(57)【要約】【課題】ミラーは狭い空間に配置されることが要求されるため、アクチュエータをミラーの背面に取り付けることは光学設計の観点から実際的ではない。【解決手段】ミラーの表面形状を変化させることにより波面収差を補正する波面収差補正装置であって、ミラーの表面形状を変化させるための補正ユニットを複数有し、補正ユニットは、ミラーの側面に配置されたアクチュエータと、ミラーの裏面に接続される力作用部材と、アクチュエータと力作用部材を接続するための力伝達機構と、を有することを特徴とする波面収差補正装置。【選択図】図６
2004064069.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ミラーの表面形状を変化させることにより波面収差を補正する波面収差補正装置であって、
前記ミラーの表面形状を変化させるための補正ユニットを複数有し、
前記補正ユニットは
ミラーの側面に配置されたアクチュエータと、
ミラーの裏面に接続される力作用部材と、
前記アクチュエータと前記力作用部材を接続するための力伝達機構と、
を有することを特徴とする波面収差補正装置。
【請求項２】
前記力作用部材はフレクチュアを有する事を特徴とする請求項１に記載の波面収差補正装置。
【請求項３】
前記フレクチュアは、前記ミラー裏面に平行な方向に自由度があることを特徴とする請求項２に記載の波面収差補正装置。
【請求項４】
前記力伝達機構は前記ミラーの裏面に垂直な方向に撓むように構成されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の波面収差補正装置。
【請求項５】
前記力伝達機構は回転可能にピボットによって支持されていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の波面収差補正装置。
【請求項６】
前記力伝達機構はピボットに回転可能に支持されたレバーを有することを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の波面収差補正装置。
【請求項７】
前記アクチュエータ、力伝達機構、力作用部材は、前記アクチュエータが前記レバーに伝える力の方向と、前記力作用部材が前記ミラー裏面に伝える力の方向とが平行となるように配置されていることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の波面収差補正装置。
【請求項８】
前記力伝達機構はピボットの回りで回転可能に支持されたベルクランクを有し、前記アクチュエータが前記ベルクランクに加える力の方向と、前記力作用部材が前記ミラー裏面に加える力の方向とが垂直となるように、前記アクチュエータ、ベルクランク、力作用部材が配置されていることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の波面収差補正装置。
【請求項９】
ＥＵＶ光源と、前記光源からのＥＵＶ光をレチクルに導く照明光学系と、前記レチクルのパターンを感応基板上に投影させる投影光学系と、を有する露光装置であって、前記照明光学系及び前記投影光学系に用いられるミラーのうち少なくとも一つのミラーに請求項１から８のいずれか１項に記載の波面収差補正装置が設けられていることを特徴とする露光装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光学装置の収差を補正可能な波面収差補正装置及びこれを備えた露光装置に関する。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】
