(57)【要約】【課題】低抵抗化された配線基板における接続不良を防止する。【解決手段】アクティブマトリクス基板１１上に、第１周辺電気配線２１と第２周辺電気配線２２とがパターニングされ、このパターニングされた電気配線上の一部（一点鎖線で囲む領域）に、電子部品としてＴＣＰが設けられる。第１周辺電気配線２１及び第２周辺電気配線２２は、金属薄膜３１と転写金属膜３４とを含んで形成されている。さらに、ＴＣＰが設けられる領域内において、第１周辺電気配線２１及び第２周辺電気配線２２は、金属薄膜３１又は転写金属膜３４の単層構造、あるいは、金属薄膜３１と転写金属膜３４との積層構造のどちらか一方を有している。【選択図】　図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、前記基板上に配置された電子部品と、前記基板上にパターニングされ、一部が前記基板と前記電子部品との間に挟まれた電気配線とを有する電子装置の配線基板において、
前記電気配線は、第１導電膜と前記第１導電膜よりも膜厚の大きい第２導電膜とを含んで形成されるとともに、前記基板と前記電子部品との間に配され、前記電子部品と電気的に接続する前記電気配線は、前記第１導電膜又は第２導電膜の単層構造、あるいは、前記第１導電膜と前記第２導電膜との積層構造のどちらか一方のみからなることを特徴とする配線基板。
【請求項２】
前記第１導電膜と前記第２導電膜とは、異方導電性を有する接着部材で接着されていることを特徴とする請求項１記載の配線基板。
【請求項３】
前記第２導電膜は、銅を含んで形成されることを特徴とする請求項１記載の配線基板。
【請求項４】
前記第２導電膜の厚さは、１μｍ以上１５μｍ以下であることを特徴とする請求項１記載の配線基板。
【請求項５】
前記第２導電膜は、前記配線基板とは別の支持基材上に形成された後、前記配線基板に転写した転写膜であることを特徴とする請求項１記載の配線基板。
【請求項６】
前記支持基材はポリイミド樹脂を含んでなることを特徴とする請求項５記載の配線基板。
【請求項７】
前記第２導電膜は、前記支持基材上に熱可塑性樹脂層を介して形成されることを特徴とする請求項５記載の配線基板。
【請求項８】
前記第２導電膜は、前記支持基材上に光崩壊性樹脂層を介して形成されることを特徴とする請求項５記載の配線基板。
【請求項９】
前記第２導電膜は、金属微粒子が分散された溶液、又は有機金属化合物を含有する溶液から形成されていることを特徴とする請求項１記載の配線基板。
【請求項１０】
前記第２導電膜は、湿式メッキ被膜であることを特徴とする請求項１記載の配線基板。
【請求項１１】
画像の表示を行う表示領域と、前記表示領域の周辺に配され、表示領域へ信号を伝達するための周辺領域とを有する表示装置において、
前記周辺領域は、請求項１ないし１０の何れか１項に記載の配線基板を有することを特徴とする表示装置。
【請求項１２】
前記配線基板の電子部品は、複数個備えられ、前記電気配線は、前記表示領域内の電気配線と前記電子部品とを接続する第１周辺電気配線と、前記第２導電膜を少なくとも含んで形成され、前記電子部品同士を接続する第２周辺電気配線とを有することを特徴とする請求項１１記載の表示装置。
【請求項１３】
前記第２周辺電気配線は、隣り合う複数個の電子部品同士を接続することを特徴とする請求項１２記載の表示装置。
【請求項１４】
前記第２周辺電気配線には、前記電子部品の電源配線が含まれることを特徴とする請求項１２または１３記載の表示装置。
【請求項１５】
基板上に第１導電膜を形成する第１導電膜形成工程と、
前記第１導電膜よりも膜厚の大きい第２導電膜を、前記第１導電膜の少なくとも一部に積層して、電気配線を形成する第２導電膜積層工程と、
前記第２導電膜積層工程における前記第１導電膜と第２導電膜との積層によって生じた段差を含まない前記電気配線上に、電子部品を配置する電子部品配設工程とを含むことを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項１６】
前記第２導電膜積層工程は、
前記基板とは異なる支持基材上に、前記第１導電膜よりも膜厚の大きい第２導電膜を形成する第２導電膜形成工程と、
前記第２導電膜を、前記第１導電膜の少なくとも一部に積層するように転写して電気配線を形成する転写工程と、からなることを特徴とする請求項１５記載の配線基板の製造方法。
【請求項１７】
前記第２導電膜積層工程は、前記第２導電膜形成工程と前記転写工程との間に、前記第１導電膜及び／又は前記第２導電膜上に、異方導電性を有する接着部材を配設する接着部材配設工程をさらに含むことを特徴とする請求項１６記載の配線基板の製造方法。
【請求項１８】
前記第２導電膜積層工程は、インクジェット法によって実施されることを特徴とする請求項１５記載の配線基板の製造方法。
【請求項１９】
前記第２導電膜積層工程は、湿式メッキ法によって実施されることを特徴とする請求項１５記載の配線基板の製造方法。
【請求項２０】
画像の表示を行う表示領域と、前記表示領域の周辺に配され、表示領域へ信号を伝達するために基板上に電気配線がパターニングされた周辺領域とを有する表示装置において、
前記周辺領域にパターニングされた前記電気配線は、第１導電膜と前記第１導電膜よりも膜厚の大きい第２導電膜とを含んで形成されるとともに、前記第２導電膜は、前記基板とは別の支持基材上に形成された後、前記配線基板に転写された転写膜であり、さらに、前記第１導電膜と前記第２導電膜とは、異方導電性を有する接着部材で接着されていることを特徴とする表示装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ＡＶ機器やＯＡ機器などの電子装置に備えられ、各種信号の伝搬を行う配線基板、その配線基板を備える表示装置、及び配線基板の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
液晶表示装置などのフラットパネル型の表示装置は、画像の表示を行う表示領域と、その周辺部に設けられた周辺領域とから構成される。表示領域とは、まさに画像などの表示を行う領域であり、電気光学効果や電界発光効果を生ずる表示媒体（例えば、液晶表示装置の場合は液晶層、ＥＬ表示装置の場合はＥＬ層）が備えられている。さらに上記表示領域には、表示媒体に表示信号を伝達するために、基板上にマトリクス状に配設された電気配線が存在する。一方、周辺領域とは、表示領域の外周領域を指し、表示領域にマトリクス状に配設された電気配線の引き出し電極など、表示に必要な周辺電気配線が形成されている領域である。
【０００３】
一般に、表示装置を駆動するためのドライバＩＣは、ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ　ｏｎＧｒａｓｓ）実装方式やＴＣＰ（Ｔａｐｅ　Ｃａｒｒｉｅｒ　Ｐａｃｋａｇｅ）実装方式によって、周辺領域に接続実装されている。
【０００４】
その一例として、図８（ａ）には、ＴＣＰ実装方式によってドライバＩＣが接続された液晶表示装置の概略図を示す。また、図８（ｂ）は、図８（ａ）に示す液晶表示装置のＴＣＰ（ソースＴＣＰ５０２又はゲートＴＣＰ５０３）の構成をより詳しく示す模式図である。
【０００５】
上記液晶表示装置の下基板５００上の表示領域には、図示しない信号配線（ゲート配線・ソース配線）がマトリクス状に配設されている。そして、上記信号配線上には、上記表示領域を覆うように上基板５０１が設けられている。下基板５００上の上基板５０１が配されていない領域が、周辺領域である。周辺領域のさらに外側には、外部信号を供給するための外部回路基板５０４が配されている。そして、周辺領域及び外部回路基板５０４上には、両者を仲介するように、ドライバＩＣ５０５を有し、表示領域上の信号配線に信号を供給するための複数のＴＣＰ（ソースＴＣＰ５０２又はゲートＴＣＰ５０３）が備えられている。外部信号は、外部回路基板５０４を経て各ＴＣＰへ供給される。
【０００６】
