(57)【要約】【課題】封止樹脂からリードが抜け落ちにくく、且つ組立時の安定性が高く、コンタミネーションの発生も少ない半導体装置、半導体装置に用いるリードフレーム及びその製造方法を提供すること。【解決手段】リードフレームのリード部２０は、プレス機で上下の角部ＵＲＣ，ＵＬＣ，ＢＲＣ，ＢＬＣの潰し工程を経てそれぞれのリード２４，２５，２６の断面形状が概ね八角形に形成される。このとき上面２０ｅと底面である外部端子２０ｄの上面中心線ＵＣＬが底面中心線ＢＣＬと同じ水平位置になるため、ボンディング工程で安定した組立ができる。また、樹脂封止後リードのカットをした後、リード間の封止樹脂は両側のリード側面が食込むような状態になるので安定して保持される。そのため、従来のようにアウターリード間の封止樹脂の打抜きをする必要がなく、また封止樹脂が剥離したり欠け落ちることもない。【選択図】      図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップと、
当該半導体チップと電気的に接続されているリードを有するリードフレームと、
前記リードの一部を接続可能な外部端子として底面に露出させて、前記半導体チップと当該リードフレームとを樹脂封止する封止樹脂と
を備えた半導体装置において、
前記リードフレームの各リードの上部平面と底部平面との角部の少なくとも一部に、それぞれ水平な対称軸に対称な形状に潰し加工をし、
当該上部平面と底部平面の対称軸が同一の垂直な平面上に配置されたこと
を特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記各リードの上部平面と底部平面の角部はそれぞれ平行な一対の直線に沿って潰し加工されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記外部端子は、前記底面と略同一平面上に形成されていることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
外周端部に突出したリード間に前記封止樹脂が当該リードにより保持されていることを特徴とする請求項３に記載の半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の半導体装置に用いるリードフレーム。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置、半導体装置に用いるリードフレーム及びその製造方法に係り、詳しくは封止樹脂からリードが抜け落ちず、且つ組立時の安定性が高く、コンタミネーションの発生も少ない半導体装置、及び半導体装置に用いるリードフレームに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、半導体装置に対する小型化・高密度化の要求が大きい。そこで、小型・薄型のパッケージで、アウターリードをパッケージ外部に延在させないでパッケージの底面にリードの一部を外部端子として露出させるノンリードタイプの半導体装置であるＩＣ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ）パッケージが用いられている（本発明の図１参照）。これには、例えばＱＦＮ（Ｑｕａｄ  Ｆｌａｔ  Ｎｏｎ−ｌｅａｄｅｄ  ｐａｃｋａｇｅ）や、ＳＯＮ（Ｓｍａｌｌ  Ｏｕｔｌｉｎｅ  Ｎｏｎ−ｌｅａｄｅｄ  ｐａｃｋａｇｅ）のようなものがある。このような薄型の半導体装置では、リードが封止樹脂に浅く埋め込まれるため脱落しやすく、安定して固定する必要がある。そのため、リード幅方向の両端を樹脂に埋め込むように段差を設けるようなものが提案され、例えば特許文献１の図２（ａ）、図４（ａ）、図６（ａ）に記載されたリードフレームの製造方法のようなものがあった。これらのリードは図３、図５、図７に示すように、一方の方向、例えばパッケージ底面側に相当する側からのみ潰し加工が行われていた。
【０００３】
