(57)【要約】【課題】ストライプ電極を備えた光読出方式の固体検出器から画像を読み取る方法および装置において、ストライプ電極の長手方向（副走査方向）について画素密度変換を行うことが可能とする。【解決手段】画像信号取得手段６０による画像信号のサンプリングレートを固定したまま、読み取る画素密度に応じて、画素密度変更手段７０により、読取光走査手段２０による固体検出器１０に対する読取光のストライプ電極の長手方向（副走査方向）の走査速度を変更する。【選択図】　　　　　図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の導電層、少なくとも１つの光導電層、多数の線状電極からなるストライプ電極を有する第２の導電層をこの順に積層してなり、画像情報を担持する記録光が照射されることにより前記画像情報を静電潜像として記録し、読取光で走査されることにより前記静電潜像に応じた電流を発生する固体検出器を前記読取光で走査し、
該走査により前記線状電極から出力される電流を検出し、
検出した電流を所定のサンプリングレートでサンプリングして画像信号を取得する画像読取方法において、
前記読取光の走査速度および／または前記サンプリングレートを変化させて、前記画像信号によって形成される画像の前記線状電極長手方向の画素密度を変更することを特徴とする画像読取方法。
【請求項２】
前記線状電極長手方向の画素密度に応じて、前記読取光の前記線状電極長手方向のビーム幅を変更することを特徴とする請求項１記載の画像読取方法。
【請求項３】
前記線状電極長手方向の画素密度に応じて、前記線状電極毎に検出された電流をアナログ的に加算することにより、画像の前記線状電極長手方向と直交する方向の画素密度を変更することを特徴とする請求項１または２記載の画像読取方法。
【請求項４】
第１の導電層、少なくとも１つの光導電層、多数の線状電極からなるストライプ電極を有する第２の導電層をこの順に積層してなり、画像情報を担持する記録光が照射されることにより前記画像情報を静電潜像として記録し、読取光で走査されることにより前記静電潜像に応じた電流を発生する固体検出器と、
前記読取光で前記固体検出器を走査する読取光走査手段と、
該読取光走査手段による走査により前記線状電極から出力される電流を、前記線状電極毎に検出する電流検出手段と、
該電流検出手段により検出された電流を所定のサンプリングレートでサンプリングして画像信号を取得する画像信号取得手段とを備えた画像読取装置において、
前記読取光走査手段の走査速度および／または前記サンプリングレートを変化させて、前記画像信号によって形成される画像の前記線状電極長手方向の画素密度を変更する画素密度変更手段を備えたことを特徴とする画像読取装置。
【請求項５】
前記読取光の前記線状電極長手方向のビーム幅を変更するビーム幅変更手段を備えたことを特徴とする請求項４記載の画像読取装置。
【請求項６】
前記線状電極毎に検出された電流をアナログ的に加算する加算手段を備えたことを特徴とする請求項４または５記載の画像読取装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、読取光で走査されることにより記録されている静電潜像に応じた電流を発生する固体検出器を用いた画像読取方法および装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、固体検出器を用いた装置、例えばファクシミリ、複写機あるいは放射線撮像装置等が知られている。
【０００３】
例えば、医療用Ｘ線撮影等において、被験者の受ける被爆線量の減少、診断性能の向上等のために、Ｘ線に感応する例えばａ−Ｓｅ（アモルファスセレン）から成るセレン板等の光導電体を有する固体検出器を使用し、この固体検出器に画像情報を担持するＸ線を記録光として照射して、画像情報を担持する潜像電荷を固体検出器の蓄電部に蓄積させ、その後レーザビーム等の読取用の電磁波（以下、読取光という）で固体検出器を走査することにより該固体検出器内に生じる電流を該固体検出器両側の平板電極あるいはストライプ電極を介して検出することにより、潜像電荷が担持する静電潜像、すなわち記録された画像情報を読み取るシステムが知られている。
【０００４】
