(57)【要約】【課題】メモリ間を移行してカメラ動作を行う際には、メモリ間の移行前に移行先のメモリの動作条件に合わせる動作を行うようにして、各々のメモリの動作条件でスムーズに動作が行われるようにし、メモリ移行時の誤動作を防止する。【解決手段】特性の異なる複数のメモリ（フラッシュメモリ、マスクＲＯＭ）を持ち、各々のメモリには異なるカメラ制御用プログラムが書き込まれているカメラ用制御装置において、前記複数のメモリに格納されている制御用プログラムを切り換える際に、前記メモリ間の移行前に、移行先のメモリの動作条件に合わせる保証動作（＃６）を行う。【選択図】　　　　図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
特性の異なる複数のメモリを持ち、各々のメモリには異なるカメラ制御用プログラムが書き込まれているカメラ用制御装置において、前記複数のメモリに格納されている制御用プログラムを切り換える際に、前記メモリ間の移行前に、移行先のメモリの動作条件に合わせる保証動作を行うことを特徴とするカメラ用制御装置。
【請求項２】
前記保証動作は、動作速度を切り換えること、昇圧回路の昇圧能力を変更すること、消費電流を減らすること、の何れかであることを特徴とする請求項１に記載のカメラ用制御装置。
【請求項３】
特性の異なる複数のメモリを持ち、各々のメモリには異なるカメラ制御用プログラムが書き込まれているカメラ用制御装置において、前記複数のメモリに格納されている制御用プログラムを切り換える際に、メモリ間の移行後に、移行先のメモリの動作条件に合わせる最良動作を行うことを特徴とするカメラ用制御装置。
【請求項４】
前記最良動作は、動作速度を切り換えること、もしくは、昇圧動作を停止することであることを特徴とする請求項３に記載のカメラ用制御装置。
【請求項５】
特性の異なる複数のメモリと、電源電圧の検出を行う電圧検出手段とを有し、前記各々のメモリには異なるカメラ制御用プログラムが書き込まれているカメラ用制御装置において、
前記複数のメモリに格納されている制御用プログラムを切り換えて実行する際に、前記電圧検出手段により検出された電圧が移行先のメモリの動作電圧の条件に合う場合、該移行先のメモリの制御プログラムを実行させることを特徴とするカメラ用制御装置。
【請求項６】
特性の異なる複数のメモリと、動作周波数の検出を行う周波数検出手段とを有し、前記各々のメモリには異なるカメラ制御用プログラムが書き込まれているカメラ用制御装置において、
前記複数のメモリに格納されている制御用プログラムを切り換えて実行する際に、前記周波数検出手段により検出された動作周波数が移行先のメモリの動作周波数の条件に合う場合、該移行先のメモリの制御プログラムを実行させることを特徴とするカメラ用制御装置。
【請求項７】
動作電圧が異なる、複数の電気的にデータを書き換え可能なメモリと、電源電圧の状態を判定する電源判定手段とを有するカメラ用制御装置において、
前記電源判定手段により判定された電源状態が、所定のカメラ動作実行中には前記複数のメモリのうちの第１のメモリの動作は保証できないが該第１のメモリ以外の少なくとも一つ以上のメモリの動作については保証できる場合、カメラ動作の実行に必要な制御プログラムや制御データを前記動作可能なメモリに転送し、該動作可能なメモリによりカメラ動作を実行することを特徴とするカメラ用制御装置。
【請求項８】
動作電圧が異なる、複数の電気的にデータを書き換え可能なメモリと、電源電圧の状態を判定する電源判定手段とを有し、動作周波数を切り換え可能なカメラ用制御装置において、
前記電源判定手段により判定された電源状態が、第１の動作周波数では所定のカメラ動作を保証することができず、該第１の動作周波数よりも低い第２の動作周波数では前記複数のメモリのうちの第１のメモリの動作は保証できないが該第１のメモリ以外の少なくとも一つ以上のメモリの動作については保証できる場合、動作周波数を前記第２の動作周波数に切り換え、更に実行に必要な制御プログラムや制御データを前記動作可能なメモリに転送し、該動作可能なメモリによりカメラ動作を実行することを特徴とするカメラ用制御装置。
【請求項９】
前記電源状態の判定レベルを、使用環境温度に応じて変更することを特徴とする請求項７又は８に記載のカメラ用制御装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、特性の異なる複数のメモリを有するデジタルカメラやビデオカメラ等、各種のカメラに好適なカメラ用制御装置の改良に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
半導体のメモリには、マスクＲＯＭ、ＥＰＲＯＭ、ＥＥＰＲＯＭ、フラッシュＲＯＭなど様々あり、これらのメモリを使ったマイクロコンピュータ（以下、マイコンと略す）が種々提案されている。例えば、マイコンを動作させる為のプログラムを読出し専用メモリ（マスクＲＯＭ）に格納し、このプログラムを実行することで動作させているものや、電気的再書込み可能な読出し専用メモリに格納することで、プログラムのバグに対応しようとするシステムなどが提案されている。
【０００３】
また、電気的再書込み可能な読出し専用メモリと読出し専用メモリの二つで構成されたマイコンも提案されている。この場合は、書換え可能なメモリに個別の制御装置のパラメータを記憶しておくことで、つまり製造段階のバラツキや個々の調整で得られたパラメータを記憶することで、個々の性能を均一化して性能のばらつきの少ない製品を可能にしている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記の従来例では、複数のメモリを有するワンチップマイコンであっても、動作が保証された条件（複数のメモリが動作できる論理積の条件下）でしかプログラムを実行させておらず、本来のメモリが持つ特性を十分に生かしていなかった。
【０００５】
以下、カメラを例にして詳述する。
【０００６】
近年カメラの小型化を達成する事等から、メモリ、周辺装置等を同一チップに取り込んだワンチップマイコンが数多く用いられている。このワンチップマイコンに内蔵され、カメラの各制御プログラムが格納されるメモリとしては、上記のようなマスクＲＯＭ、ＥＥＰＲＯＭ、フラッシュメモリやＲＡＭ等が挙げられ、これら異なる種類のメモリを複数内蔵したワンチップマイコンもカメラに使われるようになっている。この複数種類のメモリを内蔵するワンチップマイコンを用いたカメラシステムにおいては従来、メモリの種別ごとに異なる動作電圧等の電気的特性に対して、どのメモリの動作においてもカメラ動作が行なえるように、内蔵する全メモリが共に動作可能である電圧または周波数の範囲内であることの確認を行ってカメラ動作をさせるようにしていた。
【０００７】
しかしながら、上記の従来技術においては、カメラの機能毎の制御プログラムを各メモリへ格納し、機能を切り換える度に異なるメモリへの切り換えを行おうとする場合には、メモリの切り換えの前後での動作電圧や動作周波数の差が大きい時など、切り換え先のメモリを動作させるのに充分な電圧や周波数になるまでに時間を費やす事があり、場合によっては動作不可能な範囲のままでメモリの切り換えを行ってしまい、カメラが誤動作してしまう恐れがあった。特にストロボやオートフォーカス等の機能においては動作時の電圧や周波数が大きく異なるため、電圧降下の大きいストロボ動作から高速な動作が要求されるオートフォーカス動作へと機能を変更させると、一連のカメラ動作において不具合をおこしてしまう可能性があった。
【０００８】
