(57)【要約】【課題】酸素や水分等の侵入に伴う有機ＥＬ素子等の劣化、ダークスポット欠陥の発生、又は短寿命化を防止する電気光学装置、及び電気光学装置の製造方法、並びに電子機器を提供する。【解決手段】基板２０上に、対向電極２３、５０と、対向電極２３、５０に狭持された発光層６０と、保護部材４６とを具備する電気光学装置１であって、基板２０の両面の空間を連通状態にする貫通孔２０ａと、基板２０上の発光層６０の反対側に位置するゲッター剤３０とを具備することを特徴とする。【選択図】  図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、対向電極と、当該対向電極に狭持された発光層と、保護部材とを具備する電気光学装置であって、
前記基板の両面の空間を連通状態にする貫通孔と、前記基板上の前記発光層の反対側に位置するゲッター剤とを具備することを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記保護部材は前記基板に対向する面に凹部を備え、
前記貫通孔は、前記凹部内の空間と連通していることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記保護部材は、透明性材料からなることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記保護部材には、水分又は酸素を遮蔽する透明性遮蔽膜が形成されていることを特徴とする請求項１から請求項３のうちいずれかに記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記透明性遮蔽膜は、無機膜又は有機膜のうちいずれか一方または両方を具備することを特徴とする請求項４に記載の電気光学装置。
【請求項６】
前記基板には、前記ゲッター剤を密閉状態に保持する保持部材が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項７】
前記保持部材には、水分又は酸素を遮蔽する遮蔽膜が形成されていることを特徴とする請求項６に記載の電気光学装置。
【請求項８】
前記遮蔽膜は、無機膜又は有機膜のうちいずれか一方または両方を具備することを特徴とする請求項７に記載の電気光学装置。
【請求項９】
基板上に、対向電極と、当該対向電極に狭持された発光層と、保護部材とを具備する電気光学装置の製造方法であって、
前記基板の両面の空間を連通状態にする貫通孔を形成する工程と、
前記基板上の前記発光層の反対側にゲッター剤を配置する工程と、
を具備することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項１０】
前記保護部材に凹部を形成する工程と、
当該凹部内の空間と前記貫通孔とを連通させて、前記基板と前記保護部材とを接着する工程と、
を具備することを特徴とする請求項９に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項１から請求項８のうちいずれかに記載の電気光学装置を具備することを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電気光学装置、及び電気光学装置の製造方法、並びに電子機器に関するものである。
【従来の技術】
【０００２】
電気光学装置の分野では、酸素や水分等に対する耐久性向上が課題となっている。例えば、上記電気光学装置の一例である有機エレクトロルミネッセンス（以下、有機ＥＬと略記する）表示装置では、大気中の酸素や水分等の侵入に伴って、有機ＥＬ素子（有機ＥＬ材料，正孔注入材料，電子注入材料等）の劣化やダークスポット欠陥の発生、又は陰極の導電性低下等により、安定した発光特性が得られないだけでなく、発光寿命が短くなるという課題がある。
このような課題を解決するために、例えば、乾燥剤を含有する封止剤を用いて、発光層等が形成された基板面を缶封止した構造が提案されている（例えば、特許文献１参照）。また、発光層等が形成された基板面に凹部を形成すると共に、当該凹部内に乾燥剤が配置された構造が提案されている（例えば、特許文献２参照）。
【０００３】
【特許文献１】
特開２０００−１００５５８号公報
【特許文献２】
特開２０００−１７３７６６号公報
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、このような乾燥剤の種類としては物理吸着タイプと化学吸着タイプに大別される。物理吸着タイプの乾燥剤は一度吸着した水分を環境条件によって放出してしまうという性質を有しているため、有機ＥＬ表示装置に用いる乾燥剤としては不適であった。また、化学吸着タイプの乾燥剤は吸湿により水分と反応して膨張するという性質を有しており、当該膨張に伴って、封止剤が破壊されてしまう問題と、保護基板とＴＦＴ基板とが剥離してしまうという問題があった。
また、トップエミッション型の表示装置においては、乾燥剤を表示領域の外周に設置したり、また、封止剤に混入するのが一般的であるが、乾燥剤を配置する部位が限られ、多量に配置することができないため、夏季や加湿された室内環境下で有機ＥＬ素子等の劣化が急速に進み、発光寿命が短くなるという問題があった。
【０００５】
この発明は、このような事情を考慮してなされたもので、酸素や水分等の侵入に伴う有機ＥＬ素子等の劣化、ダークスポット欠陥の発生、又は短寿命化を防止する電気光学装置、及び電気光学装置の製造方法、並びに電子機器を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために、本発明は以下の手段を採用した。
即ち、本発明の電気光学装置は、基板上に対向電極と当該対向電極に狭持された発光層と保護部材とを具備する電気光学装置であって、基板の両面の空間を連通状態にする貫通孔と、基板上の発光層の反対側に位置するゲッター剤とを具備することを特徴とする。
ここで、基板とは、ガラス等の透明性を有する材料に限らず、薄膜フィルム、絶縁基板、シリコンウェハ等の所定材料からなるものであり、当該基板には後述のスイッチング素子、配線、各種電極等により構成された電気光学装置を駆動するための回路が形成される。
また、対向電極とは、陽極と陰極とを意味している。また、スイッチング素子の駆動に伴って、陽極の正孔と陰極の電子とが発光層に注入され、発光層においいては当該正孔及び電子が結合し、励起状態から失活することにより、発光現象が生ずる。
また、貫通孔とは、基板面内の所望の位置に形成されるものであり、その数は限定することなく単数又は複数である。
