(57)【要約】【課題】ｐ型半導体層の結晶成長温度を従来より低くして、活性層の物性的劣化を回避又は緩和することにより素子性能（入出力レベル）を向上させる。【解決手段】基板１の温度を８９０℃に昇温して、Ｎ２  を１０リットル／分、ＴＭＧを１．６×１０−５モル／分、ＴＭＡを６×１０−６モル／分、ＣＰ２  Ｍｇを４×１０−７モル／分で供給して、膜厚約２００Å、濃度５×１０１９／ｃｍ３  のマグネシウム（Ｍｇ）をドープしたｐ型Ａｌ０．１５Ｇａ０．８５Ｎから成るｐ型クラッド層６を形成した。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＩＩＩ族窒化物系化合物半導体の結晶成長によって生成される半導体層を多数積層することにより形成され、インジウム（Ｉｎ）を含んだ半導体層を有して成る活性層を備えた、半導体素子の製造方法であって、
前記活性層よりも後から積層される少なくとも１層のｐ型半導体層の結晶成長温度を８２０℃以上９１０℃以下とし、
前記ｐ型半導体層の原料ガスを運ぶキャリアガスとして、希ガス（Ｈｅ，Ｎｅ，Ａｒ，Ｋｒ，Ｘｅ，Ｒｎ）又は窒素ガス（Ｎ２  ）を用いた
ことを特徴とする半導体素子の製造方法。
【請求項２】
前記ｐ型半導体層の結晶成長温度を８５０℃以上８９０℃以下とした
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項３】
前記ｐ型半導体層の膜厚を５０Å以上４００Å以下に積層する
ことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項４】
前記活性層は、インジウム（Ｉｎ）を含んだ半導体層を井戸層としたＭＱＷ構造を有する
ことを特徴とする請求項１乃至請求項３の何れか１項に記載の半導体素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、  ＩＩＩ族窒化物系化合物半導体の結晶成長により半導体層を多数積層することにより形成され、インジウム（Ｉｎ）を含んだ半導体層を有して成る活性層を備えた半導体素子の製造方法に関する。
本明細書における「活性層」の概念には、半導体発光素子の発光層の他に、勿論、半導体受光素子の受光層も含まれる。
本発明は、ＬＥＤや半導体レーザ等の製造工程に適用でき、勿論、半導体受光素子の製造にも同様に利用できるものである。
【０００２】
【従来の技術】
【特許文献１】
特開平６−１７７４２３号公報
【特許文献２】
特許第３１９８９１２号公報
【特許文献３】
特開２００１−３３２７６３号公報
【特許文献４】
特開２００３−０７３１９７号公報
【０００３】
例えば上記の特許文献１や特許文献２などに詳しい例示がある様に、従来のｐ型クラッド層の結晶成長温度は、概ね９５０℃から１１５０℃までの範囲内の何れかの温度に設定されている。
例えばこれらの従来技術等にも見られる様に、一般にｐ型半導体層としてｐ型にドープされたＧａＮ層やｐ型にドープされたＡｌＧａＮ層などが用いられるが、これらのｐ型半導体層の結晶成長温度は１０００℃前後と高い。
また、従来の半導体素子のｐ型半導体層の原料ガスを運ぶキャリアガスとしては、水素ガス（Ｈ２  ）が用いられることが多い。
【０００４】
一方、半導体素子の活性層（発光層又は受光層）はＩｎＧａＮ等のインジウム（Ｉｎ）を含んだ半導体層から形成され、その結晶成長温度は通常インジウム組成比等に応じて６５０℃から８２０℃程度の範囲内の何れかの温度に設定される。
