(57)【要約】【課題】高解像性と易剥離性とを有するレジスト膜を用いて、バンプを形成すること。【解決手段】複数の電極パッドを表面に有する配線基板上に、少なくとも下記（ａ）〜（ｄ）の工程を行なうことを特徴とする電極パッド上へのバンプ形成方法。（ａ）基板上に、下層がアルカリ可溶性でかつ非感放射線性樹脂組成物からなり、上層がネガ型感放射線性樹脂組成物からなる二層積層膜を形成した後、電極パッドの対応位置に開口パターンを形成する工程（ｂ）前記開口パターン内に低融点金属を導入する工程（ｃ）プレスあるいは加熱処理することで前記低融点金属をリフローしてバンプを形成する工程（ｄ）前記二層積層膜を基板から剥離・除去する工程。【選択図】　　なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の電極パッドを表面に有する配線基板上に、少なくとも下記（ａ）〜（ｄ）の工程を行なうことを特徴とする電極パッド上へのバンプ形成方法。
（ａ）基板上に、下層がアルカリ可溶性でかつ非感放射線性樹脂組成物からなり、上層がネガ型感放射線性樹脂組成物からなる二層積層膜を形成した後、電極パッドの対応位置に開口パターンを形成する工程
（ｂ）前記開口パターン内に低融点金属を導入する工程
（ｃ）プレスあるいは加熱処理することで前記低融点金属をリフローしてバンプを形成する工程
（ｄ）前記二層積層膜を基板から剥離・除去する工程。
【請求項２】
前記（ａ）工程において下層の樹脂組成物が、フェノール性水酸基を有する化合物を含有することを特徴とする請求項１に記載のバンプ形成方法。
【請求項３】
前記（ｄ）工程において、多段の浸漬槽を有する剥離設備を用意し、二層積層膜を一槽目で有機溶剤を用いて剥離するとともに剥離片を循環濾過した後、二槽目以降で該積層膜を有機アルカリ成分が含まれる剥離液により剥離することを特徴とする請求項１〜２のいずれかに記載のバンプ形成方法。
【請求項４】
前記（ｄ）工程において、多段の浸漬槽を有する剥離設備を用意し、二層積層膜を一槽目でジメチルスルホキシドを用いて剥離するとともに剥離片を循環濾過した後、二槽目以降で該積層膜を有機アルカリ成分とジメチルスルホキシドを含有する剥離液により剥離することを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のバンプ形成方法。
【請求項５】
請求項１に記載した複数の電極パッドを表面に有する配線基板が、基材の一部としてのシリコンウェハー上に設けられていることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載のバンプ形成方法。
【請求項６】
請求項１に記載した複数の電極パッドを表面に有する配線基板が、基材の一部としてのガラスエポキシ樹脂またはＢＴ（ビスマレイミド−トリアジン）樹脂上に設けられていることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載のバンプ形成方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、多層プリント配線板にＩＣチップを実装する際に使用される半田バンプ等の低融点金属バンプの形成方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
ＩＣチップ等を実装するために半田バンプ等の低融点金属バンプを形成するには、ＩＣチップ側に形成する場合、また多層プリント基板側に形成する場合がある。
ＩＣチップ側にバンプを形成する例として、ＢＧＡ（Ｂａｌｌ　Ｇｒｉｄ　Ａｒｒａｙ）があるが、これは一般的にはＩＣチップがパッケージ基板に既に搭載された形態のものを指している。
【０００３】
最近の高密度化実装の一形態にＷＬ−ＣＳＰ（ウェハーレベル−チップサイズパッケージ）と呼ばれる技術がある。このＷＬ−ＣＳＰは、１枚のウェハーにＩＣチップの回路を複数形成した後に、ウェハーの状態で、一括して電極形成、パッケージング、さらにはバーンインテストまで実施した後に、ＩＣチップをパッケージとして、切り分ける技術である。
【０００４】
ＷＬ−ＣＳＰにおいて一括して電極形成を行う技術としては、電解メッキ法、金属ペーストを埋め込んだ後リフローする方法、金属ボールの載置した後リフローする方法が挙げられる。
ＩＣチップの高集積化に伴い、ＩＣチップのバンプは、高密度化および小型化が進んでいる。上記ＷＬ−ＣＳＰによる実装技術において、接続の信頼性、加工コストダウンの両立が可能な半田バンプの検討／実用化がすすんできている。具体的には、ワニス状のポジ／ネガ型レジストあるいはドライフィルムを用いて膜厚５０μｍ以上の塗膜を形成し、次いでパターニングし、これをマスク材として、電解メッキする方法等である。
【０００５】
一方、多層プリント配線板側に、半田バンプを形成する場合、これら半田バンプを互いに融着させないため、配線板上にソルダーレジスト層を施こす。このソルダーレジスト層には、電極パッドの対応位置に開口を設けてある。ソルダーレジスト層に半田バンプを形成する際には、半田ペーストのマスク印刷が行われる。マスク印刷に用いられるマスクには、ソルダーレジスト層開口部の対応位置にパターン（開口パターン）が配置させてある。マスク印刷を行う際は、このマスクを、マスクパターンとソルダーレジスト層開口部とを対応させて載置させる。そして、このマスクを介して、半田ペーストを電極パッド上のソルダーレジスト層開口部に印刷する。その後、半田ペーストをリフローして、電極パッドに半田バンプを形成させる。
【０００６】
ソルダーレジスト上にさらに剥離可能なソルダーダムレジスト（特開平１０−３５０２３０号公報）、さらには前記ソルダーレジスト上にさらにドライフィルムをラミネートし、電極パッドに開口部を設け、半田ペーストを供給し、リフロー後、ドライフィルムを剥離する方法（特開２０００−２０８９１１号公報）等により、半田バンプの狭ピッチ化に対応する検討がなされている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
上述のバンプ形成プロセスにおいて、ポジ型レジストを使用した場合、一般に剥離は容易であるが、開口パターンの形状制御が困難であり、バンプサイズの均一性に問題が生じやすい。
これに対してネガ型の場合、パターン形状の制御が比較的容易であるが、光架橋型であるため、剥離は一般に困難である。特にペーストを埋め込んだ後にリフローすることによって半田バンプを形成する場合には、リフロー時の熱により、ネガ型レジストの架橋反応がさらに進行するため、基板からのレジストの剥離はさらに困難となる。
【０００８】
レジスト膜の剥離は、水酸化ナトリウムあるいは炭酸ナトリウム水溶液を用いたスプレー剥離が一般的であるが、ドライフィルム状やワニス状のネガ型レジストを使用する場合は、高極性溶剤に有機アルカリを添加した剥離液によるディップ剥離が用いられるようになってきた。前者の方法は、安価ではあるがバンプが密集した部分で剥離残りが生じやすく、バンプが劣化する場合があるなどの問題が発生しやすく、後者の方法では、剥離液自体が高価であること、一定剥離液量あたりの剥離処理枚数を上げるために有機アルカリ濃度を上げたり、剥離液の温度を上げたりすると、バンプの金属表面が劣化したり、下地の基板表面が腐食するなどの問題点があった。
【０００９】
【発明の概要】
