(57)【要約】【課題】本発明は、ＬＩＬＡＣ法を利用して形成された多結晶薄膜構造の表面に形成される突出部を平坦化することを目的とする。【解決手段】第１の厚さを有する非晶質薄膜を形成する工程１００２と、ごく細いレーザビームを用いたＬＩＬＡＣ法により上記薄膜をアニール処理し、上記非晶質薄膜を多結晶化する工程１００４とを含み、上記アニール処理の結果、薄膜表面上に形成された突出部を除去して上記薄膜を薄くする工程１０１０と、薄膜の表面を平坦化する工程１０１２を含む。上記薄膜を薄くする工程１０１０の前に薄膜表面を所定の深さまで酸化処理する工程１００８を含めることも可能である。【選択図】　図１０
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
１平面を有する薄膜をＬＩＬＡＣ法によりアニール処理する工程と、
上記アニール処理によって、上記薄膜表面に突出部が形成される工程と、
上記薄膜を薄く加工する工程と、
上記薄く加工することによって、薄膜の表面を平坦化する工程と、を含むことを特徴とするレーザ照射横方向結晶化法により形成された薄膜表面の平坦化方法。
【請求項２】
請求項１に記載の薄膜表面の平坦化方法であって、
上記ＬＩＬＡＣ法による薄膜のアニール処理において、３μｍ以上、１０μｍ以下の幅を有するレーザビームが使用されることを特長とするレーザ照射横方向結晶化法により形成された薄膜表面の平坦化方法。
【請求項３】
請求項１に記載の薄膜表面の平坦化方法であって、
更に、上記薄膜表面を酸化処理する工程を含み、
上記薄膜を薄く加工する工程は、上記酸化された薄膜表面の除去を含むことを特徴とするレーザ照射横方向結晶化法により形成された薄膜表面の平坦化方法。
【請求項４】
請求項３に記載の薄膜表面の平坦化方法であって、
上記薄膜表面の酸化処理は、高圧酸化法または熱酸化法のいずれかの方法により行われることを特長とするレーザ照射横方向結晶化法により形成された薄膜表面の平坦化方法。
【請求項５】
請求項３に記載の薄膜表面の平坦化方法であって、
酸化された薄膜表面の除去は、希釈フッ化水素を用いたエッチング処理、または化学的機械研磨法のいずれかの方法により行われることを特長とするレーザ照射横方向結晶化法により形成された薄膜表面の平坦化方法。
【請求項６】
請求項３に記載の薄膜表面の平坦化方法であって、
更に、初期の厚さを有する非晶質薄膜を形成する工程を含み、
上記薄膜表面を酸化処理する工程は、所定の深さまで薄膜表面を酸化することを含み、
上記薄膜を薄く加工する工程は、上記薄膜を上記初期の厚さから上記酸化された深さを引いた厚さに等しくなるよう、上記薄膜の１／３だけ薄くすることを含むレーザ照射横方向結晶化法により形成された薄膜表面の平坦化方法。
【請求項７】
請求項１に記載の薄膜表面の平坦化方法であって、
更に、５００Å以上、３０００Å以下の初期の厚さを有する非晶質薄膜を形成する工程を含むことを特長とするレーザ照射横方向結晶化法により形成された薄膜表面の平坦化方法。
【請求項８】
請求項７に記載の薄膜表面の平坦化方法であって、
上記５００Å以上、３０００Å以下の初期の厚さを有する非晶質薄膜を形成する工程は、シリコンまたはシリコン・ゲルマニウム化合物のうちいずれかにより非晶質薄膜が形成されることを特長とするレーザ照射横方向結晶化法により形成された薄膜表面の平坦化方法。
【請求項９】
請求項８に記載の薄膜表面の平坦化方法であって、
上記５００Å以上、３０００Å以下の初期の厚さを有する非晶質薄膜を形成する工程は、１０００Åの厚さを有する非晶質シリコン薄膜の形成を含み、
上記ＬＩＬＡＣ法によるアニール処理は、結晶粒界間で１．５μｍ以上、４μｍ以下の結晶長さを有する結晶粒の生成を含むことを特長とするレーザ照射横方向結晶化法により形成された薄膜表面の平坦化方法。
【請求項１０】
請求項８に記載の薄膜表面の平坦化方法であって、
上記５００Å以上、３０００Å以下の初期の厚さを有する非晶質薄膜を形成する工程は、５００Åの厚さを有する非晶質シリコン薄膜の形成を含み、
上記ＬＩＬＡＣ法によるアニール処理は、結晶粒界間で１．５μｍ以上、２．５μｍ以下の結晶長さを有する結晶粒の生成を含むことを特長とするレーザ照射横方向結晶化法により形成された薄膜表面の平坦化方法。
【請求項１１】
請求項８に記載の薄膜表面の平坦化方法であって、
上記薄膜を薄く加工する工程により、上記薄膜を１０００Å以下の厚さにすることを特徴とするレーザ照射横方向結晶化法により形成された薄膜表面の平坦化方法。
【請求項１２】
請求項１１に記載の薄膜表面の平坦化方法であって、
上記５００Å以上、３０００Å以下の初期の厚さを有する非晶質薄膜を形成する工程は、７５０Åの厚さを有する非晶質シリコン薄膜の形成を含み、
上記薄膜を１０００Å以下の厚さにする工程は、上記薄膜を５００μｍの厚さにすることを特徴とするレーザ照射横方向結晶化法により形成された薄膜表面の平坦化方法。
【請求項１３】
請求項１に記載の薄膜表面の平坦化方法であって、
上記薄膜表面を平坦化する工程は、上記薄膜表面を３００Å以下の平坦℃にすることを特徴とするレーザ照射横方向結晶化法により形成された薄膜表面の平坦化方法。
【請求項１４】
請求項７に記載の薄膜表面の平坦化方法であって、
上記５００Å以上、３０００Å以下の初期の厚さを有する非晶質薄膜を形成する工程は、所定の厚さを有する非晶質シリコン薄膜の形成を含み、
上記アニール処理によって薄膜表面に形成された突出部は、初期の非晶質薄膜の厚さの半分以上の高さに形成され、
上記薄膜を薄く加工する工程は、上記薄膜を上記初期の厚さよりの薄い第２の厚さにすることを特徴とするレーザ照射横方向結晶化法により形成された薄膜表面の平坦化方法。
【請求項１５】
請求項１４に記載の薄膜表面の平坦化方法であって、
上記５００Å以上、３０００Å以下の初期の厚さを有する非晶質薄膜を形成する工程は、７５０Åの厚さを有する非晶質シリコン薄膜の形成を含み、
