(57)【要約】【課題】アモルファス物質で形成された読取用光導電層を備えた固体検出器を用いた画像読取方法および装置において、高速読取モードと高画質モードとを選択的に使用可能とする。【解決手段】高速読取モードまたは高画質モードに対応して、読取速度変更手段６０により、読取光走査手段２０による固体検出器１０に対する読取光の走査速度と、電流検出手段３０により検出された電流から画像信号取得手段５０が画像信号を取得する際のサンプリング周波数とを制御する。併せて、周波数帯域変更手段４０を制御して電流検出手段３０の周波数帯域を画像信号取得手段５０のサンプリング周波数に対して最適な帯域となるように制御する。【選択図】　　　　　図１
2004147255.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
記録光に対して透過性を有する第１の導電層、前記記録光の照射を受けることにより光導電性を呈する記録用光導電層、前記記録光が担持する画像情報を静電潜像として蓄積する蓄電部、読取光の照射を受けることにより光導電性を呈する、アモルファス物質で形成された読取用光導電層、多数の線状電極からなるストライプ電極を有する第２の導電層をこの順に積層してなり、前記読取光で走査されることにより前記静電潜像に応じた電流を発生する固体検出器を前記読取光で走査し、
該走査により前記線状電極から出力される電流を、電流検出手段により前記線状電極毎に検出し、
前記電流検出手段により検出した電流を所定のサンプリング周波数でサンプリングして画像信号を取得する画像読取方法において、
前記読取光の走査速度および前記サンプリング周波数を同じ割合で変化させて静電潜像の読取速度を変更した場合に、前記読取速度に応じて前記電流検出手段の周波数帯域を変更することを特徴とする画像読取方法。
【請求項２】
記録光に対して透過性を有する第１の導電層、前記記録光の照射を受けることにより光導電性を呈する記録用光導電層、前記記録光が担持する画像情報を静電潜像として蓄積する蓄電部、読取光の照射を受けることにより光導電性を呈する、アモルファス物質で形成された読取用光導電層、多数の線状電極からなるストライプ電極を有する第２の導電層をこの順に積層してなり、前記読取光で走査されることにより前記静電潜像に応じた電流を発生する固体検出器と、
前記読取光で前記固体検出器を走査する読取光走査手段と、
該読取光走査手段による走査により前記線状電極から出力される電流を、前記線状電極毎に検出する電流検出手段と、
該電流検出手段により検出された電流を所定のサンプリング周波数でサンプリングして画像信号を取得する画像信号取得手段とを備えた画像読取装置において、
前記読取光走査手段の走査速度および前記サンプリング周波数を同じ割合で変化させて、静電潜像の読取速度を変更する読取速度変更手段を備えたことを特徴とする画像読取装置。
【請求項３】
前記電流検出手段の周波数帯域を変更する周波数帯域変更手段を備えたことを特徴とする請求項２記載の画像読取装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、アモルファス物質で形成された読取用光導電層を備えた固体検出器を用いた画像読取方法および装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、固体検出器を用いた装置、例えばファクシミリ、複写機あるいは放射線撮像装置等が知られている。
【０００３】
例えば、医療用Ｘ線撮影等において、被験者の受ける被爆線量の減少、診断性能の向上等のために、Ｘ線に感応する例えばａ−Ｓｅ（アモルファスセレン）から成るセレン板等の光導電体を有する固体検出器を使用し、この固体検出器に画像情報を担持するＸ線等の記録光を照射して、画像情報を担持する潜像電荷を固体検出器の蓄電部に蓄積させ、その後レーザビーム等の読取用の電磁波（以下、読取光という）で固体検出器を走査することにより該固体検出器内に生じる電流を該固体検出器両側の平板電極あるいはストライプ電極を介して検出することにより、潜像電荷が担持する静電潜像、すなわち記録された画像情報を読み取るシステムが知られている。
【０００４】
