(57)【要約】【課題】ウェットエッチングにおけるエッチングの深さを精度よく測定する加工深さ測定装置を提供する。【解決手段】加工深さ測定装置は、エッチング槽７、レーザ発信器１、受光部２、制御部３、光導入部４および光導出部５を備えている。エッチング槽７には所定のエッチング液８が貯留されている。レーザ発信器１によりエッチング液８に浸漬されたウェハ６に向けて所定のレーザ光線が照射される。ウェハ６の表面で反射したレーザ光線は干渉光として受光部２によって受光される。光導入部４および光導出部５は、エッチング槽７に貯留されたエッチング液８の液面を横切るようにそれぞれ配設されている。【選択図】        図１
2004205425.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定の薬液を貯留する処理槽と、
薬液に浸漬された試料に向けて所定の光線を照射する発光部と、
試料に照射されて反射した光線を受光する受光部と、
前記受光部によって受光された光線の強度に基づいて、試料における加工の深さを判断する機能を含む制御部と、
前記発光部から試料に至る光路の途中に配設され、薬液が貯留された状態で薬液の外に位置し前記発光部から出射された光線が入射する入射面および薬液の中に位置し入射した光線が出射する出射面を有する光導入部と、
試料から前記発光部に至る光路の途中に配設され、薬液が貯留された状態で薬液の中に位置し試料に照射されて反射した光線が入射する入射面および薬液の外に位置し入射した光線が出射する出射面を有する光導出部と
を備えた、加工深さ測定装置。
【請求項２】
前記光導入部および前記光導出部におけるそれぞれの前記入射面および前記出射面は、それぞれ入射する光線の光軸および出射する光線の光軸に対して略垂直に設定された、請求項１記載の加工深さ測定装置。
【請求項３】
前記光導入部および前記光導出部は、薬液に浸漬された試料に対して、加工が施される部分において反射した光線と加工が施されない部分において反射した光線との干渉光が強め合う所定の位置関係のもとで前記処理槽に固定された、請求項１または２に記載の加工深さ測定装置。
【請求項４】
前記処理槽は側壁部および底部を有し、
前記光導入部および前記光導出部は、前記側壁部および前記底部の少なくともいずれかを貫通するように配設された、請求項１または２に記載の加工深さ測定装置。
【請求項５】
前記処理槽は一側壁部と他の側壁部とを有し、
前記一側壁部は、前記一側壁部における外側面が前記入射面となり、前記一側壁部における内側面が前記出射面となる前記光導入部であり、
前記他の側壁部は、前記他の側壁部における内側面が前記入射面となり、前記他の側壁部における外側面が前記出射面となる前記光導出部であり、
前記一側壁部および前記他の側壁部におけるそれぞれの前記内側面および前記外側面は、入射する光線の光軸および出射する光線の光軸に対して略垂直に設定された、請求項１記載の加工深さ測定装置。
【請求項６】
前記発光部から試料に照射される光線の入射角度と試料によって反射されて前記受光部に向けて出射される光線の反射角度とをそれぞれ略４５°に設定することにより、前記一側壁部と前記他の側壁部とのなす角度が略９０°に設定された、請求項５記載の加工深さ測定装置。
【請求項７】
前記一側壁部と前記他の側壁部とが、前記発光部から試料に照射される光線の入射角度と試料によって反射されて前記受光部に向けて出射される光線の反射角度とに対応した所定の角度をなすように配設された、請求項５記載の加工深さ測定装置。
【請求項８】
前記制御部は、前記発光部に対して前記発光部から出射される光線の径を調整する指示を与える機能および試料に対して光線を照射する位置を変える指示を与える機能を有する、請求項１〜７のいずれかに記載の加工深さ測定装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は加工深さ測定装置に関し、特に、半導体装置の製造において、たとえば所定のパターンを形成するためのエッチング工程における加工の深さを測定する加工深さ測定装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
半導体装置の製造におけるエッチング工程において、加工の深さを測定する装置として、たとえば特開２００１−９９６２２号公報に記載されている加工深さ測定装置がある。
【０００３】
この加工深さ測定装置では、レーザ光線を試料に照射し試料にて反射された反射光の強度を測定することにより加工の深さを測定する方法が採用されている。
