(57)【要約】【課題】耐電力性に優れた弾性表面波素子のような薄膜素子を提供する。【解決手段】圧電基板２と、圧電基板２上に薄膜をもって形成された電極３とを備える、弾性表面波素子１のような薄膜素子において、電極３は、Ａｌを主成分とするＡｌ電極層４と実質的にＣｕからなるＣｕ電極層５とが交互に積層された構造を有する交互積層電極部６を備えるとともに、交互積層電極部６の結晶性を向上させるためのＴｉを主成分とする下地電極層７を備える。交互積層電極部６にあるＡｌ電極層４およびＣｕ電極層５は、双晶構造を有するエピタキシャル膜によって構成される。【選択図】　　　　図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電基板と、前記圧電基板上に薄膜をもって形成された電極とを備え、前記電極は、Ａｌを主成分とするＡｌ電極層と実質的にＣｕからなるＣｕ電極層とが交互に積層された構造を有する交互積層電極部を備える、薄膜素子であって、
前記交互積層電極部にある前記Ａｌ電極層および前記Ｃｕ電極層は、双晶構造を有するエピタキシャル膜である、薄膜素子。
【請求項２】
弾性表面波素子である、請求項１に記載の薄膜素子。
【請求項３】
前記電極は、前記交互積層電極部と前記圧電基板との間に設けられる、前記交互積層電極部の結晶性を向上させるための下地電極層をさらに備える、請求項１または２に記載の薄膜素子。
【請求項４】
前記下地電極層は、Ｔｉを主成分とする、請求項３に記載の薄膜素子。
【請求項５】
前記交互積層電極部にある前記Ａｌ電極層および前記Ｃｕ電極層は、ＸＲＤ極点図において複数の対称中心を持つ双晶構造を有するエピタキシャル膜である、請求項１ないし４のいずれかに記載の薄膜素子。
【請求項６】
前記圧電基板は、ＬｉＮｂＯ３　またはＬｉＴａＯ３　からなる、請求項１ないし５のいずれかに記載の薄膜素子。
【請求項７】
圧電基板と、前記圧電基板上に薄膜をもって形成された電極とを備え、前記電極は、Ａｌを主成分とするＡｌ電極層と実質的にＣｕからなるＣｕ電極層とが交互に積層された構造を有する交互積層電極部、および前記交互積層電極部と前記圧電基板との間に設けられる、前記交互積層電極部の結晶性を向上させるためのＴｉを主成分とする下地電極層を備える、薄膜素子を製造する方法であって、
前記圧電基板を用意する工程と、
前記圧電基板上に前記下地電極層を形成する工程と、
前記下地電極層上に前記交互積層電極部を形成する工程と
を備え、
前記下地電極層を形成する工程における少なくとも初期の段階では、前記下地電極層を７０℃以上の加熱成膜によって形成し、
前記交互積層電極部を形成する工程は、前記交互積層電極部を５０℃以下の低温成膜によって双晶構造を有するエピタキシャル膜となるように形成する工程を備える、薄膜素子の製造方法。
【請求項８】
前記下地電極層を形成する工程は、前記下地電極層の一部を、７０℃以上の加熱成膜によって形成した後、残りを５０℃以下の低温成膜によって形成するように実施される、請求項７に記載の薄膜素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、弾性表面波素子のような薄膜素子およびその製造方法に関するもので、特に、薄膜素子の電極の構造および形成方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
この発明にとって興味ある薄膜素子の代表的なものとして、弾性表面波素子がある。
【０００３】
弾性表面波素子は、周知のように、機械的振動エネルギーが固体表面付近にのみ集中して伝搬する弾性表面波を利用した電子部品であり、一般に、圧電性を有する圧電基板と、この圧電基板上に薄膜をもって形成された、信号を印加または取り出すためのインタディジタル電極および／またはグレーティング電極のような電極とを備えている。
【０００４】
このような弾性表面波素子において、電極材料としては、電気抵抗率が低く、比重の小さいＡｌまたはＡｌ系合金といったＡｌを主成分とするものを用いるのが一般的である。
【０００５】
