(57)【要約】【課題】転写法を用いても高精細なパターンの形成が可能な有機ＬＥＤ素子とその製造方法および表示装置を提供する。【解決手段】有機ＬＥＤ素子は、基板上に、第１電極と、少なくとも発光層を含む有機層と、第２電極とがこの順に形成され、第１電極が、基板の表面に配設され少なくとも１つの導電性突起を表面に有する電極パッドと、絶縁性接着層を介して電極パッドに接着され、導電性突起と電気的に接続された電極層とからなる。【選択図】　図３
2004047316.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、第１電極と、少なくとも発光層を含む有機層と、第２電極とがこの順に形成され、第１電極が、基板の表面に配設され少なくとも１つの導電性突起を表面に有する電極パッドと、絶縁性接着層を介して電極パッドに接着され、導電性突起と電気的に接続された電極層とからなる有機ＬＥＤ素子。
【請求項２】
基板が、表面に取り出し配線を備え、絶縁性接着層が、取り出し配線を覆うように電極パッドと電極層との間に配設された請求項１に記載の有機ＬＥＤ素子。
【請求項３】
導電性突起は、電極パッド表面に対して順テーパー状に形成された側面を有する請求項１に記載の有機ＬＥＤ素子。
【請求項４】
導電性突起は、電極パッド表面に放射状に分枝した形状に形成された請求項１に記載の有機ＬＥＤ素子。
【請求項５】
導電性突起は、電極パッド表面に十字型または星型に形成された請求項４に記載の有機ＬＥＤ素子。
【請求項６】
電極層は、厚さが１０ｎｍ以下のＡｌの薄膜からなる請求項１に記載の有機ＬＥＤ素子。
【請求項７】
請求項１に記載の有機ＬＥＤ素子を表示パネルに用いた表示装置。
【請求項８】
基材フィルム上に、少なくとも発光層を含む有機層と電極層とを有する転写層を形成し、この転写層を基板上に転写し、それによって基板上に電極層で挟持された有機層を有する有機ＬＥＤ素子を形成するに際し、表面に導電性の突起を有する電極パッドを基板上に形成し、電極パッドと転写層の電極層とを絶縁性接着層を介して接着し、それによって導電性突起と電極層とを電気的に接続する工程を含むことを特徴とする有機ＬＥＤ素子の製造方法。
【請求項９】
基板が、取り出し配線を表面に有し、電極パッドと転写層の電極層とを絶縁性接着層を介して接着する工程が、絶縁性接着剤を、取り出し配線および電極パッドを含んだ基板の表面または転写層の電極層に塗布し、電極パッドと転写層の電極層とを接着する工程を備えた請求項８に記載の有機ＬＥＤ素子の製造方法。
【請求項１０】
電極層は、基板の表面に平行する方向の電気抵抗が、電流のリークが発生しない程度に高まるような厚さの薄膜で形成される請求項８に記載の有機ＬＥＤ素子の製造方法。
【請求項１１】
導電性突起が、電極パッドの表面と転写層の電極層とを接着するときに、絶縁性接着剤を電極パッドから周囲に分散させる側面を有する形状に形成される請求項９に記載の有機ＬＥＤ素子の製造方法。
【請求項１２】
導電性突起が、電極パッド表面に対して順テーパー状に形成された側面を有するように形成される請求項８または１１に記載の有機ＬＥＤ素子の製造方法。
【請求項１３】
導電性突起が、電極パッドの表面に放射状に分枝した側面を有するように形成される請求項８または１１に記載の有機ＬＥＤ素子の製造方法。
【請求項１４】
導電性突起が、リフトオフを用いて形成される請求項８に記載の有機ＬＥＤ素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、転写法を用いて製造される有機ＬＥＤ素子とその製造方法および表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
有機エレクトロルミネッセンス現象を利用した有機ＬＥＤ素子を表示パネルに用いた有機ＬＥＤ表示パネルが表示装置として開発されている。有機ＬＥＤ素子は、少なくとも一方が透光性である一対の電極（第１および第２電極）の間に、少なくとも有機物による発光層（必要に応じてホ−ル注入輸送層、電子注入輸送層等を含み、以下、有機層と称する）を挟持し、ＴＦＴ駆動回路等とともに基板上に形成されてなる。このような有機ＬＥＤ素子からなる有機ＬＥＤ表示パネルは、低電圧駆動によって高輝度の発光が可能であることから盛んに研究が行われている。
