(57)【要約】【課題】セグメント基板の内面側に反射層が設けられた反射型の液晶表示装置において、散乱反射特性を均一とし、且つ、コントラストが低下しないようにする。【解決手段】セグメント基板１の上面に島状に設けられた多数の反射層２は、セグメント電極５のコモン電極１５との重合部となる画素形成領域と同じサイズで当該画素形成領域に対応する位置に配置されている。これにより、セグメント電極５の画素形成領域間の非画素形成領域で反射層２による外光の反射は生ぜず、したがってコントラストが低下しないようにすることができる。また、反射層２を含むセグメント基板１の上面には傾斜面付スルーホール４を有する絶縁膜３が設けられ、その上面にはセグメント電極５が傾斜面付スルーホール４を含む絶縁膜３の凸凹表面に追従して凸凹状に形成されている。この場合、傾斜面付スルーホール４の深さは、絶縁膜３の膜厚となり、均一となる。これにより、散乱反射特性を均一とすることができる。【選択図】　　　　図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
相対向して配置された２枚の基板のうちの表示面側とは反対側の基板の内面に島状の反射層、該反射層に対応する部分に傾斜面付スルーホールを有する絶縁膜および透明な導電材料からなる画素電極がこの順で設けられ、前記画素電極は前記傾斜面付スルーホールを含む前記絶縁膜の凸凹表面に追従して凸凹状に形成されていることを特徴とする表示装置。
【請求項２】
請求項１に記載の発明において、前記画素電極はストライプ状に配置され、前記反射層は前記画素電極の画素形成領域と重合する位置に配置されていることを特徴とする表示装置。
【請求項３】
請求項２に記載の発明において、前記反射層は前記画素電極の画素形成領域よりも小面積に形成されていることを特徴とする表示装置。
【請求項４】
請求項１に記載の発明において、前記画素電極はマトリクス状に配置されていることを特徴とする表示装置。
【請求項５】
請求項４に記載の発明において、前記反射層は前記画素電極よりも小面積に形成されていることを特徴とする表示装置。
【請求項６】
請求項３または５に記載の発明において、前記反射層は不透光性材料によりべた状に形成されていることを特徴とする表示装置。
【請求項７】
請求項３または５に記載の発明において、前記反射層は不透光性材料により模様状または離散状に形成されていることを特徴とする表示装置。
【請求項８】
請求項４に記載の発明において、前記画素電極にスイッチング素子が接続され、前記反射層は前記スイッチング素子を構成する電極のいずれかと同一の平面上に該電極と同一の材料によって形成されて設けられていることを特徴とする表示装置。
【請求項９】
相対向して配置される２枚の基板のうちの表示面側とは反対側の基板の内面に反射層を島状に形成する工程と、前記反射層を含む前記反対側の基板の内面に絶縁膜を前記反射層に対応する部分に傾斜面付スルーホールを有するように形成する工程と、少なくとも前記反射層と重合する部分における前記傾斜面付スルーホールを含む前記絶縁膜上に透明な導電材料からなる画素電極を前記傾斜面付スルーホールを含む前記絶縁膜の凸凹表面に追従させて凸凹状に形成する工程とを有することを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項９に記載の発明において、前記画素電極をストライプ状に形成し、且つ、前記反射層を前記画素電極の画素形成領域と重合する位置に形成することを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項１０に記載の発明において、前記反射層を前記画素電極の画素形成領域よりも小面積に形成することを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項９に記載の発明において、前記画素電極をマトリクス状に形成することを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項１３】
請求項１２に記載の発明において、前記反射層を前記画素電極よりも小面積に形成することを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項１４】
請求項１１または１３に記載の発明において、前記反射層を不透光性材料によりべた状に形成することを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項１５】
請求項１１または１３に記載の発明において、前記反射層を不透光性材料により模様状または離散状に形成することを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項１６】
