(57)【要約】【課題】同一のＴＥＧチップを用いて、全てのＴＥＧパターンの評価を効率よく行う。【解決手段】特性評価用ソケット４１にチップ嵌め込み部４２を設けるとともに、ＴＥＧチップ３１上の特定のＴＥＧパターンのバンプ電極３３に対応して配置された凹状電極４４を設け、特性評価用ソケット４１にＴＥＧチップ３１を抜き差しすることにより、ＴＥＧチップ３１の評価を行う。【選択図】　　　図４
2004047642.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上に形成されたＴＥＧパターンと、
前記ＴＥＧパターンに接続され、前記半導体基板のスクライブラインにかかるように配置されたパッド電極とを備えることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
半導体チップを抜き差し可能なチップ嵌め込み部と、
前記チップ嵌め込み部の内側底面に設けられ、前記半導体チップのバンプ電極に対応して配置された凹状電極と、
前記凹状電極に接続され、前記チップ嵌め込み部の外側底面に配置されたリード端子とを備えることを特徴とする半導体装置の特性評価用ソケット。
【請求項３】
前記凹状電極は、前記半導体チップ上に形成された特定のＴＥＧパターンのバンプ電極に対応して配置されていることを特徴とする請求項２記載の半導体装置。
【請求項４】
半導体チップを抜き差し可能なチップ嵌め込み部と、
前記チップ嵌め込み部の内側底面に設けられ、前記半導体チップのパッド電極に対応して配置された突起電極と、
前記突起電極に接続され、前記チップ嵌め込み部の外側底面に配置されたリード端子とを備えることを特徴とする半導体装置の特性評価用ソケット。
【請求項５】
前記突起電極は、前記半導体チップ上に形成された特定のＴＥＧパターンのバンプ電極に対応して配置されていることを特徴とする請求項４記載の半導体装置。
【請求項６】
半導体チップを抜き差し可能なチップ嵌め込み部と、
前記チップ嵌め込み部の周囲に設けられ、前記半導体チップのパッド電極に接触可能な針状電極と、
前記針状電極に接続され、前記チップ嵌め込み部の外側に配置されたリード端子とを備えることを特徴とする半導体装置の特性評価用ソケット。
【請求項７】
前記針状電極は、前記半導体チップ上に形成された特定のＴＥＧパターンのバンプ電極に対応して配置されていることを特徴とする請求項６記載の半導体装置。
【請求項８】
半導体チップを特性評価用ソケットに嵌め込むステップと、前記半導体チップを前記特性評価用ソケットに嵌め込んだ状態で、前記特性評価用ソケットの試験端子を前記半導体チップのパッド電極またはバンプ電極に直接接触させるステップと、
前記特性評価用ソケットの試験端子を前記半導体チップのパッド電極またはバンプ電極に接触させた状態で、半導体チップの特性を評価するステップとを備えることを特徴とする半導体装置の特性評価方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体装置および半導体装置の特性評価用ソケットおよび半導体装置の特性評価方法に関し、特に、ＴＥＧ（Ｔｅｓｔ　Ｅｌｅｍｅｎｔ　Ｇｒｏｕｐｅ）チップの特性を評価する場合に適用して好適なものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、ＴＥＧチップの評価方法では、ＴＥＧチップをセラミックパッケージ内にダイボンドし、評価対象となるＴＥＧパターンのパッド電極にワイヤボンドを行った後、ＴＥＧチップの評価が行われていた。
図９は、従来のＴＥＧチップの概略構成を示す斜視図である。
【０００３】
図９において、ＴＥＧチップ１０１上には、複数のＴＥＧパターン１０２が形成され、ＴＥＧパターン１０２に接続されたパッド電極１０３が設けられている。
図１０は、従来のＴＥＧチップの特性評価方法を説明する斜視図である。
図１０において、ＴＥＧチップ２０３には、ＴＥＧパターンに接続されたパッド電極２０６が設けられ、セラミックパッケージ２０１の内側には、ＴＥＧチップ２０３のパッド電極２０６と接続するためのリード電極２０４が設けられ、セラミックパッケージ２０１の外側には、評価装置に接続するためのリード端子２０２が設けられている。
【０００４】
