(57)【要約】【課題】レーザ処理室内の標的材にレーザ光を照射しながら、入射窓に付着する遮光性物質の逐次的な除去を可能とするレーザ処理装置を得る。【解決手段】レーザ処理室１と、該レーザ処理室に連通する導光室２とを有し、導光室２が外部からのレーザ光３０を入射する入射窓４を有すると共に入射窓４の内面近傍にプラズマ発生手段（プラズマ発生電極５）を有し、該プラズマ発生手段の発生するプラズマにより前記入射窓に付着する遮光性物質を除去するようにした。【選択図】　図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザ処理室と、該レーザ処理室に連通する導光室とを有し、前記レーザ処理室がレーザ光を照射する標的材の支持手段を有し、前記導光室が外部からのレーザ光を前記レーザ処理室に入射する入射窓を有し、前記レーザ光が前記入射窓を透過して前記標的材に合焦するように構成されたレーザ処理装置であって、
前記導光室が前記入射窓の内面近傍にプラズマ発生手段を有し、該プラズマ発生手段が発生するプラズマにより前記入射窓に付着する遮光性物質を除去するようにしたことを特徴とするレーザ処理装置。
【請求項２】
前記導光室と前記レーザ処理室との間に、前記レーザ光の光路を妨げない隔壁が設けられたことを特徴とする請求項１に記載のレーザ処理装置。
【請求項３】
前記導光室が、前記プラズマの発生源となるガスを導入するガス導入口を有することを特徴とする請求項１に記載のレーザ処理装置。
【請求項４】
前記導光室が、前記入射窓の内面近傍に排気口を有し、該排気口を通じて少なくとも前記導光室内のガスを排出するようにしたことを特徴とする請求項１に記載のレーザ処理装置。
【請求項５】
前記レーザ処理室がロール状の被蒸着体を送り出し巻き取る搬送手段を有し、該搬送手段が前記被蒸着体を搬送している間に前記レーザ光の照射により前記標的材が蒸着物質を放散し、該蒸着物質が前記被蒸着体の表面に蒸着されるようにしたことを特徴とする請求項１に記載のレーザ処理装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、処理容器内の標的材にレーザ光を照射しながら、レーザ光の入射窓に付着する遮光性物質の除去を可能としたレーザ処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
レーザ処理室内に標的材（ターゲット）を設置し、レーザ光の入射窓を透過して外部から該標的材にレーザ光を照射し、好適な雰囲気下に前記標的材からその構成要素である蒸着物質を散乱又は蒸発させ、被蒸着体に皮膜状に蒸着させるレーザ蒸着技術はよく知られている。また、レーザ処理室内に配置した基板などにレーザ光を直接照射することによって基板表面の薄膜を部分的に溶融又は揮散させるレーザ溶融技術やレーザエッチング技術も知られている。これらの何れのレーザ処理技術においても、レーザ処理中に標的材から散乱した飛散物質が入射窓の内面に付着して遮光性の膜を形成し、標的材に到達するレーザ光の照射エネルギーを次第に減衰させるという問題が避けられなかった。このためレーザ処理に際しては入射窓の頻繁なクリーニングが必要であった。
【０００３】
入射窓をクリーニングする最も単純な方法は入射窓を処理容器から取り外して清掃又は交換する方法であるが、この場合はクリーニングの都度レーザ処理室内の雰囲気が変化し、雰囲気の復元、特に高真空度の回復に長時間を要したり場合によってはレーザ処理室内の例えば標的材が大気開放時に酸化変質するなどの問題が起こる。そこで、内部雰囲気を変化させずに入射窓をクリーニングする方法が検討された。例えば実開平６−６０１６１号公報はレーザ処理室本体と入射窓との間に開閉自由なシャッタを設け、入射窓を取り外す際にはこのシャッタを閉じて内部雰囲気を保持する機構を提案している。特開平９−２６０３０３号公報はレーザビームを入射窓の内面に合焦させることによって付着した遮光性皮膜を加熱し除去する方法を提案している。