(57)【要約】【課題】  半導体装置の導電性構造体の形成方法を提供する。【解決手段】  この方法は半導体基板上に下部導電パターンを形成し、金属有機前駆体を使って、バリア金属膜を蒸着した後、蒸着されたバリア金属膜を浄化する段階を含む。バリア金属膜を浄化する段階はＴｉＣｌ４ガス及びアルゴンガスを含む工程ガスを使って、２００℃乃至５００℃の温度で実施することが望ましい。【選択図】  図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板を提供する段階と、
前記半導体基板上に下部導電パターンを形成する段階と、
前記下部導電パターン上にバリア金属膜を形成する段階と、
前記バリア金属膜をハロゲン族元素を含むガスを使って浄化する段階と、
前記バリア金属膜上に上部導電膜を形成する段階と、
を含むことを特徴とする導電性構造体の形成方法。
【請求項２】
前記ガスは遷移金属をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の導電性構造体の形成方法。
【請求項３】
前記ガスはヘリウム、ネオン、アルゴン、水素及び／または窒素をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の導電性構造体の形成方法。
【請求項４】
前記バリア金属膜を浄化する段階は約２００乃至約５００℃の温度で前記バリア金属膜を浄化する段階を含むことを特徴とする請求項１に記載の導電性構造体の形成方法。
【請求項５】
前記バリア金属膜を浄化する段階は約３００乃至約４５０℃の温度で、約５００乃至約１００００ｓｃｃｍの流量で供給されるアルゴンガス及び約１乃至約１００ｓｃｃｍの流量で供給されるＴｉＣｌ４ガスを使って前記バリア金属膜を浄化する段階を含むことを特徴とする請求項１に記載の導電性構造体の形成方法。
【請求項６】
前記バリア金属膜を浄化する段階は約１乃至約１００ｔｏｒｒの圧力で、約１秒乃至約１０分の時間の間前記バリア金属膜を浄化する段階を含むことを特徴とする請求項１に記載の導電性構造体の形成方法。
【請求項７】
前記バリア金属膜を浄化する前に、前記バリア金属膜に含まれたガスを除去する段階をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の導電性構造体の形成方法。
【請求項８】
前記バリア金属膜に含まれたガスを除去する段階は、約２００乃至約５００℃の温度及び約１ｍＴｏｒｒ乃至約１００Ｔｏｒｒの圧力で、不活性ガスを使って前記バリア金属膜に含まれたガスを除去する段階を含むことを特徴とする請求項７に記載の導電性構造体の形成方法。
【請求項９】
前記バリア金属膜は第１バリア金属膜であることを特徴とし、
前記形成方法は前記上部導電膜を形成する前に前記第１バリア金属膜上に第２バリア金属膜を形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項７に記載の導電性構造体の形成方法。
【請求項１０】
前記バリア金属膜は第１バリア金属膜であることを特徴とし、
前記形成方法は前記上部導電膜を形成する前に前記第１バリア金属膜上に第２バリア金属膜を形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の導電性構造体の形成方法。
【請求項１１】
前記第２バリア金属膜を形成する段階はスパッタリングを含む物理的気相蒸着技術を使って前記第２バリア金属膜を形成する段階を含むことを特徴とする請求項１０に記載の導電性構造体の形成方法。
【請求項１２】
前記第２バリア金属膜はチタン窒化膜ＴｉＮ、チタンシリコン窒化膜ＴｉＳｉＮ、タンタルシリコン窒化膜及びタンタル窒化膜ＴａＮのうちから選択された少なくとも一つの物質で形成することを特徴とする請求項１０に機差の導電性構造体の形成方法。
【請求項１３】
前記バリア金属膜を形成する段階は原子層蒸着ＡＬＤ技術を使って前記バリア金属膜を形成する段階を含むことを特徴とする請求項１に記載の導電性構造体の形成方法。
【請求項１４】
原子層蒸着技術を使って前記バリア金属膜を形成する段階及び前記バリア金属膜を浄化する段階は少なくとも二度実施されることを特徴とする請求項１３に記載の導電性構造体形成方法。
【請求項１５】
前記バリア金属膜を浄化する前に、前記バリア金属膜に含まれたガスを除去する段階をさらに含むことを特徴とする請求項１３に記載の導電性構造体の形成方法。
