(57)【要約】【課題】半導体基板の温度を正確に測定できる気相薄膜製造装置を提供する。【解決手段】気相薄膜製造装置において、半導体基板（Ｗ）を保持して回転させるためのサセプター（１８）と、サセプター（１８）に保持された状態の半導体基板（Ｗ）を加熱するためのヒーター（１４）と、サセプター（１８）に保持された状態の半導体基板（Ｗ）とヒーター（１４）との間の第１スペース（１６）に所定のガスを導入するガス導入手段（２６）と、ヒーター（１４）とは反対側に設けられていて、ガス（Ａ）が導入されない第２スペース（２０）から半導体基板（Ｗ）の温度を測定するための温度計（２２）を備える。【選択図】　図１
2004040024.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
中空に形成されていて、その上部又は下部で半導体基板（Ｗ）を保持して回転させるためのサセプター（１８）と、
サセプター（１８）に保持された状態の半導体基板（Ｗ）を加熱するためのヒーター（１４）と、
サセプター（１８）に保持された状態の半導体基板（Ｗ）とヒーター（１４）との間の第１スペース（１６）に所定のガスを導入するガス導入手段（２６）と、
ヒーター（１４）とは反対側に設けられていて、ガスが導入されない第２スペース（２０）から半導体基板（Ｗ）の温度を測定するための温度計（２２）
を備えることを特徴とする気相薄膜製造装置。
【請求項２】
ガスが半導体基板（Ｗ）の表面に沿ってほぼ平行な方向に流れることを特徴とする請求項１に記載の気相薄膜製造装置。
【請求項３】
ガスが半導体基板（Ｗ）の表面に向かって又はそれに近い角度で垂直に流れていき、そのあと、半導体基板（Ｗ）の表面に沿って流れ去ることを特徴とする請求項１又は２に記載の気相薄膜製造装置。
【請求項４】
半導体基板（Ｗ）の薄膜成長面に対向してヒーター（１４１）が設けられており、半導体基板（Ｗ）の薄膜成長面と反対側の面を温度計（２２）により測定することを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の気相薄膜製造装置。
【請求項５】
ガスの導入の際に、原料ガス（Ａ）とパージガス（Ｂ）を導入可能とし、原料ガス（Ａ）を導入するための原料ガス導入口（２６ａ）と、パージガス（Ｂ）を導入するためのパージガス導入口（２６ｂ，２６ｃ）を設け、原料ガス（Ａ）とパージガス（Ｂ）の流量を別々に制御可能に構成したことを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の気相薄膜製造装置。
【請求項６】
原料ガス（Ａ）が複数の種類の原料から構成されていて、各原料ガス毎に原料ガス導入口を設け、各原料ガスが別々に導入可能に構成されていることを特徴とする請求項５に記載の気相薄膜製造装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体基板上に薄膜を形成する際に用いられる気相薄膜製造装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、半導体基板の温度を上昇させ、そこへ必要な原料ガスを送入して、基板上へ薄膜を形成する装置が知られている。
【０００３】
半導体基板の温度を上昇させる方法としては、抵抗加熱、ランプ加熱、高周波誘導加熱による方法がある。
【０００４】
基板セット方法によって大きく分けると、なるべく基板のみを加熱するｃｏｌｄ　ｗａｌｌタイプと、基板周辺全体を加熱するｈｏｔ　ｗａｌｌタイプがある。
【０００５】
Ｈｏｔ　ｗａｌｌタイプでは、基板周辺全体を加熱するため、基板のセット方法に大きな制約はないが、ガスの導入方法は外壁の加熱の都合上制約される。基板温度は、炉内均熱帯に設けた熱電対で測定して概算するか、加熱外壁部分に設けた放射温度計で測定して概算することとなる。
【０００６】
Ｃｏｌｄ　ｗａｌｌタイプでは、基板をセットする側（薄膜成長面の反対側）から加熱する場合が多い。あるいは、薄膜成長面を下向きにし（ダウンフェース）、薄膜成長面と対向させて加熱手段を設ける場合もあるが、薄膜成長面と反対側は断熱材などで覆われている。
