(57)【要約】【課題】光伝搬特性の偏光依存性を縮減するためにクラッドを構成するガラス膜の応力を縮減し、光導波路を小型化するためにコアとクラッドの比屈折率差を大きくし、且つ、クラッド層にクラックと気泡を生じない光導波路の製造方法を提供する。【解決手段】少なくともトリ・アルキル・シリル系化合物を有機ソースとし、オゾン雰囲気中の化学気相成長法によって、クラッド及びコアを成膜する。【選択図】      図４
2004205960.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくともトリ・アルキル・シリル系化合物を有機ソースとし、
オゾン雰囲気中の化学気相成長法によって、クラッド及びコアを成膜する
ことを特徴とする光導波路の製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の光導波路であって、
上記トリ・アルキル・シリル系化合物としてトリ・アルキル・シリル・ボレートを使用する
ことを特徴とする光導波路の製造方法。
【請求項３】
請求項１又は請求項２のいずれかに記載の光導波路の製造方法であって、
クラッドを成膜する時にトリ・アルコキシ・ボレートをドーピング材として使用する
ことを特徴とする光導波路の製造方法。
【請求項４】
請求項３記載の光導波路の製造方法であって、
上記トリ・アルコキシ・ボレートは、トリ・エチル・ボレート又はトリ・メチル・ボレートのいずれかである
ことを特徴とする光導波路の製造方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の光導波路の製造方法であって、
常圧の化学気相成長法を適用し、オゾンによって上記有機ソースを分解することを特徴とする光導波路の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、平面光回路（ＰＬＣ：Planer Lightwave Circuit) 方式による光導波路の製造方法に係り、特に、光伝搬特性の偏光依存性を縮減するためにクラッドを構成するガラス膜の応力を縮減し、光導波路を小型化するためにコアとクラッドの比屈折率差を大きくし、且つ、クラッド層にクラックと気泡を生じさせない光導波路の製造方法に関する。
【０００２】
近年、インタネットの急速な普及に伴って、データ、画像及び音声を含む所謂マルチメディア・トラフィックが急増しているが、更にＦＴＴＨ（Fiber To TheHome ）又はＦＴＴＣ（Fiber To The Curb ）の普及が進むと、特に伝送情報量が非常に大きい画像のトラフィックが一層増加すると予想される。
一方、必ずしも上記の動向とは関係なく、光伝送システムの高速化と大容量化が進められてきたが、トラフィックの急増に対処するために波長多重光伝送システム（「ＷＤＭ伝送システム」と略記される。ＷＤＭは、Wavelength Division Multiplexingの頭文字による略語である。）の導入が急ピッチで進められている。これは、既設の光伝送路を使用して光伝送システムの大容量化を容易に実現できるためである。
【０００３】
ところで、波長多重光伝送システムは幹線伝送路から導入され始めたが、ＡＤＳＬ（Asynchronous Digital Subscriber Line）や、ＦＴＴＨ又はＦＴＴＣの導入による加入者系伝送路の広帯域化の必要性から都市内通信網（Metropolitan
Network ）への導入が計画されている。
