(57)【要約】【課題】半田接続部の寿命を確保する。【解決手段】半導体チップ（半導体素子）の下部への半田濡れ上がりを防止することで達成される。半田濡れ上がりを防ぐためには、ＴＣＰ型半導体装置のベース部材である絶縁性フィルムと基板の接続部とが重ならないように絶縁性フィルムの外側に基板の接続部を設けること、又は、半導体チップと向かい合うリードの部分を封止樹脂で覆う、又は、半導体チップの下部のリードに樹脂を塗布するといった手段がある。【選択図】　　　　図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップが固定されたベース部材と、前記ベース部材に固定され、かつ前記ベース部材から外部に突出するリードとを有する半導体装置と、
前記リードが半田によって接続された接続部を有する実装基板とを有し、
前記リードは、前記ベース部材から突出する突出長さが前記リードの突出方向に沿う前記接続部の長さよりも短く構成され、
前記接続部は、前記ベース部材よりも外側に配置されていることを特徴とする電子装置。
【請求項２】
請求項１に記載の電子装置において、
前記半田は、前記半導体チップと前記実装基板との間に配置されないことを特徴とする電子装置。
【請求項３】
請求項１に記載の電子装置において、
前記実装基板は、前記接続部を含む配線と、前記配線を覆うようにして設けられた絶縁膜と、前記絶縁膜に形成され、かつ前記接続部の大きさを規定する開口部とを更に有し、
前記開口部は、前記ベース部材よりも外側に配置されていることを特徴とする電子装置。
【請求項４】
請求項１に記載の電子装置において、
前記ベース部材は、絶縁性フィルム、若しくは前記半導体チップを封止する封止体であることを特徴とする電子装置。
【請求項５】
半導体チップが固定されたベース部材と、前記ベース部材に固定され、かつ前記ベース部材の第１の辺側から外部に突出する第１のリードと、前記ベース部材に固定され、かつ前記ベース部材の第１の辺とは反対側に位置する第２の辺側から外部に突出する第２のリードとを有する半導体装置と、
前記第１のリードが半田によって接続された第１の接続部と、前記第２のリードが半田によって接続された第２の接続部とを有する実装基板とを有し、
前記第１及び第２のリードは、前記ベース部材から突出する突出長さが前記第１及び第２のリードの突出方向に沿う前記第１及び第２の接続部の長さよりも短く構成され、
前記第１の接続部は、前記ベース部材の第１の辺よりも外側に配置され、
前記第２の接続部は、前記ベース部材の第２の辺よりも外側に配置されていることを特徴とする電子装置。
【請求項６】
請求項５に記載の電子装置において、
前記実装基板は、前記第１の接続部を含む第１の配線と、前記第２の接続部を含む第２の配線と、前記第１及び第２の配線を覆うようにして形成された絶縁膜と、前記絶縁膜に形成され、かつ前記第１の接続部の大きさを規定する第１の開口部と、前記絶縁膜に形成され、かつ前記第２の接続部の大きさを規定する第２の開口部とを更に有し、
前記第１の開口部は、前記ベース部材の第１の辺よりも外側に配置され、
前記第２の開口部は、前記ベース部材の第２の辺よりも外側に配置されていることを特徴とする電子装置。
【請求項７】
請求項６に記載の電子装置において、
前記第１の開口部と前記第２の開口部との間の距離は、前記ベース部材の第１の辺と第２の辺との間の距離よりも長いことを特徴とする電子装置。
【請求項８】
請求項５に記載の電子装置において、
前記ベース部材は、絶縁性フィルムであることを特徴とする電子装置。
【請求項９】
実装基板と、前記実装基板に実装された第１の半導体装置と、前記第１の半導体装置上に積層された状態で前記実装基板に実装された第２の半導体装置とを有し、
前記第１の半導体装置は、半導体チップが固定されたベース部材と、前記ベース部材に固定され、かつ前記ベース部材の第１の辺側から外部に突出する第１のリードと、前記ベース部材に固定され、かつ前記ベース部材の第１の辺とは反対側に位置する第２の辺側から外部に突出する第２のリードとを有し、
前記第２の半導体装置は、半導体チップが固定されたベース部材と、前記ベース部材に固定され、かつ前記ベース部材の第１の辺側から外部に突出する第１のリードと、前記ベース部材に固定され、かつ前記ベース部材の第１の辺とは反対側に位置する第２の辺側から外部に突出する第２のリードとを有し、
前記実装基板は、前記第１の半導体装置の第１のリードが半田によって接続された第１の接続部と、前記第１の半導体装置の第２のリードが半田によって接続された第２の接続部と、前記第２の半導体装置の第１のリードが半田によって接続された第３の接続部と、前記第２の半導体装置の第２のリードが半田によって接続された第４の接続部とを有する電子装置であって、
前記第１の半導体装置の第１及び第２のリードは、前記第１の半導体装置のベース部材から突出する突出長さが前記第１及び第２のリードの突出方向に沿う前記第１及び第２の接続部の長さよりも短く構成され、
前記第１の接続部と前記第２の接続部との間の距離は、前記第１の半導体装置のベース部材の第１の辺と第２の辺との間の距離よりも長くなっていることを特徴とする電子装置。
【請求項１０】
請求項９に記載の電子装置において、
前記第１乃至第４の接続部の大きさは、絶縁膜に形成された各々の開口部で規定されていることを特徴とする電子装置。
【請求項１１】
請求項９に記載の電子装置において、
前記第１の半導体装置のベース部材は、絶縁性フィルムであることを特徴とする電子装置。
【請求項１２】
請求項９に記載の電子装置において、
前記第１及び第２の半導体装置のベース部材は、絶縁性フィルムであることを特徴とする電子装置。
【請求項１３】
実装基板と、前記実装基板に実装された第１の半導体装置と、前記第１の半導体装置上に積層された状態で前記実装基板に実装された第２の半導体装置とを有し、
