(57)【要約】【課題】  簡単な工程で、効果的にフォトレジストを除去することができるフォトレジスト除去液及びこれを利用した半導体素子のバンプ形成方法を提供する。【解決手段】  金属配線パターンが形成された基板上に金属配線パターンの上部を部分的に露出させる開口部を有する保護膜パターンを形成する。保護膜パターン上にバンプ開口部を有するフォトレジストをパターンし、バンプ開口部に金属を成長させてバンプを形成する。次に、フォトレジストパターンをモノエタノールアミン及びジメチルアセトアミドを主成分に含有するフォトレジスト除去液により除去する。これにより、効率的で、且つ、完全にフォトレジストパターンを除去することができる。【選択図】            図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
モノエタノールアミン１３〜３７質量％及びジメチルアセトアミド６３〜８７質量％を必須成分に含有することを特徴とするバンプ形成のためのフォトレジスト除去液。
【請求項２】
前記モノエタノールアミンの含量は前記フォトレジスト除去液の総質量を基準にして１８〜３２質量％であり、前記ジメチルアセトアミドの含量は前記フォトレジスト除去液の総質量を基準にして６８〜８２質量％であることを特徴とする請求項１に記載のフォトレジスト除去液。
【請求項３】
金属配線パターンが形成された基板上に、前記金属配線パターンの上部を部分的に露出する開口部を有する保護膜パターンを形成する段階と、
前記保護膜パターン上に前記保護膜パターン開口部を露出するバンプ開口部を有するフォトレジストパターンを形成する段階と、
前記バンプ開口部に金属を成長させてバンプを形成する段階と、
前記フォトレジストパターンをモノエタノールアミン及びジメチルアセトアミドを主成分に含有するフォトレジスト除去液で除去する段階と、を含むことを特徴とする半導体素子のバンプ形成方法。
【請求項４】
前記モノエタノールアミンの含量は１３〜３７質量％であり、前記ジメチルアセトアミドの含量は６３〜８７質量％であることを特徴とする請求項３に記載の半導体素子のバンプ形成方法。
【請求項５】
前記金属配線パターンはアルミニウムからなることを特徴とする請求項３に記載の半導体素子のバンプ形成方法。
【請求項６】
前記フォトレジスト除去液は４５℃以上で、２０分以上前記フォトレジストパターンに適用することを特徴とする請求項３に記載の半導体素子のバンプ形成方法。
【請求項７】
前記フォトレジストパターンは、２０μｍ以上の厚さに形成することを特徴とする請求項３に記載の半導体素子のバンプ形成方法。
【請求項８】
前記保護膜パターン開口部により露出された金属配線パターン上部、前記保護膜パターン開口部の側壁及び前記保護膜パターン上に、連続的に鍍金シード層を形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項３に記載の半導体素子のバンプ形成方法。
【請求項９】
前記バンプは、前記フォトレジストパターンのバンプ開口部により露出された鍍金シード層上に、金を鍍金して形成することを特徴とする請求項８に記載の半導体素子のバンプ形成方法。
【請求項１０】
前記バンプは、前記フォトレジストパターンの厚さより薄くなるように形成することを特徴とする請求項９に記載の半導体素子のバンプ形成方法。
【請求項１１】
前記保護膜パターンは、ポリイミドからなることを特徴とする請求項３に記載の半導体素子のバンプ形成方法。
【請求項１２】
前記バンプ開口部は、前記保護膜パターン開口部を完全に露出し、前記保護膜パターン開口部及び前記保護膜パターン開口部周辺の保護膜パターンを部分的に露出するように前記保護膜パターン開口部より大きくなるように形成されることを特徴とする請求項３に記載の半導体素子のバンプ形成方法。
【請求項１３】
アルミニウムパターンが形成された基板上に、前記アルミニウムパターンの上部を部分的に露出させる開口部を有する保護膜パターンを形成する段階と、
前記保護膜パターン開口部により露出されたアルミニウムパターン、前記保護膜パターン開口部の側壁及び前記保護膜パターン上に連続的に鍍金シード層を形成する段階と、
前記鍍金シード層上に前記保護膜パターン開口部を露出するバンプ開口部を有するフォトレジストパターンを形成する段階と、
前記バンプ開口部に電気鍍金により金を成長させてバンプを形成する段階と、
