(57)【要約】【課題】レーザアブレーション現象による薄膜除去の際に発生するパーティクルの基板表面への付着を抑える。【解決手段】ウエハステージ１と、ウエハステージ１上に載置されたウエハＷの上面（表面）にレーザ光を照射するためのレーザ照射系２とが備えられている。ウエハステージ１には、ウエハＷを水平なＸ−Ｙ平面内で移動させるためのＸＹ駆動機構１２が結合されていて、ウエハＷを移動させることにより、レーザ照射系２からのレーザ光でウエハＷの表面をスキャンすることができるようになっている。ウエハＷの表面の薄膜除去対象領域Ａをスリット形状のレーザ光でＸ軸方向に往復スキャンすることにより、その薄膜除去対象領域Ａからレジスト膜や反射防止膜などの薄膜が除去される。【選択図】　　　　図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の表面に形成されている薄膜を除去する薄膜除去装置であって、
基板の表面にスリット形状のレーザ光を照射するレーザ光照射手段と、
このレーザ光照射手段からのレーザ光と基板とを相対的に移動させて、上記レーザ光照射手段からのレーザ光を基板の表面でスキャンさせるスキャン手段と
を含むことを特徴とする薄膜除去装置。
【請求項２】
上記スキャン手段は、基板の表面の薄膜を除去すべき薄膜除去対象領域内で、レーザ光を予め定める方向にスキャンさせた後、その方向とは反対方向にレーザ光をスキャンさせるものであることを特徴とする請求項１記載の薄膜除去装置。
【請求項３】
上記レーザ光照射手段からのレーザ光が上記基板表面に形成するスリット形状のレーザ照射領域の長手方向に対して、ほぼ直交する方向の流体の流れを基板の表面上に形成するための流体供給手段をさらに含むことを特徴とする請求項１または２記載の薄膜除去装置。
【請求項４】
基板の表面に形成されている薄膜を除去する方法であって、
基板の表面の薄膜を除去すべき薄膜除去対象領域をスリット形状のレーザ光でスキャンして、その薄膜除去対象領域の薄膜をレーザアブレーション現象で除去することを特徴とする薄膜除去方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、基板の表面にレーザ光を照射して、その基板の表面に形成されている薄膜を除去する薄膜除去装置および薄膜除去方法に関する。薄膜除去の対象となる基板には、たとえば、半導体ウエハ、液晶表示装置用ガラス基板、プラズマディスプレイ用ガラス基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板などが含まれる。
【０００２】
【従来の技術】
たとえば、多層構造の半導体装置の製造プロセスでは、フォトリソグラフィ工程が繰り返されて、半導体ウエハ（以下、単に「ウエハ」という。）上に、パターニングされた配線層や絶縁層が積層形成されていく。各層間における位置関係を適切にするためには、フォトリソグラフィ工程中の露光処理時におけるウエハのアライメント（位置決め）が重要になる。
【０００３】
ウエハのアライメントは、たとえば、ウエハ上に形成されているアライメントマークをＣＣＤカメラで検出し、その検出結果に基づいて、ウエハの位置を調整することにより達成される。このような手法では、ウエハの表面にレジスト膜や反射防止膜などの薄膜が形成されていると、ＣＣＤカメラによるアライメントマークの検出精度が低くなり、結果として、ウエハのアライメントの精度が低くなってしまう。したがって、ウエハのアライメントに際しては、アライメントマーク上の薄膜を局所的に除去する必要がある。
【０００４】
アライメントマーク上の薄膜を除去するための装置として、最近、レーザアブレーション現象を利用した薄膜除去装置が注目されている。この種の薄膜除去装置では、たとえば、アライメントマーク上の一定の領域にレーザ光が一括照射される。すると、そのレーザ光が照射された領域で薄膜が爆発的に気化するアブレーション現象が生じ、その結果、レーザ光が照射された領域の薄膜が除去される（たとえば、特許文献１参照）。
