(57)【要約】【課題】光の反射率を悪化させることなく工程の削減が図られる半導体装置と、そのような半導体装置を備えた光学装置を提供する。【解決手段】フォトダイオードの受光面が位置する領域Ｓでは、第１の配線１５および第２の配線１７をパターニングする際にそれぞれの層が除去され、第２の層間絶縁膜１３およびカバー絶縁膜１８をそれぞれ形成した後にもそれぞれの層が除去される。一方、保護用絶縁膜２０は、フォトダイオードの受光面が位置する領域Ｓではエッチングによって除去されることはなく、反射防止膜１６は保護用絶縁膜２０によって覆われている。【選択図】　　　　図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板の主表面に形成された受光面を有する受光素子と、
前記受光素子の受光面を覆うように形成され、入射する光の反射を防止するための所定の層からなる反射防止膜と、
前記反射防止膜上に形成され、前記反射防止膜を保護するための保護膜と、
前記保護膜を直接覆うように前記半導体基板上に形成されたモールド材と
を備えた、半導体装置。
【請求項２】
前記保護膜の屈折率と前記モールド材の屈折率との差は０．３以下である、請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記保護膜はシリコン酸化膜を含む、請求項１または２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記保護膜はポリイミド系樹脂を含む、請求項１〜３のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項５】
前記受光素子が形成された領域とは異なる前記半導体基板の領域に形成され、所定の信号を処理するための信号処理回路部を備えた、請求項１〜４のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項６】
前記信号処理回路部を覆うように形成された第１絶縁膜を備え、
前記保護膜は前記第１絶縁膜と同じ層から形成された膜を含む、請求項５記載の半導体装置。
【請求項７】
前記半導体基板上に第２絶縁膜を介在させて形成された第１配線を備え、
前記保護膜は前記第２絶縁膜と同じ層から形成された膜を含む、請求項６記載の半導体装置。
【請求項８】
前記第１配線を覆うように形成された第３絶縁膜を備え、
前記保護膜は前記第３絶縁膜と同じ層から形成された膜を含む、請求項７記載の半導体装置。
【請求項９】
前記第３絶縁膜上に形成された第２配線と、
前記第２配線を覆うように形成された第４絶縁膜と
を備え、
前記保護膜は前記第４絶縁膜と同じ層から形成された膜を含む、請求項８記載の半導体装置。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれかに記載された半導体装置を備えた、光学装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体装置およびこれを備えた光学装置に関し、特に、フォトダイオードを有する半導体装置と、そのような半導体装置を備えた光学装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
フォトダイオードは光学信号を電気信号に変換することが可能であり、各種の光−電気変換機器における制御用光センサーなどに広く用いられている。フォトダイオードの感度を向上させるため、フォトダイオードの上方には入射する光が反射するのを防止するための反射防止膜が形成される。
【０００３】
反射防止膜としてシリコン酸化膜およびシリコン窒化膜が用いられる。フォトダイオードの上方に、たとえば膜厚約３２ｎｍのシリコン酸化膜を形成し、さらにその上に膜厚約５５ｎｍのシリコン窒化膜を形成することによって、波長７８０ｎｍおよび６５０ｎｍの光に対して、光の反射率が６％以下となる。
【０００４】
波長７８０ｎｍの光はＣＤ（Ｃｏｍｐａｃｔ　Ｄｉｓｋ）またはＭＤ（Ｍｉｎｉ　Ｄｉｓｋ）等の情報の読取りや書き込みに適用される。波長６５０ｎｍの光はＤＶＤ（Ｄｉｇｉｔａｌ　Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ　Ｄｉｓｋ）の情報の読取りや書き込みに適用される。
【０００５】
