(57)【要約】【課題】ウェハを均一に，効率的に昇温できる基板処理装置を提供する。【解決手段】基板Ｗを収納したチャンバー３０内に処理流体を供給して処理する基板処理装置において，前記チャンバー３０は，基板Ｗの下方に位置するベース３５と，基板Ｗの上方に位置する蓋体３６とを備え，前記ベース３５又は前記蓋体３６の少なくとも一方に，基板Ｗを加熱するためのヒータ５８，１１８を設け，前記ヒータ５８，１１８の中央部の出力より，前記ヒータ５８，１１８の外周部の出力を高くした。【選択図】  図８
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を収納したチャンバー内に処理流体を供給して処理する基板処理装置であって，
前記チャンバーは，基板の下方に位置するベースと，基板の上方に位置する蓋体とを備え，
前記ベース又は前記蓋体の少なくとも一方に，基板を加熱するためのヒータを設け，
前記ヒータの中央部の出力より，前記ヒータの外周部の出力を高くしたことを特徴とする，基板処理装置。
【請求項２】
前記ヒータは，チャンバー内に収納された基板の中心を囲む位置に非出力領域が形成されていることを特徴とする，請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記処理流体は，オゾンガスと水蒸気を含むことを特徴とする，請求項１又は２に記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記基板は略円形であって，
前記ヒータはリング形状に形成されていることを特徴とする，請求項１，２又は３に記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記ヒータの外径は，前記基板の外径より大きく形成されていることを特徴とする，請求項４に記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記ヒータの外側に，前記基板の外径より大きく形成された外径を有するリング形状のサブヒータを備えることを特徴とする，請求項４又は５に記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記ベースに設けられたヒータの周囲を囲む熱遮断部材を備え，
前記熱遮断部材は，前記ベースより熱伝導率が小さい材質で形成されていることを特徴とする，請求項１〜６のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項８】
前記ベースを支持するベース支持部材を備え，
前記熱遮断部材を前記ベースと前記ベース支持部材との間に備え，
前記熱遮断部材は，前記ベース支持部材より熱伝導率が小さい材質で形成されていることを特徴とする，請求項７に記載の基板処理装置。
【請求項９】
前記熱遮断部材は，ステンレスで形成されていることを特徴とする，請求項７又は８に記載の基板処理装置。
【請求項１０】
前記ベース又は前記蓋体の少なくとも一方は，アルミニウムで形成されていることを特徴とする，請求項１〜９のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項１１】
前記蓋体を昇降させる昇降機構を備え，
前記蓋体の上面に，柱状部材を備え，
前記柱状部材の上端に，前記柱状部材より外側に張り出るように形成された突起部を備え，
前記昇降機構に，前記突起部を保持する突起部保持部材を備え，
前記突起部保持部材を上昇させたときは，前記突起部保持部材によって前記突起部を持ち上げて保持することにより，前記蓋体を前記ベースより上方に離隔させ，
前記突起部保持部材を下降させ，前記蓋体を前記ベースに近接させたときは，前記突起部保持部材を前記突起部から離隔させ，前記突起部保持部材を前記蓋体，前記柱状部材及び前記突起部と接触させない状態とする構成であることを特徴とする，請求項１〜１０のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項１２】
基板を収納したチャンバー内に処理流体を供給して処理する基板処理装置であって，
前記チャンバーは，基板の下面の下方に位置するベースと，基板の上面の上方に位置する蓋体とを備え，
前記蓋体にヒータを備え，
前記蓋体を昇降させる昇降機構を備え，
前記蓋体の上面に，柱状部材を備え，
前記柱状部材の上端に，前記柱状部材より外側に張り出るように形成された突起部を備え，
前記昇降機構に，前記突起部を保持する突起部保持部材を備え，
前記突起部保持部材を上昇させたときは，前記突起部保持部材によって前記突起部を持ち上げて保持することにより，前記蓋体を前記ベースより上方に離隔させ，
前記突起部保持部材を下降させ，前記蓋体を前記ベースに近接させたときは，前記突起部保持部材を前記突起部から離隔させ，前記突起部保持部材を前記蓋体，前記柱状部材及び前記突起部と接触させない状態とする構成であることを特徴とする，基板処理装置。
【請求項１３】
前記柱状部材は，前記蓋体より熱伝導率が小さい材質で形成されていることを特徴とする，請求項１１又は１２に記載の基板処理装置。
【請求項１４】
前記柱状部材は，ステンレスで形成されていることを特徴とする，請求項１１，１２又は１３に記載の基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は，例えば半導体ウェハやＬＣＤ基板用ガラス等の基板を加熱して処理する基板処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
例えば半導体デバイスの製造工程においては，半導体ウェハ（以下，「ウェハ」という。）を加熱して処理する種々の工程が行われる。従来，ウェハを加熱する装置として，ベースとしてのホットプレートの上にウェハを支持し，ウェハの上方に蓋体を配置して，ベースと蓋体を昇温させてウェハを昇温させる装置が提案されている（例えば，特許文献１参照）。
【０００３】
【特許文献１】
特開平１０−１８９４２９号公報（第３頁，第２図）
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら，従来の基板処理装置においては，ウェハを均一に昇温させることが難しい問題があった。ウェハが均一に昇温されないと，処理の均一性が悪化する問題があった。
【０００５】
従って本発明の目的は，ウェハを均一に，効率的に昇温できる基板処理装置を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために，本発明によれば，基板を収納したチャンバー内に処理流体を供給して処理する基板処理装置であって，前記チャンバーは，基板の下方に位置するベースと，基板の上方に位置する蓋体とを備え，前記ベース又は前記蓋体の少なくとも一方に，基板を加熱するためのヒータを設け，前記ヒータの中央部の出力より，前記ヒータの外周部の出力を高くしたことを特徴とする，基板処理装置が提供される。この基板処理装置にあっては，ウェハの中心側が過剰に加熱されることを防止できる。従って，処理の均一性を向上させることができる。
【０００７】
前記ヒータは，チャンバー内に収納された基板の中心を囲む位置に非出力領域が形成されていることとしても良い。
【０００８】
前記処理流体は，オゾンガスと水蒸気を含むこととしても良い。即ち，表面にレジストが塗布されたウェハをチャンバー内に収納し，ウェハを昇温させながらオゾンガスと水蒸気の混合流体を供給することにより，ウェハの表面に塗布されたレジストを変質（水溶化）させる処理を行う場合においては，ウェハの表面を均一に昇温させることにより，レジストを均一に水溶化させることができる。この場合，レジスト水溶化処理後の洗浄処理において，水溶化した変質レジストを均一に洗い流して除去することが容易になる。従って，ウェハの表面からレジストを十分に剥離することができる。
【０００９】
前記基板は略円形であって，前記ヒータはリング形状に形成されていることとしても良い。前記ヒータの外径は，前記基板の外径より大きく形成されていることが好ましい。また，前記ヒータの外側に，前記基板の外径より大きく形成された外径を有するリング形状のサブヒータを備えるようにしても良い。この場合，ウェハを効率的に加熱することができる。
【００１０】
前記ベースに設けられたヒータの周囲を囲む熱遮断部材を備え，前記熱遮断部材は，前記ベースより熱伝導率が小さい材質で形成されていることが好ましい。この場合，ヒータの熱がサブヒータの周囲に逃げることを防止できる。さらに，前記ベースを支持するベース支持部材を備え，前記熱遮断部材を前記ベースと前記ベース支持部材との間に備え，前記熱遮断部材は，前記ベース支持部材より熱伝導率が小さい材質で形成されていることとしても良い。この場合，ベースからベース支持部材に熱が逃げることを防止できる。
【００１１】
前記熱遮断部材は，ステンレスで形成されていることが好ましい。前記ベース又は前記蓋体の少なくとも一方は，アルミニウムで形成されていることとしても良い。
【００１２】
前記蓋体を昇降させる昇降機構を備え，前記蓋体の上面に，柱状部材を備え，前記柱状部材の上端に，前記柱状部材より外側に張り出るように形成された突起部を備え，前記昇降機構に，前記突起部を保持する突起部保持部材を備え，前記突起部保持部材を上昇させたときは，前記突起部保持部材によって前記突起部を持ち上げて保持することにより，前記蓋体を前記ベースより上方に離隔させ，前記突起部保持部材を下降させ，前記蓋体を前記ベースに近接させたときは，前記突起部保持部材を前記突起部から離隔させ，前記突起部保持部材を前記蓋体，前記柱状部材及び前記突起部と接触させない状態とする構成であることが好ましい。この場合，処理中に蓋体から保持部材に熱が逃げることを防止できる。
【００１３】
また，本発明によれば，基板を収納したチャンバー内に処理流体を供給して処理する基板処理装置であって，前記チャンバーは，基板の下面の下方に位置するベースと，基板の上面の上方に位置する蓋体とを備え，前記蓋体にヒータを備え，前記蓋体を昇降させる昇降機構を備え，前記蓋体の上面に，柱状部材を備え，前記柱状部材の上端に，前記柱状部材より外側に張り出るように形成された突起部を備え，前記昇降機構に，前記突起部を保持する突起部保持部材を備え，前記突起部保持部材を上昇させたときは，前記突起部保持部材によって前記突起部を持ち上げて保持することにより，前記蓋体を前記ベースより上方に離隔させ，前記突起部保持部材を下降させ，前記蓋体を前記ベースに近接させたときは，前記突起部保持部材を前記突起部から離隔させ，前記突起部保持部材を前記蓋体，前記柱状部材及び前記突起部と接触させない状態とする構成であることを特徴とする，基板処理装置が提供される。
【００１４】
前記柱状部材は，前記蓋体より熱伝導率が小さい材質で形成されていることが好ましい。前記柱状部材は，ステンレスで形成されていることが好ましい。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下，本発明の好ましい実施の形態を，基板の一例としてのウェハに対して，ウェハの表面に塗布されたレジストを水溶化する処理を施す，基板処理装置としての基板処理ユニットに基づいて説明する。図１は，本実施の形態にかかる基板処理ユニット２０Ａ〜２０Ｈを組み込んだ処理システム１の平面図である。図２は，その側面図である。この処理システム１は，ウェハＷに洗浄処理及びレジスト水溶化処理を施す処理部２と，処理部２に対してウェハＷを搬入出する搬入出部３から構成されている。
【００１６】
搬入出部３は，複数枚，例えば２５枚の略円盤形状のウェハＷを所定の間隔で略水平に収容可能な容器（キャリアＣ）を載置するための載置台４が設けられたイン・アウトポート５と，載置台４に載置されたキャリアＣと処理部２との間でウェハＷの受け渡しを行うウェハ搬送装置６が備えられたウェハ搬送部７と，から構成されている。
【００１７】
ウェハＷはキャリアＣの一側面を通して搬入出され，キャリアＣの側面には開閉可能な蓋体が設けられている。また，ウェハＷを所定間隔で保持するための棚板が内壁に設けられており，ウェハＷを収容する２５個のスロットが形成されている。ウェハＷは表面（半導体デバイスを形成する面）が上面（ウェハＷを水平に保持した場合に上側となっている面）となっている状態で各スロットに１枚ずつ収容される。
【００１８】
イン・アウトポート５の載置台４上には，例えば，３個のキャリアを水平面のＹ方向に並べて所定位置に載置することができるようになっている。キャリアＣは蓋体が設けられた側面をイン・アウトポート５とウェハ搬送部７との境界壁８側に向けて載置される。境界壁８においてキャリアＣの載置場所に対応する位置には窓部９が形成されており，窓部９のウェハ搬送部７側には，窓部９をシャッター等により開閉する窓部開閉機構１０が設けられている。
【００１９】
この窓部開閉機構１０は，キャリアＣに設けられた蓋体もまた開閉可能であり，窓部９の開閉と同時にキャリアＣの蓋体も開閉する。窓部９を開口してキャリアＣのウェハ搬入出口とウェハ搬送部７とを連通させると，ウェハ搬送部７に配設されたウェハ搬送装置６のキャリアＣへのアクセスが可能となり，ウェハＷの搬送を行うことが可能な状態となる。
【００２０】
ウェハ搬送部７に配設されたウェハ搬送装置６は，Ｙ方向とＺ方向に移動可能であり，かつ，Ｘ―Ｙ平面内（θ方向）で回転自在に構成されている。また，ウェハ搬送装置６は，ウェハＷを把持する取出収納アーム１１を有し，この取出収納アーム１１はＸ方向にスライド自在となっている。こうして，ウェハ搬送装置６は，載置台４に載置された全てのキャリアＣの任意の高さのスロットにアクセスし，また，処理部２に配設された上下２台のウェハ受け渡しユニット１６，１７にアクセスして，イン・アウトポート５側から処理部２側へ，逆に処理部２側からイン・アウトポート５側へウェハＷを搬送することができるように構成されている。
【００２１】
上記処理部２は，搬送手段である主ウェハ搬送装置１８と，ウェハ搬送部７との間でウェハＷの受け渡しを行うためにウェハＷを一時的に載置するウェハ受け渡しユニット１６，１７と，８台の本実施の形態にかかる基板処理ユニット２０Ａ〜２０Ｈと，４台の基板洗浄ユニット２１Ａ〜２１Ｄとを備えている。
【００２２】
