(57)【要約】【課題】基板上での信号線間の電磁界的な結合を抑制し、小型化が可能な高周波回路実装基板を得る。【解決手段】電磁界的な結合を抑制すべき信号線同士の間に接地ラインを設け、当該接地ラインは金属メッキされたビアホールによって基板下面の接地面と接続することで、電磁界的な結合を抑制する。【選択図】　　　　　図１
2004140284.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
全面を金属メッキされた下面と、
高周波回路パッケージを実装するとともに、接地ラインおよび当該高周波回路が外部回路と信号の送受信を行うための複数の信号線が設けられた上面と、
当該上面に設けられた接地ラインと前記金属メッキされた下面とを接続するよう所定の間隔をもって基板本体を貫通して設けられた複数のビアホールとを備え、
前記接地ラインが前記各信号線同士の間に位置するよう設けられたことを特徴とする高周波回路実装基板。
【請求項２】
全面を金属メッキされた下面と、
高周波回路パッケージを実装するとともに、接地ラインおよび当該高周波回路が外部回路と信号の送受信を行うための複数の信号線が設けられた上面と、
当該上面に設けられた接地ラインと前記金属メッキされた下面とを接続するよう所定の間隔をもって基板本体を貫通して設けられた複数のビアホールとを備え、
前記複数のビアホールを有する接地ラインが前記各信号線の両側を挟むよう設けられたことを特徴とする高周波回路実装基板。
【請求項３】
基板本体を複層構造とし、当該基板内層に基板上部から見て前記接地ラインと重なる位置に設けられた内層接地ラインを備え、当該内層接地ラインと前記接地ライン、および前記下面とを前記ビアホールによって接続したことを特徴とする請求項１または２記載の高周波回路実装基板。
【請求項４】
全面を金属メッキされた下面と、
高周波回路パッケージを実装するとともに、高周波回路と外部回路との信号の送受信を経由するパッド部が設けられ、当該パッド部以外の全面がメタライズされた上面と、
基板内層に設けられ基板本体を貫通する信号線用ビアホールによって前記パッド部と接続された内層信号線と、
基板内層に設けられた内層接地ラインと、
前記上面、前記下面、および前記内層接地ラインとを接続するよう所定の間隔をもって基板本体を貫通して設けられた複数のビアホールとを備え、
前記内層接地ラインが前記各内層信号線同士の間に位置するよう設けられたことを特徴とする高周波回路実装基板。
【請求項５】
全面を金属メッキされた下面と、
高周波回路パッケージを実装するとともに、高周波回路と外部回路との信号の送受信を経由するパッド部が設けられ、当該パッド部以外の全面がメタライズされた上面と、
基板内層に設けられ基板本体を貫通する信号線用ビアホールによって前記パッド部と接続された内層信号線と、
基板内層に設けられた内層接地ラインと、
前記上面、前記下面、および前記内層接地ラインとを接続するよう所定の間隔をもって基板本体を貫通して設けられた複数のビアホールとを備え、
前記内層接地ラインが前記各信号線の両側を挟むよう設けられたことを特徴とする高周波回路実装基板。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は通信装置等に用いる高周波回路を実装する基板に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、自動車用電話、携帯電話機等の小型無線通信機の開発が急速に進められ、より一層の小型化、高性能化が要請されている。これらの無線通信機は、高周波を用いるものであり、装置の小型化、高性能化のためには各回路間の電磁界的なアイソレーション特性の向上が望まれる。
【０００３】
例えば、これらの無線通信機には、信号の分岐や挿入を行うための分波器が用いられており、分波器は帯域通過フィルタを用いて構成され、弾性表面波フィルタを用いたものが研究開発されている。
【０００４】