反射防止膜による反射率は反射防止膜をなす膜の膜厚に大きく依存する。このため、反射防止膜が形成された後の工程においては反射防止膜がエッチングによって膜厚が減少しないようにする必要がある。
【０００６】
そのために、たとえば、反射防止膜が形成された直後に反射防止膜を保護するためのシリコン酸化膜が形成される。その後所定の工程を経て最終的にカバー絶縁膜が形成される。さらに所定のエッチングを施した後に、反射防止膜を保護していたシリコン酸化膜にウエットエッチングを施すことにより除去することで、反射防止膜の膜厚の減少が阻止される。
【０００７】
そのような従来のフォトダイオードを備えた半導体装置の一例を図５に示す。図５に示すように、半導体基板１０１には、ＮＰＮトランジスタが形成される領域Ｔとフォトダイオードが形成される領域ＰＤが設けられている。
【０００８】
次に、その製造方法に一例について説明する。たとえば抵抗率６０Ω・ｃｍのＰ−型シリコン基板１０１の表面にＮＰＮトランジスタのコレクタ領域となるＮ＋型埋め込み領域１０２とＰ＋型素子分離領域１０４が選択的に形成される。次に、Ｐ−型シリコン基板１０１上に、たとえば抵抗率２Ω・ｃｍ、膜厚約２μｍのＮ型エピタキシャル層１０３が形成される。
【０００９】
次に、Ｎ型エピタキシャル層１０３に、たとえばＬＯＣＯＳ法によりシリコン酸化膜からなる素子分離絶縁膜１０５が形成される。素子分離は、素子分離絶縁膜１０５、Ｐ＋型素子分離領域１０４およびＰ−型シリコン基板１０１によって行なわれる。なお、Ｐ＋型素子分離領域１０４は、フォトダイオードのアノード取出し部（電極）としても利用される。
【００１０】
一方、領域ＰＤでは、たとえば熱酸化法により膜厚約３２ｎｍのシリコン酸化膜１１６ａが形成され、Ｎ型エピタキシャル層１０３にＮ＋型領域１１１が形成される。次に、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法により膜厚約５５ｎｍのシリコン窒化膜１１６ｂが形成される。
【００１１】
その後、所定のフォトリソグラフィーおよびエッチングを施して、フォトダイオードの受光面が位置する領域Ｓ以外の領域に位置するシリコン窒化膜を除去することにより、領域ＰＤ上に反射防止膜１１６が形成される。
【００１２】
次に、ＮＰＮトランジスタが形成される領域Ｔでは、素子分離絶縁膜１０５によって囲まれた一つの領域に、Ｎ＋型コレクタ領域１０６が形成される。次に、素子分離絶縁膜１０５によって囲まれた他の領域のＮ型エピタキシャル層１０３に、Ｐ型ベース領域１１０が形成される。
【００１３】
次に、たとえばシリコン酸化膜からなる絶縁膜１０７が形成される。次に、Ｐ型ベース領域１１０の上に位置する絶縁膜１０７にエミッタのコンタクト領域となるＮ＋型ポリシリコン層１１４が形成される。なお、Ｎ＋型ポリシリコン層１１４は、フォトダイオード領域にもカソード取出し部（電極）として形成される。
【００１４】
その後、所定のアニール処理を施すことにより、Ｎ＋型ポリシリコン層１１４中のｎ型不純物を拡散させてＮ型エミッタ領域１０８が形成される。このようにして、Ｎ型エミッタ領域１０８、Ｐ型ベース領域１１０およびＮ＋型コレクタ領域１０６を有するＮＰＮトランジスタが形成される。
【００１５】
次に、ＮＰＮトランジスタおよびフォトダイオードの全体を覆うように、たとえばシリコン酸化膜からなる第１の層間絶縁膜１１２が形成される。絶縁膜１０５および第１の層間絶縁膜１１２の所定の領域にコンタクトホールを形成し、たとえばチタンタングステンおよびアルミニウムなどを堆積することによって第１の配線１１５が形成される。
【００１６】
次に、第１の配線１１５を覆うように、たとえばシリコン酸化膜とシリコン窒化膜からなる第２の層間絶縁膜１１３が形成される。その第２の層間絶縁膜１１３上にたとえばアルミニウムなどからなる第２の配線１１７が形成される。その第２の配線１１７上には、たとえばシリコン窒化膜からなるカバー絶縁膜１１８が形成される。
【００１７】
上述した第１の配線１１５および第２の配線１１７をパターニングする際には、フォトダイオードの受光面が位置する領域Ｓの部分が除去される。また、第２の層間絶縁膜１１３およびカバー絶縁膜１１８をそれぞれ形成した後にも、フォトダイオードの受光面が位置する領域Ｓの部分が除去される。
【００１８】
