(57)【要約】【課題】評価装置を構成する照明の照度ムラ、レンズでの周辺光量低下、光学系を原因とする光量ムラおよび測定センサーの感度ムラ等の補正を行なうことを可能とし、評価対象物のムラのみを高い精度で検出する評価方法とその評価装置を提供すること。【解決手段】電子写真画像形成装置用部品を評価対象物とし、該評価対象物を回転させつつ、その表面を１次元ラインセンサーあるいは二次元センサーで光学的に測定して評価対象基体表面に対応する二次元画像データを作成し、この二次元画像データの二次元多重解像度解析を行なって、低周波成分画像データと高周波成分画像データを得て、更にこの低周波画像データ及び高周波画像データ中に出現した評価装置に由来するムラを補正して評価対象物表面の評価を行なうことを特徴とする電子写真画像形成装置用部品表面の評価方法。【選択図】　　　　図４
2004144859.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子写真画像形成装置用部品を評価対象物とし、該評価対象物を回転させつつ、その表面を１次元ラインセンサーあるいは二次元センサーで光学的に測定して評価対象基体表面に対応する二次元画像データを作成し、この二次元画像データの二次元多重解像度解析を行なって、低周波成分画像データと高周波成分画像データを得て、更にこの低周波画像データ及び高周波画像データ中に出現した評価装置に由来するムラを補正して評価対象物表面の評価を行なうことを特徴とする電子写真画像形成装置用部品表面の評価方法。
【請求項２】
評価装置校正用の試料を測定し、この多重解像度解析を行なって得た結果で、評価装置に由来するムラを補正することを特徴とする請求項１に記載の電子写真画像形成装置用部品表面の評価方法。
【請求項３】
多重解像度解析の方法がウェーブレット変換であることを特徴とする請求項１又は２に記載の電子写真画像形成装置用部品表面の評価方法。
【請求項４】
ウェーブレット変換して得た低周波成分画像データあるいは高周波成分画像データを補正し、逆ウェーブレット変換して画像を再構成し、これを評価することを特徴とする請求項３に記載の電子写真画像形成装置用部品表面の評価方法。
【請求項５】
評価対象物が電子写真感光体用基体であって、該基体の加工方向とウェーブレット変換を行なう二次元画像データの二次元配列の行または列が一致することを特徴とする請求項３又は４に記載の電子写真画像形成装置用部品表面の評価方法。
【請求項６】
評価対象物が切削加工、研削加工あるいは研磨加工で作成された電子写真感光体用基体であることを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の電子写真画像形成装置用部品表面の評価方法。
【請求項７】
評価対象物が電子写真感光体であって、該感光体の塗膜形成方向とウェーブレット変換を行なう二次元画像データの二次元配列の行または列が一致することを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の電子写真画像形成装置用部品表面の評価方法。
【請求項８】
請求項１乃至７の何れかに記載の表面評価方法によって得られた部品表面の二次元画像データをウェーブレット変換し、その結果得られる低周波成分画像データ、周方向高周波成分画像データ、軸方向高周波成分画像データ及び軸方向から傾いた方向の高周波成分画像データの少なくとも一つの画像に対し、フーリエ変換を行ない画像の変化を検出することを特徴とする電子写真画像形成装置用部品表面の評価方法。
【請求項９】
請求項１乃至７の何れかに記載の表面評価方法によって得られた評価表面の二次元画像データをウェーブレット変換し、その結果得られる低周波成分画像データ、周方向高周波成分画像データ、軸方向高周波成分画像データ及び軸方向から傾いた方向の高周波成分画像データの少なくとも一つの画像に対し、二次元フーリエ変換を行なうことを特徴とする電子写真画像形成装置用部品表面の評価方法。
【請求項１０】
始めに均一に形成された評価対象物を測定して、この測定結果から測定装置の照度ムラ、光学系のムラ、測定系のムラを求め、ここで求めたムラのデータで評価装置の補正を行なって評価を実施することを特徴とする請求項１乃至９のいずれかに記載の電子写真画像形成装置用部品表面の評価方法。
【請求項１１】
電子写真画像形成装置用部品を評価対象物とし、その表面を評価するのに用いられる装置であって、該評価対象物を保持して回転する機構と、それを照明する機構と、評価対象からの光を受光する一次元ラインセンサーと、その信号を処理して２次元画像データを作成し、該二次元画像データをウェーブレット変換し、更に変換結果からデータ中のデータの変化を検出するソフトウェアあるいはハードウェアから構成されたことを特徴とする電子写真画像形成装置用部品表面の評価装置。
【請求項１２】
電子写真画像形成装置用部品を評価対象物とし、その表面を評価するのに用いられる装置であって、該評価対象物を保持して回転する機構と、それを照明する機構と、評価対象物からの光を受光する二次光センサーと、その信号を処理して二次元画像データを作成し、該二次元画像データをウェーブレット変換する機能を備えることを特徴とする電子写真画像形成装置用部品表面の評価装置。
【請求項１３】
さらに一次元フーリエ変換あるいは二次元フーリエ変換を行なうためのハードウェアあるいはソフトウェアを備えることを特徴とする請求項１１または１２に記載の電子写真画像形成装置用部品表面の評価装置。
【請求項１４】
切削加工、研削加工あるいは研磨加工で作成され、請求項１１乃至１３の何れかに記載の評価装置を用い、請求項１乃至６及び８乃至１０の何れかに評価方法によって評価されたことを特徴とする電子写真感光体用基体。
【請求項１５】
請求項１１乃至１３の何れかに記載の評価装置を用い、請求項１乃至４及び７乃至１０の何れかに記載の評価方法によって評価したことを特徴とする電子写真感光体。
【請求項１６】
請求項１５に記載の電子写真感光体を具備することを特徴とする電子写真画像装置。
【請求項１７】
請求項１５に記載の電子写真感光体を具備することを特徴とする電子写真用プロセスカートリッジ。
【請求項１８】
帯電手段と現像手段を少なくとも具備することを特徴とする請求項１７に記載の電子写真用プロセスカートリッジ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電子写真画像形成装置を構成する部品、特に電子写真感光体用基体及び電子写真感光体の表面評価方法に関する。特に、表面評価装置の照明系、光学系あるいは測定系に起因するムラと、評価対象物自体が持つムラとを識別し、評価を高精度で行なう方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
電子写真画像形成装置については、近年その高解像度化とフルカラー化、高速化等が進み、ますます高品質の画像形成が望まれ、それに伴なってその装置に用いられる各種部品についても高い精度のものが必要になってきている。これらの電子写真装置の高解像度化、フルカラー化および高速化等に関しては、非特許文献１で紹介されている。
これらの電子写真装置に使用する電子写真感光体もますます高品質なものが必要とされるようになっている。電子写真感光体の構成については各種の刊行物で紹介されているが、例えば、非特許文献２に有機感光体（ＯＰＣ）が中心的になっていること、そして、溶液塗布で製造できるので製造コスト的に有利であること等が紹介されている。
電子写真感光体を溶液塗布で作成する具体的な方法としては、浸漬塗工、スプレー塗工等があり、これらの塗工では、異物付着等が原因で発生する点状欠陥や、塗工時の塗工液の流れや気流の流れが原因である付着量ムラが発生することがある。ここで、付着量ムラは下引き層の厚みムラ、電荷発生層の厚みムラ、電荷輸送層の厚みムラ等であるが、これらは、なだらかな付着量の変化であり、目視では外観ムラあるいは濃度ムラとして確認することができる。