図１１は、従来の表面弾性波装置の上面図である。図１１において、１は実装基板、２はパッケージ、３は送信用弾性表面波チップ、４は受信用表面弾性波チップ、５はボンディングパッド、６は送信用フィルタを成す送信インターディジタルトランデューサー（以下、送信ＩＤＴと呼ぶ）、７は受信用フィルタを成す受信ＩＤＴ、８はワイヤーボンディング、９ａは入力側送信ライン、９ｂは出力側送信ライン、１０ａは出力側受信ライン、１０ｂは入力側受信ライン、１１は送信用表面弾性波チップ３、ボンディングパッド５、送信ＩＤＴ６、ワイヤーボンディング８ａ、８ｂ、入力側送信ライン９ａ、出力側送信ライン９ｂを備えた送信回路、１２は受信用表面弾性波チップ４、ボンディングパッド５、受信ＩＤＴ７、ワイヤーボンディング８ｃ、８ｄ、出力側送信ライン、出力側受信ライン１０ａ、入力側送信ライン１０ｂを備えた受信回路である。図１２は送受信フィルタの周波数特性を示す図である。１３は受信フィルタ特性、１４は送信フィルタ特性、、１５は劣化した送信フィルタ特性である。
【０００５】
次に、動作について説明する。上記回路は分波器の一部であり、表面弾性波チップ３、４上に形成されたＩＤＴ６、７はそれぞれ送信、受信用のフィルタを構成している。図１２の送信フィルタ特性１４に示すように、送信用フィルタであるＩＤＴ６は送信帯域を透過し、受信帯域を遮断するように設計され、また、受信フィルタ特性１３に示すように、受信用フィルタであるＩＤＴ７は受信帯域を透過し、送信帯域を遮断するようにそれぞれ設計されている。
【０００６】
上記表面弾性波装置は分波器であり、入力側送信ライン９ａから入力された送信信号はワイヤーボンディング８ａによってＩＤＴ６に導かれ、濾波された後、ワイヤーボンディング８ｂによって出力側送信ライン９ｂから出力される。また、入力側受信ライン１０ｂから入力された受信信号はワイヤーボンディング８ｄによってＩＤＴ７に導かれ、濾波された後、ワイヤーボンディング８ｃによって出力側受信ライン１０ａから出力される。
【０００７】
これら送信回路１１および受信回路１２の機能は同時に使用される。即ち、送信回路１１に信号が印加されている状態でも、受信回路１２はそのフィルタとしての機能を果たさなければならない。送信回路１１および受信回路１２間のアイソレーションが十分に取れておらず、送受信間の電磁界的な結合が大きくなると、送信信号が印加された場合、受信回路１２に送信信号から漏れ出た電磁波が結合し、図１２の送信フィルタ特性１４のように送信帯域を遮断するように設計されている受信回路１２が、十分な遮断特性を発揮できなくなり、図１２の劣化した送信フィルタ特性１５のようにフィルタとしての機能を果たさなくなる。さらには、この分波器を使用したシステムの受信感度不良等の不具合を引き起こす。
【０００８】
このような結合を防ぐために、従来ではパッケージ２内の送受信フィルタ用弾性表面波装置のチップ間に金属板のシールドを設けることが提案されていた（例えば、特許文献１の図９参照）。しかし、このような結合はパッケージ２内のみで起こるものではなく、むしろパッケージ２外で起こることがよくある。例えば、入力側送信ライン９ａからの電磁波が出力側受信ライン１０ａ中の信号と結合して、アイソレーション劣化が引き起こされる。
【０００９】
そのため、送信回路１１、受信回路１２間はパッケージ２が実装された基板上の送受信ラインにおいても十分なアイソレーション特性が要求され、送受信回路１１、１２間の物理的距離をなるべく取る等の対策を講じ、特性確保を図っている。その他、物理的な距離を取る以外では、送受信回路１１、１２間の基板内部に金属板によってシールドを施すこと等が考えられるが、技術的に困難である。
【００１０】
以上のように、比較的使用周波数が低い場合には、送信回路１１と受信回路１２の間には十分なアイソレーションが取ることができる。しかし、その使用周波数が高くなると、表面弾性波装置等のパッケージ内で電磁界的な結合が起こるだけでなく、実装基板に設けられたパターンを流れる電流によって、パッケージ外の実装基板内においても電磁界的に結合しやすくなり、アイソレーション劣化を引き起こすため、本来の機能を損なってしまう。そこで、アイソレーション確保のために、実装基板に設けられたパターンおよびパッケージ間の物理的距離を取ると、装置の小型化が困難であり、物理的距離を取らずに実装基板内部に金属板でシールドを施すことは技術的に困難であった。
【００１１】
【特許文献１】
特開２００１−１２７５８９号公報（段落００３５、図９）