【０００３】
有機ＬＥＤ素子の形成方法としては、マスク蒸着法やインクジェット法等が提案されている。しかしながら、マスク蒸着法では大型基板へのパターンの蒸着が困難であるという問題がある。また、インクジェット法では、大型基板に有機ＬＥＤ素子を形成する場合に、長時間を要し、生産性が低下する等の問題がある。
【０００４】
そこで、大型基板に有機ＬＥＤ素子を形成する際の作製時間を大幅に短縮することが可能なパターンの形成方法として、転写法が提案されている（特開平９−１６７６８４号公報、特開平１０−２０８８８１号公報、特開平１１−２３７５０４号公報、特開平１１−２６０５４９号公報、特開２０００−１２２１６号公報、特開２０００−７７１８２号公報、特開２００１−１３０１４１号公報および特開２００１−１９５０１２号公報等参照）。
【０００５】
上記の転写法は、通常、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）フィルム等から構成される基材フィルム上に、転写層、すなわち有機層や電極等の転写すべき薄膜層を、蒸着法、スピンコート法またはスパッタ法等で形成し、次に基材フィルム上に転写層が形成された転写フィルムを、転写層が基板に接するように基板に貼り付け、基材フィルム側からレーザー光や熱線等を照射し、それによって局所化された熱で転写層を基板上に転写する方法である。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
転写法を用いて有機ＬＥＤ素子を作成する場合、有機層のみを転写し電極を後から形成する方法、電極も含めて転写する方法等が考えられる。
有機層のみからなる転写層を転写する場合は、有機層の融点が比較的低いので、転写によるパターニングは比較的きれいに出来る。しかし、有機層を形成した後から電極を形成するため、工程が多くなるという問題がある。さらに、基板上に予め電極をパターニングする際、電極のエッチングによって電極および基板の表面の酸化等が生じやすく、特性の低下につながるという問題点があった。
【０００７】
一方、転写層に電極も含めた転写フィルムを形成し、この転写層を転写する場合には、電極のエッチングが不要になるので基板表面における酸化は避けられる。しかし、転写フィルムの表面にある電極と基板との接合界面には、加熱により容易に溶ける、融点が比較的低い層がないので、加熱のパターン通りに転写を行うことができない。したがって、基板上に転写されたパターンにかすれ等が生じ、適正に転写できる転写条件の範囲が極めて狭くなるという問題点があった。
【０００８】
この発明は、上記の問題点に鑑みてなされたものであり、転写法を用いても高精細なパターンの形成が可能な有機ＬＥＤ素子とその製造方法および表示装置を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
この発明によれば、基板上に、第１電極と、少なくとも発光層を含む有機層と、第２電極とがこの順に形成され、第１電極が、基板の表面に配設され少なくとも１つの導電性突起を表面に有する電極パッドと、絶縁性接着層を介して電極パッドに接着され、導電性突起と電気的に接続された電極層とからなる有機ＬＥＤ素子が提供される。
【００１０】
すなわち、絶縁性接着層の接着力によって電極パッドと電極層とは互いに引き付けられ、この接着力によって導電性突起の表面と電極層とは、電気的に接続される。導電性突起の表面と電極層とは、互いの電気的接続部位において、接着層が介在しないので、互いの電気的接続は強固なものになる。
【００１１】
この発明の別の観点によれば、基材フィルム上に、少なくとも発光層を含む有機層と電極層とを有する転写層を形成し、この転写層を基板上に転写し、それによって基板上に電極層で挟持された有機層を有する有機ＬＥＤ素子を形成するに際し、表面に導電性の突起を有する電極パッドを基板上に形成し、電極パッドと転写層の電極層とを絶縁性接着層を介して接着し、それによって導電性突起と電極層とを電気的に接続する工程を含むことを特徴とする有機ＬＥＤ素子の製造方法が提供される。
