(57)【要約】【解決手段】ＬｉＮｂＯ３結晶基板のＸカット面に前記ＬｉＮｂＯ３結晶基板のＺ軸方向にＴｉ拡散導波路を形成してなるものであって、ＸカットＺ伝搬光変調器を製造する際に、Ｔｉ拡散導波路３とＬｉＮｂＯ３結晶基板２との間にＴｉ膜１０の水平方向の拡散を抑止するスリット５をエッチングにより形成する。スリット５の幅は０．１〜３μｍである。スリット５のＬｉＮｂＯ３結晶基板表面からの深さは５〜１０μｍである。【効果】スリット５が離隔部となり、ＬｉＮｂＯ３結晶の垂直方向の２倍以上の拡散速度を有する水平方向のＴｉの拡散が抑止されるので、偏光依存性のないＸカットＺ伝搬光変調器及びその製造方法を提供することができる。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＬｉＮｂＯ３結晶基板のＸカット面に前記ＬｉＮｂＯ３結晶基板のＺ軸方向にＴｉ拡散導波路を形成してなる光変調器であって、前記Ｔｉ拡散導波路とＬｉＮｂＯ３結晶基板との間に離隔部を設けたことを特徴とする光変調器。
【請求項２】
前記Ｔｉ拡散導波路とＬｉＮｂＯ３結晶基板との間の離隔部の幅は０．１〜３μｍであることを特徴とする請求項１記載の光変調器。
【請求項３】
前記Ｔｉ拡散導波路とＬｉＮｂＯ３結晶基板との間の離隔部のＬｉＮｂＯ３結晶基板表面からの深さは５〜１０μｍであることを特徴とする請求項１または請求項２記載の光変調器。
【請求項４】
前記Ｔｉ拡散導波路のＹ軸方向の幅は３〜１０μｍであることを特徴とする請求項１から請求項３までのいずれかの請求項に記載の光変調器。
【請求項５】
前記離隔部は前記ＬｉＮｂＯ３結晶基板中に形成されたスリットであることを特徴とする請求項１から請求項４までのいずれかの請求項に記載の光変調器。
【請求項６】
ＬｉＮｂＯ３結晶基板のＸカット面に前記ＬｉＮｂＯ３結晶基板のＺ軸方向にＴｉ拡散導波路を形成してなる光変調器の製造方法であって、
（ａ）前記ＬｉＮｂＯ３結晶基板のＸカット面を洗浄し、
（ｂ）前記ＬｉＮｂＯ３結晶基板表面に金属膜を形成し、
（ｃ）この金属膜上にフォトレジスト膜を所望のパターンに形成し、
（ｄ）このフォトレジスト膜をマスクとして金属膜をエッチングして所望のメタルマスクパターンを形成し、
（ｅ）前記フォトレジスト膜を除去し、
（ｆ）前記メタルマスクパターンをマスクとしてＬｉＮｂＯ３結晶基板をエッチングしてＬｉＮｂＯ３結晶基板表面からＸ軸方向にスリットを形成し、
（ｇ）前記メタルマスクを除去し、
（ｈ）前記ＬｉＮｂＯ３結晶基板表面に所望の導波路を形成するようにフォトレジストパターニングを施し、
（ｉ）このフォトレジスト膜表面及びＬｉＮｂＯ３結晶基板表面にＴｉ膜を形成し、
（ｊ）前記フォトレジスト膜を除去し、
（ｋ）前記Ｔｉ膜を高温雰囲気中でＬｉＮｂＯ３結晶中に拡散させてＴｉ拡散導波路を形成し、
（ｌ）次いで所望の電極パターンにより電極を形成する、
各工程からなることを特徴とする光変調器の製造方法。
【請求項７】
前記金属膜はＣｒ、ＷＳｉ、Ｎｉからなることを特徴とする請求項６記載の光変調器の製造方法。
【請求項８】
前記金属膜の形成はスパッタリング法若しくは蒸着膜法によることを特徴とする請求項６または請求項７記載の光変調器の製造方法。
【請求項９】
前記金属膜の膜厚は０．２〜３μｍであることを特徴とする請求項６から請求項８までのいずれかの請求項に記載の光変調器の製造方法。
【請求項１０】
前記エッチングはリアクティブイオンエッチング法若しくはイオンビームエッチング法からなることを特徴とする請求項６から請求項９までのいずれかの請求項に記載の光変調器の製造方法。
