(57)【要約】【課題】劈開の位置精度が±１μｍ以内の誤差にて劈開面を形成し、かつ、劈開位置の微調整が可能な、結晶性基板の劈開方法を提供する。【解決手段】結晶性を有する基板１１の主表面の端部から基板１１中央部の方向に延在する主ガイド溝２２と、この主ガイド溝２２の幅以下の幅を有する副ガイド溝２１Ａとを、主ガイド溝２２の幅より深く、かつ主ガイド溝２２と副ガイド溝２１Ａとの中心軸が一致して連続した状態で形成し、基板１１の裏面の主ガイド溝２２形成部に対向する位置に応力を加え、主ガイド溝２２と副ガイド溝２１Ａとの延在方向に基板１１を劈開する。これによって、副ガイド溝２１Ａの先端が劈開の開始点となるため、劈開の開始点の位置精度が副ガイド溝２１Ａの幅の１／２程度以内の誤差にて、劈開を行うことができる。【選択図】  図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
結晶性を有する基板（１１）の主表面の端部から前記基板（１１）中央部の方向に延在する主ガイド溝（２２）と、この主ガイド溝（２２）の幅以下の幅を有する副ガイド溝（２１Ａ）とを、前記主ガイド溝（２２）の幅より深く、かつ前記主ガイド溝（２２）と前記副ガイド溝（２１Ａ）との中心軸が一致して連続した状態で形成し、
前記基板（１１）の裏面の前記主ガイド溝（２２）形成部に対向する位置に応力を加え、前記主ガイド溝（２２）と前記副ガイド溝（２１Ａ）との延在方向に前記基板（１１）を劈開することを特徴とする結晶性基板の劈開方法。
【請求項２】
前記主ガイド溝（２２）と前記副ガイド溝（２１Ａ）とを分割して形成し、かつ、前記主ガイド溝（２２）と前記副ガイド溝（２１Ａ）とは異なる数または同数形成することを特徴とする請求項１記載の結晶性基板の劈開方法。
【請求項３】
前記副ガイド溝（２１Ａ）は、隣接する副ガイド溝（２１Ａ）同士が互いに連結しないだけの間隔を有して、前記副ガイド溝（２１Ａ）の延在方向とは異なる方向に、周期的に配置することを特徴とする請求項２記載の結晶性基板の劈開方法。
【請求項４】
前記副ガイド溝（２１Ａ）はリソグラフィ工程を伴う選択的なエッチングにより形成し、前記主ガイド溝（２２）はレーザ加工、集束イオンビーム加工、または電子ビーム加工を含む、リソグラフィ工程を伴わない加工法により形成することを特徴とする請求項２または３記載の結晶性基板の劈開方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、結晶性基板の劈開方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
半導体レーザ、半導体光増幅器、半導体光変調器、光導波路素子などの光素子が提案されている。光素子は劈開面を光入出力端面としている半導体層を有する。従来、劈開面を作製する方法として、ダイヤモンドスクライバ等で半導体層の一部に溝を設けてガイド溝を形成し、このガイド溝に沿って劈開を行う方法が採られていた。また、エッチングにより半導体層の一部に溝を形成し、これをガイド溝として劈開を行う方法も提案されている。この方法については次の文献などに記載されている。
文献：特開平０８−０６４９０６号公報
（出願番号：特願平６−２２２４９５号）
【０００３】
劈開作業は、ガイド溝が形成された基板の両端を固定したうえで、基板の裏面より楔形の治具をガイド溝の直下に押し当てることによって行われる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
半導体レーザ、半導体光増幅器、半導体光変調器、光導波路素子などの端面を劈開面としている半導体層を光素子が有する場合、この光素子を作製するとき、半導体の積層構造を形成するための結晶成長技術や、光導波路構造を形成するための加工技術などの多くの工程を含む。このとき、各工程における面内均一性や加工精度などの誤差要因から、光素子の素子長を設計値より微調整する必要が生じることがある。
