(57)【要約】  【課題】  放熱構造から直接熱を放射することができる放熱構造を備えた半導体装置及びその製造方法を提供する。  【解決手段】  半導体基板上の半導体素子で発生する熱を半導体基板の表面から放出するため、半導体基板の表面に不規則な形状の凹凸部や球状の凸部、あるいは金黒のような放射性の優れた金属膜を形成する。このような放熱構造は、放熱構造自身から熱を放射するため、放熱効率を向上させることができる。凹凸部等は、半導体基板をエッチングすることで形成できる。また蒸着法等により、金属膜を形成することができる。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上に半導体素子が形成され、該半導体素子で発生する熱を半導体基板の一主面から放出する放熱構造を備えた半導体装置において、
前記放熱構造は、前記半導体基板の一主面の少なくとも一部に形成された該半導体基板の結晶方位に依存しない凹部あるいは凸部、半導体基板の一主面の少なくとも一部に形成された前記熱を放射する金属層、あるいは前記凹部あるいは凸部上に形成された前記熱を放射する金属層のいずれかを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置において、前記金属層は、金黒、ビスマス黒、煙着タングステンのいずれかを含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
半導体基板上に半導体素子が形成され、該半導体素子から発する熱を半導体基板の一主面から放出する放熱構造を形成する半導体装置の製造方法において、
半導体基板上に半導体素子を形成する工程と、
半導体基板の一主面の少なくとも一部をエッチングし、前記半導体基板の結晶方位に依存しない凹部あるいは凸部を形成する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
半導体基板上に半導体素子が形成され、該半導体素子から発する熱を半導体基板の一主面から放出する放熱構造を形成する半導体装置の製造方法において、
半導体基板上に半導体素子を形成する工程と、
半導体基板の少なくとも一部の一主面表面に直接、あるいは該一主面表面をエッチングし、前記半導体基板の結晶方位に依存しない凹部あるいは凸部を形成した後、該凹部あるいは凸部上に、前記熱を放射する金属層を形成する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項４記載の半導体装置の製造方法において、前記金属層は、金あるいはビスマスを蒸着して形成した金黒あるいはビスマス黒、または煙着法により形成したタングステンのいずれかを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、半導体装置及びその製造方法、特に放熱構造を備えた半導体装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
以下発熱素子の一例として、マイクロ波やミリ波帯域の発振素子として使用されるガンダイオードを例にとり説明する。通常ガンダイオードは、ガリウム砒素やインジウム燐のような化合物半導体で形成されている。これらの化合物半導体では、低電界では電子の移動度が数千ｃｍ2／Ｖ・ｓｅｃと大きいのに対し、高電界では加速された電子が有効質量の大きいバンドに遷移し、その移動度が低下するためバルク内に負性微分コンダクタンスが現れ、熱力学的不安定が生じる。このため、ドメインが発生し、カソード側からアノード側へ走行する。これが繰り返される結果、振動電流（発振）が得られる。
【０００３】
マイクロ波領域以上の周波数領域においては、発振周波数ｆｔは走行距離Ｌと電子の平均ドリフト速度Ｖｄとから求められ、ｆｔ＝Ｖｄ／Ｌの関係となる。ここで、直流電流の周波数がそのまま発振周波数となる。ガンダイオードにおいては、入力した直流電力に対する交流電力出力の比で表される発振効率が最も重要な性能指数であり、その向上が求められている。
【０００４】
