(57)【要約】【課題】外部接続パッドの反射ノイズの発生を低減し、高周波信号を良好に伝送することができる配線基板およびそれを用いた電子装置。【解決手段】絶縁基板１の主面に、熱硬化性樹脂および無機絶縁性フィラーを含有して成り誘電率が２．０〜２．５である絶縁層２と信号配線導体４および接地または電源導体５からなる配線導体層３とを複数積層するとともに、絶縁層２の間に位置する接地または電源導体５に対向するように最外層に位置する絶縁層２ａの表面に外部電気回路基板の高周波信号用電極が接続される直径が４００〜５００μｍの外部接続パッド９を配置して成る配線基板であって、接地または電源導体５とこれに対向する外部接続パッド９との間の絶縁層２ａの厚みが外部接続パッド９の直径の０．３〜０．５倍であり、外部接続パッド９の厚みが外部接続パッド９の直径の０．０２〜０．５倍である。【選択図】　図２
2004063531.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板の主面に、熱硬化性樹脂および無機絶縁性フィラーを含有して成り誘電率が２．０〜２．５である絶縁層と信号配線導体および接地または電源導体から成る配線導体層とを複数積層するとともに、前記絶縁層の間に位置する前記接地または電源導体に対向するように最外層に位置する前記絶縁層の表面に外部電気回路基板の高周波信号用電極が接続される直径が４００〜５００μｍの外部接続パッドを配置して成る配線基板であって、前記接地または電源導体とこれに対向する前記外部接続パッドとの間の前記絶縁層の厚みが前記外部接続パッドの直径の０．３〜０．５倍であり、前記外部接続パッドの厚みが前記外部接続パッドの直径の０．００２〜０．５倍であることを特徴とする配線基板。
【請求項２】
請求項１記載の配線基板の、前記外部接続パッドを配置した表面と反対側の面に、前記信号配線導体から成る電子部品接続パッドを設けるとともに該電子部品接続パッドに前記配線基板に搭載した電子部品の高周波信号用電極を接続して成ることを特徴とする電子装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電子部品を搭載するために用いられる配線基板およびこの配線基板に電子部品を搭載して成る電子装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
一般に、現在の電子機器は、移動体通信機器に代表されるように小型・薄型・軽量・高性能・高機能・高品質・高信頼性が要求されてきており、このような電子機器に搭載される電子装置も小型・高密度化が要求されるようになってきている。そのため、電子装置を構成する配線基板にも小型化・薄型化・多端子化が求められてきており、それを実現するために信号配線導体等の配線の幅を細くするとともにその間隔を狭くし、さらに配線の多層化・配線間を接続する貫通導体の小径化により高密度配線化が図られている。
【０００３】
このような高密度配線が可能な配線基板として、ビルドアップ法を採用して製作された配線基板が知られている。ビルドアップ法とは、例えば、ガラスクロスやアラミド不布織等の補強材に耐熱性や耐薬品性を有するエポキシ樹脂に代表される熱硬化性樹脂を含浸させて複合化した絶縁基板上に、間に信号配線導体および接地または電源導体から成る配線導体層を挟んでエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂から成る接着材を塗布して絶縁層を形成するとともに絶縁層を加熱硬化させた後、配線導体層上部の絶縁層にレーザで径が３０〜１００μｍの貫通孔を穿設し、しかる後、絶縁層表面を化学粗化し、さらに無電解銅めっき法および電解銅めっき法を用いて貫通孔内壁と貫通孔底面の導体層上とに導体膜を被着して貫通導体を形成するとともに絶縁層表面に貫通導体と接続する配線導体層を形成し、さらに、絶縁層や貫通導体・配線導体層の形成を複数回繰り返すことにより配線基板を製作する方法である。
