(57)【要約】【課題】着目する材料内部の組織を精密かつ効率よく観察することが可能となる試料作製方法を提供する。【解決手段】材料中の測定対象元素の深さ方向の分布と、該材料の内部組織との関係の解析に用いる試料の作製方法であって、スパッタリングを用いた試料深さ方向分析手法により、試料中の測定対象元素の深さ方向の強度プロファイルを測定し、該強度プロファイルに基づいて前記試料の表面から所定の深さに観察面を選定し、前記測定箇所以外の箇所に対して、スパッタクレーターの底面が前記観察面と同一深さの面に達するまでスパッタリングを行い、前記試料のスパッタリングを行っていない表面が、前記スパッタクレーターの底面と同一でかつ平滑な面になるまで、表面から機械的に研磨を行うことを特徴とする材料の内部組織の解析に用いる試料の作製方法である。【選択図】　図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
材料中の測定対象元素の深さ方向の分布と、該材料の内部組織との関係の解析に用いる試料の作製方法であって、
スパッタリングを用いた試料深さ方向分析手法により、試料中の測定対象元素の深さ方向の強度プロファイルを測定し、
該強度プロファイルに基づいて前記試料の表面から所定の深さに観察面を選定し、前記測定箇所以外の箇所に対して、スパッタクレーターの底面が前記観察面と同一深さの面に達するまでスパッタリングを行い、
前記試料のスパッタリングを行っていない表面が、前記スパッタクレーターの底面と同一でかつ平滑な面になるまで、表面から機械的に研磨を行うことを特徴とする材料の内部組織の解析に用いる試料の作製方法。
【請求項２】
材料中の測定対象元素の深さ方向の分布と、該材料の内部組織との関係の解析に用いる試料の作製方法であって、
スパッタリングを用いた試料深さ方向分析手法により、試料中の構成元素の結合エネルギーを深さ方向に測定し、
該結合エネルギー測定値に基づいて、前記試料の表面から所定の深さに観察面を選定し、前記測定箇所以外の箇所に対して、スパッタクレーターの底面が前記観察面と同一深さの面に達するまでスパッタリングを行い、
前記試料のスパッタリングを行っていない表面が、前記スパッタクレーターの底面と同一でかつ平滑な面になるまで、表面から機械的に研磨を行うことを特徴とする材料の内部組織の解析に用いる試料の作製方法。
【請求項３】
前記強度プロファイルを測定する分析手法が、オージェ電子分光法、グロー放電発光分析法、二次イオン質量分析法、及び、Ｘ線光電子分光法のいずれかであることを特徴とする請求項１に記載の材料の内部組織の解析に用いる試料の作製方法。
【請求項４】
前記結合エネルギーを測定する分析手法が、Ｘ線光電子分光法であることを特徴とする請求項２に記載の材料の内部組織の解析に用いる試料の作製方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、材料中の測定対象元素の深さ方向の分布と、該材料の内部組織との関係を解析する方法に関するものであり、特に、スパッタリングによる試料の深さ方向の組成分析と、顕微鏡による組織観察とを合わせて行う解析手法に用いる試料の作製方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
材料中の着目する測定対象元素の深さ方向の分布と、該材料の内部組織との関係を解析する従来の方法としては、材料から試料を採取し、この試料を破断した面や、試料を表面に対して垂直に切断した切断面を機械的に研磨する、あるいは、試料の表面から低角度に機械的に研磨を行う、または、試料の表面から化学的なエッチングなどを行う、等の手法により試料表面を調製した後、前記試料表面に対して走査型電子顕微鏡（Ｓｅｃｏｎｄａｒｙ　Ｅｌｅｃｔｒｏｎ　Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｙ、以下、ＳＥＭと記す）による組織観察を行い、さらに、電子線マイクロアナライザー（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ　Ｐｒｏｖｅ　Ｍｉｃｒｏ　Ａｎａｌｙｚｅｒ、以下、ＥＰＭＡと記す）またはオージェ電子分光法（Ａｕｇｅｒ　Ｅｌｅｃｔｒｏｎ　Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ、以下、ＡＥＳと記す）などを用いて前記試料の組成分析を行うものである。
