(57)【要約】【課題】常圧で沸点が１５０℃以上のアルコキシシランの精製法であって、精製後のハロゲン濃度を容易に０．０５ｐｐｍ以下に低下せしめる精製法の提供する。【解決手段】ハロゲン含有量が０．１ｐｐｍ以上のアルコキシシランを、熱処理を行った後に蒸留操作及び／又は抽出操作及び／又は吸着操作を行うアルコキシシランの精製法、及び抽出操作を行った後蒸留操作を行う精製法、並びに吸着操作を行った後蒸留操作を行う精製法。【選択図】　　　　なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
ハロゲン含有量が０．１ｐｐｍ以上のアルコキシシランを、熱処理を行った後に蒸留操作及び／又は抽出操作及び／又は吸着操作を行うことを特徴とするアルコキシシランの精製法。
【請求項２】
抽出操作を行った後に蒸留操作を行うことを特徴とする請求項１記載のアルコキシシランの精製法。
【請求項３】
吸着操作を行った後に蒸留操作を行うことを特徴とする請求項１記載のアルコキシシランの精製法。
【請求項４】
アルコキシシランが、常圧で１５０℃以上の沸点を持つことを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のアルコキシシランの精製法。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれかに記載の精製法で得られ、かつハロゲン含有量が０．０５ｐｐｍ以下であることを特徴とするアルコキシシラン。
【請求項６】
請求項５記載のアルコキシシランを使用することを特徴とする電子材料用途の材料及び原材料。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ハロゲン化珪素とアルコキサイドから合成されるアルコキシシランの精製法であって、特に電子材料用途に用いることが出来るアルコキシシランの精製法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
アルコキシシランは、その反応性及び重合体の耐熱性、絶縁性などの優れた特性を有するために、表面改質剤、構造材料、触媒担体、光学材料などに幅広く用いられている。特に近年、その重合体の絶縁性と耐熱性から、ＬＳＩ等の電子材料用途に用いられる例が多くみられる。
一般にアルコキシシランは、元素状珪素と有機ハロゲン化物との反応、いわゆる直接法（Ｒｏｃｈｏｗ法）と呼ばれる方法により合成され、珪素のハロゲン化物を経由し、これとアルコールを反応させることにより得られる。
合成後はアルコキシシラン構造中にハロゲンが共有結合した化合物をはじめ未反応のハロゲン化珪素などが含有されており、これらの存在はＬＳＩ製造工程での不良率を増し、工場全体の汚染につながるため、通常、蒸留操作により精製している。
しかしながら蒸留操作による精製は、アルコキシシランでもメチルトリエトキシシラン等の比較的沸点の低い化合物に関しては有効であるが、常圧で沸点が１５０℃以上のような沸点の比較的高い化合物では精製条件の設定が困難で効率良く精製することが困難となる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上記問題を解決するものであり、常圧で沸点が１５０℃以上のアルコキシシランの精製法であって、精製後のハロゲン濃度を容易に０．０５ｐｐｍ以下に低下せしめる精製法の提供である。
【０００４】
【課題を解決するための手段】
上記の問題点を解決すべく、鋭意検討を重ねた結果、アルコキシシランを熱処理をした後に抽出操作及び／又は吸着操作を行い、その後蒸留操作を行うことでハロゲン含有量の少ないアルコキシシランの精製を達成し本発明を完成した。
即ち本発明は、ハロゲン含有量が０．１ｐｐｍ以上のアルコキシシランを、熱処理を行った後に蒸留操作及び／又は抽出操作及び／又は吸着操作を行うことを特徴とするアルコキシシランの精製法、である。
本発明の上記およびその他の諸目的、諸特性ならびに諸利益は、以下に述べる詳細な説明および請求範囲の記載から明らかになる。
