(57)【要約】【課題】基板装置上のコンタクトホールにおいて、二つの導電層間の導通にかかる抵抗を低く抑える等、両者間の良好な電気的接続を実現する。【解決手段】基板上に、ポリシリコン膜（２０２）と、この上に順次形成された絶縁層（２１０）及び配線（２１２）と、絶縁層に穿設されポリシリコン膜及び配線間を電気的に接続するコンタクトホール（２１０Ｃ）とを備えた基板装置であって、前記コンタクトホールの側壁と該コンタクトホールと接続されるポリシリコン膜の表面とは直角に交わる。【選択図】　　　図３
2004063630.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、
第１導電層と、
該第１導電層上に形成された絶縁層と、
該絶縁層上に形成された第２導電層と、
前記絶縁層に穿設され前記第１導電層及び前記第２導電層を電気的に接続するコンタクトホールとを備えた基板装置であって、
前記コンタクトホールの側壁は、前記第１導電層の表面との接続部まで、直線状に延びていることを特徴とする基板装置。
【請求項２】
前記コンタクトホールの側壁と該コンタクトホールと接続される前記第１導電層の表面とは直角に交わることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記第１導電層は、薄膜トランジスタを構成する半導体層を含み前記第２導電層は配線を含むことを特徴とする請求項１又は２に記載の基板装置。
【請求項４】
基板上に、
マトリクス状に配列された画素電極と、
前記画素電極が形成されない位置に対応するように、且つ、互いに交差する方向に配置された走査線及びデータ線と、
前記走査線及び前記データ線の交差領域に対応するように形成された薄膜トランジスタと、
前記画素電極、前記走査線、前記データ線及び前記薄膜トランジスタを構成する半導体層のいずれか二つの間に形成された層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜に穿設され前記いずれか二つの間を電気的に接続するコンタクトホールとを備えた電気光学装置であって、
前記コンタクトホールの側壁は、該コンタクトホールと接続される前記いずれか二つのうちの下層に位置するものの表面との接続部まで直線状に延びていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項５】
前記コンタクトホールの側壁と該コンタクトホールと接続される前記いずれか二つのうちの下層に位置するものの表面とは直角に交わることを特徴とする請求項４に記載の電気光学装置。
【請求項６】
前記基板上に、
容量線、誘電体膜及び中継層の積層構造をなす保持容量と、
前記薄膜トランジスタ及び前記中継層間に形成された第２の層間絶縁膜と、
該第２の層間絶縁膜に穿設され前記薄膜トランジスタを構成する半導体層及び前記中継層間を電気的に接続する第２のコンタクトホールと、
前記画素電極及び前記中継層間に形成された第３の層間絶縁膜と、
該第３の層間絶縁膜に穿設され前記画素電極及び前記中継層間を電気的に接続する第３のコンタクトホールとを更に備えてなり、
前記第２のコンタクトホールの側壁は、前記半導体層の表面との接続部まで直線状に延びており、又は、前記第３のコンタクトホールの側壁は、前記中継層の表面との接続部まで直線状に延びていることを特徴とする請求項４に記載の電気光学装置。
【請求項７】
前記第２のコンタクトホールの側壁と前記半導体層の表面及び前記第３のコンタクトホールの側壁と前記中継層の表面の少なくとも一方は、直角に交わることを特徴とする請求項６に記載の電気光学装置。
【請求項８】
前記基板上に、
誘電体膜並びに該誘電体膜を挟持してなる上部電極及び下部電極からなる保持容量と、
前記上部電極及び前記画素電極間に形成された第２中継層と、
該第２中継層及び前記上部電極間に形成された第４の層間絶縁膜と、
該第４の層間絶縁膜に穿設され前記第２中継層及び前記上部電極間を電気的に接続する第４のコンタクトホールと、
前記第２中継層及び前記画素電極間に形成された第５の層間絶縁膜と、
該第５の層間絶縁膜に穿設され前記第２中継層及び前記画素電極間を電気的に接続する第５のコンタクトホールとを更に備えてなり、
前記第４のコンタクトホールの側壁は、前記上部電極の表面との接続部まで直線状に延びており、又は、前記第５のコンタクトホールの側壁は、前記第２中継層の表面との接続部まで直線状に延びていることを特徴とする請求項４に記載の電気光学装置。
【請求項９】
前記第４のコンタクトホールの側壁と前記上部電極の表面及び前記第５のコンタクトホールの側壁と前記第２中継層の表面の少なくとも一方は、直角に交わることを特徴とする請求項８に記載の電気光学装置。
【請求項１０】
前記基板上に、
前記データ線及び前記画素電極間に形成され且つ固定電位とされたシールド層と、
誘電体膜並びに該誘電体膜を挟持してなる上部電極及び下部電極からなる保持容量と、
前記シールド層及び前記上部電極間に形成された第６の層間絶縁膜と、
該第６の層間絶縁膜に穿設され前記シールド層及び前記上部電極間を電気的に接続する第６のコンタクトホールとを更に備えてなり、
前記第６のコンタクトホールの側壁は、前記上部電極の表面との接続部まで直線状に延びていることを特徴とする請求項４に記載の電気光学装置。
【請求項１１】
前記第６のコンタクトホールの側壁と前記上部電極の表面は、直角に交わることを特徴とする請求項１０に記載の電気光学装置。
【請求項１２】
基板上に被パターニング膜を形成する工程と、
前記被パターニング膜の上にレジスト膜を形成する工程と、
該レジスト膜に対してパターニングを実施して開口部を形成する工程と、
その後に前記被パターニング膜に対する前記レジスト膜のエッチング選択比が１以上のエッチングを実施する選択エッチング工程と、
該選択エッチング工程の後に、前記開口部を通じて前記被パターニング膜に対するエッチングを実施する工程と、
前記レジスト膜を除去する工程と
を備えたことを特徴とする基板装置の製造方法。
【請求項１３】
前記被パターニング膜は、薄膜トランジスタを構成する半導体層を含むことを特徴とする請求項１２に記載の基板装置の製造方法。
【請求項１４】
当該基板装置はアクティブ・マトリクス駆動可能な電気光学装置の薄膜トランジスタ・アレイ基板を含むとともに、
前記薄膜トランジスタは、前記電気光学装置における画素スイッチング用素子として形成されることを特徴とする請求項１３に記載の基板装置の製造方法。
【請求項１５】
基板上に第１導電層を形成する工程と、
該第１導電層上に絶縁層を形成する工程と、
該絶縁層にレジスト膜を形成する工程と、
該レジスト膜に対してパターニングを実施して開口部を形成する工程と、
その後に前記絶縁層に対する前記レジスト膜のエッチング選択比が１以上のエッチングを実施する選択エッチング工程と、
該選択エッチング工程の後に、前記開口部を通じて前記第１導電層に至るまでのドライエッチングを実施してコンタクトホールを形成する工程と、
前記レジスト膜を除去した後、前記絶縁層及び前記コンタクトホールの上に第２導電層を形成する工程と、
を備えたことを特徴とする基板装置の製造方法。
【請求項１６】
前記選択エッチング工程における前記被パターニング膜又は前記絶縁膜に対する前記レジスト膜のエッチング選択比は５以上であることを特徴とする請求項１２乃至１５のいずれか一項に記載の基板装置の製造方法。
【請求項１７】
前記選択エッチング工程は、酸素プラズマを用いたクリーニング工程を含むことを特徴とする請求項１２乃至１６のいずれか一項に記載の基板装置の製造方法。
【請求項１８】
前記酸素プラズマを用いたクリーニング工程は、６０秒以上連続で行われることを特徴とする請求項１７に記載の基板装置の製造方法。
【請求項１９】
前記選択エッチング工程では、前記開口部の側壁の後退量が１５０ｎｍ以上のエッチングが行われることを特徴とする請求項１２乃至１８のいずれか一項に記載の基板装置の製造方法。
【請求項２０】
前記第１導電層は薄膜トランジスタの半導体層を含み、前記第２導電層は配線を含むことを特徴とする請求項１５乃至１９のいずれか一項に記載の基板装置の製造方法。
【請求項２１】
請求項１２乃至２０のいずれか一項に記載の基板装置の製造方法を使用して当該電気光学装置を構成する一対の基板のうちの一方たる素子基板を製造することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、基板装置及びその製造方法、並びに、該基板装置として、ＴＦＴ（Ｔｈｉｎ　Ｆｉｌｍ　Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ；以下適宜、「ＴＦＴ」という。）を備えたＴＦＴアレイ基板基板を含んだ液晶装置等の電気光学装置及びその製造方法の技術分野に属する。また、本発明は、該基板装置上に形成される導電層間を電気的に接続するためのコンタクトホールを備えた基板装置及び電気光学装置並びにこれらの製造方法の技術分野に属する。
【０００２】
【背景技術】
従来、基板上に、導電層及び絶縁層を積層させた構造を有する基板装置が知られている。ここで導電層とは、例えば、ＴＦＴの一部を構成する、チャネル領域、ソース領域及びドレイン領域を備えた半導体層、該半導体層上に形成されるゲート電極層、また、コンデンサを構成する一対の電極を構成する層、更には、単なる配線・抵抗として設けられる層等を想定することができる。これら導電層間には、絶縁層としての層間絶縁膜が設けられ、上述のＴＦＴ、コンデンサ、あるいは配線・抵抗間で短絡が生じないようにされる。このような構成を採れば、各種要素を平面的に形成するよりも、省スペース化が図れることになり、当該基板装置を具備する各種の電子機器等の小型化を効果的に実現することができる。
【０００３】
このような基板装置の、より具体的な例としては、例えば、液晶装置等の電気光学装置を構成するＴＦＴアレイ基板を挙げることができる。該ＴＦＴアレイ基板上には、例えば下から順に、ＴＦＴ、層間絶縁膜、保持容量（容量線、誘電体膜及び中継層の三層からなるコンデンサ）、層間絶縁膜、データ線、層間絶縁膜及び画素電極等という構造をとるものが知られている。このうち、ＴＦＴを構成するゲート電極は走査線の一部を構成し、該走査線及び前記データ線はそれそれがストライプ状に形成されることにより全体として格子状に形成され、また、前記画素電極はマトリクス状に形成されるのが一般的である。ここで、「導電層」とは、前記ＴＦＴを構成する半導体層若しくはゲート電極、保持容量を構成する容量線若しくは中継層、データ線又は画素電極が該当することになる。そして、このような積層化をなすことによって、上述のように相当に複雑な構成を擁するものについても省スペース化・小型化を達成することができ、また、電気光学装置にあっては、高開口率化等をも実現することができる等、享受され得る効果は大きい。
【０００４】
ところで、上述のような基板装置においては、各導電層間の絶縁を図る必要があるため各層間絶縁膜が設けられるが、ある二つの導電層間では、電気的な導通を実現する必要性も生じてくる。例えば、前記のＴＦＴアレイ基板の例では、ＴＦＴと画素電極との間、ＴＦＴと保持容量との間、ＴＦＴとデータ線との間等において、それぞれ電気的導通が図られていなければならない（ちなみに、保持容量とデータ線との間等は、原則どおり絶縁されていなければならない。）。そこで、従来では、これら積層された導電層間の電気的導通を図るため、コンタクトホールが利用されていた。すなわち、ＴＦＴと保持容量との間に配置される層間絶縁膜を貫く孔を形成することで、両者間の電気的導通を図るのである。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述のようなコンタクトホールにおいては、次のような問題があった。すなわち、コンタクトホールは、通常、これを形成しようとする絶縁層に対してフォトリソグラフィ及びエッチング工程を施すことによって形成される。具体的には、第一に、該絶縁層上にレジスト膜を形成し、第二に、該レジスト膜に対する露光処理及び現像処理を含むパターニング工程を実施する。このパターニングにより、コンタクトホールを形成しようとする部分に応じて、レジスト膜上に開口部が形成される。第三に、該開口部を通じて、ドライエッチングを実施する。そして、このドライエッチングを該絶縁層下に位置する導電層に至るまで実施すれば、コンタクトホールが形成されることになる。
【０００６】
しかしながら、上述のようなプロセスにおいては、前記第二の工程におけるレジスト膜の開口部の内側には、通常、スカムが発生する。このスカムとは、開口部の側壁と、その底面あるいは絶縁層の表面（すなわち、絶縁層とレジスト膜との界面）との間において、該開口部の周囲を巡るように形成されるレジスト膜の、いわば“かす”のことをいう。
【０００７】
このようなスカムが発生すると、前記第三のドライエッチング工程において、該スカムの形状が維持されたまま絶縁層に対するエッチングが行われることになり、その結果、最終的に形成されるコンタクトホールの底部は、いわば“なまった”ような形状を有することになる。すなわち、該コンタクトホールの側壁と該絶縁層下に位置する導電層の表面との間が滑らかに接続されているかのような状態、換言すればコンタクトホールの底面がドーム状を呈するかの如き状態になるのである。このような形態では、該コンタクトホール上に第２の導電層を形成しても、該絶縁層下に位置する導電層との電気的接続を十分に好適に実現することができない。具体的には、両者間の電気的抵抗値が大きくなってしまうことが確認されている。
【０００８】
