(57)【要約】【課題】記録密度を高めたパターンドメディアに対してサーボ制御を十分に高い精度で実施可能とすること。【解決手段】本発明の記録媒体１は、互いに磁気的に分離した強磁性体ドット２１０１または強磁性体ドット群を第１方向４１に配列してなる記録トラック２１が第２方向４２に配列した記録領域２と、記録領域２に対して第１方向４１に隣接するとともにサーボ情報を保持した制御領域３とを具備し、制御領域３では、互いに磁気的に分離した強磁性体ドット３１０１を配列してなる第１部分３０１と強磁性体ドット３１０１が存在していない第２部分３０２とが第２方向４２に交互に配列し、第１部分３０１において、第１及び第２部分３０１，３０２間の境界に接した強磁性体ドット３１０１の少なくとも１つは、その境界から離れて位置した強磁性体ドット３１０１の形状から境界側の一部を欠落させた形状を有していることを特徴とする。【選択図】    図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに磁気的に分離した強磁性体ドットまたは強磁性体ドット群を第１方向に配列してなる記録トラックが前記第１方向と交差する第２方向に配列した記録領域と、前記記録領域に対して前記第１方向に隣接するとともにサーボ情報を保持した制御領域とを具備し、
前記制御領域では、互いに磁気的に分離した強磁性体ドットを配列してなる第１部分と前記強磁性体ドットが存在していない第２部分とが前記第２方向に交互に配列し、
前記第１部分において、前記第１及び第２部分間の境界に接した前記強磁性体ドットの少なくとも１つは、前記境界から離れて位置した前記強磁性体ドットの形状から前記境界側の一部を欠落させた形状を有していることを特徴とする記録媒体。
【請求項２】
前記記録領域及び前記制御領域はドット状凸部を備えた下地と前記下地上に設けられるとともに連続膜の形態を有し強磁性材料を含む層とを含み、前記強磁性体ドットは前記強磁性材料を含む層の前記ドット状凸部の上面に位置した部分であることを特徴とする請求項１に記載の記録媒体。
【請求項３】
前記強磁性材料を含む層は、前記第２部分において、前記第１部分及び前記記録領域内で配列した前記強磁性体ドットよりも深部に位置したことを特徴とする請求項２に記載の記録媒体。
【請求項４】
前記記録領域及び前記制御領域の前記強磁性体ドットは、平坦な下地上に設けられるとともに、非磁性層を介して互いに離間していることを特徴とする請求項１に記載の記録媒体。
【請求項５】
前記第１及び第２部分は市松模様状に配列したことを特徴とする請求項１乃至請求項４の何れか１項に記載の記録媒体。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５の何れか１項に記載の記録媒体と、
前記記録媒体に対向可能な記録再生ヘッドと、
前記記録再生ヘッドを前記記録媒体に対して相対移動させる駆動機構とを具備したことを特徴とする記録再生装置。
【請求項７】
ドット状凹部またはドット状凹部群を第１方向に配列してなる記録トラック用転写部が前記第１方向と交差する第２方向に配列した記録領域用転写面と、前記記録領域用転写面に対して前記第１方向に隣接した制御領域用転写面とを具備し、
前記制御領域用転写面では、ドット状凹部を配列してなる第１転写部分と前記ドット状凹部が存在していない第２転写部分とが前記第２方向に交互に配列し、
前記第１転写部分において、前記第１及び第２転写部分間の境界に接した前記ドット状凹部の少なくとも１つは、前記境界から離れて位置した前記ドット状凹部の形状から前記境界側の一部を欠落させた形状を有していることを特徴とする記録媒体の製造装置。
【請求項８】
請求項７に記載の製造装置を型として用いて、表面に前記ドット状凹部に対応したドット状凸部を有する下地を形成する工程と、
前記下地の前記ドット状凸部を設けた面に強磁性材料を含む層を形成する工程とを含んだことを特徴とする記録媒体の製造方法。
【請求項９】
下地上に強磁性材料を含む層を形成する工程と、
前記強磁性材料を含む層上にレジスト層を形成する工程と、
請求項７に記載の製造装置をスタンパとして用いたインプリンティング法により前記レジスト層の表面に前記ドット状凹部に対応したドット状凸部を形成する工程と、
前記ドット状凸部を形成した前記レジスト層をマスクとして用いて前記強磁性層をエッチングする工程とを含んだことを特徴とする記録媒体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、記録媒体、記録再生装置、記録媒体の製造装置、及び記録媒体の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年のマルチメディアの発展に伴い、各ユーザが扱う画像、映像、音声などの情報は益々増大している。そのため、データベースシステムには、大容量化及び高速化が要求されている。
【０００３】
このような背景のもと、ＨＤＤ（Ｈａｒｄ  Ｄｉｓｋ  Ｄｒｉｖｅ）の記録容量を増大すべく、磁気記録媒体の面記録密度の向上が進められており、現在、１ビットに対応した各記録マークのサイズは数１０ｎｍ程度と極めて微細なものになってきている。上記のように微細な記録マークから大きな再生出力を得るには、それぞれの記録マークで、可能な限り大きな飽和磁化と膜厚とを確保することが必要となる。しかしながら、記録マークのサイズを微細化すると、その磁化量が小さくなるため、「熱揺らぎ」により磁化反転が生じる，すなわち磁化情報が消失する，という問題を生じる。
【０００４】
この熱揺らぎに起因した問題を解決する媒体として、「パターンドメディア」と呼ばれる磁気記録媒体が注目されている（例えば、以下の特許文献１を参照のこと）。パターンドメディアは、互いに磁気的に分離した強磁性体ドット，典型的には非磁性体層によって互いに磁気的に分離した強磁性体ドット，の１つまたは複数に１ビットの情報を記録可能とした磁気記録媒体である。
【０００５】
強磁性層を連続膜の形態で形成した場合、記録マークのエッジの位置は強磁性層を構成している結晶粒（或いはドメイン）の粒界の位置と等しくなる。そのため、高いＳ／Ｎ（Ｓｉｇｎａｌ  ｔｏ  Ｎｏｉｓｅ）比を確保するには、結晶粒を極力小さくしなければならず、したがって、磁化最小単位体積Ｖを小さくせざるを得ない。
【０００６】
これに対し、パターンドメディアでは、記録マークのエッジの位置は強磁性体ドットの輪郭に規定されるので、高いＳ／Ｎ比を実現するうえで磁化最小単位体積Ｖを小さくする必要がない。そのため、熱揺らぎの問題を回避することができる。
【０００７】
また、パターンドメディアでは、強磁性体ドット間の干渉が生じ難い。そのため、或る記録マークに記録された情報が隣接した記録マークからの干渉により消失することや、或る記録マークに記録された情報を読み出す際に隣接した記録マークが雑音として作用することを抑制することができる。さらに、パターンドメディアでは、磁壁移動抵抗が大きく、優れた磁気特性を期待できる。
【０００８】
ところで、記録媒体の記録密度を高めた場合、より高精度なサーボ制御が必要である。しかしながら、本発明者らは、本発明を為すに際し、ＨＤＤなどで一般的に採用している方法では、記録密度を高めたパターンドメディアに対して十分に高い精度でサーボ制御を行うことができないことを見出している。
【０００９】
【特許文献１】
特開２００１−１７６０４９号公報
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、記録密度を高めたパターンドメディアに対してサーボ制御を十分に高い精度で実施可能とすることにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明の第１の側面によると、互いに磁気的に分離した強磁性体ドットまたは強磁性体ドット群を第１方向に配列してなる記録トラックが前記第１方向と交差する第２方向に配列した記録領域と、前記記録領域に対して前記第１方向に隣接するとともにサーボ情報を保持した制御領域とを具備し、前記制御領域では、互いに磁気的に分離した強磁性体ドットを配列してなる第１部分と前記強磁性体ドットが存在していない第２部分とが前記第２方向に交互に配列し、前記第１部分において、前記第１及び第２部分間の境界に接した前記強磁性体ドットの少なくとも１つは、前記境界から離れて位置した前記強磁性体ドットの形状から前記境界側の一部を欠落させた形状を有していることを特徴とする記録媒体が提供される。
【００１２】
本発明の第２の側面によると、第１の側面に係る記録媒体と、前記記録媒体に対向可能な記録再生ヘッドと、前記記録再生ヘッドを前記記録媒体に対して相対移動させる駆動機構とを具備したことを特徴とする記録再生装置が提供される。
【００１３】
本発明の第３の側面によると、ドット状凹部またはドット状凹部群を第１方向に配列してなる記録トラック用転写部が前記第１方向と交差する第２方向に配列した記録領域用転写面と、前記記録領域用転写面に対して前記第１方向に隣接した制御領域用転写面とを具備し、前記制御領域用転写面では、ドット状凹部を配列してなる第１転写部分と前記ドット状凹部が存在していない第２転写部分とが前記第２方向に交互に配列し、前記第１転写部分において、前記第１及び第２転写部分間の境界に接した前記ドット状凹部の少なくとも１つは、前記境界から離れて位置した前記ドット状凹部の形状から前記境界側の一部を欠落させた形状を有していることを特徴とする記録媒体の製造装置が提供される。
【００１４】