請求項１２に記載の発明において、前記反射層を、前記画素電極に接続されるスイッチング素子を構成するいずれかの電極の形成と同時に該電極と同一の材料によって形成することを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項１７】
請求項１６に記載の発明において、前記反射層と同時に形成する前記電極の表面に陽極酸化を施すことを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項１８】
請求項１６に記載の発明において、前記電極および前記反射層の形成工程は、金属膜を成膜する工程と、該金属膜をフォトリソグラフィ法によりパターニングすることにより、電極を含む配線、および反射層を形成する工程とを含むことを特徴とする表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は表示装置およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来の反射型の液晶表示装置には、２枚の基板間に液晶が封入され、２枚の基板のうちの表示面側とは反対側の基板の内面に表面が凸凹な下地層が設けられ、下地層上に反射層が下地層の凸凹表面に追従して凸凹状に設けられ、反射層上に絶縁膜を介して画素電極が設けられたものがある。この場合、液晶表示装置の表示面側から入射された外光は画素電極を透過して反射層の凸凹表面で散乱反射され、この散乱反射光は画素電極を透過して液晶表示装置の表示面側から出射される。このように、液晶表示装置の表示面側から散乱反射光を出射されるのは、拡散板を有していなくても、鏡面反射を防止し、視認性に優れたペーパーホワイト色を得るためである。
【０００３】
また、他の従来の反射型の液晶表示装置として、２枚の基板間に液晶が封入され、２枚の基板のうちの表示面側とは反対側の基板の内面に表面が凸凹な下地層が設けられ、下地層上に反射兼画素電極が下地層の凸凹表面に追従して凸凹状に設けられたものがある。この場合、液晶表示装置の表示面側から入射された外光は反射兼画素電極の凸凹表面で散乱反射され、この散乱反射光は液晶表示装置の表示面側から出射される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、上記従来の液晶表示装置では、凸凹な表面を有する下地層を得るために、前記反対側の基板の内面に塗布された感光性樹脂層の表面にフォトリソグラフィ法により凸凹を形成しているので、下地層の表面の凹部の深さを均一にしがたく、このためその上に形成される反射層または反射兼画素電極の凸凹表面にばらつきが生じ、散乱反射特性がばらついてしまうという問題があった。
【０００５】
また、上記従来の液晶表示装置のうち、反射兼画素電極を備えた液晶表示装置では、特に、単純マトリクス型の場合、セグメント電極としての反射兼画素電極がストライプ状となるため、このストライプ状の反射兼画素電極のコモン電極との重合部となる画素形成領域の間の非画素形成領域で少なくとも反射現象が生じ、コントラストが低下してしまうという問題があった。
【０００６】
そこで、この発明は、散乱反射特性を均一とすることができ、且つ、コントラストが低下しないようにすることができる表示装置およびその製造方法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
請求項１に記載の発明に係る表示装置は、相対向して配置された２枚の基板のうちの表示面側とは反対側の基板の内面に島状の反射層、該反射層に対応する部分に傾斜面付スルーホールを有する絶縁膜および透明な導電材料からなる画素電極がこの順で設けられ、前記画素電極は前記傾斜面付スルーホールを含む前記絶縁膜の凸凹表面に追従して凸凹状に形成されていることを特徴とするものである。
請求項２に記載の発明に係る表示装置は、請求項１に記載の発明において、前記画素電極はストライプ状に配置され、前記反射層は前記画素電極の画素形成領域と重合する位置に配置されていることを特徴とするものである。
請求項３に記載の発明に係る表示装置は、請求項２に記載の発明において、前記反射層は前記画素電極の画素形成領域よりも小面積に形成されていることを特徴とするものである。
請求項４に記載の発明に係る表示装置は、請求項１に記載の発明において、前記画素電極はマトリクス状に配置されていることを特徴とするものである。
請求項５に記載の発明に係る表示装置は、請求項４に記載の発明において、前記反射層は前記画素電極よりも小面積に形成されていることを特徴とするものである。
