(57)【要約】【課題】良好な密着性、被膜外観をもつニッケル膜を無電解ニッケルめっきにより直接形成可能なアルミニウム合金と、このようなアルミニウム合金電極を備えた電子デバイスを提供する。【解決手段】ニッケル、鉄、銅、白金およびパラジウムの少なくとも１種を０．１〜８ａｔｏｍｉｃ％の範囲で含有するアルミニウム合金とすることにより、置換めっき処理を行うことなく直接無電解ニッケルめっきが可能となり、また、ニッケル、鉄、銅、白金およびパラジウムの１種以上を０．１〜８ａｔｏｍｉｃ％の範囲で含有したアルミニウム合金電極を備える電子デバイスとすることにより、電極表面に無電解ニッケルめっきにより直接ニッケル膜を形成することができるものとした。【選択図】　なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
置換めっき処理を行うことなく直接無電解ニッケルめっきが可能なアルミニウム合金において、
ニッケル、鉄、銅、白金およびパラジウムの少なくとも１種を０．１〜８ａｔｏｍｉｃ％の範囲で含有することを特徴とするアルミニウム合金。
【請求項２】
表面に無電解ニッケルめっきにより直接ニッケル膜を形成することができるアルミニウム合金電極を備えた電子デバイスにおいて、
前記アルミニウム合金電極は、ニッケル、鉄、銅、白金およびパラジウムの少なくとも１種を０．１〜８ａｔｏｍｉｃ％の範囲で含有したアルミニウム合金電極であることを特徴とする電子デバイス。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、アルミニウム合金上への無電解ニッケルめっきに係るものであり、特に置換めっき処理を行うことなく直接無電解ニッケルめっきが可能なアルミニウム合金と、表面に無電解ニッケルめっきにより直接ニッケル膜を形成することができるアルミニウム合金電極を備えた電子デバイスに関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、半導体装置等の電子デバイスの配線、電極材料としてアルミニウム、アルミニウム−ケイ素合金、アルミニウム−銅合金が使用されているが、このようなアルミニウムやアルミニウム合金からなる電極は、はんだ濡れ性が悪く、このため無電解ニッケルめっき、置換金めっき等を施して電極のはんだ濡れ性を向上させることが行われている。
【０００３】
難めっき材であるアルミニウムやアルミニウム合金に無電解ニッケルめっきを施す場合に最も適した工程として、ダブルジンケート法が挙げられる。このダブルジンケート法では、通常、まず脱脂処理、酸またはアルカリによるエッチング処理、硝酸等を用いた酸浸漬処理が行われる。次に、第１亜鉛置換→硝酸剥離→第２亜鉛置換からなる２回の亜鉛置換処理、いわゆるダブルジンケート処理が施され、緻密な亜鉛置換被膜を形成し、その後、亜鉛置換被膜上に無電解ニッケルめっきによりニッケル膜が形成される。このようなダブルジンケート法は、無電解ニッケルめっきにより成膜されたニッケル膜がアルミニウムやアルミニウム合金に対して良好な密着性を示すこと、ニッケル膜の外観が良好であることから、広く用いられている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記のダブルジンケート法は、工程が長く、また、強酸性下におけるエッチング処理や酸浸漬処理、および、強アルカリ性下における亜鉛置換処理を含むため、パターニング用のレジストに与えるダメージが大きく、この点が半導体装置等の電子デバイスの製造分野で欠点として指摘されている。
また、真空成膜法により形成されたアルミニウム薄膜は、その結晶状態によっては、ダブルジンケート処理中に溶解してしまう可能性も指摘されている（Ｊ．　Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍ．　Ｓｏｃ．　１４８（６），　Ｃ４３３−Ｃ４３８　（２００１））。
