(57)【要約】【課題】１０Ｇｂ／ｓクラスの高速伝送に適し、放熱性・安定動作性が良好で、かつ実装が容易な光送信器を提供すること。【解決手段】ＬＤとＩＣの間のＬＤが搭載された基板上に、鏡と光導波路からなる微小サイズの反射器付き光導波路を設けて、他の位置に設けたＰＤにＬＤの後方光を導いてモニタすることによって実現する。【選択図】　図１
2004140273.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に半導体レーザ素子、前記半導体レーザ素子の出力光をモニタするためのホトダイオード素子、前記ホトダイオード素子の出力を受けて前記半導体レーザ素子の出力光強度をフィードバック制御すると共に、前記半導体レーザ素子を駆動するための駆動素子とが設けられ、
前記半導体レーザ素子はその後方光の光軸方向と前記基板表面の長辺方向とが略一致するように、前記基板上に設けられ、
前記ホトダイオード素子の受光部の光軸方向と前記基板表面の長辺方向とが略一致するように、前記基板上に設けられ、
前記半導体レーザ素子の後方光の光軸方向と前記ホトダイオード素子の受光部の光軸方向とは略平行となるように、前記半導体レーザ素子および前記ホトダイオード素子は前記基板上に設けられ、
前記半導体レーザ素子の後方光の出射側および前記ホトダイオード素子の受光部側の前記基板上には一の第１および第２の反射鏡付き光導波路が設けられ、前記半導体レーザ素子の後方光を前記光導波路へ入射し、前記第１の反射鏡で前記入射光を光路を変化させ、さらのその導電路を経て前記第２の反射鏡で前記入射光の光路は再度変化させ、その入射光を前記ホトダイオード素子の受光部へ入射させるものであり、
前記光導波路は前記半導体レーザ素子と前記ホトダイオード素子が設けられている前記基板上の部分と前記駆動素子が設けられている前記基板上の部分との間の前記基板上に設けられ、
前記半導体レーザ素子と前記駆動素子との間はワイヤボィングにより電気的に接続され、前記ホトダイオード素子と前記駆動素子との間はワイヤボィングにより電気的に接続されていることを特徴とする光送信器。
【請求項２】
前記光導波路を前記基板上へ設けたときの導電路の平面形状は略コの字形であり、前記半導体レーザ素子からの後方光を前記導電路の第１の部分で受光し、前記第１の反射鏡でその受光光を反射して前記導電路の第２の部分へ導き、その先にある前記第２の反射鏡でその光を反射して前記導電路の第３の部分へ導き、前記ホトダイオード素子の受光部へ入射させるように構成されていることを特徴とする請求項１記載の光送信器。
【請求項３】
基板上に半導体レーザ素子、前記半導体レーザ素子の出力光をモニタするためのホトダイオード素子、前記ホトダイオード素子の出力を受けて前記半導体レーザ素子の出力光強度をフィードバック制御すると共に、前記半導体レーザ素子を駆動するための駆動素子とが設けられ、
前記半導体レーザ素子はその後方光の光軸方向と前記基板表面の長辺方向とが略一致するように、前記基板上に設けられ、
前記ホトダイオード素子の受光部の光軸方向と前記基板表面の長辺方向とが交わるように、前記基板上に設けられ、
前記半導体レーザ素子の後方光の光軸方向と前記ホトダイオード素子の受光部の光軸方向とが交わるように、前記半導体レーザ素子および前記ホトダイオード素子は前記基板上に設けられ、
前記半導体レーザ素子の後方光の出射側および前記ホトダイオード素子の受光部側の前記基板上には一の反射鏡付き光導波路部材が設けられ、前記半導体レーザ素子の後方光を前記光導波路へ入射し、前記反射鏡で前記入射光を光路を変化させ、その出射光を前記ホトダイオード素子の受光部へ入射させるものであり、前記光導波路部材は前記半導体レーザ素子が設けられている前記基板上の部分と前記駆動素子が設けられている前記基板上の部分との間の前記基板上に設けられ、
