(57)【要約】【課題】広い線速度範囲において、良好な記録特性を満たすことのできる情報記録媒体とその記録方法、記録装置を提供する。【解決手段】透明基板１上に、下側保護層２、下側界面層３、光ビームの照射により光学的に検出可能な異なる少なくとも２つの状態間で変化する記録層４、上側界面層５、上側保護層６、反射層７をこの順に含み、下側界面層３及び上側界面層５から選ばれる少なくとも一方が、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ及びＳｉから選ばれる少なくとも１種の炭化物、または炭素、を主成分とする材料からなり、記録層４が、Ｇｅ、Ｂｉ及びＴｅを含む情報記録媒体とする。【選択図】  図１
2004303350.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明基板上に、前記透明基板に近い側から、下側保護層、下側界面層、光ビームの照射により光学的に検出可能な異なる少なくとも２つの状態間で変化する記録層、上側界面層、上側保護層、反射層をこの順に含み、
前記下側界面層及び前記上側界面層から選ばれる少なくとも一方が、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ及びＳｉから選ばれる少なくとも１種の炭化物、または炭素、を主成分とする材料からなり、
前記記録層が、Ｇｅ、Ｂｉ及びＴｅを含むことを特徴とする情報記録媒体。
【請求項２】
透明基板上に、複数の情報層を各々分離層を介して含み、前記透明基板から最も遠い情報層が、前記透明基板に近い側から、下側保護層、下側界面層、光ビームの照射により光学的に検出可能な異なる少なくとも２つの状態間で変化する記録層、上側界面層、上側保護層、反射層をこの順に含み、
前記下側界面層及び前記上側界面層から選ばれる少なくとも一方が、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ及びＳｉから選ばれる少なくとも１種の炭化物、または炭素、を主成分とする材料からなり、
前記記録層が、Ｇｅ、Ｂｉ及びＴｅを含むことを特徴とする情報記録媒体。
【請求項３】
上側保護層と反射層との間に、光吸収補正層をさらに含む請求項１または２に記載の情報記録媒体。
【請求項４】
記録層が、Ｓｂをさらに含む請求項１〜３のいずれかに記載の情報記録媒体。
【請求項５】
記録層が、Ｇｅｘ（Ｓｂ１−ｐＢｉｐ）ｙＴｅｚで表される材料を含む請求項１〜４のいずれかに記載の情報記録媒体。
但し、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００、２０≦ｘ≦５０、０＜ｙ≦２５、４５≦ｚ≦６０、０＜ｐ≦１である。
【請求項６】
ｘ≧３５である請求項５に記載の情報記録媒体。
【請求項７】
透明基板上に、前記透明基板に近い側から、下側保護層、下側界面層、光ビームの照射により光学的に検出可能な異なる少なくとも２つの状態間で変化する記録層、上側界面層、上側保護層、反射層をこの順に含む情報記録媒体への情報の記録方法であって、
前記情報の記録の際に２以上のモードを適用し、前記２以上のモードに対応して２以上の線速度から選ばれる所定の線速度で前記媒体を回転させながら、前記媒体に光ビームを照射して前記情報を記録することを特徴とする情報記録媒体への情報の記録方法。
【請求項８】
透明基板上に、複数の情報層を各々分離層を介して含み、前記透明基板から最も遠い情報層が、前記透明基板に近い側から、下側保護層、下側界面層、光ビームの照射により光学的に検出可能な異なる少なくとも２つの状態間で変化する記録層、上側界面層、上側保護層、反射層をこの順に含む情報記録媒体への情報の記録方法であって、
前記情報の記録の際に２以上のモードを適用し、前記２以上のモードに対応して２以上の線速度から選ばれる所定の線速度で前記媒体を回転させながら、前記媒体に光ビームを照射して前記情報を記録することを特徴とする情報記録媒体への情報の記録方法。
【請求項９】
異なる２以上の線速度が、第１の線速度と、前記第１の線速度の１．５倍以上である第２の線速度とを含む請求項７または８に記載の情報記録媒体への情報の記録方法。
【請求項１０】
下側界面層が、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ及びＳｉから選ばれる少なくとも１種、または炭素を主成分とする材料からなり、
光ビームの波長が６００ｎｍ以上７００ｎｍ以下である請求項７〜９のいずれかに記載の情報記録媒体への情報の記録方法。
【請求項１１】
上側界面層が、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ及びＳｉから選ばれる少なくとも１種、または炭素を主成分とする材料からなり、
光ビームの波長が４５０ｎｍ以下である請求項７〜９のいずれかに記載の情報記録媒体への情報の記録方法。
【請求項１２】
透明基板上に、前記透明基板に近い側から、下側保護層、下側界面層、光ビームの照射により光学的に検出可能な異なる少なくとも２つの状態間で変化する記録層、上側界面層、上側保護層、反射層をこの順に含む情報記録媒体への情報の記録装置であって、
前記情報の記録の際に２以上のモードを適用し、前記２以上のモードに対応して２以上の線速度から選ばれる所定の線速度で前記媒体を回転させながら、前記媒体に光ビームを照射して前記情報を記録することを特徴とする情報記録媒体への情報の記録装置。
【請求項１３】
透明基板上に、複数の情報層を各々分離層を介して含み、前記透明基板から最も遠い情報層が、前記透明基板に近い側から、下側保護層、下側界面層、光ビームの照射により光学的に検出可能な異なる少なくとも２つの状態間で変化する記録層、上側界面層、上側保護層、反射層をこの順に含む情報記録媒体への情報の記録装置であって、
前記情報の記録の際に２以上のモードを適用し、前記２以上のモードに対応して２以上の線速度から選ばれる所定の線速度で前記媒体を回転させながら、前記媒体に光ビームを照射して前記情報を記録することを特徴とする情報記録媒体への情報の記録装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光学的手段若しくは電気的手段での情報の記録または再生に用いられる情報記録媒体、特に相変化型情報記録媒体等の光学的情報記録媒体に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
