(57)【要約】【課題】簡易な構成によって、回路付サスペンション基板の配線と、それに接続する配線回路基板の端子部との接続点における、特性インピーダンスを制御して、ファインピッチあるいは高周波信号においても、信号の伝達効率の向上を図ることのできる、配線回路基板を提供すること。【解決手段】中継フレキシブル配線回路基板１を、回路付サスペンション基板３と実質的に同一の層構造である、第１金属基板１６、第１ベース絶縁層１７、第１導体層１８および第１カバー絶縁層１９を備える第１配線回路基板１４と、その第１配線回路基板１４が接続され、制御回路基板４に接続するための第２配線回路基板１５とから構成する。これによって、回路付サスペンション基板３の層構造と、第１配線回路基板１４の層構造とを実質的に同じにして、これらの接続点において、両者の特性インピーダンスを整合させることができる。【選択図】    図１
2004363331.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属基板、前記金属基板の上に形成されるベース絶縁層、前記ベース絶縁層の上に形成される導体層、および、前記導体層の上に形成されるカバー絶縁層を備える回路付サスペンション基板と、電気的に接続するための配線回路基板であって、
前記回路付サスペンション基板と電気的に接続される第１配線回路基板と、
前記第１配線回路基板と電気的に接続され、外部回路と電気的に接続するための第２配線回路基板とを備え、
前記第１配線回路基板は、第１金属基板、前記第１金属基板の上に形成される第１ベース絶縁層、前記第１ベース絶縁層の上に形成される第１導体層、および、前記第１導体層の上に形成される第１カバー絶縁層を備えていることを特徴とする、配線回路基板。
【請求項２】
前記回路付サスペンション基板の前記導体層と、前記前記第１配線回路基板の前記第１導体層とが、セミアディティブ法により形成されていることを特徴とする、請求項１に記載の配線回路基板。
【請求項３】
前記回路付サスペンション基板の前記導体層の厚みと、前記前記第１配線回路基板の前記第１導体層との厚みとが、実質的に同一であることを特徴とする、請求項１または２に記載の配線回路基板。
【請求項４】
前記回路付サスペンション基板の前記ベース絶縁層の厚みと、前記第１配線回路基板の前記第１ベース絶縁層との厚みとが、実質的に同一であることを特徴とする、請求項１〜３のいずれかに記載の配線回路基板。
【請求項５】
前記回路付サスペンション基板の前記カバー絶縁層の厚みと、前記第１配線回路基板の前記第１カバー絶縁層との厚みとが、実質的に同一であることを特徴とする、請求項１〜４のいずれかに記載の配線回路基板。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ハードディスクドライブの磁気ヘッドを搭載する回路付サスペンション基板と接続するための配線回路基板に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ハードディスクドライブにおいて、磁気ヘッドを搭載する回路付サスペンション基板は、通常、磁気ヘッドに対する読取信号および書込信号を伝達するための複数の配線を有している。そして、これら配線は、プリアンプＩＣなどの電子素子を搭載する配線回路基板の端子部に接続されており、配線からの信号は、配線回路基板のプリアンプＩＣなどの電子素子によって増幅された後に、その配線回路基板から、磁気ヘッドを動作させるための制御回路基板に伝達されている。
【０００３】
一方、近年における配線のファインピッチ化および信号の高周波化に伴い、回路付サスペンション基板の複数の配線と、それらに接続する配線回路基板の端子部との接続点において、特性インピーダンスを制御することが必要となってきている。
【０００４】
つまり、これらの接続点において、特性インピーダンスの不整合があると、信号の伝達効率が低下し、特に、プリアンプＩＣに入力される前の信号（増幅前の信号）は、微弱であるため、接続点における特性インピーダンスの影響を受けやすく、信号の伝達効率が低下しやすくなる。
【０００５】
また、このような回路付サスペンション基板においては、例えば、配線の下のステンレス基板に開口部を形成して、信号のキャパシタンスを最適化することで、特性インピーダンスを制御することが提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００６】
【特許文献１】
米国特許第５，７１２，７４９号明細書
【発明が解決しようとする課題】
しかし、特許文献１では、回路付サスペンション基板における特性インピーダンスを制御することはできるが、回路付サスペンション基板の配線と、それに接続する配線回路基板の端子部との接続点における、特性インピーダンスを制御することはできず、やはり、接続点における信号の伝達効率の低下が不可避である。
【０００７】
本発明は、このような事情に鑑みなされたもので、その目的とするところは、簡易な構成によって、回路付サスペンション基板の配線と、それに接続する配線回路基板の端子部との接続点における、特性インピーダンスを制御して、ファインピッチあるいは高周波信号においても、信号の伝達効率の向上を図ることのできる、配線回路基板を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明は、金属基板、前記金属基板の上に形成されるベース絶縁層、前記ベース絶縁層の上に形成される導体層、および、前記導体層の上に形成されるカバー絶縁層を備える回路付サスペンション基板と、電気的に接続するための配線回路基板であって、前記回路付サスペンション基板と電気的に接続される第１配線回路基板と、前記第１配線回路基板と電気的に接続され、外部回路と電気的に接続するための第２配線回路基板とを備え、前記第１配線回路基板は、第１金属基板、前記第１金属基板の上に形成される第１ベース絶縁層、前記第１ベース絶縁層の上に形成される第１導体層、および、前記第１導体層の上に形成される第１カバー絶縁層を備えていることを特徴としている。
【０００９】
また、本発明の配線回路基板では、前記回路付サスペンション基板の前記導体層と、前記前記第１配線回路基板の前記第１導体層とが、セミアディティブ法により形成されていることが好適である。
【００１０】
また、本発明の配線回路基板では、前記回路付サスペンション基板の前記導体層の厚みと、前記前記第１配線回路基板の前記第１導体層との厚みとが、実質的に同一であることが好適である。
【００１１】
