(57)【要約】【課題】接続孔の形成が容易、かつ配線の信頼性が高められる電子部品の実装構造及びその製造方法を提供すること。【解決手段】実装する樹脂チップ５とＩＣチップ６の厚みの差に一致させて絶縁層２の厚みを制御し、ＩＣチップ６は絶縁層２、３を部分的に除去して基板１上に直接マウントし、樹脂チップ５は絶縁層３上にマウントする。これにより、ＩＣチップ６の電極９と樹脂チップ５の電極１１ｂとが同一高さに形成されるため、これらの電極との接続孔を同一加工条件で一括加工できると共に、最下層配線の接続孔１５ａを浅く、低いアスペクト比に形成でき、良好な配線の形成が可能となる。【選択図】　　　　　図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
実装基体上に複数の電子部品が固定され、これらの電子部品を被覆する絶縁層に形成された接続孔を介して各電子部品の電極が取り出されている電子部品の実装構造において、
前記実装基体上に設けられた下地層の厚みの制御によって、前記複数の電子部品の各電極に対する前記接続孔の深さがほぼ同一となっている、電子部品の実装構造。
【請求項２】
厚みの制御された前記下地層の面に、前記実装基体上の最下層の配線が設けられている、請求項１に記載した電子部品の実装構造。
【請求項３】
前記複数の電子部品の厚みの差に対応する膜厚の下地絶縁層が、厚みの小さい方の電子部品の下地層として設けられている、請求項１に記載した電子部品の実装構造。
【請求項４】
前記複数の電子部品のうち厚みの大きい方の電子部品の下部において、前記下地絶縁層が除去されて凹部が形成され、この凹部内に前記厚みの大きい電子部品が固定されている、請求項３に記載した電子部品の実装構造。
【請求項５】
前記最下層の配線が前記実装基体に直接設けられ、前記下地層に形成された接続孔を介して、前記下地層上に前記最下層の配線が導出されている、請求項２に記載した電子部品の実装構造。
【請求項６】
前記複数の電子部品間が、前記絶縁層に形成された前記接続孔を介して電気的に接続されている、請求項１に記載した電子部品の実装構造。
【請求項７】
前記複数の電子部品の一方が発光素子であり、他方が発光素子駆動用の半導体チップである、請求項６に記載した電子部品の実装構造。
【請求項８】
前記発光素子が樹脂封止されたチップ状態で実装されている、請求項７に記載した電子部品の実装構造。
【請求項９】
画像表示装置を構成する、請求項７に記載した電子部品の実装構造。
【請求項１０】
実装基体上に複数の電子部品が固定され、これらの電子部品を被覆する絶縁層に形成された接続孔を介して各電子部品の電極が取り出されている電子部品の実装構造を製造する方法において、
前記実装基体上に制御された厚みに下地層を形成する工程と、
前記下地層上に前記複数の電子部品を固定する工程と、
前記絶縁層を形成する工程と、
この絶縁層に前記接続孔を形成する工程と
を有する、電子部品の実装構造を製造する方法。
【請求項１１】
厚みの制御された前記下地層の面に、前記実装基体上の最下層の配線を設ける、請求項１０に記載した電子部品の実装構造を製造する方法。
【請求項１２】
前記複数の電子部品の厚みの差に対応する膜厚の下地絶縁層を形成し、この絶縁層上に厚みの小さい方の電子部品を固定する、請求項１０に記載した電子部品の実装構造を製造する方法。
【請求項１３】
前記複数の電子部品のうち厚みの大きい方の電子部品の下部において、前記下地絶縁層を除去して凹部を形成し、この凹部内に前記厚みの大きい電子部品を固定する、請求項１２に記載した電子部品の実装構造を製造する方法。
【請求項１４】
前記最下層の配線を前記実装基体に直接設け、前記下地層に形成された接続孔を介して、前記下地層上に前記最下層の配線を導出する、請求項１１に記載した電子部品の実装構造を製造する方法。
【請求項１５】