相変化型情報記録媒体は、例えば書き換え形の場合、レーザ光を記録層に照射すると、記録層内の照射された領域において結晶相と非晶質相との間で可逆的相変態が生じることを利用して、情報信号の記録、消去が行われる。情報信号の記録、消去を行う場合、レーザ光を高パワーと低パワーの間で変調して記録層に照射する。
このような情報記録媒体においては、記録層以外に、繰り返し記録する際に記録層の蒸発や基板の熱変形を防止し、光学的干渉効果により記録層の光吸収率や光学的変化をエンハンスする等の目的で、耐熱性に優れた誘電体材料等からなる保護層を記録層の上下に設け、また、入射光を効率良く使い、冷却速度を向上させて非晶質化しやすくする等の目的で金属・合金材料等からなる反射層を設けるのが一般的である。
【０００３】
記録層と誘電体層との間に界面層を設けることも提案されている。界面層は、記録層の結晶化を促進し、消去特性を向上させる働き、記録層と誘電体保護層の間の原子・分子の相互拡散を防止し、繰り返し記録における耐久性を向上させる働き等を有し、記録層との間に剥離や腐食を生じない環境信頼性を兼ね備えていることが望ましい。
【０００４】
情報記録媒体の１枚あたりに蓄積できる情報量を増やすための基本的な手段として、レーザ光の波長を短くする、またはこれを集光する対物レンズの開口数を大きくすることによりレーザ光のスポット径を小さくし、記録面密度を向上させるという方法がある。近年の主流は、記録型ＤＶＤに代表されるように、波長６６０ｎｍ・開口数０．６程度の光学系を用いるものである。さらには、実用化の段階に近づきつつある波長４００ｎｍ近傍の青色レーザダイオードを適用し、さらに開口数を０．８５程度まで高めることも検討されている。このように開口数を高くすると、情報記録媒体のチルトに対する許容量が小さくなるため、レーザ光入射側の基板の厚さを記録型ＤＶＤの０．６ｍｍから０．１ｍｍ程度まで薄くすることも併せて提案されている。
【０００５】
媒体１枚あたりの扱える情報量を増やすために情報を記録再生する層を複数積層した多層記録媒体も提案されている。このような多層記録媒体は、レーザ光源に近い側の情報層が光を吸収するため、レーザ光源から遠い側の情報層には減衰したレーザ光で記録・再生を行うことになり、記録時には感度低下が、再生時には反射率・振幅低下が問題となる。したがって、多層記録媒体においては、レーザ光源から近い側の情報層は透過率を高く、レーザ光源から遠い側の情報層は反射率、反射率差及び感度を高くして、限られたレーザパワーで十分な記録再生特性が得られるようにする必要がある。
【０００６】
情報記録媒体においては、上記のように記録密度を高めることが重要であるが、さらには記録速度を高めることも、大量のデータを短時間で扱うために重要である。高速記録に対応するためには記録層の結晶化速度を高める必要がある。上記現象を解決するために、例えば、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ記録層に、Ｓｎ等を添加することで結晶化速度を高め、高速記録において良好な記録特性が得られることが提案されている（例えば特許文献１）。
【０００７】
【特許文献１】
特開２００２−７４７３９号公報（第４−７頁）
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
上述のように、新規に開発されるドライブの記録速度はより高速化する傾向にあり、媒体もこれに対応したものが要求される。それと同時に、低速でしか記録できない既存のドライブとの互換性を確保するためには、同じ媒体で低速でも記録できる必要がある。媒体が高速記録に対応するためには、上記のように結晶化速度の速い記録層を使用する必要があるが、これを低速での記録に用いると、結晶化速度が大きすぎることになる。すなわち、非晶質が形成されにくく、マークが大きくなりにくいために信号振幅が低下するという問題が生じる。特に、上記のようにＧｅの一部をＳｎで置換した場合には結晶−非晶質間の光学定数の変化が小さくなり、信号振幅の低下を助長してしまう可能性がある。
【０００９】
本発明は、広い線速度範囲において、良好な記録再生特性が得られる情報記録媒体を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明は、透明基板上に、この透明基板に近い側から、下側保護層、下側界面層、光ビームの照射により光学的に検出可能な異なる少なくとも２つの状態間で変化する記録層、上側界面層、上側保護層、反射層をこの順に含み、上記下側界面層及び上記上側界面層から選ばれる少なくとも一方が、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ及びＳｉから選ばれる少なくとも１種の炭化物、または炭素、を主成分とする材料からなり、上記記録層が、Ｇｅ、Ｂｉ及びＴｅを含むことを特徴とする情報記録媒体を提供する。この情報記録媒体によれば、広い線速度範囲において、良好な記録再生特性が得られる。
【００１１】
なお、本明細書において、主成分とは、８０原子％以上を占める成分をいうが、他の成分の影響を排除するために、この成分は、９０原子％以上、さらには９５原子％以上を占めていてもよい。
【００１２】
また、本発明は、透明基板上に、複数の情報層を各々分離層を介して含み、上記透明基板から最も遠い情報層が、上記透明基板に近い側から、下側保護層、下側界面層、光ビームの照射により光学的に検出可能な異なる少なくとも２つの状態間で変化する記録層、上側界面層、上側保護層、反射層をこの順に含み、上記下側界面層及び上記上側界面層から選ばれる少なくとも一方が、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ及びＳｉから選ばれる少なくとも１種の炭化物、または炭素、を主成分とする材料からなり、上記記録層が、Ｇｅ、Ｂｉ及びＴｅを含むことを特徴とする情報記録媒体を提供する。この情報記録媒体によれば、広い線速度範囲において、良好な記録再生特性が得られるとともに、記録密度が特に高い情報記録媒体が得られる。
【００１３】
本発明は、さらに別の側面から、上記媒体を用いた情報の記録方法及び記録装置を提供する。本発明の記録方法は、透明基板上に、この透明基板に近い側から、下側保護層、下側界面層、光ビームの照射により光学的に検出可能な異なる少なくとも２つの状態間で変化する記録層、上側界面層、上側保護層、反射層をこの順に含む情報記録媒体への情報の記録方法であって、情報の記録の際に２以上のモードを適用し、この２以上のモードに対応して２以上の線速度から選ばれる所定の線速度で上記媒体を回転させながら、上記媒体に光ビームを照射して上記情報を記録することを特徴とする。