【請求項１１】
前記Ｔｉ膜の膜厚は２０〜１００ｎｍであることを特徴とする請求項６から請求項１０までのいずれかの請求項に記載の光変調器の製造方法。
【請求項１２】
前記Ｔｉ膜の形成は真空蒸着法若しくはスパッタリング法によることを特徴とする請求項６から請求項１１までのいずれかの請求項に記載の光変調器の製造方法。
【請求項１３】
前記Ｔｉ膜の拡散温度は９５０〜１１５０℃、拡散時間は５〜２０時間であることを特徴とする請求項６から請求項１２までのいずれかの請求項に記載の光変調器の製造方法。
【請求項１４】
前記Ｔｉ膜の拡散は水蒸気雰囲気中で行うことを特徴とする請求項６から請求項１３までのいずれかの請求項に記載の光変調器の製造方法。
【請求項１５】
ＬｉＮｂＯ３結晶基板のＸカット面に前記ＬｉＮｂＯ３結晶基板のＺ軸方向にＴｉ拡散導波路を形成してなる光変調器の製造方法であって、
（ａ）前記ＬｉＮｂＯ３結晶基板のＸカット面を洗浄し、
（ｂ）ＬｉＮｂＯ３結晶基板表面にフォトレジスト膜を所望のパターンに形成し、
（ｃ）このフォトレジスト膜をマスクとしてＬｉＮｂＯ３結晶基板をエッチングしてＬｉＮｂＯ３結晶基板表面からＸ軸方向にスリットを形成し、
（ｄ）前記フォトレジスト膜を除去し、
（ｅ）前記ＬｉＮｂＯ３結晶基板表面に所望の導波路を形成するようにフォトレジストパターニングを施し、
（ｆ）このフォトレジスト膜表面及びＬｉＮｂＯ３結晶基板表面にＴｉ膜を形成し、
（ｇ）前記フォトレジスト膜を除去し、
（ｈ）前記Ｔｉ膜を高温雰囲気中でＬｉＮｂＯ３結晶中に拡散させてＴｉ拡散導波路を形成し、
（ｉ）次いで所望の電極パターンにより電極を形成する、
各工程からなることを特徴とする光変調器の製造方法。
【請求項１６】
前記エッチングはリアクティブイオンエッチング法若しくはイオンビームエッチング法からなることを特徴とする請求項１５記載の光変調器の製造方法。
【請求項１７】
前記Ｔｉ膜の膜厚は２０〜１００ｎｍであることを特徴とする請求項１５または請求項１６記載の光変調器の製造方法。
【請求項１８】
前記Ｔｉ膜の形成は真空蒸着法若しくはスパッタリング法によることを特徴とする請求項１５から請求項１７までのいずれかの請求項に記載の光変調器の製造方法。
【請求項１９】
前記Ｔｉ膜の拡散温度は９５０〜１１５０℃、拡散時間は５〜２０時間であることを特徴とする請求項１５から請求項１８までのいずれかの請求項に記載の光変調器の製造方法。
【請求項２０】
前記Ｔｉ膜の拡散は水蒸気雰囲気中で行うことを特徴とする請求項１５から請求項１９までのいずれかの請求項に記載の光変調器の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、偏光無依存性を有するいわゆるＸカットＺ伝搬光変調器に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年インターネットが急速に普及し、通信ネットワークをますます充実させる必要性が高まっている。通信ネットワークを構成するための重要な要素として幹線系等に使用されている光ファイバや加入者系等に使用されている光導波路がある。
【０００３】
この光導波路の中でもレーザダイオード等の光源から発信する光に通信信号を付与するデバイスを光変調器というが、例えばＤＷＤＭ通信の外部変調器等として使用されている。このような光変調器にはＬｉＮｂＯ３（ニオブ酸リチウム）やＬｉＴａＯ３（タンタル酸リチウム）等の強誘電体結晶が用いられるが、中でもＬｉＮｂＯ３結晶は電気光学定数が大きいことからよく用いられている。
