(57)【要約】【課題】効率的に製造し、歩留まり向上を達成すると共に、薄型化を実現することができる半導体基板及びその製造方法を提供する。【解決手段】金属箔と絶縁層とを積層して一の積層体とし、その一の積層体に半導体チップが搭載される主開口部を形成する工程と、金属箔及び絶縁層を順次積層させた他の積層体とを積層する工程とからなることを特徴とする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属箔と絶縁層とを積層して一の積層体とし、その一の積層体に半導体チップが搭載される主開口部を形成する工程と、金属箔及び絶縁層を順次積層させた他の積層体とを積層する工程とからなることを特徴とする半導体基板の製造方法。
【請求項２】
金属箔に形成される主開口部の位置に基づいてダミーの開口部を設ける工程と、その金属箔に絶縁層を積層して一の積層体とする工程と、金属箔及び絶縁層を順次積層させた他の積層体とを積層する工程とからなることを特徴とする半導体基板の製造方法。
【請求項３】
金属箔と絶縁層とを積層して一の積層体とする工程と、その一の積層体に主開口部及びその主開口部の位置に基づいてダミーの開口部を設ける工程と、金属箔及び絶縁層を順次積層させた他の積層体と前記一の積層体とを積層する工程とからなることを特徴とする半導体基板の製造方法。
【請求項４】
前記主開口部の少なくとも一の端面が曲率をなすように形成されたことを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか一に記載の半導体基板の製造方法。
【請求項５】
前記ダミーの開口部は一の主開口部の周囲に少なくとも一以上形成された孔であることを特徴とする請求項２乃至請求項４のいずれか一に記載の半導体基板の製造方法。
【請求項６】
少なくとも二以上のダミーの開口部が連結されたことを特徴とする請求項２乃至請求項５のいずれか一に記載の半導体基板の製造方法。
【請求項７】
半導体チップを搭載する領域として主開口部が形成された金属箔と絶縁層とからなる一の積層体の下層に金属箔と絶縁層とからなる他の積層体が順次積層されてなる半導体基板において、前記絶縁層が前記主開口部からはみ出すことを防ぐ圧出防止部が最上層の金属箔に形成されたことを特徴とする半導体基板。
【請求項８】
前記圧出防止部は、主開口部の一辺を曲率をなす形状に形成してなることを特徴とする請求項７に記載の半導体基板。
【請求項９】
前記圧出防止部は、主開口部の周辺に少なくとも一以上設けられたダミーの開口部であることを特徴とする請求項７又は請求項８に記載の半導体基板。
【請求項１０】
金属箔と絶縁層とを積層して一の積層体とし、その一の積層体に半導体チップが搭載される主開口部を形成する工程と、金属箔及び絶縁層を順次積層させた他の積層体とを積層する工程とら形成されてなることを特徴とする半導体基板。
【請求項１１】
金属箔に形成される主開口部の位置に基づいてダミーの開口部を設ける工程と、その金属箔に絶縁層を積層して一の積層体とする工程と、金属箔及び絶縁層を順次積層させた他の積層体とを積層する工程とから形成されてなることを特徴とする半導体基板。
【請求項１２】
金属箔と絶縁層とを積層して一の積層体とする工程と、その一の積層体に主開口部及びその主開口部の位置に基づいてダミーの開口部を設ける工程と、金属箔及び絶縁層を順次積層させた他の積層体と前記一の積層体とを積層する工程とから形成されてなることを特徴とする半導体基板。
【請求項１３】
前記主開口部の少なくとも一の端面が曲率をなすように形成されたことを特徴とする請求項１０乃至請求項１２のいずれか一に記載の半導体基板。
【請求項１４】
前記ダミーの開口部は一の主開口部の周囲に少なくとも一以上形成された孔であることを特徴とする請求項１１乃至請求項１３のいずれか一に記載の半導体基板。
【請求項１５】
