(57)【要約】【課題】安定して高い抵抗変化率、保磁力の低減等得ることができるようにする。【解決手段】対の強磁性層が中間層を介して対向されてなり、強磁性層の少なくとも一方の中間層と接する側とは反対側に、トップコート層もしくは下地層が配置され、膜面と交叉する方向に、通電することによって磁気抵抗変化を得る構成による磁気抵抗効果素子であって、強磁性層の、中間層と接する側とは反対側に配置されるトップコート層もしくは下地層との間に、トップコート層もしくは下地層と強磁性層との間に上述した特定元素の移動を抑制する移動抑制層を配置した構成とする。【選択図】　　　　図１
2004063592.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
対の強磁性層が中間層を介して対向されてなり、上記強磁性層の少なくとも一方の上記中間層と接する側とは反対側に、トップコート層もしくは下地層が配置され、膜面と交叉する方向に、通電することによって磁気抵抗変化を得る構成による磁気抵抗効果素子であって、
上記強磁性層と、該強磁性層の上記中間層と接する側とは反対側に配置される上記トップコート層もしくは下地層との間に、該トップコート層もしくは下地層と上記強磁性層との間の特定元素の移動を抑制する移動抑制層を配置したことを特徴とする磁気抵抗効果素子。
【請求項２】
対の強磁性層が中間層を介して対向されてなり、上記強磁性層の少なくとも一方の上記中間層と接する側とは反対側に、トップコート層もしくは下地層が接して配置される磁気抵抗効果素子であって、
該トップコート層もしくは下地層が配置される少なくとも一方の上記強磁性層に、該強磁性層に対するトップコート層もしくは下地層との間の特定元素の移動を抑制する移動抑制効果を有する元素を含有させたことを特徴とする磁気抵抗効果素子。
【請求項３】
上記強磁性層の上記少なくとも一方の強磁性層が、Ｆｅ、Ｃｏを含有する強磁性層であることを特徴とする請求項１または２に記載の磁気抵抗効果素子。
【請求項４】
上記トップコート層もしくは下地層が、Ｔａ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｒｕ、Ｔｉ、Ｗおよびその酸化物または窒化物を含むことを特徴とする請求項１または２に記載の磁気抵抗効果素子。
【請求項５】
上記移動抑制層が、Ｂ、Ｓｉ、Ｃ、Ｈｆ、Ｎ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｙの少なくとも１種を含有して成ることを特徴とする請求項１に記載の磁気抵抗効果素子。
【請求項６】
上記移動抑制層が、厚さ３ｎｍ以下のＢを含有する層であることを特徴とする請求項１に記載の磁気抵抗効果素子。
【請求項７】
上記強磁性層の上記少なくとも一方の強磁性層が、組成式ＦｅＸ　Ｃｏｙ　Ｂｚ　（組成式中、ｘ、ｙ、ｚは、原子％を表す）を有し、５≦ｘ≦４５、３５≦ｙ≦８５、１０≦ｚ≦３０、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００による構成とすることを特徴とする請求項１または２に記載の磁気抵抗効果素子。
【請求項８】
上記強磁性層の上記少なくとも一方の強磁性層のＢの少なくとも一部に代えてＳｉ、Ｃ、Ｈｆ、Ｎ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｙの少なくとも１種を含有することを特徴とする請求項７に記載の磁気抵抗効果素子。
【請求項９】
上記磁気抵抗効果素子が、上記中間層をトンネルバリア層とするトンネル磁気抵抗効果素子であることを特徴とする請求項１または２に記載の磁気抵抗効果素子。
【請求項１０】
上記対の強磁性層の一方が、磁化固定層であり、他方が情報記録層であるスピンバルブ型磁気抵抗効果素子であることを特徴とする請求項１または２に記載の磁気抵抗効果素子。
【請求項１１】
対の強磁性層が中間層を介して対向されてなり、膜面に対して垂直に電流を流すことによって磁気抵抗変化を得る構成の磁気抵抗効果素子と、
該磁気抵抗効果素子を厚さ方向に挟むワード線およびビット線とを備え、
上記磁気抵抗効果素子が、対の強磁性層が中間層を介して対向されてなり、上記強磁性層の少なくとも一方の上記中間層と接する側とは反対側に、トップコート層もしくは下地層が配置され、膜面と交叉する方向に、通電することによって磁気抵抗変化を得る構成による磁気抵抗効果素子であって、
