(57)【要約】【課題】表面抵抗率が低く、さらに超純水で洗浄した後においても、従来品より表面抵抗率が低いディップ成形品およびその製造方法を提供すること。【解決手段】カルボキシル基含有共役ジエン系ゴムラテックス及び弱塩基と強酸とから成る両性界面活性剤を含有して成るラテックス組成物をディップ成形型上でディップ成形する。【特許請求の範囲】
【請求項１】
カルボキシル基含有共役ジエン系ゴムラテックス及び弱塩基と強酸とから成る両性界面活性剤を含有して成るラテックス組成物。
【請求項２】
両性界面活性剤の含有量が、カルボキシル基含有共役ジエン系ゴムラテックス１００重量部に対し０．１〜５重量部である請求項１記載のラテックス組成物。
【請求項３】
両性界面活性剤の、陽イオンが第４級アンモニウムイオンであり、陰イオンがスルホン酸イオンであり、これらの両イオンが炭化水素基を介して結合している請求項１又は２記載のラテックス組成物。
【請求項４】
両性界面活性剤の陽イオンに炭素数１０〜２０のアルキル基が結合している請求項１〜３のいずれかに記載のラテックス組成物。
【請求項５】
請求項１〜３のいずれかに記載のラテックス組成物にさらに加硫剤を含有して成る加硫性ラテックス組成物。
【請求項６】
請求項５記載の加硫性ラテックス組成物から成るディップ成形品。
【請求項７】
クリーンルーム用手袋である請求項６記載のディップ成形品。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ラテックス組成物及びディップ成形品に関し、さらに詳しくは、クリーンルームで使用する手袋などとして好適なディプ成形品及びその材料として好適なラテックス組成物に関する。
【０００２】
【従来の技術】
天然ゴムラテックスやアクリロニトリル−ブタジエン共重合体ラテックスからなるディップ成形用ラテックス組成物をディップ成形したゴム手袋は、柔軟で、かつ十分な機械的強度を有することから、様々な分野で用いられている。
なかでも、精密電子部品製造や半導体部品製造においては、ゴム手袋表面に付着した微粒子や該ゴム手袋に含有する金属イオンが、半製品や製品に悪影響を与えるため、予め純水や超純水で洗浄したゴム手袋が用いられている。
【０００３】
しかしながら、天然ゴムラテックスやアクリロニトリル−ブタジエン共重合体ラテックスを構成する重合体は、電気絶縁性が高く、これらのラテックスから製造されたゴム手袋の表面抵抗率は、１０１０Ω／ｓｑｕａｒｅを超える。さらに、純水や超純水で洗浄することより、洗浄後のゴム手袋の表面抵抗率は、より高くなる傾向にある。
ゴム手袋の表面電気抵抗値が１０１０Ω／ｓｑｕａｒｅを超えると、作業中に静電気が発生し、その静電気により、精密電子部品や半導体部品が破壊されてしまう問題がある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、上記の事情に鑑み、その表面抵抗率が低く、さらに超純水で洗浄した後においても、従来のものより表面抵抗率が低いディップ成形品を提供することである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明者は、本発明者らは上記課題を達成すべく鋭意検討を重ねた結果、カルボキシル基を有する単量体を共重合して成るアクリロニトリル−ブタジエンゴムラテックスに予め特定の両性界面活性剤を配合することにより、該ゴムが凝固することなく安定分散して成るラテックス組成物が得られ、このラテックス組成物を用いて手袋をディップ成形することにより上記課題が解決できることを見出し、この知見に基づいて本発明を完成するに至った。
【０００６】
かくして本発明によれば、以下の１〜７の発明が提供される。
