(57)【要約】【課題】過電流保護回路の比較器の動作テストを正確に行える過電流保護回路を提供する。【解決手段】被保護回路の注目する回路素子における電圧降下量を表す信号と、基準となる電圧降下量を表す信号とを比較することにより過電流の発生を判断する比較手段と、上記注目する回路素子に流れる電流量が基準電流値を超えた場合に電流量を制限する制限手段と、上記注目する回路素子の出力端に設けた端子と、上記比較手段の動作をテストするための信号の上記端子への入力に応じて、テスト信号を生成するテスト信号生成手段と、上記テスト信号生成手段によるテスト信号の生成時に上記注目する回路素子への給電を停止すると共に、上記端子に入力されるテスト信号に対する上記比較手段における比較結果を外部に出力するテスト用の切り換え回路を備えることを特徴とする。【選択図】　図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
被保護回路の注目する回路素子における電圧降下量を表す信号と、基準となる電圧降下量を表す信号とを比較することにより上記注目する回路素子に流れる電流量が基準電流値を超えたか否かを判断する比較手段と、
上記比較手段が上記注目する回路素子に流れる電流量が基準電流値を超えたと判断した場合に、上記注目する回路素子に流れる電流量を制限する制限手段と、
上記注目する回路素子の出力端に設けた端子と、
上記比較手段の動作をテストするための信号の上記端子への入力に応じて、テスト信号を生成するテスト信号生成手段と、
上記テスト信号生成手段によるテスト信号の生成時に上記注目する回路素子への給電を停止すると共に、上記端子に入力されるテスト信号に対する上記比較手段における比較結果を外部に出力するテスト用の切り換え回路を備えることを特徴とする過電流保護回路。
【請求項２】
請求項１に記載の過電流保護回路において、
上記比較手段は、定電圧が入力される回路素子を注目する回路素子とし、当該注目する回路素子の出力電位を上記電圧降下量を表す信号とし、当該注目する回路素子の出力電位と基準電圧降下量を表す信号とを比較することにより上記注目する回路素子に流れる電流量が基準電流値を超えたか否かを判断する過電流保護回路。
【請求項３】
請求項２に記載の過電流保護回路において、
上記被保護回路が直流変換回路であり、
上記注目する回路素子が直流変換回路を構成する半導体スイッチであり、
上記比較手段は、上記半導体スイッチの出力電位を電圧降下量を表す信号とし、基準電圧降下量を表す信号と比較することにより、当該半導体スイッチに流れる電流量が基準電流値を超えたか否かを判断し、
上記テスト用の切り換え回路は、上記テスト信号生成手段によるテスト信号の生成時に上記半導体スイッチをオフに切り換えると共に、上記端子に入力されるテスト信号に対する上記比較手段における比較結果を外部に出力する過電流保護回路。
【請求項４】
請求項３に記載の過電流保護回路と、上記直流変換回路の内、少なくとも半導体スイッチと、上記直流変換回路の出力電圧に基づいて、上記半導体スイッチのオン時間及びオフ時間を制御して当該半導体スイッチを通過する平均電力を予定値とするためのクロック信号を上記半導体スイッチのゲートに出力するクロック発生回路と、上記半導体スイッチの出力端子、上記クロック発生回路へ直流変換回路の出力電圧をクロック発生回路にフィードバックするための端子、及び、上記比較器における比較結果を外部に出力する端子とを備え、
上記テスト信号生成手段は、上記直流変換回路の出力電圧をクロック発生回路にフィードバックするための端子が開放され、かつ、上記比較手段の動作をテストするための信号が上記注目する回路素子の端子に入力された場合にテスト信号を生成することを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１に記載の過電流保護回路の動作テストの方法であって、
上記比較手段の動作をテストするための信号として上記基準となる電圧降下量より大きな電圧値から徐々に減少するスィープ電圧を上記端子へ入力して上記テスト信号生成手段にテスト信号を生成させ、