【０００５】
以下に本発明をさらに詳細に説明する。
本発明に於ける精製方法は、上記の一般的な方法によって得られる、ハロゲン化珪素を経由することにより合成されるアルコキシシランをまず熱処理することが必要である。
先ず本発明に用いることができるアルコキシシランについて説明する。
本発明のアルコキシシランとは、一般に工業材料として扱われているものであり、合成段階でハロゲン化珪素を経由して得られるものであり、その一例として前記したように元素状珪素と有機ハロゲン化物との反応、いわゆる直接法（Ｒｏｃｈｏｗ法）と呼ばれる方法がある。これは、次式に示すように、珪素のハロゲン化物を経由し、これとアルコールを反応させることによりアルコキシシランを得る方法である。
ＳｉＯ２　＋Ｃ　→　Ｓｉ＋ＣＯ２　
Ｓｉ＋Ｒ１　Ｃｌ　→　Ｒ１　ｎ　ＳｉＣｌ４−ｎ　
Ｒ１　ｎ　ＳｉＣｌｎ−４　＋Ｒ２　ＯＨ　→　Ｒ１　ｎ　Ｓｉ（ＯＲ２　）４−ｎ　
上記式中、Ｒ１　、Ｒ２　は、アルキル基、フェニル基、及びこれらにビニル基、エポキシ基等の官能基を持つ基を示す。
【０００６】
本発明に於ける熱処理は１００〜２５０℃の範囲で行う。温度が低いとハロゲン化物の分解が進まず、温度が高すぎるとアルコキシシランの分解が起こり収率が低下する為、より好ましくは１２０℃〜２００℃の範囲で行う。熱処理に際しては、アルコキシシランの物性により加圧条件で行うことが好ましい場合があり、空気、酸素、窒素、炭酸ガス、一酸化炭素、メタン、エタン、プロパン、ブタン、ヘリウム、アルゴン等のガスにより加圧して熱処理をすることも可能である。
本発明では上記熱処理によって、詳細は不明であるがアルコキシシランの構造中に存在するハロゲンが直接結合した構造を分解し、その後の蒸留操作等で単離除去可能な形態にせしめたことにより最終的にアルコキシシランに含まれるハロゲンの含有量を低減できたものと推察する。
本発明は、上記の熱処理を実施した後、引き続き抽出操作及び／又は吸着操作を実施した後、最後に蒸留操作を実施することを特徴とするが、具体的には、次に示す３通りの工程手順を取ることができる。
（１）（熱処理）→抽出操作→蒸留操作、（２）（熱処理）→吸着操作→蒸留操作、（３）（熱処理）→抽出操作→吸着操作→蒸留操作、である。
【０００７】
以下に抽出操作、吸着操作、蒸留操作について具体的に説明する。
本発明の抽出操作は、不純物として含まれるハロゲン、金属イオンを系外に除去し、またハロゲン化物及び有機金属を加水分解し系外へ除去すると共に、蒸気圧を持たない形態に変化させることにより、蒸留操作に於ける分離をより容易に出来る。抽出方法はバッチによる抽出、単槽での連続抽出、多槽での連続抽出、多段での交流連続抽出で行うことが出来る。処理量が少ない場合はバッチによる抽出操作が有効であり、処理量が多い場合には多段の連続抽出が高効率で生産性の高い系となる。
【０００８】
また、本発明に於いて使用する水量は、アルコキシシランの重量に対して０．１から１０倍の範囲で使用することが出来、この範囲で特に好ましくは０．２から５倍である。水の量が多くなるとアルコキシシランのロスが大きくなり、量が少ないと抽出効率が低下する。使用する水については、蒸留水、イオン交換水、精製水、超純水等が使用できるが、より純度の高い物を得るためには、不純物の少ない超純水を使用することが好ましい。また、これらの水を抽出回数によって使い分けることも出来、初期の抽出操作では純度の低い水を使用し、後半の抽出操作では純度の高い水を使用することでコストダウンを図ることも出来る。
【０００９】
また、アルコキシシランの種類によっては、加水分解速度の速い物もあり、このことから水との接触時間は短い方が好ましい。市販されているアルコキシシランの中には、純度が低く、特に親水性の不純物を含んでいる場合が有り、この様な場合には、あらかじめ蒸留等により親水性不純物を除く操作が有効な場合もある。本発明における抽出操作に於いて、分離を促進するための添加物を用いることが出来る。特に水との分離が不十分なアルコキシシランを用いる場合、水と相分離する溶剤を添加することで良好な相分離状態を形成することが出来る。
