(57)【要約】【課題】本発明は、液晶表示装置用基板の製造方法及びそれを用いた液晶表示装置の製造方法に関し、製造工程を簡略化しても良好な表示特性の得られる液晶表示装置用基板の製造方法及びそれを用いた液晶表示装置の製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】ガラス基板１０上に感光性樹脂層３２’を形成し、感光性樹脂層３２’に所定値以上のエネルギー密度の紫外光を照射して感光性樹脂層３２’の表面部を選択的に改質させて、表面部と表面部以外の下層部との間に熱収縮率差を生じさせ、感光性樹脂層３２’を熱処理して表面部に凹凸を形成し、表面部上に反射電極を形成する。【選択図】    図８
2004151564.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に樹脂層を形成し、
前記樹脂層に所定値以上のエネルギー密度のエネルギーを付与して前記樹脂層の表面部を選択的に改質させて、前記表面部と前記表面部以外の下層部との間に熱収縮率差を生じさせ、
前記樹脂層を熱処理して前記表面部に凹凸を形成し、
前記表面部上に反射電極を形成すること
を特徴とする液晶表示装置用基板の製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の液晶表示装置用基板の製造方法において、
前記エネルギーは、光の照射により付与されること
を特徴とする液晶表示装置用基板の製造方法。
【請求項３】
請求項２記載の液晶表示装置用基板の製造方法において、
前記エネルギーは、紫外光の照射により付与されること
を特徴とする液晶表示装置用基板の製造方法。
【請求項４】
請求項３記載の液晶表示装置用基板の製造方法において、
前記エネルギーは、１２ｍＷ／ｃｍ２を超える照度での前記紫外光の照射により付与されること
を特徴とする液晶表示装置用基板の製造方法。
【請求項５】
一対の基板を作製し、前記基板を互いに貼り合わせて前記基板間に液晶を封止する液晶表示装置の製造方法において、
前記基板の一方は、請求項１乃至４のいずれか１項に記載の液晶表示装置用基板の製造方法を用いて作製されること
を特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、液晶表示装置用基板の製造方法及びそれを用いた液晶表示装置の製造方法に関し、特に、外部からの入射光を反射させることによって表示を行う反射型液晶表示装置用基板の製造方法及びそれを用いた液晶表示装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、携帯型電子機器等の表示部への液晶表示装置の応用が急速に進展している。液晶表示装置の中でも、外部からの入射光を反射電極で反射させて表示する反射型液晶表示装置は、バックライト等の光源が不要なため消費電力が低く、また薄型化及び軽量化が可能であるため特に注目されている。
【０００３】
反射型液晶表示装置の反射電極の表面には、光散乱特性を向上させるために複数の凹凸が形成されている。反射電極表面に凹凸を形成するためには、一般に反射電極の下地層の表面に凹凸が形成される。これにより反射電極には、下地層の凹凸に倣った凹凸が形成される。
【０００４】
下地層に凹凸を形成する方法として、シリコン酸化膜（ＳｉＯ２膜）からなる下地層の表面を正弦波状又は三角波状の断面形状を有するようにエッチングする技術が知られている（例えば、特許文献１及び特許文献２参照）。
【０００５】
また、下地層に凹凸を形成する他の方法として、以下のような技術が知られている。まず、下地層として光硬化性樹脂層を形成する。次に、複数の透過領域が設けられた凹凸形成用のフォトマスクを用いて、光硬化性樹脂層を露光する。光硬化性樹脂層の露光部分は光重合反応が促進されて未露光部分より盛り上がり、凸部が形成される。次に、コンタクトホール形成用のフォトマスクを用いて光硬化性樹脂層をさらに露光する。これにより、コンタクトホール形成領域以外の領域の光硬化性樹脂層が硬化し、表面には複数の凹凸が形成される。その後現像して、コンタクトホールが形成される（例えば、特許文献３参照）。
