(57)【要約】【課題】誘電体表面に酸化物超伝導体からなる電極を形成し、小型で高い無負荷Ｑ（Ｑｕ）を実現できる誘電体共振器、およびそれを用いた誘電体フィルタ、誘電体デュプレクサおよび通信機装置を提供する。【解決手段】本発明にかかる誘電体共振器は、誘電体の表面に酸化物超伝導体電極を形成してなることを特徴とする。前記誘電体は、Ｂａ（Ｍｇ，Ｍａ）Ｏ３（ただし、ＭａはＴａ単独を除く５価の金属元素）誘電体であることが好ましく、前記酸化物超伝導体は、Ｂｉ−Ｓｒ−Ｃａ−Ｃｕ−Ｏ系（ただし、Ｂｉの一部をＰｂで置換したものも含む）酸化物超伝導体、およびＴｌ−Ｂａ−Ｃａ−Ｃｕ−Ｏ系酸化物超伝導体のうちのいずれかの酸化物超伝導体であることが好ましい。【選択図】　なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
誘電体の表面に酸化物超伝導体電極を形成してなる誘電体共振器であって、
前記誘電体は、Ｂａ（Ｍｇ，Ｍａ）Ｏ３系（ただし、ＭａはＴａ単独を除く５価の金属元素）誘電体であり、
前記酸化物超伝導体は、Ｂｉ−Ｓｒ−Ｃａ−Ｃｕ−Ｏ系（ただし、Ｂｉの一部をＰｂで置換したものも含む）酸化物超伝導体、およびＴｌ−Ｂａ−Ｃａ−Ｃｕ−Ｏ系酸化物超伝導体のうちのいずれかの酸化物超伝導体であることを特徴とする、誘電体共振器。
【請求項２】
誘電体の表面に酸化物超伝導体電極を形成してなる誘電体共振器であって、
前記誘電体は、Ｂａ（Ｍｂ，Ｍｇ，Ｔａ）Ｏ３系（ただし、Ｍｂは４価または５価の金属元素）誘電体であり、
前記酸化物超伝導体は、Ｂｉ−Ｓｒ−Ｃａ−Ｃｕ−Ｏ系（ただし、Ｂｉの一部をＰｂで置換したものも含む）酸化物超伝導体、およびＴｌ−Ｂａ−Ｃａ−Ｃｕ−Ｏ系酸化物超伝導体のうちのいずれかの酸化物超伝導体であることを特徴とする、誘電体共振器。
【請求項３】
前記Ｍａは、Ｔａ，Ｓｂ，およびＮｂから選ばれる少なくとも一種以上（ただし、Ｔａ単独は除く）であることを特徴とする、請求項１に記載の誘電体共振器。
【請求項４】
前記Ｍｂは、Ｓｎ，Ｚｒ，Ｓｂ，およびＮｂから選ばれる少なくとも一種以上であることを特徴とする、請求項２に記載の誘電体共振器。
【請求項５】
前記Ｂａ（Ｍｂ，Ｍｇ，Ｔａ）Ｏ３系誘電体は、Ｂａ（Ｓｎ，Ｍｇ，Ｔａ）Ｏ３系誘電体であることを特徴とする、請求項２に記載の誘電体共振器。
【請求項６】
前記Ｂａ（Ｍｂ，Ｍｇ，Ｔａ）Ｏ３系誘電体は、Ｂａ（Ｍｇ，Ｓｂ，Ｔａ）Ｏ３系誘電体であることを特徴とする、請求項２に記載の誘電体共振器。
【請求項７】
前記Ｂｉ−Ｓｒ−Ｃａ−Ｃｕ−Ｏ系酸化物超伝導体は、（Ｂｉ，Ｐｂ）２Ｓｒ２Ｃａ２Ｃｕ３Ｏｘ、またはＢｉ２Ｓｒ２ＣａＣｕ２Ｏｘであることを特徴とする、請求項１から請求項６のいずれかに記載の誘電体共振器。
【請求項８】
前記Ｔｌ−Ｂａ−Ｃａ−Ｃｕ−Ｏ系酸化物超伝導体は、Ｔｌ２Ｂａ２Ｃａ２Ｃｕ３Ｏｘであることを特徴とする、請求項１から請求項６のいずれかに記載の誘電体共振器。
【請求項９】
誘電体の表面に酸化物超伝導体電極を形成してなる誘電体共振器であって、
前記誘電体は、Ｂａ（Ｍｇ，Ｓｂ，Ｔａ）Ｏ３系誘電体であり、
前記酸化物超伝導体は、Ｒｅ−Ｍ−Ｃｕ−Ｏ系（ただし、Ｒｅは希土類元素、Ｍはアルカリ土類金属元素）酸化物超伝導体であることを特徴とする、誘電体共振器。
【請求項１０】
前記Ｒｅ−Ｍ−Ｃｕ−Ｏ系酸化物超伝導体は、ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７−ｘであることを特徴とする、請求項９に記載の誘電体共振器。
