(57)【要約】【課題】熱工程を増加させることのなく薄膜トランジスタ及び平面表示装置を製造する。また、クラック等による不良を極力少なくさせた薄膜トランジスタ及び平面表示装置を提供する。【解決手段】薄膜トランジスタの半導体領域に不純物を打ち込み、この後に、塗布法により絶縁膜を成膜し、前記不純物の活性化と前記絶縁膜の焼成を１つの熱処理工程として行って薄膜トランジスタ及び平面表示装置を製造する。また、薄膜トランジスタの半導体領域と、この半導体領域を覆うゲート絶縁膜と、このゲート絶縁膜上に形成されたゲートと、不純物の打ち込みにより前記半導体領域に形成されたソース・ドレイン領域と、これらを覆うように塗布法により塗布されて焼成された絶縁膜と、を備えるものとして薄膜トランジスタを構成する。また、このような薄膜トランジスタを備えるものとして平面表示装置を構成する。【選択図】　図２
2004063845.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
薄膜トランジスタの製造方法において、
薄膜トランジスタの半導体領域に不純物を打ち込む工程と、
この後に、塗布法により絶縁膜を成膜する成膜工程と、
塗布した前記絶縁膜を焼成することにより、前記不純物の活性化と前記絶縁膜の焼成を１つの工程で行う熱処理工程と、
を備えることを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項２】
前記成膜工程の前に、前記半導体領域からの水素の脱離を防ぐ脱離防止膜を成膜する第２成膜工程を、さらに備えることを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項３】
前記脱離防止膜として窒化珪素膜を用いて前記第２成膜工程を実施することを特徴とする請求項２に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項４】
薄膜トランジスタの半導体領域と、
この半導体領域を覆うゲート絶縁膜と、
このゲート絶縁膜上に形成されたゲートと、
不純物の打ち込みにより前記半導体領域に形成されたソース・ドレイン領域と、
これらを覆うように塗布法により塗布されて焼成された絶縁膜と、
を備えることを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項５】
前記絶縁膜の下地層としての層であって、前記半導体層からの水素の脱離を防ぐ脱離防止膜をさらに備えることを特徴とする請求項４に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項６】
薄膜トランジスタを備える平面表示装置の製造方法において、
前記薄膜トランジスタを、
薄膜トランジスタの半導体領域に不純物を打ち込む工程と、
この後に、塗布法により絶縁膜を成膜する成膜工程と、
塗布した前記絶縁膜を焼成することにより、前記不純物の活性化と前記絶縁膜の焼成を１つの工程で行う熱処理工程と、
によって製造する
ことを特徴とする平面表示装置の製造方法。
【請求項７】
薄膜トランジスタを備える平面表示装置であって、
この薄膜トランジスタは、
薄膜トランジスタの半導体領域と、
この半導体領域を覆うゲート絶縁膜と、
このゲート絶縁膜上に形成されたゲートと、
不純物の打ち込みにより前記半導体領域に形成されたソース・ドレイン領域と、これらを覆うように塗布法により塗布されて焼成された絶縁膜と、
を備えるものとして構成されている
ことを特徴とする平面表示装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、薄膜トランジスタの製造方法、平面表示装置の製造方法、薄膜トランジスタ及び平面表示装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、多結晶シリコン膜を用いた高精細液晶ディスプレイや周辺回路を同一基板上に形成した駆動回路一体型の液晶表示装置（ＴＦＴ−ＬＣＤ）の研究開発が盛んになっている。