ミリ波帯用のガンダイオードの場合、前述のガンドメインの走行距離を１〜２μｍと極めて短くする必要がある。しかも、十分な発振効率を得るためには、ドメインの走行空間（活性層）の不純物濃度と厚さの積を所定の値（例えば、２×１０12／ｃｍ2）に設定する必要がある。そして、動作状態での電流密度は活性層の不純物濃度と飽和電子速度との積により決まり、ミリ波帯域で使用されるガンダイオードは、電流密度の増大により、活性層の温度が上昇し、発振効率が低下してしまうという問題を抱えていた。
【０００５】
従来、このような問題を解決する方法として、本願出願人は、半導体基板の同一面上に同じ高さのカソード電極とアノード電極のバンプ電極を設け、かつ活性層をマルチメサ構造とするガンダイオードを提案している（特許文献１参照）。このような構造のガンダイオードは、放熱効率の良い窒化アルミニウム（ＡｌＮ）等で形成された実装基板上に、フェースダウンの姿勢で実装することができる。この実装構造では、ガンダイオードで発生する熱がバンプ電極を介して実装基板に伝導し、放熱効果を高くすることができる。
【０００６】
一方半導体装置における放熱構造として、半導体素子が形成された半導体基板の裏面に、溝を形成し、この溝を良熱伝導性材料で覆う構造が提案されている（特許文献２参照）。具体的には、半導体基板の結晶方位に依存するＶ字形状の溝を形成することで、半導体基板に形成された溝が発生した熱を良熱伝導性材料（アルミニウム）からなる薄膜に達しやすくするとともに放熱面を増やす働きをするため、効率の良い放熱を行うことができるものである。つまり、良熱伝導性材料を伝導させて、放熱効果を高くするものである。
【特許文献１】特開２００３−１５２２４６号公報
【特許文献２】特開平５−２７５５７９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら従来のバンプ電極を介して活性層で発生した熱を放散する構造のガンダイオードでは、十分な放熱ができず、発振効率が低く、その温度特性も悪いという問題があった。また従来の放熱構造は、半導体素子で発生した熱は、良熱伝導性材料を介して別の基板等に伝導させることで放熱する構造であり、フェースダウンの姿勢で実装されるガンダイオード等の半導体装置では、良熱伝導性材料を別の基板等に接触させることが難しく、放熱効果を向上させることができないという問題があった。本発明は上記問題点解消し、放熱構造から直接熱を外部雰囲気等に放射することができる放熱構造を備えた半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するため本願請求項１に係る発明は、半導体基板上に半導体素子が形成され、該半導体素子で発生する熱を半導体基板の一主面から放出する放熱構造を備えた半導体装置において、前記放熱構造は、前記半導体基板の一主面の少なくとも一部に形成された該半導体基板の結晶方位に依存しない凹部あるいは凸部、半導体基板の一主面の少なくとも一部に形成された前記熱を放射する金属層、あるいは前記凹部あるいは凸部上に形成された前記熱を放射する金属層のいずれかを有することを特徴とするものである。
【０００９】
請求項２に係る発明は、請求項１記載の半導体装置において、前記金属層は、金黒、ビスマス黒、煙着タングステンのいずれかを含むことを特徴とするものである。
【００１０】
請求項３に係る発明は、半導体基板上に半導体素子が形成され、該半導体素子から発する熱を半導体基板の一主面から放出する放熱構造を形成する半導体装置の製造方法において、半導体基板上に半導体素子を形成する工程と、半導体基板の一主面の少なくとも一部をエッチングし、前記半導体基板の結晶方位に依存しない凹部あるいは凸部を形成する工程とを含むことを特徴とするものである。
【００１１】
請求項４に係る発明は、半導体基板上に半導体素子が形成され、該半導体素子から発する熱を半導体基板の一主面から放出する放熱構造を形成する半導体装置の製造方法において、半導体基板上に半導体素子を形成する工程と、半導体基板の少なくとも一部の一主面表面に直接、あるいは該一主面表面をエッチングし、前記半導体基板の結晶方位に依存しない凹部あるいは凸部を形成した後、該凹部あるいは凸部上に、前記熱を放射する金属層を形成する工程とを含むことを特徴とするものである。
【００１２】
