(57)【要約】【課題】基板上に形成する窒化物半導体の転位密度を飛躍的に低減することを可能にする。【解決手段】単結晶の絶縁性基板１上に、Ｓｉ濃度が４×１０１９ｃｍ−３以上である高濃度ＳｉドープＧａＮバッファ層２をエピタキシャル成長し、このＳｉドープＧａＮバッファ層２上に、エピタキシャル成長法により単結晶の結晶構造を有する窒化物半導体層３を形成する。【選択図】　　　図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上へ窒化物半導体層を形成するに当たり、
基板上に、Ｓｉ濃度が４×１０１９ｃｍ−３以上であるＳｉドープＧａＮバッファ層をエピタキシャル成長し、
このＳｉドープＧａＮバッファ層上に、エピタキシャル成長法により単結晶の結晶構造を有する窒化物半導体層を形成することを特徴とする窒化物半導体の製造方法。
【請求項２】
基板上へ窒化物半導体層を形成するに当たり、
基板上に、Ｓｉ濃度が１×１０２０ｃｍ−３以上であるＳｉドープＧａＮバッファ層をエピタキシャル成長し、
このＳｉドープＧａＮバッファ層上に、エピタキシャル成長法により単結晶の結晶構造を有する窒化物半導体層を形成することを特徴とする窒化物半導体の製造方法。
【請求項３】
上記基板として、サファイア基板、ＳｉＣ基板、Ｓｉ基板、あるいは、これらの基板上に窒化物半導体層を成長した複合基板を用いることを特徴とする請求項１又は２に記載の窒化物半導体の製造方法。
【請求項４】
上記ＳｉドープＧａＮバッファ層を４００〜１２００℃の温度範囲で成長することを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の窒化物半導体の製造方法。
【請求項５】
上記窒化物半導体層を６００〜１２００℃の温度範囲で成長することを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の窒化物半導体の製造方法。
【請求項６】
上記ＳｉドープＧａＮバッファ層を０．１分子層〜１μｍの厚さで形成することを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の窒化物半導体の製造方法。
【請求項７】
上記窒化物半導体層の厚さを０．５〜１０μｍ未満に形成することを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の窒化物半導体の製造方法。
【請求項８】
上記窒化物半導体層の厚さを１０〜５００μｍに形成することを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の窒化物半導体の製造方法。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれかに記載の方法により形成した窒化物半導体上へ、エピタキシャル成長法により窒化物半導体を形成し、窒化物半導体の積層構造を形成したことを特徴とする半導体ウェハ。
【請求項１０】
上記窒化物半導体の積層構造が、上記ＳｉドープＧａＮバッファ層上に形成した窒化物半導体層と、該窒化物半導体層上に形成した第１導電型の第１のクラッド層と、この第１のクラッド層上に形成した活性層と、この活性層上に形成され、前記第１導電型とは反対の第２導電型の第２のクラッド層とを備えることを特徴とする請求項９に記載の半導体ウェハ。
【請求項１１】
上記窒化物半導体の積層構造が、上記ＳｉドープＧａＮバッファ層上に形成したアンドープ窒化物半導体層と、該窒化物半導体層上に形成したｎ型の窒化物半導体層とを備えることを特徴とする請求項９に記載の半導体ウェハ。
【請求項１２】
上記請求項９〜１１のいずれかに記載の半導体ウェハを用いて形成したことを特徴とする半導体デバイス。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、低転位な窒化物半導体の製造方法およびそれを用いた半導体ウェハならびに半導体デバイスに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