ここで、固体検出器への画像情報の記録と、記録された画像情報を読み取るプロセスは、固体検出器の層構成によって異なるものである。例えば、両端の電極と、両電極間に配設された記録用光導電層および読取用光導電層とを有してなるものを使用する場合には、両端電極に記録用電圧が印加された状態で記録光を記録用光導電層に照射して、静電潜像を固体検出器の蓄電部に形成し、その後、固体検出器の両端電極を短絡して同電位にし、さらに、読取光に対して透過性を有する電極（以下読取光側電極という）を介して読取光で読取用光導電層を走査し、読取光側電極と読取用光導電層との界面で発生する電子とホールのペア（電荷対）による光誘起放電によって生じる電流を電圧信号に変換することにより、静電潜像の電気的読取りを行う。この場合、前記静電潜像の読取時、記録光の非照射部では電流が流れず、記録光強度が強い部分ほど大きな電流が流れる。なお、このように、記録後に固体検出器の両端電極を短絡した後に読取りを行う系をショート読出しの系といい、また、像の明部ほど大きな電流が流れる系をポジ型の系という。
【０００５】
このようなショート読出しの系かつポジ型の系に使用される固体検出器の具体的な層構成としては、例えば、第１導電体層（記録光側電極層；以下同様）、記録用光導電層、蓄電部としてのトラップ層、読取用光導電層、第２導電体層（読取光側電極層；以下同様）をこの順に積層してなるものがある（特許文献１等）。
【０００６】
また、本願出願人は、ポジ型の固体検出器として、記録用の放射線に対して透過性を有する第１導電体層、記録用の放射線の照射を受けることにより光導電性を呈する記録用光導電層、第１導電体層に帯電される電荷と同極性の電荷に対しては略絶縁体として作用し、かつ、該同極性の電荷と逆極性の電荷に対しては略導電体として作用する電荷輸送層、読取光の照射を受けることにより光導電性を呈する読取用光導電層、読取光に対して透過性を有する第２導電体層をこの順に積層してなり、記録用光導電層と電荷輸送層との界面に蓄電部が形成されるものを提案している（特許文献２、特許文献３等）。
【０００７】
【特許文献１】
米国特許第４５３５４６８号明細書
【０００８】
【特許文献２】
特開２０００−１０５２９７号公報
【０００９】
【特許文献３】
特開２０００−２８４０５６号公報
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
上記特許文献１から３に記載されているような読取用光導電層を備えた固体検出器においては、読取用光導電層に好適な材料として例えばアモルファスセレン等のアモルファス物質が多く用いられるが、このようなアモルファス物質は、結晶材料と比べて電荷の移動速度が非常に遅いため、図４に示すグラフが表すように、読取光の照射に対する電荷検出の応答性が芳しくなく、そのため、読取光の走査速度を速くした場合には、高速に読取を行うことができるが、検出電荷量が少なくなるために良好な画質の画像を得ることができず（高速読取モード）、また、読取光の走査速度を遅くした場合には、検出電荷量が多くなるため良好な画質の画像を得ることができるが、読取に時間が掛かってしまう（高画質モード）という問題があった。
【００１１】
そのため、アモルファス物質で形成された読取用光導電層を備えた固体検出器を用いた画像撮像方法および装置においては、必要に応じて上述のような高速読取モードと高画質モードとが選択できることが望ましいが、上述のような高速読取モードと高画質モードとを選択的に使用可能な方法および装置については未だ開示がなされていなかった。
【００１２】
本発明は、アモルファス物質で形成された読取用光導電層を備えた固体検出器を用いた画像読取方法および装置において、高速読取モードと高画質モードとを選択的に使用可能とすることを目的とするものである。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