【０００５】
【特許文献１】
特開平１０−１１３７７９号公報
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、レーザアブレーション現象により薄膜を除去する場合、そのレーザアブレーション現象が生じた領域（レーザ光が照射された領域）から薄膜の気化物が飛散し、これがパーティクルとなって、その領域の周囲に付着するという問題があった。
そこで、この発明の目的は、レーザアブレーション現象による薄膜除去の際に発生するパーティクルの基板表面への付着が少ない薄膜除去装置および薄膜除去方法を提供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段および発明の効果】
上記の目的を達成するための請求項１記載の発明は、基板（Ｗ）の表面に形成されている薄膜を除去する薄膜除去装置であって、基板の表面にスリット形状のレーザ光を照射するレーザ光照射手段（２）と、このレーザ光照射手段からのレーザ光と基板とを相対的に移動させて、上記レーザ光照射手段からのレーザ光を基板の表面でスキャンさせるスキャン手段（１２，５）とを含むことを特徴とする薄膜除去装置である。ここで、スリット形状のレーザ光とは、基板の表面にスリット形状（細長の帯状）のレーザ照射領域（光像）を形成するレーザ光をいう。
【０００８】
なお、括弧内の英数字は、後述の実施形態における対応構成要素等を表す。以下、この項において同じ。
この発明によれば、基板の表面をスリット形状のレーザ光でスキャンすることにより、そのレーザ光が照射された領域からレジスト膜や反射防止膜などの薄膜をレーザアブレーション現象で除去することができる。
レーザ光照射手段から照射されるレーザ光がパルスレーザ光であれば、基板の表面の薄膜を除去すべき領域（薄膜除去対象領域）がスリット形状のパルスレーザ光の照射領域に分割されて、各分割領域の薄膜がパルスレーザ光の照射によって順に除去されていくことになる。
【０００９】
各分割領域（スリット形状のパルスレーザ光の照射領域）は幅が狭いので、各分割領域でレーザアブレーション現象によって発生し、その長手方向に飛散する薄膜の気化物の量は、薄膜除去対象領域にレーザ光を一括照射した場合に同方向に飛散する薄膜気化物の量に比べて大幅に少ない。また、各分割領域は薄膜除去対象領域よりも小さく、各分割領域で発生する薄膜気化物の量は薄膜除去対象領域にレーザ光を一括照射した場合に発生する薄膜気化物の量に比べて大幅に少ないから、各分割領域からその幅狭方向に飛散する薄膜気化物の量も、薄膜除去対象領域にレーザ光を一括照射した場合に同方向に飛散する薄膜気化物の量に比べて大幅に少ない。よって、上記の発明によれば、薄膜除去対象領域にレーザ光を一括照射した場合に比べて、薄膜除去対象領域の周囲へのパーティクルの付着量を大幅に低減することができ、薄膜除去後の基板の清浄度の向上を図ることができる。
【００１０】
なお、この請求項１の発明において、上記スキャン手段は、上記レーザ光照射手段からのレーザ光が上記基板表面に形成するスリット形状のレーザ照射領域の長手方向と直交する方向にレーザ光をスキャンさせるものであってもよい。このようにすれば、たとえレーザ照射位置のスキャン方向下流側の基板表面にパーティクルが付着しても、その後、パーティクルの付着した領域にレーザ光が照射されることにより、その付着したパーティクルをレーザアブレーション現象によって薄膜とともに除去することができる。
【００１１】
請求項２記載の発明は、上記スキャン手段は、基板の表面の薄膜を除去すべき薄膜除去対象領域（Ａ）内で、レーザ光を予め定める方向にスキャンさせた後、その方向とは反対方向にレーザ光をスキャンさせるものであることを特徴とする請求項１記載の薄膜除去装置である。
この発明によれば、予め定める方向へのレーザ光のスキャン時に基板の表面に付着したパーティクルを、予め定める方向とは反対方向にレーザ光をスキャンさせる過程でレーザアブレーション現象によって除去することができる。