請求項６に記載の発明に係る表示装置は、請求項３または５に記載の発明において、前記反射層は不透光性材料によりべた状に形成されていることを特徴とするものである。
請求項７に記載の発明に係る表示装置は、請求項３または５に記載の発明において、前記反射層は不透光性材料により模様状または離散状に形成されていることを特徴とするものである。
請求項８に記載の発明に係る表示装置は、請求項４に記載の発明において、前記画素電極にスイッチング素子が接続され、前記反射層は前記スイッチング素子を構成する電極のいずれかと同一の平面上に該電極と同一の材料によって形成されて設けられていることを特徴とするものである。
請求項９に記載の発明に係る表示装置の製造方法は、相対向して配置される２枚の基板のうちの表示面側とは反対側の基板の内面に反射層を島状に形成する工程と、前記反射層を含む前記反対側の基板の内面に絶縁膜を前記反射層に対応する部分に傾斜面付スルーホールを有するように形成する工程と、少なくとも前記反射層と重合する部分における前記傾斜面付スルーホールを含む前記絶縁膜上に透明な導電材料からなる画素電極を前記傾斜面付スルーホールを含む前記絶縁膜の凸凹表面に追従させて凸凹状に形成する工程とを有することを特徴とするものである。
請求項１０に記載の発明に係る表示装置の製造方法は、請求項９に記載の発明において、前記画素電極をストライプ状に形成し、且つ、前記反射層を前記画素電極の画素形成領域と重合する位置に形成することを特徴とするものである。
請求項１１に記載の発明に係る表示装置の製造方法は、請求項１０に記載の発明において、前記反射層を前記画素電極の画素形成領域よりも小面積に形成することを特徴とするものである。
請求項１２に記載の発明に係る表示装置の製造方法は、請求項９に記載の発明において、前記画素電極をマトリクス状に形成することを特徴とするものである。
請求項１３に記載の発明に係る表示装置の製造方法は、請求項１２に記載の発明において、前記反射層を前記画素電極よりも小面積に形成することを特徴とするものである。
請求項１４に記載の発明に係る表示装置の製造方法は、請求項１１または１３に記載の発明において、前記反射層を不透光性材料によりべた状に形成することを特徴とするものである。
請求項１５に記載の発明に係る表示装置の製造方法は、請求項１１または１３に記載の発明において、前記反射層を不透光性材料により模様状または離散状に形成することを特徴とするものである。
請求項１６に記載の発明に係る表示装置の製造方法は、請求項１２に記載の発明において、前記反射層を、前記画素電極に接続されるスイッチング素子を構成するいずれかの電極の形成と同時に該電極と同一の材料によって形成することを特徴とするものである。
請求項１７に記載の発明に係る表示装置の製造方法は、請求項１６に記載の発明において、前記反射層と同時に形成する前記電極の表面に陽極酸化を施すことを特徴とするものである。
請求項１８に記載の発明に係る表示装置の製造方法は、請求項１６に記載の発明において、前記電極および前記反射層の形成工程は、金属膜を成膜する工程と、該金属膜をフォトリソグラフィ法によりパターニングすることにより、電極を含む配線、および反射層を形成する工程とを含むことを特徴とするものである。
そして、この発明によれば、反射層を含む反対側の基板の内面に絶縁膜を反射層に対応する部分に傾斜面付スルーホールを有するように形成しているので、反射層上の絶縁膜に形成される傾斜面付スルーホールの深さが絶縁膜の膜厚となり、したがって絶縁膜に形成される傾斜面付スルーホールの深さを均一とすることができ、ひいては散乱反射特性を均一とすることができる。また、反射層を島状とし、その上に画素電極を形成しているので、画素電極がストライブ状であっても、反射層をストライプ状の画素電極の画素形成領域と重合する位置に配置すれば、ストライプ状の画素電極の画素形成領域間の非画素形成領域での反射層による外光の反射は生ぜず、したがってコントラストが低下しないようにすることができる。
【０００８】
【発明の実施の形態】
（第１実施形態）
図１はこの発明の第１実施形態としての単純マトリクス型で反射型の液晶表示装置の要部の断面図を示し、図２はそのうちのセグメント電極、コモン電極および反射層の透過平面図を示したものである。この液晶表示装置は、ガラス基板などからなるセグメント基板１およびコモン基板１１を備えている。
【０００９】
セグメント基板１の上面（コモン基板１１と対向する側の内面）の各所定の箇所には、図２において斜線（ハッチング）で示すように、アルミニウムやアルミニウム合金などのアルミニウム系金属や銀などの高反射性材料からなる多数の反射層２が島状に設けられている。この場合、反射層２は、後述するセグメント電極５のコモン電極１５との重合部となる画素形成領域５ａと同じサイズで当該画素形成領域５ａに対応する位置に配置されている。
