(57)【要約】【課題】試料に精密な処理を施すことのできるプラズマ処理装置の分光検出装置を提供する。【解決手段】処理室内にプラズマ７を生成し、生成したプラズマ７を用いて前記処理室内に収容した試料に処理を施すプラズマ処理装置の分光検出装置であって、前記プラズマの発光を導入し、導入したプラズマの発光を分光して所定幅を有する複数の帯状光からなるスペクトルを生成する回折格子２３と、前記帯状光の幅方向及び波長方向の発光強度を測定する複数のセンサ素子を備えた光検出センサ２４からなり、該光検出センサ２４は、平行する複数列に整列配置した複数のセンサ素子を備え、かつ前記複数列に整列配置した複数のセンサ素子の配列方向は前記帯状光の前記幅方向と斜交する。【選択図】　　　　図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理室内にプラズマを生成し、生成したプラズマを用いて前記処理室内に収容した試料に処理を施すプラズマ処理装置の分光検出装置であって、
前記プラズマの発光を導入し、導入したプラズマの発光を分光して所定幅を有する複数の帯状光からなるスペクトルを生成する回折格子と、
前記帯状光の幅方向及び波長方向の発光強度を測定する複数のセンサ素子を備えた光検出センサからなり、
該光検出センサは、平行する複数列に整列配置した複数のセンサ素子を備え、かつ前記複数列に整列配置した複数のセンサ素子の配列方向は前記帯状光の前記幅方向と斜交することを特徴とするプラズマ処理装置の分光検出装置。
【請求項２】
請求項１の記載において、前記複数のセンサ素子は直交配置したことを特徴とするプラズマ処理装置の分光検出装置。
【請求項３】
請求項１の記載において、前記複数のセンサ素子は放射状に配置したことを特徴とするプラズマ処理装置の分光検出装置。
【請求項４】
請求項１ないし請求項３の何れか１の記載において、前記分光検出装置はプラズマ処理装置を制御する制御装置を備え、前記スペクトルの波長毎の発光強度の測定値をもとにプラズマ処理装置を制御することを特徴とするプラズマ処理装置の分光検出装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はプラズマ処理装置の分光検出装置に係り、特に半導体素子の微細加工に好適なプラズマ処理装置の分光検出装置に関する
【０００２】
【従来の技術】
半導体素子の加工寸法は年々微細化しており、加工の寸法精度に対する要求も厳しくなっている。
【０００３】
ところで、プラズマを用いて処理用のガスをプラズマ化し半導体ウエハ等の試料を物理的、化学的に加工するプラズマ処理装置においては、該処理装置を構成する処理室（プラズマチャンバ）内部で生成された反応生成物が処理室内壁に付着して残留することがある。処理室内壁に反応性生成物が堆積するとウエハの処理条件が徐々に変化する。このためウエハを連続して処理すると処理装置の設定を一定にしているにも係わらず実質上の処理条件が変動し目的とする半導体素子を安定して生産することができない。
【０００４】
この問題に対しては、従来、チャンバ内壁の付着物をプラズマクリーニングよって除去したり、あるいはチャンバ内壁温度を調節して付着物が付き難くするなどの対策がとられている。しかし、前記付着物（反応生成物）を除去するまでは前記処理条件は変化ことになる。また、反応生成物の付着を抑制して処理条件の変動を抑制することはかなり困難である。
【０００５】
従って、ウエハを加工する際の装置の処理条件や加工状態は徐々に変化し続けることになり、加工形状の変化が製品の品質にとって問題となるほどに大きくなる前にこれを検知し、プラズマ処理装置を分解し、部品交換し、あるいは液体や超音波を用いて洗浄することが必要となる。
【０００６】
また、ウエハを加工する装置条件や状態が変動する原因としては、前記反応生成物の堆積以外に、処理系の温度変動など様々な要因が関与する。このような問題点に対しては、プラズマ処理装置内部の処理状態の変化を検出し、検出結果をもとにリーニング開始時期を決定したり、あるいは前記検出結果をプラズマ処理装置の入力にフィードバックして処理状態を一定に保つなどの処置が必要となる。
【０００７】