上記強磁性層と、該強磁性層の上記中間層と接する側とは反対側に配置される上記トップコート層もしくは下地層との間に、該トップコート層もしくは下地層と上記強磁性層との間の元素の移動を抑制する移動抑制層を配置したことを特徴とする磁気メモリ装置。
【請求項１２】
対の強磁性層が中間層を介して対向されてなり、膜面に対して垂直に電流を流すことによって磁気抵抗変化を得る構成の磁気抵抗効果素子と、
該磁気抵抗効果素子を厚さ方向に挟むワード線およびビット線とを備え、
上記磁気抵抗効果素子が、対の強磁性層が中間層を介して対向されてなり、上記強磁性層の少なくとも一方の上記中間層と接する側とは反対側に、トップコート層もしくは下地層が接して配置される磁気抵抗効果素子であって、
該トップコート層もしくは下地層が配置される少なくとも一方の上記強磁性層に、該強磁性層に対するトップコート層もしくは下地層との間の特定元素の移動を抑制する移動抑制効果を有する元素を含有させたことを特徴とする磁気メモリ装置。
【請求項１３】
上記強磁性層の上記少なくとも一方の強磁性層が、Ｆｅ、Ｃｏを含有する強磁性層であることを特徴とする請求項１１または１２に記載の磁気抵抗効果素子。
【請求項１４】
上記トップコート層もしくは下地層が、Ｔａ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｒｕ、Ｔｉ、Ｗおよびその酸化物または窒化物を含むことを特徴とする請求項１１または１２に記載の磁気メモリ装置。
【請求項１５】
上記移動抑制層が、Ｂ、Ｓｉ、Ｃ、Ｈｆ、Ｎ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｙの少なくとも１種を含有して成ることを特徴とする請求項１１に記載の磁気メモリ装置。
【請求項１６】
上記移動抑制層が、厚さ３ｎｍ以下のＢを含有する層であることを特徴とする請求項１１に記載の磁気メモリ装置。
【請求項１７】
上記強磁性層の上記少なくとも一方の強磁性層が、組成式ＦｅＸ　Ｃｏｙ　Ｂｚ　（組成式中、ｘ、ｙ、ｚは、原子％を表す）を有し、５≦ｘ≦４５、３５≦ｙ≦８５、１０≦ｚ≦３０、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００による構成とすることを特徴とする請求項１１または１２に記載の磁気メモリ装置。
【請求項１８】
上記強磁性層の上記少なくとも一方の強磁性層のＢの少なくとも一部に代えてＳｉ、Ｃ、Ｈｆ、Ｎ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｙの少なくとも１種を含有することを特徴とする請求項１７に記載の磁気メモリ装置。
【請求項１９】
上記磁気抵抗効果素子が、上記中間層をトンネルバリア層とするトンネル磁気抵抗効果素子であることを特徴とする請求項１１または１２に記載の磁気抵抗効メモリ装置。
【請求項２０】
上記対の強磁性層の一方が、磁化固定層であり、他方が情報記録層であるスピンバルブ型磁気抵抗効果素子であることを特徴とする請求項１１または１２に記載の磁気抵抗効果素子。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、磁気抵抗効果素子および磁気メモリ装置とこれらの製造方法に関わる。
【０００２】
【従来の技術】
情報通信機器、特に携帯端末などの個人用小型機器の飛躍的な普及に伴い、これを構成するメモリやロジックなどの素子には、高集積化、高速化、低電力化など、一層の高性能化が要請されている。特に不揮発性メモリの高密度・大容量化は、可動部分の存在により本質的に小型化が不可能なハードディスクや光ディスクを置き換える技術として、ますます重要になってきている。
【０００３】
不揮発性メモリとしては、半導体を用いたフラッシュメモリや、強誘電体を用いたＦＲＡＭ（Ｆｅｒｒｏ　ｅｌｅｃｔｒｉｃ　Ｒａｎｄｏｍ　Ａｃｃｅｓｓ　Ｍｅｍｏｒｙ　；強誘電体メモリ）等が挙げられる。
しかしながら、フラッシュメモリは、書き込み速度がμ秒オーダーであるという欠点がある。一方、ＦＲＡＭにおいては、書き換え可能回数が少ないという問題が指摘されている。
【０００４】
