(57)【要約】【課題】感度ムラや色ムラの発生を抑えて、受光部上の透過率を高くして感度の向上を図ることができると共に、製造中の水素アニールにより暗電流の発生を抑制することが可能な固体撮像素子及び固体撮像素子の製造方法を提供する。【解決手段】電荷転送部３の転送電極４，５を同一層の電極層により構成し、基板上に、基板上の酸化膜とその上の窒化膜とを含む絶縁膜を介して転送電極４，５を形成し、電荷転送部３に平行な方向における受光部２間に、窒化膜が除去された部分７を設けて固体撮像素子１を構成する。また、基板上に酸化膜と窒化膜とを順次成膜する工程と、上記受光部２間となる部分において、窒化膜を除去して開口７を形成する工程と、この開口７内を埋めて酸化膜を形成する工程と、その後、同一層の電極層により転送電極４，５を形成する工程とを有して、前記固体撮像素子１を製造する。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ライン状又はマトリクス状に配置された受光部の、少なくとも一列の一側に電荷転送部が設けられ、
前記電荷転送部の転送電極が、同一層の電極層により構成され、
基板と前記転送電極との間の絶縁膜が、前記基板上の酸化膜とその上の窒化膜とを含み、
前記電荷転送部に平行な方向における前記受光部間に、前記窒化膜が除去された部分が設けられている
ことを特徴とする固体撮像素子。
【請求項２】
各前記受光部上の全面を覆って、第２層の窒化膜が設けられていることを特徴とする請求項１に記載の固体撮像素子。
【請求項３】
ライン状又はマトリクス状に配置された受光部の、少なくとも一列の一側に電荷転送部が設けられて成る固体撮像素子を製造する方法であって、
基板上に、酸化膜と窒化膜とを順次成膜する工程と、
前記電荷転送部に平行な方向における前記受光部間となる部分において、前記窒化膜を除去して開口を形成する工程と、
前記窒化膜が除去された開口内を埋めて酸化膜を形成する工程と、
その後、同一層の電極層により、前記電荷転送部の転送電極を形成する工程とを有する
ことを特徴とする固体撮像素子の製造方法。
【請求項４】
前記電荷転送部の転送電極を形成する工程の後に、前記受光部上の全面を覆って第２層の窒化膜を形成することを特徴とする請求項３に記載の固体撮像素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電荷転送部を有して成る固体撮像素子及び固体撮像素子の製造方法に係わる。
【０００２】
【従来の技術】
ＣＣＤ固体撮像素子において、低電圧で効率良く転送を行うことを目的として、ＭＯＮＯＳ（メタル・オキサイド・ナイトライド・オキサイド・セミコンダクタ）構造が採用されている。
このＭＯＮＯＳ構造を採用することにより、垂直転送レジスタ等における転送電極下のゲート絶縁膜の膜厚をほぼ一定にして、転送電極の下面を平らにすることができる。これにより、低電圧で効率良く電荷転送を行うことが可能になる。
【０００３】
このＭＯＮＯＳ構造を有するＣＣＤ固体撮像素子においては、シリコン／ＳｉＯ２界面に対する水素アニールを効果的にするために、ナイトライド膜（シリコン窒化膜）のない領域をレイアウトする必要がある。水素アニールを行うことにより、シリコン／ＳｉＯ２界面における界面準位を低減し、暗電流の発生を抑制することができる。
【０００４】
ナイトライドのない領域の形成方法としては、例えば、ＩＴ（インターライントランスファ）方式やＦＩＴ（フレームインターライントランスファ）方式のＣＣＤ固体撮像素子において、受光部上のナイトライド膜をカットした構成が採用されている。
【０００５】
また、例えば、ＦＴ（フレームトランスファ）方式やＦＩＴ方式のＣＣＤ固体撮像素子の蓄積領域において、チャネルストップ上のナイトライド膜をカットした構成が採用されている（例えば特許文献１参照）。
【０００６】
【特許文献１】
特公平５−１６１７８号公報
