(57)【要約】  【課題】  良好な記録・再生特性を保持しながら従来より多数回の書き換えまたは超解像読みだしを可能にする。  【解決手段】  Ｓｂ−Ｔｅ−Ｇｅ系やＳｂ−Ｔｅ−Ｉｎ系の相変化型の記録膜３または超解像読み出し用薄膜に、Ｃｒ、およびＡｇ，Ｂａ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｐｔ，Ｓｉ，Ｓｒ，Ａｕ，Ｃｄ，Ｃｕ，Ｌｉ，Ｍｏ，Ｍｎ，Ｚｎ，Ａｌ，Ｆｅ，Ｐｂ，Ｎａ，Ｃｓ，Ｇａ，Ｐｄ，Ｂｉ，Ｓｎ，Ｔｉ，Ｖ，Ｉｎおよびランタノイド元素から選ばれた少なくとも一つの元素ＸまたはＢを添加する。記録膜３中または超解像読み出し用薄膜中に相変化成分３ａよりも高融点の成分３ｂが析出し、記録・消去，超解像読みだし時の膜の流動・偏析を防止する。【選択図】図１
2004268587.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に直接または保護層を介して形成された、エネルギービームの照射を受けて生じる原子配列変化によって情報を記録・再生する情報記録用薄膜において、
前記情報記録用薄膜の膜厚方向の平均組成が、一般式
ＳｂxＴｅyＡpＢqＣr           （１）
で表わされ、
前記ＡはＧｅおよびＩｎからなる第１群から選ばれた少なくとも一つの元素、前記Ｂはランタノイド元素およびＡｇ，Ｂａ，Ｃｏ，Ｃｒ，Ｎｉ，Ｐｔ，Ｓｉ，Ｓｒ，Ａｕ，Ｃｄ，Ｃｕ，Ｌｉ，Ｍｏ，Ｍｎ，Ｚｎ，Ａｌ，Ｆｅ，Ｐｂ，Ｎａ，Ｃｓ，Ｇａ，Ｐｄ，Ｂｉ，Ｓｎ，ＴｉおよびＶからなる第２群から選ばれた少なくとも一つの元素、前記ＣはＳｂ，Ｔｅおよび前記ＡおよびＢで表わされる元素以外の少なくとも一つの元素を表わし、
前記ｘ，ｙ，ｐ，ｑおよびｒの単位はいずれも原子パーセントで、それぞれ
２≦ｘ≦４１，２５≦ｙ≦７５，０．１≦ｐ≦６０，３≦ｑ≦４０，
０．１≦ｒ≦３０の範囲にある
ことを特徴とする情報記録用薄膜。
【請求項２】
基板上に直接または保護層を介して形成された、エネルギービームの照射を受けて生じる原子配列変化によって情報を記録・再生する情報記録用薄膜において
、
前記情報記録用薄膜の膜厚方向の平均組成が、一般式
ＳｂxＴｅyＡpＢq             （２）
で表わされ、
前記ＡはＧｅおよびＩｎからなる第１群から選ばれた少なくとも一つの元素、前記Ｂはランタノイド元素およびＡｇ，Ｂａ，Ｃｏ，Ｃｒ，Ｎｉ，Ｐｔ，Ｓｉ，Ｓｒ，Ａｕ，Ｃｄ，Ｃｕ，Ｌｉ，Ｍｏ，Ｍｎ，Ｚｎ，Ａｌ，Ｆｅ，Ｐｂ，Ｎａ，Ｃｓ，Ｇａ，Ｐｄ，Ｂｉ，Ｓｎ，ＴｉおよびＶからなる第２群から選ばれた少なくとも一つの元素を表わし、
前記ｘ，ｙ，ｐおよびｑの単位はいずれも原子パーセントで、それぞれ
２≦ｘ≦４１，２５≦ｙ≦７５，０．１≦ｐ≦６０，３≦ｑ≦４０の範囲にあることを特徴とする情報記録用薄膜。
【請求項３】
基板上に直接または保護層を介して形成された、エネルギービームの照射を受けて生じる原子配列変化によって情報を記録・再生する情報記録用薄膜において、
前記情報記録用薄膜の膜厚方向の平均組成が、一般式
ＳｂxＴｅyＢqＣr      （３）
で表わされ、
前記Ｂはランタノイド元素およびＡｇ，Ｂａ，Ｃｏ，Ｃｒ，Ｎｉ，Ｐｔ，Ｓｉ，Ｓｒ，Ａｕ，Ｃｄ，Ｃｕ，Ｌｉ，Ｍｏ，Ｍｎ，Ｚｎ，Ａｌ，Ｆｅ，Ｐｂ，Ｎａ，Ｃｓ，Ｇａ，Ｐｄ，Ｂｉ，Ｓｎ，ＴｉおよびＶからなる群から選ばれた少なくとも一つの元素、前記ＣはＳｂ，Ｔｅおよび前記Ｂで表わされる元素以外の少なくとも一つの元素を表わし、
前記ｘ，ｙ，ｐおよびｑの単位はいずれも原子パーセントで、それぞれ
２≦ｘ≦４１，２５≦ｙ≦７５，３≦ｑ≦４０，０．１≦ｒ≦３０の範囲にあることを特徴とする情報記録用薄膜。
【請求項４】
基板上に直接または保護層を介して形成された、エネルギービームの照射を受けて生じる原子配列変化によって情報を記録・再生する情報記録用薄膜において、
前記情報記録用薄膜の膜厚方向の平均組成が、一般式
ＳｂxＴｅyＢq              （４）
で表わされ、
前記Ｂはランタノイド元素およびＡｇ，Ｂａ，Ｃｏ，Ｃｒ，Ｎｉ，Ｐｔ，Ｓｉ，Ｓｒ，Ａｕ，Ｃｄ，Ｃｕ，Ｌｉ，Ｍｏ，Ｍｎ，Ｚｎ，Ａｌ，Ｆｅ，Ｐｂ，Ｎａ，Ｃｓ，Ｇａ，Ｐｄ，Ｂｉ，Ｓｎ，ＴｉおよびＶからなる群から選ばれた少なくとも一つの元素を表わし、
前記ｘ，ｙおよびｑの単位はいずれも原子パーセントで、それぞれ
２≦ｘ≦４１，２５≦ｙ≦７５，３≦ｑ≦４０の範囲にある
ことを特徴とする情報記録用薄膜。
【請求項５】
基板上に直接または保護層を介して形成された、エネルギービームの照射を受けて生じる原子配列変化によって情報を記録・再生する情報記録用薄膜において
、
前記情報記録用薄膜の膜厚方向の平均組成が、一般式
（ＧｅaＳｂbＴｅc）1-dＸd        （５）
で表わされ、
前記ＸはＣｒおよびＡｇ，Ｂａ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｐｔ，Ｓｉ，Ｓｒ，Ａｕ，Ｃｄ，Ｃｕ，Ｌｉ，Ｍｏ，Ｍｎ，Ｚｎ，Ａｌ，Ｆｅ，Ｐｂ，Ｎａ，Ｃｓ，Ｇａ，Ｐｄ，Ｂｉ，Ｓｎ，Ｔｉ，Ｖ，Ｉｎ，Ｗ，Ｚｎおよびランタノイド元素の少なくとも一つの元素を表わし、それぞれ前記ａ，ｂ，ｃおよびｄが、それぞれ
０．０２≦ａ≦０．１９，０．０４≦ｂ≦０．４，０．５≦ｃ≦０．７５，０．０３≦ｄ≦０．３，の範囲にあることを特徴とする情報記録用薄膜。
【請求項６】
基板上に直接または保護層を介して形成された、エネルギービームの照射を受けて生じる原子配列変化によって情報を記録・再生する情報記録用薄膜において、
前記情報記録用薄膜の膜厚方向の平均組成が、一般式
（ＧｅaＳｂbＴｅc）1-dＸd        （５）
で表わされ、
前記ＸはＣｒおよびＡｇ，Ｂａ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｐｔ，Ｓｉ，Ｓｒ，Ａｕ，Ｃｄ，Ｃｕ，Ｌｉ，Ｍｏ，Ｍｎ，Ｚｎ，Ａｌ，Ｆｅ，Ｐｂ，Ｎａ，Ｃｓ，Ｇａ，Ｐｄ，Ｂｉ，Ｓｎ，Ｔｉ，Ｖ，Ｉｎ，Ｗ，Ｚｎおよびランタノイド元素の少なくとも一つの元素を表わし、前記ａ，ｂ，ｃおよびｄが、それぞれ０．２５≦ａ≦０．６５，０≦ｂ≦０．２，０．３５≦ｃ≦０．７５，０．０３≦ｄ≦０．３の範囲にあることを特徴とする情報記録用薄膜。
【請求項７】
前記ＢおよびＸの少なくとも一方が膜厚方向において濃度勾配を有することを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の情報記録用薄膜。
【請求項８】
当該薄膜の残成分より相対的に融点が高い高融点成分からなる析出物を含んでおり、その析出物が前記ＢおよびＸの少なくとも一方で表わされる元素を含んでいる請求項１〜６のいずれかに記載の情報記録用薄膜。
【請求項９】
当該薄膜の残成分より相対的に融点が高い高融点成分からなる析出物を含んでおり、高融点成分の少なくとも一部分が、当該薄膜の光入射側に非連続膜状に平均膜厚１〜１０ｎｍの範囲で存在することを特徴とする請求項１，２，５および６のいずれかに記載の情報記録用薄膜。
【請求項１０】
当該薄膜の残成分より相対的に融点が高い高融点成分からなる析出物を含んでおり、高融点成分の構成元素の原子数の和が、当該薄膜の構成元素の全原子数の和に対して１０〜５０％の範囲にある請求項１，２，５および６のいずれかに記載の情報記録用薄膜。
【請求項１１】
当該薄膜の残成分より相対的に融点が高い高融点成分からなる析出物を含んでおり、高融点成分含有量が膜厚方向において変化することを特徴とする請求項１，２，５および６のいずれかに記載の情報記録用薄膜。
【請求項１２】
当該薄膜の残成分より相対的に融点が高い高融点成分からなる析出物を含んでおり、当該薄膜の平均組成を、元素単体または化合物組成の低融点成分Ｌと元素単体または化合物組成の高融点成分Ｈにより
ＬjＨk                 （６）
の式で表した時、２０≦ｋ／（ｊ＋ｋ）≦４０     （７）
である組成を基準組成とし、上記情報記録用薄膜を構成する各元素の膜中での含有量は前記式で決まる値±１０原子％の範囲内にあることを特徴とする請求項１
，２，５および６のいずれかに記載の情報記録用薄膜。
【請求項１３】
当該薄膜の残成分より相対的に融点が高い高融点成分からなる析出物を含んでおり、高融点成分の融点が７８０゜Ｃ以上である請求項１，２，５および６のいずれかに記載の情報記録用薄膜。
【請求項１４】
当該薄膜の残成分より相対的に融点が高い高融点成分からなる析出物を含んでおり、高融点成分の融点と当該薄膜の残成分の融点との差が１５０゜Ｃ以上である請求項１，２，５および６のいずれかに記載の情報記録用薄膜。
【請求項１５】
当該薄膜の残成分より相対的に融点が高い高融点成分からなる析出物を含んでおり、高融点成分の析出物が、当該薄膜の内部に粒状または柱状に分布している請求項１，２，５および６のいずれかに記載の情報記録用薄膜。
【請求項１６】
当該薄膜の残成分より相対的に融点が高い高融点成分からなる析出物を含んでおり、高融点成分の析出物の当該薄膜の膜面方向での最大外寸法が５ｎｍ以上、５０ｎｍ以下である請求項１，２，５および６のいずれかに記載の情報記録用薄膜。
【請求項１７】
当該薄膜の残成分より相対的に融点が高い高融点成分からなる析出物を含んでおり、高融点成分の析出物が、当該薄膜の両方の界面からその膜厚方向に柱状に延びており、析出物の膜厚方向の長さが５ｎｍ以上で、当該薄膜の膜厚の（１／２）以下である請求項１，２，５および６のいずれかに記載の情報記録用薄膜。
【請求項１８】
当該薄膜の残成分より相対的に融点が高い高融点成分からなる析出物を含んでおり、高融点成分の析出物が、当該薄膜の一方の界面からその膜厚方向に柱状に延びており、前記析出物の膜厚方向の長さが１０ｎｍ以上で、当該薄膜の膜厚以下である請求項１，２，５および６のいずれかに記載の情報記録用薄膜。
【請求項１９】
当該薄膜の残成分より相対的に融点が高い高融点成分からなる析出物を含んでおり、高融点成分の析出物の膜厚方向の長さが１０ｎｍ以上で、当該薄膜の膜厚以下である請求項１，２，５および６のいずれかに記載の情報記録用薄膜。
【請求項２０】
当該薄膜の残成分より相対的に融点が高い高融点成分からなる析出物を含んでおり、隣接する２つの前記高融点成分の析出物の中心間を結ぶ直線が、当該薄膜の膜面方向でそれら析出物の間の領域を通る長さが２０ｎｍ以上、９０ｎｍ以下である請求項１，２，５および６のいずれかに記載の情報記録用薄膜。
【請求項２１】
当該薄膜の残成分より相対的に融点が高い高融点成分からなる多孔質の析出物を含んでおり、当該残成分が前記多孔質析出物の孔内に分布している請求項１，２，５および６のいずれかに記載の情報記録用薄膜。
【請求項２２】
当該薄膜の残成分より相対的に融点が高い高融点成分からなる析出物を含んでおり、高融点成分の多孔質状析出物の孔の当該薄膜の膜面方向での最大孔寸法が８０ｎｍ以下であり、隣接する２つの前記孔の間の領域の当該薄膜の膜面方向での最大壁厚さが２０ｎｍ以下である請求項１，２，５および６のいずれかに記載の情報記録用薄膜。
【請求項２３】
当該薄膜の残成分より相対的に融点が高い高融点成分からなる析出物を含んでおり、当該薄膜の残成分の融点が６５０゜Ｃ以下である請求項１，２，５および６のいずれかに記載の情報記録用薄膜。
【請求項２４】
当該薄膜の残成分より相対的に融点が高い高融点成分からなる析出物を含んでおり、当該薄膜の残成分の融点が２５０゜Ｃ以下である請求項１，２，５および６のいずれかに記載の情報記録用薄膜。
【請求項２５】
当該薄膜の残成分より相対的に融点が高い高融点成分からなる析出物を含んでおり、当該薄膜の複素屈折率の実数部および虚数部の少なくとも一方が、光の照射によって照射前のそれに対して２０％以上変化する請求項１，２，５および６のいずれかに記載の情報記録用薄膜。
【請求項２６】
基板上に直接または保護層を介して形成された、エネルギービームの照射を受けて生じる原子配列変化によって情報を記録・再生する情報記録用薄膜において
、
当該薄膜の残成分より相対的に融点が高い高融点成分からなる析出物を含んでおり、その析出物が当該薄膜の残成分からなる領域内に分布していることを特徴とする情報記録用薄膜。
【請求項２７】
前記高融点成分の析出物の当該薄膜の膜面方向での最大外寸法が５ｎｍ以上、５０ｎｍ以下である請求項２６に記載の情報記録用薄膜。
【請求項２８】
前記高融点成分の析出物が、当該薄膜の両方の界面からその膜厚方向に柱状に延びており、前記析出物の膜厚方向の長さが５ｎｍ以上で、当該薄膜の膜厚の（１／２）以下である請求項２６に記載の情報記録用薄膜。
【請求項２９】
前記高融点成分の析出物が、当該薄膜の一方の界面からその膜厚方向に柱状に延びており、前記析出物の膜厚方向の長さが１０ｎｍ以上で、当該薄膜の膜厚以下である請求項２６に記載の情報記録用薄膜。
【請求項３０】
前記高融点成分の析出物の膜厚方向の長さが１０ｎｍ以上で、当該薄膜の膜厚以下である請求項２６に記載の情報記録用薄膜。
【請求項３１】
隣接する２つの前記高融点成分の析出物の中心間を結ぶ直線が、当該薄膜の膜面方向でそれら析出物の間の領域を通る長さが２０ｎｍ以上、９０ｎｍ以下である請求項２６に記載の情報記録用薄膜。
【請求項３２】
基板上に直接または保護層を介して形成された、エネルギービームの照射を受けて生じる原子配列変化によって情報を記録・再生する情報記録用薄膜において、
当該薄膜の残成分より相対的に融点が高い高融点成分からなる多孔質の析出物を含んでおり、当該薄膜の残成分が前記多孔質析出物の孔内に分布していることを特徴とする情報記録用薄膜。
【請求項３３】
前記高融点成分の多孔質状析出物の孔の当該薄膜の膜面方向での最大内寸法が８０ｎｍ以下であり、隣接する２つの前記孔の間の領域の当該薄膜の膜面方向での最大壁厚さが２０ｎｍ以下である請求項３２に記載の情報記録用薄膜。
【請求項３４】
当該薄膜の残成分の融点が６５０゜Ｃ以下である請求項２６または３２に記載の情報記録用薄膜。
【請求項３５】
当該薄膜の残成分の融点が２５０゜Ｃ以下である請求項２６または３２に記載の情報記録用薄膜。
【請求項３６】
当該薄膜の複素屈折率の実数部および虚数部の少なくとも一方が、光の照射によって照射前のそれに対して２０％以上変化する請求項２６または３２に記載の情報記録用薄膜。
【請求項３７】
前記高融点成分の構成元素の原子数の和が、当該薄膜の全原子数の和に対して１０〜５０％の範囲にある請求項２６または３２に記載の情報記録用薄膜。
【請求項３８】
平均組成を、元素単体または化合物組成の低融点成分Ｌと元素単体または化合物組成の高融点成分Ｈにより
ＬjＨk                    （６）
の式で表した時、２０≦ｋ／（ｊ＋ｋ）≦４０  （７）  である組成を基準組成とし、上記情報記録用薄膜を構成する各元素の膜中での含有量は前記式で決まる値±１０原子％の範囲内にあることを特徴とする請求項２６または３２に記載の情報記録用薄膜。
【請求項３９】
前記高融点成分の融点が７８０゜Ｃ以上である請求項２６または３２に記載の情報記録用薄膜。
【請求項４０】
前記高融点成分の融点と当該薄膜の残成分の融点との差が１５０゜Ｃ以上である請求項２６または３２に記載の情報記録用薄膜。
【請求項４１】
前記ＢおよびＸの少なくとも一方で表わされる元素がＣｒである請求項１，２，５および６のいずれかに記載の情報記録用薄膜。
【請求項４２】
前記ＢおよびＸの少なくとも一方で表わされる元素がＭｏおよびＳｉ，Ｐｔ，Ｃｏ，Ｍｎ，Ｗである請求項１，２，５および６のいずれかに記載の情報記録用薄膜。
【請求項４３】
基板上に直接または保護層を介して形成された、エネルギービームの照射を受けて生じる原子配列変化によって情報を記録・再生する情報記録用薄膜の製造方法であって、
基板上に直接または保護層を介して薄膜を形成する工程と、
前記薄膜にエネルギービームを照射して前記薄膜中に高融点成分を生成または成長させる工程と
を備えてなることを特徴とする情報記録用薄膜の製造方法。
【請求項４４】
基板上に直接または保護層を介して形成された、エネルギービームの照射を受けて生じる原子配列変化によって情報を記録・再生する情報記録用薄膜の製造方法であって、
基板上に直接または保護層を介して高融点成分の材料あるいは高融点成分の組成に近い組成を持つ材料を被着させて島状の種結晶を形成する工程と、
前記種結晶の上に前記高融点成分と前記残成分とを含む材料を被着させ、前記高融点成分を選択的に前記種結晶上に成長させると共に、それら種結晶の間を埋めるように前記残成分を成長させる工程と
を備えてなることを特徴とする情報記録用薄膜の製造方法。
【請求項４５】
基板上に直接または保護層を介して形成された、エネルギービームの照射を受けて生じる原子配列変化によって情報を記録または再生する情報記録用薄膜の製造方法であって、
基板上に直接または保護層を介して相変化成分と高融点成分より成る膜の形成時に高融点成分の含有量を膜厚方向に変化させる工程とを備えてることを特徴とする情報記録用薄膜の製造方法。
【請求項４６】
請求項１〜６，２６および３２のいずれかに記載の情報記録用薄膜を記録層として備えた情報記録媒体。
【請求項４７】
請求項１〜６，２６および３２のいずれかに記載の情報記録用薄膜を超解像読出し用のマスク層として備えた情報記録媒体。
【請求項４８】
請求項１〜６，２６および３２のいずれかに記載の情報記録用薄膜を超解像読出し用の反射層として備えた情報記録媒体。
【請求項４９】
前記高融点成分の析出後の前記残成分の融点が６５０゜Ｃ以下である請求項１〜６，２６および３２のいずれかに記載の情報記録用薄膜を備えた情報記録媒体。
【請求項５０】
前記反射層の反射率が６０％以上である請求項１〜６，２６および３２のいずれかに記載の情報記録用薄膜を備えた情報記録媒体。
【請求項５１】
請求項１〜６，２６および３２のいずれかに記載の情報記録用薄膜を記録層または超解像読出し用のマスク層として備え、かつ反射層側にＳｉを含む層と記録膜側にＺｎＳを主成分とする層の２層構造の中間層を備えた情報記録媒体。
【請求項５２】
基板上に直接または保護層を介して形成された、エネルギービームの照射を受けて生じる原子配列変化によって情報を記録または再生する情報記録用薄膜を記録層または超解像読出し用のマスク層として備え、かつＳｉ−Ｓｎ、Ｓｉ−Ｇｅ，Ｓｉ−Ｉｎ化合物の少なくとも１つ、またはこれに近い組成である反射層を備えた情報記録媒体。
【請求項５３】
基板上に直接または保護層を介して形成された、エネルギービームの照射を受けて生じる原子配列変化によって情報を記録または再生する情報記録用薄膜を記録層または超解像読出し用のマスク層として備え、かつ反射層の膜厚が、１５０ｎｍ以上３００ｎｍ以下である特徴を持つ情報記録媒体。
【請求項５４】
基板上に直接または保護層を介して形成された、エネルギービームの照射を受けて生じる原子配列変化によって情報を記録または再生する情報記録用薄膜を記録層または超解像読出し用のマスク層として備え、かつ光入射側にＳｉＯ2層と記録膜側にＺｎＳ−ＳｉＯ2層の２層構造の保護層を備えた情報記録媒体。
【請求項５５】
基板上に直接もしくは保護層を介して形成され読み出し用ビームの照射を受けて超解像効果を生ずる超解像読み出し用薄膜であって、少なくとも相変化成分及び該相変化成分より融点が高い高融点成分を含み、高融点成分は析出していることを特徴とする超解像読み出し用薄膜。
【請求項５６】
前記高融点成分は柱状または塊状析出物として析出していることを特徴とする請求項５５記載の超解像読み出し用薄膜。
【請求項５７】
前記高融点成分は多孔質状析出物として析出していることを特徴とする請求項５５記載の超解像読み出し用薄膜。
【請求項５８】
基板上に直接もしくは保護層を介して形成され読み出し用ビームの照射を受けて超解像効果を生ずる超解像読み出し用薄膜であって、平均組成が一般式
ＤeＥfＦg 
で表され、前記ＤはＳｎ，Ｐｂ，Ｂｉ，Ｚｎ，Ｇａ，Ｉｎから選ばれた少なくとも１つの元素、前記ＥはＡｓ，Ｂ，Ｃ，Ｎ，Ｏ，Ｓ，Ｓｅ，Ｓｉ，Ｔｅ，Ａｇ，Ａｌ，Ａｕ，Ｂａ，Ｂｅ，Ｃａ，Ｃｄ，Ｃｏ，Ｃｒ，Ｃｓ，Ｃｕ，Ｆｅ，Ｇｅ，Ｈｆ，Ｈｇ，Ｉｒ，Ｋ，Ｌｉ，Ｍｇ，Ｍｎ，Ｍｏ，Ｎａ，Ｎｂ，Ｎｉ，Ｏｓ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｒｂ，Ｒｅ，Ｒｈ，Ｒｕ，Ｓｂ，Ｓｃ，Ｓｒ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｖ，Ｗ，Ｙ，Ｚｒより成る群より選ばれた少なくとも１つの元素、前記Ｆは前記Ｄ及び前記Ｅで表される以外の少なくとも１つの元素を表し、前記ｅ，ｆ及びｇの単位はいずれも原子パーセントで、それぞれ３０≦ｅ≦９５、５≦ｆ≦５０、０≦ｇ≦２０の範囲にあることを特徴とする請求項５５記載の超解像読み出し用薄膜。
【請求項５９】
平均組成を、元素単体または化合物組成の低融点成分Ｌと元素単体または化合物組成の高融点成分Ｈにより
ＬjＨk                （６）
の式で表した時、２０≦ｋ／（ｊ＋ｋ）≦４０  （７）  である組成を基準組成とし、各元素の膜中での含有量は前記式で決まる値±１０原子％の範囲内にあることを特徴とする請求項５５に記載の超解像読み出し用薄膜。
【請求項６０】
低融点成分と高融点成分がいずれも金属または半金属元素を５０原子％以上含むことを特徴とする請求項５５に記載の超解像読み出し用薄膜。
【請求項６１】
凹凸によって情報が記録された透明基板上に請求項５５に記載された超解像読み出し用薄膜を設け、その上に反射層を設けたことを特徴とする情報記録媒体。
【請求項６２】
凹凸によって情報が記録された透明基板と請求項５５に記載された超解像読み出し用薄膜の間に保護層が設けられていることを特徴とする情報記録媒体。
【請求項６３】
請求項５５に記載された超解像読み出し用薄膜と反射層の間に中間層が設けられていることを特徴とする情報記録媒体。
【請求項６４】
透明基板上に請求項５５に記載された超解像読み出し用薄膜を設け、その上に情報記録膜を設け、さらにその上に反射層を設けたことを特徴とする情報記録媒体。
【請求項６５】
透明基板と請求項５５に記載された超解像読み出し用薄膜の間に保護層が設けられていることを特徴とする情報記録媒体。
【請求項６６】
請求項５５に記載された超解像読み出し用薄膜と情報記録膜の間、及び情報記録膜と反射層の間の少なくとも一方に中間層が設けられていることを特徴とする情報記録媒体。
【請求項６７】
請求項５５に記載された超解像読み出し用薄膜を備えた情報記録媒体と、前記情報記録媒体にレーザ光を照射して反射光を検出する光ヘッドとを備える超解像読み出し用装置において、超解像読み出し時の反射光の強度分布の乱れを検出する手段と、上記乱れの大きさに応じてレーザパワーを調節する手段を有することを特徴とする超解像読み出し用装置。
【請求項６８】
請求項５５に記載の超解像読み出し用薄膜を備えた情報記録媒体と、前記情報記録媒体にレーザ光を照射して反射光を検出する光ヘッドとを備える超解像読み出し用装置において、
前記レーザ光はパルス光であり、レーザパルスの周期Ｔ、線速ｖ、スポット径（λ／ＮＡ）、パルス幅ｘの関係が
０．４λ／ＮＡ≦ｖＴ≦１．５λ／ＮＡ    （９）
かつ、  ０．３≦ｘ／Ｔ≦０．５                  （１０）
を満たすことを特徴とする超解像読み出し用装置。
【請求項６９】
請求項５５に記載の超解像読み出し用薄膜を備えた情報記録媒体と、前記情報記録媒体にレーザ光を照射して反射光を検出する光ヘッドとを備える超解像読み出し用装置において、レーザ光の出力を超解像読み出し用薄膜の最高温度となる領域でも膜全体は融解しない出力に設定する手段を有することを特徴とする超解像読み出し用装置。
【請求項７０】
基板上に直接または保護層を介して形成された、エネルギービームの照射を受けて生じる原子配列変化によって情報を記録・再生する情報記録用薄膜において
、当該薄膜を有する情報記録用媒体を用いる情報の記録再生装置または媒体初期結晶化用装置においてレーザ光を繰り返し照射することにより、当該薄膜の残成分より相対的に融点が高い高融点成分が析出し、その析出物が当該薄膜の残成分からなる領域内に分布することを特徴とする情報記録用薄膜。
【請求項７１】
基板上に直接または保護層を介して形成された、エネルギービームの照射を受けて生じる原子配列変化によって情報を記録・再生する情報記録用薄膜を有する情報記録用媒体を用いる情報の記録再生方法または媒体初期結晶化用方法においてレーザ光を繰り返し照射することにより、当該薄膜の残成分より相対的に融点が高い高融点成分が析出し、その析出物が当該薄膜の残成分からなる領域内に分布させることを特徴とする情報の記録再生方法。
【請求項７２】
当該薄膜において、当該薄膜を有する情報記録用媒体を用いる情報の記録再生装置または媒体初期結晶化用装置においてレーザ光を繰り返し照射することにより、当該薄膜の残成分より相対的に融点が高い高融点成分が析出し、その析出物が当該薄膜の残成分からなる領域内に分布し、その析出物が前記ＢおよびＸの少なくとも一方で表わされる元素を含むことを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の情報記録用薄膜。
【請求項７３】
基板上に直接または保護層を介して形成された、エネルギービームの照射を受けて生じる原子配列変化によって情報を記録・再生する情報記録用媒体の製造方法であって、基板上に保護層、記録膜または超解像読みだし膜、中間層、反射層を形成する工程と、これに別の基板または同様にして前記各層を形成した別の基板を貼り合わせる工程と前記媒体にエネルギービームを照射して前記薄膜中に高融点成分を生成または成長させる工程とを備えてなることを特徴とする情報記録用媒体の製造方法。
【請求項７４】
基板上に直接または保護層を介して形成された、エネルギービームの照射を受けて生じる原子配列変化によって情報を記録・再生する情報記録用媒体の製造方法であって、基板上に保護層を形成する工程と高融点成分の材料あるいは高融点成分の組成に近い組成を持つ材料を被着させて島状の種結晶を形成する工程と、前記種結晶の上に前記高融点成分と前記残成分とを含む材料を被着させ、前記高融点成分を選択的に前記種結晶上に成長させると共に、それら種結晶の間を埋めるように前記残成分を成長させる工程と中間層、反射層を形成する工程と、これに別の基板または同様にして前記各層を形成した別の基板を貼り合わせる工程と備えてなることを特徴とする情報記録用媒体の製造方法。
【請求項７５】
基板上に直接または保護層を介して形成された、エネルギービームの照射を受けて生じる原子配列変化によって情報を記録または再生する情報記録用媒体の製造方法であって、基板上に保護層を形成する工程と、相変化成分と高融点成分より成る膜の形成を行ないつつ高融点成分の含有量を膜厚方向に変化させる工程と、中間層、反射層を形成する工程と、これに別の基板または同様にして前記各層を形成した別の基板を貼り合わせる工程を備えてることを特徴とする情報記録用媒体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、情報記録用薄膜およびその製造方法ならびに情報記録媒体に関し、さらに詳しく言えば、例えば映像や音声などのアナログ信号をＦＭ変調して得た情報や、電子計算機のデータやファクシミリ信号やディジタル・オーディオ信号などのディジタル情報をレーザ光、電子線等のエネルギービームによってリアルタイムで記録・再生することができる情報記録用薄膜または超解像読み出し用薄膜、およびその製造方法ならびに、その情報記録用薄膜または超解像読み出し用薄膜を用いた情報記録媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
レーザ光を照射して薄膜（記録膜）に情報を記録する原理は種々知られているが、そのうちで膜材料の相転移（相変化とも呼ばれる）やフォトダークニングなど、レーザ光の照射による原子配列変化を利用するものは、薄膜の変形をほとんど伴わないため、２枚のディスク部材を直接貼り合わせて両面ディスク構造の情報記録媒体が得られるという長所を持つ。また、ＧｅＳｂＴｅ系やＩｎＳｂＴｅ系の記録膜では、情報の書き換えを行なうことができる利点がある。
【０００３】
しかし、この種の記録膜では、ピットポジション記録においては１０5回、ピットエッジ記録においては１０4回を越える多数回の書き換えを行なうと、
記録膜の流動により書き換え特性が低下するため、記録膜の流動を防止する方法が研究されている。記録膜の流動は、記録時のレーザ照射により、記録膜が流動し、保護層や中間層の熱膨張による変形により、記録膜が少しずつ押されて生じる。
【０００４】
例えば、特開平４−２２８１２７号公報には、記録膜のマイクロセル化により流動を防止する方法が開示され、文献  T．Ohta et al. "Optical Data Strage" '89 Proc. SPIE, 1078，27（1989）には、記録膜を薄くして熱容量を下げ且つ隣接する層との付着力の影響が大きくなるのを利用して記録膜の流動を防止する方法が開示されている。
【０００５】
映像信号や音声信号などをＦＭ変調したアナログ情報信号や、電子計算機のデータ、ファクシミリ信号、ディジタルオーディオ信号などのディジタル情報信号を基板表面に凹凸として転写した光ディスクや、レーザ光、電子線等の記録用ビームによって信号やデータをリアルタイムで記録することが可能な情報の記録用薄膜等を有する光ディスクにおいては、信号再生分解能は、ほとんど再生光学系の光源の波長λと対物レンズの開口数ＮＡで決まり、記録マーク周期２ＮＡ／λが読み取り限界である。
【０００６】
高記録密度化のための手法としては、相変化により反射率が変化する媒体を用いて凹凸で記録されたデータを再生する方法が特開平３−２９２６３２号公報に記載され、また、相変化記録膜に記録されたデータを高密度再生するための溶融マスク層を持つ媒体が特開平５−７３９６１号公報に記載されている。
【０００７】
