(57)【要約】【課題】被処理体の膜質の変化を反応性生物の変化にかかわらず瞬時に検知することができ、確実に加工不良を低減することのできる膜質判定方法を提供する。【解決手段】処理室１６に搬入された被処理体１２の表面に膜を形成する工程と、被処理体１２に対する処理中に光照射器４０より被処理体１２の表面に光を照射してその反射光量を光検出器４２にて検出する工程と、検出した反射光量に基づいて、膜質判定部４４により被処理体１２の表面の膜質を判定する工程とを含む。【選択図】　　　　図１
2004063752.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理室内に搬入された被処理体の表面に膜を形成する工程と、
前記被処理体に対する処理中に、前記被処理体の表面に光を照射してその反射光量を検出する工程と、
前記検出した反射光量に基づいて被処理体の表面の膜質を判定する工程と、
を含むことを特徴とする膜質判定方法。
【請求項２】
処理室内に搬入された被処理体の表面に膜を形成する工程と、
前記被処理体に対する処理後に、前記被処理体の表面に光を照射してその反射光量を検出する工程と、
前記検出した反射光量に基づいて被処理体の表面の膜質を判定する工程と、
を含むことを特徴とする膜質判定方法。
【請求項３】
請求項２において、
前記被処理体の処理後に、前記被処理体は搬送室に搬送され、
前記被処理体に対する処理後に、前記被処理体の表面に光を照射してその反射光量を検出する工程では、前記搬送室内における前記被処理体の搬送によって前記被処理体を移動させながら反射光量を検出することを特徴とする膜質判定方法。
【請求項４】
処理室内に搬入された被処理体の表面に膜を形成する工程と、
前記被処理体に対する処理中に前記被処理体の表面に光を照射してその反射光量を検出する工程と、
前記検出した反射光量に基づいて被処理体の表面の膜質を判定する工程と、
前記膜質判定により良品と判定された場合に、前記被処理体を搬送室を経て外部に搬出する工程と、
前記膜質判定により不良品と判定された場合に、前記被処理体を搬送室に搬送し、前記被処理体の搬送によって前記被処理体を移動させながら前記被処理体の表面に光を照射してその反射光量を検出し、検出した反射光量に基づいて被処理体の表面の膜質を再判定した後、外部に搬出する工程と、
を含むことを特徴とする膜質判定方法。
【請求項５】
請求項１または４において、
前記被処理体の表面に膜を形成する工程では、レジスト膜が形成された被処理体に対してプラズマエッチング処理を行い、
前記被処理体に対する処理中に前記被処理体の表面に光を照射してその反射光量を検出する工程では、プラズマからの発光と波長が異なる光を前記レジスト膜に照射することを特徴とする膜質判定方法。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれかにおいて、
前記被処理体の表面に照射される光の照射範囲は、前記被処理体における１チップ以上のビーム径とされていることを特徴とする膜質判定方法。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれかにおいて、
前記被処理体に対する処理レシピ毎に処理判定基準を設定した複数の処理判定テーブルを有し、各処理判定テーブルに基づいて各処理工程毎に膜質判定を行うことを特徴とする膜質判定方法。
【請求項８】
被処理体の表面に膜を形成する処理室と、
前記被処理体に対する処理中に前記被処理体の表面に光を照射する光照射器と、
前記被処理体の表面に照射された前記光照射器からの光の反射光量を検出する光検出器と、
前記検出した反射光量に基づいて被処理体の表面の膜質を判定する膜質判定部と、
を含むことを特徴とする半導体製造装置。
【請求項９】
被処理体の表面に膜を形成する処理室と、
前記被処理体に対する処理後に、前記被処理体の表面に光を照射する光照射器と、
前記被処理体の表面に照射された前記光照射器からの光の反射光量を検出する光検出器と、
前記検出した反射光量に基づいて被処理体の表面の膜質を判定する膜質判定部と、
を含むことを特徴とする半導体製造装置。
【請求項１０】
被処理体の表面に膜を形成する処理室と、