【０００４】
より具体的には、エッチングが施される部分において反射した反射光とエッチングが施されない部分において反射した反射光との干渉光の強度が、光学的光路差に応じて周期的に変化することに基づいて加工の深さが測定される。
【０００５】
なお、この場合における光学的光路差とは、エッチングが施される部分において反射するレーザ光線の光路とエッチングが施されない部分において反射するレーザ光線の光路との光路差をいい、この光路差はエッチングの進行とともに変化することになる。
【０００６】
【特許文献１】
特開２００１−９９６２２号公報
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述した従来の加工深さ測定装置では次のような問題点があった。当該加工深さ測定装置は、所定のチャンバ内に導入された試料について加工の深さが測定されるように構成されており、ドライエッチングを対象とする。
【０００８】
そのため、ウエットエッチングにおいてこの加工深さ測定装置を適用しようとすると、レーザ光線がエッチング液の液量の変化や液面の状態に起因する影響を受けてしまうことになる。その結果、干渉光の微妙な強度変化を測定することができなくなって加工深さの測定精度が悪化するという問題があった。
【０００９】
また、レーザ光線の照射のさせ方によっては、エッチングが施される部分に照射されるレーザ光線の照射面積とエッチングが施されない部分に照射されるレーザ光線の照射面積との差が比較的大きくなる場合がある。
【００１０】
たとえば、測定される試料として半導体レーザダイオード素子の場合を例に挙げると、その比（面積比）は０．００２〜０．０１または１００〜５００程度になることがある。
【００１１】
半導体レーザダイオード素子の一般的なサイズとして、エッチングが施される部分の幅が２μｍであり、エッチングが施されない部分の幅が２９８μｍである場合を例に挙げると、エッチングが施される部分において反射した反射光の強度は、エッチングが施されない部分において反射した反射光の強度に比べて極めて小さくなる。
【００１２】
そのため、両反射光が互いに強め合う場合には加工深さを測定することができても、両反射光が互いに弱め合う場合では干渉光強度の減少がわずかであり十分な測定精度を得ることができない。
【００１３】
しかも、このような場合に、レーザ光線を試料に対してほぼ垂直に照射して、試料に対してほぼ垂直に反射した反射光を測定する従来の加工深さ測定装置では、反射光と入射光との干渉も生じて、加工深さの測定精度がさらに悪化するという問題があった。
【００１４】
本発明は上記問題点を解決するためになされたものであり、その目的はウェットエッチングにおけるエッチングの深さを精度よく測定する加工深さ測定装置を提供することである。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る加工深さ測定装置は、処理槽と発光部と受光部と制御部と光導入部と光導出部とを備えている。処理槽は所定の薬液を貯留する。発光部は、薬液に浸漬された試料に向けて所定の光線を照射する。受光部は、試料に照射されて反射した光線を受光する。制御部は、受光部によって受光された光線の強度に基づいて試料における加工の深さを判断する機能を有する。光導入部は、発光部から試料に至る光路の途中に配設され、薬液が貯留された状態で薬液の外に位置し発光部から出射された光線が入射する入射面および薬液の中に位置し入射した光線が出射する出射面を有する。光導出部は、試料から発光部に至る光路の途中に配設され、薬液が貯留された状態で薬液の中に位置し試料に照射されて反射した光線が入射する入射面および薬液の外に位置し入射した光線が出射する出射面を有する。
【００１６】
【発明の実施の形態】
実施の形態１
本発明の実施の形態１に係る加工深さ測定装置について説明する。図１に示すように、本加工深さ測定装置は、エッチング槽７、レーザ発信器１、受光部２および制御部３を備えている。エッチング槽７には所定のエッチング液８が貯留されている。
【００１７】
そのエッチング液８に試料としてウェハ６が浸漬される。レーザ発信器１によりウェハ６に向けて所定の波長のレーザ光線が照射される。ウェハ６の表面で反射したレーザ光線は受光部２によって受光される。
【００１８】
このとき、ウェハ６の表面で反射するレーザ光線は、エッチングが施される部分において反射するレーザ光線とエッチングが施されない部分において反射するレーザ光線との干渉光として受光される。