これらの欠点がない不揮発性メモリとして注目されているのが、例えば「Ｗａｎｇｅｔ　ａｌ．，ＩＥＥＥ　Ｔｒａｎｓ．　Ｍａｇｎ．　３３（１９９７），４４９８　」に記載されているような、ＭＲＡＭ（Ｍａｇｎｅｔｉｃ　Ｒａｎｄｏｍ　Ａｃｃｅｓｓ　Ｍｅｍｏｒｙ　）と呼ばれる磁気メモリ装置である。
【０００５】
このＭＲＡＭは、構造が単純であるため高集積化が容易であり、また磁気モーメントの回転による記憶がなされることから、書換え可能回数がきわめて大きいという特徴がある。また、このＭＲＡＭは、アクセス時間をかなり高速化することができると予想されていて、既に、ナノ秒台での動作が可能であることの確認がなされている。
【０００６】
このＭＲＡＭのメモリ素子を構成する磁気抵抗効果素子として、トンネル磁気抵抗効果（Ｔｕｎｎｅｌ　Ｍａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ：ＴＭＲ）素子がある。このＴＭＲ素子の基本的構造は、強磁性層／トンネルバリア層／強磁性層の積層構造による。
このＴＭＲ素子にあっては、そのトンネルバリア層を介して配置された対の強磁性層間に一定の電流を通電した状態で、外部磁場を印加することによって、両強磁性層の磁化の相対角度に応じて磁気抵抗効果が現れる。このとき、両強磁性層の互いの磁化の向きが反平行の場合は抵抗値が最大となり、平行の場合は抵抗値が最小となる。したがって、このＴＭＲ素子は、外部磁場により上述した反平行と平行の状態を作り出すことによって、抵抗値変化として、情報の記録を行うことができ、メモリ素子として機能させることができる。
【０００７】
特にスピンバルブ型のＴＭＲ素子においては、対の強磁性層の一方の強磁性層は、これに反強磁性層を隣接配置して、この反強磁性層との反強磁性結合によって磁化の向きを一定の向きに固定させることによって固定磁化層とするものである。
そして、他方の強磁性層を、外部磁場等によって容易に磁化反転する磁化自由層とし、この磁化自由層をもって磁気メモリ装置においては、情報記録層とするものである。
【０００８】
このスピンバルブ型のＴＭＲ素子における抵抗値の変化率は、その対の強磁性層のそれぞれのスピン分極率をＰ１　，Ｐ２　とすると、下記の式（１）で表される。
２Ｐ１　Ｐ２　／（１−Ｐ１　Ｐ２　）　　　　　　　　（１）
つまり、両強磁性層のスピン分極率Ｐ１　，Ｐ２　が大きい程、抵抗変化率が大きくなる。この抵抗変化率と強磁性層の材料との関係については、すでに、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ等のＦｅ族の強磁性元素や、それらのこれら金属の合金についての報告がなされている。
【０００９】
ところで、ＭＲＡＭの基本的構成は、例えば特開平１０−１１６４９０号公報に開示されているように、複数のビット書き込み線（いわゆるビット線）と、これら複数のビット線に直交する複数のワード書き込み線（いわゆるワード線）とを設け、これらビット線とワード線との立体的交叉部に磁気メモリ素子としてのＴＭＲ素子が配置される。このＭＲＡＭでの記録は、アステロイド特性を利用したＴＭＲ素子に対する選択書き込みによる。
【００１０】
すなわち、ビット線およびワード線に選択的に所要の通電がなされて、これによって発生する互いに直交する方向の誘導磁界の合成による反転外部磁界を、選択されたＴＭＲ素子に印加して、その磁化自由層すなわち情報記録層の磁化の向きを上述した磁化固定層の磁化の向きと平行もしくは反平行として、例えば“０”，“１”の記録を行う。
【００１１】
このＭＲＡＭに使用されるビット線およびワード線には、通常の半導体装置における配線材料のＣｕや、Ａｌ等の導体薄膜が使用される。このような通常の配線材料を用い、かつ線幅０．２５μｍのビット線およびワード線によって例えば反転磁界が２０〔Ｏｅ〕である磁気メモリ素子に対して、書き込みを行うには、約２ｍＡの電流が必要となる。ビット線およびワード線の厚さが、線幅と同じ０．２５μｍである場合、このときの電流密度は、エレクトロマイグレーションによる断線限界値に近い３．２×１０６　Ａ／ｃｍ２　である。
したがって、配線の信頼性を維持するためには、書き込み電流の低減が不可欠である。
また、書き込み電流による発熱の問題や、消費電力の低減の観点からも、書き込み電流を低減させる必要がある。
【００１２】