そして、ＴＥＧチップ２０３をセラミックパッケージ２０１内にダイボンドし、評価対象となるＴＥＧパターンのパッド電極２０６にのみワイヤボンドを行った後、ＴＥＧチップ２０３の評価を行う。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、１個のＴＥＧチップ２０３上には、数百種類ものＴＥＧパターンが形成されることがあり、これらのＴＥＧパターンに対応して設けられた全てのパッド電極２０６を、１個のセラミックパッケージ２０１内でワイヤボンディングすることは不可能である。
【０００６】
このため、従来のＴＥＧチップの評価方法では、全てのＴＥＧパターンの評価を行うには、同じ種類の別のＴＥＧチップ２０３および新たなセラミックパッケージ２０１を用意して、ダイボンドおよびワイヤボンドを何度もやり直す必要があり、資材および工数の無駄が大きかった。
そこで、本発明の目的は、同一のＴＥＧチップを用いて、全てのＴＥＧパターンの評価を行うことが可能な半導体装置および半導体装置の特性評価用ソケットおよび半導体装置の特性評価方法を提供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上述した課題を解決するために、請求項１記載の半導体装置によれば、半導体基板上に形成されたＴＥＧパターンと、前記ＴＥＧパターンに接続され、前記半導体基板のスクライブラインにかかるように配置されたパッド電極とを備えることを特徴とする。
【０００８】
これにより、ＴＥＧチップの周囲に配置された試験端子をＴＥＧチップのパッド電極に容易に接触させることが可能となり、ＴＥＧチップをパッケージに収めることなく、ＴＥＧチップの評価を行うことが可能となる。
また、パッド電極をＴＥＧチップの外側に寄せて配置することが可能となり、ＴＥＧパターンの配置領域を増加させることが可能となることから、より多くのＴＥＧパターンを同一面積のＴＥＧチップ内に収めることが可能となる。
【０００９】
また、請求項２記載の半導体装置の特性評価用ソケットによれば、半導体チップを抜き差し可能なチップ嵌め込み部と、前記チップ嵌め込み部の内側底面に設けられ、前記半導体チップのバンプ電極に対応して配置された凹状電極と、前記凹状電極に接続され、前記チップ嵌め込み部の外側底面に配置されたリード端子とを備えることを特徴とする。
【００１０】
これにより、半導体チップを特性評価用ソケットに直接嵌め込むことで、半導体チップを特性評価装置に接続することが可能となり、半導体チップを特性評価装置に接続するために、半導体チップをセラミックパッケージに組み立てて、ダイボンドおよびワイヤボンドを行う必要がなくなる。
また、半導体チップの特性評価が終わると、特性評価用ソケットから半導体チップを抜き出すことにより、その特性評価用ソケットをそのまま再利用することが可能となるともに、同一の半導体チップを用いて別パターンの特性評価を行うことが可能となり、別パターンの特性評価を行うために、別の半導体チップを新たに用意する必要がなくなる。
【００１１】
このため、複数のパターンの評価を行う場合においても、セラミックパッケージや半導体チップなどの資源の浪費を防止することが可能となるとともに、ダイボンドおよびワイヤボンドなどのかかる工数を節約することができ、半導体チップの特性評価を効率よく行うことが可能となる。
また、請求項３記載の半導体装置の特性評価用ソケットによれば、前記凹状電極は、前記半導体チップ上に形成された特定のＴＥＧパターンのバンプ電極に対応して配置されていることを特徴とする。
【００１２】
これにより、半導体チップを特性評価用ソケットに直接嵌め込むことで、特定のＴＥＧパターンの評価のみを行うことが可能となるともに、そのＴＥＧパターンの評価が終了すると、特性評価用ソケットから半導体チップを抜き出すことにより、その半導体チップを再利用することが可能となる。
このため、１個の半導体チップ上に数百種類ものＴＥＧパターンが形成されている場合においても、各ＴＥＧパターンのバンプ電極の配置に対応した特性評価用ソケットを予め用意しておき、半導体チップを抜き差ししながら、特性評価用ソケットを順次交換していくことで、同一の半導体チップを用いて全てのＴＥＧパターンの特性評価を行うことが可能となり、ＴＥＧパターンの特性評価を効率よく行うことが可能となる。
【００１３】
また、請求項４記載の半導体装置の特性評価用ソケットによれば、半導体チップを抜き差し可能なチップ嵌め込み部と、前記チップ嵌め込み部の内側底面に設けられ、前記半導体チップのパッド電極に対応して配置された突起電極と、前記突起電極に接続され、前記チップ嵌め込み部の外側底面に配置されたリード端子とを備えることを特徴とする。
