(57)【要約】【課題】本発明は、半導体ウエハ処理装置の稼働率を向上すると共に、装置のコストを低減し、半導体ウエハの保護を確実に行うことができる半導体ウエハ用搬送トレーを提供する。【解決手段】本半導体ウエハ用搬送トレー２は、ウエハ１のうち最大のものの外径より大きな外径ａを有する円板状の誘電体から成り、ウエハ１を載せる面にウエハ１の外径に応じた凹部２ａを規定する外周部２ｂを有する。凹部２ａは、外径ａの円板と同心円の内径ｂを有し、ウエハ１の厚みに応じた深さで成形されている。【選択図】　　　図１
2004140297.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
外径が異なる半導体ウエハを載せる半導体ウエハ用搬送トレーにおいて、前記半導体ウエハのうち最大のものの外径より大きな共通の外径と、前記半導体ウエハを載せる面に前記半導体ウエハの外径に応じた凹部を規定する外周部とを有することを特徴とする半導体ウエハ用搬送トレー。
【請求項２】
少なくともクオーツ、樹脂、及びセラミックのいずれか１つから成る誘電体であることを特徴とする請求項１記載の半導体ウエハ用搬送トレー。
【請求項３】
少なくともＳｉ、ＳｉＣ、Ａｌのいずれか１つから成る導電体と、該導電体の表面に形成された少なくともクオーツ、樹脂、及びセラミックのいずれか１つから成る誘電体膜とで構成されていることを特徴とする請求項１記載の半導体ウエハ用トレー。
【請求項４】
前記半導体ウエハと接触する部分が、少なくともシリコンゴム、フッ素ゴムのいずれか１つから成る誘電体膜により形成されていることを特徴とする請求項３記載の半導体ウエハ用搬送トレー。
【請求項５】
前記外周部は、前記半導体ウエハの外周面に沿って、前記半導体ウエハに対して垂直に設けられていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の半導体ウエハ用搬送トレー。
【請求項６】
前記外周部には、前記半導体ウエハの外周端部を覆うように載置された保護リングが備えていることを特徴とする請求項５記載の半導体ウエハ用搬送トレー。
【請求項７】
前記半導体ウエハを載せる面に貫通孔が少なくとも１つ設けられていることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の半導体ウエハ用搬送トレー。
【請求項８】
前記外周部は、前記半導体ウエハを載せる面とは別体に設けられていることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の半導体ウエハ用搬送トレー。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体ウエハ用搬送トレーに関し、特に、半導体デバイスの製造工程において半導体ウエハを搬送する半導体ウエハ用搬送トレーに関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来の半導体デバイスの製造工程では、製造装置内又は装置間の半導体ウエハ（以下、単に「ウエハ」という。）の搬送には、ウエハ自体を直接載せて搬送する搬送アームが用いられている。
【０００３】
図８は、ウエハが載置された従来の搬送アームの一例を示し、（ａ）は縦断面図であり、（ｂ）は上面図である。
【０００４】
図８（ａ）、図８（ｂ）において、搬送アーム２１は、表面に導電性膜が形成されたセラミックから成り、シリコン（Ｓｉ）やガリウム砒素（ＧａＡｓ）等から成るウエハ２０を載せて搬送する。
【０００５】
搬送アーム２１は、ウエハ２０との接触面積をできるだけ少なくするために、Ｙ字形状に成形されている。ウエハ２０は、搬送アーム２１における一方のアーム２１ａ上から他方のアーム２１ｂ上に渡って載置される。