本発明による画像読取方法は、記録光に対して透過性を有する第１の導電層、記録光の照射を受けることにより光導電性を呈する記録用光導電層、記録光が担持する画像情報を静電潜像として蓄積する蓄電部、読取光の照射を受けることにより光導電性を呈する、アモルファス物質で形成された読取用光導電層、多数の線状電極からなるストライプ電極を有する第２の導電層をこの順に積層してなり、読取光で走査されることにより静電潜像に応じた電流を発生する固体検出器を読取光で走査し、この走査により線状電極から出力される電流を、電流検出手段により線状電極毎に検出し、電流検出手段により検出した電流を所定のサンプリング周波数でサンプリングして画像信号を取得する画像読取方法において、読取光の走査速度およびサンプリング周波数を同じ割合で変化させて静電潜像の読取速度を変更した場合に、読取速度に応じて電流検出手段の周波数帯域を変更することを特徴とするものである。
【００１４】
電流検出手段に用いるアンプのノイズは、周波数帯域の平方根に比例するため、必要以上の帯域はノイズの点で不利である。また、サンプリングが不適切なために起こる折り返しノイズもサンプリング周波数と電流検出手段（アンプ）の周波数帯域で決定されるが、画素サイズを固定した場合には、１画素あたりの読取時間は読取光の走査速度に依存するため、サンプリング周波数が読取光の走査速度の関数となる。従って、読取光の走査速度に対応させて電流検出手段（アンプ）の周波数帯域を変更することにより、検出信号のＳ／Ｎを最適化でき、読取光の走査速度毎に最高の画質を得ることができる。
【００１５】
本発明による画像読取装置は、記録光に対して透過性を有する第１の導電層、記録光の照射を受けることにより光導電性を呈する記録用光導電層、記録光が担持する画像情報を静電潜像として蓄積する蓄電部、読取光の照射を受けることにより光導電性を呈する、アモルファス物質で形成された読取用光導電層、多数の線状電極からなるストライプ電極を有する第２の導電層をこの順に積層してなり、読取光で走査されることにより静電潜像に応じた電流を発生する固体検出器と、読取光で固体検出器を走査する読取光走査手段と、読取光走査手段による走査により線状電極から出力される電流を線状電極毎に検出する電流検出手段と、電流検出手段により検出された電流を所定のサンプリング周波数でサンプリングして画像信号を取得する画像信号取得手段とを備えた画像読取装置において、読取光走査手段の走査速度およびサンプリング周波数を同じ割合で変化させて、静電潜像の読取速度を変更する読取速度変更手段を備えたことを特徴とするものである。
【００１６】
上記本発明による画像読取装置においては、電流検出手段の周波数帯域を変更する周波数帯域変更手段を備えたものとすることが好ましい。
【００１７】
【発明の効果】
本発明による画像読取方法および装置によれば、読取光走査手段の走査速度およびサンプリング周波数を同じ割合で変化させて、静電潜像の読取速度を変更可能とすることにより、高速読取モードと高画質モードとを選択的に使用可能とすることができる。
【００１８】
また、読取光の走査速度に対応させて電流検出手段（アンプ）の周波数帯域を変更することにより、検出信号のＳ／Ｎを最適化でき、読取光の走査速度毎に最高の画質を得ることができる。
【００１９】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態について詳細に説明する。図１は本実施の形態による画像読取装置のブロック図、図２はこの画像読取装置の固体検出器、電流検出手段および画像信号取得手段の概略図である。
【００２０】
図１および図２に示すように、この画像読取装置１は、画像検出器としての放射線固体検出器（以下単に検出器とも言う）１０と、読取光により固体検出器１０を走査する読取光走査手段２０と、固体検出器１０から出力される電流を検出する電流検出手段３０と、電流検出手段３０の周波数帯域を変更する周波数帯域変更手段４０と、電流検出手段３０により検出された電流を所定のサンプリング周波数でサンプリングして画像信号を取得する画像信号取得手段５０と、読取光走査手段２０、周波数帯域変更手段４０および画像信号取得手段５０を制御して固体検出器１０からの画像信号の読取速度を変更する読取速度変更手段６０とを備えている。
【００２１】