前記フォトレジストパターンをモノエタノールアミン１３〜３７質量％及びジメチルアセトアミド６３〜８７質量％含有するフォトレジスト除去液により除去する段階からなることを特徴とする半導体素子のバンプ形成方法。
【請求項１４】
前記フォトレジスト除去液は５０℃以上で、３０分以上前記フォトレジストパターンに適用することを特徴とする請求項１３に記載の半導体素子のバンプ形成方法。
【請求項１５】
前記フォトレジストパターンは、２０μｍ以上の厚さに形成することを特徴とする請求項１３に記載の半導体素子のバンプ形成方法。
【請求項１６】
前記バンプは、前記フォトレジストパターンの厚さより薄くなるように形成することを特徴とする請求項１５に記載の半導体素子のバンプ形成方法。
【請求項１７】
前記保護膜パターンは、ポリイミドからなることを特徴とする請求項１５に記載の半導体素子のバンプ形成方法。
【請求項１８】
前記バンプ開口部は、前記保護膜パターン開口部を完全に露出し、前記保護膜パターン開口部底面及び側壁と、前記保護膜パターン開口部の周辺に形成された鍍金シード層を部分的に露出するように前記保護膜パターン開口部より大きくなるように形成されることを特徴とする請求項１３に記載の半導体素子のバンプ形成方法。
【請求項１９】
前記フォトレジストパターンを除去した後、前記フォトレジストパターンの下に存在する鍍金シード層を部分的に除去することを特徴とする請求項１３に記載の半導体素子のバンプ形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フォトレジスト除去液及びこれを利用した半導体素子のバンプ形成方法に関するものであり、より詳細には、簡単な組成で、効果的にフォトレジストパターンを除去することができるフォトレジスト除去液成物及びこれを利用した半導体素子のバンプ形成方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体チップを電子機器の回路基板に搭載するためには、半導体チップの厚さが薄くなければならない。従って、厚さが薄く、多ピン化された半導体チップを具現するために、前記半導体チップ内にバンプと称する接続用端子が形成される。バンプは約２０μｍ以上突出した電極として、基板上にかなり精密に配置される。高集積度の半導体チップが要求されると共に、かようなバンプの精密化も加速化している。
【０００３】
バンプ形成方法としては、電気鍍金法、真空蒸着法およびワイヤボンディングによるスタッドバンプ形成法などがある。前記方法のうち、電気鍍金法は簡単であり、低コストなため広く用いられている。
【０００４】
電気鍍金法によりバンプを形成するためには、まず、保護膜パターンを形成して半導体基板上に形成された金属配線のバンプ接触領域を露出させる。バンプ接触領域にはバンプ用金属を電気鍍金するための鍍金シード層または金属基底層が形成される。このように、形成した結果物上にフォトレジストパターンを形成してバンプ形成領域を完成し、金属を電気鍍金してバンプ形成領域を埋めた後、フォトレジストパターンを除去してバンプを完成させる。
【０００５】
ここで、フォトレジストパターンは、形成しようとするバンプの厚さ以上に形成されなければならない。従って、フォトレジストパターンを形成するための材料としては、約５μｍ以上の厚さに塗布することができる厚膜用フォトレジストが使用される。厚膜用フォトレジストは基板への密着性に優れ、耐鍍金液性及び鍍金に対する湿潤性が優れ、鍍金処理後に剥離が容易でなければならない。
【０００６】
一般的に、厚膜用フォトレジストパターンは数十μｍ以上に形成されるので、露光工程中に底面まで光が伝達されず、露光が十分でないことがある。また、フォトレジストパターンを除去するためにアッシング工程を行うと、プラズマにより前記フォトレジストパターンが損傷される。従って、後続の除去（stripping）工程を行うと、フォトレジストパターンが完全に除去されずに、各々のバンプ間に一糸形態の残留物を形成して半導体素子に悪影響を及ぼす。
【０００７】
除去工程中に使用される除去液（stripper）は、剥離及び溶解作用を均衡にしながらフォトレジストを除去しなければならない。しかし、作用が不均衡的になったり、除去液が水とよく混合されていないと、基板上に残留物を残すことになる。一般的な有機除去液の大部分は、ポリマー除去に重点をおいて製造される。従って、バンプ形成のためのフォトレジストの除去時に、除去が不完全であったり、再塗布されるなどの不良が発生した。従って、除去工程は、前記不良を予防するために、他の種類の除去液を使用して２回以上にわたって行われ、長時間を要した。
