(57)【要約】【課題】回路モジュールを構成する誘電体基板に対して垂直な方向に信号伝送を行う構造としてビアホール部を採用した高周波回路において、低反射な伝送特性を高周波帯域まで実現することが出来ない。【解決手段】ビアホール部１１周辺において接地導体配線を配置できないことから生じる、ビアホール部１１に接続される伝送線路の特性インピーダンスが不要な増加を、ビアホール部１１周辺の引き出し線領域における信号導体配線２の配線幅の増加によって抑制することにより、高周波特性の改善を実現する。【選択図】  図１
2004363975.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
誘電体基板と、
該誘電体基板の表面に第一の信号導体配線を有する第一の伝送線路と、
該誘電体基板の裏面に第二の信号導体配線を有する第二の伝送線路と、
該誘電体基板を垂直に貫通する接続用貫通導体と該誘電体基板表面に形成された第一の導体ランドと該誘電体基板裏面に形成された第二の導体ランドがそれぞれ接続されて構成されるビアホール部とを有し、
該第一の信号導体配線と該第一の導体ランドが接続され、
該第二の信号導体配線と該第二の導体ランドが接続され、
少なくとも一部の領域において、
該第一の信号導体配線と対向する該誘電体基板裏面に第一の接地導体面が配置され、
該第一の伝送線路の特性インピーダンスが所定の値となるよう該第一の信号導体配線の配線幅が所定値に設計されており、
該ビアホール部周辺で該第一の接地導体面が該誘電体基板裏面に存在しない領域の少なくとも一部において、
該第一の信号導体配線の配線幅が該所定値よりも広く設定されることを特徴とする高周波回路。
【請求項２】
誘電体基板と、
該誘電体基板の表面に第一の信号導体配線を有する第一の伝送線路と、
該誘電体基板の裏面に第二の信号導体配線を有する第二の伝送線路と、
該誘電体基板を垂直に貫通する接続用貫通導体と該誘電体基板表面に形成された第一の導体ランドと該誘電体基板裏面に形成された第二の導体ランドがそれぞれ接続されて構成されるビアホール部とを有し、
該第一の信号導体配線と該第一の導体ランドが接続され、
該第二の信号導体配線と該第二の導体ランドが接続され、
少なくとも一部の領域において、
該第一の信号導体配線と対向する該誘電体基板裏面に第一の接地導体面が配置され、
少なくとも一部の領域において、
該第二の信号導体配線と対向する該誘電体基板裏面に第二の接地導体面が配置され、
該ビアホール部周辺で該第一の接地導体面が該誘電体基板裏面に存在しない第一の引き出し線領域における該第一の伝送線路が、
該ビアホール部周辺で該第二の接地導体面が該誘電体基板裏面に存在しない第二の引き出し線領域における該第二の伝送線路よりも高い特性インピーダンスを有し、
該第一の引き出し線領域の領域長が該第二の引き出し線領域の領域長と比較して短く設定されることを特徴とする高周波回路。
【請求項３】
誘電体基板と、
該誘電体基板の表面に第一の信号導体配線を有する第一の伝送線路と、
該誘電体基板の裏面に第二の信号導体配線を有する第二の伝送線路と、
該誘電体基板を垂直に貫通する接続用貫通導体と該誘電体基板表面に形成された第一の導体ランドと該誘電体基板裏面に形成された第二の導体ランドがそれぞれ接続されて構成されるビアホール部とを有し、
該第一の信号導体配線と該第一の導体ランドが接続され、
該第二の信号導体配線と該第二の導体ランドが接続され、
少なくとも一部の領域において、
該第一の信号導体配線と対向する該誘電体基板裏面に第一の接地導体面が配置され、
少なくとも一部の領域において、
該第二の信号導体配線と対向する該誘電体基板裏面に第二の接地導体面が配置され、
該ビアホール部周辺で該第一の接地導体面が該誘電体基板裏面に存在しない第一の引き出し線領域における該第一の伝送線路が
該ビアホール部周辺で該第二の接地導体面が該誘電体基板裏面に存在しない第二の引き出し線領域における該第二の伝送線路よりも高い特性インピーダンスを有し、
該第一の引き出し線領域における該第一の信号導体配線の導体厚が、該第一の引き出し線領域以外における該第一の信号導体配線の導体厚よりも厚く設定されることを特徴とする高周波回路。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、主として、マイクロ波及びミリ波帯に相当する周波数の信号を伝送する高周波回路に関するものである。特に、所定のインピーダンスに設定され、誘電体基板の表面（又は裏面）に信号導体配線を有する伝送系から、同じく所定のインピーダンスに設定され、誘電体基板の裏面（又は表面）に信号導体配線を有する伝送系へ、信号を（誘電体基板に垂直な方向へ）伝送する場合に、低周波帯から高周波帯まで広帯域に反射を低減するのに適した回路構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、無線機器は利用者の急激な増加に伴い高周波化が進み、新たな周波数資源であるミリ波帯の利用が急務となっている。又、高速デジタル信号の伝送の分野においても、伝送される信号の周波数が加速度的に向上している。伝送信号を増幅、周波数変換、経路切り替え、等の処理する高周波回路構造にも小型化が望まれ、平面回路から３次元回路への容積縮小が急務である。また、従来よりも伝送周波数が向上しているのにもかかわらず、無線モジュールの実装方法には、従来と同様の簡易な実装方法、即ち、表面実装型の実装方法への対応が望まれている。いずれの場合においても、誘電体基板の表面と裏面にそれぞれ信号導体配線を形成した回路間を接続するためには垂直伝送構造が必要となる。例えば、表面実装型の回路モジュール実現のためには、表面に収納した高周波機能素子と、外部回路基板を接続するために、回路モジュールを構成する誘電体基板に対して垂直に信号を伝送する回路構造が必要となる。
【０００３】
例えば、本発明に関わる従来の高周波回路の構造としては、誘電体基板を貫通する接続用貫通導体等を用いて、誘電体基板表面に配置された信号導体配線から誘電体基板裏面に配置された信号導体配線を電気的に接続し、誘電体基板裏面に引き出された信号導体配線を接続端子として、半田リフローによって外部回路基板表面に形成された信号導体配線と接続することによる表面実装形態が提案されている。また、上記方法以外にも、スロット回路を用いて、誘電体基板の表裏面の両信号導体配線を所定の周波数帯において電磁結合的に接続する方法も用いられている。
【０００４】
