(57)【要約】【課題】半導体装置を効率良く製造でき、かつ良好な高温リフロー信頼性と成形性を併せ持つ半導体装置が得られる方法を提供する。【解決手段】下記（Ａ）〜（Ｃ）成分を含む半導体封止用エポキシ樹脂組成物を用い半導体素子を封止して半導体装置を製造する方法であって、封止時に後硬化工程を省略することを特徴とする半導体装置の製法。（Ａ）ビフェニル型エポキシ樹脂（ａ１）を必須成分として含有するエポキシ樹脂（Ｂ）硬化剤（Ｃ）エポキシ樹脂組成物全体に占める割合が８８重量％以上で、かつその５０重量％以上が球状溶融シリカである無機充填剤。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記（Ａ）〜（Ｃ）成分を含む半導体封止用エポキシ樹脂組成物を用い半導体素子を封止して半導体装置を製造する方法であって、封止時に後硬化工程を省略することを特徴とする半導体装置の製法。
（Ａ）下記一般式（Ｉ）で表されるビフェニル型エポキシ樹脂（ａ１）を必須成分として含有するエポキシ樹脂
【化１】
2004140186.tif 000008
（式中、Ｒ１〜Ｒ８は水素原子、炭素数１〜４の低級アルキル基、フェニル基またはハロゲン原子のいずれかを示す。）
（Ｂ）硬化剤
（Ｃ）エポキシ樹脂組成物全体に占める割合が８８重量％以上で、かつその５０重量％以上が球状溶融シリカである無機充填剤。
【請求項２】
エポキシ樹脂組成物の成形温度におけるゲル化時間が３５秒以下であることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置を効率良く製造することができ、かつ信頼性、特に高温リフロー信頼性に優れる半導体装置の製法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
半導体素子などの電子回路部品の封止方法として、生産性、物性のバランスの点からエポキシ樹脂による樹脂封止が最も盛んに行われている。エポキシ樹脂による封止方法は、エポキシ樹脂に硬化剤、充填剤などを添加した組成物を用い、半導体素子を金型にセットしてトランスファー成形法などにより封止する方法が一般的に行われている。
【０００３】
近年は、半導体装置の高密度実装化の流れにともない従来のリードピンを基板の穴に挿入する挿入実装方式から、基板表面に半導体装置を半田付けする表面実装方式が主流になっている。が、表面実装においては、通常半田リフローによる実装が行われる。この方法では、基板の上に半導体装置を乗せ、これらを２００℃以上の高温にさらし、基板にあらかじめつけられた半田を溶融させて半導体装置を基板表面に接着させる。このような実装方法では半導体装置全体が高温にさらされるため、封止樹脂組成物の耐湿性が悪いと吸湿した水分が半田リフロー時に爆発的に膨張しクラックが生じたり、半導体装置中の部材と封止樹脂組成物との界面で剥離が生じるという現象が起こる。従来はクラックの抑制に関する技術開発が盛んに行われていたが、近年では封止樹脂の耐熱性レベルが向上してきてため、特に半導体装置中の様々な部材との剥離抑制、すなわち部材との密着性向上が非常に重要となっている。
【０００４】
更に最近では、地球環境保護を目的に鉛を含んでいない鉛フリー半田の使用が進んでいる。従来の鉛使用半田は融点が約１８０℃前後であるのに対し鉛フリー半田は融点が１９０〜２３０℃と高く、そのためリフロー温度も鉛使用半田では２２０〜２４０℃であったのに対し鉛フリー半田では２５０〜２６０℃まで上がることになり、封止用樹脂組成物にはこれまで以上の耐熱性、耐湿性、密着性が求められている。
【０００５】
また、鉛フリー半田の使用によるリフロー温度の上昇によって、耐湿性や部材との密着性以外に、半導体チップ上のアルミパッド部とリードフレームを結ぶ金ワイアがリフロー時に断線するという新たな問題が起こってきている。但し、この問題はまだ解決されていない。