各基板処理ユニット２０Ａ〜２０Ｈは，ウェハＷの表面に塗布されているレジストを水溶化する処理を行う。基板処理ユニット２０Ａ〜２０Ｈは，図２に示すように，上下方向に４段で各段に２台ずつ配設されている。左段には基板処理ユニット２０Ａ，２０Ｂ，２０Ｃ，２０Ｄが上からこの順で配設され，右段には基板処理ユニット２０Ｅ，２０Ｆ，２０Ｇ，２０Ｈが上からこの順で配設されている。図１に示すように，基板処理ユニット２０Ａと基板処理ユニット２０Ｅ，基板処理ユニット２０Ｂと基板処理ユニット２０Ｆ，基板処理ユニット２０Ｃと基板処理ユニット２０Ｇ，基板処理ユニット２０Ｄと基板処理ユニット２０Ｈとは，その境界をなしている壁面２２に対して対称な構造を有しているが，対称であることを除けば，各基板処理ユニット２０Ａ〜２０Ｈは概ね同様の構成を備えている。各基板処理ユニット２０Ａ〜２０Ｈの構造については，詳細に後述する。
【００２３】
各基板洗浄ユニット２１Ａ〜２１Ｄは，基板処理ユニット２０Ａ〜２０Ｈにおいてレジスト水溶化処理が施されたウェハＷに対して，洗浄処理及び乾燥処理を施す。なお，基板洗浄ユニット２１Ａ〜２１Ｄは，上下２段で各段に２台ずつ配設されている。図１に示すように，基板洗浄ユニット２１Ａ，２１Ｂと基板洗浄ユニット２１Ｃ，２１Ｄとは，その境界をなしている壁面２３に対して対称な構造を有しているが，対称であることを除けば，各基板洗浄ユニット２１Ａ〜２１Ｄは概ね同様の構成を備えている。
【００２４】
また，処理部２には，基板処理ユニット２０Ａ〜２０Ｈに供給するオゾンガスを発生させるオゾンガス発生装置２４と，基板洗浄ユニット２１Ａ〜２１Ｄに送液する所定の処理液を貯蔵する薬液貯蔵ユニット２５とが配設されている。処理部２の天井部には，各ユニット及び主ウェハ搬送装置１８に，清浄な空気をダウンフローするためのファンフィルターユニット（ＦＦＵ）２６が配設されている。
【００２５】
上記ファンフィルターユニット（ＦＦＵ）２６からのダウンフローの一部は，ウェハ受け渡しユニット１６，１７と，その上部の空間を通ってウェハ搬送部７に向けて流出する構造となっている。これにより，ウェハ搬送部７から処理部２へのパーティクル等の侵入が防止され，処理部２の清浄度が保持される。
【００２６】
上記ウェハ受け渡しユニット１６，１７は，いずれもウェハ搬送部７との間でウェハＷを一時的に載置するものであり，これらウェハ受け渡しユニット１６，１７は上下２段に積み重ねられて配置されている。この場合，下段のウェハ受け渡しユニット１７は，イン・アウトポート５側から処理部２側へ搬送するようにウェハＷを載置するために用い，上段のウェハ受け渡しユニット１６は，処理部２側からイン・アウトポート５側へ搬送するウェハＷを載置するために用いることができる。
【００２７】
上記主ウェハ搬送装置１８は，Ｚ方向に移動可能であり，かつ，Ｘ―Ｙ平面内（θ方向）で回転自在に構成されている。また，主ウェハ搬送装置１８は，ウェハＷを把持する搬送アーム１８ａを有し，この搬送アーム１８ａはＸ―Ｙ平面内でスライド自在となっている。こうして，主ウェハ搬送装置１８は，ウェハ搬送部７に配設されたウェハ搬送装置６と，基板処理ユニット２０Ａ〜２０Ｈ，基板洗浄ユニット２１Ａ〜２１Ｄの全てのユニットにアクセス可能に配設されている。
【００２８】
次に，基板処理ユニット２０Ａ〜２０Ｈの構成について説明する。各基板処理ユニット２０Ａ〜２０Ｈは概ね同様の構成を備えているので，基板処理ユニット２０Ａを例として，その構造について詳細に説明することとする。図３は，基板処理ユニット２０Ａの配管系統を示す概略構成図である。基板処理ユニット２０Ａは，ウェハＷを収納するチャンバー３０を備えている。
【００２９】
図４に示すように，チャンバー３０は，ウェハＷの下面を覆うベース３５と，ウェハＷの上面を覆う蓋体３６を備えている。また，基板処理ユニット２０Ａには，蓋体３６を昇降させる蓋体昇降機構３７と，チャンバー３０を閉じたときに蓋体３６とベース３５を係止させるロック機構３８が備えられている。
【００３０】
図５及び図６に示すように，ベース３５の上面は，略水平な円形の平面となっており，中央側にウェハＷを配置するようになっている。ベース３５の材質には，ベース３５の軽量化を図るため，例えばアルミニウムが用いられる。また，図６に示すように，ベース３５には，ウェハＷを支持し，また，ウェハＷを持ち上げるウェハ昇降支持機構４１が備えられている。ウェハ昇降支持機構４１は，ベース３５の中心を囲むように３箇所に設けられている。
【００３１】
図５に示すように，ベース３５の上面周縁部には，円環状の溝４２，４３が内側と外側に二重に刻設されている。各溝４２，４３は，内方に向かうほど幅が大きくなるアリ溝になっている。溝４２，４３には，Ｏリング４５，４６がそれぞれ嵌められており，ベース３５の上面にＯリング４５，４６が二重に配設された状態となっている。図７に示すように，各Ｏリング４５，４６は，断面が円形であり，中心より上部まで溝４２，４３の中に収められており，上部のみがベース３５の上面から突出している。溝４２，４３はアリ溝になっているため，Ｏリング４５，４６が抜け難くなっている。内側の溝４２に嵌められているＯリング４５の材質には，耐薬性が強くオゾンガスに接触しても腐食する虞が無いゴムを用いることが好ましく，例えばパーフロロエラストマー等のフッ素系のゴムを用いる。外側のＯリング４６は，オゾンガスに接触する懸念が少ないので，内側のＯリング４５より耐薬性が弱い材質を用いても良い。この場合，低コストを図ることができる。Ｏリング４６の材質には，例えばバイトン（登録商標）等を用いる。溝４２，４３の間には，Ｏリング４５，４６の間を排気する排気路４８が設けられている。
【００３２】
図５に示すように，ベース３５の外周面には，ロック機構３８によって保持される下部係合片５３が形成されている。下部係合片５３は，ベース３５の外周面から外方に突出するように，リング形状に形成されている。
【００３３】
図６に示すように，ベース３５には，チャンバー３０内に蒸気，オゾン（Ｏ３）ガス，窒素（Ｎ２）ガス，酸素（Ｏ２）ガスを供給する主供給管５４と，チャンバー３０内から蒸気，オゾンガス，窒素ガス，酸素ガスを排出する主排出管５５が接続されている。ベース３５の上面には，溝４２，４３より内側に，処理流体を主供給管５４から拡散させるための処理流体拡散溝５６が形成されている。処理流体拡散溝５６は，ウェハＷの周縁に沿った円弧状に，所定の深さで形成されている。処理流体拡散溝５６の外側の壁面には，主供給管５４が開口している。主供給管５４は，図８に示すように，下部係合片５３の外面と処理流体拡散溝５６の壁面との間を貫通するように設けられている。主供給管５４は，上方から見て処理流体拡散溝５６両端部の間のほぼ中央に開口している。
【００３４】
また，図６に示すように，ベース３５の上面には，溝４２，４３より内側に，処理流体を主排出管５５に集めるための処理流体収集溝５７が形成されている。処理流体収集溝５７は，ウェハＷを中心として処理流体拡散溝５６に対向する位置に設けられており，ウェハＷの周縁に沿った円弧状に，所定の深さで形成されている。処理流体収集溝５７の外側の壁面には，主排出管５５が開口している。主排出管５５は，図８に示すように，下部係合片５３の外面と処理流体収集溝５７の壁面との間を貫通するように設けられている。主排出管５５は，上方から見て処理流体収集溝５７両端部の間のほぼ中央に開口しており，ウェハＷを中心として主供給管５４の開口に対向する位置に開口している。
【００３５】
図５に示すように，ベース３５の下面には，ウェハＷを加熱するための下ヒータ５８が備えられている。ベース３５の下面中央部には，下ヒータ５８を収納するためのヒータ収納スペース５９が形成されている。ヒータ収納スペース５９は，円柱形状に形成されている。
【００３６】
下ヒータ５８は，薄板状に形成されており，図９に示すように，下ヒータ５８の中央側には，円形の非出力領域としての穴６０が形成され，略リング形状に形成されている。穴６０は，チャンバー３０内に収納されたウェハＷの中心を囲む位置に形成されている。下ヒータ５８の中心を囲む３箇所には，ウェハ昇降支持機構４１を内側に配置するための切欠き部６２が形成されている。切欠き部６２は，下ヒータ５８の中心に向かって凹になるように形成されている。下ヒータ５８の外径は，ウェハＷの径より小さく形成されている。
【００３７】
図５に示すように，下ヒータ５８は，ヒータ収納スペース５９の天井面（ベース３５の下面）に貼り付けられ，チャンバー３０内に収納されたウェハＷに対して略平行になるように配置されている。チャンバー３０内に収納された略円形のウェハＷの下方には，ウェハＷの中心下方を囲むように，非出力領域としての穴６０が配置される。これにより，ウェハＷの中心側が過剰に加熱されることを防止できる。なお，ウェハ昇降支持機構４１は，切欠き部６２の内側にそれぞれ配置される。
【００３８】
図５に示すように，ベース３５の下面には，ヒータ収納スペース５９の外縁部に沿ってアルミ板６３が貼り付けられている。アルミ板６３の下面には，リング形状のサブヒータ６５が貼り付けられている。即ち，サブヒータ６５は，下ヒータ５８の外側を囲むように配置されている。サブヒータ６５は，薄板状に形成されており，図９に示すように，サブヒータ６５の内径は，下ヒータ５８の外径より大きく形成されている。サブヒータ６５の外径は，ウェハＷの径より大きく形成されている。従って，図５に示すように，チャンバー３０内にウェハＷを収納したとき，サブヒータ６５の外周縁は，ウェハＷの周縁より外側に位置するようになっている。なお，サブヒータ６５の内周縁は，ウェハＷの周縁より内側に位置するようにしても，ウェハＷの周縁より外側に位置するようにしても良い。
【００３９】
サブヒータ６５の周囲には，サブヒータ６５の周囲を囲むように熱遮断部材６６が備えられている。熱遮断部材６６は，円環状に形成されており，サブヒータ６５の外周面に沿って配置されている。熱遮断部材６６の上面は，ベース３５の下面に固定されている。熱遮断部材６６は，ベース３５の材質（アルミニウムなど）より熱伝導率が小さい材質，例えばステンレスなどで形成する。この場合，熱遮断部材６６の外側に熱が逃げることを防止でき，サブヒータ６５の熱をベース３５に効率良く伝導させることができる。
【００４０】
熱遮断部材６６の下面には，ベース３５を支持する円盤状のベースサポート部材６７が備えられている。熱遮断部材６６は，ベース３５とベースサポート部材６７との間に挟まれるように備えられている。即ち，ベース３５は，熱遮断部材６６を介してベースサポート部材６７に支持されている。ベースサポート部材６７の材質には，ベースサポート部材６７の軽量化を図るため，例えばアルミニウムが用いられる。ここで，熱遮断部材６６は，ベースサポート部材６７の材質（アルミニウムなど）より熱伝導率が小さい材質（ステンレスなど）で形成されているので，ベース３５からベースサポート部材６７に熱が伝導し難く，ベースサポート部材６７に熱が逃げることを防止できる。
【００４１】
サブヒータ６５の下面とベースサポート部材６７の上面との間には断熱材７０が備えられている。この場合，サブヒータ６５の熱がベースサポート部材６７に逃げることを防止できる。ベースサポート部材６７の上面と，下ヒータ５８の下面との間には，断熱材７１が備えられている。この場合，下ヒータ５８の熱がベースサポート部材６７に逃げることを防止できる。ベースサポート部材６７の下面中央には，ベースサポート部材６７を支持する柱状のベース支持部材７３が取り付けられている。
【００４２】
図１０に示すように，各ウェハ昇降支持機構４１は，ウェハＷを支持する基板支持部材としてのリフトピン７６を備えている。リフトピン７６は，細長い棒状に形成されており，ベース３５に設けられた穴７７の内側，下ヒータ５８の切欠き部６２の内側，断熱材７１の穴７８の内側，及び，ベースサポート部材６７の穴７９の内側を通過するように，略鉛直に設けられている。
【００４３】
リフトピン７６の上端部には，円柱状の下面支持部８０が形成されている。下面支持部８０は，リフトピン７６より大きな径で形成されており，リフトピン７６の外周面より外側に張り出るように形成されている。
【００４４】
下面支持部８０の上面には，凹部８１が形成されており，凹部８１内に，弾性体８２が嵌められている。弾性体８２は，上部が下面支持部８０の上面から突出した状態で備えられている。弾性体８２の材質には，例えばＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン）等が用いられる。下面支持部８０の下面中央には，リフトピン７６の上端が固着されている。下面支持部８０の下面には，リフトピン７６を囲むように，凹部８４が円環状に形成されており，凹部８４内に，Ｏリング８５が嵌められている。Ｏリング８５の材質には，例えばパーフロロエラストマー等，フッ素樹脂が用いられる。
【００４５】
リフトピン７６の下端は，ベースサポート部材６７の下方に配置されたリフトピン支持部材８７に固着されている。リフトピン支持部材８７は，図示しないリフトピン昇降機の駆動によって昇降する。リフトピン昇降機を駆動させると，図１１に示すように，リフトピン支持部材８７が昇降し，３個のウェハ昇降支持機構４１の各リフトピン７６が一体的に昇降する。
【００４６】
図１０に示すように，穴７７の上部には，リフトピン７６を下降させたとき下面支持部８０を収納するための凹部９１が形成されている。リフトピン７６を下降させ下面支持部８０を凹部９１に収納した状態では，弾性体８２の上端がベース３５の上面より約１ｍｍ程度突出した位置に配置される。ウェハＷは，ウェハＷの下面とベース３５の上面との間に，約１ｍｍ程度の隙間が形成された状態で，３個の弾性体８２の上端によって支持される。また，下面支持部８０を凹部９１に収納すると，Ｏリング８５の下部が凹部９１の底面に当接して，下面支持部８０と凹部９１の間を塞ぐようになっている。
【００４７】
穴７７は，ヒータ収納スペース５９の天井面に開口している。穴７７の下方には，リフトピン７６の外面を囲むリフトピン囲み部材９３が設けられている。リフトピン囲み部材９３は，下ヒータ５８の切欠き部６２の内側に配置されている。リフトピン囲み部材９３の上端は，穴７７の周囲に密着するように接続されており，リフトピン囲み部材９３の下端は，ベースサポート部材６７の穴７８の周囲に密着するように接続されている。リフトピン７６の外面と穴７７の内面の間，及び，リフトピン７６の外面とリフトピン囲み部材９３の内面の間には，隙間９４が形成されている。
【００４８】
また，リフトピン囲み部材９３には，隙間９４内を排気する排気路９５が接続されている。排気路９５は，リフトピン囲み部材９３のヒータ収納スペース５９中央側に接続されており，下ヒータ５８の切欠き部６３の内側に，下ヒータ５８中央側に向かって横方向に配設されている。さらに，切欠き部６３の端部付近において，下向きに曲げられており，穴７８を通過してベースサポート部材６７の下方に延びるように配設されている。
