(57)【要約】【課題】　暗黒現象による放電の暮れを回避して、サージ応答特性を向上させたい。【解決手段】　第１のサージ吸収放電管５０と第２のサージ吸収放電管６０の間に小形ネオン管７０を設け、第１の主電極５３と第２の主電極５４に対して３Ｌｘ以上の照度の光を照射する。また、第１の主電極５３と第２の主電極５４の間に補助電極５５を設け、第１の主電極５３と第２の主電極５４の放電を促す。【選択図】　　　　図１
2004047486.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
　孔を有する回路基板と、
　一対のリード端子を有し、一対のリード端子により孔をまたいで回路基板に取り付けられた電子部品と、
　孔に対して挿入され、上記電子部品のリード端子間に配置された挿入リブと
を備えたことを特徴とするサージ吸収器。
【請求項２】
　上記サージ吸収器は、更に、上記回路基板の配線の間に配置された壁リブを備えたことを特徴とする請求項１記載のサージ吸収器。
【請求項３】
　上記サージ吸収器は、更に、上記回路基板と少なくとも上記電子部品のリード端子とを覆う絶縁材を備えたことを特徴とする請求項１又は２記載のサージ吸収器。
【請求項４】
　回路基板と、
　回路基板にリード端子を用いて取り付けられた電子部品と、
　上記回路基板と少なくとも上記電子部品のリード端子とを覆う絶縁材と
を備えたことを特徴とするサージ吸収器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
　この発明は、雷サージ等のサージ吸収放電管及びサージ吸収器に関するものである。特に、サージ応答特性が向上されたサージ吸収放電管を提供するとともに、耐久性に優れたサージ吸収器を提供するものである。
【背景技術】
【０００２】
　図２６は、特開平０６−１９６２４５号公報に示された従来の放電型サージ吸収素子である。
【０００３】
　図２６に示す放電型サージ吸収素子は、放電間隙１２を隔てて対向配置した一対の放電電極１４，１４を、放電ガスとともに外囲器２０内に気密に封入してなり、放電電極１４，１４を第１のリード線２４，２４を介して電源線に接続することにより、電源線間に挿入される放電型サージ吸収素子１０において、外囲器２０内に第２のリード線２６，２６を介して電源線に接続される一対の補助放電電極１８，１８を収納し、補助放電電極１８，１８間に補助放電間隙１６を形成するとともに、補助放電間隙１６における放電開始電圧を、電源線の電源電圧以下に設定したものである。
【特許文献１】特開平０６−１９６２４５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
　従来の放電型サージ吸収素子は、補助放電極１８を設けて電圧を加えることにより初期電子不足に起因する放電遅れ（暗黒現象による放電遅れ）を回避しようとするものであるが、補助放電電極に電圧を印加しなければならず、構成が複雑になるという課題があった。
【０００５】
　また、従来のサージ吸収器は、サージが印加されたとき、放電電極１４，１４間で放電が起きる前に、リード線２４間で放電が起きたり、サージ吸収回路の配線間で放電が起きたりしてしまい、回路を破壊してしまう恐れがあった。
【０００６】
　この発明は、以上のような課題を解決するためになされたものであり、サージ吸収放電管のサージ応答特性を向上させることを目的とする。
【０００７】
　また、この発明は、サージ吸収放電器の回路において、リード線や配線間の放電を防止し、耐久性のある回路を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
　この発明に係るサージ吸収放電管は、サージを吸収するサージ吸収回路を有するサージ吸収器において、
　電極を有するサージ吸収放電管と、
　上記サージ吸収放電管の電極に対して３ルックス以上の照度で上記電極を照らす発光素子と
を備えたことを特徴とする。
【０００９】
