(57)【要約】【課題】比誘電率が大きく、かつ、誘電正接が小さい誘電体組成物を得る。【解決手段】ペロブスカイト型の結晶構造を有するフィラー群から選ばれた１種以上のフィラー（フィラーＡ）と、アルミナ、シリカ、ムライト、マグネシア、ベリリア、ステアタイト、コーディエライト、窒化アルミニウム、フォルステライトから選ばれた１種以上のフィラー（フィラーＢ）と、エポキシ樹脂を含有することを特徴とする誘電体組成物。【選択図】  なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
ペロブスカイト型の結晶構造を有するフィラー群から選ばれた１種以上のフィラー（フィラーＡ）と、アルミナ、シリカ、ムライト、マグネシア、ベリリア、ステアタイト、コーディエライト、窒化アルミニウム、フォルステライトから選ばれた１種以上のフィラー（フィラーＢ）と、エポキシ樹脂を含有することを特徴とする誘電体組成物。
【請求項２】
フィラー成分中に占める前記フィラーＡの割合が６０体積％以上９０体積％以下であることを特徴とする請求項１記載の誘電体組成物。
【請求項３】
前記フィラーＡの平均粒径が前記フィラーＢの平均粒径の５倍以上であることを特徴とする請求項１記載の誘電体組成物。
【請求項４】
誘電体組成物全体に占めるフィラーの割合が６０体積％以上９０体積％以下であることを特徴とする請求項１記載の誘電体組成物。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか記載の誘電体組成物を使用したキャパシタ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、フィラーと樹脂を含有してなる誘電体組成物であって、特に、１ＭＨｚ以上の周波数において比誘電率が５０以上と大きくかつ誘電正接が１％以下と小さいキャパシタ用層間絶縁材料であり、高静電容量、電力ロスの小さいキャパシタとしての機能を内蔵する回路基板材料として好適な特性を示す誘電体組成物に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、電子機器の小型化、信号の高速化や大容量化の要求に伴って、実装回路部品の高密度化が進んでいることにより、電気的ノイズが増大し、データエラーが発生することが問題になってきている。この電気的ノイズの発生を抑え、半導体デバイスを安定に動作させるためには、半導体デバイスに近い位置から必要量の電流を供給することが重要である。このためには半導体デバイス直下に容量の大きなキャパシタを配置することが有効である。
【０００３】
キャパシタを内層に形成する手段としてセラミックス配線板におけるグリーンシート法が知られている（非特許文献１参照）。グリーンシート法では無機粉末と樹脂からなる成形体と配線材料、絶縁材料を積層した後に８００℃以上の高温で一括焼成し、樹脂の分解飛散、無機粒子の固相焼結を行うことにより、キャパシタを内蔵した配線板が形成できる。このようにして得られたキャパシタ中のセラミックスは焼結、樹脂分の飛散により高密度化し、値数千オーダーと高い比誘電率を示す材料となる。（非特許文献２参照）しかし、プリント配線板はセラミックス配線板よりも耐熱性が低く、８００℃以上の温度での焼成に耐えることができない。これに対し、高誘電率を有するフィラーと樹脂を混合した複合体をプリント配線板の内層に用いる方法（例えば、特許文献１〜３参照）は、複合体形成時の加熱温度を３００℃以下に抑えることができるため、プリント配線板にキャパシタを内蔵する方法として有効である。複合体を高機能化するためには、適切なフィラー、樹脂、添加剤の選択が必要である。フィラーの最適化の手法としては、２種以上の種類もしくは粒径のフィラーを混合する方法が提案されている。例えば、比誘電率の温度特性コントロールのために大きい誘電率を有するフィラーと誘電率の温度変化が小さいフィラーを混合して用いている（特許文献４参照）。また、液状樹脂中または樹脂ワニス中のフィラーの沈降を抑制するために、高誘電率のフィラーと沈降速度の小さいフィラーを混合して用いている（特許文献５）。また、異なる粒度分布を有する２種類以上のフィラーを混合することによって複合体中のフィラーを高充填化し、比誘電率の向上を図る場合もある（例えば、特許文献６、７参照）。