さて、都市内通信網においては、幹線伝送路に比較して伝送距離が短い（最短は１００ｍの数（a few)倍程度の伝送距離があり得るし、最長でも１０Ｋｍの数（a few)倍のオーダーである。）ために、伝送ノードに配備される光伝送装置のコストがシステム・コストに占める割合が高くなる。又、家庭内の端末装置に接続される光伝送装置も必要になる。
【０００４】
従って、都市内通信網へ波長多重光伝送システムを導入するに当たっては、光伝送装置のコスト・ダウンが強く求められ、光伝送装置に使用される様々な光回路のコスト・ダウンが必須になる。
光回路では、結合損失を縮減するために光軸合わせをミクロン以下の精度で行なう必要があり、光回路のコスト・アップの主要な原因になっている。この問題の解決に向けて、平面光回路方式を用いた光導波路による集積化が進められている。
【０００５】
平面光回路は、シリコン等の基板上に二酸化シリコンを主成分とする光導波路で回路を形成する光デバイスである。平面光回路を適用すると、多数の光導波路を基板上に形成することができて光ファイバ・アレイとの一括調芯が可能であり、しかも、１ウェハから多数の光導波路チップを作成することができるため、製造コストや調整コストの削減が可能である。
【０００６】
そして、重要になるのは、第一には伝送特性の向上と安定化であり、特に、偏波依存性がない光導波路を安定に実現することが望まれている。このためには、クラッド層に残存する応力が小さいこと、クラッド層にクラックと気泡が生じないことが必要である。
又、第二には元来小型化に適している光導波路ではあるが、更に小型化することが望まれている。このためには、コアとクラッドの比屈折率差を大きくして光導波路の曲がり部に許容できる曲率半径を小さくする必要がある。
【０００７】
【従来の技術】
図４は、光導波路の製造プロセスの例である。
図４において、１は基板、２はアンダー・クラッド、３ａはコア層、５はレジスト、５ａは露光、現像されたレジスト、３はコア、４はオーバー・クラッドである。そして、典型的には、基板にはシリコンを使用し、アンダー・クラッドとコア及びオーバー・クラッドの主成分には二酸化シリコンを使用する。
【０００８】
以降、光導波路の製造プロセスを簡単に説明する。
まず、（イ）シリコンよりなる基板１上にＣＶＤ法によって二酸化シリコンを主成分とするアンダー・クラッド２を成膜する。ここでＣＶＤはChemical VaperDepositionの頭文字による略語である。。尚、典型的には、基板１の厚さは１ｍｍ（ミリ・メートル）、直径は６インチである。
【０００９】
（ロ）アンダー・クラッド２上に二酸化シリコンを主成分とするコア層３ａを成膜する。
因みに、アンダー・クラッド２の厚さは、光導波路の伝送損失を低くするためにコアを伝搬する光のモード分布が基板１に達しない厚さにする必要があり、１５乃至２０ミクロン（μｍ）の膜を形成している。そして、有機ソースとしてはテトラ・エトキシ・シラン（ＴＥＯＳ）、テトラ・メトキシ・シラン（ＴＭＯＳ）、トリ・エチル・フォスフェイト（ＴＥＯＰ）、トリ・メチル・フォスフェイト（ＴＭＯＰ）のいずれか又はこれらの組み合わせを用い、シリコン基板との熱膨張係数の整合のためにホウ素（Ｂ）を添加するためのドーピング材としてトリ・エチル・ボレート（ＴＥＢ）又はトリ・メチル・ボレート（ＴＭＢ）を用いてボロ・シリケート・ガラス（ＢＳＧ）膜を形成してアンダー・クラッドとしている。
【００１０】
又、コア層３ａの厚さは、コア中を伝搬する光がシングル・モードになるような厚さにする必要があり、通常１０ミクロン以下の膜厚に設定している。そして、有機ソースとしてはＴＥＯＳ、ＴＭＯＳ、ＴＥＯＰ、ＴＭＯＰのいずれか又はこれらの組み合わせを用い、クラッドより屈折率を高くする目的でゲルマニウム（Ｇｅ）を添加するために、ドーピング材としてトリ・エチル・ゲルマニウム（ＴＥＧ）又はトリ・メチル・ゲルマニウム（ＴＭＧ）を用いてゲルマノ・フォスフェイト・シリケート・ガラス（ＧＰＳＧ）を形成してコア層としている。
