(57)【要約】      （修正有）【課題】導体の基材への固着強度が高く、高周波特性に優れ、比較的簡単な工程により得ることができる基板とその基板を用いて構成される積層電子部品と前記基板を製造する方法を提供する。【解決手段】樹脂または樹脂に機能材料粉末を混合した材料からなる基材１上に官能基を有するカップリング剤層２を塗布と乾燥により形成する。その上に下地層３と電気めっきによる導体層４、あるいは金属箔により導体層を形成する。基材１と導体層４との間の表面粗さが３μｍ以下とする。また、本発明の積層電子部品は前記基材を積層することによって構成する。【選択図】図１ａ
2004363553.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
樹脂または樹脂に機能材料粉末を混合した材料からなる基材上に形成された官能基を有するカップリング剤層と、その上にめっきにより形成された導体層とを有し、前記基材と前記導体層との間の表面粗さが３μｍ以下であることを特徴とする基板。
【請求項２】
請求項１に記載の基板において、
前記カップリング剤層と前記導体層との間に、無電解めっき膜、薄膜形成技術により形成された薄膜、あるいは金属箔からなる下地層を有することを特徴とする基板。
【請求項３】
樹脂または樹脂に機能材料粉末を混合した材料からなる基材上に形成された官能基を有するカップリング剤層と、その上に金属箔により形成された導体層とを有し、前記基材と前記導体層との間の表面粗さが３μｍ以下であることを特徴とする基板。
【請求項４】
請求項１から３までのいずれかに記載の基板において、
前記官能基が炭素の２重結合、アミノ基、ビニル基、エポキシ基、メルカプト基、メトキシ基、エトキシ基、ハロゲン、珪素のうちの１種以上のものからなることを特徴とする基板。
【請求項５】
請求項１から４までのいずれかに記載の基板において、
前記基材はガラスクロスを埋設してなることを特徴とする基板。
【請求項６】
請求項１から５までのいずれかに記載の基板において、
前記樹脂中にハロゲン・リン化合物またはハロゲン化合物から選択された少なくとも一種の難然剤を含むことを特徴とする基板。
【請求項７】
請求項１から６までのいずれかに記載のカップリング剤層および導体層を有する基材を少なくとも１層有することを特徴とする積層電子部品。
【請求項８】
樹脂または樹脂に機能材料粉末を混合した基材の表面粗さを３μｍ以下に設定し、
該基材に官能基を有するカップリング剤を付与する前処理を行い、
該前処理を行った基材に０．３〜０．５μｍの厚みの金属または合金でなる下地層を設け、
その後、電解めっきにより、前記下地層上に銅、ニッケル、銀、金、パラジウム、白金もしくはアルミニウムのうちの一種以上の金属またはこれらの合金を、前記下地層上の金属または合金のトータルの厚みが２〜１００μｍとなるように形成することを特徴とする基板の製造方法。
【請求項９】
熱硬化性樹脂または熱硬化性樹脂に機能材料粉末を混合した基材の表面粗さを３μｍ以下に設定し、
該基材に官能基を有するカップリング剤を付与する前処理を行い、
該前処理を行った基材に０．３〜０．５μｍの厚みの金属または合金からなる下地層を設け、
該基材を熱プレスによって全硬化し、
その後、電解めっきにより、前記下地層上に銅、ニッケル、銀、金、パラジウム、白金もしくはアルミニウムのうちの一種以上の金属またはこれらの合金を、前記下地層上の金属または合金のトータルの厚みが２〜１００μｍとなるように形成することを特徴とする基板の製造方法。
【請求項１０】
熱硬化性樹脂または熱硬化性樹脂に機能材料粉末を混合した基材の表面粗さを３μｍ以下に設定し、
該基材に官能基を有するカップリング剤を付与する前処理を行い、
該前処理を行った基材に銅またはニッケルからなる０．３〜０．５μｍの厚みの下地層を設け、
該基材を熱プレスによって全硬化し、
その後、サブトラクティブ法またはセミアディティブ法による電解めっきにより、前記下地層上に銅、ニッケル、銀、金、パラジウム、白金もしくはアルミニウムのうちの一種以上の金属またはこれらの合金を、前記下地層上の金属または合金のトータルの厚みが２〜１００μｍとなるように形成することを特徴とする基板の製造方法。
【請求項１１】
表面粗さを３μｍ以下に設定した金属箔と、樹脂または樹脂に機能材料粉末を混合した半硬化状態の基材とを準備し、
前記金属箔の前記粗面を有する表面または前記基材の表面に官能基を有するカップリング剤を付与する前処理を行い、
前記金属箔と前記基材とを、前記カップリング剤層を介して固着することを特徴とする基板の製造方法。
【請求項１２】
請求項８から１１までのいずれかに記載の基板の製造方法において、
前記官能基が、炭素の２重結合、アミノ基、ビニル基、エポキシ基、メルカプト基、メトキシ基、エトキシ基、ハロゲン、珪素のうちの１種以上のものからなることを特徴とする基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プリプレグを用いて作製される基板とその基板を用いて作製される積層電子部品と前記基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、通信用、民生用、産業用等の電子機器の分野における電子部品の小型化、高密度化への指向には著しいものがあり、それに伴って材料の面でも優れた耐熱性、寸法安定性、電気特性、成形性が要求されつつある。
【０００３】
高周波用電子部品もしくは高周波用多層基板としては、焼結フェライトや焼結セラミックを基板状に多層化し成形したものが一般的に知られている。そしてこれらの材料を多層化することで小型化が図れるメリットがあることから、この種の多層基板が従来より多用されている。しかしながら、焼結フェライトや焼結セラミックは、焼成工程や厚膜印刷等工程数が多い上、焼成時のクラックや反りの発生等、焼結材料特有の問題点が多いことと、プリント基板との熱膨張率の違い等によるクラック発生等の問題もあることから、樹脂系への柔らかい材料への転換の要求は年々高まっている。
【０００４】
しかしながら、樹脂系の材料では、要求される特性によっては、十分な誘電率を得ることや、透磁率を上げることができない等の理由により、樹脂系材料を用いた場合には十分な特性が得られない場合も多い。また、所望の特性を得るために、形状が大きくなってしまうという問題があった。このため、樹脂材料にセラミック粉末を混合した複合材料からなる所望の誘電率等の基板を得る手法が特許文献１、２に記載されている。
【０００５】
前記樹脂材料を用いた樹脂基板や複合材料からなる基板等のプリント基板の導体構成方法は、一般的には銅箔の固着強度（アンカー効果）を上げるために粗面を形成し、その粗面を樹脂や複合材料を用いた基板材料（以下基材と称す）に熱プレスし、その後エッチングにより所定の導体のパターンを得ている。
【０００６】
しかしながらこの従来方法では、銅箔を例えば表面粗さ（Ｒｚ法で測定した場合の数値、以下同様）が数十μｍ程度に粗面化しているので、表皮効果が現れる高周波特性に対してはどうしても悪影響が出てしまう。すなわち表皮効果によって基材と導体との界面に高周波電流が集中するため、表面が粗い場合には実質的に導体長が長くなることと同じことになり、導体抵抗が増大してＱの低下を招く。そして、表皮効果によって実質的に電流が流れる領域の導体表面からの深さは、周波数が高い程浅くなるので、高周波になればなるほど前記粗面化による悪影響がでることになる。
【０００７】
そこでこのような銅箔の粗面化によることなく、導体の固着強度を上げてめっきできる方法として、特許文献３には、樹脂の表面を特殊溶液等で前処理する等の方法によりアミノ基を生成させ、次にマスクを施して銅より酸化還元電位が卑の金属をスパッタリングにより成膜し、これを加熱することによって金属酸化物を生成させ、この状態で銅を電気めっきすることにより、固着強度の大きな導体パターンを得ている。
【特許文献１】特開平１１-１９２６２０号公報、
【特許文献２】特開平８-６９７１２号公報
【特許文献３】特開２０００-２８６５５９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかし前記のように予め金属膜を成膜し、これを酸化させて酸化物を生成させ、その上に銅を電気めっきする方法では、工程数と費用がかかり、また、工程数が多い分だけ品質不安定性も増加するという問題点がある。
【０００９】
本発明は、導体の基材への固着強度が高く、高周波特性に優れ、比較的簡単な工程により得ることができる基板とその基板を用いて構成される積層電子部品と前記基板を製造する方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の基板は、樹脂または樹脂に機能材料粉末を混合した材料からなる基材上に形成された官能基を有するカップリング剤層と、その上にめっきにより形成された導体層とを有し、前記基材と前記導体層との間の表面粗さが３μｍ以下であることを特徴とする。
【００１１】
また、本発明の基板は、前記カップリング剤層と前記導体層との間に、無電解めっき膜、薄膜形成技術により形成された薄膜、あるいは金属箔からなる下地層を有することを特徴とする。
【００１２】
また、本発明による基板は、樹脂または樹脂に機能材料粉末を混合した材料からなる基材上に形成された官能基を有するカップリング剤層と、その上に金属箔により形成された導体層とを有し、前記基材と前記導体層との間の表面粗さが３μｍ以下であることを特徴とする。
【００１３】
また、本発明の積層電子部品は前記カップリング剤層および導体層を有する基材を少なくとも１層有することによって構成される。
