(57)【要約】【課題】容量値の調整を増減両方向に行うことを可能にした容量素子を提供することを目的とする。【解決手段】基板１１の上に三箇所以上に分離して設けた第一の下部電極１２ａ、第二の下部電極１２ｂおよび第三の下部電極１２ｃと、前記第一の下部電極１２ａの上に重なりながら基板１１の上に渡って連続して設けた誘電体層１３と、この誘電体層１３の上から第二の下部電極１２ｂの上に渡って第一の下部電極１２ａと接続しないように設けた第一の抵抗体層１４ａと、第三の下部電極１２ｃの上から基板１１の上を経由し第一の下部電極１２ａまたは第二の下部電極１２ｂあるいは第四の下部電極１２ｄの上に渡って連続して設けた第二の抵抗体層１４ｂと、少なくとも第一の抵抗体層１４ａの上と、この第一の抵抗体層１４ａの上から第一の下部電極１２ａの上の誘電体層１３の上に渡って設けた上部電極１５とからなる。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、この基板の上に少なくとも三箇所以上に分離して設けた第一の下部電極、第二の下部電極および第三の下部電極と、前記第一の下部電極の上に重なりながら基板の上に渡って連続して設けた誘電体層と、この誘電体層の上から第二の下部電極の上に渡って第一の下部電極と接続しないように設けた第一の抵抗体層と、第三の下部電極の上から基板の上を経由し第一の下部電極または第二の下部電極あるいは第四の下部電極の上に渡って設けた第二の抵抗体層と、少なくとも第一の抵抗体層の上とこの第一の抵抗体層の上から第一の下部電極の上の誘電体層の上に渡って設けた上部電極とからなる容量素子。
【請求項２】
第二の抵抗体層と第二および第三の下部電極との接続部近傍から前記第二および第三の下部電極の上に渡って連続して設けられ、且つ互いに分離している第二および第三の上部電極を有する請求項１に記載の容量素子。
【請求項３】
第二の上部電極および第三の上部電極を第二の抵抗体層の上から基板の上に渡って設けた請求項２に記載の容量素子。
【請求項４】
少なくとも基板の上に第一の上部電極の位置決めを行うための容量調整用ガイドパターンを設けた請求項１に記載の容量素子。
【請求項５】
第一の抵抗体層の抵抗率が第一の下部電極および第一の上部電極よりも高く、且つ第一の抵抗体層の厚さが第一の下部電極および第一の上部電極よりも薄い請求項１に記載の容量素子。
【請求項６】
基板の上に少なくとも三箇所以上に分離して設けた第一の下部電極、第二の下部電極および第三の下部電極を形成する工程と、少なくとも第一の下部電極の一部の上から基板の上に渡って連続して誘電体層を形成する工程と、この第一の下部電極の上の誘電体層の上から第二の下部電極の上に渡って第一の下部電極と接続しないように第一の抵抗体層を形成する工程と、この第一の抵抗体層と同時に第三の下部電極の上から基板の上を経由して第一の下部電極または第二の下部電極あるいは第四の下部電極の上に渡って連続して第二の抵抗体層を形成する工程と、少なくとも第一の抵抗体層の上とこの第一の抵抗体層の上から第一の下部電極の上の誘電体層の上に渡って上部電極を形成する工程とからなる容量素子の製造方法。
【請求項７】
第一の上部電極の形成と同時に第二の上部電極および第三の上部電極を形成する請求項６に記載の容量素子の製造方法。
【請求項８】
第一の下部電極、第二の下部電極および第三の下部電極の形成と同時に、基板の上に第一の上部電極の位置決めを行うための容量調整用ガイドパターンを形成する請求項６に記載の容量素子の製造方法。
【請求項９】