請求項５に係る発明は、請求項４記載の半導体装置の製造方法において、前記金属層は、金あるいはビスマスを蒸着して形成した金黒あるいはビスマス黒、または煙着法により形成したタングステンのいずれかを含むことを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、発熱部から熱を放射する際、熱伝導のみならず、放熱構造から直接放射する構造となるため、放熱効率が格段に向上する。本発明をガンダイオードに適用し、発振器を構成した場合、発熱部の温度が低下し、温度特性が向上したことが確認された。そのため、更に発振電力の向上を図ることができた。
【００１４】
本発明の放熱構造の製造方法は、通常の半導体装置の製造工程により形成することができるため、歩留まり良く製造することができる。更に、凸部７ａ上面あるいは周辺凸部９のように一部に平坦領域を形成することにより、実装基板等への組立工程においても、歩留まり良く組立することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下本発明の半導体装置及び半導体装置の製造方法について、いわゆるフリップチップ型半導体装置を例にとり説明する。
【実施例１】
【００１６】
図１は半導体装置に係る発明の第１の実施例を示す。図において１は半導体基板、２は半導体素子が形成される単層あるいは複数の半導体層が積層した半導体層、３は半導体基板の表面上に形成された電極金属、４は電極金属上に形成されたバンプ電極、５は模式的に示した発熱部、６は半導体基板１の裏面に形成され、半導体基板の結晶方位に依存しない凹凸部である。以下図は、半導体装置の表面を下面に、裏面を上面に示す。
【００１７】
半導体素子の動作に伴い、半導体層２の一部が発熱する。この発熱部５は半導体装置の構造により予め予測することができる。そこで本発明では、発熱部５に最も近い半導体基板１の裏面に凹凸部６を形成している。この凹凸部６は、半導体基板１の結晶方位に依存しない不規則な凹部及び凸部が形成された凹凸形状とする。本発明の凹凸形状は、通常の半導体基板の表面（研磨後にエッチングを行い、平面状に加工した表面）あるいは結晶方位に依存したような規則的な形状（例えば従来例で説明した結晶方位に依存したＶ字形状）の場合と比較して、熱の放射が多くなる。即ち、発熱部５から放射される赤外線は、不規則な凹部あるいは凸部形状表面で反射して半導体基板１内にとどまる確率が少なくなり、外部雰囲気へ効率的に放熱が行われることになる。なお凹凸部６は、図示した一ヵ所の発熱部５に対して、一ヵ所の凹凸部６を形成することに限定されるものではなく、半導体基板１の裏面全体に形成することができるし、一ヵ所の発熱部５に対して所望の領域に複数の凹凸部６を形成することもできる。
【実施例２】
【００１８】
図２に第２の実施例を示す。図１に示した第１の実施例の不規則な形状の凹凸部６の代わりに、球状の凸部７を形成している。球状の凸部７を発熱部５からの距離がほぼ一定となる形状とすると、その表面で反射して半導体基板１内にとどまる確率が少なくなり、発熱部５から放射される赤外線を外部へ効率的に放射することができる。なお実施例１同様、凸部７は、図示した一ヵ所の発熱部５に対して、一ヵ所の凸部７を形成することに限定されるものではなく、半導体基板１の裏面全体に形成形成することができるし、一ヵ所の発熱部５に対して所望の領域に複数の凸部７を形成することもできる。
【実施例３】
【００１９】
図３に第３の実施例を示す。図１に示した第１の実施例の不規則な形状の凹凸部６の代わりに、放射効率の高い金属膜８を形成している。放射効率の高い金属膜８は、赤外線の反射の少ない金属膜であり、具体的には表面が鏡面でない金、ビスマス、タングステン等の金属からなる。特に金及びビスマスは、金黒あるいはビスマス黒と呼ばれる、表面が黒色に見えるほど凹凸のある金属膜が放射効率の高い金属膜８となる。このように金属膜８は、発熱部５から放射される熱が半導体基板１の裏面に達すると効率的に吸収し、吸収した熱を金属膜８から外部（外部雰囲気）へ効率的に放射することになる。金属膜８についても、図示した一ヵ所の発熱部５に対して、一ヵ所の金属膜８を形成することに限定されるものではなく、半導体基板１の裏面全体に形成することができるし、一ヵ所の発熱部５に対して所望の領域に複数の金属膜を形成することもできる。
【実施例４】