前記半導体レーザ素子と前記駆動素子との間はワイヤボィングにより電気的に接続され、前記ホトダイオード素子と前記駆動素子との間はワイヤボィングにより電気的に接続されていることを特徴とする光送信器。
【請求項４】
前記半導体レーザ素子と前記ホトダイオード素子とは近接して設けられ、
前記光導波路部材は前記半導体レーザ素子の前記後方光を前記ホトダイオード素子の受光部へ入射させるためのものであることを特徴とする請求項３記載の光送信器。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光通信用の装置に関するものである。特に、本発明は、半導体レーザダイオード（ＬＤ）、ＬＤを駆動する集積回路（ＩＣ、駆動素子）、モニタ用フォトダイオード（ＰＤ）等を用いる送信用光モジュール、光送信器における部品の構成、配置方法、実装方法等に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、インターネット等の普及により通信回線への需要が急激に拡大し、これに対応して通信網の高速化・大容量化、光送信器等の伝送装置の小型化・高密度化が活発に推進されている。こうした流れを、たとえば伝送速度で具体的に見ると、数年前までは１Ｇｂ／ｓ以下であったものが、最近では２．５Ｇｂ／ｓから１０Ｇｂ／ｓへと１桁以上も高速化しつつある。そして、これに対応し、光送信器の主要部である光送信モジュールの個別部品の構成に関する最新の技術動向として、（１）半導体レーザを駆動する集積回路（ＩＣ、駆動素子）を同一筐体（パッケージ）内の半導体レーザの近傍に置き接続する、（２）高速電気信号用入力端子、ＩＣ、ＬＤ、光信号出力用光導波路または光ファイバーを同一方向に配置し接続する、等の方法が採用される傾向にある。この２つの技術傾向はひとえに１０Ｇｂ／ｓクラスの高速電気信号を効率良く外乱を防止してＬＤまで伝達し、これを光信号に変えて送出するための策である。では、ここで、最近の実例を見ていこう。
【０００３】
▲１▼神田淳、大木明、木村俊二、鈴木安弘「１０Ｇｂ／ｓ級小型ＤＦＢ−ＬＤモジュールの開発」電子情報通信学会、第５回集積光デバイス技術研究会資料、ＩＰＤ０２−２９（２００２．４）では、ＬＤとＩＣが同一筐体内の近接位置で接続され、信号入力端子、ＩＣ、ＬＤ、光ファイバーが同一軸上に並ぶ構造となっている。そして、この試作モジュールを用いて１０Ｇｂ／ｓ信号伝送実験を行い、誤り率１Ｅ−１２での最小受信感度が、４０ｋｍ伝送時でー１７ｄｍ以下という優れた結果を得ている。なお、この報告では、『あらまし』にモニタＰＤも搭載可能との記述があるが、本文にはモニタＰＤをどのように搭載可能であるかの記述は無い。
【０００４】
▲２▼加美伸治、杉本宝、美好一徳、小田三紀雄、田中敬、堂前巧、奥田哲朗、蔵田和彦「１０Ｇｂ／ｓ小型光電気集積実装プラットフォーム」２００２年電子情報通信学会総合大会、Ｃ−３−４２では、送信部と受信部を、同一の小型Ｓｉ基板上の隣接位置に配置し、送信部では、ＬＤと駆動用ＩＣがやはり近接位置で接続されている。この講演論文からだけでは明確ではないが、信号入力端子と光ファイバーは、当然、駆動用ＩＣとＬＤの各対向位置に配置されるものと推定される。この報告では、この実装基板を用いて送信器を設計試作し１０Ｇｂ／ｓ光信号観察を行い良好な結果を得ている。なお、この報告では、モニタＰＤに関する記述は無い。