【００１４】
本発明において、前記カップリング剤として、炭素の２重結合、アミノ基、ビニル基、エポキシ基、メルカプト基、メトキシ基、エトキシ基、ハロゲン、珪素等の１種以上の官能基を有するものが用いられる。また、前記基材は、強度を確保するため、必要に応じてガラスクロスを埋設する。また、前記樹脂中にハロゲン・リン化合物またはハロゲン化合物から選択された少なくとも一種の難然剤を含むことが好ましい。
【００１５】
本発明の基板の製造方法は、樹脂または樹脂に機能材料粉末を混合した基材の表面粗さを３μｍ以下に設定し、該基材に官能基を有するカップリング剤を付与する前処理を行い、該前処理を行った基材に０．３〜０．５μｍの厚みの金属または合金でなる下地層を設け、その後、電解めっきにより、前記下地層上に銅、ニッケル、銀、金、パラジウム、白金もしくはアルミニウムのうちの一種以上の金属またはこれらの合金を、前記下地層上の金属または合金のトータルの厚みが２〜１００μｍとなるように形成することを特徴とする。
【００１６】
本発明の基板としては熱可塑性樹脂を用いることもできるが、耐熱性等の関係から、熱硬化性樹脂を用いることがより好ましい。そこで本発明による更に好ましいの基板の製造方法は、熱硬化性樹脂または熱硬化性樹脂に機能材料粉末を混合した基材の表面粗さを３μｍ以下に設定し、該基材に官能基を有するカップリング剤を付与する前処理を行い、該前処理を行った基材に０．３〜０．５μｍの厚みの金属または合金からなる下地層を設け、該基材を熱プレスによって全硬化し、その後、電解めっきにより、前記下地層上に銅、ニッケル、銀、金、パラジウム、白金もしくはアルミニウムのうちの一種以上の金属またはこれらの合金を、前記下地層上の金属または合金のトータルの厚みが２〜１００μｍとなるように形成する方法である。
【００１７】
また、本発明による基板の製造方法において、電解めっきの方法として、サブトラクティブ法やセミアディティブ法を用いることが好ましい。また、前記下地層を無電解めっきや、スパッタリング等の薄膜形成技術を用いて形成する場合、銅、ニッケル、クロムまたはこれらの合金を用いることができるが、本発明を実施する場合、下地層として用いられる金属、合金はこれらに限定されず、他の金属または合金を用いることもできる。
【００１８】
また、本発明による基板の製造方法は、表面粗さを３μｍ以下に設定した金属箔と、樹脂または樹脂に機能材料粉末を混合した半硬化状態の基材とを準備し、  前記金属箔の前記粗面を有する表面または前記基材の表面に官能基を有するカップリング剤を付与する前処理を行い、前記金属箔と前記基材とを、前記カップリング剤層を介して固着することを特徴とする。
【００１９】
導体の表皮の深さδは、（１）式で表示される。
δ＝｛２／（σμω）｝−１／２    …（１）
（ただしσは導電率、μは透磁率、ωは角周波数）
プリント基板に使用される導体として一般的な銅は、抵抗率が１．６７×１０-６Ωｃｍであり、一般的に使用される周波数帯として、特定省電力の４００ＭＨｚ帯、携帯電話ＰＤＣ、ＧＳＭ、ＡＭＰＳ等の７００〜９００ＭＨｚ帯、ＰＤＣ、ＧＰＳの１．５ＧＨｚ帯、Ｗ-ＣＤＭＡの２．２ＧＨｚ帯、Ｂｌｕｅｔｏｏｔｈ、無線ＬＡＮの２．４ＧＨｚ帯、ＥＴＣの５．８ＧＨｚ帯等が挙げられるが、いずれも表皮の深さは３μｍ以下であり、このことから、導体と基材との界面粗さは３μｍ以下にすることで効果を得ることができる。
【００２０】
本発明において用いる複合材料には、樹脂として、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂の双方が使用可能であり、例えば、エポキシ樹脂、ポリビニルベンジル樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂、ポリフェニレンオキサイド樹脂、メラミン樹脂、シアネートエステル系樹脂、ジアリルフタレート樹脂、液晶ポリマー、フッ素系樹脂、ポリフェニレンサルファイド樹脂、ポリアセタール樹脂、ポリカーボネート樹脂、ＡＢＳ樹脂、ポリアミド樹脂、シリコーン樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、ポリビニルアルコール樹脂、エチルセルロース樹脂、ニトロセルロース樹脂、アクリル樹脂のうちの少なくとも１種類以上のものが単独または混合して使用できる。
【００２１】
また、樹脂に混合する機能材料粉末には、誘電体粉末としては、チタン−バリウム−ネオジウム系、チタン−バリウム−錫系、チタン−バリウム−ストロンチウム系、チタン−バリウム−鉛系、チタン−バリウム−ジルコニウム系、鉛−カルシウム系、二酸化チタン系、チタン酸バリウム系、チタン酸鉛系、チタン酸ストロンチウム系、チタン酸カルシウム系、チタン酸ビスマス系、チタン酸マグネシウム系のセラミックスが挙げられる。さらに、ＣａＷＯ４系、Ｂａ（Ｍｇ、Ｎｂ）Ｏ３系、Ｂａ（Ｍｇ、Ｔａ）Ｏ３系、Ｂａ（Ｃｏ、Ｍｇ、Ｎｂ）Ｏ３系、Ｂａ（Ｃｏ、Ｍｇ、Ｔａ）Ｏ３系、ＢａＴｉＯ３−ＳｉＯ２系、ＢａＯ−ＳｉＯ２系のセラミックスやアルミナ等を用いることができる。
【００２２】
また、樹脂に混合する機能材料粉末には、磁性体粉末としては、Ｍｎ−Ｚｎ系フェライト、Ｎｎ−Ｚｎ系フェライト、Ｍｎ−Ｍｇ−Ｚｎ系フェライト、Ｎｉ-Ｃｕ-Ｚｎ系フェライト、Ｃｕ−Ｚｎ系フェライト、Ｍｎフェライト、Ｃｏフェライト、Ｌｉフェライト、Ｍｇフェライト、Ｎｉフェライト、Ｂａフェライト等の六方晶フェライト、Ｆｅ２Ｏ３、Ｆｅ３Ｏ４等を用いることができる。
【００２３】
本発明が適用できる電子部品としては、各種インダクタ、各種コンデンサ、トランス、バルントランス、フィルタ、共振器、カプラ、アンテナ、ＶＣＯ、アンプ、ＤＣ-ＤＣコンバータ、ＤＣ-ＡＣコンバータ、インバータ、アイソレータ、サーキュレータ、ディレイライン、ダイプレクサ、デュプレクサ、アンテナスイッチモジュール、アンテナフロントエンドモジュール、アイソレータ・パワーアンプモジュール、ＰＬＬモジュール、フロントエンドモジュール、チューナユニット、方向性結合器、ダブルバランスドミキサ、電力合成器、電力分配器等がある。
【発明の効果】
【００２４】
本発明によれば、樹脂または樹脂に機能材料粉末を混合した複合材料からなる基材にカップリング剤を介してめっきあるいは金属箔により導体を形成したので、基材と導体との固着強度が高まる。そのため、基材と導体との界面の表面粗さを３μｍ以下のめっきや金属箔で導体を形成できるので、ピール強度を確保した上で、表皮効果による抵抗増大を軽減し、高周波特性に優れた電子部品を得ることができる。また、本発明の基板の製造方法は、カップリング剤を塗布、乾燥により形成することにより、比較的簡単な工程により基材と導体との界面の表面粗さを３μｍ以下とした基材と導体層との固着強度の高い基板を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
図１ａ（Ａ）〜（Ｇ）は本発明による基板の製造方法の一実施の形態を示す工程図で、サブトラクティブ法を用いる場合について示す。図１ａにおいて、１は熱硬化性樹脂または熱可塑性樹脂あるいはこれらの樹脂に機能材料粉末を混合してなる基材であり、図１ａ（Ａ）、（Ｂ）に示すように、半硬化状態（ハーフキュア状態）の基材（プリプレグ）１の表面に塗布（印刷を含む）により官能基を含むカップリング剤２を形成する。基材１の表面粗さは３μｍ以下とする。
【００２６】
ここで、カップリング剤としては、官能基として、炭素の２重結合、アミノ基、ビニル基、エポキシ基、メルカプト基、メトキシ基、エトキシ基、ハロゲン、珪素のうちの１種以上のものを用いることができる。これらは必要に応じて適宜溶剤と共に混合しペースト状として塗布（印刷を含む）する。
【００２７】
炭素の二重結合を含むカップリング剤としては、例えば化１で示すγ−メタフリロキシプロピルトリメトキシシランを用いることができる。また、アミノ基を含むカップリング剤としては、例えば化２で示すγ−アミノプロピルトリエトキシシランを用いることができる。また、ビニル基を含むカップリング剤としては、例えば化３に示すビニルトリエトキシシランを用いることができる。また、メトキシ基を含むカップリング剤としては、例えば化４に示すアミノプロピルトリメトキシシランまたは化５に示すメチルメトキシシランを用いることができる。また、ハロゲンを含むカップリング剤としては、例えば化６に示すテトラメチルシロキ酸ダイマーを用いることができる。
【化１】
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【化２】
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【化３】
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【化４】
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【化５】
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【化６】
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【００２８】