また、特開２００１−６０５８５号公報には、エッチングチャンバの側壁、頂部あるいは底部に設けたビューポートを介してチャンバ内のプラズマからの放射光を導出し、導出した放射光をファイバケーブル等を介してスペクトロメータ及びプロセッサを有するプロセスモニタ装置に伝達するプラズマエッチング装置が示されている。エッチング装置のチャンバ内では、プロセスガス、反応生成物等がプラズマ状態となっている。このため、前記チャンバ内プラズマからの電磁放射（光放射）を前記スペクトロメータで分光し、この分光をＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ　Ｃｏｕｐｌｅｄ　Ｄｅｖｉｃｅ：電荷結合素子）素子の各アレーに供給することにより各波長毎の発光強度を検出することにより、前記電磁放射に含まれるプラズマガスの強度情報等を算出することができる。
【０００８】
また、特開２００２−５８３７号公報には、プラズマからの放射光を回折格子を用いて複数の波長毎に分光し、分光した光を複数のＣＣＤにより検出することが示されている。この装置においては、各ＣＣＤ上に各波長毎の光像を結像させて、この光の強度を測定することにより、プラズマ内において放射光を発光している元素の種類及びその量を分析することができる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
前述したように、プラズマ処理装置内で生成するプラズマは、プラズマ内で行われる複数の反応、生成物の結合、分解等の現象に伴い発光する。これらの現象は現象特有の波長の光を発することから、この波長の光を検出することで、装置内で発生している現象を的確に把握することが可能となる。すなわち、前記波長は、容器内に発生する反応やプラズマの強さや量、生成物の量、種類等に対応しており、これら波長のスペクトルの強さ（光の強度）を検出することにより、例えば、その時間的な変化や絶対量を用いて装置の状態を判断することができる。
【００１０】
なお、前記プラズマ発光の発光強度は、検出すべき波長の範囲において大小のピークを有しており、これらのピークはその強度（ピークの値の大小）に関わらず重要である。例えば、発光強度あるいは発光スペクトルの幅は小さくとも、あるいは発生する生成物の発生量は小さくとも、装置状態の評価、判定には重要なものも含まれている。従って、前記評価あるいは判定を高精度に行うためにはピーク値の小さい波長のデータをより高精度に検出することが必要となる。
【００１１】
このような小さいピーク値を持つ波長のデータを高精度に検出する場合、検出センサの感度を増大し、あるいはセンサに照射する光量を増大させることが考えられる。しかしながら、単に検出センサの感度を増大させたり、センサに照射する光量を増大させたりするのみでは、大きなピークを有する波長のデータに対しても前記感度あるいは照射光量が大きくなる。このため、ＣＣＤ等のセンサによっては、検出量が飽和する虞がある。このように光量素子の検出量が飽和してしまうと、実際の入射光量と検出量との間の差が大きくなり、測定あるいは検出の誤差が大きくなる。このように測定あるいは検出の誤差が大きくなると、処理の状態を正確に判断することができず、処理を精密に行うことができなくなる。このため、試料に細密な加工処理を施すことができなくなったり、処理の歩留まりが低下して生産コストが増加する。
【００１２】
本発明は、これらの問題点に鑑みてなされたもので、試料に精密な処理を施すことのできるプラズマ処理装置の分光検出装置を提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記の課題を解決するために次のような手段を採用した。
【００１４】
プラズマの発光を導入し、導入したプラズマの発光を分光して所定幅を有する複数の帯状光からなるスペクトルを生成する回折格子と、前記帯状光の幅方向及び波長方向の発光強度を測定する複数のセンサ素子を備えた光検出センサからなり、該光検出センサは、平行する複数列に整列配置した複数のセンサ素子を備え、かつ前記複数列に整列配置した複数のセンサ素子の配列方向は前記帯状光の前記幅方向と斜交する。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態を添付図面を参照しながら説明する。図１は、本発明の実施形態に係る分光検出装置をが適用されるプラズマ処理装置の構成の概略を示す断面図である。プラズマ処理装置１００は、処理室（処理容器、あるいはチャンバ）１、処理室１内側に配置されその上に試料１０を配置する試料台８、この処理室１内の気体を排出口２から排出するための排気手段（図示せず）を備える。上記処理室１内であって試料台１０及び試料８の上方には、処理用のガス３が供給されてプラズマ７が生起される。この生起されたプラズマ７を利用して試料８の表面にエッチングや表面の不純物除去等の加工処理が施される。