【０００５】
▲３▼特開２００２−１５１７８２号「発光装置」では、光ファイバー、ＬＤ、ＩＣ、ＰＤを同一基板上にこの順に近接配置し接続している。この発明では、高速伝送のためにはＬＤとＩＣを近接して接続することが肝要で、かつ安定動作のためにはＬＤ光をモニタする必要があり、そのために、ＬＤの後方光がＩＣを迂回してＰＤに届くようしている。このために、ＩＣの基板下を空洞化する特殊構造を採用したり、Ｓｉベンチ上に導波路を形成し、その上にＩＣを置く構造とすることが記述されている。
【０００６】
▲４▼特開２００２−１６２５４１号「光半導体素子モジュール」では、同一筐体内にＬＤ、ＩＣ、ＰＤを近接して配置し、かつ信号入力端子、ＩＣ、ＬＤ、光ファイバーが同方向に並ぶ構造としている。この発明の特徴は、ＩＣとＬＤ間に鏡を設け、モニタ光を４５°方向に反射させてＰＤに導いていることである。
【０００７】
▲５▼宍倉正人、長妻一之、坂琢磨、徳田正秀、市川博一、井戸立身、高橋誠、長良高光、中原宏治、野本悦子、佐野博久「高速多チャンネルモジュール」２００２年電子情報通信学会総合大会、ＳＣ−４−６では、同一筐体内にＬＤ、ＩＣを近接して配置し、かつ信号入力端子、ＩＣ、ＬＤ、光ファイバーを同方向に並べている。この報告における特徴は、ＬＤを４個、ＩＣを１個、光導波路を４個用いて、４チャンネル動作を行い、各チャンネルとも▲１▼と同等の良好な１０Ｇｂ／ｓ動作特性を得ている点である。なお、本報告のモジュールでは、モニタ用ＰＤは使用していない。
【０００８】
以上を整理すると、▲１▼〜▲５▼のすべての実例で前記（１）の技術が採用されており、また（２）の技術が採用されているかまたは採用されるものと推定される。また、モニタ用ＰＤは上記実例の▲３▼と▲４▼で使用されている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の課題は、（ｉ）１０Ｇｂ／ｓクラスの高速伝送に適し、（ｉｉ）動作安定性が良好、（ｉｉｉ）放熱性が良好、かつ（ｉｖ）実装が容易な光送信器を提供することである。
【００１０】
この課題に対し、前記実例中では、求められる性能を同時に全て満足するものはない。すなわち、前記実例▲１▼および▲２▼では、モニタＰＤの実装方法が不明で、動作安定性が保障されていない。前記実例▲３▼では、ＬＤ、ＩＣ、ＰＤがこの順に一直線上に置かれ、ＬＤの後方光がＩＣを迂回してＰＤに届くように特殊な工夫しているため構造が複雑で実装が容易でない、ＰＤに入射する光量が不足しやすい、ＩＣとＬＤがＳｉベンチ上に近接して置かれているためＩＣの放熱性が悪く、ＩＣの発熱がＬＤに伝わりやすい等の難点がある。実例▲４▼では、同一のセラミック基板上にＬＤ、ＩＣ、ＰＤ、鏡またはプリズムを個別部品として配置するため、実装が困難で、また、▲３▼と同様ＩＣの放熱性が悪く、ＩＣの発熱がＬＤに伝わりやすい。また、鏡またはプリズムが個別部品として用意されるためサイズが小さくできず、ＬＤとＩＣの接続ワイヤが長くなりインダクタンスが増加して通過周波数帯域が狭くなり、１０Ｇｂ／ｓクラスの高速伝送は不可能となる。さらにまた、▲３▼と同様、ＬＤ−ＰＤ間距離が長く、ＰＤに入射する光量が不足し動作が不安定になりやすい。最後に、発明者らによる前記実例▲４▼では、モニタＰＤが用意されておらず、このままでは動作安定性に欠ける。
【００１１】