上記アニール処理によって薄膜表面に形成された突出部は、７５０Åの高さに形成され、
上記薄膜を薄く加工する工程は、上記薄膜を５００Å以下の厚さにすることを特徴とするレーザ照射横方向結晶化法により形成された薄膜表面の平坦化方法。
【請求項１６】
請求項８に記載の薄膜表面の平坦化方法であって、
更に、上記薄膜表面の平坦化処理の後、上記シリコン薄膜表面に５００Å以下の厚さを有するゲート絶縁体を積層する工程を含むことを特徴とするレーザ照射横方向結晶化法により形成された薄膜表面の平坦化方法。
【請求項１７】
請求項１６に記載の薄膜表面の平坦化方法であって、
更に、上記非晶質薄膜の下方に透明基板を形成する工程を含み、
上記薄膜表面の平坦化工程の後、上記薄膜にチャネル領域と、ソース領域と、ドレイン領域が形成され、
上記ゲート絶縁体上にゲート電極を積層して形成することを特徴とするレーザ照射横方向結晶化法により形成された薄膜表面の平坦化方法。
【請求項１８】
請求項７に記載の薄膜表面の平坦化方法であって、
上記薄膜を薄く加工する工程は、上記アニール処理された薄膜に対する化学的機械研磨法の使用を含むことを特徴とするレーザ照射横方向結晶化法により形成された薄膜表面の平坦化方法。
【請求項１９】
請求項１８に記載の薄膜表面の平坦化方法であって、
上記アニール処理された薄膜に対する化学的機械研磨法の使用は、上記初期の厚さよりも薄い第２の厚さを有する薄膜の形成を含むことを特徴とするレーザ照射横方向結晶化法により形成された薄膜表面の平坦化方法。
【請求項２０】
多結晶薄膜構造であって、
薄膜表面と、１０００Å以下の最終的な厚さを有する薄膜層と
上記薄膜に対するＬＩＬＡＣ法によって、その薄膜表面に一時的な突出部を有することを特徴とする多結晶薄膜構造。
【請求項２１】
請求項２０に記載の多結晶薄膜構造であって、
上記薄膜は、上記最終的な厚さの前に、５００Å以上、３０００Å以下の一時的な厚さを有する多結晶薄膜構造。
【請求項２２】
請求項２１に記載の多結晶薄膜構造であって、
更に、上記薄膜表面の酸化処理による酸化物の一時的な層が上記薄膜の表面に積層されたことを特徴とする多結晶薄膜構造。
【請求項２３】
請求項２２に記載の多結晶薄膜構造であって、
上記一時的な酸化物の層は、実質的に上記薄膜表面の酸化処理によって生じた酸化物で形成された突出部である、一時的な突出部を有することを特徴とする多結晶薄膜構造。
【請求項２４】
請求項２１に記載の多結晶薄膜構造であって、
上記薄膜はシリコンからなり、約１０００Åの一時的な厚さを有し、上記シリコン薄膜の結晶粒は、結晶粒界間で１．５μｍ以上、４μｍ以下の結晶長さを有することを特徴とする多結晶薄膜構造。
【請求項２５】
請求項２１に記載の多結晶薄膜構造であって、
上記薄膜はシリコンからなり、約５００Åの一時的な厚さを有し、上記シリコン薄膜の結晶粒は、結晶粒界間で１．５μｍ以上、２．５μｍ以下の結晶長さを有することを特徴とする多結晶薄膜構造。
【請求項２６】
請求項２１に記載の多結晶薄膜構造であって、
上記一時的な厚さは約７５０Åであって、最終的な厚さは約５００Åであることを特徴とする多結晶薄膜構造。
【請求項２７】
請求項２１に記載の多結晶薄膜構造であって、
上記最終的な厚さを有する薄膜の表面平坦度が３００Å以下であることを特徴とする多結晶薄膜構造。
【請求項２８】
請求項２１に記載の多結晶薄膜構造であって、
上記一時的な突出部は、上記一時的な薄膜の厚さの半分以上の高さを有し、
上記最終的な薄膜の厚さは、上記一時的な薄膜の厚さよりも薄いことを特徴とする多結晶薄膜構造。
【請求項２９】
請求項２８に記載の多結晶薄膜構造であって、
上記薄膜の一時的な厚さは約７５０Åであり、上記最終的な薄膜の厚さは約５００Åであり、上記一時的な突出部の高さは約７５０Åであることを特徴とする多結晶薄膜構造。
【請求項３０】
請求項２１に記載の多結晶薄膜構造であって、
上記最終的な厚さを有する薄膜は、チャネル領域と、ソース領域と、ドレイン領域とを有し、
更に、上記最終的な厚さを有する薄膜の下方には、透明な基板を有し、
上記５００Å以下の厚さを有する薄膜の表面には、ゲート絶縁体が積層され、
上記ゲート絶縁体上にはゲート電極が積層されていることを特徴とする多結晶薄膜構造。
【請求項３１】
請求項２０に記載された多結晶薄膜構造であって、
上記薄膜は、シリコンまたはシリコン・ゲルマニウム化合物のうちいずれかにより形成されていることを特徴とする多結晶薄膜構造。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、集積回路の製造方法に関わり、特に、レーザアニール処理された半導体薄膜の表面における平坦化装置、及び平坦化方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
液晶表示装置や他の微細電子素子に使用される薄膜トランジスタ（以下、「ＴＦＴ」ともいう。）を形成する際、トランジスタのチャネル領域の配置、多結晶シリコン層や単結晶シリコン層の正確な形成、あるいはそれらの表面粗さは重要な問題である。上記多結晶シリコン材料は、アクティブマトリクス（以下、「ＡＭ」ともいう。）基板を備えた多結晶シリコンＴＦＴの活性層として使用されている。上記ＡＭ基板は、ＡＭ液晶表示装置の製造に使用されたり、また、有機発光ダイオード（以下、「ＯＬＥＤ」ともいう。）のような他の表示技術を組み合わされて使用されている。
【０００３】
一般的に、上記多結晶シリコン材料は、初期段階で積層された非晶質シリコン薄膜を結晶化することによって生成される。この製造方法は、例えば、適当な温度に調節された加熱炉内で十分な時間をかけた非晶質シリコン薄膜のアニール処理のような固相結晶化法（以下、「ＳＰＣ」ともいう。）を用いて行われている。
【０００４】