ここで、固体検出器への画像情報の記録と、記録された画像情報を読み取るプロセスは、固体検出器の層構成によって異なるものである。例えば、両端の電極と、両電極間に配設された記録用光導電層および読取用光導電層とを有してなるものを使用する場合には、両端電極に記録用電圧が印加された状態で記録光を記録用光導電層に照射して、静電潜像を固体検出器の蓄電部に形成し、その後、固体検出器の両端電極を短絡して同電位にし、さらに、読取光に対して透過性を有する電極（以下読取光側電極という）を介して読取光で読取用光導電層を走査し、読取光側電極と読取用光導電層との界面で発生する電子とホールのペア（電荷対）による光誘起放電によって生じる電流を電圧信号に変換することにより、静電潜像の電気的読取りを行う。この場合、前記静電潜像の読取時、記録光の非照射部では電流が流れず、記録光強度が強い部分ほど大きな電流が流れる。なお、このように、記録後に固体検出器の両端電極を短絡した後に読取りを行う系をショート読出しの系といい、また、像の明部ほど大きな電流が流れる系をポジ型の系という。
【０００５】
このようなショート読出しの系かつポジ型の系に使用される固体検出器の具体的な層構成としては、例えば、第１導電体層（記録光側電極層；以下同様）、記録用光導電層、蓄電部としてのトラップ層、読取用光導電層、第２導電体層（読取光側電極層；以下同様）をこの順に積層してなるものがある（特許文献１等）。
【０００６】
また、本願出願人は、ポジ型の固体検出器として、記録用の放射線に対して透過性を有する第１導電体層、記録用の放射線の照射を受けることにより光導電性を呈する記録用光導電層、第１導電体層に帯電される電荷と同極性の電荷に対しては略絶縁体として作用し、かつ、該同極性の電荷と逆極性の電荷に対しては略導電体として作用する電荷輸送層、読取光の照射を受けることにより光導電性を呈する読取用光導電層、読取光に対して透過性を有する第２導電体層をこの順に積層してなり、記録用光導電層と電荷輸送層との界面に蓄電部が形成されるものを提案している（特許文献２、特許文献３等）。
【０００７】
【特許文献１】
米国特許第４５３５４６８号明細書
【０００８】
【特許文献２】
特開２０００−１０５２９７号公報
【０００９】
【特許文献３】
特開２０００−２８４０５６号公報
【００１０】
【特許文献４】
特開２０００−２４４７３３号公報
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、固体検出器を利用して放射線画像を読み取る場合には、検出器としては、撮影部位や方法等に応じて種々の画像サイズのものが用いられることが多い。
【００１２】
ここで、画像サイズを変更するに際しては、固体検出器のストライプ電極の配列ピッチ等によって決定される１画素当たりの検出領域の大きさ（以下「画素サイズ」という）を一定としたまま総画素数を変える、すなわち画素密度を変更することによって画像サイズを変えるのが一般的である。
【００１３】
一方、この固体検出器から出力された読取画像信号により放射線画像を再生する装置や、放射線画像を蓄積するファイリング装置においては、再生あるいは蓄積画像の画素数が一定、または可変でもその幅が小さいのが一般的である。
【００１４】
そのため、相異なるサイズの検出器に対して読取処理を行なう場合、検出器の読取密度は一定としたまま、その後に取り扱う画像信号について、画像サイズが大きいほど画素密度を粗にし、これにより検出器のサイズに拘わらず再生あるいは蓄積画像の画素数を一定、またはそれに近くすることが必要になる等、要求される画像サイズに応じて、検出器から出力された読取画像信号に基づく画像の画素密度を変更する必要が生じる。
【００１５】
また、装置内部に検出器を固定的に有するビルトインタイプのシステムでは、最大画像サイズ用の検出器を装置内に設置しておくのが一般的である。そして、最大画像サイズよりも小さな画像サイズの撮影を行うときには、指定された読取画像サイズ内の画像データのみを有効な画像データとして取り扱う、いわゆる「論理読み」という手法が用いられる。この論理読みを行う場合においても、上述同様に画像サイズに応じて、検出器から出力された読取画像信号に基づく画像の画素密度を変更する必要が生じる。
【００１６】
しかしながら、上記特許文献２または特許文献３等に記載されているような、ストライプ電極を備えた光読出方式の固体検出器においては、ストライプ電極の配列方向（主走査方向）については、本願出願人が上記特許文献４において提案している画像読取方法および装置を応用することにより、画素密度変換を行うことが可能であるが、ストライプ電極の長手方向（副走査方向）については、画素密度変換を行うことが可能な方法および装置が未だ開示がなされていなかった。
【００１７】