【００１０】
反射層２を含むセグメント基板１の上面には窒化シリコン、酸化シリコン、透明な感光性樹脂などからなる絶縁膜３が設けられている。この場合、絶縁膜３の各反射層２に対応する部分には、上側から下側に向かうに従って漸次幅狭となる複数の傾斜面付スルーホール４が設けられている。したがって、反射層２上において、傾斜面付スルーホール４を含む絶縁膜３の表面は凸凹となっている。
【００１１】
傾斜面付スルーホール４を含む絶縁膜３の上面の各所定の箇所にはＩＴＯやＩＺＯなどの透明導電材料からなる複数のセグメント電極（画素電極）５が図２において列方向に延びて設けられている。この場合、各セグメント電極５は、それぞれ対応する複数ずつの反射層２上に配置され、傾斜面付スルーホール４を含む絶縁膜３の凸凹表面に追従して凸凹状に形成されている。セグメント電極５を含む絶縁膜３の上面には配向膜６が設けられている。
【００１２】
一方、コモン基板１１の下面（セグメント基板１と対向する側の内面）には、樹脂からなるブラックマスク１２および赤、緑、青のカラーフィルタ１３が設けられている。ブラックマスク１２およびカラーフィルタ１３の下面にはポリイミドなどからなる平坦化膜１４が設けられている。平坦化膜１４の下面の各所定の箇所にはＩＴＯやＩＺＯなどの透明導電材料からなる複数のコモン電極１５が図２において行方向に延びて設けられている。コモン電極１５を含む平坦化膜１４の下面には配向膜１６が設けられている。
【００１３】
そして、セグメント基板１とコモン基板１１とはシール材（図示せず）を介して互いに貼り合わされている。シール材の内側における両基板１、１１の配向膜６、１６間には液晶１７が封入されている。コモン基板１１の上面には位相差板１８が貼り付けられ、その上面には偏光板１９が貼り付けられている。
【００１４】
そして、この反射型の液晶表示装置では、コモン基板１１上の偏光板１９の上面側（表示面側）から入射された外光が偏光板１９、位相差板１８、コモン基板１１、カラーフィルタ１３、平坦化膜１４、コモン電極１５、配向膜１６、液晶１７、配向膜６、セグメント電極５および絶縁膜３を透過して反射層２で反射され、この反射光が上記とは逆の光路を経てコモン基板１１上の偏光板１９の上面側に出射され、これにより表示を行う。
【００１５】
この場合、セグメント基板１の上面に設けられた反射層２は平坦であるため、文字通り光反射機能しか有していない。しかし、セグメント電極５は傾斜面付スルーホール４を含む絶縁膜３の凸凹表面に追従して凸凹状に形成されているため、この部分で光散乱機能が発揮される。したがって、全体として、外光を散乱反射させることができる。
【００１６】
また、図２において斜線（ハッチング）で示すように、反射層２はセグメント電極５のコモン電極１５との重合部となる画素形成領域５ａに対応する位置に配置されているので、セグメント電極５の画素形成領域５ａ間の非画素形成領域５ｂで反射層２による外光の反射は生ぜず、したがってコントラストが低下しないようにすることができる。
【００１７】
次に、図１に示す液晶表示装置のセグメント基板１側の製造方法の一例について説明する。まず、図３（Ａ）に示すように、セグメント基板１の上面に、スパッタ法により成膜されたアルミニウム系金属膜などをフォトリソグラフィ法によりパターニングすることにより、反射層２を形成する。次に、反射層２を含むセグメント基板１の上面にＣＶＤ法などにより絶縁膜３を成膜する。次に、絶縁膜３の上面に所定のレジストパターン２１を形成する。
【００１８】
次に、図３（Ｂ）に示すように、レジストパターン２１をマスクとして絶縁膜３をウェットエッチングすると、エッチングが等方的に進行することにより、反射層２上の絶縁膜４に傾斜面付スルーホール４が形成される。この場合、反射層２上の絶縁膜４に形成される傾斜面付スルーホール４の深さは絶縁膜３の膜厚となり、したがって絶縁膜３に形成される傾斜面付スルーホール４の深さを均一とすることができ、ひいては散乱反射特性を均一とすることができる。この後、レジストパターン２１を剥離する。
【００１９】
次に、図１に示すように、傾斜面付スルーホール４内を含む絶縁膜３の上面に、スパッタ法により成膜されたＩＴＯ膜などをフォトリソグラフィ法によりパターニングすることにより、セグメント電極５を形成する。この場合、セグメント電極５は傾斜面付スルーホール４を含む絶縁膜３の凸凹な表面に沿うように形成され、その表面は傾斜面付スルーホール４を含む絶縁膜３の凸凹な表面に追従したそれとほぼ同じ大きさの凸凹な面となる。次に、セグメント電極５を含む絶縁膜３の上面に配向膜６を形成する。かくして、図１に示すセグメント基板１側が得られる。
