(57)【要約】　　　（修正有）【課題】太陽電池の変換効率を低下させることなく、太陽電池セルの識別を目視によって行うことができ、デザイン性の高い太陽電池セルおよび太陽電池セルの製造方法を提供すること。【解決手段】太陽電池セルの単結晶シリコン（１００）基板１０１の受光面の凹凸構造を特定の文字、記号または図形のパターンに形成し、特定の文字、記号または図形のパターンがセル識別用であることを特徴とする。太陽電池セルの単結晶シリコン（１００）基板の受光面側にマスクを形成し、マスクを介してセル識別用の特定の文字、記号または図形のパターンとなる触刻部をＴＭＡＨエッチングなどによって形成することによって太陽電池セルを製造する。【選択図】　　　　図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板の受光面側に凹凸構造が形成され、裏面側にＰ型半導体層とＮ型半導体層とが配設された、裏面コンタクト型の太陽電池セルにおいて、
前記凹凸構造を特定の文字、記号または図形のパターンに形成したことを特徴とする太陽電池セル。
【請求項２】
前記特定の文字、記号または図形のパターンがセル識別用であることを特徴とする請求項１記載の太陽電池セル。
【請求項３】
前記半導体基板は結晶シリコン基板であることを特徴とする請求項１または２記載の太陽電池セル。
【請求項４】
受光面にセル識別用の文字、記号または図形のパターンをもって凹凸構造を形成する太陽電池セルの製造方法であって、
前記受光面側にマスクを形成する工程と、
前記マスクを介して前記セル識別用の特定の文字、記号または図形のパターンとなる触刻部を形成する工程とを有することを特徴とする太陽電池セルの製造方法。
【請求項５】
受光面に（１００）面を使用することを特徴とする請求項４記載の太陽電池セルの製造方法。
【請求項６】
前記マスクは無機質膜であることを特徴とする請求項４または５記載の太陽電池セルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、太陽電池セルおよびその製造方法に関し、特に、受光面に凹凸構造を有する太陽電池セルおよびその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
太陽電池は受光面の面積が大きければ大きい程、変換効率が高いので、受光面の面積をなるべく多く確保する必要がある。このため、電極を受光面と反対側の裏面に形成した太陽電池が開発されている。また、太陽電池の特性の向上のためには、各種電気特性および半導体特性の向上と、表面での光反射を減少させて基板内部へ到達する光量を増加させることが重要である。
【０００３】
太陽電池の受光面での光反射を減少させて基板内部へ到達する光量を増加させるものとして、受光面に反射防止膜を設けるものや、さらに光が入射する受光面に凹凸を設けるものがある。受光面に設けた凹凸は、屈折効果で光の浸透深さを長くすることができ、吸収割合が増えることによっても効率が改善されているものであった。
【０００４】
ここで、複数の太陽電池セルを一体のモジュール化したものを組み込んで太陽光発電装置を製造するに際して、ロット管理などのために各太陽電池セルを識別している。この場合、セルの裏面に識別マークを付すと、モジュール化した際に識別マークが隠れて識別することができなくなる。このため、識別マークは太陽電池セルの受光面側で行う必要がある。従って、モジュール化する際に、識別を行うための識別マークを太陽電池セルの受光面に施す必要がある。そこで、従来では、太陽電池セル表面にメーカ名や製造番号などの識別番号を印刷したり、識別用のシートを貼付していた。この場合、印刷や識別用シートにより受光面が遮られ、太陽電池セルの光起電力が低下してしまうという問題がある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
