(57)【要約】【課題】本発明は、液晶表示装置用基板の製造方法及び液晶表示装置の製造方法並びにそれに用いる液晶表示装置用基板の製造装置及びホットプレートに関し、工程を増加させずに良好な表示特性が得られる液晶表示装置用基板の製造方法及び液晶表示装置の製造方法並びにそれに用いる液晶表示装置用基板の製造装置及びホットプレートを提供することを目的とする。【解決手段】ガラス基板１０上に感光性樹脂層３２’を形成し、パターニングされた感光性樹脂層３２’を局所的に硬化させた後に全体的に硬化させて、表面に皺状の凹凸を有する皺状樹脂層３２を形成し、皺状樹脂層３２上に光反射性材料からなる反射電極を形成する。【選択図】    図１０
2004151572.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に樹脂層を形成し、
前記樹脂層をパターニングし、
パターニングされた前記樹脂層を局所的に硬化させた後に全体的に硬化させて、前記樹脂層の表面に皺状の凹凸を形成し、
前記樹脂層上に光反射性材料からなる反射電極を形成すること
を特徴とする液晶表示装置用基板の製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の液晶表示装置用基板の製造方法において、
前記樹脂層を局所的に硬化させる工程は、前記樹脂層が基板面内で不均一な温度分布になるように前記基板を加熱すること
を特徴とする液晶表示装置用基板の製造方法。
【請求項３】
一対の基板を作製し、前記基板を互いに貼り合わせて前記基板間に液晶を封止する液晶表示装置の製造方法において、
前記基板の一方は、請求項１又は２に記載の液晶表示装置用基板の製造方法を用いて作製されること
を特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項４】
樹脂層が形成された基板が載置され、前記基板を加熱する基板載置面と、
前記基板載置面上に形成されて前記基板に局所的に接触し、前記樹脂層に基板面内で不均一な温度分布を形成する凸部と
を有することを特徴とするホットプレート。
【請求項５】
樹脂層が形成された基板が載置される基板載置面と、
前記樹脂層の局所的な照射位置に光を照射する光照射部と
を有することを特徴とする液晶表示装置用基板の製造装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、液晶表示装置用基板の製造方法及び液晶表示装置の製造方法並びにそれに用いる液晶表示装置用基板の製造装置及びホットプレートに関し、特に、外部からの入射光を反射させることによって表示を行う反射型の液晶表示装置用基板の製造方法及び液晶表示装置の製造方法並びにそれに用いる液晶表示装置用基板の製造装置及びホットプレートに関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、携帯型電子機器等の表示部への液晶表示装置の応用が急速に進展している。液晶表示装置の中でも、外部からの入射光を反射電極で反射させて表示する反射型液晶表示装置は、バックライト等の光源が不要なため消費電力が低く、また薄型化及び軽量化が可能であるため特に注目されている。
【０００３】
反射型液晶表示装置の反射電極には、複数の凹凸が表面に形成された白色電極を用いるのが好ましいとされている。反射電極表面に形成された凹凸により光散乱特性が向上し、反射型液晶表示装置の表示品質が良好になる。反射電極の表面に凹凸を形成する方法として、反射電極となる金属層を加熱して再結晶化させる技術や、合金からなる金属層を加熱して析出物を析出させた後に金属層表面をエッチングし、析出物と合金相との界面近傍のエッチングスピードが他の領域より高いことを利用する技術等が知られている（例えば、特許文献１参照）。しかしながら、上記の技術では、反射電極となる金属層を加熱する工程や、金属層表面をエッチングする工程が新たに必要になり、液晶表示装置の製造工程が増加してしまう。
【０００４】
このため、一般には反射電極表面に凹凸を形成するために、反射電極の下地層の表面に凹凸が形成される。反射電極の表面には、下地層表面の凹凸に倣った凹凸が形成される。
【０００５】
反射電極の下地層に凹凸を形成する方法として、シリコン酸化膜（ＳｉＯ２膜）からなる下地層の表面を正弦波状又は三角波状の断面形状を有するようにエッチングする技術が知られている（例えば、特許文献２及び特許文献３参照）。
