(57)【要約】【課題】短時間で製造可能であってグレーティング特性の安定した光導波路グレーティング素子の製造に適した光導波路、光導波路グレーティング素子及びそれらの製造方法を提供すること。【解決手段】本発明による光導波路２０は、コア領域２２と、コア領域を取り囲みコア領域の屈折率よりも低い屈折率を有するクラッド領域２１，２３とを備え、コア領域及びクラッド領域の双方または何れか一方が水素を含んでいることを特徴とする。従って、この光導波路のコア領域及びクラッド領域のうち水素を含んでいる領域にグレーティング３０を形成すれば、水素が抜けることがないためグレーティング特性が安定する。更に、光導波路に水素を含浸させる処理が不要であるので、光導波路グレーティング素子１を製造する時間を短縮することができる。【選択図】  図２
2004151262.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コア領域と、
前記コア領域を取り囲み前記コア領域の屈折率よりも低い屈折率を有するクラッド領域と、
を備え、
前記コア領域及び前記クラッド領域の双方または何れか一方が水素を含んでいることを特徴とする光導波路。
【請求項２】
請求項１記載の光導波路のうち水素が含まれている領域に屈折率変化によるグレーティングが形成されていることを特徴とする光導波路グレーティング素子。
【請求項３】
コア領域を形成する工程と、
前記コア領域を取り囲み前記コア領域の屈折率よりも低い屈折率を有するクラッド領域を形成する工程と、
を備え、
前記コア領域及び前記クラッド領域の双方または何れか一方が水素を含むように前記コア領域及び前記クラッド領域を形成することを特徴とする光導波路製造方法。
【請求項４】
前記コア領域及び前記クラッド領域のうち水素を含む領域を、ＳｉとＨとを含む原料ガスによるプラズマＣＶＤで形成することを特徴とする請求項３記載の光導波路製造方法。
【請求項５】
前記コア領域及び前記クラッド領域の双方または何れか一方に含まれている水素の含有量をアニールにより調整する工程を備えることを特徴とする請求項３記載の光導波路製造方法。
【請求項６】
前記原料ガスが、Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）４、Ｓｉ（ＯＣＨ３）４、Ｓｉ（ＯＣ３Ｈ７）４、Ｓｉ（ＯＣ４Ｈ９）４、ＨＳｉ（ＯＣ２Ｈ５）３、ＨＳｉ（ＯＣＨ３）３及びＳｉＨ４のうちの何れか１つとＨ２との混合ガスであることを特徴とする請求項４記載の光導波路製造方法。
【請求項７】
前記プラズマＣＶＤが、平行平板型プラズマ、ＥＣＲプラズマ及びＩＣＰのうちの何れか１つによるプラズマＣＶＤであることを特徴とする請求項４記載の光導波路製造方法。
【請求項８】
コア領域を形成する工程と、
前記コア領域を取り囲み前記コア領域の屈折率よりも低い屈折率を有するクラッド領域を形成する工程と、
前記コア領域及び前記クラッド領域の双方または何れか一方にグレーティングを形成する工程と、
を備え、
前記コア領域及び前記クラッド領域の双方または何れか一方が水素を含むように前記コア領域及び前記クラッド領域を形成し、前記コア領域及び前記クラッド領域のうち水素が含まれている領域に屈折率変化によりグレーティングを形成することを特徴とする光導波路グレーティング素子製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光導波路、特に光導波路グレーティング素子を製造するために適した光導波路、光導波路グレーティング素子、及びそれらの製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年のインターネットの爆発的な普及に対応するために、高密度波長分割多重システムを用いた通信回線の大容量化が進められている。この高密度波長分割多重システムでは、多波長の光を合波する合波器及び多波長の光を分波する分波器並びに多波長の光における特定の波長の光を反射や透過したり特定の波長の光に損失を付与する光フィルタが必要となる。このような合波器及び分波器の一部として光導波路グレーティング素子が用いられる。また、光フィルタとして光導波路グレーティング素子が用いられる。
【０００３】