前記処理室に接続されて前記被処理体を搬送する搬送室と、
前記被処理体に対する処理中に、前記被処理体の表面に光を照射する第１の光照射器と、
前記被処理体の表面に照射された前記光照射器からの光の反射光量を検出する第１の光検出器と、
前記検出した反射光量に基づいて被処理体の表面の膜質を判定する第１の膜質判定部と、
前記被処理体に対する処理後に、前記被処理体を前記搬送室に搬送し、前記被処理体の搬送によって前記被処理体を移動させながら前記被処理体の表面に光を照射する第２の光照射器と、
前記被処理体の表面に照射された前記光照射器からの光の反射光量を検出する第２の光検出器と、
前記検出した反射光量に基づいて被処理体の表面の膜質を判定する第２の膜質判定部と、
を含むことを特徴とする半導体製造装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、膜質判定方法及び半導体製造装置に関し、特に、被処理体の表面に形成された膜の膜質を判定する膜質判定方法及び半導体製造装置に関する。
【０００２】
【背景技術及び発明が解決しようとする課題】
一般に、半導体製造装置においては、真空の処理室内に配置された電極上に半導体ウェハを配置し、処理室内に反応性ガスを導入してガス放電を生じさせ、このガス放電によってプラズマを発生させ、半導体ウェハに対しプラズマエッチングを行う工程を有する。
【０００３】
また、プラズマエッチング中に半導体ウェハのマスク材であるレジストに焼損や変質が生じると、製品不良の原因となるため、半導体ウェハを冷却する手段がとられている。
【０００４】
しかし、半導体ウェハの冷却が不十分であったり、あるいはプラズマがレジストと反応することによってレジストに焼損や変質が生じ易い。
【０００５】
そのため、特開平８−１９１０６０号公報に示される技術が提案されている。
【０００６】
この技術は、処理室内に光ファイバを配置し、ガスプラズマから放出される光のうち、処理室内のガスとウェハ上のマスク材であるレジストとの反応によって生じた発光を分光器により、発光波長のみ検出し、この発光波長を電気信号に変換し、増幅器にて増幅した後、増幅された信号をＡＤ変換器を経て、制御装置に送信し、電圧信号が基準電圧を満たさない場合、エラー信号を発生させ、モニタに出力させることで、レジストの焼損または変質を検知し、ウェハによるエッチング不良を最小限に抑えるようにしたものである。
【０００７】
また、このような技術においては、酸化膜系のエッチング処理のように通常はレジストの焼損や変質が生じてもエッチレート変化がごくわずかであるような場合、反応生成物の発光強度もほとんど変化せず、レジストの焼損や変質を検知することが難しいという問題がある。
【０００８】
本発明の目的は、被処理体の膜質の変化を反応生成物の変化にかかわらず瞬時に検知することができ、確実に加工不良を低減することのできる膜質判定方法及び半導体製造装置を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
前記目的を達成するため、本発明の膜質判定方法は、処理室内に搬入された被処理体の表面に膜を形成する工程と、
前記被処理体に対する処理中に、前記被処理体の表面に光を照射してその反射光量を検出する工程と、
前記検出した反射光量に基づいて被処理体の表面の膜質を判定する工程と、
を含むことを特徴とする。
【００１０】
本発明によれば、被処理体に対する処理中に被処理体の表面に光を照射してその反射光量を検出することで、例えば、被処理体の表面に焼損や変質が生じた場合には、乱反射や光の吸収が生じ、反射光量が減少するため、瞬時にその膜質の変化を判別することができ、反応生成物の変化という不安定な要素に頼らずに確実な判別を行うことができ、加工不良低減に寄与することができる。
【００１１】
また、他の発明に係る膜質判定方法は、処理室内に搬入された被処理体の表面に膜を形成する工程と、
前記被処理体に対する処理後に、前記被処理体の表面に光を照射してその反射光量を検出する工程と、
前記検出した反射光量に基づいて被処理体の表面の膜質を判定する工程と、
を含むことを特徴とする。
【００１２】