前記第１の半導体装置は、半導体チップが固定されたベース部材と、前記ベース部材に固定され、かつ前記ベース部材の第１の辺側から外部に突出する第１のリードと、前記ベース部材に固定され、かつ前記ベース部材の第１の辺とは反対側に位置する第２の辺側から外部に突出する第２のリードとを有し、
前記第２の半導体装置は、半導体チップが固定されたベース部材と、前記ベース部材に固定され、かつ前記ベース部材の第１の辺側から外部に突出する第１のリードと、前記ベース部材に固定され、かつ前記ベース部材の第１の辺とは反対側に位置する第２の辺側から外部に突出する第２のリードとを有し、
前記実装基板は、前記第１の半導体装置の第１のリードが半田によって接続された第１の接続部と、前記第１の半導体装置の第２のリードが半田によって接続された第２の接続部と、前記第２の半導体装置の第１のリードが半田によって接続された第３の接続部と、前記第２の半導体装置の第２のリードが半田によって接続された第４の接続部とを有する電子装置であって、
前記第１及び第２の接続部は、前記リードの突出方向に沿う長さが前記第３及び第４の接続部よりも短くなっていることを特徴とする電子装置。
【請求項１４】
請求項１３に記載の電子装置において、
前記第１乃至第４の接続部の大きさは、絶縁膜に形成された各々の開口部で規定されていることを特徴とする電子装置。
【請求項１５】
請求項１３に記載の電子装置において、
前記第１及び第２の半導体装置のベース部材は、絶縁性フィルムであることを特徴とする電子装置。
【請求項１６】
半導体チップが固定されたベース部材と、前記ベース部材に固定され、かつ前記ベース部材の第１の辺側から外部に突出する第１のリードと、前記ベース部材に固定され、かつ前記ベース部材の第１の辺とは反対側に位置する第２の辺側から外部に突出する第２のリードとを有する半導体装置と、
前記第１のリードが半田によって接続された第１の接続部と、前記第２のリードが半田によって接続された第２の接続部とを有する実装基板とを有し、
前記第１及び第２のリードは、前記半導体チップと向かい合う部分が樹脂で覆われていることを特徴とする電子装置。
【請求項１７】
請求項１６に記載の電子装置において、
前記ベース部材は、絶縁性フィルムであることを特徴とする電子装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電子装置に関し、特に、テープ・キャリア・パッケージ（ＴＣＰ：Ｔａｐｅ　Ｃａｒｒｉｅｒ　Ｐａｃｋａｇｅ）型半導体装置を組み込んだ電子装置に適用して有効な技術に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
半導体装置として、ＴＣＰ型と呼称される半導体装置が知られている。このＴＣＰ型半導体装置は、可撓性フィルムの表面に貼り付けられた金属箔にエッチング加工を施してリードを形成したテープキャリアを用いて製造されるので、金属板にプレス加工又はエッチング加工を施してリードを形成したリードフレームを用いて製造される半導体装置と比較して薄型化及び多ピン化を図ることができる。
【０００３】
前記ＴＣＰ型半導体装置は、主に、回路形成面（主面）に電極が形成された半導体チップと、半導体チップの電極に電気的に接続されるリードと、リードが固定された可撓性の絶縁性フィルムと、半導体チップの回路形成面を覆う樹脂とを有する構成になっている。リードの一端側はバンプを介して半導体チップの電極に接続され、リードの他端側は半導体チップの外側に引き出されている。リードの一端側と半導体チップの電極との接続は熱圧着にて行なわれている。バンプは、リードの一端側と半導体チップの電極とを接続するための接合材として用いられ、リードの一端側と半導体チップの電極とを接続する前の段階において、半導体チップの電極又はリードの一端側の接続部に予め形成されている。
【０００４】
一方、半導体メモリは、大型コンピュータ、パーソナルコンピュータ、携帯機器など様々な情報機器に使用されており、必要とされる容量は年々増加している。大容量化に伴って半導体メモリの実装面積は増大し、機器の小型化を阻害する要因となっている。
【０００５】
そこで、大容量化に好適な電子装置として、例えばＤＲＡＭ（Ｄｙｎａｍｉｃ　Ｒａｎｄｏｍ　Ａｃｃｅｓｓ　Ｍｅｍｏｒｙ）が内蔵されたＴＣＰ型半導体装置を二段重ねで実装基板に実装した半導体モジュールが知られている。この半導体モジュールは、薄型化に好適なＴＣＰ型半導体装置を二段重ねで実装しているので、半導体チップ全体を樹脂封止体で封止するパッケージ構造の半導体装置、例えばＴＳＯＰ（Ｔｈｉｎ　Ｓｍａｌｌ　Ｏｕｔｌｉｎｅ　Ｐａｃｋａｇｅ）型半導体装置を実装した半導体モジュールとほぼ同じ厚さで実質的に二倍の記憶容量を実現することができる。
【０００６】
前記半導体モジュールは、実装基板の互いに反対側に位置する主面及び裏面（表裏面）に並列に二段重ねでＴＣＰ型半導体装置を複数個実装し、これらのＴＣＰ型半導体装置を例えば金属製のキャップ部材で覆った構成になっている。ＴＣＰ型半導体装置としては下段用と上段用の二種類があり、何れも半導体チップの回路形成面が実装基板と向かい合う状態で実装されている。
【０００７】
下段用及び上段用ＴＣＰ型半導体装置のリードは、絶縁性フィルムに固定されたインナーリード部と、このインナーリード部と一体に形成され、かつ絶縁性フィルムから外部に突出するアウターリード部とを有し、アウターリード部は面実装型の一つであるガルウィング型に成形されている。ガルウィング型に成形されたアウターリード部は、絶縁性フィルムから外部に突出する第１の部分と、この第１の部分から半導体チップの厚さ方向に折れ曲がる第２の部分と、この第２の部分から第１の部分と同一方向に延びる第３の部分とを有する構成となり、第３の部分はＴＣＰ型半導体装置を実装基板に半田（はんだ）付け実装する時の接続用端子部として用いられる。下段用ＴＣＰ型半導体装置のアウターリード部は、絶縁性フィルムから外部に突出する平面方向の突出長さ（投影長さ）、及び形状に沿う延べ長さ（延在長さ）が上段用ＴＣＰ型半導体装置のアウターリード部よりも短くなっている。
