(57)【要約】【課題】耐湿性の優れた安価な透明導電膜を得る。【解決手段】基板表面に、基板側から誘電体層、ＡｇとＮｄの合金層が交互に積層し、誘電体に窒化物を用いる。例えば、ガラス基板にＡｌＮｘ（３６ｎｍ）／ＡｇＮｄ（Ｎ）（１７．５ｎｍ）／ＡｌＮｘ（７４ｎｍ）／ＡｇＮｄ（Ｎ）（１７．５ｎｍ）／ＡｌＮｘ（７４ｎｍ）／ＡｇＮｄ（Ｎ）（１７．５ｎｍ）／ＡｌＮｘ（３８ｎｍ）（かっこ内の数値は厚み）なる７層膜を成形し、周波数３０〜１０００ＭＨｚの電磁波に対し、４０ｄＢ以上の電磁遮蔽性能が得られる。【選択図】　　なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板表面に、基板側から誘電体層、Ｎｄ０．１〜１０ｗｔ％を含有するＡｇとＮｄの合金層が交互に積層され、かつ基板から最も離れて積層される層が誘電体層であることを特徴とする透明導電膜。
【請求項２】
誘電体が窒化物であることを特徴とする請求項１に記載の透明導電膜。
【請求項３】
窒化物はアルミニウムあるいはシリコンの窒化物から少なくとも一つ選ばれた窒化物であることを特徴とする請求項１あるいは２に記載の透明導電膜。
【請求項４】
基板が、透明な板状体あるいはフィルムであることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の透明導電膜。
【請求項５】
プラズマディスプレイパネルのカバーフィルター用電磁遮蔽膜として用いることを特徴とする請求項４に記載の透明導電膜。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、プラズマディスプレイパネル（以下、ＰＤＰと略す）、カソードレイチューブ（ＣＲＴ）、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）などのディスプレイの前面に用いるための、近赤外からラジオ波に至る周波数領域の電磁遮蔽を主たる目的とする透明導電膜に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ＰＤＰは薄型大面積デイスプレイとして台頭著しく、ＣＲＴを駆逐しつつあるがその表示動作原理上、人体に有害とされている周波数領域（３０〜１０００ＭＨｚ）の電磁波を放射すると共に、周辺の赤外線リモート制御電子機器の誤動作の原因となる近赤外電磁波も放射する。とりわけ、人体に有害な周波数が３０〜１０００ＭＨｚの電磁波を効率的に遮蔽する必要がある。この対策として、ガラス基板上に透明導電膜が被覆されたものをＰＤＰの前面に装着することが知られている。
【０００３】
例えば、特開平４−３５７０２５号公報、特開平５−４２６２４号公報に、ＺｎＯを主成分とする酸化物層とＡｇを主成分とする金属層とが交互に積層された多層の導電膜が記載されている。Ａｇを主成分とする金属層は、Ａｇの酸化防止及び耐湿性を向上させるために、Ｐｄが添加されている。
【０００４】
また、特開２００１ー３２４４号公報には、Ａｇの金属層と酸化物層との間にＺｎＡｌ層を設け、酸化物層によるＡｇ層の酸化を防止することが記載されている。
【０００５】