波面収差を補正する装置としては、変形可能なミラーやレンズがある。変形可能なミラーと変形を制御するためのアクチュエータがＪｏｈｎ　Ｈａｒｄｙ氏によって開示されている（”Ａｃｔｉｖｅ　Ｏｐｔｉｃｓ：　Ａ　Ｎｅｗ　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ　ｆｏｒ　ｔｈｅ　Ｃｏｎｔｒｏｌ　ｏｆ　Ｌｉｇｈｔ”，　ＩＥＥＥ，　Ｖｏｌ．　６０，　Ｎｏ．６　（１９７８））。また、１９９１年８月６日に発行された米国特許番号５，０３７，１８４において、Ｅａｌｅｙは薄いメンブレンミラーを複数の高剛性アクチュエータで直接支持する構造を開示している。このアクチュエータは圧電アクチュエータであり、ＰＺＴ（チタン酸ジルコン酸鉛）アクチュエータである。現在商業的に入手可能なこの種のアクチュエータは最も短い長さでも約８０ｍｍである。しかしながら、ミラーは狭い空間に配置されることが要求されるため、そのような長さのアクチュエータをミラーの背面に取り付けることは光学設計の観点から実際的ではない。
【０００３】
【課題を解決するための手段】
本発明は上記問題点を鑑みてなされたものであり、狭い空間でも波面収差補正を可能にすることを目的とする。
【０００４】
本発明は、ミラーの表面形状を変化させることにより波面収差を補正する波面収差補正装置であって、前記ミラーの表面形状を変化させるための補正ユニットを複数有し、前記補正ユニットはミラーの側面に配置されたアクチュエータと、ミラーの裏面に接続される一つの力作用部材と、前記アクチュエータと前記力作用部材を接続するための力伝達機構と、を有することを特徴とする波面収差補正装置。
【０００５】
本発明ではアクチュエータがミラーの裏面に配置されずに、ミラーの側面に配置されるため、ミラーの裏面にスペースが少ない場合でも波面収差補正装置を配置することが可能となる。また、ミラーの裏面に熱源となり得るアクチュエータを配置しないで済むため、アクチュエータをミラーから離して配置することが可能となり、アクチュエータに起因する熱の問題が緩和される。
【０００６】
力作用部材がフレクチュアを有する事は好ましく、前記ミラー裏面に平行な方向に自由度があることは好ましい。このようにすることによってミラーが余計に変形することを防止できる。
【０００７】
また、力伝達機構は前記ミラーの裏面に垂直な方向に撓むように構成されることは好ましい。このようにすることによってミラーが余計に変形することを防止できる。
【０００８】
力伝達機構は回転可能にピボットによって支持されても良い。
【０００９】
また、力伝達機構はピボットに回転可能に支持されたレバーを有する構成をとることが可能である。
【００１０】
アクチュエータ、力伝達機構、力作用部材は、アクチュエータがレバーに伝える力の方向と、力作用部材がミラー裏面に伝える力の方向とが平行となるように配置することが可能である。
【００１１】
また、力伝達機構はピボットの回りで回転可能に支持されたベルクランクを有し、アクチュエータがベルクランクに加える力の方向と、力作用部材がミラー裏面に加える力の方向とが垂直となるように、アクチュエータ、ベルクランク、力作用部材を配置することが可能である。
【００１２】
ＥＵＶ光源と、前記光源からのＥＵＶ光をレチクルに導く照明光学系と、レチクルのパターンを感応基板上に投影させる投影光学系と、を有する露光装置であって、照明光学系及び前記投影光学系に用いられるミラーのうち少なくとも一つのミラーに上述の波面収差補正装置を設けることによって、高精度な露光を行うことが可能となる。
【００１３】
【発明の実施の形態】
図６は、変形可能なミラー２０に適用可能な本発明の第１の実施形態による波面収差補正装置１０を示す概念図である。
【００１４】
ミラー２０は、例えば後述するＥＵＶ露光装置の投影光学系に用いられる。ミラー２０は反射面２１、裏面２２、側面２３を有する。尚、ミラー２０をＥＵＶ露光装置に用いられる場合には、反射面２１には例えばＳｉとＭｏを積層した反射多層膜が形成されている。説明の便宜上、図６では２つの補正ユニット３０のみが記述されているが、波面収差補正装置１０は、実際には数多くの補正ユニット３０を有する。補正ユニット３０を配置する位置及び数は変形すべきミラー２０の変形の要求に応じて決められる。補正ユニット３０の各々がミラーの裏面に力を加えることによりミラー２０は変形する。補正ユニット３０の各々は側面２３の外側に配置されたアクチュエータ３２と、ミラー２０の裏面２２の各位置に取り付けられた力作用部材３４と、力作用部材３４を介して裏面２２の各位置にアクチュエータ３２の作動力を伝える為の力伝達機構３６とを有する。力作用部材２４と力伝達機構３６は、ミラー２０に対して線形な正及び負の力（つまり押したり、引っ張ったりする力）を加えることが可能となるように予荷重を加えるようなフレクチュア（板バネ）構造とすることができる。