従来、このような結晶化技術は、基板領域の全域にわたり均質な多結晶シリコン薄膜を得ようとする場合に適用されていた。即ち、上記結晶化技術が適用された基板においては、該基板の全域にわたり、部分的な品質の違いは存在しなかった。この結論を導く最も重要な理由は、上記従来の方法では部分的に品質の違う領域を得ることができなかった、ということである。
【０００５】
例えば、非晶質シリコン薄膜を加熱炉や瞬時熱アニール法（ＲＴＡ法）でアニール処理する場合、上記薄膜の全域が同じ温度に曝される結果、すべて均質な多結晶シリコン薄膜が得られる。また、従来のレーザアニール法を適用することにより、ある程度の異質性を実現することは可能であった。しかし、従来のレーザアニール法は、費用対効果の面で、ある程度納得できる成果を得るためにはコストが高く付きすぎるという問題があった。
【０００６】
近年、上記得られる薄膜の微細構造に異質性を持たせる制御を可能とする製造技術分野において、かなりの順応性を備えた新たなレーザアニール処理技術が開発されてきた。
【０００７】
この技術は、非常に細いレーザビームを使用してＳｉ結晶種を横方向に成長させるものである。上記細いレーザビームは、レーザビームを光線形成マスクに通すことで生成され、上記マスクの形状をアニール処理される薄膜上に照射する。
【０００８】
この方法は、レーザ照射横成長結晶化法（以下、「ＬＩＬＡＣ法」ともいう。）、連続横成長結晶化法（以下、「ＳＬＳ」ともいう。）、あるいはＳＬＳ／ＬＩＬＡＣ法と呼ばれている。
【０００９】
また、従来の固体レーザアニール法、あるいは連続レーザアニール法などは、相対的にレーザパルスの照射時間が長く、レーザビームの幅（あるいは、上記マスクの開口部の幅）が広いといった点で、上記ＬＩＬＡＣ法と区別することができる。
【００１０】
上記連続レーザアニール法によって生成された多結晶シリコン材料は、密度の大きい結晶粒から構成されており、上記各結晶粒は結晶粒界によって囲まれている。上記結晶粒の大きさは、通常、１μｍ以下である。一方、通常のＴＦＴのチャネル領域の長さは、２〜３０μｍ程度である。従って、上記ＴＦＴのチャネル領域がいくつかの結晶粒界を含むことは避けられない。この結晶粒界は電子や正孔の障壁となり、ＴＦＴの特性と信頼性の低下を招くおそれがある。そこで、上記ＬＩＬＡＣ法によれば、結晶粒界間の結晶の長さを長く成長させることができる。
【００１１】
図１は、従来のＬＩＬＡＣ法の概念図である。初期状態の非晶質シリコン薄膜に対して、通常、数ミクロン（例えば、３〜５μｍ）の幅を有するごく細いレーザビームが照射される。上記極細レーザビームは、図２に示すような空間領域または開口部を備えたマスクに、光源から発せられた生のレーザビームを通すことにより形成され、アニール処理されるシリコン薄膜上に照射される。
【００１２】
図２は、従来のレーザアニール用遮蔽マスクである。図１において、（１）から（４）へ番号に従って、長い結晶が成長する様子を示している。ここでは、レーザビームの照射と照射領域の移動を繰り返す手法が取られている。図１において、上記マスクで整形されたレーザビームは、薄膜上の２本の太線に挟まれて示される領域に照射され、続いて、そのレーザビームを、上記マスクに形成されたスリット幅の半分以下の距離だけ、横方向に移動させる。
【００１３】
このように、ゆっくりとレーザビームを移動させることにより、結晶粒は、前の照射によって生成された多結晶シリコンの結晶種から水平方向に成長してゆく。この方法は、帯融結晶化法（ＺＭＲ）等と同様に、結晶引き上げ法を水平方向に適用したものとみることができる。これにより、上記結晶は、「引っ張られる」方向、即ち、レーザビームが移動する方向に沿って、非常に高い品質を達成できるようになる。
【００１４】
この工程は、マスクに複数形成されたそれぞれのスリット毎に、同時に進行させることにより、上記基板上において上記遮蔽マスクを通してレーザビームの照射される領域を、短時間で結晶化することを可能にする。１つの領域が結晶化されると、上記基板は、まだアニール処理されていない新たな領域に移動し、上記工程を繰り返す。
【００１５】
図３は、上記光学的なレーザビームの照射を可能とする従来の装置、及び上記操作を繰り返す工程を示す。上記ＬＩＬＡＣ法は、上記多結晶シリコン材料の品質に意図的な異質性を作り出す可能性を備えている。このような意図的な異質性は、表示装置中に複数の構成要素が統合され、各構成要素が異なる仕様と異なる素材上の特性が要求される機器にとって有用である。
【００１６】
上記ＬＩＬＡＣ法によって生成された多結晶シリコン物質のあるものは、高度な規則性を有する微細構造を備える。その微細構造では、特定の幅を有する結晶帯が高角的な結晶粒界によって区画されている。上記結晶帯内において、低角的な結晶粒界がある発生頻度で観察されるか否かは、薄膜の厚さや、レーザ強度（エネルギ密度）、パルス継続時間等といった各結晶化方法固有の特性によって左右される。
【００１７】
このように多結晶シリコン薄膜上に形成されたＴＦＴは、上記結晶帯の誘導される方向が該結晶内の低角的な結晶粒界の方向に平行である限り、非常に優れた特性を発揮する。
【００１８】
上記多結晶薄膜の形成技術において、薄膜の結晶化特性を更に等方的にすることができれば、更に大きな電荷移動性を備えたＴＦＴを製造することができる。言い換えれば、上記ＴＦＴの性能は、結晶の成長方向、即ち、上記レーザビームの走査軸と平行な方向と、ＴＦＴチャネル領域とがなす角度に依存する。この角度は、上記結晶種中に存在する副結晶粒界の構造に帰する。
【００１９】
また、結晶帯と結晶領域の境界に位置する強い結晶粒界の表面粗さは重要な問題である。上記表面粗さは、将来の本技術の応用における上記電子素子の外形寸法を縮小化するうえで、重大な過程の１つとなるゲート絶縁膜の厚さの低減を妨げる。
【００２０】
