(57)【要約】【課題】半導体装置の製造工程におけるウェハテスト工程でのプローブ針の位置合せにおける精度余裕を大きくすることが可能な半導体装置を提供する。【解決手段】半導体チップ２は、半導体基板と金属電極７と絶縁膜８とを備える。金属電極７は半導体基板上に形成されている。絶縁膜８は、金属電極７を覆うように形成されている。絶縁膜８には、金属電極７の表面を露出させる開口部１０が形成されている。開口部１０の平面形状の外形は、ある方向に延びる水平な辺と、水平な辺の延びる方向に対してほぼ垂直方向に延びる垂直な辺とにより構成されている。また、開口部１０の平面形状の外形は、開口部１０の外側に向かって凸形状となっている角部を９個所以上有する多角形である。【選択図】　　　　図３
2004047551.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板と、
前記半導体基板上に形成された電極と、
前記電極を覆うように形成され、前記電極の表面を露出させる開口部が形成された絶縁膜とを備え、
前記開口部の平面形状の外形は、ある方向に延びる水平線と、前記水平線の延びる方向に対してほぼ垂直方向に延びる垂直線とにより構成され、開口部の外側に向かって凸形状となっている角部を９個所以上有する多角形である、半導体装置。
【請求項２】
半導体基板と、
前記半導体基板上に形成された電極と、
前記電極を覆うように形成され、前記電極の表面を露出させる開口部が形成された絶縁膜とを備え、
前記開口部の平面形状の外形は、ある方向に延びる水平線と、前記水平線の延びる方向に対してほぼ垂直方向に延びる垂直線と、前記水平線の延びる方向と交差する方向に延びる斜め線とにより構成され、開口部の外側に向かって凸形状となっている角部を９個所以上有する多角形である、半導体装置。
【請求項３】
前記絶縁膜上に形成され、前記絶縁膜の開口部上に位置する部分に上層開口部が形成された上層絶縁膜を備え、
前記上層開口部の平面形状の外形は、
ある方向に延びる上層水平線と、前記上層水平線の延びる方向に対してほぼ垂直方向に延びる上層垂直線とにより構成され、前記上層開口部の外側に向かって凸形状となっている角部を９個所以上有する多角形と、
ある方向に延びる上層水平線と、前記上層水平線の延びる方向に対してほぼ垂直方向に延びる上層垂直線と、前記上層水平線の延びる方向と交差する方向に延びる上層斜め線とにより構成され、前記上層開口部の外側に向かって凸形状となっている角部を９個所以上有する多角形とのうちのいずれか一方である、請求項１または２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記電極の平面形状の外形は、
ある方向に延びる電極水平線と、前記電極水平線の延びる方向に対してほぼ垂直方向に延びる電極垂直線とにより構成され、前記電極の中央部から外側に向かって凸形状となっている角部を９個所以上有する多角形と、
ある方向に延びる電極水平線と、前記電極水平線の延びる方向に対してほぼ垂直方向に延びる電極垂直線と、前記電極水平線の延びる方向と交差する方向に延びる電極斜め線とにより構成され、前記電極の中央部から外側に向かって凸形状となっている角部を９個所以上有する多角形とのうちのいずれか一方であって、前記電極の平面形状の外縁は、前記開口部の平面形状の外縁より外側に位置している、請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項５】
半導体基板と、
前記半導体基板上に形成された電極とを備え、
前記電極の平面形状の外形は、ある方向に延びる水平線と、前記水平線の延びる方向に対してほぼ垂直方向に延びる垂直線とにより構成され、前記電極の外側に向かって凸形状となっている角部を９個所以上有する多角形である、半導体装置。
【請求項６】
半導体基板と、
前記半導体基板上に形成された電極とを備え、
前記電極の平面形状の外形は、ある方向に延びる水平線と、前記水平線の延びる方向に対してほぼ垂直方向に延びる垂直線と、前記水平線の延びる方向と交差する方向に延びる斜め線とにより構成され、前記電極の外側に向かって凸形状となっている角部を９個所以上有する多角形である、半導体装置。
【請求項７】
前記水平線の延びる方向と前記斜め線とが交差する角度は４５°である、請求項２または６に記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は半導体装置に関し、より特定的には、絶縁膜の開口部から露出する電極を備える半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