【０００６】
さらに、半導体装置自体も高密度実装化の流れから、従来のＤＩＰ（デュアル・インライン・パッケージ）からＦＰＰ（フラット・プラスチック・パッケージ）に移行してきており、中でも最近では厚さ２ｍｍ以下のＴＳＯＰ、ＴＱＦＰ、ＬＱＦＰが主流となっている。そのため湿気や温度など外部からの影響をいっそう受けやすくなり、高温リフロー信頼性、耐熱性、耐湿性などの信頼性がますます重要となっている。
【０００７】
一方、半導体装置の製造においてはエポキシ樹脂組成物で封止した後は通常、後硬化工程、すなわちエポキシ樹脂の硬化反応を完了させ十分なガラス転移温度や機械的強度を得るために加熱処理を行う工程が入る。通常は１７０〜１８０℃で４〜１２時間行われる。その後、半導体装置全体を密封し表面実装の直前に開封して使用する方法や、表面実装の直前に上記半導体装置を８０〜１２０℃で１２〜２４時間乾燥させて実装に供するという方法が一般的に行われている。
【０００８】
しかし、上記のような後硬化工程を行うことは製造工程が長くなるうえ手間がかかるため省略したいという要望があった。そこでエポキシ樹脂としてオルトクレゾールノボラック型エポキシ樹脂を含有するエポキシ樹脂組成物を用いることで後硬化工程を省略した半導体装置が一部ユーザーで製造され市場に供給されている。オルトクレゾールノボラック型エポキシ樹脂を用いることで成形時の硬化反応をより進めることができるのである。
【０００９】
しかし、上記のオルトクレゾールノボラック型エポキシ樹脂を用いた場合はそれ自身の溶融粘度が高いため充填剤含有量が制限されてしまうこと、それ自身の吸水率が高いことから、十分な半田耐熱性が得られないという問題があった。
【００１０】
このような後硬化工程を省略できると同時に高い信頼性を有しなければならないという課題を克服するため、例えばビフェニル型エポキシ樹脂とフェノールアラルキル樹脂を併用し充填剤含有量が７０〜８５重量％のエポキシ樹脂組成物を用い後硬化工程を省略することを特徴とする半導体装置の製法及び半導体装置（特許文献１）、ビフェニル型エポキシ樹脂とフェノールノボラック樹脂を併用し充填剤含有量が７０〜８５重量％のエポキシ樹脂組成物を用い後硬化工程を省略することを特徴とする半導体装置の製法及び半導体装置（特許文献２）が提案されている。
【００１１】
また、ビフェニル型エポキシ樹脂あるいはナフタレン型エポキシ樹脂とフェノールアラルキル樹脂を併用し充填剤含有量が７５〜９０重量％で、かつ充填剤が破砕状溶融シリカと球状溶融シリカを併用することを特徴とするエポキシ樹脂組成物（特許文献３）が提案されている。
【００１２】
【特許文献１】
特開平５−６７７０２号公報
【特許文献２】
特開平５−６７７０３号公報
【特許文献３】
特開平４−３２５５１７号公報
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、特許文献１および特許文献２に記載の組成物は充填剤の含有量が７０〜８５重量％と低いため吸水率が高くなったり機械的強度も不十分であることから十分な半田耐熱性が得られなかった。ましてや上述のように鉛フリー半田を使用した場合に行われる高温リフローには適用できないという欠点があった。
【００１４】
また、特許文献３記載の組成物は後硬化工程を省略できるという記載が一切なく、かつ充填剤中の球状溶融シリカが最大４０重量％までしか配合されていないため充填剤含有量が最大８４重量％までしか配合できず満足する半田耐熱性が得られていない。
【００１５】
したがって、後硬化工程を省略できると同時に高い信頼性、特に高温リフロー信頼性を有するエポキシ樹脂組成物やそれを用いた半導体装置の製法、半導体装置の出現が望まれていた。
