(57)【要約】【課題】半導体基板に断面Ｖ字型溝を形成する切削方法に関し、ダイシングブレードの刃先の磨耗による交換頻度を低減するダイシングブレードによる断面Ｖ字型溝の切削方法を提供することを目的とする。【解決手段】刃先が平坦なダイシングブレード１６を半導体基板１１に対し、傾けて切削することにより、半導体基板１１に断面Ｖ字型溝１５を形成し、刃先の２つのエッジ部を交互に使用することにより、ダイシングブレードの交換頻度を低減する。【選択図】　図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
粘着剤を被着してなるシートに半導体基板を接着し、前記半導体基板をダイシングテーブルに固定し、回転状態のダイシングブレードにより前記半導体基板を切削する半導体基板の切削方法において、刃先が平坦なダイシングブレードにより、前記半導体基板に断面Ｖ字型溝を形成することを特徴とする半導体基板の切削方法。
【請求項２】
ダイシングブレードを傾けて、半導体基板に断面Ｖ字型溝を形成することを特徴とする請求項１記載の半導体基板の切削方法。
【請求項３】
ダイシングテーブルを傾けて、半導体基板に断面Ｖ字型溝を形成することを特徴とする請求項１記載の半導体基板の切削方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置の製造方法に関し、特に複数の半導体素子が格子状に配列形成された半導体基板をダイシング装置にて個々の半導体素子に分離する切削方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体装置の製造プロセスでは、半導体基板上に複数の半導体素子を格子状に配列形成し、個々の半導体素子に分離し利用する。このような個々の半導体素子に分離する方法としては、ニッケル等の基材中に粒径が４〜８μｍ程度のダイヤモンド粒子を分散させた粉体を加圧焼成して円盤状に成形したダイシングブレードを高速回転させて、半導体基板を切削加工する方法が採られてきた。
【０００３】
しかしながら、刃先が平坦なダイシングブレードによりフルカットダイシングを行う切削方法では、切り口部分における切削抵抗が大きく、切削部端面にチッピングが発生し、品質に影響を及ぼすという課題がある。
【０００４】
このような課題を解決する手段としては、特開平９−１７１９７７号に開示されているような切削方法がある。
【０００５】
特開平９−１７１９７７号の切削方法は、図５（ａ）に示されるように、複数の半導体素子１が形成された半導体基板２を粘着剤が塗布されたダイシングシート３に貼り付け、図示されないダイシング装置に固定し、刃先がＶ字型のダイシングブレード４にて、半導体基板２上の個々の半導体素子１間に断面Ｖ字型溝６を形成し、次に、図５（ｂ）に示されたように、ダイシングブレード４よりも幅の狭いダイシングブレード５により、断面Ｖ字型溝６に沿って半導体素子１を個々に分割していく切削方法である。
【０００６】
特開平９−１７１９７７号の切削方法によれば、半導体素子１間に断面Ｖ字型溝６を設けたことにより、ダイシングブレード５の刃先が断面Ｖ字型溝６のテーパに当たってから半導体基板２内部へ入り込む状態となるため、切り口部分でのダイシングブレード５との切削抵抗が軽減され、チッピングの発生を防止できるというものである。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながらダイシングブレードは、ダイシング時における半導体基板との摺接により、図６に示されるように刃先７が磨耗し、丸みを帯びた形状になるため、切削回数を管理し、寿命がきたら交換しなければならない。
【０００８】
本発明は、前記実情に鑑みてなされたもので、半導体基板に断面Ｖ字型溝を形成する際、従来の刃先がＶ字型のダイシングブレードを使用した場合よりもダイシングブレードの交換頻度を大幅に低減することができるダイシングブレードによる半導体基板の切削方法を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するするために、本発明の半導体基板の切削方法は、刃先が平坦なダイシングブレードを傾けて切削することにより、Ｖ字型溝を形成することを特徴とする。
【００１０】
また、本発明の半導体基板の切削方法は、刃先が平坦なダイシングブレードを用い、ダイシング装置の半導体基板を載せるダイシングテーブルを傾けることにより、Ｖ字型溝を形成することを特徴とする。
【００１１】
本発明の半導体基板の切削方法によれば、先端が、Ｖ字型のダイシングブレードを使用して、断面Ｖ字型溝を形成するよりもダイシングブレードの交換頻度を大幅に低減させることができる。
【００１２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図に基づいて説明する。
【００１３】
なお、従来と同一構成に関しては、同一符号を付し、説明を省略する。
【００１４】
図１乃至図３は、本発明の半導体基板の切削方法による第１の実施の形態について、示したものである。
【００１５】
