(57)【要約】【課題】信頼性の高い熱処理工程を実現し、製品の品質向上と製造コストの低減を可能にする半導体製造装置、およびそれを用いた半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】ガス供給部６の酸素Ｏ２ガスの配管経路において、ガス供給源１０側にエアバルブＡＶ１１と、石英チューブ１１側にエアバルブＡＶ４と、そのの間に圧力センサＰ２およびマスフローコントローラＭＦＣ３と、エアバルブＡＶ４と石英チューブ１１の間にマスフローメータＭＦＭを設ける。そして、エアバルブＡＶ３、ＡＶ４およびＡＶ１１を閉じた状態で圧力センサＰ２の圧力を計測する工程と、エアバルブＡＶ４、ＡＶ１１を開いた状態で、マスフローコントローラＭＦＣ３によるガス流量の供給値と、マスフローメータＭＦＭによるガス流量の計測値を比較する工程を備える。【選択図】        図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガス供給源よりガス配管を通して反応炉にガスを供給し、前記反応炉において半導体装置の熱処理を行う半導体製造装置であって、
前記ガス配管は、
前記ガス供給源側に設けられた第１のエアバルブと、
前記反応炉側に設けられた第２のエアバルブと、
前記第１のエアバルブと前記第２のエアバルブの間に設けられた圧力計測ユニットとを有することを特徴とする半導体製造装置。
【請求項２】
ガス供給源よりガス配管を通して反応炉にガスを供給し、前記反応炉において半導体装置の熱処理を行う半導体製造装置であって、
前記ガス配管は、
前記ガス供給源側に設けられた第１のエアバルブと、
前記反応炉側に設けられた第２のエアバルブと、
前記第１のエアバルブと前記第２のエアバルブの間に設けられた流量制御ユニットと、
前記第２のエアバルブと前記反応炉の間に設けられた流量計測ユニットとを有することを特徴とする半導体製造装置。
【請求項３】
請求項１または２記載の半導体製造装置であって、
前記ガス供給源のガスは、酸素ガスであることを特徴とする半導体製造装置。
【請求項４】
請求項１または３記載の半導体製造装置を用いた半導体装置の製造方法であって、
前記第１のエアバルブと前記第２のエアバルブを閉じ、前記圧力計測ユニットでの計測によって前記第２のエアバルブのリークを検出する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項２または３記載の半導体製造装置を用いた半導体装置の製造方法であって、
前記流量制御ユニットで設定したガスの流量と前記流量計測ユニットで計測したガスの流量を比較することで、前記流量制御ユニットの流量異常を検出する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体製造装置およびそれを用いた半導体装置の製造方法に関し、特に、熱処理を行う半導体製造装置およびその装置を用いた半導体装置の熱処理工程に適用して有効な技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】
本発明者が検討したところによれば、熱処理を行う半導体製造装置の技術に関しては、以下のような技術が考えられる。
【０００３】
例えば、反応炉と、その反応炉に酸素、窒素、水素などを供給するガス供給部とを備え、反応炉にて半導体装置の熱処理を行う熱処理装置が多く実在している。
【０００４】
このガス供給部は、一般的に、ガス供給源を起点に、レギュレータ（減圧弁）、流量制御ユニット（ＭＦＣ：ｍａｓｓ  ｆｌｏｗ  ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ）、そしてエアバルブを通って反応炉にガスを供給するような構成となっている。また、ガスの供給を行わない場合は、前記エアバルブのシャットオフなどを行う。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、前記のような熱処理装置の技術について、本発明者が検討した結果、以下のようなことが明らかとなった。
【０００６】