これにより、カバー絶縁膜１１８が形成された段階で、フォトダイオードの受光面が位置する領域Ｓでは第１の層間絶縁膜１２０の表面が露出した状態にあり、反射防止膜１１６が第１の層間絶縁膜１２０により保護された状態にある。その後、ウエットエンチングを施すことにより受光面が位置する領域Ｓの第１の層間絶縁膜１２０が除去されて、反射防止膜１１６が露出される。
【００１９】
次に、ＮＰＮトランジスタおよびフォトダイオードの製造工程が完了したシリコン基板（ウェハ）にダイシングが行なわれて、半導体チップが形成される。個々の半導体チップは銀ペースト等によりリードフレームに装着され、モールド絶縁膜１１９によりモールドされる。このようにして、フォトダイオードを有する半導体装置が完成する。
【００２０】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述した従来の半導体装置では次のような問題点があった。フォトダイオードを有する半導体装置では、フォトダイオードの感度を向上させるため、フォトダイオードの上方には反射防止膜１１６が形成される。反射防止膜１１６による反射率は反射防止膜１１６の膜厚に大きく依存する。
【００２１】
このため、反射防止膜１１６が形成された後の工程において、反射防止膜１１６がエッチングによって膜厚が減少しないように反射防止膜１１６を保護するための第１の層間絶縁膜１２０が形成される。
【００２２】
この第１の層間絶縁膜１２０は、上述したように、最終的にウエットエッチングにより除去されることになる。そのため、付加的な工程が必要になるという問題点があった。
【００２３】
また、モールド絶縁膜により半導体チップをモールドする際に、フォトダイオードの受光面が位置する領域Ｓでは反射防止膜１１６が露出しているために、この領域と他の領域との段差が比較的大きく、この段差部分に空気が残りやすくなる傾向にある。そのため、光感度のばらつきの要因となることがある。
【００２４】
本発明は、上記問題点を解決するためになされたものであり、一つの目的は光の反射率を悪化させることなく工程の削減が図られる半導体装置を提供することであり、他の目的はそのような半導体装置を備えた光学装置を提供することである。
【００２５】
【課題を解決するための手段】
本発明の一つの局面における半導体装置は、受光素子と反射防止膜と保護膜とモールド材とを備えている。受光素子は、半導体基板の主表面に形成された受光面を有する。反射防止膜は、受光素子の受光面を覆うように形成され、入射する光の反射を防止するための所定の層からなる。保護膜は、反射防止膜上に形成されて反射防止膜を保護する。モールド材は保護膜を直接覆うように半導体基板上に形成されている。
【００２６】
この構成によれば、モールド材が反射防止膜を直接覆うように半導体基板上に形成された従来の半導体装置と比較すると、保護膜が反射防止膜上に位置することで、受光素子の受光面が位置する領域の保護膜を除去する必要がなく工程削減を図ることができるとともに、保護膜の膜厚の変化に対しても光の反射率を比較的に低い値に抑えることできることがわかった。
【００２７】
また、保護膜の屈折率とモールド材の屈折率との差は０．３以下であることが好ましい。
【００２８】
これにより、波長７８０ｎｍと６５０ｎｍのそれぞれの光に対して、保護膜に起因するばらつきによらず反射率を１０％以下に抑えることができることがわかった。
【００２９】
そのような保護膜としては、具体的にシリコン酸化膜あるいはポリイミド系樹脂を含むことが好ましい。
【００３０】
そして、受光素子が形成された領域とは異なる半導体基板の領域に形成され、所定の信号を処理するための信号処理回路部を備えていることが好ましい。
【００３１】
この場合には、信号処理回路部を覆うように形成された第１絶縁膜を備え、保護膜は第１絶縁膜と同じ層から形成された膜を含むことが好ましい。
【００３２】
また、半導体基板上に第２絶縁膜を介在させて形成された第１配線を備え、保護膜は第２絶縁膜と同じ層から形成された膜を含むことが好ましい。
【００３３】
さらに、第１配線を覆うように形成された第３絶縁膜を備え、保護膜は第３絶縁膜と同じ層から形成された膜を含むことが好ましい。
【００３４】
さらに、第３絶縁膜上に形成された第２配線と、第２配線を覆うように形成された第４絶縁膜とを備え、保護膜は第４絶縁膜と同じ層から形成された膜を含むことが好ましい。
【００３５】
これにより、信号処理回路部を形成する工程に合わせて保護膜を同時に形成することができる。
【００３６】
