(57)【要約】【課題】マイクロブリッジ構造の作製における不具合を解消し、真空パッケージに実装するまでの工程を簡略化し製造コストの低減を図ることができるマイクロブリッジ構造の作製方法及び該構造を備える素子の製造方法の提供。【解決手段】マイクロブリッジ構造の空隙を形成するための犠牲層を低融点金属を用いて形成し、マイクロブリッジ構造が形成される基板１とキャップ６との間に金属犠牲層２よりも融点の高い接着金属４を配置し、真空加熱装置内で、金属犠牲層２の融点以上、接着金属４の融点以下の温度で加熱して金属犠牲層２を除去した後、接着金属４の融点以上の温度で加熱して基板１と真空キャップ１５ａとを真空封止することにより、梁の沈み込みやプラズマ損傷を防止し、マイクロブリッジ構造の犠牲層エッチングから真空パッケージのキャップ実装までの作業を大幅に短縮することができる。【選択図】図３
2004020407.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マイクロブリッジ構造の空隙を形成するための犠牲層を、融点の低い金属を用いて形成し、真空中で加熱して除去することを特徴とするマイクロブリッジ構造の作製方法。
【請求項２】
前記金属として、マイクロブリッジの構成材の形成温度以上、かつ、該構成材の耐熱温度以下の融点を有する金属を選択することを特徴とする請求項１記載のマイクロブリッジ構造の作製方法。
【請求項３】
前記金属として、Ｉｎ、Ｓｎ、ＩｎとＳｎの合金、Ｃｄ、Ｓｅのいずれかを用いることを特徴とする請求項１又は２に記載のマイクロブリッジ構造の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一に記載の方法を用いるマイクロブリッジ構造素子の製造方法であって、
前記犠牲層を除去する前に、前記マイクロブリッジ構造が形成される基板上に、接着金属を介して真空封止のための真空キャップを配置し、
前記犠牲層の除去と前記真空キャップの接着とを、同一の真空容器内で真空を破ることなく連続して行うことを特徴とするマイクロブリッジ構造素子の製造方法。
【請求項５】
前記接着金属として、前記犠牲層よりも融点が高く蒸気圧の低い金属を用い、前記犠牲層の融点以上、前記接着金属の融点未満の温度で加熱して前記犠牲層を除去した後、前記接着金属の融点以上の温度で加熱し、前記接着金属を溶融して前記基板と前記真空キャップとを接着して前記マイクロブリッジ構造素子を真空封止することを特徴とする請求項４記載のマイクロブリッジ構造素子の製造方法。
【請求項６】
前記真空容器の排気成分を分析して、前記犠牲層の除去状態を検出することを特徴とする請求項４又は５に記載のマイクロブリッジ構造素子の製造方法。
【請求項７】
前記接着金属として、Ｐｂ、ＰｂとＡｇの合金、Ａｌ用硬質はんだ、Ａｌ用反応はんだのいずれかを用いることを特徴とする請求項４乃至６のいずれか一に記載のマイクロブリッジ構造素子の製造方法。
【請求項８】
前記接着金属の形成領域に、前記真空キャップ内外を貫通する空隙を設け、該空隙を通して蒸発した前記犠牲層を排出することを特徴とする請求項４乃至７のいずれか一に記載のマイクロブリッジ構造素子の製造方法。
【請求項９】
前記真空キャップを前記基板上に形成された複数の前記マイクロブリッジ構造の各々に対応して配置し、ウェハ状態で一括して前記犠牲層の除去と前記真空キャップの接着とを行うことを特徴とする請求項４乃至８のいずれか一に記載のマイクロブリッジ構造素子の製造方法。
【請求項１０】
前記マイクロブリッジ構造素子が、Ｔｉ又は酸化バナジウムを含むダイアフラムが梁によって中空保持される熱型赤外線検出素子であることを特徴とする請求項４乃至９のいずれか一に記載のマイクロブリッジ構造素子の製造方法。
【請求項１１】