【００１４】
本発明の別の記録方法は、透明基板上に、複数の情報層を各々分離層を介して含み、上記透明基板から最も遠い情報層が、上記透明基板に近い側から、下側保護層、下側界面層、光ビームの照射により光学的に検出可能な異なる少なくとも２つの状態間で変化する記録層、上側界面層、上側保護層、反射層をこの順に含む情報記録媒体への情報の記録方法であって、情報の記録の際に２以上のモードを適用し、この２以上のモードに対応して２以上の線速度から選ばれる所定の線速度で上記媒体を回転させながら、上記媒体に光ビームを照射して上記情報を記録することを特徴とする。
【００１５】
本発明の記録装置は、透明基板上に、この透明基板に近い側から、下側保護層、下側界面層、光ビームの照射により光学的に検出可能な異なる少なくとも２つの状態間で変化する記録層、上側界面層、上側保護層、反射層をこの順に含む情報記録媒体への情報の記録装置であって、情報の記録の際に２以上のモードを適用し、この２以上のモードに対応して２以上の線速度から選ばれる所定の線速度で上記媒体を回転させながら、上記媒体に光ビームを照射して上記情報を記録することを特徴とする。
【００１６】
本発明の別の記録装置は、透明基板上に、複数の情報層を各々分離層を介して含み、上記透明基板から最も遠い情報層が、上記透明基板に近い側から、下側保護層、下側界面層、光ビームの照射により光学的に検出可能な異なる少なくとも２つの状態間で変化する記録層、上側界面層、上側保護層、反射層をこの順に含む情報記録媒体への情報の記録装置であって、情報の記録の際に２以上のモードを適用し、この２以上のモードに対応して２以上の線速度から選ばれる所定の線速度で上記媒体を回転させながら、上記媒体に光ビームを照射して上記情報を記録することを特徴とする。
【００１７】
なお、本発明の記録方法および記録装置は、情報の記録に前後してまたは記録と共に情報の再生を行う記録再生方法、情報の記録機構とともに再生機構を備えた記録再生装置を包含する。
【００１８】
【発明の実施の形態】
本発明の情報記録媒体では、上側保護層と反射層との間に、光吸収補正層をさらに含むと、書き換え時に記録マークを歪ませないようにすることで消去率を高めることができる。
【００１９】
記録層は、Ｓｂをさらに含んでいてもよい。即ち、記録層は、Ｇｅ−Ｂｉ−Ｔｅ系合金を含んでいてもよく、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｂｉ−Ｔｅ系合金を含んでいてもよい。記録層は、具体的には、Ｇｅｘ（Ｓｂ１−ｐＢｉｐ）ｙＴｅｚで表される材料を含むことが好ましい。但し、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００、２０≦ｘ≦５０、０＜ｙ≦２５、４５≦ｚ≦６０、０＜ｐ≦１である。この組成を有する記録層を用いると、Ｃ／Ｎ比と消去率を向上させることができる。ｘは３５以上（ｘ≧３５）が好ましい。ｙ、ｚ、ｐの好ましい範囲は、それぞれ、０＜ｙ≦１５、４５≦ｚ≦５５、０．４≦ｐ≦０．８である。
【００２０】
本発明の記録方法では、異なる２以上の線速度が、第１の線速度と、この第１の線速度の１．５倍以上である第２の線速度とを含んでいてもよい。換言すれば、この記録方法は、最も速い線速度が最も遅い線速度の１．５倍以上である場合にも適用できる。
【００２１】
下側界面層が、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ及びＳｉから選ばれる少なくとも１種、または炭素を主成分とする材料からなる場合には、光ビームの波長を６００ｎｍ以上７００ｎｍ以下とするとよい。また、上側界面層が、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ及びＳｉから選ばれる少なくとも１種、または炭素を主成分とする材料からなる場合には、光ビームの波長を４５０ｎｍ以下とするとよい。これらの好ましい例によれば、大きな信号振幅が得やすくなる。
【００２２】
以下、図面を参照しながら、本発明の実施形態についてさらに説明する。
【００２３】
（実施の形態１）
図１は、本発明の情報記録媒体の構成例を示す断面図である。図１は、透明基板１上に、下側保護層２、下側界面層３、記録層４、上側界面層５、上側保護層６、反射層７、保護基板８を備える。
【００２４】
この情報記録媒体に対し、透明基板１の側からレーザ光を対物レンズで集光し、照射して再生を行う。
【００２５】
次に、各層の形成方法をいくつか説明する。
【００２６】
一つは、透明基板１上に、下側保護層２、下側界面層３、記録層４、上側界面層５、上側保護層６、反射層７を順に形成し、その上に保護基板８を貼り合わせる方法である。
【００２７】
別の形成方法として、保護基板８上に、反射層７、上側保護層６、上側界面層５、記録層４、下側界面層３、下側保護層２を順に形成し、その上に透明基板１を貼り合わせる方法である。この形成方法では、透明基板１の厚さが薄いものを用いることができる。透明基板１が、例えば０．１ｍｍ程度のように薄いと、０．８以上と高い開口数の対物レンズの光学系を用いることができ、高密度記録に有利である。
【００２８】
透明基板１は、レーザ光の波長において略透明である材料を用いることが好ましい。一般的にはポリカーボネート樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、ポリオレフィン樹脂、ノルボルネン系樹脂、紫外線硬化性樹脂、ガラス、あるいはこれらを適宜組み合わせたもの等を用いることができる。また、透明基板１は、膜を形成する表面には、必要に応じて光ビームのトラッキングのために、案内溝を設けている。図１に示すように、グルーブ１３及びランド１４からなり、どちらか一方の領域、または両方の領域に情報を記録することが可能である。透明基板１の膜を形成されない側は、平滑であるものを用いる。透明基板１の厚さは、特に限定されないが０．０１〜１．５ｍｍ程度のものを用いることができる。
【００２９】