【００１６】
したがって、本発明の課題は、後硬化工程を省略しても十分な特性を発現し、かつ信頼性、特に高温リフロー信頼性（部材密着性やワイア断線など）を同時に満足するようなエポキシ樹脂組成物を用いた半導体装置の製法を提供することにある。
【００１７】
【課題を解決するための手段】
そこで本発明者らは、鋭意検討した結果、特定のエポキシ樹脂と充填剤を使用することにより上記課題を達成することができ、目的に合致したエポキシ樹脂組成物と半導体装置が得られることを見いだし、本発明に到達した。
【００１８】
すなわち本発明は、下記（Ａ）〜（Ｃ）成分を含む半導体封止用エポキシ樹脂組成物を用い半導体素子を封止して半導体装置を製造する方法であって、封止時に後硬化工程を省略することを特徴とする半導体装置の製法である。
（Ａ）下記一般式（Ｉ）で表されるビフェニル型エポキシ樹脂（ａ１）を必須成分として含有するエポキシ樹脂
【００１９】
【化２】
2004140186.tif 000002
【００２０】
（式中、Ｒ１〜Ｒ８は水素原子、炭素数１〜４の低級アルキル基、フェニル基またはハロゲン原子のいずれかを示す。）
（Ｂ）硬化剤
（Ｃ）エポキシ樹脂組成物全体に占める割合が８８重量％以上で、かつその５０重量％以上が球状溶融シリカである無機充填剤。
【００２１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の構成を詳述する。
本発明のエポキシ樹脂組成物は、エポキシ樹脂（Ａ）、硬化剤（Ｂ）および無機充填剤（Ｃ）を含有する。
【００２２】
本発明においてエポキシ樹脂（Ａ）は、前記一般式（Ｉ）で表されるビフェニル型エポキシ樹脂（ａ１）を必須成分として含む。このビフェニル型エポキシ樹脂（ａ１）を含有することにより樹脂組成物中に占める充填剤含有量を高くすることができ、リフロー信頼性が向上する。
【００２３】
本発明におけるビフェニル型エポキシ樹脂（ａ１）の具体例としては、例えば、４，４’−ビス（２，３−エポキシプロポキシ）ビフェニル、４，４’−ビス（２，３−エポキシプロポキシ）−３，３’，５，５’−テトラメチルビフェニル、４，４’−ビス（２，３−エポキシプロポキシ）−３，３’，５，５’−テトラエチルビフェニル、４，４’−ビス（２，３−エポキシプロポキシ）−３，３’，５，５’−テトラブチルビフェニルなどが挙げられる。ただし、これらに限定されるものではない。
【００２４】
また本発明において、ビフェニル型エポキシ樹脂（ａ１）以外の公知のエポキシ樹脂を併用しても良く、その種類については特に限定されない。
【００２５】
それらの種類の具体例としてはクレゾールノボラック型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、フェノールアラルキル型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、テトラメチルビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビフェニルノボラック型エポキシ樹脂、１，５−ビス（２，３−エポキシプロポキシ）ナフタレン、１，６−ビス（２，３−エポキシプロポキシ）ナフタレン、ナフトールアラルキル型エポキシ樹脂などのナフタレン型エポキシ樹脂、３−ｔ−ブチル−２，４’−ジヒドロキシ−３’，５’，６−トリメチルスチルベンのジグリシジルエーテル、３−ｔ−ブチル−４，４’−ジヒドロキシ−３’，５，５’−トリメチルスチルベンのジグリシジルエーテル、４，４’−ジヒドロキシ−３，３’，５，５’−テトラメチルスチルベンのジグリシジルエーテル、４，４’−ジヒドロキシ−３，３’−ジ−ｔ−ブチル−６，６’−ジメチルスチルベンのジグリシジルエーテルなどのスチルベン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン骨格含有エポキシ樹脂、トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、１，４−ビス（３−メチル−４ヒドロキシクミル）ベンゼンのジグリシジルエーテル、４，４’−ジヒドロキシジフェニルエーテルのジグリシジルエーテル、２，２−ジメチル−５，５’−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルフィドなどのビスフェノール型エポキシ樹脂、鎖状脂肪族エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、複素環式エポキシ樹脂、スピロ環含有エポキシ樹脂およびハロゲン化エポキシ樹脂などがあげられる。
【００２６】
本発明においてビフェニル型エポキシ樹脂（ａ１）のエポキシ樹脂（Ａ）中に占める割合は信頼性の点から３０重量％以上、好ましくは５０重量％以上、特に好ましくは７０重量％以上である。勿論全量であっても構わない。
【００２７】
本発明においてエポキシ樹脂（Ａ）の配合量は、全樹脂組成物に対して通常１．０〜１０．０重量％である。
【００２８】
本発明にはエポキシ樹脂（Ａ）を硬化させるために硬化剤（Ｂ）を用いるが、エポキシ樹脂（Ａ）を硬化せしめるものであればその種類は特に限定されない。それらの種類の具体例としてはフェノールノボラック、クレゾールノボラックなどのノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂、ナフトールアラルキル樹脂、ビフェニルノボラック型フェノール樹脂、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦなどのビスフェノール化合物、トリス（ヒドロキシフェニル）メタン、１，１，２−トリス（ヒドロキシフェニル）エタン、１，１，３−トリス（ヒドロキシフェニル）プロパン、テルペンとフェノールの縮合化合物、ジシクロペンタジエン骨格含有フェノール樹脂、無水マレイン酸、無水フタル酸、無水ピロメリット酸などの酸無水物およびメタフェニレンジアミン、ジアミノジフェニルメタン、ジアミノジフェニルスルホンなどの芳香族アミンなどがあげられる。なかでも、半導体封止用としては、耐熱性、耐湿性および保存性に優れる点から、フェノール性水酸基を有する硬化剤が好ましく、特にフェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂、ビフェニルノボラック型フェノール樹脂が好ましい。
【００２９】
本発明において、硬化剤（Ｂ）の配合量は、全樹脂組成物に対して通常１．０〜１０．０重量％である。さらには、エポキシ樹脂（Ａ）と硬化剤（Ｂ）の配合比は、機械的性質および耐湿性の点から（Ａ）に対する（Ｂ）の化学当量比が０．５〜２．０、特に０．６〜１．５の範囲にあることが好ましい。
【００３０】
本発明において、無機充填剤（Ｃ）の割合が全樹脂組成物に対して８８重量％以上であることが必要である。無機充填剤（Ｃ）の含有量を８８重量％以上にすることにより樹脂組成物の吸水率が低下するとともに機械的強度が向上し、良好なリフロー信頼性が得られる。無機充填剤（Ｃ）の割合の上限は特に限定されないが、他の配合成分の配合を考慮すると９７％である。
【００３１】
また本発明において、無機充填剤（Ｃ）としては、結晶性シリカ、溶融シリカ（非晶性シリカ）、アルミナ、窒化珪素などが使用可能であるが、球状の溶融シリカを無機充填剤中に５０重量％以上用いることが必要である。勿論全量であっても構わない。５０重量％以上用いることによって良好な信頼性を得ることができる。シリカは、通常充填剤含有量を高くすると樹脂組成物の流動性が低下しボイド、未充填といった成形不良を引き起こすが、球状の溶融シリカを用いることで良好な成形性が得られるのである。