なお、一般的に透明導電膜としてはＩＴＯ等の酸化物半導体による導電膜も利用されているが、人体に有害とされている周波数領域では一定の電磁遮蔽性能を発揮し、可視光透過性も優れているが、金属薄膜を用いた場合に比べ近赤外領域の電磁波遮蔽性能が不十分である。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
Ａｇ層にＰｄを添加すると抵抗値が高くなり、電磁遮蔽性能が低下するという問題があり、またＡｇ層の酸化防止のためにＺｎＡｌ層を設けることは、コスト的に不利である。
【０００７】
本発明はかかる従来技術の状況を鑑みてなされたものであり、近赤外からラジオ波周波数領域の電磁遮蔽性を確保し、なおかつ、高い可視光透過性をＡｇ合金薄膜と誘電体膜との組み合わせにより達成し、更には高い化学的安定性と低い生産コストを有する透明導電膜を提供せんとするものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明の透明導電膜は、基板表面に、基板側から誘電体層、Ｎｄ０．１〜１０ｗｔ％を含有するＡｇとＮｄの合金層が交互に積層され、かつ基板から最も離れて積層される層が誘電体層であることを特徴とする透明導電膜である。
【０００９】
また、本発明の透明導電膜は、前記透明導電膜において、誘電体が窒化物であることを特徴とする透明導電膜である。
【００１０】
また、本発明の透明導電膜は、前記透明導電膜において、窒化物はアルミニウムあるいはシリコンの窒化物から少なくとも一つ選ばれた窒化物であることを特徴とする透明導電膜である。
【００１１】
また、本発明の透明導電膜は、前記透明導電膜において、基板が、透明な板状体あるいはフィルムであることを特徴とする透明導電膜である。
【００１２】
また、本発明の透明導電膜は、前記透明導電膜を透明基板に形成し、プラズマディスプレイパネルのカバーフィルターとして用いることを特徴とする。
【００１３】
【発明の実施の形態】
本発明の透明導電膜は、誘電体層とＡｇとＮｄの合金層とが交互に積層されたものであり、基板上に、基板側から誘電体層、ＡｇとＮｄの合金層とが交互に順次繰り返し積層され、最上層は誘電体が積層されている。
【００１４】
本発明の透明導電膜を成膜する基板は、特に限定するものではないが、表示器などに用いる場合は、基板に透明基板を用い、透明基板としては、透明のガラス、プラスチック等を用いることが可能である。ガラス基板としては、汎用の普通板ガラス、所謂フロート板ガラスなどであり、クリアをはじめグリ−ン、ブロンズ等各種着色ガラスや各種機能性ガラス、強化ガラスやそれに類するガラス、合せガラスのほか複層ガラス等、さらに平板あるいは曲げ板等各種板ガラス製品として使用できることは言うまでもない。また、ガラスは透明プラスチック板等との積層体であってもよい。なお、ガラスの組成は、ソーダ石灰ガラス、アルミノシリケートガラス等である。
【００１５】
透明導電膜の表面抵抗は、電磁遮蔽性能に大きく影響するものである。表面抵抗の大きさを、目的とする電磁遮蔽性能に合わせて、誘電体層と、ＡｇとＮｄの合金層各層の厚み、層数で、調整することが好ましい。
【００１６】
また、層の厚みや層数は、可視光線透過率や可視光線反射率の光学特性に大きく影響し、必要とされる光学特性によっても調整することが好ましい。
【００１７】
