(57)【要約】【課題】炭素を主成分とする硬質膜（ＤＬＣ膜）を成膜するに際し、熱負けによる成膜ムラの発生を防止して、歩留のよい成膜を実現できる成膜装置および成膜方法並びに磁気記録媒体の製造方法を提供する。【解決手段】長尺状の基体を走行させるための複数のガイドロール６と、炭素を主成分とする硬質膜の成膜部３と、成膜部３に近接して設置され、成膜時に基体１０を冷却する冷却キャン４とを備え、冷却キャン４の上流側にイオンガン７が配置されてなる成膜装置である。連続的に走行する長尺状の基体上に炭素を主成分とする硬質膜を成膜するにあたり、基体を、ロールから繰り出した後、成膜面とは反対側の面にイオンガンによる処理を行ってから、冷却キャンに導入する成膜方法である。非磁性基体上に、少なくとも磁性層を形成した後、磁性層上に、上記成膜方法により炭素を主成分とする硬質膜を形成する磁気記録媒体の製造方法である。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
長尺状の基体を走行させるための複数のガイドロールと、炭素を主成分とする硬質膜の成膜部と、該成膜部に近接して設置され、成膜時に前記基体を冷却する冷却キャンとを備え、該冷却キャンの上流側にイオンガンが配置されてなることを特徴とする成膜装置。
【請求項２】
連続的に走行する長尺状の基体上に炭素を主成分とする硬質膜を成膜するにあたり、前記基体を、ロールから繰り出した後、成膜面とは反対側の面にイオンガンによる処理を行ってから、冷却キャンに導入することを特徴とする成膜方法。
【請求項３】
非磁性基体上に、少なくとも磁性層を形成した後、該磁性層上に、請求項２記載の成膜方法により炭素を主成分とする硬質膜を形成することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は成膜装置および成膜方法並びにそれを用いた磁気記録媒体の製造方法に関し、詳しくは、炭素を主成分とする硬質膜（ダイヤモンドライクカーボン膜（以下、単に「ＤＬＣ膜」とも称する））を成膜するに際し、成膜ムラの発生がなく、歩留のよい成膜を行うことができる成膜装置および成膜方法、並びにそれを用いた磁気記録媒体の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
一般に、磁気記録媒体の磁性層表面上には、摺動耐久性や耐蝕性を向上するために保護膜を設けることが行われている。かかる保護膜として代表的なものに、いわゆるダイヤモンドライクカーボン膜がある。
【０００３】
ダイヤモンドライクカーボンは、ダイヤモンドとグラファイトとが混ざりあった中間の構造を有し、硬度が高く、耐摩耗性等に優れていることから、各種部材の保護膜として広範囲に利用されている。このＤＬＣ膜を形成する方法としては、スパッタリング法、イオンプレーティング法等の物理的蒸着法（ＰＶＤ法）や化学的蒸着法（ＣＶＤ法）が使用されており、例えば、ＣＶＤ法を用いた成膜法としては、特許文献１、特許文献２等に記載がある。
【０００４】
このような蒸着によるＤＬＣ膜の製造装置としては、例えば、図３に示す構成の装置が用いられる。図示する装置においては、繰り出し側のロール１１から送り出した被蒸着体（ベース）１０を、複数のガイドロール１６を介して走行させながら、成膜部１３において連続的に成膜を行い、後処理部１５を通過させた後、巻き取り側のローラ１２にて巻き取っている。
【０００５】
図中の符号１４は、成膜部１３においてベース１０が受ける熱を逃がすための冷却キャンを示す。かかる成膜工程においてベース１０が受ける熱を確実に冷却キャン１４に逃がすためには、ベース１０を冷却キャン１４に密着して走行させることが必要である。冷却キャン１４とベース１０との間に何らかの理由で隙間が空くと、その部分だけ冷却されずにベースが伸びたり、ＤＬＣに抜けが生ずるなどの、いわゆる熱負けが起こる。特に、成膜開始直後にスジ状に発生する熱負け不良は、成膜ムラと呼ばれる。
【０００６】