また、一般に、半導体素子の活性層は、ｐ型半導体層よりも先に結晶成長が実施されるため、活性層は自層の積層後に、ｐ型半導体層の結晶成長温度にさらされることになる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、半導体結晶は一般に、自層の結晶成長温度以下でしか十分には安定でいられないので、活性層が上記の様に高いｐ型半導体層の結晶成長温度にさらされると、活性層の結晶性が劣化し、これに伴って、半導体素子の素子性能（出力レベル／入力レベル等のエネルギー効率）が、期待されるレベルにまで向上しない。
また、この様な問題は、活性層とｐ型半導体層の各結晶成長温度の差が大きい場合ほど顕著となる傾向が強い。
【０００６】
本発明は、上記の課題を解決するために成されたものであり、その目的は、活性層が熱的ダメージを受け難いｐ型半導体層の結晶成長条件に基づいて、活性層の結晶性を良質に維持することにより、半導体素子の素子性能（入出力レベル）を向上させることである。
【０００７】
【課題を解決するための手段、並びに、作用及び発明の効果】
上記の課題を解決するためには、以下の手段が有効である。
即ち、本発明の第１の手段は、  ＩＩＩ族窒化物系化合物半導体の結晶成長によって生成される半導体層を多数積層することにより形成され、インジウム（Ｉｎ）を含んだ半導体層を有して成る活性層を備えた、半導体素子の製造工程において、活性層よりも後から積層される少なくとも１層のｐ型半導体層の結晶成長温度を８２０℃以上９１０℃以下とし、このｐ型半導体層の原料ガスを運ぶキャリアガスとして、希ガス（Ｈｅ，Ｎｅ，Ａｒ，Ｋｒ，Ｘｅ，Ｒｎ）又は窒素ガス（Ｎ２  ）を用いることである。
【０００８】
ただし、上記のキャリアガスは、複数の元素ガスが混合された混合気体であっても良い。また、若干の水素ガス（Ｈ２  ）が含まれることがあっても特には差し支えない。
また、ここで言う「  ＩＩＩ族窒化物系化合物半導体」一般には、２元、３元、又は４元の「Ａｌ１−ｘ−ｙ  Ｇａｙ  Ｉｎｘ  Ｎ；０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１，０≦１−ｘ−ｙ≦１」成る一般式で表される任意の混晶比の半導体が含まれ、更に、ｐ型或いはｎ型の不純物が添加された半導体もまた、これらの「  ＩＩＩ族窒化物系化合物半導体」の範疇である。
【０００９】
また、上記の  ＩＩＩ族元素（Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ）の内の少なくとも一部をボロン（Ｂ）やタリウム（Ｔｌ）等で置換したり、或いは、窒素（Ｎ）の少なくとも一部をリン（Ｐ）、砒素（Ａｓ）、アンチモン（Ｓｂ）、ビスマス（Ｂｉ）等で置換したりした半導体等をもまた、これらの「  ＩＩＩ族窒化物系化合物半導体」の範疇とする。
【００１０】
また、上記のｐ型の不純物（アクセプター）としては、例えば、マグネシウム（Ｍｇ）や、或いはカルシウム（Ｃａ）等の公知のｐ型不純物を添加することができる。
また、上記のｎ型の不純物（ドナー）としては、例えば、シリコン（Ｓｉ）や、硫黄（Ｓ）、セレン（Ｓｅ）、テルル（Ｔｅ）、或いはゲルマニウム（Ｇｅ）等の公知のｎ型不純物を添加することができる。
また、これらの不純物（アクセプター又はドナー）は、同時に２元素以上を添加しても良いし、同時に両型（ｐ型とｎ型）を添加しても良い。
【００１１】
また、ｐ型半導体層の積層構造は、単層構造でも多層構造でも良い。即ち、上記のｐ型半導体層の積層構造としては、例えば、以下の様な構造のものなどが有用或いは可用である。
（構成例１）ＡｌＧａＮ層から成る単層構造のもの。
