(57)【要約】【課題】露光用マスクの元となるマスク基材について、そのマスク基材上の微細な欠陥をも検出可能にする場合に、その欠陥検査を迅速に行えるようにする。【解決手段】露光用マスクの元となるマスク基材に対して欠陥検査を行う場合にあたり、前記マスク基材に形成すべきマスクパターンの形状に関するパターンデータから当該マスクパターンが形成された後における露光領域１３を抽出し、前記露光領域１３に対応する前記マスク基材の部分についてのみ前記欠陥検査を行うようにする。【選択図】        図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
露光用マスクの元となるマスク基材に対して欠陥検査を行うためのマスク基材検査方法であって、
前記マスク基材に形成すべきマスクパターンの形状に関するパターンデータから当該マスクパターンが形成された後における露光領域を抽出し、
前記露光領域に対応する前記マスク基材の部分についてのみ前記欠陥検査を行う
ことを特徴とするマスク基材検査方法。
【請求項２】
前記露光領域と同一の領域を有し、かつ、当該領域の全てが一様である擬似パターンについての検査用擬似パターンデータを生成し、
前記検査用擬似パターンデータを用いたデータ比較検査によって前記欠陥検査を行う
ことを特徴とする請求項１記載のマスク基材検査方法。
【請求項３】
前記欠陥検査にあたり前記マスク基材上に存在するマスク露光用のアライメントマークを用いて当該マスク基材と前記検査用擬似パターンデータとのアライメントを行う
ことを特徴とする請求項２記載のマスク基材検査方法。
【請求項４】
半導体装置の製造工程にて用いられ、当該半導体装置の回路パターンを形成するための露光用マスクの元となるマスク基材に対して欠陥検査を行う機能を有した半導体製造装置であって、
前記マスク基材に形成すべきマスクパターンの形状に関するパターンデータから当該マスクパターンが形成された後における露光領域を抽出する領域抽出手段と、
前記領域抽出手段が抽出した露光領域に対応する前記マスク基材の部分についてのみ前記欠陥検査を行う欠陥検査手段と
を備えることを特徴とする半導体製造装置。
【請求項５】
前記領域抽出手段が抽出した露光領域と同一の領域を有し、かつ、当該領域の全てが一様である擬似パターンについての検査用擬似パターンデータを生成するデータ生成手段を備えるとともに、
前記欠陥検査手段は、前記データ生成手段が生成した検査用擬似パターンデータを用いたデータ比較検査によって前記欠陥検査を行う
ことを特徴とする請求項４記載の半導体製造装置。
【請求項６】
前記欠陥検査手段による欠陥検査にあたり前記マスク基材上に存在するマスク露光用のアライメントマークを用いて当該マスク基材と前記検査用擬似パターンデータとのアライメントを行うアライメント手段
を備えることを特徴とする請求項４記載の半導体製造装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置製造プロセスのリソグラフィ工程にて用いられる露光用マスクの元となるマスク基材について、その欠陥検査を行うためのマスク基材検査方法およびその欠陥検査を行う機能を有した半導体製造装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
リソグラフィ工程にて用いられる露光用マスクは、例えば荷電粒子線透過型のステンシルマスクであれば、その元となるマスク基材（マスクブランクス）に、転写すべき回路パターンに対応した形状の開口を加工することによって形成される。ところで、このような露光用マスクの形成にあたり、マスク基材における欠陥を検査することは、その露光用マスクの品質を管理する上で非常に重要である。なぜならば、仮にマスク基材に開口状の欠陥があると、そのマスク基材にパターン形成加工を行っても、その結果得られる露光用マスクにも欠陥が内在して不良品となることが考えられるためである。
【０００３】
このことから、従来、露光用マスクの形成にあたっては、マスク基材の全面に対して光学顕微鏡等を用いた欠陥検査を行い、欠陥が存在した場合においてもその欠陥が露光パターンに影響しないようにマスク基材上でのパターン加工位置を決定することで、欠陥のあるマスク基材でも使用を可能とし、露光用マスクの製造歩留まりの向上およびマスク基材の効率的運用を可能とすることが提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
【特許文献１】
特開２００１−３３９４１号公報
