(57)【要約】【課題】外部電極と内部導体との間で信頼性の高い電気的接合状態を得ることができる導電性ペーストを提供する。【解決手段】たとえば積層セラミックコンデンサ１の外部電極５を形成するために用いられ、金属粉末とガラスフリットと有機ビヒクルとを含む、導電性ペーストにおいて、ガラスフリットの構成成分としての金属酸化物Ａの塩基度Ａｂａｓｉｃ　と金属粉末を構成する金属Ｂの金属酸化物としたときの塩基度Ｂｂａｓｉｃ　との間でＡｂａｓｉｃ　−Ｂｂａｓｉｃ　≧０．７４の条件を満足するように金属酸化物Ａおよび金属Ｂを選ぶことによって、ガラス成分が金属粉末によって還元され、金属が析出するようにしながら、金属酸化物Ａの金属としての標準電極電位が−０．７７Ｖ以上の条件を満足するように金属酸化物Ａを選ぶことによって、析出した金属が安定して存在し得るようにする。【選択図】　　　　図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
積層セラミック電子部品の外部電極を形成するために用いられる、導電性ペーストであって、
金属粉末とガラスフリットと有機ビヒクルとを含み、
前記ガラスフリットの構成成分のうちの少なくとも１つの金属酸化物Ａの塩基度をＡｂａｓｉｃ　とし、前記金属粉末を構成する金属のうちの少なくとも１つの金属Ｂの金属酸化物としたときの塩基度をＢｂａｓｉｃ　としたとき、
Ａｂａｓｉｃ　−Ｂｂａｓｉｃ　≧０．７４
の条件を満足するとともに、
前記ガラスフリットの構成成分のうちの少なくとも１つの金属酸化物Ａの金属としての標準電極電位をＥｓ（Ａ）　としたとき、
Ｅｓ（Ａ）　≧−０．７７Ｖ
の条件を満足する、導電性ペースト。
【請求項２】
前記金属粉末は、Ｃｕ、Ｎｉ、ＡｇおよびＡｇ−Ｐｄ合金ならびにこれらいずれかを主成分とする金属のうちの少なくとも１種からなる金属粉末を含む、請求項１に記載の導電性ペースト。
【請求項３】
前記ガラスフリットの構成成分としての前記金属酸化物Ａに含まれる金属と前記金属粉末を構成する前記金属Ｂとの組み合わせとして、ＺｎとＴａとの組み合わせ、ＣｕとＣｏとの組み合わせ、ＣｕとＴａとの組み合わせ、ＡｇとＣｕとの組み合わせ、ＡｇとＣｏとの組み合わせ、およびＡｇとＴａとの組み合わせのいずれかが用いられる、請求項１または２に記載の導電性ペースト。
【請求項４】
複数のセラミック層および前記セラミック層間の特定の界面に沿って形成された内部導体をもって構成された積層体と、前記積層体の外表面上に形成された外部電極とを備え、前記内部導体は、その端縁の一部が前記積層体の外表面にまで届くように形成されることによって前記外部電極に電気的に接合されている、積層セラミック電子部品であって、
前記外部電極は、請求項１ないし３のいずれかに記載の導電性ペーストの焼結体からなる、積層セラミック電子部品。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、導電性ペーストおよび積層セラミック電子部品に関するもので、特に、積層セラミック電子部品の外部電極を形成するために用いられる導電性ペースト、およびこの導電性ペーストを用いて外部電極が形成された積層セラミック電子部品に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
たとえば積層セラミックコンデンサのような積層セラミック電子部品は、複数のセラミック層およびセラミック層間の特定の界面に沿って形成された内部導体をもって構成された積層体と、積層体の外表面上に形成された外部電極とを備えている。また、内部導体は、その端縁の一部が積層体の外表面にまで届くように形成されることによって外部電極に電気的に接合されている。
【０００３】
上述のような外部電極が厚膜から構成される場合、外部電極を形成するために導電性ペーストが用いられる。導電性ペーストは、導電成分としてのたとえばＡｇ、Ａｇ−Ｐｄ合金、ＣｕまたはＮｉなどからなる金属粉末とガラスフリットとが、有機バインダおよび有機溶剤からなる有機ビヒクル中に分散されてなるものである。このような導電性ペーストを用いて外部電極を形成するため、導電性ペーストを前述した積層体の外表面上に付与し、乾燥させた後、焼成することが行なわれ、焼成によって得られた導電性ペーストの焼結体から外部電極が構成される。