第一の抵抗体層と第二の抵抗体層を形成した後第一の下部電極と第一の抵抗体層で挟まれた誘電体層の容量値を測定する工程と、測定した容量値に応じて第一の上部電極を形成する位置を容量調整用ガイドパターンに沿って容量調整用マーカの位置を調整する工程を含む請求項８に記載の容量素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は各種電子機器に用いる特に容量精度の高い容量素子およびその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来の容量素子の容量値の調整方法は後工程においてレーザなどの加工法を用いて電極を切断除去する方法などが知られている。この従来の調整方法について図面を用いて説明する。図１８（ａ）は従来の容量素子の構造を示す断面模式図であり、図１８（ｂ）は平面模式図である。この従来の容量素子は基板５１の上に下部電極５２が形成され、この下部電極５２の上に誘電体層５３が形成され、この誘電体層５３の上に下部電極５２と接続されないように上部電極５４が形成されて容量素子を形成している。また下部電極５２と表面電極５５との間に抵抗体５６が形成されている。
【０００３】
この容量素子において、基板５１の材料はアルミナ、窒化アルミニウム等のセラミック、石英ガラス、単結晶シリコンまたはセラミック基板の上にガラスグレーズを形成したものなどが知られている。また前記下部電極５２は白金、パラジウム、銀などの貴金属やチタン、クロム、ニッケル、コバルト、モリブデン、タングステン、タンタルなどの高融点金属、酸化ルテニウムなどの導電性酸化物、またはこれらの組合せによる積層膜で構成したものが知られている。
【０００４】
さらに、誘電体層５３は酸化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウム、酸化タンタル、チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸鉛等の誘電体材料から構成したものが知られている。
【０００５】
また、上部電極５４および表面電極５５は前述の貴金属、アルミニウム、銅などの低抵抗金属、またはこれら低抵抗金属と前記高融点金属や赤外線を吸収しやすい材料との積層膜から構成したものが知られている。また抵抗体５６はニッケル−クロム−アルミニウム合金、クロム−シリコン合金、酸化ルテニウム、カーボン等が知られている。
【０００６】
このような構成からなる容量素子における容量値の調整方法は、コンデンサ部の容量を測定しながら図１８（ｂ）に示すようにレーザなどの加工法を用いて上部電極５４を熱的に切断することにより、下部電極５２に対向する上部電極５４の面積を減少させる方法で行っていた（例えば、特許文献１参照）。
【０００７】
また、他の容量値の調整方法としては、図１９に示すように下部電極５２あるいは上部電極５４を長さの異なる櫛形状に形成し、このうちの一部の櫛状部分を選択的に切断することにより、下部電極５２と対向する上部電極５４の面積を減少させて、所望の容量値に調整する方法も知られている（例えば、特許文献２参照）。
【０００８】
【特許文献１】
特開平８−１６２３６９号公報
【特許文献２】
特開昭６３−１９６０２７号公報
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記従来の容量素子においては、上部電極５４をレーザ加工法で熱切断して下部電極５２との対向面積を減少させる方法で容量の調整を行っているため、容量値を小さくする方向にしか調整できないという問題点を有していた。
【００１０】
本発明は上記従来の問題点を解決するもので、容量値の調整を増減両方向に行うことを可能にした容量素子およびその製造方法を提供することを目的とするものである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために本発明の請求項１に記載の発明は、基板と、この基板の上に少なくとも三箇所以上に分離して設けた第一の下部電極、第二の下部電極および第三の下部電極と、前記第一の下部電極の上に重なりながら基板の上に渡って連続して設けた誘電体層と、この誘電体層の上から第二の下部電極の上に渡って第一の下部電極と接続しないように設けた第一の抵抗体層と、第三の下部電極の上から基板の上を経由し第一の下部電極または第二の下部電極あるいは第四の下部電極の上に渡って設けた第二の抵抗体層と、少なくとも第一の抵抗体層の上と、この第一の抵抗体層の上から第一の下部電極の上の誘電体層の上に渡って設けた上部電極とからなる容量素子であり、これにより、上部電極を形成する前に第一の抵抗体層で容量値の測定を行い、この容量値に応じて第一の抵抗体層より広い面積で下部電極と対向している上部電極の面積を所望の容量値に合わせて設定可能になる容量精度の高い容量素子を実現することができる。