【００１２】
すなわち、表面に電極層を含む転写層を形成し、基板上に形成された電極パッドの表面と転写層の電極層とを絶縁性接着層を介して接着し、それによって導電性突起と転写層の電極層とを電気的に接続するので、電極パッドと電極層とは、絶縁性接着層の接着力によって互いに引き付けられ、この接着力によって導電性突起の表面と電極層とは、電気的に接続される。導電性突起の表面と転写層の電極層とは、互いの電気的接続部位において、接着層が介在しないので、互いの電気的接続は強固なものになる。
【００１３】
したがって、基板上に第１電極を積層するに際し、従来のようにエッチングによって基板上に酸化を生じることなく、所望するパターンを形成できるので、電極も含めた転写層を形成し、この転写層を転写する場合にも、パターンのかすれ等を生じることがなく高精細なパターンの形成が可能になる。
【００１４】
基板が、取り出し配線を表面に有し、電極パッドと転写層の電極層とを絶縁性接着層を介して接着する工程が、絶縁性接着剤を、取り出し配線および電極パッドを含んだ基板の表面または転写層の電極層に塗布し、電極パッドと転写層の電極層とを接着する工程を備えているので、基板を含めて塗布されてなる絶縁性接着層により、リーク電流による隣接画素へのクロストークを低減できる。
【００１５】
転写層を形成するに際し、電極層は、基板の表面に平行する方向の電気抵抗が、電流のリークが発生しない程度に高まるような厚さの薄膜で形成されるので、隣接画素へのリークによるクロストークを低減することが可能となる。例えば、電極層がＡｌの場合、厚さを１０ｎｍ以下の陰極として形成することが好ましい。すなわち、絶縁性接着剤を転写層側に塗布する場合、転写層の全面的に塗布され、画素間にも転写層上の有機ＬＥＤ素子構造が形成される。しかし、転写層上の陰極を極めて薄い電極とすることにより、基板１に対して横方向の電気抵抗すなわち、基板１の表面と平行する方向の電気抵抗を高く設定することができるので、隣接画素へのリークによるクロストークを低減することが可能となる。
【００１６】
導電性突起を電極パッド表面に複数個形成すれば、導電性突起を大きくかつ集中させることなく分散して配設することができるので、基板上の電極パッドから電極層へ流れる電流がより均一になるため、導電性突起を一つだけ形成した場合に比較して、１画素内での輝度むらを低減することが可能となる。
【００１７】
導電性突起は、電極パッドの表面と転写層の電極層とを接着するときに、絶縁性接着剤を電極パッドから周囲に分散させる側面を有する形状に形成されるのが好ましい。このような導電性突起の形状としては、電極パッド表面に対して順テーパー状に形成された側面を有するもの、電極パッド表面に放射状に分枝した形状に形成されたもの、例えば、電極パッド表面に十字型または星型に形成されたものが挙げられる。
【００１８】
電極パッド表面に対して順テーパー状に形成された側面を有する導電性突起では、転写層と基板との圧着時に導電性突起が押しのける接着剤が傾斜部に沿って流れやすくなり、接触不良を低減することが可能になる。
また、導電性突起を十字型または星型等の、放射状に分枝した形状に形成することによって、接触不良が低減できる。すなわち、丸型の突起や直線状の導電性突起では、輝度むらを低減させるためにある程度の面積が必要になるが、転写フィルムと基板との圧着時に導電性突起が押しのける接着剤が多量かつ局部的になるため、接触不良を起こしやすくなる。しかし、導電性突起を十字型または星型にすることにより、フィルム側と基板側の圧着時に、放射状の分枝間に接着剤が分散されるので、電極パッドの表面と電極層の間に絶縁性接着層を均一に形成でき、それによって輝度むらが低減できる。
さらに導電性突起が星型の場合には、放射状の分枝の数が増えるため、画素内の輝度斑が十字型にした場合に比べて、より低減することが可能となる。
【００１９】