誘電体層は、Ｚｎ、Ａｌ、Ｓｎ、ＳｎＺｎ、ＡｌＺｎ、ＩｎＳｎなどの酸化物でもよいが、Ａｌ、Ｓｉ等の窒化物を用いることが好ましい。
【００１８】
誘電体層が酸化物の場合には酸素を真空成膜室に導入するので、合金薄膜の真空成膜工程においては合金薄膜の表面酸化を防ぐため残留酸素濃度を酸化開始領域以下まで下げることが必要となるが、窒化物の場合には、酸素濃度を下げる必要が無くなり、生産性が向上し、コストの低減効果が得られる。また、合金薄膜の表面酸化による、電磁遮蔽性や可視光透過率の劣化が回避できる。
【００１９】
本発明の透明導電膜の電磁波遮蔽性能を左右するＡｇとＮｄとの合金層には、５Ｎ（９９．９９９％）以上の純度のＡｇに、０．１〜１０ｗｔ％、より好ましくは０．１〜５ｗｔ％、最も好ましくは０．１〜１．３ｗｔ％のＮｄを添加して合金層とする。Ｎｄの添加率が高くなるほど化学的な安定性は良くなるが、合金の抵抗率は、Ａｇ単体に比べ上昇し、電磁遮蔽性能も劣ってくる。従って、Ｎｄの添加率は、所望の電磁遮蔽性が得られる抵抗値と化学的安定性とが得られる範囲で定めればよい。
【００２０】
本発明の透明導電膜の成膜方法は、生産性の点よりスパッタリング法が好ましいが、その他の成膜法である真空蒸着法、イオンプレーティング法、ＰＣＶＤ（プラズマＣＶＤ）法等で成膜することも可能である。
【００２１】
スパッタリング法での成膜においては、窒素ガスまたは／およびＡｒガスの雰囲気中で成膜することが好ましい。
【００２２】
なお、本発明の透明導電膜を透明基板に成膜したものは、実施例の表１に示すように、電磁波の遮蔽性能が優れており、ＰＤＰ、ＣＲＴなどのディスプレイ前面から発生する電磁波を遮蔽するための、電磁波シールドフィルタ用基板に用いることが可能である。さらに、近赤外の波長域の光の透過率が低く、赤外線遮蔽機能と電磁波遮蔽機能とを併せ持ち、ＰＤＰの前面パネルに、カバーフィルターとして用いることができる。
【００２３】
また、ＰＤＰに用いる場合には、本発明の電磁波遮蔽膜を被覆した透明基板の表面及び裏面に粘着剤等により反射防止、ガラス割れ時の飛散防止、粘着層の色素添加による色度調整などの機能を有する透明フィルムを貼り付け、ＰＤＰの前面に装着して用いることができる。
【００２４】
さらに、本発明の透明導電膜は、実施例の結果の表２に示すように、近赤外域の光（波長８００ｎｍ，８５０ｎｍおよび１０００ｎｍ）の反射率が大きく、日射遮蔽用の熱線遮蔽ガラスとして、開口部の窓ガラス等に使用することも可能である。
【００２５】
【実施例】
以下、実施例により本発明を具体的に説明する。但し、本発明は、これらの実施例に限定されるものではない。
【００２６】
実施例および比較例において、成膜にガラス基板を用いた。ガラス基板は、大きさ約３００ｍｍ×３００ｍｍ×約３ｍｍのクリアフロートガラス（ＦＬ３）を中性洗剤、水すすぎ、イソプロピルアルコールで順次洗浄し、乾燥した。
【００２７】
また、得られた透明導電膜付ガラスについて、（１）可視光線透過率、可視光線反射率、（２）電磁遮蔽性、（３）耐湿性、（４）抵抗、（５）膜厚を次のようにして測定し、評価した。
（１）可視光線透過率、可視光線反射率：