　上記発光素子は、サージが印加される少なくとも５秒前に点灯されるとともに、上記サージ吸収放電管は、１５００ボルト以上のサージが印加された場合に、１．２マイクロセカント以下で動作することを特徴とする。
【００１０】
　上記サージ吸収放電管は、
　サージ吸収回路に接続される、所定の間隔で対向配置された一対の主電極と、
　サージ吸収回路に接続されることなく、いずれの主電極に対しても上記一対の主電極の所定の間隔よりも小さい間隔で配置された補助電極と
を備えたことを特徴とする。
【００１１】
　この発明に係るサージ吸収放電管は、サージを吸収するサージ吸収回路に用いられるサージ吸収放電管において、
　サージ吸収回路に接続される、所定の間隔Ｄで対向配置された一対の主電極と、
　サージ吸収回路に接続されることなく、いずれの主電極に対しても上記一対の主電極の所定の間隔Ｄよりも小さい間隔で配置された補助電極と
を備えたことを特徴とする。
【００１２】
　上記一対の主電極は、略平行に配置された高さの等しい棒状電極であり、上記補助電極は、上記一対の主電極より高さの低い棒状電極であり、上記補助電極の高さＨ２を、上記一対の主電極の高さＨ１より、一対の主電極の間の間隔Ｄの０．５倍以下の長さだけ低くしたことを特徴とする。
【００１３】
　上記補助電極の端部は、一対の主電極の端部それぞれから一対の主電極の端部間の間隔Ｄの０．７倍以内に配置されていることを特徴とする。
【００１４】
　この発明に係るサージ吸収器は、孔を有する回路基板と、
　一対のリード端子を有し、一対のリード端子により孔をまたいで回路基板に取り付けられた電子部品と、
　孔に対して挿入され、上記電子部品のリード端子間に配置された挿入リブと
を備えたことを特徴とする。
【００１５】
　上記サージ吸収器は、更に、上記回路基板の配線の間に配置された壁リブを備えたことを特徴とする。
【００１６】
　上記サージ吸収器は、更に、上記回路基板と少なくとも上記電子部品のリード端子とを覆う絶縁材を備えたことを特徴とする。
【００１７】
　この発明に係るサージ吸収器は、回路基板と、
　回路基板にリード端子を用いて取り付けられた電子部品と、
　上記回路基板と少なくとも上記電子部品のリード端子とを覆う絶縁材と
を備えたことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１８】
　以上のように、この発明の実施の形態によれば、暗黒現象による放電の遅れを回避することができ、サージ応答特性を向上させることができる。
【００１９】
　また、補助電極５５を設けたので、更に、サージ応答特性を向上させることができる。
【００２０】
　また、挿入リブ４６及び壁リブ４７により放電経路を遮断するようにしたので、回路を破壊することがなくなる。
【００２１】
　また、シリコン等の絶縁材により密封したので、更に、回路の放電破壊がなくなる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
実施の形態１．
　図１は、第１のサージ吸収放電管５０と第２のサージ吸収放電管６０と小形ネオン管７０の配置を示す図である。
【００２３】
　第１のサージ吸収放電管５０は、透明気密容器５１の内部に第１の主電極５３と第２の主電極５４と補助電極５５を有している。第１の主電極５３は、一端が透明気密容器５１内に直線状に配置され、他端が容器基部４１を通過して透明気密容器５１の外部に導出され、第１のリード端子５６となる棒状電極である。第２の主電極５４も一端が透明気密容器５１内に直線状に配置され、他端が容器基部４１を通過して透明気密容器５１の外部に導出され、第２のリード端子５７となる棒状電極である。補助電極５５は、一端が透明気密容器５１の内部に直線状に出され、他端が透明気密容器５１の容器基部４１に挿入された棒状電極である。第１の主電極５３と第２の主電極５４と補助電極５５とは、略平行に配置されている。第１のリード端子５６、第２のリード端子５７は、基板８０の回路と接続されるが、補助電極５５は、基板８０の回路とは一切接続されない。
【００２４】
　なお、第２のサージ吸収放電管６０も第１のサージ吸収放電管５０と同じ構成をしている。
