(57)【要約】【課題】半導体製造工程で使用される露光装置及び露光方法を提供する。【解決手段】光源１００から生成された光を選択的に通過させるレティクルを利用して半導体基板Ｗ上に形成されたフォトレジスト膜を選択的に露光するための露光装置は、レティクルを同時にローディング及びアラインさせるための複数個のレティクルステージを備えている。前述した構成要素を有する露光装置及び露光工程を段差が存在する半導体基板Ｗのフォトレジストパターン形成に適用すると、半導体製造工程でのスループットを増加させるとともに、フォトレジストパターンの製造工程を短縮することができる。【選択図】　　　図４
2004040098.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上に形成されたフォトレジスト膜を選択的に露光するための露光装置において、
前記フォトレジストが光に露出された時、前記フォトレジスト膜と反応する波長の光を発生させる光源と、
前記半導体基板を支持するように配列された基板ステージと、
前記光源から前記基板ステージに拡張された前記露光装置の光軸に対して前記光源と前記基板ステージとの間に位置し、かつ、それぞれが各レティクルを支持するよう配置された複数個のレティクルステージを含む、レティクルステージシステムであって、前記レティクルステージは、前記レティクルのうちのいずれも前記レティクルステージから除去せずに、前記レティクルを通過する光源から照射された光に前記フォトレジスト膜の選択領域を各々露出させるように前記光軸の経路に選択的に位置することができるレティクルステージシステムと、
を含むことを特徴とする露光装置。
【請求項２】
前記レティクルステージにより支持される少なくとも二つのレティクルを備えることを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
【請求項３】
前記レティクルステージのうち、いずれか一つにより支持され、前記フォトレジスト膜のうちの一部領域に複写されるイメージのレティクルパターンを有する第１レティクルと、
前記レティクルステージのうち、他の一つにより支持され、前記フォトレジスト膜のうちの他の領域に複写されるイメージのレティクルパターンを有する第２レティクルと、
前記露光装置の光軸に対して前記レティクルステージシステムと前記基板ステージとの間に位置して、投射された光によって形成されたイメージを縮小して前記フォトレジスト膜に投影する縮小投影レンズ部と、を備えることを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
【請求項４】
前記第１及び第２レティクルにより形成されたパターンは前記半導体基板上の互いに反対領域に各々位置した前記フォトレジスト膜の領域を露出させるのに使用するために形成されていることを特徴とする請求項３に記載の露光装置。
【請求項５】
前記第１レティクルにより形成されたパターンは、前記半導体基板の内部領域のフォトレジスト膜を露出させるために設計された基準ショット（ｓｈｏｔ）パターンであり、
前記第２レティクルにより形成されたパターンは、前記基準ショットパターンの一部を含み、前記半導体基板の外部周辺エッジに隣接する前記フォトレジスト膜の一部を露出させるために設計された部分（ｐａｒｔ）ショットパターンである、ことを特徴とする請求項３に記載の露光装置。
【請求項６】
各々他のパターンが形成された第１レティクル及び第２レティクルを第１レティクルステージ及び第２レティクルステージに各々ローディングする段階と、
前記第１レティクルステージを半導体基板上に形成されたフォトレジスト膜の第１領域とアラインし、前記第１レティクルを通じて前記第１領域に光を誘導して前記光に前記第１領域の選択された部分を露出させることにより、前記第１レティクルにより形成されたパターンイメージを前記フォトレジストの前記第１領域に複写する段階と、
前記第２レティクルステージを半導体基板上に形成されたフォトレジスト膜の第２領域とアラインし、前記第２レティクルを通じて前記第２領域に光を誘導して前記光に前記第２領域の選択された部分を露出させることにより、前記第２レティクルにより形成されたパターンイメージを前記フォトレジストの前記第２領域に複写する段階と、を含むことを特徴とする露光方法。
【請求項７】