少なくとも二以上のダミーの開口部が連結されたことを特徴とする請求項１１乃至請求項１４のいずれか一に記載の半導体基板。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する分野】
本発明は、金属箔（例えば銅箔）と絶縁層とを積層させてなり、半導体チップを搭載する半導体基板及びその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、銅箔と絶縁層とを順次積層させて多層構造をなす半導体基板上に搭載された半導体チップの放熱性を高める手法としては、特開平１１−３０７６８１号公報に見られるように、前記基板の内層の銅箔を露出させ、その露出させた領域に半導体チップを直接搭載する構造が採用されていた。
このような構造は、具体的には積層された銅箔及び絶縁層のうち、基板の表面となる銅箔及び絶縁層をルーターによって１つずつ開口する作業を行うことによって形成されていた。
【０００３】
以下に、従来の半導体基板及びその製造方法について図面を用いて説明する。
図８は、従来の半導体基板の構成を示す図であり、図９は従来の半導体基板の製造方法を示す断面図である。
図８（ａ）に示すように、従来の半導体基板１は、金属箔１１及び絶縁層１２が相互に積層されてなり、上面及び下面を金属箔１１としている。
ここで、上面及び下面金属箔１１及び絶縁層１２が積層される方向に対して設定される面であり、特に半導体チップ（図示せず）が搭載される側の最外面を上面とする。
上面の金属箔１１ａ及びその金属箔１１ａ直下の絶縁層１２ａには、主開口部５１が形成されており、この主開口部５１内、すなわち主開口部５１が形成されることによって露出される金属箔１１ｂ上に半導体チップ（図示せず）が搭載される。
また、図８（ｂ）に示すように、下面側の金属箔１１ｃはソルダーレジストによって分離され、スルーホールやヴィア（図示せず）を介して、前記金属箔１１ｂと導通する電極として機能する。
また、このような従来の半導体基板の金属箔１１としては、一般に銅が用いられ、絶縁層１２としては、プリプレグが用いられる。
ここで、プリプレグとは、いわゆるプリント基板の製造に用いる半硬化状態の絶縁樹脂シートを指し、貼り合わせ工法によるプリント基板形成時の接着層として機能するものである。強度、寸法精度の必要性から、ガラス布を基材としてエポキシ樹脂を含浸させたものが一般に用いられる。
【０００４】
このような従来の半導体基板１は、図９に示すような貼り合わせ工程で製造される。
まず、図９（ａ）に示すように、金属箔１１と絶縁層１２とを順次積層し、プレス加工を行った後、スルーホールやヴィアの加工を行う。
次に、図９（ｂ）に示すように、金属箔１１のパターン形成を行い、ソルダーレジストを塗布する。
次に、図９（ｃ）に示すように、ソルダーレジストを開口し、図９（ｄ）に示すように、上面の金属箔１１ａ及び係る金属箔１１ａ直下の絶縁層１２ａをルータ等を用いて主開口部５１を形成する。
その後、メッキ処理等を施して半導体基板１が完成する。
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、従来の半導体基板においては、その基板の表面となる金属箔及び絶縁層をルーターによって１つずつ開口する方法が、従前の製造ラインを変更しなくて良いというメリットがある反面、開口作業に多大な時間を要するため、効率が悪いという問題があった。
また、半導体装置の軽薄短小化が進む近年においては、積層体の各層がさらに薄くなることは容易に想像され、ルータによる半導体チップ搭載領域を確保する開口作業では、精度確保の点で限界が近いといってよい。
すなわち、露出させる銅箔の厚さに精度が求められるような半導体基板を製造することが考えられる状況において、露出させる銅箔を貫通するおそれがあるため、開口作業を行うルータに対してさらなる精度向上を課すことになる。
【０００６】