【００２０】
図４に第４の実施例を示す。図４に示すように上面が平坦な周辺凸部９を形成している。このような構造とすると、フリップチップ型半導体装置を実装する際、半導体装置をピックアップする実装ツールが、周辺凸部９のみに接触し、凹凸部６に接触することがない。なお図４の凹凸部６の代わりに、凸部７、金属膜８を所望の領域に形成することができる。また周辺凸部９は、必ずしも周辺全周にわたって形成する必要はなく、実装ツールの形状に合わせて種々変更することができる。特に金属膜８として金黒、ビスマス黒、煙着タングステンを用いた場合、これらの金属は、実装ツールと接触すると剥がれ等が生じるため、周辺凸部９を備える構造とするのが好ましい。
【実施例５】
【００２１】
更に第５の実施例として、図２に示した凸部７ａの上面を平坦なまま残すこともできる。図５にその構造を示す。図に示す凸部７ａは、曲線状の側面の形状を発熱部５からの距離がほぼ一定となり、上面の平坦部は半導体基板を構成する半導体材料とこの半導体装置が配置される外部雰囲気の屈折率差からなる全反射臨界立体角以内とする。具体的には半導体基板の屈折率をＮｓ、外部雰囲気の屈折率をＮｏとすると、スネル則より、Ｎｓ＞Ｎｏの条件下で全反射臨界角θは、θ＝ｓｉｎ−１（Ｎｏ／Ｎｓ）で与えられ、全反射臨界立体角は２θに相当することになる。
【００２２】
図５に示すように全反射臨界立体角（２θ）以内の範囲を平坦なまま残す構造とすると、球状の凸部７ａの側面表面で反射して半導体基板１内にとどまる確率が少なくなり、発熱部５から放射される赤外線を外部へ効率的に放射することができる。また上面の平坦部は、全反射臨界立体角以内であるので、平坦部からも発熱部５から放射される赤外線を外部へ効率的に放射することができる。更にフリップチップ型半導体装置を実装する際、半導体装置をピックアップする実装ツールが、凸部７ａ上面の平坦部に接触し、図４に示した周辺凸部９のような形状を別途形成する必要がなくなる。なお本実施例においても、凸部７ａ上に金属膜８を形成することができるし、図示した一ヵ所の発熱部５に対して、近い領域に一ヵ所形成することに限定されるものではなく、半導体基板１の裏面全体に形成したり、一ヵ所の発熱部５に対して所望の領域に複数の凸部７ａを形成することもできる。凸部７ａ上に金属膜８を形成する場合は、実装ツールが金属膜８に接触するのを防止するため、周辺凸部９を形成するのが好ましい。
【実施例６】
【００２３】
次に、半導体装置の製造方法に係る発明について説明する。まず上述の第１の実施例で説明した半導体装置の製造方法について説明する。まず表面に半導体素子を形成した半導体基板１を用意する。半導体基板１の裏面の凹凸部６形成予定領域を開口するようにホトレジスト１０をパターニングする（図６ａ）。その後、通常のウエットエッチングを行う。このとき、主に拡散律速性のエッチング液を用いることで、ホトレジストの開口部１０に半導体基板１の結晶方位に依存しない不規則な凹凸部６を形成することができる（図６ｂ）。エッチング液の組成を選択することで、所望の表面荒さの凹凸部６を形成することができる。一例として半導体基板１がＧａＡｓである場合、６０％硝酸でエッチングすることで数μｍ程度の凹凸のある凹凸部６を形成することができた。またエッチング前に、開口部１０に不純物イオンを注入して半導体基板１表面をアモルファス化した後、所望のエッチング液でエッチングしても良い。エッチングマスクはホトレジスト１０に限るものでないことはいうまでもない。
【００２４】
また別の方法としては、ホトレジスト１０をパターニングした後、ウエットエッチングの代わりにドライエッチングを行うこともできる。ドライエッチングの場合は、反応ガス、真空度、印加電圧等を調整することで、所望の荒さの不規則な凹凸部６を形成することができる。
【００２５】
いずれの方法も凹凸部６を形成した後、ホトレジスト１０を除去することで半導体装置が完成する（図６ｃ）。なお、図４に示す周辺凸部９を形成する場合は、予め周辺凸部９をホトレジスト等でマスクして中央部をエッチングにより低くした後、低くなった中央部に上述の工程に従いウエットエッチングあるいはドライエッチングを行い、凹凸部６を形成すればよい。凹凸部６を半導体基板１全面に形成する場合は、半導体基板１の裏面を機械的に研磨し、所望の表面荒さとすることもできる。