【００４９】
図１０に示すように，ベースサポート部材６７の下面とリフトピン支持部材８７の上面との間には，リフトピン７６の周囲を囲むベローズ１００が備えられている。ベローズ１００の上端は，穴７８の周囲に密着するように接続されており，ベローズ１００の下端は，リフトピン７６下端の外側に密着するように，リフトピン支持部材８７の上面に接続されている。リフトピン７６を下降させてＯリング８５を凹部９１の底面に密着させたとき，Ｏリング８５の内側，隙間９４，ベローズ１００の内側は，連続した密閉空間となる。即ち，リフトピン７６を密閉空間内に収納して，チャンバー３０内の雰囲気からリフトピン７６を隔離させるようになっている。
【００５０】
図５に示すように，蓋体３６の下面には，ウェハＷを収納するためのウェハ収納スペース１１０が形成されている。ウェハ収納スペース１１０の開口は，蓋体３６の下面に略円形に形成されている。ウェハ収納スペース１１０は，円柱形状に形成されており，ウェハ収納スペース１１０の天井面（蓋体３６の下面）によって，ウェハＷの上面を覆うようになっている。蓋体３６の下面周縁部，即ち，ウェハ収納スペース１１０の開口周縁から蓋体３６の下面周縁は，略水平な平面１１１になっている。蓋体３６を下降させたとき，ベース３５の上面周縁部と蓋体３６の下面周縁部が近接して，前述のＯリング４５，４６の上部に平面１１１が接触するようになっている。蓋体３６の材質には，蓋体３６の軽量化を図るため，例えばアルミニウムが用いられる。
【００５１】
蓋体３６の外周面には，図１２に示すように，ロック機構３８によって保持される８個の上部係合片１１３が形成されている。各上部係合片１１３は，蓋体３６の外周面から外方に突出するように形成されており，蓋体３６の中央を囲むように配置されている。図１３に示すように，各上部係合片１１３には，一端から上り勾配で形成された傾斜面１１４と，この傾斜面１１４の上端に連なる平坦面１１５が形成されている。また，上部係合片１１３の平坦面１１５と，隣り合う上部係合片１１３の傾斜面１１４との間に，所定の幅の切欠き１１６がそれぞれ形成されるように配置されている。
【００５２】
蓋体３６の上面には，上ヒータ１１８が設けられている。上ヒータ１１８は，薄板状に形成されており，図１４に示すように，上ヒータ１１８の中央側には，円形の非出力領域としての穴１２０が形成され，略リング形状に形成されている。穴１２０は，チャンバー３０内に収納されたウェハＷの中心を囲む位置に形成されている。上ヒータ１１８の外径は，ウェハＷの径より大きく形成されている。穴１２０の内径は，ウェハＷの径より小さく形成されている。
【００５３】
図５に示すように，上ヒータ１１８は，蓋体３６の上面に貼り付けられたアルミ板１２１の上面に貼り付けられて，チャンバー３０内に収納されたウェハＷに対して略平行になるように配置されている。上ヒータ１１８の外周縁は，チャンバー３０内に収納されたウェハＷの周縁より外側に位置し，上ヒータ１１８の内周縁（穴１２０の周縁）は，ウェハＷの周縁より内側に位置するようになっている。即ち，チャンバー３０内に収納された略円形のウェハＷの上方には，ウェハＷの中心上方を囲むように，非出力領域としての穴１２０が配置される。これにより，ウェハＷの中心側が過剰に加熱されることを防止できる。
【００５４】
上ヒータ１１８の上面は，円盤状の蓋体サポート部材１２２によって覆われている。蓋体３６は，蓋体サポート部材１２２との間に上ヒータ１１８を挟んだ状態で，蓋体サポート部材１２２に支持されている。蓋体サポート部材１２２の材質には，蓋体サポート部材１２２の軽量化を図るため，例えばアルミニウムが用いられる。蓋体サポート部材１２２の上面には，蓋体昇降機構３７に係合させる８個の係合ピン１２３が固定されている。
【００５５】
図１５に示すように，係合ピン１２３は，蓋体サポート部材１２２の中心を挟んで対向する左右２箇所の周縁部に，それぞれ４個ずつ立設されている。各周縁部において，４個の係合ピン１２３は，蓋体サポート部材１２２の周縁に沿って配置されており，隣り合う係合ピン１２３同士の間に所定の間隔を空けるように並べられている。
【００５６】
図１６に示すように，係合ピン１２３は，円柱状の柱状部材１２５と，柱状部材１２５の上端に形成された突起部としての頭部１２６によって構成されている。柱状部材１２５は，蓋体サポート部材１２２の上面に立設されている。頭部１２６の径は，柱状部材１２５の径より大きく形成されており，柱状部材１２５より外側に張り出るように形成されている。柱状部材１２５は，蓋体３６と蓋体サポート部材１２２の材質（アルミニウムなど）より熱伝導率が小さい材質，例えばステンレスなどで形成されている。この場合，蓋体３６，上ヒータ１１８，蓋体サポート部材１２２から係合ピン１２３に熱が逃げることを防止できる。
【００５７】
図４に示すように，蓋体昇降機構３７は，蓋体３６をベース３５から離隔させたとき蓋体３６を支持する支持部材１３０と，支持部材１３０を昇降させる図示しない支持部材昇降機を備えている。支持部材１３０は，係合ピン１２３の頭部１２６を保持する突起部保持部材としての保持部材１３１を備えている。
【００５８】
保持部材１３１は，蓋体３６の上面より上方に，蓋体３６の中心を挟んで対向する２個所に設けられている。各保持部材１３１は，支持部材１３０の下端に同じ高さで取り付けられている。支持部材昇降機（図示せず）を駆動させると，支持部材１３０が昇降し，２個の保持部材１３１を一体的に昇降させることができる。
【００５９】
図１５に示すように，各保持部材１３１の上面には，下に向かって凹になるように形成された４個の凹部１３５が形成されている。各保持部材１３１において，凹部１３５は，隣り合う凹部１３５同士の間に所定の間隔を空けた状態で，円弧状に並べられている。図１６に示すように，各凹部１３５の底面には，各凹部１３５の底面と保持部材１３１の下面との間を貫通する穴１３６が形成されている。
【００６０】
凹部１３５の内径は，係合ピン１２３の頭部１２６の外径より大きく形成されている。各凹部１３５の深さは，頭部１２６の高さより大きく形成されている。穴１３６の内径は，柱状部材１２５の外径より大きく，頭部１２６の外径より小さく形成されている。凹部１３５の底面と保持部材１３１の下面との間の厚さ，即ち，穴１３６の高さは，蓋体３６に備えた係合ピン１２３の頭部１２６の下端と蓋体サポート部材１２２の上面との間の高さより，小さく形成されている。従って，各保持部材１３１を頭部１２６に接触しない位置と接触する位置との間で頭部１２６に対して相対的に昇降させることが可能である。
【００６１】
蓋体３６に備えた係合ピン１２３の柱状部材１２５は，それぞれ穴１３６の内側に配置され，頭部１２６は，それぞれ凹部１３５の内側に配置されるようになっている。凹部１３５の内面と頭部１２６の外面との間には，隙間１３８が形成される。穴１３６の内面と柱状部材１２５の外面との間には，隙間１３９が形成される。
【００６２】
図１７に示すように，保持部材１３１を上昇させると，各頭部１２６の下端が凹部１３５の底面に当接して，頭部１２６が保持部材１３１と一体的に持ち上げられる。これにより，蓋体３６をベース３５から持ち上げ，上方に離隔させることができる。一方，保持部材１３１を下降させ，図１６に示すように，蓋体３６をベース３５に載せると，各頭部１２６の下端から凹部１３５の底面が離隔して，保持部材１３１が頭部１２６と蓋体サポート部材１２２との間に下降する。チャンバー３０内でウェハＷを処理するときは，頭部１２６の上端と支持部材１３０下面との間に隙間１４０が形成され，頭部１２６の下端と凹部１３５の底面との間に隙間１４１が形成され，保持部材１３１の下面と蓋体サポート部材１２２の上面との間に隙間１４２が形成されるようにして，保持部材１３１を静止させるようになっている。即ち，保持部材１３１を蓋体サポート部材１２２，柱状部材１２５及び頭部１２６と接触させない状態とする。この場合，係合ピン１２３から保持部材１３１に熱が伝導して逃げることを防止できる。
【００６３】
図１８に示すように，ロック機構３８は，下部係合片５３を保持する８個の下部係合ローラ１５１と，上部係合片１１３を保持する８個の上部係合ローラ１５２を備えている。ベースサポート部材６７の下方には，円筒体１５５が固定されている。円筒体１５５の外周面には，円筒体１５５の外周面に沿って回転可能なベアリング１５６が設けられており，ベアリング１５６を介して，水平方向に延在する回転板１５７が円筒体１５５に対して回転自在に支持されている。回転板１５７の周縁部には，８個の縦腕１６０が回転板１５７の上方に向かって立設されている。縦腕１６０は，チャンバー３０の外側に設けられている。各縦腕１６０の内側の側面には，内側に向かって水平軸１６１，１６２が突設されている。水平軸１６２より下方に設けられた水平軸１６１には，下部係合ローラ１５１が装着されており，水平軸１６１を中心として回転自在に支持されている。水平軸１６１より上方に設けられた水平軸１６２には，上部係合ローラ１５２が装着されており，水平軸１６２を中心として回転自在に支持されている。下部係合ローラ１５１は，上部を下部係合片５３の下面に接触させた状態で配置されている。上部係合ローラ１５２の外径は，上部係合片１１３同士の間，即ち切欠き１１６の幅より小さく形成されている。
【００６４】
図１２に示すように，回転板１５７には，回転板１５７の周縁部から外側に突出して設けられた凸部１６５が形成されている。凸部１６５の上面には，鉛直方向に形成された円柱状部材１６６が突設されている。円柱状部材１６６の外周面には，円柱状部材１６６の外周面に沿って回転可能なベアリング１６７が設けられており，ベアリング１６７を介して，シリンダ１７０のピストンロッド１７１の先端が円柱状部材１６６に対して回転自在に支持されている。ピストンロッド１７１は水平に配設されており，シリンダ１７０の駆動によって水平方向に伸縮する。
【００６５】
シリンダ１７０の端部は，固定された基台１７５に回転可能に支持されている。基台１７５には，鉛直方向に形成された円柱状部材１７６が突設されている。円柱状部材１７６の外周面には，円柱状部材１７６の外周面に沿って回転可能なベアリング１７７が設けられており，ベアリング１７７を介して，シリンダ１７０の端部が円柱状部材１７６に対して回転自在に支持されている。シリンダ１７０の駆動によってピストンロッド１７１を伸長させると，シリンダ１７０及びピストンロッド１７１が円柱状部材１７６を中心としてチャンバー３０に向かって傾きながら，回転板１５７が図１２において時計方向に回転する。シリンダ１７０の駆動によってピストンロッド１７１を短縮させると，シリンダ１７０及びピストンロッド１７１が円柱状部材１７６を中心としてチャンバー３０の外側に向かって傾きながら，回転板１５７が図１２において反時計方向に回転する。
【００６６】
シリンダ１７０の駆動によってピストンロッド１７１を伸縮させると，回転板１５７が回転して，縦腕１６０がチャンバー３０の外周に沿って移動し，下部係合ローラ１５１は，図１３に示すように，下部係合片５３の下面に沿って回転しながら移動する。上部係合ローラ１５２は，下部係合片５３と上部係合片１１３を近接させピストンロッド１７１を短縮させた状態では，上部係合片１１３同士の間，即ち切欠き１１６の内側にそれぞれ配置される。下部係合片５３と上部係合片１１３を近接させた状態でピストンロッド１７１を伸長させると，上部係合ローラ１５２は，上部係合片１１３の傾斜面１１４上に沿って回転しながら上昇移動して，平坦面１１５に達する。即ち，対をなす１２組の下部係合ローラ１５１と上部係合ローラ１５２によって，近接させた下部係合片５３と上部係合片１１３を挟持することによって，ベース３５と蓋体３６とを近接させた状態で固定（ロック）するようになっている。ロックを解除する場合は，ピストンロッド１７１を短縮させて，各組の下部係合ローラ１５１と上部係合ローラ１５２を移動させ，上部係合ローラ１５２を切欠き１１６の内側に配置させる。これにより，下部係合片５３と上部係合片１１３を離隔させることが可能となり，ベース３５から蓋体３６を上昇させることが可能となる。
【００６７】
このような，シリンダ１７０の直線運動を回転板１５７の回転運動に変換する構成により，下部係合ローラ１５１と上部係合ローラ１５２を移動させるために必要な力を，十分に発生させることができる。また，シリンダ１７０の直線運動を回転板１５７の回転運動に変換する構成は，ロータリーアクチュエータを用いて回転板１５７を回転させる構成と比較して，省スペースを図ることができる。さらに，信頼性が向上し，また，制御が容易になる。
【００６８】
図３に示すように，主供給管５４には，供給切換機構１９０を介して，蒸気発生器１９１から蒸気を供給する蒸気供給管１９２と，オゾンガス発生器１９３からオゾンガスを供給するオゾンガス供給管１９４と，窒素ガス供給源１９５から窒素ガスを供給する窒素ガス供給管１９６が接続されている。
【００６９】
供給切換機構１９０は，蒸気供給管１９２の連通・遮断と流量調整を行う流量調整弁２００と，オゾンガス供給管１９４の連通・遮断と流量調整を行う流量調整弁２０１と，窒素ガス供給管１９６の連通・遮断を行う切換弁２０２とを具備している。なお，窒素ガス供給管１９６には，切換弁２０２の上流側に，大流量部２０５と小流量部２０６を切換可能な流量切換弁２０７が介設されている。
【００７０】
主供給管５４の流量調整弁２００より上流側には，主供給管５４の形状に沿って管状に設置される温度調節器２０８が備えられている。蒸気発生器１９１から送出される蒸気は，主供給管５４を流量調整弁２００まで通過する間，温度調節器２０８によって温度調節される。
【００７１】
オゾンガス発生器１９３には，酸素（Ｏ２）供給源２１０からオゾンガス発生器１９３に酸素（Ｏ２）を供給する酸素供給路２１１が接続されている。この酸素供給路２１１には，酸素供給路２１１内の酸素の通流・遮断を切り換える切換弁２１２が介設されている。切換弁２１２は，テフロン（登録商標）で形成することが好ましい。例えば，切換弁２１２を閉じて酸素供給路２１１内の酸素の流通を遮断したとき，オゾンガス発生器１９３内のオゾンガスが酸素供給路２１１内を逆流して，切換弁２１２がオゾンガス雰囲気に曝されることがあるが，そのような場合でも，切換弁２１２から金属が溶出することは実質的に無い。従って，ウェハＷにメタルコンタミネーションが発生することを防止できる。切換弁２１２を形成するテフロン（登録商標）は，ＮｅｗＰＦＡ又はＳｕｐｅｒＰＦＡとすることが好ましい。この場合，ウェハＷに悪影響を与える不純物やガスが切換弁２１２から発生する心配が無い。