少なくとも約０．５μｍの段差が前記第１及び第２領域間に存在することにより、前記第１領域の前記フォトレジスト膜の選択された部分を露出させることは、前記第１レティクルを通じて誘導された光に前記段差した一面上の前記フォトレジスト膜の選択された部分を露出させることからなり、前記第２領域のフォトレジスト膜の選択された部分を露出させることは、前記第２レティクルを通じて誘導された光に前記段差した他面上の前記フォトレジスト膜の選択された部分を露出させることからなることを特徴とする請求項６に記載の露光方法。
【請求項８】
前記第１領域のフォトレジスト膜の選択された部分を露出させることは、前記半導体基板の内部領域のフォトレジスト膜の選択された部分を露出させることからなり、
前記第２領域のフォトレジスト膜の選択された部分を露出させることは、前記半導体基板の外部周辺エッジ領域のフォトレジスト膜の選択された部分を露出させることからなることを特徴とする請求項６に記載の露光方法。
【請求項９】
第１レティクルステージ及び第２レティクルステージ上に相異するパターンを有する第１レティクル及び第２レティクルを各々ローディングする段階と、
前記第１レティクルステージを半導体基板上に形成されたフォトレジスト膜の第１領域とアラインし、前記第１レティクルを通じて前記第１領域に光を誘導して前記光に前記第１領域の選択された部分を露出させることにより、前記第１レティクルにより形成されたパターンイメージを前記フォトレジストの前記第１領域に複写する段階と、
前記第２レティクルステージを半導体基板上に形成されたフォトレジスト膜の第２領域とアラインし、前記第２レティクルを通じて前記第２領域に光を誘導して前記光に前記第２領域の選択された部分を露出させることにより、前記第２レティクルにより形成されたパターンイメージを前記フォトレジストの前記第２領域に複写する段階と、
前記フォトレジスト膜を現像することによりフォトレジストパターンを形成する段階と、
前記フォトレジストパターンをマスクに利用して前記半導体基板を含んで前記結果物をエッチングする段階と、を含むことを特徴とする半導体素子のパターン形成方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体工程に使用される露光装置及びこれを利用した露光方法に関するものであり、より詳細には、フォトレジスト膜に選択された光を照射してフォトレジストパターンを形成する露光装置及び露光方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近来、コンピュータのような情報媒体の急速な普及により、半導体装置は飛躍的に発展している。その機能面において、半導体装置は高速で動作すると同時に大容量の貯蔵能力を有することが要求される。これにより、半導体装置は、集積度、信頼度および応答速度などを向上させる方向に製造技術が発展している。これにより、半導体装置の集積度向上のための主な技術として露光技術のような微細加工技術に対する要求も厳しくなっている。
【０００３】
露光工程とは、有機的なフォトレジストを使用してフォトレジスト層を形成した後、レティクルに形成されたパターンの像が移されるように紫外線を照射する技術である。具体的には、半導体基板上に紫外線やＸ線のような光を照射することで、アルカリ性溶液に対して溶解度変化が発生する有機層であるフォトレジスト層を形成する。また、フォトレジスト層の上部に所定部分のみを選択的に露光することができるようにパターニングされたパターンマスクを介在させて、フォトレジスト層に選択的に光を照射した後に現像して、溶解度が大きな部分（ポジティブ型フォトレジストの場合、露光された部分）を除去し、溶解度が小さい部分は残してフォトレジストパターンを形成する。
【０００４】
露光工程を実施する装置は、特許文献１（ｉｓｓｕｅｄ　ｔｏ　ＭｉｎｏｒｕＴａｋｅｄａ　ｏｎ　Ｊａｎ．６，１９９８）、特許文献２（ｉｓｓｕｅｄ　ｔｏ　Ｋａｚｕｎｏｒｉ　Ｉｗａｍｏｔｏ　ｏｎ　Ｊｕｌｙ．１４，１９９８）、特許文献３（ｉｓｓｕｅｄ　ｔｏ　Ｋａｚｈｉｒｏ　Ｔａｋａｈａｃｈｉ　ｏｎ　Ｊｕｎｅ．１１，１９９６）、特許文献４（ｉｓｓｕｅｄ　ｔｏ　Ｋｅｎｊｉ　Ｎｉｓｈｉ　ｏｎ　Ｄｅｃ．１，１９９８）に詳細に開示されている。
【０００５】
図１は従来の半導体製造工程の露光装置を示す構成図である。
【０００６】
図１に示すように、従来の露光装置１０は一つの半導体基板ステージ１２、一つのレンズ部１４、一つのレティクルステージ１６及び光源（図示せず）により構成されている。
【０００７】