１．  カルボキシル基含有共役ジエン系ゴムラテックス及び弱塩基と強酸とから成る両性界面活性剤を含有して成るラテックス組成物。
２．  両性界面活性剤の含有量が、カルボキシル基含有共役ジエン系ゴムラテックス１００重量部に対し０．１〜５重量部である上記１記載のラテックス組成物。
３．両性界面活性剤の、陽イオンが第４級アンモニウムイオンであり、陰イオンがスルホン酸イオンであり、これらの両イオンが炭化水素基を介して結合している上記１又は２記載のラテックス組成物。
４．両性界面活性剤の陽イオンに炭素数１０〜２０のアルキル基が結合している上記１〜３のいずれかに記載のラテックス組成物。
５．  上記１〜３のいずれかに記載のラテックス組成物にさらに加硫剤を含有して成る加硫性ラテックス組成物。
６．  上記５記載の加硫性ラテックス組成物から成るディップ成形品。
７．  クリーンルーム用手袋である上記６記載のディップ成形品。
【０００７】
【発明の実施の形態】
本発明のラテックス組成物は、カルボキシル基含有共役ジエン系ゴムラテックス及び弱塩基と強酸とから成る両性界面活性剤を含有して成るものである。
【０００８】
本発明のラテックスラテックス組成物に用いるカルボキシル基含有共役ジエン系ゴムラテックスは、共役ジエン単量体を少なくとも含有する単量体又は単量体混合物を（共）重合して得られる共役ジエン系ゴムにカルボキシル基を導入して成るゴムのラテックスである。
【０００９】
共役ジエン単量体としては、例えば、１，３−ブタジエン、２−メチル−１，３−ブタジエン、２，３−ジメチル−１，３−ブタジエン、ハロゲン置換ブタジエンなどが挙げられる。これらは、それぞれ単独で、あるいは２種以上を組み合わせて使用することができる。なかでも、１，３−ブタジエンが好ましく使用できる。
【００１０】
上記共役ジエン単量体を少なくとも含む単量体又は単量体混合物を（共）重合して得られる共役ジエン系ゴムに、カルボキシル基を導入する方法としては、カルボキシシル基を有する単量体をさらに共重合する方法、カルボキシシル基を有する単量体をグラフト反応等により前記ゴムに付加する方法、などが挙げられるが、共重合組成の制御のし易さ等から前者の方法が好ましい。
【００１１】
共重合に用いることができるカルボキシル基を有する単量体としては、アクリル酸、メタクリル酸などのα，β−エチレン性不飽和モノカルボン酸；イタコン酸、フマル酸、マレイン酸などのα，β−エチレン性不飽和多価カルボン酸；無水イタコン酸、無水マレイン酸などのα，β−エチレン性不飽和多価カルボン酸無水物；モノブチルイタコン酸などのα，β−エチレン性不飽和多価カルボン酸エステル；などが挙げられる。
【００１２】
上記のカルボキシル基含有共役ジエン系ゴムには、本発明の効果を損ねない範囲で、さらに上記の単量体と共重合可能な単量体を共重合してもよい。
このような共重合可能な他の単量体としては、例えば、α，β−エチレン性不飽和ニトリル単量体、芳香族ビニル単量体、α，β−エチレン性不飽和モノカルボン酸エステル単量体、α，β−エチレン性不飽和モノカルボン酸アミドなどが挙げられる。これらの中でも、α，β−エチレン性不飽和ニトリル単量体を共重合させるのが好ましい。
【００１３】
α，β−エチレン性不飽和ニトリル単量体としては、アクリロニトリル、メタクリロニトリル、α−クロロアクリロニトリルなどが挙げられ、中でも、アクリロニトリルが好ましい。
芳香族ビニル単量体としては、例えば、スチレン、α−メチルスチレン、モノクロルスチレン、ビニルトルエンなどが挙げられる。
