(57)【要約】【課題】隣接する接続導電体間の抵抗が小さくなるのを防止し、配線層間の抵抗を小さくし、また製造に要する時間を短くする。【解決手段】配線層１２が形成された複数のガラスエポキシ板１１をプリプレーグ１４により接着して、配線層１２を有する配線基体１９を形成し、両側のガラスエポキシ板１１の外側の面には銅箔１３、銅メッキ膜１７からなる配線層１８を形成し、配線基体１９に孔１５を設け、孔１５内に放射状の突起を有しかつ相互に嵌合連結して導電経路を形成する銀粒子をエポキシ樹脂からなるバインダに混合分散させた銀ペーストを硬化した導電性組成物からなる接続導電体１６を設け、接続導電体１６により配線層１２、１８を接続する。【選択図】　　　　図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の配線層を有する配線基板において、上記配線層を有する配線基体に孔を設け、上記孔内に放射状の突起を有しかつ相互に嵌合連結して導電経路を形成する銀粒子を熱硬化性樹脂からなるバインダに混合分散させた銀ペーストを硬化した導電性組成物からなる接続導電体を設け、上記配線層を上記接続導電体により接続したことを特徴とする配線基板。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は複数の配線層を有する配線基板に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
図６は従来の配線基板の一部を示す断面図である。図に示すように、配線層２が形成された複数のガラスエポキシ板１がプリプレーグ４により接着されて、配線層２を有する配線基体９が形成されている。なお、両側のガラスエポキシ板１の外側の面には銅箔３、銅メッキ膜６からなる配線層７が形成されている。また、配線基体９にスルホール（接続導電体）８が設けられ、スルホール８により配線層２、７が接続されている。
【０００３】
つぎに、図６に示した配線基板の製造方法を図７〜図９により説明する。まず、図７に示すように、配線層２が形成された複数のガラスエポキシ板１をプリプレーグ４により接着することにより、配線層２を有する配線基体９を形成する。なお、両側のガラスエポキシ板１の外側の面には銅箔３を形成する。つぎに、図８に示すように、配線基体９にスルホール用孔５を設けたのち、薬品を使用したデスミヤ処理（スルホール用孔５を設ける際にスルホール用孔５の内面に付着したガラスクロスを除去する処理）を行なう。つぎに、図９に示すように、無電解銅メッキを行なったのち電解銅メッキを行なうことにより、銅箔３の表面およびスルホール用孔５の内面に銅メッキ膜６を形成する。つぎに、両面の銅箔３、銅メッキ膜６を選択的にエッチングすることにより、配線層７を形成するとともに、配線層２、７を接続するスルホール８を形成する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、このような配線基板においては、配線基体９にスルホール用孔５を設けたのち、薬品を使用したデスミヤ処理を行なうから、デスミヤ処理によりガラスエポキシ板１のスルホール用孔５内面部が損傷するので、銅メッキ膜６を形成するときに、銅イオンがガラスエポキシ板１のスルホール用孔５内面部に染み込む。このため、隣接するスルホール８間の距離が小さいとき、あるいはスルホール用孔５を形成するときにスルホール用孔５が曲がって隣接するスルホール８間の距離が部分的に小さくなったときには、隣接するスルホール８間の抵抗が小さくなることがある。また、スルホール用孔５のアスペクト比が高いときには、銅メッキ膜６の膜形成速度を大きくすると、スルホール用孔５の中央部の銅メッキ膜６の膜形成速度が他の部分の銅メッキ膜６の膜形成速度よりも小さくなる。このため、銅箔３の表面上の銅メッキ膜６の膜厚を適正にしたときには、スルホール用孔５の中央部の銅メッキ膜６の膜厚が小さくなることがあり、この場合には配線層２、７間の抵抗が大きくなる。反対に、銅メッキ膜６の膜形成速度を小さくすると、スルホール用孔５のアスペクト比が高いときにも、スルホール用孔５の中央部の銅メッキ膜６の膜形成速度と他の部分の銅メッキ膜６の膜形成速度とがほぼ同等となり、スルホール用孔５の中央部の銅メッキ膜６の膜厚を適正にすることができるが、銅メッキ膜６を形成するための時間が長くなるから、製造に要する時間が長くなる。