各ＴＣＰ５０３は、図８（ｂ）に示すように、柔軟なフレキシブル基材５０６上にドライバＩＣ５０５、ドライバＩＣに外部信号を供給するための信号入力配線５０７、及びドライバＩＣ５０５から出力された信号を表示領域へ供給するための信号出力配線５０８などを有している。上記信号入力配線５０７は、外部回路基板５０４上の端子接続部５０９に配された端子と電気的に接続されている。上記信号出力配線５０８は、下基板５００の周辺領域上の端子接続部５０９と電気的に接続されている。
【０００７】
ところで、このＴＣＰ実装方式の液晶表示装置は、信号を外部回路基板５０４から各ＴＣＰ５０３へ直接個別に入力する方式であるため、外部回路基板５０４上では非常に多数の配線が必要となる。そのため、製造工程の複雑化、コストアップ、信頼性の低下などの不具合が生じる。そこで、このＴＣＰ実装方式の代わりに、一旦一つのＴＣＰへ入力した信号を順次隣接するＴＣＰへ伝搬させる、所謂「信号伝搬方式」の液晶表示装置が、特許文献１、非特許文献１などに開示されている。
【０００８】
この信号伝搬方式を用いた液晶表示装置を、図９を用いて説明する。図９（ａ）は、信号伝搬方式の液晶表示装置の概略図であり、また、図９（ｂ）は、上記液晶表示装置のＴＣＰ（ソースＴＣＰ５１２又はゲートＴＣＰ５１３）の構成をより詳しく示す模式図である。
【０００９】
図９（ａ）に示すように、上記液晶表示装置は、上述のＴＣＰ実装方式の液晶表示装置と同様に、下基板５１０、上基板５１１、下基板５１０の周辺領域に配された複数のソースＴＣＰ５１２及び複数のゲートＴＣＰ５１２、外部位回路基板５１４などから構成される。また、各ＴＣＰ内にはドライバＩＣ５１５が備えられている。
【００１０】
また、図９（ｂ）に示すように、上記液晶表示装置に供えられたＴＣＰ５１２あるいは５１３は、フレキシブル基材５２２上に、ドライバＩＣ５１５、ドライバＩＣ５１５に外部信号を入力する信号入力配線であるＩＣ駆動用配線５１６、対向電極用配線５１７、ドライバＩＣ５１５から表示領域へ映像信号を供給するための信号出力配線５１８、隣接するＴＣＰに駆動信号を入出力するための中継配線５１９・５２０を備えている。なお、各配線は、端子接続部５２１において、他の配線などと接続されている。
【００１１】
上記信号伝搬方式の液晶表示装置における各ＴＣＰ間の信号のやり取りについて、以下に説明する。先ず、外部回路基板５１４からの外部信号が、ＩＣ駆動用配線５１６、対向電極用配線５１７を介して第１のＴＣＰ内のドライバＩＣに供給される。次に、このドライバＩＣからは、外部信号に応じた映像信号が、信号出力配線５１８を介して表示領域へ送られるとともに、外部信号の一部は、中継配線５１９・５２０へ送られる。中継配線５１９・５２０へ送られた信号は、各ＴＣＰ間を結ぶ接続配線を介して隣り合う第２のＴＣＰ内の中継配線５１９・５２０入力され、ドライバＩＣへ供給される。このように、一旦、外部回路基板５１４から信号がＴＣＰへ入力されると、その一部がＴＣＰ内のドライバＩＣを経て表示領域の画素へ送られる。他の信号については、ＴＣＰ上の中継配線及び基板上の接続配線を介して、順次隣接するＴＣＰへ伝搬される。
【００１２】
この信号伝搬方式を採用すれば、従来のＴＣＰ実装方式に比べて、外部回路基板からＴＣＰへの入力に必要な配線数を大幅に削減することが可能であるため、外部回路基板の単純構成化、小面積化、コストダウンを図ることができる。さらに、特許文献１、非特許文献１には、表示パネルの周辺領域にバスライン（ＴＣＰ間の接続配線）を設けることによって、外部回路基板を必要としない構造についても開示されている。
【００１３】
しかしながら、上記２件の公報に開示されている技術では、バスラインが非常に長くなるために、接続配線の高抵抗化を招いている。また、一般に、液晶表示パネル上の配線は、ガラス基板上に０．５μｍ以下の厚さの薄膜を用いて形成される。そのため、外部回路基板やＴＣＰ上の配線と比較して、抵抗値が非常に高くなってしまい、信号の伝搬遅延などの問題を引き起こしている。特に、ＴＣＰ上の液晶駆動用ＩＣを駆動するための電源電圧や、対向共通電極を駆動するための電源電圧等は、高抵抗による電圧降下が大きいと、動作上問題が生じてくる。これを防ぐためには、低抵抗下で信号を伝搬しなければならず、結局、外部回路基板を備えて、各ＴＣＰに対して個別に信号を入力しなければならない。
【００１４】
一方、特許文献２では、バスラインとして、表示装置のガラス基板上に、薄膜技術で形成された配線ではなく、転写によってガラス基板上に貼り付けた配線（金属膜）を用いている。これによれば、０．５μｍ以上（好ましくは、５〜１０μｍ）の厚みを有する配線を形成することができ、バスラインを低抵抗化することができる。この結果、表示パネルの周辺部（周辺領域）全域にわたり縦走するバスラインを設けることができ、外部回路基板を用いない構造が実現可能になる。
【００１５】
【特許文献１】
特開平４−３１３７３１号公報（平成４年１１月５日公開）
【００１６】
【特許文献２】
特開平６−１３７２４号公報（平成６年１月２１日公開）
【００１７】
【特許文献３】
特開平１０−３３９８８０号公報（平成１０年１２月２２日公開）
【００１８】
【非特許文献１】
実開平３−１１４８２０号公報（平成３年１１月２６日公開）
【００１９】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、特許文献２に開示されている表示装置において、低抵抗化が求められるＴＣＰ間のバスラインには、膜厚の大きい転写金属膜が使用されるが、一方、表示領域への導入配線は、薄膜技術を用いた従来の薄膜配線が使用される。そのため、表示装置の周辺領域には、膜厚の大きいＴＣＰ間のバスラインとしての接続配線と、膜厚の小さい表示領域への導入配線とが混在している。
【００２０】
図１０には、膜厚の異なる２つの配線が混在する場合の、表示装置の周辺領域に備えられた配線基板の断面図を示す。図１０に示すように、周辺領域に転写金属膜からなる接続配線５３１と、金属薄膜からなる導入用配線５３２とが混在する場合、ＴＣＰ５３４側に形成されている接続端子５３３・５３３とガラス基板５３５上に形成されている両配線５３１・５３２との間に接続不良が発生しやすいという問題が生ずる。
【００２１】
即ち、ＴＣＰ５３４とガラス基板５３５との接続に異方導電性接着材５３６を用いると、膜厚の大きい接続配線５３１の部分では、異方導電性接着材５３６に含有される導電粒子が十分に圧迫されて上下配線の導通を得ることができる。しかしながら、膜厚の薄い導入用配線５３２の部分では、導電粒子が十分に圧迫されずに接続不良が発生してしまう。
【００２２】
本発明は、上記の問題点に鑑みてなされたものであり、配線と配線上の電子部品との接続部分における接続不良を防止しつつ、配線の低抵抗化を実現できる電子装置の配線基板を提供することを目的とする。
【００２３】
【課題を解決するための手段】
上記の課題を解決するために、本発明の配線基板は、基板と、前記基板上に配置された電子部品と、前記基板上にパターニングされ、一部が前記基板と前記電子部品との間に挟まれた電気配線とを有する電子装置の配線基板において、前記電気配線は、第１導電膜と前記第１導電膜よりも膜厚の大きい第２導電膜とを含んで形成されるとともに、前記基板と前記電子部品との間に配され、前記電子部品と電気的に接続する前記電気配線は、前記第１導電膜又は第２導電膜の単層構造、あるいは、前記第１導電膜と前記第２導電膜との積層構造のどちらか一方のみからなることを特徴としている。
【００２４】
上記配線基板は、表示装置などの電子装置に備えられ、基板上に各種信号を伝達する電気配線が所定形状にパターニングされたものである。さらに、この配線基板には、電気配線がパターニングされた基板上の一部に、例えばトランジスタＩＣなどを含んでなる電子部品が配置されている。即ち、上記電子部品が備えられた部分では、電気配線が電子部品と基板との間に挟まれる構造になっており、電子部品は内在する接続端子などを介して電気配線と電気的に接続されている。
【００２５】