【０００３】
しかし、上記従来法では、作製した試料内に着目する組織領域が含まれているか否かは、ＥＰＭＡまたはＡＥＳ等による組成分析後に判明するため、多数の試料を作製し解析することが必要であり、解析に多大な時間と費用が必要となる（例えば、Ｓ．　Ｓｕｚｕｋｉ　ｅｔ　ａｌ．，　Ｍａｔｅｒｉａｌｓ　Ｔｒａｎｓａｃｔｉｏｎｓ，　ＪＩＭ　Ｖｏｌ．３３，　（１９９２）　Ｐ．１０６８）。
また、上記従来法のほかに、グロー放電発光分析法（Ｇｌｏｗ　Ｄｉｓｃｈａｒｇｅ　Ｏｐｔｉｃａｌ　Ｅｍｉｓｓｉｏｎ　Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ、以下、ＧＤ−ＯＥＳと記す）、または二次イオン質量分析法（Ｓｅｃｏｎｄａｒｙ　Ｉｏｎ　Ｍａｓｓ　Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ、以下、ＳＩＭＳと記す）による試料の組成分析と、ＳＥＭによる内部組織の観察とを組み合わせて、材料中の着目する測定対象元素の分布と、該材料の内部組織との関係を解析する方法も行われている（例えば、Ｋ．　Ｔｓｕｎｏｙａｍａ　ｅｔ　ａｌ．，　Ｓｅｃｏｎｄａｒｙ　Ｉｏｎ　Ｍａｓｓ　Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ　ＳＩＭＳ　ＩＩＩ，　（１９８２）　Ｐ．３８）。この方法は、まず、ＧＤ−ＯＥＳまたはＳＩＭＳ等により、試料表面の特定の測定箇所に対して、測定対象元素の深さ方向の強度プロファイルを求めながらスパッタリングを行い、所定深さのスパッタ孔（スパッタクレーター）を得て、次にこのスパッタクレーターの底面をＳＥＭにより組織観察するものである。さらには、このスパッタクレーターの底面に対して、ＡＥＳ等を用いて組成分析を行う場合もある。
【０００４】
【非特許文献１】Ｓ．　Ｓｕｚｕｋｉ　ｅｔ　ａｌ．，　Ｍａｔｅｒｉａｌｓ　Ｔｒａｎｓａｃｔｉｏｎｓ，　ＪＩＭ　Ｖｏｌ．３３，　（１９９２）　Ｐ．１０６８
【非特許文献２】Ｋ．　Ｔｓｕｎｏｙａｍａ　ｅｔ　ａｌ．，　Ｓｅｃｏｎｄａｒｙ　Ｉｏｎ　Ｍａｓｓ　　Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ　ＳＩＭＳ　ＩＩＩ，　（１９８２）　Ｐ．３８
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、前記グロー放電発光分析法（ＧＤ−ＯＥＳ）や二次イオン質量分析法（ＳＩＭＳ）等による試料のスパッタ速度は、該試料の結晶面方位の違いや相の違いにより異なるため、スパッタクレーターの底面を解析することによって、着目する測定対象元素の深さ方向分布と、該試料の内部組織との関係について正確な解析を行うことは不可能である。特に、母相とは成分組成の異なる相が混在する試料においては、スパッタ速度の高い相が優先的にスパッタリングされる結果として、スパッタリング後のスパッタクレーターの底面にはスパッタ速度の遅い相の割合が相対的に高くなるため、正確な内部組織の解析は困難となる。本発明は、スパッタリングを用いた試料の深さ方向の組成分析と、該試料の内部組織観察とを併用する方法に関する上記問題点を解決すべく、材料中の測定対象元素の分布と内部組織との関係について、精密かつ効率よく解析することが可能となる試料の作製方法を提供することを課題とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記課題を解決するものであって、その要旨とするところは特許請求の範囲に記載した通りの下記内容である。