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、ＣＣＤ固体撮像素子において、高感度化を図る目的で、受光部上にナイトライド膜を形成することが考えられている。これは、ナイトライド膜を形成することにより、受光部のシリコンとの屈折率の差が酸化膜の場合よりも小さくなるため、界面における反射率を低減することができるからである。
【０００８】
この場合、ＭＯＮＯＳ構造のナイトライド膜（第１層）とは別に、受光部上にナイトライド膜（第２層）を形成することになるが、受光部上を全てナイトライド膜で覆ってしまうと、水素が通りにくくなり水素アニールの効果が得られなくなるため、受光部上の一部にナイトライド膜を形成することになる。
【０００９】
或いは、ＭＯＮＯＳ構造の絶縁膜のナイトライド膜を、受光部上の開口部で全部除去するのではなく、一部のみ残すことによっても、同様の効果が得られる。
【００１０】
しかしながら、ＣＣＤ固体撮像素子の画素の小型化が進むに従い、受光部上の開口部の一部においてナイトライド膜を残し、その他の部分の領域のナイトライド膜をエッチオフすることが加工精度の点から難しくなる。
【００１１】
この問題を、一例として、単層の転送電極を採用したＣＣＤ固体撮像素子に適用した場合について、図１０に示す。
この場合、図１０Ａに示すように、これら転送電極５１，５２上と受光部５３上とにまたがって、低反射効果をもたらすナイトライド膜５４を成膜し、ナイトライド膜５４が受光部５２上に一部残るように、ストライプ状のパターンにパターニングする。転送電極５１と転送電極５２は、共に同一層の（単層の）電極層（多結晶シリコン層等）により形成されている。
【００１２】
しかし、実際には、多層の転送電極の場合はもとより、図１０Ａのように単層の転送電極５１，５２を採用した場合でも、転送電極５１，５２上と受光部５３上では高さに大きな差があるため、ナイトライド膜５４の下には大きな凹凸がある。
そして、画素のサイズ（セルサイズ）が２μｍ程度に縮小されると、受光部５３の開口部の幅は１μｍ以下になることもある。このとき、転送電極５１，５２により大きな凹凸が存在する部分のナイトライド膜５４を図１０Ａのパターンに加工しようとしても、一般的には、図１０Ｂに示すように形成後のナイトライド膜５４のパターン形状が崩れてしまいがちである。
受光部５３上の開口部でこのナイトライド膜５４がある部分の透過率は高く、ナイトライド膜５４のない部分の透過率は低くなることから、ナイトライド膜５４のパターン形状が崩れることにより、画素毎に透過率が異なってきて、感度ムラや色ムラが生じやすくなる。また周辺部の画素でいわゆるシェーディングを生じやすくなる。
【００１３】
一方、ＭＯＮＯＳ構造の絶縁膜のナイトライド膜を受光部上の開口部で一部のみ残す場合には、ナイトライド膜の下に凹凸はほとんどない。
しかし、この場合も、画素のサイズの縮小化が進むことにより、ナイトライド膜の加工幅が狭くなるため、ナイトライド膜のパターニングの加工が困難になってくる問題を生じる。
【００１４】
従って、低反射にするために、できる限り受光部上の広い面積にナイトライド膜を形成すると共に、ナイトライド膜に水素アニールのための充分な広さのウインドウを確保することを両立することが必要となる。
【００１５】
上述した問題の解決のために、本発明においては、感度ムラや色ムラの発生を抑えて、受光部上の透過率を高くして感度の向上を図ることができると共に、製造中の水素アニールにより暗電流の発生を抑制することが可能な固体撮像素子及び固体撮像素子の製造方法を提供するものである。
【００１６】
【課題を解決するための手段】
本発明の固体撮像素子は、ライン状又はマトリクス状に配置された受光部の、少なくとも一列の一側に電荷転送部が設けられ、電荷転送部の転送電極が同一層の電極層により構成され、基板と転送電極との間の絶縁膜が、基板上の酸化膜とその上の窒化膜とを含み、電荷転送部に平行な方向における受光部間に、窒化膜が除去された部分が設けられているものである。
