(57)【要約】【課題】半導体レーザバーの歪みや電流密度の不均一による半導体レーザバーの特性の変化や劣化を生じることがなく、かつ、密着不良による電流供給障害を起こすことがなく、大電流を流すことができる半導体レーザバーの固定方法を提供する。【解決手段】半導体レーザバー１１が、第２固定板１３の半導体レーザバー１１側への荷重付加により第１固定板１１２、第２固定板１３に挟持されるため、これらが密着される。また、第２固定板１３の貫通孔１００を通して半導体レーザバー１１上に半田塊１３５が載置されるため、この半田塊１３５が密着を妨げない。そして半田蒸着面１７，２０，２６，２７が溶融されて半田層を介して半導体レーザバー１１が導通固定されるとともに、半田塊１３５が溶融されて半導体レーザバー１１と第２固定板１３の間の半田層に場合によっては生じる空隙に流入し、この半田層が空隙なく均一化される。【選択図】　図６
2004140098.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
四角柱をなし、複数の半導体レーザ発光部が当該四角柱の端面を除く面に並列されるとともに、前記半導体レーザ発光部が並列される面に隣接する一対の周方向の対向面が各々電極面として半田蒸着されている半導体レーザバーと、半田蒸着面を有する第１固定板と、半田蒸着面を有し当該半田蒸着面とこの裏面を貫通する貫通孔もしくは貫通凹部を有する第２固定板とを用意し、前記半導体レーザバーを、前記第１固定板の半田蒸着面上に前記半導体レーザバーの一方の電極面が接触するように載置する第１載置工程と、
前記第２固定板を、前記第２固定板の半田蒸着面側の前記貫通孔もしくは前記貫通凹部が前記半導体レーザバーの他方の電極面と接触するように載置する第２載置工程と、
前記半導体レーザバーの前記他方の電極面上に、前記第２固定板の前記貫通孔もしくは前記貫通凹部を通して半田塊を載置する半田塊載置工程と、
前記第２固定板の前記半田蒸着面の裏面で、前記半導体レーザバーと対向する部分に荷重を付加し、前記半導体レーザバーと前記第２固定板、前記半導体レーザバーと前記第１固定板とを密着させる荷重付加工程と、
前記荷重を付加した状態で、前記半導体レーザバー、前記第１、第２固定板および前記半田塊を加熱し、全ての前記半田蒸着面の半田と前記半田塊とを溶融させる高温処理工程と、
前記荷重を付加した状態で、加熱された前記半導体レーザバー、前記第１固定板、および、前記第２固定板を冷却して半田を固化させる冷却工程と、
を有することを特徴とする、半導体レーザバーの固定方法。
【請求項２】
四角柱をなし、複数の半導体レーザ発光部が当該四角柱の端面を除く面に並列されるとともに、前記半導体レーザ発光部が並列される面に隣接する一対の周方向の対向面が各々電極面として半田蒸着されている半導体レーザバーと、半田蒸着面を有する第１固定板と、半田蒸着面を有し当該半田蒸着面に凹部を有する第２固定板とを用意し、
前記半導体レーザバーを、前記第１固定板の半田蒸着面上に前記半導体レーザバーの一方の電極面が接触するように載置する第１載置工程と、
前記第２固定板の前記凹部内部に半田塊を保持させる半田保持工程と、
前記第２固定板を、前記第２固定板の前記半田塊を保持する前記凹部が前記半導体レーザバ−の他方の電極面と接触するように載置する第２載置工程と、
前記第２固定板の前記半田蒸着面の裏面で、前記半導体レーザバーと対向する部分に荷重を付加し、前記半導体レーザバーと前記第２固定板、前記半導体レーザバーと前記第１固定板とを密着させる荷重付加工程と、
前記荷重を付加した状態で、前記半導体レーザバー、前記第１、第２固定板および前記半田塊を加熱し、全ての前記半田蒸着面の半田と前記半田塊とを溶融させる高温処理工程と、
前記荷重を付加した状態で、加熱された前記半導体レーザバー、前記第１固定板および前記第２固定板を冷却して半田を固化させる冷却工程と、
を有することを特徴とする、半導体レーザバーの固定方法。
【請求項３】
四角柱をなし、複数の半導体レーザ発光部が当該四角柱の端面を除く面に並列されるとともに、前記半導体レーザ発光部が並列される面に隣接する一対の周方向の対向面が各々電極面として半田蒸着されている半導体レーザバーと、半田蒸着面を有する第１固定板と、半田蒸着面を有し、当該半田蒸着面に凹部または当該半田蒸着面とこの裏面を貫通する貫通孔もしくは貫通凹部を有する第２固定板とを用意し、
前記半導体レーザバーを、前記第１固定板の半田蒸着面上に前記半導体レーザバーの一方の電極面が接触するように載置する第１載置工程と、
半田塊を前記半導体レーザバーの他方の電極面上に載置する半田塊載置工程と、
前記第２固定板を、前記第２固定板の前記半田蒸着面が前記半導体レーザバーの前記他方の電極面と接触し、さらに、前記第２固定板の前記凹部または前記貫通孔もしくは前記貫通凹部が前記半導体レーザバーの前記他方の電極面上に載置された前記半田塊と面するように載置する第２載置工程と、
前記第２固定板の前記半田蒸着面の裏面で、前記半導体レーザバーと対向する部分に荷重を付加し、前記半導体レーザバーと前記第２固定板、前記半導体レーザバーと前記第１固定板とを密着させる荷重付加工程と、
前記荷重を付加した状態で、前記半導体レーザバー、前記第１、第２固定板および前記半田塊を加熱し、全ての前記半田蒸着面の半田と前記半田塊とを溶融させる高温処理工程と、
前記荷重を付加した状態で、加熱された前記半導体レーザバー、前記第１固定板および前記第２固定板を冷却して半田を固化させる冷却工程と、
を有することを特徴とする、半導体レーザバーの固定方法。
【請求項４】
四角柱をなし、複数の半導体レーザ発光部が当該四角柱の端面を除く面に並列されるとともに、前記半導体レーザ発光部が並列される面に隣接する一対の周方向の対向面が各々電極面として半田蒸着されている半導体レーザバーと、半田蒸着面を有する第１固定板および第２固定板とを用意し、
前記半導体レーザバーを、前記第１固定板の半田蒸着面上に前記半導体レーザバーの一方の電極面が接触するように載置する第１載置工程と、
半田塊を前記半導体レーザバーの他方の電極面上に載置する半田塊載置工程と、
前記第２固定板を、前記第２固定板の前記半田蒸着面が前記半導体レーザバーの他方の電極面と接触し、さらに、前記半田塊が前記第２固定板の端部より外側に位置するように載置する第２載置工程と、
前記第２固定板の前記半田蒸着面の裏面で、前記半導体レーザバーと対向する部分に荷重を付加し、前記半導体レーザバーと前記第２固定板、前記半導体レーザバーと前記第１固定板とを密着させる荷重付加工程と、
前記荷重を付加した状態で、前記半導体レーザバー、前記第１、第２固定板および前記半田塊を加熱し、全ての前記半田蒸着面の半田と前記半田塊とを溶融させる高温処理工程と、
前記荷重を付加した状態で、加熱された前記半導体レーザバー、前記第１固定板および前記第２固定板を冷却して半田を固化させる冷却工程と、
を有することを特徴とする、半導体レーザバーの固定方法。
【請求項５】
四角柱をなし、複数の半導体レーザ発光部が当該四角柱の端面を除く面に並列されるとともに、前記半導体レーザ発光部が並列される面に隣接する一対の周方向の対向面が各々電極面として半田蒸着されている半導体レーザバーと、半田蒸着面を有する第１固定板および第２固定板とを用意し、
前記半導体レーザバーを、前記第１固定板の半田蒸着面上に前記半導体レーザバーの一方の電極面が接触するように載置する第１載置工程と、
前記第２固定板を、前記第２固定板の前記半田蒸着面が前記半導体レーザバーの他方の電極面と接触し、さらに、前記第２固定板の端部が前記半導体レーザバーの前記他方の電極面に面するように載置する第２載置工程と、
前記半導体レーザバーの前記他方の電極面上で、前記第２固定板の前記端部より外側に半田塊を載置する半田塊載置工程と、
前記第２固定板の前記半田蒸着面の裏面で、前記半導体レーザバーと対向する部分に荷重を付加し、前記半導体レーザバーと前記第２固定板、前記半導体レーザバーと前記第１固定板とを密着させる荷重付加工程と、
前記荷重を付加した状態で、前記半導体レーザバー、前記第１、第２固定板および前記半田塊を加熱し、全ての前記半田蒸着面の半田と前記半田塊とを溶融させる高温処理工程と、
前記荷重を付加した状態で、加熱された前記半導体レーザバー、前記第１固定板および前記第２固定板を冷却して半田を固化させる冷却工程と、
を有することを特徴とする、半導体レーザバーの固定方法。
【請求項６】
四角柱をなし、複数の半導体レーザ発光部が当該四角柱の端面を除く面に並列されるとともに、前記半導体レーザ発光部が並列される面に隣接する一対の周方向の対向面が各々電極面として半田蒸着されている半導体レーザバーと、半田蒸着面を有する第１固定板と、半田蒸着面を有し端部に当該半田蒸着面とこの裏面を貫通する貫通孔もしくは貫通凹部を有する第２固定板と、一対の対向面が半田蒸着されその対向面間の厚みが前記半導体レーザバーの電極面間厚みよりも大きい絶縁体からなるダミー板とを用意し、
前記半導体レーザバーを、前記第１固定板の半田蒸着面上の一方側に、前記半導体レーザバーの一方の電極面が接触するように載置し、前記ダミー板を、前記第１固定板の半田蒸着面上の他方側に、前記ダミー板の一方の半田蒸着面が接触するように載置する第１載置工程と、
前記第２固定板を、前記第２固定板の前記半田蒸着面が前記半導体レーザバーの他方の電極面および前記ダミー板の他方の半田蒸着面と対向し、さらに、前記第２固定板の前記貫通孔もしくは前記貫通凹部が前記半導体レーザバーの前記他方の電極面に面するように載置する第２載置工程と、
前記半導体レーザバーの前記他方の電極面上で、前記第２固定板の前記貫通孔もしくは前記貫通凹部に面する部分に前記貫通孔もしくは前記貫通凹部を通して半田塊を載置する半田塊載置工程と、
前記第２固定板の前記半田蒸着面の裏面で、前記ダミーバーと対向する部分に荷重を付加し、前記ダミーバーと前記第２固定板、前記ダミーバーと前記第１固定板とを密着させ、かつ、前記半導体レーザバーの前記他方の電極面と前記第２固定板の前記半田蒸着面との間に間隙を形成する荷重付加工程と、
前記荷重を付加した状態で、前記半導体レーザバー、前記第１、第２固定板、前記ダミー板および前記半田塊を加熱し、全ての前記半田蒸着面の半田を溶融するとともに、前記半田塊を溶融させて前記間隙に流入させる高温処理工程と、
前記荷重を付加した状態で、加熱された前記半導体レーザバー、前記第１、第２固定板および前記ダミー板を冷却して半田を固化させる冷却工程と、
を有することを特徴とする、半導体レーザバーの固定方法。
【請求項７】
四角柱をなし、複数の半導体レーザ発光部が当該四角柱の端面を除く面に並列されるとともに、前記半導体レーザ発光部が並列される面に隣接する一対の周方向の対向面が各々電極面として半田蒸着されている半導体レーザバーと、半田蒸着面を有する第１固定板と、半田蒸着面を有し当該半田蒸着面の端部に凹部を有する第２固定板と、一対の対向面が半田蒸着されその対向面間の厚みが前記半導体レーザバーの電極面間厚みよりも大きい絶縁体からなるダミー板とを用意し、
前記半導体レーザバーを、前記第１固定板の半田蒸着面上の一方側に、前記半導体レーザバーの一方の電極面が接触するように載置し、前記ダミー板を、前記第１固定板の半田蒸着面上の他方側に、前記ダミー板の一方の半田蒸着面が接触するように載置する第１載置工程と、
前記第２固定板の前記凹部内部に半田塊を保持させる半田保持工程と、
前記第２固定板を、前記第２固定板の前記半田蒸着面が前記半導体レーザバーの他方の電極面および前記ダミー板の他方の半田蒸着面と対向し、さらに、前記第２固定板の前記半田塊を保持する前記凹部が前記半導体レーザバーの前記他方の電極面と対向するように載置する第２載置工程と、
前記第２固定板の前記半田蒸着面の裏面で、前記ダミーバーと対向する部分に荷重を付加し、前記ダミーバーと前記第２固定板、前記ダミーバーと前記第１固定板とを密着させ、かつ、前記半導体レーザバーの前記他方の電極面と前記第２固定板の前記半田蒸着面との間に間隙を形成する荷重付加工程と、
前記荷重を付加した状態で、前記半導体レーザバー、前記第１、第２固定板、前記ダミー板および前記半田塊を加熱し、全ての前記半田蒸着面の半田を溶融するとともに、前記半田塊を溶融させて前記間隙に流入させる高温処理工程と、
前記荷重を付加した状態で、加熱された前記半導体レーザバー、前記第１、第２固定板、前記第１固定板および前記ダミー板を冷却して半田を固化させる冷却工程と、
を有することを特徴とする、半導体レーザバーの固定方法。
【請求項８】
四角柱をなし、複数の半導体レーザ発光部が当該四角柱の端面を除く面に並列されるとともに、前記半導体レーザ発光部が並列される面に隣接する一対の周方向の対向面が各々電極面として半田蒸着されている半導体レーザバーと、半田蒸着面を有する第１固定板と、半田蒸着面を有し当該半田蒸着面の端部に、凹部または当該半田蒸着面とこの裏面を貫通する貫通孔もしくは貫通凹部を有する第２固定板と、一対の対向面が半田蒸着されその対向面間の厚みが前記半導体レーザバーの電極面間厚みよりも大きい絶縁体からなるダミー板とを用意し、
