(57)【要約】【要約書】【解決課題】    砥材による内面処理を施された、ハロゲン系ガス充填用の金属容器であって、ガス充填後の、水分や内面吸着ガス以外の不純物の経時増加による純度低下が起こらない容器、および高純度のハロゲン系ガスを提供する。【解決手段】  砥材による内面処理を施されたガス容器内表面のＸ線光電子スペクトルにおけるＳｉ２ｓピークの面積をＦｅ２ｐ3/2ピークの面積で割った値が０．３以下であるようにするべく、内面処理方法を改善する。【選択図】  なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
砥材を用いる容器内表面処理を施されたガス容器であって、
容器内表面をＸ線光電子分光法により測定したスペクトルにおいてＳｉ２ｓピークの面積をＦｅ２ｐ3/2ピークの面積で割った値が０．３以下であることを特徴とするハロゲン系ガス充填用金属容器。
【請求項２】
金属容器の材質が鉄-マンガン鋼、鉄-クロム-マンガン鋼、
ステンレス鋼のいずれかであることを特徴とする請求項１に記載の金属製容器。
【請求項３】
砥材中のＳｉ含有量が砥材の総重量に対し１０ｗｔ％以下である砥材を用いて容器内表面処理を施したことを特徴とする請求項１または２に記載の金属容器。
【請求項４】
砥材の主たる成分が、ダイヤモンド、ジルコニア又はアルミナであって、平均粒径が、１〜２０ｍｍである砥材を使用することを特徴とする請求項３に記載の金属容器。
【請求項５】
砥材の主たる成分が、ダイヤモンド、ジルコニア又はアルミナであって、平均粒径が、１〜２０ｍｍの大粒と平均粒径が１〜１００μｍの細粒とを含有してなる砥材であることを特徴とする請求項３に記載の金属容器。
【請求項６】
ハロゲン系ガスがＦ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉのうち少なくとも１元素を含有する化合物で、常温に於いて圧縮ガスまたは液化ガスであることを特徴とする請求項１〜５いずれかに記載のハロゲン系ガス充填用金属容器。
【請求項７】
請求項１〜６に記載の金属製容器に充填されたハロゲン化珪素の含有量が０．３ｐｐｍ以下のハロゲン系ガス。
【請求項８】
内面処理に使用する砥材のＳｉ含有量が砥材の総重量に対し１０ｗｔ％以下である砥材を使用することを特徴とするハロゲン系ガス充填用金属製容器の内面処理方法。
【請求項９】
内面処理に使用する砥材のＳｉ含有量が砥材の総重量に対し１０ｗｔ％以下である砥材を使用することを特徴とするフッ素系ガス充填用金属製容器の内面処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はハロゲン系ガスの充填容器とこれに充填されたガスおよび充填容器の内面処理方法に関する。更に詳しくは、内面表層部のＳｉ量が一定量以下であるハロゲン系ガスの充填容器、その内面処理方法およびこの充填容器に充填されたハロゲン系ガスに関する。
【背景技術】
【０００２】
ハロゲン系ガスは、半導体のドーピング剤、ドライエッチング剤やＣＶＤ装置のクリーニングガスとして使用されているが、これらの用途に使用されるハロゲン系ガスは高純度のものが要求されている。このような高純度ガスの充填容器は、その内面への水分や不純物ガスの吸着を防ぎガスを高純度に保つため、しばしば内面の平滑化処理が施される。
【０００３】
たとえば、高圧ガス保安法規に基づく水圧による耐圧検査後、水分を除去するために、平滑化処理が施される。