更に詳述すると、近年のカメラにおいては上記のように複数のメモリを内蔵したワンチップマイコンが使われるようになってきており、この種の従来技術としては特開平６−１６８５９９号を挙げることができる。これによれば、フラッシュメモリとマスクＲＯＭを使い（全体を仮想的なフラッシュメモリと見なす）、書き換えを行わないデータをマスクＲＯＭに記憶し、書き換えの起こり得るデータをフラッシュメモリに格納するようにし、安価で書き込み時間を改善したフラッシュメモリを実現している。また、特開２０００−０８９０９０号では、フラッシュメモリとＥＥＰＲＯＭを使用し、フラッシュメモリには書換えが不要又は書換えの少ない大容量データを、ＥＥＰＲＯＭには書換えが多くサイズの小さいデータを、それぞれに格納させることで、複数のメモリを効率的かつ寿命を縮めることなく使用できるようにした提案がされている。
【０００９】
しかしながら、上記提案においては、使用するデータの大きさ、データの書き換えスピード、メモリの大きさ、書き込まれるデータの内容については考慮されているが、それぞれのメモリの動作条件については何ら考慮されること無く該メモリの使い分けを行っている。したがって、動作条件としては、全てのメモリが動作可能である電源条件にて動作制御を行う必要があり、カメラ等の乾電池を用いているような機器においては、必ずしも効率的な制御とはいえない。電源電圧の降下の大きい所定のカメラ動作を実行しようとする場合、あるメモリの動作は保証されているが別のメモリの動作が保証できないという電源状態が発生する。この場合、動作が保証されているメモリのみで実行することが可能であればより低い電圧でカメラ動作が可能となる。安価なコンパクトカメラ等においては、マイコンの電源として電池電圧が直接供給されるものがあり、このようなシステムにおいてはより低い電源電圧まで安定したカメラ動作を保証することが重要な課題となる。
【００１０】
（発明の目的）
本発明の第１の目的は、メモリ間を移行してカメラ動作を行う際には、メモリ間の移行前に移行先のメモリの動作条件に合わせる動作を行うようにして、各々のメモリの動作条件でスムーズに動作が行われるようにし、メモリ移行時の誤動作を防止することのできるカメラ用制御装置を提供しようとするものである。
【００１１】
本発明の第２の目的は、メモリ間を移行してカメラ動作を行う際には、メモリ間の移行後に該移行先のメモリの動作条件に合わせる動作を行うようにし、該移行先のメモリの性能をより十分に生かしたカメラ動作を行わせることのできるカメラ用制御装置を提供しようとするものである。
【００１２】
本発明の第３の目的は、メモリ間の移行が必要な際には、移行先のメモリの動作条件に合った電圧または周波数であることの確認を行って初めてメモリの移行を行うようにし、カメラ動作上の不具合を回避させることのできるカメラ用制御装置を提供しようとするものである。
【００１３】
本発明の第４の目的は、制御プログラムや制御用データがそれぞれ格納され、動作電圧が異なる複数のメモリを用いてカメラ動作を実行する際において、低電圧まで効率的にメモリを使用してカメラ動作を実行することのできるカメラ用制御装置を提供しようとするものである。
【００１４】
本発明の第５の目的は、制御プログラムや制御用データがそれぞれ格納され、動作周波数が異なる複数のメモリを用いてカメラ動作を実行する際において、電源電池の容量に余裕がある場合には高速でのカメラ動作を実現し、電源電池の容量に余裕がない場合には、動作周波数を落としてユーザーの使い勝手を損なうことなく、長期間のカメラ使用を可能にするカメラ用制御装置を提供しようとするものである。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
上記第１の目的を達成するために、請求項１及び２に記載の発明は、特性の異なる複数のメモリを持ち、各々のメモリには異なるカメラ制御用プログラムが書き込まれているカメラ用制御装置において、前記複数のメモリに格納されている制御用プログラムを切り換える際に、移行先のメモリの動作条件に合わせる保証動作を行うカメラ用制御装置とするものである。
【００１６】
また、上記第２の目的を達成するために、請求項３及び４に記載の発明は、特性の異なる複数のメモリを持ち、各々のメモリには異なるカメラ制御用プログラムが書き込まれているカメラ用制御装置において、前記複数のメモリに格納されている制御用プログラムを切り換える際に、メモリ間の移行後に、移行先のメモリの動作条件に合わせる最良動作を行うカメラ用制御装置とするものである。
【００１７】
また、上記第３の目的を達成するために、請求項５に記載の発明は、特性の異なる複数のメモリと、電源電圧の検出を行う電圧検出手段とを有し、前記各々のメモリには異なるカメラ制御用プログラムが書き込まれているカメラ用制御装置において、前記複数のメモリに格納されている制御用プログラムを切り換えて実行する際に、前記電圧検出手段により検出された電圧が移行先のメモリの動作電圧の条件に合う場合、該移行先のメモリの制御プログラムを実行させるカメラ用制御装置とするものである。
【００１８】
同じく上記第３の目的を達成するために、請求項６に記載の発明は、特性の異なる複数のメモリと、動作周波数の検出を行う周波数検出手段とを有し、前記各々のメモリには異なるカメラ制御用プログラムが書き込まれているカメラ用制御装置において、前記複数のメモリに格納されている制御用プログラムを切り換えて実行する際に、前記周波数検出手段により検出された動作周波数が移行先のメモリの動作周波数の条件に合う場合、該移行先のメモリの制御プログラムを実行させるカメラ用制御装置とするものである。
【００１９】
また、上記第４の目的を達成するために、請求項７及び９に記載の発明は、動作電圧が異なる、複数の電気的にデータを書き換え可能なメモリと、電源電圧の状態を判定する電源判定手段とを有するカメラ用制御装置において、前記電源判定手段により判定された電源状態が、所定のカメラ動作実行中には前記複数のメモリのうちの第１のメモリの動作は保証できないが該第１のメモリ以外の少なくとも一つ以上のメモリの動作については保証できる場合、カメラ動作の実行に必要な制御プログラムや制御データを前記動作可能なメモリに転送し、該動作可能なメモリによりカメラ動作を実行するカメラ用制御装置とするものである。
【００２０】
また、上記第５の目的を達成するために、請求項８及び９に記載の発明は、動作電圧が異なる、複数の電気的にデータを書き換え可能なメモリと、電源電圧の状態を判定する電源判定手段とを有し、動作周波数を切り換え可能なカメラ用制御装置において、前記電源判定手段により判定された電源状態が、第１の動作周波数では所定のカメラ動作を保証することができず、該第１の動作周波数よりも低い第２の動作周波数では前記複数のメモリのうちの第１のメモリの動作は保証できないが該第１のメモリ以外の少なくとも一つ以上のメモリの動作については保証できる場合、動作周波数を前記第２の動作周波数に切り換え、更に実行に必要な制御プログラムや制御データを前記動作可能なメモリに転送し、該動作可能なメモリによりカメラ動作を実行するカメラ用制御装置とするものである。
【００２１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を図示の実施の形態に基づいて詳細に説明する。
【００２２】
図１は本発明の実施の第１の形態に係るカメラの主要部分の回路構成を示すブロック図である。
【００２３】
図１において、１はカメラ全体の動作を司どる制御用マイコン、２はカメラのモード等を表示するＬＣＤ表示回路、３は給送モータを制御するためのモータ制御回路、４はシャッタを制御するシャッタ制御回路、５はストロボを制御するストロボ回路、６はカメラの電源をコントロールするＤＣ／ＤＣ回路、７は発振回路、８はスイッチの状態を検出するＳＷ回路、９は被写体の輝度を測定する測光回路、１０は被写体距離を測定する測距回路である。１１，１２，１３はマイコン内の各メモリ（ＲＡＭ、フラッシュメモリ、マスクＲＯＭ）であり、各メモリの特性については、以下の図３〜図７においてその動作特性を示す。