【００１９】
さらに、本加工深さ測定装置では、レーザ発信器１からウェハ６に至るレーザ光線１１の光路の途中に、レーザ発信器１から出射されたレーザ光線１１をエッチング液８に浸漬されたウェハ６に導くための光導入部４が配設されている。
【００２０】
その光導入部４には、レーザ光線１１が入射する入射面４ａとレーザ光線１１が出射する出射面４ｂが設けられている。入射面４ａと出射面４ｂはそれぞれ入射するレーザ光線１１の光軸および出射するレーザ光線１１の光軸に対して略垂直に設定されている。
【００２１】
一方、ウェハ６から受光部２に至るレーザ光線１２の光路の途中には、ウェハ６によって反射されたレーザ光線１２を受光部２に導くための光導出部５が配設されている。
【００２２】
その光導出部５にもレーザ光線１２が入射する入射面５ａとレーザ光線１２が出射する出射面５ｂが設けられている。入射面５ａと出射面５ｂはそれぞれ入射するレーザ光線１２の光軸および出射するレーザ光線１２の光軸に対して略垂直に設定されている。
【００２３】
光導入部４および光導出部５は、エッチング槽７に貯留されたエッチング液８の液面を横切るように配設されることが必要とされる。すなわち、光導入部４および光導出部５におけるそれぞれの入射面４ａ，５ａおよび出射面４ｂ，５ｂのうち、一方はエッチング液８の液面よりも上方（大気中）に配置されるとともに、他方は液面よりも下方（エッチング液中）に配置されている。
【００２４】
なお、光導入部４および光導出部５は、基本的には石英ガラスから形成されることが好ましいが、エッチング液の種類によってはアクリルなどの樹脂材料から形成されたものであってもよい。
【００２５】
ウェハ６に対するレーザ光線の入射角度および反射角度は、後述するように、レーザ光線の波長に基づいて、エッチングが施される部分が所望の深さになったときに干渉光の強度が最も大きくなるように設定されている。
【００２６】
なお、この明細書でいうレーザ光線の入射角度および反射角度とは、ウェハ６の面に平行な平面とレーザ光線の光軸とのなす角度（最小の角度）をいう。レーザ光線が入射または反射する点における面の法線とレーザ光線とのなす角度として定義される入射角度および反射角度に直すには、９０°から各角度を差し引けばよい。
【００２７】
加工深さ測定装置では、そのような所望の入射角度と反射角度が維持されるように、レーザ発信器１、光導入部４、光導出部５および受光部２がエッチング槽７に所定の保持部材（図示せず）により固定されるとともに、ウェハ６はエッチング液８中に保持されることになる。
【００２８】
また、加工の深さに応じて入射角度および反射角度を任意に変えることができる適当な保持部材を用いてこれらの部材を固定してもよい。
【００２９】
上述した位置関係のもとで受光部によって受光されたレーザ光線（干渉光）の信号は、制御部３へ送られる。制御部３では干渉光の信号に基づいて、エッチングが施されている部分のエッチングの深さが所定の深さにまで達したか否かが判断される。
【００３０】
また、制御部３はレーザ発信器１と接続されて、レーザ発信器１に対して干渉光の強度（振幅）がより大きく測定されるように、レーザ発信器１から出射されるレーザ光線のビーム径を調整する指示を与える機能を有する。
【００３１】
さらに、制御部３は、レーザ発信器１に対してエッチングが施された部分にレーザ光線が照射されるように、レーザ光線を集光させる指示を与える機能を有する。
【００３２】
ここで、レーザ光線をウェハに集光させる方法として集光レンズを使用した場合を例に挙げて説明する。図２に示すように、試料としてのウェハ６がエッチング槽７に貯留されたエッチング液８に浸漬されている。エッチング槽７には所定の透明窓２７が設けられている。
【００３３】
レーザ光線を出射する半導体レーザ素子２１からウェハ６に至るレーザ光線２５の光路の途中には、コリメートレンズ２２、集光レンズ２３およびウエッジ２４がそれぞれ配設されている。コリメートレンズ２２によって、半導体レーザ素子２１からある広がり角度をもって出射されるレーザ光線２５が平行光線にされる。
【００３４】
平行光線にされたレーザ光線２５は、集光レンズ２３によって集光される。レーザ光線２５が所望の位置に照射されるように、ウエッジ２４によってレーザ光線２５が移動される。
【００３５】
ウエッジ２４により偏向されたレーザ光線２４は、透明窓２７を透過してウェハ６の所定の位置に照射されることになる。この透明窓２７は、光導入部および光導出部に対応する部材である。
