(57)【要約】【課題】陽極筒体の内径寸法や板状ベインの半径方向の長さを短縮することで、簡単に小型化を図ることのできるマグネトロンを得る。【解決手段】板状ベイン１５の一方の端縁上で、上下の端縁１６，１８に設けられた環挿通凹部１７，１９よりも陽極筒体６の内壁面側にずれた位置に、上下方向の切れ込み深さが板状ベイン１５の上下方向の幅寸法Ｗの１／２以上となるインダクタンス調整用凹み２０を形成すると共に、板状ベイン１５の他方の端縁上の環挿通凹部１７，１９の上下方向の切れ込み深さを板状ベイン１５の上下方向の幅寸法Ｗの１／２以上に設定した。【選択図】　　　　図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
陽極筒体の内壁面に中心軸に向かって突設された複数枚の板状ベインの上下の端縁に、均圧リングを接合するための環係合凹部と、均圧リングを非接触に挿通させるための環挿通凹部とを形成し、
前記板状ベイン相互が環係合凹部に接合される均圧リングによって１枚おきに電気的に接続されるマグネトロンであって、
前記板状ベインの環挿通凹部と異なる上下の端縁において該環挿通凹部よりも陽極筒体の内壁面側にずれた位置に、上下方向の切れ込み深さが前記板状ベインの上下方向の幅寸法Ｗの１／２以上となるインダクタンス調整用凹みを形成すると共に、
前記環挿通凹部の上下方向の切れ込み深さを前記板状ベインの上下方向の幅寸法Ｗの１／２以上に設定したことを特徴とするマグネトロン。
【請求項２】
前記板状ベインのインダクタンス調整用凹みを埋める誘電体を備えたことを特徴とする請求項１に記載のマグネトロン。
【請求項３】
前記誘電体が、前記陽極筒体の内壁面に沿って周回するリング状に形成されていることを特徴とする請求項２に記載のマグネトロン。
【請求項４】
前記マグネトロンの組み立て工程において、前記複数枚の板状ベインを前記陽極筒体の内壁面に接合するために、前記複数枚の板状ベインを前記陽極筒体の内側に所定の位置関係で位置決めする際、前記インダクタンス調整用凹みに前記誘電体を嵌合させて、前記誘電体を前記板状ベインの撓み変形を防止する治具として使用することを特徴とするマグネトロンの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電子レンジなどに用いられるマグネトロン及びその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
マグネトロンは、例えば２，４５０ＭＨｚの基本周波数で動作するマイクロ波発振管であり、マイクロ波加熱器あるいはマイクロ波放電ランプなどのマイクロ波を用いた電気機器において高周波源として使用されている。
【０００３】
このようなマグネトロンは一般に、図１１に示されるように、中心部には真空管部１があり、この真空管部１の外周に配設された複数枚の放熱用フィン２と、真空管部１と同軸に配設された一対の環状磁石３と、この環状磁石３を磁気的に繋ぐ一対の枠状継鉄４と、フィルタ回路部５とで構成されている。
【０００４】
真空管部１は、円筒状の陽極筒体６と、陽極筒体６と同軸上に配置された陰極７と、陽極筒体６の中心軸の周りに放射状に配置された複数枚の板状ベイン８と、これらを１枚おきに電気的に接続するための複数個の均圧リング９，１０と、一端がいずれか１枚の板状ベイン８に接続されたマイクロ波放出用アンテナ１１とを具備した構成となっている。
【０００５】
各板状ベイン８は、略矩形状で、上下の端縁には、均圧リング９，１０を接合するための環係合凹部１２と、均圧リング９，１０を非接触に挿通させるための環挿通凹部１３とが、陽極筒体６の半径方向に位置をずらして形成されている。また、上下端縁に形成される環係合凹部１２と環挿通凹部１３は、上端縁と下端縁とで配置が逆になるように設けられている。更に、板状ベイン８の上端縁で、環係合凹部１２及び環挿通凹部１３の装備位置よりも陽極筒体６の内壁面寄りとなる位置に、アンテナ１１を固定する溝１４が形成されている。