また、本発明の配線回路基板では、前記回路付サスペンション基板の前記ベース絶縁層の厚みと、前記第１配線回路基板の前記第１ベース絶縁層との厚みとが、実質的に同一であることが好適である。
【００１２】
また、本発明の配線回路基板では、前記回路付サスペンション基板の前記カバー絶縁層の厚みと、前記第１配線回路基板の前記第１カバー絶縁層との厚みとが、実質的に同一であることが好適である。
【００１３】
【発明の実施の形態】
図１は、本発明の配線回路基板の一実施形態としての中継フレキシブル配線回路の使用態様を示す断面図である。
【００１４】
図１において、中継フレキシブル配線回路基板１は、フレキシブル配線回路基板であって、ハードディスクドライブの磁気ヘッド２を搭載するロングテールタイプの回路付サスペンション基板３と、磁気ヘッド２を動作させるための外部回路としての制御回路基板４とを中継するための中継フレキシブル配線回路基板として用いられている。
【００１５】
磁気ヘッド２は、高速回転する磁気ディスク（図示せず。）と微小の隙間を隔てて、その隙間に生じる空気流に抗して良好な浮上姿勢が保持されるように、サスペンション基板３の先端部に支持されている。
【００１６】
回路付サスペンション基板３は、金属基板５、金属基板５の上に形成されるベース絶縁層６、ベース絶縁層６の上に形成される導体層７、および、導体層７の上に形成されるカバー絶縁層８を備えている。この回路付サスペンション基板３は、可撓性の金属基板５の上に、所定の配線回路パターンからなる導体層７が一体的に形成されており、その長手方向先端部には、磁気ヘッド２が接続される磁気ヘッド側端子部１２が形成されるとともに、その長手方向後端部には、中継フレキシブル配線回路基板１の第１配線回路基板１４が接続される第１配線回路基板側端子部１１が形成されている。
【００１７】
このような回路付サスペンション基板３は、例えば、図２に示す方法により製造することができる。
【００１８】
すなわち、図２において、この方法では、まず、図２（ａ）に示すように、金属基板５を用意する。金属基板５は、金属箔または金属薄板であって、例えば、ステンレス、銅、アルミニウム、銅−ベリリウム、りん青銅、４２アロイなどが用いられる。ばね性および耐食性を考慮すると、好ましくは、ステンレスが用いられる。また、金属基板５は、その厚さが、通常、１０〜５０μｍ、さらには、１８〜２５μｍ、その幅が、通常、１００〜５００ｍｍ、さらには、２５０〜３００ｍｍであることが好ましい。
【００１９】
次いで、図２（ｂ）に示すように、金属基板５の上に、ベース絶縁層６を所定パターンで形成する。ベース絶縁層６は、例えば、ポリイミド、ポリエーテルニトリル、ポリエーテルスルホン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリ塩化ビニルなどの合成樹脂が用いられ、好ましくは、感光性の合成樹脂が用いられる。
【００２０】
金属基板５の上にベース絶縁層６を所定パターンで形成するには、例えば、金属基板５の上に、ポリアミック酸樹脂溶液などの感光性樹脂溶液を塗布し、これを露光および現像した後、加熱硬化させればよい。
【００２１】
次いで、図２（ｃ）に示すように、ベース絶縁層６に、下地となる導体薄膜９を形成する。導体薄膜９の形成は、真空成膜法、とりわけ、スパッタリング法が好ましく用いられる。また、導体薄膜９となる導体は、クロムや銅などが好ましく用いられる。より具体的には、例えば、ベース絶縁層６の全体に、クロム薄膜と銅薄膜とをスパッタリング法によって、順次形成することが好ましい。なお、クロム薄膜の厚さが、５０〜１０００Å、銅薄膜の厚さが、２００〜３０００Åであることが好ましい。
【００２２】
そして、図２（ｄ）に示すように、導体薄膜９の上における導体層７が形成される部分と反転する部分に、めっきレジスト２５ａを形成する。めっきレジスト２５ａの形成は、例えば、ドライフィルムレジストを用いるなど、公知の方法が用いられる。
【００２３】
そして、図２（ｅ）に示すように、めっきレジスト２５ａから露出する導体薄膜９の上に、電解めっきにより、電解めっき層１０を形成する。電解めっき層１０の形成は、特に制限されないが、例えば、銅、ニッケル、金、はんだ、またはこれらの合金などの電解めっきが用いられ、電解銅めっきが好ましく用いられる。なお、電解めっき層１０の厚さは、通常、３〜３５μｍ、さらには、５〜１８μｍであることが好ましい。
【００２４】
その後、図２（ｆ）に示すように、めっきレジスト２５ａを、例えば、化学エッチング（ウェットエッチング）などの公知のエッチング法または剥離によって除去した後、図２（ｇ）に示すように、めっきレジスト２５ａが形成されていた導体薄膜９を、同じく、化学エッチング（ウェットエッチング）など公知のエッチング法により除去することにより、導体薄膜９および電解めっき層１０からなる導体層７を、セミアディティブ法により形成する。
【００２５】
なお、この導体層７は、例えば、磁気ヘッド２に対する書込用配線および読取用配線からなる所定の配線回路パターンとして形成される。
【００２６】
また、このようにして形成される導体層７は、必要により、無電解ニッケルめっきによって、ニッケルからなる無電解めっき層で被覆してもよい。
【００２７】
次いで、図２（ｈ）に示すように、導体層７を含むベース絶縁層６の上に、カバー絶縁層８を、磁気ヘッド側端子部１２および第１配線回路基板側端子部１１に対応する部分が開口される所定パターンで形成する。カバー絶縁層８は、ベース絶縁層６と同様に、例えば、ポリイミド、ポリエーテルニトリル、ポリエーテルスルホン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリ塩化ビニルなどの合成樹脂が用いられ、好ましくは、感光性の合成樹脂が用いられる。
【００２８】
導体層７を含むベース絶縁層６の上にカバー絶縁層８を所定パターンで形成するには、例えば、導体層７を含むベース絶縁層６の上に、ポリアミック酸樹脂溶液などの感光性樹脂溶液を塗布し、これを露光および現像した後、加熱硬化させればよい。これによって、磁気ヘッド側端子部１２に対応する部分および第１配線回路基板側端子部１１に対応する部分が開口される所定パターンのカバー絶縁層８が形成される。
【００２９】
その後、図２（ｉ）に示すように、金属基板５を所定の外形形状にエッチングする。金属基板５のエッチングは、化学エッチング（ウェットエッチング）など公知のエッチング法が用いられる。
【００３０】
そして、図２（ｊ）に示すように、磁気ヘッド側端子部１２に、例えば、めっきなどにより接続用パッド１３を形成して、また、第１配線回路基板側端子部１１に、例えば、はんだ印刷により接続用バンプ１３’を形成して、回路付サスペンション基板３を得る。