下側保護層２、下側界面層３、記録層４、上側界面層５、上側保護層６、反射層７は、一般的な気相薄膜堆積法、たとえば、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、ＭＢＥ（Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ  Ｂｅａｍ  Ｅｐｉｔａｘｙ）法によって形成することができる。
【００３０】
これらの方法の中でも、成膜レート、製造コスト、及び形成される層の品質などを考慮すると、スパッタリング法が好ましい。Ａｒガス若しくはＡｒガスと反応ガスの混合ガス雰囲気中で材料となるターゲットを反応性スパッタリングすることによって形成することができる。
【００３１】
下側保護層２及び上側保護層６は、記録層４を外部からの機械的なダメージから保護する働き、記録を繰り返した場合に起きる透明基板１表面の荒れ、記録層４の破れや蒸発等の熱的ダメージを低減して繰り返し記録の回数を高める働き、光学距離を調節して記録層４への光吸収効率を高め、記録前後の反射率差を大きくして信号振幅を大きくする働き、外気からの影響を遮断し、記録層４の化学的変化を防止する働き等がある。また、非晶質と結晶相での位相を調整する働きもある。また、下側保護層２及び上側保護層６の融点が記録層４の融点よりも高いことが好ましい。これらの働きを満たす下側保護層２及び上側保護層６として、例えば、Ｙ、Ｃｅ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｏ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｃｒ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｔｅ等の酸化物、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ等の窒化物、Ｚｎ、Ｃｄ等の硫化物またはセレン化物またはテルル化物、Ｌａ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｃｅ、Ｅｒ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｎｄ、Ｙ、Ｙｂ等のフッ化物、Ｓｉ、Ｇｅ等の単体、またはこれらの混合物からなる誘電体または誘電体に準ずる材料を用いることができる。これらの中でも特に透明で熱伝導率の低い材料、例えばＺｎＳとＳｉＯ２の混合物が好ましい。
【００３２】
下側界面層３及び上側界面層５は、繰り返し記録による下側保護層２と記録層４の間及び上側保護層６と記録層４の間で生じる物質移動を防止する働きがある。例えば、下側保護層２または上側保護層６にＺｎＳ−ＳｉＯ２を用いた場合に、Ｓ原子が記録層４に混入するのを防ぎ、繰り返し記録による特性劣化を防止する。
【００３３】
本実施の形態では、繰り返し記録による特性劣化を防止するとともに、広い線速度範囲での特性を向上させるために、下側界面層３または上側界面層５のいずれか一方、若しくは両方の材料として、炭素またはＴｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ及びＳｉから選ばれる少なくとも１つの元素の炭化物を主成分とする材料を用いている。
【００３４】
炭素及び炭化物は、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、ＣＶＤ法、ＭＢＥ法によって形成することができる。中でも、各材料及び組成からなるターゲットを用いて、Ａｒガス雰囲気中でスパッタリング法によって形成することが好ましい。
【００３５】
一方の界面層のみを上記炭化物または炭素とする場合、他方の界面層の材料としては、各種の酸化物、窒化物を用いればよい。他方の界面層の材料としては、Ｙ、Ｃｅ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｏ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｃｒ、Ｓｂ、Ｂｉ、及びＴｅから選ばれる少なくとも１種の酸化物、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、及びＰｂから選ばれる少なくとも１種の窒化物、またはこれらの混合物、を主成分とした材料が好ましい。
【００３６】
なお、下側界面層３及び上側界面層５の膜厚は特に限定されないが、薄すぎると界面層としての効果が発揮できなくなり、厚すぎると記録感度低下等につながるため、例えば０．２ｎｍ以上２０ｎｍ以下であることが好ましい。
【００３７】
記録層４の材料としては、Ｇｅ、Ｂｉ、Ｓｂ及びＴｅの原子数の比が、Ｇｅ：（Ｂｉ＋Ｓｂ）：Ｔｅ＝ｘ：ｙ：ｚ（但し、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００、２０≦ｘ≦５０、０＜ｙ≦２５、４５≦ｚ≦６０）であるＧｅ−Ｂｉ−Ｔｅ合金またはＧｅ−Ｓｂ−Ｂｉ−Ｔｅ合金が好ましい。記録層４に、Ｂｉが含まれていることによって、記録層４の結晶化速度を高めることができ、速い線速度において良好な記録再生特性が得られる。記録層４は、Ｇｅ−Ｂｉ−Ｔｅ合金またはＧｅ−Ｓｂ−Ｂｉ−Ｔｅ合金を主成分とすることが好ましい。
【００３８】
記録層４には、熱伝導率または光学定数等の調整、あるいは繰り返し耐久性、耐熱性または環境信頼性の向上等の目的で、Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｒ等の金属、半金属または半導体元素、またはＯ、Ｎ、Ｆ、Ｃ、Ｓ、Ｂ等の非金属元素から選ばれる１つまたは複数の元素を必要に応じて記録層４に添加してもよい。中でも、特に、Ｎは繰り返し耐久性を向上させる点で優れている。但し、これらの添加元素は、主成分の結晶化速度等を損ねないよう記録層４全体の２０原子％未満、より好ましくは１０原子％未満とする。
【００３９】
記録層４の膜厚は、２ｎｍ以上２０ｎｍ以下とすれば、十分なＣ／Ｎ比を得ることができる。記録層４が２ｎｍ未満の膜厚では十分な反射率及び反射率変化が得られないためＣ／Ｎ比が低く、また、２０ｎｍを超える膜厚では記録層４の薄膜面内の熱拡散が大きいため高密度記録においてＣ／Ｎ比が低くなってしまう。さらに、記録層４の膜厚は、４ｎｍ以上１４ｎｍ以下であることがより好ましい。
【００４０】
反射層７は、光学的には記録層４に吸収される光量を増大させ、また記録層４で生じた熱を速やかに拡散させ、記録層４を非晶質化しやすくする働きを有し、さらに媒体を使用環境から保護する役割を兼ね備えている。