本発明の第４の側面によると、第３の側面に係る製造装置を型として用いて、表面に前記ドット状凹部に対応したドット状凸部を有する下地を形成する工程と、前記下地の前記ドット状凸部を設けた面に強磁性材料を含む層を形成する工程とを含んだことを特徴とする記録媒体の製造方法が提供される。
【００１５】
本発明の第５の側面によると、下地上に強磁性材料を含む層を形成する工程と、前記強磁性材料を含む層上にレジスト層を形成する工程と、第３の側面に係る製造装置をスタンパとして用いたインプリンティング法により前記レジスト層の表面に前記ドット状凹部に対応したドット状凸部を形成する工程と、前記ドット状凸部を形成した前記レジスト層をマスクとして用いて前記強磁性層をエッチングする工程とを含んだことを特徴とする記録媒体の製造方法が提供される。
【００１６】
記録領域及び制御領域は、ドット状凸部を備えた下地と、その下地上に設けられるとともに連続膜の形態を有し強磁性材料を含む層とを含んでいてもよい。この場合、記録領域及び制御領域の強磁性体ドットは強磁性材料を含む層のドット状凸部の上面に位置した部分であってもよい。また、この場合、強磁性材料を含む層は、第２部分において、第１部分及び記録領域内で配列した強磁性体ドットよりも深部に位置していてもよい。
【００１７】
或いは、記録領域及び制御領域の強磁性体ドットは、平坦な下地上に設けられるとともに、非磁性層を介して互いに離間していてもよい。
また、第１及び第２部分は、市松模様状に配列していてもよい。
【００１８】
なお、ここで、用語「第１方向」は、直線的な方向や円周方向などを包含することとする。また、用語「第２方向」は、「第１方向」が円周方向である場合には典型的には半径方向を意味し、「第１方向」が直線的な方向である場合には典型的には「第１方向」と直交する方向を意味する。さらに、以下の説明では、「強磁性材料を含む層」を「強磁性層」と略す。
【００１９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照しながら説明する。なお、各図において、同様または類似する機能を有する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する説明は省略する。
【００２０】
図１は、本発明の一実施形態に係る記録媒体の一部を概略的に示す平面図である。図１に示す記録媒体１はパターンドメディアであり、基板（図示せず）の一主面上に記録領域２と制御領域３とを設けた構造を有している。なお、図中、両矢印４１はトラック方向である第１方向を示しており、両矢印４２は第１方向４１と交差する第２方向（ここでは第１方向４１に垂直な方向）を示している。
【００２１】
記録領域２は、第２方向４２に配列した複数の記録トラック２１を含んでいる。これら記録トラック２１の幅は互いに等しく、各記録トラック２１は複数の強磁性体ドット（記録セル）２１０１を含んでいる。なお、図中、破線５１は記録トラック２１間の境界を示している。
【００２２】
強磁性体ドット２１０１は、互いに離間するとともに、互いに磁気的に分離している。これら強磁性体ドット２１０１は、各記録トラック２１内で第１方向４１に沿って規則的に配列している。例えば、強磁性体ドット２１０１は、それらの中心同士を直線で結んだ場合に正三角形を形成するように配列している。また、それぞれの記録トラック２１において、１つまたは複数の強磁性体ドット２１０１が１つの二値情報，すなわち情報“０”または“１”，に対応している。なお、図１では、複数の強磁性体ドット２１０１が１つの二値情報に対応している場合を描いている。
【００２３】
制御領域３は、データ領域２に対し、第１方向４１に隣接している。制御領域３は、例えば、ＡＧＣ（Ａｕｔｏｍａｔｉｃ  Ｇａｉｎ  Ｃｏｎｔｒｏｌ）部、アドレス部、バースト部、及びパッド部を含んでいる。なお、図１には、制御領域３のうち、バースト部３１及びパッド部３２のみを描いている。また、図１に示す例では、情報の書き込み時及び読み出し時において、記録媒体１は記録再生ヘッド（図示せず）に対して左方向に相対移動させる。したがって、ＡＧＣ部（図示せず）、アドレス部（図示せず）、パッド部（図示せず）、バースト部３１、及びパッド部３２は、図中、左側から右側へ向けて順次配列している。
【００２４】
ＡＧＣ部は、アドレス部やバースト部３１や記録トラック２１などからの信号を適正な大きさに増幅するための基準として利用可能な信号，例えばＨｉｇｈレベルの信号，を出力する。ＡＧＣ部は、第２方向４２に連続しており、記録再生ヘッドを両矢印４２で示す何れの方向に移動させた場合においても一定強度の信号を出力するように構成されている。ＡＧＣ部は必ずしも設ける必要はないが、ＡＧＣ部を設けると、アドレス部やバースト部３１や記録トラック２１などからの信号を増幅するに際し、ＡＧＣ部からの信号強度に応じて、記録再生装置の利得を変化させることができる。したがって、情報の書き込み及び読み出しをより高い精度で実施可能となる。
【００２５】
アドレス部は、各記録トラック２１に対応したアドレス情報を保持している。アドレス部の各記録トラック２１に対応したそれぞれの部分は、例えば、Ｈｉｇｈレベルの信号を出力する部分とＬｏｗレベルの信号を出力する部分とを第１方向４１に沿って配列した構造を有しており、それらの配列パターンはアドレス情報に対応して定められている。
【００２６】
アドレス部とバースト部３１との間にパッド部は必ずしも設ける必要はないが、パッド部を設けた場合、アドレス部からの信号とバースト部３１からの信号とを分離するうえで有利である。同様に、バースト部３１と記録領域２との間にパッド部３２は必ずしも設ける必要はないが、パッド部３２を設けた場合、バースト部３１からの信号と記録トラック２１からの信号とを分離するうえで有利である。
【００２７】
バースト部３１は、記録再生ヘッドと選択した記録トラック２１との第２方向４２に関する相対位置の情報を与える。バースト部３１は、互いに異なるレベルの信号を出力する第１部分３０１及び第２部分３０２，例えば、Ｈｉｇｈレベルの信号を出力する第１部分３０１及びＬｏｗレベルの信号を出力する第２部分３０２，の配列によって構成されている。
【００２８】
第１部分３０１では、複数の強磁性体ドット３１０１がほぼ規則的に配列している。例えば、強磁性体ドット３１０１は、それらの中心同士を直線で結んだ場合に正三角形を形成するように配列している。また、これら強磁性体ドット３１０１は、互いに離間するとともに、互いに磁気的に分離している。各第１部分３０１内で強磁性体ドット３１０１の記録状態（磁化の向き）は互いに等しく、また、第１部分３０１間でも強磁性体ドット３１０１の記録状態（磁化の向き）は互いに等しい。したがって、各第１部分３０１は互いに等しいレベルの信号を出力する。
【００２９】
さて、本実施形態では、バースト部３１の第１部分３０１を強磁性体ドット３１０１で構成するとともに、第２部分３０２には強磁性体ドット３１０１を存在させていない。加えて、本実施形態に係る記録媒体１では、第１部分３０１内の強磁性体ドット３１０１のうち、第２方向４２に隣り合う第１部分３０１と第２部分３０２との境界に接したものの少なくとも一部は、その境界から離れて位置したものから先の境界側の一部を欠落させた形状を有している。このような構造を採用すると、記録密度を高めた場合でも、サーボ制御を十分に高い精度で実施することができる。
【００３０】
図２（ａ），（ｂ）は、図１に示す記録媒体１のバースト部３１を拡大して示す平面図である。また、図３乃至図５は参考例に係る記録媒体のバースト部を拡大して示す平面図である。
【００３１】
図３に示すように、バースト部３１に強磁性体相と非磁性体相とのグラニュラ構造を有する強磁性層を連続膜の形態で形成し、そこにバーストパターンを磁気情報として書き込んだ場合、第１部分３０１と第２部分３０２との境界の位置は、強磁性体の結晶粒３１０２の粒界の位置に制限される。なお、図３において、バーストパターンを構成している結晶粒３１０２は、斜線を付すことにより、他の結晶粒３１０２と区別している。
【００３２】
第１及び第２部分３０１，３０２が結晶粒３１０２の大きさに比べて十分に大きければ、或いは、第１及び第２部分３０１，３０２に含まれる結晶粒３１０２の数が十分に多ければ（例えば１０００個程度）、第１部分３０１と第２部分３０２との境界を破線５２とほぼ一致させることができる。
【００３３】
しかしながら、第１及び第２部分３０１，３０２を小さくすると、図３に示すように、第１部分３０１と第２部分３０２との境界の位置は破線５２から大きくずれる。そのため、サーボ制御を十分に高い精度で実施することができない。
【００３４】
また、第１及び第２部分３０１，３０２を小さくするのに応じて結晶粒３１０２も小さくした場合、磁化最小単位体積Ｖが小さくなる。そのため、この場合、記録した情報が熱揺らぎに起因して消失するという問題を生じ易くなる。
【００３５】
このように、図３に示す構造では、サーボ制御の精度は結晶粒３１０２のサイズ（３０ｎｍ程度）によって制限される。すなわち、図３に示す構造では、これ以下の位置決め精度は望めない。
【００３６】
記録密度を２００ｋＴＰＩ（Ｔｒａｃｋ  Ｐｅｒ  Ｉｎｃｈ）とした場合に要求される位置決め精度（誤差）は６ｎｍ以下であるとされており、記録密度を４００ｋＴＰＩとした場合に要求される位置決め精度は３ｎｍ以下であるとされている。そのため、図３に示す構造では、記録密度を２００ｋＴＰＩとした場合にさえ、位置決め精度が不十分となる。
【００３７】
図４に示すように、バースト部３１に強磁性体相と非磁性体相とのグラニュラ構造を有する強磁性層を連続膜の形態で形成し、この強磁性層からその第２部分３０２に対応した部分を除去した場合、５ｎｍ程度の位置決め精度を実現することができる。すなわち、この構造を採用すると、記録密度を２００ｋＴＰＩとした場合に必要な位置決め精度を実現することができる。