【０００６】
ウエハ２０は、一般に、半導体デバイスの生産性の問題から４，６，８，１２インチφ等の外径の異なるのものが複数存在する。また、ウエハ２０は、半導体デバイスの集積度を向上させるために、７５０μｍの厚みが１００μｍ以下にまで薄肉化されている。
【０００７】
【特許文献】
実開昭５８−１９６８４１号公報
【０００８】
【発明が解決しようとしている課題】
しかしながら、上記従来の搬送アームによるウエハ２０の搬送では、外径の異なる複数のウエハ２０に合わせて、アーム２１ａ，２１ｂの形状が異なる複数の搬送アーム２１を用意する必要がある。そのため、各ウエハ２０の外径毎に異なる形状の搬送アーム２１を複数作製しなければならず、ウエハ２０の製造コストが上がってしまうという問題があった。
【０００９】
また、外径が異なるウエハ２０を搬送するときには、ウエハ２０の外径に合わせて搬送アーム２１を交換する必要があり、交換作業時間が余計にかかるので、装置の稼働率が下がってしまうという問題があった。
【００１０】
更に、薄肉化され、機械的強度が小さいウエハ２０を搬送アーム２１に直接載せて搬送する場合は、被搬送物であるウエハ２０が破損等を起こすおそれがあった。
【００１１】
本発明の目的は、上記問題に鑑みてなされたものであり、半導体ウエハ処理装置の稼働率を向上すると共に、装置のコストを低減し、半導体ウエハの保護を確実に行うことができる半導体ウエハ用搬送トレーを提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、請求項１記載の半導体ウエハ用搬送トレーは、外径が異なる半導体ウエハを載せる半導体ウエハ用搬送トレーにおいて、前記半導体ウエハのうち最大のものの外径より大きな共通の外径と、前記半導体ウエハを載せる面に前記半導体ウエハの外径に応じた凹部を規定する外周部とを有することを特徴とする。
【００１３】
請求項２記載の半導体ウエハ用搬送トレーは、請求項１記載の半導体ウエハ用搬送トレーにおいて、少なくともクオーツ、樹脂、及びセラミックのいずれか１つから成る誘電体であることを特徴とする。
【００１４】
請求項３記載の半導体ウエハ用搬送トレーは、請求項１記載の半導体ウエハ用トレーにおいて、少なくともＳｉ、ＳｉＣ、Ａｌのいずれか１つから成る導電体と、該導電体の表面に形成された少なくともクオーツ、樹脂、及びセラミックのいずれか１つから成る誘電体膜とで構成されていることを特徴とする。
【００１５】
請求項４記載の半導体ウエハ用搬送トレーは、請求項３記載の半導体ウエハ用搬送トレーにおいて、前記半導体ウエハと接触する部分が、少なくともシリコンゴム、フッ素ゴムのいずれか１つから成る誘電体膜により構成されていることを特徴とする。
【００１６】
請求項５記載の半導体ウエハ用搬送トレーは、請求項１乃至４のいずれか１項に記載の半導体ウエハ用搬送トレーにおいて、前記外周部は、前記半導体ウエハの外周面に沿って、前記半導体ウエハに対して垂直に設けられていることを特徴とする。
【００１７】
請求項６記載の半導体ウエハ用搬送トレーは、請求項５記載の半導体ウエハ用搬送トレーにおいて、前記外周部には、前記半導体ウエハの外周端部を覆うように載置された保護リングが備えていることを特徴とする。
【００１８】
請求項７記載の半導体ウエハ用搬送トレーは、請求項１乃至６のいずれか１項に記載の半導体ウエハ用搬送トレーにおいて、前記半導体ウエハを載せる面に貫通孔が少なくとも１つ設けられていることを特徴とする。
【００１９】
請求項８記載の半導体ウエハ用搬送トレーは、請求項１乃至７のいずれか１項に記載の半導体ウエハ用搬送トレーにおいて、前記外周部は、前記半導体ウエハを載せる面とは別体に設けられていることを特徴とする。