【０００５】
このようなダブルジンケート法を改善するために、酸性亜鉛置換処理（例えば、特開２０００−２５６８６４号公報）や、ダブルジンケート処理が不要である無電解ニッケルめっき（例えば、特開２００１−１０７２５４号公報）等が提案されている。しかし、上記の提案でも従来のダブルジンケート法と同等の良好な密着性、被膜外観をもつニッケル膜を工業的に再現性良く形成することができず、また、無電解ニッケルめっきの前処理としてニッケル置換めっき処理が必要であるという問題がある。
本発明は、上記のような実情に鑑みてなされたものであり、良好な密着性、被膜外観をもつニッケル膜を無電解ニッケルめっきにより直接形成可能なアルミニウム合金と、このようなアルミニウム合金電極を備えた電子デバイスを提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明者は、ダブルジンケート処理を行ったアルミニウム合金の無電解ニッケルめっきの界面について詳細に検討を加えた結果、無電解ニッケルめっき反応初期にアルミニウムが溶出し、溶解により消失する厚みは最大１μｍ程度と推定され、半導体デバイス等で一般的に用いられているアルミニウム合金電極の厚みにほぼ相当することを確認した。そこで、無電解ニッケルめっき反応初期におけるアルミニウム溶出が不可避であることを前提とし、無電解ニッケルめっきの析出核となる金属とアルミニウムとの合金を種々検討し、本発明をなすに至った。
【０００７】
すなわち、本発明は、置換めっき処理を行うことなく直接無電解ニッケルめっきが可能なアルミニウム合金において、ニッケル、鉄、銅、白金およびパラジウムの少なくとも１種を０．１〜８ａｔｏｍｉｃ％の範囲で含有するような構成とした。
本発明は、表面に無電解ニッケルめっきにより直接ニッケル膜を形成することができるアルミニウム合金電極を備えた電子デバイスにおいて、前記アルミニウム合金電極は、ニッケル、鉄、銅、白金およびパラジウムの少なくとも１種を０．１〜８ａｔｏｍｉｃ％の範囲で含有したアルミニウム合金電極であるような構成とした。
上記のような本発明では、アルミニウム合金に所定の範囲で含有されるニッケル、鉄、銅、白金、パラジウムの各金属が、無電解ニッケルめっきにおけるアルミニウムの溶解に伴って表面に濃縮され、アルミニウムの溶解を抑制する作用をなすとともに、核となって無電解ニッケルめっき反応を開始させる作用をなす。
【０００８】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について説明する。
本発明のアルミニウム合金は、ニッケルを０．１〜８ａｔｏｍｉｃ％、好ましくは１〜６ａｔｏｍｉｃ％の範囲で含有するアルミニウム−ニッケル合金である。また、本発明のアルミニウム合金は、鉄を０．１〜８ａｔｏｍｉｃ％、好ましくは１〜６ａｔｏｍｉｃ％の範囲で含有するアルミニウム−鉄合金である。また、本発明のアルミニウム合金は、銅を０．１〜８ａｔｏｍｉｃ％、好ましくは１〜６ａｔｏｍｉｃ％の範囲で含有するアルミニウム−銅合金である。また、本発明のアルミニウム合金は、白金を０．１〜８ａｔｏｍｉｃ％、好ましくは１〜６ａｔｏｍｉｃ％の範囲で含有するアルミニウム−白金合金である。さらに、本発明のアルミニウム合金は、パラジウムを０．１〜８ａｔｏｍｉｃ％、好ましくは１〜６ａｔｏｍｉｃ％の範囲で含有するアルミニウム−パラジウム合金である。また、本発明のアルミニウム合金は、ニッケル、鉄、銅、白金およびパラジウムの２種以上を０．１〜８ａｔｏｍｉｃ％、好ましくは１〜６ａｔｏｍｉｃ％の範囲で含有するアルミニウム合金である。
【０００９】
