(57)【要約】【課題】高いインダクタンス値を取得でき、スルーホールの不良率を大幅に低減し得るインダクタンス素子を提供する。【解決手段】第２の導体配線１１１〜１１６は、第１番目の絶縁層１０１と第２番目の絶縁層１０２とが隣接する面、及び、第４番目の絶縁層１０４の面であって、第３番目の絶縁層１０３と隣接する面とは反対側の面に位置している。第１の導体配線１２１〜１２７は、第２番目の絶縁層１０２と第３番目の絶縁層１０３とが隣接する面、及び、第３番目の絶縁層１０３と第４番目の絶縁層１０４とが隣接する面に位置している。第１の導体配線１１１〜１１６及び第２の導体配線１２１〜１２７は、スルーホール導体１３１〜１５５によって電気的に接続され、第３番目の絶縁層１０３の周りを周回するコイルが構成されている。【選択図】      図３
2004303975.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基体と、導体配線とを含むインダクタンス素子であって、
前記絶縁基体は、４以上の偶数ｎで表されるｎ層の絶縁層を含み、前記絶縁層は順次に配置されており、
前記導体配線は、第｛（ｎ／２）＋１｝番目の絶縁層を中間にして、その両側に配置され、
第ｍ（ｍ＝１、２、３、．．．、ｎ／２）の導体配線は、
ｍ＜（ｎ／２）のときは、第｛（ｎ／２）＋１＋（ｍ−１）｝番目の絶縁層と第｛（ｎ／２）＋１＋ｍ｝番目の絶縁層とが隣接する面、及び、第｛（ｎ／２）＋１−ｍ｝番目の絶縁層と第｛（ｎ／２）＋１−（ｍ−１）｝番目の絶縁層とが隣接する面に位置し、
ｍ＝ｎ／２のときは、第｛（ｎ／２）＋ｍ｝番目の絶縁層の面であって、第｛（ｎ／２）＋ｍ−１｝番目の絶縁層と隣接する面とは反対側の面、及び、第｛（ｎ／２）＋１−ｍ｝番目の絶縁層と第｛（ｎ／２）＋１−（ｍ−１）｝番目の絶縁層とが隣接する面に位置し、
前記導体配線は、前記絶縁層を貫通するスルーホール導体によって電気的に接続され、それによって、前記第｛（ｎ／２）＋１｝番目の絶縁層の周りを周回するコイルが構成されている
インダクタンス素子。
【請求項２】
絶縁基体と、導体配線とを含むインダクタンス素子であって、
前記絶縁基体は、４以上の偶数ｎで表されるｎ層の絶縁層を含み、前記絶縁層は順次に積層されており、
前記導体配線は、第｛（ｎ／２）＋１｝番目の絶縁層を中間にして、その両側に配置され、
第ｍ（ｍ＝１、２、３、．．．、ｎ／２）の導体配線は、
第｛（ｎ／２）＋１｝番目の絶縁層を中間にして、その両側に配置され、
ｍ＜（ｎ／２）のときは、第｛（ｎ／２）＋１＋（ｍ−１）｝番目の絶縁層の面であって、第｛（ｎ／２）＋１＋ｍ｝番目の絶縁層と隣接する面、及び、第｛（ｎ／２）＋１−ｍ｝番目の絶縁層の面であって、第｛（ｎ／２）＋１−（ｍ−１）｝番目の絶縁層と隣接する面に、それぞれ形成されており、
ｍ＝ｎ／２のときは、第｛（ｎ／２）＋ｍ｝番目の絶縁層の面であって第｛（ｎ／２）＋ｍ−１｝番目の絶縁層と隣接する面とは反対側の面、及び、第｛（ｎ／２）＋１−ｍ｝番目の絶縁層の面であって第｛（ｎ／２）＋１−（ｍ−１）｝番目の絶縁層と隣接する面に、それぞれ形成されており、
前記導体配線は、前記絶縁層を貫通するスルーホール導体によって電気的に接続され、それによって、前記第｛（ｎ／２）＋１｝番目の絶縁層の周りを周回するコイルが構成されている
インダクタンス素子。
【請求項３】
絶縁基体と、導体配線とを含むインダクタンス素子であって、
前記絶縁基体は、４以上の偶数ｎで表されるｎ層の絶縁層を含み、前記絶縁層は順次に積層されており、
前記導体配線は、第｛（ｎ／２）＋１｝番目の絶縁層を中間にして、その両側に配置されており、
第ｍ（ｍ＝１、２、３、．．．、ｎ／２）の導体配線は、
ｍ＜（ｎ／２）のときは、第｛（ｎ／２）＋１＋（ｍ−１）｝番目の絶縁層の面であって、第｛（ｎ／２）＋１＋ｍ｝番目の絶縁層と隣接する面、及び、第｛（ｎ／２）＋１−（ｍ−１）｝番目の絶縁層の面であって、第｛（ｎ／２）＋１−ｍ｝番目の絶縁層と隣接する面に、それぞれ形成されており、
ｍ＝ｎ／２のときは、第｛（ｎ／２）＋ｍ｝番目の絶縁層の面であって第｛（ｎ／２）＋ｍ−１｝番目の絶縁層と隣接する面とは反対側の面、及び、第｛（ｎ／２）＋１−（ｍ−１）｝番目の絶縁層の面であって第｛（ｎ／２）＋１−ｍ｝番目の絶縁層と隣接する面に、それぞれ形成されており、
前記導体配線は、前記絶縁層を貫通するスルーホール導体によって電気的に接続され、それによって、前記第｛（ｎ／２）＋１｝番目の絶縁層の周りを周回するコイルが構成されている
インダクタンス素子。
【請求項４】
請求項１乃至３の何れかに記載されたインダクタンス素子であって、前記コイルは、同一位置で周回するインダクタンス素子。
【請求項５】
請求項１乃至３の何れかに記載されたインダクタンス素子であって、前記コイルは、巻軸方向に変位しながら周回するインダクタンス素子。
【請求項６】
請求項１乃至５の何れかに記載されたインダクタンス素子であって、第｛（ｎ／２）＋１｝番目の絶縁層は、他の絶縁層よりも厚いインダクタンス素子。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明インダクタンス素子に関する。更に詳しくは、積層構造を持つチップ状のインダクタンス素子に係る。
【０００２】
【従来の技術】
この種のインダクタンス素子としては、例えば、特許文献１、２に開示されたものが知られている。まず、特許文献１は、バイアホール（スルーホール）及び平行線の印刷配線を、上絶縁体グリーンシート及び下絶縁体グリーンシートに形成し、メタライズペーストを充填したスルーホールを有する中間絶縁体グリーンシートを介して、上絶縁体グリーンシート及び下絶縁体グリーンシートを積層し、一括焼成することにより、コイルを３次元方向に形成する技術を開示している。スルーホール形成に当たっては、スクリーン印刷によって印刷配線を形成するときに、スクリーン印刷インクであるＣｕペーストをスルーホールに充填する。
【０００３】
次に、特許文献２は、複数のセラミック絶縁体を積層した積層体内に、セラミック絶縁体間に配置されたコイルパターンと、セラミック絶縁体の厚み方向を貫くビアホール（スルーホール）導体とで形成されるコイルを配置した構造を持ち、コイルの中心軸がセラミック絶縁体の厚みに対して直交する積層コイル基板を開示している。セラミックペースト及び導体配線ぺースは、印刷等の厚膜技術の適用により、交互に形成される。
【０００４】
【特許文献１】
特開平６−１１２６５５号公報
【特許文献２】
特開平４−２４２９１１号公報
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、この種のインダクタンス素子において、品質係数Ｑを確保するには、導体配線を厚くする必要があるが、導体配線を厚くしたとき、導体配線パターンの崩れなどによって、その幅精度が低下してはならない。導体配線の幅精度が低下すると、取得インダクタンス値が目標値から外れてしまうからである。
【０００６】
また、この種のインダクタンス素子において、形状を増大させることなく、取得インダクタンス値を増大させるには、隣接するコイルターン間の間隔を縮小し、ターン数を増大させるとともに、導体配線間の結合を高める必要がある。
【０００７】
更に、コイル導体をスルーホール導体によって接続する構造を採用する場合、スルーホール導体が長いと、スルーホール内へのペースト充填またはスルーホールメッキが不十分になる。実験ではスルーホール径に対してスルーホール長さが６倍を越えた当たりから不良が出始めた。
【０００８】
スルーホール導体の長さは、絶縁体の厚みによって決まるので、スルーホール導体の長さを短くするには、セラミック絶縁体の厚みを薄くせざるを得ない。しかし、セラミック絶縁体の厚みは、特性確保の観点から選択すべき寸法が定まっており、スルーホール導体の長さの観点だけから自由に選択できるものではない。
【０００９】
上述した特許文献１、２に記載された発明は、上述した各種の問題点を解決する手段を開示していない。
【００１０】
例えば、特許文献１に記載された発明の場合、一回のスクリ−ン印刷で、セラミックペースト及び導体配線ペーストの塗布厚みを数μｍしか形成できないため、導体配線の厚み、セラミック絶縁体の厚みをとることが難しい。導体配線厚みも薄くなるため、インダクタ素子の品質係数Ｑが悪くなる。また導体配線を厚く形成すると、スクリーン印刷の滲みが大きくなり、導体配線の幅精度が劣化する。このため、取得インダクタンス値が変動する。
【００１１】
本発明の課題は、同一の材料及び形状の設計において、高いインダクタンス値を取得し得るインダクタンス素子を提供することである。
【００１２】
本発明のもう１つの課題は、スルーホールの不良率を大幅に低減し得るインダクタンス素子を提供することである。
【００１３】
本発明の更にもう１つの課題は、取得インダクタンス値のばらつきの少ないインダクタンス素子を提供することである。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
上述した課題を解決するため、本発明は、３つの態様に係るインダクタンス素子を開示する。
【００１５】
１．第１の態様に係るインダクタンス素子
第１の態様は、絶縁層を、セラミック絶縁材料、有機絶縁材料、または有機絶縁材料に機能性粉末を混合した複合材料によって構成する場合の何れも含む。絶縁層をセラミック絶縁材料で構成する場合は、シート法、または、印刷法の適用を含み、有機絶縁材料または複合材料で構成する場合は、ビルドアップ法またはスタック法を含み得る内容を有する。このインダクタンス素子は、絶縁基体と、導体配線とを含む。
【００１６】
前記絶縁基体は、４以上の偶数ｎで表されるｎ層の絶縁層を含み、前記絶縁層は順次に配置されている。
【００１７】
前記導体配線は、第｛（ｎ／２）＋１｝番目の絶縁層を中間にして、その両側に配置される。第ｍ（ｍ＝１、２、３、．．．、ｎ／２）の導体配線は、第｛（ｎ／２）＋１｝番目の絶縁層を中間にして、その両側に配置される。
【００１８】
第ｍ（ｍ＝１、２、３、．．．、ｎ／２）の導体配線は、ｍ＜（ｎ／２）のときは、第｛（ｎ／２）＋１＋（ｍ−１）｝番目の絶縁層と第｛（ｎ／２）＋１＋ｍ｝番目の絶縁層とが隣接する面、及び、第｛（ｎ／２）＋１−ｍ｝番目の絶縁層と第｛（ｎ／２）＋１−（ｍ−１）｝番目の絶縁層とが隣接する面に位置する。
【００１９】
ｍ＝ｎ／２のときは、第｛（ｎ／２）＋ｍ｝番目の絶縁層の面であって、第｛（ｎ／２）＋ｍ−１｝番目の絶縁層と隣接する面とは反対側の面、及び、第｛（ｎ／２）＋１−ｍ｝番目の絶縁層と第｛（ｎ／２）＋１−（ｍ−１）｝番目の絶縁層とが隣接する面に位置する。
【００２０】
前記導体配線は、前記絶縁層を貫通するスル−ホ−ル導体によって電気的に接続され、それによって、前記第｛（ｎ／２）＋１｝番目の絶縁層の周りを周回するコイルが構成されている。
【００２１】
上記構成によれば、コイルのターン数や巻径は絶縁層の層数や、層厚によって定まる。このため、従来と同一の材料を用い、同一の形状設計をした場合でも、高いインダクタンス値を取得し得る。
【００２２】
しかも、導体配線は、絶縁層を貫通するスルーホール導体によって電気的に接続されているから、スル−ホ−ル導体の長さは絶縁層の層厚になる。各絶縁層は、例えば、５０μｍ〜２００μｍの微小厚みに設定することができるから、スルーホール導体の長さを縮小し、スルーホール内へのペースト充填またはスルーホールメッキを、確実、かつ、完全に実行することができる。スルーホールは、その径に対して長さが６倍を越えないように設定する。
【００２３】