【０００５】
本発明は上述の課題を解決するためになされたもので、隣接する接続導電体間の抵抗が小さくなることがなく、配線層間の抵抗が大きくなることがなく、また製造に要する時間が長くなることがない配線基板を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
この目的を達成するため、本発明においては、複数の配線層を有する配線基板において、上記配線層を有する配線基体に孔を設け、上記孔内に放射状の突起を有しかつ相互に嵌合連結して導電経路を形成する銀粒子を熱硬化性樹脂からなるバインダに混合分散させた銀ペーストを硬化した導電性組成物からなる接続導電体を設け、上記配線層を上記接続導電体により接続する。
【０００７】
【発明の実施の形態】
図１は本発明に係る配線基板の一部を示す断面図である。図に示すように、配線層１２が形成された複数のガラスエポキシ板１１がプリプレーグ１４により接着されて、配線層１２を有する配線基体１９が形成されている。なお、両側のガラスエポキシ板１１の外側の面には銅箔１３、銅メッキ膜１７からなる配線層１８が形成されている。また、配線基体１９に孔１５が設けられ、孔１５内に放射状の突起を有しかつ相互に嵌合連結して導電経路を形成する銀粒子を熱硬化性樹脂であるエポキシ樹脂からなるバインダに混合分散させた銀ペースト（たとえば、化研テック株式会社製の「ＴＫペーストＣＴ−１７２２」、「電子材料」２００１年７月号、工業調査会、第８９〜９６頁参照）を硬化した導電性組成物からなる接続導電体１６が設けられ、接続導電体１６により配線層１２、１８が接続されている。
【０００８】
つぎに、図１に示した配線基板の製造方法を図２〜図５により説明する。まず、図２に示すように、配線層１２が形成された複数のガラスエポキシ板１１をプリプレーグ１４により接着することにより、配線層１２を有する配線基体１９を形成する。なお、両側のガラスエポキシ板１１の外側の面には銅箔１３を形成する。つぎに、図３に示すように、配線基体１９にＮＣドリルにより孔１５を設けたのち、プラズマを利用したデスミヤ処理を行なう。つぎに、図４に示すように、孔１５内に放射状の突起を有しかつ相互に嵌合連結して導電経路を形成する銀粒子を熱硬化性樹脂であるエポキシ樹脂からなるバインダに混合分散させた銀ペーストを充填し、銀ペーストを硬化して、孔１５内に銀ペーストを硬化した導電性組成物からなる接続導電体１６を設け、研磨により接続導電体１６の端面（表面）を平坦にする。つぎに、図５に示すように、電解銅メッキを行なうことにより、銅箔１３の表面および接続導電体１６の端面に銅メッキ膜１７を形成する。つぎに、両面の銅箔１３、銅メッキ膜１７を選択的にエッチングすることにより、配線層１８を形成する。この場合、配線層１２、１８は接続導電体１６により接続される。
【０００９】
この配線基板においては、デスミヤ処理によりガラスエポキシ板１１の孔１５内面部が損傷したとしても、孔１５の内面に銅メッキ膜を形成しないから、銅イオンがガラスエポキシ板１１の孔１５内面部に染み込むことがない。このため、隣接する接続導電体１６間の距離が小さいとき、あるいは孔１５を形成するときに孔１５が曲がって隣接する接続導電体１６間の距離が部分的に小さくなったときにも、隣接する接続導電体１６間の抵抗が小さくなることがなく、もちろん隣接する接続導電体１６間で導通することがない。また、接続導電体１６により配線層１２、１８が接続されているから、孔１５のアスペクト比が高いときにも、配線層１２、１８間の抵抗が大きくなることがなく、また孔１５のアスペクト比が高いときにも、接続導電体１６を設けるための時間が長くなることがないから、製造に要する時間が長くなることがない。