また、ゲッター剤とは、乾燥剤や脱酸素剤を意味しており、酸素や水分を吸着することにより、所定の空間を乾燥状態又は無酸素状態に維持するものである。ゲッター剤として乾燥剤を採用した場合には、乾燥剤が設置された空間内を乾燥雰囲気に維持すると共に、当該設置された空間に連通した空間も同様に乾燥雰囲気に維持する。
また、「発光層とは反対側の基板面」とは、発光光が出射しない側の基板面を意味している。なお、以下の説明においては、発光層が形成されている側の基板面を「上面」、ゲッター剤が配置されている側の基板面を「下面」と称して説明する。
従って、本発明によれば、貫通孔を介して基板両面が連通状態になっているので、基板下面に配置されたゲッター剤により上面側の空間が乾燥状態に維持され、基板上面側の空間に侵入する酸素や水分は当該ゲッター剤に吸収される。即ち、発光層の劣化、ダークスポット欠陥の発生、陰極の導電性低下等を防止し、安定した発光特性を得ることが可能になる。更に、電気光学装置の長寿命化を達成することが可能となる。更に、ゲッター剤が基板の下面に配置されるので、基板の上面に発光光を取り出す所謂トップエミッション型（封止側発光型）表示装置を容易に製造することができる。また、基板の下面には多量のゲッター剤を配置することができるので、上記の効果を更に促進することが可能になる。
【０００７】
また、本発明は先に記載の電気光学装置であり、保護部材は基板に対向する面に凹部を備え、貫通孔は凹部内の空間と連通していることを特徴とする。
ここで、保護部材とは、保護基板を意味しており、外部からの衝撃や、酸素や水分の侵入から電気光学装置を保護する部材である。また、発光層の上方に形成されるものであり、当該保護部材は好適な硬度を有した材料により形成され、また、電気光学装置の形態によっては可撓性を有した材料によって形成される。
また、凹部とは、保護部材の平面に対して相対的に形成された凹部を意味している。当該凹部は、発光光が出射する領域を除いて好適な位置に形成され、当該領域の周囲に形成されることが好ましい。
従って、本発明によれば、貫通孔と凹部の空間とが連通しているので、凹部内の空間は凹部内にゲッター剤を配置した場合と同様に乾燥状態に維持される。即ち、当該凹部に囲まれた部位に酸素や水分が浸入することがないので、先に記載の電気光学装置と同様の効果を奏すると共に、凹部が形成される位置に応じて、乾燥雰囲気の空間を容易に形成することができる。
【０００８】
また、本発明は先に記載の電気光学装置であり、保護部材は透明性材料からなることを特徴とする。
ここで、透明性材料としては、ガラス基板等が好適であるが、可撓性材料としては、アクリル等の樹脂基板等が採用される。
従って、本発明によれば、先に記載の電気光学装置と同様の効果を奏すると共に、トップエミッション型表示装置を提供することができる。トップエミッション型表示装置は、バックエミッション型（基板側発光型）と比較して、発光面積が大きいため、発光効率が高く、高輝度の表示装置となる。
【０００９】
また、本発明は先に記載の電気光学装置であり、保護部材には水分又は酸素を遮蔽する透明性遮蔽膜が形成されていることを特徴とする。また、当該透明性遮蔽膜は無機薄膜や有機薄膜のうちいずれか一方または両方を有していることが好ましい。
ここで、無機薄膜としてはシリコン酸化膜（ＳｉＯｘ）、シリコン窒化膜（ＳｉＮｘ）、シリコン酸窒化膜（ＳｉＯｘＮｙ）等が好ましい。また、シリコン窒化膜は透明性を有する程度の膜厚に形成することが好ましい。更に、当該透明性遮蔽膜が形成される部位は、保護部材の周囲のうち少なくとも一部に形成されていることが好ましく、即ち、上面、下面又は両面に形成されることが好ましい。なお、透明性遮蔽膜は、無機薄膜と有機薄膜の積層膜であってもよい。
従って、本発明によれば、水分や酸素に対する保護部材の遮蔽性が向上するので、先に記載の電気光学装置と同様の効果を奏する。
【００１０】
また、本発明の電気光学装置は、基板にはゲッター剤を密閉状態に保持する保持部材が形成されていることを特徴とする。
ここで、保持部材とは、その内部にゲッター剤を有したケースを意味する。また、当該保持部材と基板とは接着剤等により接着され、ゲッター剤は密閉状態に保持される。当該保持部材の材料としては、樹脂、金属、ガラス等が採用される。
従って、本発明によれば、ゲッター剤が密閉状態に保持されるので、基板の下面からの酸素や水分の侵入を抑制するので、先に記載の電気光学装置と同様の効果を奏する。
【００１１】
また、本発明の電気光学装置は、保持部材には水分又は酸素を遮蔽する遮蔽膜が形成されていることを特徴とする。また、遮蔽膜は無機薄膜や有機薄膜のうちいずれか一方または両方を有していることが好ましい。
無機薄膜としてはシリコン酸化膜、シリコン窒化膜、シリコン酸窒化膜等が好ましい。更に、当該透明性遮蔽膜が形成される部位は、保護部材の周囲のうち少なくとも一部に形成されていることが好ましく、即ち、上面、下面又は両面に形成されることが好ましい。なお、遮蔽膜は、無機薄膜と有機薄膜の積層膜であってもよい。
従って、本発明によれば、水分や酸素に対する保護部材の遮蔽性が向上するので、先に記載の電気光学装置と同様の効果を奏する。
【００１２】
また、本発明の電気光学装置の製造方法は、基板上に、対向電極と、当該対向電極に狭持された発光層と、保護部材とを具備する電気光学装置の製造方法であって、基板の両面の空間を連通状態にする貫通孔を形成する工程と、基板上の発光層の反対側にゲッター剤を配置する工程とを具備することを特徴とする。
従って、本発明によれば、先に記載の電気光学装置が製造されるので、同様の効果が得られる。
【００１３】
また、本発明の電気光学装置の製造方法は、保護部材に凹部を形成する工程と、当該凹部内の空間と貫通孔とを連通させて、基板と保護部材とを接着する工程とを具備することを特徴とする。
従って、本発明によれば、先に記載の電気光学装置が製造されるので、先に記載した電気光学装置と同様の効果が得られる。
【００１４】
また、本発明の電子機器は、先に記載の電気光学装置を具備することを特徴とする。
従って、本発明の電子機器としては、例えば、携帯電話機、移動体情報端末、時計、ワープロ、パソコンなどの情報処理装置などを例示することができる。特に、対角１０インチ以上の大型ディスプレイ、大型テレビに好適である。このように電子機器の表示部に、本発明の電気光学装置を採用することによって、長寿命の表示部を備えた電子機器となる。