このような熱負けによる成膜不良の発生を防止するために、従来より種々の技術が提案されてきており、例えば、冷却キャンの上流側にボンバード装置を配して、ベースに対しボンバード処理を行うことにより、密着性を高めることが行われている（特許文献３を参照）。また、図４に示すように、冷却キャン１０４上の高分子フィルム基板１００に対し電子銃１０５により電子ビームを照射することで、密着性を確保する技術もある（特許文献４を参照）。
【０００７】
一方、特許文献４には、磁気記録媒体の蒸着工程において、ベースとなる高分子フィルム基板１００に対し、冷却キャン１０４より上流にて、イオンガン１０７ａによるイオン照射を行う技術が記載されているが（図４参照）、この技術は、高分子フィルム基板の表面改質ないし脱ガス処理を目的としてイオンの照射を行うものであり、また、該文献には、上記技術をＤＬＣ膜の成膜に適用する点については言及されていない。また、冷却キャン上または冷却キャンから離れる剥離部近傍にてベースに対しイオンガンを適用する技術も特許文献４、特許文献５等に記載されているが（図４〜６参照）、これはイオンの照射によりベースの除電を行って、ベースの冷却キャンからの離脱をスムースに行うための処理であり、前述の成膜不良の問題とは関連しない。
【０００８】
【特許文献１】
特開昭６０−１４７９３３号公報
【特許文献２】
特開昭６０−１７２３４２号公報
【特許文献３】
特開２００１−９３１４５号公報（［００１１］等）
【特許文献４】
特開平７−１１０９３９号公報（特許請求の範囲、［０００７］〜［００１２］等）
【特許文献５】
特開平２−２３５２８号公報（特許請求の範囲等）
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
上述のように、成膜時のベース−冷却キャン間の密着不良に起因する熱負けの問題に関しては種々検討がなされてきているが、いずれも十分なものではなく、冷却キャンとベースとの間の密着性を良好に確保して、より良好に成膜ムラの発生を防止できる技術が求められていた。
【００１０】
そこで本発明の目的は、ベースと冷却キャンとの間の密着性を高めることで熱負けによる成膜ムラの発生を防止して、歩留のよい成膜を実現することができるＤＬＣ膜の成膜装置および成膜方法、並びにこの成膜方法を用いた磁気記録媒体の製造方法を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本発明の成膜装置は、長尺状の基体を走行させるための複数のガイドロールと、炭素を主成分とする硬質膜の成膜部と、該成膜部に近接して設置され、成膜時に前記基体を冷却する冷却キャンとを備え、該冷却キャンの上流側にイオンガンが配置されてなることを特徴とするものである。
【００１２】
また、本発明の成膜方法は、連続的に走行する長尺状の基体上に炭素を主成分とする硬質膜を成膜するにあたり、前記基体を、ロールから繰り出した後、成膜面とは反対側の面にイオンガンによる処理を行ってから、冷却キャンに導入することを特徴とするものである。
【００１３】
さらに、本発明の磁気記録媒体の製造方法は、非磁性基体上に、少なくとも磁性層を形成した後、該磁性層上に、上記本発明の成膜方法により炭素を主成分とする硬質膜を形成することを特徴とするものである。
【００１４】
なお、本発明において「炭素を主成分とする」とは、膜における炭素含有量が６０〜８０原子％であることを意味し、炭素の他に、通常、水素が含まれる。水素と炭素との原子比（Ｈ／Ｃ）は０．２５〜０．６６の範囲内であることが好ましい。また、「硬質膜」とは、具体的にはビッカース硬度が６３７０Ｎ／ｍｍ２（６５０ｋｇ／ｍｍ２）以上の膜を意味し、この硬度を屈折率の値で表すと１．９以上である。このような屈折率を有する膜は、その屈折率から硬度を近似できることがわかっている。例えば、屈折率が１．９のときのビッカース硬度は６３７０Ｎ／ｍｍ２（６５０ｋｇ／ｍｍ２）である。屈折率の上限には特に制限はないが、２．２５程度であり、ビッカース硬度２９４００Ｎ／ｍｍ２（３０００ｋｇ／ｍｍ２）に対応する。屈折率から硬度を近似する方法としては、硬質膜についてエリプソメーターにて屈折率を測定し、一方で微小硬度計（ＮＥＣ（株）製）によりビッカース硬度を測定して、あらかじめ検量線を作製しておく方法を用いることができ、これにより屈折率から硬度を知ることができる。また、このような硬質膜は、非晶質またはそれに近い連続相を形成し、ラマン分光分析において、１５６０ｃｍ−１と１３３０ｃｍ−１にブロードなピークを有する。本発明においては、このような「炭素を主成分とする硬質膜」の意味で、「ＤＬＣ膜」の語を用いる。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態につき詳細に説明する。
