(57)【要約】【課題】給電再開後の不揮発性メモリの格納性能の検証を容易ならしめ、不揮発性メモリの異常箇所のアドレスを特定する。【解決手段】メモリライト処理部６は、ＲＯＭ４から読み出した試験用データを不揮発性メモリ９に書き込む。メモリリード処理部８は、データを読み出すアドレスを認識しながらメモリ９からデータを読み出す。データ比較処理部７は、メモリ９から読み出したデータと元の試験用データとを比較し、不一致の場合に不一致を生じたアドレスを表示部１０に表示させる。メモリ９への給電再開後にデータの読出および比較を行うことを試験動作選択部２に設定することができ、この設定はメモリ９への給電再開後も有効である。【選択図】　　　　図１
2004021324.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
試験用データを格納する格納部と、
前記格納部から読み出した前記試験用データを不揮発性メモリに書き込む書込部と、
データを読み出すアドレスを認識しながら前記不揮発性メモリからデータを読み出す読出部と、
前記読出部によって読み出されたデータと、前記格納部から読み出した前記試験用データとを比較する比較部と、
前記比較部の比較結果が不一致の場合に、不一致を生じたアドレスを表示する表示部と、
前記不揮発性メモリへの給電再開後に読出部および比較部によるデータの読出および比較を行うことを設定することができ、この設定が前記不揮発性メモリへの給電再開後も有効な動作設定部とを備えた不揮発性メモリ試験装置。
【請求項２】
格納部には複数種類の試験用データが格納されており、
前記複数種類の試験用データのうち、いずれの種類の試験用データを格納部から読み出して、書込部および比較部が使用するかを設定することができ、この設定が前記不揮発性メモリへの給電再開後も有効なデータ設定部を備えたことを特徴とする請求項１記載の不揮発性メモリ試験装置。
【請求項３】
コンピュータに、
試験用データの不揮発性メモリへの書込を行うか、前記不揮発性メモリの試験を行うかを設定することができ、この設定が前記不揮発性メモリへの給電再開後も有効な動作設定部の設定を参照する工程と、
前記動作設定部が試験用データの不揮発性メモリへの書込を行うように設定されている場合に、格納部から読み出した前記試験用データを前記不揮発性メモリに書き込む工程と、
前記動作設定部が前記不揮発性メモリの試験を行うように設定されている場合に、データを読み出すアドレスを認識しながら前記不揮発性メモリからデータを読み出して、読み出されたデータと、前記格納部から読み出した前記試験用データとを比較する工程と、
前記データの比較結果が不一致の場合に、不一致を生じたアドレスを表示する工程とを実行させるためのプログラム。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、不揮発性メモリ試験装置およびプログラムに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
メモリの製造後には、正常な書込および読出ができるか否かを試行するためのメモリの動作試験が行われる。
【０００３】
図４は、特開平７−３２０４９９号公報に開示されているメモリ試験方法を示す。この方法では、被試験メモリが有するセル数が入力部から入力されると、データの並びがランダムなテストパターンをパターン生成部が生成する。次に、生成されたテストパターンに対応するデータをメモリコントローラが被試験メモリの各セルに書き込み、書き込まれたデータを各セルから読み出し、読み出されたデータとパターン生成部が生成したランダムパターンに対応するデータが一致するかどうかを比較照合する。データが一致する場合には、入力されたセル数Ｎに比例する個数分のパターン生成が終了しているかどうかを判定し、この判定がＹＥＳならば処理を終了し、ＮＯならば別のテストパターンを生成してチェックを繰り返す。従って、データの比較照合の判定がＹＥＳであり続ける限り、この技術では被試験メモリのセル数に比例する個数のテストパターンが生成されて試験に供される。
【０００４】
一方、データの比較照合の判定がＮＯの場合には、エラー表示を表示部に行わせる。従って、被試験メモリのいずれかのセルに不良であることが分かる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
