(57)【要約】【課題】磁界検出層でのセンス電流に伴う電流磁界の方向を一定化することにより、結果的に高記録密度におけるデータ再生精度を向上させるリードヘッドを提供することにある。【解決手段】  磁気抵抗素子を使用する磁気ヘッド装置であって、バイアス磁化印加膜２４上に設けられて、電極部２３からバイアス磁化印加膜２４へのセンス電流の流れを阻止して、かつ磁気抵抗効果膜２８の端部を磁気的な不感帯にするための絶縁用酸化膜８０とを有する磁気ヘッド装置が開示されている。【選択図】    図８
2004303413.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁気抵抗素子を使用する磁気ヘッド装置であって、
所定の間隔をもって配置されているバイアス磁化印加膜と、
前記バイアス磁化印加膜に端部が重なるように設けられて、外部磁界により磁化方向が変化する磁界検出層を有する磁気抵抗効果膜と、
前記磁気抵抗効果膜の端部に重なるように設けられて、前記磁気抵抗効果膜にセンス電流を供給する電極部と、
前記バイアス磁化印加膜上に設けられて、前記電極部から前記バイアス磁化印加膜へのセンス電流の流れを阻止して、かつ前記磁気抵抗効果膜の端部を磁気的な不感帯にするための絶縁用酸化膜とを具備したことを特徴とする磁気ヘッド装置。
【請求項２】
データを磁気的に記録するディスク記録媒体を有するディスク記憶装置であって、
所定の間隔をもって配置されているバイアス磁化印加膜と、
前記バイアス磁化印加膜に端部が重なるように設けられて、前記ディスク記録媒体上の磁気記録データからの磁界に応じた磁化方向が変化する磁界検出層を有する磁気抵抗効果膜と、
前記磁気抵抗効果膜の端部に重なるように設けられて、前記磁気抵抗効果膜にセンス電流を供給する電極部と、
前記バイアス磁化印加膜上に設けられて、前記電極部から前記バイアス磁化印加膜へのセンス電流の流れを阻止して、かつ前記磁気抵抗効果膜の端部を磁気的な不感帯にするための絶縁用酸化膜とを有する磁気ヘッド装置を具備したことを特徴とするディスク記憶装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えばディスクドライブに適用する磁気ヘッド装置に関し、特に磁気抵抗効果型のリードヘッドを有する磁気ヘッド装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、例えばハードディスクドライブ（ＨＤＤ）などのディスクドライブでは、ディスク（記録媒体）上に磁気的に記録したデータを読出す磁気ヘッドとして、磁気抵抗効果型ヘッドが使用されている。この磁気抵抗効果型ヘッドは、ＭＲ（ｍａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔｉｖｅ）ヘッドと呼ばれる読出し専用ヘッド（リードヘッド）である。最近では、高性能のＧＭＲ（ｇｉａｎｔＭＲ）ヘッドが主流になりつつある。
【０００３】
ＨＤＤでは、ＧＭＲヘッドからなるリードヘッドと、通常ではインダクティブヘッド（誘導型薄膜ヘッド）からなるライトヘッドとが同一スライダ上に分離されて実装された構造の磁気ヘッドが使用されている。
【０００４】
図９は、従来のＧＭＲヘッドの磁気抵抗素子（ＧＭＲ素子）の近傍を、ウエハ面の方向から見た構造を示す概念図である。磁気抵抗効果を示すＧＭＲ膜１はその両端で、いわゆるセンス電流を流すための電極膜９０に接合している。この電極膜９０からＧＭＲ膜１には、図１０に示すように、点線の方向にセンス電流が流れる。このセンス電流により、実線で示す方向の磁界が発生する。