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述したように、マスク基材の全面に対して欠陥検査を行っていたのでは、以下に述べるような問題が生じてしまうおそれがある。
【０００６】
近年、半導体装置における回路パターンの微細化に伴い、その半導体装置の動作に影響を与える欠陥の大きさも微細化の一途を辿っている。そのため、マスク基材に対する欠陥検査についても、微細な欠陥の検出に対応しなければならない。例えば、ＬＥＥＰＬ（Ｌｏｗ  Ｅｎｅｒｇｙ  Ｅ−ｂｅａｍ  Ｐｒｏｘｉｍｉｔｙ  Ｐｒｏｊｅｃｔｉｏｎ  Ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ）技術に対応した電子線等倍近接露光に使用される露光用マスクについては、マスク基材上に存在する３０ｎｍ程度の欠陥についても、その検出を行う必要がある。このような状況下では欠陥検査に要する時間が増大する傾向にあるが、マスク基材の全面に対して欠陥検査を行っていたのでは、その時間増大をより一層増長させてしまうことに繋がるため好ましくない。
【０００７】
また、マスク基材の全面に対して欠陥検査を行っても、検出された欠陥がパターン加工時に回避し得ない位置に存在していると、結局そのマスク基材を修正または廃棄しなければならない。したがって、必ずしも露光用マスクの製造歩留まりの向上等が図れるとは限らない。
【０００８】
このように、露光用マスクの形成にあたって、マスク基材の全面に対して欠陥検査を行っていたのでは、その欠陥検査時間の増大を招くことなり、露光用マスク形成におけるスループットの低下やその形成コストの増大等の要因となり得る。このことから、特にマスク基材上の微細な欠陥をも検出可能にする場合には、その欠陥検査を迅速に行える方法、装置の開発が望まれている。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記要望に応えるべく案出されたマスク基材検査方法である。すなわち、露光用マスクの元となるマスク基材に対して欠陥検査を行うためのマスク基材検査方法であって、前記マスク基材に形成すべきマスクパターンの形状に関するパターンデータから当該マスクパターンが形成された後における露光領域を抽出し、前記露光領域に対応する前記マスク基材の部分についてのみ前記欠陥検査を行うことを特徴とする。
【００１０】
また、本発明は、上記要望に応えるべく案出された半導体製造装置である。すなわち、半導体装置の製造工程にて用いられ、当該半導体装置の回路パターンを形成するための露光用マスクの元となるマスク基材に対して欠陥検査を行う機能を有した半導体製造装置であって、前記マスク基材に形成すべきマスクパターンの形状に関するパターンデータから当該マスクパターンが形成された後における露光領域を抽出する領域抽出手段と、前記領域抽出手段が抽出した露光領域に対応する前記マスク基材の部分についてのみ前記欠陥検査を行う欠陥検査手段とを備えることを特徴とする。
【００１１】
上記手順のマスク基材検査方法および上記構成の半導体製造装置によれば、露光領域に対応するマスク基材の部分についてのみ欠陥検査を行う。ここで、露光領域とは、マスク基材上の露光可能な領域ではなく、そのマスク基材上に形成されたマスクパターンを半導体装置の回路パターンとして転写する際に露光することが必要となる領域をいう。このような露光領域は、マスクパターンの形状に関するパターンデータから抽出することができる。すなわち、パターンデータから露光領域を抽出することで、露光領域に対応するマスク基材の部分についてのみ、その欠陥検査を行えるようになる。欠陥検査としては、例えばマスク基材に本来あるべきでない開口状の欠陥が存在しているか否かの検査を行う。このような欠陥は、露光領域以外に存在しても、露光によって転写される回路パターンに悪影響を及ぼすことがない。したがって、露光領域の対応部分についてのみ欠陥検査を行えば、それ以外については欠陥検査を行わなくても、目的のパターン転写を実現し得るとともに、露光領域以外について欠陥検査を行わない分だけその検査スループットの向上等が図れるようになる。
【００１２】
【発明の実施の形態】
以下、図面に基づき本発明に係るマスク基材検査方法および半導体製造装置について説明する。ここでは、本発明を、電子線等倍近接露光で使用される露光用マスクについてのマスク基材検査方法および半導体製造装置に適用した場合を例に挙げて説明する。
【００１３】