また、上述のようなスカムの存在によると、ドライエッチング工程それ自体をうまく実施することが困難になるという問題がある。すなわち、ドライエッチングは、上述のように絶縁層下に位置する導電層に至るまで実施する必要があるが、スカムが存在すると、その高さ分余計にエッチングを進行させないと、該導電層との接触が十分には図れない。しかしながら、該導電層が比較的薄い場合には、その「余計」なエッチングにより、いわゆる突き抜けを生じさせてしまうおそれがあるのである。また、スカムの形状は、上述のような発生原因により、一般に、場所に応じて、あるいは時に応じて、種々の形状をとることが予想される。したがって、同一の条件下で、ドライエッチングを実施したとしても、基板上のあるポイントでは好適であるが、他のポイントでは突き抜けが発生したという事態や、ある時点におけるエッチングはうまくいったが、他の時点におけるそれは失敗したなどという事態が起こり得ることも問題がある。
【０００９】
ところで、上述のような問題は、フォトリソグラフィ及びエッチング工程におけるパターニング工程において、スカムが発生することに起因しているから、より一般的にいえば、そのようなパターニング工程を実施する以上、必ず前記スカムの問題は共通に認識される問題だということがいえる。例えば、前記ＴＦＴの半導体層もまた、通常はパターニング工程を経て形成されることになるが、この場合においても、前記スカムの存在はいい影響を与えない。すなわち、レジスト膜にスカムが存在するため、その寄与分を織り込んだ上で、レジスト膜に対する開口部形状、ないしは最終的な半導体層形状等を考慮しなければならない。特に、ＴＦＴは通常基板上のより下層側に形成されることが多いため、基板の反り等の影響をも考慮しなければならず困難が多い。以上により結局、製造工程の複雑化・歩留まりの低下等を招くこととなり、また、最終的に形成される半導体層の形状は比較的大きめに形成されるなどということになっていた。
【００１０】
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、二つの導電層間の導通にかかる抵抗を低く抑える等、両者間の良好な電気的接続を実現することの可能なコンタクトホールを備えた基板装置及びその製造方法を提供することを課題とする。また、本発明は、より一般的に、パターニング工程におけるスカムの影響を除去して、より高精度に該パターニング工程を実施することが可能な基板装置の製造方法を提供することをも課題とする。さらに、本発明は、そのような基板装置を備えてなる電気光学装置及びその製造方法を提供することをも課題とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明の基板装置は、上記課題を解決するため、基板上に、第１導電層と、該第１導電層上に形成された絶縁層と、該絶縁層上に形成された第２導電層と、前記絶縁層に穿設され前記第１導電層及び前記第２導電層を電気的に接続するコンタクトホールとを備えた基板装置であって、前記コンタクトホールの側壁は、該コンタクトホールと接続される前記第１導電層の表面との接続部まで、直線状に延びている。
【００１２】
本発明の基板装置によれば、第１導電層、絶縁層及び第２導電層が積層構造をなすように形成されているため、当該基板装置それ自体、あるいは該基板装置を具備してなる電子機器等の小型化等を図ることができる。また、絶縁層には、第１導電層及び第２導電層間を電気的に接続するコンタクトホールが形成されていることにより、例えば、第１導電層がＴＦＴを構成する半導体層のドレイン領域であり、第２導電層が配線であるという場合には、ＴＦＴ及びドレイン電極に関する立体構造を好適に構成することができる。
【００１３】
そして、本発明では特に、コンタクトホールの側壁は、第１導電層の表面との接続部まで直線状に延びている。つまり、本発明においては、従来のように、コンタクトホールの側壁と第１導電層の表面とが、スカムの影響により滑らかに接続されるような形状をとらない。これにより、該コンタクトホールと第１導電層との電気的接続、すなわち第２導電層及び第１導電層間の電気的接続を、より好適に実現することができることになる。具体的には、両者間の電気抵抗はより小さなものとなり、導通性を高めることができる。
【００１４】
また、本発明の構成によれば、該コンタクトホールの形成時、一般に不定となるスカムの高さ、あるいは大きさ分の加工を余分にせずにすむから、第１導電層の突き抜けという事態を未然に防止することができる。したがって、例えば、第１導電層の厚さを可能な限り小さくすることができ、基板装置、あるいはこれを搭載する電子機器等の薄化・小型化等を、よりよく実現することができる。また、当該コンタクトホールの形成は、当初に予定したとおりに行えばよいから、該コンタクトホール及び第１導電層間の電気的接続は良好に実現されることになる。その結果、コンタクトホールの形成それ自体も正確に行うことができる。
【００１５】
なお、本発明に言う「第１導電層」及び「第２導電層」の具体例としては、上述のような例の他、第１導電層がＴＦＴを構成する半導体層のソース領域であって、第２導電層が液晶装置等における画像信号を送信するためのデータ線であるなどという場合や、第１導電層がコンデンサの一対の電極のうちの一方であって、第２導電層が液晶装置において液晶に電界を印加するための画素電極であるなどという場合を想定することができる。要するに、第１導電層及び第２導電層が当該基板装置内で具体的にどのような機能を担った素子・配線等であるかについて、本発明は、基本的に拘るものではない。
【００１６】
さらに、第１導電層、絶縁層及び第２導電層は、これらが直接的に積層構造をなしている場合を含むほか、第１導電層と絶縁層との間に、又は、絶縁層と第２導電層との間に、別の絶縁層が介在している場合等を勿論含む。また、そのような位置に、本発明に係るコンタクトホールの形成位置に対応しない部分に形成された導電層等が介在されている場合等をも含む。
【００１７】
本発明の基板装置の一態様では、前記コンタクトホールの側壁と該コンタクトホールと接続される前記第１導電層の表面とは直角に交わる。
【００１８】
この態様によれば、コンタクトホールの側壁と第１導電層の表面とが直角に交わるから、両者間の電気的接続は、より好適に実現されることになる。また、突き抜けが発生する心配もより低減することとなる。
【００１９】
なお、本発明にいう「直角に交わる」というのは、字義どおり、コンタクトホールの側壁と第１導電層の表面とが「９０°で交わる」という場合を含む他、これから若干離れた角度で、両者が交わるような場合をも含む。そのような場合であっても、上述のような作用効果は十分に達成されるからである。具体的には、両者は、８７°〜１００°程度で交わればよい。本発明の「直角」というのは、このような場合をも含む。
【００２０】
本発明の基板装置の一態様では、前記第１導電層は、薄膜トランジスタを構成する半導体層を含み前記第２導電層は配線を含む。
【００２１】
この態様によれば、薄膜トランジスタ及び配線間の電気的接続を良好に図ることができる。この場合、当該配線は、薄膜トランジスタのソース電極又はドレイン電極として機能し得る。
【００２２】
本発明の電気光学装置は、上記課題を解決するため、基板上に、マトリクス状に配列された画素電極と、前記画素電極が形成されない位置に対応するように、且つ、互いに交差する方向に配置された走査線及びデータ線と、前記走査線及び前記データ線の交差領域に対応するように形成された薄膜トランジスタと、前記画素電極、前記走査線、前記データ線及び前記薄膜トランジスタを構成する半導体層のいずれか二つの間に形成された層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜に穿設され前記いずれか二つの間を電気的に接続するコンタクトホールとを備えた電気光学装置であって、前記コンタクトホールの側壁は、該コンタクトホールと接続される前記いずれか二つのうちの下層に位置するものの表面との接続部まで直線状に延びている。
【００２３】
本発明の電気光学装置によれば、画素電極、走査線、データ線及び薄膜トランジスタ等を具備する、いわゆるＴＦＴアレイ基板が備えられている。そして、これら画素電極、走査線、データ線及び薄膜トランジスタのいずれか二つの間には層間絶縁膜が形成されることで、各要素が立体的に積み上げられた積層構造を構成することが可能である。これにより、このような比較的複雑な構成を擁してなる電気光学装置にあっても、省スペース化・小型化を達成することができる。また、走査線及びデータ線や薄膜トランジスタ、あるいはその他の必要となる構成要素の配置を適当に定めれば、画素開口率の向上等をも図ることができ、したがって、より明るい画像の表示が可能となる。
【００２４】
そして、本発明の電気光学装置では特に、層間絶縁膜に穿設され前記いずれか二つの間を電気的に接続するコンタクトホールの側壁は、該コンタクトホールと接続される前記いずれか二つのうちの下層に位置するものの表面との接続部まで直線状に延びている、要すれば、本発明に係るＴＦＴアレイ基板は、上述の基板装置を具備していることになるから、前記いずれか二つの間の電気的接続を良好に実現することができる。例えば、薄膜トランジスタ及びデータ線間に層間絶縁膜が形成されるのであれば、両者間の電気的接続は良好に実現されるし、画素電極及び薄膜トランジスタ間に層間絶縁膜が形成されるのであれば、両者間の電気的接続は良好に実現されることになる。
【００２５】
本発明の電気光学装置の一態様では、前記コンタクトホールの側壁と該コンタクトホールと接続される前記いずれか二つのうちの下層に位置するものの表面とは直角に交わる。
【００２６】
この態様によれば、コンタクトホールの側壁と前記いずれか二つのうちの下層に位置するものの表面とは直角に交わるから、両者間の電気的接続は、より好適に実現されることになる。また、突き抜けが発生する心配もより低減することとなる。なお、「直角」の意義は、既に述べたとおりである。
【００２７】
本発明の電気光学装置の一態様では、前記基板上に容量線、誘電体膜及び中継層の積層構造をなす保持容量と、前記薄膜トランジスタ及び前記中継層間に形成された第２の層間絶縁膜と、該第２の層間絶縁膜に穿設され前記薄膜トランジスタを構成する半導体層及び前記中継層間を電気的に接続する第２のコンタクトホールと、前記画素電極及び前記中継層間に形成された第３の層間絶縁膜と、該第３の層間絶縁膜に穿設され前記画素電極及び前記中継層間を電気的に接続する第３のコンタクトホールとを更に備えてなり、前記第２のコンタクトホールの側壁は、前記半導体層の表面との接続部まで直線状に延びており、又は、前記第３のコンタクトホールの側壁は、前記中継層の表面との接続部まで直線状に延びている。
【００２８】
この態様によれば、電気光学装置は、薄膜トランジスタ及び画素電極双方に電気的に接続される保持容量を備えることになるから、画素電極における電位保持特性を格段に向上することができる。これにより、画像のコントラストを向上させることが可能となり、また例えば走査線の多数化等を実現することができる。
【００２９】
また、本態様では、薄膜トランジスタ及び画素電極の電気的接続を、二つの層間絶縁膜にわたって、二つのコンタクトホール（すなわち、第２及び第３のコンタクトホール）によって実現している。このような構成によれば、各層間絶縁膜は比較的薄膜化することが可能となるから、比較的深いコンタクトホールの形成を行う必要がなく、製造工程の短縮化等を実現することができる。
【００３０】
そして本態様では特に、前記第２及び第３のコンタクトホールは、前述したような特徴を備えてなるから、薄膜トランジスタ及び中継層間の電気的接続、並びに、中継層及び画素電極間の電気的接続は双方ともに良好に実現することができ、もって薄膜トランジスタ及び画素電極間の電気的接続も良好に実現することができる。
【００３１】
なお、本態様においては、「又は」という表現により、第２のコンタクトホールの側壁と半導体層の表面、及び、第３のコンタクトホールの側壁と中継層の表面の両組のいずれか一方について、該側壁が「直線状に延びている」という特徴を備えていればよいことを表しているが、本態様では、両者いずれについても、該側壁（すなわち、第２及び第３のコンタクトホール両者の側壁）が「直線状に延びている」という場合を含んでよい。
【００３２】
この態様では、前記第２のコンタクトホールの側壁と前記半導体層の表面及び前記第３のコンタクトホールの側壁と前記中継層の表面の少なくとも一方は、直角に交わるようにするとよい。
【００３３】
この態様によれば、両者間の電気的接続は、より好適に実現されることになる。また、突き抜けが発生する心配もより低減することとなる。なお、「直角」の意義は、既に述べたとおりである。
【００３４】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記基板上に、誘電体膜並びに該誘電体膜を挟持してなる上部電極及び下部電極からなる保持容量と、前記上部電極及び前記画素電極間に形成された第２中継層と、該第２中継層及び前記上部電極間に形成された第４の層間絶縁膜と、該第４の層間絶縁膜に穿設され前記第２中継層及び前記上部電極間を電気的に接続する第４のコンタクトホールと、前記第２中継層及び前記画素電極間に形成された第５の層間絶縁膜と、該第５の層間絶縁膜に穿設され前記第２中継層及び前記画素電極間を電気的に接続する第５のコンタクトホールとを更に備えてなり、前記第４のコンタクトホールの側壁は、前記上部電極の表面との接続部まで直線状に延びており、又は、前記第５のコンタクトホールの側壁は、前記第２中継層の表面との接続部まで直線状に延びている。
【００３５】
この態様によれば、画素電極及び保持容量間に第２中継層が備えられることから、画素電極に対する画像信号の印加を好適に実現することができる。というのも、例えば、該第２中継層を窒化膜から構成したり、あるいはその上層を該窒化膜から、その下層をアルミニウムから構成するなどというように、該第２中継層を、画素電極の材料として通常用いられるＩＴＯ等の透明導電性材料と、いわゆる電食を生じさせない材料（上述の「窒化膜」等）を用いることが可能となるからである。