近年の高解像度化あるいはフルカラー化した電子写真装置では、これらの点状欠陥や外観ムラ、濃度ムラに対する要求は厳しくなっており、従来の電子写真装置では問題とならなかった様な点状欠陥や外観ムラ、濃度ムラが問題になる。このような状況から、電子写真画像形成装置用部品の品質について、高い精度で評価できる方法が必要とされている。
これらの評価あるいは検査において、点状欠陥は欠陥部とその周囲の差は比較的明確な為に従来の方法で評価や検査は可能であるが、外観ムラあるいは濃度ムラは正常部からならだかに変化している為、その検出は困難であり、その理由の一つとして、評価時の照明ムラや評価装置の光学系等のムラと、評価対象自身のムラを区別できないことがある。そこで、検出力が高く、精度が良い外観ムラあるいは濃度ムラの評価法・測定法が望まれている。
【０００３】
従来からある、電子写真感光体等の外観ムラや濃度差を測定・評価する方法について説明する。
その１つとして、被評価体（評価対象物）１と略同様に構成された欠陥のない被評価体表面の検出物理量に対応して設定された閾値を記憶する閾値記憶手段Ｍ１，Ｍ２と、被評価体１表面の所定部分の走査によって得られる検出物理量の平均値Ｖａを算出する平均値算出手段Ｅ１と、算出された前記検出物理量平均値Ｖａを記憶する検出物理量平均値記憶手段３７と、前記所定部分の走査の後に続く走査で得られる検出物理量Ｖｉから前記検出物理量平均値Ｖａを減算した検出補正物理量Ｖｉ−Ｖａと前記閾値との差に対応する欠陥検出信号「０」，「１」を出力する欠陥検出信号出力手段Ｃ１，Ｃ２とを備えた表面層欠陥検出装置がある（例えば、特許文献１参照。）。
【０００４】
また、駆動装置２によって感光体ドラム１を反時計方向に低速の回転状態とし、先ず第１高周波蛍光灯５を点灯して、ドラム表面からの正反射光をラインセンサー４で受光して、その出力する電気信号により画像処理装置７において色ムラの有無を検出し、さらに第１高周波蛍光灯５に替えて第２高周波蛍光灯６を点灯してドラム表面からの散乱光をラインセンサー４で受光してその出力する電気信号により画像処理装置７において凹凸の有無を検出する方法がある（例えば、特許文献２参照。）。
【０００５】
また、評価対象物の光学的縞の画像を複数の画像集合で構成されるブロックに分割し、離散コサイン変換を行なって、検査対象物の表面に現れる縞模様の抽出を行なう方法がある（例えば、特許文献３参照。）。
【０００６】
さらに、レーザプリンタの現像ローラ１００の表面を評価するために、光源１と、カメラ２と、カメラ２からの画像データに基づいて画像処理を行なうパソコン２１とを備え、カメラ２が、ＴＤＩ型ＣＣＤセンサーを具備した評価装置を用いて、現像ローラ及び定着ローラのように光反射率が低い製品であっても、良好な画像を取得し、正確な評価をなし得る（例えば、特許文献４参照。）。
【０００７】
しかし、近年要請されているようなレベルの微細なムラを検出しようとする場合、上記の従来の方法では困難な問題があった。
すなわち、評価時に評価対象物を照明する必要があるが、この照明を均一に行なうことは極めて困難であり、照明ムラが発生する。照明ムラの原因は様々であり、例えば、キセノンランプやタングステンランプ等、白熱電球では、そのフィラメントの位置や角度で照度ムラの状況が異なる。このため、ランプ交換に際しては、光源位置の微調整が必要になるが、光源位置の微調整を行なっても完全なものにはならない。また、ランプ交換が必要になった場合、再び、光源位置の調整が必要になる問題がある。
また、ＬＥＤを配置したＬＥＤアレーではアレイを構成するＬＥＤの輝度は同じ電流を流しても個々に異なり、光量ムラのないＬＥＤアレイにすることは困難である。
測定装置が原因となるムラの原因は他にもあり、例えば、レンズの周辺光量低下や、センサーアレイの感度バラツキが存在する。
以上の説明から明らかなように、従来からある測定・評価する方法によると、測定装置に起因するムラがあって、測定したい評価対象物自体に存在するムラと区別することは難しく、従って精度の高い評価結果を得ることは困難であった。
【０００８】
電子写真画像形成装置には、前述のように、高画質化、高解像度化およびカラー化によってますます高品質なものが要求され、その品質を保証するためには画像形成装置用部品を高い精度で評価する技術、すなわち評価対象物のムラのみを取り出し評価できる技術の出現が望まれている。
【０００９】
【特許文献１】
特開平５−１０７１９６号公報（第１頁左下欄第８行目〜末行目）
【特許文献２】
特開平７−１２８２４１号公報（第１頁左下欄第５行目〜末行目）
【特許文献３】
特開２０００−２８３７４１号公報（第２頁第１欄第２行目〜第８行目　請求項１）
【特許文献４】
特開２００１−３１１６９３号公報（第１頁左下欄第５行目〜末行目）
【非特許文献１】
「デジタルハードコピー技術」　共立出版　２０００年１１月刊
【非特許文献２】
「情報記録」大日本図書　１９９８年１２月刊　１１５頁以降
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の課題は、電子写真画像形成用の各種部品の表面を評価する方法であって、評価装置を構成する照明の照度ムラ、レンズでの周辺光量低下、光学系を原因とする光量ムラおよび測定センサーの感度ムラ等の補正を行なうことを可能とし、評価対象物のムラのみを高い精度で検出する評価方法とその評価装置を提供することである。
さらに、本発明の課題は、前記の新規な評価方法によって評価された電子写真感光体とそれを用いた画像形成装置を提供することである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上記課題は、本発明の（１）「電子写真画像形成装置用部品を評価対象物とし、該評価対象物を回転させつつ、その表面を１次元ラインセンサーあるいは二次元センサーで光学的に測定して評価対象基体表面に対応する二次元画像データを作成し、この二次元画像データの二次元多重解像度解析を行なって、低周波成分画像データと高周波成分画像データを得て、更にこの低周波画像データ及び高周波画像データ中に出現した評価装置に由来するムラを補正して評価対象物表面の評価を行なうことを特徴とする電子写真画像形成装置用部品表面の評価方法」、（２）「評価装置校正用の試料を測定し、この多重解像度解析を行なって得た結果で、評価装置に由来するムラを補正することを特徴とする前記第（１）項に記載の電子写真画像形成装置用部品表面の評価方法」、（３）「多重解像度解析の方法がウェーブレット変換であることを特徴とする前記第（１）項又は第（２）項に記載の電子写真画像形成装置用部品表面の評価方法」、（４）「ウェーブレット変換して得た低周波成分画像データあるいは高周波成分画像データを補正し、逆ウェーブレット変換して画像を再構成し、これを評価することを特徴とする前記第（３）項に記載の電子写真画像形成装置用部品表面の評価方法」、（５）「評価対象物が電子写真感光体用基体であって、該基体の加工方向とウェーブレット変換を行なう二次元画像データの二次元配列の行または列が一致することを特徴とする前記第（３）項又は第（４）項に記載の電子写真画像形成装置用部品表面の評価方法」、（６）「評価対象物が切削加工、研削加工あるいは研磨加工で作成された電子写真感光体用基体であることを特徴とする前記第（１）項乃至第（５）項のいずれかに記載の電子写真画像形成装置用部品表面の評価方法」、（７）「評価対象物が電子写真感光体であって、該感光体の塗膜形成方向とウェーブレット変換を行なう二次元画像データの二次元配列の行または列が一致することを特徴とする前記第（１）項乃至第（４）項のいずれかに記載の電子写真画像形成装置用部品表面の評価方法」、（８）「前記第（１）項乃至第（７）項の何れかに記載の表面評価方法によって得られた部品表面の二次元画像データをウェーブレット変換し、その結果得られる低周波成分画像データ、周方向高周波成分画像データ、軸方向高周波成分画像データ及び軸方向から傾いた方向の高周波成分画像データの少なくとも一つの画像に対し、フーリエ変換を行ない画像の変化を検出することを特徴とする電子写真画像形成装置用部品表面の評価方法」、（９）「前記第（１）項乃至第（７）項の何れかに記載の表面評価方法によって得られた評価表面の二次元画像データをウェーブレット変換し、その結果得られる低周波成分画像データ、周方向高周波成分画像データ、軸方向高周波成分画像データ及び軸方向から傾いた方向の高周波成分画像データの少なくとも一つの画像に対し、二次元フーリエ変換を行なうことを特徴とする電子写真画像形成装置用部品表面の評価方法」、（１０）「始めに均一に形成された評価対象を測定して、この測定結果から測定装置の照度ムラ、光学系のムラ、測定系のムラを求め、ここで求めたムラのデータで評価装置の補正を行なって評価を実施することを特徴とする前記第（１）項乃至第（９）項のいずれかに記載の電子写真画像形成装置用部品表面の評価方法」により達成される。