従来のメモリ試験方法は、以上のようにメモリにデータを書き込んだ直後に、データが正常か否かをチェックすることが可能である。しかし、フラッシュメモリのような不揮発性メモリに対しては、その本質的な機能である給電遮断後もデータを確実に保持することができるか否かをチェックしたいという要望がある。上述した方法には、そのような要望を満足させることは不可能である。また、上述した方法には、メモリに不良があることが分かっても、その不良箇所のアドレスを特定することができないなどの課題があった。
【０００６】
給電遮断後の不揮発性メモリの格納性能をチェックする方法としては、チェック対象のメモリエリアのチェックサム値を計算して不揮発性メモリの一部に格納しておき、給電再開時に再計算したチェックサム値と格納されているチェックサム値を比較する方法が周知の技術として実施されている。しかし、この方法によっても、メモリの値が破壊されていることは検出できても、その不良箇所のアドレスを特定することはできない。
【０００７】
この発明は上記のような課題を解決するためになされたもので、給電再開後の不揮発性メモリの格納性能の検証を容易ならしめ、不揮発性メモリの異常箇所のアドレスを特定することができる不揮発性メモリ試験装置およびプログラムを得ることを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
この発明に係る不揮発性メモリ試験装置は、試験用データを格納する格納部と、格納部から読み出した試験用データを不揮発性メモリに書き込む書込部と、データを読み出すアドレスを認識しながら不揮発性メモリからデータを読み出す読出部と、読出部によって読み出されたデータと、格納部から読み出した試験用データとを比較する比較部と、比較部の比較結果が不一致の場合に、不一致を生じたアドレスを表示する表示部と、不揮発性メモリへの給電再開後に読出部および比較部によるデータの読出および比較を行うことを設定することができ、この設定が不揮発性メモリへの給電再開後も有効な動作設定部とを備えたものである。
【０００９】
この発明に係る不揮発性メモリ試験装置は、格納部には複数種類の試験用データが格納されており、複数種類の試験用データのうち、いずれの種類の試験用データを格納部から読み出して、書込部および比較部が使用するかを設定することができ、この設定が不揮発性メモリへの給電再開後も有効なデータ設定部を備えたものである。
【００１０】
この発明に係るプログラムは、コンピュータに、試験用データの不揮発性メモリへの書込を行うか、不揮発性メモリの試験を行うかを設定することができ、この設定が不揮発性メモリへの給電再開後も有効な動作設定部の設定を参照する工程と、動作設定部が試験用データの不揮発性メモリへの書込を行うように設定されている場合に、格納部から読み出した試験用データを不揮発性メモリに書き込む工程と、動作設定部が不揮発性メモリの試験を行うように設定されている場合に、データを読み出すアドレスを認識しながら不揮発性メモリからデータを読み出して、読み出されたデータと、格納部から読み出した試験用データとを比較する工程と、データの比較結果が不一致の場合に、不一致を生じたアドレスを表示する工程とを実行させるためのものである。
【００１１】
【発明の実施の形態】
以下、この発明の実施の一形態を説明する。
実施の形態１．
図１は、この発明の実施の形態１に係る不揮発性メモリ試験装置を示すブロック図である。図において、１は不揮発性メモリ試験装置を示す。不揮発性メモリ試験装置１は、入力部１ａと、ＲＯＭ（ｒｅａｄ−ｏｎｌｙ　ｍｅｍｏｒｙ、格納部）４と、制御部５と、試験対象となる不揮発性メモリ９と、表示部１０を備える。この実施の形態においては、不揮発性メモリ試験装置１はマイクロコンピュータそのものであって、付属の不揮発性メモリ９を試験することができる。不揮発性メモリ９としては、例えば、フラッシュメモリ、バッテリバックアップメモリもしくはその他のＥＥＰＲＯＭ（ｅｌｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ−ｅｒａｓａｂｌｅ　ａｎｄ　ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ　ｒｅａｄ−ｏｎｌｙ　ｍｅｍｏｒｙ）、またはフラッシュＲＡＭ、その他の不揮発性ＲＡＭが含まれる。