絶縁基体の全体の厚み、又は、各絶縁層のうち、中間の絶縁層の厚みは、所定の特性が得られるような値に設定することができる。従って、スルーホール導体の長さを短くして、その電気的接続の信頼性を確保しつつ、所望の電気的特性を得ることができる。
【００２４】
２．第２の態様に係るインダクタンス素子
第２の態様は、主に、絶縁層を、セラミック絶縁材料で構成し、シート法または印刷法によって積層されたインダクタンス素子に係る。このインダクタンス素子は、絶縁基体と、導体配線とを含む。前記絶縁基体は、４以上の偶数ｎで表されるｎ層の絶縁層を含み、前記絶縁層は順次に積層されている。
【００２５】
前記導体配線は、第｛（ｎ／２）＋１｝番目の絶縁層を中間にして、その両側に配置される。第ｍ（ｍ＝１、２、３、．．．、ｎ／２）の導体配線は、ｍ＜（ｎ／２）のときは、第｛（ｎ／２）＋１＋（ｍ−１）｝番目の絶縁層の面であって、第｛（ｎ／２）＋１＋ｍ｝番目の絶縁層と隣接する面、及び、第｛（ｎ／２）＋１−ｍ｝番目の絶縁層の面であって、第｛（ｎ／２）＋１−（ｍ−１）｝番目の絶縁層と隣接する面に、それぞれ形成されている。
【００２６】
第ｍの導体配線は、ｍ＝ｎ／２のときは、第｛（ｎ／２）＋ｍ｝番目の絶縁層の面であって第｛（ｎ／２）＋ｍ−１｝番目の絶縁層と隣接する面とは反対側の面、及び、第｛（ｎ／２）＋１−ｍ｝番目の絶縁層の面であって第｛（ｎ／２）＋１−（ｍ−１）｝番目の絶縁層と隣接する面に、それぞれ形成されている。
【００２７】
前記導体配線は、前記絶縁層を貫通するスルーホール導体によって電気的に接続され、それによって、前記第｛（ｎ／２）＋１｝番目の絶縁層の周りを周回するコイルが構成されている。
【００２８】
この第２の態様に係るインダクタンス素子は、積層完了後は、配線導体と絶縁層との相対的配置関係が、第１の態様と同じになるから、第１の態様に係るインダクタンス素子と同じ作用効果を奏する。
【００２９】
３．第３の態様に係るインダクタンス素子
第３の態様も、主に、絶縁層を、有機絶縁材料または複合材料で構成し、ビルドアップ法またはスタック法によって積層されたインダクタンス素子に係る。このインダクタンス素子は、絶縁基体と、導体配線とを含む。前記絶縁基体は、４以上の偶数ｎで表されるｎ層の絶縁層を含む。前記絶縁層は順次に積層されている。
【００３０】
前記導体配線は、第｛（ｎ／２）＋１｝番目の絶縁層を中間にして、その両側に配置されている。第ｍ（ｍ＝１、２、３、．．．、ｎ／２）の導体配線は、ｍ＜（ｎ／２）のときは、第｛（ｎ／２）＋１＋（ｍ−１）｝番目の絶縁層の面であって、第｛（ｎ／２）＋１＋ｍ｝番目の絶縁層と隣接する面、及び、第｛（ｎ／２）＋１−（ｍ−１）｝番目の絶縁層の面であって、第｛（ｎ／２）＋１−ｍ｝番目の絶縁層と隣接する面に、それぞれ形成されている。
【００３１】
第ｍの導体配線は、また、ｍ＝ｎ／２のときは、第｛（ｎ／２）＋ｍ｝番目の絶縁層の面であって第｛（ｎ／２）＋ｍ−１｝番目の絶縁層と隣接する面とは反対側の面、及び、第｛（ｎ／２）＋１−（ｍ−１）｝番目の絶縁層の面であって第｛（ｎ／２）＋１−ｍ｝番目の絶縁層と隣接する面に、それぞれ形成されている。
【００３２】
前記導体配線は、前記絶縁層を貫通するスルーホール導体によって電気的に接続され、それによって、前記第｛（ｎ／２）＋１｝番目の絶縁層の周りを周回するコイルが構成される。
【００３３】
この第３の態様に係るインダクタンス素子も、積層完了後は、配線導体と絶縁層との相対的配置関係が、第１の態様と同じになるから、第１の態様に係るインダクタンス素子と同じ作用効果を奏する。
【００３４】
【発明の実施の形態】
１．第１の態様に係るインダクタンス素子
図１は本発明に係るインダクタンス素子の斜視図、図２は図１に示したインダクタンス素子の積層構造を示す断面図、図３は図２の３−３線に沿った断面図である。
【００３５】
図示されたインダクタンス素子は、ｎ＝４の場合であって、絶縁基体１０と、導体配線とを含む。絶縁基体１０の表面には、外部端子電極２１、２２が備えられている。外部端子電極２１、２２は回路基板等の表面に面実装する際にはんだ付けされる。
【００３６】
絶縁基体１０は、第１〜第５番目の絶縁層１０１〜１０５を含み、第１〜第５番目の絶縁層１０１〜１０５はこの順序で順次に配置されている。第５番目の絶縁層１０５は、外部端子電極２１、２２を形成するための層、及び、保護層としての役割を担うものである。
【００３７】
第１〜第５番目の絶縁層１０１〜１０５は、セラミック絶縁材料、有機絶縁材料、または有機絶縁材料に機能性粉末を混合した複合材料によって構成することができる。第１〜第５番目の絶縁層１０１〜１０５をセラミック絶縁材料で構成する場合は、シート法、または、印刷法を適用することができる。シート法を適用した場合、インダクタンス素子は、概略的には、セラミックスラリーをシート化してグリーンシートを作り、グリーンシートにスルーホールを形成し、スルーホールへの導電ペーストの充填、及び、導体配線のパターニング処理などを実行することによって形成される。印刷法を適用した場合、インダクタンス素子は、セラミックスラリー印刷工程及び導体ペースト印刷工程を交互に実行し、セラミックスラリー印刷工程で形成したスルーホールに、導体ペースト印刷工程において導体ペーストを充填し、同時に、導体配線を所定のパターンとなるように印刷するプロセスを経て製造される。
【００３８】
第１〜第５番目の絶縁層１０１〜１０５を有機絶縁材料または複合材料で構成する場合は、ビルドアップ法またはスタック法が適用される。ビルドアップ法による場合は、絶縁樹脂材料または複合材料のワニスから、プリプレグ（乾燥／Ｂステージ状態）を形成し、その両面に銅箔を貼り付けプレスし硬化させて、更に、銅箔をエッチングしてパターニングする。次に、スルーホールを形成し、スルーホールに穴メッキを施し、コアとなるコア基板を作る。このコア基板は、図示実施例の場合は、第３の絶縁層１０３である。
【００３９】
一方、銅箔の一方面に、上記ワニスを塗布し、乾燥（Ｂステージ状態）した樹脂付金属箔を用意する。この樹脂付金属箔を、コア基板の両面に、樹脂層側を向き合わせながら積層し、プレスし、硬化させ、絶縁層を形成する。この絶縁層は、図示実施例の場合、第２番目の絶縁層１０２、及び、第４番目の絶縁層１０４である。次に、エッチングによってパターニングし、スルーホールを開け、スルーホールに穴メッキを施す。この工程を、絶縁層の層数に応じて繰り返す。
【００４０】
スタック法は、上記プリプレグ（乾燥／Ｂステージ状態）の両面に銅箔を貼り付け、硬化させ、コア基板とし、銅箔をエッチングによってパターニングする。プリプレグとコア基板とを交互に積層し、プレスし、硬化させる。その後、スルーホールを形成し、穴メッキを施す。この場合、銅箔をパターニングして得られた導体配線が、積層方向に重ならないようにする。
【００４１】
第１〜第５番目の絶縁層１０１〜１０５は、同一の材料によって構成されていてもよいし、異なる材料で構成されていてもよい。例えば、第１〜第５番目の絶縁層１０１〜１０５の全体を有機質絶縁材料で構成してもよいし、コアを構成する第３番目の絶縁層１０３のみを、磁性粉と有機材料とを混合した複合磁性材料によって構成してもよい。第３番目の絶縁層１０３を複合磁性材料によって構成した場合、第３番目の絶縁層１０３が磁性コアとして機能することになるので、磁気特性が向上する。第１〜第５番目の絶縁層１０１〜１０５は、例えば、５０μｍ〜２００μｍの厚みに設定することができる。具体的には、中心部に位置する第３の層１０３は、２００μｍ程度の厚みとし、第１の層１０１、第２の層１０２及び第４の層１０４は５０μｍ〜１００μｍ程度の厚みに設定することができる。
【００４２】
導体配線は、第２の導体配線１１１〜１１６と、第１の導体配線１２１〜１２７とを含む。第２の導体配線１１１〜１１３は、第１番目の絶縁層１０１と第２番目の絶縁層１０２とが隣接する面に位置している。第２の導体配線１１４〜１１６は、第４番目の絶縁層１０４の面であって、第３番目の絶縁層１０３と隣接する面とは反対側の面に位置している。第１の導体配線１２１〜１２３は、第２番目の絶縁層１０２と第３番目の絶縁層１０３とが隣接する面に位置している。第１の導体配線１２４〜１２７は、第３番目の絶縁層１０３と第４番目の絶縁層１０４とが隣接する面に位置している。第２の導体配線１１１〜１１６及び第１の導体配線１２１〜１２７は、基本的には隣り合う２つの絶縁層間にあればよい。
【００４３】
第２の導体配線１１１〜１１６は、第２〜第４番目の絶縁層１０２〜１０４を貫通するスルーホール導体によって、また、第１の導体配線１２１〜１２７は、第３番目の絶縁層１０３を貫通するスルーホール導体によって電気的に接続され、それによって、第３番目の絶縁層１０３の周りを周回するコイルが構成されている。
【００４４】
図２に図示する実施例では、３つのコイルが、間隔を隔てて配置されており、各コイルはスルーホール導体によって電気的に接続されている。より詳しくは、第２の導体配線１１１、１１４及び第１の導体配線１２１、１２４により第１のコイルが形成され、第２の導体配線１１２、１１５及び第１の導体配線１２２、１２５により第２のコイルが形成され、第２の導体配線１１３、１１６及び第１の導体配線１２３、１２６により第３のコイルが形成されている。第１のコイル〜第３のコイルは、高いインダクタンス値Ｌを得る目的で、同一方向に周回しており、また、同一方向の磁束を生じるように接続されている。
【００４５】
第１のコイルを構成する第１の導体配線１２１は、第３番目の絶縁層１０３に設けられたスルーホール導体１４４及び第４番目の絶縁層１０４に設けられたスルーホール導体１４５を介して、第２のコイルに含まれる第２の導体配線１１５に接続されている。第２のコイルを構成する第１の導体配線１２２は、第２番目の絶縁層１０２に設けられたスルーホール導体１３３を介して、第３のコイルに含まれる第２の導体配線１１３に接続されている。第３のコイルに含まれる第１の導体配線１２６、１２７は、第４番目の絶縁層１０４に設けられたスルーホール導体１５６、及び、第５番目の絶縁層１０５に設けられたスルーホール導体１５８を介して、外部端子電極２２に導かれている。
【００４６】
図示実施例において、第２の導体配線１１１、１１４及び第１の導体配線１２１、１２４は、互いに重なり合う同一位置に形成されており、第２の導体配線１１２、１１５及び第１の導体配線１２２、１２も互いに重なり合う同一位置に形成されており、第２の導体配線１１３、１１６及び第１の導体配線１２３、１２６も互いに重なり合う同一位置に形成されている。
【００４７】
第２の導体配線１１１、１１４及び第１の導体配線１２１、１２４は、図３に示すように、第２〜第４番目の絶縁層１０２〜１０４を貫通するスルーホール導体（１３１、１４１、１５１）、（１３４、１４３）、１４６によって電気的に接続され、これにより、中間の第３番目の絶縁層１０３の周りを、渦巻き状に周回するコイルが形成される。
【００４８】
具体的に述べると、第１のコイルでは、外部端子電極２１−スルーホール導体１５７−第２の導体配線１１４−スルーホール導体（１５１−１４１−１３１）−第２の導体配線１１１の接続経路により、巻半径の大きなコイルターンが形成される。
【００４９】
次に、第２の導体配線１１１−スルーホール導体（１３４−１４３）−第１の導体配線１２４−スルーホール導体１４６−第１の導体配線１２１の端部の接続経路により、巻半径の小さなコイルターンが形成される。
【００５０】
図示は省略するが、第２の導体配線１１２、１１５及び第１の導体配線１２２、１２５によって構成される第２のコイル、並びに、第３の導体配線１１３、１１６及び第１の導体配線１２３、１２６によって構成される第３のコイルにおいても、第１のコイルと同様のスルーホール導体による結合構造が採用されている。
【００５１】