前記半導体レーザバーを、前記第１固定板の半田蒸着面上の一方側に、前記半導体レーザバーの一方の電極面が接触するように載置し、前記ダミー板を、前記第１固定板の半田蒸着面上の他方側に、前記ダミー板の一方の半田蒸着面が接触するように載置する第１載置工程と、
半田塊を前記半導体レーザバーの他方の電極面上に載置する半田塊載置工程と、
前記第２固定板を、前記第２固定板の前記半田蒸着面が前記半導体レーザバーの他方の電極面および前記ダミー板の前記他方の半田蒸着面と対向し、さらに、前記第２固定板の前記凹部または前記貫通孔もしくは前記貫通凹部が前記半導体レーザバーの前記他方の電極面上に載置された前記半田塊と面するように載置する第２載置工程と、
前記第２固定板の前記半田蒸着面の裏面で、前記ダミーバーと対向する部分に荷重を付加し、前記ダミーバーと前記第２固定板、前記ダミーバーと前記第１固定板とを密着させ、かつ、前記半導体レーザバーの前記他方の電極面と前記第２固定板の前記半田蒸着面との間に間隙を形成する荷重付加工程と、
前記荷重を付加した状態で、前記半導体レーザバー、前記第１、第２固定板、前記ダミー板および前記半田塊を加熱し、全ての前記半田蒸着面の半田を溶融するとともに、前記半田塊を溶融させて前記間隙に流入させる高温処理工程と、
前記荷重を付加した状態で、加熱された前記半導体レーザバー、前記第１、第２固定板および前記ダミー板を冷却して半田を固化させる冷却工程と、
を有することを特徴とする、半導体レーザバーの固定方法。
【請求項９】
四角柱をなし、複数の半導体レーザ発光部が当該四角柱の端面を除く面に並列されるとともに、前記半導体レーザ発光部が並列される面に隣接する一対の周方向の対向面が各々電極面として半田蒸着されている半導体レーザバーと、半田蒸着面を有する第１固定板および第２固定板と、一対の対向面が半田蒸着されその対向面間の厚みが前記半導体レーザバーの電極面間厚みよりも大きい絶縁体からなるダミー板とを用意し、
前記半導体レーザバーを、前記第１固定板の半田蒸着面上の一方側に、前記半導体レーザバーの一方の電極面が接触するように載置し、前記ダミー板を、前記第１固定板の半田蒸着面上の他方側に、前記ダミー板の一方の半田蒸着面が接触するように載置する第１載置工程と、
半田塊を前記半導体レーザバーの他方の電極面上に載置する半田塊載置工程と、
前記第２固定板を、前記第２固定板の前記半田蒸着面が前記半導体レーザバーの前記他方の電極面および前記ダミー板の他方の半田蒸着面と対向し、さらに、前記半導体レーザバーの前記他方の電極面上に載置された前記半田塊が前記第２固定板の端部より外側に位置するように載置する第２載置工程と、
前記第２固定板の前記半田蒸着面の裏面で、前記ダミーバーと対向する部分に荷重を付加し、前記ダミーバーと前記第２固定板、前記ダミーバーと前記第１固定板とを密着させ、かつ、前記半導体レーザバーの前記他方の電極面と前記第２固定板の前記半田蒸着面との間に間隙を形成する荷重付加工程と、
前記荷重を付加した状態で、前記半導体レーザバー、前記第１、第２固定板、前記ダミー板および前記半田塊を加熱し、全ての前記半田蒸着面の半田を溶融するとともに、前記半田塊を溶融させて前記間隙に流入させる高温処理工程と、
前記荷重を付加した状態で、加熱された前記半導体レーザバー、前記第１、第２固定板および前記ダミー板を冷却して半田を固化させる冷却工程と、
を有することを特徴とする、半導体レーザバーの固定方法。
【請求項１０】
四角柱をなし、複数の半導体レーザ発光部が当該四角柱の端面を除く面に並列されるとともに、前記半導体レーザ発光部が並列される面に隣接する一対の周方向の対向面が各々電極面として半田蒸着されている半導体レーザバーと、半田蒸着面を有する第１固定板および第２固定板と、一対の対向面が半田蒸着されその対向面間の厚みが前記半導体レーザバーの電極面間厚みよりも大きい絶縁体からなるダミー板とを用意し、
前記半導体レーザバーを、前記第１固定板の半田蒸着面上の一方側に、前記半導体レーザバーの一方の電極面が接触するように載置し、前記ダミー板を、前記第１固定板の半田蒸着面上の他方側に、前記ダミー板の一方の半田蒸着面が接触するように載置する第１載置工程と、
前記第２固定板を、前記第２固定板の前記半田蒸着面が前記半導体レーザバーの他方の電極面および前記ダミー板の他方の半田蒸着面と対向し、さらに、前記第２固定板の端部が前記半導体レーザバーの前記他方の電極面に面するように載置する第２載置工程と、
前記半導体レーザバーの前記他方の電極面上で、前記第２固定板の前記端部より外側に半田塊を載置する半田塊載置工程と、
前記第２固定板の前記半田蒸着面の裏面で、前記ダミーバーと対向する部分に荷重を付加し、前記ダミーバーと前記第２固定板、前記ダミーバーと前記第１固定板とを密着させ、かつ、前記半導体レーザバーの前記他方の電極面と前記第２固定板の前記半田蒸着面との間に間隙を形成する荷重付加工程と、
前記荷重を付加した状態で、前記半導体レーザバー、前記第１、第２固定板、前記ダミー板および前記半田塊を加熱し、全ての前記半田蒸着面の半田を溶融するとともに、前記半田塊を溶融させて前記間隙に流入させる高温処理工程と、
前記荷重を付加した状態で、加熱された前記半導体レーザバー、前記第１、第２固定板および前記ダミー板を冷却して半田を固化させる冷却工程と、
を有することを特徴とする、半導体レーザバーの固定方法。
【請求項１１】
前記荷重付加工程において、さらに前記半導体レーザバーに荷重を付加して前記半導体レーザバーと前記第１固定板とを密着させることを特徴とする、請求項６〜１０の何れか１項に記載の半導体レーザバーの固定方法。
【請求項１２】
前記第２固定板は、さらに前記端部に前記半田蒸着面とこの裏面を貫通する第２貫通孔もしくは第２貫通凹部を有し、前記荷重付加工程において、さらに前記第２貫通孔もしくは前記第２貫通凹部を貫通する治具により前記半導体レーザバーに荷重を付加して前記半導体レーザバーと前記第１固定板とを密着させることを特徴とする、請求項６〜８の何れか１項に記載の半導体レーザバーの固定方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体レーザバーの固定方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、複数の半導体レーザ発光部が四角柱の１面に並列されてなる半導体レーザバーが知られている（例えば、特許文献１、２参照）。このような半導体レーザバーの固定方法としては、ワイヤボンディング型とサンドイッチ型とがある。ワイヤボンディング型では、１枚の固定板上に半導体レーザバーが固定され、半導体レーザバーの電極と固定板上のリード端子等の間が金線や金リボン等によりボンディングされる。一方、サンドイッチ型では、金属からなる２枚の固定板間の間隙の一方側に半導体レーザバーが、他方側に半導体レーザバーと同じ厚みを有する絶縁体からなるダミー板が各々半田層を介して接合されることにより固定され、これら固定板が各々電極とされる。
【特許文献１】
特開平２−２８１７８２号公報
【特許文献２】
特開平１１−１２１８５９号公報
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、ワイヤボンデイング型で固定された半導体レーザバーは、金線等が細いために大電流を流すことができないという問題がある。また、サンドイッチ型で固定された半導体レーザバーは、大電流を流すことができるものの、固定板間に介装される半導体レーザバーとダミー板の厚みを正確に同一とすることが難しいため、半導体レーザバーと固定板との間に隙間ができ、密着性が悪くなって電流供給障害を引き起こしたり、半導体レーザバーに歪みが生じて特性が変化したりするという問題がある。さらに、半導体レーザバーと上部固定板の間の半田層に気泡等の空隙による接触不良箇所を生じる場合があり、このような接触不良個所が生じると、個々の半導体レーザ発光部に流れる電流密度が均一にならないため、半導体レーザ発光部毎の明るさが異なったり、寿命の短縮をきたしたりするなど半導体レーザバーの特性の劣化を起こすという問題がある。
【０００４】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、半導体レーザバーの歪みや個々の半導体レーザ発光部に流れる電流密度の不均一による半導体レーザバーの特性の変化や劣化を生じることがなく、かつ、密着不良による電流供給障害を起こすことがなく、大電流を流すことができる半導体レーザバーの固定方法を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る半導体レーザバーの固定方法は、四角柱をなし、複数の半導体レーザ発光部が当該四角柱の端面を除く面に並列されるとともに、半導体レーザ発光部が並列される面に隣接する一対の周方向の対向面が各々電極面として半田蒸着されている半導体レーザバーと、半田蒸着面を有する第１固定板と、半田蒸着面を有し当該半田蒸着面とこの裏面を貫通する貫通孔もしくは貫通凹部を有する第２固定板とを用意し、半導体レーザバーを、第１固定板の半田蒸着面上に半導体レーザバーの一方の電極面が接触するように載置する第１載置工程と、第２固定板を、第２固定板の半田蒸着面側の貫通孔もしくは貫通凹部が半導体レーザバーの他方の電極面と接触するように載置する第２載置工程と、半導体レーザバーの他方の電極面上に、第２固定板の貫通孔もしくは貫通凹部を通して半田塊を載置する半田塊載置工程と、第２固定板の半田蒸着面の裏面で、半導体レーザバーと対向する部分に荷重を付加し、半導体レーザバーと第２固定板、半導体レーザバーと第１固定板とを密着させる荷重付加工程と、荷重を付加した状態で、半導体レーザバー、第１、第２固定板および半田塊を加熱し、全ての半田蒸着面の半田と半田塊とを溶融させる高温処理工程と、荷重を付加した状態で、加熱された半導体レーザバー、第１固定板、および、第２固定板を冷却して半田を固化させる冷却工程とを有することを特徴とする。
【０００６】
これによれば、半導体レーザバーが、第２固定板の半導体レーザ側に対する荷重付加により第１、第２固定板に挟持されるため、半導体レーザバーと第１、第２固定板が容易に密着される。また、第２固定板の貫通孔もしくは貫通凹部を通して半導体レーザバー上に半田塊が載置されるため、この半田塊が半導体レーザバーと第２固定板との密着を妨げる影響を与えない。そして半田蒸着面が溶融されて、半導体レーザバーと第１、第２固定板との間が密着されたまま半田層を介して電気的に導通された状態でこれらが固定されるとともに、半田塊が溶融されて半導体レーザバーと第２固定板の間の半田層に場合によっては生じる空隙に流入し、この半田層が空隙なく均一化される。
【０００７】
また、本発明に係る半導体レーザバーの固定方法は、四角柱をなし、複数の半導体レーザ発光部が四角柱の端面を除く面に並列されるとともに、半導体レーザ発光部が並列される面に隣接する一対の周方向の対向面が各々電極面として半田蒸着されている半導体レーザバーと、半田蒸着面を有する第１固定板と、半田蒸着面を有し当該半田蒸着面に凹部を有する第２固定板とを用意し、半導体レーザバーを、第１固定板の半田蒸着面上に半導体レーザバーの一方の電極面が接触するように載置する第１載置工程と、第２固定板の凹部内部に半田塊を保持させる半田保持工程と、第２固定板を、第２固定板の半田塊を保持する凹部が半導体レーザバ−の他方の電極面と接触するように載置する第２載置工程と、第２固定板の半田蒸着面の裏面で、半導体レーザバーと対向する部分に荷重を付加し、半導体レーザバーと第２固定板、半導体レーザバーと第１固定板とを密着させる荷重付加工程と、荷重を付加した状態で、半導体レーザバー、第１、第２固定板および半田塊を加熱し、全ての半田蒸着面の半田と半田塊とを溶融させる高温処理工程と、荷重を付加した状態で、加熱された半導体レーザバー、第１固定板および第２固定板を冷却して半田を固化させる冷却工程とを有することを特徴とする。
【０００８】
これによれば、第２固定板は半田塊を保持する凹部が半導体レーザバーに面するように載置されて、第２固定板が当該第２固定板に付加される荷重に抗する応力を半田塊より受けることがなく、かつ、半導体レーザバーが、第２固定板の半導体レーザ側に対する荷重付加により第１、第２固定板に挟持されるため、半導体レーザバーと第１、第２固定板が容易に密着される。そして、半田蒸着面が溶融されて、半導体レーザバーと第１、第２固定板との間の密着が維持されたまま半田層を介して電気的に導通された状態でこれらが固定されるとともに、半田塊が溶融されて半導体レーザバーと第２固定板の間の半田層に場合によっては生じる空隙に流入し、半田層が空隙なく均一化される。