【０００６】
さらに、下地層に凹凸を形成する方法として、以下のような技術が知られている。まず、感光性樹脂を基板上に塗布して下地層を形成する。次に、特殊なホットプレートを有するベーク処理装置を用い、基板上の感光性樹脂を部分的に異なる温度で加熱する。感光性樹脂は、相対的に高い温度で加熱された領域から溶媒が蒸発して膜厚が減少し、表面が凹凸状になる。所定時間ベーク処理を行うことにより感光性樹脂表面の凹凸が保持される。その後、フォトマスクを用いた露光工程及び現像工程を経て、凹凸状の下地層が形成される（例えば、特許文献４参照）。
【０００７】
また、下地層に用いる材料として、紫外線吸収能を備えた顔料を含有するコーティング剤が知られている（例えば、特許文献５参照）。このコーティング剤を下地層に用いれば、紫外線は顔料により吸収されるため、紫外線照射により下地層の表面部のみが硬化し、表面部以外の下層部は硬化しない。表面部と下層部との間には熱による硬化収縮量に差が生じるため、その後の加熱処理により、下地層の表面に凹凸が形成される。
【０００８】
さらに、本願出願人による日本国特許出願（特許文献６参照）には、下地層の表面に所定の露光エネルギーの光を照射し、その後下地層に熱処理を施すことにより、下地層の表面に凹凸を形成する技術が提案されている。
【０００９】
【特許文献１】
特開昭５６−１５６８６４号公報
【特許文献２】
特開昭５６−１５６８６５号公報
【特許文献３】
特開平１１−１５３８０４号公報
【特許文献４】
特開２００１−６７０１７号公報
【特許文献５】
特開２００１−３４８５１４号公報
【特許文献６】
特開２００２−２９６５８５号公報
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、下地層にＳｉＯ２膜を用いると、成膜プロセスが別途必要になる。また、下地層に感光性樹脂を用いる場合でも、上記の技術では新たなフォトマスクが必要になるか、あるいは特殊な製造装置や樹脂材料が必要になる。このため、液晶表示装置の製造工程が煩雑になり、製造コストが増加してしまうという問題が生じる。
【００１１】
さらに、下地層の表面に所定の露光エネルギーの光を照射してその後熱処理を施す方法によっても、確実に下地層の表面に凹凸が形成される訳ではないという問題がある。
【００１２】
本発明の目的は、製造工程を簡略化しても良好な表示特性の得られる液晶表示装置用基板の製造方法及びそれを用いた液晶表示装置の製造方法を提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
上記目的は、基板上に樹脂層を形成し、前記樹脂層に所定値以上のエネルギー密度のエネルギーを付与して前記樹脂層の表面部を選択的に改質させて、前記表面部と前記表面部以外の下層部との間に熱収縮率差を生じさせ、前記樹脂層を熱処理して前記表面部に凹凸を形成し、前記表面部上に反射電極を形成することを特徴とする液晶表示装置用基板の製造方法によって達成される。
【００１４】
【発明の実施の形態】
本発明の一実施の形態による液晶表示装置用基板の製造方法及びそれを用いた液晶表示装置の製造方法について図１乃至図８を用いて説明する。まず、本実施の形態による液晶表示装置の製造方法を用いて製造された反射型液晶表示装置の概略の構成について図１を用いて説明する。図１に示すように、反射型液晶表示装置は、光反射材料からなる反射電極や、スイッチング素子としての薄膜トランジスタ（ＴＦＴ；Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）等が画素領域毎に形成されたＴＦＴ基板２と、カラーフィルタ（ＣＦ；Ｃｏｌｏｒ  Ｆｉｌｔｅｒ）層や共通電極等が形成された対向基板４とを対向させて貼り合わせ、液晶をその間に封止した構造を有している。両基板２、４の対向面には、液晶分子を所定方向に配向させる配向膜が形成されている。