【０００８】
有機除去液の他に、シンナーにより１枚の半導体基板を処理することが可能であるが、複数の半導体基板を処理することになると、基板上に残留物の形成が多発した。従って、工程の効率性を低下させることになる。
【０００９】
モノエタノールアミンをフォトレジスト除去液の主成分に使用することは、公知である。例えば、特許文献１にはモノエタノールアミンを含むフォトレジスト除去液が開示されている。しかし、このようなフォトレジスト除去液の多くは、数ミクロン程度の薄膜であるフォトレジスト膜を除去するための溶液として、バンプ形成工程で使用され、厚膜であるフォトレジスト膜を除去するには適していなかった。
【００１０】
また、モノエタノールアミンとジメチルアセトアミドの混合物をポリイミドの剥離液（除去液）に使用することは、特許文献２に開示されている。前記特許文献２には、不必要であるポリイミド薄膜をモノエタノールアミンとジメチルアセトアミドを使用して除去する方法が開示されている。しかし、バンプ形成用フォトレジストに対しては言及されていない。
【特許文献１】米国特許第５７９８３２３号明細書
【特許文献２】特開平９−２８３５０８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
本発明の目的は、バンプ形成においてフォトレジストを良好に除去することができる除去液を提供することにある。
【００１２】
本発明の他の目的は、モノエタノールアミン及びジメチルアセトアミドからなるフォトレジスト除去液を提供することにより、簡単な工程で、効果的にバンプ形成用フォトレジストパターンを除去することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上述した目的を達成するために、本発明は、モノエタノールアミン１３〜３７質量％及びジメチルアセトアミド６３〜８７質量％を必須成分として含有するバンプ形成のためのフォトレジスト除去液を提供する。
【００１４】
また、上述した他の目的を達成するために、本発明は、金属配線パターンが形成された基板上に、前記金属配線パターンの上部を部分的に露出する開口部を有する保護膜パターンを形成する段階と、前記保護膜パターン上に前記開口部を露出するバンプ開口部を有するフォトレジストパターンを形成する段階と、前記バンプ開口部に金属を成長させてバンプを形成する段階と、前記フォトレジストパターンをモノエタノールアミン及びジメチルアセトアミドを主成分に含有するフォトレジスト除去液で除去する段階と、を含むことを特徴とする半導体素子のバンプ形成方法を提供する。
【００１５】
このように、本発明のフォトレジスト除去液を利用することにより、除去工程のみでも、効率的にかつ完全にフォトレジストパターンを除去することができた。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によると、モノエタノールアミン及びジメチルアセトアミドからなるフォトレジスト除去液を用い、バンプ形成工程において、フォトレジストパターンを除去する段階で一定温度、一定時間で処理する。これにより、従来のアッシング工程を行わずに、前記フォトレジスト除去液を利用して除去工程のみを行う。すなわち、前記フォトレジスト除去液を利用することにより、除去工程のみでも、効率的かつ完全にフォトレジストパターンを除去することができる。
【００１７】
また、フォトレジスト除去液は簡単な組成比率を有する組成物であり、安定性が確保され、工程性に優れる。また、比較的低い温度で、短時間に大量の基板を処理することができ、さらには、処理バス内に残留物が残らないので、工程性に優れるのである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、本発明を詳細に説明する。
【００１９】
まず、本発明のバンプ形成時におけるフォトレジスト除去液について説明する。
【００２０】
本発明によるバンプ形成時におけるフォトレジスト除去液は、モノエタノールアミン（monoethanolamine）及びジメチルアセトアミド（dimethylaceteamide）を必須的に含有する。
