(57)【要約】【課題】タッチパネル等の表示体の最表面における光の反射を防止する反射防止層を設けることによって、反射率特性、透過率特性に優れたタッチパネル、表示体及び反射防止フィルムを提供する。【解決手段】光透過性の基材４０と、この基材４０とは所定の間隔をもって対向配置される光透過性のフィルム基材１とを有し、基材４０上及びフィルム基材１の基材４０との対向面上に、光透過性の導電層４１及び４３が形成されて成るタッチパネル５０にあって、フィルム基材１上に、少なくともハードコート層２、密着層３、反射防止層１０及び防汚層８をこの順に積層して形成し、特にその反射防止層１０を、所定の屈折率を有する屈折率層４〜７が少なくとも２層以上積層された構成とする。【選択図】　　　図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
光透過性の基材と、該基材とは所定の間隔をもって対向配置される光透過性のフィルム基材とを有し、上記基材上及び上記フィルム基材の上記基材との対向面上に、光透過性の導電層が形成されて成るタッチパネルにあって、
上記フィルム基材上に、少なくともハードコート層、密着層、反射防止層及び防汚層がこの順に積層されて成り、
上記反射防止層は、所定の屈折率を有する屈折率層が少なくとも２層以上積層されて成ることを特徴とするタッチパネル。
【請求項２】
上記フィルム基材の厚さが、３０μｍ以上２００μｍ以下とされたことを特徴とする請求項１記載のタッチパネル。
【請求項３】
上記ハードコート層の厚さが、３μｍ以上２０μｍ以下とされたことを特徴とする請求項１又は２記載のタッチパネル。
【請求項４】
上記フィルム基材が、ポリエチレンテレフタレート又はトリアセチレンセルロースより成ることを特徴とする請求項１、２又は３記載のタッチパネル。
【請求項５】
上記反射防止層が、上記フィルム基材側から順に少なくとも第１の屈折率層、第２の屈折率層、第３の屈折率層及び第４の屈折率層が積層されて形成され、
上記第１及び第３の屈折率層の屈折率が、上記第２及び第４の屈折率層の屈折率に比して大とされることを特徴とする請求項１、２、３又は４記載のタッチパネル。
【請求項６】
上記反射防止層の上記第１及び第３の屈折率層が、ＴｉＯ２　、ＳｉＮ、Ｎｂ２　Ｏ５　のいずれかの材料から形成され、
上記反射防止層の上記第２及び第４の屈折率層が、ＳｉＯ２　から形成されていることを特徴とする請求項５記載のタッチパネル。
【請求項７】
上記反射防止層が、上記フィルム基材側から順に少なくとも第１の屈折率層、第２の屈折率層、第３の屈折率層が積層されて形成され、
上記第１の屈折率層の屈折率に比して上記第２の屈折率層の屈折率が大とされ、
上記第１の屈折率層の屈折率に比して上記第３の屈折率層の屈折率が小とされることを特徴とする請求項１、２、３又は４記載のタッチパネル。
【請求項８】
上記反射防止層の上記第１の屈折率層が、Ｓｉを主成分としてＳｎ又はＺｒをドーピングした酸化物合金膜で形成され、
上記第２の屈折率層が、ＴｉＯ２　、Ｎｂ２　Ｏ５　のいずれかの材料から形成され、
上記第３の屈折率層が、ＳｉＯ２　から形成されていることを特徴とする請求項７記載のタッチパネル。
【請求項９】
上記密着層が、金属酸化物又は金属窒化物より形成され、その厚さが２ｎｍ以上１０ｎｍ以下とされることを特徴とする請求項１記載のタッチパネル。
【請求項１０】
上記密着層が、ＳｉＯｘ　（ｘ＝１〜２）より成ることを特徴とする請求項１記載のタッチパネル。
【請求項１１】
上記防汚剤として、下記一般式（１）で示されるパーフルオロポリエーテル基を有するアルコキシシラン化合物を含有することを特徴とする請求項１、５又は７記載のタッチパネル。
（Ｒ３　Ｏ）３　Ｓｉ−Ｒ２　−Ｒ１　ＣＯ−Ｒｆ−ＣＯＲ１　−Ｒ２　−Ｓｉ（ＯＲ３　）３　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　…（１）
但し、式中、Ｒｆはパーフルオロポリエーテル基、Ｒ１　はＯ、ＮＨ、Ｓのいずれかであり、Ｒ２　はアルキレン基を、Ｒ３　はアルキル基を示す。
【請求項１２】
上記防汚剤として、下記一般式（２）で示されるパーフルオロポリエーテル基を有するアルコキシシラン化合物を含有することを特徴とする請求項１、５又は７記載のタッチパネル。
ＲｆＣＯＲ１　−Ｒ２　−Ｓｉ（ＯＲ３　）３　　　　　…（２）
但し、式中、Ｒｆはパーフルオロポリエーテル基、Ｒ１　はＯ、ＮＨ、Ｓのいずれかであり、Ｒ２　はアルキレン基を、Ｒ３　はアルキル基を示す。
【請求項１３】
上記防汚剤として、下記一般式（３）で示されるフルオロアルキル基を有するアルコキシシラン化合物を含有することを特徴とする請求項１、５又は７記載のタッチパネル。
Ｒｆ｀−Ｒ１　−Ｓｉ（ＯＲ２　）３　　　　　　　　　　　…（３）
但し、Ｒｆ｀はフルオロアルキル基を、Ｒ１　は炭素数７未満のアルキレン基を、Ｒ２　はアルキル基を其々示す。
【請求項１４】
上記ハードコート層に、光を散乱させる微粒子が分散されたことを特徴とする請求項１記載のタッチパネル。
【請求項１５】
光透過性の基材と、該基材とは所定の間隔をもって対向配置される光透過性のフィルム基材とを有し、上記基材上及び上記フィルム基材の上記基材との対向面上に、光透過性の導電層が形成されて成るタッチパネルにあって、
上記フィルム基材上に、少なくとも光透過性粘着剤を介して補助フィルム基材が被着され、
上記補助フィルム基材上に、少なくともハードコート層、密着層、反射防止層及び防汚層がこの順に積層されて成り、
上記反射防止層は、所定の屈折率を有する屈折率層が少なくとも２層以上積層されて成ることを特徴とするタッチパネル。
【請求項１６】
上記補助フィルム基材の厚さが、３０μｍ以上２００μｍ以下とされたことを特徴とする請求項１５記載のタッチパネル。
【請求項１７】
上記ハードコート層の厚さが、３μｍ以上２０μｍ以下とされたことを特徴とする請求項１５又は１６記載のタッチパネル。
【請求項１８】
上記補助フィルム基材が、ポリエチレンテレフタレート又はトリアセチレンセルロースより成ることを特徴とする請求項１５、１６又は１７記載のタッチパネル。
【請求項１９】
上記反射防止層が、上記補助フィルム基材側から順に少なくとも第１の屈折率層、第２の屈折率層、第３の屈折率層及び第４の屈折率層が積層されて形成され、
上記第１及び第３の屈折率層の屈折率が、上記第２及び第４の屈折率層の屈折率に比して大とされることを特徴とする請求項１５、１６、１７又は１８記載のタッチパネル。
【請求項２０】
上記反射防止層の上記第１及び第３の屈折率層が、ＴｉＯ２　、ＳｉＮ、Ｎｂ２　Ｏ５　のいずれかの材料から形成され、
上記反射防止層の上記第２及び第４の屈折率層が、ＳｉＯ２　から形成されていることを特徴とする請求項１９記載のタッチパネル。
【請求項２１】
上記反射防止層が、上記補助フィルム基材側から順に少なくとも第１の屈折率層、第２の屈折率層、第３の屈折率層が積層されて形成され、
上記第１の屈折率層の屈折率に比して上記第２の屈折率層の屈折率が大とされ、
上記第１の屈折率層の屈折率に比して上記第３の屈折率層の屈折率が小とされることを特徴とする請求項１５、１６、１７又は１８記載のタッチパネル。
【請求項２２】
上記反射防止層の上記第１の屈折率層が、Ｓｉを主成分としてＳｎ又はＺｒをドーピングした酸化物合金膜で形成され、
上記第２の屈折率層が、ＴｉＯ２　、Ｎｂ２　Ｏ５　のいずれかの材料から形成され、　上記第３の屈折率層が、ＳｉＯ２　から形成されていることを特徴とする請求項２１記載のタッチパネル。
【請求項２３】
上記密着層が、金属酸化物又は金属窒化物より形成され、その厚さが２ｎｍ以上１０ｎｍ以下とされることを特徴とする請求項１５記載のタッチパネル。
【請求項２４】
上記密着層が、ＳｉＯｘ　（ｘ＝１〜２）より成ることを特徴とする請求項１５記載のタッチパネル。
【請求項２５】
上記防汚剤として、下記一般式（１）で示されるパーフルオロポリエーテル基を有するアルコキシシラン化合物を含有することを特徴とする請求項１５、１９又は２１記載のタッチパネル。
（Ｒ３　Ｏ）３　Ｓｉ−Ｒ２　−Ｒ１　ＣＯ−Ｒｆ−ＣＯＲ１　−Ｒ２　−Ｓｉ（ＯＲ３　）３　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　…（１）
但し、式中、Ｒｆはパーフルオロポリエーテル基、Ｒ１　はＯ、ＮＨ、Ｓのいずれかであり、Ｒ２　はアルキレン基を、Ｒ３　はアルキル基を示す。
【請求項２６】
上記防汚剤として、下記一般式（２）で示されるパーフルオロポリエーテル基を有するアルコキシシラン化合物を含有することを特徴とする請求項１５、１９又は２１記載のタッチパネル。
ＲｆＣＯＲ１　−Ｒ２　−Ｓｉ（ＯＲ３　）３　　　　　…（２）
但し、式中、Ｒｆはパーフルオロポリエーテル基、Ｒ１　はＯ、ＮＨ、Ｓのいずれかであり、Ｒ２　はアルキレン基を、Ｒ３　はアルキル基を示す。
【請求項２７】
上記防汚剤として、下記一般式（３）で示されるフルオロアルキル基を有するアルコキシシラン化合物を含有することを特徴とする請求項１５、１９又は２１記載のタッチパネル。
Ｒｆ｀−Ｒ１　−Ｓｉ（ＯＲ２　）３　　　　　　　　　　　…（３）
但し、Ｒｆ｀はフルオロアルキル基を、Ｒ１　は炭素数７未満のアルキレン基を、Ｒ２　はアルキル基を其々示す。
【請求項２８】
上記ハードコート層に、光を散乱させる微粒子が分散されたことを特徴とする請求項１５記載のタッチパネル。
【請求項２９】
上記光透過性粘着剤に、光を散乱させる微粒子が分散されたことを特徴とする請求項１５記載のタッチパネル。
【請求項３０】
