(57)【要約】【課題】検証の確実性を確保しつつ、処理時間の短いパターン補正検証方法、パターン補正検証装置およびプログラムを提供する。【解決手段】ステンシルマスクへの開口パターンの位置変位は、位置に対して緩やかな変化をするはずなので、近隣のパターン同士はほとんど同じ変位量であり、すなわちほとんど同じ補正量となっているはずである。従って、補正前後の図形から各区分領域毎の最大補正量を示すマトリクス状の最大補正量マップと、各区分領域毎の最小補正量を示すマトリクス状の最小補正量マップを作成する。そして、最大補正量マップと最小補正量マップとの差を求め（ステップＳＴ２６）、差分値が設定値以内か否かの判定を行うことにより（ステップＳＴ２７）、補正処理の検証を行う。【選択図】図８
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
位置毎に基準補正量を規定する第１補正量マップに基づいて、ステンシルマスクへのパターンの形成に起因する位置変位のための補正が適切に行われたか否かを検証するパターン補正検証方法であって、
補正前後のパターンを比較して、所定の単位で区分した区分領域毎の最大補正量を示す第２補正量マップおよび最小補正量を示す第３補正量マップを作成する第１ステップと、
前記第２補正量マップおよび前記第３補正量マップの差分を求め、前記区分領域毎の最大補正量と最小補正量との差分値を示す検証用マップを作成する第２ステップと、
前記検証用マップに含まれる差分値としきい値とを比較して、補正パターンの良否を判定する第３ステップと
を有するパターン補正検証方法。
【請求項２】
前記第１ステップにおいて、前記第１補正量マップに対応する単位で区分した区分領域の最大補正量を示す第２補正量マップおよび最小補正量を示す第３補正量マップを作成する
請求項１記載のパターン補正検証方法。
【請求項３】
前記第２ステップにおいて、前記第２補正量マップおよび前記第１補正量マップの差分をさらに求め、前記区分領域毎の最大補正量と基準補正量との差分値を示す第２検証用マップをさらに作成し、
前記第３ステップにおいて、前記第２検証用マップに含まれる差分値としきい値とを比較して、補正パターンの良否をさらに判定する
請求項２記載のパターン補正検証方法。
【請求項４】
前記第２ステップにおいて、前記第３補正量マップおよび前記第１補正量マップの差分をさらに求め、前記区分領域毎の最小補正量と基準補正量との差分値を示す第３検証用マップをさらに作成し、
前記第３ステップにおいて、前記第３検証用マップに含まれる差分値としきい値とを比較して、補正パターンの良否をさらに判定する
請求項２記載のパターン補正検証方法。
【請求項５】
位置毎に基準補正量を規定する第１補正量マップに基づいて、ステンシルマスクへのパターンの形成に起因する位置変位のための補正が適切に行われたか否かの検証をコンピュータに実行させるプログラムであって、
補正前後のパターンを比較して、所定の単位で区分した区分領域毎の最大補正量を示す第２補正量マップおよび最小補正量を示す第３補正量マップを作成する第１ステップと、
前記第２補正量マップおよび前記第３補正量マップの差分を求め、前記区分領域毎の最大補正量と最小補正量との差分値を示す検証用マップを作成する第２ステップと、
前記検証用マップに含まれる差分値としきい値とを比較して、補正パターンの良否を判定する第３ステップと、を前記コンピュータに実行させる
プログラム。
【請求項６】
位置毎に基準補正量を規定する第１補正量マップに基づいて、ステンシルマスクへのパターンの形成に起因する位置変位のための補正が適切に行われたか否かを検証するパターン補正検証装置であって、
補正前後のパターンを比較して、所定の単位で区分した区分領域毎の最大補正量を示す第２補正量マップおよび最小補正量を示す第３補正量マップを作成する補正量マップ作成手段と、
前記第２補正量マップおよび前記第３補正量マップの差分を求め、前記区分領域毎の最大補正量と最小補正量との差分値を示す検証用マップを作成する検証用マップ作成手段と、
前記検証用マップに含まれる差分値としきい値とを比較して、補正パターンの良否を判定する判定手段と