しかしながら、誘電体基板に対して垂直に信号を伝送する従来の回路構造において、ミリ波帯のような高周波信号を伝送する際には、さまざまな個所での反射が伝送特性を深刻に劣化させていた。
【０００５】
例えば、非特許文献１においてセラミック基板中に形成されたビアホール部の伝送特性について、ミリ波帯においてはビアホール部では低損失な伝送が困難であるという報告がなされている。また、同様に非特許文献２においてはＬＴＣＣ基板を貫通して形成されたビアホール部の伝送特性について４０ＧＨｚまで報告がなされており、３５ＧＨｚを超えた周波数帯域での伝送特性劣化が報告されている。
【０００６】
ビアホール部が高周波帯において伝送特性を劣化させるとの報告に比べ、スロット回路を利用した電磁結合接続は高周波帯で伝送損失の点で有利であるとされている。例えば非特許文献３においては、７７ＧＨｚにおいて機能する表面実装パッケージ設計の例が紹介されており、挿入損失１．０ｄＢの低損失特性を得ている。しかし、スロット回路による電磁結合回路は帯域通過フィルタ特性を有し、広帯域化には限界がある。また、基本的に回路サイズはスロット共振器の共振周波数に依存するため、低周波帯域では回路面積が増大してしまう。即ち、低周波帯域から高周波帯域まで広帯域伝送を行う構造としては不適当である。
【０００７】
【非特許文献１】
永田、他２名、「３次元配線パターンに用いるＶＩＡの伝送特性（２）」、エレクトロニクスソサイエティ大会予稿集、電子情報通信学会、１９９５年９月、ｐ．Ｃ−３２６
【非特許文献２】
２００１  Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ  Ｍｉｃｒｏｗａｖｅ  Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ  Ｄｉｇｅｓｔ、ＩＥＥＥ  ＭＴＴ−Ｓ、２００１年５月１９日、第３巻、ｐ．１９０７
【非特許文献３】
２０００  Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ  Ｍｉｃｒｏｗａｖｅ  Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ  Ｄｉｇｅｓｔ、ＩＥＥＥ  ＭＴＴ−Ｓ、２００１年６月１０日、第１巻、ｐ．６１
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
以上述べたように、従来、広帯域伝送の可能なビアホール構造を用いた伝送部においては、低反射な伝送特性が高周波帯域まで実現されていなかった。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明者等は、該課題を解決すべく検討を重ねた結果、従来の高周波回路構造において低反射な伝送特性の実現を阻害している原因を見出し、本発明に至った。すなわち、従来の高周波回路では、ビアホール部と接地導体配線が接続されると高周波信号が接地されてしまうため、当然ビアホール部周辺の領域においては接地導体配線が基板の表面や裏面から除去されてしまう。このため、ビアホール部へ接続される伝送線路の特性インピーダンスが不要に増大してしまう領域が生じ、この領域長が伝送する信号の波長と比較して無視出来なくなる高周波帯において伝送特性の劣化が生じていたものである。このため、低反射な伝送特性を実現するためには、ビアホール部周辺の伝送線路の特性インピーダンスを従来よりも低く設定する手段を有する回路構造が上記課題を解決するための手段として有効であることを見出した。
【００１０】
そこで、本発明の第一の高周波回路においては、
誘電体基板と、
該誘電体基板の表面に第一の信号導体配線を有する第一の伝送線路と、
該誘電体基板の裏面に第二の信号導体配線を有する第二の伝送線路と、
該誘電体基板を垂直に貫通する接続用貫通導体と該誘電体基板表面に形成された第一の導体ランドと該誘電体基板裏面に形成された第二の導体ランドがそれぞれ接続されて構成されるビアホール部とを有し、
該第一の信号導体配線と該第一の導体ランドが接続され、
該第二の信号導体配線と該第二の導体ランドが接続され、
少なくとも一部の領域において、
該第一の信号導体配線と対向する該誘電体基板裏面に第一の接地導体面が配置され、
該第一の伝送線路の特性インピーダンスが所定の値となるよう該第一の信号導体配線の配線幅が所定値に設計されており、
該第一の接地導体面が該誘電体基板裏面に存在しない第一の引き出し線領域の少なくとも一部において、
該第一の信号導体配線の配線幅が該所定値よりも広く設定されることを特徴とすることにより、上記課題を解決する。本発明の高周波回路においては、該第一の引き出し線領域における接地導体除去によって該第一の伝送線路の特性インピーダンスが極端に増加し、該第一の引き出し線領域の領域長が伝送信号の実効波長に対して無視できなくなる高周波帯域において高周波特性の劣化を招いていた従来の高周波回路の課題を解決し、伝送特性劣化の抑制という有利な効果が得られる。
【００１１】
なお、本発明の高周波回路において、該誘電体基板の表面と裏面の区別は実空間での上下と厳密に一致する必要はなく、実空間において該第一の信号導体配線が該誘電体基板の下に配置される構造であっても同様の効果が得られる。
【００１２】
なお、本発明の高周波回路において、該第一、および第二の伝送線路の特性インピーダンスは伝送系が要求する任意のインピーダンスに設定されてもよく、本発明の請求の範囲において５０Ωという値に限定するものではない。
【００１３】
なお、本発明の高周波回路において、該第一、および第二の伝送線路は、本発明の高周波回路の構造に含有される信号導体配線と接地導体配線の組み合わせのみを考慮して所望の特性インピーダンスとなるべく設計されるだけでなく、本発明の高周波回路が実際に使用される状況において周辺に配置される外部回路に存在する接地導体配線との関係をあらかじめ考慮して設計されてもよい。
【００１４】
なお、本発明のより好ましい例として、
該第二の信号導体配線と対向する該誘電体基板の表面に第二の接地導体面が配置され、
該第二の伝送線路の特性インピーダンスが５０Ωとなるよう該第二の信号導体配線の配線幅が所定値に設計されており、
該第二の接地導体面が該誘電体基板の表面に存在しない第二の引き出し線領域の少なくとも一部において、
該第二の信号導体配線の配線幅が該所定値よりも広く設定されることを特徴とする高周波回路により、更に高周波特性の劣化が抑制され、より有利な効果が得られる。