【００３８】
しかしながら、この構造を採用した場合であっても、第１部分３０１と第２部分３０２との境界位置は、図３の構造ほどではないにしろ、結晶粒の粒界位置の影響を受ける。また、この構造は強磁性層からその一部を除去することにより得られるので、強磁性層の下地がダメージを受け、これが第１部分３０１の形状に影響を与える。特に、連続膜からその一部を除去する方法では、除去すべき面積が非常に広く、また、第１部分３０１と第２部分３０２との全ての境界で、強磁性層の形状が影響を受けることとなる。そのため、この構造では、記録密度を４００ｋＴＰＩとした場合に必要な位置決め精度を実現することは難しい。さらに、この構造でも、位置決め精度を高めるべく結晶粒３１０２を小さくすると、記録した情報が熱揺らぎに起因して消失するという問題を生じ易くなる。
【００３９】
図５に示すように、バースト部３１の全体を強磁性体ドット３１０１で構成するとともに、そこにバーストパターンを書き込んだ場合、第１部分３０１と第２部分３０２との境界の位置は、強磁性体ドット３１０１の位置に制限される。なお、図５において、バーストパターンを構成している強磁性体ドット３１０１は、斜線を付すことにより、他の強磁性体ドット３１０１と区別している。
【００４０】
この構造では、強磁性体ドット３１０１は破線５２上に位置していないことが理想であるが、現実には、一部の強磁性体ドット３１０１は位置する。そのため、第１部分３０１と第２部分３０２との境界の位置は、破線５２からずれる。すなわち、この構造では、位置決め精度は強磁性体ドット３１０１の径（例えば１０ｎｍ程度）に制限され、それより高い位置決め制度を実現することができない。したがって、図５に示す構造では、記録密度を２００ｋＴＰＩとした場合にさえ、位置決め精度が不十分となる。
【００４１】
これに対し、本実施形態では、図２（ａ），（ｂ）に示すように、バースト部３１の第１部分３０１を強磁性体ドット３１０１で構成するとともに、第２部分３０２には強磁性体ドット３１０１を存在させていない。加えて、本実施形態では、図２（ａ），（ｂ）に示すように、第１部分３０１内の強磁性体ドット３１０１のうち、第１部分３０１と第２部分３０２との境界に接したものは、第１部分３０１が設計通りの輪郭を有するバーストパターンを構成するように、先の境界側の一部を欠落させた形状を有している。しかも、第１部分３０１と第２部分３０２との境界に接した強磁性体ドット３１０１の形状は、後で詳述するように電子線（ＥＢ）描画などを利用した方法により高精度に制御することができる。さらに、本実施形態では、図２（ａ），（ｂ）に示すように、第１及び第２方向４１，４２に対する強磁性体ドット３１０１の配列方向が多少ばらついたとしても、そのばらつきが第１部分３０１と第２部分３０２との境界の位置及び形状などに影響を与えることはない。
【００４２】
そのため、本実施形態によると、記録密度を高めたとしても、サーボ制御を十分に高い精度で実施することができる。例えば、第１部分３０１と第２部分３０２との境界に接した強磁性体ドット３１０１の寸法を１ｎｍ程度の精度で制御できた場合には、記録密度を４００ｋＴＰＩとしたとしても、十分な位置決め精度を実現することができる。
【００４３】
また、本実施形態では、第１部分３０１内の強磁性体ドット３１０１のうち第１部分３０１と第２部分３０２との境界に接したもののみについて境界側の一部を欠落させた形状とする。そのため、他の強磁性体ドット３１０１は十分に大きな寸法とすることができる。また、本実施形態では、強磁性体ドット３１０１の厚さに制限はなく、先の境界側の一部を欠落させた強磁性体ドット３１０１であっても十分に大きな磁化最小単位体積Ｖを維持することができる。したがって、本実施形態によると、熱揺らぎの問題を回避することができる。
【００４４】
また、図３に示すように、バースト部３１の全体に強磁性層を形成し、それにバーストパターンを磁気情報として記録した場合、記録再生ヘッドの誤動作によってバーストパターンが消失する可能性がある。これに対し、本実施形態では、上記の通り、バースト部３１の第１部分３０１を強磁性体ドット３１０１で構成するとともに、第２部分３０２には強磁性体ドット３１０１を存在させない。このような構造によると、図３の構造に比べて例えば２倍程度以上の保磁力が得られ、図４及び図５の構造と比較しても遥かに高い保磁力が得られる。そのため、より高い信頼性を実現することができる。
【００４５】
本実施形態では、第１部分３０１内の強磁性体ドット３１０１のうち第２方向４２に隣接した第１部分３０１と第２部分３０２との境界に接したもののみについて境界側の一部を欠落させた形状としてもよい。或いは、第１部分３０１内の強磁性体ドット３１０１のうち第１方向４１に隣接した第１部分３０１と第２部分３０２との境界に接したもの及び第２方向４２に隣接した第１部分３０１と第２部分３０２との境界に接したものの双方について境界側の一部を欠落させた形状としてもよい。これは、位置決め精度にとって重要なのは第２方向４２に隣接した第１部分３０１と第２部分３０２との境界位置であり、第１方向４１に隣接した第１部分３０１と第２部分３０２との境界位置は位置決め精度に大きな影響を与えないためである。
【００４６】
上述した記録媒体１は、例えば、以下の方法により製造することができる。ここでは、スタンパを利用した方法について説明する。
【００４７】
図６（ａ）乃至（ｆ）は、図１に示す記録媒体１の製造方法に利用可能なスタンパの製造方法の一例を概略的に示す断面図である。
この方法では、まず、図６（ａ）に示すように、シリコン基板や石英基板のような基板６１を準備する。ここでは、基板６１として石英基板を使用することとする。
【００４８】
次に、石英基板６１上にレジストを塗布し、このレジスト層を光硬化させる。次いで、そのレジスト層上に、ＰＳ−ＰＭＭＡ（Ｐｏｌｙｓｔｙｌｅｎｅ−ｐｏｌｙｍｅｔｈｙｌｍｅｔｈａｃｒｙｌａｔｅ）ジブロックコポリマーなどの自己組織化材料をスピンコート法などにより塗布し、これをアニールする。その後、酸素ＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ  Ｉｏｎ  Ｅｔｃｈｉｎｇ）法を用いてＰＭＭＡのみを選択的に除去することにより、ＰＭＭＡの自己組織化パターンに対応したナノホールを形成する。これらナノホールをＳＯＧ（Ｓｐｉｎ  Ｏｎ  Ｇｌａｓｓ）で充填し、次いで、酸素ＲＩＥを行うことにより、最表面がＳＯＧからなる高アスペクト比のマスクを得る。さらに、ＣＦ４などのフルオロカーボン系ガスを用いたＲＩＥ法により、先のマスクから露出した石英基板６１の表面領域を除去する。その後、石英基板６１からマスクなどを除去することにより、図６（ｂ）に示す構造を得る。
【００４９】
なお、図６（ｂ）に示す石英基板６１の表面では、複数のドット状凸部が規則的に配列している。これら凸部の寸法や配列構造などは、例えば、ジブロックポリマーの分子量を適宜設定することにより制御することができる。また、上記のように自己組織化を利用すると、ＥＢ描画を利用して凸部を形成する場合に比べ、製造プロセスを簡略化することができる。
【００５０】
次に、石英基板６１のドット状凸部を形成した面に、レジスト層をその表面が平坦になる程度の厚さに形成する。次いで、このレジスト層に対しＥＢ描画法などを利用してバーストパターンなどを書き込み、その後、レジスト層に現像処理などを施す。以上のようにして、図６（ｃ）に示すように、第２部分３０２などに対応した位置に開口を有するレジストパターン６２を得る。
【００５１】
このレジストパターン６２の形成には、ＥＢ描画以外の方法を利用してもよい。例えば、紫外線を利用した通常のフォトリソグラフィや、Ｘ線リソグラフィ、近接場光リソグラフィ、ナノプリンティングリソグラフィ、干渉露光法、ＦＩＢ（Ｆｏｃｕｓｅｄ  Ｉｏｎ  Ｂｅａｍ）加工法等の様々なパターン描画法を用いることができる。これらの方法によると、石英基板６１に設けたドット状凸部の一部がレジストパターン６２に設けた開口の側壁の下方に存在しているか否かに拘らず、レジストパターン６２の開口と極めて高い精度で一致した形状の凹部を石英基板６１の表面に形成することができる。
【００５２】
次いで、例えば、ＣＦ４などのフルオロカーボン系ガスを用いたＲＩＥ法により、石英基板６１のレジストパターン６２から露出した表面領域を除去する。その後、酸素アッシング或いは硫酸と過酸化水素水とを用いた処理などにより、石英基板６１からレジストパターン６２を除去する。これにより、図６（ｄ）に示す構造を得る。
【００５３】
次に、図６（ｅ）に示すように、石英基板６１を型として用いてＮｉ電鋳を行うことにより、スタンパ１０１を形成する。その後、スタンパ１０１から石英基板６１を除去することにより、図６（ｆ）に示す構造を得る。以上のようにして、バーストパターンなどに対応した凹凸パターンが高い精度で形成されたスタンパ１０１が得られる。
【００５４】
図７は、図６（ａ）乃至（ｆ）の方法で製造可能なスタンパ１０１の一例を概略的に示す平面図である。
【００５５】
図７に示すスタンパ１０１は、記録媒体１の記録領域２及び制御領域３に対応して、記録領域用転写面１０２及び制御領域用転写面１０３を備えている。
【００５６】
記録領域用転写面１０２には、ドット状凹部１２１０１が設けられている。これらドット状凹部１２１０１は、記録媒体１の強磁性体ドット２１０１に対応した寸法及び形状を有しており、強磁性体ドット２１０１と同様の配列構造を形成している。すなわち、記録領域用転写面１０２では、ドット状凹部１２１０１を第１方向１４１に配列してなる記録トラック用転写部１２１が、第１方向１４１と交差する第２方向１４２に配列している。なお、図中、破線１５１は、記録トラック用転写部１２１間の境界線を示している。