半導体エピタキシャル膜を得ようとする場合、最も容易な方法としては、成長しようとしている半導体と同一材料からなる単結晶基板を準備し、その上に気相成長する方法が考えられ、実際に色々な材料系で成功している。
【０００３】
しかしながら、窒化ガリウムのように技術的に半導体単結晶基板を得ることが困難であったり、半導体単結晶基板が高価であるため産業的にはコスト面で用いれない等の理由により、異種基板上へ半導体を成長せざるをえない状況が多々存在する。代表例としては、シリコン基板上のＧａＡｓや、サファイア及び炭化珪素基板上のＧａＮや、ＧａＡｓ基板上のＩＩ−ＶＩ族半導体等が知られる。
【０００４】
例えば、窒化ガリウム（ＧａＮ）は、青色から紫外域にかけての短波長発光ダイオード（ＬＥＤ）や半導体レーザ（ＬＤ）等の光デバイスの材料として、あるいは高出力電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）や高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）等の電子デバイス用の材料として重要であるが、窒化ガリウムはバルク単結晶基板を得ることができないため、基板材料としてサファイアやＳｉＣ基板が用いられ、この基板上へ、気相成長法（ＶＰＥ法）（有機金属気相成長法（ＭＯＶＰＥ法）を含む）によりＧａＮの成長が行われる。
【０００５】
この様な異種基板上へ半導体を成長した場合、格子不整合、熱膨張係数の不整合、表面エネルギーの不整合等の様々な材料固有の特性の不整合により、成長した半導体エピタキシャル膜中に高密度の転位が導入される。半導体中の転位は、非発光再結合中心、散乱中心として働くため、このような転位を多く含む半導体を用いた光および電子デバイスの特性、安定性、寿命は転位を微量にしか含まないデバイスに比べて極めて劣ったものとなってしまう。
【０００６】
上記ＧａＮや、ＡｌＧａＮ、ＧａＩｎＮなどに代表される窒化物系化合物半導体も、単結晶基板が得られないためサファイアや炭化珪素などの異種基板上に成長が行われることから、同様に、初期の研究においては上述の転位の発生が深刻な問題となっていた。
【０００７】
しかし、近年、ＭＯＶＰＥ法を用いた「２段階成長法」によりこの問題は一部解決された。即ち、サファイア基板上に５００〜６００℃程度の低温でＧａＮあるいはＡｌＮからなる低温バッファ層を成長し、その後、その上に１０００℃程度の温度でＧａＮを成長する方法であり、これにより従来１０１０〜１０１１ｃｍ−２程度であったサファイア上ＧａＮの転位密度を１０８〜１０９ｃｍ−２台に抑制することに成功している（特公平８−８２１７号公報）。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、窒化物半導体中の転位密度が１０８ｃｍ−２台であっても、窒化物半導体電子デバイスの耐圧低下や光デバイスの寿命短縮などの現象を引き起こす原因となり、これらのデバイスの実用化に対する大きな障害となっている。即ち、窒化物半導体の電子・光デバイスの実用化を達成するためには、窒化物半導体中の更なる転位密度の低減が必要である。ちなみに、窒化物半導体の次世代の製品ターゲットである青紫レーザーダイオードや紫外ＬＥＤの実現のためには、転位密度を１０７ｃｍ−２台以下にすることが要請される。
【０００９】
そこで、本発明の目的は、上記課題を解決し、転位密度の更なる低減を実現する窒化物半導体の製造方法および半導体ウェハならびに半導体デバイスの構造を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明は、次のように構成したものである。
【００１１】
請求項１の発明に係る窒化物半導体の製造方法は、基板上へ窒化物半導体層を形成するに当たり、基板上に、Ｓｉ濃度が４×１０１９ｃｍ−３以上であるＳｉドープＧａＮバッファ層をエピタキシャル成長し、このＳｉドープＧａＮバッファ層上に、エピタキシャル成長法により単結晶の結晶構造を有する窒化物半導体層を形成することを特徴とする。