本発明の他の局面における光学装置は、請求項１〜９のいずれかに記載された半導体装置を備えた光学装置である。
【００３７】
この光学装置によれば、光の反射率を比較的に低い値に抑えることでき、しかも、生産コストを削減することができる。
【００３８】
【発明の実施の形態】
実施の形態１
本発明の実施の形態１に係る半導体装置について説明する。図１に示された半導体装置は、フォトダイオードとバイポーラ素子を搭載した回路内蔵受光素子である。図１に示すように、紙面に向かって左側の領域ＴにＮＰＮトランジスタが形成され、右側の領域ＰＤにフォトダイオードが形成されている。
【００３９】
ＮＰＮトランジスタとフォトダイオードを形成する工程は従来の方法と同様である。たとえば抵抗率６０Ω・ｃｍのＰ−型シリコン基板１の表面に、ＮＰＮトランジスタのコレクタ領域となるＮ＋型埋め込み領域２とＰ＋型素子分離領域４が選択的に形成される。
【００４０】
次に、Ｐ−型シリコン基板１の表面上に、たとえば抵抗率２Ω・ｃｍ、膜厚約２μｍのＮ型エピタキシャル層３が形成される。次に、Ｎ型エピタキシャル層３に、たとえばＬＯＣＯＳ法によりシリコン酸化膜からなる素子分離絶縁膜５が形成される。
【００４１】
なお、素子分離は、素子分離絶縁膜５、Ｐ＋型素子分離領域４およびＰ−型シリコン基板１によって行なわれる。なお、Ｐ＋型素子分離領域４は、フォトダイオードのアノード取出し部（電極）としても利用される。
【００４２】
一方、フォトダイオードが形成される領域ＰＤでは、たとえば熱酸化法により膜厚約３２ｎｍのシリコン酸化膜１６ａが形成され、Ｎ型エピタキシャル層３にＮ＋型領域１１が形成される。次に、ＣＶＤ法により膜厚約５５ｎｍのシリコン窒化膜１６ｂが形成される。
【００４３】
その後、所定のフォトリソグラフィーおよびエッチングを施して、フォトダイオードの受光面が位置する領域Ｓ以外の領域に位置するシリコン窒化膜を除去することにより、反射防止膜１６が形成される。
【００４４】
次に、ＮＰＮトランジスタ領域では、素子分離絶縁膜５によって囲まれた一つの領域に、Ｎ＋型コレクタ領域６が形成される。次に、素子分離絶縁膜５によって囲まれた他の領域のＮ型エピタキシャル層３に、Ｐ型ベース領域１０が形成される。
【００４５】
次に、たとえばシリコン酸化膜からなる絶縁膜７が形成される。次に、Ｐ型ベース領域１０の上に位置する絶縁膜７にエミッタのコンタクト領域となるＮ＋型ポリシリコン層１４が形成される。なお、Ｎ＋型ポリシリコン層１４は、フォトダイオードが形成される領域ＰＤにも、カソード取出し部（電極）として形成される。
【００４６】
その後、所定のアニール処理を施すことにより、Ｎ＋型ポリシリコン層１４中のｎ型不純物を拡散させてＮ型エミッタ領域８が形成される。このようにして、Ｎ型エミッタ領域８、Ｐ型ベース領域１０およびＮ＋型コレクタ領域６を有するＮＰＮトランジスタが形成される。
【００４７】
次に、ＮＰＮトランジスタおよびフォトダイオードの全体を覆うように、たとえばシリコン酸化膜からなる第１の層間絶縁膜１２が形成される。絶縁膜５および第１の層間絶縁膜１２の所定の領域にコンタクトホールを形成し、たとえばチタンタングステンおよびアルミニウムなどを堆積することによって第１の配線１５が形成される。
【００４８】
次に、第１の配線１５を覆うように、たとえばシリコン酸化膜とシリコン窒化膜の積層膜からなる第２の層間絶縁膜１３が形成される。その第２の層間絶縁膜１３上にたとえばアルミニウムなどからなる第２の配線１７が形成される。その第２の配線１７上には、たとえばシリコン窒化膜からなるカバー絶縁膜１８が形成される。
【００４９】
上述した第１の配線１５および第２の配線１７をパターニングする際には、フォトダイオードの受光面が位置する領域Ｓの部分が除去される。また、第２の層間絶縁膜１３およびカバー絶縁膜１８をそれぞれ形成した後にも、フォトダイオードの受光面が位置する領域Ｓの部分が除去される。
【００５０】
カバー絶縁膜１８が形成された段階で、フォトダイオードの受光面が位置する領域Ｓでは反射防止膜１６上には、絶縁膜７と第１の層間絶縁膜１２からなる保護用絶縁膜２０のみが残された状態にあり、その後、保護用絶縁膜２０は、従来の半導体装置のようにエッチングによって除去されることはなく、反射防止膜１６は保護用絶縁膜２０によって覆われている。
【００５１】