【００３１】
中継フレキシブル配線回路基板１は、図１に示すように、回路付サスペンション基板３と電気的に接続される第１配線回路基板１４と、第１配線回路基板１４と電気的に接続され、制御回路基板４と電気的に接続するための第２配線回路基板１５とを備えている。
【００３２】
第１配線回路基板１４は、第１金属基板１６、第１金属基板１６の上に形成される第１ベース絶縁層１７、第１ベース絶縁層１７の上に形成される第１導体層１８、および、第１導体層１８の上に形成される第１カバー絶縁層１９を備えており、その長手方向先端部には、回路付サスペンション基板３が接続されるサスペンション側端子部２０が形成され、その長手方向後端部には、第２配線回路基板１５が接続される第２配線回路基板側端子部２１が形成されるとともに、その長手方向途中には、プリアンプＩＣ２２が搭載されるＩＣ側端子部２３が形成されている。
【００３３】
このような第１配線回路基板１４は、例えば、図３に示す方法により製造することができる。
【００３４】
すなわち、図３において、この方法では、まず、図３（ａ）に示すように、第１金属基板１６を用意する。第１金属基板１６は、金属箔または金属薄板であって、例えば、ステンレス、銅、アルミニウム、銅−ベリリウム、りん青銅、４２アロイなどが用いられる。ばね性および耐食性を考慮すると、好ましくは、ステンレスが用いられる。また、第１金属基板１６は、その厚さが、通常、１０〜５０μｍ、さらには、１８〜２５μｍ、その幅が、通常、１００〜５００ｍｍ、さらには、２５０〜３００ｍｍであることが好ましい。
【００３５】
また、第１金属基板１６は、回路付サスペンション基板３の金属基板５と同一の金属で、実質的に同一の厚みおよび幅のものが、好ましく用いられる。回路付サスペンション基板３の金属基板５と同一の金属で、実質的に同一の厚みおよび幅のものを用いることにより、後述する接続点における特性インピーダンスの整合を、より確実に図ることができる。
【００３６】
次いで、図３（ｂ）に示すように、第１金属基板１６の上に、第１ベース絶縁層１７を、第２配線回路基板側端子部２１に対応する部分が開口される所定パターンで形成する。第１ベース絶縁層１７は、例えば、ポリイミド、ポリエーテルニトリル、ポリエーテルスルホン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリ塩化ビニルなどの合成樹脂が用いられ、好ましくは、感光性の合成樹脂が用いられる。
【００３７】
第１金属基板１６の上に第１ベース絶縁層１７を所定パターンで形成するには、例えば、第１金属基板１６の上に、ポリアミック酸樹脂溶液などの感光性樹脂溶液を塗布し、これを露光および現像した後、加熱硬化させればよい。これによって、第２配線回路基板側端子部２１に対応する部分が開口される所定パターンの第１ベース絶縁層１７が形成される。
【００３８】
また、この第１ベース絶縁層１７は、回路付サスペンション基板３のベース絶縁層６と同一の材料（合成樹脂）で、実質的に同一の厚みのものが、好ましく用いられる。回路付サスペンション基板３のベース絶縁層６と同一の材料（合成樹脂）で、実質的に同一の厚みのものを用いることにより、後述する接続点における特性インピーダンスの整合を、より確実に図ることができる。
【００３９】
次いで、図３（ｃ）に示すように、第１ベース絶縁層１７に、下地となる第１導体薄膜２４を形成する。第１導体薄膜２４の形成は、真空成膜法、とりわけ、スパッタリング法が好ましく用いられる。また、第１導体薄膜２４となる導体は、クロムや銅などが好ましく用いられる。より具体的には、例えば、第１ベース絶縁層１７の全体に、回路付サスペンション基板３と同様に、クロム薄膜と銅薄膜とをスパッタリング法によって、順次形成することが好ましい。なお、クロム薄膜の厚さが、５０〜１０００Å、銅薄膜の厚さが、２００〜３０００Åであることが好ましい。
【００４０】
そして、図３（ｄ）に示すように、第１導体薄膜２４の上における第１導体層１８が形成される部分と反転する部分に、第１めっきレジスト２５ｂを形成する。第１めっきレジスト２５ｂの形成は、例えば、ドライフィルムレジストを用いるなど、公知の方法が用いられる。
【００４１】
そして、図３（ｅ）に示すように、第１めっきレジスト２５ｂから露出する第１導体薄膜２４の上に、電解めっきにより、第１電解めっき層２６を形成する。第１電解めっき層２６の形成は、特に制限されないが、例えば、銅、ニッケル、金、はんだ、またはこれらの合金などの電解めっきが用いられ、電解銅めっきが好ましく用いられる。なお、第１電解めっき層２６の厚さは、通常、３〜３５μｍ、さらには、５〜１８μｍであることが好ましい。
【００４２】
その後、図３（ｆ）に示すように、第１めっきレジスト２５ｂを、例えば、化学エッチング（ウェットエッチング）などの公知のエッチング法または剥離によって除去した後、図３（ｇ）に示すように、第１めっきレジスト２５ｂが形成されていた第１導体薄膜２４を、同じく、化学エッチング（ウェットエッチング）など公知のエッチング法により除去することにより、第１導体薄膜２４および第１電解めっき層２６からなる第１導体層１８を、セミアディティブ法により形成する。
【００４３】
なお、この第１導体層１８は、例えば、回路付サスペンション基板３の導体層７に対応する書込用配線および読取用配線からなる所定の配線回路パターンとして形成される。
【００４４】
また、このようにして形成される第１導体層１８は、必要により、無電解ニッケルめっきによって、ニッケルからなる無電解めっき層で被覆してもよい。
【００４５】
また、この第１導体層１８は、回路付サスペンション基板３の導体層７と同一の金属で、実質的に同一の厚みおよび配線のものが、好ましく用いられる。回路付サスペンション基板３の導体層７と同一の金属で、実質的に同一の厚みおよび配線のものを用いることにより、後述する接続点における特性インピーダンスの整合を、より確実に図ることができる。
【００４６】
次いで、図３（ｈ）に示すように、第１導体層１８を含む第１ベース絶縁層１７の上に、第１カバー絶縁層１９を、サスペンション側端子部２０およびＩＣ側端子部２３に対応する部分が開口される所定パターンで形成する。第１カバー絶縁層１９は、第１ベース絶縁層１７と同様に、例えば、ポリイミド、ポリエーテルニトリル、ポリエーテルスルホン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリ塩化ビニルなどの合成樹脂が用いられ、好ましくは、感光性の合成樹脂が用いられる。
【００４７】