【００１５】
また、本発明の第二の高周波回路においては、
誘電体基板と
該誘電体基板の表面に第一の信号導体配線を有する第一の伝送線路と、
該誘電体基板の裏面に第二の信号導体配線を有する第二の伝送線路と、
該誘電体基板を垂直に貫通する接続用貫通導体と該誘電体表面に形成された第一の導体ランドと該誘電体裏面に形成された第二の導体ランドがそれぞれ接続されて構成されるビアホール部とを有し、
該第一の信号導体配線と該第一の導体ランドが接続され、
該第二の信号導体配線と該第二の導体ランドが接続され、
少なくとも一部の領域において、
該第一の信号導体配線と対向する該誘電体基板裏面に第一の接地導体面が配置され、
少なくとも一部の領域において、
該第二の信号導体配線と対向する該誘電体基板裏面に第二の接地導体面が配置され、
該第一の接地導体面が該誘電体基板裏面に存在しない第一の引き出し線領域における該第一の伝送線路が、
該第二の接地導体面が該誘電体基板裏面に存在しない第二の引き出し線領域における該第二の伝送線路と比較して、
高い特性インピーダンスを有し、
該第一の引き出し線領域の領域長が該第二の引き出し線領域の領域長と比較して短く設定されることを特徴とする高周波回路により、
上記課題を解決する。
【００１６】
本発明の高周波回路においては、該第一の引き出し線領域において接地導体配線が除去されることによって伝送線路の特性インピーダンスが極端に増加し、該第一の引き出し線領域の領域長が伝送信号の波長に対して無視できなくなる高周波帯域において高周波特性の劣化を招いていた従来の高周波回路の課題を解決し、伝送特性劣化の抑制という有利な効果が得られる。
【００１７】
また、本発明の第三の高周波回路においては、
誘電体基板と
該誘電体基板の表面に第一の信号導体配線を有する第一の伝送線路と、
該誘電体基板の裏面に第二の信号導体配線を有する第二の伝送線路と、
該誘電体基板を垂直に貫通する接続用貫通導体と該誘電体表面に形成された第一の導体ランドと該誘電体裏面に形成された第二の導体ランドがそれぞれ接続されて構成されるビアホール部とを有し、
該第一の信号導体配線と該第一の導体ランドが接続され、
該第二の信号導体配線と該第二の導体ランドが接続され、
少なくとも一部の領域において、
該第一の信号導体配線と対向する該誘電体基板裏面に第一の接地導体面が配置され、
少なくとも一部の領域において、
該第二の信号導体配線と対向する該誘電体基板裏面に第二の接地導体面が配置され、
該第一の接地導体面が該誘電体基板裏面に存在しない第一の引き出し線領域における該第一の伝送線路が
該第二の接地導体面が該誘電体基板裏面に存在しない第二の引き出し線領域における該第二の伝送線路よりも
高い特性インピーダンスを有し、
該第一の接地導体領域における該第一の信号導体配線の導体厚が、該第一の接地導体領域以外における該第一の信号導体配線の導体厚よりも厚く設定されること、
により上記課題を解決する。
【００１８】
本発明の高周波回路においては、該第一の引き出し線領域において接地導体配線が除去されることによって伝送線路の特性インピーダンスが極端に増加し、該第一の引き出し線領域の領域長が伝送信号の波長に対して無視できなくなる高周波帯域において高周波特性の劣化を招いていた従来の高周波回路の課題を解決し、伝送特性劣化の抑制という有利な効果が得られる。
【００１９】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の形態について、以下、図面を用いて説明する。以下の図面において、便宜上、同様の作用、機能を果たすものは、別の図面であっても、同じ符号が付与されている。しかし、これらは、必ずしも厳密に同一のものではない。
【００２０】
（実施の形態１）
本発明の第一の高周波回路の一例を、図１及び２に示す。なお、本発明は、実施の形態に限定されない。
【００２１】
図１、２は、本発明の高周波回路を違った方向、断面から見た図である。上面図を図１（ａ）、下面図を同図（ｂ）、上面図中ｃ−ｃ１での概略断面図を同図（ｃ）、上面図すなわち図１（ａ）中Ａ−Ａ１での概略断面図を図２（Ａ）、上面図中Ｂ−Ｂ１での概略断面図を同図（Ｂ）、上面図中Ｃ−Ｃ１での概略断面図を同図（Ｃ）、上面図中Ｄ−Ｄ１での概略断面図を同図（Ｄ）、上面図中Ｅ−Ｅ１での概略断面図を同図（Ｅ）に示す。
【００２２】
図１、２において、本発明の高周波回路に拠れば、誘電体基板１の表面に第一の信号導体配線２が形成され、任意の間隔を介して第一の信号導体配線２と平行に接地導体配線３が形成され、さらに誘電体基板１の裏面には第一の信号導体配線２との対向領域を少なくとも含む領域に第一の接地導体面４が形成されており、信号導体配線２と各接地導体との間の電磁界分布に基づいて、グラウンド付コプレーナ線路構造をとる第一の伝送線路の伝送特性が決定される。ここで、第一の伝送線路の特性インピーダンスは所定値に設定されるべく、第一の信号導体配線の配線幅Ｗ１が調整される。一般的に上記所定値は５０オームに設計される場合が多いが、別の値に設定することも同様に可能である。なお、誘電体基板１の表面に形成される接地導体配線３を廃し、マイクロストリップ線路構造を採用することも同様に可能である。
【００２３】
誘電体基板１の裏面には、第二の信号導体配線５が形成され、任意の間隔を介して第二の信号導体配線５と平行に接地導体配線６が形成され、さらに誘電体基板の表面には第二の信号導体配線５との対向領域を少なくとも含む領域に第二の接地導体面７が形成されており、第二の信号導体配線５と各接地導体との間の電磁界分布に基づいて、グラウンド付コプレーナ線路構造をとる第二の伝送線路の伝送特性が決定される。第一の伝送線路と同様、第二の伝送線路もマイクロストリップ線路構造を採用することが可能である。
【００２４】
また、例えば、本発明の回路構造は、図３（ａ）に断面構造を示すように、多層基板回路９９中の一部分についても適用可能であるし、図３（ｂ）に断面構造を示すように、一層基板で構成される本発明の高周波回路９８を別の外部回路基板９７上に実装し、全体の回路構造９６を実現する場合においても適用可能であることは云うまでもない。例えば、前者においては、多層基板回路９９中に含まれる本発明の高周波回路部分９８中以外の層構造９５中に含まれる接地導体配線９４からの容量や信号導体配線９３との結合などが、後者においては、別の外部回路基板９８の表面や裏面、および別の外部回路基板９８が多層回路基板の場合はその内部、に分散して存在しうる接地導体配線９４からの容量や信号導体配線９３との結合などが影響して、本発明の高周波回路内に含まれる第一および第二の伝送線路の特性は変化しうるが、設計時からこれらの影響を考慮して、伝送線路の特性を設計しておくことも可能である。例えば、図３（ｃ）に示したように、周辺の接地導体配線９４を考慮すると、第一、および第二の伝送線路の伝送構造はグラウンド付ストリップ線路構造にもなりうる。