また特開２００１−３００７４９号公報は密封容器の覗き窓の内側に付着した付着物を除去するに際して、付着物は蒸散させるが覗き窓は侵さない強度のレーザ光線を該覗き窓に照射する方法を提案している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかし従来のクリーニング方法は何れも標的材に対するレーザ照射を一旦停止して行うものであり、レーザ照射中に入射窓に遮光性物質が付着して次第に照射エネルギーを減衰させる問題に対応できるものではなかった。この問題は特に長尺の被蒸着体に蒸着物質を蒸着させる場合には致命的な特性ムラを引き起こす。例えば、酸化物超電導体を導電体として使用するためにはテープ状に成形した長尺の基材上に結晶配向性の良好な酸化物超電導体の薄膜を形成する必要があり、この酸化物超電導体薄膜の形成に前記レーザ蒸着技術が利用される。
【０００５】
図３は、レーザ蒸着法により長尺の基材上に酸化物超電導体の薄膜を形成するための従来のレーザ蒸着装置の一例を示している。
このレーザ蒸着装置は、レーザ処理室１０１を有し、このレーザ処理室１０１の内部に、標的材４０とロール状の薄膜積層体５０とを設置できるようになっている。すなわち、レーザ処理室１０１の底部には基台１６が設けられ、この基台１６上に、基材上に多結晶中間薄膜を形成してなるロール状の薄膜積層体５０が配置される。この薄膜積層体５０は搬送装置９，９により送り出し巻き取りが行われる。基台１６の斜め上方にターゲットホルダー３によって支持された酸化物超電導体の標的材４０が配置される。レーザ処理室１０１は排気管１０８を介して真空ポンプ２１に接続され所定の真空度まで減圧される。
【０００６】
標的材４０としては、薄膜積層体５０上に成膜しようとする酸化物超電導体の組成と同等か近似する組成のものであって、酸化物超電導体の焼結体等が用いられる。標的材４０の形状は円板状のものや方形状のものが用いられる。この標的材４０には外部から入射窓１０４を透してレーザ光３０が所定の角度で照射され、このレーザ光３０によって叩き出される標的材４０の構成成分が薄膜積層体５０上に均一に堆積できるように調整されている。基台１６は加熱ヒータを内蔵したもので、薄膜積層体５０を必要に応じて加熱できるようになっている。
【０００７】
一方、レーザ処理室１０１の外部には、レーザ発光装置２２と第１反射鏡２３と集光レンズ２４と第２反射鏡２５とが設けられ、レーザ発光装置２２が発振したレーザ光３０をレーザ処理室１０１の側壁に取り付けられた入射窓１０４を透して標的材４０に集光照射できるようになっている。
【０００８】
上記構成の従来のレーザ蒸着装置を用いて薄膜積層体５０上に酸化物超電導体の薄膜を成膜するには、薄膜積層体５０を基台１６に設置し、またターゲットホルダー３に酸化物超電導体の標的材４０を設置し、真空ポンプ２１でレーザ処理室１０１を減圧する。次に搬送装置９，９を作動して薄膜積層体５０の送り出し・巻き取りを開始する。一方、レーザ発光装置２２を作動し、エキシマレーザ等のレーザ光３０を第１反射鏡２３、集光レンズ２４、第２反射鏡２５、及び入射窓１０４を経由して標的材４０に照射する。このとき、第１反射鏡２３及び第２反射鏡２５はレーザ光３０が標的材４０の表面を走査するように駆動し、また集光レンズ２４はレーザ光３０が常に標的材４０上に合焦するように制御する。これによって標的材４０はレーザ光の合焦位置が瞬間的に加熱され、標的材の構成粒子が散乱又は蒸発し、薄膜積層体５０の多結晶中間薄膜上に堆積する。これにより結晶配向性が調整された酸化物超電導体の薄膜が得られる。酸化物超電導体の薄膜が形成された薄膜積層体５０はロール状に巻き取られる。
【０００９】
従来のレーザ処理装置を用いる前記のロール状超電導体の製造に際しては、レーザ照射中に標的材から飛散した物質の一部が入射窓１０４の内面に沈着しレーザ光３０の透過を次第に遮るようになる。このため薄膜積層体５０上に蒸着する酸化物超電導体の膜厚が次第に低下したり結晶配向が乱れるなどの障害が起こる。