半導体装置の製造工程は、その随所に、熱酸化、アニール、熱拡散などといった熱処理工程を含んでいる。例えば、熱酸化は、素子分離領域を形成する際や、ゲート酸化膜を形成する際などで行われ、前者はフィールド酸化、後者はゲート酸化などと呼ばれている。アニールは、不純物打ち込みによる結晶欠陥などを回復させる際や、シリコン−金属間の界面特性を向上させる際などで行われ、その他にもありとあらゆる場合で用いられる。
【０００７】
このような熱処理工程は、熱処理装置によって行われる。その処理方法は、石英チューブなどの反応炉の中で、半導体ウェハを特定の温度およびガスの雰囲気に保つといったものである。そして、この石英チューブに対するガスの供給は、従来技術の熱処理装置で述べたようなガス供給部によって行われる。
【０００８】
しかしながら、従来技術のような熱処理装置では、熱処理工程を行う際の信頼性を十分に保てない場合が考えられる。すなわち、ガスの供給に異常が生じ、石英チューブ内のガスの雰囲気が意図しないものになった際、それを早期に検出するための手段を十分に備えていない。
【０００９】
このガスの供給異常は、主にＭＦＣの流量異常やエアバルブのリークなどによって発生し、パーティクルなどがその要因となっている。このため、その異常の程度は微小なものが多く、それによって、デバイスに対しては微小な不良が作り込まれる。すると、この微小な異常は、従来の熱処理装置などでは勿論のこと、デバイスの外観チェックなどでも検出困難なものとなる。つまり、デバイスの電気的テストなどによってようやく異常が検出される事態などが十分起こり得る。
【００１０】
製品の微細化およびプロセスの複雑化が進むと、従来ではさほど問題にならなかった微小なガスリークなどによっても不良が発生し、製品の歩留り低下が懸念される。とりわけ、熱処理装置などでは、大口径のウェハに対しバッチ処理を行うため、この歩留り低下はコスト面で多大な影響を及ぼす。
【００１１】
そこで、本発明の目的は、信頼性の高い熱処理工程を実現し、製品の品質向上と製造コストの低減を可能にする半導体製造装置、およびそれを用いた半導体装置の製造方法を提供することにある。
【００１２】
本発明の前記並びにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述及び添付図面から明らかになるであろう。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次のとおりである。
【００１４】
本発明による半導体製造装置は、ガス供給源よりガス配管を通して反応炉にガスを供給し、前記反応炉において半導体装置の熱処理を行うものである。
【００１５】
そして、前記ガス配管は、前記ガス供給源側に設けられた第１のエアバルブと、前記反応炉側に設けられた第２のエアバルブと、前記第１のエアバルブと前記第２のエアバルブの間に設けられた圧力計測ユニットとを有している。このガス配管の構成によって、エアバルブのリークを検出することができる。
【００１６】
また、前記ガス配管は、前記ガス供給源側に設けられた第１のエアバルブと、前記反応炉側に設けられた第２のエアバルブと、前記第１のエアバルブと前記第２のエアバルブの間に設けられた流量制御ユニットと、前記第２のエアバルブと前記反応炉との間に設けられた流量計測ユニットを有するものである。このガス配管の構成によって、流量制御ユニットの流量異常を検出することができる。
【００１７】
また、前記ガス供給源のガスを酸素ガスにすると、とりわけ有益な効果を得ることができる。
【００１８】
本発明による半導体装置の製造方法は、前記のような半導体製造装置を用いて、前記第１のエアバルブと前記第２のエアバルブを閉じ、前記圧力計測ユニットでの計測によって前記第２のエアバルブのリークを検出する工程を有するものである。
【００１９】
また、本発明による半導体装置の製造方法は、前記のような半導体製造装置を用いて、前記流量制御ユニットで設定したガスの流量と、前記流量計測ユニットで計測したガスの流量とを比較し、流量制御ユニットの流量異常を検出する工程を有するものである。
【００２０】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一部材には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。
【００２１】
図１は、本発明の一実施の形態の半導体製造装置の一例を示す構成図である。
【００２２】
まず、図１により、本発明の一実施の形態の半導体製造装置の構成の一例を説明する。