【０００４】
また、上述のようにして形成された外部電極の半田濡れ性や半田付け時の温度に対する耐熱性を向上させる目的で、導電性ペーストの焼結体からなる外部電極上に、Ｎｉめっきを施し、さらにその上に、Ｓｎまたは半田めっきを施す、といった必要なめっきが施されることがある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
電子部品の小型化かつ高性能化の要求が高まり、積層セラミック電子部品においては、セラミック層および内部導体の薄層化かつ多層化が進んでいる。
【０００６】
内部導体の薄層化に伴い、内部導体を形成するために用いられる導電性ペーストにおいて導電成分として含まれる金属粉末の微粉化が進んでいる。しかしながら、金属粉末が微粉化されるほど、焼成時の収縮度合いが大きくなり、そのため、セラミック層と内部導体との間での収縮度合いの差が大きくなることが原因となって、焼成後において、内部導体が積層体の外表面に露出しない状況がもたらされることがある。
【０００７】
また、内部導体の薄層化に伴い、外部電極に対して信頼性の高い電気的接合状態を確保し得る厚みを内部導体において得ることが困難になるという問題も生じている。
【０００８】
また、外部電極を形成するために用いられる導電性ペーストに含まれるガラスフリットに対しては、耐めっき性、セラミック層を含む積層体との間での高い接着性、金属粉末の焼結を促進し得る機能などの種々の性能または機能が求められ、そのため、このガラスフリットを構成するガラスとしては、たとえば、珪酸塩ガラス、ホウ酸塩ガラス、アルミン酸塩ガラス、ホウ珪酸塩ガラスなどが主に用いられている。
【０００９】
しかしながら、これらガラスからなるガラスフリットを用いると、ガラスが外部電極と積層体との界面に偏析しやすく、そのため、内部導体と外部電極との接触を妨げたり、あるいは、内部導体の端縁部分がガラス中へと溶解して消失したりし、その結果、内部導体が外部電極と接触しなくなるなどの問題が生じることがある。この問題は、たとえば積層セラミックコンデンサにおいては、目的の静電容量を確保できないという弊害につながる。
【００１０】
そこで、この発明の目的は、上述したような問題を解決し得る、導電性ペーストおよびこれを用いて外部電極を形成した積層セラミック電子部品を提供しようとすることである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
この発明は、簡単に言えば、外部電極を焼成によって形成した場合、外部電極を形成するために用いられる導電性ペーストに含まれるガラス成分が外部電極と積層体との界面に偏析しても、ガラスを構成する金属酸化物が金属粉末を構成する金属によって還元され、それによって、ガラスを構成する金属酸化物に含まれる金属が外部電極と積層体との界面に析出されるようにするとともに、析出した金属が安定して存在し得るようにし、それによって、外部電極と内部導体との間で信頼性の高い電気的接合状態を得ようとするものである。
【００１２】
この発明では、上述したような還元による金属の析出を可能とするためのガラスフリットの構成成分と金属粉末の構成金属との組み合わせを、金属酸化物の塩基度によって規定しようとし、また、析出した金属が安定して存在し得る条件を析出させるべき金属の標準電極電位によって規定しようとするものである。
【００１３】
より詳細には、この発明は、積層セラミック電子部品の外部電極を形成するために用いられる、金属粉末とガラスフリットと有機ビヒクルとを含む、導電性ペーストに向けられるものであって、前述した技術的課題を解決するため、次のような構成を備えることを特徴としている。
【００１４】
すなわち、ガラスフリットの構成成分のうちの少なくとも１つの金属酸化物Ａの塩基度をＡｂａｓｉｃ　とし、金属粉末を構成する金属のうちの少なくとも１つの金属Ｂの金属酸化物としたときの塩基度をＢｂａｓｉｃ　としたとき、Ａｂａｓｉｃ　−Ｂｂａｓｉｃ　≧０．７４の条件を満足するとともに、ガラスフリットの構成成分のうちの少なくとも１つの金属酸化物Ａの金属としての標準電極電位をＥｓ（Ａ）　としたとき、Ｅｓ（Ａ）　≧−０．７７Ｖの条件を満足することを特徴としている。