ここで、説明の都合上、発明者らが本発明を考案する前に考えた従来技術の組合せによる光送信モジュールの構成に関する仮想例を示し、その構成、特徴、問題点を述べる。そして、その後、その問題点をどのようなアイディアの導入により改善し、本発明に至ったかを述べることとする。図６に、（ａ）平面図、（ｂ）側面図として、この仮想例を図示する。なお、以降、本明細書においては同様の図示を行う。まず、その構成を述べる。図において、金属基板２１は、ここで示す全ての部品の土台となる熱伝導性の良好な金属である。（ｂ）図において金属基板２１の左側部分には段差を設けて、Ｓｉベンチ基板２２のはめ込みができるようにしている。Ｓｉベンチ基板２２の上面にはＳｉＯ２膜２３を介して、電極上にＬＤ１およびＰＤ２がパッシブアライメント技術を用いて搭載される。Ｓｉベンチ基板２２は金属基板１１の掘り込んだ部分に導電性接着剤などにより接着される。ここで、ＬＤ１、ＰＤ２はいずれも結晶基板上に素子を形成した後、その素子面を下にして搭載するエピダウンあるいはジャンクションダウンと呼ばれる向きで、電極面にハンダ等により搭載されることを想定している。また、金属基板２１の掘り込んでいない平坦部分には駆動用ＩＣ３と高周波線路配線９が施されたセラミック基板８が導電性接着剤等により接着される。なお、ここでは高周波線路配線９として、逆位相の２信号による差動信号入力動作方式を用いることを想定している。ＬＤ１の前方側の光出射方向には有機高分子樹脂等で作成された導波路（コア部）４および導波路用クラッド部５が配置され、信号光が送出される。ＩＣ３とＬＤ１、ＩＣ３とＰＤ２、ＩＣ３と高周波線路９はワイヤ１１で接続される。なお、図６にはＩＣを駆動するための電源、高周波電気信号を供給する電気端子、外部に光を取り出すための光ファイバ、収納容器等は図示していない。このことは本明細書の他の図において同様とする。
さて、ここではＰＤ２として、外形を極力小さくできる導波路型（端面入射型）フォトダイオードの使用を想定しているが、その大きさ（面積）について注意が必要である。一般に、導波路型ＰＤは面入射型ＰＤに比べ小さくできるが、電極パターン上に個別に運んで搭載するためには、最低でも２００μｍ×２００μｍ程度の表面積が必要である。実用上これより小さいものも作成不可能ではないが、ハンドリングが非常に困難で、作業性が極度に低下するので事実上採用できない。ここでは、ＬＤ１およびＰＤ２の大きさとして、２５０μｍ×２５０μｍ×１００μｍ（厚さ）のものを使用することを想定している。
【００１２】
つぎに、この仮想例の特徴を、課題に対する満足度の点から述べる。（ｉｉ）動作安定性は、ＬＤの後方の直近に位置を定めてＰＤを配置しモニタするので充分な電流信号が得られ、安定なフィードバック動作が可能なので、充分満足できる。（ｉｉｉ）放熱性は、ＩＣが直接熱伝導性の良い金属上に接着されているので良好で、これと分離されたＳｉテラス上にＬＤが置かれるので、ＬＤへの熱伝導も少なく良好である。（ｉｖ）ＬＤ、ＰＤは、フォトリソグラフィ技術により定められた位置に、赤外光等を用いてパッシブアライメント技術により精度良く搭載されるので高性能が得られ、再現性も良好である。以上、本仮想例が、４つの小課題のうち３つに対して、満足が得られることを述べた。最後に（ｉ）１０Ｇｂ／ｓクラスの高速伝送の可能性についてである。ここで、上記した導波路型ＰＤの大きさが問題となってくる。先にも、ＬＤとＩＣの接続ワイヤが長くなるとインダクタンスが増加してしまうことを述べたが、このワイヤの長さの程度は非常に厳しく、１０Ｇｂ／ｓクラスの伝送速度の場合、概ね５００μｍ未満若しくはそれよりも十分小さな値としなければならないことを発明者らは、先に示した実例▲５▼の組立時に、実験的に確認した。上で述べた通り、ＬＤとＩＣを結ぶ線上で、ＰＤは２００μｍ以上となるので、これにＰＤとＩＣ間の間隙、ＬＤおよびＩＣ上でのボンディングワイヤ圧着ボールの面積、およびワイヤのたわみを総合すると、この構造の場合、ワイヤの長さは５００μｍ以上となり、１０Ｇｂ／ｓクラスの伝送には不適当となってしまう。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
