(57)【要約】【課題】耐久性が高く、かつ面積歩留りの向上を通じて製造コストを低減することができるＺｎＳｅ系ＬＥＤおよびその製造方法を提供する。【解決手段】ＬＥＤのパターンが形成されたＺｎＳｅエピタキシャルウエハ表層に、ＬＥＤ領域の境界に沿ってダイヤモンド針４１によりけがき傷３１，１１ｂを入れる工程と、けがき傷１１ｂの底部に引張応力が付加されるようにして、けがき傷に沿ってＺｎＳｅエピタキシャルウエハにへき開破面１１ａを形成してＺｎＳｅ系ＬＥＤ１０を個片化する工程とを備える。【選択図】　　　　図６
2004063489.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＺｎＳｅ基板上に、ＺｎＳｅを母材とする混晶化合物からなるエピタキシャル発光層を形成したＺｎＳｅ系発光ダイオード（ＬＥＤ：Ｌｉｇｈｔ　Ｅｍｉｔｔｉｎｇ　Ｄｉｏｄｅ）の製造方法であって、
ＺｎＳｅウエハの上に複数のＬＥＤの電極パターンを形成する工程と、
前記ＬＥＤの電極パターンが形成されたＺｎＳｅウエハ表層に、隣接する前記ＺｎＳｅ系ＬＥＤの境界に沿って針状体によりけがき傷を入れる工程と、
前記けがき傷の底部に引張応力が付加されるようにして、前記けがき傷に沿って前記ＺｎＳｅウエハをへき開して前記ＺｎＳｅ系ＬＥＤを個片化する工程とを備える、ＺｎＳｅ系ＬＥＤの製造方法。
【請求項２】
前記ＺｎＳｅウエハをへき開する工程では、前記けがき傷が入れられたＺｎＳｅウェハ表面において前記けがき傷をはさむように支持具で支持し、前記ＺｎＳｅウエハ裏面側から刃状体により前記けがき傷に沿うように前記けがき傷に対応する位置を前記表面側に向って押圧することによりへき開させる、請求項１に記載のＺｎＳｅ系ＬＥＤの製造方法。
【請求項３】
前記けがき傷を入れる際に、前記針状体に５〜２５ｇｆの範囲の荷重をかけ、かつ前記針状体の送り速度を１〜４０ｍｍ／秒の範囲とする、請求項１または２に記載のＺｎＳｅ系ＬＥＤの製造方法。
【請求項４】
前記ＺｎＳｅウエハの裏面を前記刃状体によって押圧する際、前記刃状体が前記ＺｎＳｅウエハ裏面に交差する方向に０．０２〜２．０ｍｍ／秒の範囲の速度で押圧する、請求項１〜３のいずれかに記載のＺｎＳｅ系ＬＥＤの製造方法。
【請求項５】
前記ＺｎＳｅウエハの上に形成されるＬＥＤの電極パターンは、隣接する前記ＺｎＳｅ系ＬＥＤの境界を含み、両方のＬＥＤにまたがって帯状の金属層の電極であり、前記けがき傷を入れる工程では前記帯状の金属層電極の上からその金属層を含めて前記ＺｎＳｅウェハに前記けがき傷を入れる、請求項１〜４に記載のＺｎＳｅ系ＬＥＤの製造方法。
【請求項６】
ＺｎＳｅ基板上に、ＺｎＳｅを母材とする混晶化合物からなるエピタキシャル発光層を形成したＺｎＳｅ系発光ダイオード（ＬＥＤ：Ｌｉｇｈｔ　Ｅｍｉｔｔｉｎｇ　Ｄｉｏｄｅ）、
その側端面が、大部分、ＺｎＳｅ｛０１１｝へき開面で構成されている、ＺｎＳｅ系ＬＥＤ。
【請求項７】
前記ＬＥＤの側端面において、前記エピタキシャル発光層側表面にけがき跡を有する、請求項６に記載のＺｎＳｅ系ＬＥＤ。
【請求項８】
前記けがき傷が前記ＬＥＤの表面に位置する格子状電極を、その外縁側において取り囲むように形成されている、請求項６または７に記載のＺｎＳｅ系ＬＥＤ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ＺｎＳｅ系ＬＥＤおよびその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
高輝度の発光ダイオード（ＬＥＤ）には、赤色用のＡｌＧａＡｓやＧａＡｓＰ、黄緑色用のＧａＰ、橙色または黄色用のＡｌＧａＩｎＰ等が用いられる。これらはいずれも導電性基板上に形成されたＬＥＤであり、図１３に示すような構造のＬＥＤから構成される。これらＬＥＤ１１０では、半導体基板１０１の上にエピタキシャル発光層１０４が形成され、その上に、例えばドット状電極１２１が形成されている。この構造のＬＥＤに対し、低コストの量産プロセスが確立している。以下の、従来の量産プロセスについて説明する。