これらの電子機器を製造するには、電気光学装置を携帯電話、携帯型情報処理装置、腕時計型電子機器等の各種電子機器の表示部に組み込むことにより製造される。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下では、本発明に係る電気光学装置、及び電気光学装置の製造方法、並びに電子機器の実施の形態について、図面を参照して説明する。なお、係る実施の形態は、本発明の一態様を示すものであり、この発明を限定するものではなく、本発明の技術的思想の範囲内で任意に変更可能である。なお、以下に示す各図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材ごとに縮尺を異ならせてある。
【００１６】
（第１の実施形態）
（ＥＬ表示装置）
まず、第１の実施形態として本発明の製造方法によって製造される電気光学装置について説明する。そこで、電気光学物質の一例である電界発光型物質、中でも有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）材料を用いたＥＬ表示装置について説明する。図１は本実施形態に係るＥＬ表示装置の配線構造を示す模式図である。
【００１７】
図１に示すＥＬ表示装置（電気光学装置）１は、薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ、以下では、ＴＦＴと略記する）を用いたアクティブマトリクス方式のＥＬ表示装置である。
【００１８】
このＥＬ表示装置１は、複数の走査線（配線）１０１…と、各走査線１０１に対して直角に交差する方向に延びる複数の信号線（配線）１０２…と、各信号線１０２に並列に延びる複数の電源線（配線）１０３…とがそれぞれ配線された構成を有するとともに、走査線１０１…と信号線１０２…の各交点付近に、画素領域Ｘ…が設けられている。
【００１９】
信号線１０２には、シフトレジスタ、レベルシフタ、ビデオライン及びアナログスイッチを備えるデータ線駆動回路１００が接続されている。また、走査線１０１には、シフトレジスタ及びレベルシフタを備える走査線駆動回路８０が接続されている。
【００２０】
更に、画素領域Ｘ各々には、走査線１０１を介して走査信号がゲート電極に供給されるスイッチング用ＴＦＴ（スイッチング素子）１１２と、このスイッチング用ＴＦＴ１１２を介して信号線１０２から共有される画素信号を保持する保持容量１１３と、該保持容量１１３によって保持された画素信号がゲート電極に供給される駆動用ＴＦＴ（スイッチング素子）１２３と、この駆動用ＴＦＴ１２３を介して電源線１０３に電気的に接続したときに当該電源線１０３から駆動電流が流れ込む画素電極（対向電極）２３と、当該画素電極２３と陰極（対向電極）５０との間に挟み込まれた機能層１１０とが設けられている。
【００２１】
このＥＬ表示装置１によれば、走査線１０１が駆動されてスイッチング用ＴＦＴ１１２がオン状態になると、そのときの信号線１０２から供給される電荷が保持容量１１３に保持され、該保持容量１１３の状態に応じて、駆動用ＴＦＴ１２３のオン・オフ状態が決まる。そして、駆動用ＴＦＴ１２３のチャネルを介して、電源線１０３から画素電極２３に電流が流れ、更に機能層１１０を介して陰極５０に電流が流れる。機能層１１０は、流れる電流量に応じて発光する。
【００２２】
次に、本実施形態のＥＬ表示装置１の具体的な態様を図２から図７を参照して説明する。図２はＥＬ表示装置１の構成を模式的に示す平面図である。図３は図２のＡ−Ｂ線に沿う断面図、図４は図２のＣ−Ｄ線に沿う断面図である。図５はカバー基板（保護部材）の斜視図、図６は後述する実発光領域４の画素部拡大断面図である。
【００２３】
図２に示すＥＬ表示装置１は、電気絶縁性を備える基板２０と、図示略のスイッチング用ＴＦＴに接続された画素電極が基板２０上にマトリックス状に配置される図示略の画素電極域と、画素電極域の周囲に配置されるとともに各画素電極に接続される図示略の電源線と、少なくとも画素電極域上に位置する平面視ほぼ矩形の画素部３（図中一点鎖線枠内）とを具備して構成されている。また画素部３は、中央部分の実表示領域４（図中二点鎖線枠内）と、実表示領域４の周囲に配置されたダミー領域５（一点鎖線および二点鎖線の間の領域）とに区画されている。
【００２４】
実表示領域４には、図１に示した画素領域Ｘに対応して画素Ｒ、Ｇ、Ｂが複数形成され、また、Ａ−Ｂ方向およびＣ−Ｄ方向に離間して配置されている。
また、実表示領域４の図中両側には、走査線駆動回路８０、８０が配置されている。この走査線駆動回路８０、８０はダミー領域５の下層側に位置して設けられている。
【００２５】
更に、実表示領域４の図中上側には、検査回路９０が配置されている。この検査回路９０はダミー領域５の下層側に位置して設けられている。この検査回路９０は、ＥＬ表示装置１の作動状況を検査するための回路であって、例えば検査結果を外部に出力する不図示の検査情報出力手段を備え、製造途中や出荷時の表示装置の品質、欠陥の検査を行うことができるように構成されている。
【００２６】
走査線駆動回路８０および検査回路９０の駆動電圧は、所定の電源部から駆動電圧導通部３１０（図３参照）および駆動電圧導通部３４０（図４参照）を介して印加されている。また、これら走査線駆動回路８０および検査回路９０への駆動制御信号および駆動電圧は、このＥＬ表示装置１の作動制御を司る所定のメインドライバなどから駆動制御信号導通部３２０（図３参照）および駆動電圧導通部３５０（図４参照）を介して送信および印加されるようになっている。なお、この場合の駆動制御信号とは、走査線駆動回路８０および検査回路９０が信号を出力する際の制御に関連するメインドライバなどからの指令信号である。
【００２７】
次に、図２を断面視した図３及び図４を用いて、ＥＬ表示装置１の構成について詳細に説明する。
ＥＬ表示装置１は、図３及び図４に示すように、基板２０上に形成された回路部１１を覆うように形成された陰極５０と、透明保護膜４０と、接着層４５と、カバー基板（保護部材）４６とが順に形成されている。更に、基板２０の下面（基板上の発光層の反対側）には、乾燥剤（ゲッター剤）３０を密閉状態に保持する保持ケース（保持部材）３１が設置されている。
このようなＥＬ表示装置１は、発光光を陰極側に取り出す構成であり、所謂トップエミッション型（封止側発光型）表示装置である。
【００２８】
基板２０は、透明基板及び不透明基板のいずれも用いることができる。不透明基板としては、例えば、アルミナ等のセラミック、ステンレススチール等の金属シートに表面酸化などの絶縁処理を施したものの他に、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂などが挙げられる。更に、図３に示すように基板２０には両面を連通状態にする貫通孔２０ａが設けられており、当該貫通孔２０ａは後述するようにカバー基板４６に形成された凹部４６ａ内の空間と連通している。
【００２９】
