(57)【要約】【課題】小型電子機器のさらなる小型化、高密度実装化等を考慮した自由な基板配線パターンの設計を可能とするセミリジット同軸ケーブルアセンブリおよびその製造方法を提供する。【解決手段】中心導体３の外周に、絶縁体４と外部導体５と外部絶縁体６とを順次同心円状に設けてなるセミリジッド同軸ケーブルアセンブリ１であって、セミリジッド同軸ケーブルアセンブリ１の長手方向中間部の所定の部位に、外部絶縁体６が設けられていない外部導体５露出部が形成されていることより、上記課題を解決した。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
中心導体の外周に、絶縁体と外部導体と外部絶縁体とを順次同心円状に設けてなるセミリジッド同軸ケーブルアセンブリであって、
当該セミリジッド同軸ケーブルアセンブリの長手方向中間部の所定の部位に、外部絶縁体が設けられていない外部導体露出部が形成されていることを特徴とするセミリジッド同軸ケーブルアセンブリ。
【請求項２】
中心導体の外周に絶縁体と外部導体と外部絶縁体とが順次同心円状に設けられたセミリジッド同軸ケーブルアセンブリの長手方向中間部の所定の部位に、外部絶縁体が設けられていない外部導体露出部を形成するセミリジッド同軸ケーブルアセンブリの製造方法であって、
外部絶縁体が設けられていないセミリジッド同軸ケーブルの長手方向中間部の所定の部位をマスキングし、マスキングされたセミリジッド同軸ケーブルに絶縁塗料を塗布・乾燥し、その後焼成して外部絶縁体を選択的に形成することを特徴とするセミリジッド同軸ケーブルアセンブリの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、セミリジッド同軸ケーブルアセンブリおよびその製造方法に関し、さらに詳しくは、自由な基板配線パターンの設計を可能にするセミリジッド同軸ケーブルアセンブリおよびその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
移動体通信機器や情報処理機器等の小型電子機器内の高周波伝送線路には、高周波性能に優れるセミリジッド型同軸ケーブルアセンブリが広く用いられている。図５は、従来のセミリジッド同軸ケーブルの一例を示す平面図であり、図６は、従来のセミリジッド同軸ケーブルを基板上に半田付けした状態を示す側面図である。セミリジッド同軸ケーブル６０は、図５に示すように、中心導体６１の外周に絶縁体６２と外部導体６３と外部絶縁体６４とが順次同心円状に設けられているものである。このような従来のセミリジッド同軸ケーブルにおいて、外部絶縁体６４は、絶縁樹脂を押出し被覆したり（例えば特許文献１を参照。）、収縮チューブを用いて被覆したり（例えば特許文献２を参照。）することによって、外部導体６３の長手方向に一様に形成されている。
【０００３】
こうしたセミリジッド同軸ケーブル６０（以下、単に「ケーブル」ともいう。）は、ケーブル６０の両端部の外部絶縁体６４を除去し、露出した外部導体６３を基板上の半田付けランドに半田付けして基板に実装している。
【０００４】
こうした中、近年、移動体通信機器や情報処理機器等の小型電子機器においては、更なる小型化および高密度実装化等の要請があり、そのような要請に応えるために基板配線パターンの自由な設計が求められている。
【０００５】
【特許文献１】
特開２００２−３５２６３８号公報（段落番号０００２、０００３）
【特許文献２】
特開平６−２７５１４２号公報（図１、段落番号０００１３）
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来のセミリジッド同軸ケーブル６０においては、通常その半田付けがケーブル両端部で行われるので、ケーブル６０の中間部が実装基板面から浮いたり、実装基板の所定位置からずれたりすることがあり、その結果として、他の電子部品と干渉することがあった。こうした問題は、実装基板のパターン設計の自由度を制約するという弊害もあった。
【０００７】