【０００４】
この内面平滑化には種々の方法があるが、安価かつ容易にできる点で砥材を用いる方法が多く採用されている。
砥材を用いて内面処理を行った後には、通常、水および／又は溶剤で洗浄したのち乾燥し、バルブを取り付けてガス容器として使用する。しかしながら、砥材による内面処理を施した容器に充填したハロゲン系ガスには、充填後の時間経過とともに水分や内面吸着ガスにより不純物が増大し純度が低下するという問題があった。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、ハロゲン系ガスの純度低下を起こさない金属製容器、その内面処理方法およびその容器に充填された高純度ハロゲン系ガスを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明者等は、砥材を用いて内面平滑化処理をしたガス容器に充填したハロゲン系ガスの純度低下の原因およびこれを防止する方法について鋭意検討を重ねた結果、純度低下の原因となる不純物がハロゲン化ケイ素であること、これが容器内面の残留Ｓｉ分と充填ガスとの反応により生成すること、およびＸ線光電子分光法により定量的に把握される容器内面表層部のＳｉ残留量を一定レベル以下まで低減することによりハロゲン化ケイ素ガスの生成を抑止し、極めて効率よくかつ経済的にハロゲン系ガスの純度低下を防止できることを見出し、本発明を完成するに至ったものである。
【０００７】
即ち本発明は、第１には、砥材を用いる容器内表面処理を施されたガス容器であって、容器内表面をＸ線光電子分光法により測定したスペクトルにおいてＳｉ２ｓピークの面積をＦｅ２ｐ3/2ピークの面積で割った値が０．３以下であることを特徴とするハロゲン系ガス充填用金属容器である。
【０００８】
Ｓｉ２ｓピークの面積をＦｅ２ｐ3/2ピークの面積で割った値が０．１以下であることは更に好ましい態様である。
第２には、金属容器の材質が鉄-マンガン鋼、鉄-クロム-マンガン鋼、ステンレス鋼のいずれかであることを特徴とする第１に記載の金属製容器である。
第３には、砥材中のＳｉ含有量が砥材の総重量に対し１０ｗｔ％以下である砥材を用いて容器内表面処理を施したことを特徴とする第１または第２に記載の金属容器である。
Ｓｉ含有量が、砥材総重量に対し１ｗｔ％以下、更には１００ｗｔｐｐｍ以下であることは好ましい態様である。
第４には、砥材の主たる成分が、ダイヤモンド、ジルコニア又はアルミナであって、平均粒径が、１〜２０ｍｍである砥材を使用することを特徴とする第３に記載の金属容器である。
【０００９】
砥材の主たる成分が、ダイヤモンド、ジルコニア又はアルミナであって、平均粒径が、１〜２０ｍｍの大粒と平均粒径が１〜１００μｍの細粒とを含有してなる砥材であることは更に好ましい態様である。
【００１０】
本発明に係る金属容器は、ハロゲン系ガスがＦ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉのうち少なくとも１元素を含有する化合物で、常温に於いて圧縮ガスまたは液化ガスであるガスに適しており、さらにはＦ元素を含有する化合物で、常温に於いて圧縮ガス又は液化ガスに好ましく適用でき、ＮＦ3、ＣｌＦ3、ＣＦ4、Ｃ2Ｆ6、Ｃ3Ｆ8、Ｃ4Ｆ6、ＳＦ6、ＧｅＦ4、ＷＦ6、Ｆ2、ＣＯＦ2、Ｃｌ2、ＨＦ、ＨＣｌ、ＨＢｒ、ＨＩのガスにより好ましく適用でき、ＮＦ3、ＣｌＦ3、ＣＦ4、Ｃ2Ｆ6、Ｃ3Ｆ8、Ｃ4Ｆ6、ＳＦ6、ＧｅＦ4、ＷＦ6、Ｆ2、ＣＯＦ2であるハロゲン系ガスに最も好ましく適用できる。