上述したように、本発明に係るインダクタンス素子では、第１〜第４番目の絶縁層１０１〜１０４を、この順序で順次に配置した絶縁基体１０において、第２の導体配線１１１〜１１６は、第１番目の絶縁層１０１と第２番目の絶縁層１０２とが隣接する面、及び、第４番目の絶縁層１０４の面であって、第３番目の絶縁層１０３と隣接する面とは反対側の面に位置している。従って、第２の導体配線１１１〜１１６は、最大、第２番目の絶縁層１０２、第３番目の絶縁層１０３及び第４番目の絶縁層１０４の各厚みを加算した大きな巻半径を有して、第３番目の絶縁層１０３の周りを渦巻き状に周回するコイルターンが形成される。
【００５２】
一方、第１の導体配線１２１〜１２７は、第２番目の絶縁層１０２と第３番目の絶縁層１０３とが隣接する面、及び、第３番目の絶縁層１０３と第４番目の絶縁層１０４とが隣接する面に位置している。従って、第１の導体配線１２１〜１２７は、第３番目の絶縁層１０３の厚みによってほぼ定まる巻半径を有して、巻軸の周りを周回する。当然のことであるが、第１の導体配線１２１〜１２７による巻半径は、第２の導体配線１１１〜１１６の巻半径よりも小さくなる。
【００５３】
上述したように、巻半径の大きな第２の導体配線１１１〜１１６と、巻半径がこれよりも小さな第１の導体配線１２１〜１２７とを、第３番目の絶縁層１０３の周りに渦巻き状に周回させるものであるから、絶縁基体１０の厚みを利用してコイルターン数を増大させることができる。このため、従来と同一の材料を用い、同一の形状設計をした場合でも、高いインダクタンス値を取得し得る。
【００５４】
しかも、第２の導体配線１１１〜１１６及び第１の導体配線１２１〜１２７は、絶縁基体１０を構成する第２〜第４番目の絶縁層１０２〜１０４を貫通するスルーホール導体によって電気的に接続されているから、スルーホール導体の長さは第２〜第４番目の絶縁層１０２〜１０４の層厚になる。このように、絶縁基体１０は、複数層１０１〜１０４に分かれており、各絶縁層は、例えば、５０μｍ〜２００μｍの微小厚みに設定することができるから、スルーホール導体の長さを縮小し、スルーホール内へのペースト充填またはスルーホールメッキを、確実、かつ、完全に実行することができる。スルーホールは、その径に対して長さが６倍を越えないように設定する。
【００５５】
絶縁基体１０の全体の厚み、又は、絶縁層１０１〜１０４のうち、例えば、中心部に位置する第３番目の絶縁層１０３の厚みは、所定の特性が得られるような値に設定することができる。従って、スルーホール導体の長さを短くして、その電気的接続の信頼性を確保しつつ、所望の電気的特性を得ることができる。
【００５６】
次に、図１〜図３に示した実施例を、第１の態様に係る発明の観点から説明する。第１の態様に係るインダクタンス素子において、絶縁基体１０は、４以上の偶数ｎで表されるｎ層の絶縁層を含み、絶縁層は順次に配置されている。導体配線は、第｛（ｎ／２）＋１｝番目の絶縁層を中間にして、その両側に配置される。第ｍ（ｍ＝１、２、３、．．．、ｎ／２）の導体配線は、ｍ＜（ｎ／２）のときは、第｛（ｎ／２）＋１＋（ｍ−１）｝番目の絶縁層と第｛（ｎ／２）＋１＋ｍ｝番目の絶縁層とが隣接する面、及び、第｛（ｎ／２）＋１−ｍ｝番目の絶縁層と第｛（ｎ／２）＋１−（ｍ−１）｝番目の絶縁層とが隣接する面に位置する。
【００５７】
ｍ＝ｎ／２のときは、第｛（ｎ／２）＋ｍ｝番目の絶縁層の面であって、第｛（ｎ／２）＋ｍ−１｝番目の絶縁層と隣接する面とは反対側の面、及び、第｛（ｎ／２）＋１−ｍ｝番目の絶縁層と第｛（ｎ／２）＋１−（ｍ−１）｝番目の絶縁層とが隣接する面に位置する。
【００５８】
導体配線は、絶縁層を貫通するスルーホール導体によって電気的に接続され、それによって、第｛（ｎ／２）＋１｝番目の絶縁層の周りを周回するコイルが構成されている。
【００５９】
次に、第１の態様の構成要件に、図１〜図３の実施例をあてはめる。実施例において、ｎ＝４の場合であるから、絶縁基体１０は、第１〜第４番目の絶縁層１０１〜１０４を含む。導体配線は、第１の導体配線１２１〜１２７と、第２の導体配線１１１〜１１６とを含む。
【００６０】
第２の導体配線１１１〜１１６は、
ｍ＝ｎ／２
＝２
を満たす場合に相当する。第２の導体配線１１１〜１１６のうち、第２の導体配線１１４〜１１６は、まず、第｛（ｎ／２）＋ｍ｝番目の絶縁層の面であって、第｛（ｎ／２）＋ｍ−１｝番目の絶縁層と隣接する面とは反対側の面に位置する。
【００６１】
上記条件式にｍ＝２、ｎ＝４を代入すると、第２の導体配線１１４〜１１６は、第４番目の絶縁層１０４の面であって、第３番目の絶縁層１０３と隣接する面とは反対側の面に位置することになるから、図１〜図３の図示と一致する。
【００６２】
次に、第２の導体配線１１１〜１１６のうち、第２の導体配線１１１〜１１３は、第｛（ｎ／２）＋１−ｍ｝番目の絶縁層と第｛（ｎ／２）＋１−（ｍ−１）｝番目の絶縁層とが隣接する面に位置する。上記条件式に、ｍ＝２、ｎ＝４を代入すると、第２の導体配線１１１〜１１３は第２の導体配線１１１〜１１３は、第１番目の絶縁層１０１と第２番目の絶縁層１０２とが隣接する面に位置することになるから、図１〜図３の図示と一致する。
【００６３】
次に、第１の導体配線１２１〜１２７について述べる。第１の導体配線１２１〜１２７は、
ｍ＝１（＜ｎ／２）
の場合に相当し、第｛（ｎ／２）＋１＋（ｍ−１）｝番目の絶縁層と第｛（ｎ／２）＋１＋ｍ｝番目の絶縁層とが隣接する面、及び、第｛（ｎ／２）＋１−ｍ｝番目の絶縁層と第｛（ｎ／２）＋１−（ｍ−１）｝番目の絶縁層とが隣接する面に位置する。
【００６４】
第１の導体配線１２１〜１２７のうち、第１の導体配線１２４〜１２７は、第｛（ｎ／２）＋１＋（ｍ−１）｝番目の絶縁層と第｛（ｎ／２）＋１＋ｍ｝番目の絶縁層とが隣接する面に位置する。上記条件式に、ｍ＝１、ｎ＝４を代入すると、第１の導体配線１２４〜１２７は、第｛（４／２）＋１＋（１−１）｝番目の絶縁層と第｛（４／２）＋１＋１｝番目の絶縁層とが隣接する面に位置する。即ち、第１の導体配線１２４〜１２７は、第３番目の絶縁層１０３と第４番目の絶縁層１０４とが隣接する面に位置することになるから、図１〜図３の図示と一致する。
【００６５】
次に、第１の導体配線１２１〜１２７のうち、第１の導体配線１２１〜１２３は、第｛（ｎ／２）＋１−ｍ｝番目の絶縁層と第｛（ｎ／２）＋１−（ｍ−１）｝番目の絶縁層とが隣接する面に位置する。ｎ＝４、ｍ＝１を代入すると、第１の導体配線１２１〜１２３は、第｛（４／２）＋１−１｝番目の絶縁層と第｛（４／２）＋１−（１−１）｝番目の絶縁層とが隣接する面に位置する。即ち、第１の導体配線１２１〜１２３は、第２番目の絶縁層１０２と第３番目の絶縁層１０３とが隣接する面に位置することになるから、図１〜図３の図示と一致する。
【００６６】
第２の導体配線１１１〜１１６及び第１の導体配線１２１〜１２７は、第２〜第４番目の絶縁層１０２〜１０４を貫通するスルーホール導体によって電気的に接続され、それによって、第｛（２／２）＋１｝番目の絶縁層の周りを周回するコイルが構成されることになるから、図１〜図３の図示と一致する。
【００６７】
図４は第１の態様に係るインダクタンス素子の別の実施例を示す斜視図、図５は図４に示したインダクタンス素子の断面図である。図において、図１〜図３に現れた構成部分と同一の構成部分については、同一の参照符号を付し、重複説明は、これを省略する。この実施例の特徴は、外部端子電極２１、２２が、絶縁基体１０の相対する両端部に設けられていることである。
【００６８】
図６は本発明に係るインダクタンス素子の別の実施例を示す斜視図、図７は図６に示したインダクタンス素子の断面図である。図において、図１〜図３に現れた構成部分と同一の構成部分については、同一の参照符号を付し、重複説明は、これを省略する。この実施例の特徴は、外部端子電極２１、２２が、絶縁基体１０の相対する両側端面に設けられていることである。外部端子電極２１、２２は両側端面の全面に設けてもよい。
【００６９】
図８は本発明に係るインダクタンス素子の別の実施例を示す斜視図、図９は図８に示したインダクタンス素子の断面図である。図において、図１〜図３に現れた構成部分と同一の構成部分については、同一の参照符号を付し、重複説明は、これを省略する。この実施例の特徴は、絶縁基体１０の相対する両側端面に凹部を設け、この凹部の内面に外部端子電極２１、２２を付着させたことである。
【００７０】
図１０は本発明に係るインダクタンス素子の別の実施例を示す斜視図、図１１は図１０の１１−１１線に沿った断面図である。図において、図１〜図３に現れた構成部分と同一の構成部分については、同一の参照符号を付し、重複説明は、これを省略する。
【００７１】
図示されたインダクタンス素子は、ｎ＝６の場合である。絶縁基体１０は、第１〜第７番目の絶縁層１０１〜１０７を含み、第１〜第７番目の絶縁層１０１〜１０７はこの順序で順次に配置されている。
【００７２】
第１〜第７番目の絶縁層１０１〜１０７が、セラミック絶縁材料、有機絶縁材料、または有機絶縁材料に機能性粉末を混合した複合材料によって構成することができること、セラミック絶縁材料で構成する場合は、シート法、または、印刷法を適用することができること、有機絶縁材料または複合材料で構成する場合は、ビルドアップ法またはスタック法が適用されること、同一の材料によって構成されていてもよいし、異なる材料で構成されていてもよいことは、既に述べた通りである。
【００７３】
導体配線は、第３の導体配線１６１〜１６６と、第２の導体配線１１１〜１１６と、第１の導体配線１２１〜１２７とを含む。第３の導体配線１６１〜１６３は、第１番目の絶縁層１０１と第２番目の絶縁層１０２とが隣接する面に位置している。第３の導体配線１６４〜１６６は、第６番目の絶縁層１０６の面であって、第５番目の絶縁層１０５と隣接する面とは反対側の面に位置している。
【００７４】
第２の導体配線１１１〜１１３は、第２番目の絶縁層１０２と第３番目の絶縁層１０３とが隣接する面に位置している。第２の導体配線１１４〜１１６は、第５番目の絶縁層１０５と第６番目の絶縁層１０６とが隣接する面に位置している。
【００７５】
第１の導体配線１２１〜１２３は、第３番目の絶縁層１０３と第４番目の絶縁層１０４とが隣接する面に位置している。第１の導体配線１２４〜１２７は、第４番目の絶縁層１０４と第５番目の絶縁層１０５とが隣接する面に位置している。
【００７６】
第３の導体配線１６１〜１６６は、第２〜第６番目の絶縁層１０２〜１０６を貫通するスルーホール導体によって、第２の導体配線１１１〜１１６は、第３〜第５番目の絶縁層１０３〜１０５を貫通するスルーホール導体によって、及び第１の導体配線１２１〜１２７は、第４番目の絶縁層１０４を貫通するスルーホール導体によって電気的に接続され、それによって、第４番目の絶縁層１０４の周りを周回するコイルが構成されている。
【００７７】
図１０、図１１に図示する実施例では、３つのコイルが、間隔を隔てて配置されており、各コイルはスルーホール導体によって電気的に接続されている。より詳しくは、第３の導体配線１６１、１６４、第２の導体配線１１１、１１４及び第１の導体配線１２１、１２４により第１のコイルが形成され、第３の導体配線１６２、１６５、第２の導体配線１１２、１１５及び第１の導体配線１２２、１２５により第２のコイルが形成され、第３の導体配線１６３、１６６、第２の導体配線１１３、１１６及び第１の導体配線１２３、１２６により、第３のコイルが形成されている。
【００７８】