本発明は前記の課題を解決するためになされたものであって、従ってその目的は、レーザ処理室内の標的材にレーザ光を照射しながら、入射窓に付着する遮光性物質の逐次的な除去を可能とするレーザ処理装置を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
前記の課題を解決するために本発明は、レーザ処理室と、該レーザ処理室に連通する導光室とを有し、前記レーザ処理室がレーザ光を照射する標的材の支持手段を有し、前記導光室が外部からのレーザ光を前記レーザ処理室に入射する入射窓を有し、前記レーザ光が前記入射窓を透過して前記標的材に合焦するように構成されたレーザ処理装置であって、前記導光室が前記入射窓の内面近傍にプラズマ発生手段を有し、該プラズマ発生手段が発生するプラズマにより前記入射窓に付着する遮光性物質を除去するようにしたレーザ処理装置を提供する。
【００１１】
本発明によれば、導光室内に設けられたプラズマ発生手段を作動することにより入射窓の内面近傍にプラズマが発生し、このプラズマが入射窓の内面に付着しようとする遮光性物質を直ちに叩き落として除去する。従って入射窓を透してレーザ処理室内の標的材にレーザ光を照射しながら該入射窓のクリーニングを行うことができ、クリーニングのためにレーザ照射作業を中断する必要がなくなるばかりか、長尺ものの被蒸着体をレーザ処理するに際しても長さ方向に蒸着膜の品質が変化することなく全長に亘って連続的かつ安定したレーザ処理が可能となる。
【００１２】
前記において導光室とレーザ処理室との間には、レーザ光の光路を妨げない隔壁が設けられていることが好ましい。
レーザ処理室における雰囲気ガスは目的とするレーザ処理に最適となるように選定するべきであり、導光室において入射窓の内面に付着した遮光性物質を有効に除去するプラズマを発生させるにはプラズマ発生源となるガスを供給する必要がある。レーザ処理室における雰囲気ガスと導光室におけるプラズマ発生ガスは同じであってもよいがそれぞれの作用を最適化するには異なっていてもよい。プラズマ発生ガスがレーザ処理室の雰囲気ガスと異なる場合は双方の室の間にレーザ光の光路を妨げない隔壁を設けることによってＡｒガスがレーザチャンバ側に侵入することを防止できる。
【００１３】
前記導光室は、前記プラズマの発生源となるガスを導入するガス導入口を有することが好ましい。
プラズマの発生源としては、レーザ処理室における雰囲気ガスをそのまま用いることもできる。しかし、入射窓のクリーニング効果を最適化するには異なる組成のガスを用いるほうがよい場合もあり、このために導光室の壁面にプラズマ発生源となるガスを導入する専用のガス導入口を設けることが好ましい。
【００１４】
前記導光室は、入射窓の内面近傍に排気口を有し、該排気口を通じて少なくとも前記導光室内のガスを排出するようにすることが好ましい。
入射窓の内面近傍に排気口を設けることによって導光室内に発生したプラズマが入射窓の内面に衝突するように流れ、クリーニング効果を高めることができる。この排気口は導光室内のガスを吸引するばかりでなくレーザ処理室内の雰囲気ガスも吸引排除するようにしてもよい。この場合は導光室内のプラズマ生成ガスとレーザ処理室内の雰囲気ガスとが組成が異なる場合であっても、プラズマ生成ガスがレーザ処理室に流入しないのでレーザ処理の効果に悪影響を及ぼすことがない。
【００１５】
前記レーザ処理室は、ロール状の被蒸着体を送り出し巻き取る搬送手段を有し、該搬送手段が前記被蒸着体を搬送している間に前記レーザ光の照射により前記標的材が蒸着物質を放散し、該蒸着物質が前記被蒸着体の表面に蒸着されるように構成されていてもよい。
この場合は、入射窓のクリーニングが常時行われ、レーザ照射期間中標的材に照射されるエネルギーが変化しないので、ロール状の被蒸着体に常に均一な条件で蒸着物質が蒸着し、全長に亘って安定した品質の蒸着製品が得られる。
【００１６】
【発明の実施の形態】