導電性突起が、リフトオフを用いて形成されるのが好ましい。リフトオフとは、半導体集積回路素子の製造において金属膜の配線を形成する際に、パッド上にレジストを用いてパターン形成を行い、次に、基板上の一面に金属膜を蒸着させる。そしてレジストパターンをレジスト剥離液により除去すると同時に、レジストパターン上に形成された金属膜も剥離除去することにより、レジストパターンのスペース部の基板上に金属膜のパターンを得るという方法である。このプロセスでは、レジストパターンをオーバーハング形状にすることによって、金属膜を蒸着させたときに、レジストパターンの側壁は金属膜で覆われないため、レジスト除去時にレジスト剥離液をレジスト膜中に浸透させることができる。
このようなリフトオフを用いて導電性突起を形成すると、導電性突起のパターンをより精細なもので形成できるので、より複雑なパターンで導電性突起を形成することができ、輝度むらを低減することが可能になる。
【００２０】
この発明の有機ＬＥＤ素子は、表示パネルに用いることによって表示装置を構成することができる。
【００２１】
【発明の実施の形態】
以下、この発明の有機ＬＥＤ素子の構成およびその製造方法の実施形態を説明するが、この発明はこれらによって限定されない。
図１は、この発明の実施の一形態による有機ＬＥＤ素子の構成を示す正面断面図である。
【００２２】
図１は、互いに同一構成を有し、絶縁膜３ｂによって隣接する２つの画素からなる有機ＬＥＤ素子２０の一例である。
図１において、有機ＬＥＤ素子２０は、基板１、電極パッド２、絶縁膜３（３ａおよび３ｂ）、絶縁性接着層４、陰極（第１電極）５、有機層６、陽極（第２電極）７および封止膜８から主に構成される。有機層６は、電子注入補助層１１、電子輸送層１２、発光層１３およびホール輸送層１４がこの順に積層されてなる。
基板１は、ガラス基板上に、有機ＬＥＤ素子の駆動用トランジスタ、データ書き込み用トランジスタ、データ保持用キャパシタおよび配線からなるＴＦＴ回路部が形成されたＴＦＴ基板である。電極パッド２の上面には、導電性材料からなる導電性突起１５が配設されている。
【００２３】
図２は、図１の有機ＬＥＤ素子２０を、図１のＡ−Ａ断面で示した平面図である。
図２に示すように、導電性突起１５は、基板１の長手方向に沿って延びた、Ｉ字状（直線状）のパターンで構成される。突起１５は、側面に傾斜部１５ａを有する（図１）。基板１の上面には、導電性材料からなるスルホール（取り出し配線）１６が配設されている。
【００２４】
図３は、図１の有機ＬＥＤ素子２０の製造方法を説明するための正面断面図である。
図３に示すように、有機ＬＥＤ素子２０は、基材フィルム９上に、転写補助層１０、陽極（第２電極）７、有機層６および陰極５となる電極層（第１電極）５ａからなる転写層を有する転写フィルム２１を形成し、この転写フィルム２１を電極パッド２の上方から絶縁性接着層を介して基板１に張り合わせて接着し、転写層を基板１側に転写して形成される。電極パッド２と転写フィルム２１とを絶縁性接着層を介して接着する工程は、絶縁性接着剤を、スルホール１６および電極パッド２を含んだ基板１の表面および／または転写フィルム２１の電極層５ａに塗布し、電極パッド２の表面と転写フィルム２１の電極層５ａとが接着される。
【００２５】
上記の転写層を構成する層構造としては、例えば、通常の有機ＬＥＤ素子に用いられる有機層と電極層を組み合わせた構造でよく、第１電極／有機層／第２電極の構造となる。
また、有機層からの発光を外部に取り出すため、第１電極および第２電極の少なくとも一方は、透光性材料から構成される。なお、転写層の構成としては、基材フィルム９に対して順序はどちらでもよい。
転写フィルム２１は基材フィルム９上に転写法により転写される転写層が形成されたものであり、必要に応じて基材フィルム９と転写層の間に転写補助層１０が設けられる。
【００２６】
