(57)【要約】【課題】  帯電防止性を根本的に改良し、移送中にディスクが互いにくっついてしまう現象や埃の付着がなく、帯電による色素塗布不良性が優れた光ディスク基板を提供する。【解決手段】ａ）粘度平均分子量１００００〜２３０００のポリカーボネートに対し、ｂ）特定の１種類以上の側鎖変性ポリシロキサン化合物６０〜２０００ｐｐｍ、ｃ）１種類以上の離型剤０〜１０００ｐｐｍ、ｄ）１種類以上の熱安定剤０〜１０００ｐｐｍ、ｅ）数平均繰り返し単位数ｎが２〜４のカーボネートオリゴマーを０〜１５重量％配合した樹脂組成物から成形された光ディスク基板。【選択図】  なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
ａ）粘度平均分子量１００００〜２３０００のポリカーボネートに対し、ｂ１）線状ポリオルガノシロキサンであって、側鎖にポリエーテル結合を有する脂肪族もしくは芳香族の有機基が結合してなり、かつ２５℃での粘度が２０〜２０００ｃＳｔである側鎖変性ポリオルガノシロキサン化合物６０〜２０００ｐｐｍ、ｃ）１種類以上の離型剤０〜１０００ｐｐｍ、ｄ）１種類以上の熱安定剤０〜１０００ｐｐｍを配合した樹脂組成物を用いた光ディスク基板。
【請求項２】
ａ）粘度平均分子量１００００〜２３０００のポリカーボネートに対し、ｂ２）ポリオルガノシロキサンであって、そのシリコン原子に結合する基が、少なくとも（１）芳香族炭化水素基、（２）カルボン酸エステル結合及び／又はエーテル結合を少なくとも１個有する脂肪族もしくは芳香族の有機基、及び（３）リン原子含有基であるポリオルガノシロキサン６０〜２０００ｐｐｍ、ｃ）１種以上の離型剤０〜１０００ｐｐｍ、ｄ）一種以上の熱安定剤０〜１０００ｐｐｍを配合した樹脂組成物を用いた光ディスク基板。
【請求項３】
ａ）粘度平均分子量１００００〜２３０００のポリカーボネートが、エステル交換法で製造されたポリカーボネートである請求項１又は２に記載の光ディスク基板。
【請求項４】
数平均繰り返し単位数ｎが２〜４のカーボネートオリゴマー（下記一般式（I））をポリカーボネート１００重量部に対し０．００５〜１５重量部配合した樹脂組成物からなる請求項１ないし３のいずれかに記載の光ディスク基板。
【化１】
2004196950.tif 000014
（式(I）中、Ｗは単結合、炭素数１〜８のアルキレン基、炭素数２〜８のアルキリデン基、炭素数５〜１５のシクロアルキレン基、炭素数５〜１５のシクロアルキリデン基又は、−Ｏ−，−Ｓ−，−ＣＯ−，−ＳＯ−，−ＳＯ２−で示される２価の基からなる群から選ばれるものであり、Ｙ及びＺは、ハロゲン又は炭素数１〜６の炭化水素基であり、ｐ及びｑは０〜２の整数であり、ＹとＺ、ｐとｑは、いずれも、同一であっても異なっていてもよい。また、ｎは１〜３０の整数を表し、Ｒ１〜Ｒ５は各々独立して水素原子または炭素数１〜２０のアルキル基である。但し、Ｒ１〜Ｒ５が全て水素原子である場合は除く。）
【請求項５】
ｂ１）の線状ポリオルガノシロキサンが、下記一般式（II）で示される構造であることを特徴とする請求項１、３又は４に記載の光ディスク基板。
【化２】
2004196950.tif 000015
（式（II）中、Ｒｘは、脂肪族炭化水素基を表し、Ｔは水素原子、脂肪族炭化水素基、芳香族炭化水素基、またはカルボン酸エステル結合及び／又はエーテル結合を少なくとも一個有する脂肪族もしくは芳香族の有機基であって、ただしＴの少なくとも一方が、少なくとも１個のエーテル結合を有する有機基である。３≦ｕ＋ｖ≦１０００であり、かつｖは０を含む整数、ｕは正の整数を表す。）
【請求項６】
ｂ２）のシロキサン化合物が、下記一般式(III)で示される構造であることを特徴とする請求項２、３又は４に記載の光ディスク基板。
【化３】
Ｍ−(Ｑ)ｔ−Ｍ
（Ｍは一官能性構造単位を示し、Ｑは二官能性構造単位を示し、tは３〜１０００の整数を示す。Ｑは、脂肪族系構造単位（Ａ）、芳香族系構造単位（Ｂ）、カルボン酸エステル結合及び／又はエーテル結合を有する構造単位（Ｃ）、リン原子含有構造単位（Ｄ）からなり、該Ｑ中の構造単位の割合が、全Ｑを１とすると、それぞれＡ＝０〜０．６、Ｂ＝０．１〜０．９、Ｃ＝０．０１〜０．４、Ｄ＝０．０１〜０．４である。）
【請求項７】
請求項１〜６のいずれかに記載の光ディスク基板上に、書き込み可能な記録層を有することを特徴とする追記型光ディスク。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、高密度記憶媒体である光ディスク基板に関するものである。特に、静電気が発生し難く、防塵性に優れ、さらに色素塗布性が向上した高密度記憶媒体である光ディスク基板に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
光ディスクは、低価格で高密度記録容量の情報記録媒体として、ここ数年急激に生産量が増加している。特に、ＣＤ−Ｒ（追記型コンパクトディスク）や、ＤＶＤ−Ｒ（追記型デジタル多用途ディスク）と呼ばれる追記型光ディスクは、高容量でありかつ急速な普及に伴い、低価格化が進んでいる。従って、その信号特性の向上や基板の生産性が重要視されるようになってきている。また、今後もさらなる高密度化が期待されている。
【０００３】