また、貫通孔２０ａの位置、形状、面積は、各種配線（走査線１０１、信号線１０２、電源線１０３、図１参照）のパターン、各種回路（データ線駆動回路１００、走査線駆動回路８０、検査回路９０、図２参照）等の位置、又は種種の設計事項に応じて好適に決定される。特に、貫通孔２０ａの面積は、各種製造工程及び使用環境に起因する基板の力学的変形や、温度変化に伴う内部応力等を検討した上で好適に決定される。
なお、貫通孔２０ａの数量は一つに限定することなく複数でもよい。
【００３０】
保持ケース３１は、乾燥剤３０を基板２０の下面側に保持する部材であり、樹脂、金属、ガラス等の好適な材料により形成されている。また、保持ケース３１の表面には保持ケース３１本体を覆うように遮蔽膜３１ａが形成されており、水分や酸素が保持ケース３１を透過して内部に侵入するのを抑制している。遮蔽膜３１ａは、無機材料からなる無機薄膜や、有機材料からなる有機薄膜等からなり、これらの積層膜であってもよい。無機薄膜の中でも、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、シリコン酸窒化膜等を採用することができる。
更に、保持ケース３１と基板２０とは、接着剤３２によって接着されており、乾燥剤３０が空間３１ｂ内に密閉されている。
【００３１】
透明保護膜４０は、発光光を遮蔽することなく透過させると共に、ＥＬ表示装置１の外部から侵入する水分や酸素に対するガスバリア性を備えた部材である。この透明保護膜４０の材料としては、酸化シリコンや窒化シリコン、酸窒化シリコン等が採用される。なお、窒化シリコンを採用する場合には、透明性を有する程度に薄膜化する必要がある。
接着層４５は、透明保護膜４０に保護部材であるカバー基板４６を接着すると共に、カバー基板４６に対する外部からの衝撃を緩衝する緩衝材としての機能を有するものである。
【００３２】
カバー基板４６は、発光光を取り出すために透明性材料により形成されており、電気絶縁性が高く、衝撃に強い材料であることが好ましい。なお、基板２０がフレキシブル基板である場合には、可撓性を有する材料が適宜採用される。
また、カバー基板４６には、図５に示すように凹部４６ａが形成されており、当該凹部４６ａは陰極５０（図２参照）の外周部に位置していると共に、貫通孔２０ａの位置と対応して配置されている。従って、保持ケース３１内の空間３１ｂと凹部４６ａ内の空間とが連通した空間になるので、凹部４６ａ内の空間は、凹部４６ａ内に乾燥剤３０を配置した場合と同様に乾燥状態に維持される。
なお凹部４６ａは、カバー基板４６作製時に射出形成などの方法で同時に形成してもよいし、凹凸のないフラットな板状の部材にエッチング、ブラスト、研削等の方法で形成してもよい。
【００３３】
更に、カバー基板４６には、カバー基板４６本体を覆うように透明性遮蔽膜４６ｂが形成されており、水分や酸素がカバー基板４６を透過するのを抑制している。透明性遮蔽膜４６ｂは、無機材料からなる無機薄膜や、有機材料からなる有機薄膜等からなり、これらの積層膜であってもよい。無機薄膜の中でも、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、シリコン酸窒化膜等を採用することができる。特に、シリコン窒化膜は厚膜化に伴って有色材料となるので、透明性を持たせるために薄膜化する必要がある。
なお本実施形態ではカバー基板４６の両面に透明性遮蔽膜４６ｂを形成しているが、カバー基板４６を透過する水分または酸素を充分遮蔽できる場合は片面だけに透明性遮蔽膜４６ｂを形成しても良いし、カバー基板４６そのものが水分または酸素を遮蔽できる場合は、透明性遮蔽膜４６ｂを形成しなくても良い。
【００３４】
また、基板２０上には、画素電極２３を駆動するための駆動用ＴＦＴ１２３などを含む回路部１１が形成され、更に、画素電極２３上に機能層１１０（図１参照）が設けられている。機能層１１０は、正孔を注入／輸送可能な正孔注入／輸送層７０と、電気光学物質の一つである有機ＥＬ物質を備える有機ＥＬ層（発光層）６０と、有機ＥＬ層６０に対して電子を注入する電子注入層５２とが順に形成されたものであり、画素電極２３と陰極５０とによって狭持されている。
従って、有機ＥＬ層６０においては、正孔注入／輸送層７０から注入された正孔と、陰極５０からの電子とが結合して発光光が発生するようになっている。
【００３５】
画素電極２３は、アルミ（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、タングステン（Ｗ）等の金属やＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ（登録商標））（出光興産社製）等の透明性金属等によって形成されており、これらの材料の単層構造や２層構造が好適に採用される。トップエミッション型の場合、画素電極としてＡｌを採用した場合、発光光を好適に反射するため、発光効率を向上させることができる。またＴｉとＩＴＯの積層膜の場合、ＩＴＯ、正孔注入／輸送層７０、有機ＥＬ層６０、電子注入層５２、陰極５０の屈折率を基に、各層の膜厚を最適化することで、入射光の反射を抑制し、画素部３を黒色化してコントラストを改善することができる。
【００３６】
正孔注入／輸送層７０は、例えば、ポリチオフェン誘導体、ポリピロール誘導体など、または、それらのドーピング体等の材料が採用される。より具体的には、例えば、ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳの一種であるバイトロン−ｐ（Ｂｙｔｒｏｎ−ｐ：バイエル社製）などを好適に用いることができる。
【００３７】
有機ＥＬ層６０は、蛍光あるいは燐光を発光することが可能な公知の発光材料が採用される。具体的には、（ポリ）フルオレン誘導体（ＰＦ）、（ポリ）パラフェニレンビニレン誘導体（ＰＰＶ）、ポリフェニレン誘導体（ＰＰ）、ポリパラフェニレン誘導体（ＰＰＰ）、ポリビニルカルバゾール（ＰＶＫ）、ポリチオフェン誘導体、ポリメチルフェニルシラン（ＰＭＰＳ）などのポリシラン系などが好適に用いられる。また、これらの高分子材料に、ペリレン系色素、クマリン系色素、ローダミン系色素などの高分子系材料、例えば、ルブレン、ペリレン、９，１０−ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリン６、キナクリドン等の低分子材料をドープして用いることができる。
また、有機ＥＬ層６０の膜厚は、１００ｎｍ程度であることが好ましい。
【００３８】
上記の正孔注入／輸送層７０と、有機ＥＬ層６０の形成方法としては、液体吐出法が好適に用いられる。当該液体吐出法においては、各種材料を好適な溶媒に溶解させた液体材料を微細な領域に正確に吐出して定着させることができるので、フォトリソグラフィが不要になり、材料の無駄が発生せず、製造コストの低減が可能になる。