【００１２】
また、上記課題は、本発明の（１１）「電子写真画像形成装置用部品を評価対象物とし、その表面を評価するのに用いられる装置であって、該評価対象物を保持して回転する機構と、それを照明する機構と、評価対象からの光を受光する一次元ラインセンサーと、その信号を処理して２次元画像データを作成し、該二次元画像データをウェーブレット変換し、更に変換結果からデータ中のデータの変化を検出するソフトウェアあるいはハードウェアから構成されたことを特徴とする電子写真画像形成装置用部品表面の評価装置」、（１２）「電子写真画像形成装置用部品を評価対象物とし、その表面を評価するのに用いられる装置であって、該評価対象物を保持して回転する機構と、それを照明する機構と、評価対象物からの光を受光する二次光センサーと、その信号を処理して二次元画像データを作成し、該二次元画像データをウェーブレット変換する機能を備えることを特徴とする電子写真画像形成装置用部品表面の評価装置」、（１３）「さらに一次元フーリエ変換あるいは二次元フーリエ変換を行なうためのハードウェアあるいはソフトウェアを備えることを特徴とする前記第（１１）項または第（１２）項に記載の電子写真画像形成装置用部品表面の評価装置」により達成される。
【００１３】
また、上記課題は、本発明の（１４）「切削加工、研削加工あるいは研磨加工で作成され、前記第（１１）項乃至第（１３）項の何れかに記載の評価装置を用い、前記第（１）項乃至第（６）項及び第（８）項乃至第（１０）項の何れかに評価方法によって評価されたことを特徴とする電子写真感光体用基体」により達成される。
【００１４】
また、上記課題は、本発明の（１５）「前記第（１１）項乃至第（１３）項の何れかに記載の評価装置を用い、前記第（１）項乃至第（４）項及び第（７）乃至第（１０）項の何れかに記載の評価方法によって評価したことを特徴とする電子写真感光体」により達成される。
【００１５】
また、上記課題は、本発明の（１６）「前記第（１５）項に記載の電子写真感光体を具備することを特徴とする電子写真画像装置」により達成される。
【００１６】
また、上記課題は、本発明の（１７）「前記第（１５）項に記載の電子写真感光体を具備することを特徴とする電子写真用プロセスカートリッジ」、（１８）「帯電手段と現像手段を少なくとも具備することを特徴とする前記第（１７）項に記載の電子写真用プロセスカートリッジ」により達成される。
【００１７】
本発明における評価対象物である、電子写真画像形成用部品としては、剛性の円柱あるいは円筒形体で軸中心に回転可能な、例えば電子写真感光体ドラム、その感光体ドラムに用いられる管状基体（素管）、帯電ロール、定着ロール並びに現像ロール等、および可撓性でシームレスのベルト状体で内側に１つ以上のロールで支持して回転可能となる、例えば電子写真ベルト状感光体、転写ベルト、搬送ベルト並びに定着ベルト等が包含される。
本発明の、評価対象物側のムラと評価装置側が原因となって発生するムラを識別して評価する方法について、その概要を説明する。
先ず、塗布ムラがない校正用試料を光学的に測定して、測定対象面に対応した二次元データを作成する。
次に、この二次元データの多重解像度解析を行ない、低周波成分と、縦方向高周波成分と、横方向高周波成分と、斜め方向高周波成分に分解する。低周波成分に評価装置のムラが出現していない場合は、この低周波成分を更に、縦方向高周波成分と、横方向高周波成分と、斜め方向高周波成分に分解する。
この処理を低周波成分に評価装置のムラが出現するまで繰り返す。ここで使用する多重解像度解析の方法としては、ウェーブレット変換が適している。
次に、評価試料を評価装置に取り付け、校正用試料の測定を行なったのと同じ回数だけ、低周波成分と、縦方向高周波成分と、横方向高周波成分と、斜め方向高周波成分に分解する。
次に、評価試料の多重解像度解析を行なって得た低周波成分データＳＬから校正用試料の多重解像度解析を行なって得た低周波成分データＭＬを引き、低周波成分データＵＬを求める。
この低周波成分データＵＬが評価試料のムラである。また、この低周波データと、先に求めた、縦方向高周波成分と、横方向高周波成分と、斜め方向高周波成分とを逆ウェーブレット変換して、画像を再構成することによって、測定系に起因するムラの影響が消去された評価画像を得ることが出来る。
【００１８】
【発明の実施の形態】
上記の処理について、以下に説明する。
図１、図２および図３は、本発明の評価方法に用いられ、二次元データを作成する装置の例の概念図である。以下に、評価対象物として電子写真感光体用基体を用い、これらの装置によって評価する態様を説明する。
図１は、評価対象物の表面を光学的に測定する装置であり、（１）は評価対象物である電子写真感光体用基体、（２）は評価対象物を照明する光源、（３）はハーフミラー、（４）は１次元ラインセンサーである。
この方式では、照明光は落射照明である。この装置において、１次元ラインセンサーで測定しながら、評価対象物を回転することによって、評価対象面に対応した二次元画像データが作成できる。
図１ではラインセンサーは１基しか描かれていないが、複数のラインセンサーを設け、同時に測定し、二次元画像データを作成しても良い。
【００１９】
図２は、別の装置の構成例であり、（１）は測定対象である電子写真感光体用基体、（２）は測定対象を照明する光源、（４）は１次元ラインセンサーである。
この構成において、１次元ラインセンサーは光源から出た光が評価対象物（１）で正反射する光を捉えても良いし、乱反射した光を捉えても良い。
この図ではラインセンサーは１基しか描かれていないが、複数のラインセンサーを設け、同時に測定し、二次元画像データを作成しても良い。
また、複数のラインセンサーを設け、正反射光と乱反射光の両方を捉えても良い。
【００２０】
図３は更に別の装置の構成例であり、（１）は評価対象物である電子写真感光体用基体、（２）は評価対象物を照明する光源、（５）は二次元センサーである。
この構成において、二次元センサーは光源から出た光が評価対象物（１）で正反射する光を捉えても良いし、乱反射した光を捉えても良い。
この図では二次元センサーは１基しか描かれていないが、複数の二次元センサーを設け、同時に測定し、二次元画像データを作成しても良い。また、複数の二次元センサーを設け、正反射光と乱反射光の両方を捉えても良い。
【００２１】
これらの装置の応用構成として、１次元ラインセンサーと二次元センサーを併用した装置も可能であり、例えば、ＣＣＤが適している。
また、光源も各種の光源が使用可能であり、白熱灯、蛍光灯、発光ダイオード（ＬＥＤ）、エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）等が使用可能である。
光源に蛍光燈を使用する場合、交流駆動ではチラツキが発生するので、直流駆動とし、かつ、数分おきに直流の極性を切り替えることによって蛍光燈の幅方向の光量分布を均一にすると良い。
光路には特定の波長の光を除くフィルターを組み込んでも良く、例えば、赤外線カットフィルターや紫外線カットフィルター、バンドパスフィルターが使用可能である。
【００２２】
図４は、評価対象物表面を一元ラインセンサーで観察したデータから二次元画像データを作成する様子を示した図である。