【００２４】
図３はマスクＲＯＭの特性を示したものであり、動作周波数は遅いものの、動作電圧を「１．５Ｖ」まで保証しているところが特徴である。図４はフラッシュメモリの特性を示したものであり、動作電圧は「２．８Ｖ」と高いものの、動作周波数が速いのが特徴である。図６はＥＥＰＲＯＭの特性の一例を示したものであり、この例のＥＥＰＲＯＭの動作電圧、動作周波数はともにフラッシュメモリと似ているが、少量のデータであれば小さなメモリエリアにのみアクセスできる点で、上記フラッシュメモリとは異なる。図５はマスクＲＯＭとフラッシュメモリの、それぞれ特性を比較する為の図である。更に参考までに各メモリの消費電流の比較も図７にしており、例えばメモリ１はマスクＲＯＭで、メモリ２はフラッシュメモリである。
【００２５】
次に、上記の構成よりなるカメラにおいて、実際どのように制御するかを図２のフローチャートに基づいて説明する。
【００２６】
まず、フラッシュメモリ１２に格納されているプログラムにしたがって測光動作を行う。つまり、ステップ＃１にて、不図示のレリーズスイッチの半押しでＯＮするスイッチＳＷ１がＯＮしたか否かを判定をする。ＯＮしていればステップ＃２へ進み、測光回路９を駆動して測光動作を行う。この測光動作の詳細は図９のステップ＃３１〜＃３５に示す通りであり、これは一般的な処理であるので詳細な説明は省略するが、簡単に説明すると、各測光センサにより被写体輝度を測定し、逆光か低輝度かの判定をし、このような場合はストロボ撮影を要する旨の設定を行う。そうでなければ直ちに被写体輝度を決定する。
【００２７】
図２に戻り、上記の測光動作が完了するとステップ＃３へ進み、上記測光の結果、所定の明るさに達しておらずに被写体輝度が暗いか否かを判定（上記ステップ＃３４の設定の状態から判定しても良い）し、暗い場合は撮影しても適正露出にならないのでストロボ撮影をする必要があり、ストロボ撮影をする為に次にストロボ充電動作へと移行するのであるが、該ストロボ充電動作はエネルギーを大量に消費するため、電源電圧が著しく降下する。そのため、低電圧でも動作可能なマスクＲＯＭ１３にこの動作を実行する為のプログラムが格納されている。したがって、メモリがフラッシュメモリ１２からマスクＲＯＭ１３に移り、ストロボ充電動作へ進む。まずステップ＃４にて、動作周波数を遅い周波数に切り換える（Ｈｉ→Ｌｏ）。これが最良動作（メモリの移行後に移行されたメモリの動作条件に合わせる動作）である。なぜなら、フラッシュメモリ１２にストロボシーケンスが格納されていたら、速い周波数を遅い周波数に切り換えても「２．８Ｖ」が動作限界なのに対し、マスクＲＯＭ１３の場合は「１．５Ｖ」まで保証できるからである。このように、より低電圧でも動作が可能な状態にしてからステップ＃５で初めてストロボ充電動作を開始する。
【００２８】
ステップ＃５での充電動作については、その一般的な処理を図１２のステップ＃６１〜＃６３に示しており、充電動作に入ると、ひたすら充電電圧が所定の充電完了電圧に達するまで充電動作を行う。そして、このストロボ充電動作が完了すると低電圧で動作する必要がなくなるので、図２のステップ＃６にて、元の速いクロック動作に戻す（Ｌｏ→Ｈｉ）。これが次の動作でフラッシュメモリ１２に戻る際の保証動作（メモリ間の移行前に、移行先のメモリの動作条件に合わせる動作）になる。なぜならマスクＲＯＭで動作している周波数でも、フラッシュメモリでは動作できない場合があるからである。この場合、マスクＲＯＭ１３でプログラムを実行している間に、フラッシュメモリ１２でも動作可能な周波数に設定する。設定が終わると該フラッシュメモリ１２に切り換え、該フラッシュメモリ１２に格納されている測距動作のプログラムを次のステップ＃７で実行する。
【００２９】
上記測距動作の一般的な処理については、図１０のステップ＃４１〜＃４３に示しており、各センサ信号によって被写体距離を求める。被写体距離が得られると次のステップ＃８へ進み、不図示のレリーズスイッチの全押しでＯＮするスイッチＳＷ２がＯＮされるのを待つ。該スイッチＳＷ２がＯＮされるとステップ＃９へ進み、被写体にピントを合わすために鏡筒を所定の位置までの駆動を行う。この鏡筒駆動の一般的処理については、図１１のステップ＃５１〜＃５７に示しており、その詳細説明は省略するが、モータに通電する事によって、鏡筒を測距値まで移動させる。鏡筒を所望の位置まで移動させたら、測光値（被写体輝度）に合わせてシャッタ制御を行う。撮影が終了したら鏡筒を元の位置に戻す。
【００３０】
上記のように、制御動作にあわせてメモリの特性に合わせたプログラムの格納先に移行してプログラムを実行する。また、その移行に合わせて保証動作や最良動作を行う事で、安定した動作を可能にしている。
【００３１】
（実施の第２の形態）
図８は本発明の実施の第２の形態に係る動作を示すフローチャートであり、以下これにしたがって説明する。なお、カメラの回路構成は図１と同様であるものとする。
【００３２】
図８のステップ＃１１では、マスクＲＯＭ１３に格納されているプログラムで撮影動作を行い、該撮影動作が終了するとステップ＃１２へ進み、ＤＣ／ＤＣ回路６のｍａｘデューティーを変更する。該ＤＣ／ＤＣ回路６のデューティーは通常動作では、過昇圧を防止する為にデューティーや駆動周波数などにリミットをかけている。ここでは、次のモータ駆動動作による電圧降下を予測し、電源電圧が低下しても制御動作に悪影響を及ぼさないように、リミッターを変更する。これが保証動作である。
【００３３】
次のステップ＃１３では、フィルム給送のプログラムが格納されているフラッシュメモリ１２にて、該フィルム給送動作を開始する為にモータを駆動する。そして、次のステップ＃１４にて、フィルムの割出し動作を行い、所定量フィルムが送られると次のステップ＃１５にて、前記モータの駆動を停止し、次の撮影が可能なようにフィルムをセットする。このフィルム給送中にフィルム突っ張り等で電源電圧が低下しても、先のＤＣ／ＤＣ回路６のリミッターを変更したことで電源のレギュレート能力が向上し、マイコンの暴走（誤動作）を防いでいる。フィルムのセットが完了すると、最後にステップ＃１６にて、枚数をフラッシュメモリ１２に書き込み、電池が抜かれても枚数を忘れないように記憶する。
【００３４】
上記のように、移行先のメモリの動作が保証できない状態にならないように、移行前のメモリの段階で設定しておく、つまり保証動作を行うことによって、メモリ移行後の制御動作に不具合が発生しないようにしている。
【００３５】
（実施の第３の形態）
図１３は本発明の実施の第３の形態に係る動作を示すフローチャートであり、以下これにしたがって説明する。なお、カメラの回路構成は図１と同様であるものとする。
【００３６】
フラッシュメモリ１２に格納されているプログラムで撮影動作を行った後、ステップ＃７１にて、ＳＷ回路８の出力よりスイッチの状態変化を検出する。ここで、スイッチ操作が行われてスイッチの状態変化を検出すると、該スイッチの状態にしたがって通常シーケンスを実行する（＃７１のＹＥＳ）。
【００３７】
一方、スイッチの状態変化を検出しなかった場合はステップ＃７２へ進み、２秒経過したかの判定を行い、経過していない間は同様の動作を繰り返す。その後、スイッチの状態変化がなされずに２秒が経過した場合はステップ＃７３へ進み、各機能に供給されている電源を遮断し、低電流モードに近づける。これが保証動作である。更に消費電流の少ないマスクＲＯＭ１３にメモリに移行し、次のステップ＃７４にて、ＤＣ／ＤＣ回路６の動作を停止する。尚、メモリによっては、ＤＣ／ＤＣ回路６が動作していないと動作が保証されないメモリもある。ステップ＃７４でＤＣ／ＤＣ回路６が停止すると、本当の低消費電流モードに入り、続くステップ＃７５にて、時計のカウント動作及びスイッチの状態変化の検出以外の動作を行わないようなモードに入る。