【００１２】
本発明の請求項２に記載の発明は、第二の抵抗体層と第二および第三の下部電極との接続部近傍から前記第二および第三の下部電極の上に渡って連続して設けられ、且つ互いに分離している第二および第三の上部電極を有する請求項１に記載の容量素子であり、これにより、第二の抵抗体層の幅方向に対して第二および第三の上部電極の形成位置を変更しても、抵抗体として作用する第二の抵抗体層の長さが変化しないことから抵抗値が変化しない高精度な容量素子を実現することができる。
【００１３】
本発明の請求項３に記載の発明は、第二の上部電極および第三の上部電極を第二の抵抗体層の上から基板の上に渡って設けた請求項２に記載の容量素子であり、これにより、第二の抵抗体層の幅方向に対して第二および第三の上部電極の形成位置を変更しても、抵抗体として作用する第二の抵抗体層の幅が変化しないことから抵抗値が変化しない高精度な容量素子を実現することができる。
【００１４】
本発明の請求項４に記載の発明は、少なくとも基板の上に第一の上部電極の位置決めを行うための容量調整用ガイドパターンを設けた請求項１に記載の容量素子であり、これにより、所望の容量値に合わせて上部電極を形成する位置を容易に調整することができる。
【００１５】
本発明の請求項５に記載の発明は、第一の抵抗体層の抵抗率が第一の下部電極および第一の上部電極よりも高く、且つ第一の抵抗体層の厚さが第一の下部電極および第一の上部電極よりも薄い請求項１に記載の容量素子であり、これにより、抵抗体層の単位面積あたりの抵抗値を大きくすることができ、高い抵抗値の抵抗体を小さな面積で作製することができる。
【００１６】
本発明の請求項６に記載の発明は、基板の上に少なくとも三箇所以上に分離して設けた第一の下部電極、第二の下部電極および第三の下部電極を形成する工程と、少なくとも第一の下部電極の一部の上から基板の上に渡って連続して誘電体層を形成する工程と、この第一の下部電極の上の誘電体層の上から第二の下部電極の上に渡って第一の下部電極と接続しないように第一の抵抗体層を形成する工程と、この第一の抵抗体層と同時に第三の下部電極の上から基板の上を経由して第一の下部電極または第二の下部電極あるいは第四の下部電極の上に渡って連続して第二の抵抗体層を形成する工程と、少なくとも第一の抵抗体層の上とこの第一の抵抗体層の上から第一の下部電極の上の誘電体層の上に渡って上部電極を形成する工程とからなる容量素子の製造方法であり、これにより、上部電極を形成する前に第一の抵抗体層で容量値の測定を行い、この容量値に応じて第一の抵抗体層より広い面積で下部電極と対向している上部電極の面積を所望の容量値に合わせて設定可能になる高精度な容量素子の製造方法を実現することができる。
【００１７】
本発明の請求項７に記載の発明は、第一の上部電極の形成と同時に第二の上部電極および第三の上部電極を形成する請求項６に記載の容量素子の製造方法であり、これにより、抵抗体層の抵抗値は第二の上部電極と第三の上部電極との間隔で決定することができるため、抵抗値を一定に保ったまま第一の上部電極で容量値の調整を行うことができることから高精度な容量素子の製造方法を実現することができる。
【００１８】
本発明の請求項８に記載の発明は、第一の下部電極、第二の下部電極および第三の下部電極の形成と同時に、基板の上に第一の上部電極の位置決めを行うための容量調整用ガイドパターンを形成する請求項６に記載の容量素子の製造方法であり、これにより、上部電極の位置決めガイドを工程を増加させずに形成することができる。
【００１９】
本発明の請求項９に記載の発明は、第一の抵抗体層と第二の抵抗体層を形成した後第一の下部電極と第一の抵抗体層で挟まれた誘電体層の容量値を測定する工程と、測定した容量値に応じて第一の上部電極を形成する位置を容量調整用ガイドパターンに沿って容量調整用マーカの位置を調整する工程を含む請求項８に記載の容量素子の製造方法であり、これにより、誘電体層の単位面積あたりの容量値を上部電極形成前に求めることができるため、所望の容量値に合わせて上部電極を形成する位置を決めることができる。
