(57)【要約】【課題】高価な画像処理システムを使用することなく簡単な装置構成で二つの電子部品の相対位置を保持した状態で実装可能なダイボンディング装置を提供する。【解決手段】レーザ光を被対象物に集光させる対物レンズ、ミラー及びレンズからなる光学系と、レーザ光を照射する半導体レーザチップ１及びレーザ光を受光するフォトディテクタチップ２を実装させるベース３とを備えた光学ピックアップ装置において、前記ベース３に、半導体レーザチップ１及びフォトディテクタチップ２をそれぞれ実装させるチップ実装面１０ａ、１０ｂと、各チップ実装面１０ａ、１０ｂの近傍部に予め前記半導体レーザチップ１及びフォトディテクタチップ２の相対位置を出した突き当て突起部１１、１２とを設け、これら半導体レーザチップ１とフォトディテクタチップ２をそれぞれの突き当て突起部１１、１２に突き当ててなる。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも二つの電子部品をそれぞれの位置に実装させる実装面と、各実装面の近傍部に予め二つの電子部品の相対位置を出した突き当て突起部とを有した被取付部に対し、前記各実装面に前記電子部品を固定させるボンディング用ペーストを塗布する工程と、
前記各電子部品をそれぞれの実装面に載置する工程と、
前記各電子部品をそれぞれの前記突き当て突起部に突き当てて、これら二つの電子部品の相対位置の位置出しを行う工程と、
前記ボンディング用ペーストをキュアする工程とを備えた
ことを特徴とする電子部品のダイボンディング方法。
【請求項２】
請求項１記載の電子部品のダイボンディング方法であって、
前記二つの電子部品がレーザ光を照射するレーザ発光素子及びレーザ光を受光する受光素子であり、前記被取付部をリードフレームが設けられた光学ピックアップのベースとした
ことを特徴とする電子部品のダイボンディング方法。
【請求項３】
レーザ光を被対象物に集光させる対物レンズ、ミラー及びレンズからなる光学系と、レーザ光を照射するレーザ発光素子及びレーザ光を受光する受光素子を実装させるベースとを備えた光学ピックアップ装置において、
前記ベースに、前記レーザ発光素子及び受光素子をそれぞれ実装させる実装面と、各実装面の近傍部に予め前記レーザ発光素子及び受光素子の相対位置を出した突き当て突起部とを設け、これらレーザ発光素子と受光素子をそれぞれの突き当て突起部に突き当ててなる
ことを特徴とする光学ピックアップ装置。
【請求項４】
請求項３記載の光学ピックアップ装置であって、
前記突き当て突起部は、少なくとレーザ発光素子及び受光素子の一つの角部を挟む２つの側面とそれぞれ面接触する突き当て面を有した
ことを特徴とする光学ピックアップ装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば電子部品のダイボンディング方法及び光学ピックアップ装置に関する。詳しくは、画像処理等を用いた高度な調整をすることなく、二つの電子部品の位置関係を高精度に保って簡単な方法で実装可能とする実装技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】
例えば、光学ピックアップ装置を製造するに際しては、半導体レーザチップとフォトディテクタチップの相対位置関係が非常に重要であり、これらの相対位置を高精度に位置決めしてベースにダイボンディングする高度な実装技術が要求される。
【０００３】
図５は従来のダイボンディング方法の一例を示すフローチャートであり、図６はそのダイボンディング方法で使用されるダイボンディング装置の一例を示す装置構成図である。
【０００４】
ダイボンディング装置は、図６に示すように、ベースに実装する前に半導体チップの位置調整を行うアライメント側の第１実装機１０１と、位置調整された半導体チップをベースに実装するマウント側の第２実装機１０２と、アライメント側とマウント側との間を移動し且つ上下方向に移動自在なバキュームヘッド１０３とから構成される。
【０００５】
第１実装機１０１は、Ｘ方向及びＹ方向に移動自在で且つ面内方向（水平方向）に回転自在なＸＹθステージ１０４と、このＸＹθステージ１０４上に配置されたチップセット部１０５と、このチップセット部１０５上に載置された半導体レーザチップ又はフォトディテクタチップである半導体チップ１０６の載置状態を撮影する第１ＣＣＤカメラ１０７とから構成される。
【０００６】