はじめに、電子線等倍近接露光およびその電子線等倍近接露光で用いられる露光用マスクについて簡単に説明する。図１は電子線等倍近接露光の概要を説明するための模式図であり、図２は電子線等倍近接露光において用いられる露光用マスクの構成例を示す側断面である。
【００１４】
電子線等倍近接露光とは、露光用マスクと被露光物であるウエハ基板とを近接させ、その露光用マスクに設けられた開口を透過した荷電粒子線により、ウエハ基板上への回路パターンの転写を行う露光技術である。詳しくは、図１に示すように、電子銃１からの荷電粒子線２が、制限アパーチャ３、収束レンズ４、主偏向器５および微調用偏向器６を経て、露光用マスク７に設けられた開口を透過し、ウエハ基板８上に成膜されたレジスト９へ到達することで、その露光用マスク７における開口の形状（マスクパターン）がそのままウエハ基板８上のレジスト９へ回路パターンとして転写される。したがって、露光用マスク７とウエハ基板８との間に何ら光学的な機能素子が介在しないため、露光用マスク７上におけるパターン寸法は、ウエハ基板８上へ転写されるパターン寸法と同一となる。このとき、荷電粒子線２としては、ＬＥＥＰＬ技術に対応した低エネルギーの電子線が挙げられるが、他の電子線やイオンビームであっても構わない。また、荷電粒子線２以外にも、ＥＵＶ（Ｅｘｔｒｅｍｅ  Ｕｌｔｒａ  Ｖｉｏｌｅｔ）と呼ばれる極短紫外光を用いることも考えられる。
【００１５】
電子線等倍近接露光で用いられる露光用マスク７としては、図２に示すように、メンブレン７ａを梁７ｂで支えた構造のステンシルマスクがある。梁７ｂは、マスク補強のためのストラット（Ｓｔｒｕｔ）として機能する。一方、梁７ｂ以外のメンブレン７ａには、転写すべき回路パターンに対応した形状の開口（この開口のパターンが「マスクパターン」となる）が形成される。なお、メンブレン７ａの材質は、Ｓｉ、ＳｉＮ、ＳｉＣ、ＳｉＯ２、ダイヤモンド、ダイヤモンドライクカーボンのいずれか、またはこれらを組み合わせたものを用いることが考えられる。
【００１６】
ところで、このような露光用マスク７は、メンブレン７ａを梁７ｂで支えた構造のマスク基材を元にして形成される。すなわち、マスク基材におけるメンブレン７ａに、マスクパターンの設計データ（描画データ）によって特定される形状の開口を加工することによって形成される。したがって、パターン欠陥のない露光用マスク７を形成するためには、そのマスク基材に対する欠陥検査を行うことが必要となる。
【００１７】
ここで、そのマスク基材に対する欠陥検査について詳しく説明する。先ず、マスク基材の欠陥検査に必要となる装置構成、すなわち本発明に係る半導体製造装置の概略構成について説明する。マスク基材の欠陥検査に用いる半導体製造装置は、少なくとも、欠陥検出部とコンピュータ部とを備えており、これらによって欠陥検査を行うための機能を実現し得るものとする。
【００１８】
欠陥検出部は、例えば透過光、反射光、反射荷電粒子、透過荷電粒子のいずれか、またはこれらを組み合わせたものを用いて、検査対象となるマスク基材を走査して、そのマスク基材のメンブレンの状態を撮像または認識するものである。この欠陥検出部は、周知の光学技術や画像処理技術等を利用して構成されたものであればよい。
【００１９】
コンピュータ部は、例えばＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ  Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ  Ｕｎｉｔ）、ＲＯＭ（Ｒｅａｄ  Ｏｎｌｙ  Ｍｅｍｏｒｙ）、ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ）等の組み合わせからなるもので、ＲＯＭ内の所定プログラムをＣＰＵが実行することにより、マスクパターンの設計データについてのデータ処理を行ったり、欠陥検出部における動作を制御したり、検査対象となるマスク基材に欠陥があるか否かを判定したりするものである。
【００２０】
なお、マスク基材の欠陥検査を行う機能を実現する半導体製造装置は、必ずしも専用のものである必要はなく、例えばマスクパターンが形成された後の露光用マスク７について欠陥検査を行うものと兼用しても構わない。
【００２１】
続いて、このような半導体製造装置にて行われるマスク基材の欠陥検査の手順、すなわち本発明に係るマスク基材検査方法の手順について説明する。マスク基材の欠陥検査は、以下のようにして行われる。
【００２２】
マスク基材の欠陥検査にあたっては、最初に、そのマスク基材における検査対象領域の特定を行う。これは、欠陥検査の時間短縮化を図るためである。