第１導体層１８を含む第１ベース絶縁層１７の上に第１カバー絶縁層１９を所定パターンで形成するには、例えば、第１導体層１８を含む第１ベース絶縁層１７の上に、ポリアミック酸樹脂溶液などの感光性樹脂溶液を塗布し、これを露光および現像した後、加熱硬化させればよい。これによって、サスペンション側端子部２０およびＩＣ側端子部２３に対応する部分が開口される所定パターンの第１カバー絶縁層１９が形成される。なお、この第１カバー絶縁層１９におけるサスペンション側端子部２０に対応する開口部から露出する第１導体層１８の部分がサスペンション側端子部２０とされ、また、この第１カバー絶縁層１９におけるＩＣ側端子部２３に対応する開口部から露出する第１導体層１８の部分がＩＣ側端子部２３とされる。
【００４８】
その後、図３（ｉ）に示すように、第１金属基板１６における第２配線回路基板側端子部２１に対応する部分を、エッチングする。第１金属基板１６のエッチングは、化学エッチング（ウェットエッチング）など公知のエッチング法が用いられる。これによって、この第１金属基板１６の開口部から露出する第１導体層１８の部分が第２配線回路基板側端子部２１とされる。なお、この第１金属基板１６の開口部は、後述するはんだバンプ３６よりも大きく開口形成される。
【００４９】
そして、図３（ｊ）に示すように、ＩＣ側端子部２３に、めっきなどにより接続用パッド４１を形成して、この接続用パッド４１を介して、ＩＣ側端子部２３に、プリアンプＩＣ２２を実装することにより、プリアンプＩＣ２２が搭載された第１配線回路基板１４を得る。
【００５０】
また、第２配線回路基板１５は、図１に示すように、第２ベース絶縁層２７、第２ベース絶縁層２７の上に形成される第２導体層２８、および、第２導体層２８の上に形成される第２カバー絶縁層２９を備えており、その長手方向先端部には、第１配線回路基板１４の第２配線回路基板側端子部２１が接続される第１配線回路基板側端子部３０が形成され、その長手方向後端部には、制御回路基板４が接続される制御回路基板側端子部３１が形成されている。また、この第２配線回路基板１５には、第２ベース絶縁層２７における第１配線回路基板側端子部３０および制御回路基板側端子部３１に対向する部分に、ボンディング時の強度を確保すべく、接着剤層３３を介して補強板３４が設けられている。
【００５１】
このような第２配線回路基板１５は、例えば、図４に示す方法により製造することができる。
【００５２】
すなわち、図４において、この方法では、まず、図４（ａ）に示すように、金属箔または金属薄板からなる第２導体層２８を用意する。この第２導体層２８としては、例えば、銅、ニッケル、金、はんだ、またはこれらの合金などの金属の金属箔または金属薄板が用いられる。好ましくは、銅箔が用いられる。また、第２導体層２８は、その厚さが、通常、５〜５０μｍ、さらには、９〜３５μｍであることが好ましい。
【００５３】
次いで、図４（ｂ）に示すように、第２導体層２８の上に、第２ベース絶縁層２７を所定パターンで形成する。第２ベース絶縁層２７は、例えば、ポリイミド、ポリエーテルニトリル、ポリエーテルスルホン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリ塩化ビニルなどの合成樹脂が用いられる。
【００５４】
第２導体層２８の上に第２ベース絶縁層２７を所定パターンで形成するには、例えば、予め所定パターンに形成したフィルム状の第２ベース絶縁層２７を、図示しない接着剤層を介して、第２導体層２８の上に貼着すればよい。また、例えば、第２導体層２８の上に、ポリアミック酸樹脂溶液などの感光性樹脂溶液を塗布し、これを露光および現像した後、加熱硬化させることにより、第２導体層２８の上に第２ベース絶縁層２７を直接形成してもよい。これによって、所定パターンの第２ベース絶縁層２７が形成される。
【００５５】
次いで、図４（ｃ）に示すように、第２導体層２８における所定の配線回路パターンとなる部分に、エッチングレジスト３２を形成する。エッチングレジスト３２の形成は、例えば、ドライフィルムレジストを用いるなど、公知の方法が用いられる。
【００５６】
そして、図４（ｄ）に示すように、エッチングレジスト３２から露出する第２導体層２８を、化学エッチング（ウェットエッチング）など公知のエッチング法によりエッチングした後、図４（ｅ）に示すように、エッチングレジスト３２を、例えば、化学エッチング（ウェットエッチング）などの公知のエッチング法または剥離によって除去することにより、サブトラクティブ法により、第２導体層２８を所定の配線回路パターンに形成する。
【００５７】
そして、図４（ｆ）に示すように、第２導体層２８を含む第２ベース絶縁層２７の上に、第２カバー絶縁層２９を、第１配線回路基板側端子部３０および制御回路基板側端子部３１に対応する部分が開口される所定パターンで形成する。第２カバー絶縁層２９は、第２ベース絶縁層２７と同様に、例えば、ポリイミド、ポリエーテルニトリル、ポリエーテルスルホン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリ塩化ビニルなどの合成樹脂が用いられる。
【００５８】
第２導体層２８を含む第２ベース絶縁層２７の上に第２カバー絶縁層２９を所定パターンで形成するには、例えば、予め所定パターンに形成したフィルム状の第２カバー絶縁層２９を、図示しない接着剤層を介して、第２導体層２８の上に貼着すればよい。また、例えば、第２導体層２８の上に、ポリアミック酸樹脂溶液などの感光性樹脂溶液を塗布し、これを露光および現像した後、加熱硬化させることにより、第２ベース絶縁層２７の上に第２カバー絶縁層２９を直接形成してもよい。これによって、第１配線回路基板側端子部３０および制御回路基板側端子部３１に対応する部分が開口される所定パターンの第２カバー絶縁層２９が形成される。なお、この第２カバー絶縁層２９における第１配線回路基板側端子部３０に対応する開口部から露出する第２導体層２８の部分が第１配線回路基板側端子部３０とされ、また、この第２カバー絶縁層２９における制御回路基板側端子部３１に対応する開口部から露出する第２導体層２８の部分が制御回路基板側端子部３１とされる。
【００５９】
その後、図４（ｇ）に示すように、第２ベース絶縁層２７における第１配線回路基板側端子部３０および制御回路基板側端子部３１に対向する部分に、接着剤層３３を介して補強板３４を貼着することにより、第２配線回路基板１５を得る。接着剤層３３は、例えば、エポキシ系接着剤から形成され、その厚みは、例えば、５〜３０μｍである。また、補強板３４は、アルミニウム箔、銅箔、ステンレス箔などの金属箔からなり、その厚みは、例えば、３０〜５００μｍである。
【００６０】