本発明は、上記した問題点を解決するため、図１（ａ）、（ｂ）あるいは図５（ａ）、（ｂ）に示すように基板上に、下層としてアルカリ可溶性でかつ非感放射線性樹脂組成物からなり、上層としてネガ型感放射線性樹脂組成物からなる二層積層膜を形成した後、一度の露光／現像操作により、電極パッドに対応する位置にバンプ形成用の開口パターンを形成する。
【００１０】
また本発明では特性の異なる二層積層膜を用いることで、高解像性と易剥離性の両立が可能となる。すなわち、下層としてフェノール性水酸基を有する化合物を用いることにより、下記のような効果が達成される。
（ａ）下層に適当なアルカリ現像性を付与し、露光／現像操作で一度にパターニングが可能となる。
（ｂ）下層の樹脂組成物が有するフェノール性水酸基が光ラジカルを失活させる効果により、上下層の界面、さらには上下層のインターミキシングが進んだ場合においても、下層と基板の界面での硬化反応を抑制し、二層積層膜の良好な剥離性を保持することが可能となる。
【００１１】
これにより、これまで剥離性が低くて適用が困難であったネガ型レジストを上層１０４として使用することが可能となる。また上層としてネガ型レジストを用いることで、図１（ｂ）あるいは図５（ｂ）に示すようなバンプ形成用開口パターン内に低融点金属１０５を導入する工程に必要なレジストパターンの機械的強度を確保することが可能となる。
【００１２】
また下層１０３は剥離性に優れているため、ジメチルスルホキシドあるいはＮ−メチルピロリドンなどの高極性有機溶剤単独でも剥離が可能となり、しかも架橋反応の進んだ上層部分の剥離片は、これらの高極性有機溶剤に難溶であるため、剥離片を沈降分離あるいは循環濾過により除去しやすいというメリットが生じる。
【００１３】
また多段の浸漬槽を有する剥離設備を用いる場合には、一槽目で有機溶剤により大部分のネガ型レジスト膜の剥離を完了し、二槽目以降でアルカリ成分を含む剥離液により、下層の剥離残りを取る工程を選択することで、剥離液のアルカリ濃度を上げることなく、剥離処理能力をあげることができ、半田バンプおよび下地基板へのダメージを最小限に抑えることが可能となる。
【００１４】
【発明の具体的説明】
以下、本発明の一実施形態について図面を参照して説明する。
本発明の第一の実施形態による電極パッド上へのバンプ形成方法について、図２を用いてより詳細に説明する。本実施形態においては、複数の電極パッド２０１を表面に有する配線が、基材としてのシリコンウェハー２０３上に形成されており、かつ開口パターン内に低融点金属を導入する工程として半田ペーストに代表される低融点金属ペーストを充填する方法を選択している。なお電極パッド２０１の両側面および該パットの両側端面上には、パッシベーション膜２０２が形成されている。
【００１５】
金属パッド２０１が半導体全面にエリア状に配置された半導体チップウェハーの断面構造を図２（ａ）に示す。シリコン基板２０３の表面上に金属パッド２０１が形成され、金属パッド２０１の表面が露出した状態で表面は、たとえば１μｍのパッシベーション膜２０２が覆っている。
図２（ｂ）に示されるように、ウェハー全面に電極金属の金属拡散防止膜２０４をスパッタ法、蒸着法等で形成する。金属拡散防止膜２０４はＮｉ，Ｃｒ，ＴｉＮ，ＴａＮ，Ｔａ，Ｎｂ，ＷＮのいずれかを用いて、たとえば１μｍの膜厚で形成する。この金属拡散防止膜２０４は単層膜であっても積層膜であってもよい。
【００１６】
図２（ｃ）に示されるように、ウェハー全面にたとえばＴｉ、Ｎｉ、Ｐｄなどのバリアメタル膜を、スパッタ装置、電子ビーム蒸着装置等を用いてそれぞれ数千オングストロームの膜厚で積層してバリアメタル層２０５を形成する。
図２（ｄ）に示されるように、バリアメタル層２０５の全面に、下層２０６としてアルカリ可溶性でかつ非感放射線性樹脂組成物からなり、上層２０７としてネガ型感放射線性樹脂組成物からなる二層積層膜を形成する。
【００１７】
たとえば液状下層材を２〜３μｍの膜厚で塗布して下層２０６を形成する。さらに下層２０６上に液状のネガ型レジスト、ドライフィルムレジストのいずれかを５０μｍ以上の膜厚で形成し、上層２０７を形成する。下層２０６と上層２０７とからなる積層膜に対し、マスクを介して放射線を照射した後現像して、電極パッド２０１上のバンプ形成用個所に対応する位置にバンプ形成用開口部２２０を形成する。
【００１８】
上述の方法を含めて二層積層膜の形成方法としては、
▲１▼下層が液状、上層が液状レジスト
▲２▼下層が液状、上層がドライフィルムレジスト
▲３▼下層がドライフィルム、上層が液状レジスト
▲４▼下層がドライフィルム、上層がドライフィルムレジスト
▲５▼下層／上層の二層構造を有するドライフィルム
等の組み合わせが可能である。
【００１９】
図２（ｅ）に示されるように、上記バンプ形成用開口部にスキージ２０９等を使用して、たとえば半田ペーストのような低融点金属ペースト２０８を埋めこむ。
図２（ｆ）および（ｇ）に示されるように、金属ペーストを埋め込んだ半導体ウェハーを窒素雰囲気中で加熱し、金属ペーストをリフローしてバンプ２１０を形成する。
【００２０】
図２（ｈ）に示されるように、積層膜を剥離する。このあと、電気的なテストを行い、ダイシングを行ってチップに分割し、フリップチップ実装を行う。
本実施の形態では、低融点金属ペーストとして半田ペーストを例示したが、Ｓｎ，Ｐｂ，Ａｇ，Ｂｉ，Ｚｎ，Ｉｎ，Ｓｂ，Ｃｕ，Ｂｉ，Ｇｅ等の金属が混合された混合金属を用いても良好な信頼性が得られる。なお、半田バンプを形成する際に、スキージを用いてバンプ形成用開口部２２０に埋め込む方法以外にも、半田ボール３０８を搭載する第二の実施形態（図３）や、半田を電解メッキにより低融点金属膜４０８を形成する第三の実施形態（図４）を用いて形成してもよい。
【００２１】
また金属ペーストをリフローした後、フラックス洗浄を行なってもよい。
図５（ａ）〜（ｄ）は、いわゆる多層プリント配線板に本発明によってバンプを形成する場合の説明図である。この図５の層間樹脂絶縁層の下方は、導体回路と層間樹脂絶縁層がそれぞれ一層ずつ形成されているが、交互に複数層形成されているのが通常の形態である。
【００２２】
本発明の第四の実施形態による電極パッド上へのバンプ形成方法について、図６を用いて説明する。本実施形態においては、複数の電極パッド６０５およびその側面にソルダーレジスト６１１を表面に有する配線基板が、基材の一部としてガラスエポキシ樹脂またはＢＴ（ビスマレイミド−トリアジン）樹脂６１５上に層間樹脂絶縁層６０２を介して設けられており、かつバンプ形成用開口６０８内に低融点金属を導入する工程として半田ペーストに代表される低融点金属ペースト６１０をスキージにより充填する方法が用いられている。
【００２３】
電極パッド６０５が半導体全面にエリア状に配置された配線基板の断面構造を図６（ａ）に示す。層間樹脂絶縁層６０２と導体回路６０３とをガラスエポキシ樹脂６１５上に有する多層積層板である配線基板の一部にメッキにより形成されたバイアホール６０４により、上下の導通が確保されている。層間樹脂絶縁層６０２の上にソルダーレジスト６１１を塗布し、底部に電極となる開口部を形成する。この開口部の底部には導体回路の一部が露出しており、この上に無電界メッキ等により電極パッド６０５を形成する。この上に下層６０６としてアルカリ可溶性でかつ非感放射線性樹脂組成物からなり、上層６０７としてネガ型感放射線性樹脂組成物からなる二層積層膜を形成する。
【００２４】
たとえば液状下層材を２〜３μｍの膜厚で塗布して下層６０６を形成する。さらに下層６０６上に液状のネガ型レジスト、ドライフィルムレジストのいずれかを４０μｍ以上の膜厚で形成し、上層６０７を形成する。ついでこの積層膜をパターン露光した後、現像することにより半田バンプ形成用開口６０８を形成する。