【００２０】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の形態に係る半導体ウエハ用搬送トレーを図面を参照して詳細に説明する。
【００２１】
（第１の実施の形態）
図１は、本発明の実施の形態に係る半導体ウエハ用搬送トレーの全体構成を示し、（ａ）は縦断面図であり、（ｂ）は上面図である。本半導体ウエハ用搬送トレーは、例えば、プラズマエッチング処理装置（以下、単に「処理装置」という。）に用いられる。
【００２２】
図１（ａ）、図１（ｂ）において、半導体ウエハ用搬送トレー（以下、「搬送トレー」という。）２は、シリコン（Ｓｉ）やガリウム砒素（ＧａＡｓ）等から成る半導体ウエハ（以下、単に「ウエハ」という。）１を載せて処理装置内又は処理装置間を搬送するものである。ウエハ１は、いずれか一方の面に回路パターンが形成される。
【００２３】
ウエハ１は、半導体デバイスの生産性の問題から４，６，８，１２インチφ等の外径が異なるものが複数存在する。また、ウエハ１は、例えば、厚みが約５０〜１００μｍにまで薄肉化されている。
【００２４】
搬送トレー２は、ウエハ１のうち最大のものの外径より大きな外径ａを有する円板状の誘電体から成り、ウエハ１を載せる面にウエハ１の外径に応じた凹部２ａを規定する外周部２ｂを有する。凹部２ａは、外径ａの円板と同心円の内径ｂを有し、ウエハ１の厚みに応じた深さで成形されている。例えば、外径が８インチ（約２００ｍｍ）φで、厚みが１００μｍのウエハ１を搬送する場合は、内径ｂが２０１ｍｍで深さが１００μｍ以上の搬送トレー２が用いられる。
【００２５】
ウエハ１の外周面に沿って、ウエハ１に対して垂直に設けられている外周部２ｂは厚みｄを有し、例えば、外径８インチφのウエハ１を搬送するときは約３ｍｍとなる。このとき、ウエハ１が載置される内周部２ｃの厚みｅは約５００μｍとなり、外周部２ｂの幅ｃは約１０ｍｍとなる。
【００２６】
これら外周部２ｂの幅ｃ及び厚みｄ、並びに内周部２ｃの厚みｅは、通常、ウエハ１の外径によって設定されるが、ウエハ１に対するプラズマエッチングの均一性を考慮して設定されてもよい。
【００２７】
内周部２ｃの上面は、プラズマ等によりウエハ１が受ける熱を制御する必要があるため、ウエハ１から搬送トレー２への熱伝導性を考慮してウエハ１と密着するように平坦（例えば、Ｒｍａｘ１μｍ以下）に仕上げられている。
【００２８】
本実施の形態では、外径の異なるウエハ１のうち最大のものの外径よりも大きな共通の外径ａと、ウエハ１を載せる面にウエハ１の外径に応じた凹部２ａを規定する外周部２ｂとを有する搬送トレー２を複数用意し、ウエハ１の外径に合った搬送トレー２を用いて搬送を行う。搬送トレー２は、搬送アームに載せて処理装置内に搬送される。
【００２９】
搬送トレー２に用いられる誘電体としては、クオーツ（水晶）やポリイミド樹脂、セラミック（例えば、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、及びボロンナイトライド（ＢＮ，ＰＢＮ））、石英、シリコン等が好適である。搬送トレー２には、薄肉化されたウエハ１が搬送時やウエハプロセス（加工処理）時に受ける外力により破損しないような物理的強度が必要とされる上に、搬送アームや搬送トレー２に載置されたウエハ１を保持する処理装置内のウエハ保持装置に固定・吸着しやすく、且つ加工処理中にウエハ１が受ける熱を逃がしやすいものが必要とされる。このため、搬送トレー２には、物理的強度を有し、誘電率や熱伝導率がよい誘電体が用いられる。
【００３０】
内周部２ｃの厚みｅは、誘電体の物理的強度に応じて設定されるが、クオーツでは１００〜５００μｍが好ましく、ポリイミド樹脂では３００〜６００μｍが好ましい。セラミックでは１００〜５００μｍが好ましい。特に、クオーツは他の誘電体に比べて加工性が良い。また、セラミックは他の誘電体に比べて熱伝導率及び誘電率が大きいので良い。
