(57)【要約】【課題】高歩留まりで、かつ温度特性に優れたリッジ導波型半導体レーザを再現性良く製造できるレーザ構造を提供する【解決手段】第１の材料を含む第１のクラッド層と、活性層と、第１の材料を含む第２のクラッド層と、第１の材料とは異なる第２の材料を含む、リッジ構造の第３のクラッド層とが順に積層されたリッジ導波型の半導体レーザを提供する。この半導体レーザは、半導体レーザチップのチップ分離位置において、第３のクラッド層側から積層された方向に沿って形成された溝が、第２のクラッド層に到達している。また、活性層と、活性層を挟む第１のクラッド層および第２のクラッド層と、第２のクラッド層に積層された、リッジ構造の第３のクラッド層と、第３のクラッド層と電気的に接続された電極とを備えたリッジ導波型の半導体レーザも提供する。このレーザの電極は、リッジ脇の溝の表面から離れた状態で上方を覆っている。【選択図】　　　　図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の材料を含む第１のクラッド層と、
活性層と、
前記第１の材料を含む第２のクラッド層と、
前記第１の材料とは異なる第２の材料を含む、リッジ構造の第３のクラッド層と
が順に積層されて構成されたリッジ導波型の半導体レーザであって、
該半導体レーザのチップ分離位置において、前記第３のクラッド層側から積層された方向に沿って形成された溝が、前記第２のクラッド層に到達している半導体レーザ。
【請求項２】
前記第１の材料は、容易に酸化される材料である、請求項１に記載の半導体レーザ。
【請求項３】
前記材料は、アルミニウムである、請求項２に記載の半導体レーザ。
【請求項４】
活性層と、
該活性層を挟む、第１のクラッド層および第２のクラッド層と、
該第２のクラッド層に積層された、リッジ構造の第３のクラッド層と、
該第３のクラッド層と電気的に接続された電極と
を備えたリッジ導波型の半導体レーザであって、
前記電極は、前記リッジ脇の溝の表面から離れた状態で上方を覆っている半導体レーザ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、高性能で信頼性の高いリッジ導波型半導体レーザを、再現性良く、かつ高歩留まりで作製できる構造およびその製造技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、光ファイバ通信用の半導体レーザとして、温度特性が良好で、かつ、高周波特性に優れるＡｌＧａＩｎＡｓ／ＩｎＰ系レーザが注目されている。また、情報処理用の半導体レーザとして、温度特性が良好で、かつ、高出力動作に優れるＡｌＧａＩｎＰ／ＧａＡｓ系レーザが注目されている。これらの半導体レーザでは、製造コストを抑えるために、製造工程の少ないリッジ導波型構造が採用されている。
【０００３】
一方、温度特性を改善するための１つの手段として、ｐｎ接合面側を下にして半導体レーザ素子（半導体レーザチップ）を組み立てるＪ−ｄｏｗｎ組み立てが知られている。上述のリッジ導波型構造の半導体レーザチップでも、Ｊ−ｄｏｗｎ組み立てが採用され、製造されている。
【０００４】
図８は、従来のＡｌＧａＩｎＡｓ／ＩｎＰ系リッジ導波型半導体レーザ１８０の斜視図である。レーザ１８０は、ｎ−ＩｎＰ基板１、厚さ１μｍ　のｎ−ＩｎＰクラッド層２、厚さ０．１μｍのｎ−ＡｌＩｎＡｓクラッド層３、ＡｌＧａＩｎＡｓ−活性層４、厚さ０．１μｍ　のｐ−ＡｌＩｎＡｓクラッド層５、厚さ１．７５μｍのｐ−ＩｎＰクラッド層６、厚さ０．６μｍ　のｐ−ＩｎＧａＡｓコンタクト層７、ＳｉＯ２膜８、Ｐ側電極（Ｔｉ／Ａｕ）９、Ｎ側電極（ＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ａｕ）１０、Ｐ側メッキ電極１１、リッジ１２、チップ分離溝１３とを有する。活性層４は、発光効率を向上すべく、多重量子井戸（Ｍｕｌｔｉ−Ｑｕａｎｔｕｍ−Ｗｅｌｌ）構造で形成されている。