【００２５】
　第１のサージ吸収放電管５０及び第２のサージ吸収放電管６０は、棒状電極を使う蛍光管であり、冷陰極型の蛍光管が使用される。熱陰極型の蛍光管は、ヒータにより電極を加熱して電子を放出するようにしているのに対し、冷陰極型の蛍光管は、加熱を必要としない。しかし、冷陰極型の蛍光管は、外部から光電子がトリガーとなって、電極から電子を発生して放電する。しかし、暗黒化においては、電子が発生しにくく、放電が遅くなったり、或いは、放電しないという不良を発生する場合がある。
【００２６】
　このように、暗黒化における放電不良の現象は暗黒現象と呼ばれ、暗黒現象は、棒状電極を用いた放電管に発生する。即ち、冷陰極型の蛍光管を光が全くない状態に放置すると、動作が遅れたり、動作しないという現象が発生してしまう。この暗黒現象が発生する放置時間は、個々の製品によって異なるが、真っ暗な状態において約２００時間以上放置すると、放置状態と同じ条件で点灯する。
【００２７】
　そこで、この実施の形態においては、第１のサージ吸収放電管５０と第２のサージ吸収放電管６０の間に間隔Ｗ１が等しくなるように、小形ネオン管７０を配置している。小形ネオン管７０は、豆電球やＬＥＤやレーザダイオードであっても構わないし、その他の発光素子でも構わない。
【００２８】
　図１に示すように、小形ネオン管７０を第１のサージ吸収放電管５０と第２のサージ吸収放電管６０の近傍に置き、図２及び図３に示す回路を用いて第１のサージ吸収放電管５０及び第２のサージ吸収放電管６０の第１の主電極５３と第２の主電極５４までの照射照度を変化させて試験を行った。その条件と結果を、以下に説明する。
【００２９】
　試験に用いたのは、図２に示すサージ吸収回路８８である。また、試験に用いたのは、図３に示すサージ吸収回路８９である。
【００３０】
　なお、図３の場合は、第２のサージ吸収放電管６０はなく、第１のサージ吸収放電管５０のみの場合を示している。
【００３１】
　サージ吸収回路８８は、接点Ｓ３及び接点Ｓ４において、電話回線７３又はアンテナ７４に接続される回路である。また、接点Ｓ１及び接点Ｓ２において、交流電源９５に接続されるものである。そして、電話回線７３又はアンテナ７４は、電話機・ＦＡＸ・ＰＣ・無線機等回路７５に接続され、交流電源９５も電話機・ＦＡＸ・ＰＣ・無線機等回路７５に接続される。
【００３２】
　サージ吸収回路８８は、第１のサージ吸収放電管５０とバリスタ９１が接点Ｓ１と接点Ｓ３の間で直列に接続されている。また、接点Ｓ２と接点Ｓ４の間で第２のサージ吸収放電管６０とバリスタ９３が直列に接続されている。また、Ｓ５とＳ６の間で抵抗９６と７１が直列に接続されている。また、Ｓ５とＳ６の間にバリスタ９４とコンデンサ９７が並列に接続されている。
【００３３】
　また、図３において、サージ吸収回路８９の接点Ｓ１と接点Ｓ２は、交流電源９５と家電・産業用機器回路７６に接続されるものである。
【００３４】
　サージ吸収回路８９においては、接点Ｓ１と接点Ｓ２の間に、第１のサージ吸収放電管５０とバリスタ９１が直列に接続されている。また、Ｓ５とＳ６の間に７１と抵抗９６が直列に接続されている。また、Ｓ５とＳ６の間にコンデンサ９７が接続されている。
【００３５】
　サージ吸収回路８８、サージ吸収回路８９は、図１の基板８０に搭載された部品及び基板８０に印刷された配線により形成されるものである。
【００３６】
　以下、図２に示したサージ吸収回路８８の場合について説明するが、図３に示したサージ吸収回路８９についても同様のことがいえる。
【００３７】
　図４は、第１のサージ吸収放電管５０の斜視図である。
【００３８】
　図５は、図４に示した第１のサージ吸収放電管５０のＡ−Ａ断面図である。
【００３９】
　図６は、図４に示した第１のサージ吸収放電管５０のＢ−Ｂ断面図である。
【００４０】
　図７は、第１のサージ吸収放電管５０と第２のサージ吸収放電管６０と小形ネオン管７０の平面配置図である。
【００４１】