【請求項１１】
請求項１から請求項１０のいずれかに記載の誘電体共振器に外部結合手段を含んでなることを特徴とする、誘電体フィルタ。
【請求項１２】
少なくとも二つの誘電体フィルタと、
前記誘電体フィルタのそれぞれに接続される入出力接続手段と、
前記誘電体フィルタに共通に接続されるアンテナ接続手段とを含んでなる誘電体デュプレクサであって、
前記誘電体フィルタの少なくとも一つが請求項１１に記載の誘電体フィルタであることを特徴とする、誘電体デュプレクサ。
【請求項１３】
請求項１２に記載の誘電体デュプレクサと、
前記誘電体デュプレクサの少なくとも一つの入出力接続手段に接続される送信用回路と、
前記送信用回路に接続される前記入出力接続手段と異なる少なくとも一つの入出力接続手段に接続される受信用回路と、
前記誘電体デュプレクサのアンテナ接続手段に接続されるアンテナと、
を含んでなることを特徴とする通信機装置。
【発明の詳細な説明】
【発明の属する技術分野】
本発明は小型で極めて高いＱ値を有する誘電体共振器、およびそれを用いた誘電体フィルタ、誘電体デュプレクサおよび通信機装置に関する。
【従来の技術】
近年、マイクロ波などの高周波を扱う電子回路の共振系を小型化するため、共振器の材料として誘電体を用いた誘電体共振器が汎用されている。
これらの誘電体共振器は、誘電体中では電磁波の波長が自由空間中に比べて１／（εｒ）１／２（εｒは比誘電率）に短縮されることを利用したもので、ＴＥ、ＴＭ、ＴＥＭモードなどの各種の共振モードで使用されるが、通常、電磁エネルギーの散逸を防止するため、金属ケース中に収納されるか、あるいは誘電体表面に金属電極が形成される。
この種の共振系では、その無負荷Ｑ（Ｑｕ）が誘電体自体のＱ（Ｑｄ＝１／ｔａｎδ）のみならず、金属表面の電流によって引き起こされる導体損によるＱ（Ｑｃ）にも依存し、そのＱｕは次式：
１／Ｑｕ＝（１／Ｑｄ）＋（１／Ｑｃ）
で与えられる。
そのため、無負荷Ｑ（Ｑｕ）の高い共振系を実現するにはＱｄの高い誘電体材料を用いることに加えて、Ｑｃの高い、すなわち導体損失の小さい電極を用いる必要がある。
そこで、特開平１−１５４６０３号公報には、ＭｇＴｉＯ３−（Ｃａ，Ｍｅ）ＴｉＯ３系、Ｂａ（Ｚｒ，Ｚｎ，Ｔａ）Ｏ３系、（Ｚｒ，Ｓｎ）ＴｉＯ４系、およびＢａＯ−ＰｂＯ−Ｎｄ２Ｏ３−ＴｉＯ２系のそれぞれの誘電体磁器にＲｅ−Ｍ−Ｃｕ−Ｏ系超伝導体電極を形成して、高い無負荷Ｑ（Ｑｕ）を実現する方法が開示されている。
また、特開平９−２９８４０４号公報には、Ｂａ（Ｍｇ，Ｔａ）Ｏ３を誘電体材料として用いた方法が開示されている。
【発明が解決しようとする課題】
図６および図７は、各種誘電体材料の１０ＧＨｚにおけるｔａｎδ（＝１／Ｑｄ）の温度特性を示すグラフである。
図６および図７に示すように、上記材料系の中、ＭｇＴｉＯ３−（Ｃａ，Ｍｅ）ＴｉＯ３系、Ｂａ（Ｚｒ，Ｚｎ，Ｎｉ，Ｔａ）Ｏ３系、ＢａＯ−ＰｂＯ−Ｎｄ２Ｏ３−ＴｉＯ２系、Ｂａ（Ｍｇ，Ｔａ）Ｏ３系の材料は、それぞれ低温でｔａｎδが単調に減少しないため低温特性が悪いという問題点を有している。
一方、（Ｚｒ，Ｓｎ）ＴｉＯ４系においては、ｔａｎδが低温においても単調に減少するが、超伝導体電極との界面反応が激しいという問題点を有している。
特にスクリーン印刷による厚膜形成の場合には、誘電体と酸化物超伝導体との界面反応が大きな問題であり、界面反応が激しいと超伝導体が分解し超伝導特性が得られない。