α，β−エチレン性不飽和モノカルボン酸エステル単量体としては、例えば、アクリル酸メチル、メタクリル酸メチル、アクリル酸エチル、アクリル酸ブチル、アクリル酸β−ヒドロキシエチル、アクリル酸β−ヒドロキシプロピル、メタクリル酸β−ヒドロキシエチル、アクリル酸グリシジル、メタクリル酸グリシジル、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノエチル（メタ）アクリレート、Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノエチル（メタ）アクリレートアクリルアミドなどが挙げられる。
α，β−エチレン性不飽和モノカルボン酸アミド単量体としては、（メタ）アクリルアミド、Ｎ−メチロール（メタ）アクリルアミドなどが挙げられる。
上記の単量体以外にも、酢酸ビニル、ビニルピロリドン、ビニルピリジンなどを用いることができる。
これらの単量体は、それぞれ単独で、あるいは２種以上を組み合わせて使用することができる。
【００１４】
本発明に用いるカルボキシル基含有共役ジエン系ゴムは、本発明の効果が発現し易い上に、柔軟、かつ耐油性および機械的強度に優れるディップ成形品が得られる点で、共役ジエン単量体、α，β−エチレン性不飽和ニトリル単量体およびα，β−エチレン性不飽和カルボン酸単量体をそれぞれ下記の組成比で含有して成る単量体混合物を重合して得られるものが好ましい。すなわち、共役ジエン単量体３０〜８９．５重量％、好ましくは４５〜７９重量％、α，β−エチレン性不飽和ニトリル単量体１０〜５０重量％、好ましくは２０〜４０重量％、およびα，β−エチレン性不飽和カルボン酸単量体０．５〜２０重量％、好ましくは１〜１５重量％の範囲にあることが好ましい。
【００１５】
本発明に用いるカルボキシル基含有共役ジエン系ゴムのラテックスは、通常、上記の単量体混合物を、従来公知の乳化重合法を用いて製造することができる。
【００１６】
本発明に用いる弱塩基と強酸基とから成る両性界面活性剤は、分子内に、弱塩基に由来する陽イオン及び強酸に由来する陰イオンを有する界面活性剤である。
その中でも、本発明においては、陽イオンが第４級アンモニウムイオンであり、陰イオンがスルホン酸イオンであるものが好ましく、これらの両イオンが炭化水素基を介して結合しているいわゆるベタイン構造を有するものがより好ましい。前記炭化水素基の炭素数は１〜５が好ましい。また、前記炭化水素基の炭素原子の少なくとも１個に水酸基が結合している、いわゆるヒドロキシスルホベタインであることが最も好ましい。
【００１７】
また、第４級アンモニウムイオンは、Ｎ原子に４つの炭化水素基が結合したものであり、上記のベタイン構造の炭化水素基以外の少なくとも１つが炭素数１０〜２０の高級炭化水素基であるものが好ましい。前記高級炭化水素基としては、炭素数１０〜２０の、アルキル基、アルケニル基、アリール基及びアラルキル基などが挙げられ、中でも、炭素数１０〜２０のアルキル基が最も好ましい。また、この高級炭化水素基は、水酸基等の置換基を有していてもよい。
【００１８】
このような両性界面活性剤の具体例としては、スルホメチル−ラウリルジメチルアンモニウム、スルホメチル−セチルジメチルアンモニウム、スルホメチル−ステアリルジメチルアンモニウム、スルホエチル−ラウリルジメチルアンモニウム、スルホエチル−セチルジメチルアンモニウム、スルホエチル−ステアリルジメチルアンモニウム、スルホプロピル−ラウリルジメチルアンモニウム、スルホプロピル−セチルジメチルアンモニウム、スルホプロピル−ステアリルジメチルアンモニウムなどのアルキルスルホベタイン；スルホ−２−ヒドロキシプロピル−ラウリルジメチルアンモニウム（ラウリルヒドロキシスルホベタイン）、スルホ−２−ヒドロキシプロピル−セチルジメチルアンモニウム