【００７２】
オゾンガス供給管１９４は，テフロン（登録商標）で形成することが好ましい。この場合，オゾンガス雰囲気に曝されるオゾンガス供給管１９４から金属が溶出することは実質的に無い。従って，メタルコンタミネーションがウェハＷに発生することを防止できる。オゾンガス供給管１９４を形成するテフロン（登録商標）は，ＮｅｗＰＦＡ又はＳｕｐｅｒＰＦＡとすることが好ましい。この場合，ウェハＷに悪影響を与える不純物やガスが発生する心配が無い。
【００７３】
一方，主排出管５５は，処理流体を冷却しオゾンガスを含む気体と液体とに分離するミストトラップ２１３に接続されている。主排出管５５には，排気流量を調整する排気流量調整弁２１８が介設されている。また，主排出管５５における排気流量調整弁２１８の上流側と下流側を接続する分岐管２２０が設けられており，分岐管２２０には，通常では閉鎖状態を維持し，緊急時，例えばチャンバー３０内の圧力が過剰に上昇する場合などに開放する排気切換弁２２１が介設されている。
【００７４】
図１９に示すように，ミストトラップ２１３は，チャンバー３０から排出したオゾンガスと蒸気の混合排出流体を冷却する冷却部２２５と，冷却部２２５によって冷却されて混合排出流体中から液化したオゾン水を貯留するタンク２２６を備えている。
【００７５】
冷却部２２５は，内管２２７と内部に内管２２７を通過させた外管２２８とから構成される二重管２３０を，複数段，例えば６段に縦方向に積み重なるように巻回した構成となっている。外管２２８は冷却水を通過させ，内管２２７に通過させる混合排出流体を冷却水によって冷却する。巻回した二重管２３０の上端部には内管２２７が突出しており，突出した内管２２７に主排出管５５が接続されている。二重管２３０の上端部にて外管２２８が内管２２７の囲繞を開始する先端部分には，二重管２３０の下方から外管２２８内を上昇する冷却水を排出する冷却水排出管２３１が設けられている。また，外管２２８の下端部にも内管２２７が突出しており，内管２２７の下流端はタンク２２６の天井部に接続し，さらに，天井部をタンク２２６の内部に向かって貫通するように設けられている。二重管２３０の下端部にて外管２２８が内管２２７の囲繞を終了する末端部分には，外管２２８内に冷却水を導入する冷却水導入管２３２が設けられている。冷却水排出管２３１及び冷却水導入管２３２には，図示しない冷却水供給源，冷却水回収源がそれぞれ接続されており，外管２２８に冷却水を循環供給する。
【００７６】
主排出管５５から内管２２７に導入されたオゾンガス，蒸気，窒素などの排出流体は，外管２２８を通過する冷却水によって冷却され，排出流体中の蒸気は液化してオゾンガス中に含有される酸素，窒素，オゾン等のオゾン含有気体と分離される。ここで，オゾンの一部が気体として分離されずに，蒸気から液化した純水中に溶け込むため，冷却された混合排出流体はオゾン水とオゾン含有気体に分離される。
【００７７】
タンク２２６には，内管２２７の下流端と，タンク２２６内からオゾン含有気体を排気する排気管２３８が，天井部を貫通して設けられている。また，タンク２２６内からオゾン水を排液する排液管２４０と，タンク２２６内のオゾン水にバブリングを行う気体供給口２４１が，タンク２２６の底部を貫通して設けられている。気体供給口２４１には，気体供給源２４２が接続されている。さらに，タンク２２６内の液面位置を計測する液面計２４５が設けられている。排気管２３８は，巻回した二重管２３０に囲まれた空間を通って冷却部２２５の上方に突出し，図３に示すオゾンキラー２５０に接続されている。
【００７８】
タンク２２６の内部には，内管２２７からオゾン水とオゾン含有気体が導入される。タンク２２６の上部に貯留されたオゾン含有気体は，排気管２３８によってタンク２２６からオゾンキラー２５０に送出される。タンク２２６の下部に貯留されたオゾン水は，気体供給口２４１から供給される空気等の気体によってバブリングされ，オゾン水中に溶存していたオゾンが気体となってオゾン水から除去される。これにより，オゾン水中のオゾンの濃度を，バブリング前の約１５ｐｐｍ程度から排出基準濃度の５ｐｐｍ以下に低下させることができる。こうして，オゾン水を排出基準濃度以下にした後，排液管２４０から排液する。この場合，純水などで希釈したり，オゾン分解作用のある薬品等を混入して濃度を低下させる方法と比較して，安価なランニングコストで排液の有害性を低減できる。
【００７９】
図３に示すように，オゾンキラー２５０内には，排気管２３８から送出された気体をオゾンキラー２５０内で循環させる図示しない気体循環路が形成されている。オゾンキラー２５０は，気体循環路内の気体を加熱するヒータ２５１と，加熱後の気体循環路内の気体を冷却する冷却装置２５２を備えている。
【００８０】
冷却装置２５２には，冷却水供給源と冷却水回収源に接続された図示しない冷却水循環路が形成されている。即ち，冷却水循環路内に冷却水を通流させ，気体循環路（図示せず）内を通流する気体と冷却水循環路（図示せず）内を通流する冷却水との間で熱交換が行われるようになっている。
【００８１】
循環路（図示せず）の下流には，気体を循環路から導出してオゾンキラー２５０から排気する排気管２５５が接続されている。排気管２５５の下流端は，処理システム１の外に接続されている。排気管２５５には，気体の通流・遮断を切り換える切換弁２５６と，イジェクター２５７が，循環路側からこの順に介設されている。イジェクター２５７を作動させると，主排出管５５，内管２２７，タンク２２６，排気管２３８，オゾンキラー２５０内の気体循環路（図示せず），排気管２５５の中が排気されるので，チャンバー３０内の処理空間Ｓを排気したり，減圧したりすることができる。
【００８２】
オゾン含有気体である排気をヒータ２５１によって加熱すると，オゾンガス成分が酸素に熱分解され，無害化される。無害化された気体は，冷却装置２５２によって冷却された後，排気管２５５によってオゾンキラー２５０から導出され，処理システム１から排気される。
【００８３】
また，オゾンキラー２５０には，オゾンキラー２５０内の高温の雰囲気を排気してオゾンキラー２５０内に溜まった熱を排出するための熱排出管２５８が備えられている。熱排出管２５８の下流端は，排気管２５５のイジェクター２５７より下流側に接続されている。
【００８４】
前述したＯリング４５，４６の間を排気する排気路４８と，隙間９４内を排気する排気路９５は，下流側で一本に合流しており，合流排気路２５９となっている。合流排気路２５９には，合流排気路２５９内の圧力を検出する圧力検出器２６０，合流排気路２５９内のオゾン濃度を検出するオゾン濃度検出器２６１，イジェクター２６２が，排気路４８及び排気路９５側からこの順に介設されている。合流排気路２５９は，イジェクター２６２の下流側で２本の分岐排気路２６３，２６４に分岐している。分岐排気路２６３，２６４には，気体の通流・遮断を切り換える切換弁２６５，２６６がそれぞれ介設されている。分岐排気路２６３の下流端は，ミストトラップ２１３とオゾンキラー２５０との間の排気管２３８の途中に接続されている。分岐排気路２６４の下流端は，熱排出管２５８の途中に接続されている。
【００８５】
図３に示すように，イジェクター２６２には，イジェクター２６２を駆動させるための駆動用エアを供給する駆動用エア供給路２６７がそれぞれ備えられている。駆動用エア供給路２６７は，駆動用エア供給源２６８に接続されている。駆動用エア供給路２６７には，駆動用エアの通流・遮断を切り換える切換弁２７０がそれぞれ介設されている。イジェクター２６２に供給された駆動用エアは，合流排気路２５９内の気体と共に排気される。
【００８６】
圧力検出器２６０，オゾン濃度検出器２６１の各検出信号は，基板処理ユニット２０Ａの各部の動作を制御する図示しない制御装置に送信される。制御装置（図示せず）は，これらの検出信号により，合流排気路２５９の圧力，オゾン濃度，排気路９５の圧力，オゾン濃度を常時監視している。また，制御装置（図示せず）によって，蒸気供給管１９２の流量調整弁２００，オゾンガス供給管１９４の流量調整弁２０１，窒素ガス供給管１９６の切換弁２０２，排気流量調整弁２１８，緊急時排気切換弁２２１，下ヒータ５８の電源，サブヒータ６５の電源，上ヒータ１１８の電源，オゾンキラー２５０のヒータ２５１の電源，イジェクター２６２，イジェクター２５７，その他の基板処理ユニット２０Ａの各部を制御するようになっている。
【００８７】
次に，上記のように構成された処理システム１におけるウェハＷの処理工程を説明する。まず，イン・アウトポート５の載置台４に載置されたキャリアＣから取出収納アーム１１によって一枚ずつウェハＷが取り出され，取出収納アーム１１によって取り出したウェハＷをウェハ受け渡しユニット１７に搬送する。すると，主ウェハ搬送装置１８がウェハ受け渡しユニット１７からウェハＷを受け取り，主ウェハ搬送装置１８によって各基板処理ユニット２０Ａ〜２０Ｈに適宜搬入する。
【００８８】
基板処理ユニット２０Ａ〜２０Ｈの動作態様はほぼ同様であるので，基板処理ユニット２０Ａを代表して説明することとする。ウェハＷを搬入する前の基板処理ユニット２０Ａにおいて，チャンバー３０は，ベース３５の上面に蓋体３６を載せた状態で待機させる。即ち，蓋体昇降機構３７は，図１６に示すように，保持部材１３１を最下位置に移動させ，各頭部１２６の下端から凹部１３５の底面を離隔させた状態にして待機させる。ロック機構３８は，図１２に示すように，ピストンロッド１７１を短縮させた状態にして，上部係合ローラ１５２が切欠き１１６の内側にそれぞれ配置された状態にして待機させる。
【００８９】
ウェハＷを搬入するときは，先ず，蓋体昇降機構３７の支持部材昇降機（図示せず）を駆動させ，保持部材１３１を最下位置から上昇させる。すると，図１７に示すように，各頭部１２６の下端に凹部１３５の底面が接触して支持される。これにより，蓋体３６が支持部材１３０によって持ち上げられ，ベース３５の上面から離隔される。このとき，上部係合ローラ１５２は切欠き１１６の内部に配置されているので，上部係合片１１３は上部係合ローラ１５２の両側から上昇し，上部係合ローラ１５２が邪魔になることはない。蓋体３６の下面とベース３５の上面との間が，ウェハＷを搬入できるように十分離隔したら，支持部材昇降機（図示せず）の駆動を停止させ，蓋体３６を支持部材１３０によってベース３５の上面より上方に支持した状態で待機させる。
【００９０】
続いて，リフトピン昇降機（図示せず）を駆動させ，３個のリフトピン７６を上昇させ，図１１に示すように，３個の下面支持部８０をベース３５の上面より上方に移動させる。３個の下面支持部８０は，互いに同じ高さに配置された状態を維持しながら上昇する。３個の下面支持部８０がウェハＷの受け渡しに十分な高さに移動したら，リフトピン昇降機（図示せず）の駆動を停止させ，３個の下面支持部８０をウェハ受け渡し位置で待機させる。
【００９１】
その後，ウェハＷを保持した搬送アーム１８ａを蓋体３６の下面とベース３５の上面との間に進入させ，３個の下面支持部８０の上方にウェハＷを移動させ，搬送アーム１８ａを下面支持部８０の間に下降させる。すると，ウェハＷの下面に３個の弾性体８２が当接して，搬送アーム１８ａから３個の下面支持部８０にウェハＷが受け渡される。ウェハＷの下面には，ＰＴＦＥ等によって形成された弾性体８２が接触するので，ウェハＷの下面を損傷する虞は無い。３個の下面支持部８０は，互いに同じ高さに配置されているので，ウェハＷは，水平な姿勢で支持される。その後，搬送アーム１８ａをリフトピン７６の間から後退させ，基板処理ユニット２０Ａの外に移動させる。そして，リフトピン昇降機（図示せず）を駆動させ，３個のリフトピン７６を下降させ，３個の下面支持部８０を下降させる。３個の下面支持部８０は，互いに同じ高さに配置された状態を維持しながら下降し，ウェハＷは，水平な姿勢を維持したまま，下降する。３個の下面支持部８０を凹部９１に収納させると，ウェハＷの下面がベース３５の上面に近接する。ウェハＷは，ウェハＷの下面とベース３５の上面との間に，約１ｍｍ程度の隙間が形成された状態で，３個の弾性体８２上端に支持される。また，下面支持部８０を凹部９１に収納させると，Ｏリング８５と凹部９１の底面が密着される。これにより，オゾンガス雰囲気がベローズ１００に入り込むことを防止して，ベローズ１００がオゾンガスに曝されることを防止できる。
【００９２】
次に，蓋体昇降機構３７の支持部材昇降機（図示せず）を駆動させ，保持部材１３１を下降させることにより，蓋体３６を下降させる。蓋体３６の下面周縁部がベース３５の上面周縁部に近接して，蓋体３６がベース３５の上面に載せられると，各頭部１２６の下端から凹部１３５の底面が離隔する。さらに，保持部材１３１を最下位置まで下降させたら，支持部材昇降機（図示せず）の駆動を停止し，保持部材１３１を最下位置に静止させる。図１６に示すように，最下位置において，頭部１２６の下端と凹部１３５の底面との間には，隙間１４１が形成され，保持部材１３１の下面と蓋体サポート部材１２２の上面との間には，隙間１４２が形成される。
【００９３】
蓋体３６を下降させる際，上部係合片１１３は上部係合ローラ１５２の両側から下降し，上部係合ローラ１５２が邪魔になることはない。上部係合片１１３は切欠き１１６の内部に上部係合ローラ１５２を入れるように移動する。
【００９４】
蓋体３６がベース３５の上面に載せられると，図５に示すように，ウェハＷは，ウェハ収納スペース１１０の内側に配置され，ウェハ収納スペース１１０によって覆われた状態となる。ウェハ収納スペース１１０の天井面は，ウェハＷの上面から離隔した上方に配置され，ウェハＷの上面全体がウェハ収納スペース１１０の天井面に覆われる。
【００９５】
蓋体３６がベース３５の上面に載せられ，下部係合片５３と上部係合片１１３が近接した状態になったら，ロック機構３８のシリンダ１７０を駆動させ，ピストンロッド１７１を伸長させる。これにより，図１３に示すように，下部係合ローラ１５１は，下部係合片５３の下面に沿って回転しながら移動する。一方，上部係合ローラ１５２は，切欠き１１６から上部係合片１１３の傾斜面１１４上に沿って回転しながら上昇移動して，平坦面１１５に移動する。こうして，１２組の下部係合ローラ１５１と上部係合ローラ１５２によって，近接させた下部係合片５３と上部係合片１１３がそれぞれ挟持され，ベース３５と蓋体３６が近接した状態で固定（ロック）される。
【００９６】
