(57)【要約】【課題】パルス光の光量を制御する。【解決手段】露光雰囲気を制御したチャンバ内で、原版のパターンを基板に転写するＸ線露光装置は、パルス光を照射するための光源を制御する発光制御部（１４）と、基板上に照射されたパルス光量を検出する強度モニタ部（１１）と、検出されたパルス光量に基づき、チャンバ内における局所領域の露光雰囲気を変更して、照射されたパルス光の光量を制御する光量制御部（１２，１３）と、を有する。【選択図】　図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
露光雰囲気を制御したチャンバ内で、原版のパターンを基板に転写するＸ線露光装置において、
パルス光を照射するための光源を制御する発光制御部と、
前記基板上に照射されたパルス光量を検出する強度モニタ部と、
前記検出されたパルス光量に基づき、前記チャンバ内における局所領域の露光雰囲気を変更して、前記照射されたパルス光の光量を制御する光量制御部と、
を有することを特徴とするＸ線露光装置。
【請求項２】
前記光量制御部は、前記チャンバ内で前記パルス光が通過する局所領域の希ガス純度、該希ガスの圧力の少なくとも１方の変更により前記パルス光量を制御することを特徴とする請求項１に記載のＸ線露光装置。
【請求項３】
前記強度モニタ部は、前記パルス光量の積算を算出し、
前記光量制御部は、総露光量と、前記積算されたパルス光量と、に基づき残露光量を算出し、該残露光量に従って前記局所領域の露光雰囲気を変更することを特徴とする請求項１または２に記載のＸ線露光装置。
【請求項４】
前記光量制御部は、パルス露光毎に前記残露光量を更新して、前記局所領域の露光雰囲気を変更することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載のＸ線露光装置。
【請求項５】
前記光量制御部は、前記残露光量に基づき、前記局所領域の希ガス純度を制御して、該局所領域におけるパルス光透過率を設定することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載のＸ線露光装置。
【請求項６】
前記局所領域は、前記チャンバ内における光路を略全域にわたり覆い、
前記光量制御部は、該局所領域の露光雰囲気を変更して、前記照射されたパルス光の光量を制御することを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載のＸ線露光装置。
【請求項７】
前記露光雰囲気は減圧Ｈｅガスであり、前記パルス光はＸ線であることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載のＸ線露光装置。
【請求項８】
デバイスの製造方法であって、
露光雰囲気を制御したチャンバ内で、原版のパターンを基板に転写するＸ線露光装置を含む複数の半導体製造装置を工場に設置する工程と、
前記複数の半導体製造装置を用いて半導体デバイスを製造する工程と、
を備え、該Ｘ線露光装置は、
パルス光を照射するための光源を制御する発光制御部と、
前記基板上に照射されたパルス光量を検出する強度モニタ部と、
前記検出されたパルス光量に基づき、前記チャンバ内における局所領域の露光雰囲気を変更して、前記照射されたパルス光の光量を制御する光量制御部とを有する、ことを特徴とするデバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体製造装置で用いられるパルス光源を用いたＸ線露光装置、およびそのＸ線露光装置によるデバイスの製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、半導体集積回路の高密度高速化に伴い、集積回路のパターン線幅が縮小され、半導体製造方法にも一層の高性能化が要求されてきている。このため、半導体製造工程中のリソグラフィ工程のうちレジストパターン形成に用いる露光装置にも、ＫｒＦレーザ（波長２４８ｎｍ）、ＡｒＦレーザ（波長１９３ｎｍ）、Ｆ２レーザ（波長１５７ｎｍ）などの極端紫外線やＸ線（波長０．２〜１．５ｎｍ）などの徐々に短い露光波長を利用したステッパ／スキャナが開発されている。
【０００３】