このようにしてカップリング剤２を表面に形成した基材１を乾燥して溶剤を除去する。その後、サブトラクティブ法を用いる場合は、図１ａ（Ｃ）に示すように、カップリング剤２上に０．３〜０．５μｍの銅またはニッケルでなる下地層３を無電解めっきにより形成する。そしてこの下地層３を設けた基材１を熱プレスによって全硬化（フルキュア）する。その後、図１ａ（Ｄ）に示すように、この無電解めっきによる下地層３に電気めっきを施して２〜１００μｍの厚みに導体層４を形成する。その後、図１ａ（Ｅ）に示すようにレジスト５を塗布し、そのレジストの一部を除去してレジストパターンを形成する。そしてレジスト５を除去した部分の前記導体層４および下地層３を図１ａ（Ｆ）に示すようにエッチングにより除去して導体パターンを形成する。その後図１ａ（Ｇ）に示すようにレジスト５を除去する。
【００２９】
セミアディティブ法による場合には、前記同様に図１ａ（Ａ）、（Ｂ）に示すように基材１上にカップリング剤を施した後、図１ａ（Ｃ）のように銅またはニッケルからなる導体３を無電解めっきにより０．３〜０．５μｍの厚みに形成した後、熱処理する。そして図１ａ（Ｈ）に示すようにレジスト５を塗布し、導体を形成する部分のレジスト５を除去し、図１ａ（Ｉ）に示すようにその除去部分に電気めっきにより２〜１００μｍの厚みに導体層４を形成する。その後図１ａ（Ｊ）に示すようにレジストを除去する。その後、導体層４、３に薄くエッチングを施すことにより、薄い下地層３を除去し、導体層４のみを残す。
【００３０】
上記例では下地層３を無電解めっきによって形成する例について説明したが、スパッタリングや蒸着等のような薄膜形成技術によってこの下地層を形成することができる。このような薄膜形成技術による場合、銅やニッケル、チタン、クロムまたはこれらの合金を用いることができる。
【００３１】
また、導体層４として、銅やニッケルからなるめっき箔や圧延箔のような金属箔をカップリング剤２を施した基材1上に圧着によって設けてもよい。図１ｂはその方法の一例を示す図であり、図１ｂ（Ａ）に示すように、表面４ａの粗さを３μｍ以下に設定し銅箔等でなる２〜１００μｍ厚の金属箔（めっき箔あるいは圧延箔）を準備する。また、基材１として、ガラスクロス１ａ等のクロス材を埋設した半硬化状態（Ｂステージ）の熱硬化性樹脂またはこれに機能性粉末（誘電体粉末、磁性体粉末等）を混合したものを準備し、その表面（本例では両面）に前記官能基を有するカップリング剤２を塗布、乾燥により付与してカップリング剤層を形成する。そして図１ｂ（Ｂ）に示すように、基材１に前記金属箔の粗面化した面４ａ側を重ね、熱プレスにより金属箔４と基材１とをカップリング剤層２を介して熱圧着することにより固着すると同時に、基材１を硬化させる。そして、図１ａで示したような工程で導体パターンを形成することができる。また、このような基板を用い、ビルドアップ基板の製造方法等を用いて多層基板を得ることができる。
【００３２】
図１ｃは金属箔４を用いる場合の他の例であり、図１ｃ（Ａ）に示すように、表面４ａの粗さを３μｍ以下に設定した銅箔などからなる２〜１００μｍ厚の金属箔４を準備し、その粗面化した表面４ａに前記官能基を有するカップリング剤２を塗布、乾燥により付与してカップリング剤層を形成する。次に図１ｃ（Ｂ）に示すように、金属箔４のカップリング剤２を付与した面に、ドクターブレード法により樹脂または樹脂に前記機能性粉末を混合した複合材料からなる基材１を塗布して乾燥する。これを所定の長さごとに切断し、図１ｃ（Ｃ）に示すように、基材１の表面にカップリング剤２を介して導体層４が形成された基板を得る。この基板は、図１ａで示したような工程で導体パターンを形成することができる。また、このような基板を用い、ビルドアップ基板の製造方法等を用いて多層基板を得ることができる。
【００３３】
図１ｂまたは図１ｃに示した工程は、前記下地層３を形成する場合にも用いることができる。このように金属箔により下地層３を形成する場合はその上に電解めっきによって導体層４をさらに形成する。
【００３４】
このように、カップリング剤２を基材１に施すことにより、ピール強度を大幅に向上させることができる。例えばセミアディティブ法による場合、従来品のようにカップリング剤の無い場合には、ピール強度が４〜５Ｎ／ｃｍ２であったものを８〜９Ｎ／ｃｍ２と約２倍に増大させることができた。
【実施例】
【００３５】
以下、本発明の具体的実施例を示し、本発明をさらに詳細に説明する。
＜実施例１＞
図２、図３は、本発明の第１の実施例であるインダクタを示した図であり、図２は透視斜視図、図３は断面図である。
【００３６】
図において、インダクタ１０は図１（図１ａ〜図１ｃを含む）に示した工程によって基材と導体との間の界面における表面粗さが３μｍ以下に設定される基材を積層する積層構造により構成されるものであり、基材１０ａ〜１０ｅは、誘電体粉末または磁性体粉末またはその双方を、樹脂中に分散してなる複合材料によって構成される。また、基材強度を保つために、前記樹脂中にガラスクロスを埋設してもよい。また、難燃処理を施すため、難然剤としてハロゲン・リン化合物、ハロゲン化合物から選択された少なくとも１種の難然剤を添加してもよい。また、すべての層は同じ材質である必要はなく、複数の材質のものを層構成にしてもよい。
前記インダクタ１０内部の、それぞれの基材１０ａ〜１０ｅ表面に、前記した導体構成方法により、銅、金、銀、パラジウム、白金、アルミニウムまたはこれらの合金等の内部導体１３ａ〜１３ｄを構成する。
【００３７】
また、これらの内部導体１３どうしはビアホール１４により接続され、全体として積層方向に巻き上げられ、ヘリカル状のインダクタとして構成される。ビアホール１４はドリル、レーザー加工、エッチング等により形成することができる。また、形成されたコイルの終端部は、それぞれインダクタ１０の端面に貫通ビアにより形成された端子電極１２とそれから僅かに上下面方向に形成されたランドパターン１１と接続されている。端子電極１２は、ダイシング、Ｖカット等により、半分に切断された構造となっている。端子電極１２がこのような構造となる理由は、集合基板で複数の素子を形成し、最終的に個片に切断する際に貫通ビアの中心から切断するためである。
【００３８】
＜実施例２＞
図４、図５は、本発明の第２の実施例であるインダクタを示した図であり、図４は透視斜視図、図５は断面図である。
【００３９】
この例では、実施例１において上下方向に巻回されていたコイルパターンと異なり、横方向に巻回したヘリカル巻とした構成としている。その他の構成要素は実施例１と同様であり、同一構成要素には同一符号を付して説明を省略する。実施例２の基材、電極構成方法、層構成方法、ビア構成方法、端子構成方法は実施例１と同じである。
【００４０】
＜実施例３＞
図６、図７は、本発明の第３の実施例であるインダクタを示した図であり、図６は透視斜視図、図７は断面図を表している。この例では、実施例１において上下方向に巻回されていたコイルパターンを、上下面でのスパイラルを連結した構成態様としたものとしている。その他の構成要素は実施例１と同様であり、同一構成要素には同一符号を付して説明を省略する。この実施例３のインダクタは、内部導体１３がスパイラル状に構成され、ビアホール１４により複数の内部導体１３が接続されるため、大きなインダクタンス値が得られる。また、実施例３の基材、電極構成方法、層構成方法、ビア構成方法、端子構成方法は実施例１と同じである。
【００４１】
＜実施例４＞
図８、図９は、本発明の第４の実施例であるインダクタを示した図であり、図８は透視斜視図、図９は断面図を表している。この例では、実施例１において上下方向に巻回されていたコイルパターンを、内部に形成されたミアンダー状（ジグザグ状）のパターンとして構成したものを表している。その他の構成要素は実施例１と同様であり、同一構成要素には同一符号を付して説明を省略する。また、実施例４の基材、電極構成方法、層構成方法、ビア構成方法、端子の構成方法は実施例１と同じである。
【００４２】
＜実施例５＞
図１０は本発明の第５の実施例であるインダクタを示した透視斜視図である。この例では、実施例１において単独で構成されていたコイルを、４連とした態様を表している。このような構成とすることにより、省スペース化、セットの小型化、部品点数の削減を達成することができる。その他の構成要素は実施例１と同様であり、同一構成要素には同一符号を付して説明を省略する。
【００４３】
なお、図２〜図９の実施例の等価回路を図１１（ａ）に示す。図１０の実施例の等価回路を図１１（ｂ）に示す。図１１（ｂ）に示されるように、図１０のインダクタの等価回路ではコイル３１ａ〜３１ｄが４連装された電子部品（インダクタ）となっている。
【００４４】
インダクタとしては、インダクタンスを大きくするために、基板の透磁率を大きくする必要がある。また、ＥＭＣ対策用として使用する場合、インピーダンスを高くとるためには、できるだけ透磁率を上げる必要がある本発明のように、基材と導体との界面の表面粗さを３μｍ以下とすることにより、小型でインダクタンスやインピーダンスが高く、Ｑ値の高い高周波特性が優れたインダクタが得られる。
【００４５】
図１２は図２、図３に示したインダクタにおける前記基材と導体との界面の表面粗さが３μｍと１０μｍの場合におけるＱ値の周波数による変化を示す図である。なお、このサンプルは、チップサイズを１．０ｍｍ×０．５ｍｍ×０．５ｍｍ、コイルターン数を１０、基材の誘電率を３．０とした。このサンプルは、１ＧＨｚにおいては表面粗さが３μｍの場合、１０μｍの場合に比較して約２倍の値が得られた。
【００４６】
また、この種のインダクタの別のサンプルとして、チップサイズを１．０ｍｍ×０．５ｍｍ×０．５ｍｍ、コイルターン数を４、基材の誘電率を３．０とし、コイルの表面粗さ（Ｒｚ）が１．０μｍ、３．０μｍ、３．５μｍ、７．０μｍのものを用意し、１ＧＨｚにおけるＱを測定したところそれぞれ表面粗さＲｚに対して、括弧内に示す下記のようなＱの値が得られた。
