(57)【要約】【課題】動作テスト時間の短縮を図ることができ、パルス幅を精度よく測定することができるテスト用回路を備えたワンショットパルス発生装置及びそのテスト用回路を使用したワンショットパルス発生装置のテスト方法を得る。【解決手段】テスト動作時において、トランスミッションゲート２１をオフさせトランスミッションゲート２２，２３をそれぞれオンさせて、ＰＭＯＳトランジスタ１１及びＮＭＯＳトランジスタ１２の各ゲートを接地電圧にそれぞれ接続させると共に基準電圧Ｖｒをテスト用端子ＴＥ２に出力させて、抵抗１３の抵抗値を、コンデンサ１４の代わりに端子Ｃに接続した電流計３１で測定される電流値から算出し、基準電圧Ｖｒの電圧値をテスト用端子ＴＥ２に接続した電圧計３２で測定することによって、コンデンサ１４の容量に応じた出力信号Ｓｏのパルス幅Ｗを得るようにした。【選択図】　図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定の端子Ｃに接続されたコンデンサと、
制御信号入力端に入力される制御信号に応じて、該端子Ｃに対する所定の入力電圧の出力制御を行うスイッチ素子と、
該スイッチ素子から前記コンデンサに流れる電流を制限する抵抗と、
所定の基準電圧を生成して出力する基準電圧発生回路と、
前記コンデンサにおける充電時の高圧側電圧が該基準電圧未満である間、所定レベルのワンショットパルス信号を外部へそれぞれ出力するパルス発生回路と、を備えるワンショットパルス発生装置において、
外部から入力される所定のテスト用信号に応じて、前記パルス発生回路の出力信号を前記スイッチ素子の制御信号として出力する第１スイッチ回路部と、
前記テスト用信号に応じて、前記スイッチ素子の制御信号入力端に対する、該スイッチ素子をオンさせて導通状態にする電圧の出力制御を行う第２スイッチ回路部と、
前記テスト用信号に応じて、所定の端子ＴＥ２への前記基準電圧の出力制御を行う第３スイッチ回路部と、
を有するテスト用回路を備えること特徴とするワンショットパルス発生装置。
【請求項２】
前記テスト用信号が所定のテスト動作を行うことを示している場合、前記第１スイッチ回路部はオフしてパルス発生回路の出力信号の前記スイッチ素子への入力を遮断すると共に、前記第２スイッチ回路部及び第３スイッチ回路部はそれぞれオンして、前記スイッチ素子に対して該スイッチ素子をオンさせて導通状態にする電圧が出力され、端子ＴＥ２に前記基準電圧が出力されることを特徴とする請求項１記載のワンショットパルス発生装置。
【請求項３】
前記テスト動作時に、前記コンデンサの代わりに電流計を前記端子Ｃに接続すると共に、前記端子ＴＥ２に電圧計を接続することを特徴とする請求項２記載のワンショットパルス発生装置。
【請求項４】
前記スイッチ素子、抵抗、基準電圧発生回路、パルス発生回路及びテスト用回路は１つのＩＣに集積されることを特徴とする請求項１、２又は３記載のワンショットパルス発生装置。
【請求項５】
所定の端子Ｃに接続されたコンデンサと、
制御信号入力端に入力される制御信号に応じて、該端子Ｃに対する所定の入力電圧の出力制御を行うスイッチ素子と、
該スイッチ素子から前記コンデンサに流れる電流を制限する抵抗と、
所定の基準電圧を生成して出力する基準電圧発生回路と、
前記コンデンサにおける充電時の高圧側電圧が該基準電圧未満である間、所定レベルのワンショットパルス信号を外部へそれぞれ出力するパルス発生回路と、
外部から入力される所定のテスト用信号に応じて、前記パルス発生回路の出力信号を前記スイッチ素子の制御信号として出力する第１スイッチ回路部、前記テスト用信号に応じて、前記スイッチ素子の制御信号入力端に対する、該スイッチ素子をオフさせて遮断状態にする電圧の出力制御を行う第２スイッチ回路部、及び前記テスト用信号に応じて、所定の端子ＴＥ２への前記基準電圧の出力制御を行う第３スイッチ回路部とを有するテスト用回路と、
を備えたワンショットパルス発生装置におけるテスト方法において、
前記コンデンサの代わりに電流計を前記端子Ｃに接続すると共に、前記端子ＴＥ２に電圧計を接続し、
テスト動作を行うことを示す前記テスト用信号が入力されると、前記スイッチ素子をオンさせて導通状態にし、
