(57)【要約】【課題】基板構造を複雑にしたり、設計の自由度を損なうことなく、ディスクリネーションによる表示品位の低下を抑制し得る液晶装置を提供する。【解決手段】本発明の液晶装置は、液晶層５０が初期配向状態が垂直配向を呈する誘電異方性が負の液晶からなり、各画素領域Ｇ内に電界印加時に液晶層５０にディスクリネーションを発生させるディスクリネーション固定手段（例えば共通電極１６の開口部１６ｃ）が設けられ、前記ディスクリネーション固定手段によるディスクリネーションの発生個所Ｄ以外の個所に入射光Ｌを集光させる集光手段（例えばマイクロレンズアレイ２１）が設けられている。【選択図】        図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
対向配置された一対の基板の互いに対向する面に電極がそれぞれ設けられるとともに、前記一対の基板間に液晶層が挟持され、複数の画素領域がマトリクス状に配置された液晶セルを備えた液晶装置であって、
前記液晶層は、初期配向状態が垂直配向を呈する誘電異方性が負の液晶からなり、電界印加時に前記液晶層にディスクリネーションの発生する位置を固定するディスクリネーション固定手段が各画素領域内に設けられ、前記ディスクリネーション固定手段によるディスクリネーションの発生個所以外の個所に入射光を集光させる集光手段が設けられたことを特徴とする液晶装置。
【請求項２】
前記ディスクリネーション固定手段が、前記一対の基板上の少なくとも一方の電極に設けられた開口部であることを特徴とする請求項１に記載の液晶装置。
【請求項３】
前記ディスクリネーション固定手段が、前記一対の基板上の少なくとも一方の電極に設けられた凹部であることを特徴とする請求項１に記載の液晶装置。
【請求項４】
前記ディスクリネーション固定手段が、前記一対の基板の少なくとも一方から前記液晶層に向けて突出する凸部であることを特徴とする請求項１に記載の液晶装置。
【請求項５】
前記集光手段が、前記一対の基板の光入射側に設けられたマイクロレンズアレイであることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか一項に記載の液晶装置。
【請求項６】
前記ディスクリネーション固定手段によるディスクリネーションの発生個所が一つの画素領域内の一端側になるよう設定され、前記集光手段による入射光の集光位置が他端側になるよう設定されていることを特徴とする請求項１ないし５のいずれか一項に記載の液晶装置。
【請求項７】
請求項１ないし６のいずれか一項に記載の液晶装置を備えたことを特徴とする投射型表示装置。
【請求項８】
請求項１ないし６のいずれか一項に記載の液晶装置を備えたことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、液晶装置および投射型表示装置、電子機器に関し、特に垂直配向モードの液晶装置において、高輝度、高コントラストの表示が得られる技術に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
液晶装置は、例えば直視型のディスプレイや投射型表示装置における光変調手段（ライトバルブ）として広く用いられている。液晶の配向モードには、電圧無印加状態で液晶分子が基板面に略平行で基板に垂直な方向にねじれた配向を持つツイステッド・ネマティック（Ｔｗｉｓｔｅｄ  Ｎｅｍａｔｉｃ，以下、ＴＮと略記する）モードと、電圧無印加時に液晶分子が垂直に配向した垂直配向モードとがある。信頼性等の面から従来はＴＮモードが主流であったが、垂直配向モードがいくつかの優れた特性を持っていることから、垂直配向モードの液晶装置が注目されてきた。例えば、垂直配向モードでは、液晶分子が基板面に対して垂直に配列された状態（法線方向から見た光学的リタデーションが無い）を黒表示として用いるため、黒表示の質が良く、高いコントラストが得られる。また、正面コントラストに優れる垂直配向型液晶装置では、一定のコントラストが得られる視角範囲は水平配向モードのＴＮ液晶に比較して広くなる。さらに、画素内の液晶の配向方向を分割する配向分割（マルチドメイン）の技術を採用すれば、極めて広い視野角を得ることができる。
【０００３】
垂直配向モードにおける液晶分子は、電圧印加時の配向ベクトルが電界方向に対する角度のみで束縛され、電界方向を軸とした方位角は開放されている。したがって、液晶セルを構成する基板上の凹凸や隣接画素間に生じる横電界などの状況によって、電圧印加時に画素領域内の全領域で液晶分子がいずれかの方位角方向に倒れれば良いが、例えば周囲の液晶分子が異なる方向に倒れた結果、その境界に存在する液晶分子はいずれの方向にも倒れないという状況が生じる場合がある。この境界部分では液晶の透過率が他と比べて低下するため、本来は白表示であってもその部分が黒く見える不良となる。この種の現象をディスクリネーションと呼ぶ。ディスクリネーションの発生は表示品位を著しく低下させるものである。