【００１６】
試料１０としては、半導体メモリや演算器、磁気ヘッド素子等の半導体デバイスの基板となるウエハが用いられる。上記処理室１の周囲には、処理室１内に高周波の電磁波を供給するためのマグネトロン等の高周波源４、該高周波源４から供給された高周波を受け、該高周波を試料８上の処理室１内の全体に均等に分散して供給するアンテナ５、及び処理室１内の試料台１０上の空間に磁場を形成するための磁場発生手段６が配置される。
【００１７】
また、処理装置１００には、処理室１内側で行われる試料１０の処理の状態あるいは処理に際して発生するプラズマの状態を検出するための測定手段１３が取り付けられる。また、試料台８上に配置された試料１０上に電圧を印加してプラズマにより生成された加工用の粒子（イオン、ラジカル等）あるいは電子等を試料の表面に引き込んで入射させるために、試料１０及び試料台８に高周波電源９より高周波電圧が印加される。この高周波電源９はその一端側が接地され、他端側が試料台８に接続される。
【００１８】
また、上記処理室１の側壁には、光ファイバ１２を介して処理室１の内側状態を測定するための窓１１が設けられ、その一端側を前記窓に取り付けたファイバ１２の他端側は測定手段１３に取り付けられる。測定手段１３は、処理室内で行われる処理や装置の状態、例えば、処理の進行の速さや種類、発生する生成物の種類や容器内側への付着量等を検出する。
【００１９】
制御装置１１０は測定手段１３からの測定出力をもとにプラズマ処理装置の運転を調節する。例えば、測定手段１３からの測定出力をもとに上記処理の継続・中断の可否、処理のための容器内の処理条件、あるいは装置の運転条件等を演算し、上記高周波源４、アンテナ５、磁場発生手段６、高周波電源９あるいはガスの供給、排出手段に指令を与え、装置の運転に必要な調節を行う。さらに、これら運転の条件、処理の継続・中断、あるいは終了すべき旨の情報を装置の使用者に提供することもできる。
【００２０】
図２は、測定手段１３の構成を説明する図である。光ファイバ１２は処理室にの発光あるいは背景から放射される光を窓１１を介して分光器２１まで導光する。分光器２１は前記導光した光を分光して各波長毎の発光強度を検出する。分光器２１内では、導光した光をスリット２２を介して絞り、その断面形状を帯状にした後、回析格子２３に導く。断面帯状の光はこの回析格子２１により各波長毎に分光して出力される。すなわち、分光された各波長毎の光は、後述するように任意の面上に照射された際の照射面が所定の幅と長さとを有する帯状を有しており、これら複数の帯状の光の集合体となって出力される。
【００２１】
各波長毎に分光された光は、光検出センサ２４で検出される。光検出センサ２４はＣＣＤからなり、ＣＣＤを構成する各検出素子により、光の強度が検知され測定される。この光検出センサ２４は、上記波長毎分けられた光の帯を受けるため、光検出センサ２４を構成する各素子を面状に（面を構成するように）配置する。光検出センサ２４で検出した光は、ＡＤ変換器２５により、デジタルデータに変換した後、演算器２６に入力する。演算器２６では、入力したデジタルデータを用いて後述するように数値演算して光検出センサ２４で検知された光の強さを各波長毎に算出する。
【００２２】
図３は、処理室内の光（プラズマ発光）を分光して得られたスペクトルデータ、すなわち波長毎の発光強度データの例を示す図である。図３（ａ）に示すように発光強度はスペクトルの特定波長毎にピークを有しており、そのピークを有する波長の前後の波長においては出力は小さい、すなわち、分光スペクトルは図３（ｂ）に示すように鋭いピークを有している。
【００２３】
前述したように、発生した光の強度は、図３（ａ）Ａ，Ｂに示すように、大小のピークを有しており、これらのピークはその強度（ピークの値の大小）に関わらず重要な場合がある。すなわち、前述のようにピーク値及びこのピーク値に対応する波長は、容器内に発生する反応やプラズマの強さや量、生成物の量、種類等に対応しており、これら各波長毎のスペクトルの強度を検出し、例えばその時間的な変化や絶対量を用いて装置の状態を判断することができる。