ＪＩＳ　Ｒ　３１０６に準拠し、分光光度計（４０００型、日立製作所製スペクトロフォトメーター）により波長３８０〜７８０ｎｍ間の可視光線透過率Ｔｖ、可視光線反射率（ガラス面側Ｒｇ、膜面側Ｒｆ）を測定した。
（２）電磁遮蔽性：
米国軍用規格ＭＩＬ−ｓｔｄ２８５に準じて測定した。
（３）耐湿性：
透明導電膜を成膜したガラス基板から、大きさ１０ｃｍ×１０ｃｍの試料を切り出し、資料とした。該資料を、３０℃−９０％ＲＨの雰囲気中に１ヶ月保持した後、目視で観察される欠陥の数が３以下のものを合格とした。
（４）抵抗：
４探針プローブ抵抗計（エプソン社製）により膜表面のシート抵抗を測定した。
（５）膜厚：
段差測定器ＤＥＫＴＡＫ　３（Ｓｌｏａｎ社製）により測定した。
【００２８】
実施例１
本実施例の透明導電膜を、次のようにして形成した。ＤＣマグネトロンスパッタリング装置の真空槽内に予めＡｌターゲットとＡｇ９９重量％−Ｎｄ１重量％合金のターゲットとを取り付け、前記ガラス基板を各ターゲットに対向して往復動できるようセットした。次に成膜前の圧力が１×１０−４Ｐａとなるまで真空槽内の排気を充分に行った後、該真空槽内にＡｒガスとＮ２ガスからなるスパッタガスを導入して圧力を約０．３Ｐａに保持し、ガラス基板上に第１層として約３０ｎｍ厚さのアルミの窒化物（ＡｌＮｘと表記する）薄膜、第２層として約１３ｎｍ厚さのＡｇＮｄ合金薄膜（以下ＡｇＮｄ合金成膜時のガス組成にＮ２ガスが含まれている場合はＡｒガスのみで成膜した場合と区別するため、以後ＡｇＮｄ（Ｎ）と表記する）、第３層として約５５ｎｍ厚さのＡｌＮｘ薄膜を順次成膜した。成膜が完了した後、ガラスを成膜室より取り出した。
【００２９】
本実施例１の膜構成は、ガラス基板から順次、ＦＬ３／ＡｌＮｘ（３０ｎｍ）／ＡｇＮｄ（Ｎ）（１３ｎｍ）／ＡｌＮｘ（４０ｎｍ）（かっこ内の数値は厚み）である。
【００３０】
実施例２
実施例１と同様に、ＤＣマグネトロンスパッタリング装置の真空槽内に予めＡｌターゲットとＡｇ９９重量％−Ｎｄ１重量％合金のターゲットとを取り付け、前記ガラス基板を各ターゲットに対向して往復動できるようセットした。次に、成膜前の圧力が１×１０−４Ｐａとなるまで真空槽内の排気を充分に行った後、該真空槽内にＡｒガスとＮ２ガスからなるスパッタガスを導入して圧力を約０．３Ｐａに保持し、ガラス基板上に第１層として約３８ｎｍ厚さのＡｌＮｘ薄膜、第２層として約１４ｎｍ厚さのＡｇＮｄＮｘ薄膜、第３層として約６６ｎｍ厚さのＡｌＮｘ薄膜、第４層として約１４ｎｍ厚さのＡｇＮｄ（Ｎ）薄膜、第５層として約２８ｎｍ厚さのＡｌＮｘ薄膜を順次成膜した。成膜が完了した後、ガラスを成膜室より取り出した。
【００３１】
本実施例２の膜構成は、ガラス基板から順次、ＦＬ３／ＡｌＮｘ（３８ｎｍ）／ＡｇＮｄ（Ｎ）（１４ｎｍ）／ＡｌＮｘ（６６ｎｍ）／ＡｇＮｄ（Ｎ）（１４ｎｍ）／ＡｌＮｘ（２８ｎｍ）（かっこ内の数値は厚み）である。
【００３２】
実施例３