【００２３】
図１の半導体製造装置は、例えば、ヒータールーム１と、メインコントローラ部２と、クリーンベンチ３と、フロントスカベンジャ４と、リヤスカベンジャ５と、ガス供給部６などから構成される。
【００２４】
ヒータールーム１は、石英チューブなどを含み、半導体装置（半導体ウェハ）に対する熱処理を行う。メインコントローラ部２は、水素検知器７などを含み、装置全体の制御を担う。クリーンベンチ３は、ソフトランディング８などを含み、空気を規定の清浄度レベルに保つことでヒータールーム１に搬送前後の半導体装置を管理する。ソフトランディング８は、前記石英チューブに半導体装置を搬入、搬出する際に石英チューブ内管との接触などによるパーティクルの発生を抑制する。
【００２５】
フロントスカベンジャ４およびリヤスカベンジャ５は、ヒータールーム１からガス供給部６やクリーンベンチ３側への熱の放散を防止する。そして、ガス供給部６は、ガス供給源とそのガスを前記ヒータールーム１に供給するガス配管を含み、その構成は、例えば図２に示すようなものとなっている。
【００２６】
図２は、本発明の一実施の形態の半導体製造装置において、ガス供給部の構成の一例を示すガス配管系統図である。
【００２７】
図２のガス供給部６は、例えば、窒素Ｎ２、酸素Ｏ２、水素Ｈ２、塩化水素Ｈｃｌなどのガスを供給するガス供給源１０とガス配管などから構成される。このガス配管には、ガスの純度を上げるフィルタＦ１〜Ｆ３と、ガス供給源１０からの供給ガス圧を減圧するレギュレータＲ１〜Ｒ３と、ガス配管の圧力を計測する圧力センサＰ１〜Ｐ３と、ガスの流量を調整するフローメータＦＭ１，２およびマスフローコントローラＭＦＣ１〜５と、エアバルブＡＶ１〜１１と、マスフローメータＭＦＭなどが備わっている。
【００２８】
このような構成によって、前記ヒータールーム１内の石英チューブ１１に対して、各種の熱処理工程に応じたガスを供給する。なお、Ｏ２ガスなどのガス配管の経路において、マスフローコントローラＭＦＣ２側とＭＦＣ３側の経路に分岐しているが、ここでは、ＭＦＣ２側を大きい流量を供給する際の経路、ＭＦＣ３側を小さい流量を供給する際の経路とする。
【００２９】
ここで、Ｏ２ガスにおける小さい流量を供給する側のガス配管の経路に着目すると、Ｏ２ガスのガス供給源１０側に設けられたエアバルブＡＶ１１（第１のエアバルブ）と、石英チューブ（反応炉）１１側に設けられたエアバルブＡＶ４（第２のエアバルブ）と、それらのバルブの間に設けられた圧力センサ（圧力計測ユニット）Ｐ２を有した構成となっている。
【００３０】
そして、さらに、エアバルブＡＶ１１とＡＶ４の間に設けられたマスフローコントローラ（流量制御ユニット）ＭＦＣ３と、エアバルブＡＶ４と石英チューブ１１との間に設けられたマスフローメータ（流量計測ユニット）ＭＦＭを有した構成となっている。
【００３１】
同様に、Ｏ２ガスの大きい流量を供給する側のガス配管の経路においても、エアバルブＡＶ１１（第１のエアバルブ）とエアバルブＡＶ３（第２のエアバルブ）の間に設けられた圧力センサ（圧力計測ユニット）Ｐ２を有した構成となっている。
【００３２】
つぎに、図１に示した半導体製造装置の動作の一例を、この装置をフィールド拡散工程で用いた場合を例として説明する。
【００３３】
図３は、本発明の一実施の形態の半導体装置の製造方法において、図１の半導体装置を用いてフィールド拡散工程を行った際の処理フローの一例を示す図である。図４は、本発明の一実施の形態の半導体装置の製造方法において、ガス供給部の検査を行う手順の一例であり、（ａ）はエアバルブのリークを検査する手順の一例、（ｂ）はＭＦＣの流量異常を検査する手順の一例を示す図である。
【００３４】
図３のフィールド拡散工程は、イオン注入後に行われる。そして、このフィールド拡散工程は、イオン注入による結晶ダメージを回復する処理と、素子分離の酸化膜を形成する処理（フィールド酸化）を兼ね備えたものとなっており、例えば、次のように行われる。
【００３５】
ステップＳ１において、ヒータールーム１内の温度を８５０℃にセットし、図２のフローメータＦＭ１によりＮ２ガスを流量１２Ｌ／ｍｉｎ（１２リットル／分）で流し込む。
【００３６】
ステップＳ２において、ステップＳ１の温度およびガス条件で、クリーンベンチ３からヒータールーム１に半導体ウェハを搬入する。所要時間は、１５分とする。