【００１４】
これにより、半導体チップを特性評価用ソケットに直接嵌め込むことで、半導体チップ上にバンプ電極を設けることなく、半導体チップと特性評価用ソケットとの導通をとることが可能となる。
このため、半導体チップの特性評価を行うために、半導体チップをセラミックパッケージに組み立てて、ダイボンドおよびワイヤボンドを行う必要がなくなるとともに、その半導体チップの特性評価が終了すると、その半導体チップを特性評価用ソケットから取り出して、その半導体チップおよび特性評価用ソケットの再利用が可能となり、同一の半導体チップを用いて全てのＴＥＧパターンの特性評価を行うことが可能となる。
【００１５】
また、請求項５記載の半導体装置の特性評価用ソケットによれば前記突起電極は、前記半導体チップ上に形成された特定のＴＥＧパターンのバンプ電極に対応して配置されていることを特徴とする。
これにより、１個の半導体チップ上に数百種類ものＴＥＧパターンが形成されている場合においても、半導体チップを特性評価用ソケットに直接嵌め込むことで、特定のＴＥＧパターンの評価のみを行うことが可能となるともに、そのＴＥＧパターンの評価が終了すると、特性評価用ソケットから半導体チップを抜き出すことにより、その半導体チップおよび特性評価用ソケットを再利用することが可能となり、同一の半導体チップを用いて全てのＴＥＧパターンの特性評価を行うことが可能となる。
【００１６】
また、請求項６記載の半導体装置の特性評価用ソケットによれば、半導体チップを抜き差し可能なチップ嵌め込み部と、前記チップ嵌め込み部の周囲に設けられ、前記半導体チップのパッド電極に接触可能な針状電極と、前記針状電極に接続され、前記チップ嵌め込み部の外側に配置されたリード端子とを備えることを特徴とする。
【００１７】
これにより、半導体チップを特性評価用ソケットに直接嵌め込むことで、半導体チップを上から押さえつけながら、半導体チップと特性評価用ソケットとの導通をとることが可能となる。
このため、半導体チップの特性評価を行うために、半導体チップをセラミックパッケージに組み立てて、ダイボンドおよびワイヤボンドを行う必要がなくなるとともに、その半導体チップの特性評価が終了すると、その半導体チップを特性評価用ソケットから取り出して、その半導体チップおよび特性評価用ソケットを再利用することが可能となり、同一の半導体チップを用いて全てのＴＥＧパターンの特性評価を精度よく行うことが可能となる。
【００１８】
また、請求項７記載の半導体装置の特性評価用ソケットによれば前記針状電極は、前記半導体チップ上に形成された特定のＴＥＧパターンのバンプ電極に対応して配置されていることを特徴とする。
これにより、１個の半導体チップ上に数百種類ものＴＥＧパターンが形成されている場合においても、半導体チップを特性評価用ソケットに直接嵌め込むことで、特定のＴＥＧパターンの評価のみを行うことが可能となるともに、そのＴＥＧパターンの評価が終了すると、特性評価用ソケットから半導体チップを抜き出すことにより、その半導体チップおよび特性評価用ソケットを再利用することが可能となり、同一の半導体チップを用いて全てのＴＥＧパターンの特性評価を精度よく行うことが可能となる。
【００１９】
また、請求項８記載の半導体装置の特性評価用方法によれば、半導体チップを特性評価用ソケットに嵌め込むステップと、前記半導体チップを前記特性評価用ソケットに嵌め込んだ状態で、前記特性評価用ソケットの試験端子を前記半導体チップのパッド電極またはバンプ電極に直接接触させるステップと、前記特性評価用ソケットの試験端子を前記半導体チップのパッド電極またはバンプ電極に接触させた状態で、半導体チップの特性を評価するステップとを備えることを特徴とする。
【００２０】
これにより、各ＴＥＧパターンのパッド電極またはバンプ電極の配置に対応した特性評価用ソケットを予め用意しておき、半導体チップを抜き差ししながら、特性評価用ソケットを順次交換していくことで、ダイボンドおよびワイヤボンドをやり直すことなく、評価対象となるＴＥＧパターンを変更することが可能となる。
【００２１】
このため、１個の半導体チップ上に数百種類ものＴＥＧパターンが形成されている場合においても、同一の半導体チップを用いて全てのＴＥＧパターンの特性評価を行うことが可能となり、資材および工数の無駄を防止しつつ、ＴＥＧパターンの特性評価を効率よく行うことが可能となる。