【００３６】
図１に示されたレーザ発信器１としては、上述した半導体レーザ素子２１、コリメートレンズ２２、集光レンズ２３およびウエッジ２４を有して、集光機能を備えた形態のレーザ発信器を適用すればよい。
【００３７】
なお、エッチングが施されている部分に照射されるレーザ光線の照射面積とエッチングが施されていない部分に照射されるレーザ光線の照射面積とが同程度、すなわち両者の比が１程度であるような場合に、エッチングの深さの判断をするのに十分な干渉光の強度が観測されていれば、レーザ光線のビーム径を調整したりレーザ光線を照射する位置を変えることは特に必要でない。
【００３８】
次に、ウェハにレーザ光線を照射することにより測定される干渉光についてより具体的に説明する。
【００３９】
まず、レーザ光線の波長をたとえば６３５ｎｍとする。ウェハに施されるエッチングとして、幅約２９８μの領域（エッチングが施されない領域）を残して幅約２μｍの溝を形成するウエットエッチングを想定する。形成されるべきその溝の深さを６００ｎｍとする。
【００４０】
エッチングが施されない領域にレーザ光線が過度に照射されないようにして、溝が形成される領域に照射されるレーザ光線の照射面積とエッチングが施されない領域に照射されるレーザ光線の照射面積とを同レベルとするために、レーザ光線のビーム径をたとえば２０μｍとする。また、空気の屈折率を１とし、エッチング液の屈折率を１．３３とする。
【００４１】
このような条件のもとで、図３に示されるエッチングが施される領域Ｒ１に照射されて反射するレーザ光線１２ｂと、エッチングが施されない領域Ｒ２に照射されて反射するレーザ光線１２ａの光路差は、まず、次の式で与えられる。
【００４２】
光路差＝２Ｌ−ｂ
ここで、Ｌ＝Ｄ／ｓｉｎθ、ａ＝Ｌ・ｃｏｓθ、ｂ＝２ａ・ｃｏｓθより、
光路差＝２Ｄ・ｓｉｎθ
となる。
【００４３】
このとき、レーザ光線１２ａとレーザ光線１２ｂとの干渉光が強め合う条件は次の式で表される。
【００４４】
２Ｄ・ｓｉｎθ＝ｎλliq  （ｎ＝１，２，３，…）  （１）
ここで、λliqはエッチング液中におけるレーザ光線の波長であり、条件より、λliqの値は、λliq＝６３５ｎｍ／１．３３≒４７７ｎｍとなる。
【００４５】
そして、式（１）より、ｓｉｎθ＝（ｎλliq／２Ｄ）となり、ｎ，λliqおよびＤの各数値とｓｉｎθ≦１の条件により、ｎの取り得る値はｎ＝１，２となる。これにより、ｎ＝１の場合ではθ≒２３°となり、ｎ＝２の場合ではθ≒５３°となる。
【００４６】
仮に、ｎ＝２の場合の入射角度を採用する場合には、図４に示すように、ウェハに対するレーザ光線１１の入射角度θおよびレーザ光線１２の反射角度θが５３°となるように、レーザ発信器、光導入部、光導出部および受光部（いずれも図示せず）がそれぞれ配設される。これにより、最も強い干渉光が観測されてエッチングの深さの判断が確実に行われることになる。
【００４７】
ところで、ウェハにエッチングが施されることで溝は徐々にその深さが深くなる。このとき、観測される干渉光の強度と溝の深さ（光学的距離）との関係を図５に示す。図５では、ウェハに照射されるレーザ光線の中心が、常にエッチングが施される溝に位置する場合における干渉光の強度変化が示されている。
【００４８】
溝が形成される直前（深さ０μｍ）では、エッチングが施される領域の表面はエッチングが施されない領域の表面と同じ位置にある。そのため、干渉光の強度は最大となる。
【００４９】
徐々にエッチングが施されて、溝の深さの光学距離がエッチング液中におけるレーザ光線の波長λliqの１／４倍になったときでは、エッチングが施される領域において反射するレーザ光線とエッチングが施されない領域において反射するレーザ光線とが互いに打ち消し合うことになる。そのため、この場合には点Ａに示されるように、干渉光の強度は最小になる。
【００５０】
さらにエッチングが施されて、溝の深さが６００ｎｍとなってその光学距離がエッチング液中における波長λliqと同じ値になったときには、エッチングが施される領域において反射するレーザ光線とエッチングが施されない領域において反射するレーザ光線とが互いに強め合うことになる。これにより、点Ｂに示されるように、干渉光の強度は再び最大となる。
【００５１】
この干渉光の最大強度が測定された時点でエッチングを終了することで、ウェハには所望の深さの溝が形成された状態になる。
【００５２】