【請求項１６】
原子層蒸着技術を使って前記バリア金属膜を形成する段階、前記バリア金属膜に含まれたガスを除去する段階、及び前記バリア金属膜を浄化する段階は少なくとも二度実施されることを特徴とする請求項１５に記載の導電性構造体の形成方法。
【請求項１７】
前記バリア金属膜は第１バリア金属膜であることを特徴とし、
前記形成方法は前記上部導電膜を形成する前に前記第１バリア金属膜上に第２バリア金属膜を形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項１５に記載の導電性構造体の形成方法。
【請求項１８】
前記下部導電パターンはタングステン、アルミニウム、多結晶シリコン、銅、チタン、チタン窒化膜、タンタル、タンタルシリコン窒化膜、及びタンタル窒化膜のうちから選択された少なくとも一つの物質で形成することを特徴とする請求項１に記載の導電性構造体の形成方法。
【請求項１９】
前記バリア金属膜はチタン窒化膜、チタンシリコン窒化膜、タンタルシリコン窒化膜及びタンタル窒化膜のうちから選択された少なくとも一つの物質で形成することを特徴とする請求項１に記載の導電性構造体の形成方法。
【請求項２０】
前記バリア金属膜を形成する段階は金属有機前駆体を利用する化学気相蒸着技術を使って前記バリア金属膜を形成する段階を含むことを特徴とする請求項１に記載の導電性構造体の形成方法。
【請求項２１】
前記上部導電膜はタングステン、アルミニウム、多結晶シリコン及び銅のうちから選択された少なくとも一つの物質で形成することを特徴とする請求項１に記載の導電性構造体の形成方法。
【請求項２２】
前記バリア金属膜を浄化する前に、プラズマで前記バリア金属膜を処理する段階をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の導電性構造体の形成方法。
【請求項２３】
前記プラズマは窒素ガス及び／または水素ガスを含む工程ガスを含むことを特徴とする請求項２２に機差の導電性構造体の形成方法。
【請求項２４】
半導体基板上に下部導電パターンを形成する段階と、
前記下部導電パターンを含む半導体基板上に、金属有機前駆体を使ってバリア金属膜を蒸着する段階と、
前記蒸着されたバリア金属膜を浄化する段階と、
前記浄化されたバリア金属膜を含む半導体基板上に、上部導電膜を形成する段階と、を含み、
前記バリア金属膜を浄化する段階はＴｉＣｌ４ガス及びアルゴンガスを含む工程ガスを使うことを特徴とする半導体装置の導電性構造体の形成方法。
【請求項２５】
前記バリア金属膜はチタン窒化膜ＴｉＮ、チタンシリコン窒化膜ＴｉＳｉＮ、タンタルシリコン窒化膜ＴａＳｉＮ、及びタンタル窒化膜ＴａＮのうちから選択された少なくとも一つの物質で形成することを特徴とする請求項２４に記載の半導体装置の導電性構造体の形成方法。
【請求項２６】
前記金属有機前駆体はＴＤＥＡＴ及びＴＤＭＡＴのうちの一つを使うことを特徴とする請求項２４に記載の半導体装置の導電性構造体の形成方法。
【請求項２７】
前記バリア金属膜は金属有機化学気相蒸着及び原子層蒸着のうちの一つの方法を使って形成することを特徴とする請求項２４に記載の半導体装置の導電性構造体の形成方法。
【請求項２８】
前記原子層蒸着工程は窒素Ｎ２、水素Ｈ２、アンモニアＮＨ３、及び四塩化チタンＴｉＣｌ４のうちから選択された少なくとも一つ以上のパージガスを使うパージ工程を含むことを特徴とする請求項２７に記載の半導体装置の導電性構造体の形成方法。
【請求項２９】
前記バリア金属膜を蒸着する段階はプラズマ処理する段階をさらに含むことを特徴とする請求項２４に記載の半導体装置の導電性構造体の形成方法。
【請求項３０】
前記プラズマ処理は窒素ガス及び水素ガスを含む工程ガスを使って実施することを特徴とする請求項２９に記載の半導体装置の導電性構造体の形成方法。
【請求項３１】
前記バリア金属膜を浄化する前に、不活性ガス雰囲気で前記バリア金属膜に含まれたガスを除去する段階をさらに含み、
前記ガスを除去する段階はおおよそ２００℃乃至５００℃の温度、おおよそ１ｍＴｏｒｒ乃至１００Ｔｏｒｒの圧力で実施することを特徴とする請求項２４に記載の半導体装置の導電性構造体の形成方法。
【請求項３２】
前記バリア金属膜を浄化する段階は２００℃乃至５００℃の温度で実施することを特徴とする請求項２４に記載の半導体装置の導電性構造体の形成方法。
【請求項３３】