【００１５】
金属粉末は、Ｃｕ、Ｎｉ、ＡｇおよびＡｇ−Ｐｄ合金ならびにこれらいずれかを主成分とする金属のうちの少なくとも１種からなる金属粉末を含むことが好ましい。
【００１６】
この発明において、ガラスフリットの構成成分としての金属酸化物Ａに含まれる金属と金属粉末を構成する金属Ｂとの組み合わせとして、たとえば、ＺｎとＴａとの組み合わせ、ＣｕとＣｏとの組み合わせ、ＣｕとＴａとの組み合わせ、ＡｇとＣｕとの組み合わせ、ＡｇとＣｏとの組み合わせ、およびＡｇとＴａとの組み合わせのいずれかが用いられる。
【００１７】
この発明は、また、複数のセラミック層およびセラミック層間の特定の界面に沿って形成された内部導体をもって構成された積層体と、積層体の外表面上に形成された外部電極とを備え、内部導体は、その端縁の一部が積層体の外表面にまで届くように形成されることによって外部電極に電気的に接合されている、積層セラミック電子部品にも向けられる。
【００１８】
この発明に係る積層セラミック電子部品は、外部電極が上述したような導電性ペーストの焼結体からなることを特徴としている。
【００１９】
【発明の実施の形態】
図１は、この発明が適用される積層セラミック電子部品の一例としての積層セラミックコンデンサ１を図解的に示す断面図である。
【００２０】
積層セラミックコンデンサ１は、複数のセラミック層２およびセラミック層２間の特定の界面に沿って形成された複数の内部導体３をもって構成された積層体４と、積層体４の外表面上に形成された外部電極５とを備えている。内部導体３は、各々の端縁の一部が積層体４の外表面にまで届くように形成されることによって外部電極５に電気的に接合されている。
【００２１】
また、外部電極５上には、必要に応じて、たとえば、Ｎｉによる第１のめっき膜６が形成され、さらにその上に、Ｓｎまたは半田による第２のめっき膜７が形成される。
【００２２】
このような積層セラミックコンデンサ１において、外部電極５は、導電性ペーストを積層体４の外表面上に付与し、乾燥させた後、焼成することによって得られた導電性ペーストの焼結体から構成される。
【００２３】
導電性ペーストは、周知のように、金属粉末とガラスフリットと有機ビヒクルとを含んでいる。この発明では、金属粉末を構成する金属とガラスフリットの構成成分としての金属酸化物との組み合わせが、以下のような条件を満足するように選ばれることを特徴としている。
【００２４】
すなわち、ガラスフリットの構成成分のうちの少なくとも１つの金属酸化物Ａの塩基度をＡｂａｓｉｃ　とし、金属粉末を構成する金属のうちの少なくとも１つの金属Ｂの金属酸化物としたときの塩基度をＢｂａｓｉｃ　としたとき、Ａｂａｓｉｃ　−Ｂｂａｓｉｃ　≧０．７４の条件を満足するようにされる。また、ガラスフリットの構成成分のうちの少なくとも１つの金属酸化物Ａの金属としての標準電極電位をＥｓ（Ａ）　としたとき、Ｅｓ（Ａ）　≧−０．７７Ｖの条件を満足するようにされる。
【００２５】
上述した塩基度は、森永健次らにより提案されたものであり、たとえば、「Ｋ．Ｍｏｒｉｎａｇａ，　Ｈ．　Ｙｏｓｈｉｄａ　ａｎｄ　Ｈ．　Ｔａｋｅｂｅ：　Ｊ．　Ａｍ　Ｃｅｒｍ．　Ｓｏｃ．，　７７，　３１１３（１９９４）　」の中で説明されている。この文献によれば、次のようにしてガラスの塩基度を規定している。
【００２６】
酸化物Ｍｉ　ＯのＭｉ　−Ｏ間の結合力は、陽イオン−酸素イオン間引力Ａｉ　として次式で与えられる。
【００２７】
Ａｉ　＝Ｚｉ　・Ｚ０２−　／（ｒｉ　＋ｒ０２−　）２　＝Ｚｉ　・２／（ｒｉ　＋１．４０）２　ただし、Ｚｉ　は、陽イオンの価数であり、酸素イオンの場合は２である。ｒｉ　は、陽イオンのイオン半径（Å）であり、酸素イオンの場合は１．４０Åである。なお、イオン半径は、文献により値が若干異なる。
【００２８】
単成分酸化物Ｍｉ　Ｏの酸素供与能力は、上記式で与えられるＡｉ　の逆数すなわち１／Ａｉ　で表わされ、この酸素供与能力が塩基度Ｂｉ　とされる。
