＺｒＯ２　を７０Å堆積し、複合バッファ層である第３のバッファ層６４Ａ付きサファイア基板を得た。また、Ｙ２　Ｏ３　を堆積した基板上にＬａＡｌＯ３　、ＹＳＺ、ＺｒＯ２　、ＳｒＯ２　、ＰｒＯ２　を６６０℃でそれぞれ７０Å堆積し、複合バッファ層である第３のバッファ層６４Ｂ付きサファイア基板を得た。
【００５０】
（４）これら１０個の複合バッファ層６４Ａ，６４Ｂ付きサファイア基板上にＥＢＣＯ薄膜６５を６６０℃で５０００Å堆積した。このＥＢＣＯ薄膜６５は、何れも矩形状の結晶粒を呈し、優れた粒界を示した。これら薄膜のＴｃｅは、９０−９１．５Ｋを示した。
【００５１】
なお、本発明は、上記実施例に限定されるものではなく、第３のバッファ層付き酸化物超伝導薄膜の製造方法としては、第２のバッファ層であるＳｍ２（１−ｘ）Ｇｄ２ｘＯ３　（ｘ＝０−１）上に、ＬａＡｌＯ３　、ＮｄＧａＯ３　、ＰｒＧａＯ３　、ＹＡｌＯ３　、ＬａＧａＯ３　、ＳｒＴｉＯ３　、ＳｒＲｕＯ３　、Ｙ２　Ｏ３　、ＹＳＺ、ＺｒＯ２　、ＳｒＯ２　、ＰｒＯ２　、ＢａＯ２　の単一または複合の材料からなる第３のバッファ層を形成することができる。
【００５２】
本発明によれば、Ｓｍ２　Ｏ３　とＧｄ２　Ｏ３　のそれぞれの格子定数は、５．４７Åと５．４１Åで、また、Ｓｍ２（１−ｘ）Ｇｄ２ｘＯ３　（０≦ｘ≦１）は、双方の中間にあり、何れもＣｅＯ２　の５．４１Åに非常に近い材料である。また、これら材料系は、ＣｅＯ２　と酸化物超伝導体双方と親和性が良く、エピタキシャル成長性が良好である上に、ＣｅＯ２　と異なり、Ｓｍ２（１−ｘ）Ｇｄ２ｘＯ３　（ｘ＝０−１）は膜厚を増加させても平滑な表面状態を維持して成長する性質を有する。このため、第３のバッファ層の形成や超伝導薄膜の形成を行っても、理想的な平滑表面を有し、かつ、矩形状の結晶粒を持つ超伝導薄膜の成長が可能となる。
【００５３】
このことから、高周波表面抵抗が著しく小さく、臨界電流密度は大きな値を示すＹ系ｃ軸配向超伝導薄膜が容易に得られることになる。
【００５４】
また、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能であり、これらを本発明の範囲から排除するものではない。
【００５５】
【発明の効果】
以上、詳細に説明したように、本発明によれば、以下のような効果を奏することができる。
【００５６】
（Ａ）矩形状の整然とした粒界を有する超伝導薄膜が形成されるサファイア基板へのバッファ層付き酸化物超伝導薄膜を形成することができる。
【００５７】
（Ｂ）Ｓｍ２（１−ｘ）Ｇｄ２ｘＯ３　（０≦ｘ≦１）の格子定数は、５．４１Åから５．４７Åまで変化するが、ＣｅＯ２　の５．４１Åに非常に近い。また、この材料系は、ＣｅＯ２　と酸化物超伝導体双方に対し親和性が良く、エピタキシャル成長性が良好である上に、ＣｅＯ２　と異なり、膜厚を増加させても平滑な表面状態を維持して成長する性質を有する。このため、第３バッファ層の形成や超伝導薄膜の形成を行っても、理想的な平滑表面を有し、かつ、矩形状の結晶粒を持つ高品質の超伝導薄膜の成長が可能となる。
【００５８】
（Ｃ）大型酸化物超伝導薄膜は、移動体通信用の基地局フィルタとして、また、大都市に供給する大電力用限流器として、現在、開発・研究がなされている。本発明は、これら実用化の流れに沿って研究された超伝導薄膜用基板に関する成果である。将来のＩＴ社会を支えるキー部品として位置づけられる上記部品に本成果を提供することができれば、社会への貢献は非常に大きいものとなる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施例を示すバッファ層を有する酸化物超伝導薄膜付きサファイア基板の製造工程断面図である。
【図２】本発明の第２実施例を示すバッファ層を有する酸化物超伝導薄膜付きサファイア基板の製造工程断面図である。
【図３】本発明の第３実施例を示すバッファ層を有する酸化物超伝導薄膜付きサファイア基板の製造工程断面図である。
【図４】本発明の第４実施例を示すバッファ層を有する酸化物超伝導薄膜付きサファイア基板の製造工程断面図である。
【図５】本発明の第５実施例を示すバッファ層を有する酸化物超伝導薄膜付きサファイア基板の製造工程断面図である。
【図６】本発明の第６実施例を示すバッファ層を有する酸化物超伝導薄膜付きサファイア基板の製造工程断面図である。
【図７】本発明の第７実施例を示すバッファ層を有する酸化物超伝導薄膜付きサファイア基板の製造工程断面図である。
【符号の説明】
１，１１，２１，３１，４１，５１，６１，６４　　Ｒ面サファイア基板
２，２２，４２　　第１のバッファ層（ＣｅＯ２　，５０Å）
３　　第２のバッファ層（Ｓｍ２　Ｏ３　，ＣｄＯ３　　　２００Å）
４，２４，３４，６５　　ＥＢＣＯ薄膜
１２　　第１のバッファ層（ＣｅＯ２　，２０Å）
１３　　第２のバッファ層（Ｓｍ２　Ｏ３　，２００Å）
１４，４４，５５　　ＹＢＣＯ薄膜
２３　　第２のバッファ層（Ｓｍ２　Ｏ３　，２０００Å）
３２　　第１のバッファ層（ＣｅＯ２　，４００Å）
３３　　第２のバッファ層（Ｓｍ１．５　Ｇｄ０．５　Ｏ３　，８０Å）
４３　　第２のバッファ層（５つの複合バッファ層）
５２　　第１のバッファ層（ＣｅＯ２　，１５０Å）
５３　　第２のバッファ層（Ｓｍ２　Ｏ３　，７０Å）
５４　　第３のバッファ層
６２　　第１のバッファ層（ＣｅＯ２　，８０Å）
６３　　第２のバッファ層（Ｓｍ２　Ｏ３　，１００Å）
６４Ａ，６４Ｂ　　第３のバッファ層（複合バッファ層）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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