本発明は上記のような事情に鑑みてなされたものであり、ストライプ電極を備えた光読出方式の固体検出器から画像を読み取る方法および装置において、ストライプ電極の長手方向（副走査方向）について画素密度変換を行うことが可能な画像読取方法および装置を提供することを目的とするものである。
【００１８】
【課題を解決するための手段】
本発明による画像読取方法は、第１の導電層、少なくとも１つの光導電層、多数の線状電極からなるストライプ電極を有する第２の導電層をこの順に積層してなり、画像情報を担持する記録光が照射されることにより画像情報を静電潜像として記録し、読取光で走査されることにより静電潜像に応じた電流を発生する固体検出器を読取光で走査し、この走査により線状電極から出力される電流を検出し、検出した電流を所定のサンプリングレートでサンプリングして画像信号を取得する画像読取方法において、読取光の走査速度および／またはサンプリングレートを変化させて、画像信号によって形成される画像の線状電極長手方向の画素密度を変更することを特徴とするものである。
【００１９】
上記画像読取方法においては、線状電極長手方向の画素密度に応じて、読取光の線状電極長手方向のビーム幅を変更することが好ましい。
【００２０】
また、線状電極長手方向の画素密度に応じて、線状電極毎に検出された電流をアナログ的に加算することにより、画像の線状電極長手方向と直交する方向の画素密度を変更することが好ましい。
【００２１】
ここで「加算することにより、画像の線状電極長手方向と直交する方向の画素密度を変更する」とは、隣接する複数の画素に対応する各線状電極から出力された複数の画像信号を加算して１つの画素に対応する画像信号とし、線状電極の配列ピッチから決定される画素サイズより大きなサイズの画素に対応する新たな画像信号を得ることにより画素密度を低くする処理や、隣接する複数の画素に対応する各線状電極から出力された複数の画像信号に基づいて、この隣接する複数の画素の間に設けた新たな画素に対応する画像信号を求め、線状電極の配列ピッチから決定される画素サイズより小さなサイズの画素に対応する新たな画像信号を得ることにより画素密度を高くする処理を意味する。
【００２２】
なお上記画素密度変更処理においては、複数の画素の夫々について重み付けした後に新たな画像信号を得るようにしてもよい。また、全画素について同じ値の重み付け係数を使用する（単純平均に相当する）してもよいし、各画素毎に異なる重み付け係数を使用する（重み付け平均に相当する）等、どのような重み付け係数を使用してもよい。
【００２３】
本発明による画像読取装置は、第１の導電層、少なくとも１つの光導電層、多数の線状電極からなるストライプ電極を有する第２の導電層をこの順に積層してなり、画像情報を担持する記録光が照射されることにより画像情報を静電潜像として記録し、読取光で走査されることにより静電潜像に応じた電流を発生する固体検出器と、読取光で固体検出器を走査する読取光走査手段と、読取光走査手段による走査により線状電極から出力される電流を線状電極毎に検出する電流検出手段と、電流検出手段により検出された電流を所定のサンプリングレートでサンプリングして画像信号を取得する画像信号取得手段とを備えた画像読取装置において、読取光走査手段の走査速度および／またはサンプリングレートを変化させて、画像信号によって形成される画像の線状電極長手方向の画素密度を変更する画素密度変更手段を備えたことを特徴とするものである。
【００２４】
上記画像読取装置においては、読取光の線状電極長手方向のビーム幅を変更するビーム幅変更手段を備えたものとすることが好ましい。
【００２５】
また、線状電極毎に検出された電流をアナログ的に加算する加算手段を備えたものとすることが好ましい。
【００２６】
【発明の効果】
本発明による画像読取方法および装置によれば、ストライプ電極を備えた光読出方式の固体検出器において、従来、開示がなされていなかったストライプ電極の長手方向（副走査方向）についての画素密度変換を可能としたので、固体検出器の有効画像サイズに拘わらず後段の画像処理において取り扱う画像の画素数を所望のものにすることができる。これにより、異サイズの検出器、或いは論理読み時における読取画像サイズの相違に対しても画像再生装置や画像ファイリング装置を共用化することができる。
【００２７】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態について詳細に説明する。図１は本実施の形態による画像読取装置のブロック図、図２はこの画像読取装置の固体検出器および読取光走査手段の概略図である。
