(57)【要約】【課題】プラズマ処理によって形成された金属化合物層を有する光学フィルムが、高温高湿条件下、サイクル処理または長時間処理をおこなっても安定した優れた耐久性能を持ち、低反射率で且つ色むらの低減された性能を示すようにすると共に、その光学フィルムを用いて高温高湿条件下でも安定な偏光板、画像表示装置も提供出来るようにする。【解決手段】プラスチックの基材シートの少なくとも片方の面に、各々の膜厚が０．５μｍ以上の少なくとも２層の活性線硬化樹脂層を有し、少なくとも下層の活性線硬化樹脂層は可塑剤を含有し、上層の活性線硬化樹脂層の上に直接又は他の層を介して主に窒素を含有する大気圧近傍のガス雰囲気下でプラズマ処理によって形成された金属化合物層を有することを特徴とする光学フィルム。【選択図】        図７
2004203009.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラスチックの基材シートの少なくとも片方の面に、各々の膜厚が０．５μｍ以上の少なくとも２層の活性線硬化樹脂層を有し、少なくとも下層の活性線硬化樹脂層は可塑剤を含有し、上層の活性線硬化樹脂層の上に直接又は他の層を介して主に窒素を含有する大気圧近傍のガス雰囲気下でプラズマ処理によって形成された金属化合物層を有することを特徴とする光学フィルム。
【請求項２】
前記光学フィルムが分子内に３個以上の芳香族環を有する化合物を含有することを特徴とする請求項１に記載の光学フィルム。
【請求項３】
プラスチックの基材シートの少なくとも片方の面に、各々の膜厚が０．５μｍ以上の少なくとも２層のハードコート層の性能を有する活性線硬化樹脂層を形成させ、更にその上に直接又は他の層を介して主に窒素を含有する大気圧近傍のガス雰囲気下でプラズマ処理によって金属化合物層を形成させることを特徴とする光学フィルムの製造方法。
【請求項４】
前記プラズマ処理が対向する少なくとも２つの電極との間に窒素を主成分とするガスを供給し、該第１電極と該第２電極との間に高周波電圧を印加することにより前記ガスを励起し、活性線硬化樹脂層が施された前記基材シートを励起された該ガスに晒すことにより該基材シートに施した活性線硬化樹脂層上に金属化合物層を形成させるものであり、該高周波電圧が、第１の周波数ω１の電圧成分と、該第１の周波数ω１より高い第２の周波数ω２の電圧成分とを有することを特徴とする請求項３に記載の光学フィルムの製造方法。
【請求項５】
前記ハードコート層として可塑剤を含有する活性線硬化樹脂層を形成した後、巻き取ることなく２層目の活性線硬化樹脂層を設け、更にその上に直接又は他の層を介して主に窒素を含有する大気圧近傍のガス雰囲気下でプラズマ処理によって２層以上の金属化合物層を連続的に形成させることを特徴とする請求項３又は４に記載の光学フィルムの製造方法。
【請求項６】
請求項１又は２に記載の光学フィルムを有することを特徴とする偏光板。
【請求項７】
請求項１又は２に記載の光学フィルムを有することを特徴とする表示装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、プラスチックフィルム特にセルロースエステルフィルムに複数のハードコート層を設け、その上に大気圧もしくはその近傍の圧力下のプラズマ処理により金属化合物薄膜を形成させた光学フィルム及びその製造方法に関する。更にこれらの光学フィルムから作製される偏光板及び表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、パーソナルコンピューター、ワードプロセッサー、時計や電卓等に使用される液晶ディスプレイ、プラズマディスプレイ、有機ＥＬ等は過酷な環境下で使用されることが多くなって来ている。従って、液晶ディスプレイ等の表示装置に用いられる偏光板、偏光板用保護フィルム、位相差フィルム、反射防止フィルム、帯電防止フィルム、透明導電フィルム、プラズマディスプレイパネル用前面フィルター、無機ＥＬパネルあるいは有機ＥＬパネル用前面フィルム等の光学フィルムについても、当然過酷な環境下でも特性が変化しないよう、例えば、高温高湿下で劣化のないことや寸法安定性に優れていることなどの耐久性が要求される。
【０００３】
従来、このような高機能性の薄膜の形成方法は、塗布に代表される塗膜硬化法か、あるいは、スパッタリング法、真空蒸着法、イオンプレーティング法等の真空を用いた乾式薄膜形成法等によってなされていた。
【０００４】
上記真空を用いた乾式薄膜形成法は、高精度の薄膜が形成出来るため、高性能の薄膜を形成するには好ましい方法である。しかし、乾式薄膜形成法に用いる真空装置は、被処理基材が大きくなると、装置が非常に大型化し、値段も高額になる他、真空排気にも膨大に時間を費やし、生産性が上げられないデメリットが大きい。
【０００５】
上記、真空装置を用いることによる低生産性のデメリットを克服する方法として、大気圧または大気圧近傍の圧力下で放電し、反応性ガスをプラズマ励起し、基材上に薄膜を形成する方法として、大気圧プラズマ法が知られている。
【０００６】
上記のような高機能な薄膜を載せる基材としては従来セルローストリアセテート（以降略してＴＡＣとすることがある）フィルムが良好な光透過性及び小さい複屈折を有することなどの利点から用いられて来た。
【０００７】
一方、表示装置に使用される偏光板はＴＡＣフィルムである偏光板用保護フィルムと偏光膜を貼り合わせて出来ているが、吸水し易い偏光膜をカバーする偏光板用保護フィルムの性質が偏光板の特性に影響を与え、カーナビゲーションのように車内で高温高湿に曝されることによる耐久性が問題となっている。また、一般に使用されている表示装置についても経時での同様な劣化現象が見られる。従って、偏光板用保護フィルムは、上述の高温高湿下で劣化のないことや寸法安定性に優れていることなどの良好な耐湿耐熱性が当然要求される。ＴＡＣフィルムの偏光板用保護フィルムには、フィルムに適度な柔軟性を付与するために、ＴＡＣフィルム中にリン酸エステル等の可塑剤が含有されている。しかしながら、このような偏光板用保護フィルムを使用した偏光板を高温高湿下で使用した場合、薄膜にクラックがはいったり、偏光板用保護フィルムが偏光膜から剥離したり、あるいは偏光板用保護フィルムが着色する等の問題が発生することがあった。
【０００８】
このようなＴＡＣフィルムに高機能薄膜を付与した光学フィルムはやはり何らかの影響を受け、薄膜が経時劣化する場合が多い。
【０００９】
その中で特許文献１には、２周波印加による大気圧プラズマにより、トリアセチルセルロース上に大気圧プラズマ処理を行うものが記載されている。
【００１０】
そこでは、大気圧条件下で、高周波電源を用いた高周波交流パルス波を印加して安定した放電状態を実現させたパルスプラズマの発生方法が提案されている。
【００１１】
これは、大気圧近傍の圧力下において対向電極の少なくとも一方の対向面に固体誘電体を設置し、該対向電極間にパルス化された電界を印加することによりグロー放電を生じさせる方法であって、高周波交流パルス波を印加してプラズマを生成することを特徴とするグロー放電プラズマ発生方法、特に放電開始時に高電圧直流をパルス化した電界を印加した後に、高周波交流パルス波を印加してグロー放電プラズマを発生する方法であるが、得られる光学フィルムは耐久性等で十分な安定化は得られない。
【００１２】
また、特許文献２にもトリアセチルセルロース上に大気圧プラズマ処理を行うものが記載してあり、ＴＡＣ等の吸湿性を有するフィルム基材の表面上に、常圧プラズマを用いて薄膜を連続的に形成するにあたり、その基材フィルムに皺が発生することを防止するようにしているが十分でない。
【００１３】
即ち、大気圧近傍の圧力下において、フィルム基材Ｆを対向電極間に通過させながら、対向電極間にパルス電圧を印加することにより放電プラズマを発生させ、その放電プラズマを用いてフィルム基材Ｆの表面に薄膜を連続的に形成する方法において、金属元素含有アルコキシド０．０１〜５体積％、アルゴンガス５０〜９９．９９体積％からなるガス雰囲気下で、対向電極間に、電界強度が１〜９０ｋＶ／ｃｍとなるようにパルス電圧を印加して薄膜を形成するとともに、その成膜中におけるフィルム基材Ｆの温度を１００℃以下に制御することで、プラズマ放電空間でのフィルム基材の温度（含水率）の変動を抑えるようにしてあるが十分な効果が得られていない。
【００１４】
更に、特許文献３には大気圧プラズマ処理で金属化合物層を形成することが開示され、金属化合物層には主に窒素を含有する大気圧によるプラズマを用いることが記載されている。
【００１５】
また、特許文献４にはプラスチックフィルムに２層からなるハードコートを施したものが開示されている。
【００１６】
【特許文献１】
特開２００２−１１０３９７号公報
【００１７】
【特許文献２】
特開２００２−２６６３２号公報
【００１８】
【特許文献３】
特開平１１−１８１５７３号公報
【００１９】
【特許文献４】
特開２０００−５２４７２号公報
【００２０】
【発明が解決しようとする課題】
このように、大気圧プラズマ処理は真空プロセスを用いる方法と比較して安価に機能性膜を形成できるが、反応ガスとして、ヘリウム等の希ガスを用いると安価にできるメリットが失われてしまう。そのため、窒素雰囲気でのプラズマ処理法が提案されているが、窒素雰囲気でのプラズマ処理ではヘリウムよりも安定なプラズマ放電を起こしにくく、膜質が劣ってしまったり、膜質をあげるため放電を強くすると均一な膜が得にくく、すじ状の故障が発生しやすくその改善が求められていた。
【００２１】
本発明は、このようなすじ状の故障を低減し、且つ、均一な金属化合物層を形成した光学フィルム及び光学フィルムの製造方法を提案するものであり、更には、高温高湿条件でも物性変動することなく、耐久性に優れかつ均一な金属化合物層を形成した光学フィルム、特に反射光の色むらが低減された光学フィルムを提供し、また、真空プロセスを必要としない大幅なコスト低減を可能にした製造方法を確立し、そのような光学フィルムを用いた偏光板及び表示装置を提供することを課題目的にするものである。
【００２２】
【課題を解決するための手段】
この目的は次の技術手段（１）〜（７）の何れかによって達成される。
【００２３】
（１）  プラスチックの基材シートの少なくとも片方の面に、各々の膜厚が０．５μｍ以上の少なくとも２層の活性線硬化樹脂層を有し、少なくとも下層の活性線硬化樹脂層は可塑剤を含有し、上層の活性線硬化樹脂層の上に直接又は他の層を介して主に窒素を含有する大気圧近傍のガス雰囲気下でプラズマ処理によって形成された金属化合物層を有することを特徴とする光学フィルム。
【００２４】
（２）  前記光学フィルムが分子内に３個以上の芳香族環を有する化合物を含有することを特徴とする（１）項に記載の光学フィルム。
【００２５】
（３）  プラスチックの基材シートの少なくとも片方の面に、各々の膜厚が０．５μｍ以上の少なくとも２層のハードコート層の性能を有する活性線硬化樹脂層を形成させ、更にその上に直接又は他の層を介して主に窒素を含有する大気圧近傍のガス雰囲気下でプラズマ処理によって金属化合物層を形成させることを特徴とする光学フィルムの製造方法。
【００２６】
（４）  前記プラズマ処理が対向する少なくとも２つの電極との間に窒素を主成分とするガスを供給し、該第１電極と該第２電極との間に高周波電圧を印加することにより前記ガスを励起し、活性線硬化樹脂層が施された前記基材シートを励起された該ガスに晒すことにより該基材シートに施した活性線硬化樹脂層上に金属化合物層を形成させるものであり、該高周波電圧が、第１の周波数ω１の電圧成分と、該第１の周波数ω１より高い第２の周波数ω２の電圧成分とを有することを特徴とする（３）項に記載の光学フィルムの製造方法。
【００２７】
（５）  前記ハードコート層として可塑剤を含有する活性線硬化樹脂層を形成した後、巻き取ることなく２層目の活性線硬化樹脂層を設け、更にその上に直接又は他の層を介して主に窒素を含有する大気圧近傍のガス雰囲気下でプラズマ処理によって２層以上の金属化合物層を連続的に形成させることを特徴とする（３）又は（４）項に記載の光学フィルムの製造方法。
【００２８】
（６）  （１）又は（２）項に記載の光学フィルムを有することを特徴とする偏光板。
【００２９】
（７）  （１）は（２）項に記載の光学フィルムを有することを特徴とする表示装置。
【００３０】
以下、本発明を更に詳細に述べる。
本発明に用いられるプラスチックの基材シートとしては、ポリエチレンテレフタレート等のポリエステル、ポリカーボネート、環状ポリオレフィン、ポリサルフォン、ポリアクリレート、セルロースエステル、ノルボルネン系樹脂（例えばアートン（ＪＳＲ社製）、ゼオネクス、ゼオノア（日本ゼオン社製））等が用いられるが、特にこれに限定はされない。この中でもセルロースエステル（例えばコニカ（株）製のＫＣ４ＵＸ２ＭＷ、ＫＣ８ＵＸ２ＭＷ、ＫＣ８ＵＮ、ＫＣ５ＵＮ、ＫＣ４ＵＹ、ＫＣ１２ＵＲ）が好ましく用いられる。
【００３１】
以下の説明では基材シートはセルロースエステルを用いて行う。
本発明において、後述のごとく、ドープ調製工程がセルロースエステル溶液調製工程とインライン添加液調製工程に分かれており、それらをインラインで合流し混合してドープを調製することが好ましい。そこで、本発明において、後述の流延ダイに導入する状態のものをドープといい、合流する前のもの、即ち、基材となるセルロースエステルを含有する液をセルロースエステル溶液、また可塑剤やＵＶ剤やマット剤等微粒子等を含有するものをインライン添加液ということとする。
【００３２】
〔基材シートのフィルム〕
本発明に用いる基材シートＦの一例はセルロースエステルフィルムの層構成が１層の基層を有するもので最も一般的に用いられるものであり、他の例は多層構造のものであり、１層の基層と少なくとも１層の表層を有するものであり層数は２層以上で、形成された一つの表層あるいは基層が複数層からなっているものでも良い。
【００３３】
図１（ａ）は単層構造の、図１（ｂ）は３層構造のフィルムの断面を模式的に示したものであり、図中２１と２３は表層、また２２は基層を示している。
【００３４】
〔共流延と逐次流延〕
本発明に用いる多層構造のセルロースエステルフィルムは、溶液流延製膜過程において、共流延または逐次流延によりドープを多層に積層して得られるものである。
【００３５】
図２は共流延ダイ及び流延して多層構造ウェブ（流延直後はウェブをドープ膜ともいうことがある）を形成したところを表した図である。共流延は図２に示すように、共流延ダイ１０の口金部分１１に複数（図２では三つ）の表層用スリット１３と１５、基層用スリット１４を有しており、金属支持体１６の上に同時にそれぞれのスリットから表層用ドープ１７、基層用ドープ１８、及び表層用ドープ１９を流延することにより、表層２１／基層２２／表層２３の多層構造の基材シートＦとしてのウェブ２０を形成する。
【００３６】
図３は逐次流延ダイ及び流延された多層構造のウェブを表した図である。逐次流延は、図３に示すように、金属支持体１６の上方に複数（図３では三つ）の表層用流延ダイ３０、基層用ダイ３１及び表層用流延ダイ３２を異なった場所に順に設置し、最初に表層用ダイ３０から片方の表層となる表層用ドープ３３が流延されて表層ドープ膜３６を金属支持体１６上に形成し、次に基層用ドープ３４が基層用ダイ３１から表層ドープ膜３６の上に基層ドープ膜３７を形成し、更に次の表層用ダイ３２から表層用ドープ３５を流延して表層ドープ膜３８を形成することにより、表層／基層／表層をもつ基材シートＦとしての多層構造ウェブ３９を形成する。
【００３７】
図４は別のタイプの共流延ダイの断面を示した図である。本体中で３層が合流する共流延ダイ５０は、基層用のスリット５２、表層用のスリット５１と５３中にそれぞれ、基層用ドープ５６、表層用ドープ５５と５７が導入されており、それが合流スリット５８で合流し、層流をなしてスリット５４を通過し、金属支持体１６の上に表層／基層／表層の３層揃って流延する様式の基材シートＦである。
【００３８】
図２、３及び４で示したような多層構造ウェブの表層が基層より幅広く、基層ウェブを表層ウェブが包み込むように流延するのが好ましい。
【００３９】
尚、単層構造の基材シートを作るには前記ダイのなかの何れか１つののスリットを用いて１層のみを流延して基材シートを作ることができる。
【００４０】
〔溶液流延製膜方法〕
本発明のセルロースエステルフィルムは、溶液流延製膜法により製膜される。ここで、本発明に係わる溶液流延製膜方法について図５を用いて説明する。
【００４１】
図５は、本発明に係わる溶液流延製膜装置のドープ調製工程、流延工程を模式的に示した図である。以下の工程は２層共流延を例として、代表的な工程を説明する。
【００４２】
▲１▼セルロースエステル溶液調製工程：
後述のセルロースエステルに対する良溶媒を主とする有機溶媒に溶解釜１０１中でセルロースエステルや可塑剤等の添加剤を攪拌しながら溶解し、セルロースエステル溶液１００を形成する工程である。溶解には、常圧で行う方法、主溶媒の沸点以下で行う方法、主溶媒の沸点以上で加圧して行う高温溶解方法、冷却して溶解する冷却溶解方法、かなりの高圧で行う高圧溶解方法等種々の溶解方法があるが、本発明においては、高温溶解方法が好ましく用いられる。溶解後セルロースエステル溶液１００を送液ポンプ１０２で濾過器１０３（フィルタープレス型）で濾過し、ストックタンク１０４で静置して脱泡し、流延のために送液ポンプ１０５（加圧型定量ギヤポンプ等が多く用いられる）で溶液を移送し、濾過器１０６を経てマット剤分散液あるいは紫外線吸収剤添加液等のインライン添加液１１０と合流する合流管１２０で混合するために導管１０８で移送する。基層あるいは表層に使用するドープでマット剤あるいは紫外線吸収剤等の添加剤を含有しない場合には、濾過器１０６を経た後は流延ダイに直送することが行われる。
【００４３】
濾過については、このセルロースエステル溶液をフィルタープレス用の濾紙などの適当な濾材を用いて濾過する。本発明における濾過材としては、不溶物などを除去するために絶対濾過精度が小さい方が好ましいが、絶対濾過精度が小さすぎると濾過材の目詰まりが発生しやすいという問題点があり、絶対濾過精度８μｍ以下の濾材が好ましく、１〜８μｍの範囲の濾材がより好ましく、３〜６μｍの範囲の濾材が更に好ましい。濾紙としては、例えば市販品の安積濾紙（株）のＮｏ．２４４や２７７などを挙げることが出来、好ましく用いられる。更なる濾過の濾材の材質は特に制限はなく、通常の濾材を使用することが出来るが、ポリプロピレン、テフロン（Ｒ）等のプラスチック製の濾材やステンレス等の金属製の濾材が繊維の脱落等がなく好ましい。濾過は通常の方法で行うことが出来るが、加圧下で、使用有機溶媒の常圧での沸点以上で、且つ有機溶媒が沸騰しない範囲の温度で加熱または保温しながら濾過する方法が、濾過材前後の差圧（以下、濾圧とすることがある）の上昇が小さく、好ましい。好ましい温度範囲は使用有機溶媒に依存するが、４５〜１２０℃であり、４５〜７０℃がより好ましく、４５〜５５℃の範囲であることが更に好ましい。濾圧は小さい方が好ましく、０．３〜１．６ＭＰａであることが好ましく、０．３〜１．２ＭＰａであることがより好ましく、０．３〜１．０ＭＰａであることが更に好ましい。なお、予め溶解釜１０１内で紫外線吸収剤をセルロースエステル溶液に添加してもよい。
【００４４】
また、分子内に３個以上の芳香族環を有する化合物としてはトリフェニレン環を有する化合物あるいは次の化１に示す１，３，５−トリアジン化合物が好ましい。
【００４５】
【化１】
2004203009.tif 000003
【００４６】
上記添加剤の具体的例の一つとしてトリフェニレン環を有する化合物が挙げられ、その中でも、下記一般式（Ｉ）で表される化合物であることが好ましい。
【００４７】
【化２】
2004203009.tif 000004
【００４８】