【００２５】
また、高周波信号の不要な反射を防ぐため、誘電体基板１の表裏面に存在する接地導体配線間は、任意の間隔、形状、サイズで形成される接続用貫通導体柱（図示せず）により接続され、電位が統一されることが好ましい。接続用貫通導体の周期的な配置は、高次モードが誘起されることによる伝送信号の放射損失を低減する効果もあるため好ましい。
【００２６】
誘電体基板１の表面には第一の導体ランド８が、裏面には第二の導体ランド９が存在し、上記ランド間は接続用貫通導体１０により接続され、ビアホール部１１を形成している。第一の信号導体配線２は第一の導体ランド８と、第二の信号導体配線５は第二の導体ランド９とそれぞれ接続されている。この接続により、第一の伝送線路と第二の伝送線路間はビアホール部を介して接続される。ここで、ビアホール部１１を接地することなきために、第一および第二の伝送線路構造の一部をなしていた接地導体群は第一および第二の導体ランド周辺領域から排除されるため、第一の伝送線路構造と第一の導体ランドの接続部においては、誘電体基板１を挟んで第一の信号導体配線２と対向する領域から接地導体配線４が除去された第一の引き出し線領域１２が構成されており、同様に、第二の伝送線路構造と第二の導体ランドの接続部においては、誘電体基板１を挟んで第二の信号導体配線５と対向する領域から接地導体配線７が除去されてなる第二の引き出し線領域１３が構成されている。
【００２７】
なお、接地導体間の電位の連続性を維持するためにも、第一導体ランド８周辺からは距離をおいた任意の領域に第一の追加接地導体配線１４が形成され、第一の接地導体面３と第二の接地導体面７とが接続されることが好ましい。同様に、第二導体ランド９周辺からは距離をおいた任意の領域に第二の追加接地導体配線１５が形成され、第一の接地導体面４と第二の接地導体面６とが接続されることが好ましい。
【００２８】
本発明の第一の高周波回路においては、第一の引き出し線領域１２における第一の信号導体配線２の配線幅Ｗ１Ａが、少なくとも一部の個所において、第一の伝送線路の特性インピーダンスを所定インピーダンスとすべく設定された信号導体配線幅である所定値Ｗ１と比較して、広く設定することを特徴とする。
【００２９】
図２（Ａ）と図２（Ｂ）の比較より、本発明の高周波回路内の第一の引き出し線領域１２において第一の伝送線路の断面構造および高周波特性が如何に変化したかを説明する。図２（Ａ）においては、第一の信号導体配線２の線路幅Ｗ１は周辺の接地導体配線３と第一の接地導体面４との間の関係から所定の特性インピーダンスを与えるよう決定されるが、図２（Ｂ）の第一の引き出し線領域においては、誘電体基板１の裏面から接地導体面が排除されている。このため、第一の引き出し線領域１２における第一の信号導体配線２の配線幅Ｗ１ＡをＷ１と同一にしたままの従来の高周波回路内においては、第一の引き出し線領域において特性インピーダンスが急激に増加し、高周波信号の反射を招いていた。
【００３０】
図４には、厚さ１２５ミクロン、誘電率３の液晶ポリマー材料を誘電体基板１として適用した場合の、第一の伝送線路の特性インピーダンスの第一の信号導体配線２の配線幅Ｗ１、Ｗ１Ａ依存性を示す。誘電体基板１の表裏面に設けた導体パターンの厚さは４０ミクロンである。通常の第一の伝送線路における第一の信号配線２と接地導体配線３間の間隙を２００ミクロンとした。第一の引き出し線領域１２において、誘電体基板１の裏面に形成した接地導体配線１５間の距離を１０００ミクロンと設定した。これは、第二の導体ランド９が直径６００ミクロンで形成され、その周辺に２００ミクロンの間隙を介して接地導体配線１５パターンが分布される状態を想定して、２００ミクロンの２倍と６００ミクロンの和から、設定された値である。同様に、誘電体基板１の表面に形成した接地導体配線１４間の距離も１０００ミクロンと設定した。図より、通常の第一の伝送線路において、第一の信号導体配線２の配線幅Ｗ１を２３０ミクロンに設定すると、５０オームの特性インピーダンスを有する伝送線路が実現できることが分かるが、同様の配線幅で第一の引き出し線領域１２の伝送線路を構成した場合、特性インピーダンスは１００Ω以上に達することが分かる。伝送する信号が高周波化するほど信号の実効波長は短くなるため、第一の引き出し線領域において起こる特性インピーダンスの増加は、伝送特性に深刻な劣化を生じさせることが明らかである。
【００３１】
本発明の第一の高周波回路においては、第一の引き出し線領域１２において、第一の信号導体配線の配線幅Ｗ１ＡがＷ１と比較して大きく設定されるため、上記劣化を低減することが可能となり、高周波帯域まで良好な伝送特性を維持したビアホール部を含む高周波回路の実現が可能となるものである。
【００３２】
なお、本発明のより好ましい例として、
該第二の引き出し線領域の少なくとも一部において、
該第二の信号導体配線の配線幅Ｗ２Ａが所定の特性インピーダンスを得るために調整された値であるＷ２よりも広く設定されることを特徴とする高周波回路により、更に高周波特性の劣化が抑制され、より有利な効果が得られる。
【００３３】
なお、本発明の高周波回路において、
導体配線の幅が変化する場合に、テーパ状に幅を変化させることにより、例えば矩形形状の配線幅の変化個所などと比較すると伝送信号の不要な反射が低減されるという有利な効果が得られることは云うまでもない。
【００３４】
（実施の形態２）
本発明の第二の高周波回路の実施の形態について図面に基づき説明する。なお、本発明は、実施の形態に限定されない。
【００３５】
図５、６は、本発明の高周波回路の一例を説明するための上面図、図５（ａ）、下面図（ｂ）、上面図中ｃ−ｃ１での概略断面図（ｃ）、上面図すなわち図５（ａ）中Ａ−Ａ１での概略断面図、図６（Ａ）、上面図中Ｂ−Ｂ１での概略断面図（Ｂ）、上面図中Ｃ−Ｃ１での概略断面図（Ｃ）、上面図中Ｄ−Ｄ１での概略断面図（Ｄ）、上面図中Ｅ−Ｅ１での概略断面図（Ｅ）である。
【００３６】