前記光源から生成された光は集光部（図示せず）を通過して平行な光に転換される。転換された光は、レティクルステージ１６上に位置し、半導体基板に形成されている配線層と正確にアラインされ所定のパターンを露光することができるように整列されたレティクル１８上に集光される。
【０００８】
レティクル１８上に集光された光の一部はレティクル１８パターンのイメージ形状を有し、レンズ部１４に入射される。
【０００９】
また、レンズ部１４に入射された光はフォトレジスト膜が塗布された半導体基板Ｗ上に縮小投影され、レティクルパターンの形状を有しフォトレジスト膜に照射される。
【００１０】
図２は従来の露光装置を利用してフォトレジストパターン及び半導体パターンを形成する工程図である。
【００１１】
図２は半導体基板に形成された配線層のＡ部分とＢ部分との段差が激しい場合の、第１レティクル及び第２レティクルを使用したフォトレジストパターン形成及び半導体素子パターン形成方法を示している。
【００１２】
まず、フォトレジスト膜が形成された半導体基板の各領域に対して露光時間とフォーカスの値とを異なるように分割し、レティクルステージ上にＡパターンが形成された第１レティクルをローディング及びアラインする（Ｓ１０）。
【００１３】
続いて、Ａパターンが形成された第１レティクル及びレンズ部を通過した光を半導体基板のＡ領域に像を縮小投影させて前記Ａ領域のフォトレジスト膜を露光し（Ｓ２０）、前記光と反応したフォトレジスト膜のＡ領域を現像液を利用して除去し、第１フォトレジストパターンを現像する（Ｓ３０）。
【００１４】
続いて、工程により形成されたフォトレジストパターンのオーバーレイを測定し（Ｓ４０）、ＳＥＭを利用して前記第１フォトレジストパターンの露光時間及びフォーカスマージンの最適状態を測定する（Ｓ５０）。
【００１５】
続いて、第１フォトレジストパターン上に存在するパーティクル及びパターン不良状態を検査し（Ｓ６０）、前記第１フォトレジストパターンをエッチングマスクに利用して半導体基板上に存在する膜を所定形状を有するようにパターニングする（Ｓ７０）。
【００１６】
以後、半導体基板上の第１フォトレジストパターンを除去し（Ｓ８０）、所定のパターンが形成された半導体基板上のパーティクルを除去するために洗浄工程を実施する（Ｓ９０）。
【００１７】
また、半導体基板内のＢ領域を第２レティクルを使用して前記のような工程を経て所望である半導体素子のパターンを形成することができる（Ｓ１００、Ｓ１１０、Ｓ１２０、Ｓ１３０、Ｓ１４０、Ｓ１５０、Ｓ１６０、Ｓ１７０、Ｓ１８０）。
【００１８】
前記のように半導体基板の内部でＡ領域とＢ領域との段差が少なくとも０．５μｍ以上である時、所定のパターンを有する第１レティクル及び第２レティクルを製作してＡ領域及びＢ領域にフォトリソグラフィ工程を実施することにより、所定のパターンを有するフォトレジストパターンを形成することができる。しかし、半導体基板に段差が存在する領域に一つの配線層を形成するために、二度のフォトリソグラフィ工程及びエッチング工程を実施しなければならないので、半導体装置の生産率が低くなり、これにより半導体装置の生産単価も高くなる。
【００１９】
図３は従来のレティクル及びこれを利用した半導体基板上の露光されたショットを示す平面図である。
【００２０】
図３に示すように、露光工程で半導体基板のエッジ（ＷＥＥ）領域に損傷を防止するためには、部分（ｐａｒｔ）パターンを利用して半導体基板のエッジ領域に露光工程を実施しなければならない。そのために、少なくとも二つのパターンを必要とするレティクル１８には相異する形態を有する第１パターン１９ａ及び第２パターン１９ｂが形成されている。
【００２１】
第１パターン１９ａ及び第２パターン１９ｂを含むレティクル１８を利用してフォトレジスト膜が塗布された半導体基板Ｗ上に、第１パターン１９ａにショットを取って基準領域２０ａを形成し、半導体基板のエッジ領域には第２パターン１９ｂにショットを取って部分領域２０ｂを形成する。第１パターン及び第２パターンを含むレティクル１８を利用して露光工程を実施すると、レティクル１８の形成されたパターンの大きさには限界が存在するために、半導体製造工程において、スループット（ｔｈｒｏｕｇｈ−ｐｕｔ）の減少を招来する。また、二つのレティクルに各々のパターンを形成して二度の露光工程を実施しても、レティクルステージには一枚のレティクルのみをローディングすることができるので、レティクルの交換によりスループット減少及びミスアラインが発生する。
【００２２】
【特許文献１】