前記複数の電子部品間を、前記絶縁層に形成された前記接続孔を介して電気的に接続する、請求項１０に記載した電子部品の実装構造を製造する方法。
【請求項１６】
前記複数の電子部品の一方を発光素子とし、他方を発光素子駆動用の半導体チップとする、請求項１５に記載した電子部品の実装構造を製造する方法。
【請求項１７】
前記発光素子を樹脂封止されたチップ状態で実装する、請求項１６に記載した電子部品の実装構造を製造する方法。
【請求項１８】
画像表示装置を製造する、請求項１６に記載した電子部品の実装構造を製造する方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電子部品の実装構造及びその製造方法に関し、特に、接続孔の加工が容易な電子部品の実装構造及びその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、画像表示装置の製造方法としては、ウェーハからダイシングして電子部品（例えば半導体チップ）を分離し、分離した電子部品をダイシングシートからチップトレイに移送し、所定の加工及び転写工程を経た後に、チップトレイから電子部品を真空吸着でピックアップして、基板にマウント若しくは接続した後に配線するという方法が知られている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
図１１及び図１２は、上記した画像表示装置（以下、単に装置と称することがある。）の一例を示す概略図であり、それぞれ発光素子として、発光ダイオード（以下、ＬＥＤと称することがある。）４０ａを樹脂封止した樹脂チップ３５ａ、又はＬＥＤ４０ｂを樹脂封止した樹脂チップ３５ｂが実装されている。
【０００４】
いずれも、基板３１上に積層された絶縁層３２（厚さ：約５μｍ）、３３（厚さ：約５μｍ）上に、前記樹脂チップ３５ａ又は３５ｂが設けられ、これに隣接してこれらのＬＥＤ駆動用のＩＣチップ３６が並設されている。そしてこれらを被覆する絶縁層３４に接続孔４３、４４、４５ａ、４５ｂを形成後に、配線４６が形成され、全体の高さＨは約１１０〜１３０μｍに形成されている。
【０００５】
そして、図１１に示す装置３０のＬＥＤ４０ａは、上部にｐ電極４１ａと下部にｎ電極（図示省略）とが形成され、下地成長層４７上に形成された六角錐形状のＬＥＤ４０ａにおける発光が、六角錐の斜面内側での反射を伴い基板３１側から取り出される。
【０００６】
また、図１２に示す装置５０のＬＥＤ４０ｂ（プレーナタイプ）は、下部にｐ電極４１ａと上部にｎ電極４１ｂとを有し、ＬＥＤ４０ｂにおける発光が同様に基板３１側から取り出せるようになっている。なお、ｐ電極４１ａの反対側の電極４１ｃはプロービング検査用である。
【０００７】
しかしながら、図１１及び図１２に示すように、基板３１からの樹脂チップ３５ａ又は３５ｂの高さＡ（約５０〜７０μｍ）及びＩＣチップ３６の高さＢ（約８０〜９０μｍ）が異なるため、これとの接続孔４３と４４（５０〜２００μｍφ）の深さも異なり、これ以外の下地配線３８ａ、３８ｂとの接続孔４５ａ、４５ｂを合せて、４種類の深さの接続孔が必要であり、それぞれ接続孔の加工条件が異なる上に、深い接続孔はアスペクト比が高く、導通を得ることが困難であった。このため、特に、上記ＡとＢが異なることが問題となっている。
【０００８】
また、これらのチップ部品のマウント精度は転写位置により決められていて、転写を繰り返すことにより、同一位置に多数のデバイスをマウントするため位置ずれが累積され、配線基板上にマウントした時には大きく位置がずれることがあった。
【０００９】
なお、このような電子部品の実装に関して、特開平９−３２１４０８号公報においては、半導体チップの端子にスタッドバンプを形成後に、半導体チップをプリント基板に埋め込み、これを被覆した絶縁部材に孔をあけてスタッドバンプを露出させ、これと配線パターンとを接続することにより、強固な配線ができることが開示されている。