この光導波路グレーティング素子は、光が照射されると屈折率が変化する光誘起屈折率変化を利用して製造される。例えば、ゲルマニウム（Ｇｅ）等が添加された石英ガラスに位相マスクを通して紫外光を照射することにより、石英ガラスに光誘起屈折率変化を生じさせてグレーティングを形成し、光導波路グレーティング素子を製造する。
【０００４】
通常、光導波路グレーティング素子の製造においては、屈折率変化を十分に得ることを目的として光照射前に水素を光導波路に含浸させる。水素の含浸は、光導波路に高圧水素処理を施すことにより行われている。高圧水素処理としては、光導波路を水素加圧容器の中に１週間保持することが知られている（例えば、特許文献１参照）。
【０００５】
【特許文献１】
特開２００１−１４１９４３号公報
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記のように高圧水素処理を行い光導波路に水素を含浸させても、水素処理後には水素が徐々に抜けていく。そのため、光照射条件を一定としてもグレーティング特性がばらつく場合があった。また、高圧水素処理自体に１〜２週間程度を要するという問題点があった。
【０００７】
本発明は、上記の事情に鑑みてなされてものであり、その目的は、短時間で製造可能であってグレーティング特性の安定した光導波路グレーティング素子の製造に適した光導波路、光導波路グレーティング素子及びそれらの製造方法を提供することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明による光導波路は、コア領域と、コア領域を取り囲みコア領域の屈折率よりも低い屈折率を有するクラッド領域とを備え、コア領域及びクラッド領域の双方または何れか一方に水素を含んでいることを特徴とする。
【０００９】
また、本発明は、コア領域を形成する工程と、コア領域を取り囲みコア領域の屈折率よりも低い屈折率を有するクラッド領域を形成する工程とを備え、コア領域及びクラッド領域の双方または何れか一方が水素を含むようにコア領域及びクラッド領域を形成することを特徴とする光導波路製造方法にも係る。
【００１０】
このように光導波路を構成しているコア領域及びクラッド領域の双方または何れか一方が水素を含んでいるため、光導波路を製造してから水素を含浸させる場合よりも水素が抜けにくい。また、上記の光導波路に光誘起屈折率変化によりグレーティングを形成する場合には、水素を含浸させる必要がない。更に、グレーティングをコア領域及びクラッド領域のうち水素が含まれている領域に容易に形成することが可能である。
【００１１】
本発明による光導波路製造方法において、コア領域及びクラッド領域のうち水素を含む領域を、ＳｉとＨとを含む原料ガスによるプラズマＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）で形成することが望ましい。
【００１２】
これによりコア領域及びクラッド領域のうち水素を含む領域を、高圧処理水素処理を施すことなく形成できる。また、プラズマＣＶＤを用いることで熱ＣＶＤよりも低温でコア領域及びクラッド領域のうち水素を含む領域を形成することができる。
【００１３】
また、上記光導波路製造方法においてコア領域及びクラッド領域の双方または何れか一方に含まれている水素の含有量をアニールにより調整することが好適である。
【００１４】
これにより、コア領域及びクラッド領域のうち水素を含む領域の水素含有量が所望の水素含有量でない場合でもアニールによりコア領域及びクラッド領域のうち水素を含む領域の水素含有量を所望の水素含有量に調整することができる。
【００１５】
更に、コア領域及びクラッド領域のうち水素を含む領域をプラズマＣＶＤで形成する場合に、原料ガスとしては、Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）４、Ｓｉ（ＯＣＨ３）４、Ｓｉ（ＯＣ３Ｈ７）４、Ｓｉ（ＯＣ４Ｈ９）４、ＨＳｉ（ＯＣ２Ｈ５）３、ＨＳｉ（ＯＣＨ３）３及びＳｉＨ４のうちの何れか１つとＨ２との混合ガスを用いればよい。
【００１６】
上記の原料ガスを用いることにより、コア領域及びクラッド領域のうち水素を含む領域を、水素を含んだ石英ガラスで形成することができる。従って、コア領域及びクラッド領域のうち水素を含む領域を形成するために高圧水素処理を必要としない。
【００１７】