【０００５】
図９は、上述のリッジ導波型半導体レーザ１８０を、Ｊ−ｄｏｗｎ組み立てにより組み立てたときの理想的な状態を示す断面図である。このときレーザ１８０は、図８に加え、さらにマウント材１４および半田材１５を有する。
【０００６】
図に示すように、リッジ導波型半導体レーザにＪ−ｄｏｗｎ組み立てを採用した場合、レーザが活性層４側、すなわち、リッジ１２側を下にして、半田材１５を介してマウント材１４に接着されている。この組み立てが理想的に行われた場合、リッジ１２頂上以外の半導体レーザチップ１８０表面は、絶縁膜であるＳｉＯ２膜８で被覆されているので、リッジ１２頂上のみから、半田材１５、Ｐ側メッキ電極１１、Ｐ側電極９を介して電流が注入される。
【０００７】
より具体的には、チップ分離溝部分のエピタキシャル層の全体を凹状に屈曲させて段差を設け、表面層をキャップ層（コンタクト層）で構成するレーザがある（特許文献１参照）。また、半田をスペーサの内側に閉じ込めて、半田の盛り上がりによるショート不良を防ぐレーザも知られている（特許文献２参照）。
【０００８】
【特許文献１】
特開昭５８−１４２５８８号公報
【特許文献２】
特開平５−１１０２０３号公報
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、実際には、リッジ導波型半導体レーザにＪ−ｄｏｗｎ組み立てを適用した場合、次のような問題点が発生しやすい。
【００１０】
（１）半田材１５との接着面と、活性層４の距離が数μｍと近いため、盛り上がった半田材１５が活性層等のエピタキシャル層に接触して、ショート不良やリーク電流が発生する原因となる。上述の特許文献１による技術では、分離溝の最表面はコンタクト抵抗の小さいキャップ層（コンタクト層）が設けられているので、チップ表面に半田材が接触した場合にリーク電流が生じてしまう。
【００１１】
（２）チップ分離の際に、分離溝内の絶縁膜が欠けて半田材とエピタキシャル層とが接触し、リーク電流が発生する原因となる。
【００１２】
（３）リッジ脇の溝に半田材１５が入り込むため、半田材１５と結晶材料の熱膨張係数の差に起因してレーザがストレスを受け、信頼性が損なわれる懸念がある。
【００１３】
以下、図１０および図１１を参照して、これらの問題をより詳しく説明する。例としてＡｌＧａＩｎＡｓ／ＩｎＰ系レーザを用いる。
【００１４】
図１０は、Ｊ−ｄｏｗｎ組み立てにより従来のリッジ導波型半導体レーザ１８０−１を製造したときの、第一の問題を説明する図である。本来、リッジ１２頂上以外の半導体レーザチップ１８０−１の表面はＳｉＯ２膜８で被覆されているので、リッジ１２頂上のみから、半田材１５、Ｐ側メッキ電極１１、Ｐ側電極９を介して電流が注入される。しかしながら、実際には、盛り上がった半田材１５が、活性層４またはｎ−ＡｌＩｎＡｓクラッド層３、ｎ−ＩｎＰクラッド層２と接触してショート不良となる場合がある。ショート不良となった場合は、電流は活性層４のｐｎ接合を介さずに基板側に流れてしまうため、レーザ発振しなくなる。
【００１５】
また、盛り上がった半田材１５が、ｐ−ＡｌＩｎＡｓクラッド層５やｐ−ＩｎＰクラッド層６と接触してリーク電流が発生する場合がある。リーク電流は発振等に寄与しない無効電流となるため、閾値電流や動作電流の増大、効率の低下といったレーザ特性の低下をもたらしてしまう。
【００１６】
リーク電流が発生するリーク不良は、図１１のリッジ導波型半導体レーザ１８０−２でも発生することがある。図１１は、Ｊ−ｄｏｗｎ組み立てにより従来のリッジ導波型半導体レーザ１８０−２を製造したときの、第二の問題を説明する図である。製造工程におけるチップ分離の際、分離溝１３のＳｉＯ２膜８が位置８１で欠けて、半導体レーザチップ１８０−２の表面が完全にＳｉＯ２膜８で被覆されなくなることがある。すると、半田材１５とｐ−ＩｎＰクラッド層６が接触して、リーク電流が発生することがある。