前記端子Ｃから出力される電流を前記電流計で測定し、
該測定した電流値から前記抵抗の抵抗値を算出し、
前記端子ＴＥ２の電圧である前記基準電圧を前記電圧計で測定し、
前記算出した抵抗値及び該測定した基準電圧から、所望のパルス幅の前記ワンショットパルス信号が得られる前記コンデンサの容量を算出することを特徴とするワンショットパルス発生装置におけるテスト方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、入力電圧が所定値になると所定のワンショットパルスを生成して出力するワンショットパルス発生装置のテスト用回路及びそのテスト用回路を使用したワンショットパルス発生装置のテスト方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ワンショットパルス発生装置は、電源投入時や、入力電圧をなす電源電圧が所定の電圧より低下したとき等に、所定のパルス幅のワンショットパルスを出力して該電源電圧を電源とする回路に対してリセット等の動作を行わせ、該回路を常に正常な状態に保つようにするためのものである。ワンショットパルス発生装置は、１つのＩＣとして作られたり、他の回路と共に１つのＩＣに集積化されたりしている。
【０００３】
図４は、従来のワンショットパルス発生装置の例を示した回路図である。図４において、ワンショットパルス発生装置１００は、電源電圧Ｖｄｄから抵抗１０１を介してコンデンサ１０２を充電し、該コンデンサ１０２における充電時の高圧側電圧（以下、単に高圧側電圧と呼ぶ）が所定の基準電圧Ｖｒになるまでの時間のパルス幅を有するワンショットパルスを発生するものである。
電源が投入されると電源電圧Ｖｄｄが急速に上昇し、Ｐチャネル形ＭＯＳトランジスタ（以下、ＰＭＯＳトランジスタと呼ぶ）１０３のしきい値電圧以上になると、ＰＭＯＳトランジスタ１０３がオンしてコンデンサ１０２の充電が開始される。
【０００４】
電源電圧ＶｄｄはＲＳフリップフロップの入力端をなすＮＯＲ回路１０４の一方の入力端にも入力されており、ＮＯＲ回路１０４の出力端はロー（Ｌｏｗ）レベルになる。また、ＲＳフリップフロップの他方の入力端をなすＮＯＲ回路１０５の一方の入力端には、電圧比較器１０６の出力端が接続されている。電圧比較器１０６において、反転入力端には所定の基準電圧Ｖｒが入力されており、非反転入力端にはコンデンサ１０２の高圧側電圧が入力されている。電源投入時には、コンデンサ１０２の高圧側電圧が基準電圧Ｖｒよりも小さいため、電圧比較器１０６の出力端はローレベルである。
【０００５】
したがって、ＮＯＲ回路１０５の出力端はハイレベルであり、ＰＭＯＳトランジスタ１０３がオンすると共にＮチャネル形ＭＯＳトランジスタ（以下、ＮＭＯＳトランジスタと呼ぶ）１０７がオフする。コンデンサ１０２は、ＰＭＯＳトランジスタ１０３及び抵抗１０１を介して電源電圧Ｖｄｄで充電される。また、ＮＯＲ回路１０５の出力信号は、インバータ１０８及び１０９を介してテスト用端子ＴＥに出力されると共に、所定の機能を有する内部回路１２０に出力される。
【０００６】
コンデンサ１０２が充電されて高圧側電圧が上昇し、高圧側電圧が基準電圧Ｖｒ以上になると、電圧比較器１０６の出力信号はローレベルからハイレベルに反転する。電圧比較器１０６の出力端がハイレベルになると、ＮＯＲ回路１０５の出力信号はローレベルとなり、ＰＭＯＳトランジスタ１０３がオフすると共にＮＭＯＳトランジスタ１０７がオンして、コンデンサ１０２への充電が停止する。このようにして、コンデンサ１０２が充電されている時間と等しいパルス幅のワンショットパルスがテスト用端子ＴＥから出力され、動作テスト時にパルスカウンタ等を用いてテスト用端子ＴＥから出力されるワンショットパルスのパルス幅を測定していた。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、ワンショットパルス発生装置において、生成されるワンショットパルス信号のパルス幅は、仕様によって異なっていた。このようなパルス幅が異なるワンショットパルス発生装置の動作テストを行う方法として、出力される信号のパルス幅を測定する方法が考えられるが、このような方法では、出力される信号のパルス幅が広い場合は測定に時間がかかり、出力される信号のパルス幅が狭い場合は測定精度が悪くなる等の問題があった。また、動作テスト時に、コンデンサ１０２の値をパルス幅が測定しやすい値になるように設定することもできるが、動作テスト時に精度のよいコンデンサが必要となり、しかも仕様が異なるワンショットパルス発生装置ごとに多くの種類のコンデンサを用意する必要があるため、動作テストが煩雑になっていた。
