(57)【要約】【課題】放電遅れ時間を短くして電圧印加に対する放電発生の優れた応答性を有するとともに、その放電遅れ時間の温度に対する変化やライフ時間に対する変化が抑制されたプラズマディスプレイパネルを得る。【解決手段】基板（前面基板４）上に形成した走査電極５および維持電極６を覆うように誘電体層９を形成し、誘電体層９上に保護層１０を形成したプラズマディスプレイパネルであって、保護層１０は炭化珪素を含み、その炭化珪素の濃度は保護層１０の厚み方向に変化する構成とする。また、保護層１０中の炭化珪素の濃度は、保護層１０の表面から深くなるにしたがって増加するように構成する。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成した走査電極および維持電極を覆うように誘電体層を形成し、前記誘電体層上に保護層を形成したプラズマディスプレイパネルであって、前記保護層は炭化珪素を含み、前記炭化珪素の濃度は前記保護層の厚み方向に変化する構成としたことを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項２】
保護層中の炭化珪素の濃度は、前記保護層の表面から深くなるにしたがって増加することを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項３】
保護層は炭化珪素を含む酸化マグネシウムからなり、前記保護層中の炭化珪素の平均濃度が４０重量ｐｐｍ〜１５０００重量ｐｐｍであることを特徴とする請求項１または２に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項４】
基板上に形成した走査電極および維持電極を覆うように誘電体層を形成し、前記誘電体層上に保護層を形成したプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、基板を上流側から下流側に移動させながら成膜することにより保護層を形成する際に、前記基板の移動方向に沿って複数の保護層用材料を配置するとともに、上流側に比べて下流側に配置する保護層用材料に含まれる炭化珪素の濃度を低く設定したことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項５】
最も下流側に、炭化珪素を含まない保護層用材料を配置したことを特徴とする請求項４に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項６】
基板上に形成した走査電極および維持電極を覆うように誘電体層を形成し、前記誘電体層上に保護層を形成したプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、所定濃度の炭化珪素を含む第１の保護層用材料と、前記所定濃度よりも低い濃度の炭化珪素を含む第２の保護層用材料とを用い、時間の経過に伴って、前記第１の保護層用材料による成膜レートを減少させるとともに、前記第２の保護層用材料による成膜レートを増加させて成膜することにより前記保護層を形成することを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項７】
第２の保護層用材料として、炭化珪素を含まない材料を用いることを特徴とする請求項６に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、画像表示装置などに用いるプラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）およびその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
交流面放電型のＰＤＰは、走査電極および維持電極からなる表示電極を複数形成した前面基板と、その表示電極に直交するようにアドレス電極を複数形成した背面基板とを、基板間に放電空間を形成するように対向配置して周囲を封着し、放電空間にネオンおよびキセノンなどの放電ガスを封入して構成されている。表示電極は誘電体層で覆われ、この誘電体層上には保護層が形成されている。この保護層は、一般的に、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）のような耐スパッタ性の高い物質を用いて形成されており、放電で生じるイオン衝撃から誘電体層を保護している。また、各表示電極は１つのラインを構成し、表示電極とアドレス電極とが交差する部分にセルが形成される。