【００１７】
さらに、Ｊ−ｄｏｗｎ組み立てによりリッジ導波型半導体レーザを製造した場合、ショート不良やリーク不良以外に信頼性上の懸念もある。再び図９を参照して、レーザ１８０のリッジ脇の溝に半田材１５が入り込み、溝内がＰ側電極９、Ｐ側メッキ電極１１、半田材１５等の金属材料で埋め込まれた状態になる。この状態で、組み立て時のヒートサイクルや、レーザ発振時の発熱等の環境下に置かれるため、レーザは、金属材料の熱膨張係数と結晶材料の熱膨張係数との差に起因したストレスを受ける。そのため、信頼性が損なわれる懸念がある。
【００１８】
上述のような、レーザ発振しない場合、およびリーク電流が発生する場合には、当然にそのレーザ素子は製品に採用できない。よって歩留まりが低下する要因となる。
【００１９】
本発明の目的は、高歩留まりで、かつ温度特性に優れたリッジ導波型半導体レーザを再現性良く製造できるレーザ構造を提供することである。
【００２０】
【課題を解決するための手段】
本発明の半導体レーザは、第１の材料を含む第１のクラッド層と、活性層と、前記第１の材料を含む第２のクラッド層と、前記第１の材料とは異なる第２の材料を含む、リッジ構造の第３のクラッド層とが順に積層されて構成されたリッジ導波型の半導体レーザである。このレーザは、該半導体レーザチップのチップ分離位置において、前記第３のクラッド層側から積層された方向に沿って形成された溝が、前記第２のクラッド層に到達している。これにより上記目的が達成される。
【００２１】
前記第１の材料は、容易に酸化される材料、例えば、アルミニウムである。
【００２２】
本発明の半導体レーザは、活性層と、該活性層を挟む、第１のクラッド層および第２のクラッド層と、該第２のクラッド層に積層された、リッジ構造の第３のクラッド層と、該第３のクラッド層と電気的に接続された電極とを備えたリッジ導波型の半導体レーザである。このレーザの電極は、前記リッジ脇の溝の表面から離れた状態で上方を覆っている。これにより上記目的が達成される。
【００２３】
【発明の実施の形態】
以下、添付の図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。同じ参照符号が付されている構成要素は、同じ機能の構成要素とする。
【００２４】
（実施の形態１）
図１は、実施の形態１によるＡｌＧａＩｎＡｓ／ＩｎＰ系リッジ導波型半導体レーザ１００の斜視図である。半導体レーザ１００は、ｎ−ＩｎＰ基板１、厚さ１μｍ　のｎ−ＩｎＰクラッド層２、厚さ０．１μｍのｎ−ＡｌＩｎＡｓクラッド層３、ＡｌＧａＩｎＡｓ−ＭＱＷ活性層４、厚さ０．１μｍ　のｐ−ＡｌＩｎＡｓクラッド層５、厚さ１．７５μｍのｐ−ＩｎＰクラッド層６、厚さ０．６μｍ　のｐ−ＩｎＧａＡｓコンタクト層７、ＳｉＯ２膜８、Ｐ側電極（Ｔｉ／Ａｕ）９、Ｎ側電極（ＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ａｕ）１０、Ｐ側メッキ電極１１、リッジ１２、チップ分離溝１３とを有する。ＭＱＷ活性層４とは、発光効率を向上すべく、多重量子井戸（Ｍｕｌｔｉ−Ｑｕａｎｔｕｍ−Ｗｅｌｌ）構造で形成された層である。多重量子井戸構造とは、バンドギャップの小さい層（井戸層）をバンドギャップの大きい層（バリア層）で挟んだ量子井戸構造を、何重にも積層した構造である。
【００２５】