上述の方法を含めて二層積層膜の形成方法としては、シリコンウェハーを基材とした場合と同様に、
▲１▼下層が液状、上層が液状レジスト
▲２▼下層が液状、上層がドライフィルムレジスト
▲３▼下層がドライフィルム、上層が液状レジスト
▲４▼下層がドライフィルム、上層がドライフィルムレジスト
▲５▼下層／上層の二層構造を有するドライフィルム
等の組み合わせが可能である。
【００２５】
図６（ｃ）に示されるように、このバンプ形成用開口部にスキージ６０９等を使用して、たとえばハンダペーストのような低融点金属ペースト６１０を埋め込む。
次いで図１ないし図５に示されると同様にして、図６（ｄ）〜（ｅ）に示されるように、金属ペーストを埋め込んだ半導体ウェハーを窒素雰囲気中で加熱し、金属ペーストをリフローしてバンプを形成する。
【００２６】
その後図６（ｆ）に示されるように、積層膜を剥離する。
上記実施例では、低融点金属ペーストとして半田ペーストを例示したが、Ｓｎ，Ｐｂ，Ａｇ，Ｂｉ，Ｚｎ，Ｉｎ，Ｓｂ，Ｃｕ，Ｂｉ，Ｇｅ等の金属が混合された混合金属を用いても良好な信頼性が得られる。なお、低融点金属バンプ好ましくは半田バンプを形成する際に、スキージを用いて開口部に埋め込む方法以外にも、低融点ボール（半田ボール）７０８を搭載する第五の実施形態（図７）や、半田などの低融点金属を電解メッキにより低融点金属膜８０８を形成する第六の実施形態（図８）を用いて形成してもよい。
【００２７】
また金属ペーストをリフローした後、形成されたバンプ上にフラックス洗浄を行なってもよい。
以下、本発明の下層材と上層材について詳細に説明する。
下層
本発明に用いられる下層は、アルカリ可溶性化合物好ましくはフェノール性水酸基を有するアルカリ可溶性化合物を含有していること以外は特に制限はないが、以下のような組成のものが好ましい。
【００２８】
なお、下層を形成するには、アルカリ可溶性でかつ非感放射線性樹脂組成物が用いられ、液状でもドライフィルム状であってもよい。
［フェノール性水酸基を有するアルカリ可溶性化合物：Ａ成分］
本発明で用いられる上記化合物（以下化合物（Ａ）という）は、フェノール骨格が１０以下の低分子量の化合物と、ノボラック樹脂あるいはポリ（４−ヒドロキシスチレン）などの高分子量の重合体とに大別される。
【００２９】
低分子量の化合物（Ａ）を用いた場合には、開口部を形成する際に使用する現像液は、炭酸ナトリウムなどの比較的アルカリ性の弱い現像液であることが好ましい。また高分子量の重合体を用いた場合には、開口部を形成する際に使用する現像液は、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドなどの比較的アルカリ性の強い現像液であることが好ましい。
【００３０】
低分子量のものの例としては、４，４’−［１−［４［１−（４−ヒドロキシフェニル）−１−メチルエチル］フェニル］エチリデン］ジフェノール、２，２−ビス（１，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオン酸メチルエステル、４，６−ビス［１−（４−ヒドロキシフェニル）−１−メチルエチル］−１，３−ベンゼンジオールなどが挙げられる。
【００３１】
またこれら以外にも熱重合禁止剤として、一般に用いられている化合物も使用することができる。たとえば、ピロガロ−ル、ベンゾキノン、ヒドロキノン、メチレンブル−、ｔｅｒｔ−ブチルカテコ−ル、モノベンジルエーテル、メチルヒドロキノン、アミルキノン、アミロキシヒドロキノン、ｎ−ブチルフェノール、フェノール、ヒドロキノンモノプロピルエーテル、４，４’−（１−メチルエチリデン）ビス（２−メチルフェノール）、４，４’−（１−メチルエチリデン）ビス（２，６−ジメチルフェノール）、４，４’，４”−エチリデントリス（２−メチルフェノール）、４，４’，４”−エチリデントリスフェノール、１，１，３−トリス（２，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）−３−フェニルプロパンなどを挙げることができる。
【００３２】
高分子量のものの例としては、フェノール性水酸基を有する重合体として、以下に示すノボラック樹脂、ポリヒドロキシスチレンおよびその誘導体が挙げられる。これらは単独で使用することもできるが、混合して使用してもよい。
（ノボラック樹脂）：
本発明において用いられるアルカリ可溶性ノボラック樹脂は、ｍ−クレゾールと他の１種以上のフェノール類とをアルデヒド化合物と縮合して得られる樹脂であって、ｍ−クレゾールの割合が全フェノール類中の５０〜９０モル％であるアルカリ可溶性ノボラック樹脂であれば特に制限されない。
【００３３】
ノボラック樹脂の原料に用いられる前記他のフェノール類としては、具体的には、たとえば、２，３−キシレノール、２，４−キシレノール、２，５−キシレノール、３，４−キシレノール、３，５−キシレノールおよび２，３，５−トリメチルフェノールなどを挙げることができる。これらは、単独でまたは２種以上組み合わせて用いることができる。
【００３４】
これらのうちでは、２，３−キシレノール、２，４−キシレノール、３，４−キシレノールおよび２，３，５−トリメチルフェノールを好ましく挙げることができる。
また、ｍ−クレゾールと他の１種以上のフェノール類との好ましい組み合わせとしては、ｍ−クレゾール／２，３−キシレノール、ｍ−クレゾール／２，４−キシレノール、ｍ−クレゾール／２，３−キシレノール／３，４−キシレノール、ｍ−クレゾール／２，３，５−トリメチルフェノールおよびｍ−クレゾール／２，３−キシレノール／２，３，５−トリメチルフェノールなどを挙げることができる。
【００３５】
また、縮合させるアルデヒド化合物としては、たとえばホルムアルデヒド、パラホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、ベンズアルデヒド、ｏ−ヒドロキシベンズアルデヒド、ｍ−ヒドロキシベンズアルデヒド、ｐ−ヒドロキシベンズアルデヒド、グリオキサール、グルタルアルデヒド、テレフタルアルデヒド、イソフタルアルデヒド等を挙げることができる。これらのうち、特に、ホルムアルデヒド、ｏ−ヒドロキシベンズアルデヒドを好適に用いることができる。
【００３６】
これらのアルデヒド類も単独でまたは２種以上を組み合わせて用いることができる。このようなアルデヒド化合物を、フェノール類１モルに対し、好ましくは０．４〜２モル、より好ましくは０．６〜１．５モルの量で使用することが望ましい。
フェノール類とアルデヒド化合物との縮合反応には、通常、酸性触媒が使用される。この酸性触媒としては、たとえば塩酸、硝酸、硫酸、ギ酸、シュウ酸、酢酸、メタンスルホン酸、ｐ−トルエンスルホン酸等を挙げることができる。このような酸性触媒は、通常、フェノール類１モルに対し、１×１０−５〜５×１０−１モルの量で使用することができる。
【００３７】
縮合反応においては、通常、反応媒質として水が使用されるが、反応初期から不均一系になる場合は、反応媒質としてたとえばメタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール、プロピレングリコールモノメチルエーテル等のアルコール類、テトラヒドロフラン、ジオキサン等の環状エーテル類、エチルメチルケトン、メチルイソブチルケトン、２−ヘプタノン等のケトン類を用いることができる。これらの反応媒質は、通常、反応原料１００重量部当り、２０〜１，０００重量部の量で使用される。