図４において、（１）は評価対象物であり、これは図示されていない回転機構により回転可能になっている。また、（６）は観察レンズ、（７）は一次元ラインセンサー、（８）は観察したデータを蓄えるメモリである。
本発明において、評価対象（１）の評価領域（９）は観察レンズ（６）によって一次元ラインセンサー（７）上に結像する。
ラインセンサー（７）で検出された信号は図示されていない回路で処理され、メモリ（８）上の（１１）に記録される。ここで、（１０）は既に記録された部分であり、（１２）はまだ記録されていない部分である。
一次元ラインセンサーで感光体用基体の一部の状態を読み取り、メモリの横方向に書き込んだ後、該基体をわずかに回転させて、次の角度の基体表面状態を一次元ラインサンサーで読み取り、このデータをメモリに書き込む。
このようにして、感光体用基体の一周分のデータ書き込みが終わったら、ラインセンサーと基体を軸方向に相対移動させ、再度基体を回転させながら同じようにして一次元ラインセンサーで別の位置の読み込みを行なう。
これを基体の全幅行なうことによって、全基体表面の状態をメモリ（８）上に二次元マトリックスデータとすることができる。　以上のようにして、二次元データが作成される。
【００２３】
本発明においては、感光体用基体の加工方向とウェーブレット変換を行なう二次元画像データの二次元配列の行または列を一致させることによって、精度良く、評価対象のムラと、評価装置を原因とするムラを分別できる。
これは感光体用基体の加工方向が、感光体用基体の押し出し加工あるは抽伸可能の場合は基体の軸方向であり、また、切削加工やセンタレス研削加工の場合は周方向なので、加工方向を原因とするムラはウェーブレット変換を行なうことによって分離できるためである。
【００２４】
図５は、切削加工で作製した感光体用基体を観察し、二次元データを作成した様子を示した図であり、図５の（Ａ）は加工表面の図であり、バイトの切削方法は横方向、基体の軸方向は縦になっている。
図５の（Ｂ）は評価対象面をセンサーが測定したときの分割を示しており、図５の（Ｃ）はメモリ上に形成された二次元画像データのマトリックスを示す。
図５（Ａ）に示すように、加工方法は横方向であり、これをセンサーで図５（Ｂ）のように分割して読んでゆく。
そして図５（Ｂ）の各格子内に記入した数値は加工方向と軸方向のデータの順番を示している。このようにして評価対象面を観察し、その状態を二次元画像データ図５（Ｃ）を作成する。
【００２５】
また、本発明においては、感光体の基体上に形成する塗膜の形成方向とウェーブレット変換を行なう二次元画像データの二次元配列の行または列を一致させることによって、精度良く、評価対象のムラと、評価装置を原因とするムラを分別できる。
これは感光体の塗工方向が、浸漬塗工の場合は基体の軸方向であり、また、スプレー塗工の場合は周方向なので、加工方向を原因とするムラはウェーブレット変換を行なうことによって分離できるためである。
【００２６】
被評価対象の加工方向あるいは塗工方向と、それを観察して作成した二次元データの縦あるいは横とは完全に一致させることが好ましいが、角度のズレが５°以下にすることが好ましい。
このようにして、評価対象面から二次元画像データを作成するが、そのサンプリング間隔は０．００１ｍｍ以上、１．０ｍｍ以下であることが良く、より好ましくは０．００２ｍｍ以上、０．５ｍｍ以下が良い。
【００２７】
次に多重解像度解析について説明する。
この方法は、周波数領域でデータを分析しながら、同時に変動の時間的推移を解析する方法であり、ウェーブレット変換、短時間フーリエ変換等の手法が知られており、本発明でもウェーブレット変換、短時間フーリエ変換が有効である。二次元データのウェーブレット変換を説明する前に、理解を助けるために一次元ウェーブレット変換から説明する。
下記式の関数（数１）
【００２８】
【数１】
2004144859.tif 000003
のウェーブレット変換は下記式（数２）で表わされる。
【００２９】
【数２】
2004144859.tif 000004
ここで、
Ｗ（ｂ，ａ）：ウェーブレット変換
ψ（ｔ）：マザーウェーブレット
ａ：スケールパラメータ
ｂ：トランスレートパラメータ
である。上記式（数２）は連続関数のウェーブレット変換、すなわち連続ウェーブレット変換である。
【００３０】
本発明では、サンプリングを一定間隔に行なうので、離散系であり、離散ウェーブレット変換を行なう。離散ウェーブレット変換において、ウェーブレット係数ｃｊ，ｋは
【００３１】
【式２】
2004144859.tif 000005
である。また、スケーリング係数ｄｊ，ｋは
【００３２】
【式３】
2004144859.tif 000006
である。上記式（数４）においてφ（ｔ）はスケーリング関数である。
また、上記式（数３）、上記式（数４）においてｊはレベルであり、元信号に対する解像度である階層の番号を示す。ウェーブレット係数ｃｊ，ｋは信号の周波と時間分布を示す。また、スケーリング関数ｄｊ，ｋは元信号のｊ次の解像度の離散化表現である。
離散ウェーブレット変換では、データーを下記式（数５）によって計算する。
【００３３】
【式４】
2004144859.tif 000007
【００３４】
下記式（数５）において、係数群ｐ及びｑはウェーブレット変換のための変換基底であり、それぞれローパスフィルター、ハイパスフィルターの機能がある。従って、（ｊ＋１）次のスケーリング係数ｄｊ＋１，ｋは、ｊ次のスケーリング係数ｄｊ，ｋより１つ下の解像度表現となり、解析可能な周波数および時間的な解像度がｊ次の１／２になる。
一方、（ｊ＋１）次のウェーブレット係数ｃｊ＋１，ｋはｊ次のスケーリング係数ｄｊ，ｋをハイパスフィルタに通すことにより得られ、スケーリング係数ｄｊ＋１，ｋとｄｊ，ｋの間の周波数成分を表すことになる。
【００３５】
図６は、ウェーブレット変換の処理フローを示した図であり、元信号（２１）（Ｓｏｕｒｃｅ　Ｓｉｇｎａｌ）をハイパスフィルター（ＨＰＦ）に通し、さらにデーターを一つおきに間引く処理（ＳＳ）を行なって、信号（２２）に示されるＨ成分（Ｈ　ｐａｒｔ）を得る。
また、元信号（２１）（Ｓｏｕｒｃｅ　Ｓｉｇｎａｌ）をローパスフィルター（ＬＰＦ）に通し、さらにデーターを一つおきに間引く処理（ＳＳ）を行なって信号（２３）を得る。
このようにして得た信号（２３）をハイパスフィルター（ＨＰＦ）に通し、さらにデーターを一つおきに間引く処理（ＳＳ）を行なって、信号（２４）に示されるＬＨ成分（ＬＨ　ｐａｒｔ）を得る。
また、信号（２３）をローパスフィルター（ＬＰＦ）に通し、さらにデーターを一つおきに間引く処理（ＳＳ）を行なって信号（２５）を得る。このようにして得た信号（２５）をハイパスフィルター（ＨＰＦ）に通し、さらにデーターを一つおきに間引く処理（ＳＳ）を行なって、信号（２６）に示されるＬＬＨ成分（ＬＬＨ　ｐａｒｔ）を得る。
また、信号（２５）をローパスフィルター（ＬＰＦ）に通し、さらにデーターを一つおきに間引く処理（ＳＳ）を行なって、信号（２７）に示されるＬＬＬ成分（ＬＬＬ　ｐａｒｔ）を得る。このようにして多重解像度解析処理を行ない、元信号はＬＬＬ成分、ＬＬＨ成分、ＬＨ成分、Ｈ成分の４成分に分解される。
【００３６】
ウェーブレット変換は直交ウェーブレット変換と非直交ウェーブレット変換に分類することが可能であり、このいずれを用いても良い。
直交ウェーブレット変換では、ウェーブレット関数は実数形のみが用いられることが多い。
このウェーブレット関数としては、ドビッシー（Ｄａｕｂｅｃｉｅｓ）関数、ハール（Ｈａｒｒ）関数、メーヤー（Ｍｅｙｅｒ）関数、シムレット（Ｓｙｍｌｅｔ）関数、そしてコイフレット（Ｃｏｉｆｌｅｔ）関数等が使用可能である。ここでＤａｕｂｅｃｉｅｓはドベシィと表記することがある。
これらの直交ウェーブレット変換では、演算した絶対値にローパスフィルターなどにより包絡線（エンベロープ）処理を行なえば強度に相当する情報が得られる。
直交ウェーブレット関数には、複素数形ウェーブレットと実数形ウェーブレットを用いるものがある。