本発明のキーポイントは作成が容易な鏡と光導波路からなる微小サイズの反射器付き光導波路の利用である。微小サイズの反射器付き光導波路は、たとえば有機高分子樹脂の内部に光導波路を形成し、その外形を精密加工して反射面とする等の方法によって得られる。鏡と光導波路が一体成形でき、ＬＤの後方光を低損失のままＰＤに導波できるので、高感度で安定なモニタ動作ができる。ここで、微小サイズとは、ＬＤ―ＩＣ方向の長さが２００μｍ程度以下であることを想定している。先の仮想例では、ＬＤ―ＩＣ間のボンディングワイヤ長が５００μｍ以上となって１０Ｇｂ／ｓクラスの伝送が不可能であることを述べたが、本発明の微小な反射器付き光導波路の導入により、ＬＤ―ＩＣ間のボンディングワイヤ長を５００μｍ未満若しくはそれよりも十分小さな値とすることができ、１０Ｇｂ／ｓクラスの伝送が可能となる。
【００１４】
【発明の実施の形態】
（実施例１）
本発明の第１の実施例を図１に図示する。まず、その構成を述べる。本実施例（図１）を、先の仮想例（図６）と比較すると、その特徴が明らかとなる。すなわち、図６では、ＬＤ１の後方光出射位置にＰＤ２が近接して配置されたが、図１では、この位置に反射器付き光導波路１４が配置され、ＰＤ２はＬＤ１の下方向に移動して配置されている。ここで、反射器付き光導波路１４の左右方法長さはわずか１００μｍである。本実施例の反射器付き光導波路１４は導波路１２と２つの反射器１３から成っている。その他の構成については、先の仮想例（図６）と全く同一である。
つぎに、改めて本実施例の作成手順を述べる。ＳｉＯ２層２３付きＳｉベンチ基板２２上にチタン−白金−金の電極膜を真空蒸着し、ＬＤ１、ＰＤ２を搭載するための電極パターンをフォトリソグラフィ、エッチング技術を用いて形成する。つぎに、有機高分子樹脂の第１の層をスピンナにより塗布して光導波路の下部クラッド層を形成する。ついで、有機高分子樹脂の第２の層をスピンナにより塗布して光導波路のコア層を形成する。そして、フォトリソグラフィとドライエッチングによりコア層を所定の導波路パターンに加工する。その上に、同様に有機高分子樹脂の第３の層をスピンナにより塗布して光導波路の上部クラッド層を形成する。そして、エッチングにより、前方光用光導波路４とその上を覆うクラッド部５、後方光用光導波路１２を含む反射器付き光導波路１４部分を形成する。このエッチング時反射器１３が出来上がる。次に、ＬＤ１、ＰＤ２の電極パターン上に、前方光用および後方光用光導波路との光結合が最適に成るよう厚みを制御した金−錫ハンダパターンをリフトオフによって形成する。引き続き、所定位置にＬＤ１およびＰＤ２を、赤外線カメラを用いて、ジャンクションダウンでパッシブアライメント搭載する。ここで、用いたＬＤ１はＩｎＧａＡｌＡｓ系のリッジ構造の直接変調型、用いたＰＤ２はＩｎＧａＡｓＰ系の導波路型、また用いたＩＣ３はＳｉＧｅ系である。ＬＤ１およびＰＤ２の大きさは、ともに２５０μｍ×２５０μｍ×１００μｍ（厚さ）である。また、使用したＬＤ１の光反射率の前方、後方比は９０：１０である。つぎに、得られた部品付きＳｉベンチ基板２２を銅タングステンから成る金属基板２１の掘り込んだ部分に銀エポキシ樹脂で接着する。一方、ＩＣ３を金属基板１１の平坦部分の端部にはＩＣ３を、そのすぐ隣にあらかじめ高周波線路配線９を施したアルミナ製セラミック基板８をやはり銀エポキシ樹脂を用いて接着する。そして、各素子を結ぶ金線ワイヤをボンディングし図１の構造の光送信器主要部を得る。このとき、ＬＤ１とＩＣ３を結んだボンディングワイヤの最大長は４５０μｍであった。