ここで、図１１は、従来の半導体装置の一例のＩＣパッケージである半導体装置１０１の正面図の一部を示す。図１１は図４との比較のため上下反転させており、上側が底面側である。半導体装置１０１のリードフレーム１０２のリード部１２０の各リード１２１，１２２，１２３…は、外形が略扁平な正四角柱に形成された封止樹脂１０３の底面側の４辺に多数並設されている。リード１２１は幅Ｄだけ側部周縁の底面側から図上右方に突出している。また、他のリード１２２，１２３…も同様に図上手前の方に幅Ｄだけ突出している。リード１２１等は上部（図下側）が幅広の断面Ｔ字状で、幅広の部分が封止樹脂１０３により覆われているため、リード１２１等は半導体装置１０１に固定され脱落することがない。このリードフレームの製造は、まずスタンピング工程でプレス装置により、リード部１２０が、多数並設された水平なピンを櫛状に備えたリードフレーム１０２として、一連の銅条から打抜き形成される。その後、図１２に示すように、ダイＤＩの上でストリッパＳＴで押さえながら、パンチＰＮによりリード部１２０のそれぞれのリードの上面側の角部が潰される。図１３は、このような角部の潰し加工が完了したリード部１２０のリード１２４、１２５，１２６を示す平面図と正面図である。図１３に示すように、リード部１２０のリードの外形は平面視において中間部が幅方向に膨らんだ形状で、その断面は略Ｔ字状になる。この場合、自動化されたボンディングポイントＢＰは、リード上面ＬＵの形状が画像認識され、その中心に決定される。
【０００４】
【特許文献１】
特開平１１−２６０９８３号公報（図２〜７）
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、いくらパンチＰの間隔が等間隔であっても、リード部１２０の各リードの間隔、或いは両者の相対位置に誤差がある場合がある。例えば、図１３に示すリード１２４の潰された角部ＲＣと角部ＬＣのように潰し幅が異なると、角部ＲＣの方が圧延される体積が大きく、図右側方向に圧延されて張り出す。そのため、リード上面ＬＵの中心線ＵＣＬが右にずれ、リード底面ＬＢの中心線ＢＣＬの位置と異なることになる。そうするとボンディングポイントＢＰは、リード底面ＬＢの中心線から大きくずれてしまうことになる。その結果、ボンディングポイントが本来の位置からずれてしまい組立性が悪化してしまうという問題があった。また、ずれが大きければボンディング時にバランスを失い、リードの曲り、捻りの原因にもなるという問題があった。
【０００６】
また、図１１に示すリード部１２０自体は、しっかりと封止樹脂１０３により固定されたとしても、例えば幅Ｄの距離を突出されたリード１２２とリード１２３の端部に挟まれた部分の封止樹脂１０３の本体部１３１からのはみ出し部分１３２は不安定となる。そのため、そのまま放置すれば剥離、脱落してコンタミネーションを発生させて生産の障害となるという問題もあった。また、予めパンチで打ち抜いたとしても、打抜き時の破片等が発生しすく、やはりコンタミネーションの防止が困難であった。
【０００７】
上記課題を解決するため、本発明は、封止樹脂からリードが抜け落ちにくく、且つ組立時の安定性が高く、コンタミネーションの発生も少ない半導体装置、及び半導体装置に用いるリードフレームを提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
請求項１に係る半導体装置では、半導体チップと、当該半導体チップと電気的に接続されているリードを有するリードフレームと、前記リードの一部を接続可能な外部端子として底面に露出させて、前記半導体チップと当該リードフレームとを樹脂封止する封止樹脂とを備えた半導体装置において、前記リードフレームの各リードの上部平面と底部平面との角部の少なくとも一部に、それぞれ水平な対称軸に対称な形状に潰し加工をし、当該上部平面と底部平面の対称軸が同一の垂直な平面上に配置されたことを要旨とする。
【０００９】
この構成に係る半導体装置では、封止樹脂からリードが抜け落ちにくく、且つ上部平面と底部平面の対称軸の水平位置が一致するので、ボンディング等の加工工程での安定を増すことができるという効果がある。
【００１０】
請求項２に係る半導体装置では、請求項１に記載の半導体装置の構成に加えて、前記各リードの上部平面と底部平面の角部はそれぞれ平行な一対の直線に沿って潰し加工されていることを要旨とする。
【００１１】
この構成に係る半導体装置では、加工が容易で、ボンディング工程でも安定した加工ができる形状とすることができるという効果がある。
請求項３に係る半導体装置では、請求項１又は請求項２に記載の半導体装置の構成に加え、前記外部端子は、前記底面と略同一平面上に形成されていることを要旨とする。
【００１２】
この構成に係る半導体装置では、請求項１又は請求項２に記載の半導体装置の効果に加え、外部端子としてアウターリードを外部に延在させないためコンパクトな外形とすることができるという効果がある。
【００１３】