【０００６】
このような板状ベイン８は、一枚おきに上下を反転させた逆向きで陽極筒体６の内壁面に固定される。従って、隣接する板状ベイン８相互では、上端縁と下端縁が周方向に対向する状態となり、環係合凹部１２及び環挿通凹部１３の装備位置が逆転している。
周方向に並ぶ板状ベイン８相互は、環係合凹部１２に接合される均圧リング９，１０によって１枚おきに電気的に接続され、且つ、既述したように複数枚の内の一枚の板状ベイン８の上端縁の溝１４にマイクロ波放出用アンテナ１１が接合されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、近年、新たな応用機器の開発や新たな市場の拡大を進めるにあたって、マグネトロンの小型化が熱望されている。
しかしながら、従来のマグネトロンでは、小型化を目的として陽極筒体の内径寸法を従来の略３５ｍｍよりも小さくし、その陽極筒体の縮径に相応して、板状ベイン８の半径方向の長さを短縮すると、隣り合った板状ベインと陽極筒体とで構成される共振空胴を流れる高周波電流の経路が短くなることからインダクタンスが変化してしまい、その結果、マイクロ波の発振周波数が規定周波数からずれて、規定のマイクロ波発振特性が得られなくなるという問題が発生する。
即ち、マグネトロンの小型化は、陽極筒体の内径寸法を単純に縮径させるといった対応だけでは解決されず、インダクタンスの変化に起因するマイクロ波発振特性の変動を防止するために、その他の構成部品の電気的及び磁気的な見直しが必要になり、高額な開発費，開発時間が必要になるという問題があった。
【０００８】
本発明は、前述した問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、陽極筒体の内径寸法の縮径や板状ベインの半径方向の長さの短縮等の変更を行っても、変更前と同じインダクタンスを保って、インダクタンスの変化に起因するマイクロ波発振特性の変動を防止することができ、従って、陽極筒体の内径寸法や板状ベインの半径方向の長さを短縮することで、簡単に小型化を図ることのできるマグネトロンを提供すること、更には、小型化したマグネトロンを効率良く組み立てできるマグネトロンの製造方法を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明に係るマグネトロンは、請求項１に記載したように、陽極筒体の内壁面に中心軸に向かって突設された複数枚の板状ベインの上下の端縁に、均圧リングを接合するための環係合凹部と、均圧リングを非接触に挿通させるための環挿通凹部とを形成し、
前記板状ベイン相互が環係合凹部に接合される均圧リングによって１枚おきに電気的に接続されるマグネトロンであって、
前記板状ベインの環挿通凹部と異なる上下の端縁において該環挿通凹部よりも陽極筒体の内壁面側にずれた位置に、上下方向の切れ込み深さが前記板状ベインの上下方向の幅寸法Ｗの１／２以上となるインダクタンス調整用凹みを形成すると共に、
前記環挿通凹部の上下方向の切れ込み深さを前記板状ベインの上下方向の幅寸法Ｗの１／２以上に設定したことを特徴とする。
【００１０】
このように構成されたマグネトロンにおいては、陽極筒体の内径寸法の縮径や板状ベインの半径方向の長さの短縮等の変更を行っても、板状ベイン上での高周波電流の経路は蛇行路となって経路長が増大しており、隣り合った板状ベインと陽極筒体とで構成される共振空胴を流れる高周波電流の経路を、寸法の変更前と同一に維持することができる。そのため、共振空胴を流れる高周波電流の経路長の短縮に起因するインダクタンスの変化を防止することができる。
従って、寸法の変更前と同じインダクタンスを保つことができ、インダクタンスの変化によってマイクロ波の発振周波数が規定周波数からずれて規定のマイクロ波発振特性が得られなくなるという問題を回避することができ、陽極筒体の内径寸法や板状ベインの半径方向の長さを短縮することで、簡単に小型化を図ることができる。