このうち、Ｘ線を用いた露光方式は、所望のパターンが形成されたＸ線マスクとレジストを塗布したウエハとを数十μｍ〜数μｍに接近させた状態で、　Ｘ線をＸ線マスクの上（対向するウエハと反対方向）から照射させ、マスクパターン（原版パターン）をウエハ上に転写させる近接等倍露光方式によるものである。
【０００４】
高強度のＸ線を得るために、シンクロトロン放射光（ＳＲ）を用いて露光する方法　（以下、「ＳＲステッパ」とよぶ）　が開発され、１００ｎｍ以下のパターンが転写できることが既に実証されている。
【０００５】
ところが、シンクロトロン放射光源は、半導体装置の量産において有効であるが、大掛かりな設備を必要とする。その問題点を解決するため、試作等にも使用できる小型で強力なＸ線を発生させるＸ線源を露光光源として使用する方式（以下、「ポイントソースＸ線ステッパ」とよぶ）が考案されている。強力なＸ線を発生させるポイントソースＸ線源の例としては、米国特許４８９６３４１に示されるようにレーザプラズマ線源と呼ばれるもので、レーザをターゲットに照射してプラズマを発生させ、その時プラズマから発生するＸ線を使用しようというものである。
【０００６】
その他には、Ｊｏｕｒｎａｌ　ｏｆ　ｖａｃｕｕｍ　ｓｃｉｅｎｃｅ　ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ　１９（４）　Ｎｏｖ／Ｄｅｃ　１９８１　ｐａｇｅ　１１９０に示されるように、ガス中で放電によってピンチプラズマを発生させることで、Ｘ線を発生させようとするものがある。シンクロトロン放射による露光との違いの一つに、いずれのポイントソースＸ線源でもＸ線はパルス状に発光されると言うことが挙げられる。そのため、単一露光エリア（１ショット）において所望の露光量を得る為に複数回パルスＸ線を照射する必要がある。
【０００７】
ここで問題となるのが、ポイントソースＸ線源は各パルスの出力ばらつきが大きく、リソグラフィにおいて重要となる正確な露光量を照射することが難しいことである。例えばピンチプラズマ放電の一例の場合、出力ばらつきは３σで２５％と言われている。１ショット３００パルスで想定すると、最後の１発でちょうど設定露光量に達するはずの場合でも、０．２５％の露光量エラーが生ずる。ショットの最後の方で光量を下げてばらつきを抑えることが必要となる。同じくパルス発光であるエキシマレーザを光源とした露光装置ではエキシマレーザの放電電圧により出力を連続的に制御できるが、ピンチプラズマ放電を始めポイントソースＸ線源では一般に困難である。
【０００８】
従来、射出されたパルス光のエネルギーを調整（減光）する手段として、光路中に干渉フィルタを挿入してパルス光の透過率を調整する方式（例えば特登録０２７３１９５３）や、光路中に吸収媒体となる気体を封入したチャンバを配置しその圧力変更でパルス光の透過率を調整する方式（例えば特開平０５−３４３２８６）などが提案されている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
これらの方法は、光量調整専用の手段を必要とするため装置のコストが増してしまうこと、その装置を設置するための占有場所の確保、占有容積の増加という問題が挙げられる。これらの問題は特にポイントソースＸ線露光装置の場合、露光パスが上述の占有容積の増加に起因して延長するに従い最大Ｘ線強度も低下してしまい、装置のスループットの低下を招いてしまう。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
Ｘ線露光装置では、Ｘ線強度の減衰を抑えるため露光雰囲気を減圧Ｈｅで密閉されたチャンバ内で露光する方式がよく知られている。また、Ｆ２レーザ露光装置などではレーザ照射時の投光光学系の汚染を考慮し、雰囲気が高精度に管理されるようになる。
【００１１】
本発明は、上記のようにもともと露光雰囲気の純度、圧力、温度が充分に管理されているＸ線露光装置において、露光雰囲気の制御系に一系統追加して、露光雰囲気の一部を局所的に変更することで射出されたパルス光の光量を制御しようとするものであり、光量調整専用の新たな手段を付加して光路を延長することなく、光量の制御を可能にするものである。
【００１２】
かかる目的を達成するべく、本発明にかかるＸ線露光装置及びデバイスの製造方法は以下の構成を備えることを特徴とする。
【００１３】
すなわち、露光雰囲気を制御したチャンバ内で、原版のパターンを基板に転写するＸ線露光装置は、
パルス光を照射するための光源を制御する発光制御部と、