【０００３】
この駆動回路一体型のＴＦＴ−ＬＣＤの一般的な製造方法は以下の通りである。
【０００４】
まず、ＴＦＴのチャネル層を形成するために、基板上に、非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ）膜をＣＶＤ法を用いて成膜する。ＴＦＴの特性を向上させるためにエキシマレーザなどのエネルギービームによってａ−Ｓｉ膜をアニールして、多結晶シリコン（ｐ−Ｓｉ）膜とする。このｐ−Ｓｉ膜を、フォトリソグラフィ工程及びエッチング工程を経て任意の形状にパターニングしたのちに、ｐ−Ｓｉ膜を覆うようにして、ゲート絶縁膜を、ＣＶＤ法により、成膜する。次に、ゲート絶縁膜上にゲート電極となる金属を成膜し、これをパターニングして、ゲート電極とする。次に、ゲート電極をマスクとして、不純物（ボロンもしくはリン）をｐ−Ｓｉ膜に打ち込む。次に、打ち込まれた不純物を熱アニールにより活性化させて、ソース領域とドレイン領域とを形成する。次に、ゲート電極等を覆うようにして、層間絶縁膜をＣＶＤ法により成膜する。次に、層間絶縁膜をエッチングして、ソース領域及びドレイン領域へ通じるコンタクトホールをそれぞれ形成する。次に、信号線等となる金属を成膜、パターニングして、ソース領域及びドレイン領域へのコンタクトホールを通してつながるソース電極及びドレイン電極を形成するとともに、ソース電極と電気的に接続された信号線等を層間絶縁膜上に形成するなどして、駆動回路一体型のＴＦＴ−ＬＣＤを完成させる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
前記周辺回路の集積度を上げるために、上記信号線等の配線のさらなる微細化が要求される。しかし、特に、ＴＦＴ部分は、上記から分かるように、様々な層を積層して形成されており、配線の微細化は、段差部を乗り越える箇所で断線を引き起こす確率を増大させ、歩留の低下を引き起こす。
【０００６】
これに対する対策として、層間絶縁膜をコーターで塗布する方法（塗布法）が開発されている。この手法によれば層間絶縁膜の表面を平坦化することができるので、配線の下地層の段差部がなくなり、断線を防止することが可能である。しかし、上記塗布法によりコーターを用いて層間絶縁膜を形成する場合には、４００℃前後の焼成が必要となる。このため、上記従来技術で述べたところから分かるように、不純物の活性化工程と、本焼成工程と、２つの熱処理工程が必要となる。一般に、熱処理工程では、基板が膨張収縮するため、積層膜中にクラック等が発生する可能性がある。即ち、熱処理工程の増加は、不良発生の機会を増加させることになる。また、当然ながら、生産性の低下に直結する。
【０００７】
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、熱工程を増加させることのない薄膜トランジスタの製造方法、平面表示装置の製造方法を提供することを目的とする。さらに、本発明は、クラック等による不良を極力少なくさせた薄膜トランジスタ及び平面表示装置を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明の薄膜トランジスタの製造方法は、薄膜トランジスタの製造方法において、薄膜トランジスタの半導体領域に不純物を打ち込む工程と、この後に、塗布法により絶縁膜を成膜する成膜工程と、塗布した前記絶縁膜を焼成することにより、前記不純物の活性化と前記絶縁膜の焼成を１つの工程で行う熱処理工程と、を備えるものとして構成される。
【０００９】