次に、ＮＰＮトランジスタおよびフォトダイオードの製造工程が完了したシリコン基板（ウェハ）にダイシングが行なわれて、半導体チップが形成される。個々の半導体チップは銀ペースト等によりリードフレームに装着され、透明のモールド樹脂等のモールド絶縁膜１９によってモールドされる。このようにして、フォトダイオードを有する半導体装置が完成する。
【００５２】
このようにして形成された本発明に係る半導体装置では、反射防止膜１６上に絶縁膜７および第１の層間絶縁膜１２からなる保護用絶縁膜２０が残されている点において従来の半導体装置と異なる。
【００５３】
ここで、反射防止膜１６（シリコン酸化膜１６ａとシリコン窒化膜１６ｂ）、保護用絶縁膜２０（絶縁膜７と第１の層間絶縁膜１２）およびモールド絶縁膜１９からなる積層膜における反射率の保護用絶縁膜２０の膜厚依存性を評価した。
【００５４】
その結果を図２に示す。図２では、波長７８０ｎｍと６５０ｎｍのそれぞれの光に対する反射率が示されている。シリコン酸化膜１６ａの屈折率を１．４５、シリコン窒化膜１６ｂの屈折率を２．００、モールド絶縁膜１９の屈折率を１．５４とした。
【００５５】
なお、すでに説明したように、波長７８０ｎｍの光はＣＤまたはＭＤ等の情報の読取りや書き込みに適用され、波長６５０ｎｍの光はＤＶＤの情報の読取りや書き込みに適用される。
【００５６】
図２に示すように、保護用絶縁膜２０の膜厚がばらついても反射率はいずれも６％以下を達成できることがわかった。また、反射率のばらつきも約３％程度であり、良好な反射率特性が得られることがわかった。
【００５７】
上述した半導体装置によれば、フォトダイオードの受光面が位置する領域Ｓの保護用絶縁膜２０を除去する処理を施すことなく所望の低い反射率が得られて、工程削減を図ることができる。
【００５８】
また、保護用絶縁膜２０が除去されないことで、フォトダイオードの受光面が位置する領域Ｓとそれ以外の領域との段差を軽減することができ、モールド絶縁膜により半導体チップをモールドする際に、フォトダイオードが形成された領域の部分に空気が残るのを防ぐことができる。
【００５９】
さらに、保護用絶縁膜２０を構成する絶縁膜７および第１の層間絶縁膜１２は、半導体基板１にトランジスタを形成する工程に合わせて同時に形成することができる。
【００６０】
実施の形態２
本発明の実施の形態２に係る半導体装置について説明する。図３に示す半導体装置では、第２の層間絶縁膜１３として単層のシリコン酸化膜が用いられる。カバー絶縁膜１８としてポリイミド系樹脂が用いられている。そして、フォトダイオードの受光面が位置する領域Ｓの第１の層間絶縁膜１２上に、第２の層間絶縁膜１３およびカバー絶縁膜１８が除去されずに残されている。
【００６１】
なお、これ以外の構成については、実施の形態１において説明した図１に示す半導体装置と同様なので、同一部材には同一符号を付しその説明を省略する。
【００６２】
上述した半導体装置によれば、まず、前述した半導体装置と同様に、フォトダイオードの受光面が位置する領域Ｓの保護用絶縁膜２０を除去する処理を施すことなく所望の低い反射率が得られて、工程削減を図ることができる。
【００６３】
また、絶縁膜７、第１の層間絶縁膜１２、第２の層間絶縁膜１３およびカバー絶縁膜１８を保護用絶縁膜２０とすることで、フォトダイオードの受光面が位置する領域Ｓの段差をさらに軽減することができる。そして、カバー絶縁膜１８としてポリイミド系樹脂を用いることで耐湿性をより向上することができる。
【００６４】
また、保護用絶縁膜２０の膜厚が前述した半導体装置の場合よりも厚くなっても、図２に示されるように、保護絶縁膜２０の膜厚の比較的広い範囲わたって低い反射率が達成されて、光の反射率を比較的低く維持することができる。
【００６５】
ここで、モールド絶縁膜１９により半導体装置をモールドした際における反射率のモールド絶縁膜１９の屈折率依存性を図４に示す。反射率の範囲は、保護用絶縁膜２０をなすシリコン酸化膜の膜厚が変化した場合における反射率のばらつきの範囲を示し、範囲Ｌ１は波長６５０ｎｍの光に対する反射率の範囲を示し、範囲Ｌ２は波長７８０ｎｍの光に対する反射率の範囲を示す。
【００６６】
図４に示すように、波長７８０ｎｍと６５０ｎｍのそれぞれの光に対して、保護用絶縁膜２０に起因するばらつきによらず反射率を１０％以下に抑えるためには、保護用絶縁膜２０をなすシリコン酸化膜の屈折率（１．４５）とモールド絶縁膜１９の屈折率との差Ｄ１が０．３以下であることが好ましい。