（１）　材料中の測定対象元素の深さ方向の分布と、該材料の内部組織との関係の解析に用いる試料の作製方法であって、スパッタリングを用いた試料深さ方向分析手法により、試料中の測定対象元素の深さ方向の強度プロファイルを測定し、該強度プロファイルに基づいて前記試料の表面から所定の深さに観察面を選定し、前記測定箇所以外の箇所に対して、スパッタクレーターの底面が前記観察面と同一深さの面に達するまでスパッタリングを行い、前記試料のスパッタリングを行っていない表面が、前記スパッタクレーターの底面と同一でかつ平滑な面になるまで、表面から機械的に研磨を行うことを特徴とする材料の内部組織の解析に用いる試料の作製方法。
（２）　材料中の測定対象元素の深さ方向の分布と、該材料の内部組織との関係の解析に用いる試料の作製方法であって、スパッタリングを用いた試料深さ方向分析手法により、試料中の構成元素の結合エネルギーを深さ方向に測定し、該結合エネルギー測定値に基づいて、前記試料の表面から所定の深さに観察面を選定し、前記測定箇所以外の箇所に対して、スパッタクレーターの底面が前記観察面と同一深さの面に達するまでスパッタリングを行い、前記試料のスパッタリングを行っていない表面が、前記スパッタクレーターの底面と同一でかつ平滑な面になるまで、表面から機械的に研磨を行うことを特徴とする材料の内部組織の解析に用いる試料の作製方法。
（３）　前記強度プロファイルを測定する分析手法が、オージェ電子分光法、グロー放電発光分析法、二次イオン質量分析法、及び、Ｘ線光電子分光法のいずれかであることを特徴とする前記（１）に記載の材料の内部組織の解析に用いる試料の作製方法。
（４）　前記結合エネルギーを測定する分析手法が、Ｘ線光電子分光法であることを特徴とする前記（２）に記載の材料の内部組織の解析に用いる試料の作製方法。
【０００７】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明を詳細に説明する。
本発明におけるスパッタリングを用いた組成分析には、オージェ電子分光法（ＡＥＳ）、グロー放電発光分析法（ＧＤ−ＯＥＳ）、二次イオン質量分析法（ＳＩＭＳ）、及び、Ｘ線光電子分光法（Ｘ・ｒａｙ　ＰｈｏｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎＳｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ、以下、ＸＰＳと記す）などが好適に用いられる。ただし、元素の強度プロファイル及び結合エネルギーを求める場合には、ＸＰＳを用いる。また、本発明における内部組織観察には、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）、電子線マイクロアナライザー（ＥＰＭＡ）、オージェ電子分光法（ＡＥＳ）、二次イオン質量分析法（ＳＩＭＳ）、及び、Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）が好適である。
【０００８】
本発明で対象とする材料とは、母相に析出物などの母相とは成分組成の異なる相が混在する内部組織を有する材料であり、具体的には、金属、金属間化合物、セラミックス、あるいは有機物などが挙げられる。
以下、母相とは成分組成の異なる相が混在する系として、貴な金属元素Ｍと卑な金属元素Ａからなる合金ＭＡに対して、金属元素Ａのみを酸化する条件で焼鈍した試料を例にとり、本発明を説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
図１には、試料の断面組織の模式図と、該試料をＧＤ−ＯＥＳを用いて深さ方向分析をした場合の金属元素Ｍ及び金属元素Ａの強度プロファイルの概念図を示す。図中のＭとは金属元素Ｍが金属状態であることを表し、ＡＯとは金属元素Ａの酸化物を表す。合金ＭＡの金属元素Ａのみを酸化させると、合金中に酸化物ＡＯが生成し、これに伴い合金中の金属元素Ａの濃度は低下して、マトリックスはほぼ純粋な金属元素Ｍとなる。このマトリックスのＭの中にＡＯが分散している領域を領域１とする。また領域１よりも内層でＡＯが存在しない層を領域２とする。
【０００９】
図１に示すように、ＧＤ−ＯＥＳによる元素Ｍおよび元素Ａの強度プロファイルが、領域１と領域２の界面で明瞭に変化する場合は、ＧＤ−ＯＥＳによる強度プロファイルから、領域１と領域２を区別することが可能である。
次に、前記試料の領域１における内部組織観察を行うための試料作製法の手順について説明する。