このような光ディスク基板に用いられる熱可塑性非晶質樹脂には、ポリカーボネート、ポリメチルメタクリレート、非晶質ポリオレフィン等があるが、実用上は、強度、耐熱性等の面から、ポリカーボネートが一般に使用されている。ところでポリカーボネートが電気機器のハウジングなどとして使用される場合は、ポリカーボネートが電気絶縁性に優れていることが大きな特長の一つになっているが、光ディスク基板として使用される場合は、静電気が発生し易く、埃を寄せ付け、ディスクの最終品質を落としてしまうことになる。また、高い静電荷により、ディスク同士が引き付けあい、輸送工程中、たとえば射出成形機からの移送中にディスクが互いにくっついてしまうため、ディスク基板製造を停止しなければならなかったり、製品の歩留まりが落ちたりする。さらに、色素をディスク表面にスピンコートして書き込み可能な層を設ける光ディスク基板の場合、書き込み可能な層を均一にディスク表面に湿潤させるためには、低い静電荷が必要であるが、静電荷が高すぎて、色素塗布時の濡れ性増加が起こり、色素塗布不良が発生するという問題があった。
【０００４】
このディスク基板に埃が付着する問題を解決すべく、特定の化学構造式を有するフッ素系界面活性剤、３官能以上の（メタ）アクリレート、２官能（メタ）アクリレート、単官能（メタ）アクリレート、水酸基含有（メタ）アクリレートおよび光重合開始剤からなるコーティング材を光ディスク基板に塗布することにより、塵埃の付着等による読み出しエラー障害が解消され、かつ、耐久性に優れた性能を有する光ディスクが知られている（例えば特許文献１参照）。また、共重合可能な（メタ）アクリル酸エステル類１００重量部に対し、特定のパーフルオロアルキル基を有する界面活性剤０．１〜５重量部及び光重合開始剤０．２〜１０重量部からなる貯蔵安定性の改良されたコーティング材を光ディスク基板に塗布することにより、帯電防止性能を付与された光ディスク基板が知られている（例えば特許文献２参照）。また、特定構造の（メタ）アクリル酸エステルモノマー混合物、特定構造の界面活性剤及び光重合開始剤からなる、低粘度で作業性に優れた光重合性組成物を光ディスク基板に塗布することにより、硬化被膜形成時の硬化収縮が低く、優れた帯電防止性能の付与された光ディスク基板が知られている（例えば特許文献３参照）。
【０００５】
しかし、該特許文献１、２、３に記載の方法では、たとえば射出成形機からの移送中にディスクが互いにくっついたり、書き替え可能な光ディスク基板の色素塗布不良問題の解決には至っていない。
さらに、特定構造の四級アンモニウム塩を塗布して埃の付着を抑えた光ディスク基板が知られている（特許文献４参照）が、射出成形機からの移送中にディスクが互いにくっつく問題は解消せず、また帯電防止効果の持続性の点で問題があった。また、ポリカーボネートにポリエチレングリコールや末端にポリエチレングリコールを有するポリオルガノシロキサン化合物を帯電防止剤として添加している（特許文献５参照）が、ポリエチレングリコールは熱安定性が悪く、ＤＶＤ等の高温成形においては容易に分解するため、帯電防止効果および色相が不安定となる問題があり、また末端変性ポリオルガノシロキサン化合物は、末端のみに帯電防止基が導入されているため、少量添加では帯電防止効果が得られにくい等の問題がある。
【０００６】
【特許文献１】特開平７−３１６４６８号公報
【特許文献２】特開平８−９２４９７号公報
【特許文献３】特開平９−２７８８３１号公報
【特許文献４】特開平１０―２０８２９８号公報
【特許文献５】特開平１１―２７９３９６号公報
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上記のような従来技術に伴う問題点を解決しようとするものであり、帯電防止性を根本的に改良し、移送中にディスクが互いにくっついてしまう現象や埃の付着を防止し、さらに追記型光ディスク基板の製造の場合に適した、色素塗布性の向上を目的としている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明者等は、上記のような従来技術の課題を解決するため鋭意検討した結果、帯電防止性を高め、色素塗布性の優れた光ディスク基板は、ポリカーボネートに特定の側鎖変性ポリオルガノシロキサン化合物、及び必要に応じて離型剤及び熱安定剤を配合し、さらに必要に応じてカーボネートオリゴマーを配合した樹脂組成物から製造できることを見出し、本発明を完成させた。
すなわち本発明の要旨は、ａ）粘度平均分子量１００００〜２３０００のポリカーボネートに対し、ｂ１）線状ポリオルガノシロキサンであって、側鎖に少なくとも１個のエーテル結合を有する脂肪族もしくは芳香族の有機基が結合してなり、かつ２５℃での粘度が２０〜２０００ｃＳｔである側鎖変性ポリオルガノシロキサン化合物６０〜２０００ｐｐｍ、ｃ）１種類以上の離型剤０〜１０００ｐｐｍ、ｄ）１種類以上の熱安定剤０〜１０００ｐｐｍを配合した樹脂組成物を用いた光ディスク基板に関する。
また、他の発明の要旨は、ａ）粘度平均分子量１００００〜２３０００のポリカーボネートに対し、ｂ２）ポリオルガノシロキサンであって、そのシリコン原子に結合する基が、少なくとも（１）芳香族炭化水素基、（２）カルボン酸エステル結合及び／又はエーテル結合を少なくとも１個有する脂肪族もしくは芳香族の有機基、及び（３）リン原子含有基であるポリオルガノシロキサン６０〜２０００ｐｐｍ、ｃ）１種以上の離型剤０〜１０００ｐｐｍ、ｄ）一種以上の熱安定剤０〜１０００ｐｐｍを配合した樹脂組成物を用いた光ディスク基板に関する。
【０００９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明について具体的に説明する。