【００２８】
図１および図２に示すように、この画像読取装置１は、画像検出器としての放射線固体検出器（以下単に検出器とも言う）１０と、読取光により固体検出器１０を走査する読取光走査手段２０と、読取光走査手段２０が備える光源部から照射されるビームのビーム幅を変更するビーム幅変更手段３０と、固体検出器１０から出力される電流を検出する電流検出手段４０と、電流検出手段４０から入力された信号を加算して主走査方向の画素密度を変更する加算手段５０と、電流検出手段４０により検出された電流を所定のサンプリング周波数でサンプリングして画像信号を取得する画像信号取得手段６０と、読取光走査手段２０、ビーム幅変更手段３０、加算手段５０および画像信号取得手段６０を制御して固体検出器１０から得られる画像信号の画素密度を変更する画素密度変更手段７０とを備えている。
【００２９】
固体検出器１０は、画像情報を静電潜像として記録し、読取光で走査されることにより、静電潜像に応じた電流を発生するものであり、記録光に対して透過性を有する第１の導電層１１、記録光の照射を受けることにより電荷を発生して導電性を呈する記録用光導電層１２、第１の導電層１１に帯電される潜像極性電荷に対しては略絶縁体として作用し、かつ、該潜像極性電荷と逆極性の輸送極性電荷に対しては略導電体として作用する電荷輸送層１３、読取光の照射を受けることにより電荷を発生して導電性を呈する読取用光導電層１４、読取光に対して透過性を有する第２の導電層１５をこの順に積層してなるものである。記録用光導電層１２と電荷輸送層１３との界面に蓄電部１７が形成される。第１の導電層１１としては０．１μｍ厚のＡｕを用い、記録用光導電層１２としては１μｍ厚のａ−Ｓｅを用い、電荷輸送層１３としては０．１μｍ厚のＡｓ２Ｓｅ３を用い、読取用光導電層１４としては２μｍ厚のａ−Ｓｅを用いた。読取用電極層としての第２の導電層１５は、多数のＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｚｉｎｃ　Ｏｘｉｄｅ）製の０．２μｍ厚、２５μｍ幅の線状電極（図中の斜線部）が５０μｍピッチでストライプ状に配列されて成るものを用いた。以下第２の導電層１５の電極をストライプ電極１６といい、各線状電極をエレメント１６ａという。この固体検出器１０はガラス基板１９上に形成されている。
【００３０】
画素密度変更手段７０は、読取光走査手段２０にクロック信号を出力する読取光走査手段用クロックと、画像信号取得手段６０にクロック信号を出力する画像信号取得手段用クロックと、これら２系統のクロック、ビーム幅変更手段３０および画像信号取得手段６０を制御するドライバとから構成されている。以後、読取光走査手段用クロックから出力されるクロック信号をドライブパルス、画像信号取得手段用クロックから出力されるクロック信号をラインクロックと記載する。
【００３１】
本実施の形態では、画像信号取得手段用クロックは、１ｋＨｚのラインクロックを出力するように構成されている。また、読取光走査手段用クロックは、ドライバからの指示に基づいて内部の水晶振動子の分周比を変更することにより、高画素密度読取の際は１ｋＨｚ（画素サイズ５０μｍ）、中画素密度読取の際は２ｋＨｚ（画素サイズ１００μｍ）、低画素密度読取の際は３ｋＨｚ（画素サイズ１５０μｍ）の３つのパルスレートのドライブパルスを出力可能なように構成されている。
【００３２】
ラインクロックは、サンプリングレートを決定するものであり、ドライブパルスは、読取光の走査速度を決定するものであるが、上記のように、サンプリングレートを固定して読取光の走査速度を変更することにより画素密度を変更することが可能である。
【００３３】
上記の画素密度の設定としては、例えば、乳房撮影画像を読み取る場合は、微小石灰化を検出するために高い解像度が必要であるため、高画素密度で読み取ることが好ましい。また、骨部撮影画像を読み取る場合は、骨梁や骨折の観察に必要な程度の解像度が必要であるため、中画素密度以上の解像度で読み取ることが好ましい。また、胸部撮影画像を読み取る場合は、粒状が良好である必要性から低画素密度で読み取ることが好ましい。
【００３４】
読取光走査手段２０は、ＬＥＤチップが一列に複数並べられて構成されたライン光源１０１および該光源から出力された光を固体検出器１０上で線状に照射させる光学系からなる光源部１００と、この光源部１００を固体検出器１０と必要な距離を保ったまま平行移動させる読取光走査用リニアモータとから構成されており、主走査方向に対応した線状光を照射する光源部を、読取光走査用リニアモータによって副走査方向に平行移動させることにより固体検出器１０の全面の走査を行うように構成されている。読取光走査用リニアモータはドライブパルスに同期して駆動するものであり、ドライブパルスを１パルス受信する毎に光源部を副走査方向に５０μｍ移動させる。