【００２０】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の容量素子およびその製造方法について実施の形態および図面を用いて説明する。
【００２１】
（実施の形態１）
以下、本発明の実施の形態１および図１〜図９により、請求項１、２、４〜９に記載の発明について説明する。
【００２２】
図１は本発明の実施の形態１における容量素子の構成を説明するための模式断面図であり、図２〜図７は製造方法を説明するための工程の平面模式図である。
また図８および図９は容量素子の容量値を調整するための方法を説明するための平面模式図である。
【００２３】
図１において、１１はセラミックやガラスあるいはシリコン等からなる基板である。この基板１１の上面には、互いに分離された位置に第一の下部電極１２ａ、第二の下部電極１２ｂ、第三の下部電極１２ｃおよび後述する容量調整用ガイドパターン１８と容量調整用マーカ１９を有し、これらはチタンや白金、銀、アルミニウム等の金属からなるものである。この第一の下部電極１２ａの上の一部から基板１１の上に渡る部位には誘電体層１３を設け、この誘電体層１３はチタン酸バリウムやチタン酸ストロンチウム、チタン酸鉛、酸化シリコン等の誘電体材料からなるものである。
【００２４】
また、前記誘電体層１３の第一の下部電極１２ａの上にあたる領域の一部から第二の下部電極１２ｂに渡る部位には第一の抵抗体層１４ａを設け、第二の下部電極１２ｂの上から第三の下部電極１２ｃの上に渡る部位には第二の抵抗体層１４ｂを設ける。これらはニッケル−クロム−アルミニウム合金や、クロム−シリコン合金、銅−ニッケル合金等の下部電極１２ａ〜１２ｃおよび上部電極１５ａ〜１５ｃに比較し抵抗率の高い金属材料からなるものである。
【００２５】
さらに、前記第一の抵抗体層１４ａの上と第一の抵抗体層１４ａで被覆されていない前記第一の下部電極１２ａの上の誘電体層１３の上に渡る部位には第一の上部電極１５ａを設け、前記第二の抵抗体層１４ｂの上と第二の下部電極１２ｂの上に渡る部位に第二の上部電極１５ｂを、また第二の抵抗体１４ｂと第三の下部電極１２ｃの上部に掛けて第三の上部電極１５ｃを設ける。このように、前記第一の抵抗体層１４ａの上にも第一の上部電極１５ａを設けることにより、抵抗を低くすることができるから高周波領域においても優れた容量素子として用いることができる。また第二の抵抗体層１４ｂの長さ方向に対して第二の上部電極１５ｂおよび第三の上部電極１５ｃの形成位置を変更しても、抵抗体として作用する第二の抵抗体層１４ｂの長さが変化しないことから抵抗値が変化しない高精度な容量素子を実現することができる。そしてこれらはアルミニウムやチタン、白金、銅、ニッケル等の金属からなるものである。
【００２６】
さらに、この上部電極１５ａ〜１５ｃあるいは下部電極１２ａ〜１２ｃの電気的接点を取り出すために必要な部位の上には端子電極１７を設ける。これは金や銀、ハンダ等の金属からなるものである。
【００２７】
また、上述した下部電極１２ａ〜１２ｃ、誘電体層１３、抵抗体層１４ａ〜１４ｃ、上部電極１５ａ〜１５ｃ、容量調整用ガイドパターン１８および容量調整用マーカ１９の上には端子電極１７を除いて保護膜１６を設ける。これは酸化シリコンや窒化シリコン、酸化アルミニウム等の無機絶縁膜や、ポリイミドやエポキシ、フェノール樹脂といった有機絶縁膜から構成されるものである。
【００２８】
以上のように構成された容量素子は誘電体層１３を挟んで対向する第一の下部電極１２ａと第一の抵抗体層１４ａおよび第一の上部電極１５ａとでコンデンサ素子を形成し、第二の上部電極１５ｂおよび第三の上部電極１５ｃの間の第二の抵抗体層１４ｂで抵抗素子を形成している。
【００２９】
以上のように構成された容量素子について、以下にその製造方法を図面を参照しながら説明する。
【００３０】
図２〜図７は本発明の実施の形態１における容量素子の製造工程を示す平面模式図である。