【０００８】
なお、ＴＣＰ型半導体装置については、例えば、日経ＢＰ社発行の「ＶＬＳＩパッケージング技術（下）」、１９９３年５月３１日発行、第７１頁乃至第１０３頁に記載されている。
また、二段重ねで複数のＴＣＰ型半導体装置を組み込んだ半導体モジュールについては、例えば、特開平１１−４０７４５号公報に記載されている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
前述の半導体モジュールにおいて、ＴＣＰ型半導体装置は、リードのアウターリード部と実装基板の接続部とを半田付けすることで実装される。ＴＣＰ型半導体装置の半導体チップ（半導体素子）は動作時に発熱して温度上昇するが、半導体チップと実装基板の線膨張係数には差があるため、動作時にＴＣＰ型半導体装置のアウターリード部と実装基板の接続部とを接続する半田に大きな歪みが生じて半田接続部が破断し、接続不良に至ることが考えられる。そこで、従来は半導体チップと実装基板の線膨張係数差をアウターリード部の変形で吸収する事で、半田の歪みを低減して半田接続部の寿命を確保してきた。
【００１０】
しかしながら、半導体メモリの大容量化によって半導体チップの平面サイズは大きくなっていることや高密度な実装を行うために、ＴＣＰ型半導体装置のアウターリード部の突出長さは短くなっている。更に、ＴＣＰ型半導体装置を積層実装する場合、下段用ＴＣＰ型半導体装置は上段用ＴＣＰ型半導体装置を実装した下の空間部（上段用ＴＣＰ型半導体装置と実装基板との間の空間部）に実装する必要があるため、アウターリード部の突出長さは一層短くなる。一方、実装基板の接続部の長さ（アウターリード部の突出方向に沿う長さ）は、実装後のＴＣＰ型半導体装置に外力が加わった場合の接続不良等を防止するため１ｍｍ程度の長さを必要としてきた。これらのことからＴＣＰ型半導体装置のアウターリード部の突出長さと、実装基板の接続部の長さとの差は、年々縮まっていた。そして、半導体メモリの更なる大容量化と高密度実装化を目指すとき、アウターリード部の突出長さは実装基板の接続部の長さよりも短くする必要が生じた。しかしながら、アウターリード部の突出長さが実装基板の接続部の長さよりも短くなった場合、半田接続部の剛性が高くなり熱変形を吸収する効果が弱まる。これによって、ＴＣＰ型半導体装置のアウターリード部と実装基板の接続部との半田に生じる歪みが大きくなり、半田寿命が低下して接続不良を起こすことが考えられる。
従って、このような大容量で高密度実装の半導体モジュール（電子装置）においては半田寿命を確保することが課題となる。
【００１１】
本発明の目的は、電子装置の半田接続部の寿命を確保することが可能な技術を提供することにある。
本発明の前記並びにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述及び添付図面によって明らかになるであろう。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
前記目的は、半導体チップ（半導体素子）の下部への半田濡れ上がりを防止することで達成される。半田濡れ上がりを防ぐためには、ＴＣＰ型半導体装置のベース部材である絶縁性フィルムと基板の接続部とが重ならないように絶縁性フィルムの外側に基板の接続部を設けること、又は、半導体チップと向かい合うリードの部分を封止樹脂で覆う、又は、半導体チップの下部のリードに樹脂を塗布するといった手段がある。
【００１３】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を詳細に説明する。なお、発明の実施の形態を説明するための全図において、同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。
【００１４】
（実施形態１）
本実施形態１では、ＴＣＰ型半導体装置を組み込んだ半導体モジュールに本発明を適用した例について説明する。なお、ＴＣＰ型半導体装置の製造技術は、その組立手段からＴＡＢ（Ｔａｐｅ　Ａｕｔｏｍａｔｅｄ　Ｂｏｎｄｉｎｇ）技術とも呼称されている。
【００１５】
図１は、本発明の実施形態１である半導体モジュールの一部を切り欠いた状態の模式的平面図であり、
図２は、実施形態１の半導体モジュールの一部を示す要部模式的断面図であり、
図３は、図２の一部を拡大した要部模式的断面図であり、
図４は、図３の一部を拡大した要部模式的断面図であり、
図５は、図４の一部を拡大した要部模式的断面図であり、
図６は、実施形態１の半導体モジュールに使用された実装基板の一部を示す要部模式的平面図であり、
図７は、実施形態１の半導体モジュールに組み込まれた下段用ＴＣＰ型半導体装置の概略構成を示す模式的平面図であり、
図８は、実施形態１の半導体モジュールに組み込まれた下段用ＴＣＰ型半導体装置の概略構成を示す模式的断面図である。
【００１６】
図１及び図２に示すように、本実施形態１の半導体モジュール（電子装置）１は、実装基板１０の互いに反対側に位置する主面及び裏面のうちの主面側に、並列に二段重ねでＴＣＰ型半導体装置２を複数個実装した片面実装構造になっており、これらのＴＣＰ型半導体装置２は実装基板１０に固定された金属性のキャップ部材１７で覆われている。ＴＣＰ型半導体装置２としては下段用（２ａ）と上段用（２ｂ）の二種類が使用されている。下段用ＴＣＰ型半導体装置２ａ及び上段用ＴＣＰ型半導体装置２ｂは、基本的に同一の構成になっており、後で説明するアウターリード部７ｂの寸法が異なっている。
【００１７】
ＴＣＰ型半導体装置２（２ａ，２ｂ）は、図７及び図８に示すように、半導体チップ３、ベース部材である可撓性の絶縁性フィルム６、複数のリード７からなる第１及び第２のリード群、封止樹脂８等を有する構成になっている。
【００１８】