【０００４】
そこで、垂直配向モードにおいてディスクリネーションを抑制する手段が、下記の特許文献１，２に開示されている。特許文献１には、ＴＦＴ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）基板上に画素電極とは別に配向制御電極を設け、配向制御電極の電位を適切に設定することで配向ベクトルの方位角を制御し、ディスクリネーションを防止することが記載されている。一方、特許文献２には、基板間隔、液晶の螺旋ピッチ、駆動時のフレーム周波数等のパラメータの相互の関係を限定することでディスクリネーションを防止することが記載されている。
【０００５】
【特許文献１】
特開平７−２３００９７号公報
【特許文献２】
特開平３−１２２６１５号公報
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
上述したように、液晶装置の用途の一つに投射型表示装置用のライトバルブが挙げられ、近年、投射型液晶表示装置（液晶プロジェクタ）の普及が進んでいる。特に液晶ライトバルブへの応用を意識した場合、画素のサイズは直視型ディスプレイの場合と比べてはるかに小さいものである。また、直視型ディスプレイでも、近年、高精細化の要求が強くなっており、画素のサイズは小さくなる傾向にある。ところが、画素のサイズが小さくなればなるほど、画素に対して上記のディスクリネーションによる表示不良の占める面積割合が大きくなり、表示品位の低下が顕著になる。
【０００７】
そこで、上記２つの特許文献にはディスクリネーションの防止手段が記載されているが、これらの手段はいずれも画素の微細化、表示の高精細化等の目的に適したものではなく、それぞれ問題点を有している。
例えば、特許文献１の場合、ＴＦＴ基板上に配向制御電極を形成しなければならないため、配線構造が複雑になり、製造プロセスの制約が生じたり、歩留りが低下する恐れがある。また、画素の中央を横切るように配向制御電極を配置する必要があるため、開口率が低下し、明るい表示が得られないという問題もある。
一方、特許文献２の場合、基板間隔、液晶の螺旋ピッチ、駆動時のフレーム周波数等の数値が限定されるため、セル構造や使用する液晶材料、駆動方法等が制限され、設計の自由度が極めて小さいものとなってしまう。
【０００８】
本発明は、上記の課題を解決するためになされたものであって、基板構造を複雑にしたり、設計の自由度を損なうことなく、ディスクリネーションによる表示品位の低下を抑制し得る液晶装置、およびこれを用いた投射型表示装置、電子機器を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために、本発明の液晶装置は、対向配置された一対の基板の互いに対向する面に電極がそれぞれ設けられるとともに、前記一対の基板間に液晶層が挟持され、複数の画素領域がマトリクス状に配置された液晶セルを備えた液晶装置であって、前記液晶層は、初期配向状態が垂直配向を呈する誘電異方性が負の液晶からなり、各画素領域内に、電界印加時に前記液晶層にディスクリネーションの発生する位置を固定するディスクリネーション固定手段が設けられ、前記ディスクリネーション固定手段によるディスクリネーションの発生個所以外の個所に入射光を集光させる集光手段が設けられたことを特徴とする。
【００１０】
本発明は、上記特許文献のようにディスクリネーションの防止、抑制手段を提供するものではなく、ディスクリネーションを特定の位置に意図的に発生させた上でディスクリネーションの発生個所を避けて表示に利用し、結果的に表示不良をなくそうとするものである。ところが、従来の液晶装置におけるディスクリネーションの発生は、必ずしも決まった画素の決まった個所に発生するものではなく、基板の状況やその時の各画素の電界印加状況によって発生個所がまちまちであった。そこで、本発明においては、電界印加時に液晶層にディスクリネーションを発生させる位置を固定するディスクリネーション固定手段を各画素領域内に設ける構成とした。つまり、従来のように発生個所がまちまちではなく、常に画素内の決まった個所にディスクリネーションが発生するようにした。そこで、適切な集光手段を設けることによってディスクリネーションの発生個所以外の個所に入射光を集光させることができ、画素領域内で液晶が正常に配向した部分を表示に利用することができる。その結果、基板構造を複雑にしたり、装置設計の自由度を低下させることなく、ディスクリネーションによる表示品位の低下を抑制することができる。