【００３１】
まず、図２に示すように、基板１１の上に下部電極１２ａ、１２ｂ、１２ｃと容量調整用ガイドパターン１８を設ける。このとき、これらは蒸着やスパッタリングといった薄膜形成法により全面に金属膜を形成した後フォトリソグラフィー法により個別に分割する方法（以下薄膜形成法と記述）や、印刷−焼成法を用いて個別に形成する方法（以下印刷法と記述）を用いて行われる。
【００３２】
次に、図３に示すように、誘電体層１３を第一の下部電極１２ａの上から基板１１の上に渡って薄膜形成法や印刷法を用いて設ける。
【００３３】
次に、図４に示すように、抵抗体層１４ａ，１４ｂを薄膜形成法や印刷法を用いて設ける。このとき、第一の抵抗体層１４ａは第一の下部電極１２ａの上の誘電体層１３の上の一部から基板１１の上を経て第二の下部電極１２ｂの上に渡って設ける。また、第二の抵抗体層１４ｂは第二の下部電極１２ｂの上から基板１１の上を経て第三の下部電極１２ｃの上に渡って設ける。これらの抵抗体層１４ａ，１４ｂを形成する位置は下部電極１２ａ，１２ｂ，１２ｃの位置を基準として相対位置を合わせて形成する。また高い抵抗値が必要な場合には、単位面積あたりの抵抗値が高くなるようにこの抵抗体層１４ａ，１４ｂの厚さを薄く形成することにより、所望の抵抗値を有する抵抗素子を形成することができる。
【００３４】
次に、この状態で第一の下部電極１２ａと第一の抵抗体層１４ａとの間で、容量測定を行い、誘電体層１３の単位面積あたりの容量値を求め、この容量値と容量素子として所望の容量値を得るための設計値との比により、所望の容量値を得るための容量調整用ガイドパターン１８の基準位置からの上部電極１５ａ〜１５ｃの位置調整量を求める。この方法については後述する。
【００３５】
次に、図５に示すように、上部電極１５ａ〜１５ｃを薄膜形成法や印刷法を用いて設ける。このとき第一の上部電極１５ａは第一の抵抗体層１４ａの上と、ここから第一の抵抗体層１４ａで被覆されていない第一の下部電極１２ａの上の誘電体層１３の上に渡る部位に設ける。
【００３６】
また、第二の上部電極１５ｂおよび第三の上部電極１５ｃは、第二の抵抗体層１４ｂの上の第二の下部電極１２ｂおよび第三の下部電極１２ｃの近傍からそれぞれの上部に渡って設ける。この上部電極１５ａ〜１５ｃを形成する位置は上述した容量値の測定結果から求めた設計値との比により、所望の容量値を得るための容量調整用ガイドパターン１８の基準位置からの位置調整量に従い、前記容量調整用ガイドパターン１８に沿って容量調整用マーカ１９の位置を調整して形成する。また、このとき第二の抵抗体層１４ｂの抵抗値は第二の上部電極１５ｂおよび第三の上部電極１５ｃの間隔によって決めることができる。
【００３７】
次に、図６に示すように、保護膜１６を薄膜形成法や印刷法を用いて設ける。このとき、保護膜１６は少なくとも基板１１の表面が露出していない部位にも設けるが、後述する端子電極１７を形成する部位は除いて設ける。
【００３８】
最後に、図７に示すように、端子電極１７を薄膜形成法や印刷法あるいはメッキ法を用いて設けて、容量素子を完成することができる。
【００３９】
以上のように構成・製造された容量素子において、次にその容量値の調整方法について図８および図９を用いて説明する。
【００４０】
通常、容量素子は設計値に対して誘電体層１３の厚さや誘電率の製造バラツキにより、第一の下部電極１２ａと第一の抵抗体層１４ａとの間で測定された容量値にバラツキが生じる。特に、薄膜形成プロセスにおける平面方向への寸法のズレは±１μｍ以下に制御することが可能であるので、容量値のバラツキ原因は殆ど誘電体層１３の厚みと誘電率のバラツキに基因している。
【００４１】
図５の上部電極１５ａ〜１５ｃの位置が設計値どおりの測定値が得られたときの基準位置とすると、図４に示す第一の下部電極１２ａと第一の抵抗体層１４ａとの間で測定した容量値が設計値より小さい場合には、第一の下部電極１２ａと第一の上部電極１５ａとの対向面積を増やす必要がある。これを解決するため、図８に示すように上部電極１５ａの形成位置を上記対向面積が増えるように調整変更して形成する。また逆に測定値が大きい場合には図９に示すように対向面積が小さくなるように形成位置を変更して形成する必要がある。