本発明のａ）ポリカーボネートは、芳香族ヒドロキシ化合物、またはこれと少量のポリヒドロキシ化合物をホスゲンまたは炭酸のジエステルと反応させることによって作られる、分岐していてもよい熱可塑性ポリカーボネート重合体または共重合体である。製造方法については、特に限定されるものではなく、ホスゲン法（界面重合法）あるいは、溶融法（エステル交換法）等で製造することができる。また、末端基のＯＨ基量を調整した芳香族ポリカーボネート樹脂も使用することができる。
【００１０】
芳香族ジヒドロキシ化合物としては、２,２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン（＝ビスフェノールＡ）、テトラメチルビスフェノールＡ、ビス（４−ヒドロキシフェニル）−Ｐ−ジイソプロピルベンゼン、ハイドロキノン、レゾルシノール、４，４−ジヒドロキシジフェニルなどが挙げられ、好ましくはビスフェノールＡが挙げられる。さらに、難燃性をさらに高める目的で上記の芳香族ジヒドロキシ化合物にスルホン酸テトラアルキルホスホニウムが１個以上結合した化合物を使用することもできる。
【００１１】
分岐したポリカーボネートを得るには、フロログルシン、４，６−ジメチル−２，４，６−トリ（４−ヒドロキシフェニル）ヘプテン−２、４，６−ジメチル−２，４，６−トリ（４−ヒドロキシフェニル）ヘプタン、２，６−ジメチル−２，４，６−トリ（４−ヒドロキシフェニルヘプテン−３，１，３，５−トリ（４−ヒドロキシフェニル）ベンゼン、１，１，１−トリ（４−ヒドロキシフェニル）エタンなどで示されるポリヒドロキシ化合物、あるいは３，３−ビス（４−ヒドロキシアリール）オキシインドール（＝イサチンビスフェノール）、５−クロルイサチン、５，７−ジクロルイサチン、５−ブロムイサチンなどを前記芳香族ジヒドロキシ化合物の一部として用いればよく、使用量は、０．０１〜１０モル％であり、好ましくは０．１〜２モル％である。
【００１２】
分子量を調節するには、一価芳香族ヒドロキシ化合物を用いればよく、ｍ−もしくはｐ−メチルフェノール、ｍ−もしくはｐ−プロピルフェノール、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノールもしくはｐ−長鎖アルキル置換フェノールなどが挙げられる。
本発明で使用するポリカーボネートとしては、好ましくは、２、２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパンから誘導される芳香族ポリカーボネート、または２、２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパンと他の芳香族ジヒドロキシ化合物とから誘導される芳香族ポリカーボネート共重合体が挙げられる。
【００１３】
さらに、該ポリカーボネートの分子量は、溶媒としてメチレンクロライドを用い、温度２５℃で測定された溶液粘度より換算した粘度平均分子量で、１０，０００〜２３，０００であり、好ましくは１３，０００〜２１，０００である。粘度平均分子量が１０，０００未満では機械的強度が低く、２３，０００を越えると流動性が低下し好ましくない。
また、本発明では、２種以上のポリカーボネートを混合して用いることもできる。
本発明においては、溶融法（エステル交換法）で製造されたポリカーボネートを用いるのが好ましい。これは一般にエステル交換法で製造されたポリカーボネートはそのままでは、高い負の静電荷（典型的には＜−２．０ｋＶ）が発生し、帯電しやすいという問題があるので、本発明の効果を享受しやすく、好ましいものである。
【００１４】
本発明で使用するｂ１）の側鎖に少なくとも１個のエーテル結合、好ましくは２個以上のエーテル結合を有する脂肪族もしくは芳香族の有機基が結合してなる線状ポリオルガノシロキサンは、側鎖にポリエーテル基を用いることにより帯電防止性が改良される。また、２５℃での粘度は２０〜２０００ｃＳｔであるが、好ましくは５０〜１０００ｃＳｔであり、更に好ましくは上限が４００ｃＳｔ未満である。
該ｂ１）の線状ポリオルガノシロキサンは、好ましくは以下の一般式（II）で示されるものである。
【００１５】
【化４】
2004196950.tif 000002
【００１６】
（式（II）中、Ｒｘは、脂肪族炭化水素基を表し、Ｔは水素原子、脂肪族炭化水素基、芳香族炭化水素基、またはカルボン酸エステル結合及び／又はエーテル結合を少なくとも一個有する脂肪族もしくは芳香族の有機基であって、ただしＴの少なくとも一方が少なくとも１個のエーテル結合を有する有機基。３≦ｕ＋ｖ≦１０００であり、かつｖは０を含む整数、ｕは正の整数を表す。）
本発明で使用されるｂ１）で示されるシロキサン化合物については、エーテル基の側鎖が数多く、また炭素数が大きければ、透明性や帯電防止性などの効果の点で優れるが、添加剤自体としての耐熱性が低下する問題があり、側鎖エーテル基が少ないと、添加量を多くしなければならず、このため透明性が低下して、目的の性能が得られない。
【００１７】
