(57)【要約】【課題】水晶基板等の被成形物の外形及び溝部を成形するためのエッチング方法に対し、被成形物に対するエッチング回数の削減を図る。【解決手段】水晶基板２をエッチング処理して、主面中央部に溝部１１ｃ，１２ｃを備えた音叉型水晶ウェハ１Ａを成形するに際し、溝部１１ｃ，１２ｃに相当する部分ではＣｒ膜３１のみを存在させ、溝部１１ｃ，１２ｃに相当する部分以外の領域であって音叉型水晶ウェハとなるべき部分ではＣｒ膜３１とＡｕ膜３２の２層を存在させる。「外形エッチング動作」の開始後、単層で存在するＣｒ膜３１が溶融除去された後に、「溝部エッチング動作」が「外形エッチング動作」と並行される。【選択図】　　　図２
2004040399.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被成形物をエッチング処理することによって、所定の外形形状及び溝部を有するエッチング成形品を成形するために、上記被成形物に対し、成形しようとするエッチング成形品の外縁よりも外側の領域をエッチングにより除去する「外形エッチング動作」と、被成形物上における溝部成形領域をエッチングにより凹陥させる「溝部エッチング動作」とを実行するエッチング方法であって、
上記溝部成形領域の表面のみにエッチング遅延膜を予め存在させた状態で被成形物に対するエッチング処理を実行し、「外形エッチング動作」の開始後、この外形エッチングと共にエッチング遅延膜が溶融し、このエッチング遅延膜が溶融除去された後に、上記「溝部エッチング動作」が開始されることを特徴とするエッチング方法。
【請求項２】
請求項１記載のエッチング方法において、
エッチングレートの高い材料を下層とし、エッチングレートの低い材料を上層とするコート層を、成形しようとするエッチング成形品の外縁よりも内側の領域に形成しておき、溝部成形領域において上記上層のみを除去することにより露出した下層をエッチング遅延膜として利用して被成形物に対するエッチング処理を実行することを特徴とするエッチング方法。
【請求項３】
請求項１記載のエッチング方法において、
エッチング遅延膜の材料は、成形しようとするエッチング成形品の外縁よりも内側の領域であって且つ溝部成形領域以外の領域に形成される膜の材料よりもエッチングレートが高いものあることを特徴とするエッチング方法。
【請求項４】
請求項１、２または３記載のエッチング方法において、
エッチング成形品は、音叉型水晶ウェハであって、
溝部は、その主面中央部に形成されることを特徴とするエッチング方法。
【請求項５】
請求項１〜４のうち何れか一つに記載のエッチング方法において成形されたことを特徴とするエッチング成形品。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、水晶基板等の被成形物を所定形状にエッチング加工するためのエッチング方法及びその方法によって成形された水晶ウェハ等のエッチング成形品に係る。特に、本発明は、エッチング成形工程の簡素化を図るための対策に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、圧電振動デバイスの一種類として、小型化を図ることが容易な音叉型水晶振動子が知られている。この種の振動子は、例えば特開平１０−２９４６３１号公報に開示されているように、エッチング加工により音叉型に成形された水晶ウェハに対してフォトリソグラフィー技術を利用して表面に所定の電極が形成されて成る音叉型水晶振動片を備えている。
【０００３】
また、特開２００２−７６８０６号公報には、音叉型水晶振動片の各脚部それぞれの表裏面（主面）中央部に溝部を成形した構成が開示されている。このように脚部の表裏面に溝部を成形した場合、振動片を小型化しても脚部の振動損失が抑制され、ＣＩ値（クリスタルインピーダンス）を低く抑えることができて有効である。この種の音叉型水晶振動子は、特に、時計等の精密機器に搭載するのに適している。
【０００４】
以下、上記脚部の表裏面に溝部を備えた音叉型水晶ウェハの成形方法として上記公報に開示されている工程について説明する。
【０００５】
先ず、図３（ａ）に示すように水晶板（水晶Ｚ板）である基板ａを板状に加工する。この際、水晶基板ａの表裏各面はポリッシュ加工により鏡面化されている。