図５において，蓋体３６は，弾性変形したＯリング４５，４６の上部に支持されており，蓋体３６の下面周縁部とベース３５の上面周縁部との間に僅かな隙間があり，蓋体３６の下面周縁部とベース３５の上面周縁部が密着していない状態となっている。そこで，次に，排気路４８によってＯリング４５，４６の間を減圧する動作を行う。駆動用エア供給路２６６の切換弁２７０を開いて，イジェクター２６２を作動させる。これにより，Ｏリング４５，４６，蓋体３６の下面周縁部，ベース３５の上面周縁部に囲まれた空間が排気され，減圧される。制御装置（図示せず）は，圧力検出器２６０の圧力検出値を監視しており，圧力検出器２６０の圧力検出値が所定の負圧になったら，イジェクター２６２の作動を停止させる制御を行う。こうして，蓋体３６の下面周縁部とベース３５の上面周縁部が密着して，蓋体３６とベース３５との間に，ウェハＷを処理するための密閉状態の処理空間Ｓが形成される。蓋体３６の下面周縁部とベース３５の上面周縁部を密着させることにより，オゾンガスがチャンバー３０の外に漏れることを防止できる。また，イジェクター２６２を作動させることにより，排気路９５によって，Ｏリング８５の内側，隙間９４，ベローズ１００の内側がそれぞれ排気され，減圧される。そして，Ｏリング８５と凹部９１の底面がより確実に密着させられる。こうして，処理空間Ｓを密閉状態にした後，ウェハＷの処理を開始する（図２０においてＳ１）。
【００９７】
先ず，下ヒータ５８，サブヒータ６５，上ヒータ１１８をそれぞれ発熱させ，ウェハＷを昇温させる（Ｓ２）。下ヒータ５８を発熱させると，下ヒータ５８から発生した熱がベース３５に伝導し，処理空間Ｓの下部に伝達して，ウェハＷが昇温される。サブヒータ６５を発熱させると，サブヒータ６５から発生した熱がベース３５に伝導して，ウェハＷの周縁部や外側が加熱される。上ヒータ１１８を発熱させると，上ヒータ１１８から発生した熱が蓋体３６に伝導し，さらに，蓋体３６の下面から処理空間Ｓの上部に伝達して，処理空間Ｓが昇温され，ウェハＷが昇温される。ウェハＷは例えば約１２０℃程度に昇温させる。
【００９８】
ウェハＷは，下ヒータ５８とサブヒータ６５の真上，及び，上ヒータ１１８の真下に位置する部分，即ち，周縁側のリング形状の部分から昇温される。そして，ウェハＷの周縁側の部分から，穴６０の真上及び穴１２０の真下に位置する中心側の部分に向かって，次第に熱が伝導して，中心側も昇温されるようになっている。このようにすると，ウェハＷの中心側の部分が過剰に加熱されることを防止して，ウェハＷ全体を均一な温度にすることができる。ウェハＷを均一に昇温させることにより，ウェハＷの表面全体でレジストの水溶化を均一に促進させることができる。また，サブヒータ６５と上ヒータ１１８が，ウェハＷの周縁より外側まで形成されていることにより，ウェハＷの周縁より外側まで加熱することができ，ウェハＷの周縁側を効率良く十分に昇温させることができる。この場合，ウェハＷ全体を効率良く昇温させることができる。
【００９９】
また，サブヒータ６５を囲むように熱遮断部材６６が配置されているので，サブヒータ６５の熱が外周側に逃げ難くなっている。サブヒータ６５の熱は，熱遮断部材６６よりも熱伝導率が小さいベース３５に良好に伝導するので，ウェハＷを効率良く加熱することができる。さらに，ベース３５とベースサポート部材６７の間に熱遮断部材６６の層が形成されていることにより，ベース３５からベースサポート部材６７，ベース支持部材７３に熱が伝導することを防止できる。従って，チャンバー３０の外に熱が逃げることを防止でき，ウェハＷを効率良く昇温させることができる。係合ピン１２３は，蓋体３６と蓋体サポート部材１２２より熱伝導率が小さいので，蓋体３６，上ヒータ１１８，蓋体サポート部材１２２から係合ピン１２３に熱が伝導し難くなっている。凹部１３５の内面と頭部１２６の外面との間には，隙間１３８が形成され，穴１３６の内面と柱状部材１２５の外面との間には，隙間１３９が形成され，頭部１２６の下端と凹部１３５の底面との間に隙間１４１が形成され，保持部材１３１の下面と蓋体サポート部材１２２の上面との間に隙間１４２が形成されている。即ち，係合ピン１２３と保持部材１３１は，接触していない状態になっている。従って，係合ピン１２３から保持部材１３１に熱が伝導しないので，熱が保持部材１３１，支持部材１３０に逃げることを防止でき，ウェハＷを効率良く昇温させることができる。
【０１００】
次いで，供給切換機構１９０の流量調整弁２０１を開いて，オゾンガス発生器１９３からオゾンガス供給管１９４，主供給管５４にオゾンガスを通流させ，処理空間Ｓにオゾンガスを供給する（Ｓ３）。一方，排気切換部２１５の第１の排気流量調整弁２１８を開き，処理空間Ｓから排気が行われるようにする。排気流量は，第１の排気流量調整弁２１８によって調整する。処理空間Ｓを主排出管５５によって排気しながらオゾンガスを供給することにより，処理空間Ｓの圧力を一定に保ちながら，処理空間Ｓを所定濃度のオゾンガス雰囲気にする。処理空間Ｓの圧力は，大気圧より高い状態，例えばゲージ圧０．２ＭＰａ程度に保つ。処理空間Ｓから排出された排気は，主排出管５５を通過してミストトラップ２１３に導入される。オゾンガスを供給する間，下ヒータ５８，サブヒータ６５，上ヒータ１１８の発熱は継続させ，ウェハＷの温度を例えば約１２０℃程度に維持する。
【０１０１】
処理空間Ｓにオゾンガスを充填した後，流量調整弁２０１と第１の排気流量調整弁２１８を開いたまま，流量調整弁２００を開いて，蒸気発生器１９１から蒸気供給管１９２に蒸気を通流させ，主供給管５４でオゾンガス供給管１９４から供給されたオゾンガスと蒸気とを混合させ，処理空間Ｓにオゾンガスと蒸気の混合処理流体を供給する（Ｓ４）。蒸気発生器１９１から供給される蒸気は，温度調節器２０８によって所定温度，例えば約１１５℃程度に温度調節されながら蒸気供給管１９２を通過し，主供給管５４でオゾンガスと混合される。主供給管５４を通流した混合処理流体は，先ず，処理流体拡散溝５６のほぼ中央に吐出される。処理流体拡散溝５６に吐出された混合処理流体は，主供給管５４の開口の両側に，処理流体拡散溝５６に沿って移動し，処理流体拡散溝５６からウェハＷの周囲及び下面に拡散するように流出する。そして，ウェハＷの上面と周縁に沿って，また，ウェハＷの下面とベース３５との間の隙間を通過して，主排出管５５に向かって流れる。主排出管５５側において，混合処理流体は，処理流体収集溝５７に流入し，処理流体収集溝５７の両側から主排出管５５に向かって移動して，主排出管５５から排出される。こうして，処理空間Ｓ全体に混合処理流体が効率良く流れるようになっている。排気流量は，第１の排気流量調整弁２１８によって調整する。処理空間Ｓの圧力は，大気圧より高い状態，例えばゲージ圧０．２ＭＰａ程度に保つ。処理空間Ｓから排出された排気は，主排出管５５を通過してミストトラップ２１３に導入される。混合処理流体を供給する間，下ヒータ５８，サブヒータ６５，上ヒータ１１８の発熱は継続させ，ウェハＷの温度を例えば約１２０℃程度に維持する。
【０１０２】
このように処理空間Ｓを流れるオゾンガスと蒸気の混合処理流体によって，ウェハＷの表面に塗布されたレジストが酸化（水溶化）される。ウェハＷは，均一に昇温されているので，ウェハＷの表面全体でレジストの水溶化を均一に促進させることができる。なお，主供給管５４から混合処理流体の供給を止めると共に，主排出管５５からの排出を止め，処理空間Ｓを密閉状態とし，処理空間Ｓに充填した混合処理流体によって，ウェハＷのレジスト水溶化処理を行うようにしてもよい。
【０１０３】
レジスト水溶化処理が終了したら，下ヒータ５８，サブヒータ６５，上ヒータ１１８の発熱を継続させたまま，流量調整弁２０１と流量調整弁２００，第１の排気流量調整弁２１８を閉じて，切換弁２０２を開き，流量切換弁２０７を大流量部２０５側に切り換え，排気流量調整弁２１８と排気切換弁２２１を開く。即ち，オゾンガスと水蒸気の供給を停止し（Ｓ５），窒素ガス供給源１９５から窒素ガス供給管１９６，主供給管５４に大量の窒素ガスを通流させ，処理空間Ｓに窒素ガスを流通させる（Ｓ６）。窒素ガスにより，ウェハＷが乾燥される。また，窒素ガスにより，主供給管５４，処理空間Ｓ，主排出管５５からオゾンガス含有気体が押し流されて，主供給管５４，処理空間Ｓ，主排出管５５の中が窒素ガスによってパージされる。排出されたオゾンガスは，主排出管５５と分岐管２２０を通過してミストトラップ２１３に導入される。
【０１０４】
ミストトラップ２１３に導入された排出流体は，主排出管５５から内管２２７に流入して，外管２２８を通過する冷却水によって冷却される。これにより，排出流体中の蒸気が液化して，排出流体は，オゾン水と，酸素，窒素，オゾン等のオゾン含有気体とに分離される。オゾン水とオゾン含有気体は，内管２２７を通過してタンク２２６に導入され，オゾン含有気体は，排気管２３８によってタンク２２６から排出され，排気管２３８を通過してオゾンキラー２５０に導入される。オゾン水は，タンク２２６の下部に貯留され，気体供給口２４１から供給される気体によってバブリングされる。これにより，オゾン水中に溶存していたオゾンが気体となってオゾン水から除去される。オゾン水から除去されたオゾンガスは，オゾン含有気体として，排気管２３８によってタンク２２６から排出され，排気管２３８を通過してオゾンキラー２５０に導入される。こうして，排出基準濃度以下にしたオゾン水は，タンク２２６から排液管２４０によって処理システム１の外へ排液される。オゾンキラー２５０に導入されたオゾン含有気体は，オゾンガス成分が酸素に熱分解され，無害化される。無害化された気体は，冷却装置２５２によって冷却された後，排気管２５５によってオゾンキラー２５０から導出され，処理システム１から排気される。
【０１０５】
窒素ガスにより処理空間Ｓからオゾンガスを排出した後，切換弁２０２，流量切換弁２０７，排気流量調整弁２１８を閉じて，窒素ガスの供給と排出を停止させる（Ｓ７）。こうして，処理流体によるウェハＷの処理が終了する（Ｓ８）。そして，ロック機構３８のシリンダ１７０を駆動させ，ピストンロッド１７１を短縮させる。これにより，図１３に示すように，下部係合ローラ１５１は，下部係合片５３の下面に沿って回転しながら移動する。一方，上部係合ローラ１５２は，上部係合片１１３の平坦面１１５から傾斜面１１４上に沿って回転しながら下降移動して，切欠き１１６に移動する。こうして，ベース３５と蓋体３６のロックが解除される。
【０１０６】
切換弁２０２を開き，流量切換弁２０７を小流量部２０６に切り換え，窒素ガス供給源１９５から窒素ガス供給管１９６，主供給管５４に小量の窒素ガスを通流させ，処理空間Ｓに窒素ガスを供給する。この窒素ガスにより，処理空間Ｓを弱加圧して，チャンバー３０の外部より陽圧にする。Ｏリング４５，４６にフッ素のゴムを使用すると，蓋体３６の下面に圧接され加熱されたＯリング４５，４６が，蓋体３６の下面に貼り付き易くなる難点があるが，処理空間Ｓを弱加圧することにより，蓋体３６に上向きの力が働き，蓋体３６の下面をＯリング４５，４６から離す方向に力が働くので，蓋体３６の下面とＯリング４５，４６が離れ易くなる。従って，蓋体３６をベース３５から持ち上げ易くなる。なお，Ｏリング４５，４６を保持している溝４２，４３はアリ溝になっており，Ｏリング４５，４６は，溝４２，４３から抜け出ないように確実に嵌め込まれている。従って，蓋体３６の下面に貼り付いたＯリング４５，４６が蓋体３６と共に持ち上げられ溝４２，４３から抜け出てしまう虞は無い。
【０１０７】
処理空間Ｓを弱加圧したら，蓋体昇降機構３７の支持部材昇降機（図示せず）を駆動させ，支持部材１３０を上昇させる。図１７に示すように，各頭部１２６の下端が凹部１３５の底面に接触して支持され，蓋体３６が支持部材１３０によって持ち上げられ，ベース３５の上面から離隔される。蓋体３６の下面はＯリング４５，４６から離れ易くなっているので，蓋体３６はベース３５から円滑に持ち上げられる。また，窒素ガスにより処理空間Ｓはチャンバー３０の外部より陽圧にしたことにより，蓋体３６とベース３５を離隔させたとき，チャンバー３０の外からチャンバー３０内に雰囲気が吸い込まれることを防止できる。従って，ベース３５の上面や蓋体３６の下部にパーティクル等が付着することを防止でき，次のウェハＷ処理の際に形成される処理空間Ｓに，パーティクル等が入り込むことを防止できる。
【０１０８】
蓋体３６を上昇させる際，上部係合ローラ１５２は切欠き１１６の内部に配置されているので，上部係合片１１３は上部係合ローラ１５２の両側から上昇し，上部係合ローラ１５２が邪魔になることはない。蓋体３６の下面とベース３５の上面との間が，ウェハＷを搬出できるように十分離隔したら，支持部材昇降機（図示せず）の駆動を停止させ，蓋体３６を支持部材１３０によってベース３５の上面より上方に支持した状態で待機させる。
【０１０９】
続いて，リフトピン昇降機（図示せず）を駆動させ，図１１に示すように，３個のリフトピン７６を上昇させ，３個の下面支持部８０をベース３５の上面より上方に移動させ，３個の下面支持部８０によってウェハＷを持ち上げる。ウェハＷの下面には，ＰＴＦＥ等によって形成された弾性体８２が接触するので，ウェハＷの下面を損傷する虞は無い。３個の下面支持部８０は，互いに同じ高さに配置された状態を維持しながら上昇するので，ウェハＷは，水平な姿勢を維持したまま，上昇する。３個の下面支持部８０がウェハＷの受け渡しに十分な高さに移動したら，リフトピン昇降機（図示せず）の駆動を停止させ，ウェハＷを支持した３個の下面支持部８０をウェハ受け渡し位置で待機させる。
【０１１０】
次に，搬送アーム１８ａを下面支持部８０の間からウェハＷの下方に進入させ，ウェハＷの下面に向かって搬送アーム１８ａを上昇させる。すると，ウェハＷの下面に搬送アーム１８ａが当接して，ウェハＷが３個の下面支持部８０から持ち上げられ，３個の下面支持部８０から搬送アーム１８ａにウェハＷが受け渡される。その後，ウェハＷを保持した搬送アーム１８ａを下面支持部８０の間から後退させ，基板処理ユニット２０Ａの外に移動させる。こうして，基板処理ユニット２０Ａからレジスト水溶化処理が終了したウェハＷを搬出する。
【０１１１】
各基板処理ユニット２０Ａ〜２０Ｈでレジスト水溶化処理が施され，各基板処理ユニット２０Ａ〜２０Ｈから搬出されたウェハＷは，搬送アーム１８ａによって各基板洗浄ユニット２１Ａ〜２１Ｄに適宜搬入され，ウェハＷに付着している水溶化されたレジストを除去する洗浄処理が純水等により施される。これにより，ウェハＷに塗布されていたレジストが剥離される。各基板洗浄ユニット２１Ａ〜２１Ｄは，ウェハＷに対して洗浄処理を施した後，必要に応じて薬液処理によりパーティクル，金属除去処理を行った後，乾燥処理を行う。ここで，基板処理ユニット２０Ａ〜２０Ｈにおいて処理されたウェハＷは，表面に塗布されていたレジストが均一に水溶化されているので，水溶化した変質レジストを均一に洗い流して除去することができる。従って，ウェハＷの表面からレジストを十分に剥離することができる。