【００３７】
ステップＳ３において、ステップＳ２の半導体ウェハ搬入後、ヒータールーム１内の温度を８５０℃から１０００℃に昇温する。ガス条件は、Ｎ２ガスの１２Ｌ／ｍｉｎを保つ。所要時間は、２０分とする。
【００３８】
ステップＳ４において、ヒータールーム１内の温度を１０００℃に保ち、図２のエアバルブＡＶ４とＡＶ１１を開き、これまでのＮ２ガスに加えて、マスフローコントローラＭＦＣ３によりＯ２ガスを０．１２Ｌ／ｍｉｎで流し込む。この状態で、例えば５０分間のプレヒートを行う。
【００３９】
ステップＳ５において、ステップＳ４のプレヒートの後、Ｎ２ガスを止め、エアバルブＡＶ４を閉じ、ＡＶ３とＡＶ６を開いて、マスフローコントローラＭＦＣ２とＭＦＣ４によりＯ２ガスを５Ｌ／ｍｉｎ、Ｈ２ガスを９Ｌ／ｍｉｎで流し込む。この状態で、例えば１６０分間の半導体ウェハの熱酸化を行う。
【００４０】
ステップＳ６において、ステップＳ５の熱酸化終了後、エアバルブＡＶ３とＡＶ６を閉じてＯ２ガスとＨ２ガスを止め、Ｎ２ガスを１２Ｌ／ｍｉｎで流し込む。この状態でヒータールーム１内の温度を１０００℃から９００℃に降温する。所要時間は、３３分とする。
【００４１】
ステップＳ７において、ステップＳ６の降温後、半導体ウェハをヒータールーム１からクリーンベンチ３に搬出する。
【００４２】
このようなステップＳ１〜Ｓ７の処理の内、前記ステップＳ２，Ｓ３の処理が、イオン注入による結晶ダメージを回復させるものであり、前記ステップＳ５の処理が、フィールド酸化を行うものである。
【００４３】
ここで、前記ステップＳ１〜Ｓ３，Ｓ６，Ｓ７においては、図４（ａ）のフローに、図２のＯ２ガス配管上のエアバルブＡＶ３，ＡＶ４，ＡＶ１１は、常時閉じた状態にする（ステップＳ１１）。そして、圧力センサＰ２のガス圧を常時監視する（ステップＳ１２）。ここでは、仮に０．１ＭＰａを判定値とし、ガス圧がそれ以下の場合はエアバルブのリーク異常としてアラームなどを発信することにする。
【００４４】
また、前記ステップＳ４においては、図４（ｂ）のフローのように、図２のＯ２ガス配管上のエアバルブＡＶ１１とＡＶ４は常時開いた状態で（ステップＳ２１）、マスフローコントローラＭＦＣ３にてＯ２ガスの流量を調整する（ステップＳ２２）。そして、マスフローメータＭＦＭでガス流量を計測し（ステップＳ２３）、マスフローコントローラＭＦＣ３の流量値とマスフローメータＭＦＭの測定値との比較を行う（ステップＳ２４）。ここでは、流量値と測定値の単位をｓｌｍ（１気圧でのＬ／ｍｉｎ）とし、マスフローコントローラＭＦＣ３の流量値とマスフローメータＭＦＭの測定値との誤差が仮に５％より大きい場合は、マスフローコントローラＭＦＣ３の流量異常としてアラームなどを発信することにする。
【００４５】
このようなフィールド拡散工程において、従来のガス供給部では、前記図２のエアバルブＡＶ１１または圧力センサＰ２などが設けられていなかった。したがって、前記ステップＳ１〜Ｓ３などで、例えば図２のエアバルブＡＶ３やＡＶ４においてＯ２ガスの微小リークが発生した場合に、それをリアルタイムで検出するのは困難となっていた。
【００４６】
また、Ｏ２ガスの微小リークが問題となるのは、例えば図５に示すように、酸化膜１２の下のイオン注入層に結晶欠陥１３などが発生してしまうためである。図５では、Ｐ−ｓｕｂ（Ｐ型基板）上にＮＷＥＬＬ（Ｎ型ウェル）やＰＷＥＬＬ（Ｐ型ウェル）を設け、それらのウェル内にＰＦ（Ｐ型イオン注入層）やＮＦ（Ｎ型イオン注入層）が形成されている。そして、それらの上に酸化膜１２が形成されているが、この酸化膜１２形成前の熱処理（イオン注入によるダメージ回復処理）時のＯ２ガスの微小リークによってＮＦに結晶欠陥１３が発生している。
【００４７】
このような結晶欠陥１３は、主に製品完成後の電気的テストによって、電流リーク不良などで検出されることになる。また、結晶欠陥１３の程度によっては、市場での不良によって初めて検出される可能性も考えられる。
【００４８】
このＯ２ガスのリーク量と結晶欠陥数の関係は、例えば図６のようになる。Ｏ２ガスのリーク量が０．０１Ｌ／ｍｉｎの場合は、半導体ウェハ内に結晶欠陥１３は発生していない。しかしながら、この結晶欠陥１３の数は、０．０６Ｌ／ｍｉｎでは３４個、０．１２Ｌ／ｍｉｎでは３８５個となり、そして、０．２４Ｌ／ｍｉｎでは１１６１個となる。この数になると、半導体ウェハ全面に不良が及ぶ可能性も十分考えられる。