【００３１】
図２は、図１における搬送トレー２の変形例の概略構成を示す縦断面図であり、（ａ）は第１の変形例、（ｂ）は第２の変形例を示す。
【００３２】
図２（ａ）において、搬送トレー３０は、少なくともＳｉ、ＳｉＣ、Ａｌ等の導電体から成る導電体３０ａと、該導電体３０ａの表面に均一の厚み（例えば、１００μｍ）で形成された誘電体から成る誘電体膜３０ｂとで構成される。誘電体膜３０ｂには、クオーツ（水晶）やポリイミド樹脂、セラミック（例えば、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、及びボロンナイトライド（ＢＮ，ＰＢＮ））、石英、シリコン等が好適である。
【００３３】
図２（ｂ）において、搬送トレー４０は、少なくともＳｉ、ＳｉＣ、Ａｌ等の導電体から成る導電体４０ａと、該導電体４０ａの表面にあって、ウエハ１と接触する部分に所定の厚み（例えば、１００μｍ）で形成された誘電体膜４０ｂと、ウエハ１と接触する部分以外の誘電体４０ａの表面に均一の厚み（例えば、１００μｍ）で形成された誘電体膜４０ｃとで構成される。誘電体膜４０ｂは、少なくともシリコンゴム、フッ素ゴム等の硬度１００ショアＡ以下のゴム系材料から成る。誘電体膜４０ｃは、誘電体膜３０ｂと同様に、クオーツ（水晶）やポリイミド樹脂、セラミック（例えば、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、及びボロンナイトライド（ＢＮ，ＰＢＮ））、石英、シリコン等から成る。
【００３４】
上記各誘電体膜３０ｂ，４０ｂ，４０ｃは、溶射やＣＶＤ、スパッタなどにより成膜されるか、或いは液状化した誘電体材料を塗布した後、乾燥するなどして形成される。
【００３５】
搬送トレー３０，４０を上記構成にすることにより、熱伝導性が向上し、ウエハ１の熱を逃がしやすくすることができる。また、搬送トレー４０には、ウエハ１が接触する部分に硬度１００ショアＡ以下のゴム系材料が用いられているので、微視的に凹凸のあるウエハ裏面との接触面積が大きくなって熱伝導が良くなり、また、クッション性が良くなることで、薄肉化されたウエハ１を載置する際に割れや欠けを防止することができる。
【００３６】
図３は、図１における搬送トレー２が載置された搬送アームの概略構成を示し、（ａ）は縦断面図であり、（ｂ）は上面図である。
【００３７】
図３（ａ）、図３（ｂ）において、搬送アーム３は、表面に帯電による異物の付着等を防止するため、例えば、導電性テフロン（登録商標）などの導電性膜が形成されたセラミックから成り、ウエハ１を載せた搬送トレー２を搬送する搬送アームである。搬送アーム３は、搬送トレー２との接触面積をできるだけ少なくし、摩擦による異物の発生を少なくするために、Ｙ字形状に形成されている。搬送トレー２は、このＹ字形状の搬送アーム３における一方のアーム３ａ上から他方のアーム３ｂ上に渡って載置される。
【００３８】
アーム３ａ，３ｂの各径やそれらの間隔等を含む搬送アーム３の形状は、共通化された外径ａの搬送トレー２に合わせて設定されているので、ウエハ１の外径毎に異なる形状のものを複数作製する必要がなく、ウエハ１の製造コストを低減することができる。
【００３９】
また、外径が異なるウエハ１を搬送するときでも、搬送アーム３の交換が不要となり、搬送アーム３の交換にかかる作業時間を短縮することができ、ひいては処理装置の稼働率を向上することができる。
【００４０】
図４は、図１における搬送トレー２が載置されたウエハ保持装置の概略断面図である。
【００４１】