【０００６】
次に、図示しないスパッタ装置によって、水晶基板ａの表面及び裏面に、Ｃｒ（クロム）膜ｂ１、更にその表面にＡｕ（金）膜ｂ２をそれぞれ蒸着する（図３（ｂ）参照）。そして、このように形成した金属膜ｂ１，ｂ２の表面に図３（ｃ）に示すようにフォトレジスト層ｃ，ｃを形成する。
【０００７】
次に、作製しようとする音叉型水晶ウェハの形状（音叉型形状）に合致する振動片成形領域ｄと、水晶基板ａの外縁部分である枠部ｅ，ｅにそれぞれフォトレジスト層ｃ，ｃが残るようにフォトレジスト層ｃを一部除去し、外形パターニングを行う。この状態を断面で示したものが図３（ｄ）であり、斜視図で示したものが図４（ａ）である。この状態では、図４（ａ）に示すように、音叉型水晶ウェハの所定形状が浮かび上がるように、フォトレジスト層ｃ，ｃが形成される。
【０００８】
その後、図３（ｅ）に示すように、上記図３（ｄ）でフォトレジスト層ｃが形成されていない部分の各金属膜ｂ１，ｂ２をＡｕエッチング液及びＣｒエッチング液によって除去する。したがって、図４（ｂ）に示すように各金属膜ｂ１，ｂ２が除去された部分には水晶基板ａが露出することになる。
【０００９】
次に、図３（ｆ）に示すように、図３（ｅ）で残っていたフォトレジスト層ｃをすべて除去する。
【００１０】
その後、図３（ｇ）に示すように、水晶基板ａの表裏全面にフォトレジスト層ｆを形成する。
【００１１】
そして、図３（ｈ）に示すように、フォトレジスト層ｆの一部を除去する。具体的には、上記振動片成形領域ｄ及び枠部ｅ以外の部分のフォトレジスト層ｆを除去するだけでなく、溝部ｇ（図３（ｌ）参照）に相当する部分のフォトレジスト層ｆも除去する溝部パターニングを行う。
【００１２】
次に、図３（ｉ）に示すように、水晶エッチング液による外形エッチングを行う。すなわち、振動片成形領域ｄと枠部ｅのみを残し外形エッチングを行う。
【００１３】
続いて、図３（ｊ）に示すように、音叉型水晶ウェハの脚部に成形する溝部ｇに相当する部分の各金属膜ｂ１，ｂ２をＡｕエッチング液及びＣｒエッチング液によって除去する。
【００１４】
そして、図３（ｋ）に示すように、水晶エッチング液により水晶基板ａを所定深さまでエッチングして、脚部の両面に溝部ｇ，ｇ，…を成形し、断面形状を略Ｈ型にする。その後、フォトレジスト層ｆ及び各金属膜ｂ１，ｂ２を除去することにより、図３（ｌ）に示すような断面略Ｈ型の脚部を備えた音叉型水晶ウェハｈが作製されることになる。
【００１５】
このようにして作製された音叉型水晶ウェハｈに対し、その振動領域の上下面に所定の電極が形成されて音叉型水晶振動片が作製され、この音叉型水晶振動片がパッケージ内に取り付けられることにより音叉型水晶振動子が完成する。
【００１６】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、上述した公報に開示されている成形方法にあっては、先ず、成形しようとする音叉型水晶ウェハｈの外縁よりも外側の領域をエッチングにより除去する外形エッチング工程（図３（ｉ）の工程）を行った後、脚部の主面に溝部ｇを成形する溝部エッチング工程（図３（ｋ）の工程）を行っている。つまり、水晶ウェハｈの外形成形と溝部成形とを別工程で行っている。
【００１７】
このため、加工工程数が多くなり、加工作業の煩雑化や加工時間の長時間化を招いてしまうといった不具合があった。また、外形エッチング工程と溝部エッチング工程のそれぞれにおいて水晶エッチング液によるエッチングが行われるため、少なくとも２回の水晶エッチングを行うことが必要であり、水晶ウェハ表面の面荒れ等の不具合を招いてしまう可能性があった。
【００１８】
尚、以上の説明では音叉型水晶ウェハの外形及び溝部の加工に関して述べたが、その他の水晶ウェハ（ＡＴカット水晶ウェハ等）の表面に溝部を成形する場合も同様に、できるだけ少ない水晶エッチング回数で最終製品を完成させることが好ましい。
【００１９】
本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、水晶基板等の被成形物の外形及び溝部を成形するためのエッチング方法に対し、被成形物に対するエッチング回数の削減を図ることにある。
【００２０】
【課題を解決するための手段】