次に本発明の実施の形態を図面を用い具体例によって説明するが、この具体例は本発明を何ら制限するものではない。また添付の図面は本発明の思想を説明するためのものであって、本発明の説明に不要な要素は省略し、また図示した各要素の形状・寸法比・数なども実際のものと必ずしも一致しない。
図１は本発明の一実施形態であるレーザ処理装置を示す断面図である。本レーザ処理装置は、ロール状の薄膜積層体５０上に酸化物超電導体の薄膜（以下「超電導層」という）を形成することを目的とする。図１に示すレーザ処理装置は、レーザ処理室１とこのレーザ処理室１に連通する導光室２とを有している。
【００１７】
レーザ処理室１の内部には、レーザ光の標的材４０を支持するターゲットホルダー３、ロール状の薄膜積層体５０を送り出し巻き取る搬送装置９，９及び搬送中の薄膜積層体５０を支持するヒータ付き基台１６が設置されている。前記ターゲットホルダー３は首振り機構を有している。またレーザ処理室１の壁面には雰囲気ガス３２を供給する雰囲気ガス導入管１１が接続されている。
【００１８】
導光室２は例えば長さ６００ｍｍの筒状体からなり、レーザ処理室１から突出した端面には、外部から送られたレーザ光３０を入射する入射窓４が形成されている。導光室２の基部はレーザ処理室１の側壁に開口し、入射窓４から入射したレーザ光３０が標的材４０に合焦するように構成されている。入射窓４は石英ガラス等の透明体からなり、例えば直径は１００ｍｍである。導光室２の基部付近には４００ｍｍの区間に、中央部に直径２０ｍｍのレーザ光が通過する開口を有する隔壁７…が複数枚、例えば４枚設けられている。また、入射窓４から隔壁７までの２００ｍｍの区間の側壁にはプラズマガス３１を導入するプラズマガス導入管６、及び高周波電源１０に接続されたプラズマ発生電極５が装着され、更に入射窓４に近接した側壁からは排気管８が導出され、この排気管８は真空ポンプ２１に連結されている。なお、前記プラズマガス導入管６の前記導光室２側の先端開口部がガス導入口６ａとされ、前記排気管８の前記導光室２側の先端開口部が排気口８ａとされている。
【００１９】
本レーザ処理装置の外部にはレーザ発光装置２２が設けられ、このレーザ発光装置から発振されたレーザ光３０は、第１反射鏡２３、集光レンズ２４、及び第２反射鏡２５によって光路及び焦点距離が調整され、入射窓４から本レーザ処理装置内に導入され、標的材４０に合焦するようになっている。レーザ発光装置２２としては、本実施形態ではエキシマレーザが用いられているが、標的材４０から蒸着物質を放射できるものであればＹＡＧレーザ、ＣＯ２レーザなどのいずれのものであってもよい。第１反射鏡２３及び第２反射鏡２５は互いに直交する方向に揺動可能とされ、これによって標的材４０の面上でレーザ光３０の合焦位置を走査することができる。入射窓４から標的材４０までの光路距離は例えば８００ｍｍとなっている。
【００２０】
レーザの照射出力の調整は、レーザ発光装置２２に電力を供給する増幅装置（図示せず）の出力を調整することにより行うことができる。またレーザの照射周波数はレーザ発光装置２２に電力を一定の周波数をもって間欠的に供給するか、又はレーザ光３０が通過する光路のどこかに、回転セクタ等の機械的シャッタを設け、この機械的シャッタを一定の周波数をもって作動させることにより調整することができる。
【００２１】
本実施形態のレーザ処理装置は以下のように作動する。
先ずターゲットホルダー３に標的材４０を、また基台１６を挟んで搬送装置９，９に未処理の薄膜積層体５０をセットする。標的材４０は後に詳しく説明するが酸化物超電導体の板状焼結体であり、薄膜積層体５０はハステロイのテープ状基材上にＹＳＺの多結晶中間薄膜を形成してなるものである。セット終了後に装置を密閉し、真空ポンプ２１を作動して排気管８から装置内の空気を排気すると共に雰囲気ガス導入管１１から雰囲気ガス３２を、またプラズマガス導入管６からプラズマガス３１を導入する。雰囲気ガス３２はＯ２　ガスであり、レーザ処理室１の内圧が１００ｍＴｏｒｒ（１３Ｐａ）〜２００ｍＴｏｒｒ（２６Ｐａ）となるようにトータル流量を１００ｍｌ／ｍｉｎとする。プラズマガス３１は、Ａｒガスであり、導光室２の内圧が８０ｍＴｏｒｒ（１０．４Ｐａ）となるように流量を５０ｍｌ／ｍｉｎとする。導光室２の内圧をレーザ処理室１より低くしたのは、プラズマガス３１をレーザ処理室１側になるべく逆流させないためである。搬送装置９，９を作動して薄膜積層体５０の搬送を開始し、また必要に応じて基台１６に内蔵された加熱ヒータを作動させ搬送中の薄膜積層体５０を所望の温度に加熱する。