図５において、本発明の高周波回路に拠れば、誘電体基板１の表面に第一の信号導体配線２が形成され、任意の間隔を介して第一の信号導体配線２と平行に接地導体配線３が形成され、さらに誘電体基板１の裏面には第一の信号導体配線２との対向領域を少なくとも含む領域に第一の接地導体面４が形成されており、信号導体配線２と各接地導体との間の電磁界分布に基づいて、グラウンド付コプレーナ線路構造をとる第一の伝送線路の伝送特性が決定される。ここで、第一の伝送線路の特性インピーダンスは所定値に設定されるべく、第一の信号導体配線の配線幅Ｗ１が調整される。一般的に上記所定値は５０オームへ設計される場合が多いが、別の値に設定することも同様に可能である。なお、誘電体基板１の表面に形成される接地導体配線３を廃し、マイクロストリップ線路構造を採用することも同様に可能である。
【００３７】
誘電体基板１の裏面には、第二の信号導体配線５が形成され、任意の間隔を介して第二の信号導体配線５と平行に接地導体配線６が形成され、さらに誘電体基板の表面には第二の信号導体配線５との対向領域を少なくとも含む領域に第二の接地導体面７が形成されており、第二の信号導体配線５と各接地導体との間の電磁界分布に基づいて、グラウンド付コプレーナ線路構造をとる第二の伝送線路の伝送特性が決定される。第一の伝送線路と同様、第二の伝送線路もマイクロストリップ線路構造を採用することが可能である。
【００３８】
誘電体基板１の表面には第一の導体ランド８が、裏面には第二の導体ランド９が存在し、上記ランド間は接続用貫通導体１０により接続され、ビアホール部１１を形成している。第一の信号導体配線２は第一の導体ランド８と、第二の信号導体配線５は第二の導体ランド９とそれぞれ接続されている。この接続により、第一の伝送線路と第二の伝送線路間はビアホール部を介して接続される。ここで、ビアホール部１１を接地することなきために、第一および第二の伝送線路構造の一部をなしていた接地導体群は第一および第二の導体ランド周辺領域から排除されるため、第一の伝送線路構造と第一の導体ランドの接続部においては、誘電体基板１を挟んで第一の信号導体配線２と対向する領域から接地導体配線４が除去された第一の引き出し線領域１２が構成されており、同様に、第二の伝送線路構造と第二の導体ランドの接続部においては、誘電体基板１を挟んで第二の信号導体配線５と対向する領域から接地導体配線７が除去されてなる第二の引き出し線領域１３が構成されている。
【００３９】
なお、接地導体間の電位の連続性を維持するためにも、第一導体ランド８周辺からは距離をおいた任意の領域に第一の追加接地導体配線１４が形成され、第一の接地導体面３と第二の接地導体面７とが接続されることが好ましい。同様に、第二導体ランド９周辺からは距離をおいた任意の領域に第二の追加接地導体配線１５が形成され、第一の接地導体面４と第二の接地導体面６とが接続されることが好ましい。
【００４０】
本発明の第二の高周波回路においては、第一の引き出し線領域１２における第一の伝送線路の特性インピーダンスＺ１が、第二の引き出し線領域１３における第二の伝送線路の特性インピーダンスＺ２よりも高く、第一の引き出し線領域の領域長Ｌ１が第二の引き出し線領域の領域長Ｌ２よりも短く設定されることを特徴とする。
【００４１】
図６（Ａ）と図６（Ｂ）の比較より、本発明の高周波回路内の第一の引き出し線領域１２において第一の伝送線路の断面構造および高周波特性が如何に変化したかを説明する。図６（Ａ）においては、第一の信号導体配線２の線路幅Ｗ１は周辺の接地導体配線３と第一の接地導体面４との間の関係から所定の特性インピーダンスを与えるよう決定されるが、図６（Ｂ）の第一の引き出し線領域においては、誘電体基板１の裏面から接地導体面が排除されている。このため、第一の引き出し線領域１２における第一の信号導体配線２の配線幅Ｗ１ＡをＷ１と同一にしたままの従来の高周波回路内においては、第一の引き出し線領域において特性インピーダンスが急激に増加し、高周波信号の反射を招いていた。
【００４２】
本発明の第一の高周波回路においても説明したように、第一の引き出し線領域１２において、第一の信号導体配線の配線幅Ｗ１ＡがＷ１と比較して大きく設定することにより、上記劣化を低減することが可能となるが、それでも特性インピーダンスは５０Ωよりも高い値となる場合も現実には存在しうる。例えば、図４を用いて説明した設定での第一の引き出し線領域における第一の伝送線路の特性インピーダンスは、誘電体基板１の厚さの５倍近い値に第一の信号導体配線の配線幅Ｗ１Ａを設定しても特性インピーダンスは６０Ω以上の値にしかならず、回路面積の縮小と低反射な伝送特性の両立が困難となる。そこで、本発明の第二の高周波回路は、第二の引き出し線領域における第二の伝送線路の特性インピーダンスＺ２よりも、第一の引き出し線領域における第一の伝送線路の特性インピーダンスＺ１よりも高く、かつ第一の引き出し線領域１２の領域長Ｌ１が第二の引き出し線領域１３の領域長Ｌ２と比較して短く設定することを特徴とするものである。
【００４３】
例えば、本発明の高周波回路を別の高周波回路基板９７上に実装して使用するような状況を想定した場合、図７のように、本発明の第一、および第二の引き出し線領域の伝送線路、を含む本発明の高周波回路９８と、別の高周波回路の表面や裏面、もしくは内部などの少なくとも一つに分布して存在する接地導体配線９４との間には相互作用が発生する。図７（ａ）は、表面実装時の第二の引き出し線領域での第二の伝送線路構造の断面図で、図７（ｂ）は、表面実装時の第一の引き出し線領域での第一の伝送線路構造の断面図である。図より明らかなように、誘電体基板１の裏面に第二の信号導体配線５が配置される場合、第二の引き出し線領域１３の第二の信号導体配線５は、その下部に配置される接地導体配線９４との間の距離が、第一の引き出し線領域１２の第一の信号導体配線２と比較して近いため、発生する容量が大きく特性インピーダンスを低減することが可能である。一方、第一の引き出し線領域の伝送線路の特性インピーダンスに生じる改善は少ない。
【００４４】
また、例えば、図６（Ｂ）に示した断面構造において、第一の引き出し線領域における第一の信号導体配線２の配線幅Ｗ１Ａを極端に増加させても、高周波帯においては寄生モードの誘起により放射損失が増加してしまうため、５０Ωへの特性インピーダンスの調整が可能な周波数帯域が限定されてしまう。
【００４５】
そこで、本発明の回路構造により、回路面積の制限下においても、より深刻に伝送特性を劣化させる側の引き出し線領域の影響を減じることが可能となるという有利な効果が得られる。
【００４６】
（実施の形態３）