、スルホ−２−ヒドロキシプロピル−ステアリルジメチルアンモニウムなどのアルキルヒドロキシスルホベタイン；等が挙げられ、中でも、スルホ−２−ヒドロキシプロピル−ラウリルジメチルアンモニウム（ラウリルヒドロキシスルホベタイン）、スルホ−２−ヒドロキシプロピル−セチルジメチルアンモニウム、スルホ−２−ヒドロキシプロピル−ステアリルジメチルアンモニウムなどのアルキルヒドロキシスルホベタインなどが好ましく、スルホ−２−ヒドロキシプロピル−ラウリルジメチルアンモニウム、スルホ−２−ヒドロキシプロピル−セチルジメチルアンモニウムなどが最も好ましい。
【００１９】
本発明のラテックス組成物中の上記両性界面活性剤の含有量は、ラテックス中の共役ジエン系ゴム１００重量部に対し、好ましくは０．１〜５重量部、より好ましくは０．５〜３重量部である。両性界面活性剤の含有量が少なすぎると、得られたディップ成形品の表面抵抗率が高くなる傾向があり、逆に多すぎても、表面抵抗率を低下させる効果が頭打ちとなり、ディップ成形層に過剰に付着したカチオン性界面活性剤の除去がし難くなる傾向にある。
【００２０】
カチオン性を示す界面活性剤は、一般的には極性基を有するゴムラテックスに添加すると、該ラテックス中のゴムを凝固させてしまうが、上記の両性界面活性剤は、カルボキシル基含有共役ジエン系ゴムラテックスに配合しても、該共重合ゴムを凝固させることなく安定したラテックス組成物を提供できる。上記両性界面活性剤を共役ジエン系ゴムラテックスに配合する方法としては、ラテックス中のゴムを凝固させない限り特に限定されないが、ラテックスのｐＨとほぼ同じであることが、ラテックスの分散安定性の観点からより好ましい。
【００２１】
本発明のラテックス組成物は、さらに加硫剤を配合して加硫性ラテックス組成物とすることにより、より機械的強度等に優れたディップ成形品を提供することができる。すなわち本発明の加硫性ラテックス組成物は、上記本発明のラテックス組成物に、さらに加硫剤を含有して成るものである。
加硫剤を使用する場合には、加硫促進剤を併用することが好ましく、さらに所望により、酸化亜鉛を配合してもよい。
【００２２】
加硫剤としては、ディップ成形において通常用いられるものが使用でき、例えば、粉末硫黄、硫黄華、沈降硫黄、コロイド硫黄、表面処理硫黄、不溶性硫黄などの硫黄；ヘキサメチレンジアミン、トリエチレンテトラミン、テトラエチレンペンタミンなどのポリアミン類；などが挙げられる。なかでも、硫黄が好ましい。加硫剤の使用量は、ラテックス固形分１００重量部に対して、好ましくは０．１〜１０重量部、より好ましくは０．２〜４重量部である。
【００２３】
加硫促進剤としては、ディップ成形において通常用いられるものが使用でき、例えば、ジエチルジチオカルバミン酸、ジブチルジチオカルバミン酸、ジ−２−エチルヘキシルジチオカルバミン酸、ジシクロヘキシルジチオカルバミン酸、ジフェニルジチオカルバミン酸、ジベンジルジチオカルバミン酸などのジチオカルバミン酸類およびそれらの亜鉛塩；２−メルカプトベンゾチアゾール、２−メルカプトベンゾチアゾール亜鉛、２−メルカプトチアゾリン、ジベンゾチアジル・ジスルフィド、２−（２，４−ジニトロフェニルチオ）ベンゾチアゾール、２−（Ｎ，Ｎ−ジエチルチオ・カルバイルチオ）ベンゾチアゾール、２−（２，６−ジメチル−４−モルホリノチオ）ベンゾチアゾール、２−（４’−モルホリノ・ジチオ）ベンゾチアゾール、４−モルホニリルー２−ベンゾチアジル・ジスルフィド、１，３−ビス（２−ベンゾチアジル・メルカプトメチル）ユリアなどが挙げられる。なかでも、ジブチルジチオカルバミン酸亜鉛、２−メルカプトベンゾチアゾール、２−メルカプトベンゾチアゾール亜鉛が好ましい。これらの加硫促進剤は、単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。