【００２２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態に係る半導体装置およびその特性評価用ソケットについて、図面を参照しながら説明する。
図１は、本発明の第１実施形態に係るＴＥＧチップの概略構成を示す斜視図である。
【００２３】
図１において、ＴＥＧチップ１上には、複数のＴＥＧパターン２が形成され、ＴＥＧパターン２に接続されたパッド電極３が、ＴＥＧチップ１のスクライブラインにかかるように配置されている。
これにより、ＴＥＧチップ１のパッド電極３に試験端子を容易に接触させることが可能となり、ＴＥＧチップ１をセラミックパッケージに収めることなく、ＴＥＧチップ１の評価を行うことが可能となる。
【００２４】
また、パッド電極３をＴＥＧチップ１の外側に寄せて配置することが可能となり、その分だけＴＥＧチップ１の面積を縮小することが可能となることから、ＴＥＧチップ１の小型化を図ることが可能となる。
図２（ａ）は、本発明の第２実施形態に係るＴＥＧチップの概略構成を示す斜視図、図２（ｂ）は、本発明の第２実施形態に係る特性評価用ソケットの概略構成を示す斜視図、図３（ａ）は、図２（ａ）のＡ１−Ａ１線で切断した断面図、図３（ｂ）は、図２（ｂ）のＡ２−Ａ２線で切断した断面図、図３（ｃ）は、本発明の第２実施形態に係るＴＥＧチップの特性評価時における特性評価用ソケットの状態を示す断面図である。
【００２５】
図２、３において、特性評価用ソケット２１には、チップ嵌め込み部２２が設けられ、チップ嵌め込み部２２の周囲には、リードピン２４を保持するリードピン保持部２３ａ〜２３ｄが設けられ、特性評価用ソケット２１の外側底面には、半田ボール２６が設けられている。
また、ＴＥＧチップ１１上には、複数のＴＥＧパターンが形成され、ＴＥＧパターンに接続されたパッド電極１２が、ＴＥＧチップ１１のスクライブラインにかかるように配置されている。
【００２６】
ここで、チップ嵌め込み部２２は、ＴＥＧチップ１１の大きさおよび形状に対応して形成され、ＴＥＧチップ１１をチップ嵌め込み部２２に抜き差し可能となるように構成されている。
また、リードピン保持部２３ａ〜２３ｄは、リードピン２４をチップ嵌め込み部２２内に突出させたり、引っ込ませたりできるように、スライド可能な状態で特性評価用ソケット２１に組み込まれている。
【００２７】
また、リードピン２４は、ＴＥＧチップ１１上の特定のＴＥＧパターンのパッド電極１２に対応して配置され、リードピン２４は、フレキシブルワイヤ２５を介して、半田ボール２６にそれぞれ接続されている。
そして、ＴＥＧチップ１１上の特定のＴＥＧパターンの評価を行う場合、図３（ａ）、（ｂ）に示すように、リードピン２４を特性評価用ソケット２１内に引っ込ませた状態で、ＴＥＧチップ１１をチップ嵌め込み部２２に嵌め込む。
【００２８】
そして、ＴＥＧチップ１１がチップ嵌め込み部２２に嵌め込まれると、図３（ｃ）に示すように、リードピン保持部２３ａ〜２３ｄをスライドさせて、リードピン２４をチップ嵌め込み部２２内に突出させ、リードピン２４をＴＥＧチップ１１上のパッド電極１２に接触させる。
ここで、チップ嵌め込み部２２は、ＴＥＧチップ１１の大きさおよび形状に対応して形成されるとともに、リードピン２４は、ＴＥＧチップ１１上のパッド電極１２に対応して配置されているので、リードピン保持部２３ａ〜２３ｄをスライドさせることで、パッド電極１２と半田ボール２６との導通をとることができる。
【００２９】
このため、ＴＥＧチップ１１を特性評価用ソケット２１に直接嵌め込むことで、ＴＥＧチップ１１を特性評価装置に接続することが可能となり、ＴＥＧチップ１１を特性評価装置に接続するために、ＴＥＧチップ１１をセラミックパッケージに組み立てて、ダイボンドおよびワイヤボンドを行う必要がなくなることから、セラミックパッケージなどの資源を節約することが可能となるとともに、ダイボンドおよびワイヤボンドにかかる工数を削減することができる。
【００３０】
そして、リードピン２４がパッド電極１２に接触すると、特性評価用ソケット２１の半田ボール２６を介して、電気信号の入出力をＴＥＧチップ１１に行い、ＴＥＧパターンの特性評価を行う。
次に、ＴＥＧチップ１１の特性評価が終わると、リードピン保持部２３ａ〜２３ｄをスライドさせて、リードピン２４を特性評価用ソケット２１内に引っ込ませ、特性評価用ソケット２１からＴＥＧチップ１１を抜き出す。