【００３８】
縮合反応の温度は、原料の反応性に応じて、適宜調整することができるが、通常１０〜２００℃である。
反応方法としては、フェノール類、アルデヒド化合物、酸性触媒等を一括して仕込む方法および酸性触媒の存在下にフェノール類、アルデヒド化合物等を反応の進行とともに加えていく方法等を適宜採用することができる。
【００３９】
縮合反応終了後は、系内に存在する未反応原料、酸性触媒、反応媒質等を除去するために、反応温度を１３０℃〜２３０℃に上昇させ、減圧下で揮発分を除去し、ノボラック樹脂を回収する方法や、得られたノボラック樹脂をエチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、３−メトキシプロピオン酸メチル、乳酸エチル、メチルイソブチルケトン、２−ヘプタノン、ジオキサン、メタノール、酢酸エチル等の良溶媒に溶解したのち、水、ｎ−ヘキサン、ｎ−ヘプタン等の貧溶媒を混合し、次いで、析出する樹脂溶液層を分離し、高分子量のノボラック樹脂を回収する方法もある。
【００４０】
また、前記ノボラック樹脂のポリスチレン換算重量平均分子量（以下、「Ｍｗ」という。）は、組成物を製膜する際の作業性、レジストとして使用する際の現像性、感度および耐熱性の点から、２，０００〜２０，０００であることが好ましく、３，０００〜１５，０００であることが特に好ましい。
（ポリヒドロキシスチレン）
本発明に用いることができるポリヒドロキシスチレン類としては、マルカリンカーＭ，マルカリンカーＣＭＭ、マルカリンカーＣＨＭ、マルカリンカーＭＢ、マルカリンカーＰＨＭ−Ｃ、マルカリンカーＣＳＴ、マルカリンカーＣＢＡ（丸善石油化学（株）製）などの名称で市販されている樹脂が挙げられる。
〔溶剤：Ｂ成分〕
上記Ａ成分を溶解し、塗布する目的で溶剤を用いることができる。溶剤は、化合物Ａを良好に溶解すれば特に制限されない。溶剤の例としては、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノプロピルエーテルアセテート、トルエン、キシレン、メチルエチルケトン、２−ヘプタノン、３−ヘプタノン、４−ヘプタノン、シクロヘキサノン、２−ヒドロキシプロピオン酸エチル、２−ヒドロキシ−２−メチルプロピオン酸エチル、エトキシ酢酸エチル、ヒドロキシ酢酸エチル、２−ヒドロキシ−３−メチルブタン酸メチル、３−メトキシプロピオン酸メチル、３−エトキシプロピオン酸エチル、３−メトキシプロピオン酸エチル、酢酸ブチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル等を挙げることができる。さらに、Ｎ−メチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルホルムアニリド、Ｎ−メチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドン、ジメチルスルホキシド、ベンジルエチルエーテル、ジヘキシルエーテル、アセトニルアセトン、イソホロン、カプロン酸、カプリル酸、１−オクタノール、１−ノナノール、ベンジルアルコール、酢酸ベンジル、安息香酸エチル、シュウ酸ジエチル、マレイン酸ジエチル、γ−ブチロラクトン、炭酸エチレン、炭酸プロピレン、エチレングリコールモノフェニルエーテルアセテート等の高沸点溶剤を添加することもできる。これらの溶剤は、単独でまたは２種以上を組み合わせて使用することができる。これらのうちでは、２−ヒドロキシプロピオン酸エチルやプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートが好ましい。
〔アクリル樹脂：Ｃ成分〕
特にＡ成分として低分子量のフェノール性水酸基を有する化合物を用いた場合、塗布性の向上、塗膜の性状を安定させる目的で、以下に示すようなアルカリ可溶性アクリル樹脂を添加することができる。
【００４１】
アクリル樹脂の組成に特に制限はないが、（メタ）アクリル酸エステルから導かれる単位に加えてアルカリ可溶性を付与するためにカルボキシル基および／またはフェノール性水酸基を有するラジカル重合性化合物から導かれる単位を含有するものである。
カルボキシル基を有するラジカル重合性化合物としては、たとえばアクリル酸、メタアクリル酸などが使用できる。
【００４２】
フェノール性水酸基を有するラジカル重合性化合物としてｐ−ヒドロキシスチレン、ｍ−ヒドロキシスチレン、ｏ−ヒドロキシスチレン、α−メチル−ｐ−ヒドロキシスチレン、α−メチル−ｍ−ヒドロキシスチレン、α−メチル−ｏ−ヒドロキシスチレン、４−イソプロペニルフェノール、２−アリルフェノール、４−アリルフェノール、２−アリル−６−メチルフェノール、２−アリル−６−メトキシフェノール、４−アリル−２−メトキシフェノール、４−アリル−２，６−ジメトキシフェノール、４−アリルオキシ−２−ヒドロキシベンゾフェノン等のフェノール性水酸基を有するビニル系モノマーなどが使用できる。これらの化合物は単独でもしくは２種以上組み合わせて使用できる。これらの中ではｐ−ヒドロキシスチレン、４−イソプロペニルフェノールが好ましい。
【００４３】
このようなアクリル共重合体中にしめるカルボキシル基を有するラジカル重合性化合物および／またはフェノール性水酸基を有するラジカル重合性化合物から導かれる単位は、それら単独あるいは組み合わせで１〜６０重量％であり、好ましくは５〜５０重量％である。５重量％未満であると、アクリル共重合体がアルカリ現像液に溶解しにくくなるので現像後に膜残りを生じ十分な解像度を得ることができない。逆に５０重量％を超えると、アクリル共重合体のアルカリ現像液に対する溶解性が大きくなりすぎて、二層化した際にアンダーカット形状になりやすい。
〔界面活性剤：Ｄ成分〕
この組成物には、塗布性、消泡性、レベリング性などを向上させる目的で界面活性剤を配合することもできる。界面活性剤としては、例えばＢＭ−１０００、ＢＭ−１１００（ＢＭ　ケミー社製）、メガファックＦ１４２Ｄ、同Ｆ１７２、同Ｆ１７３、同Ｆ１８３（大日本インキ化学工業（株）製）、フロラードＦＣ−１３５、同ＦＣ−１７０Ｃ、同ＦＣ−４３０、同ＦＣ−４３１（住友スリーエム（株）製）、サーフロンＳ−１１２、同Ｓ−１１３、同Ｓ−１３１、同Ｓ−１４１、同Ｓ−１４５（旭硝子（株）製）、ＳＨ−２８ＰＡ、同−１９０、同−１９３、ＳＺ−６０３２、ＳＦ−８４２８（東レシリコーン（株）製）などの名称で市販されているフッ素系界面活性剤を使用することができる。これらの界面活性剤の使用量は、共重合体（Ａ）１００重量部に対して好ましくは５重量部以下である。
【００４４】
本発明に用いられる下層材には、その他の成分を含有することができる。具体的にはフェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノール型エポキシ樹脂、トリスフェノール型エポキシ樹脂、テトラフェノール型エポキシ樹脂、フェノール−キシリレン型エポキシ樹脂、ナフトール−キシリレン型エポキシ樹脂、フェノール−ナフトール型エポキシ樹脂、フェノール−ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂などが挙げられる。また、無機充填剤を添加することもでき、具体的にはシリカ、水酸化アルミニウム、硫酸バリウムなどが挙げられる。さらに、高分子添加剤、反応性希釈剤、レベリング剤、濡れ性改良剤、可塑剤、酸化防止剤、帯電防止剤、防カビ剤、調湿剤、難燃剤などを含有させることもできる。