一方、本発明で使用されるｂ２）のポリオルガノシロキサンは、そのシリコン原子に結合する基が、少なくとも（１）芳香族炭化水素基、（２）カルボン酸エステル結合及び／又はエーテル結合を少なくとも１個有する脂肪族もしくは芳香族の有機基、及び（３）リン原子含有基である。（２）の有機基としては、−Ｒａ−（Ｏ−Ｒａ）ｒ−Ｏ−（ＣＯ−Ｒａ−Ｏ）ｒ−Ｒｂ、及び／又は−Ｒａ−Ｏ−（Ｒａ−Ｏ）ｓ−Ｒｂ（式中Ｒａはそれぞれ独立に炭素数１〜３０の脂肪族炭化水素基または炭素数６〜５０の脂肪族炭化水素基を置換基として有しても良い芳香族炭化水素基を表し、ｒは０〜１００の整数、ｓは１〜１００の整数を表す。Ｒｂは、水素原子、炭素数１〜３０の脂肪族炭化水素基若しくは炭素数６〜５０の芳香族炭化水素基を表す。）が好ましく、（３）のリン原子含有基が、亜リン酸、亜リン酸モノエステル、亜リン酸ジエステル、リン酸、リン酸モノエステル、リン酸ジエステルの中から選ばれる少なくとも一種類以上から誘導される基が好ましい。本発明においては、特に（３）のリン原子含有基としては、リン酸エステルの基が好ましく、特に下記一般式（IV）で示されるものが好ましい。
【００１８】
【化５】
2004196950.tif 000003
【００１９】
（式中、Ｒとしては、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１〜３０のアルキル基、炭素数６から５０のアリール基、アリールアルキル基、ポリエーテルの基、ポリオルガノシロキサンの基を示す。）
とくに、ポリオルガノシロキサンの側鎖に芳香環（フェニル基、フェネチル基）、ポリカプロラクトンを導入することにより透明性が向上し、側鎖にリン酸エステルを導入することにより、ポリカーボネート樹脂組成物の流動性と熱安定性を改善できるので好ましい。
このような特性をもつ本発明の側鎖変性ポリシロキサン化合物としては、ｂ２）のシロキサン化合物が下記一般式(III)で示される構造であるのが好ましい。
【００２０】
【化６】
Ｍ−(Ｑ)ｔ−Ｍ
【００２１】
（Ｍは一官能性構造単位を示し、Ｑは二官能性構造単位を示し、tは３〜１０００の整数を示す。Ｑは、脂肪族系構造単位（Ａ）、芳香族系構造単位（Ｂ）、カルボン酸エステル結合及び／又はエーテル結合を有する構造単位（Ｃ）、リン原子含有構造単位（Ｄ）からなり、該Ｑ中の構造単位の割合が、全Ｑを１とすると、それぞれＡ＝０〜０．６、Ｂ＝０．１〜０．９、Ｃ＝０．０１〜０．４、Ｄ＝０．０１〜０．４である。）
この中でも、下記一般式（Ｖ）で示される構造のものが好ましい。
【００２２】
【化７】
2004196950.tif 000004
【００２３】
（式中、ＲｘおよびＲＥは、それぞれ脂肪族炭化水素基を表し、Ｕは水素原子、脂肪族炭化水素基、または芳香族炭化水素基であって、ただし、少なくとも一方が芳香族炭化水素基を表し、Ｔは水素原子、脂肪族炭化水素基、芳香族炭化水素基、またはカルボン酸エステル結合及び／又はエーテル結合を少なくとも一個有する脂肪族もしくは芳香族の有機基であって、ただし、少なくとも一方がエーテル結合を有する有機基であり、Ｖは水素原子、脂肪族炭化水素基、芳香族炭化水素基、またはリン原子含有基であって、ただし、少なくとも一方がリン原子含有基であり、さらに３≦ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ≦１０００であり、かつａ、ｂ、ｄは０を含む整数、ｃは正の整数を表す。またＲＥはＴ、Ｕ、Ｖに記載した分子を介して主鎖分子末端を脂肪族炭化水素基で封止したものでもよい。）
【００２４】
すなわち、本発明で使用するｂ２）のポリオルガノシロキサンは、前記一般式(III)のＭ−(Ｑ)ｔ−Ｍの式中、Ｑの二官能性基の部分を、前記一般式（Ｖ）の構成単位に当てはめて、それぞれ脂肪族系構造単位（Ａ）、芳香族系構造単位（Ｂ）、カルボン酸エステル結合及び／又はエーテル結合を有する構造単位（Ｃ）、リン原子含有構造単位（Ｄ）とすると、それぞれの単位の具体例として、以下ようなものが挙げられる。
【００２５】
【化８】
2004196950.tif 000005
【００２６】
構成単位Ａの具体例
【００２７】
【化９】
2004196950.tif 000006
【００２８】
構成単位Ｂの具体例
【００２９】
【化１０】
2004196950.tif 000007
【００３０】
構造単位Ｃの具体例
【００３１】
【化１１】
2004196950.tif 000008
【００３２】
構造単位Ｄの具体例
【００３３】
【化１２】
2004196950.tif 000009
【００３４】
各構成単位中のａ，ｂ，ｃ，ｄは、これら構成単位の、構成数を示すものであり、ａ、ｂ、ｄは０を含む整数、ｃは正の整数を表す。好ましくはａ＋ｂ＋ｃ＋ｄの下限は３であり、上限は１０００である。ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄが、３未満であると、揮散性等の問題があり、好ましくない。より好ましい下限は６である。また上限は、好ましくは１００以下であり、より好ましくは５０以下である。余り大きすぎると粘度が高くなり過ぎ、ハンドリング性が悪くなる。
ａ，ｂ，ｃ，ｄを全二官能性構成単位（Ｑ）の数に対する割合で表現した値を各々Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄと表現する。
Ａの下限は、好ましくは０であり、上限は、好ましくは０．６である。Ａが、０．６を超えると、透明性に影響を及ぼすので好ましくない。
【００３５】
Ｂの下限は、好ましくは０．１であり、上限は、好ましくは０．９である。Ｂが０．１未満では、透明性に問題があるため好ましくなく、又、０．９を超える場合は、流動性改良効果に劣るため好ましくない。Ｂのより好ましい下限は、０．２である。又、より好ましい上限は、０．８５である。