図１に、本発明の成膜装置の一構成例の概略図を示す。図示する装置は、長尺状の基体１０を走行させるための複数のガイドロール６と、炭素を主成分とする硬質膜の成膜部３と、冷却キャン４とに加えて、冷却キャン４の上流側にイオンガン７を備えている。本発明においては、冷却キャン４への導入前に、このイオンガン７により予め基体１０を処理することで、基体１０と冷却キャン４との間の密着性を高めるものである。
【００１６】
イオンガン７による処理は、基体１０に対してイオンを照射することにより行うことができ、このイオン照射により基体１０の帯電が均一化して、冷却キャン４にほぼ均等に引き寄せられるために、密着性が向上するものと考えられる。イオンガンの構造の概略図を図２に示す。符号８、９は、夫々陽極および陰極である。イオンガンにおいては、磁場によってガスが放電し、陽極８近傍でイオン化アノードと反発することにより、＋イオンが放射される。本発明においては、陽極８の加速電圧とともに陰極９（ニュートラライザー）を適宜併用して、これらのコントロールによりイオンビームを制御する。ニュートラライザー９を使用すると、イオンビームが安定して生成され、帯電量の緩和によって適用範囲が拡がるものと考えられる。
【００１７】
イオン源としては、Ａｒ、Ｎ２、Ｈ２、Ｏ２等のガスを用いることができるが、好適には、アルゴンガスを用いる。照射条件は、基体１０の材質や走行速度等により適宜定めることができるが、例えば、加速電圧１０００Ｖ以下、好ましくは５００〜７００Ｖ程度で、電流密度０．１ｍＡ／ｃｍ２前後にて行えばよい。ここで、上記ニュートラライザー９を併用する場合には、電荷の中和が起こるので、１０００Ｖを超える高い加速電圧においても、処理の効果を得ることができる。
【００１８】
なお、本発明においては、上記所定条件下でイオンガンによる処理を行う点のみが重要であり、これにより基体−冷却キャン間の密着性の改良に伴う熱負けの防止効果を得ることができる。従って、基体の処理長さや実質的な処理時間等については、適宜定めることができ、特に制限されるものではない。
【００１９】
本発明の成膜装置におけるイオンガン７の設置箇所は、冷却キャン４の上流側であって、走行する基体１０の成膜面とは反対側の面に対向する位置であれば、特に制限されるものではない。設置の仕方については、通常はイオンガン７の全面が基体１０表面に略平行となるようにすればよいが、イオンガン７の全面からはイオンが放射状に照射されるので、ある程度の傾きは問題とはならない。但し、密着性を確実に確保するために、基体１０の幅方向に対して均等に照射されるよう位置調整することが必要である。また、照射距離、即ち、基体１０とイオンガン７との間の距離については、３０〜６０ｍｍ程度にて適宜調整することができる。
【００２０】
本発明の成膜装置においては、上記イオンガン７に係る以外の点については、従来と同様の装置構成とすることができる。以下、図１を参照しつつ、その構成につき説明する。
【００２１】
符号１および２は夫々繰り出し側と巻き取り側のロールを示しており、ロール１から繰り出された基体１０は、複数のガイドロール６を介して連続的に走行しながら、成膜部３にて成膜され、後処理部５で処理された後、ロール２に巻き取られる。成膜部３においてはＤＬＣ膜の成膜を行うが、その成膜手法については特に限定されるものではない。好ましくは、プラズマＣＶＤ法、イオン化蒸着法およびスパッタ法のうちのいずれかを用いる。
【００２２】