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上記のような問題点を解決するためになされたものであり、小型化が可能で、送受信回路間の電磁界的なアイソレーションを向上した高周波回路実装基板を得ることを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る高周波回路実装基板は、全面を金属メッキされた下面と、高周波回路パッケージを実装するとともに、接地ラインおよび当該高周波回路が外部回路と信号の送受信を行うための複数の信号線が設けられた上面と、当該上面に設けられた接地ラインと前記金属メッキされた下面とを接続するよう所定の間隔をもって基板本体を貫通して設けられた複数のビアホールとを備え、前記接地ラインが前記各信号線同士の間に位置するよう設けたものである。
【００１４】
【発明の実施の形態】
実施の形態１．
本発明に係る実装基板は、例えば高周波送受信回路間に位置する部分に規則的な間隔をもって設けたビアホールによって、それぞれの回路で発生する電磁波を遮蔽することで、物理的な距離をとることなく電磁界的なアイソレーション特性を向上したものである。
【００１５】
図１は、本発明の実施の形態１に係る高周波回路実装基板の上面図である。図１において、１は実装基板、２はパッケージ、３は送信用弾性表面波チップ、４は受信用表面弾性波チップ、５はボンディングパッド、６は送信用フィルタを成す送信インターディジタルトランデューサー（以下、送信ＩＤＴと呼ぶ）、７は受信用フィルタを成す受信ＩＤＴ、８はワイヤーボンディング、９ａは入力側送信ライン、９ｂは出力側送信ライン、１０ａは出力側受信ライン、１０ｂは入力側受信ライン、１１は送信用表面弾性波チップ３、ボンディングパッド５、送信ＩＤＴ６、ワイヤーボンディング８ａ、８ｂ、入力側送信ライン９ａ、出力側送信ライン９ｂを備えた送信回路、１２は受信用表面弾性波チップ４、ボンディングパッド５、受信ＩＤＴ７、ワイヤーボンディング８ｃ、８ｄ、出力側送信ライン、出力側受信ライン１０ａ、入力側送信ライン１０ｂを備えた受信回路、１６は接地ライン、１７はビアホールである。
【００１６】
また、図２は、本発明の実施の形態１に係る高周波回路実装基板の側面断面図である。図２において、図１と同じ構成要素には同じ符号を付す。１８は基板下面の接地面であり全面が金属メッキされている。
【００１７】
図１、２に示した回路の動作については、図８の従来の高周波回路と同様である。しかし、送信回路１１および受信回路１２の間に位置する実装基板に接地ライン１６を設け、当該接地ライン１６と基板下部の接地面１８を金属メッキを施し、規則的な間隔をもって配置したビアホール１７で接続した点が従来と異なる。このように基板内部に金属板による仕切を設けることができなくても、金属メッキを施したビアホール１７を所定の間隔で密に配置すれば、金属板を設けたのと同様の効果が得られる。
【００１８】
これによって、送信ライン９ａ、９ｂと受信ライン１０ａ、１０ｂそれぞれが電磁界的に遮蔽され、実装基板内における送受信回路間の電磁界的な結合に起因するアイソレーション劣化を阻止することができる。本実施の形態１に示した実装基板を用いた際のアイソレーション特性について電磁界シュミレータを用いて解析を実施した結果を図３に示す。シュミレートする際の各パラメータは、基板の比誘電率が１０（高周波回路基板として一般的なＨＴＣＣ（高温焼成セラミック）を想定）、基板厚が０．４ｍｍ、送受信ラインの信号線幅が０．４ｍｍ、信号線全長が２０ｍｍ、２つの信号線の間隔（中心間距離）１．６ｍｍ、接地パターン幅０．４ｍｍ、ビア径が０．２φ、ビアのピッチが０．６ｍｍのように設定した。
【００１９】
従来のものではアイソレーションは基板内の電磁波が１ＧＨｚで−４６ｄＢ、３ＧＨｚで−２８ｄＢであったが、本実施の形態１の実装基板を用いた場合は、１ＧＨｚで−５０ｄＢ、３ＧＨｚで−３２ｄＢとなり、各４ｄＢ程度アイソレーションが改善される結果が出た。
【００２０】
なお、各ビアホール１７の間隔は、狭ければ狭いほど望ましい。間隔が狭ければ狭いほど金属板が基板内に存在する状態に近づくためである。そして、少なくとも基板内の実効的な電磁波の波長に対して数分の一程度以下の間隔でなければならない。
【００２１】