固体検出器１０は、画像情報を静電潜像として記録し、読取光で走査されることにより、静電潜像に応じた電流を発生するものであり、記録光に対して透過性を有する第１の導電層１１、記録光の照射を受けることにより電荷を発生して導電性を呈する記録用光導電層１２、第１の導電層１１に帯電される潜像極性電荷に対しては略絶縁体として作用し、かつ、該潜像極性電荷と逆極性の輸送極性電荷に対しては略導電体として作用する電荷輸送層１３、読取光の照射を受けることにより電荷を発生して導電性を呈する読取用光導電層１４、読取光に対して透過性を有する第２の導電層１５をこの順に積層してなるものである。記録用光導電層１２と電荷輸送層１３との界面に蓄電部１７が形成される。第１の導電層１１としては０．１μｍ厚のＡｕを用い、記録用光導電層１２としては５００μｍ厚のａ−Ｓｅを用い、電荷輸送層１３としては０．１μｍ厚のＡｓ２Ｓｅ３を用い、読取用光導電層１４としては１０μｍ厚のａ−Ｓｅを用いた。読取用電極層としての第２の導電層１５は、多数のＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｚｉｎｃ　Ｏｘｉｄｅ）製の０．２μｍ厚、５０μｍ幅の線状電極（図中の斜線部）が１００μｍピッチでストライプ状に配列されて成るものを用いた。以下第２の導電層１５の電極をストライプ電極１６といい、各線状電極をエレメント１６ａという。上記固体検出器１０の検出可能領域のサイズは４３０ｍｍ×４３０ｍｍとし、１画素のサイズは、主走査方向（エレメント１６ａ配列方向）、副走査方向（エレメント１６ａ長手方向）ともに１００μｍ、すなわち４３００画素×４３００画素となるように構成されている。この固体検出器１０はガラス基板１８上に形成されている。
【００２２】
読取速度変更手段６０は、クロック信号を出力するクロックと、このクロックおよび周波数帯域変更手段４０を制御するドライバとから構成されている。クロックは、読取光走査手段２０および画像信号取得手段５０に接続されており、読取光走査手段２０による読取光の走査速度と、画像信号取得手段５０のサンプリング周波数とを併せて制御するものであって、ドライバからの指示に基づいて内部の水晶振動子の分周比を変更することにより、複数種類の周波数のクロック信号を出力可能なように構成されている。以後、クロックから読取光走査手段２０に出力されるクロック信号をドライブパルス、クロックから画像信号取得手段５０に出力されるクロック信号をラインクロックと記載する。本実施の形態では、１画素あたりの読取時間を０．５ｍｓ、１ｍｓ、２ｍｓとすべく、クロックは２ｋＨｚ、１ｋＨｚ、０．５ｋＨｚの３つの周波数のクロック信号を出力可能となっており、これにより、固体検出器１０全体から画像を読み取る時間を、高速読取モードとして２．１５ｓ、通常モードとして４．３ｓ、高画質モードとして８．６ｓの３パターンの読取モードに変更することが可能である。
【００２３】
読取光走査手段２０は、ＬＥＤチップが一列に複数並べられて構成されたライン光源および該光源から出力された光を固体検出器１０上で線状に照射させる光学系からなる光源部と、この光源部を固体検出器１０と必要な距離を保ったまま平行移動させるリニアモータとから構成されており、主走査方向に対応した線状光を照射する光源部を、リニアモータによって副走査方向に平行移動させることにより固体検出器１０の全面の走査を行うように構成されている。リニアモータはドライブパルスに同期して駆動するものであり、ドライブパルスを１パルス受信する毎に光源部を副走査方向に１画素分移動させる。
【００２４】
電流検出手段３０は、各エレメント１６ａ毎に接続された複数のＩ−Ｖ変換アンプ３１と、画像記録時に固体検出器１０に電圧を印加する高電圧電源３７と、スイッチ３８とから構成されている。このＩ−Ｖ変換アンプ３１は、オペアンプ３２に、抵抗３３と、それぞれ異なる静電容量の高速読取モード用コンデンサ３４、通常モード用コンデンサ３５および高画質モード用コンデンサ３６とが並列に接続されて構成されたものである。
【００２５】
周波数帯域変更手段４０は、高速読取モード用コンデンサ３４、通常モード用コンデンサ３５および高画質モード用コンデンサ３６にそれぞれ直列に接続された高速読取モード用スイッチ４１、通常モード用スイッチ４２および高画質モード用スイッチ４３からなる。この高速読取モード用スイッチ４１、通常モード用スイッチ４２および高画質モード用スイッチ４３は、読取速度変更手段６０のドライバからの指示に基づいて開閉される。