【００１７】
本発明の固体撮像素子の製造方法は、ライン状又はマトリクス状に配置された受光部の、少なくとも一列の一側に電荷転送部が設けられて成る固体撮像素子を製造するものであって、基板上に酸化膜と窒化膜とを順次成膜する工程と、電荷転送部に平行な方向における受光部間となる部分において、窒化膜を除去して開口を形成する工程と、この窒化膜が除去された開口内を埋めて酸化膜を形成する工程と、その後、同一層の電極層により電荷転送部の転送電極を形成する工程とを有するものである。
【００１８】
上述の本発明の固体撮像素子の構成によれば、電荷転送部の転送電極が同一層の電極層により構成されているため、転送電極は単層となっており隣接する転送電極が上下に重なっていない。これにより、転送電極による段差を小さくすることができると共に、電荷転送部に平行な方向における受光部間において、隣接する転送電極の間に酸化膜等による隙間を有している。
また、電荷転送部に平行な方向における受光部間に、窒化膜が除去された部分が設けられていることにより、この窒化膜が除去された部分と、上述の複数の転送電極の間の隙間とを通して、製造の際に水素を基板とその上の酸化膜との界面に供給することが可能になる。これにより、受光部上の窒化膜を除去しなくても済むため、受光部上に窒化膜を残すことができ、窒化膜と基板との屈折率が小さいことから入射光の反射率を低減することが可能になる。
【００１９】
上述の本発明の固体撮像素子の製造方法によれば、電荷転送部に平行な方向における受光部間となる部分において、窒化膜を除去して開口を形成し、この窒化膜が除去された開口内を埋めて酸化膜を形成することにより、開口内の酸化膜を通じて、水素を基板とその上の酸化膜との界面に供給することが可能になる。
また、同一の電極層により電荷転送部の転送電極を形成することにより、隣接する転送電極が上下に重ならない、単層の転送電極を形成することができる。これにより、転送電極による段差を小さくすることができると共に、電荷転送部に平行な方向における受光部間において、隣接する転送電極の間に酸化膜等による隙間を形成することができる。このように、隣接する転送電極の間に隙間が形成されることにより、上述の水素の供給の際に、隣接する転送電極の間の隙間を通り、水素の供給を妨げることがない。
【００２０】
【発明の実施の形態】
本発明は、ライン状又はマトリクス状に配置された受光部の、少なくとも一列の一側に電荷転送部が設けられ、電荷転送部の転送電極が同一層の電極層により構成され、基板と転送電極との間の絶縁膜が、基板上の酸化膜とその上の窒化膜とを含み、電荷転送部に平行な方向における受光部間に、窒化膜が除去された部分が設けられている固体撮像素子である。
【００２１】
また本発明は、上記固体撮像素子において、各受光部上の全面を覆って、第２層の窒化膜が設けられている構成とする。
【００２２】
本発明は、ライン状又はマトリクス状に配置された受光部の、少なくとも一列の一側に電荷転送部が設けられて成る固体撮像素子を製造するものであって、基板上に酸化膜と窒化膜とを順次成膜する工程と、電荷転送部に平行な方向における受光部間となる部分において、窒化膜を除去して開口を形成する工程と、この窒化膜が除去された開口内を埋めて酸化膜を形成する工程と、その後、同一層の電極層により電荷転送部の転送電極を形成する工程とを有する固体撮像素子の製造方法である。
【００２３】
また本発明は、上記固体撮像素子の製造方法において、電荷転送部の転送電極を形成する工程の後に、受光部上の全面を覆って第２層の窒化膜を形成する。
【００２４】
本発明の固体撮像素子の一実施の形態の概略構成図（平面図）を図１に示す。また、図１のＡ−Ａにおける断面図を図２に示す。
本実施の形態は、本発明をＣＣＤ固体撮像素子に適用した場合を示している。
【００２５】
この固体撮像素子１は、受光部２がマトリクス状に配置され、受光部２の各列の一側に、電荷転送部として、垂直方向（図中上下方向）Ｖに延びる垂直転送レジスタ３が設けられている。垂直転送レジスタ３の一端には図示しないが水平転送レジスタが接続される。