【０００４】
ところで、ＬｉＮｂＯ３結晶を用いた光変調器は大きな電気光学効果を得るために通常結晶をＺ軸方向にカットしてＸ軸方向に光信号を伝搬させる、いわゆるＺカットＸ伝搬光変調器が一般に用いられている。しかし、ＺカットＸ伝搬光変調器はＴＥモード及びＴＭモードのうちＴＭモードしか変調しないため、入出力を偏波保持光ファイバで接続するなど実装の際にコストアップの要因になっていた。
【０００５】
一方、ＬｉＮｂＯ３結晶をＸ軸方向にカットしてＺ軸方向に光信号を伝搬させる、いわゆるＸカットＺ伝搬光変調器はＴＥ、ＴＭ両モードに対する電気光学効果が等しいため偏光無依存性を有する光変調器を実現することができる（例えば、特許文献１参照）。
【０００６】
このようなＸカットＺ伝搬光変調器を作製するには通常図５に示すような各工程により行われる。即ち、（ａ）ＬｉＮｂＯ３結晶基板５１のＸカット面５２を洗浄し、（ｂ）ＬｉＮｂＯ３結晶基板表面５２にフォトレジスト膜５３により所望のパターンを形成し、（ｃ）フォトレジスト膜５３の表面及びＬｉＮｂＯ３結晶基板表面５１にＴｉ膜５４を形成し、（ｄ）フォトレジスト膜５３を除去し、（ｅ）Ｔｉ膜５４を高温雰囲気中でＬｉＮｂＯ３結晶基板５１中に拡散させてＴｉ拡散導波路５５を形成し、（ｆ）所望の電極パターンより電極５６を形成して光変調器とするものである。
【０００７】
このような工程において、例えばＴｉの拡散温度や拡散時間を所定の条件として偏光無依存性を有する光変調器の製造方法も提案されている（例えば、特許文献２参照）。
【０００８】
【特許文献１】
特開平４−５６１５号公報
【特許文献２】
特開平５−２４９３３５号公報
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、上記のような従来の技術には、次のような解決すべき課題があった。
即ち、ＸカットＺ伝搬光変調器は前述したようにＴＥ、ＴＭ両モードに対する電気光学効果が等しいためにＺカットＸ伝搬光変調器に比べて偏光無依存性を有するが、実際にはＬｉＮｂＯ３結晶のＸカット面へＴｉが拡散する際に拡散の異方性から結晶基板表面に対する水平方向（Ｙ軸方向）への拡散が垂直方向（Ｘ軸方向）への拡散より速いという現象がある。
【００１０】
図４は結晶基板表面に対するＴｉの水平方向と垂直方向の拡散における拡散長が拡散時間と共にどのように変化するかを示した図である。図４によれば、温度によっても異なるが、同じ拡散時間でも水平方向への拡散の方が垂直方向への拡散よりも２倍以上の拡散長を示しており、水平方向への拡散速度が垂直方向への拡散速度よりも２倍以上速いことがわかる。上記のような現象から、形成されるＴｉ拡散導波路は図５（ｅ）にＴｉ拡散導波路５５として示すように楕円状となり、必ずしも十分な偏光無依存性が得られるとは限らなかった。
【００１１】
本発明は結晶基板表面に対する水平方向のＴｉの必要以上の拡散を抑止することにより十分な偏光無依存性を有する光変調器とその製造方法を提供するものである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本発明は以上の点を解決するため次の構成を採用する。
〈構成１〉
ＬｉＮｂＯ３結晶基板のＸカット面に上記ＬｉＮｂＯ３結晶基板のＺ軸方向にＴｉ拡散導波路を形成してなる光変調器であって、上記Ｔｉ拡散導波路とＬｉＮｂＯ３結晶基板との間に離隔部を設けたことを特徴とする光変調器。