一般式（Ｉ）において、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５及びＲ６は、各々水素原子、ハロゲン原子、ニトロ、スルホ、脂肪族基、芳香族基、複素環基、−Ｏ−Ｒ１１、−Ｓ−Ｒ１２、−ＣＯ−Ｒ１３、−Ｏ−ＣＯ−Ｒ１４、−ＣＯ−Ｏ−Ｒ１５、−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−Ｒ１６、−ＮＲ１７Ｒ１８、−ＣＯ−ＮＲ１９Ｒ２０、−ＮＲ２１−ＣＯ−Ｒ２２、−Ｏ−ＣＯ−ＮＲ２３Ｒ２４、−ＳｉＲ２５Ｒ２６Ｒ２７、−Ｏ−ＳｉＲ２８Ｒ２９Ｒ３０、−Ｓ−ＣＯ−Ｒ３１、−Ｏ−ＳＯ２−Ｒ３２、−ＳＯ−Ｒ３３、−ＮＲ３４−ＣＯ−Ｏ−Ｒ３５、−ＳＯ２−Ｒ３６又は−ＮＲ３７−ＣＯ−ＮＲ３８Ｒ３９、
Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ１３、Ｒ１４、Ｒ１５、Ｒ１６、Ｒ１７、Ｒ１８、Ｒ１９、Ｒ２０、Ｒ２１、Ｒ２２、Ｒ２３、Ｒ２４、Ｒ２５、Ｒ２６、Ｒ２７、Ｒ２８、Ｒ２９、Ｒ３０、Ｒ３１、Ｒ３２、Ｒ３３、Ｒ３４、Ｒ３５、Ｒ３６、Ｒ３７、Ｒ３８及びＲ３９は、水素原子、脂肪族基、芳香族基又は複素環基である。また、Ｒ１とＲ２、Ｒ３とＲ４又はＲ５とＲ６は互いに結合して環を形成してもよい。
【００４９】
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５及びＲ６は、−Ｏ−Ｒ１１、−Ｓ−Ｒ１２、−Ｏ−ＣＯ−Ｒ１４、−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−Ｒ１６、−ＮＲ１７Ｒ１８、−ＮＲ２１−ＣＯ−Ｒ２２又は−Ｏ−ＣＯ−ＮＲ２３Ｒ２４であることが好ましく、−Ｏ−Ｒ１１、−Ｓ−Ｒ１２、−Ｏ−ＣＯ−Ｒ１４、−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−Ｒ１６又は−Ｏ−ＣＯ−ＮＲ２３Ｒ２４であることがより好ましく、−Ｏ−Ｒ１１又は−Ｏ−ＣＯ−Ｒ１４であることがさらに好ましく、−Ｏ−ＣＯ−Ｒ１４であることが最も好ましい。
【００５０】
Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ１３、Ｒ１４、Ｒ１５、Ｒ１６、Ｒ１７、Ｒ１８、Ｒ１９、Ｒ２０、Ｒ２１、Ｒ２２、Ｒ２３、Ｒ２４、Ｒ２５、Ｒ２６、Ｒ２７、Ｒ２８、Ｒ２９、Ｒ３０、Ｒ３１、Ｒ３２、Ｒ３３、Ｒ３４、Ｒ３５、Ｒ３６、Ｒ３７、Ｒ３８及びＲ３９は、各々水素原子、脂肪族基又は芳香族基であることが好ましい。−Ｏ−ＣＯ−Ｒ１４のＲ１４は、芳香族基であることが最も好ましい。
【００５１】
一般式（Ｉ）において、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５及びＲ６は、同一の基であることが好ましい。
【００５２】
脂肪族基としては、例えばアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、置換アルキル基、置換アルケニル基又は置換アルキニル基があげられる。
【００５３】
アルキル基は、環状（例えばシクロアルキル基等）であってもよく、また、アルキル基は分岐をしていてもよい。アルキル基の炭素原子数は、１〜３０であることが好ましく、１〜２０であることがさらに好ましく、１〜１０であることが最も好ましい。
【００５４】
アルキル基の具体例としては、例えばメチル、エチル、ｉ−プロピル、ブチル、ｉ−ブチル、ｓ−ブチル、ｔ−ブチル、ｔ−ペンチル、ヘキシル、オクチル、ｔ−オクチル、ドデシル又はテトラコシル等の各基が挙げられる。
【００５５】
アルケニル基は、環状（シクロアルケニル基）であってもよく、また、アルケニル基は、分岐していてもよい。さらに、アルケニル基は、二つ以上の二重結合を有していてもよい。
【００５６】
アルケニル基の炭素原子数は、２〜３０であることが好ましく、２〜２０であることがさらに好ましく、２〜１０であることが最も好ましい。
【００５７】
アルケニル基の具体例としては、ビニル、アリル又は３−ヘプテニルが挙げられる。アルキニル基は、環状（シクロアルキニル基）であってもよく、また、アルキニル基は、分岐を有していてもよい。
【００５８】
さらに、アルキニル基は、二つ以上の三重結合を有していてもよい。アルキニル基の炭素原子数は、２〜３０であることが好ましく、２〜２０であることがさらに好ましく、２〜１０であることが最も好ましい。
【００５９】
アルキニル基の具体例としては、エチニル、２−プロピニル、１−ペンチニル及び２，４−オクタジイニル等の各基が挙げられる。
【００６０】
置換アルキル基、置換アルケニル基及び置換アルキニル基の置換基の具体例としては、例えばハロゲン原子、ニトロ、スルホ、芳香族基、複素環基、−Ｏ−Ｒ４１、−Ｓ−Ｒ４２、−ＣＯ−Ｒ４３、−Ｏ−ＣＯ−Ｒ４４、−ＣＯ−Ｏ−Ｒ４５、−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−Ｒ４６、−ＮＲ４７Ｒ４８、−ＣＯ−ＮＲ４９Ｒ５０、−ＮＲ５１−ＣＯ−Ｒ５２、−Ｏ−ＣＯ−ＮＲ５３Ｒ５４、−ＳｉＲ５５Ｒ５６Ｒ５７Ｒ５８又は−Ｏ−ＳｉＲ５９Ｒ６０Ｒ６１Ｒ６２が等が挙げられる。
【００６１】
Ｒ４１、Ｒ４２、Ｒ４３、Ｒ４４、Ｒ４５、Ｒ４６、Ｒ４７、Ｒ４８、Ｒ４９、Ｒ５０、Ｒ５１、Ｒ５２、Ｒ５３、Ｒ５４、Ｒ５５、Ｒ５６、Ｒ５７、Ｒ５８、Ｒ５９、Ｒ６０、Ｒ６１又はＲ６２は、水素原子、脂肪族基、芳香族基又は複素環基である。置換アルキル基のアルキル部分は、上記アルキル基と同様である。
【００６２】
置換アルキル基の具体例としては、ベンジル、フェネチル、２−メトキシエチル、エトキシメチル、２−（２−メトキシエトキシ）エチル、２−ヒドロキシエチル、ヒドロキシメチル、２−カルボキシエチル、カルボキシメチル、エトキシカルボニルメチル、４−アクリロイルオキシブチル、トリクロロメチル又はパーフルオロペンチル等の各基が挙げられる。置換アルケニル基のアルケニル部分は、上記アルケニル基と同様である。置換アルケニル基の具体例としては、例えばスチリル及び４−メトキシスチリル等の各基が挙げられる。
【００６３】
置換アルキニル基のアルキニル部分は、上記アルキニル基と同様である。置換アルキニル基の具体例としては、４−ブトキシフェニルエチニル、４−プロピルフェニルエチニル又はトリメチルシリルエチニル等の各基が挙げられる。
【００６４】
本発明において、芳香族基は、アリール基及び置換アリール基を意味する。
アリール基の炭素原子数は、６〜３０であることが好ましく、６〜２０であることがさらに好ましく、６〜１０であることが最も好ましい。
【００６５】
アリール基の具体例としては、例えば、フェニル、１−ナフチル又は２−ナフチル等の各基が挙げられる。
【００６６】
置換アリール基の置換基の具体例としては、例えば、ハロゲン原子、ニトロ基、スルホ基、脂肪族基、芳香族基、複素環基、−Ｏ−Ｒ７１、−Ｓ−Ｒ７２、−ＣＯ−Ｒ７３、−Ｏ−ＣＯ−Ｒ７４、−ＣＯ−Ｏ−Ｒ７５、−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−Ｒ７６、−ＮＲ７７Ｒ７８、−ＣＯ−ＮＲ７９Ｒ８０、−ＮＲ８１−ＣＯ−Ｒ８２、−Ｏ−ＣＯ−ＮＲ８３Ｒ８４、−ＳｉＲ８５Ｒ８６Ｒ８７Ｒ８８又は−Ｏ−ＳｉＲ８９Ｒ９０Ｒ９１Ｒ９２等が挙げられる。
【００６７】
Ｒ７１、Ｒ７２、Ｒ７３、Ｒ７４、Ｒ７５、Ｒ７６、Ｒ７７、Ｒ７８、Ｒ７９、Ｒ８０、Ｒ８１、Ｒ８２、Ｒ８３、Ｒ８４、Ｒ８５、Ｒ８６、Ｒ８７、Ｒ８８、Ｒ８９、Ｒ９０、Ｒ９１及びＲ９２は、水素原子、脂肪族基、芳香族基又は複素環基である。
【００６８】
置換アリール基のアリール部分は、上記アリール基と同義である。
置換アリール基の具体例としては、ｐ−ビフェニリル、４−フェニルエチニルフェニル、２−メトキシフェニル、３−メトキシフェニル、４−メトキシフェニル、２−エトキシフェニル、３−エトキシフェニル、４−エトキシフェニル、２−プロポキシフェニル、３−プロポキシフェニル、４−プロポキシフェニル、２−ブトキシフェニル、３−ブトキシフェニル、４−ブトキシフェニル、２−ヘキシルオキシフェニル、３−ヘキシルオキシフェニル、４−ヘキシルオキシフェニル、２−オクチルオキシフェニル、３−オクチルオキシフェニル、４−オクチルオキシフェニル、２−ドデシルオキシフェニル、３−ドデシルオキシフェニル、４−ドデシルオキシフェニル、２−テトラコシルオキシフェニル、３−テトラコシルオキシフェニル、４−テトラコシルオキシフェニル、３，４−ジメトキシフェニル、３，４−ジエトキシフェニル、３，４−ジヘキシルオキシフェニル、２，４−ジメトキシフェニル、２，４−ジエトキシフェニル、２，４−ジヘキシルオキシフェニル、３，５−ジメトキシフェニル、３，５−ジメトキシフェニル、３，５−ジヘキシルオキシフェニル、３，４，５−トリメトキシフェニル、３，４，５−トリエトキシフェニル、３，４，５−トリヘキシルオキシフェニル、２，４，６−トリメトキシフェニル、２，４，６−トリエトキシフェニル、２，４，６−トリヘキシルオキシフェニル、２−フルオロフェニル、３−フルオロフェニル、４−フルオロフェニル、２−クロロフェニル、３−クロロフェニル、４−クロロフェニル、２−ブロモフェニル、３−ブロモフェニル、４−ブロモフェニル、３，４−ジフルオロフェニル、３，４−ジクロロフェニル、３，４−ジブロモフェニル、２，４−ジフルオロフェニル、２，４−ジクロロフェニル、２，４−ジブロモフェニル、３，５−ジフルオロフェニル、３，５−ジクロロフェニル、３，５−ジブロモフェニル、３，４，５−トリフルオロフェニル、３，４，５−トリクロロフェニル、３，４，５−トリブロモフェニル、２，４，６−トリフルオロフェニル、２，４，６−トリクロロフェニル、２，４，６−トリブロモフェニル、ペンタフルオロフェニル、ペンタクロロフェニル、ペンタブロモフェニル、２−ヨードフェニル、３−ヨードフェニル、４−ヨードフェニル、２−ホルミルフェニル、３−ホルミルフェニル、４−ホルミルフェニル、２−ベンゾイルフェニル、３−ベンゾイルフェニル、４−ベンゾイルフェニル、２−カルボキシフェニル、３−カルボキシフェニル、４−カルボキシフェニル、ｏ−トリル、ｍ−トリル、ｐ−トリル、２−エチルフェニル、３−エチルフェニル、４−エチルフェニル、２−（２−メトキシエトキシ）フェニル、３−（２−メトキシエトキシ）フェニル、４−（２−メトキシエトキシ）フェニル、２−エトキシカルボニルフェニル、３−エトキシカルボニルフェニル、４−エトキシカルボニルフェニル、２−ベンゾイルオキシフェニル、３−ベンゾイルオキシフェニル及び４−ベンゾイルオキシフェニル等の各基が挙げられる。
【００６９】
本発明においては、複素環基は置換基を有していてもよい。複素環基中の複素環は５員環又は６員環であることが好ましい。複素環基中の複素環に脂肪族環、芳香族環又は他の複素環が縮合していてもよい。複素環中のヘテロ原子としては、例えばＢ、Ｎ、Ｏ、Ｓ、Ｓｅ又はＴｅ等の各原子が挙げられる。
【００７０】
複素環基中の複素環の具体例としては、例えば、ピロリジン環、モルホリン環、２−ボラ−１，３−ジオキソラン環及び１，３−チアゾリジン環等が挙げられる。
【００７１】
不飽和複素環基中の不飽和複素環の具体例としては、例えば、イミダゾール環、チアゾール環、ベンゾチアゾール環、ベンゾオキサゾール環、ベンゾトリアゾール環、ベンゾセレナゾール環、ピリジン環、ピリミジン環又はキノリン環等が挙げられる。
【００７２】
複素環基の置換基の具体例としては、前記置換アリール基の置換基の具体例と同様である。
【００７３】
トリフェニレン環を有する化合物の分子量は、３００〜２０００であることが好ましい。化合物の沸点は２６０℃以上であることが好ましい。沸点は、市販の測定装置（例えば、ＴＧ／ＤＴＡ１００、セイコー電子工業（株）製）を用いて測定できる。以下に、トリフェニレン環を有する化合物の具体例を示す。
【００７４】
尚、以下に示す複数のＲは同一の基を意味する。
【００７５】
【化３】
2004203009.tif 000005
【００７６】
（１）フルオロ
（２）クロロ
（３）ブロモ
（４）ホルミル
（５）ベンゾイル
（６）カルボキシル
（７）ブチルアミノ
（８）ジベンジルアミノ
（９）トリメチルシリルオキシ
（１０）１−ペンチニル
（１１）エトキシカルボニル
（１２）２−ヒドロキシエトキシカルボニル
（１３）フェノキシカルボニル
（１４）Ｎ−フェニルカルバモイル
（１５）Ｎ，Ｎ−ジエチルカルバモイル
（１６）４−メトキシベンゾイルオキシ
（１７）Ｎ−フェニルカルバモイルオキシ
（１８）ヘキシルオキシ
（１９）４−ヘキシルオキシベンゾイルオキシ
（２０）エトキシ
（２１）ベンゾイルオキシ
（２２）ｍ−ドデシルオキシフェニルチオ
（２３）ｔ−オクチルチオ
（２４）ｐ−フルオロベンゾイルチオ
（２５）イソブチリルチオ
（２６）ｐ−メチルベンゼンスルフィニル
（２７）エタンスルフィニル
（２８）ベンゼンスルホニル
（２９）メタンスルホニル
（３０）２−メトキシエトキシ
（３１）プロポキシ
（３２）２−ヒドロキシエトキシ
（３３）２−カルボキシエトキシ
（３４）３−ヘプテニルオキシ
（３５）２−フェニルエトキシ
（３６）トリクロロメトキシ
（３７）２−プロピニルオキシ
（３８）２，４−オクタジイニルオキシ
（３９）パーフルオロペンチルオキシ
（４０）エトキシカルボニルメトキシ
（４１）ｐ−メトキシフェノキシ
（４２）ｍ−エトキシフェノキシ
（４３）ｏ−クロロフェノキシ
（４４）ｍ−ドデシルオキシフェノキシ
（４５）４−ピリジルオキシ
（４６）ペンタフルオロベンゾイルオキシ
（４７）ｐ−ヘキシルオキシベンゾイルオキシ
（４８）１−ナフトイルオキシ
（４９）２−ナフトイルオキシ
（５０）５−イミダゾールカルボニルオキシ
（５１）ｏ−フェノキシカルボニルベンゾイルオキシ
（５２）ｍ−（２−メトキシエトキシ）ベンゾイルオキシ
（５３）ｏ−カルボキシベンゾイルオキシ
（５４）ｐ−ホルミルベンゾイルオキシ
（５５）ｍ−エトキシカルボニルベンゾイルオキシ
（５６）ｐ−ピバロイルベンゾイルオキシ
（５７）プロピオニルオキシ
（５８）フェニルアセトキシ
（５９）シンナモイルオキシ
（６０）ヒドロキシアセトキシ
（６１）エトキシカルボニルアセトキシ
（６２）ｍ−ブトキシフェニルプロピオロイルオキシ
（６３）プロピオロイルオキシ
（６４）トリメチルシリルプロピオロイルオキシ
（６５）４−オクテノイルオキシ
（６６）３−ヒドロキシプロピオニルオキシ
（６７）２−メトキシエトキシアセトキシ
（６８）パーフルオロブチリルオキシ
（６９）メタンスルホニルオキシ
（７０）ｐ−トルエンスルホニルオキシ
（７１）トリエチルシリル
（７２）ｍ−ブトキシフェノキシカルボニルアミノ
（７３）ヘキシル
（７４）フェニル
（７５）４−ピリジル
（７６）ベンジルオキシカルボニルオキシ
（７７）ｍ−クロロベンズアミド
（７８）４−メチルアニリノ
【００７７】
【化４】
2004203009.tif 000006
【００７８】
（７９）ニトロ
（８０）スルホ
（８１）ホルミル
（８２）カルボキシル
（８３）メトキシカルボニル
（８４）ベンジルオキシカルボニル
（８５）フェノキシカルボニル
【００７９】
【化５】
2004203009.tif 000007
【００８０】
（８６）ブトキシ
（８７）ヘキシルオキシ
（８８）ドデシルオキシ
（８９）ヘキサノイルオキシ
（９０）カルボキシメトキシ
【００８１】
【化６】
2004203009.tif 000008
【００８２】
【化７】
2004203009.tif 000009
【００８３】
【化８】
2004203009.tif 000010
【００８４】
【化９】
2004203009.tif 000011
【００８５】
【化１０】
2004203009.tif 000012
【００８６】
【化１１】
2004203009.tif 000013
【００８７】
円盤状化合物としては、１，３，５−トリアジン環を有する化合物又はポルフィリン骨格を有する化合物を好ましく用いることができる。
【００８８】
１，３，５−トリアジン環を有する化合物は、中でも、下記一般式（ＩＩＩ）で表される化合物が好ましい。
【００８９】
【化１２】
2004203009.tif 000014
【００９０】
一般式（ＩＩＩ）において、Ｘ１は、単結合、−ＮＲ４−、−Ｏ−又は−Ｓ−であり；Ｘ２は単結合、−ＮＲ５−、−Ｏ−又は−Ｓ−であり；Ｘ３は単結合、−ＮＲ６−、−Ｏ−又は−Ｓ−であり；Ｒ１、Ｒ２及びＲ３はアルキル基、アルケニル基、アリール基又は複素環基であり；そして、Ｒ４、Ｒ５及びＲ６は、水素原子、アルキル基、アルケニル基、アリール基又は複素環基である。一般式（Ｉ）で表される化合物は、メラミン化合物であることが特に好ましい。
【００９１】
メラミン化合物では、一般式（Ｉ）において、Ｘ１、Ｘ２及びＸ３が、それぞれ、−ＮＲ４−、−ＮＲ５−及び−ＮＲ６−であるか、あるいは、Ｘ１、Ｘ２及びＸ３が単結合であり、かつ、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３が窒素原子に遊離原子価をもつ複素環基である。−Ｘ１−Ｒ１、−Ｘ２−Ｒ２及び−Ｘ３−Ｒ３は、同一の置換基であることが好ましい。Ｒ１、Ｒ２及びＲ３は、アリール基であることが特に好ましい。Ｒ４、Ｒ５及びＲ６は、水素原子であることが特に好ましい。
【００９２】
上記アルキル基は、環状アルキル基よりも鎖状アルキル基である方が好ましい。分岐を有する鎖状アルキル基よりも、直鎖状アルキル基の方が好ましい。
【００９３】
アルキル基の炭素原子数は、１〜３０であることが好ましく、１〜２０であることがより好ましく、１〜１０であることがさらに好ましく、１〜８であることがさらにまた好ましく、１〜６であることが最も好ましい。アルキル基は置換基を有していてもよい。
【００９４】
置換基の具体例としては、例えばハロゲン原子、アルコキシ基（例えばメトキシ、エトキシ、エポキシエチルオキシ等の各基）及びアシルオキシ基（例えば、アクリロイルオキシ、メタクリロイルオキシ）等が挙げられる。上記アルケニル基は、環状アルケニル基よりも鎖状アルケニル基である方が好ましい。分岐を有する鎖状アルケニル基よりも、直鎖状アルケニル基の方が好ましい。アルケニル基の炭素原子数は、２〜３０であることが好ましく、２〜２０であることがより好ましく、２〜１０であることがさらに好ましく、２〜８であることがさらにまた好ましく、２〜６であることが最も好ましい。アルケニル基は、置換基を有していてもよい。
【００９５】
置換基の具体例としては、ハロゲン原子、アルコキシ基（例えば、メトキシ、エトキシ、エポキシエチルオキシ等の各基）又はアシルオキシ基（例えば、アクリロイルオキシ、メタクリロイルオキシ等の各基）が挙げられる。
【００９６】
上記アリール基は、フェニル基又はナフチル基であることが好ましく、フェニル基であることが特に好ましい。アリール基は置換基を有していてもよい。
【００９７】
置換基の具体例としては、例えば、ハロゲン原子、ヒドロキシル、シアノ、ニトロ、カルボキシル、アルキル基、アルケニル基、アリール基、アルコキシ基、アルケニルオキシ基、アリールオキシ基、アシルオキシ基、アルコキシカルボニル基、アルケニルオキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、スルファモイル、アルキル置換スルファモイル基、アルケニル置換スルファモイル基、アリール置換スルファモイル基、スルホンアミド基、カルバモイル、アルキル置換カルモイル基、アルケニル置換カルバモイル基、アリール置換カルバモイル基、アミド基、アルキルチオ基、アルケニルチオ基、アリールチオ基及びアシル基が含まれる。上記アルキル基は、前述したアルキル基と同義である。
【００９８】
アルコキシ基、アシルオキシ基、アルコキシカルボニル基、アルキル置換スルファモイル基、スルホンアミド基、アルキル置換カルバモイル基、アミド基、アルキルチオ基とアシル基のアルキル部分も、前述したアルキル基と同義である。
【００９９】
上記アルケニル基は、前述したアルケニル基と同義である。
アルケニルオキシ基、アシルオキシ基、アルケニルオキシカルボニル基、アルケニル置換スルファモイル基、スルホンアミド基、アルケニル置換カルバモイル基、アミド基、アルケニルチオ基及びアシル基のアルケニル部分も、前述したアルケニル基と同義である。
【０１００】
上記アリール基の具体例としては、例えば、フェニル、α−ナフチル、β−ナフチル、４−メトキシフェニル、３，４−ジエトキシフェニル、４−オクチルオキシフェニル又は４−ドデシルオキシフェニル等の各基が挙げられる。