したがって、超伝導体を応用した製品の実用化を目指すには、界面反応を生じない基板材料を発見することが極めて重要である。
なお、酸化物超伝導体と界面反応が生じず、高周波での用途に適した誘電体としては、ＭｇＯが考えられるが、ＭｇＯはεｒ（比誘電率）が９〜１０であり、上述の誘電体のεｒ（比誘電率）２０〜３０に比べて低いため、共振系の小型化に不利である。
それゆえに、本発明の主たる目的は、誘電体表面に酸化物超伝導体からなる電極を形成し、小型で高い無負荷Ｑ（Ｑｕ）を実現できる誘電体共振器、およびそれを用いた誘電体フィルタ、誘電体デュプレクサおよび通信機装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
本発明に係る誘電体共振器は、誘電体の表面に酸化物超伝導体電極を形成してなる誘電体共振器であって、前記誘電体は、Ｂａ（Ｍｇ，Ｍａ）Ｏ３系（ただし、ＭａはＴａ単独を除く５価の金属元素）誘電体であり、前記酸化物超伝導体は、Ｂｉ−Ｓｒ−Ｃａ−Ｃｕ−Ｏ系（ただし、Ｂｉの一部をＰｂで置換したものも含む）酸化物超伝導体、およびＴｌ−Ｂａ−Ｃａ−Ｃｕ−Ｏ系酸化物超伝導体のうちのいずれかの酸化物超伝導体であることを特徴とする。
この場合、前記Ｍａは、Ｔａ，Ｓｂ，およびＮｂから選ばれる少なくとも一種以上（ただし、Ｔａ単独は除く）であることが好ましい。
また、本発明に係る誘電体共振器は、誘電体の表面に酸化物超伝導体電極を形成してなる誘電体共振器であって、前記誘電体は、Ｂａ（Ｍｂ，Ｍｇ，Ｔａ）Ｏ３系（ただし、Ｍｂは４価または５価の金属元素）誘電体であり、前記酸化物超伝導体は、Ｂｉ−Ｓｒ−Ｃａ−Ｃｕ−Ｏ系（ただし、Ｂｉの一部をＰｂで置換したものも含む）酸化物超伝導体、およびＴｌ−Ｂａ−Ｃａ−Ｃｕ−Ｏ系酸化物超伝導体のうちのいずれかの酸化物超伝導体であることを特徴とする。
この場合、前記Ｍｂは、Ｓｎ，Ｚｒ，Ｓｂ，およびＮｂから選ばれる少なくとも一種以上であることが好ましい。また、前記Ｂａ（Ｍｂ，Ｍｇ，Ｔａ）Ｏ３系誘電体は、Ｂａ（Ｓｎ，Ｍｇ，Ｔａ）Ｏ３系誘電体であることが好ましい。また、前記Ｂａ（Ｍｂ，Ｍｇ，Ｔａ）Ｏ３系誘電体は、Ｂａ（Ｍｇ，Ｓｂ，Ｔａ）Ｏ３系誘電体であることが好ましい。
また、本発明に係る誘電体共振器において、前記Ｂｉ−Ｓｒ−Ｃａ−Ｃｕ−Ｏ系酸化物超伝導体としては、（Ｂｉ，Ｐｂ）２Ｓｒ２Ｃａ２Ｃｕ３Ｏｘ、またはＢｉ２Ｓｒ２ＣａＣｕ２Ｏｘを用いることができる。また、前記Ｔｌ−Ｂａ−Ｃａ−Ｃｕ−Ｏ系酸化物超伝導体としては、Ｔｌ２Ｂａ２Ｃａ２Ｃｕ３Ｏｘを用いることができる。
また、本発明に係る誘電体共振器は、誘電体の表面に酸化物超伝導体電極を形成してなる誘電体共振器であって、前記誘電体は、Ｂａ（Ｍｇ，Ｓｂ，Ｔａ）Ｏ３系誘電体であり、前記酸化物超伝導体は、Ｒｅ−Ｍ−Ｃｕ−Ｏ系（ただし、Ｒｅは希土類元素、Ｍはアルカリ土類金属元素）酸化物超伝導体であることを特徴とする。
この場合、前記Ｒｅ−Ｍ−Ｃｕ−Ｏ系酸化物超伝導体としては、ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７−ｘを用いることができる。
さらに、本発明にかかる誘電体フィルタは、上述のいずれかの誘電体共振器に外部結合手段を含んでなることを特徴とする。
また、本発明にかかる誘電体デュプレクサは、少なくとも二つの誘電体フィルタと、誘電体フィルタのそれぞれに接続される入出力接続手段と、誘電体フィルタに共通に接続されるアンテナ接続手段とを含んでなる誘電体デュプレクサであって、誘電体フィルタの少なくとも一つが本発明にかかる誘電体フィルタであることを特徴とする。