【０００５】
上述した従来の劈開面を作製する方法のうち、ダイヤモンドスクライバ等で半導体層の一部に溝を形成する、リソグラフィ工程を伴わない加工技術を用いた劈開方法によって劈開を行った場合、溝の形成位置を自在に決めることが可能である。しかし、劈開の位置精度として±１μｍ以上の誤差を含んでおり、劈開面の厳密な位置制御が出来ないことが問題であった。
【０００６】
また、エッチングにより半導体層の一部に溝を形成する、リソグラフィ工程を伴う加工技術を用いた劈開方法によって劈開を行った場合には、劈開位置の微調整が出来ないことが問題であった。
【０００７】
そこで、本発明では、劈開の位置精度が±１μｍ以内の誤差にて劈開面を形成し、かつ、劈開位置の微調整が可能な、結晶性基板の劈開方法を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
前記課題を解決するために、請求項１の発明は、結晶性を有する基板の主表面の端部から前記基板中央部の方向に延在する主ガイド溝と、この主ガイド溝の幅以下の幅を有する副ガイド溝とを、前記主ガイド溝の幅より深く、かつ前記主ガイド溝と前記副ガイド溝との中心軸が一致して連続した状態で形成し、前記基板の裏面の前記主ガイド溝形成部に対向する位置に応力を加え、前記主ガイド溝と前記副ガイド溝との延在方向に前記基板を劈開することを特徴とする結晶性基板の劈開方法である。
請求項２の発明は、請求項１記載の結晶性基板の劈開方法において、前記主ガイド溝と前記副ガイド溝とを分割して形成し、かつ、前記主ガイド溝と前記副ガイド溝とは異なる数または同数形成することを特徴とする。
請求項３の発明は、請求項２記載の結晶性基板の劈開方法において、前記副ガイド溝は、隣接する副ガイド溝同士が互いに連結しないだけの間隔を有して、前記副ガイド溝の延在方向とは異なる方向に、周期的に配置することを特徴とする。
請求項４の発明は、請求項２または３記載の結晶性基板の劈開方法において、前記副ガイド溝はリソグラフィ工程を伴う選択的なエッチングにより形成し、前記主ガイド溝はレーザ加工、集束イオンビーム加工、または電子ビーム加工を含む、リソグラフィ工程を伴わない加工法により形成することを特徴とする。
【０００９】
本発明の結晶性基板の劈開方法は、結晶性を有する基板の主表面の端部から基板中央部の方向に延在する主ガイド溝と、この主ガイド溝より幅の狭い副ガイド溝とを、中心軸が一致して連続した状態で形成し、これを用いて劈開を行う。ここで、楔形の治具を用いた劈開作業によって形成される劈開面は、基板の表層において応力が最も強く掛かる部位を結びながら誘導される。
【００１０】
したがって、主ガイド溝に連結された、副ガイド溝の先端が劈開の開始点となるため、劈開の開始点の位置精度が副ガイド溝の幅の１／２程度以内の誤差にて劈開を行うことができる。さらに、主ガイド溝に連結された、副ガイド溝の幅が１．０μｍ以下の場合には、劈開の開始点の位置精度が±１μｍ以内の誤差にて劈開を行うことができる。
【００１１】
さらに、副ガイド溝の位置精度はフォトリソグラフィ工程におけるパタン形成位置精度に依存するため、０．１μｍ程度の精度で決定することができる。このとき、周期的に配置された副ガイド溝のうち、所望の位置に配置されている副ガイド溝に、レーザ加工、集束イオンビーム加工、または電子ビーム加工などの、リソグラフィ工程を伴わない加工法により、主ガイド溝を形成し、ガイド溝を完成させることで、所望の素子長にて端面を劈開面としている半導体層を有する光素子を、自在に作製することができる。
【００１２】
【発明の実施の形態】
つぎに、この発明の実施の形態について、図面を参照して詳しく説明する。
【００１３】
［実施の形態１］