【００２４】
図４ないし図８は、光のスペクトル測定の構成の概略を示す図である。図４は、光が回折格子２３により分光される様子を示す模式図である。図４（ａ）に示すように、ファイバ１２を介して分光器２１に導入された光は、所定の幅と長さとを有した形状、例えば細長い形状を有したスリット９で絞られて、回析格子２３に入射して、各波長毎に分けられた帯状の光３１’，３１”，３１’’’として出力される。分光されたこれらの光は、光検出センサ２４の受光面上に照射される。この際、前記受光面における照射面は前記スリットの形状に影響されて細長い形状（帯状）となっており、これら光の帯が光検出センサ２４を構成する各検出素子に入射する。
【００２５】
例えば、図４（ｂ）に示すように、各検出素子が碁盤の目状にの直交配置されている場合において、図示横方向（行方向）に前記帯状の光３１’，３１”，３１’’’を照射する。この場合は行方向に配列した各検出素子の出力を用いて前記帯状の光の特定波長の光（例えば３１’）における光強度を検出することが可能である。
【００２６】
この場合、測定あるいは検出の精度を向上させようとして、各素子の感度を一様に増大させると、行方向に配列した１つの検出素子の検出量が飽和したとき同一行の他の検出素子も同様に飽和することになり、前記波長の光の検出する精度は低下してしまうことなる。
【００２７】
図５は、前記光検出センサと光検出センサ上に照射される帯状の光との位置関係を示す模式図である。図に示すように、光検出センサ２４の素子の並びの方向（例えば前記行方向）に対して帯状の光の方向（帯の長手方向）を、相互に斜交するように配置する。これにより、１つの波長の光（例えば１つの帯状の光３１’）の発光強度を異なる複数列（第１行及び第２行）の素子で検出することになる。
【００２８】
図６は、光検出センサと光検出センサ上に照射される帯状の光との位置関係をより詳細に説明する模式図である。前述のように検出光検出センサ２４は光を検出するための各検出素子６２，６３，６４・・・が縦方向（図示６０ａ方向）及び横方向（図示６０ｂ方向）に隣接して格子状に配置されている。また、この光検出センサ２４上に照射する所定波長の帯状の光の例として、「帯状の光６１ａ」及び「帯状の光６１ｂ」を示す。
【００２９】
前記「帯状の光６１ａ」は、検出素子の行方向に沿って照射される。このため、この行上に配置した検出素子により検知される光量は、この行上に配置した各検出素子（光の両端を受光する素子を除く）でほぼ等しくなる。
【００３０】
一方、前記「帯状の光６１ｂ」は、検出素子の行方向と斜交して照射される。このため、検出素子６３，６４は、ほぼ全面で前記帯状の光を検出するが、それ以外の検出素子はその一部の面のみで光を検出する。すなわち検出素子６３，６４が検出する光量はほぼ等しいが、その余の検出素子で検出される光の量は、前記検出素子６３，６４で検出される光量よりも少なく更にそれらの値は相互に異なっている。
【００３１】
このような状態で各検出素子の検出する光の量を増大させることを考える。まず「帯状の光６１ａ」を照射した場合においては、検出素子中の１素子が飽和すると他の素子も同様に飽和する。検出素子が飽和した後は、例えさらに照射する光量を増大させても検出する量は大きくならず、その結果、検出する光量の誤差が大きくなる。
【００３２】
一方、「帯状の光６１ｂ」を照射した場合においては、例え検出素子６３，６４の素子が飽和したとしても、その余の検出素子は飽和しない。このためさらに照射する光量を増大させても、増大した光量を未飽和の検出素子により検出することができる。さらに、飽和している検出素子の数が少ないため誤差の増加を抑制することができる。
【００３３】
図７は、光検出センサを構成する各検出素子とその受光面積を説明する図である。図７（ａ）は光検出センサ上に帯状の光６１ｂを照射した例を示す図であり、図７（ｂ）は受光センサを構成する各検出素子の受光面積の割合を示す図である。
【００３４】
なお、図７（ｂ）では光が照射される検出素子のうち、図示行１，２かつ列１ないし列６の範囲における検出素子群７１の受光面積を示している。この図に示すように、これらの１２個の検出素子において、受光面積が１００％となる検出素子は行２列１の検出素子のみであり、他の検出素子では１００％以下となっている。すなわち、前記他の検出素子で検出される光量は、行２列１の検出素子により検出される光量に比して小さいものとなっている。