本発明の薄膜トランジスタは、薄膜トランジスタの半導体領域と、この半導体領域を覆うゲート絶縁膜と、このゲート絶縁膜上に形成されたゲートと、不純物の打ち込みにより前記半導体領域に形成されたソース・ドレイン領域と、これらを覆うように塗布法により塗布されて焼成された絶縁膜と、を備えるものとして構成される。
【００１０】
本発明の平面表示装置の製造方法は、薄膜トランジスタを備える平面表示装置の製造方法において、前記薄膜トランジスタを、薄膜トランジスタの半導体領域に不純物を打ち込む工程と、この後に、塗布法により絶縁膜を成膜する成膜工程と、塗布した前記絶縁膜を焼成することにより、前記不純物の活性化と前記絶縁膜の焼成を１つの工程で行う熱処理工程とによって製造するものとして構成される。
【００１１】
本発明の平面表示装置は、薄膜トランジスタを備える平面表示装置であって、この薄膜トランジスタは、薄膜トランジスタの半導体領域と、この半導体領域を覆うゲート絶縁膜と、このゲート絶縁膜上に形成されたゲートと、不純物の打ち込みにより前記半導体領域に形成されたソース・ドレイン領域と、これらを覆うように塗布法により塗布されて焼成された絶縁膜と、を備えることを特徴とする。
【００１２】
【発明の実施の形態】
先ず、本発明の平面表示装置の製造方法によって製造しようとする液晶表示装置について簡単に説明する。
【００１３】
この液晶表示装置は、高精細液晶ディスプレイや周辺回路を同一基板上に形成した駆動回路一体型の液晶表示装置（ＴＦＴ−ＬＣＤ）であり、その一例におけるＴＦＴ部分が図２（ｂ）に示される。
【００１４】
即ち、絶縁基板１上にアンダーコート層２を介して、チャネル層となる多結晶シリコン膜３ｂが形成されている。この多結晶シリコン膜３ｂの上方にはゲート絶縁膜４を介してゲート電極５が形成されている。さらに、この多結晶シリコン膜３ｂの両側にソース・ドレイン領域３ｃ、３ｄが形成されている。これらソース・ドレイン領域３ｃ、３ｄには、前記ゲート絶縁膜４及び層間絶縁膜６ｂを通ずるソース・ドレイン電極８ａ、８ｂが接続されている。７ａ、７ｂはコンタクトホールである。
【００１５】
以下、図面を参照しながら、本発明の平面表示装置の製造方法の一実施の形態を説明する。
【００１６】
図１（ａ）−（ｃ）及び図２（ａ）、（ｂ）は、本発明の第１の実施形態としての薄膜トランジスタ（第１のＴＦＴ）の製造工程の断面図である。
【００１７】
この第１のＴＦＴは、ＴＦＴ−ＬＣＤのアレイ基板の各画素部に対応して形成されるＴＦＴ、あるいはアレイ基板の周辺回路に作り込まれるＴＦＴである。
【００１８】
以下、第１のＴＦＴを製造する工程について詳しく説明する。
【００１９】
まず、図１（ａ）から分かるように、例えば、縦４００ｍｍ×横５００ｍｍの大きさの、無アルカリガラスからなる絶縁基板１上にアンダーコート層２を形成する。アンダーコート層２は、シリコン窒化膜（ＳｉＮ膜）と、シリコン酸化膜（ＳｉＯ２膜）とを、プラズマＣＶＤ法により順次成膜した２層構造のものである。次いで、アンダーコート層２上に、例えば、５０ｎｍの厚さの非晶質シリコン膜３ａを形成する。その後、５００℃で１時間のアニールを行い、非晶質シリコン膜３ａ内の水素濃度を低減させる。次いで、例えば、波長３０８ｎｍ（ＸｅＣｌ）のエキシマレーザを用いて、非晶質シリコン膜３ａをアニールして、多結晶シリコン膜３ｂとする。結晶化するためのレーザビームは、ＫｒＦ、ＡｒＦなどでもかまわない。
【００２０】
次に、図１（ｂ）から分かるように、多結晶シリコン膜３ｂを島状にパターニングした後、シリコン酸化膜（ＳｉＯ２）からなるゲート絶縁膜４を、多結晶シリコン膜３ｂを覆うようにして、プラズマＣＶＤ法により成膜する。
【００２１】