上層
上層を形成するには、ネガ型感放射線性樹脂組成物が用いられ、ワニス状でもドライフィルム状であってもよい。
【００４５】
このようなネガ型感放射線性樹脂組成物としては、たとえば、特開平８−３０１９１１号公報に記載されているような感放射線性樹脂組成物を用いることができる。
この感放射線性樹脂組成物は、アクリル樹脂（上記Ｃ成分）、架橋剤（Ｅ成分）、開始剤（Ｆ成分）、溶剤（上記Ｂ成分）、界面活性剤（上記Ｄ成分）等から構成される。
〔架橋剤：Ｅ成分〕
架橋剤（Ｅ成分）としては、例えばトリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、テトラエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ポリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、１，４−ブタンジオールジ（メタ）アクリレート、ブチレングリコールジ（メタ）アクリレート、プロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパンジ（メタ）アクリレート、１，６−ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、トリス（２−ヒドロキシエチル）イソシアヌレートトリ（メタ）アクリレート、トリス（２−ヒドロキシエチル）イソシアヌレートジ（メタ）アクリレート、トリシクロデカンジメタノールジ（メタ）アクリレート、ビスフェノールＡのジグリシジルエーテルに（メタ）アクリル酸を付加させたエポキシ（メタ）アクリレート、ビスフェノールＡジ（メタ）アクリロイルオキシエチルエーテル、ビスフェノールＡジ（メタ）アクリロイルオキシエチルオキシエチルエーテル、ビスフェノールＡジ（メタ）アクリロイルオキシロキシメチルエチルエーテル、テトラメチロールプロパンテトラ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレートなどが挙げられる。
【００４６】
これら架橋剤（Ｅ成分）は、市販されている化合物をそのまま用いることもできる。市販されている化合物の具体例としては、アロニックスＭ−２１０、同Ｍ−３０９、同Ｍ−３１０、同Ｍ−４００、同Ｍ−７１００、同Ｍ−８０３０、同Ｍ−８０６０、同Ｍ−８１００、同Ｍ−９０５０、同Ｍ−２４０、同Ｍ−２４５、同Ｍ−６１００、同Ｍ−６２００、同Ｍ−６２５０、同Ｍ−６３００、同Ｍ−６４００、同Ｍ−６５００（以上、東亞合成（株）製）、ＫＡＹＡＲＡＤ　Ｒ−５５１、同Ｒ−７１２、同ＴＭＰＴＡ、同ＨＤＤＡ、同ＴＰＧＤＡ、同ＰＥＧ４００ＤＡ、同ＭＡＮＤＡ、同ＨＸ−２２０、同ＨＸ−６２０、同Ｒ−６０４、同ＤＰＣＡ−２０、ＤＰＣＡ−３０、同ＤＰＣＡ−６０、同ＤＰＣＡ−１２０（以上、日本化薬（株）製）、ビスコート＃２９５、同３００、同２６０、同３１２、同３３５ＨＰ、同３６０、同ＧＰＴ、同３ＰＡ、同４００（以上、大阪有機化学工業（株）製）等をあげることができる。
【００４７】
これら架橋剤（Ｅ成分）は単独でまたは２種以上を併用してもよく、アクリル樹脂（Ｃ成分）１００重量部に対して好ましくは１０〜２５０重量部、より好ましくは２０〜２００重量部、特に好ましくは２５〜１５０重量部である。１０重量部未満であると、露光時の感度が低下しやすく、２５０重量部を越えると共重合体（Ａ）との相溶性が悪くなり、保存安定性が低下したり、２０μｍ以上の厚膜を形成することが困難になる場合がある。
〔放射線ラジカル重合開始剤：Ｆ成分〕
放射線ラジカル重合開始剤（以下、開始剤：Ｆ成分という）としては、例えばベンジル、ジアセチルなどのα−ジケトン類；ベンゾインなどのアシロイン類；ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテルなどのアシロインエーテル類；チオキサントン、２，４−ジエチルチオキサントン、チオキサントン−４−スルホン酸、ベンゾフェノン、４，４′−ビス（ジメチルアミノ）ベンゾフェノン、４，４′−ビス（ジエチルアミノ）ベンゾフェノンなどのベンゾフェノン類；アセトフェノン、ｐ−ジメチルアミノアセトフェノン、α，α−ジメトキシ−α−アセトキシベンゾフェノン、α，α−ジメトキシ−α−フェニルアセトフェノン、ｐ−メトキシアセトフェノン、１−［２−メチル−４−メチルチオフェニル］−２−モルフォリノ−１−プロパノン、α，α−ジメトキシ−α−モルホリノ−メチルチオフェニルアセトフェノン、２−ベンジル−２−ジメチルアミノ−１−（４−モルフォリノフェニル）−ブタン−１−オンなどのアセトフェノン類；アントラキノン、１，４−ナフトキノンなどのキノン類；フェナシルクロライド、トリブロモメチルフェニルスルホン、トリス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジンなどのハロゲン化合物；［１，２’−ビスイミダゾール］−３，３’，４，４’−テトラフェニル、［１，２’−ビスイミダゾール］−１，２’−ジクロロフェニル−３，３’，４，４’−テトラフェニルなどのビスイミダゾール類、ジ−ｔｅｒｔ−ブチルパ−オキサイドなどの過酸化物；２，４，６−トリメチルベンゾイルジフェニルフォスフィンオキサイドなどのアシルフォスフィンオキサイド類などが挙げられ、また、市販品としては、イルガキュア１８４、６５１、５００、９０７、ＣＧＩ３６９、ＣＧ２４−６１（以上、チバスペシャルティケミカルズ（株）製）、ルシリンＬＲ８７２８、ルシリンＴＰＯ（以上、ＢＡＳＦ（株）製）、ダロキュア１１１６、１１７３（以上、チバスペシャルティケミカルズ（株）製）、ユベクリルＰ３６（ＵＣＢ（株）製）などを挙げることができる。また、必要に応じてメルカプトベンゾチアゾール、メルカプトベンゾオキサゾールのような水素供与性を有する化合物を上記光ラジカル重合開始剤と併用することもできる。
【００４８】
上述した種々の放射線ラジカル重合開始剤の中で好ましい化合物としては、１−［２−メチル−４−メチルチオフェニル］−２−モルフォリノ−１−プロパノン、２−ベンジル−２−ジメチルアミノ−１−（４−モルフォリノフェニル）−ブタン−１−オン、α，α−ジメトキシ−α−フェニルアセトフェノンなどのアセトフェノン類、フェナシルクロライド、トリブロモメチルフェニルスルホン、２，４，６−トリメチルベンゾイルジフェニルフォスフィンオキサイド、１，２’−ビスイミダゾール類と４，４’−ジエチルアミノベンゾフェノンとメルカプトベンゾチアゾールとの併用、ルシリンＴＰＯ、イルガキュア６５１などを挙げることができる。これらの化合物は単独でまたは２種以上組み合わせて使用することができる。その使用量は、アルカリ可溶性共重合体（Ａ）１００重量部に対して好ましくは０．１〜６０重量部、より好ましくは５〜５０重量部、特に好ましくは１０〜４０重量部である。この使用量が１重量％以下であると、酸素によるラジカルの失活の影響（感度の低下）を受けやすく、また６０重量％を越えると、相溶性が悪くなったり、保存安定性が低下する傾向がある。また、これら放射線ラジカル重合開始剤と放射線増感剤とを併用することも可能である。
【００４９】
下層および上層の形成方法