【００１２】
請求項２の発明に係る窒化物半導体の製造方法は、基板上へ窒化物半導体層を形成するに当たり、基板上に、Ｓｉ濃度が１×１０２０ｃｍ−３以上であるＳｉドープＧａＮバッファ層をエピタキシャル成長し、このＳｉドープＧａＮバッファ層上に、エピタキシャル成長法により単結晶の結晶構造を有する窒化物半導体層を形成することを特徴とする。
【００１３】
請求項３の発明は、請求項１又は２に記載の窒化物半導体の製造方法において、上記基板として、サファイア基板、ＳｉＣ基板、Ｓｉ基板、あるいは、これらの基板上に窒化物半導体層を成長した複合基板を用いることを特徴とする。
【００１４】
請求項４の発明は、請求項１〜３のいずれかに記載の窒化物半導体の製造方法において、上記バッファ層の混晶半導体層を４００〜１２００℃の温度範囲で成長することを特徴とする。
【００１５】
請求項５の発明は、請求項１〜４のいずれかに記載の窒化物半導体の製造方法において、上記窒化物半導体層を６００〜１２００℃の温度範囲で成長することを特徴とする。転位密度を低減する観点からは、好ましくは９５０〜１１００℃、更に好ましくは１０１０〜１０５０℃の温度範囲で成長する。
【００１６】
請求項６の発明は、請求項１〜５のいずれかに記載の窒化物半導体の製造方法において、上記ＳｉドープＧａＮバッファ層を０．１分子層〜１μｍの厚さで形成することを特徴とする。
【００１７】
請求項７の発明は、請求項１〜６のいずれかに記載の窒化物半導体の製造方法において、上記窒化物半導体層の厚さを０．５〜１０μｍ未満に形成することを特徴とする。これは本発明において好ましい上記窒化物半導体層の厚さである０．５〜５００μｍの範囲のうちの一部を特定したものである。
【００１８】
請求項８の発明は、請求項１〜６のいずれかに記載の窒化物半導体の製造方法において、上記窒化物半導体層の厚さを１０〜５００μｍに形成することを特徴とする。これは本発明において好ましい上記窒化物半導体層の厚さである０．５〜５００μｍの範囲のうちの一部を特定したものである。
【００１９】
請求項９の発明に係る半導体ウェハは、請求項１〜８のいずれかに記載の方法により形成した窒化物半導体上へ、エピタキシャル成長法により窒化物半導体を形成し、窒化物半導体の積層構造を形成したことを特徴とする。これは、基板とその上に形成される窒化物半導体との間に、バッファ層として、Ｓｉ濃度が４×１０１９ｃｍ−３以上であるＳｉドープＧａＮバッファ層又はＳｉ濃度が１×１０２０ｃｍ−３以上であるＳｉドープＧａＮバッファ層を形成した構造を持つ半導体ウェハである。基板としては、サファイア基板、ＳｉＣ基板、Ｓｉ基板、あるいは、これらの基板上に窒化物半導体層を成長した複合基板のいずれも使用できる。
【００２０】
この半導体ウェハにおいて、ＳｉドープＧａＮバッファ層上へ形成される窒化物半導体の積層構造（デバイス構造）としては、短波長発光ダイオード（ＬＥＤ）や半導体レーザ（ＬＤ）等の光デバイスの構造の他、高出力電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）や高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）、ヘテロ・バイポーラ・トランジスタ（ＨＢＴ）等の電子デバイスの構造がある。具体的には、例えばＬＥＤやＬＤなどを製造する場合には、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮ、ＧａＮなどを多層に積層し、発光層（活性層）をｎ型クラッド層およびｐ型クラッド層によりはさんだ構造を形成する必要がある。また、ＨＢＴにおいても、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮ、ＧａＮなどを多層に積層し、ｎｐｎあるいはｐｎｐ接合を形成する必要がある。
【００２１】