情報記録を表示する表示面に、少なくとも光透過性粘着剤を介してフィルム基材が被着され、
上記フィルム基材上に、少なくともハードコート層、密着層、反射防止層及び防汚層がこの順に積層されて成り、
上記反射防止層は、所定の屈折率を有する屈折率層が少なくとも２層以上積層されて成ることを特徴とする表示体。
【請求項３１】
上記フィルム基材の厚さが、３０μｍ以上２００μｍ以下とされたことを特徴とする請求項３０記載の表示体。
【請求項３２】
上記ハードコート層の厚さが、３μｍ以上２０μｍ以下とされたことを特徴とする請求項３０又は３１記載の表示体。
【請求項３３】
上記フィルム基材が、ポリエチレンテレフタレート又はトリアセチレンセルロースより成ることを特徴とする請求項３０、３１又は３２記載の表示体。
【請求項３４】
上記反射防止層が、上記フィルム基材側から順に少なくとも第１の屈折率層、第２の屈折率層、第３の屈折率層及び第４の屈折率層が積層されて形成され、
上記第１及び第３の屈折率層の屈折率が、上記第２及び第４の屈折率層の屈折率に比して大とされることを特徴とする請求項３０、３１、３２又は３３記載の表示体。
【請求項３５】
上記反射防止層の上記第１及び第３の屈折率層が、ＴｉＯ２　、ＳｉＮ、Ｎｂ２　Ｏ５　のいずれかの材料から形成され、
上記反射防止層の上記第２及び第４の屈折率層が、ＳｉＯ２　から形成されていることを特徴とする請求項３４記載の表示体。
【請求項３６】
上記反射防止層が、上記フィルム基材側から順に少なくとも第１の屈折率層、第２の屈折率層、第３の屈折率層が積層されて形成され、
上記第１の屈折率層の屈折率に比して上記第２の屈折率層の屈折率が大とされ、
上記第１の屈折率層の屈折率に比して上記第３の屈折率層の屈折率が小とされることを特徴とする請求項３０、３１、３２又は３３記載の表示体。
【請求項３７】
上記反射防止層の上記第１の屈折率層がＳｉを主成分としてＳｎ又はＺｒをドーピングした酸化物合金膜で形成され、
上記第２の屈折率層がＴｉＯ２　、Ｎｂ２　Ｏ５　のいずれかの材料から形成され、上記第３の屈折率層がＳｉＯ２　から形成されていることを特徴とする請求項３６記載の表示体。
【請求項３８】
上記密着層が、金属酸化物又は金属窒化物より形成され、その厚さが２ｎｍ以上１０ｎｍ以下とされることを特徴とする請求項３０記載の表示体。
【請求項３９】
上記密着層が、ＳｉＯｘ　（ｘ＝１〜２）より成ることを特徴とする請求項３０記載の表示体。
【請求項４０】
上記防汚剤として、下記一般式（１）で示されるパーフルオロポリエーテル基を有するアルコキシシラン化合物を含有することを特徴とする請求項３０、３４又は３６記載の表示体。
（Ｒ３　Ｏ）３　Ｓｉ−Ｒ２　−Ｒ１　ＣＯ−Ｒｆ−ＣＯＲ１　−Ｒ２　−Ｓｉ（ＯＲ３　）３　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　…（１）
但し、式中、Ｒｆはパーフルオロポリエーテル基、Ｒ１　はＯ、ＮＨ、Ｓのいずれかであり、Ｒ２　はアルキレン基を、Ｒ３　はアルキル基を示す。
【請求項４１】
上記防汚剤として、下記一般式（２）で示されるパーフルオロポリエーテル基を有するアルコキシシラン化合物を含有することを特徴とする請求項３０、３４又は３６記載の表示体。
ＲｆＣＯＲ１　−Ｒ２　−Ｓｉ（ＯＲ３　）３　　　　　…（２）
但し、式中、Ｒｆはパーフルオロポリエーテル基、Ｒ１　はＯ、ＮＨ、Ｓのいずれかであり、Ｒ２　はアルキレン基を、Ｒ３　はアルキル基を示す。
【請求項４２】
上記防汚剤として、下記一般式（３）で示されるフルオロアルキル基を有するアルコキシシラン化合物を含有することを特徴とする請求項３０、３４又は３６記載の表示体。
Ｒｆ｀−Ｒ１　−Ｓｉ（ＯＲ２　）３　　　　　　　　　　　…（３）
但し、Ｒｆ｀はフルオロアルキル基を、Ｒ１　は炭素数７未満のアルキレン基を、Ｒ２　はアルキル基を其々示す。
【請求項４３】
上記ハードコート層に、光を散乱させる微粒子が分散されたことを特徴とする請求項３０記載の表示体。
【請求項４４】
上記光透過性粘着剤に、光を散乱させる微粒子が分散されたことを特徴とする請求項３０記載の表示体。
【請求項４５】
上記表示面は、液晶により情報記録が表示されることを特徴とする請求項３０記載の表示体。
【請求項４６】
上記表示面は、有機エレクトロルミネッセンスにより情報記録が表示されることを特徴とする請求項３０記載の表示体。
【請求項４７】
光透過性の基材と、該基材とは所定の間隔をもって対向配置される光透過性のフィルム基材とを有し、上記基材上及び上記フィルム基材の上記基材との対向面上に、光透過性の導電層が形成されて成るタッチパネルの製造方法にあって、
上記フィルム基材上に、少なくともハードコート層、密着層、反射防止層及び防汚層をこの順に積層形成し、
上記反射防止層を、所定の屈折率を有する屈折率層を少なくとも２層以上積層して形成することを特徴とするタッチパネルの製造方法。
【請求項４８】
上記フィルム基材の厚さを、３０μｍ以上２００μｍ以下とすることを特徴とする請求項４７記載のタッチパネルの製造方法。
【請求項４９】
上記ハードコート層の厚さを、３μｍ以上２０μｍ以下とすることを特徴とする請求項４７又は４８記載のタッチパネルの製造方法。
【請求項５０】
上記フィルム基材を、ポリエチレンテレフタレート又はトリアセチレンセルロースより形成することを特徴とする請求項４７、４８又は４９記載のタッチパネルの製造方法。
【請求項５１】
上記反射防止層を、上記フィルム基材側から順に少なくとも第１の屈折率層、第２の屈折率層、第３の屈折率層及び第４の屈折率層を積層して形成し、
上記第１及び第３の屈折率層の屈折率を、上記第２及び第４の屈折率層の屈折率に比して大として形成することを特徴とする請求項４７、４８、４９又は５０記載のタッチパネルの製造方法。
【請求項５２】
上記反射防止層の上記第１及び第３の屈折率層を、ＴｉＯ２　、ＳｉＮ、Ｎｂ２　Ｏ５　のいずれかの材料から形成して、
上記反射防止層の上記第２及び第４の屈折率層を、ＳｉＯ２　から形成することを特徴とする請求項５１記載のタッチパネルの製造方法。
【請求項５３】
上記反射防止層を、上記フィルム基材側から順に少なくとも第１の屈折率層、第２の屈折率層、第３の屈折率層を積層して形成し、
上記第１の屈折率層の屈折率に比して上記第２の屈折率層の屈折率を大として、
上記第１の屈折率層の屈折率に比して上記第３の屈折率層の屈折率を小として形成することを特徴とする請求項４７、４８、４９又は５０記載のタッチパネルの製造方法。
【請求項５４】
上記反射防止層の上記第１の屈折率層を、Ｓｉを主成分としてＳｎ又はＺｒをドーピングした酸化物合金膜で形成して、
上記第２の屈折率層を、ＴｉＯ２　、Ｎｂ２　Ｏ５　のいずれかの材料から形成して、
上記第３の屈折率層を、ＳｉＯ２　から形成することを特徴とする請求項５３記載のタッチパネルの製造方法。
【請求項５５】
上記密着層を、金属酸化物又は金属窒化物より形成し、その厚さを２ｎｍ以上１０ｎｍ以下として形成するることを特徴とする請求項４７記載のタッチパネルの製造方法。
【請求項５６】
上記密着層を、ＳｉＯｘ　（ｘ＝１〜２）より形成することを特徴とする請求項４７記載のタッチパネルの製造方法。
【請求項５７】
上記防汚剤として、下記一般式（１）で示されるパーフルオロポリエーテル基を有するアルコキシシラン化合物を含有する材料を用いることを特徴とする請求項４７、５１又は５３記載のタッチパネルの製造方法。
（Ｒ３　Ｏ）３　Ｓｉ−Ｒ２　−Ｒ１　ＣＯ−Ｒｆ−ＣＯＲ１　−Ｒ２　−Ｓｉ（ＯＲ３　）３　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　…（１）
但し、式中、Ｒｆはパーフルオロポリエーテル基、Ｒ１　はＯ、ＮＨ、Ｓのいずれかであり、Ｒ２　はアルキレン基を、Ｒ３　はアルキル基を示す。
【請求項５８】
上記防汚剤として、下記一般式（２）で示されるパーフルオロポリエーテル基を有するアルコキシシラン化合物を含有する材料を用いることを特徴とする請求項４７、５１又は５３記載のタッチパネルの製造方法。
ＲｆＣＯＲ１　−Ｒ２　−Ｓｉ（ＯＲ３　）３　　　　　…（２）
但し、式中、Ｒｆはパーフルオロポリエーテル基、Ｒ１　はＯ、ＮＨ、Ｓのいずれかであり、Ｒ２　はアルキレン基を、Ｒ３　はアルキル基を示す。
【請求項５９】
上記防汚剤として、下記一般式（３）で示されるフルオロアルキル基を有するアルコキシシラン化合物を含有することを特徴とする請求項４７、５１又は５３記載のタッチパネルの製造方法。
Ｒｆ｀−Ｒ１　−Ｓｉ（ＯＲ２　）３　　　　　　　　　　　…（３）
但し、Ｒｆ｀はフルオロアルキル基を、Ｒ１　は炭素数７未満のアルキレン基を、Ｒ２　はアルキル基を其々示す。
【請求項６０】
上記ハードコート層に、光を散乱させる微粒子を分散させることを特徴とする請求項４７記載のタッチパネルの製造方法。
【請求項６１】
光透過性の基材と、該基材とは所定の間隔をもって対向配置される光透過性のフィルム基材とを有し、上記基材上及び上記フィルム基材の上記基材との対向面上に、光透過性の導電層が形成されて成るタッチパネルの製造方法にあって、
補助フィルム基材上に、少なくともハードコート層と、密着層と、所定の屈折率を有する屈折率層が少なくとも２層以上積層された反射防止層と、防汚層とをこの順に積層して形成する工程と、
上記フィルム基材上に、少なくとも光透過性粘着剤を介して上記補助フィルム基材を被着する工程とを有することを特徴とするタッチパネルの製造方法。
【請求項６２】
上記補助フィルム基材の厚さを、３０μｍ以上２００μｍ以下として形成することを特徴とする請求項６１記載のタッチパネルの製造方法。