【００１１】
ついで、（ハ）コア層３ａ上にレジスト５を塗布し、
（ニ）レジスト５上にコアのパターンを転写して露光・現像して、露光・現像されたレジスト５ａのパターンのみを残し、
（ホ）ＣＨＦ3 などのエッチング・ガスを使用してＲＩＥ（Reactive IonEtching)法によって、コア層３ａのうち不要な部分を除去してコア３を形成する。
【００１２】
ついで、（ヘ）コア３とアンダー・クラッド２を覆うようにオーバー・クラッド４を成膜する。ここで、オーバー・クラッド４の成膜方式、成膜条件及び材料はアンダー・クラッド２と同じである。
尚、アンダー・クラッド２、コア層３ａ及びオーバー・クラッド４の成膜には、火炎堆積法を適用してもよい。
【００１３】
さて、成膜後の冷却工程でしばしば発生する導波路層のクラックや剥がれを防止し、残留応力を十分に小さくするために、基板１とクラッドの線膨張係数を合わせることが求められる。
特に、シリコンを基板とし、二酸化シリコンを主成分とする導波路層を形成するタイプの光導波路では、
（１）冷却後の導波路層に残存する応力によって複屈折が発生して、伝搬特性に偏光依存性が生ずる。
【００１４】
（２）二酸化シリコン系の導波路層はヤング率が高く、僅かな線膨張係数の違いによって大きな残留応力が発生する。
ことから、クラッドの線膨張係数を基板１の線膨張係数に合わせることが重要になる。クラッドの線膨張係数の制御は、二酸化シリコン層を形成する時に添加する物質（これを、「ドーパント」と呼ぶ。）の量を調整することで行なう。そして、代表的なドーパントにはホウ素がある。
【００１５】
上記技術については、例えば、特開平８−１３６７５４号公開公報に開示がある。
この他、基板の下面に応力調整層を形成し、応力調整層と基板の線膨張係数の違いに起因して基板内部の応力と反対方向の応力を発生させて、コア部の内部応力を低減する技術が特開平８−２９６３４号公開公報に開示されており、又、コア部及びクラッド部を周囲のクラッド部から分離することによってコア部及びクラッド部の内部応力のうち光軸方向と交差する方向の内部応力を低減する技術が特開平８−２９６３２号公開公報に開示されている。
【００１６】
【特許文献１】特開平８−１３６７５４号公開公報
【００１７】
【特許文献２】特開平８−２９６３４号公開公報
【００１８】
【特許文献３】特開平８−２９６３２号公開公報
【００１９】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、従来の材料を用いてドーパント量の調整によるクラッドの線膨張係数の制御を行なうだけでは、クラッドにおける残留応力の減少、クラック発生の回避及び気泡発生の回避、比屈折率差の増加を、同時に実現することができないという問題点がある。
【００２０】
即ち、シリコン基板とクラッドの線膨張係数を一致させて残留応力を減少させるためにクラッドに添加するホウ素の量を多くする必要がある。又、コアとクラッドとの比屈折率差を大きくするためにも、クラッドに添加するホウ素の量を多くする必要がある。
しかし、従来の技術の如く、ＴＥＯＳとＴＥＢを使用してクラッド層のＢＳＧ膜を１０ミクロン以上の厚膜に成膜するとホウ素濃度が高くなるとクラックが発生しやすい。又、ホウ素濃度を下げるとクラックが発生しにくくなる反面、気泡が発生しやすくなるので、クラックと気泡の発生を回避することは非常に困難である。
【００２１】