上記テスト用の切り換え回路により、上記テスト信号生成手段によるテスト信号の生成時に上記注目する回路素子への給電を停止すると共に、上記端子に入力されるスィープ電圧に対する上記比較手段における比較結果を直接外部に出力するように回線を切り換え、
上記回線の切り換え後、外部に直接出力される比較手段の比較結果が変化した時の上記スィープ電圧の値に基づいて上記比較器が正確に動作しているか否かを判断することを特徴とする過電流保護回路の動作テストの方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、直流変換回路等に設けられる過電流保護回路に関する。
【０００２】
【従来の技術】
直流チョッパ回路などの半導体スイッチを用いる直流変換回路には、上記半導体スイッチの故障などの原因により下流の被保護回路に過電流が流れ込むのを防ぐ過電流保護回路を備えるものが知られている（例えば、特許文献１を参照）。
【０００３】
【特許文献１】
特開２００２−８４７４２号公報
【０００４】
過電流保護回路は、一般的に、上記被保護回路に流れ込む電流値を検知し、検知した電流値と基準値との比較を行う比較器と、上記比較器による比較の結果、電流値が基準値を超えた場合に、上記被保護回路に流れる電流量を制限する電流制限回路とで構成される。
【０００５】
以下、過電流保護回路を備える周知の直流変換回路の構成及び動作、並びに、そのテスト方法について説明する。図３は、直流変換回路Ｃ２を示す図である。直流変換回路Ｃ２は、点線で囲んで示すように、直流チョッパ回路Ｃ２−１及び過電流保護回路Ｃ２−２で構成される。なお、実際の直流変換回路Ｃ２は、直流チョッパ回路Ｃ２−１の一部と過電流保護回路Ｃ２−２、即ち、実線で囲んで示す回路で成る半導体装置３００にダイオード３５０、リアクタンス３５１、出力コンデンサ３５２、及び、負荷３５３を接続したものとして構成される。
【０００６】
直流チョッパ回路Ｃ２−１は、周知の直流チョッパ回路であり、端子３３１を介して入力される点Ｐ１の電位に基づくＰＷＭクロック信号を出力するクロック発生回路３０１、過電流保護回路Ｃ２−２が働いていない時、即ち、ＡＮＤゲート３０２が入力されるクロック信号を全て通過させている時、上記クロック発生回路３０１の出力するクロック信号に基づいて半導体スイッチ３０４をオン／オフする駆動信号を出力するドライブ回路３０３、ソースに電源ＶＤＤＢが印加され、ゲートに上記ドライブ回路３０３の出力が入力されるＰチャンネル型ＭＯＳＦＥＴである半導体スイッチ３０４、並びに、当該半導体スイッチ３０４のドレインに図示するように接続されるダイオード３５０、リアクタンス３５１、出力用コンデンサ３５２、及び負荷３５３で成る。
【０００７】
半導体スイッチのソース・ドレイン間の電位差は、当該半導体スイッチがオンの時に流れる電流が多いほど大きくなる。半導体スイッチ３０４は、８００ｍＡの電流が流れた場合にソース・ドレイン間の電位差が０．４Ｖとなるものを使用する。
【０００８】
ＰＷＭクロック発生回路３０１は、点Ｐ１の電位に基づいて出力するＰＷＭクロック信号を調整して半導体スイッチ３０４のオン時間及びオフ時間を制御し、端子３６０の出力電位Ｖｏｕｔを予定値とする。
【０００９】
過電流保護回路Ｃ２−２は、半導体スイッチ３０４のドレイン端子における電位を検出して基準値ＶＤＤＢ−０．４ｖと比較を行う比較器３０７、半導体スイッチ３０４がオフの時に比較器３０７の出力値をＨｉｇｈレベルにクランプするクランプ回路３１５（半導体スイッチ３０５及びインバータ３０６で成る）、及び比較器３０７の出力がＬｏｗレベルに切り換った場合にＬｏｗレベルの信号を出力してＡＮＤゲート３０２を閉じる（クロック信号を通過させない）ラッチ回路３０８で構成される。
【００１０】
半導体スイッチ３０４のドレイン電流が８００ｍＡ以上になりソース・ドレイン間の電位差が０．４Ｖを超えてドレイン電極側の電位がＶＤＤＢ−０．４Ｖより小さくなると、比較器３０７の出力がＨｉｇｈレベルからＬｏｗレベルに切り換る。これによりラッチ回路３０８がラッチされＬｏｗレベルの信号をＡＮＤゲート３０２に出力する。当該Ｌｏｗレベルの信号の入力を受けて、ＡＮＤゲート３０２は、クロック発生回路３０１の出力によらずＬｏｗレベルの信号を出力する。ドライブ回路３０３は、Ｌｏｗレベルの信号入力に応じてＨｉｇｈレベルの信号を出力し、半導体スイッチ３０４をオフに切り換える。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