【０００８】
本発明は、上記のような問題を解決するためになされたものであり、動作テスト時間の短縮を図ることができ、出力信号のパルス幅を精度よく測定することができるテスト用回路を備えたワンショットパルス発生装置及びそのテスト用回路を使用したワンショットパルス発生装置のテスト方法を得ることを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
この発明に係るテスト用回路を備えたワンショットパルス発生装置は、
所定の端子Ｃに接続されたコンデンサと、
制御信号入力端に入力される制御信号に応じて、該端子Ｃに対する所定の入力電圧の出力制御を行うスイッチ素子と、
該スイッチ素子から前記コンデンサに流れる電流を制限する抵抗と、
所定の基準電圧を生成して出力する基準電圧発生回路と、
前記コンデンサにおける充電時の高圧側電圧が該基準電圧未満である間、所定レベルのワンショットパルス信号を外部へそれぞれ出力するパルス発生回路と、を備えるワンショットパルス発生装置において、
外部から入力される所定のテスト用信号に応じて、前記パルス発生回路部の出力信号を前記スイッチ素子の制御信号として出力する第１スイッチ回路部と、
前記テスト用信号に応じて、前記スイッチ素子の制御信号入力端に対する、該スイッチ素子をオンさせて導通状態にする電圧の出力制御を行う第２スイッチ回路部と、
前記テスト用信号に応じて、所定の端子ＴＥ２への前記基準電圧の出力制御を行う第３スイッチ回路部と、
を有するテスト用回路を備えるものである。
【００１０】
具体的には、前記テスト用信号が所定のテスト動作を行うことを示している場合、前記第１スイッチ回路部はオフしてパルス発生回路の出力信号の前記スイッチ素子への入力を遮断すると共に、前記第２スイッチ回路部及び第３スイッチ回路部はそれぞれオンして、前記スイッチ素子に対して該スイッチ素子をオンさせて導通状態にする電圧が出力され、端子ＴＥ２に前記基準電圧が出力されるようにした。
【００１１】
この場合、前記テスト動作時に、前記コンデンサの代わりに電流計を前記端子Ｃに接続すると共に、前記端子ＴＥ２に電圧計を接続するようにした。
【００１２】
また、前記スイッチ素子、抵抗、基準電圧発生回路、パルス発生回路及びテスト用回路は１つのＩＣに集積されるようにしてもよい。
【００１３】
また、この発明に係るテスト用回路を使用したワンショットパルス発生装置のテスト方法は、
所定の端子Ｃに接続されたコンデンサと、
制御信号入力端に入力される制御信号に応じて、該端子Ｃに対する所定の入力電圧の出力制御を行うスイッチ素子と、
該スイッチ素子から前記コンデンサに流れる電流を制限する抵抗と、
所定の基準電圧を生成して出力する基準電圧発生回路と、
前記コンデンサにおける充電時の高圧側電圧が該基準電圧未満である間、所定レベルのワンショットパルス信号を外部へそれぞれ出力するパルス発生回路と、
外部から入力される所定のテスト用信号に応じて、前記パルス発生回路の出力信号を前記スイッチ素子の制御信号として出力する第１スイッチ回路部、前記テスト用信号に応じて、前記スイッチ素子の制御信号入力端に対する、該スイッチ素子をオフさせて遮断状態にする電圧の出力制御を行う第２スイッチ回路部、及び前記テスト用信号に応じて、所定の端子ＴＥ２への前記基準電圧の出力制御を行う第３スイッチ回路部とを有するテスト用回路と、
を備えたワンショットパルス発生装置におけるテスト方法において、
前記コンデンサの代わりに電流計を前記端子Ｃに接続すると共に、前記端子ＴＥ２に電圧計を接続し、
テスト動作を行うことを示す前記テスト用信号が入力されると、前記スイッチ素子をオンさせて導通状態にし、