請求項４に係る半導体装置では、請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の半導体装置の構成に加え、外周端部に突出したリード間に前記封止樹脂が当該リードにより保持されていることを要旨とする。
【００１４】
この構成に係る半導体装置では、請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の半導体装置の効果に加え、リードが上下から角部を加工され、リード側面の中央部分が突出し、リード間の封止樹脂を安定して保持できる。そのためコンタミネーションの発生を少なくすることができるという効果がある。
【００１５】
請求項５に係る半導体装置に用いるリードフレームでは、請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の半導体装置に用いるリードフレームを要旨とする。
この構成に係る半導体装置に用いるリードフレームでは、請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の半導体装置の製造に用いることができる。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の半導体装置及びリードフレームを具体化した一実施形態である半導体装置１及びこの半導体装置１に用いるリードフレーム２を図１〜図１０に従って説明する。図１は、図２のＩ−Ｉ部分における本発明の半導体装置１の断面図である。図１において下方を半導体装置１の底面とする。本実施形態では、半導体装置１は、ＱＦＮタイプのＩＣパッケージを例に説明する。
【００１７】
半導体装置１は、半導体チップ１１とリードフレーム２と封止樹脂３を備えて構成される。半導体チップ１１はＩＣ回路が形成されているシリコンチップである。リードフレーム２は、半導体チップ１１と金属細線１２，１３…により電気的に接続されている多数のリードを備えたリード部２０と、半導体チップ１１を載置するダイパッド３０とを含む。封止樹脂３は、これらを樹脂封止している。
【００１８】
図２は、半導体装置１の組立前の本発明のリードフレーム２の平面図である。リードフレーム２は、銅条に横２〜数列、縦に多数設けられた略正方形の打抜き部分の周囲に、多数並設された水平なピンを櫛状に備えたリード部２０が形成される。図２はそのうちの１つを示す。この打抜き部分には、４つの角から支えが中央方向に設けられ、打抜き部分の略中央に正方形のダイパッド３０が設けられる。ここは、半導体チップ１１が配置される。また、パッケージが完成すると、切断線ＣＬで１つひとつの半導体装置１毎に切り離される。
【００１９】
図３は、完成した半導体装置１の図２のＩＩ−ＩＩＩ部分を底面側から見た模式図である。図４は、半導体装置１の図３の部分を正面から見た模式図である。図３に示すように、半導体装置１の底面１４の周囲には、リードフレーム２のリード部２０の一部が略長方形に露出した外部端子２０ｄが形成されている。この外部端子２０ｄは、配線基板（図示を省略）にハンダにより実装される部分である。
【００２０】
リード部２０の外周側の端部２０ｃは、半導体装置１の周縁部の底面１４側で外側に幅Ｄだけ突出しており、その端面は上下の角部が潰された八角形をしている。断面が八角形のリード部２０の側部２０ｂは幅方向に突出しており、リード部２０は、底面方向に脱落しないように、封止樹脂３によりこの側部２０ｂが固定されている。また、図３に破線で示すように、リード部２０には、インナー側に埋め込まれるようにインナーリード２０ａが備えられる。このインナーリード２０ａは、やや幅広に形成されている（図２参照）。このため、樹脂封止されたリード部２０は、外側方向にも脱落しない。
【００２１】
また、扁平な正四角柱の本体部３１から突出したリード部２０の各リード間には、封止樹脂３の本体部３１からのはみ出し部分３２が形成される。このはみ出し部分３２は、本体部３１と一体に成形されており、リード部２０の上面２０ｅ、底面である外部端子２０ｄと同一面で、且つ、端部２０ｃと同一面で囲まれている。そして両側からリード部２０の側部２０ｂが食込んでいるため、上下方向の力が加わった場合でも、剥離や破損による脱落が極めて生じにくくなっている。そのため、封止樹脂３を由来とするコンタミネーションの発生が極めて少なくなる。
【００２２】