【００１３】
〈構成２〉
上記Ｔｉ拡散導波路とＬｉＮｂＯ３結晶基板との間の離隔部の幅は０．１〜３μｍであることを特徴とする構成１記載の光変調器。
【００１４】
〈構成３〉
上記Ｔｉ拡散導波路とＬｉＮｂＯ３結晶基板との間の離隔部のＬｉＮｂＯ３結晶基板表面からの深さは５〜１０μｍであることを特徴とする構成１または構成２記載の光変調器。
【００１５】
〈構成４〉
上記Ｔｉ拡散導波路のＹ軸方向の幅は３〜１０μｍであることを特徴とする構成１から構成３までのいずれかの構成に記載の光変調器。
【００１６】
〈構成５〉
上記離隔部は上記ＬｉＮｂＯ３結晶基板中に形成されたスリットであることを特徴とする構成１から構成４までのいずれかの構成に記載の光変調器。
【００１７】
〈構成６〉
ＬｉＮｂＯ３結晶基板のＸカット面に上記ＬｉＮｂＯ３結晶基板のＺ軸方向にＴｉ拡散導波路を形成してなる光変調器の製造方法であって、（ａ）上記ＬｉＮｂＯ３結晶基板のＸカット面を洗浄し、（ｂ）上記ＬｉＮｂＯ３結晶基板表面に金属膜を形成し、（ｃ）この金属膜上にフォトレジスト膜を所望のパターンに形成し、（ｄ）このフォトレジスト膜をマスクとして金属膜をエッチングして所望のメタルマスクパターンを形成し、（ｅ）上記フォトレジスト膜を除去し、（ｆ）上記メタルマスクパターンをマスクとしてＬｉＮｂＯ３結晶基板をエッチングしてＬｉＮｂＯ３結晶基板表面からＸ軸方向にスリットを形成し、（ｇ）上記メタルマスクを除去し、（ｈ）上記ＬｉＮｂＯ３結晶基板表面に所望の導波路を形成するようにフォトレジストパターニングを施し、（ｉ）このフォトレジスト膜表面及びＬｉＮｂＯ３結晶基板表面にＴｉ膜を形成し、（ｊ）上記フォトレジスト膜を除去し、（ｋ）上記Ｔｉ膜を高温雰囲気中でＬｉＮｂＯ３結晶中に拡散させてＴｉ拡散導波路を形成し、（ｌ）次いで所望の電極パターンにより電極を形成する、各工程からなることを特徴とする光変調器の製造方法。
【００１８】
〈構成７〉
上記金属膜はＣｒ、ＷＳｉ、Ｎｉからなることを特徴とする構成６記載の光変調器の製造方法。
【００１９】
〈構成８〉
上記金属膜の形成はスパッタリング法若しくは蒸着膜法によることを特徴とする構成６または構成７記載の光変調器の製造方法。
【００２０】
〈構成９〉
上記金属膜の膜厚は０．２〜３μｍであることを特徴とする構成６から構成８までのいずれかの構成に記載の光変調器の製造方法。
【００２１】
〈構成１０〉
上記エッチングはリアクティブイオンエッチング法若しくはイオンビームエッチング法からなることを特徴とする構成６から構成９までのいずれかの構成に記載の光変調器の製造方法。
【００２２】
〈構成１１〉
上記Ｔｉ膜の膜厚は２０〜１００ｎｍであることを特徴とする構成６から構成１０までのいずれかの構成に記載の光変調器の製造方法。
【００２３】
〈構成１２〉
上記Ｔｉ膜の形成は真空蒸着法若しくはスパッタリング法によることを特徴とする構成６から構成１１までのいずれかの構成に記載の光変調器の製造方法。
【００２４】
〈構成１３〉
上記Ｔｉ膜の拡散温度は９５０〜１１５０℃、拡散時間は５〜２０時間であることを特徴とする構成６から構成１２までのいずれかの構成に記載の光変調器の製造方法。
【００２５】
〈構成１４〉
上記Ｔｉ膜の拡散は水蒸気雰囲気中で行うことを特徴とする構成６から構成１３までのいずれかの構成に記載の光変調器の製造方法。
【００２６】
〈構成１５〉