【００２６】
Ｉ−Ｖ変換アンプ３１の周波数帯域は、抵抗３３と、高速読取モード用コンデンサ３４、通常モード用コンデンサ３５または高画質モード用コンデンサ３６のいずれかとで構成されるローパスフィルタの遮断周波数により決定される。
【００２７】
高速読取モード用コンデンサ３４、通常モード用コンデンサ３５および高画質モード用コンデンサ３６のそれぞれの静電容量は、抵抗３２と組合せてローパスフィルタを構成した際に、このローパスフィルタの遮断周波数が、高速読取モード、通常モードおよび高画質モードのそれぞれのサンプリング周波数の半分（ナイキスト周波数）となるように設定する。
【００２８】
画像信号取得手段５０は、各Ｉ−Ｖ変換アンプ３１の出力を複合するアナログマルチプレクサ５１と、アナログマルチプレクサ５１の出力信号をＡ／Ｄ変換するＡ／Ｄ変換器５２とから構成されている。画像信号取得手段５０は、ラインクロックを１パルス受信する毎に副走査方向の１画素分の画像信号をサンプリングする。
【００２９】
次いで、このように構成される画像読取装置１の動作について説明する。
【００３０】
固体検出器１０に静電潜像を記録させる際は、スイッチ３８を高電圧電源３７側に接続して第１の導電層１１と各エレメント１６ａとの間に直流電圧を印加し第１の導電層１１と各エレメント１６ａとを帯電させる。これにより固体検出器１０内の第１の導電層１１と各エレメント１６ａとの間に、エレメント１６ａをＵ字の凹部とするＵ字状の電界が形成される。
【００３１】
外部から画像情報を担持する記録光が固体検出器１０に照射されると、固体検出器１０の記録用光導電層１２内で正負の電荷対が発生し、その内の負電荷が上述の電界分布に沿ってエレメント１６ａに集中せしめられ、記録用光導電層１２と電荷輸送層１３との界面に形成された蓄電部１７に負電荷が蓄積される。この蓄積された負電荷すなわち潜像極性電荷の量は被写体を透過した放射線量に略比例するので、この潜像極性電荷が静電潜像を担持することとなる。このようにして静電潜像が固体検出器１０に記録される。一方、記録用光導電層１２内で発生する正電荷は第１の導電層１１に引き寄せられて、高電圧電源３７から注入された負電荷と電荷再結合し消滅する。
【００３２】
次に、固体検出器１０から静電潜像を読み取る際の動作について説明する。
【００３３】
ドライバに読取モードの種類の情報を含む読取開始信号が入力されると、ドライバはスイッチ３８を切り換えて固体検出器１０の第１の導電層１１と各エレメント１６ａとの間を短絡するとともに、各Ｉ−Ｖ変換アンプ３１が備える高速読取モード用スイッチ４１、通常モード用スイッチ４２または高画質モード用スイッチ４３のいずれかの読取モードに対応したスイッチを閉じて、各Ｉ−Ｖ変換アンプ３１の周波数帯域を最適な帯域に変更する。その後、入力された読取モードに対応するクロック信号をクロックから出力させる。
【００３４】
本実施の形態の説明では高画質モードによる読取りが指示されたものとする。そのため、ドライバは、各Ｉ−Ｖ変換アンプ３１が備える高画質モード用スイッチ４３を閉じ、また、クロックからクロック周波数が０．５ｋＨｚのクロック信号を出力させる。
【００３５】
リニアモータは、ドライブパルスを１パルス受信する毎に光源部を副走査方向に１画素分移動させ、８．６ｓで固体検出器１０の全面（４３００画素分）を走査する。
【００３６】
上記の走査を行うと、読取用光導電層１４内に正負の電荷対が発生し、その内の正電荷が蓄電部１７に蓄積された負電荷（潜像極性電荷）に引きつけられるように電荷輸送層１３内を急速に移動し、蓄電部１７で潜像極性電荷と電荷再結合し消滅する。一方、読取用光導電層１４に生じた負電荷は第２の導電層１５に注入される正電荷と電荷再結合し消滅する。このようにして、固体検出器１０に蓄積されていた負電荷が電荷再結合により消滅し、この電荷再結合の際の電荷の移動による電流が固体検出器１０内に生じる。
【００３７】
各エレメント１６ａ毎に接続されたＩ−Ｖ変換アンプ３１により、この電流が各エレメント１６ａ毎に並列的（同時）に検出され、アナログマルチプレクサ５１に出力される。
【００３８】