その上、これらの工程のすべてが位置制御されているとは限らない。そのため、偶然、結晶領域の相対的な大きさとＴＦＴチャネル領域の長さが一致しないことにより、あるＴＦＴは、その活性領域（チャネル領域）に結晶粒界を含まないのに対し、他のＴＦＴは、その活性領域に少なくとも１つの結晶粒界を含む、といったことが起こる。このような活性領域の不均一性は、その絶対的な性能よりも、特性の均一性がより重視されるＴＦＴの製造において致命的な欠点となる。
【００２１】
図４は、図１に示す従来技術におけるレーザ照射を受けた領域の表面状態を示す要部断面図である。結晶の横成長が完了した時点で、２つの結晶の先端部は、結晶領域の中央部で当接し、対向する結晶の各端部から成長してきた２つの結晶粒の間に「結晶粒界」を形成する。上記結晶粒界が形成される結果、２つの結晶の先端が合致することでできた接合面に一致して、上記薄膜表面の結晶粒界において尾根部が生じる。
【００２２】
上記基板は、レーザビームを照射された状態でレーザビームの幅Ｌの半分より短い距離ｄだけ移動するため、上記尾根部には、移動後のレーザビームが照射される。このようにレーザビームが照射された尾根部は、再溶解し、その場所で平坦化する。しかし、上記同じ過程により、他の尾根部が新たな場所に形成されてしまう。そのため、上記レーザビームの照射に従って上記尾根部は、基板上を移動することになる。
【００２３】
単結晶領域や指向性を有するよう結晶化された材料において、素子は突出部のない結晶化領域上に形成されることができる。２回、あるいは２のＮ乗回のレーザ照射によって生成されたようなＳＬＳ材料のように、大きい結晶粒を有する多結晶材料には、素子の性能に有害に作用し、ゲート絶縁体の厚さを制限しうる多数の表面突出部が存在する。このように、上記突出部が最高の素子性能を左右していることは避けられない。
【００２４】
上記結晶粒界における格子の不整合部の間の角度が約１５°以下であれば、低角とみなすことができる。上記角度が１５°と９０°の間であれば、高角とみなすことができる。
【００２５】
高角である結晶粒界間では、電荷移動性が損なわれるが、低角であれば結晶粒界間の電荷移動性は、通常、僅かなものである。上記繰り返し行われる多段的アニール処理によって、通常、低角結晶粒界を促進する。しかし、多段的アニール工程ではなく上記マスクの稜線に一致した薄膜領域は、高角結晶粒界となり易い。
【００２６】
上記ＳＬＳ／ＬＩＬＡＣ法の１つの実施例は、上記Ｓｉ薄膜を同時に溶解し結晶化する細いスリットを複数備えた大型の格子を使用する。この方法を用いることにより、２つの移動経路をとじ合わせることで薄膜全体を十分に結晶化することが可能である。
【００２７】
しかし、この方法の欠点は、結晶化工程中における上記Ｓｉ材料の体積膨張により、２つの照射領域の中心部には大きい尾根部が発生することである。上記尾根部の大きさは、上記薄膜の厚さに匹敵する。この尾根部と谷部からなる薄膜表面の粗さは、後に該薄膜上に形成される素子の特性に悪影響を及ぼす。
【００２８】
この大きい表面粗さを除去し、または減少させる１つの方法として、上記Ｓｉ薄膜を部分的に溶解し、溶融物質の表面張力を減少させて、表面粗さを形成する塊自身を広げてやることである。
【００２９】
また、回折現象を応用したマスクを使用することで、試料表面におけるエネルギ密度の伝搬を押さえて均質化されたレーザビームを発生させることができる。この均質化されたレーザビームを試料に照射し、上記薄膜の部分的な溶解を引き起こすことによって、上記表面粗さを除去することができる。
（非特許文献１を参照。）
（非特許文献２を参照。）
【００３０】
【非特許文献１】
Ｊ．Ｓ．Ｉｍ，ｅｔａｌ，Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄ　Ｓｕｐｅｒ−Ｌａｔｅｒａｌ　Ｇｒｏｗｔｈ　ｏｆ　Ｓｉ　Ｆｉｌｍｓ　ｆｏｒ　Ｍｉｃｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒａｌ　Ｍａｎｉｐｕｌａｔｉｏｎ　ａｎｄ　Ｏｐｔｉｍｉｚａｔｉｏｎ，Ｐｈｙｓｉｃａ　Ｓｔａｔｕｓ　Ｓｏｌｉｄｉ（ａ）１６６，ｐ．６０３，１９９８
【非特許文献２】
Ｒｏｂｅｒｔ　Ｓ　Ｓｐｏｓｉｌｉ，Ｍ　Ａ　Ｃｒｏｗｄｅｒ　ａｎｄ　Ｊａｍｅｓ　Ｓ　Ｉｍ，“Ｓｉｎｇｌｅ−ｃｒｙｓｔａｌ　［Ｓｉ］　ｆｉｌｍｓ　ｖｉａ　ａ　ｌｏｗ−ｓｕｂｓｔｒａｔｅ−ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ　ｅｘｃｉｍｅｒ−ｌａｓｅｒ　ｃｒｙｓｔａｌｌｉｚａｔｉｏｎ　ｍｅｔｈｏｄ”，ＭＲＳ　Ｓｙｍｐ．　Ｐｒｏｃ．　４５２（１９９７）５９３
【００３１】
【発明が解決しようとする課題】
従って、本発明は、レーザアニール処理された薄膜表面をより平滑にすることで、より薄い薄膜の積層を可能とし、また、表面平滑化工程に続く後の工程の処理量を増大させ、工程時間を短縮化することを目的とする。
【００３２】
【課題を解決するための手段】
本発明は、ＬＩＬＡＣ法でアニール処理された薄膜の表面の突出部を平坦化する装置と方法に関わる。通常、上記薄膜は、要求される厚さよりも意図的に厚く形成される。そのため、薄膜表面と基板表面の突出部は、場合によっては酸化される。上記突出部を含む余分な厚みは除去されて、その結果、設定どおりの厚さを有する平坦な薄膜表面を得ることができる。
【００３３】
そこで、本発明は、ＬＩＬＡＣ法で形成された薄膜表面の突出部を減少させる方法を提供する。上記方法は、第１の厚さを有する非晶質薄膜を形成する工程と、幅３μｍ以上、１０μｍ以下のレーザビームを用いたＬＩＬＡＣ法により上記薄膜をアニール処理する工程とを含み、上記アニール処理の結果、薄膜表面上に突出部が形成され、場合によっては、薄膜表面を酸化する工程と、上記薄膜を薄くする工程と、薄膜の表面を平坦化する工程を含む。通常、薄膜表面は３００Å以下の平坦さに平坦化される。
【００３４】
また、本発明において、上記非晶質薄膜は、５００Å以上、３０００Å以下の厚さを有するシリコンであってもよい。
【００３５】