（構成例２）ＡｌＧａＮ層とＧａＮ層とを交互に略周期的に積層した多層構造のもの。
（構成例３）ＡｌＧａＮ層とＩｎＧａＮ層とを交互に略周期的に積層した多層構造のもの。
【００１２】
上記のｐ型半導体層の結晶成長温度は、従来のものよりも大幅に低いため、先に積層されている活性層が受ける熱的ダメージが大いに抑制される。このため、上記の製造方法に従えば、活性層の劣化が抑制されて、半導体素子の素子性能（入出力レベル）が大きく向上する。
【００１３】
また、上記のｐ型半導体層の結晶成長条件は、活性層の劣化を抑制するのみに留まらず、以下に仮定する作用１〜作用３の内の少なくとも何れか１つの作用をもたらすものであろうと推定され、例えばその様な作用などに基づいて、ｐ型層の低抵抗化をより効果的に実現することができたものと思われる。
【００１４】
（作用１）
キャリアガスとして水素（Ｈ２  ）を使用することを廃止したために、次の化学式（１）に基づくｐ型半導体層の半導体結晶中の  ＩＩＩ族元素の窒素脱離現象が比較的生じ難くなり、これにより、ｐ型半導体層の結晶性が良質に維持され易くなった。
【数１】
２ΛＮ  ＋  ３Ｈ２    →  ２Λ  ＋  ２ＮＨ３  
（Λは、結晶中のＧａ，Ａｌなどの任意の  ＩＩＩ族元素を表す）  …（１）
【００１５】
（作用２）
キャリアガスとして窒素（Ｎ２  ）を使用する場合、例えば以下の様な正孔補償作用が比較的生じ易くなるため、アクセプター原子（例：Ｍｇ）が従来よりも効果的に活性化できた。
【数２】
６ＭｇＨ  ＋  Ｎ２    →  ６Ｍｇ  ＋  ２ＮＨ３                  …（２）
【００１６】
（作用３）
ｐ型半導体層の半導体結晶中のアクセプター原子（例：Ｍｇ）の濃度は、高過ぎると半導体結晶の結晶性を劣化させることになり、また、この濃度が低過ぎると半導体結晶のｐ型化が不十分となって、同時に電気伝導性も不十分となり易い。しかしながら、上記のｐ型半導体層の結晶成長条件が何らかの形で良好に作用した結果、ｐ型半導体層の半導体結晶中のアクセプター原子の濃度を理想的な値にすることができた。
【００１７】
上記のキャリアガス（Ｈｅ，Ｎｅ，Ａｒ，Ｋｒ，Ｘｅ，Ｒｎ，Ｎ２  ）の中でも、特に窒素ガス（Ｎ２  ）については、上記の作用２を導く可能性が否定できず、更にコスト面でも有利である。
【００１８】
また、本発明の第２の手段は、上記の第１の手段において、ｐ型半導体層の結晶成長温度を８５０℃以上８９０℃以下とすることである。
即ち、ｐ型半導体層の結晶成長温度は、前述の温度（８２０℃以上９１０℃以下）の内でも、特に、８５０℃以上８９０℃以下に設定することがより望ましい。この様な温度設定により、更に高い素子性能を得ることができる。
【００１９】
また、第３の手段は、上記の第１又は第２の手段において、ｐ型クラッド層の膜厚を５０Å以上４００Å以下に積層することである。
より望ましくは、ｐ型クラッド層の膜厚は、１００Å〜２５０Å程度が良い。この膜厚が薄過ぎると、キャリヤー（電子）の閉じ込め効果が不十分となり望ましくない。或いは、ｐ型コンタクト層を形成するアクセプター原子が、ｐ型コンタクト層の結晶成長中や或いはアニール処理中等に熱拡散してしまい、そのアクセプター原子が活性層内に入り込む恐れが生じるので望ましくない。
【００２０】
また、この膜厚が厚過ぎると、高輝度発光に必要となる駆動電圧を十分には抑制できなくなるか、或いは、ｐ型クラッド層の結晶成長時間が必要以上に長く掛かり過ぎてしまう結果、より低温で結晶成長した活性層に熱的ダメージを与え易くなるか少なくとも生産性が悪くなり、何れの場合も望ましくない。