前記犠牲層上に形成した前記ダイアフラム上の一部に、前記犠牲層と同一の材料からなる第２の犠牲層を配設し、前記ダイアフラムと前記第２の犠牲層とを覆う吸収膜を形成する工程を含み、前記犠牲層と前記第２の犠牲層とを一括して除去することにより、前記マクロブリッジ構造と前記一部が前記ダイアフラムから浮いた前記吸収膜とを同時に形成することを特徴とする請求項１０記載のマイクロブリッジ構造素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体製造装置を利用してシリコンウェハへの微細加工を行うマイクロマシンのうち、熱分離のためのマイクロブリッジ構造の作製方法及び該マイクロブリッジ構造を備える素子の製造方法に関し、特に、犠牲層の除去方法及びマイクロブリッジ構造素子の真空封止方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、シリコンウェハ上に微細加工を専門とする半導体製造装置を利用して各種のマイクロマシンの作製が盛んに行われている。マイクロマシンのうちマイクロブリッジ構造を有するものは、梁を細くすることによりマイクロブリッジ上の素子と基板との間の熱伝導を極めて小さくすることができるため、外部から素子に入射した熱エネルギーの基板側への漏れも少ない。このため、素子に大きな温度変化を与えることができ、熱型の赤外線センサなどに応用されている。
【０００３】
このようなマイクロブリッジを作製するためのプロセスでは、通常、マイクロブリッジの下部に最終的には除去されて空隙となる犠牲層と呼ばれる層が挿入されている。
【０００４】
この犠牲層の材質としては、ポリイミドのような有機物、多結晶シリコン、金属を使用することができ、有機物の犠牲層の場合は酸素プラズマ中で乾式に除去され、多結晶シリコンの場合はフッ化キセノンガスによるプラズマで除去するか、フォトレジストの現像に使用される現像液のような弱アルカリのメチルアンモニア水溶液で湿式に除去される。また、金属の場合には塩酸などの酸で除去される。
【０００５】
以上のような方法を用いて犠牲層を除去することによりマイクロブリッジ構造が形成されるが、マイクロブリッジ構造を熱型赤外線センサのような用途として利用するためには、更にこのマイクロブリッジ構造素子を含めて真空中に閉じ込め、雰囲気による熱伝導も低減する必要がある。
【０００６】
ここで、従来の真空封止方法について図８を参照して説明する。従来の方法では、図８（ａ）に示すように、ウェハ状態でマイクロブリッジ構造素子１３の犠牲層のエッチングを行い、図８（ｂ）に示すように、ウェハをダイシングしてチップ単位に分割した後、図８（ｃ）に示すように、素子チップ搭載ステージ１９上にチップ状態のマイクロブリッジ構造素子１３を搭載し、その上に赤外線を透過するゲルマニウムやシリコン等の窓を有する金属製真空キャップ１８を被せて、真空排気しながら封止部分を圧着してバーナーで溶断する。
【０００７】
また、犠牲層がエッチングされマイクロブリッジ構造がすでに形成済みの分割前のウェハの状態で、真空キャップと赤外透過窓を兼ねたシリコンウェハを真空中で貼り合せ、その後ダイシングしてチップ分割する方法が開示されている（グッチら：ジャーナルオブバキュームサイエンスアンドテクノロジーＡ第１７巻２２９５から２２９９頁）。この方法では、ウェハ単位で真空実装ができるため、作業に係る手間を大幅に省くことができ、素子の製造コストを低減することができる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述した従来のマイクロブリッジ構造の作製方法及びマイクロブリッジ構造を備えた素子の製造方法では、次のような不具合があった。
【０００９】