まず、図２（Ａ）に示すように、試料表面から領域２に到達するまでＧＤ−ＯＥＳで深さ方向分析を行い、その強度プロファイルから、試料表面から領域１と領域２との界面に到達するまでのスパッタ時間を求める（１度目のＧＤ−ＯＥＳによる分析）。
次に、図２（Ｂ）に示すように、１度目のＧＤ−ＯＥＳで深さ方向分析を行った箇所からスパッタクレーターの大きさと同程度離れた箇所で、再度ＧＤ−ＯＥＳ分析を行う（２度目のＧＤ−ＯＥＳによる分析）。ここでは、１度目のＧＤ−ＯＥＳ分析で求めた、試料表面から領域１と領域２との界面に到達するまでのスパッタ時間よりも短時間でスパッタリングを止めることにより、２度目のＧＤ−ＯＥＳ分析によるスパッタクレーターの底面は、試料表面と領域１と領域２との界面の間の深さに存在することとなる。なお、２度目のＧＤ−ＯＥＳ分析によるスパッタクレーターの底面が領域１に存在するか否かは、この２度目のＧＤ−ＯＥＳ分析で求めた強度プロファイルから確認できる。
【００１０】
次に、図２（Ｃ）に示すように、試料表面から機械的に研磨を行い、２度目のＧＤ−ＯＥＳ分析によるスパッタクレーターの底面と同じ深さで平滑面が得られる時点で研磨を止め、これを観察面とする。上述の通り、ＧＤ−ＯＥＳやＳＩＭＳ等による試料のスパッタ速度は、試料の結晶面方位の違いや相の違いにより異なるため、一般にスパッタクレーターの底面の粗度は、機械的研磨により得られる平滑面の粗度に比較して大きくなる。したがって、スパッタクレーターの底面が平滑面になった時点で、スパッタクレーターと研磨面を同一面とみなす。
簡易的には、２度目のＧＤ−ＯＥＳ分析で得られたスパッタクレーターの底面に速乾性のインクを充填した後に研磨を行い、インク残存率が０％となった時点でスパッタクレーターと研磨面は同一面であるとみなす。また、機械的研磨を施す前に、試料表面からスパッタクレーター底面までの深さを粗さ計などで測定することにより、表面から観察面までの距離を求め、この値に基づいて研磨を行うことも可能である。
本発明で用いる機械的研磨とは、ダイヤモンド、ＳｉＣ、Ａｌ２Ｏ３などを研磨剤に用いて行うものであり、この機械的研磨により得られる平滑面とは鏡面仕上げの研磨面である。
なお、ここでは図示していないが、２度目のＧＤ−ＯＥＳ分析で得られたスパッタクレーターの近傍に同程度の深さのスパッタクレーターが複数個得られるよう、複数回ＧＤ−ＯＥＳ分析を行い、これらの底面にそれぞれ速乾性のインクを充填した後、研磨を行い、インク残存率が０％となった時点の表面を観察面とすることも可能である。これにより、スパッタクレーターの底面に対する観察面の水平度を向上することが可能となる。前記複数回とは、試料の大きさにもよるが、１〜２回程度が好ましく、勿論実施しなくても構わない。
【００１１】
またさらに、前記方法以外に、２度面のＧＤ−ＯＥＳ分析で得られたスパッタクレーターの底面と領域１と２との界面の間の深さを底面とするスパッタクレーターが複数個得られるよう、複数回ＧＤ−ＯＥＳ分析を行った後、これらの底面にそれぞれ速乾性のインクを充填することにより、その後の研磨の程度の指標とすることも可能である。前記複数回とは、試料の大きさにもよるが、１〜３回程度が好ましく、勿論実施しなくても構わない。
その後、ＳＥＭを用いて前記観察面の組織を観察する、あるいはＥＰＭＡ、ＡＥＳ、またはＸＰＳなどを用いて前記観察面の組成や元素の化学状態を分析することにより、着目する測定対象元素の深さ方向の分布と内部組織との関係を正確に解析することが可能となる。
また、本発明の別の例として、貴な金属元素Ｍと、Ｍに比べて卑な金属元素Ａ及びＢからなる合金ＭＡＢであり表面に内部酸化層を有するものの場合、すなわち、合金中の各元素の強度プロファイルが明確に変化する界面が存在しないために、合金中の各元素の強度プロファイルからは内部構造が特定できず、各元素の各領域における結合エネルギーを測定する場合について説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
【００１２】
図３には、試料の断面組織の模式図と、該試料をＧＤ−ＯＥＳを用いて深さ方向分析をした場合の金属元素Ｍ、Ａ、及びＢの強度プロファイルの概念図を示す。