複素数形ウェーブレット関数としてはガウス形ウェーブレット関数がある。この複素数形ウェーブレット関数を用いた場合、ウェーブレット変換結果に対して絶対値を演算することにより強度が得られる。
実数形ウェーブレット関数としては、メキシカンハット関数、フレンチハット関数等があるが、これを使用して得たウェーブレット変換結果に対して絶対値を演算しても強度は得られない。しかし、演算した絶対値にローパスフィルター等で包絡線（エンベロープ）処理を行なうことにより強度に相当する値を得ることが可能である。
【００３７】
一次元ウェーブレット変換は上記のように行なうが、二次元ウェーブレット変換は二次元データに対して縦方向と横方向（列方向と行方向）に行なうことで求めることができる。
【００３８】
図７は、離散二次元ウェーブレット変換を行なった場合のフローであり、元データＳ０は低周波成分Ｌ１、縦方向高周波成分Ｖ１、横方向高周波成分Ｈ１、斜め方向高周波成分Ｔ１に分けられる。このようにして得た低周波成分Ｌ１を同様にしてウェーブレット変換することにより、低周波成分Ｌ２、縦方向高周波成分Ｖ２、横方向高周波成分Ｈ２、斜め方向高周波成分Ｔ２に分けられる。同様にして低周波成分をウェーブレット変換してゆき、低周波成分Ｌｎ、縦方向高周波成分Ｖｎ、横方向高周波成分Ｈｎ、斜め方向高周波成分Ｔｎを得ることができる。ここで、ウェーブレット変換を行なう場合、変換する画像のサイズは作成した二次元画像マトリックスを一度に行なう必要はなく、分割して処理しても良い。
【００３９】
画像データを一次元フーリエ変換する場合、その点数は２の階乗であることが好ましく、５１２以上が良い。データ点数が２の階乗でなくともフーリエ変換は可能であるが、フーリエ変換の計算速度が低下するので好ましくない。
【００４０】
画像データマトリックスを二次元フーリエ変換する場合、マトリックスの行と列の点数は同じであることが好ましい。
また、マトリックスの行と列の点数は２の階乗であることが好ましく、５１２以上が良い。
データ点数が２の階乗でなくともフーリエ変換は可能であるが、フーリエ変換の計算速度が低下するので好ましくない。
データ点数が２の階乗でない場合は、２の階乗になるように０の列あるいは行を入れて２の階乗になるようにすることが好ましい。
【００４１】
本発明において、二次元画像データマトリックスの作成、ウェーブレット変換、フーリエ変換は各種の手段で実施可能であり、例えば、マイクロプロセッサー、ＤＳＰ（デジタルシグナルプロセッサ）、ＡＳＩＣ、あるいは専用ＩＣやＬＳＩが使用可能である。
【００４２】
本発明において、被評価面を測定して、その二次元画像データマトリックスを作成し、ウェーブレット変換するが、ウェーブレット変換は二次元画像データマトリックスのデータがすべて揃ってから行なう必要はなく、二次元画像データマトリックスの作成を行ないつつ、マトリックスが用意できた部分についての、ウェーブレット変換を行なっても良い。
同様に、フーリエ変換も、二次元画像データマトリックスのデータがすべて揃ってから行なう必要はなく、二次元画像データマトリックスの作成を行ないつつ、マトリックスが用意できた部分についての、一次元フーリエ変換あるいは二次元フーリエ変換を行なっても良い。
【００４３】
図８は、ウェーブレット変換を行なった結果を、更に逆ウェーブレット変換している様子を示した図であり、逆ウェーブレット変換を行なうことにより画像Ｓ００を形成できる。図８ではウェーブレット変換で得たデータを逆ウェーブレット変換しているが、本発明では低周波成分の補正を行なってから逆ウェーブレット変換する。
【００４４】
次に、評価対象物のムラと評価装置のムラを識別する方法について詳述する。始めに、ムラが完全にないと判っているサンプルを測定し、このウェーブレット変換を行なう。
図９において、Ｍ０はムラのないサンプルを測定したデータであり、これをウェーブレット変換して、ＭＬ１、ＭＶ１、ＭＨ１、ＭＴ１を得る。　更に、ウェーブレット変換して得た低周波成分に評価装置のムラが出現するまでウェーブレット変換を行なう。　図９では２回のウェーブレット変換を行なって、ＭＬ２、ＭＶ２、ＭＨ２、ＭＴ２を得た。　そして、ＭＬ２に評価装置のムラが出現していた。
次に、評価対象を測定し、同じ回数だけウェーブレット変換を行なう。図９のＳ０は評価対象を測定して得たデータであり、これを２回ウェーブレット変換して、ＳＬ１、ＳＶ１、ＳＨ１、ＳＴ１と、ＳＬ２、ＳＶ２、ＳＨ２、ＳＴ２を得る。
【００４５】
次に測定対象の低周波成分データＳＬ２から、ムラのないサンプルを測定して得た低周波成分データＭＬ２を図１０のようにして減算して、ＵＬ２を求める。ここで、求めたＵＬ２が評価装置のムラを補正した評価対象自体のムラである。
次に、ＵＬ２とＳＶ２、ＳＨ２、ＳＴ２、ＳＶ１、ＳＨ１、ＳＴ１を逆ウェーブレット変換して、二次元データＵ０を得る。　この二次元データＵ０は評価装置のムラを補正した評価結果である。
【００４６】
ここで、ウェーブレット変換は２回行なったが、低周波成分に評価装置のムラが出現するまで行なっても良い。
図１１は、３回のウェーブレット変換を行なった状態を示した図である。また図１２は、３回のウェーブレット変換で得た低周波成分データＳＬ３から、ムラのないサンプルを測定して得た低周波成分データＭＬ３を減算して、ＵＬ３を求め、逆ウェーブレット変換を行なった様子を示した図である。
【００４７】
本発明における評価対象物の１つである電子写真感光体について、その層構成の１例を図１６によって示す。
図１６において、（３１）は導電性基体、（３２）は下引層、（３３）は電荷発生層、（３４）は電荷輸送層である。電子写真感光体によっては下引き層が省略される場合もある。
導電性基体としては、感光体がドラム状の場合にはアルミニウムあるいはＡ１１００，Ａ３０３０、Ａ６０６３合金のようなアルミニウム合金が使用され、ベルト状の場合には電鋳法で形成されるニッケルベルト等が使用される。
【００４８】
本発明において、ドラム状の感光体に用いる導電性基体としては、各種の加工法で作成されたもの、例えば、切削加工、研削加工、研磨加工が使用可能である。　また、加工後に陽極酸化や化成処理を行なっても良い。
【００４９】
図１６に示される電子写真感光体において、電荷発生層は、電荷発生材料としてフタロシアニン系、アゾキシベンゼン系、トリスアゾ系、ベンズイミダゾール系、多環キノン系、インジゴイド系、キナクリドン系、ペリレン系、メチン系の顔料を含有する層である。
電荷発生層は、上記顔料を必要に応じてバインダー樹脂とともに適当な溶剤中にボールミル、アトライター、サンドミル、超音波などを用いて分散し、これを導電性支持体上に塗布し、乾燥することにより形成される。
電荷発生層用のバインダー樹脂として、水酸基のモル比率が３０％以下のブチラール樹脂を使用すると、特に電気特性が良好な電子写真感光体となって、好ましい。
バインダー樹脂の量は、電荷発生物質１００重量部に対し０〜５００重量部、好ましくは１０〜３００重量部が適当である。
【００５０】
電荷発生層には、上記の顔料の他に、その他の電荷発生材料を併用することも可能であり、その代表として、モノアゾ顔料、ジスアゾ顔料、トリスアゾ顔料、ペリレン系顔料、ペリノン系顔料、キナクリドン系顔料、キノン系縮合多環化合物、スクアリック酸系染料、フタロシアニン系顔料、ナフタロシアニン系顔料、アズレニウム塩系染料等が挙げられ用いられる。
【００５１】
また電荷発生層形成用塗布液に用いられる溶剤としては、イソプロパノール、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、テトラヒドロフラン、ジオキサン、エチルセルソルブ、酢酸エチル、酢酸メチル、ジクロロメタン、ジクロロエタン、モノクロロベンゼン、シクロヘキサン、トルエン、キシレン、リグロイン等が挙げられる。塗布液の塗工法としては、浸漬塗工法、スプレーコート、ビートコート、ノズルコート、スピナーコート、リングコート等の方法を用いることができる。
電荷発生層の膜厚は、０．０１〜５μｍ程度が適当であり、好ましくは０．１〜２μｍである。
【００５２】