米国特許第５，７０６，０７６号明細書
【特許文献２】
米国特許第５，７８１，２７７号明細書
【特許文献３】
米国特許第５，５２６，０９３号明細書
【特許文献４】
米国特許第５，８４２，８２４号明細書
【００２３】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、一つの露光装置に二つのレティクルステージを備え、二つのレティクルを各々のレティクルステージに装着して一度のアラインにより二つのレティクルに対して各々露光工程を実施することにより、レティクル交換によるスループット減少及び半導体基板下部に形成された配線層とのミスアラインを防止することができる露光装置を提供することにある。
【００２４】
本発明の他の目的は、一つの露光装置に二つのレティクルステージを備えて、二つのレティクルを各々のレティクルステージに装着して一度のアラインにより二つのレティクルに対して各々露光工程を実施することにより、レティクル交換にスループット減少及び半導体基板に形成された配線層とのミスアラインを防止することができる露光方法を提供することにある。
【００２５】
【発明の解決するための手段】
上述した目的を達成するために本発明による露光装置は、半導体基板上に形成されたフォトレジスト膜を選択的に露光するための露光装置において、前記フォトレジストが光に露出された時、前記フォトレジスト膜と反応する波長の光を発生させる光源と、前記半導体基板を支持するように配列された基板ステージと、前記光源から前記基板ステージに拡張された前記露光装置の光軸に対して前記光源と前記基板ステージとの間に位置し、かつ、それぞれが各レティクルを支持するよう配置された複数個のレティクルステージを含むレティクルステージシステムであって、前記レティクルステージは、前記レティクルのうちのいずれも前記レティクルステージから除去せずに、前記レティクルを通過する光源から照射された光に前記フォトレジスト膜の選択領域を各々露出させるように前記光軸の経路に選択的に位置することができるレティクルステージシステムと、を含む。
【００２６】
上述した目的を達成するための本発明による露光方法は、各々他のパターンが形成された第１レティクル及び第２レティクルを第１レティクルステージ及び第２レティクルステージに各々ローディングする段階と、前記第１レティクルステージを半導体基板上に形成されたフォトレジスト膜の第１領域とアラインし、前記第１レティクルを通じて前記第１領域に光を誘導して前記光に前記第１領域の選択された部分を露出させることにより、前記第１レティクルにより形成されたパターンイメージを前記フォトレジストの前記第１領域に複写する段階と、前記第２レティクルステージを半導体基板上に形成されたフォトレジスト膜の第２領域とアラインし、前記第２レティクルを通じて前記第２領域に光を誘導して前記光に前記第２領域の選択された部分を露出させることにより、前記第２レティクルにより形成されたパターンイメージを前記フォトレジストの前記第２領域に複写する段階と、を含む。
【００２７】
前記のような構成要素を有する露光装置及び露光方法を適用すると、半導体基板上にフォトレジストパターンを形成する時、二つのレティクルを同時にローディングし、各々のレティクルを選択的に交換してスループット減少及び半導体基板の下部配線層とのミスアライン発生を防止することができる。
【００２８】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の望ましい一実施例を詳細に説明する。
【００２９】
図４は本発明の実施形態による半導体製造工程の露光装置を示す概略図である。
【００３０】
図４に示すように、本発明による露光装置は光源１００、整列レンズ１１０、集光レンズ１２０、二つのレティクル１３０、二つのレティクルステージ１４０、選択部材１５０、投影レンズ１６０及び基板ステージ１７０を含む。
【００３１】
まず、光源１００は半導体基板Ｗ上に形成されたフォトレジスト膜が所定のパターンの形状を有するように露光するのに必要な光を生成する。光を生成する光源１００は一般に紫外線及び真空紫外線領域の波長を出す光源を使用する。
【００３２】
整列レンズ１１０は多くのマイクロレンズからなり、光源１００と集光レンズ１２０との間に位置して光源１００から生成された等方性方向性を有する光を平行な進行方向を有する光に転換する役割を有する。
【００３３】
