(57)【要約】【課題】　外部電極の基板に対する固着力が強く、耐ヒートショック性が良好なチップ型電子部品の製造方法を得る。【解決手段】　セラミック製マザー基板１０の表面にレーザスクライビング法によってブレーク溝１１を格子状に形成し、該マザー基板を一方向に延在するブレーク溝に沿って１次分割し、ブレーク溝形成時に発生した溶融再凝固物（ドロス）をバレル研磨等で除去する。その後、１次分割されたスティック状基板に外部電極１６を形成し、さらに、該スティック状基板を他方向に延在するブレーク溝に沿って２次分割する。【選択図】　図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
　所定の回路素子が形成されたセラミック製マザー基板を、レーザスクライビング法にて形成されたブレーク溝に沿ってスティック状に１次分割し、さらに、単一の部品に２次分割するようにしたチップ型電子部品の製造方法において、
　レーザスクライビング法によるブレーク溝の形成時に発生した溶融再凝固物を前記１次分割の後に除去し、その後、外部電極を形成して前記２次分割を行うこと、
　を特徴とするチップ型電子部品の製造方法。
【請求項２】
　前記溶融再凝固物の除去を研磨にて行うことを特徴とする請求項１記載のチップ型電子部品の製造方法。
【請求項３】
　前記研磨はバレル研磨にて行うことを特徴とする請求項２記載のチップ型電子部品の製造方法。
【請求項４】
　前記研磨は研磨用不織布を用いて行うことを特徴とする請求項２記載のチップ型電子部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
　本発明は、チップ型電子部品の製造方法、特に、所定の回路素子が形成されたセラミック製マザー基板を、レーザスクライビング法にて形成されたブレーク溝に沿って分割するようにしたチップ型電子部品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
　従来、薄膜チップインダクタ、チップ抵抗等、セラミック製基板の表面に回路素子及び外部電極が形成されたチップ型電子部品が種々知られており、近年では、電子機器の小型化に伴って、１．０×０．５ｍｍ以下の超小型サイズの部品が求められている。
【０００３】
　この種の超小型のチップ型電子部品は、従来、一般的には、セラミック製マザー基板の表面に電極・絶縁層を形成して所定の回路素子を構成した後、レーザスクライビング法にてマザー基板にブレーク溝を格子状に形成し、分割すると共に外部電極を形成する方法にて製造されている。
【０００４】
　ところで、図４に示すように、マザー基板１０にレーザスクライビング法にてブレーク溝１１を形成する際に、ブレーク溝１１に溶融再凝固物（ドロス）１２が発生する。この溶融再凝固物１２をそのまま残してマザー基板１０を分割すると、図５に示すように、分割基板１０ａの実装面角部に凝固物１２が付着し、その上に外部電極が形成されることになる。これでは、外部電極にエッジ切れが発生したり、自動実装する際にチップが立ち上がってしまう不具合を有していた。しかも、外部電極の基板１０ａに対する固着力が弱まり、かつ、耐ヒートショック性も劣化していた。
【０００５】
　その点に鑑み、特許文献１には、アルミナ基板をレーザスクライブし、その後、ドロスが発生したアルミナ基板を１５００℃で４時間再焼成することにより、アルミナの結晶を崩し、基板表面を平坦化させ、その後、導体パターンを形成する方法が開示されている。
【０００６】
　しかしながら、特許文献１に記載の方法では、ドロスが平坦化されるに止まり、ドロス自体は除去されない。ドロスは脆く、割れやすいため、その上に形成される外部電極の強度が弱まり、実用化は困難である。
【特許文献１】特開平３−２５９５９１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
　そこで、本発明の目的は、外部電極の基板に対する固着力が強く、耐ヒートショック性が良好なチップ型電子部品の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