このような構造の半導体レーザ１００は、エピタキシャル成長法により各層を積層し、エッチングにより所定の個所を除去して形成できる。エピタキシャル成長法として、例えば、成長させたい有機金属を含んだ気体を基板に向かって流し、基板表面上の化学反応によって成長させる有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ）や、有機金属を高真空中で基板に向かって蒸発させ、基板に付着させて成長させる有機金属分子線成長法（ＭＯＭＢＥ）が利用できる。エピタキシャル成長法により結晶成長させた層は、エピタキシャル層とも称される。積層は、具体的には以下のように行われる。ｎ−ＩｎＰ基板１上に、ｎ−ＩｎＰクラッド層２、ｎ−ＡｌＩｎＡｓクラッド層３、ＡｌＧａＩｎＡｓ−ＭＱＷ活性層４、ｐ−ＡｌＩｎＡｓクラッド層５、ｐ−ＩｎＰクラッド層６、および、ｐ−ＩｎＧａＡｓコンタクト層７をエピタキシャル成長法により積層させる。そして、ｐ−ＩｎＰクラッド層６およびｐ−ＩｎＧａＡｓコンタクト層７をエッチングにより部分的に除去して、リッジ１２を形成する。すなわちリッジ１２は、ｐ−ＩｎＰクラッド層６およびｐ−ＩｎＧａＡｓコンタクト層７により形成されている。その後、Ｐ−ＣＶＤあるいはスパッタおよびエッチングを行い、ＳｉＯ２膜８を形成した後、蒸着によりＰ側電極９を積層する。その後、Ｐ側電極９およびＮ側電極１０を形成する。形成された半導体レーザは、チップ分離溝１３において分離される。
【００２６】
ｐ−ＩｎＧａＡｓコンタクト層７上にＳｉＯ２膜８が設けられていないことから明らかなように、ｐ−ＩｎＧａＡｓコンタクト層７はＰ側電極９と電気的に接続されている。リッジ１２を介して、Ｐ側電極９から、正孔が注入される。一方、Ｎ側電極１０からは電子が注入される。その結果、半導体レーザ１００は、活性層４において、正孔と電子とが結合することにより、光が生じる。
【００２７】
実施の形態１によるリッジ導波型半導体レーザ１００の特徴は、チップ分離溝１３を、ｐ−ＡｌＩｎＡｓクラッド層５が露出する深さまで形成したことにある。この構造は、チップ分離溝１３の位置での、ｐ−ＩｎＰクラッド層６およびｐ−ＩｎＧａＡｓコンタクト層７のエッチング時間を長くすればよい。
【００２８】
従来の半導体レーザ１８０（図８）では、チップ分離溝１３は、ｐ−ＡｌＩｎＡｓクラッド層５までは達することはなく、ｐ−ＡｌＩｎＡｓクラッド層５に積層されたｐ−ＩｎＰクラッド層６が露出する深さまでしか形成されていなかった。そのため、従来はチップ分離溝１３の深さはｐ−ＩｎＧａＡｓコンタクト層８の厚さに相当する厚さ（約０．６μｍ）程度しかなかった。また、リッジ１２の形成およびチップ分離溝１３の形成は別々の工程で行う必要があったため、工程数が多かった。
【００２９】
しかし、上述した本実施の形態の半導体レーザ１００の構造によれば、リッジ１２とチップ分離溝１３とを同時に形成することが出来るので、工程数を減らすことができる。そして、従来のレーザよりもｐ−ＩｎＰクラッド層６の厚さに相当する分（１．７５μｍ）だけさらに深く、具体的には合計約２．３μｍもの深さのチップ分離溝１３が形成されている。このような深さのチップ分離溝１３を設ける利点は以下のとおりである。
【００３０】
図２は、リッジ導波型半導体レーザ１００を、Ｊ−ｄｏｗｎ組み立てにより組み立てた場合の断面図である。半導体レーザ１００にＪ−ｄｏｗｎ組み立てを採用した場合、レーザ１００が、活性層４側、すなわち、リッジ１２側を下にして、半田材１５を介してマウント材１４に接着されている。
【００３１】
本実施の形態によるリッジ導波型半導体レーザ１００は、図２に示すように、半田材１５が盛り上がった場合でも、半田材１５がレーザチップ側面からｐ−ＡｌＩｎＡｓクラッド層５、活性層４等のエピタキシャル層に接触しにくい。チップ分離溝の深さが、従来の約０．６μｍに対して、約２．３μｍと深いからである。これにより、電流がリークしにくくなり、リーク不良の発生が抑えられる。
【００３２】