【００２９】
上述の塩基度Ｂｉ　に関して、ＣａＯの塩基度を１とし、ＳｉＯ２　の塩基度を０と規定したとき、これら塩基度の相対値（無名数）として、種々の単成分酸化物の塩基度を求めることができる。代表的な金属酸化物の塩基度が以下の表１に示されている。
【００３０】
【表１】
2004047198.tif 000003
【００３１】
表１に示した塩基度は、前述したように、酸素供与能力を表わしており、その値が大きいほど、酸素を供与しやすく（すなわち、還元されて金属になりやすく）、小さいほど、酸素を受け取りやすい。したがって、この塩基度の差が大きくなるほど、酸素の授受が行なわれやすくなることがわかる。
【００３２】
この発明では、前述したように、ガラスフリットの構成成分である金属酸化物Ａの塩基度Ａｂａｓｉｃ　と金属粉末を構成する金属Ｂの金属酸化物としたときの塩基度Ｂｂａｓｉｃ　との差、すなわちＡｂａｓｉｃ　−Ｂｂａｓｉｃ　が、０．７４以上となるようにされる。
【００３３】
上述のように、塩基度の差を０．７４以上とすることにより、ガラスフリットの構成成分である金属酸化物Ａが、金属粉末を構成する金属Ｂによって還元され、金属酸化物Ａに含まれる金属がガラスから析出する。したがって、図１に示した積層セラミックコンデンサ１について説明すれば、外部電極５を導電性ペーストの焼成によって形成した場合、外部電極５を形成するために用いられる導電性ペーストに含まれるガラス成分が外部電極５と積層体４との界面に偏析しても、ガラスフリットに含まれる金属酸化物Ａが金属粉末を構成する金属Ｂによって還元され、それによって、ガラスフリットを構成する金属酸化物Ａに含まれていた金属が外部電極５と積層体４との界面に析出する。この析出した金属は、外部電極５と内部導体３との間での電気的導通を確保するように作用する。
【００３４】
上述した塩基度の差が０．７４より小さい場合には、金属酸化物Ａは、金属Ｂによって還元されず、あるいは、還元されたとしても、その還元量はわずかでしかない。したがって、外部電極５と内部導体３との間での電気的接合を十分に確保することができない。
【００３５】
この発明に係る導電性ペーストにとっては、焼成工程において、ガラスフリットを構成する金属酸化物Ａが金属粉末を構成する金属Ｂによって還元されることが重要である。そのため、たとえば図１に示した積層セラミックコンデンサ１を製造するにあたっては、外部電極５を形成するための焼成は、中性雰囲気または還元性雰囲気中で実施されることが好ましい。しかしながら、導電性ペースト中には有機ビヒクルが含まれており、この有機ビヒクルは、焼成工程において燃焼する。したがって、この有機ビヒクルの燃焼によって、特に、外部電極５と積層体４との界面部分での雰囲気が中性または還元性雰囲気になり得るのであれば、外部電極５を形成するための導電性ペーストの焼成雰囲気は特に限定されるものではない。
【００３６】
導電性ペーストに含まれる金属粉末としては、たとえば、Ｃｕ、Ｎｉ、ＡｇおよびＡｇ−Ｐｄ合金ならびにこれらいずれかを主成分とする金属のうちの少なくとも１種からなる金属粉末が用いられる。
【００３７】
しかしながら、塩基度が前述したような条件を満たしている金属Ｂは、上述したＣｕ、Ｎｉ、ＡｇおよびＰｄのいずれかである必要は必ずしもなく、このような金属Ｂを含んでさえいればよいことになる。また、前述したような塩基度の条件を満足するガラスフリットに含まれる金属酸化物Ａについても、ガラスフリットの主成分である必要はなく、ガラスフリットがこのような金属酸化物Ａを含んでさえいればよいことになる。
【００３８】
なお、ガラスフリットの構成成分としての金属酸化物Ａの塩基度Ａｂａｓｉｃ　と金属粉末を構成する金属Ｂの塩基度Ｂｂａｓｉｃ　との差が、０．７４以上となる、金属酸化物Ａに含まれる金属と金属粉末を構成する金属Ｂとの組み合わせとして、たとえば、ＺｎとＴａとの組み合わせ、ＣｕとＣｏとの組み合わせ、ＣｕとＴａとの組み合わせ、ＡｇとＣｕとの組み合わせ、ＡｇとＣｏとの組み合わせ、またはＡｇとＴａとの組み合わせなどがある。
【００３９】