【００３６】
また、本態様では、画素電極及び保持容量間の電気的接続を、二つの層間絶縁膜にわたって、二つのコンタクトホール（すなわち、第４及び第５のコンタクトホール）によって実現している。このような構成によれば、各層間絶縁膜は比較的薄膜化することが可能となるから、比較的深いコンタクトホールの形成を行う必要がなく、製造工程の短縮化等を実現することができる。
【００３７】
そして本態様では特に、前記第４及び第５のコンタクトホールは、前述したような特徴を備えてなるから、保持容量の上部電極及び第２中継層間の電気的接続、並びに、第２中継層及び画素電極間の電気的接続は双方ともに良好に実現することができ、もって保持容量及び画素電極間の電気的接続も良好に実現することができる。
【００３８】
なお、本態様における「又は」という表現は、前述の第２及び第３のコンタクトホールについて述べのと同様な意義を有する。
【００３９】
この態様では特に、前記第４のコンタクトホールの側壁と前記上部電極の表面及び前記第５のコンタクトホールの側壁と前記第２中継層の表面の少なくとも一方は、直角に交わる。
【００４０】
このような構成によれば、両者間の電気的接続は、より好適に実現されることになる。また、突き抜けが発生する心配もより低減することとなる。なお、「直角」の意義は、既に述べたとおりである。
【００４１】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記基板上に、前記データ線及び前記画素電極間に形成され且つ固定電位とされたシールド層と、誘電体膜並びに該誘電体膜を挟持してなる上部電極及び下部電極からなる保持容量と、前記シールド層及び前記上部電極間に形成された第６の層間絶縁膜と、該第６の層間絶縁膜に穿設され前記シールド層及び前記上部電極間を電気的に接続する第６のコンタクトホールとを更に備えてなり、前記第６のコンタクトホールの側壁は、前記上部電極の表面との接続部まで直線状に延びている。
【００４２】
この態様によれば、シールド層の存在により、データ線及び画素電極間に生じ得る容量カップリングの影響を排除することが可能となる。これにより、データ線に対する通電によって画素電極の電位に変動を生じさせるという事態を未然に防止することが可能となり、画像上に、該データ線に沿った表示ムラ等を発させるおそれを低減することができる。
【００４３】
そして本態様では特に、第６のコンタクトホールは、前述したような特徴を備えてなるから、シールド層及び保持容量の上部電極間の電気的接続を良好に実現することができる。
【００４４】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記第６のコンタクトホールの側壁と前記上部電極の表面は、直角に交わる。
【００４５】
このような構成によれば、両者間の電気的接続は、より好適に実現されることになる。また、突き抜けが発生する心配もより低減することとなる。なお、「直角」の意義は、既に述べたとおりである。
【００４６】
なお、以上述べた本発明の電気光学装置の各種態様においては、ある一の態様に対して、他の態様を組み合わせることが基本的に可能である。例えば、上述の第２中継層をもつ態様に対して、シールド層をもつ態様を組み合わせてよい。本発明は、そのようなものもその範囲内に収める。
【００４７】
本発明の第１の基板装置の製造方法は、基板上に被パターニング膜を形成する工程と、前記被パターニング膜の上にレジスト膜を形成する工程と、該レジスト膜に対してパターニングを実施して開口部を形成する工程と、その後に前記被パターニング膜に対する前記レジスト膜のエッチング選択比が１以上のエッチングを実施する選択エッチング工程と、該選択エッチング工程の後に、前記開口部を通じて前記被パターニング膜に対するエッチングを実施する工程と、前記レジスト膜を除去する工程とを備えている。
【００４８】
本発明の第１の基板装置の製造方法によれば、被パターニング膜に対するパターニングを好適に実施することができる。これは以下のような事情による。
【００４９】
すなわち、レジスト膜に対して露光処理及び現像処理等を含むパターニングを実施して開口部を形成すると、該開口部の内側には、通常、スカムが発生する。このスカムとは、既に述べたように、該開口部の側壁と、その底面あるいは被パターニング膜の表面（すなわち、被パターニング膜とレジスト膜との界面）との間において該開口部の周囲を巡るように形成されるレジスト膜の、いわば“かす”のことをいう。このようなスカムは、パターニング工程を構成する露光工程及び現像工程等において、除去し切れなかったレジスト膜が残存することにより発生する。そして、このようなスカムが発生したままエッチングを実施すると、被パターニング膜は該スカムの形状が転写されつつエッチングされることになり、当初に予定した形状どおりにパターニングを実施することが困難となる。
【００５０】
しかるに、本発明においては、選択エッチング工程を実施することにより、上に述べたような不具合が発生しない。すなわち、まず、被パターニング膜に対するレジスト膜のエッチング選択比が１以上、より好ましくは１０以上のエッチング、換言すればレジスト膜に重点を置いたエッチングが行われることにより、開口部の内側のスカムはほぼ完全に除去されることになる。これにより、開口部の側壁と底面とは、ほぼ直角に交わるような形状を呈することになる。そして、エッチング工程はこのような開口部を通じて行われることになるから、スカムの形状が被パターニング膜に転写されつつエッチングが進行するということがない。したがって、最終的に成形される被パターニング膜の形状は、当初に予定した通りの形状を有するものとして行うことができる。要するに、本発明によれば、当該パターニングを正確に実施することができるのである。
【００５１】
また、本発明における、被パターニング膜に対するエッチングを実施する工程は、上述のように、スカムなき開口部に対して行われることになるから、該エッチングは均等に行われ得ることになる。これにより、例えば、開口部を形成しようとする層間絶縁膜に大きなストレスが作用しているような場合においても、該開口部におけるクラック発生を抑制することができる。つまり、本発明によれば、製造歩留まりを向上させることも可能となる。
【００５２】
本発明の第１の基板装置の製造方法の一態様では、前記被パターニング膜は、薄膜トランジスタを構成する半導体層を含む。
【００５３】
この態様によれば、例えば、基板上でマトリクス状に配列された薄膜トランジスタ・アレイを形成する場合において、該薄膜トランジスタの一つ一つを構成する半導体層のパターニングを正確に実施することができる。すなわち、これによれば、従来のように、半導体層のパターニングを実施するにあたり、スカムの影響について考慮を払う必要がなくなる。また、これによって、より具体的には、半導体層の形状の大きさを、従来よりも、より小さく形成することが可能であるから、装置の小型化等に資することになる。
【００５４】
この態様では特に、当該基板装置はアクティブ・マトリクス駆動可能な電気光学装置の薄膜トランジスタ・アレイ基板を含むとともに、前記薄膜トランジスタは、前記電気光学装置における画素スイッチング用素子として形成されるようにするとよい。
【００５５】
このような構成によれば、前記の薄膜トランジスタは、アクティブ・マトリクス駆動可能な液晶装置等の電気光学装置における画素スイッチング用素子として用いられることになる。ここで、このような場合においては、薄膜トランジスタを構成する半導体層に対する光入射が問題となる。すなわち、該半導体層に光が入射すると、それによる励起によっていわゆる光リーク電流が発生し、例えば、本来であればスイッチングＯＦＦとされるべきところ不意にＯＮとなるような事態が生じることで、当該電気光学装置における画像表示の品質を貶めるのである。
【００５６】
しかるに、本構成においては、上述のように、半導体層を小さく形成することが可能であるから、これにより、該半導体層に対する光入射のおそれもまた小さくなることにより、上述のような光リーク電流発生の可能性を低減することができる。したがって、本構成によれば、高品質な画像を表示することが可能となる。
【００５７】
本発明の第２の基板装置の製造方法は、基板上に第１導電層を形成する工程と、該第１導電層上に絶縁層を形成する工程と、該絶縁層にレジスト膜を形成する工程と、該レジスト膜に対してパターニングを実施して開口部を形成する工程と、その後に前記絶縁層に対する前記レジスト膜のエッチング選択比が１以上のエッチングを実施する選択エッチング工程と、該選択エッチング工程の後に、前記開口部を通じて前記第１導電層に至るまでのドライエッチングを実施してコンタクトホールを形成する工程と、前記レジスト膜を除去した後、前記絶縁層及び前記コンタクトホールの上に第２導電層を形成する工程とを備えている。
【００５８】
本発明の第２の基板装置の製造方法によれば、上述の本発明の基板装置を好適に製造することができる。すなわち、レジスト膜に対して露光処理及び現像処理等を含むパターニングを実施して開口部を形成すると、該開口部の内側には、通常、スカムが発生する。このスカムとは、既に述べたとおりのものである。そして、本発明では、このようなスカムが発生したままドライエッチングを実施すると、絶縁層は該スカムの形状が転写されつつエッチングされることになり（すなわち、本発明に言う「絶縁層」は、上述の第１の基板装置の製造方法で言う「被パターニング膜」に相当することになる。）、最終的に形成されるコンタクトホールの側壁と該コンタクトホールと接続されるべき第１導電層の表面との間は、上述したように滑らかに接続されるような形状が呈されてしまう。
【００５９】
しかるに、本発明においては、選択エッチング工程を実施することにより、上に述べたような不具合が発生しない。すなわち、まず、絶縁層に対するレジスト膜のエッチング選択比が１以上、より好ましくは１０以上のエッチング、すなわちレジスト膜に重点を置いたエッチングが行われることにより、開口部の内側のスカムはほぼ完全に除去されることになる。これにより、開口部の側壁と底面とは、ほぼ直角に交わるような形状を呈することになる。そして、ドライエッチング工程はこのような開口部を通じて行われることになるから、スカムの形状が絶縁層に転写されつつエッチングが進行するということがない。したがって、最終的に形成されるコンタクトホールの側壁と第１導電層の表面とは、直角に交わるような形となるのである。
【００６０】
また、本発明の方法によれば、コンタクトホールを形成するにあたり実施されるドライエッチング工程において、第１導電層の突き抜けについて特段の心配をする必要がない。これも、上述のように開口部のスカムが除去されることによる。すなわち、スカムが存在しないことにより、一般に不定な高さ、あるいは大きさを有するスカムを除去するための余計なエッチングを実施する必要がないし、場所により又は時により、同一条件下で行われるドライエッチングは、ほぼ同様の結果をもたらすことになるからである。
【００６１】
また、本発明における、ドライエッチングを実施してコンタクトホールを形成する工程は、上述のように、スカムなき開口部に対して行われることになるから、該エッチングは均等に行われ得ることになる。これにより、例えば、開口部を形成しようとする層間絶縁膜に大きなストレスが作用しているような場合においても、該開口部におけるクラック発生を抑制することができる。つまり、本発明によれば、製造歩留まりを向上させることも可能となる。
【００６２】
なお、本発明（ここでは特に、上述の第１の基板装置の製造方法を含む。）にいう「選択エッチング工程」は、具体的には例えば、後述するように酸素プラズマを用いたクリーニング工程を含むようにするのが好適な一態様であるが、本発明は、このような形態に限定されるものではない。一般に、レジスト膜のみを選択的に除去しうる方法であれば、どのような方法を利用してもよい。例えば、上述のような作用効果が得られるならば、適当なガス種・プラズマ等を用いたドライエッチング、あるいは適当なエッチャントを用いたウェットエッチングを採用してもよい。
【００６３】
また、本発明にいう「コンタクトホールを形成する工程」において実施される「ドライエッチング」は、上述のようなエッチング選択比いう観点からすると、絶縁層に対するレジスト膜のエッチング選択比が、１以下、より好ましくは０．２以下であるような条件下で実施されることが好ましい。つまり、この場合は、レジスト膜は残存しつつ絶縁層のみがエッチングされていくような形が実現されることになる。
【００６４】
さらに、本発明においては、コンタクトホール形成等に伴う種々の不都合等を回避するために、上述には示されない各種工程を実施してよいことは勿論である。例えば、本発明の「選択エッチング工程」と「コンタクトホールを形成する工程」の間に、フッ酸（ＨＦ）を用いたウェットエッチング工程を行うような形態としてよい。このウェットエッチングによれば、そのエッチングが等方的に進むことにより、開口部中心を略中心とした略球状の穴が、該開口部周囲のレジスト膜下をも抉るようにして形成されることになる。これにより、後のドライエッチング工程のみを直接に実施してしまうと該開口部周囲のレジスト膜下に抉れた部分を形成してしまうことになるところ、予め、ウェットエッチングを実施しておけば、そのような不具合を有効に解消することが可能となるのである。
【００６５】
本発明の第１又は第２の基板装置の製造方法の一態様では、前記選択エッチング工程における前記被パターニング膜又は前記絶縁膜に対する前記レジスト膜のエッチング選択比は５以上である。
【００６６】
この態様によれば、レジスト膜に対する選択的なエッチングをより好適に行うことができるから、上述のようなスカムの除去をより効果的に行うことができる。
【００６７】