【０００４】
なお、配線基板の一方の主面には、これに搭載される電子部品の電極と接続される電子部品接続パッドが、他方の主面には、外部電気回路基板の電極と接続される直径が４００〜５００μｍ程度の外部接続パッドが形成されている。また、配線導体層は、高周波の信号を伝達する信号配線導体および略ベタパターンの接地または電源導体から構成されており、そして、信号配線導体は幅が２０〜４０μｍ程度の微細パターンであるので、この特性インピーダンスを配線基板に一般的に要求される５０Ω±１０％の範囲内に制御するために、絶縁層はその厚みが２０〜４５μｍに、誘電率が２．０〜２．５に制御されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来の配線基板は、外部接続パッドの直径が４００〜５００μｍと信号配線導体の幅２０〜４０μｍに比較して非常に大きく、しかも絶縁層の厚みが２０〜４５μｍと非常に薄いので、外部接続パッドと接地または電源導体とが絶縁層を挟んで対向して形成されると、外部接続パッドと接地または電源導体との容量結合によって生じるキャパシタンスによって外部接続パッドの特性インピーダンスが大きく変わり、その結果、外部接続パッドの特性インピーダンスを５０Ω±１０％の範囲内に制御できず、高周波の信号を通した時に外部接続パッドで反射ノイズが発生してしまい、搭載する電子部品を誤作動させてしまうという問題点を有していた。また、外部接続パッドの厚みが数〜数十μｍで絶縁層の厚み２０〜４５μｍと同程度の厚みであることから、外部接続パッドの厚みによっても外部接続パッドと接地または電源導体との容量結合によって生じるキャパシタンスが大きく変化し、外部接続パッドの特性インピーダンスが大きく変化してしまうという問題点を有していた。
【０００６】
本発明はかかる従来技術の問題点に鑑み完成されたものであり、その目的は、外部接続パッドの特性インピーダンスを５０Ω±１０％の範囲内に調整することにより反射ノイズの発生を低減し、高周波信号を良好に伝送することが可能な配線基板およびこれを用いた電子装置を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明の配線基板は、絶縁基板の主面に、熱硬化性樹脂および無機絶縁性フィラーを含有して成り誘電率が２．０〜２．５である絶縁層と信号配線導体および接地または電源導体から成る配線導体層とを複数積層するとともに、絶縁層の間に位置する接地または電源導体に対向するように最外層に位置する絶縁層の表面に外部電気回路基板の高周波信号用電極が接続される直径が４００〜５００μｍの外部接続パッドを配置して成る配線基板であって、接地または電源導体とこれに対向する外部接続パッドとの間の絶縁層の厚みが外部接続パッドの直径の０．３〜０．５倍であり、外部接続パッドの厚みが外部接続パッドの直径の０．００２〜０．５倍であることを特徴とするものである。
【０００８】
また、本発明の電子装置は、上記の配線基板の、外部接続パッドを配置した表面と反対側の面に、信号配線導体から成る電子部品接続パッドを設けるとともに電子部品接続パッドに配線基板に搭載した電子部品の高周波信号用電極を接続して成ることを特徴とするものである。
【０００９】
本発明の配線基板および電子装置によれば、接地または電源導体とこれに対向する外部接続パッドとの間の絶縁層の厚みを外部接続パッドの直径の０．３〜０．５倍とし、外部接続パッドの厚みを外部接続パッドの直径の０．００２〜０．５倍としたことから、外部接続パッドの特性インピーダンスを５０Ω±１０％の範囲内に制御することができ、その結果、外部接続パッドに高周波信号を通した場合においても反射ノイズが発生することはなく、高周波領域でも安定した信号伝達が可能な配線基板および電子装置とすることができる。