半導体チップ３は、その厚さ方向と交差する平面形状が方形状で形成され、本実施形態では例えば縦幅３Ｌ×横幅３Ｗ＝１５．０３ｍｍ×８．８１ｍｍの長方形で形成されている。また、半導体チップ３は、ＴＣＰ型半導体装置２の薄型化を図るため、例えば０．２８ｍｍ程度の薄い厚さで形成されている。ここで、縦幅とは第１の方向に沿う長さを意味し、横幅とは第１の方向と直行する第２の方向に沿う長さを意味する。
【００１９】
半導体チップ３は、これに限定されないが、主に、半導体基板と、この半導体基板の主面に形成された複数のトランジスタ素子と、前記半導体基板の主面上において絶縁層、配線層の夫々を複数段積み重ねた多層配線層と、この多層配線層を覆うようにして形成された表面保護膜（最終保護膜）とを有する構成になっている。半導体基板は、例えば単結晶シリコンで形成されている。絶縁層は、例えば酸化シリコン膜で形成されている。配線層は、例えばアルミニウム（Ａｌ）、又はアルミニウム合金、又は銅（Ｃｕ）、又は銅合金等の金属膜で形成されている。表面保護膜は、例えば、酸化シリコン膜又は窒化シリコン膜等の無機絶縁膜及び有機絶縁膜を積み重ねた多層膜で形成されている。
【００２０】
半導体チップ３には、集積回路として例えば２５６メガビットのＤＤＲＳＤＲＭ（Ｄｏｕｂｌｅ　Ｄａｔａ　Ｒａｔｅ　Ｓｙｎｃｈｒｏｎｏｕｓ　Ｄｙｎａｍｉｃ　Ｒａｎｄｏｍ　Ａｃｃｅｓｓ　Ｍｅｍｏｒｙ）回路が内蔵されている。この集積回路は、主に、半導体基板の主面に形成されたトランジスタ素子及び多層配線層に形成された配線によって構成されている。
【００２１】
半導体チップ３の互いに反対側に位置する回路形成面（主面）３ｘ及び裏面のうちの回路形成面３ｘには、複数の電極パッド（ボンディングパッド）４が設けられている。複数の電極パッド４は、半導体チップ３の多層配線層のうちの最上層の配線層に形成され、半導体チップ３の表面保護膜に形成されたボンディング開口部によって露出されている。複数の電極パッド４は、半導体チップ３の回路形成面３ｘの長手方向（長辺方向）の中心線に沿って配置されている。
【００２２】
絶縁性フィルム６は、その厚さ方向と交差する平面形状が方形状で形成され、本実施形態では例えば縦幅６Ｌ×横幅６Ｗ＝１６．４６×９．２１の長方形で形成されている。即ち、絶縁性フィルム６は、半導体チップ３よりも若干大きい平面サイズになっている。
【００２３】
第１及び第２のリード群のリード７は、絶縁性フィルム６の互いに反対側に位置する主面及び裏面のうちの主面に接着材を介在して接着固定されている。第１のリード群のリード７は、絶縁性フィルム６の互いに反対側に位置する二つの辺（本実施形態では長辺：６ａ，６ｂ）のうちの一方の辺６ａに沿って配置され、第２のリード群のリード７は、絶縁性フィルム６の他方の辺６ｂに沿って配置されている。
【００２４】
第１のリード群のリード７は、絶縁性フィルム６の一方の辺６ａを横切るようにして絶縁性フィルム６の内外に亘って延在し、第２のリード群のリード７は、絶縁性フィルム６の他方の辺６ｂを横切るようにして絶縁性フィルム６の内外に亘って延在している。第１のリード群のリード７は、絶縁性フィルム６の主面に接着固定されたインナーリード部６ａと、このインナーリード部６ａと一体に形成され、かつ絶縁性フィルム６の一方の辺６ａ側から外部に突出するアウターリード部６ｂとを有する構成になっている。第２のリード群のリード７は、絶縁性フィルム６の主面に接着固定されたインナーリード部６ａと、このインナーリード部６ａと一体に形成され、かつ絶縁性フィルム６の他方の辺６ｂ側から外部に突出するアウターリード部６ｂとを有する構成になっている。即ち、本実施形態のＴＣＰ型半導体装置２は、ベース部材の互いに反対側に位置する二つの辺側に夫々リード群を配置した二辺リード配列構造になっている。
【００２５】
半導体チップ３は、その回路形成面３ｘが絶縁性フィルム６の裏面と向かい合う状態で絶縁性フィルム６に接着固定されている。第１及び第２のリード群のリード７は、インナーリード部７ａの先端部分が半導体チップ３の電極パッド４にバンプ（突起状電極）５を介在して電気的にかつ機械的に接続されている。バンプ５としては、例えばＡｕからなるスタッドバンプが用いられている。各リード７のインナーリード部７ａの先端部分と各電極パッド４との接続は、熱圧着法にて行われている。なお、絶縁性フィルム６には、半導体チップ３の電極パッド４とリード７とを接続するためのボンディング開口部や、しわの発生を抑制するための開口部等が形成されている。
【００２６】
半導体チップ３の電極パッド４とリード７との接続部は、封止樹脂８によって封止されている。封止樹脂８は、例えばエポキシ系樹脂に有機溶剤が添加された熱硬化性樹脂を半導体チップ３の回路形成面３ｘに塗布し、その後、熱処理を施して硬化させることによって形成される。
【００２７】
絶縁性フィルム６の横幅６Ｗを半導体チップ３の横幅３Ｗよりも大きくし、封止樹脂８を半導体チップ３の側面及び絶縁性フィルム６の主面上に配置することで、半導体チップ３と絶縁性フィルム６との剥離を防止している。
【００２８】
第１及び第２のリード群において、各々のリード７のアウターリード部７ｂは、面実装型リード形態の一つであるガルウィング型に折り曲げ成形されている。ガルウィング型のアウターリード部７ｂは、図４に示すように、絶縁性フィルム６から外部に突出する第１の部分７ｂ１と、この第１の部分７ｂ１から半導体チップ３（絶縁性フィルム６）の厚さ方向に折れ曲がる第２の部分７ｂ２と、この第２の部分７ｂ２から第１の部分７ｂ１と同一方向に折れ曲がる第３の部分７ｂ３とを有する構成となり、主に第３の部分７ｂ３はＴＣＰ型半導体装置２を実装基板１０に半田付け実装する時の接続用端子部として用いられる。
【００２９】
ＴＣＰ型半導体装置２は、テープキャリアを用いるＴＡＢ技術によって製造される。テープキャリアは、主に、一定幅で長尺状の可撓性フィルムの主面に複数のリード７からなる単位リードパターンがその長手方向に繰り返し形成された構成になっている。複数のリード７は、可撓性フィルムの主面に接着材を介して貼り付けられた金属箔をエッチングすることによって形成される。可撓性フィルムとしては、例えば７５μｍ程度の厚さのポリイミド系樹脂からなる可撓性フィルムが用いられている。金属箔としては、例えば３５μｍ程度の厚さの銅箔が用いられている。