【００３１】
これにより、特性評価用ソケット２１を再利用することが可能となるともに、同一のＴＥＧチップ１１を用いて別のＴＥＧパターンの特性評価を行うことが可能となる。
このため、別のＴＥＧパターンの特性評価を行うために、別のＴＥＧチップ１１を新たに用意する必要がなくなり、数百種類ものＴＥＧパターンの特性評価を行う場合においても、１個のＴＥＧチップ１１だけで済ませることが可能となることから、ＴＥＧチップ１１の浪費を防止することが可能となる。
【００３２】
図４（ａ）は、本発明の第３実施形態に係るＴＥＧチップの概略構成を示す斜視図、図４（ｂ）は、本発明の第３実施形態に係る特性評価用ソケットの概略構成を示す斜視図、図５（ａ）は、図４（ａ）のＢ１−Ｂ１線で切断した断面図、図５（ｂ）は、図４（ｂ）のＢ２−Ｂ２線で切断した断面図、図５（ｃ）は、本発明の第３実施形態に係るＴＥＧチップの特性評価時における特性評価用ソケットの状態を示す断面図である。
【００３３】
図４、５において、特性評価用ソケット４１には、チップ嵌め込み部４２が設けられ、特性評価用ソケット４１の側面内側には、ピンセットなどを挿入する挿入部４３が設けられるとともに、特性評価用ソケット４１の底面には、半田ボール４５が設けられている。
また、ＴＥＧチップ３１上には、複数のＴＥＧパターンが形成され、ＴＥＧパターンに接続されたパッド電極３２を介し、バンプ電極３３が設けられている。
【００３４】
ここで、チップ嵌め込み部４２は、ＴＥＧチップ３１の大きさおよび形状に対応して形成され、ＴＥＧチップ３１をチップ嵌め込み部４２に抜き差し可能となるように構成されるとともに、チップ嵌め込み部４２の底面には、凹状電極４４が設けられている。
また、凹状電極４４は、ＴＥＧチップ３１上の特定のＴＥＧパターンのバンプ電極３３に対応して配置され、凹状電極４４は、特性評価用ソケット４１内に埋め込まれた配線４６を介して、半田ボール４５にそれぞれ接続されている。
【００３５】
そして、ＴＥＧチップ３１上の特定のＴＥＧパターンの評価を行う場合、図５（ａ）、（ｂ）に示すように、ＴＥＧチップ３１のバンプ電極３３を特性評価用ソケット４１側に向けた状態で、ＴＥＧチップ３１をチップ嵌め込み部４２に嵌め込み、各バンプ電極３３を凹状電極４４内にそれぞれ挿入する。
ここで、チップ嵌め込み部４２は、ＴＥＧチップ３１の大きさおよび形状に対応して形成されるとともに、凹状電極４４は、ＴＥＧチップ３１上のバンプ電極３３に対応して配置されているので、ＴＥＧチップ３１をチップ嵌め込み部４２に嵌め込むことで、バンプ電極３３と半田ボール４５との導通をとることができる。
【００３６】
このため、ＴＥＧチップ３１を特性評価用ソケット４１に直接嵌め込むことで、ＴＥＧチップ３１を特性評価装置に接続することが可能となり、ＴＥＧチップ３１を特性評価装置に接続するために、ＴＥＧチップ３１をセラミックパッケージに組み立てて、ダイボンドおよびワイヤボンドを行う必要がなくなることから、セラミックパッケージなどの資源を節約することが可能となるとともに、ダイボンドおよびワイヤボンドにかかる工数を削減することができる。
【００３７】
そして、各バンプ電極３３が凹状電極４４内にそれぞれ挿入されると、特性評価用ソケット４１の半田ボール４５を介して、電気信号の入出力をＴＥＧチップ３１に行い、ＴＥＧパターンの特性評価を行う。
次に、ＴＥＧチップ３１の特性評価が終わると、例えば、ピンセットを挿入部４３に挿入することで、ＴＥＧチップ３１を掴み、特性評価用ソケット４１からＴＥＧチップ３１を抜き出す。
【００３８】
これにより、特性評価用ソケット４１を再利用することが可能となるともに、同一のＴＥＧチップ３１を用いて別のＴＥＧパターンの特性評価を行うことが可能となる。
このため、別のＴＥＧパターンの特性評価を行うために、別のＴＥＧチップ３１を新たに用意する必要がなくなり、数百種類ものＴＥＧパターンの特性評価を行う場合においても、１個のＴＥＧチップ３１だけで済ませることが可能となることから、ＴＥＧチップ３１の浪費を防止することが可能となる。
【００３９】
なお、特性評価用ソケット４１には、ＴＥＧチップ３１を上から押さえつけるための蓋を設けるようにしてもよい。