【００５７】
他方、制御領域用転写面１０３は、記録媒体１のＡＧＣ部、アドレス部、パッド部、バースト部３１、及びパッド部３２に対応して、ＡＧＣ部用転写部（図示せず）、アドレス部用転写部（図示せず）、パッド部用転写部（図示せず）、バースト部用転写部１３１、及びパッド部用転写部１３２を含んでいる。
【００５８】
バースト部用転写部１３１は、第１転写部分１３０１及び第２転写部分１３０２の配列によって構成されている。第１転写部分１３０１では、記録媒体１の強磁性体ドット３１０１に対応して、ドット状凹部１３１０１がほぼ規則的に配列している。
【００５９】
第２転写部分１３０２は、第１転写部分１３０１のドット状凹部１３１０１間の部分を基準とすると凸部である。すなわち、第１転写部分１３０１のドット状凹部１３１０１間の部分の高さは、ドット状凹部１３１０１の底面と第２転写部分１３０２の表面との間である。
【００６０】
なお、パッド部用転写部１３２には様々な構造を採用することが可能であるが、ここでは、パッド部用転写部１３２の表面と第２転写部分１３０２の表面とを等しい高さとしている。
【００６１】
図８（ａ）乃至（ｄ）は、図１に示す記録媒体１の製造方法の一例を概略的に示す断面図である。
この方法では、まず、図示しない射出成形装置に図６（ｆ）に示すスタンパ１０１を取り付け、これに樹脂を供給する。なお、樹脂の代わりにガラスを使用することも可能であるが、ここでは、一例として、樹脂を使用することとする。
【００６２】
次に、図８（ａ）に示すように、スタンパ１０１上に一定量の樹脂を射出し、スタンパ１０１を冷却して樹脂が固化させる。これにより、基板１１を得る。
【００６３】
その後、図８（ｂ）に示すように、基板１１をスタンパ１０１から取り外す。なお、この基板１１の一主面には、強磁性体ドット２１０１，３１０１に対応した位置にドット状凸部が設けられており、第２部分３０２などに対応した位置には、先のドット状凸部間の部分として規定される凹部よりもさらに深い凹部が設けられている。
【００６４】
次に、図８（ｃ）に示すように、基板１１の凸部や凹部が設けられた面に、スパッタリング法などにより強磁性体を堆積させる。このようにして、強磁性層１２を形成する。
【００６５】
この強磁性層１２のドット状凸部の上面に位置した部分同士は、物理的に分断されていてもよく、或いは、物理的には分断されていなくてもよい。以下に説明するように、後者の場合であっても、強磁性層１２のドット状凸部の上面に位置した部分同士は、磁気的には分離される。
【００６６】
先に説明したように、この磁性体層１２の下地には、強磁性体ドット２１０１，３１０１及び第２部分３０２などに対応して凸部と凹部とが設けられている。また、この磁性体層１２は、その下地の表面形状に対応して凸部と凹部とを有している。
【００６７】
このような構造では、金属人工格子等で構成される強磁性層１２のうち、ドット状凸部の上面に位置した部分は強磁性特性を発現する良好な積層構造を形成するものの、ドット状凸部間に位置した部分として規定される凹部の側壁及び底面に位置した部分は、良好な積層構造を形成せず、磁気特性が著しく劣化した状態になる。すなわち、強磁性層１２のうち、強磁性特性を発現するのは、ドット状凸部の上面に位置した部分のみであり、それ以外の部分は非磁性となる。したがって、先の方法により得られる強磁性層１２のドット状凸部の上面に位置した部分同士は、物理的には分断されていないとしても、磁気的には分離される。
【００６８】
次に、必要に応じ、図８（ｄ）に示すように、基板１１の強磁性層１２を形成した面に、非磁性体層１３を形成する。これにより、基板１１の一主面に設けた凹部を非磁性体層１３で埋め込む。以上のようにして、記録媒体１を得る。
【００６９】
非磁性体層１３は、例えば、強磁性層１２上にＳｉＯ２等をスパッタリング法などにより凹部が完全に埋め込まれる程度の厚さに堆積させ、その後、ＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）法を用いてその表面を平坦化することにより得られる。但し、ＣＭＰ法は、一般に、厚さをｎｍオーダーで制御することが難しく、高コストである。したがって、非磁性体層１３は、他の方法により形成することが望ましい。
【００７０】
例えば、強磁性層１２上にＳＯＧを塗布し、それにより得られるＳＯＧ膜を必要に応じて焼成し、その後、ＳＯＧ膜をエッチバックすることにより、非磁性体層１３を形成してもよい。この方法で使用するＳＯＧは溶媒にガラス材を溶解した液状剤であるため、スピンコートなどの簡単な方法により、基板表面の微細な凹部を埋め込んで均一な表面を形成することができる。また、これにより得られるＳＯＧ膜からはスピンコート後数秒で溶媒が気化するため、ＳＯＧ膜は速やかに固体へと変質する。したがって、この方法によると、低コストと高い厚さの制御性とを実現することができる。なお、ＳＯＧ膜は焼成しなくてもよいが、４５０℃以上の温度で熱処理を加えると、より安定なＳｉＯ２へと変質させることができる。
【００７１】
上述のように、この方法では、基板１１の一主面にスタンパ１０１を利用してバーストパターンなどに対応した凹凸を形成しておき、その上に強磁性層１２を形成する。加えて、この方法により得られる記録媒体１では、強磁性層１２のドット状凸部の上面に位置した部分は、互いに磁気的に分離されるため、強磁性体ドット２１０１，３１０１として利用可能である。そのため、連続膜として形成した強磁性層にバーストパターンを磁気情報として書き込む場合などとは異なり、結晶粒界の位置の不規則性に起因して第１部分３０１と第２部分３０２との境界位置が設計位置から大きくずれることがない。
【００７２】
また、上述のように、スタンパ１０１には、バーストパターンなどに対応した凹凸パターンが高い精度で形成されている。さらに、この方法では、射出成形法を利用しているため、スタンパ１０１に形成された凹凸パターンは、高い精度で基板１１の表面に転写される。そのため、この方法によると、強磁性体ドット２１０１，３１０１などの位置だけでなく、形状や寸法も高精度に制御することができる。
【００７３】
また、この方法では、射出成形法により表面に凹凸が設けられた基板１１を形成し、強磁性層１２のパターニングは行わない。しかも、この方法では、ＣＭＰ法を利用しなくても平坦性に優れた非磁性層１３を形成することができる。したがって、この方法によると、工程の大幅な簡略化が可能となるとともに、優れた量産性を実現することができる。
【００７４】
さらに、この方法では、強磁性層１２のパターニングが不要であるので、イオンミリング等の物理的エッチングによる加工表面のダメージがない。そのため、エッチングダメージによるノイズの発生を防止することができ、磁気特性をさらに向上させることができる。
【００７５】
また、図８（ａ）乃至（ｄ）を参照して説明した方法を利用すると、強磁性層１２は、記録領域２及び制御領域３の全体に形成される。加えて、この方法を利用すると、制御領域３内の強磁性層１２の少なくとも一部を、強磁性体ドット２１０１，３１０１或いは記録領域２内の強磁性層１２よりも深部に位置させることができる。このような構造は、以下のような用途で極めて有用である。
【００７６】
強磁性体ドット２１０１，３１０１よりも深部に位置した強磁性層１２には、記録ヘッドとの距離が離れすぎていることから、通常の記録ヘッドでは情報を記録することができないが、そこに書き込まれた情報は必要に応じてゲインなどを適宜設定することにより通常の再生ヘッドで読み出すことができる。すなわち、強磁性体ドット２１０１，３１０１よりも深部に位置した強磁性層１２に記録された情報は、通常の再生ヘッドで読み出すことができても、改ざんすることはできない。したがって、そこにサーボ情報の一部を記録しておけば、その情報が誤動作により消失するのを防止することができる。すなわち、信頼性を向上させることができる。また、強磁性体ドット２１０１，３１０１よりも深部に位置した強磁性層１２に、予めセキュリティ信号等を書きこんでおいてもよい。なお、ここで説明した効果は、バースト部３１に図２（ａ），（ｂ）の構造を採用しない場合であっても得ることができる。
【００７７】
以上、図８（ａ）乃至（ｄ）を参照して説明した方法は、量産性に優れているが、垂直磁気記録において単磁極型記録ヘッドを用いる際に必須となる軟磁性層を形成することができない。これに対し、以下に説明するようにインプリンティング法を利用すると、図８（ａ）乃至（ｄ）を参照して説明した方法に比べれば量産性はやや劣るものの、軟磁性層を形成することができる。
【００７８】
図９（ａ）乃至（ｄ）は、図１に示す記録媒体１の製造方法の他の例を概略的に示す断面図である。
この方法では、まず、図９（ａ）に示すように、非磁性基板１１の一主面上に、強磁性層１２及びレジスト層６３を順次形成する。ここでは、強磁性層１２として、裏打ち層として軟磁性層を備えた強磁性層を形成することとする。
【００７９】
次に、図９（ｂ）に示すように、レジスト層６３に、図６（ｆ）に示すスタンパ１０１を押し当てる。これにより、スタンパ１０１の一主面に設けた凹凸パターンをレジスト層６３に転写する。
【００８０】
次いで、図９（ｃ）に示すように、レジスト層６３からスタンパ１０１を取り外す。このレジスト層６３は、スタンパ１０１の一主面に設けた凹凸パターンが転写されたレジストパターンである。すなわち、このレジストパターン６３は、強磁性体ドット２１０１，３１０１に対応した位置にドット状凸部を備えており、第２部分３０２などに対応した位置には、先のドット状凸部間の部分として規定される凹部よりもさらに深い凹部が設けられている。