【０００５】
ここで、図９に示すように、電極膜９０はＧＭＲ膜１と接合する接合部における辺の高さ（図中Ｚ方向の幅または膜厚）が大きいため、センス電流の向きが当該接合部を境にして変化する。即ち、左側の電極膜９０から下に向かって流れてきたセンス電流は、ＧＭＲ膜１との接合部で方向を横方向に変化する。そして、ＧＭＲ膜１を流れるセンス電流は、反対側（右側）の電極膜９０に出ると再び縦方向に方向を変えて流れる（図１０を参照）。
【０００６】
このようにセンス電流の方向が変化するため、それに伴って発生する磁界の方向は、ＧＭＲ膜１の中央部分と両端の部分（接合部の近傍）とでは異なる。従って、図１１に示すように、結果的にＧＭＲ膜１中の磁界検出層（フリー層）の磁化方向は、中央部と端部（接合部の近傍）とでは変化してしまう。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
前述したように、従来のＧＭＲヘッドは、ＧＭＲ膜１にセンス電流を流すための電極膜９０とＧＭＲ膜１との接合部分で、電極膜９０の高さ（膜厚）がＧＭＲ膜１よりも大きくなっている。このため、センス電流の方向が当該接合部の近傍で急激に変化し、結果的にＧＭＲ膜１の磁気検出層（フリー層）の磁化方向が中央部と端部（接合部の近傍）とでは変化してしまう。
【０００８】
このため、以下のような問題が発生する。ここで、図１２（Ａ）〜（Ｃ）は、ディスク上のデータトラック（トラック幅ＴＷ）に記録されたデータ（サーボデータまたは記録データ）を、リードヘッドのＧＭＲ膜１により再生する場合に、当該ヘッドの位置と再生信号（正負のパルス信号）との関係を示す図である。即ち、リードヘッドが記録データに対して、トラック幅方向に位置ずれした場合（オフトラックと表現する）に、再生信号である正負パルスの振幅が変化する。
【０００９】
リードヘッドを構成するＧＭＲ膜１の磁界検出層が、図１１に示すような磁界分布が発生すると、ヘッドの位置がオフトラックした場合に、ディスクからの記録磁界（磁気記録データ）により、当該磁界検出層の磁化方向が変化する角度範囲が変わってしまう。このため、図１２（Ａ）または（Ｃ）に示すように、再生信号の正負パルスの振幅（高さ）が変化してしまう（上下非対称度、アシンメトリの発生）。同時にこれは、ＧＭＲ膜の磁界検出層に磁区を生じさせ、いわゆるバルクハウゼンノイズの原因にもなると推定される。
【００１０】
ヘッドの位置により再生信号の正負パルスの振幅が変化すると、ヘッドを位置決め制御するためのサーボデータの再生精度が劣化する。これにより、ヘッドの位置ずれに対する再生エラーレートのマージンが小さくなり、結果的にデータ再生精度が低下する問題が発生する。特に、ディスクの高記録密度化を推進する上で、データトラック幅を狭くするほど、すなわちリードの間隔が小さくなるほど、前記の問題は顕在化することになる。
【００１１】