ここで、半導体装置１に用いるリードフレーム２の製造方法について説明する。リードフレーム２は、例えば、１次メッキ、１次スタンピング、２次メッキ、２次スタンピングの各工程により製造される。１次メッキは、薄い銅合金の銅条をメッキする。その後１次スタンピングの複数の工程で銅条を順次プレスしてリードフレーム２の形状に打抜く。このとき、順送りされながらリード部２０の先端部分の潰し加工も行われる。そして２次メッキが施され、２次スタンピングで最終的な調整が行われて製品が完成する。
【００２３】
次に、１次スタンピングにおける、リード部２０の角部の潰し加工について説明する。ここで、図５は、リード部２０の角部の潰し加工を示す図である。加工途中のリードフレーム２は、銅条が精密プレスに順送りされて、スタンピングされる。スタンピング工程では、プレス機（図示を省略）にセットされた銅条は、まず大まかな形状が打ち抜かれる。次のプレス機に順送りされ、図５に示すようにリード部２０の各リードの外部端子２０ｄがダイＤＩに支えられ上面２０ｅがストリッパＳＴにより固定される。そして、上側パンチＵＰにより上面の左右の角部ＵＬＣ，ＵＲＣが、下側パンチＬＰにより底面の左右の角部ＢＬＣ，ＢＲＣが潰し加工される。各ストリッパＳＴは、リード部２０の各リードと同じ水平位置に配置されている。また、上側パンチＵＰ、下側パンチＬＰは、上下同じ位置でリード部２０各リードの間隔と同じ位置に配置されている。なお、ここでは、底面の外部端子２０ｄ側からも下側パンチＬＰで潰し加工をしているが、底面側は固定した突起を設けたダイのみで構成してもよく、さらに上面と底面を逆にして加工してもよい。
【００２４】
上記の潰し加工では、リード部２０の各リードの角部は設計上同じように潰し加工される。しかしながら、上側パンチＵＰ、下側パンチＬＰの間隔が等間隔であっても、リード部２０の各リードの間隔、或いは両者の相対位置に誤差がある場合がある。
【００２５】
ここで、図６は、図５のように角部を潰し加工されたリード部２０のリードの一部を示す。例えば、図５においてリード２５のように、左右対称に角部が潰されれば、図６に示すように上面２０ｅの上面中心線ＵＣＬも、底面である外部端子２０ｄの底面中心線ＢＣＬも、当然に水平位置が一致する。
【００２６】
一方、リード２４のような場合、図５に示すように左右の上側パンチＵＰ、下側パンチＬＰの当たりが異なり、潰れた体積が異なる。この場合、示すリード２４の潰された角部ＵＲＣ，ＢＲＣと角部ＵＬＣ，ＢＬＣのように潰し幅が異なると、角部ＵＲＣ，ＢＲＣの方が圧延される体積が大きく、図右側方向に圧延されて張り出す。しかしながら、上側と下側は同じようにずれているため、リード上面ＬＵの中心線ＵＣＬとリード底面の中心線ＢＣＬの水平位置は一致することになる。従ってボンディングポイントＢＰの水平位置も、リード底面の底面中心線ＢＣＬ上に位置する。またリード２６のように、上側パンチＵＰ、下側パンチＬＰに対して傾いた場合も、同様に上側と下側は同じようにずれるため、リード上面ＬＵの中心線ＵＣＬとリード底面の中心線ＢＣＬの水平位置は一致することになる。従ってボンディングポイントＢＰの水平位置は、やはりリード底面の底面中心線ＢＣＬ上に位置する。
【００２７】
実施形態では、潰し加工されたリード部２０のリードは、上下が対称形の断面形状が概ね八角形であった。しかしながら、本発明はこれに限られるものではなく、上面と底面の潰し形状が異なってもよい。また、潰し加工する大きさが異なっていてもよい。上面と底面の中心線がずれないような形状でありさえすればよい。以下、別例を示す。
【００２８】
例えば、図７に示すリード部２２０のように、上右角部２２０ＵＲＣ、上左角部２２０ＵＬＣを直角形状のパンチで潰す。そして、下右角部２２０ＢＲＣ、下左角部２２０ＢＬＣは、上面２２０ｅより底面である外部端子２２０ｄの幅を大きくなるように直角形状のパンチで潰し加工をしている。この場合も、潰し加工の範囲が、図７において右方にずれているが上面２２０ｅと外部端子２２０ｄの中心線が一致しているため、ボンディングポイントＢＰもこれらの面の中心線上に位置する。
【００２９】
例えば、図８に示すリード部３２０のように、上右角部３２０ＵＲＣ、上左角部３２０ＵＬＣを比較的垂直に近い左右対称の角度のパンチで潰す。そして、下右角部３２０ＢＲＣ、下左角部３２０ＢＬＣは、上面３２０ｅより底面である外部端子２２０ｄの幅を大きくなるように比較的水平に近い左右対称のパンチで潰し加工をしている。この場合も、潰し加工の範囲が、図８において右方にずれているが上面３２０ｅと外部端子３２０ｄの中心線が一致しているため、ボンディングポイントＢＰもこれらの面の中心線上に位置する。