第１のコイル、第２のコイル及び第３のコイルは、スルーホール導体（図示黒塗り）によって電気的に接続されている（図１０参照）。図示実施例において、第３の導体配線１６１、１６４、第２の導体配線１１１、１１４及び第１の導体配線１２１、１２４は、互いに重なり合う同一位置に形成されており、第３の導体配線１６２、１６５、第２の導体配線１１２、１１５及び第１の導体配線１２２、１２５も互いに重なり合う同一位置に形成されており、第３の導体配線１６３、１６６、第２の導体配線１１３、１１６及び第１の導体配線１２３、１２６も互いに重なり合う同一位置に形成されている。
【００７９】
第３の導体配線１６１、１６４、第２の導体配線１１１、１１４及び第１の導体配線１２１、１２４は、図１１に示すように、第２〜第６番目の絶縁層１０２〜１０６を貫通するスルーホール導体（３０１、２０１、１９１、１８１、１７１）、（１７４、１８３、１９３、２０６）、（１５１、１４１、１３１）、（１３４、１４３）、１４６によって電気的に接続され、これにより、中間の第４番目の絶縁層１０４の周りを、渦巻き状に周回する第１のコイルが形成される。
【００８０】
具体的に述べると、第１のコイルは、外部端子電極２１−第３の導体配線１６４−スルーホール導体（３０１−２０１−１９１−１８１−１７１）−第３の導体配線１６１−スルーホール導体（１７４−１８３−１９３−２０６）−第２の導体配線１１４−スルーホール導体（１５１−１４１−１３１）−第２の導体配線１１１―スルーホール導体（１３４−１４３）―第１の導体配線１２４−スルーホール導体１４６−第１の導体配線１２１の接続経路により形成される。
【００８１】
図示は省略するが、第３の導体配線１６２、１６５、第２の導体配線１１２、１１５及び第１の導体配線１２２、１２５によって構成される第２のコイル、並びに、第３の導体配線１６３、１６６、第２の導体配線１１３、１１６及び第１の導体配線１２３、１２６によって構成される第３のコイルにおいても、第１のコイルと同様のスルーホール導体による結合構造が採用されている。
【００８２】
図１０、図１１に示した実施例は、第３の導体配線１６１〜１６６が追加されている点を除けば、先に述べた実施例と、本質的に異なるところはない。従って、先に述べた実施例と同様の作用効果を奏するする他、第３の導体配線１６１〜１６６によるインダクタンス値の増大効果が得られる。
【００８３】
次に、図１０、図１１に示した実施例を、第１の態様に係る発明の観点から説明する。図１０、図１１の実施例は、ｎ＝６の場合であるから、絶縁基体１０は、第１〜第６番目の絶縁層１０１〜１０６を含む。図示実施例では、第７番目の絶縁層１０７が付加されている。第３の導体配線１６１〜１６６は、
ｍ＝ｎ／２
＝３
を満たす場合に相当する。第３の導体配線１６１〜１６６のうち、第３の導体配線１６４〜１６６は、まず、第｛（ｎ／２）＋ｍ｝番目の絶縁層の面であって、第｛（ｎ／２）＋ｍ−１｝番目の絶縁層と隣接する面とは反対側の面に位置する。
【００８４】
上記条件式にｍ＝３、ｎ＝６を代入すると、第３の導体配線１６４〜１６６は、第｛（６／２）＋３｝番目の絶縁層の面であって、第｛（６／２）＋３−１｝番目の絶縁層と隣接する面とは反対側の面に位置する。即ち、第３の導体配線１６４〜１６６は、第６番目の絶縁層１０６の面であって、第５番目の絶縁層１０５と隣接する面とは反対側の面に位置することになるから、図１０、図１１の図示と一致する。
【００８５】
次に、第３の導体配線１６１〜１６６のうち、第３の導体配線１６１〜１６３は、第｛（ｎ／２）＋１−ｍ｝番目の絶縁層と第｛（ｎ／２）＋１−（ｍ−１）｝番目の絶縁層とが隣接する面に位置する。上記条件式に、ｍ＝２、ｎ＝６を代入すると、第３の導体配線１６１〜１６３は、第｛（６／２）＋１−３｝番目の絶縁層と第｛（６／２）＋１−（３−１）｝番目の絶縁層とが隣接する面に位置する。即ち、第３の導体配線１６１〜１６３は、第１番目の絶縁層１０１と第２番目の絶縁層１０２とが隣接する面に位置することになるから、図１０、図１１の図示と一致する。
【００８６】
次に、第２の導体配線１１１〜１１６について述べる。第２の導体配線１１１〜１１６は、
ｍ＝２（＜ｎ／２）
の場合に相当する。第２の導体配線１１１〜１１６のうち、まず、第２の導体配線１１４〜１１６は、第｛（ｎ／２）＋１＋（ｍ−１）｝番目の絶縁層と第｛（ｎ／２）＋１＋ｍ｝番目の絶縁層とが隣接する面に位置する。
【００８７】
上記条件式に、ｍ＝２、ｎ＝６を代入すると、第２の導体配線１１４〜１１６は、第｛（６／２）＋１＋（２−１）｝番目の絶縁層と第｛（６／２）＋１＋２｝番目の絶縁層とが隣接する面に位置する。即ち、第２の導体配線１１４〜１１６は、第５番目の絶縁層１０５と第６番目の絶縁層１０６とが隣接する面に位置することになるから、図１０、図１１の図示と一致する。
【００８８】
次に、第２の導体配線１１１〜１１６のうち、第２の導体配線１１１〜１１３は、第｛（ｎ／２）＋１−ｍ｝番目の絶縁層と第｛（ｎ／２）＋１−（ｍ−１）｝番目の絶縁層とが隣接する面に位置する。上記条件式にｍ＝２、ｎ＝６を代入すると、第２の導体配線１１１〜１１３は、第｛（６／２）＋１−２｝番目の絶縁層と第｛（６／２）＋１−（２−１）｝番目の絶縁層とが隣接する面に位置する。即ち、、第２の導体配線１１１〜１１３は、第２番目の絶縁層１０２と第３番目の絶縁層とが隣接する面に位置することになるから、図１０、図１１の図示と一致する。
【００８９】
次に、第１の導体配線１２１〜１２７について述べる。第１の導体配線１２１〜１２７は、
ｍ＝１（＜ｎ／２）
の場合に相当し、第｛（ｎ／２）＋１＋（ｍ−１）｝番目の絶縁層と第｛（ｎ／２）＋１＋ｍ｝番目の絶縁層とが隣接する面、及び、第｛（ｎ／２）＋１−ｍ｝番目の絶縁層と第｛（ｎ／２）＋１−（ｍ−１）｝番目の絶縁層とが隣接する面に位置する。
【００９０】
第１の導体配線１２１〜１２７のうち、まず、第１の導体配線１２４〜１２７は、第｛（ｎ／２）＋１＋（ｍ−１）｝番目の絶縁層と第｛（ｎ／２）＋１＋ｍ｝番目の絶縁層とが隣接する面に位置する。上記条件式に、ｍ＝１、ｎ＝６を代入すると、第１の導体配線１２４〜１２７は、第｛（６／２）＋１＋（１−１）｝番目の絶縁層と第｛（６／２）＋１＋１｝番目の絶縁層とが隣接する面に位置することになる。即ち、第１の導体配線１２４〜１２７は、第４番目の絶縁層１０４と第５番目の絶縁層１０５とが隣接する面に位置することになるから、図１０、図１１の図示と一致する。
【００９１】
次に、第１の導体配線１２１〜１２３は、第｛（ｎ／２）＋１−ｍ｝番目の絶縁層と第｛（ｎ／２）＋１−（ｍ−１）｝番目の絶縁層とが隣接する面に位置する。ｍ＝１、ｎ＝６を代入すると、第１の導体配線１２１〜１２３は、第｛（６／２）＋１−１｝番目の絶縁層と第｛（６／２）＋１−（１−１）｝番目の絶縁層とが隣接する面に位置する。即ち、第１の導体配線１２１〜１２３は、第３番目の絶縁層１０３と第４番目の絶縁層１０４とが隣接する面に位置することになるから、図１０、図１１の図示と一致する。
【００９２】
更に、図１２〜図１５を参照し、第１の態様に係るインダクタンス素子の他の実施例について説明する。これらの参照図において、図１０、図１１に表れた構成部分と同一の構成部分については、同一の参照符号を付してある。
【００９３】
まず、図１２の実施例では、第４番目の絶縁層１０４と、第５番目の絶縁層１０５との間にリード導体となる導体配線１２８を設け、この導体配線１２８を外部端子電極２１に接続してある。導体配線１２８は、第５番目の絶縁層１０５及び第６番目の絶縁層１０６に設けたスルーホール導体を介して、第３の導体配線１６４に接続されている。
【００９４】
一方、導体配線１２８とは基体の反対側の端部の位置において、第３番目の絶縁層１０３と、第４番目の絶縁層１０４との間に、リード導体となる導体配線１２７を設け、この導体配線１２７を外部端子電極２２に接続してある。導体配線１２７は第１の導体配線１２３から延長されたものである。
【００９５】
図１２に示した実施例によれば、導体配線１２７、１２８が、絶縁基体１０の上面または下面を基準にして、互いに、ほぼ同一の高さ位置に備えられているから、マザーボード等に搭載した場合に、リード導体の高さ位置の違いに起因して生じることのある特性変動を回避することができる。
【００９６】
図１３はリード導体となる導体配線の高さ位置の違いに起因して生じる特性変動を回避する別の手段を示している。図示実施例において、第６番目の絶縁層１０６と、第７番目の絶縁層１０７との間に存在する第３の導体配線１６４の一端を外部端子電極２１に接続してある。
【００９７】
一方、外部端子電極２１とは基体の反対側の端部において、第６番目の絶縁層１０６と、第７番目の絶縁層１０７との間に、リード導体となる導体配線１２８を設け、導体配線１２８を外部端子電極２２に接続するとともに、スルーホール導体を介して、第１の導体配線１２３から延長された導体配線１２７に接続してある。
【００９８】
絶縁基体１０の上面（又は下面）には、表示マーク５１を設けてある。表示マーク５１を用いることにより、実装する面を指定することができるから、リード導体となる導体配線の高さ位置の違いに起因して生じる特性変動を回避することができる。
【００９９】
図１４も、リード導体の高さ位置の違いに起因して生じる特性変動を回避する手段を示している。図示実施例では、絶縁基体１０の上面（または下面）に外部端子電極２１、２２を設け、外部端子電極２１、２２を、スルーホール導体を介して、第３の導体配線１６４、及び、第１の導体配線１２３から延長された導体配線１２７にそれぞれ接続してある。
【０１００】
図１４に示した実施例の場合も、リード導体となる導体配線の高さ位置の違いに起因して生じる特性変動を回避することができる。
【０１０１】
図１〜図１４に示した実施例の何れにおいても、第１のコイルの内端を、第２のコイルの外端に接続（内―外接続）し、第２のコイルの内端を第３のコイルの外端に接続（内―外接続）する構成とし、第１のコイル〜第３のコイルを、同一方向に周回させてあるから、第１のコイル〜第３のコイルは同一方向の磁束を生じる。
【０１０２】
図１５の実施例では、第１のコイルを構成する第３の導体配線１６１、１６４、第２の導体配線１１１、１１４及び第１の導体配線１２１、１２４が、巻軸方向Ｘに変位しながら周回する。このような構造であれば、第３の導体配線１６１、１６４、第２の導体配線１１１、１１４及び第１の導体配線１２１、１２４が相互に重なることがないので、基体１０の各絶縁層に対して、一貫してスルーホール導体を形成することができ、工程の簡略化とともに、短絡防止に役立つ。
【０１０３】
２．第２の態様に係るインダクタンス素子
図１６は第２の態様に係るインダクタンス素子の積層構造を示す分解斜視図、図１７は図１６に示したインダクタンス素子の結線構造を示す図、図１８は図１７に示した結線構造をより解り易く示す下半分の拡大分解図、図１９は同じく上半分の拡大分解図である。第２の態様に係るインダクタンス素子は、絶縁層１０１〜１０５をセラミック絶縁材料で構成し、シート法によって積層する場合に適している。概略的には、セラミックスラリーをシート化してグリーンシートを作り、グリーンシートにスルーホールを形成し、スルーホールへの導電ペーストの充填、及び、導体配線のパターニング処理及び積層などを実行し、焼成することによって形成される。
【０１０４】
図示されたインダクタンス素子は、ｎ＝４の場合であって、絶縁基体１０と、導体配線１１とを含む。絶縁基体１０の表面には、外部端子電極２１、２２が備えられている。外部端子電極２１、２２は回路基板等の表面に面実装する際にはんだ付けされる。
【０１０５】
絶縁基体１０は、第１〜第５番目の絶縁層１０１〜１０５を含み、第１〜第５番目の絶縁層１０１〜１０５はこの順序で順次に配置されている。
【０１０６】