そして、上記電気配線は、２種類の導電膜、即ち第１導電膜及び第２導電膜を含んで形成されている。上記第２導電膜は、第１導電膜よりも膜厚が大きいため、電気抵抗が小さい。さらに、上記基板と上記電子部品との間に配された電気配線は、上記第１導電膜又は第２導電膜からなる単層構造、あるいは、上記第１導電膜と上記第２導電膜との積層構造のうち、どちらか一方のみを有している。即ち、上記基板と上記電子部品との間に挟まれた部分において、上記電気配線は、単層構造及び積層構造をともに含むことはないため、単層構造と積層構造との境目に生じる段差を含まない。
【００２６】
上記の構成によれば、電気配線の一部に膜厚の大きい導電膜を用いることによって、配線基板を容易に低抵抗化することができる。それに加え、上記基板と上記電子部品との間に配された部分において、電気配線は単層膜と積層膜の両方を含むことはないため、一定の厚さになっている。従って、電子部品と電気的接続を行う電気配線内において、膜厚に差が生じていないため、接続不良が起こることなく安定した接続を行うことができる。即ち、本発明の配線基板によれば、低抵抗化された従来の配線基板において発生する接続不良を解消することができる。
【００２７】
なお、特許文献３には、画素領域に映像信号を供給する映像信号線が、第１の金属層と第２の金属層と構成され、これら第１の金属層と第２の金属層とが一部互いに重畳されて形成されている液晶表示装置が開示されている。しかしながら、上記特許文献３における液晶表示装置は、ラインごとに映像信号に遅延差が生ずるのを防止するためのものであり、本願とは目的を別にするものであって、それゆえに、その構成も本願とは異なる。
【００２８】
上記配線基板において、前記第１導電膜と前記第２導電膜とは、異方導電性を有する接着部材で接着されていてもよい。
【００２９】
上記の構成によれば、基板上に形成されている第１導電膜とその上に配設される第２導電膜とを、電気的かつ機械的に接続することができる。さらに、上記接着部材は異方導電性を有するので、隣接する周辺電気配線同士の短絡を防ぐことができる。
【００３０】
前記配線基板の前記第２導電膜は、銅を含んで形成されることが好ましい。上記の構成によれば、上記第２導電膜をより低抵抗化できるとともに、μｍオーダーの厚さを有する第２導電膜をメッキ法によって簡便に形成することができる。
【００３１】
前記配線基板の前記第２導電膜の厚さは、１μｍ以上１５μｍ以下であることが好ましい。上記の構成によれば、十分に低抵抗な電気配線を提供することができる。
【００３２】
前記配線基板の前記第２導電膜は、前記配線基板とは別の支持基材上に形成された後、前記配線基板に転写した転写膜であることが好ましい。
【００３３】
上記の構成によれば、第１導電膜よりも膜厚の大きな第２導電膜を所定領域にのみ簡便に配設することができる。さらに、配線基板とは別の支持基材上で第２導電膜を形成することができるため、例えばメッキ法などによって第２導電膜を形成する場合に、配線基板自身をメッキに浸すことを回避できるため、配線基板に与えるダメージを減らすことができる。
【００３４】
前記転写膜が形成される前記支持基材は、ポリイミド樹脂を含んでいてもよい。この構成によれば、加熱処理を行うことによって容易にポリイミド樹脂と第２導電膜との密着性を低減させることができるため、第２導電膜を配線基板へ簡便に転写することができる。
【００３５】
前記配線基板の前記第２導電膜は、前記支持基材上に熱可塑性樹脂層を介して形成されてもよい。この構成によれば、加熱処理して熱可塑性樹脂層を軟化させることによって、支持基材から容易に導電膜を引き剥がし配線基板へ転写することができる。
【００３６】
前記配線基板の前記第２導電膜は、前記支持基材上に光崩壊性樹脂層を介して形成されてもよい。
【００３７】
上記の構成によれば、光照射を行い光崩壊性樹脂層と導電膜との密着性を低減させることによって、支持基材から容易に導電膜を引き剥がし配線基板へ転写することができる。なお、上記光崩壊性樹脂層は、紫外線照射によって崩壊する紫外線崩壊性樹脂層でもよい。
【００３８】
前記第２導電膜は、金属微粒子が分散された溶液、又は有機金属化合物を含有する溶液から形成されていてもよい。
【００３９】
上記の構成によれば、金属微粒子が分散された溶液、又は有機金属化合物を含有する溶液をインクとして用いて、インクジェット法によって、非常に簡便なプロセスで第２導電膜を形成することができる。
【００４０】
前記第２導電膜は、湿式メッキ被膜であってもよい。
【００４１】
上記の構成によれば、比較的安価なメッキ材料を使用して第２導電膜を形成することができるので、第２導電膜を厚膜化する場合に有用である。また、上記湿式メッキ被膜は、触媒層のパターンに準じて被膜が成長するため、厚膜化した場合でも、パターン精度が劣化することがない。
【００４２】
本発明の表示装置は、画像の表示を行う表示領域と、前記表示領域の周辺に配され、表示領域へ信号を伝達するための周辺領域とを有する表示装置において、前記周辺領域は、上記配線基板を有することを特徴としている。
【００４３】
上記の構成によれば、周辺領域には上記の配線基板が含まれているため、低抵抗化された配線構造を形成することができる。そのため、信号伝搬方式の表示装置において、接続配線が長くなっても良好な信号伝達を行うことができる。さらに、電気配線とドライバＩＣなどを備える電子部品との接続部分で接続不良が発生することを防止できる。
【００４４】
前記表示装置において、前記配線基板の電子部品は、複数個備えられ、前記電気配線は、前記表示領域内の電気配線と前記電子部品とを接続する第１周辺電気配線と、前記第２導電膜を少なくとも含んで形成され、前記電子部品同士を接続する第２周辺電気配線とを有する構成としても良い。
【００４５】
上記表示装置において、電子部品同士を接続する第２周辺電気配線は、第２導電膜を含むことによって低抵抗化されている。そのため、上記の構成によれば、表示パネル外部の駆動電源などから、ドライバＩＣなどを備える各電子部品へ配線を形成する必要がなくなり、配線数を大幅に減少させることができる。従って、表示パネルの表示領域以外の部分を小面積化することができる。
【００４６】
前記表示装置において、前記第２周辺電気配線は、隣り合う複数個の電子部品同士を接続するような構成であってもよい。
【００４７】
上記の構成によれば、第２周辺電気配線が、低抵抗化された第２導電膜を含んでいるため、隣り合う電子部品同士を接続しても高抵抗化を招くことなく、表示装置の周辺部全域にわたって縦走するバスラインを設けることができる。これによって、外部回路基板を必要としない表示装置を得ることができる。
【００４８】
前記表示装置において、前記第２周辺電気配線には、前記電子部品の電源配線が含まれていてもよい。
【００４９】
上記の構成によれば、電源からの駆動信号を低抵抗化された電源配線によって供給することができ、信号の伝搬を良好に行うことができる。
【００５０】
本発明の配線基板の製造方法は、基板上に第１導電膜を形成する第１導電膜形成工程と、前記第１導電膜よりも膜厚の大きい第２導電膜を、前記第１導電膜の少なくとも一部に積層して、電気配線を形成する第２導電膜積層工程と、前記第２導電膜積層工程における前記第１導電膜と第２導電膜との積層によって生じた段差を含まない前記電気配線上に、電子部品を配置する電子部品配設工程とを含むことを特徴としている。
【００５１】
上記の方法によれば、第１導電膜に比べて膜厚の大きい第２導電膜を形成することで、配線基板内の電気配線を低抵抗化することができる。また、第１導電膜と第２導電膜とを積層させて電気配線を形成しても、電子部品は、積層によって出来た段差を含まない領域、即ち第１導電膜又は第２導電膜の単層構造部分、或いは、第１導電膜と第２導電膜との積層構造部分に配設されるため、電子部品との接続部分における電気配線の厚さは一定となり、厚さの差によって生ずる接続不良を防止することができる。
【００５２】
上記の配線基板の製造方法において、前記第２導電膜積層工程は、前記基板とは異なる支持基材上に、前記第１導電膜よりも膜厚の大きい第２導電膜を形成する第２導電膜形成工程と、前記第２導電膜を、前記第１導電膜の少なくとも一部に積層するように転写して電気配線を形成する転写工程と、から構成されてもよい。