また、従来のセミリジッド同軸ケーブル６０においては、外部絶縁体６４を押出し被覆や収縮チューブにより形成していたため、外部絶縁体６４の厚さが１００μｍ以上となり、セミリジッド同軸ケーブル６０の細径化には限界があった。そのため、部品が密集している基板内に実装することはできず、高密度な基板配線パターンを設計することはできなかった。
【０００８】
本発明は、上述した問題を解決するためになされたものであって、基板配線パターンの自由な設計を可能とするセミリジッド同軸ケーブルアセンブリおよびその製造方法の提供を目的とするものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するための本発明に係るセミリジッド型同軸ケーブルアセンブリは、中心導体の外周に、絶縁体と外部導体と外部絶縁体とを順次同心円状に設けてなるセミリジッド同軸ケーブルアセンブリであって、当該セミリジッド同軸ケーブルアセンブリの長手方向中間部の所定の部位に、外部絶縁体が設けられていない外部導体露出部が形成されていることを特徴とする。
【００１０】
この発明によれば、セミリジッド同軸ケーブルアセンブリの長手方向中間部の所定の部位に外部絶縁体が設けられていない外部導体露出部が形成されているので、ケーブルの両端部だけでなく中間部の所定の部位を半田付け固定することができ、その結果、自由な基板配線パターンの設計が可能となる。すなわち、ケーブルの中間部が半田付けされて基板に固定されることにより、セミリジッド同軸ケーブルアセンブリを浮きやずれを生じさせることなく基板に実装することができ、他の電子部品との干渉を考慮することなく基板配線パターンを設計することが可能となる。
【００１１】
上記課題を解決するための本発明に係るセミリジッド同軸ケーブルアセンブリの製造方法は、中心導体の外周に絶縁体と外部導体と外部絶縁体とが順次同心円状に設けられたセミリジッド同軸ケーブルアセンブリの長手方向中間部の所定の部位に、外部絶縁体が設けられていない外部導体露出部を形成するセミリジッド同軸ケーブルアセンブリの製造方法であって、外部絶縁体が設けられていないセミリジッド同軸ケーブルの長手方向中間部の所定の部位をマスキングし、マスキングされたセミリジッド同軸ケーブルに絶縁塗料を塗布・乾燥し、その後焼成して外部絶縁体を選択的に形成することを特徴とする。
【００１２】
この発明により、そのアセンブリの長手方向中間部の所定の部位に、外部絶縁体が設けられていない外部導体露出部を有したセミリジッド同軸ケーブルアセンブリが製造される。したがって、ケーブルの両端部だけでなく中間部の所定の部位を半田付け接続箇所に選択でき、自由な基板配線パターンの設計が可能となる。また、本発明によれば、外部導体に外部絶縁体の材料である絶縁塗料をスプレー塗装等で塗布し、その絶縁塗料を加熱乾燥し、さらに焼成して焼き付けるので、形成された外部絶縁体の厚さを、従来の製法で形成した外部絶縁体の厚さより薄くすることができ、セミリジッド同軸ケーブルアセンブリの細径化を図ることができる。その結果、セミリジッド同軸ケーブルアセンブリの基板における占有面積が小さくなることにより基板上の実装密度が向上するので、小型電子機器のさらなる小型化、高密度実装化等を考慮した基板配線パターンの設計が可能となる。
【００１３】
【発明の実施の形態】
以下、本発明のセミリジッド同軸ケーブルアセンブリおよびその製造方法について図面を参照しつつ説明する。なお、これにより本発明が限定されるものではない。
【００１４】
（セミリジッド同軸ケーブルアセンブリ）
図１は、本発明のセミリジッド同軸ケーブルアセンブリの一例を示す平面図であり、図２は、本発明のセミリジッド同軸ケーブルアセンブリを基板上に半田付けを行った状態の一例を示す側面図である。
【００１５】
本発明のセミリジッド同軸ケーブルアセンブリ１は、図１および図２に示すように、中心導体３の外周に、絶縁体４と外部導体５と外部絶縁体６とを順次同心円状に設けられており、外部導体５が、ケーブル本体２の長手方向の所定の部位で露出しているものである。なお、本願において、ケーブル本体２は、セミリジッド同軸ケーブルアセンブリの段差は議された両端部以外の部位を指している。
【００１６】