基材フィルム９は、基板との密着性を高めるためにフレキシブルな材料が好ましい。このような材料としては、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ），ポリカーボネート（ＰＣ），ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）、ポリエステル、ポリエポキシ、ポリエチレン、ポリスチレン等の高分子材料があげられる。この中でも、ポリエチレンテレフタレート、ポリカーボネートが好ましい。基材フィルム９の厚さは、１０〜６００μｍが好ましく、５０〜２００μｍがより好ましい。
【００２７】
発光層１３は公知の方法で成膜することが可能であり、例えば、有機発光材料を真空蒸着法、ＥＢ法、ＭＢＥ法等のドライプロセスで直接成膜することが可能である。また、例えば、有機発光層形成用塗液を用いて、スピンコート法、ドクターブレード法、吐出コート法、スプレーコート法、インクジェット法、凸版印刷法、凹版印刷法、スクリーン印刷法、マイクログラビアコート法等のウェットプロセスで成膜することが可能である。
【００２８】
上記した有機発光層形成用塗液は、少なくとも発光材料を含有した溶液であり、一種類もしくは多種類の発光材料を含有していてもよい。また、その他にレベリング剤、発光アシスト剤、添加剤（ドナー、アクセプター等）電荷輸送剤、発光性のドーパント等が含有されていてもよい。
発光材料としては、有機ＬＥＤ素子用の公知の発光材料を用いることができる。このような発光材料には、低分子発光材料、高分子発光材料、高分子発光材料の前駆体等が挙げられる。
【００２９】
以下にこれらの具体的な化合物を例示するが、本発明はこれらに限定されるものではない。低分子発光材料としては、例えば、４、４’―ビス（２、２’―ジフェニルビニル）―ビフェニル（ＤＰＶＢｉ）等の芳香族ジメチリデエン化合物、５―メチルー２―［２―［４―（５―メチルー２―ベンゾオキサジリル）フェニル］ビニル］ベンゾオキサゾール等のオキサジアゾール化合物、３―（４―ビフェニリル）―４―フェニル―５―ｔ―ブチルフェニルー１、２、４―トリアゾール（ＴＺＡ）等のトリアゾール化合物、１、４―ビス（２―メチスチリル）ベンゼン等のスチリルベゼン化合物、チオビラジンジオキシド誘導体、ベンゾキノン誘導体、ナフトキノン誘導体、アントラキノン誘導体等の蛍光性有機材料、アゾメチン亜鉛錯体、（８―ヒドロキシノリナート）アルミニウム錯体等の蛍光性有機金属化合物等が挙げられる。
【００３０】
一方、高分子発光材料としては、例えば、ポリ（２―デシルオキシー１、４―フェニレン）（ＤＯ−ＰＰＰ）、ポリ［２、５―ビス―［２―（Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリエチルアンモニウム）エトキシ］―１、４―フェニルーアルトー１、４―フェニルレン］ジブロマイド（ＰＰＰ−ＮＥｔ３＋）、ポリ［２―（２’―エチルヘキシルオキシ）―５―メトキシー１、４―フェニレンビニレン］（ＭＥＨ−ＰＰＶ）等が挙げられる。
【００３１】
また、高分子発光材料の前駆体としては、ポリ（Ｐ−フェニレンビニレン）前駆体（Ｐｒｅ−ＰＰＶ）、ポリ（Ｐ−ナフタレンビニレン）前駆体（Ｐｒｅ−ＰＮＶ）等が挙げられる。
溶剤としては上記発光材料を溶解または分散できる溶剤であればよく、例えば、純水、メタノール、エタノール、ＴＨＦ（テトラヒドロフラン）、クロロホルム、トルエン、キシレン、トリメチルベンゼン等があげられる。
【００３２】
電荷輸送層は、正孔輸送層および／または電子輸送層からなり、それぞれ単層構造でも多層構造でもよい。電荷輸送層は発光層材料と同様に公知の方法で成膜が可能である。
電荷輸送材料としては、公知の材料が使用可能である。以下にこれらの具体的な化合物を示すが、本発明はこれに限定されるものではない。
正孔輸送材料としては、例えば、ポルフィリン化合物、Ｎ，Ｎ’−ビス−（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス−（フェニル）−ベンジジン（ＴＰＤ）、Ｎ，Ｎ’−ジ（ナフタレン−１−イル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−ベンジジン（ＮＰＤ）等の芳香族第３級アミン化合物、ヒドラゾン化合物、キナクリドン化合物、スチルアミン化合物等の低分子材料、ポリアニリン、３，４−ポリエチレンジオキシチオフェン／ポリスチレンサルフォネート（ＰＥＤＴ／ＰＳＳ）、ポリ（トリフェニルアミン誘導体）、ポリビニルカルバゾール（ＰＶＣｚ）等の高分子材料、ポリ（Ｐ−フェニレンビニレン）前駆体、ポリ（Ｐ−ナフタレンビニレン）前駆体等の高分子材料前駆体が挙げられる。