第２実装機１０２もほぼ同様の構成であり、Ｘ方向及びＹ方向に移動自在で且つ面内方向に回転自在なＸＹθステージ１０８と、このＸＹθステージ１０８上に配置されたベース１０９と、このベース１０９のチップ実装面に塗布された銀ペースト１１０上に置かれた半導体チップ１０６の載置状態を撮影する第２ＣＣＤカメラ１１１とから構成される。
【０００７】
バキュームヘッド１０３は、アライメント側の第１実装機１０１とマウント側の第２実装機１０２との間を移動し且つ上下方向に昇降動自在とされている。かかるバキュームヘッド１０３は、真空吸着によって半導体チップ１０６をその先端面に吸引保持し、該半導体チップ１０６をチップセット部１０５の載置面に置くと共に、位置決めされた半導体チップ１０６を再び吸着させてマウント側に移送（移載）させ、該半導体チップ１０６をベース１０９のチップ実装面に載置させる。そして、このバキュームヘッド１０３は、半導体チップ１０６の位置合わせが終了したら、ベース１０９毎吸引してキュア工程に移送させるように動作する。
【０００８】
前記したダイボンディング装置を用いて半導体レーザチップとフォトディテクタチップを同一のベース１０９上に所定の相対位置として実装するには、図５のフローチャートに示すように、先ずステップＳ１の工程で、第２実装機１０２のＸＹθステージ１０８上にベース１０９をセットする。次に、ステップＳ２の工程で、ベース１０９をＸＹθステージ１０８によって所定状態となるように位置出しを行う。
【０００９】
次に、ステップＳ３の工程で、半導体チップ１０６を実装させるベース１０９のチップ実装面上に銀ペースト１１０を塗布する。続いて、ステップＳ４の工程で、第１実装機１０１のチップセット部１０５上に例えば半導体レーザチップ（図５ではチップ１と表記してある）である半導体チップ１０６を載せる。そして、次のステップＳ５の工程では、第１ＣＣＤカメラ１０７によって半導体チップ１０６の前記チップセット部１０５に対する実装位置を撮影し、その実装位置をモニターで確認しながら当該半導体チップ１０６が所定の状態となるようにＸＹθステージ１０４を使用して位置出しを行う。
【００１０】
次に、ステップＳ６の工程では、位置出しが終了した半導体チップ１０６をバキュームヘッド１０３で吸引保持させる。そして、次のステップＳ７の工程では、バキュームヘッド１０３に吸引保持した半導体チップ１０６をマウント側まで移送させた後、第２ＣＣＤカメラ１１１により半導体チップ１０６のチップ実装面に対する実装位置を撮影してその実装位置をモニターで確認しながら当該半導体チップ１０６が所定の状態となるようにＸＹθステージ１０８を使用して位置出を行う。
【００１１】
次に、ステップＳ８の工程では、バキュームヘッド１０３によってＸＹθステージ１０８からベース１０９毎吸引させて、このベース１０９をキュア工程へと移送させる。そして、ステップＳ９の工程で、取り出したベース１０９の銀ペースト１１０を熱処理して半導体チップ１０６をベース１０９のチップ実装面に固定させる。
【００１２】
次に、ステップＳ１０の工程において、半導体レーザチップを実装させたベー１０９を再び第２実装機１０２のＸＹθステージ１０８上にセットする。そして、次のステップＳ１１の工程では、前記ベース１０９に実装させた半導体チップ１０６を基準として、当該ベース１０９をＸＹθステージ１０８により所定状態となるように位置出しを行う。
【００１３】
次に、ステップＳ１２の工程で、半導体チップ１０６を実装させるベース１０９のチップ実装面上に銀ペースト１１０を塗布する。続いて、ステップＳ１３の工程で、チップセット部１０５上にフォトディテクタチップ（図５ではチップ２と表記してある）である半導体チップ１０６を載せる。そして、次のステップＳ１４の工程では、第１ＣＣＤカメラ１０７によって半導体チップ１０６の前記チップセット部１０５に対する実装位置を撮影し、その実装位置をモニターで確認しながら当該半導体チップ１０６が所定の状態となるようにＸＹθステージ１０４を使用して位置出しを行う。
【００１４】
次に、ステップＳ１５の工程では、位置出しが終了した半導体チップ１０６をバキュームヘッド１０３で吸引保持させる。そして、次のステップＳ１６の工程では、バキュームヘッド１０３に吸引保持した半導体チップ１０６をマウント側まで移送させた後、第２ＣＣＤカメラ１１１により半導体チップ１０６のチップ実装面に対する実装位置を撮影してその実装位置をモニターで確認しながら先に実装した半導体チップ１０６に対して所定の相対的位置となるように前記半導体チップ１０６をＸＹθステージ１０８によって位置出しする。