【００１０】
また、特開平１０−２８２１４５号公報には、ガラス基板に設けた凹みに電子部品を配し、その電極に接続した配線を凹み以外の領域に延設し、この配線上に同じ高さのバンプを形成することにより、ＩＣ検査を容易にできることが開示されている。
【００１１】
また、特開平１０−２２３８３２号公報には、プリント基板上に電子部品を特定の高さに支持し、この状態で電子部品を基板にはんだ付けすることにより、低コストで良好なはんだ付けが可能になることが開示されている。
【００１２】
また、特開平１０−２２３８３２号公報には、基板上に設けた導電層上に、電極にバンプを設けた半導体チップ及び導電ブロックを配し、これを樹脂膜で被覆して表面を平坦化することで、ベア半導体チップの高さのばらつきを吸収できることが開示されている。
【００１３】
また、特開平１１−２６６３１号公報には、半導体素子の突起状電極の先端に導電性接着材を設けることにより、これを搭載する基板のうねりに対する突起電極の高さを調整できることが開示されている。
【００１４】
しかし、上記公報（以下、先願発明と称する。）のいずれも上記問題を解決するものではなく、本発明とは構成要件が異なると共に、本発明の構成を意図したものではない。
【００１５】
そこで本発明の目的は、接続孔の形成が容易、かつ配線の信頼性が高められる電子部品の実装構造及びその製造方法を提供することにある。
【００１６】
【課題を解決するための手段】
即ち、本発明は、実装基体上に複数の電子部品が固定され、これらの電子部品を被覆する絶縁層に形成された接続孔を介して各電子部品の電極が取り出されている電子部品の実装構造において、
前記実装基体上に設けられた下地層の厚みの制御によって、前記複数の電子部品の各電極に対する前記接続孔の深さがほぼ同一となっている、電子部品の実装構造（以下、本発明の実装構造と称する。）に係るものである。
【００１７】
本発明の実装構造によれば、基体上に設ける下地層の厚みを制御するので、各電子部品の電極の位置を同一高さに形成できるため、これらの電子部品を被覆する絶縁層において、各電子部品の電極に対する接続孔を同一加工条件の下で、一括加工することができる。その結果、接続不良のない良好な配線を形成することができ、信頼性が高められると共に、接続孔の種類が減り、製造工程の簡素化された電子部品の実装構造を提供できる。
【００１８】
また、本発明は、実装基体上に複数の電子部品が固定され、これらの電子部品を被覆する絶縁層に形成された接続孔を介して各電子部品の電極が取り出されている電子部品の実装構造を製造する方法において、
前記実装基体上に制御された厚みに下地層を形成する工程と、
前記下地層上に前記複数の電子部品を固定する工程と、
前記絶縁層を形成する工程と、
この絶縁層に前記接続孔を形成する工程と
を有する、電子部品の実装構造を製造する方法（以下、本発明の製造方法と称する。）に係るものである。
【００１９】
本発明の製造方法によれば、実装基体上に制御された厚みに下地層を形成し、この下地層上に複数の電子部品を固定し、この電子部品を被覆する絶縁層を形成してこの絶縁層に接続孔を形成するので、電子部品の電極に対する接続孔を同一加工条件で形成できるため、上記した本発明の実装構造と同様の効果が奏せられる、再現性の良い製造方法が提供できる。
【００２０】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の好ましい実施の形態を説明する。
【００２１】
上記した本発明の実装構造及び製造方法においては、厚みの制御された前記下地層の面に、前記実装基体上の最下層の配線を設けることにより、この配線の位置を高めることが可能になるため、アスペクト比の低い接続孔を形成でき、接続不良のない配線により信頼性が高められる点で望ましい。