そして、中継フレキシブル配線回路基板１は、図１に示すように、この第２配線回路基板１５の第１配線回路基板側端子部３０と、第１配線回路基板１４の第２配線回路基板側端子部２１とが電気的に接続されることによって、形成されている。
【００６１】
第２配線回路基板１５の第１配線回路基板側端子部３０と、第１配線回路基板１４の第２配線回路基板側端子部２１とを電気的に接続するには、例えば、図５に示す方法が参照される。
【００６２】
すなわち、この方法では、まず、図５（ａ）に示すように、第２配線回路基板１５において、第２カバー絶縁層２９における第１配線回路基板側端子部３０に対応する開口部の周囲を含む第２配線回路基板１５の先端部に異方導電性接着シート３５’を貼着する。異方導電性接着シート３５’は、例えば、熱硬化性接着剤中に金属粒子を分散させたものから形成され、その厚みは、例えば、１０〜５０μｍである。
【００６３】
次いで、図５（ｂ）に示すように、異方導電性接着シート３５’に、第１配線回路基板１４の第１金属基板１６を、第２配線回路基板側端子部２１が第１配線回路基板側端子部３０と対向するように位置合わせした状態で、圧着させることにより、第１配線回路基板１４と第２配線回路基板１５と接合し、これによって、第２配線回路基板１５の第１配線回路基板側端子部３０と、第１配線回路基板１４の第２配線回路基板側端子部２１とが、異方導電性接着シート３５’を介して電気的に接続される中継フレキシブル配線回路基板１を得る。
【００６４】
そして、このようにして得られた中継フレキシブル配線回路基板１は、図１に示すように、例えば、回路付サスペンション基板３の第１配線回路基板側端子部１１と、第１配線回路基板１４のサスペンション基板側端子部２０とを、接続用バンプ１３’を介して電気的に接続するようにして、用いられる。なお、第２配線回路基板１５の制御基板側端子部３１には、めっきなどにより接続用パッド４２を形成して、その接続用パッド４２を介して、コネクタ４０を接続し、そのコネクタ４０を介して第２配線回路基板１５を制御回路基板４に電気的に接続する。また、回路付サスペンション基板３の磁気ヘッド側端子部１２には、接続用パッド１３を介して磁気ヘッド２を実装する。
【００６５】
そして、磁気ヘッド２に対する読取信号および書込信号は、回路付サスペンション基板３と制御回路基板４との間に介在される中継フレキシブル配線回路基板１において、第１配線回路基板１４のプリアンプＩＣ２２により増幅された状態で、第２配線回路基板１５から制御回路基板４に伝達される。
【００６６】
そして、このような中継フレキシブル配線回路基板１では、回路付サスペンション基板３の層構造が、金属基板５、ベース絶縁層６、導体層７およびカバー絶縁層８からなり、第１配線回路基板１４の層構造が、第１金属基板１６、第１ベース絶縁層１７、第１導体層１８および第１カバー絶縁層１９からなる、つまり、回路付サスペンション基板３の層構造と、第１配線回路基板１４の層構造とが実質的に同じであるため、回路付サスペンション基板３の第１配線回路基板側端子部１１と、第１配線回路基板１４のサスペンション基板側端子部２０との接続点において、両者の特性インピーダンスを整合させることができる。そのため、このような第１配線回路基板１４および第２配線回路基板１５を備える中継フレキシブル配線回路基板１では、回路付サスペンション基板３の配線や、中継フレキシブル配線回路基板１の配線をファインピッチで形成し、あるいは、高周波信号を伝達するようにしても、信号の伝達効率の向上を図ることができる。
【００６７】
また、この中継フレキシブル配線回路基板１では、第１配線回路基板１４の第１導体層１８が、回路付サスペンション基板３の導体層７と同様に、セミアディティブ法によって同様の配線回路パターンとして、同じ厚さで形成されているのため、より確実に特性インピーダンスの整合が図られている。
【００６８】
一方、この中継フレキシブル配線回路基板１では、第２配線回路基板１５の第２導体層２８が、サブトラクティブ法によって所定の配線回路パターンとして形成されているため、第２配線回路基板１５における第１配線回路基板側端子部３０と制御回路基板側端子部３１との間（すなわち、中継フレキシブル配線回路基板１の長手方向両端部に設けられる補強板３４の間）において、配線のクラックや断線を生じることなく、良好な屈曲性を確保することができる。
【００６９】
さらに、この中継フレキシブル配線回路基板１では、回路付サスペンション基板３の金属基板５の厚みと、第１配線回路基板１４の第１金属基板１６の厚みとが、実質的に同一であり、回路付サスペンション基板３のベース絶縁層６の厚みと、第１配線回路基板１４の第１ベース絶縁層１７の厚みとが、実質的に同一であり、また、回路付サスペンション基板３のカバー絶縁層８の厚みと、第１配線回路基板１４の第１カバー絶縁層１９の厚みとが、実質的に同一であるため、より確実な特性インピーダンスの整合が図られている。
【００７０】
また、このような中継フレキシブル配線回路基板１において、第１配線回路基板１４を、例えば、図６に示す方法により形成してもよい。
【００７１】
すなわち、図６において、この方法では、まず、図６（ａ）に示すように、上記と同様に、第１金属基板１６を用意し、次いで、図６（ｂ）に示すように、上記と同様に、第１金属基板１６の上に、第１ベース絶縁層１７を所定パターンで形成する。なお、図６に示す方法では、第１ベース絶縁層１７における第２配線回路基板側端子部２１に対応する部分に開口部を形成しなくてもよい。
【００７２】
次いで、図６（ｃ）に示すように、第１ベース絶縁層１７に、上記と同様に、下地となる第１導体薄膜２４を形成した後、図６（ｄ）に示すように、上記と同様に、第１導体薄膜２４の上における第１導体層１８が形成される部分と反転する部分に、第１めっきレジスト２５ｂを形成し、その後、図６（ｅ）に示すように、上記と同様に、第１めっきレジスト２５ｂから露出する第１導体薄膜２４の上に、電解めっきにより、第１電解めっき層２６を形成する。そして、図６（ｆ）に示すように、上記と同様に、第１めっきレジスト２５ｂを、例えば、化学エッチング（ウェットエッチング）などの公知のエッチング法または剥離によって除去した後、図６（ｇ）に示すように、第１めっきレジスト２５ｂが形成されていた第１導体薄膜２４を、同じく、化学エッチング（ウェットエッチング）など公知のエッチング法により除去し、これによって、第１導体薄膜２４および第１電解めっき層２６からなる第１導体層１８を、セミアディティブ法により形成する。
【００７３】