【請求項６３】
上記ハードコート層の厚さを、３μｍ以上２０μｍ以下として形成することを特徴とする請求項６１又は６２記載のタッチパネルの製造方法。
【請求項６４】
上記補助フィルム基材を、ポリエチレンテレフタレート又はトリアセチレンセルロースより形成することを特徴とする請求項６１、６２又は６３記載のタッチパネルの製造方法。
【請求項６５】
上記反射防止層を、上記補助フィルム基材側から順に少なくとも第１の屈折率層、第２の屈折率層、第３の屈折率層及び第４の屈折率層を積層して形成し、
上記第１及び第３の屈折率層の屈折率を、上記第２及び第４の屈折率層の屈折率に比して大として形成することを特徴とする請求項６１、６２、６３又は６４記載のタッチパネルの製造方法。
【請求項６６】
上記反射防止層の上記第１及び第３の屈折率層を、ＴｉＯ２　、ＳｉＮ、Ｎｂ２　Ｏ５　のいずれかの材料から形成し、
上記反射防止層の上記第２及び第４の屈折率層を、ＳｉＯ２　から形成することを特徴とする請求項６５記載のタッチパネルの製造方法。
【請求項６７】
上記反射防止層を、上記補助フィルム基材側から順に少なくとも第１の屈折率層、第２の屈折率層、第３の屈折率層を積層して形成し、
上記第１の屈折率層の屈折率に比して上記第２の屈折率層の屈折率を大として、
上記第１の屈折率層の屈折率に比して上記第３の屈折率層の屈折率を小として形成することを特徴とする請求項６１、６２、６３又は６４記載のタッチパネルの製造方法。
【請求項６８】
上記反射防止層の上記第１の屈折率層を、Ｓｉを主成分としてＳｎ又はＺｒをドーピングした酸化物合金膜で形成し、
上記第２の屈折率層を、ＴｉＯ２　、Ｎｂ２　Ｏ５　のいずれかの材料から形成して、
上記第３の屈折率層を、ＳｉＯ２　から形成することを特徴とする請求項６７記載のタッチパネルの製造方法。
【請求項６９】
上記密着層を、金属酸化物又は金属窒化物より形成し、その厚さを２ｎｍ以上１０ｎｍ以下として形成することを特徴とする請求項６１記載のタッチパネルの製造方法。
【請求項７０】
上記密着層を、ＳｉＯｘ　（ｘ＝１〜２）より形成することを特徴とする請求項６１記載のタッチパネル。
【請求項７１】
上記防汚層として、下記一般式（１）で示されるパーフルオロポリエーテル基を有するアルコキシシラン化合物を含有する材料を用いることを特徴とする請求項６１、６５又は６７記載のタッチパネルの製造方法。
（Ｒ３　Ｏ）３　Ｓｉ−Ｒ２　−Ｒ１　ＣＯ−Ｒｆ−ＣＯＲ１　−Ｒ２　−Ｓｉ（ＯＲ３　）３　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　…（１）
但し、式中、Ｒｆはパーフルオロポリエーテル基、Ｒ１　はＯ、ＮＨ、Ｓのいずれかであり、Ｒ２　はアルキレン基を、Ｒ３　はアルキル基を示す。
【請求項７２】
上記防汚剤として、下記一般式（２）で示されるパーフルオロポリエーテル基を有するアルコキシシラン化合物を含有する材料を用いることを特徴とする請求項６１、６５又は６７記載のタッチパネルの製造方法。
ＲｆＣＯＲ１　−Ｒ２　−Ｓｉ（ＯＲ３　）３　　　　　…（２）
但し、式中、Ｒｆはパーフルオロポリエーテル基、Ｒ１　はＯ、ＮＨ、Ｓのいずれかであり、Ｒ２　はアルキレン基を、Ｒ３　はアルキル基を示す。
【請求項７３】
上記防汚剤として、下記一般式（３）で示されるフルオロアルキル基を有するアルコキシシラン化合物を含有することを特徴とする請求項６１、６５又は６７記載のタッチパネルの製造方法。
Ｒｆ｀−Ｒ１　−Ｓｉ（ＯＲ２　）３　　　　　　　　　　　…（３）
但し、Ｒｆ｀はフルオロアルキル基を、Ｒ１　は炭素数７未満のアルキレン基を、Ｒ２　はアルキル基を其々示す。
【請求項７４】
上記ハードコート層に、光を散乱させる微粒子を分散させることを特徴とする請求項６１記載のタッチパネルの製造方法。
【請求項７５】
上記光透過性粘着剤に、光を散乱させる微粒子を分散させることを特徴とする請求項６１記載のタッチパネルの製造方法。
【請求項７６】
情報記録を表示する表示面に、少なくとも光透過性粘着剤を介してフィルム基材を被着する工程と、
上記フィルム基材上に、少なくともハードコート層と、密着層と、所定の屈折率を有する屈折率層が少なくとも２層以上積層された反射防止層と、防汚層とをこの順に積層して形成する工程とを有することを特徴とする表示体の製造方法。
【請求項７７】
上記フィルム基材の厚さを、３０μｍ以上２００μｍ以下として形成することを特徴とする請求項７６記載の表示体の製造方法。
【請求項７８】
上記ハードコート層の厚さを、３μｍ以上２０μｍ以下として形成することを特徴とする請求項７６又は７７記載の表示体の製造方法。
【請求項７９】
上記フィルム基材を、ポリエチレンテレフタレート又はトリアセチレンセルロースより形成することを特徴とする請求項７６、７７又は７８記載の表示体の製造方法。
【請求項８０】
上記反射防止層を、上記フィルム基材側から順に少なくとも第１の屈折率層、第２の屈折率層、第３の屈折率層及び第４の屈折率層を積層して形成し、
上記第１及び第３の屈折率層の屈折率を、上記第２及び第４の屈折率層の屈折率に比して大として形成することを特徴とする請求項７６、７７、７８又は７９記載の表示体の製造方法。
【請求項８１】
上記反射防止層の上記第１及び第３の屈折率層を、ＴｉＯ２　、ＳｉＮ、Ｎｂ２　Ｏ５　のいずれかの材料から形成し、
上記反射防止層の上記第２及び第４の屈折率層を、ＳｉＯ２　から形成することを特徴とする請求項８０記載の表示体の製造方法。
【請求項８２】
上記反射防止層を、上記フィルム基材側から順に少なくとも第１の屈折率層、第２の屈折率層、第３の屈折率層を積層して形成し、
上記第１の屈折率層の屈折率に比して上記第２の屈折率層の屈折率を大として、
上記第１の屈折率層の屈折率に比して上記第３の屈折率層の屈折率を小として形成することを特徴とする請求項７６、７７、７８又は７９記載の表示体の製造方法。
【請求項８３】
上記反射防止層の上記第１の屈折率層を、Ｓｉを主成分としてＳｎ又はＺｒをドーピングした酸化物合金膜で形成し、
上記第２の屈折率層を、ＴｉＯ２　、Ｎｂ２　Ｏ５　のいずれかの材料から形成して、
上記第３の屈折率層を、ＳｉＯ２　から形成することを特徴とする請求項８２記載の表示体の製造方法。
【請求項８４】
上記密着層を、金属酸化物又は金属窒化物より形成して、その厚さを２ｎｍ以上１０ｎｍ以下として形成することを特徴とする請求項７６記載の表示体の製造方法。
【請求項８５】
上記密着層を、ＳｉＯｘ　（ｘ＝１〜２）から形成することを特徴とする請求項７６記載の表示体の製造方法。
【請求項８６】
上記防汚層として、下記一般式（１）で示されるパーフルオロポリエーテル基を有するアルコキシシラン化合物を含有する材料を用いることを特徴とする請求項７６、８０又は８２記載の表示体の製造方法。
（Ｒ３　Ｏ）３　Ｓｉ−Ｒ２　−Ｒ１　ＣＯ−Ｒｆ−ＣＯＲ１　−Ｒ２　−Ｓｉ（ＯＲ３　）３　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　…（１）
但し、式中、Ｒｆはパーフルオロポリエーテル基、Ｒ１　はＯ、ＮＨ、Ｓのいずれかであり、Ｒ２　はアルキレン基を、Ｒ３　はアルキル基を示す。
【請求項８７】
上記防汚剤として、下記一般式（２）で示されるパーフルオロポリエーテル基を有するアルコキシシラン化合物を含有する材料を用いることを特徴とする請求項７６、８０又は８２記載の表示体の製造方法。
ＲｆＣＯＲ１　−Ｒ２　−Ｓｉ（ＯＲ３　）３　　　　　…（２）
但し、式中、Ｒｆはパーフルオロポリエーテル基、Ｒ１　はＯ、ＮＨ、Ｓのいずれかであり、Ｒ２　はアルキレン基を、Ｒ３　はアルキル基を示す。
【請求項８８】
上記防汚剤として、下記一般式（３）で示されるフルオロアルキル基を有するアルコキシシラン化合物を含有することを特徴とする請求項７６、８０又は８２記載の表示体の製造方法。
Ｒｆ｀−Ｒ１　−Ｓｉ（ＯＲ２　）３　　　　　　　　　　　…（３）
但し、Ｒｆ｀はフルオロアルキル基を、Ｒ１　は炭素数７未満のアルキレン基を、Ｒ２　はアルキル基を其々示す。
【請求項８９】
上記ハードコート層に、光を散乱させる微粒子を分散させることを特徴とする請求項７６記載の表示体の製造方法。
【請求項９０】
上記光透過性粘着剤に、光を散乱させる微粒子が分散させることを特徴とする請求項７６記載の表示体の製造方法。
【請求項９１】
上記表示面を、液晶により情報記録が表示される表示面とすることを特徴とする請求項７６記載の表示体の製造方法。
【請求項９２】
上記表示面は、有機エレクトロルミネッセンスにより情報記録が表示される表示面とすることを特徴とする請求項７６記載の表示体の製造方法。
【請求項９３】
光透過性のフィルム基材上に、少なくともハードコート層、密着層、反射防止層及び防汚層がこの順に積層されて成り、
上記反射防止層は、所定の屈折率を有する屈折率層が少なくとも２層以上積層されて成ることを特徴とする反射防止フィルム。
【請求項９４】
上記フィルム基材の厚さが、３０μｍ以上２００μｍ以下とされたことを特徴とする請求項９３記載の反射防止フィルム。
【請求項９５】
上記ハードコート層の厚さが、３μｍ以上２０μｍ以下とされたことを特徴とする請求項９３又は９４記載の反射防止フィルム。
【請求項９６】
上記フィルム基材が、ポリエチレンテレフタレート又はトリアセチレンセルロースより成ることを特徴とする請求項９３、９４又は９５記載の反射防止フィルム。
【請求項９７】
上記反射防止層が、上記フィルム基材側から順に少なくとも第１の屈折率層、第２の屈折率層、第３の屈折率層及び第４の屈折率層が積層されて形成され、