を有するパターン補正検証装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば、ステンシルマスクへのパターン形成に起因する位置変位を補正する補正処理を検証するためのパターン補正検証方法、パターン補正検証装置およびプログラムに関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体デバイスがますます微細化され、光によるパターニングが困難になりつつあり、Ｘ線、電子線、イオンビーム等によるリソグラフィ技術等が提案され、研究開発されてきている。
【０００３】
これらの新しい手法の中には、従来の光によるリソグラフィで使用してきたマスク構造とは異なり、使用するビームを透過しないプレートに、ビームが透過するための所望のパターン形状の孔を設けたステンシルマスクを用いるものがある（特許文献１参照）。
【０００４】
ステンシルマスクとなる材料は薄膜であり、パターニングすなわち薄膜への開口の形成直前までの工程により決定される一定の内部応力をもっている。
【０００５】
ステンシルマスクにパターニングすなわち開口を形成すると、開口した部分による内部応力が解放されるため、薄膜の内部の応力状態が変化し、それにより、パターンそのものも変位してしまう問題がある。
【０００６】
内部応力が小さいと、この変位も小さくなるが、薄膜がたわむことで転写精度が劣化してしまう懸念がある。そこで、これらのトレードオフにより、薄膜形成の過程で内部応力は調整されているが、必要最小限度の内部応力によるパターン変位は必然的に発生する。
【０００７】
このパターン変位を予め計算する方法およびその結果を用いて元のマスクパターンを補正し、開口による応力状態変化後のパターンが、所望のパターンとなるように補正する方法が、未公開の出願で提案されている（特許文献２参照）。
【０００８】
【特許文献１】
特開２００３−５９８１９号公報
【特許文献２】
特願２００１−２０３５３３号
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
データ処理の実行においては、ソフトウェア的なトラブルやハードウェア的トラブルが十分に発生する可能性があるため、実用には補正結果のパターンの検証が必要である。
【００１０】
しかしながら、非常に多くの図形をもつマスクパターンデータに対して適用するための検証方法として、それを処理する計算機の負荷が重くなるという問題を解消する必要がある。検証の確実性を確保しつつ、処理時間の短い検証方法が望まれている。
【００１１】
本発明は上記の事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、検証の確実性を確保しつつ、処理時間の短いパターン補正検証方法、パターン補正検証装置およびプログラムを提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するため、本発明のパターン補正検証方法は、位置毎に基準補正量を規定する第１補正量マップに基づいて、ステンシルマスクへのパターンの形成に起因する位置変位のための補正が適切に行われたか否かを検証するパターン補正検証方法であって、補正前後のパターンを比較して、所定の単位で区分した区分領域毎の最大補正量を示す第２補正量マップおよび最小補正量を示す第３補正量マップを作成する第１ステップと、前記第２補正量マップおよび前記第３補正量マップの差分を求め、前記区分領域毎の最大補正量と最小補正量との差分値を示す検証用マップを作成する第２ステップと、前記検証用マップに含まれる差分値としきい値とを比較して、補正パターンの良否を判定する第３ステップとを有する。
【００１３】
上記の本発明のパターン補正検証方法では、第２補正量マップおよび第３補正量マップの差分を求めることにより、区分領域毎の最大補正量と最小補正量との差分値を示す検証用マップを作成している。
ステンシルマスクへのパターンの形成に起因する位置変位は、位置に対して緩やかな変化をするはずである。従って、検証用マップに含まれる区分領域毎の最大補正量と最小補正量との差分をしきい値と比較することにより、補正量の位置に対する変化が緩やかであることが確認され、補正の検証がなされる。