【００１５】
アクチュエータ３２は具体的には記載していないが、公知のものを使用可能であり、例えば、ステッピングモーター、リニアモーター、圧電素子、ボイスコイルモーター（ＶＣＭ）等様々なものを用いることが可能である。
【００１６】
最初に、図６の右側に図示されている補正ユニット３０の構成を説明する。力作用部材３４は、図６に示すように紙面の上下方向に対しては変形せず、ミラーの裏面に平行な方向には撓む構造のフレクチュアを有する。図では上下に幅の狭い板バネ構造を２つ配置しているが、ミラー裏面に平行に２次元的に自由度がある構造であれば良い。このようにすることによって、ミラー２０に補正ユニット３０を取り付ける際や、アクチュエータ３２からの作動力がミラー２０の裏面に加えられる際に、力作用部材３４が変形するため、ミラー２０に横方向の力が加わる事を防止できるので、ミラー２０の不必要な変形を防止することが可能となる。力伝達機構３６は本実施例ではレバーであり、装置１０のハウジング４０に形成されたピボット３８の回りで回転可能に支持されている。レバー３６のピボット３８より右側の位置でアクチュエータ３２が接続されており、アクチュエータ３２はレバー３６に対して、ミラー２０の裏面２２に垂直な方向（紙面の上下方向）に作動力を加え、その結果レバー３６はピボット３８を中心に回転する。力作用部材３４はレバー３６のピボット３８より左側に接続されており、アクチュエータ３２の作動力は力伝達機構３６を介して力作用部材３４に伝達され、力作用部材３４がミラー２０と接触している位置でミラー２０を変形させる。
【００１７】
図６では左側にもう一つの補正ユニット３０が図示されている。左側の補正ユニット３０はピボット３８がレバー３６の反対側に配置されている。勿論、右側と同様な構成にすることも可能である。なお、アクチュエータの配置を逆にしたりする等、各々の要素の配置については様々なバリエーションが可能であり、光学設計やその他の装置の要求に応じて配置をきめることができる。どの場合でもピボット３８から力作用部材３４までのレバー３６の長さよりもピボット３８からアクチュエータ３２までのレバーの長さを長くすることが好ましい。こうすることによってより高精度にミラー２０に加えられる力を制御することが可能になる。また、レバー３６を弾性材料で構成することが好ましい。こうすることによって、ミラー２０が過剰拘束になることを防ぐことが可能となり、ミラー２０の余計な変形を防止できる。勿論、アクチュエータ３２の力をミラー２０裏面に伝えられるだけの剛性を確保した上で撓ませる事は言うまでもない。この際、レバー３６を弾性材料で構成するのではなく、フレクチュアを用いた構造にしても良い。図６の例では力伝達機構３６，力作用部材３４を配置することにより、アクチュエータ３２をミラー２０の裏面に配置しないで済むため、ミラー２０の後ろ側に大きな空間が無い場合でも、補正ユニット３０を配置可能である。更に、アクチュエータ３２をミラー２０の側面に配置できるため、ミラー２０から離すことができ、アクチュエータ３２が発生する熱がミラー２０に伝わる問題を解決することができる。更に、図６の例ではハウジング４０によってアクチュエータ３２が配置される空間とミラー２０が配置される空間を分けているため、アクチュエータが発生する熱がミラー２０に伝わる問題を更に小さくすることが可能である。通常、ミラー２０が配置される空間は真空排気された空間となるが、ハウジング４０内を大気や低真空とすることにより、高真空に対応していないアクチュエータでも使用可能となる。特に、ゴミやアウトガスを生じやすいアクチュエータを用いる場合は効果的である。ハウジング４０内を大気にすると圧力差によりハウジング４０が変形する可能性があるが、この変形が問題になる場合には、ピボット３８は別の構造体に接続される事が好ましい。ミラーの変形量は直接測定することも可能であるが、アクチュエータに加える電流、電圧値を用いたり、レバー３６の位置もしくは変形量を測定することでも可能である。