前述したように、ガラスフリットの構成成分としての金属酸化物Ａの金属としての標準電極電位Ｅｓ（Ａ）　が、−０．７７Ｖ以上としたのは、金属酸化物Ａの還元によって析出した金属が、たとえば酸化されてしまうと導電性を示さなくなるため、この金属が安定して存在し得るようにするためである。この標準電極電位Ｅｓ（Ａ）　は、Ｋでは−２．９２５Ｖ、Ｎａでは−２．７１４Ｖ、Ａｌでは−１．６６３Ｖ、Ｚｎでは−０．７６３Ｖ、Ｃｕでは０．３３７Ｖ、Ａｇでは０．７９９Ｖであり、これらの中では、−０．７７Ｖ以上という条件を満たすものとして、Ｚｎ、ＣｕおよびＡｇを挙げることができる。
【００４０】
以上の説明からわかるように、この発明によれば、上述したような効果を発揮し得る導電性ペーストの組成を、塩基度および標準電極電位によって明確に規定できるので、導電性ペーストの組成に関する設計を能率的かつ容易に行なうことができる。すなわち、導電性ペーストに含まれるガラスフリットおよび金属粉末に関して、ガラスフリットの構成成分としての金属酸化物Ａの塩基度Ａｂａｓｉｃ　と金属粉末を構成する金属Ｂの塩基度Ｂｂａｓｉｃ　との差が、０．７４以上となる、金属酸化物Ａに含まれる金属と金属粉末を構成する金属Ｂとの組み合わせを選ぶとともに、さらに、ガラスフリットの構成成分としての金属酸化物Ａの金属としての標準電極電位Ｅｓ（Ａ）　が、−０．７７Ｖ以上となるものを選ぶようにすることによって、導電性ペーストの組成を能率的かつ容易に設計することができる。
【００４１】
なお、この発明に係る導電性ペーストを作製するために用いられる金属粉末およびガラスフリットは、ともに、その平均粒径が０．１〜１０μｍの範囲にあることが好ましい。
【００４２】
この発明に係る導電性ペーストは、図１に示した積層セラミックコンデンサ１の外部電極５を形成するためだけでなく、セラミック層および内部導体をもって構成された積層体と、積層体の外表面上に形成された外部電極とを備え、内部導体の端縁の一部が積層体の外表面にまで届くように形成され、それによって、内部導体と外部電極とが電気的に接合されている構造を有する、積層セラミック電子部品であれば、どのような積層セラミック電子部品であっても、その外部電極を形成するために有利に用いることができる。
【００４３】
次に、この発明の範囲を決定するため、およびこの発明による効果を確認するために実施した実験例について説明する。
【００４４】
【実験例】
この実験例では、以下の表２に示すような組成をそれぞれ有する４種類のガラスフリットを用いた。
【００４５】
【表２】
2004047198.tif 000004
【００４６】
以下の説明では、４種類のガラスフリットを、表２に示した記号Ｇ１〜Ｇ４によって表わす。
【００４７】
１．金属粉末がＣｕ粉末を主成分とする場合
金属粉末とガラスフリットと有機ビヒクルとを混合することによって、表３に示す試料１〜１２の各々に係る導電性ペーストを作製した。
【００４８】
より詳細には、表３に示すように、ガラスフリットとして、表２に示したＧ１〜Ｇ４のいずれかの組成のものであって、平均粒径が３μｍのものを用いた。
【００４９】
また、金属粉末として、表３に示すような構成金属からなるものであって、平均粒径が２．５μｍのものを用いた。ここで、表３において、試料１、３、７および１０では、Ｃｕ粉末のみを用い、試料２、５、８および１１では、Ｃｕ粉末とＣｏ粉末とを３：１の体積比となるように用い、試料４、６、９および１２では、Ｃｕ粉末とＴａ粉末とを３：１の体積比となるように用いた。
【００５０】
また、有機ビヒクルとして、主にアクリル樹脂からなる有機バインダを、ブチルセロソルブ、ターピネオールおよびトルエンからなる有機溶剤に溶解させたものを用いた。
【００５１】
そして、上述の金属粉末が２０体積％、ガラスフリットが４体積％および有機ビヒクルが７６体積％となるように、これらを混合し、３本ロールミルで混練かつ分散処理することによって、試料１〜１２の各々に係る導電性ペーストを得た。
【００５２】