さらに、上記した例では接地ライン１６は一本のみの場合について説明したが、図４に示すように、それぞれビアホール１７ａ、１７ｂを有する複数の接地ライン１６ａ、１６ｂを送信回路１１および受信回路１２間に設ける構成としても良い。このように構成することで、送信信号および受信信号の電流は、接地ライン１６ａ、１６ｂの別々の経路に分断され、よりグランド電位の確保が確実となり、接地ラインに寄生するインダクタンス成分に起因する結合を抑止する効果があるため、さらにアイソレーション特性を向上させることができる。
【００２２】
図４に示した実装基板を用いた場合について、電磁界シュミレータによる解析した所、１ＧＨｚで−５３ｄＢ、３ＧＨｚで−３６ｄＢとなり、従来の１ＧＨｚで−４６ｄＢ、３ＧＨｚで−２８ｄＢと比べて１ＧＨｚでは７ｄＢ、３ＧＨｚでは８ｄＢ程度アイソレーション特性が改善される結果が出た。ただし、各パラメータは、接地パターン幅を０．２ｍｍ、接地パターン同士の間隔を中心点間距離で０．４ｍｍ、その他は上記と同じ設定をした。
【００２３】
以上のように、本実施の形態１では、高周波回路を実装する基板において、電磁界的なアイソレーション特性が必要とされる回路間に位置する実装基板上に接地ラインを設け、基板下部の接地面と当該接地ラインとを金属メッキを施したビアホールによって接続することで、アイソレーション特性の向上を図ったものである。これによって、アイソレーションが必要とされる回路同士であっても十分な距離をもって配置する必要がなく、装置の小型化に資するものである。
【００２４】
実施の形態２．
本実施の形態２では、上記実施の形態１の接地ラインおよび基板下部の接地面を接続するビアホールに加え、さらに基板内部において、基板上部の接地ラインと基板上部から見て重なるように設けられた内層接地ラインを設け、実施の形態１と比べて電磁波の抜け道を狭くなるため、さらにアイソレーション特性が改善される高周波回路実装基板について示す。
【００２５】
本実施の形態２の高周波回路を実装した基板を上面から見た図は実施の形態１の図１と同様である。図５は本実施の形態２に係る高周波回路実装基板の側面断面図である。図２と同じ構成要素には同じ符号を付す。２１は内層接地ラインである。また、図６は本実施の形態２に係る高周波回路を実装した基板に設けられた接地ライン１６、ビアホール１７、基板下部の接地面１８、基板内部の内層接地ライン２１の位置関係を示す図である。２２は各ビアホール１７間に生ずる隙間である。
【００２６】
図５に示すように、本実施の形態２では、上記実施の形態１に係る実装基板とは基板の厚さＡは変えず、多層構造とし、接地ライン１６と重なる基板内部に内層接地ライン２１を設けたものである。そして、図６に示したように、この層構造（この場合は２層）の内層接地ライン２１は基板上面から見て、基板上面に設けられた接地ライン１６と重なるように設けられ、この接地ライン１６から基板下面の金属メッキされた接地面１８とを接続するビアホール１７によって貫通されている。ここで、各ビアホール１７間にできる隙間２２の面積は、内層接地ライン２１が設けられたことによって実施の形態１と比べて分断され小さくなる。これによって、電磁波の透過路がさらに狭められることで、実施の形態１と比べて、実装基板内における回路間の電磁界的結合に起因するアイソレーション劣化をさらに改善することができる。
【００２７】
本実施の形態２に示した実装基板のアイソレーション特性について、電磁界シュミレータによって解析した結果、１ＧＨｚで−５３ｄＢ、３ＧＨｚで−３５ｄＢとなり、図８に示した従来例が１ＧＨｚで−４６ｄＢ、３ＧＨｚで−２８ｄＢであったのと比べて各７ｄＢアイソレーションが改善された。なお、各パラメータは実施の形態１と同じものについては同じ数値を設定した。また、内層接地ライン幅は０．４ｍｍ、接地面から内層接地ラインのある面までの厚さは０．２ｍｍとした。
【００２８】
このように、実施の形態１の実装基板の構成に加えて、基板内部に内層接地ラインを設け、ビアホール間の隙間を狭めることで、よりアイソレーション特性を向上させることができる。
【００２９】
実施の形態３．
次に、実施の形態３について説明する。本実施の形態３は、上記実施の形態１に係る基板の構成に加えて、信号線の外側にも接地面とビアホールで接続された接地ラインを基板上面に設けることで、信号線間の電磁界的な結合をさらに抑えるとともに、基板外部からの電磁波の侵入も抑えるものである。