なお、本明細書では、結晶−非晶質間の相変化ばかりでなく、融解（液相への変化）と再結晶化、結晶状態−結晶状態間の相変化も含むものとして「相変化」という用語を使用する。
【０００８】
【特許文献１】特開平４−２２８１２７号公報
【０００９】
【特許文献２】特開平３−２９２６３２号公報
【特許文献３】特開平５−７３９６１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
従来の記録膜はいずれも、書き換え可能な相転移型の記録膜として用いる場合、ア.書き換え可能回数が十分でない、イ.書き換え可能回数を多くすると結晶化速度が遅くなる、ウ.書き換え可能回数を多くすると再生信号強度が十分でなくなる、などの問題を有している。
【００１１】
そこで、この発明の目的は、良好な記録・再生特性を保持しながら従来より多数回の書き換えが可能である情報記録用薄膜およびその製造方法ならびにその薄膜を用いた情報記録媒体を提供することにある。
【００１２】
また、特開平３−２９２６３２号公報に記載の方法は、Ｓｂ2Ｓｅ3  膜を用い、読み出し光の走査スポット内で部分的に相変化させて反射率を変え、高反射率領域内のみの位相ピットを読みだす。この方法では、上記の膜の融点が高温のため、レーザの照射パワーが高く、位相ピットで情報を記録した光ディスク以外の相変化型光ディスク、光磁気ディスクなどに適用できない。さらに、多数回の読み出しを繰り返すと膜の流動、偏析が少しずつ生じ、超解像読み出し可能回数が少ない、などの欠点がある。また、特開平５−７３９６１号公報に記載の媒体は、溶融マスク層を用い、読み出し光の走査スポット内で部分的に溶融して反射率を変え、見かけ上スポットサイズを小さくする。この媒体では、融点が低い溶融マスク層を用いており、粘度が低いため、多数回の読み出しを繰り返すと膜の流動、偏析が少しずつ生じ、超解像読み出し可能回数が少ない、などの欠点がある
。
【００１３】
そこで、この発明の他の目的は、上記した従来技術の欠点を解消し、映像信号や音声信号などのアナログ情報信号や、電子計算機のデータ、ファクシミリ信号、ディジタルオーディオ信号などのディジタル情報信号が凹凸により記録された光ディスクや相変化型光ディスク、光磁気ディスクなどに適用でき、流動、偏析を防止することにより、超解像読み出し可能回数を増大した超解像読み出し用薄膜を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
（１）この発明の第１の情報記録用薄膜は、基板上に直接または保護層を介して形成された、エネルギービームの照射を受けて生じる原子配列変化によって情報を記録・再生する情報記録用薄膜において、前記情報記録用薄膜の膜厚方向の平均組成が、一般式  
ＳｂxＴｅyＡpＢqＣr               （１）
で表わされ、前記ＡはＧｅおよびＩｎからなる第１群から選ばれた少なくとも一つの元素、前記Ｂはランタノイド元素（Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，ＹｂおよびＬｕ）およびＡｇ，Ｂａ，Ｃｏ，Ｃｒ，Ｎｉ，Ｐｔ，Ｓｉ，Ｓｒ，Ａｕ，Ｃｄ，Ｃｕ，Ｌｉ，Ｍｏ，Ｍｎ，Ｚｎ，Ａｌ，Ｆｅ，Ｐｂ，Ｎａ，Ｃｓ，Ｇａ，Ｐｄ，Ｂｉ，Ｓｎ，ＴｉおよびＶからなる第２群から選ばれた少なくとも一つの元素、前記ＣはＳｂ，Ｔｅおよび前記ＡおよびＢで表わされる元素以外の少なくとも一つの元素を表わし、前記ｘ，ｙ，ｐ，ｑおよびｒの単位はいずれも原子パーセントで、それぞれ２≦ｘ≦４１，２５≦ｙ≦７５，０．１≦ｐ≦６０，３≦ｑ≦４０，０．１≦ｒ≦３０の範囲にあることを特徴とする。
（２）この発明の第２の情報記録用薄膜は、基板上に直接または保護層を介して形成された、エネルギービームの照射を受けて生じる原子配列変化によって情報を記録・再生する情報記録用薄膜において、前記情報記録用薄膜の膜厚方向の平均組成が、一般式  
ＳｂxＴｅyＡpＢq              （２）
で表わされ、前記ＡはＧｅおよびＩｎからなる第１群から選ばれた少なくとも一つの元素、前記Ｂはランタノイド元素およびＡｇ，Ｂａ，Ｃｏ，Ｃｒ，Ｎｉ，Ｐｔ，Ｓｉ，Ｓｒ，Ａｕ，Ｃｄ，Ｃｕ，Ｌｉ，Ｍｏ，Ｍｎ，Ｚｎ，Ａｌ，Ｆｅ，Ｐｂ，Ｎａ，Ｃｓ，Ｇａ，Ｐｄ，Ｂｉ，Ｓｎ，ＴｉおよびＶからなる第２群から選ばれた少なくとも一つの元素を表わし、前記ｘ，ｙ，ｄおよびｅの単位はいずれも原子パーセントで、それぞれ２≦ｘ≦４１，２５≦ｙ≦７５，０．１≦ｐ≦６０，３≦ｑ≦４０の範囲にあることを特徴とする。
【００１５】
これは、前記第１の情報記録用薄膜の前記Ｃで表わされる元素を除いたものに相当する。
（３）この発明の第３の情報記録用薄膜は、基板上に直接または保護層を介して形成された、エネルギービームの照射を受けて生じる原子配列変化によって情報を記録・再生する情報記録用薄膜において、前記情報記録用薄膜の膜厚方向の平均組成が、一般式  
ＳｂxＴｅyＢqＣr                 （３）
で表わされ、前記Ｂはランタノイド元素およびＡｇ，Ｂａ，Ｃｏ，Ｃｒ，Ｎｉ，Ｐｔ，Ｓｉ，Ｓｒ，Ａｕ，Ｃｄ，Ｃｕ，Ｌｉ，Ｍｏ，Ｍｎ，Ｚｎ，Ａｌ，Ｆｅ，Ｐｂ，Ｎａ，Ｃｓ，Ｇａ，Ｐｄ，Ｂｉ，Ｓｎ，ＴｉおよびＶからなる群から選ばれた少なくとも一つの元素、前記ＣはＳｂ，Ｔｅおよび前記Ｂで表わされる元素以外の少なくとも一つの元素を表わし、前記ｘ，ｙ，ｅおよびｆの単位はいずれも原子パーセントで、それぞれ２≦ｘ≦４１，２５≦ｙ≦７５，３≦ｑ≦４０，０．１≦ｒ≦３０の範囲にあることを特徴とする。
【００１６】
これは、前記第１の情報記録用薄膜の前記Ａで表わされる元素を除いたものに相当する。
（４）この発明の第４の情報記録用薄膜は、基板上に直接または保護層を介して形成された、エネルギービームの照射を受けて生じる原子配列変化によって情報を記録・再生する情報記録用薄膜において、前記情報記録用薄膜の膜厚方向の平均組成が、一般式  
ＳｂxＴｅyＢq             （４）
で表わされ、前記Ｂはランタノイド元素およびＡｇ，Ｂａ，Ｃｏ，Ｃｒ，Ｎｉ，Ｐｔ，Ｓｉ，Ｓｒ，Ａｕ，Ｃｄ，Ｃｕ，Ｌｉ，Ｍｏ，Ｍｎ，Ｚｎ，Ａｌ，Ｆｅ，Ｐｂ，Ｎａ，Ｃｓ，Ｇａ，Ｐｄ，Ｂｉ，Ｓｎ，ＴｉおよびＶからなる群から選ばれた少なくとも一つの元素を表わし、前記ｘ，ｙおよびｅの単位はいずれも原子パーセントで、それぞれ２≦ｘ≦４１，２５≦ｙ≦７５，３≦ｑ≦４０の範囲にあることを特徴とする。
【００１７】
これは、前記第１の情報記録用薄膜の前記ＡおよびＣで表わされる元素を除いたものに相当する。
（５）この発明の情報記録用薄膜は、基板上に直接または保護層を介して形成された、エネルギービームの照射を受けて生じる原子配列変化によって情報を記録・再生する情報記録用薄膜において、
前記情報記録用薄膜の平均組成が、一般式
（ＧｅaＳｂbＴｅc）1-dＸd       （５）
で表わされ、
前記ＸはＣｒおよびＡｇ，Ｂａ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｐｔ，Ｓｉ，Ｓｒ，Ａｕ，Ｃｄ，Ｃｕ，Ｌｉ，Ｍｏ，Ｍｎ，Ｚｎ，Ａｌ，Ｆｅ，Ｐｂ，Ｎａ，Ｃｓ，Ｇａ，Ｐｄ，Ｂｉ，Ｓｎ，Ｔｉ，Ｖ，Ｉｎおよびランタノイド元素からなる少なくとも一つの元素を表わし、前記ａ，ｂ，ｃおよびｄが、それぞれ
０．０２≦ａ≦０．１９，０．０４≦ｂ≦０．４，０．５≦ｃ≦０．７５，０．０３≦ｄ≦０．３，の範囲にあることを特徴とする。
（６）この発明の情報記録用薄膜は、基板上に直接または保護層を介して形成された、エネルギービームの照射を受けて生じる原子配列変化によって情報を記録・再生する情報記録用薄膜において、
前記情報記録用薄膜の平均組成が、一般式
（ＧｅaＳｂbＴｅc）1-dＸd       （５）
で表わされ、
前記ＸはＣｒおよびＡｇ，Ｂａ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｐｔ，Ｓｉ，Ｓｒ，Ａｕ，Ｃｄ，Ｃｕ，Ｌｉ，Ｍｏ，Ｍｎ，Ｚｎ，Ａｌ，Ｆｅ，Ｐｂ，Ｎａ，Ｃｓ，Ｇａ，Ｐｄ，Ｂｉ，Ｓｎ，Ｔｉ，Ｖ，Ｉｎおよびランタノイド元素からなる少なくとも一つの元素を表わし、  前記ａ，ｂ，ｃおよびｄが、それぞれ
０．２５≦ａ≦０．６５，０≦ｂ≦０．２，０．３５≦ｃ≦０．７５，０．０３≦ｄ≦０．３の範囲にあることを特徴とする。
（７）前記１〜６のいずれかに記載の情報記録用薄膜において、前記ＢまたはＸが膜厚方向において濃度勾配を有することを特徴とする。
（８）前記１〜６のいずれかに記載の情報記録用薄膜において、当該薄膜の残成分より相対的に融点が高い高融点成分からなる析出物を含んでおり、その析出物が前記Ｂまたは前記Ｘで表わされる元素を含んでいることを特徴とする。
（９）前記２，５および６のいずれかに記載の情報記録用薄膜において、当該薄膜の残成分より相対的に融点が高い高融点成分からなる析出物を含んでおり、高融点成分の少なくとも一部分が、当該薄膜の光入射側に非連続膜状に平均膜厚１〜１０ｎｍの範囲で存在することを特徴とする。
（１０）前記２，５および６のいずれかに記載の情報記録用薄膜において、当該薄膜の残成分より相対的に融点が高い高融点成分からなる析出物を含んでおり、高融点成分の構成元素の原子数の和が、当該薄膜の構成元素の全原子数の和に対して１０〜５０％の範囲にあることを特徴とする。
（１１）前記２，５および６のいずれかに記載の情報記録用薄膜において、当該薄膜の残成分より相対的に融点が高い高融点成分からなる析出物を含んでおり、高融点成分含有量が膜厚方向において変化することを特徴とする。
（１２）前記２，５および６のいずれかに記載の情報記録用薄膜において、当該薄膜の残成分より相対的に融点が高い高融点成分からなる析出物を含んでおり、当該薄膜の平均組成を元素単体または化合物組成の低融点成分Ｌと元素単体または化合物組成の高融点成分Ｈにより
ＬjＨk              （６）
の式で表した時、２０≦ｋ／（ｊ＋Ｋ）≦４０  （７）  である組成を基準組成とし、各元素の膜中での含有量は前記式で決まる値±１０原子％の範囲内にあることを特徴とする。
（１３）前記２，５および６のいずれかに記載の情報記録用薄膜において、当該薄膜の残成分より相対的に融点が高い高融点成分からなる析出物を含んでおり、高融点成分の融点が７８０゜Ｃ以上であることを特徴とする。
（１４）前記２，５および６のいずれかに記載の情報記録用薄膜において、当該薄膜の残成分より相対的に融点が高い高融点成分からなる析出物を含んでおり、高融点成分の融点と当該薄膜の残成分の融点との差が１５０゜Ｃ以上であることを特徴とする。
（１５）前記２，５および６のいずれかに記載の情報記録用薄膜において、当該薄膜の残成分より相対的に融点が高い高融点成分からなる析出物を含んでおり、高融点成分の析出物が、当該薄膜の内部に粒状または柱状に分布していることを特徴とする。
（１６）前記２，５および６のいずれかに記載の情報記録用薄膜において、当該薄膜の残成分より相対的に融点が高い高融点成分からなる析出物を含んでおり、高融点成分の析出物の当該薄膜の膜面方向での最大外寸法が５ｎｍ以上、５０ｎｍ以下であることを特徴とする。
（１７）前記２，５および６のいずれかに記載の情報記録用薄膜において、当該薄膜の残成分より相対的に融点が高い高融点成分からなる析出物を含んでおり、高融点成分の析出物が、当該薄膜の両方の界面からその膜厚方向に柱状に延びており、析出物の膜厚方向の長さが５ｎｍ以上で、当該薄膜の膜厚の（１／２）以下であることを特徴とする。
（１８）前記２，５および６のいずれかに記載の情報記録用薄膜において、当該薄膜の残成分より相対的に融点が高い高融点成分からなる析出物を含んでおり、高融点成分の析出物が、当該薄膜の一方の界面からその膜厚方向に柱状に延びており、析出物の膜厚方向の長さが１０ｎｍ以上で、当該薄膜の膜厚以下である請求項９または１０に記載の情報記録用薄膜。
（１９）前記２，５および６のいずれかに記載の情報記録用薄膜において、当該薄膜の残成分より相対的に融点が高い高融点成分からなる析出物を含んでおり、高融点成分の析出物の膜厚方向の長さが１０ｎｍ以上で、当該薄膜の膜厚以下であることを特徴とする。
（２０）前記２，５および６のいずれかに記載の情報記録用薄膜において、当該薄膜の残成分より相対的に融点が高い高融点成分からなる析出物を含んでおり、隣接する２つの高融点成分の析出物の中心間を結ぶ直線が、当該薄膜の膜面方向でそれら析出物の間の領域を通る長さが１５ｎｍ以上、７０ｎｍ以下であることを特徴とする。
（２１）前記２，５および６のいずれかに記載の情報記録用薄膜において、当該薄膜の残成分より相対的に融点が高い高融点成分からなる多孔質の析出物を含んでおり、当該残成分が前記多孔質析出物の孔内に分布していることを特徴とする。
（２２）前記２，５および６のいずれかに記載の情報記録用薄膜において、当該薄膜の残成分より相対的に融点が高い高融点成分からなる多孔質の析出物を含んでおり、高融点成分の多孔質状析出物の孔の当該薄膜の膜面方向での最大孔寸法が８０ｎｍ以下であり、隣接する２つの前記孔の間の領域の当該薄膜の膜面方向での最大壁厚さが２０ｎｍ以下であることを特徴とする。
（２３）前記２，５および６のいずれかに記載の情報記録用薄膜において、当該薄膜の残成分より相対的に融点が高い高融点成分からなる析出物を含んでおり、当該薄膜の残成分の融点が６５０゜Ｃ以下であることを特徴とする。
（２４）前記２，５および６のいずれかに記載の情報記録用薄膜において、当該薄膜の残成分より相対的に融点が高い高融点成分からなる析出物を含んでおり、当該薄膜の残成分の融点が２５０゜Ｃ以下であることを特徴とする。
（２５）前記２，５および６のいずれかに記載の情報記録用薄膜において、当該薄膜の残成分より相対的に融点が高い高融点成分からなる析出物を含んでおり、当該薄膜の複素屈折率の実数部および虚数部の少なくとも一方が、光の照射によって照射前のそれに対して２０％以上変化することを特徴とする。
（２６）基板上に直接または保護層を介して形成された、エネルギービームの照射を受けて生じる原子配列変化によって情報を記録・再生する情報記録用薄膜において、当該薄膜の残成分より相対的に融点が高い高融点成分からなる析出物を含んでおり、その析出物が当該薄膜の残成分からなる領域内に分布していることを特徴とする。
（２７）前記２６に記載の情報記録用薄膜において、前記高融点成分の析出物の当該薄膜の膜面方向での最大外寸法が５ｎｍ以上、５０ｎｍ以下であることを特徴とする。
（２８）前記２６に記載の情報記録用薄膜において、前記高融点成分の析出物が、当該薄膜の両方の界面からその膜厚方向に柱状に延びており、前記析出物の膜厚方向の長さが５ｎｍ以上で、当該薄膜の膜厚の（１／２）以下であることを特徴とする。
（２９）前記２６に記載の情報記録用薄膜において、前記高融点成分の析出物が、当該薄膜の一方の界面からその膜厚方向に柱状に延びており、前記析出物の膜厚方向の長さが１０ｎｍ以上で、当該薄膜の膜厚以下であることを特徴とする。
（３０）前記２６に記載の情報記録用薄膜において、前記高融点成分の析出物の膜厚方向の長さが１０ｎｍ以上で、当該薄膜の膜厚以下であることを特徴とする。
（３１）前記２６に記載の情報記録用薄膜において、隣接する２つの前記高融点成分の析出物の中心間を結ぶ直線が、当該薄膜の膜面方向でそれら析出物の間の領域を通る長さが１５ｎｍ以上、７０ｎｍ以下であることを特徴とする。
（３２）基板上に直接または保護層を介して形成された、エネルギービームの照射を受けて生じる原子配列変化によって情報を記録・再生する情報記録用薄膜において、当該薄膜の残成分より相対的に融点が高い高融点成分からなる多孔質の析出物を含んでおり、当該薄膜の残成分が前記多孔質析出物の孔内に分布していることを特徴とする情報記録用薄膜。
（３３）前記３２に記載の情報記録用薄膜において、前記高融点成分の多孔質状析出物の孔の当該薄膜の膜面方向での最大内寸法が８０ｎｍ以下であり、隣接する２つの前記孔の間の領域の当該薄膜の膜面方向での最大壁厚さが２０ｎｍ以下であることを特徴とする。
（３４）前記２６または３２に記載の情報記録用薄膜において、当該薄膜の残成分の融点が６５０゜Ｃ以下であることを特徴とする。
（３５）前記３２または３２に記載の情報記録用薄膜において、当該薄膜の残成分の融点が２５０゜Ｃ以下であることを特徴とする。
（３６）前記２６または３２のいずれかに記載の情報記録用薄膜において、当該薄膜の複素屈折率の実数部および虚数部の少なくとも一方が、光の照射によって照射前のそれに対して２０％以上変化することを特徴とする。
（３７）前記２６または３２のいずれかに記載の情報記録用薄膜において、前記高融点成分の構成元素の原子数の和が、当該薄膜の全原子数の和に対して１０〜５０％の範囲にあることを特徴とする。
（３８）前記２６または３２のいずれかに記載の情報記録用薄膜において、平均組成を元素単体または化合物組成の低融点成分Ｌと元素単体または化合物組成の高融点成分Ｈにより
ＬjＨk          （６）
の式で表した時、２０≦ｋ／（ｊ＋Ｋ）≦４０  （７）  である組成を基準組成とし、各元素の膜中での含有量は前記式で決まる値±１０原子％の範囲内にあることを特徴とする。
（３９）前記２６または３２のいずれかに記載の情報記録用薄膜において、前記高融点成分の融点が７８０゜Ｃ以上であることを特徴とする。
（４０）前記２６または３２のいずれかに記載の情報記録用薄膜において、前記高融点成分の融点と当該薄膜の残成分の融点との差が１５０゜Ｃ以上であることを特徴とする。
（４１）前記２，５および６のいずれかに記載の情報記録用薄膜において、当該薄膜の残成分より相対的に融点が高い高融点成分からなる析出物を含んでおり、前記Ｂまたは前記Ｘで表わされる元素がＭｏおよびＳｉ，Ｐｔ，Ｃｏ，Ｍｎ，Ｗであることが好ましく、Ｃｒであることが特に好ましい。
（４２）基板上に直接または保護層を介して形成された、エネルギービームの照射を受けて生じる原子配列変化によって情報を記録・再生する情報記録用薄膜の製造方法において、
基板上に直接または保護層を介して薄膜を形成する工程と、
前記薄膜にエネルギービームを照射して前記薄膜中に高融点成分を生成または成長させる工程と
を備えてなることを特徴とする。
（４３）基板上に直接または保護層を介して形成された、エネルギービームの照射を受けて生じる原子配列変化によって情報を記録・再生する情報記録用薄膜の製造方法において、基板上に直接または保護層を介して高融点成分の材料あるいは高融点成分の組成に近い組成を持つ材料を被着させて島状の種結晶を形成する工程と、前記種結晶の上に前記高融点成分と前記残成分とを含む材料を被着させ、前記高融点成分を選択的に前記種結晶上に成長させると共に、それら種結晶の間を埋めるように前記残成分を成長させる工程とを備えてなることを特徴とする。
【００１８】
前記島状の種結晶を形成するための膜の平均膜厚は、１ｎｍ以上、１０ｎｍ以下が好ましい。１ｎｍ未満であると高融点成分を成長させる効果が小さく、１０ｎｍを越えるとノイズ増大の原因となる。
【００１９】
この方法では、高融点成分は情報記録用薄膜の片側の界面からその内部に向かって成長しやすい。
【００２０】
前記第１および第２の情報記録用薄膜の製造方法では、成膜するのに真空蒸着、ガス中蒸着、スパッタリング、イオンビーム蒸着、イオンプレーティング、電子ビーム蒸着など、公知の方法を用いることができるが、スパッタリングを用いるのが好ましい。
【００２１】
スパッタリングの場合、記録用薄膜の組成のターゲットによってスパッタする方法では、膜中での均一性が良くノイズを低くすることができる。一方、高融点成分の組成のターゲットと残成分の組成のターゲットによる回転同時スパッタ法では、高融点成分の析出を早めることができ、書き換え可能回数を延ばすのに有効である。
（４４）基板上に直接または保護層を介して形成された、エネルギービームの照射を受けて生じる原子配列変化によって情報を記録または再生する情報記録用薄膜の製造方法において、基板上に直接または保護層を介して相変化成分と高融点成分より成る膜の形成時に高融点成分の含有量を膜厚方向に変化させる工程を備えてることを特徴とする。
（４５）前記１〜６，２６および３２のいずれかに記載の情報記録用薄膜を記録層として備えた情報記録媒体であることを特徴とする。
（４６）前記１〜６，２６および３２のいずれかに記載の情報記録用薄膜を超解像読出し用のマスク層として備えた情報記録媒体であることを特徴とする。
（４７）前記１〜６，２６および３２のいずれかに記載の情報記録用薄膜を超解像読出し用の反射層として備えた情報記録媒体であることを特徴とする。
（４８）前記高融点成分の析出後の前記残成分の融点が６５０゜Ｃ以下である、前記１〜６，２６および３２のいずれかに記載の情報記録媒体を備えた情報記録媒体であることを特徴とする。
（４９）前記１〜６，２６および３２のいずれか４７または４８に記載の情報記録用薄膜を超解像読出し用の反射層として備えた情報記録媒体において、前記反射層の反射率が６０％以上であることを特徴とする。
（５０）基板上に直接または保護層を介して形成された、エネルギービームの照射を受けて生じる原子配列変化によって情報を記録または再生する情報記録媒体において、前記１〜６，２６および３２のいずれかに記載の情報記録用薄膜を記録層または超解像読出し用のマスク層として備え、かつ反射層側にＳｉＯ2 層と記録膜側にＺｎＳ−ＳｉＯ2 層の２層構造の中間層を備えることを特徴とする。
（５１）基板上に直接または保護層を介して形成された、エネルギービームの照射を受けて生じる原子配列変化によって情報を記録または再生する情報記録媒体において、基板上に直接または保護層を介して形成された、エネルギービームの照射を受けて生じる原子配列変化によって情報を記録または再生する情報記録用薄膜を記録層または超解像読出し用のマスク層として備え、かつＳｉ−Ｓｎ、Ｓｉ−Ｇｅ，Ｓｉ−Ｉｎ化合物の少なくとも１つ、またはこれに近い組成である反射層を備えることを特徴とする。
（５２）基板上に直接または保護層を介して形成された、エネルギービームの照射を受けて生じる原子配列変化によって情報を記録または再生する情報記録媒体において、基板上に直接または保護層を介して形成された、エネルギービームの照射を受けて生じる原子配列変化によって情報を記録または再生する情報記録用薄膜を記録層または超解像読出し用のマスク層として備え、かつ反射層の膜厚が、１５０ｎｍ以上３００ｎｍ以下である特徴を持つ。
（５３）基板上に直接または保護層を介して形成された、エネルギービームの照射を受けて生じる原子配列変化によって情報を記録または再生する情報記録媒体において、基板上に直接または保護層を介して形成された、エネルギービームの照射を受けて生じる原子配列変化によって情報を記録または再生する情報記録用薄膜を記録層または超解像読出し用のマスク層として備え、かつ光入射側にＳｉＯ2層と記録膜側にＺｎＳ−ＳｉＯ2層の２層構造の保護層を備えることを特徴とする。
（５４）保護層２および中間層４の材料は、ＺｎＳ−ＳｉＯ2、Ｓｉ−Ｎ系材料，Ｓｉ−Ｏ−Ｎ系材料，ＳｉＯ2，ＳｉＯ，Ｔａ2Ｏ5，ＴｉＯ2，Ａｌ2Ｏ3，Ｙ2Ｏ3，ＣｅＯ，Ｌａ2Ｏ3，Ｉｎ2Ｏ3，ＧｅＯ，ＧｅＯ2，ＰｂＯ，ＳｎＯ，ＳｎＯ2，Ｂｉ2Ｏ3，ＴｅＯ2ＷＯ2，ＷＯ3，Ｓｃ2Ｏ3，ＺｒＯ2などの酸化物，ＴａＮ，ＡｌＮ，Ｓｉ3Ｎ4，Ａｌ−Ｓｉ−Ｎ系材料（例えばＡｌＳｉＮ2）などの窒化物、ＺｎＳ，Ｓｂ2Ｓ3，ＣｄＳ，Ｉｎ2Ｓ3，Ｇａ2Ｓ3，ＧｅＳ，ＳｎＳ2，ＰｂＳ，Ｂｉ2Ｓ3，などの硫化物、ＳｎＳｅ2，Ｓｂ2Ｓｅ3，ＣｄＳｅ，ＺｎＳｅ，Ｉｎ2Ｓｅ3，Ｇａ2Ｓｅ3，ＧｅＳｅ，ＧｅＳｅ2，ＳｎＳｅ，ＰｂＳｅ，Ｂｉ2Ｓｅ3などのセレン化物、ＣｅＦ3，ＭｇＦ2，ＣａＦ2などの弗化物、あるいはＳｉ，Ｇｅ，ＴｉＢ2，Ｂ4Ｃ，Ｂ，Ｃ，または、上記の材料に近い組成のものを用いるのが好ましい。また、これらの混合材料の層やこれらの多重層でもよい。
【００２２】
多重層の場合、ＺｎＳを７０モル％以上含む材料、例えばＺｎＳ−ＳｉＯ2と、Ｓｉ，Ｇｅのうちの少なくとも一者を７０原子％以上含む材料、例えばＳｉ、あるいはＳｉの酸化物、例えばＳｉＯ2との２層膜が好ましい。この場合、記録感度低下を防ぐため、ＺｎＳ−ＳｉＯ2層の方を記録膜側に設け、その厚さを３ｎｍ以上とする。また、ＳｉＯ2層の低熱膨張係数による記録膜流動抑制効果を発揮させるために、厚さ１０ｎｍ以下が好ましい。この２層膜は保護層２の代わりに設けると好ましいが、中間層４の代わりに設けてもよい。保護層２の代わりとしてはＳｉＯ2層の厚さが５０ｎｍ以上２５０ｎｍ以下が好ましい。中間層の代わりに２層膜を設ける場合は、ＳｉＯ2層の膜厚は１０ｎｍ以上８０ｎｍ以下が好ましい。これらの２層膜を設けることは、本発明の記録膜を用いる場合だけではなく、他の相変化記録膜を用いる場合にも好ましい。
【００２３】
中間層４の屈折率が１．７以上、２．３以下の範囲にある場合、膜厚が３ｎｍ以上、１００ｎｍ以下、および１８０ｎｍ以上、４００ｎｍ以下が好ましい。
【００２４】
反射層５の材料としては、Ａｌ−Ｔｉ、Ｓｉ−Ｇｅ混合材料が、記録マーク部分の光吸収率を記録マーク以外の部分の光吸収率より小さくできるので、光吸収率差による消え残りを防止でき、さらに書き換え可能回数が低下せず、好ましい。Ｇｅの含有量は１０原子％以上８０原子％以下が書き換え可能回数が低下が生じにくく、好ましい。
【００２５】
次いで、Ｓｉ−ＳｎまたはＳｉ−Ｉｎ混合材料、あるいはこれら混合材料の２種以上の混合材料でも同様の結果が得られ、好ましい。これらの反射層材料は、本発明の相変化膜ばかりでなく、他の相変化膜を用いる場合の反射層材料として用いても、従来のものに比べて、書き換え可能回数が低下しないため好ましい。
【００２６】
さらに、Ｓｉ，Ｇｅ，Ｃ，Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕ，Ａｌ，Ｎｉ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｃｒ，Ｔｉ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｗ，Ｔａ，Ｍｏ，Ｓｂの元素単体、またはこれらを主成分とする合金、あるいはこれら同志の合金よりなる層を用いてもよいし、それらの層よりなる多重層を用いてもよいし、これらと酸化物などの他の物質との複合層などを用いてもよい。
【００２７】
この実施例では、表面に直接、トラッキングガイドなどの凹凸を形成したポリカーボネート基板１を用いているが、その代わりに、ポリオレフィン、エポキシ、アクリル樹脂、紫外線硬化樹脂層を表面に形成した化学強化ガラスなどを用いてもよい。
【００２８】
中間層４、反射層５および保護層２の一部を省略した単純積層構造、例えば基板１／保護層２／記録膜３、基板１／記録膜３／中間層４、基板１／記録膜３／反射層５などの構成でも、従来のものに比べると、多数回書き換えを行なってもノイズ上昇が少なく、良好な結果が得られ、好ましい。
【００２９】
以上述べたように、この実施例の情報記録用薄膜は、記録・再生・消去特性を良好に保ちながら、従来より多数回の書き換えが可能である。また、記録・消去に用いるレーザ光のパワーが低くてよいという利点もある。
（５５）超解像読み出し用ビームの照射を受けて超解像効果を生ずる本発明の超解像読み出し用薄膜は、相変化成分及び析出した高融点成分を含むことを特徴とする。  超解像読み出し用薄膜は、基板上に直接もしくは無機物及び有機物のうち少なくとも一者からなる保護層を介して形成される。
（５６）相変化成分より相対的に融点が高い高融点成分は、柱状または塊状析出物として、あるいは多孔質状析出物として析出している。
（５７）超解像読み出し用薄膜の平均組成は、次の一般式で表されるものとすることができる。
【００３０】
ＤeＥfＦg                     （８）
ここで、前記ＥはＳｎ，Ｐｂ，Ｂｉ，Ｚｎ，Ｇａ，Ｉｎから選ばれた少なくとも１つの元素、前記ＥはＡｓ，Ｂ，Ｃ，Ｎ，Ｏ，Ｓ，Ｓｅ，Ｓｉ，Ｔｅ，Ａｇ，Ａｌ，Ａｕ，Ｂａ，Ｂｅ，Ｃａ，Ｃｄ，Ｃｏ，Ｃｒ，Ｃｓ，Ｃｕ，Ｆｅ，Ｇｅ，Ｈｆ，Ｈｇ，Ｉｒ，Ｋ，Ｌｉ，Ｍｇ，Ｍｎ，Ｍｏ，Ｎａ，Ｎｂ，Ｎｉ，Ｏｓ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｒｂ，Ｒｅ，Ｒｈ，Ｒｕ，Ｓｂ，Ｓｃ，Ｓｒ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｖ，Ｗ，Ｙ，Ｚｒより成る群より選ばれた少なくとも１つの元素を表し、前記Ｆは前記Ｄ及び前記Ｅで表される以外の少なくとも１つの元素を表し、例えば、Ｔｌ，Ｂｒ，Ｃｌ，Ｆ，Ｈ，Ｉ，Ｐ等とすることができる。また、前記ｅ，ｆ及びｇの単位はいずれも原子パーセントで、それぞれ３０≦ｅ≦９５、５≦ｆ≦５０、０≦ｇ≦２０の範囲にあることが好ましい。さらに、４０≦ｅ≦８７、１３≦ｆ≦４０、０≦ｇ≦１０の範囲にあることがより好ましい。
【００３１】
前記Ｆで表される元素は、例えば、前記Ｄ及びＥで表される元素がそれぞれＳｎ及びＴｅであれば、Ｓｎ及びＴｅ以外の元素であればよい。また、前記Ｄ、Ｄ’（前記Ｄが上記Ｓｎ，ＺｎのようにＤ，Ｄ’２元素の場合）、Ｅ、Ｆの組合せにおいて、Ｄ−Ｅ、Ｅ−Ｆ、Ｄ’−Ｅの組合せからできる高融点成分が共晶点をもたないか、共晶点をもっていてもＤ、Ｄ−Ｄ’の融点より１５０℃以上融点が高いことが好ましい。
（５８）超解像読み出し用薄膜は、また、平均組成が次の一般式で表されるものを使用することができる。
【００３２】
ＳｅpＭqＮrＯs                （１１）