【００２２】
この場合、前記複数の電子部品の厚みの差に対応する膜厚の下地絶縁層を形成し、この絶縁層上に、厚みの小さい方の電子部品を固定することにより、厚みの小さい電子部品の電極と厚みの大きい電子部品の電極の高さを同一にし易い点で望ましい。
【００２３】
但し、前記最下層の配線を前記実装基体に直接設けて、前記下地層に形成した接続孔を介して、前記下地層上に前記最下層の配線を導出するようにしてもよい。
【００２４】
更に、前記複数の電子部品のうち厚みの大きい方の電子部品の下部において、前記下地絶縁層を除去して凹部を形成し、この凹部内に前記厚みの大きい電子部品を固定することが、この電子部品の位置精度が高められると共に、厚みの小さい電子部品との高さを制御し易い点で望ましい。
【００２５】
これにより、前記複数の電子部品間が、前記絶縁層に形成された前記接続孔を介して電気的に良好に接続され、配線の信頼性が高められる点で望ましい。
【００２６】
この場合、前記複数の電子部品の一方を発光素子とし、他方を発光素子駆動用の半導体チップとして、更に、前記発光素子を樹脂封止したチップ状態で実装することにより、画像表示装置として構成することができる。
【００２７】
次に、上記した好ましい実施の形態を図面参照下で具体的に説明する。
【００２８】
実施の形態１
図１は、本実施の形態による実装構造の装置２５を示し、（ａ）は概略断面図、（ｂ）はその一部分の拡大断面図である。
【００２９】
この装置２５は、既述した図１２と同様なタイプのＬＥＤ５を具備したものであるが、従来と異なる特徴は、一方の電子部品としての樹脂チップ５の電極１１ｂと、他方の電子部品としてのＩＣチップ６の電極９の高さが同一に形成されていることにより、これらの電極に対する接続孔１３及び１４が同一であること、ＩＣチップ６が基板１上に直接マウントされていること、最下層の配線８ａに対する接続孔１５ａが浅く形成され、このアスペクト比が低く形成されていることである。
【００３０】
この実装構造は、図１（ａ）に示すように、基板１上に積層された絶縁層２、３の一部分が選択的に除去され、この部分にＩＣチップ６がダイボンディング材７を介して基板１上に直接固定され、樹脂チップ５は積層された絶縁層３の上にダイボンディング材７を介して固定されている。その結果、樹脂チップ５の電極１１ｂとＩＣチップ６の電極９が同一の高さに形成されているが、この高さはＩＣチップ６の厚さ（約７０〜８０μｍ）と樹脂チップ５の厚さ（約４０〜６０μｍ）の差に一致させて、絶縁層２の厚さを制御することにより形成されている。
【００３１】
即ち、既述したように、図１１又は図１２に示した従来の装置において、１層目の絶縁層３２の厚さ：約５μｍ、２層目の絶縁層３３の厚さ：約５μｍ、絶縁層３２又は３３を含むＡの高さ：約５０〜７０μｍ及びＢの高さ：約８０〜９０μｍであることから、両絶縁層の厚みの合計１０μｍを差引くと、Ｂの高さのうちのＩＣチップ３６の厚さは７０〜８０μｍ、Ａの高さのうちの樹脂チップ３５ａ（又は３５ｂ）の厚さは４０〜６０μｍである。
【００３２】
従って、図１１又は図１２における実際のＢとＡの差（Ａ−Ｂ）は１０〜４０μｍであることから、本実施の形態における１層目の絶縁層２の厚さ（ｔ）は１０〜４０μｍ（例えば１０μｍ）に形成し、樹脂チップ５及びＩＣチップ６の電極を同一高さに形成している。
【００３３】
つまり、図１（ｂ）に示すように、１層目の絶縁層２の厚さｔ、ＩＣチップ６の厚さｘ及び樹脂チップ５の厚さｙは、ｔ＝ｘ−ｙの関係になっている。また、樹脂チップ５はＬＥＤ１０及びその電極等を封止するために、上部に封止樹脂の厚みｚを有して全体の厚さｙが構成されている。従って、２層目の絶縁層３の厚さｚは封止樹脂の厚みに合せることにより、ＩＣチップ６の電極９と樹脂チップ５の電極１１ｂの高さを同一にすることができる。