アナログマルチプレクサ５１は、ラインクロックを１パルス受信する毎に、各エレメント１６ａ毎に接続された各Ｉ−Ｖ変換アンプ３１から入力された信号を各エレメント１６ａの配列順に切り替わるように順次出力し、Ａ／Ｄ変換器５２によりこの信号をサンプリングしてデジタル信号に変換することによって、副走査方向の１画素分の画像信号を取得し、８．６ｓで固体検出器１０の全面（４３００画素）分の画像信号を取得する。
【００３９】
読取光の走査に伴い固体検出器１０内を流れる電流は潜像極性電荷すなわち静電潜像に応じたものであり、この電流を検出して得た画像信号は静電潜像を表すので静電潜像を読取ることができる。
【００４０】
上記のように構成された本実施の形態の画像読取装置によれば、高速読取モード、通常モードまたは高画質モードのいずれかのモードを選択的に使用可能であるとともに、各モードにおいて検出信号のＳ／Ｎを最適化できるため最高の画質を得ることができる。
【００４１】
次に、本発明による画像読取装置の第２の実施の形態について説明する。本実施の形態は上記第１の実施の形態と比較して、主に固体検出器、読取光走査手段および電流検出手段を変更したものである。図３はこの画像読取装置の固体検出器、電流検出手段および画像信号取得手段の概略図である。なお、本実施の形態による画像読取装置のブロック図は第１の実施の形態と同等であるため省略する。また、ブロック図を構成する各要素の部品番号は、第１の実施の形態の各要素の部品番号の１００を加算したものとする。
【００４２】
本実施の形態の固体検出器１１０は、画像情報を静電潜像として記録し、読取光で走査されることにより、静電潜像に応じた電流を発生するものであり、照射された放射線を波長が５５０ｎｍの可視光、すなわち記録光に変換するシンチレータ１１１、保護層１１２、記録光に対して透過性を有する第１の導電層１１３、記録光の照射を受けることにより電荷を発生して導電性を呈する記録用光導電層１１４、蓄電層１１５、読取光の照射を受けることにより電荷を発生して導電性を呈する読取用光導電層１１６、読取光に対して透過性を有する第２の導電層１１７をこの順に積層してなるものである。シンチレータ１１１としては２２０μｍ厚のＧｄ２Ｏ２Ｓを用い、第１の導電層１１３としては０．１μｍ厚のＩＺＯを用い、記録用光導電層１１４としては電荷発生層（ＣＧＬ）１１４ａおよび電荷輸送層（ＣＴＬ）１１４ｂから構成される３μｍ厚の有機光導電層（ＯＰＣ）を用い、蓄電層１１５は０．１μｍ厚のＡｌパッチ１１５ａを画素毎に対応させて複数配列して構成し、読取用光導電層１１６としては３μｍ厚のａ−Ｓｉを用いた。読取用電極層としての第２の導電層１１７は、多数のＩＺＯ製の０．２μｍ厚、５０μｍ幅の線状電極（図中の斜線部）が１００μｍピッチでストライプ状に配列されて成るものを用いた。以下第２の導電層１１７の電極をストライプ電極１１７といい、各線状電極をエレメント１１７ａという。上記固体検出器１１０の検出可能領域のサイズは４３０ｍｍ×４３０ｍｍとし、１画素のサイズは、主走査方向（エレメント１１７ａ配列方向）、副走査方向（エレメント１１７ａ長手方向）ともに１００μｍ、すなわち４３００画素×４３００画素となるように構成されている。
【００４３】
読取光走査手段１２０は、面状光源１２１と、この面状光源１２１を駆動するドライバとから構成されている。
【００４４】
面状光源１２１は、導電層１２２、ＥＬ層１２３、導電層１２４、から成るＥＬ発光体である。ＥＬ層１２３は、有機ＥＬおよび無機ＥＬのいずれであってもよい。検出器１１０のストライプ電極１１７と導電層１２２との間には絶縁層１２５が設けられている。導電層１２２は、多数のエレメント（図中の斜線部）１２２ａが１００μｍピッチでストライプ状に配列されて成るものであり、各エレメント１２２ａは、検出器１１０のストライプ電極１１７の各エレメント１１７ａと交差するように配列されており、これにより、エレメント１２２ａによるライン状の光源が面状に多数配列するように構成される。各エレメント１２２ａはドライバに接続されている。
【００４５】