【０１０１】
アリールオキシ基、アシルオキシ基、アリールオキシカルボニル基、アリール置換スルファモイル基、スルホンアミド基、アリール置換カルバモイル基、アミド基、アリールチオ基およびアシル基の部分の例は、上記アリール基と同義である。
【０１０２】
Ｘ１、Ｘ２又はＸ３が−ＮＲ−、−Ｏ−又は−Ｓ−である場合の複素環基は、芳香族性を有することが好ましい。
【０１０３】
芳香族性を有する複素環基中の複素環としては、一般に不飽和複素環であり、好ましくは最多の二重結合を有する複素環である。複素環は、５員環、６員環又は７員環であることが好ましく、５員環又は６員環であることがさらに好ましく、６員環であることが最も好ましい。
【０１０４】
複素環中のヘテロ原子は、Ｎ、Ｓ又はＯ等の各原子であることが好ましく、Ｎ原子であることが特に好ましい。
【０１０５】
芳香族性を有する複素環としては、ピリジン環（複素環基としては、例えば、２−ピリジル又は４−ピリジル等の各基）が特に好ましい。複素環基は、置換基を有していてもよい。複素環基の置換基の例は、上記アリール部分の置換基の例と同様である。
【０１０６】
Ｘ１、Ｘ２又はＸ３が単結合である場合の複素環基は、窒素原子に遊離原子価をもつ複素環基であることが好ましい。窒素原子に遊離原子価をもつ複素環基は、５員環、６員環又は７員環であることが好ましく、５員環又は６員環であることがさらに好ましく、５員環であることが最も好ましい。複素環基は、複数の窒素原子を有していてもよい。
【０１０７】
また、複素環基中のヘテロ原子は、窒素原子以外のヘテロ原子（例えば、Ｏ原子、Ｓ原子）を有していてもよい。複素環基は、置換基を有していてもよい。複素環基の置換基の具体例は、上記アリール部分の置換基の具体例と同義である。
【０１０８】
以下に、窒素原子に遊離原子価をもつ複素環基の具体例を示す。
【０１０９】
【化１３】
2004203009.tif 000015
【０１１０】
【化１４】
2004203009.tif 000016
【０１１１】
１，３，５−トリアジン環を有する化合物の分子量は、３００〜２０００であることが好ましい。該化合物の沸点は、２６０℃以上であることが好ましい。沸点は、市販の測定装置（例えば、ＴＧ／ＤＴＡ１００、セイコー電子工業（株）製）を用いて測定できる。
【０１１２】
以下に、１，３，５−トリアジン環を有する化合物の具体例を示す。
なお、以下に示す複数のＲは、同一の基を表す。
【０１１３】
【化１５】
2004203009.tif 000017
【０１１４】
（１）ブチル
（２）２−メトキシ−２−エトキシエチル
（３）５−ウンデセニル
（４）フェニル
（５）４−エトキシカルボニルフェニル
（６）４−ブトキシフェニル
（７）ｐ−ビフェニリル
（８）４−ピリジル
（９）２−ナフチル
（１０）２−メチルフェニル
（１１）３，４−ジメトキシフェニル
（１２）２−フリル
【０１１５】
【化１６】
2004203009.tif 000018
【０１１６】
【化１７】
2004203009.tif 000019
【０１１７】
（１４）フェニル
（１５）３−エトキシカルボニルフェニル
（１６）３−ブトキシフェニル
（１７）ｍ−ビフェニリル
（１８）３−フェニルチオフェニル
（１９）３−クロロフェニル
（２０）３−ベンゾイルフェニル
（２１）３−アセトキシフェニル
（２２）３−ベンゾイルオキシフェニル
（２３）３−フェノキシカルボニルフェニル
（２４）３−メトキシフェニル
（２５）３−アニリノフェニル
（２６）３−イソブチリルアミノフェニル
（２７）３−フェノキシカルボニルアミノフェニル
（２８）３−（３−エチルウレイド）フェニル
（２９）３−（３，３−ジエチルウレイド）フェニル
（３０）３−メチルフェニル
（３１）３−フェノキシフェニル
（３２）３−ヒドロキシフェニル
（３３）４−エトキシカルボニルフェニル
（３４）４−ブトキシフェニル
（３５）ｐ−ビフェニリル
（３６）４−フェニルチオフェニル
（３７）４−クロロフェニル
（３８）４−ベンゾイルフェニル
（３９）４−アセトキシフェニル
（４０）４−ベンゾイルオキシフェニル
（４１）４−フェノキシカルボニルフェニル
（４２）４−メトキシフェニル
（４３）４−アニリノフェニル
（４４）４−イソブチリルアミノフェニル
（４５）４−フェノキシカルボニルアミノフェニル
（４６）４−（３−エチルウレイド）フェニル
（４７）４−（３，３−ジエチルウレイド）フェニル
（４８）４−メチルフェニル
（４９）４−フェノキシフェニル
（５０）４−ヒドロキシフェニル
（５１）３，４−ジエトキシカルボニルフェニル
（５２）３，４−ジブトキシフェニル
（５３）３，４−ジフェニルフェニル
（５４）３，４−ジフェニルチオフェニル
（５５）３，４−ジクロロフェニル
（５６）３，４−ジベンゾイルフェニル
（５７）３，４−ジアセトキシフェニル
（５８）３，４−ジベンゾイルオキシフェニル
（５９）３，４−ジフェノキシカルボニルフェニル
（６０）３，４−ジメトキシフェニル
（６１）３，４−ジアニリノフェニル
（６２）３，４−ジメチルフェニル
（６３）３，４−ジフェノキシフェニル
（６４）３，４−ジヒドロキシフェニル
（６５）２−ナフチル
（６６）３，４，５−トリエトキシカルボニルフェニル
（６７）３，４，５−トリブトキシフェニル
（６８）３，４，５−トリフェニルフェニル
（６９）３，４，５−トリフェニルチオフェニル
（７０）３，４，５−トリクロロフェニル
（７１）３，４，５−トリベンゾイルフェニル
（７２）３，４，５−トリアセトキシフェニル
（７３）３，４，５−トリベンゾイルオキシフェニル
（７４）３，４，５−トリフェノキシカルボニルフェニル
（７５）３，４，５−トリメトキシフェニル
（７６）３，４，５−トリアニリノフェニル
（７７）３，４，５−トリメチルフェニル
（７８）３，４，５−トリフェノキシフェニル
（７９）３，４，５−トリヒドロキシフェニル
【０１１８】
【化１８】
2004203009.tif 000020
【０１１９】
（８０）フェニル
（８１）３−エトキシカルボニルフェニル
（８２）３−ブトキシフェニル
（８３）ｍ−ビフェニリル
（８４）３−フェニルチオフェニル
（８５）３−クロロフェニル
（８６）３−ベンゾイルフェニル
（８７）３−アセトキシフェニル
（８８）３−ベンゾイルオキシフェニル
（８９）３−フェノキシカルボニルフェニル
（９０）３−メトキシフェニル
（９１）３−アニリノフェニル
（９２）３−イソブチリルアミノフェニル
（９３）３−フェノキシカルボニルアミノフェニル
（９４）３−（３−エチルウレイド）フェニル
（９５）３−（３，３−ジエチルウレイド）フェニル
（９６）３−メチルフェニル
（９７）３−フェノキシフェニル
（９８）３−ヒドロキシフェニル
（９９）４−エトキシカルボニルフェニル
（１００）４−ブトキシフェニル
（１０１）ｐ−ビフェニリル
（１０２）４−フェニルチオフェニル
（１０３）４−クロロフェニル
（１０４）４−ベンゾイルフェニル
（１０５）４−アセトキシフェニル
（１０６）４−ベンゾイルオキシフェニル
（１０７）４−フェノキシカルボニルフェニル
（１０８）４−メトキシフェニル
（１０９）４−アニリノフェニル
（１１０）４−イソブチリルアミノフェニル
（１１１）４−フェノキシカルボニルアミノフェニル
（１１２）４−（３−エチルウレイド）フェニル
（１１３）４−（３，３−ジエチルウレイド）フェニル
（１１４）４−メチルフェニル
（１１５）４−フェノキシフェニル
（１１６）４−ヒドロキシフェニル
（１１７）３，４−ジエトキシカルボニルフェニル
（１１８）３，４−ジブトキシフェニル
（１１９）３，４−ジフェニルフェニル
（１２０）３，４−ジフェニルチオフェニル
（１２１）３，４−ジクロロフェニル
（１２２）３，４−ジベンゾイルフェニル
（１２３）３，４−ジアセトキシフェニル
（１２４）３，４−ジベンゾイルオキシフェニル
（１２５）３，４−ジフェノキシカルボニルフェニル
（１２６）３，４−ジメトキシフェニル
（１２７）３，４−ジアニリノフェニル
（１２８）３，４−ジメチルフェニル
（１２９）３，４−ジフェノキシフェニル
（１３０）３，４−ジヒドロキシフェニル
（１３１）２−ナフチル
（１３２）３，４，５−トリエトキシカルボニルフェニル
（１３３）３，４，５−トリブトキシフェニル
（１３４）３，４，５−トリフェニルフェニル
（１３５）３，４，５−トリフェニルチオフェニル
（１３６）３，４，５−トリクロロフェニル
（１３７）３，４，５−トリベンゾイルフェニル
（１３８）３，４，５−トリアセトキシフェニル
（１３９）３，４，５−トリベンゾイルオキシフェニル
（１４０）３，４，５−トリフェノキシカルボニルフェニル
（１４１）３，４，５−トリメトキシフェニル
（１４２）３，４，５−トリアニリノフェニル
（１４３）３，４，５−トリメチルフェニル
（１４４）３，４，５−トリフェノキシフェニル
（１４５）３，４，５−トリヒドロキシフェニル
【０１２０】
【化１９】
2004203009.tif 000021
【０１２１】
（１４６）フェニル
（１４７）４−エトキシカルボニルフェニル
（１４８）４−ブトキシフェニル
（１４９）ｐ−ビフェニリル
（１５０）４−フェニルチオフェニル
（１５１）４−クロロフェニル
（１５２）４−ベンゾイルフェニル
（１５３）４−アセトキシフェニル
（１５４）４−ベンゾイルオキシフェニル
（１５５）４−フェノキシカルボニルフェニル
（１５６）４−メトキシフェニル
（１５７）４−アニリノフェニル
（１５８）４−イソブチリルアミノフェニル
（１５９）４−フェノキシカルボニルアミノフェニル
（１６０）４−（３−エチルウレイド）フェニル
（１６１）４−（３，３−ジエチルウレイド）フェニル
（１６２）４−メチルフェニル
（１６３）４−フェノキシフェニル
（１６４）４−ヒドロキシフェニル
【０１２２】
【化２０】
2004203009.tif 000022
【０１２３】
（１６５）フェニル
（１６６）４−エトキシカルボニルフェニル
（１６７）４−ブトキシフェニル
（１６８）ｐ−ビフェニリル
（１６９）４−フェニルチオフェニル
（１７０）４−クロロフェニル
（１７１）４−ベンゾイルフェニル
（１７２）４−アセトキシフェニル
（１７３）４−ベンゾイルオキシフェニル
（１７４）４−フェノキシカルボニルフェニル
（１７５）４−メトキシフェニル
（１７６）４−アニリノフェニル
（１７７）４−イソブチリルアミノフェニル
（１７８）４−フェノキシカルボニルアミノフェニル
（１７９）４−（３−エチルウレイド）フェニル
（１８０）４−（３，３−ジエチルウレイド）フェニル
（１８１）４−メチルフェニル
（１８２）４−フェノキシフェニル
（１８３）４−ヒドロキシフェニル
【０１２４】
【化２１】
2004203009.tif 000023
【０１２５】
（１８４）フェニル
（１８５）４−エトキシカルボニルフェニル
（１８６）４−ブトキシフェニル
（１８７）ｐ−ビフェニリル
（１８８）４−フェニルチオフェニル
（１８９）４−クロロフェニル
（１９０）４−ベンゾイルフェニル
（１９１）４−アセトキシフェニル
（１９２）４−ベンゾイルオキシフェニル
（１９３）４−フェノキシカルボニルフェニル
（１９４）４−メトキシフェニル
（１９５）４−アニリノフェニル
（１９６）４−イソブチリルアミノフェニル
（１９７）４−フェノキシカルボニルアミノフェニル
（１９８）４−（３−エチルウレイド）フェニル
（１９９）４−（３，３−ジエチルウレイド）フェニル
（２００）４−メチルフェニル
（２０１）４−フェノキシフェニル
（２０２）４−ヒドロキシフェニル
【０１２６】
【化２２】
2004203009.tif 000024
【０１２７】
（２０３）フェニル
（２０４）４−エトキシカルボニルフェニル
（２０５）４−ブトキシフェニル
（２０６）ｐ−ビフェニリル
（２０７）４−フェニルチオフェニル
（２０８）４−クロロフェニル
（２０９）４−ベンゾイルフェニル
（２１０）４−アセトキシフェニル
（２１１）４−ベンゾイルオキシフェニル
（２１２）４−フェノキシカルボニルフェニル
（２１３）４−メトキシフェニル
（２１４）４−アニリノフェニル
（２１５）４−イソブチリルアミノフェニル
（２１６）４−フェノキシカルボニルアミノフェニル
（２１７）４−（３−エチルウレイド）フェニル
（２１８）４−（３，３−ジエチルウレイド）フェニル
（２１９）４−メチルフェニル
（２２０）４−フェノキシフェニル
（２２１）４−ヒドロキシフェニル
【０１２８】
【化２３】
2004203009.tif 000025
【０１２９】
（２２２）フェニル
（２２３）４−ブチルフェニル
（２２４）４−（２−メトキシ−２−エトキシエチル）フェニル
（２２５）４−（５−ノネニル）フェニル
（２２６）ｐ−ビフェニリル
（２２７）４−エトキシカルボニルフェニル
（２２８）４−ブトキシフェニル
（２２９）４−メチルフェニル
（２３０）４−クロロフェニル
（２３１）４−フェニルチオフェニル
（２３２）４−ベンゾイルフェニル
（２３３）４−アセトキシフェニル
（２３４）４−ベンゾイルオキシフェニル
（２３５）４−フェノキシカルボニルフェニル
（２３６）４−メトキシフェニル
（２３７）４−アニリノフェニル
（２３８）４−イソブチリルアミノフェニル
（２３９）４−フェノキシカルボニルアミノフェニル
（２４０）４−（３−エチルウレイド）フェニル
（２４１）４−（３，３−ジエチルウレイド）フェニル
（２４２）４−フェノキシフェニル
（２４３）４−ヒドロキシフェニル
（２４４）３−ブチルフェニル
（２４５）３−（２−メトキシ−２−エトキシエチル）フェニル
（２４６）３−（５−ノネニル）フェニル
（２４７）ｍ−ビフェニリル
（２４８）３−エトキシカルボニルフェニル
（２４９）３−ブトキシフェニル
（２５０）３−メチルフェニル
（２５１）３−クロロフェニル
（２５２）３−フェニルチオフェニル
（２５３）３−ベンゾイルフェニル
（２５４）３−アセトキシフェニル
（２５５）３−ベンゾイルオキシフェニル
（２５６）３−フェノキシカルボニルフェニル
（２５７）３−メトキシフェニル
（２５８）３−アニリノフェニル
（２５９）３−イソブチリルアミノフェニル
（２６０）３−フェノキシカルボニルアミノフェニル
（２６１）３−（３−エチルウレイド）フェニル
（２６２）３−（３，３−ジエチルウレイド）フェニル
（２６３）３−フェノキシフェニル
（２６４）３−ヒドロキシフェニル
（２６５）２−ブチルフェニル
（２６６）２−（２−メトキシ−２−エトキシエチル）フェニル
（２６７）２−（５−ノネニル）フェニル
（２６８）ｏ−ビフェニリル
（２６９）２−エトキシカルボニルフェニル
（２７０）２−ブトキシフェニル
（２７１）２−メチルフェニル
（２７２）２−クロロフェニル
（２７３）２−フェニルチオフェニル
（２７４）２−ベンゾイルフェニル
（２７５）２−アセトキシフェニル
（２７６）２−ベンゾイルオキシフェニル
（２７７）２−フェノキシカルボニルフェニル
（２７８）２−メトキシフェニル
（２７９）２−アニリノフェニル
（２８０）２−イソブチリルアミノフェニル
（２８１）２−フェノキシカルボニルアミノフェニル
（２８２）２−（３−エチルウレイド）フェニル
（２８３）２−（３，３−ジエチルウレイド）フェニル
（２８４）２−フェノキシフェニル
（２８５）２−ヒドロキシフェニル
（２８６）３，４−ジブチルフェニル
（２８７）３，４−ジ（２−メトキシ−２−エトキシエチル）フェニル
（２８８）３，４−ジフェニルフェニル
（２８９）３，４−ジエトキシカルボニルフェニル
（２９０）３，４−ジドデシルオキシフェニル
（２９１）３，４−ジメチルフェニル
（２９２）３，４−ジクロロフェニル
（２９３）３，４−ジベンゾイルフェニル
（２９４）３，４−ジアセトキシフェニル
（２９５）３，４−ジメトキシフェニル
（２９６）３，４−ジ−Ｎ−メチルアミノフェニル
（２９７）３，４−ジイソブチリルアミノフェニル
（２９８）３，４−ジフェノキシフェニル
（２９９）３，４−ジヒドロキシフェニル
（３００）３，５−ジブチルフェニル
（３０１）３，５−ジ（２−メトキシ−２−エトキシエチル）フェニル
（３０２）３，５−ジフェニルフェニル
（３０３）３，５−ジエトキシカルボニルフェニル
（３０４）３，５−ジドデシルオキシフェニル
（３０５）３，５−ジメチルフェニル
（３０６）３，５−ジクロロフェニル
（３０７）３，５−ジベンゾイルフェニル
（３０８）３，５−ジアセトキシフェニル
（３０９）３，５−ジメトキシフェニル
（３１０）３，５−ジ−Ｎ−メチルアミノフェニル
（３１１）３，５−ジイソブチリルアミノフェニル
（３１２）３，５−ジフェノキシフェニル
（３１３）３，５−ジヒドロキシフェニル
（３１４）２，４−ジブチルフェニル
（３１５）２，４−ジ（２−メトキシ−２−エトキシエチル）フェニル
（３１６）２，４−ジフェニルフェニル
（３１７）２，４−ジエトキシカルボニルフェニル
（３１８）２，４−ジドデシルオキシフェニル
（３１９）２，４−ジメチルフェニル
（３２０）２，４−ジクロロフェニル
（３２１）２，４−ジベンゾイルフェニル
（３２２）２，４−ジアセトキシフェニル
（３２３）２，４−ジメトキシフェニル
（３２４）２，４−ジ−Ｎ−メチルアミノフェニル
（３２５）２，４−ジイソブチリルアミノフェニル
（３２６）２，４−ジフェノキシフェニル
（３２７）２，４−ジヒドロキシフェニル
（３２８）２，３−ジブチルフェニル
（３２９）２，３−ジ（２−メトキシ−２−エトキシエチル）フェニル
（３３０）２，３−ジフェニルフェニル
（３３１）２，３−ジエトキシカルボニルフェニル
（３３２）２，３−ジドデシルオキシフェニル
（３３３）２，３−ジメチルフェニル
（３３４）２，３−ジクロロフェニル
（３３５）２，３−ジベンゾイルフェニル
（３３６）２，３−ジアセトキシフェニル
（３３７）２，３−ジメトキシフェニル
（３３８）２，３−ジ−Ｎ−メチルアミノフェニル
（３３９）２，３−ジイソブチリルアミノフェニル
（３４０）２，３−ジフェノキシフェニル
（３４１）２，３−ジヒドロキシフェニル
（３４２）２，６−ジブチルフェニル
（３４３）２，６−ジ（２−メトキシ−２−エトキシエチル）フェニル
（３４４）２，６−ジフェニルフェニル
（３４５）２，６−ジエトキシカルボニルフェニル
（３４６）２，６−ジドデシルオキシフェニル
（３４７）２，６−ジメチルフェニル
（３４８）２，６−ジクロロフェニル
（３４９）２，６−ジベンゾイルフェニル
（３５０）２，６−ジアセトキシフェニル
（３５１）２，６−ジメトキシフェニル
（３５２）２，６−ジ−Ｎ−メチルアミノフェニル
（３５３）２，６−ジイソブチリルアミノフェニル
（３５４）２，６−ジフェノキシフェニル
（３５５）２，６−ジヒドロキシフェニル
（３５６）３，４，５−トリブチルフェニル
（３５７）３，４，５−トリ（２−メトキシ−２−エトキシエチル）フェニル
（３５８）３，４，５−トリフェニルフェニル
（３５９）３，４，５−トリエトキシカルボニルフェニル
（３６０）３，４，５−トリドデシルオキシフェニル
（３６１）３，４，５−トリメチルフェニル
（３６２）３，４，５−トリクロロフェニル
（３６３）３，４，５−トリベンゾイルフェニル
（３６４）３，４，５−トリアセトキシフェニル
（３６５）３，４，５−トリメトキシフェニル
（３６６）３，４，５−トリ−Ｎ−メチルアミノフェニル
（３６７）３，４，５−トリイソブチリルアミノフェニル
（３６８）３，４，５−トリフェノキシフェニル
（３６９）３，４，５−トリヒドロキシフェニル
（３７０）２，４，６−トリブチルフェニル
（３７１）２，４，６−トリ（２−メトキシ−２−エトキシエチル）フェニル
（３７２）２，４，６−トリフェニルフェニル
（３７３）２，４，６−トリエトキシカルボニルフェニル
（３７４）２，４，６−トリドデシルオキシフェニル
（３７５）２，４，６−トリメチルフェニル
（３７６）２，４，６−トリクロロフェニル
（３７７）２，４，６−トリベンゾイルフェニル
（３７８）２，４，６−トリアセトキシフェニル（３７９）２，４，６−トリメトキシフェニル
（３８０）２，４，６−トリ−Ｎ−メチルアミノフェニル
（３８１）２，４，６−トリイソブチリルアミノフェニル