図１５は、従来の半導体チップを示す側面模式図である。図１６は、図１５に示した半導体チップのはんだバンプが形成された部分の拡大断面模式図である。図１７は、図１６に示したはんだバンプが形成された部分の平面模式図である。図１５〜図１７を参照して、従来の半導体チップを説明する。
【０００３】
図１５に示すように、従来の半導体チップ１０２は、所定の回路素子が形成された半導体基板と、半導体基板の上部表面上に配置され、上記回路素子と外部の回路とを電気的に接続するための複数のはんだバンプ１０３とを備える。図１６に示すように、はんだバンプ１０３は、半導体基板上に形成された金属電極１０７の上部表面に接続されている。金属電極１０７は、半導体基板の上記回路素子上に形成された絶縁膜１０９の上部表面に形成されている。金属電極１０７の上部表面から絶縁膜１０９の上部表面上にまで延在するように、絶縁膜１０８が形成されている。絶縁膜１０８には、金属電極１０７の上部表面を露出させる開口部１１０が形成されている。はんだバンプ１０３は、開口部１１０から露出した金属電極１０７の上部表面に接続されている。
【０００４】
従来、開口部１１０および金属電極１０７の平面形状は、図１７に示したように従来八角形とすることが多かった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
図１５〜図１７に示した半導体チップの製造工程では、半導体チップとなるべき領域を複数個半導体基板の主表面上に同時に形成していく。最終的には、半導体基板を分割することで、半導体チップ１０２（図１５参照）を得るが、半導体チップの健全性を確認するために、半導体基板の状態で各半導体チップ１０２の機能を検査する工程（いわゆる、ウェハテスト工程）が実施される。このようなウェハテスト工程では、図１８および図１９に示すように、半導体チップ１０２（図１５参照）となるべき領域が複数個形成された半導体基板１３０において、各半導体チップ１０２の金属電極１０７に、検査装置を構成するプローブ装置１３２のプローブ針１３１を接触させる。そして、プローブ針１３１から金属電極１０７に所定の電気信号を流すことにより、半導体チップ１０２（図１５参照）の回路素子が所定の特性を示すかどうかを検査する。ここで、図１８は、ウェハテスト工程を説明するための模式図である。また、図１９は、図１８における領域ＸＩＸの拡大断面模式図である。
【０００６】
ウェハテスト工程では、上述のように絶縁膜１０８の開口部１１０から露出した金属電極１０７にプローブ針１３１を接触させる必要があるが、近年の半導体装置の微細化に伴って、金属電極１０７や開口部１１０のサイズも小さくなってきている。そのため、プローブ針１３１を金属電極１０７に接触させる際、プローブ針１３１の位置の制御に求められる精度余裕（マージン）も小さくなってきている。この結果、プローブ針１３１の位置合せに高い精度を要するために、ウェハテスト工程に用いる検査装置にも動作精度の高いものを用いる必要がある。このため、検査装置のコストが増大することになる。この結果、半導体装置の製造コストが増大することになっていた。また、プローブ針１３１の位置精度を確保するために、プローブ針１３１の動作速度を下げるなどの対応を行なうと、ウェハテスト工程に要する時間が長くなる。この場合も、結果的に半導体装置の製造コストが増大することになっていた。
【０００７】
この発明は、上記のような課題を解決するために成されたものであり、この発明の目的は、半導体装置の製造工程におけるウェハテスト工程でのプローブ針の位置合せにおける精度余裕を大きくすることが可能な半導体装置を提供することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
この発明の１の局面に従った半導体装置は、半導体基板と電極と絶縁膜とを備える。電極は半導体基板上に形成されている。絶縁膜は電極を覆うように形成されている。絶縁膜には電極の表面を露出させる開口部が形成されている。開口部の平面形状の外形は、ある方向に延びる水平線と、水平線の延びる方向に対してほぼ垂直方向に延びる垂直線とにより構成されている。また、開口部の平面形状の外形は、開口部の外側に向かって凸形状となっている角部を９個所以上有する多角形である。
【０００９】
このようにすれば、角部の数を増やすことにより開口部の形状を円形に近づけることができる。そのため、限られた領域内に電極を露出させるための開口部を形成する際、従来のように四角形状あるいは八角形状の開口部を形成する場合より、開口部の中心から開口部の側壁までの距離を、どの方位についても満遍なく大きくできる。このため、開口部を介して電極に検査用のプローブ針を接触させる際、プローブ針の位置精度余裕を従来より大きくすることができる。
【００１０】