上記第１及び第３の屈折率層の屈折率が、上記第２及び第４の屈折率層の屈折率に比して大とされることを特徴とする請求項９３、９４、９５又は９６記載の反射防止フィルム。
【請求項９８】
上記反射防止層の上記第１及び第３の屈折率層が、ＴｉＯ２　、ＳｉＮ、Ｎｂ２　Ｏ５　のいずれかの材料から形成され、
上記反射防止層の上記第２及び第４の屈折率層が、ＳｉＯ２　から形成されていることを特徴とする請求項９７記載の反射防止フィルム。
【請求項９９】
上記反射防止層が、上記フィルム基材側から順に少なくとも第１の屈折率層、第２の屈折率層、第３の屈折率層が積層されて形成され、
上記第１の屈折率層の屈折率に比して上記第２の屈折率層の屈折率が大とされ、
上記第１の屈折率層の屈折率に比して上記第３の屈折率層の屈折率が小とされることを特徴とする請求項９３、９４、９５又は９６記載の反射防止フィルム。
【請求項１００】
上記反射防止層の上記第１の屈折率層が、Ｓｉを主成分としてＳｎ又はＺｒをドーピングした酸化物合金膜で形成され、
上記第２の屈折率層が、ＴｉＯ２　、Ｎｂ２　Ｏ５　のいずれかの材料から形成され、
上記第３の屈折率層が、ＳｉＯ２　から形成されていることを特徴とする請求項９９記載の反射防止フィルム。
【請求項１０１】
上記密着層が、金属酸化物又は金属窒化物より形成され、その厚さが２ｎｍ以上１０ｎｍ以下とされることを特徴とする請求項９３記載の反射防止フィルム。
【請求項１０２】
上記密着層が、ＳｉＯｘ　（ｘ＝１〜２）より成ることを特徴とする請求項９３記載の反射防止フィルム。
【請求項１０３】
上記防汚剤として、下記一般式（１）で示されるパーフルオロポリエーテル基を有するアルコキシシラン化合物を含有することを特徴とする請求項９３、９７又は９９記載の反射防止フィルム。
（Ｒ３　Ｏ）３　Ｓｉ−Ｒ２　−Ｒ１　ＣＯ−Ｒｆ−ＣＯＲ１　−Ｒ２　−Ｓｉ（ＯＲ３　）３　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　…（１）
但し、式中、Ｒｆはパーフルオロポリエーテル基、Ｒ１　はＯ、ＮＨ、Ｓのいずれかであり、Ｒ２　はアルキレン基を、Ｒ３　はアルキル基を示す。
【請求項１０４】
上記防汚剤として、下記一般式（２）で示されるパーフルオロポリエーテル基を有するアルコキシシラン化合物を含有することを特徴とする請求項９３、９７又は９９記載の反射防止フィルム。
ＲｆＣＯＲ１　−Ｒ２　−Ｓｉ（ＯＲ３　）３　　　　　…（２）
但し、式中、Ｒｆはパーフルオロポリエーテル基、Ｒ１　はＯ、ＮＨ、Ｓのいずれかであり、Ｒ２　はアルキレン基を、Ｒ３　はアルキル基を示す。
【請求項１０５】
上記防汚剤として、下記一般式（３）で示されるフルオロアルキル基を有するアルコキシシラン化合物を含有することを特徴とする請求項９３、９７又は９９記載の反射防止フィルム。
Ｒｆ｀−Ｒ１　−Ｓｉ（ＯＲ２　）３　　　　　　　　　　　…（３）
但し、Ｒｆ｀はフルオロアルキル基を、Ｒ１　は炭素数７未満のアルキレン基を、Ｒ２　はアルキル基を其々示す。
【請求項１０６】
上記ハードコート層に、光を散乱させる微粒子が分散されたことを特徴とする請求項９３記載の反射防止フィルム。
【請求項１０７】
光透過性のフィルム基材上に、少なくともハードコート層、密着層、反射防止層及び防汚層をこの順に積層して形成し、
上記反射防止層を、所定の屈折率を有する屈折率層が少なくとも２層以上積層して形成することを特徴とする反射防止フィルムの製造方法。
【請求項１０８】
上記フィルム基材の厚さを、３０μｍ以上２００μｍ以下として形成することを特徴とする請求項１０７記載の反射防止フィルムの製造方法。
【請求項１０９】
上記ハードコート層の厚さを、３μｍ以上２０μｍ以下として形成することを特徴とする請求項１０７又は１０８記載の反射防止フィルムの製造方法。
【請求項１１０】
上記フィルム基材を、ポリエチレンテレフタレート又はトリアセチレンセルロースより形成することを特徴とする請求項１０７、１０８又は１０９に記載の反射防止フィルムの製造方法。
【請求項１１１】
上記反射防止層を、上記フィルム基材側から順に少なくとも第１の屈折率層、第２の屈折率層、第３の屈折率層及び第４の屈折率層を積層して形成して、
上記第１及び第３の屈折率層の屈折率を、上記第２及び第４の屈折率層の屈折率に比して大として形成することを特徴とする請求項１０７、１０８、１０９又は１１０記載の反射防止フィルムの製造方法。
【請求項１１２】
上記反射防止層の上記第１及び第３の屈折率層を、ＴｉＯ２　、ＳｉＮ、Ｎｂ２　Ｏ５　のいずれかの材料から形成し、
上記反射防止層の上記第２及び第４の屈折率層を、ＳｉＯ２　から形成することを特徴とする請求項１１１記載の反射防止フィルムの製造方法。
【請求項１１３】
上記反射防止層を、上記フィルム基材側から順に少なくとも第１の屈折率層、第２の屈折率層、第３の屈折率層を積層して形成して、
上記第１の屈折率層の屈折率に比して上記第２の屈折率層の屈折率を大として、
上記第１の屈折率層の屈折率に比して上記第３の屈折率層の屈折率を小として形成することを特徴とする請求項１０７、１０８、１０９又は１１０記載の反射防止フィルムの製造方法。
【請求項１１４】
上記反射防止層の上記第１の屈折率層を、Ｓｉを主成分としてＳｎ又はＺｒをドーピングした酸化物合金膜で形成し、
上記第２の屈折率層を、ＴｉＯ２　、Ｎｂ２　Ｏ５　のいずれかの材料から形成して、
上記第３の屈折率層を、ＳｉＯ２　から形成することを特徴とする請求項１１３記載の反射防止フィルムの製造方法。
【請求項１１５】
上記密着層を、金属酸化物又は金属窒化物より形成して、その厚さを２ｎｍ以上１０ｎｍ以下として形成することを特徴とする請求項１０７記載の反射防止フィルムの製造方法。
【請求項１１６】
上記密着層を、ＳｉＯｘ　（ｘ＝１〜２）より形成することを特徴とする請求項１１５記載の反射防止フィルムの製造方法。
【請求項１１７】
上記防汚剤として、下記一般式（１）で示されるパーフルオロポリエーテル基を有するアルコキシシラン化合物を含有する材料を用いることを特徴とする請求項１０７、１１１又は１１３記載の反射防止フィルムの製造方法。
（Ｒ３　Ｏ）３　Ｓｉ−Ｒ２　−Ｒ１　ＣＯ−Ｒｆ−ＣＯＲ１　−Ｒ２　−Ｓｉ（ＯＲ３　）３　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　…（１）
但し、式中、Ｒｆはパーフルオロポリエーテル基、Ｒ１　はＯ、ＮＨ、Ｓのいずれかであり、Ｒ２　はアルキレン基を、Ｒ３　はアルキル基を示す。
【請求項１１８】
上記防汚剤として、下記一般式（２）で示されるパーフルオロポリエーテル基を有するアルコキシシラン化合物を含有する材料を用いることを特徴とする請求項１０７、１１１又は１１３記載の反射防止フィルムの製造方法。
ＲｆＣＯＲ１　−Ｒ２　−Ｓｉ（ＯＲ３　）３　　　　　…（２）
但し、式中、Ｒｆはパーフルオロポリエーテル基、Ｒ１　はＯ、ＮＨ、Ｓのいずれかであり、Ｒ２　はアルキレン基を、Ｒ３　はアルキル基を示す。
【請求項１１９】
上記防汚剤として、下記一般式（３）で示されるフルオロアルキル基を有するアルコキシシラン化合物を含有する材料を用いることを特徴とする請求項１０７、１１１又は１１３記載の反射防止フィルムの製造方法。
Ｒｆ｀−Ｒ１　−Ｓｉ（ＯＲ２　）３　　　　　　　　　　　…（３）
但し、Ｒｆ｀はフルオロアルキル基を、Ｒ１　は炭素数７未満のアルキレン基を、Ｒ２　はアルキル基を其々示す。
【請求項１２０】
上記ハードコート層に、光を散乱させる微粒子が分散されたことを特徴とする請求項１０７記載の反射防止フィルムの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、タッチパネル、表示体、反射防止フィルム及びこれらの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）ディスプレイ（ＥＬＤ）や液晶ディスプレイ（ＬＤ）などの表示体の表面に、ペン状の指示体又は指での押圧により情報を入力するパネルを設けるいわゆるタッチパネル（又はタッチスクリーン）が、電子手帳、携帯電話等の携帯端末や交通機関のチケット販売用入力機など、種々多様に使用されている。
【０００３】
このタッチパネルの一般的な例として例えば抵抗式（又は抵抗膜式）のタッチパネルの場合、例えば図１６にその要部の模式的な断面構成を示すように、ガラスもしくはポリカーボネート等より成る光透過性の基材４０の上に、ＩＴＯ（Ｉｎ−Ｓｎ酸化物）等より成る光透過性の導電層４１が設けられ、この上に光硬化型のアクリル樹脂等の絶縁材料より成るスペーサ４２を介してフィルム部４４が所定の間隔を保持して対向配置される。フィルム部４４の内側、すなわち光透過性の基材４０に対向するフィルム基材４５の内側には、ＩＴＯ等より成る導電層４３が設けられる構成とされる。
【０００４】
このような抵抗式のタッチパネルにおいてその位置情報の検出は以下の方法により行われる。すなわち、フィルム部４４の表面側から指示体又は指などによって一部が押圧されることによって、その部分の導電層４１及び４３が接触し、基材４０とフィルム部４４とにおいてそれぞれ例えば図１６の紙面に沿う方向及び図１６の紙面に直交する方向の２方向に印加された電圧の変化をそれぞれ検出し、これにより押圧された位置の情報を得ることができる。
【０００５】
タッチパネルとしては、その他静電容量方式、赤外線方式、超音波方式など種々の方式のものが提案されている。
【０００６】
ところで、このようなタッチパネルを表面に有する表示体や、又はその他各種の表示体において、その表面で外光の反射を防止し透過率を向上させる構成が種々提案されている。