図１６に示される電子写真感光体における電荷輸送層は、電荷輸送物質およびバインダー樹脂を適当な溶剤に溶解ないし分散し、これを電荷発生層上に塗布、乾燥することにより形成できる。また、必要により可塑剤、レベリング剤、酸化防止剤等を添加することもできる。
電荷輸送物質には、正孔輸送物質と電子輸送物質とがある。電荷輸送物質としては、例えばクロルアニル、ブロムアニル、テトラシアノエチレン、テトラシアノキノジメタン、２，４，７−トリニトロ−９−フルオレノン、２，４，５，７−テトラニトロ−９−フルオレノン、２，４，５，７−テトラニトロキサントン、２，４，８−トリニトロチオキサントン、２，６，８−トリニトロ−４Ｈ−インデノ［１，２−ｂ］チオフェン−４−オン、１，３，７−トリニトロジベンゾチオフェン−５，５−ジオキサイド、ベンゾキノン誘導体等の電子受容性物質が挙げられる。
【００５３】
正孔輸送物質としては、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾールおよびその誘導体、ポリ−γ−カルバゾリルエチルグルタメート及びその誘導体、ピレン−ホルムアルデヒド縮合体およびその誘導体、ポリビニルピレン、ポリビニルフェナントレン、ポリシラン、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、モノアリールアミン誘導体、ジアリールアミン誘導体、トリアリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、α−フェニルスチルベン誘導体、ベンジジン誘導体、ジアリールメタン誘導体、トリアリールメタン誘導体、９−スチリルアントラセン誘導体、ピラゾリン誘導体、ジビニルベンゼン誘導体、ヒドラゾン誘導体、インデン誘導体、ブタジエン誘導体、ピレン誘導体等、ビススチルベン誘導体、エナミン誘導体等その他公知の材料が挙げられる。これらの電荷輸送物質は単独、または２種以上混合して用いられる。
【００５４】
電荷輸送層形成用のバインダー樹脂としては、ポリスチレン、スチレン−アクリロニトリル共重合体、スチレン−ブタジエン共重合体、スチレン−無水マレイン酸共重合体、ポリエステル、ポリ塩化ビニル、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、ポリ酢酸ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリアレート、フェノキシ樹脂、ポリカーボネート、酢酸セルロース樹脂、エチルセルロール樹脂、ポリビニルブチラール、ポリビニルホルマール、ポリビニルトルエン、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、メラミン樹脂、ウレタン樹脂、フェノール樹脂、アルキッド樹脂等の熱可塑性または熱硬化性樹脂が挙げられる。
【００５５】
電荷輸送物質の量は、結着樹脂１００重量部に対し、２０〜３００重量部、好ましくは４０〜１５０重量部が適当であり、電荷輸送層の膜厚は５〜１００μｍ程度とすることが好ましい。
また、電荷輸送層形成用の塗布液に用いられる溶剤としては、テトラヒドロフラン、ジオキサン、トルエン、ジクロロメタン、モノクロロベンゼン、ジクロロエタン、シクロヘキサノン、メチルエチルケトン、アセトンなどが用いられる。
【００５６】
電荷輸送層中には、さらに可塑剤やレベリング剤を添加してもよい。
可塑剤としては、ジブチルフタレート、ジオクチルフタレートなど一般の樹脂の可塑剤として使用されているものがそのまま使用でき、その使用量は、結着樹脂に対して０〜３０重量％程度が適当である。
レベリング剤としては、ジメチルシリコーンオイル、メチルフェニルシリコーンオイルなどのシリコーンオイル類や、側鎖にパーフルオロアルキル基を有するポリマーあるいは、オリゴマーが使用され、その使用量は結着樹脂に対して、０〜１重量％が適当である。
【００５７】
本発明の評価対象物の１つである電子写真感光体には、導電性支持体と感光層との間に、さらに下引き層を設けることができる。
下引き層は、一般には樹脂を主成分とするが、これらの樹脂はその上に感光層を溶剤で塗布することを考えると、一般の有機溶剤に対して耐溶剤性の高い樹脂であることが望ましい。
このような樹脂としては、ポリビニルアルコール、カゼイン、ポリアクリル酸ナトリウム等の水溶性樹脂、共重合ナイロン、メトキシメチル化ナイロン等のアルコール可溶性樹脂、ポリウレタン、メラミン樹脂、フェノール樹脂、アルキッド−メラミン樹脂、エポキシ樹脂等、三次元網目構造を形成する硬化型樹脂等が挙げられる。
また、下引き層にはモアレ防止、残留電位の低減等のために酸化チタン、シリカ、アルミナ、酸化ジルコニウム、酸化スズ、酸化インジウム等で例示できる金属酸化物の微粉末顔料を加えてもよい。
【００５８】
これらの下引き層は、前述の感光層の如く適当な溶媒、塗工法を用いて形成することができる。
さらに該下引き層として、シランカップリング剤、チタンカップリング剤、クロムカップリング剤等を使用することもできる。この他、本発明の下引き層には、Ａｌ２Ｏ３を陽極酸化にて設けたものや、ポリパラキシリレン（パリレン）等の有機物やＳｉＯ２、ＳｎＯ２、ＴｉＯ２、ＩＴＯ、ＣｅＯ２等の無機物を真空薄膜作成法にて設けたものも良好に使用できる。このほかにも公知のものを用いることができる。下引き層の膜厚は０〜５μｍが適当である。
【００５９】
電子写真感光体には、感光層保護の目的で、保護層が感光層の上に設けられることもできる。保護層の厚さは０．１〜１０μｍ程度が適当である。
保護層に使用される材料としては、ＡＢＳ樹脂、ＡＣＳ樹脂、オレフィン−ビニルモノマー共重合体、塩素化ポリエーテル、アリル樹脂、フェノール樹脂、ポリアセタール、ポリアミド、ポリアミドイミド、ポリアクリレート、ポリアクリルスルホン、ポリブチレン、ポリブチレンテレフタレート、ポリカーボネート、ポリエーテルスルホン、ポリエチレン、ポリエチレンテレフタレート、ポリイミド、アクリル樹脂、ポリメチルペンテン、ポリプロピレン、ポリフェニレンオキシド、ポリスルホン、ポリスチレン、ＡＳ樹脂、ブタジエン−スチレン共重合体、ポリウレタン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、エポキシ樹脂等の樹脂が挙げられる。保護層にはその他、耐摩耗性を向上する目的でポリテトラフルオロエチレンのようなフッ素樹脂、シリコーン樹脂、及びこれらの樹脂に酸化チタン、酸化錫、チタン酸カリウム等の無機材料を分散したもの等を添加することができる。
保護層の形成法としては、通常の塗布法が採用されるが、真空薄膜作成法にて形成したａ−Ｃ、ａ−ＳｉＣなど公知の材料を保護層として用いることができる。
【００６０】
図１７は、本発明の評価方法によって評価された感光体を具備する電子写真画像形成装置の１例を説明するための概略図である。
図１７において、（４１）は電子写真感光体、（４２）は帯電機構、（４３）は露光光源、（４４）は現像機構、（４５）は転写機構、（４６）は転写材料搬送経路、（４７）は定着機構、（４８）はクリーニング機構、（４９）は除電機構である。
【００６１】
上記の電子写真画像形成装置を使用した電子写真方法においては、電子写真感光体（４１）は、反時計方向に回転して、帯電機構（４２）で正または負に帯電され、露光光源（４３）からの露光によって、静電潜像を電子写真感光体（４１）上に形成する。
ここで、帯電機構（４２）としては各種の帯電機構が使用可能であり、コロトロン、スコロトロン、帯電ローラ、帯電ブラシが使用可能である。
【００６２】
また、露光光源（４３）、および、除電機構（４９）等で使用する光源としては、蛍光灯、タングステンランプ、ハロゲンランプ、水銀灯、ナトリウム灯、発光ダイオード（ＬＥＤ）、半導体レーザー（ＬＤ）、エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）等の発光物を使用することができる。
そして、所望の波長域の光のみを照射するために、シャープカットフィルター、バンドパスフィルター、近赤外カットフィルター、ダイクロイックフィルター、干渉フィルター、色温度変換フィルターなどの各種フィルターを用いることもできる。
