(57)【要約】【課題】高域側に減衰極を有する誘電体フィルタおよびデユプレクサを小型、低背で実現させる。また、特性の安定した誘電体フィルタおよびデユプレクサを得る。【解決手段】両端の誘電体共振器が入出力端子と容量的に結合され、中間の誘電体共振器と対向して容量を構成する導体パターン、およびその導体パターンと入出力端子の一方とを接続する導体パターンが誘電体ブロックの表面に形成され、中間の誘電体共振器と対向して容量を構成する導体パターンを覆う絶縁膜が形成され、その絶縁膜上に容量を構成する導体パターンを覆う導体膜が形成される。【選択図】　図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
直方体の誘電体ブロック内に３素子以上の誘電体共振器が一体に構成された誘電体フィルタにおいて、
両端の誘電体共振器が入出力端子と容量的に結合され、中間の誘電体共振器と対向して容量を構成する導体パターン、およびその導体パターンと入出力端子の一方とを接続する導体パターンが誘電体ブロックの表面に形成されたことを特徴とする誘電体フィルタ。
【請求項２】
直方体の誘電体ブロック内に３素子以上の誘電体共振器が一体に構成された誘電体フィルタにおいて、
両端の誘電体共振器が入出力端子と容量的に結合され、中間の誘電体共振器と対向して容量を構成する導体パターン、およびその導体パターンと入出力端子の一方とを接続する導体パターンが誘電体ブロックの表面に形成され、
中間の誘電体共振器と対向して容量を構成する導体パターンを覆う絶縁膜が形成され、その絶縁膜上に容量を構成する導体パターンを覆う導体膜が形成されたことを特徴とする誘電体フィルタ。
【請求項３】
容量を構成する導体パターンを覆う導体膜が誘電体フィルタの外導体と接続される請求項２記載の誘電体フィルタ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、誘電体フィルタあるいは誘電体デユプレクサの構造に係るもので、特に高域側に減衰極を得る誘電体フィルタあるいは誘電体デユプレクサに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、容量結合（Ｃ入出力）の誘電体フィルタあるいはデユプレクサにおいて高域側に減衰極を得るために、図４に示した構造が採用されている。これは３素子の誘電体フィルタの例で、誘電体ブロック４０に３個の誘電体共振器４１〜４３が構成されたもので、両端の共振器４１、４３は開放端面側で入出力端子４４と容量的に結合されている。
【０００３】
中間の誘電体共振器４２の開放端面側に容量形成用の導体パターン４５が形成され、誘電体共振器の内導体と対向して容量が付加されることになる。この導体パターン４５は外導体の表面に形成されたガラス層４６上に形成された接続用の導体パターン４７によって入出力端子の一方と接続される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、上記の構造で帯域幅を広げるためには、サイズを大型化し、高背化することが必要であった。本発明は、高域側に減衰極を有する誘電体フィルタおよびデユプレクサを小型、低背で実現させるものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明は、中間の共振器と容量を構成する導体パターンとそれを入出力端子を接続する導体パターンとを誘電体表面の同一層に直接形成することによって、上記の課題を解決するものである。
【０００６】
すなわち、直方体の誘電体ブロック内に３素子以上の誘電体共振器が一体に構成された誘電体フィルタにおいて、両端の誘電体共振器が入出力端子と容量的に結合され、中間の誘電体共振器と対向して容量を構成する導体パターン、およびその導体パターンと入出力端子の一方とを接続する導体パターンが誘電体ブロックの表面に形成されたことに特徴を有するものである。
【０００７】
【発明の実施の形態】
実用的には、さらにシールド構造を付加して、特性を安定させることができる。すなわち、上記の構造に中間の誘電体共振器と対向して容量を構成する導体パターンを覆う絶縁膜が形成され、その絶縁膜上に容量を構成する導体パターンを覆う導体膜が形成されて容量形成用導体パターンをシールドする。その表面全面をシールドすれば特性のずれを完全に防止することもできる。
【０００８】
【実施例】
以下、図面を参照して、本発明の実施例について説明する。図１は本発明の実施例を示す斜視図である。これも３素子の誘電体フィルタの例で、誘電体ブロック１０に３個の誘電体共振器１１〜１３が構成されたもので、両端の共振器１１、１３は開放端面側で入出力端子１４と容量的に結合されている。
【０００９】
中間の誘電体共振器１２の開放端面側に容量形成用の導体パターン１５が形成され、誘電体共振器の内導体と対向して容量が付加されることになる。この導体パターン１５は誘電体ブロックの表面に直接形成された接続用の導体パターン１７によって入出力端子の一方と接続される。
【００１０】
シールド板が導体パターン１５に近づいたりすると特性に変化が生じる。この特性の変化を防止するために、図２のシールド構造を採用するとよい。これも誘電体ブロック２０に３個の誘電体共振器２１〜２３が構成されたもので、両端の共振器２１、２３は開放端面側で入出力端子２４と容量的に結合されている。
【００１１】
中間の共振器に対向する導体パターンと接続用の導体パターンが形成された部分の表面にガラスなどの絶縁層２７を形成し、その上にシールド用の導体膜２８を形成して、誘電体の表面の導体パターンをシールドしたものである。このシールド用の導体パターンは、図１の容量形成用の導体パターン１５を覆うことによってシールドの効果が現れる。この表面全面に形成すれば特性のずれを完全に防ぐことができる。
【００１２】
図３は、本発明による誘電体フィルタの特性を示す説明図で、実線が本発明によるものであり、破線が従来のものである。帯域幅が大幅に広がっており、かつ、減衰極における減衰特性も向上している。
【００１３】
本発明による減衰極を得る構造およびシールド構造を採用して、送信フィルタの中心周波数が１，９５０ＭＨｚ、受信フィルタの中心周波数が２，１４０ＭＨｚのデユプレクサを試作した。いずれも帯域幅が６０ＭＨｚ得られ、挿入損失も最大２ｄＢ程度と良好な特性が得られた。そして、サイズは９．５ｍｍ×５．２ｍｍ×１．９５ｍｍと極めて小型、低背のデユプレクサが得られた。
【００１４】
なお、絶縁層やシールド用導体パターン等の形状は任意に選択できる。また、誘電体ブロックも単体のものだけでなく、基板を貼り合わせたものや単体の共振器を接合したものなどにも利用できる。
【００１５】
【発明の効果】
本発明によれば、小型、低背で帯域幅の広い誘電体フィルタおよびデユプレクサが得られる。また、シールド構造を併用することによって特性の安定した誘電体フィルタ、デユプレクサが得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例を示す斜視図
【図２】本発明の他の実施例を示す斜視図
【図３】本発明による誘電体フィルタの特性の説明図
【図４】従来の誘電体フィルタの斜視図
【符号の説明】
１０、２０、４０：誘電体ブロック
１１〜１３、２１〜２３、４１〜４３：共振器
１４、２４、４４：入出力端子
１５、４５：容量形成用導体パターン
１６、４６：接続用導体パターン
２７、４７：ガラス膜
２８：シールド用導体パターン
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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