【００１５】
ＴＦＴ基板２には、複数のゲートバスラインを駆動するドライバＩＣが実装されたゲートバスライン駆動回路８０と、複数のドレインバスラインを駆動するドライバＩＣが実装されたドレインバスライン駆動回路８２とが設けられている。両駆動回路８０、８２は、制御回路８４から出力された所定の信号に基づいて、走査信号やデータ信号を所定のゲートバスラインあるいはドレインバスラインに出力するようになっている。一方、対向基板４のＣＦ層形成面と反対側の表面には、所定の偏光板８６が貼り付けられている。
【００１６】
次に、本実施の形態による液晶表示装置用基板の製造方法を用いて製造されたＴＦＴ基板の構成について図２乃至図４を用いて説明する。図２は、ＴＦＴ基板の３画素及びその周囲の構成を示している。図３は、図２のＡ−Ａ線で切断したＴＦＴ基板の断面図である。図４は、ＴＦＴ基板の６画素及びその周囲の顕微鏡写真である。図２乃至図４に示すように、ＴＦＴ基板２のガラス基板１０上には、図２の左右方向に延びるゲートバスライン１２が形成されている。ゲートバスライン１２上の基板全面には、絶縁膜３０が形成されている。絶縁膜３０を介してゲートバスライン１２に交差し、図２の上下方向に延びるドレインバスライン１４が形成されている。ゲートバスライン１２とドレインバスライン１４との交差位置近傍には、ＴＦＴ２０が形成されている。ＴＦＴ２０は、例えばａ−Ｓｉ層からなる動作半導体層３１を絶縁膜３０上に有している。動作半導体層３１上にはチャネル保護膜２３が形成されている。チャネル保護膜２３上には、隣接するドレインバスライン１４から引き出されたドレイン電極２１と、ソース電極２２とが、所定の間隙を介して互いに対向して形成されている。このような構成において、チャネル保護膜２３直下のゲートバスライン１２がＴＦＴ２０のゲート電極として機能するようになっている。
【００１７】
ＴＦＴ２０上の基板全面には、例えばノボラック系ポジ型レジストからなる層間絶縁膜（下地層）３２が形成されている。層間絶縁膜３２の表面には、皺状の凹凸が形成されている。層間絶縁膜３２上には、光反射材料からなる反射電極１６が画素領域毎に形成されている。反射電極１６の表面には、層間絶縁膜３２の表面形状に倣った皺状の凹凸が形成されている。反射電極１６は、表面に形成された皺状の凹凸により光散乱特性が向上し、入射した外光を各方向に散乱させて反射するようになっている。反射電極１６は、ＴＦＴ２０のソース電極２２上の層間絶縁膜３２を開口して形成されたコンタクトホール２４を介して、ソース電極２２に電気的に接続されている。また反射電極１６は、図２の下方に隣接するゲートバスライン１２を覆うように配置されている。
【００１８】
また、ゲートバスライン１２に並列して、画素領域を横切る蓄積容量バスライン１８が形成されている。蓄積容量バスライン１８上には、絶縁膜３０を介して蓄積容量電極（中間電極）１９が画素領域毎に形成されている。蓄積容量電極１９は、蓄積容量電極１９上の層間絶縁膜３２を開口して形成されたコンタクトホール２６を介して、反射電極１６に電気的に接続されている。
【００１９】
次に、本実施の形態による液晶表示装置用基板及びそれを用いた液晶表示装置の製造方法について図５乃至図８を用いて説明する。図５は、以下に説明する本実施の形態による液晶表示装置用基板の製造方法を用い、各工程での処理条件を変更して製造されたＴＦＴ基板の層間絶縁膜表面（すなわち反射電極表面）の皺状凹凸の有無を示す表である。図５に示す表中の「皺状凹凸形成」の項目は、基板全面で層間絶縁膜３２の表面に皺状の凹凸が形成されたものを「○」で表し、層間絶縁膜３２の表面に皺状の凹凸が形成されなかったものを「×」で表している。
【００２０】