本実施の形態による結晶性基板の劈開方法について説明する。本実施の形態では、図１に示すように、ｎ型のＩｎＰ基板１１上に、ｎ型のＩｎＰよりなるクラッド層１２Ａ、ＩｎＧａＡｓＰ（バンドギャップ波長＝１．５５μｍ）よりなる活性層１２Ｂ、ｐ型のＩｎＰよりなるクラッド層１２Ｃを有機金属化学気相成長法により順次積層し、ダブルヘテロ接合構造１２を形成した。この後、炭化水素系ドライエッチングとエピタキシャル成長とを用いて、ダブルヘテロ接合構造１２に対して半絶縁ＩｎＰ１３を形成し、半絶縁ＩｎＰ１３によるダブルへテロ埋め込みレーザ構造を形成した。このレーザ構造は、図２に示すような等間隔に配置したストライプパタンとした。
【００１４】
つぎに、ガイド溝の形成について述べる。ダブルへテロ埋め込みレーザ構造が形成されたＩｎＰ基板１１の表面に、０．２μｍ厚さのＳｉＯ２膜を堆積する。その上にフォトリソグラフィ法を用いて、幅１μｍ、長さ１０μｍの副ガイド溝のレジストパタンを、周期３μｍにて形成する。このレジストパタンを一旦ＣＦ４ガスによる反応性イオンエッチングによりＳｉＯ２に転写して、その下の半導体基板に対するエッチングマスクとした。
【００１５】
つぎに、このようにパタン化されたエッチングマスクを用いて、塩素系ガスを用いた反応性イオンビームエッチングにより深さ５μｍの垂直エッチングを行い、図３に示すように、副ガイド溝２１Ａからなる副ガイド溝構造２１を形成した。この後、半導体上のＳｉＯ２膜を除去し、導波路であるダブルヘテロ接合構造１２の上にリフトオフ法を用いて、図４に示すように、電極１４を形成した。なお、電極１４は図４中で縦線のハッチングで示してある。電極１４の形成後、ＩｎＰ基板１１の裏面にも電極１５を形成した。
【００１６】
つぎに、素子長が３００μｍとなるように副ガイド溝２１Ａを選択し、これに対して、Ｇａ＋−イオンを用いた集束イオンビーム加工法にて、図５に示すように、幅Ｗ１が４μｍ、深さＤが５μｍの主ガイド溝２２を形成した。このとき、図６に示すように、副ガイド溝２１Ａと主ガイド溝２２との中心軸Ｃ１、Ｃ２が一致し、かつ、選択した副ガイド溝２１Ａと主ガイド溝２２とが約１μｍ以上重なるように主ガイド溝２２を配置した。さらに、主ガイド溝２２の先端部２２Ａが、隣接した他の副ガイド溝２１Ａと接触しないように、主ガイド溝２２の幅Ｗ１を設定した。さらに、主ガイド溝２２のもう一方の端部２２Ｂは、結晶性を有するＩｎＰ基板１１の主表面の端部１１Ａ（図５）と一致させた。
【００１７】
ここで、主ガイド溝２２と副ガイド溝２１Ａの構造について詳しく述べる。副ガイド溝２１Ａは、ＩｎＰ基板１１の端部１１Ａとダブルヘテロ接合構造１２との間の半絶縁ＩｎＰ１３に設けられる。このとき、副ガイド溝２１Ａの数は主ガイド溝２２の数と同じか、または異なるようにする。本実施の形態では、副ガイド溝２１Ａの数は主ガイド溝２２の数より多くしている。副ガイド溝２１Ａは、隣接する副ガイド溝同士が互いに連結しないだけの間隔を保つように、かつ、副ガイド溝２１Ａの延在方向に対して交差する方向に、副ガイド溝２１Ａを周期的に配置する。
【００１８】
主ガイド溝２２は、ＩｎＰ基板１１の主表面の端部１１ＡからＩｎＰ基板１１の中央部に向けて延在する。副ガイド溝２１Ａの幅Ｗ２は、主ガイド溝の幅Ｗ１より狭い。たとえば、副ガイド溝２１Ａの幅Ｗ２は１μｍ以下である。副ガイド溝２１Ａの長さＬは、主ガイド溝２２と連結された時点で１μｍ以上あれば良い。副ガイド溝２１Ａと主ガイド溝２２とは、ほぼ同じ深さＤに加工され、このガイド溝の深さＤは主ガイド溝２２の幅Ｗ１よりも大きいことが必要である。さらに、主ガイド溝２２と副ガイド溝２１Ａとが連結された時点で、副ガイド溝２１Ａと主ガイド溝２２とは、中心軸Ｃ１、Ｃ２が一致し、かつ、滑らかに連続した構造となる必要がある。
【００１９】