【００１０】
また、水との比重差が小さいために分離に時間がかかる様な場合には、水との比重差の大きい溶剤を添加することにより分離を加速することが出来る。この中で選ばれる溶剤は、用いるアルコキシシランに比べ沸点差が大きいものが好ましく、蒸留による分離が容易であることが好ましい。添加剤として用いられる溶剤の例としては、ブタン、ペンタン、ヘキサン、へプタン、オクタン、ノナン、デカン、トルエン、キシレン、エチルエーテル、プロピルエーテル、ブチルエーテル等の他、エステル系、フロロカーボン系のものが挙げられる。
添加剤の添加量は、アルコキシシランの重量に対して０．１〜２．０の量を使用することが出来、添加量が少ない場合には効果が不十分となり、添加量が多くなると蒸留操作への負担が大きくなり、エネルギー的に不利となる。
本発明において、抽出後に蒸留を行うことの効果は大きく、これらの添加剤を加えても蒸留操作により、容易に分離することが出来る。
【００１１】
本発明における吸着操作では、不純物として含まれるハロゲン、金属イオンを吸着剤に吸着させることで系外に除去し、蒸留操作に於ける負荷を小さく出来る。吸着剤としては、活性炭、シリカゲル、シリカアルミナ、モリキュラシーブ等の一般的な吸着剤の他、これらに表面処理等を施すことで選択性を改良したもの、成分の一部を変成、置換することで選択性及び吸着容量を変えたものを使用することが出来る。さらに、これらを樹脂等と練り合わせることで操作性を向上させたものも使用することが出来る。
【００１２】
吸着方法は、溶液に吸着剤を分散させて行うバッチによる方法、カラムに吸着剤を充填し、連続的に処理する方法で行うことが出来る。カラムに吸着剤を充填して行う方法においては、このカラムを２本以上用いて連続再生することで、操作を中断すること無く完全に連続した処理を行うことも出来る。処理量が少ない場合はバッチによる吸着抽出操作が有効であり、処理量が多い場合にはカラムによる連続吸着が高効率で生産性の高い方法となる。吸着剤による処理を行った場合には、蒸留操作を行う前に濾過操作を行う場合が有る。
特にバッチによる吸着処理を行った場合には必要となり、不純物を吸着した吸着剤を十分に取り除くことで、より高純度のアルコキシシランを得ることが出来る。
【００１３】
本発明における蒸留操作は、沸点を持つ不純物の分離を目的として行い、単蒸留及びこれを繰り返した多段の蒸留、精留塔を備えたバッチ式蒸留、精留塔を備えた連続式蒸留、薄膜式蒸留等が用いられ、比較的分離が容易な系では単蒸留及びこれを繰り返した多段の蒸留、より高精度の分離が求められる場合には精留塔を備えたバッチ式蒸留、さらに生産性を要求される場合には精留塔を備えた連続式蒸留が好ましい。アルコキシシランのうち、沸点が著しく高く通常の蒸留分離が困難な系では、高真空下での薄膜蒸留を用いることで精製が可能となり、これを繰り返すことで低沸成分の除去した後に目的物であるアルコキシシラン精製物を得ることが出来る。
【００１４】
以上の操作により達成される本発明のアルコキシシランの精製法は、常圧で沸点が１５０℃以上であっても容易に精製することが達成でき、ハロゲンの含有量を容易に０．０５ｐｐｍ以下とすることができる。
上記した本発明で用いられる蒸留装置、抽出装置等の精製装置は、金属イオン、ハロゲン等を発生しない材質が好ましく、特に好ましくは、ガラス、フッ素系樹脂、ハステロイ、ポリエチレン、ポリプロピレン、及びこれらをコーティングした金属材料等が挙げられる。
【００１５】
尚、本発明にいうアルコキシシランとは前記のハロゲン化珪素を経由して得られるものであるが、具体的には下記一般式（１）、（２）、（３）で表されるものを示す。
（Ｒ１　）ｎ　（Ｒ２　）４−ｎ　Ｓｉ　　　　　　　　　（１）
（式中、Ｒ１　は、アルコキシ基、Ｒ２　は、アルキル基、フェニル基、シクロヘキシル基、ビニル基、エポキシ基、ヒドロキシ基、エステル基、アミノ基、フロロアルキル基、ハロゲンを含む側鎖あるいは水素を示す。ｎは１〜４の正数である。）
