(57)【要約】【課題】アディティブ法やセミアディティブ法を用いて多層プリント配線基板を得るに際して、基板配線の厚みを均一化させることができる多層プリント配線基板の製造方法を提供する。【解決手段】アディティブ法またはセミアディティブ法により多層プリント配線基板を製造する際、基板表面に設けられた下地金属層の上にレジスト層を設け、該レジスト層をパターニングし、露出した下地金属層表面に目的金属を析出させて配線部を形成し、その後、配線部とレジスト層を共に研磨して均一な厚みの配線部を形成することを特徴とする。【選択図】      なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
アディティブ法またはセミアディティブ法により多層プリント配線基板を製造する方法において、基板表面に設けられた下地金属層の上にレジスト層を設け、該レジスト層をパターニングし、露出した下地金属層表面に目的金属を析出させて配線部を形成し、その後、レジスト層を除去することなく、配線部とレジスト層を共に研磨して均一な厚みの配線部を形成し、ついでレジスト層を除去し、前記下地金属層部分を除去する工程を有することを特徴とする多層プリント配線基板の製造方法。
【請求項２】
前記基板がコア基板であることを特徴とする請求項１記載の多層プリント配線基板の製造方法。
【請求項３】
前記下地金属層の厚さが０．１μｍ以上５．０μｍ以下であることを特徴とする請求項１または２記載の多層プリント配線基板の製造方法。
【請求項４】
前記配線部とレジスト層の研磨方法として、バフ研磨法、ケミカルメカニカルポリッシング法、電解研磨法の少なくともいずれか一つを用いることを特徴とする請求項１〜３のうちいずれか１項記載の多層プリント配線基板の製造方法。
【請求項５】
前記基板の表面に樹脂付き金属箔を積層することを特徴とする請求項１〜４のうちいずれか１項記載の多層プリント配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、多層プリント配線基板の製造方法に係り、より詳しくはアディティブ法またはセミアディティブ法を用いた多層プリント配線基板の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
プリント基板に実装する半導体パッケージは、近年、チップオンボード（ＣＯＢ）、ボールグリッドアレイ（ＢＧＡ）、チップサイズパッケージ（ＣＳＰ）、マルチチップモジュール（ＭＣＭ）のように高密度実装に適するように多層化、小型化、高密度化が進んできている。
多層プリント配線基板を得る方法としては、通常のプリント配線基板を作成し、これを積層していく方法と、コア基板を中心として積み上げていくビルドアップ法とがある。通常、簡便性と従来の設備を使用できるということから前者が主流となっている。
ところで、多層プリント配線基板を組み立てるためのプリント配線板、あるいはビルドアップされていく過程での配線部は、主として以下の工程よりなるサブトラクティブ法により作成されている。
▲１▼  基板表面に設けられた導体層表面にレジストを塗布し、あるいはレジスト
膜を張り付ける工程。
▲２▼  レジスト層表面にエッチングマスクを密接し、紫外線を照射する工程。
▲３▼  レジスト層を現像し、エッチングマスクを形成する工程。
▲４▼  露出部の導体層をエッチングして除去する工程。
▲５▼  レジスト層を除去する工程。
【０００３】
しかるに、前記した多層化、小型化、高密度化の進んだプリント配線基板を上記サブトラクティブ法により得ようとすると、上記▲４▼の工程において良好なエッチング結果が得られないという問題が発生する。これは、配線間隔が極めて狭いためにエッチング液がエッチングマスクの開口部に十分進入しないという現象が起きるためである。この結果、エッチング不良による短絡という欠陥が発生することになる。
【０００４】
このような問題を回避するために、配線部をめっき法により形成するアディティブ法やセミアディティブ法を用いて多層化、小型化、高密度化の進んだ多層プリント配線基板を作成することが行われている。しかし、これらの方法では配線部を形成するめっき層の厚さにばらつきが生じるため、プリント配線基板が多層化されるほど基板表面や各層での凹凸が大きくなり、多層化が制限されるという問題がある（特許文献１  段落
【０００３】参照）。
【０００５】
そこで、かかる対策として、配線パターン形成ブロックの周辺に帯状のダミーパターンを該配線パターンと同時に電解銅メッキにより形成する方法（特許文献１  段落
【０００５】参照）や、このダミーパターンのメッキ厚をガイドにして配線パターン形成ブロックの表面を研磨パッド等により研磨して、配線パターンのメッキ厚をダミーパターンのメッキ厚に揃えて均一化することが提案されている（特許文献１  段落
【０００７】参照）。
【０００６】
しかしながら、これらの方法では必ずしも十分な厚さの均一化がはかられないという問題がある。配線パターンの厚さが不均一だと、配線部、特に電極部の高さが不均一となり、後工程であるワイヤーボンディングや、フリップチップボンディング、あるいは半田ボールの搭載といった作業が困難であるばかりか、層間絶縁等の信頼性が低下する。
【０００７】
【特許文献１】特開２０００−２２３３１号公報