【００１０】
【発明の実施の形態】
次に、本発明の配線基板およびこれを用いた電子装置を添付の図面に基づいて詳細に説明する。
図１は、本発明の配線基板に電子部品を搭載して成る電子装置の実施形態の一例を示す断面図であり、図２は、その要部拡大断面図である。
【００１１】
これらの図において、１は絶縁基板、２は絶縁層、３は配線導体層、４は信号配線導体、５は接地または電源導体、６は電子部品接続パッド、８は貫通導体、９は外部接続パッドで、主にこれらで本発明の配線基板が構成される。また、この配線基板に電子部品７を搭載し電子部品接続用パッド６と電気的に接続することにより本発明の電子装置と成る。なお、本発明の配線基板の配線導体層３は、幅が２０〜４０μｍの信号配線導体４と絶縁層２の略全面にベタパターン状に形成された接地または電源導体５とから形成されている。
【００１２】
配線基板は、電子部品７を支持する支持部材としての機能を有し、絶縁基板１の表面および／または裏面の主面に複数の絶縁層２および配線導体層３を積層することによって形成されている。
【００１３】
絶縁基板１は、絶縁層２の支持体としての機能を有し、例えばガラスクロス−変性シクロオレフィン樹脂や・ガラスクロス−ポリフェニレンエーテル樹脂・アラミド繊維−ポリフェニレンエーテル樹脂等の樹脂材料から成り、常法により製作される。また、絶縁基板１の主面には、配線導体層３が被着形成されており、上下に位置する配線導体層３同士は、絶縁基板１内部に形成されたスルーホール導体１ａで電気的に接続されている。さらに、絶縁基板１の主面には、銅や金・ニッケル・アルミニウム等の金属薄膜からなる配線導体層３が絶縁層２を介して積層されている。
【００１４】
絶縁層２は、その厚みが２０〜４５μｍで配線導体層３を支持する支持部材として機能し、例えば変性ポリフェニレンエーテル樹脂や変性シクロオレフィン樹脂等の熱硬化性樹脂とエラストマーと無機絶縁性フィラーとから成る。なお、配線導体層３の金属薄膜との密着性を良好となすために、表面を粗化できるエポキシ樹脂成分を少量含有してもよい。なお、絶縁層２の厚みは、２０μｍ未満であると上下に位置する配線導体層３間の絶縁性が低下する傾向があり、４５μｍを超えるとその厚みが不要に厚いものとなり、配線基板の薄型化に適さないものとなる傾向がある。
【００１５】
このような絶縁層２は、例えば変性ポリフェニレンエーテル樹脂とエラストマー・無機絶縁性フィラーに溶剤等を添加した混合物を混練して液状ワニスを得、この液状ワニスをポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）製離型シート上に塗布し、６０〜１００℃の温度で乾燥することによりフィルム状に成形される。また、絶縁層２には、炭酸ガスレーザやＹＡＧレーザ・ＵＶレーザ等の従来周知のレーザを用いて直径が３０〜３００μｍ程度の貫通孔が形成されるとともに、その内部に銅や金・ニッケル・アルミニウム等の金属薄膜を被着して、上下に位置する配線導体層３同士を電気的に接続する貫通導体８が形成されている。なお、絶縁層２となる乾燥後のフィルムは、エラストマーを含有させることにより、フィルム上面にポリエチレンシートを積層し、ロール状に巻き取ることにより容易に貯蔵できる。また、フィルムの厚さは自由に設定することができるが、絶縁性の観点から２０〜４５μｍの範囲の厚さが好ましい。
【００１６】