【０００３】
このようなＰＤＰでは、映像信号の１フィールド（１／６０秒）を、輝度の重みづけを有する複数のサブフィールドによって構成しており、各サブフィールドは、１ラインずつ順番に走査しながら点灯させるべきセルにおいて書き込み放電を発生させてデータの書き込みを行うアドレス期間と、アドレス期間でデータが書き込まれたセルにおいて輝度の重みづけに対応した回数だけ放電を起こしてセルを点灯させるサステイン期間を有している。
【０００４】
ところで、テレビ映像を表示する場合には、１フィールド内で各サブフィールドの全ての動作を終了させる必要があるので、セルの高精細化に伴ってライン数が増加すると、各ラインでの書き込み放電を、より短時間で行わなければならない。すなわち、アドレス期間において、書き込み放電を発生させるために走査電極およびアドレス電極に印加するパルスの幅を狭くして高速駆動を行わなければならない。しかし、パルスの立ち上がりから或る時間だけ遅れて放電が発生するという「放電遅れ」が存在するために、上記のような高速駆動を行おうとすると、パルスが印加されている間に放電が終了する確率が低くなり、本来点灯すべきセルにデータの書き込みができずに点灯不良が生じ、表示品質が悪くなる場合があった。
【０００５】
上記の放電遅れが生じる主要な要因として、放電が開始される際にトリガーとなる初期電子が、保護層から放電空間中に放出されにくくなっていることが考えられる。そこで、保護層について検討することにより、表示品質を改善できることが期待される。
【０００６】
このような状況の中で、ＭｇＯからなる保護層に珪素（Ｓｉ）を含ませることにより、二次電子の放出量が増大し、表示品質を高めることができると報告されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００７】
【特許文献１】
特開平１０−３３４８０９号公報
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、ＭｇＯからなる保護層にＳｉを含ませた場合、保護層の温度によって電子放出能力が大きく変動し、放電遅れ時間が大きく変動するため、ＰＤＰを使用するときの環境温度によって画像表示品位が変化するという課題があった。また、ＰＤＰの使用時間が増えていくにつれて放電特性が変化し、長時間使用すると画像表示品位が悪くなるという課題があった。
【０００９】
本発明は、このような課題を解決するためになされたものであり、放電遅れ時間を短くして電圧印加に対する放電発生の優れた応答性を有するとともに、その放電遅れ時間の温度に対する変化やライフ時間に対する変化が抑制されたＰＤＰを得ることを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために、本発明のプラズマディスプレイパネルは、保護層が炭化珪素を含み、この炭化珪素の濃度は保護層の厚み方向に変化する構成としたことを特徴とするものである。
【００１１】
【発明の実施の形態】
すなわち、本発明の請求項１に記載の発明は、基板上に形成した走査電極および維持電極を覆うように誘電体層を形成し、前記誘電体層上に保護層を形成したプラズマディスプレイパネルであって、前記保護層は炭化珪素を含み、前記炭化珪素の濃度は前記保護層の厚み方向に変化する構成としたことを特徴とする。
【００１２】
また、請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の発明において、保護層中の炭化珪素の濃度は、前記保護層の表面から深くなるにしたがって増加することを特徴とする。
【００１３】
また、請求項３に記載の発明は、請求項１または請求項２に記載の発明において、保護層は炭化珪素を含む酸化マグネシウムからなり、前記保護層中の炭化珪素の平均濃度が４０重量ｐｐｍ〜１５０００重量ｐｐｍであることを特徴とする。
【００１４】
本発明の請求項４に記載の発明は、基板上に形成した走査電極および維持電極を覆うように誘電体層を形成し、前記誘電体層上に保護層を形成したプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、基板を上流側から下流側に移動させながら成膜することにより保護層を形成する際に、前記基板の移動方向に沿って複数の保護層用材料を配置するとともに、上流側に比べて下流側に配置する保護層用材料に含まれる炭化珪素の濃度を低く設定したことを特徴とする。
【００１５】
また、請求項５に記載の発明は、請求項４に記載の発明において、最も下流側に、炭化珪素を含まない保護層用材料を配置したことを特徴とする。