【００２１】
前記フォトレジスト除去液の総質量を基準にして、モノエタノールアミンの含量が約１３質量％未満、または、３７質量％を超過すると、フォトレジストの除去効率が低下して望ましくない。従って、モノエタノールアミンの含量は約１３〜３７質量％、望ましくは約１８〜３２質量％、さらに望ましくは約２０〜３０質量％である。
【００２２】
同様に、ジメチルアセトアミドの含量が約６３質量％未満、または、８７質量％を超過すると、フォトレジストの除去率が低下して望ましくない。従って、ジメチルアセトアミドの含量は約６３〜８７質量％、望ましくは６８〜８２質量％、さらに望ましくは約７０〜８０質量％である。
【００２３】
本発明のフォトレジスト除去液を用いることにより、バンプ形成時において、数十μｍ以上厚さを有する厚膜のフォトレジスト膜を容易に除去することができる。従って、従来、使用されたアッシング工程を経ることなしに、効果的にフォトレジストを除去することができ、また、数回に渡って除去工程を行う必要もなく、バンプ形成における工程が単純化できる。従って、本発明のフォトレジスト除去液は、バンプ形成時に有用である。
【００２４】
かようなバンプ形成方法としては、金属配線パターンが形成された基板上に、前記金属パ配線ターンの上部を部分的に露出させる開口部を有する保護膜パターンを形成する段階（図１）と、前記保護膜パターン上に前記保護膜パターン開口部を露出するバンプ開口部を有するフォトレジストパターンを形成する段階（図２〜４）と、前記バンプ開口部に金属を成長させてバンプを形成する段階（図５）と、前記フォトレジストパターンをモノエタノールアミン及びジメチルアセトアミドを主成分に含有するフォトレジスト除去液で除去する段階（図６）と、を含むことを特徴とする方法が挙げられる。
【００２５】
また、さらに、前記保護膜パターン上に前記保護膜パターン開口部を露出するバンプ開口部を有するフォトレジストパターンを形成する段階の前に、前記保護膜パターン開口部により露出された金属配線パターン、前記保護膜パターン開口部の側壁及び前記保護膜パターン上に連続的に鍍金シード層を形成する段階を経るのが望ましい。
【００２６】
以下、図面を参照して、本発明の望ましい一実施形態を詳細に説明する。
【００２７】
図１乃至図７は本発明の一実施形態によるバンプ形成方法を示す断面図である。
【００２８】
図１に示すように、金属配線パターンとしてアルミニウムパターン１００が形成された基板１１０上に、ポリイミドを塗布して保護膜パターンを形成する。すなわち、アルミニウムパターン１００上部の一部を除いて、ポリイミド膜をパターニングし、アルミニウムパターン１００の上部が部分的に露出された開口部１０５を有するポリイミドパターン１２０を形成する。また、特に限定されないが、金属配線パターンとして望ましくはアルミニウムを用い、前記保護膜パターンとして望ましくはポリイミドを用いる。
【００２９】
次に、図２に示すように、開口部１０５を有するポリイミドパターン１２０上に、均一に鍍金シード層１３０を形成する。鍍金シード層１３０は開口部１０５のプロフィルに沿って、開口部１０５の側壁、開口部１０５により露出されたアルミニウムパターン１００の上部及びポリイミドパターン１２０の上部に連続的に塗布される。
【００３０】
前記鍍金シード層１３０はチタン（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）またはパラジウム（Ｐｄ）のような金属を利用して単層または多層に形成することができる。例えば、スパッタリング法によりチタンを１０００Åの厚さに蒸着したり、ニッケルを１５００Åの厚さに蒸着したり、パラジウム５００Åの厚さに蒸着して、これらの少なくとも１層を積層させることにより下部障壁金属層としての前記鍍金シード層を形成することができる。
【００３１】
さらに、図３に示すように、鍍金シード層１３０上にフォトレジストを２０μｍ以上、望ましくは約２０〜３０μｍの厚さにコーティングして、フォトレジスト膜１４０を形成する。フォトレジスト膜はｉ−ｌｉｎｅ波長用フォトレジストを使用することができる。その後、通常のフォトリソグラフィ工程を通じて、ｉ−ｌｉｎｅ光線１４４をフォトマスク１４２を通じて、前記フォトレジスト膜１４０を露光する。
【００３２】