このような絶縁層２は、上述のフィルムを絶縁基板１表面に真空ラミネータを用いて圧着し、オーブンで熱硬化することにより積層される。なお、絶縁層２は、前述したようにその厚みが２０〜４５μｍであるので、幅が２０〜４０μｍである高周波信号が伝達される信号配線導体４の特性インピーダンスを５０Ωに合わせるためには、誘電率が２．０〜２．５に調整されている。また、絶縁層２の誘電率は、変性ポリフェニレンエーテル樹脂や変性シクロオレフィン樹脂等の熱硬化性樹脂に、シリカ等の無機絶縁フィラーを１０〜５０重量％配合することにより２．０〜２．５に調整される。
【００１７】
また、絶縁層２間には、配線導体層３が形成され、上下に位置する配線導体層３同士は貫通導体８により電気的に接続されている。配線導体層３は、配線基板に搭載される電子部品７を外部電気回路基板（図示せず）に電気的に接続する導電路としての機能を有する。
【００１８】
このような配線導体層３や貫通導体８を形成する金属材料としては、電気抵抗値が低いという観点からは銅や金・ニッケル・アルミニウム等の金属が好ましく、安価という観点からは銅が好ましい。なお、金属薄膜の厚みは、高周波信号を伝達させるという観点からは１μｍ以上であることが好ましく、金属薄膜を絶縁基板１や絶縁層２に被着形成する際に金属薄膜に大きな応力を残留させず、金属薄膜が絶縁基板１や絶縁層２から剥離しにくいものとするためには３０μｍ以下としておくことが好ましい。
【００１９】
このような金属薄膜は、次に述べる方法により形成される。まず、絶縁層２の所望の個所に、例えば炭酸レーザを用いて貫通孔を形成した後に、絶縁層２の表面および貫通孔の内壁を過マンガン酸塩類水溶液等の粗化液に浸漬して粗化する。次に、絶縁層２の表面および貫通孔の内壁を無電解めっきの触媒と成る例えばパラジウムの水溶液中に浸漬して絶縁層２表面と貫通孔の内壁に触媒を被着させ、さらに、硫酸銅・ロッセル塩・ホルマリン・ＥＤＴＡナトリウム塩・安定剤等から成る無電解めっき液に約３０分間浸漬して、数μｍの無電解銅めっき膜を析出させる。そして次に、絶縁層２の表面に感光性ドライフィルムレジストをラミネートし露光と現像により薄膜導体と成る所定の配線パターンを形成し、しかる後に、硫酸・硫酸銅５水和物・塩素・光沢剤等から成る電解銅めっき液に数Ａ／ｄｍ２の電流を印加しながら数時間浸漬することにより貫通導体８が貫通孔内壁や内部に形成される。さらにまた、水酸化ナトリウムを用いて感光性ドライフィルムレジストを剥離し、しかる後、硫酸・過酸化水素水溶液でめっき膜表面をエッチングすることにより、絶縁層２の表面に配線導体層３が形成される。
【００２０】
そして、このような配線導体層３や貫通導体８を形成した絶縁層２の上面に、絶縁層２を積層するとともに上記と同じ工程を繰り返して配線導体層３や貫通導体６を形成し、さらにこれを複数回繰り返すことにより絶縁層２が複数層積層される。
【００２１】
また、配線基板の最外層に形成された一方の絶縁層２ａの表面には、外部電気回路基板（図示せず）の高周波信号電極と接続するために、信号配線導体４の一部を用いて成る外部接続パッド９が形成されている。さらに、配線基板の最外層に形成された他方の絶縁層２の表面には、電子部品７の電極と接続するために電子部品接続パッド６が形成されている。
【００２２】
配線基板を外部電気回路基板と強固に接続するためには、外部接続パッド９上に形成される導体バンプ１０ｂの直径を３００〜４５０μｍにする必要がある。従って、外部接続パッド９の直径Ｗも４００〜５００μｍにする必要がある。外部接続ッド９の直径Ｗが４００μｍより小さくなると導体バンプ１０ｂとの接続面積が少なくなり、外部電気回路基板の高周波信号電極と強固に接続できなくなる傾向にあり、５００μｍより大きくなると単位面積当たりの外部接続パッド９数が少なくなり、配線基板の多端子化が困難となる傾向にある。