【００１２】
なお、この請求項２の発明において、上記スキャン手段は、上記予め定める方向とは反対方向へのレーザ光のスキャンの際に、上記予め定める方向へのレーザ光のスキャン開始位置を超えてレーザ光をスキャンさせるものであってもよい。このようにすれば、スキャン開始位置にレーザ光を照射した際に、スキャン開始位置から上記予め定める方向とは反対方向へ薄膜の気化物が飛散して、基板の表面にパーティクルが付着しても、予め定める方向とは反対方向へのレーザ光のスキャンの際に、その付着したパーティクルをレーザアブレーション現象によって除去することができる。
【００１３】
なお、上記予め定める方向とは反対方向へのレーザ光のスキャン時には、予め定める方向へのレーザ光のスキャン時よりもレーザ光の出力（エネルギー密度）を下げてもよい。
請求項３記載の発明は、上記レーザ光照射手段からのレーザ光が上記基板表面に形成するスリット形状のレーザ照射領域の長手方向に対して、ほぼ直交する方向の流体の流れを基板の表面上に形成するための流体供給手段（３）をさらに含むことを特徴とする請求項１または２記載の薄膜除去装置である。
【００１４】
この発明によれば、レーザ光の長手方向にほぼ直交する方向（レーザ光の幅狭方向）のうちの一方（流体の流れの上流側）への薄膜気化物の飛散を抑制することができる。
請求項４記載の発明は、基板の表面に形成されている薄膜を除去する方法であって、基板の表面の薄膜を除去すべき薄膜除去対象領域をスリット形状のレーザ光でスキャンして、その薄膜除去対象領域の薄膜をレーザアブレーション現象で除去することを特徴とする薄膜除去方法である。
【００１５】
この方法によれば、請求項１に関連して述べた効果と同様な効果を奏することができる。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下では、この発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図１は、この発明の一実施形態に係る薄膜除去装置の構成を概念的に示す図である。この薄膜除去装置は、たとえば、半導体製造工程中の露光処理に先立ち、基板の一例であるウエハＷの表面に形成されているレジスト膜や反射防止膜などの薄膜を局所的に除去して、その下層に設けられたアライメントマークを露出させるために用いられるものであり、ほぼ水平なウエハ載置面１１を有するウエハステージ１と、ウエハステージ１のウエハ載置面１１上に載置されたウエハＷの上面（表面）にレーザ光を照射するためのレーザ照射系２とを備えている。
【００１７】
ウエハステージ１には、このウエハステージ１を水平なＸ−Ｙ平面内で移動させるためのＸＹ駆動機構１２が結合されている。ウエハステージ１のウエハ載置面１１にウエハＷを載置した状態でＸＹ駆動機構１２を動作させることにより、ウエハ載置面１１上に載置されたウエハＷをウエハステージ１ごとＸ−Ｙ軸方向に移動させることができ、このウエハＷのＸ−Ｙ軸方向の移動によって、ウエハＷの上面に対するレーザ照射系２からのレーザ光の照射位置を変えることができる。
【００１８】
レーザ照射系２には、パルスレーザ光を発振するレーザ発振器２１と、レーザ光を拡大する拡大光学系２２と、拡大光学系２２で拡大されたレーザ光の断面形状をスリット形状（幅狭な長方形状）に整形するマスク２３と、このマスク２３で整形されたスリット形状のレーザ光を集光して、ウエハステージ１上のウエハＷの表面に導くための縮小光学系２４とが含まれている。