例えばタッチパネルとしては、特許第号２５０９２１５　号に記載されているように表面の透明基材とその内側の透明導電層の間に屈折率の異なる複数の層を形成し、それらの層の光干渉効果を利用したものが知られている。またリタデーション（位相遅延）を利用して視認性を向上させたものとしては特開２００１−３５６３４０　号公報、特開２０００−３２１５５８　号公報をはじめとして複数の提案がなされている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら上述の発明は、タッチパネルの最表面の層より内側で発生する反射を防止することに注力されていて、タッチパネルの最表面での反射もしくは汚れによって発生する視認性の低下を改善するものではない。
タッチパネルの最表面での反射や汚れを防止するものとしては、例えば特許第２７６３４７２　号の段落番号〔００２６〕に記載されているように、反射防止処理層を設けるという記述があるものの、その詳細な材料構成及び具体的実施例については一切触れられていない。
【０００８】
また、特にタッチパネルは上述したように、表面を指又は樹脂製等のペンを用いて押圧することにより情報を入力するという商品上の特徴がある。従ってタッチパネル表面には実用上十分な耐久性、適度なすべり性、防汚性が必要とされる。
【０００９】
一般に、表示体の表示面の反射防止法として従来知られている方法としては、湿式コーティング、蒸着法、スパッタリング法等があるが、湿式コーティングは安価な製造方法であるが反射防止特性が不十分である他、耐久性も不十分である。蒸着法は光学特性こそ良好であるが、生産性が悪く、耐久性についてもタッチパネルの使用に耐えるものではない。スパッタリング法は光学特性、耐久性に優れるが、最表面が通常ＳｉＯ２　より成る層で構成されるため、すべり性、防汚性が不十分であった。
【００１０】
またＣＲＴ（陰極線管）用としては、特開平１１−２１８６０３　号公開公報や特開平９−８０２０５　号公開公報等において反射防止フィルムの提案がなされているが、いずれも光学的に吸収のある材料を使用していることから反射防止性能、機械的特性こそ優れているものの、透過率が不十分でありタッチパネル、有機ＥＬディスプレイ、液晶ディスプレイに使用すると十分な視認性が得られない。
【００１１】
この他、液晶ディスプレイとしては最表面に用いられる偏光板の上に真空蒸着法、もしくは湿式コーティング法により透過率の高い反射防止膜を施したものが製品化されているが、機械的特性、耐久性、防汚性が不十分である。
【００１２】
本発明は、上述したように、タッチパネル、液晶ディスプレイ、有機ＥＬディスプレイ等の最表面の反射防止性能の向上をはかり、より視認性に優れ、且つタッチパネル等に要求される機械的特性、耐久性、防汚性等においても特性に優れた各種表示体に適用して好適な反射防止フィルムを提供して、特性に優れたタッチパネル及び表示体を提供することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明はこれらの課題を鑑みてなされたものであり、タッチパネルや表示体の最表面における反射を防止する反射防止層を設け、あるいは反射防止フィルムを被着した構成とし、またタッチパネルや表示体に貼り付けて好適な反射防止フィルムを提供するものである。
【００１４】
本発明は、光透過性の基材と、この基材とは所定の間隔をもって対向配置される光透過性のフィルム基材とを有し、基材上及びフィルム基材の基材との対向面上に、光透過性の導電層が形成されて成るタッチパネルにあって、フィルム基材上に、少なくともハードコート層、密着層、反射防止層及び防汚層をこの順に積層して形成し、特にその反射防止層を、所定の屈折率を有する屈折率層が少なくとも２層以上積層された構成とする。
【００１５】
また本発明は、上述のタッチパネルにあって、フィルム基材の上に少なくとも光透過性導電層を介して補助フィルム基材を被着し、この上に、少なくともハードコート層、密着層、反射防止層及び防汚層をこの順に積層して形成し、特にその反射防止層を、所定の屈折率を有する屈折率層が少なくとも２層以上積層された構成とする。
【００１６】
更にまた本発明による表示体は、情報記録を表示する表示面に、少なくとも光透過性粘着剤を介してフィルム基材を被着して、このフィルム基材上に、少なくともハードコート層、密着層、反射防止層及び防汚層をこの順に積層して形成し、反射防止層を、所定の屈折率を有する屈折率層が少なくとも２層以上積層された構成とする。
【００１７】
また本発明による反射防止フィルムは、フィルム基材上に、少なくともハードコート層、密着層、反射防止層及び防汚層をこの順に積層して形成し、反射防止層を所定の屈折率を有する屈折率層が少なくとも２層以上積層された構成とする。
【００１８】
上述したように、本発明においては、タッチパネルやその他各種の表示体において、特に最表面のフィルム基材上に、密着層、ハードコート層を介して異なる屈折率を有する屈折率層を２層以上積層形成した反射防止層を形成し、更にこの上に防汚層を設けることによって、この最表面における外部からの光の反射を効率良く低下させると同時に、透過率の向上をはかって、視認性の低下を回避し、更に防汚性を向上させ、耐久性の向上をはかることもできる。
【００１９】
特に本発明において、上述の反射防止層を、フィルム基材又は補助フィルム基材側から順に少なくとも第１の屈折率層、第２の屈折率層、第３の屈折率層及び第４の屈折率層を積層して形成し、第１及び第３の屈折率層の屈折率が、第２及び第４の屈折率層の屈折率に比して大とする構成とすることによって、波長４５０ｎｍ〜６５０ｎｍの波長範囲において反射率を低減化することができ、且つ透過率をこの波長範囲において良好に保持することができた。
【００２０】
また本発明において、上述の反射防止層を、フィルム基材又は補助フィルム基材側から順に少なくとも第１の屈折率層、第２の屈折率層、第３の屈折率層を積層して形成し、第１の屈折率層の屈折率に比して第２の屈折率層の屈折率を大とし、第１の屈折率層の屈折率に比して第３の屈折率層の屈折率を小とする構成とすることによって、同様に波長４５０ｎｍ〜６５０ｎｍの範囲において反射率を低減化し、且つ透過率を良好に保持することができた。
【００２１】
従って、本発明によれば、反射光による視認性の低下を回避した特性に優れたタッチパネル及び表示体を提供することができ、且つ反射防止層の上に設けた防汚層との組み合わせによって、表面の機械的強度、耐久性の向上をはかることができて、これによりタッチパネル及び表示体の寿命の長期化をはかることもできる。
【００２２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に適用して好適な実施の形態及び実施例について図面を参照して説明するが、本発明は以下の例に限定されるものではなく、種々の変形、変更が可能であることはいうまでもない。
【００２３】
本発明による実施の形態の好適な各例における要部の拡大断面構成を図１〜図６に示す。各例共に、タッチパネル又は各種表示体の表面に反射防止層を設けるもので、反射防止層を屈折率が異なる複数の屈折率層が積層された構成とするものである。
【００２４】
図１においては、タッチパネル５０に本発明を適用した場合で、ガラス等より成る光透過性の基材４０の上に、ＩＴＯ、またはＧＺＯ（Ｇａ−Ｚｎ酸化物）、ＡＺＯ（Ａｌ−Ｚｎ酸化物）より成る導電層４１が被着され、この上に、光硬化型のアクリル樹脂等より成るスペーサ４２が、例えばスクリーン印刷により一定の厚さで被着された後、フォトリソグラフィ等の適用によってパターニングされて形成され、この上に所定の間隔をもって、基材４０との対向面にＩＴＯ等より成る導電層４３が被着されたフィルム基材１が対向配置される。このフィルム基材１と基材４１との間隔は、例えば外縁部において所定の厚さの絶縁層（例えば粘着テープ等）を用いて支持することによって、例えば数μｍの間隔を保持するようになされている。
【００２５】
そして、フィルム基材１の上には、ハードコート層２、密着層３、第１の屈折率層４、第２の屈折率層５、第３の屈折率層６、第４の屈折率層７及び防汚層がこの順に積層され、第１〜第４の屈折率層４〜７により反射防止層１０が構成される。
【００２６】
また、図２に示すように、基材４０と対向配置するフィルム基材１１の上に、少なくとも光透過性粘着剤１２を介して補助フィルム基材１３を被着して、この補助フィルム基材１３上に、同様にハードコート層２、密着層３、第１〜第４の屈折率層４〜７より成る反射防止層１０、防汚層８を設ける構成としてもよい。図２において、図１と重複する部分には同一符号を付して重複説明を省略する。
【００２７】
更に、図３に示すように、反射防止層１０を第１〜第３の屈折率層４〜６より構成することもできる。図３において、図１と重複する部分には同一符号を付して重複説明を省略する。
【００２８】
また、図４に示すように、基材４０と対向配置するフィルム基材１１の上に、少なくとも光透過性粘着剤１２を介して補助フィルム基材１３を被着して、この補助フィルム基材１３上に第１〜第３の屈折率層４〜６より成る反射防止層１０を含んで、各層２〜８を設ける構成とすることもできる。図４において、図１と重複する部分には同一符号を付して重複説明を省略する。
【００２９】
また本発明は、タッチパネルを有する表示体に限定されることなく、各種の表示体に適用することもできる。図５において、５１はＬＤ、有機ＥＬＤ等の表示体を示し、その表示面２５に、光透過性粘着剤２２を介してフィルム基材１が被着され、このフィルム基材１の上に、ハードコート層２、密着層３、第１の屈折率層４、第２の屈折率層５、第３の屈折率層６、第４の屈折率層７及び防汚層８を順次被着して、第１〜第４の屈折率層４〜７より反射防止層１０を設ける構成とすることもできる。