まず、犠牲層の除去に関して、犠牲層が有機物の場合、犠牲層形成後の後工程であるマイクロブリッジの梁、センサ材料，配線材料およびその保護膜の形成工程において、犠牲層を構成する有機物の軟化温度より高温の処理を行うと、犠牲層を除去する前に変形してしまい、マイクロブリッジ構造に亀裂や歪が発生し易いという問題があった。
【００１０】
また、有機物の犠牲層を除去する工程で用いるプラズマアッシングでは、マイクロブリッジを構成するシリコン酸化膜やシリコン窒化膜にイオンによるプラズマ損傷が入り易いという問題や、プラズマアッシングでは犠牲層の一部がプラズマに晒されていることが必要で、特にプラズマの陰になっている犠牲層部分が残り易いという問題もあった。
【００１１】
犠牲層が多結晶シリコンの場合も、プラズマで除去する場合は上記と同様の問題が生じ、犠牲層を厚くして、陰になる部分を少なくする必要があり、薬液による湿式の場合は、完全に犠牲層の多結晶シリコンを除去することが可能であるが、エッチング液から乾燥させる段階で表面張力により基板側にマイクロブリッジが陥没し貼りついてしまうという問題があった。
【００１２】
また、犠牲層が金属の場合は、酸で除去することができるが、湿式であるため上記と同様にエッチング液から引き上げて乾燥させる段階で表面張力により基板側にマイクロブリッジが貼りついてしまうという問題があった。
【００１３】
以上のように犠牲層の材質を問わず、薬液による犠牲層除去では表面張力によるマイクロブリッジ陥没が発生し易く、プラズマによる犠牲層除去では、マイクロブリッジの構造体がプラズマ損傷を受け、また、プラズマの陰になっている犠牲層が除去されずに残ってしまうという問題があった。
【００１４】
一方、マイクロブリッジ構造が完成した素子を真空パッケージに実装するには、図８（ｂ）に示すように、予めウェハをチップ単位に分割する必要があるため、個々のチップの真空パッケージへの実装作業時間はチップ数に比例して増大するという問題が発生していた。この問題を解決する手段として、前述のウェハ単位で真空パッケージ実装を行う技術があるが、この方法では、真空中でキャップウェハとの精度の高い位置合わせが要求され、システムが複雑かつ高価なものとなってしまうという欠点があった。また、犠牲層の除去を、真空キャップウェハを載せる前に別の装置で行う必要があり、工程数の改善に余地があった。
【００１５】
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであって、その主たる目的は、マイクロブリッジ構造の作製における不具合を解消し、真空パッケージに実装するまでの工程を簡略化し製造コストの低減を図ることができるマイクロブリッジ構造の作製方法及び該構造を備える素子の製造方法を提供することにある。
【００１６】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明のマイクロブリッジ構造の作製方法は、マイクロブリッジ構造の空隙を形成するための犠牲層を、融点の低い金属を用いて形成し、真空中で加熱して除去するものである。
【００１７】
本発明においては、前記金属として、マイクロブリッジの構成材の形成温度以上、かつ、該構成材の耐熱温度以下の融点を有する金属を選択することが好ましく、前記金属として、Ｉｎ、Ｓｎ、ＩｎとＳｎの合金、Ｃｄ、Ｓｅのいずれかを用いる構成とすることができる。
【００１８】
また、本発明は、上記方法を用いるマイクロブリッジ構造素子の製造方法であって、前記犠牲層を除去する前に、前記マイクロブリッジ構造が形成される基板上に、接着金属を介して真空封止のための真空キャップを配置し、前記犠牲層の除去と前記真空キャップの接着とを、同一の真空容器内で真空を破ることなく連続して行うものである。
【００１９】