【０００９】
本発明に係る半導体レーザバーの固定方法は、四角柱をなし、複数の半導体レーザ発光部が四角柱の端面を除く面に並列されるとともに、半導体レーザ発光部が並列される面に隣接する一対の周方向の対向面が各々電極面として半田蒸着されている半導体レーザバーと、半田蒸着面を有する第１固定板と、半田蒸着面を有し、当該半田蒸着面に凹部または当該半田蒸着面とこの裏面を貫通する貫通孔もしくは貫通凹部を有する第２固定板とを用意し、半導体レーザバーを、第１固定板の半田蒸着面上に半導体レーザバーの一方の電極面が接触するように載置する第１載置工程と、半田塊を半導体レーザバーの他方の電極面上に載置する半田塊載置工程と、第２固定板を、第２固定板の半田蒸着面が半導体レーザバーの他方の電極面と接触し、さらに、第２固定板の凹部または貫通孔もしくは貫通凹部が半導体レーザバーの他方の電極面上に載置された半田塊と面するように載置する第２載置工程と、第２固定板の半田蒸着面の裏面で、半導体レーザバーと対向する部分に荷重を付加し、半導体レーザバーと第２固定板、半導体レーザバーと第１固定板とを密着させる荷重付加工程と、荷重を付加した状態で、半導体レーザバー、第１、第２固定板および半田塊を加熱し、全ての半田蒸着面の半田と半田塊とを溶融させる高温処理工程と、荷重を付加した状態で、加熱された半導体レーザバー、第１固定板および第２固定板を冷却して半田を固化させる冷却工程とを有することを特徴とする。
【００１０】
これによれば、第２固定板は凹部または貫通孔もしくは貫通凹部が半導体レーザバー上の半田塊に面するように載置され、第２固定板が当該第２固定板に付加される荷重に抗する応力を半田塊より受けることがなく、かつ、半導体レーザバーが、第２固定板の半導体レーザ側に対する荷重付加により第１、第２固定板に挟持されるため、半導体レーザバーと第１、第２固定板が容易に密着される。そして、半田蒸着面が溶融されて、半導体レーザバーと第１、第２固定板との間の密着が維持されたまま半田層を介して電気的に導通された状態でこれらが固定されるとともに、半田塊が溶融されて半導体レーザバーと第２固定板の間の半田層に場合によっては生じる空隙に流入し、半田層が空隙なく均一化される。
【００１１】
本発明に係る半導体レーザバーの固定方法は、四角柱をなし、複数の半導体レーザ発光部が四角柱の端面を除く面に並列されるとともに、半導体レーザ発光部が並列される面に隣接する一対の周方向の対向面が各々電極面として半田蒸着されている半導体レーザバーと、半田蒸着面を有する第１固定板および第２固定板とを用意し、半導体レーザバーを、第１固定板の半田蒸着面上に半導体レーザバーの一方の電極面が接触するように載置する第１載置工程と、半田塊を半導体レーザバーの他方の電極面上に載置する半田塊載置工程と、第２固定板を、第２固定板の半田蒸着面が半導体レーザバーの他方の電極面と接触し、さらに、半田塊が第２固定板の端部より外側に位置するように載置する第２載置工程と、第２固定板の半田蒸着面の裏面で、半導体レーザバーと対向する部分に荷重を付加し、半導体レーザバーと第２固定板、半導体レーザバーと第１固定板とを密着させる荷重付加工程と、荷重を付加した状態で、半導体レーザバー、第１、第２固定板および半田塊を加熱し、全ての半田蒸着面の半田と半田塊とを溶融させる高温処理工程と、荷重を付加した状態で、加熱された半導体レーザバー、第１固定板および第２固定板を冷却して半田を固化させる冷却工程とを有することを特徴とする。
【００１２】
これによれば、半導体レーザバー上に載置された半田塊を避けるように第２固定板が載置されるので、第２固定板が当該第２固定板に付加される荷重に抗する力を半田塊より受けることがなく、かつ、半導体レーザバーが、第２固定板の半導体レーザ側に対する荷重付加により第１、第２固定板に挟持されるため、半導体レーザバーと第１、第２固定板が容易に密着される。そして、半田蒸着面が溶融されて、半導体レーザバーと第１、第２固定板との間の密着が維持されたまま半田層を介して電気的に導通された状態でこれらが固定されるとともに、半田塊が溶融されて半導体レーザバーと第２固定板の間の半田層に場合によっては生じる空隙に流入し、半田層が空隙なく均一化される。
【００１３】
本発明に係る半導体レーザバーの固定方法は、四角柱をなし、複数の半導体レーザ発光部が四角柱の端面を除く面に並列されるとともに、半導体レーザ発光部が並列される面に隣接する一対の周方向の対向面が各々電極面として半田蒸着されている半導体レーザバーと、半田蒸着面を有する第１固定板および第２固定板とを用意し、半導体レーザバーを、第１固定板の半田蒸着面上に半導体レーザバーの一方の電極面が接触するように載置する第１載置工程と、第２固定板を、第２固定板の半田蒸着面が半導体レーザバーの他方の電極面と接触し、さらに、第２固定板の端部が半導体レーザバーの他方の電極面に面するように載置する第２載置工程と、半導体レーザバーの他方の電極面上で、第２固定板の端部より外側に半田塊を載置する半田塊載置工程と、第２固定板の半田蒸着面の裏面で、半導体レーザバーと対向する部分に荷重を付加し、半導体レーザバーと第２固定板、半導体レーザバーと第１固定板とを密着させる荷重付加工程と、荷重を付加した状態で、半導体レーザバー、第１、第２固定板および半田塊を加熱し、全ての半田蒸着面の半田と半田塊とを溶融させる高温処理工程と、荷重を付加した状態で、加熱された半導体レーザバー、第１固定板および第２固定板を冷却して半田を固化させる冷却工程とを有することを特徴とする。
【００１４】
これによれば、半導体レーザバーが、第２固定板の半導体レーザ側に対する荷重付加により第１、第２固定板に挟持されるため、半導体レーザバーと第１、第２固定板が容易に密着される。また、第２固定板を避けるように半田塊が半導体レーザバー上に載置されるので、半田塊が第２固定板と半導体レーザバーとの密着を妨げる影響を与えない。そして、半田蒸着面が溶融されて、半導体レーザバーと第１、第２固定板との間の密着が維持されたまま半田層を介して電気的に導通された状態でこれらが固定されるとともに、半田塊が溶融されて半導体レーザバーと第２固定板の間の半田層に場合によっては生じる空隙に流入し、半田層が空隙なく均一化される。
【００１５】
本発明に係る半導体レーザバーの固定方法は、四角柱をなし、複数の半導体レーザ発光部が四角柱の端面を除く面に並列されるとともに、半導体レーザ発光部が並列される面に隣接する一対の周方向の対向面が各々電極面として半田蒸着されている半導体レーザバーと、半田蒸着面を有する第１固定板と、半田蒸着面を有し端部に当該半田蒸着面とこの裏面を貫通する貫通孔もしくは貫通凹部を有する第２固定板と、一対の対向面が半田蒸着されその対向面間の厚みが半導体レーザバーの電極面間厚みよりも大きい絶縁体からなるダミー板とを用意し、半導体レーザバーを、第１固定板の半田蒸着面上の一方側に、半導体レーザバーの一方の電極面が接触するように載置し、ダミー板を、第１固定板の半田蒸着面上の他方側に、ダミー板の一方の半田蒸着面が接触するように載置する第１載置工程と、第２固定板を、第２固定板の半田蒸着面が半導体レーザバーの他方の電極面およびダミー板の他方の半田蒸着面と対向し、さらに、第２固定板の貫通孔もしくは貫通凹部が半導体レーザバーの他方の電極面に面するように載置する第２載置工程と、半導体レーザバーの他方の電極面上で、第２固定板の貫通孔もしくは貫通凹部に面する部分に貫通孔もしくは貫通凹部を通して半田塊を載置する半田塊載置工程と、第２固定板の半田蒸着面の裏面で、ダミーバーと対向する部分に荷重を付加し、ダミーバーと第２固定板、ダミーバーと第１固定板とを密着させ、かつ、半導体レーザバーの他方の電極面と第２固定板の半田蒸着面との間に間隙を形成する荷重付加工程と、荷重を付加した状態で、半導体レーザバー、第１、第２固定板、ダミー板および半田塊を加熱し、全ての半田蒸着面の半田を溶融するとともに、半田塊を溶融させて間隙に流入させる高温処理工程と、荷重を付加した状態で、加熱された半導体レーザバー、第１、第２固定板およびダミー板を冷却して半田を固化させる冷却工程とを有することを特徴とする。
【００１６】
これによれば、ダミー板の厚みが半導体レーザバーの厚みより厚いために、第２固定板のダミー板側に荷重が付加されることにより、ダミー板と第１、第２固定板が容易に密着されるとともに、第２固定板と半導体レーザバーとの間に間隙が形成される。また、第２固定板の貫通孔もしくは貫通凹部を通して半導体レーザバー上に半田塊が載置されるため、この半田塊が半導体レーザバーと第２固定板との間隙を変化させる影響を与えない。そして、半田蒸着面が溶融されて、ダミー板と第１、第２固定板との間の密着が維持されたままこれらが固定されるとともに、半導体レーザバーと第１固定板とが電気的に導通された状態で固定され、さらに、半田塊が溶融して間隙に流入するので、当該間隙が維持されたまま第２固定板と半導体レーザバーとが空隙なく均一化された半田充填部を介して電気的に導通された状態で固定される。
【００１７】
本発明に係る半導体レーザバーの固定方法は、四角柱をなし、複数の半導体レーザ発光部が四角柱の端面を除く面に並列されるとともに、半導体レーザ発光部が並列される面に隣接する一対の周方向の対向面が各々電極面として半田蒸着されている半導体レーザバーと、半田蒸着面を有する第１固定板と、半田蒸着面を有し当該半田蒸着面の端部に凹部を有する第２固定板と、一対の対向面が半田蒸着されその対向面間の厚みが半導体レーザバーの電極面間厚みよりも大きい絶縁体からなるダミー板とを用意し、半導体レーザバーを、第１固定板の半田蒸着面上の一方側に、半導体レーザバーの一方の電極面が接触するように載置し、ダミー板を、第１固定板の半田蒸着面上の他方側に、ダミー板の一方の半田蒸着面が接触するように載置する第１載置工程と、第２固定板の凹部内部に半田塊を保持させる半田保持工程と、第２固定板を、第２固定板の半田蒸着面が半導体レーザバーの他方の電極面およびダミー板の他方の半田蒸着面と対向し、さらに、第２固定板の半田塊を保持する凹部が半導体レーザバーの他方の電極面と対向するように載置する第２載置工程と、第２固定板の半田蒸着面の裏面で、ダミーバーと対向する部分に荷重を付加し、ダミーバーと第２固定板、ダミーバーと第１固定板とを密着させ、かつ、半導体レーザバーの他方の電極面と第２固定板の半田蒸着面との間に間隙を形成する荷重付加工程と、荷重を付加した状態で、半導体レーザバー、第１、第２固定板、ダミー板および半田塊を加熱し、全ての半田蒸着面の半田を溶融するとともに、半田塊を溶融させて間隙に流入させる高温処理工程と、荷重を付加した状態で、加熱された半導体レーザバー、第１、第２固定板、第１固定板およびダミー板を冷却して半田を固化させる冷却工程とを有することを特徴とする。
【００１８】
これによれば、第２固定板は半田塊を保持する凹部が半導体レーザバーに面するように載置され、第２固定板のダミー板側に荷重が付加されるため、半導体レーザバーの厚みより厚いダミー板と第１、第２固定板が容易に密着されるとともに、第２固定板が当該第２固定板に付加される荷重に抗する応力を半田塊より受けることなく、第２固定板と半導体レーザバーとの間に間隙が形成される。そして、半田蒸着面が溶融されて、ダミー板と第１、第２固定板との間の密着が維持されたままこれらが固定されるとともに、半導体レーザバーと第１固定板とが電気的に導通された状態で固定され、さらに、半田塊が溶融して間隙に流入するので、当該間隙が維持されたまま第２固定板と半導体レーザバーとが空隙なく均一化された半田充填部を介して電気的に導通された状態で固定される。
【００１９】
本発明に係る半導体レーザバーの固定方法は、四角柱をなし、複数の半導体レーザ発光部が四角柱の端面を除く面に並列されるとともに、半導体レーザ発光部が並列される面に隣接する一対の周方向の対向面が各々電極面として半田蒸着されている半導体レーザバーと、半田蒸着面を有する第１固定板と、半田蒸着面を有し当該半田蒸着面の端部に、凹部または当該半田蒸着面とこの裏面を貫通する貫通孔もしくは貫通凹部を有する第２固定板と、一対の対向面が半田蒸着されその対向面間の厚みが半導体レーザバーの電極面間厚みよりも大きい絶縁体からなるダミー板とを用意し、半導体レーザバーを、第１固定板の半田蒸着面上の一方側に、半導体レーザバーの一方の電極面が接触するように載置し、ダミー板を、第１固定板の半田蒸着面上の他方側に、ダミー板の一方の半田蒸着面が接触するように載置する第１載置工程と、半田塊を半導体レーザバーの他方の電極面上に載置する半田塊載置工程と、第２固定板を、第２固定板の半田蒸着面が半導体レーザバーの他方の電極面およびダミー板の他方の半田蒸着面と対向し、さらに、第２固定板の凹部または貫通孔もしくは貫通凹部が半導体レーザバーの他方の電極面上に載置された半田塊と面するように載置する第２載置工程と、第２固定板の半田蒸着面の裏面で、ダミーバーと対向する部分に荷重を付加し、ダミーバーと第２固定板、ダミーバーと第１固定板とを密着させ、かつ、半導体レーザバーの他方の電極面と第２固定板の半田蒸着面との間に間隙を形成する荷重付加工程と、荷重を付加した状態で、半導体レーザバー、第１、第２固定板、ダミー板および半田塊を加熱し、全ての半田蒸着面の半田を溶融するとともに、半田塊を溶融させて間隙に流入させる高温処理工程と、荷重を付加した状態で、加熱された半導体レーザバー、第１、第２固定板およびダミー板を冷却して半田を固化させる冷却工程とを有することを特徴とする。