これらの事情から、ｐ型クラッド層の膜厚を５０Å以上４００Å以下、より望ましくは１００Å〜２５０Å程度に積層すると良い。これにより、より高い素子性能を比較的安い生産コストで効果的に得ることができる。
【００２１】
また、本発明の第４の手段は、上記の第１乃至第３の何れか１つの手段の活性層の構造を、インジウム（Ｉｎ）を含んだ半導体層を井戸層としたＭＱＷ構造にすることである。
更に、この様な構成に従えば、周知のＭＱＷ構造の作用・効果により、より効果的に半導体素子の素子性能を向上させることができる。
以上の本発明の手段により、前記の課題を効果的、或いは合理的に解決することができる。
【００２２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を具体的な実施例に基づいて説明する。ただし、本発明は以下に示す実施例に限定されるものではない。
（第１実施例）
図１は、サファイア基板１上に形成された  ＩＩＩ族窒化物系化合物半導体で形成された発光素子１０の模式的な断面構成図である。基板１の上には窒化アルミニウム（  ＡｌＮ）から成る膜厚約２５ｎｍのバッファ層２が設けられ、その上にはシリコン（  Ｓｉ）  ドープのＧａＮから成る膜厚約４．０  μｍのｎ型コンタクト層３（ｎ型の高キャリア濃度層）が形成されている。
【００２３】
そして、ｎ型コンタクト層３の上に、ノンドープのＧａＮから成る膜厚１０５Åのｎ型クラッド層４（低キャリア濃度層）が形成されている。更に、その上には、膜厚約３５ÅのＩｎ０．３０Ｇａ０．７０Ｎから成る井戸層５１と膜厚約７０ÅのＧａＮから成るバリア層５２とが交互に合計５層積層されたＭＱＷ構造の活性層５が形成されている。また、この活性層５の上には、Ｍｇドープのｐ型Ａｌ０．１５Ｇａ０．８５Ｎから成る膜厚約５０ｎｍのｐ型クラッド層６が形成されている。更に、ｐ型クラッド層６の上にはＭｇドープのｐ型ＧａＮから成る膜厚約１００ｎｍのｐ型コンタクト層７が形成されている。
【００２４】
又、ｐ型コンタクト層７の上には金属蒸着による透光性の電極９が、ｎ型コンタクト層３上には電極８が形成されている。透光性の電極９は、ｐ型コンタクト層７に接合する膜厚約４０Åのコバルト（  Ｃｏ）  と、このＣｏに接合する膜厚約６０Åの金（  Ａｕ）  とで構成されている。電極８は膜厚約２００  Åのバナジウム（Ｖ）  と膜厚約１．８  μｍのアルミニウム（  Ａｌ）  又はＡｌ合金で構成されている。
【００２５】
次に、この発光素子１０の製造方法について説明する。
上記発光素子１０は、有機金属気相成長法（以下「ＭＯＶＰＥ」と略す）による気相成長により製造された。用いられたガスは、アンモニア（ＮＨ３）  、キャリアガス（  Ｈ２  ，  Ｎ２  ）  、トリメチルガリウム（  Ｇａ（ＣＨ３）３）  （以下「ＴＭＧ」と記す）、トリメチルアルミニウム（  Ａｌ（ＣＨ３）３）  （以下「ＴＭＡ」と記す）、トリメチルインジウム（  Ｉｎ（ＣＨ３）３）  （以下「ＴＭＩ」と記す）、シラン（  ＳｉＨ４）  とシクロペンタジエニルマグネシウム（  Ｍｇ（Ｃ５Ｈ５）２）（以下「ＣＰ２  Ｍｇ」と記す）である。
【００２６】
まず、有機洗浄及び熱処理により洗浄したａ面を主面とした単結晶の基板１をＭＯＶＰＥ装置の反応室に載置されたサセプタに装着する。次に、常圧でＨ２  を流速２リットル／分で約３０分間反応室に流しながら温度１１００℃で基板１をベーキングした。
【００２７】