【００８１】
次に、このレジストパターン６３をマスクとして用いて、Ａｒイオンミリング或いはＣＯ＋ＮＨ３ガスまたはＣｌ２ガスを用いたＲＩＥを行う。その後、基板１１からレジストパターン６３を除去することにより、図９（ｄ）に示す構造を得る。
【００８２】
さらに、図８（ｄ）を参照して説明したのと同様の方法により非磁性体層１３を形成する。以上のようにして、図９（ｅ）に示す構造を得る。
【００８３】
上述のように、この方法では、スタンパ１０１を利用してバーストパターンに対応したレジストパターン６３を形成し、このレジストパターン６３をマスクとして用いて強磁性層１２をパターニングする。そのため、連続膜として形成した強磁性層にバーストパターンを磁気情報として書き込む場合などとは異なり、結晶粒界の位置の不規則性に起因して第１部分３０１と第２部分３０２との境界位置が設計位置から大きくずれることがない。
【００８４】
また、上述のように、スタンパ１０１には、バーストパターンなどに対応した凹凸パターンが高い精度で形成されている。さらに、この方法では、スタンパ１０１に形成された凹凸パターンは、高い精度でレジストパターン６３に転写される。そのため、この方法によると、強磁性体ドット２１０１，３１０１の位置だけでなく、形状や寸法も高精度に制御することができる。
【００８５】
但し、図９（ａ）乃至（ｅ）を参照して説明した方法は、強磁性層１２をエッチングする必要があるため、図８（ａ）乃至（ｄ）を参照して説明した方法に比べれば、量産性がやや劣る。また、エッチングにより強磁性層１２などがダメージを受ける可能性がある。
【００８６】
しかしながら、単磁極型記録ヘッドを用いた垂直記録では、軟磁性層を設けた場合、設けない場合に比べて、信号強度が約２倍に増加する。すなわち、何時性層を設けると、Ｓ／Ｎ比を飛躍的に向上させることができる。また、図９（ａ）乃至（ｅ）を参照して説明した方法では、エッチング条件を最適化することにより、強磁性層１２などのダメージを抑制することができる。したがって、この方法によれば、高いＳ／Ｎ比を実現することができる。
【００８７】
また、図９（ａ）乃至（ｅ）を参照して説明した方法によると、バースト部３１の第１部分３０１は強磁性体ドット３１０１で構成されるのに対し、第２部分３０２には強磁性体ドット３１０１は存在しない。そのため、図５に示す構造のように第１部分３０１及び第２部分３０２の双方が強磁性体ドット３１０１を含んでおり且つそれらの間で強磁性体ドット３１０１の磁化の向きを異ならしめなければならない場合とは異なり、バースト部３１への磁気情報の書き込みを一括的に行うことができる。すなわち、極めて短い時間でバースト部３１に磁気情報を書き込むことができる。
【００８８】
以上、図８（ａ）乃至（ｄ）及び図９（ａ）乃至（ｅ）を参照して説明した方法では、強磁性体ドット２１０１の形成とバーストパターンなどの形成とを同時に行う。そのため、それらを別々の工程で形成する場合に比べ、より短い時間で記録媒体１を製造することができる。また、それらを同時に行った場合、強磁性体ドット２１０１とバーストパターンなどとの位置合わせが不要となる。そのため、極めて高い位置精度を実現することができる。
【００８９】
次に、この記録媒体１に使用可能な材料などについて説明する。
基板１１は、非磁性基板であればよく、その材料としては、例えば、樹脂やガラスなどを使用することができる。基板１１に使用可能な樹脂としては、例えば、ポリカーボネート、ポリスチレン、スチレン系ポリマーアロイ、ポリオレフィン、ポリエチレン、ポリプロピレン、アモルファスポリオレフィン、アクリル樹脂（例えば、ポリメチルメタクリレ−ト系）、ポリ塩化ビニール、熱可塑性ポリウレタン、ポリエステル、ナイロンなどを挙げることができる。また、熱硬化性ポリウレタン、エポキシ樹脂、不飽和アクリル樹脂、アクリルウレタン樹脂、不飽和ポリエステル、ジエチレングリコールビスアリルカーボネート樹脂などの熱硬化性樹脂も使用することができる。また、主成分として、ウレタン化ポリ（メタ）アクリレート、ポリカーボネートジ（メタ）アクリレート、またはアセタールグリコールジアクリレートなどを含む樹脂液を硬化させた樹脂を使用することもできる。熱硬化性樹脂を使用する場合、樹脂中に硬化触媒または硬化剤を含有させてもよい。また、紫外線硬化型樹脂を使用することもできる。この場合、硬化触媒として、光増感剤を使用する。代表的な光増感剤としては、アセトフェノン系、ベンゾインアルキルエーテル系、プロピオフェノン系、ケトン系、アントラキノン系、チオキサントン系などが挙げられる、これらを単独もしくは複数混合して使用してもよい。特に、ケトン系の１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン等は、転写性能、離型性能、品質安定性の面で好適である。或いは、樹脂の代わりにガラス，特には低融点ガラス，を用いてもよい。但し、生産性、コスト、耐吸湿性などの観点では、射出成形ポリカーボネートを使用することが好ましく、耐薬品性や耐吸湿性などの観点では、非晶質ポリオレフィンを使用することが好ましい。
【００９０】
強磁性体ドット２１０１，３１０１などの強磁性層１２には、現在の磁気記録媒体で一般的に用いられている強磁性体を使用できる。強磁性層１２の材料としては、飽和磁化Ｉｓが大きくかつ磁気異方性が大きいものが適しており、この観点からは、例えば、Ｃｏ、Ｐｔ、Ｓｍ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｂｉ、Ａｌ、及びこれらの金属の合金からなる群より選択される少なくとも一種を使用することが望ましい。これらの中でも、結晶磁気異方性の大きいＣｏ合金やＦｅ合金，特にはＣｏＰｔ、ＳｍＣｏ、ＣｏＣｒをベースとしたものやＦｅＰｔやＣｏＰｔ等の規則合金，がより好ましい。例えば、Ｃｏ−Ｃｒ、Ｃｏ−Ｐｔ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ−Ｐｔ、Ｆｅ５０Ｐｔ５０、Ｃｏ５０Ｐｔ５０、Ｆｅ５０Ｐｄ５０、Ｃｏ７５Ｐｔ２５などを使用することが望ましい。また、これらの他にも、Ｔｂ−Ｆｅ、Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ、Ｔｂ−Ｃｏ、Ｇｄ−Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ、Ｇｄ−Ｄｙ−Ｆｅ−Ｃｏ、Ｎｄ−Ｆｅ−Ｃｏ、Ｎｄ−Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ等の希土類−遷移金属合金、磁性層と貴金属層の多層膜（人工格子：Ｃｏ／Ｐｔ、Ｃｏ／Ｐｄなど）、ＰｔＭｎＳｂ等の半金属、Ｃｏフェライト、Ｂａフェライト等の磁性酸化物などから幅広く選択することができる。
【００９１】
強磁性層１２の磁気特性を制御する目的で、上記の磁性体と、磁性元素であるＦｅ及びＮｉから選ばれる少なくとも１つの元素とを合金化させたものを強磁性層として使用してもよい。また、これらの金属または合金に、磁気特性を向上させるための添加物，例えばＣｒ、Ｎｂ、Ｖ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｗ、Ｈｆ、Ｃｒ、Ｖ、Ｉｎ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｍｇ、Ｓｉ、Ｂ等、或いはこれらの元素と、酸素、窒素、炭素、水素の中から選ばれる少なくとも一つの元素との化合物，を加えてもよい。
【００９２】
強磁性層１２は、磁性粒子とその間に存在する非磁性物質とから構成される複合材料であることが好ましい。これは、磁性粒子を反転単位とした高密度磁気記録が可能となるからである。しかしながら、記録領域をパターン化する場合には、非磁性物質の存在は必ずしも必要ではなく、また、希土類―遷移金属合金のような連続的なアモルファス磁性体であっても構わない。
【００９３】
強磁性層１２の磁気異方性に関しては、垂直磁気異方性成分が主であれば面内磁気異方性成分があっても構わない。強磁性層１２の厚さに特に制限はないが、高密度記録を考えると１００ｎｍ以下が好ましく、５０ｎｍ以下がより好ましく、２０ｎｍ以下がさらに好ましい。なお、強磁性層１２の膜厚が０．１ｎｍ以下になると、連続膜として形成することが困難となることがある。
【００９４】
図８（ｄ）に示す構造を採用する場合、強磁性層１２としては、ＣｏとＰｔまたはＰｄ等を交互に積層した多層膜，すなわち金属人工格子，を使用することが好ましい。先に説明したように、金属人工格子の特性は、積層界面の状態に影響を受けるため、強磁性層１２のうち凸部の側面並びに凹部の側壁及び底面上に位置した部分では、綺麗な積層構造が得られず、磁気特性が著しく劣化した状態になる。したがって、強磁性層１２のうち凸部の上面に位置した部分同士を、凸部の側面並びに凹部の側壁及び底面上に位置した部分により磁気的に分離することができる。すなわち、金属人工格子を使用した場合、強磁性体ドット２１０１同士及び強磁性体ドット３１０１同士をより確実に磁気的に分離することができる。
【００９５】
図８（ａ）乃至（ｄ）を参照して説明した方法を採用する場合、強磁性層１２は凹部の深さや凸部の高さよりも薄くすること，強磁性層１２の膜厚を凹部の深さや凸部の高さの半分以下とすること，が望ましい。こうすると、強磁性体ドット２１０１同士や強磁性体ドット３１０１同士をより確実に磁気的に分離することができる。