次いで、図６（ｈ）に示すように、上記と同様に、第１導体層１８を含む第１ベース絶縁層１７の上に、第１カバー絶縁層１９を、サスペンション側端子部２０およびＩＣ側端子部２３に対応する部分が開口される所定パターンで形成した後、図６（ｉ）に示すように、第２配線回路基板側端子部２１に対応する部分において、第１カバー絶縁層１９、第１導体層１８、第１ベース絶縁層１７および第１金属基板１６を貫通する貫通孔３８を形成する。貫通孔３８は、その孔径が、例えば、０．２〜０．５ｍｍφであり、例えば、ドリル穿孔、パンチング加工、エッチングなど公知の方法により形成することができる。
【００７４】
なお、貫通孔３８は、図６（ｉ）に示すように、カバー絶縁層１９に、予め貫通孔３８よりも大径の開口部をパターンとして形成しておき、第１導体層１８、第１ベース絶縁層１７および第１金属基板１６を、上記の方法によって貫通するようにして形成することが好ましい。
【００７５】
その後、図６（ｊ）に示すように、ＩＣ側端子部２３に、めっきなどにより接続用パッド４１を形成して、この接続用パッド４１を介して、ＩＣ側端子部２３に、プリアンプＩＣ２２を実装することにより、プリアンプＩＣ２２が搭載された第１配線回路基板１４を得る。
【００７６】
そして、このようにして形成された第１配線回路基板１４は、例えば、図７に示すような方法によって、第２配線回路基板１５と接合することにより、中継フレキシブル配線回路基板１が形成される。
【００７７】
すなわち、図７において、この方法では、図７（ａ）に示すように、上記と同様に、まず、第２配線回路基板１５において、第２カバー絶縁層２９における第１配線回路基板側端子部３０に対応する開口部の周囲を含む第２配線回路基板１５の先端部に、第２カバー絶縁層２９の開口部に対応する開口部が形成されている接着シート３５を貼着する。
【００７８】
次いで、図７（ｂ）に示すように、その接着シート３５に、第１配線回路基板１４の第１金属基板１６を、第２配線回路基板側端子部２１の貫通孔３８が第１配線回路基板側端子部３０と対向するように位置合わせした状態で、圧着させることにより、第１配線回路基板１４と第２配線回路基板１５と接合する。
【００７９】
その後、図７（ｃ）に示すように、貫通孔３８に、クリームはんだを充填してリフローし、はんだ接続部３９を形成することにより、第２配線回路基板１５の第１配線回路基板側端子部３０と、第１配線回路基板１４の第２配線回路基板側端子部２１とが、はんだ接続部３９を介して電気的に接続される中継フレキシブル配線回路基板１を得る。
【００８０】
このようにして得られた中継フレキシブル配線回路基板１によっても、回路付サスペンション基板３の層構造と、第１配線回路基板１４の層構造とが実質的に同じであるため、回路付サスペンション基板３の第１配線回路基板側端子部１１と、第１配線回路基板１４のサスペンション基板側端子部２０との接続点において、両者の特性インピーダンスを整合させることができる。そのため、このような第１配線回路基板１４および第２配線回路基板１５を備える中継フレキシブル配線回路基板１では、回路付サスペンション基板３の配線や、中継フレキシブル配線回路基板１の配線をファインピッチで形成し、あるいは、高周波信号を伝達するようにしても、信号の伝達効率の向上を図ることができる。
【００８１】
【実施例】
以下に実施例および比較例を示し、本発明をさらに具体的に説明するが、本発明は、何ら実施例および比較例に限定されることはない。
【００８２】
実施例１
第１配線回路基板の作製
厚さ２５μｍのステンレス箔からなる第１金属基板を用意し（図３（ａ）参照）、その第１金属基板の上に、ポリアミック酸樹脂溶液を塗布し、これを露光および現像した後、加熱硬化することにより、第２配線回路基板側端子部に対応する部分が開口される所定パターンの、厚さ１０μｍのポリイミドからなる第１ベース絶縁層を形成した（図３（ｂ）参照）。
【００８３】
次いで、第１ベース絶縁層の全体に、厚さ３００Åのクロム薄膜と厚さ８００Åの銅薄膜とをスパッタリング法によって、順次形成することにより、下地となる第１導体薄膜を形成した後（図３（ｃ）参照）、第１導体薄膜の上における第１導体層が形成される部分と反転する部分に、第１めっきレジストを形成し（図３（ｄ）参照）、第１めっきレジストから露出する第１導体薄膜の上に、電解銅めっきにより、厚さ１０μｍの銅からなる第１電解めっき層を形成した（図３（ｅ）参照）。その後、第１めっきレジストを化学エッチングによって除去した後（図３（ｆ）参照）、第１めっきレジストが形成されていた第１導体薄膜を化学エッチングにより除去することにより（図３（ｇ）参照）、第１導体薄膜および第１電解めっき層からなる第１導体層を、セミアディティブ法により形成した。
【００８４】
次いで、第１導体層を含む第１ベース絶縁層の上に、ポリアミック酸樹脂溶液を塗布し、これを露光および現像した後、加熱硬化することにより、サスペンション側端子部およびＩＣ側端子部に対応する部分が開口される所定パターンの、厚さ３μｍのポリイミドからなる第１カバー絶縁層を形成した（図３（ｈ）参照）。
【００８５】
その後、第１金属基板における第２配線回路基板側端子部に対応する部分を、化学エッチングした後（図３（ｉ）参照）、ＩＣ側端子部に、接続用パッドを介して、プリアンプＩＣを実装することにより、プリアンプＩＣが搭載された第１配線回路基板を得た（図３（ｊ）参照）。
【００８６】
第２配線回路基板の作製
圧延銅箔からなる厚さ１８μｍの第２導体層を用意し（図４（ａ）参照）、これに、厚さ２５μｍのポリイミドフィルムからなる第２ベース絶縁層を、厚さ１５μｍのエポキシ系接着剤層を介して貼着した（図４（ｂ）参照）。その後、第２導体層における所定の配線回路パターンとなる部分に、ドライフィルムレジストからなるエッチングレジストを形成し（図４（ｃ）参照）、その後、エッチングレジストから露出する第２導体層を、化学エッチングによりエッチングした後（図４（ｄ）参照）、エッチングレジストを、化学エッチングによって除去することにより、サブトラクティブ法により、第２導体層を所定の配線回路パターンに形成した（図４（ｅ）参照）。
【００８７】
そして、第１配線回路基板側端子部および制御回路基板側端子部に対応する部分が予め開口されている所定パターンの、厚さ２５μｍのポリイミドフィルムからなる第２カバー絶縁層を、厚さ１５μｍのエポキシ系接着剤層を介して貼着した（図４（ｆ）参照）。
【００８８】
その後、第２ベース絶縁層における第１配線回路基板側端子部および制御回路基板側端子部に対向する部分に、厚さ２５μｍのエポキシ系接着剤層を介して、厚さ１００μｍのアルミニウムからなる補強板をそれぞれ貼着することにより、第２配線回路基板を得た（図４（ｇ）参照）。
【００８９】
中継フレキシブル配線回路基板の作製