更にまた、プラズマＣＶＤとしては、平行平板型プラズマ、ＥＣＲ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｃｙｃｌｏｔｒｏｎ  Ｒｅｓｏｎａｎｃｅ）プラズマ、ＩＣＰ（Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｐｌａｓｍａ）のうち何れか１つによるプラズマＣＶＤとすれば良い。
【００１８】
このような平行平板型プラズマ、ＥＣＲプラズマ及びＩＣＰによるプラズマＣＶＤとすることで、上述したように低温でコア領域及びクラッド領域を形成することができる。
【００１９】
また、本発明は、本発明に係る光導波路のうち水素が含まれている領域に屈折率変化によるグレーティングが形成されていることを特徴とする光導波路グレーティング素子にも係る。
【００２０】
更に、本発明は、コア領域を形成する工程と、コア領域を取り囲みコア領域の屈折率よりも低い屈折率を有するクラッド領域を形成する工程と、コア領域及びクラッド領域の双方または何れか一方にグレーティングを形成する工程とを備え、コア領域及びクラッド領域の双方または何れか一方が水素を含むようにコア領域及びクラッド領域を形成し、コア領域及びクラッド領域のうち水素が含まれている領域に屈折率変化によりグレーティングを形成することを特徴とする光導波路グレーティング素子製造方法にも係る。
【００２１】
上記の光導波路グレーティング素子及び光導波路グレーティング素子の製造方法によれば、コア領域及びクラッド領域の形成過程において水素が含まれている光導波路にグレーティングを形成するため、グレーティングが形成し易く、グレーティング特性が安定する。また、光導波路にグレーティングを形成する前に光導波路に水素を含浸させる必要がないので、水素を含浸させる処理を施す場合に比べて光導波路グレーティング素子の製造時間を短縮できる。
【００２２】
【発明の実施の形態】
以下に、図面と共に本発明による光導波路グレーティング素子の好適な実施形態について説明する。なお、以下の説明においては、同一の要素には同一の符号を用いることとし、重複する説明は省略する。また、図面においては、基板上に成長される各層の層厚の比率を始めとして、寸法比率は、説明のものとは必ずしも一致していない。
【００２３】
図１〜図３は、本実施形態の光導波路グレーティング素子１を示す模式図である。図１は光導波路グレーティング素子１の平面図である。また、図２は、図１のＩＩ−ＩＩ線に沿う平面において切断したときの断面図であり、図３は、図１のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿う平面において切断したときの断面図である。
【００２４】
光導波路グレーティング素子１は、石英ガラスから成る基板１０と、基板１０の上面に設けられている平面型光導波路２０とを有し、平面型光導波路２０の長手方向の一部にグレーティング３０が形成されている素子である。
【００２５】
平面型光導波路２０は、基板１０の上に形成されたアンダークラッド層２１と、アンダークラッド層２１上に形成されたコア領域２２と、コア領域２２を覆うように設けられたオーバクラッド領域２３とを有する。
【００２６】
アンダークラッド層２１及びオーバクラッド領域２３は、水素が含まれている石英ガラスで形成されている。水素の含有量は１，０００〜１０，０００ｐｐｍである。
【００２７】
また、コア領域２２は、図３に示すようにアンダークラッド層２１の上面であって長手方向と直交する平面における水平方向の中央部に形成されている。コア領域２２のパターンは、断面が略正方形であって平面型光導波路２０の長手方向に延びている直線パターンである。コア領域２２は、水素及びＧｅが含まれている石英ガラスで形成されている。水素の含有量はアンダークラッド層２１及びオーバクラッド領域２３と同様である。また、Ｇｅの含有量は５ｗｔ％である。Ｇｅが含まれているためコア領域２２の屈折率は、アンダークラッド層２１及びオーバクラッド領域２３よりも高い。
【００２８】
グレーティング３０は、図１及び図２に示すように、水素が含有されているアンダークラッド層２１、コア領域２２及びアンダークラッド領域２３の長手方向の中央部に光誘起屈折率変化を利用して形成されている。グレーティング３０の周期は５００ｎｍ程度である。
【００２９】