（３８２）２，４，６−トリフェノキシフェニル（３８３）２，４，６−トリヒドロキシフェニル
（３８４）ペンタフルオロフェニル
（３８５）ペンタクロロフェニル
（３８６）ペンタメトキシフェニル
（３８７）６−Ｎ−メチルスルファモイル−８−メトキシ−２−ナフチル
（３８８）５−Ｎ−メチルスルファモイル−２−ナフチル
（３８９）６−Ｎ−フェニルスルファモイル−２−ナフチル
（３９０）５−エトキシ−７−Ｎ−メチルスルファモイル−２−ナフチル
（３９１）３−メトキシ−２−ナフチル
（３９２）１−エトキシ−２−ナフチル
（３９３）６−Ｎ−フェニルスルファモイル−８−メトキシ−２−ナフチル
（３９４）５−メトキシ−７−Ｎ−フェニルスルファモイル−２−ナフチル
（３９５）１−（４−メチルフェニル）−２−ナフチル
（３９６）６，８−ジ−Ｎ−メチルスルファモイル−２−ナフチル
（３９７）６−Ｎ−２−アセトキシエチルスルファモイル−８−メトキシ−２−ナフチル
（３９８）５−アセトキシ−７−Ｎ−フェニルスルファモイル−２−ナフチル
（３９９）３−ベンゾイルオキシ−２−ナフチル
（４００）５−アセチルアミノ−１−ナフチル
（４０１）２−メトキシ−１−ナフチル（４０２）４−フェノキシ−１−ナフチル
（４０３）５−Ｎ−メチルスルファモイル−１−ナフチル
（４０４）３−Ｎ−メチルカルバモイル−４−ヒドロキシ−１−ナフチル
（４０５）５−メトキシ−６−Ｎ−エチルスルファモイル−１−ナフチル
（４０６）７−テトラデシルオキシ−１−ナフチル
（４０７）４−（４−メチルフェノキシ）−１−ナフチル
（４０８）６−Ｎ−メチルスルファモイル−１−ナフチル
（４０９）３−Ｎ，Ｎ−ジメチルカルバモイル−４−メトキシ−１−ナフチル
（４１０）５−メトキシ−６−Ｎ−ベンジルスルファモイル−１−ナフチル
（４１１）３，６−ジ−Ｎ−フェニルスルファモイル−１−ナフチル
（４１２）メチル
（４１３）エチル
（４１４）ブチル
（４１５）オクチル
（４１６）ドデシル
（４１７）２−ブトキシ−２−エトキシエチル
（４１８）ベンジル
（４１９）４−メトキシベンジル
【０１３０】
【化２４】
2004203009.tif 000026
【０１３１】
（４２４）メチル
（４２５）フェニル
（４２６）ブチル
【０１３２】
【化２５】
2004203009.tif 000027
【０１３３】
（４３０）メチル
（４３１）エチル
（４３２）ブチル
（４３３）オクチル
（４３４）ドデシル
（４３５）２−ブトキシ２−エトキシエチル
（４３６）ベンジル
（４３７）４−メトキシベンジル
【０１３４】
【化２６】
2004203009.tif 000028
【０１３５】
【化２７】
2004203009.tif 000029
【０１３６】
本発明においては、１，３，５−トリアジン環を有する化合物として、メラミンポリマーを用いてもよい。メラミンポリマーは、下記一般式（ＩＶ）で示すメラミン化合物とカルボニル化合物との重合反応により合成することが好ましい。
【０１３７】
【化２８】
2004203009.tif 000030
【０１３８】
上記合成反応スキームにおいて、Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ１３、Ｒ１４、Ｒ１５及びＲ１６は、水素原子、アルキル基、アルケニル基、アリール基又は複素環基である。
【０１３９】
上記アルキル基、アルケニル基、アリール基及び複素環基及びこれらの置換基は前記一般式（Ｉ）で説明した各基、それらの置換基と同義である。
【０１４０】
メラミン化合物とカルボニル化合物との重合反応は、通常のメラミン樹脂（例えば、メラミンホルムアルデヒド樹脂等）の合成方法と同様である。また、市販のメラミンポリマー（メラミン樹脂）を用いてもよい。
【０１４１】
メラミンポリマーの分子量は、２千〜４０万であることが好ましい。メラミンポリマーの繰り返し単位の具体例を以下に示す。
【０１４２】
【化２９】
2004203009.tif 000031
【０１４３】
ＭＰ−１：Ｒ１３、Ｒ１４、Ｒ１５、Ｒ１６：ＣＨ２ＯＨ
ＭＰ−２：Ｒ１３、Ｒ１４、Ｒ１５、Ｒ１６：ＣＨ２ＯＣＨ３
ＭＰ−３：Ｒ１３、Ｒ１４、Ｒ１５、Ｒ１６：ＣＨ２Ｏ−ｉ−Ｃ４Ｈ９
ＭＰ−４：Ｒ１３、Ｒ１４、Ｒ１５、Ｒ１６：ＣＨ２Ｏ−ｎ−Ｃ４Ｈ９
ＭＰ−５：Ｒ１３、Ｒ１４、Ｒ１５、Ｒ１６：ＣＨ２ＮＨＣＯＣＨ＝ＣＨ２
ＭＰ−６：Ｒ１３、Ｒ１４、Ｒ１５、Ｒ１６：ＣＨ２ＮＨＣＯ（ＣＨ２）７ＣＨ＝ＣＨ（ＣＨ２）７ＣＨ３
ＭＰ−７：Ｒ１３、Ｒ１４、Ｒ１５：ＣＨ２ＯＨ；Ｒ１６：ＣＨ２ＯＣＨ３
ＭＰ−８：Ｒ１３、Ｒ１４、Ｒ１６：ＣＨ２ＯＨ；Ｒ１５：ＣＨ２ＯＣＨ３
ＭＰ−９：Ｒ１３、Ｒ１４：ＣＨ２ＯＨ；Ｒ１５、Ｒ１６：ＣＨ２ＯＣＨ３
ＭＰ−１０：Ｒ１３、Ｒ１６：ＣＨ２ＯＨ；Ｒ１４、Ｒ１５：ＣＨ２ＯＣＨ３
ＭＰ−１１：Ｒ１３：ＣＨ２ＯＨ；Ｒ１４、Ｒ１５、Ｒ１６：ＣＨ２ＯＣＨ３
ＭＰ−１２：Ｒ１３、Ｒ１４、Ｒ１６：ＣＨ２ＯＣＨ３；Ｒ１５：ＣＨ２ＯＨ
ＭＰ−１３：Ｒ１３、Ｒ１６：ＣＨ２ＯＣＨ３；Ｒ１４、Ｒ１５：ＣＨ２ＯＨ
ＭＰ−１４：Ｒ１３、Ｒ１４、Ｒ１５：ＣＨ２ＯＨ；Ｒ１６：ＣＨ２Ｏ−ｉ−Ｃ４Ｈ９
ＭＰ−１５：Ｒ１３、Ｒ１４、Ｒ１６：ＣＨ２ＯＨ；Ｒ１５：ＣＨ２Ｏ−ｉ−Ｃ４Ｈ９
ＭＰ−１６：Ｒ１３、Ｒ１４：ＣＨ２ＯＨ；Ｒ１５、Ｒ１６：ＣＨ２Ｏ−ｉ−Ｃ４Ｈ９
ＭＰ−１７：Ｒ１３、Ｒ１６：ＣＨ２ＯＨ；Ｒ１４、Ｒ１５：ＣＨ２Ｏ−ｉ−Ｃ４Ｈ９
ＭＰ−１８：Ｒ１３：ＣＨ２ＯＨ；Ｒ１４、Ｒ１５、Ｒ１６：ＣＨ２Ｏ−ｉ−Ｃ４Ｈ９
ＭＰ−１９：Ｒ１３、Ｒ１４、Ｒ１６：ＣＨ２Ｏ−ｉ−Ｃ４Ｈ９；Ｒ１５：ＣＨ２ＯＨ
ＭＰ−２０：Ｒ１３、Ｒ１６：ＣＨ２Ｏ−ｉ−Ｃ４Ｈ９；Ｒ１４、Ｒ１５：ＣＨ２ＯＨ
ＭＰ−２１：Ｒ１３、Ｒ１４、Ｒ１５：ＣＨ２ＯＨ；Ｒ１６：ＣＨ２Ｏ−ｎ−Ｃ４Ｈ９
ＭＰ−２２：Ｒ１３、Ｒ１４、Ｒ１６：ＣＨ２ＯＨ；Ｒ１５：ＣＨ２Ｏ−ｎ−Ｃ４Ｈ９
ＭＰ−２３：Ｒ１３、Ｒ１４：ＣＨ２ＯＨ；Ｒ１５、Ｒ１６：ＣＨ２Ｏ−ｎ−Ｃ４Ｈ９
ＭＰ−２４：Ｒ１３、Ｒ１６：ＣＨ２ＯＨ；Ｒ１４、Ｒ１５：ＣＨ２Ｏ−ｎ−Ｃ４Ｈ９
ＭＰ−２５：Ｒ１３：ＣＨ２ＯＨ；Ｒ１４、Ｒ１５、Ｒ１６：ＣＨ２Ｏ−ｎ−Ｃ４Ｈ９
ＭＰ−２６：Ｒ１３、Ｒ１４、Ｒ１６：ＣＨ２Ｏ−ｎ−Ｃ４Ｈ９；Ｒ１５：ＣＨ２ＯＨ
ＭＰ−２７：Ｒ１３、Ｒ１６：ＣＨ２Ｏ−ｎ−Ｃ４Ｈ９；Ｒ１４、Ｒ１５：ＣＨ２ＯＨ
ＭＰ−２８：Ｒ１３、Ｒ１４：ＣＨ２ＯＨ；Ｒ１５：ＣＨ２ＯＣＨ３；Ｒ１６：ＣＨ２Ｏ−ｎ−Ｃ４Ｈ９
ＭＰ−２９：Ｒ１３、Ｒ１４：ＣＨ２ＯＨ；Ｒ１５：ＣＨ２Ｏ−ｎ−Ｃ４Ｈ９；Ｒ１６：ＣＨ２ＯＣＨ３
ＭＰ−３０：Ｒ１３、Ｒ１６：ＣＨ２ＯＨ；Ｒ１４：ＣＨ２ＯＣＨ３；Ｒ１５：ＣＨ２Ｏ−ｎ−Ｃ４Ｈ９
ＭＰ−３１：Ｒ１３：ＣＨ２ＯＨ；Ｒ１４、Ｒ１５：ＣＨ２ＯＣＨ３；Ｒ１６：ＣＨ２Ｏ−ｎ−Ｃ４Ｈ９
ＭＰ−３２：Ｒ１３：ＣＨ２ＯＨ；Ｒ１４、Ｒ１６：ＣＨ２ＯＣＨ３；Ｒ１５：ＣＨ２Ｏ−ｎ−Ｃ４Ｈ９
ＭＰ−３３：Ｒ１３：ＣＨ２ＯＨ；Ｒ１４：ＣＨ２ＯＣＨ３；Ｒ１５、Ｒ１６：ＣＨ２Ｏ−ｎ−Ｃ４Ｈ９
ＭＰ−３４：Ｒ１３：ＣＨ２ＯＨ；Ｒ１４、Ｒ１５：ＣＨ２Ｏ−ｎ−Ｃ４Ｈ９；Ｒ１６：ＣＨ２ＯＣＨ３
ＭＰ−３５：Ｒ１３、Ｒ１４：ＣＨ２ＯＣＨ３；Ｒ１５：ＣＨ２ＯＨ；Ｒ１６：ＣＨ２Ｏ−ｎ−Ｃ４Ｈ９
ＭＰ−３６：Ｒ１３、Ｒ１６：ＣＨ２ＯＣＨ３；Ｒ１４：ＣＨ２ＯＨ；Ｒ１５：ＣＨ２Ｏ−ｎ−Ｃ４Ｈ９
ＭＰ−３７：Ｒ１３：ＣＨ２ＯＣＨ３；Ｒ１４、Ｒ１５：ＣＨ２ＯＨ；Ｒ１６：ＣＨ２Ｏ−ｎ−Ｃ４Ｈ９
ＭＰ−３８：Ｒ１３、Ｒ１６：ＣＨ２Ｏ−ｎ−Ｃ４Ｈ９；Ｒ１４：ＣＨ２ＯＣＨ３；Ｒ１５：ＣＨ２ＯＨ
ＭＰ−３９：Ｒ１３：ＣＨ２ＯＨ；Ｒ１４：ＣＨ２ＯＣＨ３；Ｒ１５：ＣＨ２Ｏ−ｎ−Ｃ４Ｈ９；Ｒ１６：ＣＨ２ＮＨＣＯＣＨ＝ＣＨ２
ＭＰ−４０：Ｒ１３：ＣＨ２ＯＨ；Ｒ１４：ＣＨ２ＯＣＨ３；Ｒ１５：ＣＨ２ＮＨＣＯＣＨ＝ＣＨ２；Ｒ１６：ＣＨ２Ｏ−ｎ−Ｃ４Ｈ９
ＭＰ−４１：Ｒ１３：ＣＨ２ＯＨ；Ｒ１４：ＣＨ２Ｏ−ｎ−Ｃ４Ｈ９；Ｒ１５：ＣＨ２ＮＨＣＯＣＨ＝ＣＨ２；Ｒ１６：ＣＨ２ＯＣＨ３
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ＭＰ−１９５：Ｒ１３：ＣＨ２ＯＨ；Ｒ１４：ＣＨ２ＯＣＨ３；Ｒ１５：ＣＨ２ＮＨＣＯ（ＣＨ２）７ＣＨ＝ＣＨ（ＣＨ２）７ＣＨ３；Ｒ１６：ＣＨ２ＮＨＣＯＣＨ＝ＣＨ２
ＭＰ−１９６：Ｒ１３：ＣＨ２ＯＨ；Ｒ１４：ＣＨ２ＯＣＨ３；Ｒ１５：ＣＨ２ＮＨＣＯＣＨ＝ＣＨ２；Ｒ１６：ＣＨ２ＮＨＣＯ（ＣＨ２）７ＣＨ＝ＣＨ（ＣＨ２）７ＣＨ３
ＭＰ−１９７：Ｒ１３：ＣＨ２ＯＨ；Ｒ１４：ＣＨ２ＮＨＣＯ（ＣＨ２）７ＣＨ＝ＣＨ（ＣＨ２）７ＣＨ３；Ｒ１５：ＣＨ２ＮＨＣＯＣＨ＝ＣＨ２；Ｒ１６：ＣＨ２ＯＣＨ３
ＭＰ−１９８：Ｒ１３：ＣＨ２ＯＣＨ３；Ｒ１４：ＣＨ２ＯＨ；Ｒ１５：ＣＨ２ＮＨＣＯ（ＣＨ２）７ＣＨ＝ＣＨ（ＣＨ２）７ＣＨ３；Ｒ１６：ＣＨ２ＮＨＣＯＣＨ＝ＣＨ２
ＭＰ−１９９：Ｒ１３：ＣＨ２ＯＣＨ３；Ｒ１４：ＣＨ２ＯＨ；Ｒ１５：ＣＨ２ＮＨＣＯＣＨ＝ＣＨ２；Ｒ１６：ＣＨ２ＮＨＣＯ（ＣＨ２）７ＣＨ＝ＣＨ（ＣＨ２）７ＣＨ３
ＭＰ−２００：Ｒ１３：ＣＨ２ＮＨＣＯ（ＣＨ２）７ＣＨ＝ＣＨ（ＣＨ２）７ＣＨ３；Ｒ１４：ＣＨ２ＯＣＨ３；Ｒ１５：ＣＨ２ＯＨ；Ｒ１６：ＣＨ２ＮＨＣＯＣＨ＝ＣＨ２
本発明においては、上記繰り返し単位を二種類以上組み合わせたコポリマーを用いてもよい。二種類以上のホモポリマー又はコポリマーを併用してもよい。
【０１５０】
また、二種類以上の１，３，５−トリアジン環を有する化合物を併用してもよい。二種類以上の円盤状化合物（例えば、１，３，５−トリアジン環を有する化合物とポルフィリン骨格を有する化合物と）を併用してもよい。
【０１５１】
また、下記に本発明の上記以外の添加剤の具体例を挙げる。
【０１５２】
【化３３】
2004203009.tif 000035
【０１５３】
【化３４】
2004203009.tif 000036
【０１５４】
【化３５】
2004203009.tif 000037
【０１５５】
【化３６】
2004203009.tif 000038
【０１５６】
【化３７】
2004203009.tif 000039
【０１５７】
【化３８】
2004203009.tif 000040
【０１５８】
【化３９】
2004203009.tif 000041
【０１５９】
ドープ中には、上記以外の添加剤、酸化防止剤、染料、蛍光増白剤（例えば特願２００２−１２３８２１に記載されているもの）等も添加することができる。
【０１６０】
▲２▼−１インライン添加液（主に、紫外線吸収剤を含有する）調製工程
紫外線吸収剤を含有するインライン添加液として説明する。セルロースエステル溶液に使用する低級アルコール等の有機溶媒、後述の樹脂及び必要に応じ含有する紫外線吸収剤含有インライン添加液の調製方法は、十分に液中に均一に調製することが出来る方法であれば特に制限ないが、次の方法が好ましい。
【０１６１】
溶解釜１１１中に有機溶媒と紫外線吸収剤と必要に応じ後述の樹脂を加え、攪拌溶解して樹脂溶液とする。それを送液ポンプ１１２で濾過器１１３に送って凝集物を除きインライン添加液１１０とする（何回か同様な操作を繰り返し循環させてもよい）。そしてインライン添加液を切り替え弁１１９からストックタンク１１４に移送し、静置脱泡後、送液ポンプ１１５（例えば加圧型定量ギヤポンプ）で移送し、濾過器１１６で濾過して導管１１７で移送する。
【０１６２】
使用する有機溶媒は、ドープに使用する有機溶媒を用いることが好ましいが、特に限定はない。ドープに使用する低級アルコール類としては、メチルアルコール、エチルアルコール、プロピルアルコール、イソプロピルアルコール、ブチルアルコール等を挙げることが出来るが、特にエタノールが好ましい。
【０１６３】
必要に応じて紫外線吸収剤添加液にはセルロースエステルと相溶性の良い樹脂を添加することができる。セルロースエステルと相溶性の良い樹脂としては、ドープに使用するセルロースエステルでもよいが、特願２００１−１９８４５０に記載の樹脂が、分散液濾過の際、目詰まりにくいので好ましく用いることが出来る。例えば、綜研化学（株）で市販しているアクトフロー・シリーズの樹脂等を好ましく用いることが出来る。
【０１６４】
インライン添加液は、最終濾過器１１６で濾過後は、ストックタンクなどに停滞させることなく、また送液ポンプを介すことなく導管で移送するのが好ましく、一方、導管で移送されて来る前記セルロースエステル溶液１００と、合流管１２０で合流される。それにより両液の停滞や、送液ポンプによる新たな凝集物の発生がなく好ましい。これらの濾過はインラインミキサーの直前に配置されており、例えば濾材交換等に伴い経路から発生する大きな凝集物を送液中の微粒子分散液から、一度の濾過で、比較的大きな異物を確実に除去するための濾材で、前記の絶対濾過精度を有する長期に亘り使用が可能な耐有機溶媒性を有する金属製の濾過器が好ましい。濾材としては、耐久性の観点から金属、特にステンレス鋼が好ましい。目詰まりの観点から６０〜８０％の空孔率を有していることが好ましい。従って、最も好ましくは、絶対濾過精度３０〜６０μｍであって、かつ空孔率６０〜８０％の金属製濾材で濾過することであり、これにより、長期に亘り、確実に粗大な異物を除くことが出来好ましい。絶対濾過精度３０〜６０μｍでかつ空孔率６０〜８０％の金属製濾材としては、例えば、日本精線（株）製ファインポアＮＦシリーズのＮＦ−１０、同ＮＦ−１２、同ＮＦ−１３などを挙げることが出来、何れも好ましく用いられる。
【０１６５】
▲２▼−２インライン添加液（主に、微粒子分散液を含有する）調製工程
微粒子分散液を含有するインライン添加液として説明する。セルロースエステル溶液に使用する低級アルコール等の有機溶媒、後述の樹脂及び後述のマット剤微粒子を含有する微粒子剤分散液の調製方法は、十分に液中に均一に分散することが出来る方法であれば特に制限ないが、次の方法が好ましい。
【０１６６】
溶解釜１１１Ａ中に有機溶媒と後述の樹脂を加え、攪拌溶解して樹脂溶液とし、この樹脂溶液にマット剤微粒子または微粒子分散液を加えて、マントンゴーリーン、サンドミル等の分散機（図示していない）で分散し、それを送液ポンプ１１２Ａで濾過器１１３Ａに送って凝集物を除きインライン添加液１１０Ａとする（何回か同様な操作を繰り返し循環させてもよい）。そしてインライン添加液を切り替え弁１１９Ａからストックタンク１１４Ａに移送し、静置脱泡後、送液ポンプ１１５Ａ（例えば加圧型定量ギヤポンプ）で移送し、濾過器１１６Ａで濾過して導管１１７Ａで移送する。なお、予め溶解釜１１１Ａ内で紫外線吸収剤をインライン添加液に添加してもよい。
【０１６７】
本発明に係る微粒子の分散液を調製する方法としては、例えば以下に示すような３種類を挙げることが出来る。
【０１６８】
（調製方法Ａ）
有機溶媒と微粒子を攪拌混合した後、分散機で分散を行う。これを微粒子の分散液とする。
【０１６９】
（調製方法Ｂ）
有機溶媒と微粒子を攪拌混合した後、分散機で分散を行い、微粒子の分散液とする。別に有機溶媒に少量の樹脂（微粒子に対して分散性がよく、液に適度に粘性を与えるもので、且つセルロースエステルと相溶性のある樹脂、またはセルロースエステル）を加え、攪拌溶解した樹脂溶液を用意する。これに前記微粒子分散液を加えて攪拌し、充分分散し、微粒子の分散液とする。
【０１７０】
（調製方法Ｃ）
有機溶媒に少量の樹脂（微粒子に対して分散性がよく、且つセルロースエステルと相溶性のある樹脂、またはセルロースエステル）を加え、攪拌溶解する。これに微粒子を加えて分散機で充分に分散をし、微粒子の分散液とする。
【０１７１】
調製方法Ａは二酸化珪素微粒子の分散性に優れ、調製方法Ｃは二酸化珪素微粒子が再凝集しにくい点に優れている。調製方法Ｂは二酸化珪素微粒子の分散性と、二酸化珪素微粒子が再凝集しにくい等、両方に優れている好ましい調製方法である。
【０１７２】
調製方法Ａ〜Ｃで分散調製した微粒子の分散液を含有するインライン添加液をセルロースエステル溶液に加えて攪拌しドープとするが、インライン添加液とセルロースエステル溶液をインライン中で合流させ、インラインミキサーで十分混合してドープとするのが好ましい。
【０１７３】
上記調製方法において、二酸化珪素微粒子を有機溶媒と混合して分散するときの二酸化珪素の濃度は５〜３０質量％が好ましく、１０〜２５質量％がより好ましく、１５〜２０質量％が更に好ましい。分散濃度は高い方が、添加量に対する液濁度は低くなる傾向があり、得られるフィルムのヘイズが低く、凝集物がなく好ましい。
【０１７４】
使用する有機溶媒は、ドープに使用する有機溶媒を用いることが好ましいが、特に限定はない。ドープに使用する低級アルコール類としては、メチルアルコール、エチルアルコール、プロピルアルコール、イソプロピルアルコール、ブチルアルコール等を挙げることが出来るが、特にエタノールが好ましい。
【０１７５】
微粒子の分散性を助け、分散性を良好にし、且つセルロースエステルと相溶性の良い樹脂としては、ドープに使用するセルロースエステルでもよいが、特願２００１−１９８４５０に記載の樹脂が、分散液濾過の際、目詰まりにくいので好ましく用いることが出来る。例えば、綜研化学（株）で市販しているアクトフロー・シリーズの樹脂等を好ましく用いることが出来る。
【０１７６】
（分散装置）
上記微粒子を分散する分散機は通常の分散機が使用出来る。分散機は大きく分けてメディア分散機とメディアレス分散機に分けられる。二酸化珪素微粒子の分散にはメディアレス分散機がヘイズが低く好ましい。メディア分散機としてはボールミル、サンドミル、ダイノミルなどがあげられる。メディアレス分散機としては超音波型、遠心型、高圧型などがあるが、本発明においては高圧分散装置が好ましい。高圧分散装置は、微粒子と溶媒を混合した組成物を、細管中に高速通過させることで、高剪断や高圧状態など特殊な条件を作り出す装置である。
【０１７７】
高圧分散装置で処理する場合、例えば、管径１〜２０００μｍの細管中で装置内部の最大圧力条件が１０ＭＰａ以上であることが好ましい。更に好ましくは２０ＭＰａ以上である。またその際、最高到達速度が１００ｍ／秒以上に達するもの、伝熱速度が４２０ｋＪ／時間以上に達するものが好ましい。上記のような高圧分散装置にはＭｉｃｒｏｆｌｕｉｄｉｃｓ  Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ社製超高圧ホモジナイザ（商品名マイクロフルイダイザ）あるいはナノマイザ社製ナノマイザがあり、他にもマントンゴーリン型高圧分散装置、例えばイズミフードマシナリ製ホモジナイザ、三和機械（株）社製ＵＨＮ−０１等を挙げることが出来る。
【０１７８】
インライン添加液は、最終濾過器１１６Ａで濾過後は、ストックタンクなどに停滞させることなく、また送液ポンプを介すことなく導管で移送するのが好ましく、一方、導管で移送されて来る前記セルロースエステル溶液１００Ａと、合流管１２０Ａで合流され混合器１２１で混合されながらダイへ供給される。それにより両液の停滞や、送液ポンプによる新たな凝集物の発生がなく好ましい。これらの濾過はインラインミキサーの直前に配置されており、例えば濾材交換等に伴い経路から発生する大きな凝集物を送液中の微粒子分散液から、一度の濾過で、比較的大きな異物を確実に除去するための濾材で、前記の絶対濾過精度を有する長期に亘り使用が可能な耐有機溶媒性を有する金属製の濾過器が好ましい。濾材としては、耐久性の観点から金属、特にステンレス鋼が好ましい。目詰まりの観点から６０〜８０％の空孔率を有していることが好ましい。従って、最も好ましくは、絶対濾過精度３０〜６０μｍであって、かつ空孔率６０〜８０％の金属製濾材で濾過することであり、これにより、長期に亘り、確実に粗大な異物を除くことが出来好ましい。絶対濾過精度３０〜６０μｍでかつ空孔率６０〜８０％の金属製濾材としては、例えば、日本精線（株）製ファインポアＮＦシリーズのＮＦ−１０、同ＮＦ−１２、同ＮＦ−１３などを挙げることが出来、何れも好ましく用いられる。
【０１７９】
《セルロースエステルフィルム及び下側のハードコート層としての活性線硬化樹脂層に中に用いる添加剤》
本発明に用いられるセルロースエステルフィルムの添加剤について説明する。
【０１８０】
（可塑剤）
可塑剤としては特に限定はないが、リン酸エステル系可塑剤、フタル酸エステル系可塑剤、トリメリット酸エステル系可塑剤、ピロメリット酸系可塑剤、グリコレート系可塑剤、クエン酸エステル系可塑剤、ポリエステル系可塑剤などを挙げることができる。