次にその動作について述べる。２つの高周波線路配線９からＩＣ電極パッド１０を介して供給された高周波電気信号はＩＣ３で演算処理されて反対側の電極パッド１０を介してＬＤ１に導かれる。高周波電気信号はＬＤ１で高周波光信号に変換され、大部分は前方光として光導波路４から外部に放出され、情報伝達に用いられる。一方、ＬＤ１から出射された後方光は光導波路１２に入射後、後方光に対し４５°に設定された２個の反射器１３で２度方向を変え、ＬＤ１の真横に置かれた導波路型ＰＤ２に導かれてその光量がモニタされる。そして、そのモニタ結果はＩＣ３にフィードバックされてＬＤの直流バイアスを制御され、動作が安定に保たれる。
そして、作成した光送信器を用いて実際に１０Ｇｂ／ｓ信号伝送実験を行った。その結果、誤り率１Ｅ−１２での最小受信感度が１ｋｍ伝送時、ー１７．５ｄｍという良好な結果を得た。
（実施例２）
本発明の第２の実施例を図２に図示する。本実施例における特徴は、鏡が１個の反射器付き光導波路を用いたことと前方光用光導波路は用いずＳｉベンチ基板２２上にＶ溝加工を施しここに光ファイバを固定したことである。図２でその構成を確認願いたい。図１で用いた２個の反射器を有する反射器付き導波路の代わりに、より小さな、１個の反射器を有する反射器付き導波路１４を用いた。ここでは、反射器１３とＬＤ１の後方光のなす角を５５°に設定した。反射器付き光導波路１４のＬＤ−ＩＣ方向に占める長さは実施例１と同様、１００μｍである。また、前方光の取り出しには、Ｓｉベンチ基板２２上にＶ溝加工を施し、光ファイバを接着固定して取り出す方式を採用した。他の構成は実施例と同様である。
つぎに、この実施例の作成手順を述べる。Ｓｉベンチ用基板２２に異方性のウエットエッチングを用いて光ファイバアライメント用Ｖ溝１５を形成した後、基板表面に熱処理によりＳｉＯ２層２３を設ける。このＳｉＯ２層上にチタン−白金−金の電極膜を真空蒸着し、ＬＤ１、ＰＤ２の電極用パターンをフォトリソグラフィ、トエッチング技術を用いて形成する。つぎに、実施例１と同様、有機高分子樹脂の光導波路下部クラッド層を、ついでコア層をスピンナ等で塗布する。そして、フォトリソグラフィとエッチングにより、光導波路部分を形成する。その上に、有機高分子樹脂の光導波路上部クラッド層をスピンナ塗布する。そして、不要部分をエッチングにより除去するとともに反射器１３を形成する。以下は実施例１と同様の手順で組立を進め、最後に、Ｓｉベンチ基板２２上のＶ溝１５に光ファイバ１６を位置決めし、接着固定する。
図２を主要部とする光送信器では、光ＬＤ１の後方光は光導波路１２に入射後、反射器１３で反射されて、再び導波路１２中を進み、光導波路を出てから、ＬＤ１の横に斜め７０°に置かれた導波路型ＰＤ２に導かれる。一方、光ＬＤ１の前方光は、ＬＤ１の前方光出射側の近接位置に設置された光ファイバに直接導かれ情報信号として遠方まで伝送される。そして、実際に作成した光送信器を用いて実施例１と同等な良好な結果を得た。
（実施例３）