本実施形態の光導波路グレーティング素子１は、上述のように水素が含まれているアンダークラッド層２１、コア領域２２及びオーバクラッド領域２３を有する平面型光導波路２０に光誘起屈折率変化によりグレーティングが形成されていることを特徴とする。
【００３０】
以下、上記光導波路グレーティング素子１の製造方法について説明する。
【００３１】
光導波路グレーティング素子１は平面型光導波路製造工程とグレーティング形成工程とにより製造される。
【００３２】
はじめに、図４を用いて平面型光導波路製造工程について説明する。尚、図４は、平面型光導波路２０の光軸と直交する平面で切断したときの平面型光導波路２０の断面図である。平面型光導波路製造工程は、（１）アンダークラッド層形成工程と、（２）コア領域形成工程と、（３）オーバクラッド領域形成工程とから成る。
【００３３】
（１）アンダークラッド層形成工程
まず、プラズマＣＶＤ装置を用いて、石英ガラスから成る基板１０の上面にアンダークラッド層２１を堆積させて形成する。
【００３４】
ここで、アンダークラッド層２１の堆積に用いる原料としてはＴＥＯＳガス（Ｔｅｔｒａ−Ｅｙｈｙｌ−Ｏｒｔｈｏ−Ｓｉｌｉｃａｔｅ：  Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）４）及び酸素（Ｏ２）ガスが好ましい。また、アンダークラッド層２１の堆積時には、水素（Ｈ２）ガスも供給する。このようにＨ２ガスを供給することによりアンダークラッド層２１に水素が含まれてグレーティング３０が形成されやすくなる。
【００３５】
プラズマＣＶＤ装置のチャンバ内のサセプタ上に基板１０を載置し、基板１０を所定の温度（例えば、４００℃）まで加熱する。その後、アルゴン（Ａｒ）ガス又はヘリウム（Ｈｅ）ガス等の希釈ガスと共にＴＥＯＳガス、Ｈ２ガス及びＯ２ガスをチャンバに供給し、チャンバ内を圧力調整器により所定の圧力値（例えば、１．０Ｐａ）に調整する。Ｈ２ガスの供給量は１０ｓｃｃｍである。そして、所定の出力電力（例えば、３００Ｗ）の所定の高周波電力（例えば、周波数１３．５６ＭＨｚ）をチャンバ内に備えられた電極に供給すると、チャンバ内にプラズマが発生し、アンダークラッド層２１の堆積を開始する。
【００３６】
アンダークラッド層２１が所定の膜厚に堆積したところで、次のコア領域形成工程に移行する。これにより、例えば厚さ１０μｍ程度であって水素を５，０００ｐｐｍ含んでいるアンダークラッド層２１が形成される（図４（ａ））。
【００３７】
（２）コア領域形成工程
（１）アンダークラッド層形成工程でアンダークラッド層２１が所定の膜厚になったところでＴＥＯＳガス、Ｈ２ガス及びＯ２ガスの供給を継続したままテトラメトキシゲルマニウム（Ｔｅｔｒａ  Ｍｅｔｈｏｘｙ  Ｇｅｒｕｍａｎｉｕｍ：Ｇｅ（ＯＣＨ３）４）の供給を開始し、コア層の堆積を開始する。Ｈ２ガス及びＧｅ（ＯＣＨ３）４の供給量は夫々１５ｓｃｃｍ、５ｓｃｃｍである。このようにＨ２ガスを供給することによりコア領域２２に水素が含まれてグレーティング３０が形成されやすくなる。また、Ｇｅ（ＯＣＨ３）４の供給により、コア層中にＧｅが添加されコア層の屈折率はアンダークラッド層２１及びオーバクラッド領域２３の屈折率よりも高くなる。これにより後に形成されるコア領域２２を好適に提供し得る。コア層が所定の膜厚まで堆積したところで、ＴＥＯＳガス、Ｈ２ガス、Ｏ２ガス及びＧｅ（ＯＣＨ３）４ガスの供給を停止してコア層の堆積を終了させる。これにより、例えば膜厚５μｍ程度であって水素を５，０００ｐｐｍ含んでいるコア層を形成することができる。その後、基板１０を冷却して、アンダークラッド層２１及びコア層が形成された基板１０をチャンバから取り出し、リソグラフィ及び反応性イオンエッチング等のドライエッチングによりコア領域２２を形成する。
【００３８】
まず、レジストをコア層の上に塗布してレジスト膜を形成する。次に、所定の幅（例えば、５μｍ程度）の直線パターンのマスクを用いたフォトリソグラフィによりその直線パターンをコア層に露光・転写し、さらに、この転写パターン以外のレジスト膜を有機溶剤等により除去する。続けて、基板１０を反応性イオンエッチング装置内のサセプタに載置し、エッチングを行ってレジスト膜が形成されていない部分のコア層を除去する。これにより、水素を５，０００ｐｐｍ含んでおり、断面積５μｍ×５μｍ程度で長手方向に延びている直線パターンのコア領域２２が形成される（図４（ｂ））。