前記基板上に照射されたパルス光量を検出する強度モニタ部と、
前記検出されたパルス光量に基づき、前記チャンバ内における局所領域の露光雰囲気を変更して、前記照射されたパルス光の光量を制御する光量制御部と、
を有することを特徴とする。
【００１４】
好ましくは上記のＸ線露光装置において、前記光量制御部は、前記チャンバ内で前記パルス光が通過する局所領域の希ガス純度、該希ガスの圧力の少なくとも１方の変更により前記パルス光量を制御する。
【００１５】
好ましくは上記のＸ線露光装置において、前記強度モニタ部は、前記パルス光量の積算を算出し、
前記光量制御部は、総露光量と、前記積算されたパルス光量と、に基づき残露光量を算出し、該残露光量に従って前記局所領域の露光雰囲気を変更する。
【００１６】
好ましくは上記のＸ線露光装置において、前記光量制御部は、パルス露光毎に前記残露光量を更新して、前記局所領域の露光雰囲気を変更する。
【００１７】
好ましくは上記のＸ線露光装置において、前記光量制御部は、前記残露光量に基づき、前記局所領域の希ガス純度を制御して、該局所領域におけるパルス光透過率を設定する。
【００１８】
好ましくは上記のＸ線露光装置において、前記局所領域は、前記チャンバ内における光路を略全域にわたり覆い、
前記光量制御部は、該局所領域の露光雰囲気を変更して、前記照射されたパルス光の光量を制御する。
【００１９】
好ましくは上記のＸ線露光装置において、前記露光雰囲気は減圧Ｈｅガスであり、前記パルス光はＸ線である。
【００２０】
また、本発明にかかるデバイスの製造方法は、
露光雰囲気を制御したチャンバ内で、原版のパターンを基板に転写するＸ線露光装置を含む複数の半導体製造装置を工場に設置する工程と、
前記複数の半導体製造装置を用いて半導体デバイスを製造する工程と、
を備え、該Ｘ線露光装置は、
パルス光を照射するための光源を制御する発光制御部と、
前記基板上に照射されたパルス光量を検出する強度モニタ部と、
前記検出されたパルス光量に基づき、前記チャンバ内における局所領域の露光雰囲気を変更して、前記照射されたパルス光の光量を制御する光量制御部とを有する、ことを特徴とする。
【００２１】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の実施形態について説明する。
【００２２】
＜実施形態１＞
＜装置の概略構成とチャンバの雰囲気制御（図１）＞
図１は本発明の実施形態に係わるポイントソースＸ線ステッパの概略構成を示すブロック図である。図１においてポイントソースＸ線光源１は、例えばＮｅガス中で放電によってピンチプラズマを発生させてＸ線２を発光するプラズマＸ光源である。この光源はピーク波長１．１５ｎｍのＸ線を発光する光源である。
【００２３】
発光したＸ線２はＸ線の減衰を考慮して減圧Ｈｅで満たされたメインチャンバ３内に導かれ、減光手段であるＸ線吸収領域（第１の局所領域）４及び集光手段であるコリメータ５を介したのち、Ｘ線マスク７（原版、以下同じ。）を照射する。メインチャンバ３全体は常に一定のＨｅ雰囲気を保つようにメインチャンバ雰囲気制御部１５によりＨｅの圧力、純度、温度などが監視／制御されている。
【００２４】
ここでＸ線吸収領域４はポイントソースＸ線源１とコリメータ５の間でＨｅ雰囲気が局所的に制御できるようにＸ線透過を損なわない部材で囲われた領域であり、この領域４にのみ、たとえば酸素や窒素など不純物を導入してＨｅ純度を落とすことでＸ線透過率を下げ、コリメータ５を介してＸ線マスク７に到達するＸ線強度を弱めることができる。
【００２５】
また純度を下げる代わりにＸ線吸収領域４の圧力を増すことでもＸ線透過率を下げることが可能である。このＸ線吸収領域４はメインチャンバ雰囲気制御部１５のサブ制御部である局所雰囲気制御部１３により純度、圧力等が制御される。両制御部１３，１５とも制御対象は同じであるが、メインチャンバ雰囲気制御部１５が常に一定状態を保つよう制御するのに対し、局所雰囲気制御部１３は可変的に指定されるＸ線透過率になるようＨｅ雰囲気を制御する違いがある。Ｘ線マスク７上に形成されている描画パターンは、Ｘ線が照射されることで狭いギャップを隔てて対向され、レジストを塗布してあるウエハ８上に転写される。
【００２６】
所望の露光量を得るために、複数回にわたりポイントソースＸ線光源のパルス発光を繰り返すことにより所要のパターン転写を達成することができる。