本発明では、所定の配線パターンを有する基板上などにまず下層を塗布またはラミネートし、次いで上層を塗布またはラミネートした後、所望の塗膜を形成することができる。基板上への形成方法としては、材料が液状の場合、ディッピング法、スピンコート法、ロールコート法、スクリーン印刷法、アプリケーター法、カーテンコーター法等の方法を採用することができる。また材料がフィルム状の場合、ラミネート法、真空ラミネート法等の方法を採用することができる。なお、下層および上層の乾燥条件は、組成物中の各成分の種類、配合割合、塗布膜厚等によって異なるが、通常は７０〜１２０℃で５〜２０分間程度であり、好ましくは８０〜１００℃である。乾燥時間が短すぎると、現像時の密着状態が悪くなり、また、長すぎると熱かぶりによる解像度の低下を招く。
【００５０】
また下層材と上層材をあらかじめ二層構造のドライフィルムとし、一度のラミネートにより、基板上に二層を形成することができる。
放射線照射方法
得られた塗膜に所定のパターンのマスクを介して、波長が３００〜５００ｎｍの紫外線または可視光線を照射する。これらの放射線の線源として、低圧水銀灯、高圧水銀灯、超高圧水銀灯、メタルハライドランプ、アルゴンガスレーザーなどを用いることができる。ここで放射線とは、紫外線、可視光線、遠紫外線、Ｘ線、電子線などを意味する。放射線照射量は、組成物中の各成分の種類、配合量、塗膜の膜厚などによって異なるが、例えば超高圧水銀灯使用の場合、１００〜５００ｍＪ／ｃｍ２　である。
【００５１】
現像方法
放射線照射後の現像方法としては、アルカリ性水溶液を現像液として用いて、不要な部分を溶解、除去し、放射線照射部分のみ残存させる。現像液としては、たとえば水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、アンモニア水、エチルアミン、ｎ−プロピルアミン、ジエチルアミン、ジ−ｎ−プロピルアミン、トリエチルアミン、メチルジエチルアミン、ジメチルエタノールアミン、トリエタノールアミン、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、ピロール、ピペリジン、１，８−ジアザビシクロ［５，４，０］−７−ウンデセン、１，５−ジアザビシクロ［４，３，０］−５−ノナンなどのアルカリ類の水溶液を使用することができる。また上記アルカリ類の水溶液にメタノール、エタノールなどの水溶性有機溶媒や界面活性剤を適当量添加した水溶液を現像液として使用することもできる。現像時間は、組成物各成分の種類、配合割合、組成物の乾燥膜厚によって異なるが、通常３０〜３６０秒間であり、また現像の方法は液盛り法、ディッピング法、パドル法、スプレー現像法などのいずれでも良い。現像後は、流水洗浄を３０〜９０秒間行い、エアーガンなどを用いて風乾させたり、オーブン中で乾燥させる。
【００５２】
上記のような現像液を用いて現像すると、上層では放射線照射部分のみが残存し、また下層では、上層のうち除去された部分（放射線非照射部）に対応する部分のみが溶解除去する。
この後残存したレジスト膜に、後露光や加熱をすることによってさらにレジスト膜を硬化させてもよい。
【００５３】
バンプの形成
次いで上述したように開口パターンに、たとえばハンダペーストなどの低融点金属を導入して、加熱リフローしてバンプを形成する。また開口パターンに低融点金属を導入する他の方法として、たとえば半田ボールを直接搭載する方法、あるいは電解メッキ等がある。
【００５４】
剥離処理
バンプを形成した後に、基板上に残存する硬化物を剥離する方法としては、５０〜８０℃にて撹拌中の剥離液に該基板を５〜３０分間浸漬することによって、硬化膜（レジスト膜）を剥離することができる。この際使用する剥離液としては、ジメチルスルホキシド単独あるいは第４級アンモニウム塩とジメチルスルホキシドと水の混合溶液を使用することが好ましい。
【００５５】
より具体的には、基板から二層積層膜を剥離・除去するには、多段の浸漬槽を有する剥離設備を用意し、二層積層膜を一槽目で適当な有機溶剤を用いて剥離するとともに剥離片を循環濾過した後、二槽目以降で該積層膜を有機アルカリ成分が含まれる剥離液により剥離することができる。
さらに、多段の浸漬槽を有する剥離設備を用意し、二層積層膜を一槽目でジメチルスルホキシドを用いて剥離するとともに剥離片を循環濾過した後、二槽目以降で該積層膜を有機アルカリ成分とジメチルスルホキシドを含有する剥離液により剥離することが好ましい。
【００５６】
【実施例】
以下に本発明を実施例により具体的に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。また特にことわりのない限り、部は重量部、％は重量％を示す。
下層材と上層材の原料を以下に列記する。
（Ａ成分：フェノール性水酸基を有する化合物）
Ａ−１　：　ｍ−クレゾールとｐ−クレゾールを重量比４０：６０の割合で混合し、これにホルマリンを加え、シュウ酸触媒を用いて常法により縮合してクレゾールノボラックを得た。この樹脂に対して分別処理を施し、低分子領域をカットして重量平均分子量１２０００のノボラック樹脂を得た。
【００５７】
Ａ−２　：　４、４’−［１−［４［１−（４−ヒドロキシフェニル）−１−メチルエチル］フェニル］エチリデン］ジフェノール
（Ｂ成分：溶剤）
Ｂ−１：プロピレングリコールモノメチルエーテル
Ｂ−２：２−ヒドロキシプロピオン酸エチル
Ｂ−３：２−ヘプタノン
（Ｃ成分：アクリル樹脂）
Ｃ−１：
ドライアイス／メタノール環流器と温度計の付いたフラスコを窒素置換した後、重合開始剤として２，２′−アゾビスイソブチロニトリル４．０ｇ、溶媒として２−ヒドロキシプロピオン酸エチルを１２０ｇ仕込み、重合開始剤が溶解するまで攪拌した。引き続いて、アクリル酸２０．０ｇ、ｐ−イソプロペニルフェノール１０．０ｇ、ｎ−ブチルメタクリレート３０．０ｇ、メチルメタクリレート２０．０ｇ、ｎ−ブチルアクリレート２０．０ｇを仕込んだ後、ゆるやかに攪拌を始めた。その後、溶液の温度を８０℃に上昇させ、この温度で４時間重合し、さらに１００℃に昇温してこの温度で１時間重合を行なった。その後、室温まで放冷し、フラスコ内を空気で置換した。反応生成物を多量のメタノールに滴下して反応物を凝固させた。この凝固物を水洗後、凝固物と同重量のテトラヒドロフランに再溶解し、多量のメタノールで再度凝固させた。この再溶解−凝固操作を計３回行った後、得られた凝固物を４０℃で４８時間真空乾燥し、アクリル樹脂Ｃ−１を得た。
【００５８】
Ｃ−２：
ドライアイス／メタノール環流器と温度計の付いたフラスコを窒素置換した後、重合開始剤として２，２′−アゾビスイソブチロニトリル４．０ｇ、溶媒として２−ヒドロキシプロピオン酸エチルを１００ｇ仕込み、重合開始剤が溶解するまで攪拌した。引き続いて、メタクリル酸１０．０ｇ、ｐ−イソプロペニルフェノール１５．０ｇ、８−トリシクロ［５．２．１．０２，６］デカニル−メタクリレート２５．０ｇ、イソボルニルアクリレート２０ｇ、ｎ−ブチルアクリレート３０．０ｇを仕込んだ後、ゆるやかに攪拌を始めた。その後、溶液の温度を８０℃に上昇させ、この温度で３時間重合した後、２，２′−アゾビスイソブチロニトリル１ｇを添加し、さらに８０℃で３時間重合し、その後、１００℃に昇温してこの温度で１時間重合を行なった。室温まで放冷し、フラスコ内を空気で置換した。反応生成物を多量のメタノールに滴下して反応物を凝固させた。この凝固物を水洗後、凝固物と同重量のテトラヒドロフランに再溶解し、多量のメタノールで再度凝固させた。この再溶解−凝固操作を計３回行った後、得られた凝固物を４０℃で４８時間真空乾燥し、アクリル樹脂Ｃ−２を得た。