図中のＭとは、金属元素Ｍが金属状態であることを表し、ＡＯ及びＢＯとは、それぞれ金属元素Ａ及び金属元素Ｂの酸化物を表す。合金ＭＡＢにおいて、それぞれの金属元素と酸素との親和力はＢ＞Ａ＞Ｍの順に大きいものとする。
合金ＭＡＢに対して、元素Ｍは酸化せず、元素Ａおよび元素Ｂが内部酸化する条件で焼鈍すると、試料表層にマトリックスＭの中にＡＯ及びＢＯが分散している領域１が形成され、その内側にマトリックスであるＭＡ合金の中にＢＯが分散している領域２が形成され、さらにその内側はＭＡＢ合金の母相からなる層状構造が形成される。このような試料をＧＤ−ＯＥＳなどを用いて強度プロファイルを測定した場合、各元素の強度プロファイルが明確に変化する界面が存在しないため、前記各領域における各元素の強度差はほとんど検出されず、強度プロファイルから各領域の境界を特定することは不可能である。
次に、図４に、ＸＰＳ分析による、元素Ｍ、元素Ａ及び元素Ｂの各領域における結合エネルギーの測定データの概念図を示す。（ａ）は元素Ｍの結合エネルギー、（ｂ）は元素Ａの結合エネルギー、（ｃ）は元素Ｂの結合エネルギーを示す。測定元素が金属状態と酸化状態では、結合エネルギーに差が生じるため、結合エネルギー測定データを詳細に解析することにより、材料中における各元素の存在状態を知ることが可能である。
【００１３】
各元素の結合エネルギーは、それぞれ強度の強い順に（上から順に）、領域１、領域２及び領域３におけるスペクトルである。元素Ｍは全ての領域において金属状態である。元素Ａは領域１においては酸化状態であり、領域２及び領域３においては金属状態である。同様に、元素Ｂは領域１及び領域２においては酸化状態であり、領域３においては金属状態である。従って、領域１は金属状態のＭの中にＡ及びＢが酸化物（ＡＯ、ＢＯ）として存在しており、領域２は金属状態のＭ及びＡ（ＭＡ）の中にＢが酸化物（ＢＯ）として存在しており、さらにその内側の領域３では金属のＭ、Ａ及びＢの母相（ＭＡＢ）からなることが分かる。よって、この結合エネルギー測定データから、領域１と領域２および領域３を区別することができる。
また、各元素の結合エネルギーを試料表面から深さ方向に調べた測定データを用いて、上述の図２で説明した手法により、各領域における内部組織観察を行うための試料が作製できる。
【００１４】
【実施例】
本発明の実施例について説明するが、本発明は実施例で用いた条件に限定されるものではない。
（実施例１）
試料として、板厚０．２３ｍｍのＦｅ−３質量％Ｓｉ合金を用い、これを６０℃の水と平衡する水蒸気を含有した７５体積％Ｈ２−２５体積％Ｎ２雰囲気中で８５０℃において３００秒間焼鈍した。
ＸＰＳを用いて、試料表面から深さ方向分析を行い、試料中のＦｅ及びＳｉの強度プロファイル及び結合エネルギーの変化を調べ、試料表面から約４μｍの領域でＳｉが内部酸化していることを確かめた（１度目のＸＰＳによる分析）。次に、試料表面から２μｍの深さまで再度、測定を行い、内部酸化領域で測定を止めた（２度目のＸＰＳによる分析）。
その次に、２度目のＸＰＳ分析で得られたスパッタクレーターの底面に速乾性のインクを充填し、平均粒径が０．２μｍのＡｌ２Ｏ３を研磨剤に用い、スパッタクレーターの底面のインク残存率が０％となるまで、すなわち、スパッタしていない試料表面と２度目のＸＰＳによる分析で形成されたスパッタクレーターの底面が同じ深さの平滑面となるまで研磨を行い、これを観察面とした。
該観察面に対して、ＳＥＭを用いて組織観察を行った結果を図５に示す。白く見えるのがＦｅマトリックスであり、黒く見えるのがＳｉＯ２を主体とする内部酸化物である。試料表面に平行に成長した内部酸化物が観察され、様々な形態の内部酸化物が形成していることが観察できる。
【００１５】
（比較例１）
実施例１で用いたものと同じ組成及び板厚の試料を用い、実施例１と同様の熱処理を行った。
ＸＰＳを用いて、試料表面から深さ方向分析を行い、試料中のＦｅ及びＳｉの強度プロファイル及び結合エネルギーの変化を調べ、試料表面から約４μｍの領域でＳｉが内部酸化していることを確かめた。次に、ＸＰＳを用いて、表層から２μｍの深さの内部酸化領域で測定を止めた。