【００２０】
これによれば、第２固定板は、凹部または貫通孔もしくは貫通凹部が半導体レーザバー上の半田塊に面するように載置され、この第２固定板のダミーバー側に荷重が付加されるため、半導体レーザバーの厚みよりも厚いダミー板と第１、第２固定板が容易に密着されるとともに、第２固定板が当該第２固定板に付加される荷重に抗する応力を半田塊より受けることなく、第２固定板と半導体レーザバーとの間に間隙が形成される。そして、半田蒸着面が溶融されて、ダミー板と第１、第２固定板との間の密着が維持されたままこれらが固定されるとともに、半導体レーザバーと第１固定板とが電気的に導通された状態で固定され、さらに、半田塊が溶融して間隙に流入するので、当該間隙が維持されたまま第２固定板と半導体レーザバーとが空隙なく均一化された半田充填部を介して電気的に導通された状態で固定される。
【００２１】
本発明に係る半導体レーザバーの固定方法は、四角柱をなし、複数の半導体レーザ発光部が四角柱の端面を除く面に並列されるとともに、半導体レーザ発光部が並列される面に隣接する一対の周方向の対向面が各々電極面として半田蒸着されている半導体レーザバーと、半田蒸着面を有する第１固定板および第２固定板と、一対の対向面が半田蒸着されその対向面間の厚みが半導体レーザバーの電極面間厚みよりも大きい絶縁体からなるダミー板とを用意し、半導体レーザバーを、第１固定板の半田蒸着面上の一方側に、半導体レーザバーの一方の電極面が接触するように載置し、ダミー板を、第１固定板の半田蒸着面上の他方側に、ダミー板の一方の半田蒸着面が接触するように載置する第１載置工程と、半田塊を半導体レーザバーの他方の電極面上に載置する半田塊載置工程と、第２固定板を、第２固定板の半田蒸着面が半導体レーザバーの他方の電極面およびダミー板の他方の半田蒸着面と対向し、さらに、半導体レーザバーの他方の電極面上に載置された半田塊が第２固定板の端部より外側に位置するように載置する第２載置工程と、第２固定板の半田蒸着面の裏面で、ダミーバーと対向する部分に荷重を付加し、ダミーバーと第２固定板、ダミーバーと第１固定板とを密着させ、かつ、半導体レーザバーの他方の電極面と第２固定板の半田蒸着面との間に間隙を形成する荷重付加工程と、荷重を付加した状態で、半導体レーザバー、第１、第２固定板、ダミー板および半田塊を加熱し、全ての半田蒸着面の半田を溶融するとともに、半田塊を溶融させて間隙に流入させる高温処理工程と、荷重を付加した状態で、加熱された半導体レーザバー、第１、第２固定板およびダミー板を冷却して半田を固化させる冷却工程とを有することを特徴とする。
【００２２】
これによれば、半導体レーザバー上に載置された半田塊を避けるように第２固定板が載置され、第２固定板のダミー板側に荷重が付加されるので、半導体レーザバーの厚みよりも厚いダミー板と第１、第２固定板とが容易に密着されるとともに、第２固定板が当該第２固定板に付加される荷重に抗する力を半田塊より受けることなく、第２固定板と半導体レーザバーとの間に間隙が形成される。そして、半田蒸着面が溶融されて、ダミー板と第１、第２固定板との間の密着が維持されたままこれらが固定されるとともに、半導体レーザバーと第１固定板とが電気的に導通された状態で固定され、さらに、半田塊が溶融して間隙に流入するので、当該間隙が維持されたまま第２固定板と半導体レーザバーとが空隙なく均一化された半田充填部を介して電気的に導通された状態で固定される。
【００２３】
本発明に係る半導体レーザバーの固定方法は、四角柱をなし、複数の半導体レーザ発光部が四角柱の端面を除く面に並列されるとともに、半導体レーザ発光部が並列される面に隣接する一対の周方向の対向面が各々電極面として半田蒸着されている半導体レーザバーと、半田蒸着面を有する第１固定板および第２固定板と、一対の対向面が半田蒸着されその対向面間の厚みが半導体レーザバーの電極面間厚みよりも大きい絶縁体からなるダミー板とを用意し、半導体レーザバーを、第１固定板の半田蒸着面上の一方側に、半導体レーザバーの一方の電極面が接触するように載置し、ダミー板を、第１固定板の半田蒸着面上の他方側に、ダミー板の一方の半田蒸着面が接触するように載置する第１載置工程と、第２固定板を、第２固定板の半田蒸着面が半導体レーザバーの他方の電極面およびダミー板の他方の半田蒸着面と対向し、さらに、第２固定板の端部が半導体レーザバーの他方の電極面に面するように載置する第２載置工程と、半導体レーザバーの他方の電極面上で、第２固定板の端部より外側に半田塊を載置する半田塊載置工程と、第２固定板の半田蒸着面の裏面で、ダミーバーと対向する部分に荷重を付加し、ダミーバーと第２固定板、ダミーバーと第１固定板とを密着させ、かつ、半導体レーザバーの他方の電極面と第２固定板の半田蒸着面との間に間隙を形成する荷重付加工程と、荷重を付加した状態で、半導体レーザバー、第１、第２固定板、ダミー板および半田塊を加熱し、全ての半田蒸着面の半田を溶融するとともに、半田塊を溶融させて間隙に流入させる高温処理工程と、荷重を付加した状態で、加熱された半導体レーザバー、第１、第２固定板およびダミー板を冷却して半田を固化させる冷却工程とを有することを特徴とする。
【００２４】
これによれば、ダミー板の厚みが半導体レーザバーの厚みより厚いために、第２固定板のダミー板側に荷重を付加することにより、ダミー板と第１、第２固定板が容易に密着されるとともに、第２固定板と半導体レーザバーとの間に間隙が形成される。また、第２固定板を避けるように半田塊が半導体レーザバー上に載置されるので、半田塊が第２固定板と半導体レーザバーとの間隔を変化させる影響を与えない。そして、半田蒸着面が溶融されて、ダミー板と第１、第２固定板との間の密着が維持されたままこれらが固定されるとともに、半導体レーザバーと第１固定板とが電気的に導通された状態で固定され、さらに、半田塊が溶融して間隙に流入するので、当該間隙が維持されたまま第２固定板と半導体レーザバーとが空隙なく均一化された半田充填部を介して電気的に導通された状態で固定される。
【００２５】
ここで、荷重付加工程において、さらに半導体レーザバーに荷重を付加して半導体レーザバーと第１固定板とを密着させてもよい。これにより、半導体レーザバーと第１固定板とが密着される。
【００２６】
さらに、第２固定板は、端部に半田蒸着面とこの裏面を貫通する第２貫通孔もしくは第２貫通凹部を有し、荷重付加工程において、さらに第２貫通孔もしくは第２貫通凹部を貫通する治具により半導体レーザバーに荷重を付加して半導体レーザバーと第１固定板とを密着させてもよい。これにより、半導体レーザバーと第１固定板とが密着される。
【００２７】
【発明の実施の形態】
以下、添付図面を参照しながら、本発明に係る半導体レーザバーの固定方法の実施形態について詳細に説明する。なお、図面の説明において、同一または相当要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
【００２８】
図１は、第１実施形態による半導体レーザバーユニットを示す図であり、（ａ）は斜視図、（ｂ）は（ａ）のＡ１−Ａ１矢視図、（ｃ）は（ａ）のＢ１−Ｂ１矢視図である。この半導体レーザバーユニット１は、四角柱をなし半導体レーザ発光部１５が並列された半導体レーザバー１１と、これを挟持して固定するとともに電極となるサブマウントベース（第１固定板）１１２およびアッパープレート（第２固定板）１３とを有している。
【００２９】
図１（ａ）、（ｂ）に示すように、半導体レーザバー１１はその半導体レーザ発光部１５が外側を向くように配置され、半導体レーザバー１１とアッパープレート１３、半導体レーザバー１１とサブマウントベース１１２は、各々半田層４８，４９を介して電気的に導通された状態で密着固定され、また、アッパープレート１３は半導体レーザバー１１との対向面に貫通孔１００を有し、この貫通孔１００内部に半田層４８と連結する半田充填部１０５が形成されている。
【００３０】
つぎに、この半導体レーザバーユニット１の製造方法を説明する。まず、準備工程において、半導体レーザバー１１、サブマウントベース１１２、および、アッパープレート１３を用意する。
【００３１】
半導体レーザバー１１は、図２（ａ）に示すように、軸方向に長い四角柱で、端面を除く１面に複数の半導体レーザ発光部１５が軸方向に並列され、この半導体レーザ発光部１５が並列されている面と隣接する一対の周方向の対向面が各々半導体レーザバー電極面２６，２７として半田蒸着されている。
【００３２】
サブマウントベース１１２は、図２（ｂ）に示すように、金属からなる矩形平板であり、固定面側（上面側）の一方側に半導体レーザバー１１の半導体レーザバー電極面２７に相当する領域のサブマウントベース蒸着面１７が半田蒸着されている。
【００３３】
アッパープレート１３は、図２（ｃ）に示すように、金属からなる矩形平板であり、固定面側（下面側）の一方側に半導体レーザバー１１の半導体レーザバー電極面２６に対応する領域がアッパープレート蒸着面２０として半田蒸着されている。また、アッパープレート１３は、アッパープレート蒸着面２０とその裏面を貫通する複数の貫通孔１００をアッパープレート蒸着面２０の延在方向に並列して有している。
【００３４】
このような部材の準備が完了したら、第１載置工程において、図３に示すように、サブマウントベース１１２を、サブマウントベース蒸着面１７を上にし、サブマウントベース１１２の上面以外を取り囲むようにして、治具３１により治具３２に対して固定する。つぎに、図４に示すように、半導体レーザバー１１を、半導体レーザ発光部１５が外側を向きかつ半導体レーザバー電極面２７がサブマウントベース１１２のサブマウントベース蒸着面１７と接触するように、サブマウントベース１１２上に載置する。
【００３５】
つぎに、第２載置工程において、アッパープレート１３を、貫通孔１００を有するアッパープレート蒸着面２０が半導体レーザバー１１の半導体レーザバー電極面２６と接触するように載置する。つぎに、半田塊載置工程において、このアッパープレート１３の各々の貫通孔１００を通して、半導体レーザバー１１の半導体レーザバー電極面２６上に半田塊１３５を載置する。
【００３６】
つぎに、荷重付加工程において、図５（ａ）に示すように、半導体レーザバー１１の半導体レーザバー電極面２６とほぼ同じ大きさの底面を有し、貫通孔１００に対向する部分が切り欠かれている加圧治具１３３で、図５（ｂ）に示すように、アッパープレート１３上面の半導体レーザバー１１側に下方向（図示Ｃ方向）の荷重を付加する。
【００３７】
この時、図６（ａ）に示すように、半導体レーザバー１１の半導体レーザバー電極面２７とサブマウントベース１１２のサブマウントベース蒸着面１７が密着されるとともに、半田塊１３５が貫通孔１００内に挿入されているのでアッパープレート１３に付加される荷重に抗する応力を半田塊１３５がアッパープレート１３に及ぼすことがなく、このアッパープレート１３のアッパープレート蒸着面２０と半導体レーザバー１１の半導体レーザバー電極面２６も密着される。
【００３８】
つぎに、熱処理工程において、窒素中で上述の荷重を付加した状態でこれらのサブマウントベース１１２等をオーブンに投入し、所定の温度（約１８５℃）まで加熱する。これにより、アッパープレート１３のアッパープレート蒸着面２０と半導体レーザバー１１の半導体レーザバー電極面２６、および、半導体レーザバー１１の半導体レーザバー電極面２７とサブマウントベース１１２のサブマウントベース蒸着面１７が溶融して、図１に示すように、各々半田層４８，４９が形成される。さらに、アッパープレート１３の貫通孔１００内の半田塊１３５が溶融して、半導体レーザバー１１とアッパープレート１３との間の半田層４８に場合によっては生じる密着不十分な空隙に流れ込み、この半田層４８が空隙なく均一化される。
【００３９】
そして、冷却工程において、窒素中で荷重を付加した状態でこれらのサブマウントベース１１２等を冷却する。これにより、半田が固化し、半導体レーザバー１１とアッパープレート１３が、空隙なく均一化された半田層４８を介して電気的に導通された状態で密着接合されるとともに、半導体レーザバー１１とサブマウントベース１１２も電気的に導通された状態で半田層４９を介して密着接合される。