次に、温度を４００  ℃まで低下させて、Ｈ２  を２０リットル／分、ＮＨ３  を１０リットル／分、ＴＭＡを１．８  ×１０−５モル／分で供給してＡｌＮから成るバッファ層２を約２５ｎｍの膜厚に形成した。
次に、基板１の温度を１１５０℃に保持し、Ｈ２  を２０リットル／分、ＮＨ３  を１０リットル／分、ＴＭＧを１．７  ×１０−４モル／分、Ｈ２  ガスにより０．８６ｐｐｍ  に希釈されたシランを２×１０−７モル／分で供給し、膜厚約４．０μｍ、電子濃度２×１０１８／ｃｍ３  、Ｓｉ濃度４  ×１０１８／ｃｍ３  のＧａＮから成るｎ型コンタクト層３を形成した。
【００２８】
その後、基板１の温度を１１５０℃に保持して、Ｈ２  を２０リットル／分、ＮＨ３  を１０リットル／分、ＴＭＧを１．７  ×１０−４モル／分で供給し、ノンドープのＧａＮから成る膜厚１０５Åのｎ型クラッド層４（低キャリア濃度層）を形成した。
【００２９】
そして、上記のｎ型クラッド層４を形成した後、合計５層から成る前記のＭＱＷ構造（図１）の活性層５を形成した。
即ち、まず最初に、基板１の温度を７３０℃まで低下させ、それと同時にＨ２  からＮ２  にキャリアガスを変更し、このキャリアガスとＮＨ３  の供給量を維持しながら、ＴＭＧを３．１×１０−６モル／分、ＴＭＩを０．７×１０−６モル／分で供給することにより、膜厚約３５ÅのＩｎ０．３０Ｇａ０．７０Ｎから成る井戸層５１をｎ型クラッド層４の上に形成した。
【００３０】
次に、基板１の温度を８８５℃にまで昇温し、上記の井戸層５１上に、Ｎ２  を２０リットル／分、ＮＨ３  を１０リットル／分、ＴＭＧを１．２×１０−５モル／分で供給して、膜厚約７０ÅのＧａＮから成るバリア層５２を形成した。
以下、これを繰り返して、井戸層５１とバリア層５２とを交互に積層し、合計５層（井戸層５１、バリア層５２、井戸層５１、バリア層５２、最後の井戸層５１）から成る前記の活性層５を形成した。
【００３１】
（ｐ型クラッド層６の結晶成長）
その後、基板１の温度を８９０℃に昇温し、Ｎ２  を１０リットル／分、ＴＭＧを１．６×１０−５モル／分、ＴＭＡを６×１０−６モル／分、ＣＰ２  Ｍｇを４×１０−７モル／分で供給して、膜厚約２００Å、濃度５×１０１９／ｃｍ３  のマグネシウム（Ｍｇ）をドープしたｐ型Ａｌ０．１５Ｇａ０．８５Ｎから成るｐ型クラッド層６を形成した。
【００３２】
（ｐ型コンタクト層７の結晶成長）
最後に、基板１の温度を１０００℃に昇温し、同時にキャリアガスを再びＨ２  に変更し、Ｈ２  を２０リットル／分、ＮＨ３  を１０リットル／分、ＴＭＧを１．２×１０−４モル／分、ＣＰ２  Ｍｇを２×１０−５モル／分で供給して、膜厚約８５ｎｍ、濃度５×１０１９／ｃｍ３  のＭｇをドープしたｐ型ＧａＮから成るｐ型コンタクト層７を形成した。
以上に示した工程が、  ＩＩＩ族窒化物系化合物半導体から成る各半導体層の結晶成長工程である。
【００３３】
以上の結晶成長工程の後、ｐ型コンタクト層７の上にエッチングマスクを形成し、所定領域のエッチングマスクを除去して、エッチングマスクで覆われていない部分のｐ型コンタクト層７、ｐ型クラッド層６、活性層５、ｎ型クラッド層４、及びｎ型コンタクト層３の一部を塩素を含むガスによる反応性イオンエッチングによって浸食して、ｎ型コンタクト層３の表面を露出させた。
【００３４】
次に、エッチングマスクを残した状態で、全面にフォトレジストを塗布し、フォトリソグラフィによりｎ型コンタクト層３の露出面上の所定領域に窓を形成し、１０−４Ｐａオーダ以下の高真空に排気した後、膜厚約２００Åのバナジウム（Ｖ）  と膜厚約１．８  μｍのＡｌを蒸着する。この後、フォトレジスト及びエッチングマスクを除去する。