請求項１０の発明は、請求項９に記載の半導体ウェハにおいて、上記窒化物半導体の積層構造が、上記ＳｉドープＧａＮバッファ層上に形成した窒化物半導体層と、該窒化物半導体層上に形成した第１導電型の第１のクラッド層と、この第１のクラッド層上に形成した活性層と、この活性層上に形成され、前記第１導電型とは反対の第２導電型の第２のクラッド層とを備えることを特徴とする。これは、短波長発光ダイオード（ＬＥＤ）や半導体レーザ（ＬＤ）等の光デバイスを特定したものである。
【００２２】
請求項１１の発明は、請求項９に記載の半導体ウェハにおいて、上記窒化物半導体の積層構造が、上記ＳｉドープＧａＮバッファ層上に形成したアンドープ窒化物半導体層と、該窒化物半導体層上に形成したｎ型の窒化物半導体層とを備えることを特徴とする。これはＧａＮ系ＨＥＭＴ用ウェハの構造を特定したものである。
【００２３】
請求項１２の発明に係る半導体デバイスは、上記請求項９〜１１のいずれかに記載の半導体ウェハを用いて形成したことを特徴とする。これには、ＬＥＤやＬＤ等の光デバイスだけでなく、ＦＥＴやＨＥＭＴ、ＨＢＴ等の電子デバイスが含まれる。
【００２４】
＜発明の要点＞
本発明者等は、上記課題を解決するべく、上記のＡｌＮ、ＧａＮ低温バッファに代わる新たなバッファ層材料を探索し、鋭意研究努力した結果、図１に示すように、サファイア、ＳｉＣあるいはＳｉなどの異種基板上もしくは、異種基板上に予め窒化物半導体を成長した複合基板などの基板１上へ、まずバッファ層２として、Ｓｉを４×１０１９ｃｍ−３以上、好ましくは５×１０１９ｃｍ−３以上、さらに好ましくは１×１０２０ｃｍ−３以上ドープした高濃度ＳｉドープＧａＮを成長し、その上に窒化物半導体層３を成長することで、窒化物半導体層３の転位密度を１０８ｃｍ−２より小さくすることが可能であることを見出した。
【００２５】
これは、図２に示すように、基板１に高濃度にＳｉをドーピングした結果、ＧａＮの成長モードが通常の２次元的な成長モードから、図２（ｂ）に示すように３次元的な島状成長モードに変化したためである。そのようなＳｉドープＧａＮ層２の島状構造を図２（ｃ）に示すように窒化物半導体３の成長で埋め込み表面を平坦化する際には、通常基板表面に対して垂直方向に伝播する転位３０の伝播方向が埋め込み成長の過程で図２（ｃ）の如く横方向に変化するため、最表面に出現する転位３２の密度が図２（ｄ）の如く大幅に減少する。
【００２６】
【発明の実施の形態】
次に、本発明による窒化物半導体の製造方法と、これにより得られる半導体ウェハならびに半導体デバイス製造の実施形態について説明する。以下の実施例はＭＯＶＰＥ成長による場合の例であるが、ＨＶＰＥ成長（ハイドライド気相成長）あるいはＭＢＥ成長（分子線エピタキシー）による場合においても同様な結果を得ている。
【００２７】
＜実施例１＞
本実施例においては、基板１としてサファイア基板を用い、これをまず１１００℃で水素雰囲気中でクリーニングした後、その上にバッファ層２としてＳｉドープＧａＮバッファ層を、その膜厚およびＳｉの濃度を様々に変えて成長し、更にその上に窒化物半導体層３として約３μｍのＧａＮ層を成長している。成長時の圧力、総ガス流量、温度はＳｉドープＧａＮバッファ層とＧａＮ層を通じて全て一定として、それぞれ、３００Ｔｏｒｒ、１００ｓｌｍ、１０２５℃である。キャリアガスとしては、窒素と水素を１：３の割合で混合したガスを用いた。ＧａＮ成長のためのＧａおよびＮの原料としては、トリメチルガリウム（ＴＭＧ）、アンモニアを用い、Ｓｉの原料としてはテトラエチルシラン（ＴＥＳｉ）を用いた。
【００２８】
なお、本実験に先立ち、膜厚約１μｍのＳｉドープＧａＮ層をサファイア基板上へ従来法により成長し、成長中のＴＭＧおよびＴＥＳｉ流量とそのときのＳｉドーピング濃度の関係をＳＩＭＳ分析により把握した。なお、前述したように高濃度ＳｉドープＧａＮは平坦に成長しないので、上記の「膜厚」という表現は適切ではないが、ここではＧａＮを成長するために供給したＴＭＧの量の指標として、ＧａＮが平坦に成長したとするとどの程度の厚さになるかを、単に膜厚という言葉で表現している。
【００２９】