【００１８】
図７は、本発明の波面収差補正装置の他の実施形態を示す概略構成図であり、補正ユニット１３０を示す概略構成図である。尚、第１の実施形態と同様なものについては同じ符号を付し、説明は省略する。この補正ユニット１３０はアクチュエータ３２，力作用部材３４，力伝達機構３６を有する。本実施形態による力伝達機構３６は第１の実施形態と異なり、ピボット３８のまわりで回転可能なベルクランク（Ｌ字形状部材）１３６を有する。ベルクランク１３６はピボット３８から延びる２つの直線部材で構成される。一方の直線部材はプッシュロッド（またはケーブル）２３６を介してアクチュエータ３２に接続され、他方は力作用部材３４に接続される。
【００１９】
なお、ロッド２３６はケーブルでも可能であるが、ケーブルの場合、引っ張る力（紙面の右方向の力）しか加えられないため、力作用部材３４に予荷重を加えておき（図７の例では紙面の上側方向の力）、ミラー２０に正負両方の力が加えられるようにすることが好ましい。
【００２０】
アクチュエータ３２はプッシュロッド２３６を介してベルブランク１３６へ紙面の左右方向に力を加える。この結果、ベルクランク１３６はピボット３８を中心に回転し、力作用部材３４を介してミラー裏面２２に対して紙面の上下方向に力を加える。
【００２１】
本例では補正ユニット１３０の一つのみを示したが、上述したように複数の補正ユニット１３０が配置される。なお、各補正ユニットが全て同じ種類の補正ユニットである必要はなく、補正ユニット３０，１３０及び後述する補正ユニット２３０やその他の補正ユニットを組み合わせて用いることも可能である。また、場合によっては各補正ユニットにアクチュエータ、力伝達機構等を１つずつ設けるのではなく、２つ若しくはそれ以上の補正ユニットでアクチュエータや力伝達機構等を共有化することも可能である。
【００２２】
図８は本発明の第３の実施形態による波面収差補正装置に用いられる補正ユニット２３０を示す概略構成図である。本補正ユニットは図７に示した補正ユニット１３０の変形例である。図７の例と異なるのはベルクランプ１３６の支持方法が異なる点であり、力伝達機構３６には予荷重が加えられている。図８に示す予荷重はスプリング３３６によって与えられており、ベルクランプ１３６とハウジング４０とを接続している。本例は一例であり、他の方法によって予荷重を与えても良い。このような予荷重はベルクランク１３６に対して与えるだけではなく、図６のレバー３６やピボット３８に対しても与えることが可能である。図６−８ではピボット３８は概略的にしか示していないが、ピボット３８はフレクチュア構造のピボットであっても良い。
【００２３】
図７，８に示した例でもアクチュエータ３２はミラー２０の側面２３の外側に配置されている。ミラー２０の近傍である裏面からアクチュエータを除去することにより熱の影響が低減される。アクチュエータと移動機構をミラーの側面の外側に配置することによって、移動機構やアクチュエータを真空装置から隔離することが容易となる。
【００２４】
図１は本発明の波面収差補正装置を適用可能なＥＵＶ（又は軟Ｘ線：ＳＸＲ）露光装置１１０を示す。このＸ線露光装置は、露光用の照明光として、波長１３ｎｍ近傍の軟Ｘ線領域の光（以下、ＥＵＶ光）を用いて、ステップアンドスキャン方式により露光動作を行う投影露光装置である。
【００２５】
Ｘ線露光装置１１０の最上流部には、レーザ光源１１３が配置されている。レーザ光源１１３は、赤外域から可視域の波長のレーザ光を供給する機能を有し、例えば半導体レーザ励起によるＹＡＧレーザやエキシマレーザ等を使用する。レーザ光源１１３から発せられたレーザ光は、集光光学系１１５により集光され、下部に配置されたレーザプラズマ光源１１７に達する。レーザプラズマ光源１１７は、波長１３ｎｍ近傍のＸ線を効率よく発生することができる。