Ｒｚ＝１．０μｍ（Ｑ＝６５）、Ｒｚ＝３．０μｍ（Ｑ＝６０）、
Ｒｚ＝３．５μｍ（Ｑ＝５９）、Ｒｚ＝７．０μｍ（Ｑ＝５２）
バンドパスフィルタや共振器を構成するには、１ＧＨｚにおいてインダクタのＱが６０以上であることが好ましいから、上記測定結果から前記表面粗さを３μｍ以下とすることが好ましいことが分かる。
【００４７】
＜実施例６＞
図１３、図１４は、本発明の第６の実施例であるキャパシタ（コンデンサ）を示した図であり、図１３は透視斜視図、図１４は断面図である。図において、キャパシタ２０は誘電体粉末を樹脂中に分散してなる複合材料によって構成される基材２０ａ〜２０ｇと、この基材２０ｂ〜２０ｇ上に形成されている内部導体（内部電極パターン）２３と、この内部導体２３とそれぞれ交互に接続されるキャパシタの端面に形成された端子電極２２とそれから僅かに上下面方向に形成された導体パターン２１とから構成されている。前記基材２０ａ〜２０ｇおよび内部導体２３は、図１に示した工程によって基材と導体との間の界面における表面粗さが３μｍ以下に設定される前記基板により構成される。
【００４８】
このキャパシタ２０の基材２０ａ〜２０ｇは、難燃処理を施すため、難然剤としてハロゲン・リン化合物、ハロゲン化合物から選択された少なくとも１種の難然剤を添加してもよい。また、すべての層は同じ材質である必要はなく、複数の材質のものを層構成にしてもよい。実施例６の電極構成方法、層構成方法、端子構成方法は実施例１と同じである。
【００４９】
図１３、図１４のコンデンサの等価回路を図１６（ａ）に示す。図１６（ａ）に示されるように、等価回路ではキャパシタ３２を有する電子部品（コンデンサ）となっている。
【００５０】
＜実施例７＞
図１５は本発明の第７の実施例であるキャパシタを示した透視斜視図である。この例では、実施例６において単独で構成されていたキャパシタを、複数アレイ状に並べて４連とした例である。実施例６の層構成方法、使用材料、端子構成方法は実施例６と同じである。図１５において、図１３、図１４と同一構成要素には同一符号を付して説明を省略する。その等価回路を図１６（ｂ）に示す。図１６（ｂ）に示されるように、等価回路ではキャパシタ３２ａ〜３２ｄが４連装された電子部品（コンデンサ）となっている。このようにキャパシタが複数内蔵された構造とすれば、セットの小型化、部品点数削減に役立つ。
【００５１】
コンデンサを小型化し、高周波特性を改善するに当っては、対向電極の層間の誘電率を上げ、なおかつ導体表面粗さを小さくする必要がある。ここで、本発明のように複合材料を用い、導体と基材との間の界面の表面粗さを３μｍ以下に設定することにより、高容量でなおかつ高周波特性に優れたコンデンサを得ることができる。
【００５２】
図１７は図１３、図１４に示したコンデンサにおける前記基材と導体との界面の表面粗さが３μｍと１０μｍの場合における伝送特性の周波数による変化を示す図であり、表面粗さが３μｍの場合、１０μｍの場合に比較して減衰量が少なく、優れた高周波特性が得られることが分かる。
【００５３】
＜実施例８＞
図１８〜図２１は、本発明の第８の実施例としてのバルントランスを示している。ここで図１８は透過斜視図、図１９は断面図、図２０は各基材の分解平面図、図２１は等価回路図である。
【００５４】
図１８〜図２１において、バルントランス４０は、基材４０ａ〜４０ｏが積層された積層体の上下および中間に配置された内部ＧＮＤ導体４５と、この内部ＧＮＤ導体４５間に形成されている内部導体４３を有する。この内部導体４３は、λg ／４長のスパイラル状導体４３を、図２１の等価回路に示される結合ライン５３ａ〜５３ｄを構成するようにビアホール４４等で連結している。さらにスパイラル状導体４３の終端部および内部ＤＮＤ導体４５の引き出し部は、貫通ビアにより構成される端子４２に接続され、該端子４２とこれに接続されるランド４１は、部品接続および固着に用いられる。
【００５５】
このバルントランス４０の基材４０ａ〜４０ｏおよび導体は、誘電体粉末、磁性体粉末の一方または双方を樹脂中に分散混合してなる複合材料によって図１に示した工程によって作製される。基材４０ａ〜４０ｏは、基材強度を保つために、前記樹脂中にガラスクロスを埋設してもよい。また、難燃処理を施すため、難然剤としてハロゲン・リン化合物、ハロゲン化合物から選択された少なくとも１種の難然剤を添加してもよい。また、すべての層は同じ材質である必要はなく、複数の材質のものを層構成にしてもよい。実施例８の電極構成方法、層構成方法、ビア構成方法、端子構成方法は実施例１と同じである。
【００５６】
バルントランスを設計するに当たり、小型化を考えると、比誘電率はできるだけ高い方が良い。また、高周波特性を改善するには、基材と導体界面の表面粗さを最小限に抑える必要がある。ここで、本発明による複合材料を基材４０ａ〜４０ｏに用い、かつ前記表面粗さを３μｍ以下とすることにより、小型で高特性のバルントランスを得ることができる。
【００５７】
＜実施例９＞
図２２〜図２４は、本発明の第９の実施例の積層フィルタを示している。ここで図２２は斜視図、図２３は分解斜視図、図２４は等価回路図である。なお、この積層型フィルタは２ポールとして構成されている。
【００５８】
図２２〜２４において、積層型フィルタ６０は、基材６０ａ〜６０ｅが積層された積層体のほぼ中央に一対のストリップ線路６８と、一対のコンデンサ導体６７とを有する。コンデンサ導体６７は下部基材群６０ｄ上に形成され、ストリップ線路６８はその上の基材６０ｃ上に形成されている。基材６０ａ〜６０ｅの上下端部にはＧＮＤ導体６５が形成されていて、前記ストリップ線路６８とコンデンサ導体６７とを挟み込むようになっている。ストリップ線路６８と、コンデンサ導体６７と、ＧＮＤ導体６５とはそれぞれ端面に形成された端部電極（外部端子）６２とそれから僅かに上下面方向に形成されたランドパターン６１と接続されている。また、その両側面およびそこから僅かに上下面方向に形成されたＧＮＤパターン６６はＧＮＤ導体６５と接続されている。
【００５９】
ストリップ線路６８は、図２４の等価回路図に示されるλg ／４長またはそれ以下の長さを有するストリップ線路７４ａ、７４ｂであり、コンデンサ導体６７は入出力結合容量Ｃｉを構成する。また、それぞれのストリップ線路７４ａ、７４ｂ間は、結合容量Ｃｍおよび結合係数Ｍにより結合されている。
【００６０】
この積層フィルタ６０の基材６０ａ〜６０ｅおよび導体は、図１に示した工程によって基材と導体との間の界面における表面粗さが３μｍ以下に設定される基板を積層する積層構造により構成されるものであり、基材６０ａ〜６０ｅは、誘電体粉末または磁性体粉末またはその双方を、樹脂中に分散してなる複合材料によって構成される。また、基材強度を保つために、前記樹脂中にガラスクロスを埋設してもよい。また、難燃処理を施すため、難然剤としてハロゲン・リン化合物、ハロゲン化合物から選択された少なくとも１種の難然剤を添加してもよい。また、すべての層は同じ材質である必要はなく、複数の材質のものを層構成にしてもよい。
【００６１】
このような積層型フィルタを設計するにあたっても、小型化を考慮すると誘電率は高い方が良く、また、高周波特性を改善するには、基材と導体界面との間の表面粗さをできるだけ抑える必要がある。ここで、本発明による複合材料を基材６０ａ〜６０ｅに用い、かつ前記表面粗さを３μｍ以下とすることにより、小型で高周波特性に優れた積層フィルタを得ることができる。
【００６２】
図２５はこの積層フィルタを３．２ｍｍ×１．６ｍｍ×０．８ｍｍのサイズに構成した場合において、前記表面粗さを１０μｍと３μｍに設定した場合の周波数特性を示す。図２５に示すように、前記表面粗さを３μｍとすることにより、通過帯域における減衰が小さく、高周波帯域において減衰の大きな特性を得ることができる。
【００６３】
＜実施例１０＞
図２６〜図２８は、本発明の第１０の実施例の積層フィルタを示している。ここで図２６は斜視図、図２７は分解斜視図、図２８は等価回路図である。なお、この積層フィルタは４ポールとして構成されている。
【００６４】
図２６〜２８において、積層フィルタ６０は、基材６０ａ〜６０ｅが積層された積層体のほぼ中央に４つのストリップ線路６８と、一対のコンデンサ導体６７とを有する。その他の構成要素は実施例９と同様であり、同一構成要素には同一符号を付して説明を省略する。
【００６５】
＜実施例１１＞
図２９〜図３４は、本発明の第１１の実施例のブロックフィルタを示している。ここで図２９は透過斜視図、図３０は正面図、図３１は側面断面図、図３２は平面断面図、図３３は等価回路図、図３４は金型の構造を示した透過側面図である。なお、このブロックフィルタは２ポールとして構成されている。
【００６６】
図２９〜図３４において、ブロックフィルタ８０は、基材８０ａに形成された一対の同軸導体８１とコンデンサ同軸導体８２とを有する。この同軸導体８１とコンデンサ同軸導体８２とは、基材８０ａをくりぬくように中空状に形成された導電体で構成されている。また、基材８０ａの周囲には、これを覆うように表面ＧＮＤ導体８７が形成されている。そしてコンデンサ同軸導体８２に対応する部分にコンデンサ導体８３が形成されている。また、コンデンサ導体８３と表面ＧＮＤ導体８７は、入出力端子、および部品固着用端子としても使用される。なお、同軸導体８１とコンデンサ同軸導体８２とは、基材８０ａをくりぬくように形成された中空状の孔の内部に、導電材料を無電解メッキ、蒸着などで付着させ伝送路を形成する。
【００６７】