【００３４】
そして、図１（ａ）に示すように、１層目の絶縁層２の上に最下層の配線８ａが配され、２層目の絶縁層３の上に２層目の下層配線８ｂが配されることにより、クロス配線を可能としている。このようにクロス配線に不可欠な２層構造の上方の絶縁層３の上に樹脂チップ５が配されるため、２層目の絶縁層３の厚み（ｚ）を樹脂チップ５の封止樹脂の厚み（ｚ）と同様の膜厚に形成することにより、ｔ＝ｘ−ｙの関係を構成し、樹脂チップ５の電極１１ｂとＩＣチップ６の電極９の高さを同一に配置している。
【００３５】
また、最下層の配線８ａが、制御された膜厚（従来より厚い）の絶縁層２の上に配置されることにより、基板１からの高さｈ（図１参照）は従来に比べて高くなるため、この接続孔１５ａの深さが浅くなり、アスペクト比が低く形成されている。
【００３６】
従って、図１（ａ）に示すように、ＩＣチップ６及び樹脂チップ５の電極９、１１ｂに対する接続孔１３、１４が同一に形成されるため、ＩＣチップ６と樹脂チップ５の電極９、１１ｂに対する接続孔の種類が減り、製造プロセスを簡素化することができると共に、下層配線８ａに対しても低いアスペクト比の接続孔１５ａを形成できる。
【００３７】
図２〜図４に上記装置の製造プロセスの概略断面図を示す。
【００３８】
まず、図２（ａ）に示す基板１上に、図２（ｂ）に示すように１層目の絶縁層２を形成し、この一端（図中左側）寄りにアルミニウム（Ａｌ）からなる最下層の配線８ａを配する。この際、実装するＩＣチップ６と樹脂チップ５の厚みの差ｔを予め測定しておき、この差に一致した厚さに絶縁層２を形成する。
【００３９】
次いで、図２（ｃ）に示すように、２層目の絶縁層３を積層する。そしてこの膜厚は上記した如く、この上に固定する樹脂チップ５の封止樹脂の厚さ（図１におけるｚ）と同一の厚さに形成する。
【００４０】
次いで、図２（ｄ）に示すように、最下層の配線８ａとは反対側の端部寄りの２層目の絶縁層３上に、Ａｌからなる次の下層配線８ｂを配する。なお、本実施の形態の下層配線は２層であるが、配線層が多層の場合は、２層目の配線８ｂの上に更に絶縁層を積層して、配線層を更に形成する。
【００４１】
次いで、図２（ｅ）に示すように、ＩＣチップ６をマウントするために、絶縁層２、３の除去部１８を形成する。従って、配線はこの除去部を通らないように設計しておく。これにより、ＩＣチップ６と樹脂チップ５の高さを同一にし易いと共に、位置ずれが吸収されてＩＣチップ６のマウント精度を高めることができる。
【００４２】
次いで、図３（ｆ）に示すように、上記除去部１８にＩＣチップ６をダイボンディング材７を介して固定し、これに隣接して絶縁層３上に樹脂チップ５をダイボンディング材７を介して固定する。
【００４３】
次いで、図３（ｇ）に示すように、マウントしたＩＣチップ６及び樹脂チップ５を含む絶縁層３の上部を被覆するように、絶縁層４を形成する。
【００４４】
次いで、図３（ｈ）に示すように、各下層配線８ａ、８ｂ及びＩＣチップ６の電極９と樹脂チップ５の電極１１ｂに対し、これらの電極と接続させるための接続孔１５ａ、１５ｂ、１３及び１４をレーザビーム１９の照射によって形成する。
【００４５】
ＩＣチップ６の電極９及び樹脂チップ５の電極１１ｂも下層配線８ａ、８ｂと同様にアルミニウムで形成されているため、レーザ光照射時に熱吸収率の低いアルミニウムの特性によって、電極等がレーザによって損傷され難いため、高出力の短波長レーザによる接続孔の加工が容易である。
【００４６】
レーザビーム１９による接続孔の加工は、図３（ｈ）に示すように、接続孔の深さ毎にマスク２０を選択し、レンズ２１により焦点を絞り、更に、深い接続孔用のレーザ又は浅い接続孔用のレーザを用い、レーザビーム１９のショット数を変えてアブレーションすることにより、各種の深さの接続孔を任意に形成でき、この加工に伴って接続孔の径及びテーパが形成される。