図３は、製造ばらつきの例を示す半導体レーザ１３０の断面図である。通常は図２に示す半導体レーザ１００のように製造されるが、チップ分離の際に、チップ分離溝１３内のＳｉＯ２膜８が位置８１において欠けている。そしてさらに、盛り上がった半田材１５がｐ−ＡｌＩｎＡｓクラッド層５と接触している。
【００３３】
従来、このような半導体レーザは、ショート不良やリーク不良の製品とされることが多かったが、本実施の形態による半導体レーザ１３０は、そのような不良は生じない。その理由は、ｐ−ＡｌＩｎＡｓクラッド層５は、容易に酸化される材料（アルミニウム（Ａｌ））を含んでいるため、一旦空気中に露出すると酸化され、その結果酸化された部分のコンタクト抵抗が非常に高くなる。よって半田材１５とｐ−ＡｌＩｎＡｓクラッド層５との接触部分からのリーク電流がなくなり、または、仮にリーク電流が流れても極めて小さく抑えられるからである。この結果、製品の歩留まりが大幅に向上する。
【００３４】
（実施の形態２）
図４は、実施の形態２によるＡｌＧａＩｎＡｓ／ＩｎＰ系リッジ導波型半導体レーザ１４０の斜視図である。半導体レーザ１４０は、半導体レーザ１８０（図８）に対して、新たに絶縁膜１６を付加して構成されている。絶縁膜１６は、例えば水ガラスである。その他の製造工程は、チップ分離溝１３がｐ−ＡｌＩｎＡｓクラッド層５にまで到達しないようにエッチングする点を除くと、実施の形態１で説明した内容と実質的に同様である。なお実施の形態１の半導体レーザ１００（図１）と同様に、チップ分離溝１３の深さを、ｐ−ＡｌＩｎＡｓクラッド層５に達するように構成してもよい。
【００３５】
図５は、リッジ導波型半導体レーザ１４０を、Ｊ−ｄｏｗｎ組み立てにより組み立てた場合の断面図である。従来のリッジ導波型半導体レーザ１８０（図８）は、レーザチップ側面に多層のエピタキシャル層がアンコートで露出している状態であった。しかし、本実施の形態による半導体レーザ１４０は、チップ側面を絶縁膜で覆っているので、図５に示すように、盛り上がった半田材１５が、仮にチップ側面に接触しても、ショート不良や、リーク不良が発生することはない。
【００３６】
（実施の形態３）
図６は、実施の形態３によるＡｌＧａＩｎＡｓ／ＩｎＰ系リッジ導波型半導体レーザ１６０の斜視図である。半導体レーザ１６０は、半導体レーザ１８０（図８）のＰ側メッキ電極１１に代えて、新たにエアーブリッジ型Ｐ側メッキ電極１１０を付加して構成されている。エアーブリッジ型Ｐ側メッキ電極１１０は、リッジ脇の溝の表面とは接することなく、離れた状態でその上方を覆っている。この電極１１０は、リッジ１２と電極パッドとを電気的接続している。すなわち、実施の形態１と異なり、Ｐ側電極９は溝部分に設けられていない。また、チップ分離溝１３についても、ｐ−ＡｌＩｎＡｓクラッド層５にまで到達しないようにエッチングする。その他の製造工程は、実施の形態１で説明した内容と実質的に同様である。なお実施の形態１の半導体レーザ１００（図１）と同様に、チップ分離溝１３の深さを、ｐ−ＡｌＩｎＡｓクラッド層５に達するように構成してもよい。
【００３７】
図７は、リッジ導波型半導体レーザ１６０を、Ｊ−ｄｏｗｎ組み立てにより組み立てた場合の断面図である。図から明らかなように、本実施の形態による半導体レーザ１６０では、半田材１５がリッジ１２脇の溝内に入り込まない。よって、半田材１５と結晶材料の熱膨張係数の差に起因してリッジ１２が受けるストレスを抑制できる。またエアーブリッジ型Ｐ側メッキ電極１１０は、従来のメッキ電極１１（図８）よりも、積層方向に高くできるので、半田材１５の盛り上がりに起因したショート不良やリーク電流の発生も防止できる。
【００３８】
以上、本発明の実施の形態を説明した。実施の形態１〜３では、結晶材料がＡｌＧａＩｎＡｓ／ＩｎＰの場合について説明した。しかし、レーザがリッジ導波型構造であれば、他の結晶材料（例えば、ＡｌＧａＩｎＰ／ＧａＡｓ等）であってもよい。異なる材料であっても、上述したと同じ効果を奏する。