【００１６】
本発明の請求項６に記載の発明は、基板上に形成した走査電極および維持電極を覆うように誘電体層を形成し、前記誘電体層上に保護層を形成したプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、所定濃度の炭化珪素を含む第１の保護層用材料と、前記所定濃度よりも低い濃度の炭化珪素を含む第２の保護層用材料とを用い、時間の経過に伴って、前記第１の保護層用材料による成膜レートを減少させるとともに、前記第２の保護層用材料による成膜レートを増加させて成膜することにより前記保護層を形成することを特徴とする。
【００１７】
また、請求項７に記載の発明は、請求項６に記載の発明において、第２の保護層用材料として、炭化珪素を含まない材料を用いることを特徴とする。
【００１８】
以下、本発明の一実施の形態について、図面を用いて説明する。
【００１９】
図１は、交流面放電型のＰＤＰの一部を切り欠いて示す斜視図である。このＰＤＰは、前面パネル１と背面パネル２とを対向配置してそれらの間に放電空間３を形成し、放電空間３にネオンおよびキセノンなどからなる放電ガスを封入して構成されている。
【００２０】
前面パネル１は次のような構成である。すなわち、ガラス製の基板である前面基板４上に、ストライプ状の走査電極５とストライプ状の維持電極６とからなる表示電極７を複数形成し、隣接する表示電極７の間に遮光層８を形成している。そして、表示電極７および遮光層８を覆うように誘電体層９を形成し、誘電体層９上に、炭化珪素（ＳｉＣ）を含むＭｇＯからなる保護層１０を形成している。ここで、ＳｉＣの濃度は保護層１０の厚み方向に変化する構成としている。
【００２１】
また、背面パネル２は次のような構成である。すなわち、ガラス製の基板である背面基板１１上に、走査電極５および維持電極６と直交するようにストライプ状のアドレス電極１２を複数形成し、アドレス電極１２を覆うように電極保護層１３を形成している。そして、この電極保護層１３上であってアドレス電極１２の間に位置するように、アドレス電極１２と平行な隔壁１４を設け、隔壁１４の間に蛍光体層１５を形成している。電極保護層１３は、アドレス電極１２を保護し、蛍光体層１５が発生する可視光を前面パネル１側に反射する作用を有している。
【００２２】
各表示電極７は１つのラインを構成し、表示電極７とアドレス電極１２とが交差する部分にセルが形成される。各セルの放電空間３内で放電を発生させ、放電に伴って蛍光体層１５から発生する赤、緑、青の３色の可視光が、前面パネル１を透過することにより、表示が行われる。
【００２３】
図２は、図１に示すＰＤＰに駆動回路を接続して構成した画像表示装置の概略構成を示すブロック図である。図２に示すように、ＰＤＰ１６のアドレス電極１２にアドレス電極駆動部１７が接続され、ＰＤＰ１６の走査電極５に走査電極駆動部１８が接続され、ＰＤＰ１６の維持電極６に維持電極駆動部１９が接続されている。
【００２４】
図３は、図２に概略構成を示した画像表示装置の駆動方法を説明するための図である。一般に交流面放電型のＰＤＰでは、１フィールドの映像を複数のサブフィールドに分割することによって階調表現を行う方式が用いられている。そして、この方式では、各セルでの放電を制御するために、１サブフィールドをセットアップ期間、アドレス期間、サステイン期間およびイレース期間からなる４つの期間によって構成する。図３は、１サブフィールド中の駆動波形を示すタイムチャートである。
【００２５】
図３において、セットアップ期間では、放電を生じやすくするために、ＰＤＰ内の全セルに均一に壁電荷を蓄積させる。アドレス期間では、点灯させるセルの書き込み放電を行う。サステイン期間では、アドレス期間で書き込まれたセルを点灯させ、その点灯を維持させる。イレース期間では、壁電荷を消去させることによってセルの点灯を停止させる。
【００２６】
セットアップ期間では、走査電極５に初期化パルスを印加することにより、走査電極５に、アドレス電極１２および維持電極６よりも高い電圧を印加し、セル内で放電を発生させる。その放電によって発生した電荷は、アドレス電極１２、走査電極５および維持電極６間の電位差を打ち消すようにセルの壁面に蓄積される。その結果、走査電極５付近の保護層１０表面には負の電荷が壁電荷として蓄積され、また、アドレス電極１２付近の蛍光体層１５表面および維持電極６付近の保護層１０表面には、正の電荷が壁電荷として蓄積される。この壁電荷により、走査電極５−アドレス電極１２間、走査電極５−維持電極６間には所定の値の壁電位が生じる。