【００１１】
具体的には、前記ディスクリネーション固定手段を、一対の基板上の少なくとも一方の電極に設けられた開口部、一対の基板上の少なくとも一方の電極に設けられた凹部、前記一対の基板の少なくとも一方から前記液晶層に向けて突出する凸部のいずれかで構成することができる。
例えば電極に開口部を設けた場合、液晶層中で開口部に相当する領域には電界が加わらないため、その領域の液晶分子は電界印加時でも倒れることがなく、ディスクリネーションとなる。電極に凹部を設けた場合、凹部の近傍で電界が歪み、歪んだ電界に応じて凹部周囲の液晶分子を異なる方向に配向させる規制力が働く結果、凹部に相当する領域では液晶分子が倒れず、ディスクリネーションとなる。また、基板上に凸部を設けた場合、液晶層中に突出する凸部の形状効果で凸部周囲の液晶分子を異なる方向に配向させる規制力が働く結果、凸部に相当する領域では液晶分子が倒れず、ディスクリネーションとなる。
【００１２】
前記集光手段を、前記一対の基板の光入射側に設けられたマイクロレンズアレイで構成することができる。
この構成によれば、マイクロレンズアレイを構成する各マイクロレンズと各画素領域との位置関係を調節したり、マイクロレンズの形状を工夫する（例えば入射光軸に対して非対称とする等）ことによって、ディスクリネーション発生個所を避けた所望の位置に入射光を集光させることができる。
【００１３】
また、ディスクリネーション固定手段によるディスクリネーションの発生個所が一つの画素領域内の一端側になるよう設定され、前記集光手段による入射光の集光位置が他端側になるよう設定されていることが望ましい。
例えば画素領域の中央にディスクリネーションを発生させるようにした場合、必然的に画素領域の周縁部に入射光を集光させなければならず、集光スポット径にも限界があることから、特に画素が微細化すると対応が難しくなる。そこで、ディスクリネーションの発生個所を画素領域の片側に寄せ、その反対側に集光させるようにすると、画素が微細化しても対応が容易になり、集光手段の設計の自由度が向上する。
【００１４】
本発明の投射型表示装置は、上記本発明の液晶装置を備えたことを特徴とする。
この構成によれば、本発明の液晶装置を備えたことにより高輝度、高コントラスト、高精細の表示が可能な投射型表示装置を提供することができる。
【００１５】
本発明の電子機器は、上記本発明の液晶装置を備えたことを特徴とする。
この構成によれば、本発明の液晶装置を備えたことにより高輝度、高コントラスト、高精細の液晶表示部を有する電子機器を提供することができる。
【００１６】
【発明の実施の形態】
［第１の実施の形態］
以下、本発明の第１の実施の形態を図１〜図３を参照して説明する。
本実施の形態の液晶装置は、スイッチング素子として薄膜トランジスタ（ＴｈｉｎＦｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ，  以下、ＴＦＴと略記する）を用いたアクティブマトリクス型の液晶装置の例である。
図１は本実施の形態の液晶装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に配置された複数のドットの等価回路図、図２はＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数のドットの構造を示す平面図、図３は同、液晶装置の構造を示す断面図である。なお、以下の各図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならせてある。
【００１７】
本実施の形態の液晶装置において、図１に示すように、画像表示領域を構成するマトリクス状に配置された複数の画素には、画素電極９と当該画素電極９を制御するためのスイッチング素子であるＴＦＴ３０がそれぞれ形成されており、画像信号が供給されるデータ線６ａが当該ＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。データ線６ａに書き込む画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、この順に線順次に供給されるか、あるいは相隣接する複数のデータ線６ａに対してグループ毎に供給される。また、走査線３ａがＴＦＴ３０のゲートに電気的に接続されており、複数の走査線３ａに対して走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍが所定のタイミングでパルス的に線順次で印加される。また、画素電極９はＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけオンすることにより、データ線６ａから供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを所定のタイミングで書き込む。