レーザ発振器２１は、波長が０．４μｍ以下のレーザ光（たとえば、エキシマレーザ光、ＹＡＧレーザ光など）をパルス発振する。レーザ発振器２１からのパルスレーザ光は、たとえば、ほぼ鉛直上方に向けて進み、反射ミラー２５で光路がほぼ水平方向に曲げられた後、拡大光学系２２に入射し、この拡大光学系２２で予め定める拡大倍率で拡大される。拡大光学系２２で拡大されたレーザ光は、ほぼ水平方向に進み、反射ミラー２６で光路がほぼ鉛直下向きに曲げられて、ウエハステージ１上のウエハＷとほぼ平行に配置されたマスク２３の上面に照射される。マスク２３には、レーザ光が照射される位置（レーザ光の光路上）にスリット２３１が形成されていて、上面に照射されたレーザ光の一部がスリット２３１を通過することにより、レーザ光は、その断面形状がスリット２３１に対応した形状（スリット形状）に整形される。マスク２３でスリット形状に整形されたレーザ光は、縮小光学系２４により予め定める縮小倍率で集光され、ウエハステージ１上に載置されたウエハＷの上面に入射する。その結果、たとえば、ウエハＷの上面のＹ軸方向に長いスリット形状の領域（たとえば、３μｍ×８５μｍの領域）にレーザ光が照射される。言い換えれば、ウエハＷの上面に、Ｙ軸方向に長いスリット形状の光像（レーザ像）が形成される。
【００１９】
また、ウエハステージ１の上方には、ウエハＷの上面に水（純水）を供給するためのノズル３が配置されている。ノズル３からウエハＷの上面に供給される水は、たとえば、図１における右向きを水平なＸ−Ｙ平面におけるＸ軸の正方向とすると、ウエハＷ上をＸ軸の負方向に流れる水流を形成する。そして、ウエハ載置面１１から所定の間隔だけ上方に離れた位置には、たとえば、石英からなる透明板４がウエハ載置面１１とほぼ平行に配置されており、透明板４は、ウエハＷ上に形成される水流（水膜）に接触して、水流の高さをウエハ載置面１１と透明板４の下面との間隔（上記所定の間隔）に規制するようになっている。これにより、ウエハＷ上には、透明板４の下面に接触した一定の厚さの水流層が形成され、レーザ照射系２からのレーザ光は、透明板４および水流層を通して、ウエハＷの上面に照射されることになる。
【００２０】
この薄膜除去装置はさらに、マイクロコンピュータを含む構成の制御装置５を備えている。制御装置５は、レーザ発振器２１を制御して、レーザ照射系２からのスリット形状のレーザ光をウエハＷの上面に照射させる一方で、ＸＹ駆動機構１２を制御して、ウエハＷをウエハステージ１ごとＸ軸方向に移動させる。これにより、ウエハＷの上面をスリット形状のレーザ光がＸ軸方向に移動（スキャン）し、この結果、ウエハＷの上面の矩形状の領域にレーザ光が照射されて、そのレーザ光が照射された矩形状の領域からレジスト膜や反射防止膜などの薄膜が除去される。
【００２１】
図２は、この薄膜除去装置の動作の一例を説明するための図である。この薄膜除去装置の動作を、たとえば、Ｘ軸方向の幅が１６０μｍでＹ軸方向の幅が８５μｍの長方形状の薄膜除去対象領域Ａから薄膜を除去する場合を例にとって説明する。
薄膜除去の対象となるウエハＷは、図示しないロボットアームによって搬入されてきて、その表面を上に向けて、ウエハステージ１のウエハ載置面１１上に載置される。ウエハＷが載置されると、まず、制御装置５によってＸＹ駆動機構１２が制御されて、レーザ照射系２からのレーザ光が薄膜除去対象領域ＡのＸ軸負方向側の端部から所定距離Ｄ（たとえば、５〜２０μｍ）だけ離れた位置に照射されるように、ウエハＷの位置が調整される。
【００２２】
ウエハＷの位置調整後、ノズル３からウエハＷの表面への水の供給が開始されて、ウエハＷ上にＸ軸の負方向に流れる水流が形成される。つづいて、制御装置５によってレーザ発振器２１が制御されて、レーザ照射系２からウエハＷの表面へのパルスレーザ光の照射が開始される。パルスレーザ光は、レーザ発振器２１から一定の周波数ｆ（たとえば、５０Ｈｚ）で繰り返し発振される。これにより、薄膜除去対象領域ＡのＸ軸負方向側の端部から所定距離Ｄだけ離れた位置に、たとえば、３μｍ×８５μｍのスリット形状のパルスレーザ光が繰り返し照射される。パルスレーザ光が照射される領域Ａ１では、パルスレーザ光が照射される度にレーザアブレーション現象が生じ、このレーザアブレーション現象によって薄膜が除去されていく。
【００２３】