【００３８】
上記のように、移行先のメモリの動作が保証できない状態にならないように、移行前のメモリの段階で設定しておく、つまり保証動作を行うことによって、メモリ移行後の制御動作に不具合が発生しないようにしている。
【００３９】
以上の実施の第１〜第３の形態によれば、複数のメモリを使用したカメラシステムにおいて、メモリ間を移行して動作制御を行う場合は、メモリを移行する前に、移行先メモリの動作条件に見合った状態に設定した後にメモリ移行動作を行う（図２ではステップ＃６、図８ではステップ＃１２、図１３ではステップ＃７３）ことで、移行時に発生しがちな、マイコンの暴走などを防ぎ、安定した動作を提供できるものである。
【００４０】
また、メモリの移行後、そのメモリの持つ優位な動作条件（例えば低電圧動作が可能、高速動作が可能、低消費電流での動作が可能等）　に切り換えてやること（図２ではステップ＃４）によってより機能に適した動作を可能にし、仕様アップや精度アップなどを図ることを容易にして性能の良い製品を提供可能にしている。
【００４１】
（実施の第４の形態）
図１４は本発明の実施の第４の形態におけるカメラの主要部分の回路構成を示すブロック図である。
【００４２】
図１４において、１０１はカメラの各種動作を制御するワンチップマイコンであり、ＣＰＵ（中央処理装置）、ＥＥＰＲＯＭ、フラッシュメモリ、ＲＡＭ、および不図示の周辺回路部等により構成され、同じメモリ空間にデータ領域、プログラム領域、Ｉ／Ｏ等すべてを格納する。また、フラッシュメモリには、シャッタ制御プログラム、測距制御プログラム、測光制御プログラムが格納され、ＥＥＰＲＯＭには、ストロボ充電制御プログラム、フィルム給送制御プロラム等が格納されており、ＣＰＵにより読み込まれ実行される。
【００４３】
１０２は不図示の測距センサ等を用いて被写体までの距離情報を測定する測距回路、１０３は不図示の測光センサを用いて被写体の輝度情報を測定する測光回路、１０４はシャッタ開閉の制御を行うシャッタ制御回路である。１０５は不図示のレリーズスイッチの半押しや全押しでＯＮするスイッチＳＷ１，ＳＷ２や各撮影モード等を設定するためのスイッチを含むスイッチ回路である。１０６は電源電圧を所定電圧に変換し、各回路に供給するＤＣ／ＤＣ回路、１０７は不図示のメインコンデンサへと充電を行い、発光を行う公知のストロボ回路である。１０８はマイコン１０１へクロックを供給する為の発振回路であり、不図示の固定振動子（水晶発振子等）を用いて不図示の計時回路へと基準となるクロックを供給し、また抵抗とコンデンサとの時定数を用いたＣＲ発振器、セラミック振動子を用いたセラミック発振器等からなる複数の発振回路により高速および低速の動作クロックを発生させる。１０９は電池残量表示や各種の撮影情報の表示、警告等を行う液晶等からなる表示回路、１１０は不図示のフィルムの巻き上げや巻き戻し等を行う為の給送モータ及び鏡筒駆動用モータの制御を行うモータ制御回路、１１１は電源電圧の検出をＡ／Ｄ変換器等により行うバッテリーチェック（ＢＣ）回路である。
【００４４】
ここで、上記のマイコン１０１に内蔵されているＥＥＰＲＯＭ及びフラッシュメモリの動作保証範囲について説明する。
【００４５】
図１６はＥＥＰＲＯＭの、図１７はフラッシュメモリの、本実施の第４の形態に係る動作電圧と動作周波数の関係を示した特性図である。
【００４６】
この特性図から、動作電圧と動作周波数の関係がこの例ではＥＥＰＲＯＭとフラッシュメモリとで異なっていることが読み取れる。また、フラッシュメモリの方が動作電圧の幅が狭くかつ動作電圧に対しての動作周波数の選択幅が広いことがわかる。図１８は、図１６と図１７の双方を一つに重ね合わせてわかり易くした図であり、約３Ｖを境にしてフラッシュメモリとＥＥＰＲＯＭでの動作周波数の上限が逆転することがよくわかる。具体的には「２．８Ｖ〜３．０Ｖ」ではＥＥＰＲＯＭが、「３．０Ｖ〜４．０Ｖ」ではフラッシュメモリが、同電圧での動作周波数を高速に設定することが可能であることがわかる。また反対に、動作周波数を基準としてみた場合では、「３ＭＨＺ」を境に「３ＭＨＺ」まではＥＥＰＲＯＭが、「３ＭＨＺ」を超える周波数ではフラッシュＲＯＭが、それぞれ同じ動作周波数での動作電圧を低く設定することが可能であることがわかる。
【００４７】
次に、レリーズ時におけるカメラ動作について、図１５に示すフローチャートにしたがって説明する。なお、カメラに電源である電池が装着されると、ＤＣ／ＤＣ回路１０６等のカメラの各種回路に電源が供給され、カメラはＥＥＰＲＯＭ内に格納されたカメラ制御プログラムより動作を開始する。このとき、動作周波数は発振回路１０８から供給される低速側の動作クロックとなっている。
【００４８】
まず、ステップ＃１０１では、不図示の入出力ポートを介してＳＷ回路１０５からカメラの各操作スイッチの状態の検出を行い、スイッチ状態の変化が検出されたらステップ＃１０２へと進み、ここではＢＣ回路１１１にて電源電圧のバッテリーチェック動作を行う。そして、次のステップ＃１０３にて、上記ステップ＃１０２にて検出された電圧と予め記憶されているフラッシュメモリの最低動作電圧である所定電圧値Ｖ１（＝２．８Ｖ）との比較を行い、「２．８Ｖ」を上回っていればステップ＃１０４へ進み、そうでなければステップ＃１１９へ進む。
【００４９】
ステップ＃１０４へ進むと動作周波数の変更を高速側へ切り換え、フラッシュメモリ内のスイッチ検出制御のプログラムによりマイコンは不図示の入出力ポートを介してＳＷ回路１０５からスイッチＳＷ１の状態の検出を行う。またこれ以降の、ステップ＃１０５からステップ＃１０８までの制御プログラムもフラッシュメモリに格納されているため、フラッシュメモリでのカメラ動作が行われることなる。
【００５０】
上記ステップ＃１０４にてスイッチＳＷ１がＯＮしている場合にはレリーズ準備動作を開始させる為にステップ＃１０５へ進み、測距回路１０２を動作させて被写体距離情報を得、続くステップ＃１０６にて、測光回路１０３を動作させて被写体輝度情報を得る。そして、ステップ＃１０７にて、ＢＣ回路１１１にて電源電圧のバッテリーチェック動作を行い、次のステップ＃１０８にて、上記ステップ＃１０７で検出された電圧と予め記憶されているＥＥＰＲＯＭの最低動作電圧である所定電圧値Ｖ０（＝１．５Ｖ）との比較を行い、「１．５Ｖ」を上回っていればステップ＃１０９へ進み、そうでなければステップ＃１２０へ進む。
【００５１】
ステップ＃１０９へ動作を進めると動作周波数を低速側へと切り換え、ＥＥＰＲＯＭよりストロボ発光させる為のエネルギーを蓄えるメインコンデンサへの充電（ストロボ充電）を行う充電制御プログラムを動作させ、ストロボ充電が完了するまで待ち、該ストロボ充電が終了したらステップ＃１１０へと進む。またこれ以降の、ステップ＃１１０からステップ＃１１３までの制御プログラムもＥＥＰＲＯＭに格納されているため、ＥＥＰＲＯＭでのカメラ動作が行われることなる。
【００５２】
次に、ステップ＃１１０，＃１１１にてスイッチＳＷ１，ＳＷ２がＯＮしているか否かの判定を行い、共にＯＮしていたらステップ＃１１２へと進む。そして、このステップ＃１１２では、ＢＣ回路１１１にて電源電圧のバッテリーチェック動作を行い、次のステップ＃１１３にて、上記ステップ＃１１２で検出された電圧と予め記憶されているフラッシュメモリの最低動作電圧である所定電圧値Ｖ１（＝２．８Ｖ）との比較を行い、２．８Ｖを上回っていればステップ＃１１４へ進み、そうでなければステップ＃１２１へ進む。
【００５３】
ステップ＃１１４へ動作を進めると動作周波数を高速側へと切り換え、上記ステップ＃１０５にて得られた被写体距離情報をもとに不図示の撮影レンズのフォーカシングをモータ制御回路１１０にて不図示の鏡筒モータを制御し、焦点を被写体に合わせる。このステップ＃１１４も含めてステップ＃１１７までの制御プログラムはフラッシュメモリに格納されており、よってステップ＃１１７まではフラッシュメモリでの動作となる。