受光部２は、それぞれが画素を構成するものであり、図示しないが光を電荷に変換する光電変換部と、変換された電荷を蓄積する電荷蓄積部とを有する。
【００２６】
垂直転送レジスタ３は、転送電極４，５と、その下の半導体基体（シリコン基板又はシリコンエピタキシャル層）１１に形成された、信号電荷が転送される転送チャネル９（図３参照）により構成され、ＣＣＤ構造の電荷転送部となっている。
【００２７】
また、転送電極４，５と、その下のシリコン基板１１との間の絶縁膜として、シリコン酸化膜１２、ナイトライド膜（シリコン窒化膜）１３、シリコン酸化膜１４が形成されている。
即ち、転送電極４，５、シリコン酸化膜１４、ナイトライド膜１３、シリコン酸化膜１２、並びにシリコン基板１１によって、前述したＭＯＮＯＳ構造が構成されている。
垂直転送レジスタ３において、このＭＯＮＯＳ構造が構成されているため、前述したように、転送電極４，５下のゲート絶縁膜の膜厚をほぼ一定にして、転送電極４，５の下面を平らに形成することができる。これにより、低電圧で効率良く電荷転送を行うことができる。
【００２８】
また、転送電極４，５の上を覆って、素子全体に、遮光膜８が形成されている。
この遮光膜８は、受光部２に光が入射するように、受光部２上に開口９Ａを有している。
【００２９】
本実施の形態の固体撮像素子１においては、特に、同一層（第１層）の電極層により、各垂直転送レジスタ３の転送電極４，５を構成している。
転送電極４，５は、例えば多結晶シリコン膜により構成され、例えばノンドープの多結晶シリコン膜を形成した後に、不純物のドープを行うことにより形成することができる。
これら転送電極４，５は、電極表面を覆ったシリコン酸化膜１５により、互いに絶縁されている。
【００３０】
これら転送電極４，５は、水平方向（図中左右方向）Ｈに延びる導線部と、垂直転送レジスタに沿って突出した電極部とを有している。導線部は、垂直方向Ｖの画素間の部分に配置形成されている。
転送電極４は、受光部２に対して図中上側に配置され、電極部が下向きに突出している。
転送電極５は、受光部２に対して図中下側に配置され、電極部が上向きに突出している。
図中上下に隣接する転送電極４，５は、各導線部同士及び各電極部同士が、それぞれ絶縁膜による狭いギャップを挟んで対向するように、配置されている。
転送チャネル９は、転送電極４，５の電極部の下に形成される。
【００３１】
また、本実施の形態の固体撮像素子１においては、特に、受光部２上に、転送電極４，５による開口を覆うように、ナイトライド膜（シリコン窒化膜）６が形成されている。
このナイトライド膜６は、受光部２上を覆っており、膜６の端部が転送電極４，５上にまでわたっている。
【００３２】
ナイトライド膜は、シリコン酸化膜と比較して、屈折率が大きく、また青や緑の光の透過率が高い性質を有している。
このため、受光部２上にナイトライド膜６を形成したことにより、このナイトライド膜６とＭＯＮＯＳ構造のナイトライド膜１３とにより、受光部２の分光特性や感度を向上させることができる。
【００３３】
さらに、本実施の形態の固体撮像素子１においては、特に垂直方向Ｖ（垂直転送レジスタ３に平行な方向）の受光部２間の転送電極４，５の下に、ＭＯＮＯＳ構造を構成するナイトライド膜１３が除去された開口７が設けられている。この開口７の内部は、図２に示すように、シリコン酸化膜１４により埋められている。
このナイトライド膜１３の開口７を通じて、製造の際に行われる水素アニールにおいて、水素をシリコン基板１１に供給することができる。
これは、水素が、ナイトライド膜１３は通りにくいのに対して、シリコン酸化膜１４は比較的通りやすい性質を有しているからである。
【００３４】
仮に、例えばＭＯＮＯＳ構造のナイトライド膜１３や、受光部２上のナイトライド膜６を全面的に形成してしまうと、シリコン基板１１に水素を供給することができなくなる。