【０００４】
【特許文献１】
特開平５−５７８５２号公報（特許請求の範囲）
【０００５】
【特許文献２】
特開平６−８５４１３号公報（特許請求の範囲）
【０００６】
【特許文献３】
特開平１１−１０６６５０号公報（特許請求の範囲）
【０００７】
【特許文献３】
特開平１１−１０６６５０号公報（特許請求の範囲）
【０００８】
【特許文献４】
特開平０７−７９０５６号公報（特許請求の範囲）
【０００９】
【特許文献５】
特開平１４−２６５７９７号公報（特許請求の範囲）
【００１０】
【特許文献６】
特開昭５３−８８１９８号公報（特許請求の範囲）
【００１１】
【特許文献７】
特開２００１−２３３６６９号公報（特許請求の範囲）
【００１２】
【非特許文献１】
エレクトロニクス実装技術基礎講座  第２巻（工業調査会出版、（社）ハイブリッドマイクロエレクトロニクス協会編、第１１８〜１２２頁）
【００１３】
【非特許文献２】
微粒子工学大系  第２巻（（株）富士テクノシステム出版、柳田博明編、第１９０頁）
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来の複合体において１ＭＨｚ以上の高周波領域で大きい比誘電率を示し大容量キャパシタ用層間絶縁材料の機能を有する一方で、電力ロスを小さく抑えるような小さい誘電正接を示す複合体を得ることは困難であった。例えば高誘電率のフィラーとして一般的に知られているペロブスカイト型の結晶構造を有するフィラーを使用した場合、大きな比誘電率の複合体が得られたが、１ＭＨｚ以上の周波数領域において誘電正接が１〜１０％と大きかった。また、酸化チタン、シリカ、アルミナなどの低誘電正接のフィラーを使用した場合、１ＭＨｚ以上の周波数領域で誘電正接が１％以下と小さかったが、比誘電率は３〜２０程度と低かった。
【００１５】
かかる状況に鑑み、本発明は、高誘電率かつ低誘電正接の誘電体組成物を提供する。
【００１６】
【課題を解決するための手段】
すなわち本発明は、以下の構成からなる。
【００１７】
（１）ペロブスカイト型の結晶構造を有するフィラー群から選ばれた１種以上のフィラー（フィラーＡ）と、アルミナ、シリカ、ムライト、マグネシア、ベリリア、ステアタイト、コーディエライト、窒化アルミニウム、フォルステライトから選ばれた１種以上のフィラー（フィラーＢ）と、エポキシ樹脂を含有することを特徴とする誘電体組成物。
【００１８】
（２）フィラー成分中に占める前記フィラーＡの割合が６０体積％以上９０体積％以下であることを特徴とする（１）記載の誘電体組成物。
【００１９】
（３）前記フィラーＡの平均粒径が前記フィラーＢの平均粒径の５倍以上であることを特徴とする（１）記載の誘電体組成物。
【００２０】
（４）誘電体組成物全体に占めるフィラーの割合が６０体積％以上９０体積％以下であることを特徴とする（１）記載の誘電体組成物。
【００２１】
（５）（１）〜（４）のいずれか記載の誘電体組成物を使用したキャパシタ。
【００２２】
【発明の実施の形態】
本発明における誘電体組成物とはフィラーと樹脂を含有し、使用目的に応じた比誘電率、誘電正接を有する組成物である。本発明において高誘電率である、または比誘電率が大きい、とは誘電体組成物の比誘電率が５０以上であることを意味し、低誘電損失である、または誘電正接が小さい、とは誘電体組成物の誘電正接が１％以下であることを意味する。誘電体組成物をキャパシタ用の層間絶縁材料として利用する場合、小容積で大きな静電容量を得るためには誘電体組成物の比誘電率が大きいほど有利である。また、キャパシタにおける電気的ノイズは誘電正接および周波数の増大に伴って大きくなるので、誘電正接が１％より大きくなると特にＭＨｚ〜ＧＨｚの高周波数領域において電気信号の伝送損失が大きくなり好ましくない。一方、誘電正接が小さいほど伝送損失を低減できるが、誘電正接が０．０１％以下になると誘電率の値を５０以上にすることは困難である。