更に、ＴＥＯＳ、ＴＭＯＰ及びＴＥＢを使用してクラッド層のボロ・フォスフェイト・シリケート・ガラス（ＢＰＳＧ）膜を成膜すれば、１５乃至２０ミクロン程度以上の膜厚でクラックと気泡が発生しない膜の成膜が可能であるが、クラックと気泡が発生しない組成では屈折率が高くなって比屈折率差の大きい光導波路の実現には適さない。
【００２２】
上記のことを、ドーパント組成とクラック、気泡発生の関係（その２）を図示した図３が示している。
図３において、縦軸はドーパントであるリン（Ｐ）の組成（重量％：図ではｗｔ％と記載している。以降、図では同様に記載する。）であり（以降、縦軸を「Ｐ軸」と呼ぶ。）、横軸はドーパントであるホウ素の組成である（以降、横軸をＢ軸と呼ぶ。）。そして、リンの組成が０であるＢ軸がＢＳＧ膜を表わしており、Ｐ軸とＢ軸とで囲まれる平面（以降、「Ｂ−Ｐ平面と呼ぶ。）がＢＰＳＧ膜を表わしている。尚、ＢＳＧ膜もＢＰＳＧ膜も、４５０℃で成膜し、膜厚は１５乃至２０ミクロンである。
【００２３】
ＢＳＧ膜を表わすＢ軸上を見ると、ホウ素の組成が数％（典型的には５乃至６％）以上では気泡が発生し、気泡が発生しない領域であるホウ素の組成が数％以下ではクラックが発生することが判る。即ち、図３に示したＢＳＧ膜では、必ず気泡又はクラックが発生して、光導波路の良好な伝送特性を得ることができない。
【００２４】
一方、ＢＰＳＧ膜を表わすＢ−Ｐ平面を見ると、ホウ素の組成が数％典型的には５乃至６％）以上になるとリンの組成如何に関係なく気泡が発生し、ホウ素の組成が数％以下で且つリンの組成が数％（典型的には５乃至６％）以下の領域ではクラックが発生することが判る。そして、リンの組成が数％以上でホウ素の組成が数％以下の領域に限って、気泡もクラックも発生しない。
【００２５】
ここで、屈折率が一定の値になるのはＢ軸に平行な線上であり、リンの組成が大きいほど屈折率が大きくなる。従って、気泡もクラックも発生しない上記の領域では屈折率が大きくなるので、このＢＰＳＧ膜をクラッドに用いるとコアとの比屈折率差が小さくなって適切ではない。
つまり、従来の有機ソースとドーピング材の組み合わせを使用して成膜したＢＳＧ膜もＢＰＳＧ膜も、伝送特性がよい光導波路を形成するのには不適切である。
【００２６】
又、特開平８−２９６３４号公開公報、特開平８−２９６３２号公開公報に開示されている技術により、それぞれ残留応力を縮減するという目的を達することができると思われるが、上記問題点を解決することができない上に、光導波路を形成する工程数の増加を必要とするために、光導波路の製造コストの上昇を招くという問題が残る。
【００２７】
本発明は、かかる問題点に鑑み、平面光回路方式による光導波路の製造方法に関し、光伝搬特性の偏光依存性を縮減するためにクラッドを構成するガラス膜の応力を縮減し、光導波路を小型化するためにコアとクラッドの比屈折率差を大きくし、且つ、クラッド層にクラックと気泡を生じない光導波路の製造方法を提供することを目的とする。
【００２８】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するための第一の発明は、少なくともトリ・アルキル・シリル系化合物を有機ソースとし、オゾン雰囲気中の化学気相成長法によって、クラッド及びコアを成膜することを特徴とする光導波路の製造方法である。
第二の発明は、第一の発明の光導波路であって、上記トリ・アルキル・シリル系化合物としてトリ・アルキル・シリル・ボレートを使用することを特徴とする光導波路の製造方法である。
【００２９】
第三の発明は、第一の発明又は第二の発明のいずれかの光導波路の製造方法であって、クラッドを成膜する時にトリ・アルコキシ・ボレートをドーピング材として使用することを特徴とする光導波路の製造方法である。