本発明は、以上の従来技術における問題に鑑みてなされたものであり、効率的に製造し、歩留まり向上を達成すると共に、薄型化を実現することができる半導体基板及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
前記課題を解決するために提供する本願第一の発明に係る半導体基板の製造方法は、金属箔と絶縁層とを積層して一の積層体とし、その一の積層体に半導体チップが搭載される主開口部を形成する工程と、金属箔及び絶縁層を順次積層させた他の積層体とを積層する工程とからなることを特徴とする。
【０００８】
係る方法を採用することにより、従来のように、単に金属箔及び絶縁層を順次積層してなる半導体基板の上面に個別に開口部を形成する製造方法を採用せず、予め開口部を形成した一の積層体を別体として製造するため、歩留まりを向上させることができる。
また、一の積層体に対してのみ開口部を形成するため、金属箔及び絶縁層のさらなる薄型化を実現することができる。
【０００９】
前記課題を解決するために提供する本願第二の発明に係る半導体基板の製造方法は、金属箔に形成される主開口部の位置に基づいてダミーの開口部を設ける工程と、その金属箔に絶縁層を積層して一の積層体とする工程と、金属箔及び絶縁層を順次積層させた他の積層体とを積層する工程とからなることを特徴とする。
【００１０】
係る方法を採用することにより、熱応力やプレス工程によって主開口部に絶縁層がはみ出すことを防ぐことができる。すなわち、応力がかかった絶縁層を主開口部ではなくダミーの開口部に逃がすことができ、製品良品率及び歩留まりを向上させると共に、多様な材質の絶縁層を選択することができる。
【００１１】
前記課題を解決するために提供する本願第三の発明に係る半導体基板の製造方法は、金属箔と絶縁層とを積層して一の積層体とする工程と、その一の積層体に主開口部及びその主開口部の位置に基づいてダミーの開口部を設ける工程と、金属箔及び絶縁層を順次積層させた他の積層体と前記一の積層体とを積層する工程とからなることを特徴とする。
【００１２】
係る方法を採用することにより、熱応力やプレス工程によって主開口部に絶縁層がはみ出すことを防ぐことができる。すなわち、応力がかかった絶縁層を主開口部ではなくダミーの開口部に逃がすことができ、製品良品率及び歩留まりを向上させると共に、多様な材質の絶縁層を選択することができる。
また、一の積層体に対して主開口部とダミーの開口部とを形成するため、ダミーの開口部が主開口部と同様の深さで形成され、絶縁層による主開口部へのはみ出しをさらに防ぐことができる。
【００１３】
前記課題を解決するために提供する本願第四の発明に係る半導体基板の製造方法は、請求項１乃至請求項３のいずれか一に記載の半導体基板の製造方法において、前記主開口部の少なくとも一の端面が曲率をなすように形成されたことを特徴とする。
【００１４】
ここでいう前記曲率をなすように形成された主開口部の端面とは、その端面の形状が内方に向かって突出し、かつその突出部分が丸みを帯びていることを示す。
従って、係る方法を採用することにより、主開口部の縁部の構造自体が、絶縁層の主開口部へのはみ出しを防ぎ、半導体基板の製造工程における歩留まり及び良品率を向上させることができる。
【００１５】
前記課題を解決するために提供する本願第五の発明に係る半導体基板の製造方法は、請求項２乃至請求項４のいずれか一に記載の半導体基板の製造方法において、前記ダミーの開口部は一の主開口部の周囲に少なくとも一以上形成された孔であることを特徴とする。
【００１６】
ダミーの開口部は、主開口部への絶縁層のはみ出しを防ぐために設けられた構造体であるため、主開口部の周囲に形成されることが望ましく、係る方法を採用することによって、半導体基板の製造工程における歩留まり及び良品率をさらに向上させることができる。
【００１７】
前記課題を解決するために提供する本願第六の発明に係る半導体基板の製造方法は、請求項２乃至請求項５のいずれか一に記載の半導体基板の製造方法において、少なくとも二以上のダミーの開口部が連結されたことを特徴とする。