また、開口部の平面形状を、水平線と垂直線とにより構成するので、この開口部の部分の回路設計を従来のＣＡＤツールなどの、グリッド状のＸＹ座標を用いて回路設計を行なうツールによって行なうことができる。このため、本発明による半導体装置を製造するために、特別なＣＡＤツールを準備する必要が無いので、半導体装置の製造コストの上昇を抑制できる。
【００１１】
この発明の他の局面に従った半導体装置は、半導体基板と電極と絶縁膜とを備える。電極は半導体基板上に形成されている。絶縁膜は、電極を覆うように形成されるとともに、電極の表面を露出させる開口部が形成されている。開口部の平面形状の外形は、ある方向に延びる水平線と、水平線の延びる方向に対してほぼ垂直方向に延びる垂直線と、水平線の延びる方向と交差する方向に延びる斜め線とにより構成される。開口部の平面形状の外形は、開口部の外側に向かって凸形状となっている角部を９個所以上有する多角形である。
【００１２】
このようにすれば、開口部の形状を円形に近づけることができる。そのため、限られた領域内に電極を露出させるための開口部を形成する際、従来のように八角形状などの開口部を形成する場合より、開口部の中心から開口部の側壁までの距離を、どの方位についても満遍なく大きくできる。このため、開口部を介して電極に検査用のプローブ針を接触させる際、プローブ針の位置精度余裕を従来より大きくすることができる。
【００１３】
また、開口部の平面形状を、水平線、垂直線および斜め線により構成するので、この開口部の部分の回路設計をグリッド状のＸＹ座標を用いて回路設計を行なう従来のＣＡＤツールによって行なうことができる。
【００１４】
また、開口部の平面形状を、水平線、垂直線および斜め線によって構成するので、上記平面形状を水平線および垂直線のみで形成する場合より、この開口部の平面形状をより円形に近づけることができる。
【００１５】
上記１の局面または他の局面に従った半導体装置は、上記絶縁膜上に形成された上層絶縁膜を備えていてもよい。上層絶縁膜では、絶縁膜の開口部上に位置する部分に上層開口部が形成されていてもよい。上層開口部の平面形状の外形は、ある方向に延びる上層水平線と、上層水平線の延びる方向に対してほぼ垂直方向に延びる上層垂直線とにより構成され、上層開口部の外側に向かって凸形状となっている角部を９個所以上有する多角形であってもよい。あるいは、上層開口部の平面形状の外形は、ある方向に延びる上層水平線と、上層水平線の延びる方向に対してほぼ垂直方向に延びる上層垂直線と、上層水平線の延びる方向と交差する方向に延びる上層斜め線とにより構成され、上層開口部の外側に向かって凸形状となっている角部を９個所以上有する多角形であってもよい。
【００１６】
この場合、上層絶縁膜における上層開口部の平面形状も、巨視的に見た場合に円形に近づけることができる。したがって、上層開口部についても、その平面形状を八角形状などにする場合より、上層開口部の中心から見た場合の側壁までの距離をどの方位についても大きくできる。したがって、プローブ針を電極に接触させる場合に、プローブ針の位置精度余裕が上層開口部により小さくなることを避けることができる。
【００１７】
上記１の局面または他の局面に従った半導体装置において、電極の平面形状の外形は、ある方向に延びる電極水平線と、電極水平線の延びる方向に対してほぼ垂直方向に延びる電極垂直線とにより構成され、電極の中央部から外側に向かって凸形状となっている角部を９個所以上有する多角形であってもよい。また、電極の平面形状の外形は、ある方向に延びる電極水平線と、電極水平線の延びる方向に対してほぼ垂直方向に延びる電極垂直線と、電極水平線の延びる方向と交差する方向に延びる電極斜め線とにより構成され、電極の中央部から外側に向かって凸形状となっている角部を９個所以上有する多角形であってもよい。
【００１８】
この場合、開口部の形状に適合するように電極を形成することができる。つまり、電極の平面形状の外縁部を、開口部の平面形状の外形に沿った位置に配置することができる（開口部の平面形状と電極の平面形状とをほぼ等しくできる）。このため、電極の占有面積を、ほぼ開口部の面積と同等の必要最小限の面積とすることができる。
【００１９】
上記１の局面または他の局面に従った半導体装置において、電極の平面形状の外縁は、開口部の平面形状の外縁より外側に位置していてもよい。
【００２０】
この場合、開口部の底部全体を確実に電極の上部表面により構成することができる。
【００２１】
この発明の別の局面に従った半導体装置は、半導体基板と電極とを備える。電極は半導体基板上に形成されている。電極の平面形状の外形は、ある方向に延びる水平線と、水平線の延びる方向に対してほぼ垂直方向に延びる垂直線とにより構成される。また、電極の平面形状の外形は、電極の外側に向かって凸形状となっている角部を９個所以上有する多角形である。
【００２２】