【００２３】
そして、本発明の配線基板においては、接地または電源導体５とこれに対向する外部接続パッド９との間の絶縁層２ａの厚みｔ２が外部接続パッド９の直径Ｗの０．３〜０．５倍であり、外部接続パッド９の厚みｔ１が外部接続パッド９の直径Ｗの０．００２〜０．５倍であることが重要である。
【００２４】
本発明の配線基板によれば、接地または電源導体５とこれに対向する外部接続パッド９との間の絶縁層２ａの厚みｔ２を外部接続パッド９の直径Ｗの０．３〜０．５倍、および外部接続パッドの厚みｔ１を外部接続パッド９の直径Ｗの０．００２〜０．５倍としたことから、外部接続パッド９の特性インピーダンスを５０Ω±１０％の範囲内に良好に制御することができ、その結果、外部接続パッド９に高周波信号を通した場合においても反射ノイズが発生することはなく、高周波領域でも安定した信号伝達が可能な配線基板とすることができる。
【００２５】
なお、外部接続パッド９の厚みｔ１が外部接続パッド９の直径Ｗの０．００２倍より小さいと、外部接続パッド９の特性インピーダンスが５５Ωより高い値になる傾向があり、厚みｔ１が０．５倍を超えると外部接続パッド９の特性インピーダンスが４５Ωより低い値になる傾向がある。従って、外部接続パッド９の厚みｔ１は外部接続パッド９の直径Ｗの０．００２〜０．５倍でなければならない。また、４０ＧＨｚ以上の高周波領域では、外部接続パッド９の特性インピーダンスを５０Ω±１０％とするために、外部接続パッド９の厚みｔ１を外部接続パッド９の直径Ｗの０．０４〜０．０６倍とすることがより好ましい。
【００２６】
また、接地または電源導体５とこれに対向する外部接続パッド９との間の絶縁層２ａの厚みｔ２が外部接続パッド９の直径Ｗの０．３倍より小さいと、外部接続パッド９と接地または電源導体５とのキャパシタンスが大きくなりすぎて、外部接続パッド９の特性インピーダンスが４５Ωより低い値になる傾向があり、厚みｔ２が０．５倍より大きいと外部接続パッド９と接地または電源導体５とのキャパシタンスが小さくなりすぎて、外部接続パッド９の特性インピーダンスが５５Ωより高い値になる傾向がある。従って、接地または電源導体５とこれに対向する外部接続パッド９との間の絶縁層厚みｔ２は外部接続パッド９の直径Ｗの０．３〜０．５倍でなければならない。なお、４０ＧＨｚ以上の高周波領域では、外部接続パッド９の厚みｔ２は外部接続パッド９の直径Ｗの０．４倍であることがより好ましい。
【００２７】
なお、ここで反射ノイズとは、特性インピーダンスの不整合により電圧反射が生じ、外部接続パッド９に接続されている信号配線導体４の波形が階段的に乱れる現象であり、特に、高周波領域では小さな特性インピーダンスの不整合でも反射ノイズが生じ易く、これにより配線基板に搭載されている電子部品７が誤動作することがある。
【００２８】
また、配線基板に電子部品７を接続する際の熱履歴から絶縁層２および電子部品接続パッド６および外部接続パッド９を保護するために、絶縁層２の最外層表面に感光性樹脂から成る耐半田樹脂層１１を被着形成してもよい。なお、この場合、耐半田樹脂層１１の電子部品接続パッド６および外部接続パッド９上部には露光・現像により電子部品接続パッド６と電子部品７の電極とを接続する導体バンプ１０ａ用の開口、および外部接続パッド９と外部電気回路基板の高周波信号用電極とを接続する導体バンプ１０ｂ用の開口が形成される。さらに、開口底の電子部品接続用パッド６および外部接続パッド９の表面にニッケル・金等の良導電性で耐腐蝕性に優れた金属をめっき法により１〜２０μｍの厚さに被着させておくと、電子部品接続用パッド６および外部接続パッド９の表面の酸化腐食を有効に防止できるとともに電子部品接続用パッド６と導体バンプ１０ａおよび外部接続パッド９のと導体バンプ１０ｂとの接続を良好とすることができる。