副ガイド溝２１Ａは、リソグラフィ工程を伴う選択的なエッチング、本実施の形態では塩素系ガスを用いた反応性イオンビームエッチングにより形成する。つまり、副ガイド溝２１Ａの位置精度は、リソグラフィ工程によるパタン形成位置精度に依存するため、０．１μｍ程度の精度で決定することができる。主ガイド溝２２は、レーザ加工、集束イオンビーム加工、または電子ビーム加工などの、リソグラフィ工程を伴わない加工法により形成する。
【００２０】
副ガイド溝２１Ａと主ガイド溝２２とを形成した後、図７に示すように楔形の治具１０１を用いて、完成されたガイド溝に沿って劈開を行い、レーザアレーバー形状とした。つまり、ＩｎＰ基板１１の裏面の主ガイド溝２２の形成部分に対向する位置に応力を加え、主ガイド溝２２と副ガイド溝２１Ａとの延在方向にＩｎＰ基板１１を劈開する。このとき、副ガイド溝２１Ａの先端が劈開の開始点となる。
【００２１】
このようにして作製した素子の素子長Ｓ（図７）の、設定値からのズレを測定した結果を、図８に示す。図８に示すように、設定した素子長に対して±１μｍ以内の精度にて劈開を行うことができることが示された。
【００２２】
［実施の形態２］
本実施の形態による結晶性基板の劈開方法について説明する。本実施の形態では、実施の形態１と同様に、図２に示すダブルへテロ埋め込みレーザ構造を形成する。つまり、ｎ型のＩｎＰ基板１１上に、ｎ型のＩｎＰよりなるクラッド層１２Ａ、ＩｎＧａＡｓＰ（バンドギャップ波長＝１．５５μｍ）よりなる活性層１２Ｂ、ｐ型のＩｎＰよりなるクラッド層１２Ｃを有機金属化学気相成長法により順次積層し、ダブルヘテロ接合構造１２を形成した。この後、炭化水素系ドライエッチングとエピタキシャル成長とを用いて、ダブルヘテロ接合構造１２に対して半絶縁ＩｎＰ１３を形成し、半絶縁ＩｎＰ１３によるダブルへテロ埋め込みレーザ構造を形成した。このレーザ構造は、図９に示すような等間隔に配置したストライプパタンとした。
【００２３】
つぎに、０．２μｍ厚さのＳｉＯ２膜を基板表面に堆積する。その上にフォトリソグラフィ法を用いて、幅１μｍ、長さ１０μｍの副ガイド溝のレジストパタンをフォトリソグラフィ法を用いて、周期２μｍにて形成する。このパタンを一旦ＣＦ４ガスによる反応性イオンエッチングによりＳｉＯ２に転写して、その下の半導体基板に対するエッチングマスクとした。
【００２４】
つぎに、このようにパタン化されたエッチングマスクを用いて、塩素系ガスを用いた反応性イオンビームエッチングにより深さ５μｍの垂直エッチングを行い、図１０に示すように、副ガイド溝３１Ａからなる副ガイド溝構造３１を形成した。この後、半導体上のＳｉＯ２膜を除去し、導波路であるダブルヘテロ接合構造１２の上にリフトオフ法を用いて、図１１に示すように電極１４を形成した。この後、ＩｎＰ基板１１の裏面にも電極１５を形成した。
【００２５】
つぎに、素子長が３００μｍとなるように副ガイド溝３１Ａを選択し、これに対して、Ｇａ＋−イオンを用いた集束イオンビーム加工法にて、図１２に示すように、先端３２Ａの角度４度、深さ５μｍの三角形の主ガイド溝３２を形成した。このとき、副ガイド溝３１Ａと主ガイド溝３２との中心軸Ｃ１１、Ｃ１２が一致し、かつ、選択した副ガイド溝３１Ａと主ガイド溝３２とが滑らかに連結するように、主ガイド溝３２を配置した。さらに、主ガイド溝３２のもう一方の端部３２Ｂは、結晶性を有するＩｎＰ基板１１の主表面の端部と一致させた。
【００２６】
こうして副ガイド溝３１Ａと主ガイド溝３２とを形成した後、実施の形態１と同じように、完成されたガイド溝に沿って劈開を行い、レーザアレーバー形状とした。
【００２７】
このようにして作製した素子の素子長の、設定値からのズレを測定した結果を図１３に示す。図１３に示すように、設定した素子長に対して±１μｍ以内の精度にて劈開を行うことができることが示された。
【００２８】
［実施の形態３］