図１は、本発明の半導体基板の切削方法によるトランジスタの切削工程を示す断面図である。
【００１６】
図１（ａ）に示されるように拡散工程終了後、電極端子となる半田バンプ１４が形成された半導体素子１０が複数形成された半導体基板１１を粘着剤を被着してなるダイシングシート１２に貼り付け、図示されないダイシング装置のダイシングテーブル１３にセットする。
【００１７】
次に、図１（ｂ）に示されるように、刃先が平坦で厚さが例えば１００μｍ幅のダイシングブレード１６をダイシングテーブル１３に対し４５度の角度に傾け、断面Ｖ字型溝１５を半導体素子１０間に形成する。
【００１８】
次に、図１（ｃ）に示されるように、刃先が平坦で厚さが例えば２０μｍ幅のダイシングブレード１７により、断面Ｖ字型溝１５に沿って、ダイシングシート１２を少し切り込む程度まで、フルカットダイシングを行い、個々の半導体素子１０に分割する。
【００１９】
以上述べた本発明の第１の実施の形態によれば、半導体基板１１との摺接により、図２（ａ）に示されるようにダイシングブレード１６の刃先のエッジ部２０が磨耗し丸みを帯びるが、もう片方のエッジ部２１を使用することにより、図３に示されるように、断面Ｖ字型溝１５を形成することが可能である。
【００２０】
また、図２（ｂ）に示されるように、ダイシングブレード１６の刃先は、半導体基板１１との摺接により、エッジ部２１は、使用する前の形状である点線部の形状から磨耗し丸みを帯びるが、エッジ部２０については、矢印Ａ方向への磨耗により、直角になるため、再度、断面Ｖ字型溝の形成に使用することができるようになる。
【００２１】
以上述べた本発明の切削方法によれば、切削回数を管理しエッジ部２０とエッジ部２１を交互に使用することにより、ダイシングブレードの交換頻度を大幅に低減させることができる。
【００２２】
なお、第１の実施の形態は、ダイシングブレード１６を傾けて断面Ｖ字型溝１５を切削する方法であるが、ダイシングテーブル１３を傾けても同様の効果を得ることが可能である。
【００２３】
次に、本発明の第２の実施の形態について、図４を基に説明する。
【００２４】
図４（ａ）は、第１の実施の形態と同一工程なので、説明は省略する。
【００２５】
図４（ｂ）に示されるように、刃先が平坦で厚さが例えば１００μｍ幅のダイシングブレード１６を半導体基板１１の半田バンプ１４が形成された面に対し４５度の角度に傾け、断面Ｖ字型溝１５を半導体素子１０間に形成する。このとき、断面Ｖ字型溝１５の深さは、半導体基板１１との接触部分が、ダイシングブレード１６のエッジ部２１が半導体基板１１に接触する深さまでダイシングブレード１６のエッジ部２０とダイシングテーブル１３との間隔を予め調整しておく。
【００２６】
次に、図４（ｃ）に示されるようにダイシングブレード１６をダイシングテーブル１３に対し垂直にし、フルカットダイシングを行い個々の半導体素子１０に分離する。
【００２７】
以上述べた本発明の第２の実施の形態によれば、従来は、刃先がＶ字型のダイシングブレードと刃先が平坦なダイシングブレードの２種類のダイシングブレードが必要であった切削工程を１種類のダイシングブレードで行うことが可能である。
【００２８】
なお、説明では、トランジスタの切削工程で説明したが、これに限るものではなく、ダイオード等の他の半導体装置についても応用することが可能である。
【００２９】
また、説明では、拡散工程終了後の切削工程で説明したがこれに限られるものではなく、拡散工程前の工程で本発明の切削方法により、断面Ｖ字型溝１５を形成しても良い。
【００３０】
【発明の効果】
以上詳述しましたように本発明の半導体基板の切削方法によれば、ダイシング装置により半導体基板に断面Ｖ字型溝を形成する際、刃先が平坦なダイシングブレードのエッジ部により断面Ｖ字型溝を形成することができるため、従来の刃先がＶ字型のダイシングブレードを使用する場合に比べ、交換頻度を大幅に低減させることができる。
【００３１】
また、本発明の半導体基板の切削方法によれば、刃先が平坦なダイシングブレードにより、断面Ｖ字型溝を形成後、ダイシングブレードを変更することなく半導体基板のフルカットダイシングを行うことが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の半導体基板の切削方法による第１の実施の形態を示す製造工程の断面図
【図２】本発明に係るダイシングブレードの断面図
【図３】本発明の半導体基板の切削方法による第１の実施の形態を示す製造工程の断面図
【図４】本発明の半導体基板の切削方法による第２の実施の形態を示す製造工程の断面図
【図５】従来の半導体基板の切削方法を示す製造工程の断面図
【図６】従来の半導体装置の切削方法に係る刃先がＶ字型のダイシングブレードの断面図
【符号の説明】
１、１０　半導体素子
２、１１　半導体基板
４、５、１６、１７　ダイシングブレード
６、１５　断面Ｖ字型溝
１２　ダイシングシート
１４　半田バンプ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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