上記で得られた第２配線基板において、第２カバー絶縁層における第１配線回路基板側端子部に対応する開口部の周囲を含む第２配線回路基板の先端部に、厚さ４０μｍの異方導電性接着シートを貼着し（図５（ａ）参照）、次いで、異方導電性接着シートに、第１配線回路基板の第１金属基板を、第２配線回路基板側端子部が第１配線回路基板側端子部と対向するように位置合わせした状態で、圧着させることにより、中継フレキシブル配線回路基板を得た（図５（ｂ）参照）。
【００９０】
実施例２
１）第１配線回路基板の作製
厚さ２５μｍのステンレス箔からなる第１金属基板を用意し（図６（ａ）参照）、その第１金属基板の上に、ポリアミック酸樹脂溶液を塗布し、これを露光および現像した後、加熱硬化することにより、所定パターンの、厚さ１０μｍのポリイミドからなる第１ベース絶縁層を形成した（図６（ｂ）参照）。
【００９１】
次いで、第１ベース絶縁層の全体に、厚さ３００Åのクロム薄膜と厚さ８００Åの銅薄膜とをスパッタリング法によって、順次形成することにより、下地となる第１導体薄膜を形成した後（図６（ｃ）参照）、第１導体薄膜の上における第１導体層が形成される部分と反転する部分に、第１めっきレジストを形成し（図６（ｄ）参照）、第１めっきレジストから露出する第１導体薄膜の上に、電解銅めっきにより、厚さ１０μｍの銅からなる第１電解めっき層を形成した（図６（ｅ）参照）。その後、第１めっきレジストを化学エッチングによって除去した後（図６（ｆ）参照）、第１めっきレジストが形成されていた第１導体薄膜を化学エッチングにより除去することにより（図６（ｇ）参照）、第１導体薄膜および第１電解めっき層からなる第１導体層を、セミアディティブ法により形成した。
【００９２】
次いで、第１導体層を含む第１ベース絶縁層の上に、ポリアミック酸樹脂溶液を塗布し、これを露光および現像した後、加熱硬化することにより、サスペンション側端子部およびＩＣ側端子部に対応する部分が開口される所定パターンの、厚さ３μｍのポリイミドからなる第１カバー絶縁層を形成した（図６（ｈ）参照）。
【００９３】
その後、第２配線回路基板側端子部に対応する部分において、第１カバー絶縁層、第１導体層、第１ベース絶縁層および第１金属基板を貫通する０．５ｍｍφの貫通孔を形成し（図６（ｉ）参照）、ＩＣ側端子部に、接続用パッドを介して、プリアンプＩＣを実装することにより、プリアンプＩＣが搭載された第１配線回路基板を得た（図６（ｊ）参照）。
【００９４】
２）第２配線回路基板の作製
実施例１と同様の方法によって、第２配線回路基板を作製した。
【００９５】
３）中継フレキシブル配線回路基板の作製
上記で得られた第２配線回路基板において、第２カバー絶縁層における第１配線回路基板側端子部に対応する開口部の周囲を含む第２配線回路基板の先端部に、第２カバー絶縁層の開口部に対応する開口部が形成されている厚さ２５μｍのアクリル系接着剤からなる接着シートを貼着し（図７（ａ）参照）、その接着シートに、第１配線回路基板の第１金属基板を、第２配線回路基板側端子部の貫通孔が第１配線回路基板側端子部と対向するように位置合わせした状態で、圧着させることにより、第１配線回路基板と第２配線回路基板と接合した（図７（ｂ）参照）。
【００９６】
その後、貫通孔に、クリームはんだを充填してリフローし、はんだ接続部を形成することにより、第２配線回路基板の第１配線回路基板側端子部と、第１配線回路基板の第２配線回路基板側端子部とが、はんだ接続部を介して電気的に接続される中継フレキシブル配線回路を得た。
【００９７】
比較例１
実施例１において、第１配線回路基板を接続しない第２配線回路基板のみのもの（但し、プリアンプＩＣを搭載し、第１配線回路基板側端子部をサスペンション基板側端子部としたもの。これは従来公知のものでよい。）を比較例の中継フレキシブル配線回路として用意した。
【００９８】
評価
１）回路付サスペンション基板の作製
厚さ２５μｍのステンレス箔からなる金属基板を用意し（図２（ａ）参照）、その金属基板の上に、ポリアミック酸樹脂溶液を塗布し、これを露光および現像した後、加熱硬化することにより、第１配線回路基板側端子部に対応する部分が開口される所定パターンの、厚さ１０μｍのポリイミドからなるベース絶縁層を形成した（図２（ｂ）参照）。
【００９９】
次いで、ベース絶縁層の全体に、厚さ３００Åのクロム薄膜と厚さ８００Åの銅薄膜とをスパッタリング法によって、順次形成することにより、下地となる導体薄膜を形成した後（図２（ｃ）参照）、導体薄膜の上における導体層が形成される部分と反転する部分に、めっきレジストを形成し（図２（ｄ）参照）、めっきレジストから露出する導体薄膜の上に、電解銅めっきにより、厚さ１０μｍの銅からなる電解めっき層を形成した（図２（ｅ）参照）。その後、めっきレジストを化学エッチングによって除去した後（図２（ｆ）参照）、めっきレジストが形成されていた導体薄膜を化学エッチングにより除去することにより（図２（ｇ）参照）、導体薄膜および電解めっき層からなる導体層を、セミアディティブ法により形成した。
【０１００】
次いで、導体層を含むベース絶縁層の上に、ポリアミック酸樹脂溶液を塗布し、これを露光および現像した後、加熱硬化することにより、磁気ヘッド側端子部に対応する部分が開口される所定パターンの、厚さ３μｍのポリイミドからなるカバー絶縁層を形成した（図２（ｈ）参照）。
【０１０１】
その後、金属基板における第１配線回路基板側端子部に対応する部分を、化学エッチングした後（図２（ｉ）参照）、磁気ヘッド側端子部に、接続用パッドを介して、磁気ヘッドを実装することにより、磁気ヘッドが搭載された回路付サスペンション基板を得た（図２（ｊ）参照）。
【０１０２】
２）特性インピーダンスの測定
各実施例および比較例の中継フレキシブル配線回路基板において、サスペンション基板側端子部に、はんだバンプを形成し、そのはんだバンプを介して、各実施例および比較例の中継フレキシブル配線回路基板を、上記により得られた回路付サスペンション基板と、それぞれ電気的に接続した。そして、その接続点と磁気ヘッド間およびプリアンプＩＣとその接続点間の特性インピーダンスをそれぞれ、タイム・ドメイン・リフレクトメトリ（ＴＤＲ）法によって測定した。その結果を下記に示す。
【０１０３】
2004363331.tif 000003
上記のように、実施例では、両者の特性インピーダンスが同じで整合されたが、比較例では、両者に差があり不整合であった。
【０１０４】
【発明の効果】