【００１２】
ＲＯＭ４には、制御部５の動作を規定する各種のプログラムおよびデータが格納されている。これらのデータには、不揮発性メモリ９の格納性能を試験するための複数種類すなわち複数パターンの試験用データも含まれている。
【００１３】
入力部１ａは、不揮発性メモリ試験装置１の動作を指定するために、検査監督者によって使用される。入力部１ａは、試験動作選択部（動作設定部）２と試験データ選択部（データ設定部）３を有する。具体的には、試験動作選択部２および試験データ選択部３は、ディップスイッチまたはジャンパスイッチである。
【００１４】
検査監督者は、試験動作選択部２を用いて、試験用データの不揮発性メモリ９への書込を行うか、不揮発性メモリ９の試験を行うかを設定することができる。すなわち、書込モードと試験モードのいずれかを設定できる。試験動作選択部２は、ディップスイッチまたはジャンパスイッチであるから、この設定は不揮発性メモリ９への給電遮断および再開後も有効である。
【００１５】
また、検査監督者は、試験データ選択部３を用いて、ＲＯＭ４に格納された複数種類の試験用データのうち、いずれの種類すなわちいずれのパターンの試験用データを読み出して試験に使用するかを設定することができる。試験データ選択部３は、ディップスイッチまたはジャンパスイッチであるから、この設定は不揮発性メモリ９への給電遮断および再開後も有効である。試験用データの種類が多数の場合には、試験データ選択部３は複数のスイッチを有していてもよい。
【００１６】
制御部５は中央演算処理装置であり、メモリライト処理部（書込部）６、データ比較処理部（比較部）７およびメモリリード処理部（読出部）８を有する。より正確には、メモリライト処理部６、データ比較処理部７およびメモリリード処理部８は、プログラムに従って制御部５が実行する動作のモジュールを表している。
【００１７】
試験動作選択部２が試験用データの不揮発性メモリ９への書込を行うように書込モードに設定されている場合には、メモリライト処理部６が有効に動作可能になり、データ比較処理部７およびメモリリード処理部８は利用されない。メモリライト処理部６は、試験データ選択部３で指定された試験用データをＲＯＭ４から読み取り、不揮発性メモリ９に書き込む。
【００１８】
試験動作選択部２が不揮発性メモリ９の試験を行うように試験モードに設定されている場合には、データ比較処理部７およびメモリリード処理部８が有効に動作可能になり、メモリライト処理部６は利用されない。メモリリード処理部８は、不揮発性メモリ９からデータを読み出し、読み出したデータをデータ比較処理部７に渡す。
【００１９】
データ比較処理部７は、試験データ選択部３で指定された試験用データをＲＯＭ４から読み取り、メモリリード処理部８が不揮発性メモリ９から読み出したデータと試験用データとを比較する。メモリリード処理部８は、アクセスするアドレスを認識しながら、不揮発性メモリ９からデータを読み出すようになっており、比較されるこれらのデータが異なる場合には、データ比較処理部７も不一致を生じたアドレスを認識することが可能になっている。
【００２０】
不揮発性メモリ９から読み出されたデータと試験用データとが不一致の場合には、データ比較処理部７は不一致を生じたアドレスを示す信号を表示部１０に供給する。この信号を受けて、表示部１０はそのアドレスを表示する。
【００２１】
不揮発性メモリ９から読み出されたデータと試験用データとが一致した場合には、データ比較処理部７は正常である旨を示す信号を表示部１０に供給し、この信号を受けて、表示部１０は正常であることを表示する。
【００２２】
表示部１０は、例えば、複数の発光ダイオードから構成されている。個々の発光ダイオードの点灯／消灯によってビットを表すことができるので、複数の発光ダイオードの点灯／消灯状態によって二進数のアドレスを検査監督者が把握することができる。一方、アドレスに使用されていない特定の数値を複数の発光ダイオードで表現すれば、不揮発性メモリ９が正常である旨が表示できる。但し、表示部１０はこのような形態に限られることなく、液晶ディスプレイまたは他の適切な形態であってもよい。
【００２３】
次に動作について説明する。