このようにすれば、電極の平面形状をほぼ円形状に近づけることができる。そのため、限られた領域内に電極を形成する際、従来のように四角形状あるいは八角形状の電極を形成する場合より、電極の中心から電極の外周部までの距離を、どの方位についても満遍なく大きくできる。このため、電極に検査用のプローブ針を接触させる際、プローブ針の位置精度余裕を従来より大きくすることができる。
【００２３】
また、電極の平面形状を、水平線と垂直線とにより構成するので、この電極の設計を従来のＣＡＤツールなど、グリッド状のＸＹ座標を用いて回路設計を行なうツールによって行なうことができる。このため、本発明による半導体装置を製造するために、特別なＣＡＤツールなどを準備する必要が無いので、半導体装置の製造コストの上昇を抑制できる。
【００２４】
この発明のもう１つの局面に従った半導体装置は、半導体基板と電極とを備える。電極は半導体基板上に形成されている。電極の平面形状の外形は、ある方向に延びる水平線と、水平線の延びる方向に対してほぼ垂直方向に延びる垂直線と、水平線の延びる方向と交差する方向に延びる斜め線とにより構成される。電極の平面形状の外形は、電極の外側に向かって凸形状となっている角部を９個所以上有する多角形である。
【００２５】
このようにすれば、電極の平面形状を円形に近づけることができる。そのため、限られた領域内に電極を形成する際、従来のように八角形状などの電極を形成する場合より、電極の中心から電極の外周部までの距離を、どの方位についても満遍なく大きくできる。このため、電極に検査用のプローブ針を接触させる際、プローブ針の位置精度余裕を従来より大きくすることができる。
【００２６】
また、電極の平面形状を、水平線、垂直線および斜め線により構成するので、この電極の設計を、グリッド状のＸＹ座標を用いて回路設計を行なう従来のＣＡＤツールによって行なうことができる。
【００２７】
また、電極の平面形状を、水平線、垂直線および斜め線によって構成するので、上記平面形状を水平線および垂直線のみで形成する場合より、この電極の平面形状をより円形に近づけることができる。
【００２８】
上記別の局面またはもう１つの局面に従った半導体装置は、電極を覆うように配置され、電極の表面を露出させる開口部が形成された絶縁膜を備えていてもよい。
【００２９】
上記他の局面またはもう１つの局面に従った半導体装置において、水平線の延びる方向と斜め線とが交差する角度は４５°であってもよい。
【００３０】
この場合、開口部または電極の平面形状をより円形に近づけることができる。
【００３１】
【発明の実施の形態】
以下、図面に基づいて本発明の実施の形態を説明する。なお、以下の図面において同一または相当する部分には同一の参照番号を付しその説明は繰返さない。
【００３２】
（実施の形態１）
図１は、本発明による半導体パッケージの断面模式図である。図２は、図１に示した半導体パッケージを構成する半導体チップの電極にはんだバンプが配置された部分の拡大断面模式図である。図３は図２の平面模式図である。図４は、図３に示した構造のうち、絶縁膜に形成された開口部の平面形状と絶縁膜下に形成された金属電極の平面形状とを示す拡大模式図である。図５は図４における領域Ｖの拡大模式図である。図１〜図５を参照して、本発明による半導体パッケージの実施の形態１を説明する。
【００３３】
図１に示すように、本発明による半導体装置としての半導体パッケージ１は、半導体チップ２と、この半導体チップ２を保護するためのパッケージ基板４とからなる。半導体チップ２は、半導体基板と、この半導体基板上に形成された電界効果トランジスタやその他の回路素子などを含む。半導体チップ２の上部表面には、図２に示すように、絶縁膜９と金属電極７と絶縁膜８とはんだバンプ３とが配置されている。絶縁膜９は半導体基板において回路素子などが形成された主表面上に形成されている。電極としての金属電極７は、絶縁膜９の上部表面に露出するように形成されている。金属電極７は、半導体チップ２を構成する半導体基板上に形成された回路素子と電気的に接続されている。なお、金属電極７の材料としては、導電性の金属であればどのような金属を用いてもよい。また、金属電極７に代えて、他の導電性の物質からなる電極を用いてもよい。絶縁膜８は、この金属電極７上から絶縁膜９の上部表面上にまで延在するように形成されている。絶縁膜９の材料としては、誘電体であればどのような材料を用いてもよい。たとえば、樹脂あるいはシリコン酸化膜などの絶縁体を用いてもよい。絶縁膜８には、金属電極７を部分的に露出させる開口部１０が形成されている。図２に示したような金属電極７および絶縁膜８からなる端子部は、半導体チップ２の上部表面においてマトリックス状に複数個配置されている。そして、このような複数の金属電極７と電気的に接続するように、複数の金属電極７上にはそれぞれはんだバンプ３（図１参照）が接続固定されている。