【００３０】
更に、図６に示すように、反射防止層１０を第１〜第３の屈折率層４〜６より構成することもできる。図６において、図５と重複する部分には同一符号を付して重複説明を省略する。
【００３１】
尚、上述の図１〜図６において示した各例において、例えばフィルム基材１又は１１の基材４０と対向する面、又は表示面２５と接する面における反射や、タッチパネルにおいては導電層４１、４３の表面または基材４０の表面における反射を抑制するために、前述の特開２０００−３２１５５８　号公開公報、特開２００１−３５６３４０　号公開公報等において記載されたようないわゆるリタデーションを利用した内部反射防止用の位相遅延層等を、フィルム基材ないしは補助フィルム基材の下側、即ち基材４０又は表示面２５とフィルム基材１，１１又は補助フィルム基材１３との間のどこかの界面に挿入して設けることにより、内部での反射防止効果が得られることはいうまでもない。
【００３２】
上述の各構成において、反射防止層１０を被着するフィルム基材１，１１又は補助フィルム基材１３としては、厚さが３０μｍ以上２００μｍ以下の光学的に透明な、即ち光透過性のフィルム基材であれば制限はないが、好ましくはＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）フィルムが用いられる。ただし反射型液晶ディスプレイのように外光を偏光させて使用している表示体もしくはこれを利用したタッチパネルに本発明を適用する場合には、光学的異方性の少ないＴＡＣ（トリアセチルセルロース）フィルムを用いることが望ましい。または、ＡＲＴＯＮ（商品名、ＪＳＲ社製）、ＰＥＳ（ポリエチルサルフォン）、ゼオノア（商品名、日本ゼオン社製）を用いることもできる。
【００３３】
ここで、フィルム基材１又は補助フィルム基材１３の厚さを３０μｍ以下とすると、この上にハードコート層２を塗布した際のハードコート層２の体積収縮により発生するフィルム基材１又は１３の反りが大きくなり、実用上問題が発生する。また、反射防止層１０を成膜する際のプロセス温度に対する耐性が不十分となる。一方、フィルム基材１又は補助フィルム基材１３の厚さが２００μｍを超えると、光透過性基材としては厚すぎてタッチパネル又は表示体の軽量化、薄型化が困難になる他、タッチパネルとして使用する場合には、打点性にも問題が生じる。従って、本発明においては、フィルム基材１又は補助フィルム基材１３の厚さを３０μｍ以上２００μｍ以下に選定するものである。
【００３４】
また、フィルム基材又は補助フィルム基材上に施されるハードコート層２としては、メラニン系樹脂、アルキド系樹脂、アクリル系樹脂、シリコン系樹脂、ウレタン系樹脂などの硬化型樹脂が用いられる。厚みとしては十分な硬度をもつ範囲で薄く施すのが好ましく、５μｍ以上１５μｍ以下の範囲とすることが望ましい。しかしながらこのハードコート層２の厚さはその材料特性から厚さむらが±１〜２μｍ程度生じる恐れがある。実用上、このハードコート層２の厚さが３μｍ未満であると、タッチパネルに用いる場合の入力時即ち押圧時の硬度が十分得られなくなる恐れがあり、２０μｍを越えると、材料の特性からフィルム基材との応力の違いから反りが発生する恐れがある。従って、ハードコート層２の厚さとしては、３μｍ以上２０μｍ以下とすることが望ましい。
【００３５】
また、このハードコート層２内にシリカゲル、樹脂ビーズ等を分散させたものを用いる場合は、光を散乱させることにより防眩性を付与することができ、より視認性の向上をはかることができる。
【００３６】
そして、ハードコート層２を被着したフィルム基材１又は補助フィルム基材１３上に反射防止層１０を形成する前に、両者の密着性を向上させるため、真空槽内でプラズマ処理をしてハードコート層２の表面を改質した後、密着層３を被着するのが望ましい。
【００３７】
この密着層３としては、ＣｒＯｘ　（ｘ＝１〜２）、ＳｉＮｘ　等の金属酸化物、金属窒化物を用いることができる。特に、スパッタリング法により成膜されたＳｉＯｘ　（ｘ＝１〜２）の還元気味Ｓｉ酸化物を３ｎｍ以上１０ｎｍ以下程度施したものが好ましく用いられる。ＳｉＯｘ　が３ｎｍ未満では十分な密着性が得られず、１０ｎｍ以上ではＳｉＯｘ　膜の光吸収により十分な透過率が得られない。
【００３８】
そして反射防止層１０は、上述したように異なる屈折率を有する屈折率層を２層以上積層したものを用いることができる。
特に、フィルム基材１又は補助フィルム基材１３側から順に、比較的屈折率の高い第１の屈折率層、比較的屈折率の低い第２の屈折率層、比較的屈折率の高い第３の屈折率層、比較的屈折率の低い第４の屈折率層より構成することによって、即ち第１及び第３の屈折率層の屈折率を、第２及び第４の屈折率層の屈折率に比して大として構成することによって、それらの光干渉効果を利用して反射率を効率良く抑えることができる。
【００３９】
特に、第３の屈折率層の光学厚みを光の波長λ（特に、最も視認性の高い波長である５５０ｎｍの波長）の１／２付近の厚みとし、第４の屈折率層の厚みを光の波長λの１／４付近に調整すると、可視光全域に渡り反射防止性能が得られることはよく知られている。
【００４０】
各屈折率層の成膜方法としては湿式コート、スパッタリング法、蒸着法、イオンプレーティング法など各種考案されていてどのような方法で成膜しても十分な反射防止性能は得られるが、表示体の最表面、特にタッチパネルの最表面として十分な機械特性、耐久性、耐環境性が必要とされることからスパッタリング法が望ましく、さらに生産性を高めるため基材をロール状にして真空槽内で巻き取りながら成膜するロールコーティング法が最も望ましい。
【００４１】
そして反射防止層を構成する屈折率層のうち、比較的屈折率の高い第１及び第３の屈折率層の材料としては、１．８５以上の屈折率を持つ光透過性材料であれば特に制限は無いが、ＳｉＮ、ＴｉＯ２　、Ｎｂ２　Ｏ５　、Ｔａ２　Ｏ５　、ＩＴＯ及びこれらを主成分とした合金酸化物が一般的に用いられる。即ち、上述のＳｉＮ、ＴｉＯ２　、Ｎｂ２　Ｏ５　、Ｔａ２　Ｏ５　、ＩＴＯを主成分としてその特性に影響を与えない範囲でＳｉ、Ｓｎ、Ｚｒ、Ａｌ等の金属を添加したものがあげられる。尚、上述のＴａ２　Ｏ５　は原料が高価であること、ＴｉＯ２　は短波長領域において吸収が出易く特にスパッタリング法で形成する際には生産性が悪くばらつきも出易いことから、Ｎｂ２　Ｏ５　もしくはＳｉＮが望ましい。
【００４２】
また帯電防止性能が要求される場合にはＩＴＯの導電性膜が用いられるが、ＩＴＯは１００℃以下の低温で成膜した場合は４５０ｎｍ以下の波長で光の吸収があるため好ましくない。
比較的屈折率の低い第２及び第４の屈折率層としては、ＭｇＦ２　、ＳｉＯ２　等、またはこれに微量の添加物を混入した材料が用いられるが、スパッタリング法を用いる場合はＳｉＯ２　が最も望ましい。
【００４３】
また基材側から順に第１〜第３の屈折率層を設けて、第２の屈折率層の屈折率を第１の屈折率層に比して大とし、第３の屈折率層の屈折率を第１の屈折率層の屈折率に比して小とする場合にも、各層の光干渉効果を利用して同様の反射防止性能が得られる。
特に、比較的屈折率の高い第２の屈折率層の光学厚みを光の波長λの１／２付近の厚みとし、比較的屈折率の低い第３の屈折率層の厚みを光の波長λの１／４付近に調整すると可視光全域に渡り反射防止性能が得られる。第１の屈折率層の屈折率はフィルム基材及びその上のハードコートの屈折率に依存するが、フィルム基材としてＰＥＴフィルムもしくはＴＡＣフィルムを用いる場合は１．７０〜１．８０の屈折率とすることが望ましい。
【００４４】
このような構成において第１の屈折率層をスパッタリング法で作製するには、Ｓｉを含む金属合金酸化物が用いられる。代表的なものとしてはＳｉＴｉ酸化物合金、ＳｉＺｒ酸化物合金、ＳｉＳｎ酸化物合金、ＮｂＳｉ酸化物合金が知られていて、それぞれの合金の配合比によって所望の屈折率が得られる。
【００４５】
第２の屈折率層については前述の第１〜第４の屈折率層を設ける構成とする場合の高屈折率層である第１及び第３の屈折率層と同様に、ＳｉＮ、ＴｉＯ２　、Ｎｂ２　Ｏ５　等を用いることができる。また第３の屈折率層としては、ＭｇＦ２　、ＳｉＯ２　等、またはこれに微量の混入物を混入した材料を用いることができる。スパッタリング法を用いる場合はＳｉＯ２　が望ましい。
【００４６】
次に、反射防止層１０の上に形成する防汚層８としては、３ｎｍ以上５ｎｍ以下程度の厚みの層を湿式法で形成するのが望ましい。３ｎｍ未満では十分な防汚性能が得られず、厚さが５ｎｍを越えると光学特性に影響を与えるためである。
【００４７】
防汚層の材料としては各種考案されているが、本発明においては、下記の一般式（１）〜（３）で示す材料を用いるものである。
すなわち、防汚層としては、例えば下記一般式（１）で示されるパーフルオロポリエーテル基を有するアルコキシシラン化合物を含有することが好ましい。
【００４８】
（Ｒ３　Ｏ）３　Ｓｉ−Ｒ２　−Ｒ１　ＣＯ−Ｒｆ−ＣＯＲ１　−Ｒ２　−Ｓｉ（ＯＲ３　）３　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　…（１）
但し、式中、Ｒｆはパーフルオロポリエーテル基、Ｒ１　はＯ、ＮＨ、Ｓのいずれかであり、Ｒ２　はアルキレン基を、Ｒ３　はアルキル基を示す。
【００４９】
また、他の防汚剤として、下記一般式（２）で示されるパーフルオロポリエーテル基を有するアルコキシシラン化合物を含有することもできる。