前記端子Ｃから出力される電流を前記電流計で測定し、
該測定した電流値から前記抵抗の抵抗値を算出し、
前記端子ＴＥ２の電圧である前記基準電圧を前記電圧計で測定し、
前記算出した抵抗値及び該測定した基準電圧から、所望のパルス幅の前記ワンショットパルス信号が得られる前記コンデンサの容量を算出するようにした。
【００１４】
【発明の実施の形態】
次に、図面に示す実施の形態に基づいて、本発明を詳細に説明する。
第１の実施の形態．
図１は、本発明の第１の実施の形態におけるワンショットパルス発生装置の例を示した回路図である。
図１において、ワンショットパルス発生装置１は、所定のパルス幅のワンショットパルス信号を生成して出力するワンショットパルス発生回路２と、該ワンショットパルス発生回路２の動作テストを行うためのテスト用回路３とで構成されている。
【００１５】
ワンショットパルス発生回路２は、ＰＭＯＳトランジスタ１１、ＮＭＯＳトランジスタ１２、抵抗１３、コンデンサ１４、所定の基準電圧Ｖｒを生成して出力する基準電圧発生回路１５、電圧比較器１６、ＮＯＲ回路１７，１８及びインバータ１９，２０で構成されている。また、テスト用回路３は、外部から入力される信号に応じてスイッチングを行うトランスミッションゲート２１〜２３及びインバータ２４で構成されている。ワンショットパルス発生回路２及びテスト用回路３において、コンデンサ１４を除く各素子は、１つのＩＣに集積されている。
【００１６】
なお、ＰＭＯＳトランジスタ１１はスイッチ素子をなし、電圧比較器１６、ＮＯＲ回路１７，１８及びインバータ１９，２０はパルス発生回路をなし、トランスミッションゲート２１及びインバータ２４は第１スイッチ回路部を、トランスミッションゲート２２及びインバータ２４は第２スイッチ回路部を、トランスミッションゲート２３及びインバータ２４は第３スイッチ回路部をそれぞれなす。
【００１７】
電源電圧Ｖｄｄと接地電圧との間には、ＰＭＯＳトランジスタ１１、抵抗１３及びＮＭＯＳトランジスタ１２が直列に接続されており、抵抗１３とＮＭＯＳトランジスタ１２との接続部は端子Ｃに接続され、端子Ｃと接地電圧との間にコンデンサ１４が接続されている。ＮＯＲ回路１７及び１８はＲＳフリップフロップを形成しており、該ＲＳフリップフロップの一方の入力端をなすＮＯＲ回路１７の入力端には電源電圧Ｖｄｄが入力されている。
【００１８】
ＮＯＲ回路１７において、出力端はＮＯＲ回路１８の一方の入力端に接続され、他方の入力端はＮＯＲ回路１８の出力端に接続されている。また、ＲＳフリップフロップの他方の入力端をなすＮＯＲ回路１８の他方の入力端は、電圧比較器１６の出力端に接続され、ＮＯＲ回路１８の出力端から出力される信号は、インバータ１９及びトランスミッションゲート２１を介してＰＭＯＳトランジスタ１１及びＮＭＯＳトランジスタ１２の各ゲートにそれぞれ入力される。更に、インバータ１９の出力信号はインバータ２０を介して、所定の機能を有する内部回路１０及び所定のテスト用端子ＴＥ１に出力信号Ｓｏとしてそれぞれ出力される。
【００１９】
また、ＰＭＯＳトランジスタ１１及びＮＭＯＳトランジスタ１２の各ゲートは、トランスミッションゲート２２を介して接地電圧に接続されている。一方、電圧比較器１６において、非反転入力端は端子Ｃに接続され、反転入力端には、基準電圧発生回路部１５から所定の基準電圧Ｖｒが入力されている。更に、電圧比較器１６の反転入力端は、トランスミッションゲート２３を介して所定のテスト用端子ＴＥ２に接続されている。
【００２０】
ここで、トランスミッションゲートは、ＰＭＯＳトランジスタとＮＭＯＳトランジスタが並列に接続されてなるものであり、以下、トランスミッションゲートにおいて、ＰＭＯＳトランジスタのゲートを反転制御入力端と呼ぶと共にＮＭＯＳトランジスタのゲートを非反転制御入力端と呼ぶ。トランスミッションゲート２１の反転制御入力端、並びにトランスミッションゲート２２及び２３の非反転制御入力端は、所定のテスト用端子ＴＥ３にそれぞれ接続され、該テスト用端子ＴＥ３を介して外部からのテスト用信号Ｓｔが入力される。更に、該テスト用信号Ｓｔは、インバータ２４を介して、トランスミッションゲート２１の非反転制御入力端、並びにトランスミッションゲート２２及び２３の反転制御入力端にそれぞれ入力される。