ここで、前記ＭはＩｎ，Ｓｂ，Ｂｉ，Ｔｅ，Ａｕ，Ｂ，Ｃｓ，Ｓｎ，Ｔｌ，Ｓ，Ｇｅ，Ｆｅ，Ｚｎから選ばれた少なくとも１つの元素、前記ＮはＡｓ，Ｃ，Ｎ，Ｏ，Ｓｉ，Ａｇ，Ａｌ，Ｂａ，Ｂｅ，Ｃａ，Ｃｄ，Ｃｏ，Ｃｒ，Ｃｕ，Ｈｆ，Ｈｇ，Ｉｒ，Ｋ，Ｌｉ，Ｍｇ，Ｍｎ，Ｍｏ，Ｎａ，Ｎｂ，Ｎｉ，Ｏｓ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｒｂ，Ｒｅ，Ｒｈ，Ｒｕ，Ｓｃ，Ｓｒ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｖ，Ｗ，Ｙ，Ｚｒ，Ｐｂ，Ｇａ，Ｕ及び、Ｓｅ及び前記Ｍで表される元素以外の少なくとも１つの元素を表す。前記ＯはＳｅ及び前記Ｍ及び前記Ｎで表される以外の少なくとも１つの元素を表し、例えばＢｒ，Ｃｌ，Ｆ，Ｈ，Ｉ，Ｐとすることができる。また、前記ｐ，ｑ，ｒ及びｓの単位はいずれも原子パーセントで、それぞれ４０≦ｐ≦９５、０≦ｑ≦５５、５≦ｒ≦５０、０≦ｓ≦２０の範囲にあることが好ましく、５０≦ｐ≦８０、０≦ｑ≦４０、１０≦ｒ≦４０、０≦ｓ≦１０の範囲にあることがより好ましい。
（５９）超解像読み出し用薄膜の平均組成を、元素単体または化合物組成の低融点成分Ｌと元素単体または化合物組成の高融点成分Ｈより、次式で表すとき、
ＬjＨk                     （６）
下式（７）の範囲の組成を基準組成とし、上記薄膜を構成する各元素の膜中での含有量は、式（７）で決まる値±１０原子％の範囲内にあることが好ましく、±５原子％の範囲内にあるとより好ましい。
【００３３】
２０≦ｋ／（ｊ＋ｋ）≦４０                    （７）
例えば、超解像読み出し用膜の基準組成が（ＧｅＳｂ2Ｔｅ4 ）80（Ｃｒ4Ｔｅ5 ）20である場合、式（７）のＬはＧｅＳｂ2Ｔｅ4 、ＨはＣｒ4Ｔｅ5 であって、ｋ／（ｊ＋ｋ）は２０である。ここで各元素の原子％は、それぞれ、ＬのＧｅは１１％、Ｓｂは２３％、Ｔｅは４６％、ＨのＣｒは９％、Ｔｅは１１％である。そこで、式（７）で決まる値±１０原子％の範囲はＬのＧｅは１〜２１％、Ｓｂは１３〜３３％、Ｔｅは３６〜５６％、ＨのＣｒは０〜１９％、Ｔｅは１〜２１％である。
（６０）低融点成分と高融点成分は、いずれも金属または半金属元素を５０原子％以上含むことが好ましく、６５原子％以上含むことがより好ましい。
（６１）上記式（８）および（１１）の組成は相変化記録膜としても使用でき、超解像読み出し薄膜を用いない記録媒体の相変化記録膜としても使用できる。この記録膜を使用した場合、結晶化と非晶質化で反射率差の大きな媒体を作製できる。
【００３４】
高融点成分の原子数の和は、超解像読み出し膜の構成元素の全原子数の和に対する割合で１０〜５０％の範囲であることが好ましく、２０〜４０％の範囲であることがより好ましい。
（６２）高融点成分と相変化成分の組み合わせでは、それぞれの成分中に同じ元素が３０原子％以上、８０原子％以下の範囲で存在することが好ましい。
【００３５】
高融点成分の融点は、析出後の残成分である相変化成分の融点より１５０℃以上高いことが好ましい。
（６３）高融点成分の平均組成は、下記のＡ群のうち少なくとも一者、もしくはこれに近い組成あるいは、融点８００℃以上の化合物とすることができる。ここで、これに近い組成とは、列挙した組成からのずれが±１０原子％の範囲内にあるものを指す（以下、同じ）。例えば、ＢａＰｄ2 の場合、それぞれの元素の原子％は、Ｂａは３３％、Ｐｄは６７％である。そこで、組成ＢａＰｄ2 からのずれが±１０原子％の範囲は、Ｂａは２３〜４３％、Ｐｄは５７〜７７％である。
＜Ａ群＞
ＢａＰｄ2 ，ＢａＰｄ5 ，ＮｄＰｄ，ＮｄＰｄ3 ，ＮｄＰｄ5 ，Ｎｄ7Ｐｔ3 ，Ｎｄ3Ｐｔ2 ，ＮｄＰｔ，Ｎｄ3Ｐｔ4 ，ＮｄＰｔ2 ，ＮｄＰｔ5 ，Ｂｉ2Ｎｄ，ＢｉＮｄ，Ｂｉ3Ｎｄ4 ，Ｂｉ3Ｎｄ5 ，ＢｉＮｄ2 ，Ｃｄ2Ｎｄ，ＣｄＮｄ，Ｍｎ2Ｎｄ，Ｍｎ23Ｎｄ6 ，Ｍｎ12Ｎｄ，Ｎｄ5Ｓｂ3 ，Ｎｄ4Ｓｂ3 ，ＮｄＳｂ，ＮｄＳｂ2 ，Ｆｅ2Ｎｄ，Ｆｅ17Ｎｄ2 ，Ｃｓ3Ｇｅ2 ，ＣｓＧｅ，ＣｓＧｅ4 ，Ｎｄ5Ｓｉ3 ，Ｎｄ5Ｓｉ4 ，ＮｄＳｉ，Ｎｄ3Ｓｉ4 ，Ｎｄ2Ｓｉ3，Ｎｄ5Ｓｉ9，Ｃｓ2Ｔｅ，ＮｄＴｅ3 ，Ｎｄ2Ｔｅ5 ，ＮｄＴｅ2 ，Ｎｄ4Ｔｅ7 ，Ｎｄ2Ｔｅ3 ，Ｎｄ3Ｔｅ4 ，ＮｄＴｅ，Ｃｅ3Ｉｒ，Ｃｅ2Ｉｒ，Ｃｅ55Ｉｒ45，ＣｅＩｒ2 ，ＣｅＩｒ3 ，Ｃｅ2Ｉｒ7 ，ＣｅＩｒ5 ，ＣａＰｄ，ＣａＰｄ2 ，ＣａＧｅ，Ｃａ2Ｇｅ，ＧｅＮａ3 ，ＧｅＮａ，ＣａＳｉ2 ，Ｃａ2Ｓｉ，ＣａＳｉ，Ｓｅ2Ｓｒ，Ｓｅ3Ｓｒ2 ，ＳｅＳｒ，ＧｅＳｒ2 ，ＧｅＳｒ，Ｇｅ2Ｓｒ，ＳｎＳｒ，Ｓｎ3Ｓｒ5 ，ＳｎＳｒ2 ，Ｃｅ2Ｔｌ，Ｃｅ5Ｔｌ3 ，ＣｅＴｌ3 ，Ｃｅ3Ｔｌ5，ＣｅＴｌ，ＢａＴｌ，Ｐｄ13Ｔｌ9 ，Ｐｄ2Ｔｌ，Ｐｄ3Ｔｌ，Ｍｇ2Ｓｉ，Ｍｇ2Ｇｅ，ＢａＰｄ2 ，ＢａＰｄ5 ，Ｃｅ4Ｓｅ7 ，Ｃｅ3Ｓｅ4 ，Ｃｅ2Ｓｅ3 ，ＣｅＳｅ，Ｃｅ5Ｇｅ3 ，Ｃｅ4Ｇｅ3，Ｃｅ5Ｇｅ4 ，ＣｅＧｅ，Ｃｅ3Ｇｅ5 ，Ｃｅ5Ｓｉ3 ，Ｃｅ3Ｓｉ2 ，Ｃｅ5Ｓｉ4 ，ＣｅＳｉ，Ｃｅ3Ｓｉ5 ，ＣｅＳｉ2，ＣｅＴｅ3 ，Ｃｅ2Ｔｅ5 ，ＣｅＴｅ2 ，Ｃｅ4Ｔｅ7 ，Ｃｅ3Ｔｅ4 ，ＣｅＴｅ，Ｌａ3Ｓｅ7 ，ＬａＳｅ2 ，Ｌａ4Ｓｅ7 ，Ｌａ2Ｓｅ3 ，Ｌａ3Ｓｅ4 ，ＬａＳｅ，ＧｅＬａ3 ，Ｇｅ3Ｌａ5 ，Ｇｅ3Ｌａ4 ，Ｇｅ4Ｌａ5 ，ＧｅＬａ，Ｇｅ5Ｌａ3 ，ＢａＳｅ2，Ｂａ2Ｓｅ3 ，ＢａＳｅ，ＰｄＳｅ，Ｍｏ3Ｓｅ4 ，ＭｏＳｅ2 ，Ｂａ2Ｇｅ，ＢａＧｅ2 ，ＢａＧｅ，Ｂａ2Ｔｅ3 ，ＢａＴｅ，Ｇｅ2Ｐｄ5 ，ＧｅＰｄ2，Ｇｅ9Ｐｄ25，ＧｅＰｄ，Ｇｅ3Ｐｔ，Ｇｅ3Ｐｔ2 ，ＧｅＰｔ，Ｇｅ2Ｐｔ3 ，ＧｅＰｔ2 ，ＧｅＰｔ3 ，Ｐｕ3Ｓｎ，Ｐｕ5Ｓｎ3 ，Ｐｕ5Ｓｎ4，Ｐｕ8Ｓｎ7 ，Ｐｕ7Ｓｎ8 ，ＰｕＳｎ2 ，ＰｕＳｎ3 ，Ｐｔ5Ｔｅ4 ，Ｐｔ4Ｔｅ5 ，ＰｔＴｅ2 ，ＧｅＮｉ，Ｇｅ3Ｎｉ5 ，Ｇｅ2Ｎｉ5 ，ＧｅＮｉ3 ，ＮｉＴｅ0.85，ＮｉＴｅ0.775 ，Ｎｉ3±xＴｅx ，Ｃｒ11Ｇｅ19，ＣｒＧｅ，Ｃｒ11Ｇｅ8 ，Ｃｒ5Ｇｅ3 ，Ｃｒ3Ｇｅ，ＣｒＳｉ2 ，Ｃｒ5Ｓｉ3 ，Ｃｒ3Ｓｉ，Ｃｒ5Ｔｅ8 ，Ｃｒ4Ｔｅ5 ，Ｃｒ3Ｔｅ4 ，Ｃｒ1-xＴｅ，Ｇｅ3Ｍｎ5 ，ＧｅＭｎ2 ，Ｍｎ6Ｓｉ，Ｍｎ9Ｓｉ2 ，Ｍｎ3Ｓｉ，Ｍｎ5Ｓｉ2 ，Ｍｎ5Ｓｉ3 ，ＭｎＳｉ，Ｍｎ11Ｓｉ19，Ｍｎ2Ｓｎ，Ｍｎ3.25Ｓｎ，ＭｎＴｅ，Ｔｅ2Ｗ，ＦｅＧｅ2 ，Ｆｅ5Ｇｅ3 ，Ｆｅ3Ｇｅ，Ｆｅ2Ｓｉ，Ｆｅ5Ｓｉ3 ，ＦｅＳｉ，ＦｅＳｉ2 ，Ｇｅ2Ｍｏ，Ｇｅ41Ｍｏ23，Ｇｅ16Ｍｏ9 ，Ｇｅ23Ｍｏ13，Ｇｅ3Ｍｏ5 ，ＧｅＭｏ3，Ｍｏ3Ｓｉ，Ｍｏ5Ｓｉ3 ，ＭｏＳｉ2 ，ＭｏＳｎ，ＭｏＳｎ2 ，Ｍｏ3Ｔｅ4，ＭｏＴｅ2 ，Ｓｉ2Ｔｉ，ＳｉＴｉ，Ｓｉ4Ｔｉ5 ，Ｓｉ3Ｔｉ5 ，ＳｉＴｉ3，Ｓｎ5Ｔｉ6 ，Ｓｎ3Ｔｉ5 ，ＳｎＴｉ2 ，ＳｎＴｉ3 ，ＣｏＧｅ2 ，Ｃｏ5Ｇｅ7 ，ＣｏＧｅ，Ｃｏ5Ｇｅ3 ，Ｃｏ4Ｇｅ，Ｃｏ3Ｔｅ4 ，Ｇｅ7Ｒｅ3 ，Ｒｅ5Ｓｉ3 ，ＲｅＳｉ，ＲｅＳｉ2 ，Ｒｅ2Ｔｅ。
（６４）高融点成分の平均組成は、また、前記Ａ群及び下記のＢ群に挙げた化合物，のうち少なくとも一者、もしくはこれに近い組成あるいは、融点６００℃以上の化合物とすることができる。
＜Ｂ群＞
Ｃｓ3Ｇｅ，Ｂａ2Ｔｌ，ＧｅＰｄ3 ，Ｆｅ6Ｇｅ5 ，ＦｅＴｅ2 ，Ｃｏ5Ｇｅ2 ，Ｎｄ3Ｐｄ，Ｃｓ3Ｔｅ2 ，Ｃｅ4Ｉｒ，ＮａＰｄ，Ｃａ9Ｐｄ，Ｃａ3Ｐｄ2 ，Ｃａ2Ｇｅ，Ｓｅ3Ｓｒ，Ｃｅ3Ｔｌ，ＣｅＳｅ2 ，Ｃｅ3Ｇｅ，ＢａＳｅ3 ，ＧｅＳｅ2 ，ＧｅＳｅ，ＢａＴｅ2 ，ＧｅＰｄ5 ，Ｇｅ8Ｍｎ11，ＭｎＴｅ2 ，Ｇｅ3Ｗ2 ，ＦｅＧｅ，Ｆｅ4Ｇｅ3 ，Ｆｅ3Ｓｎ，Ｆｅ3Ｓｎ2 ，ＦｅＳｎ，ＣｏＴｅ2。
（６５）高融点成分の平均組成は、また、前記Ｂ群及び下記Ｃ群に挙げた化合物，のうち少なくとも一者、もしくはこれに近い組成、あるいは、融点４００℃以上の化合物とすることができる。
＜Ｃ群＞
Ｂａ4Ｔｌ，ＣｓＴｅ，Ｂａ4Ｔｌ，Ｂａ13Ｔｌ，Ｃｄ11Ｎｄ，Ｃｄ6Ｎｄ，Ｃｓ5Ｔｅ4 ，Ｃａ3Ｐｄ，Ｃａ5Ｐｄ2 ，Ｓｎ3Ｓｒ，Ｂａ13Ｔｌ，ＰｄＴｌ2，ＦｅＳｅ2 ，ＦｅＳｅ，Ｃｒ2Ｔｅ3 ，ＣｒＴｅ3 ，ＦｅＳｎ2 。
（６６）高融点成分として前記Ａ群に挙げたものを使用するとき、相変化成分の平均組成は、下記Ｄ群の組成のうち少なくとも一者、もしくはこれに近い組成あるいは、融点６５０℃以下の化合物であることが好ましい。
＜Ｄ群＞
Ｓｎ，Ｐｂ，Ｓｂ，Ｔｅ，Ｚｎ，Ｃｄ，Ｓｅ，Ｉｎ，Ｇａ，Ｓ，Ｔｌ，Ｍｇ，Ｔｌ2Ｓｅ，ＴｌＳｅ，Ｔｌ2Ｓｅ3 ，Ｔｌ3Ｔｅ2 ，ＴｌＴｅ，ＩｎＢｉ，Ｉｎ2Ｂｉ，ＴｅＢｉ，Ｔｌ−Ｓｅ，Ｔｌ−Ｔｅ，Ｐｂ−Ｓｎ，Ｂｉ−Ｓｎ，Ｓｅ−Ｔｅ，Ｓ−Ｓｅ，Ｂｉ−Ｇａ，Ｓｎ−Ｚｎ，Ｇａ−Ｓｎ，Ｇａ−Ｉｎ，Ｉｎ3ＳｅＴｅ2 ，ＡｇＩｎＴｅ2 ，ＧｅＳｂ4Ｔｅ7 ，Ｇｅ2Ｓｂ2Ｔｅ5 ，ＧｅＳｂ2Ｔｅ4，ＧｅＢｉ4Ｔｅ7 ，ＧｅＢｉ2Ｔｅ4 ，Ｇｅ3Ｂｉ2Ｔｅ6 ，Ｓｎ2Ｓｂ6Ｓｅ11，Ｓｎ2Ｓｂ2Ｓｅ5 ，ＳｎＳｂ2Ｔｅ4 ，Ｐｂ2Ｓｂ6Ｔｅ11，ＣｕＡｓＳｅ2 ，Ｃｕ3ＡｓＳｅ3 ，ＣｕＳｂＳ2 ，ＣｕＳｂＳｅ2 ，ＩｎＳｅ，Ｓｂ2Ｓｅ3 ，Ｓｂ2Ｔｅ3 ，Ｂｉ2Ｔｅ3 ，ＳｎＳｂ，ＦｅＴｅ，Ｆｅ2Ｔｅ3 ，ＦｅＴｅ2 ，ＺｎＳｂ，Ｚｎ3Ｓｂ2 ，ＶＴｅ2 ，Ｖ5Ｔｅ8 ，ＡｇＩｎ2 ，ＢｉＳｅ，ＩｎＳｂ，Ｉｎ2Ｔｅ，Ｉｎ2Ｔｅ5 ，Ｂａ4Ｔｌ，Ｃｄ11Ｎｄ，Ｂａ13Ｔｌ，Ｃｄ6Ｎｄ，Ｂａ2Ｔｌ。
（６７）高融点成分として前記Ｂ群に挙げたものを使用するとき、相変化成分の平均組成は、下記Ｅ群の組成のうち少なくとも一者、もしくはこれに近い組成あるいは、融点４５０℃以下の化合物であることが好ましい。
＜Ｅ群＞
Ｓｎ，Ｐｂ，Ｔｅ，Ｚｎ，Ｃｄ，Ｓｅ，Ｉｎ，Ｇａ，Ｓ，Ｔｌ，Ｔｌ2Ｓｅ，ＴｌＳｅ，Ｔｌ2Ｓｅ3 ，Ｔｌ3Ｔｅ2 ，ＴｌＴｅ，ＩｎＢｉ，Ｉｎ2Ｂｉ，ＴｅＢｉ，Ｔｌ−Ｓｅ，Ｔｌ−Ｔｅ，Ｐｂ−Ｓｎ，Ｂｉ−Ｓｎ，Ｓｅ−Ｔｅ，Ｓ−Ｓｅ，Ｂｉ−Ｇａ，Ｓｎ−Ｚｎ，Ｇａ−Ｓｎ，Ｇａ−Ｉｎ，Ｂａ4Ｔｌ。
（６８）高融点成分として前記Ｃ群に挙げたものを使用するとき、相変化成分の平均組成は、下記Ｆ群の組成のうち少なくとも一者、もしくはこれに近い組成あるいは、融点２５０℃以下の化合物であることが好ましい。
＜Ｆ群＞
Ｓｎ，Ｓｅ，Ｉｎ，Ｇａ，Ｓ，ＩｎＢｉ，Ｉｎ2Ｂｉ，ＴｅＢｉ，Ｔｌ−Ｓｅ，Ｔｌ−Ｔｅ，Ｐｂ−Ｓｎ，Ｂｉ−Ｓｎ，Ｓｅ−Ｔｅ，Ｓ−Ｓｅ，Ｂｉ−Ｇａ，Ｓｎ−Ｚｎ，Ｇａ−Ｓｎ，Ｇａ−Ｉｎ。
（６９）超解像読み出し用薄膜の組成または膜厚は、内周と外周において異なることが好ましく、超解像読み出し用薄膜のトラック周辺部も結晶化するのが好ましい。  本発明による超解像読み出し用薄膜は、すでに情報が記録されたＲＯＭディスク及び情報を記録できるＲＡＭディスクのいずれの情報記録媒体にも適用できる。
（７０）本発明による超解像読み出し用薄膜を備える情報記録媒体の超解像読み出し用装置は、超解像読み出し用薄膜の最高温度となる領域でも膜全体は融解しないで高融点成分が固相に留まる超解像読み出しパワーにプリセットがされているか、手動または自動で設定する手段を有することが好ましい。また、超解像読み出し時の反射光強度分布の乱れを検出する手段と、上記乱れの大きさに応じてレーザパワーを調節する手段を有することが好ましい。また、超解像読み出し時のレーザパワーをオートフォーカスやトラッキングに必要なパワーに比較して２倍以上大きくする手段を有することが好ましく、３倍以上大きくする手段を有することがより好ましい。この装置は、本発明以外の媒体に用いても、超解像読み出しレーザパワー一定の場合より良好な結果が得られる。
（７１）超解像読み出しレーザ光はパルス光とし、レーザパルスの周期Ｔ、線速ｖ、スポット径（λ／ＮＡ）、パルス幅ｘが下記（９）及び（１０）の関係を満
たすことが好ましく、
０．４λ／ＮＡ≦ｖＴ≦１．５λ／ＮＡ          （９）
０．３≦ｘ／Ｔ≦０．５                        （１０）
さらに下記（１２）及び（１０）の関係を満たすことがより好ましい。
【００３６】
０．５λ／ＮＡ≦ｖＴ≦０．９λ／ＮＡ          （１２）
（７２）基板上に直接または保護層を介して形成された、エネルギービームの照射を受けて生じる原子配列変化によって情報を記録・再生する情報記録用薄膜において、当該薄膜を有する情報記録用媒体を用いる情報の記録再生装置または媒体初期結晶化用装置でレーザ光を繰り返し照射することにより、当該薄膜の残成分より相対的に融点が高い高融点成分が析出し、その析出物が当該薄膜の残成分からなる領域内に分布する特徴を持つ。
（７３）基板上に直接または保護層を介して形成された、エネルギービームの照射を受けて生じる原子配列変化によって情報を記録・再生する情報記録用薄膜を有する情報記録用媒体を用いる情報の記録再生方法または媒体初期結晶化用方法においてレーザ光を繰り返し照射することにより、当該薄膜の残成分より相対的に融点が高い高融点成分が析出し、その析出物が当該薄膜の残成分からなる領域内に分布する特徴を持つ。
（７４）（１）から（６）に記載の情報記録用薄膜において、当該薄膜を有する情報記録用媒体を用いる情報の記録再生装置または媒体初期結晶化用装置においてレーザ光を繰り返し照射することにより、当該薄膜の残成分より相対的に融点が高い高融点成分が析出し、その析出物が当該薄膜の残成分からなる領域内に分布し、その析出物が前記ＢおよびＸの少なくとも一方で表わされる元素を含むことを特徴とする。
（７５）基板上に直接または保護層を介して形成された、エネルギービームの照射を受けて生じる原子配列変化によって情報を記録・再生する情報記録用媒体の製造方法であって、
基板上に保護層、記録膜または超解像読みだし膜、中間層、反射層を形成する工程と、これに別の基板または同様にして前記各層を形成した別の基板を貼り合わせる工程と前記媒体にエネルギービームを照射して前記薄膜中に高融点成分を生成または成長させる工程とを備えてなることを特徴とする。
（７６）基板上に直接または保護層を介して形成された、エネルギービームの照射を受けて生じる原子配列変化によって情報を記録・再生する情報記録用媒体の製造方法であって、基板上に保護層を形成する工程と高融点成分の材料あるいは高融点成分の組成に近い組成を持つ材料を被着させて島状の種結晶を形成する工程と、前記種結晶の上に前記高融点成分と前記残成分とを含む材料を被着させ、前記高融点成分を選択的に前記種結晶上に成長させると共に、それら種結晶の間を埋めるように前記残成分を成長させる工程と中間層、反射層を形成する工程と、これに別の基板または同様にして前記各層を形成した別の基板を貼り合わせる工程と備えてなることを特徴とする。
（７７）基板上に直接または保護層を介して形成された、エネルギービームの照射を受けて生じる原子配列変化によって情報を記録または再生する情報記録用媒体の製造方法であって、
基板上に保護層を形成する工程と、相変化成分と高融点成分より成る膜の形成を行ないつつ高融点成分の含有量を膜厚方向に変化させる工程と、中間層、反射層を形成する工程と、これに別の基板または同様にして前記各層を形成した別の基板を貼り合わせる工程を備えてることを特徴とする。
（７８）前記高融点成分としては、例えば、
ＬａＴｅ3，ＬａＴｅ2，Ｌａ2Ｔｅ3，Ｌａ3Ｔｅ4，ＬａＴｅ，Ｌａ2Ｔｅ5，
Ｌａ4Ｔｅ7，Ｌａ3Ｔｅ，Ｌａ2Ｓｂ，Ｌａ3Ｓｂ2，ＬａＳｂ，ＬａＳｂ2，
Ｌａ3Ｇｅ，Ｌａ5Ｇｅ3，Ｌａ4Ｇｅ3，Ｌａ5Ｇｅ4，ＬａＧｅ，Ｌａ3Ｇｅ5，
Ａｇ2Ｔｅ，Ｃｒ3Ｔｅ4，Ｃｒ5Ｔｅ8，Ｃｒ2Ｔｅ3，Ｃｒ4Ｔｅ5，ＣｒＳｂ，
Ｃｒ3Ｇｅ，Ｃｒ5Ｇｅ3，Ｃｒ11Ｇｅ8，ＣｒＧｅ，Ｃｒ11Ｇｅ19，ＰｔＴｅ2，Ｐｔ4Ｔｅ5，Ｐｔ5Ｔｅ4，Ｐｔ4Ｓｂ，Ｐｔ3Ｓｂ2，ＰｔＳｂ，Ｐｔ3Ｇｅ，
Ｐｔ2Ｇｅ，Ｐｔ3Ｇｅ2，ＰｔＧｅ，Ｐｔ2Ｇｅ3，ＰｔＧｅ3，ＮｉＴｅ，
ＮｉＴｅ0.85，ＮｉＳｂ，Ｎｉ3Ｇｅ，Ｎｉ5Ｇｅ2，Ｎｉ5Ｇｅ3，ＮｉＧｅ，
ＣｏＴｅ，ＣｏＴｅ2，Ｃｏ3Ｔｅ4，ＣｏＳｂ，ＣｏＳｂ2，ＣｏＳｂ3，
Ｃｏ5Ｇｅ2，Ｃｏ5Ｇｅ3，ＣｏＧｅ，Ｃｏ5Ｇｅ7，ＣｏＧｅ2，Ｓｉ2Ｔｅ3，
ＳｉＳｂ，ＳｉＧｅ，ＣｅＴｅ，Ｃｅ3Ｔｅ4，Ｃｅ2Ｔｅ3，Ｃｅ4Ｔｅ7，
ＣｅＴｅ2，ＣｅＴｅ3，Ｃｅ2Ｓｂ，Ｃｅ5Ｓｂ3，Ｃｅ4Ｓｂ5，ＣｅＳｂ，
ＣｅＳｂ2，Ｃｅ3Ｇｅ，Ｃｅ5Ｇｅ3，Ｃｅ4Ｇｅ3，Ｃｅ5Ｇｅ4，ＣｅＧｅ，
Ｃｅ3Ｇｅ5，Ｃｅ5Ｓｉ3，Ｃｅ3Ｓｉ2，Ｃｅ5Ｓｉ4，ＣｅＳｉ，Ｃｅ3Ｓｉ5，
ＣｅＳｉ2，Ｃｒ3Ｓｉ，Ｃｒ5Ｓｉ3，ＣｒＳｉ，ＣｒＳｉ3，ＣｒＳｉ2，
Ｃｏ3Ｓｉ，ＣｏＳｉ，ＣｏＳｉ2，ＮｉＳｉ2，ＮｉＳｉ，Ｎｉ3Ｓｉ2，
Ｎｉ2Ｓｉ，Ｎｉ5Ｓｉ2，Ｎｉ3Ｓｉ，Ｐｔ5Ｓｉ2，Ｐｔ2Ｓｉ，ＰｔＳｉ，
ＬａＳｉ2，Ａｇ3Ｉｎ，Ａｇ2Ｉｎ，Ｂｉ2Ｃｅ，ＢｉＣｅ，Ｂｉ3Ｃｅ4，
Ｂｉ3Ｃｅ5，ＢｉＣｅ2，Ｃｄ11Ｃｅ，Ｃｄ6Ｃｅ，Ｃｄ58Ｃｅ13，Ｃｄ3Ｃｅ，Ｃｄ2Ｃｅ，ＣｄＣｅ，Ｃｅ3Ｉｎ，Ｃｅ2Ｉｎ，Ｃｅ1+xＩｎ，Ｃｅ3Ｉｎ5，
ＣｅＩｎ2，ＣｅＩｎ3，Ｃｅ2Ｐｂ，ＣｅＰｂ，ＣｅＰｂ3，Ｃｅ3Ｓｎ，
Ｃｅ5Ｓｎ3，Ｃｅ5Ｓｎ4，Ｃｅ11Ｓｎ10，Ｃｅ3Ｓｎ5，Ｃｅ3Ｓｎ7，
Ｃｅ2Ｓｎ5，ＣｅＳｎ3，ＣｅＺｎ，ＣｅＺｎ2，ＣｅＺｎ3，Ｃｅ3Ｚｎ11，
Ｃｅ13Ｚｎ58，ＣｅＺｎ5，Ｃｅ3Ｚｎ22，Ｃｅ2Ｚｎ17，ＣｅＺｎ11，
Ｃｄ21Ｃｏ5，ＣｏＧａ，ＣｏＧａ3，ＣｏＳｎ，Ｃｒ3Ｇａ，ＣｒＧａ，
Ｃｒ5Ｇａ6，ＣｒＧａ4，Ｃｕ9Ｇａ4，Ｃｕ3Ｓｎ，Ｃｕ3Ｚｎ，Ｂｉ2Ｌａ，
ＢｉＬａ，Ｂｉ3Ｌａ4，Ｂｉ3Ｌａ5，ＢｉＬａ2，Ｃｄ11Ｌａ，Ｃｄ17Ｌａ2，
Ｃｄ9Ｌａ2，Ｃｄ2Ｌａ，ＣｄＬａ，Ｇａ6Ｌａ，Ｇａ2Ｌａ，ＧａＬａ，
Ｇａ3Ｌａ5，ＧａＬａ3，Ｉｎ3Ｌａ，Ｉｎ2Ｌａ，Ｉｎ5Ｌａ3，ＩｎxＬａ，
ＩｎＬａ，ＩｎＬａ2，ＩｎＬａ3，Ｌａ5Ｐｂ3，Ｌａ4Ｐｂ3，Ｌａ11Ｐｂ10，
Ｌａ3Ｐｂ4，Ｌａ5Ｐｂ4，ＬａＰｂ2，ＬａＰｂ3，ＬａＺｎ，ＬａＺｎ2，
ＬａＺｎ4，ＬａＺｎ5，Ｌａ3Ｚｎ22，Ｌａ2Ｚｎ17，ＬａＺｎ11，ＬａＺｎ13，ＮｉＢｉ，Ｇａ3Ｎｉ2，ＧａＮｉ，Ｇａ2Ｎｉ3，Ｇａ3Ｎｉ5，ＧａＮｉ3，
Ｎｉ3Ｓｎ，Ｎｉ3Ｓｎ2，Ｎｉ3Ｓｎ4，ＮｉＺｎ，Ｎｉ5Ｚｎ21，ＰｔＢｉ，
ＰｔＢｉ2，ＰｔＢｉ3，ＰｔＣｄ2，Ｐｔ2Ｃｄ9，Ｇａ7Ｐｔ3，Ｇａ2Ｐｔ，
Ｇａ3Ｐｔ2，ＧａＰｔ，Ｇａ3Ｐｔ5，ＧａＰｔ2，ＧａＰｔ3，Ｉｎ7Ｐｔ3，
Ｉｎ2Ｐｔ，Ｉｎ3Ｐｔ2，ＩｎＰｔ，Ｉｎ5Ｐｔ6，Ｉｎ2Ｐｔ3，ＩｎＰｔ2，
ＩｎＰｔ3，Ｐｔ3Ｐｂ，ＰｔＰｂ，Ｐｔ2Ｐｂ3，Ｐｔ3Ｓｎ，ＰｔＳｎ，
Ｐｔ2Ｓｎ3，ＰｔＳｎ2，ＰｔＳｎ4，Ｐｔ3Ｚｎ，ＰｔＺｎ2，ＡｌＳ，
Ａｌ2Ｓ3，ＢａＳ，ＢａＣ2，ＣｄＳ，Ｃｏ4Ｓ3，Ｃｏ9Ｓ8，ＣｏＳ，ＣｏＯ，Ｃｏ3Ｏ4，Ｃｏ2Ｏ3，Ｃｒ2Ｏ3，Ｃｒ3Ｏ4，ＣｒＯ，ＣｒＳ，ＣｒＮ，
Ｃｒ2Ｎ，Ｃｒ23Ｃ6，Ｃｒ7Ｃ3，Ｃｒ3Ｃ2，Ｃｕ2Ｓ，Ｃｕ9Ｓ5，ＣｕＯ，
Ｃｕ2Ｏ，Ｉｎ4Ｓ5，Ｉｎ3Ｓ4，Ｌａ2Ｓ3，Ｌａ2Ｏ3，Ｍｏ2Ｃ，ＭｏＣ，
Ｍｎ23Ｃ6，Ｍｎ4Ｃ，Ｍｎ7Ｃ3，ＮｉＯ，ＳｉＳ2，ＳｉＯ2，Ｓｉ3Ｎ4，
Ｃｕ2Ｔｅ，ＣｕＴｅ，Ｃｕ3Ｓｂ，Ｍｎ2Ｓｂ，ＭｎＴｅ，ＭｎＴｅ2，
Ｍｎ5Ｇｅ3，Ｍｎ3.25Ｇｅ，Ｍｎ5Ｇｅ2，Ｍｎ3Ｇｅ2，Ｇｅ3Ｗ，Ｔｅ2Ｗ，
ＡｌＳｂ，Ａｌ2Ｔｅ3，Ｆｅ2Ｇｅ，ＦｅＧｅ2，ＦｅＳｂ2，Ｍｏ3Ｓｂ7，
Ｍｏ3Ｔｅ4，ＭｏＴｅ2，ＰｂＴｅ，ＧｅＰｄ2，Ｇｅ2Ｐｄ5，Ｇｅ9Ｐｄ25，
ＧｅＰｄ5，Ｐｄ3Ｓｂ，Ｐｄ5Ｓｂ3，ＰｄＳｂ，ＳｎＴｅ，Ｔｉ5Ｇｅ3，
Ｇｅ31Ｖ17，Ｇｅ8Ｖ11，Ｇｅ3Ｖ5，ＧｅＶ3，Ｖ5Ｔｅ4，Ｖ3Ｔｅ4，ＺｎＴｅ，Ａｇ2Ｓｅ，Ｃｕ2Ｓｅ，Ａｌ2Ｓｅ3，ＩｎＡｓ，ＣｏＳｅ，Ｍｎ3Ｉｎ，
Ｎｉ3Ｉｎ，ＮｉＩｎ，Ｎｉ2Ｉｎ3，Ｎｉ3Ｉｎ7，ＰｂＳｅ，
などの高融点化合物、あるいはこれらに近い組成の高融点化合物、あるいはこれらの混合物、あるいはこれらの混合組成に近い３元以上の化合物がある。
【００３７】
これらの中では、
ＬａＳｂ，ＣｒＳｂ，ＣｏＳｂ，Ｃｒ3Ｔｅ4，Ｃｒ2Ｔｅ3，Ｃｒ4Ｔｅ5，
ＣｏＴｅ，Ｃｏ3Ｔｅ4，ＬａＴｅ3，Ｃｕ2Ｔｅ，ＣｕＴｅ，Ｃｕ3Ｓｂ，
ＭｎＴｅ，ＭｎＴｅ2，Ｍｎ2Ｓｂ
のうちの少なくとも１つが特に好ましい。その理由は、屈折率が残成分に近いので、ノイズが発生しにくく融点も高いことにある。
【００３８】
前記高融点成分中に含まれる酸化物、硫化物、窒化物、炭化物の含有量は、前記高融点成分の全構成原子数の４０原子％未満とするのが好ましく、１０原子％未満とするのが特に好ましい。これらの含有量が４０原子％以上であると、当該薄膜の高融点成分以外の成分すなわち残成分との複素屈折率の差を小さくできなかったり、当該残成分中に酸素等が拡散して記録・再生特性を劣化させたりする問題を生じやすいからである。
【００３９】
前記情報記録用薄膜では、前記高融点成分の析出物が分布した状態で情報の記録・再生・消去を行なうものであるから、前記高融点成分と、可逆的に相変化する成分との混合組成になっているのが好ましい。ここで「相変化」とは、結晶状態−非晶質状態間の相変化だけでなく、結晶状態−結晶質状態間の相変化も含む
。
【００４０】
可逆的に相変化する成分としては、既知の相変化記録材料の他、好適な相変化特性を持った材料であれば任意のものを使用することができるが、高融点成分の例として前で述べた多数の化合物の中では、Ｃｒなどの遷移金属元素を含む化合物が好ましく、且つその遷移金属元素の含有量は当該薄膜の総構成原子数の４０原子％以下が好ましく、３４原子％以下がより好ましい。この条件が満たされると、析出する高融点成分とＴｅ系またはＳｂ系の相変化成分との界面反射率を小さくする効果が大きくなるという利点がある。
【００４１】
前記高融点成分の屈折率の実数部ｎ1と虚数部ｋ1の値は、前記高融点成分と相変化成分との界面での光散乱を防ぐ観点から、前記相変化成分の結晶状態での実数部ｎ2と虚数部ｋ2の値のそれぞれ±４０％以内であるのが好ましく、±２０％以内であるのがより好ましい。
【００４２】
ｎ1とｎ2の差が±１０％以内、ｋ1とｋ2の差が±７０％以内であり、且つ
｜〔（ｎ1＋ｉｋ1）−（ｎ2＋ｉｋ2）〕／〔（ｎ1＋ｉｋ1）＋（ｎ2＋ｉｋ2）〕｜2で表わされる界面反射率が６％以下があるのが好ましい。また、ｎ1とｎ2の差が±１０％以内、ｋ1とｋ2の差が±７０％以内であり、且つ界面反射率が２％以下であるのがより好ましい。これらの条件を満たすことは、膜厚を厚くして再生信号レベルを大きくし、界面での光散乱を防ぐのに好ましい。
【００４３】
高融点成分の屈折率（ｎ，ｋ）の好ましい範囲は、相変化成分がＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系の場合は、
５．０≦ｎ≦６．２，  １．１≦ｋ≦６．１  であり、
相変化成分がＩｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系の場合は、
１．５≦ｎ≦１．８，  ０．６≦ｋ≦３．６  である。
【００４４】
高融点成分が前記情報記録用薄膜において、高融点成分の析出物を明確に判別できない場合は、次のように解する。すなわち、当該薄膜の平均組成から前記高融点成分以外の残成分（例えば相変化成分）の組成のいずれか一つを除くと、残部の８０％以上、より好ましくは９０％以上がこの発明の融点の条件を満たす高融点成分の組成となる場合、この発明の高融点成分が析出しているものとする。
【００４５】
情報記録用薄膜の保護に用いる「保護層」は、有機物でもよいし無機物でもよいが、無機物の方が耐熱性の面で好ましい。しかし、機械的強度を増すために、基板とは別に形成した無機物の保護層を厚くすると、クラック発生、透過率低下、感度低下などを生じやすいので、この保護層を薄くする一方、この保護層の当該情報記録用薄膜と反対の側に厚い有機物層を密着させるのが好ましい。この有機物層は基板とは別に形成した層でもよいし、有機物の基板でもよい。これによって変形が起こり難くなる。
【００４６】
有機物の保護層は、例えばアクリル樹脂、ポリカーボネート、ポリオレフィン、エポキシ樹脂、ポリイミド、ポリアミド、ポリスチレン、ポリエチレン、ポリエチレンテレフタレ−ト、ポリ４フッ化エチレン（テフロン：登録商標）などのフッ素樹脂などにより形成することができる。ホットメルト接着剤として知られているエチレン−酢酸ビニル共重合体などや、粘着剤などでもよい。これらの樹脂の少なくとも１つを主成分とする紫外線硬化樹脂で形成してもよい。有機物の基板で保護層を兼ねてもよい。
【００４７】
無機物の保護層は、例えば酸化物、弗化物、窒化物、硫化物、セレン化物、炭化物、ホウ化物、ホウ素、炭素、あるいは金属などを主成分とする無機物などにより形成することができる。ガラス、石英、サファイア、鉄、チタン、あるいはアルミニウムを主成分とする無機物の基板で保護層を兼ねてもよい。
【００４８】
無機物の保護層の例としては、Ｃｅ，Ｌａ，Ｓｉ，Ｉｎ，Ａｌ，Ｇｅ，Ｐｂ，Ｓｎ，Ｂｉ，Ｔｅ，Ｔａ，Ｓｃ，Ｙ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｖ，Ｎｂ，ＣｒおよびＷよりなる群より選ばれた少なくとも１つの元素の酸化物、Ｃｄ，Ｚｎ，Ｇａ，Ｉｎ，Ｓｂ，Ｇｅ，Ｓｎ，Ｐｂよりなる群より選ばれた少なくとも１つの元素の硫化物またはセレン化物、Ｍｇ，Ｃｅ，Ｃａなどの弗化物、Ｓｉ，Ａｌ，Ｔａ，Ｂなどの窒化物、または、ホウ素あるいは炭素より成るものであって、たとえば主成分が、ＣｅＯ2，Ｌａ2Ｏ3，ＳｉＯ，ＳｉＯ2，Ｉｎ2Ｏ3，Ａｌ2Ｏ3，ＧｅＯ，ＧｅＯ2，ＰｂＯ，ＳｎＯ，ＳｎＯ2，Ｂｉ2Ｏ3，ＴｅＯ2，ＷＯ2，ＷＯ3，Ｔａ2Ｏ5，Ｓｃ2Ｏ3，Ｙ2Ｏ3，ＴｉＯ2，ＺｒＯ2，ＣｄＳ，ＺｎＳ，ＣｄＳｅ，ＺｎＳｅ，Ｉｎ2Ｓ3，Ｉｎ2Ｓｅ3，Ｓｂ2Ｓ3，Ｓｂ2Ｓｅ3，Ｇａ2Ｓ3，Ｇａ2Ｓｅ3，ＭｇＦ2，ＣｅＦ3，ＣａＦ2，ＧｅＳ，ＧｅＳｅ，ＧｅＳｅ2，ＳｎＳ，ＳｎＳ2，ＳｎＳｅ，ＳｎＳｅ2，ＰｂＳ，ＰｂＳｅ，Ｂｉ2Ｓｅ3，Ｂｉ2Ｓ3，ＴａＮ，Ｓｉ3Ｎ4，ＡｌＮ，ＡｌＳｉＮ2，Ｓｉ，ＴｉＢ2，Ｂ4Ｃ，ＳｉＣ，Ｂ，Ｃのうちの１つあるいはそれに近い組成をもったもの、またはそれらの混合物がある。
【００４９】
これらのうち、硫化物では、ＺｎＳまたはそれに近い組成のものが、屈折率が適当な大きさで膜が安定である点で好ましい。窒化物では、表面反射率があまり高くなく、膜が安定で強固である点で、ＴａＮ，Ｓｉ3Ｎ4，ＡｌＳｉＮ2またはＡｌＮ（窒化アルミニウム）またはそれに近い組成のものが好ましい。酸化物では、膜が安定である点で、Ｙ2Ｏ3，Ｓｃ2Ｏ3，ＣｅＯ2，ＴｉＯ2，ＺｒＯ2，ＳｉＯ，Ｔａ2Ｏ5，Ｉｎ2Ｏ3，Ａｌ2Ｏ3，ＳｎＯ2またはＳｉＯ2またはそれらに近い組成のものが好ましい。水素を含む非晶質Ｓｉでもよい。
【００５０】
前記保護層を無機物−無機物、あるいは無機物−有機物の２層あるいは３層以上の多層構成にすれば、さらに保護効果が高まる。
【００５１】
前記保護層に混合物を使用すると、膜形成が容易である。例えば、厚さ５０〜５００ｎｍの（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20層では、保護効果、記録・消去特性、書き換え特性ともに良好であり、膜の形成も容易である。
【００５２】
前記保護層はまた、有機物および無機物の複合材料により形成することもできる。
【００５３】
無機物の保護層は、そのままの組成で電子ビーム蒸着、スパッタリングなどにより形成してもよいが、反応性スパッタリングあるいは、金属、半金属、半導体の少なくとも１元素よりなる膜を形成した後に酸素、硫黄、窒素のうちの少なくとも一つと反応させるようにすると、成膜が容易となる。
【００５４】
一般に、薄膜に光を照射すると、薄膜の表面からの反射光と薄膜の裏面からの反射光との重ね合わせにより干渉が生じる。そこで、薄膜の反射率の変化で信号を読み取る場合には、記録用薄膜に近接して光を反射する「反射層」を設けることにより、干渉の効果を大きくし、それによって再生（読出し）信号を大きくすることができる。なお、光を吸収する吸収層としてもよい。
【００５５】
干渉の効果をより大きくするためには、記録用薄膜と反射層の間に「中間層」を設けるのが好ましい。中間層は、書き換え時に記録用薄膜と反射層との間で相互拡散が起こるのを防止する作用、および反射層への熱の逃げを減少させて記録感度を高め、、消え残りを防止する作用がある。
【００５６】
中間層の材質を適当に選ぶと、情報記録用薄膜の役割の少なくとも一部を担わせることもできる。例えば、中間層をセレン化物で形成すると、記録用薄膜の少なくとも一部の元素が中間層中へ拡散し、あるいは中間層中の元素と反応し、あるいは中間層の少なくとも一部の元素が記録用薄膜または反射層中へ拡散し、それによって記録用薄膜の一部の役割を果たすようになる。
【００５７】
中間層の膜厚は、３ｎｍ以上、４００ｎｍ以下で、且つ、記録状態および消去状態のいずれか一方において、読み出し光の波長付近で記録用薄膜の反射率が極小値に近く、しかもその値が他方の状態において２０％付近あるいはそれ以上となるようにするのが好ましい。
【００５８】
反射層として、熱伝導率が２．０Ｗ／ｃｍ・ｄｅｇ以上の高熱伝導率材料（例えばＡｕなど）を主成分とする材料を用いると、熱拡散率が高くなり、高速で結晶化する記録用薄膜を用いても、高パワーのレーザ光を照射したときに確実に非晶質化するようになる。この場合、中間層にも、熱伝導率の高い材料（例えばＡｌ2Ｏ3，ＡｌＮ，Ｓｉ3Ｎ4，ＺｎＳなどあるいはそれに近い組成の材料）を用いるか、ＳｉＯ2などの熱伝導率が中程度（０．０２Ｗ／ｃｍ・ｄｅｇ以上、０．１Ｗ／ｃｍ・ｄｅｇ以下）の材料を用い、中間層を薄くするのが特に好ましい。ただし、記録感度を高めるには、前記の値よりも低い熱伝導率の材料で反射層を形成するのが好ましい。
【００５９】
反射層は、情報記録用薄膜の基板側に配置してもよいし、情報記録用薄膜の基板とは反対側に配置してもよい。
【００６０】
反射層の中間層とは反対の側に、前記保護層に使用可能な無機物よりなる保護層（上びき層）を形成すれば、さらに好ましい。これら中間層、反射層、保護層よりなる３層構成では、全体として、単層の保護層より強固となる。
【００６１】
前記基板、記録用薄膜、保護層、中間層および反射層の形成は、真空蒸着、ガス中蒸着、スパッタリング、イオンビーム蒸着、イオンプレーティング、電子ビーム蒸着、射出成形、キャスティング、回転塗布、プラズマ重合などの方法からいずれかを適宜選定して行なえばよい。