図示実施例では、第１番目の絶縁層１０１の一面に第２の導体配線１１１〜１１３を有する。第２の導体配線１１１〜１１３は、積層方向と直交する巻軸方向Ｘに、間隔Ｇ１、Ｇ２を隔てて配置され、両端が面積の拡大されたランドとなっている。ランドの形状は任意でよい。第２の導体配線１１２は、一端が第２の導体配線１１１、１１３の端部を結ぶ線上にあり、他端は第２の導体配線１１１、１１３の端部を結ぶ線よりは少し内側に位置している。第２の導体配線１１１〜１１３の導体幅、導体厚み及び間隔Ｇ１は５０μｍ前後が好ましい。第２の導体配線１１１〜１１３は、Ｃｕなどの導電性に優れた金属材料で構成する。形成手段としては、無電解メッキ処理を施した後、電界メッキ処理を実行する方法を採用できる。
【０１０７】
第２番目の絶縁層１０２は一面が第１番目の絶縁層１０１の一面に隣接し、他面に第１の導体配線１２１〜１２３を有している。第２番目の絶縁層１０２には、第１番目の絶縁層１０１に設けられた第２の導体配線１１１〜１１３と向き合う位置に、必要な数だけのスルーホール導体１３１〜１３６が設けられている。スルーホール導体１３１〜１３３は、第１番目の絶縁層１０１に設けられた第２の導体配線１１１〜１１３の一端部と対向する位置にあり、スルーホール導体１３４、１３５は、第２の導体配線１１１、１１３の他端部と対向する位置にある。スルーホール導体１３６は、第１番目の絶縁層１０１に設けられた第２の導体配線１１２の一端と対向する位置に設けられている。
【０１０８】
第１の導体配線１２１は、第１番目の絶縁層１０１に設けられた第２の導体配線１１１とほぼ対向する位置にあり、その一端のランドがスルーホール導体１３１から間隔を隔てるとともに、中間部で、スルーホール導体１３６の方向に屈曲する。屈曲後の他端側のランドは、スルーホール導体１３６から少し離れた位置で隣り合う。第１の導体配線１２２は、一端がスルーホール導体１３２よりも少し内側に位置し、他端がスルーホール導体１３３に連続すべく、直線状に延びている。
【０１０９】
第１の導体配線１２３は、第１番目の絶縁層１０１に設けられた第２の導体配線１１３と対向する位置に、第２の導体配線１１３よりも短く形成されている。第１の導体配線１２３の一端は、スルーホール導体１３３と間隔を隔てており、他端はスルーホール導体１３５と間隔を隔てている。
【０１１０】
第３番目の絶縁層１０３は、一面が第２番目の絶縁層１０２の他面に隣接して積層され、他面に第１の導体配線１２４〜１２７を有する。第３番目の絶縁層１０３はスルーホール導体１４１〜１５０を有する。スルーホール導体１４１は、第２番目の絶縁層１０２に設けられたスルーホール導体１３１と重なる位置にあり、スルーホール導体１４２はスルーホール導体１３２と重なる位置にあり、スルーホール導体１４３は、スルーホール導体１３４と重なる位置にある。スルーホール導体１４４は、第２番目の絶縁層１０２において、スルーホール導体１３６と隣接する第１の導体配線１２１のランドと重なる位置にある。
【０１１１】
スルーホール導体１４５は、第２番目の絶縁層１０２に設けられたスルーホール導体１３５と重なる位置にある。スルーホール導体１４６は、第２番目の絶縁層１０２において、スルーホール導体１３１と隣接するランドと重なる位置にある。スルーホール導体１４７は、第１の導体配線１２２の一端に設けられたランドと重なる位置にある。
【０１１２】
スルーホール導体１４８は、第１の導体配線１２３において、スルーホール導体１３３と間隔を隔てるランドと重なる位置にある。スルーホール導体１４９は、スルーホール導体１３６と重なる位置にある。スルーホール導体１５０は、第１の導体配線１２３において、スルーホール導体１３５と間隔を隔てるランドと重なる。
【０１１３】
第１の導体配線１２４は、スルーホール導体１４３とスルーホール導体１４６との間に直線状に形成されている。第１の導体配線１２５はスルーホール導体１４７とスルーホール導体１４９との間に直線状に形成されている。第１の導体配線１２７は、一端がスルーホール導体１５０に連なり、他端が、第４番目の絶縁層１０４に設けられたスルーホール導体１５６と重なる位置にある。
【０１１４】
第４番目の絶縁層１０４は、一面が第３番目の絶縁層１０３の他面に隣接し、他面に第２の導体配線１１４〜１１６を有している。第４番目の絶縁層１０４は、スルーホール導体１５１〜１５６を有する。スルーホール導体１５１は第３番目の絶縁層１０３に設けられたスルーホール導体１４１と重なり、スルーホール導体１５２はスルーホール導体１４２と重なる。スルーホール導体１５３は、第３番目の絶縁層１０３に設けられた第１の導体配線１２６において、スルーホール導体１４８に連なる端部とは反対側のランドに重なる。
【０１１５】
スルーホール導体１５４は第３番目の絶縁層１０３に設けられたスルーホール導体１４４と重なり、スルーホール導体１５５はスルーホール導体１４５と重なる。スルーホール導体１５６は第２の導体１２７に接続される。
【０１１６】
第２の導体配線１１４は、一端がスルーホール導体１５１に連なり、他端が、第５番目の絶縁層１０５に設けられたスルーホール導体１５７に重なる位置にある。
【０１１７】
第２の導体配線１１５は、スルーホール導体１５２とスルーホール導体１５４との間に直線状に形成されている。第２の導体配線１１６は、スルーホール導体１５３とスルーホール導体１５５との間に直線状に形成されている。
【０１１８】
第５番目の絶縁層１０５は、一面が第４番目の絶縁層１０４の他面に隣接し、他面に端子電極２１、２２を有している。第５番目の絶縁層１０５は、スルーホール導体１５７、１５８を有する。スルーホール導体１５７は第４番目の絶縁層１０４に設けられた第２の導体１１４の一端部に接続され、スルーホール導体１５８は、第４番目の絶縁層１０４に設けられたスルーホール導体１５６と重なる。第５番目の絶縁層１０５は、端子電極２１、２２を形成するために必要とされるものであって、コイル巻回構造を実現するためには、必要ではない。
【０１１９】
第１〜第５番目の絶縁層１０１〜１０５を重ねた場合、図１７〜図１９に示すように、第２の導体配線１１１〜１１６及び第１の導体配線１２１〜１２７は、第２〜第４番目の絶縁層１０２〜１０４を貫通するスルーホール導体によって電気的に接続され、それによって、第３番目の絶縁層１０３の周りを周回するコイルが構成されている。
【０１２０】
図１７〜図１９に図示する実施例では、３つのコイルが、間隔を隔てて配置されている。第１のコイル〜第３のコイルにおいて、第２の導体配線１１１〜１１６及び第１の導体配線１２１〜１２７と、スルーホール導体との接続関係は、図２及び図３に図示し、説明したものと実質的に同じである。簡単に説明すると、第２の導体配線１１１、１１４及び第１の導体配線１２１、１２４により、第１のコイルが形成され、第２の導体配線１１２、１１５及び第１の導体配線１２２、１２５により、第２のコイルが形成され、第２の導体配線１１３、１１６及び第１の導体配線１２３、１２６により、第３のコイルが形成される。第１のコイル〜第３のコイルは、同一方向に周回しており、同一方向の磁束を生じる。
【０１２１】
第１のコイルは、外部端子電極２１−スルーホール導体１５７−第２の導体配線１１４−スルーホール導体（１５１−１４１−１３１）―第２の導体配線１１１の接続経路による巻半径の大きなコイルターンと、第２の導体配線１１１―スルーホール導体（１３４−１４３）―第１の導体配線１２４−スルーホール導体１４６−第１の導体配線１２１の接続経路による巻半径の小さなコイルターンとを、第３番目の絶縁層１０３の周りで周回させた構造となる。
【０１２２】
第２のコイルは、第１のコイルに含まれた第１の導体配線１２１の屈曲端―スルーホール導体（１４４−１５４）−第２の導体配線１１５−スルーホール導体（１５２−１４２−１３２）―第２の導体配線１１２の接続経路による巻半径の大きなコイルターンと、第２の導体配線１１２−スルーホール導体（１３６−１４９）−第１の導体配線１２５−スルーホール導体１４７−第１の導体配線１２２の接続経路による巻半径の小さなコイルターンとを、第３番目の絶縁層１０３の周りで周回させた構造となる。
【０１２３】
第３のコイルは、第２のコイルに含まれた第１の導体配線１２２―スルーホール導体１３３−第２の導体配線１１３−スルーホール導体（１３５−１４５−１５５）―第２の導体配線１１６の接続経路による巻半径の大きなコイルターンと、第２の導体配線１１６−スルーホール導体１５３−第１の導体配線１２６−スルーホール導体１４８−第１の導体配線１２３−スルーホール導体１５０−導体配線１２７の接続経路による巻半径の小さなコイルターンとを、第３番目の絶縁層１０３の周りで周回させた構造となる。導体配線１２７は、スルーホール導体（１５６―１５８）を介して、外部端子電極２２に接続されている。
【０１２４】
図示実施例において、第２の導体配線１１１、１１４及び第１の導体配線１２１、１２４は、互いに重なり合う同一位置に形成されており、第２の導体配線１１２、１１５及び第１の導体配線１２２、１２５も互いに重なり合う同一位置に形成されており、第２の導体配線１１３、１１６及び第１の導体配線１２３、１２６も互いに重なり合う同一位置に形成されている。
【０１２５】
図１７〜図１９に図示したインダクタンス素子では、第１〜第４番目の絶縁層１０１〜１０４を、この順序で順次に配置した絶縁基体１０において、第２の導体配線１１１〜１１６は、第１番目の絶縁層１０１と第２番目の絶縁層１０２とが隣接する面、及び、第４番目の絶縁層１０４の面であって、第３番目の絶縁層１０３と隣接する面とは反対側の面に位置している。従って、第２の導体配線１１１〜１１６は、最大、第２番目の絶縁層１０２、第３番目の絶縁層１０３及び第４番目の絶縁層１０４の各厚みを加算した大きな巻半径を有して、第４番目の絶縁層１０４の周りを周回する。
【０１２６】
一方、第１の導体配線１２１〜１２７は、第２番目の絶縁層１０２と第３番目の絶縁層１０３とが隣接する面、及び、第３番目の絶縁層１０３と第４番目の絶縁層１０４とが隣接する面に位置している。従って、第１の導体配線１２１〜１２７は、第３番目の絶縁層１０３の厚みによってほぼ定まる巻半径を有して、巻軸の周りを周回する。当然のことであるが、第１の導体配線１２１〜１２７による巻半径は、第２の導体配線１１１〜１１６の巻半径よりも小さくなる。
【０１２７】
上述したように、巻半径の大きな第２の導体配線１１１〜１１６と、巻半径がこれよりも小さな第１の導体配線１２１〜１２７とを、第３番目の絶縁層１０３の周りに周回させるものであるから、絶縁基体１０の層数を利用してコイルタ−ン数を増大させることができる。このため、従来と同一の材料を用い、同一の形状設計をした場合でも、高いインダクタンス値を取得し得る。
【０１２８】
しかも、第２の導体配線１１１〜１１６及び第１の導体配線１２１〜１２７は、絶縁基体１０を構成する第２〜第４番目の絶縁層１０２〜１０４を貫通するスルーホール導体によって電気的に接続されているから、スルーホール導体の長さは第２〜第４番目の絶縁層１０２〜１０４の層厚になる。このように、絶縁基体１０は、複数層１０１〜１０４に分かれており、各絶縁層は、例えば、５０μｍ〜２００μｍの微小厚みに設定することができるから、スルーホール導体の長さを縮小し、スルーホール内へのペ−スト充填またはスルーホールメッキを、確実、かつ、完全に実行することができる。スルーホールは、その径に対して長さが６倍を越えないように設定する。
【０１２９】
絶縁基体１０の全体の厚み、又は、絶縁層１０１〜１０４のうち、例えば、中心部に位置する第３番目の絶縁層１０３の厚みは、所定の特性が得られるような値に設定することができる。従って、スルーホール導体の長さを短くして、その電気的接続の信頼性を確保しつつ、所望の電気的特性を得ることができる。
【０１３０】