そこで、本発明の目的は、磁界検出層（フリー層）でのセンス電流に伴う電流磁界の方向（磁化方向）を一定化することにより、結果的に高記録密度におけるデータ再生精度を向上させるリードヘッドを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の観点は、磁気抵抗素子を使用する磁気ヘッド装置であって、所定の間隔をもって配置されているバイアス磁化印加膜と、前記バイアス磁化印加膜に端部が重なるように設けられて、外部磁界により磁化方向が変化する磁界検出層を有する磁気抵抗効果膜と、前記磁気抵抗効果膜の端部に重なるように設けられて、前記磁気抵抗効果膜にセンス電流を供給する電極部と、前記バイアス磁化印加膜上に設けられて、前記電極部から前記バイアス磁化印加膜へのセンス電流の流れを阻止して、かつ前記磁気抵抗効果膜の端部を磁気的な不感帯にするための絶縁用酸化膜とを備えた構成である。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、センス電流によって生ずる磁界の方向を磁界検出膜（フリー層）全体に渡って一定にするために、磁界検出膜の中でも再生には寄与しない部分を積極的に電流の通り道として利用し、電流磁界の影響を受ける部分はバイアス磁化印加膜により磁気的には不感帯にしている。従って、フリー層でのセンス電流に伴う磁界の方向を均一化にし、同時に当該フリー層におけるバルクハウゼンノイズの発生を抑制できる。従って、本発明のリードヘッドによりディスクからデータを再生するときに、再生信号の正負パルスの振幅比を一定化し、結果的に再生エラーレートの向上、及びサーボデータを再生してヘッドの位置決め制御を実行するときの位置決め精度の向上を図ることが可能となる。特に、本発明のリードヘッドを、高記録密度のディスクドライブに適用すれば有用である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下図面を参照して、本発明の実施形態を説明する。
【００１５】
（リードヘッドの構造）
本実施形態は、ＨＤＤの磁気ヘッドを構成するＧＭＲ素子を利用したリードヘッドを想定する。ＨＤＤの磁気ヘッドは、スライダ上にリードヘッドとライトヘッドとが分離して実装された構造である。
【００１６】
図１及び図２は、本実施形態のＧＭＲヘッドの部分的構造を示す図である。図１はＧＭＲヘッドをウエハの上面から見た図であり、図２はディスク対向面から（Ｚ方向から）見た断面図である。ここで、Ｘ方向はディスク上のデータトラック幅（ＴＷ）の方向であり、Ｙ方向はデータトラックの進行方向（ディスクの回転方向）である。
【００１７】
同実施形態のヘッドは、図２に示すように、酸化アルミニウム層を有する基板（実際にはＡｌ2 Ｏ3 ・ＴｉＣ基板）２上に、下側磁気シールド層３と下側磁気ギャップ４とが積層形成されている。下側磁気シールド層３は、ＮｉＦｅ（ニッケル・鉄）合金、ＦｅＳｉＡｌ（鉄・シリコン・アルミニウム）合金、アモルファス（ＣｏＺｒＮｂ）合金等の軟磁性材料からなる。下側磁気ギャップ４は、酸化アルミニウム（Ａｌ2 Ｏ3 ）等の非磁性材料からなる。
【００１８】
下側磁気ギャップ４上には、ＧＭＲ素子である磁気抵抗効果膜（以下ＧＭＲ膜と称す）１と、所定の間隙をもって形成された一対のバイアス磁界印加膜（ハードバイアス膜または単にバイアス膜と表記する）５と、電極膜１３とが形成されている。ＧＭＲ膜１は、図３に示すように、下地層１０上の外部磁界（ディスク上の信号磁界）により磁化方向が変化する磁界検出層（フリー層）６と、非磁性層７と、磁化固着層（ピン層）８と、反強磁性層９とを順に積層した磁性多層膜を有するいわゆるスピンバルブ膜（スピンバルブＧＭＲ膜）である。
【００１９】
反強磁性層９上に設けられる保護層１１は、例えばＴａやＴｉ等からなり、必要に応じて形成されるものである。磁界検出層６は、例えばＣｏＦｅ（コバルト・鉄）合金層のようなＣｏ（コバルト）を含む強磁性層を有する。非磁性層７は、磁界検出層６のＣｏを含有する強磁性層上に設けられる。また、磁界検出層６は、例えばＮｉ（ニケッル）が８０％で、Ｆｅ（鉄）が２０％のようなＮｉＦｅ（ニッケル・鉄）合金等を使用してもよい。