【００６２】
前記記録用薄膜、保護層、中間層、反射層、および反射層に隣接した保護層は、すべてスパッタリングにより形成するのが最も好ましい。
【００６３】
前記の情報記録用薄膜は、共蒸着や共スパッタリングなどによって、保護膜用に使用可能な材料として前述した酸化物、弗化物、窒化物、有機物など、あるいは炭素または炭化物の中に分散させた形態としてもよい。そうすることによって、光吸収係数を調節し再生信号強度を大きくすることができる場合がある。
【００６４】
この場合、混合比率は、薄膜中で酸素、弗素、窒素、炭素が膜全体に対して占める原子数の割合が４０％以下が好ましく、２０％以下がより好ましい。
【００６５】
このような複合膜化を行なうことにより、結晶化の速度が低下し、感度が低下するのが普通であるが、有機物との複合膜化では感度が向上する。
【００６６】
一般に、相転移（相変化）によって情報の記録を行なう場合、記録膜の全面をあらかじめ結晶化させておくのが好ましいが、基板に有機物を用いている場合には基板を高温にすることができない。そこで、それ以外の方法で結晶化させる必要がある。
【００６７】
この場合の好ましい結晶化法としては、例えば、スポット径が２μｍ以下となるように集束したレーザ光の照射、キセノンランプや水銀ランプなどによる紫外線照射と加熱、フラッシュランプ光の照射、高出力ガスレーザや出力１Ｗ程度の高出力半導体レーザからの大きなレーザ光スポットによる光の照射、あるいは加熱とレーザ光照射との組合せなどがある。
【００６８】
スポット径を２μｍ以下まで集束したレーザ光を情報記録用薄膜に照射する場合、複数回の照射が必要となる場合が多い。このため、単一のレーザ光では、薄膜に繰り返し照射することになり、長時間を要する。これを避けるには、半導体レーザアレイを用いるか、ガスレーザのビームを複数に分割して同時に複数箇所に照射するようにするのがよい。これにより、薄膜を１回転するだけで多数回のレーザ光照射が可能となる。
【００６９】
各光スポットは、同一の記録トラック上に並列させてもよいが、２つあるいはそれ以上のトラック上に並列させてもよい。トラック上とトラック間に同時に照射するようにすれば、さらに好ましい。各スポットのレーザ光パワーは同じである必要はない。
【００７０】
ガスレーザあるいは高出力半導体レーザからの単一ビームを照射する場合、スポット径（円形の光スポットであれば光強度が（１／２）になる位置での直径、楕円形の光スポットであれば前記位置での長径）が５μｍ以上、５ｍｍ以下とすると能率がよい。
【００７１】
結晶化を記録トラック上のみで生じさせ、トラック間は非晶質のままとしてもよい。記録トラック間のみを結晶化させてもよい。
【００７２】
例えば、Ｓｂ，Ｔｅ，ＧｅおよびＣｒを主成分とする薄膜を複数の蒸発源からの回転蒸着によって形成した場合、蒸着直後にはＳｂ，Ｔｅ，ＧｅおよびＣｒの原子がうまく結合していない場合が多い。また、この薄膜をスパッタリングによって形成した場合も、原子配列が極めて乱れた状態になる。そこで、このような場合には、まず、高いパワー密度のレーザ光を記録トラック上に照射して加熱し、高融点成分を析出させるとともに、場合によっては薄膜を選択的に融解させるのがよい。その後、前記記録トラック上に低いパワー密度のレーザ光を照射して前記薄膜を結晶化させる。こうすると、トラック全周にわたって反射率が均一になりやすい利点がある。
【００７３】
レーザ光などのエネルギービームを照射する前には、情報記録用薄膜中に高融点成分が存在しない場合もあるが、以上のような結晶化処理により、その薄膜中に高融点成分を析出あるいは成長させることができる。析出あるいは成長した高融点成分は、前述したように、薄膜中にほぼ独立して粒状または柱状に分布し、あるいは、高融点成分が連続して多孔質状に分布する。前者の場合は、当該薄膜の残成分（通常は相変化成分）の中に高融点成分が分布する。後者の場合は、高融点成分の析出物の多数の孔の中に残成分が埋め込まれる。
【００７４】
この第１の製造方法では、高融点成分は情報記録用薄膜の両側の界面からその内部に向かって成長しやすい。
【００７５】
結晶化するパワーレベルと非晶質に近い状態にするパワーレベルとの間でパワー変調したレーザ光で情報を記録（オーバーライト）することは、薄膜の結晶化後の状態の如何に関わらず可能である。
【００７６】
この発明の第１〜第６の情報記録用薄膜では、必ずしも非晶質状態と結晶状態の間の変化を記録に利用する必要はなく、膜の形状変化をほとんど伴わない何らかの原子配列変化によって、光学的性質の変化を起こさせれば足りる。前記高融点成分の析出物により、薄膜の流動・偏析が確実に防止される。
【００７７】
例えば、結晶粒径や結晶形の変化、結晶と準安定状態（π，γなど）との間の変化などでもよい。非晶質状態と結晶状態の変化でもよいし、完全な非晶質や結晶状態でなく両状態の部分が混在し、それらの比率が変化するだけでもよい。
【００７８】
また、記録用薄膜と、保護層および中間層のうちの少なくとも一つとの間で、これらの層を構成する原子のうちの一部が拡散、化学反応などにより移動することにより、情報が記録されるものでもよいし、原子の移動と相変化の両方により情報が記録されるものでもよい。
【００７９】
この発明の第１の情報記録媒体は、前記第１〜第６のいずれかの情報記録用薄膜を記録層として備えていることを特徴とする。
【００８０】
前記情報記録用薄膜の少なくとも一方の界面は、前記保護層に密着しているのが好ましい。保護層により、情報書き換え時の薄膜の変形に起因するノイズ増加を防止することができる。
【００８１】
この発明の第２の情報記録媒体は、前記第１および第６の情報記録用薄膜のいずれかを、超解像読出し用のマスク層として備えていることを特徴とする。
【００８２】
この発明の第１〜第４の情報記録用薄膜およびそれを用いた情報記録媒体では、ＳｂおよびＴｅに前記ＢまたはＸに表される元素が添加されているので、レーザ光などの記録・再生光の照射によって融解しない高融点成分の析出物が内部に生成される。このため、高融点成分以外の残成分が前記光によって融解しても、その流動および偏析が効果的に防止され、その結果、多数回書き換えした際の流動および偏析が効果的に防止される。また、析出した高融点成分が情報記録用薄膜の膜厚の厚さまで大きい場合は上記薄膜が接している保護層や中間層の熱膨張による変形を押さえ、保護層と中間層の間隔を保つため、上記薄膜の流動防止効果がより高くなる。このため、搬送波対雑音比（Ｃ／Ｎ）が安定し、記録・再生特性を良好に保ちながら従来より多数回の書き換えあるいは読み出しが可能となる。
【００８３】
Ｓｂ、Ｔｅおよび前記ＢまたはＸで表わされる元素にさらに前記Ａで表わされる元素が共存すると、非晶質状態が安定に保持され、しかも記録・消去時の結晶化が高速で行なわれるようになる。また、結晶化速度が最適に制御され、搬送波対雑音比と消去比とが向上する。
【００８４】
この発明の第５および第６の情報記録用薄膜およびそれを用いた情報記録媒体では、レーザ光などの記録・再生光が照射されても、内部に含まれている高融点成分の析出物は融解しない。このため、高融点成分以外の残成分が前記光によって融解しても、その流動および偏析が効果的に防止される。その結果、記録・再生特性を良好に保ちながら従来より多数回の書き換えあるいは読み出しが可能となる。
【００８５】
この発明の第１の情報記録媒体では、前記第１〜第６の情報記録用薄膜を備えているので、記録・再生特性を良好に保ちながら従来より多数回の書き換えあるいは読み出しが可能となる。
【００８６】
この発明の第２の情報記録媒体では、前記第１〜第６の情報記録用薄膜のいずれかよりなるマスク層に光スポットが照射されると、光スポット内の高温部では、前記高融点成分以外の残成分が少なくとも融解する。高温部の屈折率の実数部または虚数部（消衰係数）は、光スポット外の低温部のそれよりも小さくなるため、前記マスク層により、光スポット径の領域の一部が部分的にマスクされ、あたかも光スポット径が減少したようになる。その結果、光スポット径よりも小さい記録マークを読み出すことができる、すなわち超解像読出しが可能となる。
【００８７】
この発明の第３の情報記録媒体では、前記第１〜第６の情報記録用薄膜のいずれかよりなる反射層に光スポットが照射されると、光スポットの径内の高温部の屈折率の実数部または消衰係数が光スポット外の低温部のそれよりも小さくなる。このため、当該反射層の高温部に照射された光の反射光には、記録マークの読み取りに十分なコントラストが与えられなくなる。その結果、あたかも光スポット径が減少したようになるため、光スポット径より小さいピッチで形成された記録マークを読み出すことができる、すなわち超解像読出しが可能となる。
【００８８】
また、相変化成分より相対的に融点が高い高融点成分が析出しているため、超解像読み出し時に、レーザ照射によって超解像読み出し膜が融解した際の流動及び偏析が効果的に防止される。このため、良好な超解像読み出し特性を保ちながら従来より多数回の超解像読み出しを行うことが可能となる。
【００８９】
超解像読み出し用薄膜の平均組成を前記一般式（８）で表されるものとするとき、式中のＡで表される元素は低温で融解するため、超解像読み出しが低温で可能となり、相変化光ディスクをはじめとする位相ピットで情報を記録した光ディスク以外の光ディスクでも超解像読み出しを行うことができる。これに前記Ｂで表される元素が共存すると、前記ＤとＥの化合物またはＥの元素またはＥの元素同士の化合物が高融点成分となり、超解像読み出し膜が融解した際の流動及び偏析を防止する効果をもつ。（１２）式中のＦとして例えばＴｌを共存させると、Ｃ／Ｎを大きくさせることができる。
【００９０】
本発明の超解像読み出し用装置では、超解像読み出し時にのみレーザパワーを大きくするため、超解像読み出し膜の劣化を防ぎ、多数回の超解像読み出しが可能となる。また、超解像読み出し時のレーザの周期Ｔ、線速ｖ、スポット径（λ／ＮＡ）、パルス幅ｘが前記（９）及び（１０）の関係を満たすことにより、超解像読み出し時のマスク領域の大きさを適当に保ち、超解像読み出し特性をよくすることができる。この装置は、本発明以外の媒体に用いても、超解像読み出しレーザパワー一定の場合より良好な結果が得られる。
【発明の効果】
【００９１】
以上説明したように、この発明の情報記録用薄膜および情報記録媒体によれば、良好な記録・再生特性を保持しながら、従来より多数回の書き換えが可能となる。
【００９２】
この発明の情報記録用薄膜の製造方法によれば、この発明の情報記録用薄膜および情報記録媒体が容易に得られる。
【００９３】
以上説明したように、本発明によれば、多数回の超解像読み出しが可能であり、超解像読み出し特性がよい超解像読み出し用薄膜、情報記録媒体及び超解像読み出し装置を得ることができる。
【実施例】
【００９４】
以下、この発明を実施例によって詳細に説明する。
〔実施例１〕
（構成・製法）
図３は、この発明の第１実施例の情報記録用薄膜を用いたディスク状情報記録媒体の断面構造を示す。この媒体は次のようにして製作された。
【００９５】
まず、直径１３ｃｍ，厚さ１．２ｍｍで表面に断面Ｕ字形のトラッキング溝を有するポリカーボネート基板１を形成した。次に、この基板１上に薄膜を順次、形成するため、基板１をマグネトロン・スパッタリング装置内に置いた。この装置は複数のターゲットを持ち、積層膜を順次、形成することができるものである。また、形成される膜の厚さの均一性および再現性に優れている。
【００９６】
マグネトロン・スパッタリング装置により、基板１上にまず（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20膜よりなる保護層２を膜厚約１２５ｎｍとなるように形成した。続いて、保護層２上に、高融点成分であるＣｒ4Ｔｅ5膜（図示せず）を島状に平均膜厚３ｎｍまで形成した後、その上にＳｂ16Ｔｅ55Ｇｅ16Ｃｒ13、すなわち（（Ｇｅ2Ｓｂ2Ｔｅ5）7（Ｃｒ4Ｔｅ5）3）の組成の記録膜３を膜厚約３０ｎｍまで形成した。この際、Ｃｒ4Ｔｅ5ターゲットとＧｅ2Ｓｂ2Ｔｅ5ターゲットとによる回転同時スパッタ法を用いた。島状Ｃｒ4Ｔｅ5膜のサイズは２〜２０ｎｍ程度、島のピッチは（サイズ）×（１．５〜１０）が望ましい。
【００９７】
Ｃｒ4Ｔｅ5膜は必ずしも形成する必要はない。その場合、記録膜３中に析出する高融点成分は、後述する初期結晶化の際に生じるもののみとなる。
【００９８】
次に、記録膜３上に、（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20膜よりなる中間層４を約２５ｎｍの膜厚まで形成した後、その上に同じスパッタリング装置内でＡｌ97Ｔｉ3膜よりなる反射層５を膜厚８０ｎｍまで形成した。こうして、第１のディスク部材を得た。
【００９９】
他方、まったく同様の方法により、第１のディスク部材と同じ構成を持つ第２のディスク部材を得た。第２のディスク部材は、直径１３ｃｍ，厚さ１．２ｍｍの基板１’上に順に積層された、膜厚約１２５ｎｍの
（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20膜よりなる保護層２’、平均膜厚３ｎｍの
Ｃｒ4Ｔｅ5膜（図示せず）、膜厚約３０ｎｍのＳｂ16Ｔｅ55Ｇｅ16Ｃｒ13、すなわち（（Ｇｅ2Ｓｂ2Ｔｅ5）7（Ｃｒ4Ｔｅ5）3）の記録膜３’、膜厚約２５ｎｍの（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20膜よりなる中間層４’、および膜厚８０ｎｍの
Ａｌ97Ｔｉ3膜よりなる反射層５’を備えている。
【０１００】
その後、塩化ビニル−酢酸ビニル系ホットメルト接着剤層６を介して、前記第１および第２のディスク部材の反射層５，５’同士を貼り合わせ、図３に示すディスク状情報記録媒体を得た。
【０１０１】
この媒体では、反射層５，５’の全面を接着すると、全面を接着しない場合に比べて書き換え可能回数を多くすることができ、また、反射層５，５’の記録領域に対応する箇所に接着剤を付けない場合、その箇所にも接着剤を付けた場合よりも少し記録感度が高くなった。
（初期結晶化）
前記のようにして製作した媒体の記録膜３、３’に、次のようにして初期結晶化を行なった。なお、記録膜３’についてもまったく同様であるから、以下の説明では記録膜３についてのみ述べることとする。
【０１０２】
媒体を１８００ｒｐｍで回転させ、半導体レーザ（波長８３０ｎｍ）のレーザ光パワーを記録が行なわれないレベル（約１ｍＷ）に保ち、そのレーザ光を記録ヘッド中の開口数（ＮＡ）がＯ．５５のレンズで集光し、基板１を通して記録膜３に照射した。記録膜３からの反射光を検出して、基板１のトラッキング溝の中心にレーザ光スポットの中心が常に一致するようにトラッキングを行なうと共に、記録膜３上にレーザ光の焦点が来るように、自動焦点合わせを行ないながら記録ヘッドを駆動した。
【０１０３】
まず、初期結晶化のため、記録膜５の同一記録トラック上に、パワー１２ｍＷ，１３ｍＷ，１４ｍＷの連続レーザ光をそれぞれ５００回照射した。最後に、パワー１５ｍＷの連続（ＤＣ）レーザ光を１０００回照射した。各回の照射時間（光スポット通過時間）は、約０．１μｓｅｃである。
【０１０４】
続いて、パワー８ｍＷの連続レーザ光を５００回照射した。各回の照射時間（光スポット通過時間）は、約０．１μｓｅｃである。この時のレーザ光パワーは５〜９ｍＷの範囲であればよい。
【０１０５】
前記２種類のレーザ光照射のうち、パワーの低い方（８ｍＷ）の照射は省略してもよい。
【０１０６】
このように、パワーの異なるレーザ光を照射すると、初期結晶化を充分に行なうことができる。
【０１０７】
これらのレーザ光照射は、半導体レーザ・アレイを用いて行なうか、ガスレーザからの光ビームを複数に分割したもの、あるいは高出力ガスレーザや半導体レーザからの光ビームのスポット形状を媒体の半径方向に長い長円形にしたものを用いて行なえば、さらに好ましい。こうすると、媒体を少数回転させるだけで初期結晶化を完了することも可能となる。
【０１０８】
複数のレーザ光スポットを用いる場合、それらレーザ光スポットを同一の記録トラック上に配置せず、媒体の半径方向に位置を少しずつズラして配置すれば、１回の照射で広い範囲を初期化することができる、消え残りが少なくなる、などの効果が得られる。
【０１０９】
次に、円形スポットの１２ｍＷの連続レーザ光（記録の高パワー光）を１回照射する（照射時間：約０．１μｓｅｃ）毎に、パワー１８ｍＷのパルス・レーザ光（記録用の高パワー光）を照射し、記録膜５を非晶質化して記録点を形成した。その後、その記録点を８ｍＷの連続レーザ光（初期結晶化用の低パワー光）を照射して結晶化させるために、８ｍＷの連続レーザ光を何回照射することが必要かを調査した。
【０１１０】
その結果、１２ｍＷの連続レーザ光の照射回数が５回までは、照射回数が増加するほど、結晶化に要する前記８ｍＷの連続レーザ光照射の回数は低下した。すなわち、照射回数が増加するほど結晶化しやすいことが分かった。これは、１２ｍＷの連続レーザ光の照射により、記録膜５中に高融点成分であるＣｒ4Ｔｅ5の微細な結晶が多数析出し、その残部（相変化する部分）の組成が高速結晶化可能なＧｅ2Ｓｂ2Ｔｅ5の組成に近づいたためと推察される。
【０１１１】
なお、Ｃｒ4Ｔｅ5の融点は１２５２゜Ｃであり、Ｇｅ2Ｓｂ2Ｔｅ5の融点は６３０゜Ｃである。
（記録・消去）
次に、以上のようにして初期結晶化が完了した記録膜３の記録領域に、前記と同様にしてトラッキングと自動焦点合わせを行ないながら、記録用レーザ光のパワーを記録すべき情報信号に従って中間パワーレベル（８ｍＷ）と高パワーレベル（１８ｍＷ）との間で変化させて情報の記録を行なった。記録すべき部分を通り過ぎると、レーザ光パワーを再生（読出し）用レーザ光の低パワーレベル（１ｍＷ）に下げるようにした。記録用レーザ光により記録領域に形成される非晶質またはそれに近い部分が、記録点となる。
【０１１２】
記録用レーザ光の高レベルと中間レベルとのパワー比は１：０．３〜１：０．８の範囲が特に好ましい。また、この他に、短時間ずつ他のパワーレベルにしてもよい。
【０１１３】
このような記録方法では、既に情報が記録されている部分に対して直接、新たな情報を記録すれば、新たな情報に書き換えられる。すなわち、単一の円形光スポットによるオーバーライトが可能である。
【０１１４】
しかし、書き換え時の最初の１回転または複数回転で、前記のパワー変調した記録用レーザ光の中間パワーレベル（８ｍＷ）に近いパワー（例えば９ｍＷ）の連続光を照射して、記録されている情報をいったん消去し、その後、次の１回転で再生（読出し）用レーザ光の低パワーレベル（１ｍＷ）と記録用レーザ光の高パワーレベル（１８ｍＷ）の間で、または、記録用レーザ光の中間パワーレベル（８ｍＷ）と高パワーレベル（１８ｍＷ）の間で、情報信号に従ってパワー変調したレーザ光を照射して記録するようにしてもよい。このように、情報を消去してから記録するようにすれば、前に書かれていた情報の消え残りが少なく、高い搬送波対雑音比（Ｃ／Ｎ）が得られる。
【０１１５】
このようにして消去後に再書込みする場合は、最初に照射する連続レーザ光のパワーレベルは、前記記録用レーザ光の高レベル（１８ｍＷ）を１としたとき、０．４〜１．１の範囲に設定するのが好ましい。この範囲であれば、良好な書き換えが行なえるからである。
【０１１６】
この方法は、この発明の記録膜ばかりでなく他の記録膜にも有効である。
【０１１７】
この実施例の情報記録媒体では、レーザ光のパワーを最適値より１５％高くした厳しい条件で、記録・消去を１０5回以上繰り返すことが可能であった。また、２ＭＨｚの信号を記録した時の再生信号のＣ／Ｎは、約５０ｄＢであり、極めて良好であった。
【０１１８】
この実施例の記録膜３で、書き換え可能回数を１０5回以上にすることができるのは、記録膜３中に析出した高融点成分により、記録膜３の残成分（相変化部分）の流動・偏析が防止されるためと解される。
【０１１９】
なお、記録膜３の上に形成されたＺｎＳ−ＳｉＯ2の中間層４とＡｌ−Ｔｉの反射層５とを省略した場合、前記よりも１桁少ない回数の記録・消去で多少の雑音増加が起こった。
（Ｔｅ含有量ｙとの関係）
前記の（Ｇｅ2Ｓｂ2Ｔｅ5）7（Ｃｒ4Ｔｅ5）3よりなる記録膜３において、他の元素の相対的比率を一定に保ちながらＴｅ含有量ｙを変化させ、記録されている情報の消去に必要なレーザ光の照射時間と、レーザ光パワーを最適値より１５％高くした厳しい条件で１０5回書き換えた後の再生信号の搬送波対雑音比（Ｃ／Ｎ）の変化を測定した。その結果、次のようなデータが得られた。
【０１２０】
消去に必要なレーザ光照射時間
ｙ＝  ３４              ０．５μｓｅｃ
ｙ＝  ４０              ０．１μｓｅｃ
ｙ＝  ５０              ０．１μｓｅｃ
ｙ＝  ６０              ０．１μｓｅｃ
ｙ＝  ６７              ０．５μｓｅｃ
ｙ＝  ７０              １．０μｓｅｃ
ｙ＝  ７５              １．５μｓｅｃ
ｙ＝  ８０              ５．０μｓｅｃ
１０5回書換後の再生信号のＣ／Ｎ
ｙ＝  ２０              ４２ｄＢ
ｙ＝  ２５              ４６ｄＢ
ｙ＝  ３０              ４９ｄＢ
ｙ＝  ３４              ５０ｄＢ
ｙ＝  ４０              ５０ｄＢ
ｙ＝  ５０              ５０ｄＢ
ｙ＝  ６０              ５０ｄＢ
この結果より、Ｔｅ含有量ｙが２５≦ｙ≦７５の範囲において、１０5回という多数回の書き換えによる特性変化が少ないことが分かる。
（Ｃｒ以外の元素の組成との関係）
図６の三角相図のＧｅ65Ｔｅ25Ｃｒ10とＳｂ30Ｔｅ60Ｃｒ10を結ぶＣｒ含有量を一定とした直線（1）上で組成を変化させ、一定速度で昇温した場合の未記録部分の結晶化温度と、８０゜Ｃ，相対湿度９５％中に１０００時間置いた時のビット・エラーレートの変化を測定した。その結果、次のようなデータが得られた。
【０１２１】
結晶化温度
Ｓｂ30Ｔｅ60Ｃｒ10               １２０゜Ｃ
Ｓｂ28Ｔｅ58Ｇｅ4Ｃｒ10          １５０゜Ｃ
Ｓｂ25Ｔｅ55Ｇｅ10Ｃｒ10         １６０゜Ｃ
Ｓｂ22Ｔｅ51Ｇｅ17Ｃｒ10         １７０゜Ｃ
Ｓｂ12Ｔｅ38Ｇｅ40Ｃｒ10         １９０゜Ｃ
Ｓｂ2Ｔｅ28Ｇｅ60Ｃｒ10          ２２０゜Ｃ
ビット・エラーレートの変化
Ｓｂ30Ｔｅ60Ｃｒ10                   ２倍
Ｓｂ28Ｔｅ58Ｇｅ4Ｃｒ10              ２倍
Ｓｂ25Ｔｅ55Ｇｅ10Ｃｒ10             ２倍
Ｓｂ22Ｔｅ51Ｇｅ17Ｃｒ10         ２．５倍
Ｓｂ12Ｔｅ38Ｇｅ40Ｃｒ10             ４倍
Ｓｂ2Ｔｅ23Ｇｅ60Ｃｒ10              ５倍
この結果より、Ｃｒ以外の組成が変化しても、十分高い結晶化温度が得られ、高温多湿下においてもビット・エラーレートの変化があまり大きくないことが分かる。
【０１２２】
図６の三角相図のＳｂ45Ｔｅ45Ｃｒ10とＧｅ18Ｔｅ72Ｃｒ10を結ぶＣｒ含有量を一定とした直線（2）上で組成を変化させ、一定速度で昇温した場合の結晶化温度と、８０゜Ｃ，相対湿度９５％中に１０００時間置いた時のビット・エラーレートの変化を測定した。その結果、次のようなデータが得られた。
【０１２３】
結晶化温度
Ｓｂ2Ｔｅ71Ｇｅ17Ｃｒ10          ２１０゜Ｃ
Ｓｂ4Ｔｅ69Ｇｅ17Ｃｒ10          ２００゜Ｃ
Ｓｂ8Ｔｅ67Ｇｅ15Ｃｒ10          １９０゜Ｃ
Ｓｂ23Ｔｅ58Ｇｅ9Ｃｒ10          １７０゜Ｃ
Ｓｂ30Ｔｅ54Ｇｅ6Ｃｒ10          １５０゜Ｃ
Ｓｂ38Ｔｅ49Ｇｅ3Ｃｒ10          １３０゜Ｃ
Ｓｂ41Ｔｅ47Ｇｅ2Ｃｒ10          １１０゜Ｃ
ビット・エラーレートの変化
Ｓｂ2Ｔｅ71Ｇｅ17Ｃｒ10              ５倍
Ｓｂ4Ｔｅ69Ｇｅ17Ｃｒ10              ３倍
Ｓｂ8Ｔｅ67Ｇｅ15Ｃｒ10              ２倍
Ｓｂ23Ｔｅ58Ｇｅ9Ｃｒ10          １．５倍
Ｓｂ30Ｔｅ54Ｇｅ6Ｃｒ10          １．５倍
Ｓｂ38Ｔｅ49Ｇｅ3Ｃｒ10              １倍
Ｓｂ41Ｔｅ47Ｇｅ2Ｃｒ10              １倍
この結果より、Ｃｒ以外の組成が変化しても、十分高い結晶化温度が得られ、高温多湿下においてもビット・エラーレートの変化があまり大きくないことが分かる。
【０１２４】
Ｇｅの含有量ｐとＳｂの含有量ｘの比（ｐ／ｘ）を変化させ、温度８０゜Ｃ，相対湿度９５％中に１０００時間置いた時のビット・エラーレートの変化を測定したところ、次の結果が得られた。
【０１２５】
ビット・エラーレートの変化
（ｐ／ｘ）＝０．１５      ２．０倍
（ｐ／ｘ）＝０．２５      １．５倍
（ｐ／ｘ）＝０．５        １．５倍
（ｐ／ｘ）＝１．０        １．５倍
（ｐ／ｘ）＝２．０        ３．０倍
この結果より、Ｇｅの含有量ｐとＳｂの含有量ｘの比（ｐ／ｘ）が、０．２５≦（ｐ／ｘ）≦１．０の範囲であれば、ビット・エラーレートの変化が特に小さいことが分かる。
【０１２６】
Ｃｒ4Ｔｅ5の残部であるＳｂ対Ｔｅ対Ｇｅの含有量ｘ，ｙ，ｐの比を、
ｘ：ｙ：ｐ＝２：５：２に保ってＣｒ4Ｔｅ5の含有量を変化させたとき、レーザ光のパワーを最適値より１５％高くした厳しい条件で１０5回書き換えた後の再生信号のＣ／Ｎを測定したところ、Ｃｒの含有量ｑに関して次のような結果が得られた。
【０１２７】
１０5回書換後の再生信号Ｃ／Ｎ
ｑ＝０                ４２ｄＢ
ｑ＝３                ４６ｄＢ
ｑ＝４                ４８ｄＢ
ｑ＝１０              ５０ｄＢ
ｑ＝２０              ５０ｄＢ
ｑ＝３４              ４８ｄＢ
Ｃｒの含有量ｑを変化させると、レーザ光のパワーを最適値より１５％高くした厳しい条件で１０5回書き換えた後の再生信号の「消去比」は、次のように変化した。
【０１２８】
ここで「消去比」とは、すでに記録された信号の上に周波数の異なる別の信号を重ね書きしたときの、重ね書き前後の信号の比をｄＢで表したものである。
【０１２９】
消去比
ｑ＝２２                ２５ｄＢ
ｑ＝３４                ２３ｄＢ
ｑ＝４０                ２０ｄＢ
ｑ＝５０                １７ｄＢ
この結果より、Ｃｒの含有量ｑが増加するにつれて、消去比が低下することが分かる。
【０１３０】
前記のＣｒを１０％添加した系で、Ｔｅの含有量ｙを一定に保ってＳｂの含有量ｘを変化させた時、レーザ光のパワーを最適値より１５％高くした厳しい条件で１０5回書き換えた後の再生信号のＣ／Ｎは、次のように変化した。
【０１３１】
１０5回書換後の再生信号のＣ／Ｎ
ｘ＝３８                ４８ｄＢ
ｘ＝３０                ５０ｄＢ
ｘ＝１５                ５０ｄＢ
ｘ＝８                  ５０ｄＢ
ｘ＝４                  ４８ｄＢ
ｘ＝２                  ４６ｄＢ
ｘ＝０                  ４５ｄＢ
この結果より、Ｓｂの含有量ｘが２％以上の範囲では、良好な再生信号のＣ／Ｎが得られることが分かる。
【０１３２】
以上より、この実施例のＳｂ16Ｔｅ55Ｇｅ16Ｃｒ13、すなわち
（Ｇｅ2Ｓｂ2Ｔｅ5）7（Ｃｒ4Ｔｅ5）3の記録膜３は、温度８０゜Ｃ，相対湿度９５％中に１０００時間置いた時のビット・エラーレートの変化は２倍以下、レーザ光のパワーを最適値より１５％高くした厳しい条件で１０5回書き換えた後の再生信号のＣ／Ｎおよび消去比は、それぞれ５０ｄＢ以上および２８ｄＢ以上であり、２×１０5回以上の書き換えが可能で、極めて優れた特性を持つことが分かった。
（添加元素の他の例１）
Ｃｒの一部または全部に代えて、Ａｇ，Ｃｕ，Ｂａ，Ｃｏ，Ｌａ，Ｎｉ，Ｐｔ，ＳｉおよびＳｒおよびランタノイド元素のうちの少なくとも一つを添加しても、上記の場合とよく似た特性が得られる。例えば、Ｃｕを添加した場合（Ｃｕの添加量：ｑ）、下記のようなデータが得られた。
【０１３３】
書き換え可能回数
ｑ＝０                    ５×１０4回
ｑ＝１．０                ８×１０4回
ｑ＝４．０                １×１０5回
ｑ＝１０．０              ２×１０5回
ｑ＝２０．０              ２×１０5回
ｑ＝３４．０              ２×１０5回
ｑ＝４０．０              １×１０5回
この結果より、Ｃｕを添加すると、書き換え可能回数が顕著に増加することが分かる。
（添加元素の他の例２）
Ｃｒに加えて、消去を高速化してＣ／Ｎを大きくする効果を持つＴｌ（タリウム）を添加するのが好ましい。この場合、Ｃｒのみを添加した場合よりもＣ／Ｎがさらに大きくなり、また書換可能回数も大きくなるので、より好ましい。ただし、ＣｒとＴｌの添加量の和を３０原子％以下とする方が、消え残りが大きくならず、好ましい。ＣｒとＴｌの添加量の和が０．５％以上、２０原子％以下であれば、さらに好ましい。
【０１３４】
例えば、Ｇｅ8.2Ｓｂ16.4Ｔｅ64.4Ｔｌ0.5Ｃｒ10.5記録膜では、Ｃ／Ｎ  ５０ｄＢ、書換可能回数  ２×１０5回が得られた。
【０１３５】
Ｔｌの一部または全部に代えて、ハロゲン元素の少なくとも一つを添加してもよく似た特性が得られる。