【００１４】
上記の目的を達成するため、本発明のプログラムは、位置毎に基準補正量を規定する第１補正量マップに基づいて、ステンシルマスクへのパターンの形成に起因する位置変位のための補正が適切に行われたか否かの検証を処理部に実行させるプログラムであって、補正前後のパターンを比較して、所定の単位で区分した区分領域毎の最大補正量を示す第２補正量マップおよび最小補正量を示す第３補正量マップを作成する第１ステップと、前記第２補正量マップおよび前記第３補正量マップの差分を求め、前記区分領域毎の最大補正量と最小補正量との差分値を示す検証用マップを作成する第２ステップと、前記検証用マップに含まれる差分値としきい値とを比較して、補正パターンの良否を判定する第３ステップと、を前記処理部に実行させる。
【００１５】
上記の本発明のプログラムでは、コンピュータに第２補正量マップおよび第３補正量マップの差分を求めさせ、区分領域毎の最大補正量と最小補正量との差分値を示す検証用マップを作成させている。
ステンシルマスクへのパターンの形成に起因する位置変位は、位置に対して緩やかな変化をするはずである。従って、コンピュータに検証用マップに含まれる区分領域毎の最大補正量と最小補正量との差分をしきい値と比較させることにより、補正量の位置に対する変化が緩やかであることが確認され、補正の検証がなされる。
【００１６】
さらに、上記の目的を達成するため、本発明のパターン補正検証装置は、位置毎に基準補正量を規定する第１補正量マップに基づいて、ステンシルマスクへのパターンの形成に起因する位置変位のための補正が適切に行われたか否かを検証するパターン補正検証装置であって、補正前後のパターンを比較して、所定の単位で区分した区分領域毎の最大補正量を示す第２補正量マップおよび最小補正量を示す第３補正量マップを作成する補正量マップ作成手段と、前記第２補正量マップおよび前記第３補正量マップの差分を求め、前記区分領域毎の最大補正量と最小補正量との差分値を示す検証用マップを作成する検証用マップ作成手段と、前記検証用マップに含まれる差分値としきい値とを比較して、補正パターンの良否を判定する判定手段とを有する。
【００１７】
上記の本発明のパターン補正検証装置では、補正量マップ作成手段により第２補正量マップおよび第３補正量マップが求められ、検証用マップ作成手段により第２補正量マップおよび第３補正量マップの差分が求められ、区分領域毎の最大補正量と最小補正量との差分値を示す検証用マップが作成される。
ステンシルマスクへのパターンの形成に起因する位置変位は、位置に対して緩やかな変化をするはずである。従って、判定手段により検証用マップに含まれる区分領域毎の最大補正量と最小補正量との差分としきい値が比較されることにより、補正量の位置に対する変化が緩やかであることが確認され、補正の検証がなされる。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明のパターン補正検証方法、パターン補正検証装置およびプログラムの実施の形態について、図面を参照して説明する。
【００１９】
図１（ａ）は、本発明の適用対象となるステンシルマスクの一例を示す平面図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）に示すステンシルマスクの一例を示す断面図である。
【００２０】
図１（ａ）に示すように、ステンシルマスクは、約１０ｎｍから１０μｍのシリコン等からなる薄膜１２に開口からなる図示しないパターンが形成されるものであり、薄膜の強度を補強すべく格子状の梁１３で区画されている。
【００２１】
図１（ｂ）に示すように、ステンシルマスクは、例えばＳＯＩ基板により形成され、例えば、シリコン基板１０上に酸化シリコン等からなるエッチングストッパ膜１１を介してＳＯＩ層からなる薄膜１２が形成される。シリコン基板１０およびエッチングストッパ膜１１が加工されて梁１３が形成されており、梁１３により区画されたメンブレン１２には、開口によりパターンＰが形成されている。但し、ステンシルマスクの材料には特に限定はなく、ＳＯＩ基板を利用せずに形成してもよい。
【００２２】