【００４７】
特に、ＩＣチップ６及び樹脂チップ５の電極に対する接続孔１３、１４は同一条件の下で一括加工できる。また、下層配線８ａ、８ｂに対する接続孔１５ａ、１５ｂは、底部の面積も大きく、テーパ角も大きくとれるので接続孔入り口での配線の段切れも生じ難くなる。
【００４８】
次いで、図４（ｉ）に示すように、各接続孔１５ａ、１５ｂ、１３及び１４を含む絶縁層４の上面にスパッタリング等の物理的成膜法によりＣｕ（銅）膜１６Ａを被着する。この際、電極等のＡｌとＣｕに接続性のよい無電解Ｎｉめっき（図示省略）を予め施しておくことにより、Ａｌからなる下層配線８ａ、８ｂ、ＩＣチップ６の電極９、樹脂チップ５の電極１１ｂ等とＣｕ膜１６Ａとの接続性及び導電性を高めることができる。
【００４９】
次いで、図４（ｊ）に示すように、被着したＣｕ膜１６ＡをフォトリソグラフィーでパターニングしてＣｕ配線１６を形成する。そして、配線１６の形成後、保護層（図示せず）を配線１６上に形成し、画像表示装置のパネルを完成する。
【００５０】
本実施の形態によれば、実装する樹脂チップ５とＩＣチップ６との厚みの差に一致させて、基板１上に配する１層目の絶縁層２の厚みを制御し、２層目の絶縁層３を樹脂チップ５の封止樹脂の厚み（ｚ）と同一の厚さで積層して、樹脂チップ５をこの絶縁層３上にマウントし、ＩＣチップ６はこれらの絶縁層２、３を選択的に除去して基板１上に直接マウントするので、ＩＣチップ６の電極９と樹脂チップ５の電極１１ｂの基板１上における高さを同一に配置することができる。
【００５１】
従って、ＩＣチップ６の電極９及び樹脂チップ５の電極１１ｂに対する接続孔１３、１４を同一の加工条件で同一の深さに一括加工にて形成でき、製造工程を簡素化できる。しかも、制御によって厚く形成された１層目の絶縁層２上に最下層の配線８ａが配されるので、この接続孔１５ａが従来よりも浅く、低いアスペクト比に形成できる。これによりＩＣチップ６及び樹脂チップ５の電極９、１１ｂとの接続孔１３、１４と同様に、最下層の配線８ａとの接続孔１５等についても接続不良のない良好な配線を形成でき、信頼性を高めることができる。
【００５２】
上記したように、本実施の形態は、既述した先願発明が意図していない構成と特徴とを有しており、先願発明のいずれも、その構成を本実施の形態に適用することは不可能であり、無理に適用しても本実施の形態の目的を実現することはできない。
【００５３】
実施の形態２
図５は、本実施の形態による実装構造の装置２６を示し、（ａ）は概略断面図、（ｂ）はその一部分の拡大断面図である。
【００５４】
この装置２６も、基本的な構造は実施の形態１とほぼ同様であるが、厚みの薄い樹脂チップ５Ａ（電極１１ａ、１１ｂが封止樹脂外に露出している。）を実装している点が異なる。
【００５５】
即ち、この樹脂チップ５Ａも２層目の絶縁層３上に接着材１７を介して固定され、これ以外は実施の形態１と同様の構造になっている。従って、実施の形態１の樹脂チップ５に比べて、封止用の樹脂が用いられていないため、この樹脂相当分だけ厚みが薄くなるが、この場合も、ＩＣチップ６と樹脂チップ５Ａの厚みの差に一致するように、絶縁層２、３の厚みを制御することにより、ＩＣチップ６の電極９と樹脂チップ５Ａの電極１１ｂの高さが同一に形成されている。
【００５６】
つまり、図５（ｂ）に示すように、この場合の絶縁層の厚さｔは、１層目の絶縁層２及び２層目の絶縁層３の合計の厚さであり、樹脂チップ５Ａの厚さｙ’は接着材１７を含む厚さであり、実施の形態１と同様のＩＣチップ６の厚みｘとの関係は、ｔ＝ｘ−ｙ’となっている。
【００５７】
従って、最下層の配線８ａを実施の形態１と同様に形成するとすれば、１層目の絶縁層２の厚みは変らないため、２層目の絶縁層３の厚みを制御して合計の厚さｙ’が形成されている。
【００５８】