【０１３６】
Ｔｌに代えてＮ（窒素）を添加した場合、書き換え可能回数がさらに向上する。ただし、多すぎると再生信号レベルが低下する。
（添加元素の他の例３）
この他に、Ｔｌ（タリウム）をＳｅに置換し、他の元素の相対的比率を一定に保ちながらＳｅを１原子％以上、１０原子％以下だけ添加すると、耐酸化性向上の効果がある。
（相変化成分の他の例）
この実施例の相変化成分であるＧｅ2Ｓｂ2Ｔｅ5の一部を
ＧｅＳｂ2Ｔｅ4，ＧｅＳｂ4Ｔｅ7，Ｉｎ3ＳｂＴｅ2，Ｉｎ35Ｓｂ32Ｔｅ33，
Ｉｎ31Ｓｂ26Ｔｅ43、およびこれらに近い組成
のうちの少なくとも一つで置き換えても、Ｇｅの一部をＩｎに置き換えても、これに近い特性が得られる。
（高融点成分の他の例）
析出する高融点成分は、化合物でもよいし、元素単体や合金でもよい。この実施例の高融点成分であるＣｒ4Ｔｅ5の一部または全部を
ＬａＴｅ2，Ｌａ2Ｔｅ3，Ｌａ3Ｔｅ4，ＬａＴｅ，Ｌａ2Ｔｅ5，Ｌａ4Ｔｅ7，
ＬａＴｅ3，Ｌａ3Ｔｅ，Ｌａ2Ｓｂ，Ｌａ3Ｓｂ2，ＬａＳｂ，ＬａＳｂ2，
Ｌａ3Ｇｅ，Ｌａ5Ｇｅ3，Ｌａ4Ｇｅ3，Ｌａ5Ｇｅ4，ＬａＧｅ，Ｌａ3Ｇｅ5，
Ａｇ2Ｔｅ，Ｃｒ5Ｔｅ8，Ｃｒ2Ｔｅ3，ＣｒＳｂ，Ｃｒ3Ｇｅ，Ｃｒ5Ｇｅ3，
Ｃｒ11Ｇｅ8，ＣｒＧｅ，Ｃｒ11Ｇｅ19，ＰｔＴｅ2，Ｐｔ4Ｔｅ5，Ｐｔ5Ｔｅ4，Ｐｔ4Ｓｂ，Ｐｔ3Ｓｂ2，ＰｔＳｂ，Ｐｔ3Ｇｅ，Ｐｔ2Ｇｅ，Ｐｔ3Ｇｅ2，
ＰｔＧｅ，Ｐｔ2Ｇｅ3，ＰｔＧｅ3，ＮｉＴｅ，ＮｉＴｅ0．85，ＮｉＳｂ，
Ｎｉ3Ｇｅ，Ｎｉ5Ｇｅ2，Ｎｉ5Ｇｅ3，ＮｉＧｅ、ＣｏＴｅ2，ＣｏＳｂ2，
ＣｏＳｂ3，Ｃｏ5Ｇｅ2，Ｃｏ5Ｇｅ3，ＣｏＧｅ，Ｃｏ5Ｇｅ7，ＣｏＧｅ2，
Ｓｉ2Ｔｅ3，ＳｉＳｂ，ＳｉＧｅ，ＣｅＴｅ，Ｃｅ3Ｔｅ4，Ｃｅ2Ｔｅ3，
Ｃｅ4Ｔｅ7，ＣｅＴｅ2，ＣｅＴｅ3，Ｃｅ2Ｓｂ，Ｃｅ5Ｓｂ3，Ｃｅ4Ｓｂ5，
ＣｅＳｂ，ＣｅＳｂ2，Ｃｅ3Ｇｅ，Ｃｅ5Ｇｅ3，Ｃｅ4Ｇｅ3，Ｃｅ5Ｇｅ4，
ＣｅＧｅ，Ｃｅ3Ｇｅ5，Ｃｅ5Ｓｉ3，Ｃｅ3Ｓｉ2，Ｃｅ5Ｓｉ4，ＣｅＳｉ，
Ｃｅ3Ｓｉ5，ＣｅＳｉ2，Ｃｒ3Ｓｉ，Ｃｒ5Ｓｉ3，ＣｒＳｉ，ＣｒＳｉ3，
ＣｒＳｉ2，Ｃｏ3Ｓｉ，ＣｏＳｉ，ＣｏＳｉ2，ＮｉＳｉ2，ＮｉＳｉ，
Ｎｉ3Ｓｉ2，Ｎｉ2Ｓｉ，Ｎｉ5Ｓｉ2，Ｎｉ3Ｓｉ，Ｐｔ5Ｓｉ2，Ｐｔ2Ｓｉ，
ＰｔＳｉ，ＬａＳｉ2，Ａｇ3Ｉｎ，Ａｇ2Ｉｎ，Ｂｉ2Ｃｅ，ＢｉＣｅ，
Ｂｉ3Ｃｅ4，Ｂｉ3Ｃｅ5，ＢｉＣｅ2，Ｃｄ11Ｃｅ，Ｃｄ6Ｃｅ，Ｃｄ58Ｃｅ13，Ｃｄ3Ｃｅ，Ｃｄ2Ｃｅ，ＣｄＣｅ，Ｃｅ3Ｉｎ，Ｃｅ2Ｉｎ，Ｃｅ1+xＩｎ，
Ｃｅ3Ｉｎ5，ＣｅＩｎ2，ＣｅＩｎ3，Ｃｅ2Ｐｂ，ＣｅＰｂ，ＣｅＰｂ3，
Ｃｅ3Ｓｎ，Ｃｅ5Ｓｎ3，Ｃｅ5Ｓｎ4，Ｃｅ11Ｓｎ10，Ｃｅ3Ｓｎ5，
Ｃｅ3Ｓｎ7，Ｃｅ2Ｓｎ5，ＣｅＳｎ3，ＣｅＺｎ，ＣｅＺｎ2，ＣｅＺｎ3，
Ｃｅ3Ｚｎ11，Ｃｅ13Ｚｎ58，ＣｅＺｎ5，Ｃｅ3Ｚｎ22，Ｃｅ2Ｚｎ17，
ＣｅＺｎ11，Ｃｄ21Ｃｏ5，ＣｏＧａ，ＣｏＧａ3，ＣｏＳｎ，Ｃｒ3Ｇａ，
ＣｒＧａ，Ｃｒ5Ｇａ6，ＣｒＧａ4，Ｃｕ9Ｇａ4，Ｃｕ3Ｓｎ，Ｃｕ3Ｚｎ，
Ｂｉ2Ｌａ，ＢｉＬａ，Ｂｉ3Ｌａ4，Ｂｉ3Ｌａ5，ＢｉＬａ2，Ｃｄ11Ｌａ，
Ｃｄ17Ｌａ2，Ｃｄ9Ｌａ2，Ｃｄ2Ｌａ，ＣｄＬａ，Ｇａ6Ｌａ，Ｇａ2Ｌａ，
ＧａＬａ，Ｇａ3Ｌａ5，ＧａＬａ3，Ｉｎ3Ｌａ，Ｉｎ2Ｌａ，Ｉｎ5Ｌａ3，
ＩｎxＬａ，ＩｎＬａ，ＩｎＬａ2，ＩｎＬａ3，Ｌａ5Ｐｂ3，Ｌａ4Ｐｂ3，
Ｌａ11Ｐｂ10，Ｌａ3Ｐｂ4，Ｌａ5Ｐｂ4，ＬａＰｂ2，ＬａＰｂ3，ＬａＺｎ，
ＬａＺｎ2，ＬａＺｎ4，ＬａＺｎ5，Ｌａ3Ｚｎ22，Ｌａ2Ｚｎ17，ＬａＺｎ11，ＬａＺｎ13，ＮｉＢｉ，Ｇａ3Ｎｉ2，ＧａＮｉ，Ｇａ2Ｎｉ3，Ｇａ3Ｎｉ5，
ＧａＮｉ3，Ｎｉ3Ｓｎ，Ｎｉ3Ｓｎ2，Ｎｉ3Ｓｎ4，ＮｉＺｎ，Ｎｉ5Ｚｎ21，
ＰｔＢｉ，ＰｔＢｉ2，ＰｔＢｉ3，ＰｔＣｄ2，Ｐｔ2Ｃｄ9，Ｇａ7Ｐｔ3，
Ｇａ2Ｐｔ，Ｇａ3Ｐｔ2，ＧａＰｔ，Ｇａ3Ｐｔ5，ＧａＰｔ2，ＧａＰｔ3，
Ｉｎ7Ｐｔ3，Ｉｎ2Ｐｔ，Ｉｎ3Ｐｔ2，ＩｎＰｔ，Ｉｎ5Ｐｔ6，Ｉｎ2Ｐｔ3，
ＩｎＰｔ2，ＩｎＰｔ3，Ｐｔ3Ｐｂ，ＰｔＰｂ，Ｐｔ2Ｐｂ3，Ｐｔ3Ｓｎ，
ＰｔＳｎ，Ｐｔ2Ｓｎ3，ＰｔＳｎ2，ＰｔＳｎ4，Ｐｔ3Ｚｎ，ＰｔＺｎ2，
ＡｌＳ，Ａｌ2Ｓ3，ＢａＳ，ＢａＣ2，ＣｄＳ，Ｃｏ4Ｓ3，Ｃｏ9Ｓ8，ＣｏＳ，ＣｏＯ，Ｃｏ2Ｏ4，Ｃｏ2Ｏ3，Ｃｒ2Ｏ3，Ｃｒ3Ｏ4，ＣｒＯ，ＣｒＳ，ＣｒＮ，Ｃｒ2Ｎ，Ｃｒ23Ｃ63，Ｃｒ7Ｃ3，Ｃｒ3Ｃ2，Ｃｕ2Ｓ，Ｃｕ9Ｓ5，ＣｕＯ，
Ｃｕ2Ｏ，Ｉｎ4Ｓ5，Ｉｎ3Ｓ4，Ｌａ2Ｓ3，Ｌａ2Ｏ3，Ｍｏ2Ｃ，ＭｏＣ，
Ｍｎ23Ｃ6，Ｍｎ4Ｃ，Ｍｎ7Ｃ3，ＮｉＯ，ＳｉＳ2，ＳｉＯ2，Ｓｉ3Ｎ4，
上記高融点成分の構成元素の酸化物のうち高融点のもの、
Ｃｕ2Ｔｅ,ＣｕＴｅ，Ｃｕ3Ｓｂ，Ｍｎ2Ｓｂ，ＭｎＴｅ，ＭｎＴｅ2，
Ｍｎ5Ｇｅ3，Ｍｎ3.25Ｇｅ，Ｍｎ5Ｇｅ，Ｍｎ3Ｇｅ2，Ｇｅ3Ｗ，Ｔｅ2Ｗ，
ＡｌＳｂ，Ａｌ2Ｔｅ3，Ｆｅ2Ｇｅ，ＦｅＧｅ2，ＦｅＳｂ2，Ｍｏ3Ｓｂ7，
Ｍｏ3Ｔｅ4，ＭｏＴｅ2,ＰｂＴｅ，ＧｅＰｄ2，Ｇｅ2Ｐｄ5，Ｇｅ9Ｐｄ25,
ＧｅＰｄ5，Ｐｄ3Ｓｂ，Ｐｄ5Ｓｂ3，ＰｄＳｂ，ＳｎＴｅ，Ｔｉ5Ｇｅ3，
Ｇｅ31Ｖ17，Ｇｅ8Ｖ11，Ｇｅ3Ｖ5，ＧｅＶ3，Ｖ5Ｔｅ4，Ｖ3Ｔｅ4，ＺｎＴｅ，Ａｇ2Ｓｅ，Ｃｕ2Ｓｅ，Ａｌ2Ｓｅ3，ＩｎＡｓ，ＣｏＳｅ，Ｍｎ3Ｉｎ，
Ｎｉ3Ｉｎ，ＮｉＩｎ，Ｎｉ2Ｉｎ3，Ｎｉ3Ｉｎ7，ＰｂＳｅ，
などのＢ群の元素を含む高融点化合物，またはそれに近い組成のもの、あるいはこれらの混合組成や混合組成に近い３元以上の化合物のうちの少なくとも一つで置き換えても、同様な結果が得られる。
【０１３７】
これらのうちで、
ＬａＳｂ，ＣｒＳｂ，ＣｏＳｂ，Ｃｒ3Ｔｅ4，ＬａＴｅ3，Ｃｒ4Ｔｅ5，
Ｃｒ2Ｔｅ3，Ｃｒ3Ｔｅ4，ＣｏＴｅ，Ｃｏ3Ｔｅ4，Ｃｕ2Ｔｅ，ＣｕＴｅ，
Ｃｕ3Ｓｂ，ＭｎＴｅ，ＭｎＴｅ2，Ｍｎ2Ｓｂ
のうちの少なくとも一つが特に好ましい。少ない回数の初期結晶化で記録・消去特性が安定するためである。
（高融点成分の含有物の量）
高融点成分の析出物に含まれる酸化物、硫化物、窒化物、炭化物の含有量は、高融点成分の４０原子％未満とするのが好ましく、１０原子％未満とするのが特に好ましい。これらの含有量が多いと、相変化成分との複素屈折率の差を小さくできなかったり、相変化成分中に酸素等が拡散して記録・読み出し特性を劣化させたりする問題を生じやすい。
【０１３８】
高融点成分の例として述べた前記の多数の化合物では、遷移金属元素の含有量ｖ’が異なると、記録膜３の界面反射率は次のように変化した。
【０１３９】
界面反射率
ｖ’＝２５％                １％
ｖ’＝３５％                ２％
ｖ’＝５０％                ６％
この結果より、遷移金属元素の含有量ｖ’が増加すると、界面反射率が増加することが分かる。
（記録用薄膜中の高融点化合物の含有量）
記録用薄膜中に含まれる高融点化合物の含有量ａ’を、その高融点化合物の構成元素の原子数の和の高融点成分の全構成元素の原子数の和に対する割合（原子％）で表わし、その含有量ａ’を変化させた場合、書き換え可能回数と、レーザパワーを１５％高くした厳しい条件で１０5回書き換えた後の消去比は、次のように変化した。このＣ／Ｎの変化は、主としてＣレベルの変化によるものである。
【０１４０】
書き換え可能回数
ａ’＝  ５原子％              ４×１０4回
ａ’＝１０原子％              １×１０5回
ａ’＝２０原子％          １．５×１０5回
ａ’＝３０原子％              ２×１０5回
１０5回書き換え後の消去比
ａ’＝３０原子％              ３０ｄＢ
ａ’＝４０原子％              ３０ｄＢ
ａ’＝５０原子％              ２５ｄＢ
ａ’＝６０原子％              ２３ｄＢ
この結果より、記録用薄膜中に含まれる高融点化合物の含有量ａ’が増加すると、書き換え可能回数は増加するが、増加し過ぎると、１０5回書き換え後の消去比が低下することが分かった。よって、１０原子％≦ａ’≦５０原子％の範囲が好ましいことが分かった。
（高融点成分の複素屈折率）
高融点成分の複素屈折率の実数部ｎ1と虚数部（消衰係数）ｋ1は、相変化成分の結晶化状態のそれらの値ｎ2，ｋ2との差
Δｎ＝（｜ｎ1−ｎ2｜／ｎ1）×１００，
Δｋ＝（｜ｋ1−ｋ2｜／ｋ1）×１００
が異なる場合、レーザ光のパワーを最適値より１５％高くした厳しい条件で１０5回書き換えた後、再生信号のＣ／Ｎは次のように変化した。このＣ／Ｎの変化は、主としてＮレベルの変化によるものである。
【０１４１】
１０5回書き換え後の再生信号のＣ／Ｎ
Δｋ，Δｎ＝１０％              ４９ｄＢ
Δｋ，Δｎ＝２０％              ４８ｄＢ
Δｋ，Δｎ＝３０％              ４７ｄＢ
Δｋ，Δｎ＝４０％              ４６ｄＢ
Δｋ，Δｎ＝５０％              ４３ｄＢ
この結果より、複素屈折率の実数部と虚数部（消衰係数）の差Δｎ，Δｋは小さい方が好ましいことが分かった。
（高融点成分の析出物の構成・寸法）
前述したＣｒ4Ｔｅ5などの高融点成分は、図１（ａ）（ｂ）（ｃ）に示すような形態で記録膜３の内部に析出する。
【０１４２】
図１（ａ）では、多数の粒状の高融点成分３ｂの析出物が独立した状態で記録膜３内に分布している。記録膜３の高融点成分３ｂ以外の部分、すなわち残成分が相変化成分３ａである。高融点成分３ｂの膜面方向の長さと膜面に垂直な方向の長さとは、ほぼ同じであるか、異なっていてもそれら長さの差は小さい。ここでは、高融点成分３ｂの析出物のあるものは、記録膜３のいずれか一方の界面に接し、他のあるものはいずれの界面にも接していない。
【０１４３】
図３の媒体では、高融点成分３ｂはＣｒ4Ｔｅ5、相変化成分３ａはＧｅ2Ｓｂ2Ｔｅ5より成っている。
【０１４４】
図１（ｂ）では、多数の高融点成分３ｂの析出物が独立した状態で記録膜３内に分布している点は、図１（ａ）の場合と同じである。しかし、高融点成分３ｂが柱状に析出している点が異なっている。すなわち、高融点成分３ｂの膜面方向の長さよりも、膜面に垂直な方向の長さの方が大きく、膜面に垂直な断面では柱状になっている。高融点成分３ｂの析出物のあるものは、記録膜３の一方の界面に接しており、他のあるものは、記録膜３の他方の界面に接している。ここでは、両方の界面に接しているものは存在していない。
【０１４５】
図１（ｃ）では、多数の高融点成分３ｂの析出物が互いに連結され、一体的になった状態で記録膜３内に分布している。すなわち、高融点成分３ｂが多孔質状に析出し、その高融点成分３ｂの多数の小孔の中に相変化成分３ａが埋め込まれた状態になっている。多孔質状の高融点成分３ｂは、記録膜３の両方の界面に接している。相変化成分３ａは、互いに独立した状態で記録膜３中に分布している。この状態は、図１（ａ）の場合において、相変化成分３ａと高融点成分３ｂとを置き換えたものに相当する。
【０１４６】
成膜条件や初期結晶化条件により、図１の（ａ）〜（ｃ）の状態のいずれかが出現するが、いずれの状態であっても、高融点成分３ｂにより、記録膜３を加熱・溶融させた場合の相変化成分３ａの流動および偏析が防止され、その結果、書き換え可能回数が向上する。
【０１４７】
この発明においては、高融点成分３ｂの析出物の「最大外形寸法ｄ’」、「高さｈおよびｈ’」、「中心間距離」、「最大孔寸法」および「最大壁厚さ」をそれぞれ次のように定義するものとする。
【０１４８】
図１の（ａ）および（ｂ）のように、高融点成分３ｂの析出物が独立して分布する場合、図２（ｂ）のように、記録膜３のいずれか一方の界面から記録膜３の膜厚Ｔの（１／３）の距離だけ離れた位置で記録膜３の膜面に平行な断面（以下、第１基準断面という）を考え、その断面における各高融点成分３ｂの析出物の長さを測定する。そして、任意の方向で測定した長さの最大値を「最大外形寸法ｄ’」とする。
【０１４９】
「最大外形寸法ｄ’」は、具体的には、図２（ａ）のように、第１基準断面における形状が円形または円形に近い場合は、析出物の直径を意味し、楕円形または楕円形に近い場合は、析出物の長径を意味し、多角形の場合は、析出物の最長の対角線の長さを意味する。
【０１５０】
「高さｈ」は、記録膜３の膜面に垂直な断面（以下、第２基準断面という）を考え、その断面において、各高融点成分３ｂの析出物の記録膜３の膜面に垂直な方向の長さを測定する。こうして得られた長さを高融点成分３ｂの析出物の「高さｈ」とする。
【０１５１】
この「高さｈ」は、図４（ａ）に示すように、粒状の高融点成分３ｂの析出物が分布する場合と、図４（ｂ）に示すように、柱状の高融点成分３ｂの析出物が記録膜３の両方の界面に接して分布する場合とに適用される。
【０１５２】
「高さｈ’」、「高さｈ’’」は、前記「高さｈ」と同じ考え方であるが、図４（ｃ）に示すように柱状の高融点成分３ｂの析出物が記録膜３の片方の界面にのみ接して分布する場合、界面に接しない場合にそれぞれ適用される点のみが異なる。
【０１５３】
「中心間距離ｉ」は、図２（ａ）に示すように、前記第１基準断面における、隣接する２つの高融点成分３ｂの析出物の中心間の距離の平均値を意味する。
【０１５４】
「最大孔寸法ｐ’’」は、図１（ｃ）に示すように、多孔質の高融点成分３ｂが析出する場合に適用されるもので、前記第１基準断面における高融点成分３ｂの析出物の各孔の大きさの最大値を意味する。
【０１５５】
この「最大孔寸法ｐ’’」は、具体的には、図５のように、第１基準断面における孔形状が円形または円形に近い場合は、孔の直径を意味し、楕円形または楕円形に近い場合は、孔の長径を意味し、多角形の場合は、孔の最長の対角線の長さを意味する。
【０１５６】
「最大壁厚さｗ」は、「最大孔寸法ｐ’’」と同様に、多孔質の高融点成分３ｂが析出する場合に適用されるもので、図５のように、前記第１基準断面において、高融点成分３ｂの析出物の隣接する２つの孔の間の壁の厚さの最大値を意味する。
（高融点成分の析出物の寸法との関係）
高融点成分３ｂの析出物の「最大外形寸法ｄ’」が異なる場合、書き換え可能回数と、レーザ光のパワーを最適値より１５％高くした厳しい条件で１０5回書き換えた後の再生信号のＣ／Ｎは、次のように変化した。このＣ／Ｎの変化は、主としてＮレベルの変化によるものである。
【０１５７】
書き換え可能回数
ｄ’＝５０ｎｍ              ２×１０5回
ｄ’＝３０ｎｍ              ２×１０5回
ｄ’＝１０ｎｍ              ２×１０5回
ｄ’＝  ５ｎｍ          １．５×１０5回
ｄ’＝  １ｎｍ              ４×１０4回
１０5回書き換え後の再生信号のＣ／Ｎ
ｄ’＝８０ｎｍ              ４６ｄＢ
ｄ’＝５０ｎｍ              ４７ｄＢ
ｄ’＝２０ｎｍ              ４９ｄＢ
ｄ’＝１５ｎｍ              ４９ｄＢ
ｄ’＝  ５ｎｍ              ５０ｄＢ
この結果より、５ｎｍ≦ｄ’≦５０ｎｍの範囲が好ましいことが分かった。
【０１５８】
図４（ｂ）のように、柱状の高融点成分３ｂが記録膜３の両側の界面より析出した場合は、析出物の「高さｈ」が異なると、書き換え可能回数は次のように変化した。
【０１５９】
書き換え可能回数
ｈ＝３０ｎｍ              ２×１０5回
ｈ＝２０ｎｍ          １．５×１０5回
ｈ＝１０ｎｍ              １×１０5回
ｈ＝  ０ｎｍ              ４×１０4回
この結果より、１０ｎｍ≦ｈの範囲が好ましいことが分かった。
【０１６０】
図４（ｃ）のように、柱状の高融点成分３ｂが記録膜３の片側の界面より析出した場合、析出物の「高さｈ’」が異なると、書き換え可能回数は次のように変化した。
【０１６１】
書き換え可能回数
ｈ’＝２０ｎｍ            ２×１０5回
ｈ’＝１０ｎｍ        １．５×１０5回
ｈ’＝  ５ｎｍ            １×１０5回
ｈ’＝  １ｎｍ            ４×１０4回
柱状の高融点成分３ｂが記録膜３の界面に接していない場合、析出物の「高さｈ’’」が異なると、書き換え可能回数は次のように変化した。
【０１６２】
書き換え可能回数
ｈ’’＝２０ｎｍ            ２×１０5回
ｈ’’＝１０ｎｍ        １．５×１０5回
ｈ’’＝  ５ｎｍ            １×１０5回
ｈ’’＝  １ｎｍ            ４×１０4回
この結果より、５ｎｍ≦ｈ’、ｈ’’の範囲が好ましいことが分かった。
【０１６３】
「中心間距離ｉ」が異なる場合、書き換え可能回数と、レーザ光のパワーを最適値より１５％高くした厳しい条件で１０5回書き換えた後の再生信号のＣ／Ｎは、次のように変化した。このＣ／Ｎの変化は、主としてＣレベルの変化によるものである。
【０１６４】
書き換え可能回数
ｉ＝１２０ｎｍ              ８×１０4回
ｉ＝  ９０ｎｍ          １．５×１０5回
ｉ＝  ７０ｎｍ          １．８×１０5回
ｉ＝  ６０ｎｍ              ２×１０5回
ｉ＝  ４０ｎｍ              ２×１０5回
ｉ＝  １５ｎｍ              ２×１０5回
１０5回書き換え後の再生信号のＣ／Ｎ
ｉ＝７０ｎｍ                  ５０ｄＢ
ｉ＝４０ｎｍ                  ５０ｄＢ
ｉ＝３０ｎｍ                  ４９ｄＢ
ｉ＝２０ｎｍ                  ４６ｄＢ
ｉ＝１５ｎｍ                  ４５ｄＢ
ｉ＝１０ｎｍ                  ４４ｄＢ
ｉ＝  ５ｎｍ                  ４０ｄＢ
この結果より、２０ｎｍ≦ｉ≦９０ｎｍの範囲が好ましいことが分かった。
【０１６５】
図１（ｃ）のように、高融点成分３ｂが膜面方向につながって多孔質状として析出した場合、析出物の「最大孔寸法ｐ’’」が異なると、書き換え可能回数は
次のように変化した。
【０１６６】
書き換え可能回数
ｐ’’＝５０ｎｍ          １．５×１０5回
ｐ’’＝６０ｎｍ          １．５×１０5回
ｐ’’＝８０ｎｍ              １×１０5回
ｐ’’＝１００ｎｍ            ４×１０4回
この結果より、ｐ’’≦８０ｎｍの範囲が好ましいことが分かった。
【０１６７】
多孔質の高融点成分３ｂの「最大壁厚さｗ」が異なると、レーザ光パワーを最適値より１５％高くした厳しい条件で１０5回書き換えた後の再生信号のＣ／Ｎは、次のように変化した。このＣ／Ｎの変化は、主としてＣレベルの変化によるものである。
【０１６８】
１０5回書き換え後の再生信号のＣ／Ｎ
ｗ＝  ５ｎｍ                ５０ｄＢ
ｗ＝１５ｎｍ                ４９ｄＢ
ｗ＝２０ｎｍ                ４６ｄＢ
ｗ＝３５ｎｍ                ４０ｄＢ
この結果より、ｗ≦２０ｎｍの範囲が好ましいことが分かった。
（高融点成分の融点との関係）
記録膜３中に析出する高融点成分３ｂの融点（ｍ．ｐ．）が異なると、書き換え可能回数が次のように変化することが、計算機シュミレーションにより推測できた。
【０１６９】
書き換え可能回数
ｍ．ｐ．＝６００゜Ｃ          ７×１０4回
ｍ．ｐ．＝７８０゜Ｃ      １．５×１０5回
ｍ．ｐ．＝９３０゜Ｃ          ２×１０5回
この結果より、高融点成分３ｂの融点は７８０゜Ｃ以上の範囲が好ましく、９３０゜Ｃ以上の範囲がより好ましいことが分かった。
【０１７０】
高融点成分３ｂが析出した後の残成分（相変化成分３ａ）の融点と、高融点成分３ｂの融点との差が異なると、書き換え可能回数が次のように変化することも
、計算機シュミレーションにより推測できた。
【０１７１】
書き換え可能回数
ｍ．ｐ．の差＝０゜Ｃ                  ７×１０4回
ｍ．ｐ．の差＝１５０゜Ｃ          １．５×１０5回
ｍ．ｐ．の差＝３００゜Ｃ              ２×１０5回
この結果より、融点の差は１５０゜Ｃ以上の範囲が好ましく、３００゜Ｃ以上の範囲がより好ましいことが分かった。
（高融点成分と相変化分の結晶化温度の差との関係）
毎分１０゜Ｃの一定速度で昇温し、結晶化の発熱の始まる温度を測定した。その結果より、高融点成分３ｂと相変化を起こす低融点成分３ａの結晶化温度の差ｓを求めると、温度差ｓによって書き換え可能回数は次のように変化した。
【０１７２】
書き換え可能回数
ｓ＝  ５゜Ｃ              ４×１０4回
ｓ＝１０゜Ｃ              １×１０5回
ｓ＝３０゜Ｃ          １．５×１０5回
ｓ＝４０゜Ｃ              ２×１０5回
この結果より、融点の差は１０゜Ｃ以上の範囲が好ましく、３０゜Ｃ以上の範囲がより好ましいことが分かった。
（成膜時に被着させる高融点成分との関係）
この実施例の情報記録用薄膜を製作する際に、初期の工程で、高融点成分
Ｃｒ4Ｔｅ5を被着させているが、その高融点成分Ｃｒ4Ｔｅ5の平均膜厚ｃ’を次のように変えると、書き換え可能回数と、レーザ光のパワーを最適値より１５％高くした厳しい条件で１０5回書き換えた後の再生信号のＣ／Ｎは、次のように変化した。このＣ／Ｎの変化は、主としてＣレベルの変化によるものである。
【０１７３】
書き換え可能回数
ｃ’＝  ０ｎｍ            ５×１０4回
ｃ’＝  １ｎｍ            １×１０5回
ｃ’＝  ５ｎｍ            ２×１０5回
１０5回書き換え後の再生信号のＣ／Ｎ
ｃ’＝  １ｎｍ              ４７ｄＢ
ｃ’＝  ５ｎｍ              ４７ｄＢ
ｃ’＝１０ｎｍ              ４６ｄＢ
ｃ’＝２０ｎｍ              ４０ｄＢ
この結果より、１ｎｍ≦ｃ’≦１０ｎｍの範囲が好ましいことが分かった。
（その他）
この実施例では、保護層２および中間層４をＺｎＳ−ＳｉＯ2により形成しているが、ＺｎＳ−ＳｉＯ2に代えて、Ｓｉ−Ｎ系材料，Ｓｉ−Ｏ−Ｎ系材料，ＳｉＯ2，ＳｉＯ，ＴｉＯ2，Ａｌ2Ｏ3，Ｙ2Ｏ3，ＣｅＯ，Ｌａ2Ｏ3，Ｉｎ2Ｏ3，ＧｅＯ，ＧｅＯ2，ＰｂＯ，ＳｎＯ，ＳｎＯ2，Ｂｉ2Ｏ3，ＴｅＯ2，ＷＯ2，ＷＯ3，Ｓｃ2Ｏ3，ＺｒＯ2などの酸化物，ＴａＮ，ＡｌＮ，Ｓｉ3Ｎ4，Ａｌ−Ｓｉ−Ｎ系材料（例えばＡｌＳｉＮ2）などの窒化物、ＺｎＳ，Ｓｂ2Ｓ3，ＣｄＳ，Ｉｎ2Ｓ3，Ｇａ2Ｓ3，ＧｅＳ，ＳｎＳ2，ＰｂＳ，Ｂｉ2Ｓ3などの硫化物、ＳｎＳｅ2，Ｓｂ2Ｓｅ3，ＣｄＳｅ，ＺｎＳｅ，Ｉｎ2Ｓｅ3，Ｇａ2Ｓｅ3，ＧｅＳｅ，ＧｅＳｅ2，ＳｎＳｅ，ＰｂＳｅ，Ｂｉ2Ｓｅ3などのセレン化物、ＣｅＦ3，ＭｇＦ2，ＣａＦ2などの弗化物、あるいはＳｉ，Ｇｅ，ＴｉＢ2，Ｂ4Ｃ，Ｂ，Ｃ，または、上記の材料に近い組成のものを用いてもよい。また、これらの混合材料の層やこれらの多重層でもよい。
【０１７４】
中間層４を省略した場合には、記録感度が約３０％低下し、消え残りも約５ｄＢ増加した。書き換え可能回数も減少した。
【０１７５】
中間層４の屈折率が１．７以上、２．３以下の範囲にある場合、膜厚が３ｎｍ以上、１００ｎｍ以下の範囲、および１８０ｎｍ以上、４００ｎｍ以下の範囲で、それぞれ５０ｄＢ以上のＣ／Ｎが得られた。
【０１７６】
この実施例で反射層５に用いたＡｌ−Ｔｉの代わりに、Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕ，Ａｌ，Ｎｉ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｃｒ，Ｔｉ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｗ，Ｔａ，Ｍｏ，Ｓｂの元素単体、またはこれらを主成分とする合金、あるいはこれら同志の合金よりなる層を用いてもよいし、それらの層よりなる多重層を用いてもよいし、これらと酸化物などの他の物質との複合層などを用いてもよい。
【０１７７】
この実施例では、表面に直接、トラッキングガイドなどの凹凸を形成したポリカーボネート基板１を用いているが、その代わりに、ポリオレフィン、エポキシ、アクリル樹脂、紫外線硬化樹脂層を表面に形成した化学強化ガラスなどを用いてもよい。
【０１７８】
中間層４、反射層５および保護層２の一部を省略した単純積層構造、例えば基板１／保護層２／記録膜３、基板１／記録膜３／中間層４、基板１／記録膜３／反射層５などの構成でも、従来のものに比べると、多数回書き換えを行なってもノイズ上昇が少なく、良好な結果が得られた。
【０１７９】
以上述べたように、この実施例の情報記録用薄膜は、記録・再生・消去特性を良好に保ちながら、従来より１桁以上の多数回の書き換えが可能である。また、記録・消去に用いるレーザ光のパワーが低くてよいという利点もある。
〔実施例２〕
実施例１のＳｂ−Ｔｅ−Ｇｅ−Ｃｒ系の記録膜５において、ＧｅをＩｎで全部置換したものに相当するＳｂ−Ｔｅ−Ｉｎ−Ｃｒ系のＣｒ12Ｉｎ35Ｓｂ12Ｔｅ40
、すなわち（Ｃｒ4Ｔｅ5）2（Ｉｎ3ＳｂＴｅ2）7により記録膜５を形成した点以外は、実施例１と同様にして、情報記録用薄膜を製作した。また、当該薄膜の初期結晶化と、その後の情報の記録・再生方法も実施例１と同様とした。
（Ｃｒ以外の元素の組成との関係）
Ｃｒ含有量を一定として、三角相図（図示せず）のＩｎ65Ｔｅ25Ｃｒ10とＳｂ30Ｔｅ60Ｃｒ10を結ぶ直線上で他の組成を変化させると、一定速度で昇温した場合の未記録部分の結晶化温度と、８０゜Ｃ，相対湿度９５％中に１０００時間置いた時のビット・エラーレートの変化は、次のようになった。
【０１８０】
結晶化温度
Ｓｂ30Ｔｅ60Ｃｒ10            １２０゜Ｃ
Ｓｂ22Ｔｅ51Ｉｎ17Ｃｒ10      １４０゜Ｃ
Ｓｂ18Ｔｅ47Ｉｎ25Ｃｒ10      １５０゜Ｃ
Ｓｂ10Ｔｅ35Ｉｎ45Ｃｒ10      １７０゜Ｃ
Ｓｂ7Ｔｅ33Ｉｎ50Ｃｒ10       １８０゜Ｃ
Ｓｂ2Ｔｅ8Ｉｎ60Ｃｒ10        ２２０゜Ｃ
ビット・エラーレートの変化
Ｓｂ22Ｔｅ51Ｉｎ17Ｃｒ10        ２倍
Ｓｂ18Ｔｅ47Ｉｎ25Ｃｒ10        ２倍
Ｓｂ10Ｔｅ35Ｉｎ45Ｃｒ10        ２倍
Ｓｂ7Ｔｅ33Ｉｎ50Ｃｒ10     ２．５倍
Ｓｂ2Ｔｅ8Ｉｎ60Ｃｒ10          ４倍
この結果より、Ｃｒ以外の組成が変化しても、十分高い結晶化温度が得られ、１０5回という多数回の書き換えによってもビット・エラーレートの変化があまり大きくないことが分かる。
【０１８１】
Ｃｒ含有量を一定として、同じ三角相図のＳｂ65Ｔｅ25Ｃｒ10と
Ｉｎ47Ｔｅ43Ｃｒ10を結ぶ直線上で組成を変化させると、一定速度で昇温した場合の結晶化温度と、８０゜Ｃ，相対湿度９５％中に１０００時間置いた時のビット・エラーレートの変化は、次のようになった。
【０１８２】
結晶化温度
Ｓｂ2Ｔｅ42Ｉｎ46Ｃｒ10       ２１０゜Ｃ
Ｓｂ4Ｔｅ42Ｉｎ44Ｃｒ10       ２００゜Ｃ
Ｓｂ8Ｔｅ41Ｉｎ41Ｃｒ10       １９０゜Ｃ
Ｓｂ15Ｔｅ39Ｉｎ36Ｃｒ10      １８０゜Ｃ
Ｓｂ30Ｔｅ34Ｉｎ26Ｃｒ10      １５０゜Ｃ
Ｓｂ38Ｔｅ32Ｉｎ20Ｃｒ10      １３０゜Ｃ
Ｓｂ41Ｔｅ32Ｉｎ17Ｃｒ10      １１０゜Ｃ
ビット・エラーレートの変化
Ｓｂ2Ｔｅ42Ｉｎ46Ｃｒ10             ５倍
Ｓｂ4Ｔｅ42Ｉｎ44Ｃｒ10             ３倍
Ｓｂ8Ｔｅ41Ｉｎ41Ｃｒ10             ２倍
Ｓｂ15Ｔｅ39Ｉｎ36Ｃｒ10        １．５倍
Ｓｂ30Ｔｅ34Ｉｎ26Ｃｒ10        １．５倍
Ｓｂ38Ｔｅ32Ｉｎ20Ｃｒ10            １倍
Ｓｂ41Ｔｅ32Ｉｎ17Ｃｒ10            １倍
この結果より、Ｃｒ以外の組成が変化しても、十分高い結晶化温度が得られ、１０5回という多数回の書き換えによってもビット・エラーレートの変化があまり大きくないことが分かる。
【０１８３】
Ｉｎの含有量ｐとＳｂの含有量ｘの比（ｐ／ｘ）を変化させると、８０゜Ｃ，相対湿度９５％中に１０００時間置いた時のビット・エラーレートの変化は、次のようになった。
【０１８４】
ビット・エラーレートの変化
（ｐ／ｘ）＝０．５            ３．０倍
（ｐ／ｘ）＝１．０            ２．０倍
（ｐ／ｘ）＝２．０            ２．０倍
（ｐ／ｘ）＝３．０            ２．０倍
（ｐ／ｘ）＝４．０            ３．０倍
この結果より、Ｉｎの含有量ｐとＳｂの含有量ｘの比（ｐ／ｘ）が、
１．０≦（ｐ／ｘ）≦３．０の範囲であれば、ビット・エラーレートの変化が小さいことが分かる。
【０１８５】
ＣｒをＣｕに代えたもの，すなわちＩｎ−Ｓｂ−Ｔｅ−Ｃｕ系において、同様にＩｎの含有量ｐとＳｂの含有量ｘの比（ｐ／ｘ）を変化させた場合も、同様の結果が得られた。
（相変化成分の他の例）
相変化成分であるＩｎ3ＳｂＴｅ2の一部を
Ｇｅ2Ｓｂ2Ｔｅ5，ＧｅＳｂ4Ｔｅ7，ＧｅＳｂ2Ｔｅ4，Ｉｎ35Ｓｂ32Ｔｅ33，
Ｉｎ31Ｓｂ26Ｔｅ43
のうちの少なくとも一つで置き換えても、Ｉｎの一部をＧｅに置き換えても、近い特性が得られる。
（高融点成分の他の例）
高融点成分であるＣｒ4Ｔｅ5の一部を
ＬａＴｅ3，ＬａＴｅ2，Ｌａ2Ｔｅ3，Ｌａ3Ｔｅ4，ＬａＴｅ，Ｌａ2Ｔｅ5，
ＬａＳｂ，Ｌａ4Ｔｅ7，Ｌａ3Ｔｅ，Ｌａ2Ｓｂ，Ｌａ3Ｓｂ2，ＬａＳｂ2，
Ｌａ3Ｇｅ，Ｌａ5Ｇｅ3，Ｌａ4Ｇｅ3，Ｌａ5Ｇｅ4，ＬａＧｅ，Ｌａ3Ｇｅ5，
Ａｇ2Ｔｅ，Ｃｒ5Ｔｅ8，Ｃｒ2Ｔｅ3，ＣｒＳｂ，Ｃｒ3Ｇｅ，Ｃｒ5Ｇｅ3，