以下、本実施の形態による液晶表示装置用基板の製造方法及びそれを用いた液晶表示装置の製造方法について、実施例１及び２並びに比較例を用いて説明する。まず、本実施の形態の実施例１による液晶表示装置用基板の製造方法及びそれを用いた液晶表示装置の製造方法について図６乃至図８を用いて説明する。図６乃至図８は、実施例１による液晶表示装置用基板の製造方法を示す工程断面図であり、図３に対応する断面を示している。まず、図６（ａ）に示すように、ガラス基板１０上の全面に、スパッタリング法等を用いて例えばアルミニウム（Ａｌ）／チタン（Ｔｉ）をこの順に成膜し、金属層（図示せず）を形成する。次に、第１のフォトマスクを用いたフォトリソグラフィ工程により、金属層上に所定形状のレジストパターン（図示せず）を形成する。形成されたレジストパターンをエッチングマスクとして用いて金属層を例えばドライエッチングし、その後レジストパターンを剥離して、ゲートバスライン（ゲート電極）１２を形成する。同時に、蓄積容量バスライン１８（図６（ａ）では図示せず）が形成される。
【００２１】
次に、ゲートバスライン１２上の基板全面に、例えばＣＶＤ法を用いて窒化シリコン（ＳｉＮ）／アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）／ＳｉＮを連続成膜し、絶縁膜３０、ａ−Ｓｉ層３１’及びＳｉＮ膜２３’を形成する。次に、フォトリソグラフィ工程により、ＳｉＮ膜２３’上に所定形状のレジストパターン（図示せず）を形成する。このフォトリソグラフィ工程では、ガラス基板１０の裏面側（図６（ａ）の下側）から露光する背面露光と、第２のフォトマスクを用いた露光とが行われる。次に、形成されたレジストパターンをエッチングマスクとして用いてＳｉＮ膜２３’をエッチングし、その後レジストパターンを剥離して、図６（ｂ）に示すように、チャネル保護膜２３を自己整合的に形成する。
【００２２】
次に、図６（ｃ）に示すように、チャネル保護膜２３上の基板全面に、例えばＣＶＤ法を用いてｎ＋ａ−Ｓｉを成膜してｎ＋ａ−Ｓｉ層２８’を形成する。続いて、ｎ＋ａ−Ｓｉ層２８’層上の全面に、例えばスパッタリング法を用いてＴｉ／Ａｌ／Ｔｉを連続成膜し、金属層２１’を形成する。
【００２３】
次に、第３のフォトマスクを用いたフォトリソグラフィ工程により、金属層２１’上に所定形状のレジストパターン（図示せず）を形成する。次に、形成されたレジストパターンをエッチングマスクとして用いて、図７（ａ）に示すように、金属層２１’、ｎ＋ａ−Ｓｉ層２８’層及びａ−Ｓｉ層３１’を例えばドライエッチングする。このエッチングでは、チャネル保護膜２３がエッチングストッパとして機能する。その後、レジストパターンを剥離して、金属層２１’及びその下層のｎ＋ａ−Ｓｉ層２８’層からなるドレイン電極２１及びソース電極２２を形成する。これにより、ＴＦＴ２０が形成される。同時に、ドレインバスライン１４及び蓄積容量電極１９（共に図７（ａ）では図示せず）が形成される。
【００２４】
次に、図７（ｂ）に示すように、ドレイン電極２１及びソース電極２２上の基板全面に、ロールコータ等を用いて例えばノボラック系ポジ型レジスト等の感光性樹脂を塗布し、感光性樹脂層３２’を形成する（図５のレジスト塗布工程）。ノボラック系ポジ型レジストとして、例えばＡＺ＿ＡＦＰ７５１（クラリアントジャパン社製）が用いられる。次に、ホットプレート等を用いて、感光性樹脂層３２’を１１０℃で２００秒間（ｓｅｃ）プリベークする（図５のプリベーク工程）。
【００２５】
次に、図７（ｃ）に示すように、第４のフォトマスクを用いてステッパにより感光性樹脂層３２’を露光して現像し、ソース電極２２上にコンタクトホール２４を形成する（図５の露光・現像工程）。同時に、蓄積容量電極１９上のコンタクトホール２６（図７（ｃ）では図示せず）が形成される。続いて、オーブン等を用いて、感光性樹脂層３２’を１３５℃（又は１３５℃以上）で８０分間（ｍｉｎ）ポストベークする（図５の紫外光（ＵＶ光；ＵｌｔｒａＶｉｏｌｅｔ  ｒａｙｓ）照射前ベーク工程）。感光性樹脂層３２’は、プリベーク工程とＵＶ光照射前ベーク工程により半硬化状態になる。このとき、感光性樹脂層３２’の膜厚は、例えば３．５μｍになっている。