　第１の主電極５３と第２の主電極５４は、太さ１．０±０．２ｍｍのニッケルでできている。第１の主電極５３と第２の主電極５４の高さＨ１は、５．０±０．５ｍｍである。第１の主電極５３と第２の主電極５４の間隔Ｄ（以下、距離Ｄともいう）は、４．５±１．０ｍｍである。
【００４２】
　補助電極５５は、太さ０．６±０．２ｍｍのコバルトでできている。補助電極５５の高さＨ２は、３．０±０．５ｍｍである。補助電極５５は、第１の主電極５３と第２の主電極５４を結んだ直線の真中に設けられている。即ち、Ｕ１＝Ｕ２＝Ｄ／２である。第１の主電極５３と第２の主電極５４とには、放電の始動性を高めるため、酸化バリウムが塗布されている。透明気密容器５１には、６５０Ｔｏｒｒ（８６４５０パスカル）±２０％のアルゴンガスが密封されている。また、透明気密容器５１は、側壁の厚さが約０．７５ｍｍの硬質ガラスでできたガラス管である。このガラス管は、ＳｉＯ2 ，Ｋ2 Ｏ，Ｂ2 Ｏ3 を含んでいる。
【００４３】
　補助電極５５を設けることにより、例えば、第１の主電極５３に雷サージが印加された場合、図４の矢印アに示すように、補助電極５５と第１の主電極５３の間で放電が開始され、次に第１の主電極５３と第２の主電極５４の間で放電が開始され、電圧１５００Ｖ以上の電圧が全て放電により吸収されることになる。補助電極５５が存在することにより、矢印アに示す放電が先に起こるため、矢印イに示す放電が起こりやすくなり、サージ応答特性を向上させることができる。
【００４４】
　なお、第２の主電極５４に雷サージが印加された場合には、第２の主電極５４と補助電極５５の間で先に放電が起こり、次に第２の主電極５４と第１の主電極５３の間で放電が起こることになり、同様に、サージ応答特性が向上する。
【００４５】
　図１３は、補助電極５５の他の配置例を示す図である。
【００４６】
　図１４は、図１３の第１のサージ吸収放電管５０のＣ−Ｃ断面図である。
【００４７】
　補助電極５５の高さＨ３は、主電極の高さＨ１と等しい。しかし、補助電極５５は、第１の主電極５３と第２の主電極５４を結んだ直線上には存在していない。図４に示したＤ１は、図１４のＤ１と同じ長さである。従って、図４と図５に示した第１のサージ吸収放電管５０の放電特性は、図１３と図１４に示した放電特性と同じものとなる。
【００４８】
　図１５は、第１の主電極端部４３と第２の主電極端部４４と補助電極端部４５の配置関係を示す図である。
【００４９】
　図１５の（ａ）は、側面図であり、図１５の（ｂ）は、平面図である。Ｃ１は、第１の主電極端部４３を中心とする半径が距離Ｄの球である。また、Ｃ２は、第２の主電極端部４４を中心とする半径が距離Ｄの球である。また、Ｃ３は、第１の主電極端部４３と第２の主電極端部４４を結ぶ線（図１５（ａ）のＸ軸）の中心を中心とする半径が（１／２）Ｄの球である。補助電極５５が第１の主電極５３と第２の主電極５４との間の放電に先立って補助放電を開始するためには、補助電極端部４５が第１の主電極端部４３と第２の主電極端部４４のそれぞれに対して距離Ｄよりも近くなければならない。その範囲は、球Ｃ１と球Ｃ２が交わった領域内ということになる。補助放電を起こしやすくするためには、補助電極端部４５がより近い位置にあった方が望ましい。即ち、補助電極端部４５は、球Ｃ３のいずれかのエリアにあることが望ましい。そして、補助電極端部４５は、第１の主電極端部４３と第２の主電極端部４４から等距離にある平面、即ち、図１５（ｂ）のＹ軸とＺ軸から構成されるＹ−Ｚ平面にあることが望ましい。補助電極端部４５が、球Ｃ３のＹ−Ｚ平面で切った円周上にあるときの第１の主電極端部４３と第２の終電極端部４４とから補助電極端部４５までの距離Ｇは、図１６（ａ）のようにして計算される。即ち、距離Ｇは、約０．７Ｄである。
【００５０】
　このように、補助電極端部４５は、第１の主電極端部４３と第２の主電極端部４４から約０．７Ｄ以内の３次元領域内に配置されることが望ましい。特に、補助電極端部４５は、第１の主電極端部４３と第２の主電極端部４４から等距離にあるＹ−Ｚ平面に配置されることが望ましい。更に、特に、補助電極端部４５は、第１の主電極端部４３と第２の主電極端部４４との間にあって高さを低くするのが、体積を小さくすることができるので望ましい。