本発明においては、前記接着金属として、前記犠牲層よりも融点が高く蒸気圧の低い金属を用い、前記犠牲層の融点以上、前記接着金属の融点未満の温度で加熱して前記犠牲層を除去した後、前記接着金属の融点以上の温度で加熱し、前記接着金属を溶融して前記基板と前記真空キャップとを接着して前記マイクロブリッジ構造素子を真空封止することが好ましく、前記接着金属として、Ｐｂ、ＰｂとＡｇの合金、Ａｌ用硬質はんだ、Ａｌ用反応はんだのいずれかを用いる構成とすることもできる。
【００２０】
また、本発明においては、前記真空容器の排気成分を分析して、前記犠牲層の除去状態を検出する構成とすることができる。
【００２１】
また、本発明においては、前記接着金属の形成領域に、前記真空キャップ内外を貫通する空隙を設け、該空隙を通して蒸発した前記犠牲層を排出することが好ましい。
【００２２】
また、本発明では、前記真空キャップを前記基板上に形成された複数の前記マイクロブリッジ構造の各々に対応して配置し、ウェハ状態で一括して前記犠牲層の除去と前記真空キャップの接着とを行う構成としてもよい。
【００２３】
また、本発明は、前記マイクロブリッジ構造素子が、Ｔｉ又は酸化バナジウムを含むダイアフラムが梁によって中空保持される熱型赤外線検出素子に適用することもできる。
【００２４】
また、本発明においては、前記犠牲層上に形成した前記ダイアフラム上の一部に、前記犠牲層と同一の材料からなる第２の犠牲層を配設し、前記ダイアフラムと前記第２の犠牲層とを覆う吸収膜を形成する工程を含み、前記犠牲層と前記第２の犠牲層とを一括して除去することにより、前記マクロブリッジ構造と前記一部が前記ダイアフラムから浮いた前記吸収膜とを同時に形成する構成とすることもできる。
【００２５】
このように、融点の低い金属を犠牲層として用い、犠牲層の金属の融点以上かつ、キャップ接着金属の融点よりも低い温度で真空加熱することにより、犠牲層の金属を真空中で蒸発させることができ、犠牲層の除去にプラズマやエッチング液を使用しないことにより、従来技術の問題点であったプラズマ損傷やマイクロブリッジの陥没を防止することができる。
【００２６】
そして、犠牲層の除去が完了した後、ウェハの温度を接着金属の融点まで引き上げることにより、接着金属が溶解してキャップが自重で沈み、接着部分に設けた凹部または凸部が潰れてキャップとなるシリコンとチップ搭載ウェハの真空接着が可能となる。これにより、犠牲層の除去とマイクロブリッジ構造素子の真空封止とを同一真空装置内で行うことができるため、真空パッケージに実装するまでの工程を簡略化することができ、製造コストの低減を図ることができる。
【００２７】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の一実施の形態に係るマイクロブリッジ構造の作製方法及び該構造を備える素子の製造方法について、図１乃至図７を参照して説明する。図１は、本発明の一実施形態に係るマイクロブリッジ構造素子を示す図であり、図２は、真空封止キャップの構造を示す図である。また、図３乃至図５は、マイクロブリッジ構造素子の製造方法を示す工程図であり、図６は、犠牲層の除去と真空封止とを行う真空加熱装置の構造を示す図である。また、図７は、本発明のマイクロブリッジ構造素子の他の形態を示す図である。
【００２８】
まず、マイクロブリッジ構造素子の製造方法について説明する。
【００２９】
マイクロブリッジを形成するため、信号取り出し用の配線とボンディングパッド形成済みのシリコン基板１に金属犠牲層２を形成する。金属犠牲層２の形成方法としては、図１（ａ）に示すように、基板側のシリコン、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜などにプラズマエッチングやウェットエッチングを用いて窪み（凹部）を形成した後、犠牲層となる金属を成膜する。この犠牲層の材料としては、マイクロブリッジの構成材の形成温度以上、かつ、犠牲層の除去に際して構成材に影響を与えない温度（例えば、耐熱温度）以下の温度範囲において、真空中で溶融、蒸発が可能な融点の低い金属を用いる。