同軸導体８１は、図３３の等価回路図に示されるλg／４長またはそれ以下の長さを有する同軸線路９４ａ、９４ｂであり、それらを囲むようにＧＮＤ導体８７が形成されている。また、コンデンサ同軸導体８２とコンデンサ導体８３は入出力結合容量Ｃｉを構成する。また、それぞれの同軸導体８１間は、結合容量Ｃｍおよび結合係数Ｍにより結合されている。このような構成により、図３３に示すような等価回路となり、２ポール型の伝達特性を有するブロックフィルタを得ることができる。
【００６８】
図３４はブロックフィルタ８０の基材８０ａを形成するための金型の一例を示した概略断面図である。図において、金型は鉄などの金属ベース１０３に、樹脂注入口１０４および注入孔１０６が形成され、これと連結して部品形成部１０５ａ、１０５ｂが形成されている。基材８０ａを形成するための複合材料（樹脂に誘電体粉末、磁性体粉末の少なくともいずれかを混合したもので、必要に応じて前記難燃剤を添加したもの）は、液体の状態で樹脂注入口１０４から注入され、注入孔１０６を通って部品形成部１０５ａ、１０５ｂに達する。そして、この金型の内部に複合材料が満たされた状態で、冷却または加熱処理を行い、複合材料を固化して金型から取り出し、注入口などで硬化した不要な部分を切断する。こうして、図２９〜図３２に示される基材８０ａが形成される。
【００６９】
このようにして形成された基材８０ａに、メッキ、スパッタ、蒸着等によって銅、金、パラジウム、白金、アルミニウム等の同軸導体８１とコンデンサ同軸導体８２等を形成する。また、図１の方法によって表面ＧＮＤ導体８７を形成する。この導体８７の基材８０ａとの界面の表面粗さは３μｍ以下に設定される。
【００７０】
ブロック型フィルタについては、基本的には積層型フィルタと同様に、小型化を考えると、誘電率はできるだけ高い方が良い。本発明のように、基材として複合材料を用い、前記表面粗さを３μｍ以下とすることにより、小型で高周波特性に優れたブロック型フィルタを得ることができる。
【００７１】
＜実施例１２＞
図３５〜図３９は、本発明の第１２の実施例のカプラを示している。ここで図３５は透過斜視図、図３６は断面図、図３７は各基材の分解平面図、図３８は内部結線図、図３９は等価回路図である。
【００７２】
図３５〜図３９において、カプラ１１０は、前記誘電体粉末または磁性体粉末の少なくともいずれかを樹脂に混合した複合材料でなる基材１１０ａ〜１１０ｃが積層された積層体の上下に形成、配置された内部ＧＮＤ導体１１５と、この内部ＧＮＤ導体１１５間に形成されている内部導体１１３を有する。これらの導体１１３、１１５と基材１１０ａ〜１１０ｃとの界面の表面粗さは３μｍ以下に設定される。
【００７３】
前記内部導体１１３は、２つのコイルによりトランスが構成されるようにスパイラル状にビアホール１１４等で連結している。また。形成されたコイルの終端と、内部ＧＮＤ導体１１５とは、図３５に示すように、それぞれ端面に形成された貫通ビア１１２とそれから僅かに上下面方向に形成されたランドパターン１１１と接続されている。このように構成することにより、図３９の等価回路図で示すように、２つのコイル１２５ａ、１２５ｂが結合したカプラ１１０が得られる。この実施例１２における電極構成方法、層構成方法、ビア構成方法、端子構成方法は実施例１と同様である。
【００７４】
このカプラ１１０の基材１１０ａ〜１１０ｃは、広帯域化を実現しようとした場合、バルントランスやフィルタと同様に誘電率はできるだけ小さい方が好ましい。また、小型化を考えると比誘電率はできるだけ高い方がよく、高周波特性の改善を考えると、基材と導体界面の表面粗さはできるだけ小さくする必要がある。本発明のように、基材として複合材料を用い、前記表面粗さを３μｍ以下とすることにより、小型で高周波特性に優れたカプラを得ることができる。
【００７５】
＜実施例１３＞
図４０〜図４２は、本発明の第１３の実施例であるアンテナを示した図であり、図４０は透視斜視図、図４１（ａ）は平面図、（ｂ）は側面断面図、（ｃ）は正面断面図、図４２は各基材の分解斜視図を表している。
【００７６】
図において、アンテナ１３０は本発明の複合材料からなる基材１３０ａ〜１３０ｃと、この基材１３０ｂと１３０ｃ上にそれぞれ形成されている内部導体（アンテナパターン）１３３を有する。前記基材１３０ａ〜１３０ｃは、誘電体粉末または磁性体粉末またはその双方を、樹脂中に分散してなる複合材料によって構成される。また、基材強度を保つために、前記樹脂中にガラスクロスを埋設してもよい。また、難燃処理を施すため、難然剤としてハロゲン・リン化合物、ハロゲン化合物から選択された少なくとも１種の難然剤を添加してもよい。また、すべての層は同じ材質である必要はなく、複数の材質のものを層構成にしてもよい。
【００７７】
前記基材１３０ｂ、１３０ｃと内部導体１３３とは、図１に示した工程により作製され、基材１３０ｂ、１３０ｃとの界面の表面粗さは３μｍ以下に設定される。内部導体１３３の終端部は、アンテナの端面に形成された端子電極１３２およびそれから僅かに上下面方向に形成されたランドパターン１３１と接続されている。この例では内部導体１３３は、使用周波数に対し、約λg／４長となるようなリアクタンス素子として構成され、ミアンダ状に形成されている。この実施例１３における電極構成方法、層構成方法、ビア構成方法、端子構成方法は実施例１と同様である。
【００７８】
このアンテナ１３０の基材１３０ａ〜１３０ｃには、広帯域化を実現しようとした場合、誘電率はできるだけ小さい方が好ましい。また、小型化を考えると誘電率はできるだけ高い方がよい。本発明のように基材として複合材料を用い、前記表面粗さを３μｍ以下とすることにより、図４３に１０μｍの表面粗さの場合と対比して示すように、小型で広帯域化され、高周波特性に優れたアンテナを得ることができる。
【００７９】
＜実施例１４＞
図４４、図４５は、本発明の第１４の実施例のアンテナを示している。ここで図４４は透過斜視図、図４５は分解斜視図である。なお、この例のアンテナはヘリカル状の内部電極を有するアンテナとして構成されている。
【００８０】
図４４、図４５において、アンテナ１４０は、本発明の複合材料を有する基材１４０ａ〜１４０ｃと、この基材１４０ｂと１４０ｃ上にそれぞれ形成されている内部導体（アンテナパターン）１４３ａ、１４３ｂを有する。そして、上下の内部導体１４３ａ、１４３ｂはビアホール１４４にて接続され、ヘリカル状のインダクタンス素子を形成するようになっている。その他の構成要素は実施例１３と同様であり、同一構成要素には同一符号を付して説明を省略する。このような構造のアンテナにおいても、前記複合材料、表面粗さを採用することにより、小型化、広帯域化が達成でき、高周波特性に優れたアンテナを得ることができる。
【００８１】
＜実施例１５＞
図４６、図４７は、本発明の第１５の実施例であるパッチアンテナを示した図であり、図４６は透視斜視図、図４７は断面図である。図において、パッチアンテナ１５０は本発明の複合材料でなる基材１５０ａと、この基材１５０ａ上に形成されているパッチ導体１５９（アンテナパターン）と、このパッチ導体１５９に対向するように基材１５０ａの底面に形成されたＧＮＤ導体１５５とを有する。また、パッチ導体１５９には給電用のスルー導体１５４が給電部１５３で接続され、このスルー導体１５４はＧＮＤ導体１５５とは接続されないようにＧＮＤ導体１５５との間にギャップ１５６が設けられている。このため、ＧＮＤ導体１５５の下部からスルー導体１５４を通って給電が行われるようになっている。
【００８２】
図４６、図４７に示すような構造のアンテナにおいても、前記基材１５０ａとして前記複合材料を用い、導体１５５、１５９との界面の表面粗さ（３μｍ）を採用することにより、小型化、広帯域化が達成でき、高周波特性に優れたアンテナを得ることができる。
【００８３】
＜実施例１６＞
図４８、図４９は、本発明の第１６の実施例であるパッチアンテナを示した図であり、図４８は透視斜視図、図４９は断面図である。
【００８４】
図において、パッチアンテナ１６０は複合材料を有する基材１６０ａと、この基材１６０ａ上に形成されているパッチ導体１６９（アンテナパターン）と、このパッチ導体１６９に対向するように基材１６０ａの底面に形成されたＧＮＤ導体１６５とを有する。また、パッチ導体１６９の近傍にこれと接触しないように給電用の給電導体１６１が配置され、給電端子１６２を介してこれから給電が行われるようになっている。給電端子１６２は、メッキ、ターミネート、印刷、スパッタ、蒸着等の処理を行い、銅、金、パラジウム、白金、アルミニウム等により形成することができる。その他の構成要素は実施例１５と同様であり、同一構成要素には同一符号を付して説明を省略する。
【００８５】
図４８、図４９に示すような構造のアンテナにおいても、前記基材１６０ａとして前記複合材料を用い、導体１６５、１６９との界面の表面粗さ（３μｍ）を採用することにより、小型化、広帯域化が達成でき、高周波特性に優れたアンテナを得ることができる。
【００８６】
＜実施例１７＞
図５０、図５１は、本発明の第１７の実施例である多層型のパッチアンテナを示した図であり、図５０は透視斜視図、図５１は断面図である。図において、パッチアンテナ１７０は本発明の複合材料を有する基材１５０ａ、１５０ｂと、この基材１５０ａ、１５０ｂ上に形成されているパッチ導体１５９ａ、１５９ｅと、このパッチ導体１５９ａ、１５９ｅに対向するように基材１５０ｂの底面に形成されたＧＮＤ導体１５５とを有する。また、パッチ導体１５９ａには給電用のスルー導体１５４が給電部１５３ａで接続され、このスルー導体１５４はＧＮＤ導体１５５およびパッチ導体１５９ｅとは接続されないようにＧＮＤ導体１５５およびパッチ導体１５９ｅとの間にギャップ１５６が設けられている。このため、ＧＮＤ導体１５５の下部からスルー導体１５４を通ってパッチ導体１５９ａに給電が行われるようになっている。このときパッチ導体１５９ｅにはパッチ導体１５９ａとの容量結合およびスルー導体１５４とのギャップによって形成される容量により給電される。その他の構成要素は実施例１５と同様であり、同一構成要素には同一符号を付して説明を省略する。