本発明によれば、被処理体に対する処理後に、被処理体の表面に光を照射してその反射光量を検出することで、被処理体に対する処理の影響を受けることなく、瞬時にその膜質の変化を判別することができ、確実な判別を行い、加工不良低減に寄与することができる。
【００１３】
なお、本発明では、被処理体に対する処理後に、処理室内の被処理体の膜質を判定する場合及び被処理体に対する処理後に、例えば処理室に接続された搬送室内に搬送された被処理体の膜質を判定する場合のいずれをも包含するものである。
【００１４】
本発明においては、前記被処理体の処理後に、前記被処理体は搬送室に搬送され、
前記被処理体に対する処理後に、前記被処理体の表面に光を照射してその反射光量を検出する工程では、前記搬送室内における前記被処理体の搬送によって前記被処理体を移動させながら反射光量を検出することができる。
【００１５】
このような構成とすることにより、被処理体の搬送によって被処理体を移動させながら反射光量を検出することで、被処理体の表面を一部分でなく移動経路に沿って広範囲でスキャンを行うような状態で検出することができ、より確実な膜質の判別を行うことができる。
【００１６】
さらに、本発明の他の膜質判定方法は、処理室内に搬入された被処理体の表面に膜を形成する工程と、
前記被処理体に対する処理中に前記被処理体の表面に光を照射してその反射光量を検出する工程と、
前記検出した反射光量に基づいて被処理体の表面の膜質を判定する工程と、
前記膜質判定により良品と判定された場合に、前記被処理体を搬送室を経て外部に搬出する工程と、
前記膜質判定により不良品と判定された場合に、前記被処理体を搬送室に搬送し、前記被処理体の搬送によって前記被処理体を移動させながら前記被処理体の表面に光を照射してその反射光量を検出し、検出した反射光量に基づいて被処理体の表面の膜質を再判定した後、外部に搬出する工程と、
を含むことを特徴とする。
【００１７】
本発明によれば、被処理体に対する処理中における膜質判定で良品と判定された場合搬送室を経て外部に搬送し、不良品と判定された場合は、搬送室内で被処理体を移動させながら再度被処理体の表面に光を照射してその反射光量を検出して膜質判定することで、より確実な膜質の変化の判別を行うことができ、しかも、被処理体に対する処理後には、被処理体の搬送によって被処理体を移動させながら判別するため、より一層広範囲で確実な判別を行うことができ、加工不良低減に寄与することができる。
【００１８】
本発明においては、前記被処理体の表面に膜を形成する工程では、レジスト膜が形成された被処理体に対してプラズマエッチング処理を行い、
前記被処理体に対する処理中に前記被処理体の表面に光を照射してその反射光量を検出する工程では、プラズマからの発光と波長が異なる光を前記レジスト膜に照射することができる。
【００１９】
このような構成とすることにより、プラズマからの発光と波長が異なる光をレジスト膜に照射することで、プラズマエッチング処理中においても、プラズマからの発光に影響されることなくレジスト膜からの反射光量を確実に検出することができ、レジスト膜の焼損や変質を瞬時に判別することができる。
【００２０】
本発明においては、前記被処理体の表面に照射される光の照射範囲は、前記被処理体における１チップ以上のビーム径とすることができる。
【００２１】
このような構成とすることにより、１チップより小さい測定エリアで検出を行う場合、下地膜構造によって検出結果が異なることとなるが、測定エリアが１チップ以上とすることによって検出光量が正確な値の１／２〜２倍の検出光量に平均化させることができる。
【００２２】
例えば、測定エリアが１チップ未満の場合、凹部または凸部のいずれかを測定したかによって反射光強度が異なることとなり、あるいは、金属層を形成した後、フォトリソ、エッチング、レジスト剥離、半導体層形成、フォトリソ、エッチングという処理を行う場合、金属層の残っている個所と残っていない個所とでレジストの状態にかかわりなく反射光強度が異なることとなるため、測定エリアを１チップ以上とすることで平均化を図ることができる。
【００２３】
本発明においては、前記被処理体に対する処理レシピ毎に処理判定基準を設定した複数の処理判定テーブルを有し、各処理判定テーブルに基づいて各処理工程毎に膜質判定を行うことができる。