【００２９】
また、本発明の電子装置は、配線基板上面の電子部品接続パッド６と電子部品７の電極とを導体バンプ１０ａを介して電気的に接続することによって形成される。さらに、配線基板の下面には、導体バンプ１０ｂを介して外部電気回路（図示せず）の電極と接続される外部接続パッド９が形成されている。
【００３０】
なお、導体バンプ１０ａ・１０ｂを接続するための耐半田樹脂層１１の開口の形状は円形状であることが望ましく、さらに、それらの径は電子部品接続パッド６側が５０〜２００μｍ、外部接続パッド９側が３００〜４５０μｍの範囲とすることが好ましい。
【００３１】
導体バンプ１０ａは、電子部品接続パッド６と電子部品７の各電極とを電気的に接続する機能を有し、配線基板表面の電子部品接続パッド６上に半田等の金属により形成されている。このような導体バンプ１０ａは、金や鉛−錫・錫−亜鉛・錫−銀−ビスマス等の合金の導電性接合材から成り、例えば導電性接合材が鉛−錫から成る半田の場合、鉛−錫から成るぺーストを耐半田樹脂層１１の開口にスクリーン印刷法によって印刷、あるいは鉛−錫から成る半田ボールを耐半田樹脂層１１の開口に載置した後、リフロー炉を通すことによって電子部品接続パッド６上に半球状に固着形成される。そして、電子部品７を導体バンプ１０ａ上に載置し、リフロー炉を通すことによって電子部品接続パッド６と電子部品７の各回路とが電気的に接続される。なお、電子部品７と配線基板表面との間に、熱硬化性樹脂とフィラーとから成るアンダーフィル材１２を注入することによって、導体バンプ１０ａが保護されるとともに電子部品７が配線基板に強固に固着される。
【００３２】
かくして、本発明の電子装置によれば、上記の配線基板の、外部接続パッド９を配置した表面と反対側の面に、信号配線導体４から成る電子部品接続パッド６を設けるとともに電子部品接続パッド６に配線基板に搭載した電子部品７の電極を接続して成り、外部接続パッド９の特性インピーダンスが５０Ω±１０％の範囲に制御されているので、外部接続パッド９で反射ノイズが発生することはなく、高周波領域でも安定した信号伝達が可能な電子装置とすることができる。
【００３３】
なお、本発明の配線基板および電子装置は上述の実施例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば種々の変更は可能であることは言うまでもない。
【００３４】
【実施例】
本発明の配線基板の特性インピーダンスを評価するために、以下に説明するような配線基板を製作し、ＴＤＲ（タイム・ドメイン・リフレクトメトリ）測定を行なった。ＴＤＲ測定法とは、ステップジェネレータおよびオシロスコープを使用し、ステップジェネレータにより電子部品接続用パッドに急峻なエッジをもつ信号（入射波）を送り、送りこまれた信号が伝送ラインの伝搬速度で信号配線上および貫通導体を伝わるとともに入射波の一部が反射され、この入射波と反射波の電圧をオシロスコープにてモニタすることにより外部接続パッドの特性インピーダンス（Ｚｏ値）を測定する方法である。
【００３５】
まず、変性ポリフェニレンエーテル樹脂とエラストマー・無機絶縁性フィラーに溶剤等を添加した混合物を混練して液状ワニスを得、この液状ワニスをポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）製離型シート上に塗布し、６０〜１００℃の温度で乾燥することによりフィルム状に成形した。絶縁基板主面に得られたフィルムをラミネートすることにより積層した後、１５０〜１８０℃で熱硬化を行なって絶縁層２を形成した。次に、絶縁層２に炭酸ガスレーザやＹＡＧレーザ・ＵＶレーザ等の従来周知のレーザを用いて直径が３００μｍの貫通孔を形成した後、絶縁層２の表面および貫通孔の内壁を過マンガン酸塩類水溶液等の粗化液に浸漬して粗化した。