【００１８】
係る方法を採用することにより、ダミーの開口部同士が連結され、主開口部に対する絶縁層のはみ出しをさらに抑制することができ、半導体基板の製造工程における歩留まり及び良品率をさらに向上させることができる。
【００１９】
前記課題を解決するために提供する本願第七の発明に係る半導体基板は、半導体チップを搭載する領域として主開口部が形成された金属箔と絶縁層とからなる一の積層体の下層に金属箔と絶縁層とからなる他の積層体が順次積層されてなる半導体基板において、前記絶縁層が前記主開口部からはみ出すことを防ぐ圧出防止部が最上層の金属箔に形成されたことを特徴とする。
【００２０】
係る構成のように圧出防止部が形成されたことにより、従来のように、金属箔及び絶縁層が順次積層され、最上層の金属箔に主開口部が形成された半導体基板よりも絶縁層の主開口部へのはみ出しを防ぎ、半導体基板の製造工程における歩留まり及び良品率を向上させることができる。
ここで、前記圧出防止部は、主開口部の端面が内方に向かって突出した構造を採用することが望ましい。
【００２１】
前記課題を解決するために提供する本願第八の発明に係る半導体基板は、請求項７に記載の半導体基板において、前記圧出防止部は、主開口部の一辺を曲率をなす形状に形成してなることを特徴とする。
【００２２】
係る構成のように圧出防止部が形成されたことにより、従来のように、金属箔及び絶縁層が順次積層され、最上層の金属箔に主開口部が形成された半導体基板よりも絶縁層の主開口部へのはみ出しを防ぎ、半導体基板の製造工程における歩留まり及び良品率を向上させることができる。
ここで、前記圧出防止部は、その端面の形状が内方に向かって突出し、かつその突出部分が丸みを帯びている構造を採用することが望ましい。
【００２３】
前記課題を解決するために提供する本願第九の発明に係る半導体基板は、請求項７又は請求項８に記載の半導体基板において、前記圧出防止部は、主開口部の周辺に少なくとも一以上設けられたダミーの開口部であることを特徴とする。
【００２４】
係る構成とすることにより、熱応力やプレス工程によって主開口部に絶縁層がはみ出すことを防ぐことができる。すなわち、応力がかかった絶縁層を主開口部ではなくダミーの開口部に逃がすことができ、製品良品率及び歩留まりを向上させると共に、多様な材質の絶縁層を選択することができる。
【００２５】
前記課題を解決するために提供する本願第十の発明に係る半導体基板は、金属箔と絶縁層とを積層して一の積層体とし、その一の積層体に半導体チップが搭載される主開口部を形成する工程と、金属箔及び絶縁層を順次積層させた他の積層体とを積層する工程とら形成されてなることを特徴とする。
【００２６】
係る構成とすることにより、従来のように、単に金属箔及び絶縁層を順次積層してなる半導体基板の上面に個別に開口部を形成する製造方法を採用せず、予め開口部を形成した一の積層体を別体として製造するため、歩留まりを向上させることができる。
また、一の積層体に対してのみ開口部を形成するため、金属箔及び絶縁層のさらなる薄型化を実現することができる。
【００２７】
前記課題を解決するために提供する本願第十一の発明に係る半導体基板は、金属箔に形成される主開口部の位置に基づいてダミーの開口部を設ける工程と、その金属箔に絶縁層を積層して一の積層体とする工程と、金属箔及び絶縁層を順次積層させた他の積層体とを積層する工程とから形成されてなることを特徴とする。
【００２８】
係る構成とすることにより、熱応力やプレス工程によって主開口部に絶縁層がはみ出すことを防ぐことができる。すなわち、応力がかかった絶縁層を主開口部ではなくダミーの開口部に逃がすことができ、製品良品率及び歩留まりを向上させると共に、多様な材質の絶縁層を選択することができる。
【００２９】