【００２６】
レーザプラズマ光源１１７には、図示せぬノズルが配置されており、キセノンガスを噴出する。噴出されたキセノンガスはレーザプラズマ光源１１７において高照度のレーザ光を受ける。キセノンガスは、高照度のレーザ光のエネルギーにより高温になり、プラズマ状態に励起され、低ポテンシャル状態へ遷移する際にＥＵＶ光を放出する。ＥＵＶ光は、大気に対する透過率が低いため、その光路はチャンバ（真空室）１１９により覆われて外気が遮断されている。なお、キセノンガスを放出するノズルからデブリが発生するため、チャンバ１１９を他のチャンバとは別に配置する必要がある。
【００２７】
レーザプラズマ光源１１７の上部には、Ｍｏ／Ｓｉ多層膜をコートした回転放物面反射鏡１２１が配置されている。レーザプラズマ光源１１７から輻射されたＸ線は、放物面反射鏡１２１に入射し、波長１３ｎｍ付近のＸ線のみが露光装置１０の下方に向かって平衡に反射される。
【００２８】
回転放物面反射鏡１２１の下方には、厚さ０．１５ｎｍのＢｅ（ベリリウム）からなる可視光カットＸ線透過フィルター１２３が配置されている。放物面反射鏡１２１で反射されたＸ線の内、所望の１３ｎｍのＸ線のみが透過フィルター１２３を通過する。透過フィルター１２３付近は、チャンバ１２５により覆われて外気を遮断している。
【００２９】
透過フィルター１２３の下方には、露光チャンバ１４３が設置されている。露光チャンバ１４３内の透過フィルター１２３の下方には、照明光学系１２７が配置されている。照明光学系１２７は、コンデンサー系の反射鏡、フライアイ光学系の反射鏡等で構成されており、透過フィルター１２３から入力されたＸ線を円弧上に整形し、図の左方に向かって照射する。
【００３０】
照明光学系１２７の図の左方には、Ｘ線反射鏡１２９が配置されている。Ｘ線反射鏡１２９は、図の右側の反射面１２９ａが凹型をした円形の回転放物円ミラーであり、保持部材により垂直に保持されている。Ｘ線反射鏡１２９は、反射面１２９ａが高精度に加工された石英の基板からなる。反射面１２９ａには、波長１３ｎｍのＸ線の反射率が高いＭｏとＳｉの多層膜が形成されている。なお、波長が１０〜１５ｎｍのＸ線を用いる場合には、Ｒｕ（ルテニウム）、Ｒｈ（ロジウム）等の物質、Ｓｉ、Ｂｅ（ベリリウム）、Ｂ４Ｃ（４ホウ化炭素）等の物質とを組み合わせた多層膜でも良い。
【００３１】
Ｘ線反射鏡１２９の図の右方には、光路折り曲げ反射鏡１３１が斜めに配置されている。光路折り曲げ反射鏡１３１の上方には、反射型マスク１３３が、反射面が下になるように水平に配置されている。照明光学系１２７から放出されたＸ線は、Ｘ線反射鏡１２９により反射集光された後に、光路折り曲げ反射鏡１３１を介して、反射型マスク１３３の反射面に達する。
【００３２】
反射型マスク１３３の反射面にも多層膜からなる反射鏡が形成されている。この反射膜には、ウェハ１３９に転写するパターンに応じたマスクパターンが形成されている。反射型マスク１３３は、その上部に図示されたマスクステージ１３５に固定されている。マスクステージ１３５は、少なくともＹ方向に移動可能であり、光路折り曲げ反射鏡１３１で反射されたＸ線を順次マスク１３３上に照射する。
【００３３】
反射型マスク１３３の下部には、順に投影光学系１３７、ウェハ１３９が配置されている。投影光学系１３７は、複数の反射鏡からなり、反射型マスク１３３上のパターンを所定の縮小倍率（例えば１／４）に縮小し、ウェハ１３９上に結像する。ウェハ１３９は、ＸＹＺ方向に移動可能なウェハステージ１４１に吸着等により固定されている。
【００３４】
露光チャンバ１４３にはゲートバルブ１４５を介して予備排気室１４７（ロードロック室）が設けられている。予備排気室１４７には真空ポンプ１４９が接続しており、真空ポンプ１４９の運転により予備排気室１４７は真空排気される。
【００３５】