【０００３】
図１４（ａ）では、半導体基板の上にＬＥＤを形成するエピタキシャル発光層が形成される。エピタキシャル発光層の各ＬＥＤ領域の上には電極パターンが設けられる。この後、図１４（ｂ）に示すように、外周刃１３０が配置されたダイシング装置により、ＬＥＤを切り出して個片化する。図１４（ｃ）に、個片化されたＬＥＤ１１０を示す。
【０００４】
上記のような、外周刃を用いるダイシング法による個片化法の他に、次のような個片化法もある。青色光または緑色光を発光することができるＧａＩｎＮ系ＬＥＤでは、基板に絶縁性が高く、硬度が非常に高いサファイア基板を用いている。このため、ダイヤモンド針を用いたスクライブ法によるけがき傷の導入と、それに続く外周刃によるダイシング法とを併用する工程が採用されている場合もある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
本発明者らは、自己発光中心（ＳＡ：Ｓｅｌｆ−Ａｃｔｉｖａｔｅｄ）を含み可視域で透明のｎ型ＺｎＳｅ基板を用いた、白色発光用ＬＥＤの開発に取組んできた（特許第３０８７７４２号、第３０８７７４３号）。
【０００６】
しかし、ＺｎＳｅは、他のＬＥＤ用の化合物半導体材料に比べて、硬度が低く脆いという欠点がある。この脆いという特性は、特に、エピタキシャル発光層が形成されたウェハからＬＥＤを個片化する工程に大きな影響を与える。すなわち、ＺｎＳｅウェハを通常のＬＥＤと同様に、ダイシング装置を用い外周刃によりダイシングして個片化すると、ＺｎＳｅ系ＬＥＤの発光構造に回復不可能なダメージが導入される。
【０００７】
図１５にダイシング装置で個片化したＺｎＳｅ系ＬＥＤの発光分布を上方から観察したものを示す。ＬＥＤ端面から５０ないし１００μｍ幅の範囲に暗線欠陥（ＤＬＤ：Ｄａｒｋ　Ｌｉｎｅ　Ｄｅｆｅｃｔ）が現れ、ＬＥＤ素子が劣化していることがわかる。また、ＬＥＤ端面には、１０μｍ程度の欠けが全領域で発生する。さらにダイシングの場合、外周刃の厚みが最小でも１５μｍ程度あることから、切断することにより２０〜３０μｍ幅の領域が取り代として消滅する。このことはウェハからＬＥＤへ個片化する際の歩留りに重大な影響を与える。
【０００８】
上記のように、ＺｎＳｅ系ＬＥＤにおいては、他のＬＥＤの製造プロセスで一般的なダイシング装置によるＬＥＤの個片化は適用できないことがわかった。このためＬＥＤの劣化を引起さず、かつ面積歩留りのよい安価なＬＥＤ個片化方法の開発が課題となっていた。
【０００９】
本発明は、製造途中でＬＥＤにダメージを与えず、かつ面積歩留りのよい安価なＺｎＳｅ系ＬＥＤおよびその製造方法を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明のＺｎＳｅ系ＬＥＤの製造方法は、ＺｎＳｅ基板上に、ＺｎＳｅを母材とする混晶化合物からなるエピタキシャル発光層を形成したＺｎＳｅ系ＬＥＤの製造方法である。このＬＥＤの製造方法は、ＺｎＳｅウエハの上に複数のＬＥＤの電極パターンを形成する工程と、電極パターンが形成されたＺｎＳｅウエハ表層に、隣接するＺｎＳｅ系ＬＥＤの境界に沿って針状工具によりけがき傷を入れる工程とを有する。この製造方法は、さらにけがき傷の底部に引張応力が付加されるようにして、けがき傷に沿ってＺｎＳｅウエハをへき開してＺｎＳｅ系ＬＥＤを個片化する工程を備える。
【００１１】
ＺｎＳｅ系デバイスは、通常の場合、（１００）面上または（１００）面からの微傾斜面にデバイス構造を形成する。（１００）面を表面とするＺｎＳｅ単結晶においては、ＧａＡｓ等の他の化合物半導体と同様に、この（１００）面に直交する（０１１）面および（０，１，−１）面がへき開性を有する。この両方の等価な面（０１１）および（０，１，−１）を｛０１１｝で表す。一般に、へき開面が現れるように結晶を割った場合、結晶は非常に容易に割れるともに、割れる際の歪みがへき開面以外の部位に及ばない。つまりＺｎＳｅ系ＬＥＤの個片化をすべてへき開で行なうことができれば、へき開面から離れた位置ではダメージが一切入らない。