【００１８】
画素電極９を介して液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、後述する共通電極との間で一定期間保持される。液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能にする。ここで、保持された画像信号がリークすることを防止するために、画素電極９と共通電極との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量７０が付加されている。なお、符号３ｂは容量線である。
【００１９】
次に、図２に基づいて、本実施の形態の液晶装置を構成するＴＦＴアレイ基板の平面構造について説明する。
図２に示すように、ＴＦＴアレイ基板上に、複数の矩形状の画素電極９（点線部９Ａにより輪郭を示す）がマトリクス状に設けられており、画素電極９の縦横の境界に各々沿ってデータ線６ａ、走査線３ａおよび容量線３ｂが設けられている。本実施の形態において、各画素電極９および各画素電極９を囲むように配設されたデータ線６ａ、走査線３ａ、容量線３ｂ等が形成された領域の内側が一つの画素領域であり、マトリクス状に配置された各画素領域毎に表示が可能な構造になっている。
【００２０】
データ線６ａは、ＴＦＴ３０を構成する、例えばポリシリコン膜からなる半導体層１ａのうち、後述のソース領域にコンタクトホール５を介して電気的に接続されており、画素電極９は、半導体層１ａのうち、後述のドレイン領域にコンタクトホール８を介して電気的に接続されている。また、半導体層１ａのうち、チャネル領域（図中左上がりの斜線の領域）に対向するように走査線３ａが配置されており、走査線３ａはチャネル領域に対向する部分でゲート電極として機能する。
【００２１】
容量線３ｂは、走査線３ａに沿って略直線状に延びる本線部（すなわち、平面的に見て、走査線３ａに沿って形成された第１領域）と、データ線６ａと交差する箇所からデータ線６ａに沿って前段側（図中上向き）に突出した突出部（すなわち、平面的に見て、データ線６ａに沿って延設された第２領域）とを有する。そして、図２中、右上がりの斜線で示した領域には、複数の遮光膜１１ａが設けられている。
【００２２】
より具体的には、遮光膜１１ａは、各々、半導体層１ａのチャネル領域を含むＴＦＴ３０をＴＦＴアレイ基板側から見て覆う位置に設けられており、さらに、容量線３ｂの本線部に対向して走査線３ａに沿って直線状に延びる本線部と、データ線６ａと交差する箇所からデータ線６ａに沿って隣接する後段側（すなわち、図中下向き）に突出した突出部とを有する。遮光膜１１ａの各段（画素行）における下向きの突出部の先端は、データ線６ａ下において次段における容量線３ｂの上向きの突出部の先端と重なっている。この重なった箇所には、遮光膜１１ａと容量線３ｂとを相互に電気的に接続するコンタクトホール１３が設けられている。すなわち、本実施の形態では、遮光膜１１ａは、コンタクトホール１３によって前段あるいは後段の容量線３ｂに電気的に接続されている。
【００２３】
次に、図３に基づいて本実施形態の液晶装置の断面構造について説明する。本実施形態は電極およびマイクロレンズアレイの構成に特徴があり、ＴＦＴ、蓄積容量やその他の配線、遮光膜等の断面構造は従来のものと変わらないため、これらの図示および説明は省略する。
【００２４】
図３に示すように、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２５とが対向配置されており、これら基板１０，２５間に初期配向状態が垂直配向を呈する誘電異方性が負の液晶からなる液晶層５０が挟持されている。ＴＦＴアレイ基板１０は、石英、ガラス等の透光性材料からなり、その内面（液晶層と接する面）上にＴＦＴ３０が形成されている。ＴＦＴ３０は、走査線３ａに接続されたゲート電極１２、ソース領域１ｓ、ドレイン領域１ｄを有する半導体層１ａ等を有しており、ドレイン領域１ｄにはインジウム錫酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ，以下、ＩＴＯと略記する）等の透明導電膜からなる画素電極９が接続されている。ＴＦＴアレイ基板１０の最表面には、垂直配向処理が施された配向膜１４が形成されている。一方、対向基板２５は、石英、ガラス等の透光性材料からなり、その内面（液晶層５０と接する面）上にＩＴＯ等の透明導電膜からなる共通電極１６が形成されている。対向基板２５の最表面には、ＴＦＴアレイ基板１０と同様、垂直配向処理が施された配向膜１８が形成されている。