【００８７】
図５０、図５１に示すような構造のアンテナにおいても、前記基材１５０ａ、１５０ｂとして前記複合材料を用い、導体１５９ａ、１５９ｅとの界面の表面粗さ（３μｍ以下）を採用することにより、小型化、広帯域化が達成でき、高周波特性に優れたアンテナを得ることができる。
【００８８】
＜実施例１８＞
図５２、図５３は本発明の第１８の実施例である多連型のパッチアンテナを示した図であり、図５２は透視斜視図、図５３は断面図である。この例では、実施例１７において単独で構成されていたパッチアンテナを、複数アレイ状に並べて４連とした態様を表している。図において、本発明の複合材料を有する基材１５０ａ、１５０ｂと、この基材１５０ａ上に形成されているパッチ導体１５９ａ、１５９ｂ、１５９ｃ、１５９ｄと、基材１５０ｂ上に形成されているパッチ導体１５９ｅ、１５９ｆ、１５９ｇ、１５９ｈと、このパッチ導体１５９ａ、１５９ｅに対向するように基材１５０ｂの底面に形成されたＧＮＤ導体１５５とを有する。その他の構成要素は実施例１７と同様であり、同一構成要素には同一符号を付して説明を省略する。
【００８９】
このようにアレイ状に形成することにより、前記効果に加え、さらにセットの小型化と部品点数の削減が可能となるという効果が得られる。
【００９０】
＜実施例１９＞
図５４〜図５６は、本発明の第１９の実施例のＶＣＯ（電圧制御発振器）を示している。ここで図５４は透過斜視図、図５５は断面図、図５６は等価回路図である。
【００９１】
図５４〜図５６において、ＶＣＯは、基材２１０ａ〜２１０ｇが積層された積層体２１０の上に形成、配置されたコンデンサ、インダクタ、半導体、レジスタ等の電子部品２６１と、この基材２１０ａ〜２１０ｇ中およびその上下面に形成されている導体パターン２６２、２６３、２６４を有する。この実施例１９において、基材となる基材２１０ａ〜２１０ｇは、誘電体粉末または磁性体粉末またはその双方を、樹脂中に分散してなる複合材料によって構成される。また、基材強度を保つために、前記樹脂中にガラスクロスを埋設してもよい。また、難燃処理を施すため、難然剤としてハロゲン・リン化合物、ハロゲン化合物から選択された少なくとも１種の難然剤を添加してもよい。また、すべての層は同じ材質である必要はなく、複数の材質のものを層構成にしてもよい。また、本実施例における電極構成方法、層構成方法、ビア構成方法、端子構成方法は実施例１と同様である。
【００９２】
このＶＣＯは図５６に示すような等価回路により構成されているため、共振器、コンデンサ、信号線、半導体、電源ラインなどを有する。このため、それぞれの機能に適した材料で基材を形成するのが効率的である。ここで示す構成はその一例であり、他の構成例もある。
【００９３】
この例では、共振器を構成する基材２１０ｆ、２１０ｇには共振周波数に適した誘電率に調整した複合材料を用い、コンデンサ基材２１０ｃ〜２１０ｅには誘電率が５〜４０となるような複合材料を用いる。また、配線、およびインダクタ基材２１０ａ、２１０ｂには、前記コンデンサより誘電率が低い複合材料を用いる。
【００９４】
そして、上記基材２１０ａ〜２１０ｇの表面には、内部導体であるストリップライン２６３、ＧＮＤ導体２６２、コンデンサ導体２６４、配線インダクタ導体２６５、および端子導体２６６を構成する。また、それぞれの内部導体はビアホール２１４により上下に接続され、表面にはマウントされた電子部品２６１が搭載されて図５６の等価回路に示すようなＶＣＯが形成される。
【００９５】
このＶＣＯにおいて、高周波特性を改善するためには、基材と導体界面との間の表面粗さをできるだけ抑える必要がある。そこで前記図１に示した工程により、本発明のように複合材料を用い、導体と基材との間の界面の表面粗さを３μｍ以下に設定することにより、高周波特性に優れたＶＣＯを得ることができる。また、それぞれの機能に適した材料を層毎に構成しているので、高性能化、小型化、薄型化が可能となる。
【００９６】
＜実施例２０＞
図５７〜図５９は、本発明の第２０の実施例のパワーアンプ（電力増幅部）を示している。ここで図５７は各基材の分解平面図、図５８は等価回路図、図５９は断面図である。
【００９７】
図５７〜図５９において、パワーアンプは、基材３００ａ〜３００ｅが積層された積層体の上に形成、配置されたコンデンサ、インダクタ、半導体、レジスタ等の電子部品３６１と、この基材３００ａ〜３００ｅ中およびその上下面に形成されている導体パターン３１３、３１５を有する。３１４は内部導体間を接続するビアホールである。
【００９８】
このパワーアンプは図５８に示すような等価回路により構成されているため、ストリップラインＬ１１〜Ｌ１７、コンデンサＣ１１〜Ｃ２０、信号線、半導体への電源ラインなどを有する。このため、それぞれの機能に適した材料で基材を形成するのが効率的である。ここで示す構成はその一例であり、他の構成例もある。
【００９９】
この例では、ストリップラインを構成する基材３００ｄ、３００ｅには使用周波数に適した誘電率に調整した複合材料を使用する。また、コンデンサ基材３００ａ〜３００ｃには、誘電率が５〜４０となるような複合材料を用いる。
【０１００】
この実施例２０における電極構成方法、層構成方法、ビア構成方法、端子構成方法は実施例１と同様である。
【０１０１】
このようなパワーアンプにおいても、前記基材３００a〜３００ｅとして前記複合材料を用い、導体との界面の表面粗さを３μｍ以下とすることにより、高周波特性に優れたものを得ることができる。表面粗さが３μｍの場合、１０μｍの場合に比較して約３％程度の効率向上が可能となる。また、それぞれの機能に適した材料を層毎に構成しているので、高性能化、小型化、薄型化が可能となる。
【０１０２】
＜実施例２１＞
図６０〜図６２は、本発明の第２１の実施例の光ピックアップなどに使用される重畳モジュールを示している。ここで図６０は各基材の分解平面図、図６１は断面図、図６２は等価回路図である。
【０１０３】
図６０〜図６２において、重畳モジュールは、基材４００ａ〜４００ｋが積層された積層体の上に形成、配置されたコンデンサ、インダクタ、半導体、レジスタ等の電子部品４６１と、この基材４００ａ〜４００ｋ中およびその上下面に形成されている導体パターン４１３、４１５を有する。この重畳モジュールは図６２に示すような等価回路により構成されているため、インダクタＬ２１、Ｌ２３、コンデンサＣ２１〜Ｃ２７、信号線、半導体への電源ラインなどを有する。このため、それぞれの機能に適した材料で基材を形成するのが効率的である。ここで示す構成はその一例であり、他の構成例もある。
【０１０４】
この例では、コンデンサ基材４００ｄ〜４００ｈには、誘電率が１０〜４０となるように調整された複合材料を用いる。また、インダクタなどを構成する基材４００ａ〜４００ｃ、４００ｊ〜４００ｋには、比較的誘電率が低い材料を用いる。そして、基材４００ａ〜４００ｋの表面には、内部導体４１３、ＧＮＤ導体４１５等が形成されている。また、それぞれの内部導体はビアホール４１４により上下に接続され、表面にはマウントされた電子部品４６１が搭載されて図６２の等価回路に示すような重畳モジュールが形成される。この実施例２１における電極構成方法、層構成方法、ビア構成方法、端子構成方法は実施例１と同様である。
【０１０５】
このような重畳モジュールにおいても、前記基材４００ａ〜４００ｋとして前記複合材料を用い、導体との界面の表面粗さを３μｍ以下とすることにより、高周波特性に優れたものを得ることができる。また、それぞれの機能に適した材料を層毎に構成しているので、高性能化、小型化、薄型化が可能となる。
【０１０６】
＜実施例２２＞
図６３〜図６６は、本発明の第２２の実施例のＲＦユニットを示している。ここでＲＦユニットは携帯電話等の無線通信機器に使用されるもので、図６３は斜視図、図６４は外装部材を外した状態での斜視図、図６５は各基材の分解斜視図、図６６は断面図ある。ＲＦユニットは、ＰＬＬ回路、ＶＣＯ、ハイブリッド回路、ミキサー、バンドパスフィルタ、アンプとカプラとアイソレータとからなるパワーアンプモジュール、アンテナ、ローパスフィルタとデュプレクサとからなるフロントエンドモジュール、アンプ、バンドパスフィルタ、ミキサー、弾性表面波フィルタを備えている。
【０１０７】
図６３〜図６６において、ＲＦユニットは、基材５００ａ〜５００ｉが積層された積層体５００の上に形成、配置されたコンデンサ、インダクタ、半導体、レジスタ等の電子部品５６１と、この基材５００ａ〜５００ｉ中およびその上下面に形成されている導体パターン５１３、５１５、５７２と、アンテナパターン５７３を有する。このＲＦユニットは、上記のように、アンテナ、フィルタ、インダクタ、コンデンサ、信号線、半導体への電源ラインなどを有する。このため、それぞれの機能に適した材料で基材を形成するのが効率的である。ここで示す構成はその一例であり、他の構成例もある。
【０１０８】
この例では、アンテナ構成、ストリップライン構成および配線層となる基材５００ａ〜５００ｄ、５００ｇには、使用周波数に合わせて調整された誘電率の複合材料を使用する。コンデンサ基材５００ｅ〜５００ｆには、誘電率が１０〜４０程度に高く調整された複合材料を使用する。電源ライン層となる基材５００ｈ〜５００ｉには、前記被覆磁性金属粒子を樹脂中に分散混合し、透磁率が３〜２０程度に調整された複合磁性材料を用いる。