【００３０】
ここではマイクロブリッジの構成材となるシリコン酸化膜やシリコン窒化膜の形成温度（約２００℃）を考慮して、Ｓｅ（融点２１７℃）を成膜した。成膜手段としては物理的なスパッタ法が一般的であるが、埋めこみ形状が良好な電解メッキなどの手段を用いてもよい。また、図１（ａ）ではシリコン基板１に設けた窪みに金属犠牲層２を形成しているが、窪みを作らずに凸型形状のメサ構造の形状にしてもよい。
【００３１】
なお、マイクロブリッジの構成材であるシリコン酸化膜やシリコン窒化膜、センサ材料膜の形成温度を１５０℃以下まで低くすれば、融点１５７℃のＩｎ、または融点２３２℃のＳｎ、ＳｎとＩｎとの合金も利用することができる。ＩｎとＳｎの合金では、混合比による融点の調整が可能である。また、蒸気圧が高いほど金属犠牲層２の除去が早く完了するので、Ｃｄ（融点３２１℃）なども使用することもできる。
【００３２】
そして、金属犠牲層２を成膜した後、通常の半導体製造工程で用いられるフォトリソグラフィにより、金属犠牲層２をパターニングする。この金属犠牲層２の加工エッチングはプラズマエッチング等により実施できる。
【００３３】
続いて、マイクロブリッジ構成材の成膜と加工エッチングを行う。梁材は通常、シリコン酸化膜やシリコン窒化膜で構成され、化学気相堆積法のような方法により形成できる。形成温度は通常２００℃であるが、金属犠牲層２の融点を考慮してより低温での成膜が好ましい。また、物理的なスパッタ法によればウェハを加熱しなくても成膜することができる。なお、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜のエッチング加工はプラズマエッチングにより容易に行うことができる。
【００３４】
この後、さらにマイクロブリッジのダイアフラム部分にセンサ材料膜とセンサからの電気信号を取り出す配線金属膜の成膜を行い、エッチング加工する。例えば、センサ材料としてＴｉや酸化バナジウム等をスパッタ法で形成し、配線金属膜としてＴｉ等をスパッタ法で形成する。なお、これらの加工もプラズマエッチングで容易に行うことができる。そして、エッチング加工のあと、最後に保護絶縁膜のシリコン窒化膜やシリコン酸化膜を形成し、マイクロブリッジ構造となるパターニングにより溝を切り、金属犠牲層２を表面に露出させる。マイクロブリッジ３は最終的に図１（ｂ）に示すような形態になる。
【００３５】
次に、金属犠牲層２の除去と真空パッケージの作製方法について説明する。
【００３６】
マイクロブリッジ構造素子１３を真空封止するため、図２のような真空キャップ１５ａを用いる。真空キャップ１５ａの窓となるキャップの材質は赤外線を透過するシリコンやゲルマニウム（図ではシリコンキャップ６）が用いられる。
【００３７】
図２（ａ）は真空キャップ１５ａを底部から見たものであり、マイクロブリッジ構造素子１３との接着部分は、図２（ｂ）のようにスペーサーリング部５とキャップ接着金属リング４とから構成される。
【００３８】
スペーサーリング部５はウェハ側のマイクロブリッジ構造素子１３とシリコンキャップ６との接触を防ぐためのものである。マイクロブリッジ構造素子１３は通常０．５μｍ〜２μｍ程度の厚みがあるため、スペーサーリング部５はこの厚みより高ければよい。
【００３９】
なお、スペーサーリング部５の材質はシリコン酸化膜やシリコン窒化膜が利用できる。また、本発明ではスペーサーリング部５を真空キャップ１５ａ側に形成したが、マイクロブリッジのあるウェハ側に形成しても構わない。また、リング状の加工はシリコン酸化膜やシリコン窒化膜ではプラズマエッチングで行うことができる。また、シリコン酸化膜やシリコン窒化膜の代わりにキャップ接着金属リング４よりもさらに高い融点の金属を用いることもできる。
