(57)【要約】【課題】排気管内の真空度の低下を抑制しつつ、真空ポンプの消費電力を節約する。【解決手段】回転制御装置３は、処理装置１で行われる処理の開始信号Ｓ１を受け取ると、真空ポンプ２の回転数を上昇させ、処理装置１で行われる処理の終了信号Ｓ２を受け取ると、真空ポンプ２の回転数を下降させ、排気管４内の真空度が所定値Ｐ１以下になると、真空ポンプ２の回転数を上昇させる。【選択図】　　　図１
2004068637.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
排気を行う排気手段と、
前記排気手段の吸気側の真空度を計測する真空センサと、
前記吸気側の真空度に基づいて前記排気手段の駆動制御を行う駆動制御手段とを備えることを特徴とする排気装置。
【請求項２】
前記駆動制御手段は、前記吸気側の真空度が所定値以下になった場合、前記排気手段の排気力を上昇させることを特徴とする請求項１記載の排気装置。
【請求項３】
処理装置の排気を行う真空ポンプと、
前記真空ポンプの吸気側の真空度を計測する真空センサと、
前記処理装置で行われる処理の開始信号に基づいて、前記真空ポンプの回転数を上昇させ、前記処理装置で行われる処理の終了信号に基づいて、前記真空ポンプの回転数を下降させる第１の回転数制御手段と、
前記真空ポンプの回転数が下っている時に、前記吸気側の真空度が所定値以下になった場合、前記真空センサの回転数を上昇させる第２の回転数制御手段とを備えることを特徴とする排気装置。
【請求項４】
処理装置で行われる処理の開始信号に基づいて、前記処理装置内を排気する真空ポンプの回転数を上昇させるステップと、
前記処理装置で行われる処理の終了信号に基づいて、前記真空ポンプの回転数を下降させるステップと、
前記真空ポンプの回転数が下っている時に、前記真空ポンプの吸気側の真空度が所定値以下になった場合、前記真空センサの回転数を上昇させるステップとを備えることを特徴とする排気方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は排気装置および排気方法に関し、特に、真空ポンプの駆動方法に適用して好適なものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来の排気装置では、真空ポンプの消費電力を節約するために、真空排気の対象となる装置の運転状態と連動させて、真空ポンプの回転数を制御する方法があった。
図３は、従来の排気装置の概略構成を示すブロック図である。
【０００３】
図３において、真空ポンプ１２は、排気管１４を介して真空容器１１と接続され、回転制御装置１３は、真空排気の対象となる装置の運転状態と連動させて、真空ポンプ１２の回転数を制御する。
図４は、従来の排気装置の動作を示すタイミングチャートである。
図４において、回転制御装置１３は、真空ポンプ１２が起動されると、真空ポンプ１２の回転数を定常状態に設定することにより、真空容器１１を排気する。
【０００４】
そして、回転制御装置１３は、真空容器１１内の真空度が要求されなくなると、真空ポンプ１２の回転数をアイドリング状態に設定し（ｔ１１）、真空容器１１内の真空度が再び要求されると、真空ポンプ１２の回転数を定常状態に戻す（ｔ１２）。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来の排気方法では、真空ポンプ１２の回転数をアイドリング状態に設定すると、排気管１４などのリークにより、真空容器１１や排気管１４などの真空度が徐々に低下する。
このため、真空容器１１内を再度排気する際に、その立ち上がりに時間がかかり、半導体装置製造時のスループットが低下したり、真空容器１１から排出される昇華性物質が滞留して、真空ポンプ１２や排気管１４などに付着したりするという問題があった。
【０００６】
そこで、本発明の目的は、排気管内の真空度の低下を抑制しつつ、真空ポンプの消費電力を節約することが可能な排気装置および排気方法を提供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上述した課題を解決するために、請求項１記載の排気装置によれば、排気を行う排気手段と、前記排気手段の吸気側の真空度を計測する真空センサと、前記吸気側の真空度に基づいて前記排気手段の駆動制御を行う駆動制御手段とを備えることを特徴とする。
【０００８】
これにより、排気手段の吸気側の真空度を維持しながら、排気手段の駆動制御を行うことが可能となり、排気管内の真空度の低下を抑制しつつ、排気手段の消費電力を節約することが可能となる。
また、請求項２記載の排気装置によれば、前記駆動制御手段は、前記吸気側の真空度が所定値以下になった場合、前記排気手段の排気力を上昇させることを特徴とする。
【０００９】
これにより、吸気側の真空度を所定値以上に保ちつつ、排気手段の排気力を下降させることが可能となり、排気管などのリークがある場合においても、排気管内の真空度の低下を抑制しつつ、排気手段の消費電力を節約することが可能となる。
また、請求項３記載の排気装置によれば、処理装置の排気を行う真空ポンプと、前記真空ポンプの吸気側の真空度を計測する真空センサと、前記処理装置で行われる処理の開始信号に基づいて、前記真空ポンプの回転数を上昇させ、前記処理装置で行われる処理の終了信号に基づいて、前記真空ポンプの回転数を下降させる第１の回転数制御手段と、前記真空ポンプの回転数が下っている時に、前記吸気側の真空度が所定値以下になった場合、前記真空センサの回転数を上昇させる第２の回転数制御手段とを備えることを特徴とする。