上記問題を解決するため、特開平６−７７５０９号公報で開示する太陽電池に於けるセル識別方式がある。この太陽電池に於けるセル識別方式では、受光面を遮ることなくセルの識別を行わせることができるように、セル端面が凹凸パターンになるように加工したり、セル表面に平行に配設される複数の電極の長さを変えることによって各電極の端部に凹凸パターンを形成する。このセルの端部をＣＣＤカメラで撮像した画像を処理することによって、形成した凹凸パターンを解読する。また、セル表面に光透過性膜による識別用のバーコードを印刷して、それをバーコードリーダによって読み取っている。
【０００６】
また、特開平７−２２６３５号公報で開示する多結晶太陽電池識別方法では、多結晶太陽電池の単位セル毎の表面パターンを撮像手段によって予め画像データとして読み取っておき、この読み取った単位セル毎の画像データをセルの識別データとして使用する。
【０００７】
上述したように、従来の太陽電池セルの識別では、太陽電池セルの受光面にシート等による識別手段を施した場合、受光面へ入るはずの光が遮られてしまうため、太陽電池セルの光起電力が低下してしまうという問題があった。しかし、この問題を解決する特開平６−７７５０９号公報の太陽電池に於けるセル識別方式のように、セル端面やセル表面に凹凸パターンを形成して、カメラやバーコードリーダで解読するセル識別方式では、目視によって識別することができないという問題がある。同様に、特開平７−２２６３５号公報の多結晶太陽電池識別方法でも目視によって識別することができないという問題がある。
【０００８】
また、小型の太陽電池はその表面が人目にふれる機会が多いが、反射を減らすための反射防止膜で受光面全体を覆うために一面青黒い状態であり、デザイン性に欠けていた。それに対して反射防止膜の厚さを部分的に変えて絵柄を作り出す方法もあるが、コントラストが低く、パターンが自由に描けない、細かいパターンを描くことができないという問題がある。
【０００９】
本発明の目的は、上記の問題に鑑み、太陽電池の変換効率を低下させることなく、太陽電池セルの識別を目視によって行うことができ、デザイン性の高い太陽電池セルおよびその製造方法を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段および作用】
本発明に係る太陽電池セルおよびその製造方法は、上記目的を達成するために、次のように構成される。
【００１１】
本発明に係る第１の太陽電池セル（請求項１に対応）は、受光面側にピラミッド形状または逆ピラミッド形状等の凹凸構造が形成され、裏面側にＰ型半導体層とＮ型半導体層とが配設された、裏面コンタクト型の太陽電池セルにおいて、凹凸構造を特定の文字、記号または図形のパターンに形成したことを特徴とする。
【００１２】
第１の太陽電池セルによれば、受光面の凹凸構造を特定の文字、記号または図形のパターンに形成したので、太陽電池セルの受光面のデザイン性を高めることが可能となる。
【００１３】
本発明に係る第２の太陽電池セル（請求項２に対応）は、上記の第１の太陽電池セルにおいて、好ましくは、特定の文字、記号または図形のパターンがセル識別用であることを特徴とする。
【００１４】
第２の太陽電池セルによれば、受光面に形成した凹凸構造による特定の文字、記号または図形のパターンをセル識別用としたので、太陽電池セルを目視によって識別することが可能となる。
【００１５】
本発明に係る第３の太陽電池セル（請求項３に対応）は、上記の各太陽電池セルにおいて、好ましくは、半導体基板が結晶シリコン基板であることを特徴とする。
【００１６】
本発明に係る第１の太陽電池セルの製造方法（請求項４に対応）は、受光面にセル識別用の文字、記号または図形のパターンをもって凹凸構造を形成する太陽電池セルの製造方法であって、太陽電池セルの受光面側にマスクを形成する工程と、マスクを介してセル識別用の特定の文字、記号または図形のパターンとなる触刻部を形成する工程とを備えたことを特徴とする。