Ｃｒ11Ｇｅ8，ＣｒＧｅ，Ｃｒ11Ｇｅ19，ＰｔＴｅ2，Ｐｔ4Ｔｅ5，Ｐｔ5Ｔｅ4，Ｐｔ4Ｓｂ，Ｐｔ3Ｓｂ2，ＰｔＳｂ，Ｐｔ3Ｇｅ，Ｐｔ2Ｇｅ，Ｐｔ3Ｇｅ2，
ＰｔＧｅ，Ｐｔ2Ｇｅ3，ＰｔＧｅ3，ＮｉＴｅ，ＮｉＴｅ0.85，ＮｉＳｂ，
Ｎｉ3Ｇｅ，Ｎｉ5Ｇｅ2，Ｎｉ5Ｇｅ3，ＮｉＧｅ、ＣｏＴｅ2，ＣｏＳｂ2，
ＣｏＳｂ3，Ｃｏ5Ｇｅ2，Ｃｏ5Ｇｅ3，ＣｏＧｅ，Ｃｏ5Ｇｅ7，ＣｏＧｅ2，
Ｓｉ2Ｔｅ3，ＳｉＳｂ，ＳｉＧｅ，ＣｅＴｅ，Ｃｅ3Ｔｅ4，Ｃｅ2Ｔｅ3，
Ｃｅ4Ｔｅ7，ＣｅＴｅ2，ＣｅＴｅ3，Ｃｅ2Ｓｂ，Ｃｅ5Ｓｂ3，Ｃｅ4Ｓｂ5，
ＣｅＳｂ，ＣｅＳｂ2，Ｃｅ3Ｇｅ，Ｃｅ5Ｇｅ3，Ｃｅ4Ｇｅ3，Ｃｅ5Ｇｅ4，
ＣｅＧｅ，Ｃｅ3Ｇｅ5，Ｃｅ5Ｓｉ3，Ｃｅ3Ｓｉ2，Ｃｅ5Ｓｉ4，ＣｅＳｉ，
Ｃｅ3Ｓｉ5，ＣｅＳｉ2，Ｃｒ3Ｓｉ，Ｃｒ5Ｓｉ3，ＣｒＳｉ，ＣｒＳｉ3，
ＣｒＳｉ2，Ｃｏ3Ｓｉ，ＣｏＳｉ，ＣｏＳｉ2，ＮｉＳｉ2，ＮｉＳｉ，
Ｎｉ3Ｓｉ2，Ｎｉ2Ｓｉ，Ｎｉ5Ｓｉ2，Ｎｉ3Ｓｉ，Ｐｔ5Ｓｉ2，Ｐｔ2Ｓｉ，
ＰｔＳｉ，ＬａＳｉ2，Ａｇ3Ｉｎ，Ａｇ2Ｉｎ，Ｂｉ2Ｃｅ，ＢｉＣｅ，
Ｂｉ3Ｃｅ4，Ｂｉ3Ｃｅ5，ＢｉＣｅ2，Ｃｄ11Ｃｅ，Ｃｄ6Ｃｅ，Ｃｄ58Ｃｅ13，Ｃｄ3Ｃｅ，Ｃｄ2Ｃｅ，ＣｄＣｅ，Ｃｅ3Ｉｎ，Ｃｅ2Ｉｎ，Ｃｅ1+xＩｎ，
Ｃｅ3Ｉｎ5，ＣｅＩｎ2，ＣｅＩｎ3，Ｃｅ2Ｐｂ，ＣｅＰｂ，ＣｅＰｂ3，
Ｃｅ3Ｓｎ，Ｃｅ5Ｓｎ3，Ｃｅ5Ｓｎ4，Ｃｅ11Ｓｎ10，Ｃｅ3Ｓｎ5，
Ｃｅ3Ｓｎ7，Ｃｅ2Ｓｎ5，ＣｅＳｎ3，ＣｅＺｎ，ＣｅＺｎ2，ＣｅＺｎ3，
Ｃｅ3Ｚｎ11，Ｃｅ13Ｚｎ58，ＣｅＺｎ5，Ｃｅ3Ｚｎ22，Ｃｅ2Ｚｎ17，
ＣｅＺｎ11，Ｃｄ21Ｃｏ5，ＣｏＧａ，ＣｏＧａ3，ＣｏＳｎ，Ｃｒ3Ｇａ，
ＣｒＧａ，Ｃｒ5Ｇａ6，ＣｒＧａ4，Ｃｕ9Ｇａ4，Ｃｕ3Ｓｎ，Ｃｕ3Ｚｎ，
Ｂｉ2Ｌａ，ＢｉＬａ，Ｂｉ3Ｌａ4，Ｂｉ3Ｌａ5，ＢｉＬａ2，Ｃｄ11Ｌａ，
Ｃｄ17Ｌａ2，Ｃｄ9Ｌａ2，Ｃｄ2Ｌａ，ＣｄＬａ，Ｇａ6Ｌａ，Ｇａ2Ｌａ，
ＧａＬａ，Ｇａ3Ｌａ5，ＧａＬａ3，Ｉｎ3Ｌａ，Ｉｎ2Ｌａ，Ｉｎ5Ｌａ3，
ＩｎxＬａ，ＩｎＬａ，ＩｎＬａ2，ＩｎＬａ3，Ｌａ5Ｐｂ3，Ｌａ4Ｐｂ3，
Ｌａ11Ｐｂ10，Ｌａ3Ｐｂ4，Ｌａ5Ｐｂ4，ＬａＰｂ2，ＬａＰｂ3，ＬａＺｎ，
ＬａＺｎ2，ＬａＺｎ4，ＬａＺｎ5，Ｌａ3Ｚｎ22，Ｌａ2Ｚｎ17，ＬａＺｎ11，ＬａＺｎ13，ＮｉＢｉ，Ｇａ3Ｎｉ2，ＧａＮｉ，Ｇａ2Ｎｉ3，Ｇａ3Ｎｉ5，
ＧａＮｉ3，Ｎｉ3Ｓｎ，Ｎｉ3Ｓｎ2，Ｎｉ3Ｓｎ4，ＮｉＺｎ，Ｎｉ5Ｚｎ21，
ＰｔＢｉ，ＰｔＢｉ2，ＰｔＢｉ3，ＰｔＣｄ2，Ｐｔ2Ｃｄ9，Ｇａ7Ｐｔ3，
Ｇａ2Ｐｔ，Ｇａ3Ｐｔ2，ＧａＰｔ，Ｇａ3Ｐｔ5，ＧａＰｔ2，ＧａＰｔ3，
Ｉｎ7Ｐｔ3，Ｉｎ2Ｐｔ，Ｉｎ3Ｐｔ2，ＩｎＰｔ，Ｉｎ5Ｐｔ6，Ｉｎ2Ｐｔ3，
ＩｎＰｔ2，ＩｎＰｔ3，Ｐｔ3Ｐｂ，ＰｔＰｂ，Ｐｔ2Ｐｂ3，Ｐｔ3Ｓｎ，
ＰｔＳｎ，Ｐｔ2Ｓｎ3，ＰｔＳｎ2，ＰｔＳｎ4，Ｐｔ3Ｚｎ，ＰｔＺｎ2，
ＡｌＳ，Ａｌ2Ｓ3，ＢａＳ，ＢａＣ2，ＣｄＳ，Ｃｏ4Ｓ3，Ｃｏ9Ｓ8，ＣｏＳ，ＣｏＯ，Ｃｏ2Ｏ4，Ｃｏ2Ｏ3，Ｃｒ2Ｏ3，Ｃｒ3Ｏ4，ＣｒＯ，ＣｒＳ，ＣｒＮ，Ｃｒ2Ｎ，Ｃｒ23Ｃ63，Ｃｒ7Ｃ3，Ｃｒ3Ｃ2，Ｃｕ2Ｓ，Ｃｕ9Ｓ5，ＣｕＯ，
Ｃｕ2Ｏ，Ｉｎ4Ｓ5，Ｉｎ3Ｓ4，Ｌａ2Ｓ3，Ｌａ2Ｏ3，Ｍｏ2Ｃ，ＭｏＣ，
Ｍｎ23Ｃ6，Ｍｎ4Ｃ，Ｍｎ7Ｃ3，ＮｉＯ，ＳｉＳ2，ＳｉＯ2，Ｓｉ3Ｎ4，
Ｃｕ2Ｔｅ,ＣｕＴｅ，Ｃｕ3Ｓｂ，Ｍｎ2Ｓｂ，ＭｎＴｅ，ＭｎＴｅ2，
Ｍｎ5Ｇｅ3，Ｍｎ3.25Ｇｅ，Ｍｎ5Ｇｅ2，Ｍｎ3Ｇｅ2，Ｇｅ3Ｗ，Ｔｅ2Ｗ，
ＡｌＳｂ，Ａｌ2Ｔｅ3，Ｆｅ2Ｇｅ，ＦｅＧｅ2，ＦｅＳｂ2，Ｍｏ3Ｓｂ7，
Ｍｏ3Ｔｅ4，ＭｏＴｅ2,ＰｂＴｅ，ＧｅＰｄ2，Ｇｅ2Ｐｄ5，Ｇｅ9Ｐｄ25，
ＧｅＰｄ5,Ｐｄ3Ｓｂ，Ｐｄ5Ｓｂ3，ＰｄＳｂ，ＳｎＴｅ，Ｔｉ5Ｇｅ3，
Ｇｅ31Ｖ17，Ｇｅ8Ｖ11，Ｇｅ3Ｖ5，ＧｅＶ3，Ｖ5Ｔｅ4，Ｖ3Ｔｅ4，ＺｎＴｅ，Ａｇ2Ｓｅ，Ｃｕ2Ｓｅ，Ａｌ2Ｓｅ3，ＩｎＡｓ，ＣｏＳｅ，Ｍｎ3Ｉｎ，
Ｎｉ3Ｉｎ，ＮｉＩｎ，Ｎｉ2Ｉｎ3，Ｎｉ3Ｉｎ7，ＰｂＳｅ，
上記高融点成分の構成元素の酸化物のうち高融点のもの、
などの高融点化合物、またはそれに近い組成のもの、あるいはこれらの混合組成や混合組成に近い３元以上の化合物のうちの少なくとも一つで置き換えても、同様の結果が得られる。
【０１８６】
これらのうちで、
ＬａＳｂ，Ｌａ2Ｔｅ3，Ｌａ3Ｔｅ4，ＣｒＳｂ，ＣｏＳｂ，Ｃｒ3Ｔｅ4，
Ｃｒ2Ｔｅ3，Ｃｒ3Ｔｅ4，ＣｏＴｅ，Ｃｏ3Ｔｅ4，Ｃｕ2Ｔｅ，ＣｕＴｅ，
Ｃｕ3Ｓｂ，ＭｎＴｅ，ＭｎＴｅ2，Ｍｎ2Ｓｂ，Ｃｒ4Ｔｅ5
のうちの少なくとも一つが特に好ましい。少ない回数の初期結晶化で記録・消去特性が安定するからである。
【０１８７】
この実施例においても、析出する高融点成分３ｂは化合物でもよいし、元素単体や合金でもよい。
（高融点成分の含有物の量）
実施例１と同様に、高融点成分の析出物に含まれる酸化物、硫化物、窒化物、炭化物の含有量は、高融点成分の４０原子％未満とするのが好ましく、１０原子％未満とするのが特に好ましい。これらの含有量が多いと、相変化成分との複素屈折率の差を小さくできなかったり、相変化成分中に酸素等が拡散して記録・再生特性を劣化させたりする問題を生じやすい。
【０１８８】
なお、ここで述べていない事項は、実施例１と同様である。
〔実施例３〕
実施例１のＳｂ−Ｔｅ−Ｇｅ−Ｃｒ系の記録膜５において、前記一般式でＢまたはＸで表される元素として、Ｃｒに代えてＣｏおよびＳｉを含む
Ｓｂ16Ｔｅ39Ｇｅ15Ｃｏ22Ｓｉ8すなわち
（Ｃｏ3Ｓｉ）27（Ｇｅ2Ｓｂ2Ｔｅ5）28により記録膜５を形成した点以外は、実施例１と同様にして、情報記録用薄膜を製作した。また、当該薄膜の初期結晶化と、その後の情報の記録・再生方法も実施例１と同様とした。
【０１８９】
この実施例では、高融点成分はＣｏ3Ｓｉ、相変化成分はＧｅ2Ｓｂ2Ｔｅ5である。
【０１９０】
Ｓｂ対Ｔｅ対Ｇｅの含有量ｘ，ｙ，ｐの比をｘ：ｙ：ｐ＝２：５：２に保ってＣｏ3Ｓｉの含有量ａ（実施例１のａに対応）を変化させたとき、書き換え可能回数と、レーザ光のパワーを最適値より１５％高くした厳しい条件で１０5回書き換えた後の再生信号のＣ／Ｎの変化は、実施例１と同様であった。
（相変化成分の他の例）
相変化成分であるＧｅ2Ｓｂ2Ｔｅ5の一部または全部を
ＧｅＳｂ4Ｔｅ7、ＧｅＳｂ2Ｔｅ4，Ｉｎ3ＳｂＴｅ2，Ｉｎ35Ｓｂ32Ｔｅ33，
Ｉｎ31Ｓｂ26Ｔｅ43
のうちの少なくとも一つで置き換えても、Ｇｅの一部または全部をＩｎに置き換えても近い特性が得られる。
（高融点成分の他の例）
高融点成分であるＣｏ3Ｓｉの一部または全部を
Ｃｅ5Ｓｉ3，Ｃｅ3Ｓｉ2，Ｃｅ5Ｓｉ4，ＣｅＳｉ，Ｃｅ3Ｓｉ5，ＣｅＳｉ2，
Ｃｒ5Ｓｉ3，ＣｒＳｉ，ＣｒＳｉ3，ＣｒＳｉ2，Ｃｒ3Ｓｉ，ＣｏＳｉ，
ＣｏＳｉ2，ＮｉＳｉ2，ＮｉＳｉ，Ｎｉ3Ｓｉ2，Ｎｉ2Ｓｉ，Ｎｉ5Ｓｉ2，
Ｎｉ3Ｓｉ，Ｐｔ5Ｓｉ2，Ｐｔ2Ｓｉ，ＰｔＳｉ，ＬａＳｉ2，Ｂｉ2Ｃｅ，
ＢｉＣｅ，Ｂｉ3Ｃｅ4，Ｂｉ3Ｃｅ5，ＢｉＣｅ2，Ｃｄ11Ｃｅ，Ｃｄ6Ｃｅ，
Ｃｄ58Ｃｅ13，Ｃｄ3Ｃｅ，Ｃｄ2Ｃｅ，ＣｄＣｅ，Ｃｅ2Ｐｂ，ＣｅＰｂ，
ＣｅＰｂ3，Ｃｅ3Ｓｎ，Ｃｅ5Ｓｎ3，Ｃｅ5Ｓｎ4，Ｃｅ11Ｓｎ10，Ｃｅ3Ｓｎ5，Ｃｅ3Ｓｎ7，Ｃｅ2Ｓｎ5，ＣｅＳｎ3，ＣｅＺｎ，ＣｅＺｎ2，ＣｅＺｎ3，
Ｃｅ3Ｚｎ11，Ｃｅ13Ｚｎ58，ＣｅＺｎ5，Ｃｅ3Ｚｎ22，Ｃｅ2Ｚｎ17，
ＣｅＺｎ11，Ｃｄ21Ｃｏ5，ＣｏＧａ，ＣｏＧａ3，ＣｏＳｎ，Ｃｒ3Ｇａ，
ＣｒＧａ，Ｃｒ5Ｇａ6，ＣｒＧａ4，Ｃｕ9Ｇａ4，Ｃｕ3Ｓｎ，Ｃｕ3Ｚｎ，
Ｂｉ2Ｌａ，ＢｉＬａ，Ｂｉ3Ｌａ4，Ｂｉ3Ｌａ5，ＢｉＬａ2，Ｃｄ11Ｌａ，
Ｃｄ17Ｌａ2，Ｃｄ9Ｌａ2，Ｃｄ2Ｌａ，ＣｄＬａ，Ｇａ6Ｌａ，Ｇａ2Ｌａ，
ＧａＬａ，Ｇａ3Ｌａ5，ＧａＬａ3，Ｌａ5Ｐｂ3，Ｌａ4Ｐｂ3，Ｌａ11Ｐｂ10，Ｌａ3Ｐｂ4，Ｌａ5Ｐｂ4，ＬａＰｂ2，ＬａＰｂ3，ＬａＺｎ，ＬａＺｎ2，
ＬａＺｎ4，ＬａＺｎ5，Ｌａ3Ｚｎ22，Ｌａ2Ｚｎ17，ＬａＺｎ11，ＬａＺｎ13，ＮｉＢｉ，Ｇａ3Ｎｉ2，ＧａＮｉ，Ｇａ2Ｎｉ3，Ｇａ3Ｎｉ5，ＧａＮｉ3，
Ｎｉ3Ｓｎ，Ｎｉ3Ｓｎ2，Ｎｉ3Ｓｎ4，ＮｉＺｎ，Ｎｉ5Ｚｎ21，ＰｔＢｉ，
ＰｔＢｉ2，ＰｔＢｉ3，ＰｔＣｄ2，Ｐｔ2Ｃｄ9，Ｇａ7Ｐｔ3，Ｇａ2Ｐｔ，
Ｇａ3Ｐｔ2，ＧａＰｔ，Ｇａ3Ｐｔ5，ＧａＰｔ2，ＧａＰｔ3，Ｐｔ3Ｐｂ，
ＰｔＰｂ，Ｐｔ2Ｐｂ3，Ｐｔ3Ｓｎ，ＰｔＳｎ，Ｐｔ2Ｓｎ3，ＰｔＳｎ2，
ＰｔＳｎ4，Ｐｔ3Ｚｎ，ＰｔＺｎ2
など、前記Ｂで表わされる元素を２以上含む高融点化合物、またはそれに近い組成のもの、あるいはこれらの混合組成や、混合組成に近い３元以上の化合物のうちの少なくとも一つで置き換えても、同様な結果が得られる。
【０１９１】
ここで述べていない事項については、実施例１と同様である。
〔実施例４〕
（構成・製法）
図３は、この発明の第１実施例の情報記録用薄膜を用いたディスク状情報記録媒体の断面構造を示す。この媒体は次のようにして製作された。
【０１９２】
まず、直径１３ｃｍ，厚さ１．２ｍｍで表面に断面Ｕ字形のトラッキング溝を有するポリカーボネート基板１を形成した。次に、この基板１上に順次、薄膜を形成するため、基板１をマグネトロン・スパッタリング装置内に置いた。この装置は複数のターゲットを持ち、積層膜を順次、形成することができるものである。また、形成される膜厚の均一性および再現性に優れている。
【０１９３】
マグネトロン・スパッタリング装置により、基板１上にまず
（ＺｎＳ）８０％・（ＳｉＯ2）２０％、すなわち（Ｚｎ40Ｓ40Ｓｉ7Ｏ13）膜よりなる保護層２を膜厚約１３０ｎｍとなるように形成した。続いて、保護層２上に、高融点成分であるＣｒ4Ｔｅ5膜（図示せず）を島状に平均膜厚３ｎｍまで形成した後、その上にＣｒ9Ｇｅ7Ｓｂ27Ｔｅ57、すなわち（（ＧｅＳｂ4Ｔｅ7）8
（Ｃｒ4Ｔｅ5）2）の組成の記録膜３を膜厚約２２ｎｍまで形成した。この際、Ｃｒ4Ｔｅ5ターゲットとＧｅＳｂ4Ｔｅ7ターゲットとによる回転同時スパッタ法を用いた。
【０１９４】
Ｃｒ4Ｔｅ5膜は必ずしも形成する必要はない。しかし、その場合記録膜流動がやや起こりやすくなる。Ｃｒ4Ｔｅ5膜を形成しない場合、記録膜３中に析出する高融点成分は、後述する初期化の際に生じるもののみとなる。
【０１９５】
次に、記録膜３上に、（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20膜よりなる中間層４を約４０ｎｍの膜厚まで形成した後、その上に同じスパッタリング装置内で
Ａｌ97Ｔｉ3膜よりなる反射層５を膜厚２００ｎｍまで形成した。こうして、第１のディスク部材を得た。
【０１９６】
他方、まったく同様の方法により、第１のディスク部材と同じ構成を持つ第２のディスク部材を得た。第２のディスク部材は、直径１３ｃｍ，厚さ１．２ｍｍの基板１’上に順に積層された、膜厚約１３０ｎｍの
（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20膜よりなる保護層２’、平均膜厚３ｎｍの
Ｃｒ4Ｔｅ5膜（図示せず）、膜厚約２２ｎｍのＣｒ9Ｇｅ7Ｓｂ27Ｔｅ57、すなわち（（ＧｅＳｂ4Ｔｅ7）8（Ｃｒ4Ｔｅ5）2）の記録膜３’、膜厚約４０ｎｍの（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20膜よりなる中間層４’、および膜厚２００ｎｍのＡｌ97Ｔｉ3膜よりなる反射層５’を備えている。
【０１９７】
その後、接着剤層６を介して、前記第１および第２のディスク部材の反射層５，５’同士を貼り合わせ、図３に示すディスク状情報記録媒体を得た。
【０１９８】
この媒体では、反射層５，５’の全面を接着すると、全面を接着しない場合に比べて書き換え可能回数を多くすることができ、また、反射層５，５’の記録領域に対応する箇所に接着剤を付けない場合、その箇所にも接着剤を付けた場合よりも少し記録感度が高くなった。
（初期化）
前記のようにして製作した媒体の記録膜３、３’に、次のようにして初期化を行なった。なお、記録膜３’についてもまったく同様であるから、以下の説明では記録膜３についてのみ述べることとする。
【０１９９】
媒体を１８００ｒｐｍで回転させ、半導体レーザ（波長８３０ｎｍ）のレーザ光パワーを記録が行なわれないレベル（約１ｍＷ）に保ち、そのレーザ光を記録ヘッド中の開口数（ＮＡ）がＯ．５５のレンズで集光し、基板１を通して記録膜３に照射した。記録膜３からの反射光を検出して、基板１のトラッキング溝の中心または溝と溝の中間にレーザ光スポットの中心が常に一致するようにトラッキングを行なうと共に、記録膜３上にレーザ光の焦点が来るように、自動焦点合わせを行ないながら記録ヘッドを駆動した。
【０２００】
まず、初期化のため、記録膜５の同一記録トラック上に、パワー１５ｍＷの連続（ＤＣ）レーザ光を２００回照射した。各回の照射時間（光スポット通過時間）は、約０．１μｓｅｃである。
【０２０１】
続いて、パワー７ｍＷの連続レーザ光を５回照射した。各回の照射時間（光スポット通過時間）は、約０．１μｓｅｃである。この時のレーザ光パワーは５〜９ｍＷの範囲であればよい。
【０２０２】
前記２種類のレーザ光照射のうち、パワーの低い方（７ｍＷ）の照射は省略してもよいが、照射した方が消去特性が良い。
【０２０３】
このように、パワーの異なるレーザ光を照射すると、初期化を充分に行なうことができる。
【０２０４】
これらのレーザ光照射は、半導体レーザ・アレイを用いて行なうか、ガスレーザからの光ビームを複数に分割したもの、あるいは高出力ガスレーザや半導体レーザからの光ビームのスポット形状を媒体の半径方向に長い長円形にしたものを用いて行なえば、さらに好ましい。こうすると、媒体を少数回転させるだけで初期結晶化を完了することも可能となる。
【０２０５】
複数のレーザ光スポットを用いる場合、それらレーザ光スポットを同一の記録トラック上に配置せず、媒体の半径方向に位置を少しずつズラして配置すれば、１回の照射で広い範囲を初期化することができる、消え残りが少なくなる、などの効果が得られる。
【０２０６】
次に、円形スポットの１２ｍＷの連続レーザ光（初期化用の高パワー光）を１回照射する（照射時間：約０．１μｓｅｃ）毎に、パワー１５ｍＷのパルス・レーザ光（記録用の高パワー光）を照射し、記録膜５を非晶質化して記録点を形成した。その後、その記録点を７ｍＷの連続レーザ光（消去用の低パワー光）を照射して結晶化させるために、７ｍＷの連続レーザ光を何回照射することが必要かを調べた。
【０２０７】
本実施例のディスクでは、１２ｍＷの連続レーザ光の照射回数が１００回までは、照射回数が増加するほど、結晶化に要する前記７ｍＷの連続レーザ光照射の回数は低下した。すなわち、照射回数が増加するほど結晶化しやすいことが分かった。これは、１２ｍＷの連続レーザ光の照射により、記録膜５中に高融点成分であるＣｒ4Ｔｅ5の微細な結晶が多数析出し、その残部（相変化する部分）の組成が高速結晶化可能なＧｅＳｂ4Ｔｅ7の組成に近づいたためと推察される。
【０２０８】
一方、マークエッジ記録方式の信号を想定して、１６Ｔ（１Ｔは４５ｎｓ）の範囲で記録トラック上の信号書き始め位置をランダムにずらしながら２Ｔの記録マークと８Ｔのスペースの繰り返しに対応する信号Ａと、８Ｔの記録マークと２Ｔのスペースの繰り返しに対応する信号Ｂとが交互に繰り返す信号を記録する場合、信号Ａと信号Ｂとの切り変え部分ではマーク形成頻度が急に大きく変化するので、記録膜が流動すると、流動して来た記録膜材料が止められて堆積したり、後方からの流入なしに記録膜材料が流出して膜厚が薄くなったりするため、再生信号波形歪みが生ずる。記録膜中の元素が偏析する場合も、同様にその元素が対積したり不足したりする。流動や偏析はある程度起こると膜厚や濃度の勾配によって逆の流動や偏析も起こりやすくなり、ブレーキがかかる。従って、ディスクの使用前に記録領域より少し広めに高いパワー（１５ｍＷ）連続光を繰り返し照射しておくと、上記のような記録領域内での変化はある程度防止できる。従って、ディスク毎に上記の信号の多数回書き換えによる波形歪みの大きさを指標にして、上記の連続光の繰り返し照射必要回数を求めた。上記のように、結晶化速度が十分大きくなるための照射の必要回数と、波形歪みが小さくなるための照射の必要回数の大きい方がそのディスクの初期化必要回数である。本実施例のディスクでは結晶化速度が十分大きくなるための必要回数の方が大きく、１００回が必要初期化照射回数であった。
【０２０９】
なお、Ｃｒ4Ｔｅ5の融点は１２５２゜Ｃであり、ＧｅＳｂ4Ｔｅ7の融点は６０５゜Ｃである。
（Ｇｅ含有量ａとの関係１：−ＧｅＳｂ4Ｔｅ7付近）
図１０の三角相図のＧｅ65Ｔｅ25Ｃｒ10とＳｂ30Ｔｅ60Ｃｒ10を結ぶＣｒ含有量を一定とした直線ア．上で組成を変化させ、一定速度で昇温した場合の未記録部分の結晶化温度と、初期化のためのレーザ照射回数を測定した。その結果、次のようなデータが得られた。
【０２１０】
組成                   結晶化温度  レーザ照射回数
Ｓｂ30Ｔｅ60Ｃｒ10           １２０゜Ｃ    ２００回以下
Ｇｅ2Ｓｂ29Ｔｅ59Ｃｒ10      １３０゜Ｃ    ２００回以下
Ｇｅ4Ｓｂ28Ｔｅ58Ｃｒ10      １５０゜Ｃ    ２００回以下
Ｇｅ10Ｓｂ25Ｔｅ55Ｃｒ10     １６０゜Ｃ    ２００回以下
Ｇｅ15Ｓｂ23Ｔｅ52Ｃｒ10     １７０゜Ｃ    ５００回
Ｇｅ17Ｓｂ22Ｔｅ51Ｃｒ10     １７０゜Ｃ    ２０００回
Ｇｅ25Ｓｂ18Ｔｅ47Ｃｒ10     １８０゜Ｃ    ５０００回
この結果より、０．０２≦ａ≦０．１９の範囲において、適当な結晶化温度が得られ、初期化のためのレーザ照射回数を低減することができる。
（Ｓｂ含有量ｂとの関係１：−ＧｅＳｂ4Ｔｅ7付近）
図１０の三角相図のＳｂ45Ｔｅ45Ｃｒ10とＧｅ18Ｔｅ72Ｃｒ10を結ぶＣｒ含有量を一定とした直線イ．組成を変化させ、一定速度で昇温した場合の結晶化温度と、初期化のためのレーザ照射回数を測定した。その結果、次のようなデータが得られた。
【０２１１】
組成                 結晶化温度    レーザ照射回数
Ｇｅ17Ｓｂ2Ｔｅ71Ｃｒ10      ２１０゜Ｃ     ５０００回
Ｇｅ17Ｓｂ4Ｔｅ69Ｃｒ10      ２００゜Ｃ    １０００回
Ｇｅ14Ｓｂ10Ｔｅ66Ｃｒ10     １８０゜Ｃ        ５００回
Ｇｅ10Ｓｂ20Ｔｅ60Ｃｒ10     １７０゜Ｃ        ２００回以下
Ｇｅ7Ｓｂ26Ｔｅ57Ｃｒ10      １６０゜Ｃ        ２００回以下
Ｇｅ5Ｓｂ33Ｔｅ52Ｃｒ10      １５０゜Ｃ        ２００回以下
Ｇｅ3Ｓｂ36Ｔｅ51Ｃｒ10      １４０゜Ｃ        ２００回以下
Ｇｅ2Ｓｂ40Ｔｅ48Ｃｒ10      １２０゜Ｃ        ２００回以下
この結果より、０．０４≦ｂ≦０．４の範囲において、適当な結晶化温度が得られ、初期化のためのレーザ照射射回数を低減することができる。
（Ｔｅ含有量ｃとの関係１：−ＧｅＳｂ4Ｔｅ7付近）
図１０の三角相図のＳｂ15Ｔｅ75Ｃｒ10とＧｅ30Ｓｂ60Ｃｒ10を結ぶＣｒ含有量を一定とした直線（3）上で組成を変化させ、記録されている情報の消去に必要なレーザ光の照射時間と、レーザ光パワーを最適値より１５％高くした厳しい条件で１０5回書き換えた後の再生信号の搬送波対雑音比（Ｃ／Ｎ）の変化を測定した。その結果、次のようなデータが得られた。
【０２１２】
１０5回書き換えた後
組成                レーザ光照射時間    の再生信号のＣ／Ｎ
Ｇｅ14Ｓｂ36Ｔｅ40Ｃｒ10      ０．５μｓｅｃ    ４４ｄＢ
Ｇｅ12Ｓｂ33Ｔｅ45Ｃｒ10      ０．２μｓｅｃ    ４８ｄＢ
Ｇｅ11Ｓｂ31Ｔｅ48Ｃｒ10      ０．１μｓｅｃ    ５０ｄＢ
Ｇｅ8Ｓｂ27Ｔｅ55Ｃｒ10       ０．１μｓｅｃ    ５０ｄＢ
Ｇｅ5Ｓｂ22Ｔｅ63Ｃｒ10       ０．５μｓｅｃ    ５０ｄＢ
Ｇｅ3Ｓｂ19.5Ｔｅ67.5Ｃｒ10   １．０μｓｅｃ    ５０ｄＢ
Ｓｂ15Ｔｅ75Ｃｒ10            ３．０μｓｅｃ    ５０ｄＢ
この結果より、０．５≦ｃ≦０．７５の範囲において、消去に必要なレーザ光の照射時間を少なくでき、レーザ光パワーを最適値より１５％高くした厳しい条件で１０5回書き換えた後の再生信号の搬送波対雑音比（Ｃ／Ｎ）を良くできる。
（Ｃｒ含有量ｄとの関係１：−ＧｅＳｂ4Ｔｅ7付近）
Ｃｒ4Ｔｅ5の残部であるＧｅ対Ｓｂ対Ｔｅの含有量ａ，ｂ，ｃの比を、
ａ：ｂ：ｃ＝１：４：７に保ってＣｒ4Ｔｅ5の含有量を変化させたとき、レーザ光のパワーを最適値より１５％高くした厳しい条件で１０5回書き換えた後の再生信号のＣ／Ｎを測定したところ、Ｃｒの含有量ｄに関して次のような結果が得られた。
【０２１３】
１０5回書換後の再生信号Ｃ／Ｎ
ｄ＝０                ４２ｄＢ
ｄ＝３                ４８ｄＢ
ｄ＝１０              ５０ｄＢ
ｄ＝２０              ５０ｄＢ
ｄ＝３４              ４８ｄＢ
Ｃｒの含有量ｄを変化させると、レーザ光のパワーを最適値より１５％高くした厳しい条件で初期化回数を２００回として、信号を１回記録後、１回オーバーライトした時の再生信号の「消去比」は、次のように変化した。
ここで「消去比」とは、すでに記録された信号の上に周波数の異なる別の信号を重ね書きしたときの、重ね書き前後の信号の比をｄＢで表したものである。
【０２１４】
信号を１回記録後、１回オーバーライト
した時の再生信号の消去比
ｄ＝１０                ２８ｄＢ
ｄ＝２０                ２５ｄＢ
ｄ＝３０                ２５ｄＢ
ｄ＝４０                ２０ｄＢ
この結果より、Ｃｒの含有量ｄが増加するにつれて、消去比が低下することが分かる。
【０２１５】
この結果より、０．０３≦ｄ≦０．３の範囲において、消去に必要なレーザ光の照射時間を少なくでき、レーザ光パワーを最適値より１５％高くした厳しい条件で１０5回書き換えた後の再生信号の搬送波対雑音比（Ｃ／Ｎ）を良くできる。
【０２１６】
記録用薄膜の平均組成を、元素単体または化合物組成の低融点成分Ｌと元素単体または化合物組成の高融点成分Ｈにより
ＬjＨk 
の式で表わし、その含有量ｋを変化させた場合、結晶化温度とレーザパワーを１５％高くした厳しい条件で１０5回書き換えた後の再生信号のＣ／Ｎは、次のように変化した。
【０２１７】
１０5回書き換えた後の
組  成            再生信号のＣ／Ｎ        結晶化温度
(GeSb4Te7)95(Cr4Te5)5      ４５ｄＢ              １７０℃
(GeSb4Te7)90(Cr4Te5)10     ４８ｄＢ              １７０℃
(GeSb4Te7)80(Cr4Te5)20     ５０ｄＢ              １６０℃
(GeSb4Te7)65(Cr4Te5)35     ５０ｄＢ              １５０℃
(GeSb4Te7)50(Cr4Te5)50     ５０ｄＢ              １３０℃
(GeSb4Te7)40(Cr4Te5)60     ４９ｄＢ              １２０℃
この結果より、２０≦ｋ／（ｊ＋ｋ）≦４０の範囲が好ましいことが分かった。
（成膜時に被着させる高融点成分との関係）
この実施例の情報記録用薄膜を製作する際に、初期の工程で、高融点成分Ｃｒ4Ｔｅ5を被着させているが、その高融点成分Ｃｒ4Ｔｅ5の平均膜厚ｚを次のように変えると、書き換え可能回数と、レーザ光のパワーを最適値より１５％高くした厳しい条件で１０5回書き換えた後の再生信号のＣ／Ｎは、次のように変化した。このＣ／Ｎの変化は、主としてＣレベルの変化によるものである。
【０２１８】
書き換え可能回数
ｚ＝  ０ｎｍ            ５×１０4回
ｚ＝  １ｎｍ            １×１０5回
ｚ＝  ５ｎｍ            ２×１０5回
１０5回書き換え後の再生信号のＣ／Ｎ
ｚ＝  １ｎｍ              ４７ｄＢ
ｚ＝  ５ｎｍ              ４７ｄＢ
ｚ＝１０ｎｍ              ４６ｄＢ
ｚ＝２０ｎｍ              ４０ｄＢ
この結果より、１ｎｍ≦ｚ≦１０ｎｍの範囲が好ましいことが分かった。
（その他，保護層および中間層および反射層材質）
この実施例では、保護層２および中間層４をＺｎＳ−ＳｉＯ2により形成しているが、ＺｎＳ−ＳｉＯ2に代えて、Ｓｉ−Ｎ系材料，Ｓｉ−Ｏ−Ｎ系材料，ＳｉＯ2，ＳｉＯ，ＴｉＯ2，Ｔａ2Ｏ5，Ａｌ2Ｏ3，Ｙ2Ｏ3，ＣｅＯ，Ｌａ2Ｏ3，Ｉｎ2Ｏ3，ＧｅＯ，ＧｅＯ2，ＰｂＯ，ＳｎＯ，ＳｎＯ2，Ｂｉ2Ｏ3，ＴｅＯ2，ＷＯ2，ＷＯ3，Ｓｃ2Ｏ3，ＺｒＯ2などの酸化物，ＴａＮ，ＡｌＮ，Ｓｉ3Ｎ4，Ａｌ−Ｓｉ−Ｎ系材料（例えばＡｌＳｉＮ2）などの窒化物、ＺｎＳ，Ｓｂ2Ｓ3，ＣｄＳ，Ｉｎ2Ｓ3，Ｇａ2Ｓ3，ＧｅＳ，ＳｎＳ2，ＰｂＳ，Ｂｉ2Ｓ3，などの硫化物、ＳｎＳｅ2，Ｓｂ2Ｓｅ3，ＣｄＳｅ，ＺｎＳｅ，Ｉｎ2Ｓｅ3，Ｇａ2Ｓｅ3，ＧｅＳｅ，ＧｅＳｅ2，ＳｎＳｅ，ＰｂＳｅ，Ｂｉ2Ｓｅ3などのセレン化物、ＣｅＦ3，ＭｇＦ2，ＣａＦ2などの弗化物、あるいはＳｉ，Ｇｅ，ＴｉＢ2，Ｂ4Ｃ，Ｂ，Ｃ，または、上記の材料に近い組成のものを用いてもよい。また、これらの混合材料の層やこれらの多重層でもよい。
【０２１９】
多重層の場合、ＺｎＳを７０モル％以上含む材料、例えば（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20と、Ｓｉ，Ｇｅのうちの少なくとも一者を７０原子％以上含む材料、例えばＳｉ、あるいはＳｉの酸化物、例えばＳｉＯ2との２層膜が好ましい。この場合、記録感度低下を防ぐため、ＺｎＳ−ＳｉＯ2層の方を記録膜側に設け、その厚さを３ｎｍ以上とする。また、ＳｉＯ2などの層の低熱膨張係数による記録膜流動抑制効果を発揮させるために、厚さ１０ｎｍ以下が好ましい。この２層膜は保護層２の代わりに設けると好ましいが、中間層４の代わりに設けてもよい。保護層２の代わりとしてはＳｉＯ2などの層の厚さが５０ｎｍ以上２５０ｎｍ以下が好ましい。中間層の代わりに２層膜を設ける場合は、ＳｉＯ2層の膜厚は１０ｎｍ以上８０ｎｍ以下が好ましい。これらの２層膜を設けることは、本発明の記録膜を用いる場合だけではなく、他の相変化記録膜を用いる場合にも好ましい。
【０２２０】
また、ＺｎＳ−ＳｉＯ2と基板側にＡｕ層を設けた２層膜にすると反射率決定の自由度が増すため、好ましい。このときのＡｕ層の厚さは３０ｎｍ以下が好ましい。Ａｕの代わりにたとえばＡｕ−Ｃｏ，Ａｕ−Ｃｒ、Ａｕ−Ｔｉ，Ａｕ−Ｎｉ，Ａｕ−ＡｇなどＡｕを主成分とする混合材料を用いてもよい。
【０２２１】
中間層４を省略した場合には、記録感度が約３０％低下し、消え残りも約５ｄＢ増加した。書き換え可能回数も減少した。
【０２２２】
中間層４の屈折率が１．７以上、２．３以下の範囲にある場合、膜厚が３ｎｍ以上、１００ｎｍ以下の範囲、および１８０ｎｍ以上、４００ｎｍ以下の範囲で、それぞれ５０ｄＢ以上のＣ／Ｎが得られた。
【０２２３】
この実施例で反射層５に用いたＡｌ−Ｔｉの代わりに、反射層の材料としては、Ｓｉ−Ｇｅ混合材料が、記録マーク部分の光吸収率を記録マーク以外の部分の光吸収率より小さくできるので、光吸収率差による消え残りを防止でき、さらに書き換え可能回数が低下しない。Ｇｅの含有量は１０原子％以上８０原子％以下が書き換え可能回数が低下が生じにくい。
【０２２４】
次いで、Ｓｉ−ＳｎまたはＳｉ−Ｉｎ混合材料、あるいはこれら混合材料の２種以上の混合材料でも同様の結果が得られた。これらの反射層材料は、本発明の相変化膜ばかりでなく、他の相変化膜を用いる場合の反射層材料として用いても、従来の反射層材料に比べて、書き換え可能回数が低下しない。
【０２２５】
さらに、Ｓｉ，Ｇｅ，Ｃ，Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕ，Ａｌ，Ｎｉ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｃｒ，Ｔｉ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｗ，Ｔａ，Ｍｏ，Ｓｂの元素単体、またはこれらを主成分とする合金、あるいはこれら同志の合金よりなる層を用いてもよいし、それらの層よりなる多重層を用いてもよいし、これらと酸化物などの他の物質との複合層などを用いてもよい。
【０２２６】
この実施例では、表面に直接、トラッキングガイドなどの凹凸を形成したポリカーボネート基板１を用いているが、その代わりに、ポリオレフィン、エポキシ、アクリル樹脂、紫外線硬化樹脂層を表面に形成した化学強化ガラスなどを用いてもよい。
【０２２７】
中間層４、反射層５および保護層２の一部を省略した単純積層構造、例えば基板１／保護層２／記録膜３、基板１／記録膜３／中間層４、基板１／記録膜３／反射層５などの構成でも、従来のものに比べると、多数回書き換えを行なってもノイズ上昇が少なく、良好な結果が得られた。
【０２２８】
以上述べたように、この実施例の情報記録用薄膜は、記録・再生・消去特性を良好に保ちながら、従来より多数回の書き換えが可能である。また、記録・消去に用いるレーザ光のパワーが低くてよいという利点もある。
【０２２９】
なお、ここで述べていない事項は、実施例１と同様である。
〔実施例５〕