図２は、この実施の形態の不揮発性メモリ試験装置１を使用する手順を示すフローチャートである。まず検査監督者は、ステップＳＴ１で、試験のために不揮発性メモリ９に書き込むべき試験用データを選択し、試験データ選択部３を操作して、試験に使用する試験用データを設定する。次に検査監督者は、ステップＳＴ２で、試験動作選択部２を操作して、不揮発性メモリ試験装置１の処理を書込モードに設定する。この書込モードの設定によって、制御部５のメモリライト処理部６は、試験データ選択部３で指定された試験用データをＲＯＭ４から読み取り、不揮発性メモリ９に書き込む。
【００２４】
書込完了後、ステップＳＴ３で、検査監督者は不揮発性メモリ試験装置１の電源スイッチをオフし、不揮発性メモリ９を含む不揮発性メモリ試験装置１への給電を遮断する。次にステップＳＴ４で、検査監督者は、試験動作選択部２を操作して、不揮発性メモリ試験装置１の処理を試験モードに設定する。この後、不揮発性メモリ試験装置１の電源スイッチをオンし、不揮発性メモリ９を含む不揮発性メモリ試験装置１への給電を再開する。
【００２５】
別の形態として、電源スイッチのオン／オフに代えて、制御部５が有するＣＰＵリセット機能を用いてもよい。そのような形態では、検査監督者がＣＰＵリセットを行うことによって、不揮発性メモリ試験装置１への給電は維持されたまま、制御部５への給電の遮断および再開が行われ、同時に不揮発性メモリ９への給電の遮断および再開が行われる。ＣＰＵリセットで、制御部５への給電が遮断されている間に、検査監督者は試験動作選択部２により処理を試験モードに設定すればよい。
【００２６】
給電が再開されると、試験動作選択部２の設定に従って、制御部５のメモリリード処理部８は、不揮発性メモリ９からデータを読み出し、読み出したデータをデータ比較処理部７に渡す。そして、上述の通り、データ比較処理部７は、試験データ選択部３で指定された試験用データをＲＯＭ４から読み取り、メモリリード処理部８が不揮発性メモリ９から読み出したデータと試験用データとを比較し、比較結果を表示部１０に表示させる。検査監督者はステップＳＴ５において、表示部１０で結果を確認する。
【００２７】
この実施の形態の不揮発性メモリ試験装置１の制御部５による書込および試験の処理は、ＲＯＭ４から読み出された試験用プログラムに準拠して行われる。制御部５による書込および試験の処理のフローチャートを図３に示す。
この処理は、試験動作選択部２の切替操作または制御部５への給電の再開によって開始する。まず、ステップＳＴ６で、制御部５は、試験動作選択部２の設定を参照し、この設定が書込モードか否かを判断する。
【００２８】
書込モードであれば、処理はステップＳＴ７に進み、メモリライト処理部６は、試験データ選択部３で指定された試験用データをＲＯＭ４から読み取り、不揮発性メモリ９に書き込み、この後処理は終了する。
【００２９】
試験動作選択部２が試験モードに設定されていた場合には、ステップＳＴ６の判断結果が否定的になる。試験モードでは、ステップＳＴ８で、制御部５のメモリリード処理部８は、不揮発性メモリ９からデータを読み出し、読み出したデータをデータ比較処理部７に渡す。データ比較処理部７は、試験データ選択部３で指定された試験用データをＲＯＭ４から読み取り、メモリリード処理部８が不揮発性メモリ９から読み出したデータと試験用データとを比較する。
【００３０】
不揮発性メモリ９から読み出されたデータと試験用データとが不一致の場合には、ステップＳＴ８の判断結果が否定的になる。この場合には、ステップＳＴ９で、データ比較処理部７は、不一致を生じたアドレスを認識して、そのアドレスを示す信号を表示部１０に出力し、処理は終了する。
【００３１】
不揮発性メモリ９から読み出されたデータと試験用データとが一致した場合には、ステップＳＴ８の判断結果が肯定的になる。この場合には、ステップＳＴ１０で、データ比較処理部７は正常である旨を示す信号を表示部１０に出力し、処理は終了する。
【００３２】