【００５３】
上記の方法によれば、第１導電膜よりも膜厚の大きな第２導電膜を、転写法によって、所定領域にのみ簡便に配設することができる。さらに、配線基板とは別の支持基材上で第２導電膜を形成することができるため、配線基板に与えるダメージを減らすことができる。
【００５４】
上記の配線基板の製造方法において、前記第２導電膜積層工程は、前記第２導電膜形成工程と前記転写工程との間に、前記第１導電膜及び／又は前記第２導電膜上に、異方導電性を有する接着部材を配設する接着部材配設工程をさらに含んでもよい。
【００５５】
上記の方法によれば、第１導電膜とその上層に配設される第２導電膜とを、電気的かつ機械的に接続することができる。さらに、上記接着部材は異方導電性を有するので、隣接する周辺電気配線同士の短絡を防ぐことができる。
【００５６】
上記の配線基板の製造方法において、前記第２導電膜積層工程は、インクジェット法によって実施されてもよい。
【００５７】
上記の方法によれば、非常に簡便なプロセスで第２導電膜を形成することができる。
【００５８】
上記の配線基板の製造方法において、前記第２導電膜積層工程は、湿式メッキ法によって実施されてもよい。
【００５９】
上記の方法によれば、比較的安価なメッキ材料を使用して第２導電膜を形成することができるので、第２導電膜を厚膜化する場合に有用である。また、湿式メッキ法であれば、触媒層のパターンに準じてメッキ被膜が成長するため、厚膜化した場合でも、パターン精度が劣化することがない。
【００６０】
また本発明の表示装置は、画像の表示を行う表示領域と、前記表示領域の周辺に配され、表示領域へ信号を伝達するために基板上に電気配線がパターニングされた周辺領域とを有する表示装置において、前記周辺領域にパターニングされた前記電気配線は、第１導電膜と前記第１導電膜よりも膜厚の大きい第２導電膜とを含んで形成されるとともに、前記第２導電膜は、前記基板とは別の支持基材上に形成された後、前記配線基板に転写された転写膜であり、さらに、前記第１導電膜と前記第２導電膜とは、異方導電性を有する接着部材で接着されていることを特徴としている。
【００６１】
上記の構成によれば、第１導電膜とその上に配設される低抵抗の第２導電膜とを、電気的かつ機械的に接続することができる。さらに、上記接着部材は異方導電性を有するので、隣接する周辺電気配線同士の短絡を防ぐことができるため、表示領域へ良好に信号を伝達することができる。
【００６２】
【発明の実施の形態】
本発明の一実施の形態について、図１ないし図７を用いて以下に説明する。なお、本発明は以下の記載に限定されるものではない。
【００６３】
本実施形態では、ＴＦＴ（Ｔｈｉｎ　Ｆｉｌｍ　Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）素子を用いたアクテイィブマトリクス型の液晶表示パネルを例に挙げて説明する。図２は、本発明に係る配線基板が設けられた液晶表示パネル（表示装置）の平面概略図である。図２に示すように、本液晶表示パネルは、アクティブマトリクス基板（基板）１１と対向基板１２とが貼り合わされた構造になっており、アクティブマトリクス基板１１の一部が露出するような形状になっている。そして、上記液晶表示パネルは、この一対の基板間の隙間に液晶層を有している。図２中の対向基板１２内に格子模様を付している部分が、表示領域１３である。表示領域１３は、画像信号に基づく映像を表示する領域である。上記表示領域１３以外の領域、即ち、表示領域１３の周辺部の領域については、本実施形態においては額縁領域１４（周辺領域）と称する。本発明に係る配線基板は、上記額縁領域１４に設けられている。
【００６４】
アクティブマトリクス基板１１は、ガラス基板上に走査線、信号線からなる格子状のマトリクス配線（電気配線）、画素ごとに設けられたスイッチ素子（ＴＦＴ素子）、画素電極などが形成されたものである。対向基板１２には、共通電極が形成されている。アクテイィブマトリクス基板１１の額縁領域には、走査線の線順次走査を司るゲートドライバＩＣ１５、及び、信号線に画像データ信号を供給するソースドライバＩＣ１６がそれぞれ複数個設けられている。図２に示すように、本液晶表示パネルにおいては、電子部品として、上記各ドライバＩＣ１５・１６がＴＣＰ実装方式（ＴＡＢ実装方式とも呼ぶ）によって接続された構造をしている。
【００６５】
ＴＣＰ実装方式とは、ポリイミドフィルムなどのフレキシブル基材の上にＩＣチップが搭載されたＴＣＰ（電子部品）を表示パネルと接続する方式である。なお、ゲートドライバＩＣ１５が搭載されたＴＣＰをゲートＴＣＰ１７、ソースドライバＩＣが搭載されたＴＣＰをソースＴＣＰ１８と呼ぶ。
【００６６】
また、表示パネルの額縁領域１４の一部には、信号入力用のＦＰＣ１９が接続されている。この信号入力用のＦＰＣ１９は、表示に必要な各種電気信号（画像データ信号など）やドライバＩＣ１５・１６などを駆動するための電源（ＩＣ駆動用電源電圧、共通電極駆動用電源電圧など）を外部から表示パネルに入力する役割を担っている。本液晶表示パネルは、画像表示を行うための画像データ信号、ドライバＩＣ１５・１６のための駆動電源、対向基板１２側共通電極の電気信号等は、全てＦＰＣ１９から導入されている。導入された各種信号は、ゲートＴＣＰ１７あるいはソースＴＣＰ１８内の配線を順次伝搬することによって、配線数を減少させている。即ち、本液晶表示パネルは、「信号伝搬方式」を採用している。これによって、本液晶表示パネルは、従来使用していた大型の外部回路基板（ＰＷＢ）を無くし、表示領域１３以外の領域を小面積化した構造をとることが可能である。
【００６７】
額縁領域１４には、複数の配線が形成されているが、大別すると、表示領域１３へ画像データ信号を出力するための第１周辺電気配線２１（表示領域への導入用電気配線）と、隣接する各ＴＣＰ１７・１８間の電気的接続を行う第２周辺電気配線２２とが配設された構造になっている。すなわち、第２周辺電気配線は、隣り合う複数個の電子部品同士を接続している。
【００６８】
なお、ＦＰＣ１９と、ゲートＴＣＰ１７あるいはソースＴＣＰ１８とは、電源配線２３によって電気的に接続されているが、本実施の形態では、この電気配線２３も第２周辺電気配線に含まれる。
【００６９】
ここで、表示領域１３に配設されているマトリクス配線は、０．５μｍ以下（好ましくは０．１〜０．４μｍ）の導電性を有する金属等の素材から、ＴＦＴ素子を形成する薄膜プロセスによって形成されている。上記素材として、具体的には、Ａｌ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｔｉなどを使用することができる。上記マトリクス配線は、上述のような素材の材料を用いて、単層膜、積層膜、合金膜などを形成して得られる。
【００７０】
また、額縁領域１４に配設されている第１周辺電気配線２１、第２周辺電気配線２２（電気配線）は、表示領域１３のマトリクス配線の形成と同じプロセス、同じ材料を用いて形成される金属薄膜（第１導電膜）と、他の工程によって形成される上記金属薄膜よりも膜厚の大きい転写金属膜（第２導電膜）とを含んで形成される。上記周辺電気配線２１・２２の構成及び形成方法について、以下に説明する。
【００７１】
図３は、上記額縁領域１４に配設されている配線基板内の第２周辺電気配線の断面構造の一例を示す断面図である。アクティブマトリクス基板１１の表面には、金属薄膜３１が形成されている。そして、金属薄膜３１の上層には、金属薄膜３１の腐食、酸化を防止するために、導電性酸化膜３２が積層されている。なお、上記導電性酸化膜３２は、省略することも可能である。導電性酸化膜３２の上層には、異方導電性接着材（接着部材）を介して低抵抗性の転写金属膜３４が配設されている。上記転写金属膜３４には、材料素材として抵抗率の低いＣｕ、Ａｇ、Ｎｉ、Ａｕなどを使用することができる。上記金属転写膜３４は、これら材料の単層膜、積層膜、合金膜などである。
【００７２】