直流チョッパ回路Ｃ２−１を過電流から精度良く保護するには、比較器３０７が正確にＶＤＤＢ−０．４Ｖを基準値とする判断を行っていることが必要になる。このため、直流変換回路Ｃ２用に半導体装置３００を販売する前に上記比較器３０７において上記基準値による正確な判断が行われているか否かをテストする必要がある。
【００１２】
この場合、直流チョッパ回路Ｃ２−１を動作させて端子３３０に流れる電流を８００ｍＡにした時の端子３３０の電位を電圧計（図示せず）により測定することにより過電流保護回路Ｃ２−２が正常に動作しているか否かを判断することが考えられる。
【００１３】
しかし、半導体装置３００の端子３３０と電圧計の接点における抵抗値は、普通の回路で０．２Ω〜０．３Ω程度あり、電流値が８００ｍＡの場合、接点３３０における電圧降下量は０．１６Ｖ〜０．２４Ｖ程度となり、基準電圧ＶＤＤＢの電圧降下量である０．４Ｖに比べて無視できない程の大きな測定誤差を生じる。このため、測定値に基づいて比較器３０７が正常に動作しているか否かを判断することはできない。
【００１４】
本発明は、直流変換回路等の被保護回路の備える過電流保護回路の比較器の動作テストを正確に行うことのできる過電流保護回路を提供することを目的とする。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
本発明の第１の過電流保護回路は、被保護回路の注目する回路素子における電圧降下量を表す信号と、基準となる電圧降下量を表す信号とを比較することにより上記注目する回路素子に流れる電流量が基準電流値を超えたか否かを判断する比較手段と、上記比較手段が上記注目する回路素子に流れる電流量が基準電流値を超えたと判断した場合に、上記注目する回路素子に流れる電流量を制限する制限手段と、上記注目する回路素子の出力端に設けた端子と、上記比較手段の動作をテストするための信号の上記端子への入力に応じて、テスト信号を生成するテスト信号生成手段と、上記テスト信号生成手段によるテスト信号の生成時に上記注目する回路素子への給電を停止すると共に、上記端子に入力されるテスト信号に対する上記比較手段における比較結果を外部に出力するテスト用の切り換え回路を備えることを特徴とする。
【００１６】
本発明の第２の過電流保護回路は、上記第１の過電流保護回路において、上記比較手段は、定電圧が入力される回路素子を注目する回路素子とし、当該注目する回路素子の出力電位を上記電圧降下量を表す信号とし、当該注目する回路素子の出力電位と基準電圧降下量を表す信号とを比較することにより上記注目する回路素子に流れる電流量が基準電流値を超えたか否かを判断することを特徴とする。
【００１７】
本発明の第３の過電流保護回路は、上記第２の過電流保護回路において、上記被保護回路が直流変換回路であり、上記注目する回路素子が直流変換回路を構成する半導体スイッチであり、上記比較手段は、上記半導体スイッチの出力電位を電圧降下量を表す信号とし、基準電圧降下量を表す信号と比較することにより、当該半導体スイッチに流れる電流量が基準電流値を超えたか否かを判断し、上記テスト用の切り換え回路は、上記テスト信号生成手段によるテスト信号の生成時に上記半導体スイッチをオフに切り換えると共に、上記端子に入力されるテスト信号に対する上記比較手段における比較結果を外部に出力することを特徴とする。
【００１８】
本発明の半導体装置は、上記第３の過電流保護回路と、上記直流変換回路の内、少なくとも半導体スイッチと、上記直流変換回路の出力電圧に基づいて、上記半導体スイッチのオン時間及びオフ時間を制御して当該半導体スイッチを通過する平均電力を予定値とするためのクロック信号を上記半導体スイッチのゲートに出力するクロック発生回路と、上記半導体スイッチの出力端子、上記クロック発生回路へ直流変換回路の出力電圧をクロック発生回路にフィードバックするための端子、及び、上記比較器における比較結果を外部に出力する端子とを備え、上記テスト信号生成手段は、上記直流変換回路の出力電圧をクロック発生回路にフィードバックするための端子が開放され、かつ、上記比較手段の動作をテストするための信号が上記注目する回路素子の端子に入力された場合にテスト信号を生成することを特徴とする。