【０００６】
また、下地層に凹凸を形成する他の方法として、以下のような技術が知られている。まず、熱硬化性樹脂膜と圧縮応力を有する無機薄膜とを下地層としてこの順に形成する。次に、熱硬化性樹脂膜と無機薄膜を加熱し、熱硬化性樹脂膜を硬化させて収縮させる。次に、熱硬化性樹脂膜と無機薄膜を冷却して常温に戻し、無機薄膜を収縮させる。これらの収縮と無機薄膜の圧縮応力とにより、下地層に不規則で微小な凹凸が形成される（例えば、特許文献４参照）。
【０００７】
さらに、下地層に凹凸を形成する他の方法として、以下のような技術が知られている。まず、下地層として光硬化性樹脂層を基板上に形成する。次に、複数の透過領域が設けられた凹凸形成用のフォトマスクを用いて、光硬化性樹脂層を露光する。光硬化性樹脂層の露光部分は光重合反応が促進されて未露光部分より盛り上がり、凸部が形成される。次に、コンタクトホール形成用のフォトマスクを用いて光硬化性樹脂層をさらに露光する。これにより、コンタクトホール形成領域以外の領域の光硬化性樹脂層が硬化し、表面には複数の凹凸が形成される。その後現像して、コンタクトホールが形成される（例えば、特許文献５及び特許文献６参照）。
【０００８】
また、下地層に凹凸を形成する他の方法として、以下のような技術が知られている。まず、感光性樹脂を基板上に塗布して下地層を形成する。次に、高温部と低温部とが交互に分布するホットプレートを有するベーク処理装置を用い、基板上の感光性樹脂を部分的に異なる温度で加熱する（プリベーク）。感光性樹脂は、相対的に高い温度で加熱された領域から溶媒が蒸発して膜厚が減少し、表面が凹凸状になる。所定時間のプリベーク処理により、感光性樹脂表面の凹凸が保持される。その後、フォトマスクを用いた露光、現像及びポストベークの各工程を経て、凹凸状の下地層が形成される（例えば、特許文献７参照）。
【０００９】
さらに、本願出願人による日本国特許出願（特願２００２−１５７７２９号や特許文献８参照）では、下地層の表面に所定の露光エネルギーの光を照射し、その後下地層に熱処理を施すことにより、下地層の表面に凹凸を形成する技術が提案されている。
【００１０】
【特許文献１】
特開昭５６−９４３８６号公報
【特許文献２】
特開昭５６−１５６８６４号公報
【特許文献３】
特開昭５６−１５６８６５号公報
【特許文献４】
特開２０００−２８４３０２号公報
【特許文献５】
特開平１１−１５３８０４号公報
【特許文献６】
特開２０００−１４７５３６号公報
【特許文献７】
特開２００１−６７０１７号公報
【特許文献８】
特開２００２−２９６５８５号公報
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、特許文献２及び特許文献３に記載された技術では、ＳｉＯ２膜の成膜プロセス及びエッチングプロセスが別途必要になる。このため、液晶表示装置の製造工程が増加してしまうという問題が生じる。
【００１２】
また、特許文献４に記載された技術では、無機薄膜の成膜プロセスが別途必要になる。このため、液晶表示装置の製造工程が増加してしまうという問題が生じる。さらに、有機樹脂である光硬化性樹脂はアニールにより脱ガスが生じるため、このような構成では無機薄膜に穴が形成されてしまう。このため、液晶表示装置の表示品質が低下してしまうという問題が生じる。
【００１３】
また、特許文献５及び特許文献６に記載された技術では、フォトマスクを用いた露光工程が新たに必要になる。このため、液晶表示装置の製造工程が増加してしまうという問題が生じる。さらに、下地層表面の凹凸は、一般にステッパを用いた分割露光方式により形成される。このため、下地層表面の凹凸は、複数の露光領域毎に同一の形状になる。したがって、液晶表示装置の表示画面上では、露光領域間の境界が視認されてしまうという問題が生じる。下地層及び反射電極に形成される凹凸は、より良好な光散乱特性を得るために、ランダムで繰り返しがなく、かつ連続的な形状が望まれている。
【００１４】
特許文献７に記載された技術では、感光性樹脂表面の凹凸が保持されるために、高温部と低温部とが交互に分布するホットプレートによる所定時間のプリベーク処理が必要になる。しかしながら、不均一な熱分布でプリベークされた感光性樹脂は、領域によって露光感度に差が生じてしまう。このため、下地層にコンタクトホールを形成する際のパターニング精度が低下し、安定した形状及びプロファイルの下地層を形成できないという問題が生じる。