本発明の第１又は第２の基板装置の製造方法の他の態様では、前記選択エッチング工程は、酸素プラズマを用いたクリーニング工程を含む。
【００６８】
この態様によれば、該選択エッチング工程において、開口部の内側のスカムの除去を、より効果的に実施することができる。すなわち、酸素プラズマを用いたクリーニング工程は、絶縁層に対するレジスト膜のエッチング選択比が、５〜１０程度と非常に大きいことから、ほぼレジスト膜のみを対象としたエッチングを実施することができ、これにより、開口部の内側に存在するスカムの除去をより効果的に実施することができる。
【００６９】
この態様では特に、前記酸素プラズマを用いたクリーニング工程は、６０秒以上連続で行われるようにするとよい。
【００７０】
このような構成によれば、酸素プラズマを用いたクリーニング工程を、６０秒以上、好ましくは１００〜１２０秒間連続で実施することから、上述にも増して、開口部の内側のスカムの除去を最適に実施することができる。すなわち、当該クリーニング工程を６０秒よりも下回る時間で実施すると、開口部の内側のスカムの除去を十分には行うことができず、１２０秒よりも上回る時間で実施するならば、レジスト膜下に位置する被パターニング膜又は絶縁層が無用に侵食されたり、広げることになる。本態様においては、これらの不具合を被ることなく、スカムの除去を略完全に行うことができる。
【００７１】
本発明の第１又は第２の基板装置の製造方法の他の態様では、前記選択エッチング工程では、前記開口部の側壁の後退量が１５０ｎｍ以上のエッチングが行われる。
【００７２】
この態様によれば、選択エッチング工程において、前記開口部の側壁の後退量が１５０ｎｍ以上のエッチングが行われることになるから、通常の場合において発生するであろうスカムの除去をより確実に行うことが可能となる。
【００７３】
本発明の第２の基板装置の製造方法の他の態様では、前記第１導電層は薄膜トランジスタの半導体層を含み、前記第２導電層は配線を含む。
【００７４】
この態様によれば、薄膜トランジスタと、そのソース電極又はドレイン電極としての機能を有しうる配線とを低抵抗に接続することができる。
【００７５】
本発明の電気光学装置の製造方法は、上述の本発明の第１又は第２の基板装置の製造方法（ただし、その各種態様を含む。）を使用して当該電気光学装置を構成する一対の基板のうちの一方たる素子基板を製造する。
【００７６】
この態様によれば、上述の本発明の第１又は第２の基板装置の製造方法を使用して、液晶装置等の電気光学装置を構成する一対の基板のうちの一方たる素子基板、例えば、ＴＦＴアレイ基板、ＴＦＤアレイ基板等を製造することから、当該素子基板上において電気的連絡が必要とされる各要素間の電気的接続を低抵抗に実現することができる。
【００７７】
より具体的には、該電気光学装置が、画素スイッチング用素子として薄膜トランジスタを備えたＴＦＴアレイ基板を備えアクティブ・マトリクス駆動可能なものである場合には、該ＴＦＴとデータ線との電気的接続、あるいは該ＴＦＴと保持容量との接続、更には該ＴＦＴと画素電極との接続などを低抵抗に実現することができるから、ＴＦＴの良好な動作や、また、保持容量又は画素電極に対する良好な電圧印加等を実現することができる。これによって、本発明の製造方法によって製造された電気光学装置では、高品質な画像を表示することが可能となる。
【００７８】
本発明のこのような作用及び他の利得は次に説明する実施の形態から明らかにされる。
【００７９】
【発明の実施の形態】
以下では、本発明の実施の形態について図を参照しつつ説明する。
【００８０】
（基板装置の実施形態）
まず、本発明の実施形態における基板装置の製造方法について、図１から図４を参照して説明する。ここに図１ないし図３は、本実施形態の基板装置の製造方法を、順を追って示す工程図であり、工程毎のＴＦＴ付近における断面構造を示している。また、図４は、図３の工程（８）においてレジスト膜に形成された開口部付近の拡大図であり、該開口部の内側に形成されたスカムの様子を示す説明図である。さらに、図５は、図３の工程（１０）に示すコンタクトホール２１０Ｃとポリシリコン膜２０２との接触部分付近の拡大図である。
【００８１】
図１において、その工程（１）では、例えばガラス、石英、プラスチック等からなる基板２００が用意され、工程（２）では、その上にポリシリコン膜が形成された後、フォトリソグラフィ及びエッチングにより、ＴＦＴのソース領域、チャネル領域及びドレイン領域を含む所定パターンの、本発明にいう半導体層の一例たるポリシリコン膜２０２が形成される。このようなポリシリコン膜２０２としては、低温ポリシリコン膜でもよいし、高温ポリシリコン膜、又はアモルファスシリコンでもよい。
【００８２】
次に、工程（３）では、ドライ酸化により、ポリシリコン膜２０２の表面に、後述のＴＦＴを構成するゲート絶縁膜となるべき熱酸化シリコン膜２０４が形成される。これは、例えば前記ポリシリコン膜２０２の表面をドライ酸化することによって形成することができる。ただし、本発明は、前記したドライ酸化による方法の他、ウェット酸化による方法や、ＣＶＤ法を利用してＴＥＯＳ（テトラ・エチル・オルソ・シリケート）膜を形成する方法、あるいはプラズマを利用して酸化膜を形成する方法のいずれか少なくとも一つを含むようにしてもよい。また、場合によっては、ドライ酸化を経て熱酸化膜を形成した後、その上にプラズマ酸化膜を形成する、という場合であってもよい。
【００８３】
次に、工程（４）では、前記熱酸化シリコン膜２０４の上に、ゲート電極膜２０６を形成する。このゲート電極膜２０６は、例えば、減圧ＣＶＤ法等によりポリシリコン膜を堆積し、更にリンを熱拡散して導電化することによって形成される。なお、ゲート電極膜２０６は、基板２００の全面にいったんポリシリコン膜を堆積した後これを元の膜とし、フォトリソグラフィ法を利用して、所望のパターンを有するようにパターニングされて形成されるのが一般的である。なお、それ以外の材料からなる、あるいはそれ以外の製造方法によって、ゲート電極膜２０６を形成してよいことは勿論である。
【００８４】
なお、この工程（４）では、このゲート電極膜２０６をマスクとして、ポリシリコン膜２０２に対する不純物の導入を実施することで、該ポリシリコン膜２０２中におけるソース領域、チャネル領域及びドレイン領域を形成するようにするとよい。ここで、前記不純物がボロンイオン等である場合には、最終的に形成されるＴＦＴはＰチャネル型として、前記不純物がリンイオン、あるいはヒ素イオン等である場合にはＮチャネル型として、それぞれ形成されることになる。また、ゲート電極膜２０６をマスクとして不純物の導入を行えば、いわゆる自己整合的にソース領域、チャネル領域及びドレイン領域を形成することが可能となる。
【００８５】
次に、図２の工程（５）において、ゲート電極膜２０６上に、例えば、常圧又は減圧ＣＶＤ法等によりＴＥＯＳ（テトラ・エチル・オルソ・シリケート）ガス、ＴＥＢ（テトラ・エチル・ボートレート）ガス、ＴＭＯＰ（テトラ・メチル・オキシ・フォスレート）ガス等を用いて、ＮＳＧ（ノンシリケートガラス）、ＰＳＧ（リンシリケートガラス）、ＢＳＧ（ボロンシリケートガラス）、ＢＰＳＧ（ボロンリンシリケートガラス）等のシリケートガラス膜、窒化シリコン膜や酸化シリコン膜等からなる層間絶縁膜２１０を形成する。
【００８６】
以下より、本実施形態において特徴的なコンタクトホールの形成工程に入る。まず、図２の工程（６）では、層間絶縁膜２１０上に、感光性樹脂材料等からなるレジスト膜２１０Ｒを塗布する。次に、工程（７）では、このレジスト膜２１０Ｒに対する露光工程を実施する。これは、非光透過部Ｒ１及び光透過部Ｒ２を備えたレチクルＲを用意するとともに、該レチクルＲを介してＸｅランプから発せられた光、あるいはＫｒＦレーザ光等を照射することにより、レジスト膜２１０Ｒ上に感光領域及び非感光領域を形成する工程である。
【００８７】
次に、図３の工程（８）では、このレジスト膜２１０Ｒに対する現像工程を実施する。これは、非感光領域にあたるレジスト膜２１０Ｒを除去し、感光領域にあたるレジスト膜２１０Ｒを残存させるような、レジスト膜２１０Ｒのエッチング工程である。これにより、レジスト膜２１０Ｒには、開口部２１０Ｈが形成されることになる。
【００８８】
なお、上述においては、非感光領域にたるレジスト膜２１０Ｒが除去されるネガレジストの例について説明したが、本発明においては、これに代えて、ポジレジストを用いてもよい。この場合においては、図２の工程（７）における非光透過部Ｒ１と光透過部Ｒ２との配置関係が逆になり（すなわち、符号Ｒ１が付された部分が光透過部、符号Ｒ２が付された部分が非光透過部になる。）、また、感光領域にあたるレジスト膜２１０Ｒが除去され、非感光領域にあたるレジスト膜２１０Ｒが残存することになる。いずれにせよ、製造工程中、図３の工程（８）のような形態が現れることについて、両者間で変わりはない。
【００８９】
ここで、この開口部２１０Ｈの内側には、図３の該開口部２１０Ｈ付近を拡大して示す図４（ａ）に示すように、その側壁２１０ＨＷと、底面２１０ＨＢ、すなわちレジスト膜２１０Ｒと層間絶縁膜２１０との界面との間において、該開口部２１０Ｈの周囲を巡るように、いわゆるスカム２１０Ｓが発生する。このようなスカム２１０Ｓが発生したまま、ドライエッチングを実施すると、図４（ａ）の層間絶縁膜２１０中の破線に示すように、該スカム２１０Ｓの形状がそのまま転写されつつエッチングが進行することとなり、最終的に形成されるコンタクトホールの側壁と該コンタクトホールと接続されるポリシリコン膜２０２の表面との間は、滑らかに接続されるような形状を呈してしまい、もって両者間の電気抵抗値を高めてしまう（図５（ｂ）参照）。
【００９０】
そこで、本実施形態においては特に、図４（ｂ）に示すように、開口部２１０Ｈが形成されたレジスト膜２１０を更にエッチングすることを目的として、酸素プラズマを用いたクリーニング工程を実施する。この酸素プラズマを用いたクリーニング工程によれば、層間絶縁膜２１０に対するレジスト膜２１０Ｒのエッチング選択比が、１０以上程度と非常に大きいことから、ほぼレジスト膜２１０Ｒのみを対象としたエッチングを実施することができる。そして、これにより、図４（ｂ）に示すように、レジスト膜２１０Ｒのみが選択的に、かつ、全体的にエッチングされることになり、特に、開口部２１０Ｈの内側に存在するスカム２１０Ｓは除去されることになる。
【００９１】
なお、図４（ｂ）におけるクリーニング工程は、概ね６０秒以上、好ましくは１００〜１２０秒間という比較的長い時間連続して行う。また、該クリーニング工程は、例えば図４（ｂ）に示す開口部２１０Ｈの側壁２１０ＨＷの後退量Ｗに着目すれば、これが概ね１５０ｎｍ程度となることを目安として行うとよい。これらによれば、通常発生するであろう大きさのスカム２１０Ｓを、効果的に除去することが可能となる。
【００９２】
このように開口部２１０Ｈの内側におけるスカム２１０Ｓの除去が完了したら次に、図３の工程（９）に示すように、該開口部２１０Ｈを通じた反応性イオンエッチング、反応性イオンビームエッチング等のドライエッチング工程を実施してコンタクトホール２１０Ｃを形成する。この際、このドライエッチング工程では、図４（ａ）に示したようなスカム２１０Ｓ形状の転写を伴うエッチングが進行するということがなく、図４（ｂ）における層間絶縁膜２１０内の破線のようにエッチングが進行することになるから、まず、ポリシリコン膜２０２の突き抜けについて特段の注意を払う必要がない。これは、図４（ａ）では、スカム２１０Ｓの高さＨが不定なために、最終的に形成されるべきコンタクトホール２１０Ｃとポリシリコン膜２０２との接触部分の面積が、場所場所に応じ、あるいは時に応じて変化することで、両者間の電気的な導通を十分にとるために実行すべきドライエッチングの量が一般に不定となってしまうからである（すなわち、両者間の電気的導通を十分にとろうとすると、突き抜けを生じさせてしまう可能性があった。）。これに対して、本実施形態では、図４（ｂ）に示すように、開口部２１０Ｈの隅部がほぼ直角を保ったままのエッチングが進行することにより、上述のような心配をする必要が特にない。予め定めた所定の深度だけ、あるいは所定の時間だけドライエッチングを実行すればよいのである。
【００９３】
以上のようにして、ドライエッチング工程が完了すると、コンタクトホール２１０Ｃが完成することとなる。後は、図３の工程（１０）に示すように、層間絶縁膜２１０上、及び、コンタクトホール２１０Ｃの内部を埋めるように、本発明にいう第２導電層の一例たる配線２１２を形成することによって、該配線２１２及びポリシリコン膜２０２は、コンタクトホール２１０Ｃを介して電気的に接続されることになる。なお、図中、ポリシリコン膜２０２のコンタクトホール２１０Ｃに当接する部分が、ソース領域であるなら、該配線２１２はソース電極としての機能を有することとなるのは言うまでもない。
【００９４】
以上のように製造されたＴＦＴの一部、あるいはコンタクトホール２１０Ｃによれば、次のような作用効果が奏されることになる。すなわち、コンタクトホール２１０Ｃは、図４（ｂ）に示すところから明らかなように、スカム２１０Ｓの影響を受けずに形成されることになるため、図５（ａ）に示すように、その側壁とポリシリコン膜２０２との表面とはほぼ直角に交わるように形成されることになる。この点、図４（ａ）に示すようなエッチングを進行させると、最終的には、図５（ｂ）に示すような形状となることとは異なる。
【００９５】
これにより、本実施形態では、コンタクトホール２１０Ｃを介した配線２１２及びポリシリコン膜２０２との電気的接続を、極めて低抵抗に実現することができる。また、本実施形態においては特に、ポリシリコン膜２０２がＴＦＴを構成する半導体層であり、配線２１２がソース電極（あるいは、ドレイン電極）となり得ることから、良好動作が可能なＴＦＴを構築することができることになる。