【０００７】
基板の温度は、加熱部の放射温度計による測定値から概算されるか、炉内均熱帯（ヒーターと基板の間）の熱電対による測定値から概算される。
【０００８】
また、基板表面（薄膜成長面）を放射温度計により測温する方法もある。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
従来技術においては、基板温度が正確に測定できない。これは、前述のように、炉内均熱体や加熱外壁部での測定では、測定温度が概算となるため正確とならないからである。
【００１０】
また、基板表面（薄膜成長面）を放射温度計により測温する方法では、Ｓｉ基板上へＳｉ膜を成長させるような同一材料の成長の場合であっても、基板上のガス等の影響で測定温度が正確とならず、薄膜として別材質を成長させる化合物成長の場合や、炉内が汚染される場合には、正確な測温は、不能となる。
【００１１】
このような測定方法の場合、例えば化合物成長において複数ガスを導入すると、炉内高温部への析出により炉内が激しく汚染される。また、基板上のガスの巻き上がりなどによるパーティクルが汚染の原因となることもある。
【００１２】
本発明は、半導体基板の温度を正確に測定できる気相薄膜製造装置を提供することを目的としている。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
本発明による解決手段を例示すると、次のとおりである。
【００１４】
（１）中空に形成されていて、その上部又は下部で半導体基板（Ｗ）を保持して回転させるためのサセプター（１８）と、サセプター（１８）に保持された状態の半導体基板（Ｗ）を加熱するためのヒーター（１４）と、サセプター（１８）に保持された状態の半導体基板（Ｗ）とヒーター（１４）との間の第１スペース（１６）に所定のガスを導入するガス導入手段（２６）と、ヒーター（１４）とは反対側に設けられていて、ガスが導入されない第２スペース（２０）から半導体基板（Ｗ）の温度を測定するための温度計（２２）を備えることを特徴とする気相薄膜製造装置。
【００１５】
（２）ガスが半導体基板（Ｗ）の表面に沿ってほぼ平行な方向に流れることを特徴とする前述の気相薄膜製造装置。
【００１６】
（３）ガスが半導体基板（Ｗ）の表面に向かって又はそれに近い角度で垂直に流れていき、そのあと、半導体基板（Ｗ）の表面に沿って流れ去ることを特徴とする前述の気相薄膜製造装置。
【００１７】
（４）半導体基板（Ｗ）の薄膜成長面に対向してヒーター（１４１）が設けられており、半導体基板（Ｗ）の薄膜成長面と反対側の面を温度計（２２）により測定することを特徴とする前述の気相薄膜製造装置。
【００１８】
（５）ガスの導入の際に、原料ガス（Ａ）とパージガス（Ｂ）を導入可能とし、原料ガス（Ａ）を導入するための原料ガス導入口（２６ａ）と、パージガス（Ｂ）を導入するためのパージガス導入口（２６ｂ，２６ｃ）を設け、原料ガス（Ａ）とパージガス（Ｂ）の流量を別々に制御可能に構成したことを特徴とする前述の気相薄膜製造装置。
【００１９】
（６）原料ガス（Ａ）が複数の種類の原料から構成されていて、各原料ガス毎に原料ガス導入口を設け、各原料ガスが別々に導入可能に構成されていることを特徴とする前述の気相薄膜製造装置。
【００２０】
【発明の実施の形態】
本発明による好適な実施の形態においては、半導体基板を保持して回転させるためのサセプターは、例えば円筒状に形成されていて、その内部に円柱状の空間が形成されていて、第２スペースとして構成されている。サセプターの上部（上端）又は下部（下端）に水平に半導体基板を保持する。サセプターによる半導体基板の回転方法及保持方法は、従来公知の方法を用いることができる。
【００２１】
半導体基板を加熱するためのヒーターには、高周波誘導加熱法、抵抗加熱法、ランプ加熱法の他、種々の加熱法を利用できる。
【００２２】