【００１１】
また、請求項２に記載のマグネトロンは、上記目的を達成するために、請求項１に記載のマグネトロンにおいて、更に、前記板状ベインのインダクタンス調整用凹みを埋める誘電体を備えたことを特徴とするものである。
また、請求項３に記載のマグネトロンは、上記目的を達成するために、請求項２に記載のマグネトロンにおいて、更に、前記誘電体が、前記陽極筒体の内壁面に沿って周回するリング状に形成されていることを特徴とするものである。
【００１２】
このように構成されたマグネトロンにおいては、マグネトロンを組み立てる際のろう付け時やマグネトロンの動作時等、陽極が高温となる場合に、均圧リングが熱膨張し、それによって各板状ベインには径方向へ大きな圧縮応力が作用するが、インダクタンス調整用凹みを埋めている誘電体がその径方向の圧縮応力を受けて、板状ベインのインダクタンス調整用凹みの周辺部位に歪みや撓みが生じることを防止できる。
【００１３】
また、請求項４に記載のマグネトロンの製造方法は、請求項２又は請求項３に記載のマグネトロンの組み立て工程において、前記複数枚の板状ベインを前記陽極筒体の内壁面に接合するために、前記複数枚の板状ベインを前記陽極筒体の内側に所定の位置関係で位置決めする際、前記インダクタンス調整用凹みに前記誘電体を嵌合させて、前記誘電体を前記板状ベインの撓み変形を防止する治具として使用することを特徴とする。
【００１４】
本発明に係るマグネトロンは、インダクタンス調整用凹みを追加形成した分、板状ベインが複雑且つ不安定な形状となり、板状ベインを陽極構体の内壁面へ位置決めする時に、撓みや傾倒等が生じて正確な位置決めが困難になる虞があるが、上記の製造方法によれば、誘電体を陽極筒体の内壁に配置される板状ベインの位置決め治具として活用することで、陽極構体の内壁面への板状ベインの位置決めを、正確且つ容易にすることができる。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下、添付図面に基づいて本発明の第１の実施の形態に係るマグネトロン及びその製造方法を詳細に説明する。
なお、以下に説明する実施の形態において、既に図１１に示した従来のマグネトロンで使用している部材と同一の構成については、図中に同一符号あるいは相当符号を付すことにより説明を簡略化あるいは省略する。
【００１６】
図１及び図２は、本発明に係るマグネトロンの第１の実施の形態を示したものである。
この第１の実施の形態のマグネトロン１００は、図１１に示したマグネトロンにおける板状ベイン８を、改良した板状ベイン１５に置き換えると共に、この板状ベイン１５に誘電体２１を装備するようにしたもので、それ以外の構成部品は、何れも従来と同一でよい。
即ち、本実施形態のマグネトロン１００も、陽極筒体６，陽極筒体６と同軸上に配置された陰極７，陽極筒体６に接合された複数枚のベイン１５を１枚おきに電気的に接続するための複数個の均圧リング９，１０，一端がいずれか１枚の板状ベイン１５に接続されたマイクロ波放出用アンテナ１１等の構成部品を備えている。
均圧リング９は、均圧リング１０よりも径が大きく、均圧リング１０の外側に同心状に配置される。
【００１７】
但し、本実施形態の場合、陽極筒体６の内壁面に中心軸に向かって突設された複数枚の板状ベイン１５は、略矩形状で、図２に示すように、上下の端縁１６，１８のそれぞれに、均圧リング９，１０を接合するための環係合凹部１２と、均圧リング９，１０を非接触に挿通させるための環挿通凹部１７，１９とを設けている。
【００１８】
板状ベイン１５の上端縁１６には、環挿通凹部１７と環係合凹部１２とが装備されているが、環挿通凹部１７の位置は、環係合凹部１２よりも半径方向外側に設定されている。
一方、板状ベイン１５の下端縁１８には、環挿通凹部１９と環係合凹部１２とが装備されているが、上端縁１６の場合とは逆に、環挿通凹部１９の位置は、環係合凹部１２よりも半径方向内側に設定されている。