【００２０】
（第２実施形態）
図４はこの発明の第２実施形態としてのアクティブマトリクス型で反射型の液晶表示装置の要部の断面図を示し、図５はそのうちの薄膜トランジスタ基板側の透過平面図を示したものである。この場合、図４は図５のＸ−Ｘ線に沿う部分に相当する断面図である。この液晶表示装置は、ガラス基板などからなる薄膜トランジスタ基板３１および対向基板６１を備えている。
【００２１】
薄膜トランジスタ基板３１の上面（対向基板６１と対向する側の内面）側には、マトリクス状に配置された複数の画素電極３２と、これらの画素電極３２にそれぞれ接続された複数の薄膜トランジスタ３３と、行方向に配置され、薄膜トランジスタ３３に走査信号を供給する複数の走査ライン３４と、列方向に配置され、薄膜トランジスタ３３にデータ信号を供給する複数のデータライン３５と、行方向に配置され、各画素電極３２と重合する部分で補助容量部を形成する複数の補助容量ライン３６と、画素電極３２よりもやや小さめで全体的に各画素電極３２と重合する位置に配置された複数の反射層３７とが設けられている。
【００２２】
すなわち、薄膜トランジスタ基板３１の上面の各所定の箇所には、アルミニウム系金属や銀などの高反射性材料からなるゲート電極３８を含む走査ライン３４、補助容量ライン３６および反射層３７が設けられている。この場合、ゲート電極３８を含む走査ライン３４の表面および補助容量ライン３６の表面にはそれぞれ陽極酸化膜３９、４０が設けられているが、反射層３７の表面には陽極酸化膜は設けられていない。
【００２３】
ゲート電極３８などを含む薄膜トランジスタ基板３１の上面には窒化シリコン、酸化シリコン、透明な感光性樹脂などからなるゲート絶縁膜４１が設けられている。この場合、ゲート絶縁膜４１の各反射層３７に対応する部分には、上側から下側に向かうに従って漸次幅狭となる複数の傾斜面付スルーホール４２が設けられている。したがって、反射層３７上において、傾斜面付スルーホール４２を含むゲート絶縁膜４１の表面は凸凹となっている。
【００２４】
ゲート電極３８上におけるゲート絶縁膜４１の上面の所定の箇所には真性アモルファスシリコンからなる半導体薄膜４３が設けられている。半導体薄膜４３の上面の所定の箇所には窒化シリコンからなるチャネル保護膜４４が設けられている。チャネル保護膜４４の上面両側およびその両側における半導体薄膜４３の上面にはｎ型アモルファスシリコンからなるオーミックコンタクト層４５、４６が設けられている。
【００２５】
一方のオーミックコンタクト層４５の上面にはアルミニウム系金属からなるソース電極４７が設けられている。他方のオーミックコンタクト層４６の上面およびゲート絶縁膜４１の上面の所定の箇所にはアルミニウム系金属からなるドレイン電極４８を含むデータライン３５が設けられている。
【００２６】
そして、ゲート電極３８、陽極酸化膜３９、ゲート絶縁膜４１、半導体薄膜４３、チャネル保護膜４４、オーミックコンタクト層４５、４６、ソース電極４７およびドレイン電極４８により、薄膜トランジスタ３３が構成されている。
【００２７】
薄膜トランジスタ３３を含むゲート絶縁膜４１の上面には窒化シリコンからなるオーバーコート膜４９が設けられている。この場合、反射層３７上におけるオーバーコート膜４９は、傾斜面付スルーホール４２を含むゲート絶縁膜４１の凸凹表面に追従して凸凹状に形成されている。オーバーコート膜４９のソース電極４７の所定の箇所に対応する部分にはコンタクトホール５０が設けられている。
【００２８】
オーバーコート膜４９の上面の所定の箇所にはＩＴＯやＩＺＯなどの透明導電材料からなる画素電極３２がコンタクトホール５０を介してソース電極４７に接続されて設けられている。この場合、画素電極３２は、反射層３７の全体を覆うように配置され、反射層３７上において、オーバーコート膜４９の凸凹表面つまり傾斜面付スルーホール４２を含むゲート絶縁膜４１の凸凹表面に追従して凸凹状に形成されている。画素電極３２を含むオーバーコート膜４９の上面には配向膜５１が設けられている。
【００２９】
一方、対向基板６１の下面（薄膜トランジスタ基板３１と対向する側の内面）にはクロムなどの不透光性材料からなるブラックマスク６２および樹脂からなる赤、緑、青のカラーフィルタ６３が設けられている。ブラックマスク６２およびカラーフィルタ６３の下面にはポリイミドなどからなる平坦化膜６４が設けられている。平坦化膜６４の下面にはＩＴＯやＩＺＯなどの透明導電材料からなる対向電極６５が設けられている。対向電極６５の下面には配向膜６６が設けられている。
【００３０】