上記薄膜表面を酸化する工程は、所定の深さまで薄膜表面を酸化することを含む。そして、上記薄膜を薄くする工程は、上記薄膜を上記第１の厚さの１／３に等しい厚さまで薄くする工程を含む。通常、上記薄膜は、１０００Å以下の厚さに薄くされる。
【００３６】
具体的に、請求項１の発明は、１平面を有する薄膜をＬＩＬＡＣ法によりアニール処理する工程と、上記アニール処理によって、上記薄膜表面に突出部が形成される工程と、上記薄膜を薄く加工する工程と、上記薄く加工することによって、薄膜の表面を平坦化する工程と、を含むことを特徴とするレーザ照射横方向結晶化法により形成された薄膜表面の平坦化方法である。
【００３７】
請求項２の発明は、請求項１に記載の薄膜表面の平坦化方法であって、上記ＬＩＬＡＣ法による薄膜のアニール処理において、３μｍ以上、１０μｍ以下の幅を有するレーザビームが使用されることを特長とするレーザ照射横方向結晶化法により形成された薄膜表面の平坦化方法である。
【００３８】
請求項３の発明は、請求項１に記載の薄膜表面の平坦化方法であって、更に、上記薄膜表面を酸化処理する工程を含み、上記薄膜を薄く加工する工程は、上記酸化された薄膜表面の除去を含むことを特徴とするレーザ照射横方向結晶化法により形成された薄膜表面の平坦化方法である。
【００３９】
請求項４の発明は、請求項３に記載の薄膜表面の平坦化方法であって、上記薄膜表面の酸化処理は、高圧酸化法または熱酸化法のいずれかの方法により行われることを特長とするレーザ照射横方向結晶化法により形成された薄膜表面の平坦化方法である。
【００４０】
請求項５の発明は、請求項３に記載の薄膜表面の平坦化方法であって、酸化された薄膜表面の除去は、希釈フッ化水素を用いたエッチング処理、または化学的機械研磨法のいずれかの方法により行われることを特長とするレーザ照射横方向結晶化法により形成された薄膜表面の平坦化方法である。
【００４１】
請求項６の発明は、請求項３に記載の薄膜表面の平坦化方法であって、更に、初期の厚さを有する非晶質薄膜を形成する工程を含み、上記薄膜表面を酸化処理する工程は、所定の深さまで薄膜表面を酸化することを含み、上記薄膜を薄く加工する工程は、上記薄膜を上記初期の厚さから上記酸化された深さを引いた厚さに等しくなるよう、上記薄膜の１／３だけ薄くすることを含むレーザ照射横方向結晶化法により形成された薄膜表面の平坦化方法である。
【００４２】
請求項７の発明は、請求項１に記載の薄膜表面の平坦化方法であって、更に、５００Å以上、３０００Å以下の初期の厚さを有する非晶質薄膜を形成する工程を含むことを特長とするレーザ照射横方向結晶化法により形成された薄膜表面の平坦化方法である。
【００４３】
請求項８の発明は、請求項７に記載の薄膜表面の平坦化方法であって、上記５００Å以上、３０００Å以下の初期の厚さを有する非晶質薄膜を形成する工程は、シリコンまたはシリコン・ゲルマニウム化合物のうちいずれかにより非晶質薄膜が形成されることを特長とするレーザ照射横方向結晶化法により形成された薄膜表面の平坦化方法である。
【００４４】
請求項９の発明は、請求項８に記載の薄膜表面の平坦化方法であって、上記５００Å以上、３０００Å以下の初期の厚さを有する非晶質薄膜を形成する工程は、１０００Åの厚さを有する非晶質シリコン薄膜の形成を含み、上記ＬＩＬＡＣ法によるアニール処理は、結晶粒界間で１．５μｍ以上、４μｍ以下の結晶長さを有する結晶粒の生成を含むことを特長とするレーザ照射横方向結晶化法により形成された薄膜表面の平坦化方法である。
【００４５】
請求項１０の発明は、請求項８に記載の薄膜表面の平坦化方法であって、上記５００Å以上、３０００Å以下の初期の厚さを有する非晶質薄膜を形成する工程は、５００Åの厚さを有する非晶質シリコン薄膜の形成を含み、上記ＬＩＬＡＣ法によるアニール処理は、結晶粒界間で１．５μｍ以上、２．５μｍ以下の結晶長さを有する結晶粒の生成を含むことを特長とするレーザ照射横方向結晶化法により形成された薄膜表面の平坦化方法である。
【００４６】
請求項１１の発明は、請求項８に記載の薄膜表面の平坦化方法であって、上記薄膜を薄く加工する工程により、上記薄膜を１０００Å以下の厚さにすることを特徴とするレーザ照射横方向結晶化法により形成された薄膜表面の平坦化方法である。
【００４７】
請求項１２の発明は、請求項１１に記載の薄膜表面の平坦化方法であって、上記５００Å以上、３０００Å以下の初期の厚さを有する非晶質薄膜を形成する工程は、７５０Åの厚さを有する非晶質シリコン薄膜の形成を含み、上記薄膜を１０００Å以下の厚さにする工程は、上記薄膜を５００μｍの厚さにすることを特徴とするレーザ照射横方向結晶化法により形成された薄膜表面の平坦化方法である。
【００４８】
請求項１３の発明は、請求項１に記載の薄膜表面の平坦化方法であって、上記薄膜表面を平坦化する工程は、上記薄膜表面を３００Å以下の平坦℃にすることを特徴とするレーザ照射横方向結晶化法により形成された薄膜表面の平坦化方法である。
【００４９】
請求項１４の発明は、請求項７に記載の薄膜表面の平坦化方法であって、上記５００Å以上、３０００Å以下の初期の厚さを有する非晶質薄膜を形成する工程は、所定の厚さを有する非晶質シリコン薄膜の形成を含み、上記アニール処理によって薄膜表面に形成された突出部は、初期の非晶質薄膜の厚さの半分以上の高さに形成され、上記薄膜を薄く加工する工程は、上記薄膜を上記初期の厚さよりの薄い第２の厚さにすることを特徴とするレーザ照射横方向結晶化法により形成された薄膜表面の平坦化方法である。
【００５０】
請求項１５の発明は、請求項１４に記載の薄膜表面の平坦化方法であって、　上記５００Å以上、３０００Å以下の初期の厚さを有する非晶質薄膜を形成する工程は、７５０Åの厚さを有する非晶質シリコン薄膜の形成を含み、上記アニール処理によって薄膜表面に形成された突出部は、７５０Åの高さに形成され、上記薄膜を薄く加工する工程は、上記薄膜を５００Å以下の厚さにすることを特徴とするレーザ照射横方向結晶化法により形成された薄膜表面の平坦化方法である。