【０１８１】
リン酸エステル系としては、
例えば、トリフェニルホスフェート、トリクレジルホスフェート、クレジルジフェニルホスフェート、オクチルジフェニルホスフェート、ジフェニルビフェニルホスフェート、トリオクチルホスフェート、トリブチルホスフェート等；
フタル酸エステル系としては、
例えば、ジエチルフタレート、ジメトキシエチルフタレート、ジメチルフタレート、ジオクチルフタレート、ジブチルフタレート、ジ−２−エチルヘキシルフタレート、ブチルベンジルフタレート、ジシクロヘキシルフタレート、ジベンジルフタレート等；
トリメリット酸系可塑剤としては、例えば、トリブチルトリメリテート、トリフェニルトリメリテート、トリエチルトリメリテート等；
ピロメリット酸エステル系可塑剤としては、
例えば、テトラブチルピロメリテート、テトラフェニルピロメリテート、テトラエチルピロメリテート等；
グリセリンエステルとしては、
例えば、トリアセチン、トリブチリン等；
グリコール酸エステル系としては、エチルフタリルエチルグリコレート、メチルフタリルエチルグリコレート、ブチルフタリルブチルグリコレート等；
その他のカルボン酸エステルの例としては、オレイン酸ブチル、リシノール酸メチルアセチル、セバシン酸ジブチル、種々のトリメリット酸エステル、トリメチロールプロパントリベンゾエート、トリメチロールプロパンテトラベンゾエート等の多価アルコールエステルを挙げることができる。これらのうち、リン酸エステル系可塑剤またはグリコール酸エステル系の可塑剤が好ましい。
【０１８２】
これらの可塑剤を単独あるいは併用するのが好ましい。
また、可塑剤の使用量は、フィルム性能、加工性等の点で、セルロースエステルに対して１質量％〜３０質量％であることが好ましい。
【０１８３】
また、インラインの添加剤は前述の化２〜化３９及び紫外線吸収剤の中から選ぶことができる。
【０１８４】
▲３▼ドープ調製工程：
セルロースエステル溶液１００及びインライン添加液１１０それぞれを送液ポンプ１０５及び１１５により移送し濾過器１０６及び１１６で濾過した導管１０８及び１１７中を移送し合流管１２０で両液を合流させる。合流した両液は導管内を層状で移送するためそのままでは混合しにくい。そこで、本発明においては、両液を合流後、インラインミキサーのような混合機１２１で十分に混合しながら次工程▲４▼に移送する。本発明で使用出来るインラインミキサーとしては、例えば、スタチックミキサーＳＷＪ（東レ静止型管内混合器  Ｈｉ−Ｍｉｘｅｒ、東レエンジニアリング製）が好ましい。インラインミキサーを用いる場合、セルロースエステルを高圧下で濃縮溶解したドープに適用することも出来る。
【０１８５】
上記ドープ調製工程は、微粒子を含有するドープを調製するもので、微粒子を含有する層、例えば共流延ダイの表層用スリットに導入するものである。当然のことながら、微粒子を含有しない層のドープは、上記微粒子の分散液を含むインライン添加液調製工程は使用しいが、微粒子に代えて紫外線吸収剤をインライン添加してもよい。セルロースエステルの種類、濃度、微粒子の有無、微粒子の濃度、有機化合物添加剤の有無、有機化合物の濃度等、このようなドープ調製工程を多層の数だけ（ドープ組成が同じ場合は共用することが出来る）設ける必要がある。後述の共流延ダイには、それぞれの目的に応じて成分を変更し調製したドープを各スリットに供給することになる。基層に用いられるドープの粘度は５０〜１０，０００Ｐａ・ｓ（３５℃にて）であることが好ましく、特に５０〜１，０００Ｐａ・ｓであることが好ましい。表層に用いられるドープの粘度は０．１〜５，０００Ｐａ・ｓであることが好ましく、５〜１，０００Ｐａ・ｓであることがより好ましく、更に好ましくは１０〜５００Ｐａ・ｓ、特に好ましくは１０〜５０Ｐａ・ｓである。本発明において、表層用ドープの粘度は基層用のそれより低いことが好ましい。
【０１８６】
図５で説明したドープ調製工程１５０を調製工程Ａとし、例えば調製工程Ａで調製されたドープが基層用のドープとすると、該ドープを共流延ダイ２００の基層の導入口２０２に導入し、調製工程Ｂと図示していない同様な調製工程Ｃからのそれぞれのドープを、共流延ダイ２００の表層ドープ導入口２０１と２０３にそれぞれ導入して共流延に供する。ドープ調製工程Ｂ及びＣはドープ調製工程Ａとと同様であってもよく、表層用ドープＣの組成が同じであれば一つのドープ調製工程から分割して送液してもよい。
【０１８７】
図６は本発明に係わる溶液流延製膜装置の流延以降の工程を示した図である。以下、本発明に係わるセルロースエステルフィルムの作製の一例を図６を用いて説明する。
【０１８８】
▲４▼共流延工程：
上記したように、ドープ調製工程Ｂ、Ａ及びＣで調製したドープを、それぞれのインラインミキサーで混合調製し、各ドープを共流延ダイ２００にそれぞれ導入口２０１、２０２及び２０３を通して導入し、無限に移送する無端の金属支持体２０４、例えばステンレスベルト、あるいは回転する金属ドラム等の金属支持体２０４上の流延位置に、共流延ダイ２００から例えば３層のドープを共流延する工程である。金属支持体２０４の表面は鏡面となっていることが望ましい。共流延ダイ２００（例えば加圧型共流延ダイ）は口金部分の三つのスリット形状を調製出来、膜厚を均一にし易いため好ましい。共流延ダイ２００には、コートハンガーダイやＴダイ等があるが、何れも好ましく用いられる。逐次流延の場合には、金属支持体２０４上に２基以上設け、２種類以上のドープ量を供給して多層ドープ膜を形成する。
【０１８９】
▲５▼溶媒蒸発工程：
例えば３層構成のウェブ（金属支持体上にドープを流延した以降のドープ膜の呼び方をウェブとする）２０６を金属支持体２０４上で加熱あるいは冷却して金属支持体２０４からウェブ２０６が剥離可能になるまで溶媒を蒸発させる工程である。溶媒を蒸発させるには、ウェブ２０６に風を当てる方法及び／または金属支持体２０４の裏面から液体または気体により伝熱させる方法、輻射熱により表裏から伝熱する方法等があるが、裏面液体伝熱の方法が乾燥効率がよく好ましい。またそれらを組み合わせる方法も好ましい。裏面液体伝熱の場合は、金属支持体上のウェブ温度がドープで使用されている有機溶媒の主溶媒または最も低い沸点を有する有機溶媒の沸点以下で加熱するのが好ましい。流延用の金属支持体の表面温度は１０〜５５℃、溶液の温度は２５〜６０℃、更に溶液の温度を支持体の温度と同じまたはそれ以上の温度にすることが好ましく、５℃以上の温度に設定することが更に好ましい。溶液温度、支持体温度は、高いほど溶媒の乾燥速度が速く出来るので好ましいが、あまり高すぎると発泡したり、平面性が劣化する場合がある。支持体の温度の更に好ましい範囲は、使用する有機溶媒に依存するが、２０〜５５℃、溶液温度の更に好ましい範囲は、３５〜４５℃である。
【０１９０】
▲６▼剥離工程：
金属支持体２０４上で溶媒が蒸発したウェブ２０６を、剥離位置２０５で剥離する工程である。剥離されたウェブ２０６は次工程▲７▼に送られる。剥離する時点でのウェブ２０６の残留溶媒量（後述の式）があまり大き過ぎると剥離し難かったり、逆に金属支持体２０４上で乾燥させ過ぎて剥離すると、剥離しにくくなったり、途中でウェブ２０６の一部が剥がれたりする。本発明において、薄手のウェブを金属支持体から剥離する際、平面性の劣化やつれがないように行うには、剥離張力として剥離出来る最低張力から１７０Ｎ／ｍ以内の力で剥離することが好ましく、１４０Ｎ／ｍ以内の力がより好ましい。
【０１９１】
製膜速度を上げる方法（残留溶媒量が出来るだけ多いうちに剥離するため製膜速度を上げることが出来る）としてゲル流延法（ゲルキャスティング）がある。それは、ドープ中にセルロースエステルに対する貧溶媒を加えて、ドープ流延後、ゲル化する方法、金属支持体の温度を低めてゲル化する方法等がある。金属支持体２０４上でゲル化させ剥離時の膜の強度を上げておくことによって、剥離を早め製膜速度を上げることが出来るのである。金属支持体２０４上でのウェブ２０６の乾燥が条件の強弱、金属支持体２０４の長さ等により５〜１５０質量％の範囲で剥離することが出来るが、残留溶媒量がより多い時点で剥離する場合、ウェブ２０６が柔らか過ぎると剥離時平面性を損なったり、剥離張力によるツレや縦スジが発生し易く、経済速度と品質との兼ね合いで剥離残留溶媒量を決められる。従って、本発明においては、該金属支持体２０４上の剥離位置における温度を好ましくは１０〜４０℃、更に好ましくは１２〜３０℃とし、且つ該剥離位置におけるウェブ２０６の残留溶媒量を１０〜１２０質量％とすることが好ましい。
【０１９２】
製造時のセルロースエステルフィルムが良好な平面性を維持するために、金属支持体から剥離する際の残留溶媒量を１０〜１５０質量％とすることが好ましく、より好ましくは８０〜１５０質量％であり、更に好ましくは１００〜１３０質量％である。剥離時のウェブの残留有機溶媒中に含まれる良溶媒の比率は３０〜９０％が好ましく、更に好ましくは、５０〜８５％であり、特に好ましくは、６０〜８０％である。
【０１９３】
本発明においては、残留溶媒量は下記の式で表わすことが出来る。
残留溶媒量（質量％）＝｛（Ｍ−Ｎ）／Ｎ｝×１００
ここで、Ｍはウェブの任意時点での質量で、この乾燥によって揮発した成分の比率についてはガスクロマトグラフィーによって求めることが出来る。Ｎは該Ｍを１１０℃で３時間乾燥させた時の質量である。測定はヘッドスペースサンプラーを接続したガスクロマトグラフィーで測定する。本発明では、ヒューレット・パッカード社製ガスクロマトグラフィー５８９０型ＳＥＲＩＳＩＩとヘッドスペースサンプラーＨＰ７６９４型を使用し、以下の測定条件で行った。
【０１９４】
ヘッドスペースサンプラー加熱条件：１２０℃、２０分
ＧＣ導入温度：１５０℃
昇温：４０℃、５分保持→１００℃（８℃／分）
カラム：Ｊ＆Ｗ社製ＤＢ−ＷＡＸ（内径０．３２ｍｍ、長さ３０ｍ）。
【０１９５】
本発明において、ドープの流延から剥離までのウェブの金属支持体上での乾燥時間は１２０秒以内であることが好ましく、更に３０〜１２０秒が好ましく、更に３０〜９０秒であることが好ましい。この範囲で剥離したウェブの表面性は良好で、乾燥後のセルロースエステルフィルムに後述の金属化合物薄膜を施した際、平面性に優れ、且つ高温高湿条件下に繰り返し曝した際のクラックもなく優れた光学フィルムを得ることが出来る。
【０１９６】
▲７▼乾燥工程：
剥離後、一般には、ウェブ２０６をジグザグに配置したロール２０９に交互に通して搬送するロール乾燥装置２０８及び／またはクリップでウェブ２０６の両端をクリップして搬送するテンター装置２０７を用いてウェブ２０６を乾燥する。図６では、テンター装置２０７の後にロール乾燥装置２０８が配置されている。乾燥の手段はウェブの両面に熱風を吹かせるのが一般的であるが、風の代わりにマイクロウエーブを当てて加熱する手段もある。あまり急激な乾燥は出来上がりのフィルムの平面性を損ね易い。全体を通して、通常乾燥温度は４０〜２５０℃の範囲で行われ、好ましくは１１０〜１６０℃で乾燥させることである。使用する溶媒によって、乾燥温度、乾燥風量及び乾燥時間が異なり、使用溶媒の種類、組合せに応じて乾燥条件を適宜選べばよい。２１０は出来上がったセルロースエステルフィルムの巻き取りである。セルロースエステルフィルムの乾燥工程において、残留溶媒量を１質量％以下にすることが好ましく、０．１質量％以下にして巻き取ることがより好ましい。
【０１９７】
以上の基材シートＦは基層２２と両側の表層２１，２３としたが、基層２２だけの場合や基層２２と何れかの表層にすることも製作は可能であり、何れも基材シートとしての効果を奏するる。このような基材シートを用いて作成した本発明の光学フィルムの模式的な断面図を図７の（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示す。
【０１９８】
《ハードコート層》
本発明に用いられ、基材シートの上に塗設されるハードコート層（活性線硬化樹脂層）について説明する。
【０１９９】
本発明の光学フィルムはセルロースエステルフィルム上に直接または他の層を介して金属化合物層を形成することを特徴としているが、図７の（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示すように、ハードコート層（活性線硬化樹脂層）あるいは他の層を介して形成することがより好ましい。ハードコート層の塗布は図８の模式図に示すように別位置に配した２つの押し出し式塗布装置４０１、４０２によって塗設することができる。
【０２００】
ハードコート層（活性線硬化樹脂層）は、種々の機能を有していてもよく、例えば、防眩層やクリアハードコート層であってもよい。ハードコート層（活性線硬化樹脂層）はエチレン性不飽和モノマーを１種以上含む成分を重合させて形成した層であることが好ましい。
【０２０１】
エチレン性不飽和モノマーを含む成分を重合させて形成した樹脂層としては、活性線硬化樹脂あるいは熱硬化樹脂を硬化させて形成された層が好ましく用いられるが、特に好ましく用いられるのは活性線硬化樹脂層である。
【０２０２】
ここで、活性線硬化樹脂層とは紫外線や電子線のような活性線照射により架橋反応などを経て硬化する樹脂を主たる成分とする層をいう。
【０２０３】
活性線硬化樹脂としては紫外線硬化性樹脂や電子線硬化性樹脂などが代表的なものとして挙げられるが、紫外線や電子線以外の活性線照射によって硬化する樹脂でもよい。
【０２０４】
紫外線硬化性樹脂としては、例えば、紫外線硬化型アクリルウレタン系樹脂、紫外線硬化型ポリエステルアクリレート系樹脂、紫外線硬化型エポキシアクリレート系樹脂、紫外線硬化型ポリオールアクリレート系樹脂または紫外線硬化型エポキシ樹脂等を挙げることができる。
【０２０５】
具体例としては、例えば、トリメチロールプロパントリアクリレート、ジトリメチロールプロパンテトラアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、アルキル変性ジペンタエリスリトールペンタアクリレート等を挙げることができる。
【０２０６】
紫外線硬化型アクリルウレタン系樹脂としては、一般にポリエステルポリオールにイソシアネートモノマー、もしくはプレポリマーを反応させて得られた生成物に更に２−ヒドロキシエチルアクリレート、２−ヒドロキシエチルメタクリレート（以下アクリレートにはメタクリレートを包含するものとしてアクリレートのみを表示する）、２−ヒドロキシプロピルアクリレート等の水酸基を有するアクリレート系のモノマーを反応させる容易に形成されるものを挙げることができ、特開昭５９−１５１１１０号公報に記載のものを用いることができる。
【０２０７】
紫外線硬化型ポリエステルアクリレート系樹脂としては、一般にポリエステルポリオールに２−ヒドロキシエチルアクリレート、２−ヒドロキシアクリレート系のモノマーを反応させる容易に形成されるものを挙げることができ、特開昭５９−１５１１１２号公報に記載のものを用いることができる。
【０２０８】
紫外線硬化型エポキシアクリレート系樹脂の具体例としては、エポキシアクリレートをオリゴマーとし、これに反応性希釈剤、光反応開始剤を添加し、反応させて生成するものを挙げることができ、特開平１−１０５７３８号公報に記載のものを用いることができる。
【０２０９】
これらの光反応開始剤としては、具体的には、ベンゾイン及び誘導体、アセトフェノン、ベンゾフェノン、ヒドロキシベンゾフェノン、ミヒラーズケトン、α−アミロキシムエステル、チオキサントン等及びこれらの誘導体を挙げることができる。光増感剤と共に使用してもよい。
【０２１０】
上記光反応開始剤も光増感剤としても使用できる。また、エポキシアクリレート系の光反応剤の使用の際、ｎ−ブチルアミン、トリエチルアミン、トリ−ｎ−ブチルホスフィン等の増感剤を用いることができる。
【０２１１】
樹脂モノマーとしては、例えば、不飽和二重結合が一つのモノマーとして、メチルアクリレート、エチルアクリレート、ブチルアクリレート、ベンジルアクリレート、シクロヘキシルアクリレート、酢酸ビニル、スチレン等の一般的なモノマーを挙げることができる。また不飽和二重結合を二つ以上持つモノマーとして、エチレングリコールジアクリレート、プロピレングリコールジアクリレート、ジビニルベンゼン、１，４−シクロヘキサンジアクリレート、１，４−シクロヘキシルジメチルアジアクリレート、前出のトリメチロールプロパントリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリルエステル等を挙げることができる。
【０２１２】
本発明において使用することができる紫外線硬化樹脂としては、例えばアデカオプトマーＫＲ・ＢＹシリーズ：ＫＲ−４００、ＫＲ−４１０、ＫＲ−５５０、ＫＲ−５６６、ＫＲ−５６７、ＢＹ−３２０Ｂ（旭電化（株）製）；コーエイハードＡ−１０１−ＫＫ、Ａ−１０１−ＷＳ、Ｃ−３０２、Ｃ−４０１−Ｎ、Ｃ−５０１、Ｍ−１０１、Ｍ−１０２、Ｔ−１０２、Ｄ−１０２、ＮＳ−１０１、ＦＴ−１０２Ｑ８、ＭＡＧ−１−Ｐ２０、ＡＧ−１０６、Ｍ−１０１−Ｃ（広栄化学（株）製）；セイカビームＰＨＣ２２１０（Ｓ）、ＰＨＣ  Ｘ−９（Ｋ−３）、ＰＨＣ２２１３、ＤＰ−１０、ＤＰ−２０、ＤＰ−３０、Ｐ１０００、Ｐ１１００、Ｐ１２００、Ｐ１３００、Ｐ１４００、Ｐ１５００、Ｐ１６００、ＳＣＲ９００（大日精化工業（株）製）；ＫＲＭ７０３３、ＫＲＭ７０３９、ＫＲＭ７１３０、ＫＲＭ７１３１、ＵＶＥＣＲＹＬ２９２０１、ＵＶＥＣＲＹＬ２９２０２（ダイセル・ユーシービー（株）製）；ＲＣ−５０１５、ＲＣ−５０１６、ＲＣ−５０２０、ＲＣ−５０３１、ＲＣ−５１００、ＲＣ−５１０２、ＲＣ−５１２０、ＲＣ−５１２２、ＲＣ−５１５２、ＲＣ−５１７１、ＲＣ−５１８０、ＲＣ−５１８１（大日本インキ化学工業（株）製）；オーレックスＮｏ．３４０クリヤ（中国塗料（株）製）；サンラッドＨ−６０１、ＲＣ−７５０、ＲＣ−７００、ＲＣ−６００、ＲＣ−５０１、ＲＣ−６１１、ＲＣ−６１２（三洋化成工業（株）製）；ＳＰ−１５０９、ＳＰ−１５０７（昭和高分子（株）製）；ＲＣＣ−１５Ｃ（グレース・ジャパン（株）製）、アロニックスＭ−６１００、Ｍ−８０３０、Ｍ−８０６０（東亞合成（株）製）等の市販品から適宜選択して利用できる。
【０２１３】
以上、特に紫外線硬化樹脂層として説明したが他の活性線樹脂層であっても同様の効果を示す。
【０２１４】
これらの活性線硬化樹脂層は公知の方法で塗設することができる。
紫外線硬化性樹脂を光硬化反応により硬化皮膜層を形成するための光源としては、紫外線を発生する光源であれば制限なく使用できる。例えば、低圧水銀灯、中圧水銀灯、高圧水銀灯、超高圧水銀灯、カーボンアーク灯、メタルハライドランプ、キセノンランプ等を用いることができる。照射条件はそれぞれのランプによって異なるが、照射光量は２０〜１００００ｍＪ／ｃｍ２程度あればよく、好ましくは、５０〜２０００ｍＪ／ｃｍ２である。近紫外線領域〜可視光線領域にかけてはその領域に吸収極大のある増感剤を用いることによって効率よく形成することができる。
【０２１５】
紫外線硬化樹脂層組成物塗布液の有機溶媒としては、例えば、炭化水素類、アルコール類、ケトン類、エステル類、グリコールエーテル類、その他の有機溶媒の中から適宜選択し、あるいはこれらを混合し利用できる。プロピレングリコールモノアルキルエーテル（アルキル基の炭素原子数として１〜４）またはプロピレングリコールモノアルキルエーテル酢酸エステル（アルキル基の炭素原子数として１〜４）等を５質量％以上、より好ましくは５〜８０質量％含有する上記有機溶媒を用いるのが好ましい。
【０２１６】
紫外線硬化性樹脂組成物塗布液の塗布方法としては、図８に示した前述の押し出し式塗布装置４０１，４０２を用いることができるが、塗布量はウェット膜厚として０．１〜３０μｍが適当で、好ましくは、０．５〜１５μｍである。
【０２１７】
塗布される紫外線硬化性樹脂組成物に対しては、図８に示すように塗布乾燥中又は後に、紫外線照射装置４０３，４０４によって紫外線を照射するのがよく、照射時間としては０．１秒〜５分が好ましく、紫外線硬化性樹脂の硬化効率または作業効率や生産性の観点から０．１秒〜１０秒がより好ましい。
【０２１８】