これに対して、このようにナイトライド膜１３に水素アニール用の開口７を形成していることにより、受光部２上や転送チャネル上がナイトライド膜で覆われていても、開口７を通じて１００〜２００μｍの範囲まで水素を供給することができるため、シリコン基板１１のほぼ全面に供給することが可能になる。
【００３５】
なお、図２中、１６はＳｉＯ２等による層間絶縁層を示し、１７は、パッシベーション膜や平坦化膜を含む絶縁層を示している。
パッシベーション膜としてプラズマＣＶＤにより形成したシリコン窒化膜を用いると、パッシベーション膜から、基板とその上のシリコン酸化膜との界面に水素を供給することができる。
また、絶縁層１７の上方には、必要に応じて、図示しないカラーフィルタやオンチップレンズ等が設けられる。
【００３６】
上述の本実施の形態の固体撮像素子１の構成によれば、垂直方向Ｖの画素間（受光部２間）に、ＭＯＮＯＳ構造のナイトライド膜１３を除去した開口７を設けており、かつ転送電極４，５を同一層の（単層の）電極層により形成していることにより、受光部２間にあるナイトライド膜１３の開口上に、隣接する２つの転送電極４及び５の隙間がある。
これにより、固体撮像素子１の製造の際に、転送電極４及び５の隙間と、ナイトライド膜１３の開口７内のシリコン酸化膜１４とを通じて、シリコン基板１１とその上のシリコン酸化膜１２との界面に水素を供給することができる。
また、受光部２上のナイトライド膜１３をカットする必要がなくなるため、受光部２上に全面的にナイトライド膜１３を残すことができる。
ナイトライド膜１３の開口７は、凹凸の少ない部分に形成されているので、容易にかつパターンの崩れもなく形成することができる。
【００３７】
そして、受光部２上にナイトライド膜１３を全面的に残すと共に、受光部２全体上を覆うように２層目のナイトライド膜６を設けていることにより、受光部２全面において、低反射膜構造を構成することが可能になる。
即ち、受光部２の全面を低反射膜構造化しても、暗電流を低減するための水素アニールが有効な構成の固体撮像素子１とすることが可能になる。
【００３８】
また、ナイトライド膜６を、受光部２上の一部をカットするのではなく、受光部２の全面上に形成し、かつ転送電極４，５上にわたって形成しているので、転送電極４，５による凹凸の影響でパターンの崩れがあったとしても、パターン崩れの影響を転送電極４，５上にとどめて、受光部２の全面上を覆って形成することが可能になる。
これにより、受光部２の全面で感度を向上することができ、ナイトライド膜６のパターン崩れによる色ムラや色シェーディングの問題を生じない。
そして、転送電極４，５が同一層の（単層の）電極層により形成されているため、従来の多層の電極層により転送電極が構成されたＣＣＤ固体撮像素子と比較して、転送電極４，５による段差が小さくなるため、受光部２に入射する光の範囲を広げて入射光量を増やすことができる。これによっても、受光部２の感度の向上を図ることができる。
【００３９】
従って、本実施の形態により、高感度で、色ムラ、色シェーディングの少ない固体撮像素子１を実現することができる。
【００４０】
固体撮像素子の画素（セル）の微細化が進むに従い、感度の低下や、前述した色ムラや色シェーディングの問題が顕在化する。
これに対して、本実施の形態によれば、ナイトライド膜のカットオフの加工が容易になることから、画素（セル）の微細化が進んでも、容易に加工を行うことができる。また、ナイトライド膜６のパターン崩れの影響をなくすことが可能になるため、受光部２の全面上に設けられたナイトライド膜１３，６により感度の向上を図り、かつ色ムラや色シェーディングを生じないようにすることができる。
従って、画素（セル）の微細化を図り、多画素化や固体撮像素子を備えた撮像装置の小型化を図ることができる。
そして、特に画素（セル）の微細化が進むに従い、本実施の形態の固体撮像素子１の長所が大きくなる。
【００４１】
本実施の形態の固体撮像素子１は、例えば次のようにして製造することができる。