上記の範囲でアルミニウム合金に含有されるニッケル、鉄、銅、白金、パラジウムの各金属は、無電解ニッケルめっきの反応初期におけるアルミニウムの溶解に伴って表面に濃縮してアルミニウムの溶解を抑制する効果と、析出核となって無電解ニッケルめっき反応を開始させる効果を発現する。
アルミニウム合金に含有されるニッケル、鉄、銅、白金、パラジウムの各金属の含有量が０．１ａｔｏｍｉｃ％未満であると、析出核となる金属量が不十分であり、無電解ニッケルめっき反応が進行せず、置換めっき処理を行うことなくアルミニウム合金に直接無電解ニッケルめっきを行うことが困難となる。また、アルミニウム合金に含有されるニッケル、鉄、銅、白金、パラジウムの各金属の含有量が８ａｔｏｍｉｃ％を超えると、無電解ニッケルめっき反応初期におけるアルミニウムの溶解に伴い含有されるニッケル、鉄、銅、白金、パラジウムの各金属が合金中から脱落し、この金属粒子が無電解ニッケルめっき液中で粒子成長した後にニッケル膜中に取り込まれ、形成されたニッケル膜の表面に球状微粒子等として付着し、被膜外観を悪化させることになる。
尚、本発明のアルミニウム合金は、不純物として、ケイ素、マグネシウム等を１ａｔｏｍｉｃ％以下の範囲で含有していてもよい。
【００１０】
上述のような本発明のアルミニウム合金は、マグネトロンスパッタリング法、イオンビームスパッタリング法等の真空成膜法等により作製することができる。また、ニッケル、鉄、銅、白金、パラジウムの各金属の表面濃縮によるアルミニウムの溶解抑制効果が発現されるので、作製するアルミニウム合金の厚みは使用目的に応じて適宜設定することが可能である。ただし、無電解ニッケルめっき反応における安全性の観点から、アルミニウム合金の厚みは０．５μｍ以上とすることが好ましい。
本発明のアルミニウム合金は、必要な脱脂処理を施すことはあっても、亜鉛置換やニッケル置換等の置換めっき処理を行うことなく直接無電解ニッケルめっきを行うことができる。使用する無電解ニッケルめっき浴の組成には特に制限はなく、また、めっき浴温、浸漬時間にも特に制限はなく、例えば、６０〜９５℃、１〜３６００分間の範囲で適宜設定することができる。また、無電解ニッケルめっき浴のｐＨは、４〜６の範囲とすることが好ましい。
【００１１】
本発明の電子デバイスは、上述のような本発明のアルミニウム合金を電極として備えたものである。すなわち、ニッケルを０．１〜８ａｔｏｍｉｃ％、好ましくは１〜６ａｔｏｍｉｃ％の範囲で含有したアルミニウム−ニッケル合金電極を備えた電子デバイスである。また、鉄を０．１〜８ａｔｏｍｉｃ％、好ましくは１〜６ａｔｏｍｉｃ％の範囲で含有したアルミニウム−鉄合金電極を備えた電子デバイスである。また、銅を０．１〜８ａｔｏｍｉｃ％、好ましくは１〜６ａｔｏｍｉｃ％の範囲で含有したアルミニウム−銅合金電極を備えた電子デバイスである。また、白金を０．１〜８ａｔｏｍｉｃ％、好ましくは１〜６ａｔｏｍｉｃ％の範囲で含有したアルミニウム−白金合金電極を備えた電子デバイスである。さらに、パラジウムを０．１〜８ａｔｏｍｉｃ％、好ましくは１〜６ａｔｏｍｉｃ％の範囲で含有したアルミニウム−パラジウム合金電極を備えた電子デバイスである。また、ニッケル、鉄、銅、白金およびパラジウムの２種以上を０．１〜８ａｔｏｍｉｃ％、好ましくは１〜６ａｔｏｍｉｃ％の範囲で含有したアルミニウム合金電極を備えた電子デバイスである。
【００１２】
電子デバイスとしては、半導体装置やフラットディスプレイパネル等、アルミニウムで回路を形成する素子を挙げることができる。
このような本発明の電子デバイスは、電極のはんだ濡れ性を向上させるために、必要な脱脂処理を施すことはあっても、亜鉛置換やニッケル置換等の置換めっき処理を行うことなく直接無電解ニッケルめっきにより表面にニッケル膜を形成することができる。また、バンプ電極形成のために、亜鉛置換やニッケル置換等の置換めっき処理を行うことなく直接無電解ニッケルめっきにより表面にニッケルバンプを形成することが可能となる。そして、ニッケル、鉄、銅、白金、パラジウムの各金属の表面濃縮によるアルミニウムの溶解抑制効果が発現されるため、厚みが０．５〜１．０μｍ程度の薄いものとすることができる。