−発明の概要−
上記の目的を達成するために本発明は、水晶基板等の被成形物に対する外形エッチング動作と溝部エッチング動作とを並行させることにより、一度のエッチング工程で外形及び溝部の両方を成形するようにしている。この場合、外形エッチングに必要なエッチング量と溝部エッチングに必要なエッチング量とは互いに異なる。つまり、溝部を成形するためのエッチング量は、外形を成形するためのエッチング量に比べて少ない。このため、外形エッチング動作の開始時点に対して溝部エッチング動作の開始時点が遅延するように、溝部成形領域の表面にエッチング遅延膜を予め存在させておく。
【００２１】
−解決手段−
具体的には、被成形物をエッチング処理することによって、所定の外形形状及び溝部を有するエッチング成形品を成形するために、上記被成形物に対し、成形しようとするエッチング成形品の外縁よりも外側の領域をエッチングにより除去する「外形エッチング動作」と、被成形物上における溝部成形領域をエッチングにより凹陥させる「溝部エッチング動作」とを実行するエッチング方法を前提とする。このエッチング方法に対し、先ず、溝部成形領域の表面のみにエッチング遅延膜を予め存在させておく。この状態で被成形物に対するエッチング処理を実行することで、「外形エッチング動作」の開始後、この外形エッチングと共にエッチング遅延膜が溶融し、このエッチング遅延膜が溶融除去された後に、上記「溝部エッチング動作」が開始されるようにしている。この場合、エッチング遅延膜としては、「溝部エッチング動作」の開始時に「外形エッチング動作」が並行されるように形成（材料や膜厚の設定）してもよいし、「溝部エッチング動作」の開始時には既に「外形エッチング動作」が終了しているように形成してもよい。
【００２２】
上記エッチング遅延膜を溝部成形領域の表面に存在させておくための具体的な手法としては以下のものが掲げられる。先ず、エッチングレートの高い材料（エッチング液により容易に溶融する材料）を下層とし、エッチングレートの低い材料（容易には溶融しない材料）を上層とするコート層を、成形しようとするエッチング成形品の外縁よりも内側の領域に形成しておく。そして、溝部成形領域において上記上層のみを除去することにより露出した下層をエッチング遅延膜として利用して被成形物に対するエッチング処理を実行する。
【００２３】
また、他の手法としては、エッチング遅延膜の材料として、成形しようとするエッチング成形品の外縁よりも内側の領域であって且つ溝部成形領域以外の領域に形成される膜の材料よりもエッチングレートが高いものを採用することも掲げられる。
【００２４】
これらの特定事項により、被成形物に対するエッチング処理を開始した時点では、被成形物上におけるエッチング遅延膜が存在していない領域、つまり成形しようとするエッチング成形品の外縁よりも外側の領域では直ちにエッチングが開始される（外形エッチング動作の開始）。これに対し、被成形物上におけるエッチング遅延膜が存在している領域、つまり溝部成形領域ではエッチング遅延膜の溶融が開始されるのみであって、この部分での被成形物のエッチングは未だ開始されない。
【００２５】
そして、この状態が所定時間継続し、溝部成形領域に存在していたエッチング遅延膜が完全に溶融除去された後には、この溝部成形領域においても被成形物のエッチングが開始される（溝部エッチング動作の開始）。つまり、溝部エッチング動作が外形エッチング動作と並行されることになる。また、溝部エッチング動作の開始時には既に外形エッチング動作が終了している場合もある。そして、この溝部成形領域におけるエッチング量が所定量に達した時点でエッチング処理を終了する。
【００２６】
これにより、溝部成形領域にあっては、所定深さの溝部が成形されており、溝部エッチング動作よりも先行してエッチングが開始されていたエッチング成形品の外縁よりも外側の領域では、十分なエッチング量が得られてエッチング成形品の外形が所望の形状で得られている。
【００２７】