【００５９】
Ｃ−３：
ドライアイス／メタノール環流器と温度計の付いたフラスコを窒素置換した後、重合開始剤として２，２′−アゾビスイソブチロニトリル３．０ｇ、溶媒として２−ヒドロキシプロピオン酸エチルを１５０ｇ仕込み、重合開始剤が溶解するまで攪拌した。引き続いて、４−イソプロペニルフェノール４３ｇ、ｎ−ブチルアクリレート３０．８ｇ、アクリル酸２．９ｇ、２−ヒドロキシエチルアクリレート２３．３ｇを仕込んだ後、ゆるやかに攪拌を始めた。その後、溶液の温度を７０℃に上昇させ、この温度で３時間重合を行った。次いで重合開始剤として２，２′−アゾビスイソブチロニトリル１．５ｇを添加し、さらに７０℃で３時間重合を継続した。その後、室温まで放冷し、フラスコ内を空気で置換した後、ｐ−メトキシフェノール１５０ｍｇを加えた。反応生成物を多量のメタノールに滴下して反応物を凝固させた。この凝固物を水洗後、凝固物と同重量のテトラヒドロフランに再溶解し、多量のメタノールで再度凝固させた。この再溶解−凝固操作を計３回行った後、得られた凝固物を４０℃で４８時間真空乾燥し、ラジカル重合体Ｃ−３を得た。
（Ｄ成分：界面活性剤）
Ｄ−１：ＮＢＸ−１５（ネオス社製）
Ｄ−２：ＳＦ−８４２８（東レシリコーン（株）社製）
（Ｅ成分：架橋剤）
Ｅ−１：アロニックスＭ−８０６０（東亜合成（株））
（Ｆ成分：開始剤）
Ｆ−１：イルガキュア６５１（チバガイギー社製）
Ｆ−２：カヤキュア　ＤＥＴＸ−Ｓ　（日本化薬（株））
下層材Ａ−Ｌ，Ｂ−Ｌ，Ｃ−Ｌの調製
表１に示すように、Ａ−１を３５部、Ｂ−１を６５部、Ｄ−１を０．１部を攪拌、溶解した後、孔径３μｍのメンブレンフィルター（ＡＤＶＡＮＴＥＣ社製カプセルカートリッジフィルターＣＣＰ−ＦＸ−Ｃ１Ｂ）を用いてろ過し、下層材Ａ−Ｌを調製した。同様にして、下層材Ｂ−Ｌ、Ｃ−Ｌを調製した。
下層材Ｂ−Ｄ，Ｃ−Ｄの作製
下層材Ｂ−ＬあるいはＣ−Ｌを用いてドライフィルムを作製した。厚さ５０μｍ、１１ｃｍ角のポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムに、スピンコーターを用いて下層材Ｂ−Ｌをベーク後の膜厚５μｍになるように塗布した後、対流式オーブンで１１０℃にて１０分間ベークした。同様にして下層材Ｃ−Ｄを作製した。
【００６０】
【表１】
2004140313.tif 000002
【００６１】
上層材Ａ−Ｌ，Ｂ−Ｌ，Ｃ−Ｌの調製
表２に示す成分を用いて下層材Ａ−Ｌと同様の手順で調製した。
【００６２】
【表２】
2004140313.tif 000003
【００６３】
上層材Ａ−Ｄ，Ｂ−Ｄの作製
上層材Ａ−ＬあるいはＢ−Ｌを用いてドライフィルムを作製した。厚さ５０μｍ、１１ｃｍ角のポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムに、スピンコーターを用いていずれかの上層材をベーク後の膜厚４０μｍになるように塗布した後、対流式オーブンで１１０℃にて１０分間ベークした。
二層ドライフィルムＡ，Ｂの作製
二層ドライフィルムを表３にある組み合わせで作製した。厚さ５０μｍ、１１ｃｍ角のポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムに、上層材Ｂ−Ｌあるいは上層材Ｃ−Ｌをベーク後の膜厚４０μｍになるようにスピンコーターを用いて塗布した後、対流式オーブンで１１０℃にて１０分間ベークした。ついでこれらの塗布基板上に下層材Ｂ−Ｌあるいは下層材Ｃ−Ｌをベーク後の膜厚４０μｍになるようにスピンコーターを用いて塗布した後、対流式オーブンで１１０℃にて１０分間ベークした。
【００６４】
【表３】
2004140313.tif 000004
【００６５】
剥離液の調製
剥離液：ジメチルスルホキシド４９００ｇにテトラメチルアンモニウムハイドロキシド水溶液（２５重量％）を１００ｇ添加した後、攪拌して、剥離液１とした。
評価基板Ａの作製
４インチシリコンウェハー上にスパッタリングによりクロム層を１０００オングストローム形成し、さらにその上に銅層を１０００オングストローム形成し、評価基板Ａとした。
評価基板Ｂの作製
表面を粗化した銅貼りガラスエポキシ積層板（基板厚；０．６ｍｍ、サイズ；１０ｃｍ角）に、（ｉ）ｍ−クレゾール／ｐ−クレゾール＝６０／４０（モル比）からなるクレゾールノボラック樹脂（ポリスチレン換算重量平均分子量８７００）、（ｉｉ）ヘキサメトキシメチルメラミン、（ｉｉｉ）架橋微粒子、（ｉｖ）スチリル−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジンおよび（ｖ）溶剤としての乳酸エチルを含有するソルダーレジスト（ＪＳＲ（株）製、特願２０００−３３４３４８号中に記載の実施例１の感光性絶縁樹脂組成物）を塗布し、対流式オーブンで９０℃、１０分間加熱し、３０μｍ厚の均一な塗膜を作製した。その後、アライナー（Ｓｕｓｓ　Ｍｉｃｒｏｔｅｃｈ社製ＭＡ−１５０）を用い、パターンマスクを介して高圧水銀灯からの紫外線を波長３５０ｎｍにおける露光量が３００〜５００ｍＪ／ｃｍ２となるように露光し、対流式オーブンで９０℃、１５分間ＰＥＢを行い、１重量％水酸化ナトリウム水溶液を用いて３０℃で２〜３分間、シャワー現像（圧力；３ｋｇｆ・ｃｍ２）した。その後、高圧水銀灯を用いて波長３５０ｎｍにおける露光量が１０００ｍＪ／ｃｍ２となるように露光した。次いで、対流式オーブンで１５０℃、２時間さらに１７０℃で２時間加熱して硬化膜を得た。
【００６６】
この基板は第一開口パターンとして以下のパターンが混在している。
１５０μｍピッチで開口径９５μｍのホールパターン
１２５μｍピッチで開口径８０μｍのホールパターン
１００μｍピッチで開口径６０μｍのホールパターン
が混在している。
【００６７】
上記基板の開口部にＮｉ／Ａｕによる無電解メッキを施し、評価基板Ｂとした。
スピンコート法
液状の下層材あるいは上層材を上記評価用基板に直接滴下し、スピンコーターにてベーク後の膜厚４０μｍになるように塗膜とした後、対流式オーブンで１１０℃にて１０分間ベークした。この塗布基板を室温まで除冷した後、塗布面を厚さ５０μｍのＰＥＴフィルムにて、ラミネーターを用いてカバーした。
【００６８】
ラミネート条件は以下の通り。
ロール温度：８０℃
ロール圧：０．４ＭＰａ
搬送速度：０．５ｍ／ｍｉｎ．
ラミネート法
ドライフィルム状の下層材、上層材、あるいは二層ドライフィルムをラミネーターを用いてラミネートした。支持体として使用したＰＥＴフィルムはそのままの状態とした。
【００６９】
ラミネート条件は以下の通り。
ロール温度：１２０℃
ロール圧：０．４ＭＰａ
搬送速度：０．５ｍ／ｍｉｎ．
【００７０】
【実施例１】
＜塗布＞
評価基板Ａに下層材Ａ−Ｌをスピンコートし、ホットプレートにて１２０℃で５分間ベークすることで、膜厚５μｍの下層を形成した。この下層の上に上層材Ａ−Ｌをスピンコートし、ホットプレートにて１２０℃で５分間ベークすることで、膜厚６５μｍの上層を形成した。
【００７１】
＜露光＞
アライナー（Ｓｕｓｓ　Ｍｉｃｒｏｔｅｃ社製ＭＡ−１５０）を用い、パターン付きガラスマスクを介して高圧水銀灯からの紫外線を波長４２０ｎｍにおける露光量が１０００ｍＪ／ｃｍ２となるように露光した。ガラスマスクはＰＥＴフィルムでカバーした基板に密着させて露光した。
【００７２】
＜現像＞