ドライバは、エレメント１２２ａとそれに対向する導電層１２４との間に所定の電圧を印加するものであり、読取時にはエレメント１２２ａに個別に電圧を印加するものである。例えば、エレメント１２２ａを順次切り替えながら、夫々のエレメント１２２ａと導電層１２４との間に所定の直流電圧を印加すると、エレメント１２２ａと導電層１２４とに挟まれたＥＬ層１２３からＥＬ光が発せられ、エレメント１２２ａを透過したＥＬ光はライン状の読取光（以下ライン光という）として利用される。すなわち、面状光源１２１は、ライン状の微小光源を面状に多数配列したものと等価となり、ストライプ電極１１７の長手方向の一方の端から他方の端までの全部についてエレメント１２２ａをストライプ電極１１７の長手方向に順次切り替えてＥＬ発光させることにより、ライン光でストライプ電極１１７の全面を電気的に走査することになる。なお、エレメント１１７ａの長手方向が副走査方向に対応し、ライン光の延びる方向が主走査方向に対応する。
【００４６】
ドライバはドライブパルスに同期して駆動するものであり、ドライブパルスを１パルス受信する毎にエレメント１２２ａを１ライン切り換える。
【００４７】
上記固体検出器１１０と面状光源１２１は、ガラス基板１１８上に、この順に積層されて形成される。
【００４８】
電流検出手段１３０は、各エレメント１１７ａ毎に接続された複数の電流検出アンプ１３１と、画像記録時に固体検出器１０に電圧を印加する高電圧電源１３５と、スイッチ１３６とから構成されている。電流検出アンプ１３１は、チャージアンプ１３２と、２チャネルのサンプルホールド回路１３３と、差動アンプ１３４とからなり、相関２重サンプリング処理を行うように構成されている。
【００４９】
相関２重サンプリング処理とは、チャージアンプ１３２が蓄積モードに切り替わった直後に出力される電気信号とリセットモードに切り替わる直前に出力される電気信号とを２チャネルのサンプルホールド回路１３３により検出して、差動アンプ１３４により２チャネルのサンプルホールド回路１３３の出力の差を信号成分とすることにより、チャージアンプ１３２で生じるチャージフィールドスルーと呼ばれるオフセットの影響を回避することができる処理である。
【００５０】
また、電流検出手段１３０は、図示しない周波数帯域変更手段１４０を内部に備える。この周波数帯域変更手段１４０は、高速読取モード用ローパスフィルタ、通常モード用ローパスフィルタおよび高画質モード用ローパスフィルタの３つのローパスフィルタから構成される。なお、各ローパスフィルタの遮断周波数は、高速読取モード、通常モードおよび高画質モードのそれぞれのサンプリング周波数の半分（ナイキスト周波数）となるように設定する。
【００５１】
上記のように構成された本実施の形態の画像読取装置においても、第１の実施の形態と同等の効果を得ることができる。
【００５２】
以上、本発明による画像読取装置の好ましい実施の形態について説明したが、本発明に使用される固体検出器は、上記実施の形態で説明したものに限定されるものではなく、例えば上記特許文献２や特許文献３等に記載のように、第１の導電層、記録用光導電層、読取用光導電層および第２の導電層をこの順に有すると共に、第１の導電層と２電極層との間に蓄電部が形成されて成る光読出方式のもので、かつポジ型のものにおいて、蓄電部を形成するために、さらに他の層（トラップ層、絶縁層等）や微小導電部材（マイクロプレート）を積層して成るものを用いることもできる。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１の実施の形態による画像読取装置のブロック図
【図２】第１の実施の形態による画像読取装置の固体検出器、電流検出手段および画像信号取得手段の概略図
【図３】第２の実施の形態による画像読取装置の固体検出器、電流検出手段および画像信号取得手段の概略図
【図４】１画素あたりの読取時間と検出電荷量との関係を示すグラフ
【符号の説明】
１　　画像読取装置
１０、１１０　　放射線固体検出器
２０、１２０　　読取光走査手段
３０、１３０　　電流検出手段
４０、１４０　　周波数帯域変更手段
５０、１５０　　画像信号取得手段
６０、１６０　　読取速度変更手段
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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