集光レンズ１２０は整列レンズ１１０とレティクルステージ１４０との間に位置し、平行な進行性を有する光をフォトレジスト膜の露光領域に選択的に限定し、光の通過量を調節することができる不透明なクロムパターンの形成されたレティクル１３０上に集光させる役割を有する。
【００３４】
レティクル１３０は第１レティクル１３０ａ及び第２レティクル１３０ｂにより構成されている。半導体基板ＷのＡ領域及びＢ領域上に段差が存在する時に適用される第１レティクル１３０ａは、半導体基板ＷのＡ領域のみを露光するための第１パターンが形成されており、第２レティクル１３０ｂは半導体基板ＷのＢ領域のみを露光するための第２パターンが形成されていることを特徴とする。
【００３５】
また、半導体基板のエッジ領域（ＷＥＥ）に露光工程を実施する時に発生する欠陥及び半導体製造工程のスループット減少を防止するためには、各々他のパターンが形成された二つのレティクルを使用しなければならない。
【００３６】
具体的には、半導体基板上に塗布されたフォトレジスト膜の内部領域を露光するための基準（ｍａｉｎ）ショットのパターンが形成された第１レティクル１３０ａを利用してフォトレジスト膜の内部領域を露光する。また、露光工程で半導体基板のエッジ（ＷＥＥ）領域の損傷を防止するための部分（ｐａｒｔ）ショットのパターンが形成されたレティクル１３０ｂを利用してフォトレジスト膜のエッジ領域を露光しなければならない。
【００３７】
レティクルステージ１４０は段差が存在する半導体基板上に形成されたフォトレジストパターンを形成する時、第１レティクル１３０ａ及び第２レティクル１３０ｂを同時にローディングさせることができるように複数個のレティクルステージ１４０ａ、１４０ｂにより構成されている。
【００３８】
即ち、レティクルステージ１４０は、第１レティクル１３０ａのローディング及び半導体基板のＡ領域の下部に形成された配線層とのアラインをすることができる第１レティクルステージ１４０ａと、第２レティクル１３０ｂのローディング及び半導体基板のＢ領域の下部に形成された配線層とのアラインをすることができる第２レティクルステージ１４０ｂと、により構成されている。
【００３９】
他の実施形態として、レティクルステージ１４０は、露光工程を実施する時、半導体基板のエッジ領域（ＷＥＥ）の損傷を防止するために、半導体基板の内部領域を露光するための基準（ｍａｉｎ）ショットパターンが形成された第１レティクル１３０ａをローディング及びアラインさせるための第１レティクルステージ１４０ａと、半導体基板のエッジ（ＷＥＥ）領域のみを露光するための部分（ｐａｒｔ）ショットのパターンが形成された第２レティクル１３０ｂをローディング及びアラインさせるための第２レティクルステージ１４０ｂと、により構成されている。
【００４０】
また、レティクルステージ１４０の一側面には段差が存在する基板上に形成されたフォトレジスト膜のＡ領域またはＢ領域を順次に露光したり、フォトレジスト膜の内部領域またはエッジ領域を順次に露光するために第１レティクル１３０ａがアラインされた第１レティクルステージ１４０ａを先に選択して、フォトレジスト膜のＡ領域に露光工程を実施することができるようにアラインしたり、第２レティクル１３０ｂがアラインされた第２レティクルステージ１４０ｂを先に選択して、フォトレジスト膜のＢ領域に露光することができるようにアラインさせるための選択部材１５０が備えられている。
【００４１】
また、レティクルステージ１４０と基板ステージ１７０との間に位置し、半導体基板のＡ領域の下部配線層とアラインされた第１レティクル１３０ａまたは半導体基板のＢ領域の下部配線層とアラインされた第２レティクル１３０ｂ上に集光された光はレティクル１３０を通過しながら回折され、投影レンズ１６０を通過することになる。また、レティクル１３０と投影レンズ１６０とを順次に通過した光はフォトレジスト膜が形成された基板Ｗ上に縮小投影される。
【００４２】
フォトレジスト膜が形成された半導体基板Ｗを支持している基板ステージ１７０は光の提供を受けたフォトレジストパターンを正確に形成することができるように半導体基板ＷをＹ軸方向と、Ｙ軸に直交するＸ軸方向とに整列する役割を有する。
【００４３】
図５は本発明の実施形態によるフォトレジストパターン及び半導体素子のパターンを形成する工程図である。
【００４４】
一般に、半導体装置の高集積化および半導体基板の大口径化が進むにつれて、アラインマージン（ａｌｉｇｎ　ｍａｒｇｉｎ）の縮小及び半導体基板内の段差が段々増加している。また、半導体基板内Ａ領域とＢ領域との段差が増加するほど、フォーカスマージン（ｆｏｃｕｓ　Ｍａｒｇｉｎ）が示されないので、所望の最少線幅（ｃｒｉｔｉｃａｌ　ｄｉｍｅｎｓｉｏｎ；ＣＤ）を形成することができない。