【００３３】
電子輸送材料としては、例えば、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、ベンゾキノン誘導体、ナフトキノン誘導体、フルオレノン誘導体等の低分子材料、ポリ［オキサジアゾール］等の高分子材料が挙げられる。
また、溶剤としては発光材料の形成に使用する溶剤が使用可能である。
【００３４】
電極材料は、公知の電極材料を用いることができ、特に限定されるものではない。陽極７の電極材料としては、仕事関数が高い金属（Ａｕ，Ｐｔ，Ｎｉ，Ｗ等）もしくは透明電極（ＩＴＯ，ＩＤＩＸＯ，ＳｎＯ２等）を用いることができる。陰極５の電極材料としては、仕事関数の低い金属を少なくとも含有するもの（Ｃａ，Ｃｅ，Ｃｓ，Ｒｂ，Ｂａ，Ａｌ，Ｍｇ：Ａｇ合金、Ａｌ；Ｌｉ合金）もしくは薄膜の絶縁層と金属電極の積層（ＬｉＦ／Ａｌ等）を用いることができる。
電極層５ａの材料としては、ＡｌやＣｕ等の公知の材料が使用できる。形成される電極層５ａの厚さは、Ａｌの場合は１０ｎｍ以下、Ｃｕの場合は２０ｎｍ以下が好ましい。
【００３５】
以下に、この発明の有機ＬＥＤ素子の製造方法の実施例を図３および図４を参照しながら説明する。
〔実施例１〕
有機ＬＥＤ素子２０の製造方法の実施例を、図３を参照しながら説明する。
【００３６】
まず、転写層を含む転写フィルム２１を作製した。基材フィルム９として厚さ１５０μｍのポリエチレンテレフタレートを用い、陽極７として酸化インジウムに１０％の酸化亜鉛を含むＩＤＩＸＯを１５０ｎｍの厚さで形成した。ＩＤＩＸＯの成膜はＤＣマグネトロンスパッタ法を用い、スパッタガスとしては１％の酸素を含むＡｒガスを使用した。
さらに転写層としてホール輸送材料であるＮＰＤ、発光層であるＡｌｑ３をそれぞれ５０ｎｍの厚さで蒸着して有機層６を形成した。次いで、陰極５としてＬｉＦ／Ａｌの層を、それぞれ１ｎｍ、１５０ｎｍの厚さで抵抗加熱蒸着法により形成して転写フィルム２１を作製した。
【００３７】
次に、基板１上にエポキシ系樹脂を塗布して表面を平坦化した。この上に、電極パッド２と取りだし配線１６（図２）をＡｌで形成し、電極パッド２上に導電性突起１５（図２参照）をマスクパターンとＡｌの抵抗加熱蒸着で１１０ｎｍの厚さに形成した。電極パッド２上の導電性突起１５のエッジは、蒸着によりテーパー状に形成した。なお、リフトオフで導電性突起を形成した場合は、導電性突起１５のエッジは、より垂直に近いテーパー状になる。
【００３８】
次いで、絶縁性接着層４となる熱硬化性樹脂をインクジェット法で電極パッド２上に１００ｎｍの厚さで塗布した。
このようにして作製した基板１側のフィルムと転写フィルム２１を張合わせ、加熱により熱硬化性樹脂（絶縁性接着層４）を硬化させた後、基材フィルム９を剥離し、封止膜８で覆った（図１参照）。
【００３９】
基板１側のフィルムと転写フィルム２１を張合わせた際、張合わせ時の圧力で、導電性突起１５上の熱硬化性樹脂は横方向すなわち、電極パッド２の表面と平行する方向に押し流され、電極パッド２と陰極５は導電性突起１５を介して電気的に接続される。なお、基板１は、ガラス上に有機ＬＥＤ素子の駆動用トランジスタ、データ書き込み用トランジスタ、データ保持用キャパシタ、配線を形成したＴＦＴ基板を用いた。
【００４０】
上記のように製造された有機ＬＥＤ素子２０について、ＩＤＩＸＯ側を＋、Ａｌ側を−にして電圧を印加すると、ＩＤＩＸＯを通してＡｌｑ３からの緑色発光が確認できた。
【００４１】
〔実施例２〕
有機ＬＥＤ素子４０の製造方法の実施例２を、図１、図４および図５を参照しながら説明する。
【００４２】