前記アルゴンガスは５００乃至１００００ｓｃｃｍの流量で供給され、前記ＴｉＣｌ４ガスは１乃至１００ｓｃｃｍの流量で供給されることを特徴とする請求項２４に記載の半導体装置の導電性構造体の形成方法。
【請求項３４】
前記バリア金属膜を浄化する段階は１乃至１００ｔｏｒｒの圧力で実施することを特徴とする請求項２４に記載の半導体装置の導電性構造体の形成方法。
【請求項３５】
前記バリア金属膜を浄化する段階は１秒乃至１０分の時間の間実施することを特徴とする請求項２４に記載の半導体装置の導電性構造体の形成方法。
【請求項３６】
前記バリア金属膜は第１バリア金属膜であることを特徴とし、
前記形成方法は前記第１バリア金属膜を浄化した後、第２バリア金属膜を形成する段階をさらに含み、前記第２バリア金属膜はスパッタリング技術を使って形成することを特徴とする請求項２４に記載の半導体装置の導電性構造体の形成方法。
【請求項３７】
前記第２バリア金属膜はチタン窒化膜ＴｉＮ、チタンシリコン窒化膜ＴｉＳｉＮ、タンタルシリコン窒化膜及びタンタル窒化膜ＴａＮのうちから選択された少なくとも一つの物質で形成することを特徴とする請求項３６に記載の半導体装置の導電性構造体の形成方法。
【請求項３８】
前記バリア金属膜を蒸着する段階及び前記バリア金属膜を浄化する段階は少なくとも一度繰り返して実施されることを特徴とする請求項２４に記載の半導体装置の導電性構造体の形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体装置の製造方法に関するものであって、特に、半導体装置に使われる導電性構造体を形成する方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置には多様な種類の導電性物質が使われている。前記導電性物質は半導体装置の電子素子を電気的に連結する配線構造体として使うことができる。前記配線を形成するための金属工程は集積回路製造過程の仕上げ段階として、半導体装置の収率（ｙｉｅｌｄ）及び信頼度（ｒｅｌｉａｂｉｌｉｔｙ）に大きな影響を与える工程段階である。
【０００３】
前記導電性物質は他の導電性物質及び絶縁性物質に接触することができる。このように互いに異なる物質が接触する場合に、熱膨脹係数の差によって導電性物質がはがれる現象が発生する可能性がある。また、互いに異なる導電性物質が接触する場合に、電気伝導度が低い物質が生成されて配線抵抗が急激に増加する問題などが発生する可能性がある。このような問題点を最小化するために、バリア金属膜と呼ばれる所定の導電性物質を形成する方法が使われている。
【０００４】
前記バリア金属膜は、通常、コンタクトホールまたはビアホールなどのように大きな縦横比を有するギャップ領域を通じて互いに異なる導電パターンを連結する場合に使われる。このように大きな縦横比（ａｓｐｅｃｔ  ｒａｔｉｏ）を有するギャップ領域をコンフォマルに覆うため、前記バリア金属膜は優れたステップカバレッジ（ｓｔｅｐ  ｃｏｖｅｒａｇｅ）を有することが必要である。また、上述のように、配線形成工程は半導体製造過程の仕上げ段階であるので、前記バリア金属膜を形成する段階は低い工程温度で実施されなければならない。なぜなら、前記バリア金属膜はトランジスタまたはキャパシタなどの構造物が既に形成された結果物上に形成され、高温工程は前記トランジスタまたはキャパシタの特性を劣化させるためである。このように、低温工程に対する必要性は溶融点が低いアルミニウム膜が形成された状態で実施されるバリア金属膜の蒸着工程ではさらに増加する。
【０００５】
前記バリア金属膜はスパッタリング（ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）技術を含む物理的気相蒸着（ｐｈｙｓｉｃａｌ  ｖａｐｏｒ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ、ＰＶＤ）を通じて形成することができる。しかし、物理的気相蒸着の方法は、上述のステップカバレッジが悪くて、大きな縦横比を有するギャップ領域でバリア金属膜を形成する方法では適切ではない。
【０００６】
このような物理的気相蒸着の問題点を克服するための方法で、化学気相蒸着の方法を使うバリア金属膜の形成方法が提案された。たとえば、化学気相蒸着の方法を使えば、優れたステップカバレッジを有するバリア金属膜を形成することができるが、通常、工程温度が高くなるまた他の問題点を有する。これによって、最近には低温工程が可能であり、且つ優れたステップカバレッジを提供する金属有機化学気相蒸着の方法が使われている。