前記課題を解決するために提供する本願第十二の発明に係る半導体基板は、金属箔と絶縁層とを積層して一の積層体とする工程と、その一の積層体に主開口部及びその主開口部の位置に基づいてダミーの開口部を設ける工程と、金属箔及び絶縁層を順次積層させた他の積層体と前記一の積層体とを積層する工程とから形成されてなることを特徴とする。
【００３０】
係る構成とすることにより、熱応力やプレス工程によって主開口部に絶縁層がはみ出すことを防ぐことができる。すなわち、応力がかかった絶縁層を主開口部ではなくダミーの開口部に逃がすことができ、製品良品率及び歩留まりを向上させると共に、多様な材質の絶縁層を選択することができる。
また、一の積層体に対して主開口部とダミーの開口部とを形成するため、ダミーの開口部が主開口部と同様の深さで形成され、絶縁層による主開口部へのはみ出しをさらに防ぐことができる。
【００３１】
前記課題を解決するために提供する本願第十三の発明に係る半導体基板は、請求項１０乃至請求項１２のいずれか一に記載の半導体基板において、前記主開口部の少なくとも一の端面が曲率をなすように形成されたことことを特徴とする。
【００３２】
ここでいう前記曲率をなすように形成された主開口部の端面とは、その端面の形状が内方に向かって突出し、かつその突出部分が丸みを帯びていることを示す。
従って、係る構成とすることにより、主開口部の縁部の構造自体が、絶縁層の主開口部へのはみ出しを防ぎ、半導体基板の製造工程における歩留まり及び良品率を向上させることができる。
【００３３】
前記課題を解決するために提供する本願第十四の発明に係る半導体基板は、請求項１１乃至請求項１３のいずれか一に記載の半導体基板において、前記ダミーの開口部は一の主開口部の周囲に少なくとも一以上形成された孔であることを特徴とする。
【００３４】
ダミーの開口部は、主開口部への絶縁層のはみ出しを防ぐために設けられた構造体であるため、主開口部の周囲に形成されることが望ましく、係る構成によって、半導体基板の製造工程における歩留まり及び良品率をさらに向上させることができる。
【００３５】
前記課題を解決するために提供する本願第十五の発明に係る半導体基板は、請求項１１乃至請求項１４のいずれか一に記載の半導体基板において、少なくとも二以上のダミーの開口部が連結されたことを特徴とする。
【００３６】
係る構成とすることにより、ダミーの開口部同士が連結され、主開口部に対する絶縁層のはみ出しをさらに抑制することができ、半導体基板の製造工程における歩留まり及び良品率をさらに向上させることができる。
【発明の実施の形態】
【００３７】
（実施の形態１）
以下に、本発明に係る半導体基板及びその製造方法の第一の実施の形態について図面を参照して説明する。
図１は、本発明に係る半導体基板の第一の実施の形態における構成を示す図であり、図１（ａ）は斜視図、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ断面図である。
図１に示すように、本発明に係る半導体基板１は、半導体チップ（図示せず）が搭載される領域を形成するために設けられた主開口部５１を備えた金属箔１１と絶縁層１２とが積層されてなる一の積層体２と、係る一の積層体２の下面に金属箔１１と絶縁層１２とが順次積層されてなる他の積層体３とからなる。
ここで、前記一の積層体２及び他の積層体３は、金属箔１１及び絶縁層１２が積層されてなることは共通しているが、積層パターンと半導体チップ（図示せず）を搭載する領域を形成するための主開口部５１が形成されているか否かとが異なる。
また、図１（ｂ）に示すように、下面側の金属箔１１ｃはソルダーレジストによって分離され、前記金属箔１１ｂと導通する電極として機能する。
また、本発明に係る半導体基板の実施の形態における金属箔１１としては、一般に銅が用いられ、絶縁層１２としては、プリプレグが用いられる。
ここで、前記プリプレグは、いわゆるプリント基板の製造に用いる半硬化状態の絶縁樹脂シートを指し、貼り合わせ工法によるプリント基板形成時の接着層として機能するものである。強度、寸法精度の必要性から、ガラス布を基材としてエポキシ樹脂を含浸させたものである。