【００４５】
したがって、段差を克服するために半導体基板の平坦化工程を実施するが、半導体基板内に段差が存在するＡ領域及びＢ領域に塗布されたフォトレジスト膜を各々露光することができるパターンが形成された第１レティクル１３０ａ及び第２レティクル１３０ｂを形成しなければならない。
【００４６】
これは、単一工程ステップでフォトレジスト膜のＡ領域及びＢ領域を各々露光する工程ステップを実施しなければならないので、工程ステップが増加するほど空気も温かくなり、生産費用も増加する。前記のような問題点を防止するために本発明は第１レティクル及び第２レティクルを同時にローディングして前記工程を短縮させることができるレティクルステージを含む露光装置を利用する露光方法を提供することができる。
【００４７】
図５に示すように、半導体基板内のＡ領域とＢ領域との段差が０．５μｍ以上である場合、半導体基板のフォトレジスト膜にはＡ領域及びＢ領域のパターンを別に形成して露光工程を実施しなければならない。
【００４８】
まず、所定のＡパターンが形成された第１レティクル及び所定のＢパターンが形成された第２レティクルを同時に第１レティクルステージ及び第２レティクルステージ上に各々同時にローディングし、半導体基板の各地域に対して露光時間とフォーカスの値とを異なるように分割し、半導体基板の下部配線層と一致するようにレティクルステージ上で第１レティクルまたは第２レティクルをアラインさせる（Ｓ２００）。
【００４９】
続いて、第１レティクルを、位置した第１レティクルステージを選択して前記半導体基板上のＡ領域に位置させると、光源で生成された光は、Ａパターンが形成された第１レティクルを通過し、投影レンズを通過して半導体基板上に塗布されたフォトレジスト膜のＡ領域に照射される（Ｓ２１０）。
【００５０】
続いて、第２レティクルを、位置した第２レティクルステージを選択して半導体基板上のＢ領域に位置させると、光源で生成された光は、Ｂパターンが形成された第２レティクルを通過し、投影レンズを通過して半導体基板上に塗布されたフォトレジスト膜のＢ領域に照射される（Ｓ２２０）。
【００５１】
続いて、光と反応したフォトレジストのＡ領域及びＢ領域を現像液を利用して現像工程を実施することにより、フォトレジストパターンを形成する（Ｓ２３０）。また、現像工程により形成されたフォトレジストパターンの溶剤を除去し、以後製造工程の熱的環境に耐えることができるようにベーキング工程を実施する。
【００５２】
続いて、ベーキング工程を実施することにより硬化したフォトレジストパターンのオーバーレイを測定する（Ｓ２４０）。
【００５３】
続いて、ＳＥＭを利用して半導体基板上に形成されたフォトレジストパターンの露光時間及びフォーカスマージンの最適状態を測定する（Ｓ２５０）。
【００５４】
続いて、フォトレジストパターン上のパーティクル及びパターンの不良状態を電子顕微鏡で検査する（Ｓ２６０）。
【００５５】
続いて、フォトレジストパターンをエッチングマスクに使用して半導体基板上に存在する膜を選択的にエッチングすることにより所定のパターンを形成する（Ｓ２７０）。
【００５６】
以後、半導体基板上に存在するフォトレジストパターンをアッシング工程を通じて除去する（Ｓ２８０）。
【００５７】
前記のような工程を実施することにより、各々の露光工程毎にレティクルを交替しなければならないという問題及びこれにより半導体基板の下部に形成された配線層とのミスアラインが発生する問題点を防止することができる。
【００５８】
また、フォーカスマージンを確保するために半導体基板内部の段差を除去する半導体基板平坦化工程（ＣＭＰ工程＆ＢＰＳＧ工程）なしに、半導体素子のパターンを形成することができるので、半導体製造工程でスループットを増加させ、工程短縮によって生産費を減少させることができる。
【００５９】
図６は本発明のレティクル及びこれを利用して半導体基板上に露光されたショットを示す平面図である。
【００６０】
露光工程では、使用されるショットのステップピッチ（ｓｔｅｐ　ｐｉｔｃｈ）を基準にして領域を指定した。ここで、１ショットは一回の露光を意味し、ステップピッチは、各ショットでＸ，Ｙ方向への大きさを意味する。
【００６１】