【００１２】
実際問題として、ＬＥＤはサイズが一定であることが求められ、各ＬＥＤ領域が繰り返し形成された電極等のパターンがＺｎＳｅ基板の上に形成される。このため、隣接するＬＥＤ領域の任意の境界に沿って、へき開を生じさせる手段を考える必要がある。ＺｎＳｅの場合、上述のように、脆いので、あるきっかけを与えて正しい方向に力を加えると、容易にへき開が起こることが判明した。ここでいうきっかけとは、ウエハ表面に付けた微小な傷を意味し、たとえばダイヤモンド針を用いたスクライブ装置で入れたけがき傷などを挙げることができる。また正しい方向に加える力とは、前記のけがき傷を起点として（１００）面に垂直な方向に力をかけることを意味し、たとえば前記傷をはさむように表面側に治具を配置し、裏面側からけがき傷の位置に沿って刃状体を押し当てるという切り方が望ましい。
【００１３】
このへき開法によって個片化を実施すれば、ＺｎＳｅ系ＬＥＤの端面は、大部分がへき開面である（０１１）面と（０，１，−１）面で構成されるため、端面から離れた位置にダメージが入ることはなくなる。このため、個片化による素子特性の劣化を抑えることができる。さらにへき開法においては、ダイシング法のような取り代が必要ないので、面積歩留りは大きくなる。この結果、低コストで高性能の青色光、緑色光または白色光を発光するＺｎＳｅ系ホモエピタキシャルＬＥＤを作製することができる。
【００１４】
上記のＺｎＳｅウエハをへき開する工程では、けがき傷が入れられたＺｎＳｅウェハ表面においてけがき傷をはさむように支持具で支持し、ＺｎＳｅウエハ裏面側から刃状体によりけがき傷に沿うようにけがき傷に対応する位置を表面側に向って押圧することによりへき開させるのがよい。
【００１５】
この方法により、隣接するＬＥＤの境界に沿って入れられたけがき傷に沿って確実にへき開を生じることができる。
【００１６】
また、上記のけがき傷を入れる際に、針状体に５〜２５ｇｆの範囲の荷重をかけ、かつ針状体の送り（けがき）速度を１〜４０ｍｍ／秒の範囲とするのがよい。
【００１７】
針状体に５ｇｆ未満の荷重をかけたのでは、十分深いけがき傷を得ることができず、へき開割れを起こすことができない。また、２５ｇｆを超える荷重をかけるとＬＥＤの内側領域にもダメージが入る。このため、針状体にかける荷重は５〜２５ｇｆの範囲とする。また、針状体の送り速度を１ｍｍ／秒未満とすると製造能率が低下し実用化しにくい。一方、４０ｍｍ／秒を超えると針飛びが生じ、ウェハ内に未へき開部分を生じる。このため、針状体の送り（けがき）速度は、１〜４０ｍｍ／秒の範囲とする。
【００１８】
上記のＺｎＳｅウエハの裏面を刃状体によって押圧する際、刃状体がＺｎＳｅウエハ裏面に交差する方向に０．０２〜２．０ｍｍ／秒の範囲の速度で押圧するのがよい。
【００１９】
０．０２ｍｍ／秒未満の速度で押圧するのでは、へき開するのに時間がかかり過ぎ製造能率を低下させる。一方、２．０ｍｍ／秒を超える速度で押圧すると、けがき傷に確実に沿ったへき開のみならず、けがき傷から外れた部位でへき開する頻度が高くなる。このため、押圧部材をウエハ面に押し付ける速度は、０．０２〜２．０ｍｍ／秒の範囲とする。
【００２０】
上記のＺｎＳｅウエハの上に形成されるＬＥＤの電極パターンは、隣接するＺｎＳｅ系ＬＥＤの境界を含み、両方のＬＥＤにまたがって帯状の金属層の電極であり、けがき傷を入れる工程では帯状の金属層電極の上からその金属層を含めてＺｎＳｅウェハにけがき傷を入れるのがよい。
【００２１】