【００２０】
磁化固着層８は、Ｃｕ（銅）、Ａｕ（金）、Ａｇ（銀）及びこれらの合金からなる非磁性層７を介して磁界検出層６上に設けられている。磁化固着層８は、磁界検出層６と同様なＣｏを含有する強磁性材料、例えばＣｏＦｅ（コバルト・鉄）合金からなる。磁化固着層８は、ＰｔＭｎ（白金・マンガン）合金、ＩｒＭｎ（イリジウム・マンガン）合金、ＦｅＭｎ（鉄・マンガン）合金、ＮｉＭｎ（ニッケル・マンガン）合金等からなる反強磁性層９との交換結合により磁化固着されている。
【００２１】
このような多層膜からなるスピンバルブＧＭＲ膜１は、ディスク上の信号磁界等の外部磁界を検出する磁界検出部６に応じた形状、すなわちＸ方向の長さが所望のトラック幅（ＴＷ）となるように、記録トラック幅から外れた両端部外側を例えばエッチングで除去した形状に設定されている。このようなスピンバルブＧＭＲ膜１の両端部（エッジ部）外側には、スピンバルブＧＭＲ膜１にバイアス磁界を印加する一対のバイアス膜５が形成されており、いわゆるアバットジャンクション構造を構成している。バイアス膜５には、例えばＣｏＰｔ（コバルト・白金）合金等の硬質磁性膜や、ＮｉＭｎ（ニッケル・マンガン）合金、ＦｅＭｎ（鉄・マンガン）合金、ＩｒＭｎ（イリジウム・マンガン）合金、ＰｔＭｎ（白金・マンガン）合金などの反強磁性膜、軟磁性膜と硬磁性膜との積層膜、または反強磁性膜と軟磁性膜との積層膜等が用いられる。
【００２２】
このバイアス膜５の上には、Ｃｕ（銅）、Ａｕ（金）、Ｚｒ（ジルコニウム）、Ｔａ（タンタル）、Ｗ（タングステン）等からなる一対の電極１３が形成されている。この一対の電極１３より、ＧＭＲ膜１にセンス電流が供給される。これらスピンバルブＧＭＲ膜１、一対のバイアス膜５、一対の電極１３、下側磁気ギャップ４及び上側磁気ギャップ１７は、ＧＭＲ再生素子部１６を構成している。ＧＭＲ再生素子部１６の上には、上側磁気ギャップ１７を介して、上側磁気シールド層１８が形成されている。上側磁気ギャップ１７は、下側磁気ギャップ４と同様な非磁性絶縁材料からなる。また、上側磁気シールド層１８は、下側磁気シールド層３と同様な軟磁性材料からなる。これらと、下側磁気シールド層３とを含めて、シールド型ＧＭＲヘッド１９を構成している。
【００２３】
シールド型ＧＭＲヘッド１９の上には、誘導型薄膜ヘッドであるライトヘッド２０が形成されている。ライトヘッド２０は、上側磁気シールド層を兼ねる下側記録磁極１７と、上側記録磁極２２と、記録磁気ギャップ２１とからなる。記録磁気ギャップ２１は、酸化アルミニウム（ＡｌＯｘ）等の非磁性絶縁材料からなる。また、下側記録磁極１７と上側記録磁極２２とに記録磁界を付与する記録コイル（図示せず）が、ディスク対向面より後方側に形成されている。
【００２４】
次に、図１に示すように、本実施形態のＧＭＲヘッドは、ＧＭＲ膜１の両端部と電極膜１３とが接合している。ここで、図１は、ウエハ面からの見た図であるため、一対の電極１３の下側に位置するバイアス膜５については図示しない。
【００２５】
電極膜１３は、図１に示すように、ＧＭＲ膜１との接合部の近傍（Ｌの範囲）では、ＧＭＲ膜１とほぼ同じ高さ（Ｚ方向の幅）になるように構成されている。このＬの範囲は、電極膜１３幅が広い部分に対して電気抵抗が高くなるため上限があり、また、流れるセンス電流の大きさやＧＭＲ膜１の高さに応じて下限も存在する。例えばセンス電流を５ｍＡ程度とした場合には、ヘッドの製造時に用いられるステッパのアライメント誤差なども考慮して、例えば０．５μｍ程度が望ましい。