【００３５】
読取光走査手段２０の光源部１００の具体的な一例を図３に示してその構成と作用を説明する。図３（Ａ）は、光源部１００の詳細な構成を示した、Ｙ方向からみた側面図であり、図３（Ｂ）は、光源部１００のＸ−Ｙ断面図である。
【００３６】
図３に示すように、光源部１００は、Ｚ軸方向に線状に並べられている複数のＬＥＤチップ１０１ａ、１０１ｂ、…からなる光源１０１と、該光源１０１から出射された光の品質を向上させるための、該光源１０１の長手方向に延びる開口１０２ａを有するスリット１０２および該スリット１０２の開口１０２ａに向けて光を集束せしめる光学部材１０３であるシリンドリカルレンズ１０４、１０５からなる第一の光学手段１０６と、第一の光学手段１０６を通過した光を光源１０１の長手方向に直交する方向について固体検出器面上に集束せしめるシリンドリカルレンズ１０７、１０８からなる第二の光学手段１０９とからなるものである。
【００３７】
スリット１０２は、光源から出力された光を空間的にフィルタリングしてフレア光を抑え、検出器上でのビーム径を決定するものである。なお、スリットは光の空間的な広がりを抑えるものであればよく、本実施の形態のような開口を有する機械的なスリットのみならず、濃度分布フィルタなどの光学的な隙間であってもよい。
【００３８】
光源１０１の各発光点すなわち各ＬＥＤチップ１０１ａ、１０１ｂ、…から出力された光は、シリンドリカルレンズ１０４、１０５によりスリット１０２の開口１０２ａでその長手方向に集束されてフィルタリングされ、第二の光学手段１０９のシリンドリカルレンズ１０７、１０８により光源の長手方向に直交する方向に集束されて固体検出器１０上に照射される。各ＬＥＤチップからの光ビームは等方的に広がって拡散するものであり、光源の長手方向については集束されていないため、各チップからの光は検出器上で光源の長手方向に拡散する。これにより光源１０１からの光は固体検出器１０上を線状に照射することとなり、各チップからの光は該線状に並ぶ複数の画素を同時に露光する。すなわち、固体検出器１０上の各画素は複数のＬＥＤチップから出力された光により同時に露光される。例えば、図３は模式的に示したものであるが、固体検出器１０上の点Ａは７個のＬＥＤチップにより同時に露光されている。
【００３９】
なお、上述の光源部１００において、第一の光学手段１０６のシリンドリカルレンズ１０４、１０５のかわりにセルフォックレンズを用いてもよい。また、光源１０１は、ＬＥＤチップを複数並べて構成されたものであるが、ＬＥＤチップの代わりにＬＤチップを複数並べて構成してもよい。さらに、複数の発光点が線状に並んで形成されたＬＥＤアレイもしくはＬＤアレイを光源として用いてもよい。
【００４０】
また、上述の光源部１００の光源１０１には、ビーム幅変更手段３０が接続されている。このビーム幅変更手段３０は、光源１０１を読取光走査手段２０の光学系に近接する方向、もしくは離間する方向に移動させるビーム幅変更用リニアモータにより構成される。なお、光源部１００においては、光源１０１を移動させて固体検出器１０上に光ビームをフォーカスさせると固体検出器１０上に照射される光ビームのビーム幅が細くなり、光源１０１を移動させて固体検出器１０上に照射される光ビームのフォーカスをずらすと固体検出器１０上に照射される光ビームのビーム幅が太くなる。
【００４１】
読取光により固体検出器１０を走査する際には、読取用光導電層１４内での放電時間を確保するため、高速で走査する際にはビーム幅を太く、低速で走査する際にはビーム幅を細くすることが好ましい。これは、任意の点において光照射時間をある程度確保しないと放電が完結しないためである。そのような態様とすべく、ビーム幅変更用リニアモータは、画素密度変更手段７０のドライバからの指示に基づいて、光源１０１を移動させて、光源部１００により固体検出器１０上に照射される光ビームのビーム幅を変化させる。
【００４２】
図４に本実施の形態の画像読取装置の固体検出器、電流検出手段、加算手段および画像信号取得手段の概略図を示す。
【００４３】
電流検出回路４０は、ストライプ電極１６の各エレメント１６ａ毎に、反転入力端子に接続された電流検出アンプ４１を多数有している。
【００４４】