【００２３】
例えば、電子線等倍近接露光を行う場合には、マスク基材上に存在する３０ｎｍ程度の微小な欠陥についても検出しなければならない。このような微小な欠陥を検出するためには、欠陥検出部における解像度の向上（検出可能な画素サイズの縮小化）が有効であるが、同一面積当たりの画素数の増大を伴うため、単位時間あたり検査可能な領域を狭めることになる。つまり、微小な欠陥を検出することは、検査時間の増大を招くおそれがある。
【００２４】
これに対して、マスク基材では、メンブレン７ａの部分にマスクパターンを構成する開口が形成されることになるが、通常はそのメンブレン７ａが想定し得る最大の半導体装置のチップサイズの１〜４倍の大きさを有している。したがって、必要となるマスクパターンのための領域の大きさが、メンブレン７ａの大きさよりも小さくて済む可能性もある。その場合には、メンブレン７ａの全域（以下「メンブレン領域」という）を欠陥検査の対象とすると、マスクパターンを配置する必要のない、実際の露光には何ら影響を与えない箇所まで、その検査対象に含んでしまうことになる。つまり、常にメンブレン領域を欠陥検査の対象とすると、検査時間を浪費することに繋がるおそれがある。
【００２５】
これらのことから、微小な欠陥の検出を可能にしつつ、その欠陥検査に要する時間の短縮化を図るために、マスク基材の欠陥検査にあたり、先ず、実際に露光に影響がある領域、すなわちマスク基材における検査対象領域の特定を行って、それ以外の部分を検査対象外とするのである。
【００２６】
検査対象領域の特定は、コンピュータ部が、マスクパターンの設計データ、すなわちマスク基材に形成すべきマスクパターンの形状に関するパターン描画データから、そのマスクパターンが形成された後における露光領域を抽出することによって行う。図３は、マスク基材における検査対象領域特定の概念を示す説明図である。
【００２７】
具体的には、コンピュータ部は、先ず、図３（ａ）に示すように、設計データにより規定されるパターン形状の座標値を認識し、そのうちの最大値および最小値を抽出して、その最大値および最小値を通過する線分を構成辺とする矩形領域を特定する。この矩形領域は、マスクパターンのパターン配置領域１１に相当するもので、必ずメンブレン領域１２の大きさより小さいか、あるいは同等の大きさを有している。
【００２８】
パターン配置領域１１を特定した後は、続いて、コンピュータ部は、図３（ｂ）に示すように、そのパターン配置領域１１に対して、そのパターン周辺を縁取る領域を付加する。この付加領域は、例えば電子線等倍近接露光の場合であればマスクパターンに対してジグザグ状の露光走査が行われるが（図中における矢印参照）、その露光走査の折り返し時に荷電粒子線が照射されるパターン領域外の部分に相当する。したがって、このような領域を付加することによって、その付加後の領域は、マスク基材にマスクパターンが形成された後における露光領域１３となる。なお、露光領域１３を得るための付加領域の大きさは、電子線等倍近接露光を行う露光装置や露光条件等に応じて適宜決定し、その決定結果を予めコンピュータ部に登録しておけばよく、具体的にはその付加領域の幅が０〜１０００μｍ程度の範囲であることが考えられる。
【００２９】
このようにして、マスク基材上における露光領域１３を抽出したら、コンピュータ部では、その露光領域１３をマスク基材の検査対象領域として特定する。検査対象領域は、メンブレン領域に対して一つの領域を特定することが考えられるが、例えばいわゆる相補分割を行う場合のように、メンブレン領域が複数に分割される場合には、その分割された領域毎に特定しても構わない。そして、検査対象領域の特定後、コンピュータ部は、次に、検査用擬似パターンデータの生成を行う。
【００３０】
検査用擬似パターンデータとは、露光領域１３と同一の領域を有し、かつ、その露光領域１３の全てが一様であるような擬似的な検査用データをいう。すなわち、露光領域１３と同一の領域の全てが、あたかも一様なパターンであるようなデータである。このような検査用擬似パターンデータの生成は、例えば、設計データから特定したパターン配置領域１１とサイズおよび座標位置が同一なパターンを作成し、これに露光領域１３を得るための付加領域に相当するリサイズ処理を行うことで実施すればよい。
【００３１】