所定数（所定のパルス数）のパルスレーザ光がウエハＷの表面に照射されると、制御装置５によってＸＹ駆動機構１２が制御されて、ウエハＷの位置がスリット形状のパルスレーザ光のＸ軸方向の幅に等しい距離だけＸ軸の負方向に移動される。すなわち、レーザ照射系２からウエハＷの表面に３μｍ×８５μｍのスリット形状のパルスレーザ光が照射される場合、ウエハＷをＸ軸の負方向に３μｍだけ移動させる。その結果、ウエハＷの表面に対するパルスレーザ光の照射領域が、それまでのレーザ光照射領域のＸ軸正方向に隣接する領域に移動し、その新たなレーザ光照射領域の薄膜が除去されていく。以後、同様にして、所定数のパルスレーザ光がウエハＷの表面に照射される度に、パルスレーザ光の照射領域がＸ軸正方向に隣接する領域に移動されていく。
【００２４】
パルスレーザ光の照射領域が薄膜除去対象領域ＡのＸ軸正方向側の端部に達し、その領域に所定数のパルスレーザ光が照射されると、パルスレーザ光の照射領域の移動方向がそれまでとは逆方向に変えられる。すなわち、制御装置５によってＸＹ駆動機構１２が制御されて、ウエハＷの位置がスリット形状のパルスレーザ光のＸ軸方向の幅に等しい距離だけＸ軸の負方向に移動されることにより、ウエハＷの表面に対するパルスレーザ光の照射領域が、それまでのレーザ光照射領域のＸ軸負方向に隣接する領域に移動される。この後は、所定数のパルスレーザ光がウエハＷの表面に照射される度に、パルスレーザ光の照射領域がＸ軸負方向に隣接する領域に移動されていく。そして、パルスレーザ光の照射領域が薄膜除去対象領域ＡのＸ軸負方向側の端部に達し、その領域に所定数のパルスレーザ光が照射されると、ウエハＷの表面の薄膜除去対象領域Ａから薄膜がきれいに除去された状態となり、この薄膜除去のための加工工程が終了する。薄膜除去対象領域Ａから薄膜が除去されたウエハＷは、ノズル３からウエハＷへの水の供給が停止された後、ロボットアームによってウエハステージ１上から搬出されていく。
【００２５】
以上のように、ウエハＷの表面の薄膜除去対象領域Ａをスリット形状のレーザ光でスキャンすることにより、その薄膜除去対象領域Ａからレジスト膜や反射防止膜などの薄膜が除去される。言い換えれば、薄膜除去対象領域Ａがスリット形状のパルスレーザ光の照射領域に分割されて、各分割領域の薄膜がパルスレーザ光の照射によって順に除去されていく。そして、レーザ光によるスキャンが行われている間、ウエハＷ上には、Ｘ軸の負方向に流れる水流が形成される。
【００２６】
各分割領域（スリット形状のパルスレーザ光の照射領域）はＸ軸方向の幅が狭いので、各分割領域で発生してＹ軸方向に飛散する薄膜の気化物の量は、薄膜除去対象領域Ａにレーザ光を一括照射した場合にＹ軸方向に飛散する薄膜気化物の量に比べて大幅に少ない。また、各分割領域は薄膜除去対象領域Ａよりもかなり小さく、各分割領域で発生する薄膜気化物の量は薄膜除去対象領域Ａにレーザ光を一括照射した場合に発生する薄膜気化物の量に比べて大幅に少ないから、各分割領域からＸ軸方向に飛散する薄膜気化物の量も、薄膜除去対象領域Ａにレーザ光を一括照射した場合にＸ軸方向に飛散する薄膜気化物の量に比べて大幅に少ない。とくに、Ｘ軸の正方向への薄膜気化物の飛散は、ウエハＷ上をＸ軸負方向に流れる水流によって抑制される。よって、この実施形態によれば、薄膜除去対象領域Ａにレーザ光を一括照射した場合に比べて、薄膜除去対象領域Ａの周囲へのパーティクルの付着量を大幅に低減することができ、薄膜除去後のウエハＷの清浄度を向上することができる。
【００２７】
また、たとえ各分割領域のＸ軸正方向の外方にパーティクルが付着しても、そのパーティクルは、薄膜除去対象領域Ａをスリット形状のレーザ光がＸ軸正方向にスキャンしていく過程で、レーザアブレーション現象によって薄膜とともに除去することができる。
さらに、ウエハＷ上を流れる水流の影響などで、各分割領域のＸ軸負方向にはＸ軸正方向よりも多くの薄膜気化物が飛散するが、そのＸ軸負方向に薄膜気化物が飛散することによってウエハＷの表面に付着したパーティクルは、薄膜除去対象領域Ａをスリット形状のレーザ光がＸ軸負方向にスキャンしていく過程で、レーザアブレーション現象によって除去することができる。