【００２６】
このように形成された凹凸部６は、発熱部５から放射される赤外線を不規則な凹部あるいは凸部から外部に放射し、放熱効果の高い放熱構造となる。凹凸部６の形成は、エッチングによるため、極めて簡単である。
【実施例７】
【００２７】
次に上述の第２、第５の実施例で説明した半導体装置の製造方法について説明する。まず表面に半導体素子を形成した半導体基板１を用意する。半導体基板１の裏面の凸部７、７ａ形成予定領域にホトレジスト１０をパターニングする（図７ａ）。ここでホトレジスト１０と半導体基板１との密着性を、通常のホトリソグラフ法による場合より弱くする。具体的には、ポストベーク温度を通常より低くするか、ホストベークを行わない。あるいはホトレジスト塗布前にホトレジストと半導体基板との密着性を向上させるための半導体基板の表面処理を行わない。その後、結晶方位の出ないエッチング液を用いてエッチングを行う。その結果、ホトレジスト１０と半導体基板１との密着性が低いため界面のエッチングが早く進む。ホトレジスト１０の形状の円形とした場合、断面が円弧状になる。ここで、ホトレジスト１０と半導体基板１の接着面が、全反射臨界立体角（２θ）以内の範囲内となるように残してエッチングを停止すると、図６ｂに示すように、上面が平坦な凸部７ａを形成することができる。この形状は、図５に示した凸部７ａとなる。さらにホトレジスト１０と半導体基板１との接着面が残らない状態までエッチングを行うと、図６ｃに示すようにほぼ球状の凸部７を形成することができる。その後、ホトレジスト１０を除去することで半導体装置が完成する（図６ｄ）。凸部７ａを形成する場合は、ホトレジスト１０と半導体基板１の接着面が残る状態でエッチングを停止した後、ホトレジスト１０を除去することで半導体装置が完成する。なお、周辺凸部９を形成する場合は、予め周辺凸部９をマスクして中央部をエッチングにより低くした後、中央部に上述の工程に従いウエットエッチングを行い、凸部７を形成すればよい。
【実施例８】
【００２８】
また、通常のホトリソグラフ法により形成したホトレジストを用いて、半導体基板とホトレジストとの界面のエッチングが早く進むエッチング液を用いても、同様の凸部７、７ａを形成することができる。あるいはホトレジストの代わりに、金属膜をエッチングマスクとして使用すると、エッチング液内での電位差により、半導体基板と金属膜の界面のエッチングが早く進み、凸部７、７ａを形成することができる。
【００２９】
さらに別の方法として、通常のホトリソグラフ法によりホトレジスト１０を形成した後、通常より高温の、あるいは長時間のポストベークを行うことで、図８（ａ）に示すように断面がすそをひいた形状のホトレジスト１０を形成する。その後、ホトレジスト周辺部のすそをひいた部分の厚さに応じて注入される深さが変化する条件で、不純物イオンを注入する（図８ｂ）。半導体基板１表面の不純物イオン注入領域１１は、アモルファス化する。その後、このアモルファス化した不純物イオン注入領域１１をエッチング除去し、ホトレジスト１０を除去することにより球状の凸部７を備えた半導体装置が完成する（図８ｃ）。この方法では、アモルファス化した不純物イオン注入領域１１と不純物イオンが注入されていない半導体基板１との間に、エッチング速度差があるエッチング液を用いることで、再現性良く球状の凸部７を形成することができる。ホトレジスト１０の大きさ、不純物イオンの注入条件を適宜設定することにより、上面に平坦部が残る凸部７ａを形成できることは言うまでもない。
【００３０】
このように形成された球状の凸部７、７ａは、発熱部５からの距離がほぼ一定となり、発熱部５から放射される赤外線を外部へ効率的に放射することができる。また発熱部５からの距離をほぼ一定とする形状の代わりに、ドット状に小さな球状の凸部７、７ａを形成しても、放射効率の向上を図ることができる。
【実施例９】
【００３１】