こうして得た硬化樹脂層に、ブロッキングを防止するために、また耐擦り傷性等を高めるために、或いは防眩性を付与するために、無機化合物あるいは有機化合物の微粒子を加えることもでき、それらの種類としては、前述のマット剤の微粒子とほぼ同様である。
【０２１９】
これらの微粒子粉末の平均粒径としては、０．００５μｍ〜５μｍが好ましく０．０１〜１μｍであることが特に好ましい。粒径や材質（屈折率）の異なる粒子を２種以上含有することが好ましい。
【０２２０】
紫外線硬化樹脂組成物と微粒子粉末との割合は、該樹脂組成物１００質量部に対して、０．１〜１０質量部であることが好ましい。
【０２２１】
紫外線硬化樹脂層は、ＪＩＳ  Ｂ  ０６０１で規定される中心線平均粗さ（Ｒａ）が１〜５０ｎｍのクリアハードコート層であっても、Ｒａが０．１〜１μｍの防眩層であってもよい。
【０２２２】
紫外線硬化樹脂層は２層以上を重ねて塗設する。これにより、より硬度や耐摩擦性に優れたハードコート層を形成することができる。ハードコート層は鉛筆硬度で２Ｈ以上であることが好ましく、特に３Ｈ〜６Ｈであることが好ましい。又、必要に応じてセルロースエステルフィルムの両面にハードコート層を塗設することもできる。
【０２２３】
また、防眩性を付与するため上層の紫外線硬化樹脂層に微粒子を添加しても良く、２層とも微粒子を添加しても良い。
【０２２４】
上記ハードコート層の活性線樹脂層の添加物について述べる。
下層のハードコート層に可塑剤を含有させる量は０．５〜１２質量％が好ましく、特に１〜１０質量％が好ましい。可塑剤はハードコート塗布液にあらかじめ添加することができる。あるいは事前に可塑剤をプラスチック基材表面に塗布やスプレー或いはその他の方法で付着させておき、その上に下層の活性線硬化樹脂層を塗布することで下層の活性線硬化樹脂層中に可塑剤を含有させることができる。上層の活性線硬化樹脂層は可塑剤を含有しないことが好ましいが下層から溶出してきた可塑剤を若干含んでいても良い。可塑剤はセルロースエステル等の基材シートに添加することができる可塑剤が好ましく用いられる。
【０２２５】
本発明では２層のハードコート層を形成する際に１層目の塗布完了後に巻き取ることなく２層目も連続的に形成することによって、この上に形成した金属化合物層のすじむらが低減され、反射光の色むらもさらに低減することができる。
【０２２６】
連続的に２層のハードコート層を形成する際に、下層のハードコート層は塗布乾燥後紫外線を照射してハーフキュアの状態とし、その上に上層のハードコート層を形成することが好ましい。
【０２２７】
更に、本発明においては、プラズマ放電処理によって金属化合物層をハードコート層上に形成する方法が特に好ましく用いられる。
【０２２８】
以下に、プラズマ放電処理により金属化合物層を形成する方法を図９、図１０を用いて説明する。
【０２２９】
図９は、本発明に有用なジェット方式の大気圧プラズマ放電処理装置の一例を示した概略図である。
【０２３０】
ジェット方式の大気圧プラズマ放電処理装置は、プラズマ放電処理装置、二つの電源を有する電圧印加手段の他に、図９では図示していない（後述の図１１に図示してある）が、ガス供給手段、電極温度調節手段を有している装置である。
【０２３１】
プラズマ放電処理装置３１０は、第１電極３１１と第２電極３１２から構成されている対向電極を有しており、該対向電極間に、第１電極３１１からは第１電源３２１からの第１の周波数ω１の高周波電圧Ｖ１が印加され、また第２電極３１２からは第２電源３２２からの第２の周波数ω２の高周波電圧Ｖ２が印加されるようになっている。第１電源３２１は第２電源３２２より大きな高周波電圧（Ｖ１＞Ｖ２）を印加出来る能力を有していればよく、また第１電源３２１の第１の周波数ω１と第２電源３２２の第２の周波数ω２の関係はω１＜ω２である。
【０２３２】
第１電極３１１と第１電源３２１との間には、第１電源３２１からの電流Ｉ１が第１電極３１１に向かって流れるように第１フィルター３２３が設置されており、第１電源３２１からの電流Ｉ１をアース側へ通過しにくくし、第２電源３２２からの電流Ｉ２がアース側へ通過し易くするように設計されている。
【０２３３】
また、第２電極３１２と第２電源３２２との間には、第２電源３２２からの電流Ｉ２が第２電極３１２に向かって流れるように第２フィルター３２４が設置されており、第２電源３２２からの電流Ｉ２をアース側へ通過しにくくし、第１電源３２１からの電流Ｉ１をアース側へ通過し易くするように設計されている。
【０２３４】
第１電極３１１と第２電極３１２との対向電極間（放電空間）３１３に、ガス供給手段からガスＧを導入し、第１電極３１１と第２電極３１２に高周波電圧を印加して放電を発生させ、ガスＧをプラズマ状態にし対向電極の下側（紙面下側）にジェット状に吹き出させて、基材シートＦに施したハードコート層の上に、処理位置３１４付近で薄膜を形成させる。プラズマ放電処理の際の基材シートＦの温度によっては、得られる薄膜の物性や組成が変化することがあり、これに対して適宜制御することが望ましい。温度調節の媒体としては、蒸留水、油等の絶縁性材料が好ましく用いられる。プラズマ放電処理の際、幅手方向あるいは長手方向での基材の温度ムラが出来るだけ生じないように電極の表面の温度や基材シート表面の温度を均一に調節することが望まれる。
【０２３５】
また、図９に前述の高周波電圧（印加電圧）と放電開始電圧の測定に使用する測定器を示した。３２５及び３２６は高周波プローブであり、３２７及び３２８はオシロスコープである。
【０２３６】
ジェット方式の該大気圧プラズマ放電処理装置を複数基接して直列に並べることで連続的に高速で処理することも出来る。また各装置が異なったガスをジェット噴射すれば、異なった層の積層薄膜を形成することも出来る。
【０２３７】
図１０は本発明に有用な別の大気圧プラズマ放電処理装置の一例を示す概略図である。
【０２３８】
この大気圧プラズマ放電処理装置は、少なくとも、プラズマ放電処理装置３３０、二つの電源を有する電圧印加手段３４０、ガス供給手段３５０、電極温度調節手段３６０を有している。
【０２３９】
ロール回転電極（第１電極）３３５と角筒型固定電極群（第２電極）３３６との対向電極間（放電空間）３３２で、基材シートＦ上にプラズマ放電処理によって金属化合物の薄膜を形成することができる。
【０２４０】
ロール回転電極（第１電極）３３５には第１電源３４１から周波数ω１の高周波電圧Ｖ１を、また角筒型固定電極群（第２電極）３３６には第２電源３４２から周波数ω２の高周波電圧Ｖ２を印加することができる。
【０２４１】
ロール回転電極（第１電極）３３５と第１電源３４１との間には、第１電源３４１からの電流Ｉ２がロール回転電極（第１電極）３３５に向かって流れるように第１フィルター３４３が設置されており、該第１フィルターは第１電源３４１からの電流Ｉ１をアース側へ通過しにくくし、第２電源３４２からの電流Ｉ２をアース側へ通過し易くするように設計されている。また、角筒型固定電極群（第２電極）３３６と第２電源３４２との間には、第２電源からの電流Ｉ２が第２電極に向かって流れるように第２フィルター３４４が設置されており、第２フィルター３４４は、第２電源３４２からの電流Ｉ２をアース側へ通過しにくくし、第１電源３４１からの電流Ｉ１をアース側へ通過し易くするように設計されている。
【０２４２】
なお、ロール回転電極３３５を第２電極、また角筒型固定電極群３３６を第１電極としてもよい。何れにしろ第１電極には第１電源が、また第２電極には第２電源が接続される。第１電源は第２電源より大きな高周波電圧（Ｖ１＞Ｖ２）を印加出来る能力を有しており、また、周波数はω１＜ω２となる能力を有している。
【０２４３】
ガス供給手段３５０のガス供給装置３５１で発生させたガスＧは、流量を制御して給気口３５２より、固定電極３３６の間から対向電極間３３２に供給される。また対向電極間より排ガスＧ’が排気される。しかし、ガス供給口３５２とガス排気口３５３は固定電極３３６の間に交互に設けることが好ましい。
【０２４４】
ハードコート層が形成された基材シートＦを、図示されていない元巻きから巻きほぐして搬送されて来るか、または前工程から搬送されて来て、ガイドロール３６４を経てニップロール３６５で基材に同伴されて来る空気等を遮断し、ロール回転電極３３５に接触したまま巻き回しながら角筒型固定電極群３３６との間に移送し、ロール回転電極（第１電極）３３５と角筒型固定電極群（第２電極）３３６との両方から電圧をかけ、対向電極間（放電空間）３３２で放電プラズマを発生させる。ハードコート層が形成された基材シートＦはロール回転電極３３５に接触したまま巻き回されながらプラズマ状態のガスにより薄膜を形成する。前記基材シートＦは、ニップロール３６６、ガイドロール３６７を経て、図示していない巻き取り機で巻き取るか、次工程に移送する。
【０２４５】
薄膜形成中、ロール回転電極（第１電極）３３５及び角筒型固定電極群（第２電極）３３６を加熱または冷却するために、電極温度調節手段３６０で温度を調節した媒体を、送液ポンプＰで配管３６１を経て両電極に送り、電極内側から温度を調節する。ロール回転電極３３５と固定電極群３３６はそれぞれ独立に温度調節することができる。なお、３６８及び３６９はプラズマ放電処理容器３３１と外界とを仕切る仕切板である。
【０２４６】
図１１は、図１０に示したロール回転電極の導電性の金属質母材とその上に被覆されている誘電体の構造の一例を示す斜視図である。
【０２４７】
図１１において、ロール電極３３５ａは導電性の金属質母材３３５Ａとその上に誘電体３３５Ｂが被覆されたものである。内部は中空のジャケットになっていて温度調節用媒体を循環させて温度調節できるようになっている。
【０２４８】
図１２は、角筒型電極の導電性の金属質母材とその上に被覆されている誘電体の構造の一例を示す斜視図である。
【０２４９】
図１２において、角筒型電極３３６ａは、導電性の金属質母材３３６Ａに対し、図１１同様の誘電体３３６Ｂの被覆を有し、該電極の構造は金属質のパイプになっていて、それがジャケットとなり、放電中の温度調節が行えるようになっている。
【０２５０】
なお、角筒型固定電極の数は、上記ロール電極の円周より大きな円周上に沿って複数本設置されており、該電極の放電面積はロール回転電極３３５に対向している全角筒型固定電極面の面積の和で表される。
【０２５１】
図１０に示した角筒型電極３３６ａは、円筒型電極でもよいが、角筒型電極は円筒型電極に比べて、放電範囲（放電面積）を広げる効果があるので、本発明に好ましく用いられる。
【０２５２】
図１１及び１２において、ロール電極３３５ａ及び角筒型電極３３６ａは、それぞれ導電性の金属質母材３３５Ａ、３３６Ａの上に誘電体３３５Ｂ、３３６Ｂとしてのセラミックスを溶射後、無機化合物の封孔材料を用いて封孔処理したものである。セラミックス誘電体の膜厚は０．１〜５ｍｍ、好ましくは１〜３ｍｍである。溶射に用いるセラミックス材としては、アルミナ・窒化珪素等が好ましく用いられるが、この中でもアルミナが加工し易いので、特に好ましく用いられる。また、誘電体層が、ガラスライニングにより無機材料を設けたライニング処理誘電体であってもよい。
【０２５３】
導電性の金属質母材３３５Ａ及び３３６Ａとしては、チタン金属またはチタン合金、銀、白金、ステンレススティール、アルミニウム、鉄等の金属等や、鉄とセラミックスとの複合材料またはアルミニウムとセラミックスとの複合材料等を挙げることが出来るが、後述の理由から、チタン金属またはチタン合金が特に好ましい。
【０２５４】
２個の電極間の距離（電極間隙）は、導電性の金属質母材に設けた誘電体の厚さ、印加電圧の大きさ、プラズマを利用する目的等を考慮して決定されるが、電極の一方に誘電体を設けた場合の誘電体表面と導電性の金属質母材表面の最短距離、上記電極の双方に誘電体を設けた場合の誘電体表面同士の距離としては、いずれの場合も均一な放電を行う観点から０．１ｎｍ〜２０ｍｍが好ましく、特に好ましくは０．５ｎｍ〜２ｍｍである。
【０２５５】
本発明に有用な導電性の金属質母材及び誘電体についての詳細については後述する。
【０２５６】
プラズマ放電処理容器３３１はパイレックス（Ｒ）ガラス製の処理容器等が好ましく用いられるが、電極との絶縁がとれれば金属製を用いることも可能である。例えば、アルミニウムまたは、ステンレススティールのフレームの内面にポリイミド樹脂等を張り付けても良く、該金属フレームにセラミックス溶射を行い絶縁性をとってもよい。図９において、平行した両電極の両側面（基材面近くまで）を上記のような材質の物で覆うことが好ましい。
【０２５７】
本発明の大気圧プラズマ放電処理装置に設置する第１電源（高周波電源）としては、周波数が１〜２００ｋＨｚのものが好ましく用いられる、
印加電源記号    メーカー              周波数
Ａ１          神鋼電機              ３ｋＨｚ
Ａ２          神鋼電機              ５ｋＨｚ
Ａ３          春日電機            １５ｋＨｚ
Ａ４          神鋼電機            ５０ｋＨｚ
Ａ５        ハイデン研究所      １００ｋＨｚ＊
Ａ６          パール工業        ２００ｋＨｚ
等の市販のものを挙げることが出来、何れも使用することが出来る。なお、＊印はハイデン研究所インパルス高周波電源（連続モードで１００ｋＨｚ）である。
【０２５８】
また、第２電源（高周波電源）としては、周波数８００ｋＨｚ以上のものが好ましく用いられ、
印加電源記号    メーカー              周波数
Ｂ１          パール工業        ８００ｋＨｚ
Ｂ２          パール工業            ２ＭＨｚ
Ｂ３          パール工業    １３．５６ＭＨｚ
Ｂ４          パール工業          ２７ＭＨｚ
Ｂ５          パール工業        １５０ＭＨｚ
等の市販のものを挙げることが出来、何れも好ましく使用出来る。
【０２５９】
このような電圧を印加して、グロー放電状態を保つことが出来る。
本発明において、対向する電極間に印加する電力は、１Ｗ／ｃｍ２以上の電力（出力密度）を供給することが好ましく、これにより放電ガスを励起してプラズマを発生させ、エネルギーを薄膜形成性ガスに与え薄膜を形成させる。供給する電力は１〜５０Ｗ／ｃｍ２が好ましい。なお、放電面積（ｃｍ２）は、電極において放電が起こる範囲の面積のことを指す。
【０２６０】
ここで高周波電圧の印加法としては、連続モードと呼ばれる連続サイン波状の連続発振モード０と、パルスモードと呼ばれるＯＮ／ＯＦＦを断続的に行う断続発振モードのどちらを採用してもよいが、少なくとも第２電極側は連続サイン波の方がより緻密で良質な膜が得られるので好ましい。
【０２６１】
このような大気圧プラズマによる薄膜形成法に使用する電極は、構造的にも、性能的にも過酷な条件に耐えられるものでなければならない。このような電極としては、金属質母材上に誘電体を被覆したものであることが好ましい。
【０２６２】
本発明に使用する誘電体被覆電極においては、様々な金属質母材と誘電体との間に特性が合うものが好ましく、その一つの特性として、金属質母材と誘電体との線熱膨張係数の差が１０×１０−６／℃以下となる組み合わせのものである。好ましくは８×１０−６／℃以下、更に好ましくは５×１０−６／℃以下、更に好ましくは２×１０−６／℃以下である。なお、線熱膨張係数とは、周知の材料特有の物性値である。
【０２６３】
線熱膨張係数の差が、この範囲にある導電性の金属質母材と誘電体との組み合わせとしては、
2004203009.tif 000042
等がある。線熱膨張係数の差という観点では、上記（ａ）または（ｂ）および（ｅ）〜（ｈ）が好ましく、特に、（ａ）が好ましい。
【０２６４】
本発明において、金属質母材は、上記の特性からはチタンまたはチタン合金が特に有用である。金属質母材をチタンまたはチタン合金とすることにより、誘電体を上記とすることにより、使用中の電極の劣化、特にひび割れ、剥がれ、脱落等がなく、過酷な条件での長時間の使用に耐えることが出来る。
【０２６５】
本発明に有用な電極の金属質母材は、チタンを７０質量％以上含有するチタン合金またはチタン金属である。本発明において、チタン合金またはチタン金属中のチタンの含有量は、７０質量％以上であれば、問題なく使用出来るが、好ましくは８０質量％以上のチタンを含有しているものが好ましい。本発明に有用なチタン合金またはチタン金属は、工業用純チタン、耐食性チタン、高力チタン等として一般に使用されているものを用いることが出来る。工業用純チタンとしては、ＴＩＡ、ＴＩＢ、ＴＩＣ、ＴＩＤ等を挙げることが出来、何れも鉄原子、炭素原子、窒素原子、酸素原子、水素原子等を極僅か含有しているもので、チタンの含有量としては、９９質量％以上を有している。耐食性チタン合金としては、Ｔ１５ＰＢを好ましく用いることが出来、上記含有原子の他に鉛を含有しており、チタン含有量としては、９８質量％以上である。また、チタン合金としては、鉛を除く上記の原子の他に、アルミニウムを含有し、その他バナジウムや錫を含有しているＴ６４、Ｔ３２５、Ｔ５２５、ＴＡ３等を好ましく用いることが出来、これらのチタン含有量としては、８５質量％以上を含有しているものである。これらのチタン合金またはチタン金属はステンレススティール、例えばＡＩＳＩ３１６に比べて、熱膨張係数が１／２程度小さく、金属質母材としてチタン合金またはチタン金属の上に施された後述の誘電体との組み合わせがよく、高温、長時間での使用に耐えることが出来る。
【０２６６】
一方、誘電体の求められる特性としては、具体的には、比誘電率が６〜４５の無機化合物であることが好ましく、また、このような誘電体としては、アルミナ、窒化珪素等のセラミックス、あるいは、ケイ酸塩系ガラス、ホウ酸塩系ガラス等のガラスライニング材等がある。この中では、後述のセラミックスを溶射したものやガラスライニングにより設けたものが好ましい。特にアルミナを溶射して設けた誘電体が好ましい。
【０２６７】
または、上述のような大電力に耐える仕様の一つとして、誘電体の空隙率が１０体積％以下、好ましくは８体積％以下であることで、好ましくは０体積％を越えて５体積％以下である。なお、誘電体の空隙率は、ＢＥＴ吸着法や水銀ポロシメーターにより測定することが出来る。後述の実施例においては、島津製作所製の水銀ポロシメーターにより金属質母材に被覆された誘電体の破片を用い、空隙率を測定する。誘電体が、低い空隙率を有することにより、高耐久性が達成される。このような空隙を有しつつも空隙率が低い誘電体としては、後述の大気プラズマ溶射法等による高密度、高密着のセラミックス溶射被膜等を挙げることが出来る。更に空隙率を下げるためには、封孔処理を行うことが好ましい。
【０２６８】
上記、大気プラズマ溶射法は、セラミックス等の微粉末、ワイヤ等をプラズマ熱源中に投入し、溶融または半溶融状態の微粒子として被覆対象の金属質母材に吹き付け、皮膜を形成させる技術である。プラズマ熱源とは、分子ガスを高温にし、原子に解離させ、更にエネルギーを与えて電子を放出させた高温のプラズマガスである。このプラズマガスの噴射速度は大きく、従来のアーク溶射やフレーム溶射に比べて、溶射材料が高速で金属質母材に衝突するため、密着強度が高く、高密度な被膜を得ることが出来る。詳しくは、特開２０００−３０１６５５に記載の高温被曝部材に熱遮蔽皮膜を形成する溶射方法を参照することが出来る。この方法により、上記のような被覆する誘電体（セラミック溶射膜）の空隙率にすることが出来る。
【０２６９】
また、大電力に耐える別の好ましい仕様としては、誘電体の厚みが０．５〜２ｍｍであることである。この膜厚変動は、５％以下であることが望ましく、好ましくは３％以下、更に好ましくは１％以下である。
【０２７０】
誘電体の空隙率をより低減させるためには、上記のようにセラミックス等の溶射膜に、更に、無機化合物で封孔処理を行うことが好ましい。前記無機化合物としては、金属酸化物が好ましく、この中では特に酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）を主成分として含有するものが好ましい。
【０２７１】