【００５１】
請求項１６の発明は、請求項８に記載の薄膜表面の平坦化方法であって、更に、上記薄膜表面の平坦化処理の後、上記シリコン薄膜表面に５００Å以下の厚さを有するゲート絶縁体を積層する工程を含むことを特徴とするレーザ照射横方向結晶化法により形成された薄膜表面の平坦化方法である。
【００５２】
請求項１７の発明は、請求項１６に記載の薄膜表面の平坦化方法であって、更に、上記非晶質薄膜の下方に透明基板を形成する工程を含み、上記薄膜表面の平坦化工程の後、上記薄膜にチャネル領域と、ソース領域と、ドレイン領域が形成され、除貴ゲート絶縁体上にゲート電極を積層して形成することを特徴とするレーザ照射横方向結晶化法により形成された薄膜表面の平坦化方法である。
【００５３】
請求項１８の発明は、請求項７に記載の薄膜表面の平坦化方法であって、上記薄膜を薄く加工する工程は、上記アニール処理された薄膜に対する化学的機械研磨法の使用を含むことを特徴とするレーザ照射横方向結晶化法により形成された薄膜表面の平坦化方法である。
【００５４】
請求項１９の発明は、請求項１８に記載の薄膜表面の平坦化方法であって、上記アニール処理された薄膜に対する化学的機械研磨法の使用は、上記初期の厚さよりも薄い第２の厚さを有する薄膜の形成を含むことを特徴とするレーザ照射横方向結晶化法により形成された薄膜表面の平坦化方法である。
【００５５】
請求項２０の発明は、多結晶薄膜構造であって、薄膜表面と、１０００Å以下の最終的な厚さを有する薄膜層と、上記薄膜に対するＬＩＬＡＣ法によって、その薄膜表面に一時的な突出部を有することを特徴とする多結晶薄膜構造である。
【００５６】
請求項２１の発明は、請求項２０に記載の多結晶薄膜構造であって、上記薄膜は、上記最終的な厚さの前に、５００Å以上、３０００Å以下の一時的な厚さを有する多結晶薄膜構造である。
【００５７】
請求項２２の発明は、請求項２１に記載の多結晶薄膜構造であって、更に、上記薄膜表面の酸化処理による酸化物の一時的な層が上記薄膜の表面に積層されたことを特徴とする多結晶薄膜構造である。
【００５８】
請求項２３の発明は、請求項２２に記載の多結晶薄膜構造であって、上記一時的な酸化物の層は、実質的に上記薄膜表面の酸化処理によって生じた酸化物で形成された突出部である、一時的な突出部を有することを特徴とする多結晶薄膜構造である。
【００５９】
請求項２４の発明は、請求項２１に記載の多結晶薄膜構造であって、上記薄膜はシリコンからなり、約１０００Åの一時的な厚さを有し、上記シリコン薄膜の結晶粒は、結晶粒界間で１．５μｍ以上、４μｍ以下の結晶長さを有することを特徴とする多結晶薄膜構造である。
【００６０】
請求項２５の発明は、請求項２１に記載の多結晶薄膜構造であって、上記薄膜はシリコンからなり、約５００Åの一時的な厚さを有し、上記シリコン薄膜の結晶粒は、結晶粒界間で１．５μｍ以上、２．５μｍ以下の結晶長さを有することを特徴とする多結晶薄膜構造である。
【００６１】
請求項２６の発明は、請求項２１に記載の多結晶薄膜構造であって、上記一時的な厚さは約７５０Åであって、最終的な厚さは約５００Åであることを特徴とする多結晶薄膜構造である。
【００６２】
請求項２７の発明は、請求項２１に記載の多結晶薄膜構造であって、上記最終的な厚さを有する薄膜の表面平坦度が３００Å以下であることを特徴とする多結晶薄膜構造である。
【００６３】
請求項２８の発明は、請求項２１に記載の多結晶薄膜構造であって、上記一時的な突出部は、上記一時的な薄膜の厚さの半分以上の高さを有し、上記最終的な薄膜の厚さは、上記一時的な薄膜の厚さよりも薄いことを特徴とする多結晶薄膜構造である。
【００６４】
請求項２９の発明は、請求項２８に記載の多結晶薄膜構造であって、上記薄膜の一時的な厚さは約７５０Åであり、上記最終的な薄膜の厚さは約５００Åであり、上記一時的な突出部の高さは約７５０Åであることを特徴とする多結晶薄膜構造である。
【００６５】
請求項３０の発明は、請求項２１に記載の多結晶薄膜構造であって、上記最終的な厚さを有する薄膜は、チャネル領域と、ソース領域と、ドレイン領域とを有し、更に、上記最終的な厚さを有する薄膜の下方には、透明な基板を有し、上記５００Å以下の厚さを有する薄膜の表面には、ゲート絶縁体が積層され、上記ゲート絶縁体上にはゲート電極が積層されていることを特徴とする多結晶薄膜構造である。
【００６６】
請求項３１の発明は、請求項２０に記載された多結晶薄膜構造であって、上記薄膜は、シリコンまたはシリコン・ゲルマニウム化合物のうちいずれかにより形成されていることを特徴とする多結晶薄膜構造である。
【００６７】
【発明の実施形態】
本発明の実施の形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。
【００６８】
図５は、本発明に係る多結晶薄膜構造５００の要部断面図である。上記薄膜５０２は、非晶質構造であって、最終的な厚さ８００（図８参照。）を形成しうる初期の厚さ５０４を有している。上記薄膜５０２は、シリコンやシリコン・ゲルマニウム化合物からなるが、他の薄膜材料を使用することもできる。上記薄膜の初期の厚さは、５００Å以上、３０００Å以下である。図に示す薄膜５０２は、ＬＩＬＡＣ法によるアニール処理前の積層されただけの状態である。薄膜の積層には、従来のあらゆる積層技術を用いることができる。
【００６９】
図６は、上記薄膜５０２に対するＬＩＬＡＣアニール処理によって、上記薄膜表面に生じた一時的な突出部６００を備えた多結晶薄膜構造５００の要部断面図である。この突出部の形成については、上記従来の技術の欄に詳細を記載している。上記薄膜５０２内の垂直に延びた線は、突出部６００を備えた結晶粒界を示している。
【００７０】