【００２７】
＜露光量の制御（図１、２）＞
次に露光量制御の構成を同じく図１により説明する。１０はＸ線強度センサでありパルス発光ごとにＸ線強度を検知し、その情報は強度モニタ部１１に送られる。強度モニタ部１１はセンサ１０によりセンシングされたＸ線強度情報に基づき該当ショットの積算露光量を計算する。尚、図１において、Ｘ線強度センサ１０はＸ線マスク７とウエハ８の間に配置されているが、強度モニタ部１１でＸ線強度センサ１０から得た情報をレジスト上のＸ線強度に換算すればこの位置に限定されるものでなく、コリメータ５の前後やＸ線源１に配置することも可能である。
【００２８】
主制御部１２は、強度モニタ部１１で求められた積算露光量と不図示のコンソールなどからレシピ情報として指定された該当ショットの所望露光量（総露光量）とを比較して、次パルス発光の条件を決定する。
【００２９】
つまり主制御部１２は残露光量（＝所望露光量−積算露光量）を求め、この残露光量に基づき、次パルス発光においてＸ強度を制御するための制御指令を局所雰囲気制御部１３、パルス発光制御部１４、メインチャンバ雰囲気制御部１５に出力する。主制御部１２は、パルスごとにばらつきはあるものの平均的な出力を想定し、残露光量が最大Ｘ線強度でＮパルス分（Ｎ：自然数）以上に相当する場合は、Ｘ線吸収領域４でのＸ線透過量が最大なるよう局所雰囲気制御部１３を制御し、次パルス発光をパルス発光制御部１４に指示する。
【００３０】
それより少ない残露光量の場合、すなわち、残露光量が最大Ｘ線強度１パルス未満の場合、主制御部１２はＸ線吸収領域４を通過したＸ線が所望のＸ線強度（透過率）になるように局所雰囲気制御部１３を制御する。この制御において、主制御部１２は強度モニタ１１からＸ線強度センサ１０の情報とＸ線吸収領域４のＨｅ純度を計測するＨｅ純度センサ６の情報を受信して、局所雰囲気制御部１３の制御量を算出する。更に、次パルス発光をパルス発光制御部１４に指示する。
【００３１】
図２はＸ線吸収領域４のＨｅ純度とＸ線透過率の概略的な関係を示す図である。局所雰囲気制御部１３で制御可能なＨｅ純度範囲は最高純度”ｂ”から最低純度”ａ”までであり、Ｘ線透過率は最高でβ、最低でαである。主制御部１２は最低純度ａに相当するＸ線透過率”α”よりも低いＸ線透過率（Ｈｅ純度の領域Ｃ２）によりＸ線強度を下げる制御は行なわない。また、ヘリウムＨｅの最高純度ｂを超えた領域Ｃ１に対応するＸ線透過率βよりも高いＸ線透過率によりＸ線強度を上げる制御も行なわない。従って、主制御部１２は残露光量と所望露光量との関係において、最大Ｘ線強度（Ｘ線透過率β）により照射可能な場合であっても、そのパルス照射後の残露光量が、Ｘ線透過率でβを超えないこと、かつ、Ｘ線透過率αより低くならないように局所雰囲気制御部１３を制御する。
【００３２】
＜露光量の制御プロセス（図３）＞
上記の露光量の制御プロセスを図３のフローチャートにより説明する。なお、本実施形態においてウエハおよびＸ線マスクの搬送および位置合わせは周知の構成を適用するものであり詳細な説明は省略する。
【００３３】
まずステップＳ３０１において、Ｘ線マスク７の露光画角とウエハ８のうち次に露光すべきショット領域とが対向するようウエハステージ９をＸＹ方向に移動させて位置決めする。
【００３４】
次にステップＳ３０２で１ショット露光の初期化として、不図示のコンソール等の入力手段を介して指定されたレシピ情報の設定露光量（初期値として総露光量）を対象ショットの残露光量として設定する。
【００３５】
ステップＳ３０３において、主制御部１２は次パルス発光時にＸ線吸収領域４のＸ線透過率を最大にするか、減光するかを判断する。ここで”Ｎパルス（Ｎ：自然数）”は予め主制御部１２で管理しているシステムパラメータでもよいし、レシピ情報で与えられるジョブパラメータでもよい。ステップＳ３０３で残露光量がまだ充分多いと判断された場合（Ｓ３０３−Ｙｅｓ）は処理をステップＳ３０４に進め、Ｘ線吸収領域４のＨｅ純度を最大に制御するための制御指令を局所雰囲気制御部１３に出力し、この制御指令に基づいて局所雰囲気制御部１３はＸ線吸収媒体の純度（Ｈｅ純度）を制御する（Ｓ３０４）。
【００３６】