【００３０】
図７に本実施の形態３に係る高周波回路実装基板を上面から見た図である。図１と同じ構成要素には同じ符号を付す。１６ｄ、１６ｅはそれぞれ送信ライン９ａ、９ｂおよび受信ライン１０ａ、１０ｂの外側に設けられた接地ラインである。接地ライン１６ｄ、１６ｅいずれも基板下部の接地面１８とビアホール１７ｄ、１７ｅによって接続されている。
【００３１】
このように送受信ライン９、１０の外側にそれぞれ接地ライン１６ｃ、１６ｄを設けることによって、送受信ライン９、１０間に配置されたビアホール１７が直接的な電磁界的結合を抑制するだけでなく、図７の矢印Ｂに示されるような一方の信号線から他の信号線へと基板外部を回り込んで結合する電磁波成分を抑制し、さらに、基板外部の他の回路からの電磁波も抑制することができるため、よりアイソレーション特性を改善することができる。
【００３２】
本実施の形態３に示した実装基板のアイソレーション特性について、電磁界シュミレータによって解析した結果、１ＧＨｚで−５３ｄＢ、３ＧＨｚで−３７ｄＢとなり、図に示した従来例が１ＧＨｚで−４６ｄＢ、３ＧＨｚで−２８ｄＢであったのと比べて１ＧＨｚで７ｄＢ、３ＧＨｚで９ｄＢアイソレーションが改善された。なお、各パラメータは実施の形態１と同じものについては同じ数値を設定した。また、外側接地ライン幅は０．４ｍｍ、外側接地ラインと信号線との中心点間距離は０．８ｍｍとした。
【００３３】
このように、実施の形態１の実装基板の構成に加えて、信号線の外側にさらに接地ラインおよびビアホールを設けることで、よりアイソレーション特性を向上させることができ、高周波回路間の距離を十分に離さなくてもアイソレーションが確保でき、装置を小型化することができる。
【００３４】
実施の形態４．
なお、上記実施の形態３と上記実施の形態１、２の構成を組み合わせて実施することも可能である。その場合、一例として実装基板を上面から見た図は図７のようになり、側面断面図は図４と同様となり、各接地ラインとビアホールとの位置関係は図５に示した通りとなる。
【００３５】
このような構成の実装基板のアイソレーション特性について、電磁界シュミレータによって解析した結果、１ＧＨｚで−５６ｄＢ、３ＧＨｚで−４０ｄＢとなり、図に示した従来例が１ＧＨｚで−４６ｄＢ、３ＧＨｚで−２８ｄＢであったのと比べて１ＧＨｚで１０ｄＢ、３ＧＨｚで１２ｄＢほどアイソレーション特性が改善された。なお、各パラメータは上記各実施の形態と適宜同じ数値を設定した。
【００３６】
また、他の一例として実装基板を上面から見た図を図８のように構成し、側面断面図は図４と、各接地ラインとビアホールとの位置関係は図５と同様に構成してもよい。
【００３７】
このような構成の実装基板のアイソレーション特性について、電磁界シュミレータによって解析した結果、１ＧＨｚで−５９ｄＢ、３ＧＨｚで−４２ｄＢとなり、図８に示した従来例が１ＧＨｚで−４６ｄＢ、３ＧＨｚで−２８ｄＢであったのと比べて１ＧＨｚで１３ｄＢ、３ＧＨｚで１４ｄＢほどアイソレーション特性が改善された。なお、各パラメータは上記各実施の形態と適宜同じ数値を設定した。
【００３８】
このように、実施の形態１、２および３を組み合わせることで、よりアイソレーション特性を向上させることができ、高周波回路間の距離を十分に離さなくてもアイソレーションが確保でき、装置を小型化することができる。
【００３９】
実施の形態５．
上記実施の形態では、いずれも送受信ラインおよび接地ラインは基板上面に露出するよう設けられていたが、本実施の形態５では、基板上面および下面ともにメタライズし、接地ラインは基板内部としたことで、基板表面から空間へ漏れ出す電磁波成分を抑制することができるものである。
【００４０】
図９は本実施の形態５に係る高周波回路実装基板を上面から見た図である。図１と同じ構成要素には同じ符号を付す。２８はパッケージ２に設けられたパッケージ実装用のパッド、２９はパッド２８と基板内層送受信ライン９０、１００とを接続する接続用ビアホール、９０ａは基板内層に設けられた入力側送信ライン、９０ｂは基板内層に設けられた出力側送信ライン、１００ａは基板内層に設けられた出力側受信ライン、１００ｂは基板内層に設けられた入力側受信ライン、１６０ａ、１６０ｂ、１６０ｃはそれぞれ送受信ライン９０、１００の間と外側の基板内層に設けられた接地ラインである。