また、本発明にかかる通信機装置は、上述の誘電体デュプレクサと、誘電体デュプレクサの少なくとも一つの入出力接続手段に接続される送信用回路と、送信用回路に接続される入出力接続手段と異なる少なくとも一つの入出力接続手段に接続される受信用回路と、誘電体デュプレクサのアンテナ接続手段に接続されるアンテナとを含んでなることを特徴とする。
なお、Ｒｅ−Ｍ−Ｃｕ−Ｏ系酸化物超伝導体を構成するＲｅ（希土類元素）としては、Ｙ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，およびＬｕが挙げられる。また、Ｍ（アルカリ土類金属元素）としては、Ｂａ，およびＳｒなどが好ましい。
【作用】
酸化物超伝導体の表面抵抗（Ｒｓ）は、臨界温度（Ｔｃ）以下の温度域において金属よりも小さくなるため、電極での導体損が小さくなりＱｃが大幅に向上する。
また、本発明で用いた誘電体は、低温で優れたｔａｎδ特性を有し、酸化物超伝導体との界面反応が生じないため、その表面に酸化物超伝導体電極を形成するのに好適である。
本発明の上述の目的，その他の目的，特徴および利点は、図面を参照して行う以下の発明の実施の形態の詳細な説明から一層明らかとなろう。
【発明の実施の形態】
【実施例】
図１は本発明にかかるＴＥ０１１モードの誘電体共振器の一例を示す図解図である。
この誘電体共振器１０の共振系は、誘電体材料のマイクロ波帯における誘電特性の評価方法として、また、超伝導体の表面抵抗測定法として一般的な両端短絡型誘電体共振器法（Ｈａｋｋｉ　＆　Ｃｏｌｅｍａｎｎ法）である。
この方法においては、通常は誘電体を二枚の金属板で挟み込む構造とするが、この実施例の誘電体共振器１０は、そのうちの一枚を誘電体表面に形成した超伝導体電極に置き換えた構造である。すなわち、図１に示す誘電体共振器１０は、誘電体基板１２を含む。
誘電体基板１２の表面には、膜状の超伝導体電極１４が形成されている。この超電導体電極１４と対向して銅板１６が配置される。そして、超伝導体電極１４と銅板１６との間には、誘電体１８が挟持される。さらに、２つの励振ケーブル２０，２２が超伝導体電極１４と銅板１６との間において誘電体１８の両側に互いに対向して配置される。
この実施例では、誘電体１８としてＢａ（Ｓｎ，Ｍｇ，Ｔａ）Ｏ３系誘電体（寸法：φ８．５ｍｍ×ｔ３．８ｍｍ）を用いた。
その組成は、Ｂａ（ＳｎｘＭｇｙＴａｚ）Ｏ７／２−ｘ／２−３ｙ／２（ただし、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１、０．０４≦ｘ≦０．２６、０．２３≦ｙ≦０．３１、０．５１≦ｚ≦０．６５）である。
また、超伝導体電極１４形成用の誘電体基板１２もＢａ（Ｓｎ，Ｍｇ，Ｔａ）Ｏ３を用いて形成した。
この実施例では、超伝導体電極１４として、Ｂｉ−Ｐｂ−Ｓｒ−Ｃａ−Ｃｕ−Ｏ膜またはＹ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ膜を使用した。具体的には、たとえば（Ｂｉ，Ｐｂ）２Ｓｒ２Ｃａ２Ｃｕ３ＯｘまたはＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７−ｘを用いた。
これらの超電導体電極１４は、たとえば次のようにして形成することができる。Ｂｉ−Ｐｂ−Ｓｒ−Ｃａ−Ｃｕ−Ｏ膜は、Ｂｉ−Ｐｂ−Ｓｒ−Ｃａ−Ｃｕ−Ｏ（２２２３相）組成粉末を有機ビヒクルと混合し、適度な粘度に調整した後に誘電体基板１４上にスクリーン印刷し、得られた膜を１００℃〜１５０℃で乾燥し、乾燥した膜を大気中８４０℃〜８６０℃で１００時間〜２００時間焼成することにより形成することができる。