【００３４】
図１からもわかるように、半導体チップ２の上部に配置されたパッケージ基板４は、その下部表面から上部表面にまで延びる導電性の複数の配線５を備える。配線５は、パッケージ基板４の下部表面において、はんだバンプ３と対向する位置に露出している。そして、パッケージ基板４の上部表面においては、複数の配線５の端部が露出した状態となっている。この配線５の端部と接続するように、パッケージ基板４の上部表面上には導電性のピン６が複数個配置されている。導電性のピン６をプリント基板上に設けられた電極などと接続することにより、半導体チップ２内部の回路素子（半導体素子など）と外部のプリント基板上の回路素子とを、導電性のピン６、配線５、はんだバンプ３および金属電極７（図２参照）を介して電気的に接続することができる。
【００３５】
なお、パッケージ基板４の材料としては、絶縁体であればどのような材料を用いてもよい。たとえば、パッケージ基板４の材料として一般的には樹脂を用いることができる。また、配線５の材料としては、金属などの導電体を用いることができる。
【００３６】
図３からもわかるように、絶縁膜８に形成された開口部１０の平面形状および金属電極７の平面形状は、それぞれほぼ円形状となっている。そして、図４および図５からもわかるように、開口部１０の平面形状は、拡大して見ると水平方向に延びる水平線としての辺２４と、垂直方向に延びる垂直線としての辺２６とによって構成された多角形である。また、金属電極７の外周１１の平面形状も、図５に示すように拡大して見ると、水平方向に延びる電極水平線または水平線としての辺２３と、垂直方向に延びる電極垂直線または垂直線としての辺２５とによって構成された多角形である。
【００３７】
つまり、開口部１０の平面形状および金属電極７の外周１１の平面形状は、ともに水平方向に延びる辺２３、２４および垂直方向に延びる辺２５、２６のみによって構成される多角形となっている。金属電極７の外周１１の平面形状としては、金属電極７の中心から見て外側に凸形状となっている角部１２（図５参照）を数十〜数百個有する多角形であることが好ましい。また、絶縁膜８の開口部１０の平面形状も、同様に開口部１０の中心から見て外側に凸形状となっている角部１３（図５参照）を数十〜数百個有する多角形であることが好ましい。水平方向の辺２３、２４および垂直方向の辺２５、２６は、数十ｎｍ〜数μｍのピッチで形成されたグリッド線に沿って形成されている。そのため、水平方向の辺２３、２４および垂直方向の辺２５、２６のうちで、最も長さの短いものは、その長さが上述のグリッド線の単位格子の辺の長さ、つまり数十ｎｍ〜数μｍとなっている。
【００３８】
このように、金属電極７の平面形状および開口部１０の平面形状を、水平方向の辺２３、２４および垂直方向の辺２５、２６（図５参照）のみで構成するので、この金属電極７および開口部１０の部分の回路設計を従来のＣＡＤツールなど、グリッド状のＸＹ座標を用いて回路設計を行なうツールによって行なうことができる。このため、本発明による半導体チップ２（図１参照）を製造するために、特別なＣＡＤツールなどを準備する必要が無いので、半導体チップの製造コストの上昇を抑制できる。
【００３９】
図６は、図１に示した半導体チップ２の製造工程において実施される検査工程を説明するための断面模式図である。図６に示すように、半導体チップ２（図１参照）の製造工程においては、半導体チップ２が複数個形成された半導体ウェハを分割することにより半導体チップ２を得るダイシング工程の前段階において、図１８および図１９で示したようないわゆるウェハテスト工程が実施される。ウェハテスト工程では、半導体ウェハの状態で、上述した金属電極７に検査装置に接続されたプローブ装置３２のプローブ針３１を接触させることにより、半導体チップ中の回路が正常であるかどうかなどを検査する。このような検査を正確に実施するためには、開口部１０から露出する金属電極７にプローブ針３１を正確に接触させる必要がある。
【００４０】
ここで、半導体チップ２が微細化、高集積度化するにつれて金属電極７や開口部１０のサイズも微細化する。そのため、プローブ針３１の位置合わせを行なう際の位置精度余裕の値は半導体チップ２の微細化に伴ってますます小さくなっている。しかし、本発明による半導体チップ２では、上述のように開口部１０の平面形状および金属電極７の外周１１（図４参照）の平面形状を、水平方向に延びる辺２３、２４（図５参照）および垂直方向に延びる辺２５、２６（図５参照）からなる多角形であって、巨視的にはほぼ円形状とみなすことができるような形状としている。このため、従来のように開口部１０の平面形状を八角形状とした場合よりも開口部１０において露出する金属電極７（図３参照）の面積を大きくできる。