第５には、第１から第４に記載の金属製容器に充填されたハロゲン化珪素含有量が０．３ｐｐｍ以下であるハロゲン系ガスである。
第６には、内面処理に使用する砥材のＳｉ含有量が砥材の総重量に対し１０ｗｔ％以下である砥材を使用することを特徴とするハロゲン系ガス充填用金属製容器の内面処理方法である。
Ｓｉ含有量が、砥材総重量に対し１ｗｔ％、更には１００ｗｔｐｐｍ以下であることは好ましい態様である。また砥材の主たる成分が、ダイヤモンド、ジルコニア又はアルミナであって、平均粒径が、１〜２０ｍｍである砥材を使用することは好ましい態様であり、更には砥材の主たる成分が、ダイヤモンド、ジルコニア又はアルミナであって、平均粒径が、１〜２０ｍｍの大粒と平均粒径が１〜１００μｍの細粒とを含有してなる砥材であることは好ましい態様である。
【発明の効果】
【００１１】
高純度のハロゲン系ガスを充填するに適した、砥材により内面平滑化されたハロゲン系ガス充填用の金属容器を使用するにあたり、容器内面表層のＳｉ原子の量を容器内面のＸ線光電子スペクトルにおけるＳｉ２ｓピークの面積をＦｅ２ｐ３／２ピークの面積で割った値が０．３以下であるように制御することにより、ハロゲン系ガス充填後のハロゲン化珪素の生成を抑制できることを見出した。これにより、ハロゲン系ガス充填後の純度低下がないガス容器および高純度のハロゲン系ガスを提供することが可能となった。
【００１２】
また、内面処理時に使用する砥材のSi含有量を砥材（固形分）総重量に対し１０ｗｔ％以下にすることにより、充填後にハロゲン化珪素の生成を防止することができ、半導体製造に際し半導体の性能に悪影響を防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
本発明に於いてハロゲン系ガスとは、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉのうち少なくとも１元素以上を含有する化合物で、常温に於いて圧縮ガス又は液化ガスの状態のものをいう。これらを例示すると、ＮＦ3、ＣｌＦ3、ＣＦ4、Ｃ2Ｆ6、Ｃ3Ｆ8、Ｃ4Ｆ6、ＳＦ6、ＧｅＦ4、ＷＦ6、Ｆ2、ＣＯＦ2、Ｃｌ2、ＨＦ、ＨＣｌ、ＨＢｒ、ＨＩなどが挙げられる。特にＮＦ3、ＣｌＦ3、ＣＦ4、Ｃ2Ｆ6、Ｃ3Ｆ8、Ｃ4Ｆ6、ＳＦ6、ＧｅＦ4、ＷＦ6等の高純度が要求されるフッ素系ガスに好ましく使用できる。ハロゲン系ガスは半導体のドーピング剤、ドライエッチング剤やＣＶＤ装置のクリーニングガスの用途で用いられることが多く、高純度であることが要求される。
本発明の高純度ハロゲン系ガスの充填用容器は、金属製、特に鉄−マンガン鋼、鉄−クロム−マンガン鋼、ないしステンレス鋼製、ニッケル鋼製、アルミニウム合金鋼製の容器が好ましい。高純度ガスの容器としては、パーティクルや吸着ガスによる汚染を防止するため、通常、内面を平滑化したものが使用される。一般に内面粗度（平滑度）は凹部と凸部の高さの差をミクロン単位で表した数値にＳをつけて表されるが、通常は３Ｓ〜１Ｓ以下まで平滑化されたものが使用される。
【００１４】