加硫促進剤の使用量は、ラテックスの固形分１００重量部に対して、好ましくは０．１〜１０重量部、より好ましくは０．２〜４重量部である。
【００２４】
酸化亜鉛の使用量は、ラテックス固形分１００重量部に対して、好ましくは５重量部以下、より好ましくは２重量部以下である。
【００２５】
本発明のラテックス組成物には、さらに所望により、ディップ成形において通常使用される、ｐＨ調整剤、増粘剤、老化防止剤、分散剤、顔料、充填剤、軟化剤などを配合してもよい。
【００２６】
本発明のラテックス組成物の固形分濃度は、通常、２０〜４０重量％、好ましくは２５〜３５重量％である。また、前記ラテックス組成物のｐＨは、通常、８以上、好ましくは９〜１１の範囲である。
【００２７】
本発明のディップ成形品は、ディップ成形型上に、本発明のラテックス組成物又は好ましくは加硫性ラテックス組成物からなるディップ成形層を形成させて得ることができる。
【００２８】
ディップ成形型としては、例えば、磁器製、陶器製、金属製、ガラス製、およびプラスチック製のものなどが挙げられる。ディップ成形品が手袋である場合、成形型は人の手の輪郭に対応する形状を有するものであり、製造しようとする手袋の使用目的に応じて、手首から指先までの形状のもの、肘から指先までの形状のもの等、種々の形状のものを用いることができる。
【００２９】
ディップ成形型上に、本発明の（加硫性）ラテックス組成物からなるディップ成形層を形成する方法としては、従来公知のディップ成形法を用いることができ、例えば、直接浸漬法、アノード凝着浸漬法、ティーグ凝着浸漬法などが挙げられる。なかでも、均一な厚みを有するディップ成形品が得られやすい点で、アノード凝着浸漬法が好ましい。
【００３０】
アノード凝着浸漬法の場合、ディップ成形型を凝固剤溶液に浸漬して、該型上に凝固剤を付着させた後、それを本発明の（加硫性）ラテックス組成物に浸漬して、該型上にディップ成形層を形成する。
【００３１】
凝固剤としては、例えば、塩化バリウム、塩化カルシウム、塩化マグネシウム、塩化亜鉛、塩化アルミニウムなどのハロゲン化金属；硝酸バリウム、硝酸カルシウム、硝酸亜鉛などの硝酸塩；酢酸バリウム、酢酸カルシウム、酢酸亜鉛など酢酸塩；硫酸カルシウム、硫酸マグネシウム、硫酸アルミニウムなどの硫酸塩などが挙げられる。なかでも、塩化カルシウム、硝酸カルシウムが好ましい。
凝固剤は、通常、水、アルコール、またはそれらの混合物の溶液として使用する。凝固剤濃度は、通常、５〜７０重量％、好ましくは２０〜５０重量％である。
【００３２】
得られたディップ成形層は、通常、加熱処理により加硫される。
ディップ成形層の加硫条件は、通常、８０〜１５０℃の温度で、１０〜１２０分間の加硫時間である。加熱の方法としては、赤外線や熱空気による外部加熱または高周波による内部加熱による方法が採用できる。なかでも、熱空気による加熱が好ましい。
【００３３】
なお、ディップ成形層を加硫する前にリーチングを行ってもよい。リーチングは、通常、ディップ成形型上のディップ成形層を、２０〜６０℃の温水に、１〜３０分間程度、浸漬して行われる。リーチングを行なうことで、ディップ成形層中に含まれる水溶性不純物（例えば、余剰の乳化剤や凝固剤など）が除去され、より機械的強度に優れるディップ成形品が得られる。
このリーチングは、ディップ成形層を加硫した後に行ってもよいが、より効率的に水溶性不純物を除去できる点から、ディップ成形層を加硫する前に行なうのが好ましい。
【００３４】