【００２６】
（同実施形態の作用効果）
以下、同実施形態のＧＭＲ膜１に、電極膜１３からセンス電流を流した場合の磁界検出層６に発生する磁界の方向について説明する。
【００２７】
電極膜１３からのセンス電流の方向は、図１に示すように、縦方向から横方向（ＧＭＲ膜１の方向）に変化する。このとき、電極膜１３のＧＭＲ膜１との接合部の近傍（範囲Ｌ）では、ＧＭＲ膜１と高さがほぼ同一である。従って、電極膜１３の接合部の近傍（範囲Ｌ）からＧＭＲ膜１に流れるセンス電流の方向は、同じ方向になる。これにより、ＧＭＲ膜１に含まれる磁界検出層６には、センス電流に伴って電流磁界が発生するときに、中央部及び両端部のいずれの部分でも当該電流磁界の方向が同じ方向になる。
【００２８】
以上のように、同実施形態のＧＭＲ再生素子部１６の構造は、電極膜１３からＧＭＲ膜１に供給されるセンス電流の方向は、ＧＭＲ膜１の全域でほぼ同じ方向となり、一定化される。従って、ＧＭＲ膜１に含まれる磁界検出層６に加わる電流磁界の方向は、両端部から中央部までほぼ同じ方向になり、均一化されることになる。
【００２９】
これにより、同実施形態のリードヘッドがディスク上のデータトラックからオフトラックした場合でも、当該リードヘッドから出力される再生信号（サーボデータ）は、正負パルスの振幅値がほぼ一定となる（図１２（Ｂ）に示す再生信号波形を参照）。このため、リードヘッドから出力されるサーボデータに対応する再生信号を使用して、磁気ヘッド（リードヘッドとライトヘッドとが実装されたスライダ）の位置決め制御を実行する場合に、位置決め精度が劣化するような事態を防止できる。従って、ヘッドの位置決め精度に依存する再生エラーレートのマージンを大きくすることが可能となり、特に高記録密度のディスクからのデータ再生精度を向上することができる。
【００３０】
（製造プロセス）
以下、図４から図６を参照して、同実施形態のＧＭＲ再生素子部１６の製造プロセスを説明する。ここで、各図４〜６において、図（Ａ）はディスク対向面から見た断面図を示し、図（Ｂ）にはウエハ面から見た図（形状）を示す。
【００３１】
まず、図４（Ａ）に示すように、酸化アルミニウム等の非磁性材料からなる下側磁気ギャップ膜４の表面上に、スピンバルブＧＭＲ膜１を形成する。次に、当該ＧＭＲ膜１が所定の幅になるように、フォトレジスト４０を形成した後にイオンミリング等の方法でパターニング処理を行なう。このとき、使用したフォトレジスト４０は、この後のリフトオフ処理で使用するため、除去せずにそのまま残しておく（同図（Ｂ）を参照）。ここで、リフトオフ処理を行う関係から、断面形状が逆テーパ、すなわちレジスト４０の表面の方がレジストの底面よりも大きな面積を持つことが望ましい。
【００３２】
次に、図５（Ａ）に示すように、下側磁気ギャップ膜４の表面上に、バイアス膜５及び電極膜１３を続けて形成する。このとき、スピンバルブＧＭＲ膜１をパターニング処理したときに利用したフォトレジスト４０を使用して、リフトオフ処理によりパターニング処理を行なう（同図（Ｂ）を参照）。但し、同図（Ｂ）では、バイアス膜５は電極膜１３の下側に配置されるため、図示されない。
【００３３】