かかる光源等は、図１７に図示した構成の他に、光照射を併用した転写工程、除電工程、クリーニング工程、或いは前露光等の工程を設けることにより、感光体に光が照射される際にも用いることができる。
【００６３】
感光体に正または負の帯電を施して画像露光を行なった場合、感光体上には正または負の静電潜像が形成される。これを、負または正に帯電した極性のトナー（検電微粒子）で現像すれば、ポジ画像が得られるし、逆に正または負に帯電した極性のトナーで現像すれば、ネガ画像が得られる。かかる現像には、公知の方法を適用することができ、また、除電手段にも公知の方法が用いられる。
【００６４】
以上に示すような本発明の画像形成手段は、複写装置、ファクシミリ、プリンタなどの装置内に固定して組み込まれていてもよいが、プロセスカートリッジの形でそれら装置内に組み込まれてもよい。
プロセスカートリッジとは、感光体を内蔵し、他に帯電手段、露光手段、現像手段、転写手段、クリーニング手段、除電手段などを少なくとも１つ具備し、画像形成装置の脱着自在なもので、その形状等は特に限定的ではない。
【００６５】
図１８は、そのプロセスカートリッジの一例を示すものである。
図において、プロセスカートリッジの容器（５０）には、電子写真感光体（４１）の周囲に、帯電手段（４２）、画像露光手段（４３）、現像手段（４４）、転写手段（４５）、紙等の転写材の搬送手段（４６）、定着手段（４７）、クリーニング手段（４８）及び除電光源手段（４９）が配置される。
露光光源（４３）や転写機構（４５）は、プロセスカートリッジに配置せずに、プロセスカートリッジが装着される画像形成装置側に設けても良い。
【００６６】
図１８は、構造の例を示したものであり、各手段は図に示した以外の方法でも良い。
例えば、画像露光、及び図示されていない前露光光の光源には、蛍光燈、タングステンランプ、ハロゲンランプ、水銀灯、ナトリウム灯、発光ダイオード（ＬＥＤ）、半導体レーザー（ＬＤ）、エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）などの発光手段を使用することができる。
また、所定の波長域の光のみを照射するために、シャープカットフィルター、バンドパスフィルター、近赤外カットフィルター、ダイクロックフィルター、干渉フィルター、色温度変換フィルターなどの各種フィルターが使用可能である。クリーニング機構（４８）は、クリーニングブレードだけで行われることもあり、クリーニングブラシ、もしくはブレードと併用されることもある。
図１８に示されるプロセスカートリッジにおいて、クリーニング手段等がプロセスカートリッジに含まれなくとも良い。また、図では内蔵していない発光手段や転写手段をプロセスカートリッジに内蔵しても良い。
以上、本発明について評価対象物として電子写真感光体およびそれに用いられる基体を例にとって説明したが、先述した評価対象物すべてについて本発明の評価方法が適用可能であることは言うまでもないことである。
【００６７】
【実施例】
本発明を以下の実施例によって説明するが、本発明はこれらによって限定されるものではない。
初めに各実施例及び比較例において測定に使用した評価対象試料について説明する。
（ムラのない試料の作成）
Ａ６０６３アルミニウム合金製ビュレットを押し出し加工し、外径約３０．５ｍｍ、内径２８．０ｍｍ、長さ３４０ｍｍの粗素管を作成した。
さらに、これを切削加工して外径３０ｍｍ、内径２８．０ｍｍ、長さ３４０ｍｍのアルミニウム合金製基体を１５本作製し、その中から目視で切削スジ、スクラッチ等の切削異常のない基体を１０本選別した。
次に、この１０本の基体を順次界面活性剤入りの水槽に入れ、ナイロン製ブラシで表面の擦り洗浄を行い、更に、純水で５回洗浄を行なう洗浄脱脂を行なった後、表面に付着した水滴を圧縮空気で吹き飛ばした後３０分間自然乾燥させた。次に、この基体を、下記組成からなる下引き層塗工液を入れた内径９０ｍｍ、深さ４００ｍｍの塗工タンクに入れ、一定速度で液から引き上げるいわゆる浸漬塗工法を行なって表面に下引き層塗工液の湿潤塗膜を形成した。次いで１５０℃で１５分間加熱し、熱硬化させて、基体面に約５μｍ厚の下引き層を形成させた。
酸化チタン　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　２０重量部
アルキッド樹脂　　　　　　　　　　　　　　　　　　１０重量部
メラミン樹脂　　　　　　　　　　　　　　　　　　　１０重量部
メチルエチルケトン　　　　　　　　　　　　　　　　６０重量部
このようにして作成した下引き層形成管１０本から目視で外観の観察を行い、外観ムラがまったく認められなかった３本を選別し、これを評価装置のムラ検出用管とした。
【００６８】
（評価試料の作成）
Ａ６０６３アルミニウム合金製ビュレットを押し出し加工し、外径約３０．５ｍｍ、内径２８．０ｍｍ、長さ３４０ｍｍの粗素管を作成した。
更に、これを切削加工して外径３０ｍｍ、内径２８．０ｍｍ、長さ３４０ｍｍのアルミニウム合金製基体を１０本作製した。　この基体を先に述べた方法と同様な方法で洗浄脱脂と乾燥を行なった後、下記組成からなる下引き層塗工液を浸漬塗工法で塗布し、次いで１５０℃　で１５分間加熱し、熱硬化させて、基体面に約５μｍ厚の下引き層を形成させた。
酸化チタン　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　２０重量部
アルキッド樹脂　　　　　　　　　　　　　　　　　　１０重量部
メラミン樹脂　　　　　　　　　　　　　　　　　　　１０重量部
メチルエチルケトン　　　　　　　　　　　　　　　　６０重量部
次に、下記組成の電荷発生層塗工液を浸漬塗工法で塗工し、１００℃で１０分間乾燥した後、更にその上に、下記組成の電荷輸送層塗工液を浸漬塗工法で塗工し、塗布後１２０℃で１５分間乾燥して電子写真感光体を１０本作製した。
ここで、本発明は評価対象のムラ検出が目的なので、電荷発生層の浸漬塗工時に、５本は故意に引き上げ過程時に弱い気流を当て、電荷発生層の塗膜ムラが発生するように塗工した。
ここで、電荷発生層塗工液は下記組成である。
ブチラール樹脂（ＵＣＣ社製ＸＹＨＬ）　　　　　　　　１重量部
チタニルフタロシアニン　　　　　　　　　　　　　　　９重量部
シクロヘキサノン　　　　　　　　　　　　　　　　　３０重量部
テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）　　　　　　　　　　　３０重量部
また、電荷輸送層塗工液は下記組成である。
ポリカーボネート樹脂　　　　　　　　　　　　　　　１０重量部
電荷移動剤［下記式（化１）］　　　　　　　　　　　１０重量部
【００６９】
【化１】
2004144859.tif 000008
ジクロロメタン　　　　　　　　　　　　　　　　　　８０重量部
なお、ポリカーボネート樹脂は帝人社製のパンライトＫ−１３００を使用した。
【００７０】
（実施例１）
図１に示した装置を使用し、光源は白熱電球を使用した。また、熱線吸収フィルターを使用し、赤外線をカットした。また、ハーフミラーはリコー製ハーフミラーを使用した。レンズはニコン製マイクロニッコール５５ｍｍＦ２．８、一次元ラインセンサーは浜松ホトニクス製ＮＭＯＳリニアイメージセンサーを使用した。
初めに先に作製した評価装置のムラ検出用管１本を測定し、２回のウェーブレット変換を行なった。このウェーブレット変換はドビッシー（Ｄａｕｂｅｃｉｅｓ）関数を用いて行なった。
２回のウェーブレット変換によって、評価装置のムラは低周波成分に出現した。このウェーブレット変換は、図９の上の図に示すフローと同じである。
次に、塗膜スジの発生した電子写真感光体の観察を行ない、２回のウェーブレット変換を行なった。　このウェーブレット変換はドビッシー（Ｄａｕｂｅｃｉｅｓ）関数を用いて行なった。　このウェーブレット変換も同様にドビッシー（Ｄａｕｂｅｃｉｅｓ）関数を用いて行なった。