まず、転写層を含む転写フィルム２２を作製した。基材フィルム９として厚さ１５０μｍのポリエチレンテレフタレートを用い、陽極７として酸化インジウムに１０％の酸化亜鉛を含むＩＤＩＸＯを１５０ｎｍの厚さで形成した。ＩＤＩＸＯの成膜はＤＣマグネトロンスパッタ法を用い、スパッタガスとしては１％の酸素を含むＡｒガスを使用した。
【００４３】
さらに転写層としてホール輸送材料であるＮＰＤ、発光層であるＡｌｑ３をそれぞれ５０ｎｍの厚さで蒸着して有機層６を形成した。次いで、陰極５としてＬｉＦ／Ａｌの層を、それぞれ１ｎｍ、１０ｎｍの厚さで抵抗加熱蒸着法により形成した。
次いで、絶縁性接着層４となる熱硬化性樹脂４ａをスピンコート法で陰極５上に１００ｎｍの厚さで塗布して転写フィルム２２を作製した。
【００４４】
次に、基板１上にエポキシ系樹脂を塗布して表面を平坦化した。電極パッド２と取りだし配線１６（図５）をＡｌで形成し、電極パッド２上に導電性突起２５（図５参照）をマスクパターンとＡｌの抵抗加熱蒸着で１１０ｎｍの厚さに形成した。導電性突起２５は、図５に示すように、複数個の十字型の突起を一直線上に配設した。
電極パッド２上の導電性突起２５のエッジは、蒸着によりテーパー状に形成した。なお、リフトオフで導電性突起を形成した場合は、導電性突起２５のエッジは、より垂直に近いテーパー状になる。
このようにして作製した基板１側のフィルムと転写フィルム２２を張合わせ、加熱により熱硬化性樹脂４ａ（絶縁性接着層４）を硬化させた後、基材フィルム９を剥離し、封止膜８で覆った（図１参照）。
【００４５】
なお、熱硬化性樹脂４ａは転写フィルム２２のフィルム全面に塗布されるので、転写後、隣の画素との間でも陽極７、有機層６および陰極５の積層が隣の画素までつながり、隣り合った画素の間で電流リークが生じる。しかし、この実施例２では、陰極５の膜厚を薄くしたので（すなわち、Ａｌの層を１０ｎｍの厚さにしたので）、基板１に対して横方向の抵抗すなわち、基板１の表面と平行する方向の抵抗を高く設定することができ、それによってクロストークを低減することができる。
【００４６】
基板１側のフィルムと転写フィルム２１を張合わせた際、張合わせ時の圧力で、導電性突起２５上の熱硬化性樹脂４ａは横方向、すなわち、電極パッド２の表面と平行する方向に押し流され、電極パッド２と陰極５は導電性突起２５を介して電気的に接続される。
【００４７】
十字型の導電性突起２５を形成することによって、接着剤は十字型の中心より外側へ移動しやすくなり、接触面積が増えるので、画素内の輝度むらが減少する。また、複数の導電性突起２５を設けることによって画素内の輝度むらが減少する。
【００４８】
上記のように製造された有機ＬＥＤ素子４０について、ＩＤＩＸＯ側を＋、Ａｌ側を−にして電圧を印加すると、ＩＤＩＸＯを通してＡｌｑ３からの緑色発光が確認できた。
【００４９】
〔実施例３〕
有機ＬＥＤ素子６０の製造方法の実施例３を、図３および図６を参照しながら説明する。
【００５０】
導電性突起の形状および塗布した熱硬化性樹脂４ａの厚さが異なる以外は、実施例１と同様に転写フィルム２１を作製した。すなわち、エポキシ系樹脂を用いて表面を平坦化しＡｌの電極パッド２を形成し、電極パッド２上に複数個の星型の導電性突起３５を一直線上に配設した（図６参照）。次いで、熱硬化性樹脂４ａを１００ｎｍの厚さでスピンコートにより形成した。
【００５１】
基板１側のフィルムと転写フィルム２１を張合わせ、互いに圧着した後、Ｎ２雰囲気のオーブン中で加熱して熱硬化性樹脂４ａを硬化させた。次いで、基材フィルム９を剥離し、封止膜８で覆った（図１参照）。
【００５２】
導電性突起３５を星型に形成することで、基板１側のフィルムと転写フィルム２１を張合わせたときに、熱硬化性樹脂４ａは、星型の中心より外側へ移動しやすくなり、導電性突起３５の放射状の分枝間に容易に分散されるので、電極パッド２の表面と電極層５ａの間に絶縁性接着層４を均一に形成できる。それにより、導電性突起３５と電極パッド２の接触面積が増えるので、接触不良が低減され、画素内の輝度むらが減少する。
【００５３】
上記のように製造された有機ＬＥＤ素子６０について、ＩＤＩＸＯ側を＋、Ａｌ側を−にして電圧を印加すると、ＩＤＩＸＯを通してＡｌｑ３からの緑色発光が確認できた。