以上のように、この実施の形態１によれば、書込モードか試験モードかを示す試験動作選択部２の給電再開後も有効な設定を制御部５が参照し、この設定に応じた処理を制御部５が実行する。従って、給電再開後に試験モードを実行する場合には、給電遮断前に不揮発性メモリ９に書き込まれたデータの正常性を検証することが可能である。しかも、試験モードにおいて、メモリリード処理部８は、データを読み出すアドレスを認識しながら、不揮発性メモリ９からデータを読み出すので、データ比較処理部７は、不一致を生じたアドレスを認識して、そのアドレスを示す信号を表示部１０に表示させることが可能である。このようにして、給電再開後の不揮発性メモリの格納性能の検証を容易ならしめ、不揮発性メモリの異常箇所のアドレスを特定することができるなどの効果が得られる。
【００３３】
また、ＲＯＭ４に格納された複数種類の試験用データのうち、試験のための書込および試験における比較で使用されるべき試験用データを示す試験データ選択部３の設定が給電再開後も有効であるので、給電再開後に試験モードを実行する場合には、給電遮断前に不揮発性メモリ９に書き込まれたのと同一種類の試験用データを自動的に選択してこれを不揮発性メモリ９の試験に供することができる。このようにして、給電再開後の不揮発性メモリの格納性能の検証をさらに容易ならしめることが可能である。
【００３４】
実施の形態２．
上述した実施の形態においては、不揮発性メモリ試験装置１はマイクロコンピュータそのものであって、それに付属の不揮発性メモリ９を試験するが、この発明をこのような実施の形態に限定する意図ではない。別の実施の形態として、マイクロコンピュータに搭載されていない独立の不揮発性メモリに、試験が必要なときに不揮発性メモリ試験装置を接続またはその他の手段によってアクセス可能にして、上記と類似の処理を実行させてもよい。
【００３５】
さらに別の形態として、不揮発性メモリを搭載したか不揮発性メモリに接続されたマイクロコンピュータその他の機器に、試験が必要なときに不揮発性メモリ試験装置を接続またはその他の手段によってアクセス可能にして、上記と類似の処理を実行させてもよい。
【００３６】
実施の形態３．
上述した実施の形態においては、不揮発性メモリ９への給電の遮断および再開は検査監督者が手動で行い、動作設定部としての試験動作選択部２の切替操作も検査監督者が手動で行う。しかし、この発明をこのような実施の形態に限定する意図ではない。
【００３７】
別の実施の形態として、プログラムによって自動的に不揮発性メモリ９への給電の遮断および再開を制御部５が行うようにしてもよい。この形態では、メモリリード処理部８およびデータ比較処理部７によるデータの読出および比較を行う試験モードを自動的な給電の再開後に実行することを、不揮発性メモリ９への給電の遮断前にプログラムによって制御部５の内部レジスタに設定することが可能である。制御部５への給電を持続したまま、不揮発性メモリ９への給電の遮断および再開を自動的に実行することによって、内部レジスタでの設定は給電再開後も有効である。
【００３８】
給電再開後は、制御部５は内部レジスタの設定を参照し、この設定に従ってメモリリード処理部８およびデータ比較処理部７は給電遮断前に不揮発性メモリ９に書き込まれたデータの正常性を検証する。
以上のように、この実施の形態３によれば、検査監督者の操作負担を軽減することが可能であるなどの効果が得られる。
【００３９】
【発明の効果】
以上のように、この発明によれば、給電再開後の不揮発性メモリの格納性能の検証を容易ならしめ、不揮発性メモリの異常箇所のアドレスを特定することができるなどの効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の実施の形態１に係る不揮発性メモリ試験装置を示すブロック図である。
【図２】図１に示された不揮発性メモリ試験装置を使用する手順を示すフローチャートである。
【図３】図１に示された不揮発性メモリ試験装置による書込および試験の処理を示すフローチャートである。
【図４】従来のメモリ試験方法の一例を示すフローチャートである。
【符号の説明】
１　不揮発性メモリ試験装置、１ａ　入力部、２　試験動作選択部（動作設定部）、３　試験データ選択部（データ設定部）、４　ＲＯＭ（格納部）、５　制御部、６　メモリライト処理部（書込部）、７　データ比較処理部（比較部）、８　メモリリード処理部（読出部）、９　不揮発性メモリ、１０　表示部。
【図１】
2004021324.tif 000003
【図２】
2004021324.tif 000004
【図３】
2004021324.tif 000005
【図４】
2004021324.tif 000006