他方、ＢａＴｉＯ３　を主成分とするセラミックのための原料粉末を含む複数のセラミックグリーンシートを用意し、特定のセラミックグリーンシート上に、Ｎｉを導電成分として含む導電性ペーストを印刷することによって、内部導体となるべき導電性ペースト膜を形成し、これらセラミックグリーンシートを積層し、圧着することによって、積層体の生の状態のものを得た。次に、生の積層体を所定の寸法にカットした後、還元性雰囲気中において、１２００〜１４００℃の温度で焼成し、積層セラミックコンデンサのための焼結後の積層体を得た。
【００５３】
次に、上述の積層体の両端部に、表３に示した試料１〜１２の各々に係る導電性ペーストをディップ法により付与し、１２０℃の温度で１０分間乾燥した後、Ｎ２　−Ｏ２　雰囲気中で、最高温度８００℃で１０分間保持する条件下で焼成し、導電性ペーストの焼結体からなる外部電極を形成した。
【００５４】
次に、外部電極上に、電気めっきにより、Ｎｉめっき膜を形成し、さらにその上に、Ｓｎめっき膜を形成し、試料１〜１２の各々に係る積層セラミックコンデンサを得た。この積層セラミックコンデンサの設計静電容量値は１０μＦであった。
【００５５】
次に、各試料に係る積層セラミックコンデンサについて、その外部電極と積層体との界面での金属の析出の有無を、Ｘ線により金属のピークを確認することによって評価した。
【００５６】
また、各試料に係る積層セラミックコンデンサの静電容量をＬＣＲメータにより測定し、試料数２０個についての平均値を求めた。
【００５７】
以上のような金属の析出の有無および静電容量の評価結果が表３に示されている。
【００５８】
表３において、「ガラスフリット」の欄には、前述した「組成」のほか、「塩基度が最大の金属酸化物」、「塩基度」および「標準電極電位」が示されている。
【００５９】
「塩基度が最大の金属酸化物」は、ガラスフリットの構成成分のうちの塩基度が最も大きい金属酸化物を示しており、表３に示すように、ガラスフリットの組成がＧ１の場合には、Ｚｎの酸化物すなわちＺｎ−Ｏであり、Ｇ２の場合にはＣｕ−Ｏであり、Ｇ３の場合には、Ａｇ−Ｏであり、Ｇ４の場合には、Ｋ−Ｏである。
【００６０】
「塩基度」は、「塩基度が最大の金属酸化物」の塩基度を示すもので、表１に示した塩基度を、四捨五入することによって小数点第２位までの数値として表３に示している。なお、Ｃｕの酸化物であるＣｕ−Ｏのように、複数の価数を持つ金属酸化物の場合には、表１に示した塩基度の平均値を表３に示している。
【００６１】
「標準電極電位」は、「塩基度が最大の金属酸化物」に含まれる金属の標準電極電位［Ｖ］を示している。
【００６２】
また、表３において、「金属粉末」の欄には、前述した「構成金属」のほか、「塩基度が最小の金属酸化物」および「塩基度」が示されている。
【００６３】
「塩基度が最小の金属酸化物」は、金属粉末を構成する金属の、金属酸化物としたときの塩基度が最も小さい金属の酸化物を示しており、金属粉末がＣｕ粉末のみからなる場合には、Ｃｕの酸化物すなわちＣｕ−Ｏであり、Ｃｕ粉末とＣｏ粉末とからなる場合には、Ｃｏ−Ｏであり、Ｃｕ粉末とＴａ粉末とからなる場合には、Ｔａ−Ｏである。
【００６４】
また、「塩基度」は、「塩基度が最小の金属酸化物」の表１に示した塩基度を四捨五入により小数点第２位までの数値で示したものであり、この場合にも、金属が複数の価数を持つときには、その平均値を示している。
【００６５】
また、表３において、「塩基度の差」は、「ガラスフリット」における「塩基度が最大の金属酸化物」の「塩基度」から、「金属粉末」における「塩基度が最小の金属酸化物」の「塩基度」を除算したものである。
【００６６】
【表３】
2004047198.tif 000005
【００６７】
表３において、試料番号に＊を付したものは、この発明の範囲外の比較例に相当する。
【００６８】
表３からわかるように、試料１〜３では、「塩基度の差」が０．７４未満である。そのため、「金属の析出」がなく、また、「静電容量」についても、設計静電容量値より低い値を示した。これは外部電極と内部導体との電気的接合を十分に得ることができなかったためであると考えられる。
【００６９】