また、銀ペーストとして放射状の突起を有しかつ相互に嵌合連結して導電経路を形成する銀粒子を熱硬化性樹脂であるエポキシ樹脂からなるバインダに混合分散させた銀ペーストを用いており、銀ペーストの銀粒子は非常に微細であるから、銀ペーストの銀粒子は約１００℃で溶融するので、銀ペーストを硬化するときに、銀ペーストの銀粒子が溶融して一体化し、かつ導電性組成物からなる接続導電体１６中の銀は比較的太い線状となる。しかも、銀と銅とは微細粒子が相互に拡散融着するから、接続導電体１６中の銀と配線層１２、銅箔１３の銅との結合は密になる。よって、接続導電体１６と配線層１２、銅箔１３とは相互に良好な導電経路を形成する。このため、接続導電体１６の抵抗が小さくなるとともに、接続導電体１６と配線層１２、１８との間の導通も良好となるから、各層の配線層１２、１８の間の導通を極めて良好にすることができる。また、接続導電体１６の熱伝導性は銀粒子の相互嵌合連結に起因する導体金属密度の増大によって著しく良好となるから、発熱量が多い電子部品を配線基板に搭載したとしても、電子部品から発生する熱を外部に放熱することができるので、電子部品が誤動作するのを防止することができ、また電子部品が熱によって劣化、損傷するのを防止することができる。また、接続導電体１６の銀粒子（銀粉）の融点は約９６２℃で十分高温に耐えるから、配線基板を熱処理しても、接続導電体１６の導電性が破壊される心配はない。
【００１０】
なお、上述実施の形態においては、配線層１２が形成された複数のガラスエポキシ板１１をプリプレーグ１４により接着して配線基体１９を形成したが、種々のビルトアップにより配線基体を形成してもよい。また、上述実施の形態においては、ガラスエポキシ板１１を有する配線基体１９を用いたが、ポリイミド樹脂板、テフロン（登録商標）板、ＢＴレジン（登録商標）板等の絶縁板を有する配線基体を用いてもよい。また、複数の材質の板を有する配線基体を用いたとき（複合材を用いたとき）には、層ごとに強度、電気特性等の特性を変えることができるから、性能を向上することができるとともに、製造コストを安価にすることができる。また、上述実施の形態においては、ガラスエポキシ板１１をプリプレーグ１４により接着した配線基体１９を用いたが、他の熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂からなる接着板によりガラスエポキシ板等を接着した配線基体を用いてもよい。また、上述実施の形態においては、配線基体１９にＮＣドリルにより孔１５を設けたが、配線基体にレーザ光により孔を設けてもよい。また、ガラスエポキシ板１１等の絶縁板の厚さを調整することにより、配線基板の厚さを任意に定めることができ、配線基板の厚さを大きくすれば、配線基板の強度を大きくすることができる。
【００１１】
【発明の効果】
本発明に係る配線基板においては、配線層を導電性組成物からなる接続導電体により接続するから、隣接する接続導電体間の抵抗が小さくなることがなく、配線層間の抵抗が大きくなることがなく、また製造に要する時間が長くなることがなく、さらに銀ペーストとして放射状の突起を有しかつ相互に嵌合連結して導電経路を形成する銀粒子を有する銀ペーストを用いているから、各層の配線層の間の導通を極めて良好にすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る配線基板の一部を示す断面図である。
【図２】図１に示した配線基板の製造方法の説明図である。
【図３】図１に示した配線基板の製造方法の説明図である。
【図４】図１に示した配線基板の製造方法の説明図である。
【図５】図１に示した配線基板の製造方法の説明図である。
【図６】従来の配線基板の一部を示す断面図である。
【図７】図６に示した配線基板の製造方法の説明図である。
【図８】図６に示した配線基板の製造方法の説明図である。
【図９】図６に示した配線基板の製造方法の説明図である。
【符号の説明】
１２…配線層
１５…孔
１６…接続導電体
１８…配線層
１９…配線基体
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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