露光動作を行う際には、照明光学系１２７により反射型マスク１３３の反射面にＥＵＶ光を照射する。その際、反射投影光学系１３７に対して反射型マスク１３３及びウェハ１３９を投影光学系の縮小倍率により定まる所定の速度比で相対的に同期走査する。これにより、反射型マスク１３３の回路パターンの全体をウェハ１３９上の複数のショット領域の各々にステップアンドスキャン方式で転写する。なお、ウェハ１３９のチップは例えば２５×２５ｍｍ角であり、レジスト上で０．０７μｍＬ／ＳのＩＣパターンが露光できる。
図１に示す露光装置１１０においては、照明光学系１２７、投影光学系１３７に用いられるミラーのうちの少なくとも１つに、上述した本発明の波面収差補正装置を用いている。
【００３６】
投影光学系１３７は複数の多層膜反射鏡からなり、感応基板に最も近い多層膜反射鏡に、可視光、紫外光、軟Ｘ線などの波長が４００ｎｍ以下の光が照射されるようになっている。図２に、投影光学系１３７を拡大した図を示す。図２に示す投影光学系１３７は６枚の多層膜反射鏡１６２、１６３、１６４、１６５、１６６、１６７からなる。マスク１３３から反射されたＥＵＶ光は、順次、多層膜反射鏡１６２、１６３、１６４、１６５、１６６、１６７で反射され、ウエハ１３９に到達し、ウエハ１３９にマスクパターンが形成される。
【００３７】
図３は、本発明の実施の形態に係る反射マスクを備えたＸ線（ＥＵＶ）露光装置の別例を示す構成図である。Ｘ線露光装置は、主にＸ線光源Ｓ、コンデンサＰＭ、照明光学系ＩＲ、マスクＭのステージＭＳＴ、投影光学系ＰＲ、ウエハＷのステージＷＳＴなどにより構成されている。軟Ｘ線光源Ｓには、プラズマ励起用のレーザーＬＡ、及びターゲット材料であるキセノン等を供給するチューブＴも付設されている。チューブＴの先端から出るキセノンにレーザー光ＬＢがレンズＬによって集光し、その部分のターゲット材がプラズマ化して軟Ｘ線を発する。コンデンサＰＭは発生した軟Ｘ線を集光する。本例ではレーザープラズマ光源を用いたが他に放電プラズマ光源や放射光などを使用することができる。照明ＥＵＶ光ＩＢは窓Ｗ１を通り、チャンバーＣ２内に入り、折り曲げミラーＧＩによって光路を折り曲げられ、ミラーＩＲ１、ＩＲ２、ＩＲ３、ＩＲ４を通り、ミラーへ導かれる。尚、照明光学系（ＩＲ１、ＩＲ２、ＩＲ３、ＩＲ４、ＧＩ等）は、反射面に斜め方向から入射したＸ線を反射させる斜入射ミラー、反射面が多層膜により形成される多層膜ミラー、及び所定の波長のＸ線のみを透過させるフィルター等により構成されている。この照明光学系によってマスクＭ上を所望の波長のＸ線で照明する。
【００３８】
Ｘ線の波長域では透明な物質は存在しないので、マスクＭには従来の透過型のマスクではなく反射型のマスクが使用される。投影結像光学系は複数の多層膜ミラー（ＰＲ１、ＰＲ２、ＰＲ３及びＰＲ４）等により構成されている。マスクＭ上に形成された回路パターンは、投影結像光学系によりレジストが塗布されたウエハＷ上に結像して該レジストに転写される。なお、Ｘ線は大気に吸収されて減衰するため、その光路は全て所定の真空度（例えば、１×１０−５Ｔｏｒｒ以下）に維持されている。図３に示した露光装置においても、照明光学系、投影光学系に用いたミラーの少なくとも一つに前述した本発明の波面収差補正装置を適用することが可能である。
【００３９】
波面収差は要求される仕様を満たすように制御する必要があるが、本発明によれば、ミラーの反射面形状を変化させることにより、波面収差を補正することができるため、高精度な露光を行うことが可能となる。波面収差は露光機内または露光機外のいずれかで測定し、波面収差が所定の値となるように本発明の波面収差補正装置を制御する必要がある。ＥＵＶ投影光学系の波面収差を測定する装置は例えば米国特許６，２６６，３８９に記載されている。また、米国特許６，２６６，３８９には求められた波面収差からミラーの最終形状を求める方法についても開示されている。従って、例えば、米国特許６，２６６，３８９に開示の方法を用いて、波面収差を測定し、測定された波面収差から最終的なミラー形状を決め、本発明の波面収差補正装置によりミラー形状を補正すれば、高精度な露光を行うことができる。なお、全てのミラーの表面形状を変化させる必要は必ずしも無く、必要とされるミラーのみに本発明の波面収差補正装置を設ければよい。