ディップ成形層を加硫した後、該加硫物をディップ成形型から脱着することによって、ディップ成形品が得られる。脱着方法は、手で型から剥がしたり、水圧や圧縮空気の圧力により剥がしたりする方法が採用できる。脱着後、さらに６０〜１２０℃の温度で、１０〜１２０分の加熱処理を行ってもよい。
【００３５】
本発明のディップ成形品は、２０℃、相対湿度６５％の雰囲気下で測定される表面抵抗率が、好ましくは１０７〜１０１０Ω／ｓｑｕａｒｅ、より好ましくは１０８〜１０１０Ω／ｓｑｕａｒｅである。また、超純水に２時間浸漬した後、２０℃、相対湿度６５％の雰囲気下で測定される表面抵抗率が、好ましくは１０７〜１０１０Ω／ｓｑｕａｒｅ、より好ましくは１０８〜１０１０Ω／ｓｑｕａｒｅである。超純水に浸漬した後においても、表面抵抗率がこの範囲にあるディップ成形品は、精密電子部品や半導体部品の製造において、より好適に使用できる。超純水は、２５℃での比抵抗が１６ＭΩｃｍ以上の水を意味する。
【００３６】
本発明のディップ成形品は、２０℃、相対湿度６５％の雰囲気下で測定される体積抵抗率が、好ましくは１０８〜１０１２Ωｃｍ、より好ましくは１０９〜１０１２Ωｃｍである。体積抵抗率がこの範囲にあるディップ成形品は、精密電子部品や半導体部品の製造において、より好適に使用できる。
【００３７】
本発明のディップ成形品は、超純水に２時間浸漬した後、２０℃、相対湿度６５％の雰囲気下で測定される体積抵抗率が１０９〜１０１２Ωｃｍのものであることが好ましい。超純水に浸漬した後においても、体積抵抗率がこの範囲にあるディップ成形品は、精密電子部品や半導体部品の製造において、より好適に使用できる。
【００３８】
本発明のディップ成形品としては、厚みが約０．１〜３ミリのものが製造でき、特に厚みが０．１〜０．３ミリの薄手のものが好適に使用できる。その具体例としては、例えば、哺乳瓶用乳首、スポイト、導管、水枕などの医療用品；風船、人形、ボールなどの玩具や運動具；加圧成形用バッグ、ガス貯蔵用バッグなどの工業用品；手術用、家庭用、農業用、漁業用および工業用のアンサポート型手袋またはサポート型手袋；指サックなどが挙げられる。なかでも、表面抵抗率が低いので、精密電子部品製造用、半導体部品製造用の手袋として好適に使用でき、それらの中でも、特にクリーンルームで使用する手袋として好適である。
【００３９】
【実施例】
以下に、実施例を示して本発明をさらに具体的に説明する。なお、以下の記載における「部」および「％」は特に断りのない限り重量基準である。
【００４０】
ゴム手袋の評価は以下のように行なった。
（超純水に浸漬した後の表面抵抗率および体積抵抗率）
得られたゴム手袋の手の平部分から、１０ｃｍ角の試験片を切り抜き、それを比抵抗が１８．３ＭΩｃｍの超純水５００ｍｌに、３０℃で２時間浸漬し、浸漬した後の試験片を７０℃で乾燥した。乾燥後の試験片を２０℃、相対湿度が６５％の恒温恒湿室で１夜放置した後、同じ雰囲気下で、ＡＳＴＭ  Ｄ２５７−９３に準じて、測定電圧２５０Ｖで、試験片の表面抵抗率および体積抵抗率を測定した。なお、この測定における上限界値は、それぞれ、５．６５×１０１０Ω／ｓｑｕａｒｅ、４．９×１０１２Ωｃｍであった。
【００４１】
（実施例１）
硫黄１部、ジエチルジチオカルバミン酸亜鉛０．５部、酸化亜鉛０．５部および酸化チタン１．５部を、水３．５部に分散して、加硫剤分散液を調製した。
アクリロニトリル−ブタジエン−メタクリル酸共重合体ラテックス（１，３−ブタジエン単位６７．５％、アクリロニトリル単位２７％およびメタクリル酸単位５．５％、固形分濃度４０％、ラテックスｐＨ８．５）２５０部に、上記の加硫剤分散液７部を添加し、次いで水酸化カリウム水溶液を添加してｐＨを９．５に調整した。