【００１７】
第１の太陽電池セルの製造方法によれば、受光面側にマスクを形成する工程と、マスクを介してセル識別用の特定の文字、記号または図形のパターンとなる触刻部を形成する工程によって太陽電池セルを製造するので、太陽電池セルの受光面を遮ることなく、受光面に任意の表示をなして、セル識別を目視で行うことが可能な太陽電池セルを製造することが可能である。
【００１８】
本発明に係る第２の太陽電池セルの製造方法（請求項５に対応）は、上記の第１の太陽電池セルの製造方法において、好ましくは、太陽電池セルの受光面に（１００）面を使用することを特徴とする。
【００１９】
第２の太陽電池セルの製造方法によれば、太陽電池セルの受光面に（１００）面を使用するので、セル識別用の特定の文字、記号または図形のパターンを形成する凹凸構造が｛１１１｝面となり、フラットな表面よりも多くの光を基板内に導くことが可能となる。
【００２０】
本発明に係る第３の太陽電池セルの製造方法（請求項６に対応）は、上記の各太陽電池セルの製造方法において、好ましくは、マスクが無機質であることを特徴とする。
【００２１】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明の好適な実施形態を添付図面に従って説明する。
【００２２】
図１は、本実施形態に係る太陽電池セルの受光面での凹凸構造のパターンの第１の例である。図１では、マークＰ１およびＰ２〜Ｐ６によって表せられるメーカ名が受光面での凹凸構造で形成されている。マークＰ１およびメーカ名の文字「Ｈ」Ｐ２、文字「Ｏ」Ｐ３、文字「Ｎ」Ｐ４、文字「Ｄ」Ｐ５、文字「Ａ」Ｐ６は、太陽電池セルの受光面側に形成され、目視できるようになっている。
【００２３】
図２は、本実施形態に係る太陽電池セルの受光面での凹凸構造のパターンの第２の例である。図２では、ロット番号の文字Ｐ７〜Ｐ９および図形Ｐ１０〜Ｐ１１が受光面での凹凸構造によって形成されている。ロット番号の文字Ｐ７〜Ｐ９および図形Ｐ１０〜Ｐ１１が太陽電池セルの受光面側に形成されているので、モジュール化し、製品に組み込んだ後であっても、目視によって太陽電池セルの識別を行うことができる。
【００２４】
次に、本実施形態に係る太陽電池セルの構造を説明する。図３は、本実施形態に係る太陽電池セルの文字「Ａ」Ｐ６の部分の拡大表面図および拡大断面図である。図３（ａ）は、エッチング後の拡大表面図を示している。図３（ａ）の空白となって残っている部分が、エッチングされていない部分である。図３（ｂ）は、図３（ａ）のＡ’−Ａ断面の拡大断面図である。符号１０２は酸化膜である。エッチングされた部分は逆ピラミッド形状になっている。符号Ｓの部分は、エッチングされ逆ピラミッド形状になっている部分に光が入射するため、反射が少なく暗くなる。一方、符号Ｌの部分は光の入射に対する反射が、逆ピラミッド形状になっている部分Ｓに比べて多いため明るく見える。このため、図３（ａ）で示されたように、文字「Ａ」が浮かびあがって見える。なお、図３では理解を容易にするため、ドットの大きさを大きくした図を示しているが、実際には、レーザで点状に穴を開け、エッチングするため、レーザのスポット径である数百μｍ以下の微細なドットに基づく大きさである。このため、太陽電池セルの受光面に見ることができる文字等は滑らかな文字等として見ることができ、デザイン性が高いものとなる。
【００２５】