【００４０】
キャップ接着金属リング４は、金属犠牲層２よりも高い融点にしなければならない。ここでは金属犠牲層２としてＳｅを用いているため、それより融点の高い材質としてＰｂＡｇ合金（Ａｇ比率５％で融点３０４℃）を用い、膜厚は１μｍとした。なお、この材料は合金比により融点の調整が可能である。また、エッチング加工はイオンミリングのような物理的な方法を用いて行ったが、プラズマエッチングでも行うことができる。また、キャップ接着金属リング４としてＡｌ用硬質はんだ（約５００℃）やＡｌ用反応はんだ（約４００℃）も用いることができる。
【００４１】
さらに、本実施形態では、図２に示すようにキャップ接着金属リング４の一部を切り欠き、キャップ接着金属凹部４ａを設け、この凹部から蒸発した金属犠牲層２を外部に排出している。なお、図では凹部を形成したが、蒸発した金属犠牲層２を排出可能な構造であればよく、孔や凸部を設ける構造としてもよい。この切り欠き加工も前記と同様にイオンミリングにより行うことができる。
【００４２】
次に、図４（ａ）に示すように、真空キャップ１５ａをマイクロブリッジ構造素子１３が形成されたシリコン基板１側に大気中で重ね合せて載せ、図６に示すような真空加熱容器に図３（ａ）もしくは図４（ｂ）の状態で入れる。真空加熱容器内にはウェハ加熱を行うステージ９と蒸発した金属犠牲層２の金属蒸気を捕獲するため、水冷のパネル１１が設けられている。
【００４３】
そして、１×１０−４Ｐａ程度以下まで真空排気した真空加熱容器内で、ウェハをまず金属犠牲層２を構成するＳｅの融点２１７℃まで加熱し、図３（ｂ）に示すようにＳｅを蒸発させる。この蒸気は真空キャップ１５ａの切り欠きの凹部４ａを通り、低温側の水冷パネル１１に捕獲される。なお、この昇温では金属犠牲層２の融点より低い温度で昇華させれば、マイクロブリッジを歪みを少なくすることができ、より好ましい。
【００４４】
金属犠牲層２の除去の完了時点は、真空加熱容器内の真空度を記録しておけば容易に知ることができる。金属犠牲層２による蒸気成分が無くなると、急激に真空度の改善が見られるからである。そして、金属犠牲層２の除去が終わった後、次に、キャップ接着金属リング４を構成するＰｂＡｇの融点３０４℃まで昇温する。
【００４５】
キャップ接着金属リング４のＰｂＡｇは融点で軟化し、図３（ｃ）に示すように、切り欠きの凹部４ａを押しつぶすと共に溶融し、真空キャップ１５ａとマイクロブリッジ構造素子１３のシリコン基板１とが接着され、中が真空状態で閉じ込められる。この接着では真空キャップ１５ａの自重を利用しているが、密着性を高めるため、真空キャップ１５ａ上に錘となるものを載せればなお都合がよい。
【００４６】
なお、上記説明では図４（ａ）に示すようにチップ単位の真空キャップ１５ａを用いたが、別の方法として、図５に示すようにウェハ単位の真空キャップウェハ１５ｂを用いることもでき、これによりチップ毎に真空キャップ１５ａを位置合わせする手間を省くことができる。
【００４７】
また、マイクロブリッジ構造素子の別の形態として、ダイアフラム部分の受光面積を広げるために、金属犠牲層が２層構造となった図７に示すようなものでも実施可能である。この場合、第１の犠牲層２と第２の犠牲層１６には、上述したような同一融点の金属を使用することで作製が可能となる。
【００４８】
また、上記実施形態では、本発明の構造及び方法を熱型赤外線検出素子に適用する場合について説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、犠牲層により形成されたマイクロブリッジ構造を有する任意の素子に適用することができる。