【００１５】
さらに、特許文献８で提案された技術によっても、下地層の表面に確実に凹凸を形成できる訳ではないという問題がある。
【００１６】
本発明の目的は、工程を増加させずに良好な表示特性が得られる液晶表示装置用基板の製造方法及び液晶表示装置の製造方法並びにそれに用いる液晶表示装置用基板の製造装置及びホットプレートを提供することにある。
【００１７】
【課題を解決するための手段】
上記目的は、基板上に樹脂層を形成し、前記樹脂層をパターニングし、パターニングされた前記樹脂層を局所的に硬化させた後に全体的に硬化させて、前記樹脂層の表面に皺状の凹凸を形成し、前記樹脂層上に光反射性材料からなる反射電極を形成することを特徴とする液晶表示装置用基板の製造方法によって達成される。
【００１８】
【発明の実施の形態】
〔第１の実施の形態〕
本発明の第１の実施の形態による液晶表示装置用基板の製造方法及び液晶表示装置の製造方法並びにそれに用いるホットプレートについて、図１乃至図１０を用いて説明する。まず、本実施の形態による液晶表示装置の製造方法を用いて製造された反射型液晶表示装置の概略構成について図１を用いて説明する。図１に示すように、反射型液晶表示装置は、光反射材料からなる反射電極や、スイッチング素子としての薄膜トランジスタ（ＴＦＴ；Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）等が画素領域毎に形成されたＴＦＴ基板２と、カラーフィルタ（ＣＦ；Ｃｏｌｏｒ  Ｆｉｌｔｅｒ）層や共通電極等が形成された対向基板４とを対向させて貼り合わせ、液晶をその間に封止した構造を有している。両基板２、４の対向面には、液晶分子を所定方向に配向させる配向膜が形成されている。
【００１９】
ＴＦＴ基板２には、複数のゲートバスラインを駆動するドライバＩＣが実装されたゲートバスライン駆動回路８０と、複数のドレインバスラインを駆動するドライバＩＣが実装されたドレインバスライン駆動回路８２とが設けられている。両駆動回路８０、８２は、制御回路８４から出力された所定の信号に基づいて、走査信号やデータ信号を所定のゲートバスラインあるいはドレインバスラインに出力するようになっている。一方、対向基板４のＣＦ層形成面と反対側の表面には、所定の偏光板８６が貼り付けられている。
【００２０】
次に、本実施の形態による液晶表示装置用基板の製造方法を用いて製造されたＴＦＴ基板の構成について図２乃至図４を用いて説明する。図２は、ＴＦＴ基板の３画素及びその周囲の構成を示している。図３は、図２のＡ−Ａ線で切断したＴＦＴ基板の断面図である。図４は、ＴＦＴ基板の６画素及びその周囲の顕微鏡写真である。図２乃至図４に示すように、ＴＦＴ基板２のガラス基板１０上には、図２の左右方向に延びるゲートバスライン１２が形成されている。ゲートバスライン１２上の基板全面には、絶縁膜３０が形成されている。絶縁膜３０を介してゲートバスライン１２に交差し、図２の上下方向に延びるドレインバスライン１４が形成されている。ゲートバスライン１２とドレインバスライン１４との交差位置近傍には、ＴＦＴ２０が形成されている。ＴＦＴ２０は、例えばａ−Ｓｉ層からなる動作半導体層３１を絶縁膜３０上に有している。動作半導体層３１上にはチャネル保護膜２３が形成されている。チャネル保護膜２３上には、隣接するドレインバスライン１４から引き出されたドレイン電極２１と、ソース電極２２とが、所定の間隙を介して互いに対向して形成されている。このような構成において、チャネル保護膜２３直下のゲートバスライン１２がＴＦＴ２０のゲート電極として機能するようになっている。
【００２１】
ＴＦＴ２０上の基板全面には保護膜３４が形成されている。保護膜３４上の全面には、例えば感光性樹脂からなる皺状樹脂層（下地層）３２が形成されている。皺状樹脂層３２の表面には、皺状の凹凸が形成されている。皺状樹脂層３２上には、光反射材料からなる反射電極１６が画素領域毎に形成されている。反射電極１６の表面には、皺状樹脂層３２の表面形状に倣い、ランダムで連続的な皺状の凹凸が形成されている。反射電極１６は、表面に形成されたランダムで連続的な皺状の凹凸により光散乱特性が向上し、入射した外光を各方向に散乱させて反射するようになっている。反射電極１６は、ＴＦＴ２０のソース電極２２上の皺状樹脂層３２及び保護膜３４が開口されたコンタクトホール２４を介して、ソース電極２２に電気的に接続されている。また反射電極１６は、図２の下方に隣接するゲートバスライン１２を覆うように配置されている。