図２は、上記のステンシルマスクに形成するパターンＰを配置するための補正処理手順を示すフロー図である。
【００２３】
まず、ステンシルマスクでは、開口によりパターンを形成することから、ドーナツ状のパターン等は中央部が支持されないため形成できない。そのため、ウェーハに露光すべき転写パターンはステンシルマスクの薄膜上１２に分割されて配置される。このような分割後の各薄膜領域に配置すべき原パターン（データ）が作成される（ステップＳＴ１）。
【００２４】
マスクに配置すべき原パターンが作成されると、例えば有限要素法を用いた応力解析によりパターンの変位を計算する（ステップＳＴ２）。応力解析では、例えばパターンそのものを用いて計算せずに特許文献２で提案されている計算手法を用いる。
【００２５】
図３は、上記手法による応力解析のための要素分割例を示す図である。
この解析では、ステンシルマスクを均等な三角形に分割して解析要素１（１ａ，１ｂ，１ｃを含む）とし、その内部に包含するパターンＰ１，Ｐ２の状態を、その解析要素１の材料の特性に反映させる。この例では、各解析要素１内にあるパターンの開口面積率（パターン面積密度）を、解析要素１の厚さに反映させる。
【００２６】
通常の有限要素法では、開口からなるパターンに要素はなく、薄膜上の要素の全ては均一な厚さで計算が行われる。それに対し、図３に示す計算方法では、パターン面積密度の大きい要素ほど薄いとみなす。より具体的な手順としては、解析要素の厚さに対して、解析要素内に開口すべきパターン以外の部分の面積率を掛けることにより求める。すなわち、解析要素内にパターンが無い場合は、その解析要素は本来の薄膜１２の厚さであり、要素全体を開口する場合は、その要素の厚さは０になる。このようにして、例えば、パターンＰ１を含む解析要素１ａは薄膜１２の本来の厚さの５６％、パターンＰ２の一部を含む解析要素１ｂの厚さは９３％、パターンＰ２をほとんど含まない解析要素１ｃの厚さは９９％であるとみなす。
【００２７】
そして、開口していない単純な板状の部材として、有限要素法により擬似的に解析する。このように、ステンシルマスクを均等に分割して解析要素とし、その内部に包含するパターンを、その解析要素の材料の特性に反映させて、近似的に有限要素法による計算を行うことにより、計算速度を速めることができる。これにより、解析結果として、解析要素１の境界部分２の応力、変位が得られる（ステップＳＴ２，ＳＴ３）。
【００２８】
上記で得られた境界部分２の変位により、補正量を計算する（ステップＳＴ４）。図４は、補正量マップの作成を説明するための図である。
図４（ａ）に示すように、梁１３により囲まれた例えば１ｍｍ角の薄膜１２の領域を５×５の解析要素１に分割して解析したと仮定する。このとき、上記したように解析要素の境界部分２の応力、変位が得られる。すなわち、図中、６×６の点位置における応力、変位が得られる。
【００２９】
例えば、左下および右上の境界部分２の変位量ε１１，ε６６に基づいて、この位置における補正量η１１，η６６を求める。例えば、梁１３に接している部分であることから、変位量η１１，ε６６が０であれば、補正量η１１，η６６も０とする。
【００３０】
また、図中、左下および右上の境界部分２よりも中心側に位置する境界部分２の変位量ε２２，ε５５に基づいて、この位置における補正量η２２，η５５を求める。例えば、得られた変位の値の負の値をそのまま補正量としてしても良い。厳密には正しくないが、対象としているステンシルマスクのように、変位量の位置に対する変化が図形サイズに比べ十分に小さい場合は十分実用的な方法である。
【００３１】
以上のようにして、図４（ｂ）に示すような全ての境界部分の位置の基準補正量を規定する補正量マトリクスである補正量マップが作成される（ステップＳＴ４）。このように、高速計算のために擬似的に設定した解析要素の境界の変位と補正量マップの各補正量がこの例では、完全に対応している。
【００３２】
次に、ここで得た補正量マップによりパターンを補正する。
図５は、補正量マップによりパターンを補正するパターン補正装置および本実施形態に係るパターン補正検証装置を示すブロック図である。図６は、パターン補正装置によるパターン補正処理手順を示すフロー図である。