【００９６】
また、図８（ａ）乃至（ｄ）を参照して説明した方法を採用する場合、凸部上面の面積を小さくすることで、強磁性体ドット２１０１間や強磁性体ドット３１０１間での磁気的な相互作用がなく、磁化の向きが揃った単磁区状態を実現することができる。例えば、各強磁性体ドット２１０１や各強磁性体ドット３１０１を単磁区状態とするためには、それらの寸法を１００ｎｍ角以下とすることが望ましく、８０ｎｍ以下するのことがより望ましい。なお、これは、図９（ａ）乃至（ｅ）を参照して説明した方法を採用した場合でも同様である。
【００９７】
強磁性体ドット２１０１，３１０１は、典型的には円形状であるが、それらの形状に特に制限はない。例えば、強磁性体ドット２１０１，３１０１は、矩形状であってもよく或いは楕円形状であってもよい。
【００９８】
また、強磁性体ドット２１０１，３１０１は、十分に規則的に配列していれば、それらの配列構造に特に制限はない。例えば、強磁性体ドット２１０１，３１０１は、正方格子状に配列していてもよく、或いは、六方格子状に配列していてもよい。
【００９９】
本実施形態では、各記録トラック２１における強磁性体ドット３１０１の第２方向４２に関する配列数は２以上とする。他方、各記録トラック２１における強磁性体ドット２１０１の第２方向４２に関する配列数は１以上であれば特に制限はない。すなわち、１つの強磁性体ドット２１０１を１つの二値情報に対応させてもよく、或いは、複数の強磁性体ドット２１０１を１つの二値情報に対応させてもよい。
【０１００】
なお、強磁性層１２に関しては、主として記録領域２及びバースト部３１内に位置した部分について説明したが、制御領域３内のバースト部３１以外の部分では強磁性層１２に様々な構造を採用することができる。例えば、ＡＧＣ部やアドレス部やパッド部などでは、強磁性層１２は、平坦な下地上に設けられた連続膜であってもよく、或いは、第１部分３０１や記録領域２と同様に強磁性体ドットであってもよい。アドレス部で強磁性層１２に強磁性体ドットの形態を採用する場合、アドレス部の全体に強磁性体ドットを配列させ、そこにアドレス情報を磁気的に書き込んでもよい。或いは、アドレス部には、バースト部３１と同様に、強磁性体ドット３１０１が配列してなる第１部分３０１と強磁性体ドットが存在していない第２部分３０２を配列させ、それにより、アドレス情報を保持させてもよい。
【０１０１】
また、図１に示す記録媒体１では、矩形状の第１及び第２部分３０１，３０２を市松模様状に配列してなるバーストパターンをバースト部３１に採用しているが、バーストパターンには様々な変形が可能である。
【０１０２】
図１０は、図１の記録媒体１で採用可能なバーストパターンの一例を概略的に示す平面図である。図１０に示す構造では、第１部分３０１及び第２部分３０２の双方が楔形である。例えば、このような構造をバースト部３１に採用した場合であっても、先に説明したのと同様の効果を得ることができる。
【０１０３】
図９（ａ）乃至（ｅ）を参照して説明した方法を採用する場合、先に説明したように、非磁性基板１１上には、垂直磁気記録の際に必要となる軟磁性層を設けてもよい。この軟磁性層は、記録再生時に単磁極ヘッドの磁界によって磁気の向き（スピンの向き）が変化し、閉じた磁気ループが形成される程度の保持力を有するものであればよい。一般的には、軟磁性層の保磁力は、数ｋＯｅ以下であることが好ましく、１ｋＯｅ以下であることがより好ましく、５０Ｏｅ以下であることがさらに好ましい。
【０１０４】
軟磁性層に使用可能な軟磁性材料としては、例えば、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏの何れかの元素を含んでいる軟磁性材料，例えば、ＣｏＦｅ、ＮｉＦｅ、ＣｏＺｒＮｂ、フェライト、珪素鉄、炭素鉄等，を挙げることができる。
【０１０５】
軟磁性層の微細構造が強磁性層と同様な構造である場合、結晶性や微細構造制御の点で有利である。しかしながら、磁気特性を優先させる場合には、軟磁性層の微細構造に他の構造を採用することもできる。例えば、アモルファスの軟磁性層と結晶性の強磁性層とを組み合わせてもよく、或いは、結晶性の軟磁性層とアモルファスの強磁性層とを組み合わせてもよい。また、軟磁性層は、軟磁性体微粒子が非磁性体マトリックス中に存在するもの，すなわちグラニュラ構造を有するもの，であってもよく、或いは、磁気特性の異なる複数の層（例えば、軟磁性層／非磁性層の多層膜）で構成されているものであってもよい。
【０１０６】
なお、記録再生時以外の軟磁性層の磁気異方性の方向は膜面に垂直であってもよく、面内周方向であってもよく、面内半径方向であってもよく、或いは、これらの合成であってもよい。
【０１０７】
非磁性体層１３の材料は、非磁性体であれば特に制限はないが、典型的には絶縁体である。非磁性体層１３に使用可能な絶縁体としては、例えば、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ３などの酸化物、Ｓｉ３Ｎ４、ＡｌＮ、ＴｉＮなどの窒化物、ＴｉＣなどの炭化物、ＢＮ等の硼化物などを挙げることができる。
【０１０８】
以上説明した記録媒体１は、例えば、以下の記録再生装置に搭載することができる。
【０１０９】
図１１は、図１の記録媒体１を搭載した記録再生装置の一例を概略的に示す斜視図である。
【０１１０】
図１１に示す記録再生装置２００は、磁気記録再生装置であり、記録媒体１として磁気ディスクを有している。
【０１１１】
磁気ディスク１はスピンドル２０１に回転可能に支持されており、スピンドル２０１には制御部（図示せず）に含まれる制御回路からの制御信号に応じて動作するモータ（図示せず）が接続されている。図１１に示す記録再生装置２００では、これにより、磁気ディスク１の回転などを制御可能としている。
【０１１２】
磁気ディスク１の円周部近傍には固定軸２０２が配置されており、この固定軸２０２は、その上下２ヶ所に配置されたボールベアリング（図示せず）を介して磁気ヘッドアセンブリ２０３を揺動可能に支持している。磁気ヘッドアセンブリ２０３のボビン部にはコイル（図示せず）が巻きつけられており、このコイルとそれを挟んで対向して配置された永久磁石と対向ヨークとは磁気回路を形成するとともにボイスコイルモータ２０４を構成している。このボイスコイルモータ２０４も制御部に接続されており、それにより、磁気ヘッドアセンブリ２０３の先端のヘッドスライダ２０３２を、磁気ディスク１の所望の記録トラック２１上へと位置させることを可能としている。
【０１１３】
磁気ヘッドアセンブリ２０３は、例えば、駆動コイルを保持するボビン部などを備えたアクチュエータアーム２０３０を有している。このアクチュエータアーム２０３０にはサスペンション２０３１の一端が取り付けられており、サスペンション２０３１の他端にはヘッドスライダ２０３２が取り付けられている。このヘッドスライダ２０３２には、記録再生ヘッドが組み込まれている。なお、アクチュエータアーム２０３０の先端には微小位置制御を行うためのピエゾ素子が設置されている。
【０１１４】
サスペンション２０３１上には信号の書き込み及び読み取り用などのリード線（図示せず）が形成されており、これらリード線はヘッドスライダ２０３２に組み込まれた記録再生ヘッドの電極にそれぞれ電気的に接続されている。なお、この磁気記録再生装置２００において、情報の記録及び再生は、磁気ディスク１を回転させ、それによって生じる気流によりヘッドスライダ２０３２を磁気ディスク１から浮上させた状態で行う。また、図１１に示す磁気記録再生装置２００において、スピンドル２０１に接続されたモータ及びボイスコイルモータ２０４などは駆動機構を構成しており、磁気記録再生装置２００の内部には制御領域３からの信号に基づいてトラッキング信号を発生するためのマイクロプロセッサが設置されている。
【０１１５】
なお、本発明は上記実施形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより、種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。さらに、異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。
【０１１６】
【実施例】
以下、本発明の実施例について説明する。
【０１１７】
（実施例１）
本例では、図７に示すスタンパ１０１を以下の方法により作製した。
【０１１８】
まず、図６（ａ）に示すように、一主面に厚さ２００ｎｍの熱酸化膜を形成したシリコン基板６１を準備した。次に、シリコン基板６１上にフォトレジストをスピンコート法により塗布し、厚さ１００ｎｍのレジスト層を形成した。
【０１１９】
このレジスト層を光硬化させた後、レジスト層上にＰＳとＰＭＭＡとの分子量比が１７００００：４２０００のＰＳ−ＰＭＭＡジブロックコポリマーをレジストシンナー（ＰＧＭＥＡ）で希釈したものをスピンコート法により塗布した。この塗膜を２００℃で２０時間アニールすることにより、直径４０ｎｍのＰＭＭＡ粒子が８０ｎｍのピッチで六方格子状に配列した構造を得た。
【０１２０】
その後、酸素ＲＩＥ法を用いてＰＭＭＡのみを選択的に除去した。これにより、ＰＭＭＡの自己組織化パターンに対応した、直径が４０ｎｍであり深さが２０ｎｍナノホールを形成した。
【０１２１】
次に、これらナノホールをＳＯＧ（東京応化工業社製の商品名「ＯＣＤ  ｔｙｐｅ２」）で充填した。次いで、酸素ＲＩＥを行うことにより、熱酸化膜上に、直径が４０ｎｍであり且つ高さが１００ｎｍのピラーが８０ｎｍのピッチで六方格子状に配列した構造を得た。その後、ＣＦ４ガスを用いたＲＩＥを行い、直径が４０ｎｍであり且つ高さが５０ｎｍのＳｉＯ２ピラー（ドット状凸部）が８０ｎｍのピッチで六方格子状に配列した構造を得た。