【００３０】
ＴＣＰ型半導体装置２は、テープキャリアの単位リードパターン毎に半導体チップ３の電極パッド４とリード７のインナーリード部７ａとを熱圧着にて接続し、その後、テープキャリアの単位リードパターン毎に半導体チップ３の回路形成面３ｘに液状の封止樹脂８を塗布し、その後、熱処理を施して封止樹脂８を硬化させることによって製造される。ＴＣＰ型半導体装置２は、これに限定されないが、例えばテープキャリアに形成された状態で半導体モジュール１の組立工程に搬送される。半導体モジュール１の組立工程では、アウターリード部７ｂの切断及び折り曲げ成形を行う切断成型工程、テープキャリアからＴＣＰ型半導体装置２を切り取る切り取り工程等を施して単品のＴＣＰ型半導体装置２を形成した後、このＴＣＰ型半導体装置２を実装基板１０に半田付け実装する。ＴＣＰ型半導体装置２の絶縁性フィルム６は、テープキャリアの一部からなり、テープキャリアから切り取ることによって形成される。
【００３１】
ここで、図４に示すように、下段用ＴＣＰ型半導体装置２ａのアウターリード部７ｂは、絶縁性フィルム６から外部に突出する平面方向の突出長さ（投影長さ）Ｌ４が上段用ＴＣＰ型半導体装置２ｂのアウターリード部７ｂよりも短くなっている。また、下段用ＴＣＰ型半導体装置２のアウターリード部７ｂは、第１の部分７ｂ１と第３の部分７ｂ３とのオフセット量（リード高さ）が上段用ＴＣＰ型半導体装置２ｂのアウターリード部７ｂよりも小さくなっている。この下段用及び上段用は、アウターリード部７ｂの切断成形工程において、アウターリード部７ｂの切断位置及び折り曲げ位置を変えることによって形成される。即ち、下段用及び上段用ＴＣＰ型半導体装置（２ａ，２ｂ）は、アウターリード部７ｂを除いて共通の構造になっている。このように、アウターリード部７ｂ以外の構造を共通とすることで、半導体モジュール１の低コスト化を図ることができる。
【００３２】
図２及び図３に示すように、下段用及び上段用ＴＣＰ型半導体装置（２ａ，２ｂ）は、これらの半導体チップ３の回路形成面３ｘが実装基板１０の主面と向かい合う状態で実装基板１０の主面に実装されている。また、上段用ＴＣＰ型半導体装置２ｂは、下段用ＴＣＰ型半導体装置２ａ上に積層された状態で実装基板１０の主面に実装されている。本実施形態では、高密度な実装を目的として、実装基板１０に、下段用ＴＣＰ型半導体装置２ａと上段用ＴＣＰ型半導体装置２ｂが上下に二段積層して実装されている。
【００３３】
実装基板１０は、詳細に図示していないが、図２及び図３に示すように、コア材１０ａと、このコア材１０ａの互いに反対側に位置する主面及び裏面のうちの主面を覆うようにして形成された絶縁膜１２と、このコア材１０ａの裏面を覆うようにして形成された絶縁膜（図示せず）とを有する構成になっている。コア材１０ａは、例えば、その主面、裏面及び内部に配線を有する多層配線構造になっている。コア材１０ａの各絶縁層は、例えばガラス繊維にエポキシ系若しくはポリイミド系の樹脂を含浸させた高弾性樹脂基板で形成されている。コア材１０ａの各配線層は、例えばＣｕを主成分とする金属膜で形成されている。コア材１０ａの主面上の絶縁膜１２は、主にコア材１０ａの最上層の配線層に形成された配線１１を保護する目的で形成され、コア材１０ａの裏面上の絶縁膜は、主にコア材１０ａの最下層の配線層に形成された配線（図示せず）を保護する目的で形成されている。コア材１０ａの主面上の絶縁膜１２及び裏面上の絶縁膜は、例えば、二液性アルカリ現像液型ソルダーレジストインキ、若しくは熱硬化型一液性ソルダーレジストインキで形成されている。
【００３４】
実装基板１０の主面には、下段用ＴＣＰ型半導体装置２ａの複数のアウターリード部７ｂの夫々の先端部分（第３の部分）に対応して配置された複数の接続部１１ａ、並びに、上段用ＴＣＰ型半導体装置２ｂの複数のアウターリード部７ｂの夫々の先端部分（第３の部分）に対応して配置された複数の接続部１１ｂが設けられている。この複数の接続部１１ａ及び１１ｂは、コア材１０ａの最上層の配線層に形成された複数の配線１１の夫々の一部で構成されている。即ち、実装基板１０の主面には、接続部１１ａを含む複数の配線１１及び接続部１１ｂを含む複数の配線１１が延在している。
【００３５】
絶縁膜１２には、接続部１１ａの平面方向の大きさを規定する開口部１３ａ、並びに接続部１１ｂの平面方向の大きさを規定する開口部１３ｂが形成されており、接続部１１ａ及び１１ｂの表面は、各々の開口部（１３ａ，１３ｂ）によって露出されている。
【００３６】
下段用ＴＣＰ型半導体装置２ａにおいて、絶縁性フィルム６の一方の辺６ａ側から外部に突出する複数のアウターリード部７ｂは、このアウターリード部７ｂに対応して実装基板１０の主面に設けられた複数の接続部１１ａに半田１５によって夫々電気的にかつ機械的に接続されている。絶縁性フィルム６の他方の辺６ｂ側から外部に突出する複数のアウターリード部７ｂは、このアウターリード部７ｂに対応して実装基板１０の主面に設けられた複数の接続部１１ａに半田１５によって夫々電気的にかつ機械的に接続されている。
【００３７】
上段用ＴＣＰ型半導体装置２ｂにおいて、絶縁性フィルム６の一方の辺６ａ側から外部に突出する複数のアウターリード部７ｂは、このアウターリード部７ｂに対応して実装基板１０の主面に設けられた複数の接続部１１ｂに半田１５によって夫々電気的にかつ機械的に接続されている。絶縁性フィルム６の他方の辺６ｂ側から外部に突出する複数のアウターリード部７ｂは、このアウターリード部７ｂに対応して実装基板１０の主面に設けられた複数の接続部１１ｂに半田１５によって夫々電気的にかつ機械的に接続されている。
【００３８】