【００３６】
Ｃの下限は、好ましくは０．０１であり、上限が、好ましくは０．４である。Ｃが０．０１未満であると透明性が劣るため好ましくなく、０．４を超えると耐熱性に劣るため、好ましくない。Ｃのより好ましい下限は、０．０５である。又、より好ましい上限は、０．３である。
Ｄの下限は、好ましくは０．０１であり、上限は、好ましくは０．４である。Ｄが０．０１未満であると、流動性改良効果に劣り、０．４を超えると耐熱性に劣るため好ましくない。Ｄの好ましい下限は、０．０５である。又、より好ましい上限は、０．３である。
なお、これらの構造単位の比率は、シロキサン化合物を、Ｈ1−ＮＭＲで分析した測定データから算出してモル含有率（ｍｏｌ／ｍｏｌ）で示したものである。
【００３７】
本発明で使用するシロキサン化合物は、上述の特徴を有するものであり、これらは単独で使用しても、二種類以上混合して使用しても良い。
また、該シロキサン化合物は、公知の方法により得ることが出来、例えば、シリコーンハンドブック（日刊工業新聞社）に詳述されている。
具体的には、置換法や直接法により、オルガノクロロシランを合成し、更にアルコールなどを反応させて、オルガノアルコキシシラン等を得る。これらオルガノクロロシランやオルガノアルコキシシランを用いて縮合反応によりシロキサン化合物が得られる。この様にして得られるシロキサン化合物中のＳｉ−Ｈ基に、目的のシロキサン化合物の置換基に対応する、アルケン、アルキン、アルコール、カルボン酸、リン酸等の各種官能基を含有する化合物の付加反応により、得ることが出来る。このＳｉ−Ｈ基の付加反応に際して、触媒として、白金、パラジウム、ニッケル、ロジウム等の金属或いはそれらの化合物や錯体等を用いて行っても良い。本発明で使用するシロキサン化合物は、例えば特開平６−１２８３８０号公報に記載のオルガノポリシロキサン−ポリラクトン共重合体の製造方法や、特開２００１−２４７５８２号公報に記載のリン酸化ポリオルガノシロキサンの製造方法等を適用することができる。
また、このようなシロキサン化合物を市場より入手してもよい。
本発明においては、ｂ１）又はｂ２）で示されるシロキサン化合物を６０〜２０００ｐｐｍ、好ましくは１００〜１０００ｐｐｍ、より好ましくは１００〜８００ｐｐｍの範囲で使用する。
【００３８】
本発明のｃ）１種類以上の離型剤は、成形された光ディスク基板を金型から容易に離型するために配合される化合物であり、パラフィン系ワックス、または炭素数６〜３０の脂肪族カルボン酸と炭素数３０以下のアルコールとのエステルから選ばれた少なくとも１種の化合物が挙げられる。脂肪族カルボン酸としては、飽和または不飽和の脂肪族カルボン酸、ジカルボン酸またはトリカルボン酸を挙げることができる。ここで脂肪族カルボン酸とは、脂環式のカルボン酸も包含する。このうち好ましい脂肪族カルボン酸は炭素数６〜３６のモノまたはジカルボン酸であり、炭素数６〜３６の脂肪族飽和一価カルボン酸がさらに好ましい。このような脂肪族カルボン酸の具体例としては、パルミチン酸、ステアリン酸、吉草酸、カプロン酸、カプリン酸、ラウリン酸、アラキン酸、ベヘン酸、リグノセリン酸、セロチン酸、メリシン、テトラリアコンタン酸、モンタン酸、グルタル酸、アジピン酸、アゼライン酸等を挙げることができる。
この脂肪族カルボン酸と反応しエステルを形成するアルコールとしては、飽和または不飽和の１価アルコール、飽和または不飽和の多価アルコール等を挙げることができる。これらのアルコールはフッ素原子等の置換基を有していてもよい。これらのアルコールのうち、炭素数３０以下の１価または多価の飽和アルコールが好ましく、さらに炭素数３０以下の脂肪族飽和１価アルコールまたは多価アルコールが好ましい。
【００３９】
ここで脂肪族とは脂環式化合物も含有する。これらのアルコールの具体例としては、オクタノール、デカノール、ドデカノール、ステアリルアルコール、ベヘニルアルコール、エチレングリコール、ジエチレングリコール、グリセリン、ペンタエリスリトール、２，２−ジヒドロキシペルフルオロプロパノール、ネオペンチレングリコール、ジトリメチロールプロパン、ジペンタエリスリトール等を挙げることができる。これらの脂肪族カルボン酸とアルコールとのエステル化合物は不純物として脂肪族カルボン酸及び／またはアルコールを含有していてもよく、複数の化合物の混合物であってもよい。また脂肪族カルボン酸と多価アルコールとのエステルでは、フルエステルであっても部分エステルであってもよい。脂肪族カルボン酸とアルコールとのエステルの具体例としては、蜜ロウ（ミリシルパルミテートを主成分とする混合物）、ステアリン酸ステアリル、ベヘニン酸ベヘニル、ベヘニン酸オクチルドデシル、グリセリンモノパルミテート、グリセリンモノステアレート、グリセリンジステアレート、グリセリントリステアレート、ペンタエリスリトールモノパルミテート、ペンタエリスリトールモノステアレート、ペンタエリスリトールジステアレート、ペンタエリスリトールトリステアレート、ペンタエリスリトールテトラステアレートを挙げることができる。
【００４０】
これらの離型剤の中で特に好ましい種類は、脂肪族カルボン酸とアルコールとのエステルであり、この中でも特に蜜ロウ、ベヘニン酸ベヘニル、グリセリンモノステアレート、ペンタエリスリトールモノステアレート、ペンタエリスリトールジステアレート、ペンタエリスリトールテトラステアレートが好ましい。該離型剤の配合量は、該シリコーン化合物自体が離型効果を有するため０でも構わないが、さらに良好な離型効果を得るために該芳香族ポリカーボネート１００重量部に対して５０〜１０００ｐｐｍ添加することができる。５０ｐｐｍ未満では効果が十分ではなく、１０００ｐｐｍを越えると耐熱性が低下し、シルバーが発生する等の問題がある。