【００９６】
また、本実施形態においては、開口部２１０Ｈを均等にエッチングすることが可能となるため（図４（ｂ）参照）、例えば、該開口部２１０Ｈを形成しようとする層間絶縁膜に大きなストレスが作用しているような場合においても、該開口部２１０Ｈにおけるクラック発生を抑制することができる。これにより、コンタクトホール２１０Ｃは、非常に好適に形成され得ることとなり、その製造歩留まりを向上させることも可能となる。
【００９７】
さらに、上述のように、スカム２１０Ｓを除去することで、狙いどおりのドライエッチング工程によって正確にコンタクトホール２１０Ｃを形成することができるという考え方は、より敷衍させることが可能である。すなわち、一般的なフォトリソグラフィ及びエッチング工程に対しても同様な考え方を当てはめることが可能である。例えば、上述の図２の工程（１）においては、ポリシリコン膜２０２が基板２００上に島状、あるいはマトリクス状等に形成されることが暗黙の前提とされているが、このようなポリシリコン膜２０２を形成するためにもまた、図２の工程（６）から図３の工程（９）に至るのと同様な考え方に基づくフォトリソグラフィ及びエッチング工程が実施されなければならない。そして、このようなフォトリソグラフィ及びエッチング工程においても、そこで用いられるレジスト膜には図４（ａ）に示したようなスカム２１０Ｓが同様に発生することになるから、これを図４（ｂ）に示したように除去した上でエッチング工程を行うようにすれば、より正確なパターニング工程の実施、あるいはポリシリコン膜２０２の正確な形状制御を伴うパターニング工程の実施を行うことが可能となる。特に、ＴＦＴを構成する半導体層たるポリシリコン膜２０２は、図１に示すように基板２００上に直接、あるいは数層程度の層間絶縁膜等を挟んで形成されるため、基板２００の反り等の影響を受ける。これにより、従来においては、正確なパターニング処理を行うことは一般に困難とされていることからすると、上述のようなスカム除去処理を含むフォトリソグラフィ及びエッチング工程を実施することによれば、正確なパターニング実施にとって大きく資することとなる。
【００９８】
このようなことにより、より具体的には例えば、ポリシリコン膜２０２をより薄く、あるいはその面積をより小さく形成したとしても、製造歩留まりが落ちるということがない。この利点は、該ポリシリコン膜２０２を含むＴＦＴが、例えば、後述する電気光学装置を構成するＴＦＴアレイ基板等の構成要素となる場合においては、該ＴＦＴの半導体層に対する光入射を未然に防止する上で好適に活かされる。すなわち、この場合においては、該ＴＦＴの半導体層のサイズは可能な限り小さく採ることが可能となるから、該半導体層が光入射の危険に曝されるおそれもまた小さくなり、その結果、当該電気光学装置においては、いわゆる光リーク電流の発生による画像品質の低下という事態を未然に防止することができるのである。
【００９９】
なお、上述においては、ＴＦＴを構成するポリシリコン膜２０２に対して、一つの電極のみを形成する製造工程について説明したが、図３の工程（１０）に続けて、ソース電極たる配線２１２の上に更に層間絶縁膜を形成した後、該層間絶縁膜及びその下層となった層間絶縁膜２１０並びにゲート絶縁膜２０６に対してポリシリコン膜２０２の図中右端付近に通ずるコンタクトホールを形成し、かつ、前記の層間絶縁膜上及び該コンタクトホール内に充填されるように金属材料膜を形成すれば、ドレイン電極としての配線を形成することができる。この際、前記のコンタクトホールの形成は、上述と全く同様の工程を経て行うようにすればよい。これにより、ソース電極及びドレイン電極いずれもが低抵抗に接続されたＴＦＴを構築することができる。
【０１００】
また、前述したように、図２の工程（７）に関しては、ネガレジスト、あるいはポジレジストのいずれの手法を用いてもよいが、両手法の性質の相違により、一般的には、発生するスカム２１０Ｓの大きさ乃至その量が異なる（より具体的には例えば、ネガレジストの方が、発生するスカムの大きさ乃至その量が小さい場合がある。）ものと考えられる。この場合においては、該スカム２１０Ｓが略完全に除去されるための、図４（ｂ）におけるクリーニング工程の条件は異なり得る。したがって、このような場合においては、ネガレジストを用いた場合とポジレジストを用いた場合とで、クリーニング工程にかける時間やエッチング量等を適宜調整すると好ましい。
【０１０１】
（電気光学装置の実施形態）
以下では、本発明の基板装置を、電気光学装置の一例たる液晶装置を構成するＴＦＴアレイ基板に適用した場合について説明する。
【０１０２】
（電気光学装置の画素部における構成）
まず、本発明の実施形態における電気光学装置の画素部における構成について、図６から図８を参照して説明する。ここに図６は、電気光学装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路である。図７は、データ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数の画素群の平面図である。図８は、図７のＡ−Ａ´断面図である。なお、図８においては、各層・各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、該各層・各部材ごとに縮尺を異ならしめてある。
【０１０３】
図６において、本実施形態における電気光学装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素には、それぞれ、画素電極９ａと当該画素電極９ａをスイッチング制御するためのＴＦＴ３０とが形成されており、画像信号が供給されるデータ線６ａが当該ＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。データ線６ａに書き込む画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、この順に線順次に供給しても構わないし、相隣接する複数のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給するようにしてもよい。
【０１０４】
また、ＴＦＴ３０のゲートに走査線３ａが電気的に接続されており、所定のタイミングで、走査線３ａにパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍを、この順に線順次で印加するように構成されている。画素電極９ａは、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけそのスイッチを閉じることにより、データ線６ａから供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを所定のタイミングで書き込む。
【０１０５】
画素電極９ａを介して電気光学物質の一例としての液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、対向基板に形成された対向電極との間で一定期間保持される。液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能とする。ノーマリーホワイトモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が減少し、ノーマリーブラックモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が増加され、全体として電気光学装置からは画像信号に応じたコントラストをもつ光が出射する。
【０１０６】
ここで保持された画像信号がリークするのを防ぐために、画素電極９ａと対向電極との間に形成される液晶容量と並列に保持容量７０を付加する。この保持容量７０は、走査線３ａに並んで設けられ、固定電位側容量電極を含むとともに定電位に固定された容量線３００を含んでいる。
【０１０７】
次に、上記データ線６ａ、走査線３ａ、ＴＦＴ３０等による、上述のような回路動作が実現される電気光学装置の、より現実的な構成について、図７及び図８を参照して説明する。
【０１０８】
まず、本実施形態に係る電気光学装置は、図７のＡ−Ａ´線断面図たる図８に示すように、透明なＴＦＴアレイ基板１０と、これに対向配置される透明な対向基板２０とを備えている。ＴＦＴアレイ基板１０は、例えば、石英基板、ガラス基板、シリコン基板からなり、対向基板２０は、例えばガラス基板や石英基板からなる。
【０１０９】
ＴＦＴアレイ基板１０には、図８に示すように、画素電極９ａが設けられており、その上側には、ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜１６が設けられている。画素電極９ａは、例えばＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｔｉｎ　Ｏｘｉｄｅ）膜等の透明導電性膜からなる。他方、対向基板２０には、その全面に渡って対向電極２１が設けられており、その下側には、ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜２２が設けられている。このうち対向電極２１は、上述の画素電極９ａと同様に、例えばＩＴＯ膜等の透明導電性膜からなり、前記の配向膜１６及び２２は、例えば、ポリイミド膜等の透明な有機膜からなる。このように対向配置されたＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０間には、後述のシール材（図１６及び図１７参照）により囲まれた空間に液晶等の電気光学物質が封入され、液晶層５０が形成される。液晶層５０は、画素電極９ａからの電界が印加されていない状態で配向膜１６及び２２により所定の配向状態をとる。液晶層５０は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した電気光学物質からなる。シール材は、ＴＦＴ基板１０及び対向基板２０をそれらの周辺で貼り合わせるための、例えば光硬化性樹脂や熱硬化性樹脂からなる接着剤であり、両基板間の距離を所定値とするためのグラスファイバー或いはガラスビーズ等のスペーサが混入されている。
【０１１０】
一方、図７において、前記画素電極９ａは、ＴＦＴアレイ基板１０上に、マトリクス状に複数設けられており（点線部９ａ´により輪郭が示されている）、画素電極９ａの縦横の境界に各々沿ってデータ線６ａ及び走査線３ａが設けられている。データ線６ａは、例えば、アルミニウム膜等の金属膜あるいは合金膜からなり、走査線３ａは、例えば、導電性のポリシリコン膜等の導電性膜からなる。このうち、走査線３ａは、半導体層１ａのうち図中右上がりの斜線領域で示したチャネル領域１ａ´に対向するように配置されており、走査線３ａはゲート電極として機能する。すなわち、走査線３ａとデータ線６ａとの交差する箇所にはそれぞれ、チャネル領域１ａ´に走査線３ａの本線部がゲート電極として対向配置された画素スイッチング用のＴＦＴ３０が設けられている。
【０１１１】
ＴＦＴ３０は、図８に示すように、ＬＤＤ（Ｌｉｇｈｔｌｙ　Ｄｏｐｅｄ　Ｄｒａｉｎ）構造を有しており、その構成要素としては、上述したようにゲート電極として機能する走査線３ａ、例えばポリシリコン膜からなり走査線３ａからの電界によりチャネルが形成される半導体層１ａのチャネル領域１ａ´、走査線３ａと半導体層１ａとを絶縁するゲート絶縁膜を含む絶縁膜２、半導体層１ａにおける低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃ並びに高濃度ソース領域１ｄ及び高濃度ドレイン領域１ｅを備えている。
【０１１２】
ここで本実施形態においては特に、このＴＦＴ３０を構成する半導体層１ａ中の高濃度ソース領域１ｄが、コンタクトホール８１を介してデータ線６ａに電気的に接続されており、同高濃度ドレイン領域１ｅが、コンタクトホール８３を介して後述する中継層７１に電気的に接続されている。そして、本実施形態では、これらコンタクトホール８１及び８３は、上述の図１乃至図３を参照して説明したように、スカム２１０Ｓを酸素プラズマを用いたクリーニング工程によって除去した上で、形成されていることに特徴がある。これにより、コンタクトホール８１と高濃度ソース領域１ｄとは、図５（ａ）に示すように、前者の側壁が後者の表面にほぼ直角となるような形状でもって接続されているとともに、コンタクトホール８３と高濃度ドレイン領域１ｅとについてもまた、同様な形状でもって接続されている。したがって、本実施形態に係る電気光学装置においては、ＴＦＴ３０には、低抵抗に接続された、データ線６ａ（ソース電極に対応する）及び中継層７１（ドレイン電極に対応する）が備えられていることにより、該ＴＦＴ３０は良好に動作可能となっている。
【０１１３】
また、図６から図８に示すような電気光学装置では、図８に示すように、比較的強力な入射光が、電気光学装置の内部に入射されることが予定されている。この入射光が半導体層１ａ中に入射されると、その光の励起によって、いわゆる光リーク電流が発生することがある。そうすると、本来ＯＦＦであるべきＴＦＴ３０が不意にＯＮとなったりすることなどがあるため、表示される画像の品質に影響を与えるおそれがある。
【０１１４】
しかるに、本実施形態においては、既に述べたように、ＴＦＴ３０を構成する半導体層１ａの形成工程において、図２の工程（６）から図３の工程（９）と同様なフォトリソグラフィ及びエッチング工程を実施することで、スカムの影響を排除したパターニング工程を実施することが可能であることにより、該半導体層１ａのサイズは可能な限り小さくすることが可能である。したがって、本実施形態によれば、該半導体層１ａが光入射の危険に曝されるおそれもまた小さくなり、もって当該電気光学装置において、光リーク電流の発生による画像品質の低下という事態を未然に防止することができる。なお、本実施形態における半導体層１ａは、図７に示すように、アルファベットの略Ｉ字形状を有するものが島状に、かつマトリクス状にパターニング成形されていることがわかる。