図５に示すように、下段用ＴＣＰ型半導体装置２ａの絶縁性フィルム６から外部に突出するアウターリード部７ｂの突出長さ（投影長さ）Ｌ４は、アウターリード部７ｂの突出方向に沿う接続部１１ａ（開口部１３ａ）の長さＬ２よりも短くなっている。また、図３乃至図６に示すように、下段用ＴＣＰ型半導体装置２ａの絶縁性フィルム６の一方の辺６ａ側から外部に突出するアウターリード部７ｂが接続された接続部１１ａと、下段用ＴＣＰ型半導体装置２ａの絶縁性フィルム６の他方の辺６ｂ側から外部に突出するアウターリード部７ｂが接続された接続部１１ａとの間の距離（間隔）、換言すれば、絶縁性フィルム６の一方の辺６ａ側に位置する接続部１１ａ（開口部１３ａ）の内側の端部から絶縁性フィルム６の他方の辺６ｂ側に位置する接続部１１ａ（開口部１３ａ）の内側の端部までの長さＬ１は、下段用ＴＣＰ型半導体装置２ａの絶縁性フィルム６の横幅６Ｗ（アウターリード部７ｂの突出方向に沿う長さ）よりも長くなっており、絶縁性フィルム６の一方の辺６ａ側に位置する接続部１１ａ及び絶縁性フィルムの他方の辺６ｂ側に位置する接続部１１ａは、絶縁性フィルム６と重ならないように絶縁性フィルム６よりも外側に配置されている。本実施形態では、下段用ＴＣＰ型半導体装置２ａのアウターリード部７ｂの突出長さＬ４は例えば０．８５ｍｍ程度、接続部１１ａの長さＬ２は例えば０．９ｍｍ程度、絶縁性フィルム６の一方の辺６ａ側に位置する接続部１１ａと絶縁性フィルム６の他方の辺６ｂ側に位置する接続部１１ａとの間の距離Ｌ１は例えば９．３１ｍｍ程度、絶縁性フィルム６の横幅６Ｗは例えば９．２１ｍｍ程度になっている。
【００３９】
下段用及び上段用ＴＣＰ型半導体装置（２ａ，２ｂ）の実装においては、はじめに実装基板１０の接続部１１ａ及び１１ｂにペースト状の半田を塗布する。次に、下段用ＴＣＰ型半導体装置２ａのアウターリード部７ｂの第３の部分７ｂ３が実装基板１０の接続部１１ａ上に位置するように位置決めして実装基板１０に下段用ＴＣＰ型半導体装置２ａを仮置きする。次に、上段用ＴＣＰ型半導体装置２ｂのアウターリード部７ｂの第３の部分７ｂ３が実装基板１０の接続部１１ｂ上に位置するように位置決めして実装基板１０に下段用ＴＣＰ型半導体装置２ｂを仮置きする。下段用及び上段用ＴＣＰ型半導体装置の仮置きが終了した後、リフロー炉を通過させることで半田接続を行う。このような手順で実装を行うことで、一回のリフロー工程で上下二段のＴＣＰ型半導体装置を実装できるため、半導体モジュール１の製造コストを削減できる。また、リフロー工程が一回で済むため、半田の溶解時間を短くすることができ、金属間化合物の成長等による接続不良を防止することができる。
【００４０】
ところで、半導体チップ（半導体素子）３と実装基板１０の線膨張係数には１０ｐｐｍ／℃以上の差がある。従って、ＴＣＰ型半導体装置２を実装基板１０に実装した状態で、環境温度の変化や動作時の発熱などが生じた場合、ＴＣＰ型半導体装置２のアウターリード部７ｂと実装基板の接続部（１１ａ，１１ｂ）との半田接続部に熱応力が発生する。アウターリード部７ｂには、これらの熱応力を自らの変形によって緩和し、半田接続部の半田に生じる歪みを低下させる働きがある。ここで、半田の低サイクル寿命は、塑性歪み範囲の値に支配されることが知られている。従って、アウターリード部７ｂによって半田の歪みを低下させることは、半田接続部の寿命向上に有効であった。
【００４１】
しかしながら、本実施形態のように、実装基板１０に上下二段積みでＴＣＰ型半導体装置２を実装する場合においては、下段用ＴＣＰ型半導体装置２ａのアウターリード部７ｂの延在長さ（リードの成形形状に沿う延べ長さ）を上段用ＴＣＰ型半導体装置２ｂのアウターリード部７ｂの延在長さよりも短くする必要がある。本実施形態では、下段用ＴＣＰ型半導体装置２ａのアウターリード部７ｂの延在長さは０．９ｍｍとしている。
【００４２】
従って、上段用ＴＣＰ型半導体装置２ｂと比較して下段用ＴＣＰ型半導体装置２ａのアウターリード部７ｂは短く、相対的に熱応力を緩和する効果は小さい。また、半田１５はリフロー時にアウターリード部７ｂを伝わって半導体チップ３の方向へ濡れ上がる。実装基板１０の接続部１１ａ間の長さＬ１が絶縁性フィルム６の横幅６Ｗよりも小さい場合、半田１５の濡れ上がりによって半田１５が半導体チップ３の下側に配置されることが考えられる。この場合、半田接続部の剛性が高まり、半導体チップ３と実装基板１０の線膨張係数差の影響が直接半田１５に伝わるため、半田１５には大きな歪みが生じて、半田１５の寿命が低下する。
【００４３】
そこで、本実施形態では、下段用ＴＣＰ型半導体装置２ａの絶縁性フィルム６の一方の辺６ａ側に位置する接続部１１ａと、下段用ＴＣＰ型半導体装置２ａの絶縁性フィルム６の他方の辺６ｂ側に位置する接続部１１ａとの間の距離Ｌ１を下段用ＴＣＰ型半導体装置２ａの絶縁性フィルム６の横幅６Ｗよりも大きくすること、換言すれば、絶縁性フィルム６の一方の辺６ａ側に位置する接続部１１ａ及び絶縁性フィルムの他方の辺６ｂ側に位置する接続部１１ａを絶縁性フィルム６よりも外側に配置して絶縁性フィルム６と重ならないようにすることで、半田１５が濡れ上がった場合でも半田１５が半導体チップ３の下側に配置されないようにした。この結果、半田接続部の剛性は低下して、半田１５に生じる歪みが低下するので、半田接続部の寿命を確保できる。
【００４４】
図９は、下段用ＴＣＰ型半導体装置２ａを実装基板１０に実装した状態で温度を低下させた場合の、有限要素解析による変形図である。同図は実装状態の側面図を示し、形状の対称性を考えて半分の形状について示したものである。また、変形量は拡大して示している。実装基板１０の方が半導体チップ３より線膨張係数が大きいため、温度が低下した場合には実装基板１０の方が半導体チップ３よりも収縮量が多い。収縮量の差によって、半導体チップ３は、その裏面が凸面となる方向に曲げ変形している。
【００４５】