また、溝の深さが６００ｎｍの場合以外に、干渉光の強度変化（強度の傾き）が最大となる点(たとえば、図５における点Ｃ)をエッチングの終了点とすることもできる。
【００５３】
上述した加工深さ測定装置によれば、特に、レーザ発信器１から出射されたレーザ光線１１をエッチング液８内に導くための光導入部４と、ウェハ６によって反射されたレーザ光線１２をエッチング液８の外側にある受光部２に導くための光導出部５とが配設されている。
【００５４】
これにより、レーザ光線１１が大気中からウェハ６に向かってエッチング液８の中に進む際に、レーザ光線１１がエッチング液８の液面の影響を受けることがなくなる。
【００５５】
また、ウェハ６によって反射されたレーザ光線１２がエッチング液８の中から受光部２に向かって大気中に進む際にも、レーザ光線１２がエッチング液８の液面の影響を受けることがなくなる。
【００５６】
その結果、干渉光の強度変化を精度よく測定することができて、所望の深さの溝を確実に形成することができる。
【００５７】
しかも、光導入部４および光導出部５におけるそれぞれの入射面４ａ，５ａと出射面４ｂ，５ｂは、それぞれ入射するレーザ光線１１の光軸および出射するレーザ光線１２の光軸に対して略垂直に設定されている。
【００５８】
これにより、入射面４ａ，５ａに入射するレーザ光線１１および出射面４ｂ，５ｂから出射するレーザ光線１２において、エネルギの損失や位相のずれが生じることがなくなって測定の精度の向上を図ることができる。
【００５９】
なお、光導入部４および光導出部５としては、エッチング槽７に所定の保持部材によって固定される場合を例に挙げて説明したが、このような形態の他に、たとえば、図６に示すように、光導入部４および光導出部５がエッチング槽７の側壁部７ａ，７ｂをなす部分を貫通するように配設されていてもよい。
【００６０】
また、たとえば図７に示すように、光導入部４および光導出部５がエッチング槽７の底７ｃをなす部分を貫通するように配設されていてもよい。
【００６１】
このような加工深さ測定装置においても、干渉光の強度変化を精度よく測定することができて、所望の深さの溝を確実に形成することができる。
【００６２】
実施の形態２
前述した加工深さ測定装置では、大気中からエッチング液中にレーザ光線を導入するための光導入部と、エッチング液中から大気中にレーザ光線を導出するための光導出部とをそれぞれ別体として設けた場合を例に挙げて説明した。
【００６３】
本実施の形態では、そのような光導入部および光導出部をそれぞれ別体として設ける必要のない加工深さ測定装置として、エッチング槽の側壁部そのものが光導入部および光導出部となる加工深さ測定装置について説明する。
【００６４】
図８に示すように、本加工深さ測定装置では、レーザ発信器１から出射されたレーザ光線１１をエッチング液８内に導くための光導入部としてエッチング槽７の一側壁部７ａが用いられるとともに、ウェハ６によって反射されたレーザ光線１２をエッチング液８の外側にある受光部２に導くための光導出部としてエッチング槽の他の側壁部７ｂが用いられる。
【００６５】
なお、これ以外の構成については、前述した図１に示す加工深さ測定装置と同様なので、同一部材には同一符号を付しその説明を省略する。
【００６６】
上述した加工深さ測定装置によれば、エッチング槽７を構成する一側壁部７ａが光導入部４をなし、他の側壁部７ｂが光導出部５をなしている。これにより、光導入部および光導出部として付加的部材を設けることなく、レーザ光線がエッチング液の液面の影響を受けるのを阻止することができて、干渉光の強度変化を精度よく測定することができる。
【００６７】
また、光導入部としての一側壁部７ａおよび光導出部としての他の側壁部７ｂにおけるそれぞれの入射面と出射面は、それぞれ入射するレーザ光線の光軸および出射するレーザ光線の光軸に対して略垂直に設定されていることで、前述したように、レーザ光線のエネルギの損失や位相のずれが生じることがなくなって測定の精度の向上を図ることができる。
【００６８】
ところで、図９に示すように、ウェハ６に対する入射角度θおよび反射角度θが４５°となる場合には、ウェハ６に入射するレーザ光線１１の光軸とウェハによって反射されたレーザ光線１２の光軸とのなす角度は略９０°となる。
【００６９】
この場合に光導入部となる一側壁部７ａに対してほぼ垂直にレーザ光線１１を入射させるとともに、ウェハ６によって反射したレーザ光線１２を光導出部となる他の側壁部７ｂに対してほぼ垂直に入射させるとすると、一側壁部７ａと他の側壁部７ｂとのなす角度はほぼ直角になる。