【００１０】
これにより、排気管の真空度を所定値以上に保ちつつ、真空ポンプの回転数を下降させることが可能となり、排気管などのリークがある場合においても、排気管内の真空度の低下を抑制しつつ、真空ポンプの消費電力を節約することが可能となる。
このため、真空ポンプの消費電力を節約する場合においても、その立ち上がり時間を低減して、半導体装置製造時のスループットの劣化を抑制することが可能となるとともに、処理装置から排出される昇華性物質の滞留を抑制して、昇華性物質の付着を低減することが可能となる。
【００１１】
また、請求項４記載の排気方法によれば、処理装置で行われる処理の開始信号に基づいて、前記処理装置内を排気する真空ポンプの回転数を上昇させるステップと、前記処理装置で行われる処理の終了信号に基づいて、前記真空ポンプの回転数を下降させるステップと、前記真空ポンプの回転数が下っている時に、前記真空ポンプの吸気側の真空度が所定値以下になった場合、前記真空センサの回転数を上昇させるステップとを備えることを特徴とする。
【００１２】
これにより、未処理時に真空ポンプの回転数を下降させ、真空ポンプの消費電力を節約する場合においても、排気管内の真空度の低下を抑制することが可能となる。
このため、真空ポンプの立ち上がり時間を低減して、半導体装置製造時のスループットの劣化を抑制することが可能となるとともに、処理装置から排出される昇華性物質の滞留を抑制して、昇華性物質の付着を低減することが可能となる。
【００１３】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態に係る排気装置および排気方法について、図面を参照しながら説明する。
図１は、本発明の一実施形態に係る排気装置の概略構成を示すブロック図である。
【００１４】
図１において、真空ポンプ２は、排気管４を介して処理装置１と接続され、真空ポンプ２の吸気側には、真空センサ５が設けられている。また、回転制御装置３には、処理装置１で行われる処理の開始信号および終了信号が送られるとともに、真空センサ５による真空度の計測結果が送出される。そして、回転制御装置３は、処理装置１の動作状態および真空センサ５による真空度の計測結果に基づいて、真空ポンプ２の回転数を制御する。
【００１５】
なお、処理装置１としては、例えば、ＣＶＤ装置、スパッタ装置、蒸着装置、エッチング装置などを用いることができる。また、真空ポンプ２としては、例えば、ドライポンプやターボポンプなどを用いることができる。
図２は、本発明の一実施形態に係る排気装置の動作を示すタイミングチャートである。
【００１６】
図２（ａ）において、回転制御装置３は、処理装置１で行われる処理の開始信号Ｓ１を受け取ると、図２（ｃ）に示すように、真空ポンプ２の回転数を上昇させる（ｔ１）。この結果、図２（ｂ）に示すように、処理装置１および排気管４内の真空度は上昇する。
次に、図２（ａ）において、回転制御装置３は、処理装置１で行われる処理の終了信号Ｓ２を受け取ると、図２（ｃ）に示すように、真空ポンプ２の回転数を下降させる（ｔ２）。この結果、図２（ｂ）に示すように、処理装置１および排気管４内の真空度は下降する。
【００１７】
ここで、真空ポンプ２の回転数を下降させることにより、真空ポンプ２の消費電力を節約して、省エネルギー化を図ることが可能になる。
そして、排気管４などでのリークにより、排気管４内の真空度が低下し、排気管４内の真空度が所定値Ｐ１以下になると、回転制御装置３は、図２（ｃ）に示すように、真空ポンプ２の回転数を上昇させる（ｔ３）。この結果、図２（ｂ）に示すように、処理装置１および排気管４内の真空度は上昇する。
【００１８】
そして、回転制御装置３は、排気管４内の真空度が上昇し、排気管４内の真空度が所定値Ｐ２以上になると、図２（ｃ）に示すように、真空ポンプ２の回転数を下降させる（ｔ４）。
これにより、処理装置１の未処理時に真空ポンプ２の回転数を下降させ、真空ポンプ２の消費電力を節約する場合においても、排気管４内の真空度を所定値Ｐ１以上に維持することが可能となる。
【００１９】
このため、排気管４などのリークがある場合においても、真空ポンプ２の省エネルギー化を図りつつ、真空ポンプ２の立ち上がり時間を低減して、半導体装置製造時のスループットの劣化を抑制することが可能となるとともに、処理装置１から排出される昇華性物質の滞留を抑制して、昇華性物質の付着を低減することが可能となる。
【００２０】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、吸気側の真空度を計測しながら、排気手段の駆動制御を行うことにより、排気管内の真空度の低下を抑制しつつ、排気手段の消費電力を節約することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態に係る排気装置の概略構成を示すブロック図である。
【図２】本発明の一実施形態に係る排気装置の動作を示すタイミングチャートである。
【図３】従来の排気装置の概略構成を示すブロック図である。
【図４】従来の排気装置の動作を示すタイミングチャートである。
【符号の説明】
１　処理装置、２　真空ポンプ、３　回転制御装置、４　排気管、５　真空センサ
【図１】
2004068637.tif 000003
【図２】
2004068637.tif 000004
【図３】
2004068637.tif 000005
【図４】
2004068637.tif 000006