【００４１】
反射層７の材料としては、例えば、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｃｒあるいはこれらをベースにした合金材料を用いる。中でも特にＡｇ合金は熱伝導率及び反射率が高く、Ａｌ合金はコストの面から好ましい。また、反射層７は複数の層を組み合わせて用いてもよい。
【００４２】
反射層７の膜厚は、特に制限されないが、例えば４０ｎｍ以上２００ｎｍ以下、好ましくは６０ｎｍ以上１６０ｎｍ以下である。
【００４３】
なお、上記の多層薄膜は、オージェ電子分光法、Ｘ線光電子分光法または２次イオン質量分析法等の方法（例えば応用物理学会／薄膜・表面物理分科学会編「薄膜作製ハンドブック」共立出版株式会社、１９９１年等）により各層の材料及び組成を調べることが可能である。本願の実施例においては各層のターゲット材料組成と実際に形成された薄膜の組成が略同等であることを確認した。
【００４４】
保護基板８の材料としては、透明基板１と同様の材料を用いることができる。しかし透明基板１とは同一の材料である必要はなく、さらにレーザ光の波長において必ずしも透明でなくてもよい。また、保護基板８は、膜を形成する表面には、必要に応じて光ビームのトラッキングのために、案内溝を設けている。保護基板８の厚さは特に限定されないが、０．０１〜３．０ｍｍ程度のものを用いることができる。
記録層４の初期化は、記録層４にレーザ光などの光ビームを照射することによって、非晶質の記録層４を結晶化させる。
【００４５】
また、図２のように、上側保護層６と反射層７との間に、光吸収補正層９を備えた構成にしてもよい。
【００４６】
光吸収補正層９は、記録層４が結晶相である場合と非晶質である場合との光吸収率比を調整し、書き換え時に記録マークの形が歪まないようにすることで消去率を高め、かつ、記録層４が結晶相である場合と非晶質である場合の反射率差を大きくし、信号振幅及びＣ／Ｎ比を大きくすること等の目的で、屈折率が高く、適度に光を吸収する、すなわち、例えば、屈折率ｎが３以上６以下、消衰係数ｋが１以上４以下、より好ましくはｎが３以上５以下、ｋが１．５以上２．５以下である材料を用いることができる。具体的にはＧｅ−Ｃｒ、Ｇｅ−Ｍｏ、Ｓｉ−Ｃｒ、Ｓｉ−Ｍｏ、Ｓｉ−Ｗ等の非晶質であるＧｅ合金及びＳｉ合金、あるいはＴｉ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、ＳｎＴｅ、ＰｂＴｅ等の結晶性の金属、半金属及び半導体材料を用いることが好ましい。中でもＳｉをベースとした材料はＧｅに比べて融点が高いため耐熱性が良好で、熱伝導率も高いためＣ／Ｎ比が大きくなり、より好ましい。
【００４７】
（実施の形態２）
図３は、本発明の情報記録媒体の別の構成例を示す断面図である。図３は、透明基板１、第１情報層１０、分離層１１、第２情報層１２、保護基板８を備える。
【００４８】
ここで、第１情報層１０及び第２情報層１２は、それぞれ図１に示した多層薄膜構成と同じように、透明基板１に近い側から、少なくとも下側保護層２、下側界面層３、記録層４、上側界面層５、上側保護層６、反射層７をこの順に備えている。
【００４９】
この情報記録媒体の各情報層に対し、透明基板１の側からレーザ光を対物レンズで集光し、照射して再生を行う。第１情報層１０の反射層７は、透明基板１から入射した光が第１情報層１０を透過して、第２情報層１２に到達させるために、十分な透過率が得られるように、例えば膜厚を２０ｎｍ以下と薄くするか、省略するか、あるいは透過率を向上させるために屈折率を２．２以上のように高い光学干渉層を反射層７の透明基板１と反対側に設ける等が必要である。
【００５０】
次に、各層の形成方法をいくつか説明する。
【００５１】
一つは、透明基板１上に、第１情報層１０、分離層１１、第２情報層１２を順に形成し、その上に、保護基板８を貼り合わせる方法である。
【００５２】
別の形成方法として、保護基板８上に、第２情報層１２、分離層１１、第１情報層１０を順に形成し、その上に、透明基板１を貼り合わせる方法である。この形成方法において、第１情報層１０及び第２情報層１２は、保護基板８上に近い側から、少なくとも反射層７、上側保護層６、上側界面層５、記録層４、下側界面層３、下側保護層２がこの順に形成される。この形成方法では、透明基板１の厚さが薄いものを用いることができる。透明基板１が、例えば０．１ｍｍ程度のように薄いと、０．８以上と高い開口数の対物レンズの光学系を用いることができ、高密度記録に有利である。
【００５３】
さらに別の形成方法として、透明基板１上に、第１情報層１０を形成し、保護基板８上に、第２情報層１２を形成し、透明基板１と保護基板８のそれぞれの膜面側同士を分離層１１を介して貼り合わせる方法である。ここで、第１情報層１０は、透明基板１に近い側から、少なくとも下側保護層２、下側界面層３、記録層４、上側界面層５、上側保護層６、反射層７がこの順に形成される。これに対して、第２情報層１２は、保護基板８上に近い側から、少なくとも反射層７、上側保護層６、上側界面層５、記録層４、下側界面層３、下側保護層２がこの順に形成される。
【００５４】
なお、第１情報層１０は、少なくとも３０％以上の透過率を有することが好ましいが、書き換え形のみならず、追記形または再生専用形のいずれの情報層とすることも可能である。
【００５５】
分離層１１としては、紫外線硬化性樹脂等を用いることができる。分離層１１の厚さは、第１情報層１０及び第２情報層１２のいずれか一方を再生する際に、他方からのクロストークが小さくなるように、少なくとも対物レンズの開口数（ＮＡ）とレーザ光の波長（λ）により決定される焦点深度以上の厚さであることが必要であり、また、すべての情報層が集光可能な範囲に収まる厚さであることも必要である。例えば、分離層１１の厚さは、λ＝６６０ｎｍ、ＮＡ＝０．６の場合は１０μｍ以上１００μｍ以下、λ＝４０５ｎｍ、ＮＡ＝０．８５の場合は５μｍ以上５０μｍ以下であることが必要である。但し、層間のクロストークを低減できる光学系が開発されれば分離層１１の厚さは上記より薄くできる可能性もある。
【００５６】
なお、図３は情報層が２つの場合の構成であるが、さらに追加の情報層を、分離層を介して追加してもよい。
【００５７】
（実施の形態３）
次に、本発明の情報記録媒体の記録方法及び記録装置について説明する。
【００５８】