【００４０】
また、半導体デバイスは、上述の露光装置を用い、図４に一般的に示される工程に従って製造することができる。デバイスの機能と性能の特性を工程３０１において設計する。次に、工程３０２において、パターンを有したマスク（レチクル）を先行の設計の工程に従って作製する。そして、これと並行した工程３０３において、シリコン材料からウエハを作製する。工程３０４において、本発明に関して本明細書中先に述べたフォトリソグラフィーシステムを用い、工程３０３で作製したウエハ上に、工程３０２において作製したマスクパターンを露光する。工程３０５において、半導体デバイスを組み立て（ダイシング工程、ボンディング工程、及びパッケージ工程を含む）、このデバイスを工程３０６において検査する。
【００４１】
図５は、半導体デバイスを製造する場合に、上述した工程３０４に関する詳細な流れ図を示す。図５においては、工程３１１（酸化工程）において、ウエハ表面を酸化する。工程３１２（ＣＶＤ工程）において、ウエハ表面に絶縁膜を形成する。工程３１３（電極形成工程）において、蒸着によりウエハ上に電極を形成する。工程３１４（イオン注入工程）において、イオンをウエハ内に注入する。上述の工程３１１〜３１４が、ウエハプロセスの際のウエハに対する前工程を成し、プロセスの要求に応じて各工程で選択がなされる。
【００４２】
ウエハプロセスの各段階で、上述した前工程が終了したら、以下の後工程を実施する。後工程の過程では、先ず、工程３１５（フォトレジスト形成工程）において、フォトレジストをウエハ上に塗布する。次に、工程３１６（露光工程）において、上述した露光装置を用いて、マスク（レチクル）の回路パターンをウエハに転写する。それから工程３１７（現像工程）において、露光されたウエハを現像し、工程３１８（エッチング工程）において、残留フォトレジスト（露光された材料の表面）以外の部分をエッチングによって除去する。工程３１９（フォトレジスト除去工程）において、エッチングの後残っている不要なフォトレジストを除去する。
【００４３】
これらの前工程及び後工程を繰り返すことによって複数の回路パターンを形成する。
【００４４】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、ミラー背面の空間が狭くても波面収差補正を可能にすることができ、高精度な露光を行うことが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の波面収差補正装置を適用可能なＸ線（ＥＵＶ）露光装置を示す概略図である。
【図２】図１のＥＵＶ露光装置に用いられる投影光学系を示す概略図である。
【図３】本発明の波面収差補正装置を適用可能なＸ線（ＥＵＶ）露光装置の他の例を示す概略図である。
【図４】本発明によるデバイスを製造するプロセスを概説するフローチャートである。
【図５】デバイスを製造するプロセスをさらに詳細に説明するフローチャートである。
【図６】本発明の第１の実施形態による波面収差補正装置を示す概略図である。
【図７】本発明の第２の実施形態による波面収差補正装置を示す概略図である。
【図８】本発明の第３の実施形態による波面収差補正装置を示す概略図である。
【符号の説明】
１０・・・波面収差補正装置
２０・・・ミラー
３０・・・補正ユニット
３２・・・アクチュエータ
４０・・・ハウジング
【図１】
2004064069.tif 000003
【図２】
2004064069.tif 000004
【図３】
2004064069.tif 000005
【図４】
2004064069.tif 000006
【図５】
2004064069.tif 000007
【図６】
2004064069.tif 000008
【図７】
2004064069.tif 000009
【図８】
2004064069.tif 000010