【００２８】
実際に、各分割領域のＸ軸負方向側には、そのスロット形状の分割領域の長手方向の中間部付近にパーティクルが集中して付着することが判っている。Ｘ軸負方向へのレーザ光のスキャンにより、その各分割領域のＸ軸負方向側に付着したパーティクルを除去することができる。
さらにまた、この実施形態では、レーザ光の照射開始位置を薄膜除去対象領域ＡのＸ軸負方向側の端部から所定距離Ｄだけ離れた位置とし、レーザ光をＸ軸負方向にスキャンさせる際には、レーザ光が照射開始位置をオーバランして薄膜除去対象領域ＡのＸ軸負方向側の端部まで移動される。これにより、図２に示すように、照射開始位置にレーザ光を照射した際に、その照射開始位置（分割領域Ａ１）のＸ軸負方向側でスロット形状の分割領域Ａ１の長手方向の中間部付近にパーティクルＰが集中して付着しても、そのパーティクルＰをレーザアブレーション現象によって除去することができる。
【００２９】
なお、このようにＸ軸負方向へのレーザ光のスキャンは、Ｘ軸正方向へのレーザ光のスキャンによる薄膜除去の際にウエハＷの表面に付着したパーティクルの除去を主目的としているから、Ｘ軸負方向へのレーザ光のスキャン時には、Ｘ軸正方向へのレーザ光のスキャン時よりもレーザ光の出力（エネルギー密度）を下げてもよいし、各分割領域に照射されるパルスレーザ光の数（パルス数）を少なくしてもよい。
【００３０】
以上、この発明の一実施形態について説明したが、この発明は、他の形態で実施することもできる。たとえば、上記の実施形態では、ウエハＷの表面に所定数のパルスレーザ光を照射する度に、そのパルスレーザ光のＸ軸方向の幅と等しい距離だけウエハＷを移動させるとしたが、ウエハＷの表面に所定数のパルスレーザ光を照射する度に、そのパルスレーザ光のＸ軸方向の幅の１／３に等しい距離だけウエハＷを移動させて、図３に示すように、先のレーザ光照射領域と新たなレーザ光照射領域とがＸ軸方向に２／３ずつ重なるようにしてもよい。また、ウエハＷの表面に所定数のパルスレーザ光を照射する度に、そのパルスレーザ光のＸ軸方向の幅の１／５に等しい距離だけウエハＷを移動させて、先のレーザ光照射領域と新たなレーザ光照射領域とがＸ軸方向に４／５ずつ重なるようにしてもよい。つまり、ウエハＷの表面に所定数のパルスレーザ光を照射する度に、そのパルスレーザ光のＸ軸方向の幅の１／ｎ（ｎ：１以上の自然数）と等しい距離だけウエハＷを移動させて、先のレーザ光照射領域と新たなレーザ光照射領域とがＸ軸方向に（ｎ−１）／ｎずつ重なるようにしてもよい。こうする場合、パルスレーザ光の発振周波数をｎ倍にすることにより、上記の実施形態の場合と同じ加工時間で、ウエハＷの表面の薄膜除去対象領域Ａから薄膜を除去することができる。
【００３１】
また、ウエハＷへのレーザ光照射時には、ウエハＷ上に水流が形成されるとしたが、ウエハＷの表面の薄膜に悪影響を与えなければ、たとえば、イオン水、オゾン水または炭酸水などの液体の流れをウエハＷ上に形成するようにしてもよいし、また、窒素ガス、アルゴンガス、またはヘリウムガスなどの不活性ガス等の気体の流れをウエハＷ上に形成するようにしてもよい。
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の一実施形態に係る薄膜除去装置の構成を概念的に示す図である。
【図２】この薄膜除去装置の動作の一例を説明するための図である。
【図３】パルスレーザ光の照射態様の変形例について説明するための図である。
【符号の説明】
２　　　レーザ照射系
３　　　ノズル
５　　　制御装置
１２　　ＸＹ駆動機構
Ａ　　　薄膜除去対象領域
Ｗ　　　ウエハ
【図１】
2004140239.tif 000003
【図２】
2004140239.tif 000004
【図３】
2004140239.tif 000005