【００１６】
（Ｒ１　）ｎ　（Ｒ２　）３−ｎ　Ｓｉ−（Ｒ３　）−Ｓｉ（Ｒ１　）ｎ　（Ｒ２　）３−ｎ　　（２）
（式中、Ｒ１　は、アルコキシ基を示す。Ｒ２　は、アルキル基、フェニル基、シクロヘキシル基、及びこれらに、アルキル基、フェニル基、シクロヘキシル基、ビニル基、エポキシ基、ヒドロキシ基、エステル基、アミノ基、フロロアルキル基を含む基あるいは水素を示す。Ｒ３　は炭素数１から１０の直鎖状、分岐状及び環状のアルキレン基またはフェニレン基、及び酸素を示す。ｎは１〜３の正数である。）
【００１７】
（Ｒ１　）ｎ　（Ｒ２　）３−ｎ　Ｓｉ−（Ｒ３　）［（Ｒ１　）ｍ　（Ｒ２　）２−ｍ　Ｓｉ−Ｒ３　］ｌ　−Ｓｉ（Ｒ１　）ｎ（Ｒ２　）３−ｎ　　　　（３）
（式中、Ｒ１　は、アルキル基、フェニル基、シクロヘキシル基、ビニル基、エポキシ基、ヒドロキシ基、エステル基、アミノ基、フロロアルキル基を含むアルコキシ基を示す。Ｒ２　は、アルキル基、フェニル基、シクロヘキシル基、及びこれらに、アルキル基、フェニル基、シクロヘキシル基、ビニル基、エポキシ基、ヒドロキシ基、エステル基、アミノ基、フロロアルキル基を含む構造、及び酸素を示す。ｎは１〜３の正数である。Ｒ３　は炭素数１〜１０の直鎖状、分岐状及び環状のアルキレン基またはフェニレン基、及び酸素を示す。ｍは０〜２の正数である。）
【００１８】
本発明において用いることができるアルコキシシランの具体的な例としては、常圧での沸点が１５０℃以上である、テトラエトキシシラン、テトラ（ｎ−プロポキシ）シラン、テトラ（ｉ−プロポキシ）シラン、テトラ（ｎ−ブトキシ）シラン、テトラ（ｔ−ブトキシ）シラン、テトラアリロキシシラン、プロピルトリメトキシシラン、プロピルトリエトキシシラン、イソブチルトリエトキシシラン、シクロヘキシルトリメトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、ジメトキシジフェニルシラン、ジフェニルエトキシメチルシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、アリルトリメトキシシラン、アリルトリエトキシシラン、ジフェニルジメトキシシラン、ジフェニルジエトキシシラン、ジメチルエトキシ−３グリシドキシプロピルシラン、ベンジルジメチルエトキシシラン、ベンジルメチルジエトキシシラン、
【００１９】
ベンジルトリエトキシシラン、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−テトラフロロアセトキシプロピルトリメトキシシラン、テトラフロロアセトキシプロピルトリエトキシシラン、テトラヒドロフルフリロキシトリメチルシラン、３−メタクリロキシプロピルジメトキシメチルシラン、３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、ジエトキシメチルフェニルシラン、２−（３、４エポキシシクロヘキシル）トリメトキシシラン、トリイソプロポキシビニルシラン、ジエチル３グリシドキシプロピルメチルシラン、ジメトキシメチル−３−ピペリジノプロピルシラン、オクチロキシトリメチルシラン、ペンチルトリエトキシシラン、３−フェニルアミノプロピルトリメトキシシラン、ジメトキシメチル−３−（４−メチルピペリジノプロピル）シラン、３−（２−メチルピペリジノプロピル）トリメトキシシラン、３−（２−メチルピペリジノプロピル）トリエトキシシラン、３−シクロヘキシルアミノプロピルトリメトキシシラン、６−トリエトキシシリル−２−ノルボルネン、
【００２０】