【００２６】
次に、図８（ａ）に示すように、中高圧水銀ランプ等を用いて、波長２５４ｎｍのＵＶ光を感光性樹脂層３２’に表面側（図８（ａ）の上側）から照射する（図５のＵＶ光照射工程）。ＵＶ光の照度は６５ｍＷ／ｃｍ２であり、照射時間は４０秒である。したがって、照射エネルギー密度（積算照射量）は、約２６００ｍＪ／ｃｍ２である。このときの基板温度は６０℃以下にする。ＵＶ光の照射により、感光性樹脂層３２’の表面部には架橋反応が起き、選択的に改質される（表面架橋）。
【００２７】
次に、オーブン等を用いて、２１５℃で６０分間感光性樹脂層３２’を熱処理する（図５のアニール工程）。選択的に改質された感光性樹脂層３２’の表面部と、表面部以外の改質されていない下層部との間には熱収縮率に差が生じるため、図８（ｂ）に示すように、表面に皺状の凹凸が形成された層間絶縁膜３２が得られる。なお、ＵＶ光照射前ベーク工程を行わなくても、同様に表面に皺状の凹凸が形成された層間絶縁膜３２が得られる。
【００２８】
次に、アッシング処理を行い、続いてスパッタリング法等を用いて層間絶縁膜３２上の基板全面に例えばＡｌを成膜して金属層（図示せず）を形成する。次に、第５のフォトマスクを用いたフォトリソグラフィ工程により、金属層上に所定形状のレジストパターン（図示せず）を形成する。形成されたレジストパターンをエッチングマスクとして用いて金属層をエッチングし、その後レジストパターンを剥離して、反射電極１６を形成する。反射電極１６の表面には、層間絶縁膜３２の表面形状に倣った皺状の凹凸が形成される。以上の工程を経て、図３に示すＴＦＴ基板２が完成する。
【００２９】
その後、ＴＦＴ基板２と他の工程を経て製造された対向基板４とを貼り合わせ、両基板２、４間に液晶を封止して液晶表示装置が完成する。
【００３０】
次に、本実施の形態の比較例による液晶表示装置用基板の製造方法について図５、図７及び図８を参照しつつ説明する。ＴＦＴ２０を形成するまでの工程は実施例１と同様であるので、その説明を省略する。ＴＦＴ２０のドレイン電極２１及びソース電極２２上の基板全面に、ロールコータ等を用いて例えばノボラック系ポジ型レジスト等の感光性樹脂を塗布し、感光性樹脂層３２’を形成する（図５のレジスト塗布工程）。ノボラック系ポジ型レジストとして、例えばＡＺ＿ＡＦＰ７５１（クラリアントジャパン社製）が用いられる。次に、ホットプレート等を用いて、感光性樹脂層３２’を１１０℃で２００秒間プリベークする（図５のプリベーク工程）。
【００３１】
次に、第４のフォトマスクを用いてステッパにより感光性樹脂層３２’を露光して現像し、ソース電極２２上にコンタクトホール２４を形成する（図５の露光・現像工程）。同時に、蓄積容量電極１９上のコンタクトホール２６が形成される。続いて、オーブン等を用いて感光性樹脂層３２’を１３５℃で８０分間ポストベークする（図５のＵＶ光照射前ベーク工程）。感光性樹脂層３２’は、プリベーク工程とＵＶ光照射前ベーク工程により半硬化状態になる。このとき、感光性樹脂層３２’の膜厚は、例えば３．５μｍになっている。
【００３２】
次に、高圧水銀ランプ等を用いて、感光性樹脂層３２’に波長２５４ｎｍのＵＶ光を照射する（図５のＵＶ光照射工程）。照度は１２ｍＷ／ｃｍ２であり、照射時間は２１７秒である。したがって、照射エネルギー密度は、実施例１のＵＶ光照射工程と同じ約２６００ｍＪ／ｃｍ２である。このときの基板温度は６０℃以下にする。
【００３３】
次に、オーブン等を用いて、２１５℃で６０分間感光性樹脂層３２’を熱処理する（図５のアニール工程）。ところが、実施例１と異なり、基板全面では感光性樹脂層３２’の表面には皺状の凹凸が形成されず、基板全面では図８（ｂ）に示すような層間絶縁膜３２は得られなかった。