更に、図６（Ａ）に示すように、スピンバルブＧＭＲ膜１の高さ方向と、バイアス膜５及び電極膜１３をパターニング処理するために、フォトレジスト（図示せず）を形成してイオンミリング等の方法によりパターニング処理を行なう（同図（Ｂ）を参照、バイアス膜５は電極膜１３の下側）。このとき、バイアス膜５及び電極膜１３において、スピンバルブＧＭＲ膜１と同じ高さになる部分の長さ（Ｌ）は、フォトレジストを露光する時に生ずるアライメント誤差の分を考慮して決める。
【００３４】
以上の製造プロセスにより、ＧＭＲ膜１と、ＧＭＲ膜１とほぼ同じ高さの接合部分を有するバイアス膜５と、電極膜１３とが形成される。また、シールド型ＧＭＲヘッド１９において、バイアス膜５及び電極膜１３も、ＧＭＲ膜１との接合部近傍ではＧＭＲ膜１と同じ高さを持つ部分が形成されている。このため、ＧＭＲ膜１に流れる電流の方向は、接合部の近傍及び中央部分の全域で同じ方向になる。従って、当該電流に伴って発生する電流磁界の方向は、ＧＭＲ膜１の全域で同じ方向になる。これにより、ＧＭＲ膜１の全体に渡って同じ方向に電流磁界が印加されるため、磁界検出層６の磁化方向を一定方向にできる。従って、前述したように、データ再生時に、リードヘッドがデータトラックからオフトラックした場合でも、再生信号（サーボデータ）の正負パルスの振幅の比を一定にすることができる。
【００３５】
前述した同実施形態は、ＧＭＲ膜１の両端部にバイアス膜５と電極膜１３とが位置する、いわゆるアバットジャンクション構造を構成している。本発明は、電極膜１３がＧＭＲ膜１と重なって、電極膜１３の間隔により再生データトラック幅を規定するいわゆるリードオーバーレイド構造にも適用できる。しかし、電極膜１３がが重なった部分のＧＭＲ膜１中の磁界検出膜６に加わる電流磁界の強度はＧＭＲ膜１の中央部分とは異なるため、前述のアバットジャンクション構造の方が望ましい。
【００３６】
なお、ＧＭＲ膜１と電極膜１３との接合部の近傍での電極膜１３の高さが全く同一でなく、その差をある程度小さくする構造でもよい、この構造の場合でも、ＧＭＲ膜１の電流磁界の方向をほぼ均一化する効果が得られる。しかし、ヘッドの狭トラック化の推進に伴って、ＧＭＲ膜１の感度、すなわち磁界検出層６の磁化方向が外部磁界（ディスクの信号磁界）によって変化し易すくなるため、電流磁界の影響も受け易くなる。このことから、同実施形態のように、電極膜１３の接合部及びＧＭＲ膜１の高さは、ほぼ等しい方が望ましい。特に、ディスク上のデータトラック幅が１μｍ以下のような狭トラック化（高トラック密度化）の場合には、効果が顕著になる。
【００３７】
（変形例）
前述の実施形態は、電極膜１３の形状を最適化することにより、ＧＭＲ膜１の端部での磁界検出膜６の磁化方向を中央部分と同じにして、結果的に磁化方向の均一化を実現する構造である。これに対して、本変形例の構造は、センス電流に伴う電流磁界により磁化方向が変化する部分を、ディスクからの信号磁界（磁気記録データ）に対して感度を無くす（磁気的に不感帯にする）ものである。これにより、リードヘッドがデータトラックからオフトラックした場合でも、再生信号の正負パルスの振幅比の変化を抑制する。以下、図７及び図８を参照して、本変形例を説明する。
【００３８】
図７は、ＧＭＲヘッドの再生素子部のみをディスク対向面から見た断面図である。Ｘ方向がディスク上のデータトラック幅の方向であり、Ｙ方向がデータトラックの進行方向（ディスクの回転方向）である。
【００３９】