さらに上記ラテックスに対し、両性界面活性剤であるラウリルヒドロキシスルホベタインを、ラテックス中の上記共重合体１００部に対する量が２．５部になる量添加し、水を加えて希釈して固形分濃度３０％のディップ成形用ラテックス組成物を調製した。
【００４２】
６０℃に加熱した手袋用手型を、硝酸カルシウム２５％水溶液（凝固剤溶液）に浸漬した後、６０℃で、１０分間乾燥した。この凝固剤が付着した手型を、前記のディップ成形用ラテックス組成物に１０秒間浸漬し、手型上にディップ成形層を形成した。４０℃の脱イオン水で５分間リーチングし、次いで、６０℃で１０分間乾燥した後、１２０℃で２０分間ディップ成形層を加硫した。得られた加硫物を、手型から反転させながら脱着して、ゴム手袋を得た。このゴム手袋の帯電防止性能を上記方法により評価した。その結果を表１に示す。
【００４３】
（実施例２）
ラウリルヒドロキシスルホベタインのラテックスへの添加量を、ラテックス中のアクリロニトリル−ブタジエン−メタクリル酸共重合体１００部に対して、２．５部から１部に変更したこと以外は、実施例１と同様にゴム手袋を得、その帯電防止性能を同様に評価した。その結果を表１に示す。
【００４４】
（実施例３）
ディップ成形層を加硫した後、手型から脱着する前に、次亜塩素酸ナトリウム水溶液（有効塩素濃度２０００ｐｐｍ）に浸漬して加硫物表面を塩素化した後、水酸化カリウム水溶液で中和，２０分の水洗を行った以外は、実施例２と同様にゴム手袋を得、その帯電防止性能を同様に評価した。その結果を表１に示す。
【００４５】
（比較例１）
ラウリルヒドロキシスルホベタインを配合しないこと以外は実施例１と同様の方法でゴム手袋を得、その帯電防止性能を同様に評価した。その結果を表１に示す。
【００４６】
（比較例２）
ラウリルヒドロキシスルホベタインに替えジメチルラウリルアミンオキサイドを配合したこと以外は実施例１と同様の方法でゴム手袋を得、その帯電防止性能を同様に評価した。その結果を表１に示す。
【００４７】
（比較例３）
ラウリルヒドロキシスルホベタインに替えジメチルラウリルアミノ酢酸ベタインを配合したこと以外は実施例１と同様の方法でゴム手袋を得、その帯電防止性能を同様に評価した。その結果を表１に示す。
【００４８】
（比較例４）
ラウリルヒドロキシスルホベタインに替えラウラミドプロピルベタインを配合した以外は実施例１と同様の方法でゴム手袋を得、その帯電防止性能を同様に評価した。その結果を表１に示す。
【００４９】
【表１】
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【００５０】
以上表１から次のようなことがわかる。
本発明に規定する両性界面活性剤を配合しないラテックス組成物を用いてディップ成形して得られた従来のゴム手袋は、超純水に浸漬することにより、表面抵抗率が１０１０Ω／ｓｑｕａｒｅを超えており、体積抵抗率もさらに高くなる（比較例１）。
また、弱塩基と弱酸とからなる両性界面活性剤を配合したラテックス組成物を用いてディップ成形して得られた手袋も、同様に表面電気抵抗率や体積電気抵抗率は同程度に高くなる。（比較例１〜４）
これらの比較例に対して、本発明規定の弱塩基と強酸からなる両性界面活性剤を配合して成るラテックス組成物は、該両性界面活性剤を配合しても凝固することなく、且つ超純水に浸漬しても、その表面抵抗率は、１０１０Ω／ｓｑｕａｒｅ未満である（実施例１〜３）。本発明のゴム手袋は、精密電子部品や半導体部品の製造において、好適に使用できるものである。
【発明の効果】
本発明によれば、その表面抵抗率が低く、さらに超純水で洗浄した後においても、従来のものより表面抵抗率が低いディップ成形品が提供される。