次に本実施形態に係る第１の太陽電池セルの製造方法について説明する。図４は、第１の太陽電池セルの製造工程のフローチャートである。本実施形態に係る第１の太陽電池セルの製造工程は、酸化膜形成工程（ステップＳ１０１）と第１レーザパターニング工程（ステップＳ１０２）と第１ＴＭＡＨ（Ｔｅｔｒａｍｅｔｈｙｌ　ａｍｍｏｎｉｕｍ　ｈｙｄｒｏｘｉｄｅ）エッチング工程（ステップＳ１０３）とボロン拡散工程（ステップ１０４）と第２レーザパターニング工程（ステップＳ１０５）と第２ＴＭＡＨエッチング工程（ステップＳ１０６）と酸化膜選択除去工程（ステップＳ１０７）とリン拡散工程（ステップＳ１０８）と反射防止膜形成工程（ステップＳ１０９）と電極形成工程（ステップＳ１１０）から成る。酸化膜形成工程および第２レーザパターニング工程が太陽電池セルの受光面側にマスクを形成する工程に対応し、第２ＴＭＡＨエッチング工程がマスクを介してセル識別用の特定の文字、記号または図形のパターンとなる触刻部を形成する工程に対応する。
【００２６】
第１の太陽電池セルの製造工程を図５〜図７に示した各工程での断面図および図８の太陽電池セルの文字「Ａ」の部分の拡大表面図および拡大断面図を参照にして説明する。図５〜図７は、太陽電池セルの製造工程の各工程での断面図である。
【００２７】
図５（ａ）は太陽電池セルの基板の断面図である。基板は、単結晶シリコン（１００）基板である。従って、受光面側は（１００）面となっている。
【００２８】
図５（ａ）で示された太陽電池セルの単結晶シリコン（１００）基板１０１に対して、受光面側に酸化膜１０２、裏面に酸化膜１１０を形成する（ステップＳ１０１）。単結晶シリコン（１００）基板１０１の表面および裏面に熱酸化により酸化膜１０２および酸化膜１１０を形成する。
【００２９】
単結晶シリコン（１００）基板１０１の裏面に形成した酸化膜１１０に対して第１レーザパターニングを行う（ステップＳ１０２）。単結晶シリコン（１００）基板１０１の裏面に形成された酸化膜１１０をレーザにより、所定の幅、例えば、１００μｍの幅で、３００μｍの間隔でストライプ状に除去する。このレーザパターニングによって図５（ｃ）に示すように酸化膜１１０が除去される。
【００３０】
レーザパターニングによって酸化膜１１０が除去された太陽電池セルの単結晶シリコン（１００）基板１０１に対して第１ＴＭＡＨエッチングを行う（ステップＳ１０３）。シリコンの面方位によるエッチング速度の違いを利用して、単結晶シリコン（１００）基板１０１の表出している部分を、ＴＭＡＨ溶液を用いてエッチングする。このエッチングによって、受光面側に｛１１１｝面が残り、図５（ｄ）に示すようにＶ溝１１０Ａが形成される。ここで、異方性エッチング液としてＴＭＡＨ溶液を用いたがＫＯＨ（水酸化カリウム）液など、他の異方性エッチング液を用いてもよい。
【００３１】
次に、基板を拡散炉の中に入れ、ボロンを拡散する（ステップＳ１０４）。これにより、図６（ｅ）で示すようにＶ溝１１０Ａを形成するシリコン部分にＰ＋型シリコン層１１１が形成される。また、このとき、拡散炉の中で、ボロンの材料となるガスを止め、その後、酸素だけを導入することにより、ボロンを拡散したＶ溝１１０Ａの表面が酸化膜で覆われる。
【００３２】
単結晶シリコン（１００）基板１０１に形成した酸化膜１０２および酸化膜１１０に対して第２レーザパターニングを行う（ステップＳ１０５）。このレーザはコンピュータ制御され、酸化膜１０２に対して点状に、波長１．０６μｍのレーザを照射する。裏面の酸化膜１１０に対しては第１レーザパターニング工程と同様にストライプ状に除去する。レーザパターニングによって図６（ｆ）に示すように酸化膜１０２および酸化膜１１０が除去される。太陽電池セルの表面から見ると、図８（ａ）に示すように文字または絵柄に見える点の領域が形成される。図８（ｂ）は、図８（ａ）のＢ’−Ｂ断面の拡大断面図である。符号１０２は酸化膜である。
【００３３】
レーザパターニングによって酸化膜１０２が除去された太陽電池セルの単結晶シリコン（１００）基板１０１に対して第２ＴＭＡＨエッチングを行う（ステップＳ１０６）。シリコンの面方位によるエッチング速度の違いを利用して、単結晶シリコン（１００）基板１０１の表出している部分を、ＴＭＡＨ溶液を用いてエッチングする。このエッチングによって、受光面側に｛１１１｝面が残り、ピラミッド構造１０３が形成される。一方、第２レーザパターニングで裏面の酸化膜１１０が除去された部分にもＶ溝１１０Ｂが形成される。なお、Ｖ溝１１０Ａはボロン拡散の際に形成された酸化膜があるため、エッチングされない。ここで、異方性エッチング液としてＴＭＡＨ溶液を用いたがＫＯＨ（水酸化カリウム）液など、他の異方性エッチング液を用いてもよい。このピラミッド構造（テクスチャ構造）１０３によって、太陽電池セルに入射した光が透過・反射を繰り返し、その結果、フラットな表面よりも多くの光をシリコン基板内に導くことができる。