【００４０】
このように、半導体レーザバー１１と電極板であるアッパープレート１３、サブマウントベース１１２とが密着されて導通固定されるとともに、アッパープレート１３と半導体レーザバー１１との間の半田層４８に場合によっては生じる空隙に半田塊１３５の溶融分が流入し、空隙のない均一な半田層４８を介してこれらが導通固定されるので、半導体レーザバー１１の歪みや個々の半導体レーザ発光部１５に流れる電流密度の不均一による半導体レーザバー１１の特性の変化・劣化を生じることがなく、かつ、密着不良による電流供給障害を起こすことがなく、大電流を流すことができる半導体レーザバー１１の固定方法を提供できる。
【００４１】
また、半導体レーザバー１１、サブマウントベース１１２、および、アッパープレート１３の互いの接合に全て半田を採用しているので、全ての接合が１回の高温処理工程と冷却工程で同時に達成され、省力化がなされている。また、半田の熱収縮率が低いので、冷却工程における半導体レーザバー１１の歪みや位置ずれの発生が防止されている。
【００４２】
つぎに、図７を参照して、第２実施形態の半導体レーザバーユニット２を説明する。この半導体レーザバーユニット２は、アッパープレートとして、第１実施形態のアッパープレート１３に、さらに貫通孔１００に連設される一対のスリット１４１を各々貫通孔１００に対応して設けたアッパープレート４３を採用している。
【００４３】
この半導体レーザバーユニット２の製造方法は、まず、第１実施形態と同様の準備工程により半導体レーザバー１１とサブマウントベース１１２と上記アッパープレート４３を用意する。そして、第１実施形態と同様の第１載置工程、第２載置工程を経たのち、半田塊載置工程において、一対のスリット１４１を有する全ての貫通孔１００を通して半導体レーザバー１１の半導体レーザバー電極面２６上に半田塊１３５を載置する（図８参照）。そして、第１実施形態と同様の荷重付加工程、高温処理工程、冷却工程を実施する。
【００４４】
これにより、本実施形態においても第１実施形態と同様の作用効果が奏されるのに加えて、スリット１４１を備えているため、溶融した半田が、スリット１４１に連接される空隙にも流入するので、第１実施形態に比してより広い範囲にわたって半田層４８を均一化することが可能となっている。
【００４５】
つぎに、図９を参照して、第３実施形態の半導体レーザバーユニット３を説明する。この半導体レーザバーユニット３は、アッパープレートとして、第１実施形態のアッパープレート１３の貫通孔１００が無く、半導体レーザバー１１に対向する部分に複数の貫通凹部５１を有するアッパープレート５３を採用している。この貫通凹部５１は、図１０（ａ）に示すように、アッパープレート蒸着面２０と周方向に隣接する端面側が開放されて成る。
【００４６】
この半導体レーザバーユニット３の製造方法は、まず、第１実施形態と同様の準備工程により半導体レーザバー１１とサブマウントベース１１２と上記アッパープレート５３とを用意し、第１実施形態と同様な第１載置工程、第２載置工程を経たのち、半田載置工程において、図１０に示すように、半導体レーザバー１１の半導体レーザバー電極面２６上に貫通凹部５１を通して半田塊１３５を各々載置する。そして、第１実施形態と同様に、荷重付加工程、高温処理工程、および、冷却工程を実施する。このような第３実施形態においても、第１実施形態と同様の作用効果が奏される。
【００４７】
つぎに、図１１を参照して、第４実施形態の半導体レーザバーユニット４を説明する。この半導体レーザバーユニット４は、アッパープレートとして、第１実施形態のアッパープレート１３の貫通孔１００が無く、半導体レーザバー１１と対向する面に複数の凹部１７０が半導体レーザバー１１の軸方向に並列されたアッパープレート７３を採用している。
【００４８】
この半導体レーザバーユニット４の製造方法は、まず、第１実施形態と同様の準備工程により半導体レーザバー１１とサブマウントベース１１２と上記アッパープレート７３を用意する。そして、半田保持工程において、アッパープレート７３の凹部１７０内に溶融半田を流入して固化させ、図１２（ｂ）に示すような、半田保持部１７２を形成する。
【００４９】
つぎに、第１実施形態と同様の第１載置工程を実施したのち、第２載置工程で、図１２に示すように、アッパープレート７３を、半田保持部１７２を有する凹部１７０が半導体レーザバー１１の半導体レーザバー電極面２６と面するように載置する。
【００５０】
つぎに、第１実施形態と同様の荷重付加工程を実施する。この時、アッパープレート７３が当該アッパープレート７３に付加される荷重に抗する応力を半田保持部１７２より受けることなく、アッパープレート７３のアッパープレート蒸着面２０と半導体レーザバー１１の半導体レーザバー電極面２６が密着される。
【００５１】
つぎに、第１実施形態と同様の高温処理工程を実施する。これにより、半田保持部１７２の半田が溶融されて重力落下し、凹部１７０と面する半導体レーザバー１１上に溜まり、半導体レーザバー１１とアッパープレート７３との間の半田層４８に場合によっては生じる密着不十分な空隙に流入して、アッパープレート７３と半導体レーザバー１１とが空隙のない均一な半田層４８により密着される。そして、これに対して第１実施形態と同様の冷却工程を実施する。
【００５２】
したがって、第４実施形態による半導体レーザバーユニット４の固定方法によれば、第１実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００５３】
つぎに、第５実施形態による半導体レーザバーユニット４の製造方法を説明する。本実施形態の半導体レーザバーユニット４の製造方法は、まず、第４実施形態と同様の準備工程において半導体レーザバー１１とサブマウントベース１１２とアッパープレート７３とを用意し、第４実施形態と同様の第１載置工程を経たのち、半田塊載置工程において、図１３（ｂ）に示すように、半導体レーザバー１１の半導体レーザバー電極面２６上に、複数の半田塊１３５を半導体レーザバー１１の軸方向に並列するように載置する。そして、第２載置工程において、図１３に示すように、アッパープレート７３を、凹部１７０が半導体レーザバー電極面２６上の半田塊１３５を各々覆うように載置する。
【００５４】
つぎに、第４実施形態と同様の荷重付加工程を行う。この時、アッパープレート７３は凹部１７０が半導体レーザバー電極面２６上の半田塊１３５を覆うように載置されているため、アッパープレート７３が当該アッパープレート７３に付加される荷重に抗する応力を半田塊１３５より受けることなく、アッパープレート７３のアッパープレート蒸着面２０と半導体レーザバー１１の半導体レーザバー電極面２６とが密着される。
【００５５】
つぎに、第４実施形態と同様の高温処理工程を実施する。これにより、半田塊１３５が溶融されて半導体レーザバー１１とアッパープレート７３との間の半田層４８に場合によっては生じる密着不十分な空隙に流入し、図１１に示すように、半導体レーザバー１１とアッパープレート７３が空隙のない均一な半田層４８により密着される。そして、これに対して第４実施形態と同様の冷却工程を実施する。
【００５６】
したがって、第５実施形態による半導体レーザバーユニット４の固定方法によれば、第４実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００５７】
つぎに、図１４を参照して、第６実施形態による半導体レーザバーユニット５を説明する。この半導体レーザバーユニット５は、アッパープレートとして、第１実施形態のアッパープレート１３の貫通孔１００がなく、サブマウントベース１１２に対して合わせたときにその半導体レーザバー１１側の端部（端面）１９１が半導体レーザバー１１の半導体レーザバー電極面２６に面するように小さくされたアッパープレート９３を採用している。
【００５８】
この半導体レーザバーユニット５の製造方法は、まず、第１実施形態と同様の準備工程において、半導体レーザバー１１とサブマウントベース１１２と上記アッパープレート９３を用意する。そして、第１実施形態と同様の第１載置工程を経たのち、半田塊載置工程において、図１５（ｂ）に示すように、半導体レーザバー１１の半導体レーザバー電極面２６上に半田塊１３５を載置する。そして、第２載置工程において、アッパープレート９３を、アッパープレート蒸着面２０が半導体レーザバー１１の半導体レーザバー電極面２６と接触し、かつ、半田塊１３５がアッパープレート９３の端部１９１の外側に位置するように載置する。
【００５９】
つぎに、第１実施形態と同様の荷重付加工程を実施する。この時、半導体レーザバー１１上に載置された半田塊１３５を避けるようにアッパープレート９３が載置されているため、アッパープレート９３が当該アッパープレート９３に付加される荷重に抗する力を半田塊１３５より受けることなく、アッパープレート９３のアッパープレート蒸着面２０と半導体レーザバー１１の半導体レーザバー電極面２６が密着される。
【００６０】
つぎに、第１実施形態と同様の高温処理工程を実施する。これにより、半田塊１３５が溶融されて半導体レーザバー１１とアッパープレート９３との間の半田層４８に場合によっては生じる密着不良な空隙に流入し、半導体レーザバー１１とアッパープレート９３が空隙のない均一な半田層４８により密着される。これに対して、第１実施形態と同様の冷却工程を実施する。
【００６１】
したがって、第６実施形態による半導体レーザバーユニット５の固定方法によれば、第１実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００６２】
つぎに、本発明の第７実施形態による半導体レーザバーユニット５の製造方法を説明する。本実施形態の半導体レーザバーユニット５の製造工程では、まず、第６実施形態と同様の準備工程において、半導体レーザバー１１とサブマウントベース１１２とアッパープレート９３を用意する。そして、第６実施形態と同様の第１載置工程を経たのち、第２載置工程において、図１５に示すように、アッパープレート９３を、アッパープレート蒸着面２０が半導体レーザバー１１の半導体レーザバー電極面２６と接触し、かつ、アッパープレート９３の端部（端面）１９１が半導体レーザバー１１の半導体レーザバー電極面２６に面するように載置する。そして、半田塊載置工程において、半導体レーザバー１１の半導体レーザバー電極面２６上でアッパープレート９３の端部１９１より外側に半田塊１３５を載置する。そして、第６実施形態と同様に、荷重付加工程、高温処理工程、および、冷却工程を実施する。これによっても、第６実施形態と同様の作用効果が奏される。
【００６３】
つぎに、図１６を参照して、第８実施形態の半導体レーザバーユニット６を説明する。この半導体レーザバーユニット６は、第１実施形態の半導体レーザバー１１と、この半導体レーザバー１１と所定に離間された絶縁体からなる矩形平板状のダミー板１４と、これらを挟持して固定するとともに電極となるサブマウントベース１２およびアッパープレート１０３とを有している。
【００６４】
図１６（ａ）、（ｂ）に示すように、半導体レーザバー１１はその半導体レーザ発光部１５が外側を向くように配置され、半導体レーザバー１１とアッパープレート１０３、半導体レーザバー１１とサブマウントベース１２は、各々半田層４８，４９を介して電気的に導通された状態で密着固定され、ダミー板１４とサブマウントベース１２は、半田層５０を介して密着固定されている。また、図１６に示すように、アッパープレート１０３は、半導体レーザバー１１との対向面に複数の貫通孔１００を有し、さらに、ダミー板１４との対向面に複数の貫通孔３０を有しているとともに、このアッパープレート１０３とダミー板１４との間に半田充填部４２が形成され、この半田充填部４２を介してアッパープレート１０３とダミー板１４とが固定されている。
【００６５】
つぎに、この半導体レーザバーユニット６の製造方法を説明する。まず、準備工程において、ダミー板１４、サブマウントベース１２、アッパープレート１０３、および、第１実施形態の半導体レーザバー１１を用意する。
【００６６】
ダミー板１４は、図１７に示すように、絶縁体からなる矩形平板状のスペーサであり、一対の対向する面が半田蒸着されてダミー板蒸着面２４，２５を形成するとともに、そのダミー板蒸着面２４，２５間の厚みが、半導体レーザバー１１の半導体レーザバー電極面２６，２７間の厚みよりも小さくされている。
【００６７】
サブマウントベース１２は、金属からなる矩形平板であり、固定面側（上面側）の一方側に半導体レーザバー１１の半導体レーザバー電極面２７に相当する領域のサブマウントベース蒸着面１７が、他方側にダミー板１４のダミー板蒸着面２５に相当する領域のサブマウントベース蒸着面１８が、各々半田蒸着されている。