【００２３】
誘電体組成物の形態は、膜状、棒状、球状など、用途に合わせて選択することができるが、特に膜状であることが好ましい。ここでいう膜とは、フィルム、シート、板、ペレットなども含まれる。もちろん、導通のためのビアホール形成、インピーダンスや静電容量あるいは内部応力の調整、または、放熱機能付与など、用途に合わせたパターン形成を行うこともできる。
【００２４】
本発明で使用するフィラーＡとしては、組成物の比誘電率を大きくする材料が好ましく、フィラーＡ自身の比誘電率が大きい材料が好ましい。チタン酸バリウム系、チタン酸ジルコン酸バリウム系、チタン酸ストロンチウム系、チタン酸カルシウム系、チタン酸ビスマス系、チタン酸マグネシウム系、チタン酸バリウムネオジミウム系、チタン酸バリウム錫系、マグネシウムニオブ酸バリウム系、マグネシウムタンタル酸バリウム系、チタン酸鉛系、ジルコン酸鉛系、チタン酸ジルコン酸鉛系、ニオブ酸鉛系、マグネシウムニオブ酸鉛系、ニッケルニオブ酸鉛系、タングステン酸鉛系、タングステン酸カルシウム系、マグネシウムタングステン酸鉛系などがあり、これらのうち１種を単独で用いたり、２種以上を混合して用いたりすることができる。また、誘電特性や温度安定性を向上させる目的で、シフター、デプレッサー剤などを添加して用いることも可能である。
【００２５】
フィラーの比誘電率、誘電正接は、たとえばフィラーを加熱、焼成することにより得られる焼結体の誘電特性から類推できる。焼結体の誘電特性は以下の手順によって測定する。フィラーをポリビニルアルコールのようなバインダー樹脂、有機溶剤もしくは水を混合してペースト状組成物を作製した後、ペレット成型器の中に充填して乾燥させ、ペレット状固形物を得る。そのペレット状固形物を、例えば９００〜１２００℃程度まで加熱、焼成することにより、バインダー樹脂を分解、除去し、フィラーを焼結させることで焼結体ペレットを得ることができる。この焼結体ペレットに上下電極を形成し、ＪＩＳ  Ｋ６９１１に準じて静電容量、誘電正接を測定する。静電容量と焼結体ペレットの寸法より比誘電率を計算する。
【００２６】
フィラーＢとしては、組成物の誘電正接を小さくする材料が好ましく、フィラーＢ自身の誘電正接が小さい材料が好ましい。アルミナ、シリカ、シリコン、ムライト、マグネシア、ベリリア、ステアタイト、コーディエライト、窒化アルミニウム、フォルステライトがあり、これらのうち１種を単独で用いたり、２種以上を混合して用いることができる。特にアルミナや窒化アルミニウムは樹脂に対する分散性を制御しやすいので好ましい。また組成物の比誘電率の増大にはフィラーＡの比誘電率が寄与するが、フィラーＢの比誘電率が大きいとさらに本発明の目的とする好ましい組成物ができる。
【００２７】
本発明で用いられる樹脂は、エポキシ樹脂が好ましい。本発明の手法に沿った複合体の形成はポリフェニレンエーテル、ポリフェニレンスルフィド、ポリエーテルサルフォン、ポリエーテルイミド、液晶ポリマー、ポリスチレン、ポリエチレン、フッ素樹脂などの熱可塑性樹脂、フェノール樹脂、シロキサン樹脂、ポリイミド、アクリル樹脂、シアネート樹脂、ベンゾシクロブテン樹脂などの熱硬化性樹脂を使用しても可能であるが、フィラーＡ、フィラーＢの混合フィラー系においては特にエポキシ樹脂の場合に大きい誘電率が得られる。ここで、エポキシ樹脂とは、分子構造中にエポキシ基（オキシラン環）を２個以上含むプレポリマーに硬化剤を添加した樹脂である。硬化剤には、フェノールノボラック樹脂、ビスフェノールＡ型ノボラック樹脂、アミノトリアジン化合物、ナフトール化合物などの硬化剤を用いることができる。
【００２８】