次に、図１７〜図１９に示した実施例を、第２の態様に係る発明の観点から説明する。第２の態様に係る発明において、絶縁基体１０は、４以上の偶数ｎで表されるｎ層の絶縁層を含み、前記絶縁層は順次に積層されている。第ｍ（ｍ＝１、２、３、．．．、ｎ／２）の導体配線は、第｛（ｎ／２）＋１｝番目の絶縁層を中間にして、その両側に配置される。
【０１３１】
第ｍの導体配線は、ｍ＜（ｎ／２）のときは、第｛（ｎ／２）＋１＋（ｍ−１）｝番目の絶縁層の面であって、第｛（ｎ／２）＋１＋ｍ｝番目の絶縁層と隣接する面、及び、第｛（ｎ／２）＋１−ｍ｝番目の絶縁層の面であって、第｛（ｎ／２）＋１−（ｍ−１）｝番目の絶縁層と隣接する面に、それぞれ形成されている。
【０１３２】
第ｍの導体配線は、ｍ＝ｎ／２のときは、第｛（ｎ／２）＋ｍ｝番目の絶縁層の面であって第｛（ｎ／２）＋ｍ−１｝番目の絶縁層と隣接する面とは反対側の面、及び、第｛（ｎ／２）＋１−ｍ｝番目の絶縁層の面であって第｛（ｎ／２）＋１−（ｍ−１）｝番目の絶縁層と隣接する面に、それぞれ形成されている。
【０１３３】
次に、第２の態様について、図１７〜図１９の実施例をあてはめる。実施例において、ｎ＝４の場合であるから、絶縁基体１０は、第１〜第４番目の絶縁層１０１〜１０４を含み、第１〜第４番目の絶縁層１０１〜１０４はこの順序で順次に積層されている。
【０１３４】
導体配線は、第１の導体配線１２１〜１２７と、第２の導体配線１１１〜１１６とを含む。第２の導体配線１１１〜１１６は、
ｍ＝ｎ／２
＝２
を満たす場合に相当する。第２の導体配線１１１〜１１６のうち、第２の導体配線１１４〜１１６は、まず、第｛（ｎ／２）＋ｍ｝番目の絶縁層の面であって、第｛（ｎ／２）＋ｍ−１｝番目の絶縁層と隣接する面とは反対側の面に形成される。上記式にｎ＝４、ｍ＝２を代入すると、第２の導体配線１１４〜１２７は、第４番目の絶縁層１０４の面であって第３番目の絶縁層１０３と隣接する面とは反対側の面に形成されることになるから、図１７〜図１９の図示と一致する。
【０１３５】
第２の導体配線１１１〜１１３は、第｛（ｎ／２）＋１−ｍ｝番目の絶縁層の面であって第｛（ｎ／２）＋１−（ｍ−１）｝番目の絶縁層と隣接する面にも形成される。上記式にｎ＝４、ｍ＝２を代入すると、第２の導体配線１１１〜１１４は、第１番目の絶縁層１０１の面であって第２番目の絶縁層１０２と隣接する面にも形成されることになるから、図１７〜図１９の図示と一致する。
【０１３６】
第１の導体配線１２１〜１２７は、ｍ＝１（＜ｎ／２）の場合に相当する。まず、第１の導体配線１２１〜１２７のうち、第１の導体配線１２４〜１２７は、第｛（ｎ／２）＋１＋（ｍ−１）｝番目の絶縁層の面であって、第｛（ｎ／２）＋１＋ｍ｝番目の絶縁層と隣接する面に形成される。上記式にｎ＝４、ｍ＝１を代入すると、第１の導体配線１２４〜１２７は、第３番目の絶縁層１０３の面であって、第４番目の絶縁層１０４と隣接する面に形成されることになるから、図１７〜図１９の図示と一致する。
【０１３７】
第１の導体配線１２１〜１２３は、第｛（ｎ／２）＋１−ｍ｝番目の絶縁層の面であって、第｛（ｎ／２）＋１−（ｍ−１）｝番目の絶縁層と隣接する面にも形成されている。上記式にｎ＝４、ｍ＝１を代入すると、第１の導体配線１２１〜１２３は、第２番目の絶縁層１０２の面であって、第３番目の絶縁層１０３と隣接する面にも形成されることになるから、図１７〜図１９の図示と一致する。
【０１３８】
この第２の態様に係るインダクタンス素子は、積層完了後は、第１の態様と同一の配置構造になるから、第１の態様に係るインダクタンス素子と同じ作用効果を奏する。
【０１３９】
図２０は本発明に係るインダクタンス素子の別の実施例における積層構造を示す分解斜視図、図２１は図２０に示したインダクタンス素子の結線構造をより解り易く示す上半分の拡大分解図、図２２は同じく下半分の拡大分解図である。図２１及び図２２は、図面表示の限界から、図２０の配置を上半分及び下半分分割して表示したもので、図２１の接続経路Ａ〜Ｐが図２２の接続経路Ａ〜Ｐに一致する。
【０１４０】
図示されたインダクタンス素子は、ｎ＝６の場合である。絶縁基体１０は、第１〜第６番目の絶縁層１０１〜１０６を含み、第１〜第６番目の絶縁層１０１〜１０６はこの順序で順次に配置されている。絶縁層１０１〜１０６が６層であるので、導体配線１６１〜１６６が追加されている点を除けば、図１７〜図１９の実施例と、本質的に異なるところはない。
【０１４１】
第３の導体配線１６１〜１６３は、第１番目の絶縁層１０１と第２番目の絶縁層１０２とが隣接する面に位置している。第３の導体配線１６４〜１６６は、第６番目の絶縁層１０６の面であって、第５番目の絶縁層１０５と隣接する面とは反対側の面に位置している。
【０１４２】
第２の導体配線１１１〜１１３は、第２番目の絶縁層１０２と第３番目の絶縁層１０３とが隣接する面に位置している。第２の導体配線１１４〜１１６は、第５番目の絶縁層１０５と第６番目の絶縁層１０６とが隣接する面に位置している。
【０１４３】
第１の導体配線１２１〜１２３は、第３番目の絶縁層１０３と第４番目の絶縁層１０４とが隣接する面に位置している。第１の導体配線１２４〜１２７は、第４番目の絶縁層１０４と第５番目の絶縁層１０５とが隣接する面に位置している。
【０１４４】
第３の導体配線１６１〜１６６、第２の導体配線１１１〜１１６及び第１の導体配線１２１〜１２７は、基本的には隣り合う２つの絶縁層間にあればよいことは、図１７〜図１９の実施例と同様である。図示実施例では、第１番目の絶縁層１０１の一面に第３の導体配線１６１〜１６３を有する。
【０１４５】
第２番目の絶縁層１０２は一面が第１番目の絶縁層１０１の一面に隣接し、他面に第２の導体配線１１１〜１１３を有している。第２番目の絶縁層１０２には、第１番目の絶縁層１０１に設けられた第３の導体配線１６１〜１６３と向き合う位置に、必要な数だけのスルーホール導体１７１〜１７６が設けられている。スルーホール導体１７１〜１７３は、第１番目の絶縁層１０１に設けられた第３の導体配線１６１〜１６３の一端部と対向する位置にあり、スルーホール導体１７４、１７６は、第３の導体配線１６１、１６３の他端部と対向する位置にある。スルーホール導体１７５は、第１番目の絶縁層１０１に設けられた第３の導体配線１６２の一端と対向する位置に設けられている。
【０１４６】
第３番目の絶縁層１０３は一面が第２番目の絶縁層１０２の一面に隣接し、他面に第１の導体配線１２１〜１２３を有している。第３番目の絶縁層１０３には、必要な数だけのスルーホール導体１３１〜１３６、スルーホール導体１８０〜１８５が設けられている。スルーホール導体１３１〜１３３は、第２番目の絶縁層１０２に設けられた第２の導体配線１１１〜１１３の一端部と対向する位置にあり、スルーホール導体１３４、１３５は、第２の導体配線１１１、１１３の他端部と対向する位置にある。スルーホール導体１３６は、第２番目の絶縁層１０２に設けられた第２の導体配線１１２の一端と対向する位置に設けられている。スルーホール導体１８１〜１８３、１８５は、第２番目の絶縁層１０２に設けられたスルーホール導体１７１、１７２、１７４、１７６と対向する位置にあり、スルーホール導体１８０、１８４は、第２番目の絶縁層１０２に設けられたスルーホール導体１７３、１７５と対向する位置にある。
【０１４７】
第１の導体配線１２１は、第２番目の絶縁層１０２に設けられた第２の導体配線１１１とほぼ対向する位置にあり、その一端のランドがスルーホール導体１３１から間隔を隔てるとともに、中間で屈曲する。第１の導体配線１２２は、一端がスルーホール導体１３２よりも少し内側に位置し、他端がスルーホール導体１８０に連続すべく、直線状に延びている。
【０１４８】
第１の導体配線１２３は、第２番目の絶縁層１０２に設けられた第２の導体配線１１３と対向する位置に、第２の導体配線１１３よりも短く形成されている。第１の導体配線１２３の一端は、スルーホール導体１３３と間隔を隔てており、他端はスルーホール導体１３５と間隔を隔てている。
【０１４９】
第４番目の絶縁層１０４は、一面が第３番目の絶縁層１０３の他面に隣接して積層され、他面に第１の導体配線１２４〜１２７を有する。第４番目の絶縁層１０４はスルーホール導体１４１〜１５０、及び、スルーホール導体１９０〜１９５を有する。スルーホール導体１４１は、第３番目の絶縁層１０３に設けられたスルーホール導体１３１と重なる位置にあり、スルーホール導体１４２はスルーホール導体１３２と重なる位置にあり、スルーホール導体１４３は、スルーホール導体１３４と重なる位置にある。スルーホール導体１４４は、第３番目の絶縁層１０３において、スルーホール導体１８４と重なる位置にある。
【０１５０】
スルーホール導体１４５は、第３番目の絶縁層１０３に設けられたスルーホール導体１３５と重なる位置にある。スルーホール導体１４６は、第１の導体配線１２１の一端であって、スルーホール導体１３１と隣接する位置に設けられたランドと重なる位置にある。スルーホール導体１４７は、第１の導体配線１２２の一端に設けられたランドと重なる位置にある。
【０１５１】
スルーホール導体１４８は、第１の導体配線１２３において、スルーホール導体１３３と間隔を隔てるランドと重なる位置にある。スルーホール導体１４９は、スルーホール導体１３６と重なる位置にある。スルーホール導体１５０は、第１の導体配線１２３において、スルーホール導体１３５と間隔を隔てるランドと重なる。
【０１５２】
第１の導体配線１２４は、スルーホール導体１４３とスルーホール導体１４６との間に直線状に形成されている。第１の導体配線１２５はスルーホール導体１４７とスルーホール導体１４９との間に直線状に形成されている。第１の導体配線１２６は一端がスルーホール導体１９０に連なり、他端が、第５の絶縁層１０５に設けられたスルーホール導体２０３と重なる。第１の導体配線１２７は、一端がスルーホール導体１５０に連なり、他端が、第４番目の絶縁層１０４の巻軸方向Ｘの側端面に導出されている。スルーホール導体１９１〜１９３、１９５は、第３番目の絶縁層１０３のスルーホール導体１８１〜１８３、１８５と重なり、スルーホール導体１９０は、第３番目の絶縁層１０３のスルーホール導体１３３と重なり、スルーホール導体１９４は、第３番目の絶縁層１０３の第１の導体配線１２１の端部と重なる。
【０１５３】
第５番目の絶縁層１０５は、一面が第４番目の絶縁層１０４の他面に隣接し、他面に第２の導体配線１１４〜１１６を有している。第５番目の絶縁層１０５は、スルーホール導体１５１〜１５６、スルーホール導体２０１〜２０６を有する。スルーホール導体１５１は第４番目の絶縁層１０４に設けられたスルーホール導体１４１と重なり、スルーホール導体１５２はスルーホール導体１４２と重なる。スルーホール導体１５３は、第４番目の絶縁層１０４に設けられた第２の導体配線１１６において、スルーホール導体１４８に重なる。
【０１５４】
スルーホール導体１５４は第４番目の絶縁層１０４に設けられたスルーホール導体１４４と重なり、スルーホール導体１５５はスルーホール導体１４５と重なる。第２の導体配線１１４は、一端がスルーホール導体１５１に連なり、他端がスルーホール導体２０６に連なる。第２の導体配線１１５は、両端がスルーホール導体１５２及びスルーホール導体１５４に連続している。第２の導体配線１１６は、両端がスルーホール導体１５３及びスルーホール導体１５５に連続している。
【０１５５】
スルーホール導体２０１、２０２、２０６、２０４、２０５は、第４番目の絶縁層１０４に設けられたスルーホール導体１９１〜１９５に重なり、スルーホール導体２０３は、第４番目の絶縁層１０４に設けられた第１の導体配線１２６の端部に重なる。
【０１５６】