また、上記金属転写膜３４は、材料としてＣｕが含まれていることがより好ましい。上記金属転写膜３４の厚さは、下層の金属薄膜３１と比較すると膜厚が大きく、具体的には、１μｍ以上１５μｍ以下であることが好ましい。上記の構成によれば、隣接するドライバ１５・１６（ＴＣＰ１７・１８）間を接続する電気配線として十分に低抵抗な配線を得ることができる。従って、上記転写金属膜３４は、低抵抗金属膜と呼ぶこともできる。本実施形態の液晶表示パネルにおいては、第１周辺電気配線２１、第２周辺電気配線２２の一部分が、金属薄膜３１と転写金属膜３４との積層構造になっている。なお、上記一部分を除く他の部分は、金属薄膜３１或いは、転写金属膜３４の単層構造になっている。
【００７３】
続いて、上述のように金属薄膜３１と転写金属膜３４とが積層された第２周辺電気配線２２の形成方法について説明する。図４（ａ）ないし（ｄ）は、上記第２周辺電気配線の形成の各プロセスを示す配線基板の断面図である。
【００７４】
先ず、図４（ａ）に示すように、アクティブマトリクス基板１１上に、第２周辺電気配線２２の下層となる金属薄膜３１のパターンを形成する。この工程では、上述の表示領域１３内のＴＦＴ素子を形成する薄膜プロセスで、ＴＦＴ素子と同時に金属薄膜３１のパターンを形成する。上記金属薄膜３１の材質としては、Ａｌ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｔｉなどを使用することが好ましい。これらの材質の材料を用いて、周知のフォトリソグラフィーやエッチングなどによって、単層膜、積層膜、或いは合金膜などからなる金属膜３１が形成される。金属薄膜３１が形成された後、ＩＴＯ（インジウム錫酸化物）、ＩＺＯ（インジウム亜鉛酸化物）等からなる導電性酸化膜が積層される。
【００７５】
次に、図４（ｂ）に示すように、金属薄膜３１上に異方導電性接着材３３が配設される。上記異方導電性接着材３３としては、絶縁性の樹脂からなるバインダ（結合剤）中に導電性粒子（例えば、プラスチック球の周りにＡｕ／Ｎｉメッキ膜が形成されている導電性粒子）が分散されているＡＣＦ（異方導電性フィルム）やＡＣＰ（異方導電性ペースト）を用いることができる。上記絶縁性の樹脂としては、熱硬化性或いは熱可塑性を有し、加熱処理によって接着効果を発揮するものを使用することが好ましい。上記異方導電性接着材３３は、金属薄膜３１がパターニングされた部分の上層にのみ配置しても良いし、複数の金属薄膜３１パターンを覆うように平面一体に配置しても良い。
【００７６】
次に、図４（ｃ）に示すように、予め表示パネルとは別の支持フィルム３６（支持基材）上に、配線形状に対応するようにパターン形成された金属膜（転写金属膜３４）を、異方導電性接着材３３が載せられた金属薄膜３１パターン上に転写し、転写金属膜３４とする。この転写においては、好ましくは温度１５０〜２００℃の熱圧着（熱プレス）プロセスによって、配線基板上に配置された支持フィルム３６の上方から熱圧着を行う。この工程において、パターニングされた金属薄膜３１と転写金属膜３４とは、異方導電性接着材３３で電気的に接続される。
【００７７】
次に、図４（ｄ）に示すように、支持フィルム３６を除去する。本実施形態においては、支持フィルム３６と転写金属膜３４パターンとの間に、光（好ましくは紫外線）照射によって接着性（又は粘着性）を低下させる光崩壊性樹脂（好ましくは紫外線崩壊性樹脂）や、加熱によって接着性を低下させる熱可塑性樹脂などからなる樹脂層を設けることが好ましい。この構成を用いることによって、光照射あるいは加熱処理によって、転写金属膜３４を支持フィルム３６から簡単に剥離させることができる。また、転写後の転写金属膜３４の表面には、界面活性剤などの変色防止剤（例えば、メルテックス社製エンテックＣＵ−５６、北池産業社製ＢＴ−７など）を適宜使用し、保護を施しておいてもよい。転写金属膜３４として銅（Ｃｕ）を含む場合は、上記変色防止剤を用いることがより好ましい。これによれば、Ｃｕ表面の腐蝕、酸化による高抵抗化を防止することができる。上述の形成方法によって、第２周辺電気配線２２上に低抵抗性の金属膜（転写金属膜３４）を配設することができ、配線の低抵抗化を図ることができる。なお、上述のような配線の低抵抗化は、第１周辺電気配線２１に適用することもできる。
【００７８】
続いて、支持フィルム３６上に転写用の転写金属膜３４を形成する方法について説明する。図５（ａ）ないし（ｆ）は、その方法の一例を各工程順に示す転写用フィルムの断面図である。
【００７９】
最初に、図５（ａ）に示すように、支持フィルム３６としてポリイミドからなるフィルムを用意する。なお、上記支持フィルム３６の表面は、水酸化カリウム（ＫＯＨ）などのアルカリ水溶液で、適宜粗化しておいても良い。次に、図５（ｂ）に示すように、支持フィルム３６の表面に無電解Ｃｕメッキ被膜３８を形成する。この工程は、Ｐｄなどの触媒を付与した後、市販の無電解Ｃｕメッキ浴に支持フィルム３６を浸漬させることによって得ることができる。次に、図５（ｃ）に示すように、無電解Ｃｕメッキ被膜３８の上層に、さらに電気メッキ法によってＣｕメッキ被膜３９を形成し、Ｃｕ膜を厚膜化する。無電解メッキ法のみを用いてＣｕ被膜を形成することも可能であるが、Ｃｕの厚膜化に長時間を要する。そこで、μｍオーダーの厚みを有するＣｕ膜を形成するためには、本方法のように、無電解メッキ法と電気メッキ法とを併用することが好ましい。
【００８０】
続いて、図５（ｄ）に示すように、無電解Ｃｕメッキ被膜３８の上層に配線パターンに対応したレジストパターン４０を形成する。上記レジストパターン４０は、メッキ浴に対して耐性を有するレジストを用いることが好ましく、例えば、感光性を有するドライフィルムレジストを用いることができる。次に、図５（ｅ）に示すように、エッチングによって不要なＣｕ膜３８・３９を除去する。Ｃｕは、塩化鉄の酸溶液などを用いて用意にエッチングすることができる。次に、図５（ｆ）に示すように、レジストパターン４０を除去する。
【００８１】
上述の方法によって、支持フィルム３６上に転写用の転写金属膜３４（無電解Ｃｕメッキ被膜３８及びＣｕメッキ被膜３９）を形成することができる。なお、図６（ａ）ないし（ｆ）は、図５に示す形成方法の変形例を各工程順に示す転写用フィルムの断面図である。この変形例においては、無電解Ｃｕメッキ被膜３８の上層にレジストパターン４０を形成した後に、Ｃｕメッキ被膜３９を形成する（図６（ｃ）、（ｄ）参照）。そしてその後、レジストパターンを剥離し（図６（ｅ）参照）、露出している表層Ｃｕ（無電解Ｃｕメッキ被膜３８、及びＣｕメッキ被膜３９の表層部）のみをエッチングにより除去する（図６（ｆ）参照）。
【００８２】
このようなポリイミドからなる転写フィルム上へのＣｕの無電解メッキ法による被膜方法及び、パターン形成方法に関しては、特開２００１−７３１５９号公報（平成１３年３月２１日公開）を参照して実施することができる。また、表面技術協会主催第１００回講演大会講演要旨集（表面技術協会発行、平成１１年９月１７日発行）２３、２４頁に記載されている方法で、紫外線を用いてポリイミドからなるフィルム上にＡｇパターンを形成し、Ａｇパターン上に選択的にＣｕメッキを施すことによって転写金属膜を形成してもよい。
【００８３】
ここで、ポリイミドフィルム上に無電解メッキ法で成膜したＣｕ膜の密着性（剥離強度）と加熱温度との関係を、図７を用いて説明する。図７は、ポリイミドフィルム上のＣｕ膜の剥離強度と加熱温度との相関を表すグラフである。グラフ中、横軸が加熱温度（℃）であり、縦軸が剥離強度（ｋｇ／ｃｍ）である。また、グラフ内の実線は、ポリイミド表面が無処理の場合であり、破線は、ポリイミド表面に化学エッチングが施されている場合である。図７のグラフに示すように、ポリイミドは、表面処理の有無に関わらず、１５０℃程度の加熱によって剥離強度が急激に低下し、剥がれやすくなることがわかる。
【００８４】