【００４２】
この形成位置の調整変更は上部電極１５ａの形成に薄膜形成法を用いる場合にはそのフォトマスクの位置合わせの際において、また印刷法を用いる場合にはそのスクリーン版の位置合わせの際において、基板１１の上に設けられた容量調整用ガイドパターン１８と前述のフォトマスクあるいはスクリーン版に設けた容量調整用マーカ１９を合わせる位置により上部電極１５ａを形成する位置を調整する方法で行う。具体的には、設計値どおりの測定値が得られた場合には容量調整用ガイドパターン１８の基準点に容量調整用マーカ１９を合わせることで設計値どおりの上部電極１５ａの位置で設計値どおりの容量を得ることができる（図５の状態）が、下部電極１２ａと第一の抵抗体層１４ａ間の容量の測定値が小さい場合には、容量調整用ガイドパターン１８の繰り返し目盛りに沿ってフォトマスクあるいはスクリーン版上の容量調整用マーカ１９の位置をあらかじめ求めておいた検量線などに基づいて第一の下部電極１２ａと第一の上部電極１５ａとの対向面積が増える方向（図８中における左方向）にずらすことにより所望の特性になるように変更することができる。また逆に測定値が大きい場合には、図９に示すように対向面積が小さくなるように容量調整用マーカ１９をずらして上部電極１５ａを設けることにより同様に変更できる。
【００４３】
以上のように、この容量調整用ガイドパターン１８と容量調整用マーカ１９を用いた調整方法により容量を増加させる側にも減少させる側にも調整することが可能となるものである。
【００４４】
なお、フォトマスクあるいはスクリーン版上に設けた容量調整用マーカ１９はそのまま上部電極１５ａとともに基板１１の上に転写される。なお、この容量調整用マーカ１９は基板１１の上に形成しなくてもよく、光学的あるいは機構的に容量調整用マーカ１９の役割をはたす方法であれば良い。
【００４５】
またこのとき、第二の抵抗体層１４ｂの上に第二の上部電極１５ｂおよび第三の上部電極１５ｃを形成しているため、第一の上部電極１５ａの形成位置を変更しても第二の上部電極１５ｂと第三の上部電極１５ｃとの相対位置は変化しないため、抵抗体として作用する第二の抵抗体層１４ｂの長さは変化せず、抵抗値を一定に保つことができるものである。
【００４６】
以上のように、本実施の形態１における容量素子は少なくとも第一の下部電極１２ａの一部の上から基板１１の上に渡って連続して設けた誘電体層１３と、この第一の下部電極１２ａの上の誘電体層１３の上から第二の下部電極１２ｂの上に渡って第一の下部電極１２ａと接続しないように連続して設けた第一の抵抗体層１４ａと、第三の下部電極１２ｃの上から基板１１の上を経由し第一の下部電極１２ａまたは第二の下部電極１２ｂの上に渡って連続して設けた第二の抵抗体層１４ｂと、第一の抵抗体層１４ａの上から第一の下部電極１２ａの上の誘電体層１３の上に渡って設けた第一の上部電極１５ａと、第二の抵抗体層１４ｂの上の下部電極１２との接続部近傍から、それぞれの下部電極１２の上に渡って連続して設けられ、且つ互いに分離している第二の上部電極１５ｂおよび第三の上部電極１５ｃを備えることにより、第一の下部電極１２ａと第一の抵抗体層１４ａとの間の容量値に応じて上部電極１５を形成する位置を変更することが可能なので、容量値を増加させる側にも減少させる側にも調整可能な容量素子を実現することができる。
【００４７】
また、前記の構成のように第二の抵抗体層１４ｂの上に第二の上部電極１５ｂと第三の上部電極１５ｃとを備えることにより、上部電極１５を形成する位置を容量調整用ガイドパターン１８に応じて変更させた場合においても第二の抵抗体層１４ｂの抵抗体として作用する長さが変わらないようにすることができるため、抵抗体部の抵抗値を変化させずに容量の調整を行うことができる。
【００４８】
なお、本実施の形態１では第一の上部電極１５ａと第二の上部電極１５ｂを連続させて設けた例で説明したが、これらは共に第二の下部電極１２ｂに接続して設けているため、分離させて形成してもよい。