図６（ａ）は、本発明の第４実施形態に係るＴＥＧチップの概略構成を示す斜視図、図６（ｂ）は、本発明の第４実施形態に係る特性評価用ソケットの概略構成を示す斜視図、図７（ａ）は、図６（ａ）のＣ１−Ｃ１線で切断した断面図、図７（ｂ）は、図６（ｂ）のＣ２−Ｃ２線で切断した断面図、図７（ｃ）は、本発明の第４実施形態に係るＴＥＧチップの特性評価時における特性評価用ソケットの状態を示す断面図である。
【００４０】
図６、７において、特性評価用ソケット６１には、チップ嵌め込み部６２が設けられ、特性評価用ソケット６１の側面内側には、ピンセットなどを挿入する挿入部６３が設けられるとともに、特性評価用ソケット６１の底面には、半田ボール６５が設けられている。
また、ＴＥＧチップ５１上には、複数のＴＥＧパターンが形成され、ＴＥＧパターンに接続されたパッド電極５２が設けられている。
【００４１】
ここで、チップ嵌め込み部６２は、ＴＥＧチップ５１の大きさおよび形状に対応して形成され、ＴＥＧチップ５１をチップ嵌め込み部５２に抜き差し可能となるように構成されるとともに、チップ嵌め込み部６２の底面には、突起電極６４が設けられている。
また、突起電極６４は、ＴＥＧチップ５１上の特定のＴＥＧパターンのパッド電極５２に対応して配置され、突起電極６４は、特性評価用ソケット６１内に埋め込まれた配線６６を介して、半田ボール６５にそれぞれ接続されている。
【００４２】
そして、ＴＥＧチップ５１上の特定のＴＥＧパターンの評価を行う場合、図７（ａ）、（ｂ）に示すように、ＴＥＧチップ５１のパッド電極５２を特性評価用ソケット６１側に向けた状態で、ＴＥＧチップ５１をチップ嵌め込み部６２に嵌め込み、各パッド電極５２を突起電極６４にそれぞれ接触させる。
ここで、チップ嵌め込み部６２は、ＴＥＧチップ５１の大きさおよび形状に対応して形成されるとともに、突起電極６４は、ＴＥＧチップ５１上のパッド電極５２に対応して配置されているので、ＴＥＧチップ５１をチップ嵌め込み部６２に嵌め込むことで、パッド電極５２と半田ボール６５との導通をとることができる。
【００４３】
また、チップ嵌め込み部６２の底面に突起電極６４を配置することで、ＴＥＧチップ５１上にバンプを設けることなく、各パッド電極５２を突起電極６４にそれぞれ接触させることができる。
このため、ＴＥＧチップ５１を特性評価用ソケット６１に直接嵌め込むことで、ＴＥＧチップ５１を特性評価装置に接続することが可能となり、ＴＥＧチップ５１を特性評価装置に接続するために、ＴＥＧチップ５１をセラミックパッケージに組み立てて、ダイボンドおよびワイヤボンドを行う必要がなくなることから、セラミックパッケージなどの資源を節約することが可能となるとともに、ダイボンドおよびワイヤボンドにかかる工数を削減することができる。
【００４４】
そして、各パッド電極５２が突起電極６４にそれぞれ接触すると、特性評価用ソケット６１の半田ボール６５を介して、電気信号の入出力をＴＥＧチップ５１に行い、ＴＥＧパターンの特性評価を行う。
次に、ＴＥＧチップ５１の特性評価が終わると、例えば、ピンセットを挿入部６３に挿入することで、ＴＥＧチップ５１を掴み、特性評価用ソケット６１からＴＥＧチップ５１を抜き出す。
【００４５】
これにより、特性評価用ソケット６１を再利用することが可能となるともに、同一のＴＥＧチップ５１を用いて別のＴＥＧパターンの特性評価を行うことが可能となる。
このため、別のＴＥＧパターンの特性評価を行うために、別のＴＥＧチップ５１を新たに用意する必要がなくなり、数百種類ものＴＥＧパターンの特性評価を行う場合においても、１個のＴＥＧチップ５１だけで済ませることが可能となることから、ＴＥＧチップ５１の浪費を防止することが可能となる。
【００４６】
なお、特性評価用ソケット６１には、ＴＥＧチップ５１を上から押さえつけるための蓋を設けるようにしてもよい。
図８は、本発明の第５実施形態に係るＴＥＧチップの特性評価方法を示す断面図である。
図８において、ＴＥＧチップ７１上には、複数のＴＥＧパターンが形成され、各ＴＥＧパターンに接続されたパッド電極７２ａ〜７２ｉが設けられている。
【００４７】
また、ＴＥＧチップ７１上の特定のＴＥＧパターンに対応した特性評価用ソケット８１ａ〜８１ｃが用意され、特性評価用ソケット８１ａは、パッド電極７２ｂ、７２ｅ、７２ｈに接続された第１のＴＥＧパターンに対応し、特性評価用ソケット８１ｂは、パッド電極７２ａ、７２ｄ、７２ｇに接続された第２のＴＥＧパターンに対応し、特性評価用ソケット８１ｃは、パッド電極７２ｃ、７２ｆ、７２ｉに接続された第３のＴＥＧパターンに対応しているものとする。