本変形例のＧＭＲ再生素子部は、図７に示すように、バイアス磁界印加膜（バイアス膜）２４と、ＧＭＲ膜２８と、電極膜２３とを有する。電極膜２３の間隔は、バイアス膜２４の間隔よりも広く設定されている。また、後述するように、バイアス膜２４は、絶縁用酸化膜（図８の８０）により、電極膜２３からのセンス電流が流れない構造とするか、酸化ニッケル（ＮｉＯ）などの抵抗の大きい材料を用いることにより、センス電流が流れない構造にする。
【００４０】
ＧＭＲ膜２８は、同実施形態のＧＭＲ膜１と同様のスピンバルブ膜構成であり、磁界検出層（フリー層）２５と、非磁性中間層２６（非磁性層７に相当）と、磁化固着層（ピン層）２７と、保護層（図示せず）とを有する。
【００４１】
このようなＧＭＲ再生素子部の製造プロセスを、図８を参照して説明する。
【００４２】
まず、同図（Ａ）に示すように、酸化アルミニウム（ＡｌＯｘ）等からなる下側磁気ギャップ２９上にバイアス膜２４を成膜する。そして、バイアス膜２４の間隔が例えば１μｍとなるように、イオンミリング法等によりパターニング処理を行なう。この時、バイアス膜２４の内側端部の角度が９０度以下となるようにミリングする。バイアス膜２４の内側端部の角度は、ミリングを行う時のイオンビームの入射角度を変えることにより、所望の角度に調整することができる。ここで、バイアス膜２４の内側端部の角度を９０度以下にするのは、この上に成膜するＧＭＲ膜２８がバイアス膜２４の角で切れるのを防ぐこと、さらには上部再生シールドとＧＭＲ膜との絶縁を十分に確保するためである。
【００４３】
ここで、バイアス膜２４としては酸化ニッケル（ＮｉＯ）などの抵抗の大きい材料を用いるか、表面上に絶縁用酸化膜（ＡｌＯｘやＳｉＯｘ等の絶縁材料）８０を形成する。これにより、バイアス膜２４にセンス電流ガ流れることを阻止できる。特に、バイアス膜２４が硬質磁性膜や、軟磁性膜と硬磁性膜との積層膜、あるいは反強磁性膜と硬磁性膜との積層膜などのように導電性が高い場合には、前記絶縁用酸化膜８０をパターニング処理の後に形成する。
【００４４】
次に、同図（Ｂ）に示すように、ＧＭＲ膜２８をバイアス膜２４上に形成する。具体的には、前述の実施形態と同様に、磁界検出層（フリー層）２５、非磁性中間層２６、磁化固着層（ピン層）２７、及び保護層を連続的に成膜した後、イオンミリング方法等によりパターニング処理を行なう。このとき、ＧＭＲ膜２８の端部は、バイアス膜２４に重なりを持つように形成する。重なる部分の長さＬは、この上に電極膜を形成する時のアライメント誤差を考慮して、０．５μｍ以上の長さを持つようにするのが望ましい。
【００４５】
次に、同図（Ｃ）に示すように、電極膜２３を形成する。電極膜２３は、前述したように、Ｃｕ（銅）、Ａｕ（金）、Ｚｒ（ジルコニウム）、Ｔａ（タンタル）、Ｔｉ（チタン）あるいはこれらの合金等からなり、リフトオフ法やイオンミリング法によりパターニング処理を行う。このようにして、バイアス膜２４の間隔の方が電極膜２３の間隔よりも狭く、バイアス膜２４により再生トラック幅が規定されるＧＭＲ再生部を形成することができる。
【００４６】
なお、ＧＭＲ再生部の上には、前述の実施形態と同様に、上側再生ギャップ膜、上部再生シールドを兼ねた下部記録磁極、記録コイル、及び上部記録磁極を形成し、リード／ライト分離型の磁気ヘッドを形成する。また、バイアス膜２４上に、絶縁用酸化膜８０を形成する代わりに、電気抵抗が大きな酸化物反強磁性膜を使用して直接ＧＭＲ膜２８を形成してもよい。さらに、バイアス膜２４の対向する内側端部はそれぞれ９０度以下の傾斜を有することが望ましい。
【００４７】