【０００７】
図１及び図２は上述の従来技術の一実施の形態である金属有機化学気相蒸着工程を使ってバリア金属膜を形成する方法を示す工程断面図である。
【０００８】
図１及び図２を参照すると、半導体基板１０上に下部導電パターン２０を形成する。前記下部導電パターン２０を含む半導体基板の全面に層間絶縁膜３０を形成した後、これをパターニングして前記下部導電パターン２０の上部面を露出させるビアホール３５を形成する。以後、前記ビアホール３５の内壁及び前記層間絶縁膜３０の上部面をコンフォマルに覆うバリア金属膜４０を形成する。前記バリア金属膜４０は金属有機前駆体を使う化学気相蒸着の方法で形成する。以後、前記バリア金属膜４０上に、前記ビアホール３５を満たす上部導電膜５０を形成する。
【０００９】
一方、金属有機前駆体を使うので、前記バリア金属膜４０内には炭素が含まれる可能性がある。このように炭素が含まれる場合に、前記バリア金属膜４０は多孔性構造を有するようになる。後続工程を進行する前に前記多孔性のバリア金属膜４０が製造ライン内で待機する場合に、大気中の酸素元素が前記バリア金属膜４０内に浸透する現象が発生する。このような酸素浸透は前記バリア金属膜４０の抵抗を増加させることによって、信号伝送の遅延及び消費電力の増加のような問題を誘発する。
【００１０】
このために、前記バリア金属膜４０を形成する途中、または直後に水素及び窒素を含む工程ガスを使うプラズマ処理をさらに実施する。前記プラズマ処理は金属有機前駆体を使って形成された前記バリア金属膜４０内の炭素を除去するための目的で実行される。
【００１１】
一方、従来技術の方法に従って実施された実験によると、図１に示したように、前記ビアホール３５の縦横比ｈ１／ｗ１が４以下の場合には、前記上部導電膜５０の埋め立て特性は良好であった。一方、図２に示したように、前記ビアホール３５の縦横比ｈ２／ｗ２が大きい場合には、前記上部導電膜５０は前記ビアホール３５を完全に埋め立てることができなかった。このような縦横比と埋め立て特性との間の関係は縦横比が増加することによって、前記プラズマ処理の効能が低下する現象と連関する。すなわち、イオン化された原子は縦横比が大きいギャップ領域の下部まで到逹しにくく、この下部領域では炭素の除去が効果的に行なわれない。このように炭素が十分に除去されない領域に浸透した酸素は後続上部金属膜５０を形成する直前に放出（ｏｕｔｇａｓｓｉｎｇ）される。前記放出ガス（ｏｕｔｇａｓｓｉｎｇ  ｇａｓ）は前記上部金属膜５０の埋め立て特性及び接着特性を低下させる。その結果、図２に示したように、ビアホール内にボイド５５が形成されることがある。
【特許文献１】米国公開特許２００２−０７２２２７号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
本発明の目的は、バリア金属膜を含む導電性構造体を形成する方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上述の技術的課題を解決するために、本発明はバリア金属膜の表面を浄化（ｆｌｕｓｈｉｎｇ）する段階を含む半導体装置の導電性構造体の形成方法を提供する。この方法は半導体基板上に下部導電パターンを形成し、前記下部導電パターンを含む半導体基板上にバリア金属膜を形成した後、前記バリア金属膜を浄化する段階を含む。以後、前記浄化されたバリア金属膜を含む半導体基板上に、上部導電膜を形成する。
【００１４】
本発明の一実施の形態によると、前記バリア金属膜はチタン窒化膜ＴｉＮ、チタンシリコン窒化膜ＴｉＳｉＮ、タンタルシリコン窒化膜ＴａＳｉＮ、及びタンタル窒化膜ＴａＮのうちから選択された少なくとも一つの物質で形成することができる。また、前記バリア金属膜を形成する方法では、金属有機化学気相蒸着ＭＯ−ＣＶＤ及び原子層蒸着ＡＬＤのうちの一つの方法を使うことができる。前記バリア金属膜をチタン窒化膜で形成する場合に、前記金属有機化学気相蒸着工程はＴＤＥＡＴ及びＴＤＭＡＴを含む金属有機前駆体（ｍｅｔａｌ  ｏｒｇａｎｉｃ  ｐｒｅｃｕｒｓｏｒｓ）のうちの一つを使うことができる。
【００１５】
本発明の一実施の形態によると、前記バリア金属膜を形成する段階はプラズマ処理する段階をさらに含むことができる。前記プラズマ処理は窒素ガス及び水素ガスを含む工程ガスを使うことが望ましい。