本発明に好ましく使用される熱硬化性樹脂には、必要に応じて２−エチル−４−メチルイミダゾール、トリフェニルホスフィン等の硬化促進剤やジクミルパーオキサイド等の重合開始剤を添加することができる。さらに必要に応じて、安定化剤、分散剤、沈降防止剤、可塑剤、酸化防止剤などを添加しても良い。
【００２９】
フィラーの形状は、球形、楕円形、三角状、長方形状、針状などのいずれでもよく、それらを取り合わせて用いることも可能である。
【００３０】
フィラーＡを作製する方法は特に限定されないが、超臨界水熱合成法、ゾルゲル法、シュウ酸法など従来の方法を用いることができる。フィラーＢを作製する方法は特に限定されないがそれぞれのフィラーについて所望の結晶系、粒径を製造するに適した方法を用いることができる。例えば、アルミナの場合、０．１μｍ程度の比較的大きな粒径を有するフィラーは、バイヤー法（湿式アルカリ法）により得たアルミナ原料を溶融再結晶化させて純度を上げ、その後粉砕処理を施す方法により得ることができる。また、数十ｎｍ〜数μｍの粒径を有する微粒子を得たい場合は、熱分解法、加水分解法、エチレンクロルヒドリン法、水中火花放電法、炭酸塩熱分解法などを適用することができる。
【００３１】
本発明のフィラー全体に占めるフィラーＡの割合は６０体積％以上９０体積％以下であることが好ましく、より好ましくは７０体積％以上８５体積％以下である。フィラーＡの割合が６０体積％より低い場合、誘電体組成物の比誘電率を５０以上にすることが難しい。なお、フィラーＡの割合が６０体積％より低い場合でも誘電体組成物の比誘電率を高くすることができるが、その場合上記の例の中で特に比誘電率が大きな化合物を、フィラーＡ全体に対し高い割合で使用する必要がある。このとき比誘電率が大きくなるほど比誘電率の温度変化や周波数変化が大きくなる場合があるので、注意を要する。また、９０体積％を越える含有率になるとフィラーの分散制御が難しくなり誘電率増大および誘電正接低減が難しくなるなどの問題が発生する場合がある。
【００３２】
本発明では、フィラーＡの平均粒径はフィラーＢの平均粒径の５倍以上であることが好ましい。誘電体組成物中のフィラーＡ、Ｂの平均粒径は、組成物薄膜を形成し、その薄膜の膜厚方向に膜断面を切り出した超薄切片に対してＸＭＡ測定、および透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）観察を行うことにより評価可能である。フィラーと樹脂で電子線に対する透過率が異なるので、ＴＥＭ観察像中でフィラーと樹脂はコントラストの違いにより識別できる。フィラーＡ、Ｂの同定はＸＭＡ測定に基づく元素分析および電子線回折像観察による結晶構造解析を行うことにより可能である。このようにして同定されたフィラーＡ、フィラーＢの面積の分布を画像解析により求め、フィラーの断面を円形と近似して面積から粒径分布を算出できる。粒径分布のデータを算術平均したものをフィラーの平均粒径とする。フィラーＡおよび／またはフィラーＢがそれぞれ複数種のフィラーで構成される場合においても、フィラーＡ、もしくはフィラーＢと同定されたフィラー全体の粒径分布より平均粒径を算出できる。何れの手法を用いた場合でも、十分なデータ数を得るために、評価対象の面積は１００μｍ２以上である方が好ましい。平均粒径を精度良く算出するためには、粒径分布の階級ごとの範囲は１０μｍ以下に設定する必要がある。超薄切片を切り出す方向は膜厚方向および膜厚方向に垂直方向など、１００μｍ２以上の面積を連続的に得られる方向であれば良い。
【００３３】
フィラーＡ、Ｂの平均粒径が近いと、誘電体組成物の全固形分中に占める全フィラーの割合（フィラー率）が大きい場合に、誘電体組成物中に空隙が発生しやすくなり、誘電体組成物の比誘電率向上に寄与できない場合がある。フィラーＡの平均粒径がフィラーＢの平均粒径に対して５倍以上の場合、フィラー率増大に伴って誘電体組成物の比誘電率が増大できる。すなわち、一定の平均粒径の差があれば、「バイモーダル化」（平均粒径が異なる２種類のフィラーを混合する）による比誘電率向上効果が得られる。