【００１９】
本発明の過電流保護回路の動作テストの方法は、上記第１の過電流保護回路の動作テストの方法であって、上記比較手段の動作をテストするための信号として上記基準となる電圧降下量より大きな電圧値から徐々に減少するスィープ電圧を上記端子へ入力して上記テスト信号生成手段にテスト信号を生成させ、上記テスト用の切り換え回路により、上記テスト信号生成手段によるテスト信号の生成時に上記注目する回路素子への給電を停止すると共に、上記端子に入力されるスィープ電圧に対する上記比較手段における比較結果を直接外部に出力するように回線を切り換え、上記回線の切り換え後、外部に直接出力される比較手段の比較結果が変化した時の上記スィープ電圧の値に基づいて上記比較器が正確に動作しているか否かを判断することを特徴とする。
【００２０】
【発明の実施の形態】
以下、実施の形態に係る過電流保護回路を備える直流変換回路Ｃ１の構成及び動作について説明する。図１は、直流変換回路Ｃ１の回路図である。直流変換回路Ｃ１は、点線で囲んで示すように、直流チョッパ回路Ｃ１−１及び過電流保護回路Ｃ１−２で構成される。なお、実際の直流変換回路Ｃ１は、実線で囲んで示す半導体装置１００にダイオード３５０、リアクタンス３５１、出力コンデンサ３５２、及び、負荷３５３を図示するように接続したものとして構成される。
【００２１】
直流チョッパ回路Ｃ１−１は、周知の直流チョッパ回路であり、点Ｐ１の電位に基づくＰＷＭクロック信号を出力するクロック発生回路１０１、過電流保護回路Ｃ１−２が働いていない時、即ち、ＡＮＤゲート１０２が入力されるクロック信号を全て通過させている時に上記クロック発生回路１０１の出力するＰＷＭクロック信号に基づいて半導体スイッチ１０４をオン／オフする駆動信号を出力するドライブ回路１０３、ソースに電源ＶＤＤＢが印加され、ゲートに上記ドライブ回路１０３の駆動信号が印加されるＰチャンネル型ＭＯＳＦＥＴである半導体スイッチ１０４、並びに、上記半導体スイッチ１０４のドレインに図示するように接続されるダイオード３５０、リアクタンス３５１、出力用コンデンサ３５２、及び負荷３５３で成る。
【００２２】
半導体スイッチは、一定のオン抵抗を有しており、オンの時に流れる電流に比例してソース・ドレイン間の電位差が大きくなる。半導体スイッチ１０４には、８００ｍＡの電流が流れた場合にソース・ドレイン間の電位差が０．４Ｖとなるものを使用する。
【００２３】
上記構成の直流チョッパ回路Ｃ１−１において、ＰＷＭクロック発生回路１０１は、点Ｐ１の電位に基づいて出力するＰＷＭクロック信号を調整して半導体スイッチ１０４のオン時間及びオフ時間を制御し、端子３６０の出力電位Ｖｏｕｔを予定値にする。
【００２４】
過電流保護回路Ｃ１−２は、テスト実行時にＬｏｗレベルのテスト信号を生成するＯＲゲート１０５、当該ＯＲゲート１０５から出力されるＬｏｗレベルのテスト信号をラッチするラッチ回路１０６、テスト非実行時に動作して半導体スイッチ１０４がオフの時に比較器１１２の出力値をＨｉｇｈレベルにクランプするクランプ回路１０９、半導体スイッチ１０４のドレイン電極の電位と基準値ＶＤＤＢ−０．４Ｖとの比較を行う比較器１１２、テスト非実行時に比較器１１２の出力がＬｏｗレベルに切り換った場合にＬｏｗレベルの信号を出力してＡＮＤゲート１０２を閉じる（クロック信号を通過させない）ラッチ回路１１３、及び、テスト非実行時に比較器１１２の出力がＬｏｗレベルに切り換ったことを表す信号ＶＬＩＭを出力すると共にテスト実行時に比較器１１２の出力をそのまま信号ＶＬＩＭとして出力する回線切り換え回路１２１で構成される。
【００２５】
ＯＲゲート１０５は、端子１５１が開放されると共に、端子１５０にテスト電圧発生回路２００からテスト用の電圧（Ｈｉｇｈレベル）が供給された場合にＬｏｗレベルのテスト信号を生成する。ＯＲゲート１０５から出力されるＬｏｗレベルのテスト信号は、ラッチ回路１０６を構成するＡＮＤゲート１０７の一方の信号入力端子に入力される。