【００３９】
電子注入層５２を形成するための材料としては、例えばバソクプロインとセシウムの共蒸着膜が好適に採用される。バソクプロインとセシウムの共蒸着膜は、バソクプロインとセシウムを蒸発源とする共蒸着法により形成される。
【００４０】
陰極５０は、図３から図６に示すように、実表示領域４およびダミー領域５の総面積より広い面積を備え、それぞれを覆うように形成されている。
陰極５０を形成するための材料としては、所謂トップエミッション型のＥＬ表示装置の場合には、透明性を備えた公知の材料として、ＩＴＯが好適に採用される。その他の透明性を備えた金属として、金属酸化物に亜鉛（Ｚｎ）を含有した材料、例えば、酸化インジウム・酸化亜鉛系アモルファス透明導電膜（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ：ＩＺＯ／アイ・ゼット・オー）（登録商標））（出光興産社製）等を採用することができる。
また、所謂バックエミッション型のＥＬ表示装置の場合には、特に光透過性を備えた材料を採用する必要はなく、好適な材料であればよい。
このような陰極５０は、上記の材料のターゲット材を用いたスパッタリング法、或いは上記材料を含有する反応性ガスを用いるＣＶＤ法などにより形成される。
【００４１】
次に、実表示領域４に設けられた駆動用ＴＦＴ１２３の近傍の構成について、図６を参照して説明する。
図６に示すように、基板２０の表面には、ＳｉＯ２を主体とする下地保護層２８１を下地として、その上層にはシリコン層（スイッチング素子）２４１が形成されている。このシリコン層２４１の表面は、ＳｉＯ２および／またはＳｉＮを主体とするゲート絶縁層（絶縁膜）２８２によって覆われている。なお、本明細書において、「主体」とする成分とは、構成成分のうち最も含有率の高い成分を指すこととする。また、シリコン層２４１、ゲート絶縁層２８２、ゲート電極２４２などの構造体から駆動用ＴＦＴ１２３が構成されている。
【００４２】
このシリコン層２４１のうち、ゲート絶縁層２８２を挟んでゲート電極２４２と重なる領域がチャネル領域２４１ａとされている。なお、このゲート電極２４２は図示略のスイッチング用ＴＦＴ１１２のドレイン領域に電気的に接続されている。一方、シリコン層２４１を覆い、ゲート電極２４２が形成されたゲート絶縁層２８２の表面は、ＳｉＯ２を主体とする層間絶縁層（絶縁膜）２８３によって覆われている。
【００４３】
また、シリコン層２４１のうち、チャネル領域２４１ａのソース側には低濃度ソース領域２４１ｂおよび高濃度ソース領域２４１Ｓが設けられる一方、チャネル領域２４１ａのドレイン側には低濃度ドレイン領域２４１ｃおよび高濃度ドレイン領域２４１Ｄが設けられて、所謂ＬＤＤ（Ｌｉｇｈｔ  Ｄｏｐｅｄ  Ｄｒａｉｎ）構造となっている。これらのうち、高濃度ソース領域２４１Ｓは、ゲート絶縁層２８２と層間絶縁層２８３とにわたって開孔するコンタクトホール２４３ａを介して、ソース電極２４３に接続されている。このソース電極２４３は、上述した電源線１０３（図１参照、図６においてはソース電極２４３の位置に紙面垂直方向に延在する）の一部として構成される。一方、高濃度ドレイン領域２４１Ｄは、ゲート絶縁層２８２と層間絶縁層２８３とにわたって開孔するコンタクトホール２４４ａを介して、ソース電極２４３と同一層からなるドレイン電極２４４に接続されている。更に、ソース電極２４３およびドレイン電極２４４が形成された層間絶縁層２８３の上層は、平坦化絶縁層２８４によって覆われている。
【００４４】
平坦化絶縁層２８４は、基板２０上に形成された上記の部位、即ち、シリコン層２４１、ゲート電極２４２、ソース電極２４３、ドレイン電極２４４、ゲート絶縁層２８２、層間絶縁層２８３等の各種素子の上方に形成される層間絶縁膜であり、当該各種素子の配置に伴って相対的に形成された凹凸部を埋設し、平坦化を施している。
以上に説明した基板２０から平坦化絶縁層２８４までの層は回路部１１を構成している。
【００４５】
更に、この平坦化絶縁層２８４の面上には、画素電極２３が形成されると共に、平坦化絶縁層２８４を貫通するようにコンタクトホール２３ａが形成され、当該コンタクトホールに埋設された配線を介して、画素電極２３とドレイン電極２４４とが接続されている。即ち、画素電極２３は、ドレイン電極２４４を介して、シリコン層２４１の高濃度ドレイン領域２４１Ｄに電気的に接続されている。
【００４６】
なお、走査線駆動回路８０および検査回路９０に含まれるＴＦＴ（駆動回路用ＴＦＴ）、すなわち、例えばこれらの駆動回路のうち、シフトレジスタに含まれるインバータを構成するＮチャネル型又はＰチャネル型のＴＦＴは、画素電極２３と接続されていない点を除いて上記駆動用ＴＦＴ１２３と同様の構造であり、同一のプロセスで形成される。
【００４７】
画素電極２３が形成された平坦化絶縁層２８４の表面は、画素電極２３と、例えばＳｉＯ２などの親液性材料を主体とする親液性制御層２５と、アクリル樹脂やポリイミド樹脂などからなる有機バンク層（バンク）２２１とによって覆われている。そして、画素電極２３には親液性制御層２５に設けられた開口部２５ａ、および有機バンク２２１に設けられた開口部２２１ａの開口内部に、正孔注入／輸送層７０と、有機ＥＬ層６０とが画素電極２３側からこの順で積層されている。なお、本実施形態における親液性制御層２５の「親液性」とは、少なくとも有機バンク層２２１を構成するアクリル樹脂、ポリイミド樹脂などの材料と比べて親液性が高いことを意味するものとする。
【００４８】
また、本実施形態のＥＬ表示装置１は、カラー表示を行うべく、各有機ＥＬ層６０が、その発光波長帯域が光の三原色にそれぞれ対応して形成されている。例えば、有機ＥＬ層６０として、発光波長帯域が赤色に対応した赤色用有機ＥＬ層６０Ｒ、緑色に対応した緑色用有機ＥＬ層６０Ｇ、青色に対応した青色用有機ＥＬ層６０Ｂとをそれぞれに対応する画素Ｒ、Ｇ、Ｂに設け、これら画素Ｒ、Ｇ、Ｂをもってカラー表示を行う１画素が構成されている。
【００４９】
このように構成されたＥＬ表示装置１においては、基板２０に貫通孔２０ａが形成されると共に、乾燥剤３０が配置された空間３１ｂと、カバー基板４６の凹部４６ａ内の空間とが連通状態となっているので、凹部４６ａ内は乾燥状態に維持される。従って、外部から水分が凹部４６ａ内に侵入した場合であっても、乾燥剤３０に吸収される。即ち、画素部３の領域内に水分が浸入することがなく、有機ＥＬ層６０の劣化、ダークスポット欠陥の発生、陰極５０の導電性低下等を防止し、安定した発光特性を得ることが可能になる。更に、ＥＬ表示装置１の長寿命化を達成することが可能となる。更に、乾燥剤３０が基板２０の下面に配置されるので、トップエミッション型表示装置を容易に製造することができる。また、乾燥剤３０が保持ケース３１内に保持されるので、従来よりも多量の乾燥剤３０を配置することができるので、上記の効果を更に長期間維持することが可能になる。