図１０は、半導体チップ３の下に半田１５が無い場合の半田１５の塑性歪み分布を示す図であり、図１１は、半導体チップ３の下に半田１５が有る場合の半田１５の塑性歪み分布を示す図である。図１０は、本実施形態のように半導体チップ３の下側に半田１５が配置されないようにした場合を示し、図１１は、接続部１１ａ間の距離Ｌ１を図１０の場合よりも１００μｍ程度小さくし、半導体チップ３の下側に半田１５が濡れ上がるようにした場合を示している。
【００４６】
図１０では、図に示す半田１５のＡ点とＢ点に歪みの大きい領域があり、Ｂ点付近は下に凸の変形をしている。これは、Ａ点付近には主に半導体チップ３と実装基板１０の線膨張係数差によって生じるせん断力に起因する歪みが生じ、Ｂ点付近は半導体チップ３の曲げ変形に起因する歪みが生じているからである。このように、せん断力に起因する歪みと曲げ変形に起因する歪みの集中する位置をずらして歪みを分散させることで、歪みの最大値は低下して、半田寿命を確保することができる。
【００４７】
一方、図１１のように、接続部１１ａ間の距離Ｌ１が１００μｍ小さく、半田１５が半導体チップ３の下まで濡れ上がっている場合、半田１５の歪みがＡ点に集中している。図１０の場合と比較して歪みの最大値は２倍となっており、図１０の場合と比較して半田寿命は短い。これらのことから、半田１５が半導体チップ３の下側に濡れ上がることを防止することが、半田寿命の向上に有効であることが分かる。
【００４８】
（実施形態２）
図１２は、本発明の実施形態２である半導体モジュールの一部を示す模式的断面図である。
図１２に示すように、下段用ＴＣＰ型半導体装置２ａのアウターリード部７ｂが半田１５によって接続された接続部１１ａの長さＬ２は、上段用ＴＣＰ型半導体装置２ｂのアウターリード部７ｂが半田１５によって接続された接続部１１ｂの長さ（アウターリード部７ｂの突出方向に沿う長さ）Ｌ３よりも短くなっている。
【００４９】
本実施形態のように上下二段の積層実装を行った場合、上段用ＴＣＰ型半導体装置２ｂには搬送時や組み立て時などに外部から荷重が加わることがある。それらの荷重による半田接合部の破壊を防止するため、上段用ＴＣＰ型半導体装置２ｂのアウターリード部７ｂの第３の部分７ｂ３の長さ及び実装基板１０の接続部１１ｂの長さＬ３を大きくし、半田接続部の剛性を上げている。この時、上段用ＴＣＰ型半導体装置２ｂのアウターリード部７ｂは下段用ＴＣＰ型半導体装置２ａと比較して長く、アウターリード部７ｂの変形によって熱変形を吸収できるので、半田接続部の剛性を高めても半田寿命は確保できる。
【００５０】
一方、上段用ＴＣＰ型半導体装置２ｂを実装した後の下段用ＴＣＰ型半導体装置２ａは、上段用ＴＣＰ型半導体装置２ｂで覆われるため、外部から加重が加わることは無い。このため、下段用ＴＣＰ型半導体装置２ａのアウターリード部７ｂが接続される接続部１１ａの長さＬ２は、上段用ＴＣＰ型半導体装置２ｂのアウターリード部７ｂが接続される接続部１１ｂの長さＬ３よりも小さくすることができる。また、実施形態１で示したように、下段用ＴＣＰ型半導体装置２ａの半田接合部は剛性を小さくした方が半田寿命の確保に適している。これらのことから、本実施形態では、下段用ＴＣＰ型半導体装置２ａのアウターリード部７ｂが接続される実装基板１０の接続部１１ａの長さＬ２を上段用ＴＣＰ型半導体装置２ｂのアウターリード部７ｂが接続される実装基板１０の接続部１１ｂの長さＬ３よりも小さくしている。このように、実装基板１０において、接続部１１ａの長さＬ２を接続部１１ｂの長さＬ３よりも小さくすることで、接続部１１ａ及び接続部１１ｂの長さ（Ｌ２，Ｌ３）を同じとした場合よりも高密度の実装が可能になる。
【００５１】
（実施形態３）
図１３は、本発明の実施形態３である半導体モジュールの一部を示す要部模式的断面図である。
図１３に示すように、リード７のインナーリード部７ａは、半導体チップ３と向かい合う部分が封止樹脂８で覆われている。封止樹脂８で覆われたリード部分には、リフロー時に半田１５が濡れ上がることは無い。従って、半導体チップ３の下部まで半田１５が濡れ上がることを防止でき、半田寿命を確保できる。この時、リード７を覆うための樹脂として半導体チップ３の電極パッド４とリード７との接続部を封止する樹脂と同じ樹脂を用いることで、半導体モジュール１の製造工程を増加させることなく実施できる。
なお、絶縁性フィルム６と向かい合うインナーリード部７ａの全体を封止樹脂８で覆っても良い。
【００５２】
（実施形態４）
図１４は、本発明の実施形態４である半導体モジュールの一部を示す要部模式的断面図である。
図１４に示すように、リード７のインナーリード部７ａは、半導体チップ３と向かい合う部分が封止樹脂８及びこの封止樹脂８と異なる樹脂１６で覆われている。このようにインナーリード部７ａの半導体チップ３と向かい合う部分を封止樹脂８及び樹脂１６で覆うことにより、半導体チップ３の下部に半田１５が塗れ上がることを防ぎ、半田寿命を確保できる。
【００５３】
（実施形態５）
図１５は、本発明の実施形態４である半導体モジュールの一部を示す要部模式的断面図である。
前述の実施形態１〜４では、ＴＣＰ型半導体装置を組み込んだ半導体モジュールに本発明を適用した例について説明したが、本実施形態５ではＴＣＰ型半導体装置の代わりにＴＳＯＰ（Ｔｈｉｎ　Ｓｍａｌｌ　Ｏｕｔｌｉｎｅ　Ｐａｃｋａｇｅ）型半導体装置を組み込んだ半導体モジュールに本発明を適用した例である。
【００５４】
図１５に示すように、本実施形態５の半導体モジュール（電子装置）２０は、実装基板１０の主面側にＴＳＯＰ型半導体装置２１を実装した構成になっている。ＴＳＯＰ型半導体装置２１は、半導体チップ２２、複数のリード２４、ダイパッド２５、複数のボンディングワイヤ２６、ベース部材である樹脂封止体２７等を有する構成になっている。
【００５５】