【００２２】
また、ゲートバスライン１２に並列して、画素領域を横切る蓄積容量バスライン１８が形成されている。蓄積容量バスライン１８上には、絶縁膜３０を介して蓄積容量電極（中間電極）１９が画素領域毎に形成されている。蓄積容量電極１９は、蓄積容量電極１９上の皺状樹脂層３２及び保護膜３４が開口されたコンタクトホール２６を介して、反射電極１６に電気的に接続されている。
【００２３】
次に、本実施の形態によるホットプレートの構成について図５及び図６を用いて説明する。図５は、ガラス基板が載置されたホットプレートを基板面に垂直方向に見た構成を示している。図６は、ホットプレート及びガラス基板の一部を基板面に垂直な方向に切断した断面構成を模式的に示している。図５及び図６に示すように、ホットプレート５０は、感光性樹脂層３２’が形成されたガラス基板１０が載置される基板載置面５４と、基板載置面５４上に形成されてガラス基板１０に局所的に接触する凸部５２を有している。
【００２４】
凸部５２は、例えば基板載置面５４（ホットプレート５０）とほぼ同一の熱伝導率を有する材料からなる複数のピンを基板載置面５４に任意の配置で埋め込むことにより形成されている。凸部５２の配置は規則的でもよいし、不規則でもよい。また凸部５２は、基板載置面５４にブラスト処理を施すことにより、基板載置面５４と同一の形成材料で形成してもよい。なお、凸部５２が比較的高い熱伝導率を有する材料で形成されていれば、基板載置面５４は比較的低い熱伝導率を有する材料で形成されていてもよい。
【００２５】
凸部５２は、加熱処理の際に、ガラス基板１０上に形成された感光性樹脂層３２’に基板面内で不均一な温度分布を形成するようになっている。図中の破線は温度の等しい点を結んだ線であり、凸部５２から伝達される熱により局所的に温度が上昇した感光性樹脂層３２’の温度分布を示している。凸部５２直上のガラス基板１０側の領域が相対的に高温であり、凸部５２から離れるに従い温度が低下している。
【００２６】
次に、本実施の形態による液晶表示装置用基板の製造方法及び液晶表示装置の製造方法について図７乃至図１０を用いて説明する。図７乃至図９は、本実施の形態による液晶表示装置用基板の製造方法を示す工程断面図であり、図３に対応する断面を示している。まず、図７（ａ）に示すように、ガラス基板１０上の全面に、スパッタリング法等を用いて例えばアルミニウム（Ａｌ）／チタン（Ｔｉ）をこの順に成膜し、金属層（図示せず）を形成する。次に、フォトリソグラフィ工程により、金属層上に所定形状のレジストパターン（図示せず）を形成する。形成されたレジストパターンをエッチングマスクとして用いて金属層を例えばドライエッチングし、その後レジストパターンを剥離して、ゲートバスライン（ゲート電極）１２を形成する。同時に、蓄積容量バスライン１８（図７（ａ）では図示せず）が形成される。また、ゲートバスライン１２の一端にはゲートバスライン端子（図示せず）が形成され、蓄積容量バスライン１８の一端には蓄積容量バスライン端子（図示せず）が形成される。
【００２７】
次に、ゲートバスライン１２上の基板全面に、例えばＣＶＤ法を用いて窒化シリコン（ＳｉＮ）／アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）／ＳｉＮを連続成膜し、絶縁膜３０、ａ−Ｓｉ層３１’及びＳｉＮ膜２３’を形成する。次に、フォトリソグラフィ工程により、ＳｉＮ膜２３’上に所定形状のレジストパターン（図示せず）を形成する。このフォトリソグラフィ工程では、ガラス基板１０の裏面側（図７（ａ）の下側）から露光する背面露光と、フォトマスクを用いた露光とが行われる。次に、形成されたレジストパターンをエッチングマスクとして用いてＳｉＮ膜２３’をエッチングし、その後レジストパターンを剥離して、図７（ｂ）に示すように、チャネル保護膜２３を自己整合的に形成する。
【００２８】
次に、図７（ｃ）に示すように、チャネル保護膜２３上の基板全面に、例えばＣＶＤ法を用いてｎ＋ａ−Ｓｉを成膜してｎ＋ａ−Ｓｉ層２８’を形成する。続いて、ｎ＋ａ−Ｓｉ層２８’層上の全面に、例えばスパッタリング法を用いてＴｉ／Ａｌ／Ｔｉを連続成膜し、金属層２１’を形成する。