【００３４】
表１は、本比較例のＵＶ光照射工程での照射時間を変動させた場合の層間絶縁膜表面の皺状凹凸の有無を示している。表１に示すように、ＵＶ光の照射時間を５秒から４４０秒まで変化させても、基板全面では図８（ｂ）に示すような表面に皺状の凹凸が形成された層間絶縁膜３２は得られなかった。
【００３５】
【表１】
2004151564.tif 000003
【００３６】
次に、本実施の形態の実施例２による液晶表示装置用基板の製造方法について説明する。実施例１及び比較例に基いて、皺状凹凸の形成はＵＶ光照射前の感光性樹脂層３２’の硬化状態に関係があると考え、本実施例では感光性樹脂層３２’を余り硬化させないようにした。すなわち、ＵＶ光照射前での感光性樹脂層３２’のベーク処理を図５のプリベーク工程のみとし、さらにそのプリベーク工程でのプリベーク温度を低温化させた。以下、本実施例について図５、図７及び図８を参照しつつ具体的に説明する。なお、ＴＦＴ２０を形成するまでの工程は実施例１と同様であるので、その説明を省略する。
【００３７】
ＴＦＴ２０のドレイン電極２１及びソース電極２２上の基板全面に、ロールコータ等を用いて例えばノボラック系ポジ型レジスト等の感光性樹脂を塗布し、感光性樹脂層３２’を形成する（図５のレジスト塗布工程）。ノボラック系ポジ型レジストとして、例えばＡＺ＿ＡＦＰ７５１（クラリアントジャパン社製）が用いられる。次に、図５のプリベーク工程を行う。表２は、プリベーク工程でのプリベーク温度を示している。プリベーク工程では、ホットプレート等を用いて、表２に示す７０℃〜１３０℃の種々のプリベーク温度で、複数の基板の感光性樹脂層３２’をそれぞれ２００秒間プリベークする。感光性樹脂層３２’は、プリベーク工程により半硬化状態になる。ただし、実施例１及び比較例でのＵＶ照射前工程後の感光性樹脂層３２’ほどは硬化していない。
【００３８】
【表２】
2004151564.tif 000004
【００３９】
次に、第４のフォトマスクを用いてステッパにより感光性樹脂層３２’を露光して現像し、コンタクトホール２４を形成する（図５の露光・現像工程）。このとき、感光性樹脂層３２’の膜厚は、例えば３．５μｍになっている。なお、図５のＵＶ光照射前ベーク工程は行わない。
【００４０】
次に、高圧水銀ランプ等を用いて、感光性樹脂層３２’に波長２５４ｎｍのＵＶ光を照射する（図５のＵＶ光照射工程）。照度は１２ｍＷ／ｃｍ２であり、照射時間は２１７秒である。したがって、照射エネルギー密度（積算照射量）は、約２６００ｍＪ／ｃｍ２である。このときの基板温度は６０℃以下にする。
【００４１】
次に、オーブン等を用いて、２１５℃で６０分間感光性樹脂層３２’を熱処理する（図５のアニール工程）。これにより、表２に示すように、８０℃以上（１３０℃以下）のプリベーク温度でプリベークされた感光性樹脂層３２’の表面には皺状の凹凸が形成され、図８（ｂ）に示すような層間絶縁膜３２が得られた。ところが、７０℃のプリベーク温度でプリベークされた感光性樹脂層３２’の表面には基板全面では皺状の凹凸が形成されず、図８（ｂ）に示すような層間絶縁膜３２が得られなかった。
【００４２】
その後、アッシング処理を行い、続いてスパッタリング法等を用いて層間絶縁膜３２上の基板全面に例えばＡｌを成膜して金属層を形成する。次に、第５のフォトマスクを用いたフォトリソグラフィ工程により、金属層上に所定形状のレジストパターンを形成する。形成されたレジストパターンをエッチングマスクとして用いて金属層をエッチングし、その後レジストパターンを剥離して、反射電極１６を形成する。以上の工程を経て、図３に示すＴＦＴ基板２が完成する。８０℃以上１３０℃以下のプリベーク温度でプリベークされた基板の反射電極１６の表面には、層間絶縁膜３２の表面形状に倣った皺状の凹凸が形成された。７０℃のプリベーク温度でプリベークされた基板の反射電極１６の表面には、基板全面では皺状の凹凸が形成されなかった。