中心導体３は、セミリジッド同軸ケーブルアセンブリの中心導体として用いられているものであれば特に限定されず、例えば、外径０．１５〜０．２０ｍｍの銀めっき銅覆鋼線が用いられる。
【００１７】
絶縁体４は、リフロー炉における加熱に耐え得る絶縁材料、例えば低誘電率の絶縁体樹脂（ＰＴＦＥ（ｐｏｌｙｔｅｔｒａｆｌｕｏｒｏｅｔｈｙｌｅｎｅ）などのフッ素樹脂等）により形成されている。絶縁体４の厚さ（層厚）は、セミリジッド同軸ケーブルアセンブリの絶縁体として機能できるならば特に限定されず、例えば、０．１〜０．３ｍｍである。絶縁体４は、例えば、低誘電率の絶縁体樹脂を押出し被覆したり、低誘電率の樹脂の絶縁体テープを巻回したりして形成される。具体的には例えば、中心導体３の外周にＰＴＦＥをペースト押し出しし、これを焼結して厚さ０．２０ｍｍの多孔質低誘電率の絶縁体が形成される。また、厚さ６０μｍ、幅４ｍｍのＰＴＦＥテープを中心導体２の外周に２／３ラップで重ね巻きし、厚さ０．２ｍｍの多孔質の絶縁体を形成することができる。
【００１８】
外部導体５は、導電性の材料例えば銅等の金属により形成されるものである。外部導体５は、例えば、絶縁体４の外周に無電解ニッケル−燐（Ｎｉ−Ｐ）めっき液を用いて無電解めっきを行い、絶縁体４表面にＮｉ−Ｐを析出させ、無電解めっき金属層を設ける。この無電解めっき金属層上に光沢硫酸銅めっき液を用いて電気めっき銅層を設けることにより、無電解めっき金属層と電気めっき銅層とからなる厚さ約６０μｍの外部導体が形成される。
【００１９】
本発明のセミリジッド同軸ケーブルアセンブリ１における外部絶縁体６は、外部導体５が所定の部位で露出するように形成されている。このような外部導体５の露出部分では半田付け接続が可能であり、基板配線パターンに基づいて決定した所定の部位で半田付け接続を行えることになる。
【００２０】
外部絶縁体６は、リフロー炉における加熱に耐え得る絶縁材料のうち、揮発性有機溶媒に分散しかつ焼付け処理が可能である材料で形成される。例えば低誘電率の絶縁体樹脂であるフッ素樹脂等が好ましく用いられる。フッ素樹脂としては、ＰＴＦＥ（ｐｏｌｙｔｅｔｒａｆｌｕｏｒｏｅｔｈｙｌｅｎｅ）、ＰＦＡ（ｐｅｒｆｌｕｏｒｏａｌｋｏｘｙａｌｋａｎｅ）やＦＥＰ（ｆｌｕｏｒｉｎａｔｅｄ  ｅｔｈｙｌｅｎｅ  ｐｒｏｐｙｌｅｎｅ）等を挙げることができ、特にＰＴＦＥが好ましく用いられる。
【００２１】
本発明のセミリジッド同軸ケーブルアセンブリ１における外部絶縁体６の厚さ（層厚）は、５μｍ以上５０μｍ以下であることが好ましく、約１５μｍであることがさらに好ましい。外部絶縁体５がこのような厚さを有すると、ケーブル本体２の外径が小さくなり、セミリジッド同軸ケーブルアセンブリ１の基板占有面積が縮小することとなる。
【００２２】
なお、ケーブル本体２の両端部は、外部導体５より絶縁体４が延出し、さらにこの絶縁体４より中心導体３が延出している。
【００２３】
次に、このセミリジッド同軸ケーブルアセンブリ１をプリント基板１１にリフロー半田付けを行う場合について説明する。
【００２４】
プリント基板１１には、基板配線パターンに基づいて半田付けランド７〜９が設けられており、その半田付けランド７〜９上には、印刷やディスペンサーなどの半田供給器等により厚さ０．１〜０．２ｍｍ例えば０．２ｍｍの半田ペーストが半田付けランド７〜９の面積に対応して塗布されている。
【００２５】
このプリント基板１１にセミリジッド同軸ケーブルアセンブリ１を搭載する。この搭載は、例えば、外部導体５の両端部の露出部分５１を半田付けランド７に、中間部の露出部分５２を半田付けランド８に、中心導体３の両端部の露出部分を半田付けランド９に、それぞれ半田ペーストを介して当接させて行う。
【００２６】
次に、このプリント基板（実装すべき電子部品等を所定の位置に搭載したプリント基板）１１をリフロー炉を用いて加熱する。半田付けランド７〜９上の半田ペーストが溶融（リフロー）し、冷却後、セミリジッド同軸ケーブルアセンブリ１が所定の半田付けランド７〜９上に半田１０によって接続される。
【００２７】