好ましくは、半導体基板の一方の面（たとえば上方の面）側のスペースに原料ガスを流し、他方の面（たとえば下方の面）側のスペースには原料ガスを流さず、原料ガスを流さない方のスペースから温度計により半導体基板の温度を測定する。
【００２３】
たとえば、ヒーターと半導体基板の間の第１スペースに原料ガスが導入される。そのとき、原料ガスをパージガスと共に第１スペースに導入してもよい。この場合、原料ガスを半導体基板に沿って導入し、パージガスをヒーターに沿って導入し、ヒーターの汚染を防止するのが好ましい。
【００２４】
半導体基板と温度計との間に位置する第２スペースには、少なくとも原料ガスが導入されないようにする。好ましくは、第２スペースをサセプターの内部空間として構成し、サセプターの内部空間から半導体基板の温度を測定するのが良い。この場合、サセプターを円筒状に形成するのが良い。
【００２５】
好ましくは、半導体基板の薄膜成長面に対向してヒーターを設ける。これにより、半導体基板の薄膜成長面と反対側（半導体基板の裏面側）からの測温が可能となる。
【００２６】
なお、本明細書においては、説明の便宜上、薄膜が成長する側を表側とする。
【００２７】
【実施例】
以下、図面を参照して、本発明の実施例を説明する。
【００２８】
図１は、本発明による気相薄膜製造装置の一例を示す概略縦断面図である。
【００２９】
気相薄膜製造装置１０は、高周波誘導加熱により半導体基板の温度を上昇させ、そこへ必要な原料ガスを送入して基板上へ薄膜を形成するための装置であり、主に炉１２からなる。
【００３０】
炉１２は、半導体基板Ｗの加熱成長等を行うための処理炉である。炉１２には、高周波誘導加熱部１４、基板Ｗ、及びサセプター１８が設けられている。
【００３１】
高周波誘導加熱部１４は、加熱コイル１４ａ及び加熱体１４ｂで構成されている。加熱コイル１４ａは、炉１２外に設けられている。加熱体１４ｂは、炉１２内に設けられていて、炉１２の壁面上部１２ａと間隔を空けて設けられている。加熱コイル１４ａに高周波電流を流すことにより、炉１２内の加熱体１４ｂが加熱される。
【００３２】
加熱体１４ｂの下方には、所定の空間（以下第１スペース１６という）を空けて、基板Ｗが設けられている。基板Ｗは、シリコンウェーハ等の円板状の半導体基板である。
【００３３】
基板Ｗは、サセプター１８に保持されている。サセプター１８は炉１２内に上下方向にわたって回転支持機構（図示省略）より支持され、中心軸のまわりに回転可能に支持されている。この回転支持機構は従来公知のものを利用できる。
【００３４】
サセプター１８は、その内部に円柱状の空間（以下第２スペース２０という）が形成されている。
【００３５】
サセプター１８の軸心方向の下方には、温度計の典型例である放射温度計２２が設けられている。放射温度計２２は、基板Ｗの裏面（薄膜成長面と反対側の面）に向けられていて、基板Ｗの温度を測定可能である。
【００３６】
加熱コイル１４ａと放射温度計２２は、温度調節器２４に接続されている。温度調節器２４は、放射温度計２２で測定された温度に基づいて、加熱コイル１４ａの温度調節を行う。
【００３７】
炉１２の壁面側部１２ｂには、基板Ｗ上に薄膜を形成する際に使用される原料ガスＡ及び基板表面及び炉内の汚染防止に使用されるパージガスＢを導入するためのガス導入手段２６が設けられている。
【００３８】
ガス導入手段２６は、原料ガス導入口２６ａ、パージガス導入口２６ｂ、２６ｃ及び排出口２６ｄ、２６ｅ、２６ｆからなる。
【００３９】
原料ガス導入口２６ａと排出口２６ｄは、基板Ｗの表面の高さに合わせて設けられていて、原料ガスＡの供給及び排出に用いられる。原料ガス導入口２６ａから供給された原料ガスＡは、第１スペース１６内を基板Ｗの表面に沿ってほぼ平行な方向に流れ、排出口２６ｄへ排出されるようになっている。
【００４０】