【００５０】
なお、本実施形態においては、ゲッター剤として乾燥剤３０を配置し、水分の侵入を抑制しているが、乾燥剤３０に限定することなく脱酸素剤を配置してもよい。この場合、酸素の侵入が抑制されるので上記と同様の効果が得られる。
【００５１】
（ＥＬ表示装置の製造方法）
次に、本実施形態に係るＥＬ表示装置１の製造方法の一例として、トップエミッション型ＥＬ表示装置の製造方法について、図７から図１１を参照して説明する。なお、図７から図１１に示す各断面図は、図２のＡ−Ｂ線の断面図に対応しており、各製造工程順に示している。
【００５２】
まず、図７（ａ）に示すように、基板２０の表面に、下地保護層２８１を形成する。次に、下地保護層２８１上に、プラズマＣＶＤ法などを用いてアモルファスシリコン層５０１を形成した後、レーザアニール法又は急速加熱法により結晶粒を成長させてポリシリコン層とする。
【００５３】
次に、図７（ｂ）に示すように、ポリシリコン層をフォトリソグラフィ法によりパターニングし、島状のシリコン層２４１、２５１および２６１を形成する。これらのうちシリコン層２４１は、実表示領域４内に形成され、画素電極２３に接続される駆動用ＴＦＴ１２３を構成するものであり、シリコン層２５１、２６１は、走査線駆動回路８０に含まれるＰチャネル型およびＮチャネル型のＴＦＴ（駆動回路用ＴＦＴ）をそれぞれ構成するものである。
【００５４】
次に、プラズマＣＶＤ法、熱酸化法などの方法により、シリコン層２４１、２５１および２６１、下地保護層２８１の全面に厚さが約３０ｎｍ〜２００ｎｍのシリコン酸化膜からなるゲート絶縁層２８２を形成する。ここで、熱酸化法を利用してゲート絶縁層２８２を形成する際には、シリコン層２４１、２５１および２６１の結晶化も行い、これらのシリコン層をポリシリコン層とすることができる。
【００５５】
また、シリコン層２４１、２５１および２６１にチャネルドープを行う場合には、例えば約１×１０１２ｃｍ−２のドーズ量でボロンイオンを打ち込む。その結果、シリコン層２４１、２５１および２６１は、不純物濃度（活性化アニール後の不純物にて算出）が約１×１０１７ｃｍ−３の低濃度Ｐ型のシリコン層となる。
【００５６】
次に、Ｐチャネル型ＴＦＴ、Ｎチャネル型ＴＦＴのチャネル層の一部にイオン注入選択マスクを形成し、この状態でリンイオンを約１×１０１５ｃｍ−２のドーズ量でイオン注入する。その結果、パターニング用マスクの開口部に対して高濃度不純物が導入され、図７（ｃ）に示すように、シリコン層２４１及び２６１中に高濃度ソース領域２４１Ｓおよび２６１Ｓ並びに高濃度ドレイン領域２４１Ｄおよび２６１Ｄが形成される。
【００５７】
次に、図７（ｃ）に示すように、ゲート絶縁層２８２の表面全体に、ドープドシリコンやシリサイド膜、或いはアルミニウム膜やクロム膜、タンタル膜という金属膜からなるゲート電極形成用導電層５０２を形成する。この導電層５０２の厚さは概ね５００ｎｍ程度である。その後、フォトリソグラフィ法により、図７（ｄ）に示すように、Ｐチャネル型の駆動回路用ＴＦＴを形成するゲート電極２５２、画素用ＴＦＴを形成するゲート電極２４２、Ｎチャネル型の駆動回路用ＴＦＴを形成するゲート電極２６２を形成する。また、駆動制御信号導通部３２０（３５０）、陰極電源配線の第１層１２１も形成する。なお、この場合、駆動制御信号導通部３２０（３５０）はダミー領域５に配設するものとされている。
【００５８】
次に、図７（ｄ）に示すように、ゲート電極２４２，２５２および２６２をマスクとして用い、シリコン層２４１，２５１および２６１に対してリンイオンを約４×１０１３ｃｍ−２のドーズ量でイオン注入する。その結果、ゲート電極２４２，２５２および２６２に対して低濃度不純物が導入され、図７（ｃ）および（ｄ）に示すように、シリコン層２４１および２６１中に低濃度ソース領域２４１ｂおよび２６１ｂ、並びに低濃度ドレイン領域２４１ｃおよび２６１ｃが形成される。また、シリコン層２５１中に低濃度不純物領域２５１Ｓおよび２５１Ｄが形成される。
【００５９】
次に、図８（ｅ）に示すように、Ｐチャネル型の駆動回路用ＴＦＴ２５２以外の部分を覆うイオン注入選択マスク５０３を形成する。このイオン注入選択マスク５０３を用いて、シリコン層２５１に対してボロンイオンを約１．５×１０１５ｃｍ−２のドーズ量でイオン注入する。結果として、Ｐチャネル型駆動回路用ＴＦＴを構成するゲート電極２５２もマスクとして機能するため、シリコン層２５２中に高濃度不純物がドープされる。従って、低濃度不純物領域２５１Ｓおよび２５１Ｄはカウンタードープされ、Ｐ型チャネル型の駆動回路用ＴＦＴのソース領域およびドレイン領域となる。
【００６０】
次に、図８（ｆ）に示すように、基板２０の全面にわたって層間絶縁層２８３を形成すると共に、フォトリソグラフィ法を用いて当該層間絶縁層２８３およびゲート絶縁層２８２をエッチングすることによって、各ＴＦＴのソース電極およびドレイン電極に対応する位置にコンタクトホールＣを形成する。
【００６１】
次に、図８（ｇ）に示すように、層間絶縁層２８３を覆うように、アルミニウム、クロム、タンタルなどの金属からなる導電層５０４を形成する。この導電層５０４の厚さは概ね２００ｎｍないし８００ｎｍ程度である。この後、導電層５０４のうち、各ＴＦＴのソース電極およびドレイン電極が形成されるべき領域２４０ａ、駆動電圧導通部３１０（３４０）が形成されるべき領域３１０ａ、陰極電源配線の第２層が形成されるべき領域１２２ａを覆うようにエッチング用マスク５０５を形成すると共に、当該導電層５０４をエッチングして、図９（ｈ）に示すソース電極２４３、２５３、２６３、ドレイン電極２４４、２５４、２６４を形成する。
【００６２】
次に、図９（ｉ）に示すように、平坦化絶縁層２８４を形成する。当該平坦化絶縁層２８４の形成方法としては、感光性アクリル樹脂を用いる方法が挙げられる。まず、液状の感光性アクリル樹脂をスピンコート法により塗布した後にプレベークする。
【００６３】
次に、コンタクトホール２３ａのパターンマスクを介して紫外光を感光性アクリル樹脂に照射する露光工程を施し、コンタクトホール２３ａ及び陰極電源配線が形成される部分の感光性アクリル樹脂を除去する現像工程を施し、熱処理によるキュア（焼成）を行うことにより、平坦化絶縁層２８４が硬化される（図９（ｊ））。
【００６４】