【００４９】
（実施の形態２）
以下、本発明の実施の形態２および図１０〜図１７により、請求項３に記載の発明について説明する。
【００５０】
図１０〜図１５は本発明の実施の形態２における容量素子の製造工程を示す平面模式図である。また図１６および図１７は本発明の実施の形態２における容量素子の容量値の調整方法を示す平面模式図である。
【００５１】
図１０〜図１５において基本的な構成は実施の形態１と同様であり、まず図１０に示すように、基板１１の上に下部電極１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１２ｄと容量調整用ガイドパターン１８を設ける。
【００５２】
次に、図１１に示すように、誘電体層１３を第一の下部電極１２ａの上から基板１１の上を経て第二の下部電極１２ｂの上に渡って設け、その後図１２に示すように第一、第二の抵抗体層１４ａ，１４ｂを設ける。このとき、第一の抵抗体層１４ａは第一の下部電極１２ａの上の誘電体層１３の上の一部から第二の下部電極１２ｂの上に渡って設ける。また第二の抵抗体層１４ｂは第三の下部電極１２ｃの上から基板１１の上を経て第四の下部電極１２ｄの上に渡って設ける。
【００５３】
次に、この状態で第一の下部電極１２ａと第一の抵抗体層１４ａとの間で容量測定を行い、誘電体層１３の単位面積あたりの容量値を求め、この容量値と容量素子として所望の容量値を得るための設計値との比により、所望の容量値を得るための容量調整用ガイドパターン１８の基準位置からの上部電極１５ａ，１５ｂ，１５ｃ，１５ｄの位置調整量を求める。
【００５４】
このようにして図１３に示すように所望の容量値になるように上部電極１５ａ，１５ｂ，１５ｃ，１５ｄを設ける。ここで、１５ｄは第一の下部電極１２ａに接続されているが、この上部電極１５ｄは端子電極１７への接続を確実なものとするためのものであり、必要がなければ設けなくても良い。
【００５５】
次に、図１４に示すように保護膜１６を設けた後、図１５に示すように端子電極１７を設けて容量素子を完成することができる。
【００５６】
特に、本実施の形態２における実施の形態１と異なる点は第四の下部電極１２ｄを備えた点と、第二の抵抗体層１４ｂを第三の下部電極１２ｃから第四の下部電極１２ｄに渡って形成した点と、第二の上部電極１５ｂと第三の上部電極１５ｃをそれぞれ第三の下部電極１２ｃと第四の下部電極１２ｄの上から第二の抵抗体層１４ｂの上に渡って設け、且つ各々第二の抵抗体層１４ｂの上から基板１１の上に渡って形成した点である。
【００５７】
また、設計値に対して、第１の下部電極１２ａと第一の抵抗体層１４ａとの間で測定された容量値のバラツキに応じて上部電極１５ａ，１５ｂ，１５ｃ，１５ｄの形成位置を容量調整用ガイドパターン１８に沿って容量調整用マーカ１９を合わせる位置を変更することにより第一の上部電極１５ａの形成位置を変更することで容量値の調整を行う方法は実施の形態１と同様である。実施の形態１と異なる点は、本実施の形態２においては第二の上部電極１５ｂと第三の上部電極１５ｃを第二の抵抗体層１４ｂから基板１１の上に渡って形成しているため、図１６および図１７に示すように第二の抵抗体層１４ｂの幅方向に第二の上部電極１５ｂ、第三の上部電極１５ｃの形成位置を変更しても第二の上部電極１５ｂと第三の上部電極１５ｃは第二の抵抗体層１４ｂを幅方向で常に覆うことが可能となるため、抵抗値を一定に保つことができることにより容量値の調整範囲を広くすることができる点である。すなわち第二の抵抗体層１４ｂの長さ方向と幅方向との２方位で第一の上部電極１５ａの形成位置を変更することが可能となり、容量の調整幅を大きくすることができるものである。また、抵抗体層１４ｂの長さ方向での調整ピッチと幅方向での調整ピッチとを異ならせることにより、より細やかな容量の調整を行うことが可能となるものである。
【００５８】
以上のように、本実施の形態２における容量素子は第二の上部電極１５ｂと第三の上部電極１５ｃを第二の抵抗体層１４ｂから基板１１の上に渡って形成することにより、第二の抵抗体層１４ｂの幅方向に第二の上部電極１５ｂ、第三の上部電極１５ｃの形成位置を変更しても抵抗値を一定に保つことができることにより容量値の調整範囲を広くすることができる。