このＸＰＳによるスパッタクレーターの底面を、ＳＥＭを用いて組織観察を行った結果を図６に示す。白く見えるのがＦｅマトリックスであり、黒く見えるのがＳｉＯ２を主体とする内部酸化物であるが、微小な内部酸化物のみが観察される。
従って、本発明法で作製した試料を観察した実施例１においては、試料表面に平行に成長した内部酸化物が観察されたが、従来法であるスパッタクレーター底部を観察する方法では、該内部酸化物は優先的にスパッタリングされるため、観察することは不可能であることがわかる。
【００１６】
（実施例２）
試料として、板厚０．２３ｍｍのＦｅ−０．１質量％Ｍｎ−０．５質量％Ｓｉ合金を用い、これを６０℃の水と平衡する水蒸気を含有した７５体積％Ｈ２−２５体積％Ｎ２雰囲気中で８００℃において２００秒間焼鈍した。
ＸＰＳを用いて、試料表面から深さ方向分析を行い、試料中のＦｅ、Ｍｎ、及びＳｉの強度プロファイル及び結合エネルギーの変化を調べた。
図７に、表面から１μｍ、３μｍ、６μｍの深さにおけるＦｅ、Ｍｎ及びＳｉのＸＰＳスペクトルを示す。表面から１μｍの深さでは、金属状態のＦｅの中にＭｎおよびＳｉの酸化物が存在し、表面から３μｍの深さでは金属状態のＦｅ及びＭｎの中にＳｉの酸化物が存在し、表面から６μｍの深さでは酸化物の存在しないＦｅ−Ｍｎ−Ｓｉ合金であることを確かめた（１度目のＸＰＳによる分析）。
【００１７】
次に、試料表面から１μｍの深さまで再度、測定を行い、内部酸化領域で測定を止めた（２度目のＸＰＳによる分析）。
その次に、２度目のＸＰＳ分析で得られたスパッタクレーターの底面に速乾性のインクを充填し、平均粒径が０．２μｍのＡｌ２Ｏ３を研磨剤に用い、スパッタクレーターの底面のインク残存率が０％となるまで、すなわち、スパッタしていない試料表面と２度目のＸＰＳによる分析で形成されたスパッタクレーターの底面が同じ深さの平滑面となるまで研磨を行い、これを観察面とした。
この観察面に対してＳＥＭを用いて組織観察を行った結果を図８に示す。白く見えるのがＦｅマトリックスであり、黒く見えるのがＳｉおよびＭｎの酸化物を主体とする内部酸化物である。
【００１８】
【発明の効果】
本発明によれば、スパッタリングを用いた組成分析や化学状態分析と内部組織観察とを合わせて行うことにより、材料中の着目する測定元素の分布と内部組織との関係を解析する方法において、着目する材料の内部組織を精密かつ効率よく解析できる試料を提供することができる。本発明により、従来の試料の作成法に比べ、はるかに容易に、着目する特定の観察面を正確に作製することができ、これにより内部組織の精密な解析が可能となるなど、産業上有用な著しい効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】合金ＭＡの断面組織の模式図、及び該合金試料をＧＤ−ＯＥＳを用いて深さ方向分析をした場合の元素Ｍ及びＡの強度プロファイルの概念図である。
【図２】本発明における試料作製方法の概念図である。
【図３】強度プロファイルから内部酸化層の位置が特定できない場合の、試料の断面組織の模式図、及び該試料の強度プロファイルの概念図である。
【図４】ＸＰＳスペクトルの概念図である。
【図５】内部酸化させたＦｅ−３質量％Ｓｉ合金をＸＰＳを用いて深さ方向分析を行った後に、該試料表面から２μｍの深さまで機械研磨した、本発明法による試料のＳＥＭ像である。
【図６】内部酸化させたＦｅ−３質量％Ｓｉ合金をＸＰＳを用いて表面から２μｍの深さまで分析を行った後の、該試料のスパッタクレーターの底面のＳＥＭ像である。
【図７】内部酸化させたＦｅ−０．５質量％Ｓｉ−０．１質量％Ｍｎ合金の、表面から１、３及び６μｍの深さにおけるＦｅ、Ｍｎ及びＳｉのＸＰＳスペクトルである。
【図８】内部酸化させたＦｅ−３質量％Ｓｉ−０．１質量％Ｍｎ合金をＸＰＳを用いて深さ方向分析を行った後に、該試料表面から１μｍの深さまで機械研磨した、本発明法による試料のＳＥＭ像である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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