この平滑化には種々の方法があるが、処理が簡便かつ安価であることから、砥材を用いて湿式法或いは乾式法により処理する方法が用いられることが多い。このような研磨については、容器を成形する前に行う方法と、容器を成形した後に行う方法が知られている。また耐圧試験後に行うこともある。湿式研磨では、砥材および水ないし薬液を容器又は成形前の円筒管に入れたのち、内容物がこぼれないように密栓し、容器又は成形前の円筒管を横転した状態で遊星運動の回転を加えて平滑化するバレル研磨という方法が一般的である。
上記の平滑化処理で用いられる砥材としては、ダイヤモンド、ジルコニア、アルミナ、シリカ、窒化ケイ素、炭化ケイ素、アルミナ−シリカの複合酸化物などが挙げられる。その中でアルミナ−シリカの複合酸化物系の砥材が一般的に広く用いられているが、Ｓｉ成分を含有する砥材を用いて容器内面の平滑化処理を行った場合、研磨終了後、容器内面表層部に砥材中のＳｉ成分が残留しがちであり、ハロゲン系ガス充填後にＳｉ成分とハロゲン系ガスとが反応して半導体用途としての使用において好ましくない不純物であるハロゲン化ケイ素が生成する。従って、本発明においてはＳｉ含有量が、砥材固形分中にＳｉ原子として１０ｗｔ％以下、好ましくは１ｗｔ％以下、さらに好ましくは１００ｗｔｐｐｍ以下の砥材を使用することが望ましい。具体的には、ダイヤモンド、ジルコニア、アルミナ等が挙げられる。砥材を用いた内面処理を２回以上施すことによって容器内面を３Ｓ〜１Ｓグレードまで平滑化する場合には、最終回の処理に前記の砥材を使用するのが好ましい。この条件を満たす限りにおいて、砥材は混合物および／又は複合物であってもよく、２種類以上の砥材を組み合わせて使用してもよい。なお、ここでいうＳｉ含有量とは、砥材中の全Ｓｉ原子の重量を乾燥状態の砥材の総重量（固形分）に対する割合で表したものである。
Ｓｉ含有量が１０ｗｔ％を超える砥材を使用して内面処理した場合、内面処理後に水および／又は溶剤で洗浄し乾燥したのちにも、Ｓｉ分が容器内面に残留しがちである。とりわけ、最終回の内面処理時にＳｉ含有量が１０ｗｔ％を超える砥材を使用した場合には容器内面へのＳｉ残留量がより増加する。
この容器にハロゲン系ガスを充填した場合、充填後のガスが時を追って残存した砥材のＳｉ成分と反応し、ハロゲン化珪素が容器内部で生成してガスの純度を低下させる。ハロゲン化珪素は、ＳｉＦx、ＳｉＣｌx、ＳｉＢｒx、ＳｉＩx（ｘは０を超え４以下の有理数を表す）で示される物質で、ガス状または蒸気圧をもつ液体或いは昇華性の固体である。このようにして生成したハロゲン化珪素は、ハロゲン系ガスを半導体用途として使用する際、ハロゲン系ガスと共に細密フィルターを通過し、半導体製造用のチャンバーに導入され、半導体の性能に悪影響を及ぼす。
【００１５】
本発明で用いる砥材の粒径は、特に限定されるものではないが、内面処理を効率よく行うためには、粒径の異なる数種の砥材を組み合わせて使用することが好ましい。より好ましくは砥材の平均粒径が、１〜２０ｍｍの球形の大粒と平均粒径１〜１００μｍの微粒子粉とを組み合わせて使用することで内面処理を一層効果的に行うことが出来るので好ましい。砥材の組み合わせ比は、特に限定されるものではないが、大粒子に対する微粒子の重量比が１０ｗｔ％以下であることが好ましい。
【００１６】
次に容器の内面処理の方法について詳細に述べる。
内面処理は、砥材を容器に入れたのち、内容物がこぼれないように密栓し、容器を横転した状態で遊星運動の回転を加える、所謂バレル研磨法によって容器自身に自転と公転運動を与え、研磨剤が容器内部で重力を掛けながら流動することによって内面を平滑化する方法による。なお、この内面処理においては、砥材とともに純水や、酸化性溶液、アルカリ性溶液、或いは界面活性剤を添加した水等の液を加えるのが一般的で、必要に応じてさらに亜硝酸塩などの防錆剤を加えることもある。