ＬｉＮｂＯ３結晶基板のＸカット面に上記ＬｉＮｂＯ３結晶基板のＺ軸方向にＴｉ拡散導波路を形成してなる光変調器の製造方法であって、（ａ）上記ＬｉＮｂＯ３結晶基板のＸカット面を洗浄し、（ｂ）ＬｉＮｂＯ３結晶基板表面にフォトレジスト膜を所望のパターンに形成し、（ｃ）このフォトレジスト膜をマスクとしてＬｉＮｂＯ３結晶基板をエッチングしてＬｉＮｂＯ３結晶基板表面からＸ軸方向にスリットを形成し、（ｄ）上記フォトレジスト膜を除去し、（ｅ）上記ＬｉＮｂＯ３結晶基板表面に所望の導波路を形成するようにフォトレジストパターニングを施し、（ｆ）このフォトレジスト膜表面及びＬｉＮｂＯ３結晶基板表面にＴｉ膜を形成し、（ｇ）上記フォトレジスト膜を除去し、（ｈ）上記Ｔｉ膜を高温雰囲気中でＬｉＮｂＯ３結晶中に拡散させてＴｉ拡散導波路を形成し、（ｉ）次いで所望の電極パターンにより電極を形成する、各工程からなることを特徴とする光変調器の製造方法。
【００２７】
〈構成１６〉
上記エッチングはリアクティブイオンエッチング法若しくはイオンビームエッチング法からなることを特徴とする構成１５記載の光変調器の製造方法。
【００２８】
〈構成１７〉
上記Ｔｉ膜の膜厚は２０〜１００ｎｍであることを特徴とする構成１５または構成１６記載の光変調器の製造方法。
【００２９】
〈構成１８〉
上記Ｔｉ膜の形成は真空蒸着法若しくはスパッタリング法によることを特徴とする構成１５から構成１７までのいずれかの構成に記載の光変調器の製造方法。
【００３０】
〈構成１９〉
上記Ｔｉ膜の拡散温度は９５０〜１１５０℃、拡散時間は５〜２０時間であることを特徴とする構成１５から構成１８までのいずれかの構成に記載の光変調器の製造方法。
【００３１】
〈構成２０〉
上記Ｔｉ膜の拡散は水蒸気雰囲気中で行うことを特徴とする構成１５から構成１９までのいずれかの構成に記載の光変調器の製造方法。
【００３２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について具体例を用いて説明する。
【００３３】
図１は本発明の光変調器の一実施の形態を表した図であり、図１（ａ）は平面図、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ―Ａ´断面図を拡大したものである。図１において、本実施の形態における光変調器１は、ＬｉＮｂＯ３結晶基板２にＴｉ拡散導波路３が形成されており、また電極４が各Ｔｉ拡散導波路を挟むように配置されている。ここで図１（ｂ）に示すようにＬｉＮｂＯ３結晶基板２とＴｉ拡散導波路３との間はスリット５により離隔されている。このように本発明の光変調器ではＬｉＮｂＯ３結晶基板２とＴｉ拡散導波路３との間に離隔部が設けられているのでＴｉの拡散の際に水平方向の拡散が離隔部で抑止され、垂直方向の拡散とのバランスで十分な偏光無依存性を有するようになる。
【００３４】
次に本発明の光変調器の製造方法の実施の形態を説明する。なお、図１と同一の個所は同一番号で表すこととする。
図２は本発明の光変調器の製造方法の一実施の形態を表した図である。即ち、図２（ａ）はＬｉＮｂＯ３結晶基板２を表し、図示した結晶方位のＸ軸方向にカットした面６を有している。なお、ここでＺ軸はＸ軸及びＹ軸のいずれの軸にも垂直な軸で表している。まずこのＬｉＮｂＯ３結晶基板２のＸカット面６を洗浄する。
【００３５】
そして、このＸカット面６の上に図２（ｂ）のように金属膜７を形成する。この金属膜７はＬｉＮｂＯ３結晶をエッチングする際のマスクとして機能する。金属膜の材質は例えばＣｒ、ＷＳｉ、Ｎｉ等が挙げられるがＬｉＮｂＯ３結晶をエッチングする際のマスクとして機能する材質ならば特に限定されるものではない。