【００１６】
本発明の一実施の形態によると、前記バリア金属膜を浄化する前に、不活性ガス雰囲気で前記バリア金属膜に含まれたガスを除去する段階をさらに実施することができる。望ましくは、前記ガス除去の段階はおおよそ２００℃乃至５００℃の温度、おおよそ１ｍＴｏｒｒ乃至１００Ｔｏｒｒの圧力で実施する。
【００１７】
本発明の望ましい一実施の形態によると、前記バリア金属膜を浄化する段階はハロゲン族元素を含むガス及びハロゲン族元素と遷移金属とを含むガスのうちから選択された少なくとも一つのガスを使って実施する。また、前記バリア金属膜を浄化する段階は不活性ガス、水素ガス及び窒素ガスのうちから選択された少なくとも一つをさらに使うこともできる。これに加えて、前記バリア金属膜を浄化する段階は２００℃乃至５００℃の温度、１乃至１００ｔｏｒｒの圧力で、１秒乃至１０分の時間の間実施することが望ましい。
【００１８】
望ましくは、前記バリア金属膜を浄化する段階はアルゴンガス及びＴｉＣｌ４ガスを各々５００乃至１００００ｓｃｃｍ及び１乃至１００ｓｃｃｍの流量で供給しながら実施する。
【００１９】
本発明の一実施の形態によると、前記バリア金属膜を浄化した後、また他のバリア金属膜をさらに形成することができる。前記また他のバリア金属膜はスパッタリング技術を使って形成し、望ましくは、チタン窒化膜ＴｉＮ、チタンシリコン窒化膜ＴｉＳｉＮ、タンタルシリコン窒化膜ＴａＳｉＮ、及びタンタル窒化膜ＴａＮのうちから選択された少なくとも一つの物質で形成する。
【００２０】
本発明の一実施の形態によると、前記下部導電パターンはタングステン、アルミニウム、多結晶シリコン、銅、チタン、チタン窒化膜、タンタル、タンタルシリコン窒化膜及びタンタル窒化膜のうちから選択された少なくとも一つの物質で形成することができる。また、前記上部導電膜はタングステン、アルミニウム、多結晶シリコン及び銅のうちから選択された少なくとも一つの物質で形成することができる。
【００２１】
本発明の一実施の形態によると、前記バリア金属膜を形成する段階及び前記バリア金属膜を浄化する段階で構成される一周期の工程段階は少なくとも一度繰り返して実施する。
【発明の効果】
【００２２】
本発明によると、金属有機化学気相蒸着工程または原子層蒸着工程を使って形成されたバリア金属膜を浄化する段階を含む導電性構造体の形成方法を提供する。金属有機化学気相蒸着工程または原子層蒸着工程を使うことによって、前記バリア金属膜は低温で形成することができる。また、前記バリア金属膜の表面を洗浄（ｃｌｅａｎｉｎｇ）する前記浄化工程（ｆｌｕｓｈｉｎｇ  ｐｒｏｃｅｓｓ）は炭素の不十分な除去及びそれによる酸素の放出（ｏｕｔｇａｓｓｉｎｇ）現象などの問題を最小化する。これによって、後続上部金属膜の埋め立て特性及び接着特性を改善することができる。また、前記浄化工程は半導体装置の熱的負担（ｔｈｅｒｍａｌ  ｂｕｄｇｅｔ）を最小化する低温工程が可能である。結果的に、本発明によると、優れた特性を有する導電性構造体を低温工程を通じて形成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下、添付の図面を参照して本発明の望ましい実施の形態を詳細に説明する。しかし、本発明はここで説明される実施の形態に限定されず、他の形態で具体化することもできる。むしろ、ここで紹介される実施の形態は開示された内容が徹底し、完全になるように、そして当業者に本発明の思想を十分に伝達するために提供されるものである。図面において、層及び領域の厚さは明確性のために誇張されたものである。また層が他の層、または基板上にあると言及される場合に、それは他の層または基板上に直接形成されることができるもの、またはそれらの間に第３の層が介在されることもできるものである。
【００２４】
図３乃至図１０は本発明の実施の形態による半導体装置の導電性構造体の形成方法を説明するための工程順序図である。図１１は本発明の望ましい実施の形態による半導体装置の導電性構造体の形成方法を説明するための工程断面図である。
【００２５】
図３及び図１１を参照すると、半導体基板１０上に下部導電パターン２０を形成する（１００）。前記下部導電パターン２０を含む半導体基板上に層間絶縁膜３０を形成する。前記層間絶縁膜３０をパターニングして前記下部導電パターン２０の上部面を露出させる開口部３５を形成する。前記開口部３５を含む半導体基板上にバリア金属膜４０を形成する（１１０）。前記バリア金属膜４０上に、前記開口部３５を満たす上部導電膜５０を形成する（１５０）。本発明の望ましい実施の形態によると、前記バリア金属膜４０を形成した後、浄化（ｆｌｕｓｈｉｎｇ）工程をさらに実施する（１３０）。