ジエトキシ−２−ピペリジノエトキシビニルシラン、３−ベンジルアミノプロピルトリメトキシシラン、ジメトキシフェニル−２−ピペリジノエトキシシラン、ジメトキシメチル−３−（３−フェノキシプロピルチオプロピル）シラン、フェニルトリス（２−メトキシエトキシ）シラン、ドデシロキシトリメチルシラン、ジエトキシドデシルメチルシラン、ドデシルトリエトキシシラン、ジフェニルエトキシビニルシラン、トリフェノキシビニルシラン、ジエトキシメチルオクタデシルシラン、ビストリエトキシシリルメタン、オクタデシルトリエトキシシラン、１−３−ジメトキシテトラメチルジシロキサン、１−３−ジエトキシテトラメチルジシロキサン、ビストリエトキシシリルエタン、ヘキサエトキシジシラン、ビストリエトキシシリルベンゼン、ビストリエトキシシリルブタン、ビストリエトキシシリルヘキサン、２−２−４−４−テトラエトキシシリル−２−４−ジシラシクロブタン、トリ（トリエトキシシリル）メタン等が挙げられる。
【００２１】
中でも常圧での沸点が２００℃を越え、減圧蒸留が必須となり、本発明の精製法の有効性が高くなるものとして、テトラ（ｎ−プロポキシ）シラン、テトラ（ｉ−プロポキシ）シラン、テトラ（ｎ−ブトキシ）シラン、テトラ（ｔ−ブトキシ）シラン、テトラアリロキシシラン、プロピルトリメトキシシラン、プロピルトリエトキシシラン、イソブチルトリエトキシシラン、シクロヘキシルトリメトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、ジメトキシジフェニルシラン、ジフェニルエトキシメチルシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、ジフェニルジメトキシシラン、ジフェニルジエトキシシラン、ジメチルエトキシ−３グリシドキシプロピルシラン、ベンジルジメチルエトキシシラン、ベンジルメチルジエトキシシラン、ベンジルトリエトキシシラン、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、
【００２２】
３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−テトラフロロアセトキシプロピルトリメトキシシラン、テトラフロロアセトキシプロピルトリエトキシシラン、テトラヒドロフルフリロキシトリメチルシラン、３−メタクリロキシプロピルジメトキシメチルシラン、３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、ジエトキシメチルフェニルシラン、２−（３、４エポキシシクロヘキシル）トリメトキシシラン、トリイソプロポキシビニルシラン、ジエチル３グリシドキシプロピルメチルシラン、ジメトキシメチル−３−ピペリジノプロピルシラン、オクチロキシトリメチルシラン、ペンチルトリエトキシシラン、３−フェニルアミノプロピルトリメトキシシラン、ジメトキシメチル−３−（４−メチルピペリジノプロピル）シラン、３−（２−メチルピペリジノプロピル）トリメトキシシラン、
【００２３】
３−（２−メチルピペリジノプロピル）トリエトキシシラン、３−シクロヘキシルアミノプロピルトリメトキシシラン、６−トリエトキシシリル−２−ノルボルネン、ジエトキシ−２−ピペリジノエトキシビニルシラン、３−ベンジルアミノプロピルトリメトキシシラン、ジメトキシフェニル−２−ピペリジノエトキシシラン、ジメトキシメチル−３−（３−フェノキシプロピルチオプロピル）シラン、フェニルトリス（２−メトキシエトキシ）シラン、ドデシロキシトリメチルシラン、ジエトキシドデシルメチルシラン、ドデシルトリエトキシシラン、ジフェニルエトキシビニルシラン、トリフェノキシビニルシラン、ジエトキシメチルオクタデシルシラン、ビストリエトキシシリルメタン、オクタデシルトリエトキシシラン、１−３−ジメトキシテトラメチルジシロキサン、ビストリエトキシシリルエタン、ヘキサエトキシジシラン、ビストリエトキシシリルベンゼン、ビストリエトキシシリルブタン、ビストリエトキシシリルヘキサン、２−２−４−４−テトラエトキシシリル−２−４−ジシラシクロブタン、トリ（トリエトキシシリル）メタン等が挙げられる。
【００２４】