しかしながら、Ａｌは耐ストレスマイグレーション性が悪く、大きな電力を投入すると、電極にヒロックやボイドが発生し、やがては、電極が短絡または断線して、弾性表面波素子が破壊に至ることがある。
【０００６】
上述した問題の解決を図るため、電極の成膜法として、イオンビームスパッタを用い、結晶配向性を向上させることによって、耐電力性を向上させる方法が、特開平７−１６２２５５号公報（特許文献１）において提案されている。
【０００７】
また、Ａｌをエピタキシャル成長させることによって、結晶方位を一定方向に配向させ、それによって、耐電力性を向上させる方法が、特開平３−４８５１１号公報（特許文献２）において提案されている。
【０００８】
また、特開平６−６１７３号公報（特許文献３）には、結晶粒が小さいほど、電極の耐電力性が優れることが記載されている。
【０００９】
また、ＷＯ９９／１６１６８号公報（特許文献４）には、インタディジタル電極に用いるＡｌ膜を単結晶とすることによって、耐電力性を向上させることが記載されている。
【００１０】
また、特開平７−１２２９６１号公報（特許文献５）には、電極を、Ａｌ層とＣｕ層との交互積層構造とするにより、耐電力性を向上させることが記載されている。
【００１１】
さらに、オーム社発行、日本学術振興会弾性波素子技術第１５０委員会編「弾性波素子技術ハンドブック」（第２６７頁）（非特許文献１）には、ＡｌにＣｕを添加することによって、耐電力性が向上することが記載されている。
【００１２】
【特許文献１】
特開平７−１６２２５５号公報
【特許文献２】
特開平３−４８５１１号公報
【特許文献３】
特開平６−６１７３号公報
【特許文献４】
ＷＯ９９／１６１６８号公報
【特許文献５】
特開平７−１２２９６１号公報
【非特許文献１】
日本学術振興会弾性波素子技術第１５０委員会編，「弾性波素子技術ハンドブック」，オーム社，ｐ．２６７
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、特許文献１および３に記載の技術では、近年の高周波化および大電力化には十分に対応できず、高周波用途や大電力用途に向けられるとき、耐電力性が不十分であるという問題がある。
【００１４】
また、特許文献２に記載の技術によって結晶性の良好なエピタキシャル膜が得られるのは、実質的に水晶基板上だけである。圧電性が大きく、広帯域が要求されるフィルタ等において有利に用いられている、ＬｉＴａＯ３　またはＬｉＮｂＯ３　等の圧電単結晶からなる基板上では、特許文献２に記載の技術によって結晶性の良好なエピタキシャル膜を得ることが困難であり、したがって、特許文献２に記載の技術は、ＬｉＴａＯ３　またはＬｉＮｂＯ３　基板を備える弾性表面波素子に対しては、実質的に適用不可能である。
【００１５】
特許文献４および５ならびに非特許文献１に記載の技術によれば、なるほど、耐電力性を向上させることが可能ではあるが、未だ十分なレベルには達していない。特に特許文献５に記載の技術では、高周波領域で用いるアンテナ分波器のような非常に高い耐電力性が要求される素子への応用には十分とは言い難い。
【００１６】
そこで、この発明の目的は、上述したような問題を解決し得る、薄膜素子およびその製造方法を提供しようとすることである。
【００１７】
【課題を解決するための手段】
この発明は、圧電基板と、圧電基板上に薄膜をもって形成された電極とを備え、電極は、Ａｌを主成分とするＡｌ電極層と実質的にＣｕからなるＣｕ電極層とが交互に積層された構造を有する交互積層電極部を備える、薄膜素子にまず向けられるものであって、上述した技術的課題を解決するため、次のような工程を備えることを特徴としている。
【００１８】
すなわち、交互積層電極部にあるＡｌ電極層およびＣｕ電極層は、双晶構造を有するエピタキシャル膜であることを特徴としている。
【００１９】
この発明は、特に、弾性表面波素子に有利に適用される。
【００２０】
上述の電極は、交互積層電極部と圧電基板との間に設けられる、交互積層電極部の結晶性を向上させるための下地電極層をさらに備えることが好ましい。この下地電極層は、好ましくは、Ｔｉを主成分としている。
【００２１】