【０１２２】
以上のようにして図６（ｂ）に示す構造を得た後、基板６１のドット状凸部を形成した面に、スピンコート法によりＥＢレジストを塗布して、厚さが４００ｎｍのレジスト層を形成した。次いで、このレジスト層に、ＥＢ描画法を用いて図１に示したのと類似のバーストパターンなどを書き込んだ。なお、ここでは、第１転写部分１３０１の寸法が２００ｎｍ×２００ｎｍとなり、第１転写部分１３０１間に介在した第２転写部分３０２の幅が２００ｎｍとなるように書き込みを行った。その後、レジスト層に現像処理などを施すことにより、図６（ｃ）に示すように、制御領域用転写面１０３の第１転写部分１３０１以外の部分に対応した位置に開口を有するレジストパターン６２を得た。
【０１２３】
次いで、ＣＦ４ガスを用いたＲＩＥ法により、基板６１のレジストパターン６２から露出した表面領域を除去した。その後、酸素アッシングにより、基板６１からレジストパターン６２を除去した。これにより、図６（ｄ）に示す構造を得た。
【０１２４】
次に、基板６１のドット状凸部を形成した面に、スパッタリング法により厚さ２０ｎｍのＮｉ層を形成した。次いで、図６（ｅ）に示すように、このＮｉ層を導電性下地として用いてＮｉ電鋳を行うことにより、スタンパ１０１を形成した。その後、スタンパ１０１から基板６１を除去することにより、図６（ｆ）に示す構造を得た。
【０１２５】
次に、図８（ａ）に示すように、このスタンパ１０１を型として用いた射出成形法により、ポリカーボネート基板１１を作製した。すなわち、ポリカーボネート材（帝人社製の商品名「ＡＤ５５０３」）を射出成形装置のホッパに供給し、スタンパ１０１の温度を１２５℃、樹脂温度を３４０℃、射出圧力を３０ｔ、サイクルタイムを１２秒とする条件で射出成形を行った。
【０１２６】
その後、図８（ｂ）に示すように、基板１１をスタンパ１０１から取り外した。なお、このようにして得られた基板１１には、高さ４０ｎｍのドット状凸部が形成されていた。
【０１２７】
続いて、図８（ｃ）に示すように、スパッタリング法を用いて、強磁性層１２として、Ｃｏ層とＰｄ層とを交互に積層させてなる人工格子を形成した。ここでは、Ｃｏ層の厚さは０．３ｎｍとし、Ｐｄ層の厚さは０．７ｎｍとし、積層数は１０層とした。得られたパターンドメディアの磁気特性は、角形比０．９、保磁力４５００Ｏｅであった。
【０１２８】
その後、図８（ｄ）に示すように、強磁性層１２の上にＳＯＧ層を形成し、表面を平坦化し、さらにＣ保護膜をスパッタリング法により１０ｎｍの厚さに形成し、これに潤滑材を塗布した。こうして得られた記録媒体１を、マグネットでディスク面垂直方向に２０ｋＯｅで１方向に磁化したのち、Ｄｉｓｃ回転数４２００ｒｐｍの条件のもと、時々発生する突起部分からと思われるパルス状の信号がなくなる程度までバニッシュし、Ｒ／Ｗ試験を行った。
【０１２９】
図１２は、本例で作製した記録媒体１のバーストパターンを概略的に示す平面図である。図１３は、図１２に示すバーストパターンから得られる信号の一例を概略的に示すグラフである。なお、図１２では、簡略化のため、強磁性体ドット３１０１の形状を全て等しく略円形に描いているが、本例では、図１や図２（ａ），（ｂ）に示すように、第１部分３０１内の強磁性体ドット３１０１のうち、第１部分３０１と第２部分３０２との境界に跨るものは、先の境界側の一部を欠落させた形状としている。また、図１２において参照符号５５は記録再生ヘッドの検出部とバーストパターンとの重なりが形成する軌跡を示しており、図１３は記録再生ヘッドの検出がそのような軌跡５５を辿って図中右向きに記録媒体１に対して相対移動した場合に得られる信号波形を示している。
【０１３０】
本例では、図１３に示す信号波形の最大振幅が２０ｍＡとなる条件のもと、バーストＣの信号強度とバーストＤの信号強度とが等しくなるようにピエゾ素子を用いて記録再生ヘッドを微動させることによりサーボ制御を行った。その結果、十分に高い精度でサーボ制御を行うことができた。
【０１３１】
なお、本例では、上記の通り、第１部分３０１及び第２部分３０２の第２方向４２の長さを２００ｎｍとしている。すなわち、本例で作製した記録媒体１の記録密度は、約１３０ｋＴＰＩである。
【０１３２】
（実施例２）
本例では、まず、ＰＳ−ＰＭＭＡジブロックコポリマーとして、ＰＳとＰＭＭＡとの分子量比が１７００００：４２０００のものの代わりにＰＳとＰＭＭＡとの分子量比が６５０００：１３０００のものを使用するとともに、第１転写部分１３０１の寸法を６０ｎｍ×６０ｎｍとし且つ第１転写部分１３０１間に介在した第２転写部分１３０２の幅を６０ｎｍとしたこと以外は、実施例１で説明したのと同様の方法によりスタンパ１０１を作製した。
【０１３３】
すなわち、まず、ＰＳ−ＰＭＭＡジブロックコポリマーとして、ＰＳとＰＭＭＡとの分子量比が１７００００：４２０００のものの代わりにＰＳとＰＭＭＡとの分子量比が６５０００：１３０００のものを使用したこと以外は実施例１で説明したのと同様の方法により、直径１５ｎｍのＰＭＭＡ粒子が３０ｎｍのピッチで六方格子状に配列した構造を得た。
【０１３４】
次に、実施例１で説明したのと同様の方法により、ナノホールを形成し、これらナノホールをＳＯＧで充填し、酸素ＲＩＥ及びＣＦ４ガスを用いたＲＩＥを順次行った。これにより、直径が１５ｎｍであり且つ高さが１５ｎｍのＳｉＯ２ピラー（ドット状凸部）が３０ｎｍのピッチで六方格子状に配列した構造を得た。
【０１３５】
さらに、第１転写部分１３０１の寸法を６０ｎｍ×６０ｎｍとし且つ第１転写部分１３０１間に介在した第２転写部分１３０２の幅を６０ｎｍとしたこと以外は実施例１で説明したのと同様の方法によりスタンパ１０１を形成した。
【０１３６】
その後、このスタンパ１０１を用いたこと以外は実施例１で説明したのと同様の方法により記録媒体１を作製した。なお、本例では、図１や図２（ａ），（ｂ）に示すように、第１部分３０１内の強磁性体ドット３１０１のうち、第１部分３０１と第２部分３０２との境界に跨るものは、先の境界側の一部を欠落させた形状としている。
【０１３７】
この記録媒体１についても、マグネットでディスク面垂直方向に２０ｋＯｅで１方向に磁化したのち、Ｄｉｓｃ回転数４２００ｒｐｍの条件のもと、時々発生する突起部分からと思われるパルス状の信号がなくなる程度までバニッシュし、Ｒ／Ｗ試験を行った。その結果、本例でも、図１３に示したのと同様の信号波形が得られ、十分に高い精度でサーボ制御を行うことができた。
【０１３８】
なお、本例では、上記の通り、第１部分３０１及び第２部分３０２の第２方向４２の長さを６０ｎｍとしている。すなわち、本例で作製した記録媒体１の記録密度は、約４００ｋＴＰＩである。
【０１３９】
（参考例１）
本例では、バースト部３１に図５の構造を採用し、そこにサーボトラックライタを用いてバーストパターンを書き込んだこと以外は、実施例２で説明したのと同様の方法により記録媒体１を作製した。すなわち、まず、本例では、図６（ｃ），（ｄ）を参照して説明した工程を省略したこと以外は実施例２で説明したのと同様の方法により、第２転写部分１３０２に第１転写部分１３０１と同様の構造を採用したスタンパ１０１を作製した。次に、このスタンパ１０１を用いたこと以外は実施例２で説明したのと同様の方法により、記録媒体１を作製した。その後、実施例２と同様の条件で強磁性層１２の磁化などを行い、さらに、実施例２と同様のバーストパターンをサーボトラックライタを用いて書き込んだ。
【０１４０】
この記録媒体１についても、実施例２と同様のＲ／Ｗ試験を行った。その結果、本例では、図１３に示したのと同様の信号波形は得られず、サーボ制御を行うことはできなかった。
【０１４１】
（実施例３）
本例では、まず、以下の方法により、図７に示すスタンパ１０１を作製した。なお、本例では、ドット状凹部１２１０１，１３１０１を円形状とする代わりに矩形状とした。
【０１４２】
すなわち、まず、図６（ａ）に示すように、一主面に厚さ２００ｎｍの熱酸化膜を形成したシリコン基板６１を準備した。次に、このシリコン基板の熱酸化膜上にＥＢレジストをスピンコート法により塗布してレジスト層を形成した。
【０１４３】
次いで、このレジスト層に、ＥＢ描画法を用いて図１２に示したのと類似のバーストパターンなどを書き込み、さらに現像などの処理を施すことにより、レジストパターンを形成した。なお、ここでは、第１転写部分１３０１の寸法が２００ｎｍ×２００ｎｍとなり、第１転写部分１３０１間に介在した第２転写部分１３０２の幅が２００ｎｍとなるように書き込みを行った。また、ここでは、ドット状凹部１２１０１，１３１０１が５０ｎｍ×５０ｎｍの矩形状となり且つ５０ｎｍのピッチで配列するように書き込みを行った。
【０１４４】
次いで、ＣＦ４ガスを用いたＲＩＥ法により、基板６１のレジストパターンから露出した表面領域を除去した。その後、酸素アッシングにより、基板６１からレジストパターンを除去した。これにより、図６（ｂ）に示す構造を得た。
【０１４５】
続いて、実施例１で図６（ｃ）乃至（ｆ）を参照しながら説明したのと同様の工程を実施した。以上の方法により、スタンパ１０１を作製した。
【０１４６】
その後、このスタンパ１０１を用いたこと以外は実施例１で説明したのと同様の方法により記録媒体１を作製した。なお、本例では、図１や図２（ａ），（ｂ）に示すように、第１部分３０１内の強磁性体ドット３１０１のうち、第１部分３０１と第２部分３０２との境界に跨るものは、先の境界側の一部を欠落させた形状としている。
【０１４７】