本発明の第３の実施例を図３に図示する。本実施例における特徴はフォトダイオードとして面入射型フォトダイオード１８を用いたことである。Ｓｉベンチ基板２２のＩＣ３側と反対側の側面に、面入射型フォトダイオード１８が垂直に接着されている。面入射型フォトダイオード１８は古くから使用されている形状のフォトダイオードで受光面積が大きいので光軸合わせが比較的容易である特徴がある。導波路型フォトダイオード２が入手困難であるとき等に使用できる。また、面入射型フォトダイオード１５の表裏面にはＰＤ用電極パッド７として金属ブロック７があらかじめ接着されている。本実施例における反射器付き光導波路１４は実施例１の光出射部の光導波路を面入射型フォトダイオード１８が接着されている側面まで延長した構造となる。
【００１５】
本実施例の作成方法は、実施例１とほぼ同様である。異なる点は
導波路型ＰＤ２を使用しないのでその搭載用電極パターンが無く、面入射型フォトダイオード１８を装着する工程が附加される点である。面入射型フォトダイオード１８は、実施例１と同様の作成工程を経た後、最後に、Ｓｉベンチ基板２２のＩＣ３側と反対側の側面に垂直に接着し、ＰＤ用電極パッド７とＩＣ３の電極パッド１０をワイヤ１１で結んで組み立てを終了する。なお、ＬＤ１とＩＣ３を結んだボンディングワイヤの最大長は、実施例１と同様４５０μｍであった。
ＬＤ１から出た後方光は、実施例１と同様、光導波路１２に入射後、後方光に対し４５°に設定された２個の反射器１３で２度方向を変え、光導波路１２中をＰＤ１８まで導かれる。実施例１に比べ、光導波路１２中を長距離伝播するが、伝播損失は小さく問題とはならない。本実施例においても、本実施例１、本実施例２と同等の伝送実験結果が得られた。
（実施例４）
本発明の第４の実施例を図４に図示する。ここでの特徴は、光送信器が高湿度環境下に置かれて使用されても長時間動作出来るようにＬＤ１およびＰＤ２を含む領域に樹脂ポッティングを施したことである。元となる構造は、実施例１と同様である。ポッティングを施すに際し注意すべきことがある。それは、反射器付き光導波路の反射器がポッティング用樹脂で覆われても反射率が落ちないように注意することである。特に、反射器付き光導波路を有機高分子材料などで作成するときにはこの対策が必要である。ここでは、反射器付き光導波路用に有機高分子材料を用いたので、その反射面１３にあらかじめアルミ金属膜を真空蒸着して対応した。反射器への金属膜の真空蒸着は、実施例１と同様の作成工程を進め、部品付きＳｉベンチ基板２２を金属基板２１の掘り込んだ部分に接着する前に行った。ポッティング用樹脂には２液型熱硬化性シリコーン樹脂１７を用いた。良く攪拌し予備脱泡した樹脂をシリンジにつめ、組み立てが終了した図１の構造のモジュールにポッティングし、脱泡処理、熱処理を行って、図４の構造を得た。発明者らはポッティング処理を行った送信および受信光モジュールが高湿度環境下で長時間動作できることをすでに実験的に確認しており、本実施例の光送信器でも同様の効果を持つことが予想される。また、伝送特性は実施例１とほとんど同等であった。
（実施例５）
本発明の第５の実施例を図５に図示する。ここでの特徴は、実施例１で述べた構造をＳｉベンチ上に、４個並べ複数チャンネルとしたことである。先に、従来例として▲５▼を挙げたが、その例のＬＤとＩＣの狭い空隙に反射器付き光導波路を形成したことに相当する。使用したＬＤ１およびＰＤ２の大きさは、これまで同様、ともに２５０μｍ×２５０μｍ×１００μｍ（厚さ）である。
ＬＤ１−ＬＤ１のピッチは▲５▼と同様、１ｍｍである。前方光用導波路４は末端で２５０μｍピッチとなり、リボン光ファイバとガラスブロックを介し接着される。本実施例の作成手順は、サイズは大きいが実施例１と全く同様なので省略する。また、その動作性能については、▲５▼で公表されているものと同等で、良好であり、さらにＰＤ２を用いたフィードバック動作により安定性が向上したことを実験的に確認した。