プラズマＣＶＤ法の詳細については、例えば、特開平４−４１６７２号公報等に記載されている。プラズマＣＶＤ法におけるプラズマは、直流、交流のいずれであってもよいが、交流を用いることが好ましい。交流を用いる場合、数ヘルツのものからマイクロ波帯域のものまで適宜利用可能である。また、「ダイヤモンド薄膜技術」（総合技術センター発行）などに記載されているＥＣＲプラズマを利用することもできる。
【００２３】
また、プラズマＣＶＤ法のうちでは、バイアス印加プラズマＣＶＤ法を用いることが好ましい。バイアス印加プラズマＣＶＤ法では、負のバイアス電圧を印加する。この方法については、例えば、Ｍ．Ｎａｋａｙａｍａ  ｅｔ  ａｌ，Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  ｔｈｅ  Ｃｅｒａｍｉｃ  Ｓｏｃｉｅｔｙ  ｏｆ  Ｊａｐａｎ  Ｉｎｔ．Ｅｄｉｔｉｏｎ  Ｖｏｌ．９８，６０７−６０９（１９９０）等に詳細に記載されている。また、バイアス電圧を印加せずにセルフバイアスを利用してもよい。以下、セルフバイアスについて説明する。交流電源であるプラズマ電源を装置の電極に接続すると、プラズマが発生する。このプラズマは電子、イオン、ラジカルを含み、全体としては中性である。しかし、プラズマ電源の周波数がオーディオ波（ＡＦ）、高周波（ＲＦ）、マイクロ波（ＭＷ）になると、イオンと電子とで移動度に差が生ずるため、電圧を印加した電極側（通常、アースしない側）に負電圧が生ずる。これをセルフバイアス電圧という。バイアス電圧は、好ましくは−１０〜−２０００Ｖ、より好ましくは−５０〜−１０００Ｖとする。
【００２４】
ＤＬＣ薄膜をプラズマＣＶＤ法により形成する場合、原料ガスには、ＣおよびＨを含む化合物を用いることが好ましいが、Ｃを含む化合物とＨを含む化合物とを用いることもできる。ＣおよびＨを含む化合物としては、例えば、ＣＨ４、Ｃ２Ｈ４、Ｃ２Ｈ６、Ｃ３Ｈ８、Ｃ６Ｈ６等の炭化水素が、Ｃを含む化合物としては、例えば、ＣＯ、ＣＯ２等が、Ｈを含む化合物としては、例えば、Ｈ２、Ｈ２Ｏ、ＮＨ３等が挙げられる。また、ＣおよびＨのいずれも含まない化合物、例えば、ＮＯ、ＮＯ２、Ｎ２ＯなどのＮＯｘで表される化合物やＮ２等を、必要に応じて併用してもよい。
【００２５】
プラズマＣＶＤを行う際の原料ガスの流量は、原料ガスの種類に応じて適宜決定すればよい。動作圧力は、通常、１．３３〜６６．５Ｐａ（０．０１〜０．５Ｔｏｒｒ）、投入電力は、通常、１０Ｗ〜５ｋＷとすることが好ましい。
【００２６】
イオン化蒸着法は、例えば、特開昭５８−１７４５０７号公報、特開昭５９−１７４５０８号公報等に記載されているが、これらに記載されたイオン化蒸着技術に限らず、イオン化ガスの加速が可能なものであれば他の技術を利用してもよい。イオン化蒸着法に用いる装置の好ましい例としては、例えば、実開昭５９−１７４５０７号公報に記載されたイオン直進型またはイオン偏向型のものが挙げられる。
【００２７】
イオン化蒸着法では、真空容器内を１．３３×１０−４Ｐａ（１０−６Ｔｏｒｒ）程度の高真空とする。この真空容器内には、交流電源によって加熱されて熱電子を発生するフィラメントと、このフィラメントを取り囲む対電極とを配置し、これらの間に電圧Ｖｄを印加する。また、フィラメントおよび対電極を取り囲んで、イオン化ガス閉じ込め用の磁界を発生する電磁コイルを配置する。原料ガスはフィラメントからの熱電子と衝突して、プラスの熱分解イオンと電子とを生じ、この熱分解イオンはグリッドに印加された負電位Ｖａにより加速されて基体に衝突し、膜化する。このようなイオン化蒸着法では、前記電圧Ｖｄ、Ｖａおよびコイルから発生する磁界を変更することにより、ＤＬＣ膜の組成や膜質を制御することができる。本発明においては、Ｖｄは１０〜５００Ｖとすることが好ましく、Ｖａは−１０〜−５００Ｖとすることが好ましい。なお、イオン化蒸着法では、基板に負のバイアス電圧を加えることが好ましい。また、バイアス電圧を印加せずにセルフバイアスを利用してもよい。バイアス電圧は、好ましくは−１０〜−２０００Ｖ、より好ましくは−５０〜−１０００Ｖである。
【００２８】