【００４９】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明のマイクロブリッジ構造の作製方法及び該構造を備える素子の製造方法によれば、下記記載の効果を奏する。
【００５０】
本発明の第１の効果は、犠牲層を除去する際、梁が沈み込んだり、犠牲層の除去残りが生じたり、マイクロブリッジ構造体がプラズマ損傷を受けることがなく、簡単かつ確実に犠牲層を除去することができるということである。
【００５１】
その理由は、犠牲層をＩｎ、Ｓｎ、ＩｎとＳｎの合金、Ｃｄ、Ｓｅ等の融点の低い金属で構成し、真空中で加熱することにより犠牲層を溶融、蒸発させて除去しているからである。
【００５２】
また、本発明の第２の効果は、マイクロブリッジ構造の犠牲層エッチングから真空パッケージのキャップ実装までの作業を大幅に短縮することができるということである。
【００５３】
その理由は、真空キャップの接着部分の金属を金属犠牲層よりも融点の高いＰｂ、ＰｂとＡｇの合金、Ａｌ用硬質はんだ、Ａｌ用反応はんだ等の金属で構成し、また、接着部分の金属に蒸発した金属犠牲層を排出可能な孔や凹部、凸部を設けることにより、同一の真空加熱装置内で、犠牲層を除去した後、引き続き温度を上げて真空封止を行うことができるからである。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態に係るマイクロブリッジ構造を示す図であり、（ａ）は断面図、（ｂ）はマイクロブリッジ部分の斜視図である。
【図２】本発明の一実施形態に係るマイクロブリッジ構造素子を真空封止するためのキャップの構造を示す図であり、（ａ）は、キャップ底部から見た平面図、（ｂ）は斜視図である。
【図３】本発明の一実施形態に係るマイクロブリッジ構造および真空パッケージの作製方法の製造工程を示す断面図である。
【図４】本発明の一実施形態に係るマイクロブリッジ構造および真空パッケージの作製方法の製造工程を示す斜視図である。
【図５】本発明の一実施形態に係るマイクロブリッジ構造および真空パッケージの他の作製方法の製造工程を示す斜視図である。
【図６】本発明の犠牲層エッチングと真空キャップの接着とを行うための真空加熱容器の構造を示す断面図である。
【図７】本発明の他の実施形態に係るマイクロブリッジ構造を説明する図であり、（ａ）は２層の犠牲層からなるマイクロブリッジ構造の断面図、（ｂ）はマイクロブリッジ部分の斜視図である。
【図８】従来のマイクロブリッジ構造素子および真空パッケージの製造工程を説明する図であり、（ａ）はウェハ状態の素子チップの斜視図、（ｂ）はチップ単位に分割された状態図、（ｃ）はパッケージの分解斜視図である。
【符号の説明】
１　シリコン基板
２　金属犠牲層
３　マイクロブリッジ
４　キャップ接着金属リング
４ａ　キャップ接着金属凹部
５　スペーサーリング部
６　シリコンキャップ
７　パッケージ
８ａ　真空キャップ接着後のシリコンウェハ
８ｂ　真空キャップウェハ接着後のシリコンウェハ
９　ウェハ加熱ステージ
１０　ウェハ加熱ヒーター
１１　水冷パネル
１２　真空排気口
１３　マイクロブリッジ構造素子
１４　犠牲層が２層になったマイクロブリッジ構造素子
１５ａ　真空キャップ
１５ｂ　真空キャップウェハ
１６　第２の金属犠牲層
１７　吸収層
１８　金属製真空キャップ
１９　素子チップ搭載ステージ
【図１】
2004020407.tif 000003
【図２】
2004020407.tif 000004
【図３】
2004020407.tif 000005
【図４】
2004020407.tif 000006
【図５】
2004020407.tif 000007
【図６】
2004020407.tif 000008
【図７】
2004020407.tif 000009
【図８】
2004020407.tif 000010