このように、セミリジッド同軸ケーブルアセンブリ１のプリント基板１１への半田付け接続は、ケーブル本体２の両端部５１だけでなく中間部５２においてもできるので、セミリジッド同軸ケーブルアセンブリ１のプリント基板１１からの浮きやずれを防止することができ、他の電子部品との干渉が生じにくくなる。さらに、ケーブル本体２の中間部５２で半田付け接続することによって、中間部５２でグラウンドを取ることができる。その結果、放射ノイズが抑制され、他の電子部品との干渉が生じにくくなり、シールド特性が向上する。
【００２８】
本発明のセミリジッド同軸ケーブルアセンブリ１が上記のような特徴を有するので、基板配線パターンの設計の自由度が拡大する。すなわち、セミリジッド同軸ケーブルアセンブリ１の占有面積や他の電子部品との干渉に起因する基板設計の制限が小さくなり、電子機器の高密度実装化や小型化などを考慮した自由な基板配線パターンの設計が可能となる。
【００２９】
（セミリジッド同軸ケーブルアセンブリの製造方法）
次に、セミリジッド同軸ケーブルアセンブリ１の製造方法について説明する。本発明のセミリジッド同軸ケーブルアセンブリ１の製造方法は、上述した構成からなるセミリジッド同軸ケーブルアセンブリ１の製造方法であって、その特徴は、外部絶縁体６が設けられていないセミリジッド同軸ケーブルの長手方向中間部の所定の部位をマスキングし、マスキングされたセミリジッド同軸ケーブルに絶縁塗料を塗布・乾燥し、その後焼成して外部絶縁体６を選択的に形成することにある。すなわち、外部導体５上の半田付け接続箇所をマスキングし、外部導体５に外部絶縁体用絶縁塗料をスプレー塗装し、その絶縁塗料を乾燥し、焼き付けて外部絶縁体６を被膜させることにより、ケーブル本体の所定の部位に外部導体露出部分を有するセミリジッド同軸ケーブルアセンブリ１の製造方法である。
【００３０】
なお、セミリジッド同軸ケーブルアセンブリ１を製造するためのその他の製造工程については従来公知の方法と同様である。また、中心導体３等の露出は、外部絶縁体６形成前に行うことが望ましく、従来公知の方法で行うことができる。
【００３１】
外部導体５の半田付け接続箇所のマスキングは、あらかじめ設計した基板配線パターンに基づいて行う。マスキングパターンは、例えば、ケーブル長手方向の両端部および中間部をマスクするような態様が挙げられる。ケーブル両端部をマスクすると、段差剥ぎしなくとも外部導体５を露出させることができ、段差剥ぎによる外部導体５と外部絶縁体６間の密着性の低下を防止することができる。また、ケーブル中間部をマスクすると、ケーブル中間部において半田付けによる接続ができる。
【００３２】
外部絶縁体用絶縁塗料には、上述した絶縁材料を揮発性有機溶媒で希釈したものを使用する。揮発性有機溶媒は、使用する絶縁材料に応じて選択され、その絶縁塗料の濃度は、スプレー塗装しうる程度の濃度であればよい。
【００３３】
外部導体５への絶縁塗料のスプレー塗装は、上述の絶縁塗料をスプレーガンにて外部導体５の表面に塗装することにより行う。スプレーガンからの絶縁塗料の吐出速度は、形成する外部絶縁体６の厚さに応じて決定する。この外部絶縁体６の厚さは、絶縁材料の塗布をスプレー塗装により行うので、約５μｍまで薄くできるが、外部絶縁体６の絶縁性やシールド特性を考慮して約１５μｍにすることが望ましい。
【００３４】
外部導体５へ塗装された絶縁塗料の乾燥および焼付けは、スプレー塗装後のケーブル本体２を、オーブン等で加熱することにより行う。乾燥のための加熱温度や加熱時間および焼付けのための加熱温度や加熱時間は、使用する絶縁塗料に応じて決定する。
【００３５】
セミリジッド同軸ケーブルアセンブリを上記の製造方法で製造すると、所定の部位で半田付け接続が可能なセミリジッド同軸ケーブルアセンブリを得ることができ、また、外部絶縁体が薄くケーブル本体の外径が小さいセミリジッド同軸ケーブルアセンブリを得ることができる。このようなセミリジッド同軸ケーブルアセンブリは、基板に実装した際に他の電子部品との干渉が生じにくく、また、基板上の実装密度を向上させることができるので、これらに起因する基板設計の制限が小さくなり、電子機器の高密度実装化や小型化などを考慮した自由な基板配線パターンの設計が可能となる。