【００３３】
パターン補正装置３では、補正前の原パターンデータＰＤ１から図形（パターン）を一つ取り出す（ステップＳＴ１１）。抜き出された図形の座標として、図形中心の座標を計算する（ステップＳＴ１３）。
【００３４】
そして、補正量マップＭにより図形中心での補正量を補間計算して求める（ステップＳＴ１４）。すなわち、補正量マップＭでは、図４に示すように例えば薄膜１２の領域の６×６の代表点の位置の基準補正量のみを規定しているため、取り出された図形の中心座標と必ずしも一致しない。このため、図形中心の座標における補正量を、その周りの対応する補正量マップＭでの補正量で線形補間する等として求める。
【００３５】
補正量の計算後、求められた補正量分だけ図形を移動させる（ステップＳＴ１５）。上記のステップＳＴ１１〜ＳＴ１５までの処理を原パターンデータＰＤ１における全ての図形に対して行う。そして、全ての図形が取り出されて補正されることにより（ステップＳＴ１２）、補正後の補正パターンデータＰＤ２が作成されて、補正処理が終了する。
【００３６】
上記の補正処理のフローからわかる通り、図形一つずつについてその図形の補正量を補正量マップＭから線形補間等して求めて、補正している。すなわち、補正に必要な処理時間は、原パターンデータＰＤ１に含まれる図形数に比例した時間で済む。また、この補正手順では、入力された補正前のパターンと出力される補正後のパターンの順序が同じであることを保証できる。
【００３７】
図７は、パターンの補正により形成されるマスクパターンのイメージを示す図である。例えば、図７（ａ）において点線で示すパターンを目的のパターンＰ３とすると、開口の形成による内部応力の解放により、実際のステンシルマスク上のマスクパターンＰ４は、図７（ａ）の実線で示すように位置が変位する。図７（ａ）に示すパターンでは、実際に形成したマスクパターンＰ４は、内部応力の解放により外側に変位している例である。
【００３８】
図７（ｂ）の点線で示すパターンＰ３’は、図７（ａ）の点線で示すパターン（原パターン）に対し、上記の補正量マップを用いた補正処理により補正が加えられた補正パターンを示す。上記したように、開口よりなるパターンの形成により外側に変位した量だけ、パターンを内側に移動させた補正パターンＰ３’を形成する。
【００３９】
図７（ｂ）の点線で示す補正パターンＰ３’でステンシルマスクに開口を形成すると、内部応力の解放により外側に変位して図７（ｂ）の実線で示すマスクパターンＰ４’が形成される。この実線で示すマスクパターン４’は、目的のパターンＰ３と略一致するパターンとなる。
【００４０】
次に、上記の補正処理による補正が適切に行われたか否かの検証方法について説明する。
【００４１】
ステンシルマスクへの開口パターンによる内部応力変化への影響は非常に小さいものであるが、マスク上にパターンは多数あるため、その積算の結果無視できない変化が発生し、それが位置変位となって現れる。
【００４２】
このような機序により発生している位置変位は、位置に対して緩やかな変化をするはずなので、近隣のパターン同士はほとんど同じ変位量であり、すなわちほとんど同じ補正量となっているはずである。
【００４３】
例えば、ステンシルマスクのうち、１ｍｍ角の薄膜１２の領域を２００×２００のマトリクスに分割し、薄膜１２内の最大補正量が、２０ｎｍであったとする。最外周は、梁１３により固定されているため、補正量は０なので、マトリクスの隣同士の要素の補正量の差は、０．１ｎｍも無いと考えられる。
【００４４】
本実施形態では、この補正量の位置に対する変化が緩やかであることを確認することで、補正結果の検証を行う。より詳細には、補正前後の図形の位置変化を計算し対応するマトリクスの各要素毎に最大の補正量と最小の補正量を計算する。
【００４５】
図５に示すように上記の処理を実施する補正処理検証装置４は、本実施形態に係るプログラムがコンピュータに読み込まれることにより、補正量マップ作成手段５と、検証用マップ作成手段６と、判定手段７として機能する。図８は、検証処理の手順を示すフロー図である。
【００４６】