また、上記薄膜５０２はシリコン製であって、約１０００Åの一時的な厚さ５０４（図５参照。）を有する。シリコン薄膜５０２中の結晶種は、結晶粒界の間で結果的に１．５〜４μｍの結晶長さを有する。更に、上記一時的な厚さは、５００Åであって、結晶種は、結晶粒界の間で結果的に１．５〜２．５μｍの結晶長さを有する場合もある。
【００７１】
図７は、上記多結晶薄膜構造５００の要部断面図であり、上記薄膜の表面に積層された一時的な酸化物層７００を示している。上記酸化処理は、従来のどのような方法であってもよい。例えば、上記酸化物層７００は、熱酸化法や高圧酸化法によって形成することができる。
【００７２】
図に示すように、一時的な酸化物層７００は、実質的に上記薄膜表面の酸化により生じた酸化物の突出部である突出部６００を含む。図８は、表面を薄く除去した後の本発明に係る多結晶薄膜構造である。その結果、厚さ５０６を有する薄膜５０２は、３００Å以下の表面の平坦度８０２を有する。
【００７３】
また、上記薄膜の一時的な厚さ５０４（図５参照。）は、約７５０Åであって、結果的に生じた厚さ８００は、約５００Åであってもよい。
【００７４】
図６に戻って、上記一時的な突出部６００は、上記一時的な厚さ５０４（図５参照。）の半分以上の高さ６０４を有する。そして、上記薄膜の結果的に生じた厚さ８００（図８参照。）は、上記一時的な厚さよりも薄い。
【００７５】
また、上記薄膜の一時的な厚さは、約７５０Åであり、一時的な突出部は約７５０Åの高さを持ち、結果的に生じた厚さは約５００Åとすることもできる。
【００７６】
図９は、他の工程を経た後の図８に示す多結晶薄膜構造の要部断面図である。
【００７７】
図に示すように、薄膜５０２は、透明な基板９００に積層されている。しかし、本発明は、上記透明な基板の使用に限定されるものではない。また、図示はしないが拡散防止膜によって、基板９００と薄膜５０２とが隔てられていてもよい。
【００７８】
結果的に生じた厚さを有する薄膜５０２は、チャネル領域９０２、ソース領域９０４とドレイン領域９０６を有する。ゲート絶縁体９０８は、上記薄膜表面５０６に積層されており、その厚さ９１０は、５００Å以下である。ゲート電極９１２は上記ゲート絶縁膜９０８上に積層されている。本実施例では、１つのトランジスタ構造が記載されているが、本発明は、共通薄膜によって形成された、隣接する多数のトランジスタの構成に適用することも可能である。
【００７９】
本実施の形態の作用について説明する。
【００８０】
上記ＳＬＳ法によれば、上記薄膜上において、溶解領域の中心部に生じる多数の突出部の形成を引き起こす。上記の通り、上記現象は、固体シリコンの密度が液体シリコンのそれよりも小さいことから、シリコン材料が結晶化する際、体積膨張を引き起こすことに基づく。このような突出部は、薄膜上の各結晶粒界において、およそアニール処理前の薄膜の厚さと等しい高さにまで成長する。例えば、非晶質薄膜の厚さが約１０００Åであるとすると、ＳＬＳアニール処理により、上記突出部は約１０００Åの高さにまで成長する。
【００８１】
このような突起を除去するために従来方法は、大規模な再配分（表面張力の減少によって）を引き起こすために、ＳｉＯ２反射防止膜（１〜２μｍ　より厚い）を用いる方法、高いエネルギ照射を用いる方法、及び、部分的溶解を用いる方法、もしくは、（再び、大規模な再配分を引き起こすために）更に低いレーザエネルギ密度によって２度同じ領域に照射する方法などであった。
【００８２】
しかし、本発明では、突出部を平坦にする方法として、いくつかのアプローチの中から薄膜の厚さを薄くする方法を採用する。始めに、上記ＳＬＳ法により、要求される厚さより僅かに厚い薄膜を形成する。例えば、５００Åの薄膜が要求される場合、上記ＳＬＳ法によって１０００Åの出発薄膜を形成する。
【００８３】
上記ＳＬＳ工程が完了すると、上記出発薄膜は、いくつかある酸化方法、例えば、熱酸化方法を用いることのできない薄膜に対しては高圧酸化方法や、シリコンの熱酸化方法などのうち、いずれかの方法で酸化されることにより薄くされる。
【００８４】
その後、希釈フッ化水素でエッチングするか、あるいは、化学的機械研磨法（以下、「ＣＭＰ法」ともいう。）の技術を用いて、上記酸化処理によって生成された酸化物を除去する。あるいは、上記薄膜に酸化処理を施さない場合には、上記ＣＭＰ法が薄膜化に適用される。
【００８５】
図１０は、本発明に係るＬＩＬＡＣ法による薄膜の成形において生じる薄膜表面の突出部を除去する方法を示したフローチャートである。上記方法は、明確に付番された工程の順序として記載されているが、明記されていない限りは、いかなる順序も上記付番から推測されるものではない。上記工程のあるものは省略され、あるものは平行して行われ、あるいは、あるものは上記順序の厳格な指示によることなく実行される。
【００８６】
本発明に係る方法は、工程１０００から開始される。工程１００２において、一平面を有する非晶質薄膜が形成される。通常、上記非晶質薄膜は、初期の厚さが５００Å以上、３０００Å以下となるように形成される。上記薄膜は、通常、シリコン材料、あるいはシリコン・ゲルマニウム化合物からなるが、他の薄膜材料であってもよい。
【００８７】
工程１００４において、ＬＩＬＡＣ法を用いて薄膜の表面をアニール処理する。上記ＬＩＬＡＣ法では、幅３μｍ以上、１０μｍ以下のレーザビームが使用される。
【００８８】
工程１００６において、上記アニール処理の結果、上記薄膜表面に突出部が形成される。
【００８９】
工程１００８において、上記薄膜の表面が酸化される。この酸化処理には、高圧酸化処理や熱酸化処理が適用される。上記酸化方法は、何ら特別な酸化方法に限られるものではない。ここで、上記工程１００８における酸化処理は、必ず実行されるものではない。
【００９０】
工程１０１０において、上記薄膜を薄く加工する。通常、この工程において、上記薄膜は１０００Å以下の厚さに加工される。
【００９１】
工程１０１２において、上記薄く加工された薄膜の表面に平坦化処理を施す。