更に、基板２０の全面を覆うように画素電極２３となる導電膜を形成する。そして、この透明導電膜をパターニングすることにより、図１０（ｋ）に示すように、平坦化絶縁層２８４のコンタクトホール２３ａを介してドレイン電極２４４と導通する画素電極２３を形成すると同時に、ダミー領域のダミーパターン２６も形成する、なお、図３、４では、これら画素電極２３、ダミーパターン２６を総称して画素電極２３としている。
なお、画素電極２３はＩＴＯ、ＩＺＯなどの透明材料でも良いし、チタンとＩＴＯ、アルミとＩＺＯ等の積層構造でも良い。
【００６５】
ダミーパターン２６は、平坦化絶縁層２８４を介して下層のメタル配線へ接続しない構成とされている。即ち、ダミーパターン２６は、島状に配置され、実表示領域４に形成されている画素電極２３の形状とほぼ同一の形状を有している。もちろん、実表示領域４に形成されている画素電極２３の形状と異なる構造であってもよい。なお、この場合、ダミーパターン２６は少なくとも上記駆動電圧導通部３１０（３４０）の上方に位置するものも含むものとする。
【００６６】
次に、図１０（ｌ）に示すように、画素電極２３、ダミーパターン２６上、および第２層間絶縁膜上に絶縁層である親液性制御層２５を形成する。なお、画素電極２３においては一部が開口する態様にて親液性制御層２５を形成し、開口部２５ａ（図３も参照）において画素電極２３からの正孔移動が可能とされている。ダミー領域５においては、親液性制御層２５に開口部を設けない構造となっているが、設けてもかまわない。
【００６７】
次に、図１０（ｍ）に示すように、親液性制御層２５の所定位置に有機バンク層２２１を形成する。具体的な有機バンク層２２１の形成方法としては、感光性アクリル樹脂、感光性ポリイミド樹脂を用いる方法が挙げられる。なお、有機バンク層２２１の構成材料は、後述するインクの溶媒に溶解せず、しかもエッチングなどによってパターニングし易いものであればどのようなものでも良く、感光性を有し露光現像によってパターン形成できることが更に望ましい。
【００６８】
まず、親液性制御層２５形成後の基板に、液状感光性アクリル樹脂をスピンコート法によって塗布し、次いでプレベークする。その後、有機バンク層２２１のパターンマスクを通して紫外光を感光性アクリル樹脂層に照射し、現像、焼成することで有機質物のバンク開口部２２１ａを形成し、開口部２２１ａに壁面を備えた有機バンク層２２１を形成する。なお、この場合、有機バンク層２２１は少なくとも上記駆動制御信号導通部３２０の上方に位置するものを含むものとされる。
次に、基板２０に貫通孔２０ａを形成する（基板の両面の空間を連通状態にする貫通孔を形成する工程）。また、貫通孔２０ａの位置は、後述のカバー基板４６に形成される凹部４６ａの位置に対応している。なお、貫通孔２０ａを形成する方法は、エッチング法、サンドブラスト、ドリル加工、レーザー加工が挙げられるが、これらに限定されず、他の方法であってもよい。
【００６９】
次に、画素電極２３、親液性制御層２５、有機バンク層２２１の表面にプラズマ処理することにより、親液性を示す領域と、撥液性を示す領域を形成する。具体的には、該プラズマ処理工程は、予備加熱工程と、有機バンク層２２１の上面および開口部２２１ａの壁面ならびに画素電極２３の電極面２３ｃ、親液性制御層２５の上面を親液性にする親インク化工程と、有機バンク層２２１の上面および開口部２２１ａの壁面を撥液性にする撥インク化工程とを具備している。
【００７０】
即ち、基材（バンクなどを含む基板２０）を所定温度、例えば７０〜８０℃程度に加熱し、次に親インク化工程として大気圧下で酸素を反応ガスとするプラズマ処理（Ｏ２プラズマ処理）を行う。次に、撥インク化工程として大気圧下で４フッ化メタンを反応ガスとするプラズマ処理（ＣＦ４プラズマ処理）を行い、その後、プラズマ処理のために加熱された基材を室温まで冷却することで、親液性および撥液性が所定箇所に付与されることとなる。
【００７１】
なお、このＣＦ４プラズマ処理においては、画素電極２３の電極面２３ｃおよび親液性制御層２５についても多少の影響を受けるが、画素電極２３の材料であるＩＴＯはフッ素に対する親和性に乏しく、またシリコンのフッ素化合物は不安定だったり蒸気圧が高かったりするため、ＳｉＯ２がフッ素化されても親液性が保たれる。
【００７２】
次に、正孔注入／輸送層７０を形成するべく正孔注入／輸送層形成工程が行われる。正孔注入／輸送層形成工程では、インクジェット法（液体吐出法）により、正孔注入／輸送層材料を含む材料インクを電極面２３ｃ上に吐出した後に、乾燥処理および熱処理を行い、電極２３上に正孔注入／輸送層７０を形成する。なお、この正孔注入／輸送層形成工程以降は、正孔注入／輸送層７０および有機ＥＬ層６０の酸化を防止すべく、窒素雰囲気、アルゴン雰囲気などの不活性ガス雰囲気で行うことが好ましい。
このようなインクジェット法によれば、インクジェットヘッド（図示略、吐出ヘッド）に正孔注入／輸送層材料を含む材料インクを充填し、インクジェットヘッドの吐出ノズルを親液性制御層２５に形成された上記開口部２５ａ内に位置する電極面２３ｃに対向させ、インクジェットヘッドと基板２０とを相対移動させながら、吐出ノズルから１滴当たりの液量が制御された液滴を電極面２３ｃに吐出する。次に、吐出後の液滴を乾燥処理して材料インクに含まれる極性溶媒を蒸発させることにより、正孔注入／輸送層７０が形成される。
材料インクとしては、例えば、ポリエチレンジオキシチオフェンなどのポリチオフェン誘導体と、ポリスチレンスルホン酸などの混合物を、イソプロピルアルコールなどの極性溶媒に溶解させたものを用いることができる。ここで、吐出された液滴は、親インク処理された電極面２３ｃおよび親液性制御層２５の上に広がる。その一方で、撥インク処理された有機バンク層２２１の上面では、液滴がはじかれて付着しない。従って、液滴が所定の吐出位置からずれて、有機バンク層２２１の表面に液滴の一部がかかったとしても、有機バンク層２２１表面が液滴で濡れることがなく、弾かれた液滴が親液性制御層２５および電極２３の露出領域に引き込まれる。更に、上記の平坦化絶縁層２８４が形成されているので、液滴が電極２３表面に濡れ広がり、均一な厚さの正孔注入／輸送層７０を形成可能である。
【００７３】
次に、有機ＥＬ層６０を形成すべく発光層形成工程が行われる。発光層形成工程では、上記と同様のインクジェット法により、発光層用材料を含む材料インクを正孔注入／輸送層７０上に吐出した後に乾燥処理および熱処理して、有機バンク層２２１に形成された開口部２２１ａ内に有機ＥＬ層６０を形成する。
【００７４】
発光層形成工程では、正孔注入／輸送層７０の再溶解を防止するために、発光層形成の際に用いる材料インクの溶媒として、正孔注入／輸送層７０が不溶な無極性溶媒を用いる。