そして、薄膜トランジスタ基板３１と対向基板６１とはシール材（図示せず）を介して互いに貼り合わされている。また、シール材の内側における両基板３１、６１の配向膜５１、６６間には液晶６７が封入されている。対向基板６１の上面には位相差板６８が貼り付けられ、その上面には偏光板６９が貼り付けられている。なお、図５において、反射層３７よりもやや小さめの一点鎖線で囲まれた領域は、ブラックマスク６２の開口部６２ａである。
【００３１】
そして、この反射型の液晶表示装置では、対向基板６１上の偏光板６９の上面側（表示面側）から入射された外光が偏光板６９、位相差板６８、対向基板６１、カラーフィルタ６３、平坦化膜６４、対向電極６５、配向膜６６、液晶６７、配向膜５１、画素電極３２、オーバーコート膜４９およびゲート絶縁膜４１を透過して反射層３７で反射され、この反射光が上記とは逆の光路を経て対向基板６１上の偏光板６９の上面側に出射され、これにより表示を行う。
【００３２】
この場合、薄膜トランジスタ基板３１の上面に設けられた反射層３７は平坦であるため、文字通り光反射機能しか有していない。しかし、画素電極３２はオーバーコート膜４９の凸凹表面つまり傾斜面付スルーホール４２を含むゲート絶縁膜４１の凸凹表面に追従して凸凹状に形成されているため、この部分で光散乱機能が発揮される。したがって、全体として、外光を散乱反射させることができる。
【００３３】
次に、図４に示す液晶表示装置の薄膜トランジスタ基板３１側の反射層３７および画素電極３２の部分の製造方法の一例について説明する。まず、図６（Ａ）に示すように、薄膜トランジスタ基板３１の上面に、スパッタ法により成膜されたアルミニウム系金属膜などをフォトリソグラフィ法によりパターニングすることにより、反射層３７、ゲート電極３８を含む走査ライン３４および補助容量ライン３６を形成する。このように、反射層３７を、ゲート電極３８などの形成と同時にゲート電極３８などと同一の材料つまり高反射性のアルミニウム系金属膜などによって形成しているので、プロセスの増加は生じない。
【００３４】
次に、陽極酸化処理を行うことにより、ゲート電極３８を含む走査ライン３４の表面および補助容量ライン３６の表面にそれぞれ陽極酸化膜３９、４０を形成する。この場合、反射層３７は島状であるため、反射層３７には陽極酸化用電流が供給されず、したがって反射層３７の表面には陽極酸化膜は形成されない。このように、陽極酸化処理の前にパターニングしておくと、非陽極酸化部分である反射層３７上にレジストを形成することなく陽極酸化処理を行うことが可能となり、プロセスの増加は生じない。
【００３５】
次に、反射層３７などを含む薄膜トランジスタ基板３１の上面にＣＶＤ法などによりゲート絶縁膜４１成膜する。次に、ゲート絶縁膜４１の上面に所定の箇所にレジストパターン７１を形成する。次に、図６（Ｂ）に示すように、レジストパターン７１をマスクとしてゲート絶縁膜４１をウェットエッチングすると、エッチングが等方的に進行することにより、反射層３７上のゲート絶縁膜４１に傾斜面付スルーホール４２が形成される。
【００３６】
この場合、反射層３７上のゲート絶縁膜４１に形成される傾斜面付スルーホール４２の深さはゲート絶縁膜４１の膜厚となり、したがってゲート絶縁膜４１に形成される傾斜面付スルーホール４２の深さを均一とすることができ、ひいては散乱反射特性を均一とすることができる。この後、レジストパターン７１を剥離する。
【００３７】
次に、図４に示すように、傾斜面付スルーホール４２内を含むゲート絶縁膜４１の上面にＣＶＤ法によりオーバーコート膜４９を成膜する。この場合、オーバーコート膜４９は傾斜面付スルーホール４２を含むゲート絶縁膜４１の凸凹な表面に沿うように形成され、その表面は傾斜面付スルーホール４２を含むゲート絶縁膜４１の凸凹な表面に追従したそれとほぼ同じ大きさの凸凹な面となる。
【００３８】
次に、オーバーコート膜４９の上面の所定の箇所に、スパッタ法により成膜されたＩＴＯ膜などをフォトリソグラフィ法によりパターニングすることにより、画素電極３２を形成する。この場合、画素電極３２はオーバーコート膜４９の凸凹な表面に沿うように形成され、その表面はオーバーコート膜４９の凸凹な表面に追従したそれとほぼ同じ大きさの凸凹な面となる。次に、画素電極３２を含むオーバーコート膜４９の上面に配向膜５１を形成する。かくして、図４に示す薄膜トランジスタ基板３１側が得られる。
【００３９】
（第３実施形態）