【００４１】
本発明のｄ）１種類以上の熱安定剤は、成形時の溶融熱安定性を改良するために配合される化合物であり、特定のリン化合物を使用する。すなわち本発明で使用できるリン化合物は、亜リン酸エステル中の少なくとも１つのエステルがフェノール及び／または炭素数１〜２５のアルキル基を少なくとも１つ有するフェノールでエステル化された亜リン酸エステル、亜リン酸あるいはテトラキス（２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニル）−４，４’−ビフェニレン−ジ−ホスホナイトから選ばれた少なくとも１種である。亜リン酸エステルの具体例としては、４，４’−ブチリデン−ビス（３−メチル−６−ｔ−ブチルフェニル−ジ−トリデシル）ホスファイト、１，１，３−トリス（２−メチル−４−ジトリデシルホスファイト−５−ｔ−ブチルフェニル）ブタン、トリスノニルフェニルホスファイト、ジノニルフェニルペンタエリスリトールジホスファイト、トリス（２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニル）ホスファイト、ビス（２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニル）ペンタエリスリトールジホスファイト、ジ（２，６−ジ−ｔ−ブチル−４−メチルフェニル）ペンタエリスリトールジホスファイト、２，２’−エチリデン−ビス（４，６−ジターシャリーブチルフェニル）フッ化ホスファイト、２，２’−メチレン−ビス（４，６−ジ−ｔ−ブチルフェニル）オクチルホスファイト、ビス（２，４−ジクミルフェニル）ペンタエリスリトールジホスファイト、モノノニルフェノールおよびジノニルフェノールからなる亜リン酸エステル、さらに式（Ｖ）に示したヒンダードフェノールを有する亜リン酸エステル等を挙げることができる。本発明においては、リン化合物として、テトラキス（２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニル）−４，４’−ビフェニレン−ジ−ホスホナイト、又はトリス（２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニル）ホスファイト、２，２’−メチレン−ビス（４，６−ジ−ｔ−ブチルフェニル）オクチルホスファイト、亜リン酸が好ましい。
【００４２】
該リン化合物から選ばれた少なくとも１種のものの配合量は、該芳香族ポリカーボネート１００重量部に対して０〜１０００ｐｐｍである。ｂ）側鎖変性ポリシロキサン化合物の側鎖リン酸エステル基の比率が高い場合は、側鎖変性ポリシロキサン化合物が熱安定剤として働くので、ｄ）の熱安定剤は使用しなくても良い。しかし、側鎖のリン酸エステル基の比率が低い場合は、１０００ｐｐｍを上限にｄ）の熱安定剤を配合するのが好ましい。ただ、熱安定剤の配合率が１０００ｐｐｍを越えると耐加水分解性が悪化する等の問題がある。
【００４３】
本発明のｅ）数平均繰り返し単位数ｎが２〜４のカーボネートオリゴマーは、帯電防止性を改善するために配合するものであり、公知の方法により製造できるが、好ましくは界面重合法により得られたものである。界面重合法によれば、ジヒドロキシ化合物とホスゲンとを反応させ、所望の繰り返し単位に成長したカーボネートオリゴマーの段階でアルキルフェノール化合物と反応させることにより、カーボネートオリゴマーの繰り返し数を制御することが出来る。このとき、末端停止剤として用いられるアルキルフェノール化合物の種類により、カーボネートオリゴマーの分子末端を種々変化させることが出来る。
本発明に用いられる好ましいカーボネートオリゴマーは下記一般式（I）で表される。
【００４４】
【化１３】
2004196950.tif 000010
【００４５】
（式（I）中、Ｗは単結合、炭素数１〜８のアルキレン基、炭素数２〜８のアルキリデン基、炭素数５〜１５のシクロアルキレン基、炭素数５〜１５のシクロアルキリデン基又は、−Ｏ−，−Ｓ−，−ＣＯ−，−ＳＯ−，−ＳＯ２−で示される２価の基からなる群から選ばれるものであり、Ｙ及びＺは、ハロゲン又は炭素数１〜６の炭化水素基であり、ｐ及びｑは０〜２の整数であり、ＹとＺ、ｐとｑは、いずれも、同一であっても異なっていてもよい。また、ｎは１〜３０の整数を表し、Ｒ１〜Ｒ５は各々独立して水素原子または炭素数１〜２０のアルキル基である。但し、Ｒ１〜Ｒ５が全て水素原子である場合は除く。）
【００４６】
本発明に用いられるカーボネートオリゴマーの繰り返し単位数ｎは、通常３０以下であり、好ましい繰り返し単位数ｎは２８以下であり、さらに好ましくは、２６以下である。界面重合法によりカーボネートオリゴマーを得る場合、通常繰り返し数の異なる混合物として得られるが、本発明に用いられるカーボネートオリゴマーの数平均の繰り返し単位数としては、好ましくは１５以下であり、更に好ましくは１０以下である。
【００４７】