【００５４】
次のステップ＃１１５では、フィルムへ露光を行うため、シャッタ通電、制御を行うシャッタ制御回路１０４を動作させてシャッタ開放を行うと共にシャッタ開放時間の計時をさせる為に不図示のタイマ回路にて所定時間の計時を行った後、シャッタ閉じ動作をシャッタ回路１０４を動作させて行う。またこの時、上記ステップ＃１０６で得られた被写体輝度情報等に基づいたストロボ発光情報を参照して、発光条件となっていたならばストロボ発光も行わせる。続くステップ＃１１６では、ＢＣ回路１１１により電源電圧のバッテリーチェック動作を行い、次のステップ＃１１７にて、上記ステップ＃１１６で検出された電圧と予め記憶されているＥＥＰＲＯＭの最低動作電圧である所定電圧値Ｖ０（＝１．５Ｖ）との比較を行い、１．５Ｖを上回っていればステップ＃１１８へ進み、そうでなければステップ＃１２２へ進む。
【００５５】
ステップ＃１１８へ動作を進めると動作周波数を低速側へと切り換え、ＥＥＰＲＯＭに格納されている給送制御プログラムにより、不図示の給送モータへとモータ制御回路１０９から通電を開始させ、フィルム給送動作（フィルムの巻上げ）を行う。フィルム給送動作後はステップ＃１０１へ戻り、スイッチ類が押されるまで待つ。
【００５６】
また、上記ステップ＃１１９とステップ＃１２１では、ＥＥＰＲＯＭに格納されているメモリ移行時における禁止プログラムを動作させ、カメラ動作を禁止させる。また、上記ステップ＃１２０とステップ＃１２２では、フラッシュメモリに格納されているメモリ移行時における禁止プログラムを動作させ、カメラ動作を禁止させる。
【００５７】
以上の実施の第４の形態によれば、カメラ制御時に異なるメモリへと制御が切り換わるメモリ間移行がなされる際には、移行先のメモリの動作条件にあった電圧であることの確認を行って移行させる（ステップ＃１０３，＃１０８，＃１１３，＃１１７）ことにより、各メモリの動作を確実に行わせるカメラ制御が可能となる。
【００５８】
（実施の第５の形態）
次に、本発明の実施の第５の形態におけるカメラのレリーズ時の動作について、図１９のフローチャートにしたがって説明する。なお、カメラの回路構成は図１４と同様であるものとする。なお、カメラに電源である電池が装着されると、ＤＣ／ＤＣ回路１０６等のカメラの各種回路に電源が供給され、カメラはＥＥＰＲＯＭ内に格納されたカメラ制御プログラムより動作を開始する。このとき、動作周波数は発振回路１０８から供給される低速側の動作クロックとなっている。
【００５９】
まず、ステップ＃２０１では、不図示の入出力ポートを介してスイッチ回路１０５からカメラの各操作スイッチの状態の検出を行い、スイッチ状態の変化が検出されたらステップ＃２０２へと進み、ここではセラミック振動子を用いたセラミック発振器等からなる発振回路１０８により生成される動作周波数の切り換えを行い、次のステップ＃２０３にて、上記ステップ＃２０２で計測された周波数と予め記憶されているフラッシュメモリの最低動作周波数である所定周波数ｆ１（＝２．０ＭＨＺ）との比較を行い、「２．０ＭＨＺ」を上回っていればステップ＃２０４へ進み、そうでなければステップ＃２１９へ進む。
【００６０】
ステップ＃２０４へ進むと動作周波数を高速側へ切り換え、フラッシュメモリ内のスイッチ検出制御のプログラムによりマイコンは不図示の入出力ポートを介してスイッチ回路１０５からスイッチＳＷ１の状態の検出を行う。またこれ以降の、ステップ＃２０５からステップ＃２０８までの制御プログラムもフラッシュメモリに格納されているため、フラッシュメモリでのカメラ動作が行われることなる。
【００６１】
上記ステップ＃２０４にてスイッチＳＷ１がＯＮしている場合にはレリーズ準備動作を開始させる為にステップ＃２０５へ進み、測距回路１０２を動作させて測距動作を行って被写体距離情報を得、続くステップ＃２０６にて、測光回路１０３を動作させて被写体輝度情報を得る。そして、ステップ＃２０７にて、発振回路１０８にて動作周波数の切り換えを行うとともに、マイコン内の計時回路等を用いて動作周波数の計測を行う。そして、次のステップ＃２０８にて、上記ステップ＃２０７で計測された動作周波数と予め記憶されているＥＥＰＲＯＭの最低動作周波数である所定周波数ｆ０（＝１．５ＭＨＺ）との比較を行い、「１．５ＭＨＺ」を上回っていればステップ＃２０９へ進み、そうでなければステップ＃２２０へ進む。
【００６２】
ステップ＃２０９へ動作を進めると動作周波数を低速側へと切り換え、ＥＥＰＲＯＭよりストロボ発光させる為のエネルギーを蓄えるメインコンデンサへの充電（ストロボ充電）を行う充電制御プログラムを動作させ、ストロボ充電が完了するまで待ち、該ストロボ充電が終了したらステップ＃２１０へと進む。またこれ以降の、ステップ＃２１０からステップ＃２１３までの制御プログラムもＥＥＰＲＯＭに格納されているため、ＥＥＰＲＯＭでのカメラ動作が行われることなる。
【００６３】
次に、ステップ＃２１０，＃２１１にてスイッチＳＷ１，ＳＷ２がＯＮしているか否かの判定を行い、共にＯＮしていたらステップ＃２１２へと進む。そして、このステップ＃２１２では、発振回路１０８にて動作周波数の切り換えを行うとともに、マイコン内の計時回路等を用いて動作周波数の計測を行う。そして、次のステップ＃２１３にて、上記ステップ＃２１２で計測された周波数と予め記憶されているフラッシュメモリの最低動作周波数である所定周波数ｆ０（＝２．０ＭＨＺ）との比較を行い、「２．０ＭＨＺ」ＭＨＺを上回っていればステップ＃２１４へ進み、そうでなければステップ＃２２１へ進む。
【００６４】
ステップ＃２１４へ動作を進めると動作周波数を高速側へと切り換え、上記ステップ＃２０５にて得られた被写体距離情報をもとに不図示の撮影レンズのフォーカシングをモータ制御回路１１０にて不図示の鏡筒モータを制御し、焦点を被写体に合わせる。このステップ＃２１４も含めてステップ＃２１７までの制御プログラムはフラッシュメモリに格納されており、よってステップ＃２１７まではフラッシュメモリでの動作となる。
【００６５】
次のステップ＃２１５では、フィルムへ露光を行うため、シャッタ通電、制御を行うシャッタ制御回路１０４を動作させてシャッタ開放を行うと共にシャッタ開放時間の計時をさせる為に不図示のタイマ回路にて所定時間の計時を行った後、シャッタ閉じ動作をシャッタ回路１０４を動作させて行う。またこの時、上記ステップ＃２０６で得られた被写体輝度情報等に基づいたストロボ発光情報を参照して、発光条件となっていたならばストロボ発光も行わせる。続くステップ＃２１６では、発振回路１０８にて動作周波数の切り換えを行うとともに、マイコン内の計時回路等を用いて動作周波数の計測を行う。そして、次のステップ＃２１７にて、上記ステップ＃２１６で計測された周波数と予め記憶されているＥＥＰＲＯＭの最低動作周波数である所定周波数ｆ１（＝１．５ＭＨＺ）との比較を行い、「１．５ＭＨＺ」を上回っていればステップ＃２１８へ進み、そうでなければステップ＃２２２へ進む。
【００６６】
ステップ＃２１８へ動作を進めると動作周波数を低速側へと切り換え、ＥＥＰＲＯＭに格納されている給送制御プログラムにより、不図示の給送モータへとモータ制御回路１０９から通電を開始させ、フィルム給送動作（フィルムの巻上げ）を行う。フィルム給送動作後はステップ＃２０１へ戻り、スイッチ類が押されるまで待つ。
【００６７】
また、上記ステップ＃２１９とステップ＃２２１では、ＥＥＰＲＯＭに格納されているメモリ移行時における禁止プログラムを動作させ、カメラ動作を禁止させる。また、上記ステップ＃２２０とステップ＃２２２では、フラッシュメモリに格納されているメモリ移行時における禁止プログラムを動作させ、カメラ動作を禁止させる。