本発明の第三の高周波回路の実施の形態について図面に基づき説明する。なお、本発明は、実施の形態に限定されない。図８，９は、本発明の高周波回路の一例を説明するための上面図である図８（ａ）、下面図（ｂ）、上面図中ｃ−ｃ１での概略断面図（ｃ）、上面図すなわち図８（ａ）中Ａ−Ａ１での概略断面図（Ａ）、上面図中Ｂ−Ｂ１での概略断面図（Ｂ）、上面図中Ｃ−Ｃ１での概略断面図（Ｃ）、上面図中Ｄ−Ｄ１での概略断面図（Ｄ）、上面図中Ｅ−Ｅ１での概略断面図（Ｅ）である。
【００４７】
図８，９において、本発明の高周波回路に拠れば、誘電体基板１の表面に第一の信号導体配線２が形成され、任意の間隔を介して第一の信号導体配線２と平行に接地導体配線３が形成され、さらに誘電体基板１の裏面には第一の信号導体配線２との対向領域を少なくとも含む領域に第一の接地導体面４が形成されており、信号導体配線２と各接地導体との間の電磁界分布に基づいて、グラウンド付コプレーナ線路構造をとる第一の伝送線路の伝送特性が決定される。ここで、第一の伝送線路の特性インピーダンスは所定値に設定されるべく、第一の信号導体配線の配線幅Ｗ１が調整される。一般的に上記所定値は５０オームへ設計される場合が多いが、別の値に設定することも同様に可能である。
【００４８】
誘電体基板１の裏面には、第二の信号導体配線５が形成され、任意の間隔を介して第二の信号導体配線５と平行に接地導体配線６が形成され、さらに誘電体基板の表面には第二の信号導体配線５との対向領域を少なくとも含む領域に第二の接地導体面７が形成されており、第二の信号導体配線５と各接地導体との間の電磁界分布に基づいて、グラウンド付コプレーナ線路構造をとる第二の伝送線路の伝送特性が決定される。
【００４９】
誘電体基板１の表面には第一の導体ランド８が、裏面には第二の導体ランド９が存在し、上記ランド間は接続用貫通導体１０により接続され、ビアホール部１１を形成している。第一の信号導体配線２は第一の導体ランド８と、第二の信号導体配線５は第二の導体ランド９とそれぞれ接続されている。この接続により、第一の伝送線路と第二の伝送線路間はビアホール部を介して接続される。ここで、ビアホール部１１を接地することなきために、第一および第二の伝送線路構造の一部をなしていた接地導体群は第一および第二の導体ランド周辺領域から排除されるため、第一の伝送線路構造と第一の導体ランドの接続部においては、誘電体基板１を挟んで第一の信号導体配線２と対向する領域から接地導体配線４が除去された第一の引き出し線領域１２が構成されており、同様に、第二の伝送線路構造と第二の導体ランドの接続部においては、誘電体基板１を挟んで第二の信号導体配線５と対向する領域から接地導体配線７が除去されてなる第二の引き出し線領域１３が構成されている。
【００５０】
接地導体間の電位の連続性を維持するためにも、第一導体ランド８周辺からは距離をおいた任意の領域に第一の追加接地導体配線１４が形成され、第一の接地導体面３と第二の接地導体面７とが接続される。同様に、第二導体ランド９周辺からは距離をおいた任意の領域に第二の追加接地導体配線１５が形成され、第一の接地導体面４と第二の接地導体面６とが接続される。
【００５１】
本発明の第三の高周波回路においては、第一の引き出し線領域１２における伝送特性劣化を防ぐために、第一の引き出し線領域１２における第一の信号導体配線２の少なくとも一部の導体厚ｔ１Ａが、該第一の引き出し線領域１２以外の領域における該第一の信号導体配線２の導体厚ｔ１と比較して厚く設定された構造を特徴とするものである。
【００５２】
図９（Ａ）と図９（Ｂ）の比較より、本発明の高周波回路内の第一の引き出し線領域１２において第一の伝送線路の断面構造および高周波特性が如何に変化したかを説明する。図９（Ａ）においては、第一の信号導体配線２の線路幅Ｗ１は周辺の接地導体配線３と第一の接地導体面４との間の関係から所定の特性インピーダンスを与えるよう決定されるが、図９（Ｂ）の第一の引き出し線領域においては、誘電体基板１の裏面から接地導体面が排除されている。このため、第一の引き出し線領域１２における第一の信号導体配線２の導体配線高さｔ１Ａをｔ１と同一にしたままの従来の高周波回路内においては、第一の引き出し線領域において特性インピーダンスが急激に増加し、高周波信号の反射を招いていた。
【００５３】
厚さ１２５ミクロン、誘電率３の液晶ポリマー材料を誘電体基板１として適用した場合の、第一の伝送線路の特性インピーダンスの第一の信号導体配線２の導体厚ｔ１Ａ依存性について説明する。誘電体基板１の表裏面に設けた導体パターンの厚さは４０ミクロンとした。第一の信号導体配線２の配線幅は２３０ミクロンとした。通常の第一の伝送線路における第一の信号配線２と接地導体配線３間の間隙を２００ミクロンとした。第一の引き出し線領域１２において、誘電体基板１の裏面に形成した接地導体配線１５間の距離を１０００ミクロンと設定した。これは、第二の導体ランド９が直径６００ミクロンで形成され、その周辺に２００ミクロンの間隙を介して接地導体配線１５パターンが分布される状態を想定して、２００ミクロンの２倍と６００ミクロンの和から、設定された値である。同様に、誘電体基板１の表面に形成した接地導体配線１４間の距離も１０００ミクロンと設定した。第一の引き出し線領域１２において、ｔ１Ａを通常の導体厚である４０ミクロンに設定した場合、第一の伝送線路の特性インピーダンスは１００Ωであったが、ｔ１Ａを５０ミクロンに設定した場合、特性インピーダンスは９２Ω、ｔ１Ａを６０ミクロンに設定した場合の特性インピーダンスは８６オームまで改善される。
【００５４】
なお、本発明の第三の高周波回路においては、第一の引き出し線領域における第一の信号導体配線のみならず、第二の引き出し線領域における第二の信号導体配線の導体厚も厚く設定することによっても、より有利な効果を得ることが出来る。
【００５５】
また、本発明の第三の高周波回路においては、第一の引き出し線領域１２に近接する第一ランド８の導体厚を厚くすることによっても、近接する接地導体配線１４との間に発生する容量が増加するために、近接する第一の引き出し線領域１２における第一の伝送線路の高インピーダンス特性を相殺するに相当する特性を得ることが可能である。
【００５６】
また、本発明の第三の高周波回路においては、第一の引き出し線領域１２に近接する接地導体配線１４の少なくとも一部の導体厚を、第一の引き出し線領域１２以外の接地導体配線３の導体厚よりも厚く設定することによっても、第一の引き出し線領域１２における第一の伝送線路の高インピーダンスに起因する伝送特性の劣化を抑制することが可能となる。