【００６８】
アッパープレート１０３は、サブマウントベース１２と同じ大きさの金属からなる矩形平板であり、サブマウントベース１２のサブマウントベース蒸着面１７，１８に対応する領域がアッパープレート蒸着面２０，２１として半田蒸着されている。また、アッパープレート１０３には、アッパープレート蒸着面２１とその裏面を貫通する複数の貫通孔３０がアッパープレート蒸着面２１の延在方向に並列されているとともに、アッパープレート蒸着面２０とその裏面を貫通する複数の貫通孔１００がアッパープレート蒸着面２０の延在方向に並列され、さらに、アッパープレート蒸着面２１の延在方向の両端に各々角部を取り除いた形状の切り欠き部（第２貫通凹部）２２が形成されている。
【００６９】
このような部材の準備が完了したら、第１載置工程において、サブマウントベース１２を、サブマウントベース蒸着面１７，１８を上にし、サブマウントベース１２の上面以外を取り囲むようにして、治具３１により治具３２に対して固定する。つぎに、半導体レーザバー１１を、半導体レーザ発光部１５が外側を向きかつ半導体レーザバー電極面２７がサブマウントベース１２のサブマウントベース蒸着面１７と接触するように、また、ダミー板１４を、ダミー板１４のダミー板蒸着面２５がサブマウントベース１２のサブマウントベース蒸着面１８に接触するように、各々サブマウントベース１２上に載置する。
【００７０】
つぎに、第２載置工程において、アッパープレート１０３を、貫通孔１００を有するアッパープレート蒸着面２０が半導体レーザバー１１の半導体レーザバー電極面２６と接触し、かつ、貫通孔３０を有するアッパープレート蒸着面２１がダミー板１４のダミー板蒸着面２４と対向するように載置する。そして、半田塊載置工程において、貫通孔３０を通してダミー板１４のダミー板蒸着面２４上に、貫通孔１００を通して半導体レーザバー１１の半導体レーザバー電極面２６上に、半田塊１３５を各々載置する。
【００７１】
つぎに、荷重付加工程において、図１８に示すように、アッパープレート１０３の上面の半導体レーザバー１１側に加圧治具１３３により下方向（図示Ｃ方向）の荷重を付加し、さらに、逆Ｕ字型で両端一対の底面３４ａが、アッパープレート１０３の切り欠き部２２を通してダミー板１４のダミー板蒸着面２４に対応する加圧治具３４により、アッパープレート１０３に荷重を加えることなくダミー板１４に下方向の荷重を付加する。
【００７２】
この時、図１７（ｂ）に示すように、ダミー板１４のダミー板蒸着面２４とダミー板蒸着面２５間の厚みが半導体レーザバー１１の半導体レーザバー電極面２６と半導体レーザバー電極面２７間の厚みよりも小さいので、アッパープレート１０３のアッパープレート蒸着面２０と半導体レーザバー１１の半導体レーザバー電極面２６、半導体レーザバー１１の半導体レーザバー電極面２７とサブマウントベース１２のサブマウントベース蒸着面１７が密着されるとともに、アッパープレート１０３のアッパープレート蒸着面２１とダミー板１４のダミー板蒸着面２４との間に間隙４０が形成される。この時、半田塊３５が貫通孔３０内に挿入されていて、アッパープレート１０３に付加される荷重に抗する応力をアッパープレート１０３に及ぼすことがないので、この間隙４０が維持される。また、加圧治具３４により付加される荷重により、ダミー板１４のダミー板蒸着面２５とサブマウントベース１２のサブマウントベース蒸着面１８とが密着される。
【００７３】
つぎに、第１実施形態と同様の高温処理工程を実施する。これにより、アッパープレート１０３のアッパープレート蒸着面２０と半導体レーザバー１１の半導体レーザバー電極面２６、半導体レーザバー１１の半導体レーザバー電極面２７とサブマウントベース１２のサブマウントベース蒸着面１７、ダミー板１４のダミー板蒸着面２５とサブマウントベース１２のサブマウントベース蒸着面１８が溶融して、図１６に示すように、各々半田層４８，４９，５０が形成される。さらに、アッパープレート１０３の貫通孔１００内の半田塊１３５が溶融して、半導体レーザバー１１とアッパープレート１０３との間の半田層４８に場合によっては生じる密着不十分な空隙に流れ込み、この半田層４８が空隙なく均一化されるとともに、アッパープレート１０３の貫通孔３０内の半田塊３５が溶融して、アッパープレート１０３のアッパープレート蒸着面２１とダミー板１４のダミー板蒸着面２４との間の間隙４０に流れ込み、この間隙４０が維持されたまま半田充填部４２が形成される。
【００７４】
そして、これに対して第１実施形態と同様の冷却工程を実施する。これにより、半導体レーザバー１１とアッパープレート１０３が空隙なく均一化された半田層４８を介して電気的に導通された状態で密着接合され、半導体レーザバー１１とサブマウントベース１２が半田層４９を介して電気的に導通された状態で密着接合されるとともに、ダミー板１４とサブマウントベース１２が半田層５０を介して密着接合される。また、ダミー板１４とアッパープレート１０３との間の間隔が維持されたまま半田充填部４２の半田が固化し、これらが固定される。
【００７５】
したがって、第８実施形態による半導体レーザバーユニット６の固定方法によれば、第１実施形態と同様の効果を得るとともに、アッパープレート１０３とサブマウントベース１２との間にダミー板１４が介装されることにより、半導体レーザバーを高強度に固定することが可能となっている。
【００７６】
つぎに、図１９を参照して、第９実施形態の半導体レーザバーユニット３０１を説明する。この半導体レーザバーユニット３０１は、ダミー板として、第８実施形態のダミー板１４の厚みを半導体レーザバー１１の厚みよりも厚くしたダミー板１１４を採用し、アッパープレートとして、サブマウントベース１２と同じ大きさの金属平板からなり、半導体レーザバー１１に対向する面とその裏面を貫通する複数の貫通孔１００が半導体レーザバー１１の軸方向に並列されているとともに、半導体レーザバー１１と対向する部分の両端に各々角部を取り除いた形状の切り欠き部（第２貫通凹部）１２２を有するアッパープレート２０３を採用している。そして、この半導体レーザバーユニット３０１は、電極となるアッパープレート２０３および第８実施形態のサブマウントベース１２が、第１実施形態の半導体レーザバー１１と、この半導体レーザバー１１と所定に離間されたダミー板１１４とを挟持して固定するとともに、半導体レーザバー１１とアッパープレート２０３との間には半田充填部１４８が形成され、この貫通孔１００内部に半田充填部１４８と連結する半田充填部１０５が形成されている。
【００７７】
この半導体レーザバーユニット３０１の製造工程は、まず、第８実施形態と同様の準備工程において、図２０に示すように、半導体レーザバー１１、サブマウントベース１２、上記ダミー板１１４および上記アッパープレート２０３を用意する。このアッパープレート２０３は、半導体レーザバー１１の半導体レーザバー電極面２６と、ダミー板１１４のダミー板蒸着面２４に対向する領域が各々アッパープレート蒸着面２０，２１として半田蒸着されている。つぎに、このように準備された部材により、図２０に示すように、第８実施形態と同様の第１載置工程を行う。
【００７８】
つぎに、第２載置工程において、アッパープレート２０３を、貫通孔１００を有するアッパープレート蒸着面２０が半導体レーザバー１１の半導体レーザバー電極面２６と対向し、かつ、アッパープレート蒸着面２１がダミー板１１４のダミー板蒸着面２４と接触するように載置する。そして、半田塊載置工程において、貫通孔１００を通して半導体レーザバー１１の半導体レーザバー電極面２６上に各々半田塊１３５を載置する。
【００７９】
つぎに、荷重付加工程において、図２１に示すように、ダミー板１１４のダミー板蒸着面２４とほぼ同じ大きさの矩形底面を有する加圧治具２３４により、アッパープレート２０３上面のダミー板１１４側に下方向（図示Ｃ方向）の荷重を付加する。さらに、逆Ｕ字型で両端一対の底面が、アッパープレート２０３の切り欠き部１２２を通して半導体レーザバー１１の半導体レーザバー電極面２６に対応する加圧治具２３３により、アッパープレート２０３に荷重を加えることなく半導体レーザバー１１に下方向の荷重を付加する。
【００８０】
この時、図２０（ｂ）に示すように、ダミー板１１４のダミー板蒸着面２４とダミー板蒸着面２５間の厚みが半導体レーザバー１１の半導体レーザバー電極面２６と半導体レーザバー電極面２７間の厚みよりも大きいため、アッパープレート２０３のアッパープレート蒸着面２１とダミー板１１４のダミー板蒸着面２４、ダミー板１１４のダミー板蒸着面２５とサブマウントベース１２のサブマウントベース蒸着面１８が密着される。
【００８１】
また、この時、アッパープレート２０３のアッパープレート蒸着面２０と半導体レーザバー１１の半導体レーザバー電極面２６との間に間隙４０が形成されるとともに、半田塊１３５が貫通孔１００内に挿入されていて、アッパープレート２０３に付加される下方向の荷重に抗する応力をアッパープレート２０３に及ぼすことがないので、この間隙４０が維持される。また、加圧治具２３３により付加される荷重により、半導体レーザバー１１の半導体レーザバー電極面２７とサブマウントベース１２のサブマウントベース蒸着面１７とが密着される。
【００８２】
つぎに、第８実施形態と同様に、高温処理工程を実施する。これにより、半導体レーザバー１１の半導体レーザバー電極面２７とサブマウントベース１２のサブマウントベース蒸着面１７、ダミー板１１４のダミー板蒸着面２５とサブマウントベース１２のサブマウントベース蒸着面１８、アッパープレート２０３のアッパープレート蒸着面２１とダミー板１１４のダミー板蒸着面２４が溶融して、図１９に示すように、各々半田層４９，５０，１４２が形成される。また、アッパープレート２０３の貫通孔１００内の半田塊１３５が溶融して、アッパープレート２０３のアッパープレート蒸着面２０と半導体レーザバー１１の半導体レーザバー電極面２６との間の間隙４０に流れ込み、この間隙４０が維持されたまま空隙なく均一化された半田充填部１４８が形成される。
【００８３】
そして、これに対して第８実施形態と同様の冷却工程を実施する。これにより、半導体レーザバー１１とサブマウントベース１２が半田層４９を介して電気的に導通された状態で密着接合され、ダミー板１１４とサブマウントベース１２、ダミー板１１４とアッパープレート２０３とが、半田層５０，１４２を介して密着接合されるとともに、半導体レーザバー１１とアッパープレート２０３との間の間隙４０が維持されたまま、空隙なく均一化された半田充填部１４８の半田が固化し、電気的に導通された状態でこれらが固定される。したがって、第９実施形態によれば、第８実施形態と同様の効果を奏する。
【００８４】
つぎに、図２２を参照して、第１０実施形態の半導体レーザバーユニット３０２を説明する。この半導体レーザバーユニット３０２では、アッパープレートとして、第９実施形態のアッパープレート２０３にさらに、貫通孔１００に連設される一対のスリット４１を各々貫通孔１００に対応して設けたアッパープレート２１３を採用している。
【００８５】
この半導体レーザバーユニット３０２の製造方法は、まず、第９実施形態と同様の準備工程により半導体レーザバー１１とサブマウントベース１２とダミー板１１４と上記アッパープレート２１３を用意する。そして、第９実施形態と同様の第１載置工程、第２載置工程を経たのち、半田塊載置工程において、一対のスリット４１を有する全ての貫通孔１００を通して半導体レーザバー１１の半導体レーザバー電極面２６上に半田塊１３５を載置する（図２３参照）。そして、第９実施形態と同様の荷重付加工程、高温処理工程、冷却工程を実施する。
【００８６】
これにより、本実施形態においても第９実施形態と同様の作用効果が得られるのに加えて、スリット４１を備えているために、半田塊１３５の半田の量が貫通孔１００に多すぎた場合でも余分な半田がスリット４１内に進入して間隙４０から外に溢れにくくされ、また、溶融した半田がスリット４１に導かれて間隙４０の貫通孔１００と貫通孔１００との間に流れやすくなるので、アッパープレート２１３と半導体レーザバー１１との間にまんべんなく半田が流入・充填されるとともに、気泡の抱き込みを防ぐことが可能とされ、第９実施形態に比して密着性をより高くすることが可能となっている。
【００８７】
つぎに、図２４を参照して、第１１実施形態の半導体レーザバーユニット３０３を説明する。この半導体レーザバーユニット３０３では、アッパープレートとして、第９実施形態のアッパープレート２０３の貫通孔１００が無く、半導体レーザバー１１に対向する部分に複数の貫通凹部５１を有するアッパープレート２２３を採用している。この貫通凹部５１は、図２５（ａ）に示すように、アッパープレート蒸着面２０と周方向に隣接する端面側が開放されて成る。
【００８８】