【００１３】
本発明の電子デバイスを構成する上記の各種のアルミニウム合金電極は、従来の電子デバイス製造における電極形成と同様の方法で形成することができ、特に制限はない。例えば、回路形成が終了した半導体ウエハに、マグネトロンスパッタリング法、イオンビームスパッタリング法等の真空成膜法によりアルミニウム合金皮膜を形成し、このアルミニウム合金皮膜上にレジストパターンを形成した後に、不要部分のアルミニウム合金皮膜をエッチングで除去することにより薄膜電極として形成することができる。
【００１４】
【実施例】
次に、具体的実施例を挙げて本発明を更に詳細に説明する。
［実施例１］
ニッケルを８ａｔｏｍｉｃ％含有したアルミニウム−ニッケル合金薄膜（厚み０．５μｍ）をマグネトロンスパッタリング法によりガラス基板上に成膜した。このガラス基板にメルテックス（株）製エンプレップＮＥ−８を用いて脱脂処理を施し、水洗した。
【００１５】
次に、２種の無電解ニッケルめっき浴を用いて無電解ニッケルめっき処理を施した。すなわち、メルテックス（株）製エンプレートＮＩ−４２２においては８５℃、１時間浸漬、メルテックス（株）製エンプレートＮＩ−４２６においては７５℃、２０分間浸漬して、無電解ニッケルめっき処理を施した。その結果、上記の２種の無電解ニッケルめっき浴のいずれにおいても、アルミニウム−ニッケル合金薄膜上へのニッケル膜の形成が可能であった。
また、形成されたニッケル膜の表面、および、液体窒素により急冷後に破断することにより切断した破断面を電界放射走査型電子顕微鏡（ＦＥ−ＳＥＭ）により観察した。その結果、ニッケル膜は表面が平坦で良好な外観をもつ膜厚５μｍの膜であった。また、ガラス基板上のアルミニウム−ニッケル合金薄膜の厚みは約０．５μｍであり、ニッケルの表面濃縮によるアルミニウムの溶解抑制効果が確認された。
【００１６】
［実施例２］
ニッケルを３ａｔｏｍｉｃ％含有したアルミニウム−ニッケル合金薄膜をガラス基板上に成膜した他は、実施例１と同様にして、無電解ニッケルめっき処理を施した。
使用した２種の無電解ニッケルめっき浴のいずれにおいても、アルミニウム−ニッケル合金薄膜上へのニッケル膜の形成が可能であった。
また、形成されたニッケル膜は、表面が平坦で良好な外観をもつ膜厚５μｍの膜であった。さらに、ガラス基板上のアルミニウム−ニッケル合金薄膜の厚みは約０．５μｍであり、ニッケルの表面濃縮によるアルミニウムの溶解抑制効果が確認された。
【００１７】
［実施例３］
ニッケルを１ａｔｏｍｉｃ％含有したアルミニウム−ニッケル合金薄膜をガラス基板上に成膜した他は、実施例１と同様にして、無電解ニッケルめっき処理を施した。
使用した２種の無電解ニッケルめっき浴のいずれにおいても、アルミニウム−ニッケル合金薄膜上へのニッケル膜の形成が可能であった。
また、形成されたニッケル膜は、表面が平坦で良好な外観をもつ膜厚５μｍの膜であった。さらに、ガラス基板上のアルミニウム−ニッケル合金薄膜の厚みは約０．５μｍであり、ニッケルの表面濃縮によるアルミニウムの溶解抑制効果が確認された。
【００１８】
［実施例４］
ニッケルを０．１ａｔｏｍｉｃ％含有したアルミニウム−ニッケル合金薄膜をガラス基板上に成膜した他は、実施例１と同様にして、無電解ニッケルめっき処理を施した。
使用した２種の無電解ニッケルめっき浴のいずれにおいても、アルミニウム−ニッケル合金薄膜上へのニッケル膜の形成が可能であった。
また、形成されたニッケル膜は、表面が平坦で良好な外観をもつ膜厚５μｍの膜であった。さらに、ガラス基板上のアルミニウム−ニッケル合金薄膜の厚みは約０．５μｍであり、ニッケルの表面濃縮によるアルミニウムの溶解抑制効果が確認された。