【０１０９】
そして、これらの基材５００ａ〜５００ｉの表面には、内部導体５１３、ＧＮＤ導体５１５、アンテナ導体５７３等が形成されている。また、それぞれの内部導体はビアホール５１４により上下に接続され、表面にはマウントされた電子部品５６１が搭載されてＲＦユニットが形成される。
【０１１０】
このようなＲＦユニットにおいても、前記基材５００ａ〜５００ｉとして前記複合材料を用い、導体との界面の表面粗さを３μｍ以下とすることにより、高周波特性に優れたものを得ることができる。また、それぞれの機能に適した材料を層毎に用いることにより、高性能化、小型化、薄型化が可能となる。
【０１１１】
＜実施例２３＞
図６７、図６８は、本発明の第２３の実施例の共振器を示している。ここで図６７は透過斜視図、図６８は断面図である。図６７、６８において、共振器は、本発明による前記複合材料からなる基材６１０に貫通孔状の同軸型導電体６４１が形成されている。基材は、誘電体粉末または磁性体粉末またはその双方を、樹脂中に分散してなる複合材料によって構成される。この場合も導体との界面の表面粗さを３μｍ以下とすることにより、高周波特性に優れたものを得ることができる。また、難燃処理を施すため、難然剤としてハロゲン・リン化合物、ハロゲン化合物から選択された少なくとも１種の難然剤を添加してもよい。
基材６１０は、実施例１１のブロックフィルタと同様である。すなわち、金型成形された基材６１０に、メッキ、スパッタ、蒸着等によって銅、金、パラジウム、白金、アルミニウム等の同軸導体６４１を形成する。また、図１の方法によって表面ＧＮＤ導体６４７と、同軸導体６４１に接続されている共振器用ＨＯＴ端子６８１等および端部電極６８２形成する。同軸導体６４１は、ある特性インピーダンスを有する同軸型線路であり、これらを囲むように表面ＧＮＤ導体６４７が形成されている。ＧＮＤ導体６４７、ＨＯＴ端子６８１、端部電極６８２等の基材６１０との界面粗さは３μｍ以下に設定されている。
【０１１２】
＜実施例２４＞
図６９、図７０は、本発明の第２４の実施例のストリップ共振器を示している。ここで図６９は透過斜視図、図７０は断面図である。図６９、７０において、ストリップ共振器は、長方形のストリップ導体７８４と、これを前記複合材料からなる基材７１０を介して上下面より挟み込むようにして配置された矩形状のＧＮＤ導体７８３とを有する。基材７１０は、誘電体粉末または磁性体粉末またはその双方を、樹脂中に分散してなる複合材料によって構成される。また、導体との界面の表面粗さを３μｍ以下とすることにより、高周波特性に優れたものを得ることができる。また、基材強度を保つために、前記樹脂中にガラスクロスを埋設してもよい。また、難燃処理を施すため、難然剤としてハロゲン・リン化合物、ハロゲン化合物から選択された少なくとも１種の難然剤を添加してもよい。また、すべての層は同じ材質である必要は無く、複数の材質のものにより層構成を行ってもよい。また、ストリップ導体７８４両端には共振器用ＨＯＴ端子７８１、およびＧＮＤ端子７８２が形成され接続されている。その他の形成方法は、実施例１のインダクタと同様である。
【０１１３】
＜実施例２５＞
図７１は、本発明の第２５の実施例の共振器を示す透過斜視図である。図７１において、共振器は実施例２３同様に、基材８１０に２つの貫通孔状の同軸型導電体８４１、８４２が形成されている。この共振器の基本的な構成方法は実施例２３と同様であり、表面ＧＮＤ導体８４７、およびこの表面ＧＮＤ導体８４７と端部電極８８２で接続された同軸導体８４２と、同軸導体８４２と接続用電極８８５を介して接続されている同軸導体８４１と、この同軸導体８４１と接続されている共振器用ＨＯＴ端子８８１等を形成する。そして、同軸導体８４１、８４２は、ある特性インピーダンスを有する同軸型線路であり、これらを囲むように表面ＧＮＤ導体８４７が形成されている。
【０１１４】
＜実施例２６＞
図７２は、本発明の第２６の実施例のストリップ共振器を示す透過斜視図である。図７２において、ストリップ共振器は実施例２４と同様に、前記複合材料からなる基材８１０を有する。実施例２６が実施例２４と異なるところは、ストリップ導体８８４を折り返しているところである。ストリップ導体８８４は、前記同様、ある特性インピーダンスを持ったストリップ線路である。ストリップ導体８８４は、これを挟むように、内部グランド導体８８３を形成する。この際、ＨＯＴ端子８８１およびグランド端子８８２は基体の一側面に形成され、それらにストリップ導体８８４の両端が接続されるように折り曲げた形状を持ったストリップ導体とする。これによって図７３に示す共振器の等価回路を構成する。図７３において、共振器用ＨＯＴ端子９８１は同軸路、またはストリップラインから構成される共振器９８４、９４１の一端に接続され、その他端にはＧＮＤ端子９８２が接続されている。図７３は実施例２３〜２５の共振器の等価回路としても表現される。
【０１１５】
共振器については、誘電率はできるだけ大きい方が小型化が可能となる。本発明のように、樹脂中に誘電体粉末を混合した複合材料を用い、基材と導体との表面粗さを３μｍ以下とすることにより、図７４に示すように、表面粗さを１０μｍである場合に比較し、小型で高周波特性の優れた共振器を得ることができる。
【０１１６】
＜実施例２７＞
図７５は、本発明の第２７の実施例のストリップ共振器を示す斜視図である。図７５において、ストリップ共振器は実施例２４と同様に、前記複合材料からなる基材９９０を有する。ストリップ導体９９１は、前記同様の導体構成方法により基材９９０内に内蔵させ、一端を、周囲のグランド導体９９２の形成されていない端面に露出させ、他端を端面のグランド導体９９２に接続してなる。
図７５に示すストリップ共振器において、基材９９０の誘電率を１０とし、ストリップ導体９９１に純銅を用い、その幅ａ＝７５μｍ、厚みｂ＝１８μｍ、基材９９０の幅ｃ＝１０ｍｍ、厚みｄ＝０．３３ｍｍ、長さｅ＝１０ｍｍとし、基材９９０とストリップ導体９９１の表面粗さを０μｍ、１μｍ、３μｍ、３．５μｍ、７μｍにそれぞれ設定して周波数に対するＱの値の変化を測定した。ストリップ共振器のＱは、例えば伝送特性への影響を考慮すると、２ＧＨｚで４０以上、６ＧＨｚで６０以上であることが望ましい。これより低いと、回路のＳ／ＮやＮＦ特性に影響を与えてしまう。ストリップ導体９９１の表面粗さを３μｍ以下にすると、これらのＱ値の要求を満足させることができる。
【０１１７】
これらの他、アイソレータ、サーキュレータも多層化された小型のものを作成することが可能である。また、前記した各実施例の部品を適宜に複合化することにより、より高集積化、小型化が可能となる。また、アンテナフロントエンドモジュールや、アイソレータ、パワーアンプモジュール等の製品も、本発明の複合材料を用いることにより、小型化、高集積化、高周波特性改善が可能となる。
【０１１８】
図７６はデジタル携帯電話のＲＦユニットのブロック図である。この図は、前述した実施例の部品がどのように使われるかを示したものである。前記アンテナフロントモジュール１２００は、アンテナ１００９とデュプレクサ１００８とＬＰＦ１００７をワンモジュール化したものである。また、アイソレータ・パワーアンプモジュール１１００は、アイソレータ１００６とパワーアンプ１００３トカプラー１００４とストリップライン１００５を一体化したものである。
【図面の簡単な説明】
【０１１９】
【図１ａ】本発明による基板の製造方法の一実施の形態を示す工程図である。
【図１ｂ】本発明による基板の製造方法の他の実施の形態を示す工程図である。
【図１ｃ】本発明による基板の製造方法の他の実施の形態を示す工程図である。
【図２】本発明の積層電子部品の構成例であるインダクタを示す透視斜視図である。
【図３】図２のインダクタを示す断面図である。
【図４】本発明の積層電子部品の構成例であるインダクタを示す透視斜視図である。
【図５】図４のインダクタを示す断面図である。
【図６】本発明の積層電子部品の構成例であるインダクタを示す透視斜視図である。
【図７】図６のインダクタを示す断面図である。
【図８】本発明の積層電子部品の構成例であるインダクタを示す透視斜視図である。
【図９】図８のインダクタを示す断面図である。
【図１０】本発明の積層電子部品の構成例であるインダクタを示す透視斜視図である。
【図１１】（ａ）、（ｂ）はそれぞれ図２〜図９、図１０のインダクタを示す等価回路図である。
【図１２】図２、図３のインダクタにおいて、基材と導体との界面の表面粗さを３μｍと１０μｍとした場合のＱ値の周波数特性図である。
【図１３】本発明の積層電子部品の構成例であるキャパシタを示す透視斜視図である。
【図１４】図１３のキャパシタを示す断面図である。
【図１５】本発明の積層電子部品の構成例であるキャパシタを示す透視斜視図である。
【図１６】（ａ）、（ｂ）はそれぞれ図１３、図１４と図１５のキャパシタを示す等価回路図である。
【図１７】図１３、図１４のコンデンサにおいて、基材と導体との界面の表面粗さを３μｍと１０μｍとした場合の周波数特性図である。
【図１８】本発明の積層電子部品の構成例であるバルントランスを示す透視斜視図である。
【図１９】図１８のバルントランスを示す断面図である。
【図２０】図１８のバルントランスの層構成図である。
【図２１】図１８のバルントランスを示す等価回路図である。
【図２２】本発明の積層電子部品の構成例である積層フィルタを示す斜視図である。
【図２３】図２１の積層フィルタの層構成を示す分解斜視図である。
【図２４】図２１の積層フィルタを示す等価回路図である。
【図２５】図２１のインダクタにおいて、基材と導体との界面の表面粗さを３μｍと１０μｍとした場合の周波数特性図である。