【００２２】
この状態でレーザ発光装置２２からレーザ光３０を発振する。レーザ光３０は第１反射鏡２３、集光レンズ２４、第２反射鏡２５、及び入射窓４を経由して標的材４０上に合焦する。このとき焦点付近の温度は７００℃〜８００℃に達し、標的材４０の構成成分はレーザビームに叩き出されその前方に蒸着物質の集中域（ブルーム）４１を形成する。このときターゲットホルダー３の首振り角を調整することによって基台１６上を移動する薄膜積層体５０上に均一な酸化物超電導層が形成される。
【００２３】
レーザ処理を開始すると共に、高周波電源１０を作動しプラズマ発生電極５による無声放電により導光室２内にプラズマを発生させる。プラズマパワーは約３０Ｗとする。この状態では、標的材４０から放散された蒸着物質が隔壁７の開口を通過して入射窓４に到達しその内壁に遮光性物質として付着したとしてもプラズマによって直ちに叩き落とされるので、入射窓４に遮光性皮膜が形成されることはなく、長尺薄膜積層体５０のレーザ処理期間中、最後まで入射窓４は澄明な状態を維持する。従ってレーザ処理作業終了後もメンテナンスとして煩雑なクリーニング作業を省略できる。
【００２４】
標的材４０にレーザ光３０を照射する場合には、レーザ光の照射エネルギーは２００ｍＪ〜４００ｍＪの範囲内とされる。レーザ光の照射エネルギーが２００ｍＪ未満では標的材４０に与える熱エネルギーが小さすぎて、標的材の構成粒子を十分に叩き出し又は蒸発させることができず、薄膜積層体５０上での超電導層の形成速度が低下してしまい効率的でない。レーザ光の出力が４００ｍＪを越えるとエネルギーが大きすぎて標的材４０に割れが生じてしまうので好ましくない。
【００２５】
次に本実施形態において用いられる標的材４０、及び薄膜積層体５０について説明する。
標的材４０の材質は、薄膜積層体５０の面上に形成しようとする酸化物超電導膜の組成と同等または近似した組成、あるいは成膜中に発散しやすい成分を多く含有させた複合酸化物からなっている。標的材４０の材質例としては例えば、臨界温度の高い酸化物超電導体として知られているＹ１Ｂａ２Ｃｕ３Ｏｘ、Ｙ２Ｂａ４Ｃｕ８Ｏｘ、Ｙ３Ｂａ３Ｃｕ６Ｏｘの群、（Ｂｉ，Ｐｂ）２Ｃａ２Ｓｒ２Ｃｕ３Ｏｘ、（Ｂｉ，Ｐｂ）２Ｃａ２Ｓｒ３Ｃｕ４Ｏｘの群、あるいはＴｌ２Ｂａ２Ｃａ２Ｃｕ３Ｏｘ、Ｔｌ１Ｂａ２Ｃａ２Ｃｕ３Ｏｘ、Ｔｌ１Ｂａ２Ｃａ３Ｃｕ４Ｏｘの群、などに代表される臨界温度の高い酸化物超電導体が含まれる。標的材４０の形状は円板状もしくは長方形板状、正方形板状などの方形板状とするのが好適である。
【００２６】
図２は本実施例を用いて製造されたテープ状酸化物超電導体５３の層構成を示す斜視図である。このテープ状酸化物超電導体５３は薄膜積層体５０の面上に超電導層４２が形成されてなっている。本実施形態で用いる薄膜積層体５０はハステロイのテープ状基材５１上にイオンビームアシストスパッタリング法等によってＹＳＺの多結晶中間薄膜５２を形成してなるものである。多結晶中間薄膜５２は、その結晶粒が予めｃ軸配向し、ａ軸とｂ軸でも配向するようにイオンビームアシスト法により形成されているので、超電導層４２の結晶のｃ軸とａ軸とｂ軸も多結晶中間薄膜の結晶に整合するようにエピタキシャル成長して結晶化する。
【００２７】