実施例１と同様に、ＤＣマグネトロンスパッタリング装置の真空槽内に予めＡｌとＡｇ９９重量％−Ｎｄ１重量％合金のターゲットとを取り付け、前記ガラス基板をターゲットに対向して往復動できるようセットした。次に、成膜前の圧力が１×１０−４Ｐａとなるまで真空槽内の排気を充分に行った後、該真空槽内にＡｒガスとＮ２ガスからなるスパッタガスを導入して圧力を約０．３Ｐａに保持し、ガラス基板上に第１層として約３６ｎｍ厚さのＡｌＮｘ薄膜、第２層として約１７．５ｎｍ厚さのＡｇＮｄ（Ｎ）薄膜、第３層として約７４ｎｍ厚さのＡｌＮｘ薄膜、第４層として約１７．５ｎｍ厚さのＡｇＮｄ（Ｎ）薄膜、第５層として約７４ｎｍ厚さのＡｌＮｘ薄膜、第６層として約１７．５ｎｍ厚さのＡｇＮｄ（Ｎ）薄膜、第７層として約３８ｎｍ厚さのＡｌＮｘ薄膜を順次成膜した。成膜が完了した後、ガラスを成膜室より取り出した。
【００３３】
本実施例３の膜構成は、ガラス基板から順次、ＦＬ３／ＡｌＮｘ（３６ｎｍ）／ＡｇＮｄ（Ｎ）（１７．５ｎｍ）／ＡｌＮｘ（７４ｎｍ）／ＡｇＮｄ（Ｎ）（１７．５ｎｍ）／ＡｌＮｘ（７４ｎｍ）／ＡｇＮｄ（Ｎ）（１７．５ｎｍ）／ＡｌＮｘ（３８ｎｍ）（かっこ内の数値は厚み）である。
【００３４】
比較例１
ＤＣマグネトロンスパッタリング装置の真空槽内に予めＡｌ、Ａｇの各ターゲットを取り付け、前記ガラス基板をターゲットに対向して往復動できるようセットした。次に、成膜前の圧力が１×１０−４Ｐａとなるまで真空槽内の排気を充分に行った後、該真空槽内にＡｒガスとＮ２ガスからなるスパッタガスを導入して圧力を約０．３Ｐａに保持し、ガラス基板上に第１層として約３０ｎｍ厚さのＡｌＮｘ薄膜、第２層として約１０ｎｍ厚さのＡｇ（Ｎ）薄膜（Ａｇ成膜時のガス組成にＮ２ガスが含まれている場合はＡｒガスのみで成膜した場合と区別するため、以後Ａｇ（Ｎ）と表記する）、第３層として約４０ｎｍ厚さのＡｌＮｘ薄膜を順次成膜した。成膜が完了した後、ガラスを成膜室より取り出した。
【００３５】
比較例１の膜構成は、ガラス基板から順次、ＦＬ３／ＡｌＮｘ（３０ｎｍ）／Ａｇ（Ｎ）（１０ｎｍ）／ＡｌＮｘ（４０ｎｍ）（かっこ内の数値は厚み）である。
【００３６】
比較例２
ＤＣマグネトロンスパッタリング装置の真空槽内に予めＡｌ、ＮｉＣｒ、Ａｇの各ターゲットを取り付け、前記ガラス基板をターゲットに対向して往復動できるようセットした。次に、成膜前の圧力が１×１０−４Ｐａとなるまで真空槽内の排気を充分に行った後、該真空槽内にＡｒガスとＮ２ガスからなるスパッタガスを導入して圧力を約０．３Ｐａに保持し、ガラス基板上に第１層として約３０ｎｍ厚さのＡｌＮｘ薄膜、第２層として約０．５ｎｍ厚さのニクロムの窒化物（ＮｉＣｒＮｘと表記する）薄膜、第３層として約１３ｎｍ厚さのＡｇ薄膜（成膜時のガス組成にＮ２ガスが含まれている場合はＡｒガスのみで成膜した場合と区別するため、以後ＡｇＮｘと表記する）、第４層として約５５ｎｍ厚さのＡｌＮｘ薄膜を順次成膜した。成膜が完了した後、ガラスを成膜室より取り出した。ニクロムの窒化物層は、比較例１の耐湿性を向上させるための成膜である。
【００３７】
比較例２の膜構成は、ガラス基板から順次、ＦＬ３／ＡｌＮｘ（３０ｎｍ）／ＮｉＣｒＮｘ（０．５ｎｍ）／Ａｇ（Ｎ）（１３ｎｍ）／ＡｌＮｘ（５５ｎｍ）（かっこ内の数値は厚み）である。
【００３８】
比較例３