図４において、１０は、不図示のプラズマエッチング処理装置におけるチャンバー内に設置され、搬送トレー２に載置されたウエハ１を保持するウエハ保持装置である。ウエハ保持装置１０は、静電気力を利用してウエハ１と共に搬送トレー２を吸着して固定・保持する静電吸着部４と、アルミニウム（Ａｌ）等から成り、静電吸着部４を固定するベース部５とを備える。なお、ベース部５には、不図示の冷却機構が備えられており、プラズマ等によりウエハ１が受ける熱は熱伝導により放出される。
【００４２】
静電吸着部４は、銅（Ｃｕ）製で厚み２０〜３０μｍのプレート状の電極６と、約１５０μｍの厚みを有し、電極６の上下面及び側面を覆う誘電体から成る保護膜７とを備える。
【００４３】
ウエハ１を載せた搬送トレー２は、その下面が静電吸着部４の上面、即ちプレート状の電極６と密着するように載置される。電極６は、外部の可変直流電源９に導線８を介して接続されており、該可変直流電源９により直流電圧が印加される。静電吸着部４は、電極６より搬送トレー２に与えられた電荷とウエハ１の表面近傍で分極した電荷に起因する静電気力により吸着力を発生して、ウエハ１と共に搬送トレー２を吸着・保持する。これにより、薄肉化され、機械的強度が小さいウエハ１であっても搬送時等における破損を防止することができる。なお、十分な静電気による吸着力を得るためには、可変直流電源９の印加電圧の最適化を行うのがよい。
【００４４】
また、搬送トレー２を図２（ａ）及び図２（ｂ）に示す構成にして誘電体膜３０ｂ，４０ｂ，４０ｃの厚みを薄くすることにより、更に静電気による吸着力が高まる。誘電体膜３０ｂ，４０ｂ，４０ｃの厚みは、５００μｍ以下が好ましいが、薄すぎると絶縁破壊が生じるので、５０μｍ以上が好ましい。
【００４５】
静電吸着部４は、プラズマエッチング処理終了後等に搬送トレー２を静電吸着部４から取り上げるための棒状の支持体（以下、「プッシャ」という。）（不図示）を備える。プッシャは、静電吸着部４内に設けられた不図示の貫通穴を上下方向に移動することで搬送トレー２を静電吸着部４より取り上げる。
【００４６】
また、静電吸着部４は、搬送トレー２と電極６との間にヘリウム（Ｈｅ）等のガスを噴出する不図示のガス噴出部を備える。ガス噴出部は、搬送トレー２と電極６との間に冷却ガスを噴出することにより、ウエハ１の冷却を行うと共に、搬送トレー２と電極６との間にできるわずかな隙間を埋めて熱伝導性を向上させる。
【００４７】
上記第１の実施の形態によれば、複数の搬送トレー２が、それぞれ共通する外径ａと、ウエハ１の外径に応じて成形された内径ｂの異なる凹部２ａとを有し、ウエハ１の外径に合った搬送トレー２を用いてウエハ１の搬送を行うので、ウエハ１のプラズマエッチング装置等における稼働率を向上すると共に、装置コストを低減し、半導体ウエハの保護を確実に行うことができる。
【００４８】
上記第１の実施の形態では、ウエハ１から静電吸着部４への熱伝導性を向上させるために、電極６上には保護膜７が被膜されていなかったが、これに限らず、電極６上に保護膜７が被膜されていてもよい。また、搬送トレー２の外径ａと静電吸着部４の外径とが異なっているが同じ外径としてもよい。
【００４９】
また、ウエハ１と搬送トレー２との間には、熱伝導性を向上させるために熱伝導性ラバー等の熱伝導材料を挟むようにしてもよい。これにより、ウエハ１と搬送トレー２との密着性が向上してウエハ１が受ける熱を逃がしやすくすることができる。
【００５０】
上記第１の実施の形態では、ウエハを１つだけ載せる搬送トレーについて説明したが、複数のウエハを載せることが可能な搬送トレーであってもよい。そのとき、ウエハは、外径が同じものであっても、外径が異なるものであってもよい。
【００５１】
（第２の実施の形態）
図５は、本発明の第２の実施の形態に係る半導体ウエハ用搬送トレーの部分縦断面図である。同図では、上述した図１〜図４の対応する要素には同一の符号を付してそれらの説明は省略する。