【００３８】
次に、本発明に係る半導体基板の製造方法の第一の実施の形態について図面を参照して以下に説明する。
図２は、本発明に係る半導体基板の製造方法の第一の実施の形態を示す断面図である。
図２（ａ）に示すように、まず、金属箔１１の下面に絶縁層１２を積層してプレス加工することにより一の積層体２を形成する。
次に、図２（ｂ）に示すように、一の積層体２に対して主開口部５１を打ち抜き形成する。
ここで、主開口部５１の打ち抜き形成は、一の積層体２を複数組重ね、まとめて行うことにより、歩留まりが向上する。
次に、図２（ｃ）に示すように、金属箔１１及び絶縁層１２を順次積層し、上面及び下面を金属箔１１とした他の積層体３を一の積層体２の下面に積層する。
この工程によって、前記主開口部５１によって他の積層体３の上面の金属箔１１ｂの一部が露出することになり、この露出した領域が半導体チップの搭載領域となる。
次に、図２（ｄ）に示すように、金属箔１１をエッチング等によりパターン形成し、スルーホールやヴィアの加工後、ソルダーレジストを塗布する。
その後、図２（ｄ）に示すように、ソルダーレジストを開口して、前記パターン形成によって分離された金属箔１１ｃ、すなわち電極を下面から露出させて完成する。
【００３９】
本願発明に係る半導体基板及びその製造方法の実施の形態としては、第一の実施の形態の説明のように、半導体基板を構成する金属箔及び絶縁層を順次積層した後に半導体チップを搭載する主開口部を形成するのではなく、半導体基板を予め主開口部を形成した一の積層体と他の積層体とに分けることによって歩留まりを向上させるだけでなく、半導体基板の薄型化を実現するという効果を奏する。
ここで、本発明に係る半導体基板及びその製造方法の実施の形態では一の積層体を形成する工程及び一の積層体と他の積層体とを積層する工程においてプレス成形が行われるため、絶縁層の種類によっては、主開口部へ絶縁層がはみ出してしまう可能性についても発明者らは鋭意検討をした。
【００４０】
（実施の形態２）
以下に、本発明に係る半導体基板及びその製造方法の第二の実施の形態について図面を参照して説明する。
図３は、本発明に係る半導体基板の第二の実施の形態における構成を示す斜視図である。
図３に示すように、本発明に係る半導体基板の第二の実施の形態における構造は、半導体チップ（図示せず）が搭載される領域を形成するために設けられた主開口部５１と、係る主開口部５１に絶縁層１２がはみ出すことを抑制するためのダミー開口部１０１とを備えた金属箔１１と絶縁層１２とが積層されてなる一の積層体２と、係る一の積層体２の下面に金属箔１１と絶縁層１２とが順次積層されてなる他の積層体３とからなる。
また、前記一の積層体２及び他の積層体３は、金属箔１１及び絶縁層１２が積層されてなることは共通しているが、積層パターンと半導体チップ（図示せず）を搭載する領域を形成するための主開口部５１及びダミー開口部１０１が形成されているか否かとが異なる。
すなわち、本発明に係る半導体基板の第二の実施の形態における構造は、前述の第一の実施の形態の構造において、一の積層体２に形成された主開口部５１の周辺にダミー開口部１０１が形成されている。
【００４１】
図４は、本発明に係る半導体基板の第二の実施の形態における構成を示す図であり、図４（ａ）は上面図、図４（ｂ）は図４（ａ）のＢ−Ｂにおける断面図である。
図４（ａ）に示すように、上面の金属箔１１ａには主開口部５１がマトリクス状に配設され、これら主開口部５１の周りに主開口部５１と同様に形成されるダミー開口部１０１が一以上形成されている。
また、図４（ｂ）に示すように、ダミー開口部１０１は、主開口部５１と同じ深さに形成されていることが望ましい。
これは、このダミー開口部１０１は、プレス工程等において絶縁層１２が主開口部５１から圧出することを防ぐための貯留領域をなすものであるからで、半導体基板としての性能、すなわち配線等に影響を及ぼさない程度に大きさと分布を適宜設定することができる。