【００２５】
アクティブマトリクス型の液晶装置の場合、通常は対向基板側の全面にベタ状の共通電極が形成されるが、本実施の形態の場合、共通電極１６には、各画素領域毎に１つの開口部１６ｃ（ＩＴＯ膜が存在しない部分、ディスクリネーション固定手段）が形成されている。ここで、画素電極９の存在する領域を画素領域Ｇと定義すると、開口部１６ｃの位置は画素領域Ｇの中央Ｇｃから外れた位置に形成されており、図３においては画素領域Ｇの中央Ｇｃよりも左寄りの位置に形成されている。開口部１６ｃの平面形状は特に限定されないが、例えば図２に示すように、矩形状に形成することができる。
【００２６】
また、対向基板２５の外面（液晶層と接する面と反対側の面）側には、対向基板２５から所定距離離間した位置にマイクロレンズアレイ２１（集光手段）が設置されている。マイクロレンズアレイ２１は、複数のマイクロレンズ２２をマトリクス状に配置したものである。本実施の形態においては、各マイクロレンズ２２のピッチと画素のピッチは同一であるが、各マイクロレンズ２２の中心Ｒｃが、画素領域Ｇの中心Ｇｃになく、図３においては画素領域Ｇの中央Ｇｃよりも右寄りに位置するように液晶セル２４に対するマイクロレンズアレイ２１の位置合わせがなされている。マイクロレンズアレイ２１は最適な位置に位置合わせされた後、任意の固定手段によって液晶セル２４に対して固定することが望ましい。入射光Ｌは、マイクロレンズアレイ２１、対向基板２５、液晶層５０、ＴＦＴアレイ基板１０という順で透過する構成となっており、マイクロレンズアレイ２１に入射した光Ｌは、画素領域Ｇの右寄りの位置に所定のスポット径で集光される。
【００２７】
上記構成の液晶装置においては、対向基板２５上の共通電極１６に開口部１６ｃが形成されており、液晶層５０中で開口部１６ｃに相当する領域には電界が加わらないため、その近傍の液晶分子は電界印加時でも倒れることがなく、常にディスクリネーションが発生する個所（図３において符号Ｄで示す）となる。そして、液晶セル２４の光入射側にマイクロレンズアレイ２１が適切な位置に配置されていることにより、ディスクリネーションの発生個所以外の個所に入射光Ｌを集光できるので、画素領域Ｇ内で液晶分子が正常に配向した部分を表示に利用することができる。その結果、従来のように配向制御電極を別途設けたり、装置設計の自由度を低下させることなく、ディスクリネーションによる表示品位の低下を抑制することができる。
【００２８】
特に本実施の形態の場合、ディスクリネーションの発生個所Ｄが一つの画素領域Ｇ内の一端側（図３における左側）になるよう設定され、入射光Ｌの集光位置が他端側（図３における右側）になるよう設定されている。仮に、図４（ａ）に示すように、画素領域Ｇの中央にディスクリネーションＤを発生させるようにした場合、必然的に画素領域Ｇの周縁部に入射光Ｌを集光させなければならず、マイクロレンズアレイ２１による集光が難しくなる。それに対して、図４（ｂ）に示すように、共通電極１６の開口部１６ｃの位置によりディスクリネーションＤの発生個所を画素領域の片側に寄せ、集光位置Ｌｓをその反対側にしたことによって、画素が微細化しても対応が容易になり、マイクロレンズアレイ２１の設計の自由度が向上する、という効果が得られる。また本実施の形態では、画素領域Ｇ内においてＴＦＴ３０からの距離が遠い側に集光する構成としているので、入射光Ｌからの漏れ光がＴＦＴ３０に侵入しにくく、ＴＦＴ３０の光リーク電流を抑制できるという効果も得られる。
【００２９】
［投射型液晶装置］
図６は、光変調手段（ライトバルブ）として上記実施形態の液晶装置を３個用いた、いわゆる３板式の投射型液晶表示装置（液晶プロジェクタ）の一例を示す概略構成図である。図中、符号１１００は光源、１１０８はダイクロイックミラー、１１０６は反射ミラー、１１２２，１１２３，１１２４はリレーレンズ、１００Ｒ，１００Ｇ，１００Ｂは液晶ライトバルブ、１１１２はクロスダイクロイックプリズム、１１１４は投射レンズ系を示す。
【００３０】
光源１１００は、メタルハライド等のランプ１１０２とランプ１１０２の光を反射するリフレクタ１１０１とから構成されている。青色光・緑色光反射のダイクロイックミラー１１０８は、光源１１００からの白色光のうちの赤色光を透過させるとともに、青色光と緑色光とを反射する。透過した赤色光は反射ミラー１１０６で反射され、赤色光用液晶ライトバルブ１００Ｒに入射される。
【００３１】