【００４２】
まず、図３に平面図を示すように、シリコン基板１１内に、イオン注入等により、垂直転送レジスタ３の転送チャネル９やチャネルストップ領域１０等を形成する。
また、これらの領域の形成工程に前後して、図４Ａに断面図を示すように、ゲート絶縁膜となる、シリコン酸化膜１２及びナイトライド膜１３を順次成膜する。
【００４３】
次に、図４Ｂに断面図を示し、図５に平面図を示すように、画素間部のナイトライド膜１３をドライエッチング等によりエッチオフし、ナイトライド膜１３のない開口７を形成する。
続いて、図６Ｃに示すように、ナイトライド膜１３をカットした領域（開口７の下の領域）のシリコン酸化膜１２を湿式エッチングにより除去する。
さらに、酸化処理を行い、ナイトライド膜１３及びシリコン酸化膜１２がカットされた部分を酸化する。これにより、図６Ｄに示すように、ナイトライド膜１３の開口の内部にシリコン酸化膜２１が形成される。
【００４４】
次に、図７Ｅに示すように、電荷注入阻止膜としてのシリコン酸化膜１４を形成する。例えば、１０〜２０ｎｍの膜厚で形成する。
なお、このシリコン酸化膜１４は、ナイトライド膜１３の酸化により形成してもよいし、高温の減圧ＣＶＤによるＨＴＯ膜（Ｈｉｇｈ  Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ  Ｏｘｉｄｅ膜）として形成してもよい。
なお、シリコン酸化膜１４とシリコン酸化膜２１とは、同じシリコン酸化物からなり、境界も明確ではないため、これ以降の図ではまとめてシリコン酸化膜１４として示す。
【００４５】
次に、多結晶シリコン、或いはＷＳｉ等から成る電極層を成膜して、これをパターニングすることにより、図７Ｆに示すように、同一層（単層）の電極層から成り、所定パターンの転送電極４，５を形成する。
続いて、例えば転送電極４，５の表面を熱酸化させてシリコン酸化膜１５を形成する。
【００４６】
なお、次の２層目のナイトライド膜６の成膜工程よりも前に、受光部２を構成する不純物領域をシリコン基板１１内に形成する。
受光部２を構成する不純物領域は、シリコン基板１１内に不純物をイオン注入して形成される。このイオン注入工程は、転送チャネル９やチャネルストップ領域１０の形成工程と前後して行う場合と、転送電極４，５による開口と自己整合させるために転送電極４，５を形成した後に行う場合とがある。
【００４７】
次に、表面を覆って全面的にナイトライド膜を成膜し、これをエッチングによりパターニングして、図８Ｇに示すように、受光部２上の開口を全面的に覆って、２層目のナイトライド膜６を形成する。
【００４８】
次に、図８Ｈに示すように、転送電極４，５の上方に層間絶縁膜１６を形成する。この層間絶縁膜１６としては、ＢＰＳＧ（ボロン・リン・シリケートガラス）を用いることができる。
【００４９】
次に、表面を覆って全面的に遮光膜８となる金属膜を成膜し、受光部２上に開口８Ａを形成して、図９Ｉに示すように、遮光膜８を形成する。
遮光膜８は、Ｃｕ系、タングステン系でもよいし、アルミニウム系でもよい。
【００５０】
その後は、プラズマＣＶＤ法によりシリコン窒化膜から成るパッシベーション膜を形成し、その上に例えば平坦化膜を形成して、図９Ｊに示すように、全面を絶縁層１７で覆う。
【００５１】
なお、プラズマＣＶＤ法によって形成したシリコン窒化膜から成るパッシベーション膜の形成工程の後であり、かつカラーフィルタを形成する工程よりも前に、水素アニールを行う。
即ち、例えば４００℃程度の温度でアニール（熱処理）を行って、シリコン窒化膜から、層間絶縁膜１６、転送電極４，５の隙間、ナイトライド膜１３の開口内のシリコン酸化膜１４を通じて、シリコン基板１１とシリコン酸化膜１２との界面に水素を供給する。
【００５２】
さらに、必要に応じて、カラーフィルタやオンチップレンズを形成する。
このようにして、本実施の形態の固体撮像素子１を製造することができる。
【００５３】