【００４１】
つまり、開口部１０の占有できる領域を円形状であると仮定すると、図３に示すように、開口部１０の幅Ｌを、どの方位においても上記占有できる領域の直径とほぼ等しくできる。一方、従来のように開口部１１０（図１７参照）の平面形状を八角形状にした場合、その幅Ｌ０（図１７参照）は、上記占有できる領域の直径より小さくなる。
【００４２】
したがって、本発明による半導体チップ２（図１参照）では、上述のようにプローブ針３１の位置合わせの際の精度余裕を従来よりも大きくすることができる。
【００４３】
また、金属電極７の外周１１の形状も開口部１０の平面形状と同様に巨視的に見た場合ほぼ円形状となっているので、金属電極７の平面形状の外周１１を、開口部１０の平面形状の外形に沿った位置に配置することができる。このため、金属電極７の占有面積を、ほぼ開口部１０の面積と同等の必要最小限の面積とすることができる。
【００４４】
また、図３および図４からも分かるように、金属電極７の平面形状の外周１１は、開口部１０の平面形状の外縁より外側に位置しているので、開口部１０の底部全体を確実に金属電極７の上部表面により構成することができる。
【００４５】
なお、開口部１０の平面形状の外形では、角部１３の数が８個所以上であることが好ましい。また、角部１３の数は、好ましくは９個所以上、より好ましくは１６個所以上、さらに好ましくは３２個所以上である。このようにすれば、開口部１０の平面形状を、巨視的に見た場合ほぼ円形状とすることができる。
【００４６】
また、金属電極７の外周１１の平面形状では、角部１２の数が８個所以上であることが好ましい。また、角部１２の数は、好ましくは９個所以上、より好ましくは１６個所以上、さらに好ましくは３２個所以上である。このようにすれば、金属電極７の平面形状を、巨視的に見た場合ほぼ円形状とすることができる。
【００４７】
（実施の形態２）
図７は、本発明による半導体チップの上部表面に形成された金属電極およびその周辺部を示す拡大断面模式図である。図８は、図７に示した構造の平面模式図である。図７および図８を参照して、本発明による半導体チップの表面において金属電極が形成された部分の構造を説明する。
【００４８】
図７および図８に示すように、本発明による半導体チップの実施の形態２は、基本的には本発明の実施の形態１における半導体チップと同様の構造を備えるが、金属電極７が配置された部分の構造が異なる。すなわち、図７および図８に示した半導体チップでは、半導体チップの絶縁膜９の表面に、半導体チップの回路素子と電気的に接続された下層金属電極１５が配置されている。下層金属電極１５の平面形状は図８に示すようにほぼ四角形状である。なお、下層金属電極１５の平面形状は、本発明の実施の形態１における金属電極７の平面形状と同様の多角形としてもよい。そして、この下層金属電極１５と絶縁膜９との上に絶縁膜１４が形成されている。下層絶縁膜としての絶縁膜１４においては、下層金属電極１５の表面を露出させるように、下層金属電極１５上に位置する領域に開口部１６が形成されている。開口部１６の平面形状は図８からもわかるように巨視的には円形状であるが、実際は本発明の実施の形態１における開口部１０（図４参照）と同様に水平方向の辺と垂直方向の辺のみからなる数十〜数百の角部を有する多角形である。
【００４９】
開口部１６の内部から絶縁膜１４の上部表面上にまで延在するように、金属電極７が形成されている。金属電極７は開口部１６を介して下層金属電極１５と電気的に接続されている。金属電極７の外周１１の平面形状は、図８からもわかるように巨視的にはほぼ円形状であるが、実際は本発明の実施の形態１における金属電極７の外周１１の平面形状（図４参照）と同様である。すなわち、金属電極７の外周１１の平面形状は、水平方向の辺と垂直方向の辺のみからなる数十〜数百の角部を有する多角形である。
【００５０】
そして、金属電極７上から絶縁膜１４上にまで延在するように絶縁膜８が形成されている。絶縁膜８においては、本発明の実施の形態１と同様に、金属電極７上に位置する領域に、金属電極７の上部表面の一部を露出させる開口部１０が形成されている。開口部１０の平面形状は、図８に示すように巨視的にはほぼ円形状である。しかし、開口部１０の平面形状は、本発明の実施の形態１における開口部１０（図４参照）の平面形状と同様に、実際は水平方向の辺と垂直方向の辺のみからなる数十〜数百の角部を有する多角形である。
【００５１】
このような構造においても、本発明の実施の形態１における効果と同様の効果を得ることができる。すなわち、金属電極７の開口部１０における露出面積を大きくすることができるので、金属電極７にプローブ針３１（図６参照）を接触させる際に、プローブ針３１の位置精度余裕を大きくすることができる。