【００３０】
さらに、図９に示すリード部４２０のように、上右角部４２０ＵＲＣ、上左角部４２０ＵＬＣを直角形状のパンチで潰す。そして、下右角部４２０ＢＲＣ、下左角部４２０ＢＬＣは、上面４２０ｅより底面である外部端子４２０ｄの幅を大きくなるように比較的水平に近い左右対称のパンチで潰し加工をしている。この場合も、潰し加工の範囲が、図９において左方にずれているが上面４２０ｅと外部端子４２０ｄの中心線が一致しているため、ボンディングポイントＢＰもこれらの面の中心線上に位置する。
【００３１】
また、実施形態では、角部が潰された形状が、リード部２０の各リードの上面２０ｅと底部である外部端子２０ｄの角部はそれぞれ平行な一対の直線に沿って潰し加工されているが、本発明ではこれに限定されるものではない。ここで図１０は、リード部５２０を示す平面図である。このリード部５２０は、上面５２０ｅが、直線のみに囲まれた長方形の形状ではなく、ボンディングポイントＢＰ部分の幅を拡げた曲線になっている。但し、上面中心線ＵＣＬについて対称な形状となっている。また、底面である外部端子（図示を省略）の部分も同一形状で、同一の水平位置に配置される。そのため上述の実施例と同様ボンディングポイントＢＰの水平位置は、上面中心線ＵＣＬ及び底面中心線ＢＣＬ上に位置する。このようにリードの上面は長方形に限定されず、線対称の形状とすることができる。
【００３２】
次に、このように製造されたリードフレーム２を用いて半導体装置１を製造する方法を説明する。銅条に多数形成された状態でダイパッド３０に半導体チップ１１が載置され接着剤若しくはテープなどで固定される（図１参照）。リード２１の上面に設けられたボンディングポイントＢＰ（図６参照）に、半導体チップ１１に形成された端子（図示を省略）に他端が接続された金線からなる金属細線１２がキャピラリーＣＰによりボンディングされる。同様に金属細線１３がリード２２にボンディングされる。このようにして、リード部２０の所定のリードと半導体チップの所定の端子（図示を省略）とがボンディングにより金属細線で接合される。
【００３３】
このボンディング工程は、自動化されており、ＣＣＤカメラ等でリード部２０が２値画像で認識される。このとき、リード部２０の各リードにボンディングされる位置は、上面２０ｅ側の中心線ＵＣＬ上でボンディングポイントＢＰが決定される。本実施形態では、図６に示すように、上面中心線ＵＣＬは、必ず底面中心線ＢＣＬと一致するように角部が潰されている。そのため、全体の外形線の歪みがあってもボンディングポイントＢＰが本来の位置から大きくずれることがない。また、ボンディング時のキャピラリーＣＰからの押圧力が外部端子２０ｄの底面中心線ＢＣＬから下の支え面に垂直に掛かるため、ボンディング時のリードが安定する。従って、ボンディングが安定して行われる。
【００３４】
このように半導体チップ１１を載置されボンディング工程が終了したリードフレーム２は、インナーリードの部分（図２切断線ＣＬ内側）がキャビティに覆われる。また、その外側は、ダム部ＤＭまで、上下から型で挟まれる。そして、流動化されたエポキシ樹脂などの封止樹脂３が充填され、本体部３１が形成される。また、リード部２０の各リードの間も、ダム部ＤＭまでが流動化された封止樹脂が充填される。封止樹脂３が固化したら、リード部２０は切断線ＣＬで封止樹脂３とともに切断され、半導体装置１が完成する。そのため、リード部２０の各リードの間にも封止樹脂３によるはみ出し部分３２が形成される。このように形成されたはみ出し部分３２は、本体部３１と一体に成形されており、リード部２０の上面２０ｅ、底面である外部端子２０ｄと同一面で、且つ、端部２０ｃと同一面で囲まれている。そして両側からリード部２０の側部２０ｂが食込んでいるため、上下方向の力が加わった場合でも、剥離や破損による脱落が極めて生じにくくなっている。そのため、封止樹脂３を由来とするコンタミネーションの発生が極めて少なくなる。
【００３５】
上記実施形態の半導体装置１、半導体装置１に用いられるリードフレーム２、その製造方法によれば、以下のような特徴を得ることができる。
（１）上記半導体装置１では、封止樹脂３からリード部２０の各リードが抜け落ちにくいばかりではなく、上面２０ｅと底面である外部端子２０ｄの共通する中心線上に位置するとともに、ボンディングポイントＢＰが常に上面２０ｅの中心線上に位置するため、組立時の安定性が高いという効果がある。