即ち、加熱処理することによって、Ｃｕ膜３８・３９とポリイミドからなる支持フィルム３６との密着性が低下し、剥離しやすくなる。従って、上述の方法で得られたＣｕ膜３８・３９が形成された支持フィルム３６について、所定の場所に位置合わせを行い、加圧しながら加熱処理を施すことで、簡単にＣｕ膜３８・３９を別の基板上に転写することができる。このとき、上記Ｃｕ膜３８・３９の厚さ（無電解Ｃｕメッキ被膜３８とＣｕメッキ被膜３９とを合わせた厚さ）は、５〜１５μｍであることが好ましい。
【００８５】
本発明で用いることのできる支持フィルム３６の種類、及び転写プロセスについては、上述したものに限定されるものではない。他の例については、特開平１０−７０３５４号公報（平成１０年３月１０日公開）、特開２０００−３４９４４５号公報（平成１２年１２月１５日公開）、及び、「日経エレクトロニクス」（日経ＢＰ社、２００２．３．１１号）２６、２７頁に記載されている回路形成転写テープに類するものを用いることもできる。また、上記支持フィルム３６の素材としては、パターン精度が高い高精細な回路配線を形成する場合には、伸縮性の小さいポリイミドを使用することが好ましい。一方、パターン精度の低い回路配線を形成する場合には、ポリイミドより安価なＰＥＴ（ポリエチレンテレフタラート）、ＰＥＳ（ポリエーテルサルフォン）、エポキシなどを使用することが好ましい。
【００８６】
続いて、本液晶表示パネルの額縁領域１４に配設された配線基板の周辺電気配線２１・２２の配線レイアウトの好ましい例について、図１（ａ）ないし（ｄ）を用いて説明する。図１（ａ）ないし（ｄ）は、図２（ａ）に示す液晶表示パネルの額縁領域１４上のＡで示す実線で囲まれた部分の配線パターンの各例を示す模式図である。即ち、図１（ａ）ないし（ｄ）は、アクテイィブマトリクス基板１１上に第１周辺電気配線２１及び第２周辺電気配線２２が形成されている様子を示す。なお、上記周辺電気配線２１・２２を挟み込むようにソースＴＣＰ１８が実装される部分については、一点鎖線で囲んで示している。この一点鎖線で示す領域をＴＣＰ実装領域と呼ぶ。また、周辺電気配線２１・２２のうち、金属薄膜３１を含む部分は白抜きで示し、転写金属膜を含む部分は斜線を付して示し、両者が積層されている部分は両者を重ねて示している。この積層されている部分は、上述の異方導電性接着材３３を介して導通している。
【００８７】
図１（ａ）に示す例においては、第１周辺電気配線２１は、金属薄膜３１のみで形成されており、第２周辺電気配線２２は、ＴＣＰ実装領域を含む一部分が、金属薄膜３１のみで形成されている。上記以外の第２周辺電気配線２２は、金属薄膜３１と転写金属膜３４との積層構造を形成している。
【００８８】
また、図１（ｂ）に示す例において、ＴＣＰ実装領域では、第１周辺電気配線２１・第２周辺電気配線２２はともに、金属薄膜３１と転写金属膜３４との積層構造を有している。その他の部分においては、図１（ａ）に示す例と同じ構成をしている。図１（ｃ）及び（ｄ）に示す例は、それぞれ図１（ａ）、（ｂ）に示すものの変形例である。図１（ｃ）及び（ｄ）においては、隣接するソースＴＣＰ１８間の接続配線（第２周辺電気配線２２の一部）が、転写金属膜３４の単層構造となっている。なお、上記周辺電気配線２１・２２は、ＴＣＰ実装領域において、図示しないＴＣＰ側接続端子と、異方導電性接着材を介して導通している。
【００８９】
上述のように、図１（ａ）ないし（ｄ）に示す周辺電気配線２１・２２の配線パターンは、アクテイィブマトリクス基板１１とソースＴＣＰ１８との間に挟まれる部分において、金属薄膜３１の単層膜、或いは、金属薄膜３１と転写金属膜３４との積層膜を成している。また、第２周辺電気配線２２のソースＴＣＰ１８間の接続部分では、少なくとも転写金属膜３４が含まれている。なお、第１周辺電気配線２１のＴＣＰ実装領域以外の部分については、表示領域１３へ導入される配線であるため、金属薄膜３１のみで形成することが好ましい
従って、図１（ａ）ないし（ｄ）に示す配線パターンの何れかを採用することによって、ＴＣＰ実装領域では、第１周辺電気配線２１と第２周辺電気配線２２との厚さを等しくすることができる。これによれば、異なる厚さの配線が混在することによるＴＣＰの接続不良の発生を防止することができる。また、ソースＴＣＰ１８間の接続部分の第２周辺電気配線２２においては、低抵抗性の転写金属膜３４が含まれているため、駆動電源等からの各種外部信号を低抵抗化された配線を通じて、ソースＴＣＰ１８間を伝搬させることができる。なお、本実施形態においては、ソースＴＣＰ１８実装領域を例に挙げて説明したが、ゲートＴＣＰ１７実装領域についても同様の効果が得られるため、上述の配線構成を適用することが好ましい。なお、本実施の形態においては、表示パネルを外部の駆動電源などと電気的に接続する接続部分についても電源配線とし、上記第２周辺電気配線に含むものとする。
【００９０】
また、図１には示されていないが、本発明においては、ＴＣＰ実装領域内で、第１周辺電気配線２１と第２周辺電気配線２２とが転写金属膜３４の単層構造を成している構成としてもよい。
【００９１】
このように、本発明の配線基板を備えた液晶表示パネル（表示装置）では、転写金属膜３４のパターンを用いることで、ＴＣＰ間の接続配線（第２周辺電気配線２２）の低抵抗化が可能となる。
【００９２】
すなわち、上記液晶表示パネルでは、低抵抗化された第２導電膜を含んで形成された第２周辺電気配線が、隣り合う各ＴＣＰ（複数個の電子部品）同士を接続するような構成となっている。それゆえ、隣り合う各ＴＣＰ間の電気配線の高抵抗化を招くことなく、液晶表示パネルの額縁領域全体にわたって縦走するバスラインを設けることができる。これによって、外部回路基板を必要としない液晶表示パネルを得ることができる。
【００９３】
さらに、上記液晶表示パネルにおいては、電源配線も第２周辺電気配線の一つとして第２導電膜を含んで形成されているため、電源から出力された駆動信号の伝搬を良好に行うことができる。
【００９４】
上述した実施形態においては、ＴＣＰ間の接続配線（第２周辺電気配線２２）の低抵抗化を行う場合に、下地となる第１導電膜上に第２導電膜（低抵抗金属）を転写することによって電気配線を形成するという方法について説明した。しかしながら、第２導電膜の形成方法としては、上述の転写法に限定されるものではなく、例えば以下の（１）、（２）の方法を用いることも可能である。
【００９５】
（１）インクジェット法
図１１には、インクジェット法によって第２導電膜を形成する場合の様子を模式的に示す。
【００９６】
このインクジェット法では、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｓｎなどの金属微粒子が分散された溶液や、特開２００２−３３９０７６号公報（平成１４年１１月２７日公開）や特開２００２−３３８８９１号公報（平成１４年１１月２７日公開）に開示されているような有機金属化合物を含有する溶液をインクとして使用する。そして、図１１に示すように、矢印Ａ方向にインクジェットヘッド５０と動かすことで、インクジェットヘッド５０から上記インクを所定の場所に吹き付け、異方導電性接着材３３上に第２導電膜３４を形成する。これによって、非常に簡便なプロセスで第２導電膜３４を形成することが可能になる。
【００９７】
（２）湿式メッキ法
湿式メッキ法では、所定の領域（第２導電膜を形成すべき領域）にＰｄ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕなどからなる触媒を微量に付与した後、該触媒の付与領域にのみ、第２導電膜（Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｓｎなど）を形成することが可能である。
【００９８】
図１２（ａ）〜（ｃ）には、湿式メッキ法によって第２導電膜の形成を行う場合の各工程の様子を順に示す。
【００９９】
先ず、触媒として作用する金属（Ｐｄ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕなど）を所定の領域にのみ付与するために、異方導電性接着材上３３に、第２導電膜を形成する領域と形成しない領域との表面状態（濡れ性など）に差を生じさせる。より具体的には、図１２（ａ）に示すように、異方導電性接着材上３３において、第２導電膜を形成したい領域は親水性を有する親水部３３ａとし、第２導電膜を形成しない領域については撥水性を有する撥水部３３ｂとする。