第四の発明は、第三の発明の光導波路の製造方法であって、上記トリ・アルコキシ・ボレートは、トリ・エチル・ボレート又はトリ・メチル・ボレートのいずれかであることを特徴とする光導波路の製造方法である。
【００３０】
第五の発明は、第一の発明乃至第四の発明のいずれかに記載の光導波路の製造方法であって、常圧の化学気相成長法を適用し、オゾンによって上記有機ソースを分解することを特徴とする光導波路の製造方法である。
上記本発明によれば、トリ・アルキル・シリル系化合物を有機ソースとし、化学気相成長法を用いて成膜するので、できあがった膜中の元素の結合が規則的になると共に、できあがった膜中に残る不純物が少なくなって、気泡とクラックの双方が発生せず、且つ、コアとクラッドとの比屈折率差が大きく、基板とクラッドの線膨張係数が整合した光導波路を形成することができる。
【００３１】
【発明の実施の形態】
以降、図面を併用して本発明の技術を詳細に説明する。
さて、本発明においても、光導波路の製造プロセスは図４に示した製造プロセスと本質的に同じである。ただ、本発明の特徴は、有機ソースとしてトリ・アルキル・シリル系化合物を用い、ドーピング材としてトリ・アルコキシ・ボレートを用い、オゾン雰囲気中の化学気相成長によって成膜する点にある。従って、製造プロセスについては、できるだけ上記事項と直接関係があることを中心に説明する。
【００３２】
典型的には、１ｍｍ厚で直径６インチのシリコン基板上を用い、トリ・メチル・シリル・ボレート（ＳｉＯＢ）を有機ソースとし、トリ・エチル・ボレート（ＴＥＢ）をホウ素をドーピングするためのドーピング材とし、オゾン雰囲気中の化学気相成長によって、厚さ１５ミクロンのボロ・シリケート・ガラス（ＢＳＧ）を４５０℃にて堆積してアンダー・クラッドとする。この際、ＢＳＧ膜においては偏光依存性低減と低屈折率化のために６乃至８％以上のホウ素含有量とする。
【００３３】
更に、アンダー・クラッド中に残留している水分とカーボンを除去するために、８８０℃のファーネス・タイプの熱処理炉にてアニールを行なう。
ついで、典型的には、ＳｉＯＢとトリ・エチル・フォスフェイト（ＴＥＯＰ）を有機ソースとし、トリ・エチル・ゲルマノン（ＴＥＧ）をゲルマニウムをドーピングするためのドーピング材とし、オゾン雰囲気中の化学気相成長によって、厚さ５乃至７ミクロンのゲルマノ・フォスフェイト・シリケート・ガラス（ＧＰＳＧ）を堆積してコア層とする。この際、リンとゲルマニウムの組成を調整して、光導波路の曲率半径を十分小さくするのに必要なコアとクラッドの比屈折率差を確保できるようにする。
【００３４】
上記膜構造を形成した後、コア層の上にマスク材を塗布し、フォト・エッチングによってコア・パターンを形成し、ＲＩＥ（によって不要なコア層の部分を選択エッチングしてコアを形成する。
更に、化学気相成長によって１５ミクロン厚のＢＳＧ膜を堆積してオーバー・クラッドとする。この際、オーバー・クラッドの堆積条件はアンダー・クラッドの堆積条件と同一とし、アンダー・クラッドと屈折率及び線膨張係数が一致するように配慮する。
【００３５】
上記の如く形成した光導波路は、伝送損失０．１ｄＢ／ｃｍ以下、偏光依存性を示すＰＤＬ（Polarization Dispersion Loss) １ｄＢ以下の伝送特性を有し、実用の光導波路として十分な特性が得られる。又、コアとクラッドの比屈折率差を十分大きくでき、光導波路の小型化に対して十分である。
図１は、ドーパント組成とクラック、気泡発生の関係（その１）を示す図で、特に、クラッドを形成するＢＳＧ膜及びＢＰＳＧ膜について示したものである。
【００３６】