【００３６】
【実施例】
以下、本発明を実施例と比較例に基づいてさらに詳しく説明する。なお、これにより本発明が限定されるものではない。
【００３７】
（実施例１）
まず、外径（φ）０．１６ｍｍの中心導体、外径（φ）０．５ｍｍの絶縁体および、外径（φ）０．６２ｍｍの外部導体を有するセミリジッド同軸ケーブルを長さ５０ｍｍで切断した。この切断したセミリジッド同軸ケーブルの両端部を段差剥きに加工して中心導体および絶縁体を露出させた。
【００３８】
そのセミリジッド同軸ケーブルを、同形状の二つの塗装治具で挟んで固定した。図３は、この塗装治具を示す平面図である。塗装治具３０には、基板配線パターンに基づいて決定した半田付け接続箇所（本実施例では両端部と中間部。）がマスキングされるようなマスクパターンを有するもの（図３のＡは５ｍｍ、Ｂは２０ｍｍ、Ｃは１０ｍｍ。）を使用した。図４は、二つの塗装治具３０でセミリジッド同軸ケーブル４０を固定した状態を示す斜視図である。この固定は、図４に示すように、その二つの塗装治具３０の有するマスクパターン同士が整合するように、かつ、セミリジッド同軸ケーブル４０の半田付け接続箇所とマスクパターンによるマスク箇所が対応するように行った。
【００３９】
このセミリジッド同軸ケーブルが固定された塗装治具の両側面に、有機溶媒としてケトンを用いて、フッ素樹脂エナメル塗料（デュポン株式会社製、９５４−１００  ＯＮＥ  ＣＯＡＴ  ＣＬＥＡＲ）を濃度５０％に希釈した絶縁塗料を、スプレーガン（アネスト岩田製、型番  ＬＰＨ）を用いて吐出速度１０ｍｌ／ｍｉｎにてスプレー塗装した。
【００４０】
この塗装治具を、オーブン（エスペック社製、型番  ＰＶ−２１１）にて１００℃で１５分間加熱することにより、塗装された絶縁塗料を乾燥し、続いて同オーブンにて２４６℃で１５分間加熱することによりその絶縁塗料の焼付けを行って、厚さ１５μｍの外部絶縁体を形成させた。その後、ケーブル本体を塗装治具から取り外して総外径（φ）０．６５ｍｍという外径の小さいセミリジッド同軸ケーブルアセンブリを得た。このセミリジッド同軸ケーブルアセンブリは、半田付け接続する箇所（ケーブル本体の両端部および中間部。）には外部絶縁体が形成されておらず、外部導体が露出していた。
【００４１】
次に、基板配線パターンに基づいて決定したプリント基板上の所定の位置に半田付けランドを設け、その半田付けランドランド上に１５０μｍの厚さで半田ペーストを印刷・塗布した。このプリント基板の所定の位置に部品実装機で製造したセミリジッド同軸ケーブルアセンブリを搭載した。この搭載は、ケーブルの中心導体および外部導体の露出部分が、半田付けランドと当接すべく行った。なお、部品実装機で他の電子部品もプリント基板の所定の位置に搭載した。
【００４２】
このセミリジッド同軸ケーブルアセンブリを搭載したプリント基板をリフロー炉を用いて加熱して半田ペーストを溶融させた。この加熱は、例えば、約１５０℃で６０秒の予備加熱をした後、約２３０℃以上の本加熱（ピーク温度が約２５０℃である本加熱）を３０秒間行ったものである。なお、全体の加熱時間は１２０〜１８０秒である。加熱後、プリント基板を冷却して半田を固化させて、半田付けを行った。
【００４３】
この半田付けを行ったプリント基板上の実施例のセミリジッド同軸ケーブルアセンブリは、その両端部だけでなく、中間部も半田付けされているので、浮きやずれがなく、良好な半田接続が行われていた。このように浮きやずれがないことから、他の電子部品との干渉を生じなかった。
【００４４】
さらに、実施例のセミリジッド同軸ケーブルアセンブリでは、ケーブル本体の中間部を半田付けしたことにより、ケーブル本体の中間部にグラウンドを取ることができ、放射ノイズが抑制され、シールド特性も向上した。
【００４５】
また、実施例のセミリジッド同軸ケーブルアセンブリは、外径が０．６５ｍｍと小さいので、ケーブル本体の基板占有面積を縮小でき、プリント基板の実装密度が大きくなり、プリント基板の小型化も可能となった。
【００４６】
（比較例１）