封孔処理の無機化合物は、ゾルゲル反応により硬化して形成したものであることが好ましい。封孔処理の無機化合物が金属酸化物を主成分とするものである場合には、金属アルコキシド等を封孔液として前記セラミック溶射膜上に塗布し、ゾルゲル反応により硬化する。無機化合物がシリカを主成分とするものの場合には、アルコキシシランを封孔液として用いることが好ましい。
【０２７２】
ここでゾルゲル反応の促進には、エネルギー処理を用いることが好ましい。エネルギー処理としては、熱硬化（好ましくは２００℃以下）や、紫外線照射などがある。更に封孔処理の仕方として、封孔液を希釈し、コーティングと硬化を逐次で数回繰り返すと、よりいっそう無機質化が向上し、劣化の無い緻密な電極が出来る。
【０２７３】
本発明に係る誘電体被覆電極の金属アルコキシド等を封孔液として、セラミックス溶射膜にコーティングした後、ゾルゲル反応で硬化する封孔処理を行う場合、硬化した後の金属酸化物の含有量は６０モル％以上であることが好ましい。封孔液の金属アルコキシドとしてアルコキシシランを用いた場合には、硬化後のＳｉＯｘ（ｘは２以下）含有量が６０モル％以上であることが好ましい。硬化後のＳｉＯｘ含有量は、ＸＰＳ（Ｘ線光電子スペクトル）により誘電体層の断層を分析することにより測定できる。
【０２７４】
本発明の光学フィルムの製造方法に係る電極においては、電極の少なくとも基材と接する側のＪＩＳ  Ｂ  ０６０１で規定される表面粗さの最大高さ（Ｒｍａｘ）が１０μｍ以下になるように調整することが好ましいが、更に好ましくは、８μｍ以下であり、特に好ましくは、７μｍ以下に調整することである。このように誘電体被覆電極の誘電体表面を研磨仕上げする等の方法により、誘電体の厚み及び電極間のギャップを一定に保つことが出来、放電状態を安定化出来ること、更に熱収縮差や残留応力による歪やひび割れを無くし、且つ、高精度で、耐久性を大きく向上させることが出来る。誘電体表面の研磨仕上げは、少なくとも基材と接する側の誘電体において行われることが好ましい。
【０２７５】
本発明に使用する誘電体被覆電極において、大電力に耐える他の好ましい仕様としては、耐熱温度が１００℃以上であることである。更に好ましくは１２０℃以上、特に好ましくは１５０℃以上である。また上限は５００℃である。なお、耐熱温度とは、絶縁破壊が発生せず、正常に放電出来る状態において耐えられる最も高い温度のことを指す。このような耐熱温度は、上記のセラミックス溶射や、泡混入量の異なる層状のガラスライニングで設けた誘電体を適用したり、下記金属質母材と誘電体の線熱膨張係数の差の範囲内の材料を適宜選択する手段を適宜組み合わせることによって達成可能である。
【０２７６】
《反応ガス》
本発明の金属化合物層の形成に用いる反応ガスについて説明する。
【０２７７】
薄膜層を形成するための反応ガスは、主に窒素を含むガスである。すなわち、窒素ガスが５０％以上で含有することが好ましく、さらに好ましくは７０％以上で含有することが好ましく、さらに好ましくは９０体積％〜９９．９９体積％であることが望ましい。反応ガスには窒素のほかに希ガスが含有していてもよい。
【０２７８】
ここで、希ガスとは、周期表の第１８属元素、具体的には、ヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン、キセノン、ラドン等であり、本発明では、ヘリウム、アルゴン等が窒素に添加されて用いられてもよい。
【０２７９】
窒素ガスは安定したプラズマ放電を発生させるために用いられ、反応ガスには薄膜を形成するための原料として、反応性ガス（原料ガス）が添加される。該プラズマ中で反応性ガスはイオン化あるいはラジカル化され、基材表面に堆積あるいは付着するなどして薄膜が形成される。
【０２８０】
更に、反応ガス中に酸素、水素、二酸化炭素、一酸化炭素、二酸化窒素、一酸化窒素、水、過酸化水素、オゾン、メタン、４フッ化メタン等を０．１体積％〜１０体積％含有させることにより薄膜層の硬度、密度等の物性を制御することができる。
【０２８１】
本発明に有用な反応ガスは、様々な物質の原料ガスを添加したものを用いることによって、様々な機能を持った薄膜をセルロースエステルフィルム等の基材上に形成することができる。ここでいう原料ガスとはプラズマ処理により薄膜を形成するためのガスであり、金属酸化物、金属窒化物、金属酸窒化物等の金属化合物層を形成する場合、金属化合物のガスを意味する。
【０２８２】
本発明に有用な原料ガスとしての有機金属化合物としては、特に限定されないが、Ａｌ、Ａｓ、Ａｕ、Ｂ、Ｂｉ、Ｓｂ、Ｃａ、Ｃｄ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｈｇ、Ｉｎ、Ｌｉ、Ｍｇ、Ｍｎ、Ｍｏ、Ｎａ、Ｎｉ、Ｐｂ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｓｅ、Ｓｉ、Ｓｎ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｙ、Ｖ、Ｗ、Ｚｎ，Ｔａ等の金属酸化物を形成するための金属化合物を挙げることができる。
【０２８３】
例えばＴｉ、Ｚｒ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ｓｉ、Ｔａあるいはその他の金属を含有する有機金属化合物、金属水素化合物、金属ハロゲン化物、金属錯体を用いて、これらの金属酸化物層（ここでいう金属酸化物層には、金属酸化物窒化物層も含む）または金属窒化物層等を形成することができ、これらの層は反射防止層の中屈折率層または高屈折率層としたり、あるいは透明導電層または帯電防止層とすることもできる。
【０２８４】
また、フッ素含有有機化合物で防汚層や低屈折率層を形成することもでき、珪素化合物でガスバリア層や低屈折率層あるいは防汚層を形成することもできる。本発明は、高、中屈折率層と低屈折率層を交互に多層を積層して形成される反射防止層の形成に特に好ましく用いられる。
【０２８５】
本発明において、反応性ガスとして有機金属化合物を用いる場合、プラズマ放電処理によりセルロースエステルフィルム等の基材シートの上に均一な薄膜を形成する観点から、反応ガス中の原料ガスとしての金属化合物の含有率は、０．０１〜１０体積％であることが好ましいが、更に好ましくは、０．１〜５体積％である。
【０２８６】
（原料ガス）
原料ガスについてさらに詳細に説明する。
【０２８７】
反射防止層の高屈折率層を形成するには、チタン化合物、ジルコニウム化合物、タンタル化合物が好ましく、具体的には、例えば、テトラジメチルアミノチタンなどの有機アミノ金属化合物、モノチタン、ジチタンなどの金属水素化合物、二塩化チタン、三塩化チタン、四塩化チタンなどの金属ハロゲン化合物、テトラエトキシチタン、テトライソプロポキシチタン、テトラブトキシチタン、テトラエトキシジルコニウム、テトライソプロポキシジルコニウム、テトラブトキシジルコニウム、ペンタイソプロポキシタンタル、ペンタエトキシタンタルなどの金属アルコキシドなどを挙げることができ、これらを用いて金属酸化物層を形成することができる。
【０２８８】
亜鉛化合物としては、ジンクアセチルアセトナート、ジエチル亜鉛、ジメチル亜鉛などがあげられ、錫化合物としては、テトラエチルスズ、テトラメチルスズ、二酢酸ジ−ｎ−ブチルすず、ビス（２−エチルヘキサン酸）ジブチルすず、二酢酸ジブチルすず、酸化ジブチルすず、二ラウリン酸ジブチルすず、テトラメチルすず、テトラエチルすず、テトラブチルすず、テトラプロピルすず、テトラオクチルすず等の有機錫化合物が好ましく用いられ、インジウム化合物としてはトリエチルインジウム、トリメチルインジウムなどが好ましく用いられる。
【０２８９】
（フッ素化合物）
大気圧プラズマ処理では原料ガスにフッ素含有有機化合物を用いることでフッ素化合物含有層を形成することもできる。
【０２９０】
フッ素含有有機化合物としては、フッ化炭素ガス、フッ化炭化水素ガス等が好ましい。
【０２９１】
具体的には、フッ素含有有機化合物としては、例えば、四フッ化炭素、六フッ化炭素、四フッ化エチレン、六フッ化プロピレン、八フッ化シクロブタン等のフッ化炭素化合物；
二フッ化メタン、四フッ化エタン、四フッ化プロピレン、三フッ化プロピレン、八フッ化シクロブタン等のフッ化炭化水素化合物；
更に、一塩化三フッ化メタン、一塩化二フッ化メタン、二塩化四フッ化シクロブタン等のフッ化炭化水素化合物のハロゲン化物、アルコール、酸、ケトン等の有機化合物のフッ素置換体等を挙げることができる。
【０２９２】
これらは単独でも混合して用いてもよい。上記のフッ化炭化水素ガスとしては、二フッ化メタン、四フッ化エタン、四フッ化プロピレン、三フッ化プロピレン等の各ガスを挙げることができる。
【０２９３】
更に、一塩化三フッ化メタン、一塩化二フッ化メタン、二塩化四フッ化シクロブタン等のフッ化炭化水素化合物のハロゲン化物やアルコール、酸、ケトン等の有機化合物のフッ素置換体を用いることができるが、本発明はこれらに限定されない。
【０２９４】
また、これらの化合物は分子内にエチレン性不飽和基を有していても良い。また、上記の化合物は混合して用いても良い。
【０２９５】
本発明に有用な反応性ガスにフッ素含有有機化合物を用いる場合、プラズマ放電処理によりセルロースエステルフィルム上に均一な薄膜を形成する観点から、反応ガス中の反応性ガスとしてのフッ素含有有機化合物の含有率は、０．０１〜１０体積％であることが好ましいく、更に好ましくは、０．１〜５体積％である。
【０２９６】
また、本発明に好ましく用いられるフッ素含有、有機化合物が常温常圧で気体である場合は、反応性ガスの成分としてそのまま使用できる。
【０２９７】
また、フッ素含有有機化合物が常温常圧で液体または固体である場合には、気化手段により、例えば加熱、減圧等により気化して使用すればよく、適切な有機溶媒に溶解して用いてもよい。
【０２９８】
（珪素化合物）
本発明に有用な反応性ガスとしての珪素化合物としては、例えば、ジメチルシラン、テトラメチルシランなどの有機金属化合物、モノシラン、ジシランなどの金属水素化合物、二塩化シラン、三塩化シラン、四フッ化珪素などの金属ハロゲン化合物、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、テトラプロポキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、などのアルコキシシラン、テトラメチルシラン、ヘキサメチルジシロキサン、オルガノシラン等、３，３，３−トリフルオロメチルトリメトキシシラン等のフルオロアルキルシラン類を用いることが好ましいがこれらに限定されない。
【０２９９】
また、これらは適宜組み合わせて用いることができる。あるいは別の有機化合物を添加して膜の物性を変化あるいは制御することもできる。
【０３００】
また、珪素化合物、チタン化合物、ジルコニウム化合物、タンタル化合物等の金属化合物を放電部へ導入するには、両者は常温常圧で気体、液体または固体いずれの状態であっても使用し得る。
【０３０１】
気体の場合は、そのまま放電部に導入できるが、液体や固体の場合は、加熱、減圧、超音波照射等の気化手段により気化させて使用することができる。この目的のため、市販の気化器が好ましく用いられる。
【０３０２】
珪素化合物、チタン化合物等の金属化合物を加熱により気化して用いる場合、テトラエトキシシラン、テトライソプロポキシチタンなどのように常温で液体で、且つ、沸点が２００℃以下である金属アルコキシドが本発明の金属酸化物薄膜層の形成する方法に好適である。上記金属アルコキシドは、有機溶媒によって希釈して使用しても良く、有機溶媒としては、メタノール、エタノール、ｎ−ヘキサン、アセトンなどの有機溶媒またはこれらの混合有機溶媒を使用することができる。
【０３０３】
（金属化合物層の膜厚）
本発明に係る金属化合物層の膜厚としては、１ｎｍ〜１０００ｎｍの範囲のものが好ましく得られる。
【０３０４】
このような金属化合物層は、例えば低屈折率層あるいは防眩層と高屈折率層を積層し反射防止層として、或いは透明導電層、帯電防止層とすることができる。
【０３０５】
本発明において、プラズマ放電装置を複数設けることによって、多層の薄膜を連続的に設けることができ、薄膜のムラもなく多層の積層体を形成することができる。例えば１つの層を形成した後１分以内に次の層を形成することが好ましい。複数の層を１パスで連続的に形成するためには、各層が所定の薄膜形成速度となるように調整されることが必要である。そのため、各層形成後膜厚を測定するか、反射スペクトルを測定し、その結果に基づいて薄膜形成速度をフィードバック制御することが好ましい。これによって、一定の速度で搬送される基材フィルム上に異なる組成あるいは異なる膜厚の薄膜を１パスで連続的に形成することができる。各層の薄膜形成速度を制御する方法としては、特に限定はないが、
放電の印加電圧、電流、周波数、パルス条件等の放電条件、反応ガス中の各成分の比率（窒素濃度、酸素あるいは水素等の添加ガス濃度、種類、原料ガス濃度）、反応ガス供給量、電極間距離、放電部の気圧、基材温度、電極温度、反応ガス温度、放電部の温度、放電面積の変更等があげられるが、これらのみに限定されるものではない。これらの１つ以上の条件を適宜組み合わせることによって、製膜される薄膜の膜質を大きく変えることなく、薄膜形成速度を制御することができる。
【０３０６】
例えば、セルロースエステルフィルム上に反射防止層を有する光学フィルムを作製する場合、屈折率１．６〜２．３の高屈折率層及び屈折率１．３〜１．５の低屈折率層をセルロースエステルフィルム表面に連続して積層し、効率的に作製することができる。
【０３０７】
低屈折率層としては、含フッ素有機化合物を含むガスをプラズマ放電処理により形成された含フッ素化合物層、あるいはアルコキシシラン等の有機珪素化合物を用いてプラズマ放電処理により形成された主に酸化ケイ素を有する層が好ましく、高屈折率層としては、有機金属化合物を含むガスをプラズマ放電処理により形成された金属酸化物層、例えば酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化タンタルを主として有する層が好ましい。これらの層は原料ガス内の炭素又は炭素化合物を含有していても良い。
【０３０８】
本発明はこれらに限定されるものではなく、層構成もこれらに限定されるものではない。例えば、最表面にフッ素含有有機化合物ガス存在下で大気圧もしくはその近傍の圧力下でのプラズマ放電処理して防汚層を設けてもよい。あるいは公知の防汚層、例えばフルオロアルキルシラン等含む組成物を塗設することもできる。
【０３０９】
上記の方法により、本発明においては、多層の薄膜を積層することができ、各層の膜厚むらもなく、均一な光学フィルムを得ることができる。
【０３１０】
金属酸化物層等の薄膜の膜厚は、積層体の断面を作製し、透過電子顕微鏡（Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ  Ｅｌｅｃｔｏｒｏｎ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ：以下、ＴＥＭと称す）で観察を行うことによって求めることができる。
【０３１１】
断面の作製は、具体的には積層体を基材と共に電子顕微鏡観察前処理用のエポキシ包埋樹脂に包埋し、ダイヤモンドナイフを装着したウルトラミクロトームを用いて、厚さ約８０ｎｍの超薄切片を作製するか、集束イオンビーム（Ｆｏｃｕｓｅｄ  Ｉｏｎ  Ｂｅａｍ：ＦＩＢ）加工装置を用いて、積層体表面にＧａイオンビームを集束走査し、厚さ約１００ｎｍの薄片化した断面を切り出すことで作製することができる。
【０３１２】
ＴＥＭによる観察は倍率として５０，０００〜５００，０００倍にて明視野像を観察し、画像はフィルム、イメージングプレート、ＣＣＤカメラなどに記録する。
【０３１３】
ＴＥＭの加速電圧としては、８０〜４００ｋＶが好ましく、特に好ましくは８０〜２００ｋＶである。
【０３１４】
その他、電子顕微鏡観察技法、および試料作製技法の詳細については「日本電子顕微鏡学会関東支部編／医学・生物学電子顕微鏡観察法」（丸善）、「日本電子顕微鏡学会関東支部編／電子顕微鏡生物試料作製法」（丸善）、「電子顕微鏡Ｑ＆Ａ」（アグネ承風社）をそれぞれ参考にすることができる。
【０３１５】
適当な媒体に記録されたＴＥＭ画像は、画像１枚を少なくとも１０２４画素×１０２４画素、好ましくは２０４８画素×２０４８画素以上に分解し、コンピュータによる画像処理を行なうことが好ましい。
【０３１６】
画像処理技術の詳細は「田中弘編  画像処理応用技術（工業調査会）」を参考にでき、画像処理プログラムまたは装置としては上記操作が可能なものであれば特に限定はされないが、一例としてＭＥＤＩＡ  ＣＹＢＥＲＮＥＴＩＣＳ社（ＵＳＡ）製画像解析ソフトＩｍａｇｅ−Ｐｒｏ  ＰＬＵＳが挙げられる。
【０３１７】
画像処理を行なうためには、フィルムに記録されたアナログ画像はスキャナなどでデジタル画像に変換し、シェーディング補正、コントラスト・エッジ強調などを必要に応じ施すことが好ましい。その後、ヒストグラムを作製し、２値化処理によって、積層体界面に相当する箇所を抽出し、界面間の幅（Ｔｈｉｃｋｎｅｓｓ）を計測する。
【０３１８】
同様にして少なくとも２５箇所以上好ましくは５０箇所以上について求めた値から平均膜厚及びその変動を算出することができる。
【０３１９】
このように、本発明においては様々な機能を有する金属酸化物層を形成した光学フィルムを提供することができる。
【０３２０】
本発明により、金属化合物層のすじ状の故障が著しく改善され、クラックも少なく耐擦傷性に優れた光学フィルムを提供することができ、また、反射光の色むらが著しく改善された光学フィルムを提供することができた。
【０３２１】
【実施例】
以下、実施例を挙げて本発明を具体的に説明するが、本発明の実施態様はこれらに限定されるものではない。
【０３２２】
実施例１
〔延伸セルロースエステルフィルムの作製〕
〔ドープの調製〕
《ドープＡの調製》
セルローストリアセテート（アセチル基置換度２．９）      １００質量部
トリフェニルホスフェイト                                  １０質量部
ビフェニルジフェニルホスフェイト                            ２質量部
例示化合物１  （１，３，５−トリアジン化合物）              １質量部
チヌビン３２６                                          ０．５質量部
アエロジル  Ｒ９７２Ｖ  （二酸化珪素微粒子）          ０．１５質量部
メチレンクロライド                                      ４０５質量部
エタノール                                                ４５質量部
以上を密閉型の溶解釜に投入し、攪拌しながら６０℃で完全に溶解し、冷却後、安積濾紙（株）製の安積濾紙Ｎｏ．２４４を使用して濾過してドープＡとした。
《ドープＢの調製》
セルローストリアセテート（アセチル基置換度２．９）      １００質量部
トリフェニルホスフェイト                                  １０質量部
ビフェニルジフェニルホスフェイト                            ２質量部
チヌビン３２６                                          ０．５質量部
アエロジル  Ｒ９７２Ｖ  （二酸化珪素微粒子）          ０．１５質量部
メチレンクロライド                                      ４０５質量部
エタノール                                                ４５質量部
以上を密閉型の溶解釜に投入し、攪拌しながら６０℃で完全に溶解し、冷却後、安積濾紙（株）製の安積濾紙Ｎｏ．２４４を使用して濾過してドープＢとした。
【０３２３】
〔セルロースエステルフィルム１〜７及びＨ１〜３の作製〕