一方、ダイクロイックミラー１１０８で反射された色光のうち、緑色光は、緑色光反射のダイクロイックミラー１１０８によって反射され、緑色用液晶ライトバルブ１００Ｇに入射される。一方、青色光は、第２のダイクロイックミラー１１０８も透過する。青色光に対しては、光路長が緑色光、赤色光と異なるのを補償するために、入射レンズ１１２２、リレーレンズ１１２３、出射レンズ１１２４を含むリレーレンズ系からなる導光手段１１２１が設けられ、これを介して青色光が青色光用液晶ライトバルブ１００Ｂに入射される。なお、図示は省略するが、各色光用液晶ライトバルブ１００Ｒ，１００Ｇ，１００Ｂの入射側には、上記実施の形態の液晶装置におけるマイクロレンズアレイが設けられている。
【００３２】
各ライトバルブ１００Ｒ，１００Ｇ，１００Ｂにより変調された３つの色光はクロスダイクロイックプリズム１１１２に入射する。このプリズムは、４つの直角プリズムが貼り合わされ、その内面に赤色光を反射する誘電体多層膜と青色光を反射する誘電体多層膜とが十字状に形成されたものである。これらの誘電体多層膜によって３つの色光が合成されて、カラー画像を表す光が形成される。合成された光は、投射光学系である投射レンズ系１１１４によってスクリーン１１２０上に投射され、画像が拡大されて表示される。
【００３３】
上記構成の投射型液晶表示装置においては、上記実施の形態の液晶装置を用いたことにより、高輝度、高コントラスト、高精細の表示品位に優れた投射型液晶表示装置を実現することができる。
【００３４】
［電子機器］
次に、本発明の上記実施の形態の液晶装置を備えた電子機器の具体例について説明する。
図５は、携帯電話の一例を示した斜視図である。図５において、符号５００は携帯電話本体を示し、符号５０１は上記液晶装置を用いた液晶表示部を示している。なお、上記液晶装置をこの種の電子機器に搭載する際には、液晶装置の光源となるバックライトと液晶セルとの間にマイクロレンズアレイが位置する構成とすればよい。
【００３５】
図５に示す電子機器は、上記実施の形態の液晶装置を用いた液晶表示部を備えているので、高輝度、高コントラスト、高精細の液晶表示部を備えた電子機器をを実現することができる。
【００３６】
なお、本発明の技術範囲は上記実施の形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。例えば上記実施の形態では、ディスクリネーション固定手段として共通電極に開口部を設けた例を挙げたが、その他、基板自体やその上に積層する任意の膜に凹部を形成し、その形状を反映させることによって電極に凹部を形成する構成としてもよい。電極に凹部を設けた場合、凹部の近傍で電界が歪み、凹部周囲の液晶分子を異なる方向に配向させる規制力が働く結果、凹部に相当する領域では液晶分子が倒れず、ディスクリネーションを意図的に発生させることができる。もしくは、基板上に例えば樹脂材料等からなる凸部を形成する構成としても良い。基板上に凸部を設けた場合、凸部周囲の液晶分子を異なる方向に配向させる規制力が働く結果、凸部に相当する領域では液晶分子が倒れず、ディスクリネーションを意図的に発生させることができる。また、開口部、凹部、凸部を設ける位置は、対向基板側のみならず、素子基板側でも良く、さらに双方の基板に設けても良い。開口部、凹部、凸部は適宜組み合わせて用いても良い。
【００３７】
また、上記実施の形態ではＴＦＴをスイッチング素子としたアクティブマトリクス型液晶装置に本発明を適用した例を示したが、薄膜ダイオード（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｄｉｏｄｅ，ＴＦＤ）スイッチング素子としたアクティブマトリクス型液晶装置、パッシブマトリクス型液晶表示装置などに本発明を適用することも可能である。その他、各種構成要素の材料、形状等に関する具体的な記載は、適宜変更が可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態の液晶装置の等価回路図である。
【図２】同、液晶装置の複数の画素の構造を示す平面図である。
【図３】同、液晶装置の構造を示す断面図である。
【図４】ディスクリネーション発生個所と集光個所との関係を示す模式図である。
【図５】本発明の電子機器の一例を示す斜視図である。
【図６】本発明の投射型表示装置の一例を示す概略構成図である。
【符号の説明】
９…画素電極、１０…ＴＦＴアレイ基板、１６…共通電極、１６ｃ…開口部（ディスクリネーション固定手段）、２５…対向基板、５０…液晶層、Ｄ…ディスクリネーション発生個所、Ｌ…入射光
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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