加算手段５０は、中画素密度用加算部５１と低画素密度用加算部５２とからなる。中画素密度用加算部５１は、隣接する２つのエレメント１６ａの出力毎にこの２つの出力を加算する複数の加算器５１ａを多数有しており、低画素密度用加算部５２は、隣接する３つのエレメント１６ａの出力毎にこの３つの出力を加算する複数の加算器５２ａを多数有している。
【００４５】
画像信号取得手段６０は、アナログマルチプレクサ６１と、アナログマルチプレクサ６１の出力信号をＡ／Ｄ変換するＡ／Ｄ変換器６２とから構成されている。アナログマルチプレクサ６１は、画素密度変更手段７０のドライバからの指示に基づいて、ラインクロックを１パルス受信する毎に、各エレメント１６ａ毎に接続された各電流検出アンプ４１から入力された信号、中画素密度用加算部５１から入力された信号、もしくは低画素密度用加算部５２から入力された信号のいずれかを、各エレメント１６ａの配列順に切り替わるように順次出力する。
【００４６】
次いで、このように構成される画像読取装置１の動作について説明する。
【００４７】
固体検出器１０に静電潜像を記録させる際は、不図示の高電圧電源を接続して第１の導電層１１と各エレメント１６ａとの間に直流電圧を印加し第１の導電層１１と各エレメント１６ａとを帯電させる。これにより固体検出器１０内の第１の導電層１１と各エレメント１６ａとの間に、エレメント１６ａをＵ字の凹部とするＵ字状の電界が形成される。
【００４８】
外部から画像情報を担持する記録光が固体検出器１０に照射されると、固体検出器１０の記録用光導電層１２内で正負の電荷対が発生し、その内の負電荷が上述の電界分布に沿ってエレメント１６ａに集中せしめられ、記録用光導電層１２と電荷輸送層１３との界面に形成された蓄電部１７に負電荷が蓄積される。この蓄積された負電荷すなわち潜像極性電荷の量は被写体を透過した放射線量に略比例するので、この潜像極性電荷が静電潜像を担持することとなる。このようにして静電潜像が固体検出器１０に記録される。一方、記録用光導電層１２内で発生する正電荷は第１の導電層１１に引き寄せられて、高電圧電源から注入された負電荷と電荷再結合し消滅する。
【００４９】
次に、固体検出器１０から静電潜像を読み取る際の動作について説明する。
【００５０】
画素密度変更手段７０のドライバに読取画素密度の種類の情報を含む読取開始信号が入力されると、ドライバは固体検出器１０の第１の導電層１１と各エレメント１６ａとの間を短絡し、その後、入力された画素密度の種類に対応するドライブパルスを読取光走査手段用クロックから出力させるとともに、画像信号取得手段用クロックからもラインクロック（１ｋＨｚ）を出力させる。
【００５１】
本実施の形態の説明では中画素密度による読取りが指示されたものとする。そのため、ドライバは、読取光走査手段用クロックからパルスレートが２ｋＨｚのドライブパルスを出力させる。また、ビーム幅変更用リニアモータを駆動して、光源部１００から照射される光ビームのビーム幅を中画素密度による読取りに対応した所定のビーム幅に変更する。
【００５２】
読取光走査用リニアモータは、ドライブパルスを１パルス受信する毎に光源部を副走査方向に５０μｍ移動させ、固体検出器１０の全面を走査する。中画素密度による読取りの場合は、画像信号の取得のタイミングの２倍の周波数のクロック信号が出力されるため、１画素のサイズは１００μｍとなる。
【００５３】
上記の走査を行うと、読取用光導電層１４内に正負の電荷対が発生し、その内の正電荷が蓄電部１７に蓄積された負電荷（潜像極性電荷）に引きつけられるように電荷輸送層１３内を急速に移動し、蓄電部１７で潜像極性電荷と電荷再結合し消滅する。一方、読取用光導電層１４に生じた負電荷は第２の導電層１５に注入される正電荷と電荷再結合し消滅する。このようにして、固体検出器１０に蓄積されていた負電荷が電荷再結合により消滅し、この電荷再結合の際の電荷の移動による電流が固体検出器１０内に生じる。
【００５４】
各エレメント１６ａ毎に接続された電流検出アンプ４１により、この電流が各エレメント１６ａ毎に並列的（同時）に検出され、アナログマルチプレクサ６１、
中画素密度用加算部５１および低画素密度用加算部５２に出力される。
【００５５】
中画素密度用加算部５１に入力された信号は、隣接する２つのエレメント１６ａの出力毎に加算されてアナログマルチプレクサ６１に出力される。同様に、低画素密度用加算部５２に入力された信号は、隣接する３つのエレメント１６ａの出力毎に加算されてアナログマルチプレクサ６１に出力される。
【００５６】