また、交互積層電極部にあるＡｌ電極層およびＣｕ電極層は、ＸＲＤ極点図において複数の対称中心を持つ双晶構造を有するエピタキシャル膜であることが好ましい。
【００２２】
また、圧電基板は、ＬｉＮｂＯ３　またはＬｉＴａＯ３　からなるものであることが好ましい。
【００２３】
この発明は、また、圧電基板と、圧電基板上に薄膜をもって形成された電極とを備え、電極は、Ａｌを主成分とするＡｌ電極層と実質的にＣｕからなるＣｕ電極層とが交互に積層された構造を有する交互積層電極部、および交互積層電極部と圧電基板との間に設けられる、交互積層電極部の結晶性を向上させるためのＴｉを主成分とする下地電極層を備える、薄膜素子を製造する方法にも向けられる。
【００２４】
この製造方法は、圧電基板を用意する工程と、圧電基板上に下地電極層を形成する工程と、下地電極層上に交互積層電極部を形成する工程とを備え、下地電極層を形成する工程における少なくとも初期の段階では、下地電極層を７０℃以上の加熱成膜によって形成し、交互積層電極部を形成する工程は、交互積層電極部を５０℃以下の低温成膜によって双晶構造を有するエピタキシャル膜となるように形成する工程を備えることを特徴としている。
【００２５】
上述の下地電極層を形成する工程は、下地電極層を、７０℃以上の加熱成膜によって形成した後、５０℃以下の低温成膜によって形成するように実施されることが好ましい。
【００２６】
【発明の実施の形態】
図１は、この発明の一実施形態による薄膜素子の一例としての弾性表面波素子１の一部を示す断面図であり、圧電基板２上に電極３が形成された部分を示している。
【００２７】
圧電基板２は、たとえば、ＬｉＮｂＯ３　またはＬｉＴａＯ３　の単結晶から構成される。好ましくは、圧電基板２として、３６〜４２°回転ＹカットのＬｉＴａＯ３　基板が用いられる。
【００２８】
圧電基板２上には、薄膜をもって電極３が形成される。
【００２９】
電極３は、ＡｌまたはＡｌ系合金のようにＡｌを主成分とするＡｌ電極層４と実質的にＣｕからなるＣｕ電極層５とが交互に積層された構造を有する交互積層電極部６を備えている。図示の実施形態では、交互積層電極部６は、２つのＡｌ電極層４の間に１つのＣｕ電極層５が配置された積層構造を有しているが、Ａｌ電極層４とＣｕ電極層５との交互の繰り返しの数をより増やしてもよい。
【００３０】
交互積層電極部６にあるＡｌ電極層４およびＣｕ電極層５は、双晶構造を有するエピタキシャル膜であることを特徴としている。より具体的には、Ａｌ電極層４およびＣｕ電極層５は、ＸＲＤ極点図において複数の対称中心を持つ双晶構造を有するエピタキシャル膜であることを特徴としている。
【００３１】
電極３は、さらに、交互積層電極部６と圧電基板２との間、より特定的には、Ａｌ電極層４と圧電基板２との間に設けられる下地電極層７を備えている。下地電極層７は、交互積層電極部６の成膜時において交互積層電極層６の結晶性を向上させるためのもので、好ましくは、Ｔｉを主成分としている。
【００３２】
このような弾性表面波素子１を製造するため、圧電基板２を用意し、この圧電基板２上に、下地電極層７を形成し、次いで、下地電極層７上に、Ａｌ電極層４およびＣｕ電極層５を交互に形成することによって、交互積層電極部６を形成する、各工程が実施され、さらに、電極３に対してインタディジタル形状を与えるため、フォトリソグラフィ技術およびドライエッチング技術が適用される。
【００３３】
上述した下地電極層７を形成する工程における初期の段階では、下地電極層７を７０℃以上の加熱成膜によって形成することが行なわれる。図１には、下地電極層７におけるこの初期成長層８が図示されている。次いで、下地電極層７における残部９が５０℃以下の低温成膜によって形成され、引き続き、同様の５０℃以下の低温成膜によって、Ａｌ電極層４およびＣｕ電極層５が交互に形成される。
【００３４】
上述のように、下地電極層７における少なくとも初期成長層８を加熱成膜することによって、結晶成長に必要なエネルギーが供給され、下地電極層７において、高配向膜を得ることができる。そして、この下地電極層７を下地として、Ａｌ電極層４およびＣｕ電極層５を低温成膜によって形成すれば、Ａｌ電極層４およびＣｕ電極層５を、高配向膜であり、かつ双晶構造を有するエピタキシャル多結晶膜とすることができる。