【００３９】
【発明の効果】
本発明の半導体レーザによれば、チップ分離位置において、第３のクラッド層（ｐ−ＩｎＰクラッド層６）側から積層された方向に沿って形成された溝が、第２のクラッド層（ｐ−ＡｌＩｎＡｓクラッド層５）に到達しているので、第３のクラッド層の厚さに相当する分だけ深い分離溝を形成できる。よって、Ｊ−ｄｏｗｎ組み立てにより半導体レーザを組み立てた際に、半田材が盛り上がった場合でも、半田材が他の層に接触しにくくなる。よって、電流がリークしにくくなり、リーク不良の発生が抑えられる。
【００４０】
第２のクラッド層（ｐ−ＡｌＩｎＡｓクラッド層５）は、容易に酸化される材料（例えば、アルミニウム（Ａｌ））で形成されているので、チップ分離位置において形成された溝が、第２のクラッド層（ｐ−ＡｌＩｎＡｓクラッド層５）に到達し空気中に露出された場合でも、酸化された部分のコンタクト抵抗が非常に高くなる。よって、その酸化された部分のリーク電流がなくなり、または、仮にリーク電流が流れても極めて小さく抑えられる。
【００４１】
本発明のレーザによれば、リッジ構造の第３のクラッド層（リッジ１２）と電気的に接続された電極が、リッジ脇の溝の表面から離れた状態で上方を覆っている。これにより、Ｊ−ｄｏｗｎ組み立てにより半導体レーザを組み立てた際に、半田材がリッジ脇の溝内に入り込まない。よって、半田材と結晶材料の熱膨張係数の差に起因してリッジが受けるストレスを抑制できる。
【００４２】
以上のように、本発明によるリッジ導波型半導体レーザにおいては、Ｊ−ｄｏｗｎ組み立て時における半田材の盛り上がりに起因したショート不良やリーク電流の発生といった特性上の問題と、半田材と結晶材料の熱膨張係数の差によるストレスに起因した信頼性上の問題を解決できる。よって大幅な歩留まり向上が期待できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施の形態１によるリッジ導波型半導体レーザの斜視図である。
【図２】リッジ導波型半導体レーザを、Ｊ−ｄｏｗｎ組み立てにより組み立てた場合の断面図である。
【図３】製造ばらつきの例を示す半導体レーザの断面図である。
【図４】実施の形態２によるリッジ導波型半導体レーザの斜視図である。
【図５】リッジ導波型半導体レーザを、Ｊ−ｄｏｗｎ組み立てにより組み立てた場合の断面図である。
【図６】実施の形態３によるリッジ導波型半導体レーザの斜視図である。
【図７】リッジ導波型半導体レーザを、Ｊ−ｄｏｗｎ組み立てにより組み立てた場合の断面図である。
【図８】従来のリッジ導波型半導体レーザの斜視図である。
【図９】従来のリッジ導波型半導体レーザを、Ｊ−ｄｏｗｎ組み立てにより組み立てたときの理想的な状態を示す断面図である。
【図１０】Ｊ−ｄｏｗｎ組み立てにより従来のリッジ導波型半導体レーザを製造したときの、第一の問題を説明する図である。
【図１１】Ｊ−ｄｏｗｎ組み立てにより従来のリッジ導波型半導体レーザを製造したときの、第二の問題を説明する図である。
【符号の説明】
１　ｎ−ＩｎＰ基板、　２　ｎ−ＩｎＰクラッド層、　３　ｎ−ＡｌＩｎＡｓクラッド層、　４　多重量子井戸活性層、　５　ｐ−ＡｌＩｎＡｓクラッド層、　６　ｐ−ＩｎＰクラッド層、　７　ｐ−ＩｎＧａＡｓコンタクト層、　８　ＳｉＯ２膜、　９　Ｐ側電極、　１０　Ｎ側電極、１１　Ｐ側メッキ電極、　１２　リッジ、　１３　チップ分離溝、　１６　絶縁膜、　１００、１３０、１４０、１６０　半導体レーザ、　１１０　エアーブリッジ型Ｐ側メッキ電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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