【００３４】
図６（ｇ）は、ＴＭＡＨ溶液などの異方性エッチング液によってエッチングされた後の太陽電池セルの断面図である。この太陽電池セルの表面から見ると、前述した図３（ａ）に示したように文字または絵柄に見える点の領域が形成される。
【００３５】
次に、選択的に酸化膜を除去する（ステップＳ１０７）。選択的に酸化膜を除去するため、酸化膜を残す部分１０２Ｐにはレジストを塗布し、フッ酸などでレジストが塗布されていない部分の酸化膜１０２を除去する。
【００３６】
次に、基板を拡散炉の中に入れ、リンを拡散する。これにより、図７（ｈ）で示すようにＶ溝１１０Ｂを形成するシリコン部分にＮ＋型シリコン層１１２が形成される。また、このとき、拡散炉の中で、リンの材料となるガスを止め、その後、酸素だけを導入することにより、リンを拡散したＶ溝１１０Ｂの表面が酸化膜で覆われる。図７（ｈ）は、酸化膜を選択的に除去し、リンを拡散した後の太陽電池セルの断面図である。
【００３７】
次に反射防止膜（ＡＲ（Ａｎｔｉ−Ｒｅｆｌｅｃｔｉｏｎ　ｃｏａｔ）コート）を形成する（ステップＳ１０９）。反射防止膜の形成では、酸化チタン（ＴｉＯ２）または窒化シリコン（ＳｉＮ）または酸化シリコン（ＳｉＯ２）による反射防止膜をスパッタリングや化学気相成長法で成膜する。反射防止膜は、反射率を低く抑えるものである。さらに、表面反射率を抑えるために、２層構造としてもよい。なお、図７（ｉ）では単層構造の反射防止膜としているが、積層の反射防止膜でもよい。
【００３８】
次に、図７（ｊ）で示すように、Ｐ＋型シリコン層と、Ｎ＋型シリコン層を有し、表面が酸化膜で覆われたＶ溝１１０Ａ，１１０Ｂに銀ペースト１１３を埋め込み、電極を形成する（ステップＳ１１０）。Ｖ溝１１０Ａ，１１０Ｂに銀ペースト１１３を埋め込み、焼成する。その後、電極部側の面を保護フィルムで多い、導電性インクを塗布することにより配線を形成し、ダイシングすることにより太陽電池セルが作製される。なお、パターン形成部が最終的に酸化膜で覆われ、表面再結合が抑えられる。
【００３９】
このようにして製造した太陽電池セルは、前述した図３で説明したようにエッチングされ逆ピラミッド形状になっている部分とエッチングされていない部分の反射率の違いによって、目視によって識別することができるものとなる。また、レーザによるエッチングによって細かいパターンを描くことができるため、コントラストを高くすることができる。なお、第１の太陽電池セルの製造方法では、酸化膜をマスクとして使用したが、酸化膜の代りにレジストを使用してもよい。
【００４０】
次に本実施形態に係る第２の太陽電池セルの製造方法について、図１１、図１２に示された各工程での断面図を参照にして説明する。図９、図１０は、第２の太陽電池セルの製造工程のフローチャートである。図９のＡと図１０のＡは接続する。本実施形態に係る第２の太陽電池セルの製造工程は、酸化膜形成工程（ステップＳ１０１）と第１レーザパターニング工程（ステップＳ１０２）と第１ＴＭＡＨエッチング工程（ステップＳ１０３）とボロン拡散工程（ステップＳ１０４）とレジスト塗布工程（ステップＳ２０１）と露光工程（ステップＳ２０２）と現像工程（ステップＳ２０３）と酸化膜除去工程（ステップＳ２０４）とレジスト除去工程（ステップＳ２０５）と第２レーザパターニング工程（ステップＳ１０５）と第２ＴＭＡＨエッチング工程（ステップＳ１０６）と酸化膜選択除去工程（ステップＳ１０７）とリン拡散工程（ステップＳ１０８）と反射防止膜形成工程（ステップＳ１０９）と電極形成工程（ステップＳ１１０）から成る。なお、ステップＳ１０１〜ステップＳ１０４およびステップＳ１０５〜ステップＳ１１０は、図４において説明した工程と同様であるため、省略する。