【００３５】
なお、Ａｌ電極層４およびＣｕ電極層５の形成において、加熱成膜を適用すると、相互積層電極部６に含まれる材料と下地電極層７に含まれる材料との相互拡散が生じ、この相互拡散により、相互積層電極部６のエピタキシャル成長が阻害されてしまうことがある。したがって、Ａｌ電極層４およびＣｕ電極層５を形成するにあたっては、前述したように、５０℃以下の低温成膜を適用することが必要である。
【００３６】
下地電極層７における少なくとも初期成長層８の形成のための加熱成膜において適用される温度が高いほど、得られた下地電極層７の結晶性が良好になるが、この成膜温度を高くし過ぎると、焦電性が原因となり、圧電基板２の割れが生じる危険性が高まる。そのため、実用的には、この成膜温度は３００℃以下とすることが望ましい。
【００３７】
他方、Ａｌ電極層４およびＣｕ電極層５の形成のための低温成膜において、５０℃以下の温度であれば、ＡｌおよびＣｕのエピタキシャル成長が可能であるが、０℃未満では、特殊な冷却機構を必要とする場合があり、この場合には、著しいコストアップを招くため、実用的には、Ａｌ電極層４およびＣｕ電極層５の形成のための低温成膜は、０℃以上の温度で実施されることが好ましい。
【００３８】
なお、前述したように、下地電極層７における初期成長層８は、加熱成膜によって形成されるため、初期成長層８を成膜した後の下地電極層７の表面には、たとえば真空チャンバ内の残留ガスが原因となって数原子層の酸化層が形成され、その上に形成されるＡｌ電極層４およびＣｕ電極層５の結晶性をわずかながら悪化させることがある。そこで、加熱成膜によって形成された下地電極層７における初期成長層８の上に、さらに、下地電極層７の残部９を低温成膜するようにすれば、高配向性を保ちながら、Ａｌ電極層４およびＣｕ電極層５からなる交互積層電極部６を形成すべき面において、より清浄な結晶面を与えることができる。その結果、Ａｌ電極層４およびＣｕ電極層５からなる交互積層電極部６の結晶性をより良好にすることができる。
【００３９】
圧電基板２の表面には、研磨等による厚さ数ｎｍの加工変質層が形成され、この加工変質層が、エピタキシャル成長を阻害してしまうことがある。そのため、下地電極層７を形成する工程の前に、この加工変質層を除去し、圧電基板２の表面に結晶面を露出させ、それによってエピタキシャル成長を可能とするための処理を圧電基板２に施しておくことが好ましい。このような処理の結果、圧電基板２の表面は、エピタキシャル成長に必要な結晶配列情報の伝達が可能な状態になる。
【００４０】
上述の加工変質層を除去するための処理としては、たとえば、酸処理によるエッチング処理、イオンエッチング、化学機械研磨、スクラバ洗浄等を適用することができる。
【００４１】
一般に、Ａｌ電極における結晶粒界の存在は、弾性表面波素子の耐電力性を劣化させると言われている。これは、ストレスマイグレーションによって、結晶粒界を通じて、Ａｌが自己拡散し、ヒロックやボイドと呼ばれる欠陥が成長するからである。しかしながら、この発明による双晶エピタキシャル薄膜は、そこに２つのドメインが存在するため、結晶学的には多結晶であるが、結晶粒界は極めて少なく、結晶粒界を通じての自己拡散が起こりにくい。
【００４２】
一方、金属の機械的強度については、単結晶よりは多結晶の方が高い。これは、金属の塑性変形メカニズムによる。すなわち、塑性変形は、外力（弾性表面波素子の分野にあっては、圧電効果による振動）等による結晶のすべり変形を生じさせるが、単結晶では、最も活動しやすいすべり系の活動だけで引き起こされるのに対し、多結晶では、複数のすべり系の活動が要求されることに起因する（参考文献：丸善「金属便覧」改訂５版・第３３７〜３４３頁）。このようなことから、塑性変形の起きにくさは、ストレスマイグレーションによる電極破壊の起きにくさにもつながり、粒径の小さい電極構造が高い耐電力性をもたらす。
【００４３】