次に図１０の上式に示すように、低周波成分ＳＬ２からＭＬ２を減算してＵＬ２を得た。　この評価対象の低周波成分がムラに相当し、これは評価装置のムラが除かれており、評価対象のムラのみを精度良く検出できた。
【００７１】
（実施例２）
図１に示した装置を使用し、光源としては白熱電球を使用した。また、熱線吸収フィルターを使用し、赤外線をカットした。　またハーフミラーはリコー製ハーフミラーを使用した。レンズはニコン製マイクロニッコール５５ｍｍＦ２．８、一次元ラインセンサーは浜松ホトニクス製ＮＭＯＳリニアイメージセンサーを使用した。
初めに先に作製した評価装置のムラ検出用管１本を測定し、このウェーブレット変換を行なった。このウェーブレット変換はドビッシー（Ｄａｕｂｅｃｉｅｓ）関数を用いて行なった。図１３が評価装置のムラ検出用管の測定結果である。２回のウェーブレット変換により、評価装置のムラは低周波成分に出現した。
次に、塗膜スジの発生した電子写真感光体の観察を行なった。
図１４はこの観察結果である。また、２回のウェーブレット変換を行なった。このウェーブレット変換も同様にドビッシー（Ｄａｕｂｅｃｉｅｓ）関数を用いて行なった。
次に図１０の上式に示すように、低周波成分ＳＬ２からＭＬ２を減算してＵＬ２を得て、更に図１０の下に示す逆ウェーブレット変換を行なった。　このようにして得た画像を図１５に示すが、評価装置に起因するムラは除かれており、評価対象物のスジのみを確認することができた。
【００７２】
（実施例３）
図２に示した装置を使用し、光源としては白熱電球の光を熱線吸収フィルターに通し、この光を光ファイバーアレイを通して使用した。レンズはニコン製マイクロニッコール５５ｍｍＦ２．８、一次元ラインセンサーは浜松ホトニクス製ＮＭＯＳリニアイメージセンサーを使用した。
始めに先に作製した評価装置のムラ検出用管１本を測定し、得た二次元データに対し、２回のウェーブレット変換を行なった。このウェーブレット変換はドビッシー（Ｄａｕｂｅｃｉｅｓ）関数を用いて行なった。
このようにして得た低周波成分ＭＬ２に対し、二次元フーリエ変換を行なって、低周波成分の様子を調べた。
次に、塗膜スジの発生した電子写真感光体の観察を行ない、得た二次元データに対して２回のウェーブレット変換を行なった。このウェーブレット変換もドビッシー（Ｄａｕｂｅｃｉｅｓ）関数を用いて行なった。さらに、このようにして得た低周波成分ＳＬ２に対し、二次元フーリエ変換を行なって、低周波成分の様子を調べた。
次に、ＳＬ２からＭＬ２を減算し、評価対象のムラを調べたところ、精度良く検出することができた。
【００７３】
（実施例４）
図２に示した装置を使用し、光源としては白熱電球の光を熱線吸収フィルターに通し、この光を光ファイバーアレイを通して使用した。レンズはニコン製マイクロニッコール５５ｍｍＦ２．８、一次元ラインセンサーは浜松ホトニクス製ＮＭＯＳリニアイメージセンサーを使用した。
始めに先に作製した評価装置のムラ検出用管１本を測定し、このウェーブレット変換を行なった。図１３が評価装置のムラ検出用管の測定結果である。２回のウェーブレット変換により、評価装置のムラは低周波成分に出現した。
このウェーブレット変換は図９の上の図に示すフローと同じである。
次に、塗膜スジの発生した電子写真感光体の観察を行なった。図１４はこの観察結果である。　また、２回のウェーブレット変換を行なった。このウェーブレット変換はドビッシー（Ｄａｕｂｅｃｉｅｓ）関数を用いて行なった。
次に図１０の上式に示すように、低周波成分ＳＬ２からＭＬ２を減算してＵＬ２を得た。更に図１０の下に示す逆ウェーブレット変換を行なった。このようにして二次元データを作成し、この二次元フーリエ変換を行なったところ、評価対象のムラやスジを精度良く検出できた。
【００７４】
（比較例１）
図１に示した装置を使用し、光源は白熱電球を使用した。　また、熱線吸収フィルターを使用し、赤外線をカットした。　またハーフミラーはリコー製ハーフミラーを使用した。レンズはニコン製マイクロニッコール５５ｍｍＦ２．８、一次元ラインセンサーは浜松ホトニクス製ＮＭＯＳリニアイメージセンサーを使用した。
始めに先に作製した評価装置のムラ検出用管１本を測定し、二次元データＭを作成した。
次に、塗膜スジの発生した電子写真感光体の観察を行ない、二次元データＳを作成した。　二次元データＳから二次元データＭを減算したが、評価対象とするムラも減算されてしまい、正確にムラを検出することができなかった。
【００７５】
（比較例２）
評価対象の軸方向と、評価対象を観察して作成した二次元データの縦方向が１７°傾いている以外は実施例２と同様にして評価を行なったが、評価装置のムラを分離することができなかった。
以上の結果から、本発明の効果を確認することができた。
【００７６】
【発明の効果】
以上、詳細かつ具体的な説明から明らかなように、本発明の評価方法によると、評価装置系を原因とするムラを、二次元画像データの二次元多重解像度解析を行なって、低周波成分画像データと高周波成分画像データを得て、更にこの低周波画像データ及び高周波画像データ中に評価装置に由来するムラを出現させ、この結果で評価対象データを補正するので、評価装置系を原因とするムラを除去することができ、従って、制度の良い評価が可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明における表面評価装置の構成例の図である。
【図２】本発明における表面評価装置の別の構成例の図である。
【図３】本発明における表面評価装置の更に別の構成例の図である。
【図４】本発明において表面評価を行ない、二次元画像を作成する様子の図である。
【図５】本発明における評価対象面と二次元データの対応の図である。
【図６】本発明で実施する一次元ウェーブレット変換フローの図である。
【図７】本発明で実施する二次元ウェーブレット変換フローの図である。
【図８】本発明で実施する二次元ウェーブレット変換と逆変換フローの図である。
【図９】本発明におけるムラのない評価対象と評価対象の二次元データを２回ウェーブレット変換したフロー図である。
【図１０】本発明において、２回のウェーブレット変換で得た低周波成分の減算と、逆ウェーブレット変換フローの図である。
【図１１】本発明において、ムラのない評価対象と評価対象の二次元データを３回ウェーブレット変換したフロー図である。
【図１２】本発明において、３回のウェーブレット変換で得た低周波成分の減算と、逆ウェーブレット変換フローの図である。
【図１３】本発明における評価装置のムラ検出用管を観察した結果の図である。
【図１４】本発明におけるスジの発生した電子写真感光体を観察した結果の図である。
【図１５】本発明におけるスジの発生した電子写真感光体を観察した結果から評価装置のムラを除いた図である。
【図１６】本発明の電子写真感光体の層構成図である。
【図１７】本発明の電子写真画像形成装置の構成図である。
【図１８】本発明の電子写真装置用プロセスカートリッジの構成図である。
【符号の説明】
１　　評価対象
２　　光源
３　　ハーフミラー
４　　１次元ラインセンサー
５　　２次元センサー
６　　レンズ
７　　１次元ラインセンサー
８　　メモリ
９　　評価対象部位
１０　　データが記録された領域
１１　　データが書き込まれつつある領域
１２　　データが書き込まれていない領域
２０　　バイト
２１　　信号
２２　　信号
２３　信号
２４　信号
２５　信号
２６　信号
３１　　導電性基体
３２　　下引層
３３　　電荷発生層
３４　　電荷輸送層
４１　　電子写真感光体
４２　　帯電機構
４３　　露光光源
４４　　現像機構
４５　　転写機構
４６　　転写材料搬送経路
４７　　定着機構
４８　　クリーニング機構
４９　　除電機構
５０　　プロセスカートリッジのケース
ＨＰＦ　バイパスフィルター
ＬＰＦ　ローパスフィルター
ＳＳ　データーを一つおきに間引く処理
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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