即ち、板状ベイン１５に形成する環係合凹部１２及び環挿通凹部１７，１９は、同じ端縁に並ぶものは半径方向に位置をずらしており、また、上端縁と下端縁とで配置が逆になるように設けられている。
【００１９】
更に、１枚の板状ベイン１５の上端縁１６で、環係合凹部１２及び環挿通凹部１７の装備位置よりも陽極筒体６の内壁面寄りとなる位置に、アンテナ１１を固定する溝１４が形成されている。
【００２０】
又、本実施形態の場合、板状ベイン１５の下端縁１８上で、上下の端縁１６，１８に設けられた環挿通凹部１７，１９よりも陽極筒体６の内壁面側にずれた位置に、上下方向の切れ込み深さＤ３が板状ベイン１５の上下方向の幅寸法Ｗの１／２以上となるインダクタンス調整用凹み２０を形成している。
また、板状ベイン１５の上端縁１６上の環挿通凹部１７の上下方向の切れ込み深さＤ１も、板状ベイン１５の上下方向の幅寸法Ｗの１／２以上に設定されている。
このように切り込み深さＤ３，Ｄ１を設定したことで、板状ベイン１５上の高周波電流の経路は、図に矢印ｘで示すように、蛇行した形態になる。
【００２１】
板状ベイン１５の下端縁１８上の環挿通凹部１９の上下方向の切れ込み深さＤ２は、従来の環挿通凹部１３と同じ深さで、環挿通凹部１７の装備位置における板状ベイン１５の残り幅Ｗ１よりも小さく設定されている。
【００２２】
インダクタンス調整用凹み２０の装備位置における板状ベイン１５の残り幅Ｗ２は、陽極筒体６との接合部に規定の高周波電流の経路として必要十分な断面積が確保でき、しかも、前記した切れ込み深さＤ３を確保できるように、適宜値に設定される。
以上の環挿通凹部１７，１９及びインダクタンス調整用凹み２０は、何れも、上下方向に延びる矩形の溝で、環挿通凹部１７，１９の溝幅Ｃは、従来の環挿通凹部１３と同一で良い。
【００２３】
また、本実施の形態では、板状ベイン１５のインダクタンス調整用凹み２０は、誘電体２１によって埋められている。この誘電体２１は、図４にも示すように、陽極筒体６の内壁面に沿って周回するリング状に形成されている。
【００２４】
以上の板状ベイン１５は、一枚おきに上下を反転させた逆向きで陽極筒体６の内壁面に固定される。従って、隣接する板状ベイン１５相互では、上端縁１６と下端縁１８が周方向に対向する状態となり、環係合凹部１２及び環挿通凹部１７，１９の装備位置が逆転している。
そして、陽極筒体６の内壁面に配置される板状ベイン１５相互は、環係合凹部１２に接合される均圧リング９，１０によって１枚おきに電気的に接続され、且つ、複数枚の内の一枚の板状ベイン１５の上端縁の溝１４にマイクロ波放出用アンテナ１１が接合される。
【００２５】
このように構成されたマグネトロン１００においては、陽極筒体６の内径寸法の縮径や板状ベイン１５の半径方向の長さの短縮等の変更を行っても、板状ベイン１５上での高周波電流の経路は蛇行路となって経路長が増大しており、隣り合った板状ベイン１５と陽極筒体６とで構成される共振空胴を流れる高周波電流の経路を、寸法の変更前と同一に維持することができる。そのため、共振空胴を流れる高周波電流の経路長の短縮に起因するインダクタンスの変化を防止することができる。
【００２６】
従って、寸法の変更前と同じインダクタンスを保つことができ、インダクタンスの変化によってマイクロ波の発振周波数が規定周波数からずれて規定のマイクロ波発振特性が得られなくなるという問題を回避することができ、陽極筒体６の内径寸法や板状ベイン１５の半径方向の長さを短縮することで、簡単に小型化を図ることができる。
【００２７】
また、本実施形態のマグネトロン１００においては、マグネトロンを組み立てる際のろう付け時やマグネトロンの動作時等、陽極が高温となる場合に、均圧リング９，１０が熱膨張し、それによって各板状ベイン１５には径方向へ大きな圧縮応力が作用するが、インダクタンス調整用凹み２０を埋めている誘電体２１がその径方向の圧縮応力を受けて、板状ベイン１５のインダクタンス調整用凹み２０の周辺部位に歪みや撓みが生じることを防止する。