上記の方法によれば、金属膜の上からけがき傷を入れることになる。このため、針状体により、スムースにＺｎＳｅエピタキシャル発光層およびその下のＺｎＳｅ基板にけがき傷を入れることができるようになる。この結果、針飛びなどの防止することが可能となる。
【００２２】
本発明のＺｎＳｅ系ＬＥＤは、ＺｎＳｅ基板上に、ＺｎＳｅを母材とする混晶化合物からなるエピタキシャル発光層を形成したＬＥＤである。そして、ＬＥＤの側端面が、大部分、ＺｎＳｅ｛０１１｝へき開面で構成されている。
【００２３】
端面がへき開面で構成されているので、ダメージがＬＥＤ領域にまで入り込まない。このため、出射面の全域にわたって十分な光量を出射することができる。上記のへき開面は上記の面指数（０１１）および（０，１，−１）をＸ線回折法で確認できるほか、肉眼でへき開面特有の平滑な鏡面やリバーパターン、ほとんど塑性変形を伴なわずに直交する側面などを観察することにより確認することができる。
【００２４】
上記のＬＥＤの側端面において、エピタキシャル発光層側表面にけがき跡を有しているのがよい。このけがき跡により、意図したＬＥＤ境界に沿ってへき開を生じさせることができる。
【００２５】
また、上記のけがき傷がＬＥＤの表面に位置する格子状電極を、その外縁側において取り囲むように形成されているのがよい。
【００２６】
格子状電極を形成する金属膜の上からけがき傷を形成することにより、針飛びが無くスムースにけがき傷を入れることができる。このため、製造能率を高め、かつ製造歩留りを向上させることができる。
【００２７】
【発明の実施の形態】
次に図面を用いて実施の形態について説明する。
【００２８】
（実施の形態１）
図１は、本発明の実施の形態１におけるＺｎＳｅ系ＬＥＤ１０を示す模式図である。また、図２は、図１のＺｎＳｅ系ＬＥＤの側端面の形態を示す側面図である。図１において、アルミニウムをドープしたｎ型ＺｎＳｅ（１００）基板１上に、発光ピーク波長が４８５ｎｍであるような青色の発光構造を、ホモエピタキシャル技術を用いて、ＭＢＥ法により形成する。本エピタキシャル発光構造は、ｐ型にドープされたＺｎＴｅとＺｎＳｅの積層超格子構造からなるｐ型コンタクト層６、ｐ型にドープされたＺｎ０．８５Ｍｇ０．１５Ｓ０．１０Ｓｅ０．９０層からなるｐ型クラッド層５、ＺｎＳｅ層とＺｎＣｄＳｅ層の積層構造からなる多重量子井戸活性層４、ｎ型にドープされたＺｎ０．８５Ｍｇ０．１５Ｓ０．１０Ｓｅ０．９０層からなるｎ型クラッド層３より形成される。クラッド層３とｎ型ＺｎＳｅ基板１との間には、ｎ型ＺｎＳｅバッファ層２を介在させる。コンタクト層６上に、Ｔｉ／Ａｕからなるドット状のパターンｐ型電極２１ａを形成し、さらに２０ｎｍ以下の厚みからなる全面薄膜Ａｕ膜電極２１ｂを形成し、基板裏面側にはＩｎ膜からなるｎ型電極２２を形成する。
【００２９】
図２において、ＺｎＳｅ系ＬＥＤ１０の端面１１を示す。端面１１は、スクライバで表面側に入れたけがき傷１１ｂと、そのけがき傷の底を起点として下方に進展したへき開割れ破面１１ａとから形成されている。へき開破面１１ａは、例えば紙面が（０１１）面となっている。これに直交する側端面は（０，０，−１）である。滑らかな破面と破面との間には、リバーパターン１５と呼ばれる段差のついた模様が生成している。これは、スクライブ傷の方向がへき開面の方向と完全に一致していない場合に現れる。けがき傷の深さはとくに限定する必要はない。発光層はエピタキシャル層であるので、へき開面はＺｎＳｅ基板と共通である。このため、けがき傷の底がエピタキシャル膜内に止まっていてもよいし、また、ＺｎＳｅ基板内にまで入っていてもよい。へき開を生じやすい点からは、けがき傷の底がＺｎＳｅ基板内にまで入っていることが望ましい。
【００３０】