【００４８】
ここで、特性評価用ソケット８１ａには、ＴＥＧチップ７１の大きさおよび形状に対応したチップ嵌め込み部８２ａが設けられるとともに、チップ嵌め込み部８２ａの底面には、パッド電極７２ｂ、７２ｅ、７２ｈの配置位置に対応した突起電極８４ａが設けられ、さらに、特性評価用ソケット８１ａの底面には、突起電極８４ａにそれぞれ接続された半田ボール８５ａが設けられている。
【００４９】
また、特性評価用ソケット８１ｂには、ＴＥＧチップ７１の大きさおよび形状に対応したチップ嵌め込み部８２ｂが設けられるとともに、チップ嵌め込み部８２ｂの底面には、パッド電極７２ａ、７２ｄ、７２ｇの配置位置に対応した突起電極８４ｂが設けられ、さらに、特性評価用ソケット８１ｂの底面には、突起電極８４ｂにそれぞれ接続された半田ボール８５ｂが設けられている。
【００５０】
さらに、特性評価用ソケット８１ｃには、ＴＥＧチップ７１の大きさおよび形状に対応したチップ嵌め込み部８２ｃが設けられるとともに、チップ嵌め込み部８２ｃの底面には、パッド電極７２ｃ、７２ｆ、７２ｉの配置位置に対応した突起電極８４ｃが設けられ、さらに、特性評価用ソケット８１ｃの底面には、突起電極８４ｃにそれぞれ接続された半田ボール８５ｃが設けられている。
【００５１】
そして、ＴＥＧチップ７１上のＴＥＧパターンの評価を行う場合、ＴＥＧチップ７１のパッド電極７２ａ〜７２ｈを特性評価用ソケット８１ａ側に向けた状態で、ＴＥＧチップ７１をチップ嵌め込み部８２ａに嵌め込み、パッド電極７２ｂ、７２ｅ、７２ｈを突起電極８４ａにそれぞれ接触させる（▲１▼）。
ここで、チップ嵌め込み部８２ａは、ＴＥＧチップ７１の大きさおよび形状に対応して形成されるとともに、突起電極８４ａは、ＴＥＧチップ７１上のパッド電極７２ｂ、７２ｅ、７２ｈに対応して配置されているので、ＴＥＧチップ７１をチップ嵌め込み部８２ａに嵌め込むことで、パッド電極７２ｂ、７２ｅ、７２ｈと半田ボール８５ａとの導通をとることができる。
【００５２】
このため、ＴＥＧチップ７１を特性評価用ソケット８１ａに直接嵌め込むことで、パッド電極７２ｂ、７２ｅ、７２ｈに接続された第１のＴＥＧパターンを特性評価装置に接続することが可能となる。
そして、パッド電極７２ｂ、７２ｅ、７２ｈが突起電極８４ａにそれぞれ接触すると、特性評価用ソケット８１ａの半田ボール８５ａを介して、電気信号の入出力をＴＥＧチップ７１に行い、パッド電極７２ｂ、７２ｅ、７２ｈに接続された第１のＴＥＧパターンの特性評価を行う。
【００５３】
次に、パッド電極７２ｂ、７２ｅ、７２ｈに接続された第１のＴＥＧパターンの特性評価が終わると、特性評価用ソケット８１ａからＴＥＧチップ７１を抜き出す。
そして、そのＴＥＧチップ７１のパッド電極７２ａ〜７２ｈを特性評価用ソケット８１ｂ側に向けた状態で、ＴＥＧチップ７１をチップ嵌め込み部８２ｂに嵌め込み、パッド電極７２ａ、７２ｄ、７２ｇを突起電極８４ｂにそれぞれ接触させる（▲２▼）。
【００５４】
ここで、チップ嵌め込み部８２ｂは、ＴＥＧチップ７１の大きさおよび形状に対応して形成されるとともに、突起電極８４ｂは、ＴＥＧチップ７１上のパッド電極７２ａ、７２ｄ、７２ｇに対応して配置されているので、ＴＥＧチップ７１をチップ嵌め込み部８２ｂに嵌め込むことで、パッド電極７２ａ、７２ｄ、７２ｇと半田ボール８５ｂとの導通をとることができる。
【００５５】
このため、ＴＥＧチップ７１を特性評価用ソケット８１ｂに直接嵌め込むことで、パッド電極７２ａ、７２ｄ、７２ｇに接続された第２のＴＥＧパターンを特性評価装置に接続することが可能となる。
そして、パッド電極７２ａ、７２ｄ、７２ｇが突起電極８４ｂにそれぞれ接触すると、特性評価用ソケット８１ｂの半田ボール８５ｂを介して、電気信号の入出力をＴＥＧチップ７１に行い、パッド電極７２ａ、７２ｄ、７２ｇに接続された第２のＴＥＧパターンの特性評価を行う。
【００５６】
次に、パッド電極７２ａ、７２ｄ、７２ｇｈに接続された第２のＴＥＧパターンの特性評価が終わると、特性評価用ソケット８１ｂからＴＥＧチップ７１を抜き出す。
そして、そのＴＥＧチップ７１のパッド電極７２ａ〜７２ｈを特性評価用ソケット８１ｃ側に向けた状態で、ＴＥＧチップ７１をチップ嵌め込み部８２ｃに嵌め込み、パッド電極７２ｃ、７２ｆ、７２ｉを突起電極８４ｃにそれぞれ接触させる（▲３▼）。
【００５７】