【００３５】
続いて、表面上にフォトレジストを塗布し、フォトリソグラフによりｐ型コンタクト層７上の電極形成部分のフィトレジストを除去して窓を形成し、ｐ型コンタクト層７を露出させる。露出させたｐ型コンタクト層７の上に、１０−４Ｐａオーダ以下の高真空に排気した後、Ｃｏを膜厚約４０Åに成膜し、このＣｏ上にＡｕを膜厚約６０Åに成膜する。次に、試料を蒸着装置から取り出し、リフトオフ法によりフォトレジスト上に堆積したＣｏとＡｕとを除去し、ｐ型コンタクト層７に対する透光性の電極９を形成する。
【００３６】
この後、試料雰囲気を真空ポンプで排気し、Ｏ２  ガスを供給して圧力３Ｐａとし、その状態で雰囲気温度を約５５０℃にして、３分程度、加熱し、ｐ型コンタクト層７、ｐ型クラッド層６をｐ型低抵抗化すると共に、ｐ型コンタクト層７と電極９との合金化処理、ｎ型コンタクト層３と電極８との合金化処理を行った。このようにして、ｎ型コンタクト層３に対する電極８とｐ型コンタクト層７に対する電極９を形成した。
【００３７】
（本実施例の効果）
ｐ型クラッド層６の結晶成長条件だけを上記実施例の結晶成長条件から変更することにより、上記の実施例と比較可能なモデル実験を実施した。
図２は、それらの比較用モデル実験の各種の実施条件と実施結果（ＬＥＤの輝度）を開示する表である。この表から、本発明に基づく上記の実施例では、従来の製造方法で製造されたＬＥＤに対して、約１．２倍の高輝度の素子性能を達成することができたことが判る。
【００３８】
これらの実験結果から、発光素子（ＬＥＤ）の素子性能（輝度）を向上させるに当って、少なくともｐ型クラッド層６の結晶成長条件に関しては、以下の（１），（２）が結論できる。
（１）キャリアガスとしては、水素ガス（Ｈ２  ）よりも窒素ガス（Ｎ２  ）を用いた方が良い。
これは、キャリアガスの変更によって、ｐ型不純物であるアクセプター原子（Ｍｇ）が、ｐ型層の結晶性を悪化させない程度とりこまれ、かつ、ｐ型層に必要な高活性化率が実現できた結果だと考えられる。また、窒素ガス（Ｎ２  ）の他にも、希ガスや、希ガスと窒素ガスとの混合ガス等を用いても良い。
【００３９】
（２）結晶成長温度は、８５０℃〜８９０℃が最適である。
ｐ型クラッド層６の結晶成長温度は、従来のものよりも大幅に低いため、先に積層されている活性層が受ける熱的ダメージが大いに抑制される。このため、上記の製造方法に従えば、活性層の劣化が抑制されて、半導体受光素子の素子性能が大きく向上したものと考えられる。
【００４０】
（その他の変形例）
尚、「活性層よりも後から積層される少なくとも１層のｐ型半導体層の結晶成長温度を８２０℃以上９１０℃以下とし、このｐ型半導体層の原料ガスを運ぶキャリアガスとして、希ガス（Ｈｅ，Ｎｅ，Ａｒ，Ｋｒ，Ｘｅ，Ｒｎ）又は窒素ガス（Ｎ２  ）を用いる」際のｐ型半導体層は、特段ｐ型クラッド層に限定されるものではない。その際のｐ型半導体層は、ｐ型コンタクト層のみであっても良いし、全てのｐ型半導体層であっても良い。
【００４１】
ただ、通常は、ｐ型クラッド層の方がｐ型コンタクト層よりも厚く（即ち、長時間に渡って）積層され、また、ｐ型クラッド層の方が活性層に近いので、一般的に言ってｐ型クラッド層の結晶成長条件の方が、活性層を良質に維持する上で重要となる。
しかし、例え比較的短い時間であっても、活性層の温度を活性層の結晶成長温度よりも高くすることは、活性層の劣化防止の観点から言えば、勿論望ましいことではない。
【００４２】
したがって、活性層の劣化防止の観点から言えば、ｐ型コンタクト層の結晶成長条件も、できるだけ低温又は短時間にとすると良い。