【００１５】
次に、ステップＳ１７の工程では、バキュームヘッド１０３によってＸＹθステージ１０８からベース１０９毎吸引させて、このベース１０９をキュア工程へ移送させる。そして、ステップＳ１８の工程で、取り出したベース１０９上の銀ペースト１１０を熱処理して半導体チップ１０６をベース１０９のチップ実装面に固定させる。これで、半導体レーザチップとフォトディテクタチップの二つの半導体チップ１０６のベース１０９に対するダイボンディングが終了する。
【００１６】
この他、光学ピックアップ装置を構成する半導体チップ部品を実装する技術ではないが、レーザダイオードを銅マウント材（ヒートシンク）に実装するに際して、２台のＣＣＤカメラによりレーザダイオードと銅マウント材のエッジをそれぞれ撮影しながら、これらレーザダイオードと銅マウント材の相対的な位置ずれを検出し、これらを載置する回転テーブルを回転させることによって、その検出した位置ずれを補正する実装技術も知られている（例えば、特許文献１など参照）。
【００１７】
しかしながら、半導体チップ１０６をチップ実装面に実装するに際してＣＣＤカメラを使用して画像表示させながら行う手法では、高価な画像処理システムや高精度位置決め機構や高精度移送機構を必要とする複雑で高価なダイボンディング装置となってしまう。また、そのダイボンディング装置の運営、維持、管理も面倒である。
【００１８】
特に、図５のフローチャートで示す各工程にて半導体チップ１０６を実装する場合は、半導体レーザチップとフォトディテクタチップのダイボンディング工程が分かれているため、それぞれのダイボンディング工程の後に銀ペースト１１０などの接着剤を恒温槽にて硬化させる必要があり、リードタイムが長くなり、また、それぞれの工程が増えるので作業時間が長くなるという課題がある。
【００１９】
そこで、さらに従来の実装技術として、例えばウエハチップをリードフレームに実装するに際して、ウエハチップをリードフレームに実装する前工程で、ウエハチップが移送されるステージ上に、四角形状の開口部を形成した位置ずれ補正爪を前後左右に移動自在に設け、前記ステージに形成した吸引孔よりバキュームしてウエハチップをこのステージに保持させた後、位置ずれ補正爪を動かして前記ウエハチップの角部に前記開口部の角部を突き合わせ、ステージ上に載置されたウエハチップのセンターと目標位置のウエハチップのセンターが一致するまで前記位置ずれ補正爪を動かして位置合わせを行う技術が知られている。
【００２０】
この方法によれば、高価な画像処理システムや高精度位置決め機構や高精度移送機構も不要であり、比較的簡単な装置構成でウエハチップの位置決めを行うことが可能となる。
【００２１】
【特許文献１】
特開２００１−２４００７号公報（第４頁及び第５頁、図１及び図３）
【特許文献２】
特開平１１−３３０７９６号公報（第３頁及び第４頁、図１、図３及び図６）
【００２２】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、前記した位置ずれ補正爪を利用した実装技術では、位置決めしたウエハチップを次工程に運んで、リードフレーム上に再び実装させる必要があることから移送時にウエハチップの位置が多少ずれる虞れがある。また、この実装技術では、ウエハチップを直接リードフレーム上に実装するものではないので、実装工程が多くなり、リードタイムも長くなってしまう。
【００２３】
そこで、本発明は、このような課題に鑑みてなされたものであり、高価な画像処理システムを使用することなく簡単な装置構成で二つの電子部品の相対位置を高精度に保持した状態で実装可能とし、さらには、電子部品実装後のキュア工程を１回で行うことができ、リードタイムの短縮を図ることのできる電子部品のダイボンディング方法及び、その方法により製造される光学ピックアップ装置を提供することを目的とする。
【００２４】
【課題を解決するための手段】
本発明の電子部品のダイボンディング方法は、少なくとも二つの電子部品をそれぞれの位置に実装させる実装面と、各実装面の近傍部に予め二つの電子部品の相対位置を出した突き当て突起部とを有した被取付部に対し、前記各実装面に前記電子部品を固定させるボンディング用ペーストを塗布する工程と、前記実装面に載置された各電子部品をそれぞれの突き当て突起部に突き当てて、これら二つの電子部品の相対位置の位置出しを行う工程とを有する。