次に、図１（ｃ）から分かるように、燐などをドープした多結晶シリコン膜を、ゲート絶縁膜４上の全面に成膜してパターニングし、ゲート電極５を形成する。また、ゲート電極５の形成と同時に、ゲート線や補助容量線なども形成する。ゲート電極５の材料としては、多結晶シリコン膜の他、モリブデン（Ｍｏ）やタンタル（Ｔａ）等の高融点金属を用いてもよい。次いで、イオンドーピング法を用いてドーパント（不純物）をゲート電極５をマスクとして自己整合的に多結晶シリコン膜３ｂに打ち込んで、ソース・ドレイン領域３ｃ、３ｄを形成する。次いで、多結晶シリコン膜３ｂのダングリングボンドを終端するべく、プラズマＣＶＤ法を用いて水素プラズマ処理を行う。
【００２２】
次に、図２（ａ）から分かるように、シリコン原子及び酸素原子（Ｓｉ−Ｏ）を主成分とする層間絶縁膜６ａを、ゲート電極５を覆うようにして、コーターにより塗布する（塗布法）。層間絶縁膜６ａとしては、有機絶縁材料あるいは無機絶縁材料を用いることができる。この後、多結晶シリコン層３ｂに打ち込まれた不純物を活性化させると同時に、層間絶縁膜６ａを焼成するべく、例えば、３５０、４００、４５０、５００℃のいずれかで１時間の熱処理を行う。つまり、不純物を活性化させる工程と層間絶縁膜６ａを焼成する工程とを同一の熱処理にて併せて行う。この焼成温度はイオンドーピングの打ち込み条件に応じて決められる。その理由は、焼成温度が低いほど活性化率が悪くなるためである。このような焼成により、図２（ｂ）から分かるように、最終的に、ソース・ドレイン領域３ｃ、３ｄが形成されるとともに、層間絶縁膜６ｂが焼成形成される。つまり、ＴＦＴの形成と層間絶縁膜の形成とが同時に行われる。このようにすることで、１回の熱処理工程で、つまり、ＣＶＤ法を用いる場合と比べても、熱処理工程を増加させることなく、層間絶縁膜を最終的に形成することができる。
【００２３】
次に、図２（ｂ）から分かるように、層間絶縁膜６ｂの表面にソース・ドレイン領域３ｃ、３ｄへのコンタクトホール７ａ及びコンタクトホール７ｂを形成する。次に、アルミニウム（Ａｌ）からなる金属を、スパッタにより、コンタクトホール７ａ、７ｂ内に埋め込むと共に、層間絶縁膜６ｂ上に成膜する。この後、この金属の層間絶縁膜６ｂ上に成膜された部分をパターニングする。これによって、図２（ｂ）に示すように、コンタクトホール７ａ、７ｂを介してソース・ドレイン領域３ｃ、３ｄにつながるソース・ドレイン電極８ａ、８ｂが形成される。このとき、当然、信号線等の配線（図示せず）も層間絶縁膜６ｂ上に形成される。
【００２４】
図３は、不純物の活性化工程と層間絶縁膜の焼成工程との２つの工程を兼ねた熱処理工程を、上述のように、それぞれ３５０℃、４００℃、４５０℃、５００℃の熱処理温度において１時間行ったときの、各熱処理温度とシート抵抗との関係を示すグラフである。このグラフは、本発明者による実際の実験結果に基づいて作成されたものである。このグラフの縦軸に表されるシート抵抗値は、前記第１のＴＦＴのチャネル部において測定したものであり、低いほどよいのは当然である。なお、上述のように、熱処理温度が低いほど不純物の活性化率が低くなることが予想されるため、それに合わせてイオンドーピングの打ち込み条件を各熱処理温度に対応させそれぞれ変化させている。
【００２５】
図３のシート抵抗値を示すグラフ１１Ｄ〜１１Ａから分かるように、熱処理温度が５００℃、４５０℃、４００℃、３５０℃と低くなるにつれて、シート抵抗は高くなった。ここで、３５０℃の場合は、グラフ１１Ａに示すように、シート抵抗値が、ほぼ７０００（Ω／ｃｍ２）以下となった。これは、十分実用に供し得る値である。このことは、以下のことを示している。即ち、上記不純物の活性化や層間絶縁膜の焼成の熱処理においてクラック等の不良を確実に防ぐには熱処理温度は低いことが望ましい。而して、このような低温の熱処理でも実用に供することのできるシート抵抗値のＴＦＴを得ることができる。なお、不純物打込時におけるイオンドーピングの加速電圧、ゲート絶縁膜４の膜厚、その他、多結晶シリコン膜３ｂの膜厚などを最適にすることにより、グラフ１１Ａに示される３５０℃の熱処理におけるシート抵抗値をさらに下げることができる。