【００２６】
先ず、前記下部導電パターン２０はタングステンＷ、アルミニウムＡｌ、多結晶シリコンＳｉ、銅Ｃｕ、チタンＴｉ、チタン窒化膜ＴｉＮ、タンタルＴａ、タンタルシリコン窒化膜ＴａＳｉＮ、及びタンタル窒化膜ＴａＮのうちから選択された少なくとも一つの物質で形成することができる。また、前記下部導電パターン２０はＭＯＳ電界効果トランジスタ（ｍｅｔａｌ−ｏｘｉｄｅ−ｓｉｌｉｃｏｎ  ｆｉｅｌｄ  ｅｆｆｅｃｔ  ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ、ＭＯＳＦＥＴ）またはキャパシタ構造体が形成された半導体基板上に形成することができる。結果的に、前記下部導電パターン２０はビットライン、ソースライン、金属配線及びゲートパターンなどのような多様な導電性構造物のうちの一つであり得る。
【００２７】
前記バリア金属膜４０はチタン窒化膜ＴｉＮ、チタンシリコン窒化膜ＴｉＳｉＮ、タンタルシリコン窒化膜ＴａＳｉＮ、及びタンタル窒化膜ＴａＮのうちから選択された少なくとも一つの物質で形成することができる。また、前記バリア金属膜４０は金属有機前駆体（Ｍｅｔａｌ  ｏｒｇａｎｉｃ  ｐｒｅｃｕｒｓｏｒ）を使う化学気相蒸着（ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｖａｐｏｒ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ、ＣＶＤ）工程を使って形成することができる。前記バリア金属膜４０で前記チタン窒化膜を使う場合に、前記金属有機前駆体はＴＤＥＡＴまたはＴＤＭＡＴであり得る。前記バリア金属膜４０を形成する段階は水素Ｈ２及び窒素Ｎ２を含む工程ガスでプラズマ処理する段階を含むことができる。前記プラズマ処理は前記バリア金属膜４０内に含まれた炭素成分を除去する機能を実行する。しかし、半導体装置が高集積化されることによって、ギャップ領域はさらに大きな縦横比を有する趨勢である。このように大きな縦横比を有するギャップ領域の下部では、従来技術で説明したように、前記プラズマ処理が十分に実行されない可能性がある。
【００２８】
このようなプラズマ処理の不完全さによる問題点は、前記浄化工程１３０を通じて最小化することができる。本発明の一実施の形態によると、前記バリア金属膜を浄化する段階１３０はハロゲン族元素を含むガス及びハロゲン族元素と遷移金属とを含むガスのうちから選択された少なくとも一つのガスを使って、２００℃乃至５００℃の温度で実施することができる。この時に、ヘリウムＨｅ、ネオンＮｅ及びアルゴンＡｒを含む不活性ガス、水素Ｈ２ガス及び窒素Ｎ２ガスのうちから選択された少なくとも一つをさらに使うこともできる。望ましくは、前記バリア金属膜を浄化する段階１３０はアルゴン及びＴｉＣｌ４ガスを各々５００乃至１００００ｓｃｃｍ及び１乃至１００ｓｃｃｍの流量で供給しながら、おおよそ３００℃乃至４５０℃の温度で実施する。また、前記バリア金属膜を浄化する段階１３０は１乃至１００ｔｏｒｒの圧力で、１秒乃至１０分の時間の間実施することが望ましい。
【００２９】
前記上部導電膜５０はタングステンＷ、アルミニウムＡｌ、多結晶シリコンＳｉ及び銅Ｃｕのうちから選択された少なくとも一つの物質で形成することができる。望ましくは、前記バリア金属膜を浄化する段階１３０は、前記上部導電膜５０を形成する段階１５０の直前に実施することが望ましい。前記下部導電パターン２０、または前記上部導電膜５０をアルミニウムで形成する場合に、前記アルミニウムはＭＰＡ（ｍｅｔｈｙｌｐｙｒｒｏｌｉｄｉｎｅ  ａｌａｎｅ）、ＤＭＥＡＡ（ｄｉｍｅｔｈｙｌｅｔｈｙｌａｍｉｎｅ  ａｌａｎｅ）、ＤＭＡＨ（ｄｉｍｅｔｈｙｌａｌｕｍｉｎｕｍ  ｈｙｄｒｉｄｅ）及びＴＭＡＡ（ｔｒｉｍｅｔｈｙｌａｍｉｎｅ  ａｌａｎｅ）のうちから選択された少なくとも一つを前駆体として使う金属有機化学気相蒸着の方法で形成することもできる。
【００３０】
本発明の他の実施の形態によると、図３を通じて説明した浄化工程１３０を実施する前に、前記バリア金属膜４０内に含まれた放出ガスソース（ｏｕｔｇａｓｓｉｎｇ  ｓｏｕｒｃｅ）を除去するガス除去（ｄｅｇａｓ）工程１２０をさらに実施する（図４参照）。前記ガス除去工程１２０を除けば、この他の実施の形態は図３を通じて説明した実施の形態と同一であるので、重複の説明は省略する。