【００３９】
（３）オーバクラッド領域形成工程
上記コア領域形成工程によりコア領域２２が形成された基板１０を再びプラズマＣＶＤ装置のチャンバ内のサセプタ上に載置する。基板１０を所定の温度（例えば、４００℃）にまで加熱し、温度が安定化した後、Ａｒガス又はＨｅガスを供給するとともにＴＥＯＳガス、Ｈ２ガス及びＯ２ガスをチャンバへ供給し、チャンバ内の圧力を所定の圧力値（例えば、１０Ｐａ）に調整する。Ｈ２ガスの供給量は、１０ｓｃｃｍである。このようにＨ２ガスを供給することによりオーバクラッド層２３に水素が含まれているのでグレーティング３０が形成されやすくなる。その後、アンダークラッド層２１及びコア層を堆積したときに供給した高周波電力と等しい高周波電力をチャンバに設けられた電極に対して供給し、チャンバ内にプラズマを発生させる。これにより、オーバクラッド領域２３が形成され始める。その後、アンダークラッド層２１の上面からの膜厚が所定の膜厚となったところで、高周波電力の供給と、ＴＥＯＳガス、Ｈ２ガス及びＯ２ガスの供給とを停止して、オーバクラッド領域２３の形成を終了させる。これにより、例えばアンダークラッド層２１の上面からの厚さが１５μｍ程度であって水素を５，０００ｐｐｍ含んでいるオーバクラッド領域２３が形成される（図４（ｃ））。尚、ここで必要に応じて適宜オーバクラッド領域２３の上面を平坦化する処理を行っても良い。
【００４０】
以上の工程により、アンダークラッド層２１、コア領域２２及びオーバクラッド領域２３に水素を含んでいる平面型光導波路２０が形成された基板１０（図４（ｃ））が得られる。
【００４１】
次に図５を用いてグレーティング形成工程について説明する。尚、図５は、平面型光導波路２０の光軸を含む平面で切断したときの平面型光導波路２０の断面図である。
【００４２】
光導波路製造工程で作製した平面型光導波路２０の長手方向の一定領域にオーバクラッド領域２３側から紫外レーザ光５０を格子周期１μｍの位相格子４０により強度変調した紫外光５１として照射する。この紫外光５１の照射により、アンダークラッド層２１、コア領域２２及びオーバクラッド領域２３に光誘起屈折率変化が生じてアンダークラッド層２１、コア領域２２及びオーバクラッド領域２３に同時にグレーティング３０が形成される。光源は、波長２４８ｎｍの紫外光を出力するＫｒＦエキシマレーザー光源を用いる。
【００４３】
以上の平面型光導波路製造工程及びグレーティング形成工程により図１〜図３に示す光導波路グレーティング素子１が製造される。
【００４４】
従来、光導波路グレーティング素子の製造は次のように行われていた。まず、一度水素を含まない平面型光導波路を製造する。そして、平面型光導波路を水素加圧容器内に１〜２週間保持する高圧水素処理により平面型光導波路に水素を含浸させる。そして、水素が含浸された平面型光導波路にグレーティングを形成する。この場合、水素が含まれていない平面型光導波路に高圧水素処理により水素を含浸させているので高圧水素処理の終了後に水素が徐々に抜けていく。従って、紫外線照射強度を一定にしてもグレーティング特性が変動する場合があった。また、高圧水素処理に１〜２週間要するため、光導波路グレーティング素子の製造に時間を要した。
【００４５】
これに対して本実施形態の場合は、上述したように平面型光導波路２０の製造工程において、アンダークラッド層２１、コア領域２２及びオーバクラッド領域２３が水素を含むようにアンダークラッド層２１、コア領域２２及びオーバクラッド領域２３を形成している。そのため、平面型光導波路２０を形成した後になっても水素が抜けていくことがない。従って、平面型光導波路２０にグレーティング３０を形成してもグレーティング特性が変動することがない。また、高圧水素処理が不要であるので、光導波路グレーティング素子１の製造に要する時間を従来よりも大幅に短くすることができる。
【００４６】
以上、本発明に係る光導波路グレーティング素子の実施形態について説明したが、本発明はこれらに限られず様々に変形し得る。例えば、上記の実施形態においては、光導波路としては平面基板型光導波路としているが、光ファイバとしても良い。
【００４７】
更に、基板１０としては、石英ガラスからなる基板１０以外に、Ｓｉ，ＧａＡｓ，ＩｎＰ，ＧａＮＡｓの何れか１つから成る基板を用いても良い。
【００４８】