砥材を用いて内面処理を行った後には、通常、水および／又は溶剤で洗浄したのち乾燥し、バルブを取り付けてガス容器として使用する。この洗浄は、とりわけ平滑化の際にＳｉ成分を含有する砥材を使用した場合には、例えばジェット噴霧水などにより徹底的に行うのが好ましい。
【００１７】
本発明においては、容器内面表層部のＳｉ残留量をＸ線光電子分光（ＸＰＳ）
法による分析によって定量的に把握し、上記の内面処理工程および／またはその後の洗浄工程において前述のような工夫をすることによって、容器内面のＸ線光電子スペクトルにおけるＦｅとＳｉとのピーク面積比を特定の値以下となるようにする。これによって、砥材による内面処理を施された容器に充填されたハロゲン系ガスにハロゲン化ケイ素の混入が０．３ｐｐｍ以下の実質的にないものを提供することができる。
【００１８】
本発明におけるＸ線光電子スペクトルの測定では、まず、容器を円柱状にカットした後、２ｃｍ角程度のサイズに切り出し、測定試料を作成する。試料の作成においては、容器の内面側を汚染しないよう、細心の注意を払う必要がある。上記で作成した試料を市販のＸＰＳ測定装置に導入し、単色化されたＡｌＫα線（１４８６．６ｅＶ）を試料上０．３〜０．７ｍｍ2の領域に照射して、取り出し角４５°で光電子を取りこみ、分光する。分光器のパスエネルギーは純銀標準試料のスペクトルでＡｇ３ｄ５／２ピークの半値幅が０．８ｅＶ以下になるように設定する。
【００１９】
このような条件で、Ｓｉ２ｓ領域およびＦｅ２ｐ領域のナロースキャン測定を行い、Ｓｉ２ｓピークの面積をＦｅ２ｐ3/2ピークの面積で割った値を求める。
この値が０．３以下であることが好ましく、０．１以下であることがより好ましい。上記の値が０．３を越えると、ハロゲン系ガスを当該容器に充填した後、ハロゲン化ケイ素が経時的に増加し、ガス純度を低下させてしまうので好ましくない場合がある。
【実施例】
【００２０】
以下、実施例により本発明を更に具体的に説明する。
【００２１】
実施例１
内面粗度６Ｓの鉄-マンガン鋼の、４７Ｌ容量の高圧用継ぎ目なし容器２本にＳｉ含有量５０重量ｐｐｍで直径５ｍｍの球形アルミナボール５ｋｇ、Ｓｉ含有量５０重量ｐｐｍで直径３ｍｍの球形アルミナボール５ｋｇ、およびＳｉ含有量５０重量ｐｐｍで平均粒子径５０μｍのアルミナ粉３００ｇを分散させた水３Ｌを入れて、上部のバルブ接続用ねじ部２に密栓をした。
この容器を横倒しにして研磨装置４にセットし、研磨装置を起動して平滑化処理を開始した。６０分間研磨したのち、容器を転倒させて内容物を取り出し、更に高圧純水を５分間噴射して残留固形分を排出した。その後純水を置換するためにイソプロピルアルコールで容器内を洗浄した。内面粗度を確認したところ、２Ｓまで平滑化されていた。
更に容器を１８０℃の乾燥器に入れ、容器内部を乾燥Ｎ2で置換しながら２時間乾燥した。その内の容器１本を切断し、約２ｃｍ角の分析用試験片を作成して容器内面側のＸ線光電子スペクトルを下記の条件で測定した。
【００２２】
装置  ： アルバック・ファイ社製  Ｑｕａｎｔａｍ  ２０００
Ｘ線源： ＡｌＫα線を単色化
光電子取りだし角：４５°
測定面積： 約１．４ｍｍ×０．３ｍｍ（０．４ｍｍ２）
パスエネルギー： ２３．５ｅＶ