【００５２】
なお、図７および図８に示した金属電極７では、最終的に開口部１０において露出した表面上に本発明の実施の形態１と同様にはんだバンプ３（図８参照）が接続される。
【００５３】
図９は、図７および８に示した本発明による半導体チップの実施の形態２の第１の変形例を説明するための拡大断面模式図である。図１０は図９に示した構造の平面模式図である。図９および図１０を参照して、本発明による半導体チップの実施の形態２の第１の変形例を説明する。
【００５４】
図９および図１０からもわかるように、半導体チップの金属電極が形成された部分は基本的には図７および図８に示した半導体チップの金属電極が形成された部分と同様の構造を備えるが、絶縁膜８上にさらに最上層絶縁膜１７が形成されている点が異なる。上層絶縁膜としての最上層絶縁膜１７においては、金属電極７および絶縁膜８の一部を露出するように上層開口部としての開口部１８が形成されている。開口部１８は、開口部１０より大きくなるように（開口部１０が形成された絶縁膜８の一部を露出するように形成されることにより開口部１０を完全に露出させるように）形成されている。図１０からもわかるように、開口部１８の平面形状は巨視的に見た場合ほぼ円形状であるが、実際は開口部１０と同様に、上層水平線としての水平方向の辺と上層垂直線としての垂直方向の辺のみからなり、数十〜数百の角部を有する多角形である。このようにすれば、開口部１８についても、開口部１０の場合と同様に、限られた領域において開口部１８の中心から見た場合の開口部１８の側壁までの距離をどの方位についても大きくできる。なお、開口部１８の形状は、開口部１０全体を露出することができれば、上述した多角形以外の形状であってもよい。
【００５５】
このような構造においても、図７および図８に示した本発明の実施の形態２における半導体チップと同様の効果を得ることができる。
【００５６】
図１１は、図７および図８に示した本発明による半導体チップの実施の形態２の第２の変形例を示す拡大断面模式図である。図１２は、図１１に示した構造の平面模式図である。図１１および図１２を参照して、本発明による半導体チップの実施の形態２の第２の変形例を説明する。
【００５７】
図１１からもわかるように、半導体チップの金属電極１９が形成された部分の構造は、基本的には図９および図１０に示した半導体チップの金属電極７が形成された部分の構造と同様である。ただし、図１１および図１２に示した半導体チップにおいては、金属電極１９の外周２０の平面形状が八角形状となっている。このようにしても、絶縁膜８に形成された開口部１０の平面形状および最上層絶縁膜１７に形成された開口部１８の平面形状は、それぞれ水平方向の辺および垂直方向の辺のみからなり、数十〜数百の角部を有する多角形状であるため、図９および図１０に示した半導体チップと同様の効果を得ることができる。なお、貴族電極１９の外周２０の平面形状は、上述した八角形以外のどのような形状でもよい。
【００５８】
（実施の形態３）
図１３は、本発明による半導体チップの実施の形態３に形成された金属電極の外周１１の平面形状と、この金属電極を露出させる絶縁膜の開口部１０の平面形状を示す平面模式図である。図１４は、図１３における領域ＸＩＶの拡大模式図である。図１３および図１４を参照して、本発明による半導体チップの実施の形態３を説明する。なお、図１３は図４に対応し、図１４は図５に対応する。
【００５９】
本発明による半導体チップの実施の形態３は、基本的に図１〜図５に示した本発明による半導体チップの実施の形態１と同様の構造を備えるが、金属電極７（図３参照）の外周１１の平面形状および絶縁膜８（図２参照）に形成された開口部１０の平面形状が異なる。すなわち、図１４からもわかるように、金属電極７（図３参照）の外周１１の平面形状は、電極水平線または水平線としての水平方向の辺２３と、電極垂直線または垂直線としての垂直方向の辺２５と、さらに水平方向の辺２３に対して４５°方向に延びる電極斜め線または斜め線としての斜めの辺２１とによって構成された多角形である。電極としての金属電極７（図３参照）の外周１１の平面形状は、金属電極７（図３参照）の外側に向かって凸形状となっている角部１２を数十〜数百個有する多角形であって、巨視的には図１３からもわかるようにほぼ円形状となっている。
【００６０】
また、絶縁膜８（図２参照）に形成された開口部１０の平面形状も、水平線としての水平方向の辺２４および垂直線としての垂直方向の辺２６、さらに水平方向の辺２４に対して４５°方向に延びる斜め線としての斜めの辺２２によって構成された多角形である。開口部１０の平面形状は、角部１３を数十〜数百個有する、巨視的にはほぼ円形状の多角形である。そして、本発明の実施の形態１および２と同様に、図１３および図１４に示した半導体チップにおいても、金属電極７（図３参照）の外縁である外周１１は、絶縁膜８（図２参照）の開口部１０の外縁より外側に位置している。