さらに、下面側の金属箔１１ｃはソルダーレジストによって分離され、前記金属箔１１ｂと導通する電極として機能する。
【００４２】
次に、本発明に係る半導体基板の製造方法の第二の実施の形態について図面を参照して以下に説明する。
図５は、本発明に係る半導体基板の製造方法の第二の実施の形態を示す断面図である。
図５（ａ）に示すように、まず、金属箔１１の下面に絶縁層１２を積層してプレス加工することにより一の積層体２を形成する。
次に、図５（ｂ）に示すように、主開口部５１が形成される領域に基づいてダミー開口部１０１を打ち抜き形成する。
次に、図５（ｃ）に示すように、一の積層体２に対して主開口部５１を打ち抜き形成する。
ここで、ダミー開口部１０１及び主開口部５１の打ち抜き形成は、一の積層体２を複数組重ね、まとめて行うことにより、歩留まりが向上する。
次に、図５（ｄ）に示すように、金属箔１１及び絶縁層１２を順次積層し、上面及び下面を金属箔１１とした他の積層体３を一の積層体２の下面に積層する。
この工程によって、前記ダミー開口部１０１及び主開口部５１によって他の積層体３の上面の金属箔１１ｂの一部が露出することになり、主開口部５１によって露出した領域が半導体チップの搭載領域となる。
次に、図５（ｅ）に示すように、金属箔１１をエッチング等によりパターン形成し、ソルダーレジストを塗布する。
その後、図５（ｆ）に示すように、ソルダーレジストを開口して、前記パターン形成によって分離された金属箔１１ｃ、すなわち電極を下面から露出させて完成する。
【００４３】
次に、本発明に係る半導体基板の製造方法の第三の実施の形態について図面を参照して以下に説明する。
図６は、本発明に係る半導体基板の製造方法の第三の実施の形態を示す断面図である。
まず、図６（ａ）に示す金属箔１１に対して、図６（ｂ）に示すように、主開口部５１が形成される領域に基づいてダミー開口部１０１を打ち抜き形成する。
次に、図６（ｃ）に示すように、金属箔１１の下面に絶縁層１２を積層してプレス加工することにより一の積層体２を形成する。
次に、図６（ｄ）に示すように、一の積層体２に対して主開口部５１を打ち抜き形成する。
ここで、ダミー開口部１０１の打ち抜き形成は、金属箔１１にダミー開口部１０１を形成する際（図６（ｂ）の工程時）、金属箔１１を複数組重ね、まとめて行うことにより、歩留まりが向上する。
また、主開口部５１の打ち抜き形成についても、一の積層体２に主開口部２を形成する際（図６（ｃ）の工程時）、一の積層体２を複数組重ね、まとめて行うことにより、歩留まりが向上する。
次に、図６（ｅ）に示すように、金属箔１１及び絶縁層１２を順次積層し、上面及び下面を金属箔１１とした他の積層体３を一の積層体２の下面に積層する。
この工程によって、前記主開口部５１によって他の積層体３の上面の金属箔１１ｂの一部が露出することになり、この主開口部５１によって露出した領域が半導体チップの搭載領域となる。
ここで、前述の第二の実施の形態では、ダミー開口部１０１が金属箔１１ｂを露出するように形成されていたが、本発明の第三の実施の形態では絶縁層１２をダミー開口部１０１が貫通していない。
次に、図６（ｆ）に示すように、金属箔１１をエッチング等によりパターン形成し、ソルダーレジストを塗布する。
その後、図６（ｇ）に示すように、ソルダーレジストを開口して、前記パターン形成によって分離された金属箔１１ｃ、すなわち電極を下面から露出させて完成する。
【００４４】
次に、本発明に係る半導体基板の第四の実施の形態について図面を参照して以下に説明する。
図７は、本発明に係る半導体基板の第四の実施の形態を示す上面図である。
本発明に係る半導体基板の第四の実施の形態においては、主開口部に対するダミー開口部の形成に限られることなく、主開口部の形状又はダミー開口部の形状を特徴としたものである。