【００６８】
以上の実施の第５の形態によれば、カメラ制御時に異なるメモリへと制御が切り換わるメモリ間移行がなされる際には、移行先のメモリの動作条件にあった周波数であることの確認を行って移行させる（ステップ＃２０３，＃２０８，＃２１３，＃２１７）ことにより、各メモリの動作を確実に行わせるカメラ制御が可能となる。
【００６９】
なお、上記の実施の第４及び第５の形態においては、フラッシュメモリとＥＥＰＲＯＭを内蔵するワンチップマイコンについて説明を行ったが、これに限られることではなくＥＰＲＯＭ、マスクＲＯＭ、ＦＲＡＭ等の他種メモリでの組み合わせとなる場合においても勿論同様の処理を行うことにより、同様の効果を得ることができるものである。
【００７０】
以上説明したように、上記実施の第４及び第５の形態によれば、カメラ制御時に異なるメモリへと制御が切り換わるメモリ間移行がなされる際には、移行先のメモリの動作条件にあった動作電圧または動作周波数であることの確認を行い移行させることにより、各メモリの動作を確実に行わせたカメラ制御が可能となる。
【００７１】
（実施の第６の形態）
図２０は本発明の実施の第６の形態に係るカメラの主要部分の回路構成を示すブロック図である。
【００７２】
図２０において、３０１はカメラの各種動作を制御するワンチップマイコンであり、ＣＰＵ（中央演算処理装置）、フラッシュメモリ、ＲＡＭ、ＥＥＰＲＯＭ、不図示の周辺回路部により構成されている。３０２は不図示の測距センサを用いて被写体までの距離情報を得る測距回路、３０３は不図示の測光センサを用いて被写体輝度情報を得る測光回路、３０４はシャッタの開閉の制御を行うシャッタ制御回路である。３０５は不図示のレリーズスイッチの半押し、全押しでＯＮするスイッチＳＷ１，ＳＷ２や各撮影モードを設定する為のスイッチ等、各種操作スイッチを含むＳＷ回路、３０６は各回路に電源を供給する電源回路、３０７は不図示のメインコンデンサへと充電を行い、発光を行うストロボ制御回路、３０８は不図示のフィルムの巻き上げ、巻き戻し等を行う為の給送駆動用モータの制御を行う給送制御回路である。
【００７３】
フラッシュメモリ上には、操作スイッチの状態検出、測光、測距、給送、ストロボ充電など各種カメラ動作を制御する為の制御プログラムが格納されている。また、ＥＥＰＲＯＭ上には、書き換え頻度が多い各種制御用データが格納されている。上記フラッシュメモリは、その製品機種ごとに、書き込みや消去を行う際に扱うデータの最低単位が定められており（例えば１２８バイト）、少量のデータ書き込みや消去を必要としている場合でも、必ずその最低単位分のデータをまとめて扱わなければならず、書き換え頻度が多いデータが複数存在している場合、無駄に書き込みや消去を行うセルが多数出てくることになり、信頼性の劣化も早まってしまうことになる。これを避ける為に、書き換え頻度が多い制御用データについては小さい書き換え単位でデータを書き換え可能であるＥＥＰＲＯＭ上にデータを格納している。
【００７４】
これらのフラッシュメモリ及びＥＥＰＲＯＭ上の制御用プログラム及び、制御用データがＣＰＵにより読み込まれそれぞれの機能が実行される。
【００７５】
次に、本実施の第６の形態に係るカメラの制御動作として、大電流を流す必要があり、電源電圧の降下が大きいシャッタ駆動動作について、図２１等のフローチャートを用いて以下に説明する。
【００７６】
ステップ＃３０１では、マイコン３０１はスイッチＳＷ１がＯＮしたか否かを判定し、ＯＮしていなければＯＮするまで待機する。その後、該スイッチＳＷ１がＯＮしたことを検知するとステップ＃３０２へ進み、ここでは測距回路３０２により被写体距離の測定を行い、次のステップ＃３０３にて、測光回路３０３により被写体の輝度測定を行う。続くステップ＃３０４では、バッテリーチェック動作を行う。なお、バッテリーチェック動作とは、シャッタの駆動など、大電流を流す必要があるカメラ動作において、カメラが正常に動作するだけの電池容量が備わっているかの確認を行う動作である。
【００７７】
ここで、図２２を用いて上記のバッテリーチェック動作について説明する。
【００７８】
バッテリーチェック動作がスタートすると、まずステップ＃４０１にて、シャッタ駆動用のコイルに短時間（例えば、５ｍＳ）閉じ方向に所定量通電を行う。これは、一定負荷がかかった際の電源電圧ＶＢＡＴの降下量を測定することによりシャッタ駆動など大電流を流す必要があるカメラ動作において、カメラが正常に動作するだけの電池容量が備わっているかを判定するためである。ここで、バッテリーチェック時の負荷としては、シャッタコイルへの通電に限られたものではなく、カメラの使い勝手を損なうことなく一定負荷を実現できるものであれば良い。
【００７９】
次のステップ＃４０２では、５ｍＳのシャッタへの通電後、通電状態のまま電源電圧ＶＢＡＴのＡ／Ｄ変換を行い、Ａ／Ｄ変換された値ＡＤＶＢＡＴを記憶する。続くステップ＃４０３，＃４０４では、Ａ／Ｄ変換したＶＢＡＴの値ＡＤＶＢＡＴがカメラを正常に動作させるのに十分な電池容量であるか否かの判定を行う。
【００８０】
この判定について説明する。
【００８１】
カメラの通常動作時のクロック（例えば１６ＭＨｚ）での各メモリの最低動作可能電圧は、例えば、ＲＡＭが「１．８Ｖ」、フラッシュメモリが「２．４Ｖ」、ＥＥＰＲＯＭが「２．８Ｖ」であり、各メモリは異なる最低動作電圧を有している。したがって、正常なカメラ動作を保証をする為には、ＶＢＡＴが降下した際にもすべてのメモリが動作可能である電圧、すなわち、この例ではＥＥＰＲＯＭが動作可能な「２．８Ｖ」を保証できる電池容量が備わっていればよい。
【００８２】
一方で、動作が保証されているメモリのみでカメラ動作を実行することが可能であればより低い電圧でカメラ動作が可能となる。例えば、フラッシュメモリ上で実行されるのであれば、「２．８Ｖ」よりも低い「２．４Ｖ」まで動作が可能となる。
【００８３】
そこで、この実施の第６の形態では、各メモリの最低動作電圧に合わせた複数のバッテリーチェックレベルを設け、電池容量に応じて動作可能なメモリの選択を行い、制御プログラムもしくは制御データを動作可能なメモリへ転送することで、より低い電圧での正常なカメラ動作を実現する。具体的には、大電流を流す必要があるカメラ動作を実行した際に電源電圧がすべてのメモリ最低動作電圧以下に降下しないことを保証できるバッテリーチェックレベルをＶ１（この例では、「２．８Ｖ」）、フラッシュメモリは動作可能であるが、ＥＥＰＲＯＭの動作は保証できないバッテリーチェックレベルをＶ２（この例では、「２．４Ｖ＜Ｖ２＜２．８Ｖ」）とし、これらのバッテリーチェックレベルに応じて動作可能なメモリ上に制御プログラム、制御データの転送を行う。
【００８４】
上記ステップ＃４０３にて、ＡＤＶＢＡＴがＶ２より大きいか否かの判定を行い、Ｖ２以下である場合には以降のカメラ動作を保証することができないのでステップ＃４０８へ進み、バッテリー切れの表示をユーザーに行い、ステップ＃４０９へと進んでカメラ動作を終了する。
【００８５】
また、上記ステップ＃４０３にてＡＤＶＢＡＴがＶ２より大きい場合にはステップ＃４０４へ進み、ＡＤＶＢＡＴがＶ１より大きいか否かの判定を行う。Ｖ１より大きいと判定した場合はステップ＃４０５へ進み、全てのメモリでの動作が可能であることを示すバッテリーチェックフラグＦｂａｔに「１」を代入して、図２１の撮影シーケンスに戻る。Ｖ１以下である場合にはステップ＃４０６へ進み、ＥＥＰＲＯＭでの動作が不可能であるのでＦｂａｔに「０」を代入して、図２１の撮影シーケンスに戻る。
【００８６】