【図２６】本発明の積層電子部品の構成例である積層フィルタを示す透視斜視図である。
【図２７】図２６の積層フィルタの層構成を示す分解斜視図である。
【図２８】図２６の積層フィルタを示す等価回路図である。
【図２９】本発明の積層電子部品の構成例であるブロックフィルタを示す斜視図である。
【図３０】図２９のブロックフィルタを示す正面断面図である。
【図３１】図２９のブロックフィルタを示す側面断面図である。
【図３２】図２９のブロックフィルタを示す平面断面図である。
【図３３】図２９のブロックフィルタの等価回路図である。
【図３４】図２９のブロックフィルタの金型を示す図である。
【図３５】本発明の積層電子部品の構成例であるカプラを示す透視斜視図である。
【図３６】図３５のカプラを示す断面図である。
【図３７】図３５のカプラの層構成を示す分解斜視図である。
【図３８】図３５のカプラの内部結線を示す図である。
【図３９】図３５のカプラの等価回路図である。
【図４０】本発明の積層電子部品の構成例であるアンテナを示す透視斜視図である。
【図４１】（ａ）、（ｂ）、（ｃ）はそれぞれ図４０のアンテナの平面図、側面図、正面図である。
【図４２】図４０のアンテナの層構成を示す分解斜視図である。
【図４３】図４０のアンテナにおいて、基材と導体との界面の表面粗さを３μｍと１０μｍとした場合の特性図である。
【図４４】本発明の積層電子部品の構成例であるアンテナを示す透視斜視図である。
【図４５】本発明の積層電子部品の構成例であるアンテナを示す透視分解斜視図である。
【図４６】本発明の積層電子部品の構成例であるパッチアンテナを示す透視斜視図である。
【図４７】図４６のパッチアンテナを示す断面図である。
【図４８】本発明の積層電子部品の構成例であるパッチアンテナを示す斜視図である。
【図４９】図４８のパッチアンテナを示す断面図である。
【図５０】本発明の積層電子部品の構成例であるパッチアンテナを示す図である。
【図５１】図５０のパッチアンテナを示す断面図である。
【図５２】本発明の積層電子部品の構成例であるパッチアンテナを示す透視斜視図である。
【図５３】図５２のパッチアンテナの断面図である。
【図５４】本発明の積層電子部品の構成例であるＶＣＯを示す透視斜視図である。
【図５５】図５４のＶＣＯを示す断面図である。
【図５６】図５４のＶＣＯを示す等価回路図である。
【図５７】本発明の積層電子部品の構成例であるパワーアンプの層構成を示す分解平面図である。
【図５８】図５７のパワーアンプを示す等価回路図である。
【図５９】図５７のパワーアンプを示す断面図である。
【図６０】本発明の積層電子部品の構成例である重畳モジュールの層構成を示す分解平面図である。
【図６１】図６０の重畳モジュールを示す断面図である。
【図６２】図６０の重畳モジュールを示す等価回路図である。
【図６３】本発明の積層電子部品の構成例であるＲＦユニットを示す斜視図である。
【図６４】図６３のＲＦユニットを示す透視斜視図である。
【図６５】図６３のＲＦユニットの層構成を示す分解斜視図である。
【図６６】図６３のＲＦユニットを示す断面図である。
【図６７】本発明の積層電子部品の構成例である共振器を示す斜視図である。
【図６８】図６７の共振器を示す断面図である。
【図６９】本発明の積層電子部品の構成例である共振器を示す透視斜視図である。
【図７０】図６９の共振器を示す断面図である。
【図７１】本発明の積層電子部品の構成例である共振器を示す斜視図である。
【図７２】本発明の積層電子部品の構成例である共振器を示す斜視図である。
【図７３】本発明の積層電子部品の構成例である共振器の等価回路を示す図である。
【図７４】共振器において、基材と導体との界面の表面粗さを３μｍと１０μｍとした場合のＱ値の周波数特性図である。
【図７５】本発明の積層電子部品の構成例である共振器を示す斜視図である。
【図７６】携帯電話において、本発明に用いる回路の部分を説明するブロック図である。
【符号の説明】
【０１２０】
１：基材、２：カップリング剤、３：無電解めっきまたは箔による導体、４：電解めっき後の導体、５：導体パターン、１０：インダクタ、１０ａ〜１０ｅ：基材、１１：ランドパターン、１２：貫通ビア、１３：内部導体（コイルパターン）、１４：ビアホール、１５：樹脂、２０：キャパシタ、２０ａ〜２０ｇ：基材、２１：導体パターン、２２：貫通ビア、２３：内部導体（内部電極パターン）、４０：バルントランス、４０ａ〜４０ｏ：基材、４５：ＧＮＤ導体、４３：内部導体、６０：積層フィルタ、８０：ブロックフィルタ、１１０：カプラ、１３０、１４０：アンテナ、１５０、１６０、１７０：パッチアンテナ
【図１ａ】
2004363553.tif 000009
【図１ｂ】
2004363553.tif 000010
【図１ｃ】
2004363553.tif 000011
【図２】
2004363553.tif 000012
【図３】
2004363553.tif 000013
【図４】
2004363553.tif 000014
【図５】
2004363553.tif 000015
【図６】
2004363553.tif 000016
【図７】
2004363553.tif 000017
【図８】
2004363553.tif 000018
【図９】
2004363553.tif 000019
【図１０】
2004363553.tif 000020
【図１１】
2004363553.tif 000021
【図１２】
2004363553.tif 000022
【図１３】
2004363553.tif 000023
【図１４】
2004363553.tif 000024
【図１５】
2004363553.tif 000025
【図１６】
2004363553.tif 000026
【図１７】
2004363553.tif 000027
【図１８】
2004363553.tif 000028
【図１９】
2004363553.tif 000029
【図２０】
2004363553.tif 000030
【図２１】
2004363553.tif 000031
【図２２】
2004363553.tif 000032
【図２３】
2004363553.tif 000033
【図２４】
2004363553.tif 000034
【図２５】
2004363553.tif 000035
【図２６】
2004363553.tif 000036
【図２７】
2004363553.tif 000037
【図２８】
2004363553.tif 000038
【図２９】
2004363553.tif 000039
【図３０】
2004363553.tif 000040
【図３１】
2004363553.tif 000041
【図３２】
2004363553.tif 000042
【図３３】
2004363553.tif 000043
【図３４】
2004363553.tif 000044
【図３５】
2004363553.tif 000045
【図３６】
2004363553.tif 000046
【図３７】
2004363553.tif 000047
【図３８】
2004363553.tif 000048
【図３９】
2004363553.tif 000049
【図４０】
2004363553.tif 000050
【図４１】
2004363553.tif 000051
【図４２】
2004363553.tif 000052
【図４３】
2004363553.tif 000053
【図４４】
2004363553.tif 000054
【図４５】
2004363553.tif 000055
【図４６】
2004363553.tif 000056
【図４７】
2004363553.tif 000057
【図４８】
2004363553.tif 000058
【図４９】
2004363553.tif 000059
【図５０】
2004363553.tif 000060
【図５１】
2004363553.tif 000061
【図５２】
2004363553.tif 000062
【図５３】
2004363553.tif 000063
【図５４】
2004363553.tif 000064
【図５５】
2004363553.tif 000065
【図５６】
2004363553.tif 000066
【図５７】
2004363553.tif 000067
【図５８】
2004363553.tif 000068
【図５９】
2004363553.tif 000069
【図６０】
2004363553.tif 000070
【図６１】
2004363553.tif 000071
【図６２】
2004363553.tif 000072
【図６３】
2004363553.tif 000073
【図６４】
2004363553.tif 000074
【図６５】
2004363553.tif 000075
【図６６】
2004363553.tif 000076
【図６７】
2004363553.tif 000077
【図６８】
2004363553.tif 000078
【図６９】
2004363553.tif 000079
【図７０】
2004363553.tif 000080
【図７１】
2004363553.tif 000081
【図７２】
2004363553.tif 000082
【図７３】
2004363553.tif 000083
【図７４】
2004363553.tif 000084
【図７５】
2004363553.tif 000085
【図７６】
2004363553.tif 000086