　以上の目的を達成するため、本発明は、所定の回路素子が形成されたセラミック製マザー基板を、レーザスクライビング法にて形成されたブレーク溝に沿ってスティック状に１次分割し、さらに、単一の部品に２次分割するようにしたチップ型電子部品の製造方法において、レーザスクライビング法によるブレーク溝の形成時に発生した溶融再凝固物を前記１次分割の後に除去し、その後、外部電極を形成して前記２次分割を行うことを特徴とする。
【０００９】
　本発明に係る製造方法においては、レーザスクライブ時にブレーク溝部分に発生した溶融再凝固物は１次分割されたスティック状基板の段階で除去される。従って、その後にスティック状基板に対して形成される外部電極の基板に対する固着力が大きくなり、耐ヒートショック性も向上する。
【００１０】
　スティック状基板からの溶融再凝固物の除去は研磨にて行うことが好ましい。このような研磨は、研磨用不織布を用いるか、バレル研磨を採用することができる。不織布を用いる場合は、例えば、１次分割されたスティック状基板を不織布に所定の圧力で接触させてスライドさせて研磨する。バレル研磨を行う場合は、直径２ｍｍ程度のメディアを用いることが好ましい。
【発明の効果】
【００１１】
　本発明によれば、レーザスクライビング法でブレーク溝を形成する際に発生する溶融再凝固物（ドロス）を、１次分割の後に即ち外部電極の形成前にマザー基板を傷付けることなく除去するため、その後形成される外部電極の特性（固着力、耐ヒートショック性）を向上させることができる。また、外部電極のエッジ切れや実装時のチップの立ち上がりといった不具合を生じることがない。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
　以下、本発明に係るチップ型電子部品の製造方法の実施形態につき、添付図面を参照して説明する。
【００１３】
　（第１実施形態）
　図１は本発明の第１実施形態である製造工程を示す。まず、セラミック製のマザー基板１０を作製し、その表面（電子部品としては実装底面に相当する）にレーザスクライブ法によって縦横のブレーク溝１１を格子状に形成する。なお、図１において、マザー基板１０に描かれた点線は後にカットされる位置を示す。
【００１４】
　次に、マザー基板１０上に電極及び絶縁層を形成し、所定の回路素子１５を構成する。さらに、前記レーザスクライブ時にブレーク溝１１に発生した溶融再凝固物（以下、ドロスと記す）１２を、サンドブラスト法によって除去する。サンドブラスト法は、図３に示すように噴射ノズル２０からブラスト粒子を噴射し、その衝突力でドロス１２を吹き飛ばして除去する。その後、マザー基板１０を横方向のブレーク溝に沿ってスティック状の基板１０ａに１次分割する（図２参照）。
【００１５】
　なお、以上の工程は、ブレーク溝形成、電極・絶縁層形成、ドロス除去、１次分割の順序で説明したが、電極・絶縁層形成、ブレーク溝形成、ドロス除去、１次分割の順序であってもよい。
【００１６】
　次に、前記１次分割された基板１０ａの両端部に外部電極材料１６ａを塗布・乾燥させ、基板１０ａを縦方向のブレーク溝に沿って２次分割する。その後、電極材料１６ａを焼き付け、外部電極１６とする。さらに、外部電極１６上にＮｉ，Ｓｎをメッキする。これにて基板１０ｂに分割されたチップ型電子部品が完成する。電子部品のサイズは、例えば、１．０×０．５ｍｍ、０．６×０．３ｍｍの超小型である。
【００１７】
　本発明者らの実験によれば、ドロス１２を除去するにはブラスト粒子を噴射するサンドブラスト法が好適であった。即ち、サンドブラスト法は微粒子一つ一つの衝撃が発生するものの、単位時間当たりの衝撃力が小さいため、基板１０が損傷したり割れたりすることがなく、湿式法にてドロス１２のみを効果的に除去することができた。
【００１８】
　ところで、サンドブラスト法でドロス１２を除去する際に使用するブラスト粒子に関しては、そのビッカース硬度が、基板１０のビッカース硬度と等しいかそれよりも小さく、かつ、ドロス１２のビッカース硬度よりも大きいことが好ましい。例えば、基板材料がアルミナの場合、ブラスト粒子はアルミナ、シリカなどを使用すればよい。
【００１９】
　その理由は以下のとおりである。
【００２０】
　例えば、ブラスト粒子としては、ジルコニア、ダイヤ、プラスチックビーズ、アルミナ、シリカなど種々のものが存在し、基板材料としてアルミナを使用する場合を想定すると、それぞれの材料のビッカース硬度の関係は以下の表１に示す３通りが存在する。