検査用擬似パターンデータを生成すると、続いて、コンピュータ部は、その検査用擬似パターンデータを用いて、検査対象となるマスク基材についての欠陥検査を行う。このとき、コンピュータ部は、生成した検査用擬似パターンデータを参照データとし、これを欠陥検出部で得られたマスク基材のメンブレン状態のパターン撮像結果等と比較し、そのマスク基材のメンブレンに欠陥が生じているか否かを判定する、いわゆるデータ比較検査を行う。このようなデータ比較検査は、コンピュータ部が検査用擬似パターンデータを生成しているので、迅速かつ高精度に実施することが可能となる。
【００３２】
図４は、データ比較検査による欠陥検査の概念を示す説明図である。図例のように、データ比較検査では、欠陥検出部で得られたマスク基材のメンブレン上での微小欠陥についての信号（図中（ａ）参照）と、検査用擬似パターンデータによって特定される参照信号（図中（ｂ）参照）とを比較し、これらが一致するか否かに基づいて、マスク基材のメンブレンに欠陥があるか否かの判定を行う。さらに具体的には、例えば欠陥検出部がマスク基材のメンブレンを透過した電荷量をモニターするものであれば、その透過電荷量に応じた波形の信号が得られるが、この波形信号を検査用擬似パターンデータによって特定される参照信号と比較し、予め設定された閾値を超えた部分については欠陥であると判定する。
【００３３】
ところで、データ比較検査を行う場合には、その比較対象となるそれぞれのものについての位置合わせ（以下、この位置合わせを「アライメント」という）を行うことが必須となる。マスク基材と検査用擬似パターンデータとのアライメントは、例えば、マスク基材の端縁やそのマスク基材における梁７ｂのエッジ部分等を基準位置として特定し、その基準位置を基にして行うことが考えられる。ただし、マスク基材の端縁や梁７ｂのエッジ部分等を基準位置としたのでは、そのマスク基材を形成する際の許容寸法精度等との関係で、必ずしも十分な精度でのアライメントの実施を期待することができない。
【００３４】
これに対して、電子線等倍近接露光にて用いられるマスク基材を例にとると、そのマスク基材には、露光用マスク７の形成やその露光用マスク７によるパターン露光等のために用いられるアライメントマークが配設されていることがある。図５は、アライメントマークの一具体例を示す説明図である。図例のように、通常、電子線等倍近接露光にて用いられるマスク基材では、その梁７ｂの部分にアライメントマーク１４が配されている。したがって、マスク基材に既に配されているアライメントマーク１４を用いれば、データ比較検査を行う場合であっても、そのマスク基材と検査用擬似パターンデータとのアライメントを、十分な精度で実施することが可能となる。
【００３５】
このことから、欠陥検出部でマスク基材のメンブレン状態を撮像等をし、そのマスク基材についてコンピュータ部でデータ比較検査による欠陥有無の判定を行うのにあたっては、そのマスク基材上に存在するマスク露光用のアライメントマーク１４を用いて、マスク基材と検査用擬似パターンデータとのアライメントを行うようにすることが望ましい。具体的には、欠陥検出部において、アライメントマーク１４に対して光または荷電粒子線ビームを照射し、その反射光または反射荷電粒子を検出することによって得られるマーク波形信号からアライメントマーク１４の位置を算出し、その算出結果に基づいてアライメントを行うようにすることが考えられる。また、そのアライメントマーク１４を用いて、欠陥検出部における検査中のステージ真直度補正等を行ってもよい。
【００３６】
なお、ここでは、既にマスク基材上に配されているアライメントマーク１４を利用する場合を例に挙げたが、データ比較検査による欠陥検査に先立ち、そのマスク基材上にアライメントマーク１４を形成するようにしてもよいことは勿論である。その場合、アライメントマーク１４の形成は、周知の手法を用いて行えばよい。具体的には、例えば図６は電子線等倍近接露光にて用いられる露光用マスクの形成手順の一例を示すフローチャートであるが、その図例における場合と同様に、マスク基材へのレジスト塗布（表面）→アライメントマーク露光→現像→エッチングといった手順を経て、アライメントマーク１４の形成を行うことが考えられる。
【００３７】
以上のように、本実施形態で説明したマスク基材検査方法、およびそのマスク基材検査方法を実施する半導体製造装置によれば、マスクの基材における微小欠陥の検査を行うのにあたり、露光領域１３に対応するマスク基材の部分についてのみ欠陥検査を行うので、そのマスク基材における欠陥に対し、従来に比べ高感度、かつ、高スループットで欠陥検査を行えるようになる。つまり、微細な欠陥の検出に対応すべく欠陥検出部における解像度を向上させた場合であっても、露光領域１３以外について欠陥検査を行わない分だけ、従来よりも検査スループットの向上等が図れる。