【００２９】
次に、フォトリソグラフィ工程により、金属層２１’上に所定形状のレジストパターン（図示せず）を形成する。次に、形成されたレジストパターンをエッチングマスクとして用いて、図８（ａ）に示すように、金属層２１’、ｎ＋ａ−Ｓｉ層２８’層及びａ−Ｓｉ層３１’を例えばドライエッチングする。このエッチングでは、チャネル保護膜２３がエッチングストッパとして機能する。その後、レジストパターンを剥離して、金属層２１’及びその下層のｎ＋ａ−Ｓｉ層２８’層からなるドレイン電極２１及びソース電極２２を形成する。これにより、ＴＦＴ２０が形成される。同時に、ドレインバスライン１４及び蓄積容量電極１９（共に図８（ａ）では図示せず）が形成される。また、ドレインバスライン１４の一端にはドレインバスライン端子（図示せず）が形成される。
【００３０】
次に、図８（ｂ）に示すように、ＴＦＴ２０上の基板全面に、例えばＣＶＤ法を用いてＳｉＮを成膜し、保護膜３４を形成する。次に、フォトリソグラフィ工程により、保護膜３４上に所定形状のレジストパターン（図示せず）を形成する。次に、形成されたレジストパターンをエッチングマスクとして用いて、図８（ｃ）に示すように、ソース電極２２上の保護膜３４をエッチング除去し、コンタクトホール２４’を形成する。同時に、蓄積容量電極１９上とドレインバスライン端子上の保護膜３４がエッチング除去されてコンタクトホール（図示せず）が形成される。また、ゲートバスライン端子上と蓄積容量バスライン端子上の保護膜３４及び絶縁膜３０がエッチング除去されてコンタクトホール（図示せず）が形成される。
【００３１】
次に、図９（ａ）に示すように、保護膜３４上の全面に、ロールコータ等を用いて感光性樹脂を塗布し、感光性樹脂層３２’を形成する。次に、従来のホットプレート等を用いて、感光性樹脂層３２’をプリベークする。
【００３２】
次に、図９（ｂ）に示すように、所定のフォトマスクを用いて感光性樹脂層３２’を露光して現像し、ソース電極２２上（コンタクトホール２４’上）にコンタクトホール２４を形成する。同時に、蓄積容量電極１９上にコンタクトホール２６（図９（ｂ）では図示せず）が形成される。また、ドレインバスライン端子上、ゲートバスライン端子上及び蓄積容量バスライン端子上にコンタクトホール（図示せず）が形成される。
【００３３】
次に、例えば図５及び図６に示すホットプレート５０上にガラス基板１０を載置し、感光性樹脂層３２’が基板面内で不均一な温度分布になるようにガラス基板１０を加熱する。
【００３４】
ここで、ガラス基板１０を加熱し、皺状樹脂層３２が形成される過程について、既に示した図６を参照しつつ図１０を用いて説明する。図１０は、ガラス基板１０を加熱して皺状樹脂層３２を形成する工程を模式的に示す図であり、図６に対応する断面を示している。図６に示すように、基板面内で不均一な温度分布になるように加熱された感光性樹脂層３２’の相対的に温度の高い凸部５２直上の領域では、樹脂に含まれる溶剤３６が他の領域より多く揮発する。これにより、図１０（ａ）に示すように、凸部５２直上の領域αが焼き締められて局所的に硬化した感光性樹脂層３２’’が形成される。感光性樹脂層３２’’の表面は、領域αで凹状になっている。
【００３５】
続いて、従来のホットプレートやオーブン等を用いて感光性樹脂層３２’’を基板面内でほぼ均一に加熱し、感光性樹脂層３２’’を全体的に硬化させる（ポストベーク）。領域αと他の領域との間には熱収縮率に差が生じるため、皺状の凹凸が形成される。このとき、領域αは皺状凹凸のうち凹部形成の開始点（核）となる。これにより、図１０（ｂ）に示すように、ランダムでかつ連続的な皺状の凹凸が表面に形成された皺状樹脂層３２が形成される。図４に顕微鏡写真を示したように、皺状の凹凸は、頂点（凸部）が連続的でかつなだらかな山脈状に形成される。
【００３６】
次に、続いてスパッタリング法等を用いて皺状樹脂層３２上の基板全面に例えばＡｌを成膜して金属層（図示せず）を形成する。次に、フォトリソグラフィ工程により、金属層上に所定形状のレジストパターン（図示せず）を形成する。形成されたレジストパターンをエッチングマスクとして用いて金属層をエッチングし、その後レジストパターンを剥離して、反射電極１６を形成する。反射電極１６の表面には、皺状樹脂層３２の表面形状に倣った皺状の凹凸が形成される。以上の工程を経て、図３に示すＴＦＴ基板２が完成する。