【００６１】
このような構造を有する半導体チップによっても、本発明の実施の形態１による半導体チップと同様の効果を得ることができる。
【００６２】
さらに、図１３および図１４に示した半導体チップでは、開口部１０の平面形状を、水平方向の辺２４および垂直方向の辺２６のみではなく、斜めの辺２２をも用いて構成しているので、本発明の実施の形態１のように垂直方向の辺２６および水平方向の辺２４のみを用いた場合よりもより開口部１０の面積を大きくすることができる。つまり、開口部１０から露出した金属電極７（図３参照）の露出面積を大きくすることができる。このため、プローブ針３１（図６参照）を開口部１０から露出した金属電極７（図３参照）へと接触させる際に、プローブ針３１の位置精度余裕をより大きくすることができる。
【００６３】
なお、図９〜図１２に示した最上層絶縁膜１７の開口部１８の平面形状を、図１３および図１４に示した開口部１０の平面形状と同様に、上層水平線としての水平方向の辺２４および上層垂直線としての垂直方向の辺２６のみではなく、上層斜め線としての斜めの辺２２をも用いて構成した多角形としてもよい。また、本発明の実施の形態１または２における金属電極７の外周１１の平面形状を、図１３および図１４に示した金属電極の外周１１の平面形状と同様に、水平線としての水平方向の辺２３および垂直線としての垂直方向の辺２５のみではなく、斜め線としての斜めの辺２１をも用いて構成した多角形としてもよい。
【００６４】
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した実施の形態ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【００６５】
【発明の効果】
このように、本発明によれば、半導体チップの上部表面において金属電極を露出させた部分について、金属電極の露出部の面積を従来より大きくできるので、金属電極に検査用のプローブ針を接触させる際にプローブ針の位置精度余裕を大きくできる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による半導体パッケージの断面模式図である。
【図２】図１に示した半導体パッケージを構成する半導体チップの電極にはんだバンプが配置された部分の拡大断面模式図である。
【図３】図２の平面模式図である。
【図４】図３に示した構造のうち、絶縁膜に形成された開口部の平面形状と絶縁膜下に形成された金属電極の平面形状とを示す拡大模式図である。
【図５】図４における領域Ｖの拡大模式図である。
【図６】図１に示した半導体チップの製造工程において実施される検査工程を説明するための断面模式図である。
【図７】本発明による半導体チップの上部表面に形成された金属電極およびその周辺部を示す拡大断面模式図である。
【図８】図７に示した構造の平面模式図である。
【図９】図７および８に示した本発明による半導体チップの実施の形態２の第１の変形例を説明するための拡大断面模式図である。
【図１０】図９に示した構造の平面模式図である。
【図１１】図７および図８に示した本発明による半導体チップの実施の形態２の第２の変形例を示す拡大断面模式図である。
【図１２】図１１に示した構造の平面模式図である。
【図１３】本発明による半導体チップの実施の形態３に形成された金属電極の外周の平面形状と、この金属電極を露出させる絶縁膜の開口部の平面形状を示す平面模式図である。
【図１４】図１３における領域ＸＩＶの拡大模式図である。
【図１５】従来の半導体チップを示す側面模式図である。
【図１６】図１５に示した半導体チップのはんだバンプが形成された部分の拡大断面模式図である。
【図１７】図１６に示したはんだバンプが形成された部分の平面模式図である。
【図１８】ウェハテスト工程を説明するための模式図である。
【図１９】図１８における領域ＸＩＸの拡大断面模式図である。
【符号の説明】
１　半導体パッケージ、２　半導体チップ、３　はんだバンプ、４　パッケージ基板、５　配線、６　ピン、７，１９　金属電極、８，９，１４　絶縁膜、１０，１６，１８　開口部、１１，２０　金属電極の外周、１２，１３　角部、１５下層金属電極、１７　最上層絶縁膜、２１，２２　斜めの辺、２３，２４　水平の辺、２５，２６　垂直の辺、３１　プローブ針、３２　プローブ装置。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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