【００３４】
フィラーＡの平均粒径は０．２μｍ〜２μｍの範囲であることが好ましい。平均粒径が０．２μｍより小さくなると、フィラーの体積に対する表面積の影響が大きくなるので高誘電率を有する結晶構造が得られにくくなる。また、フィラー自身が組成物中で凝集しやすくなる上、製造が難しくなるのでコスト高になりやすい。一方、平均粒径が大きいほどフィラーの誘電率が大きくなる傾向があるが、組成物の表面粗度が増大する場合がある。表面粗度はインピーダンスのばらつきに直結するので、一定レベル以下にコントロールする必要がある。表面粗度の許容範囲は膜厚との関係で決めることが実用的であるが、膜厚が薄くなることによる静電容量増大という観点から、表面粗度は１μｍ以下であることが好ましい。誘電体組成物の表面は樹脂によりレべリングされるが、フィラーの平均粒径を２μｍ以下にすることが表面粗度を１μｍ以下にコントロールする上で有効である。
【００３５】
本発明の誘電体組成物全体に占めるフィラーの割合（フィラー率という）は６０体積％以上９０体積％以下であることが好ましく、より好ましくは７０体積％以上９０体積％以下、さらに好ましくは８０体積％以上９０体積％以下である。フィラーの割合が６０体積％より低いと、誘電体組成物の機械的強度が不十分な場合がある。また、フィラーの割合が９０体積％を越えるとフィラーの分散制御が難しくなるので、誘電率増大および誘電正接低減が難しくなるだけでなく、製膜時の成形性が悪化する、製膜後に温度変化によりクラックが入りやすくなる、などの問題が発生する場合がある。
【００３６】
キャパシタの層間絶縁材料として用いる場合の膜厚は、静電容量が所望の値を満たす範囲内で任意に設定することができるが、２μｍ以上２０μｍ以下であることが好ましい。さらに好ましくは、４μｍ以上１０μｍ以下のものである。キャパシタとして大きな静電容量を確保するには膜厚が薄い方が好ましいが、２μｍより薄い場合にはピンホールが発生しやすく、電気的絶縁が得られにくくなる。また、膜厚が２０μｍを越えると、十分な静電容量を得るために大きな比誘電率が必要となる上、キャパシタの容積が増大するので実装密度向上が難しくなる。
【００３７】
本発明で得られる誘電体組成物は、上述のフィラーと樹脂に溶剤、添加剤等を加え適宜分散することによって得たペースト組成物を基板上に塗布し、脱溶剤、固化（例えば、熱などによる硬化）のために加熱処理を行うことにより得られる。ここで、添加剤とはフィラーや樹脂がペースト中で安定に分散状態を保つ分散剤や表面処理剤、塗布膜の平滑性を向上させるための界面活性剤など、分散安定性や成形性、塗膜の信頼性向上のために添加する材料を意味し、それぞれ必要に応じて使用することができる。
【００３８】
ペースト組成物に用いる溶剤は、樹脂を溶解し、かつフィラーの分散を妨げないことが必要である。使用可能な溶剤の例としては、γ−ブチロラクトン、トルエン、クロロベンゼン、トリクロロエチレン、ベンジルアルコール、イソホロン、ジエチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、メトキシメチルブタノール、乳酸エチル、プロピレングリコールモノメチルエーテルおよびそのアセテート、Ｎ−メチルピロリドン、γ−ブチロラクタム、エチレングリコールエーテルアセテート、３−メトキシ３−メチルブタノールおよびそのアセテート、３−メトキシブチルアセテート、２−エチルヘキシルアセテート、シュウ酸エステル、マロン酸ジエチル、マレイン酸エステル、炭酸プロピレン、ブチルセロソルブ、エチルカルビトール、メチルセロソルブ、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、メシチレン、メチルエチルケトン、ジオキサン、アセトン、アセトニルアセトン、シクロヘキサノン、メチルシクロヘキサノン、シクロペンタノン、ジイソブチルケトン、メチルフェニルケトン、イソブチルアルコール、イソプロピルアルコール、テトラヒドロフラン、ジメチルスルホキシド、など挙げられ、これらのうちの１種類以上を混合して用いることができる。