金属膜７を形成するにはスパッタリング法、蒸着法等を用いると良い。また、金属膜７の膜厚は０．２〜３μｍが好ましい。０．２μｍより薄くするとマスクとしての機能が果たせなくなるからであり、３μｍを超えてもコストが高くなる割には効果に差異が見られないからである。
【００３６】
次に図２（ｃ）に示すようにフォトリソグラフィ技術を利用して金属膜７上にフォトレジスト膜８を所望のパターンに形成する。さらに図２（ｄ）に示すようにフォトレジスト膜８をマスクとして金属膜７をエッチングして所望のメタルマスクパターンを形成する。エッチングの方法は特に限定されるものではないがリアクティブイオンエッチング法やイオンビームエッチング法を用いると良い。その後図２（ｅ）に示すようにフォトレジスト膜８を除去する。
【００３７】
次いで図２（ｆ）に示すようにメタルマスクパターンをマスクとしてＬｉＮｂＯ３結晶基板２をエッチングして結晶のＸ軸方向にスリット５を形成する。エッチングにはやはりリアクティブイオンエッチング法やイオンビームエッチング法を用いると良い。このスリット５はＴｉを拡散させたときにＴｉが水平方向（Ｙ軸方向）に必要以上の幅に拡散してしまうことを防ぐ目的で形成するものである。
即ち、スリットを設けることでＴｉの水平方向の拡散がスリットにより抑止される。
【００３８】
このスリット５の幅はＴｉの水平方向への拡散が抑止されれば特に限定されるものではないが、０．１〜３μｍ程度が望ましい。０．１μｍより狭い幅では加工精度が難しく、また３μｍを超えてもとくに効果が変わらないからである。またスリット５のＬｉＮｂＯ３結晶基板２の表面からの深さ（Ｘ軸方向の深さ）は５〜１０μｍ程度が望ましい。５μｍより浅いとＴｉがＸ軸方向に拡散していった場合スリット５よりも深く拡散し、結局水平方向にも拡散して本発明の目的が達成されない虞があるからであり、１０μｍを超えてもそれ以上深くＴｉが拡散する虞はないからである。
【００３９】
次に図２（ｇ）に示すようにメタルマスクを形成している金属膜７を除去する。そして図２（ｈ）に示すようにスリット５を形成したＬｉＮｂＯ３結晶基板２の表面にフォトリソグラフィ技術を利用して新たなフォトレジスト膜９を所望のパターンに形成する。
【００４０】
この後図２（ｉ）に示すようにフォトレジスト膜９の表面及びＬｉＮｂＯ３結晶基板２の表面にＴｉ膜１０を形成する。このときＴｉ膜１０の膜厚は２０〜１００ｎｍが好ましい。２０ｎｍより薄いと必要とする導波路を形成するのに十分なＴｉの量が得られないからであり、１００ｎｍあれば拡散に必要なＴｉの量は確保でき、それ以上はコストアップの要因になるからである。このＴｉ膜１０を形成する方法としては真空蒸着法やスパッタリング法を用いると良いが本発明の目的を達成する方法ならば特に限定されるものではない。
【００４１】
次に図２（ｊ）に示すようにフォトレジスト膜９をリフトオフプロセスにより溶解除去してＴｉ膜１０を残した導波路パターン形状１１を得る。この導波路パターン形状１１の幅（Ｙ軸方向の幅）は３〜１０μｍが望ましい。本発明の光変調器はシングルモード光ファイバと接続して用いられるものであり、３〜１０μｍの範囲をはずれるとシングルモード光変調器としての機能が果たせなくなるからである。
【００４２】