【００２６】
次に、上記実施の形態の効果を確認するために、比較例を以下に述べる。即ち、不純物を活性化させる工程と層間絶縁膜を焼成する工程の２つの熱処理工程とを併せて行わずに、それぞれ別個に行ったときのシート抵抗値を記す。具体的には、イオンドーピング法により多結晶シリコン膜にドーパントを打ち込んだ後、５００℃で１時間、不純物を活性化させる工程を行い、さらに、この後、４００℃で１時間、層間絶縁膜を焼成する工程を行った。このときのシート抵抗値は約２２００（Ω／ｃｍ２）であった。このことから、本実施形態の効果が確認された。
【００２７】
以上のように、本発明の第１の実施形態によれば、多結晶シリコン層に打ち込んだ不純物を活性化させる工程と、層間絶縁膜を焼成する工程とを、同一の熱処理工程として１工程で行うようにしたので、各積層膜中においてクラック等の不良が生じるのを可及的に防ぎつつ、塗布法を用いて層間絶縁膜を形成することができる。
【００２８】
図４及び図５は、本発明の第２の実施形態に係り、異なるＴＦＴ（第２のＴＦＴ）の製造工程の断面図である。図４、図５において、図１及び図２に示されるのと同等部分には同一の符号を付して説明を省略してある。この第２の実施形態が第１の実施形態と異なるところは、上記層間絶縁膜の下地層としてシリコン窒化膜を形成する点にある。
【００２９】
以下、第２のＴＦＴを製造する工程について詳しく説明する。
【００３０】
まず、図４（ａ）は、前述の図１（ｃ）と同じ工程を示す。即ち、第１の実施形態における図１（ａ）、（ｂ）の工程を経て、図４（ａ）に示すように、ゲート電極５をマスクとして自己整合的に多結晶シリコン層３ｂに不純物を打ち込み、ソース・ドレイン領域を形成する。
【００３１】
次に、図４（ｂ）から分かるように、多結晶シリコン膜３ｂのダングリングボンドを終端するべく、プラズマＣＶＤ法を用いて水素プラズマ処理を行う。その後、図４（ｂ）に示すように、ゲート電極５を覆うようにしてシリコン窒化膜（ＳｉＮ膜）１５を例えば２００ｎｍ成膜する。
【００３２】
次に、図４（ｃ）から分かるように、シリコン窒化膜１５上の全面に亘って層間絶縁膜１６ａを塗布する。この後、多結晶シリコン層３ｂに打ち込まれた不純物を活性化させる工程と、層間絶縁膜１６ａを焼成する工程とを、同一工程として行うべく４００℃−１時間の熱処理を行う。これによって、図５に示すように、多結晶シリコン層３ｂにソース・ドレイン領域３ｃ、３ｄが最終的に形成されるとともに、層間絶縁膜１６ｂが最終的に焼成形成される。
【００３３】
この後は、第１の実施形態と同様にして、図５に示すように多結晶シリコンＴＦＴが得られる。即ち、図５から分かるように、層間絶縁膜１６ｂをエッチングし、ソース・ドレイン領域３ｃ、３ｄへのコンタクトホール１７ａ、１７ｂとをそれぞれ形成する。次いで、アルミニウムからなる、ソース・ドレイン電極１８ａ、１８ｂを形成する。
【００３４】
図６は、本発明者が実際に、この第２の実施形態によって製造した第２のＴＦＴと、上記第１の実施形態によって製造した第１のＴＦＴのそれぞれにおけるオン電流値（ドレイン電流値）を示したグラフである。ちなみに、オン電流値は大きいほどよいのは当然である。
【００３５】
図６のグラフ２０ａに示すように、シリコン窒化膜を有する第２のＴＦＴのオン電流値１．２×１０−４（Ａ）は、グラフ２０ｂに示されるシリコン窒化膜を有さない第１のＴＦＴのオン電流値１．０×１０−４（Ａ）よりも大きい。この理由は以下の通りである。
【００３６】