これにより、ＩＣチップ６の電極９及び樹脂チップ５Ａの電極１１ｂを、基板１上において同一の高さに形成することができるため、この両チップの各電極９、１１ｂに対する接続孔１３、１４を同一の加工条件で同一に形成することができ、実施の形態１と同等の効果を得ることができる。
【００５９】
実施の形態３
図６は、本実施の形態による実装構造の装置２７を示し、（ａ）は概略断面図、（ｂ）はその一部分の拡大断面図である。
【００６０】
この装置も、基本的な構造は実施の形態１とほぼ同様であるが、ＩＣチップ６Ａの厚みが実施の形態１の場合よりも薄く形成されている点が異なる。
【００６１】
即ち、各種の半導体チップが薄型化傾向にあり、薄型化されたＩＣチップ６Ａを用いた実装構造である。従って、図６に示すように、このＩＣチップ６Ａのマウント部は２層目の絶縁層３のみを除去し、ＩＣチップ６Ａは１層目の絶縁層２の上に固定されている。これ以外は実施の形態１と同様な構成である。
【００６２】
従って、図６（ｂ）に示すように、絶縁層２、３の厚み及び樹脂チップ５の厚みは実施の形態１と変らず、ＩＣチップ６Ａの厚みのみが異なるため、ＩＣチップ６Ａの厚み（ｘ’）は絶縁層３の厚み（ｚ’）との関係となり、ｚ’＝ｘ’−ｙ＋ｚとなっている。
【００６３】
このように、この場合も、ＩＣチップ６Ａと樹脂チップ５の厚みの差に一致させて、絶縁層３の厚みを制御することにより、ＩＣチップ６Ａの電極９と樹脂チップ５の電極１１ｂの高さが同一に形成されている。
【００６４】
また、本実施の形態は図６に示すように、ＩＣチップ６Ａを１層目の絶縁層２の上にマウントしているが、ＩＣチップ６Ａの厚さに応じて絶縁層の除去も異なる。即ち、絶縁層２の一部分も除去する必要がある場合や、絶縁層３の一部分のみの除去で足りる場合など、種々の形態が想定されるが、いずれの場合も、その状態に応じたＩＣチップ６Ａと樹脂チップ５の厚みの差を基に絶縁層の厚みを制御する。
【００６５】
これにより、ＩＣチップ６Ａの電極９及び樹脂チップ５の電極１１ｂの高さを同一に形成できるため、この両チップの各電極９、１１ｂに対する接続孔１３、１４を同一の加工条件で同一に形成することができ、実施の形態１と同等の効果を得ることができる。
【００６６】
図７に、実施の形態１の変形例を示す。
【００６７】
この装置２８が実施の形態１と異なる点は、最下層の配線８ａが基板１上に直接形成され、この配線８ａ上にプラグ２３を設けて、接続孔が２層目の配線８ｂに対する接続孔１５ｂと同一に形成されていることである。
【００６８】
従って、これ以外は実施の形態１と同様な構造であるため、ＩＣチップ６の電極９及び樹脂チップ５の電極１１ｂとの接続孔１３、１４が、同一の加工条件で同一に形成できることに加え、下層配線８ａ、８ｂとの接続孔１５ｂが同一の加工条件で、同一のアスペクト比に形成できるため、接続孔の種類を更に減らせる利点がある。
【００６９】
図８〜図１０にこの製造プロセスの概略断面図を示すが、この製造プロセスも実施の形態１の製造プロセス（図２〜図４）と類似点が多いので、異なる点を中心に説明する。
【００７０】
即ち、図８（ａ）に示すように、まず基板１上に最下層の配線８ａを形成し、この上に絶縁層２、３を積層する（図８（ｂ））。
【００７１】
次いで、図８（ｃ）に示すように、上記配線８ａに対する接続孔２４がレーザ加工され、この接続孔２４にプラグ２３を２層目の絶縁層３を超える高さに設ける。そしてこの高さは、これと反対側の端部側の絶縁層３上に形成する２層目の下層配線８ｂと同一高さに形成する（図８（ｄ））。
【００７２】
次いで、図８（ｅ）に示すように、ＩＣチップ６をマウント部するための絶縁層２、３の選択的除去を行い、続いて、この除去部１８へのＩＣチップ６の固定及び絶縁層３上への樹脂チップ５の固定を行う（図９（ｆ））。
【００７３】