【００４１】
受光面側に形成された酸化膜１０２の上にレジスト１０５を塗布する（ステップＳ２０１）。図１１（ａ）は、単結晶シリコン（１００）基板１０１に酸化膜１０２を形成し、レジスト１０５を塗布した状態の断面図である。
【００４２】
酸化膜１０２を形成し、レジスト１０５を塗布した太陽電池セルの単結晶シリコン（１００）基板１０１に対して、レジスト１０５を除去すべき部分は光を通さず、その他の部分は光を通すようにパターンの作られたマスク１０６を置き、投影露光を行う（ステップＳ２０２）。マスク１０６は、ガラス部１０６Ｌとガラスに蒸着した、光を通さない金属部１０６Ｓから成る。露光工程では、光源に紫外線を用いるが、その波長は各レジストに応じて異なる波長を使用する。図１１（ｂ）は、露光工程において、特定の文字、記号または図形のパターンが形成されたマスク１０６を置いた状態での断面図を示している。
【００４３】
露光後、現像を行う（ステップＳ２０３）。現像工程によって、選択的にレジストが除去され、図１１（ｃ）に示すような状態になる。
【００４４】
現像後、選択的に除去された部分に表出した酸化膜１０２を除去する（ステップＳ２０４）。酸化膜除去工程では、太陽電池セルの単結晶シリコン（１００）基板１０１をフッ化水素酸中に入れるなどして、レジストが塗布されていない、表出している酸化膜１０２を除去する。図１２（ｄ）は、表出していた酸化膜１０５が除去された状態の太陽電池セルの単結晶シリコン（１００）基板１０１の断面図である。
【００４５】
レジストを除去する（ステップＳ２０５）。図１２（ｅ）は、レジスト除去後の太陽電池セルの単結晶シリコン（１００）基板１０１の断面図を示している。レジスト除去後の太陽電池セルの単結晶シリコン（１００）基板１０１は、前述した図６（ｆ）と同じ状態となる。レジスト除去後は、図１０のステップＳ１０５〜ステップＳ１１０の各工程が行われる。この各工程は、前述した図４のステップＳ１０５〜ステップＳ１１０と同じであり、これら各工程を経て太陽電池セルが完成する。
【００４６】
次に本実施形態に係る第３の太陽電池セルの製造方法について、図１４に示された図を参照にして説明する。図１３は、第３の太陽電池セルの製造工程のフローチャートである。本実施形態に係る第３の太陽電池セルの製造工程は、酸化膜形成工程（ステップＳ３０１）と第１レーザパターニング工程（ステップＳ１０２）と第１ＴＭＡＨエッチング工程（ステップＳ１０３）とボロン拡散工程（ステップＳ１０４）とレジスト塗布工程（ステップＳ３０２）と露光工程（ステップＳ３０３）と現像工程（ステップＳ３０４）と第２レーザパターニング工程（ステップＳ１０５）と第２ＴＭＡＨエッチング工程（ステップＳ１０６）とレジスト選択除去工程（ステップＳ３０５）とリン拡散工程（ステップＳ１０８）と反射防止膜形成工程（ステップＳ１０９）と電極形成工程（ステップＳ１１０）から成る。なお、ステップＳ１０２〜ステップＳ１０４およびステップＳ１０５ステップ、Ｓ１０６、ステップＳ１０８〜ステップＳ１１０は、図４において説明した工程と実質的に同様であるため、適宜省略する。
【００４７】