比較例１と同様に、ＤＣマグネトロンスパッタリング装置の真空槽内に予めＡｌ、ＮｉＣｒ、Ａｇの各ターゲットを取り付け、前記ガラス基板をターゲットに対向して往復動できるようセットした。次に、成膜前の圧力が１×１０−４Ｐａとなるまで真空槽内の排気を充分に行った後、該真空槽内にＡｒガスとＮ２ガスからなるスパッタガスを導入して圧力を約０．３Ｐａに保持し、ガラス基板上に第１層として約５０ｎｍ厚さのＡｌＮｘ薄膜を成膜した。次いで、前記真空槽内を再び１×１０−４Ｐａとなるまで排気した後、該真空槽内にＡｒガスを導入して圧力を約０．３Ｐａに保持し、第２層として約０．５ｎｍ厚さのＮｉＣｒ薄膜、第３層として約８ｎｍ厚さのＡｇ薄膜を成膜した。次いで、前記真空槽内を再び１×１０−４Ｐａとなるまで排気した後、該真空槽内にＡｒガスとＮ２ガスからなるスパッタガスを導入して圧力を約０．３Ｐａに保持し、第４層として約９０ｎｍ厚さのＡｌＮｘ薄膜を成膜した。次いで、前記真空槽内を再び１×１０−４Ｐａとなるまで排気した後、該真空槽内にＡｒガスを導入して圧力を約０．３Ｐａに保持し、第５層として約０．５ｎｍ厚さのＮｉＣｒ薄膜、第６層として約１２ｎｍ厚さのＡｇ薄膜を成膜した。次いで、前記真空槽内を再び１×１０−４Ｐａとなるまで排気した後、該真空槽内にＡｒガスとＮ２ガスからなるスパッタガスを導入して圧力を約０．３Ｐａに保持し、第７層として約４５ｎｍ厚さのＡｌＮｘ薄膜を成膜した。成膜が完了した後、ガラスを成膜室より取り出した。
【００３９】
比較例３の膜構成は、ガラス基板から順次、ＦＬ３／ＡｌＮｘ（５０ｎｍ）／ＮｉＣｒ（０．５ｎｍ）／Ａｇ（Ｎ）（８ｎｍ）／ＡｌＮｘ（９０ｎｍ）／ＮｉＣｒ（０．５ｎｍ）／Ａｇ（Ｎ）（１２ｎｍ）／ＡｌＮｘ（４５ｎｍ）（かっこ内の数値は厚み）である。
【００４０】
比較例４
ＤＣマグネトロンスパッタリング装置の真空槽内に予めＳｎ、Ｚｎ９６重量％−Ａｌ４重量％、Ｚｎ、Ａｇの各ターゲットを取り付け、前記ガラス基板をターゲットに対向して往復動できるようセットした。次に、成膜前の圧力が１×１０−４Ｐａとなるまで真空槽内の排気を充分に行った後、該真空槽内にＡｒガスとＯ２ガスからなるスパッタガスを導入して圧力を約０．３Ｐａに保持し、ガラス基板上に第１層として約５．３ｎｍ厚さのＳｎＯ２膜、第２層として約４２．７ｎｍ厚さのＺｎＯ層を成膜した。次いで、前記真空槽内を再び１×１０−４Ｐａとなるまで排気した後、該真空槽内にＡｒガスを導入して圧力を約０．３Ｐａに保持し、第３層としての約２０ｎｍ厚さのＡｇ薄膜、第４層として金属バリア層である約１．６ｎｍ厚さのＺｎＡｌ合金薄膜を成膜した。次いで、前記真空槽内を再び１×１０−４Ｐａとなるまで排気した後、該真空槽内にＡｒガスとＯ２ガスからなるスパッタガスを導入して圧力を約０．３Ｐａに保持し、第５層として約８．２ｎｍ厚さのＺｎＡｌｘＯｙ薄膜、第６層として約１６．４ｎｍ厚さのＳｎＯ２薄膜、第７層として約６５．４ｎｍ厚さのＺｎＯ薄膜を順次成膜した。次いで、前記真空槽内を再び１×１０−４Ｐａとなるまで排気した後、該真空槽内にＡｒガスを導入して圧力を約０．３Ｐａに保持し、第８層として約２５ｎｍ厚さのＡｇ薄膜、第９層として金属バリア層である約１．４ｎｍ厚さのＺｎＡｌ合金薄膜を順次成膜した。次いで、前記真空槽内を再び１×１０−４Ｐａとなるまで排気した後、該真空槽内にＡｒガスとＯ２ガスからなるスパッタガスを導入して圧力を約０．３Ｐａに保持し、第１０層として約８．５ｎｍ厚さのＺｎＡｌｘＯｙ薄膜、第１１層として約１６．９ｎｍ厚さのＳｎＯ２薄膜、第１２層として約６７．６ｎｍ厚さのＺｎＯ薄膜を成膜した。