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上記した配線パターンの厚さの均一化が十分にはかられないという従来技術の問題を解決するためになされたもので、アディティブ法やセミアディティブ法を用いて多層プリント配線基板を得るに際して、基板配線の厚みを均一化させることができる多層プリント配線基板の製造方法を提供することを目的とするものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明にかかる多層プリント配線基板の製造方法は、アディティブ法またはセミアディティブ法により多層プリント配線基板を製造する方法において、基板表面に設けられた下地金属層の上にレジスト層を設け、該レジスト層をパターニングし、露出した下地金属層表面に目的金属を析出させて配線部を形成し、その後レジスト層を除去することなく、配線部とレジスト層を共に研磨して均一な厚みの配線部を形成し、ついでレジスト層を除去し、前記下地金属層部分を除去する工程を有することを特徴とするものである。
本発明方法における基板としては、コア基板等がある。
また、本発明方法における前記下地金属層の厚さとしては、０．１μｍ以上５．０μｍ以下とする。
また、前記配線部とレジスト層の研磨方法としては、バフ研磨法、ケミカルメカニカルポリッシング法、電解研磨法の少なくともいずれか一つを用いることを特徴とするものである。
さらに、前記基板の表面に樹脂付き金属箔を積層することを特徴とするものである。
【００１０】
本発明において、アディティブ法、セミアディティブ法を用いるのは、これらの方法は、下地金属層を基板表面に設け、この上にレジスト層を設け、パターニングし、露出した下地層の上にめっき法により金属を析出させ、その後レジスト層を除去し、金属表面全体をエッチングして下地金属層を溶解除去して配線部を完成するが、下地金属層を溶解する際に、サブトラクティブ法のように金属部を厚くエッチングする必要がないため、容易に下地金属層を除去でき、良好な配線部を得ることができるからである。
【００１１】
また、配線部の厚さを均一にするためにレジスト層を除去することなく、研磨するのは、レジスト層を除去した後研磨すると、配線部が揺れ動き均一な研磨結果が得られないためである。
【００１２】
前記下地金属層の厚さを０．１μｍ以上５．０μｍ以下としたのは、０．１μｍ未満では、下地金属層の電気抵抗が高くなってしまい良好なめっき面が得られず、他方、５．０μｍを超えると下地金属層のエッチング時にファインピッチを作製するのが難しいためである。
【００１３】
また、前記配線部とレジスト層の研磨方法として、バフ研磨法、ケミカルメカニカルポリッシング法、電解研磨法の少なくともいずれか一つを用いることとしたのは、レジスト除去後に研磨を行うと研磨時に発生する研磨ダレでのシュートおよびパターンの基板からの剥離を防ぐためである。
【００１４】
なお、基板の配線部表面上に樹脂付き金属箔を積層する工法は、ハンドリング性やアンカー効果を考慮した技術であり、現状行われている工法である。
【００１５】
【発明の実施の形態】
本発明にかかる多層プリント配線基板の製造方法の一例を以下に示す。なおここでは、基板としてコア基板を用いた場合を例にとり説明する。
まず、通常のガラスエポキシ材をコア材として用い、このコア材の表面に厚さ１８μｍの銅箔を、接着剤を介して貼り付け、その銅箔表面にドライフィルムレジストを貼り付け、マスクを用いてパターニングした後、露出した銅箔部をエッチング除去して銅配線部を形成する。つぎに、残存しているドライフィルムレジストを除去して配線部を完成する。このコア基板の配線部表面上に樹脂付き銅箔（ＲＣＣ）を、配線層表面と樹脂面とが接合するように積層し、その後、銅箔を除去して、銅配線パターン表面に絶縁樹脂層を形成する。
本発明法では、前記絶縁樹脂層表面上に、無電解銅めっきや蒸着法、スパッタリング法等により厚さ０．１μｍ以上５．０μｍ以下、好ましくは０．１μｍ以上１．０μｍ以下の下地層を形成した後、この下地層の上にドライフィルムレジストをラミネートし、マスクを用いて露光し、現像して配線層のパターンを形成する。このパターンの露出した下地金属層の上に電気銅めっきを施し、厚さ２０μｍ以上の銅めっき配線を形成する。その後、前記銅めっき配線とドライフィルムレジストを共にバフ研磨法、ケミカルメカニカルポリッシング法、電解研磨法等により研磨して配線層の厚さを２０μｍとする。すなわち、めっき厚み２０μｍを目標として余分なめっきの研磨を行い、めっき厚の均一化を行う。その後、残存するドライフィルムレジストを除去し、基板表面をエッチング剤で処理して不要の下地層を除去する。
なお、ここではコア基板を用いた場合について説明したが、基板はコア基板に限定されるものではない。
【００１６】
この方法によれば、電気銅めっきのみでは困難であっためっき厚ばらつきをＲ（レンジ）＝１０μｍ程度まで均一化することが可能となる。
なお、本発明方法は、ＢＧＡ、ＣＳＰ、ＣＯＢ、ＭＣＭ等の多層プリント配線基板の作成にも応用できることはいうまでもない。
【００１７】
【発明の効果】
以上説明したごとく、本発明方法によれば、レジスト層を除去することなくレジスト層と配線部とを共に研磨することにより、パターンに関係なくめっき配線部の高さを均一化することができるので、後工程であるワイヤーボンディングやフリップチップボンディング、あるいは半田ボールの搭載といった作業が容易となるのみならず、層間絶縁等の信頼性も高めることができるという優れた効果を奏する。