従って、電子の運動空間である作用空間を構成する板状ベイン１５の先端部が、インダクタンス調整用凹み２０やその周辺部位の歪みや撓みによって不揃いとなることがなく、よって、板状ベイン１５の先端部が不揃いとなることに起因するマイクロ波の出力特性の低下を防止することができる。
【００２８】
また、本実施の形態のように、誘電体２１がリング状に形成されている場合は、均圧リング９，１０の熱膨張によって板状ベイン１５に作用する圧縮応力を、誘電体２１を介して周方向に効率よく分散させることができて、各板状ベイン１５毎に独立した誘電体２１を使用する場合と比較すると、インダクタンス調整用凹み２０やその周辺部位の歪みや撓みの発生を更に低減させることができる。
【００２９】
また、インダクタンス調整用凹み２０を埋める誘電体２１は、共振空洞内に存在することによって該誘電体２１内での伝搬波長が比誘電率εγに応じて１／√（εγ）だけ短くなり、結果的にインダクタンスの変化防止に貢献し、陽極筒体６や板状ベイン１５の寸法短縮によるマグネトロンの小型化の一助となっている。
【００３０】
以上の作用効果を確認するため、本願発明者等は、陽極筒体の内径や板状ベインの半径方向の長さを徐々に短縮して、マイクロ波の発振周波数への影響を調べた。
但し、従来のマグネトロン場合、陽極筒体の内径は３５ｍｍで、板状ベインの上下方向の幅Ｗは９．５ｍｍである。
【００３１】
環挿通凹部１９の切り込み深さＤ２は従来と同じ１．７ｍｍとしたままで、環挿通凹部１７の切り込み深さＤ１は板状ベイン１５の幅Ｗの１／２以上である５．８ｍｍに設定し、また、インダクタンス調整用凹み２０の切り込み深さＤ３は板状ベイン１５の幅Ｗの１／２以上である７．５ｍｍに設定した。
上記実施形態に準じた実施例のマグネトロンは、陽極筒体の内径を２２ｍｍまで縮径させた場合でも、陽極筒体の内径及び板状ベインの半径方向の長さを短縮しない従来のマグネトロンと同様に、２４５０ＭＨｚで発振して、発振周波数の変動がみられず、良好なマイクロ波の出力特性を得ることができた。
即ち、上記の実施形態の構成とすることで、マイクロ波の出力特性等を犠牲にせずに、陽極筒体の内径を１３ｍｍも縮径することができて、大幅な小型化を実現できることが確認できた。
【００３２】
図３は、このような陽極筒体の内径を縮径した場合の発振周波数を、多種の内径について、本実施の形態に準じた実施例と従来例とで比較測定したもので、本発明の実施例の場合は、陽極筒体が何れの内径でも、発振周波数が規定の２４５０ＭＨｚに維持されているが、従来例で単純に陽極筒体の内径を縮径させると前述したインダクタンスの変化によって小型化するほど発振周波数が高くなってしまう。
なお、図３に示した測定において、本発明の実施例の場合、発振周波数のばらつきは、±１０ＭＨｚに収まっていて、陽極筒体の縮径の程度に拘わらず、規定の発振周波数に安定維持できることも確認された。
【００３３】
なお、測定に使用した実施例では、環挿通凹部１７の切り込み深さＤ１とインダクタンス調整用凹み２０の切り込み深さＤ３とは、互いに異なる値に設定したが、要は、板状ベイン１５の幅方向で、双方の凹み１７，２０の先端部がオーバーラップして、板状ベイン１５上に蛇行した高周波電流の経路が形成できれば良く、双方の凹み１７，２０の切り込み深さを同一値としても、同様の作用効果を得ることができる。
【００３４】
次に、本実施形態のマグネトロン１００の組み立て工程について、説明する。マグネトロン１００の真空管部１（図１１参照）を構成する陽極筒体６、複数枚の板状ベイン１５、均圧リング９，１０、マイクロ波放出用アンテナ１１等は、図４に示すように、陽極筒体６の下部に挿入される台座型カーボン治具３１と、陽極筒体６の上側から中心軸上に挿通する心出し用のセラミック治具３３とで、陽極筒体６に対する位置決めを行い、位置決めした状態で、接触している部品相互を互いにロウ付けすることで、一体化する。