（純銀のＡｇ３ｄ5/2ピークのエネルギー分解能：約０．７ｅＶ）
Ｆｅ２ｐ領域、Ｓｉ２ｓ領域の各々についてナロースキャン測定を実施したところ、Ｓｉ２ｓピークは有意には検出されず、Ｓｉ２ｓピークの面積をＦｅ２ｐ3/2ピークの面積で割った値は０．０１未満であった。
他方の容器にはバルブを取り付け、６０℃の乾燥器に入れて、内部を真空引きしながら、２時間乾燥を行った。室温まで冷却した後、９９．９９９容量％の高純度ＮＦ3ガスを１０ＭＰａ充填した。充填日から、１日後、７日後、３０日後にこの充填したＮＦ3ガス１９０ＮＬを超純水２００ｇにバブリングしてこの液のＦ濃度及びＳｉ濃度を測定した。表に示すとおり、Ｆ，Ｓｉ濃度の経時上昇はなく、フッ化ケイ素は有意には生成しないことが確認できた。
【００２３】
実施例２
平滑化処理時の内容物をＳｉ含有量９％のアルミナ−シリカ系複合酸化物からなる直径３ｍｍの球形の砥材１０ｋｇ、およびＳｉ含有量９％のアルミナ−シリカ系複合酸化物からなる平均粒子径５０μｍの粉状の砥材３００ｇを分散させた水３Ｌにし、高圧純水による残留固形分排出のための洗浄の時間を６０分とした以外は、実施例１と同様の方法で容器２本に平滑化処理、内容物の排出、水洗、イソプロピルアルコールによる洗浄を行った。処理後の内面粗度は２Ｓであった。その後、乾燥、試験片作成を行い、１本の容器についてはＸＰＳ測定を、他方について高純度ＮＦ3ガスの充填およびＦ及びＳｉの分析を行った。条件は実施例１と同様である。
Ｘ線光電子スペクトルにおけるＳｉ２ｓピークの面積をＦｅ２ｐ3/2ピークの面
積で割った値を求めたところ、０．２３であった。また、充填ガス吸収液のＦ、
Ｓｉ濃度は表に示す通りであり、充填後３０日経過時点でわずかな濃度上昇が見られたが許容範囲内であった。
【００２４】
実施例３
図１，２に示した内面粗度２５Ｓの鉄−マンガン鋼製で４７Ｌ容量の高圧用目継ぎなし容器１に、砥材としてほぼ球状で直径５ｍｍと３ｍｍの高純度アルミナ砥材（Ｓｉ含有量:５０ｗｔｐｐｍ）各５ｋｇを入れ、更に純水を１Ｋｇ入れて、上部のバルブ接続用ねじ部に密栓２をした。この容器を横倒しにして図２に示した研磨装置４にセットし、研磨装置を起動して研磨を開始した。１時間研磨したのち、砥材を取り出して、イソプロピルアルコールで洗浄した。この方法によって内面粗度３Ｓグレードに平滑化できた。更に容器内部を乾燥Ｎ2で置換した後、バルブ３を取り付け、１００〜２００℃の乾燥器に入れて、内部を真空引きしながら、２時間乾燥を行った。
室温まで冷却後、９９．９９９Ｖｏｌ％の高純度ＮＦ3ガスを１０ＭＰａ充填した。充填日から、１日後、７日後、３０日後にこの充填したＮＦ3ガス１９０ＮＬを、０．０１μｍの金属フィルターを通したのち、超純水２００ｇ中にバブリングし、この水を分析サンプルとした。Ｆイオン及びＳｉ、Ａｌの分析を行った結果、経時的変化は見られなかった。結果を表に示す。なお、ここに示す分析値はＮＦ3ガスの重量ベースに換算した値である。
【００２５】
実施例４
砥材を、球状で直径３ｍｍのアルミナシリカ系砥材（Ｓｉ含有量：９ｗｔ％）１０ｋｇと、平均粒子径５０μmのアルミナ粉（Ｓｉ含有量：１００ｗｔｐｐｍ）３００ｇとの混合物に変更した以外は実施例１と同様な方法で内面処理を行った。この方法によって内面粗度２Ｓグレードに平滑化できた。
実施例１と同様の評価を行ったところ、表に示す通り、経時的変化は見られなかった。なお、分析値はＮＦ3ガスの重量ベースに換算した値である。