【００５９】
なお、本実施の形態２では基板１１はセラミックやガラスあるいはシリコン等からなると説明したが、セラミックを使用する場合には表面にガラスや耐熱性有機物等からなる下地層を設けることにより、ガラスやシリコンを使用した場合と同様の表面の平滑性を得ることができ、容量素子の特性を安定させることが可能であるという更なる効果を奏するものである。
【００６０】
また、容量素子の上に容量調整用ガイドパターン１８および容量調整用マーカ１９が存在する例で説明したが、この容量素子が連続して複数個連なった状態で上部電極１５ａ，１５ｂ，１５ｃ，１５ｄの形成工程までを行う場合には、全ての容量素子に容量調整用ガイドパターン１８および容量調整用マーカ１９を設ける必要はなく、一部の領域にのみ容量調整用ガイドパターン１８および容量調整用マーカ１９を残して、他の容量素子から容量調整用ガイドパターン１８および容量調整用マーカ１９をなくし、基板１１の上でのコンデンサ領域や抵抗領域の有効利用面積率を増加させることが可能となる。
【００６１】
また、コンデンサ素子と抵抗体素子を連結して形成する場合には第一の上部電極１５ａと第二の上部電極１５ｂ或いは第三の上部電極１５ｃとを連続して設けてもよい。同様に第一の抵抗体層１４ａと第二の抵抗体層１４ｂとを連続して設けてもよい。
【００６２】
【発明の効果】
以上のように本発明は、少なくとも三箇所以上に分離して設けた下部電極と、少なくとも第一の下部電極の一部の上から基板の上に渡って連続して設けた誘電体層と、この第一の下部電極の上の誘電体層の上から第二の下部電極の上に渡って第１の下部電極と接続しないように連続して設けた第一の抵抗体層と、第三の下部電極の上から基板の上を経由し第一の下部電極または第二の下部電極あるいは第四の下部電極の上に渡って連続して設けた第二の抵抗体層と、少なくとも第一の抵抗体層の上から第一の下部電極の上の誘電体層の上に渡って設けた上部電極とからなるという構成を有しており、これにより、上部電極を形成する前に第一の抵抗体層で容量値の測定を行い、この容量値に応じて第一の抵抗体層より広い面積で下部電極と対向している上部電極の面積を所望の容量値に合わせて増加側にも減少側にも設定可能な高精度な容量素子およびその製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態１における容量素子の断面模式図
【図２】本発明の実施の形態１における容量素子の製造工程を示す平面模式図
【図３】同平面模式図
【図４】同平面模式図
【図５】同平面模式図
【図６】同平面模式図
【図７】同平面模式図
【図８】本発明の実施の形態１における容量素子の容量値の調整方法を示す平面模式図
【図９】同平面模式図
【図１０】本発明の実施の形態２における容量素子の製造工程を示す平面模式図
【図１１】同平面模式図
【図１２】同平面模式図
【図１３】同平面模式図
【図１４】同平面模式図
【図１５】同平面模式図
【図１６】本発明の実施の形態２における容量素子の容量値の調整方法を示す平面模式図
【図１７】同平面模式図
【図１８】（ａ）従来の容量素子の構造と容量の調整方法を説明するための断面図
（ｂ）同平面図
【図１９】従来の他の容量素子の構造と容量の調整方法を説明するための平面図
【符号の説明】
１１  基板
１２ａ  第一の下部電極
１２ｂ  第二の下部電極
１２ｃ  第三の下部電極
１２ｄ  第四の下部電極
１３  誘電体層
１４ａ  第一の抵抗体層
１４ｂ  第二の抵抗体層
１５ａ  第一の上部電極
１５ｂ  第二の上部電極
１５ｃ  第三の上部電極
１５ｄ  第四の上部電極
１６  保護膜
１７  端子電極
１８  容量調整用ガイドパターン
１９  容量調整用マーカ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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