図２１の撮影シーケンスのフローに戻り、ステップ＃３０５では、再びスイッチＳＷ１がＯＮしているか否かを判定し、ＯＮしていない場合はステップ＃３０１へ戻る。一方、ＯＮしている場合はステップ＃３０６へ進み、ここではスイッチＳＷ２の状態を調べ、該スイッチＳＷ２がＯＮしていればステップ＃３０７へ進み、マイコン３０１によって設定された撮影条件のもとにシャッタ制御回路３０４を駆動し、露光を行う。また、上記スイッチＳＷ２がＯＮしていない場合はステップ＃３０５へ戻る。
【００８７】
次に、本実施の第６の形態における主要部分である大電流を流す必要があるカメラ動作としてシャッタ駆動動作の制御について、図２３及び図２４を用いて説明する。
【００８８】
公知の技術であるシャッタ駆動は不図示のシャッタ羽根の駆動源として可動コイルに定電流駆動を行い、シャッタ羽根に刻まれたスリットをフォトインタラプタで検出したパルス信号で開き時間及び発光タイミングを制御することで駆動が行われる。したがって、シャッタ駆動のシーケンスは、フォトインタラプタの通電電流や、検出抵抗、出力をパルスに変換するためのコンパレータの閾値の設定などの初期化を行う「初期化動作」、測光結果に応じて適正な露光となるようにシャッタ駆動用可動コイルにシャッタ制御を行う「コイル駆動」の各ブロック（制御プログラム）により実行される。
【００８９】
図２３にシャッタ駆動用の制御プログラム及び制御データがメモリ上にどのように格納されているかを示す。図２３に示すように、「初期化動作」、「コイル駆動」の各制御プログラムはフラッシュメモリ上に格納されており、一方、フォトインタラプタの電流値、検出抵抗値、コンパレータの閾値、シャッタの通電電流などの制御用データはＥＥＰＲＯＭ上に格納されている。したがって、シャッタ駆動を行うためにはフラッシュメモリ及び、ＥＥＰＲＯＭ上のプログラム及びデータが必要である。
【００９０】
図２４において、シャッタ駆動のシーケンスがスタートすると、ステップ＃５０１にて、上記ステップ＃３０４におけるバッテリーチェックフラグＦｂａｔが「１」であるか否かの判定を行い、Ｆｂａｔが「１」であると判定した場合にはシャッタ駆動用コイルに大電流を流し、電源電圧の降下が発生した場合においても全てのメモリでの動作が保証されているので、フラッシュメモリ、ＥＥＰＲＯＭに必要に応じて随時アクセスを行い、次のステップ＃５０２にて、「初期化動作」、「コイル駆動」の制御プログラムを用いてシャッタ駆動を行い、続くステップ＃５０３にて、再び図２１の撮影シーケンスのフローに戻る。
【００９１】
また、上記ステップ＃５０１にてＦｂａｔが「１」でないと判定した場合にはシャッタ駆動用コイルに大電流を流し、電源電圧の降下が発生した場合にフラッシュメモリの動作は保証されているが、ＥＥＰＲＯＭの動作は保証されていないのでステップ＃５０４へ進み、ＥＥＰＲＯＭ上に格納されているフォトインタラプタの電流値、検出抵抗値、コンパレータの閾値、シャッタの通電電流などの制御用データをフラッシュメモリ上に転送する。そして、次のステップ＃５０５において、「初期化動作」、「コイル駆動」の制御プログラムを用いてシャッタ駆動を実行する。
【００９２】
ここで、ステップ＃５０５において、上記ステップ＃５０２と異なるのは、フラッシュメモリ、ＥＥＰＲＯＭに必要に応じて随時アクセスをしプログラムの実行を行うのではなく、ＥＥＰＲＯＭ上に格納されているデータが必要な場合には、ＥＥＰＲＯＭにアクセスを行わず、事前にステップ＃５０４でフラッシュメモリ上に転送したデータを使用する点である。すなわち、「初期化動作」、「コイル駆動」時の制御プログラムにおいて、ＥＥＰＲＯＭ上に格納されているデータを参照するアドレスが、Ｆｂａｔが「０」の場合にはフラッシュメモリ上への転送先のデータのアドレスに変更される。また、データを書き込む際にも同様に、本来はＥＥＰＲＯＭ上に格納するデータであっても、シャッタ駆動中にはＥＥＰＲＯＭへのアクセスは行わず、フラッシュメモリ上にデータを格納する。
【００９３】
なお、制御プログラムもＥＥＰＲＯＭ上に格納されていたとした場合には、制御データとともに該制御プログラムもフラッシュメモリ上へ転送することになるのは言うまでもない。
【００９４】
次に、ステップ＃５０５にて、シャッタへの通電終了後すべてのメモリへのアクセスが可能となった時点で、フラッシュメモリ上に一時格納されていたデータをＥＥＰＲＯＭ上に転送し、再び図２１の撮影シーケンスのフローに戻る。
【００９５】
図２１に戻り、露光動作を行ったならばステップ＃３０７へ進み、フイルムの巻上げを行う行う為、不図示の給送モータへと給送制御回路３０８を用いて通電を行い、給送動作を行う。
【００９６】
なお、本実施の第６の形態においては、露光動作時のシャッタ駆動制御について説明を行ったが、これに限られることではなく、給送動作、ストロボ充電動作など、大電流を必要とする他のカメラ動作の場合においても同様である。また、フラッシュメモリ及び、ＥＥＰＲＯＭの制御について説明を行ったが、その他の内蔵メモリについても同様の制御を行っても良い。
【００９７】
また、温度等の周囲の環境の変化により電池の内部抵抗等が変動することを考慮して、環境の変化に応じてバッテリーチェックレベルを可変とする構成としても良い。
【００９８】
以上の実施の第６の形態によれば、複数のメモリを内蔵するワンチップマイコンを使用し、複数のメモリ上に制御プログラム及び制御用データが格納されているカメラにおいて、より低電圧まで効率的に使用することが可能となる。
【００９９】
（実施の第７の形態）
次に、本発明の実施の第７の形態について説明する。この実施の第７の形態では、バッテリーチェックの判定に応じてカメラの動作周波数を可変とすることにより、より低電圧で動作可能なカメラ用制御装置を実現しようとするものである。バッテリーチェック以外のカメラの動作シーケンスについては、上記実施の第６の形態と同様であるので、その説明は省略する。
【０１００】
図２５のフローチャートを用いて、本発明の実施の第７の形態に係るバッテリーチェック動作について説明する。
【０１０１】
バッテリーチェック動作がスタートすると、まずステップ＃６０１にて、シャッタ駆動用のコイルに短時間（例えば、５ｍＳ）閉じ方向に所定量通電を行う。そして、次のステップ＃６０２にて、５ｍＳのシャッタへの通電後、通電状態のまま電源電圧ＶＢＡＴのＡ／Ｄ変換を行い、Ａ／Ｄ変換された値ＡＤＶＢＡＴを記憶する。続くステップ＃６０３，＃６０４では、Ａ／Ｄ変換したＶＢＡＴの値ＡＤＶＢＡＴがカメラを正常に動作させるのに十分な電池容量であるか否かの判定を行う。
【０１０２】
上記ステップ＃６０３，＃６０４の判定については、上記実施の第６の形態での場合と同様である。つまり、カメラの通常動作時のクロック１６ＭＨｚにおいて、大電流を流す必要があるカメラ動作時に電源電圧ががすべてのメモリ最低動作電圧以下にはならないことを保証できるバッテリーチェックレベルをＶ１、フラッシュメモリは動作可能であるが、ＥＥＰＲＯＭの動作は保証できないバッテリーチェックレベルをＶ２とする。ステップ＃６０３では、ＡＤＶＢＡＴがＶ２より大きいか否かの判定を行い、ＡＤＶＢＡＴがＶ２より大きい場合にはステップ＃６０４へ進み、ＡＤＶＢＡＴがＶ１より大きいか否かの判定を行う。Ｖ１より大きいと判定した場合はステップ＃６０５へ進み、全てのメモリでの動作が可能であることを示すバッテリーチェックフラグＦｂａｔに「１」を代入して図２１の撮影シーケンスに戻る。Ｖ１以下である場合にはステップ＃６０６へ進み、ＥＥＰＲＯＭでの動作が保証できないのでＦｂａｔに「０」を代入して図２１の撮影シーケンスに戻る。
【０１０３】
ここで、上記実施の第６の形態で説明した通り、バッテリーチェックフラグＦｂａｔの値に応じて、Ｆｂａｔが「１」である場合には、フラッシュメモリ及びＥＥＰＲＯＭに随時アクセスをしながらシャッタ駆動など所定のカメラ動作を実行する。また、Ｆｂａｔが「０」である場合には、シャッタ駆動など所定のカメラ動作実行以前にフラッシュメモリ上に制御プログラム及び制御データを転送し、フラッシュメモリ上でカメラ動作を実行する。