ステップＳ３０３でＸ線吸収領域４での減光が必要と判断された場合（Ｓ３０３−Ｎｏ）は処理をステップＳ３０５に進め、主制御部１２はＨｅ純度センサ６（図１）の現在値と図２の関係より所望のＸ線吸収媒体の純度（Ｈｅ純度）を算出して、局所雰囲気制御部１３に出力する。局所雰囲気制御部１３はこの出力に基づきＸ線強度を低下させるためにＸ線吸収媒体の純度（Ｈｅ純度）を制御する（Ｓ３０５）。
【００３７】
ステップＳ３０４またはＳ３０５において制御されたＸ線吸収媒体の純度（Ｈｅ純度）を設定した後、ステップＳ３０６において、主制御部１２はパルス発光制御部１４にパルス発光指示を出力し、１パルス分の露光を行なう。
【００３８】
ステップＳ３０７において、露光をしたタイミングでＸ線強度センサ１０の情報を読み取りその値を今回の露光量としてステップＳ３０２で設定した残露光量から差し引き、強度モニタ部１１に記憶する（残露光量の更新）。
【００３９】
次にステップＳ３０８において更新した残露光量の値と”許容残露光量”と比較する。ここで　”許容残露光量”　は予め主制御部１２で管理しているシステムパラメータや、レシピ情報で与えられるジョブパラメータにより設定することができる。ステップＳ３０８の比較の結果、許容残露光量よりも多く残露光量がある場合（Ｓ３０８−Ｙｅｓ）は処理をステップＳ３０３に戻し、さらに同一ショットの露光を繰り返す。逆に許容残露光量以下（Ｓ３０８−Ｎｏ）なら該当ショットの露光を終了として次ショットの露光（ステップ３０１）に処理を移行する。次ショットがない場合は該当ウエハの露光を終了する。
【００４０】
以上説明したように、本実施形態によれば、もともと露光雰囲気の純度、圧力、温度が充分に管理されているＸ線露光装置において、その光路中の露光雰囲気の一部を局所的に変更することで射出されたパルス光の強度を可変にして露光量を制御することが可能になる。
【００４１】
また、光量調整専用の新たな手段を付加することを要せず、低コスト化、光路の延長によるＸ線強度の低下を極端に落とすことなく露光量を維持することにより、スループットの低下を抑えることができる。
【００４２】
＜実施形態２（図４）＞
図４は本発明の実施形態２にかかるポイントソースＸ線ステッパの概略的な構成を示す図である。図４が実施形態１と異なる部分は、Ｘ線吸収領域（第１の局所領域）４の代わりにコリメータ５の全体が局所雰囲気制御部１３で制御されたＨｅ高精度雰囲気制御領域（第２の局所領域）２０で覆われている点である。
【００４３】
実施形態１とは逆にメインチャンバ内の大半の光路がＨｅ高精度雰囲気制御部（第２の局所領域）２０により覆われることで、光路中におけるチャンバ３内の雰囲気の影響を受けることなく、光源１から照射されたパルス光がマスク７及び基板８に到達する。つまり、チャンバ３内の光路の大半を第２の局所領域で覆う構成にすることで、パルス毎の光量のばらつきを少なくすることが可能になり、直前の数パルス分の光量情報から次パルスで出力するべき光量を、算術平均、分散等の統計処理により高精度に見積もることが可能になる。
【００４４】
本実施形態によれば、直前の数パルス分の光量情報から次パルスにおいて出力するべき光量を高精度に見積もることが可能になる。一定の光量がマスクに照射されるよう光路中の第２の局所領域の雰囲気を制御し、パルス毎の光量のばらつきを抑制することが可能となり、所望の積算露光量の制御が容易になる。
【００４５】
なお、実施形態１、２ともにポイントソースＸ線露光装置を例にしたが、本発明の趣旨はこれに限定されるものでなく、密閉及びその露光雰囲気が管理された状態で露光する露光装置に対しても適用することができることはいうまでもない。
【００４６】
＜デバイスの生産方法の実施形態（図５、６）＞
次に先に説明したＸ線露光装置または露光方法を適用したデバイスの生産方法の実施形態を説明する。
【００４７】
図５は微小デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マクロマシン等）の製造のフローを示すフローチャートである。ステップＳ５０１（回路設計）ではデバイスのパターン設計を行なう。ステップＳ５０２（マスク制作）では設計したパターンを形成したマスクを作製する。一方、ステップＳ５０３（ウエハ製造）ではシリコンやガラス等の材料を用いてウエハを製造する。
【００４８】