【００２１】
【表１】
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【００２２】
　表１に示すＮｏ．１，２，３のブラスト粒子を用いてドロス除去を試みた結果、Ｎｏ．１のブラスト粒子を用いた場合、基板へのダメージが大きかった。Ｎｏ．２のブラスト粒子を用いた場合、ドロスを除去できなかった。Ｎｏ．３のブラスト粒子を用いた場合、基板へダメージを殆ど与えることなくドロスの除去ができた。従って、Ｎｏ．３の材料が好適である。
【００２３】
　サンドブラスト法によれば、ドロスの除去が効果的であるばかりか、外部電極の特性がドロスを除去せずに形成した外部電極の特性と比較して好ましいものであった。即ち、電極固着力に関して、ドロスを除去しない場合は１．５Ｎであったのが、サンドブラスト法でドロスを除去した場合は、３Ｎに向上した。また、−５５〜１２５℃の耐ヒートショック性に関して、ドロスを除去しない場合は、１００サイクルで全ての電極にクラックが発生したのに対して、サンドブラスト法でドロスを除去した場合は、２００サイクルでも電極にクラックが発生することはなかった。
【００２４】
　また、それ以外に、ドロスを除去した場合には、外部電極形成時に電極材料がエッジ切れしなくなり、自動実装の際にチップが立ち上がってしまう不具合の発生も見られなかった。
【００２５】
　（第２実施形態）
　本第２実施形態では、前記マザー基板１０上に所定の回路素子１５を構成し、かつ、ブレーク溝１１を格子状に形成した後、マザー基板１０をブレーク溝１１に沿ってスティック状に１次分割し（図２参照）、１次分割されたスティック状基板に対してバレル研磨を行い、ドロス１２を除去する。ここで行われるバレル研磨は、例えば、内径３０ｍｍ程度で深さ７０ｍｍのポットにスティック状基板を投入し、直径２ｍｍ程度のメディアを用いて行われる。
【００２６】
　ドロス１２が除去されたバレル研磨後のスティック状基板に対しては、外部電極１６を形成し、さらに２次分割を行って単一の電子部品とする。ドロス１２を除去することによる効果は前記第１実施形態で説明したのと同様である。
【００２７】
　（第３実施形態）
　本第３実施形態では、前記第２実施形態と同様に、前記マザー基板１０上に所定の回路素子１５を構成し、かつ、ブレーク溝１１を格子状に形成した後、マザー基板１０をブレーク溝１１に沿ってスティック状に１次分割し（図２参照）、１次分割されたスティック状基板に対して不織布を用いて研磨を行い、ドロス１２を除去する。ここで行われる研磨は、１次分割されたスティック状基板を研磨用不織布に所定の圧力で接触させてスライドさせて行われる。
【００２８】
　ドロス１２が除去された不織布による研磨後のスティック状基板に対しては、外部電極１６を形成し、さらに２次分割を行って単一の電子部品とする。ドロス１２を除去することによる効果は前記第１実施形態で説明したのと同様である。
【００２９】
　（他の実施形態）
　なお、本発明に係るチップ型電子部品の製造方法は前記実施形態に限定するものではなく、その要旨の範囲内で種々に変更することができる。
【００３０】
　特に、本発明は、インダクタ、抵抗、コンデンサあるいはそれらの複合電子部品等幅広い種類の電子部品の製造に適用できる。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】本発明の第１実施形態である製造工程を示す説明図。
【図２】ブレーク溝が形成されたマザー基板をスティック状に１次分割する状態を示す底面図。
【図３】サンドブラスト工程を示す説明図。
【図４】マザー基板のブレーク溝にドロスが発生した状態を示す説明図。
【図５】ドロスを残したままマザー基板をブレーク溝に沿って分割した状態を示す説明図。
【符号の説明】
【００３２】
　　１０…マザー基板
　　１０ａ…１次分割された基板
　　１０ｂ…２次分割された基板
　　１１…ブレーク溝
　　１２…溶融再凝固物（ドロス）
　　１５…回路素子
　　１６…外部電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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