【００３５】
図８は、検出素子の行方向と斜交して照射された帯状の光と、この光を検出する各検出素子の検出光量（検出出力）との関係を説明する図である。図８（ａ）は帯状の光の強度が検出素子であるＣＣＤの飽和強度の１００％である場合、図８（ｂ）は帯状の光の強度が検出素子であるＣＣＤの飽和強度の１１０％である場合、図８（ｃ）は帯状の光の強度が検出素子であるＣＣＤの飽和強度の１２０％である場合、図８（ｄ）は帯状の光の強度が検出素子であるＣＣＤの飽和強度の１４０％である場合を示す。なお、これらの図においても図７と同様、行１，行２及び列１ないし列６で示される検出素子群を対象に説明する。また、図８では各検出素子の出力の最大値（飽和値）は１０であると仮定している。
【００３６】
まず、図８（ａ）においては、前述のように帯状の入射光の強度がＣＣＤの飽和強度の１００％である。このため検出素子の検出強度の合計は入射光強度の実際の値と同じとなる。従って、各検出素子の検出出力は６０であり、飽和による誤差は発生しない。
【００３７】
一方、図８（ｂ）においては、帯状の入射光の強度がＣＣＤの飽和強度の１１０％である。このため、行２、列１に配置した検出素子は飽和し、飽和による誤差（６５−６６＝−１）を生じる。同様に図８（ｃ）、図８（ｄ）においても飽和による誤差（６９．２−７２＝−２．８）、（７６．２−８４＝−７．８）がそれぞれ生じる。
【００３８】
このように入射強度を増大すると、検出される光の強度の出力の合計は増大するが、一方で出力が飽和する検出素子も増加するので入射する光の強度の実際値との差異（誤差）は大きくなる。
【００３９】
しかしながら、帯状の光を検出素子の行方向に沿って照射する場合（帯状の光６１ａを照射する場合）の誤差（図に示す参考例の誤差）と比べると、帯状の光を検出素子の行方向と斜交して照射する場合（帯状の光６１ｂを照射する場合）の誤差は、飽和する素子の数が少ないため相対的に低減することができる。
【００４０】
このため、検知出力を増大することで検出の精度も向上することができ、一方で、誤差の増大も抑制することができる。例えば、エッチングを行うプラズマ処理装置では、処理の終了の判定の差異に許容される誤差は１０％程度であり、本実施形態の分光検出装置を用いることにより、感度を４０％増加することが可能となり、前記参考例と比べ著しく誤差を低減することができる。
【００４１】
図９は、光検出センサと光検出センサ上に照射される帯状の光との位置関係の他の例を説明する模式図である。すなわち、この光検出センサ２４’は、光を検出するための各検出素子９２ａ，９２ｂ・・・を６方向方向（図示９０ａ、９０ｂ、９０ｃ方向及びその逆方向）に隣接して放射状に配置されている。このため、放射状に配置した検出素子は３つの配列方向軸を有することとなる。
【００４２】
このような検出素子の配列方向に対して、帯状の光９１ａ，９１ｂを照射する。帯状の光９１ａは、素子の並びに沿ってその並び上に帯状の光を照射する例であり、帯状の光９１ｂは素子の並びの方向に対して斜交して照射する例である。帯状の光９１ａの例では、帯状の光６１ａの場合と同様、検出素子で検出される光の強度（あるいは光量）は他の素子とほぼ等しい。
【００４３】
一方、帯状の光９１ｂでは素子で検出する光量は各検出素子で異なっており、図の例では検出素子９２の検出光量が最大で、それ以外の素子の検出光量は少ない。このため、検出素子９２が飽和したとしても、その余の検出素子は飽和しない。このためさらに照射する光量を増大させても増大した光量を未飽和の検出素子により検出することができる。さらに、飽和している検出素子の数が少ないため誤差の増加を抑制することができる
図１０ないし図１２は、光のスペクトルの読み出しを説明する図であり、図１０は光のスペクトルの例を示す図である。図において、横軸は検出素子素子の配列位置に対応した波長を示し、縦軸は入射光の強度を示している。
【００４４】
この例では波長が５及び１５の点で入射光強度５及び８のピークを有する入射光を検出している。また、バックグラウンドの光やノイズ等のオフセットとして強度２あるいは３の入射光が検出されている。