ステップＳ５０４（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、上記用意したマスクとウエハを用いて、リソグラフィ技術によってウエハ上に実際の回路を形成する。次のステップＳ５０５（組み立て）は後工程と呼ばれ、ステップＳ５０４で作製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封入）等の工程を含む。ステップＳ５０６（検査）ではステップＳ５０５で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行なう。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、これが出荷（ステップＳ５０７）される。
【００４９】
図６は上記ウエハプロセスの詳細なフローを示す。ステップＳ６０１（酸化）ではウエハの表面を酸化させる。ステップＳ６０２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶縁膜を形成する。ステップＳ６０３（電極形成）ではウエハ上に電極を蒸着によって形成する。ステップＳ６０４（イオン打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップＳ６０５（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。
【００５０】
ステップＳ６０６（露光）では上述したＸ線露光装置によってマスクの回路パターンをウエハに焼付露光する。ステップＳ６０７（現像）では露光したウエハを現像する。
【００５１】
ステップＳ６０８（エッチング）では現像したレジスト像以外の部分を削り取る。ステップＳ６０９（レジスト剥離）ではエッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。これらのステップを繰り返し行なうことによって、ウエハ上に多重に回路パターンが形成される。
【００５２】
本実施形態の生産方法において、上述のＸ線露光装置を用いれば、従来は製造が難しかった高集積度のデバイスを低コストに製造することができる。
【００５３】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、もともと露光雰囲気の純度、圧力、温度が充分に管理されているＸ線露光装置において、その光路中の露光雰囲気の一部を局所的に変更することで射出されたパルス光の強度を可変にして露光光量を制御することが可能になる。
【００５４】
また、光量調整専用の新たな手段を付加することを要せず、低コスト化、光路の延長によるＸ線強度の低下を極端に落とすことなく露光光量を維持することにより、スループットの低下を抑えることができる。
【００５５】
また、直前の数パルス分の光量情報から次パルスにおいて出力するべき光量を高精度に見積もることが可能になる。一定の光量がマスクに照射されるよう光路中の第２の局所領域の雰囲気を制御し、パルス毎の光量のばらつきを抑制することが可能となり、所望の積算露光量の制御が容易になる。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施形態１にかかるＸ線露光装置の概略構成を説明する図である。
【図２】Ｘ線吸収領域４のＨｅ純度とＸ線透過率の概略的な関係を示す図である。
【図３】露光量の制御プロセスを説明するフローチャートである。
【図４】実施形態２にかかるＸ線露光装置の概略構成を説明する図である。
【図５】半導体デバイスの製造の流れを説明する図である。
【図６】ウエハプロセスの詳細な流れを説明する図である。
【符号の説明】
１：ポイントソースＸ線源
２：Ｘ線
３：メインチャンバ
４：Ｘ線吸収領域
５：コリメータ
６：Ｈｅ純度センサ
７：Ｘ線マスク
８：ウエハ
９：ウエハステージ
１０：Ｘ線強度センサ
１１：強度モニタ部
１２：主制御部
１３：局部雰囲気制御部
１４：パルス発光制御部
１５：メインチャンバ雰囲気制御部
２０：Ｈｅ高精度雰囲気制御部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
2004047518.tif 000006
【図５】
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【図６】
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