この発光層形成工程としては、例えばインクジェットヘッド（図示略）に、青色（Ｂ）発光層の材料を含有する材料インクを充填し、インクジェットヘッドの吐出ノズルを有機バンク層２２１の開口部２２１ａ内に位置する正孔注入／輸送層７０に対向させ、インクジェットヘッドと基板２０とを相対移動させながら、吐出ノズルから青色（Ｂ）発光層の材料を含有する材料インクを、１滴当たりの液量が制御された液滴として、正孔注入／輸送層７０上に吐出する。
【００７５】
吐出された液滴は、正孔注入／輸送層７０上に広がって有機バンク層２２１の開口部２２１ａ内に満たされる。その一方で、撥インク処理された有機バンク層２２１表面では、液滴が弾かれて付着しない。これにより、液滴が所定の吐出位置からずれて有機バンク層２２１表面に液滴の一部がかかったとしても、該上面が液滴で濡れることがなく、液滴が上記有機バンク層２２１の開口部２２１ａ内に引き込まれる。次に、吐出後の液滴を乾燥処理することにより材料インクに含まれる無極性溶媒を蒸発させ、有機ＥＬ層６０が形成される。なお、各色の有機ＥＬ層６０は、それぞれ各色表示領域Ｒ、Ｇ、Ｂ（図６参照）に対応して液滴が滴下される。更に、上記の平坦化絶縁層２８４が形成されているので、液滴が正孔注入／輸送層７０の表面に均一に濡れ広がる。
【００７６】
ここで、正孔注入／輸送層７０、有機ＥＬ層６０をそれぞれインクジェットプロセスにより形成するが、この際、インクジェットヘッドは発光ドット間のピッチに合わせてヘッドまたは基板の移動方向に対する傾きを制御している。
【００７７】
次に、図１１（ｎ）に示すように、有機ＥＬ層６０上に電子注入層５２を形成すべく電子注入層形成工程が行われ、この工程においては蒸着法が用いられる。ここで蒸着法とは、真空容器内で金属または／および有機物を加熱・蒸発させ、材料原子または分子を所望の基板に堆積させて薄膜を形成する方法であり、高品質の薄膜をナノメートルオーダーで容易に形成する方法である。
【００７８】
続いて、図１１（ｏ）に示すように、陰極５０を形成すべく陰極層形成工程が行われ、この陰極層形成工程はスパッタリング法が用いられ、陰極５０の材料としては透明導電膜となるＩＴＯが用いられ、膜厚が１５０ｎｍとなるように形成される。
【００７９】
更に、透明保護膜４０、接着層４５、カバー基板４６を順に形成する。
当該工程においては、真空雰囲気中あるいは窒素、アルゴン、ヘリウムなどの不活性ガス雰囲気中で行うことが好ましい。
ここで、カバー基板４６ｂを形成する際には、貫通孔２０ａと凹部４６ｂとの位置が合致するように位置決め工程が行われる。
なお、カバー基板４６には、予め透明性遮蔽膜４６ｂが形成されている。無機透明性遮蔽膜４６ｂの形成方法としては、ＣＶＤ法、蒸着法、スパッタ法等が用いられ、有機透明性遮蔽膜４６ｂの形成方法としては、スピンコート法、ロールコート法、スリットコート法等が用いられる。その材料としてはシリコンを含有する無機薄膜やアクリルなどの有機薄膜が用いられる。
【００８０】
更に、基板２０の下面（基板上の発光層の反対側）において、乾燥剤３０を配置した保持ケース３１と基板２０と接着剤３２により接着する。
なお、保持ケース３１には、予め遮蔽膜３１ａが形成されている。無機遮蔽膜３１ａの形成方法としては、ＣＶＤ法、蒸着法、スパッタ法等が用いられ、有機透明性遮蔽膜４６ｂの形成方法としては、スピンコート法、ロールコート法、スリットコート法等が用いられる。その材料としてはシリコンを含有する無機薄膜やアクリルなどの有機薄膜が用いられる。
このような一連の工程により、ＥＬ表示装置１が完成となる。
【００８１】
本実施形態のＥＬ表示装置１の製造方法によれば、貫通孔２０ａを介して凹部４６ａ内の空間が乾燥剤３０によって乾燥状態に維持されるので、先に記載したＥＬ表示装置１と同様の効果を奏する。
【００８２】
（第２の実施形態）
以下、第１の実施形態のＥＬ表示装置を備えた電子機器の具体例について図１２に基づき説明する。
図１２（ａ）は、携帯電話の一例を示した斜視図である。図１２（ａ）において、符号１０００は携帯電話本体を示し、符号１００１は前記のＥＬ表示装置を用いた表示部を示している。
図１２（ｂ）は、腕時計型電子機器の一例を示した斜視図である。図１２（ｂ）において、符号１１００は腕時計型電子機器本体を示し、符号１１０１は前記のＥＬ表示装置を用いた表示部を示している。
図１２（ｃ）は、ワープロ、パソコンなどの携帯型情報処理装置の一例を示した斜視図である。図１２（ｃ）において、符号１２００は情報処理装置、符号１２０１はキーボードなどの入力部、符号１２０２は前記のＥＬ表示装置を用いた表示部、符号１２０３は情報処理装置本体を示している。
【００８３】
図１２（ａ）〜（ｃ）に示すそれぞれの電子機器は、前記の第１の実施形態のＥＬ表示装置を用いた表示部を備えたものであり、先の第１の実施形態のＥＬ表示装置の特徴を有するので、好適な電子機器となる。
これらの電子機器を製造するには、第１の実施形態のＥＬ表示装置１を、携帯電話、携帯型情報処理装置、腕時計型電子機器などの各種電子機器の表示部に組み込むことにより製造される。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のＥＬ表示装置の配線構造を示す模式図。
【図２】本発明のＥＬ表示装置の構成を模式的に示す平面図。
【図３】図２のＡ−Ｂ線に沿う断面図。
【図４】図２のＣ−Ｄ線に沿う断面図。
【図５】カバー基板の斜視図。
【図６】図３の要部拡大断面図。
【図７】本発明のＥＬ表示装置の製造方法を説明する工程図。
【図８】図７に続く本発明のＥＬ表示装置の製造方法を説明する工程図。
【図９】図８に続く本発明のＥＬ表示装置の製造方法を説明する工程図。
【図１０】図９に続く本発明のＥＬ表示装置の製造方法を説明する工程図。
【図１１】図１０に続く本発明のＥＬ表示装置の製造方法を説明する工程図。
【図１２】本発明の電子機器を示す斜視図。
【符号の説明】
１、  ＥＬ表示装置（電気光学装置）、２０  基板、２０ａ  貫通孔、２３  画素電極（対向電極）、３０  乾燥剤（ゲッター剤）、３１  保持ケース（保持部材）、３１ａ  遮蔽膜、４６  カバー基板（保護部材）、４６ａ  凹部、４６ｂ透明性遮蔽膜、５０  陰極（対向電極）、６０  有機ＥＬ層（発光層）、１０００、１１００、１２００  電子機器
【図１】
2004303643.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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