【００５１】
　また、前述した図４と図５の場合は、第１の主電極端部４３と補助電極５５の距離をＧ１とすると、図１６の（ｂ）に示すように、距離Ｇ１は、約３．０ｃｍとなる。この値は、約０．６６Ｄｃｍに相当する。従って、０．６６Ｄ＜０．７Ｄであるから、図４と図５に示した補助電極端部４５は、球Ｃ３の内部にある点ということになる。第１の主電極端部４３と第２の主電極端部４４とから、補助電極端部４５の距離Ｇ１を等しくしてＧ１＝約０．６６Ｄとするのが最も望ましい構成である。
【００５２】
　また、図４に示す構成は、図１６の（ｃ）に示すように、ΔＨを第１の主電極端部４３と補助電極端部４５の高さの差（ΔＨ＝Ｈ１−Ｈ２）とすると、ΔＨは、距離Ｄの０．４４倍となる。従って、第１の主電極端部４３と第２の主電極端部４４と補助電極端部４５が一直線状に配置され、高さが異なる場合には、距離Ｄの約０．５倍以下の高さだけ補助電極端部４５の高さを低くすることが望ましい。特に、距離Ｄの０．４４倍（又は、それ以下）にするのが最適である。
【００５３】
　また、図７に示すように、小形ネオン管７０は、第１のサージ吸収放電管５０と第２のサージ吸収放電管６０の第１の主電極５３と第２の主電極５４とから等距離に置かれている。サージは、第１の主電極５３と第２の主電極５４とのいずれかに印加されるか分からないので、第１の主電極５３と第２の主電極５４との両方に照度が等しくなるようにしておくことが望ましい。
【００５４】
　図８は、小形ネオン管７０の照度を変化させて第１のサージ吸収放電管５０及び第２のサージ吸収放電管６０が動作するか否かを試験した結果を示す図である。
【００５５】
　図８に示すように、第１のサージ吸収放電管５０及び第２のサージ吸収放電管６０の透明気密容器５１と第１の主電極５３への照度を０Ｌｘ（ルックス）〜５Ｌｘまで１Ｌｘずつ変化させて放電が行われるかどうかを検査した。条件としては、以下のようにした。
（１）２００時間全く光のない場所に放置した。
（２）サージ印加電圧を１５００Ｖ一定とした。
（３）図９に示すように、サージ印加電圧波形をＢＳＥＮ５００８１−１，−２とＢＳＥＮ５００８２−１，−２の規格に規定された装置で発生させた。
（４）雷サージを印加前に小形ネオン管７０を５秒前に点灯した。
（５）動作の判定は波形を観察し、図１０に示すように、１．２μｓｅｃ（１．２×１０-6秒）以下で動作したものに丸印を記し、１．２μｓｅｃ以上で動作したものに×印を記した。
【００５６】
　図９は、サージ印加電圧波形を示す図である。
【００５７】
　図１０は、図９のサージ印加電圧波形の左半分の拡大図である。
【００５８】
　図に示すように、サージ波形９９の１／２の高さで波幅が５０μｓｅｃになるようなサージを発生させ、実験を行った。
【００５９】
　図１０に示すように、１５００Ｖのサージ電圧が印加されると、動作開始時刻Ｔ１から放電開始時刻Ｔ２の間に第１のサージ吸収放電管５０又は第２のサージ吸収放電管６０が動作する。このＴ２−Ｔ１の時間が電圧は上昇し、動作開始電圧Ｖ１から放電開始電圧Ｖ２に上昇する。従って、Ｔ２−Ｔ１が小さいほど、サージ応答特性がよいことになる。ここでは、Ｔ２−Ｔ１を動作スピードとし、動作スピード（Ｔ２−Ｔ１）が１．２μｓｅｃ以下である場合を正常動作としている。放電開始時刻Ｔ２おいて放電が開始されると、電圧は、図１０の斜線部の上部下降線に示すように急激に減少し、回路を保護することができる。
【００６０】
　図８は、３Ｌｘ以上の照度がある場合には、１０個のサンプルの内、全てのサンプルが１．２μｓｅｃ以下で放電が開始されたことを示している。従って、第１の主電極５３と第２の主電極５４への照度が３Ｌｘ以上あれば、サージ応答特性が満足されることになる。３Ｌｘが暗黒現象を解消するための最低の照度であり、一方、５Ｌｘよりも大きい照度で照射することは電力の無駄になる。従って、小形ネオン管７０の製品のバラツキ等も考慮して、照度が３Ｌｘ〜５Ｌｘの範囲になるような仕様を持った小形ネオン管７０を用いるとともに、照度が３Ｌｘ〜５Ｌｘになるような配置を行うようにすればよい。