上記で調製したＡをステンレスベルト上に流延した。ステンレスベルト上で、溶媒を蒸発させ、ステンレスベルト上からウェブを剥離した。剥離したウェブをテンター乾燥機に導入し、両端をクリップで把持して幅方向に１．０５倍延伸しながら７０℃で乾燥させ、１１０℃次いで１２５℃の各乾燥ゾーンを有するロール乾燥機内に配置された多数のロールを通して搬送させながら乾燥を終了させ膜厚４０μｍのセルロースエステルフィルムを作製した。このフィルムの両端に幅１０ｍｍ、高さ５μｍのナーリング加工を施して、１３５０ｍｍ幅、巻長は４０００ｍのセルロースエステルフィルムＡを得た。
【０３２４】
ドープＡをドープＢに変更した以外は同様にしてセルロースエステルフィルムＢを作製した。
【０３２５】
得られたセルロースエステルフィルムＡ，Ｂを用いて、下記に従って表記載のハードコート層１Ａ，１Ｂ、２、３を所定の膜厚となるように巻き取ることなく続けて形成し、さらにその上に後述の大気圧プラズマ処理によって金属化合物層を連続して積層した。
【０３２６】
〈ハードコート層１Ａ，１Ｂの塗設〉
下記のハードコート層塗布組成物を上記で作製したセルロースエステルフィルムＢ面側にダイによる押し出しコートをし、次いで８０℃に設定された乾燥部で乾燥した後、１００ｍＪ／ｃｍ２で紫外線照射し、所定の乾燥膜厚となるように可塑剤を含有するハードコート層１Ａを設けた。紫外線照射後、さらにこの上に所定の乾燥膜厚となるようにハードコート層１Ｂを設けた。
（ハードコート層１Ａ塗布組成物）
ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート単量体            ６０質量部
ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート２量体            ２０質量部
ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート３量体以上の成分  ２０質量部
ジメトキシベンゾフェノン光反応開始剤                        ４質量部
トリフェニルホスフェイト                                    １質量部
酢酸エチル                                                ５０質量部
メチルエチルケトン                                        ５０質量部
イソプロピルアルコール                                    ５０質量部
上記塗布組成物を上記の溶媒で適宜希釈して異なる乾燥膜厚のクリアハードコート層１Ａを設けた。
（ハードコート層１Ｂ塗布組成物）
ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート単量体            ６０質量部
ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート２量体            ２０質量部
ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート３量体以上の成分  ２０質量部
ジメトキシベンゾフェノン光反応開始剤                        ４質量部
酢酸エチル                                                ５０質量部
メチルエチルケトン                                        ５０質量部
イソプロピルアルコール                                    ５０質量部
上記塗布組成物を上記の溶媒で希釈して異なる乾燥膜厚のクリアハードコート層１Ｂを設けた。
【０３２７】
〈ハードコート層３の塗設〉
下記のハードコート層３塗布組成物を上記で作製したセルロースエステルフィルムＢ面側にダイによる押し出しコートをし、次いで８０℃に設定された乾燥部で乾燥した後、１２０ｍＪ／ｃｍ２で紫外線照射し、所定膜厚の可塑剤を含有するハードコート層３を設けた。
【０３２８】
《ハードコート層３塗布組成物》
酢酸エチル                                                ５０質量部
メチルエチルケトン                                        ５０質量部
イソプロピルアルコール                                    ５０質量部
アエロジルＲ９７２Ｖ（平均粒径１６ｎｍ）                    ２質量部
以上を高速攪拌機（ＴＫホモミキサー、特殊機化工業（株）製）で攪拌し、その後衝突型分散機（マントンゴーリン、ゴーリン（株）製）で分散した後、下記の成分を添加した。
【０３２９】
ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート単量体            ３０質量部
ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート２量体            １０質量部
ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート３量体以上の成分  １０質量部
ジメトキシベンゾフェノン光反応開始剤                        ２質量部
トリフェニルホスフェート                                    ３質量部
〈ハードコート層２の塗設〉
下記のハードコート層２塗布組成物を上記で作製したセルロースエステルフィルムＢ面側のハードコート層１Ａまたはハードコート層３の上に押し出しコートし、次いで８０℃に設定された乾燥部で乾燥した後、１２０ｍＪ／ｃｍ２で紫外線照射し、所定膜厚のハードコート層２（中心線平均粗さ（Ｒａ）０．２μｍ）を設けた。
【０３３０】
《ハードコート層２塗布組成物》
酢酸エチル                                                ５０質量部
メチルエチルケトン                                        ５０質量部
イソプロピルアルコール                                    ５０質量部
サイリシア４３１（平均粒径２．５μｍ、（富士シリシア化学（株）製））
２．５質量部
アエロジルＲ９７２Ｖ（平均粒径１６ｎｍ）                    ３質量部
以上を高速攪拌機（ＴＫホモミキサー、特殊機化工業（株）製）で攪拌し、その後衝突型分散機（マントンゴーリン、ゴーリン（株）製）で分散した後、下記の成分を添加した。
【０３３１】
ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート単量体            ６０質量部
ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート２量体            ２０質量部
ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート３量体以上の成分  ２０質量部
ジメトキシベンゾフェノン光反応開始剤                        ４質量部
そして大気圧もしくはその近傍の圧力下で反応ガスを用いてプラズマ放電処理による金属化合物層（反射防止層）の形成を行った。
【０３３２】
《反射防止層の形成》
下記のプラズマ放電処理装置を用いて、大気圧プラズマ放電処理により、上記のセルロースエステルフィルム１〜１２上に各々設けられたハードコート層（紫外線硬化樹脂層）上に反射防止層を各々形成した。
【０３３３】
《プラズマ放電処理装置》
（電極の作製）
図１０に示したプラズマ放電処理装置において、誘電体で被覆したロール電極及び同様に誘電体で被覆した複数の角筒型電極のセットを以下のように作製した。
【０３３４】
第１電極となるロール電極は、冷却水による冷却手段を有するチタン合金Ｔ６４製ジャケットロール金属質母材に対して、アルミナ溶射膜を被覆し、テトラメトキシシランを酢酸エチルで希釈した溶液を塗布乾燥後、紫外線照射により硬化させ封孔処理を行った。このようにして被覆した誘電体表面を研磨し、平滑にして、Ｒｍａｘ５μｍとなるように加工した。最終的な誘電体の膜厚は１ｍｍ、誘電体の比誘電率は１０であった。更に導電性の金属質母材と誘電体の線熱膨張係数の差は１．７×１０−４で、耐熱温度は２６０℃であった。
【０３３５】
一方、第２電極の角筒型電極は、中空の角筒型のチタン合金Ｔ６４に対し、上記同様の誘電体を同条件にて被覆し、対向する角筒型固定電極群とした。この角筒型電極の誘電体については上記ロール電極のものと同じである。
【０３３６】
この角筒型電極をロール回転電極のまわりに、対向電極間隙を１ｍｍとして２５本配置した。角筒型固定電極群の放電総面積は、１５０ｃｍ（幅手方向の長さ）×４ｃｍ（搬送方向の長さ）×２５本（電極の数）＝１５０００ｃｍ２であった。
【０３３７】
対抗電極間より反応ガスの導入と使用済みガスの排気を交互に行った。
プラズマ放電処理装置には、固定電極側に、連続周波数１３．５６ＭＨｚ、０．８ｋＶ／ｍｍの高周波電圧（パール工業社製高周波電源）を供給し、ロール電極側には、連続周波数１００ｋＨｚ、８ｋＶ／ｍｍの高周波電圧（ハイデン研究所製高周波電源）を供給した。また、ロール電極は、ドライブを用いてセルロースエステルフィルムの搬送に同期して回転させた。プラズマ放電処理装置は各金属酸化層ごとに用意され、各層毎に形成する層の膜厚を制御しながら連続的に運転した。
【０３３８】
なお、固定電極とロール電極の間隙は１ｍｍ、反応ガスの圧力は大気圧＋１ｋＰａとして行った。プラズマ放電処理に用いた反応ガス（酸化珪素層形成用反応ガス）の組成を以下に記す。尚、反応ガス中の液体成分は気化器によって蒸気とし、加温しながら放電部に供給した。
【０３３９】
実施例１で作製した、ハードコート層を有するセルロースエステルフィルム上に、下記の反応ガスを用い、図１０に記載のプラズマ放電処理装置によりプラズマ処理を行い、ハードコート層側に反射防止層を形成して光学フィルム１〜１２を作製した。
《反射防止層の層構成、層の膜厚、反応ガスの種類》
2004203009.tif 000043
ハードコート層上に、第１酸化チタン層、第１酸化珪素層、第２酸化チタン層、第２酸化珪素層からなる反射防止層を形成し、更に防汚層の順に設けた。
【０３４０】
《反応ガスの種類》
また、反射防止層の形成に用いた反応ガスを以下に示す。
【０３４１】
（反応ガスＡ）：酸化チタン層（高屈折率層）形成用
窒素                                                ９８．７体積％
水素                                      １体積％
テトライソプロポキシチタン蒸気            ０．３体積％
（反応ガスＢ）：酸化珪素層（低屈折率層１）形成用
窒素                                                ９８．７体積％
水素                                      １体積％
テトラエトキシシラン蒸気                  ０．３体積％
（反応ガスＣ）：酸化珪素層（低屈折率層２）形成用
窒素                                                ９８．７体積％
反応ガス（水素ガス）                                      １体積％
反応ガス（メチルトリエトキシシラン蒸気）              ０．３体積％
また、２層のハードコート層を設ける際、下層のハードコート層を塗設した後一度巻き取った後、再度上層のハードコート層を形成した以外は表１の光学フィルム１０と同様にして光学フィルム１３を作製した。下層のハードコート層を塗設した後一度巻き取った後、再度上層のハードコート層を形成した以外は光学フィルム１１と同様にして光学フィルム１４を作製した。連続してハードコート層を形成した光学フィルム１０と１１は光学フィルム１３と１４と比較して反射光のむらが低減された。比較の光学フィルム１，１２はすじ故障、クラック、密着性、反射光の色むら（ΔＥ）が劣っていた。
【０３４２】
以上、実施例１の結果を表１、表２、表３、表４に示す。
【０３４３】
【表１】
2004203009.tif 000044
【０３４４】
【表２】
2004203009.tif 000045
【０３４５】
【表３】
2004203009.tif 000046
【０３４６】
【表４】
2004203009.tif 000047
【０３４７】
実施例２
〔偏光板の作製〕
光学フィルム１０，１１と１３，１４について、Ａ面側を６０℃の２ｍｏｌ／ＬのＮａＯＨ水溶液に９０秒浸漬後、その後常温水で水洗して、８０℃で乾燥しそれぞれの片面鹸化処理した光学フィルムを得た。
【０３４８】
前記光学フィルムの基材フィルムとして用いたセルロースエステルフィルムについても同様に片面鹸化処理を行った。
【０３４９】
別に１２０μｍの厚さのポリビニルアルコールをヨウ素１質量部、ホウ酸４質量部を含む水溶液１００質量部に浸漬し、５０℃で４倍に長尺方向に延伸した偏光膜を用意した。この偏光膜の片面に、上記鹸化処理した光学フィルムの鹸化処理面を、完全鹸化型のポリビニルアルコール５質量％水溶液粘着剤で貼り合わせ同様に反対の面には鹸化されたセルロースエステルフィルムを貼り合わせ、偏光板を得た。これらの偏光板に対し保存性の評価を行い、光学フィルム１０，１１を使った偏光板は光学フィルム１３，１４を使った偏光板よりも良好な結果を示した。
【０３５０】
実施例３
〔液晶画像表示装置〕
市販の液晶表示パネル（ＮＥＣ製  カラー液晶ディスプレイ  ＭｕｌｔｉＳｙｎｃ  ＬＣＤ１５２５Ｊ  型名  ＬＡ−１５２９ＨＭ）の最表面の偏光板を注意深く剥離した。ここに実施例２で作製した偏光板試料の偏光方向を合わせて液晶表示パネルに張り付けた。強制劣化を行った偏光板試料を用いて、それぞれの液晶表示パネルについて、目視にて視認性を評価し、光学フィルム１０，１１を用いたものは光学フィルム１３，１４を用いたものよりも良好な結果を示した。
【０３５１】
なお、上記評価は次のように行った。
《評価》
作製した低反射積層体のＬ＊ａ＊ｂ＊値、ΔＥ（色差，反射光むら）、反射率は下記方法で測定した。
【０３５２】
（Ｌ＊ａ＊ｂ＊値の測定）
低反射積層体のＬ＊ａ＊ｂ＊値は、色彩色度計ＣＭ−２０２２（ミノルタ（株）製）を用い、ＳＣＩ（正反射光込み）方式で測定した分光反射率から求めた。サンプルは、測定側の裏面を粗面化処理した後、黒色のスプレーで光吸収処理（３７０ｎｍから７３０ｎｍにおける透過率が１０％未満）を行い、黒色の台上にて測定した。
【０３５３】
（ΔＥ１および平均Ｌ＊ａ＊ｂ＊値の測定）
作製したサンプルから、１ｃｍ間隔で１０ｃｍ×１０ｃｍの範囲で１００点のＬ＊ａ＊ｂ＊値を測定し、１ｃｍ間隔で隣接する２点間のΔＥの最大値ΔＥ１を求めた。また、測定したＬ＊ａ＊ｂ＊各々の１００点平均より、平均Ｌ＊ａ＊ｂ＊値を求めた。
【０３５４】
（反射率）
Ｌ＊ａ＊ｂ＊値の測定のために色彩色度計ＣＭ−２０２２（ミノルタ（株）製）を用い、ＳＣＩ（正反射光込み）方式で測定した４５０ｎｍから６５０ｎｍの範囲の分光反射率から、平均値を求めた。
【０３５５】
（ａ＊値とｂ＊値の関係）
ΔＥ１を求めるために、測定した１００点のＬ＊ａ＊ｂ＊値のａ＊とｂ＊が、下記（式１）の範囲にあるかどうか確認した。
【０３５６】
式１    ｂ＊＝−１．５×ａ＊±５
（色ムラの評価）
Ｌ＊ａ＊ｂ＊値の測定用に作製したサンプルを目視で評価した。評価基準は下記とし５段階で評価し、Ａが最も良い。
【０３５７】
Ａ  反射光の色調変化がほとんど認められない
Ｂ  部分的に反射光の色調変化がわずかに認められる
Ｃ  部分的に反射光の色調変化が認められる
Ｄ  全体的に反射光の色調変化が認められる
Ｅ  全体的に反射光の大きな色調変化が認められる
すじ故障
長時間連続的に製膜したサンプルについて、すじ状のむらの有無を目視で評価した。
◎  すじ状のむらは確認できない。
○  わずかにすじ状の故障が認められる。
△  弱いすじ状の故障が認められる。
×  明らかにすじ状故障が認められる。
【０３５８】
また、クラック、スチールウール及び総合評価については、
◎  十分安定している
○  実用上安定している
△  やや不安定
×  実用不可
とした。
【０３５９】
【発明の効果】
基材シートの片方の面に、各々の膜厚が０．５μｍ以上の少なくとも２層からなる活性線硬化樹脂層を有し、少なくとも下層の活性線硬化樹脂層は可塑剤を含有し、上層の活性線硬化樹脂層の上に直接又は他の層を介して主に窒素を含有する大気圧近傍のガス雰囲気下でプラズマ処理によって形成された金属化合物層を有する本発明の光学フィルムは、高温高湿条件下、サイクル処理または長時間処理をおこなっても安定した優れた耐久性能を持ち、低反射率で色むらの低減された性能を示した。また、その光学フィルムを用いて高温高湿条件下でも安定な偏光板、画像表示装置も提供出来るようになった。
【図面の簡単な説明】
【図１】３層構造の基材シートの断面を模式的に示したものである。
【図２】共流延ダイ及び流延して多層構造ウェブ（流延直後はウェブをドープ膜ともいう）を形成したところを表した図である。
【図３】逐次流延ダイ及び流延された多層構造のウェブを表した図である。
【図４】別のタイプの共流延ダイの断面を示した図である。
【図５】溶液流延製膜装置のドープ調製工程を示した図である。
【図６】溶液流延製膜装置の流延工程から乾燥工程までを模式的に示した図である。
【図７】２層構造及び単層構造の基材シートの上に２つのハードコート層を配した光学フィルムの断面を模式的に示したものである。
【図８】基材シートの上に２つのハードコート層を塗設する塗布装置の模式図である。
【図９】本発明に有用なジェット方式の大気圧プラズマ放電処理装置の一例を示した概略図である。
【図１０】本発明に有用な対向電極間で基材を処理する方式の大気圧プラズマ放電処理装置の一例を示す概略図である。
【図１１】図１０に示したロール回転電極の導電性の金属質母材とその上に被覆されている誘電体の構造の一例を示す斜視図である。
【図１２】角筒型電極の導電性の金属質母材とその上に被覆されている誘電体の構造の一例を示す斜視図である。
【符号の説明】
１０  共流延ダイ
１１  口金部分
１３、１５  表層用スリット
１４  基層用スリット
１６  金属支持体
１７、１９  表層用ドープ
１８  基層用ドープ
２０  多層構造ウェブ
２１，２３  表層
２２  基層
１００  セルロースエステル溶液
１０１  溶解釜
１０２、１０５、１１２、１１５  送液ポンプ
１０３  濾過器
１０４、１１４  ストックタンク
１０６、１１３、１１６  濾過器
１０８、１１７  導管
１１０  インライン添加液
１２０  合流管
１２１  混合機
２００  共流延ダイ
２０１、２０２、２０３  導入口
２０４  金属支持体
２０５  剥離位置
２０６  ウェブ
２０７  テンター装置
２０８  ロール乾燥装置
２１０  セルロースエステルフィルム
３１１  第１電極
３１２  第２電極
３２５，３２６  高周波プローブ
３３０  プラズマ放電処理装置
４０１，４０２  押し出し式塗布装置
４０３，４０４  紫外線照射装置
Ｆ  基材シート
【図１】
2004203009.tif 000048
【図２】
2004203009.tif 000049
【図３】
2004203009.tif 000050
【図４】
2004203009.tif 000051
【図５】
2004203009.tif 000052
【図６】
2004203009.tif 000053
【図７】
2004203009.tif 000054
【図８】
2004203009.tif 000055
【図９】
2004203009.tif 000056
【図１０】
2004203009.tif 000057
【図１１】
2004203009.tif 000058
【図１２】
2004203009.tif 000059