【００３２】
本発明においてエポキシ樹脂（Ａ）と硬化剤（Ｂ）の硬化反応を促進するために硬化促進剤を用いてもよい。硬化促進剤としては、例えば、トリフェニルホスフィン、トリメチルホスフィン、トリエチルホスフィン、トリブチルホスフィン、トリ（ｐ−メチルフェニル）ホスフィン、トリ（ノニルフェニル）ホスフィンなどのりん系化合物、２−メチルイミダゾール、２，４−ジメチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダゾール、２−ヘプタデシルイミダゾール、トリエチルアミン、ベンジルジメチルアミン、ジメチルベンジルメチルアミン、２−（ジメチルアミノメチル）フェノール、２，４，６−トリス（ジメチルアミノメチル）フェノール、１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）ウンデセン−７などのアミン系化合物などが成形性、信頼性の点で好ましく用いられるが、硬化反応を促進するものであれば特に限定されない。
【００３３】
これらの硬化促進剤は、用途によっては二種以上を併用してもよく、その添加量はエポキシ樹脂（Ａ）１００重量部に対して０．１〜１０重量部の範囲が望ましい。但し、後硬化工程を省略するためには成形時に硬化反応をほぼ完結させる必要があり、成形温度におけるゲル化時間が３５秒以内になるよう硬化促進剤の種類および添加量を調整することが好ましい。
【００３４】
本発明のエポキシ樹脂組成物には充填剤とエポキシ樹脂や硬化剤の結合を強化し、信頼性の向上を図る目的でシランカップリング剤を用いてもよい。中でも、アミノ基を含有するシランカップリング剤、エポキシ基を含有するシランカップリング剤或いはメルカプト基を含有するシランカップリング剤が成形性、信頼性の点で好ましく用いられる。
【００３５】
本発明において、シランカップリング剤の割合が全樹脂組成物に対して０．０５〜２重量％の範囲にあることが成形性、信頼性の点で好ましく、０．１〜１重量％の範囲がより好ましい。
【００３６】
また、本発明のエポキシ樹脂組成物には、カーボンブラック、酸化鉄などの着色剤、シリコーンゴム、スチレン系ブロック共重合体、オレフィン系重合体、変性ニトリルゴム、変性ポリブタジエンゴムなどのエラストマー、ポリスチレンなどの熱可塑性樹脂、長鎖脂肪酸、長鎖脂肪酸の金属塩、長鎖脂肪酸のエステル、長鎖脂肪酸のアミド、パラフィンワックスなどの離型剤および有機過酸化物など架橋剤、三酸化アンチモン、四酸化アンチモン、五酸化アンチモンなどの難燃助剤、難燃剤としての臭素化合物を任意に添加することができる。
【００３７】
本発明のエポキシ樹脂組成物は、上記各成分を用いて、例えば以下のようにして製造される。製造方法としては、たとえば溶融混練による方法が好ましく、各成分をミキサーなどで混合した後、通常は６０〜１４０℃で、たとえばバンバリーミキサー、ニーダー、ロール、単軸もしくは二軸の押出機およびコニーダーなどの公知の混練方法を用いて溶融混練することにより製造できる。このエポキシ樹脂組成物は通常粉末またはタブレット状態から、成形によって半導体封止に供される。
【００３８】
このようなエポキシ樹脂組成物を用いての半導体素子の封止は、低圧トランスファー成形法が一般的に用いられるがインジェクション成形法や圧縮成形法も可能である。成形条件としては、たとえばエポキシ樹脂組成物を成形温度１５０℃〜２００℃、成形圧力５〜１５ＭＰａ、成形時間４０〜３００秒で成形し、エポキシ樹脂組成物の硬化物とすることによって半導体装置が製造される。
【００３９】