【００２１】
このような構成において、通常動作時には、端子Ｃにコンデンサ１４が接続されると共にテスト用端子ＴＥ１及びＴＥ２は開放状態であり、テスト用端子ＴＥ３にはローレベルのテスト用信号Ｓｔが入力されている。このため、トランスミッションゲート２１がオンして導通状態になると共にトランスミッションゲート２２及び２３はそれぞれオフして遮断状態になっている。
【００２２】
ここで、図２は通常動作時における電源電圧Ｖｄｄ、端子Ｃの電圧Ｖｃ及び出力信号Ｓｏの波形例を示した図である。図２を参照しながら通常動作時における、ワンショットパルス発生装置１の動作例について説明する。
電源が投入されると電源電圧Ｖｄｄが急速に上昇し、ＰＭＯＳトランジスタ１１のしきい値電圧Ｖ１以上になると、ＰＭＯＳトランジスタ１１がオンしてコンデンサ１４の充電が開始される。電源電圧ＶｄｄはＮＯＲ回路１７の一方の入力端にも入力され、ＮＯＲ回路１７の出力端はローレベルとなり、ＮＯＲ回路１８の一方の入力端はローレベルとなる。
【００２３】
一方、電圧比較器１６において、反転入力端には基準電圧Ｖｒが入力され、非反転入力端には端子Ｃの電圧Ｖｃ、すなわちコンデンサ１４の高圧側電圧が入力されている。電源投入時には、コンデンサ１４の高圧側電圧が基準電圧Ｖｒよりも小さいことから、電圧比較器１６からはローレベルの信号が出力される。このため、ＮＯＲ回路１８の他方の入力端もローレベルとなり、ＮＯＲ回路１８の出力端はハイレベルとなる。
【００２４】
ＮＯＲ回路１８の出力信号はインバータ１９で信号レベルが反転されることから、インバータ１９の出力端はローレベルとなる。ここで、トランスミッションゲート２１がオンして導通状態であり、トランスミッションゲート２２がオフして遮断状態であることから、ＰＭＯＳトランジスタ１１はオンし、ＮＭＯＳトランジスタ１２はオフしている。このため、コンデンサ１４は、ＰＭＯＳトランジスタ１１、抵抗１３及び端子Ｃを介して電源電圧Ｖｄｄで充電され、高圧側電圧が上昇する。また、インバータ１９の出力信号は、インバータ２０で信号レベルが反転され、出力信号Ｓｏとして内部回路１０に出力される。
【００２５】
コンデンサ１４の高圧側電圧が次第に上昇して、電圧Ｖｃが基準電圧Ｖｒ以上になると、電圧比較器１６の出力信号はハイレベルに立ち上がり、ＮＯＲ回路１８の出力端はローレベルに立ち下がる。このため、インバータ１９の出力端はハイレベルになり、ＰＭＯＳトランジスタ１１がオフしＮＭＯＳトランジスタ１２がオンしてコンデンサ１４の充電が停止する。このように、電源電圧ＶｄｄがＰＭＯＳトランジスタ１１のしきい値電圧Ｖ１になってから、電圧Ｖｃが基準電圧Ｖｒになるまでの間がパルス幅Ｗとなるワンショットパルスが、出力信号Ｓｏとしてインバータ２０から内部回路１０に出力される。
【００２６】
次に、テスト動作時におけるワンショットパルス発生装置１の動作例について説明する。
テスト動作時には、図３で示すように、端子Ｃにコンデンサ１４の代わりに電流計３１が接続されると共にテスト用端子ＴＥ２に電圧計３２が接続され、テスト用端子ＴＥ３にはハイレベルのテスト用信号Ｓｔが入力される。このため、トランスミッションゲート２１がオフして遮断状態になると共にトランスミッションゲート２２及び２３はそれぞれオンして導通状態になり、インバータ１９の出力端と、ＰＭＯＳトランジスタ１１及びＮＭＯＳトランジスタ１２の各ゲートとの接続がそれぞれ遮断される。
【００２７】
また、トランスミッションゲート２２がオンして導通状態になることから、ＰＭＯＳトランジスタ１１及びＮＭＯＳトランジスタ１３の各ゲートは接地電圧にそれぞれ接続され、ＰＭＯＳトランジスタ１１がオンすると共にＮＭＯＳトランジスタ１３がオフする。端子Ｃに接続された電流計３１を用いて、端子Ｃから接地電圧に流れる電流を測定する。該測定した電流値をｉｃとすると下記（１）式から抵抗１３の抵抗値Ｒを算出することができる。
Ｒ＝Ｖｄｄ／ｉｃ………………（１）
【００２８】