【００２４】
このような構成とすることにより、処理レシピ毎に適切な処理判定基準を設けることができ、また、処理判定基準はレシピ決定のためのデータベースに追加できるため、データ量を少なくでき、かつ、容易に設定することができる。
【００２５】
本発明の半導体製造装置は、被処理体の表面に膜を形成する処理室と、
前記被処理体に対する処理中に、前記被処理体の表面に光を照射する光照射器と、
前記被処理体の表面に照射された前記光照射器からの光の反射光量を検出する光検出器と、
前記検出した反射光量に基づいて被処理体の表面の膜質を判定する膜質判定部と、
を含むことを特徴とする。
【００２６】
本発明によれば、被処理体に対する処理中に光照射器より被処理体の表面に光を照射し、その反射光量を光検出器で検出することで、被処理体に対する処理中に、例えば、被処理体表面の焼損や変質が生じた場合に、瞬時にその膜質の変化を判別することができ、確実な判別を行って、加工不良低減を図ることができる。
【００２７】
他の発明に係る半導体製造装置は、被処理体の表面に膜を形成する処理室と、前記被処理体に対する処理後に、前記被処理体の表面に光を照射する光照射器と、
前記被処理体の表面に照射された前記光照射器からの光の反射光量を検出する光検出器と、
前記検出した反射光量に基づいて被処理体の表面の膜質を判定する膜質判定部と、
を含むことを特徴とする。
【００２８】
本発明によれば、被処理体に対する処理後に、光照射器から被処理体の表面に照射された光の反射光量を光検出器にて検出することで、被処理体に対する処理中の影響を受けることなく、瞬時にその膜質の変化を判別でき、かつ、確実な判別を行って、加工不良低減を図ることができる。
【００２９】
さらに、本発明の他の半導体製造装置は、被処理体の表面に膜を形成する処理室と、
前記処理室に接続されて前記被処理体を搬送する搬送室と、
前記被処理体に対する処理中に、前記被処理体の表面に光を照射する第１の光照射器と、
前記被処理体の表面に照射された前記光照射器からの光の反射光量を検出する第１の光検出器と、
前記検出した反射光量に基づいて被処理体の表面の膜質を判定する第１の膜質判定部と、
前記被処理体に対する処理後に、前記被処理体を前記搬送室に搬送し、前記被処理体の搬送によって前記被処理体を移動させながら前記被処理体の表面に光を照射する第２の光照射器と、
前記被処理体の表面に照射された前記光照射器からの光の反射光量を検出する第２の光検出器と、
前記検出した反射光量に基づいて被処理体の表面の膜質を判定する第２の膜質判定部と、
を含むことを特徴とする。
【００３０】
本発明によれば、第１の光照射器及び光検出器によって、被処理体に対する処理中における膜質の変化を瞬時に判別するとともに、第２の光照射器及び光検出器によって被処理体に対する処理後における膜質の変化を瞬時に判別することができ、より確実な判別を行うことができるとともに、第２の光照射器は被処理体の搬送によって搬送室内で被処理体を移動させながら被処理体の表面に光を照射するため、搬送経路に沿った広範な範囲の膜質の変化を判別することができ、より一層確実な判別を行うことができる。
【００３１】
なお、本発明の製造対象である半導体は、半導体基板上に素子を形成するものに限らず、他の基板上に配線、トランジスタ、ダイオードなどを形成するものでもよく、例えば液晶ディスプレイ基板も含む。
【００３２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して説明する。
【００３３】
図１は、本発明の一実施の形態に係る半導体製造装置を示す概略断面図である。
【００３４】
この半導体製造装置１０は、半導体ウェハ等の被処理体１２の表面にプラズマエッチング処理を施すもので、上壁１４が接地されて上部電極とされた処理室１６を有している。
【００３５】
処理室１６内には、上壁１４と対向して載置電極１８が設けられ、この載置電極１８上に表面にレジスト膜が形成された被処理体１２が支持されるようになっている。
【００３６】
載置電極１８には、高周波電源２０が接続され、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）装置が構成されるようになっている。