さらに２０ｈｐａの減圧下での沸点が１００℃を越え、減圧蒸留に於いてハロゲンを含有する不純物の分離が困難となり、本発明の精製法の必要性が非常に高くなるものとして、テトラ（ｎ−プロポキシ）シラン、テトラ（ｉ−プロポキシ）シラン、テトラ（ｎ−ブトキシ）シラン、テトラ（ｔ−ブトキシ）シラン、フェニルトリエトキシシラン、ジメトキシジフェニルシラン、ジフェニルエトキシメチルシラン、ビニルトリメトキシシラン、ジフェニルジメトキシシラン、ジフェニルジエトキシシラン、ジメチルエトキシ−３グリシドキシプロピルシラン、３−メタクリロキシプロピルジメトキシメチルシラン、３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、ジエトキシメチルフェニルシラン、２−（３、４エポキシシクロヘキシル）トリメトキシシラン、ジエチル３グリシドキシプロピルメチルシラン、ジメトキシメチル−３−ピペリジノプロピルシラン、
【００２５】
オクチロキシトリメチルシラン、ペンチルトリエトキシシラン、３−フェニルアミノプロピルトリメトキシシラン、ジメトキシメチル−３−（４−メチルピペリジノプロピル）シラン、３−（２−メチルピペリジノプロピル）トリメトキシシラン、３−（２−メチルピペリジノプロピル）トリエトキシシラン、３−シクロヘキシルアミノプロピルトリメトキシシラン、６−トリエトキシシリル−２−ノルボルネン、ジエトキシ−２−ピペリジノエトキシビニルシラン、３−ベンジルアミノプロピルトリメトキシシラン、ジメトキシフェニル−２−ピペリジノエトキシシラン、ジメトキシメチル−３−（３−フェノキシプロピルチオプロピル）シラン、フェニルトリス（２−メトキシエトキシ）シラン、ドデシロキシトリメチルシラン、ジエトキシドデシルメチルシラン、ドデシルトリエトキシシラン、ジフェニルエトキシビニルシラン、トリフェノキシビニルシラン、ジエトキシメチルオクタデシルシラン、ビストリエトキシシリルメタン、オクタデシルトリエトキシシラン、１−３−ジメトキシテトラメチルジシロキサン、１−３−ジエトキシテトラメチルジシロキサン、ビストリエトキシシリルエタン、ヘキサエトキシジシラン、ビストリエトキシシリルベンゼン、ビストリエトキシシリルブタン、ビストリエトキシシリルヘキサン、２−２−４−４−テトラエトキシシリル−２−４−ジシラシクロブタン、トリ（トリエトキシシリル）メタン等が挙げられる。
【００２６】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明の実施例などを示すが、本発明の範囲はこれらに限定されるものではない。
（１）アルコキシシラン中の金属イオン分析
本発明のアルコキシシラン１ｇに１ｍｏｌ／リットルの硝酸３ｍｌを加え、石英坩堝で１００℃１時間放置後、２０℃／分の昇温速度で６００℃まで昇温、１時間放置後冷却し、これに０．１ｍｏｌ／リットルの硝酸１０ｍｌを加え試料とした。この試料を日本ジャーレルアッシュ（株）社製ＩＣＰ発光分析装置（ＩＲＩＳ／ＡＰ）により金属イオンを分析した。
【００２７】
（２）陰イオン分析
アルコキシシラン１ｍｌに１０ｍｌの超純水を加え攪拌後、水層を島津製作所製、ＨＩＣ−ＳＰ型サプレッサー方式のイオンクロマトグラフ（カラム：Ｓｈｉｍ−ｐａｃｋ、ＩＣ−ＳＡ２）により分析した。
（３）ガスクロマトグラフ純度
アルコキシシラン１μｌを、ヒューレットパッカード社製、ＧＣ５８９０、キャピラリカラムＤＢ−１（０．２５ｍｍφ、３０ｍ）、５０℃から２５０℃、昇温速度２０℃／分で分析し、ガスクロマトグラフ純度を求めた。
【００２８】
【実施例１】
ビストリエトキシシリルエタン１００ｇを耐圧ガラス容器に入れ１８０℃で４時間加熱した後に、２０ｇの超純水を加え、３００ｍｌのフッ素樹脂製分液ロートで震淘し、液が十分に分離したら水層を抜き出す。この操作を５回繰り返した。得られた液を、内径１５ｍｍ、高さ５００ｍｍ、ガラスコイル充填剤（３．２ｍｍ径）の充填塔を備え、塔頂部に冷却管と電磁式の弁を備えた蒸留装置の下部に取り付けた３００ｍｌのフラスコに移し、さらにオイルバスと内部攪拌用のマグネティックスタラーをセットした。蒸留系を５ｔｏｒｒまで減圧し、オイルバスを１６５℃まで昇温して、０．５時間全還流の状態を保持した。タイマーにより還流比を５に設定し、初留として１０ｍｌ留去後８０ｍｌの精製ビストリエトキシシリルエタンを得た。