イオン化蒸着法における原料ガスには、上記プラズマＣＶＤ法の場合と同様の原料ガスを用いることができる。また、原料ガスの流量はその種類に応じて適宜決定すればよい。動作圧力は、通常、１．３３〜６６．５Ｐａ（０．０１〜０．５Ｔｏｒｒ）程度とすることが好ましい。
【００２９】
ＤＬＣ膜をスパッタ法により形成する場合には、高周波スパッタ法を利用することが好ましい。この場合、Ｃをターゲットとし、反応性ガスとしてＨ２、ＮＨ３等を用いる反応性スパッタ法を利用することが好ましいが、ＣおよびＨを含むポリマーをターゲットとして用いることも可能である。なお、高周波スパッタ法においては、基体に負のバイアス電圧を加えることが好ましい。但し、バイアス電圧を印加せずにセルフバイアスを利用してもよい。バイアス電圧は、好ましくは−１０〜−２０００Ｖ、より好ましくは−５０〜−１０００Ｖである。高周波スパッタ電力は、通常、５０Ｗ〜２ｋＷ程度とする。動作圧力は、通常、１．３３×１０−３〜１．３３×１０−１Ｐａ（１０−５〜１０−３Ｔｏｒｒ）とすることが好ましい。
【００３０】
本発明の成膜方法は、上記したような本発明の成膜装置にて好適に行うことができ、連続的に走行する長尺状の基体表面上にＤＬＣ膜を成膜するにあたり、ロールから繰り出した基体の成膜面とは反対側の面に、イオンガンによる処理を行ってから冷却キャンに導入するものであれば、その他の点には特に制限はない。
【００３１】
また、本発明の磁気記録媒体の製造方法は、非磁性基体上に、少なくとも磁性層を蒸着により形成した後、この磁性層上に、上記成膜方法によりＤＬＣ膜を形成するものであればよく、これによりＤＬＣ膜の成膜時の熱負けによる成膜ムラの発生を効果的に防止して、歩留のよい磁気記録媒体の製造が可能となる。なお、本発明に係るイオンの照射は、ＤＬＣ膜の成膜面とは反対側の面、即ち、磁性層形成面の裏面に対し行うので、これにより磁気記録媒体の品質に影響を及ぼすことはない。
【００３２】
非磁性基体は、蒸着工程に耐えられるものであればいかなるものであってもよく、特に限定されないが、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリイミド、ポリアミド、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、ポリサルフォン等のフィルムが挙げられる。その厚さは、磁気記録媒体が使用される用途により適宜選択されるが、例えば、磁気記録媒体がビデオテープとして使用される場合には、録画時間やシステム要求値に合わせて選択され、通常は５〜４０μｍである。
【００３３】
磁性層の磁性材料としては、Ｃｏ、Ｆｅ等の純金属、または、Ｃｏ−Ｎｉ、Ｃｏ−Ｆｅ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｆｅ、Ｃｏ−Ｃｒ、Ｃｏ−Ｃｕ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ、Ｃｏ−Ｐｔ、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｃｒ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｂ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｆｅ、Ｃｏ−Ｆｅ−Ｂ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｆｅ−Ｂ等の合金類を使用することができ、特には、ＣｏまたはＣｏ合金を用いることが、電磁変換特性の観点から好適である。通常は、非磁性基体上にこのような磁性材料を直接、または、非磁性基体上にＮｉを蒸着した後、蒸着して磁性層を形成する。磁性層の蒸着は、蒸着用チャンバー内を１．３３×１０−４Ｐａ（１０−６Ｔｏｒｒ）程度にまで排気した後、磁性材料を電子銃にて溶融し、磁性材料全体が溶融した時点で非磁性基体を冷却したメインローラに添って走行させて、メインローラ部にて蒸着を始める。この際、磁気特性を制御するために、酸素、オゾン、亜酸化窒素から選ばれる酸化性ガスを磁性層に導入する。
【００３４】