【００３７】
なお、処理室１６の周囲に図示せぬ電磁コイルなどの磁場生成手段を設け、マグネトロンプラズマエッチング装置として構成してもよい。
【００３８】
また、上壁１４には、反応ガスの導入口２２が設けられ、下壁２４には、排気口２６が設けられている。
【００３９】
さらに、処理室１６の一方の側壁２８には、プラズマ発光を外部に導く導光窓３０が設けられている。
【００４０】
導光窓３０からの発光は、光ファイバ３２を介して、分光・検出器３４に導かれる。
【００４１】
この分光・検出器３４は、プラズマ発光中の特定波長、例えば４４０ｎｍの強度が検出される。
【００４２】
この分光・検出器３４からの情報に基づき、制御部３６が高周波電源２０、ガス導入系・排気系などを制御して、エッチング条件などを設定制御するようになっている。
【００４３】
また、処理室１６の上壁１４には、検出窓３８が２ヶ所設けられ、一方の検出窓３８側に、被処理体１２に対するエッチング処理中に被処理体１２の表面、具体的には被処理体１２のレジスト膜の表面に光を照射する光照射器４０が設けられている。
【００４４】
光照射器４０は、プラズマからの発光と波長が異なる光をレジスト膜に照射するようにしている。
【００４５】
例えば、光照射器４０としてプラズマからの発光と波長が異なる６００〜８００ｎｍの波長のレーザ光を照射するレーザ照射器を用いることができる。
【００４６】
また、他方の検出窓３８側に被処理体１２の表面に照射された光照射器４０からの光の反射光量を検出する光検出器４２が設けられている。
【００４７】
光検出器４２は、レジスト膜に焼損や変質が生じた場合に乱反射や光の吸収が行われて反射光量が変化するため、その反射光量を検出するようにしている。
【００４８】
そして、光検出器４２が検出した反射光量に基づいて、膜質判定部４４において所定の処理判定基準と比較し被処理体１２のレジスト膜表面の膜質を判定するようにしている。
【００４９】
この処理判定基準は、被処理体１２に対する処理レシピ毎に複数の処理判定テーブルに設定しておくようにするとよい。
【００５０】
例えば、図６（１）に示すようなレシピＮｏ．、レシピ名、ガス１、ガス２、真空…等のデータを各処理レシピ１００毎に設定したデータベース１０２に、各処理レシピ１００毎に良品基準値を設定した処理判定基準１０４を設けた処理判定テーブル１０８を設定しておき、同図（２）に示すような処理レシピＮｏ．、工程Ｎｏ．、基板機種等を設定した処理工程表１０６に従って各工程を処理するようにして、各工程毎に処理判定基準１０４によって良品判定を行うようにすることができる。
【００５１】
このようにすることで、各工程毎に適切な判定を行うことができ、しかも、処理レシピ１００のデータベース１０２に追加設定するだけでよく、データ量が少なく、かつ、設定も容易である。
【００５２】
このような半導体製造装置１０によれば、まず、処理室１６内でプラズマを発生させ被処理体１２の表面をエッチング処理する。
【００５３】
このプラズマエッチング処理中に、光照射器４０から被処理体１２のレジスト膜表面に光を照射する。
【００５４】
この光の照射範囲は、半導体ウェハ等の被処理体１２における１チップ以上のビーム径とするのがよい。
【００５５】
このようにすることで、１チップ未満のビーム径とした場合には、凹部または凸部のいずれを検出したか、あるいは、下地に金属層が残っている個所または残っていない個所のいずれを検出したかで反射光量が異なることとなるが、１チップ以上のビーム径とすることで検出光量を正確な値の１／２〜２倍以内に平均化することができる。
【００５６】
次いで、この光照射器４０からの光の反射光量を光検出器４２によって検出する。
【００５７】
この場合、光照射器４０から照射される光は、プラズマからの発光と波長が異なる光とされているため、プラズマエッチング中であっても、プラズマからの発光に影響されることなく、レジスト膜からの反射光量を確実に検出することができる。
【００５８】
そして、光検出器４２で検出した反射光量に基づいて膜質判定部４４にてレジスト膜表面の膜質を判定することにより、レジスト膜の表面に焼損や変質が生じた場合瞬時にその膜質の変化を判別することができる。