【００４１】
図１０は本実施の形態５に係る高周波回路実装基板の送受信ラインにおける側面断面図である。図１０に示したように、送信ライン９０、受信ライン１００内側および外側にそれぞれ接地ライン１６０を設けるが、全て基板内層に形成され、基板上面はパッド２８を除いて全てメタライズされている。基板上面と基板下面の接地面と、各接地ライン１６０はビアホール１７によって接続されている。このように、送受信ライン９０、１００を基板内層に設け、基板下面および上面を全てメタライズすることで、基板上面から空間に漏れ出す電磁波を抑制することができ、上記実施の形態よりもさらに送受信ライン間の電磁界的な結合を緩和することができ、また、基板外の他の回路との相互干渉も抑制することができる。これにより、高周波回路間の距離を十分に離さなくてもアイソレーションが確保でき、装置を小型化することができる。
【００４２】
なお、送受信ライン９０、１００の間の接地ライン１６０ａを複数の接地ラインとすることで、さらなるアイソレーション特性の改善を図ることができる。
【００４３】
なお、上記のいずれの実施の形態でも高周波回路として表面弾性波装置を例に取ったが、当然表面弾性波装置以外の高周波回路についても適用は可能である。
【００４４】
【発明の効果】
以上のように、本発明に係る高周波回路実装基板は、全面を金属メッキされた下面と、高周波回路パッケージを実装するとともに、接地ラインおよび当該高周波回路が外部回路と信号の送受信を行うための複数の信号線が設けられた上面と、当該上面に設けられた接地ラインと前記金属メッキされた下面とを接続するよう所定の間隔をもって基板本体を貫通して設けられた複数のビアホールとを備え、前記接地ラインが前記各信号線同士の間に位置するよう設けたため、信号線間のアイソレーション特性が向上し、信号線間の距離を離さなくてもよいため、装置の小型化に資するものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態１に係る高周波回路実装基板の上面図である。
【図２】本発明の実施の形態１に係る高周波回路実装基板の側面断面図である。
【図３】本発明の実施の形態１に係る高周波回路実装基板について電磁界シュミレータでシュミレートしたアイソレーション特性の結果である。
【図４】本発明の実施の形態１に係る高周波回路実装基板の他の一例を示す上面図である。
【図５】本発明の実施の形態２、４に係る高周波回路実装基板の側面断面図である。
【図６】本発明の実施の形態２に係る高周波回路実装基板に設けられた接地ライン、ビアホール、基板下部の接地面、および基板内部の内層接地ラインの位置関係を示す図である。
【図７】本発明の実施の形態３、４に係る高周波回路実装基板の上面図である。
【図８】本発明の実施の形態３、４に係る高周波回路実装基板の他の一例を示す上面図である。
【図９】本発明の実施の形態５に係る高周波回路実装基板の上面からの透視図である。
【図１０】本発明の実施の形態５に係る高周波回路実装基板の側面断面図である。
【図１１】従来の高周波回路実装基板の上面図である。
【図１２】送受信フィルタの周波数フィルタ特性を示す図である。
【符号の説明】
１　実装基板、　　２　パッケージ、　　３　送信用弾性表面波チップ、
４　受信用表面弾性波チップ、　　５　ボンディングパッド、
６　送信ＩＤＴ、　　７　受信ＩＤＴ、　　８　ワイヤーボンディング、
９ａ　入力側送信ライン、　　９ｂ　出力側送信ライン、
１０ａ　出力側受信ライン、　　１０ｂ　入力側受信ライン、
１１　送信回路、　　１２　受信回路、　　１３　受信フィルタ特性、
１４　送信フィルタ特性、　　１５　劣化した送信フィルタ特性、
１６　接地ライン、　　１７　ビアホール、　　１８　接地面、
２１　内層接地ライン、　　２２　隙間、　　２８　パッド、
２９　信号線用ビアホール、　　９０ａ　内層入力側送信ライン、
９０ｂ　内層出力側送信ライン、　　１００ａ　内層出力側受信ライン、
１００ｂ　内層入力側受信ライン、　　１６０　内層接地ライン。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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