【００４３】
本実施例のように、高照度のランプだけでなく、比較的低照度のランプを用いてＵＶ光を照射しても、ＵＶ光照射前の感光性樹脂層３２’のベーク温度を相対的に低温化して、感光性樹脂層３２’を必要以上に硬化させないことによって、基板全面で反射電極１６の表面に皺状の凹凸を形成できる。
【００４４】
上記実施例１及び２並びに比較例に基づき、基板全面で層間絶縁膜３２の表面に皺状の凹凸を形成するための条件について以下のことが分かる。
（１）ＵＶ照射工程では、積算照射量とともに照度が重要である。具体的には、感光性樹脂層３２’に１２ｍＷ／ｃｍ２を超える照度で所定の積算照射量のＵＶ光を照射する。これにより、感光性樹脂層３２’の表面部が選択的に改質される。
【００４５】
（２）ＵＶ照射工程での照度に次いで、ＵＶ光照射前の感光性樹脂層３２’の硬化状態が重要である。特に、ＵＶ照射工程でのＵＶ光の照度が比較的低い場合は、ＵＶ光照射前に感光性樹脂層３２’を必要以上に硬化させないようにする。具体的には、ＵＶ照射工程でのＵＶ光の照度が１２ｍＷ／ｃｍ２以下の場合は、ＵＶ光照射前ベーク工程を行わず、プリベーク工程のプリベーク温度を８０℃以上（プリベーク時間２００秒）にする。
【００４６】
以上説明したように、本実施の形態では、従来のＴＦＴ基板の製造方法と比較して成膜プロセスが別途必要になったり、新たなフォトマスクが必要になったりすることがない。また、本実施の形態では特殊な製造装置や樹脂材料が必要ない。したがって、ＴＦＴ基板２の製造工程を簡略化でき、製造コストを低減できる。
【００４７】
また、本実施の形態では、ＴＦＴ基板２の反射電極１６の表面に、良好な皺状の凹凸を容易に形成できる。したがって、本実施の形態を用いて製造された反射型液晶表示装置では、光散乱特性に優れた良好な表示品質が得られる。
【００４８】
本発明は、上記実施の形態に限らず種々の変形が可能である。
例えば、上記実施の形態では、ノボラック系ポジ型レジストを用いて層間絶縁膜３２を形成しているが、本発明はこれに限られない。ネガ型レジストを用いてもよいし、アクリル系レジスト等の他の感光性樹脂や、感光性を有さない他の樹脂等を用いて層間絶縁膜３２を形成してもよい。
【００４９】
また、上記実施の形態ではＵＶ光の照射により感光性樹脂層３２’にエネルギーを付与しているが、本発明はこれに限らず、ＵＶ光以外の光の照射等の他の方法により感光性樹脂層３２’表面側からエネルギーを付与してもよい。
【００５０】
さらに、上記実施の形態では反射型液晶表示装置を例に挙げたが、本発明はこれに限らず、半透過型液晶表示装置にも適用できる。
【００５１】
また、上記実施の形態ではチャネル保護膜型のＴＦＴ２０を備えた液晶表示装置用基板を例に挙げたが、本発明はこれに限らず、チャネルエッチ型のＴＦＴ２０を備えた液晶表示装置用基板にも適用できる。
【００５２】
さらに、上記実施の形態ではアクティブマトリクス型の液晶表示装置を例に挙げたが、本発明はこれに限らず、単純マトリクス型の液晶表示装置にも適用できる。
【００５３】
以上説明した実施の形態による液晶表示装置用基板の製造方法及びそれを用いた液晶表示装置の製造方法は、以下のようにまとめられる。
（付記１）
基板上に樹脂層を形成し、
前記樹脂層に所定値以上のエネルギー密度のエネルギーを付与して前記樹脂層の表面部を選択的に改質させて、前記表面部と前記表面部以外の下層部との間に熱収縮率差を生じさせ、
前記樹脂層を熱処理して前記表面部に凹凸を形成し、
前記表面部上に反射電極を形成すること
を特徴とする液晶表示装置用基板の製造方法。
【００５４】
（付記２）
付記１記載の液晶表示装置用基板の製造方法において、
前記エネルギーは、光の照射により付与されること
を特徴とする液晶表示装置用基板の製造方法。
【００５５】
（付記３）