尚、上述した如くエッチングレートの異なる２種類の材料を利用する場合、例えば、エッチングレートの高い材料としてはＣｒが、エッチングレートの低い材料としてはＡｕが使用される。つまり、上記２層のコート層を使用する場合には、成形しようとするエッチング成形品の外縁よりも内側の領域（エッチング成形品となるべき部分）ではＣｒとＡｕの２層構造となり、溝部成形領域ではＣｒのみの１層構造となっている。その結果、この２層構造部分ではエッチングは行われず、１層構造部分ではＣｒの溶融後に溝部エッチング動作によって所定量（溝の深さ分だけ）のエッチングが行われることになる。ここで使用可能な材料としてはこれらに限るものではない。
【００２８】
上記エッチング方法によって成形される成形品として、具体的には音叉型水晶ウェハが掲げられる。この場合、溝部は、その主面中央部に形成されることになる。
【００２９】
このように音叉型水晶ウェハの主面上に溝部を成形した場合、この音叉型水晶ウェハを使用して作製される音叉型水晶振動片を小型化しても脚部の振動損失が抑制され、ＣＩ値を低く抑えることができて有効である。
【００３０】
また、上記各解決手段のうち何れか一つのエッチング方法において成形されたエッチング成形品も本発明の技術的思想の範疇である。
【００３１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。本発明は、音叉型水晶振動子を構成する音叉型水晶ウェハのエッチングによる成形方法に本発明を適用した場合について説明する。
【００３２】
−音叉型水晶振動子の構成説明−
音叉型水晶ウェハのエッチングによる成形方法の説明の前に、先ず、音叉型水晶振動子の構成について説明する。
【００３３】
図１（ａ）は本形態に係る音叉型水晶振動子に備えられる音叉型水晶振動片１を示す図である。また、図１（ｂ）は図１（ａ）におけるＢ−Ｂ線に沿った断面図である。
【００３４】
この音叉型水晶振動片１は、２本の脚部１１，１２を備えており、各脚部１１，１２に第１及び第２の励振電極１３，１４が形成されている。図１（ａ）では、これら励振電極１３，１４の形成部分に斜線を付している。
【００３５】
また、本音叉型水晶振動片１は、各脚部１１，１２それぞれの表裏面となる主面１１ａ，１２ａの中央部に矩形状の溝部１１ｃ，１２ｃが成形されている。これら溝部１１ｃ，１２ｃを加工するためのエッチング工程については後述する。
【００３６】
このように各脚部１１，１２の表裏面に溝部１１ｃ，１２ｃを成形した場合、音叉型水晶振動片１を小型化しても脚部１１，１２の振動損失が抑制され、ＣＩ値（クリスタルインピーダンス）を低く抑えることができて有効である。
【００３７】
上記第１の励振電極１３は、一方の脚部１１の表裏面（主面）１１ａに成形されている溝部１１ｃの内部と他方の脚部１２の側面１２ｂとに設けられ、それぞれが接続されている。同様に、第２の励振電極１４は、他方の脚部１２の表裏面（主面）１２ａに成形されている溝部１２ｃの内部と一方の脚部１１の側面１１ｂとに設けられ、それぞれが接続されている。これら励振電極１３，１４は、クロム（Ｃｒ）及び金（Ａｕ）の金属蒸着によって形成された薄膜であって、その膜厚は例えば２０００Åに設定されている。
【００３８】
また、図示しないが、この音叉型水晶振動片１はベースに支持され、このベースの外周部に音叉型水晶振動片１を覆うようにキャップが取り付けられて音叉型水晶振動子が構成される。
【００３９】
−音叉型水晶ウェハのエッチング工程の説明−
次に、音叉型水晶ウェハのエッチングによる成形方法について図２を用いて説明する。この図２は、図１においてＩＩ−ＩＩ線に沿った断面における加工状態を示している。
【００４０】
先ず、図２（ａ）に示すように水晶基板２を板状に加工する。この際、水晶基板２の表裏各面はポリッシュ加工により鏡面化されている。
【００４１】
次に、図示しないスパッタ装置によって、水晶基板２の表面及び裏面にＣｒ膜３１及びその表面にＡｕ膜３２をそれぞれ蒸着する。そして、このように形成した金属膜３１，３２の上に図２（ｃ）に示すようにフォトレジスト層４，４を形成する。
【００４２】
次に、図２（ｄ）に示すように、作製しようとする音叉型水晶ウェハの形状（音叉型形状）に合致する振動片成形領域Ａと、水晶基板２の外縁部分である枠部Ｃにそれぞれフォトレジスト層４，４が残るようにフォトレジスト層４を一部除去し、外形パターニングを行う。
【００４３】
次に、図２（ｅ）に示すように、上記図２（ｄ）でフォトレジスト層４が形成されていない部分の各金属膜３１，３２をＡｕエッチング液及びＣｒエッチング液によって除去する。これにより、金属膜３１，３２が除去された部分には、水晶基板２が露出することになる。