また、Ｙ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ膜は、Ｙ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ組成粉末を有機ビヒクルと混合し、適度な粘度に調整した後に誘電体磁器上にスクリーン印刷し、得られた膜を酸素雰囲気中８６０℃〜８８０℃で５時間〜１０時間焼成することにより形成することができる。
超伝導体電極１４としてＢｉ−Ｐｂ−Ｓｒ−Ｃａ−Ｃｕ−Ｏ膜を用いた誘電体共振器１０とＹ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ膜を用いた誘電体共振器１０とを形成し、それぞれの無負荷Ｑの低温特性を測定した。それぞれの結果を図２に白丸および白三角でプロットして示す。なお、図２中、ＢＰＳＣＣＯとは、Ｂｉ−Ｐｂ−Ｓｒ−Ｃａ−Ｃｕ−Ｏの略であり、ＹＢＣＯとは、Ｙ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏの略である。
また、比較例として、超伝導体電極１４の代わりに銅板を設けた以外は図１に示す誘電体共振器１０と同様の構成の誘電体共振器を形成した。すなわち、この比較例の誘電体共振器は、誘電体１８を２枚の銅板で挟持した以外は図１に示す誘電体共振器１０と同様の構成である。この比較例の誘電体共振器の無負荷Ｑ（Ｑｕ）の低温特性を図２に黒菱形でプロットして示す。
図２から明らかなように、この誘電体共振器１０は、二枚の銅板で誘電体を挟持した比較例の誘電体共振器よりも高い無負荷Ｑ（Ｑｕ）を実現できる。すなわち、誘電体基板１２上に形成した超伝導体電極１４は誘電体と界面反応を生じずに超伝導特性を示すことがわかる。
図３は本発明にかかるＴＭ０１０モードの誘電体共振器の一例を示す図解図である。図３に示す誘電体共振器３０は、誘電体基板３２を含む。
誘電体基板３２の表裏面には、膜状の超伝導体電極３４，３６が形成されている。そして、この誘電体基板３２はテフロンシート３８を介して金属ケース４０内に固定される。金属ケース４０の一端側には励振ケーブル４２が設けられ、他端側には励振ケーブル４４が設けられる。
この共振器３０の誘電体基板３２は、誘電体共振器１０と同様にＢａ（Ｓｎ，Ｍｇ，Ｔａ）Ｏ３系誘電体を用いて形成した。また、超電導体電極３４、３６としては、Ｂｉ−Ｐｂ−Ｓｒ−Ｃａ−Ｃｕ−Ｏ膜を上述と同様の方法で形成した。そして、その無負荷Ｑの低温特性を測定した。その結果を図４に白丸でプロットして示す。なお、図４中、ＢＰＳＣＣＯとは、Ｂｉ−Ｐｂ−Ｓｒ−Ｃａ−Ｃｕ−Ｏの略である。
また、比較例として、超伝導体電極３４、３６の代わりに銅薄膜を設けた以外は図３に示す誘電体共振器３０と同様の構成の誘電体共振器を形成した。すなわち、この比較例の誘電体共振器は、誘電体３２を２枚の銅薄膜で挟持した以外は図３に示す誘電体共振器３０と同様の構成である。この比較例の誘電体共振器の無負荷Ｑ（Ｑｕ）の低温特性を図４に黒菱形でプロットして示す。
図４から明らかなように、この誘電体共振器３０は、比較例の誘電体共振器よりも高い無負荷Ｑ（Ｑｕ）を実現できる。すなわち、誘電体基板３２の表裏面に形成した超伝導体電極３４，３６は誘電体と界面反応を生じずに超伝導特性を示すことがわかる。