これらの結晶成長条件は、勿論、個々に独立であったり個々に画一的であったりはしないが、例えば上記の実施例の様に、ｐ型コンタクト層の結晶成長温度は、従来の１１００℃よりも１０００℃の方が望ましく、また、ｐ型コンタクト層の膜厚も従来の１００ｎｍよりも８５ｎｍの方が望ましい等の断片的諸傾向が見られる場合が少なくなく、例えばこの様な、活性層に対する熱的ダメージを抑制する結晶成長条件（結晶成長温度や結晶成長時間）の設定によっても、発光素子の素子性能を向上させることができる。
【００４３】
また、活性層の結晶品質を高温から守るその他の手法としては、例えば、特許第３０６４８９１号や、或いは前記の特許文献３等に開示されている技法等が既に公知である。
本発明は、これらの従来技法の併用を何ら妨げるものではないので、これらの従来技術は、必要な場合には同時に実施することが望ましい。
即ち、上記の実施例においても、例えば以下の（１）〜（４）等の周知の結晶成長技法を併用することができる。
【００４４】
（１）最終的に半導体素子の一部を形成する半導体層として残る、残留型キャップ層を活性層とｐ型半導体層との間に積層する活性層キャップ工程を設ける。
（２）インジウム（Ｉｎ）を含んだ半導体層の上面から成る結晶成長面の温度を、次に積層すべき半導体層の結晶成長温度にまで昇温している間に全て又は殆ど揮発してしまう消滅型キャップ層を各井戸層の直ぐ上に積層する井戸層被覆工程を設ける。
（３）インジウム（Ｉｎ）を含んだ半導体層から上記の消滅型キャップ層を形成する。
（４）上記の井戸層被覆工程において、井戸層と略同組成の半導体を結晶成長させることにより、消滅型キャップ層を積層する。
【００４５】
例えば、上記の様に各井戸層上に消滅型キャップ層を形成した後にバリア層を形成すれば、昇温過程でそれらの消滅型キャップ層が熱分解して除去されるが、井戸層はダメージを受けることがないので、各井戸層の結晶性を損なうことなく、均一な膜厚を形成することができる。
即ち、これらのような公知の補足的手段を併用することによっても、更に、活性層のダメージを軽減できたり、延いては、素子のエネルギー効率を向上させたりできる場合がある。
【００４６】
また、上記の実施例では、バリア層５２の組成をＧａＮとしたが、より一般には、バリア層５２には、井戸層５１よりもバンドギャップの広い「Ａｌ（１−ｘ１−ｙ１）  Ｇａｙ１Ｉｎｘ１Ｎ（０≦ｘ１＜１，０≦ｙ１≦１）」より成る２元、３元、又は４元の  ＩＩＩ族窒化物系化合物半導体を用いることができる。また、上記の実施例では、発光素子１０の活性層５をＭＱＷ構造（多重量子井戸構造）としたが、活性層５の構造はＳＱＷ構造（単一量子井戸構造）としてもよい。
また、本発明はＬＥＤやＬＤなどの発光素子や、或いは半導体受光素子にも適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の製造方法を用いて得られた発光素子の構成を示した模式図。
【図２】比較用モデル実験の各種の実施条件と実施結果を開示する表。
【符号の説明】
１０  …  発光素子
１  …  サファイア基板
２  …  バッファ層
３  …  ｎ型コンタクト層（ｎ型の高キャリア濃度層）
４  …  ｎ型クラッド層（ノンドープ低キャリア濃度層）
５  …  活性層
５１…  井戸層
５２…  バリア層
６  …  ｐ型クラッド層
７  …  ｐ型コンタクト層
８  …  電極
９  …  透光性電極
【図１】
2004363401.tif 000003
【図２】
2004363401.tif 000004