【００５２】
図５において、１１はウエハ１における外周端部１ａを保護する保護リングである。保護リング１１は、リング状に成形された、例えば、搬送トレー２と同じ材質の誘電体から成り、ウエハ１が載置された後、該ウエハ１の外周端部１ａを覆うように搬送トレー２の外周部２ｂに載置されている。
【００５３】
ウエハ１の全面にプラズマエッチング処理を行う場合、保護リング１１を装着せずにエッチングを行ったときは、搬送トレー２の外周部２ｂの形状（例えば、ｃ，ｄ，ｅの寸法等）等の影響によりウエハ１の外周端部１ａもエッチングされる。このウエハ１の外周端部１ａのエッチングが発生すると、搬送トレー２の外周端部２ｂとウエハ１の外周端部１ａとの間隔が大きくなり、搬送中にウエハ１がずれて、搬送トレー２の外周端部２ｂに当たって破損等を引き起こす場合がある。また、ウエハ１の外周端部付近までエッチング等による加工処理を行う必要がある場合は、ウエハ１の外周端部１ａにエッチングが生じると加工不良になる。そこで、保護リング１１を装着することによりウエハ１の外周端部のエッチングの発生を防止してウエハ１搬送中の破損等を防止し、また歩留まりを向上させることができる。
【００５４】
上記第２の実施の形態によれば、搬送トレー２の外周部２ｂには、ウエハ１の外周端部１ａを覆うように載置された保護リング１１を備えるので、ウエハ１の外周端部１ａに発生するエッチングを防止し、ウエハ１搬送中の破損等を防止し、また歩留りを向上させることができる。
【００５５】
上記第２の実施の形態では、保護リング１１を装着することによりウエハ１の外周端部１ａのエッチングを防止しているが、外周端部１ａが保護リング１１により遮蔽されることから、ウエハ１上のエッチング処理可能な範囲が狭められてしまう。そこで、搬送トレー２の外周部２ｂの幅ｃ及び厚みｄを含む形状を制御することによって、外周端部１ａのエッチングを防止することも可能である。
【００５６】
また、保護リング１１は、搬送トレー２に限定されず、上記第１の実施の形態における搬送トレー３０，４０にも適用可能であることは云うまでもない。
【００５７】
（第３の実施の形態）
図６は、本発明の第３の実施の形態に係る半導体ウエハ用搬送トレーの全体構成を示し、（ａ）は縦断面図、（ｂ）は上面図である。同図では、上述した図１〜図４の対応する要素には同一の符号を付してそれらの説明は省略する。
【００５８】
図６（ａ），図６（ｂ）において、搬送トレー１５は、搬送トレー本体１５ａと、当該搬送トレー本体１５ａ上のウエハ１を載せる面に当該ウエハ１を固定し取り外し可能な外周部１５ｂとを有する。
【００５９】
搬送トレー本体１５ａには、ウエハ１を載せる面に貫通孔１６が複数設けられている。貫通孔１６は、ウエハ１の加工処理中に当該ウエハ１が受ける熱を逃がしやすくし、また、冷却ガスによるウエハ１の冷却時の冷却効率をより向上させるためのものである。
【００６０】
貫通孔１６の直径は、ウエハ１又は搬送トレー本体１５ａの厚みに応じて設定されるが、通常、ウエハ１の厚みが３００μｍ以下の場合は約１ｍｍφとなる。貫通孔１６の数は、図示では４つであるが、これに限らず、搬送トレー２の剛性や冷却効率等を考慮して複数設けられていてもよく、また、１つであってもよい。
【００６１】
貫通孔１６の形状は、円形であるが、楕円形状でも多角形状でもよい。また、ウエハ１の載置面で貫通孔１６が設けられる位置は、冷却効率等を考慮して図７に示すように、様々な位置に設けられていてもよい。
【００６２】
外周部１５ｂは、搬送トレー本体１５ａと同心円の外径と、ウエハ１の外径に応じて規定される内径とを有する。外周部１５ｂの幅及び厚みは、通常、ウエハ１の外径によって規定されるが、ウエハ１に対するプラズマエッチングの均一性を考慮して設定されてもよい。また、外周部１５ｂは、搬送トレー本体１５ａとは別体に設けられているが、図１（ａ）に示す搬送トレー２のように一体であってもよい。