付記２記載の液晶表示装置用基板の製造方法において、
前記エネルギーは、紫外光の照射により付与されること
を特徴とする液晶表示装置用基板の製造方法。
【００５６】
（付記４）
付記３記載の液晶表示装置用基板の製造方法において、
前記エネルギーは、１２ｍＷ／ｃｍ２を超える照度での前記紫外光の照射により付与されること
を特徴とする液晶表示装置用基板の製造方法。
【００５７】
（付記５）
付記３記載の液晶表示装置用基板の製造方法において、
前記エネルギーは、１２ｍＷ／ｃｍ２以下の照度での前記紫外光の照射により付与され、
前記エネルギーが付与される前の前記樹脂層は半硬化状態であること
を特徴とする液晶表示装置用基板の製造方法。
【００５８】
（付記６）
付記５記載の液晶表示装置用基板の製造方法において、
前記樹脂層は、前記エネルギーが付与される前に所定温度での熱処理が行われること
を特徴とする液晶表示装置用基板の製造方法。
【００５９】
（付記７）
付記１乃至６のいずれか１項に記載の液晶表示装置用基板の製造方法において、
前記樹脂層に感光性樹脂を用いること
を特徴とする液晶表示装置用基板の製造方法。
【００６０】
（付記８）
付記７記載の液晶表示装置用基板の製造方法において、
前記樹脂層にノボラック系レジストを用いること
を特徴とする液晶表示装置用基板の製造方法。
【００６１】
（付記９）
一対の基板を作製し、前記基板を互いに貼り合わせて前記基板間に液晶を封止する液晶表示装置の製造方法において、
前記基板の一方は、付記１乃至８のいずれか１項に記載の液晶表示装置用基板の製造方法を用いて作製されること
を特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【００６２】
【発明の効果】
以上の通り、本発明によれば、製造工程を簡略化しても良好な表示特性の得られる液晶表示装置を実現できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施の形態による液晶表示装置の製造方法を用いて製造された反射型液晶表示装置の概略構成を示す図である。
【図２】本発明の一実施の形態による液晶表示装置用基板の製造方法を用いて製造された液晶表示装置用基板の構成を示す図である。
【図３】本発明の一実施の形態による液晶表示装置用基板の製造方法を用いて製造された液晶表示装置用基板の構成を示す図である。
【図４】本発明の一実施の形態による液晶表示装置用基板の製造方法を用いて製造された液晶表示装置用基板の顕微鏡写真である。
【図５】本発明の一実施の形態による液晶表示装置用基板の製造方法の各工程での処理条件と反射電極表面の皺状凹凸の有無との関係を示す表である。
【図６】本発明の一実施の形態による液晶表示装置用基板の製造方法を示す工程断面図である。
【図７】本発明の一実施の形態による液晶表示装置用基板の製造方法を示す工程断面図である。
【図８】本発明の一実施の形態による液晶表示装置用基板の製造方法を示す工程断面図である。
【符号の説明】
２  ＴＦＴ基板
４  対向基板
１０  ガラス基板
１２  ゲートバスライン
１４  ドレインバスライン
１６  反射電極
１８  蓄積容量バスライン
１９  蓄積容量電極
２０  ＴＦＴ
２１  ドレイン電極
２１’  金属層
２２  ソース電極
２３  チャネル保護膜
２３’  ＳｉＮ膜
２４、２６  コンタクトホール
２８  ｎ型不純物半導体層
２８’  ｎ＋ａ−Ｓｉ層
３０  絶縁膜
３１  動作半導体層
３１’  ａ−Ｓｉ層
３２  層間絶縁膜
３２’  感光性樹脂層
８０  ゲートバスライン駆動回路
８２  ドレインバスライン駆動回路
８４  制御回路
８６  偏光板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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