次いで、図９（ｇ）〜図１０（ｊ）に示すプロセスを、実施の形態１におけるプロセス（図３（ｇ）〜図４（ｊ）参照）と同様に行う。
【００７４】
上記した各実施の形態は、本発明の技術的思想に基づいて更に変形が可能である。
【００７５】
例えば、ＩＣチップ６（６Ａ）と樹脂チップ５（５Ａ）との厚みの差に一致させて絶縁層の厚みを制御する方法は、実施の形態と同等の効果が得られれば任意であってもよく、また、実施の形態以外の制御方法で行ってもよい。
【００７６】
また、実施の形態では、一般的に樹脂チップ５よりも厚いＩＣチップ６をマウントするために、絶縁層２、３に除去部１８を設けたが、樹脂チップ５の方がＩＣチップ６よりも厚い場合には、上記除去部１８を樹脂チップ５の側に形成してもよい。
【００７７】
また、下層配線が更に多層である場合は、更に絶縁層を配線毎に積層すると共に、ＩＣチップと樹脂チップの電極の高さを同一にするための絶縁層の厚みの制御も、実態に即して適宜にすることができる。
【００７８】
また、実施の形態は、ＩＣチップ６（６Ａ）と樹脂チップ５（５Ａ）の実装に関するものであるが、図１１に示した如き構造の素子をはじめ、他の任意の素子の実装に適用することができる。
【００７９】
また、実施の形態における各部の材質、構造及び形状等も適宜にすることができる。
【００８０】
【発明の作用効果】
上述した如く、本発明の電子部品の実装構造及びその製造方法によれば、基体上に設ける下地層の厚みを制御するので、各電子部品の電極の位置を同一高さに形成できるため、これらの電子部品を被覆する絶縁層において、各電子部品の電極に対する接続孔を同一加工条件の下で、一括加工することができる。その結果、接続不良のない良好な配線を形成することができ、信頼性が高められると共に、接続孔の種類が減り、製造工程の簡素化された電子部品の実装構造を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態１による実装構造を示し、（ａ）は概略断面図、（ｂ）は一部の拡大断面図である。
【図２】同、実装構造の製造プロセスを示す概略断面図である。
【図３】同、実装構造の他の製造プロセスを示す概略断面図である。
【図４】同、実装構造の更に他の製造プロセスを示す概略断面図である。
【図５】同、実施の形態２による電子部品の実装構造を示し、（ａ）は概略断面図、（ｂ）は一部分の拡大断面図である。
【図６】同、実施の形態３による電子部品の実装構造を示し、（ａ）は概略断面図、（ｂ）は一部分の拡大断面図である。
【図７】同、実施の形態１の変形例による実装構造の概略断面図である。
【図８】同、実装構造の製造プロセスを示す概略断面図である。
【図９】同、実装構造の他の製造プロセスを示す概略断面図である。
【図１０】同、実装構造の更に他の製造プロセスを示す概略断面図である。
【図１１】従来例による電子部品の実装構造の一例を示す概略断面図である。
【図１２】従来例による電子部品の実装構造の他の一例を示す概略断面図である。
【符号の説明】
１…基板、２、３、４…絶縁層、５、５Ａ…樹脂チップ、
６、６Ａ…ＩＣチップ、７…ダイボンディング材、８ａ、８ｂ…下層配線、
９…電極、１０…発光ダイオード、１１ａ…ｐ電極、１１ｂ…ｎ電極、
１３、１４、１５ａ、１５ｂ、２４…接続孔、１６…配線、１６Ａ…銅、
１７…接着材、１８…除去部、１９…レーザビーム、２０…マスク、
２１…レンズ、２３…プラグ、２５、２６、２７、２８…装置、
ｈ…最下層配線の基板からの高さ、ｔ…１層目の絶縁層の厚み、
ｘ、ｘ’、Ｂ…ＩＣチップの厚み、ｙ、ｙ’Ａ…樹脂チップの厚み、
ｚ…２層目の絶縁層の厚み（又は、樹脂チップ上部の厚み）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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