また、トランスミッションゲート２２もオンして導通状態になることから、テスト用端子ＴＥ２に接続された電圧計３２を用いて、基準電圧Ｖｒを測定することができる。このため、内部回路１０に出力される信号Ｓｏのパルス幅Ｗは、下記（２）式から算出することができる。
Ｗ＝Ｃ１４×Ｒ１３×ｌｎ（１−Ｖｒ／Ｖｄｄ）………………（２）
なお、前記式（２）において、Ｃ１４はコンデンサ１４の容量を、Ｒ１３は抵抗１３の抵抗値をそれぞれ示している。
前記（２）式から、抵抗１３の抵抗値Ｒ１３及び基準電圧Ｖｒが分かればコンデンサ１４の容量に応じたパルス幅Ｗを算出することができる。
【００２９】
このように、本第１の実施の形態におけるテスト用回路を備えたワンショットパルス発生装置は、実際にコンデンサ１４を接続して、出力信号Ｓｏのパルス幅Ｗを測定しなくても、ＩＣ内部にある場合もある抵抗１３の抵抗値と基準電圧Ｖｒの電圧値を測定することによって、コンデンサ１４の容量からパルス幅Ｗを算出することができる。更に、電流計３１及び電圧計３２を用いた電流と電圧の測定は、短時間でかつ高い精度で行うことができ、実際にパルス幅Ｗを測定する従来の方法と比較して、極めて短時間で、しかも高精度にパルス幅Ｗを得ることができるため、検査に要する時間を大幅に短縮することができると共に、検査精度の向上を図ることができる。
【００３０】
なお、前記第１の実施の形態では、入力電圧が電源電圧Ｖｄｄである場合を例にして説明したが、本発明はこれに限定するものではなく、入力電圧に応じてワンショットパルスを生成して出力するワンショットパルス発生装置に適用するものである。
【００３１】
【発明の効果】
上記の説明から明らかなように、本発明のテスト用回路を備えたワンショットパルス発生装置によれば、テスト動作時において、スイッチ素子に対するパルス発生回路の出力信号を遮断すると共にスイッチ素子を常時オンさせて導通状態にし、所定の端子ＴＥ２に基準電圧が出力されるようにした。このことから、端子Ｃにコンデンサの代わりに電流計を接続し、端子ＴＥ２に電圧計を接続することにより、抵抗の抵抗値及び基準電圧発生回路から出力される基準電圧を測定することができ、コンデンサの容量からワンショットパルス信号のパルス幅を得ることができる。このため、実際にワンショットパルス信号のパルス幅を測定する従来の方法と比較して、極めて短時間で、しかも高精度にワンショットパルス信号のパルス幅を得ることができ、テスト時間を大幅に短縮することできると共にテストの精度を向上させることができる。また、ワンショットパルス信号の所望のパルス幅を得るためのコンデンサの容量を短時間で容易かつ正確に得ることができる。
【００３２】
また、本発明のテスト用回路を使用したワンショットパルス発生装置のテスト方法によれば、抵抗の抵抗値を、コンデンサの代わりに端子Ｃに接続した電流計で測定される電流値から算出し、基準電圧の電圧値を端子ＴＥに接続した電圧計で測定することによって、コンデンサの容量からワンショットパルス信号のパルス幅を得るようにした。このことから、実際にワンショットパルス信号のパルス幅を測定する従来の方法と比較して、極めて短時間で、しかも高精度にワンショットパルス信号のパルス幅を得ることができ、テスト時間を大幅に短縮することできると共にテストの精度を向上させることができる。また、ワンショットパルス信号の所望のパルス幅を得るためのコンデンサの容量を短時間で容易かつ正確に得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態におけるワンショットパルス発生装置の例を示した回路図である。
【図２】図１の各信号の波形例を示したタイミングチャートである。
【図３】テスト動作時における図１のワンショットパルス発生装置１の例を示した回路図である。
【図４】従来のワンショットパルス発生装置の例を示した回路図である。
【符号の説明】
１　ワンショットパルス発生装置
２　ワンショットパルス発生回路
３　テスト用回路
１０　内部回路
２１〜２３　トランスミッションゲート
Ｃ　端子
ＴＥ１〜ＴＥ３　テスト用端子
【図１】
2004020544.tif 000003
【図２】
2004020544.tif 000004
【図３】
2004020544.tif 000005
【図４】
2004020544.tif 000006