この後図２（ｋ）に示すように高温雰囲気中でＴｉ膜１０を導波路パターン形状１１に拡散させＴｉ拡散導波路３を形成する。ここで拡散温度は９５０〜１１５０℃、拡散時間は５〜２０時間が好ましい。温度が９５０℃未満では拡散が十分に行われずまた長時間かかるためであり実用上効率が悪く、１１５０℃を超えると後述するＬｉＯ２の外部への拡散が大きくなるからである。また、時間が５時間未満ではやはり拡散が十分に行われず、２０時間を超えても効果に差異が見られずコストアップの要因となるからである。なお、高温雰囲気中におけるＴｉの拡散はＬｉＮｂＯ３結晶からＬｉＯ２が拡散して外部へ抜け出すのを防止するために水蒸気雰囲気中で行うことが好ましい。
【００４３】
最後に図２（ｌ）に示すように電極パターンから電極４を形成して本発明の光変調器１とする。電極４の材質はやはり特に限定されるものではないがＡｌあるいはＡｕを使用すると良い。この光変調器１にはＴｉ拡散導波路３とＬｉＮｂＯ３結晶基板２との間にスリット５という離隔部を設けているので、Ｔｉの拡散速度がＬｉＮｂＯ３結晶の垂直方向（Ｘ軸方向）より水平方向（Ｙ軸方向）の方が速くても水平方向の拡散がスリット５により抑止されるので、水平方向の拡散が抑止された後にも垂直方向の拡散は継続され、偏光依存性のない光変調器を作製することができる。
【００４４】
なお、図２の実施の形態において図２（ｃ）に示すフォトレジスト膜８がＬｉＮｂＯ３結晶をエッチングする際にマスクとして十分な耐性を有している場合には図２（ｂ）に示す金属膜７の形成を省略して光変調器を作製することができる。この場合には図３（ａ）〜（ｉ）に示すような製造方法となる。図３においても図２と同一の個所は同一の番号で示してある。
【００４５】
即ち、その工程は（ａ）ＬｉＮｂＯ３結晶基板２のＸカット面６を洗浄し、（ｂ）フォトリソグラフィ技術を利用してフォトレジスト膜８を所望のパターンに形成し、（ｃ）ＬｉＮｂＯ３結晶基板２をエッチングして結晶のＸ軸方向にスリット５を形成し、（ｄ）フォトレジスト膜８を除去し、（ｅ）スリット５を形成したＬｉＮｂＯ３結晶基板２の表面にフォトリソグラフィ技術を利用して新たなフォトレジスト膜９を所望のパターンに形成し、（ｆ）フォトレジスト膜９の表面及びＬｉＮｂＯ３結晶基板２の表面にＴｉ膜１０を形成し、（ｇ）フォトレジスト膜９をリフトオフプロセスにより溶解除去してＴｉ膜１０を残した導波路パターン形状１１を得、（ｈ）高温雰囲気中でＴｉ膜１０を導波路パターン形状１１に拡散させＴｉ拡散導波路３を形成し、（ｉ）電極パターンから電極４を形成する、というものである。そして図３に示す実施の形態における各工程における条件等は図２に示す実施の形態と同様で差し支えない。このような製造方法は工程が簡略となりコストメリットが生じ実用上有益である。
【００４６】
【発明の効果】
上記したように本発明によれば、ＸカットＺ伝搬光変調器としてＴｉ拡散導波路とＬｉＮｂＯ３結晶基板との間にスリットで例示されるような離隔部を設けるようにしたので、この離隔部により結晶の水平方向（Ｙ軸方向）のＴｉの拡散が抑止され、十分な偏光無依存性を有する光変調器及びその製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の光変調器の一実施の形態を表した図である。
【図２】本発明の光変調器の製造方法の一実施の形態を表した図である。
【図３】本発明の光変調器の製造方法の他の実施の形態を表した図である。
【図４】Ｔｉの拡散状況を表した図である。
【図５】従来の光変調器の製造方法を表した図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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