図１において、縦軸であるＰ軸はドーパントであるリンの組成（重量％）であり、横軸であるＢ軸はドーパントであるホウ素の組成（重量％）である。そして、Ｂ軸がＢＳＧ膜を表わしており、Ｐ軸とＢ軸とで囲まれるＢ−Ｐ平面がＢＰＳＧ膜を表わしている。尚、ＢＳＧ膜及びＢＰＳＧ膜のいずれも４５０℃で成膜し、膜厚は１５乃至２０ミクロンである。
【００３７】
ＢＳＧ膜を表わすＢ軸上を見ると、ホウ素の組成が数％（典型的には５乃至６％）以上ではクラッドも気泡も発生しない領域がある。
一方、ＢＰＳＧ膜を表わすＢ−Ｐ平面を見ると、ホウ素とリンの合計の組成が数％（典型的には６％）以下ではクラックが発生し、ホウ素とリンの合計の組成が１０数％（典型的には１３％）以上では気泡が発生するが、ホウ素とリンの合計の組成が数％以上でホウ素とリンの合計の組成が１０数％以下の広い領域ではクラックも気泡も発生しないことが判る。
【００３８】
即ち、ＢＳＧ膜を適用しても、ＢＰＳＧ膜を適用しても、本発明の製造方法により気泡もクラックも発生しないクラッドを形成することができる。
このように、気泡もクラックも発生しないＢＳＧ膜及びＢＰＳＧ膜を形成できる理由は下記の通りである。即ち、ＳｉＯＢとＴＥＢの組み合わせで成膜したＢＳＧ膜においては、ＳｉＯＢが分子構造内にＳｉ（ＣＨ3 ）3 −Ｏ−Ｂの構造を持つトリ・メチル・シリル結合を持っているために、Ｓｉ−Ｏ−Ｂ結合の結合エネルギーが大きく、熱ゆらぎの影響を受けにくい。
【００３９】
つまり、従来の技術によって形成されたＢＳＧ膜又はＢＰＳＧ膜におけるＳｉ−Ｏ−Ｂ結合と比較して本発明の技術によって形成されたＢＳＧ膜又はＢＰＳＧ膜におけるＳｉ−Ｏ−Ｂ結合はダングリング・ボンド（未結合手）が少なくなり、成膜中に炭素（Ｃ）や水素（Ｈ）と反応する割合が低下する。従って、緻密なＢＳＧ膜又はＢＰＳＧ膜が形成されてクラック耐性が向上すると共に、熱処理時の気泡発生を防止できるドーパント組成の領域が広くなる。
【００４０】
この結果、気泡もクラックも発生せず、且つ、屈折率と残留応力をほぼ任意に設定できるクラッドを形成できるようになる。即ち、図１において屈折率が一定になるのはＢ軸に平行な等屈折率線であり、残留応力が一定になるのはホウ素とリンの合計組成が一定になる傾斜４５度の等応力線になるので、クラッドの組成は、好ましい応力の等応力線上の右下方でリンとホウ素の組成を決定するか、又は、リンの組成を０としてホウ素の組成を数％以上とすればよい。
【００４１】
図２は、成膜条件とＢＳＧ膜の特性の関係を示す表で、従来の材料の組み合わせであるテトラ・エトキシ・シラン（ＴＥＯＳ）とトリ・メチル・フォスフェイトとトリ・エチル・ボレート（ＴＥＢ）とによって成膜したボロ・フォスフェイト・シリケート・ガラス（ＢＰＳＧ）膜（表中▲１▼）と、本発明の材料の組み合わせであるトリ・メチル・シリル・ボレート（ＳｉＯＢ）とＴＥＢとによって成膜したＢＳＧ（ボロ・シリケート・ガラス）膜（表中▲２▼乃至▲５▼）とを比較している。ここで、従来技術としてＢＰＳＧ膜を比較対象にしているのは、既に説明した如く、従来技術ではＢＳＧ膜ではクラックも気泡も発生しない領域が存在しないからである。
【００４２】
図２を詳細に見れば明らかな如く、本発明によるＢＳＧ膜の内▲４▼及び▲５▼の組成によれば、１５５０ｎｍ（ナノ・メートル：１０-9ｍ）の波長の光に対する屈折率も、残留応力も、▲１▼のＢＰＳＧ膜より小さくなっており、十分な特性の光導波路を構成するクラッド層に適用することが可能である。
ここでは、クラッド層に適用するＢＳＧ膜の特性評価のみを示したが、本発明の技術を適用したコア層に適用するＧＰＳＧ膜についても必要な特性クリアできることが判っている。
【００４３】