【００５７】
（実施の形態４）
本実施の形態においては、本発明の第一〜第三の高周波回路の伝送特性を評価するため、図１０に示す評価用高周波回路を構成し、高周波測定を行った。
【００５８】
図１０で、（ａ）は概略断面図であり、（ｂ）は上面図、（ｃ）は下面図である。評価用高周波回路は、本発明の高周波回路構造１０１、１０２を高周波入出力部にそれぞれ一箇所ずつ対向して構成し、その間を誘電体基板１の裏面に形成された、各構造の第二の伝送線路に相当するグラウンド付コプレーナ線路１０３により接続した。グラウンド付コプレーナ線路の特性インピーダンスは５０Ωとし、線路の長さとしては、０．５ｍｍから５ｍｍまで長さを０．２５ｍｍ刻みで用意した。本発明の高周波回路構造１０１、１０２はグラウンド付コプレーナ線路１０３の中心を中心軸として左右対称な構造とした。測定は、高周波プローブを用いて、誘電体基板１に相当する厚さ１２５ミクロン、誘電率３、誘電正接０．００３程度の液晶ポリマー基板上に形成したグラウンド付コプレーナ線路１０４上で測定を行った。このグラウンド付コプレーナ線路１０４は、本発明の高周波回路における第一の伝送線路に相当している。複数の測定データから数学的計算を行い、本発明の高周波回路部のみの特性を導出した。なお、誘電体基板１は、支持体により金属台の上３０ｃｍの高さの中空に固定し、本発明の高周波回路の高周波特性への外部回路の影響を減じた。液晶ポリマーに形成した接続用貫通導体については直径２８０ミクロンとした。誘電体基板の表裏面に形成された接地導体領域間の接続に用いた接続用貫通導体群に関しては４００ミクロン周期で接続用貫通導体を周期的に形成した。本発明のビアホール部における第一の導体ランド、第二の導体ランドとして、直径３００ミクロンの導体領域を設定した。通常のプリント基板の配線ルールであるライン／スペース＝１００ミクロン／１００ミクロンを適用して、設計を行った。第一の引き出し線領域の領域長をＬ１、第二の引き出し線領域の領域長をＬ２とした。通常の設定でのＬ１とＬ２を２００ミクロンとした。各領域での信号導体配線幅をＷ１Ａ、Ｗ２Ａとした。一方、引き出し線領域以外での第一、および第二の伝送線路における信号導体幅Ｗ１、Ｗ２はそれぞれ２３０ミクロンとし、５０Ωの特性インピーダンスへと整合した。
【００５９】
液晶ポリマー基板の表裏面には厚さ４０ミクロンの銅配線をおこなった。すなわち、通常の第一の信号導体配線の導体配線厚ｔ１は４０ミクロンである。一部の高周波回路においては、本発明の第三の高周波回路の構造を採用し、領域長Ｌ１の第一の引き出し線領域個所における第一の信号導体配線の配線厚ｔ１Ａを可変とした。
【００６０】
表１に、評価した本発明の高周波回路の設計例（設計１〜７）及び従来設計例のパラメータ及び特性を示す。
【００６１】
【表１】
2004363975.tif 000003
【００６２】
設計１から２においてはＷ２Ａ＝２３０ミクロン、ｔ１Ａ＝４０ミクロンとした。設計１においてはＷ１Ａを４００ミクロンとし、設計２においてはＷ１Ａを６００ミクロンとした。本発明の第一の高周波回路の構造に基づくことにより、これらの設定においては第一の引き出し線領域における第一の伝送線路の特性インピーダンスは８２オーム、６６オームにそれぞれ相当し、インピーダンスの低減が図られている。一方、Ｗ１Ａを２３０ミクロンのままとした従来設計１も作製した（表１の最下欄参照）。
【００６３】
本発明の第一の高周波回路の構造の採用により、設計１の高周波回路においては、従来設計１と比べて特性が改善した。低反射特性の高周波化の目安として、反射強度がマイナス３０ｄＢ以下となる低反射周波数帯域の上限値をｆｔｈ３０、反射強度がマイナス２５ｄＢ以下となる低反射周波数帯域の上限値をｆｔｈ２５、とした場合、ｆｔｈ３０は６ＧＨｚから１０ＧＨｚまで、ｆｔｈ２５は１２ＧＨｚから１９ＧＨｚまで向上した。また、設計２においてはｆｔｈ３０は１３ＧＨｚまで、ｆｔｈ２５は２８ＧＨｚまで向上し、更なる特性の改善が得られた。図１１に設計１と従来設計１の高周波回路における反射特性比較を示した。
【００６４】
また、設計３においてはＷ１Ａだけでなく、Ｗ２Ａについても６００ミクロンへと広く設定した。本発明のさらに好ましい例に相当するこの設計においては、更なる特性の改善が得られ、ｆｔｈ３０は２８ＧＨｚまで、ｆｔｈ２５は４２ＧＨｚまで向上した。図１２には設計３と従来設計１の高周波回路の反射特性比較を示した。
【００６５】
また、設計４、５においては、Ｗ１Ａ＝２３０ミクロン、Ｗ２Ａ＝３００ミクロンとした。設計４においては、Ｌ１を１５０ミクロン、設計５においてはＬ１を１００ミクロンへと減じた。本発明の第二の高周波回路の構造の採用により、高インピーダンス設定となり従来設計においては反射特性を深刻に劣化させていた第一の引き出し線領域の電気長が短縮されることにより、高周波帯域における反射特性が改善された。従来設計で６ＧＨｚであったｆｔｈ３０は設計４では９ＧＨｚ、設計５では１１ＧＨｚへ、従来設計では１２ＧＨｚであったｆｔｈ２５は設計４では１８ＧＨｚ、設計５では３５ＧＨｚへと改善された。図１３には、設計４と従来設計１の高周波回路の反射特性比較を示した。
【００６６】
また、設計６、７においては、Ｗ１Ａ＝２３０ミクロン、Ｗ２Ａ＝３００ミクロン、Ｌ１＝Ｌ２＝２００ミクロンとした。設計６においては、第一の引き出し線領域の第一の信号導体配線を、追加でめっき処理を行うことにより、最終厚さ５５ミクロンとした。設計７においては最終厚さを７０ミクロンとした。本発明の第三の高周波回路の構造を採用することにより、高インピーダンス設定となっていて従来設計においては反射特性を深刻に劣化させていた第一の引き出し線領域の第一の伝送線路の特性インピーダンスが低減できるので、高周波帯域における反射特性が改善された。従来設計で６ＧＨｚであったｆｔｈ３０は設計６では８ＧＨｚ、設計７では９ＧＨｚへ、従来設計では１２ＧＨｚであったｆｔｈ２５は設計６では１５ＧＨｚ、設計７では１９ＧＨｚへと改善された。図１４には、設計６と従来設計１の高周波回路の反射特性比較を示した。
【００６７】
以上の従来技術構成の高周波回路と本発明の高周波回路の実施例との特性比較より、本発明の有意な効果について証明がなされた。
【００６８】
なお、本発明の第一〜第三の高周波回路において、該誘電体基板の表面と裏面の区別は実空間での上下と一致する必要はなく、実空間において該第一の信号導体配線が該誘電体基板の下に配置される構造であっても同様の効果が得られることはいうまでもない。