以上述べたように、本発明の配線回路基板によれば、第１配線回路基板の層構造が、回路付サスペンション基板の層構造と実質的に同じであるため、回路付サスペンション基板と、第１配線回路基板との接続点において、両者の特性インピーダンスを整合させることができる。そのため、このような第１配線回路基板および第２配線回路基板を備える配線回路基板では、回路付サスペンション基板の配線や、配線回路基板の配線をファインピッチで形成し、あるいは、高周波信号を伝達するようにしても、信号の伝達効率の向上を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の配線回路基板の一実施形態としての中継フレキシブル配線回路の使用態様を示す断面図である。
【図２】図１に示す中継フレキシブル配線回路が接続される回路付サスペンション基板の製造方法を示す一実施形態の工程図であって、
（ａ）は、金属基板を用意する工程、
（ｂ）は、金属基板の上に、ベース絶縁層を所定パターンで形成する工程、
（ｃ）は、ベース絶縁層に、下地となる導体薄膜を形成する工程、
（ｄ）は、導体薄膜の上における導体層が形成される部分と反転する部分に、めっきレジストを形成する工程、
（ｅ）は、めっきレジストから露出する導体薄膜の上に、電解めっきにより、電解めっき層を形成する工程、
（ｆ）は、めっきレジストを除去する工程、
（ｇ）は、めっきレジストが形成されていた導体薄膜を除去する工程、
（ｈ）は、導体層を含むベース絶縁層の上に、カバー絶縁層を、磁気ヘッド側端子部および第１配線回路基板側端子部に対応する部分が開口される所定パターンで形成する工程、
（ｉ）は、金属基板を所定の外形形状にエッチングする工程、
（ｊ）は、磁気ヘッド側端子部に接続用パッド部を形成し、第１配線回路基板側端子部に接続用バンプを形成する工程
を示す。
【図３】図１に示す中継フレキシブル配線回路の第１配線回路基板の製造方法を示す一実施形態の工程図であって、
（ａ）は、第１金属基板を用意する工程、
（ｂ）は、第１金属基板の上に、第１ベース絶縁層を、第２配線回路基板側端子部に対応する部分が開口される所定パターンで形成する工程、
（ｃ）は、第１ベース絶縁層に、下地となる第１導体薄膜を形成する工程、
（ｄ）は、第１導体薄膜の上における第１導体層が形成される部分と反転する部分に、第１めっきレジストを形成する工程、
（ｅ）は、第１めっきレジストから露出する第１導体薄膜の上に、電解めっきにより、第１電解めっき層を形成する工程、
（ｆ）は、第１めっきレジストを除去する工程、
（ｇ）は、第１めっきレジストが形成されていた第１導体薄膜を除去する工程、（ｈ）は、第１導体層を含む第１ベース絶縁層の上に、第１カバー絶縁層を、サスペンション側端子部およびＩＣ側端子部に対応する部分が開口される所定パターンで形成する工程、
（ｉ）は、第１金属基板における第２配線回路基板側端子部に対応する部分を、エッチングする工程、
（ｊ）ＩＣ側端子部にプリアンプＩＣを実装する工程
を示す。
【図４】図１に示す中継フレキシブル配線回路の第２配線回路基板の製造方法を示す一実施形態の工程図であって、
（ａ）は、第２導体層を用意する工程、
（ｂ）は、第２導体層の上に第２ベース絶縁層を形成する工程、
（ｃ）は、第２導体層における所定の配線回路パターンとなる部分に、エッチングレジストを形成する工程、
（ｄ）は、エッチングレジストから露出する第２導体層をエッチングする工程、（ｅ）は、エッチングレジストを除去する工程、
（ｆ）は、第２導体層を含む第２ベース絶縁層の上に、第２カバー絶縁層を、第１配線回路基板側端子部および制御回路基板側端子部に対応する部分が開口される所定パターンで形成する工程、
（ｇ）は、第２ベース絶縁層における第１配線回路基板側端子部および制御回路基板側端子部に対向する部分に、接着剤層を介して補強板を貼着する工程
を示す。
【図５】図３に示す第１配線回路基板と図４に示す第２配線回路基板とを接合することにより、中継フレキシブル配線回路基板を製造する方法の一実施形態を示す工程図であって、
（ａ）は、第２配線回路基板において、第２カバー絶縁層における第１配線回路基板側端子部に対応する開口部の周囲を含む第２配線回路基板の先端部に、異方導電性接着シートを貼着する工程、
（ｂ）は、異方導電性接着シートに、第１配線回路基板の第１金属基板を圧着させる工程
を示す。
【図６】図１に示す中継フレキシブル配線回路の第１配線回路基板の製造方法を示す他の実施形態（貫通孔を形成する態様）の工程図であって、
（ａ）は、第１金属基板を用意する工程、
（ｂ）は、第１金属基板の上に、第１ベース絶縁層を形成する工程、
（ｃ）は、第１ベース絶縁層に、下地となる第１導体薄膜を形成する工程、
（ｄ）は、第１導体薄膜の上における第１導体層が形成される部分と反転する部分に、第１めっきレジストを形成する工程、
（ｅ）は、第１めっきレジストから露出する第１導体薄膜の上に、電解めっきにより、第１電解めっき層を形成する工程、
（ｆ）は、第１めっきレジストを除去する工程、
（ｇ）は、第１めっきレジストが形成されていた第１導体薄膜を除去する工程、（ｈ）は、第１導体層を含む第１ベース絶縁層の上に、第１カバー絶縁層を、サスペンション側端子部およびＩＣ側端子部に対応する部分が開口される所定パターンで形成する工程、
（ｉ）は、第２配線回路基板側端子部に対応する部分において、貫通孔を形成する工程、
（ｊ）は、ＩＣ側端子部に、プリアンプＩＣを実装する工程
を示す。
【図７】図６に示す第１配線回路基板と図４に示す第２配線回路基板とを接合することにより、中継フレキシブル配線回路基板を製造する方法の一実施形態を示す工程図であって、
（ａ）は、第２配線回路基板において、第２カバー絶縁層における第１配線回路基板側端子部に対応する開口部の周囲を含む第２配線回路基板の先端部に、接着シートを貼着する工程、
（ｂ）は、接着シートに、第１配線回路基板の第１金属基板を圧着させる工程、（ｃ）は、貫通孔に、はんだ接続部を形成して、第２配線回路基板の第１配線回路基板側端子部と、第１配線回路基板の第２配線回路基板側端子部とを、はんだ接続部を介して電気的に接続する工程
を示す。
【符号の説明】
１      中継フレキシブル配線回路基板
３      回路付サスペンション基板
４      制御回路基板
５      金属基板
６      ベース絶縁層
７      導体層
８      カバー絶縁層
１４    第１配線回路基板
１５    第２配線回路基板
１６    第１金属基板
１７    第１ベース絶縁層
１８    第１導体層
１９    第１カバー絶縁層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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