なお、図４では、二枚の板状ベイン１５しか示していないが、実際には、複数枚（偶数枚）の板状ベイン１５が陽極筒体６の中心軸回りに放射状に並んだ状態に立設されて、台座型カーボン治具３１のベイン位置決めスリット３１ａによって、各板状ベイン１５相互の周方向の間隔が規制される。
【００３５】
また、複数枚の板状ベイン１５を、台座型カーボン治具３１によって陽極筒体６内に放射状に配列した後、図５に示すように、陽極筒体６の中心部にセラミック治具３３を挿入することで、板状ベイン１５の各上端縁１６の外側縁を陽極筒体６の内壁面に当接させた状態に、位置決めする。
このセラミック治具３３の挿入を行う前に、本実施の形態の組み立て工程では、台座型カーボン治具３１によって陽極筒体６内に位置決めする各板状ベイン１５のインダクタンス調整用凹み２０に、前述したリング状の誘電体２１を嵌合させて、誘電体２１を板状ベイン１５の撓み変形を防止する治具として活用する。
【００３６】
上記の組み立て工程について、図４を参照しながら更に詳細に述べると、台座型カーボン治具３１上に板状ベイン１５の下端縁側に設けられる均圧リング９，１０を配置した状態で、インダクタンス調整用凹み２０が上端縁側に開口された一方の板状ベイン１５を台座型カーボン治具３１のベイン位置決めスリット３１ａに１枚おきに配置した後、リング状の誘電体２１をこの板状ベイン１５の上記したインダクタンス調整用凹み２０に嵌入する。その後、インダクタンス調整用凹み２０が下端縁側に開口された他方の板状ベイン１５でリング状の誘電体２１に被せるように、この板状ベイン１５を、台座型カーボン治具３１のベイン位置決めスリット３１ａに配置された先の一方の板状ベイン１５間に配置する。この結果、図５に示すように、リング状の誘電体２１は、板状ベイン１５によって上下方向に位置規制された状態に保持される。その後、上記の予備組立て体を陽極筒体６に挿通して、板状ベイン１５の上端縁側に設けられる均圧リング９，１０を配置した状態で、更に、既述したセラミック治具３３を適用して各部品を位置決めした状態で、接触している部品相互のロウ付けを行った後、台座型カーボン治具３１及びセラミック治具３３が取り外される。
なお、予備組立て体は、陽極筒体６内に嵌め合わされた時点でセラミック治具３３を適用することで、各部品が位置決めされ、台座型カーボン治具３１を取り外すこともできる。
【００３７】
本実施の形態のマグネトロン１００は、インダクタンス調整用凹み２０を追加形成した分、板状ベイン１５が複雑、且つ不安定な形状となり、板状ベイン１５を陽極構体６の内壁面へ位置決めする時に、撓みや傾倒等が生じて正確な位置決めが困難になる虞がある。
特に、図６（ａ）、（ｂ）に示すように、各板状ベイン１５のインダクタンス調整用凹み２０に誘電体２１を埋め込まない状態でセラミック治具３３を挿入する場合などは、セラミック治具３３から作用する押圧力で、各板状ベイン１５のインダクタンス調整用凹み２０の周辺部位に撓みや傾倒等が生じ易く、組み立てが極めて困難になる。
しかし、図６（ｃ）に示すように、セラミック治具３３の挿入前に、各板状ベイン１５のインダクタンス調整用凹み２０に誘電体２１を埋め込んだ形態にして、誘電体２１を陽極筒体６の内壁に配置される板状ベイン１５の位置決め治具として活用することで、陽極構体６の内壁面への板状ベイン１５の位置決めを、正確、且つ、容易にすることができ、また、撓みや傾倒等の発生を誘電体２１による支えによって防止して、本発明により小型化したマグネトロンの組立て性を向上させることができる。
【００３８】
なお、板状ベイン１５の上下の端縁１６，１８に装備する環係合凹部１２と環挿通凹部１７，１９との配列順は、上記の実施の形態に限らない。
例えば、図７に示すように、板状ベイン１５の上端縁１６では、環係合凹部１２の内側に環挿通凹部１７を装備するようにし、また、それとは逆に、下端縁１８では、環挿通凹部１９の内側に環係合凹部１２を装備するようにしても良い。
【００３９】