補正量マップ作成手段５は、補正前の原パターンデータＰＤ１と補正後の補正パターンデータＰＤ２とを入力して、補正量マップＭに対応する最大補正量マップと最小補正量マップを作成する。図９（ａ）は最大補正量マップを示す図であり、図９（ｂ）は最小補正量マップを示す図である。
【００４７】
図９（ａ）および（ｂ）に示す最大補正量マップおよび最小補正量マップは、図４（ｂ）に示す補正量マップのマトリクスに対応させたものである。すなわち、補正処理で使用した補正量マップが、図４（ｂ）に示すように６×６のマトリクスであれば、最大補正量マップＭｍａｘおよび最小補正量マップＭｍｉｎも６×６のマトリクスとする。
【００４８】
最大補正量マップＭｍａｘの６×６の最大補正量Ａ１１〜Ａ６６は、例えば、図４（ａ）の各境界点を中心とする均等な区分領域を設定して、当該区分領域内の図形のうち、最も補正量が大きかった補正量をそれぞれ示す。
【００４９】
最小補正量マップＭｍｉｎの６×６の最小補正量Ｂ１１〜Ｂ６６は、例えば、図４（ａ）の各境界点を中心とする均等な区分領域を設定して、当該区分領域内の図形のうち、最も補正量が小さかった補正量をそれぞれ示す。
【００５０】
図９に示すような最大補正量マップＭｍａｘおよび最小補正量マップＭｍｉｎを作成するため、補正量マップ作成手段５では、まず補正処理で使用された補正量マップＭに対応するマトリクスをもつ最大補正量マップと最小補正量マップの初期化を行う（ステップＳＴ２１）。
【００５１】
次に、原パターンデータＰＤ１から補正前図形を一つ取り出し、補正パターンデータＰＤ２から補正後図形を一つ取り出す（ステップＳＴ２２）。このとき、原パターンデータの読み出しは、補正処理におけるパターン補正装置３による読み出しの順番と同じにする。また、補正パターンデータＰＤ２からの図形の読み出しは、補正処理の際に出力された順番に読み出すようにする。このように、補正前後の図形の対応は、同じ順番で読み取ることにより保証されることから、順番に読み取るだけの単純なアルゴリズムを採用することができる。
【００５２】
次に、補正前後の図形を比較して、中心座標の差分を求めることにより、補正量（移動量）を算出する（ステップＳＴ２４）。補正後の図形の位置座標に基づいて、最大補正量マップあるいは最小補正量マップの対応する番地の最大補正量Ａ１１〜Ａ６６、あるいは最小補正量Ｂ１１〜Ｂ６６が更新される（ステップＳＴ２５）。
【００５３】
すなわち、いずれかの最大補正量Ａ１１〜Ａ６６で示される区分領域に属する新たな図形の補正量が、それまでの最大補正量よりも大きければ、従前の最大補正量の値が更新される。あるいは、いずれかの最小補正量Ｂ１１〜Ｂ６６で示される領域に属する新たな図形の補正量が、それまでの最小補正量よりも小さければ、従前の最小補正量の値が更新される。
【００５４】
上記のステップＳＴ２２〜ＳＴ２５までの処理による補正量の算出および従前の最大補正量あるいは最小補正量との比較を、原パターンデータＰＤ１および補正パターンデータＰＤ２に含まれる全てのパターンに対し行う（ステップＳＴ２３）。これにより、最大補正量マップＭｍａｘおよび最小補正量マップＭｍｉｎが作成される。
【００５５】
次に、検証用マップ作成手段６により最大補正量マップＭｍａｘおよび最小補正量マップＭｍｉｎの各マトリクスの対応する補正値の差が求められて第１検証用マップが作成される（ステップＳＴ２６）。例えば、図９（ａ）および（ｂ）の最大補正量Ａ２５と最小補正量Ｂ２５との差といったように、マトリクスの各要素に対応させた最大補正量Ａ１１〜Ａ６６と最小補正量Ｂ１１〜Ｂ６６の差分を示す検証用マップを作成する。
【００５６】
また、検証用マップ作成手段６により最大補正量マップＭｍａｘおよび補正量マップＭの各マトリクスの対応する補正値の差を求めて、第２検証用マップを作成する（ステップＳＴ２６）。
【００５７】
さらに、検証用マップ作成手段６により補正量マップＭおよび最小補正量マップＭｍｉｎの各マトリクスの対応する補正値の差を求めて、第３検証用マップを作成する（ステップＳＴ２６）。
【００５８】