次に、図３〜図９を用いてＺｎＳｅ系ＬＥＤの製造方法について説明する。まず、エピタキシャル発光構造および電極を形成後のエピタキシャルウェハの基板厚みを２００μｍまで薄膜化する。この後、４００μｍ×４００μｍ角のサイズに個片化する。このために、図３（ａ）に示すように、エピタキシャルウェハのエピタキシャル層表面に、スクライバによりけがき傷３１を入れる。けがき針としては３ポイントのダイヤモンド針４１を使用し、針にかける荷重は１５ｇｆに設定した。また、けがき針の走行速度であるカットスピードは１０ｍｍ／秒とした。図３（ｂ）は、（ａ）におけるＩＩＩＢ−ＩＩＩＢ線に沿う断面図である。上記のけがきにより、エピタキシャルウェハの表層部にＶ字状の溝が形成されている。Ｖ字状の溝の深さは任意であるが、後記するへき開を生じさせる際に、容易にへき開が生じる深さと、Ｖ字溝底部における鋭さを有する必要がある。
【００３１】
図４（ａ）は、ＺｎＳｅ系ＬＥＤの領域の境界に沿ってけがき傷を入れた後のエピタキシャルウェハを示す図である。ＺｎＳｅ系ＬＥＤは平面的に四辺形であり、けがき傷は、へき開面である（０１１）面と（０，１，−１）面に沿うように入れてある。このけがき傷の入ったエピタキシャルウェハを、図４（ｂ）および図５に示すように、ブレーキング装置によりへき開する。ブレーキング装置としては、エピタキシャルウェハ表面側に治具４４を押し当て、エピタキシャルウェハ裏面側から刃状体４３を当てるタイプのものを用いた。刃状体４３を押し当て、上に移動する速度は、０．１ｍｍ／秒とした。この方法により、エピタキシャルウェハの欠け等を発生することなく、ＬＥＤ１０を切出すことができる。
【００３２】
図６は、ＺｎＳｅ系ＬＥＤの斜視図である。エピタキシャル発光層が形成されている面は（１００）面であり、その上面に、ドット状のパターンｐ型電極２１ａが形成される。側面の一方は、へき開面１１ａである（０１１）面であり、それと直交する側面は、やはりへき開面の（０，１，−１）面である。これら側面の上部には、へき開の起点となったけがき傷１１ｂが形成されている。
【００３３】
本実施の形態に示した製造方法により個片化を実施すれば、ＺｎＳｅ系ＬＥＤの端面は、大部分がへき開面である（０１１）面と（０，１，−１）面で構成される。このため、端面から離れた位置にダメージが入ることがなくなる。このため、個片化による素子特性の劣化を抑えることができる。さらにへき開法においては、ダイシング法のような取り代が必要ないので、面積歩留りは大きくなる。この結果、低コストで高性能の青色光、緑色光または白色光を発光するＺｎＳｅ系ＬＥＤを作製することができる。
【００３４】
（実施例１−ＬＥＤの輝度半減測定−）
上記本発明のＺｎＳｅ系ＬＥＤを実装基体に実装して、電流注入により発光の様子を観察した。観察によれば、へき開に起因する欠陥は一切観察することができなかった。また、比較のために、ダイシング法でエピタキシャルウェハを切り出して、ＺｎＳｅ系ＬＥＤを製造した。これら本発明例のＬＥＤおよび比較例のＬＥＤに、５ｍＡの定電流を流し、輝度半減寿命を測定した。結果を表１に示す。
【００３５】
【表１】
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【００３６】
比較例のＬＥＤの場合には、寿命は約１０時間程度であった。一方、本発明例のＬＥＤでは、高輝度の白色の発光が得られ、輝度半減寿命は１００００時間以上と良好な特性であった。本発明例では比較例に比べて、実に１０００倍の寿命が得られている。
【００３７】
（実施例２−製造条件の確認−）
（１）けがき針であるダイヤモンド針にかける荷重
図３（ａ）に示すように、ダイヤモンド針によってけがき傷を入れる際、ダイヤモンド針にかける荷重について検討した。ダイヤモンド針にかける荷重を５ｇｆ未満にして、後の工程におけるＬＥＤ個片化の不良率を測定した。その結果、ダイヤモンド針にかける荷重を５ｇｆ未満にすると、個片化不良率１０％以上になることが判明した。不良率１０％以上では、実用化はほとんど不可能である。不良の原因は、ほとんどの場合、へき開を生じさせる際に、割れないことであった。
【００３８】