太陽電池セルの単結晶シリコン（１００）基板１０１の裏面のみに対して酸化膜１１０を形成する（ステップＳ３０１）。裏面に形成した酸化膜１１０に対して、ステップＳ１０２、ステップＳ１０３、ステップＳ１０４の各工程により、ボロンによるＰ＋型シリコン層を形成する。次に、太陽電池セルの単結晶シリコン（１００）基板１０１の受光面側に対して、レジスト１０５を塗布する（ステップＳ３０２）。図１４（ａ）は、単結晶シリコン（１００）基板１０１にレジスト１０５を塗布した状態の断面図を示している。レジスト１０５を塗布した太陽電池セルの単結晶シリコン（１００）基板１０１に対して、レジスト１０５を除去すべき部分は光を通さず、その他の部分は光を通す用にパターンの作られたマスク１０６を置き、投影露光を行う（ステップＳ３０３）。マスク１０６は、ガラス部１０６Ｌとガラスに蒸着した、光を通さない金属部１０６Ｓから成る。図１４（ｂ）は、露光工程において、特定の文字、記号または図形のパターンが形成されたマスク１０６を置いた状態での断面図を示している。
【００４８】
露光後、現像を行う（ステップＳ３０４）。現像工程によって、選択的にレジストが除去され、図１４（ｃ）に示すような状態になる。現像後は、前述した図４のステップＳ１０５〜ステップＳ１１０の各工程が行われ、太陽電池セルが完成する。上記いずれの製造方法によっても、裏面コンタクトセルの工程上で受光面が加工されていく。
【００４９】
【発明の効果】
以上の説明で明らかなように本発明によれば、次の効果を奏する。
【００５０】
本発明に係る太陽電池セルによれば、太陽電池セルの受光面の凹凸構造に滑らかな半導体基板表面部分を残すことによって、文字、記号または図形のパターンを形成するので、セル受光面に入射する光を遮ることなく、受光面に任意の表示を行わせることができる。これにより、目視による太陽電池セルの識別が可能となり、ロット管理などが容易となる。
【００５１】
また、太陽電池セルの識別以外にも、表面に文字や絵柄を入れたデザイン性の高い太陽電池を製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本実施形態に係る太陽電池セルの受光面での凹凸構造のパターンの第１の例である。
【図２】本実施形態に係る太陽電池セルの受光面での凹凸構造のパターンの第２の例である。
【図３】本実施形態に係る太陽電池セルの文字「Ａ」の部分の拡大表面図および拡大断面図である。
【図４】第１の太陽電池セルの製造工程のフローチャートである。
【図５】太陽電池セルの製造工程の各工程での断面図である。
【図６】太陽電池セルの製造工程の各工程での断面図である。
【図７】太陽電池セルの製造工程の各工程での断面図である。
【図８】本実施形態に係る太陽電池セルの文字「Ａ」の部分の拡大表面図および拡大断面図である。
【図９】第２の太陽電池セルの製造工程のフローチャートである。
【図１０】第２の太陽電池セルの製造工程のフローチャートである。
【図１１】太陽電池セルの製造工程の各工程での断面図である。
【図１２】太陽電池セルの製造工程の各工程での断面図である。
【図１３】第３の太陽電池セルの製造工程のフローチャートである。
【図１４】太陽電池セルの製造工程の各工程での断面図である。
【符号の説明】
１０１　　　　単結晶シリコン（１００）基板
１０２　　　　酸化膜
１０３　　　　ピラミッド構造
１０４　　　　反射防止膜
１１０　　　　酸化膜
Ｐ１　　　　　マーク
Ｐ７〜Ｐ９　　文字
Ｐ１０〜Ｐ１１　図形
【図１】
2004047776.tif 000003
【図２】
2004047776.tif 000004
【図３】
2004047776.tif 000005
【図４】
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【図５】
2004047776.tif 000007
【図６】
2004047776.tif 000008
【図７】
2004047776.tif 000009
【図８】
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【図９】
2004047776.tif 000011
【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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