【００３７】
その後、ＴＦＴ基板２と他の工程を経て製造された対向基板４とを貼り合わせ、両基板２、４間に液晶を封止して液晶表示装置が完成する。
【００３８】
本実施の形態によれば、感光性樹脂層３２’を局所的に硬化させた後に全体的に硬化させることにより、ランダムで連続的な凹凸を有する皺状樹脂層３２を容易に形成できる。これにより、反射電極１６の光散乱特性が向上し、表示特性の良好な高輝度の反射型液晶表示装置が得られる。
【００３９】
また本実施の形態によれば、ガラス基板１０を局所的に加熱可能なホットプレート５０を用いることにより、フォトリソグラフィ工程によらずに皺状樹脂層３２を形成できる。このため、液晶表示装置の製造工程を削減でき、またフォトマスクの設計に要する時間を大幅に短縮できる。
【００４０】
さらに本実施の形態では、基板面内で不均一な温度分布になるように感光性樹脂層３２’を加熱する工程は、露光、現像後のポストベーク工程である。このため、感光性樹脂層３２’のパターニング精度が低下することがなく、安定した形状及びプロファイルの皺状樹脂層３２が得られる。以上により、表示特性の良好な高輝度の反射型液晶表示装置を低コストで製造できる。
【００４１】
〔第２の実施の形態〕
次に、本発明の第２の実施の形態による液晶表示装置用基板の製造方法及び液晶表示装置の製造方法並びにそれに用いる液晶表示装置用基板の製造装置について図１１乃至図１３を用いて説明する。図１１は、本実施の形態による液晶表示装置用基板の製造装置の構成を示している。図１１に示すように、液晶表示装置用基板の製造装置である光照射装置６０は、ガラス基板１０が載置される基板載置面６２を備えた照射ステージ６４と、例えばレーザ光を照射する光照射部６６とを有している。
【００４２】
光照射部６６は、基板載置面６２上に載置されたガラス基板１０上の感光性樹脂層（図１１では図示せず）の所定の照射位置ａにレーザ光を局所的に照射できるようになっている。光照射部６６は、ガラス基板１０のうち少なくとも液晶表示装置の表示領域となる領域（以下、単に「表示領域」という）内で照射位置ａを相対的に移動可能なように取り付けられている。
【００４３】
図１２は、本実施の形態による液晶表示装置用基板の製造装置の構成の変形例を示している。図１２に示すように、光照射装置６０は、照射ステージ（Ｘ−Ｙステージ）６４と光照射部６６とに加えて、照射ステージ６４をＸ軸方向に移動させるガイドレール７０ｘと、照射ステージ６４をＹ軸方向に移動させるガイドレール７０ｙと、不図示のアクチュエータとを有している。照射ステージ６４をＸ−Ｙ平面内で移動させることにより、照射位置ａをガラス基板１０の表示領域内で相対的に移動できるようになっている。
【００４４】
次に、本実施の形態による液晶表示装置用基板の製造方法について図２、図３及び図９を参照しつつ図１３を用いて説明する。保護膜３４上の全面に感光性樹脂を塗布して感光性樹脂層３２’を形成するまでの工程は第１の実施の形態と同様であるので、その説明を省略する。
【００４５】
まず、従来のホットプレート等を用いて、感光性樹脂層３２’をプリベークする。次に、所定のフォトマスクを用いて感光性樹脂層３２’を露光して現像し、ソース電極２２上（コンタクトホール２４’上）にコンタクトホール２４を形成する（図９（ｂ）参照）。同時に、蓄積容量電極１９上にコンタクトホール２６が形成される。また、ドレインバスライン端子上、ゲートバスライン端子上及び蓄積容量バスライン端子上にコンタクトホールが形成される。
【００４６】
次に、例えば図１１又は図１２に示す光照射装置６０の基板載置面６２上にガラス基板１０を載置する。次に、例えば表示領域を走査するように照射位置ａを移動させながら感光性樹脂層３２’にレーザ光を照射する。このとき、２回以上レーザ光が照射される領域があっても構わない。また、レーザ光はガラス基板１０の裏面側から照射してもよい。
【００４７】
ここで、皺状樹脂層３２が形成される過程について図１３を用いて説明する。図１３は、皺状樹脂層３２を形成する工程を模式的に示す断面図である。図１３（ａ）に示すように、レーザ光（図中矢印で示す）の照射された領域からは、樹脂に含まれる溶剤３６が他の領域より多く揮発する。これにより、図１３（ｂ）に示すように、レーザ光の照射された領域βが焼き締められて局所的に硬化した感光性樹脂層３２’’が形成される。感光性樹脂層３２’’の表面は、領域βで凹状になっている。