【０１０４】
次に、本実施の第７の形態の主要部分であるステップ＃６０３において、ＡＤＶＢＡＴがＶ２以下であると判定された場合について説明する。
【０１０５】
この場合、通常動作時のクロック１６ＭＨｚでの動作が不可能であるので、ステップ＃６０８にて動作クロックを４ＭＨｚに落とす。これは、メモリの動作可能電圧が動作周波数に応じて変化するためである。例えば、４ＭＨｚ動作時におけるフラッシュメモリの最低動作可能電圧は「２．１Ｖ」、ＥＥＰＲＯＭの最低動作可能電圧は「２．５Ｖ」であるので、動作周波数を４ＭＨｚに落とし、さらにフラッシュメモリ上にＥＥＰＲＯＭ上のデータを転送して、該フラッシュメモリ上でカメラ動作を実現することでバッテリーチェックレベルＶ２よりも低いバッテリーチェックレベルＶ３までカメラ動作が可能となる。ここで、Ｖ３は動作周波数「４ＭＨＺ」の際に、大電流を流す必要があるカメラ動作時にＥＥＰＲＯＭの動作は保証できないが、フラッシュメモリは動作可能である。すなわち、電源電圧が「２．１Ｖ」以下には降下しないことを保証するバッテリーレベルである。
【０１０６】
次のステップ＃６０９では、ＡＤＶＢＡＴがＶ３より大きいか否かの判定を行う。Ｖ３以下である場合には以降のカメラ動作を保証することができないのでステップ＃６１０へ進み、バッテリー切れの表示をユーザー行い、次のステップ＃６１１にてカメラ動作を終了する。
【０１０７】
また、上記ステップ＃６０９にてＡＤＶＢＡＴがＶ３より大きい場合にはステップ＃６０６へ進み、フラッシュメモリでは動作可能であるがＥＥＰＲＯＭでの動作が保証されないのでＦｂａｔに「０」を代入して図２１の撮影シーケンスに戻る。撮影シーケンスのフローに戻ると、動作周波数を「４ＭＨＺ」として、シャッタ駆動など所定のカメラ動作実行以前にフラッシュメモリ上に制御プログラム及び制御データを転送し、フラッシュメモリ上でカメラ動作を実行する。
【０１０８】
以上の実施の第７の形態によれば、電池容量に余裕がある場合には高速でのカメラ動作を実現することができ、更に、電池容量に余裕がない場合には、動作周波数を落として、より低電圧まで効率的に使用することができ、ユーザーの使い勝手を損なうことなく、長期間使用可能なカメラを提供することが可能となる。
【０１０９】
【発明の効果】
以上説明したように、請求項１又は２に記載の発明によれば、メモリ間を移行してカメラ動作を行う際には、メモリ間の移行前に移行先のメモリの動作条件に合わせる動作を行うようにして、各々のメモリの動作条件でスムーズに動作が行われるようにし、メモリ移行時の誤動作を防止することができるカメラ用制御装置を提供できるものである。
【０１１０】
また、請求項３又は４に記載の発明によれば、メモリ間を移行してカメラ動作を行う際には、メモリ間の移行後に該移行先のメモリの動作条件に合わせる動作を行うようにし、該移行先のメモリの性能をより十分に生かしたカメラ動作を行わせることができるカメラ用制御装置を提供できるものである。
【０１１１】
また、請求項５又は６に記載の発明によれば、メモリ間の移行が必要な際には、移行先のメモリの動作条件に合った電圧または周波数であることの確認を行って初めてメモリの移行を行うようにし、カメラ動作上の不具合を回避させることができるカメラ用制御装置を提供できるものである。
【０１１２】
また、請求項７又９に記載の発明によれば、制御プログラムや制御用データがそれぞれ格納され、動作電圧が異なる複数のメモリを用いてカメラ動作を実行する際において、低電圧まで効率的にメモリを使用してカメラ動作を実行することができるカメラ用制御装置を提供できるものである。
【０１１３】
また、請求項８又９に記載の発明によれば、制御プログラムや制御用データがそれぞれ格納され、動作周波数が異なる複数のメモリを用いてカメラ動作を実行する際において、電源電池の容量に余裕がある場合には高速でのカメラ動作を実現し、電源電池の容量に余裕がない場合には、動作周波数を落としてユーザーの使い勝手を損なうことなく、長期間のカメラ使用を可能にするカメラ用制御装置を提供できるものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の第１の形態に係るカメラの主要部分の回路構成を示すブロック図である。
【図２】本発明の実施の第１の形態に係る動作を示すフローチャートである。
【図３】本発明の実施の第１の形態に係るマスクＲＯＭの動作電圧−動作周波数特性を示す図である。
【図４】本発明の実施の第１の形態に係るフラッシュメモリの動作電圧−動作周波数の特性図である。
【図５】本発明の実施の第１の形態に係るマスクＲＯＭとフラッシュメモリの比較の第１の例を示す図である。
【図６】本発明の実施の第１の形態に係るＥＥＰＲＯＭの動作電圧−動作周波数の特性図である。
【図７】本発明の実施の第１の形態に係るマスクＲＯＭとフラッシュメモリの比較の第２の例を示す図である。
【図８】本発明の実施の第２の形態に係る動作を示すフローチャートである。
【図９】本発明の実施の第１の形態に係る一般的な測光動作を示すフローチャートである。
【図１０】本発明の実施の第１の形態に係る一般的な測距動作を示すフローチャートである。
【図１１】本発明の実施の第１の形態に係る一般的な鏡筒動作を示すフローチャートである。
【図１２】本発明の実施の第１の形態に係る一般的な充電動作を示すフローチャートである。
【図１３】本発明の実施の第３の形態に係る動作を示すフローチャートである。
【図１４】本発明の実施の第４，第５の形態に係るカメラの主要部分の回路構成を示すブロック図である。
【図１５】本発明の実施の第４の形態に係るカメラのレリーズ時の動作を示すフローチャートである。
【図１６】本発明の実施の第４，５の形態に係るＥＥＰＲＯＭの動作電圧−動作周波数の特性図である。
【図１７】本発明の実施の第４，５の形態に係るフラッシュメモリメモリの動作電圧−動作周波数の特性図である。
【図１８】本発明の実施の第４，５の形態に係るＥＥＰＲＯＭ及びフラッシュメモリメモリの動作電圧−動作周波数の特性図である。
【図１９】本発明の実施の第５の形態に係るカメラの撮影動作を示すフローチャートである。
【図２０】本発明の実施の第６の形態に係るカメラの主要部分の回路構成を示すブロック図である。
【図２１】本発明の実施の第６の形態に係るカメラの撮影動作を示すフローチャートである。
【図２２】本発明の実施の第６の形態に係るカメラのバッテリーチェック動作を示すフローチャートである。
【図２３】本発明の実施の第６の形態に係るシャッタ制御制御プログラム及び制御用データのメモリ配置を示す図である。
【図２４】本発明の実施の第６の形態に係るカメラのシャッタ駆動時の動作を示すフローチャートである。
【図２５】本発明の実施の第７の形態に係るカメラのバッテリーチェック動作を示すフローチャートである。
【符号の説明】
１　　　　ワンチップマイコン
２　　　　測距回路
３　　　　測光回路
４　　　　シャッタ制御回路
６　　　　ＤＣ／ＤＣ回路
７　　　　ストロボ回路
１０　　　モータ制御回路
１２　　　フラッシュメモリ
１３　　　マスクＲＯＭ
１０１　　ワンチップマイコン
１０２　　測距回路
１０３　　測光回路
１０４　　シャッタ制御回路
１０６　　ＤＣ／ＤＣ回路
１０７　　ストロボ回路
１０９　　表示制御回路
１１０　　モータ制御回路
１１１　　バッテリーチェック（ＢＣ）回路
３０１　　ワンチップマイコン
３０２　　測距回路
３０３　　測光回路
３０４　　シャッタ制御回路
３０６　　電源回路
３０７　　ストロボ制御回路
３０８　　給送制御回路
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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