【００６９】
また、本発明の第一〜第三の高周波回路は、それぞれ単独で実施することも可能であるし、これらのうち２つの物を組み合わせて実施することも、３つを組み合わせることも可能である。例えば、第一と第三を組み合わせることにより、Ｗ１Ａを太くし、かつｔ１Ａを厚くするといった利用法も有効である。これらは、必要に応じて実施することができる。
【００７０】
【発明の効果】
以上詳述した通り、本発明の高周波回路によれば、ビアホール部周辺領域において、ビアホール部に接続される伝送線路の接地導体配線が欠如することによって生じるビアホール部周辺の伝送線路の特性インピーダンスの増加、それに伴う高周波特性の劣化を招いていた従来のビアホールを用いた高周波回路の課題を解決し、高周波特性の改善と云う有利な効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態１で示した高周波回路の概略図
（ａ）上面図
（ｂ）下面図
（ｃ）上面図中ｃ−ｃ１での断面図
【図２】実施の形態１の高周波回路の断面図
（Ａ）第一の伝送線路の断面構造図に相当する図１（ａ）中Ａ−Ａ１での断面図
（Ｂ）第一の引き出し線領域における第一の伝送線路の断面構造図に相当する図１中Ｂ−Ｂ１での断面図
（Ｃ）ビアホール部の断面構造図に相当する図１中Ｃ−Ｃ１での断面図
（Ｄ）第二の引き出し線領域における第二の伝送線路の断面構造図に相当する図１中Ｄ−Ｄ１での断面図
（Ｅ）第二の伝送線路の断面構造図に相当する図１中Ｅ−Ｅ１での断面図
【図３】本発明の高周波回路が使用される場合の構造図
（ａ）多層基板回路の一部の層として用いられる場合の図
（ｂ）別の高周波回路基板上に表面実装して用いられる場合の図
（ｃ）表面実装構造で使用される場合の第一、および第二の伝送線路断面図
【図４】本発明の第一の伝送線路の特性インピーダンスの第一の信号導体配線の配線幅依存性の図
【図５】本発明の実施の形態２で示した高周波回路の概略図
（ａ）上面図
（ｂ）下面図
（ｃ）上面図中ｃ−ｃ１での断面図
【図６】実施の形態２の高周波回路の断面図
（Ａ）第一の伝送線路の断面構造図に相当する図５（ａ）中Ａ−Ａ１での断面図
（Ｂ）第一の引き出し線領域における第一の伝送線路の断面構造図に相当する図５（ａ）中Ｂ−Ｂ１での断面図
（Ｃ）ビアホール部の断面構造図に相当する図５（ａ）中Ｃ−Ｃ１での断面図（Ｄ）第二の引き出し線領域における第二の伝送線路の断面構造図に相当する図５（ａ）中Ｄ−Ｄ１での断面図
（Ｅ）第二の伝送線路の断面構造図に相当する図５（ａ）中Ｅ−Ｅ１での断面図
【図７】本発明の実施の形態２に示す高周波回路の、引き出し線領域における伝送線路の表面実装時の構造変化を示す図
（ａ）第二の引き出し線領域における第二の伝送線路の場合の図
（ｂ）第一の引き出し線領域における第一の伝送線路の場合の図
【図８】本発明の実施の形態３に示す高周波回路の概略図
（ａ）上面図
（ｂ）下面図
（ｃ）上面図中ｃ−ｃ１での断面図
【図９】（Ａ）第一の伝送線路の断面構造図に相当する図８（ａ）中Ａ−Ａ１での断面図
（Ｂ）第一の引き出し線領域における第一の伝送線路の断面構造図に相当する図８（ａ）中Ｂ−Ｂ１での断面図
（Ｃ）ビアホール部の断面構造図に相当する図８（ａ）中Ｃ−Ｃ１での断面図
（Ｄ）第二の引き出し線領域における第二の伝送線路の断面構造図に相当する図８（ａ）中Ｄ−Ｄ１での断面図
（Ｅ）第二の伝送線路の断面構造図に相当する図８（ａ）中Ｅ−Ｅ１での断面図
【図１０】本発明の実施例において本発明の高周波回路の高周波特性を測定するために作製した回路構造の図
（ａ）断面図
（ｂ）上面図
（ｃ）下面図
【図１１】本発明の第一の高周波回路の構成で作製した実施例と従来の高周波回路の反射特性比較図
【図１２】本発明の第一の高周波回路の構成で作製した実施例のより好ましい構成例と従来の高周波回路の反射特性比較図
【図１３】本発明の第二の高周波回路の構成で作製した実施例と従来の高周波回路の反射特性比較図
【図１４】本発明の第三の高周波回路の構成で作製した実施例と従来の高周波回路の反射特性比較図
【符号の説明】
１  誘電体基板
２  第一の信号導体配線
３，６  接地導体配線
４  第一の接地導体面
５  第二の信号導体配線
７  第二の接地導体面
８  第一の導体ランド
９  第二の導体ランド
１０  接続用貫通導体
１１  ビアホール部
１２  第一の引き出し線領域
１３  第二の引き出し線領域
１４，１５  追加接地導体配線
９３  本発明の高周波回路の周辺に存在する信号導体配線
９４  本発明の高周波回路の周辺に存在する接地導体配線
９５  多層基板回路中に含まれる本発明の高周波回路以外の層構造
９６  本発明の高周波回路を外部回路基板に表面実装することにより実現する全体の回路構造
９７  外部回路基板
９８  本発明の高周波回路
９９  多層基板回路
１０１，１０２  本発明の高周波回路構造
１０３  第二の伝送線路として機能するグラウンド付コプレーナ線路
１０４  第一の伝送線路として機能するグラウンド付コプレーナ線路
Ｌ１  第一の引き出し線領域の領域長
Ｌ２  第二の引き出し線領域の領域長
Ｗ１  引き出し線領域以外の領域での第一の信号導体配線の配線幅
Ｗ１Ａ  引き出し線領域での第一の信号導体配線の配線幅
ｔ１  引き出し線領域以外の領域での第一の信号導体配線の導体厚
ｔ１Ａ  引き出し線領域での第一の信号導体配線の導体厚
Ｗ２  引き出し線領域以外の領域での第二の信号導体配線の配線幅
Ｗ２Ａ  引き出し線領域での第一の信号導体配線の配線幅
【図１】
2004363975.tif 000004
【図２】
2004363975.tif 000005
【図３】
2004363975.tif 000006
【図４】
2004363975.tif 000007
【図５】
2004363975.tif 000008
【図６】
2004363975.tif 000009
【図７】
2004363975.tif 000010
【図８】
2004363975.tif 000011
【図９】
2004363975.tif 000012
【図１０】
2004363975.tif 000013
【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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