図３に、ＳｉドープＧａＮバッファ層の膜厚が１ｎｍの場合のドーピング濃度と、その上に成長したＧａＮ層の転位密度の関係を示す。Ｓｉドーピング濃度が４×１０１９ｃｍ−３以上において、ＧａＮ層の転位密度が従来法による値よりも減少し始め、Ｓｉドーピング濃度が１×１０２０ｃｍ−３以上では、転位密度は２×１０７ｃｍ−２以下という極めて低い値になっている。さらに、Ｓｉドーピング濃度が１．８×１０２０ｃｍ−３において、本実験の範囲内では最小の転位密度１．５×１０７ｃｍ−２を得ている。すなわち、高濃度にＳｉをドープしたＧａＮを、基板と窒化物半導体層の間に導入することにより、窒化物半導体の転位密度を大幅に低減することに成功している。
【００３０】
また、図４にはＳｉドープＧａＮバッファ層のドーピング濃度が１．８×１０２０ｃｍ−３の場合の、ＳｉドープＧａＮバッファ層の膜厚（ｎｍ）と、その上に成長したＧａＮ層の転位密度（ｃｍ−２）の関係を示したものである。ＳｉドープＧａＮバッファ層の膜厚が０．１分子層程度（０．０２５ｎｍ）から１０００ｎｍまでの広い範囲にわたって、転位密度が従来法によるＧａＮの転位密度以下となっている。特に、ＳｉドープＧａＮバッファ層の膜厚が１ｎｍの場合には、最小の転位密度１．５×１０７ｃｍ−２を得ている。よって、ＳｉドープＧａＮバッファ層の厚さは、０．１分子層〜１０００ｎｍ（１μｍ）の厚さとするのがよく、好ましくは０．１〜１００ｎｍの厚さ、最適には１ｎｍとするのがよいことが判る。
【００３１】
＜実施例２＞
本実施例では、基板１として、ＳｉＣ基板上にＧａＮ層を約１μｍ成長した複合基板を用い、この複合基板上へ、実施例１と同様な条件でバッファ層２としてＳｉ濃度が１．８×１０２０ｃｍ−３の高濃度ＳｉドープＧａＮバッファ層を１ｎｍ成長し、その上に窒化物半導体層３として、Ａｌ０．１Ｇａ０．９Ｎを約２μｍ成長している。この結果、複合基板の段階では、ＧａＮ層の最表面で転位密度が１×１０９ｃｍ−２であったのが、Ａｌ０．１Ｇａ０．９Ｎの表面では、転位密度が５×１０７ｃｍ−２にまで低減している。
【００３２】
＜実施例３＞
本実施例では、その前提として、実施例１の高濃度ＳｉドープＧａＮバッファ層のＳｉ濃度が１．８×１０２０ｃｍ−３で、且つ膜厚が１ｎｍの場合において、高濃度ＳｉドープＧａＮ（バッファ層２）の成長温度を２００〜１３００℃の範囲で変化させた実験を行っている。その結果、高濃度ＳｉドープＧａＮバッファ層の成長温度が４００〜１２００℃の範囲内では、転位密度が、従来法によるＧａＮの転位密度以下となった。ことに、成長温度が８００〜１１００℃の範囲内では転位密度は５×１０７ｃｍ−２以下であり、また、１０００〜１０５０℃の範囲内では転位密度は２×１０７ｃｍ−２以下にまで低減された。
【００３３】
＜実施例４＞
本実施例では、その前提として、実施例１の高濃度ＳｉドープＧａＮバッファ層のＳｉ濃度が１．８×１０２０ｃｍ−３で、且つ膜厚が１ｎｍの場合において、高濃度ＳｉドープＧａＮバッファ層上に成長するＧａＮ層（窒化物半導体層３）の成長温度を２００〜１３００℃の範囲で変化させた実験を行っている。その結果、成長温度が６００〜１２００℃の範囲内では、転位密度が、従来法によるＧａＮの転位密度以下となった。ことに、成長温度が９５０〜１１００℃の範囲内では転位密度は５×１０７ｃｍ−２以下であり、また、１０１０〜１０５０℃の範囲内では転位密度は２×１０７ｃｍ−２以下にまで低減された。
【００３４】
＜実施例５＞
上記実施例１〜４において、窒化物半導体層の膜厚としては０．５μｍ〜５００μｍが好適である。窒化物半導体層の膜厚が０．５μｍ未満の場合には、窒化物半導体の電気的・光学的特性に劣化がみられ、また、窒化物半導体層の膜厚が５００μｍ以上の場合には、成長時間が長くなりすぎる。ことに、窒化物半導体層の膜厚が０．５μｍ〜１０μｍ未満の場合には、低コスト、且つ低転位な窒化物半導体エピタキシャルウェハとして好適であり、また、窒化物半導体層の膜厚が１０μｍ〜５００μｍの場合には、多少ウェハコストは高くなるが、より低転位な窒化物半導体エピタキシャルウェハとして好適である。
【００３５】
＜実施例６＞