そして、通常はこの後、１７０〜１８０℃で４〜１２時間の条件で後硬化することが一般的であるが、本発明のエポキシ樹脂組成物は上記後硬化工程を行うことなく硬化可能であり、この方法で得られた半導体装置はこのまま実装に供することができる。
【００４０】
【実施例】
以下、実施例により本発明を具体的に説明する。なお、実施例中の％は重量％を示す。
［実施例１〜１５、比較例１〜６］
本発明で使用した各原料を表１および以下に示す。なお、ここで言う粘度とは１５０℃におけるＩＣＩ粘度のことである。
【００４１】
＜エポキシ樹脂（Ａ）＞
ａ１：ビフェニル型エポキシ樹脂：ジャパンエポキシレジン（株）”ＹＸ４０００Ｈ”、エポキシ当量１９３、粘度０．２ｄＰａ．ｓ
ａ２：ビフェニルノボラック型エポキシ樹脂：日本化薬（株）”ＮＣ−３０００Ｓ”、エポキシ当量２８２、粘度０．９ｄＰａ．ｓ
ａ３：ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂：新日鐵化学（株）”ＹＳＬＶ−８０ＸＹ”、エポキシ当量１９２、粘度０．０８ｄＰａ．ｓ
ａ４：ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂：ジャパンエポキシレジン（株）”ＹＬ６８１０”、エポキシ当量１７２、粘度０．０７ｄＰａ．ｓ
ａ５：オルトクレゾールノボラック型エポキシ樹脂：日本化薬（株）”ＥＯＣＮ１０２０”エポキシ当量２００、粘度１０ｄＰａ．ｓ。
【００４２】
＜硬化剤（Ｂ）＞
ｂ１：フェノールアラルキル樹脂：明和化成（株）”ＭＥＨ７８００ＳＳ”水酸基当量１７５、粘度０．７ｄＰａ．ｓ
ｂ２：ビフェニルノボラック型フェノール樹脂：明和化成（株）”ＭＥＨ７８５１ＳＳ”水酸基当量２０３，粘度０．７ｄＰａ．ｓ
ｂ３：フェノールノボラック樹脂：明和化成（株）”Ｈ−１”水酸基当量１０６、粘度２．０ｄＰａ．ｓ。
【００４３】
＜充填剤（Ｃ）＞
ｃ１：平均粒径２５μｍの溶融球状シリカ
ｃ２：平均粒径１４μｍの溶融破砕状シリカ。
【００４４】
＜硬化促進剤＞
トリフェニルホスフィン（以下、ＴＰＰと省略）：ケイ・アイ化成（株）”ＰＰ−３６０”。
【００４５】
＜カップリング剤＞
γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン：信越化学（株）”ＫＢＭ４０３”
γ−アミノプロピルトリエトキシシラン：信越化学（株）”ＫＢＥ９０３”
γ−アミノプロピルトリメトキシシラン：信越化学（株）”ＫＢＭ９０３”
γ−アニリノプロピルトリメトキシシラン：信越化学（株）”ＫＢＭ５７３”
γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン：信越化学（株）”ＫＢＭ８０３”。
【００４６】
＜着色剤＞
カーボンブラック：三菱化学（株）”ＭＡ６００”。
【００４７】
＜離型剤＞
モンタン酸エステルワックス：クラリアントジャパン（株）”ＬＩＣＯＷＡＸ−Ｅ”
【００４８】
【表１】
2004140186.tif 000003
【００４９】
上記各成分を、表２〜５に示した組成比（重量比）で計量し、ミキサーによりドライブレンドした。これをロール表面温度９０℃のミキシングロールを用いて５分間溶融混練後、冷却、粉砕して半導体封止用のエポキシ樹脂組成物を得た。
【００５０】
この各樹脂組成物を用いて、低圧トランスファー成形法により１７５℃、キュアータイム２分間の条件で下記の２種類の半導体装置を成形した。
（１）１６０ｐｉｎＱＦＰ（フレーム材料：銅からなる。フレームのインナーリードは銀メッキを施した。外形：２８ｍｍ×２８ｍｍ×３．４ｍｍｔ。チップはポリイミド膜処理を施した。チップサイズは１０ｍｍ×１０ｍｍ×０．５ｍｍｔである。）