【０１１２】
その後，ウェハＷは再び搬送アーム１８ａによって上段の受け渡しユニット１６に搬送される。そして，受け渡しユニット１６から取出収納アーム１１にウェハＷが受け取られ，取出収納アーム１１によって，レジストが剥離されたウェハＷがキャリアＣ内に収納される。こうして，処理システム１におけるウェハＷのレジスト除去処理が終了する。
【０１１３】
ところで，従来，半導体デバイスの製造工程においては，例えば本実施の形態に示す基板処理ユニット２０Ａを用いたレジスト水溶化処理のように，基板をチャンバー内に収納して，チャンバー内に種々の処理流体を供給して基板を処理する工程が行われている。チャンバーは，例えば本実施の形態に示すチャンバー３０におけるベース３５と蓋体３６のように，チャンバー本体と蓋体を備え，内部に基板を収納する処理空間を形成する構成のものが用いられている。かかるチャンバーは，例えば本実施の形態に示すチャンバー３０におけるベース３５と蓋体３６のように，チャンバー本体と蓋体の周縁部を密着させ，処理空間を密閉状態にするようになっている。従来，チャンバー本体の周縁部と蓋体の周縁部を密着させる構成として，例えば，チャンバー本体の周縁部と蓋体の周縁部の間に，シール部材を二重に設け，二重に設けたシール部材の間に，排気管を設けたものが知られていた（例えば，特開２０００−１１０９４３号公報（第４，５頁，第２図）参照。）。即ち，Ｏリング４５，４６の間を排気する排気路４８のように，シール部材の間を排気することにより，チャンバー本体の周縁部と蓋体の周縁部の間を減圧し，密着させる構成となっている。さらに，排気管に圧力検出器を設け，排気管内の圧力上昇を検出することにより，チャンバー本体の周縁部と蓋体の周縁部の間における気密性が低下し，密着状態が悪化したことを検知できる構成が提案されている（例えば，特開２０００−１１０９４３号公報（第４，５頁，第２図）参照。）。
【０１１４】
しかしながら，従来の基板処理装置においては，チャンバー本体の周縁部と蓋体の周縁部の間における密着状態が悪化したとき，チャンバー内から処理流体を迅速に排出させることが難しい問題があった。そのため，チャンバーの外に処理流体が漏出してしまう虞があった。また，その他の異常事態が発生して装置を停止させたときも，チャンバー内に処理流体が残留したままとなり，チャンバーの外に処理流体が漏出する虞があった。特に，例えば本実施の形態におけるオゾンガスのように，人体や環境等に対して有害性のある処理流体を用いる場合，チャンバーの外に処理流体が漏出すると，人体や環境等に対して被害を与える危険がある。また，チャンバー内に処理流体が残留した場合，装置の点検，修理を安全に行うことができない問題がある。従って，本実施の形態における目的の一つとして，チャンバーの外に処理流体が漏出することを防止し，チャンバー内から処理流体を効率的に排出させることができる基板処理方法を提供することがある。
【０１１５】
上記課題を解決するために，本実施の形態においては，基板に処理流体を供給して処理する基板処理方法であって，チャンバーのベースと蓋体との間に，二重に備えたチャンバーシール部材を挟んだ状態で，基板をチャンバーに収納し，前記二重に備えたシール部材の間を排気して，ベースと蓋体を密着させ，前記チャンバー内に処理流体を供給し，前記二重に備えたシール部材の間において，圧力又は処理流体中の成分の濃度が上昇したとき，前記チャンバー内に無害性ガスを供給しながら，前記チャンバー内を排気することを特徴とする，基板処理方法が提供される。ここで，「無害性ガス」とは，例えば窒素，酸素などである。かかる基板処理方法によれば，チャンバーシール部材が損傷したとき等，チャンバー本体の周縁部と蓋体の周縁部の間における密着状態が悪化したとき，チャンバー内を迅速に排気して，無害性ガスに置換することができる。従って，チャンバーの外に処理流体が漏出することを防止できる。
【０１１６】
また，本実施の形態においては，基板に処理流体を供給して処理する基板処理方法であって，チャンバーに備えた基板支持部材によって基板を支持し，基板をチャンバーに収納し，前記チャンバーの内部の雰囲気から前記基板支持部材を隔離させ，前記チャンバー内に処理流体を供給し，前記基板支持部材の周囲において，圧力又は処理流体中の成分の濃度が上昇したとき，前記チャンバー内に無害性ガスを供給しながら，前記チャンバー内を排気することを特徴とする，基板処理方法が提供される。かかる基板処理方法によれば，前記チャンバーの内部の雰囲気から前記基板支持部材の周囲の雰囲気を離隔させるシール部材等が損傷したとき等，チャンバー内の処理流体が外部に漏れる危険が発生したとき，チャンバー内を迅速に排気して，無害性ガスに置換することができる。従って，チャンバーの外に処理流体が漏出することを防止できる。
【０１１７】
前記処理流体は，オゾンガスを含むこととしても良い。前記無害性ガスを供給する際，オゾンガスを分解するオゾンキラーに前記チャンバー内から排出した排気を通過させ，前記オゾンキラーによって排気を無害化し，前記オゾンキラーが排気を無害化できなくなる前，あるいは，無害化できなくなったときに，前記無害性ガスの供給を停止させることが好ましい。この場合，排気が無害化されないまま外部に排出されることを防止できる。
【０１１８】
前記オゾンキラーに前記チャンバー内から排出した排気を通過させる際，オゾンキラーに対する電源供給を遮断することとしても良い。即ち，緊急時等にオゾンキラーに対する電源供給が遮断されても，オゾンキラー内の余熱によってオゾン分解を行うことにより，暫くの間，排気を無害化することができる。
【０１１９】
前記無害性ガスの供給を停止させた後，前記オゾンキラーのオゾン分解性能を回復させ，再び前記チャンバー内に無害性ガスを供給しながら，前記チャンバー内を排気することが好ましい。この場合，前記チャンバー内から確実にオゾンガスを排気し，無害化することができる。
【０１２０】
前記無害性ガスは，窒素又は酸素であって，前記オゾンキラーのオゾン分解性能を回復させる前は，前記チャンバー内に窒素を供給し，前記オゾンキラーのオゾン分解性能を回復させた後，オゾンガスを発生させるオゾンガス発生装置を作動させない状態とし，前記オゾンガス発生装置からオゾンガスを供給するオゾンガス供給路から酸素を供給し，その後，前記チャンバー内に窒素を供給することが好ましい。この場合，オゾンガス発生装置とオゾンガス供給路からオゾンガスを排出することができる。例えば，作業員がオゾンガス発生装置とオゾンガス供給路を点検する際，作業員がオゾンガスに触れる危険を防止でき，点検を安全に行うことができる。
【０１２１】
即ち，オゾンガスは人体に有害な物質であるため，ウェハＷの処理中はチャンバー３０の外に雰囲気が漏れないようにする必要がある。そのため，基板処理ユニット２０Ａにおいては，蓋体３６の下面周縁部とベース３５の上面周縁部との間にチャンバーシール部材としてのＯリング４５，４６が二重に設けられており，ウェハＷをチャンバー３０に収納した後，Ｏリング４５，４６の間を減圧することで，蓋体３６の下面周縁部とベース３５の上面周縁部を確実に密着させている。また，内側のＯリング４５が損傷した場合であっても，外側のＯリング４６は蓋体３６の下面周縁部に強く密着しているので，Ｏリング４５の損傷直後にオゾンガスが漏れる虞は無い。外側のＯリング４６が損傷した場合であっても，内側のＯリング４５は蓋体３６の下面周縁部に強く密着しているので，内側のＯリング４５によって蓋体３６の下面周縁部とベース３５の上面周縁部との間の密着状態が維持され，Ｏリング４６の損傷直後にオゾンガスが漏れる虞は無い。しかし，Ｏリング４５が損傷したときは，蓋体３６の下面周縁部とベース３５の上面周縁部との間の密着状態は悪化し，また，Ｏリング４６がオゾンガスに曝されて損傷し，オゾンガスが漏れる虞がある。また，Ｏリング４６が損傷したときは，蓋体３６の下面周縁部とベース３５の上面周縁部との間の密着状態が悪化するので，オゾンガスが漏れる虞がある。そのため，Ｏリング４５，４６のいずれかが損傷したときは，直ちに，チャンバー３０からオゾンガスが漏れる危険を回避する緊急時動作を行うようにする。
【０１２２】
先ず，Ｏリング４５，４６が破損した場合に行う第１の緊急時動作を説明する。図２１に示すウェハＷの処理中，内側のＯリング４５が損傷した場合，Ｏリング４５，４６の間に処理空間Ｓ内の雰囲気が流入する。また，外側のＯリング４６が損傷した場合は，Ｏリング４５，４６の間にチャンバー３０の外側の雰囲気が流入する。Ｏリング４５，４６の間に処理空間Ｓ内又はチャンバー３０の外側の雰囲気が流入すると，排気路４８，排気路２５８，及び合流排気路２５９内に雰囲気が流入し，排気路４８，排気路２５８，及び合流排気路２５９内の圧力が上昇して，圧力検出器２６０の圧力検出値が上昇する（Ｓ１０，Ｓ１１）。制御装置（図示せず）は，圧力検出器２６０の圧力検出値を常時監視しており，圧力検出器２６０の圧力検出値が上昇した場合，基板処理ユニット２０Ａの処理を停止させる制御を行う（Ｓ１２，Ｓ１３）。即ち，蒸気供給管１９２の流量調整弁２００，オゾンガス供給管１９４の流量調整弁２０１，窒素ガス供給管１９６の切換弁２０２を閉じ，排気流量調整弁２１８，排気切換弁２２１を閉じ，下ヒータ５８，サブヒータ６５，上ヒータ１１８の各電源を切る。こうして基板処理ユニット２０Ａの処理を停止させたまま，待機させる。
【０１２３】
基板処理ユニット２０Ｂ〜２０Ｈの各ウェハＷ処理が終了して，基板処理ユニット２０Ｂ〜２０ＨからウェハＷが搬出され（Ｓ１６），その後，基板処理ユニット２０Ｂ〜２０Ｈの運転をそれぞれ停止させて待機させる（Ｓ１７）。そして，基板処理ユニット２０Ａの復旧動作を開始させる（図２２においてＳ２０）。ミストトラップ２１３，オゾンキラー２５０は，基板処理ユニット２０Ａを復旧させる間も，常時運転させる。
【０１２４】
先ず，基板処理ユニット２０Ａの処理空間Ｓを窒素ガスによってパージする動作を行う。基板処理ユニット２０Ａの切換弁２０２を開き，流量切換弁２０７を大流量部２０５側に切り換え，排気流量調整弁２１８と排気切換弁２２１を開く。即ち，窒素ガス供給源１９５から窒素ガス供給管１９６，主供給管５４に大量の窒素ガスを通流させ，処理空間Ｓに大流量で窒素ガスを流通させる（Ｓ２１）。これにより，処理空間Ｓを加圧し，チャンバー３０の外より陽圧にしながら，処理空間Ｓを窒素ガスによってパージする。窒素ガスにより，主供給管５４，処理空間Ｓ，主排出管５５からオゾンガス含有気体が押し流されて，主供給管５４，処理空間Ｓ，主排出管５５の中が窒素ガスによってパージされる。排出されたオゾンガス含有気体は，主排出管５５と分岐管２２０を通過してミストトラップ２１３に導入される。その後，ミストトラップ２１３からオゾンキラー２５０に導入されて，オゾンキラー２５０によって無害化され，オゾンキラー２５０から排気管２５５によって排出され，処理システム１の外に排出される。
【０１２５】
大量の窒素ガスを供給する際，排気路２６３の切換弁２６５を開き，排気路２６４の切換弁２６６を閉じておく。内側のＯリング４５が損傷している場合，処理空間Ｓに供給された窒素ガスは，排気路４８内にも流入して，窒素ガスにより，排気路４８，合流排気路２５９，排気路２６３からオゾンガス含有気体が押し流されて，排気路４８，合流排気路２５９，排気路２６３の中が窒素ガスによってパージされる。排出されたオゾンガス含有気体は，排気管２３８を通過してオゾンキラー２５０に導入され，オゾンキラー２５０によって無害化され，処理システム１の外に排出される。
【０１２６】
窒素ガスにより処理空間Ｓからオゾンガスを排出した後，窒素ガスの供給と排出を停止させる（Ｓ２２）。こうして，復旧動作が終了する（Ｓ２３）。ベース３５と蓋体３６のロックを解除し，蓋体３６を上昇させ，ウェハＷを搬出する（Ｓ２４）。ウェハＷを搬出した後，作業員は，損傷したＯリング４５又はＯリング４６を取り替え，必要に応じて基板処理ユニット２０Ａの各部の点検を行い，安全を確認する。基板処理ユニット２０Ａからは完全にオゾンガスが除去されているので，作業員は，復旧作業を安全に行うことができる。こうして，基板処理ユニット２０Ａを復旧させた後，基板処理ユニット２０Ａ〜２０ＨのウェハＷ処理を再開する。
【０１２７】
このように，Ｏリング４５，４６が破れても，Ｏリング４５，４６が破れたことを直ちに検知して，基板処理ユニット２０Ａの運転を直ちに停止させ，チャンバー３０から漏れる危険を回避することができる。また，基板処理ユニット２０Ａの復旧作業を安全に行うことができる。
【０１２８】
内側のＯリング４５の損傷は，オゾン濃度検出器５５の検出信号によって検知することもできる。以下，Ｏリング４５が破損した場合に行う第２の緊急時動作を説明する。図２３に示すウェハＷの処理中，内側のＯリング４５が損傷した場合は，Ｏリング４５，４６の間に処理空間Ｓ内のオゾンガス含有気体が流入する。すると，排気路４８，排気路２５８，及び合流排気路２５９内に雰囲気が流入し，排気路４８，排気路２５８，及び合流排気路２５９内のオゾン濃度が上昇して，オゾン濃度検出器２６１のオゾン濃度検出値が上昇する（Ｓ３０，Ｓ３１）。制御装置（図示せず）は，オゾン濃度検出器２６１のオゾン濃度検出値を常時監視しており，オゾン濃度検出器２６１のオゾン濃度検出値が上昇した場合，基板処理ユニット２０Ａ〜２０Ｈの処理を総て停止させる（Ｓ３２）。そして，基板処理ユニット２０Ａ〜２０Ｈの総てにおいて，復旧動作を開始させる（図２４においてＳ３５）。
【０１２９】
先ず，基板処理ユニット２０Ａ〜２０Ｈの総てにおいて，蒸気供給管１９２の流量調整弁２００，オゾンガス供給管１９４の流量調整弁２０１を閉じ，窒素ガス供給管１９６の切換弁２０２を開き，流量切換弁２０７を小流量部２０６に切り換え，排気流量調整弁２１８と排気切換弁２２１を開く。そして，窒素ガス供給源１９５から窒素ガス供給管１９６，主供給管５４に小量の窒素ガスを通流させ，処理空間Ｓに小流量で窒素ガスを供給する（Ｓ３６）。一方，排気管２５５の切換弁２５６を開き，イジェクター２５７を作動させる。すると，主排出管５５，内管２２７，タンク２２６，排気管２３８，オゾンキラー２５０内の気体循環路（図示せず），排気管２５５の中が排気され，処理空間Ｓが迅速に排気される。これにより，処理空間Ｓを減圧し，チャンバー３０の外より負圧にしながら，処理空間Ｓを窒素ガスによってパージする。処理空間Ｓをチャンバー３０の外より負圧に保つことにより，チャンバー３０の外にオゾンガスが漏れることを防止できる。処理空間Ｓから排気された排気は，主排出管５５，内管２２７，タンク２２６，排気管２３８を通過して，オゾンキラー２５０内の気体循環路（図示せず）に導入される。オゾンキラー２５０によって無害化された排気は，排気管２５５を通過して，処理システム１の外に排気される。