【００３６】
（２）また、外部端子近傍の封止樹脂が、リード部２０のリード間で安定して保持されるため、リード部分の樹脂の打抜き工程が不要であり、半導体装置１の製造の工数を減少できるという効果がある。
【００３７】
さらに、リード側面は上下が潰し処理されており、突出した中央部で封止樹脂を安定して保持する。そのため、この部分の封止樹脂が剥離したり亀裂が入って脱落したりすることが少なく、その結果製造工程におけるコンタミネーションの発生を少ないことができるという効果がある。
【００３８】
○  なお、本発明は以下のように実施してもよい。実施形態では、リード部２０の各リードの上下左右の角部を同時に潰し加工しているが、必ずしも同時に加工する必要はない。リードフレームの各リードの上部平面と底部平面の対称軸が同一の垂直な平面上に配置されれば、各角部は、上下別、左右別、若しくはそれぞれ別に加工されてもよい。
【００３９】
○  金属板は銅条を例に挙げているが、これに限定されるものではなくステンレス材等を用いてもよい。
○  実施形態では、全てがプレス加工で製造されているが、本発明の半導体装置及びリードフレームは、これらの一部又は全部をエッチングによる工程に代替することも可能である。
【００４０】
○  実施形態では、半導体装置としてＱＦＮを例に説明しているが、アウターリードが外方に延在されたＱＦＰや、或いはＬＦ−ＢＧＡのようなボールゲートアレイタイプの半導体装置にも広く適用できるものである。
【００４１】
○  実施形態では、ダイパッド（ダイステージ、アイランド）は、非露出型を例に説明しているが、リード部２０に対して平坦な露出型としてもよい。また、半導体チップ１１は、ダイパッド３０の上方でなく底面側に固定するようなタイプであってもよい。
【００４２】
以下、特許請求の範囲とは別に、実施形態から抽出できる発明を効果とともに付記する。
（付記）請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法であって、前記電気的接続を前記上部平面の対称軸上に行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。この半導体装置の方法であれば、前記半導体チップと前記リードフレームの電気的接続を前記上部平面の対称軸上で行うことで安定して行うことができるという効果がある。
【００４３】
【発明の効果】
以上、詳述したように、本発明の半導体装置、及び半導体装置に用いるリードフレームでは、封止樹脂からリードが抜け落ちにくく、且つ組立時の安定性が高く、コンタミネーションの発生も少ないという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】図２のＩ−Ｉ部分における本発明の半導体装置１の断面図。
【図２】半導体装置１の組立前の本発明のリードフレーム２の平面図。
【図３】半導体装置１の図２のＩＩ−ＩＩＩ部分を底面側から見た模式図。
【図４】半導体装置１の図３の部分を正面から見た模式図。
【図５】リード部２０の角部の潰し加工を示す図。
【図６】角部を潰し加工されたリード部２０のリードの一部を示す図。
【図７】別例であるリード部２２０の正面図。
【図８】別例であるリード部３２０の正面図。
【図９】別例であるリード部４２０の正面図。
【図１０】別例であるリード部５２０を示す平面図。
【図１１】従来の半導体装置である半導体装置１０１の部分正面図。
【図１２】従来のリード部１２０のそれぞれのリードの上面側の角部の潰しか工を示す図。
【図１３】従来のリード部１２０の角部の潰し加工が完了したリード１２４、１２５，１２６を示す平面図と正面図。
【符号の説明】
１…半導体装置、２…リードフレーム、３…封止樹脂、１１…半導体チップ、１２，１３…金属細線（金線）、１４…底面、２０，１２０，２２０，３２０，４２０，５２０…リード部、２１，２２、２４，２５，２６…リード、２１ａ…インナーリード、２１ｂ…側部、２１ｃ…端部、１２１ｂ…ボンディング部、２０ｄ，２２０ｄ，３２０ｄ，４２０ｄ…外部端子、２１ｅ…上面、３０…ダイパッド、３１…本体部、３２…はみ出し部分、ＵＲＣ，ＵＬＣ，ＢＲＣ，ＢＬＣ…角部、ＢＰ…ボンディングポイント
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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