【００５４】
陰極５は、通常、１ｎｍ〜２００ｎｍの薄膜で形成されるが、薄膜面に垂直方向に流れる電流は陰極５中を１ｎｍ〜２００ｎｍ流れるだけである。しかし、水平方向へ流れる電流が数ｕｍ〜数十ｕｍの距離を流れる場合、抵抗値は高く電流は流れにくくなる。したがって、１画素内でも、陰極５と電極パッド２が導電性突起で部分的に接続されている場合は、画素内の輝度むらが発生する。電極パッド２の大きさを単純に大きくした場合、導電性突起に押し流される接着剤の体積が増加し、圧着時に行き場が無くなった接着剤のため、接触不良の原因となる。
上記した実施例２および３では、導電性突起２５および３５が、小さくかつ分散して複数個形成されるので、基板１上の電極パッド２から陰極５へ流れる電流がより均一になるため、大きい導電性突起を１つだけ形成する場合に比較して、１画素内での輝度むらを低減することが可能となる。
【００５５】
前記した実施例１〜３では、導電性突起１５，２５，３５の表面と電極層５ａとは、互いの電気的接続部位において、接着層が介在しないので、互いの電気的接続は強固なものになる。
電極パッド２と転写フィルム２１とを絶縁性接着層を介して接着する工程は、絶縁性接着剤を、スルホール１６および電極パッド２を含んだ基板１の表面および／または転写フィルム２１の電極層５ａに塗布し、電極パッド２の表面と転写フィルム２１の電極層５ａとが接着されるので、基板１を含めて塗布されてなる絶縁性接着層４により、クロストーク電流はない。
【００５６】
【発明の効果】
この発明では、基板上に形成された電極パッドの表面と転写層の電極層とを絶縁性接着層を介して接着し、それによって導電性突起と転写層の電極層とを電気的に接続するので、電極パッドと電極層とは、絶縁性接着層の接着力によって互いに引き付けられ、この接着力によって導電性突起の表面と電極層とは、電気的に接続される。導電性突起の表面と転写層の電極層とは、互いの電気的接続部位において、接着層（絶縁性または導電性接着層）が介在しないので、互いの電気的接続は強固なものになる。さらに、電極パッドと電極層とは、絶縁性接着層で接着されているので、リーク電流の発生を防止することができる。
【００５７】
したがって、基板上に第１電極を積層するに際し、従来のようにエッチングによって基板上に酸化を生じることなく、所望するパターンを形成できるので、電極も含めた転写層を形成し、この転写層を転写する場合にも、パターンのかすれ等を生じることがなく高精細なパターンの形成が可能になる。
また、従来、陰極側から光を取り出すことはできなかったが、透明電極と薄い金属薄膜からなる電極層とを用いることによって、陰極側から光を取り出せる素子構成が可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の実施の形態による有機ＬＥＤ素子の構成を示す断面図である。
【図２】図１の有機ＬＥＤ素子２０の一方について、図１のＡ−Ａ断面で示した平面図である。
【図３】図１の有機ＬＥＤ素子の製造方法を説明するため正面断面図である。
【図４】図１の有機ＬＥＤ素子の他の製造方法を説明するため正面断面図である。
【図５】図２の導電性突起の他の例を示す平面図である。
【図６】図２の導電性突起のさらに他の例を示す平面図である。
【符号の説明】
１　　基板
２　　電極パッド
３　　絶縁膜（３ａおよび３ｂ）
４　　絶縁性接着層
４ａ　熱硬化性樹脂
５　　陰極（第１電極、電極層）
５ａ　電極層
６　　有機層
７　　陽極（第２電極）
８　　封止膜
９　　ベースフィルム
１０　　転写補助層
１５　　導電性突起
１５ａ　　　　傾斜部
１６　　スルホール（取り出し配線）
２１　　転写フィルム
２２　　転写フィルム
２５　　導電性突起
３５　　導電性突起
４０　　有機ＬＥＤ素子
６０　　有機ＬＥＤ素子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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