次に、判定手段７により、第１〜第３検証用マップに含まれる各要素の補正量差分値が、全て設定値以内に収まっているか否かを判定する（ステップＳＴ２７）。この第１検証用マップの判定において、基準となる設定値は、例えば２００×２００のマトリクスの場合では、０．１ｎｍ程度となる。補正後のデータが、マスク描画のためのデータである場合は、その描画アドレスユニットあるいはその整数倍に規定する。第２検証用マップおよび第３検証用マップに設定する設定値は、第１検証用マップに設定する設定値の半分程度となる。
【００５９】
第１〜第３検証用マップに含まれる各要素の補正差分値が、全て設定値以内に収まっていれば、補正処理は適切であると判定されて終了する。すなわち、全ての各要素の補正差分値が設定値以内であれば、補正量の位置に対する変化が緩やかであることが確認されるからである。
【００６０】
第１〜第３検証用マップに含まれる各要素の補正差分値のうち、例えば一つでも設定値以上のものが存在すれば、補正処理は不適切であると判定されて終了する。すなわち、一つの要素でも補正差分値が設定値を越えていれば、この要素内での補正量の位置に対する変化が急激であることがわかり、このような補正は許容できないからである。
【００６１】
以上のように、本実施形態に係るパターン補正検証方法、パターン補正検証装置およびプログラムによれば、確実な検証を、少ない計算機負荷で実現することができ、処理時間を短くすることができる。この検証により、計算機上の突発的トラブル、位置変位の計算機能の不具合等により発生する可能性のある、マスク作成やチップ生産での致命的問題となる誤りを検出することができ、信頼性の高い補正処理が可能となる。
【００６２】
本発明は、上記の実施形態の説明に限定されない。
例えば、第２検証用マップの作成および第３検証用マップは、必要に応じて作成すれば足りる。また、補正量マップＭ、およびこれに対応する最大補正量マップＭｍａｘと最小補正量マップＭｍｉｎのマトリクスの数は、任意である。
その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の変更が可能である。
【００６３】
【発明の効果】
本発明によれば、確実な検証を、少ない計算機負荷で実現することができ、処理時間を短くすることができる。この検証により、補正処理の計算の際の突発的トラブル、位置変位の計算機能の不具合等により発生する可能性のある、マスク作成やチップ生産での致命的問題となる誤りを検出することができ、信頼性の高い補正処理を保証することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１（ａ）は、本発明の適用対象となるステンシルマスクの一例を示す平面図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）に示すステンシルマスクの一例を示す断面図である。
【図２】ステンシルマスクに形成するパターンを配置するための補正処理手順を示すフロー図である。
【図３】応力解析のための要素分割例を示す図である。
【図４】図４（ａ）は解析要素毎の解析結果を示す図であり、図４（ｂ）は補正量マップを示す図である。
【図５】パターン補正装置およびパターン補正検証装置を説明するためのブロック図である。
【図６】パターン補正装置によるパターン補正処理手順を示すフロー図である。
【図７】図７（ａ）はパターン補正なしの場合の目的のパターンとマスクパターンのイメージを示す図であり、図７（ｂ）はパターン補正した場合の補正パターンとマスクパターンのイメージを示す図である。
【図８】本実施形態に係る検証処理の手順を示すフロー図である。
【図９】図９（ａ）は最大補正量マップを示す図であり、図９（ｂ）は最小補正量マップを示す図である。
【符号の説明】
１…解析要素、２…境界部分、３…パターン補正装置、４…パターン補正検証装置、５…補正量マップ作成手段、６…検証用マップ作成手段、７…判定手段、１０…シリコン基板、１１…エッチングストッパ膜、１２…薄膜、１３…梁、ＰＤ１…原パターンデータ、ＰＤ２…補正パターンデータ、Ｍ…補正量マップ。
【図１】
2004363301.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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