また、電極３は、前述したように、Ａｌ電極層４をＣｕ電極層５によって分断した構造を有している。このように、励振部であるＡｌ電極層４をＣｕ電極層５によって分断することによって、Ａｌの自己拡散を抑制する効果が発揮され、さらにエピタキシャル化することによって自己拡散のパスとなる粒界を劇的に減少させることができる。
【００４４】
以上のようなことから、Ａｌ電極層４およびＣｕ電極層５を交互に積層しながら双晶構造を持つエピタキシャル配向膜とすることによって、Ａｌの自己拡散を抑制する効果と、結晶粒界を通じてのＡｌ電極層４に含まれるＡｌの自己拡散によるヒロックやボイドの成長を防ぐ効果と、塑性変形のしにくさに起因する耐電力性の向上の効果とが発揮され、弾性表面波素子１を非常に耐電力性に優れたものとすることができる。
【００４５】
この発明に係る薄膜素子の一例としての弾性表面波素子について、より具体的な実施例に基づいて説明する。
【００４６】
（実施例１）
まず、３６°Ｙ−ＸカットのＬｉＴａＯ３　単結晶からなる圧電基板を用意した。
【００４７】
次に、圧電基板上に、電子ビーム蒸着法により、Ｔｉからなる下地電極層における初期成長層を成膜温度１８０℃にて厚さ５ｎｍとなるように形成し、真空中で温度５０℃以下になるまで冷却した後、続いて、順次、Ｔｉからなる下地電極層における残部を５ｎｍの厚さに形成し、ＡｌからなるＡｌ電極層を８０ｎｍの厚さに形成し、ＣｕからなるＣｕ電極層を１０ｎｍの厚さに形成し、さらに、ＡｌからなるＡｌ電極層を８０ｎｍの厚さに形成した。
【００４８】
上述の工程において、真空槽の成膜開始圧力は、下地電極層における初期成長層の成膜のために１８０℃加熱を行なっている段階では、８×１０−５Ｐａとし、その後の５０℃以下の状態では、６連式の水冷可能なるつぼを用いて真空中での連続成膜を行なった。膜厚測定は、モニター基板を蛍光Ｘ線法で分析することによって行ない、それによって、設定膜厚に対して±５％の精度で成膜できていることが確認された。
【００４９】
このようにして得られた実施例１に係る電極をＸ線回折により分析したところ、Ａｌ（２００）入射の極点図では、図２に示すように、複数の対称中心を持つ回折スポットが観測された。図２を参照して、Ａｌ（２００）入射の場合、Ａｌ（１１１）単結晶膜からの回折像は３回対称スポットとなる。図２において、６つのスポットＡ１、Ａ２およびＡ３ならびにＢ１、Ｂ２およびＢ３が現れているが、スポットＡ１、Ａ２およびＡ３とスポットＢ１、Ｂ２およびＢ３との２組の３回対称であり、２つの単結晶ドメインが存在する双晶構造を持ったエピタキシャル膜が形成されていることを意味している。
【００５０】
他方、比較例として、電極のすべての層を５０℃以下の成膜温度にて成膜した場合には、図３に示すように、ランダム配向となった。
【００５１】
図２と図３とを比較すれば、図２に示したＡｌ電極層は、結晶性のより良好なエピタキシャル膜となっていることがわかる。
【００５２】
次に、電極を、フォトリソグラフィ技術およびドライエッチング技術を用いて、線幅０．５μｍのインタディジタル形状に加工し、それによって、２ＧＨｚ帯の弾性表面波フィルタを得た。
【００５３】
実施例１および比較例の各々に係る弾性表面波フィルタの耐電力性の比較を行なったところ、実施例１による弾性表面波フィルタは、比較例による弾性表面波フィルタに対して、一定電力を加えたときの故障発生時間が２桁以上長くなった。
【００５４】
（実施例２）
Ｔｉからなる下地電極層における初期成長層を成膜温度１３０℃にて形成したことを除いて、実施例１の場合と同様に条件にて、圧電基板上に電極を形成し、また、弾性表面波フィルタを作製した。
【００５５】
実施例２においても、得られた電極は、Ｘ線回折による分析の結果、Ａｌ（２００）入射の極点図において、複数の対称中心を持つ回折スポットが観測された。
【００５６】
また、弾性表面波フィルタの耐電力性の比較を行なったところ、実施例２による弾性表面波フィルタは、前述の比較例による弾性表面波フィルタに対して、一定電力を加えたときの故障発生時間が１桁以上長くなった。
【００５７】