本発明の情報記録媒体を記録する際は、各線速度に対応して、レーザ光を複数のパワーレベル間で変調する。マークを形成する部分に対してはパワーレベルＰ１の単一矩形パルスまたは過剰な熱を省き、マーク幅を均一にする目的で、図４に示すようにパワーレベルＰ１とパワーレベルＰ３（但し、Ｐ１＞Ｐ３）との間で変調された複数のパルス列からなる記録パルスを用いる。また、最後尾のパルスの後にパワーレベルＰ４の冷却区間を設けてもよい。マークを形成しない部分に対してはパワーレベルＰ２（但し、Ｐ１＞Ｐ２）で一定に保つ。
【００５９】
上記の記録パルスによって記録されたマークにレーザ光を照射して再生を行う。このとき記録マークが消去されない程度のパワーレベルにする必要がある。このようにして情報記録媒体を少なくとも異なる２つ以上の線速度で記録再生を行う。本発明による媒体を用いれば、異なる線速度の中で、最も速い線速度が最も遅い線速度の１．５倍以上であっても良好な特性が得られる。
【００６０】
波長が６００ｎｍ以上７００ｎｍ以下のレーザ光による記録再生では、下側界面層３に、炭素またはＴｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ及びＳｉから選ばれる少なくとも１つの元素の炭化物を主成分とする材料を用いると、記録層４が結晶状態と非晶質状態での反射率差を大きくする、すなわち大きな信号振幅を得ることができる。
【００６１】
波長が４５０ｎｍ以下のレーザ光による記録再生では、上側界面層５に、炭素またはＴｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ及びＳｉから選ばれる少なくとも１つの元素の炭化物を主成分とする材料を用いると、記録層４が結晶状態と非晶質状態での反射率差を大きくでき、大きな信号振幅を得ることができる。
【００６２】
図５に、本発明の記録装置の一例として、情報記録媒体の記録再生を行う記録再生装置の最小限必要な装置構成の一例の概略図を示す。レーザーダイオード１６を出たレーザ光１５は、ハーフミラー１７及び対物レンズ２１を通じて、モーター１８によって回転されている光学的情報記録媒体（ディスク）１９上にフォーカシングされる。情報の再生は、媒体１９からの反射光をフォトディテクター２０に入射させ、信号を検出することにより行われる。
【００６３】
【実施例】
以下、実施例を用いて本発明をさらに具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されない。
【００６４】
（実施例１）
実施例１では、本発明の情報記録媒体の記録再生特性、特にＣ／Ｎ比及び消去率の界面層材料に対する依存性を示す。
【００６５】
直径１２ｃｍ、厚さ０．６ｍｍの円盤状であり、ポリカーボネート樹脂からなる透明基板を用いた。この透明基板は膜を形成する側の表面には、グルーブピッチ１．２３μｍ、グルーブ深さが５０ｎｍのスパイラル状の溝が形成されている。膜を形成しない反対側の表面は、平滑である。
【００６６】
実施例１の構成は、透明基板のランド及びグルーブが形成された表面上に、下側保護層（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０（ｍｏｌ％；組成比は以下すべてｍｏｌ％またはａｔ％）を１５０ｎｍ、下側界面層を２ｎｍ、記録層Ｇｅ４０Ｓｂ２Ｂｉ６Ｔｅ５２を８ｎｍ、上側界面層を２ｎｍ、上側保護層（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０を４０ｎｍ、光吸収補正層Ｇｅ８０Ｃｒ２０を４０ｎｍ、反射層Ａｇ９８Ｐｄ１Ｃｕ１を８０ｎｍ、この順に形成した。
【００６７】
このようにして形成された多層薄膜の表面上に、紫外線硬化樹脂を塗布し、紫外線を照射することによって保護基板と貼り合せた。保護基板には、直径１２ｃｍ、厚さ０．６ｍｍの円盤状であり、ポリカーボネート樹脂からなるものを用いた。
【００６８】
下側界面層と上側界面層は、表１に示したとおり、炭素（Ｃ）、ＴｉＣ、ＳｉＣ、（Ｇｅ９０Ｃｒ１０）９５Ｎ５（表１ではＧｅＣｒＮと表記）、Ｔａ２Ｏ５（表１ではＴａＯ）、または（ＺｒＯ２）２５（ＳｉＯ２）２５（Ｃｒ２Ｏ３）５０（表１ではＺｒＳｉＣｒＯ）とした。
【００６９】
なお、Ｃ、ＴｉＣ、ＳｉＣ、Ｔａ２Ｏ３、（ＺｒＯ２）２５（ＳｉＯ２）２５（Ｃｒ２Ｏ３）５０は、各材料及び組成からなる直径１００ｍｍのターゲットを用いて、Ａｒガス圧が０．１３Ｐａの雰囲気中でスパッタリング法によって形成した。このときの投入電力は３００Ｗとした。（Ｇｅ９０Ｃｒ１０）９５Ｎ５は、直径１００ｍｍのＧｅ９０Ｃｒ１０からなるターゲットを用いて、ＡｒガスとＮ２ガスの混合ガス雰囲気中でスパッタリング法によって形成した。このときの投入電力は３００Ｗとした。このときターゲット材料組成と実際に形成された薄膜の組成が略同等であることを確認した。
【００７０】
さらに、形成時の記録層は、非晶質であるので、透明基板側からレーザを照射することによって、記録層の全面を結晶相にする初期化処理を行った。
【００７１】
このようにして作製した本実施例の情報記録媒体は、レーザ光の波長６５０ｎｍ、対物レンズのＮＡ０．６の光学系を用いて、線速度８．２ｍ／ｓ（基準クロックＴ＝１７．１ｎｓ）及び２０．５ｍ／ｓ（基準クロックＴ＝６．９ｎｓ）の条件でマークエッジ記録を行い、以下の測定を行った。いずれの線速度においても、まず、３Ｔマークと３Ｔスペースが連続する信号（以下、３Ｔ信号と表記）と１１Ｔマークと１１Ｔスペースが連続する信号（以下、１１Ｔ信号と表記）とを交互に１１回記録した。そして、３Ｔ信号が記録された状態でこのトラックを再生し、そのＣ／Ｎ比をスペクトラムアナライザーで測定した。さらに、その上に１１Ｔ信号を１回記録したときの、３Ｔ信号振幅の減衰比、すなわち消去率をスペクトラムアナライザーで測定した。
【００７２】
信号を記録する際のレーザの変調波形は、いずれの線速度においても、３Ｔ信号を記録する場合は、パルス幅１．５Ｔ（パワーレベルＰ１）の単一矩形パルスを照射した。１１Ｔ信号を記録する場合には、９個のパルスからなるパルス列（パワーレベルＰ１）を照射した。このパルス列は、最初のパルス幅が１．５Ｔで、２番目から９番目までのパルスの幅がすべて０．５Ｔであり、各パルス間（パワーレベルＰ３）の幅も０．５Ｔとした。マークを記録しない部分では、パワーレベルＰ２の連続光を照射した。なお、ここではＰ３＝Ｐ２とした。各パワーレベルの決め方としては、記録パワーレベルＰ１はＣ／Ｎ比が４５ｄＢを超えるパワーの下限値の１．５倍であり、パワーレベルＰ２は消去率が２０ｄＢを超えるパワーの範囲の中央値であり、再生パワーレベルは１．０ｍＷとした。