【００６７】
このように、保護用絶縁膜２０の屈折率とモールド絶縁膜１９の屈折率との差Ｄ１が０．３以下であれば、保護用絶縁膜２０に起因するばらつきによる反射率の変化を比較的低く抑えることができ、このような保護用絶縁膜２０より下方に位置する反射防止膜１６が保護用絶縁膜２０によって保護されることになる。
【００６８】
さらに、フォトダイオードに十分な感度をもたせるために反射率を６％以下に抑えるには、保護用絶縁膜２０をなすシリコン酸化膜の屈折率とモールド絶縁膜１９の屈折率との差Ｄ２が０．１以下であることが好ましい。これにより、フォトダイオードの光感度を向上することができる。
【００６９】
上述した各実施の形態では、半導体基板に形成されるトランジスタとしてＮＰＮトランジスタを例に挙げたが、ＰＮＰトランジスタやＭＯＳトランジスタ等が形成されていてもよい。また、トランジスタのほかに抵抗や容量等の素子も形成されていてもよい。
【００７０】
また、受光素子としてフォトダイオードを例に挙げて説明したが、所定の波長の光を受光して信号に変換する素子であればフォトダイオードに限られない。
【００７１】
また、反射防止膜としては信号光の波長に合わせて膜の構成およびその膜厚を変更することが可能であり、たとえば、シリコン窒化膜１層のみからなる反射防止膜や、２層以上の積層膜からなる反射防止膜を適用することができる。
【００７２】
上述した半導体装置は、単体の受光装置として適用することができる他、半導体レーザ、ホログラムおよび集光レンズ等と一体となったホログラムレーザ等の光学装置にも適用することがきる。
【００７３】
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって、制限的なものではないと考えられるべきである。本発明は上記の説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【００７４】
【発明の効果】
本発明の一つの局面における半導体装置によれば、モールド材が反射防止膜を直接覆うように半導体基板上に形成された従来の半導体装置と比較すると、保護膜が反射防止膜上に位置することで、受光素子が形成された領域の保護膜を除去する必要がなく工程削減を図ることができるとともに、保護膜の膜厚の変化に対しても光の反射率を比較的に低い値に抑えることできることがわかった。
【００７５】
また、保護膜の屈折率とモールド材の屈折率との差は０．３以下であることが好ましく、これにより、波長７８０ｎｍと６５０ｎｍのそれぞれの光に対して、保護膜に起因するばらつきによらず反射率を１０％以下に抑えることができることがわかった。
【００７６】
また、受光素子が形成された領域とは異なる半導体基板の領域に形成され、所定の信号を処理するための信号処理回路部を備えていることが好ましく、信号処理回路部を形成する工程に合わせて保護膜を同時に形成することができる。
【００７７】
また、本発明の他の局面における光学装置によれば、光の反射率を比較的に低い値に抑えることでき、しかも、生産コストを削減することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態１に係る半導体装置の断面図である。
【図２】同実施の形態において、光の反射率の保護用絶縁膜の膜厚依存性を示す図である。
【図３】本発明の実施の形態２に係る半導体装置の断面図である。
【図４】同実施の形態において、光の反射率のモールド絶縁膜の屈折率依存性を示す図である。
【図５】従来の半導体装置の断面図である。
【符号の説明】
１　半導体基板、２　Ｎ＋埋め込み領域、３　Ｎ型エピタキシャル層、４　Ｐ＋型埋め込み拡散領域、５　素子分離絶縁膜、６　Ｎ＋型領域、７　絶縁膜、８　Ｎ型エミッタ領域、１０　Ｐ型ベース領域、１１　Ｎ型領域、１２　第１の層間絶縁膜、１３　第２の層間絶縁膜、１４　Ｎ型ポリシリコン膜、１５　第１の配線、１６　反射防止膜、１６ａ　シリコン酸化膜、１６ｂ　シリコン窒化膜、１７　第２の配線、１８　カバー絶縁膜、１９　モールド絶縁膜、２０　保護用絶縁膜。
【図１】
2004047544.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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