【００４９】
一方、本発明の一実施の形態の半導体装置の製造方法を用いると、図２のエアバルブＡＶ３やＡＶ４に起因するＯ２ガスの微小リークを、前記図４（ａ）のようなフローで検出することが可能となる。前記図４（ａ）における圧力の判定値０．１ＭＰａは、例えば、前記図６のＯ２ガスのリーク量と結晶欠陥数の関係と、Ｏ２ガスのリーク量と時系列的な圧力低下の関係などから決定することができる。
【００５０】
その一例として、図７は、本発明の一実施の形態の半導体装置の製造方法において、Ｏ２ガスのリーク量と時系列的な圧力低下の関係の一例を示すグラフである。図７は、例えば、図２のエアバルブＡＶ３、ＡＶ４およびＡＶ１１を閉じた状態で、ＡＶ４に微小リークが発生した場合として、そのリーク量と一定時間経過後の圧力センサＰ２の計測値との関係を示すものである。
【００５１】
圧力センサＰ２のガス圧は、初期状態を０．２ＭＰａとし、リーク量が１０ｓｃｃｍ（１気圧で１０ｃｍ３／ｍｉｎ）の場合は、３０分後に０．１ＭＰａまで低下し、リーク量が２０ｓｃｃｍの場合は１５分後に０．１ＭＰａまで低下する。つまり、１０ｃｍ３／ｍｉｎより大きい量のリークが発生すると、３０分間で０．１ＭＰａ以下に圧力が低下することになる。
【００５２】
ここで、前記図６によると、０．０１Ｌ／ｍｉｎ（１０ｃｍ３／ｍｉｎ）より大きい量のリークが発生すると結晶欠陥１３が発生する可能性が高くなると言える。また、前記図３のステップＳ１〜Ｓ３の所要時間とステップＳ６〜Ｓ７の所要時間は、それぞれ約３０分となっている。これらのことから、圧力センサＰ２のガス圧が０．１ＭＰａ以下に低下した場合を検出すれば、１０ｃｍ３／ｍｉｎより大きい量のリークが発生していることになり、この場合、図５のような結晶欠陥１３が発生している可能性が極めて高いことになる。
【００５３】
つぎに、前記図３のステップＳ４，Ｓ５におけるＯ２ガス供給時に関しても、例えば図２のマスフローコントローラＭＦＣ３などでＯ２ガスの流量異常が発生する場合が十分考えられる。ところが、従来のガス供給部では、前記図２のマスフローメータＭＦＭのようなものがないため、マスフローコントローラＭＦＣ３の流量異常を検出することが困難となっていた。ただし、マスフローコントローラＭＦＣ２で流量異常が生じた場合は、通常、酸化膜厚チェックなどのデバイス外観検査によって異常を検出することができる。
【００５４】
ステップＳ４などでマスフローコントローラＭＦＣ３の流量異常があると酸化膜厚に異常が生じるが、これに関しては、酸化膜厚チェックで検出できない場合も考えられる。また、製品によっては、前記ステップＳ１〜Ｓ４の間で、図５のような結晶欠陥１３が発生しない程度に微小なＯ２ガスを供給するプロセス条件もある。このような場合に、従来のガス供給部では、流量異常によりＯ２ガスが過剰に供給されても、それを検出することは困難となっている。
【００５５】
一方、本発明の一実施の形態の半導体装置の製造方法を用いると、前記図３のステップＳ４などで図２のマスフローコントローラＭＦＣ３に流量異常が発生しても、前記図４（ｂ）のようなフローで検出することが可能となる。図４（ｂ）では、マスフローコントローラＭＦＣ３の流量値とマスフローメータＭＦＭの計測値の誤差が５％以内を正常としたが、この値は、使用するＭＦＣ機器やＭＦＭ機器の性能などによって決められることになる。
【００５６】
なお、図２のマスフローコントローラＭＦＣ２の流量異常に関しては、前述したように酸化膜厚チェックで検出可能として、この経路にはＭＦＭを設けていない。また、図２ではＭＦＭを用いたが、流量を計測できる装置で分解能および精度などの条件が満たされれば、特にＭＦＭに限定されるものではない。また、分解能および精度の面から通常は困難であるが、例えば、超高分解能のＭＦＭを用いれば、ＭＦＭにてエアバルブＡＶ４などのリークを検出することも可能になる。
【００５７】
以上、本発明の一実施の形態の半導体装置の製造方法によれば、エアバルブのリークとＭＦＣの流量異常の検出によって、熱処理工程の信頼性が高まり、異常を早期に検出することで不良の作り込みなどを低減することができる。また、これらによって、歩留りが向上し、製造コストの低減が可能となる。
【００５８】