【００５９】
そして、膜質判定部４４で不良品と判定された場合には、例えばアラームを発生させ、被処理体１２を検査工程に回すとともに、プラズマの発光強度や冷却の程度を調整することで、加工不良低減に寄与することが可能となる。
【００６０】
図２は、本発明の他の実施の形態に係る半導体製造装置を示す概略断面図である。
【００６１】
この半導体製造装置５０は、処理室１６の導光窓３０と反対側の側壁５２にゲートバルブ５４を介して搬送室としてのロードロックチャンバー５６が接続されている。
【００６２】
このロードロックチャンバー５６内には、搬送アーム５８が配設され、この搬送アーム５８によりロードロックチャンバー５６内及び処理室１６内を真空にした状態で、ゲートバルブ５４を開きロードロックチャンバー５６内から処理室１６内あるいは処理室１６内からロードロックチャンバー５６内へと被処理体１２を搬送し得るようになっている。
【００６３】
そして、処理室１６側に検出窓や光照射器、光検出器等を設けることなく、ロードロックチャンバー５６の上壁６８に２つの検出窓６０を設け、一方の検出窓６０側に光照射器６２、他方の検出窓６０側に光検出器６４を配置している。
【００６４】
そして、処理室１６における被処理体１２へのプラズマエッチング処理終了後、搬送アーム５８による被処理体１２の搬送によって被処理体１２を移動させながら光照射器６２から被処理体１２の表面に光を照射して、その反射光量を光検出器６４にて検出し、その検出した反射光量に基づいて膜質判定部６６により被処理体１２のレジスト膜の表面の膜質を判定することで、瞬時にレジスト膜の焼損や変質を判別することができる。
【００６５】
また、被処理体１２を移動させながら反射光量を検出するため、被処理体１２の表面を一部分でなく移動経路に沿って広範囲でスキャンを行うような状態で検出することができ、より確実なレジスト膜の焼損や変質の判別を行うことができる。
【００６６】
他の構成及び作用は、前記実施の形態と同様につき説明を省略する。
【００６７】
図３は、本発明のさらに他の実施の形態に係る半導体製造装置を示す概略断面図である。
【００６８】
この半導体製造装置７０は、処理室１６の側壁５２にゲートバルブ５４を介してロードロックチャンバー５６が接続され、ロードロックチャンバー５６内には搬送アーム５８が配設されている。
【００６９】
そして、処理室１６の上壁１４に２つの第１の検出窓７２を設け、一方の第１の検出窓７２側に第１の光照射器７４、他方の第１の検出窓７２に第１の光検出器７６を配設し、この第１の光検出器７６に第１の膜質判定部７８が接続された状態とされている。
【００７０】
また、ロードロックチャンバー５６の上壁６８に２つの第２の検出窓８０が設けられ、一方の第２の検出窓８０側に第２の光照射器８２、他方の第２の検出窓８０側に第２の光検出器８４が配設され、この第２の光検出器８４に第２の膜質判定部８６が接続された状態となっている。
【００７１】
そして、処理室１６内で被処理体１２の表面にプラズマエッチング処理中に第１の光照射器７４より被処理体１２のレジスト膜の表面に光を照射して、その反射光量を第１の光検出器７６によって検出し、この検出した反射光量に基づいて被処理体１２のレジスト膜の表面の焼損や変質を第１の膜質判定部７８にて判定するようにしている。
【００７２】
また、被処理体１２に対するプラズマエッチング処理後に、搬送アーム５８による被処理体１２の搬送によって被処理体１２を移動させながら被処理体１２のレジスト膜の表面に第２の光照射器８２より光を照射して、その反射光量を第２の光検出器８４によって検出し、この検出した反射光量に基づいて被処理体１２のレジスト膜表面の焼損や変質を第２の膜質判定部８６によって判定するようにしている。
【００７３】
この判定時の状態を図４に示す。
【００７４】
まず、処理室１６内でプラズマエッチング処理中に被処理体１２の膜質を第１の膜質判定部７８にて判定する（Ｓ１）。
【００７５】
次に、処理室１６内での処理終了後ロードロックチャンバー５６内で被処理体１２の膜質を第２の膜質判定部８６にて判定する（Ｓ２）。
【００７６】
この処理室１６及びロードロックチャンバー５６内での判定がいずれも膜質良好とされた場合には、良品判定がなされ（Ｓ３）、ロードロックチャンバー５６より外部に取り出される。