【０１１５】
なお、ＴＦＴ３０は、好ましくは図８に示したようにＬＤＤ構造をもつが、低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃに不純物の打ち込みを行わないオフセット構造をもってよいし、走査線３ａの一部からなるゲート電極をマスクとして高濃度で不純物を打ち込み、自己整合的に高濃度ソース領域及び高濃度ドレイン領域を形成するセルフアライン型のＴＦＴであってもよい。また、本実施形態では、画素スイッチング用ＴＦＴ３０のゲート電極を、高濃度ソース領域１ｄ及び高濃度ドレイン領域１ｅ間に１個のみ配置したシングルゲート構造としたが、これらの間に２個以上のゲート電極を配置してもよい。このようにデュアルゲート、あるいはトリプルゲート以上でＴＦＴを構成すれば、チャネルとソース及びドレイン領域との接合部のリーク電流を防止でき、オフ時の電流を低減することができる。さらに、ＴＦＴ３０を構成する半導体層１ａは非単結晶層でも単結晶層でも構わない。単結晶層の形成には、貼り合わせ法等の公知の方法を用いることができる。半導体層１ａを単結晶層とすることで、特に周辺回路の高性能化を図ることができる。
【０１１６】
一方、図８においては、保持容量７０が、ＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅ及び画素電極９ａに接続された画素電位側容量電極としての中継層７１と、固定電位側容量電極としての容量線３００の一部とが、誘電体膜７５を介して対向配置されることにより形成されている。この保持容量７０によれば、画素電極９ａにおける電位保持特性を顕著に高めることが可能となる。また、本実施形態に係る蓄積容量７０は、図２の平面図を見るとわかるように、画素電極９ａの形成領域にほぼ対応する光透過領域には至らないように形成されているため（換言すれば、遮光領域内に収まるように形成されているため）、電気光学装置全体の画素開口率は比較的大きく維持され、これにより、より明るい画像を表示することが可能となる。
【０１１７】
中継層７１は、例えば導電性のポリシリコン膜、あるいはタングステンシリサイド（ＷＳｉ）等からなり画素電位側容量電極として機能する。ただし、中継層７１は、後に述べる容量線３００と同様に、金属又は合金を含む単一層膜又は多層膜から構成してもよい。そして、本実施形態においては特に、既に述べたように、中継層７１は、ＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅとコンタクトホール８３を介して接続されており、かつ、このコンタクトホール８３は、図１乃至図３を参照して説明したように、スカム２１０Ｓを酸素プラズマを用いたクリーニング工程によって除去した上で、その側面と高濃度ドレイン領域１ｅの表面とはほぼ直角になるように形成されているから、両者間の電気抵抗値は小さくされている。また、この中継層７１には、図８に示すように、コンタクトホール８５を介して画素電極９ａが電気的に接続されており、これにより、該中継層７１は、ＴＦＴ３０及び画素電極９ａ間を中継接続する機能をもつ。そして、本実施形態では更に、このコンタクトホール８５についてもまた、上述のコンタクトホール８３と同様に、その側壁と中継層７１の表面とがほぼ直角となるように形成されている。これにより、中継層７１及び画素電極９ａ間は総じて低抵抗に電気的接続されていることになる。
【０１１８】
ちなみに、本実施形態に係る中継層７１がＷＳｉからなり、画素電極９ａがＩＴＯからなる場合においては、本願発明者は、その抵抗値が従来の場合及び本発明を適用した場合でどう変化するかを実際に計測して確かめている。すなわち、図８に示すようなコンタクトホール８５の孔面積が２〔μｍ２〕である場合に、それらの１００Ｋ連鎖抵抗値を計測したところ、従来のコンタクトホールを介した電気的接続では、一つのコンタクトホールについての抵抗値が約１０５Ω程度となり、本実施形態に係るコンタクトホール８５を介した電気的接続では同約１０３Ω程度となることが確認された。このように、本実施形態によれば、概ね二桁ほどの抵抗値の低下を実現することができる。
【０１１９】
また、該コンタクトホール８５のように、保持容量７０の画素電位側容量電極としての中継層７１がＷＳｉからなる場合においては、その内部応力が比較的大きいために、その厚さを一般に大きくとることができないが、本実施形態においては既に述べたように、コンタクトホール８５の形成を正確に実施することができるため、該厚さを無理に大きめにとって「突き抜け」の発生防止に気を配る必要は特段ない。つまり、中継層７１の厚さは、可能な限り小さくとることが可能である。
【０１２０】
容量線３００は、例えば金属又は合金を含む導電膜からなり固定電位側容量電極として機能する。この容量線３００は、平面的に見ると、図７に示すように、走査線３ａの形成領域に重ねて形成されている。より具体的には容量線３００は、走査線３ａに沿って延びる本線部と、図中、データ線６ａと交差する各個所からデータ線６ａに沿って上方に夫々突出した突出部と、コンタクトホール８５に対応する個所が僅かに括れた括れ部とを備えている。このうち突出部は、走査線３ａ上の領域及びデータ線６ａ下の領域を利用して、保持容量７０の形成領域の増大に貢献する。また、容量線３００は、好ましくは、画素電極９ａが配置された画像表示領域１０ａからその周囲に延設され、定電位源と電気的に接続されて、固定電位とされる。このような定電位源としては、データ線駆動回路１０１に供給される正電源や負電源の定電位源でもよいし、対向基板２０の対向電極２１に供給される定電位でも構わない。
【０１２１】
誘電体膜７５は、図８に示すように、例えば膜厚５〜２００ｎｍ程度の比較的薄いＨＴＯ（Ｈｉｇｈ　Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ　Ｏｘｉｄｅ）膜、ＬＴＯ（Ｌｏｗ　Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ　Ｏｘｉｄｅ）膜等の酸化シリコン膜、あるいは窒化シリコン膜等から構成される。保持容量７０を増大させる観点からは、膜の信頼性が十分に得られる限りにおいて、誘電体膜７５は薄いほどよい。
【０１２２】
図７及び図８においては、上記のほか、ＴＦＴ３０の下側に、下側遮光膜１１ａが設けられている。下側遮光膜１１ａは、格子状にパターニングされており、これにより各画素の開口領域を規定している。なお、開口領域の規定は、図７中のデータ線６ａと、これに交差するよう形成された容量線３００とによっても、なされている。また、下側遮光膜１１ａについても、前述の容量線３００の場合と同様に、その電位変動がＴＦＴ３０に対して悪影響を及ぼすことを避けるために、画像表示領域からその周囲に延設して定電位源に接続するとよい。
【０１２３】
また、ＴＦＴ３０下には、下地絶縁膜１２が設けられている。下地絶縁膜１２は、下側遮光膜１１ａからＴＦＴ３０を層間絶縁する機能のほか、ＴＦＴアレイ基板１０の全面に形成されることにより、ＴＦＴアレイ基板１０の表面研磨時における荒れや、洗浄後に残る汚れ等で画素スイッチング用のＴＦＴ３０の特性変化を防止する機能を有する。
【０１２４】
加えて、走査線３ａ上には、高濃度ソース領域１ｄへ通じるコンタクトホール８１及び高濃度ドレイン領域１ｅへ通じるコンタクトホール８３がそれぞれ開孔された第１層間絶縁膜４１が形成されている。第１層間絶縁膜４１上には、中継層７１及び容量線３００が形成されており、これらの上には高濃度ソース領域１ｄへ通じるコンタクトホール８１及び中継層７１へ通じるコンタクトホール８５がそれぞれ開孔された第２層間絶縁膜４２が形成されている。なお、本実施形態では、第１層間絶縁膜４１に対しては、約１０００℃の焼成を行うことにより、半導体層１ａや走査線３ａを構成するポリシリコン膜に注入したイオンの活性化を図ってもよい。他方、第２層間絶縁膜４２に対しては、このような焼成を行わないことにより、容量線３００の界面付近に生じるストレスの緩和を図るようにしてもよい。
【０１２５】
加えて更に、第２層間絶縁膜４２上には、データ線６ａが形成されており、これらの上には中継層７１へ通じるコンタクトホール８５が形成された第３層間絶縁膜４３が形成されている。第３層間絶縁膜４３の表面は、ＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ　Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）処理等により平坦化されており、その下方に存在する各種配線や素子等による段差に起因する液晶層５０の配向不良を低減する。ただし、このように第３層間絶縁膜４３に平坦化処理を施すのに代えて、又は加えて、ＴＦＴアレイ基板１０、下地絶縁膜１２、第１層間絶縁膜４１及び第２層間絶縁膜４２のうち少なくとも一つに溝を掘って、データ線６ａ等の配線やＴＦＴ３０等を埋め込むことにより、平坦化処理を行ってもよい。
【０１２６】
（電気光学装置の製造方法）
以上のような構成となる本実施形態の電気光学装置の製造は、例えば図９に示すような手順に則って行われることになる。すなわちまず、ＴＦＴアレイ基板１０を用意するとともに、該ＴＦＴアレイ基板１０上に、下側遮光膜１１ａ、下地絶縁膜１２を形成する（ステップＳ１０）。次に、下地絶縁膜１２の上に半導体層１ａを形成する（ステップＳ１２）。ここで本実施形態においては、この半導体層１ａは、フォトリソグラフィ及びエッチング工程が行われることによって所定パターンを有するように成形されることになるが、この際においては、上述したように、図２の工程（６）乃至図３の工程（９）と同様な流れの中において、図４に示すようなスカム２１０Ｓの除去を伴う選択的なエッチング工程が行われる。したがって、該半導体層１ａは従来よりも比較的小さなものとして形成することが可能となり、これにより、光入射に曝される危険性を小さくすることができる。
【０１２７】
次に、該半導体層１ａの上にゲート絶縁膜２及びゲート電極を含む走査線３ａを形成した後、該走査線３ａをマスクとして前記半導体層１ａに対して、不純物を導入することで、該半導体層１ａ内にソース領域及びドレイン領域並びにチャネル領域を形成する（ステップＳ１４）。この際、ドーズ量を前後変化させた二段階の不純物導入工程（ただし、二段目の工程では、走査線３ａの幅よりも若干広めのマスクを半導体層１ａ上に形成しておくとともに、ドーズ量は増加させる。）を実施することで、低濃度ソース領域１ｂ及び高濃度ソース領域１ｄ、並びに、低濃度ドレイン領域１ｃ及び高濃度ドレイン領域１ｅを形成することができる。
【０１２８】
次に、走査線３ａの上に第１層間絶縁膜４１を形成した後、この第１層間絶縁膜４１に対して、前記半導体層１ａ中の高濃度ドレイン領域１ｅに通ずるようにコンタクトホール８３を穿設する（ステップＳ１６）。これは、上述の図２の工程（６）乃至図３の工程（９）と同様な流れの中において、図４に示すようなスカム２１０Ｓの除去を伴う選択的なエッチング工程を含んで行われる。これにより、コンタクトホール８３は、その側壁が高濃度ドレイン領域１ｅの表面と略直角に交わるように形成されることになる（図５（ａ）参照）。そして、このようなコンタクトホール８３を含んで、第１層間絶縁膜４１上に中継層７１を成膜することで、該中継層７１及び高濃度ドレイン領域１ｅ間の電気的接続は低抵抗に実現されることになる。
【０１２９】
次に、中継層７１上に、誘電体膜７５及び容量線３００を成膜することで保持容量７０を形成した後（ステップＳ１８）、第一に、この保持容量７０の上に第２層間絶縁膜４２を形成する、第二に、この第２層間絶縁膜４２及び前記第１層間絶縁膜４１を貫通するように、かつ、上述の図２の工程（６）乃至図３の工程（９）と同様な流れの中において、図４に示すようなスカム２１０Ｓの除去を伴う選択的なエッチング工程を含んで、半導体層１ａ中の高濃度ソース領域１ｄに通ずるコンタクトホール８１を形成する、そして第三に、該コンタクトホール８１を含んで、第２層間絶縁膜４２上にデータ線６ａを成膜する（ステップＳ２０）。このようなコンタクトホール８１においても、データ線６ａ及び高濃度ソース領域１ｄ間の低抵抗な電気的接続が図られることとなるのは言うまでもない。
【０１３０】
最後に、第２層間絶縁膜４２上に第３層間絶縁膜４３を形成し、この第３層間絶縁膜４３及び前記第２層間絶縁膜４２を貫通するように、かつ、上述の図２の工程（６）乃至図３の工程（９）と同様な流れの中において、図４に示すようなスカム２１０Ｓの除去を伴う選択的なエッチング工程を含んで、中継層７１に通ずるコンタクトホール８５を形成して、該コンタクトホール８５を含んで第３層間絶縁膜４３上に画素電極９ａを成膜する（ステップＳ２２）。このようなコンタクトホール８５においても、中継層７１及び画素電極９ａ間の低抵抗な電気的接続が図られることとなるのは言うまでもない。
【０１３１】
なお、上述の各ステップで形成された、下側遮光膜１１ａ、走査線３ａ、容量線３００、データ線６ａ及び画素電極９ａ等は、それぞれ、フォトリソグラフィ及びエッチング工程を経て、所定パターンを有するようにパターニングされることが一般的である。したがって、これら各要素の形成過程においても、上述の図４に示したようなスカム除去処理工程を含めて実施してよい。これにより、いずれの要素についても、スカムの影響を受けることなく、パターニング工程を実施することが可能となるから、これを正確に実施することが可能となる。
【０１３２】
（電気光学装置の他の実施形態）