【０１３０】
窒素ガスを供給する際，排気路２６３の切換弁２６５を開き，排気路２６４の切換弁２６６を閉じておく。イジェクター２５７を作動させると，排気路４８，合流排気路２５９，排気路２６３内も排気され，排気路４８，合流排気路２５９，排気路２６３内からオゾンガス含有気体が迅速に排気される。排出されたオゾンガス含有気体は，排気管２３８を通過してオゾンキラー２５０に導入され，オゾンキラー２５０によって無害化され，処理システム１の外に排出される。
【０１３１】
イジェクター２５７により基板処理ユニット２０Ａ〜２０Ｈの排気を約１５分程度行うと，基板処理ユニット２０Ａ〜２０Ｈの各処理空間Ｓが完全に窒素ガス雰囲気に置換される。一方，オゾンキラー２５０内の気体循環路（図示せず）に低温の排気が通過し続けるため，オゾンキラー２５０内は次第に低温となり，オゾン分解性能が低下して，排気が十分に無害化されなくなる。即ち，オゾンキラー２５０内の温度が若干低下しても，オゾンキラー２５０内の余熱により，排気中のオゾンガスが分解されるので，排気中のオゾン濃度を人体に悪影響を与えない程度の濃度に低下させ，排気を十分に無害化できるが，さらにオゾンキラー２５０内の温度が低下し続けると，排気中のオゾン濃度を人体に悪影響を与えない程度の濃度まで低下させることができなくなる。そこで，オゾンキラー２５０内が排気を無害化できない温度になる前に，あるいは排気を無害化できない温度になった時点で，切換弁２５６を閉じ，イジェクター２５７を停止させ，窒素ガス供給管１９６の切換弁２０２を閉じ，窒素ガスの供給と排気を一旦停止させる（Ｓ３７）。その後，ヒータ２５１の発熱によりオゾンキラー２５０内を昇温させ，これにより，オゾン分解性能を復旧させる（Ｓ３８）。
【０１３２】
オゾンキラー２５０のオゾン分解性能が十分に回復したら，先ず，基板処理ユニット２０Ａ〜２０Ｈの流量調整弁２０１，切換弁２１２を開き，酸素供給源２１０から酸素供給路２１１，オゾンガス発生器１９３，オゾンガス供給管１９４，主供給管５４に酸素を通流させる（Ｓ３９）。このとき，オゾンガス発生器１９３は作動させず，オゾンガスを発生させないようにする。これにより，酸素供給路２１１，オゾンガス発生器１９３，オゾンガス供給管１９４内に酸素が通流して，酸素供給路２１１，オゾンガス発生器１９３，オゾンガス供給管１９４からオゾンガス含有気体が押し流され，酸素供給路２１１，オゾンガス発生器１９３，オゾンガス供給管１９４，主供給管５４，処理空間Ｓ，主排出管５５の中が酸素によってパージされる。押し流されたオゾンガス含有気体は，オゾンキラー２５０で熱分解され，排気管２５５によって処理システム１の外に排気される。
【０１３３】
次に，基板処理ユニット２０Ａ〜２０Ｈの流量調整弁２０１，切換弁２１２を閉じ，切換弁２０２を開き，流量切換弁２０７を大流量部２０５側に切り換える。即ち，酸素の供給を停止させ（Ｓ４０），窒素ガス供給源１９５から窒素ガス供給管１９６，主供給管５４に大量の窒素ガスを通流させ，基板処理ユニット２０Ａ〜２０Ｈの各処理空間Ｓに窒素ガスを流通させる（Ｓ４１）。ここで，酸素によってパージした後であるため，基板処理ユニット２０Ａ〜２０Ｈ内のオゾンガス含有気体はほぼ排出されているが，窒素ガスを大流量で供給することにより，処理空間Ｓ，主排出管５５，内管２２７，タンク２２６，排気管２３８からオゾンガス含有気体が確実に押し流される。そして，処理空間Ｓ，主排出管５５，内管２２７，タンク２２６，排気管２３８の中が窒素ガスによってパージされる。押し流されたオゾンガス含有気体は，オゾンキラー２５０で熱分解され，排気管２５５によって処理システム１の外に排気される。
【０１３４】
その後，切換弁２０２を閉じて，窒素ガスの供給を停止させる（Ｓ４２）。こうして，復旧動作が終了する（Ｓ４３）。ベース３５と蓋体３６のロックを解除し，蓋体３６を上昇させ，ウェハＷを搬出する（Ｓ４４）。こうして，基板処理ユニット２０Ａ〜２０ＨからそれぞれウェハＷを搬出した後，作業員は，損傷したＯリング４５を取り替え，必要に応じて基板処理ユニット２０Ａの各部の点検を行い，安全を確認する。基板処理ユニット２０Ａ〜２０Ｈからは完全にオゾンガスが除去されているので，作業員は，復旧作業を安全に行うことができる。また，オゾンガス発生器１９３，オゾンガス供給管１９４からもオゾンガスが除去されているので，基板処理ユニット２０Ａの点検，修理等の際，作業員が誤ってオゾンガスに接触してしまう事故を防ぐことができる。さらに，オゾンガス発生器１９３，オゾンガス供給管１９４の点検，修理等も安全に行うことができる。基板処理ユニット２０Ａを復旧させた後，基板処理ユニット２０Ａ〜２０ＨのウェハＷ処理を再開する。
【０１３５】
このように，Ｏリング４５が破れても，Ｏリング４５が破れたことを直ちに検知して，直ちに基板処理ユニット２０Ａから排気を行い，オゾンガスがチャンバー３０から漏れる危険を回避することができる。オゾンキラー２５０内が低温となっても，オゾンキラー２５０内の余熱を利用して，排気を暫くの間無害化できる。基板処理ユニット２０Ａの復旧作業を安全に行うことができる。
【０１３６】
次に，故障など緊急事態が発生したときの第３の緊急時動作を説明する。処理システム１には，緊急事態が発生したとき作業員（オペレータ）が押す非常用停止ボタン（図示せず）が備えられている。この非常用停止ボタンを押すと，処理システム１への電源供給が遮断されるようになっている。即ち，非常用停止ボタンが押されると，基板処理ユニット２０Ａ〜２０Ｈの各下ヒータ５８，サブヒータ６５，上ヒータ１１８が電源遮断されるとともに，オゾンキラー２５０のヒータ２５１が電源遮断され，制御装置（図示せず）による制御が行われなくなる。この場合，作業員が処理システム１の各部の操作を手動で行う。また，処理システム１が電源遮断されたら，直ちに基板処理ユニット２０Ａ〜２０Ｈの総てにおいて，流量調整弁２００，流量調整弁２０１を閉じ，切換弁２０２を開き，流量切換弁２０７を小流量部２０６に切り換え，排気流量調整弁２１８と排気切換弁２２１を開くとともに，イジェクター２５７が作動するように設定されている。
【０１３７】
処理システム１における処理開始（図２５においてＳ５０）後，緊急事態が発生し（Ｓ５１），作業員が非常用停止ボタンを押し（Ｓ５２），処理システム１が電源遮断されると，同時に，基板処理ユニット２０Ａ〜２０Ｈの総てにおいて，流量調整弁２００，流量調整弁２０１が閉じ，切換弁２０２が開き，流量切換弁２０７が小流量部２０６に切り換えられ，排気流量調整弁２１８と排気切換弁２２１が開く。また，イジェクター２５７が作動する（Ｓ５３）。これにより，窒素ガス供給源１９５から窒素ガス供給管１９６，主供給管５４に小量の窒素ガスが通流し，処理空間Ｓに小流量で窒素ガスが供給される。このように，非常用停止ボタンを押すと，基板処理ユニット２０Ａ〜２０Ｈの復旧動作が直ちに開始される（Ｓ５４）。処理空間Ｓから排気された排気は，主排出管５５，内管２２７，タンク２２６，排気管２３８を通過して，オゾンキラー２５０内の気体循環路（図示せず）に導入される。オゾンキラー２５０によって無害化された排気は，排気管２５５を通過して，処理システム１の外に排気される。
【０１３８】
処理システム１が電源遮断されたことにより，オゾンキラー２５０のヒータ２５１が電源供給が遮断されるため，オゾンキラー２５０内は次第に低温となり，オゾン分解性能が低下して，排気が十分に無害化されなくなる。即ち，ヒータ２５１が電源遮断されても，オゾンキラー２５０内の余熱により，排気中のオゾンガスが分解されるので，排気中のオゾン濃度を人体に悪影響を与えない程度の濃度に低下させ，排気を十分に無害化できるが，さらにオゾンキラー２５０内の温度が低下し続けると，排気中のオゾン濃度を人体に悪影響を与えない程度の濃度まで低下させることができなくなる。そこで，オゾンキラー２５０内が排気を無害化できない温度になる前に，あるいは排気を無害化できない温度になった時点で，作業員の手動により，切換弁２５６を閉じ，イジェクター２５７を停止させ，窒素ガス供給管１９６の切換弁２０２を閉じ，窒素ガスの供給と排気を一旦停止させる（図２６においてＳ５５）。そして，作業員が処理システム１の安全確認を行った後，作業員の手動により，処理システム１への電源供給を再開させる。すると，ヒータ２５１への電源供給が再開され（Ｓ５６），ヒータ２５１の発熱によりオゾンキラー２５０内が昇温され，オゾンキラー２５０のオゾン分解性能が復旧する（Ｓ５７）。また，制御装置（図示せず）による制御が可能となる。
【０１３９】
オゾンキラー２５０のオゾン分解性能が十分に回復したら，先ず，基板処理ユニット２０Ａ〜２０Ｈの流量調整弁２０１，切換弁２１２を開き，酸素供給源２１０から酸素供給路２１１，オゾンガス発生器１９３，主供給管５４に酸素を通流させる（Ｓ５８）。このとき，オゾンガス発生器１９３は作動させず，オゾンガスを発生させないようにする。これにより，酸素供給路２１１，オゾンガス発生器１９３内に酸素が通流して，酸素供給路２１１，オゾンガス発生器１９３からオゾンガス含有気体が押し流され，酸素供給路２１１，オゾンガス発生器１９３，主供給管５４，処理空間Ｓ，主排出管５５の中が酸素によってパージされる。押し流されたオゾンガス含有気体は，オゾンキラー２５０で熱分解され，排気管２５５によって処理システム１の外に排気される。
【０１４０】
次に，基板処理ユニット２０Ａ〜２０Ｈの流量調整弁２０１，切換弁２１２を閉じ，切換弁２０２を開き，流量切換弁２０７を大流量部２０５側に切り換える。即ち，酸素の供給を停止させ（Ｓ５９），窒素ガス供給源１９５から窒素ガス供給管１９６，主供給管５４に大量の窒素ガスを通流させ，基板処理ユニット２０Ａ〜２０Ｈの各処理空間Ｓに窒素ガスを流通させる（Ｓ６０）。ここで，酸素によってパージした後であるため，基板処理ユニット２０Ａ〜２０Ｈ内のオゾンガス含有気体はほぼ排出されているが，窒素ガスを大流量で供給することにより，処理空間Ｓ，主排出管５５，内管２２７，タンク２２６，排気管２３８からオゾンガス含有気体が確実に押し流される。そして，処理空間Ｓ，主排出管５５，内管２２７，タンク２２６，排気管２３８の中が窒素ガスによってパージされる。押し流されたオゾンガス含有気体は，オゾンキラー２５０で熱分解され，排気管２５５によって処理システム１の外に排気される。
【０１４１】
その後，切換弁２０２を閉じて，窒素ガスの供給を停止させる（Ｓ６１）。こうして，基板処理ユニット２０Ａ〜２０Ｈの復旧動作が終了する（Ｓ６２）。ベース３５と蓋体３６のロックを解除し，蓋体３６を上昇させ，ウェハＷを搬出する（Ｓ６３）。こうして，基板処理ユニット２０Ａ〜２０ＨからそれぞれウェハＷを搬出した後，作業員は，必要に応じて処理システム１の各部の調整や修理を行い，安全を確認する。基板処理ユニット２０Ａ〜２０Ｈからは完全にオゾンガスが除去されているので，作業員は，復旧作業を安全に行うことができる。こうして，処理システム１を復旧させた後，処理システム１のウェハＷ処理を再開する。
【０１４２】
このように，処理システム１の故障など緊急事態が発生したときも，基板処理ユニット２０Ａ〜２０Ｈからオゾンガスが漏れる危険を回避することができる。また，処理システム１の復旧作業を安全に行うことができる。
【０１４３】
また，下面支持部８０に備えたＯリング８５やベローズ１００が損傷した場合も，チャンバー３０の外にオゾンガスが漏れる危険がある。そのため，Ｏリング８５，ベローズ１００が損傷したときも，直ちに，チャンバー３０からオゾンガスが漏れる危険を回避する緊急時動作を行うようにする。下面支持部８０に備えたＯリング８５やベローズ１００が損傷した場合は，圧力検出器２６０の検出信号によって損傷を検知するようにしても良い。即ち，Ｏリング８５やベローズ１００が損傷した場合，排気路９５，排気路２５８，及び合流排気路２５９内に雰囲気が流入し，排気路９５，排気路２５８，及び合流排気路２５９内の圧力が上昇して，圧力検出器２６０の圧力検出値が上昇する。従って，圧力検出器２６０の検出信号を監視することで，Ｏリング８５やベローズ１００の損傷が検知できる。また，下面支持部８０に備えたＯリング８５が損傷した場合は，濃度検出器２６１の検出信号によって損傷を検知するようにしても良い。即ち，Ｏリング８５が損傷した場合，排気路９５，排気路２５８，及び合流排気路２５９内に雰囲気が流入し，排気路９５，排気路２５８，及び合流排気路２５９内のオゾン濃度が上昇するので，オゾン濃度検出器２６１のオゾン濃度検出値が上昇する。従って，オゾン濃度検出器２６１の検出信号を監視することで，Ｏリング８５の損傷が検知できる。Ｏリング８５やベローズ１００の損傷が発生した場合は，上記の第１の緊急時動作，第２の緊急時動作，又は，第３の緊急時動作を行うようにする。
【０１４４】
Ｏリング８５やベローズ１００が破損した場合に行う第１の緊急時動作においては，損傷を検知したら，制御装置（図示せず）の制御により，基板処理ユニット２０Ａの処理を停止させた後，基板処理ユニット２０Ｂ〜２０Ｈの運転をそれぞれ停止させて待機させる（図２２においてＳ１７）。そして，基板処理ユニット２０Ａの復旧動作を開始させる（Ｓ２０）。先ず，基板処理ユニット２０Ａの処理空間Ｓに窒素ガスを供給し（Ｓ２１），処理空間Ｓを窒素ガスによってパージする。なお，大量の窒素ガスを供給する際，排気路２６３の切換弁２６５を開き，排気路２６４の切換弁２６６を閉じておく。Ｏリング８５が損傷している場合，処理空間Ｓに供給された窒素ガスは，排気路９５内にも流入して，窒素ガスにより，排気路９５，合流排気路２５９，排気路２６３からオゾンガス含有気体が押し流されて，排気路９５，合流排気路２５９，排気路２６３の中が窒素ガスによってパージされる。窒素ガスにより処理空間Ｓからオゾンガスを排出した後，窒素ガスの供給を停止させ（Ｓ２２），復旧動作を終了させ（Ｓ２３），ウェハＷを搬出する（Ｓ２４）。ウェハＷを搬出した後，作業員は，損傷したＯリング８５やベローズ１００を取り替え，必要に応じて基板処理ユニット２０Ａの各部の点検を行い，安全を確認する。基板処理ユニット２０Ａからは完全にオゾンガスが除去されているので，作業員は，復旧作業を安全に行うことができる。
【０１４５】