【００７７】
また、処理室１６内及びロードロックチャンバー５６内のいずれにおいても膜質不良とされた場合には、不良品判定がなされ（Ｓ４）、アラームが発せられて（Ｓ５）、ロードロックチャンバー５６より外部に取り出される。
【００７８】
さらに、図５に示すような判定状態とすることもできる。
【００７９】
まず、処理室１６内でプラズマエッチング処理中に、被処理体１２の膜質を第１の膜質判定部７８にて判定する（Ｓ１１）。
【００８０】
この第１の膜質判定部７８で膜質良好とされた場合は、良品判定（Ｓ１２）がなされ、その被処理体１２はロードロックチャンバー５６を経て外部に取り出され、新たな被処理体１２がロードロックチャンバー５６を経て処理室１６内に搬入されて新たな処理が開始される。
【００８１】
また、第１の膜質判定部７８で膜質不良とされた場合は、アラームが発せられ（Ｓ１３）、処理終了後、被処理体１２がロードロックチャンバー５６内に搬送されつつ第２の膜質判定部８６にて被処理体１２の膜質を再判定する（Ｓ１４）。
【００８２】
第２の膜質判定部８６にて膜質良好とされた場合は、アラームを停止し（Ｓ１５）、良品判定を行って（Ｓ１２）、その被処理体１２はロードロックチャンバー５６を経て外部に取り出され、新たな被処理体１２がロードロックチャンバー５６を経て処理室１６内に搬入されて新たな処理が開始される。
【００８３】
第２の膜質判定部８６にて膜質不良とされた場合は、不良品判定を行って（Ｓ１６）、ロードロックチャンバー５６より外部に取り出される。
【００８４】
他の構成及び作用は、前記各実施の形態と同様につき説明を省略する。
【００８５】
本発明は、前記実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨の範囲内において、種々の形態に変形可能である。
【００８６】
例えば、前記実施の形態においては、半導体製造装置としてプラズマエッチング装置を示したが、この例に限らず、被処理体を加熱処理する半導体製造装置に適用することも可能である。
【００８７】
また、図１の実施の形態では、エッチング処理中に反射光量を検出するようにしているが、エッチング処理終了後に処理室にて検出を行うようにしてもよい。
【００８８】
さらに、図２及び図３の実施の形態では、搬送アームによる被処理体の搬送途中に反射光量を検出するようにしているが、搬送停止状態で検出を行うようにしてもよい。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施の形態に係る半導体製造装置を示す概略断面図である。
【図２】本発明の他の実施の形態に係る半導体製造装置を示す概略断面図である。
【図３】本発明のさらに他の実施の形態に係る半導体製造装置を示す概略断面図である。
【図４】図３の実施の形態に係る半導体製造装置における膜質の判定状態を示すフローチャートである。
【図５】図３の実施の形態に係る半導体製造装置における他の膜質の判定状態を示すフローチャートである。
【図６】（１）は処理レシピのデータベースに処理判定テーブルを設定した状態を示す説明図で、（２）はその処理レシピ実行の処理工程表を示す説明図である。
【符号の説明】
１０、５０、７０　半導体製造装置
１２　被処理体
１６　処理室
３８、６０　検出窓
４０、６２光照射器
４２、６４　光検出器
４４、６６　膜質判定部
７４　第１の光照射器
７６　第１の光検出器
７８　第１の膜質判定部
８２　第２の光照射器
８４　第２の光検出器
８６　第２の膜質判定部
１００　処理レシピ
１０２　データベース
１０４　処理判定基準
１０６　処理工程表
１０８　処理判定テーブル
【図１】
2004063752.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
2004063752.tif 000006
【図５】
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【図６】
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