ＲｆＣＯＲ１　−Ｒ２　−Ｓｉ（ＯＲ３　）３　　　　　…（２）
但し、式中、Ｒｆはパーフルオロポリエーテル基、Ｒ１　はＯ、ＮＨ、Ｓのいずれかであり、Ｒ２　はアルキレン基を、Ｒ３　はアルキル基を示す。
【００５０】
更に、他の防汚剤としては、例えば下記一般式（３）で示されるフルオロアルキル基を有するアルコキシシラン化合物を含有することが好ましい。
Ｒｆ｀−Ｒ１　−Ｓｉ（ＯＲ２　）３　　　　　　　　　　　…（３）
但し、Ｒｆ｀はフルオロアルキル基を、Ｒ１　は炭素数７未満のアルキレン基を、Ｒ２　はアルキル基を其々示す。
【００５１】
尚、本出願人は先の出願（特開２００２−１４１７５６　号、以下先願１と記す）において、光磁気記録媒体の被覆層として用いて好適な有機化合物を提案した。本発明者等は、上記先願１において提案した材料を、特に反射防止層の上に被着する防汚層として用いることによって、防汚性と共に、タッチパネルなどの表示体に用いて好適な機械的強度、撥水性、付着強度及び耐久性の向上をもはかることができることを見い出した。
【００５２】
上述の一般式（１）〜（３）で示される各材料を防汚層として用いることによって、汚れの付着力を低下させることができ、また硬い表面を形成することができた。更に、表面エネルギーの極性項成分γｐを低くすることができて、耐久性、防汚性等に優れた反射防止フィルムを形成することができ、これを用いることにより防汚性、耐久性等の特性に優れたタッチパネル、表示体を構成することができる。
【００５３】
被覆層を形成させる方法には、有機フッ素化合物を溶剤に溶解させてそれをグラビアコーターにより形成する方法（グラビアコート法）、ディッピングあるいは噴霧により塗布する方法、擦り付けて塗布する方法の他、真空法により形成させる方法等がある。
一般には有機フッ素化合物を基材表面に塗布することにより、基材の表面エネルギーを低下させることができる。しかしながら有機フッ素化合物を塗布するだけでは、十分な効果は得られない。つまり分子が配向するような極性基と疎水基のバランスを持った有機化合物が必要となる。その基材との親和性については容易に類推することはできない。
本発明に用いる防汚剤は、通常、上記式（１）又は（２）で示されるパーフルオロポリエーテル基を持つアルコキシシラン化合物と上記式（３）で示されるフルオロアルキル基を有するアルコキシシラン化合物を、溶媒に希釈して用いる。溶媒として用いられるものは、特に限定されないが、使用にあたっては組成物の安定性、被塗布面の最表面層に対する濡れ性、揮発性などを考慮して決められるべきである。
【００５４】
本発明においては、特にメタノール、エタノール、イソプロパノール、ｎ−ブチルアルコール、イソブチルアルコール、ｓｅｃ−ブチルアルコール、ｓｅｃ−アミルアルコール等のアルコール系溶剤が好ましく、これらの１種を単独で又は２種以上を混合して用いることができる。また、アルコール系溶剤に炭化水素系溶剤を混合して混合溶剤とすることも可能である。
このような炭化水素系溶剤としては、ｎ−ヘキサン、ｎ−ヘプタン等のパラフィン類、ベンゼン、トルエン等の芳香族炭化水素、シクロヘキサン等のシクロパラフィン等の沸点が５０〜１２０℃の範囲の１種を単独で又は２種以上を混合して用いることができる。
その他、フッ化炭化水素系溶媒を用いることも可能である。フッ化炭化水素系溶媒は、脂肪族炭化水素、環式炭化水素、エーテル等の炭化水素系溶媒の水素原子の一部又は全部をフッ素原子で置換した化合物である。例えば日本ゼオン社製の商品名ＺＥＯＲＯＲＡ−ＨＸＥ（沸点７８℃）、パーフルオロヘプタン（沸点８０℃）、パーフルオロオクタン（沸点１０２℃）、アウジモント社製の商品名Ｈ−ＧＡＬＤＥＮ−ＺＶ７５（沸点７５℃）、Ｈ−ＧＡＬＤＥＮ−ＺＶ８５（沸点８５℃）、Ｈ−ＧＡＬＤＥＮ−ＺＶ１００（沸点９５℃）、Ｈ−ＧＡＬＤＥＮ−Ｃ（沸点１３５℃）、Ｈ−ＧＡＬＤＥＮ−Ｄ（沸点１６５℃）等のハイドロフルオロポリエーテル或いはＳＶ−１１０（沸点１１０℃）、ＳＶ−１３５（沸点１３５℃）等のパーフルオロポリエーテル、住友３Ｍ社製のＦＣシリーズ等のパーフルオロアルカン等を例示することができる。これらのフッ化炭化水素系溶媒の中でも、上記一般式（１）、（２）又は（３）のフッ素系化合物を溶解する溶媒として、ムラのない、膜厚が均一な有機膜を得るために、沸点が７０〜２４０℃の範囲のものを選択し、さらにはハイドロフルオロポリエーテル（ＨＦＰＥ）若しくはハイドロフルオロカーボン（ＨＦＣ）を選択し、これらの１種を単独で又は２種以上を混合して用いることが好ましい。沸点が低すぎると、例えば塗布ムラになりやすい場合があり、一方沸点が高すぎると乾燥がうまく行かず塗布形態が良くならない場合がある。また、ＨＦＰＥ又はＨＦＣは、一般式（１）、（２）又は（３）で表されるアルコキシラン化合物に対する溶解性が優れており、優れた塗布面を得る事が出来る。
【００５５】
上記先願１においては、特に末端にアルコキシシラノ基をもつ有機フッ素化合物を塗布することによって十分な効果を得ることができることがわかった。
有機フッ素化合物としては、分子内にフッ素を有する有機化合物であればエステル、アミン、カルボン酸等、いずれも使用可能であるが、パーフルオロポリエーテル基、パーフルオロアルキル基を使用することが特に好ましい。
表面エネルギーを低下させるには、その有機分子の配向を考えなければならない。有機分子の長さは通常２〜３ｎｍであるために、その分子がうまく配向しないと低表面エネルギーを得ることができない。つまり、うまくフッ素原子が最表面に表れないと表面エネルギーを低下させることはできない。分子がランダムに配向し、極性基が表れると表面エネルギー、特に極性項が上昇する。
【００５６】
一般に、表面エネルギーの極性項成分γｐが３．０（ｅｒｇ／ｃｍ２　）以下であれば耐汚染性が良好であるとされる。
上述の被覆方法により反射防止層の上に防汚層を形成することによって、表面エネルギーを低下させることができ、本発明においては十分な防汚性、撥水性を得ることができるものと思われる。
【００５７】
尚、上記各一般式（１）〜（３）で示される材料として、特に例えば下記の表１に示す各化合物１〜７を用いて良好な結果を得ることができた。
【００５８】
【表１】
2004021550.tif 000003
【００５９】
なお、化合物１においてはｐ＝２０、ｑ＝１２であり、化合物２においてはｐ＝２０、ｑ＝１２であり、化合物３においてはｎ＝３であり、化合物４においてはｋ＝３であり、化合物５においてはｍ＝２、ｌ＝２である。
【００６０】
また、前述の図２及び図４において説明したフィルム基材１及び補助フィルム基材１３とを被着させる光透過性粘着剤１２、または図５及び図６において説明した表示体の表示面２５とフィルム基材１とを被着させる光透過性性粘着剤２２としては、光学的に透明で、タッチパネル又はディスプレイとしての使用環境下において発泡、変色、変質がなければ特に制限はないが、アクリル系、シリコーン系、ゴム系が一般的に用いられる。
十分な接着性とタッチパネルとして使用される入力ペンに対する耐久性を考慮すると、粘着剤の厚さとしては通常１０μｍ以上８０μｍ以下で使用され、２５μｍ前後の厚みが最も好ましい。また必要に応じて光を散乱による防眩効果を出すために、光透過性粘着剤の中にシリカゲル、樹脂ビーズ等を分散させたものを用いてもよい。
【００６１】
【実施例】
次に、上述の本発明を実施例でさらに詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。また本発明は、反射防止層又は反射防止フィルムをタッチパネル又は表示体表面に被着して構成されるものであるが、以下の実施例においては、その光学特性にあたってその測定の都合上、フィルム基材上に各層を構成した後このフィルム基材を透明ガラスに貼り付けて評価を行い、機械的特性、耐久性については最も要求の厳しい抵抗式タッチパネルの表面に貼り付けて評価を行った。
【００６２】
［実施例１］
図７はこの発明の第１の実施例による反射防止層を有する反射防止フィルムの要部の略線的拡大断面構成を示す図である。光透過性のフィルム基材１として厚さ７５μｍのＰＥＴフィルムを用い、その上に厚さ５μｍのアクリル系のハードコート層２を形成したものを使用した。この上にスパッタリング法にてＳｉＯｘ　（ｘ＝１〜２）からなる密着層３を厚さ約５ｎｍとして被着し、さらに第１の屈折率層４としてＳｉＮを厚さ約２７ｎｍ、第２の屈折率層５としてＳｉＯ２　を厚さ約２７ｎｍ、第３の屈折率層６としてＮｂ２　Ｏ５　を厚さ約１１０ｎｍ、第４の屈折率層７としてＳｉＯ２　を厚さ約８９ｎｍとしてそれぞれ被着形成した。
【００６３】
さらにこの上に、前述の表１において説明した化合物１より成る防汚層８を厚さ約５ｎｍとしてグラビアコーティング法により被着した。ＰＥＴフィルムの浦面には、厚さ約２５μｍのアクリル系の光透過性粘着剤１２を塗布した。
【００６４】
上述の反射防止層を構成する各屈折率層４〜７は、図８に模式的な構成を示すカソードを５基装備した巻取り式スパッタ成膜装置を用いて次のように成膜した。まず７５μｍ厚のＰＥＴフィルムに５μｍ厚のハードコートを形成したフィルム状の基材２２を、第１のアルミコア２１に巻きつけ、真空槽２０に投入した。真空槽２０の内部では、第１のアルミコア２１に巻きつけられた基材２２を引き出し、ガイドローラ２４、水冷式冷却ドラム２３を介して第２のアルミコア２５に巻き取りながらスパッタリング法により各層を被着形成した。
【００６５】