ここで、チップ嵌め込み部８２ｃは、ＴＥＧチップ７１の大きさおよび形状に対応して形成されるとともに、突起電極８４ｃは、ＴＥＧチップ７１上のパッド電極７２ｃ、７２ｆ、７２ｉに対応して配置されているので、ＴＥＧチップ７１をチップ嵌め込み部８２ｃに嵌め込むことで、パッド電極７２ｃ、７２ｆ、７２ｉと半田ボール８５ｃとの導通をとることができる。
【００５８】
このため、ＴＥＧチップ７１を特性評価用ソケット８１ｃに直接嵌め込むことで、パッド電極７２ｃ、７２ｆ、７２ｉに接続された第３のＴＥＧパターンを特性評価装置に接続することが可能となる。
そして、パッド電極７２ｃ、７２ｆ、７２ｉが突起電極８４ｃにそれぞれ接触すると、特性評価用ソケット８１ｃの半田ボール８５ｃを介して、電気信号の入出力をＴＥＧチップ７１に行い、パッド電極７２ｃ、７２ｆ、７２ｉに接続された第３のＴＥＧパターンの特性評価を行う。
【００５９】
これにより、ＴＥＧチップ７１をセラミックパッケージに組み立てて、ダイボンドおよびワイヤボンドを行うことなく、ＴＥＧパターンの評価を行うことが可能となり、同一のＴＥＧチップ７１を用いて別のＴＥＧパターンの特性評価を行うことが可能となる。
このため、別のＴＥＧパターンの特性評価を行うために、別のＴＥＧチップ７１を新たに用意する必要がなくなり、数百種類ものＴＥＧパターンの特性評価を行う場合においても、１個のＴＥＧチップ７１だけで済ませることが可能となることから、ＴＥＧチップ７１の浪費を防止することが可能となる。
【００６０】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、半導体チップを特性評価用ソケットに抜き差ししながら、半導体チップの特性評価を行うことにより、同一の半導体チップを用いて全てのＴＥＧパターンの特性評価を行うことが可能となり、ＴＥＧパターンの特性評価を効率よく行うことが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施形態に係るＴＥＧチップの概略構成を示す斜視図である。
【図２】図２（ａ）は、本発明の第２実施形態に係るＴＥＧチップの概略構成を示す斜視図、図２（ｂ）は、本発明の第２実施形態に係る特性評価用ソケットの概略構成を示す斜視図である。
【図３】図３（ａ）は、図２（ａ）のＡ１−Ａ１線で切断した断面図、図３（ｂ）は、図２（ｂ）のＡ２−Ａ２線で切断した断面図、図３（ｃ）は、本発明の第２実施形態に係るＴＥＧチップの特性評価時における特性評価用ソケットの状態を示す断面図である。
【図４】図４（ａ）は、本発明の第３実施形態に係るＴＥＧチップの概略構成を示す斜視図、図４（ｂ）は、本発明の第３実施形態に係る特性評価用ソケットの概略構成を示す斜視図である。
【図５】図５（ａ）は、図４（ａ）のＢ１−Ｂ１線で切断した断面図、図５（ｂ）は、図４（ｂ）のＢ２−Ｂ２線で切断した断面図、図５（ｃ）は、本発明の第３実施形態に係るＴＥＧチップの特性評価時における特性評価用ソケットの状態を示す断面図である。
【図６】図６（ａ）は、本発明の第４実施形態に係るＴＥＧチップの概略構成を示す斜視図、図６（ｂ）は、本発明の第４実施形態に係る特性評価用ソケットの概略構成を示す斜視図である。
【図７】
図７（ａ）は、図６（ａ）のＣ１−Ｃ１線で切断した断面図、図７（ｂ）は、図６（ｂ）のＣ２−Ｃ２線で切断した断面図、図７（ｃ）は、本発明の第４実施形態に係るＴＥＧチップの特性評価時における特性評価用ソケットの状態を示す断面図である。
【図８】本発明の第５実施形態に係るＴＥＧチップの特性評価方法を示す断面図である。
【図９】従来のＴＥＧチップの概略構成を示す斜視図である。
【図１０】従来のＴＥＧチップの特性評価方法を説明する斜視図である。
【符号の説明】
１、１１、３１、５１、７１　ＴＥＧチップ
２　ＴＥＧパターン
３、１２、３２、５２、７２ａ〜７２ｉ　パット電極
２１、４１、６１、８１ａ〜８１ｃ　特性評価用ソケット
２２、４２、６２、８２ａ〜８２ｃ　チップ嵌め込み部
２３ａ〜２３ｄ　リードピン保持部
２４　リードピン
２５　フレキシブルワイヤ
２６、４５、６５、８５ａ〜８５ｃ　半田ボール
３３　バンプ
４３、６３　挿入部
４４　凹状電極
４６、６６　配線
６４、８４ａ〜８４ｃ　突起電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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