【００１９】
［比較例１］
ニッケルを１０ａｔｏｍｉｃ％含有したアルミニウム−ニッケル合金薄膜をガラス基板上に成膜した他は、実施例１と同様にして、無電解ニッケルめっき処理を施した。
使用した２種の無電解ニッケルめっき浴のいずれにおいても、アルミニウム−ニッケル合金薄膜上へのニッケル膜の形成が可能であった。
しかし、形成されたニッケル膜は、表面に球状の析出物が存在するものであり、被膜外観は悪いものであった。このことより、ニッケル含有量が８ａｔｏｍｉｃ％を超える場合、アルミニウムの溶解に伴ってニッケルが脱落し、このニッケル微粒子がめっき浴中で成長した後にニッケル膜に取り込まれる現象が生じるものと推測された。
尚、ガラス基板上のアルミニウム−ニッケル合金薄膜の厚みは約０．５μｍであり、ニッケルの表面濃縮によるアルミニウムの溶解抑制効果が確認された。
【００２０】
［比較例２］
ニッケルを０．０５ａｔｏｍｉｃ％含有したアルミニウム−ニッケル合金薄膜をガラス基板上に成膜した他は、実施例１と同様にして、無電解ニッケルめっき処理を施した。
しかし、使用した２種の無電解ニッケルめっき浴のいずれにおいても、アルミニウム−ニッケル合金薄膜上へのニッケル膜の形成が不可能であった。
【００２１】
［比較例３］
実施例１と同様にして、ニッケルを８ａｔｏｍｉｃ％含有したアルミニウム−ニッケル合金薄膜をガラス基板上に成膜した。
次に、ダブルジンケート法により前処理を行い、無電解ニッケルめっきを施そうと試みたが、第１亜鉛置換処理時にガラス基板上のアルミニウム−ニッケル合金薄膜がすべて溶解した。
【００２２】
［実施例５］
鉄を２ａｔｏｍｉｃ％含有したアルミニウム−鉄合金薄膜（厚み０．５μｍ）をマグネトロンスパッタリング法によりガラス基板上に成膜した。このガラス基板にメルテックス（株）製エンプレップＮＥ−８を用いて脱脂処理を施し、水洗した。次に、２種の無電解ニッケルめっき浴を用いて無電解ニッケルめっき処理を施した。すなわち、メルテックス（株）製エンプレートＮＩ−４２２においては８５℃、１時間浸漬、メルテックス（株）製エンプレートＮＩ−４２６においては７５℃、２０分間浸漬して、無電解ニッケルめっき処理を施した。その結果、上記の２種の無電解ニッケルめっき浴のいずれにおいても、アルミニウム−鉄合金薄膜上へのニッケル膜の形成が可能であった。
また、形成されたニッケル膜の表面、および、液体窒素により急冷した後に破断することにより切断した破断面を電界放射走査型電子顕微鏡（ＦＥ−ＳＥＭ）により観察した。その結果、ニッケル膜は表面が平坦で良好な外観をもつ膜厚５μｍの膜であった。また、ガラス基板上のアルミニウム−鉄合金薄膜の厚みは約０．５μｍであり、鉄の表面濃縮によるアルミニウムの溶解抑制効果が確認された。
【００２３】
［実施例６］
銅を７ａｔｏｍｉｃ％含有したアルミニウム−銅合金薄膜（厚み０．５μｍ）をマグネトロンスパッタリング法によりガラス基板上に成膜した。このガラス基板にメルテックス（株）製エンプレップＮＥ−８を用いて脱脂処理を施し、水洗した。
次に、２種の無電解ニッケルめっき浴を用いて無電解ニッケルめっき処理を施した。すなわち、メルテックス（株）製エンプレートＮＩ−４２２においては８５℃、１時間浸漬、メルテックス（株）製エンプレートＮＩ−４２６においては７５℃、２０分間浸漬して、無電解ニッケルめっき処理を施した。その結果、上記の２種の無電解ニッケルめっき浴のいずれにおいても、アルミニウム−銅合金薄膜上へのニッケル膜の形成が可能であった。
また、形成されたニッケル膜の表面、および、液体窒素により急冷した後に破断することにより切断した破断面を電界放射走査型電子顕微鏡（ＦＥ−ＳＥＭ）により観察した。その結果、ニッケル膜は表面が平坦で良好な外観をもつ膜厚５μｍの膜であった。また、ガラス基板上のアルミニウム−銅合金薄膜の厚みは約０．５μｍであり、銅の表面濃縮によるアルミニウムの溶解抑制効果が確認された。