以下では、上述した「電気光学装置の実施形態」以外の態様となる電気光学装置に対し、本発明を適用した他の実施形態について、図１０乃至図１５を参照しながら説明する。ここに図１０、図１２及び図１４は、いずれも上記図７と同趣旨の平面図であり、図１１、図１３及び図１５は、いずれも上記図８と同趣旨の断面図であって、図１０及び図１１の組、図１２及び図１３の組、並びに、図１４及び図１５の組は、それぞれ当該他の実施形態に係る第１実施形態、第２実施形態及び第３実施形態に関する平面図及び断面図である。なお、以下で参照する図面では、上記までに参照した図面（図１〜図９）において使用されていた符号が指示していた要素と実質的に同一の要素を指示する場合において、当該符号と同一の符号を用いることとする。また、以下の説明においては、各実施形態において特徴的な部分についてのみ主に説明を加え、残余の部分についての説明は適宜省略乃至簡略化することとする（当該残余の部分は、上記実施形態と略同様である。）。
【０１３３】
（電気光学装置の他の第１実施形態）
まず、第１実施形態の電気光学装置では、図１０及び図１１に示すように、図７及び図８と比べると保持容量の構成が特に異なっている。より詳細には、保持容量７０Ａは、その下部電極、誘電体膜及び上部電極として、それぞれ、延設部分１ｆ、絶縁膜２及び容量線３ｂがあてられた構成となっている。ここに延設部分１ｆとは、ＴＦＴ３０の半導体層１ａから所定の面積だけ延設された、ポリシリコンからなる膜である。また、絶縁膜２とは、ＴＦＴ３０及びゲート電極膜を含む走査線３ａ間に形成されたゲート絶縁膜と同一膜として形成されたものである。さらに、容量線３ｂとは、走査線３ａと同一膜として形成されたものである。すなわち、第１実施形態では、ＴＦＴ３０と保持容量７０Ａとは同一層として形成されており、画素電位側容量電極としての役割は前記の延設部分１ｆが担当し、固定電位側容量電極としての役割は前記の容量線３ｂが担当するようになっている。
【０１３４】
この点、上述の実施形態においては、下部電極には中継層７１が、誘電体膜７５には固有に設けられた絶縁膜が、そして上部電極として走査線３ａとは別の層に形成された容量線３００が、それぞれ設けられていたのとは異なる。これにより、第１実施形態に係る電気光学装置では、上述の実施形態のように、蓄積容量７０を遮光領域内に閉じ込めることで画素開口率の増加が図れるという作用効果は失われるものの、図１１及び図８間を対比するとわかるように、その構成はより簡易となり、当該電気光学装置の製造が比較的容易になるという利益を得ることが可能となる。
【０１３５】
なお、本発明とは直接には関連しないが、第１実施形態に係る電気光学装置においては、ＴＦＴ３０及び前記の保持容量７０Ａは、ＴＦＴアレイ基板１０に掘られた溝内に埋められるように配置されており、該ＴＦＴ３０、あるいはその半導体層１ａに対する光の入射が生じにくいようにされている（なお、図１０においては、該溝は斜線が付された領域として示されている。）。これにより、該半導体層１ａにおいて、光リーク電流の発生を抑制することが可能となり、これを原因とする画像上のフリッカ等の発生を抑制することができる。
【０１３６】
このような第１実施形態の電気光学装置においては、図１１に示すように、半導体層１ａの高濃度ソース領域１ｄとデータ線６ａとを電気的に接続するコンタクトホール８１が設けられており、半導体層１ａの高濃度ドレイン領域１ｅと画素電極９ａとを電気的に接続するコンタクトホール８５１が設けられている。このうち前者のコンタクトホール８１については、上述の実施形態と実質的に同様であるが（ただし、この第１実施形態では、コンタクトホール８１は、二つの層間絶縁膜を貫いているわけではない。）、後者のコンタクトホール８５１については、途中に中継層７１が存在しているかどうかという点について異なっている。これは、上述のように保持容量の構成が異なることに由来する。
【０１３７】
そして、第１実施形態では特に、前述のコンタクトホール８１及び８５１は、上述の図１乃至図３を参照して説明したように、スカム２１０Ｓを、酸素プラズマを用いたクリーニング工程によって除去した上で、形成されていることに特徴がある。これにより、コンタクトホール８１と高濃度ソース領域１ｄとは、図５（ａ）に示すように、前者の側壁が後者の表面にほぼ直角となるような形状でもって接続されているとともに、コンタクトホール８５１と高濃度ドレイン領域１ｅとについてもまた、同様な形状でもって接続されている。したがって、本実施形態に係る電気光学装置においては、ＴＦＴ３０には、低抵抗に接続された、データ線６ａ（ソース電極に対応する）及び画素電極９ａ（ドレイン電極に対応する）が備えられていることにより、該ＴＦＴ３０は良好に動作可能となっている。
【０１３８】
（電気光学装置の他の第２実施形態）
次に、第２実施形態の電気光学装置では、図１２及び図１３に示すように、図７及び図８と比べると画素電極９ａ及び中継層７１間の電気的接続を実現する態様、及び、ＴＦＴ３０の耐光性を高める側方遮光壁５０１が形成されている点が特に異なっている。
【０１３９】
より詳細には、まず、画素電極９ａ及び中継層７１間には、図１２及び図１３に示すように、上述の実施形態とは異なり、データ線６ａと同一膜として形成された第２中継層４０２が設けられている。この第２中継層４０２は、その上層が窒化チタン等の窒化膜からなり、その下層がアルミニウムからなる二層構造を有している。これにより、画素電極９ａに対する画像信号の印加をより確実に行うことができる。というのも、第２中継層４０２の上層が窒化膜からなることにより、該窒化膜と画素電極９ａの材料たるＩＴＯとの間の電気的接続を良好に維持することが可能となるからである。この点、仮に、上述の図８における中継層７１、あるいは図１３における第２中継層４０２が、アルミニウム等からなる場合においては、これとＩＴＯとの間でいわゆる電食を生じさせてしまい、アルミニウムの断線、あるいはアルミナの形成による絶縁等が発生することによって、両者間の電気的接続を良好に維持することが困難となる場合があることとは大きく異なる。要するに、第２実施形態においては、前記電食について懸念する必要が殆どなくなるのである。
【０１４０】
また、側方遮光壁５０１は、走査線３ａと同一膜として形成されている。この側方遮光壁５０１は、図１２によく示されているように、ＴＦＴ３０の両側近傍に位置する走査線３ａの一部の幅が、その残余の部分の幅よりも、該ＴＦＴ３０の半導体層１ａが延在する方向に沿うように若干幅広に形成されることで形作られている。これにより、側方遮光壁５０１は、ＴＦＴ３０を側方側から覆うような形をとり、ＴＦＴ３０、とりわけその半導体層１ａに対する光入射を未然に防止する作用を発揮する。したがって、該半導体層１ａにおける光リーク電流の発生は抑止され、画像上にフリッカ等を発生させることを抑止することができる。また、この側方遮光壁５０１は、図１３に示すように、下側遮光膜１１ａ´と電気的に接続されている。したがって、該側方遮光壁５０１は、同図に示すように、立体的にもＴＦＴ３０の半導体層１ａを側方から覆うように形成されており、前述の光遮蔽効果はより効果的に発揮されることになる。また、第２実施形態における下側遮光膜１１ａ´は、平面的に見てストライプ状に形成されており、走査線３ａ一本につき、該ストライプ状の下側遮光膜１１ａの一本が対応するようになっている。これにより、走査線３ａ及び下側遮光膜１１ａの両者は冗長的な配線構造をとることとなり、例えば、一方に破断等の不具合があっても他方が通電可能である限り、電気光学装置は正常に動作可能となる。
【０１４１】
このような第２実施形態の電気光学装置においては、図１３に示すように、半導体層１ａの高濃度ソース領域１ｄとデータ線６ａとを電気的に接続するコンタクトホール８１が設けられており、半導体層１ａの高濃度ドレイン領域１ｅと中継層７１とを電気的に接続するコンタクトホール８３が設けられている。これらは、上述の実施形態と実質的に同様である。また、第２実施形態では、前記第２中継層４０２と中継層７１とを電気的に接続するコンタクトホール８５２が設けられており、該第２中継層４０２と画素電極９ａとを電気的に接続するコンタクトホール８９が設けられている。これらは、第２中継層４０２の存在により、新たに設けられたコンタクトホールとなる。更に加えて、第２実施形態では、走査線３ａと下側遮光膜１１ａ´を電気的に接続するためのコンタクトホール１２ｃｖが設けられている。これは、上述のように、側方遮光壁５０１による半導体層１ａに対する立体的光遮蔽、あるいは該側方遮光壁５０１を介して、走査線３ａ及び下側遮光膜１１ａ´の冗長的配線構造を実現するために、新たに設けられたコンタクトホールとなる。
【０１４２】
そして、第２実施形態では特に、前述のコンタクトホール８１、８３、８５２、８９及び１２ｃｖは、上述の図１乃至図３を参照して説明したように、スカム２１０Ｓを、酸素プラズマを用いたクリーニング工程によって除去した上で、形成されていることに特徴がある。これにより、コンタクトホール８１と高濃度ソース領域１ｄとは、図５（ａ）に示すように、前者の側壁が後者の表面にほぼ直角となるような形状でもって接続されているとともに、コンタクトホール８３と高濃度ドレイン領域１ｅとについてもまた、同様な形状でもって接続されている。したがって、本実施形態に係る電気光学装置においては、ＴＦＴ３０には、低抵抗に接続された、データ線６ａ（ソース電極に対応する）及び中継層７１（ドレイン電極に対応する）が備えられていることにより、該ＴＦＴ３０は良好に動作可能となっている。
【０１４３】
また、コンタクトホール８５２及び中継層７１、コンタクトホール８９及び第２中継層４０２についても、上述と同様に、図５（ａ）に示すような形状でもって接続されている。したがって、第２実施形態に係る電気光学装置においては、高濃度ドレイン領域１ｅ、中継層７１、第２中継層４０２及び画素電極９ａという電気の流れを、低抵抗に実現することができるのである。
【０１４４】
さらには、コンタクトホール１２ｃｖ及び下側遮光膜１１ａ´についても、上述と同様に、図５（ａ）に示すような形状でもって接続されている。したがって、第２実施形態に係る電気光学装置では、走査線３ａ及び下側遮光膜１１ａ´間の電気的接続についてもまた、これを低抵抗に実現することができる。
【０１４５】
ちなみに、本願発明者は、この走査線３ａ及び下側遮光膜１１ａ´間における下地絶縁膜１２においては、比較的大きなストレスがかかっており、コンタクトホール１２ｃｖの開口部分からクラックが発生しやすく、製造歩留まりを低下させる大きな原因となることを確認している。しかるに、上述したような、本発明に係るコンタクトホールの製造方法によれば、開口部２１０Ｈを均等にエッチングすることが可能となるため（図４（ｂ）参照）、該開口部２１０Ｈにおけるクラック発生を抑制できる。このように、本発明に係る製造方法によれば、比較的大きなストレスがかかる層間絶縁膜に対して、コンタクトホールを形成しようとする場合においても、その開口部にクラック等を発生させることなく、好適にコンタクトホールを形成するという作用効果を得ることも可能となる。
【０１４６】
（電気光学装置の他の第３実施形態）
次に、第３実施形態の電気光学装置では、図１４及び図１５に示すように、図７及び図８と比べるとデータ線６ａの形成位置、また、シールド層４００が形成されている点が特に異なっている。
【０１４７】
より詳細には、まず、データ線６ａは、上述の実施形態とは異なり、蓄積容量７０Ｂの上部電極たる容量電極３００´と同一膜として形成されている。なお、これに伴い、図１４及び図１５においては、容量「線」３００はもはや形成されておらず、各画素に対応するようにパターニング上分断された容量電極３００´が形成されるようになっている。これは、データ線６ａが同一膜として形成されているため、両者間の電気的絶縁を同一平面上で図らなければならないからである。
【０１４８】
また、シールド層４００は、上述のようにしてデータ線６ａが一段下の層に形成されることに伴い、従前までの実施形態において該データ線６ａが位置していた層に形成されている（すなわち、第３実施形態においても、層間絶縁膜の数が増えているわけではない。）。このシールド層４００は、平面的に見て、データ線６ａを覆うような形状、換言すれば、データ線６ａ及び画素電極９ａが直接的に対向することを回避するような形状で形成されている。また、このシールド層４００は、図１５に図示されないＴＦＴアレイ基板１０端部等において所定の定電位源に接続されて、固定電位とされている。また、該シールド層４００は、後述するコンタクトホール８７により容量電極３００´と電気的に接続されており、該容量電極３００´は、これにより固定電位とされる。
【０１４９】
このようなシールド層４００の存在により、第３実施形態では、データ線６ａ及び画素電極９ａ間に生じうる容量カップリングの影響を排除することが可能となる。すなわち、上述の各種実施形態においては、データ線６ａ上には、層間絶縁膜のみを挟んで、画素電極９ａが形成されており、両者が直接的に対向するような配置関係がとられていたが、これでは、両者間に寄生容量を生じさせるおそれがあった。したがって、データ線６ａに対する通電によって、画素電極９ａにおける電位に変動を与えるおそれがあったのである。これによると、画像上には、データ線６ａに沿うような表示ムラ等を発生させるおそれがあることになる。しかるに、第３実施形態では、上述のような平面的形状を有するとともに、固定電位とされたシールド層４００が形成されていることにより、データ線６ａ及び画素電極９ａ間に生じ得る容量カップリングの影響を排除することが可能となるのである。
【０１５０】
なお、第３実施形態においても、画素電極９ａ及び中継層７１間には、その上層が窒化チタン等の窒化膜からなり、その下層がアルミニウムからなる二層構造を有する第２中継層４０２が設けられ、また、走査線３ａと下側遮光膜１１ａ´との間に側方遮光壁５０１が形成されている。
【０１５１】