また、アンダークラッド層２１を石英ガラスから成る基板１０上に形成しているが、アンダークラッド層を基板１０で代用しても良い。これにより、アンダークラッド層形成工程が不要となり、工程簡略化及び製造コストの低減が実現される。
【００４９】
本発明に係る光導波路グレーティング素子の好適な実施形態では、アンダークラッド層２１、コア領域２２及びオーバクラッド領域２３が水素を含んでおり且つそれらにグレーティング３０が形成されているが、これに限定する必要はない。例えば、コア領域のみが水素を含みコア領域にグレーティングを形成しても良い。また、アンダークラッド層及びオーバクラッド領域が水素を含むようにアンダークラッド層及びオーバクラッド領域を形成してそれらにグレーティングを形成しても良い。
【００５０】
また、上記実施形態における平面型光導波路２０の製造方法に使用されるプラズマＣＶＤ装置としては、平行平板型プラズマＣＶＤ装置であっても、誘導結合型プラズマ（Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｐｌａｓｍａ：ＩＣＰ）ＣＶＤ装置であっても、ＥＣＲ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｃｙｃｌｏｔｒｏｎ  Ｒｅｓｏｎａｎｃｅ）プラズマＣＶＤ装置であっても良い。
【００５１】
更に、使用するエッチング装置も反応性イオンエッチング装置に限られるものではなく、ＥＣＲやＩＣＰ等の方式を適用したプラズマエッチング装置を用いても良い。
【００５２】
更にまた、コア領域２２のパターンとして、直線パターンを形成しているがこれに限る必要はなく光導波路グレーティング素子１の使用目的に応じて曲線、Ｙ分岐パターンにしても良い。更に、方向性結合器、ＭＺ（Ｍａｃｈ−Ｚｅｎｄｅｒ）型干渉器、ＡＷＧ（Ａｒｒａｙｅｄ  Ｗａｖｅｇｕｉｄｅ  Ｇｒａｔｉｎｇ）等を組み合わせた光回路パターンとしても良い。
【００５３】
更に、アンダークラッド層２１、コア領域２２及びオーバクラッド領域２３をアニールすることによりそれらに含まれている水素の含有量を調整しても良い。
【００５４】
上記の実施形態においては、コア領域２２の屈折率をアンダークラッド層２１やオーバクラッド領域２３の屈折率より高くすることを目的として、コア層形成工程においてＧｅ（ＯＣＨ３）４ガスを供給しているが、Ｔｉ、Ｐ、Ｇｅ（ＯＣ３Ｈ５）４、Ｇｅ（ＣＨ３）４の何れか１つから成るガスを供給しても良い。
【００５５】
石英ガラスの原料としては、ＴＥＯＳを用いたが、これに替わり、例えば、Ｓｉ（ＯＣＨ３）４、Ｓｉ（ＯＣ３Ｈ７）４、Ｓｉ（ＯＣ４Ｈ９）４、ＨＳｉ（ＯＣ２Ｈ５）３，ＨＳｉ（ＯＣＨ３）３、ＳｉＨ４のうち何れか１つを用いても良い。
【００５６】
【発明の効果】
本発明によれば、光導波路はコア領域及びクラッド領域の双方または何れか一方が水素を含むように製造されている。従って、この光導波路のコア領域及びクラッド領域のうち水素を含んでいる領域に屈折率変化によりグレーティングを形成すれば、水素が抜けることがないのでグレーティング特性が安定する。更に、光導波路に水素を含浸させる処理が不要であることから光導波路グレーティング素子を製造することに要する時間を短縮することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本実施形態の光導波路グレーティング素子の平面図である。
【図２】図１のＩＩ−ＩＩ線に沿う平面において切断したときの断面図である。
【図３】図１のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿う平面において切断したときの断面図である
【図４】図４の（ａ）〜（ｃ）は平面型光導波路製造工程の各工程を示す図である
【図５】グレーティング形成工程を示す図である。
【符号の説明】
１…光導波路グレーティング素子、１０…基板、２０…平面型光導波路、２１アンダークラッド層、２２…コア領域、２３…オーバクラッド領域、３０…グレーティング、４０…位相格子、５０…紫外レーザ光、５１…強度変調された紫外光
【図１】
2004151262.tif 000003
【図２】
2004151262.tif 000004
【図３】
2004151262.tif 000005
【図４】
2004151262.tif 000006
【図５】
2004151262.tif 000007