【００４４】
その後、図２（ｆ）に示すように、図２（ｅ）で残っていたフォトレジスト層４をすべて除去する。
【００４５】
その後、図２（ｇ）に示すように、水晶基板２の表裏全面にフォトレジスト層５を形成する。
【００４６】
そして、図２（ｈ）に示すように、フォトレジスト層５の一部を除去する。具体的には、溝部１１ｃ，１２ｃに相当する部分のフォトレジスト層５を除去する溝部パターニングを行う。
【００４７】
次に、図２（ｉ）に示すように、上記図２（ｈ）でフォトレジスト層５が形成されていない部分のＡｕ膜３２のみをＡｕエッチング液によって除去する。これにより、溝部１１ｃ，１２ｃに相当する部分では、金属膜としてＣｒ膜３１のみが残った状態になる。
【００４８】
その後、図２（ｊ）に示すように、図２（ｉ）で残っていたフォトレジスト層５をすべて除去する。これにより、溝部１１ｃ，１２ｃに相当する部分では金属膜として本発明でいうエッチング遅延膜として機能するＣｒ膜３１のみが存在し、溝部１１ｃ，１２ｃに相当する部分以外の領域では金属膜としてＣｒ膜３１とＡｕ膜３２の２層が存在することになる。
【００４９】
尚、ＣｒとＡｕとを比較した場合、Ｃｒの方がエッチングレートが高い。つまり、エッチング液（本形態の場合には、フッ酸＋フッ化アンモニウム溶液）により容易に溶融する材料である。これに対し、Ａｕはエッチング液による溶融は殆どない材料である。
【００５０】
続いて、水晶エッチング液による外形エッチングを行う。すなわち、金属膜３１，３２が存在しておらず水晶基板２が露出している部分がエッチングされることになる。この際、溝部１１ｃ，１２ｃに相当する部分では金属膜としてＣｒ膜３１が存在しているのみであるため、このＣｒ膜３１も水晶エッチング液によってエッチング（溶融除去）されていく。図２（ｋ）は、この外形エッチング工程の途中の状態であって、溝部１１ｃ，１２ｃに相当する部分のＣｒ膜３１が完全に除去された状態を示している。この時、未だ外形エッチング工程は完了しておらず、部分的に水晶基板２が薄板の状態で残っている。
【００５１】
この状態を経て、更に水晶エッチング液によるエッチングを進めていくと、Ｃｒ膜３１が完全に除去された溝部１１ｃ，１２ｃに相当する部分においても水晶基板２のエッチングが開始される。つまり、水晶ウェハ外形エッチング工程と溝部エッチング工程とが並行されることになる。
【００５２】
このエッチング工程を所定時間継続し、溝部１１ｃ，１２ｃのエッチング量が所定量に達した時点でエッチング工程を終了する。これにより、図２（ｌ）に示すように、脚部の両面に溝部１１ｃ，１２ｃが成形され、この脚部は断面形状が略Ｈ型となる。このようにして所定の外形形状であって主面に溝部１１ｃ，１２ｃを有する水晶ウェハ１Ａが成形され、残っている各金属膜３１，３２をＡｕエッチング液及びＣｒエッチング液によって除去して、図２（ｍ）に示すような断面略Ｈ型の脚部を備えた音叉型水晶ウェハ１Ａが完成する。
【００５３】
尚、図２（ｌ）に示す状態で水晶ウェハ１Ａ上に残っている金属膜３１，３２は、除去することなく、その後に行われる電極形成時の配線パターンの一部として利用したり、音叉型水晶振動子の周波数調整時に部分的に除去（例えば周波数調整を行うためのミーリング）するための重み付け電極として利用してもよい。
【００５４】
このようにして成形された音叉型水晶ウェハ１Ａの各脚部１１，１２に、上記第１及び第２の励振電極１３，１４を形成して音叉型水晶振動片１を作製し、これをベースに支持し、このベースの外周部にキャップが取り付けられて音叉型水晶振動子が作製されることになる。このようにして作製された音叉型水晶振動子の共振周波数としては、例えば２０ｋＨｚ、３２ｋＨｚ、４０ｋＨｚ、６０ｋＨｚ、７５ｋＨｚ、７７．５ｋＨｚなどが掲げられる。また、これら周波数以外の音叉型水晶振動子も作製することは可能である。また、表面実装型の音叉型水晶振動子等として作製してもよい。
【００５５】