【００３８】
また、露光領域１３以外に存在する欠陥は露光によって転写される回路パターンに悪影響を及ぼさないため、露光領域１３以外に欠陥検査を行わなくても、目的のパターン転写を実現し得る。このことは、マスク基材に欠陥が存在していても、その欠陥が露光領域１３以外であれば、マスク基材を修正または廃棄を要することなく露光用マスク７を形成し得るようになるので、結果として露光用マスク７の製造歩留まりの向上等にも寄与することになるといえる。
【００３９】
このように、露光用マスク７の形成にあたって、その元となるマスク基材の露光領域１３に対応する部分についてのみ欠陥検査を行えば、マスク基材の全面に対して欠陥検査を行う場合とは異なり、微細な欠陥についても迅速な欠陥検査を行うことが可能となり、マスク形成におけるスループット向上やその形成コスト削減等を実現し得るようになる。
【００４０】
さらに、本実施形態のマスク基材検査方法および半導体製造装置によれば、検査用擬似パターンデータを生成し、その検査用擬似パターンデータを用いて欠陥検査を行うので、マスク基材に対して欠陥検査を行う場合でも迅速かつ高精度なデータ比較検査を実施することが可能であり、この点によっても検査スループットやマスク製造歩留まりの向上等に寄与することになるといえる。
【００４１】
その上、本実施形態のマスク基材検査方法および半導体製造装置では、欠陥検査にあたりマスク基材上に存在するアライメントマーク１４を用いてアライメントを行うので、検査領域設定の高精度化が容易に実現可能となる。また、マスク基材に対する欠陥検査後は、欠陥が存在した場合にその欠陥が露光パターンに影響しないよう改めてパターン配置位置を決定し直すことで、欠陥のあるマスク基材であってもその使用を可能とし、マスク歩留まりの向上およびマスク基材の効率的運用を図ることも考えられるが、その場合において、本実施形態で説明したようにアライメントマーク１４を用いたアライメントを行うようにすれば、新たにアライメントマークを設ける必要がなくアライメント精度を向上させることができ、しかも再配置し得るマスクパターン数の増大も可能となることから、マスク基材の更なる効率的運用やマスク製造歩留まりの向上等を図る上でより一層好適である。
【００４２】
なお、当然のことではあるが、本実施形態は本発明の好適な一実施具体例に過ぎず、本発明がこれに限定されるものでないことは勿論である。例えば、本実施形態では、電子線等倍近接露光で使用される露光用マスクのマスク基材について本発明による欠陥検査を行う場合を例に挙げたが、電子線等倍近接露光以外で使用されるものであっても全く同様に本発明を適用することは可能である。
【００４３】
【発明の効果】
以上に説明したように、本発明に係るマスク基材検査方法および半導体製造装置によれば、露光領域に対応するマスク基材の部分についてのみ欠陥検査を行うので、露光領域以外について欠陥検査を行わない分だけ欠陥検査の迅速化が可能となる。つまり、従来に比べて高感度、かつ、高スループットで欠陥検査を行えるため、例えばマスク基材上の微細な欠陥をも検出可能にする場合であっても、その欠陥検査時間の増大を招くことがなく、マスク形成におけるスループット向上やその形成コスト削減等を実現し得るようになる。
【図面の簡単な説明】
【図１】電子線等倍近接露光の概要を説明するための模式図である。
【図２】電子線等倍近接露光において用いられる露光用マスクの構成例を示す側断面である。
【図３】マスク基材における検査対象領域特定の概念を示す説明図であり、（ａ）はパターン配置領域およびメンブレン領域を示す図、（ｂ）は検査用擬似パターンデータによって特定される参照信号を示す図である。
【図４】データ比較検査による欠陥検査の概念を示す説明図であり、（ａ）はマスク基材のメンブレン上での微小欠陥についての信号を示す図、（ｂ）はる。
【図５】アライメントマークの一具体例を示す説明図である。
【図６】電子線等倍近接露光にて用いられる露光用マスクの形成手順の一例を示すフローチャートである。
【符号の説明】
７…露光用マスク、７ａ…メンブレン、７ｂ…梁、８…ウエハ基板、１１…パターン配置領域、１２…メンブレン領域、１３…露光領域、１４…アライメントマーク
【図１】
2004363203.tif 000003
【図２】
2004363203.tif 000004
【図３】
2004363203.tif 000005
【図４】
2004363203.tif 000006
【図５】
2004363203.tif 000007
【図６】
2004363203.tif 000008