パージガス導入口２６ｂは、原料ガス導入口２６ａの直上かつ加熱部１４ｂのやや下方となる高さに合わせて設けられていて、パージガスＢの供給に用いられる。排出口２６ｄは、パージガス導入口２６ｂに対向する炉壁側部１２ｂに位置していて、パージガスＢの排出に用いられる。すなわち、排出口２６ｄは、原料ガス導入口２６ａ及びパージガス導入口２６ｂのための共通の出口として構成されている。パージガス導入口２６ｂから供給されたパージガスＢは、加熱部１４ｂの下面に沿ってほぼ平行な方向に流れ、排出口２６ｄへ排出されるようになっている。
【００４１】
パージガス導入口２６ｃと排出口２６ｅは、加熱部１４ｂの上面と炉壁上部１２ａの間となる高さに合わせて設けられていて、パージガスＢの供給及び排出に用いられる。パージガス導入口２６ｃから供給されたパージガスＢは、加熱部１４ｂの上面に沿ってほぼ平行な方向に流れ、排出口２６ｅへ排出されるようになっている。
【００４２】
冷却およびパージのため炉壁下部１２ｃにガス導入口２６ｆ１、排気口２６ｆ２を設けることもできる。
【００４３】
図２は、本発明による気相薄膜製造装置の別の例を示す概略縦断面図である。なお、図１に示した装置と同一の機能を有する部材には同一の符号が付されている。
【００４４】
気相薄膜製造装置１０１は、抵抗加熱により半導体基板の温度を上昇させ、そこへ必要な原料ガスを送入して基板上へ薄膜を形成するための装置であり、主に炉１２１からなる。
【００４５】
炉１２１は、半導体基板Ｗの加熱成長等を行うための処理炉である。炉１２１には、抵抗加熱部１４１、基板Ｗ、及びサセプター１８が設けられている。
【００４６】
抵抗加熱部１４１は、炉１２１の炉壁上部１２１ａに設けられている。
【００４７】
抵抗加熱部１４１の下方には、所定の空間（以下第１スペース１６１という）を空けて、基板Ｗが設けられている。基板Ｗは、シリコンウェーハ等の半導体基板である。
【００４８】
基板Ｗは、サセプター１８に保持されている。サセプター１８は炉１２１内に回転支持機構（図示省略）により回転可能に支持されている。回転支持機構は従来公知のものを利用できる。サセプター１８は、その内部が空間（以下第２スペース２０という）として構成されている。
【００４９】
サセプター１８の軸心方向の下方には、温度計の典型例である放射温度計２２が設けられている。放射温度計２２は、基板Ｗの裏面（薄膜成長面と反対側の面）に向けられていて、基板Ｗの温度を測定可能である。
【００５０】
抵抗加熱部１４１と放射温度計２２は、温度調節器２４に接続されている。温度調節器２４は、放射温度計２２で測定された温度に基づいて、抵抗加熱部１４１の温度調節を行う。
【００５１】
炉１２１の壁面側部１２１ｂには、ガス導入手段２６１が設けられている。ガス導入手段２６１は、基板Ｗ上への薄膜形成に使用される原料ガスＡ及び基板表面及び炉内の汚染防止に使用されるパージガスＢを導入するために使用される。
【００５２】
ガス導入手段２６１は、原料ガス導入口２６１ａ、パージガス導入口２６１ｂ、２６１ｃ、２６１ｆ１及び排出口２６１ｄ、２６１ｅ、２６１ｆ２からなる。
【００５３】
原料ガス導入口２６１ａと排出口２６１ｄは、基板Ｗの表面の高さに合わせて設けられていて、原料ガスＡの供給及び排出に用いられる。原料ガス導入口２６１ａから供給された原料ガスＡは、第１スペース１６１内を基板Ｗの表面に沿ってほぼ平行な方向に流れ、排出口２６１ｄへ排出されるようになっている。
【００５４】
パージガス導入口２６１ｂは、原料ガス導入口２６１ａの直上かつ抵抗加熱部１４１のやや下方となる高さに合わせて設けられていて、パージガスＢの供給に用いられる。排出口２６１ｄは、パージガス導入口２６１ｂに対向する炉壁側部１２１ｂに位置していて、パージガスＢの排出に用いられる。すなわち、排出口２６１ｄは、原料ガス導入口２６１ａ及びパージガス導入口２６１ｂのための共通の出口として構成されている。パージガス導入口２６１ｂから供給されたパージガスＢは、抵抗加熱部１４１の下面に沿ってほぼ平行な方向に流れ、排出口２６１ｄへ排出されるようになっている。
【００５５】
パージガス導入口２６１ｃと排出口２６１ｅは、炉壁上部１２１ａ付近に設けられていて、パージガスＢの供給及び排出に用いられる。パージガス導入口２６１ｃから供給されたパージガスＢは、抵抗加熱部１４１の周囲に沿って流れ、排出口２６１ｅへ排出されるようになっている。