次いで、前記真空槽内を再び１×１０−４Ｐａとなるまで排気した後、該真空槽内にＡｒガスを導入して圧力を約０．３Ｐａに保持し、第１３層として約２３ｎｍ厚さのＡｇ薄膜、第１４層として金属バリア層である約１．８ｎｍ厚さのＺｎＡｌ合金薄膜を成膜した。次いで、前記真空槽内を再び１×１０−４Ｐａとなるまで排気した後、該真空槽内にＡｒガスとＯ２ガスからなるスパッタガスを導入して圧力を約０．３Ｐａに保持し、第１５層として約４．２ｎｍ厚さのＺｎＡｌｘＯｙ薄膜、第１６層として約４．２ｎｍ厚さのＳｎＯ２薄膜、第１７層として約３４．４ｎｍ厚さのＺｎＯ薄膜、第１８層として約４．２ｎｍ厚さのＳｎＯ２薄膜を順次成膜した。成膜が完了した後、ガラスを成膜室より取り出した。なお、金属バリア層であるＺｎＡｌ合金薄膜は上層に酸化性雰囲気でＺｎＡｌｘＯｙ層を成膜するとき、酸化されていた。
【００４１】
比較例４の膜構成は、ガラス基板から順次、ＦＬ３／ＳｎＯ２（５．３ｎｍ）／ＺｎＯ（４２．７ｎｍ）／Ａｇ（２０ｎｍ）／ＺｎＡｌ（１．６ｎｍ）／ＺｎＡｌＯ（８．２ｎｍ）／ＳｎＯ２（１６．４ｎｍ）／ＺｎＯ（６５．４ｎｍ）／Ａｇ（２５ｎｍ）／ＺｎＡｌ（１．４ｎｍ）／ＺｎＡｌｘＯｙ（８．５ｎｍ）／ＳｎＯ２（１６．９ｎｍ）／ＺｎＯ（６７．６ｎｍ）／Ａｇ（２３ｎｍ）／ＺｎＡｌ（１．８ｎｍ）／ＺｎＡｌｘＯｙ（４．２ｎｍ）／ＳｎＯ２（４．２ｎｍ）／ＺｎＯ（３４．４ｎｍ）／ＳｎＯ２（４．２ｎｍ）（かっこ内の数値は厚み）である。
【００４２】
実施例１〜３および比較例１〜４の評価結果を表１および表２に示す。
【００４３】
【表１】
2004047216.tif 000002
【００４４】
【表２】
2004047216.tif 000003
【００４５】
実施例１は、導電層ＡｇＮｄが１層の場合で、導電層にＡｇを用いる従来技術による導電層が１層の比較例１に比べ、耐湿性の良い膜が得られた。また、比較１の耐湿性を向上させた比較例２に対し、可視光線透過率が大きく、可視光線反射率が小さい、光学特性の良い透明導電膜であった。
【００４６】
実施例２は、導電層ＡｇＮｄが２層の場合で、２層の導電層にＡｇを用い、耐湿性を向上させた従来技術による比較例３に比較し、表面抵抗が小さく、電磁遮蔽性能の良いものが得られ、さらに、可視光線透過率が大きく、可視光線反射率が小さい、光学特性の良い透明導電膜であった。さらに、比較例３よりも赤外線遮蔽の性能に優れた透明導電膜が得られた。
【００４７】
実施例３は、導電層ＡｇＮｄが３層の場合である。実施例３と同程度の表面抵抗で電磁遮蔽性能とするため、従来技術では、比較例４のように、３層のＡｇでなる導電層の両側を酸化物で挟む構成であり、実施例３は比較例４よりも成膜する層が遙かに少なくてすみ、コストの逓減となる。
【００４８】
また、周波数が３０〜１０００ＭＨｚの電磁波に対し、実施例２の場合、表面抵抗は２．４Ω／□で、電磁波遮蔽性能は３０ｄＢ以上となり、また、実施例３の場合は、表面抵抗は１．２Ω／□で、電磁波遮蔽性能は４０ｄＢ以上となり、比較例１〜４と同等以上の電磁遮蔽性能を有する透明導電膜が得られた。
【００４９】
【発明の効果】
本発明の透明導電膜は、可視光線透過率、可視光線反射率および耐湿性能に優れ、しかも成膜の層数が少なくてすむ安価な透明導電膜を提供できるものである。