実施例１のＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ−Ｃｒ系の記録膜５においてＧｅ50Ｔｅ50組成付近の組成Ｇｅ40Ｓｂ10Ｔｅ40Ｃｒ10により記録膜５を形成した。構造は、保護層の下に金属層を１５ｎｍ，保護層を２０ｎｍ、記録膜を２０ｎｍ、中間層を４０ｎｍ，反射層を７０ｎｍ形成した。材料は、金属層と反射層にＡｕを使用した。それ以外は、実施例１と同様にして、情報記録用薄膜を作製した。また、当該薄膜の初期化と、その後の情報の記録再生方法も実施例と同様とした。
（Ｓｂ含有量ｂとの関係−２：ＧｅＴｅ組成付近）
図１１の三角相図のＧｅ45Ｔｅ45Ｃｒ10とＳｂ90Ｃｒ10を結ぶＣｒ含有量を一定とした直線（4）上で組成を変化させ、非晶質化させた時と結晶化させた時の反射率差を測定した。その結果、次のようなデータが得られた。
【０２３０】
組  成                        反射率差
Ｇｅ45Ｔｅ45Ｃｒ10                   ５０％
Ｇｅ43Ｓｂ4Ｔｅ43Ｃｒ10              ５１％
Ｇｅ40Ｓｂ10Ｔｅ40Ｃｒ10             ５１％
Ｇｅ37Ｓｂ16Ｔｅ37Ｃｒ10             ４４％
Ｇｅ35Ｓｂ20Ｔｅ35Ｃｒ10             ３０％
これより、ＧｅＴｅ組成付近においては、０≦ｂ≦０．２の範囲で高反射率差が得られることがわかった。Ｓｂを０．０１≦ｂ≦０．２の範囲で添加すると，６０相対湿度８０％におけるクラック発生を防止できた。しかし、Ｓｂを添加しない膜より細かい組成制御が要求される。
（Ｇｅ，Ｔｅ含有量ａ，ｃとの関係−２：ＧｅＴｅ組成付近）
図１１の三角相図のＳｂ10Ｔｅ80Ｃｒ10とＧｅ80Ｓｂ10Ｃｒ10を結ぶＣｒ含有量を一定とした直線（5）上で組成を変化させ、非晶質化させた時と結晶化させた時の反射率差を測定した。その結果、次のようなデータが得られた。
【０２３１】
組  成                         反射率差
Ｇｅ15Ｓｂ10Ｔｅ65Ｃｒ10             ３５％
Ｇｅ20Ｓｂ10Ｔｅ60Ｃｒ10             ４５％
Ｇｅ28Ｓｂ10Ｔｅ52Ｃｒ10             ５０％
Ｇｅ40Ｓｂ10Ｔｅ40Ｃｒ10             ５１％
Ｇｅ52Ｓｂ10Ｔｅ28Ｃｒ10             ４６％
Ｇｅ60Ｓｂ10Ｔｅ20Ｃｒ10             ３６％
これより、ＧｅＴｅ組成付近においては、０．２５≦ａ≦０．６５，０．３５≦ｃ≦０．７５の範囲で高反射率差が得られることがわかった。
（Ｃｒ含有量ｄとの関係−２：ＧｅＴｅ組成付近）
Ｃｒ4Ｔｅ5の残部であるＧｅ対Ｓｂ対Ｔｅの含有量ａ，ｂ，ｃの比を、
ａ：ｂ：ｃ＝４：１：４に保ってＣｒ4Ｔｅ5の含有量を変化させたとき、レーザ光のパワーを最適値より１５％高くした厳しい条件で１０5回書き換えた後の再生信号のＣ／Ｎを測定したところ、Ｃｒの含有量ｄに関して次のような結果が得られた。
【０２３２】
１０5回書換後の再生信号Ｃ／Ｎ
ｄ＝０                ４２ｄＢ
ｄ＝３                ４８ｄＢ
ｄ＝１０              ５０ｄＢ
ｄ＝２０              ５０ｄＢ
ｄ＝３４              ４８ｄＢ
Ｃｒの含有量ｄを変化させると、レーザ光のパワーを最適値より１５％高くした厳しい条件で初期化回数を２００回として、信号を１回記録後、１回オーバーライトした時の再生信号の「消去比」は、次のように変化した。
ここで「消去比」とはすでに記録された信号の上に周波数の異なる別の信号を重ね書きしたときの、重ね書き前後の信号の比をｄＢで表したものである。
【０２３３】
信号を１回記録後、１回オーバーライト
した時の再生信号の消去比
ｄ＝１０                ２８ｄＢ
ｄ＝２０                ２５ｄＢ
ｄ＝３０                ２５ｄＢ
ｄ＝４０                ２０ｄＢ
この結果より、Ｃｒの含有量ｄが増加するにつれて、消去比が低下することが分かる。
【０２３４】
この結果より、０．０３≦ｄ≦０．３の範囲において、十分高い消去比が得られ、レーザ光パワーを最適値より１５％高くした厳しい条件で１０5回書き換え
た後の再生信号の搬送波対雑音比（Ｃ／Ｎ）を良くできる。
【０２３５】
なお、ここで述べていない事項は、実施例１と同様である。
〔実施例６〕
実施例１の記録膜５において、前記高融点成分が膜厚方向に変化した記録膜を形成した点以外は、実施例１と同様にして情報記録用薄膜を作製した。また、その他は１実施例の用いたディスク状情報記録媒体と同様に作製した。初期化、その後の記録・再生方法も実施例１と同様にした。
（構成・製法）
前記高融点成分の含有量が膜厚方向に変化した記録膜の形成には、マグネトロン・スパッタリング装置による、Ｃｒ4Ｔｅ5ターゲットとＧｅＳｂ4Ｔｅ7ターゲットとの回転同時スパッタ法を用いた。この際、始めにＣｒ4Ｔｅ5膜を３ｎｍ形成しておき、その後次に示すようにＧｅＳｂ4Ｔｅ7ターゲットに印加する電圧を一定にし、Ｃｒ4Ｔｅ5ターゲットに印加する電圧を徐々に下げていった。
スパッタ時間  スパッタパワー（Ｗ）        光入射側からの      Cr4Te5含有量
（秒）    GeSb4Te7ターゲット  Cr4Te5ターゲット  記録膜膜厚（ｎｍ）  （原子％）
０〜９        ４９            １５０        ０〜６               ５０
１０〜２０    ４９            １００        ６〜１２             ４０
２１〜３３    ４９              ６５      １３〜１８             ３０
３４〜４７    ４９              ４０      １９〜２４             ２０
４８〜６３    ４９              ２０      ２４〜３０             １０
この他にも、Ｃｒ4Ｔｅ5ターゲットに印加する電圧を一定にし、ＧｅＳｂ4Ｔｅ7ターゲットに印加する電圧を徐々に上げていっても、高融点成分の含有量が膜厚方向に変化した記録膜を形成できる。印加電圧は徐々に変化させた方が、記録特性が良かった。また、インラインスパッタ装置において、Ｃｒ4Ｔｅ5組成の面積とＧｅＳｂ4Ｔｅ7組成の面積を徐々に変化させたタ−ゲットを仕様し同様に作製できる。この記録膜を持つディスクを作製した。
【０２３６】
このディスクは、実施例１のように高融点成分の含有量が膜厚方向に一定の記録膜に比べ、作製が複雑になるが、初期化のためのレーザ照射回数を低減できた
。
【０２３７】
ここで述べていない事項については、実施例１と同様である。
〔実施例７〕
図１２は、本発明による超解像読み出し膜を用いたディスクの構造断面図の一例を示したものである。
【０２３８】
図１２のディスクの製造にあたっては、まず、直径１３ｃｍ、厚さ１．２ｍｍの、凹凸で情報が記録されたポリカ−ボネイト基板１１を形成した。次に、この基板を複数のターゲットを備えて順次積層膜を形成でき、また、膜厚の均一性、再現性のよいマグネトロンスパッタリング装置内に取付け、この基板上に厚さ１２５ｎｍの（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2 ）20層１２を形成した。続いて、Ｃｒ4Ｔｅ5 ターゲットを高周波電源で、ＧｅＳｂ2Ｔｅ4 ターゲットを直流電源で同時スパッタして、超解像読み出し膜である（Ｃｒ4Ｔｅ5 ）20（ＧｅＳｂ2Ｔｅ4 ）80膜１３を３０ｎｍ形成した。次に（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2 ）20層１４を２０ｎｍ、Ａｌ97Ｔｉ3 層１５を１００ｎｍの膜厚に順次積層した。その後、この上に接着層１６を介してポリカーボネイト基板１１’を貼りあわせた。
【０２３９】
一般に、薄膜に光を照射すると、薄膜の表面からの反射光と薄膜の裏面からの反射光との重ね合わせにより干渉が生じる。そこで、超解像読み出し用薄膜の反射率の変化を大きくしたい場合には、薄膜に近接して光を反射する「反射層」を設けることにより、干渉の効果を大きくすることができる。なお、光を吸収する吸収層としてもよい。図１のＡｌ97Ｔｉ3 層１５は、この反射層の役割を果たす。
【０２４０】
干渉の効果をより大きくするためには、超解像読み出し用薄膜と反射層の間に「中間層」を設けるのが好ましい。中間層は、超解像読み出し時に超解像読み出し用薄膜と反射層との間で相互拡散が起こるのを防止する作用、及び反射層への熱の逃げを減少させて読み出し感度を高め、また超解像読み出し後に膜を結晶化させる働きがある。図１２の（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2 ）20層１４はこの中間層の作用をする。
【０２４１】
前記超解像読み出し用薄膜１３の少なくとも一方の界面は、他の物質に密着して保護されているのが好ましく、両側の界面が保護されていればさらに好ましい。この保護は、基板により行なってもよいし、基板とは別に形成した保護層により行なってもよい。「保護層」の形成により、超解像読み出し時の薄膜の変形に起因するノイズ増加を防止することができる。図１２の（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20層１２はこの保護層の作用をする。
【０２４２】
超解像読み出し膜１３の厚さは、図１３に示す結晶化状態と非晶質状態の反射率の測定結果より決定した。図２に示されるように、膜厚が３０ｎｍのとき、結晶化状態の反射率が非晶質状態より大きく、結晶化状態と非晶質状態の反射率差が最大になるため、（Ｃｒ4Ｔｅ5 ）20（ＧｅＳｂ2Ｔｅ4 ）80膜１３の膜厚は３０ｎｍに設定した。
【０２４３】
上記のように作製したディスクはまず、次のようにして初期化を行なった。フラッシュ光で、予備結晶化を行なったあとディスクを１８００ｒｐｍで回転させ、半導体レーザの光強度を超解像読み出しが行なわれないレベル（約１ｍＷ）に保ち、記録ヘッド中のレンズで集光して基板１１を通して読み出し膜１３に照射し、反射率を検出することによって、トラッキング用の溝の中心に光スポットの中心が常に一致するようにヘッドを駆動した。このようにトラッキングを行いながら、さらに超解像読み出し膜上に焦点が合うように自動焦点合わせを行い、まず初期結晶化のため、同一トラック上にパワー１１ｍＷの連続レーザ光を５回照射した。この照射パワーは９〜１８ｍＷの範囲でよい。続いて６ｍＷの連続レーザ光を３回照射した。この照射パワーは４〜９ｍＷの範囲でよい。上記２種類の照射は１回以上であればよいが、パワーの高いほうの照射は２回以上がより好ましい。
【０２４４】
高融点成分を含む超解像読み出し膜では、Ｃ／Ｎを良くするためには、初期結晶化を十分に行うことが重要である。このため初期結晶化は低パワーでの照射を重点的に行い、同一トラック上にパワー６ｍＷの連続レーザ光を５００回照射し、続いて１１ｍＷの連続レーザ光を３回、６ｍＷの連続レーザ光を１０回照射した。時間がかかるが、６ｍＷ５００回、１１ｍＷ３回のレーザ照射を数回繰り返すと、さらにＣ／Ｎ及び超解像読み出し可能回数が増加した。
【０２４５】
これらの照射は、半導体レーザアレイで行うか、ガスレーザからの光ビームを複数に分割したもの、あるいは高出力ガスレーザや半導体レーザからの光ビームをディスクの半径方向に長く整形した長円ビームで行うと、ディスクの１回転で全てのトラックに対して同時に行うことも可能である。複数の光スポットを同一トラック上に配置せず、ディスクの半径方行に位置を少しずらして配置すれば、広い範囲をイニシャライズすることができ、消え残りが少なくなるなどの効果がある。
【０２４６】
また、初期化の最後に、溝間にトラッキングを行いながら連続レーザ光を照射する方法で、トラック周辺部も結晶化を行うと、クロストークを２ｄＢ低減することができた。結晶化にあたっては、パワーを６ｍＷにして連続光の照射を行った。
【０２４７】
超解像効果による超解像読み出しの原理は、次の通りである。図８において、３１はレーザ光などの光スポット、３２ａ，３２ｂは基板１の表面に形成された記録マークである。光スポット径は、光強度がそのピーク強度の（１／ｅ2 ）になる位置での光ビームの直径として定義される。記録マークの最小ピッチは、光スポット３１のスポット径よりも小さく設定されている。
【０２４８】
光スポット内の高温領域では、超解像読み出し膜中の少なくとも相変化成分ＧｅＳｂ2Ｔｅ4が融解して、複素屈折率の実数部ｎまたは虚数部ｋの少なくとも一方が低下するため、反射率の低下が起こる。そこで、光スポット３１内には２つの記録マーク３２ａ，３２ｂがあるにもかかわらず、超解像読み出し層１３によって高温領域３５内にある記録マーク３２ｂが隠されるため、実際には記録マーク３２ａのみが検出される。換言すれば、実際の検出範囲３４が、図８のように、光スポット３１の円形の領域からマスクとして働く範囲３３、すなわち光スポット３１と高温領域３５の重複箇所を除いた三日月形の領域となる。こうして、光スポット径より小さい記録マークを超解像読み出しすることが可能となる。
【０２４９】
超解像読み出しを行う部分では、レーザパワーを８ｍＷにして一定に保ち、超解像読み出しを行った。このパワーは、超解像読み出し膜の融点により異なる。超解像読み出し部分を通り過ぎれば、レーザパワーを１ｍＷに下げてトラッキング及び自動焦点合わせを続けた。レーザパワーを１ｍＷに下げることは、マスク層の劣化を防ぐのに効果があった。なお、超解像読み出し中もトラッキング及び自動焦点合わせは継続される。トラッキング及び自動焦点合わせ用レーザパワーＰｔと超解像読み出し用レーザパワーＰｒの関係は次式に示される範囲内で、良好な超解像読み出し特性が得られた。
【０２５０】
Ｐｒ／Ｐｔ≧２
超解像読み出し後、超解像読み出し膜が非晶質化したままになるディスクでは、結晶化しておく必要があった。読み出し後、再び結晶化する膜組成のディスクについては、結晶化は不要であった。
【０２５１】
本実施例の超解像読み出し膜を用いたディスクと超解像読み出し膜を用いないディスクで、異なるサイズのマークを超解像読み出した際のＣ／Ｎを比較したところ、次のように本実施例の超解像読み出し膜を用いたディスクにおいて微小マークの超解像効果がみられた。
【０２５２】
マークサイズ（μｍ）    超解像読み出し        超解像読み出し
膜あり（ｄＢ）        膜なし（ｄＢ）
────────────────────────────────
０．３                  ３０                   −
０．４                  ４３                  ３０
０．５                  ４７                  ３５
０．６                  ４９                  ４０
０．７                  ５０                  ４６
０．８                  ５０                  ５０
保護膜、中間層のうちの少なくとも一者に用いているＺｎＳ−ＳｉＯ2 の代わりにＳｉ−Ｎ系材料，Ｓｉ−Ｏ−Ｎ系材料，ＳｉＯ2 ，ＳｉＯ，ＴｉＯ2 ，Ａｌ2Ｏ3 ，Ｙ2Ｏ3 ，ＣｅＯ，Ｌａ2Ｏ3，Ｉｎ2Ｏ3，ＧｅＯ，ＧｅＯ2，ＰｂＯ，ＳｎＯ，ＳｎＯ2，Ｂｉ2Ｏ3，ＴｅＯ2，ＷＯ2，ＷＯ3，Ｓｃ2Ｏ3，ＺｒＯ2やＴａＮ，ＡｌＮ，ＡｌＳｉＮ2 ，Ｓｉ3Ｎ4などのＡｌ−Ｓｉ−Ｎ系材料などの酸化物や窒化物、ＺｎＳ，Ｓｂ2Ｓ3 ，ＣｄＳ，Ｉｎ2Ｓ3，Ｇａ2Ｓ3，ＧｅＳ，ＳｎＳ2，ＰｂＳ，Ｂｉ2Ｓ3，などの硫化物、ＳｎＳｅ2 ，Ｓｂ2Ｓｅ3 ，ＣｄＳｅ，ＺｎＳｅ，Ｉｎ2Ｓｅ3，Ｇａ2Ｓｅ3，ＧｅＳｅ，ＧｅＳｅ2，ＳｎＳｅ，ＰｂＳｅＢｉ2Ｓｅ3等のセレン化物、ＣｅＦ3，ＭｇＦ2，ＣａＦ2などの弗化物、またはＳｉ，Ｇｅ，ＴｉＢ2 ，Ｂ4Ｃ，Ｂ，Ｃ，またはここで述べたすべての保護膜用材料に近い組成のものを用いてもよい。また、アクリル樹脂、ポリカーボネイト、ポリオレフィン、エポキシ樹脂、ポリイミド、ポリスチレン、ポリエチレン、ポリエチレンテレフタレート、ポリ４フッ化エチレン（テフロン：登録商標）、などのフッ素樹脂などにより形成することができる。ホットメルト接着剤として知られているエチレン−酢酸ビニル共重合体などや、接着剤などでもよい。これらの樹脂の少なくとも１つを主成分とする紫外線硬化樹脂で形成してもよい。有機物の基板で保護層を兼ねてもよい。あるいは、これらの混合材料層または多重層でもよい。中間層を省略した場合には、超解像読み出し感度が約３０％低下し、超解像読み出し可能回数も減少した。中間層の屈折率は、１．７以上２．３以下の範囲で、膜厚は、３ｎｍ以上４００ｎｍ以下の範囲で４８ｄＢ以上のＣ／Ｎが得られた。
【０２５３】
反射層に用いたＡｌ−Ｔｉの代わりにＡｕ，Ａｇ，Ｃｕ，Ｃ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ａｌ，Ｎｉ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｃｒ，Ｔｉ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｗ，Ｔａ，Ｍｏ，Ｓｂの単体、またはこれらを主成分とする合金、化合物、混合物あるいはこれら同志の合金の層、あるいは多重層、これらと酸化物などの他の物質との複合層などを用いてもよい。
【０２５４】
基板として表面に直接トラッキングガイドなどの凹凸を形成したポリカーボネート基板の代わりに、ポリオレフィン、エポキシ、アクリル樹脂、紫外線硬化樹脂層を表面に形成した化学強化ガラスなどを用いてもよい。
【０２５５】
なお、図１３に示した超解像読み出し膜を用いたディスクは片面構造であるが、ポリカーボネイト基板１１’の代わりに１１から１５と同じ構造を２つ作製し、接着層６を介して貼り合わせた両面構造としてもよい。
〔実施例８〕
図１に示したディスクにおいて、超解像読み出し膜の組成を次のように変化させたところ、レーザ光の照射の前後における超解像読み出し膜の消衰係数ｋの変化量△ｋ’が変化した。これらの超解像読み出し膜を備えたディスクに光スポットの直径の約２５％の長さの記録マークを形成し、それを１０5 回超解像読み出した後の再生信号のＣ／Ｎを比較したところ、以下に示すような結果が得られた。
【０２５６】
膜  組  成          消衰係数ｋの変化量    １０5 回超解像読み出し後                                                        の再生信号のＣ／Ｎ
────────────────────────────────────  
(Cr4Te5)80(GeSb2Te4)20      △ｋ’＝  ５％            ３７ｄＢ
(Cr4Te5)60(GeSb2Te4)40      △ｋ’＝１０％            ４２ｄＢ
(Cr4Te5)40(GeSb2Te4)60      △ｋ’＝２０％            ４６ｄＢ
(Cr4Te5)20(GeSb2Te4)80      △ｋ’＝３０％            ４８ｄＢ
この結果より、２０％≦△ｋ’の範囲が好ましいことが分かる。
〔実施例９〕
高融点成分を超解像読み出し膜に入れると、超解像読み出し可能回数が向上した。この時の超解像読み出し膜中の融点の差（Δｍ．ｐ＝高融点成分の融点−相変化成分の融点）による超解像読み出し可能回数の違いを調べた。ここでは相変化成分はＧｅＳｂ2Ｔｅ4 を用いて高融点成分を変化させた。
【０２５７】
高融点成分        Δｍ．ｐ（℃）      超解像読み出し可能回数（回）
──────────────────────────────────
Ｐｔ3Ｓｂ            ５０                  ５×１０5
Ｍｏ3Ｓｂ7         １５０                  １×１０6
ＣｏＳｂ3          ２００                  ２×１０6
Ｃｒ4Ｔｅ5       ≧３００                ≧２×１０6
この結果より、Δｍ．ｐ≧１５０の範囲が好ましいことが分かる。
〔実施例１０〕
実施例７に記載した超解像読みだし膜において、
ＧｅＳｂ2Ｔｅ4 以外の相変化成分としては、下記Ｄ群のうち少なくとも一者、もしくはこれに近い組成あるいは、融点６５０℃以下の化合物、またはそれに近い組成のもの、あるいはこれらの混合組成や混合組成に近い３元以上の化合物のうちの少なくとも一者で置き換えても同様な結果が得られる。
＜Ｄ群＞
Ｓｎ，Ｐｂ，Ｓｂ，Ｔｅ，Ｚｎ，Ｃｄ，Ｓｅ，Ｉｎ，Ｇａ，Ｓ，Ｔｌ，Ｍｇ，Ｔｌ2Ｓｅ，ＴｌＳｅ，Ｔｌ2Ｓｅ3 ，Ｔｌ3Ｔｅ2 ，ＴｌＴｅ，ＩｎＢｉ，Ｉｎ2Ｂ
ｉ，ＴｅＢｉ，Ｔｌ−Ｓｅ，Ｔｌ−Ｔｅ，Ｐｂ−Ｓｎ，Ｂｉ−Ｓｎ，Ｓｅ−Ｔｅ，Ｓ−Ｓｅ，Ｂｉ−Ｇａ，Ｓｎ−Ｚｎ，Ｇａ−Ｓｎ，Ｇａ−Ｉｎ，Ｉｎ3ＳｅＴｅ2 ，ＡｇＩｎＴｅ2 ，ＧｅＳｂ4Ｔｅ7 ，Ｇｅ2Ｓｂ2Ｔｅ5 ，ＧｅＳｂ2Ｔｅ4，ＧｅＢｉ4Ｔｅ7 ，ＧｅＢｉ2Ｔｅ4 ，Ｇｅ3Ｂｉ2Ｔｅ6 ，Ｓｎ2Ｓｂ6Ｓｅ11，Ｓｎ2Ｓｂ2Ｓｅ5 ，ＳｎＳｂ2Ｔｅ4 ，Ｐｂ2Ｓｂ6Ｔｅ11，ＣｕＡｓＳｅ2 ，Ｃｕ3ＡｓＳｅ3 ，ＣｕＳｂＳ2 ，ＣｕＳｂＳｅ2 ，ＩｎＳｅ，Ｓｂ2Ｓｅ3 ，Ｓｂ2Ｔｅ3 ，Ｂｉ2Ｔｅ3 ，ＳｎＳｂ，ＦｅＴｅ，Ｆｅ2Ｔｅ3 ，ＦｅＴｅ2 ，ＺｎＳｂ，Ｚｎ3Ｓｂ2 ，ＶＴｅ2 ，Ｖ5Ｔｅ8 ，ＡｇＩｎ2 ，ＢｉＳｅ，ＩｎＳｂ，Ｉｎ2Ｔｅ，Ｉｎ2Ｔｅ5 ，Ｂａ4Ｔｌ，Ｃｄ11Ｎｄ，Ｂａ13Ｔｌ，Ｃｄ6Ｎｄ，Ｂａ2Ｔｌ。
【０２５８】
Ｃｒ4Ｔｅ5 以外の高融点成分としては、次の化合物、合金、またはそれに近い組成のもの、あるいはこれらの混合組成や混合組成に近い３元以上の化合物のうちの少なくとも一者で置き換えても同様な結果が得られる。
（ａ）相変化成分の融点が４５０〜６５０℃の時
下記Ａ群の化合物、あるいは融点８００℃以上の化合物。
＜Ａ群＞
ＢａＰｄ2 ，ＢａＰｄ5 ，ＮｄＰｄ，ＮｄＰｄ3 ，ＮｄＰｄ5 ，Ｎｄ7Ｐｔ3 ，Ｎｄ3Ｐｔ2 ，ＮｄＰｔ，Ｎｄ3Ｐｔ4 ，ＮｄＰｔ2 ，ＮｄＰｔ5 ，Ｂｉ2Ｎｄ，ＢｉＮｄ，Ｂｉ3Ｎｄ4 ，Ｂｉ3Ｎｄ5 ，ＢｉＮｄ2 ，Ｃｄ2Ｎｄ，ＣｄＮｄ，Ｍｎ2Ｎｄ，Ｍｎ23Ｎｄ6 ，Ｍｎ12Ｎｄ，Ｎｄ5Ｓｂ3 ，Ｎｄ4Ｓｂ3 ，ＮｄＳｂ，ＮｄＳｂ2 ，Ｆｅ2Ｎｄ，Ｆｅ17Ｎｄ2 ，Ｃｓ3Ｇｅ2 ，ＣｓＧｅ，ＣｓＧｅ4 ，Ｎｄ5Ｓｉ3 ，Ｎｄ5Ｓｉ4 ，ＮｄＳｉ，Ｎｄ3Ｓｉ4 ，Ｎｄ2Ｓｉ3，Ｎｄ5Ｓｉ9，Ｃｓ2Ｔｅ，ＮｄＴｅ3 ，Ｎｄ2Ｔｅ5 ，ＮｄＴｅ2 ，Ｎｄ4Ｔｅ7 ，Ｎｄ2Ｔｅ3 ，Ｎｄ3Ｔｅ4 ，ＮｄＴｅ，Ｃｅ3Ｉｒ，Ｃｅ2Ｉｒ，Ｃｅ55Ｉｒ45，ＣｅＩｒ2 ，ＣｅＩｒ3 ，Ｃｅ2Ｉｒ7 ，ＣｅＩｒ5 ，ＣａＰｄ，ＣａＰｄ2 ，ＣａＧｅ，Ｃａ2Ｇｅ，ＧｅＮａ3 ，ＧｅＮａ，ＣａＳｉ2 ，Ｃａ2Ｓｉ，ＣａＳｉ，Ｓｅ2Ｓｒ，Ｓｅ3Ｓｒ2 ，ＳｅＳｒ，ＧｅＳｒ2 ，ＧｅＳｒ，Ｇｅ2Ｓｒ，ＳｎＳｒ，Ｓｎ3Ｓｒ5 ，ＳｎＳｒ2 ，Ｃｅ2Ｔｌ，Ｃｅ5Ｔｌ3 ，ＣｅＴｌ3 ，Ｃｅ3Ｔｌ5，ＣｅＴｌ，ＢａＴｌ，Ｐｄ13Ｔｌ9 ，Ｐｄ2Ｔｌ，Ｐｄ3Ｔｌ，Ｍｇ2Ｓｉ，Ｍｇ2Ｇｅ，ＢａＰｄ2 ，ＢａＰｄ5 ，Ｃｅ4Ｓｅ7 ，Ｃｅ3Ｓｅ4 ，Ｃｅ2Ｓｅ3 ，ＣｅＳｅ，Ｃｅ5Ｇｅ3 ，Ｃｅ4Ｇｅ3，Ｃｅ5Ｇｅ4 ，ＣｅＧｅ，Ｃｅ3Ｇｅ5 ，Ｃｅ5Ｓｉ3 ，Ｃｅ3Ｓｉ2 ，Ｃｅ5Ｓｉ4 ，ＣｅＳｉ，Ｃｅ3Ｓｉ5 ，ＣｅＳｉ2，ＣｅＴｅ3 ，Ｃｅ2Ｔｅ5 ，ＣｅＴｅ2 ，Ｃｅ4Ｔｅ7 ，Ｃｅ3Ｔｅ4 ，ＣｅＴｅ，Ｌａ3Ｓｅ7 ，ＬａＳｅ2 ，Ｌａ4Ｓｅ7 ，Ｌａ2Ｓｅ3 ，Ｌａ3Ｓｅ4 ，ＬａＳｅ，ＧｅＬａ3 ，Ｇｅ3Ｌａ5 ，Ｇｅ3Ｌａ4 ，Ｇｅ4Ｌａ5 ，ＧｅＬａ，Ｇｅ5Ｌａ3 ，ＢａＳｅ2，Ｂａ2Ｓｅ3 ，ＢａＳｅ，ＰｄＳｅ，Ｍｏ3Ｓｅ4 ，ＭｏＳｅ2 ，Ｂａ2Ｇｅ，ＢａＧｅ2 ，ＢａＧｅ，Ｂａ2Ｔｅ3 ，ＢａＴｅ，Ｇｅ2Ｐｄ5 ，ＧｅＰｄ2，Ｇｅ9Ｐｄ25，ＧｅＰｄ，Ｇｅ3Ｐｔ，Ｇｅ3Ｐｔ2 ，ＧｅＰｔ，Ｇｅ2Ｐｔ3 ，ＧｅＰｔ2 ，ＧｅＰｔ3 ，Ｐｕ3Ｓｎ，Ｐｕ5Ｓｎ3 ，Ｐｕ5Ｓｎ4，Ｐｕ8Ｓｎ7 ，Ｐｕ7Ｓｎ8 ，ＰｕＳｎ2 ，ＰｕＳｎ3 ，Ｐｔ5Ｔｅ4 ，Ｐｔ4Ｔｅ5 ，ＰｔＴｅ2 ，ＧｅＮｉ，Ｇｅ3Ｎｉ5 ，Ｇｅ2Ｎｉ5 ，ＧｅＮｉ3 ，ＮｉＴｅ0.85，ＮｉＴｅ0.775，Ｎｉ3±xＴｅx ，Ｃｒ11Ｇｅ19，ＣｒＧｅ，Ｃｒ11Ｇｅ8 ，Ｃｒ5Ｇｅ3 ，Ｃｒ3Ｇｅ，ＣｒＳｉ2 ，Ｃｒ5Ｓｉ3 ，Ｃｒ3Ｓｉ，Ｃｒ5Ｔｅ8 ，Ｃｒ4Ｔｅ5 ，Ｃｒ3Ｔｅ4 ，Ｃｒ1-xＴｅ，Ｇｅ3Ｍｎ5 ，ＧｅＭｎ2 ，Ｍｎ6Ｓｉ，Ｍｎ9Ｓｉ2 ，Ｍｎ3Ｓｉ，Ｍｎ5Ｓｉ2 ，Ｍｎ5Ｓｉ3 ，ＭｎＳｉ，Ｍｎ11Ｓｉ19，Ｍｎ2Ｓｎ，Ｍｎ3.25Ｓｎ，ＭｎＴｅ，Ｔｅ2Ｗ，ＦｅＧｅ2 ，Ｆｅ5Ｇｅ3 ，Ｆｅ3Ｇｅ，Ｆｅ2Ｓｉ，Ｆｅ5Ｓｉ3 ，ＦｅＳｉ，ＦｅＳｉ2 ，Ｇｅ2Ｍｏ，Ｇｅ41Ｍｏ23，Ｇｅ16Ｍｏ9 ，Ｇｅ23Ｍｏ13，Ｇｅ3Ｍｏ5 ，ＧｅＭｏ3，Ｍｏ3Ｓｉ，Ｍｏ5Ｓｉ3 ，ＭｏＳｉ2 ，ＭｏＳｎ，ＭｏＳｎ2 ，Ｍｏ3Ｔｅ4，ＭｏＴｅ2 ，Ｓｉ2Ｔｉ，ＳｉＴｉ，Ｓｉ4Ｔｉ5 ，Ｓｉ3Ｔｉ5 ，ＳｉＴｉ3，Ｓｎ5Ｔｉ6 ，Ｓｎ3Ｔｉ5 ，ＳｎＴｉ2 ，ＳｎＴｉ3 ，ＣｏＧｅ2 ，Ｃｏ5Ｇｅ7 ，ＣｏＧｅ，Ｃｏ5Ｇｅ3 ，Ｃｏ4Ｇｅ，Ｃｏ3Ｔｅ4 ，Ｇｅ7Ｒｅ3 ，Ｒｅ5Ｓｉ3 ，ＲｅＳｉ，ＲｅＳｉ2 ，Ｒｅ2Ｔｅ。
（ｂ）相変化成分の融点が２５０〜４５０℃の時
前記Ａ群または下記Ｂ群の化合物、あるいは融点６００℃以上の化合物。
＜Ｂ群＞
Ｃｓ3Ｇｅ，Ｂａ2Ｔｌ，ＧｅＰｄ3 ，Ｆｅ6Ｇｅ5 ，ＦｅＴｅ2 ，Ｃｏ5Ｇｅ2 ，Ｎｄ3Ｐｄ，Ｃｓ3Ｔｅ2 ，Ｃｅ4Ｉｒ，ＮａＰｄ，Ｃａ9Ｐｄ，Ｃａ3Ｐｄ2 ，Ｃａ2Ｇｅ，Ｓｅ3Ｓｒ，Ｃｅ3Ｔｌ，ＣｅＳｅ2 ，Ｃｅ3Ｇｅ，ＢａＳｅ3 ，ＧｅＳｅ2 ，ＧｅＳｅ，ＢａＴｅ2 ，ＧｅＰｄ5 ，Ｇｅ8Ｍｎ11，ＭｎＴｅ2 ，Ｇｅ3Ｗ2 ，ＦｅＧｅ，Ｆｅ4Ｇｅ3 ，Ｆｅ3Ｓｎ，Ｆｅ3Ｓｎ2 ，ＦｅＳｎ，ＣｏＴｅ2。
（ｃ）相変化成分の融点が２５０℃以下の時
前記Ａ群、Ｂ群または下記Ｃ群の化合物、あるいは融点４００℃以上の化合物。
＜Ｃ群＞
Ｂａ4Ｔｌ，ＣｓＴｅ，Ｂａ4Ｔｌ，Ｂａ13Ｔｌ，Ｃｄ11Ｎｄ，Ｃｄ6Ｎｄ，Ｃｓ5Ｔｅ4 ，Ｃａ3Ｐｄ，Ｃａ5Ｐｄ2 ，Ｓｎ3Ｓｒ，Ｂａ13Ｔｌ，ＰｄＴｌ2，ＦｅＳｅ2 ，ＦｅＳｅ，Ｃｒ2Ｔｅ3 ，ＣｒＴｅ3 ，ＦｅＳｎ2 。
〔実施例１１〕
超解像読み出し膜において、上記高融点成分と上記相変化成分の組合せではＣｒ4Ｔｅ5 とＧｅＳｂ2Ｔｅ4 のように、それぞれの成分に同じ元素が存在する組みあわせが超解像読み出し特性が良好であった。ただし、同じ元素の量が多すぎると両方の成分の融点の差がでなくなるため、同じ元素の量は成分中の８０原子％以下が好ましかった。また、量が少ないとアパーチャー部分における両成分の屈折率が等しくならない場合が多く、３０原子％以上が好ましかった。
〔実施例１２〕
超解像読み出し膜中の相変化成分としてＧｅＳｂ2Ｔｅ4を、高融点成分としてＣｒ4Ｔｅ5を用い、高融点成分含有量（原子％）を変化させてＣ／Ｎと超解像読み出し可能回数を調べたところ、次のような結果が得られた。
【０２５９】
高融点成分含有量（原子％）      超解像読み出し可能回数（回）
───────────────────────────────
５                        ６×１０5
１０                        １×１０6
２０                        ２×１０6
≧３０                      ≧２×１０6
高融点成分含有量（％）          Ｃ／Ｎ（ｄＢ）
─────────────────────────
≦３０                        ≧４８
４０                          ４８
５０                          ４６
６０                          ４２
この結果より、高融点成分含有量は１０〜５０％の範囲が好ましく、２０〜４０％の範囲がより好ましいことがわかる。
【０２６０】
高融点成分中で酸化物、硫化物、窒化物、炭化物の含有量は高融点成分の５０％未満とするのが好ましく、２０％未満とするのが特に好ましい。これらの含有量が多いと相変化成分との複素屈折率の差を小さくできなかったり、相変化成分中に酸素等が拡散して超解像読み出し特性を劣化させたりする問題を生じやすい。
〔実施例１３〕
超解像読み出し膜材料により、超解像読み出し膜の融点が異なるため、相変化成分の組成を変えて最適超解像読み出しパワーを調べたところ、次のようになった。高融点成分としてはＣｒ4Ｔｅ5を用いた。  
【０２６１】
膜中の相変化成分の組成      膜の融点（℃）  超解像読み出しパワー（ｍＷ）
────────────────────────────────────
Ｓｎ75Ｚｎ25                ２５０                  ３
Ｉｎ2Ｔｅ5                  ４５０                  ６
Ｇｅ2Ｓｂ2Ｔｅ5             ６５０                  ８
超解像読み出し膜の融点が低い方が、超解像読み出し時のパワーが低くて済み、好ましい。
〔実施例１４〕
回転数一定の場合、ディスクの内周と外周では線速が異なる。５インチディスクでは、線速は５．７〜１１．３ｍ／ｓまで変化するため、これに対応して内周では２０ｎｍ、外周では４０ｎｍになるように超解像読み出し膜厚を変化させたところ、光スポットのうちマスクされない領域の幅が内周ほど小さくなり、内周、外周の両方において、Ｃ／Ｎ４８ｄＢという良好な超解像読み出し特性を得た。また、内周から外周に向かってＧｅＳｂＴｅ系のＧｅＳｂ2Ｔｅ4 あるいはＧｅ2Ｓｂ2Ｔｅ5 組成からのずれ量を少なくしたところ、外周へいくほど結晶化速度が早くなるため、線速対応が容易になり、内周、外周の両方において、Ｃ／Ｎ４８ｄＢという良好な超解像読み出し特性を得た。