上述した製造工程によれば、ナイトライド膜のカットオフ工程（ナイトライド膜１３に開口７を形成する工程）が、転送電極４，５の形成工程よりも前に行われるので、転送電極４，５による凹凸のない状態でナイトライド膜のカットオフを行うことができる。
これにより、前述したナイトライド膜のパターン崩れの問題を生じることがなく、またカットオフの加工が容易になるため、画素（セル）の縮小化が進んでも容易にナイトライド膜のカットオフを行うことができる。
【００５４】
なお、上述した製法では、ナイトライド膜１３の開口７下のシリコン酸化膜１２を、湿式エッチングによっていったん除去するようにしているが、本発明では、必ずしもこのシリコン酸化膜１２も除去する場合に限定されるものではない。
【００５５】
上述の実施の形態では、本発明をＣＣＤ固体撮像素子に適用したが、その他の構成の固体撮像素子にも本発明を適用することができる。
例えば、ＣＣＤ構造以外の電荷転送部が、受光部の列の一側に設けられた構成の固体撮像素子に対しても、同様に本発明を適用することができる。
【００５６】
本発明は、上述の実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲でその他様々な構成が取り得る。
【００５７】
【発明の効果】
上述の本発明によれば、固体撮像素子の製造の際に、水素アニールによって、隣接する転送電極の隙間と、窒化膜を除去した部分（開口）とを通じて、基板とその上の酸化膜との界面に水素を供給することが可能になり、これにより暗電流を低減することができる。
また、受光部上の窒化膜を除去する必要がなくなり、受光部上に窒化膜を残すことにより、低反射膜を構成することができ、これにより受光部の感度の増大を図ることができると共に、窒化膜のパターン崩れによる色ムラや色シェーディングの問題を生じない。
従って、本発明によれば、暗電流の発生が少なく、高感度で、色ムラ、色シェーディングの少ない固体撮像素子を実現することができる。
【００５８】
さらに、本発明によれば、窒化膜に開口を形成する際に、窒化膜の下に段差を有しないため、加工を容易に行うことができる。
従って、画素（セル）の微細化を図り、固体撮像素子の多画素化や固体撮像素子を備えた撮像装置の小型化を図ることができる。
特に、画素（セル）の微細化が進むに従い、本発明の構成による長所も大きくなる。
【００５９】
また、本発明において、さらに、各受光部上の全面を覆って、第２層の窒化膜を形成した場合には、受光部上に残った窒化膜と、第２層の窒化膜とにより、さらに感度の向上を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の固体撮像素子の一実施の形態の概略構成図（平面図）である。
【図２】図１のＡ−Ａにおける断面図である。
【図３】図１の固体撮像素子の製造工程を示す工程図（平面図）である。
【図４】Ａ、Ｂ  図１の固体撮像素子の製造工程を示す工程図（断面図）である。
【図５】図１の固体撮像素子の製造工程を示す工程図（平面図）である。
【図６】Ｃ、Ｄ  図１の固体撮像素子の製造工程を示す工程図（断面図）である。
【図７】Ｅ、Ｆ  図１の固体撮像素子の製造工程を示す工程図（断面図）である。
【図８】Ｇ、Ｈ  図１の固体撮像素子の製造工程を示す工程図（断面図）である。
【図９】Ｉ、Ｊ  図１の固体撮像素子の製造工程を示す工程図（断面図）である。
【図１０】Ａ、Ｂ  受光部上の一部にナイトライド膜のパターンを形成する際の問題点を説明する図である。
【符号の説明】
１  固体撮像素子、２  受光部、３  垂直転送レジスタ、４，５  転送電極、６，１３  ナイトライド膜（シリコン窒化膜）、７  開口、８  遮光膜、１０  転送チャネル
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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