また、試料１０〜１２では、「ガラスフリット」における「塩基度が最大の金属酸化物」に含まれる金属すなわちＫの「標準電極電位」が−０．７７Ｖより小さい。そのため、ガラスから析出したＫは直ちに酸化物となり、「金属の析出」がなく、また、「静電容量」についても、設計静電容量値より低い値を示した。この場合においても、外部電極と内部導体との電気的接合を十分に得ることができなかったことが起因している考えられる。
【００７０】
これらに対して、試料４〜９では、「塩基度の差」が０．７４以上であり、しかも「ガラスフリット」における「塩基度が最大の金属酸化物」に含まれる金属の「標準電極電位」が−０．７７Ｖ以上であるので、「金属の析出」があり、「静電容量」についても、１０．０〜１０．６μＦというように設計静電容量値を実質的に確保することができた。
【００７１】
２．金属粉末がＮｉ粉末またはＡｇ粉末を主成分とする場合
（１）Ｎｉ粉末を主成分とする場合
表３に示した試料６において、金属粉末の主成分となるＣｕ粉末に代えてＮｉ粉末を用いたことを除いて、試料６の場合と同様の方法で、試料１３に係る導電性ペーストを作製し、同様の方法により評価した。
【００７２】
（２）Ａｇ粉末を主成分とする場合
表３に示した試料９において、金属粉末の主成分となるＣｕ粉末に代えてＡｇ粉末を用いるとともに、有機ビヒクルとして、エチルセルロース樹脂をエチルカルビトールと炭化水素系溶剤との混合溶剤で溶解したものを用いたことを除いて、試料９の場合と同様の方法で、試料１４に係る導電性ペーストを作製した。また、この試料１４に係る導電性ペーストを評価するために作製した積層セラミックコンデンサにおいて、内部導体を形成するためにＡｇ−Ｐｄ系合金を導電成分として含む導電性ペーストを用い、生の積層体の焼成を大気中で行ない、また、外部電極の形成のための焼成を大気中で行なったことを除いて、試料９の場合と同様の方法により評価した。なお、この試料４に係る積層セラミックコンデンサの設計静電容量値は１００ｎＦであった。
【００７３】
以上の試料１３および１４について、表３と同様の項目について表わしたのが表４である。
【００７４】
【表４】
2004047198.tif 000006
【００７５】
表４に示すように、試料１３および１４によれば、表３に示した試料４〜９とは金属粉末の主成分が異なるが、「塩基度の差」が０．７４以上であり、「ガラスフリット」における「塩基度が最大の金属酸化物」に含まれる金属の「標準電極電位」が−０．７７以上であるので、「金属の析出」があり、「静電容量」についても、１０．３μＦおよび１０５ｎＦというように、それぞれ、１０μＦおよび１００ｎＦといった設計静電容量値を確保することができた。
【００７６】
【発明の効果】
以上のように、この発明に係る導電性ペーストを用いて、外部電極を焼成によって形成すれば、導電性ペーストに含まれるガラス成分が外部電極と積層セラミック電子部品の積層体との界面に偏析しても、ガラスを構成する金属酸化物が導電性ペーストに含まれる金属粉末を構成する金属によって還元されるので、この還元によって得られた金属を外部電極と積層体との界面に析出させ、かつ析出した金属を安定して存在させることができる。
【００７７】
したがって、外部電極と内部導体との間で信頼性の高い電気的接合状態を得ることができ、積層セラミック電子部品において、その電気的特性を所望のごとく得ることができる。
【００７８】
また、外部電極と内部導体との間で信頼性の高い電気的接合状態を得ることができるので、内部導体の薄層化を高い信頼性をもって進めることができ、その結果、積層セラミック電子部品の小型化かつ高性能化を図ることができる。
【００７９】
また、この発明によれば、上述したような効果を発揮し得る導電性ペーストの組成を、塩基度および標準電極電位によって明確に規定できるので、導電性ペーストの好ましい組成に関する設計を能率的かつ容易に行なうことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明が適用される積層セラミック電子部品の一例としての積層セラミックコンデンサ１を図解的に示す断面図である。
【符号の説明】
１　積層セラミックコンデンサ
２　セラミック層
３　内部導体
４　積層体
５　外部電極
【図１】
2004047198.tif 000007