さらに、図４に示すように、露光されたフォトレジスト膜１４０を現像により除去すると、開口部１０５と、アルミニウムパターン１００上に形成された開口部１０５に隣接するポリイミドパターン１２０の一部と、を含むバンプ形成領域を露出させるバンプ開口部１４５を有するフォトレジストパターン１５０が形成される。
【００３３】
前記バンプ開口部は、前記保護膜パターン開口部を完全に露出し、前記保護膜パターン開口部及び前記保護膜パターン開口部の周辺の保護膜パターンを部分的に露出させるように前記保護膜パターン開口部より大きくなるように形成するのが望ましい。すなわち、バンプ開口部１４５は、ポリイミドパターン１２０の開口部１０５を完全に露出し、ポリイミドパターン１２０の開口部１０５の底面と、側壁と、ポリイミドパターン１２０の開口部１０５の周辺に形成された鍍金シード層１３０の一部と、を露出するようにポリイミドパターン１２０の開口部１０５より大きく形成するのが望ましい。
【００３４】
さらに、図５に示すように、バンプ開口部１４５内に電気鍍金により金を成長させて、バンプ１６０を形成する。また、バンプ１６０は、望ましくは、バンプ開口部１４５のフォトレジストパターン１５０の厚さより薄くなるように形成する。より望ましくは、１１〜２０μｍの厚さを有するようにバンプ１６０を形成する。
【００３５】
さらに、図６に示すように、フォトレジストパターン１５０を本発明のフォトレジスト除去液により、４５℃以上、好ましくは５０℃以上、より好ましくは約５０〜７０℃の温度で、２０分以上、好ましくは３０分以上、より好ましくは約３０〜４０分間処理することにより除去する。フォトレジスト除去液の組成を調節するだけでなく、さらに、処理時間および処理温度を前記範囲に調節すると、フォトレジストの除去率をより高めることができる。
【００３６】
モノエタノールアミンの含量はフォトレジスト除去液総質量を基準にして、１８〜３２質量％、望ましくは１５〜３５質量％、より望ましくは１３〜３７質量％であり、ジメチルアセトアミドの含量はフォトレジスト除去液総質量を基準にして、６８〜８２質量％、望ましくは６５〜８５質量％、より望ましくは６３〜８７質量％である。
【００３７】
前記フォトレジスト除去液は、モノエタノールアミン及びジメチルアセトアミドのみを使用するので、使用する物質の組成が簡単である。
【００３８】
さらに、図７に示すように、フォトレジストパターン１５０を除去することにより露出された鍍金シード層１３０をパターニングして、バンプ１６０の下部のみに鍍金シード層パターン１３１を形成する。即ち、バンプ１６０の下部以外に存在する鍍金シード層１３０を除去する。
【００３９】
フォトレジストパターンを除去した後、脱イオン水を利用して基板をリンスし、乾燥させる。
【００４０】
本発明のバンプ形成方法では、本発明によるフォトレジスト除去液を使用して容易にフォトレジストパターンを除去することができる。従って、従来方法で使用されたアッシング工程を経ることなしに、効果的にフォトレジストを除去することができる。
【実施例】
【００４１】
以下、実施例を用いて、本発明をより具体的に説明する。
【００４２】
〈フォトレジスト除去液の製造〉
実施例１乃至実施例５、及び、比較例１乃至６
容器にモノエタノールアミン（ＭＥＡ）及びジメチルアセトアミド（ＤＭＡＣ）を入れて、これを混合し、下記表１に示したような組成（単位：質量％）を有する除去液を製造した。
【００４３】
フォトレジスト除去評価１
前記実施例１乃至５、及び、比較例１乃至６で製造したフォトレジスト除去液を利用して、一定間隔及び厚さを有するフォトレジストパターンに対する除去程度を評価した。
【００４４】
前記図１乃至図５を用いて説明した方法と同様にして、バンプ開口部１４５内に電気鍍金により金を成長させた。ここで、フォトレジストはＩ−ｌｉｎｅ波長（Ｉ−ライン波長；３６５ｎｍ）用フォトレジストを使用して、約２０μｍの厚さに塗布した。隣接したバンプ間のギャップは１０μｍ以上であった。次に、図６で説明したように、実施例１乃至５及び比較例１乃至６で製造したフォトレジスト除去液を用いてフォトレジストパターンを除去した。かような除去工程は、約６０℃の温度で、約３０分間実施した。除去評価は、除去率を％で表わし、下記表１に示した。
【００４５】
【表１】
2004363555.tif 000003
【００４６】
前記表１で、基板上に存在するフォトレジストパターンが完全に除去された状態を１００％とし、フォトレジストパターンが除去されない状態を０％とし、１０％単位で等級を区分して結果を示した。