第６番目の絶縁層１０６は、一面が第５番目の絶縁層１０５の他面に隣接し、他面に第３の導体配線１６４〜１６５を有している。第６番目の絶縁層１０５は、スルーホール導体３０１〜３０５を有する。スルーホール導体３０１〜３０５は第５番目の絶縁層１０５に設けられたスルーホール導体２０１〜２０５と重なる。
【０１５７】
第３の導体配線１６４は、一端がスルーホール導体３０１に連なり、他端が、第６番目の絶縁層１０６の巻軸方向Ｘの側端面に導出されている。第３の導体配線１６４の導出された側端面は、第４番目の絶縁層１０４に設けられた第１の導体配線１２７の導出された側端面とは反対側に位置する。
【０１５８】
第３の導体配線１６５は、両端がスルーホール導体３０２及びスルーホール導体３０４に連続している。第３の導体配線１６６は、両端がスルーホール導体３０３及びスルーホール導体３０５に連続している。
【０１５９】
第１〜第６番目の絶縁層１０１〜１０６を重ねた場合、第３の導体配線１６１〜１６６、第２の導体配線１１１〜１１６及び第１の導体配線１２１〜１２７は、第２〜第６番目の絶縁層１０２〜１０６を貫通するスルーホール導体１３１〜３０５によって電気的に接続され、半タ−ン以上の長さで交互に連なり、かつ、積層の方向と直交する方向Ｘに巻き進む。参照符号で経路を示すと次の通りである。
【０１６０】
外部端子電極２１−第３の導体配線１６４−スルーホール導体（３０１−２０１−１９１−１８１−１７１）−第３の導体配線１６１−スルーホール導体（１７４−１８３−１９３−２０６）−第２の導体配線１１４−スルーホール導体（１５１−１４１−１３１）−第２の導体配線１１１−スルーホール導体（１３４−１４３）−第１の導体配線１２４−スルーホール導体１４６−第１の導体配線１２１−スルーホール導体（１９４−２０４−３０４）−第３の導体配線１６５−スルーホール導体（３０２−２０２−１９２−１８２−１７２）−第３の導体配線１６２−スルーホール導体（１７５−１８４−１４４−１５４）−第２の導体配線１１５−スルーホール導体（１５２−１４２−１３２）−第２の導体配線１１２−スルーホール導体（１３６−１４９）−第１の導体配線１２５−スルーホール導体１４７−第１の導体配線１２２−スルーホール導体（１８０−１７３）−第３の導体配線１６３−スルーホール導体（１７６−１８５−１９５−２０５−３０５）−第３の導体配線１６６−スルーホール導体（３０３−２０３）−第１の導体配線１２６−スルーホール導体（１９０−１３３）−第２の導体配線１１３−スルーホール導体（１３５−１４５−１５５）−第２の導体配線１１６−スルーホール導体（１５３−１４８）−第１の導体配線１２３−スルーホール導体１５０−第１の導体配線１２７−外部端子電極２２。
【０１６１】
上述したように、図示実施例においては、巻半径の大きな第３の導体配線１６１〜１６６と、巻半径がこれよりも小さな第２の導体配線１１１〜１１６と、巻半径が更に小さな第１の導体配線１２１〜１２７を、共通の巻軸の周りに周回させるものであるから、絶縁基体１０の厚みを利用してコイルターン数を増大させることができる。このため、従来と同一の材料を用い、同一の形状設計をした場合でも、高いインダクタンス値を取得し得る。
【０１６２】
しかも、第３の導体配線１６１〜１６６、第２の配線導体１１１〜１１６及び第１の導体配線１２１〜１２７は、第２〜第６番目の絶縁層１０２〜１０６を貫通するスルーホール導体によって電気的に接続されているから、スルーホール導体の長さは第２〜第６番目の絶縁層１０２〜１０６の層厚になることは、既に述べた通りである。
【０１６３】
図示は省略するが、図１７〜図１９に示した実施例と同様の作用効果が得られること、及び、より多層のインダクタンス素子も実現できる事は、言うまでもない。
【０１６４】
次に、図２０〜図２２に示した実施例を、第２の態様に係る発明の観点から説明する。図２０〜図２２の実施例は、ｎ＝６の場合であるから、絶縁基体１０は、第１〜第６番目の絶縁層１０１〜１０６を含み、第１〜第６番目の絶縁層１０１〜１０６はこの順序で順次に積層されている。
【０１６５】
導体配線は、第１の導体配線１２１〜１２７と、第２の導体配線１１１〜１１６と、第３の導体配線１６１〜１６６とを含む。第３の導体配線１６１〜１６６は、
ｍ＝ｎ／２
＝３
を満たす場合に相当する。第３の導体配線１６１〜１６６のうち、第３の導体配線１６４〜１６６は、まず、第｛（ｎ／２）＋ｍ｝番目の絶縁層の面であって、第｛（ｎ／２）＋ｍ−１｝番目の絶縁層と隣接する面とは反対側の面に形成される。上記式にｎ＝６、ｍ＝３を代入すると、第３の導体配線１６４〜１６６は、第｛（６／２）＋３｝番目の絶縁層の面であって、第｛（６／２）＋３−１｝番目の絶縁層と隣接する面とは反対側の面に形成される。即ち、第３の導体配線１６４〜１６６は、第６番目の絶縁層の面であって、第５番目の絶縁層と隣接する面とは反対側の面に形成されることになるから、図２０〜図２２の図示と一致する。
【０１６６】
次に、第３の導体配線１６１〜１６６のうち、第３の導体配線１６１〜１６３は、第｛（ｎ／２）＋１−ｍ｝番目の絶縁層の面であって第｛（ｎ／２）＋１−（ｍ−１）｝番目の絶縁層と隣接する面に形成される。上記式にｎ＝６、ｍ＝３を代入すると、第３の導体配線１６１〜１６３は、第｛（６／２）＋１−３｝番目の絶縁層の面であって第｛（６／２）＋１−（３−１）｝番目の絶縁層と隣接する面に形成される。即ち、第３の導体配線１６１〜１６３は、第１番目の絶縁層１０１の面であって第２番目の絶縁層１０２と隣接する面に形成されることになるから、図２０〜図２２の図示と一致する。
【０１６７】
第１の導体配線１２１〜１２７は、ｍ＝１（＜ｎ／２）の場合に相当し、まず、第｛（ｎ／２）＋１＋（ｍ−１）｝番目の絶縁層の面であって、第｛（ｎ／２）＋１＋ｍ｝番目の絶縁層と隣接する面に形成される。上記式にｎ＝６、ｍ＝１を代入すると、第１の導体配線１２１〜１２７のうち、第１の導体配線１２４〜１２７は、第４番目の絶縁層１０４の面であって、第５番目の絶縁層１０５と隣接する面に形成されることになるから、図２０〜図２２の図示と一致する。
【０１６８】
第１の導体配線１２１〜１２７のうち、第１の導体配線１２１〜１２３は、第｛（ｎ／２）＋１−ｍ｝番目の絶縁層の面であって、第｛（ｎ／２）＋１−（ｍ−１）｝番目の絶縁層と隣接する面にも形成されている。上記式にｎ＝６、ｍ＝１を代入すると、第１の導体配線１２１〜１２３は、第３番目の絶縁層１０３の面であって、第４番目の絶縁層１０３と隣接する面にも形成されることになるから、図２０〜図２２の図示と一致する。
【０１６９】
第２の導体配線１１１〜１１６は、ｍ＝２（＜ｎ／２）の場合に相当し、まず、第｛（ｎ／２）＋１＋（ｍ−１）｝番目の絶縁層の面であって、第｛（ｎ／２）＋１＋ｍ｝番目の絶縁層と隣接する面に形成される。上記式にｎ＝６、ｍ＝２を代入すると、第２の導体配線１１１〜１１６のうち、第２の導体配線１１４〜１１６は、第５番目の絶縁層１０５の面であって、第６番目の絶縁層１０６と隣接する面に形成されることになるから、図２０〜図２２の図示と一致する。
【０１７０】
第２の導体配線１１１〜１１６のうち、第２の導体配線１１１〜１１３は、第｛（ｎ／２）＋１−ｍ｝番目の絶縁層の面であって、第｛（ｎ／２）＋１−（ｍ−１）｝番目の絶縁層と隣接する面にも形成されている。上記式にｎ＝６、ｍ＝２を代入すると、第２の導体配線１１１〜１１３は、第２番目の絶縁層１０２の面であって、第３番目の絶縁層１０３と隣接する面に形成されることになるから、図２０〜図２２の図示と一致する。
【０１７１】
３．第３の態様に係るインダクタンス素子
図２３は第３の態様に係るインダクタンス素子を示す図である。第３の態様に係るインダクタンス素子は、絶縁層１０１〜１０５を有機絶縁材料または複合材料で構成し、ビルドアップ法またはスタック法によって構成する場合に適している。
【０１７２】
ビルドアップ法による場合は、まず、コアとなる第３の絶縁層１０３を作る。第３の絶縁層１０３の製造に当たっては、絶縁樹脂材料または複合材料のワニスから、プリプレグ（乾燥／Ｂステージ状態）を形成し、その両面に銅箔を貼り付け、硬化させ、銅箔をエッチングしてパターニングする。次に、スルーホールを形成し、スルーホールに穴メッキを施す。
【０１７３】
一方、銅箔の一方面に、上記ワニスを塗布し、乾燥（Ｂステージ状態）した樹脂付金属箔を用意する。この樹脂付金属箔を、コア基板の両面に、樹脂層側を向き合わせながら積層し、プレスし、硬化させ、第３の絶縁層１０３の両面に、第２の絶縁層１０２、第４の絶縁層１０４を積層する。次に、エッチングによって金属箔をパターニングし、スルーホールを開け、スルーホールに穴メッキを施す。
【０１７４】
次に、第２の絶縁層１０２及び第４の絶縁層１０４に、それらの工程と同じ工程にしたがって、第１の絶縁層１０１及び第５の絶縁層１０５を積層する。尚、絶縁層１０１、１０５は最外層となるため金属箔を有する必要はない。
【０１７５】
導体配線１１２〜１１６、１２１〜１２７のパターン、及び、スルーホール導体などは、図９に示したものと同じであり、ただ、導体配線と絶縁層との相対関係が異なる。第３の態様に係るインダクタンス素子の構成要件は、次の通りである。
【０１７６】
絶縁基体１０は、４以上の偶数ｎで表されるｎ層の絶縁層を含む。前記絶縁層は順次に積層されている。導体配線は、第｛（ｎ／２）＋１｝番目の絶縁層を中間にして、その両側に配置されている。
【０１７７】
第ｍ（ｍ＝１、２、３、．．．、ｎ／２）の導体配線は、ｍ＜（ｎ／２）のときは、第｛（ｎ／２）＋１＋（ｍ−１）｝番目の絶縁層の面であって、第｛（ｎ／２）＋１＋ｍ｝番目の絶縁層と隣接する面、及び、第｛（ｎ／２）＋１−（ｍ−１）｝番目の絶縁層の面であって、第｛（ｎ／２）＋１−ｍ｝番目の絶縁層と隣接する面に、それぞれ形成されている。
【０１７８】
第ｍの導体配線は、ｍ＝ｎ／２のときは、第｛（ｎ／２）＋ｍ｝番目の絶縁層の面であって第｛（ｎ／２）＋ｍ−１｝番目の絶縁層と隣接する面とは反対側の面、及び、第｛（ｎ／２）＋１−（ｍ−１）｝番目の絶縁層の面であって第｛（ｎ／２）＋１−ｍ｝番目の絶縁層と隣接する面に、それぞれ形成されている。
【０１７９】
次に、第３の態様の構成要件に、図２３の実施例をあてはめる。図示実施例は、ｎ＝４の場合を示し、導体配線は、第１の導体配線１２１〜１２７と、第２の導体配線１１１〜１１６とを含む。第２の導体配線１１１〜１１６は、
ｍ＝ｎ／２
＝２
を満たす場合に相当する。第２の導体配線１１１〜１１６のうち、第２の導体配線１１４〜１１６は、第｛（ｎ／２）＋ｍ｝番目の絶縁層の面であって、第｛（ｎ／２）＋ｍ−１｝番目の絶縁層と隣接する面とは反対側の面に形成される。上記式にｎ＝４、ｍ＝２を代入すると、第２の導体配線１１４〜１１６は、第｛（４／２）＋２｝番目の絶縁層の面であって、第｛（４／２）＋２−１｝番目の絶縁層と隣接する面とは反対側の面に形成される。第２の導体配線１１４〜１１６は、第４番目の絶縁層１０４の面であって、第３番目の絶縁層１０４と隣接する面とは反対側の面に形成されることになるから、図２３の図示と一致する。
【０１８０】
第２の導体配線１１１〜１１６のうち、第２の導体配線１１１〜１１３は、第｛（ｎ／２）＋１−（ｍ−１）｝番目の絶縁層の面であって第｛（ｎ／２）＋１−ｍ｝番目の絶縁層と隣接する面に、それぞれ形成されている。上記式にｎ＝４、ｍ＝２を代入すると、第２の導体配線１１１〜１１３は、第｛（４／２）＋１−（２−１）｝番目の絶縁層の面であって第｛（ｎ／２）＋１−２｝番目の絶縁層と隣接する面に、それぞれ形成されている。即ち、第２の導体配線１１１〜１１３は、第２番目の絶縁層１０２の面であって第１番目の絶縁層１０１と隣接する面に、それぞれ形成されることになるから、図２３の図示と一致する。
【０１８１】