【００２７】
アドレス期間では、セルを点灯させる場合、走査電極５に走査パルスを印加し、アドレス電極１２にデータパルスを印加することにより、走査電極５に、アドレス電極１２および維持電極６に比べて低い電圧を印加する。すなわち、走査電極５−アドレス電極１２間に、壁電位と同方向に電圧を印加するとともに、走査電極５−維持電極６間にも壁電位と同方向に電圧を印加することにより、書き込み放電を発生させる。その結果、蛍光体層１５表面と維持電極６付近の保護層１０表面には負の電荷が蓄積され、走査電極５付近の保護層１０表面には正の電荷が壁電荷として蓄積される。これにより維持電極６−走査電極５間には、所定の値の壁電位が生じる。
【００２８】
サステイン期間では、まず走査電極５に維持パルスを印加することにより、維持電極６に比べて高い電圧を走査電極５に印加する。すなわち、維持電極６−走査電極５間に、壁電位と同方向に電圧を印加することにより維持放電を生じさせる。その結果、セル点灯を開始させることができる。続いて、維持電極６−走査電極５間の極性が交互に入れ替わるように維持パルスを印加することで、断続的にパルス発光させることができる。
【００２９】
イレース期間では、幅の狭い消去パルスを維持電極６に印加することで不完全な放電が発生し、壁電荷が消滅するため、消去が行われる。
【００３０】
ここで、アドレス期間において、走査電極５−アドレス電極１２間に電圧を印加してから、書き込み放電が生じるまでが放電遅れとなる。さらに、各走査電極５のアドレス時間内に書き込み放電が起こらなかった場合、書き込みミスとなり、維持放電が生じず、表示のちらつきとなって画像に現れてくる。また、さらなる高精細化が進んだ場合、各走査電極に割り当てられるアドレス時間は短くなり、書き込みミスが生じる確率が高くなる。
【００３１】
本発明によるＰＤＰは、保護層１０の構成に特徴があり、次にその内容について、具体例を用いて説明する。
【００３２】
まず、上述したような保護層１０を形成する際の蒸着法に用いる装置は、一般に仕込み室、加熱室、蒸着室、冷却室から構成され、基板はこの順に搬送され、ＭｇＯからなる保護層が蒸着により形成される。このとき、本実施の形態では、膜の成長方向に濃度分布を持たせるために、ＳｉＣの含有濃度が異なる複数の蒸着源（保護層用材料）を備えた電子ビーム蒸着法を用いた。一例として２つの蒸着源を用いる場合、ＳｉＣを含まないＭｇＯからなる蒸着源（ＭｇＯ蒸着源）とＳｉＣの成分制御されたＭｇＯ蒸着源とを準備し、酸素雰囲気中でピアス式電子ビームガンを加熱源として加熱し、所望の膜を形成する成膜工程により保護層１０を形成する。以下に成膜時の条件設定の一例を示す。
【００３３】
到達真空度：５．０×１０−４Ｐａ以下
蒸着時基板温度：２００℃以上
蒸着時圧力：２．０×１０−２Ｐａ〜６．０×１０−２Ｐａ
酸素ガス導入比率：５０％以上
ここで、蒸着源に対して基板が固定された状態で蒸着する場合について説明する。蒸着の開始時点では、ＳｉＣを含むＭｇＯ蒸着源（第１の保護層用材料）を加熱する電子ビームの電流値を高めに設定し、時間の経過に伴ってその電流値を低くしていく。逆に、ＳｉＣを含まないＭｇＯ蒸着源（第２の保護層用材料）を加熱する電子ビームの電流値については、蒸着の開始時点では低めに設定し、時間の経過に伴って高くしていく。そして、第１の保護層用材料による成膜レートと第２の保護層用材料による成膜レートとの和がほぼ一定になるように、各保護層用材料を加熱する電子ビームの電流値を制御して成膜することにより、保護層１０を形成する。このような方法により、ＳｉＣの濃度が厚み方向に変化する保護層（ＭｇＯ保護層）１０が形成され、保護層１０中のＳｉＣの濃度分布は、保護層１０の表面において最小になり、保護層１０の表面から深くなるにしたがって増加するような濃度分布となる。なお、第２の保護層用材料として、第１の保護層用材料に比べて小さい濃度のＳｉＣを含有しているＭｇＯ蒸着源を用いてもよい。
【００３４】
また、基板を搬送することにより蒸着源に対して基板を移動させながら蒸着する方法を用いても上記のような保護層１０を形成することができる。その場合の一例について図４を用いて説明する。
【００３５】