【００７０】
したがって、この場合には、エッチング槽として開口形状が矩形の通常のエッチング槽を適用することができ、新たなエッチング槽を設ける必要がない。
【００７１】
また、加工深さ測定装置として、ウェハに対する入射角度θおよび反射角度θが４５°となる場合に限られず、レーザ光線の波長および加工の深さに基づく入射角度および反射角度に対応させてもよい。
【００７２】
その場合には、エッチング槽における一側壁部に対して他の側壁部がその入射角度と反射角度に対応した所定の角度関係になるように配設される。
【００７３】
すなわち、図１０に示すように、ウェハ６に対する入射角度および反射角度を角度θとすると、エッチング槽７における一側壁部７ａと他の側壁部７ｂとは、両者のなす角度が角度（１８０°−２θ）となるように配設される。
【００７４】
たとえば、入射角度および反射角度を６０°とすると、一側壁部７ａと他の側壁部７ｂのなす角度を１２０°に設定すればよい。
【００７５】
なお、いずれの加工深さ測定装置においても、所定の各角度が維持されるように、ウェハは図示されない保持部材によってエッチング液中に保持されるものとする。
【００７６】
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって、制限的なものではないと考えられるべきである。本発明は上記の説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【００７７】
【発明の効果】
本発明に係る加工深さ測定装置によれば、発光部から出射された光線を処理槽に貯留された薬液内に導くための光導入部と、試料によって反射された光線を薬液の外側にある受光部に導くための光導出部とが配設されている。これにより、発光部から出射された光線が大気中から試料に向かって薬液中に進む際に、光線が薬液の液面の影響を受けることがなくなる。また、試料によって反射された光線が薬液中から受光部に向かって大気中に進む際にも、光線が薬液の液面の影響を受けることがなくなる。その結果、エッチングが施される領域にて反射した光線とエッチングが施されない領域にて反射した光線との干渉光の強度変化が精度よく観測されて、所望の深さの溝を確実に形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態１に係る加工深さ測定装置を示す斜視図である。
【図２】同実施の形態において、光学系を説明するための図である。
【図３】同実施の形態において、干渉光を説明するための光路を示す図である。
【図４】同実施の形態において、入射するレーザ光線の光路と反射したレーザ光線の光路を示す図である。
【図５】同実施の形態において、溝の深さの光学距離に対する干渉光の強度を示す図である。
【図６】同実施の形態において、一変形例に係る加工深さ測定装置を示す斜視図である。
【図７】同実施の形態において、他の変形例に係る加工深さ測定装置を示す斜視図である。
【図８】本発明の実施の形態２に係る加工深さ測定装置を示す斜視図である。
【図９】同実施の形態において、入射するレーザ光線の光路と反射したレーザ光線の光路の一例を示す図である。
【図１０】同実施の形態において、入射するレーザ光線の光路と反射したレーザ光線の光路の他の例を示す図である。
【符号の説明】
１  レーザ発信器、２  受光部、３  制御部、４  光導入部、４ａ  入射面、４ｂ  出射面、５  光導出部、５ａ  入射面、５ｂ  出射面、６  ウェハ、７  エッチング槽、７ａ  一側壁部、７ｂ  他の側壁部、７ｃ  底部、８  エッチング液、１１，１２ａ，１２ｂ  レーザ光線、２１  半導体レーザ素子、２２  コリメートレンズ、２３  集光レンズ、２４  ウエッジ、２５，２６  レーザ光線、２７  透明窓。
【図１】
2004205425.tif 000003
【図２】
2004205425.tif 000004
【図３】
2004205425.tif 000005
【図４】
2004205425.tif 000006
【図５】
2004205425.tif 000007
【図６】
2004205425.tif 000008
【図７】
2004205425.tif 000009
【図８】
2004205425.tif 000010
【図９】
2004205425.tif 000011
【図１０】
2004205425.tif 000012