図７はこの発明の第３実施形態としての単純マトリクス型で半透過反射型の液晶表示装置の図１同様の断面図を示し、図８はそのうちのセグメント電極、コモン電極および反射層の透過平面図を示したものである。この液晶表示装置において、図１および図２に示す場合と異なる点は、反射層２を、セグメント電極５の画素形成領域５ａのほぼ中央部と重合する位置に設けたことである。この場合、セグメント基板１の下面には位相差板２２が貼り付けられ、その下面には偏光板２３が貼り付けられている。
【００４０】
このように、この液晶表示装置では、セグメント電極５の画素形成領域５ａのほぼ中央部下に当該画素形成領域５ａよりも小面積のアルミニウム系金属などの不透光性材料からなる反射層２を設けている。このため、１つの画素形成領域５ａにおいて、画素形成領域５ａのほぼ中央部と重合する反射層２が文字通り反射部を構成し、画素形成領域５ａと反射層２との重合しない部分が透過部を構成している。不透光性の反射層２の面積は上記透過部の面積の３５％〜６５％程度であり、明るい場所での使用を重視する場合は大きく、暗い場所での使用を重視する場合は小さくするなど、使用環境に応じて任意に設定することができる。
【００４１】
そして、この液晶表示装置を透過型として使用する場合には、セグメント基板１下の偏光板２３の下面側に配置されたバックライト（図示せず）を点灯させると、バックライトからの光が偏光板２３、位相差板２２、セグメント基板１、反射層３７の周囲における絶縁膜３とセグメント電極５つまり上記透過部、配向膜６、液晶１７、配向膜１６、コモン電極１５、平坦化膜１４、カラーフィルタ１３、コモン基板１１、位相差板１８および偏光板１９を透過して偏光板１９の上面側に出射され、これにより表示を行う。
【００４２】
一方、この液晶表示装置を反射型として使用する場合には、バックライトを点灯させず、コモン基板１上の偏光板１９の上面側から入射された外光が偏光板１９、位相差板１８、コモン基板１１、カラーフィルタ１３、平坦化膜１４、コモン電極１５、配向膜１６、液晶１７、配向膜６、セグメント電極５および絶縁膜３を透過して反射層２で反射（散乱反射）され、この反射光（散乱反射光）が上記とは逆の光路を経てコモン基板１１上の偏光板１９の上面側に出射され、これにより表示を行う。
【００４３】
（第４実施形態）
図９はこの発明の第４実施形態としての単純マトリクス型で半透過反射型の液晶表示装置の図７同様の断面図を示し、図１０はそのうちのセグメント電極、コモン電極および反射層の透過平面図を示したものである。この液晶表示装置において、図７および図８に示す場合と異なる点は、反射層２を、セグメント電極５の画素形成領域５ａの周辺部と重合する位置に設けたことである。
【００４４】
このように、この液晶表示装置では、セグメント電極５の画素形成領域５ａの周辺部下に当該画素形成領域５ａよりも小面積のアルミニウム系金属などの不透光性材料からなる反射層２を設けている。このため、１つの画素形成領域５ａにおいて、画素形成領域５ａの周辺部と重合する反射層２が文字通り反射部を構成し、画素形成領域５ａと反射層２との重合しない部分が透過部を構成している。
【００４５】
（第５実施形態）
図１１はこの発明の第５実施形態としてのアクティブマトリクス型で半透過反射型の液晶表示装置の図４同様の断面図を示し、図１２はそのうちの画素電極および反射層の透過平面図を示したものである。この液晶表示装置において、図４および図５に示す場合と異なる点は、反射層３７を、画素電極３２のほぼ中央部と重合する位置に設けたことである。この場合、薄膜トランジスタ基板３１の下面には位相差板７２が貼り付けられ、その下面には偏光板７３が貼り付けられている。
【００４６】
このように、この液晶表示装置では、画素電極３２のほぼ中央部下に画素電極３２よりも小面積のアルミニウム系金属などの不透光性材料からなる反射層３７を設けている。このため、１つの画素電極３２において、画素電極３２のほぼ中央部と重合する反射層３７が文字通り反射部を構成し、画素電極３２と反射層３７との重合しない部分が透過部を構成している。
【００４７】
（第６実施形態）
図１３はこの発明の第６実施形態としてのアクティブマトリクス型で半透過反射型の液晶表示装置の図１１同様の断面図を示し、図１４はそのうちの画素電極および反射層の透過平面図を示したものである。この液晶表示装置において、図１１および図１２に示す場合と異なる点は、反射層３７を、画素電極３２の周辺部と重合する位置に設けたことである。
【００４８】
このように、この液晶表示装置では、画素電極３２の周辺部下に画素電極３２よりも小面積のアルミニウム系金属などの不透光性材料からなる反射層３７を設けている。このため、１つの画素電極３２において、画素電極３２の周辺部と重合する反射層３７が文字通り反射部を構成し、画素電極３２と反射層３７との重合しない部分が透過部を構成している。
【００４９】
（その他の実施形態）