半導体チップ２２の回路形成面には複数の電極パッド（ボンディングパッド）２３が設けられており、この複数の電極パッド２３には、複数のボンディングワイヤ２６を介して複数のリード２４が夫々電気的に接続されている。半導体チップ２２は、その裏面がダイパッド２５と向かい合う状態でダイパッド２５に接着固定されている。複数のリード２４は、インナーリード部２４ａと、このインナーリード部２４ａと連なるアウターリード部２４ｂとを有する構成になっており、アウターリード部２４ｂは、前述のＴＣＰ型半導体装置と同様に、ガルウィング型に折り曲げ成形されている。
【００５６】
半導体チップ２２、複数のリード２４の夫々のインナーリード部２４ａ、ダイパッド２５、複数のボンディングワイヤ等は、樹脂封止体２７によって封止されており、半導体チップ２２及び複数のリード２４はベース部材である樹脂封止体２７に固定されている。
【００５７】
複数のリード２４は二つのリード群に分割され、第１のリード群のリード２４は、樹脂封止体２７の互いに反対側に位置する二つの辺（第１の辺，第２の辺）のうちの第１の辺に沿って配置され、第２のリード群のリード２４は、樹脂封止体２７の第２の辺に沿って配置されている。
【００５８】
第１のリード群のリード２４のアウターリード部２４ｂは、樹脂封止体２７の第１の辺側から外部に突出し、第２のリード群のリード２４のアウターリード部２４ｂは、樹脂封止体２７の第２の辺側から外部に突出している。
【００５９】
第１のリード群のリード２４のアウターリード部２４ｂは、このアウターリード部２４ｂに対応して実装基板１０の主面に設けられた接続部１１ａに半田１５によって電気的にかつ機械的に接続されている。第２のリード群のリード２４のアウターリード部２４ｂは、このアウターリード部２４ｂに対応して実装基板１０の主面に設けられた接続部１１ａに半田１５によって電気的にかつ機械的に接続されている。
【００６０】
樹脂封止体２７から突出するアウターリード部２４ｂの突出長さ（Ｌ４）は、アウターリード部２４ｂの突出方向に沿う接続部１１ａ（開口部１３ａ）の長さ（Ｌ２）よりも短くなっている。また、樹脂封止体２７の第１の辺側に位置する接続部１１ａ（開口部１３ａ）の内側の端部から樹脂封止体２７の第２辺側に位置する接続部１１ａ（開口部１３ａ）の内側の端部までの長さ（Ｌ１）は、樹脂封止体２７の横幅（アウターリード部２４ｂの突出方向に沿う長さ）よりも長くなっており、樹脂封止体２７の第１及び第２の辺側に置する接続部１１ａは、絶樹脂封止体２７と重ならないように樹脂封止体２７よりも外側に配置されている。
【００６１】
このように、ＴＳＯＰ型半導体装置２１を組み込んだ半導体モジュール２０においても、本発明を適用することで、半田１５に生じる歪みが低下するので、半田接続部の寿命を確保できる。
【００６２】
以上、本発明者によってなされた発明を、前記実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は、前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であることは勿論である。
【００６３】
例えば、前述の実施形態１では、片面実装構造の半導体モジュールについて説明したが、本発明は、実装基板１０の互いに反対側に位置する主面及び裏面に、並列に二段重ねでＴＣＰ型半導体装置２を複数個実装した両面実装構造の半導体モジュールにおいても適用できる。
【００６４】
また、前述の実施形態１では、実装基板１０の長辺にベース部材（絶縁性フィルム６）の長辺が沿う状態で実装基板１０にＴＣＰ型半導体装置２を実装した半導体モジュールについて説明したが、本発明は、実装基板１０の長辺にベース部材（絶縁性フィルム６）の短辺が沿う状態で実装基板１０にＴＣＰ型半導体装置２を実装したモジュールにおいても適用できる。
【００６５】
【発明の効果】
本願において開示される発明のうち代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
本発明によれば、半田接続部の寿命を確保することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態１である半導体モジュールの一部を切り欠いた模式的平面図である。
【図２】実施形態１の半導体モジュールの一部を示す要部模式的断面図である。
【図３】図２の一部を拡大した要部模式的断面図である。
【図４】図３の一部を拡大した要部模式的断面図である。
【図５】図４の一部を拡大した要部模式的断面図である。
【図６】実施形態１の半導体モジュールに使用された実装基板の一部を示す要部模式的平面図である。
【図７】実施形態１の半導体モジュールに組み込まれた下段用ＴＣＰ型半導体装置の模式的平面図である。
【図８】実施形態１の半導体モジュールに組み込まれた下段用ＴＣＰ型半導体装置の模式的断面図である。
【図９】下段用ＴＣＰ型半導体装置を実装基板に実装した状態で温度を低下させた場合の、有限要素解析による変形図である。
【図１０】半導体チップの下に半田が無い場合の半田の塑性歪み分布を示す図である。
【図１１】半導体チップの下に半田が有る場合の半田の塑性歪み分布を示す図である。
【図１２】本発明の実施形態２である半導体モジュールの概略構成を示す模式的断面図である。
【図１３】本発明の実施形態３である半導体モジュールの概略構成を示す模式的断面図である。
【図１４】本発明の実施形態４である半導体モジュールの概略構成を示す模式的断面図である。
【図１５】本発明の実施形態５である半導体モジュールの概略構成を示す模式的断面図である。
【符号の説明】
１…半導体モジュール、２…ＴＣＰ型半導体装置、３…半導体チップ（半導体素子）、４…電極パッド、５…バンプ、６…絶縁性フィルム、７…リード、７ａ…インナーリード部、７ｂ…アウターリード部、８…樹脂、１０…実装基板、１０ａ…コア材、１１…配線、１１ａ，１１ｂ…接続部、１２…絶縁膜、１３ａ，１３ｂ…開口部、１５…半田、１６…樹脂、１７…キャップ部材。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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