【００９２】
上記薄膜を薄く加工する工程は、上記酸化処理された薄膜表面を除去することによって行うこともできる。また、上記酸化処理された薄膜表面は、希釈フッ化水素や化学的機械研磨法によって除去することもできる。しかし、上記薄膜表面を除去する工程は、何ら特別な方法に限定されるものではない。また、工程１０１０において、その前工程１００８である酸化処理を行うことなく、アニール処理された薄膜をＣＭＰ法を用いて、初期の厚さよりも薄い第２の厚さにまで薄く加工することもできる。これにより、通常、薄膜の表面は、３００Å以下に平滑化される。
【００９３】
上記工程１００８において薄膜表面を酸化させることは、ある深さまで薄膜表面を酸化させることを含む。上記深さは、突出部の高さを含めた深さを意味するものではない。言い換えれば、上記深さは、上記突出部の間に存在する平坦な表面からの深さを意味する。
【００９４】
工程１０１０において薄膜を薄くすることは、初期の厚さから上記酸化処理の深さを除いた厚さに等しい１／３の厚さまで薄膜を薄くすることを含む。
【００９５】
上記非晶質薄膜を形成する工程１００２において、１０００Åの厚さを有する非晶質シリコン薄膜を形成するようにしてもよい。
【００９６】
また、工程１００４において、ＬＩＬＡＣ法による薄膜のアニール処理は、結晶粒界の間で１．５μｍ以上、４μｍ以下の結晶長さを有する結晶粒を生成するようにしてもよい。
【００９７】
更に、工程１００２において、５００Åの厚さを有する非晶質シリコン薄膜を形成するとともに、工程１００４において、結晶粒界間で１．５μｍ以上、２．５μｍ以下の結晶長さを有する結晶粒を生成するようにしてもよい。初期段階において厚い薄膜を用いることの有利性は、その厚い薄膜によって結晶の長さをより長くすることができる点にある。
【００９８】
また、非晶質薄膜を形成する工程１００２において、７５０Åの厚さを有する非晶質シリコン薄膜を形成するようにしてもよい。
【００９９】
更に、上記薄膜を薄く加工する工程１０１０においては、上記薄膜を５００Åの厚さにまで薄くするようにしてもよい。
【０１００】
工程１００６において、アニール処理を施された薄膜表面に突出部を形成する工程は、その突出部の高さを初期段階における非晶質薄膜の厚さの半分以上とすることもできる。
【０１０１】
工程１０１０において、上記薄膜を薄くする工程は、上記薄膜の厚さを初期段階の非晶質薄膜の厚さよりも薄くすることもできる。
【０１０２】
工程１００２において、上記非晶質薄膜の形成は、７５０Åの厚さを有する非晶質薄膜を形成するようにしてもよい。
【０１０３】
工程１００６において、アニール処理を施された薄膜表面に突出部を形成する工程は、その突出部の高さを７５０Åとなるようにしてもよい。
【０１０４】
工程１０１０において、上記薄膜を薄くする工程は、上記薄膜の厚さが５００Åとなるようにしてもよい。
【０１０５】
また、本発明の工程１００１では、上記非晶質薄膜の下層に透明基板を形成するようにしてもよい。
【０１０６】
工程１０１４　では、薄膜表面の平滑化（工程１０１２）の後に薄膜上においてチャネル領域、ソース領域、及び、ドレイン領域を形成する。
【０１０７】
工程１０１６では、上記薄膜表面の平坦化に続いて、上記５００Å以下の厚さを有するシリコン薄膜上に積層してゲート絶縁体を形成する。
【０１０８】
工程１０１８では、上記ゲート絶縁退場に積層してゲート電極を形成する。
【０１０９】
このように、本発明に係る装置、及び、方法によって、ＬＩＬＡＣ法によるアニール処理の後、薄膜表面を平坦化することが開示された。酸化処理、及び酸化処理された薄膜の除去に関していくつかの例も示された。しかし、本発明は、単にこれらの工程に必ずしも制限されるものではない。
【０１１０】
同様に、平坦化された薄膜にトランジスタを形成することについても、ある例が示された。
【０１１１】
しかしながら、本発明は、単にこの種類の構造に必ずしも制限されるとは限らない。本発明に係る他の変形例や実施例が本技術の習熟によってもたらされる。
【０１１２】
【発明の効果】
本発明によれば、レーザアニール処理によって薄膜表面に形成された突出部を除去し、薄膜表面をより平滑にすることで、より薄い薄膜の積層を可能とする。これにより、集積回路や表示装置に使用される薄膜トランジスタなど電子素子の性能を向上させることができるとともに、更なる薄型素子を実現することができる。また、表面平滑化工程に続く後の工程の処理量を増大させ、工程時間を短縮化することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は、従来のＬＩＬＡＣ法の工程を示す図である。
【図２】図２は、従来のレーザアニール処理用遮蔽マスクである。
【図３】図３は、従来のレーザ照射と多段的な工程を実現するための装置を示す図である。
【図４】図４は、図１におけるレーザ照射領域の要部断面図である。
【図５】図５は、本発明に係る多結晶薄膜の要部断面図である。
【図６】図６は、ＬＩＬＡＣ法を用いた結果、突出部が形成された多結晶薄膜の表面の要部断面図である。
【図７】図７は、本発明に係る多結晶薄膜に酸化膜を被覆した状態における薄膜の要部断面図である。
【図８】図８は、本発明に係る多結晶薄膜の表面を除去した後の要部断面図である。
【図９】図９は、図８に示した多結晶薄膜に続く工程を施した後における、要部断面図である。
【図１０】図１０は、本発明に係るＬＩＬＡＣ法によって形成された薄膜の製造における薄膜表面の突出部を平坦化する方法を示す図である。
【符号の説明】
５００　多結晶薄膜構造体
５０２　薄膜
６００　突出部
７００　酸化物層
【図１】
2004140326.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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