この半導体レーザバーユニット３０３の製造方法は、まず、第９実施形態と同様の準備工程により半導体レーザバー１１とサブマウントベース１２とダミー板１１４と上記アッパープレート２２３を用意し、第９実施形態と同様な第１載置工程、第２載置工程を経たのち、半田載置工程において、図２５に示すように、半導体レーザバー１１の半導体レーザバー電極面２６上に全ての貫通凹部５１を通して半田塊１３５を載置する。そして、第９実施形態と同様に、荷重付加工程、高温処理工程、および、冷却工程を実施する。このような第１１実施形態においても、第９実施形態と同様の作用効果が奏される。
【００８９】
つぎに、図２６を参照して、第１２実施形態の半導体レーザバーユニット３０４を説明する。この半導体レーザバーユニット３０４は、アッパープレートとして、第９実施形態のアッパープレート２０３の貫通孔１００が無く、半導体レーザバー１１と対向する面に、半導体レーザバー１１の軸方向に並列する複数の凹部１７０を備えたアッパープレート２３３を採用している。
【００９０】
この半導体レーザバーユニット３０４の製造方法は、まず、第９実施形態と同様の準備工程により半導体レーザバー１１とサブマウントベース１２とダミー板１１４と上記アッパープレート２３３を用意する。そして、半田保持工程において、アッパープレート２３３の凹部１７０内に溶融半田を流入して固化させ、図２７（ｂ）に示すような、半田保持部１７２を形成する。
【００９１】
つぎに、第９実施形態と同様の第１載置工程を実施したのち、第２載置工程で、図２７に示すように、アッパープレート２３３を、アッパープレート蒸着面２１がダミー板１１４のダミー板蒸着面２４と接触し、かつ、半田保持部１７２を有する凹部１７０が半導体レーザバー１１の半導体レーザバー電極面２６と対向するように載置する。
【００９２】
つぎに、第９実施形態と同様の荷重付加工程を実施する。この時、アッパープレート２３３は半田保持部１７２を有する凹部１７０が半導体レーザバー１１の半導体レーザバー電極面２６に面するように載置され、このアッパープレート２３３のダミー板１１４側に荷重が付加されるため、半導体レーザバー１１より厚いダミー板１１４とサブマウントベース１２、アッパープレート２３３が容易に密着されるとともに、アッパープレート２３３が当該アッパープレート２３３に付加される荷重に抗する応力を半田保持部１７２より受けることなく、アッパープレート２３３のアッパープレート蒸着面２０と半導体レーザバー１１の半導体レーザバー電極面２６との間に間隙４０が形成される。
【００９３】
つぎに、第９実施形態と同様の高温処理工程を実施する。これにより、半田保持部１７２の半田が溶融されて重力落下し、半導体レーザバー１１の半導体レーザバー電極面２６とアッパープレート２３３のアッパープレート蒸着面２０との間の間隙４０に流入し、この間隙４０が維持されたまま空隙なく均一化された半田充填部１４８が形成される。そして、これに対して第９実施形態と同様の冷却工程を実施する。
【００９４】
したがって、第１２実施形態による半導体レーザバーユニット３０４の固定方法によれば、第９実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００９５】
つぎに、第１３実施形態による半導体レーザバーユニット３０４の製造方法を説明する。本実施形態の半導体レーザバーユニット３０４の製造方法は、まず、第１２実施形態と同様の準備工程において半導体レーザバー１１とサブマウントベース１２とダミー板１１４とアッパープレート２３３とを用意し、第１２実施形態と同様の第１載置工程を経たのち、半田塊載置工程において、図２８（ｂ）に示すように、半導体レーザバー１１の半導体レーザバー電極面２６上に、半導体レーザバー１１の軸方向に並列して複数の半田塊１３５を載置する。そして、第２載置工程において、図２８に示すように、アッパープレート２３３を、アッパープレート蒸着面２１がダミー板１１４のダミー板蒸着面２４と接触し、かつ、凹部１７０が半導体レーザバー１１上の半田塊１３５を各々覆うように載置する。
【００９６】
つぎに、第１２実施形態と同様の荷重付加工程を行う。この時、アッパープレート２３３は凹部１７０が半導体レーザバー１１上の半田塊１３５を覆うように載置され、このアッパープレート２３３のダミー板１１４側に荷重が付加されるため、半導体レーザバー１１の厚みよりも厚いダミー板１１４とサブマウントベース１２、アッパープレート２３３が容易に密着されるとともに、アッパープレート２３３が当該アッパープレート２３３に付加される荷重に抗する応力を半田塊１３５より受けることなく、アッパープレート２３３のアッパープレート蒸着面２０と半導体レーザバー１１の半導体レーザバー電極面２６との間に間隙４０が形成される。
【００９７】
つぎに、第１２実施形態と同様の高温処理工程を実施する。これにより、半田塊１３５が溶融されて間隙４０に流入し、この間隙４０が維持されたまま空隙なく均一化された半田充填部１４８が形成される。そして、これに対して第１２実施形態と同様の冷却工程を実施する。
【００９８】
したがって、第１３実施形態による半導体レーザバーユニット３０４の固定方法によれば、第１２実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００９９】
つぎに、図２９を参照して、第１４実施形態による半導体レーザバーユニット３０５を説明する。この半導体レーザバーユニット３０５は、アッパープレートとして、第９実施形態のアッパープレート２０３の貫通孔１００が無く、サブマウントベース１２に対して合わせたときにその半導体レーザバー１１側の端部（端面）１９１が半導体レーザバー１１のダミー板蒸着面２４に面するように小さくされたアッパープレート２４３を採用している。
【０１００】
この半導体レーザバーユニット３０５の製造方法は、まず、第９実施形態と同様の準備工程において、半導体レーザバー１１とサブマウントベース１２とダミー板１１４と上記アッパープレート２４３を用意する。そして、第９実施形態と同様の第１載置工程を経たのち、半田塊載置工程において、図３０（ｂ）に示すように、半導体レーザバー１１の半導体レーザバー電極面２６上に半田塊１３５を載置する。そして、第２載置工程において、アッパープレート２４３を、アッパープレート蒸着面２０が半導体レーザバー１１の半導体レーザバー電極面２６と対向し、アッパープレート蒸着面２１がダミー板１１４のダミー板蒸着面２４と接触し、かつ、半田塊１３５がアッパープレート２４３の端部１９１の外側に位置するように載置する。
【０１０１】
つぎに、第９実施形態と同様の荷重付加工程を実施する。この時、半導体レーザバー１１上に載置された半田塊１３５を避けるようにアッパープレート２４３が載置され、アッパープレート２４３のダミー板１１４側に荷重が付加されるので、半導体レーザバー１１の厚みよりも厚いダミー板１１４とサブマウントベース１２、アッパープレート２４３とが容易に密着されるとともに、アッパープレート２４３が当該アッパープレート２４３に付加される荷重に抗する力を半田塊１３５より受けることなく、アッパープレート２４３と半導体レーザバー１１との間に間隙４０が形成される。
【０１０２】
つぎに、第９実施形態と同様の高温処理工程を実施する。これにより、半田塊１３５が溶融されて間隙４０に流入し、この間隙４０が維持されたまま空隙なく均一化された半田充填部１４８が形成される。これに対して、第９実施形態と同様の冷却工程を実施する。
【０１０３】
したがって、第１４実施形態による半導体レーザバーユニット３０５の固定方法によれば、第９実施形態と同様の効果を得ることができる。
【０１０４】
つぎに、本発明の第１５実施形態による半導体レーザバーユニット３０５の製造方法を説明する。本実施形態の半導体レーザバーユニット３０５の製造工程では、まず、第１４実施形態と同様の準備工程において、半導体レーザバー１１とサブマウントベース１２とダミー板１１４とアッパープレート２４３を用意する。そして、第１４実施形態と同様の第１載置工程を経たのち、第２載置工程において、図３０に示すように、アッパープレート２４３を、アッパープレート蒸着面２０が半導体レーザバー１１の半導体レーザバー電極面２６と対向し、アッパープレート蒸着面２１がダミー板１１４のダミー板蒸着面２４と接触し、かつ、アッパープレート２４３の端部１９１が半導体レーザバー１１の半導体レーザバー電極面２６に面するように載置する。そして、半田塊載置工程において、半導体レーザバー１１の半導体レーザバー電極面２６上でアッパープレート２４３の端部１９１より外側に半田塊１３５を載置する。そして、第１４実施形態と同様に、荷重付加工程、高温処理工程、および、冷却工程を実施する。これによっても、第１４実施形態と同様の作用効果が奏される。
【０１０５】
つぎに、図３１を参照して、第１６実施形態の半導体レーザバーユニット３０６を説明する。この半導体レーザバーユニット３０６は、アッパープレートとして、第９実施形態のアッパープレート２０３にさらに、ダミー板１１４に対向する面とこの裏面を貫通し、ダミー板１１４の軸方向に並列する複数の貫通孔３０を設けたアッパープレート２５３を採用している。そして、図３１（ｂ）、（ｃ）に示すように、アッパープレート２５３の貫通孔３０内には、前述した半田層１４２と連結する半田充填部１０５が形成されている。
【０１０６】
この半導体レーザバーユニット３０６の製造工程は、まず、第９実施形態と同様の準備工程において、半導体レーザバー１１とサブマウントベース１２とダミー板１１４と上記アッパープレート２５３を用意する。そして、第９実施形態と同様の第１載置工程を行ったのち、第２載置工程において、図３２に示すように、アッパープレート２５３を、貫通孔１００を有するアッパープレート蒸着面２０が半導体レーザバー１１の半導体レーザバー電極面２６と対向し、かつ、貫通孔３０を有するアッパープレート蒸着面２１がダミー板１１４のダミー板蒸着面２４と接触するように載置する。そして、半田塊載置工程において、貫通孔３０を通してダミー板１１４のダミー板蒸着面２４上に、貫通孔１００を通して半導体レーザバー１１の半導体レーザバー電極面２６上に、各々半田塊１３５を載置する。
【０１０７】
つぎに、第９実施形態と同様に、荷重付加工程、高温処理工程を実施する。この時、貫通孔３０内のダミー板蒸着面２４上に載置された半田塊１３５が溶融されて、図３１（ｂ）に示すように、アッパープレート２５３とダミー板１１４との間の半田層１４２に場合によっては生じる密着不十分な空隙に流れ込むので、これらの密着がさらに良好とされる。そして、これに対して第９実施形態と同様の冷却工程を実施する。
【０１０８】
したがって、第１６実施形態による半導体レーザバーユニット３０６の固定方法によれば、アッパープレート２５３とダミー板１１４との間の半田層１４２に場合によって生じる密着不十分な空隙に半田が充填されているため、第９実施形態に比してアッパープレート２５３とダミー板１１４の密着性がさらに向上され、半導体レーザバーユニット３０６の機械的強度を高くすることが可能となっている。
【０１０９】
つぎに、図３３を参照して、１次元半導体レーザダイオードアレイ装置１２０を説明する。この装置は、第１実施形態の半導体レーザバーユニット１をヒートシンク１１０上に設置することにより構成されている。このように、サブマウントベース１２をヒートシンク１１０と接触させることにより、半導体レーザ発光部１５の発光に伴う熱が除去され、半導体レーザバーユニット１の性能が十分に発揮されるようになっている。
【０１１０】
つぎに、図３４を参照して、スタック型半導体レーザダイオードアレイ装置１３０を説明する。この装置は、上述の１次元半導体レーザダイオードアレイ装置１２０を上下方向に重ねて直列に結合することにより構成されている。これにより、高出力のレーザ光源として、半導体レーザバーユニット１の性能が十分に発揮されるようになっている。
【０１１１】
なお、本発明に係る半導体レーザバーの固定方法は、上記実施形態に限定されるものではなく、他の条件等に応じて種々の変形態様をとることが可能である。例えば、第１〜３実施形態、および、第９〜第１１実施形態では、半田載置工程の後に荷重付加工程を行っているが、荷重付加工程の後に半田載置工程を行っても構わない。
【０１１２】
また、第４、第１２実施形態では、第１載置工程の前に半田保持工程を行っているが、第２載置工程の前に半田保持工程を行っても構わない。
【０１１３】
また、第５、第１３実施形態では、凹部１７０を備えるアッパープレート７３、アッパープレート２２３を採用しているが、この凹部に限らず、アッパープレート蒸着面２０とこの裏面を貫通する貫通孔や、アッパープレート蒸着面２０とこの裏面を貫通しさらにアッパープレート蒸着面２０の周方向の隣接面が開放された貫通凹部を有するアッパープレートでも構わない。