【００６１】
　雷によって生ずる雷サージを吸収する雷サージ吸収回路は、より早いスピード（１．２μｓｅｃ以下）で動作し、雷サージを吸収し、半導体回路破壊を防止しなければ意味がない。上記回路の設置場所は、一般的には真暗なところであり、暗黒現象を防止する機能が必要である。
【００６２】
　この実施の形態では、３Ｌｘ以上の照度をサージ吸収放電管に照射することによって、動作スピード１．２μｓｅｃ以下において、上記回路が正常に動作し、雷サージを吸収することを実験で確認したものである。
【００６３】
　図１２は、サージ吸収回路８８の他の使用例を示す図である。
【００６４】
　図１２に示したサージ吸収回路８８は、図２に示したサージ吸収回路８８と同じものである。異なる点は、接点Ｓ３と接点Ｓ４をアース９８に接続した点である。この構成は、特に産業用機器・計測器等回路７７に用いる場合に適している。
【００６５】
　次に、この実施の形態のサージ吸収器について説明する。ここでは、特に、サージ吸収器３０の実装形態について説明する。
【００６６】
　図１７は、サージ吸収器３０の斜視図である。
【００６７】
　図１８は、サージ吸収器３０の分解斜視図である。
【００６８】
　図１９は、図１７に示したサージ吸収器３０のＤ−Ｄ断面図である。
【００６９】
　図２０は、サージ吸収器３０の内部の部品展開図である。
【００７０】
　サージ吸収器３０は、図２に示したサージ吸収回路８８を有している。また、図７に示すように、３Ｌｘ以上の照射することができる配置がされている。
【００７１】
　サージ吸収器３０は、上部ケース３３と下部ケース３４を有している。上部ケース３３は、上部切り込み３７を有し、下部ケース３４は、下部切り込み３８を有している。この上部切り込み３７と下部切り込み３８の間からコネクタ３５が外部に接続可能なように配置されている。基板８０には部品を取り付ける端子穴８４が設けられている。端子穴８４には、第１のリード端子５６、第２のリード端子５７やその他のリード端子２３が挿入され、基板８０に半田付けされる。基板８０には、孔８３が設けられている。また、基板８０には、注入孔８５が設けられている。
【００７２】
　一方、下部ケース３４の内部には、底面から突出した挿入リブ４６と壁リブ４７が設けられている。挿入リブ４６は、孔８３に挿入されるものである。壁リブ４７は、基板８０の背面に当接するものである。図２０に示すように、基板８０に対して各種の部品を搭載し、半田付けした後、この基板８０を下部ケース３４に組み入れる。この際、挿入リブ４６を孔８３に挿入する。その後、注入孔８５からシリコンやエポキシ等の絶縁材３６を注入する。絶縁材３６の注入は、下部ケース３４の底から基板８０背面全面にわたるとともに、基板８０の表面にわたり、更には第１のリード端子５６、第２のリード端子５７及びリード端子２３を覆うまで行われる。即ち、部品のリード線や基板の配線が露出している部分は、全て絶縁材３６により覆われる。最後に、上部ケース３３により蓋をしてサージ吸収器３０が完成する。
【００７３】
　図２１は、基板８０の拡大斜視図である。
【００７４】
　第１のサージ吸収放電管５０の第１のリード端子５６と第２のリード端子５７は、容器基部４１においては、間隔Ｅ１を有しているが、孔８３をまたぐために、間隔Ｅ２まで拡大されて基板８０に半田付けされている。容器基部４１の底面５９には、挿入リブ４６の頂部が接触するようになっている。挿入リブ４６の高さは、底面５９に一致するように設計されている。また、挿入リブ４６の厚さＦは、孔８３の幅Ｅ３よりも小さい。図２１のような構成にする理由は、第１のリード端子５６と第２のリード端子５７の間に生ずる放電を防止するためである。挿入リブ４６は、絶縁体であり、また、基板８０の材質は、高トラッキング材を用いた厚さ１．６ｍｍ以上のものである。また、基板８０に設けた配線パターンの最も短い距離は、５ｍｍ以上である。挿入リブ４６を設けることにより第１のリード端子５６と第２のリード端子５７の沿面距離を長くすることができる。