【００７３】
以上の条件で測定を行った情報記録媒体について、３Ｔ信号が記録されたままの状態で、９０℃・２０％ＲＨ（Ｒｅｌａｔｉｖｅ  Ｈｕｍｉｄｉｔｙ）の恒温槽で１００時間保持する高温加速試験を行った。高温加速試験後、試験前に記録したトラックを再生し、Ｃ／Ｎ比を測定した。さらに、その上に１１Ｔ信号を１回上書きしたときの消去率も測定した。
【００７４】
表１には、下側界面層、上側界面層の材料に対する線速度８．２ｍ／ｓでの高温試験前のＣ／Ｎ比と高温試験後のＣ／Ｎ比の増減、線速度２０．５ｍ／ｓでの高温試験前の消去率と高温試験後の消去率の増減を示す。ここでは、グルーブとランドで特性に大きな差がなかったのでグルーブの特性のみ示している。
【００７５】
なお、Ｃ／Ｎ比は線速度２０．５ｍ／ｓの場合のほうが８．２ｍ／ｓの場合よりも高く、高温試験後の低下量も小さかったので、８．２ｍ／ｓの場合のみを示している。消去率は線速度８．２ｍ／ｓの場合のほうが２０．５ｍ／ｓの場合よりも高く、高温試験後の低下量も小さかったので、２０．５ｍ／ｓの場合のみを示している。
【００７６】
【表１】
2004303350.tif 000003
【００７７】
表１より、下側界面層及び上側界面層に炭素または炭化物を適用していない媒体（ディスク）１〜３は、線速度２０．５ｍ／ｓにおいて高い消去率が得られ、高温試験後の低下もほとんどない。しかし、線速度８．２ｍ／ｓにおいてはＣ／Ｎ比が小さく、高温試験後ではさらに小さくなる。
【００７８】
これに対して、下側界面層、上側界面層または両方に炭素または炭化物を適用した媒体４〜１６は、線速度８．２ｍ／ｓにおいて、高温試験前のＣ／Ｎ比は媒体１〜３と比較して大きく、高温試験後のＣ／Ｎ比の低下も０．２ｄＢ以内と小さい。また線速度が２０．５ｍ／ｓにおいて、消去率が高温試験前で３０ｄＢ以上と十分大きな値が得られ低下も小さい。
【００７９】
中でも、特に、下側界面層に炭素または炭化物を適用した媒体４〜８は、上側界面層に適用した媒体９〜１３や両側に適用した媒体１４〜１６と比較するとＣ／Ｎ比がさらに大きい。
【００８０】
このように、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｂｉ−Ｔｅからなる記録層を用いた構成で、下側界面層または上側界面層を、中でも、特に下側界面層を炭素または炭化物とすることで、赤色レーザを用いた光学系で広い線速度範囲においてＣ／Ｎ比及び消去率の高い良好な特性が得られる。
【００８１】
（実施例２）
実施例２では、本発明の情報記録媒体の記録再生特性、特にＣ／Ｎ比及び消去率の記録層の材料・組成に対する依存性を示す。
【００８２】
媒体の構成は、実施例１と同様あるが、本実施例では、下側界面層を炭素、上側界面層を（ＺｒＯ２）２５（ＳｉＯ２）２５（Ｃｒ２Ｏ３）５０とし、表２に示すように記録層がＧｅ３８Ｓｂ１０Ｔｅ５２の媒体（ディスク）１７、Ｇｅの一部をＳｎに置き換えた組成の媒体１８〜２１及びＳｂの一部をＢｉに置き換えた組成の媒体２２〜２５を作製した。下側界面層及び上側界面層は、実施例１と同様にして形成した。
【００８３】
このようにして作製した媒体１７〜２５の特性を、実施例１と同様の方法で測定した。
【００８４】
表２には、記録層の材料・組成に対する線速度８．２ｍ／ｓでの高温試験前のＣ／Ｎ比と高温試験後のＣ／Ｎ比の増減、線速度２０．５ｍ／ｓでの高温試験前の消去率と高温試験後の消去率の増減を示す。ここでは、グルーブとランドで特性に大きな差がなかったのでグルーブの特性のみ示している。
【００８５】
本実施例においても、Ｃ／Ｎ比は線速度２０．５ｍ／ｓの場合のほうが８．２ｍ／ｓの場合よりも高く、高温試験後の低下量も小さかったので、８．２ｍ／ｓの場合のみを示している。消去率は線速度８．２ｍ／ｓの場合のほうが２０．５ｍ／ｓの場合よりも高く、高温試験後の低下量も小さかったので、２０．５ｍ／ｓの場合のみを示している。
【００８６】
【表２】
2004303350.tif 000004
【００８７】
表２より、記録層がＧｅ３８Ｓｂ１０Ｔｅ５２である媒体１７は、線速度が８．２ｍ／ｓにおいて大きなＣ／Ｎ比が得られ、高温試験後のＣ／Ｎ比の低下もない。しかし、線速度が２０．５ｍ／ｓにおいて、消去率が低く、高温試験後はさらに低下する。記録層にＳｎを添加した媒体１８〜２１では、Ｓｎが少ない場合は、線速度２０．５ｍ／ｓでの消去率が小さく、高温試験後の低下も大きい。逆に、Ｓｎが多い場合は、線速度８．２ｍ／ｓにおいてＣ／Ｎ比が低くなる。
【００８８】
これに対して、記録層にＢｉを添加した媒体２２〜２５は、Ｂｉの添加量により若干の差はあるものの総じて８．２ｍ／ｓで十分なＣ／Ｎ比が得られ、高温試験後のＣ／Ｎ比の低下も小さい。線速度２０．５ｍ／ｓでも消去率は３０ｄＢ以上と十分な値が得られ低下も小さい。
【００８９】
このように、界面層に炭素を用いた構成で、記録層にＧｅ−Ｓｂ−Ｂｉ−Ｔｅ合金を適用することで広い線速度範囲において良好な特性が得られる。
【００９０】
（実施例３）
実施例３では、２つの情報層を持つ本発明の情報記録媒体のレーザ入射側から離れている第２情報層の記録再生特性、特にＣ／Ｎ比及び消去率の界面層材料に対する依存性を示す。
【００９１】
媒体は、透明基板、第１情報層、分離層、第２情報層、保護基板を順に設けた構成とした。媒体の作製方法であるが、保護基板上に、第２情報層、分離層、第１情報層を形成し、その上に、透明基板を貼り合わせた。保護基板には、直径１２ｃｍ、厚さ１．１ｍｍの円盤状であり、グルーブピッチ０．３２μｍ、グルーブ深さ２０ｎｍの案内溝が形成されたものを用いた。
【００９２】
第２情報層として、保護基板に近い側から反射層Ａｇ９８Ｐｄ１Ｃｕ１を８０ｎｍ、上側保護層（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０を２０ｎｍ、上側界面層を５ｎｍ、記録層Ｇｅ４５Ｂｉ４Ｔｅ５１を１０ｎｍ、下側界面層を５ｎｍ、下側保護層（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０を６０ｎｍ、この順に形成した。
【００９３】