さて、上記説明では有機ソースとしてトリ・メチル・シリル・ボレートを用いる例を記載したが、トリ・エチル・シリル・ボレートでもよい。即ち、有機ソースとしてトリ・アルキル・シリル化合物を用いることができる。又、トリ・アルキル・フォスフェイトを組み合わせてもよい。
又、ドーピング材としてトリ・エチル・ボレートを用いる例を記載したが、トリ・メチル・ボレートでもよい。即ち、ドーピング材としてはトリ・アルコキシ・ボレート系化合物を用いることができる。
【００４４】
最後に、クラッドにＢＳＧ膜を適用した場合には、オーバー・クラッドを形成するＢＳＧ膜が大気中の水分を吸収して変質する恐れがあることが知られている。これを防止するためには、ノン・ドープ・シリケート・ガラス（ＮＳＧ）膜、即ち、ドーパントを添加していないシリケート・ガラス膜を表面保護膜として適用することが好ましい。尚、ＮＳＧ膜の成膜技術は公知の技術であるので、これ以上の説明は省略する。
【００４５】
（付記１）  少なくともトリ・アルキル・シリル系化合物を有機ソースとし、
オゾン雰囲気中の化学気相成長法によって、クラッド及びコアを成膜する
ことを特徴とする光導波路の製造方法。
（付記２）  付記１記載の光導波路であって、
上記トリ・アルキル・シリル系化合物としてトリ・アルキル・シリル・ボレートを使用する
ことを特徴とする光導波路の製造方法。
【００４６】
（付記３）  付記１又は付記２のいずれかに記載の光導波路の製造方法であって、
クラッドを成膜する時にトリ・アルコキシ・ボレートをドーピング材として使用する
ことを特徴とする光導波路の製造方法。
【００４７】
（付記４）  付記３記載の光導波路の製造方法であって、
上記トリ・アルコキシ・ボレートは、トリ・エチル・ボレート又はトリ・メチル・ボレートのいずれかである
ことを特徴とする光導波路の製造方法。
（付記５）  付記１乃至付記４のいずれかに記載の光導波路の製造方法であって、
常圧の化学気相成長法を適用し、オゾンによって上記有機ソースを分解する
ことを特徴とする光導波路の製造方法。
【００４８】
（付記６）  クラッドにボロ・シリケート・ガラス（ＢＳＧ）膜を使用する場合には、
オーバー・クラッド上にノン・ドープ・シリケート・ガラス（ＮＳＧ）膜を表面保護膜として形成する
ことを特徴とする光導波路の製造方法。
【００４９】
【発明の効果】
以上詳述した如く、本発明により、光伝搬特性の偏光依存性を縮減するためにクラッドを構成するガラス膜の応力を縮減し、光導波路を小型化するためにコアとクラッドの比屈折率差を大きくし、且つ、クラッド層にクラックと気泡を生じない光導波路の製造方法を実現することができる。
【００５０】
即ち、トリ・アルキル・シリル系化合物を有機ソースとし、化学気相成長法を用いて成膜するので、できあがった膜中の元素の結合が規則的になると共に、できあがった膜中に残る不純物が少なくなって、気泡とクラックの双方が発生せず、且つ、コアとクラッドとの比屈折率差が大きい光導波路を形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】ドーパント組成とクラック、気泡発生の関係（その１）。
【図２】成膜条件とＢＳＧ膜の特性の関係。
【図３】ドーパント組成とクラック、気泡発生の関係（その２）。
【図４】光導波路の製造プロセスの例。
【符号の説明】
１  基板
２  アンダー・クラッド
３  コア
３ａ  コア層
４  オーバー・クラッド
５  マスク
５ａ  マスク材
【図１】
2004205960.tif 000003
【図２】
2004205960.tif 000004
【図３】
2004205960.tif 000005
【図４】
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