〔実施例１５〕
図１４に、超解像読み出し用装置の超解像読み出し系のブロック図を示す。超解像読み出し指令４２を受けて、光ヘッド５０からレーザ照射が行われ、光ディスク５１から戻ってきた反射光を再び光ヘッド５０で検出する。
【０２６２】
レーザ光として連続光を用いる場合は図の（ａ）の系統とし、パルス光を用いる場合にはパルス化回路４３を組み込んで（ｂ）の系統とする。パルス光の同期はアドレス部、フラグ部検出４５を通して行う。
【０２６３】
良好な超解像読み出し特性を得るために、レーザパワー設定回路４７はトラッキング及び自動焦点合わせ用レーザパワーＰｔと超解像読み出し用レーザパワーＰｒの関係を次式のように保つ。
【０２６４】
Ｐｒ／Ｐｔ≧２
また、超解像読み出し用膜の最高温度となる領域でも膜全体が融解しないで高融点成分は固相に留まるようにするため、レーザパワー照射時には戻り光の反射光強度分布の乱れを光強度分布解析回路４８で検出解析し、乱れの大きさに応じてレーザパワーを調節できる回路をレーザパワー設定回路４７に組み込んだ。これにより、超解像読み出し用膜の劣化が起こりにくくなった。
【０２６５】
ここで、光強度分布の乱れとは、光強度分布の乱れの時間的変動、すなわち各検出器出力の比の時間的変動のことである。光強度分布の乱れは１次元的、または２次元的に配列した２個以上の検出器が記録媒体面にほぼ平行に配置されたものを用い、各検出器の出力を光強度分布解析回路４８に接続して検出した。
【０２６６】
超解像読み出し用膜の劣化を防ぐため、超解像読み出しレーザ光をパルス光とした。このとき、レーザスポット径（λ／ＮＡ）とアパーチャーのトラック方向の中心部の長さａの比（ａ：λ／ＮＡ）を１／３〜１／２にでき、微小マークを持つディスクで、０．４λ／ＮＡ≦ｖＴの範囲ではスポットが３０％以上重なるため、パルス化の効果が少なく、ｖＴ≦１．５λ／ＮＡの範囲ではマークを読み飛ばしてしまうことがわかった。
【０２６７】
そこで、マークの超解像読み出しを確実に行うため、下式を満たすための回路を、図１４のパルス化回路４３に組み込んだ。
【０２６８】
０．４λ／ＮＡ≦ｖＴ≦１．５λ／ＮＡ
０．３ｋ≦ｘ／Ｔ≦０．５ｋ
その結果、Ｃ／Ｎ４６ｄＢを得ることができた。ｋは比例定数で、図７の構造のディスクにおいてレーザパワー８ｍＷ，線速８ｍ／ｓの時、ｋ＝１であった。さらに、下式を満たすと、Ｃ／Ｎが２ｄＢ向上した。
【０２６９】
０．５λ／ＮＡ≦ｖＴ≦０．９λ／ＮＡ
０．３ｋ≦ｘ／Ｔ≦０．５ｋ
〔実施例１６〕
図９は、本発明の超解像読み出し膜を用いた読み書き可能ディスクの構造断面図の一例を示したものである。本実施例では、前記一般式（８）の平均組成を有する超解像読み出し膜を用いた。
【０２７０】
まず、直径１３ｃｍ、厚さ１．２ｍｍのポリカーボネイト基板を形成した。次に、この基板を複数のターゲットを備え順次積層膜を形成でき、また、膜厚の均一性、再現性のよいマグネトロンスパッタリング装置内に取付け、この上に厚さ１２５ｎｍの（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2 ）20層を形成した。続いて、（Ｓｎ3Ｚｎ）80（ＳｎＴｉ2 ）20膜を３０ｎｍ、（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2 ）20層，（Ｃｒ4Ｔｅ5 ）20（ＧｅＳｂ2Ｔｅ4 ）80膜を３０ｎｍ形成した。次に（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2 ）20層を２０ｎｍ、Ａｌ−Ｔｉ層を１００ｎｍ，順次積層した。その後、この上に接着層を介してポリカーボネイト基板を貼りあわせた。このディスクは片面のみ使用できるが、同じ構造のものを２つ作製し、接着層ではりあわせた両面構造としても良い。
【０２７１】
超解像読み出しを行う部分では、レーザパワーを３ｍＷにして、超解像読み出しを行った。このパワーは、超解像読み出し膜の融点により異なる。超解像読み出し部分を通り過ぎれば、レーザパワーを１ｍＷに下げてトラッキング及び自動焦点合わせを続けた。なお、超解像読み出し中もトラッキング及び自動焦点合わせは継続される。
【０２７２】
超解像読み出し後、超解像読み出し膜は再び結晶化するため、結晶化は不要であった。
〔実施例１７〕
前記実施例１６の図９に示した（Ｓｎ3Ｚｎ）80（ＳｎＴｉ2 ）20よりなる超解像読み出し膜において、Ｚｎの含有量を一定に保ちながらＳｎとＴｉの含有量を変化させたると、超解像読み出し可能回数及び１０5 回超解像読み出し後の再生信号のＣ／Ｎは、次のように変化した。
【０２７３】
組    成                  超解像読み出し可能回数
───────────────────────────
Ｓｎ55Ｚｎ20Ｔｉ25              ＞２×１０6 回
Ｓｎ67Ｚｎ20Ｔｉ13                ２×１０6 回
Ｓｎ75Ｚｎ20Ｔｉ5                 １×１０6 回
Ｓｎ80Ｚｎ20                      ５×１０5 回
組    成                １０5 回超解像読み出し後の再生信号のＣ／Ｎ
────────────────────────────────────  
Ｓｎ25Ｚｎ20Ｔｉ55                        ４４ｄＢ
Ｓｎ30Ｚｎ20Ｔｉ50                        ４６ｄＢ
Ｓｎ40Ｚｎ20Ｔｉ40                        ４８ｄＢ
Ｓｎ55Ｚｎ20Ｔｉ25                        ５０ｄＢ
これより、前記一般式（８）におけるｅ，ｆの範囲は３０≦ｅ≦９５、５≦ｆ≦５０が好ましく、４０≦ｅ≦８７、１３≦ｆ≦４０がより好ましいことがわかる。
【０２７４】
さらに、前記の（Ｓｎ3Ｚｎ）80（ＳｎＴｉ2 ）20よりなる超解像読み出し膜２６において、Ｓｎ，Ｚｎ，Ｔｉの含有量を一定に保ちながらＴｌを添加し、その含有量を次のように変化させた場合、１０5 回超解像読み出し後の再生信号のＣ／Ｎは、次のように変化した。
【０２７５】
Ｔｌ含有量            １０5 回超解像読み出し後の再生信号のＣ／Ｎ
──────────────────────────────────
ｇ＝０    ％                          ４６ｄＢ
ｇ＝１０  ％                          ４８ｄＢ
ｇ＝２０  ％                          ４６ｄＢ
ｇ＝２５  ％                          ４３ｄＢ
これより、前記一般式（８）におけるｇの範囲は０≦ｇ≦２０が好ましく、０≦ｇ≦１０がより好ましいことがわかる。
【０２７６】
また、前記Ｄ、Ｄ’（前記Ｄが上記Ｓｎ，ＺｎのようにＤ，Ｄ’２元素の場合）、Ｅ、Ｆの組合せにおいて、Ｄ−Ｅ、Ｅ−Ｆ、Ｄ’−Ｅの組合せからできる高融点成分が共晶点をもたないか、共晶点をもっていてもＤ、Ｄ−Ｄ’の融点より１５０℃以上融点が高いのが好ましかった。
〔実施例１８〕
前記実施例１６のＳｎ−Ｚｎ−Ｔｉよりなる超解像読み出し膜を、前記一般式（８）で表される平均組成の材料、Ｐｂ−Ｓｅ，Ｐｂ−Ｃｅ，Ｐｂ−Ｌａ，Ｐｂ−Ｐｔ，Ｐｂ−Ｓｉ，Ｓｎ−Ｓｂ，Ｓｎ−Ｓｅ，Ｓｎ−Ｃｏ，Ｓｎ−Ｃｕ，Ｓｎ−Ｎｉ，Ｓｎ−Ｐｔ，Ｂｉ−Ｔｅ，Ｂｉ−Ｓｅ，Ｂｉ−Ｃｅ，Ｂｉ−Ｃｕ，Ｂｉ−Ｃｄ，Ｂｉ−Ｐｔ，Ｚｎ−Ｎｉ，Ｚｎ−Ｐｔ，Ｚｎ−Ｌａ，Ｚｎ−Ｃｅ，Ｇａ−Ｃｒ，Ｇａ−Ｃｕ，Ｇａ−Ｎｉ，Ｇａ−Ｌａ，Ｇａ−Ｐｔ，Ｇａ−Ｃｅ，Ｉｎ−Ｓｅ，Ｉｎ−Ｓｂ，Ｉｎ−Ｔｅ，Ｉｎ−Ａｓ，Ｉｎ−Ｍｎ，Ｉｎ−Ｎｉ，Ｉｎ−Ａｇ，Ｐｂ−Ｓｎ−Ｓｅ，Ｐｂ−Ｓｎ−Ｃｅ，Ｐｂ−Ｓｎ−Ｌａ，Ｐｂ−Ｓｎ−Ｐｔ，Ｐｂ−Ｓｎ−Ｓｉ，Ｐｂ−Ｓｎ−Ｓｂ，Ｐｂ−Ｓｎ−Ｃｏ，Ｐｂ−Ｓｎ−Ｃｕ，Ｐｂ−Ｓｎ−Ｎｉ，Ｓｎ−Ｂｉ−Ｓｂ，Ｓｎ−Ｂｉ−Ｓｅ，Ｓｎ−Ｂｉ−Ｃｏ，Ｓｎ−Ｂｉ−Ｃｕ，Ｓｎ−Ｂｉ−Ｎｉ，Ｓｎ−Ｂｉ−Ｐｔ，Ｓｎ−Ｂｉ−Ｔｅ，Ｓｎ−Ｂｉ−Ｃｅ，Ｓｎ−Ｂｉ−Ｃｄ，Ｚｎ−Ｓｎ−Ｓｂ，Ｚｎ−Ｓｎ−Ｓｅ，Ｚｎ−Ｓｎ−Ｃｏ，Ｚｎ−Ｓｎ−Ｃｕ，Ｚｎ−Ｓｎ−Ｎｉ，Ｚｎ−Ｓｎ−Ｐｔ，Ｚｎ−Ｓｎ−Ｎｉ，Ｚｎ−Ｓｎ−Ｌａ，Ｚｎ−Ｓｎ−Ｃｅ，Ｓｎ−Ｇａ−Ｓｂ，Ｓｎ−Ｇａ−Ｓｅ，Ｓｎ−Ｇａ−Ｃｏ，Ｓｂ−Ｇａ−Ｃｕ，Ｓｎ−Ｇａ−Ｎｉ，Ｓｎ−Ｇａ−Ｐｔ，Ｓｎ−Ｇａ−Ｃｒ，Ｓｎ−Ｇａ−Ｌａ，Ｓｎ−Ｇａ−Ｃｅ，Ｂｉ−Ｇａ−Ｔｅ，Ｂｉ−Ｇａ−Ｓｅ，Ｂｉ−Ｇａ−Ｃｕ，Ｂｉ−Ｇａ−Ｃｄ，Ｂｉ−Ｇａ−Ｐｔ，Ｂｉ−Ｇａ−Ｃｒ，Ｂｉ−Ｇａ−Ｎｉ，Ｂｉ−Ｇａ−Ｌａ，Ｂｉ−Ｇａ−Ｃｅ，Ｉｎ−Ｇａ−Ｃｒ，Ｉｎ−Ｇａ−Ｃｕ，Ｉｎ−Ｇａ−Ｎｉ，Ｉｎ−Ｇａ−Ｌａ，Ｉｎ−Ｇａ−Ｐｔ，Ｉｎ−Ｇａ−Ｃｅ，Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｅ，Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｂ，Ｉｎ−Ｇａ−Ｔｅ，Ｉｎ−Ｇａ−Ａｓ，Ｉｎ−Ｇａ−Ｍｎ，Ｉｎ−Ｇａ−Ａｇ，Ｉｎ−Ｂｉ−Ｔｅ，Ｉｎ−Ｂｉ−Ｓｅ，Ｉｎ−Ｂｉ−Ｃｕ，Ｉｎ−Ｂｉ−Ｃｄ，Ｉｎ−Ｂｉ−Ｐｔ，Ｉｎ−Ｂｉ−Ｓｂ，Ｉｎ−Ｂｉ−Ａｓ，Ｉｎ−Ｂｉ−Ｍｎ，Ｉｎ−Ｂｉ−Ｎｉ，Ｉｎ−Ｂｉ−Ａｇ，Ｉｎ−Ｂｉ−Ｃｅ，などに変更しても同様の結果が得られた。
〔実施例１９〕
前記実施例１６の（Ｓｎ3Ｚｎ）80（ＳｎＴｉ2 ）20よりなる超解像読み出し膜を、前記一般式（１１）で表される平均組成の材料、例えばＳｅ51Ｉｎ40Ｃｒ9 （高融点成分Ｃｒ3Ｓｅ4；、相変化成分；ＩｎＳｅ）などに変更しても同様の結果が得られる。ただし、読み出し可能回数が２×１０6 回以上、１０5 回超解像読み出し後の再生信号のＣ／Ｎが４６ｄＢ以上となる前記一般式（１１）中のｐ，ｑ．ｒ，ｓの範囲は、４０≦ｐ≦９５、０≦ｑ≦５５、５≦ｒ≦５０、０≦ｓ≦２０であった。Ｃ／Ｎが４８ｄＢ以上となるより好ましい範囲は、５０≦ｐ≦８０、０≦ｑ≦４０、１０≦ｒ≦４０、０≦ｓ≦１０であった。また、この組成は、相変化記録膜２８としても使用できた。超解像読み出し膜を用いない記録媒体の相変化記録膜としても使用できる。
〔実施例２０〕
前記実施例１９のＳｅ−Ｉｎ−Ｃｒよりなる超解像読み出し膜を、前記一般式（２）で表される平均組成の材料、Ｓｅ−Ｉｎ−Ｓｉ，Ｓｅ−Ｉｎ−Ａｇ，Ｓｅ−Ｉｎ−Ａｌ，Ｓｅ−Ｉｎ−Ｂａ，Ｓｅ−Ｉｎ−Ｃａ，Ｓｅ−Ｉｎ−Ｃｄ，Ｓｅ−Ｉｎ−Ｃｏ，Ｓｅ−Ｉｎ−Ｃｕ，Ｓｅ−Ｉｎ−Ｍｇ，Ｓｅ−Ｉｎ−Ｍｎ，Ｓｅ−Ｉｎ−Ｍｏ，Ｓｅ−Ｉｎ−Ｎｉ，Ｓｅ−Ｉｎ−Ｐｄ，Ｓｅ−Ｉｎ−Ｐｔ，Ｓｅ−Ｉｎ−Ｔａ，Ｓｅ−Ｉｎ−Ｔｉ，Ｓｅ−Ｉｎ−Ｖ，Ｓｅ−Ｉｎ−Ｗ，Ｓｅ−Ｉｎ−Ｙ，Ｓｅ−Ｉｎ−Ｐｂ，Ｓｅ−Ｓｂ−Ｓｉ，Ｓｅ−Ｓｂ−Ａｇ，Ｓｅ−Ｓｂ−Ａｌ，Ｓｅ−Ｓｂ−Ｂａ，Ｓｅ−Ｓｂ−Ｃａ，Ｓｅ−Ｓｂ−Ｃｄ，Ｓｅ−Ｓｂ−Ｃｏ，Ｓｅ−Ｓｂ−Ｃｒ，Ｓｅ−Ｓｂ−Ｃｕ，Ｓｅ−Ｓｂ−Ｍｇ，Ｓｅ−Ｓｂ−Ｍｎ，Ｓｅ−Ｓｂ−Ｍｏ，Ｓｅ−Ｓｂ−Ｎｉ，Ｓｅ−Ｓｂ−Ｐｄ，Ｓｅ−Ｓｂ−Ｐｔ，Ｓｅ−Ｓｂ−Ｔａ，Ｓｅ−Ｓｂ−Ｔｉ，Ｓｅ−Ｓｂ−Ｖ，Ｓｅ−Ｓｂ−Ｗ，Ｓｅ−Ｓｂ−Ｙ，Ｓｅ−Ｓｂ−Ｐｂ，Ｓｅ−Ｂｉ−Ｓｉ，Ｓｅ−Ｂｉ−Ａｇ
，Ｓｅ−Ｂｉ−Ａｌ，Ｓｅ−Ｂｉ−Ｂａ，Ｓｅ−Ｂｉ−Ｃａ，Ｓｅ−Ｂｉ−Ｃｄ，Ｓｅ−Ｂｉ−Ｃｏ，Ｓｅ−Ｂｉ−Ｃｒ，Ｓｅ−Ｂｉ−Ｃｕ，Ｓｅ−Ｂｉ−Ｍｇ，Ｓｅ−Ｂｉ−Ｍｎ，Ｓｅ−Ｂｉ−Ｍｏ，Ｓｅ−Ｂｉ−Ｎｉ，Ｓｅ−Ｂｉ−Ｐｄ，Ｓｅ−Ｂｉ−Ｐｔ，Ｓｅ−Ｂｉ−Ｔａ，Ｓｅ−Ｂｉ−Ｔｉ，Ｓｅ−Ｂｉ−Ｖ，Ｓｅ−Ｂｉ−Ｗ，Ｓｅ−Ｂｉ−Ｙ，Ｓｅ−Ｂｉ−Ｐｂ，Ｓｅ−Ｔｅ−Ｓｉ，Ｓｅ−Ｔｅ−Ａｇ，Ｓｅ−Ｔｅ−Ａｌ，Ｓｅ−Ｔｅ−Ｂａ，Ｓｅ−Ｔｅ−Ｃａ，Ｓｅ−Ｔｅ−Ｃｄ，Ｓｅ−Ｔｅ−Ｃｏ，Ｓｅ−Ｔｅ−Ｃｒ，Ｓｅ−Ｔｅ−Ｃｕ，Ｓｅ−Ｔｅ−Ｍｇ，Ｓｅ−Ｔｅ−Ｍｎ，Ｓｅ−Ｔｅ−Ｍｏ，Ｓｅ−Ｔｅ−Ｎｉ，Ｓｅ−Ｔｅ−Ｐｄ，Ｓｅ−Ｔｅ−Ｐｔ，Ｓｅ−Ｔｅ−Ｔａ，Ｓｅ−Ｔｅ−Ｔｉ，Ｓｅ−Ｔｅ−Ｖ，Ｓｅ−Ｔｅ−Ｗ，Ｓｅ−Ｔｅ−Ｙ，Ｓｅ−Ｔｅ−Ｐｂ，Ｓｅ−Ａｕ−Ｓｉ，Ｓｅ−Ａｕ−Ａｇ，Ｓｅ−Ａｕ−Ａｌ，Ｓｅ−Ａｕ−Ｂａ，Ｓｅ−Ａｕ−Ｃａ，Ｓｅ−Ａｕ−Ｃｄ，Ｓｅ−Ａｕ−Ｃｏ，Ｓｅ−Ａｕ−Ｃｒ，Ｓｅ−Ａｕ−Ｃｕ，Ｓｅ−Ａｕ−Ｍｇ，Ｓｅ−Ａｕ−Ｍｎ，Ｓｅ−Ａｕ−Ｍｏ，Ｓｅ−Ａｕ−Ｎｉ，Ｓｅ−Ａｕ−Ｐｄ，Ｓｅ−Ａｕ−Ｐｔ，Ｓｅ−Ａｕ−Ｔａ，Ｓｅ−Ａｕ−Ｔｉ，Ｓｅ−Ａｕ−Ｖ，Ｓｅ−Ａｕ−Ｗ，Ｓｅ−Ａｕ−Ｙ，Ｓｅ−Ａｕ−Ｐｂ，Ｓｅ−Ｂ−Ｓｉ，Ｓｅ−Ｂ−Ａｇ，Ｓｅ−Ｂ−Ａｌ，Ｓｅ−Ｂ−Ｂａ，Ｓｅ−Ｂ−Ｃａ，Ｓｅ−Ｂ−Ｃｄ，Ｓｅ−Ｂ−Ｃｏ，Ｓｅ−Ｂ−Ｃｒ，Ｓｅ−Ｂ−Ｃｕ，Ｓｅ−Ｂ−Ｍｇ，Ｓｅ−Ｂ−Ｍｎ，Ｓｅ−Ｂ−Ｍｏ，Ｓｅ−Ｂ−Ｎｉ，Ｓｅ−Ｂ−Ｐｄ，Ｓｅ−Ｂ−Ｐｔ，Ｓｅ−Ｂ−Ｔａ，Ｓｅ−Ｂ−Ｔｉ，Ｓｅ−Ｂ−Ｖ，Ｓｅ−Ｂ−Ｗ，Ｓｅ−Ｂ−Ｙ，Ｓｅ−Ｂ−Ｐｂ，Ｓｅ−Ｃｓ−Ｓｉ，Ｓｅ−Ｃｓ−Ａｇ，Ｓｅ−Ｃｓ−Ａｌ，Ｓｅ−Ｃｓ−Ｂａ，Ｓｅ−Ｃｓ−Ｃａ，Ｓｅ−Ｃｓ−Ｃｄ，Ｓｅ−Ｃｓ−Ｃｏ，Ｓｅ−Ｃｓ−Ｃｒ，Ｓｅ−Ｃｓ−Ｃｕ，Ｓｅ−Ｃｓ−Ｍｇ，Ｓｅ−Ｃｓ−Ｍｎ，Ｓｅ−Ｃｓ−Ｍｏ，Ｓｅ−Ｃｓ−Ｎｉ，Ｓｅ−Ｃｓ−Ｐｄ，Ｓｅ−Ｃｓ−Ｐｔ，Ｓｅ−Ｃｓ−Ｔａ，Ｓｅ−Ｃｓ−Ｔｉ，Ｓｅ−Ｃｓ−Ｖ，Ｓｅ−Ｃｓ−Ｗ，Ｓｅ−Ｃｓ−Ｙ，Ｓｅ−Ｃｓ−Ｐｂ，Ｓｅ−Ｓｎ−Ｓｉ，Ｓｅ−Ｓｎ−Ａｇ，Ｓｅ−Ｓｎ−Ａｌ，Ｓｅ−Ｓｎ−Ｂａ，Ｓｅ−Ｓｎ−Ｃａ，Ｓｅ−Ｓｎ−Ｃｄ，Ｓｅ−Ｓｎ−Ｃｏ，Ｓｅ−Ｓｎ−Ｃｒ，Ｓｅ−Ｓｎ−Ｃｕ，Ｓｅ−Ｓｎ−Ｍｇ，Ｓｅ−Ｓｎ−Ｍｎ，Ｓｅ−Ｓｎ−Ｍｏ，Ｓｅ−Ｓｎ−Ｎｉ，Ｓｅ−Ｓｎ−Ｐｄ，Ｓｅ−Ｓｎ−Ｐｔ，Ｓｅ−Ｓｎ−Ｔａ，Ｓｅ−Ｓｎ−Ｔｉ，Ｓｅ−Ｓｎ−Ｖ，Ｓｅ−Ｓｎ−Ｗ，Ｓｅ−Ｓｎ−Ｙ，Ｓｅ−Ｓｎ−Ｐｂ，Ｓｅ−Ｔｌ−Ｓｉ，Ｓｅ−Ｔｌ−Ａｇ，Ｓｅ−Ｔｌ−Ａｌ，Ｓｅ−Ｔｌ−Ｂａ，Ｓｅ−Ｔｌ−Ｃａ，Ｓｅ−Ｔｌ−Ｃｄ，Ｓｅ−Ｔｌ−Ｃｏ，Ｓｅ−Ｔｌ−Ｃｒ，Ｓｅ−Ｔｌ−Ｃｕ，Ｓｅ−Ｔｌ−Ｍｇ，Ｓｅ−Ｔｌ−Ｍｎ，Ｓｅ−Ｔｌ−Ｍｏ，Ｓｅ−Ｔｌ−Ｎｉ，Ｓｅ−Ｔｌ−Ｐｄ，Ｓｅ−Ｔｌ−Ｐｔ，Ｓｅ−Ｔｌ−Ｔａ，Ｓｅ−Ｔｌ−Ｔｉ，Ｓｅ−Ｔｌ−Ｖ，Ｓｅ−Ｔｌ−Ｗ，Ｓｅ−Ｔｌ−Ｙ，Ｓｅ−Ｔｌ−Ｐｂ，Ｓｅ−Ｓ−Ｓｉ，Ｓｅ−Ｓ−Ａｇ，Ｓｅ−Ｓ−Ａｌ，Ｓｅ−Ｓ−Ｂａ，Ｓｅ−Ｓ−Ｃａ，Ｓｅ−Ｓ−Ｃｄ，Ｓｅ−Ｓ−Ｃｏ，Ｓｅ−Ｓ−Ｃｒ，Ｓｅ−Ｓ−Ｃｕ，Ｓｅ−Ｓ−Ｍｇ，Ｓｅ−Ｓ−Ｍｎ，Ｓｅ−Ｓ−Ｍｏ，Ｓｅ−Ｓ−Ｎｉ，Ｓｅ−Ｓ−Ｐｄ，Ｓｅ−Ｓ−Ｐｔ，Ｓｅ−Ｓ−Ｔａ，Ｓｅ−Ｓ−Ｔｉ，Ｓｅ−Ｓ−Ｖ，Ｓｅ−Ｓ−Ｗ，Ｓｅ−Ｓ−Ｙ，Ｓｅ−Ｓ−Ｐｂ，Ｓｅ−Ｇｅ−Ｓｉ，Ｓｅ−Ｇｅ−Ａｇ，Ｓｅ−Ｇｅ−Ａｌ，Ｓｅ−Ｇｅ−Ｂａ，Ｓｅ−Ｇｅ−Ｃａ，Ｓｅ−Ｇｅ−Ｃｄ，Ｓｅ−Ｇｅ−Ｃｏ，Ｓｅ−Ｇｅ−Ｃｒ，Ｓｅ−Ｇｅ−Ｃｕ，Ｓｅ−Ｇｅ−Ｍｇ，Ｓｅ−Ｇｅ−Ｍｎ，Ｓｅ−Ｇｅ−Ｍｏ，Ｓｅ−Ｇｅ−Ｎｉ，Ｓｅ−Ｇｅ−Ｐｄ，Ｓｅ−Ｇｅ−Ｐｔ，Ｓｅ−Ｇｅ−Ｔａ，Ｓｅ−Ｇｅ−Ｔｉ，Ｓｅ−Ｇｅ−Ｖ，Ｓｅ−Ｇｅ−Ｗ，Ｓｅ−Ｇｅ−Ｙ，Ｓｅ−Ｇｅ−Ｐｂ，Ｓｅ−Ｆｅ−Ｓｉ，Ｓｅ−Ｆｅ−Ａｇ，Ｓｅ−Ｆｅ−Ａｌ，Ｓｅ−Ｆｅ−Ｂａ，Ｓｅ−Ｆｅ−Ｃａ，Ｓｅ−Ｆｅ−Ｃｄ，Ｓｅ−Ｆｅ−Ｃｏ，Ｓｅ−Ｆｅ−Ｃｒ，Ｓｅ−Ｆｅ−Ｃｕ，Ｓｅ−Ｆｅ−Ｍｇ，Ｓｅ−Ｆｅ−Ｍｎ，Ｓｅ−Ｆｅ−Ｍｏ，Ｓｅ−Ｆｅ−Ｎｉ，Ｓｅ−Ｆｅ−Ｐｄ，Ｓｅ−Ｆｅ−Ｐｔ，Ｓｅ−Ｆｅ−Ｔａ，Ｓｅ−Ｆｅ−Ｔｉ，Ｓｅ−Ｆｅ−Ｖ，Ｓｅ−Ｆｅ−Ｗ，Ｓｅ−Ｆｅ−Ｙ，Ｓｅ−Ｆｅ−Ｐｂ，Ｓｅ−Ｚｎ−Ｓｉ，Ｓｅ−Ｚｎ−Ａｇ，Ｓｅ−Ｚｎ−Ａｌ，Ｓｅ−Ｚｎ−Ｂａ，Ｓｅ−Ｚｎ−Ｃａ，Ｓｅ−Ｚｎ−Ｃｄ，Ｓｅ−Ｚｎ−Ｃｏ，Ｓｅ−Ｚｎ−Ｃｒ，Ｓｅ−Ｚｎ−Ｃｕ，Ｓｅ−Ｚｎ−Ｍｇ，Ｓｅ−Ｚｎ−Ｍｎ，Ｓｅ−Ｚｎ−Ｍｏ，Ｓｅ−Ｚｎ−Ｎｉ，Ｓｅ−Ｚｎ−Ｐｄ，Ｓｅ−Ｚｎ−Ｐｔ，Ｓｅ−Ｚｎ−Ｔａ，Ｓｅ−Ｚｎ−Ｔｉ，Ｓｅ−Ｚｎ−Ｖ，Ｓｅ−Ｚｎ−Ｗ，Ｓｅ−Ｚｎ−Ｙ，Ｓｅ−Ｚｎ−Ｐｂ，などに変更しても同様の結果が得られた。
〔実施例２１〕
図７は、基板の表面に凹凸のビットで情報が刻まれた再生専用のディスク状情報記録媒体の断面を示す。
【０２７７】
このディスク状媒体は、基板の表面にビットが形成されていること、および記録膜をマスク層１３，１３’として用いた点が、実施例１のディスク状媒体と異なっているのみであり、他の構成は同じである。
【０２７８】
すなわち、表面に情報ビットを有するポリカーボネート基板１１，１１’の上に、膜厚約１２５ｎｍの（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20膜よりなる保護層１２，１２’がそれぞれ形成され、保護層１２，１２’の上には順に、平均膜厚３ｎｍの島状のＡｇ2Ｔｅ膜（図示せず）と、膜厚約３０ｎｍの
（（Ａｇ2Ｔｅ）30（Ｓｅ80−Ｔｅ20）70すなわちＡｇ20Ｔｅ24Ｓｅ56の組成のマスク層１３，１３’と、膜厚約２５ｎｍの（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20膜よりなる中間層１４，１４’と、膜厚８０ｎｍのＡｌ97Ｔｉ3膜よりなる反射層１５，１５’が、それぞれ形成されている。反射層１５，１５’同士は、塩化ビニル・酢酸ビニル系ホットメルト接着剤層１６によって貼り合わされている。読み出し用のレーザ光は、基板側から入射される。  マスク層１３，１３’の中には、実施例１と同様の形態（図１参照）で高融点成分Ａｇ2Ｔｅが析出しており、その残成分（図１における相変化成分３ａに相当するもの）は（Ｓｅ80−Ｔｅ20）である。
（高融点成分の他の例）
マスク層１３，１３’中に析出した高融点成分としては、Ａｇ2Ｔｅ以外に、実施例１および３で述べたものを用いることができる。島状のＡｇ2Ｔｅ膜の形成は省略してもよい。
（高融点成分析出後の残成分の他の例）
高融点成分以外の残成分であるＳｅ80−Ｔｅ20の一部または全部を
Ｓｎ，Ｐｂ，Ｓｂ，Ｂｉ，Ｔｅ，Ｚｎ，Ｃｄ，Ｓｅ，Ｉｎ，Ｇａ，Ｓ，Ｔｌ，
Ｍｇ，Ｔｌ2Ｓｅ，ＴｌＳｅ，Ｔｌ2Ｓｅ3，Ｔｌ3Ｔｅ2，ＴｌＴｅ，ＩｎＢｉ，Ｉｎ2Ｂｉ，ＴｅＢｉ，Ｔｌ−Ｓｅ，Ｔｌ−Ｔｅ，Ｐｂ−Ｓｎ，Ｂｉ−Ｓｎ，
Ｓｅ−Ｔｅ，Ｓ−Ｓｅ，Ｂｉ−Ｇａ，Ｓｎ−Ｚｎ，Ｇａ−Ｓｎ，Ｇａ−Ｉｎ，
Ｉｎ3ＳｅＴｅ2，ＡｇＩｎＴｅ2，ＧｅＳｂ4Ｔｅ7，Ｇｅ2Ｓｂ2Ｔｅ5，
ＧｅＳｂ2Ｔｅ4，ＧｅＢ4Ｔｅ7，ＧｅＢｉ2Ｔｅ4，Ｇｅ3Ｂｉ2Ｔｅ6，
Ｓｎ2Ｓｂ6Ｓｅ11，Ｓｎ2Ｓｂ2Ｓｅ5，ＳｎＳｂ2Ｔｅ4，Ｐｂ2Ｓｂ6Ｔｅ11，
ＣｕＡｓＳｅ2，Ｃｕ3ＡｓＳｅ3，ＣｕＳｂＳ2，ＣｕＳｂＳｅ2，ＩｎＳｅ，
Ｓｂ2Ｓｅ3，Ｓｂ2Ｔｅ3，Ｂｉ2Ｔｅ3，ＳｎＳｂ，ＦｅＴｅ，Ｆｅ2Ｔｅ3，
ＦｅＴｅ2，ＺｎＳｂ，Ｚｎ3Ｓｂ2，ＶＴｅ2，Ｖ5Ｔｅ8，ＡｇＩｎ2，
ＢｉＳｅ，ＩｎＳｂ，Ｉｎ2Ｔｅ，Ｉｎ2Ｔｅ5
のうちの少なくとも一者を主成分とする材料、あるいはそれに近い組成の材料で置き換えても、近い特性が得られる。
【０２７９】
この残成分は、融点が６５０゜Ｃ以下である金属、化合物または合金が好ましい。
【０２８０】
また、超解像読みだしにおいて、各層の膜厚を変えれば、図１４とは逆に光スポット内の斜線部以外の領域だけをマスクすることもできる。
【０２８１】
残成分の融点が２５０゜Ｃ以下の場合、高融点成分の融点は４５０゜Ｃ以上であれば、これに近い特性が得られる。
【０２８２】
光スポット３１の直径の約２５％の長さの記録マークが形成されている場合、レーザ光の照射の前後におけるマスク層１３，１３’の消衰係数ｋの変化量△ｋ
’が変化すると、１０5回読み出した後の再生信号のＣ／Ｎは、次のように変化した。
【０２８３】
１０5回読み出し後の再生信号のＣ／Ｎ
△ｋ’＝  ５％            ３７ｄＢ
△ｋ’＝１０％            ４２ｄＢ
△ｋ’＝２０％            ４６ｄＢ
△ｋ’＝３０％            ４８ｄＢ
この結果より、２０％≦△ｋ’の範囲が好ましいことが分かった。
【０２８４】
高融点成分の析出後の残成分の融点（ｍ．ｐ．）が変化した場合、１０5回読み出した後の再生信号のＣ／Ｎは、次のように変化した。
【０２８５】
１０5回読み出しの後の再生信号のＣ／Ｎ
ｍ．ｐ．＝１００゜Ｃ        ４９ｄＢ
ｍ．ｐ．＝２５０゜Ｃ        ４８ｄＢ
ｍ．ｐ．＝４００゜Ｃ        ４７ｄＢ
ｍ．ｐ．＝６５０゜Ｃ        ４６ｄＢ
ｍ．ｐ．＝７００゜Ｃ        ４０ｄＢ
ｍ．ｐ．＝７５０゜Ｃ        ３３ｄＢ
この結果より、高融点成分析出後の残成分の融点は、６５０゜Ｃ以下が好ましく、２５０゜Ｃ以下がより好ましいことが分かった。
〔実施例２２〕
図９は、実施例１の相変化型の情報記録媒体に実施例４と同様のマスク層を設けることによって、情報の再生時に「超解像効果」を利用できるようにした情報記録媒体の一例である。
【０２８６】
このディスク状媒体は、記録膜の構成が異なる以外は実施例１の情報記録媒体と同じ構成を持つ。すなわち、実施例１と同様のポリカーボネート基板１，１’の上に、（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20膜よりなる保護層２，２’がそれぞれ形成され、保護層２，２’の上には順に、記録膜３，３’と（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20膜よりなる中間層４，４’とＡｌ97Ｔｉ3膜よりなる反射層５，５’とが、それぞれ形成されている。反射層５，５’同士は、接着剤層６によって貼り合わされている。
【０２８７】
記録膜３’は、基板１’側から順に配置されたマスク層、誘電体層および記録層から構成されている。記録膜３も記録膜３’と同じ構成である。
【０２８８】
マスク層は、実施例２１と同じ
（（Ａｇ2Ｔｅ）30（Ｓｅ80−Ｔｅ20）70すなわちＡｇ20Ｔｅ24Ｓｅ56の組成を持ち、実施例２１と同じマスク機能を有している。誘電体層は（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20膜により形成されている。記録層としては、実施例１の記録膜３，３’と同じものの他、任意の相変化型の記録層を使用できる。
【０２８９】
長さ０．４μｍの記録マークを０．８μｍ周期で形成した場合、得られた再生信号のＣ／Ｎは４６ｄＢ以上、消去比は２５ｄＢ以上であった。
【０２９０】
このマスク層は、この発明の情報記録用薄膜以外の従来の相変化によって記録を行な情報記録媒体や、光磁気ディスクなどの相変化以外の記録原理による情報記録媒体においても同様な効果を持つ。
【０２９１】
この実施例で述べていない点については、実施例１と同様である。
〔実施例２３〕
この実施例のディスク状情報記録媒体は、図示していないが、実施例１の図３に示したのとほぼ同じ構成であり、実施例１のＡｌ−Ｔｉ反射層１，１’に代えて、記録膜３，３’のような高融点成分を含む層を反射層として用いている点のみが異なる。
【０２９２】
反射層中の高融点成分については、実施例１と同様である。
【０２９３】
反射層中の高融点成分が析出した後の残成分については、融点が６５０゜Ｃ以下である金属、化合物または合金が好ましく、且つ、複素屈折率の実数部ｎまたは虚数部（消衰係数）ｋがレーザ光の照射によって２０％以上変化し、また実数部ｎおよび虚数部ｋが高いときに反射率Ｒが６０％以上となるのが好ましい。
【０２９４】
反射層として、膜厚８０ｎｍの（ＬａＢｉ）30Ｂｉ70層を用いた場合、読み出し時の超解像効果が得られ、長さ０．４μｍ の記録マークを０．８μｍ周期で書いた場合、得られた再生信号のＣ／Ｎは４６ｄＢ以上、消去比は２５ｄＢ以上であった。なお、（ＬａＢｉ）30Ｂｉ70層では、高融点成分はＬａＢｉであり、
相変化成分はＢｉである。
【０２９５】
超解像効果が得られる原理は、次の通りである。図８に示すように、光スポット３１内の高温領域３５では、反射層中の少なくとも相変化成分Ｂｉが融解して、複素屈折率の実数部ｎまたは虚数部ｋの少なくとも一方が低下するため、図８のマスクとして働く範囲３３での反射光が弱くなる。このため、範囲３３からの反射光は、記録膜に対して読み取りのための充分なコントラストを提供できなくなる。
【０２９６】
一方、結晶化した固体状態の低温領域では、高温領域に比べて複素屈折率の実数部ｎまたは虚数部ｋの少なくとも一方が大きいため、読み取りのための充分なコントラストを提供できる。
【０２９７】
その結果、検出範囲３４が図８のような三日月形になり、光スポット３１の直径以下の周期で高密度記録された記録マーク３２を確実に読み出すことが可能となる。
【０２９８】
各層の膜厚を変えれば、検出範囲３４の大きさを変えることもできる。
（残成分の他の例）
高融点成分ＬａＢｉの残成分であるＢiの一部または全部を
Ｓｎ，Ｐｂ，Ｓｂ，Ｔｅ，Ｚｎ，Ｃｄ，Ｓｅ，Ｉｎ，Ｇａ，Ｓ，Ｔｌ，Ｍｇ，
Ｔｌ2Ｓｅ，ＴｌＳｅ，Ｔｌ2Ｓｅ3，Ｔｌ3Ｔｅ2，ＴｌＴｅ，ＩｎＢｉ，
Ｉｎ2Ｂｉ,ＴｅＢｉ，Ｔｌ−Ｓｅ，Ｔｌ−Ｔｅ，Ｐｂ−Ｓｎ，Ｂｉ−Ｓｎ，
Ｓｅ−Ｔｅ，Ｓ−Ｓｅ，Ｂｉ−Ｇａ，Ｓｎ−Ｚｎ，Ｇａ−Ｓｎ，Ｇａ−Ｉｎ，
Ｉｎ3ＳｅＴｅ2，ＡｇＩｎＴｅ2，ＧｅＳｂ4Ｔｅ7，Ｇｅ2Ｓｂ2Ｔｅ5，
ＧｅＳｂ2Ｔｅ4，ＧｅＢｉ4Ｔｅ7，ＧｅＢｉ2Ｔｅ4，Ｇｅ3Ｂｉ2Ｔｅ6，
Ｓｎ2Ｓｂ6Ｓｅ11，Ｓｎ2Ｓｂ2Ｓｅ5，ＳｎＳｂ2Ｔｅ4，Ｐｂ2Ｓｂ6Ｔｅ11，
ＣｕＡｓＳｅ2，Ｃｕ3ＡｓＳｅ3，ＣｕＳｂＳ2，ＣｕＳｂＳｅ2，ＩｎＳｅ，
Ｓｂ2Ｓｅ3，Ｓｂ2Ｔｅ3，Ｂｉ2Ｔｅ3，ＳｎＳｂ，ＦｅＴｅ，Ｆｅ2Ｔｅ3，
ＦｅＴｅ2，ＺｎＳｂ，Ｚｎ3Ｓｂ2，ＶＴｅ2，Ｖ5Ｔｅ8，ＡｇＩｎ2，
ＢｉＳｅ，ＩｎＳｂ，Ｉｎ2Ｔｅ，Ｉｎ2Ｔｅ5，
などのうちの少なくとも一つを主成分とする材料で置き換えても、近い特性が得られる。
【０２９９】
残成分の融点が３５０゜Ｃ以下の場合、高融点化合物の融点は４５０゜Ｃ以上であれば、前記の場合に近い特性が得られる。
（その他）
この実施例の反射層は、本発明の記録用薄膜を用いない従来の相変化によって記録を行なう光記録媒体や、光磁気記録媒体などの他の記録原理による媒体にも適用可能である。
【０３００】
ここで述べていない事項については、実施例１と同様である。
【図面の簡単な説明】
【０３０１】
【図１】この発明の情報記録媒体の実施例の記録用薄膜の部分断面図で、（ａ）は粒状の高融点成分が析出したもの、（ｂ）は柱状の高融点成分が析出したもの、（ｃ）は多孔質の高融点成分が析出したものを示す。
【図２】この発明の情報記録媒体の実施例の部分断面図で、（ａ）は（ｂ）のＤ−Ｄ線に沿った断面図、（ｂ）はその情報記録媒体の部分断面図である。
【図３】この発明の情報記録媒体の実施例の全体断面図である。
【図４】記録用薄膜中に析出した高融点成分の寸法の測定法を説明する部分断面図で、（ａ）は粒状の高融点成分について、（ｂ）（ｃ）は柱状の高融点成分について示している。
【図５】この発明の情報記録媒体の実施例を示す、図２（ａ）と同様の部分断面図である。
【図６】この発明の情報記録用薄膜の記録層の実施例の三角相図である。
【図７】この発明の情報記録媒体の他の実施例の全体断面図である。
【図８】超解像効果の原理を説明するための図である。
【図９】この発明の情報記録媒体のさらに他の実施例の全体断面図である。
【図１０】この発明の情報記録用薄膜の記録層の実施例４の三角相図である。
【図１１】この発明の情報記録用薄膜の記録層の実施例５の三角相図である。
【図１２】本発明による超解像読み出しディスクの断面構造の一例を示す図。
【図１３】超解像読み出し膜の膜厚と反射率の関係を示す図。
【図１４】超解像読み出し装置のブロック図。
【符号の説明】
【０３０２】
１，１’…基板、２，２’…保護層、３，３’…記録膜、３ａ…相変化成分、３ｂ…高融点成分、４，４’…中間層、５，５’…反射層、６…接着剤層、１１，１１’…基板、１２，１２’…保護層、１３，１３’…記録膜、１４，１４’…中間層、１５，１５’…反射層、１６…接着剤層、３２ａ，３２ｂ…記録マーク、３３…マスクとして働く範囲、３４…検出範囲、３５…高温領域。
【図１】
2004268587.tif 000003
【図２】
2004268587.tif 000004
【図３】
2004268587.tif 000005
【図４】
2004268587.tif 000006
【図５】
2004268587.tif 000007
【図６】
2004268587.tif 000008
【図７】
2004268587.tif 000009
【図８】
2004268587.tif 000010
【図９】
2004268587.tif 000011
【図１０】
2004268587.tif 000012
【図１１】
2004268587.tif 000013
【図１２】
2004268587.tif 000014
【図１３】
2004268587.tif 000015
【図１４】
2004268587.tif 000016
【手続補正書】
【提出日】平成16年3月15日(2004.3.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に形成された、エネルギービームの照射を受けて生じる原子配列変化によって情報を記録する記録膜とを有し、
前記記録膜は
（ＧｅａＳｂｂＴｅｃ）１−ｄＸｄ
で表わされ、
前記ＸはＣｒ、Ａｇ，Ｃｕ，Ｂａ，Ｃｏ，Ｌａ，Ｎｉ，Ｐｔ，ＳｉおよびＳｒの少なくとも一つの元素であり、
前記ａは、０．２５以上０．５２以下であり、
前記ｂは、０．１６以下であり、
前記ｃは、０．３７以上０．６０以下であり、
更に、前記記録膜は、ＬａＳｂ，ＣｒＳｂ，ＣｏＳｂ，Ｃｒ3Ｔｅ4，ＬａＴｅ3，Ｃｒ4Ｔｅ5，Ｃｒ2Ｔｅ3，Ｃｒ3Ｔｅ4，ＣｏＴｅ，Ｃｏ3Ｔｅ4，Ｃｕ2Ｔｅ，ＣｕＴｅ，Ｃｕ3Ｓｂ，ＭｎＴｅ，ＭｎＴｅ2，Ｍｎ2Ｓｂの何れかの高融点化合物が添加されていることを特徴とする情報記録媒体。