【００７５】
　図２１は、Ｕ字型の窪みを有するＵ字挿入リブ４８を示す図である。
【００７６】
　Ｕ字挿入リブ４８を用いることにより更に沿面距離が長くなり、第１のリード端子５６と第２のリード端子５７間の放電をより防止することができる。
【００７７】
　図２３は、基板８０の基板裏面８１の斜視図である。
【００７８】
　下部ケース３４から突出した壁リブ４７は、基板裏面８１に当接する。この基板裏面８１によりリード端子２３、リード端子２４間の放電及びランド３９と配線２６、配線２７間の放電を防止することができる。
【００７９】
　図２４は、壁リブ４７の代わりに、箱型壁リブ４９を設けた場合を示している。
【００８０】
　箱型壁リブ４９を用いる場合には、図２５に示すように、配線２６及び配線２８を閉空間に閉じこめることができ、配線２６及び配線２８による放電を更に防止することができる。
【００８１】
　図１８及び図１９に示すように、第１のサージ吸収放電管５０と第２のサージ吸収放電管６０の電極部分及び小形ネオン管７０の発光部分は、絶縁材３６の表面に露出している。しかし、絶縁材３６が透明のシリコンであるような場合には、第１のサージ吸収放電管５０、第２のサージ吸収放電管６０、小形ネオン管７０が全て絶縁材３６の中に埋もれている場合であっても構わない。図１７〜図２０に示した場合は、下部ケース３４に挿入リブ４６と壁リブ４７を立ててリード線間及び基板８０の配線間に挿入リブ４６と壁リブ４７を配置し、基板８０の上部より注入孔８５を介してシリコン等の絶縁材３６を約部品の１／３の高さまで（少なくとも、リード線や端子が埋まるまで）流し込み、絶縁材３６を硬化させたものである。
【００８２】
　このようにして、沿面距離を増加させるとともに、絶縁材により密封したので、リード線間、或いは、配線間による放電を防止することができる。また、基板８０は、高トラッキング材を用い、上部ケース３３と下部ケース３４は、ＵＬ９４Ｖ−Ｏ難燃グレード以上を用いているので絶縁性や耐熱性に優れている。
【００８３】
　以上のようなサージ吸収器３０は、非常にコンパクトに製造でき、かつ、絶縁性、耐電圧性に優れており、最大サージ電圧１５０００Ｖを満足する製品とすることができる。また、従来配線パターン間の距離が１０ｍｍ以上でなければ、配線パターン間の放電を防止できなかったものが、この実施の形態の構成によれば、配線パターン間距離を５ｍｍ程度にまで短くすることができ、装置の大きさを小さくすることができる。
【００８４】
　補助電極５５を設けたサージ吸収放電管を用いたサージ吸収器３０と補助電極５５を設けていない市販のサージ吸収放電管を用いた雷サージ防止ユニットとを比較する実験を行った。市場で販売されている雷サージ防止ユニットを購入し、「比較例１，２，３」とする。また、図１７〜図２０に示したこの実施の形態のサージ吸収放電管を用いたサージ吸収器３０を「実施例」として図１１に示す。比較例１，２，３は、いずれもその仕様として最大電圧が１５０００Ｖ、最大電流が７０００Ａと記載されているものである。また、印加するサージ波形は、図９及び図１０に示したものと同様に、ＢＳＥＮ５００８１−１，−２、ＢＳＥＮ５００８２−１，−２の規格で規定された装置で発生させたものを用いた。また、温度２５℃及び湿度６５％の元で実験を行った。実験は、１０００Ｖ，１５００Ｖ，２０００Ｖ，４０００Ｖ，８０００Ｖ，１２０００Ｖ，１５０００Ｖのサージ印加電圧で行った。
【００８５】
　図１１において、丸印は、放電が行われ、正常に動作したことを示している。×印は、リード線間で放電が行われたり、基板の配線間で放電が行われたりして、回路が破壊されてしまったことを示している。比較例１の場合は４０００Ｖまでは動作せず、８０００Ｖで動作し、１２０００Ｖの１回目では動作したが、１２０００Ｖの２回目では破壊されてしまったことを示している。また、比較例２と比較例３の場合は、１５００Ｖでは動作せず、２０００Ｖで動作したが、４０００Ｖでは破壊されてしまったことを示している。実施例の場合は、１０００Ｖでは動作しないが、１５００Ｖ以上では全て動作したことを示している。また、１２０００Ｖと１５０００Ｖの場合には、２０回の試験を行ったが、２０回とも全て正常に動作したことを示している。