【００４５】
図１１は、帯状の光と読み出し領域との関係を示す図である。図の右端の太枠に分光された光（帯状の光）の強度を読み出すセンサ２４の検出素子の検出領域（ウインドウ）１１０１を示す。このウインドウ１１０１の左側に、素子の並び（図の縦軸）に斜交して照射される帯状の光及びその列（スペクトル）を示している。図１０に示す波長５，１５に対応する帯状の光１１０２，１１０３以外の光は、上記オフセットに相当する光の入射である。前記検出領域１１０１では、領域内の各検出素子の出力を読み出し、これらの領域内の各検出素子の出力の合計が検出出力となる。
【００４６】
また、ウインドウ１１０１を素子の並び方向（波長方向）沿って１列ずつ移動し、各列の位置で帯状の光を検出して出力することにより各波長に対応したスペクトル強度を得ることができる。
【００４７】
図１２は、図１０に示す光のスペクトルを検出素子で検出した結果を示す図である。図において、点線は、各検出素子の並びの方向に沿って帯状の光を照射した場合の検出結果を示し、実線は各検出素子の並びの方向に斜交して帯状の光を照射した場合の検出結果を示す。また、図下方に図１１に示すウインドウ１１０１で検出した出力の合計値を示した。
【００４８】
図の実線に示すように、スペクトルのピークを示す波長が５，１５の位置の前後においてもピークに対応したスペクトルを検出することになり、ピークの鋭さは点線で示される場合より鈍る。しかしながらピークの位置とその値は正確に検出可能であることが判る。
【００４９】
以上説明したように、スペクトルの光の帯は、素子の単一の並びに沿って照射されずに、並びについて傾けて照射される。このため、１つの波長の光の帯は、検出素子の複数の並び（列あるいは行）に跨って照射されることになる。このため、光の検出量は異なる並びで異ならせることができる。このため、一方の素子の検出の量が飽和しても別の素子の検出の強度は未飽和であり、センサ全体での検出の量（感度、検出時間）を増大させることが可能となる。また、検出量を増大させても誤差の増大を抑えることができ、装置の状態の検出の精度を向上させ得ることができる。
【００５０】
以上のように、本実施形態によれば、装置の運転条件や、処理の状態、終点の判定といった装置の状態の検出の精度を向上させることができる。このため、装置による処理をより精密に行うことができ、歩留まりを向上させることができ、より低コストで処理を行うことができる。
【００５１】
【発明の効果】
以上説明したように本発明によれば、試料に精密な処理を施すことのできるプラズマ処理装置の分光検出装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態に係る分光検出装置をが適用されるプラズマ処理装置の構成の概略を示す断面図である。
【図２】測定手段の構成を説明する図である。
【図３】処理室内の光を分光して得られたスペクトルデータの例を示す図である。
【図４】回折格子２３により分光される様子を示す模式図である。
【図５】光検出センサと光検出センサ上に照射される帯状の光との位置関係を示す模式図である。
【図６】光検出センサと光検出センサ上に照射される帯状の光との位置関係をより詳細に説明する模式図である。
【図７】光検出センサを構成する各検出素子とその受光面積を説明する図である。
【図８】検出素子の行方向と斜交して照射された帯状の光と、この光を検出する各検出素子の検出光量との関係を説明する図である。
【図９】光検出センサと光検出センサ上に照射される帯状の光との位置関係の他の例を説明する模式図である。
【図１０】光のスペクトルの例を示す図である。
【図１１】帯状の光と読み出し領域との関係を示す図である。
【図１２】光のスペクトルを検出素子で検出した結果を示す図である。
【符号の説明】
１　処理室
２　排出口
３　処理用ガス
４　高周波源
５　アンテナ
６　磁場発生手段
７　プラズマ
８　試料台
９　高周波電源
１０　試料
１１　窓
１２　光ファイバ
１３　測定手段
２１　分光器
２２　スリット
２３　回折格子
２４　センサ
１００　プラズマ処理装置
１１０　制御装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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