Ｏリング８５が損傷した場合に行う第２の緊急時動作においては，制御装置（図示せず）の制御により，基板処理ユニット２０Ａ〜２０Ｈの処理を総て停止させる。そして，基板処理ユニット２０Ａ〜２０Ｈの総てにおいて，復旧動作を開始する（図２４においてＳ３５）。イジェクター２５７を作動させながら処理空間Ｓに小流量で窒素ガスを供給して（Ｓ３６），処理空間Ｓを窒素ガスによってパージする。窒素ガスを供給する際，排気路２６３の切換弁２６５を開き，排気路２６４の切換弁２６６を閉じておく。イジェクター２５７を作動させると，排気路９５，ベローズ１００，合流排気路２５９，排気路２６３内も排気され，排気路９５，ベローズ１００，合流排気路２５９，排気路２６３内からオゾンガス含有気体が迅速に排気される。窒素ガスの供給と排気を一旦停止させ（Ｓ３７），ヒータ２５１の発熱によりオゾンキラー２５０内を昇温させ，オゾンキラー２５０のオゾン分解性能が十分に回復したら（Ｓ３８），酸素供給によるパージを行い（Ｓ３９，Ｓ４０），次に，窒素ガス供給によるパージを行う（Ｓ４１，Ｓ４２）。復旧動作を終了させ（Ｓ４３），ウェハＷを搬出する（Ｓ４４）。
【０１４６】
かかる基板処理ユニット２０Ａによれば，下ヒータ５８，上ヒータ１１８がリング形状に形成されているので，ウェハＷの中心側が過剰に加熱されることを防止でき，ウェハＷの温度を均一に昇温させることができる。これにより，レジスト水溶化処理の均一性が良好になる。また，下ヒータ５８の外側にサブヒータ６５が配置され，上ヒータ１１８がウェハＷより大きく形成されているため，ウェハＷの周縁より外側まで加熱できるので，ウェハＷの周縁側を効率良く十分に昇温させることができる。従って，ウェハＷ全体を効率良く均一に昇温させることができる。また，熱遮断部材６６が配置されているため，熱がチャンバー３０の外に逃げることを防止できる。処理中に係合ピン１２３と支持部材１３０を非接触状態にすることができるので，熱が支持部材１３０に逃げることを防止できる。従って，ウェハＷを効率的に昇温させることができる。さらに，ウェハＷ全体を効率良く均一に昇温させることにより，レジストを均一に水溶化させることができるので，レジスト水溶化処理後の洗浄処理において，水溶化した変質レジストを均一に洗い流して除去することが容易になる。従って，ウェハＷの表面からレジストを十分に剥離することができる。
【０１４７】
また，かかる基板処理ユニット２０Ａによれば，Ｏリング４５，４６が損傷したとき等，ベース３５の上面周縁部と蓋体３６の下面周縁部の間における密着状態が悪化したとき，チャンバー３０内を効率良く排気して，窒素ガスに置換することができる。Ｏリング８５やベローズ１００が損傷したときも，チャンバー３０内を効率良く排気して，窒素ガスに置換することができる。従って，チャンバー３０の外にオゾンガスが漏出することを防止できる。復旧動作中，オゾンキラー２５０のオゾン分解性能を回復させることにより，オゾンガスを含有する排気が無害化されないまま外部に排出されることを防止でき，排気を安全に排出できる。
【０１４８】
以上，本発明の好適な実施の形態の一例を示したが，本発明はここで説明した形態に限定されない。例えば，基板は半導体ウェハに限らず，その他のＬＣＤ基板用ガラスやＣＤ基板，プリント基板，セラミック基板などであっても良い。
【０１４９】
本実施の形態においては，オゾンガスと水蒸気の混合処理流体によってレジストを水溶化する処理を説明したが，処理流体はオゾンガスと水蒸気に限定されず，その他の種々の処理流体であっても良い。また，基板処理ユニット２０Ａはレジストを水溶化する処理を行うものとして説明したが，基板処理装置はかかるレジスト水溶化処理を行う装置に限定されず，その他の種々の処理を行うものであっても良い。
【０１５０】
本実施の形態においては，各下ヒータ５８，上ヒータ１１８を備える構成として説明したが，いずれか一方のみを備える構成であっても良い。また，いずれか一方のみ，中央部の出力より外周部の出力が高くなるような構成にしても良い。この場合も，ウェハＷの中心側が過剰に加熱されることを防止できる。また，本実施の形態においては，下ヒータ５８の外側にサブヒータ６５を備える構成としたが，上ヒータ１１８の外側にサブヒータを備える構成としても良い。
【０１５１】
本実施の形態においては，各下ヒータ５８，上ヒータ１１８において，穴６０又は穴１２０を形成し，中央部では出力させず，外周部のみ出力させる構成としたが，各下ヒータ５８，上ヒータ１１８はかかる構成に限定されず，中央部の出力より外周部の出力が高くなるような構成であれば良い。例えば，各下ヒータ５８，上ヒータ１１８において，発熱線の密度を中央部では外周部より小さくするようにしても良い。また，中央部に外周部より出力が小さいヒータを備えるようにしても良い。
【０１５２】
本実施の形態においては，ウェハＷは円形とし，各下ヒータ５８，上ヒータ１１８は略リング形状として説明したが，基板は円形に限定されず，ヒータは略リング形状に限定されない。例えば，基板は長方形であっても良い。この場合，各下ヒータ５８，上ヒータ１１８の外縁を略長方形とし，中央部の穴６０又は穴１２０を略長方形とすることが好ましい。この場合も，基板の中心側が過剰に加熱されることを防止できる。
【０１５３】
本実施の形態においては，サブヒータ６５の周囲に熱遮断部材６６を設ける構成としたが，ベース３５にサブヒータ６５を設けず下ヒータ５８のみ設けた場合も，ベース３５とベースサポート部材６７との間に熱遮断部材６６を挟むようにして設けることが好ましい。これにより，下ヒータ５８の熱がベースサポート部材６７に逃げることを防止できる。
【０１５４】
本実施の形態においては，１個のチャンバー３０から排出される処理流体を１個のミストトラップ２１３に回収し，１個のチャンバー３０から排出される排気を１個のオゾンキラー２５０によってオゾン分解する場合を説明したが，２個以上のチャンバー３０から排出される処理流体を１個のミストトラップ２１３に回収し，２個以上のチャンバー３０から排出される排気を１個のオゾンキラー２５０によってオゾン分解するようにしても良い。例えば，基板処理ユニット２０Ａ〜２０Ｈにそれぞれ備えた主排出管５５を合流させて，１個のミストトラップ２１３の内管２２７に接続した構成とし，８個のチャンバー３０から排出される処理流体を１個のミストトラップ２１３に回収し，８個のチャンバー３０から排出される排気を１個のオゾンキラー２５０によってオゾン分解するようにしても良い。
【０１５５】
本実施の形態においては，排気路４８と排気路９５は一本に合流させ合流排気路２５９を構成することとして説明したが，排気路４８と排気路９５を合流させず，各排気路４８，排気路９５にそれぞれ圧力検出器，オゾン濃度検出器，イジェクターを備えるようにしても良い。また，各排気路４８，排気路９５にそれぞれ圧力検出器，オゾン濃度検出器を備え，圧力検出器，オゾン濃度検出器より下流側で各排気路４８，排気路９５を合流させ，１個のイジェクターに接続するようにしても良い。
【０１５６】
また，２個以上のチャンバー３０から排出される処理流体を１個のミストトラップ２１３に回収し，２個以上のチャンバー３０から排出される排気を１個のオゾンキラー２５０によってオゾン分解する構成とした場合，各チャンバー３０に備えた合流排気路２５９を途中で合流させ，１本の主合流排気路としても良い。この場合，合流させた１本の主合流排気路に，圧力検出器，オゾン濃度検出器，イジェクターを備え，イジェクターより下流側で２本の分岐排気路に分岐させ，分岐排気路の一方を排気管２３８の途中に接続し，他方を熱排出管２５８の途中に接続することが好ましい。また，各合流排気路２５９にそれぞれ圧力検出器，オゾン濃度検出器，イジェクターを備え，イジェクターより下流側で１本の主合流排気路を構成するようにしても良い。各合流排気路２５９にそれぞれ圧力検出器，オゾン濃度検出器を備え，１本にした主合流排気路にイジェクターを備えるようにしても良い。
【０１５７】
本実施の形態においては，第２又は第３の緊急時動作において，オゾンガス供給管１９４とオゾンガス発生器１９３を酸素によってパージする場合を説明したが，第２又は第３の緊急時動作の他，例えば処理システム１をシャットダウンするときなど，オゾンガス発生器１９３からのオゾンガスの供給を停止させる際は，オゾンガス供給管１９４とオゾンガス発生器１９３を酸素によってパージすることが好ましい。オゾンガス発生器１９３の電源を切ったあと，切換弁２１２，流量調整弁２０１を閉じずに，しばらく酸素供給源２１０から酸素の供給を継続させる。オゾンガス発生器１９３の電源が切られている場合，オゾンガス発生器１９３内を酸素がオゾンガスに変化せずに通過するので，酸素供給路２１１，切換弁２１２，オゾンガス発生器１９３，オゾンガス供給管１９４，流量調整弁２０１に酸素を通過させて，オゾンガスを押し出すことができる。オゾンガスを押し出して酸素に置換した後，切換弁２１２を閉じ，流量調整弁２０１を閉じるようにする。こうして，酸素供給路２１１，切換弁２１２，オゾンガス発生器１９３，オゾンガス供給管１９４，流量調整弁２０１の中を酸素によってパージすることができる。この場合，酸素供給路２１１，切換弁２１２，オゾンガス発生器１９３，オゾンガス供給管１９４，流量調整弁２０１の中にオゾンが残留して腐食等が発生したり，オゾンガスが漏れることを防止できる。また，メンテナンスなどの際，作業者がオゾンガス雰囲気に曝される危険を防止でき，安全である。さらに，酸素によるパージをおこなった後，窒素ガスによるパージを行うことが好ましい。
【０１５８】
（実施例）
本発明者は，ヒータ２５１の電源を切った場合のヒータ２５１近傍の温度変化と，ヒータ２５１の近傍の温度によるオゾン分解性能とを調査した。１４ｗｔ％濃度のオゾンガス４０リットル／分，希釈用の空気６０リットル／分からなる，１００リットル／分の希釈オゾンガス含有気体を，オゾンキラー２５０内に通過させ，ヒータ２５１近傍の温度変化を調べた。なお，かかる希釈オゾンガス含有気体の条件は，実施の形態に示した処理システム１において，８個の基板処理ユニット２０Ａ〜２０Ｈに同時に窒素ガスを小流量で供給し，各基板処理ユニット２０Ａ〜２０Ｈから５リットル／分のオゾンガスが排出され，一台のオゾンキラー２５０によってオゾン分解を行う場合を想定したものである。最初のヒータ２５１近傍の温度は約４００℃とした。その結果によれば，図２７に示すように，約４００℃程度であったオゾンキラー２５０内のヒータ２５１近傍の温度は，ヒータ２５１の電源を切ってから約１５分程度経過後には，約３５５℃程度に低下する。また，１４ｗｔ％濃度のオゾンガス４０リットル／分，希釈用の空気６０リットル／分からなる，１００リットル／分の希釈オゾンガス含有気体を，ヒータ２５１近傍の温度を変化させてオゾンキラー２５０内に通過させ，オゾンキラー２５０を通過させた後のオゾン濃度を調べた。その結果によれば，図２８に示すように，ヒータ２５１近傍の温度が約４００℃以上のときは，オゾンキラー２５０を通過させた後のオゾン濃度は，約０ｐｐｍとなり，排気が十分に無害化される。しかし，ヒータ２５１の温度が約４００℃以下のときは，オゾンキラー２５０を通過させた後のオゾン濃度が約０ｐｐｍ以上になり，ヒータ２５１近傍の温度が約３５５℃以下の場合は，オゾン濃度を約０．１ｐｐｍ以下にすることができなくなる。オゾンガス含有気体を人体に悪影響を与えないように無害化するためには，オゾンガス含有気体中のオゾン濃度を約０．１ｐｐｍ以下にする必要がある。以上の結果より，ヒータ２５１の電源を切った後，約１５分間は，ヒータ２５１近傍の温度は約３５５℃以上であるため，オゾン濃度を約０．１ｐｐｍ以下にすることができ，排気を無害化できることがわかった。
【０１５９】
【発明の効果】
本発明によれば，基板の中心側が過剰に加熱されることを防止でき，基板の温度を均一に昇温させることができる。これにより，レジスト水溶化処理の均一性が良好になる。基板の周縁側を効率良く十分に昇温させ，基板を効率良く均一に昇温させることができる。また，熱がチャンバーの外に逃げることを防止して，基板を効率的に昇温させることができる。レジスト水溶化処理の均一性は，基板の温度を均一に昇温させることが重要であるが，本発明では，十分にその効果があげられる。
【図面の簡単な説明】
【図１】処理システムの概要を示す概略平面図である。
【図２】処理システムの概要を示す概略縦断面図である。
【図３】基板処理ユニットの配管系統を示す概略断面図である。
【図４】チャンバー周辺の構成を示す立面図である。
【図５】チャンバーの縦断面図である。
【図６】ベースの上面を示す平面図である。
【図７】Ｏリング周辺の縦断面図である。
【図８】チャンバーの縦断面図である。
【図９】下ヒータとサブヒータの平面図である。
【図１０】ウェハ昇降機構周辺の縦断面図である。
【図１１】ウェハ昇降機構によってウェハを持ち上げた状態を示す説明図である。
【図１２】上面係合片の配置とロック機構の構成を示す平面図である。
【図１３】ロック機構によってロックする状態を説明する説明図である。
【図１４】上ヒータの平面図である。
【図１５】係合ピンの配置を示す説明図である。
【図１６】係合ピンと支持部材の構成を示す説明図である。
【図１７】蓋体支持機構によって蓋体を昇降させる状態を説明する説明図である。
【図１８】ロック機構の構成を示す説明図である。
【図１９】ミストトラップの構成を示す概略縦断面図である。
【図２０】基板処理ユニットにおける処理を説明するフロー図である。
【図２１】第１の緊急時動作を説明するフロー図である。
【図２２】第１の緊急時動作を説明するフロー図である。
【図２３】第２の緊急時動作を説明するフロー図である。
【図２４】第２の緊急時動作を説明するフロー図である。
【図２５】第３の緊急時動作を説明するフロー図である。
【図２６】第３の緊急時動作を説明するフロー図である。
【図２７】オゾンキラーのヒータの温度の立下り特性を示したグラフである。
【図２８】オゾンキラーの分解性能とヒータの温度との関係を示したグラフである。
【符号の説明】
Ｗ      ウェハ
１      処理システム
２０Ａ〜２０Ｈ    基板処理ユニット
３０    チャンバー
３５    ベース
３６    蓋体
３７    蓋体昇降機構
５８    下ヒータ
６０    穴
６５    サブヒータ
６６    熱遮断部材
１１８  上ヒータ
１２０  穴
１２３  係合ピン
１２５  柱状部材
１２６  頭部
１３０  支持部材
１３１  保持部材
１３５  凹部
１３６  穴
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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