【００８６】
　このように、実施例は、サージ吸収電圧範囲が１５００Ｖ〜１５０００Ｖで正常に動作することが実験により確認された。また、実施例の最大電流は７０００Ａであり、動作スピードは、１．２μｓｅｃ以下である。実施例がこのような特性を有するのは、図１に示したように、小形ネオン管７０を設けたこと及び図２と図３に示したような回路構成を有していること及び補助電極５５を設けたこと及び図１７〜図２０に示した実装構造にしたことによるものである。
【図面の簡単な説明】
【００８７】
【図１】第１のサージ吸収放電管５０と第２のサージ吸収放電管６０と小形ネオン管７０の概念配置図。
【図２】サージ吸収回路８８の構成図。
【図３】サージ吸収回路８９の構成図。
【図４】第１のサージ吸収放電管５０の斜視図。
【図５】図４の第１のサージ吸収放電管５０のＡ−Ａ断面図。
【図６】図４の第１のサージ吸収放電管５０のＢ−Ｂ断面図。
【図７】第１のサージ吸収放電管５０と第２のサージ吸収放電管６０と小形ネオン管７０の平面配置図。
【図８】照度試験結果図。
【図９】実験に用いたサージ波形９９を示す図。
【図１０】この実施の形態の動作説明図。
【図１１】比較例と実施例の試験結果図。
【図１２】サージ吸収回路８８の他の使用例を示す図。
【図１３】第１のサージ吸収放電管５０の他の例を示す図。
【図１４】図１３の第１のサージ吸収放電管５０のＣ−Ｃ断面図。
【図１５】補助電極端部４５の配置位置を説明する図。
【図１６】補助電極端部４５の配置位置の計算例を示す図。
【図１７】サージ吸収器３０の斜視図。
【図１８】サージ吸収器３０の分解斜視図。
【図１９】図１７のサージ吸収器３０のＤ−Ｄ断面図。
【図２０】サージ吸収器３０の部品展開図。
【図２１】挿入リブ４６の配置図。
【図２２】Ｕ字挿入リブ４８の配置図。
【図２３】壁リブ４７の配置図。
【図２４】箱型壁リブ４９を示す図。
【図２５】箱型壁リブ４９の使用例を示す図。
【図２６】従来の放電型サージ吸収素子を示す図。
【符号の説明】
【００８８】
　２３，２４，２５　リード端子、２６，２７，２８　配線、３０　サージ吸収器、３３　上部ケース、３４　下部ケース、３５　コネクタ、３６　絶縁材、３７　上部切り込み、３８　下部切り込み、３９　ランド、４１　容器基部、４３
　第１の主電極端部、４４　第２の主電極端部、４５　補助電極端部、４６　挿入リブ、４７　壁リブ、４８　Ｕ字挿入リブ、４９　箱型壁リブ、５０　第１のサージ吸収放電管、５１　透明気密容器、５３　第１の主電極、５４　第２の主電極、５５　補助電極、５６　第１のリード端子、５７　第２のリード端子、５９　底面、６０　第２のサージ吸収放電管、７０　小形ネオン管、７３　電話回線、７４　アンテナ、７５　電話機・ＦＡＸ・ＰＣ・無線機等回路、７６　家電・産業用機器回路、７７　産業用機器・計測器等回路、８０　基板、８１　基板裏面、８３　孔、８４　端子穴、８５　注入孔、８８，８９，９０　サージ吸収回路、９１，９３，９４　バリスタ、９５　交流電源、９６　抵抗、９７　コンデンサ、９８　アース、９９　サージ波形、Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３　球、Ｄ　距離、Ｅ１，Ｅ２，Ｕ１，Ｕ２，Ｗ１　間隔、Ｆ　厚さ、Ｈ１，Ｈ２，Ｈ３　高さ、Ｐ１，Ｐ２　太さ、Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４　接点、Ｔ１　動作開始時刻、Ｔ２　放電開始時刻、Ｖ１　動作開始電圧、Ｖ２　放電開始電圧。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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