次に、絶縁層２の表面および貫通孔の内壁を無電解めっきの触媒と成る、例えばパラジウムの水溶液中に浸漬して絶縁層２表面と貫通孔の内壁に触媒を被着させ、さらに、硫酸銅・ロッセル塩・ホルマリン・ＥＤＴＡナトリウム塩・安定剤等から成る無電解めっき液に約３０分間浸漬して、１μｍの無電解銅めっき膜を析出させた。そして次に、絶縁層２の表面に感光性ドライフィルムレジストをラミネートし露光と現像により薄膜導体と成る所定の配線パターンを形成し、しかる後に、硫酸・硫酸銅５水和物・塩素・光沢剤等から成る電解銅めっき液に３Ａ／ｄｍ２の電流を印加しながら１時間浸漬することにより貫通導体８を貫通孔の内壁や内部に形成した。さらにまた、水酸化ナトリウムを用いて感光性ドライフィルムレジストを剥離し、しかる後、硫酸・過酸化水素水溶液でめっき膜表面をエッチングすることにより、絶縁層の表面に配線導体層３や接地または電源導体５が形成した。さらに、これらを繰返して、絶縁層の最外郭に電子部品接続用パッド６を形成した。
【００３６】
ここで、外部接続パッド９の直径と外部接続パッド９の厚みおよび最外層の絶縁層２ａの厚みとの特性インピーダンス値の関係を表１に示す。
【００３７】
【表１】
2004063531.tif 000003
【００３８】
表１に示すように、外部接続パッド９の直径Ｗが４００〜５００μｍの場合、外部接続パッド９と接地または電源導体５との間の絶縁層２ａの厚みｔ２を外部接続パッド９の直径Ｗの０．２倍あるいは０．６倍とした時は、５０Ω±１０％の範囲外となった。また、厚みｔ２を外部接続パッド９の直径Ｗの０．３〜０．５倍としても、外部接続パッド９の厚みｔ１を外部接続パッド９の直径Ｗの０．００１倍あるいは０．６倍に形成すると、５０Ω±１０％の範囲外となる。それに対して、外部接続パッド９の直径Ｗが４００〜５００μｍの場合、外部接続パッド９と接地または電源導体５との間の絶縁層２ａの厚みｔ２を外部接続パッド９の直径Ｗの０．３〜０．５倍とするとともに、外部接続パッド９の厚みｔ１を外部接続パッド９の直径Ｗの０．００２〜０．５倍に形成すると、外部接続パッド９の特性インピーダンスを５０Ω±１０％に整合できることがわかった。
【００３９】
【発明の効果】
本発明の配線基板および電子装置によれば、接地または電源導体とこれに対向する外部接続パッドとの間の絶縁層の厚みを外部接続パッドの直径の０．３〜０．５倍とし、外部接続パッドの厚みを外部接続パッドの直径の０．００２〜０．５倍としたことから、外部接続パッドの特性インピーダンスを５０Ω±１０％の範囲内に制御することができ、その結果、外部接続パッドに高周波信号を通した場合においても反射ノイズが発生することはなく、高周波領域でも安定した信号伝達が可能な配線基板および電子装置とすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の配線基板およびこれに電子部品を搭載して成る本発明の電子装置の実施の形態の一例を示す断面図である。
【図２】本発明の配線基板の要部拡大断面図である。
【符号の説明】
１・・・・・・・絶縁基板
２・・・・・・・絶縁層
３・・・・・・・配線導体層
４・・・・・・・信号配線導体
５・・・・・・・接地または電源導体
６・・・・・・・電子部品接続パッド
７・・・・・・・電子部品
９・・・・・・・外部接続パッド
ｔ１・・・・・・外部接続パッドの厚み
ｔ２・・・・・・接地または電源導体とこれに対向して位置する外部接続パッドとの間の絶縁層の厚み
Ｗ・・・・・・・外部接続パッドの直径
【図１】
2004063531.tif 000004
【図２】
2004063531.tif 000005