真空槽２０には、前述の密着層と反射防止層を構成する各屈折率層を形成するための第１〜第５のカソード２７〜３１及び第１〜第５のＡＣ電源３２〜３６が装備されている。各カソード２７〜３１は、電気的に絶縁された一対のカソード基板から構成され、これに３０ｋＨｚのＡＣを印加させることによりスパッタリングを行う構造となっている。図示していないがガスはカソード毎に独立した導入口を設け、隣接するカソードとのガスを分離するための遮蔽板３７が設けられている。また真空槽２０には、図示しないがターボ分子ポンプ等の排気手段が排気口２６を通じて接続され、矢印ａで示すように内部のガスを排気して所要の真空度が保持される。
【００６６】
このような装置において、真空槽２０を２×１０−４〔Ｐａ〕まで排気した後、ＡｒガスとＮ２　、Ｏ２　ガスを導入し、４×１０−２〔Ｐａ〕の圧力になるよう調整した。ＳｉＯ２　、ＳｉＯｘ　（ｘ＝１〜２）を成膜する際には、酸素のプラズマ発光スペクトルが一定になるよう酸素流量を調整し、Ｎｂ２　Ｏ５　を成膜する際には、Ｎｂの発光スペクトルが一定になるよう酸素流量を調整しながら成膜した。またＳｉＮを成膜する際には、ＡｒとＮ２　の流量比が等しくなるようにして成膜した。各層の膜材料、ターゲット材料、電源、ガス、波長５５０ｎｍの光に対する屈折率、膜厚を下記の表２に示す。また反射防止層の反射防止性能を評価するため、分光器にて分光スペクトルを測定した。この測定結果を図９に示す。反射測定に際しては、光透過性粘着剤の上から黒色のビニールテープを貼り付けることにより、裏面反射の影響を除去して測定した。
【００６７】
【表２】
2004021550.tif 000004
【００６８】
【００６９】
［実施例２］
本発明の第２の実施例は、第１の実施例における第３の高屈折率層６のＮｂ２　Ｏ５　を、より安価な原料であるＴｉＯ２　にして実施したものである。成膜方法については実施例１と同様の方法で成膜したが、ＴｉＯ２　の屈折率がわずかに異なることから膜厚の調整を行った他、ＴｉＯ２　の成膜速度がＮｂ２　Ｏ５　の５０％程度であったため、フィルム基材の搬送速度を約半分に下げて成膜を施した。各層の膜材料、ターゲット材料、電源、ガス、波長５５０ｎｍの光に対する屈折率、膜厚を表３に示し、実施例１と同様に測定した分光特性を図１０に示す。
【００７０】
【表３】
2004021550.tif 000005
【００７１】
［実施例３］
本発明の第３の実施例は、ＰＥＴ基材に代えて厚みが８０μｍのＴＡＣフィルムをフィルム基材１とし、これにハードコート層２を施して用いて、第１の屈折率層４及び第３の屈折率層６をともにＮｂ２　Ｏ５　として実施したものである。その他の材料構成は、上述の実施例１と同様の構成とし、また成膜方法についても実施例１と同様の方法で成膜した。各層の膜材料、ターゲット材料、電源、ガス、波長５５０ｎｍの光に対する屈折率、膜厚を表４に示し、実施例１と同様に測定した分光特性を図１１に示す。
【００７２】
【表４】
2004021550.tif 000006
【００７３】
［実施例４］
本発明の第４の実施例において作製した反射防止フィルムの模式的な要部の略線的拡大断面構成を図１２に示す。フィルム基材としてＰＥＴを用い、この上のハードコート層２に光を拡散するＳｉＯ２　微粒子を分散させた。また第１の屈折率層４としてＳｉとＳｎの酸化物合金でＳｎの混合量が５３ａｔ％のものを用いて形成し、第２の屈折率層５をＮｂ２　Ｏ５　、第３の屈折率層６をＳｉＯ２　として作製したものである。密着層３、防汚層８、光透過性粘着剤１２としては、実施例１と同じ材料構成とした。成膜方法についても実施例１と同様の方法で成膜した。各層の膜材料、ターゲット材料、電源、ガス、波長５５０ｎｍの光に対する屈折率、膜厚を下記の表５に示し、実施例１と同様に測定した分光特性を図１３に示す。
【００７４】
【表５】
2004021550.tif 000007
【００７５】
［実施例５］
本発明の第５の実施例は、第１の実施例における第３の屈折率層の材料をＳｉＮとしたものである。フィルム基材としてはハードコート層２に光を拡散するＳｉＯ２　微粒子を分散させたＰＥＴより成るフィルム基材を使用した。密着層３、防汚層８、光透過性粘着剤１２は、実施例１と同じ材料構成とした。フィルム基材の厚さは１８８μｍのものを使用し、ハードコート層２の厚さが１８μｍのものを使用した。成膜方法についても実施例１と同様の方法で成膜した。各層の膜材料、ターゲット材料、電源、ガス、波長５５０ｎｍの光に対する屈折率、膜厚を下記の表６に示し、実施例１と同様に測定した分光特性を図１４に示す。
【００７６】
【表６】
2004021550.tif 000008
【００７７】
［比較例］
比較例としては、ハードコートを設けたＰＥＴフィルムを使用した。実施例１と同様に測定した分光特性を図１５に示す。
【００７８】
以上の結果から、各実施例１〜５の反射防止フィルム及び比較例のＰＥＴフィルムにおいて、分光特性が著しく異なり、本発明による反射防止フィルムはほぼ一様な分光特性で且つ４５０ｎｍ〜６５０ｎｍの広い波長範囲において、１％以下の低い反射率を達成できたことがわかる。
【００７９】
また、各例によるフィルムを抵抗式タッチパネル表面に貼り付けて、その耐久性、機械特性、透過率について測定した結果を下記の表７に示す。
機械特性、防汚性能についてはｎ＝５（回）として測定し、５回全て合格を○、３〜４回合格を△、２回以下を×として表記した。
【００８０】
【表７】
2004021550.tif 000009
【００８１】
上記結果から、本発明構成によるハードコート層、密着層、反射防止層及び防汚層を有するフィルム基材は、反射防止性能、光透過性、機械特性、耐久性、撥水性、防汚性に優れていることがわかった。
【００８２】
また、各実施例１〜５による反射防止フィルムを、ＳＴＮ（Ｓｕｐｅｒ　Ｔｗｉｓｔｅｄ　Ｎｅｍａｔｉｃ）　型構成の液晶ディスプレイ、ＴＦＴ（Ｔｈｉｎ　Ｆｉｌｅｍ　Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）　型構成の液晶ディスプレイ、有機ＥＬディスプレイの各表示面に被着して反射防止性能、光透過性を確認したところ、良好な結果を得ることができた。
【００８３】
以上本発明によるタッチパネル、表示体及び反射防止フィルムの各例及びその製造方法について説明したが、本発明は、上述の各例に限定されることなく、その他種々の構成のタッチパネル、表示体、反射防止フィルムに適用することができることはいうまでもない。
【００８４】
【発明の効果】
以上のように、本発明による反射防止フィルム、又は反射防止層を有するタッチパネル及び表示体は、可視光域で反射防止性能に優れているため、背景の映り込みが少なく、透過率が高いため明るく、表面の防汚性に優れた視認性の高いタッチパネル、又は有機ＥＬディスプレイ、液晶ディスプレイ等の表示体を提供することができる。
【００８５】
また、本発明によれば、反射防止層の上に防汚層を設けることによって、防汚性を高めると共に、機械的強度、耐久性、撥水性の向上をはかることができて、視認性に優れたタッチパネル等の各種表示体において、寿命の長期化をはかることができる。
【００８６】
【図面の簡単な説明】
【図１】タッチパネルの一例の要部の略線的断面構成を示す図である。
【図２】タッチパネルの一例の要部の略線的断面構成を示す図である。
【図３】タッチパネルの一例の要部の略線的断面構成を示す図である。
【図４】タッチパネルの一例の要部の略線的断面構成を示す図である。
【図５】表示体の一例の要部の略線的断面構成を示す図である。
【図６】表示体の一例の要部の略線的断面構成を示す図である。
【図７】反射防止フィルムの一例の要部の略線的断面構成を示す図である。
【図８】成膜装置の一例の模式的な構成を示す図である。
【図９】実施例１の反射率特性を示す図である。
【図１０】実施例２の反射率特性を示す図である。
【図１１】実施例３の反射率特性を示す図である。
【図１２】反射防止フィルムの一例の要部の略線的断面構成を示す図である。
【図１３】実施例４の反射率特性を示す図である。
【図１４】実施例５の反射率特性を示す図である。
【図１５】比較例の反射率特性を示す図である。
【図１６】タッチパネルの一例の模式的な断面構成を示す図である。
【符号の説明】
１…フィルム基材、２…ハードコート層、３…密着層、４…第１の屈折率層、５…第２の屈折率層、６…第３の屈折率層、７…第４の屈折率層、８…防汚層、１０…反射防止層、１１…フィルム基材、１２…光透過性粘着剤、１３…補助フィルム基材、２０…真空槽、２１…第１のアルミコア、２２…基材、２３…水冷式冷却ドラム、２４…ガイドローラー、２５…第２のアルミコア、２６…排気口、２７…第１のカソード、２８…第２のカソード、２９…第３のカソード、３０…第４のカソード、３１…第５のカソード、３２…第１のＡＣ電源、３３…第２のＡＣ電源、３４…第３のＡＣ電源、３５…第４のＡＣ電源、３６…第５のＡＣ電源、３７…遮蔽板、４０…基材、４１…導電層、４２…スペーサ、４３…導電層、４４…フィルム部、４５…フィルム基材
【図１】
2004021550.tif 000010
【図２】
2004021550.tif 000011
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
2004021550.tif 000021
【図１３】
2004021550.tif 000022
【図１４】
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【図１５】
2004021550.tif 000024
【図１６】
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