本実施の形態による結晶性基板の劈開方法について説明する。本実施の形態では、実施の形態１と同様に、図２に示すダブルへテロ埋め込みレーザ構造を形成する。つまり、ｎ型のＩｎＰ基板１１上に、ｎ型のＩｎＰよりなるクラッド層１２Ａ、ＩｎＧａＡｓＰ（バンドギャップ波長＝１．５５μｍ）よりなる活性層１２Ｂ、ｐ型のＩｎＰよりなるクラッド層１２Ｃを有機金属化学気相成長法により順次積層し、ダブルヘテロ接合構造１２を形成した。この後、炭化水素系ドライエッチングとエピタキシャル成長とを用いて、ダブルヘテロ接合構造１２に対して半絶縁ＩｎＰ１３を形成し、半絶縁ＩｎＰ１３によるダブルへテロ埋め込みレーザ構造を形成した。このレーザ構造は、図１４に示すような等間隔に配置したストライプパタンとした。
【００２９】
つぎに、０．２μｍ厚さのＳｉＯ２膜を基板表面に堆積する。その上にフォトリソグラフィ法を用いて、幅１μｍ、長さ１０μｍの副ガイド溝のレジストパタン４１をフォトリソグラフィを用いて周期１．５μｍにて形成する。このとき、図１５に示すように、隣接するレジストパタン４１を中心軸方向に対して交互に１２μｍずらした。このレジストパタン４１を一旦ＣＦ４ガスによる反応性イオンエッチングによりＳｉＯ２に転写して、その下の半導体基板に対するエッチングマスクとした。
【００３０】
つぎに、このようにパタン化されたエッチングマスクを用いて、塩素系ガスを用いた反応性イオンビームエッチングにより深さ５μｍの垂直エッチングを行い、図１６に示すように、副ガイド溝５１Ａからなる副ガイド溝構造５１を形成した。つまり、副ガイド溝構造５１は副ガイド溝５１Ａを２段に並べた構成である。この後、半導体上のＳｉＯ２膜を除去し、導波路であるダブルヘテロ接合構造１２の上にリフトオフ法を用いて、図１７に示すように電極１４を形成した。この後、ＩｎＰ基板１１の裏面にも電極１５を形成した。
【００３１】
つぎに、素子長が３００μｍとなるように副ガイド溝５１Ａを選択し、これに対して、Ｇａ＋−イオンを用いた集束イオンビーム加工法にて、幅４μｍ、深さ５μｍの主ガイド溝５２を形成した。このとき、図１８に示すように、副ガイド溝５１Ａと主ガイド溝５２との中心軸Ｃ２１、Ｃ２２が一致し、かつ、選択した副ガイド溝５１Ａと主ガイド溝５２とが約１μｍ以上重なるように、主ガイド溝５２を配置した。なお、図１８では、上段と下段の副ガイド溝５１Ａがそれぞれ選択されている。選択した副ガイド溝５１Ａに対して端面方向にずらした隣接する副ガイド溝５１Ａ（図１８中の破線で示す副ガイド溝）が、完全に主ガイド溝５２の中に内包され、かつ、主ガイド溝５２の先端部５２Ａが他の副ガイド溝５１Ａと接触しないように、主ガイド溝５２の幅を決定した。さらに、主ガイド溝５２のもう一方の端部５２Ｂは、結晶性を有するＩｎＰ基板１１の主表面の端部と一致させた。
【００３２】
こうして副ガイド溝５１Ａと主ガイド溝５２とを形成した後、実施の形態１と同じように、完成されたガイド溝に沿って劈開を行い、レーザアレーバー形状とした。
【００３３】
このようにして作製した素子の素子長の、設定値からのズレを測定した結果を図１９に示す。図１９に示すように、設定した素子長に対して±１μｍ以内の精度にて劈開を行うことができることが示された。
【００３４】
なお、本実施の形態では、副ガイド溝５１Ａのパタン配置を次のようにしてもよい。つまり、図２０に示すように、２個以上の副ガイド溝６１Ａを基板の主表面の端部にずらしたパタンを基本とし、これを周期的に配置しても良い。この湯合には、副ガイド溝６１Ａと主ガイド溝６２との中心軸Ｃ３１、Ｃ３２が一致し、かつ、選択した副ガイド溝６１Ａに対して端面方向にずらした隣接する副ガイド溝６１Ａ（図２０中破線で示す副ガイド溝）を、完全に主ガイド溝６２の中に内包し、さらに、主ガイド溝６２の先端部が他の副ガイド溝と接触しないように、主ガイド溝６２の幅を決定すれば良い。