以上説明したように、本形態では、水晶基板２に対するエッチング工程を一度行うのみで音叉型水晶ウェハ１Ａの外形を所定の音叉型形状に成形できると共に、その主面に溝部１１ｃ，１２ｃを形成することができる。つまり、水晶基板２に対して複数回のエッチングを行うことがないため、加工作業の煩雑化や加工時間の長時間化を回避することができると共に、水晶ウェハ１Ａ表面の面荒れ等の不具合を招くことがなく高品質の音叉型水晶ウェハ１Ａを作製することができる。
【００５６】
−その他の実施形態−
以上説明した実施形態では、溝部１１ｃ，１２ｃに相当する部分にはＣｒ膜３１のみを存在させ、溝部１１ｃ，１２ｃに相当する部分以外の領域ではＣｒ膜３１とＡｕ膜３２の２層を存在させていた。本発明はこれに限らず、溝部１１ｃ，１２ｃに相当する部分にはＣｒ膜を存在させ、溝部１１ｃ，１２ｃに相当する部分以外の領域では酸化Ｃｒ膜を存在させるようにしてもよい。一般にＣｒ（非酸化）膜に比べて酸化Ｃｒ膜の方がエッチングレートが低い（エッチング液に溶け難い）とされており、これらのエッチングレート差を利用することによって溝部１１ｃ，１２ｃに相当する部分のみをエッチングして溝部１１ｃ，１２ｃを成形することも可能である。このＣｒ膜に対して部分的に酸化させる手法としては、エキシマＵＶ照射、ＵＶ−Ｏ３ドライ洗浄、Ｏ２プラズマなどが掲げられる。
【００５７】
また、このように溝部１１ｃ，１２ｃに相当する領域と、それ以外の領域とに形成される各膜にエッチングレートの差を設ける手法としては、各領域に同一材料の膜（例えばＣｒ膜）を形成すると共に、前者の領域に形成される膜の膜厚に対して後者の領域に形成される膜の膜厚を厚く設定しておくことも掲げられる。
【００５８】
以上説明した実施形態は音叉型水晶ウェハのエッチングによる成形方法に本発明を適用した場合であった。本発明はこれに限らず、その他の水晶ウェハ（ＡＴカット水晶ウェハ等）に溝部を成形する場合にも適用可能である。
【００５９】
また、本発明は、水晶ウェハに限らず、ニオブ酸リチウムやタンタル酸リチウムなどを使用した圧電振動片や、その他種々の電子部品の製造に適用することも可能である。更に、被成形物として圧電材料に限らず、ガラス、金属、半導体などの種々の材料に対しても適用可能である。
【００６０】
また、エッチング遅延膜の構成材料としてはＣｒに限らず、エッチングレートが比較的高い材料であれば種々の材料が適用可能である。また、上記Ａｕ膜に代えてＮｉ膜を適用することも可能である。
【００６１】
加えて、エッチング遅延膜を形成するための手法としては上述した実施形態のものに限らず、レーザ照射によって選択的に金属膜（上記実施形態の場合はＡｕ膜）を除去して所定領域のみにエッチング遅延膜を露出させるようにしてもよいし、レーザ照射に代えてミーリングを行ってもよい。
【００６２】
【発明の効果】
以上のように、本発明では、外形エッチング動作の開始時点に対して溝部エッチング動作の開始時点が遅延するように、溝部成形領域の表面にエッチング遅延膜を予め存在させておき、この状態で、エッチング処理を実行させている。これにより、一度のエッチング工程で外形及び溝部の両方を適切に成形できるようにしている。その結果、被成形物に対するエッチング工程を一度行うのみでエッチング成形品の外形を所定形状に成形できると共に、溝部を形成することができる。つまり、被成形物に対して複数回のエッチングを行うことがないため、加工作業の煩雑化や加工時間の長時間化を回避することができると共に、エッチング成形品表面の面荒れ等の不具合を招くことがなく高品質のエッチング成形品を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）は実施形態に係る音叉型水晶振動片を示す図であり、（ｂ）は（ａ）におけるＢ−Ｂ線に沿った断面図である。
【図２】実施形態に係る音叉型水晶ウェハの成形工程を示す図である。
【図３】従来技術における音叉型水晶ウェハの成形工程を示す図である。
【図４】従来技術における音叉型水晶ウェハ成形途中の水晶基板を示す斜視図である。
【符号の説明】
１　　　　音叉型水晶振動片
１Ａ　　　音叉型水晶ウェハ
１１ｃ，１２ｃ　溝部
２　　　　水晶基板（被成形物）
【図１】
2004040399.tif 000003
【図２】
2004040399.tif 000004
【図３】
2004040399.tif 000005
【図４】
2004040399.tif 000006