次に、上述の第３の実施例で説明した半導体装置の製造方法について説明する。まず表面に半導体素子を形成した半導体基板１を用意する。半導体基板１裏面の金膜１２形成予定領域を開口するようにホトレジスト１０をパターニングする（図９ａ）。このときホトレジスト１０の断面形状は、リフトオフ可能な十分な高さの垂直形状、オーバーハング形状、ひさし形状等とする。その後、真空蒸着法により金を蒸着する。真空度、蒸着速度等を調整することにより、蒸着された金膜１２の表面は黒色となり、反射のない金膜、いわゆる金黒とすることができる（図９ｂ）。その後、通常のリフトオフを行い、ホトレジスト１０を除去することにより、金膜１２を備えた半導体装置を完成する（図９ｃ）。このような構造の半導体装置では、発熱部５から放射される熱が半導体基板１の裏面の金膜１２に達すると、金膜１２が熱を効率的に吸収し、さらに吸収した熱を金膜１２から半導体装置の外部（外部雰囲気）へ効率的に放射することになる。なお、ホトレジスト１０を用いず、全面に金膜１２を形成することも可能である。
【００３２】
また、金膜１２の代わりに、ビスマスを真空度、蒸着速度を調整しながら蒸着することで、表面が黒色で反射のない、いわゆるビスマス黒とよばれるビスマス膜を形成しても良い。あるいは、タングステン線を酸素雰囲気で加熱することで酸化タングステンを半導体基板上に付着させる、いわゆる煙着タングステンとすることもできる。また酸化タングステンを水素雰囲気中で還元し、タングステンからなる金属膜（煙着水素還元タングステン）とすることもできる。上述同様、周辺凸部９を形成する場合は、予め周辺凸部９をマスクして、中央部分をエッチングにより低くした後、中央部に上述の工程に従い、金属膜を形成すれば良い。
【００３３】
このように形成された金属膜は、従来の良熱伝導性材料からなる膜と異なり、金属膜自体から熱を放射するものであり、別の放熱基板等に接触させることなく、放熱を行うことができる。
【００３４】
フリップチップ型半導体装置の裏面に、本発明の放熱構造を形成することで、発熱部の熱が半導体装置の裏面の放熱構造から直接外部雰囲気に放熱するため、放熱構造から半導体基板や金属膜を伝導させることで放熱を行う場合と比較して、放熱の効率が高くなることが確認された。具体的には、ガンダイオードに図１に示す放熱構造を形成し、ガンダイオード発振器を構成した場合の温度特性を図１０（ａ）に示す。比較のため放熱構造を備えないガンダイオードを用いてガンダイオード発振器を構成した場合の温度特性を図１０（ｂ）に示す。同一構造のガンダイオードを用い、同一条件で発振させた場合、従来の温度特性が−３０℃〜＋８５℃において−０．０４５ｄＢ／℃であったものが、−０．０２１ｄＢ／℃に向上した。また、発熱部の温度が従来は８０℃であったものが、６５℃に低下したことが確認された。
【００３５】
このように本発明によれば、発熱部の熱を外部に効率的に放射することができるため、半導体装置の特性向上を図ることができる。なお本発明は、ガンダイオードに限らず、高出力半導体装置に適用することが可能であり、化合物半導体のほか種々の半導体装置に適用することが可能である。また、フリップチップ型半導体装置に限定されるものでもない。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】本発明の半導体装置の実施例１を説明する図である。
【図２】本発明の半導体装置の実施例２を説明する図である。
【図３】本発明の半導体装置の実施例３を説明する図である。
【図４】本発明の半導体装置の実施例４を説明する図である。
【図５】本発明の半導体装置の実施例５を説明する図である。
【図６】本発明の半導体装置の製造方法の実施例６を説明する図である。
【図７】本発明の半導体装置の製造方法の実施例７を説明する図である。
【図８】本発明の半導体装置の製造方法の実施例８を説明する図である。
【図９】本発明の半導体装置の製造方法の実施例９を説明する図である。
【図１０】本発明の放熱構造を備えたガンダイオード発振器の温度特性を説明する図である。
【符号の説明】
【００３７】
１：半導体基板、２：半導体層、３：電極金属、４：バンプ電極、５：発熱部、６：凹凸部、７、７ａ：凸部、８：金属膜、９：周辺凸部、１０：ホトレジスト、１１：不純物イオン注入領域、１２：金膜  
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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