【００３５】
以上、本発明の実施の形態１〜３を詳述してきたが、具体的な構成はこれらの実施の形態に限られるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲の設計の変更等があっても、本発明に含まれる。たとえば、実施の形態１〜３では、ＩｎＰを基板とするレーザについて述べたが、原理的にいって、ＧａＡｓを基板に用いても本発明が適用可能なことは明らかである。
【００３６】
また、実施の形態１〜３では、主ガイド溝の形成方法として集束イオンビーム加工を用いた例を述べたが、前述したようにレーザ加工、電子ビーム加工を用いても本発明が適用可能なことは明らかである。
【００３７】
【発明の効果】
以上、説明したように、本発明の結晶性基板の劈開方法は、結晶性を有する基板の主表面の端部から基板中央部の方向に延在する主ガイド溝と、この主ガイド溝より幅の狭い副ガイド溝とを、中心軸が一致して連続した状態で形成し、これを用いて劈開を行う。このとき、副ガイド溝の先端が劈開の開始点となるため、劈開の開始点の位置精度が副ガイド溝の幅の１／２程度以内の誤差にて、劈開を行うことができる。
【００３８】
また、本発明によれば、主ガイド溝と副ガイド溝とを分割して形成する。このとき、０．１μｍ程度の精度を有するフォトリソグラフィ工程にて副ガイド溝を形成し、かつ、主ガイド溝をレーザ加工、集束イオンビーム加工などの、リソグラフィ工程を伴わない加工法により形成して、ガイド溝を完成されることで、所望の位置にて劈開面を形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施の形態１による結晶性基板の劈開方法の概略説明図である。
【図２】実施の形態１による結晶性基板の劈開方法の概略説明図である。
【図３】実施の形態１による結晶性基板の劈開方法の概略説明図である。
【図４】実施の形態１による結晶性基板の劈開方法の概略説明図である。
【図５】実施の形態１による結晶性基板の劈開方法の概略説明図である。
【図６】実施の形態１による結晶性基板の劈開方法の概略説明図である。
【図７】実施の形態１による劈開作業の概略説明図である。
【図８】実施の形態１の結晶性基板の劈開方法による素子長のズレの測定結果である。
【図９】実施の形態２による結晶性基板の劈開方法の概略説明図である。
【図１０】実施の形態２による結晶性基板の劈開方法の概略説明図である。
【図１１】実施の形態２による結晶性基板の劈開方法の概略説明図である。
【図１２】実施の形態２による結晶性基板の劈開方法の概略説明図である。
【図１３】実施の形態２の結晶性基板の劈開方法による素子長のズレの測定結果である。
【図１４】実施の形態３による結晶性基板の劈開方法の概略説明図である。
【図１５】実施の形態３による結晶性基板の劈開方法の概略説明図である。
【図１６】実施の形態３による結晶性基板の劈開方法の概略説明図である。
【図１７】実施の形態３による結晶性基板の劈開方法の概略説明図である。
【図１８】実施の形態３による結晶性基板の劈開方法の概略説明図である。
【図１９】実施の形態３の結晶性基板の劈開方法による素子長のズレの測定結果である。
【図２０】実施の形態３による結晶性基板の劈開方法の概略説明図である。
【符号の説明】
１１  ＩｎＰ基板
１２  ダブルヘテロ接合構造
１２Ａ、１２Ｃ  クラッド層
１２Ｂ  活性層
１３  半絶縁ＩｎＰ
２１、３１、５１  副ガイド溝構造
２１Ａ、３１Ａ、５１Ａ、６１Ａ  副ガイド溝
２２、３２、５２、６２  主ガイド溝
４１  レジストパタン
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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