【００４７】
前記表１で本発明の実施例１乃至５によるフォトレジスト除去液は、除去率が９０％以上であり、優れた除去率が得られた。特に、実施例２乃至４での場合に、ＭＥＡが２０〜３０質量％であり、ＤＭＡＣが７０〜８０質量％である場合には、フォトレジストが完全に除去されることが分かった。
【００４８】
フォトレジスト除去評価２
前記実施例２のフォトレジスト除去液を使用して、前記フォトレジスト除去液の適用温度及び時間を変化させながら、前記フォトレジスト除去評価１と同様にしてフォトレジストパターンの除去率を評価した。
【００４９】
除去評価は、除去率を％で表わし、下記表２に示す。
【００５０】
【表２】
2004363555.tif 000004
【００５１】
前記表２から、実施例２のフォトレジスト除去液を使用した場合、５０℃で３０分、又は６０℃で２０分、除去工程を実施した場合に、９０％以上のフォトレジストパターンが除去されたことが分かった。特に、６０℃以上の温度で、約３０分以上、除去工程を実施した場合には１００％の除去率を示し、基板からフォトレジストパターンを完全に除去することができた。
【００５２】
上述した実施例から分かるように、モノエタノールアミンの含量が約１３〜３７質量％、ジメチルアセトアミドの含量が約６３〜８７質量％であるフォトレジスト除去液を用いて、約４５℃以上、約３０分間、除去工程を実施した場合、約９０％以上のフォトレジスト除去率を示し、除去工程に有用であることが分かった。特に、モノエタノールアミンの含量が約２０〜３０質量％であり、ジメチルアセトアミドの含量が約７０〜８０質量％のフォトレジスト除去液を使用して、約６０℃以上、約３０分以上、除去工程を実施する場合、１００％の優れた除去率を示した。
【００５３】
また、除去率はフォトレジスト除去液の組成だけでなく、処理される温度及び時間とも関係があった。例えば、前記表２から分かるように、同一な組成物を使用しても、５０℃の温度で３０分間実施する場合には９０％の除去率を示し、一方、６０℃以上の温度では約１００％の除去率を示した。一方、６０℃で、２０分間、除去工程を実施する場合には、９０％の除去率を示し、さらに、３０分以上実施する場合に約１００％の除去率を示した。従って、約６０℃以上の処理温度で約３０分以上、除去工程を実施する場合が最も望ましい。
【００５４】
組成物の含量を調節してフォトレジスト除去力を上昇させることは限界があったが、除去時間及び除去温度を調節すると、ほぼ完全にフォトレジストパターンを除去することができる。
【００５５】
以上、本発明の実施例を詳細に説明したが、本発明はこれに限定されず、本発明が属する技術分野において通常の知識を有するものであれば本発明の思想と精神を離れることなく、本発明の実施例を修正または変更できる。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】本発明の一実施形態による半導体素子のバンプ形成方法を示す断面図である。
【図２】本発明の一実施形態による半導体素子のバンプ形成方法を示す断面図である。
【図３】本発明の一実施形態による半導体素子のバンプ形成方法を示す断面図である。
【図４】本発明の一実施形態による半導体素子のバンプ形成方法を示す断面図である。
【図５】本発明の一実施形態による半導体素子のバンプ形成方法を示す断面図である。
【図６】本発明の一実施形態による半導体素子のバンプ形成方法を示す断面図である。
【図７】本発明の一実施形態による半導体素子のバンプ形成方法を示す断面図である。
【符号の説明】
【００５７】
１００    アルミニウムパターン、
１０５    開口部、
１１０    基板、
１２０    ポリイミドパターン、
１３０    鍍金シード層、
１３１    鍍金シード層パターン、
１４０    フォトレジスト膜、
１４５    バンプ開口部、
１５０    フォトレジストパターン、
１６０    バンプ。
【図１】
2004363555.tif 000005
【図２】
2004363555.tif 000006
【図３】
2004363555.tif 000007
【図４】
2004363555.tif 000008
【図５】
2004363555.tif 000009
【図６】
2004363555.tif 000010
【図７】
2004363555.tif 000011