なお、図７、図９において、セグメント電極５が反射層２と対向しない領域における絶縁膜３に傾斜面付スルーホール４の形成と同時に傾斜面付凹部を形成し、傾斜面付スルーホール４および傾斜面付凹部を含む絶縁膜３の上面にセグメント電極５を傾斜面付スルーホール４および傾斜面付凹部を含む絶縁膜３の凸凹表面に追従させて凸凹状に形成するようにしてもよい。
【００５０】
また、図１１、図１３において、画素電極３２が反射層３７と対向しない領域におけるゲート絶縁膜４１に傾斜面付スルーホール４２の形成と同時に傾斜面付凹部を形成し、傾斜面付スルーホール４２および傾斜面付凹部を含むゲート絶縁膜４１上のオーバーコート膜４９の上面に画素電極３２を傾斜面付スルーホール４２および傾斜面付凹部を含むゲート絶縁膜４１の凸凹表面に追従させて凸凹状に形成するようにしてもよい。
【００５１】
また、例えば図８、図１０に示すように、不透光性の反射層２を全面積にわたりべた状に形成した場合について説明したが、これに限らず、例えば図１５において斜線（ハッチング）で示すように、不透光性材料からなる点状の反射層２ａを複数個配列して設けるようにしてもよい。点状の反射層２ａは、一部で接続された模様状であっても（この場合でも、全体が１個でも、複数に分離されていてもよい）、個々に分離された離散状であってもよく、また、その模様状や離散状の配列は規則的であっても、不規則的であっても差し支えない。要は、セグメント電極５の画素形成領域５ａの面積に対する不透光性の反射層２ａの合計面積の比を、使用環境に応じて、３５％〜６５％程度の適切な値とすればよい。
【００５２】
【発明の効果】
以上説明したように、この発明によれば、反射層を含む反対側の基板の内面に絶縁膜を反射層に対応する部分に傾斜面付スルーホールを有するように形成しているので、反射層上の絶縁膜に形成される傾斜面付スルーホールの深さが絶縁膜の膜厚となり、したがって絶縁膜に形成される傾斜面付スルーホールの深さを均一とすることができ、ひいては散乱反射特性を均一とすることができる。また、反射層を島状とし、その上に画素電極を形成しているので、画素電極がストライプ状であっても、反射層をストライプ状の画素電極の画素形成領域と重号する位置に配置すれば、ストライプ状の画素電極の画素形成領域間の非画素形成領域での反射層による外光の反射は生ぜず、したがってコントラストが低下しないようにすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の第１実施形態としての単純マトリクス型で反射型の液晶表示装置の要部の断面図。
【図２】図１に示す液晶表示装置のセグメント電極、コモン電極および反射層の透過平面図。
【図３】（Ａ）、（Ｂ）は図１に示す液晶表示装置の薄膜トランジスタ基板側の製造方法の一例を説明するために示す断面図。
【図４】この発明の第２実施形態としてのアクティブマトリクス型で反射型の液晶表示装置の要部の断面図。
【図５】図４に示す液晶表示装置の薄膜トランジスタ基板側の透過平面図。
【図６】（Ａ）、（Ｂ）は図４に示す液晶表示装置の薄膜トランジスタ基板側の反射層および画素電極の部分の製造方法の一例を説明するために示す断面図。
【図７】この発明の第３実施形態としての単純マトリクス型で半透過反射型の液晶表示装置の図１同様の断面図。
【図８】図７に示す液晶表示装置のセグメント電極、コモン電極および反射層の透過平面図。
【図９】この発明の第４実施形態としての単純マトリクス型で半透過反射型の液晶表示装置の図７同様の断面図。
【図１０】図９に示す液晶表示装置のセグメント電極、コモン電極および反射層の透過平面図。
【図１１】この発明の第５実施形態としてのアクティブマトリクス型で半透過反射型の液晶表示装置の図４同様の断面図。
【図１２】図１１に示す液晶表示装置の画素電極および反射層の透過平面図。
【図１３】この発明の第６実施形態としてのアクティブマトリクス型で半透過反射型の液晶表示装置の図１１同様の断面図。
【図１４】図１３に示す液晶表示装置の画素電極および反射層の透過平面図。
【図１５】反射層の他の例を説明するために示す図。
【符号の説明】
１　セグメント基板
２　反射層
３　絶縁膜
４　傾斜面付スルーホール
５　セグメント電極
１１　コモン基板
１５　コモン電極
１７　液晶
３１　薄膜トランジスタ基板
３２　画素電極
３３　薄膜トランジスタ
３７　反射層
４１　ゲート絶縁膜
４２　傾斜面付スルーホール
６１　対向基板
６５　対向電極
６７　液晶
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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