基材５１の構成材料としては、前記ハステロイなどのニッケル合金の他、ステンレス鋼、銅などの合金各種金属材料から適宜選択される。基材５１の厚みは０．０１ｍｍ〜０．５ｍｍ、好ましくは０．０２ｍｍ〜０．１５ｍｍとされる。基材５１の厚みが０．５ｍｍを越えると、前記超電導層４２の膜厚に比べて過剰に厚く、オーバーオール（酸化物超電導導体全断面積）あたりの臨界電流密度が低下し好ましくない。一方、基材５１の厚みが０．０１ｍｍ未満では基材強度が著しく低下し、超電導層４２の支持効果を失ってしまう。
【００２８】
多結晶中間薄膜５２は、立方晶系の結晶構造を有する結晶の集合した微細な結晶粒が多数相互に結晶粒界を介して接合一体化されてなるものであり、各結晶粒の結晶軸のｃ軸は基材５１の上面（成膜面）に対してほぼ直角に向けられ、各結晶粒の結晶軸のａ軸どうしおよびｂ軸どうしは、互いに同一方向に向けられて面内配向されている。多結晶中間薄膜５２の厚みは０．１μｍ〜１．０μｍの範囲内とされる。多結晶中間薄膜５２の厚みを１．０μｍを超えて厚くしても特段の効果の増大は期待できず、経済的に不利となる。一方、多結晶中間薄膜５２の厚みが０．１μｍ未満では薄すぎて超電導層４２を十分保持できない可能性がある。多結晶中間薄膜５２の構成材料としてはＹＳＺの他に、ＭｇＯ、ＳｒＴｉＯ３等を用いることができる。
【００２９】
超電導層４２の組成は標的材４０の組成に依存してＹ１Ｂａ２Ｃｕ３Ｏｘ、Ｙ２Ｂａ４Ｃｕ８Ｏｘ、Ｙ３Ｂａ３Ｃｕ６Ｏｘの群、（Ｂｉ，Ｐｂ）２Ｃａ２Ｓｒ２Ｃｕ３Ｏｘ、（Ｂｉ，Ｐｂ）２Ｃａ２Ｓｒ３Ｃｕ４Ｏｘの群、あるいはＴｌ２Ｂａ２Ｃａ２Ｃｕ３Ｏｘ、Ｔｌ１Ｂａ２Ｃａ２Ｃｕ３Ｏｘ、Ｔｌ１Ｂａ２Ｃａ３Ｃｕ４Ｏｘの群、などに代表される臨界温度の比較的高い酸化物超電導体からなる。超電導層４２の厚みは、０．５μｍ〜５μｍ程度とされる。また、超電導層４２の厚み及び膜質は可能な限り均一とされ、結晶のｃ軸とａ軸とｂ軸も多結晶中間薄膜５２の結晶に整合するようにエピタキシャル成長し、結晶配向性が優れたものとなっている。超電導層４２の厚み、膜質及び結晶配向性を好適に制御するため、第１反射鏡２３及び第２反射鏡２５を制御された角度に揺動させると共にターゲットホルダー３を垂直軸周りに回転又は揺動させることでレーザ光３０を標的材４０上でらせん状又はくし歯状に走査させ、レーザ光３０の照射による標的材の放射を均一化する。
【００３０】
上記実施形態では酸化物超電導体薄膜の製造に際してロール状の薄膜積層体上に超電導層を形成する場合について詳しく説明したが、本発明のレーザ処理装置は、本発明の主旨及び目的を損なうことなく、例えばレーザ処理室１の内部構成を変更し又は変更せずに他のレーザ処理技術、例えばスキャタリング、蒸着、部分溶融、エッチング、グルービングなどを実施するに好適な構成とすることができる。
【００３１】
【発明の効果】
本発明のレーザ処理装置は、導光室が入射窓の内面近傍にプラズマ発生手段を有し、該プラズマ発生手段の発生するプラズマにより入射窓に付着した遮光性物質を除去するので、レーザ処理室内の標的材にレーザ光を照射しながら該入射窓のクリーニングを行うことができ、クリーニングのためにレーザ照射作業を中断する必要がなくなるばかりか、長尺ものの被蒸着体をレーザ処理するに際しても長さ方向に蒸着膜の品質が低下することなく全長に亘って連続的かつ均一なレーザ処理製品が得られるようになる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明になるレーザ処理装置の一実施形態を示す断面図である。
【図２】前記実施形態により製造された酸化物超電導体の層構成を示す斜視図である。
【図３】従来のレーザ処理装置の一例を示す断面図である。
【符号の説明】
１…レーザ処理室、２…導光室、４…入射窓、５…プラズマ発生電極、６…プラズマガス導入管、６ａ…ガス導入口、７…隔壁、８…排気管、８ａ…排気口、３０…レーザ光、４０…標的材。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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