第２情報層上に紫外線硬化性樹脂を塗布し、その上にグルーブピッチ０．３２μｍ、深さ２０ｎｍの案内溝が形成された溝転写用の異なる基板を貼りあわせ、その状態で樹脂を硬化させる。その後に溝転写用の異なる基板を剥離することによって案内溝が転写された分離層が形成される。分離層の厚さは２５μｍとなるように形成した。
【００９４】
形成時の第２情報層の記録層は、非晶質であるので、分離層側からレーザ光を照射することによって、第２情報層の記録層の全面を結晶相にする初期化処理を行った。
【００９５】
分離層の案内溝が転写された側に第１情報層として、反射層Ａｇ９８Ｐｄ１Ｃｕ１を１０ｎｍ、上側保護層（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０を２０ｎｍ、上側界面層（ＺｒＯ２）２５（ＳｉＯ２）２５（Ｃｒ２Ｏ３）５０を５ｎｍ、記録層Ｇｅ４５Ｂｉ２Ｓｂ２Ｔｅ５１を６ｎｍ、下側界面層（ＺｒＯ２）２５（ＳｉＯ２）２５（Ｃｒ２Ｏ３）５０を５ｎｍ、下側保護層（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０を４０ｎｍ、この順に形成した。  さらに、第１情報層上に厚さが０．０７５μｍの透明基板を貼り合わせた。
【００９６】
最後に、形成時の第１情報層の記録層は、非晶質であるので、透明基板側からレーザ光を照射することによって、第１情報層の記録層の全面を結晶相にする初期化処理を行った。
【００９７】
第２情報層の下側界面層と上側界面層としては、実施例１と同様の各材料を用いた。これ等界面層は実施例１と同様にして形成した。
【００９８】
このようにして作製した本実施例の情報記録媒体は、レーザ光の波長４０５ｎｍ、対物レンズのＮＡ０．８５の光学系を用いて、線速度５．０ｍ／ｓ（基準クロックＴ＝１５．０ｎｓ）及び１０．０ｍ／ｓ（基準クロックＴ＝７．５ｎｓ）の条件でマークエッジ記録を行い、以下の測定を行った。いずれの線速度においても、まず、２Ｔマークと２Ｔスペースが連続する信号（以下、２Ｔ信号と表記）と９Ｔマークと９Ｔスペースが連続する信号（以下、９Ｔ信号と表記）とを交互に１１回記録した。そして、２Ｔ信号が記録された状態でこのトラックを再生し、そのＣ／Ｎ比をスペクトラムアナライザーで測定した。さらに、その上に９Ｔ信号を１回記録したときの、２Ｔ信号振幅の減衰比、すなわち消去率をスペクトラムアナライザーで測定した。
【００９９】
信号を記録する際のレーザの変調波形は、いずれの線速度においても、２Ｔ信号を記録する場合には、パルス幅０．５Ｔ（パワーレベルＰ１）の単一矩形パルスを照射した。９Ｔ信号を記録する場合には、８個のパルスからなるパルス列（パワーレベルＰ１）を照射した。このパルス列は、すべてのパルス幅及びパルス間（パワーレベルＰ３）の幅を０．５Ｔとした。マークを記録しない部分では、パワーレベルＰ２の連続光を照射した。パワーレベルの決め方としては、記録パワーレベルＰ１はＣ／Ｎ比が３５ｄＢを超えるパワーの下限値の１．５倍であり、パワーレベルＰ２は消去率が２０ｄＢを超えるパワーの範囲の中央値であり、再生パワーレベルは０．３ｍＷとした。
【０１００】
以上の条件で測定を行った情報記録媒体について、２Ｔ信号が記録されたままの状態で、９０℃・２０％ＲＨの恒温槽で１００時間保持する高温加速試験を行った。高温加速試験後、試験前に記録したトラックを再生し、Ｃ／Ｎ比を測定した。さらに、その上に９Ｔ信号を１回記録したときの消去率も測定した。
【０１０１】
表３には、下側界面層、上側界面層の材料に対する線速度５．０ｍ／ｓでの高温試験前のＣ／Ｎ比と高温試験後のＣ／Ｎ比の増減、線速度１０．０ｍ／ｓでの高温試験前の消去率と高温試験後の消去率の増減を示す。
【０１０２】
なお、Ｃ／Ｎ比は線速度１０．０ｍ／ｓの場合のほうが５．０ｍ／ｓの場合よりも高く、高温試験後の低下量も小さかったので、５．０ｍ／ｓの場合のみを示している。消去率は線速度５．０ｍ／ｓの場合のほうが１０．０ｍ／ｓの場合よりも高く、高温試験後の低下量も小さかったので、１０．０ｍ／ｓの場合のみを示している。
【０１０３】
【表３】
2004303350.tif 000005
【０１０４】
表３より、下側界面層及び上側界面層に炭素または炭化物を適用していない媒体２６〜２８は、線速度１０．０ｍ／ｓにおいて大きな消去率が得られる。しかし、線速度５．０ｍ／ｓにおいてはＣ／Ｎ比が小さく、高温試験後ではさらに小さくなる。
【０１０５】
これに対して、下側界面層、上側界面層、両方に炭素または炭化物を適用した媒体２９〜４１は、線速度５．０ｍ／ｓにおいて、高温試験前のＣ／Ｎ比は媒体２６〜２８と比較して大きく、高温試験後のＣ／Ｎ比の低下も０．２ｄＢ以内と小さい。また線速度が１０．０ｍ／ｓにおいて、高温試験前の消去率が３０ｄＢ以上と十分大きな値が得られ低下も小さい。
【０１０６】
中でも、特に、上側界面層に炭素または炭化物を適用した媒体３４〜３８は、下側界面層に適用した媒体２９〜３３や両側に適用した媒体３９〜４１と比較するとさらにＣ／Ｎ比が大きい。
【０１０７】
以上のように、Ｇｅ−Ｂｉ−Ｔｅからなる記録層を用いた構成で、下側界面層または上側界面層、中でも特に上側界面層を炭素または炭化物とすることで、青色レーザを用いた光学系で広い線速度範囲においてＣ／Ｎ比及び消去率の高い良好な特性が得られる。
【０１０８】
【発明の効果】
以上のように本発明によれば、広い線速度範囲において、良好な記録再生特性を満たす情報記録媒体を実現することができるという顕著な効果が得られる。また、本発明によれば、異なる線速度で情報の記録再生を信頼性よく容易に行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の情報記録媒体の構成例を示す断面図
【図２】本発明の情報記録媒体の別の構成例を示す断面図
【図３】本発明の情報記録媒体の２つの情報層を含む構成例を示す断面図
【図４】本発明の実施形態におけるパルス列の例を示す図
【図５】本発明の実施に用いる記録再生装置の構成例を示す図
【符号の説明】
１  透明基板
２  下側保護層
３  下側界面層
４  記録層
５  上側界面層
６  上側保護層
７  反射層
８  保護基板
９  光吸収補正層
１０  第１情報層
１１  分離層
１２  第２情報層
１３  グルーブ
１４  ランド
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
2004303350.tif 000009
【図５】
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