また、板状ベイン１５に装備するインダクタンス調整用凹み２０は、図８に示すように、陽極筒体６の内壁面に接触する細幅の端縁２３を残して、誘電体２１が直接陽極筒体６に接触しない構造としても良い。
【００４０】
更に、図９に示すように、陽極筒体６の内壁面に、板状ベイン１５のインダクタンス調整用凹み２０に埋め込まれる誘電体２１との接触面積を減らす凹溝２４を周設するようにしても良い。このように構成すると、陽極筒体６の金属面と板状ベイン１５の金属が近接することによるインダクタンスの吸収が抑えられて当初の特性が得られる。同様な考えに基づいて、環挿通凹部の均圧リングに関与しない領域に、誘電体を配置することもできる。
【００４１】
なお、上記の各実施の形態では、板状ベイン１５のインダクタンス調整用凹み２０を埋める誘電体２１を、陽極筒体６の内壁面に沿うリング状としているが、例えば、図１０に示すように、各板状ベイン１５を放射方向に位置決めするために使用する台座型カーボン治具３１のベイン嵌合用スリット３１ａの外周部に、誘電体２１を保持させる誘電体収容部３１ｂを形成しておくことで、誘電体２１を各板状ベイン１５毎に独立したブロック上にすることもできる。
但し、誘電体２１は、一体のリング状とした方が治具としての使い勝ってが向上する。
【００４２】
【発明の効果】
このように構成されたマグネトロンにおいては、陽極筒体の内径寸法の縮径や板状ベインの半径方向の長さの短縮等の変更を行っても、寸法の変更前と同じインダクタンスを保つことができ、インダクタンスの変化によってマイクロ波の発振周波数が規定周波数からずれて規定のマイクロ波発振特性が得られなくなるという問題を回避することができ、陽極筒体の内径寸法や板状ベインの半径方向の長さを短縮することで、簡単に小型化を図ることができる。
【００４３】
また、マグネトロンを組み立てる際、インダクタンス調整用凹みを埋めている誘電体がその径方向の圧縮応力を受ける治具を兼ねるので、板状ベインの先端部が、インダクタンス調整用凹みやその周辺部位の歪みや撓みによって不揃いとなることがなく、不揃いとなることに起因するマイクロ波の出力特性の低下を防止することができる。また、板状ベインの位置決めを、正確、且つ、容易にすることができて、マグネトロンの組立て性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係るマグネトロンの第１の実施の形態の要部の縦断面図である。
【図２】図１に示したマグネトロンに使用している板状ベイン及び誘電体の拡大図である。
【図３】図１に示したマグネトロンの陽極筒体の内径と発振周波数との関係を従来と比較して示す図である。
【図４】図１に示したマグネトロンの組み立て工程を説明する分解斜視図である。
【図５】図１に示したマグネトロンの組み立て工程における板状ベインの位置決め状態を示す斜視図である。
【図６】図５に示した位置決め方法による作用効果の説明図である。
【図７】本発明の第２の実施の形態によるマグネトロンの要部断面図である。
【図８】本発明の第３の実施の形態によるマグネトロンの要部断面図である。
【図９】本発明の第４の実施の形態によるマグネトロンの要部断面図である。
【図１０】本発明の第５の実施の形態によるマグネトロンの要部の拡大斜視図である。
【図１１】従来のマグネトロンの断面図である。
【符号の説明】
６　　陽極筒体
９　均圧リング
１０　均圧リング
１１　アンテナ
１５　板状ベイン
１６　端面
１７　環挿通凹部
１８　端面
１９　環挿通凹部
２０　インダクタンス調整用凹み
２１　誘電体
１００　マグネトロン
Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３　凹みの深さ寸法
Ｗ１，Ｗ２　凹みの底辺から端面までの距離
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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