【００３９】
本発明で用いられるフィラーを樹脂へ分散させる方法は特に限定されないが、例えば、超音波分散、３本ロール、クレアミックス、ホモジナイザー、ボールミリング、メディア分散機など、従来の方法を用いることができる。
【００４０】
ペースト組成物を基板上に塗布する方法としては特に限定されないが、例えば、スピンナー、スクリーン印刷、ブレードコーター、ダイコーターなどを用いることができる。
【００４１】
ペースト組成物を塗布する基板としては、例えば、有機系基板、無機系基板、およびこれらの基板に回路の構成材料が配置されたものから選択できる。有機系基板の例としては、ガラス布・エポキシ銅張積層板などのガラス基材銅張積層板、ガラス不織布・エポキシ銅張積層板などのコンポジット銅張積層板、ポリエーテルイミド樹脂基板、ポリエーテルケトン樹脂基板、ポリサルフォン系樹脂基板などの耐熱・熱可塑性基板、ポリエステル銅張フィルム基板、ポリイミド銅張フィルム基板などのフレキシブル基板を用いることができる。
【００４２】
また、無機系基板の例としては、アルミナ基板、窒化アルミニウム基板、炭化ケイ素基板などのセラミックス基板、アルミニウムベース基板、鉄ベース基板などの金属系基板が挙げられる。回路の構成材料の例としては、銀、金、銅などの金属を含有する導体、無機系酸化物などを含有する抵抗体、ガラス系材料および／または樹脂などを含有する低誘電率材料、樹脂やフィラーなどを含有する高誘電率材料、ガラス系材料などを含有する絶縁体などが挙げられる。
【００４３】
脱溶剤、固化のための加熱処理はオーブン、ホットプレートなどを用いて実施することができる。加熱処理条件は使用する溶媒、高分子の種類、および塗布量などによって異なるが、脱溶剤については６０〜１５０℃で１〜６０分加熱し、固化については１２０〜３００℃で１〜１２０分加熱する。
【００４４】
本発明の誘電体組成物は、キャパシタの層間絶縁材料として好ましく使用される。誘電体組成物を用いてキャパシタを形成する方法は特に限定されず、公知の方法を用いることができる。
【００４５】
本発明の組成物が奏するキャパシタの面積あたりの静電容量としては、５〜２０ｎＦ／ｃｍ２の範囲にあることが好ましい。静電容量の温度変化、面内ばらつきは、小さい方が回路設計上好ましい。温度変化についても、できるだけ小さい方が好ましく、例えば、Ｘ７Ｒ特性（−５５〜１２５℃において静電容量の温度変化率が±１５％以内）を満たすことが好ましい。同じく回路設計上の観点から、静電容量の面内ばらつきは、平均値に対して５％以下（静電容量の平均値−５％≦静電容量≦静電容量の平均値＋５％）であることが好ましい。
【００４６】
誘電体組成物の静電容量、比誘電率、誘電正接は例えばＪＩＳ  Ｋ６９１１に準じて以下のようにして測定できる。すなわち、面積１０ｃｍ×１０ｃｍ、厚さ０．３ｍｍのアルミニウム基板上の全面に誘電体組成物の塗膜を形成する。塗膜上に導電性ペーストをパターン印刷することにより測定用電極を形成する。測定用電極とアルミニウム基板に挟まれた部分が測定対象領域となる。測定対象領域の静電容量と誘電正接をインピーダンスアナライザー（例えば、アジレントテクノロジー（株）製４２９４Ａ）により測定する。比誘電率は静電容量と測定対象領域の寸法から算出する。測定ノイズ低減の観点から、塗膜上の測定用電極のパターンは円形であること、測定用電極の外周から０．５〜１ｍｍ離して円形パターンを囲むようにリング状の電極（ガード電極という）を配した方が好ましい。測定対象領域の寸法、すなわち、測定用電極の直径（面積）、誘電体組成物の膜厚は測定精度に影響するので、誘電体組成物の物性に合った条件を選択する必要がある。本発明では、測定用電極は直径１０ｍｍの円形パターン、ガード電極は内径１１．５ｍｍのリング状パターン、誘電体組成物の膜厚は１０μｍ〜２０μｍの範囲とした。誘電体組成物の塗膜はスピンコートしたペースト組成物を適宜加熱し、溶媒蒸発、樹脂硬化させることにより形成した。また、温度、吸湿状態も誘電特性に影響するので、誘電体組成物を測定条件である一定の温度、湿度雰囲気下に２４ｈｒ放置した後に測定を行った。