一方、ダイヤモンド針にかける荷重を２５ｇｆを超えるようにすると、ＬＥＤにダメージが入り、出射面における光量分布がばらつき、かつ輝度半減時間も大きく劣化した。これらの不良原因により不良になったＬＥＤの不良率は５％以上であった。この不良率は、実用化にあたって製造歩留りを低下させ、製品コストを押し上げることになる。
【００３９】
（２）けがき速度およびへき開時の刃状体押し上げ速度
けがき針のけがき速度について検討を行った。けがき速度が１ｍｍ／秒未満の場合、生産性、とくに量産性が劣化し、実用上大きな問題となる。一方、けがき速度が４０ｍｍ／秒を超える場合には、針飛びが生じて未へき開部位が現れ、その結果、不良率５％以上となる。したがって、けがき速度は、１〜４０ｍｍ／秒の範囲で行うことがよいことを確認することができた。
【００４０】
また、へき開時の刃状体押し上げ速度が、０．０２ｍｍ／秒未満の場合、生産性、とくに量産性が低下する。一方、刃状体押し上げ速度が２ｍｍ／秒を超える場合、意図しない位置でのへき開を生じることが多くなる。これらの原因により不良になったＬＥＤの不良率は５％以上であった。
【００４１】
（実施の形態２）
本発明の実施の形態２では、エピタキシャルウェハの表面に格子状電極となる帯状の金属膜を格子状に形成し、その金属膜の上からけがき傷を入れることに特徴がある。図７は、ＺｎＳｅエピタキシャルウェハの上に帯状金属膜１７を格子状に形成した状態を示す図である。図８は帯状金属膜１７のダイヤモンド針でけがき傷３１を導入した状態の断面図である。図９に示すように、けがき傷３１は、帯状金属膜１７の幅中央に入れられている。ダイヤモンド針でけがき傷を入れる際、帯状金属膜の幅中央に沿って入れると針飛び現象が起きず、製品歩留りを劣化させることがない。帯状金属膜の最表面にはＡｕ膜を用いるのがよい。
【００４２】
図１０は、上記の製造方法によって製造された格子状電極１７を有するＺｎＳｅ系ＬＥＤを示す図である。図１０において、エピタキシャル発光層の上に位置するｐ型電極が、格子状電極１７であることに特徴がある。なお、格子状電極１７の直下部のｐ型コンタクト層６は除去してあり、素子全体の表面には２０ｎｍ以下の厚みの全面薄膜Ａｕ電極１８が形成してある。図１０において、端面におけるけがき傷１１ｂの底はクラッド層５内に位置するように描いているが、クラッド層５内に位置することは必要なく、へき開が容易に生じる深さがあればどこに位置していてもよい。格子状金属膜の上からけがき傷を入れることにより、針飛び現象を防止できる。
【００４３】
図１１は、上記の方法により作製したＺｎＳｅ系ＬＥＤの端面の状態を示す図である。図１１に示すＬＥＤでは、格子状電極の外周面はけがき傷によって形成されている。その他の部分の構成は、図２と同じである。
【００４４】
上記のように、格子状電極を形成する金属膜の上からけがき傷を形成することにより、製造能率を高め、かつ製造歩留りを向上させることができる。
【００４５】
（実施例）
上記本実施の形態２に示した製造方法を用いて、ＺｎＳｅ系ＬＥＤを測定した。本発明例Ａでは、蒸着により格子状電極に、（チタン５０ｎｍ／金１００ｎｍ）の２層膜を形成し、その上からダイヤモンド針によりスクライブした。このとき針飛び現象が生じることはほとんどなかった。またダイヤモンド針がツイン等の欠陥に遭遇して針飛び現象が生じても、針が飛んでも落ちた場所には（チタン５０ｎｍ／金１００ｎｍ）の２層膜があるので、この膜のバッファ効果により、ＺｎＳｅ系ＬＥＤが受けるダメージは小さいものに限定される。
【００４６】
一方、本発明例Ｂでは、実施の形態１と同様に格子状電極膜を設けずにけがき傷を形成した。この場合、本発明例Ａと同様の条件でけがき傷を入れたにもかかわらず、図１２に示すように、端部に暗線欠陥（ＤＬＤ：Ｄａｒｋ　Ｌｉｎｅ　Ｄｅｆｅｃｔ）と呼ばれる欠陥が入った。これは、ダイヤモンド針がツインや大型凸状欠陥などの特定の欠陥に遭遇すると針飛び現象が生じ、ダイヤモンド針が落下した位置で大きなダメージが生じたことによる。