アナログマルチプレクサ６１は、画素密度変更手段７０のドライバからの指示に基づいて、ラインクロックを１パルス受信する毎に、中画素密度用加算部５１から入力された信号を、各エレメント１６ａの配列順に切り替わるように順次出力し、Ａ／Ｄ変換器６２によりこの信号をサンプリングしてデジタル信号に変換することによって、副走査方向の１画素分の画像信号を取得する。
【００５７】
読取光の走査に伴い固体検出器１０内を流れる電流は潜像極性電荷すなわち静電潜像に応じたものであり、この電流を検出して得た画像信号は静電潜像を表すので静電潜像を読取ることができる。
【００５８】
上記のように構成された本実施の形態の画像読取装置によれば、エレメント１６ａの配列方向（主走査方向）のみならず、エレメント１６ａの長手方向（副走査方向）についても画素密度変換を行うことが可能である。
【００５９】
次に、本発明による画像読取装置の第２の実施の形態について説明する。本実施の形態は上記第１の実施の形態と比較して、主に固体検出器および読取光走査手段を変更したものである。図５は本実施の形態の画像読取装置の固体検出器および電流検出手段の概略図である。なお、本実施の形態による画像読取装置のブロック図は第１の実施の形態と同等であるため省略する。また、ブロック図を構成する各要素の部品番号は、第１の実施の形態の各要素の部品番号の１００を加算したものとする。
【００６０】
本実施の形態の固体検出器１１０は、画像情報を静電潜像として記録し、読取光で走査されることにより、静電潜像に応じた電流を発生するものであり、照射された放射線を波長が５５０ｎｍの可視光、すなわち記録光に変換するシンチレータ１１８、記録光に対して透過性を有する第１の導電層１１１、記録光の照射を受けることにより電荷を発生して導電性を呈する記録用光導電層１１２、第１の導電層１１１に帯電される潜像極性電荷に対しては略絶縁体として作用し、かつ、該潜像極性電荷と逆極性の輸送極性電荷に対しては略導電体として作用する電荷輸送層１１３、読取光の照射を受けることにより電荷を発生して導電性を呈する読取用光導電層１１４、読取光に対して透過性を有する第２の導電層１１５をこの順に積層してなるものである。記録用光導電層１１２と電荷輸送層１１３との界面に蓄電部１１７が形成される。シンチレータ１１８としてはＧｄ２Ｏ２Ｓを用い、第１の導電層１１１としては０．１μｍ厚のＡｕを用い、記録用光導電層１１２としては１μｍ厚のａ−Ｓｅを用い、電荷輸送層１１３としては０．１μｍ厚のＳｂ２Ｓ３を用い、読取用光導電層１１４としては２μｍ厚のａ−Ｓｅを用いた。読取用電極層としての第２の導電層１１５は、多数のＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｚｉｎｃ　Ｏｘｉｄｅ）製の０．２μｍ厚、５０μｍ幅の線状電極（図中の斜線部）が１００μｍピッチでストライプ状に配列されて成るものを用いた。以下第２の導電層１１５の電極をストライプ電極１１６といい、各線状電極をエレメント１１６ａという。
【００６１】
画素密度変更手段１７０は、読取光走査手段１２０の光源制御手段１３０および画像信号取得手段１６０にクロック信号を出力するクロックと、クロック、光源制御手段１３０および画像信号取得手段１６０を制御するドライバとから構成されている。以後、クロックから読取光走査手段１２０に出力されるクロック信号をドライブパルス、クロックから画像信号取得手段１６０に出力されるクロック信号をラインクロックと記載する。
【００６２】
本実施の形態では、クロックは、１ｋＨｚのクロック信号を出力するように構成されている。
【００６３】
読取光走査手段１２０は、面状光源１２１と、この面状光源１２１を駆動する光源制御手段１３０とから構成されている。
【００６４】
面状光源１２１は、導電層１２２、ＥＬ層１２３、導電層１２４、から成るＥＬ発光体である。ＥＬ層１２３は、有機ＥＬおよび無機ＥＬのいずれであってもよい。検出器１１０のストライプ電極１１６と導電層１２２との間には絶縁層１２５が設けられている。導電層１２２は、多数のエレメント（図中の斜線部）１２２ａが１００μｍピッチでストライプ状に配列されて成るものであり、各エレメント１２２ａは、検出器１１０のストライプ電極１１６の各エレメント１１６ａと交差するように配列されており、これにより、エレメント１２２ａによるライン状の光源が面状に多数配列するように構成される。各エレメント１２２ａは光源制御手段１３０に接続されている。
【００６５】