この記録媒体１についても、マグネットでディスク面垂直方向に２０ｋＯｅで１方向に磁化したのち、Ｄｉｓｃ回転数４２００ｒｐｍの条件のもと、時々発生する突起部分からと思われるパルス状の信号がなくなる程度までバニッシュし、Ｒ／Ｗ試験を行った。その結果、本例でも、図１３に示したのと同様の信号波形が得られ、十分に高い精度でサーボ制御を行うことができた。
【０１４８】
（実施例４）
本例では、まず、図９（ａ）に示す構造を形成した。すなわち、まず、ガラス基板１１の一主面上に、スパッタリング法によりＣｏＺｒＮｂからなる厚さ２００ｎｍの軟磁性層（図示せず）を形成した。次に、この軟磁性層上に、ＣｏＣｒＰｔ合金からなる厚さ１５ｎｍの強磁性層１２を形成した。続いて、この強磁性層１２上に、厚さ４０ｎｍのレジスト層６３を形成した。
【０１４９】
次に、図９（ｂ）に示すように、レジスト層６３に、実施例２で作製したスタンパ１０１を押し当てた。これにより、図９（ｃ）に示すように、レジスト層６３にスタンパ１０１の凹凸パターンを転写した。
【０１５０】
次いで、スタンパ１０１の凹凸パターンを転写したレジスト層６３をマスクとして用いて、Ａｒイオンミリング法により強磁性層１２をパターニングした。これにより、図９（ｄ）に示す構造を得た。このようにして得られたパターンドメディアについて、磁気光学カー効果を用いて磁化曲線（カーヒステリシスループ）を測定したところ、保磁力は４０００Ｏｅであった。
【０１５１】
その後、図９（ｅ）に示すように、強磁性層１２の上にＳＯＧ層１３を形成し、表面を平坦化し、さらにＣ保護膜をスパッタリング法により１０ｎｍの厚さに形成し、これに潤滑材を塗布した。なお、本例では、図１や図２（ａ），（ｂ）に示すように、第１部分３０１内の強磁性体ドット３１０１のうち、第１部分３０１と第２部分３０２との境界に跨るものは、先の境界側の一部を欠落させた形状としている。
【０１５２】
こうして得られた記録媒体１を、マグネットでディスク面垂直方向に２０ｋＯｅで１方向に磁化したのち、Ｄｉｓｃ回転数４２００ｒｐｍの条件のもと、時々発生する突起部分からと思われるパルス状の信号がなくなる程度までバニッシュし、Ｒ／Ｗ試験を行った。その結果、本例でも、図１３に示したのと同様の信号波形が得られ、十分に高い精度でサーボ制御を行うことができた。
【０１５３】
なお、本例では、第１部分３０１及び第２部分３０２の第２方向４２の長さを６０ｎｍとしている。すなわち、本例で作製した記録媒体１の記録密度は、約４００ｋＴＰＩである。
【０１５４】
（実施例５）
本例では、まず、実施例１で説明したのと同様の方法により記録媒体１を作製した。この記録媒体１を、マグネットでディスク面垂直方向に２０ｋＯｅで１方向に磁化したのち、Ｄｉｓｃ回転数４２００ｒｐｍの条件のもと、時々発生する突起部分からと思われるパルス状の信号がなくなる程度までバニッシュし、Ｒ／Ｗ試験を行った。
【０１５５】
次に、パッド部３２の一部に対して情報を書き込んだ。なお、パッド部３２は強磁性体ドット２１０１，３１０１よりも深部に位置しているので、一般的な記録再生装置に搭載される記録再生ヘッドでは情報を書き込むことができない。そこで、ここでは、研究開発用の高出力記録ヘッドを用いてパッド部３２の一部に対して３００ｋＦＣＩの信号を書き込んだ。
【０１５６】
次に、一般的な記録再生装置に搭載される記録再生ヘッドを用いて、パッド部３２に書き込んだ信号を読み出した。その結果、３００ｋＦＣＩの再生信号を検出することができた。
【０１５７】
次いで、一般的な記録再生装置に搭載される記録再生ヘッドを用い、１００ｋ、３００ｋ、６００ｋＦＣＩの各記録周波数で上書きを行った。その結果、記録領域２には信号の書き込みが可能であったが、パッド部３２には信号を書き込むことができなかった。
【０１５８】
続いて、一般的な記録再生装置に搭載される記録再生ヘッドを用いてＤＣ消磁を行った。その結果、パッド部３２に書き込んだ信号が消去されることはなかった。
【０１５９】
（実施例６）
図１に示す記録媒体１では、記録領域２と制御領域３とが混在しており、それらの磁気的性質を個別に測定することは不可能である。そこで、ＬＬＧシミュレーションを行うことで、記録領域２及び制御領域３の磁気特性を調べた。
【０１６０】
記録領域２については、無限の広さを持つ平面上で強磁性体ドット２１０１が六方格子状に配列したモデルを仮定してＬＬＧシミュレーションを行った。ここでは、強磁性体ドット２１０１について、直径が４０ｎｍであり、高さが４０ｎｍであり、配列のピッチが８０ｎｍであり、飽和磁化強度が６２０ｅｍｕ／ｃｃであり、磁気異法性定数Ｋｕが２．０×１０６ｅｒｇ／ｃｃである場合を想定した。その結果、保磁力４９００Ｏｅを得た。
【０１６１】
制御領域３に関しては、バースト部３１内の第１部分３０１についてのみＬＬＧシミュレーションを行った。なお、ここでは、第１部分３０１の寸法が３００ｎｍ×３００ｎｍである場合を想定し、それ以外のパラメータは記録領域２に関して上述したのと同様とした。また、ここでは、図１や図２（ａ），（ｂ）に示すように、第１部分３０１内の強磁性体ドット３１０１のうち、第１部分３０１と第２部分３０２との境界に跨るものは、先の境界側の一部を欠落させた形状としてシミュレーションを行った。その結果、保磁力５１００Ｏｅを得た。
【０１６２】
このように、図１に示す構造によると、バースト部３１の保磁力は記録領域２の保磁力よりも大きくなる。すなわち、図１に示す構造では、バースト部３１が保持する情報の安定性が高い。また、この結果から、バースト部３１に図１及び図２（ａ），（ｂ）の構造を採用した場合、図５の構造を採用した場合に比べ、バースト部３１が保持する情報の安定性が高くなることが分かる。すなわち、バースト部３１に図１及び図２（ａ），（ｂ）の構造を採用すると、図５の構造を採用した場合に比べ、より高いＳ／Ｎ比を実現することができる。
【０１６３】
（参考例２）
バースト部３１に図４の構造を採用した場合について、実施例６で説明したのと同様の条件のもとでＬＬＧシミュレーションを行った。その結果、保磁力２０００Ｏｅが得られた。
【０１６４】
実施例６で得られた保磁力５１００Ｏｅは、誤動作によりバースト部３１に記録された情報が消去されるのを防止するのに極めて有効な値である。しかしながら、本例で得られた保磁力２０００Ｏｅは、実施例６で得られた保磁力５１００Ｏｅの半分にも満たないため、高出力記録ヘッドのみならず、一般的な記録再生装置に搭載される記録再生ヘッドを使用した場合でさえ、その誤動作によりバースト部３１に記録された情報が消去される可能性がある。
【０１６５】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によると、記録密度を高めたパターンドメディアに対してサーボ制御を十分に高い精度で実施可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態に係る記録媒体の一部を概略的に示す平面図。
【図２】（ａ），（ｂ）は図１に示す記録媒体のバースト部を拡大して示す平面図。
【図３】参考例に係る記録媒体のバースト部を拡大して示す平面図。
【図４】参考例に係る記録媒体のバースト部を拡大して示す平面図。
【図５】参考例に係る記録媒体のバースト部を拡大して示す平面図。
【図６】（ａ）乃至（ｆ）は図１に示す記録媒体の製造方法に利用可能なスタンパの製造方法の一例を概略的に示す断面図。
【図７】図６（ａ）乃至（ｆ）の方法で製造可能なスタンパの一例を概略的に示す平面図。
【図８】（ａ）乃至（ｄ）は図１に示す記録媒体の製造方法の一例を概略的に示す断面図。
【図９】（ａ）乃至（ｄ）は図１に示す記録媒体の製造方法の他の例を概略的に示す断面図。
【図１０】図１の記録媒体で採用可能なバーストパターンの一例を概略的に示す平面図。
【図１１】図１の記録媒体を搭載した記録再生装置の一例を概略的に示す斜視図。
【図１２】実施例１で作製した記録媒体のバーストパターンを概略的に示す平面図。
【図１３】図１２に示すバーストパターンから得られる信号の一例を概略的に示すグラフ。
【符号の説明】
１…記録媒体、２…記録領域、３…制御領域、１１…基板、１２…強磁性層、１３…非磁性体層、２１…記録トラック、３１…バースト部、３２…パッド部、４１…第１方向、４２…第２方向、５１…破線、５２…破線、６１…基板、６２…レジストパターン、６３…レジスト層、３０１…第１部分、３０２…第２部分、１０１…スタンパ、１０２…記録領域用転写面、１０３…制御領域用転写面、１２１…記録トラック用転写部、１３１…バースト部用転写部、１３２…パッド部用転写部、１４１…第１方向、１４２…第２方向、１５１…破線、２００…記録再生装置、２０１…スピンドル、２０２…固定軸、２０３…磁気ヘッドアセンブリ、２０４…ボイスコイルモータ、１３０１…第１転写部分、１３０２…第２転写部分、２０３０…アクチュエータアーム、２０３１…サスペンション、２０３２…ヘッドスライダ、２１０１…強磁性体ドット、３１０１…強磁性体ドット、１２１０１…ドット状凹部、１３１０１…ドット状凹部。
【図１】
2004303302.tif 000003
【図２】
2004303302.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
2004303302.tif 000012
【図１１】
2004303302.tif 000013
【図１２】
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【図１３】
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