（２）１６０ｐｉｎＱＦＰ（フレーム材料：４２アロイからなる。フレームのインナーリードは銀メッキを施した。外形：２８ｍｍ×２８ｍｍ×３．４ｍｍｔ。チップはアルミニウム膜処理を施した。チップサイズは１０ｍｍ×１０ｍｍ×０．５ｍｍｔである。チップとリードフレームのインナーリードに金ワイアを１６０本ボンディングした。）。
【００５１】
次に、下記の測定法により各樹脂組成物の物性を評価した。結果を表２〜５に示す。
高温リフロー信頼性：１６０ｐｉｎＱＦＰ（銅フレーム）を２０個成形し、１２０℃で２４時間乾燥させた後、８５℃／６０％ＲＨで１２０時間加湿後、最高温度２６０℃のＩＲリフロー炉で２分間加熱処理し、外部クラック、内部クラックの発生数と超音波探傷機によりステージ裏面、チップ表面、インナーリードの銀メッキ部分）の剥離発生数を調べた。
【００５２】
ワイア断線：１６０ｐｉｎＱＦＰ（４２アロイフレーム）を成形し、１２０℃で２４時間乾燥させた後、加湿を行わずに最高温度２６０℃のＩＲリフロー炉で２分間の加熱処理を３回行った。加熱処理後の１６０ｐｉｎＱＦＰを発煙硝酸で開封し、ＱＦＰの四つの各辺の中央にある金ワイア２本ずつ、計８本についてインナーリード側のボンディング部の断線状態を電子顕微鏡で観察した。８本のワイアのボンディング部のワイア幅（ｘ）（ｍｍ）、ワイアのクラック長（ｙ）（ｍｍ）を測定し、クラック発生率（ｙ／ｘ×１００）（％）を求めた。
【００５３】
充填性：１７６ｐｉｎＬＱＦＰを２０個成形後に目視および光学顕微鏡（倍率：４０倍）を用いて観察し、未充填のパッケージの個数を調べた。
【００５４】
流動性：１７６ｐｉｎＬＱＦＰを２０個成形後、パッケージを樹脂充填口（ゲート）と空気抜き口（エアベント）線上、すなわち樹脂充填口を起点に対角線上に切断した。パッケージ断面における半導体素子の傾き（両端部の高さの差）をチップチルトとして求めた。チップチルトが５０μｍ以上を不良とし、２０個中の不良発生数を調べた。
【００５５】
【表２】
2004140186.tif 000004
【００５６】
【表３】
2004140186.tif 000005
【００５７】
【表４】
2004140186.tif 000006
【００５８】
【表５】
2004140186.tif 000007
【００５９】
表２〜５の実施例１〜１５に見られるように本発明の半導体装置は後硬化工程を省略して製造しても良好な特性を示し、信頼性（部材密着性やワイア断線、耐クラック性）や成形性（充填性、流動性）に優れている。
【００６０】
充填剤含有量が８５重量％でエポキシ樹脂にオルトクレゾールノボラック型エポキシ樹脂（ａ５）を用いた比較例４は高温リフロー信頼性とワイア断線が最も悪い。オルトクレゾールノボラック型エポキシ樹脂（ａ５）を用いながら充填剤含有量を８８重量％に増加させた比較例２や充填剤含有量が８５重量％のままビフェニル型エポキシ樹脂（ａ１）を用いた比較例３は信頼性、ワイア断線が若干良くなるものの、いずれも本発明の構成用件を満たしていないので不十分である。しかも比較例２はオルトクレゾールノボラック型エポキシ樹脂（ａ５）を用いているため充填性、流動性が悪い。実施例１〜１５のように充填剤含有量を８８重量以上にし、かつビフェニル型エポキシ樹脂（ａ１）を用いることで相乗効果が発現し、良好な信頼性、成形性が得られる。
【００６１】
また、充填剤含有量を８８重量以上にし、かつビフェニル型エポキシ樹脂（ａ１）を用いていても球状溶融シリカ（ｃ１）を充填剤中に５０重量％未満しか用いていない比較例５、６は成形性が悪いうえ信頼性も悪い。本発明のビフェニル型エポキシ樹脂（ａ１）を用いていない比較例１も成形性、信頼性とも不十分である。
【００６２】
【発明の効果】
本発明によれば、半導体装置を効率良く製造でき、かつ良好な高温リフロー信頼性と成形性を併せ持つ半導体装置が得られる方法を提供できる。