【００３１】
従来技術で説明したように、前記バリア金属膜４０が形成された半導体基板が後続工程を実行するため製造ライン内で待機する間、空気中から前記バリア金属膜４０の内部に酸素が浸透することがある。前記バリア金属膜４０内に前記酸素が浸透する場合に、前記上部金属膜５０を形成する後続工程は不良な埋め立て（ｇａｐ−ｆｉｌｌ）特性を有することがある。また、前記上部金属膜５０を形成するため、前記バリア金属膜４０が形成された半導体基板を低圧の工程チャンバにローディングする場合に、前記大気から浸透したガスが放出されることがある。このようなガスは通常、放出ガスソース（ｏｕｔｇａｓｓｉｎｇ  ｓｏｕｒｃｅ）と呼ばれる。
【００３２】
前記ガス除去工程１２０は前記放出ガスソースを除去するための工程として、その効果を極大化するためには、おおよそ２００℃乃至５００℃の温度、おおよそ１ｍＴｏｒｒ乃至１００Ｔｏｒｒ以下の低圧で実施することが望ましい。また、前記ガス除去工程１２０はアルゴンを含む不活性ガス雰囲気で実施することが望ましい。
【００３３】
【表１】
2004363583.tif 000003
【００３４】
表１に示したように、おおよそ４００℃の温度でガス除去工程を実施した場合（ガス除去工程１）、上部金属膜は不良な埋め立て特性を示した。一方、おおよそ５００℃の温度でガス除去工程を実施した場合（ガス除去工程２）、上部金属膜は良好な埋め立て特性を示した。しかし、前記５００℃の温度は不純物の拡散及びアルミニウムの溶融を誘発するのに十分に高い温度である。したがって、前記ガス除去工程のみを使う方法は低温工程が求められる半導体装置では適切ではない。
【００３５】
一方、おおよそ３００℃の温度でガス除去工程１２０及び前記浄化工程１３０をともに実施する場合、または前記浄化工程１３０のみを実施する場合には、良好な埋め立て特性を有する上部金属膜を形成することができた。したがって、本発明による浄化工程１３０は前記ガス除去工程１２０の温度を減少させるか、前記ガス除去工程１２０自体を省略するのに寄与することができる。
【００３６】
本発明のまた他の実施の形態によると、図３を通じて説明した浄化工程１３０を実施した後、前記バリア金属膜４０の表面にまた他のバリア金属膜４２を形成する段階１４０をさらに実施することができる（図５及び図１２参照）。前記また他のバリア金属膜４２を形成する段階１４０を除けば、このまた他の実施の形態は図３を通じて説明した実施の形態と同一であるので、重複の説明は省略する。
【００３７】
前記また他のバリア金属膜４２はスパッタリングを含む物理気相蒸着の方法で形成する（１４０）。前記物理気相蒸着は一般的に低温で実施され、金属有機前駆体のような有機物（ｏｒｇａｎｉｃ  ｍａｔｅｒｉａｌ）を使わない。このために、炭素を含む前記バリア金属膜２０が露出する現象を予防することによって、炭素に由来する多様な問題を最小化することができる。前記また他のバリア金属膜４２はチタン窒化膜ＴｉＮ、チタンシリコン窒化膜ＴｉＳｉＮ、タンタルシリコン窒化膜ＴａＳｉＮ及びタンタル窒化膜ＴａＮのうちから選択された少なくとも一つの物質を使うことが望ましい。
【００３８】
本発明の一実施の形態によると、図３を通じて説明した実施の形態に加えて、図４及び図５を通じて説明したガス除去工程１２０及びスパッタリング方法を使って、また他のバリア金属膜を形成する段階１４０を全部含むことができる（図６及び図１２参照）。図４及び図５を通じて説明した前記二つの追加の工程段階（１２０及び１４０）を除けば、この実施の形態は図３を通じて説明した実施の形態と同一であるので、これに対する説明は省略する。
【００３９】
図３乃至図６で説明した実施の形態はＭＯＣＶＤ方式でバリア金属膜を形成する。前記バリア金属膜は原子層蒸着の方法で形成することもできる。図７及び図８はこのような原子層蒸着の方法でバリア金属膜を形成する方法を示す。
【００４０】
図７及び図１１を参照すると、半導体基板１０上に下部導電パターン２０を形成する（１００）。前記下部導電パターン２０を含む半導体基板の全面に原子層蒸着の方法でバリア金属膜４０を形成する（２００）。以後、前記バリア金属膜４０を含む半導体基板上に上部金属膜５０を形成する（１５０）。前記下部導電パターン２０及び前記上部金属膜５０は前の説明の実施の形態と同一の方法で形成することができる。