【０１００】
続いて、図１２（ｂ）に示すように、親水部３３ａ上にＰｄ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕなどからなる触媒を微量に付与して触媒層４１を形成する。この触媒層の形成方法としては、▲１▼：各層が積層された基板自体を、触媒金属イオンを含有する溶液に浸漬させることで、所定の領域（第２導電膜の形成領域）にのみ触媒金属を吸着させる方法や、▲２▼：触媒となる金属微粒子が分散されたインクや、触媒となる金属化合物を含有するするインクを、インクジェット法によって所定の場所に吹き付ける方法などが挙げられる。
【０１０１】
そして、図１２（ｃ）に示すように、無電解メッキ法を用いて、前の工程で形成された触媒層４１のパターンに準じてメッキ被膜を成長させることによって、第２導電膜３４を形成する。
【０１０２】
（１）のインクジェット法で用いるインクはインク材料の製造にノウハウが必要で、材料コストが増加しやすいが、（２）の湿式メッキ法であれば、比較的安価なメッキ材料を使用することができるので、第２導電膜を厚膜化する際に有用である。また、（１）のインクジェット法では、第２導電膜の厚膜化を図る場合に、滴下サイズを大きくするか、重ね塗りを行う必要があるために、パターン精度が劣化しやすい。一方、（２）の湿式メッキ法であれば、触媒層のパターンに準じてメッキ被膜が成長するため、厚膜化した際でもパターン精度が劣化することがない。
【０１０３】
なお、メッキ法による第２導電膜の形成においては、上述の湿式メッキ法以外に、電気メッキ法などを利用することも可能である。
【０１０４】
本実施の形態においては、配線基板内の電子部品として、ドライバＩＣを有するものを例に挙げて説明したが、本発明はこれに限定されることなく、例えばメモリーなどの他の各種電子部品を備えた配線基板にも利用することができる。また、ドライバＩＣを有する上記配線基板としては、例えば、ＣＯＧ実装方式、ＴＣＰ実装方式のものに適用することがより好ましい。これによれば、周辺電気配線の接続不良を容易に回避することができる。
【０１０５】
また本実施の形態においては、上記配線基板を備える電子装置として、液晶表示装置を例に挙げて説明したが、本発明はこれに限定されることなく、他の電子装置にも利用することができる。上記電子装置としては、例えばアクテイィブマトリクス基板を用いたフラット型センサパネル（Ｘ線撮像装置、原稿読み取り装置）などに適用することが好ましい。また、本発明の表示装置は、上述の液晶表示パネルに限定されるものではなく、例えば、ＥＬディスプレイ、電気泳動ディスプレイ、電子トナーディスプレイ、プラズマディスプレイなどの各種表示装置に適用することができる。
【０１０６】
【発明の効果】
以上のように、本発明の配線基板は、基板と、前記基板上に配置された電子部品と、前記基板上にパターニングされ、一部が前記基板と前記電子部品との間に挟まれた電気配線とを有する電子装置の配線基板において、前記電気配線は、第１導電膜と前記第１導電膜よりも膜厚の大きい第２導電膜とを含んで形成されるとともに、前記基板と前記電子部品との間に配され、前記電子部品と電気的に接続する前記電気配線は、前記第１導電膜又は第２導電膜の単層構造、あるいは、前記第１導電膜と前記第２導電膜との積層構造のどちらか一方のみからなることを特徴としている。
【０１０７】
上記の構成によれば、電気配線の一部に膜厚の大きい導電膜を用いることによって、配線基板を容易に低抵抗化することができる。それに加え、上記基板と上記電子部品との間に配された部分において、電気配線は単層膜と積層膜の両方を含むことはないため、一定の厚さになっている。従って、電子部品と電気的接続を行う電気配線内において、膜厚に差が生じていないため、接続不良が起こることなく安定した接続を行うことができるという効果を奏する。
【０１０８】
上記配線基板において、前記第１導電膜と前記第２導電膜とは、異方導電性を有する接着部材で接着されていてもよい。
【０１０９】
上記の構成によれば、基板上に形成されている第１導電膜とその上に配設される第２導電膜とを、電気的かつ機械的に接続することができる。さらに、上記接着部材は異方導電性を有するので、隣接する周辺電気配線同士の短絡を防ぐことができる。
【０１１０】
前記配線基板の前記第２導電膜は、銅を含んで形成されることが好ましい。
【０１１１】
上記の構成によれば、上記第２導電膜をより低抵抗化できるとともに、μｍオーダーの厚さを有する第２導電膜をメッキ法によって簡便に形成することができる。
【０１１２】
前記配線基板の前記第２導電膜の厚さは、１μｍ以上１５μｍ以下であることが好ましい。この構成によれば、十分に低抵抗な電気配線を提供することができる。
【０１１３】
前記配線基板の前記第２導電膜は、前記配線基板とは別の支持基材上に形成された後、前記配線基板に転写した転写膜であることが好ましい。
【０１１４】
上記の構成によれば、第１導電膜よりも膜厚の大きな第２導電膜を所定領域にのみ簡便に配設することができる。さらに、配線基板とは別の支持基材上で第２導電膜を形成することができるため、例えばメッキ法などによって第２導電膜を形成する場合に、配線基板自身をメッキに浸すことを回避できるため、配線基板に与えるダメージを減らすことができる。
【０１１５】
前記転写膜が形成される前記支持基材は、ポリイミド樹脂を含んでいてもよい。この構成によれば、加熱処理を行うことによって容易にポリイミド樹脂と第２導電膜との密着性を低減させることができるため、第２導電膜を配線基板へ簡便に転写することができる。
【０１１６】
前記配線基板の前記第２導電膜は、前記支持基材上に熱可塑性樹脂層を介して形成されてもよい。この構成によれば、加熱処理して熱可塑性樹脂層を軟化させることによって、支持基材から容易に導電膜を引き剥がし配線基板へ転写することができる。
【０１１７】
前記配線基板の前記第２導電膜は、前記支持基材上に光崩壊性樹脂層を介して形成されてもよい。上記の構成によれば、光照射を行い光崩壊性樹脂層と導電膜との密着性を低減させることによって、支持基材から容易に導電膜を引き剥がし配線基板へ転写することができる。
【０１１８】
前記第２導電膜は、金属微粒子が分散された溶液、又は有機金属化合物を含有する溶液から形成されていてもよい。
【０１１９】
上記の構成によれば、金属微粒子が分散された溶液、又は有機金属化合物を含有する溶液をインクとして用いて、インクジェット法によって、非常に簡便なプロセスで第２導電膜を形成することができる。
【０１２０】
前記第２導電膜は、湿式メッキ被膜であってもよい。
【０１２１】
上記の構成によれば、比較的安価なメッキ材料を使用して第２導電膜を形成することができるので、第２導電膜を厚膜化する場合に有用である。
【０１２２】
本発明の表示装置は、画像の表示を行う表示領域と、前記表示領域の周辺に配され、表示領域へ信号を伝達するための周辺領域とを有する表示装置において、前記周辺領域は、上記配線基板を有することを特徴としている。
【０１２３】
上記の構成によれば、周辺領域には上記の配線基板が含まれているため、低抵抗化された配線構造を形成することができる。さらに、電気配線とドライバＩＣなどを備える電子部品との接続部分で接続不良が発生することを防止できるという効果を奏する。
【０１２４】
前記表示装置において、前記配線基板の電子部品は、複数個備えられ、前記電気配線は、前記表示領域内の電気配線と前記電子部品とを接続する第１周辺電気配線と、前記第２導電膜を少なくとも含んで形成され、前記電子部品同士を接続する第２周辺電気配線とを有する構成としても良い。
【０１２５】