上述の実施例と同じ外径の中心導体、絶縁体および外部導体を有するセミリジッド同軸ケーブルに、絶縁材料として「テフロン（登録商標）ＦＥＰ」（商品名：三井デュポンフロロケミカル社製）を押出し形成することにより外部絶縁体を被覆させて、総外径（φ）０．８２ｍｍのセミリジッド同軸ケーブルを製造した。これを長さ５０ｍｍで切断し、両端部を段差剥きに加工して中心導体、絶縁体および外部導体を露出させて比較例のセミリジッド同軸ケーブルアセンブリを得た。このセミリジッド同軸ケーブルアセンブリは、ケーブル本体の両端部のみ外部導体が露出しており、ケーブル本体の中間部は外部絶縁体が一様に形成されていた。このセミリジッド同軸ケーブルアセンブリを、実施例のセミリジッド同軸ケーブルアセンブリの半田付けと同様の手順でプリント基板にリフロー半田付けを行った。
【００４７】
この半田付けを行ったプリント基板上のセミリジッド同軸ケーブルアセンブリは、両端部のみが半田接続されているので、浮きやずれが生じ、他の電子部品との干渉が生じた。
【００４８】
また、比較例のセミリジッド同軸ケーブルアセンブリでは、放射ノイズを抑制することができず、シールド特性は実施例のセミリジッド同軸ケーブルアセンブリに劣るものとなった。
【００４９】
また、比較例のセミリジッド同軸ケーブルアセンブリは、外径が０．８２ｍｍと大きいので、ケーブル本体の近傍には他の電子部品を配置することができず、プリント基板の実装密度が低下し、プリント基板の小型化を阻害する結果となった。
【００５０】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明のセミリジッド同軸ケーブルアセンブリによれば、ケーブル本体の両端部に限定されない半田付けが可能となるので、例えばケーブル本体の中間部で半田付けした場合には、他の電子機器との干渉を考慮することなく基板配線パターンの設計ができるなど、電子機器の高密度や小型化を考慮した自由な基板配線パターンの設計が可能となる。
【００５１】
また、本発明のセミリジッド同軸ケーブルアセンブリの製造方法によれば、電子機器の高密度化や小型化を考慮して設計された基板配線パターンに基づいて、半田付け接続可能な箇所を有するセミリジッド同軸ケーブルアセンブリを製造することができる。また、外部絶縁体をスプレー塗装により形成するので、ケーブル本体の外径を小さくすることができ、電子機器の高密度実装化や小型化等を考慮した自由な基板配線パターンの設計が可能なセミリジッド同軸ケーブルアセンブリを製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のセミリジッド同軸ケーブルアセンブリの一例を示す平面図である。
【図２】本発明のセミリジッド同軸ケーブルアセンブリを基板上に半田付けを行った状態を示す側面図である。
【図３】実施例のセミリジッド同軸ケーブルアセンブリの製造において使用した塗装治具を示す平面図である。
【図４】実施例のセミリジッド同軸ケーブルアセンブリを製造において、外部絶縁体が形成される前のセミリジッド同軸ケーブルを二つの塗装治具に固定した状態を示す斜視図である。
【図５】従来のセミリジッド同軸ケーブルの一例を示す平面図である。
【図６】従来のセミリジッド同軸ケーブルを基板上に半田付けした状態を示す側面図である。
【符号の説明】
１  セミリジッド同軸ケーブルアセンブリ
２  ケーブル本体
３  中心導体
４  絶縁体
５  外部導体
６  外部絶縁体
７  半田付けランド
８  半田付けランド
９  半田付けランド
１０  半田
１１  プリント基板
５１  ケーブル本体両端部の外部導体露出部分
５２  ケーブル本体中間部の外部導体露出部分
【図１】
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【図２】
2004363022.tif 000004
【図３】
2004363022.tif 000005
【図４】
2004363022.tif 000006
【図５】
2004363022.tif 000007
【図６】
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