【００５６】
冷却およびパージのため炉壁下部１２１ｃにガス導入口２６１ｆ１、排出口２６１ｆを設けることもできる。
【００５７】
図３は、本発明による気相薄膜製造装置の更に別の例を示す概略縦断面図である。なお、図１に示した装置と同一の機能を有する部材には同一の符号が付されている。
【００５８】
気相薄膜製造装置１０２は、ランプ加熱により半導体基板の温度を上昇させ、そこへ必要な原料ガスを送入して基板上へ薄膜を形成するための装置であり、主に炉１２２からなる。
【００５９】
炉１２２は、半導体基板Ｗの加熱成長等を行うための処理炉である。炉１２２には、ランプ加熱部１４２、基板Ｗ、及びサセプター１８が設けられている。
【００６０】
ランプ加熱部１４２は、炉１２２の上方に設けられている。なお、炉壁上部１２２ａは平坦な面として構成されている。
【００６１】
ランプ加熱部１４２の下方には、所定の空間（以下第１スペース１６２という）を空けて、基板Ｗが設けられている。基板Ｗは、シリコンウェーハ等の半導体基板である。
【００６２】
基板Ｗは、サセプター１８に保持されている。サセプター１８は炉１２２内に回転支持機構（図示省略）により回転可能に支持されている。回転支持機構は従来公知のものを利用できる。サセプター１８は、その内部が空間（以下第２スペース２０という）として構成されている。
【００６３】
サセプター１８の軸心方向の下方には、温度計の好適例である放射温度計２２が設けられている。放射温度計２２は、基板Ｗの裏面（薄膜成長面と反対側の面）に向けられていて、基板Ｗの温度を測定可能である。
【００６４】
ランプ加熱部１４２と放射温度計２２は、温度調節器２４に接続されている。温度調節器２４は、放射温度計２２で測定された温度に基づいて、ランプ加熱部１４２の温度調節を行う。
【００６５】
炉１２２の壁面側部１２２ｂには、ガス導入手段２６２が設けられている。ガス導入手段２６２は、基板Ｗ上への薄膜形成に使用される原料ガスＡ及び基板表面及び炉内の汚染防止に使用されるパージガスＢを導入するために使用される。
【００６６】
ガス導入手段２６２は、原料ガス導入口２６２ａ、パージガス導入口２６２ｂ、２６２ｆ１及び排出口２６２ｄ、２６２ｆ２からなる。
【００６７】
原料ガス導入口２６２ａと排出口２６２ｄは、基板Ｗの表面の高さに合わせて設けられていて、原料ガスＡの供給及び排出に用いられる。原料ガス導入口２６２ａから供給された原料ガスＡは、第１スペース１６２内を基板Ｗの表面に沿ってほぼ平行な方向に流れ、排出口２６２ｄへ排出されるようになっている。
【００６８】
パージガス導入口２６２ｂは、原料ガス導入口２６２ａの直上かつランプ加熱部１４２のやや下方となる高さに合わせて設けられていて、パージガスＢの供給に用いられる。排出口２６２ｄは、パージガス導入口２６２ｂに対面する炉壁側部１２２ｂに位置していて、パージガスＢの排出に用いられる。すなわち、排出口２６２ｄは、原料ガス導入口２６２ａ及びパージガス導入口２６２ｂのための共通の出口として構成されている。パージガス導入口２６２ｂから供給されたパージガスＢは、炉壁上部１２２ａの平坦な面に沿ってほぼ平行な方向に流れ、排出口２６ｄへ排出されるようになっている。
【００６９】
図４は、本発明による気相薄膜製造装置の更に別の例を示す概略縦断面図である。なお、図１に示した装置と同一の機能を有する部材には同一の符号が付されている。
【００７０】
気相薄膜製造装置１０３は、薄膜成長面を下向き（ダウンフェース）にした場合の装置であり、主に炉１２３からなる。
【００７１】
炉１２３は、半導体基板Ｗの加熱成長等を行うための処理炉である。炉１２３には、加熱装置１４３、半導体基板Ｗ、及びサセプター１８が設けられている。
【００７２】
加熱装置１４３は、炉１２３の下側に設けられている。加熱装置１４３としては、前述の高周波誘導過熱手段、抵抗加熱手段、ランプ加熱手段等の種々の加熱手段を利用できる。
【００７３】