このようなＧＭＲ再生部では、電極膜２３からＧＭＲ膜２８にセンス電流が供給される。ここで、ＧＭＲ再生部を有するリードヘッドの再生トラック幅は、バイアス膜２４の間隔に依存した値になる。ＧＭＲ膜２８では、センス電流に伴うバイアス磁界による磁界検出層２５の磁化方向は、ＧＭＲ膜２８の中央部と、電極膜２３の近傍とでは異なる。
【００４８】
この場合、磁界検出層２５の直下にはバイアス膜２４があるため、バイアス磁界により磁界検出層の磁化は、ディスクからの信号磁界（磁気記録データ）では変化しない。換言すれば、ディスクからの信号磁界により磁化方向が変化し、再生動作に寄与するのは、バイアス膜２４の間にある磁界検出層２５だけである。この磁界検出層２５の部分での磁化方向は、前述したように、センス電流磁界による影響を受けないため一定の方向を向いている。したがって、リードヘッドがデータトラックからオフトラックしたときにも、再生信号の正負パルスの振幅比は一定になる。従って、再生信号の正負パルスの振幅比が変化しないため、特にデータ再生時の位置ずれに対するエラーレートの劣化が少なくなり、位置決め誤差に対するマージンが大きくなる。
【００４９】
なお、本変形例では、バイアス膜２４の間隔は電極膜２３よりも狭く設定されているため、電極膜２３の端部よりも内側にバイアス膜２４の端部が位置している。バイアス膜２４の近傍にある磁界検出層２５は、バイアス磁界が強いためにディスクからの信号磁界には反応しない。そのため、再生トラック幅はバイアス膜２４の間隔により調整することが可能となる。実際の再生トラック幅は、バイアス膜２４の間隔よりも０．１μｍ程度小さな値である。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】本発明の実施形態に関係するＧＭＲヘッドの部分的構造を示す図。
【図２】同実施形態のＧＭＲヘッドの部分的構造を示す図。
【図３】同実施形態のＧＭＲヘッドのＧＭＲ膜の構造を示す図。
【図４】同実施形態のＧＭＲヘッドの製造プロセスを説明するための図。
【図５】同実施形態のＧＭＲヘッドの製造プロセスを説明するための図。
【図６】同実施形態のＧＭＲヘッドの製造プロセスを説明するための図。
【図７】同実施形態の変形例に関係するＧＭＲヘッドの部分的構造を示す図。
【図８】同変形例に関係するＧＭＲヘッドの製造プロセスを説明するための図。
【図９】従来のＧＭＲヘッドの構造を示す概念図。
【図１０】同ヘッドにおけるセンス電流と磁界の方向を説明するための概念図。
【図１１】同ヘッドにおいて、ＧＭＲ膜の磁気検出層に発生する磁界の方向を説明するための概念図。
【図１２】同ヘッドの問題点を説明するための図。
【符号の説明】
【００５１】
１，２８…ＧＭＲ膜（磁気抵抗効果膜）、２…基板、３…下側磁気シールド層、
４…下側磁気ギャップ、５，２４…バイアス磁界印加膜（バイアス膜）、
６，２５…磁界検出層（フリー層）、７，２６…非磁性中間層（非磁性層）、
８，２７…磁化固着層（ピン層）、９…反強磁性層、１０…非磁性下地層、
１１…保護層、１３，２３…電極膜、１６…ＧＭＲ再生素子部、
１７…上側磁気ギャップ、１８…上側磁気シールド層、
１９…シールド型ＧＭＲヘッド、２０…ライトヘッド（誘導型薄膜ヘッド）、
２１…記録磁気ギャップ、２２…上側記録磁極、２６…非磁性中間層。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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