【００４１】
一方、前記バリア金属膜４０を原子層蒸着の工程を使って形成する方法は、バリア金属膜を形成する段階２０３及び前記形成されたバリア金属膜を浄化する段階２０５で構成される一周期の工程段階２０８を含む。本発明の望ましい実施の形態によると、前記一周期の工程段階２０８は、少なくとも一度繰り返して実施することができる（図９参照）。この時に、前記バリア金属膜を形成する段階２０３は、各周期ごとに互いに異なる工程条件（例えば、蒸着の厚さ）が適用される原子層蒸着技術を使って形成することが望ましい（Ｔｉ＝Ｔ（ｉ）、Ｔｉ＝ｉ番目の蒸着の厚さ、ｉ＝周期回数）。前記形成されたバリア金属膜を浄化する段階２０５は図３で説明した浄化工程１３０と同一であり得るので、これに対する説明は省略する。前記一周期の工程段階２０８は、前記バリア金属膜を浄化する段階２０５の前、または後に実施されるパージ工程をさらに含むことができる。前記パージ工程は窒Ｎ２、水素Ｈ２、アンモニアＮＨ３、及び四塩化チタンＴｉＣｌ４のうちから選択された少なくとも一つ以上のパージガスを使うことができる。
【００４２】
原子層蒸着の工程を使って前記バリア金属膜４０を形成する本発明の他の実施の形態によると、一周期の工程段階２０８′は図９で説明した一周期の工程段階２０８にガス除去段階２０４をさらに含むこともできる（図１０参照）。前記ガス除去段階２０４は前記浄化工程２０５の前に原子層蒸着の方法で形成されたバリア金属膜に対して実施する。前記ガス除去段階２０４は、図４で説明したガス除去工程１２０と同一であり得るので、これに対する説明は省略する。
【００４３】
図７の説明の実施の形態の変形例として、原子層蒸着の方法で前記バリア金属膜４０を形成した後（２００）、図５の説明のスパッタリング方法を使って、また他のバリアメタル４２を形成する段階１４０をさらに実施することもできる（図８及び図１２参照）。この時に、前記バリア金属膜４０を原子層蒸着の方法で形成する段階２００は図９及び図１０を通じて先の説明と同一である。
【００４４】
上述の本発明の実施の形態によると、前記バリア金属膜４０の表面は前記浄化工程１３０、または２０５を通じて洗浄され、前記ビアホール３５の縦横比ｈ３／ｗ３が１３以上の場合にも、前記上部金属膜５０は優れた埋め立て特性を示した。また、前記上部金属膜５０がはげる現象は見つからなかった。すなわち、本発明の実施の形態による場合に、前記上部金属膜５０の接着特性も改善される。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】従来技術による半導体装置の導電性構造体の形成方法を説明するための工程断面図である。
【図２】従来技術による半導体装置の導電性構造体の形成方法を説明するための工程断面図である。
【図３】本発明の実施の形態による半導体装置の導電性構造体の形成方法を説明するための工程順序図である。
【図４】本発明の実施の形態による半導体装置の導電性構造体の形成方法を説明するための工程順序図である。
【図５】本発明の実施の形態による半導体装置の導電性構造体の形成方法を説明するための工程順序図である。
【図６】本発明の実施の形態による半導体装置の導電性構造体の形成方法を説明するための工程順序図である。
【図７】本発明の実施の形態による半導体装置の導電性構造体の形成方法を説明するための工程順序図である。
【図８】本発明の実施の形態による半導体装置の導電性構造体の形成方法を説明するための工程順序図である。
【図９】本発明の実施の形態による半導体装置の導電性構造体の形成方法を説明するための工程順序図である。
【図１０】本発明の実施の形態による半導体装置の導電性構造体の形成方法を説明するための工程順序図である。
【図１１】本発明の一実施の形態によって形成された半導体装置の導電性構造体を説明するための工程断面図である。
【図１２】本発明の他の実施の形態によって形成された半導体装置の導電性構造体を説明するための工程断面図である。
【符号の説明】
【００４６】
１０  半導体基板
２０  下部導電パターン
３０  層間絶縁膜
４０  バリア金属膜
４２  他のバリア金属膜
５０  上部導電膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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