【００２４】
［実施例７］
白金を５ａｔｏｍｉｃ％含有したアルミニウム−白金合金薄膜（厚み０．５μｍ）をマグネトロンスパッタリング法によりガラス基板上に成膜した。このガラス基板にメルテックス（株）製エンプレップＮＥ−８を用いて脱脂処理を施し、水洗した。
次に、２種の無電解ニッケルめっき浴を用いて無電解ニッケルめっき処理を施した。すなわち、メルテックス（株）製エンプレートＮＩ−４２２においては８５℃、１時間浸漬、メルテックス（株）製エンプレートＮＩ−４２６においては７５℃、２０分間浸漬して、無電解ニッケルめっき処理を施した。その結果、上記の２種の無電解ニッケルめっき浴のいずれにおいても、アルミニウム−白金合金薄膜上へのニッケル膜の形成が可能であった。
また、形成されたニッケル膜の表面、および、液体窒素により急冷後に破断することにより切断した破断面を電界放射走査型電子顕微鏡（ＦＥ−ＳＥＭ）により観察した。その結果、ニッケル膜は表面が平坦で良好な外観をもつ膜厚５μｍの膜であった。また、ガラス基板上のアルミニウム−白金合金薄膜の厚みは約０．５μｍであり、白金の表面濃縮によるアルミニウムの溶解抑制効果が確認された。
【００２５】
［実施例８］
パラジウムを８ａｔｏｍｉｃ％含有したアルミニウム−パラジウム合金薄膜（厚み０．５μｍ）をマグネトロンスパッタリング法によりガラス基板上に成膜した。このガラス基板にメルテックス（株）製エンプレップＮＥ−８を用いて脱脂処理を施し、水洗した。
次に、２種の無電解ニッケルめっき浴を用いて無電解ニッケルめっき処理を施した。すなわち、メルテックス（株）製エンプレートＮＩ−４２２においては８５℃、１時間浸漬、メルテックス（株）製エンプレートＮＩ−４２６においては７５℃、２０分間浸漬して、無電解ニッケルめっき処理を施した。その結果、上記の２種の無電解ニッケルめっき浴のいずれにおいても、アルミニウム−パラジウム合金薄膜上へのニッケル膜の形成が可能であった。
また、形成されたニッケル膜の表面、および、液体窒素により急冷した後に破断することにより切断した破断面を電界放射走査型電子顕微鏡（ＦＥ−ＳＥＭ）により観察した。その結果、ニッケル膜は表面が平坦で良好な外観をもつ膜厚５μｍの膜であった。また、ガラス基板上のアルミニウム−パラジウム合金薄膜の厚みは約０．５μｍであり、パラジウムの表面濃縮によるアルミニウムの溶解抑制効果が確認された。
【００２６】
【発明の効果】
以上詳述したように、本発明によればアルミニウム合金に所定の範囲で１種以上含有されるニッケル、鉄、銅、白金およびパラジウムの各金属が、無電解ニッケルめっきにおけるアルミニウムの溶解に伴って表面に濃縮され、アルミニウムの溶解を抑制する効果を発現し、また、析出核となって無電解ニッケルめっき反応を開始させる効果を発現し、これにより、必要な脱脂処理を施すことはあっても、亜鉛置換やニッケル置換等の置換めっき処理を行うことなく、アルミニウム合金上に直接無電解ニッケルめっきを行うことができ、形成されるニッケル膜は良好な密着性、被膜外観をもつものとなる。また、本発明の電子デバイスでは、アルミニウム−ニッケル合金電極、アルミニウム−鉄合金電極、アルミニウム−銅合金電極、アルミニウム−白金合金電極、アルミニウム−パラジウム合金電極の各電極、あるいは、ニッケル、鉄、銅、白金およびパラジウムのなかの２種以上とアルミニウムとのアルミニウム合金電極の表面に無電解ニッケルめっきにより直接ニッケル膜を形成することができ、かつ、形成されるニッケル膜は良好な密着性、被膜外観をもつものとなる。さらに、上記の範囲でアルミニウム合金に１種以上含有されるニッケル、鉄、銅、白金およびパラジウムの各金属は、無電解ニッケルめっき浴中に脱落することが抑制されるため、脱落した金属粒子成長によるめっき浴の疲労が防止される。