【００４８】
続いて、従来のホットプレートやオーブン等を用いて感光性樹脂層３２’’を基板面内でほぼ均一に加熱し、感光性樹脂層３２’’を全体的に硬化させる（ポストベーク）。例えば連続的に分布する領域βと他の領域との間には熱収縮率に差が生じるため、皺状の凹凸が形成される。このとき、領域βは皺状凹凸のうち凹部形成の開始点となる。これにより、図１３（ｃ）に示すように、ランダムでかつ連続的な皺状の凹凸が表面に形成された皺状樹脂層３２が形成される。
【００４９】
次に、続いてスパッタリング法等を用いて皺状樹脂層３２上の基板全面に例えばＡｌを成膜して金属層を形成する。次に、フォトリソグラフィ工程により、金属層上に所定形状のレジストパターンを形成する。形成されたレジストパターンをエッチングマスクとして用いて金属層をエッチングし、その後レジストパターンを剥離して、反射電極１６を形成する。反射電極１６の表面には、皺状樹脂層３２の表面形状に倣った皺状の凹凸が形成される。以上の工程を経て、ＴＦＴ基板２が完成する。
【００５０】
その後、ＴＦＴ基板２と他の工程を経て製造された対向基板４とを貼り合わせ、両基板２、４間に液晶を封止して液晶表示装置が完成する。
【００５１】
本実施の形態によれば、感光性樹脂層３２’を局所的に硬化させた後に全体的に硬化させることにより、ランダムで連続的な凹凸を有する皺状樹脂層３２を容易に形成できる。これにより、反射電極１６の光散乱特性が向上し、表示特性の良好な高輝度の反射型液晶表示装置が得られる。
【００５２】
また本実施の形態によれば、感光性樹脂層３２’に局所的にレーザ光を照射できる光照射装置６０を用いることにより、フォトリソグラフィ工程によらずに皺状樹脂層３２を形成できる。このため、液晶表示装置の製造工程を削減でき、またフォトマスクの設計に要する時間を大幅に短縮できる。以上により、表示特性の良好な高輝度の反射型液晶表示装置を低コストで製造できる。
【００５３】
本発明は、上記実施の形態に限らず種々の変形が可能である。
例えば、上記実施の形態では反射型の液晶表示装置を例に挙げたが、本発明はこれに限らず、半透過型の液晶表示装置にも適用できる。
【００５４】
また、上記実施の形態ではチャネル保護膜型のＴＦＴ２０を備えた液晶表示装置用基板を例に挙げたが、本発明はこれに限らず、チャネルエッチ型のＴＦＴ２０を備えた液晶表示装置用基板にも適用できる。
【００５５】
さらに、上記実施の形態ではアクティブマトリクス型の液晶表示装置を例に挙げたが、本発明はこれに限らず、単純マトリクス型の液晶表示装置にも適用できる。
【００５６】
また、上記実施の形態では、保護膜３４上に形成される樹脂層に感光性樹脂を用いているが、本発明はこれに限らず、保護膜３４上に形成される樹脂層に感光性を有さない樹脂を用いてもよい。
【００５７】
さらに、上記第２の実施の形態では、感光性樹脂層３２’に照射する光としてレーザ光を用いているが、本発明はこれに限らず、紫外光等の他の光を用いてもよい。その場合、感光性樹脂層３２’に照射する際にはある程度の指向性が必要になる。
【００５８】
以上説明した実施の形態による液晶表示装置用基板の製造方法及び液晶表示装置の製造方法並びにそれに用いる液晶表示装置用基板の製造装置及びホットプレートは、以下のようにまとめられる。
（付記１）
基板上に樹脂層を形成し、
前記樹脂層をパターニングし、
パターニングされた前記樹脂層を局所的に硬化させた後に全体的に硬化させて、前記樹脂層の表面に皺状の凹凸を形成し、
前記樹脂層上に光反射性材料からなる反射電極を形成すること
を特徴とする液晶表示装置用基板の製造方法。
【００５９】
（付記２）
付記１記載の液晶表示装置用基板の製造方法において、
前記樹脂層を全体的に硬化させる工程は、前記樹脂層を基板面内でほぼ均一に加熱すること
を特徴とする液晶表示装置用基板の製造方法。
【００６０】
（付記３）
付記１又は２に記載の液晶表示装置用基板の製造方法において、
前記樹脂層を局所的に硬化させる工程は、前記樹脂層が基板面内で不均一な温度分布になるように前記基板を加熱すること
を特徴とする液晶表示装置用基板の製造方法。
【００６１】