以上のような実施例１および２から、Ｔｉからなる下地電極層における少なくとも初期成長層を加熱成膜することによって、結晶成長に必要なエネルギーが供給され、下地電極層において高配向膜が得られ、これを下地として、その上に形成されるＡｌ電極層の結晶性が改善されることがわかる。加えて、Ａｌ電極層とＣｕ電極層との交互積層電極部では、励振部であるＡｌ電極層をＣｕ電極層で分断することによって、Ａｌの自己拡散を抑制する効果があるが、エピタキシャル化することによって自己拡散のパスとなる粒界を劇的に減少させ得ることもわかる。
【００５８】
また、実施例１と実施例２とを比較すると、Ｔｉからなる下地電極層における初期成長層を形成するための成膜温度は、実施例１の方が高くされたので、電極の結晶性がより向上し、図２に示すように、回折スポットの強度がより高くなった。その結果、耐電力性向上の効果もより顕著であった。
【００５９】
【発明の効果】
以上のように、この発明に係る薄膜素子によれば、Ａｌ電極層およびＣｕ電極層を交互に積層しながら双晶構造を持つエピタキシャル膜としているので、Ａｌの自己拡散を抑制する効果と、結晶粒界を通じてのＡｌ電極層に含まれるＡｌの自己拡散によるヒロックやボイドの成長を防ぐ効果と、塑性変形のしにくさに起因する耐電力性の向上の効果とが発揮され、薄膜素子を非常に耐電力性に優れたものとすることができる。したがって、この発明が弾性表面波素子に適用されたとき、特に顕著な効果が発揮される。
【００６０】
Ａｌ電極層とＣｕ電極層との交互積層電極部と圧電基板との間に、たとえばＴｉを主成分とする下地電極層が設けられると、Ａｌ電極層およびＣｕ電極層におけるＡｌおよびＣｕの結晶性をより向上させることができるので、上述した耐電力性をより向上させることができる。
【００６１】
この発明において、圧電基板として、ＬｉＮｂＯ３　またはＬｉＴａＯ３　からなるものを用いると、圧電基板の圧電性が大きいため、薄膜素子としての弾性表面波素子がフィルタ等を構成する場合、その広帯域化が可能になる。
【００６２】
また、この発明に係る薄膜素子の製造方法によれば、下地電極層を形成する工程における少なくとも初期の段階では、下地電極層を７０℃以上の加熱成膜によって形成し、その後、Ａｌ電極層およびＣｕ電極層を５０℃以下の低温成膜によって形成するようにしている。
【００６３】
したがって、下地電極層にあっては、その結晶成長に必要なエネルギーが加熱成膜から供給され、そのため、下地電極層において高配向膜が得られ、その上に形成したＡｌ電極層およびＣｕ電極層の結晶性を高めることができ、電極の耐ストレスマイグレーション性を向上させ、得られた薄膜素子の耐電力性を高めることができる。
【００６４】
他方、Ａｌ電極層およびＣｕ電極層の形成にあたっては、５０℃以下の低温成膜が適用されるので、Ａｌ電極層およびＣｕ電極層の成膜時に、エピタキシャル成長が阻害されてしまうことがなく、また、Ａｌ電極層とＣｕ電極層とからなる相互積層電極部に含まれる材料と下地電極層に含まれる材料との相互拡散が生じないようにすることができ、この相互拡散による相互積層電極部の劣化を防止することができる。
【００６５】
また、下地電極層を形成する工程が、下地電極層を、７０℃以上の加熱成膜によって形成した後、５０℃以下の低温成膜によって形成するように実施されると、加熱成膜において、その表面に酸化層が形成されても、低温成膜によって、高配向性を保ちながら、Ａｌ電極層およびＣｕ電極層の形成のためのより清浄な結晶面を与えることができ、Ａｌ電極層およびＣｕ電極層の結晶性をより良好なものとすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の一実施形態による薄膜素子の一例としての弾性表面波素子１の一部を示す断面図である。
【図２】実施例１において得られた電極におけるＡｌ電極層のＸＲＤ極点図である。
【図３】比較例において得られた電極におけるＡｌ電極層のＸＲＤ極点図である。
【符号の説明】
１　弾性表面波素子
２　圧電基板
３　電極
４　Ａｌ電極層
５　Ｃｕ電極層
６　交互積層電極部
７　下地電極層
８　下地電極層の初期成長層
９　下地電極層の残部
【図１】
2004140732.tif 000003
【図２】
2004140732.tif 000004
【図３】
2004140732.tif 000005