光源制御手段１３０は、エレメント１２２ａとそれに対向する導電層１２４との間に所定の電圧を印加するものであり、読取時にはエレメント１２２ａに個別に電圧を印加するものである。例えば、エレメント１２２ａを順次切り替えながら、夫々のエレメント１２２ａと導電層１２４との間に所定の直流電圧を印加すると、エレメント１２２ａと導電層１２４とに挟まれたＥＬ層１２３からＥＬ光が発せられ、エレメント１２２ａを透過したＥＬ光はライン状の読取光（以下ライン光という）として利用される。すなわち、面状光源１２１は、ライン状の微小光源を面状に多数配列したものと等価となり、ストライプ電極１１６の長手方向の一方の端から他方の端までの全部についてエレメント１２２ａをストライプ電極１１６の長手方向に順次切り替えてＥＬ発光させることにより、ライン光でストライプ電極１１６の全面を電気的に走査することになる。なお、エレメント１１６ａの長手方向が副走査方向に対応し、ライン光の延びる方向が主走査方向に対応する。
【００６６】
上記固体検出器１１０と面状光源１２１は、ガラス基板上に、この順に積層されて形成される。
【００６７】
光源制御手段１３０は、ドライバからの指示に基づいて高画素密度読取の際はエレメント１２２ａを１ラインずつドライブパルスに同期して切り換え、低画素密度読取の際はエレメント１２２ａを２ラインずつドライブパルスに同期して切り換えて走査を行わせる。すなわち、光源制御手段１３０は、ビーム幅変更手段としての機能を兼ね備えている。
【００６８】
加算手段１５０は、隣接する２つのエレメント１１６ａの出力毎にこの２つの出力を加算する複数の加算器１５０ａを多数有している。
【００６９】
本実施の形態の画像読取装置において、高画素密度読取の際の画素サイズは１００μｍ、低画素密度読取の際の画素サイズは２００μｍとなる。
【００７０】
上記の画素密度の設定としては、例えば、読取画像から静止画を形成する場合には、高画素密度で読み取って高解像度の画像を得ることが好ましい。また、読取画像から動画を形成する場合には、低画素密度で高速に読み取ることによって動画に必要なフレームレートを確保することができる。
【００７１】
上記のように構成された本実施の形態の画像読取装置においても、第１の実施の形態と同等の効果を得ることができる。
【００７２】
以上、本発明による画像読取装置の好ましい実施の形態について説明したが、本発明による画像読取装置の態様は上記に限定されるものではない。
【００７３】
例えば、上記説明ではサンプリングレートを固定して、読取光の走査速度を変更することによって画素密度を変更したが、読取光の走査速度を固定して、サンプリングレートを変更することによって画素密度を変更してもよいし、また、読取光の走査速度およびサンプリングレートを両方変更可能として、両者の変更の比率を変えることによって画素密度を変更してもよい。
【００７４】
また、本発明に使用される固体検出器は、上記実施の形態で説明したものに限定されるものではなく、例えば上記特許文献２や特許文献３等に記載のように、第１の導電層、記録用光導電層、読取用光導電層および第２の導電層をこの順に有すると共に、第１の導電層と２電極層との間に蓄電部が形成されて成る光読出方式のもので、かつポジ型のものにおいて、蓄電部を形成するために、さらに他の層（トラップ層、絶縁層等）や微小導電部材（マイクロプレート）を積層して成るものを用いることもできる。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１の実施の形態による画像読取装置のブロック図
【図２】第１の実施の形態による画像読取装置の固体検出器および読取光走査手段の概略図
【図３】読取光走査手段の光源部の詳細な構成図
【図４】第１の実施の形態による画像読取装置の固体検出器、電流検出手段、加算手段および画像信号取得手段の概略図
【図５】第２の実施の形態による画像読取装置の固体検出器および読取光走査手段の概略図
【図６】第２の実施の形態による画像読取装置の固体検出器、電流検出手段、加算手段および画像信号取得手段の概略図
【符号の説明】
１　　画像読取装置
１０、１１０　　放射線固体検出器
２０、１２０　　読取光走査手段
３０　　ビーム幅変更手段
１３０　　光源制御手段
４０、１４０　　電流検出手段
５０、１５０　　加算手段
６０、１６０　　画像信号取得手段
７０、１７０　　画素密度変更手段
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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