また、本発明のポリカーボネート組成物中のカーボネートオリゴマーの配合割合は、ａ）成分のポリカーボネート１００重量部に対して、０〜２０重量部であり、０．０５〜１８重量部が好ましく、０．１〜１６重量が更に好ましい。ｂ）側鎖変性ポリシロキサン化合物の側鎖のポリエーテル基の比率が高い場合は、側鎖変性ポリシロキサン化合物が帯電防止剤として働くので、ｅ）のカーボネートオリゴマーは使用しなくても良い。しかし、側鎖のボリエーテル基の比率が低い場合および添加量が少量の場合は、２０重量部を上限にｅ）のカーボネートオリゴマーを配合するのが好ましい。ただ、カーボネートオリゴマーの配合率が上記範囲より著しく多いポリカーボネート組成物を用いて光学式ディスク基板を製造すると、スタンパーへの付着物が多量に発生し、それが原因となって製品ディスク表面に付着物が付くという悪影響が見られる。
また、カーボネートオリゴマーの中でも比較的繰り返し数の少ないものが、耐静電気性効果が高いと考えられるので、カーボネートオリゴマーのうちで繰り返し数２乃至４の成分の割合が、組成物中、ａ）成分のポリカーボネート１００重量部に対して０〜１５重量部であることが好ましく、０．０５〜１０重量部であることが更に好ましい。
【００４８】
本発明において、カーボネートオリゴマー分子末端のアルキルフェノキシ基の導入に用いられるアルキルフェノールとしては、２−ｎ−エチルフェノール、３−ｎ−エチルフェノール、４−ｎ−エチルフェノール、２−ｎ−プロピルフェノール、３−ｎ−プロピルフェノール、４−ｎ−プロピルフェノール、２−ｎ−ブチルフェノール、３−ｎ−ブチルフェノール、４−ｎ−ブチルフェノール、２−イソブチルフェノール、３−イソブチルフェノール、４−イソブチルフェノール、２−ｔ−ブチルフェノール、３−ｔ−ブチルフェノール、４−ｔ−ブチルフェノール、２−ｎ−ペンチルフェノール、３−ｎ−ペンチルフェノール、４−ｎ−ペンチルフェノール、３−ｎ−ヘキシルフェノール、３−ｎ−ヘキシルフェノール、４−ｎ−ヘキシルフェノール、２，３−ジ−ｔ−ブチルフェノール、２，４−ジ−ｔ−ブチルフェノール、２，５−ジ−ｔ−ブチルフェノール、３，４−ジ−ｔ−ブチルフェノール、３，５−ジ−ｔ−ブチルフェノール、２−ｎ−ドデシルフェノール、３−ｎ−ドデシルフェノール、４−ｎ−ドデシルフェノール、１，３，５，７−テトラメチルオクチルフェノール等が挙げられる。
これらアルキルフェノールの中では、カーボネートオリゴマーの製造および取り扱い上、４−ｔ−ブチルフェノール、１，３，５，７−テトラメチルオクチルフェノールが好ましく、４−ｔ−ブチルフェノールが特に好ましい。
【００４９】
また、カーボネートオリゴマーの分子末端は、アルキルフェノール由来のアルキルフェノキシ基であるか、ジヒドロキシ化合物由来の水酸基のいずれかである。本発明に用いられるカーボネートオリゴマーの分子末端はアルキルフェノキシ基が優位であることが好ましく、具体的には分子末端の全数に対してアルキルフェノキシ基の割合が８０％以上であることが好ましく、９０％以上であることが更に好ましい。この場合には、カーボネートオリゴマーの両分子末端がアルキルフェノキシ基であるものが主成分となる。
【００５０】
上記両分子末端がアルキルフェノキシ基からなるカーボネートオリゴマーを主成分とするカーボネートオリゴマーを該ポリカーボネートに対して、特定量添加して、光ディスク基板等の平板を製造すると、光ディスク基板等の平板の帯電圧の値が−２．０ｋＶから０へ近づくため、ほこりを寄せ付けつけなくなったり、さらには、色素塗布時の濡れ性が低下し、色素塗布不良が発生しにくくなる。一方、上記カーボネートオリゴマーを特定量含有しない溶融法ポリカーボネートを用いて光ディスク基板等の平板を製造すると、光学式ディスク基板等の平板の帯電圧の値が−２．０ｋＶより小さな値になり、ほこりを寄せ付けやすくなったり、さらに、色素塗布時の濡れ性増加により、色素塗布不良が発生しやすくなる傾向がある。
本発明の耐静電気性に優れる芳香族ポリカーボネートにより製造した、光ディスク基板等の平板の帯電圧は本測定方法において−２．０〜４．０ＫＶの範囲にあることが好ましく、さらに好ましくは−１．５〜３．５ＫＶの範囲であり、特に好ましくは、−１．０〜３．０ＫＶの範囲で、最も好ましくは帯電圧が０となるものである。
【００５１】
これに加えて追記型光ディスク基板等では、基板上の水滴接触角が７８度以上であることが好ましく、さらに好ましくは８０度以上、特に好ましくは、８２度以上である。追記型光ディスク基板等の平板の水滴接触角が７８度以上になると、色素塗布時の濡れ性が低下し、色素塗布不良が発生しにくくなる。
【００５２】
本発明の光ディスク基板用ポリカーボネート樹脂組成物は、ａ）ポリカーボネートと、ｂ）１種類以上の側鎖変性ポリシロキサン化合物、ｃ）１種類以上の離型剤、ｄ）１種類以上の熱安定剤及びｅ）カーボネートオリゴマーをタンブラー、Ｖ型ブレンダー、で混合後、混練ロール、一軸押出機、二軸押出機等で溶融・混練して製造することができる。本発明に関わるポリカーボネート樹脂組成物の製造においては各成分の混合方法、混合の順序、溶融・混練方法は特に限定されることはない。
【００５３】
本発明に関わるポリカーボネート樹脂組成物には、本発明の効果を損なわない範囲で、その効果が発現する量の種々の添加剤、例えば紫外線吸収剤、染顔料等を含有することができる。
【００５４】
【実施例】
以下、本発明を実施例により更に詳細に説明するが、本発明はその要旨を超えない限り、以下の実施例に限定されるものではない。以下の実施例及び比較例における樹脂組成物とディスク基板の製造方法、ディスク基板の評価方法は以下のとおりである。
【００５５】