【００６３】
上記第３の実施の形態によれば、搬送トレー本体１５ａのウエハ１を載せる面に貫通孔１６が少なくとも１つ設けられているので、ウエハ１の冷却効率を向上させることができる。
【００６４】
上記第１〜上記第３の実施の形態では、薄肉化されたウエハ１を用いているが、通常の厚み（約３００〜７５０μｍ）を有するものを用いてもよいことは云うまでもない。
【００６５】
また、貫通孔１６は、上記第１の実施の形態における搬送トレー２に限定されず、上記第１の実施の形態における搬送トレー３０，４０や上記第２の実施の形態における搬送トレー２にも適用可能であることは云うまでもない。
【００６６】
【発明の効果】
以上詳細に説明したように、本発明の半導体ウエハ用搬送トレーによれば、半導体ウエハのうち最大のものの外径より大きな共通の外径と、半導体ウエハを載せる面に半導体ウエハの外径に応じた凹部を規定する外周部とを有するので、半導体ウエハ処理装置の稼働率を向上すると共に、装置のコストを低減し、半導体ウエハの保護を確実に行うことができる。
【００６７】
また、少なくともＳｉ、ＳｉＣ、Ａｌのいずれか１つから成る導電体と、該導電体の表面に形成された少なくともクオーツ、樹脂、及びセラミックのいずれか１つから成る誘電体膜とで構成されているので、熱伝導性が向上して半導体ウエハの熱を逃がしやすくし、また、ウエハ保持装置に静電吸着する際の吸着力をより大きくすることができる。
【００６８】
また、半導体ウエハの外周面に沿って、半導体ウエハに対して垂直に設けられている外周部には、半導体ウエハの外周端部を覆うように載置された保護リングが備えているので、半導体ウエハの外周端部に対するエッチングの発生を防止し、半導体ウエハ搬送中の破損率を防止し、また歩留りを向上することができる。
【００６９】
また、半導体ウエハを載せる面に貫通孔が少なくとも１つ設けられているので、半導体ウエハを搬送トレーに載せた状態で当該半導体ウエハの熱を逃がし、冷却効率を向上することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る半導体ウエハ用搬送トレーの全体構成を示し、（ａ）は縦断面図であり、（ｂ）は上面図である。
【図２】図１における搬送トレー２の変形例の概略構成を示す縦断面図であり、（ａ）は第１の変形例、（ｂ）は第２の変形例を示す。
【図３】図１における搬送トレー２が載置された搬送アームの概略構成を示し、（ａ）は縦断面図であり、（ｂ）は上面図である。
【図４】図１における搬送トレー２が載置されたウエハ保持装置の概略断面図である。
【図５】本発明の第２の実施の形態に係る半導体ウエハ用搬送トレーの部分縦断面図である。
【図６】本発明の第３の実施の形態に係る半導体ウエハ用搬送トレーの全体構成を示し、（ａ）は縦断面図、（ｂ）は上面図である。
【図７】図６における搬送トレー本体１５ａに設けられた貫通孔１６の位置を示す概略図であり、（ａ）〜（ｄ）はその変形例を示す。
【図８】ウエハが載置された従来の搬送アームの一例を示し、（ａ）は縦断面図であり、（ｂ）は上面図である。
【符号の説明】
１，２０　ウエハ
２，３０，４０　搬送トレー
３，２１　搬送アーム
４　静電吸着部
５　ベース部
６　電極
７　保護膜
８　導線
９　可変直流電源
【図１】
2004140297.tif 000003
【図２】
2004140297.tif 000004
【図３】
2004140297.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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