このような第３実施形態の電気光学装置においては、図１５に示すように、半導体層１ａの高濃度ソース領域１ｄとデータ線６ａとを電気的に接続するコンタクトホール８１が設けられており、半導体層１ａの高濃度ドレイン領域１ｅと中継層７１とを電気的に接続するコンタクトホール８３が設けられている。このうちコンタクトホール８１については、上述の実施形態と本質的には同様であるが、該コンタクトホール８１に接続されるデータ線６ａに若干の相違があることは上に述べたとおりである。更に、第３実施形態では、前記第２中継層４０２と中継層７１とを電気的に接続するコンタクトホール８５２が設けられているとともに、該第２中継層４０２と画素電極９ａとを電気的に接続するコンタクトホール８９が設けられており、且つ、走査線３ａ及び下側遮光膜１１ａ´間とを電気的に接続するためのコンタクトホール１２ｃｖ及び該コンタクトホール１２ｃｖを埋めるように側方遮光壁５０１が形成されている。これらは、前述の第２実施形態と同様である。更に加えて、第３実施形態では、シールド層４００及び容量電極３００´間を電気的に接続するためのコンタクトホール８７が形成されている。これは、第３実施形態において、シールド層４００が設けられたことに由来する。
【０１５２】
そして、第３実施形態では特に、前述のコンタクトホール８１、８３、８５２、８９、１２ｃｖ及び８７は、上述の図１乃至図３を参照して説明したように、スカム２１０Ｓを、酸素プラズマを用いたクリーニング工程によって除去した上で、形成されていることに特徴がある。これにより、コンタクトホール８１と高濃度ソース領域１ｄとは、図５（ａ）に示すように、前者の側壁が後者の表面にほぼ直角となるような形状でもって接続されているとともに、コンタクトホール８３と高濃度ドレイン領域１ｅとについてもまた、同様な形状でもって接続されている。したがって、本実施形態に係る電気光学装置においては、ＴＦＴ３０には、低抵抗に接続された、データ線６ａ（ソース電極に対応する）及び中継層７１（ドレイン電極に対応する）が備えられていることにより、該ＴＦＴ３０は良好に動作可能となっている。
【０１５３】
また、コンタクトホール８５２及び中継層７１、コンタクトホール８９及び第２中継層４０２、更にはコンタクトホール１２ｃｖ及び下側遮光膜１１ａ´についても、上述と同様に、図５（ａ）に示すような形状でもって接続されている。したがって、第３実施形態に係る電気光学装置においては、高濃度ドレイン領域１ｅ、中継層７１、第２中継層４０２及び画素電極９ａという電気の流れを、低抵抗に実現することができる。
【０１５４】
さらには、第３実施形態においては、コンタクトホール８７及び容量電極３００´間についても、上述と同様に、図５（ａ）に示すような形状でもって接続されている。したがって、第３実施形態に係る電気光学装置では、シールド層４００及び容量電極３００´間の電気的接続についてもまた、これを低抵抗に実現することができる。
【０１５５】
ちなみに、本願発明者は、このシールド層４００及び容量電極３００´間における第２層間絶縁膜４２においては、比較的大きなストレスがかかっており、コンタクトホール８７の開口部分からクラックが発生しやすく、製造歩留まりを低下させる大きな原因となることを確認している。しかるに、上述したような、本発明に係るコンタクトホールの製造方法によれば、開口部２１０Ｈを均等にエッチングすることが可能となるため（図４（ｂ）参照）、該開口部２１０Ｈにおけるクラック発生を抑制できる。このように、本発明に係る製造方法によれば、比較的大きなストレスがかかる層間絶縁膜に対して、コンタクトホールを形成しようとする場合においても、その開口部にクラック等を発生させることなく、好適にコンタクトホールを形成するという作用効果を得ることも可能となる。
【０１５６】
（まとめ）
以上説明したように、本発明に係るコンタクトホールないしその製造方法は、基本的に、どのような形態となる電気光学装置に対しても適用可能である。
【０１５７】
（電気光学装置の全体構成）
以上のように構成された実施形態における電気光学装置の全体構成を図１６及び図１７を参照して説明する。なお、図１６は、ＴＦＴアレイ基板をその上に形成された各構成要素とともに対向基板２０の側からみた平面図であり、図１７は図１６のＨ−Ｈ´断面図である。
【０１５８】
図１６及び図１７において、本実施形態に係る電気光学装置では、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とが対向配置されている。ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間には、液晶５０が封入されており、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とは、画像表示領域１０ａの周囲に位置するシール領域に設けられたシール材５２により相互に接着されている。
【０１５９】
シール材５２は、両基板を貼り合わせるため、例えば紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂等からなり、紫外線、加熱等により硬化させられたものである。また、このシール材５２中には、本実施形態における液晶装置がプロジェクタ用途のように小型で拡大表示を行う液晶装置であれば、両基板間の距離（基板間ギャップ）を所定値とするためのグラスファイバ、あるいはガラスビーズ等のギャップ材（スペーサ）が散布されている。あるいは、当該液晶装置が液晶ディスプレイや液晶テレビのように大型で等倍表示を行う液晶装置であれば、このようなギャップ材は、液晶層５０中に含まれてよい。
【０１６０】
シール材５２の外側の領域には、データ線６ａに画像信号を所定のタイミングで供給することにより該データ線６ａを駆動するデータ線駆動回路１０１及び外部回路接続端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って設けられており、走査線３ａに走査信号を所定のタイミングで供給することにより、走査線３ａを駆動する走査線駆動回路１０４が、この一辺に隣接する二辺に沿って設けられている。なお、走査線３ａに供給される走査信号遅延が問題にならないのならば、走査線駆動回路１０４は片側だけでもよいことは言うまでもない。また、データ線駆動回路１０１を画像表示領域１０ａの辺に沿って両側に配列してもよい。
【０１６１】
ＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺には、画像表示領域１０ａの両側に設けられた走査線駆動回路１０４間をつなぐための複数の配線１０５が設けられている。また、対向基板２０のコーナ部の少なくとも一箇所においては、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的に導通をとるための導通材１０６が設けられている。
【０１６２】
図１７において、ＴＦＴアレイ基板１０上には、画素スイッチング用のＴＦＴや走査線、データ線等の配線が形成された後の画素電極９ａ上に、配向膜が形成されている。他方、対向基板２０上には、対向電極２１のほか、最上層部分に配向膜が形成されている。また、液晶層５０は、例えば一種又は数種類のネマテッィク液晶を混合した液晶からなり、これら一対の配向膜間で、所定の配向状態をとる。
【０１６３】
なお、ＴＦＴアレイ基板１０上には、これらのデータ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４等に加えて、複数のデータ線６ａに画像信号を所定のタイミングで印加するサンプリング回路、複数のデータ線６ａに所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行して各々供給するプリチャージ回路、製造途中や出荷時の当該電気光学装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路等を形成してもよい。
【０１６４】
また、上述した実施形態においては、データ線駆動回路１０１及び走査線駆動回路１０４をＴＦＴアレイ基板１０上に設ける代わりに、例えばＴＡＢ（Ｔａｐｅ　Ａｕｔｏｍａｔｅｄ　Ｂｏｎｄｉｎｇ）基板上に実装された駆動用ＬＳＩに、ＴＦＴアレイ基板１０の周辺部に設けられた異方性導電フィルムを介して電気的及び機械的に接続するようにしてもよい。また、対向基板２０の投射光が入射する側及びＴＦＴアレイ基板１０の出射光が出射する側には、それぞれ、例えばＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ　Ｎｅｍａｔｉｃ）モード、ＶＡ（Ｖｅｒｔｉｃａｌｌｙ　Ａｌｉｇｎｅｄ）モード、ＰＤＬＣ（Ｐｏｌｙｍｅｒ　Ｄｉｓｐｅｒｓｅｄ　Ｌｉｑｕｉｄ　Ｃｒｙｓｔａｌ）モード等の動作モードや、ノーマリーホワイトモード・ノーマリーブラックモードの別に応じて、偏光フィルム、位相差フィルム、偏光板等が所定の方向で配置される。
【０１６５】
本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨、あるいは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う基板装置及び電気光学装置並びにこれらの製造方法もまた、本発明の技術的範囲に含まれるものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態に係る基板装置の製造方法を、順を追って示す製造工程断面図（その１）である。
【図２】本発明の実施形態に係る基板装置の製造方法を、順を追って示す製造工程断面図（その２）である。
【図３】本発明の実施形態に係る基板装置の製造方法を、順を追って示す製造工程断面図（その３）である。
【図４】図３の工程（８）においてレジスト膜に形成された開口部付近の拡大図であって、（ａ）は該開口部内にスカムがある場合、（ｂ）はスカムを除去した場合についての図である。
【図５】図３の工程（１０）に示すコンタクトホールとポリシリコン膜との接触部分付近の拡大図であって、（ａ）は本実施形態に係るもの、（ｂ）は従来に係るもの、をそれぞれ示している。
【図６】本発明の実施形態の電気光学装置における画像表示領域を構成するマトリクス状の複数の画素に設けられた各種素子、配線等の等価回路を示す回路図である。
【図７】本発明の実施形態の電気光学装置におけるデータ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数の画素群の平面図である。
【図８】図７のＡ−Ａ´断面図である。
【図９】本発明の実施形態に係る電気光学装置の製造方法を、順を追って示すフローチャートである。
【図１０】電気光学装置の他の第１実施形態に係り、図７と同趣旨の図であって、該図とは特に保持容量の構成が異なる平面図である。
【図１１】電気光学装置の他の第１実施形態に係り、図８と同趣旨の図であって、該図とは特に保持容量の構成が異なる図１０のＡ−Ａ´断面図である。
【図１２】電気光学装置の他の第２実施形態に係り、図７と同趣旨の図であって、該図とは特に、第２中継層及び側方遮光壁が形成されている点が異なる平面図である。
【図１３】電気光学装置の他の第２実施形態に係り、図８と同趣旨の図であって、該図とは特に、第２中継層及び側方遮光壁が形成されている点が異なる図１２のＡ−Ａ´断面図である。
【図１４】電気光学装置の他の第２実施形態に係り、図７と同趣旨の図であって、該図とは特に、シールド層が形成されている点が異なる平面図である。
【図１５】電気光学装置の他の第２実施形態に係り、図８と同趣旨の図であって、該図とは特に、シールド層が形成されている点が異なる図１４のＡ−Ａ´断面図である。
【図１６】本発明の実施形態の電気光学装置におけるＴＦＴアレイ基板を、その上に形成された各構成要素とともに対向基板の側から見た平面図である。
【図１７】図１６のＨ−Ｈ´断面図である。
【符号の説明】
２００…基板
２０２…ポリシリコン膜
２１０…層間絶縁膜
２１０Ｒ…レジスト膜
２１０Ｈ…開口部
２１０Ｓ…スカム
２１０Ｃ…コンタクトホール
２１２…配線
１ａ…半導体層
１ｄ…高濃度ソース領域
１ｅ…高濃度ドレイン領域
２…絶縁層
３ａ…走査線
６ａ…データ線
９ａ…画素電極
１０…ＴＦＴアレイ基板
２０…対向基板
３０…ＴＦＴ
４１…第１層間絶縁膜
４２…第２層間絶縁膜
４３…第３層間絶縁膜
５０…液晶層
７０…保持容量
７１…中継層
８１、８２、８３、８５、８５１、８５２、８７、８９、１２ｃｖ…コンタクトホール
【図１】
2004063630.tif 000003
【図２】
2004063630.tif 000004
【図３】
2004063630.tif 000005
【図４】
2004063630.tif 000006
【図５】
2004063630.tif 000007
【図６】
2004063630.tif 000008
【図７】
2004063630.tif 000009
【図８】
2004063630.tif 000010
【図９】
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【図１０】
2004063630.tif 000012
【図１１】
2004063630.tif 000013
【図１２】
2004063630.tif 000014
【図１３】
2004063630.tif 000015
【図１４】
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【図１５】
2004063630.tif 000017
【図１６】
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【図１７】
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