【００２６】
実施例５
砥材を、球状で直径３ｍｍのアルミナシリカ系砥材（Ｓｉ含有量：９ｗｔ％）
１０ｋｇに変更し、また純水の代わりに０．０５ＮのＫＯＨ水溶液１Ｋｇを加え、更には研磨時間を２時間とした以外は実施例１と同様の方法で内面処理を行った。内面粗度は１Ｓグレードであった。
実施例１と同様の評価を行ったが、表に示す通り、経時的変化は見られなかった。なお、分析値はＮＦ3ガスの重量ベースに換算した値である。
【００２７】
実施例６
２５ＭＰａの水圧の印加による耐圧試験を施した後の、内面粗度６Ｓの鉄−マンガン鋼製の、４７Ｌ容量の高圧用継ぎ目なし容器について、実施例１と同様の砥材を用い、実施例１と同様の方法で内面処理を行った。内面粗度は２Ｓであった。さらに、実施例１と同様の評価を行ったところ、Ｘ線光電子スペクトルにおけるＳｉ２ｓ／Ｆｅ２ｐ3/2のピーク面積比は０．０１未満であり、また、当該容器に充填されたＮＦ3ガス中のＦ，Ｓｉ濃度は充填後３０日まで経時上昇が見られなかった。
【００２８】
実施例７
球状で直径３ｍｍのアルミナシリカ系砥材（Ｓｉ含有量：９ｗｔ％）１０ｋｇおよび純水３Ｌを用いて、実施例１の装置により、２５ＭＰａの水圧の印加による耐圧試験を施した後の、内面粗度６Ｓの鉄−マンガン鋼製の、４７Ｌ容量の高圧用継ぎ目なし容器の内面処理を行った。６０分間の研磨の後、内容物を排出し、さらに高圧純水の噴射により残留固形分を排出した。この容器に対して、さらに研削時の水を０．０５ＮのＫＯＨ水溶液１ｋｇに置き換えた以外は実施例１と同様の内面処理を施した。内面粗度は１Ｓ以下であった。実施例１と同様に、この容器に充填されたＮＦ3ガスのＦ，Ｓｉ濃度の経日変化を調べたが、充填後３０日までＦ，Ｓｉともに不検出であった。
比較例１
砥材を、球状で直径３ｍｍのアルミナシリカ系砥材（Ｓｉ含有量：２０ｗｔ％）１０ｋｇと平均粒子径５０μｍのアルミナシリカ粉（Ｓｉ含有量：２０ｗｔ％）３００ｇとの混合物に変更した以外は実施例１と同様の内面処理を行った。内面粗度は２Ｓグレードであった。また、Ｘ線光電子スペクトルにおけるＳｉ２ｓピークの面積をＦｅ２ｐ3/2ピークの面積で割った値を求めたところ、０.９１であった。
実施例１と同様の評価を行ったところ、表に示すように、７日後からＳｉ及びＦの値が増加した。なお、分析値はＮＦ3ガスの重量ベースに換算した値である。
【００２９】
比較例２
砥材を、球状で直径３ｍｍのシリカアルミナ系砥材（Ｓｉ含有量：３０ｗｔ％）１０ｋｇに変更し、更に０．０５ＮのＫＯＨ水溶液１ｋｇを加えた以外は実施例１と同様に研磨処理を行った。内面粗度は２Ｓグレードであった。また、Ｘ線光電子スペクトルにおけるＳｉ２ｓピークの面積をＦｅ２ｐ3/2ピークの面積で割った値を求めたところ、２.２６であった。
実施例１と同様の評価を行ったところ、表に示すように、充填後１日目からＳｉ及びＦの値が増加した。
なお、分析値はＮＦ3ガスの重量ベースに換算した値である。
【表１】
2004270917.tif 000002
【表２】
2004270917.tif 000003
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】ボンベの概略図
【図２】研磨装置の概略図
【符号の説明】
【００３１】
1.容器本体
2.密栓
3.バルブ
4.研磨機
【図１】
2004270917.tif 000004
【図２】
2004270917.tif 000005