（付記４）
付記１又は２に記載の液晶表示装置用基板の製造方法において、
前記樹脂層を局所的に硬化させる工程は、前記樹脂層に対して局所的に光を照射すること
を特徴とする液晶表示装置用基板の製造方法。
【００６２】
（付記５）
一対の基板を作製し、前記基板を互いに貼り合わせて前記基板間に液晶を封止する液晶表示装置の製造方法において、
前記基板の一方は、付記１乃至４のいずれか１項に記載の液晶表示装置用基板の製造方法を用いて作製されること
を特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【００６３】
（付記６）
樹脂層が形成された基板が載置され、前記基板を加熱する基板載置面と、
前記基板載置面上に形成されて前記基板に局所的に接触し、前記樹脂層に基板面内で不均一な温度分布を形成する凸部と
を有することを特徴とするホットプレート。
【００６４】
（付記７）
付記６記載のホットプレートにおいて、
前記凸部は、前記基板載置面とほぼ同一の熱伝導率を有していること
を特徴とするホットプレート。
【００６５】
（付記８）
樹脂層が形成された基板が載置される基板載置面と、
前記樹脂層の局所的な照射位置に光を照射する光照射部と
を有することを特徴とする液晶表示装置用基板の製造装置。
【００６６】
（付記９）
付記８記載の液晶表示装置用基板の製造装置において、
前記照射位置は、前記樹脂層に対して基板面内で相対的に移動可能であること
を特徴とする液晶表示装置用基板の製造装置。
【００６７】
【発明の効果】
以上の通り、本発明によれば、工程を増加させずに良好な表示特性が得られる液晶表示装置を実現できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態による液晶表示装置の概略構成を示す図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態による液晶表示装置用基板の構成を示す図である。
【図３】本発明の第１の実施の形態による液晶表示装置用基板の構成を示す断面図である。
【図４】本発明の第１の実施の形態による液晶表示装置用基板の構成を示す顕微鏡写真である。
【図５】本発明の第１の実施の形態によるホットプレートの構成を示す図である。
【図６】本発明の第１の実施の形態によるホットプレートの構成を示す断面図である。
【図７】本発明の第１の実施の形態による液晶表示装置用基板の製造方法を示す工程断面図である。
【図８】本発明の第１の実施の形態による液晶表示装置用基板の製造方法を示す工程断面図である。
【図９】本発明の第１の実施の形態による液晶表示装置用基板の製造方法を示す工程断面図である。
【図１０】本発明の第１の実施の形態による液晶表示装置用基板の皺状樹脂層を形成する工程を模式的に示す断面図である。
【図１１】本発明の第２の実施の形態による液晶表示装置用基板の製造装置の構成を示す斜視図である。
【図１２】本発明の第２の実施の形態による液晶表示装置用基板の製造装置の構成の変形例を示す斜視図である。
【図１３】本発明の第２の実施の形態による液晶表示装置用基板の皺状樹脂層を形成する工程を模式的に示す断面図である。
【符号の説明】
２  ＴＦＴ基板
４  対向基板
１０  ガラス基板
１２  ゲートバスライン
１４  ドレインバスライン
１６  反射電極
１８  蓄積容量バスライン
１９  蓄積容量電極
２０  ＴＦＴ
２１  ドレイン電極
２１’  金属層
２２  ソース電極
２３  チャネル保護膜
２３’  ＳｉＮ膜
２４、２４’、２６  コンタクトホール
２８  ｎ型不純物半導体層
２８’  ｎ＋ａ−Ｓｉ層
３０  絶縁膜
３１  動作半導体層
３１’  ａ−Ｓｉ層
３２  皺状樹脂層
３２’  感光性樹脂層
３４  保護膜
３６  溶剤
５０  ホットプレート
５２  凸部
５４、６２  基板載置面
６０  光照射装置
６４  照射ステージ
６６  光照射部
７０ｘ、７０ｙ  ガイドレール
８０  ゲートバスライン駆動回路
８２  ドレインバスライン駆動回路
８４  制御回路
８６  偏光板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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