【００２５】
本発明の電子部品のダイボンディング方法によれば、被取付部に形成された電子部品を実装させる各実装面の近傍部に、予め二つの電子部品の相対位置を出した突き当て突起部をそれぞれ設け、その突き当て突起部に電子部品を突き当てて位置出しを行うので、単に、この突き当て突起部に電子部品を突き当てるだけで、自ずと二つの電子部品の相対位置が決まる。
【００２６】
また、本発明の光学ピックアップ装置は、レーザ発光素子と受光素子を実装させるベースに、レーザ発光素子及び受光素子をそれぞれ実装させる実装面と、各実装面の近傍部に予め前記レーザ発光素子及び受光素子の相対位置を出した突き当て突起部とを設け、これらレーザ発光素子と受光素子をそれぞれの突き当て突起部に突き当ててなることを特徴としている。
【００２７】
本発明の光学ピックアップ装置によれば、ベース自体に予めレーザ発光素子及び受光素子の相対位置を出した突き当て突起部を設け、これらレーザ発光素子及び受光素子をそれぞれの突き当て突起部に突き当てて実装させているので、直接ベースにこれらレーザ発光素子と受光素子とが所定の相対位置で実装されることになる。このため、予めこれらレーザ発光素子及び受光素子の相対位置を位置決めした後に、この二つのレーザ発光素子と受光素子をベースに実装するような面倒な工程を減らせる。
【００２８】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を適用した具体的な実施の形態について図面を参照しながら詳細に説明する。本実施の形態は、光学ピックアップ装置を構成する、二つの電子部品である半導体レーザチップとフォトディテクタチップの相対位置を高精度なものとしてベースに簡単な方法及び構造で実装可能とするダイボンディング方法と、その方法を用いて製造した光学ピックアップ装置に、本発明を適用したものである。
【００２９】
「光学ピックアップ装置の構成」
先ず、光学ピックアップ装置の構成を図面を参照して説明する。図１は光学ピックアップ装置の概略的な平面図であり、図２は光学ピックアップ装置の概略的な側面図である。
【００３０】
光学ピックアップ装置は、図２に示すように、レーザ光Ｈｖを照射するレーザ発光素子である半導体レーザチップ１及びレーザ光Ｈｖを受光する受光素子であるフォトディテクタチップ２を実装させるチップ実装基台であるベース３と、半導体レーザチップ１から照射されたレーザ光Ｈｖを被対象部である光ディスク４に照射し、その光ディスク４からの反射光をフォトディテクタチップ２に入光させる光学系５とを備えている。
【００３１】
光学系５は、図２に示すように、半導体レーザチップ１から照射されたレーザ光Ｈｖを被対象物である光ディスク４に集光させる対物レンズ６と、レーザ光Ｈｖを折り曲げるミラー７と、光ディスク４からの反射光をフォトディテクタチップ２へ折り曲げる光学素子（レンズ）８から構成される。
【００３２】
この光学系５では、半導体レーザチップ１から照射されたレーザ光Ｈｖは、光学素子８を透してミラー７にて対物レンズ６へとその向きを変えた後、光ディスク４の信号記録層に照射される。そして、この信号記録層からのレーザ光Ｈｖの反射光は、再び対物レンズ６を介してミラー７でその向きが変えられ、光学素子８にてフォトディテクタチップ２に入光される。
【００３３】
ベース３には、図１に示すように、半導体レーザチップ１と、フォトディテクタチップ２と、これらを直接このベース３上に実装させるためのリードフレーム９とが設けられている。半導体レーザチップ１とフォトディテクタチップ２は、それらの相対位置が非常に重要で信号読み取り出力に大きく影響することから、高精度にベース３に対して実装されている必要がある。
【００３４】
半導体レーザチップ１とフォトディテクタチップ２は、図１及び図２に示すように、ベース３の各チップ実装面１０ａ，１０ｂにボンディング用ペーストである銀ペーストを塗布しキュアすることによって固定されている。そして、この各チップ実装面１０ａ，１０ｂの近傍部には、半導体レーザチップ１及びフォトディテクタチップ２を突き当ててこれらを所定の相対位置として位置決め配置させる突き当て突起部１１、１２が形成されている。
【００３５】