１）樹脂組成物の製造
三菱エンジニアリングプラスチックス（株）製ポリカーボネート／商品名：ノバレックスＭ７０２０Ａ（粘度平均分子量Ｍｖ＝約１６０００、以下ＰＣと略記）、離型剤としてステアリン酸モノグリセリド（以下離型剤と略記）５００ｐｐｍ、熱安定剤としてリン系熱安定剤１００ｐｐｍ（以下熱安定剤と略記）、実施例および比較例に記載した添加剤、数平均繰り返し単位数ｎ＝３で界面重合法で製造された４−t−ブチルフェニルフェノキシ末端カーボネートオリゴマー（以下オリゴマーと略記）をタンブラーによって混合し、得られた混合物を、４０ｍｍφベント式押出機によってシリンダー温度２７０℃の条件で溶融・混練して樹脂組成物のペレットを得た。
【００５６】
２）光ディスク基板の製造
光ディスク基板の製造方法は以下のとおりである。
成形機：住友重機械工業（株）製ＳＤ４０、金型：精工技研製ＣＤ用金型（基板厚み：１．２ｍｍ、基板直径：１２０ｍｍ）、樹脂組成物の予備乾燥：１２０℃４時間、シリンダー温度：最高温度（圧縮ゾーン）３２０℃、ノズル先端温度２９０℃、金型温度：可動側８０℃、固定側７５℃、成形サイクル：６ｓｅｃ、スタンパー：ＣＤ−Ｒ用スタンパー、の条件にて成形を実施した。
成形中は成形基板そのものの帯電効果を見るため、成形システム内の除電エアー、イオナイザーを全てＯＦＦにして光ディスク基板を成形した。
【００５７】
評価方法は以下の方法に従って実施した。
１）帯電圧
成形直後の基板から６．０ｃｍのところで、春日電気（株）製／デジタル静電電位測定器KSD-0162を用い帯電圧の測定を行った。帯電圧値は１０ショット成形以降の基板について無作為に１６枚のサンプリングを行い、それらの平均値を記載した。
２）トナーによる帯電分布評価
キャノン（株）製トナー／CLC500シリーズのブラックとマゼンダを等量混合し、成形直後の基板に散布し、トナーの分布模様により評価した。
トナーの分布模様による評価を表１に示した。実用的な帯電防止効果はＮｏ．３（△），Ｎｏ．４（○）で示される。
【００５８】
【表１】
2004196950.tif 000011
【００５９】
３）水滴接触角：除電後の光ディスク基板の表面に超純水を滴下し、接触角計（液適法：協和科学株式会社製）により、その液滴の半径ｒ、高さｈを測定し、接触角θを計算した。
【００６０】
【数１】
θ＝２×ｔａｎ−１（ｈ／ｒ）
【００６１】
３）透明性の評価
透明性（Ｈａｚｅ）：ＪＩＳ  Ｋ６７１４に基づき、１．２ｍｍ厚成形基板のヘーズを測定した。２）中のＣＤ−Ｒ用スタンパーを鏡面スタンパーに変えること以外は同様の方法にて成形基板を作成した。
【００６２】
実施例１〜６及び比較例１
側鎖ポリエーテル変性ポリシロキサン化合物（ポリ（ジメチルシロキサン／メチル−，ポリエーテルシロキサン化合物、信越化学工業（株）製、商品名：ＫＦ３５５Ａ、粘度：１４０ｃＳｔ、比重１．０７）又は側鎖ポリエーテル変性ポリシロキサン化合物（ポリ（ジメチルシロキサン／メチル−，ポリエーテルシロキサン化合物、信越化学工業（株）製、商品名：ＫＦ３５４Ａ、粘度：２００ｃＳｔ、比重１．１０）を使用し、表１に示した比率の混合物を前記方法で溶融・混練して得た樹脂組成物から光ディスク基板を成形し、帯電圧、トナーによる帯電分布評価及び水滴接触角を測定し、それらの結果を表２に示した。得られた光ディスク基板は、光ディスク基板として優れた性能を示した。
なお、比較例１として、同じ側鎖ポリエーテル変性ポリシロキサン化合物ＫＦ３５５Ａの使用量を３０ｐｐｍに変更した以外は実施例１〜６と同様に評価を行ったところ、帯電防止性が不十分であった。結果は表３に示した。
【００６３】
実施例７
側鎖変性ポリシロキサンとして、日本ユニカー（株）製側鎖変性シロキサン化合物（構造：以下参照、粘度：１０００ｃＳｔ）を用いた以外は実施例１〜６と同様に成形、評価を実施したところ、高い透明性を有しており、光ディスク基板として優れた性能を示した。結果は表２に示した。
［実施例７の側鎖変性シロキサン化合物の構造］
前記一般式（IV）において、Ｑの二官能性単位の構成が、
側鎖芳香族単位Ｂ（Ｕの一方がメチル基、もう一方がフェネチル基）０．５５部側鎖ポリエーテル単位Ｃ（Ｔの一方がメチル基、もう一方が、−Ｃ３Ｈ６−Ｏ−（Ｃ２Ｈ４−Ｏ）１６−ＣＨ３の基）０．１６部
リン酸エステル単位Ｄ（Ｖの一方がメチル基、もう一方が、−Ｏ−Ｐ（Ｏ）（ＯＨ）−ＯＣ２Ｈ５の基）０．１９部である。
【００６４】
比較例２〜４
表３に示した比率の混合物を実施例１〜６と全く同様な方法で溶融・混練して得た樹脂組成物から光ディスク基板を成形し、帯電圧、トナーによる帯電分布評価及び水滴接触角を測定し、それらの結果を表３に示した。
なお、比較例２〜４に使用した添加剤は、チバ・スペシャリティ・ケミカルズ（株）のＡＴＭＥＲ１１０（エトキシル化ソルビタンモノラウレート）、信越化学工業（株）のＸ−２２−４２７２（末端ポリエチレングリコール変性シロキサン化合物）である。
【００６５】
【表２】
2004196950.tif 000012
【００６６】
【表３】
2004196950.tif 000013
【００６７】
【発明の効果】
本発明の光ディスク基板は、透明性を有し、帯電防止性が根本的に改良され、移送中にディスクが互いにくっついてしまう現象や埃の付着を防止し、帯電による色素塗布不良が改善される。したがって追記型光ディスク基板を始め、高密度光学情報記録基板等の光ディスク基板としての性能に優れており、利用価値は大である。