図４に示すように、蒸着室２０の中で、実線矢印のように基板２１を左側から右側へ移動させながら蒸着を行う。そして、基板２１の移動方向に沿って複数の蒸着源を並べて配置し、基板の移動方向に対して上流側に配置する蒸着源に比べて下流側に配置する蒸着源に含まれるＳｉＣの濃度を低く設定する。なお、最も下流側に配置する蒸着源にはＳｉＣが含まれていなくてもよい。図４では２つの蒸着源２２、２３を並べて配置した例を示しており、蒸着源２２、２３の上方を基板が移動する。ここでは、一例として、基板の移動方向に対して上流側に配置した蒸着源２２としてＳｉＣの成分制御されたＭｇＯ蒸着源を用い、下流側に配置した蒸着源２３としてＳｉＣを含まないＭｇＯ蒸着源を用いる。そして、これらの蒸着源２２、２３にそれぞれ照射する電子ビームの電流値を適当な値に設定して蒸着源２２、２３から蒸着物を蒸発させるとともに、基板を上流側から下流側へ移動させることにより、厚み方向にＳｉＣの濃度が変化する保護層１０を形成することができる。この場合のＳｉＣの濃度は、誘電体層９に近い側の保護層１０の領域に比べ、保護層１０の表面側の領域で小さくなる。
【００３６】
なお、保護層１０の形成方法として、上記で説明した蒸着法に限らず、スパッタ法やイオンプレーティング法などを用いることが可能であり、この場合にもターゲット材料、および原材料の成分制御を行い、ＳｉＣの含有濃度が異なる複数の保護層用材料を用いて成膜すればよい。例えば、ＳｉＣを含む保護層用材料とＳｉＣを含まない保護層用材料とを用いて成膜すればよい。
【００３７】
また、ＳｉＣの成分制御されたＭｇＯ材料を作成する方法として、パウダ状のＳｉＣ材料とペレット状のＭｇＯ材料を混合する方法、またはパウダ状のＳｉＣとパウダ状のＭｇＯを混合して焼結する方法がある。これらの方法によって作製したＭｇＯ材料を蒸着源やスパッタ用ターゲットなどとして使用する方法が有効である。
【００３８】
次に、本実施の形態の保護層を形成してＰＤＰを構成することによって得られる効果について述べる。
【００３９】
まず、含有するＳｉＣの濃度が異なる複数種類のＭｇＯ蒸着源を用意した。そして、各種濃度のＳｉＣを含んだＭｇＯ蒸着源（第１の保護層用材料）とＳｉＣを含まないＭｇＯ蒸着源（第２の保護層用材料）とからなる２つの蒸着源を用いて、蒸着源に対して基板が固定された状態で蒸着する方法により保護層１０を形成した。そして、この保護層１０を有するパネルの放電遅れ時間を、パネルの雰囲気温度−５℃〜８０℃の環境下にて計測し、この計測結果から放電遅れ時間の活性化エネルギーを求めた。このときの結果を表１に示す。
【００４０】
【表１】
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【００４１】
ここでいう放電遅れ時間とは、アドレス期間に走査電極５−アドレス電極１２間に電圧を印加してから放電（書き込み放電）が起きるまでの時間である。各種のＭｇＯ蒸着源を用いて形成された保護層１０を有する各パネルに書き込み放電を発生させて観察し、書き込み放電発光のピークを示した時間を放電が起きた時間とし、その書き込み放電発光の１００回分を平均化した。また、活性化エネルギーは温度に対する特性（本実施の形態では放電遅れ時間）の変化を示す数値であり、活性化エネルギーの値が低くなるほど温度に対して特性が変化しないということになる。表１では、従来例としてＭｇＯにＳｉのみを３００重量ｐｐｍ添加し、保護層中のＳｉの濃度分布がほぼ均一になるようにした場合を取り上げ、この従来例の活性化エネルギーの値を１としたときの活性化エネルギーの相対比を示している。なお、ＭｇＯにＳｉのみを添加した場合、この活性化エネルギーの値は、Ｓｉの添加濃度によらずほぼ一定であった。
【００４２】
また、本実施の形態のパネルでは、保護層１０中のＳｉＣの濃度は厚み方向に変化しているので、表１に示すＳｉＣの濃度は保護層１０中のＳｉＣの平均濃度である。
【００４３】
表１からわかるように、ＭｇＯにＳｉのみを添加した従来例に比べ、活性化エネルギーの値が低下したのは、ＳｉＣの平均濃度が４０重量ｐｐｍ以上のときであった。また、ＳｉＣの平均濃度が１５０００重量ｐｐｍ以下では、放電遅れ時間は従来例と同程度になり、全く何も添加しないＭｇＯからなる保護層を有するパネルに比べて放電遅れ時間は短くなったが、ＳｉＣの平均濃度が１５０００重量ｐｐｍを超えると放電遅れ時間が大きくなるか、あるいは放電に必要な電圧値が異常に高くなり、従来の設定電圧値では画像表示ができなくなった。
【００４４】
すなわち、ＭｇＯからなる保護層１０中に含まれるＳｉＣの平均濃度が４０重量ｐｐｍ〜１５０００重量ｐｐｍであるパネルでは、従来の設定電圧値を変更することなく画像表示を行うことができ、放電遅れ時間の温度に対する変化を抑制することができる。したがって、このようなパネルでは環境温度にかかわらず良好なパネル表示特性を維持することができる。