【００２６】
ラッチ回路１０６は、互いの出力が信号入力端子に入力されているＡＮＤゲート１０７及びＮＯＲゲート１０８で構成される。ＮＯＲゲート１０８の残りの信号入力端子には、リセット信号ＲＥＳＥＴが入力されている。ラッチ回路１０６は、リセット後、Ｈｉｇｈレベルの信号を出力しており、入力されるＬｏｗレベルのテスト信号をラッチする。ラッチ回路１０６より出力されるテスト信号は、クランプ回路１０９を構成するＮＡＮＤゲート１１１の他、ＡＮＤゲート１０２、ラッチ回路１１３を構成するＮＡＮＤゲート１１４、及び、回線切り換え回路１２１を構成するインバータ１１８に入力される。
【００２７】
クランプ回路１０９は、Ｐチャンネル型のＭＯＳＦＥＴである半導体スイッチ１１０及び当該スイッチのゲートに接続されるＮＡＮＤゲート１１１で構成される。２入力ＮＡＮＤゲートの各信号入力端子には、ドライブ回路１０３の出力する駆動信号とラッチ回路１０６の出力するテスト信号が入力される。当該構成のクランプ回路１０９では、テスト実行時、即ちラッチ回路１０６からＬｏｗレベルのテスト信号が出力されている時、半導体スイッチをオフにしてクランプ動作を停止する。他方、テスト非実行時、即ち、ラッチ回路１０６の出力するテスト信号がＨｉｇｈレベルの時、クランプ回路１０９は、ドライブ回路１０３の出力する駆動信号に基づいてクランプ動作を行う。
【００２８】
ラッチ回路１１３は、比較器１１２の出力が入力されるインバータ１１６、当該インバータ１１６及びＮＯＲゲート１１７の出力が入力されるＯＲゲート１１５、ＯＲゲート１１５の出力及びテスト信号が入力されるＮＡＮＤゲート１１４、ＮＡＮＤゲート１１４の出力及びリセット信号ＲＥＳＥＴの入力されるＮＯＲゲート１１７で構成される。上記構成のラッチ回路１１３では、テスト実行時、即ち、Ｌｏｗレベルのテスト信号がＮＡＮＤゲート１１４に入力されている時には、無条件にＨｉｇｈレベルの信号を出力する。他方、テスト非実行時には、比較器１１２の出力がＨｉｇｈレベルからＬｏｗレベルに切り換った時にＨｉｇｈレベルの信号を出力する。
【００２９】
回線切り換え回路１２１は、テスト信号の入力されるインバータ１１８、比較器１１２の出力及びインバータ１１８の出力の入力されるＮＡＮＤゲート１１９、並びに、ＮＡＮＤゲート１１９の出力及びラッチ回路１１３の出力が入力されるＡＮＤゲート１２０で構成される。上記構成の回線切り換え回路１２１は、テスト実行時、即ちＬｏｗレベルのテスト信号入力時には、比較器１１２の出力を端子１５２に出力する。テスト非実行時には、ラッチ回路１１３の出力を端子１５２に出力する。
【００３０】
上記構成の過電流保護回路Ｃ１−２では、テスト実行時、半導体スイッチ１０４をオフにすると共に、比較器１１２の出力をそのまま端子１５２に出力することができる。
【００３１】
図２は、上記直流変換回路Ｃ１を構成する半導体装置１００を利用して過電流保護回路Ｃ１−２の備える比較器１１２の動作テストを行う場合の回路を示す図である。図示するように、半導体装置１００の端子１５０にテスト電圧発生回路２００の出力端子２０１及び電圧計２１０の測定端子２１１を接続する。電圧計２１０のセット端子２１２は、端子１５２に接続されている。端子１５１は開放しておく。テスト実行時、テスト電圧発生回路２００は、ＶＤＤＢから徐々に減少するスィープ電圧を出力する。電圧計２１０は、セット端子２１２にＨｉｇｈレベルのＶＬＩＭ信号が入力された時にテスト電圧発生回路２００が出力している電圧値を記憶し、表示する。
【００３２】
なお、上記電圧計２１０を構成する測定部２１０ａは、測定端子２１１に印加される電圧を測定する。レジスタ２１０ｂは、セット端子２１２にＨｉｇｈレベルのＶＬＩＭ信号の入力された時の上記測定部２１０ａの測定値を記憶する。表示部２１０ｃは、上記レジスタ２１０ｂに記憶した測定値を表示する。
【００３３】