【００４７】
本発明で得られる誘電体組成物は、高誘電率層としてプリント配線基板の内蔵キャパシタの他にも多層基板の層間絶縁膜、周波数フィルター、無線用アンテナ、電磁シールドなど、多くの電子部品、装置への適用が可能である。
【００４８】
【実施例】
実施例１
以下の平均粒径、比重を有する二種類のフィラーを用意した。
フィラーＡ
フィラー名：チタン酸バリウム（堺化学（株）製  ＢＴ−０５）
平均粒径：５００ｎｍ
比重：５．７５ｇ／ｃｍ３
フィラーＢ
フィラー名：シリカ（アドマテックス（株）製、アドマファインＳＯ−Ｃ２）
平均粒径：４００ｎｍ
比重：２．２ｇ／ｃｍ３。
【００４９】
フィラーＡを６４．７８重量部、フィラーＢを６．９９重量部、γ−ブチロラクトンを１０．９２重量部、分散剤（ビックケミー（株）製、ＢＹＫ−Ｗ９０３）を１．７５重量部の割合で混合した溶液をホモジナイザーを用いて混合、撹拌し、分散液ＪＸを得た。エポキシ樹脂（日本化薬（株）製、ＥＰＰＮ５０２Ｈ）を２重量部、フェノールノボラック樹脂（大日本インキ工業（株）製、ＴＤ−２１３１）を１．２３重量部、硬化促進剤（北興化学（株）製、トリフェニルホスフィン）を０．０３重量部、γ−ブチロラクトンを１２．３３重量部の割合で混合し、エポキシ樹脂溶液ＪＹを得た。分散液ＪＸとエポキシ樹脂溶液ＪＹをボールミルを用いて混合し、ペースト組成物を調製した。このペースト組成物を厚さ３００μｍのアルミニウム基板上にダイコーターを用いて塗布し、オーブンを用いて、８０℃×１５分間で乾燥させた後、１７５℃×１時間で硬化させ、膜厚１０μｍの誘電体組成物を得た。得られた誘電体組成物中のフィラーＡとＢの混合比率は７２体積％：２８体積％であり、誘電体組成物中の全固形分に占めるフィラーの割合（フィラー率）は８３体積％であった。
【００５０】
次に、この誘電体組成物にアルミニウム電極を蒸着法により形成し、１ＭＨｚにおける誘電特性をインピーダンスアナライザ（アジレントテクノロジー（株）製４２９４Ａ）を用いて、ＪＩＳ  Ｋ６９１１に準じて測定した。測定用電極は直径１０ｍｍの円形パターン、ガード電極は内径１１．５ｍｍのリング状パターン、とした。誘電体組成物を測定条件である２５℃、湿度６０％ＲＨに２４ｈｒ放置した後に測定を行った。比誘電率は６０、誘電正接は０．５％であった。
【００５１】
実施例２〜９、比較例１〜３
表１に示したフィラーおよび下記に示した成分を用いて、実施例１と同様の手法で表２に示す組成のペースト組成物および誘電体組成物を作製し、誘電特性を評価した。結果を表２に示す。
【００５２】
＜フィラー分散液＞
分散剤：ＢＹＫ−Ｗ９０３（ビックケミー（株）製）、ＢＹＫ−Ｗ９０８（ビックケミー（株）製）
溶媒：γ−ブチロラクトン
＜樹脂溶液＞
エポキシ樹脂：ＥＰＰＮ５０２Ｈ（日本化薬（株）製、エポキシ当量１７１ｇ／ｅｑ）
フェノールノボラック樹脂：ＴＤ−２１３１（大日本インキ工業（株）製、水酸基当量１０３ｇ／ｅｑ）
硬化促進剤：トリフェニルホスフィン（北興化学（株）製）
溶媒：γ−ブチロラクトン
【００５３】
【表１】
2004363065.tif 000002
【００５４】
【表２】
2004363065.tif 000003
【００５５】
【発明の効果】
本発明により、１ＭＨｚ以上の周波数において比誘電率が５０以上と大きくかつ誘電正接が１％以下と小さい誘電体組成物を得ることができ、この誘電体組成物をキャパシタ用層間絶縁材料として用いることで、高静電容量、電力ロスの低いキャパシタとしての機能を内蔵する回路基板材料を得ることができる。