図５はＭＯＶＰＥ法を用いて、サファイア基板１１上に、窒化ガリウム系化合物半導体のダブルヘテロ（ＤＨ）構造を積層成長した光放出半導体デバイス用ウェハの例である。このウェハＷは、サファイア基板１１上に、４００〜１２００℃の温度範囲で高濃度ＳｉドープＧａＮバッファ層１２を０．１分子層〜１μｍの厚さで形成し、次に６００〜１２００℃の温度範囲でオーミック電極を付けるためのｎ型ＧａＮ層１３を形成し、その上に、ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層１４（第１のクラッド層）、ＩｎＧａＮ活性層１５、及びｐ型ＡｌＧａＮクラッド層１６（第２のクラッド層）から成るダブルヘテロ構造を成長した後、ｐ型のＧａＮコンタクト層１７を成長させたものである。
【００３６】
図６は上記半導体ウェハを用いて形成した半導体デバイスの例である。上記ウェハＷの表面の一部を反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）法でエッチングして除去し、ｎ型ＧａＮ層１３を露出させた後、ｎ型ＧａＮ層１３の表面にチタン（Ｔｉ）とアルミニウム（Ａｌ）の積層構造から成るｎ型電極１８を、またｐ型層の表面の一部にはニッケル（Ｎｉ）と金（Ａｕ）の積層構造から成るｐ型電極１９を付けて、ＬＥＤチップ（窒化ガリウム系化合物半導体光放出半導体デバイス）を作製した。
【００３７】
＜実施例７＞
図７はＭＯＶＰＥ法を用いて、サファイア基板２１上に、４００〜１２００℃の温度範囲で高濃度ＳｉドープＧａＮバッファ層２２を０．１分子層〜１μｍの厚さで形成し、次に６００〜１２００℃の温度範囲でアンドープＧａＮ層２３を形成し、その上に、ｎ型ＡｌＧａＮ層２４を形成して、ＨＥＭＴ用ウェハを構成した例である。このウェハを用いて作成したＧａＮ系ＨＥＭＴは、ＧａＮＳｉバッファ層２２の働きにより、急峻なヘテロ界面が形成され、これにより高い電流密度が得られる。
【００３８】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、単結晶の絶縁性基板上へ窒化物半導体層を形成するに際し、基板と窒化物半導体層の間に、Ｓｉ濃度が４×１０１９ｃｍ−３以上、好ましくは１×１０２０ｃｍ−３以上である高濃度ＳｉドープＧａＮバッファ層を形成しているので、従来以上に低転位な窒化物半導体を成長することが可能となる。これは、窒化物半導体層における転位密度を飛躍的に低減して１０７ｃｍ−２台以下にすることが実現できることを意味する。このため、本発明の窒化物半導体の製造方法および半導体ウェハならびに半導体デバイスによれば、次世代の青紫レーザーダイオードや紫外ＬＥＤの実現を可能にすると共に、窒化物半導体電子デバイスの耐圧や光デバイスの寿命などを向上させ、実用に適した電子デバイスや光デバイスを得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の窒化物半導体の構造を示す図である。
【図２】本発明におけるＳｉドープＧａＮバッファ層による低転位化の原理説明に供する図である。
【図３】本発明におけるＳｉドープＧａＮバッファ層の膜厚が１ｎｍの場合のドーピング濃度とその上に成長したＧａＮ層の転位密度の関係を示す図である。
【図４】本発明におけＳｉドープＧａＮバッファ層のドーピング濃度が１．８×１０２０ｃｍ−３の場合の、バッファ層の膜厚と、その上に成長したＧａＮ層の転位密度の関係を示す図である。
【図５】本発明により作成した光デバイス用ウェハの構造を示す断面図である。
【図６】本発明により図４のウェハを用いて作成した光デバイスの構造を示す断面図である。
【図７】本発明により作成したＧａＮ系ＨＥＭＴ用ウェハの構造を示す断面図である。
【符号の説明】
１　基板
２　バッファ層
３　窒化物半導体層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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