半導体基板Ｗの形状が円板型であるので、半導体基板Ｗの内部領域を露光する基準ショットの第１パターン１３５ａを含む第１レティクル１３０ａと、半導体基板のエッジ領域の損傷なしに露光するための基準ショットの第１パターン１３５ａステップピッチの１／２以下大きさを有する部分ショットの第２パターン１３５ｂを含む第２レティクル１３０ｂと、が適用される。したがって、ステップピッチを基準にする時、基準ショットのステップピッチを有する基準領域１３７ａと基準ショットのステップピッチの１／２以下である部分ショットの大きさを有する部分領域１３７ｂとに指定することができる。
【００６２】
ショットの大きさはレティクルステージ１４０ａ、１４０ｂに形成されたパターンと比例する。従来のレティクルには二つのパターンが形成されており、一方、本発明では二枚のレティクルを使用して第１レティクル１３０ａには従来の基準パターンよりも大きいパターンを形成し、第２レティクル１３０ｂには半導体基板Ｗの周辺部位で基準パターンの１／２以下の大きさを有する部分パターンを形成して使用する。
【００６３】
即ち、第１レティクル１３０ａに形成された基準ショットの第１パターン１３５ａを適用して基準ショットのステップピッチを有する基準領域１３７ａを形成し、第２レティクル１３０ｂに形成された部分ショットの第２パターン１３５ｂを適用して部分ショットのステップピッチを有する部分領域１３７ｂを形成することができる。
【００６４】
前記基準の第１パターン１３５ａを有する第１レティクル１３０ａ及び部分の第２パターン１３５ｂを有する第２レティクル１３０ｂを利用して半導体基板Ｗ上のフォトレジスト膜を露光することができる。
【００６５】
まず、半導体基板Ｗエッジ領域を除外した内部のフォトレジスト膜は基準ショットの第１パターン１３５ａにショットを取って、基準領域１３７ａを形成し、半導体基板Ｗの外周面に隣接するエッジ領域には部分ショットの第２パターン１３５ｂにショットを取って、部分領域１３７ｂを形成する。第１レティクル１３０ａ及び第２レティクル１３０ｂを各々アラインする第１及び第２レティクルステージを利用して露光工程を実施すると、基準ショットによる１回露光領域が広くなって、半導体製造工程におけるスループットが増加し、かつミスアラインの発生が減少する。
【００６６】
以上、本発明の実施例を詳細に説明したが、本発明はこれに限定されず、本発明が属する技術分野において通常の知識を有するものであれば本発明の思想及び精神を離れることなく、本発明の実施例を修正または変更できるであろう。
【００６７】
【発明の効果】
本発明によると、第１レティクル及び第２レティクルを同時にローディング及びアラインさせることができる複数個のレティクルステージを含む露光装置を利用して別途の工程ステップの追加を防止し、各々の露光工程毎にレティクルを交替しなければならないという問題及びこれにより発生するミスアラインを解決することができる。また、フォーカスマージンを確保するために半導体基板内部の段差を除去する半導体基板の平坦化工程（ＣＭＰ工程＆ＢＰＳＧ工程）なしに、半導体素子のパターンを形成することができるので、半導体製造工程でのスループットを増加させるとともに、工程短縮によって生産費を減少させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来の半導体製造工程の露光装置を示す構成図である。
【図２】従来の露光装置を利用してフォトレジストパターン及び半導体素子のパターンを形成する工程図である。
【図３】従来のレティクル及びこれを利用した半導体基板上の露光ショットを示す平面図である。
【図４】本発明の実施形態による半導体製造工程の露光装置を示す構成図である。
【図５】本発明の実施形態によるフォトレジストパターン及び半導体素子のパターンを形成する工程図である。
【図６】本発明のレティクル及びこれを利用した半導体基板上の露光ショットを示す平面図である。
【符号の説明】
１００　　　光源
１１０　　　整列レンズ
１２０　　　集光レンズ
１３０　　　レティクル
１４０　　　レティクルステージ
１５０　　　選択部材
１６０　　　投影レンズ
１７０　　　基板ステージ
Ｗ　　　半導体基板
【図１】
2004040098.tif 000003
【図２】
2004040098.tif 000004
【図３】
2004040098.tif 000005
【図４】
2004040098.tif 000006
【図５】
2004040098.tif 000007
【図６】
2004040098.tif 000008