加熱装置１４３の上方には、所定の空間（以下第１スペース１６３という）を空けて、基板Ｗが設けられている。基板Ｗは、シリコンウェーハ等の半導体基板である。
【００７４】
基板Ｗは、サセプター１８に下向きに保持されている。サセプター１８は炉１２３内に回転支持機構（図示省略）により高速回転可能に支持されている。これは高速回転により基板表面のガス流れ（層流）を均一にするためである。回転支持機構は従来公知のものを利用できる。サセプター１８の内部が空間（以下第２スペース２０という）として構成されている。
【００７５】
サセプター１８の軸心方向の上方には、温度計として放射温度計２２が設けられている。放射温度計２２は、基板Ｗの裏面（薄膜成長面と反対側の面）に向けられていて、基板Ｗの温度を測定可能である。
【００７６】
加熱装置１４３と放射温度計２２は、温度調節器（図示省略）に接続されている。温度調節器は、放射温度計２２で測定された温度に基づいて、加熱装置１４３の温度調節を行う。
【００７７】
炉１２３の壁面には、ガス導入手段２６３が設けられている。ガス導入手段２６３は、基板Ｗ上への薄膜形成に使用される原料ガスＡを導入するために使用される。
【００７８】
ガス導入手段２６３は、原料ガス導入口２６３ａ及び排出口２６３ｄからなる。
【００７９】
原料ガス導入口２６３ａは、炉壁下部１２３ｂに設けられていて、水冷されたノズルにより加熱装置１４３の中央から原料ガスＡを導入するようになっている。高速回転により基板表面のガス流れがコントロールされることにより、前例のように炉の側面からの導入も可能である。排出口２６３ｄは、炉壁上部１２３ａに設けられていて、原料ガスＡを排出するものである。
【００８０】
原料ガス導入口２６３ａから供給された原料ガスＡは、第１スペース１６３内を加熱装置１４３の方から基板Ｗの表面に向って垂直に又はそれに近い角度で流れていき、そのあと、基板Ｗの表面に沿ってほぼ平行な方向に流れをかえて、やがて排出口２６２ｄへ排出されるようになっている。
【００８１】
【発明の効果】
本発明によれば、半導体基板の薄膜成長面の裏面温度を測定することにより、半導体基板の測温を正確に行うことができる。
【００８２】
更に、薄膜成長面の裏面の温度を測定するので、成長する薄膜の影響を受けない正確な温度測定が可能となる。
【００８３】
さらに、測温値を温度調節に使用すれば、正確な基板温度（成長温度）制御が行えるようになる。これにより、温度のバラツキやズレによる結晶性の劣化（欠陥発生、結晶形態変化）が防止できる。
【００８４】
炉内にパージガスを導入すると、基板表面及び炉内汚染を防止できる。
【００８５】
複数種類の原料ガスを使用する場合、それらの別々の導入が可能となり、それにより、分解しやすいガスほど基板表面近くに導入できるようになり、結晶制御しやすくなる。
【００８６】
基板の回転により、均一膜生成が可能となる。
【００８７】
基板を回転させる機構を設けると、炉内の原料ガスの層流を整えて、膜厚均一化をはかることが容易になる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による気相薄膜製造装置の一例を示す概念図。
【図２】本発明による気相薄膜製造装置の別の例を示す概念図。
【図３】本発明による気相薄膜製造装置の更に別の例を示す概念図。
【図４】本発明による気相薄膜製造装置の更に別の例を示す概念図。
【符号の説明】
１０　気相薄膜製造装置
１２　炉
１２ａ　炉壁上部
１２ｂ　炉壁下部
１２ｃ　炉壁側部
１４　高周波誘導加熱部
１４ａ　加熱コイル
１４ｂ　加熱体
１６　第１スペース
１８　サセプター
２０　第２スペース
２２　放射温度計
２４　温度調節器
２６　ガス導入手段
２６ａ　原料ガス導入口
２６ｂ、２６ｃ　パージガス導入口
２６ｄ、２６ｅ、２６ｆ　排出口
Ｗ　半導体基板
Ａ　原料ガス
Ｂ　パージガス
【図１】
2004040024.tif 000003
【図２】
2004040024.tif 000004
【図３】
2004040024.tif 000005
【図４】
2004040024.tif 000006