これら突き当て突起部１１、１２は、半導体レーザチップ１からミラー７に向けて照射されるレーザ光Ｈｖの進行方向と同じＸ方向と、このＸ方向に直交するＹ方向にそれぞれ延びる突き当て部１１Ａ，１１Ｂ、１２Ａ，１２Ｂを有した平面略逆Ｌ字形状のブロックとして形成されている。そして、この各突き当て部１１Ａ，１１Ｂ、１２Ａ，１２Ｂには、半導体レーザチップ１とフォトディテクタチップ２の一つの角部１ａ、２ａを挟む２つの側面とそれぞれ面接触する突き当て面１１ａ，１１ｂ、１２ａ，１２ｂが形成されている。
【００３６】
また、この突き当て突起部１１、１２には、Ｘ方向に延びる突き当て部１１Ａ、１２Ａと、Ｙ方向に延びる突き当て部１１Ｂ、１２Ｂとの交点である内側の角部には、半導体レーザチップ１とフォトディテクタチップ２の角部に非接触となって確実に半導体レーザチップ１及びフォトディテクタチップ２をそれぞれの突き当て部１１Ａ，１１Ｂ、１２Ａ，１２Ｂに接触させるための逃げ部１３、１４が形成されている。
【００３７】
また、これら突き当て突起部１１、１２は、半導体レーザチップ１とフォトディテクタチップ２をそれぞれの突き当て部１１Ａ，１１Ｂ、１２Ａ，１２Ｂに突き当てたときに、これら半導体レーザチップ１とフォトディテクタチップ２のセンターがＸ方向、Ｙ方向及びθ方向（面内方向において水平回動する方向）の各位置と高さ位置とが、予め設定された位置関係となるように、前記ベース３上に配置されている。
【００３８】
なお、半導体レーザチップ１が突き当てられる突き当て突起部１１と、フォトディテクタチップ２が突き当てられる突き当て突起部１２とは、Ｘ方向及びＹ方向において±２０μｍという非常に高い寸法精度で配置されている。
【００３９】
したがって、これら突き当て突起部１１、１２に半導体レーザチップ１とフォトディテクタチップ２とがそれぞれ突き当てられた状態で各チップ実装面１０ａ，１０ｂに半導体レーザチップ１及びフォトディテクタチップ２が固定されているので、半導体レーザチップ１及びフォトディテクタチップ２の相対位置が高精度な位置関係にあり、精度の高い出力信号をフォトディテクタチップ２にて得ることが可能となる。また、これら半導体レーザチップ１及びフォトディテクタチップ２は、それぞれ突き当て突起部１１、１２に突き当てられた状態で直接ベース３に固定されていることから、位置ずれも生じ難く機械的強度も高いものとなる。
【００４０】
「ダイボンディング方法」
次に、本実施の形態のダイボンディング方法を図面を参照して説明する。図３は半導体レーザチップ１及びフォトディテクタチップ２をベース３に実装する工程を示すフローチャートであり、図４は半導体レーザチップ１及びフォトディテクタチップ２をベース３に設けた突き当て突起部１１、１２に突き当てる工程を示す図である。
【００４１】
図３のフローチャートに示すように、先ず、ステップ５１の工程で、ベース３をベース取付部１５の上にセットする。次に、ステップ５２の工程では、ベース３上の各チップ実装面１０ａ，１０ｂに、半導体レーザチップ１及びフォトディテクタチップ２を固定させるための銀ペースト１６をそれぞれ適用塗布する。
【００４２】
次に、ステップＳ５３の工程では、図４（ｂ）に示すように、ピンセット１７にて半導体レーザチップ１（図３ではチップ１と表記してある）をチップ実装面１０ａに実装した後、このピンセット１７を使用してチップ実装面１０ａ近傍に突出するＸ方向及びＹ方向にそれぞれ延在する突き当て部１１Ａ，１１Ｂに、半導体レーザチップ１の１つの角部を挟む２つの側面をそれぞれ面接触するように突き当てる。例えば、図４（ａ）に示すように、ピンセット１７にて半導体レーザチップ１を、所定の付勢力Ｆを持ってそれぞれの突き当て部１１Ａ，１１Ｂに押し付ける。
【００４３】
次に、半導体レーザチップ１のセット及び位置出しが終了したら、次のステップＳ５４の工程で、フォトディテクタチップ２（図３ではチップ２と表記してある）を同様にピンセット１７で摘んでチップ実装面１０ｂに実装させる。そして、ピンセット１７を使用してチップ実装面１０ｂ近傍に突出するＸ方向及びＹ方向にそれぞれ延在する突き当て部１２Ａ，１２Ｂに、フォトディテクタチップ２の１つの角部を挟む２つの側面をそれぞれ突き当てる。
【００４４】
この結果、それぞれの突き当て突起部１１、１２に突き当てられた半導体レーザチップ１とフォトディテクタチップ２は、自ずと所定の相対位置にてベース３上に実装されることになる。
【００４５】
次に、ステップＳ５５の工程では、半導体レーザチップ１及びフォトディテクタチップ２が実装されたベース３をベース取付部１５から取り出し、このベース３をキュア工程へ移送させる。そして、ステップＳ５６の工程で、取り出したベース３の銀ペースト１６を恒温槽にて熱処理することにより半導体レーザチップ１とフォトディテクタチップ２をそれぞれのチップ実装面１０ａ，１０ｂに固定させる。