以下、図２に示すように比較器１１２のテスト用の配線を施した後の比較器１１２のテストの手順を説明する。まず、テスト電圧発生回路２００から電源電圧ＶＤＤＢから次第に減少するスィープ電圧を出力する。２入力のＯＲゲート１０５には、端子１５０を介してテスト電圧発生回路２００が出力するスィープ電圧が入力されると共に、開放されている端子１５１からＬｏｗレベルの信号が入力される。上述するように、スィープ電圧の初期値はＶＤＤＢであり、Ｈｉｇｈレベルの信号に相当する。このため、ＯＲゲート１０５は、テスト開始に伴いＬｏｗレベルのテスト信号を出力する。ラッチ回路１０６は、ＯＲゲート１０５の出力するＬｏｗレベルのテスト信号をラッチし、当該Ｌｏｗレベルのテスト信号をＮＡＤゲート１１１、ＮＡＮＤゲート１１４及びインバータ１１８に出力する。上述したように、これらの回路素子は、Ｌｏｗレベルのテスト信号の入力を受けて比較器１１２の出力がそのまま端子１５２に出力される回路を形成する。また、この際、半導体スイッチ１０４は、オフに切り換えられる。
【００３４】
テスト電圧発生回路２００から出力される電圧がＶＤＤＢ−０．４Ｖ以下になった時、比較器１１２の出力がＨｉｇｈレベルからＬｏｗレベルに切り換り、端子１５２から出力されるＶＬＩＭ信号がＨｉｇｈレベルに切り換る。電圧計２１０は、ＶＬＩＭ信号のＨｉｇｈレベルへの切り換り時にテスト電圧発生回路２００が出力している電圧を記憶し、これを表示する。この電圧計２１０が表示する電圧値が、ＶＤＤＢ−０．４Ｖを中心とする許容範囲内にある場合には、比較器１１２が正常に動作していると判断することができる。
【００３５】
なお、上記説明した過電流保護回路Ｃ１−２を備える半導体装置１００によれば、従来技術の欄で図３を用いて説明した半導体装置３００と比べて、特別な端子を追加することなく正確な比較器１１２の動作テストを行うことができる。
【００３６】
【発明の効果】
本発明の第１の過電流保護回路は、比較手段の動作テストを行う時に、比較手段による比較結果を直接外部に出力することができるため、比較手段の判断が正確に行われているか否かを適切に判断することができる。
【００３７】
本発明の第２の過電流保護回路は、定電圧の印加される回路素子を注目する回路素子とし、当該回路素子の出力端の電位を、当該回路素子の電圧降下量として取り扱うことで、電圧降下量同士を比較する場合に比べ、より簡単に比較判断の処理を行うことができる。
【００３８】
本発明の第３の過電流保護回路は、直流変換回路を被保護回路とし、比較手段の動作テストを行う時に、直流変換回路の半導体スイッチをオフにすると共に、比較手段による比較結果を直接外部に出力することができるため、比較手段の判断は正確に行われているか否かを適切に判断することができる。
【００３９】
本発明の半導体装置は、比較手段の動作テストを行うための専用の端子を追加することなく、内包する直流変換回路の半導体スイッチをオフにすると共に、比較手段による比較結果を直接外部に出力することができるため、比較手段の判断は正確に行われているか否かを適切に判断することができる。
【００４０】
本発明の過電流保護回路のテスト方法は、上記第１の過電流保護回路の比較手段の動作テストを行う時に、比較手段による比較結果を直接外部に出力することができるため、比較手段の判断が正確に行われているか否かを適切に判断することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の過電流保護回路を備える直流変換回路を示す図である。
【図２】本発明の過電流保護回路を備える半導体装置を用いた比較器のテストの様子を示す図である。
【図３】従来の過電流保護回路を備える直流変換回路を示す図である。
【符号の説明】１００，３００　半導体装置、１０１，３０１　ＰＷＭクロック発生回路、１０２，３０２　ＡＮＤゲート、１０３，３０３　ドライブ回路、１０４，３０４半導体スイッチ、１０５　ＯＲゲート、１０６　ラッチ回路、１０９，３１５　クランプ回路、１１２，３０７　比較器、１１３，３０８　ラッチ回路、１２１　回線切り換え回路、１５０，１５１，１５２，３３０，３３１，３３２　端子、２００　テスト電圧発生回路、２１０　電圧計、Ｃ１−１，Ｃ２−１　直流チョッパ回路、Ｃ１−２，Ｃ２−２　過電流保護回路。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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