【００４５】
これは、明確な現象は把握できないが、ＳｉだけでなくＳｉＣをＭｇＯに添加することによって、温度特性を強くしていた要因を排除できるためであると考えられる。また、本実施の形態による保護層は、価電子帯と伝導帯との間に不純物準位を形成し、優れた電子放出能力を有するため、放電遅れ時間が短くなり電圧印加に対する放電発生の応答性に優れ、ちらつきが視認されず、良好な画像を表示できる。
【００４６】
次に、このようなパネルのライフ中の放電遅れ時間の変化を調べた。その結果を図５に示す。図５の横軸は、ライフによる変化を短時間で調べるためにパルス数を増やすなどの加速手段を用いて加速ライフ試験を行うときの加速ライフ時間であり、縦軸は、加速ライフ試験の開始時における放電遅れ時間を１として規格化した放電遅れ時間である。図５において、曲線ａは、約１０００重量ｐｐｍのＳｉＣを含むＭｇＯ蒸着源とＳｉＣを含まないＭｇＯ蒸着源を用いて、上記した方法によりＳｉＣの濃度が厚み方向に変化する保護層を形成したパネル（本発明の実施例）の場合であり、保護層中の平均濃度は約４４０重量ｐｐｍである。また曲線ｂは、約３００重量ｐｐｍのＳｉを含むＭｇＯ蒸着源を用いて保護層中のＳｉの濃度分布がほぼ均一になるように保護層を形成したパネル（比較例１）の場合であり、保護層中のＳｉの濃度は約３００重量ｐｐｍである。さらに曲線ｃは、約３００重量ｐｐｍのＳｉＣを含むＭｇＯ蒸着源を用いて保護層中のＳｉＣの濃度分布がほぼ均一になるように保護層を形成したパネル（比較例２）の場合であり、保護層中のＳｉＣの濃度は約３００重量ｐｐｍである。図５からわかるように、加速ライフ時間が１０００時間のときの放電遅れ時間は、加速ライフ試験の開始時の放電遅れ時間に比べて、比較例１では約２．２倍となり、比較例２では約２倍となるのに対し、本発明の実施例では約１．４倍となる。したがって、本発明の実施例によるＰＤＰでは、比較例１および比較例２のＰＤＰに比べて、ライフ時間に対する放電遅れ時間の変化が抑制されている。
【００４７】
図５に示した結果が得られた原因は次のように考えられる。比較例１の場合で説明すると、画像表示のためのパネル内部での放電により、Ｓｉを含んだＭｇＯ保護層の表面が削られ、その削られたＭｇＯの一部が再度、ＭｇＯ保護層の表面に付着することを確認しており、このＭｇＯ保護層の表面へのＭｇＯの再付着により、ＭｇＯ保護層の表面ではＳｉの濃度が減少してしまうと考えられる。その結果、ＭｇＯ保護層の電子放出能力が低下し、放電遅れ時間が増加するものと考えられる。比較例２についても比較例１の場合と同様に考えられ、ＭｇＯ保護層の表面ではＳｉＣの濃度が減少し、その結果、ＭｇＯ保護層の電子放出能力が低下し、放電遅れ時間が増加するものと考えられる。
【００４８】
一方、本発明の実施例の場合には、ＭｇＯ保護層の表面から厚み方向に深くなるにしたがってＳｉＣの濃度が増加するようにしているため、パネル内部での放電によりＳｉＣを含有するＭｇＯ保護層の表面が削られ、その削られたＭｇＯの一部が再度、ＭｇＯ保護層の表面に付着しても、ＭｇＯ保護層の表面でのＳｉＣの濃度は、比較例２の場合のように減少してしまうということはないので、電子放出能力の低下が抑制され、その結果、ライフ特性の良好なＰＤＰが得られるものと考えられる。
【００４９】
【発明の効果】
以上のように本発明によれば、放電遅れ時間を短くして電圧印加に対する放電発生の優れた応答性を有するとともに、その放電遅れ時間の温度に対する変化やライフ時間に対する変化を抑制することができ、良好な画像を表示できるプラズマディスプレイパネルを得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施の形態によるプラズマディスプレイパネルの一部を示す斜視図
【図２】同プラズマディスプレイパネルを用いた画像表示装置の一例を示すブロック図
【図３】同プラズマディスプレイパネルの駆動波形を示すタイムチャート
【図４】同プラズマディスプレイパネルの製造方法において保護層の蒸着方法の一例を説明するための図
【図５】同プラズマディスプレイパネルの加速ライフ時間に対する放電遅れ時間の変化を示す図
【符号の説明】
１  前面パネル
２  背面パネル
４  前面基板
５  走査電極
６  維持電極
９  誘電体層
１０  保護層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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