露光した基板は、２．３８％のテトラメチルアンモニウムヒドロキシドを含む水溶液（以下、ＴＭＡＨ現像液と略す。）にてパドル現像した。現像時の液盛り時間は９０秒を中心に１５秒刻みで調整した。現像後、イオン交換水にて６０秒間リンスした。
【００７３】
このパターニング基板は、７５μｍｘ７５μｍの開口を有するホールパターンが多数存在する。
現像後、光学顕微鏡と走査型電子顕微鏡にてパターン形状を確認し、以下の基準で評価した。結果を表４に示す。
パターン形状　〇：７５μｍｘ７５μｍの開口を有するホールパターンが現像残りなく現像されており、かつパターンの浮き、剥がれ等がみられない現像時間がある。
【００７４】
パターン形状　×：７５μｍｘ７５μｍの開口を有するホールパターンに現像残り、あるいはパターンの浮き、剥がれがみられ、現像時間のマージンがない。
＜ハンダ埋め込み＞
この後、二層積層膜の表面全体に、スキージを用いて、半田ペーストを塗布し、凹形状の半田バンプ形成用開口に半田ペーストを完全に充填した。なお、ここで充填した半田ペーストは、Ｓｎ，Ａｇを重量比９６．５：３．５で配合させた主として粒径５〜２０μｍの半田を含むもので、その粘度を２００Ｐａ・ｓに調整したものである。次いで、半田ペースト形成用開口に充填した半田ペースト以外の半田ペーストを、まず、スキージを用いて除去し、その後、クリーニングペーパーを用いて完全に除去することにより、半田ペーストの表面を平坦化した。
＜リフロー＞
その後、上記の工程で印刷した半田ペーストを２５０℃でリフローし、さらにフラックス洗浄を行った。
＜剥離＞
約１Ｌのジメチルスルホキシドまたは剥離液１を約６０℃に加温した剥離槽中に、リフロー後、室温まで冷却した基板を１０分間浸漬／攪拌することで二層積層膜を剥離した。
【００７５】
剥離槽にて剥離処理した基板は、イソプロピルアルコールにてリンスした後に、水洗しエアーガンにて乾燥した。
剥離処理後、光学顕微鏡と走査型電子顕微鏡にて基板表面、半田バンプを観察し、以下の基準で評価した。結果を表４に示す。
評価基準
ＤＭＳＯに対する剥離性　〇：大部分の二層積層膜が剥離する。
ＤＭＳＯに対する剥離性　×：まったく剥離しない。
剥離液１に対する剥離性　〇：基板面上に剥離残りがない。
剥離液１に対する剥離性　×：基板面上に剥離残りが観察される。
【００７６】
【実施例２】
＜塗布＞
評価基板Ａに下層材Ａ−Ｌをスピンコートし、ホットプレートにて１２０℃で５分間ベークすることで、膜厚５μｍの下層を形成した。この下層の上に上層材Ａ−Ｄ（膜厚６５μｍ）をラミネートした。
【００７７】
以下の操作は、実施例１と同様の手順で実施した。
【００７８】
【実施例３】
評価基板Ｂに下層材Ｂ−Ｌをスピンコートし、クリーンオーブンにて１１０℃で１０分間ベークすることで、膜厚２μｍの下層を形成した。この下層の上に上層材Ｂ−Ｌをスピンコートし、１１０℃で１０分間ベークすることで、膜厚約４０μｍの上層を形成した。
＜パターニング＞
アライナー（Ｓｕｓｓ　Ｍｉｃｒｏｔｅｃ社製ＭＡ−１５０）を用い、パターン付きガラスマスクを介して高圧水銀灯からの紫外線を波長３５０ｎｍにおける露光量が４００ｍＪ／ｃｍ２となるように露光した。ガラスマスクはＰＥＴフィルムでカバーされた基板に密着させて露光した。
【００７９】
露光の際は、評価基板のホールパターン（第一開口パターン）上に感放射線性樹脂組成物の第２開口パターンが同一位置にくるように、アライメントして露光した。
露光した基板は、１重量％炭酸ナトリウム水溶液を用いて３０℃で４５秒を中心に１５秒刻みでシャワー現像（圧力；１ｋｇｆ・ｃｍ２）した。
【００８０】
この基板は以下のような第一開口パターンと第二開口パターンを有している。
2004140313.tif 000005
現像後、光学顕微鏡と走査型電子顕微鏡にてパターン形状を確認し、以下の基準で評価した。結果を表４に示す。
【００８１】
現像性　〇：第二開口パターンが現像残りなく現像されており、かつパターンの浮き、剥がれ等がみられない現像時間がある。
現像性　×：第二開口パターンに現像残り、あるいはパターンの浮き、剥がれがみられ、現像時間のマージンがない。
以下の工程は、実施例１と同じである。
【００８２】
【実施例４】
＜塗布＞
評価基板Ｂに下層材Ｂ−Ｌをスピンコートし、ホットプレートにて１２０℃で５分間ベークすることで、膜厚２μｍの下層を形成した。この下層の上に上層材Ｂ−Ｄ（膜厚４０μｍ）をラミネートした。
【００８３】
以下の操作は、実施例３と同様の手順で実施した。
【００８４】
【実施例５】
評価基板Ｂに下層材Ｂ−Ｌをスピンコートし、クリーンオーブンにて１１０℃で１０分間ベークすることで、膜厚２μｍの下層を形成した。この下層の上に上層材Ａ−Ｌをスピンコートし、クリーンオーブンにて１１０℃で１０分間ベークすることで、膜厚４０μｍの上層を形成した。
【００８５】
以下の操作は、現像を除き、実施例４と同様の手順で実施した。
＜現像＞
露光した基板は、１％の水酸化ナトリウムを含む水溶液（以下、ＮａＯＨ現像液と略す。）にて３０℃で４５秒を中心に１５秒刻みでシャワー現像（圧力；１ｋｇｆ・ｃｍ２）した。現像後、イオン交換水にて６０秒間リンスした。
【００８６】
【実施例６】
評価基板Ｂに下層材Ｂ−Ｌをスピンコートし、ホットプレートにて１２０℃で５分間ベークすることで、膜厚２μｍの下層を形成した。この下層の上に上層材Ｂ−Ｄ（膜厚４０μｍ）をラミネートした。
以下の操作は、実施例５と同様の手順で実施した。
【００８７】
【実施例７】
評価基板Ｂに下層材Ｂ−Ｄをラミネートし、膜厚２μｍの下層を形成した。この下層の上に上層材Ｂ−Ｌをスピンコートし、クリーンオーブンにて１１０℃で１０分間ベークすることで、膜厚４０μｍの上層を形成した。
以下の操作は、実施例３と同様の手順で実施した。
【００８８】
【実施例８】
評価基板Ｂに下層材Ｂ−Ｄをラミネートし、膜厚２μｍの下層を形成した。この下層の上に上層材Ｂ−Ｄ（膜厚４０μｍ）をラミネートした。
以下の操作は、実施例３と同様の手順で実施した。
【００８９】
【実施例９】
評価基板Ｂに二層ドライフィルムＡをラミネートした。
以下の操作は、実施例３と同様の手順で実施した。
【００９０】
【実施例１０】
評価基板Ｂに二層ドライフィルムＢをラミネートした。
以下の操作は、実施例５と同様の手順で実施した。
【００９１】
【比較例１〜４】
比較例１〜４は、下層材を形成しなかったこと以外は全て対応する番号の実施例と同様に実施した。
【００９２】
【表４】
2004140313.tif 000006
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は、本発明のバンプの形成方法を示す断面模式図である。
【図２】図２は、本発明のバンプの形成方法を示す断面模式図である。
【図３】図３は、本発明のバンプの形成方法を示す断面模式図である。
【図４】図４は、本発明のバンプの形成方法を示す断面模式図である。
【図５】図５は、本発明のバンプの形成方法を示す断面模式図である。
【図６】図６は、本発明のバンプの形成方法を示す断面模式図である。
【図７】図７は、本発明のバンプの形成方法を示す断面模式図である。
【図８】図８は、本発明のバンプの形成方法を示す断面模式図である。
【符号の説明】
１０３　下層
１０４　上層
１０６　リフロー後の低融点金属（バンプ）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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