【０１１４】
また、第７、第１５実施形態では、半田塊載置工程の後に荷重付加工程を行っているが、荷重付加工程の後に半田塊載置工程を行ってもよい。
【０１１５】
また、第８実施形態では、半導体レーザバー１１とアッパープレート１０３との固定方法として、第１実施形態と同様の固定方法を採用しているが、これに限らず、第２実施形態と同様の固定方法を始めとして、第３〜第７実施形態と同様の固定方法のいずれかを採用してもよい。さらに、ダミー板１４とアッパープレート１０３との固定方法として、第９実施形態における半導体レーザバー１１とアッパープレート２０３との固定方法と同様の方法を採用しているが、これに限らず、第１０実施形態における半導体レーザバー１１とアッパープレート２１３との固定方法と同様の方法を始めとして、第１１〜第１５実施形態における半導体レーザバー１１とアッパープレートとの固定方法と同様の方法のいずれかを採用してもよい。
【０１１６】
また、第８実施形態では、切り欠き部２２を有するアッパープレート１０３を採用し、この切り欠き部２２を通して加圧治具３４によりダミー板１４に荷重を付加しているが、これに限らず、アッパープレート蒸着面２１とこの裏面を貫通する第２貫通孔を有するアッパープレートを用い、この第２貫通孔を貫通する加圧治具によりダミー板１４に荷重をかけても構わない。
【０１１７】
また、第８実施形態では、好ましいとして、加圧治具３４によりダミー板１４に荷重を付加しているが、これを付加しなくても構わない。
【０１１８】
また、第１６実施形態では、半導体レーザバー１１とアッパープレート２５３との固定方法として、第９実施形態と同様の固定方法を採用しているが、これに限らず、第１０実施形態と同様の固定方法を始めとして、第１１〜第１５実施形態と同様の固定方法のいずれかを採用してもよい。さらに、ダミー板１１４とアッパープレート２５３との固定方法として、第１実施形態における半導体レーザバー１１とアッパープレート１３との固定方法と同様の方法を採用しているが、これに限らず、第２実施形態における固定方法と同様の方法を始めとして、第３〜第７実施形態における固定方法と同様の方法のいずれかを採用してもよい。
【０１１９】
また、第９〜第１６実施形態では、切り欠き部１２２を有するアッパープレート２０３，２１３，２２３，２３３，２４３，２５３を採用し、この切り欠き部１２２を通して加圧治具２３３により半導体レーザバー１１に荷重を付加しているが、これに限らず、アッパープレート蒸着面２０とこの裏面を貫通する第２貫通孔を有するアッパープレートを用い、この第２貫通孔を貫通する加圧治具により半導体レーザバー１１に荷重をかけても構わない。
【０１２０】
また、第９〜第１６実施形態では、好ましいとして、加圧治具２３３により半導体レーザバー１１に荷重を付加しているが、これを付加しなくても構わない。
【０１２１】
また、第１〜第１６実施形態では、半田塊１３５を採用しているが、半田線等でも構わない。
【０１２２】
また、第１〜第１６実施形態では、好ましいとして、窒素フロー中で高温処理工程と冷却工程を行っているが、これに限られず、他の不活性ガス等でも構わない。
【０１２３】
また、上記実施形態では、切り欠き部２２，１２２や貫通凹部５１等を切り欠くことによって形成しているが、鋳造等によって最初から成形しても構わない。
【０１２４】
また、１次元半導体レーザダイオードアレイ装置１２０、スタック型半導体レーザダイオードアレイ装置１３０は、半導体レーザーバーユニットとして、第１実施形態の半導体レーザバーユニット１を採用しているが、これに限らず、第２実施形態の半導体レーザバーユニット２を始めとして、第３〜第１６実施形態における半導体レーザーバーユニットのいずれかを採用することができる。
【０１２５】
なお、特開昭６０−１８９８５号公報には、半田が保持された貫通孔を備えるヒートブロック上に、半導体チップを有するマウント部を載置してこれを加熱し固定する方法について記載されているが、この貫通孔はヒートブロックとマウント部との間から余分な半田がはみ出さないように溜めるためものであり、本願発明のように、アッパープレート側に設けた貫通孔から、半田層に場合によっては生じる密着不十分な空隙に半田を流し込んで半田層を空隙なく均一化したり、アッパープレートと半導体レーザバーとの間にあえて形成した間隙を維持しつつ半田を流し込むという思想はない。
【０１２６】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、半導体レーザバーと電極板である第１、第２固定板とが密着されて導通固定されるとともに、第２固定板と半導体レーザバーとの間の半田層に場合によっては生じる空隙に半田塊の溶融分が流入し、空隙のない均一な半田層を介してこれらが導通固定されるので、半導体レーザバーの歪みや個々の半導体レーザ発光部に流れる電流密度の不均一による半導体レーザバーの特性の変化・劣化を生じることがなく、かつ、密着不良による電流供給障害を起こすことがなく、大電流を流すことができる半導体レーザバーの固定方法を提供できる。
【０１２７】
また、ダミー板を用いた本発明によれば、半導体レーザバーと第１固定板が半田層を介して導通固定されるとともに、第２固定板と半導体レーザバーとの間の間隙に半田塊の溶融分が流入し、空隙のない均一な半田充填部によりこれらが導通固定されるので、半導体レーザバーの歪みや個々の半導体レーザ発光部に流れる電流密度の不均一による半導体レーザバーの特性の変化・劣化を生じることがなく、かつ、密着不良による電流供給障害を起こすことがなく、大電流を流すことができる半導体レーザバーの固定方法を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１実施形態による半導体レーザバーユニットを示す図であり、（ａ）は斜視図、（ｂ）は（ａ）のＡ１−Ａ１矢視図、（ｃ）は（ａ）のＢ１−Ｂ１矢視図である。
【図２】第１実施形態で用いる部材の斜視図であり、（ａ）は半導体レーザバー、（ｂ）はサブマウントベース、（ｃ）はアッパープレートである。
【図３】第１実施形態における半導体レーザバーユニットの製造工程のうちの第１載置工程を示す図であり、（ａ）は斜視図、（ｂ）は（ａ）のＡ２−Ａ２矢視図である。
【図４】第１実施形態における半導体レーザバーユニットの製造工程のうちの第１、第２載置工程および半田塊載置工程を示す図であり、（ａ）は斜視図、（ｂ）は（ａ）のＡ３−Ａ３矢視図である。
【図５】第１実施形態における半導体レーザバーユニットの製造工程のうちの荷重付加工程を示す図であり、（ａ）は荷重付加直前の状態を示す斜視図、（ｂ）は荷重付加を行っている状態の斜視図である。
【図６】第１実施形態における半導体レーザバーユニットの製造工程のうちの荷重付加工程を示す図であり、（ａ）は図５（ｂ）のＡ４−Ａ４矢視図、（ｂ）は図５（ｂ）のＢ４−Ｂ４矢視図である。
【図７】第２実施形態による半導体レーザバーユニットを示す斜視図である。
【図８】第２実施形態における半導体レーザバーユニットの製造工程のうちの高温処理工程の前の状態を示す図であり、（ａ）は斜視図、（ｂ）は平面図である。
【図９】第３実施形態による半導体レーザバーユニットを示す斜視図である。
【図１０】第３実施形態における半導体レーザバーユニットの製造工程のうちの高温処理工程の前の状態を示す図であり、（ａ）は斜視図、（ｂ）は平面図である。
【図１１】第４、第５実施形態による半導体レーザバーユニットを示す図であり、（ａ）は斜視図、（ｂ）は（ａ）のＡ５−Ａ５矢視図、（ｃ）は（ａ）のＢ５−Ｂ５矢視図である。
【図１２】第４実施形態における半導体レーザバーユニットの製造工程のうちの高温処理工程の前の状態を示す図であり、（ａ）は斜視図、（ｂ）は（ａ）のＡ６−Ａ６矢視図である。
【図１３】第５実施形態における半導体レーザバーユニットの製造工程のうちの高温処理工程の前の状態を示す図であり、（ａ）は斜視図、（ｂ）は（ａ）のＡ７−Ａ７矢視図である。
【図１４】第６、第７実施形態による半導体レーザバーユニットを示す図であり、（ａ）は斜視図、（ｂ）は（ａ）のＡ８−Ａ８矢視図、（ｃ）は（ａ）のＢ８−Ｂ８矢視図である。
【図１５】第６、第７実施形態における半導体レーザバーユニットの製造工程のうちの高温処理工程の前の状態を示す図であり、（ａ）は斜視図、（ｂ）は（ａ）のＡ９−Ａ９矢視図である。
【図１６】第８実施形態による半導体レーザバーユニットを示す図であり、（ａ）は斜視図、（ｂ）は（ａ）のＡ１０−Ａ１０矢視図、（ｃ）は（ａ）のＢ１０−Ｂ１０矢視図である。
【図１７】第８実施形態における半導体レーザバーユニットの製造工程のうちの第１、第２載置工程および半田塊載置工程を示す図であり、（ａ）は斜視図、（ｂ）は（ａ）のＡ１１−Ａ１１矢視図である。
【図１８】第８実施形態における半導体レーザバーユニットの製造工程のうちの荷重付加工程を示す図であり、（ａ）は荷重付加直前の状態を示す斜視図、（ｂ）は荷重付加を行っている状態の斜視図である。
【図１９】第９実施形態による半導体レーザバーユニットを示す図であり、（ａ）は斜視図、（ｂ）は（ａ）のＡ１２−Ａ１２矢視図、（ｃ）は（ａ）のＢ１２−Ｂ１２矢視図である。
【図２０】第９実施形態における半導体レーザバーユニットの製造工程のうちの第１、第２載置工程および半田塊載置工程を示す図であり、（ａ）は斜視図、（ｂ）は（ａ）のＡ１３−Ａ１３矢視図である。
【図２１】第９実施形態における半導体レーザバーユニットの製造工程のうちの荷重付加工程を示す図であり、（ａ）は荷重付加直前の状態を示す斜視図、（ｂ）は荷重付加を行っている状態の斜視図である。
【図２２】第１０実施形態による半導体レーザバーユニットを示す斜視図である。
【図２３】第１０実施形態における半導体レーザバーユニットの製造工程のうちの高温処理工程の前の状態を示す図であり、（ａ）は斜視図、（ｂ）は平面図である。
【図２４】第１１実施形態による半導体レーザバーユニットを示す斜視図である。
【図２５】第１１実施形態における半導体レーザバーユニットの製造工程のうちの高温処理工程の前の状態を示す図であり、（ａ）は斜視図、（ｂ）は平面図である。
【図２６】第１２、第１３実施形態による半導体レーザバーユニットを示す図であり、（ａ）は斜視図、（ｂ）は（ａ）のＡ１４−Ａ１４矢視図、（ｃ）は（ａ）のＢ１４−Ｂ１４矢視図である。
【図２７】第１２実施形態における半導体レーザバーユニットの製造工程のうちの高温処理工程の前の状態を示す図であり、（ａ）は斜視図、（ｂ）は（ａ）のＡ１５−Ａ１５矢視図である。
【図２８】第１３実施形態における半導体レーザバーユニットの製造工程のうちの高温処理工程の前の状態を示す図であり、（ａ）は斜視図、（ｂ）は（ａ）のＡ１６−Ａ１６矢視図である。
【図２９】第１４、第１５実施形態による半導体レーザバーユニットを示す図であり、（ａ）は斜視図、（ｂ）は（ａ）のＡ１７−Ａ１７矢視図、（ｃ）は（ａ）のＢ１７−Ｂ１７矢視図である。
【図３０】第１４、第１５実施形態における半導体レーザバーユニットの製造工程のうちの高温処理工程の前の状態を示す図であり、（ａ）は斜視図、（ｂ）は（ａ）のＡ１８−Ａ１８矢視図である。
【図３１】第１６実施形態による半導体レーザバーユニットを示す図であり、（ａ）は斜視図、（ｂ）は（ａ）のＡ１９−Ａ１９矢視図、（ｃ）は（ａ）のＢ１９−Ｂ１９矢視図である。
【図３２】第１６実施形態における半導体レーザバーユニットの製造工程のうちの高温処理工程の前の状態を示す図であり、（ａ）は斜視図、（ｂ）は（ａ）のＡ２０−Ａ２０矢視図である。
【図３３】第１実施形態の半導体レーザバーユニットを用いた１次元半導体レーザダイオードアレイ装置の斜視図である。
【図３４】第１実施形態の半導体レーザバーユニットを用いたスタック型半導体レーザダイオードアレイ装置の斜視図である。
【符号の説明】
１，２，３，４，５，６，３０１，３０２，３０３，３０４，３０５，３０６…半導体レーザバーユニット、１１…半導体レーザバー、１２，１１２…サブマウントベース（第１固定板）、１３，４３，５３，７３，９３，１０３，２０３，２１３，２２３，２３３，２４３，２５３…アッパープレート（第２固定板）、１４，１１４…ダミー板、１５…半導体レーザ発光部、１７，１８…サブマウントベース蒸着面（第１固定板の半田蒸着面）、２０，２１…アッパープレート蒸着面（第２固定板の半田蒸着面）、２２，１２２…切り欠き部（第２貫通凹部）、２４，２５…ダミー板蒸着面、２６，２７…半導体レーザバー電極面、４０…間隙、５１…貫通凹部、１００…貫通孔、１３５…半田塊、１７０…凹部、１９１…端部、２３３…加圧治具（治具）。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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