【００４６】
このように、本実施の形態のダイボンディング方法によれば、相対位置が非常に厳しく管理される半導体レーザチップ１とフォトディテクタチップ２の二つの半導体チップを、予めそれらの半導体チップの相対位置を出した突き当て突起部１１、１２を有したベース３に実装することのみで、自ずとこれら二つの半導体チップの相対位置を高精度なものとすることができることから、高価な画像処理システムや高精度位置決め機構或いは高精度移送機構が不要となる。
【００４７】
また、本実施の形態のダイボンディング方法では、半導体レーザチップ１とフォトディテクタチップ２を同時にキュアしているため、リードタイムを大幅に短縮することができると共に、製造プロセスも大幅に簡略化することができる。
【００４８】
以上、本発明を適用した具体的な実施の形態について説明したが、本発明は、上述の実施の形態に制限されることなく種々の変更が可能である。
【００４９】
上述の実施の形態では、半導体レーザチップ１とフォトディテクタチップ２をピンセット１７を使用してそれぞれ別々に各チップ実装面１０ａ，１０ｂに実装させたが、これを自動機などを使用して半導体レーザチップ１とフォトディテクタチップ２を同時に各チップ実装面１０ａ，１０ｂに実装して位置出しを行うようにしてもよい。そうすることで、半導体チップのベース３への実装工程をより一層簡略化することができると共に、製造時間を大幅に短縮することができる。
【００５０】
【発明の効果】
本発明の電子部品のダイボンディング方法によれば、予め二つの電子部品の相対位置を出した突き当て突起部を各実装面の近傍部に設け、この突き当て突起部に電子部品を単に突き当てるだけで、高価な画像処理システムや高精度位置決め機構或いは高精度移送機構を使用することなく、簡単にこれら電子部品の相対位置を高精度なものとして位置出しすることができる。
【００５１】
また、本発明のダイボンディング方法によれば、二つの電子部品の実装後に行うキュア工程が１回で済むことから、リードタイムを大幅に短縮させることができると共に製造工程数も減らすことができる。また、半導体レーザチップなどのような熱サイクルを何度もかけたくないチップも１度のキュアで済むため、電子部品の性能を損なうようなことはない。
【００５２】
本発明の光学ピックアップ装置によれば、ベース自体に予めレーザ発光素子及び受光素子の相対位置を出した突き当て突起部を設け、これらレーザ発光素子及び受光素子をそれぞれの突き当て突起部に突き当てて実装させているので、高価な画像処理システムなどの特別な装置を必要とすることなく、その相対位置を精度良く保った状態とすることができる。これにより、設備投資、加工コスト、メンテナンスコスト、設備設置スペースを低減させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】
図１は、本発明を適用した光学ピックアップ装置の概略的な平面図である。
【図２】図２は、本発明を適用した光学ピックアップ装置の概略的な側面図である。
【図３】図３は、半導体レーザチップ及びフォトディテクタチップをベースに実装する工程を示すフローチャートである。
【図４】図４は、半導体レーザチップ及びフォトディテクタチップをベースに設けた突き当て突起部に突き当てる工程を示し、（ａ）はチップ実装部の平面図、（ｂ）はチップ実装部の側面図である。
【図５】図５は、従来のダイボンディング方法の一例を示すフローチャートである。
【図６】図６は、従来のダイボンディング方法で使用されるダイボンディング装置の一例を示す装置構成図である。
【符号の説明】
１…半導体レーザチップ（レーザ発光素子）
２…フォトディテクタチップ（受光素子）
３…ベース
５…光学系
６…対物レンズ
８…光学素子
９…リードフレーム
１０ａ，１０ｂ…チップ実装面
１１，１２…突き当て突起部
１１Ａ，１１Ｂ，１２Ａ，１２Ｂ…突き当て部
１６…銀ペースト
【図１】
2004363143.tif 000003
【図２】
2004363143.tif 000004
【図３】
2004363143.tif 000005
【図４】
2004363143.tif 000006
【図５】
2004363143.tif 000007
【図６】
2004363143.tif 000008