上記表示装置において、電子部品同士を接続する第２周辺電気配線は、第２導電膜を含むことによって低抵抗化されている。そのため、上記の構成によれば、表示パネル外部の駆動電源などから、ドライバＩＣなどを備える各電子部品へ配線を形成する必要がなくなり、配線数を大幅に減少させることができる。従って、表示パネルの表示領域以外の部分を小面積化することができる。
【０１２６】
前記表示装置において、前記第２周辺電気配線は、隣り合う複数個の電子部品同士を接続するような構成であってもよい。
【０１２７】
上記の構成によれば、第２周辺電気配線が、低抵抗化された第２導電膜を含んでいるため、隣り合う電子部品同士を接続しても高抵抗化を招くことなく、表示装置の周辺部全域にわたって縦走するバスラインを設けることができる。これによって、外部回路基板を必要としない表示装置を得ることができる。
【０１２８】
前記表示装置において、前記第２周辺電気配線には、前記電子部品の電源配線が含まれていてもよい。
【０１２９】
上記の構成によれば、電源からの駆動信号を低抵抗化された電源配線によって供給することができ、信号の伝搬を良好に行うことができる。
【０１３０】
本発明の配線基板の製造方法は、基板上に第１導電膜を形成する第１導電膜形成工程と、前記基板とは異なる支持基材上に、前記第１導電膜よりも膜厚の大きい第２導電膜を形成する第２導電膜形成工程と、前記第２導電膜を、前記第１導電膜の少なくとも一部に積層するように転写し、電気配線を形成する転写工程と、前記転写工程における前記第１導電膜及び第２導電膜の積層によって生じた段差を含まない前記電気配線上に、電子部品を配置する電子部品配設工程とを含むことを特徴としている。
【０１３１】
上記の構成によれば、転写工程によって第１導電膜に積層する第２導電膜を形成するため、第１導電膜に比べて膜厚の大きい第２導電膜を形成することができ、配線基板内の電気配線を低抵抗化することができる。また、電子部品との接続部分における電気配線の厚さは一定となるため、厚さの差によって生ずる接続不良を防止することができるという効果を奏する。
【０１３２】
本発明の配線基板の製造方法は、基板上に第１導電膜を形成する第１導電膜形成工程と、前記第１導電膜よりも膜厚の大きい第２導電膜を、前記第１導電膜の少なくとも一部に積層して、電気配線を形成する第２導電膜積層工程と、前記第２導電膜積層工程における前記第１導電膜と第２導電膜との積層によって生じた段差を含まない前記電気配線上に、電子部品を配置する電子部品配設工程とを含むことを特徴としている。
【０１３３】
上記の方法によれば、第１導電膜に比べて膜厚の大きい第２導電膜を形成することで、配線基板内の電気配線を低抵抗化することができる。また、上記の方法によれば、電子部品との接続部分における電気配線の厚さは一定となり、厚さの差によって生ずる接続不良を防止することができる。
【０１３４】
上記の配線基板の製造方法において、前記第２導電膜積層工程は、前記基板とは異なる支持基材上に、前記第１導電膜よりも膜厚の大きい第２導電膜を形成する第２導電膜形成工程と、前記第２導電膜を、前記第１導電膜の少なくとも一部に積層するように転写して電気配線を形成する転写工程とから構成されてもよい。
【０１３５】
上記の方法によれば、第１導電膜よりも膜厚の大きな第２導電膜を、転写法によって、所定領域にのみ簡便に配設することができる。さらに、配線基板とは別の支持基材上で第２導電膜を形成することができるため、配線基板に与えるダメージを減らすことができる。
【０１３６】
前記配線基板の製造方法において、前記第２導電膜積層工程は、前記第２導電膜形成工程と前記転写工程との間に、前記第１導電膜及び／又は前記第２導電膜上に、異方導電性を有する接着部材を配設する接着部材配設工程をさらに含んでもよい。
【０１３７】
上記の構成によれば、第１導電膜とその上層に配設される第２導電膜とを、電気的かつ機械的に接続することができる。さらに、上記接着部材は異方導電性を有するので、隣接する周辺電気配線同士の短絡を防ぐことができる。
【０１３８】
上記の配線基板の製造方法において、前記第２導電膜積層工程は、インクジェット法によって実施されてもよい。
【０１３９】
上記の方法によれば、非常に簡便なプロセスで第２導電膜を形成することができる。
【０１４０】
上記の配線基板の製造方法において、前記第２導電膜積層工程は、湿式メッキ法によって実施されてもよい。
【０１４１】
上記の方法によれば、比較的安価なメッキ材料を使用して第２導電膜を形成することができるので、第２導電膜を厚膜化する場合に有用である。
【０１４２】
また本発明の表示装置は、画像の表示を行う表示領域と、前記表示領域の周辺に配され、表示領域へ信号を伝達するために基板上に電気配線がパターニングされた周辺領域とを有する表示装置において、前記周辺領域にパターニングされた前記電気配線は、第１導電膜と前記第１導電膜よりも膜厚の大きい第２導電膜とを含んで形成されるとともに、前記第２導電膜は、前記基板とは別の支持基材上に形成された後、前記配線基板に転写された転写膜であり、さらに、前記第１導電膜と前記第２導電膜とは、異方導電性を有する接着部材で接着されていることを特徴としている。
【０１４３】
上記の構成によれば、上記接着部材は異方導電性を有するので、隣接する周辺電気配線同士の短絡を防ぐことができるため、表示領域へ良好に信号を伝達することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）ないし（ｄ）は、図２に示す液晶表示パネルの額縁領域のＡで示す実線で囲まれた部分の配線パターンを示す模式図である。
【図２】本発明に係る配線基板が設けられた液晶表示パネルの平面概略図である。
【図３】額縁領域に配設されている配線基板内の第２周辺電気配線の断面構造の一例を示す断面図である。
【図４】（ａ）ないし（ｄ）は、第２周辺電気配線の形成の各プロセスを示す配線基板の断面図である。
【図５】（ａ）ないし（ｆ）は、支持フィルム上に転写用の転写金属膜を形成する方法の一例を各工程順に示す転写用フィルムの断面図である。
【図６】（ａ）ないし（ｆ）は、図５に示す転写金属膜形成方法の変形例を各工程順に示す転写用フィルムの断面図である。
【図７】ポリイミドフィルム上に無電解メッキ法で成膜したＣｕ膜の剥離強度と加熱温度との関係を示すグラフである。
【図８】（ａ）は、ＴＣＰ実装方式によってドライバＩＣが接続された従来の液晶表示装置の概略図である。（ｂ）は、（ａ）に示す液晶表示装置のＴＣＰの構成をより詳しく示す模式図である。
【図９】（ａ）は、従来の信号伝搬方式の液晶表示装置の概略図であり、（ｂ）は、（ａ）に示す液晶表示装置のＴＣＰの構成をより詳しく示す模式図である。
【図１０】膜厚の異なる２つの配線が混在する場合の、表示装置の周辺領域に備えられた配線基板の断面図である。
【図１１】インクジェット法によって第２導電膜の形成を行う様子を示す模式図である。
【図１２】（ａ）ないし（ｃ）は、湿式メッキ法によって第２導電膜の形成を行う場合の各工程を示す模式図である。
【符号の説明】
１１　　アクテイィブマトリクス基板（基板）
１２　　対向基板
１３　　表示領域
１４　　額縁領域（周辺領域）
１５　　ゲートドライバＩＣ（ドライバＩＣ・電子部品）
１６　　ソースドライバＩＣ（ドライバＩＣ・電子部品）
１７　　ソースＴＣＰ（ＴＣＰ・電子部品）
１８　　ゲートＴＣＰ（ＴＣＰ・電子部品）
１９　　ＦＰＣ
２１　　第１周辺電気配線（周辺電気配線・電気配線）
２２　　第２周辺電気配線（周辺電気配線・電気配線）
２３　　電源配線（第２周辺電気配線）
３１　　金属薄膜（第１導電膜）
３２　　導電性酸化膜（第１導電膜）
３３　　異方導電性接着材（接着部材）
３３ａ　親水部
３３ｂ　撥水部
３４　　転写金属膜又は金属膜（第２導電膜）
３６　　支持フィルム（支持基材）
３８　　無電解Ｃｕメッキ被膜（第２導電膜）
３９　　Ｃｕメッキ被膜（第２導電膜）
４０　　レジストパターン
４１　　触媒層
５０　　インクジェットヘッド
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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