即ち、図２（ｂ）から分かるように、層間絶縁膜６ｂの下に、つまり多結晶シリコン膜３ｂ上にシリコン窒化膜が形成されていないときは、多結晶シリコン膜３ｂのダングリングボンドを終端している水素が、上記４００℃の焼成アニール（熱処理工程）において脱離してしまう。即ち、多結晶シリコン膜３ｂのダングリングボンドを終端している水素が、上層の層間絶縁膜６ｂを介して外部へ離脱してしまう。これにより、チャネル中を移動する電子が途中でトラップされ、オン電流が低下すると考えられる。
【００３７】
一方、図５から分かるように、多結晶シリコン膜３ｂ上にシリコン窒化膜１５が形成されているときは、シリコン窒化膜１５がキャップ層として多結晶シリコン膜３ｂ中の水素を脱離させないように機能する。さらに、シリコン窒化膜１５には膜中に多くの水素が含まれており、この水素が多結晶シリコン膜３ｂに拡散して、多結晶シリコン膜３ｂのダングリングボンドをさらに終端する。それ故、シリコン窒化膜を有している第２のＴＦＴは、シリコン窒化膜を有していない第１のＴＦＴに比べて、多結晶シリコン層３ｂ中を移動させられている電子が上記ダングリングボンドによってトラップされにくくなる。即ち、図６からも分かるように、第２のＴＦＴの方が第１のＴＦＴよりもオン電流値が大きくなる。
【００３８】
以上のように、本発明の第２の実施形態によれば、多結晶シリコン層と層間絶縁膜との間にキャップ層としてのシリコン窒化膜を設けたので、多結晶シリコン層中から、ダングリングボンドを終端している水素が脱離するのを防ぐことができる。また、シリコン窒化膜中に含まれる水素が多結晶シリコン層に拡散するので、これにより多結晶シリコン層のダングリングボンドを一層に終端することができ、これにより、オン電流値の大きなＴＦＴを形成することができる。
【００３９】
上記本発明の第１の実施形態及び本発明の第２の実施形態においては、本発明の平面表示装置の製造方法を液晶表示装置に適用する例を示したが、有機ＥＬ表示装置にも適用することができる。
【００４０】
【発明の効果】
本発明によれば、半導体層に打ち込んだ不純物の活性化と、塗布された層間絶縁膜の焼成とを１つの熱処理工程によって併せて行うようにしたので、全体としての熱処理工程を減少させることができ、これにより、基板上の各積層膜中にクラック等の不良の発生を極力抑制しつつ、塗布法による層間絶縁膜を形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施の形態としての第１のＴＦＴの製造工程の途中までを示す断面図である。
【図２】本発明の一実施の形態としての、図１に続く第１のＴＦＴの製造工程を示す断面図である。
【図３】不純物の活性化と層間絶縁膜の焼成とを、１つの熱処理工程により行ったときの、熱処理温度とシート抵抗との関係を示すグラフである。
【図４】本発明の別の実施の形態としての第２のＴＦＴの製造工程を途中まで示す断面図である。
【図５】本発明の前記別の実施の形態としての、図４に続く第２のＴＦＴの製造工程を示す断面図である。
【図６】前記第１のＴＦＴと前記第２のＴＦＴとのそれぞれのオン電流値を比較して示したグラフである。
【符号の説明】
１　絶縁基板
２　アンダーコート層
３ａ　非結晶シリコン膜
３ｂ　多結晶シリコン膜
３ｃ、３ｄ　ソース・ドレイン領域
４　ゲート絶縁膜
５　ゲート電極
６ａ、１６ａ　層間絶縁膜
６ｂ、１６ｂ　層間絶縁膜
７ａ、７ｂ、１７ａ、１７ｂ　コンタクトホール
８ａ、１８ａ　ソース・ドレイン電極
８ｂ、１８ｂ　ソース・ドレイン電極
１５　シリコン窒化膜
【図１】
2004063845.tif 000003
【図２】
2004063845.tif 000004
【図３】
2004063845.tif 000005
【図４】
2004063845.tif 000006
【図５】
2004063845.tif 000007
【図６】
2004063845.tif 000008