【００２９】
【実施例２】
内径５０ｍｍで高さ４００ｍｍの円筒に、直径４０ｍｍのディスクを１０枚備えた連続抽出装置に超純水を充填し、ディスクを回転させて抽出装置下部から、ガラス製オートクレーブ中で１８０℃、４時間、熱処理を施したビストリエトキシシリルエタンを３リットル／時間でフィードし、上部から超純水を１．２リットル／時間でフィードした。上部から得られた液を、回収部１０段濃縮部５段のオールダーショウ型連続蒸留装置により、真空度５ｔｏｒｒ、ボトムオイルバス温度１４０℃、フィード量５０００ｇ／時間、炊き上げ量１１５０ｇ／時間、塔頂からの流出量２２０ｇ／時間、ボトムからの流出量４７８０ｇ／時間で制御し、蒸留を行った。ボトムからの流出液を回収部１０段濃縮部２０段のオールダーショウ型連続蒸留装置により、真空度５ｔｏｒｒ、ボトムオイルバス温度１６５℃、フィード量２５００ｇ／時間、炊き上げ量６７００ｇ／時間、塔頂からの流出量２３００ｇ／時間で制御し、蒸留を行い精製ビストリエトキシシリルエタンを得た。
【００３０】
【実施例３】
ビストリエトキシシリルエタン１００ｇを耐圧ガラス容器に入れ１８０℃で４時間加熱した後に、１０ｇの活性炭を加え、碇型攪拌羽根により緩やかに攪拌を加え１時間吸着処理を行った。この液を０．２ミクロンのメンブレンフィルターにより濾過し、吸着剤を取り除いた。尚、使用した活性炭は、超純水製造に用いるもので、これを１２０℃、８時間、真空乾燥を行った物を用いた。
液を、内径１５ｍｍ、高さ５００ｍｍ、ガラスコイル充填剤（３．２ｍｍ径）の充填塔を備え、塔頂部に冷却管と電磁式の弁を備えた蒸留装置の下部に取り付けた３００ｍｌのフラスコに移し、さらにオイルバスと内部攪拌用のマグネティックスタラーをセットした。蒸留系を５ｔｏｒｒまで減圧し、オイルバスを１６５℃まで昇温して、０．５時間全還流の状態を保持した。タイマーにより還流比を５に設定し、初留として１０ｍｌ留去後８０ｍｌの精製ビストリエトキシシリルエタンを得た。
【００３１】
【実施例４】
内径２０ｍｍ、長さ２００ｍｍのカラムに実施例３で用いた活性炭を５０ｍｌ充填した活性炭カラムに、ガラス製オートクレーブ中で１８０℃、４時間、熱処理を施したビストリエトキシシリルエタンを、３リットル／時間でフィードし、さらに０．０５ミクロンのカートリッジフィルターを通すことにより得られた液を、回収部１０段濃縮部５段のオールダーショウ型連続蒸留装置により、真空度５ｔｏｒｒ、ボトムオイルバス温度１４０℃、フィード量５０００ｇ／時間、炊き上げ量１１５０ｇ／時間、塔頂からの流出量２２０ｇ／時間、ボトムからの流出量４７８０ｇ／時間で制御し、蒸留を行った。ボトムからの流出液を回収部１０段濃縮部２０段のオールダーショウ型連続蒸留装置により、真空度５ｔｏｒｒ、ボトムオイルバス温度１６５℃、フィード量２５００ｇ／時間、炊き上げ量６７００ｇ／時間、塔丁からの流出量２３００ｇ／時間で制御し、蒸留を行い精製ビストリエトキシシリルエタンを得た。
【００３２】
【比較例１】
実施例１に於いて、熱処理をせずに抽出操作及び蒸留操作のみを行い、ビストリエトキシシリルエタンを得た。
【比較例２】
実施例２に於いて、熱処理をせずに抽出操作及び蒸留操作のみを行い、ビストリエトキシシリルエタンを得た。
【比較例３】
実施例３に於いて、熱処理をせずに吸着操作及び蒸留操作のみを行い、ビストリエトキシシリルエタンを得た。
【比較例４】
実施例４に於いて、熱処理をせずに吸着操作及び蒸留操作のみを行い、ビストリエトキシシリルエタンを得た。
以下に実施例１〜４、比較例１〜４で得られたビストリエトキシシリルエタンの分析結果を示す。
【００３３】
【表１】
2004051583.tif 000002
【００３４】
【表２】
2004051583.tif 000003
【００３５】
【発明の効果】
本発明の精製法により、低不純物であり、特にハロゲン濃度の低いアルコキシシランを提供することができた。