非磁性基体の上記磁性層およびＤＬＣ膜形成面の反対側の面には、バックコート層を設けることができる。バックコート層は、結合剤樹脂と無機化合物および／またはカーボンブラックとを有機溶媒に混合分散させたバックコート層用塗料を、磁性層とは反対側の基体表面に塗布することにより形成され、塗料組成としては、この種の磁気記録媒体に用いられるものであればいずれのものも使用できる。例えば、結合剤樹脂としては塩化ビニル系共重合体、ポリウレタン樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、フェノキシ樹脂、ポリエステル樹脂等であり、これらを単独または混合して、媒体の特性、工程条件により適宜選択して用いることができる。カーボンブラックとしてはファーネスカーボンブラック、サーマルカーボンブラック等を挙げることができ、無機化合物としては、例えば、炭酸カルシウム、アルミナ、α−酸化鉄等を挙げることができる。これら粒子は媒体に要求される電気抵抗、摩擦特性等から粒子サイズを適宜選択すればよい。有機溶剤は、例えば、ケトン系、芳香族炭化水素系等であり、使用する結合剤樹脂の溶解性を考慮して適宜選択すればよい。
【００３５】
【実施例】
以下、実施例により本発明を具体的に説明する。
実施例１〜７
厚み６μｍのＰＥＮの非磁性基体上に、蒸着法により、酸素を導入しながら１００％Ｃｏを２層成膜して、磁性層を形成した。厚みは１０００／１０００Åであり、φｍ＝７５ｍＡ（７．５ｍｅｍｕ／ｃｍ２）、Ｈｃ＝１１９．４ｋＡ／ｍ（１５００  Ｏｅ）であった。この磁性層形成済み非磁性基体を基体１０として用いて、図１に示す成膜装置にて、磁性層上に、下記の条件でＤＬＣ膜の成膜を行った。各実施例の陽極の加速電圧およびニュートラライザー使用の有無は、下記表１中に示したとおりである。
ＤＬＣ膜の成膜手法：プラズマＣＶＤ法
イオン源：アルゴンガス
ガス流量：１０ｓｃｃｍ
イオンガン７から基体１０までの距離：４０ｍｍ
【００３６】
比較例
成膜装置として、図３に示す装置を用いた以外は実施例１〜７と同様にして、ＤＬＣ膜の成膜を行った。
【００３７】
実施例および比較例にて成膜した各ＤＬＣ膜につき、熱負け不良の発生の有無を評価した。この結果を下記の表１中に併せて示す。なお、熱負け不良の評価基準は以下のとおりである。
◎：熱負け不良改善
△：熱負け不良半減
×：熱負け不良発生
【００３８】
【表１】
2004225143.tif 000003
【００３９】
上記の表１中に示すように、イオンガンを適用した実施例１〜７においては、ニュートラライザーを使用しない場合および使用した場合のいずれにおいても、熱負けの改善効果が得られることが確かめられた。
【００４０】
【発明の効果】
以上説明してきたように、本発明の成膜装置および成膜方法によれば、炭素を主成分とする硬質膜の成膜に際し、ベースと冷却キャンとの間の密着性を高めて熱負けによる成膜ムラの発生を防止することができ、歩留のよい成膜が可能である。従って、この成膜方法を用いた本発明の磁気記録媒体の製造方法によれば、極めて効率よく磁気記録媒体を製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の成膜装置の一好適例を示す概略構成図である。
【図２】イオンガンの構造を表す説明図である。
【図３】従来の成膜装置の一例を示す概略構成図である。
【図４】従来の成膜装置の他の例を示す概略構成図である。
【図５】従来の成膜装置のさらに他の例を示す概略構成図である。
【図６】従来の成膜装置のさらに他の例を示す概略構成図である。
【符号の説明】
１  繰り出しロール
２  巻き取りロール
３  成膜部
４、１０４、２０４、３０４  冷却キャン
５  後処理部
６  ガイドロール
７、１０７ａ、１０７ｂ、２０７、３０７  イオンガン
１０、１００、２００、３００  基体
１０３、２０３、３０３  蒸着源
１０５  電子銃
１０６  電磁石
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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