付記：
１．半導体レーザの前方光を情報伝達の手段に用いる光送信器において、該半導体レーザの後方光の出射方向近接位置に、該半導体レーザを駆動するための集積回路を配置し、該半導体レーザと該集積回路の間の該半導体レーザが搭載された基板上に、鏡と光導波路からなる微小サイズの反射器付き光導波路を設けて該半導体レーザの後方光を該基板上または基板側面方向に設けたフォトダイオードに導いてモニタすることを特徴とする光送信器。
２．反射器付き光導波路用材料として有機高分子樹脂を用いることを特徴とする付記１に記載の光送信器。
３．半導体レーザの前方光の出射方向にも、反射器付き光導波路と同一の有機高分子樹脂材料からなる光導波路が設けられたことを特徴とする付記２に記載の光送信器。
４．基板上に有機高分子樹脂を塗布して前方光用光導波路パターンおよび後方光用反射器付き光導波路パターンを形成し、該前方光用光導波路パターンと該後方光用反射器付き光導波路パターンの間の該有機高分子樹脂を除去した部分に、該半導体レーザおよび導波路型フォトダイオードを搭載したことを特徴とする付記３に記載の光送信器。
５．反射器付き光導波路の該半導体レーザ後方光の出射方向最大長が２００μｍ以内であることを特徴とする付記１〜４に記載の光送信器。
６．モニタ用フォトダイオードとして導波路型フォトダイオードを用いることを特徴とする付記１〜付記５に記載の光送信器。
７．集積回路が金属基板に接着されて配置されることを特徴とする付記１〜付記６に記載の光送信器。
８．複数の半導体レーザおよびフォトダイオードを同一基板上に隣接して複数個搭載し、複数チャネルの情報送信を可能とする付記１〜７に記載の光送信機。
９．後方光を受光したフォトダイオードの出力信号をもとに、半導体レーザの動作状態を一定に保つフィードバック手段を有する付記１〜８に記載の光送信機。
【００１６】
【発明の効果】本発明の実施例により、１０Ｇｂ／ｓクラスの高速伝送に適し、動作安定性、放熱性が良好で、かつ実装が容易な光送信器を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は、本願発明の実施例１の構成を説明するための平面図（ａ）および側面図（ｂ）である。
【図２】図２は、本願発明の実施例２の構成を説明するための平面図（ａ）および側面図（ｂ）である。
【図３】図３は、本願発明の実施例３の構成を説明するための平面図（ａ）および側面図（ｂ）である。
【図４】図４は、本願発明の実施例４の構成を説明するための平面図（ａ）および側面図（ｂ）である。
【図５】図５は、本願発明の実施例５の構成を説明するための平面図（ａ）および側面図（ｂ）である。
【図６】図６は、本願発明の［発明が解決しようとする課題］の中で述べた従来技術の組合せから考えた仮想例の構成を説明するための平面図（ａ）および側面図（ｂ）である。
【符号の説明】
１　ＬＤ
２　導波路型ＰＤ
３　ＩＣ
４　ＬＤ前方光用光導波路（コア部）
５　ＬＤ前方光用光導波路（クラッド部）
６　ＬＤ用電極パッド
７　ＰＤ用電極パッド
８　セラミック基板
９　高周波線路配線
１０　ＩＣ電極パッド
１１　接続ワイヤ
１２　光導波路
１３　反射器
１４　反射器付き光導波路
１５　Ｖ溝
１６　光ファイバ
１７　シリコーン樹脂
１８　面入射型ＰＤ
２１　金属基板
２２　Ｓｉベンチ基板
２３　ＳｉＯ２層。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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