次に、第１の導体配線１２１〜１２７は、ｍ＝１（＜ｎ／２）のときに相当する。第１の導体配線１２１〜１２７のうち、第１の導体配線１２４〜１２７は、第｛（ｎ／２）＋１＋（ｍ−１）｝番目の絶縁層の面であって、第｛（ｎ／２）＋１＋ｍ｝番目の絶縁層と隣接する面に形成される。上記式にｎ＝４、ｍ＝１を代入すると、第１の導体配線１２４〜１２７は、第３番目の絶縁層１０３の面であって、第４番目の絶縁層１０４と隣接する面に形成されることになるから、図２３の図示と一致する。
【０１８２】
第１の導体配線１２１〜１２７のうち、第１の導体配線１２１〜１２３は、第｛（ｎ／２）＋１−（ｍ−１）｝番目の絶縁層の面であって、第｛（ｎ／２）＋１−ｍ｝番目の絶縁層と隣接する面に形成される。上記式にｎ＝４、ｍ＝１を代入すると、第１の導体配線１２１〜１２３は、第３番目の絶縁層１０３の面であって、第２番目の絶縁層１０２と隣接する面にも形成されることになるから、図２３の図示と一致する。
【０１８３】
この第３の態様に係るインダクタンス素子も、積層完了後は、第１の態様と同一の配置構造になるから、第１の態様に係るインダクタンス素子と同じ作用効果を奏する。
【０１８４】
＜実施例＞
ビルドアップ法を適用して、インダクタンス素子を製造した。まず、比誘電率３．５の有機樹脂材料を用いて、コアとなる第３の絶縁層１０３を作った。第３の絶縁層１０３の製造に当たっては、絶縁樹脂材料または複合材料のワニスから、プリプレグ（乾燥／Ｂステージ状態）を形成し、その両面に銅箔を貼り付け、プレスし硬化させ、銅箔をエッチングしてパターニングした。次に、スルーホールを形成し、スルーホールに穴メッキを施し、スルーホール導体を形成した。スルーホール導体は、無電解メッキ処理を施した後、電解メッキ処理を実行することにより形成した。電解メッキ液には硫酸銅メッキ液を用いた。硫酸銅メッキ液は、５水塩ＣｕＳＯ４に、５Ｈ２Ｏを１００（ｇ／ｌ）、Ｈ２ＳＯ４を２００（ｇ／ｌ）を添加したものである。
【０１８５】
一方、銅箔の一方面に、上記ワニスを塗布し、乾燥（Ｂステージ状態）した樹脂付金属箔を用意した。この樹脂付金属箔を、第３番目の絶縁層１０３の両面に、樹脂層側を向き合わせながら積層し、プレスし、硬化させ、第２の絶縁層１０２、第４の絶縁層１０４を形成た。次に、エッチングによって、第２の絶縁層１０２、第４の絶縁層１０４の金属箔をパターニングし、スルーホールを開け、スルーホールに穴メッキを施す。
【０１８６】
次に、第２の絶縁層１０２及び第４の絶縁層１０４に、それらの工程と同じ工程にしたがって、第１の絶縁層１０１及び第５の絶縁層１０５を積層した。
【０１８７】
上記製造工程を経ることにより、図１〜図３に示すインダクタンス素子を製造した。得られたインダクタンス素子の構成は次の通りである。
スルーホール導体径：５０μｍ
ピッチ幅：１００μｍ
導体配線幅／間隔Ｇ１、Ｇ２：（５０μｍ／５０μｍ）
導体配線厚み：５０μｍ
第２番目の絶縁層１０２、第４番目の絶縁層１０４の厚み
：５０μｍ
第３番目の絶縁層１０３の厚み：２００μｍ
【０１８８】
比較例として、特許文献１に記載されたコイル構造を持つインダクタンス素子を、次の条件で製造した。
スルーホール導体径：５０μｍ
ピッチ幅：１００μｍ
導体配線幅／間隔：（５０μｍ／５０μｍ）
導体配線厚み：５０μｍ
絶縁層の厚み：３００μｍ
タ−ン数：３タ−ン
上記実施例と比較例とを対比したところ、実施例によれば、比較例の１．３倍のインダクタンスを得ることができた。またスルーホール導体の不連続不良率については、比較例の場合、５０％にも達したが、実施例の場合は０％であり、大幅に改善された。これは、比較例では（スルーホール径／絶縁層の厚）が（１／６）であるのに対し、実施例では（１／４）になっているためである。
【０１８９】
図２４は第３の態様に係るインダクタンス素子の別の実施例を示す図である。図において、図２３に表れた構成部分に現れた構成部分と同一の構成部分については、同一の参照符号を付してある。
【０１９０】
図示実施例は、ｎ＝６の場合を示し、導体配線は、第１の導体配線１２１〜１２７と、第２の導体配線１１１〜１１６と、第３の導体配線１６１〜１６６とを含む。第３の導体配線１６１〜１６６は、
ｍ＝ｎ／２
＝３
を満たす場合に相当する。第３の導体配線１６１〜１６６のうち、第３の導体配線１６４〜１６６は、第｛（ｎ／２）＋ｍ｝番目の絶縁層の面であって、第｛（ｎ／２）＋ｍ−１｝番目の絶縁層と隣接する面とは反対側の面に形成される。上記式にｎ＝６、ｍ＝３を代入すると、第３の導体配線１６４〜１６６は、第｛（６／２）＋３｝番目の絶縁層の面であって、第｛（６／２）＋３−１｝番目の絶縁層と隣接する面とは反対側の面に形成される。即ち、第３の導体配線１６４〜１６６は、第６番目の絶縁層１０６の面であって、第５番目の絶縁層１０５と隣接する面とは反対側の面に形成されることになるから、図２４の図示と一致する。
【０１９１】
次に、第２の導体配線１１１〜１１６は、ｍ＝２（＜ｎ／２）のときに相当する。第２の導体配線１１１〜１１６のうち、第２の導体配線１１４〜１１６は、第｛（ｎ／２）＋１＋（ｍ−１）｝番目の絶縁層の面であって、第｛（ｎ／２）＋１＋ｍ｝番目の絶縁層と隣接する面に形成される。上記式にｎ＝６、ｍ＝２を代入すると、第２の導体配線１１４〜１１６は、第｛（６／２）＋１＋（２−１）｝番目の絶縁層の面であって、第｛（６／２）＋１＋２｝番目の絶縁層と隣接する面に形成される。即ち、第２の導体配線１１４〜１１６は、第５番目の絶縁層１０５の面であって、第６番目の絶縁層１０６と隣接する面に形成されることになるから、図２４の図示と一致する。
【０１９２】
第２の導体配線１１１〜１１６のうち、第２の導体配線１１１〜１１３は、第｛（ｎ／２）＋１−（ｍ−１）｝番目の絶縁層の面であって、第｛（ｎ／２）＋１−ｍ｝番目の絶縁層と隣接する面に形成される。上記式にｎ＝６、ｍ＝２を代入すると、第２の導体配線１１１〜１１３は、第｛（６／２）＋１−（２−１）｝番目の絶縁層の面であって、第｛（６／２）＋１−２｝番目の絶縁層と隣接する面に形成される。即ち、第２の導体配線１１１〜１１３は、第３番目の絶縁層１０３の面であって、第４番目の絶縁層と隣接する面に形成されることになるから、図２４の図示と一致する。
【０１９３】
次に、第１の導体配線１２１〜１２７は、ｍ＝１（＜ｎ／２）のときに相当する。第１の導体配線１２１〜１２７のうち、第１の導体配線１２４〜１２７は、第｛（ｎ／２）＋１＋（ｍ−１）｝番目の絶縁層の面であって、第｛（ｎ／２）＋１＋ｍ｝番目の絶縁層と隣接する面に形成される。上記式にｎ＝６、ｍ＝１を代入すると、第１の導体配線１２４〜１２７は、第｛（６／２）＋１＋（１−１）｝番目の絶縁層の面であって、第｛（６／２）＋１＋１｝番目の絶縁層と隣接する面に形成される。即ち、第１の導体配線１２４〜１２７は、第４番目の絶縁層１０４の面であって、第５番目の絶縁層１０５と隣接する面に形成されることになるから、図２４の図示と一致する。
【０１９４】
第１の導体配線１２１〜１２７のうち、第１の導体配線１２１〜１２３は、第｛（ｎ／２）＋１−（ｍ−１）｝番目の絶縁層の面であって、第｛（ｎ／２）＋１−ｍ｝番目の絶縁層と隣接する面に形成される。上記式にｎ＝６、ｍ＝１を代入すると、第１の導体配線１２１〜１２３は、第｛（６／２）＋１−（１−１）｝番目の絶縁層の面であって、第｛（６／２）＋１−１｝番目の絶縁層と隣接する面に形成される。即ち、第１の導体配線１２１〜１２３は、第４番目の絶縁層１０４の面であって、第３番目の絶縁層と隣接する面に形成されることになるから、図２４の図示と一致する。
【０１９５】
図示実施例では、チップ型のインダクタンス素子を示したが、他の回路部品を搭載した多層基板、例えばモジュ−ルを構成する多層基板内に、その一部の構成部分として、本発明を適用したインダクタンス回路部を設けてもよい。
【０１９６】
【発明の効果】
以上述べたように、本発明によれば、次のような効果が得られる。
（ａ）同一の材料及び形状の設計において、高いインダクタンス値を取得し得るインダクタンス素子を提供することができる。
（ｂ）スルーホールの不良率を大幅に低減し得るインダクタンス素子を提供することができる。
（ｃ）取得インダクタンス値のばらつきの少ないインダクタンス素子を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係るインダクタンス素子の斜視図である。
【図２】図１に示したインダクタンス素子の断面図である。
【図３】図１の３−３線に沿った断面図である。
【図４】本発明に係るインダクタンス素子の別の実施例を示す斜視図である。
【図５】図４に示したインダクタンス素子の断面図である。
【図６】本発明に係るインダクタンス素子の更に別の実施例を示す斜視図である。
【図７】図６に示したインダクタンス素子の断面図である。
【図８】本発明に係るインダクタンス素子の更に別の実施例を示す斜視図である。
【図９】図８に示したインダクタンス素子の断面図である。
【図１０】本発明に係るインダクタンス素子の更に別の実施例を示す断面図である。
【図１１】図１０の１１−１１線に沿った断面図である。
【図１２】本発明に係るインダクタンス素子の更に別の実施例を示す断面図である。
【図１３】本発明に係るインダクタンス素子の更に別の実施例を示す断面図である。
【図１４】本発明に係るインダクタンス素子の更に別の実施例を示す断面図である。
【図１５】本発明に係るインダクタンス素子の更に別の実施例を示す断面図である。
【図１６】図１に示したインダクタンス素子の積層構造を示す分解斜視図である。
【図１７】図２に示したインダクタンス素子の結線構造を示す図である。
【図１８】図１７に示した結線構造をより解り易く示す下半分の拡大分解図である。
【図１９】図１７に示した結線構造をより解り易く示す上半分の拡大分解図である。
【図２０】本発明に係るインダクタンス素子の別の実施例における積層構造を示す分解斜視図である。
【図２１】図２０に示したインダクタンス素子の結線構造をより解り易く示す上半分の拡大分解図である。
【図２２】図２０に示したインダクタンス素子の結線構造をより解り易く示す下半分の拡大分解図である。
【図２３】本発明に係るインダクタンス素子の別の実施例における積層構造を示す分解図である。
【図２４】本発明に係るインダクタンス素子の別の実施例における積層構造を示す分解図である。
【符号の簡単な説明】
１０１                  第１番目の絶縁層
１０２                  第２番目の絶縁層
１０３                  第３番目の絶縁層
１０４                  第４番目の絶縁層
１０５                  第５番目の絶縁層
１０６                  第６番目の絶縁層
１２１〜１２７          第１の導体配線
１１１〜１１６          第２の導体配線
１６１〜１６６          第３の導体配線
１３１〜３０５          スルーホール導体
【図１】
2004303975.tif 000003
【図２】
2004303975.tif 000004
【図３】
2004303975.tif 000005
【図４】
2004303975.tif 000006
【図５】
2004303975.tif 000007
【図６】
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【図７】
2004303975.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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