なお、上述の各実施例では、誘電体としてＢａ（Ｓｎ，Ｍｇ，Ｔａ）Ｏ３系誘電体を用いた場合を説明したが、課題を解決する手段の欄に記載した他の誘電体を用いた場合にも同様の効果を得ることができる。
また、酸化物超伝導体も上述の実施例で使用したものに限るものではなく、課題を解決する手段の欄に記載した他の酸化物超伝導体を使用した場合にも同様の効果を得ることができる。
また、上述の各実施例では、ＴＥ０１１モードの誘電体共振器とＴＭ０１０モードの誘電体共振器とについて説明したが、本発明はこれらに限定されるものではなく、他の形式の誘電体共振器、たとえば、他のＴＥモード、ＴＭモード、ＴＥＭモードの誘電体共振器、または誘電体基板上にストリップラインを形成した共振器にも同様に適用することができる。
図５は、本発明にかかる誘電体共振器を用いた通信機装置の一例を示すブロック図である。この通信機装置５０は、誘電体デュプレクサ５２、送信回路５４、受信回路５６およびアンテナ５８を含む。
送信回路５４は、誘電体デュプレクサ５２の入力手段６０に接続され、受信回路５６は、誘電体デュプレクサ５２の出力手段６２に接続される。また、アンテナ５８は、誘電体デュプレクサ５２のアンテナ接続手段６４に接続される。この誘電体デュプレクサ５２は、２つの誘電体フィルタ６６，６８を含む。誘電体フィルタ６６，６８は、本発明にかかる誘電体共振器に外部結合手段を接続してなるものである。
この実施例では、たとえば、誘電体共振器１０（３０）の励振ケーブルにそれぞれ外部結合手段７０を接続して形成される。そして、一方の誘電体フィルタ６６は入力手段６０とアンテナ接続用手段６４との間に接続され、他方の誘電体フィルタ６８は、アンテナ接続用手段６４と出力手段６２との間に接続される。
【発明の効果】
本発明にかかる誘電体共振器によれば、誘電体と超伝導体との界面反応が生じず良好な超伝導特性が得られ、金属電極を用いるよりも高い無負荷Ｑ（Ｑｕ）を実現することができる。
また、本発明にかかる誘電体共振器を用いて誘電体フィルタ、誘電体デュプレクサ、および通信機装置を形成することにより、それぞれ良好な特性を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明にかかる誘電体共振器の一例を示す図解図である。
【図２】ＴＥ０１１モードの誘電体共振器の無負荷Ｑ（Ｑｕ）の低温特性を示すグラフである。
【図３】本発明にかかる誘電体共振器の他の例を示す図解図である。
【図４】ＴＭ０１０モードの誘電体共振器の無負荷Ｑ（Ｑｕ）の低温特性を示すグラフである。
【図５】本発明にかかる通信機装置の一例を示すブロック図である。
【図６】各種誘電体の１０ＧＨｚにおけるｔａｎδの温度特性を示すグラフである。
【図７】各種誘電体の１０ＧＨｚにおけるｔａｎδの温度特性を示すグラフである。
【符号の説明】
１０，３０　誘電体共振器
１２，３２　誘電体基板
１４，３４、３６　超伝導体電極
１６　銅板
１８　誘電体
２０，２２　励振ケーブル
４０　金属ケース
５０　通信機装置
５２　誘電体デュプレクサ
５４　送信回路
５６　受信回路
５８　アンテナ
６０　入力手段
６２　出力手段
６４　アンテナ接続手段
６６，６８　誘電体フィルタ
７０　外部結合手段
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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