さらに、微小なガスリークなどに起因して、従来において市場で不良になり得たようなデバイスが低減し、半導体装置の品質を向上させることができる。そして、これら微小なガスリークなどを検出することは、製品の微細化および半導体ウェハの大口径化などに伴い益々有益なものとなる。
【００５９】
なお、ここでは、フィールド拡散工程でのＯ２ガスの検査を例としたが、勿論他の工程に対しても、それに応じたガス経路に図２のエアバルブＡＶ１１や圧力センサＰ２およびマスフローメータＭＦＭのようなものを備えることは有効である。
【００６０】
例えば、図２と同じ構成で、イオン注入後のアニール工程においても、Ｏ２ガスの微小リークを検査可能である。また、ゲート酸化膜形成工程において、Ｏ２ガスの流量異常を検査することもできる。さらに、フィールド拡散工程などで、Ｈ２ガスの経路にエアバルブやマスフローメータを備えてエアバルブのリークやＭＦＣの流量異常を検査することも有効である。
【００６１】
以上、本発明者によってなされた発明をその実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
【００６２】
例えば、流量異常を検出するマスフローメータは、熱処理装置に限らず真空技術を用いるＣＶＤ装置などに適用しても有効である。また、その他ガス使用製造設備全般にも適用可能である。
【００６３】
【発明の効果】
本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、以下のとおりである。
【００６４】
（１）エアバルブのリークとＭＦＣの流量異常をリアルタイムで検出可能な、熱処理などを行う半導体製造装置を提供することができる。
【００６５】
（２）前記（１）の装置を製造工程に用いることで、早期にガスの異常を検出でき、不良の作り込みなどを低減することができる。
【００６６】
（３）前記（２）によって、従来において市場で不良になり得たようなデバイスが低減し、半導体装置の品質を向上させることができる。
【００６７】
（４）前記（２）によって、歩留りの向上などで製造コストの低減が可能となる。
【００６８】
（５）前記（２）〜（４）によって、信頼性の高い熱処理工程を実現できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施の形態の半導体製造装置の一例を示す構成図である。
【図２】本発明の一実施の形態の半導体製造装置において、ガス供給部の構成の一例を示すガス配管系統図である。
【図３】本発明の一実施の形態の半導体装置の製造方法において、図１の半導体装置を用いてフィールド拡散工程を行った際の処理フローの一例を示す図である。
【図４】本発明の一実施の形態の半導体装置の製造方法において、ガス供給部の検査を行う手順の一例であり、（ａ）はエアバルブのリークを検査する手順の一例、（ｂ）はＭＦＣの流量異常を検査する手順の一例を示す図である。
【図５】本発明の一実施の形態の半導体装置の製造方法において、フィールド拡散工程でのＯ２ガスの微小リークに起因するデバイス不良箇所の一例を示すデバイス断面図である。
【図６】本発明の一実施の形態の半導体装置の製造方法において、フィールド拡散工程でのＯ２ガスのリーク量と半導体ウェハ内の結晶欠陥数との関係の一例を示す図である。
【図７】本発明の一実施の形態の半導体装置の製造方法において、Ｏ２ガスのリーク量と時系列的な圧力低下の関係の一例を示すグラフである。
【符号の説明】
１  ヒータールーム
２  メインコントローラ部
３  クリーンベンチ
４  フロントスカベンジャ
５  リヤスカベンジャ
６  ガス供給部
７  水素検知器
８  ソフトランディング
１０  ガス供給源
１１  石英チューブ
１２  酸化膜
１３  結晶欠陥
ＡＶ１〜１１  エアバルブ
ＦＭ１，２  フローメータ
ＭＦＣ１〜５  マスフローコントローラ
ＭＦＭ  マスフローメータ
Ｒ１〜３  レギュレータ
Ｆ１〜３  フィルタ
Ｐ１〜３  圧力センサ
【図１】
2004363522.tif 000003
【図２】
2004363522.tif 000004
【図３】
2004363522.tif 000005
【図４】
2004363522.tif 000006
【図５】
2004363522.tif 000007
【図６】
2004363522.tif 000008
【図７】
2004363522.tif 000009