【００４７】
上記の本発明例ＡおよびＢについて、製品不良率および輝度半減寿命の両方を測定した。結果を表２に示す。
【００４８】
【表２】
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【００４９】
表２によれば、本発明例Ｂでは、常温（ＲＴ）で電流５ｍＡの条件下で平均寿命は１００００時間であり、また、製品不良率０．８％であった。一方、本発明例Ａでは、平均寿命は１５０００時間と、５０％も向上することが分る。製品不良率も０．０２％と、本発明例Ｂの１／４０に減少している。この結果、格子電極上からスクライブしてへき開させることにより、製品の耐久性および信頼性を高め、製造歩留りの向上を通じて製品コストを下げることが分る。
【００５０】
上記において、本発明の実施の形態について説明を行ったが、上記に開示された本発明の実施の形態は、あくまで例示であって、本発明の範囲はこれら発明の実施の形態に限定されない。本発明の範囲は、特許請求の範囲の記載によって示され、さらに特許請求の範囲の記載と均等の意味および範囲内でのすべての変更を含むものである。
【００５１】
【発明の効果】
本発明のＺｎＳｅ系ＬＥＤおよびその製造方法を用いることにより、ＺｎＳｅ系ＬＥＤの劣化を引起さず、かつ面積歩留りの向上を通じて製造コストを低下させることができるＺｎＳｅ系ＬＥＤおよびその製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態１におけるＺｎＳｅ系ＬＥＤを示す図である。
【図２】図１に示すＺｎＳｅ系ＬＥＤの端面を示す図である。
【図３】（ａ）はダイヤモンド針によりエピタキシャルウェハにけがき傷を入れている状態を示す図であり、（ｂ）はその断面図である。
【図４】（ａ）は縦横にけがき傷を入れた状態を示す図であり、（ｂ）はその断面図である。
【図５】へき開割れを生じさせる状態を示す図である。
【図６】スクライブ−ブレーキングによって製造されたＺｎＳｅ系ＬＥＤの斜視図を示す図である。
【図７】本発明の実施の形態２のＺｎＳｅ系ＬＥＤの製造において、エピタキシャルウェハ上に格子電極用の帯状金属膜を形成した状態を示す図である。
【図８】帯状金属膜の上からけがき溝を形成した状態の断面図である。
【図９】帯状金属膜の上からけがき溝を形成した状態の平面図である。
【図１０】本発明の実施の形態２におけるＺｎＳｅ系ＬＥＤを示す図である。
【図１１】図１０に示すＺｎＳｅ系ＬＥＤの端面を示す図である。
【図１２】本発明例ＢのＺｎＳｅ系ＬＥＤの製造において、けがき溝から暗線欠陥が発生している状態を示す図である。
【図１３】従来のＺｎＳｅ系ＬＥＤを示す斜視図である。
【図１４】ダイシング法によってエピタキシャルデバイスを製造する方法を説明する図であり、（ａ）は半導体基板をエッチングなどによって所定の厚みにする工程を示し、（ｂ）はダイシング装置の外周刃により切断している状態を説明する図であり、（ｃ）はダイシングにより個片化されたＬＥＤを示す図である。
【図１５】ダイシングにより個片化されたＬＥＤに発生した暗線欠陥を示す図である。
【符号の説明】
１　ｎ型ＺｎＳｅ基板、２　ｎ型ＺｎＳｅバッファ層、３　ｎ型クラッド層、４　多重量子井戸活性層、５　ｐ型クラッド層、６　ｐ型コンタクト層、１０　ＬＥＤ、１１　端面、１１ａ　へき開面、１１ｂ　けがき傷、１７　帯状金属膜、１８　薄膜Ａｕ膜、２１ａ　ドット電極、２１ｂ　薄膜Ａｕ膜、２２　裏面電極、３０　エピタキシャルウェハ、３１　けがき傷、４１　ダイヤモンド針、４３　刃状体、４４　表面治具。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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