すなわち、図７（ａ）に示すように、本発明に係る半導体基板の第四の実施の形態における主開口部５１の形状は、前述の第一の実施の形態における主開口部５１の形状のような矩形に対して内方に突出した突出部１０２を有する。
このような形状を主開口部５１が有することによって、主開口部５１自体が絶縁層１２の主開口部５１へのはみ出し（圧出）を軽減させることができる。
但し、この突出部１０２を有することによって確保される主開口部５１の開口領域は、半導体チップの搭載領域をもなすので、半導体チップの搭載を妨げない程度に突出部の形状及び大きさが制限される。
また、図７（ｂ）に示すように、図７（ａ）に示した形状の主開口部５１にダミー開口部１０１を形成することも可能であり、このような構成とすることによって絶縁層１２の主開口部５１への圧出の影響をさらに軽減させることができる。
さらに、図７（ｃ）に示すように、主開口部５１の周辺に形成されるダミー開口部１０１の形状についても、矩形ではなく、曲率をなす端面を有することが望ましく、その端面は主開口部５１に遠い側の端面であることによって、より絶縁層１２の圧出の方向を主開口部５１の形成方向とは別な方向に逃がすことができる。
加えて、図７（ａ）の主開口部の形状と図７（ｃ）のダミー開口部の形状とから、図７（ｄ）に示すような突出部１０２を備えた主開口部５１及び曲率をなす端面を有するダミー開口部１０１の形状としても良い。
また、この突出部１０２の端面は曲率を有する形状をなすだけでなく、連続した曲面、すなわち波状とすることによって、圧出による影響をさらに軽減することができる。
さらに、本発明に係る半導体基板の実施の形態におけるダミー開口部１０１の形状については、主開口部５１の周辺において隣接するダミー開口部１０１が相互に連結されていても良い。
【発明の効果】
【００４５】
以上説明したように、本発明に係る半導体基板及びその製造方法によれば、金属箔及び絶縁層からなる半導体基板を、予め開口部を設けた一の積層体とその一の積層体の下面に積層される他の積層体とに分けて製造していることから、開口部を形成する際の時間を大幅に短縮し、歩留まりが向上する。
また、一の積層体と他の積層体とに分けて製造しているため、開口部の形成は一の積層体に対する簡易なプレス加工とすることができ、積層される金属箔及び絶縁層のさらなる薄型化を実現することができる。
さらに、ダミーの開口部を主開口部の周辺に設けることによって、予め開口部を設けることによってプレス時に開口部へ絶縁層がはみ出てしまうことを未然に防ぐことができる。
加えて、主開口部及びダミー開口部の形状を、主開口部に絶縁層がはみ出さないような形状とすることによって、歩留まりを向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る半導体基板の第一の実施の形態における構成を示す図である。
【図２】本発明に係る半導体基板の製造方法の第一の実施の形態を示す断面図である。
【図３】本発明に係る半導体基板の第二の実施の形態における構成を示す図である。
【図４】本発明に係る半導体基板の第二の実施の形態における構成を示す図である。
【図５】本発明に係る半導体基板の製造方法の第二の実施の形態を示す断面図である。
【図６】本発明に係る半導体基板の製造方法の第三の実施の形態を示す断面図である。
【図７】本発明に係る半導体基板の第四の実施の形態における構成を示す上面図である。
【図８】従来における半導体基板の構成を示す図である。
【図９】従来における半導体基板の製造方法を示す図である。
【符号の説明】
１．半導体基板
２．一の半導体基板
３．他の半導体基板
１１．金属箔
１２．絶縁層
５１．主開口部
１０１．ダミー開口部
１０２．突出部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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