ＭＲＡＭにおける書き込み電流の低減を実現する手法として、ＴＭＲ素子の反転磁界を低減させることが挙げられる。
ＴＭＲ素子の反転磁界は、ＴＭＲ素子の大きさ、形状、層構成、材料の選択等によって適宜決定されるものである。しかしながら、例えばＭＲＡＭの記録密度の向上を目的としてＴＭＲ素子を微細化した場合には、ＴＭＲ素子の反転磁界が上昇するという不都合が生じる。したがって、ＭＲＡＭの微細化すなわち高集積化と、書き込み電流の低減とを同時に達成するためには、材料面からＴＭＲ素子の反転磁界の低減化を達成する必要がある。
【００１３】
また、ＭＲＡＭにおいて、各メモリ素子となるＴＭＲ素子の磁気特性が素子毎にばらついたり、同一素子についての繰り返し使用で、磁気特性に不安定なばらつきが生じると、アステロイド特性を使用した選択書き込みが困難になるという問題がある。
したがって、各ＴＭＲ素子において、安定して理想的なアステロイド曲線を描かせるに必要な磁気特性が求められる。理想的なアステロイド曲線を描かせるためには、ＴＭＲ測定を行った際のＲ−Ｈ（抵抗−磁場）曲線においてバルクハウゼンノイズ等のノイズがないこと、波形の角形性が良いこと、磁化状態が安定しており、反転磁界のばらつきが少ないことが必要である。
【００１４】
ＴＭＲ素子の情報読み出しは、上述したトンネルバリア層を介して配置された情報記録層と磁化固定層との磁気モーメントが反平行で抵抗値が高い状態の、例えば“１”、その逆に、互いの磁気モーメントが平行で抵抗値が低い状態の、例えば“０”を、例えば一定バイアス電圧での差電圧の検出により行う。
したがって、素子間の抵抗のばらつきが同じである場合には、ＴＭＲ比が高いほど、高速で集積度が高く、エラーレートの低いメモリ装置が実現できる。
【００１５】
また、ＴＭＲ素子には抵抗変化率のバイアス電圧依存性が存在し、バイアス電圧が上昇するにつれて、ＴＭＲ比が減少していくことが知られている。
そして、差電流または差電圧で読み出しを行う場合に、多くの場合、抵抗変化率が、バイアス電圧依存性により半減する電圧Ｖｈａｌｆで読み出し信号の最大値をとることがが知られているので、バイアス電圧依存性が小さいほど読み出しエラーの低減において有効である。
【００１６】
【発明が解決しようとする課題】
上述したように、磁気抵抗効果素子例えばＭＲＡＭに用いられるＴＭＲ素子には、上述の書き込み特性要件と、読み出し特性要件とを同時に満足することが必要である。
【００１７】
ところが、例えば磁気抵抗効果素子や、ＭＲＡＭにおいて、高温熱処理がなされると、磁気抵抗効果素子に保磁力の増加や、抵抗−磁界特性に角形性の低下等の特性の劣化を来し、ＭＲＡＭにおいては、反転磁界の増加による消費電力の増加、更にアステロイド特性の劣化による、ＭＲＡＭの歩留りの低下を来す。
【００１８】
この高温熱処理は、例えばＰｔＭｎなどの反強磁性材料を用いた強磁性トンネル接合素子では、所要の磁気特性を発揮させるために、通常、２００℃〜３００℃程度で数時間の規則化熱処理がなされる。
また、例えば磁気抵抗効果素子と同一基板上に、他の素子例えば半導体素子が構成される装置等の製造において、磁気抵抗効果素子の形成後に、例えば２５０℃以上の高温加熱を伴う場合がある。
本発明においては、このような熱処理に伴う特性劣化の問題の解決を図るものである。
【００１９】
【課題を解決するための手段】
本発明においては、対の強磁性層が中間層を介して対向された構成を有する磁気抵抗効果を奏する構成部、例えばＴＭＲにおけるトンネル接合部の構成部を有する磁気抵抗効果素子にあって、その少なくとも一方の強磁性層に隣接して、トップコート層もしくは下地層が配置されるとき、上述した熱処理によって特性劣化が生じる原因が、この熱処理によって、トップコート層もしくは下地層の特定元素が移動し易く、かつ強磁性層の遷移金属と結合することによって、特性変化を来すことを究明し、この究明に基いて、熱処理に伴う特性劣化を回避するものである。
【００２０】
すなわち、本発明による磁気抵抗効果素子は、対の強磁性層が中間層を介して対向されてなり、強磁性層の少なくとも一方の中間層と接する側とは反対側に、トップコート層もしくは下地層が配置され、膜面と交叉する方向に、通電することによって磁気抵抗変化を得る構成による磁気抵抗効果素子であって、強磁性層の、中間層と接する側とは反対側に配置されるトップコート層もしくは下地層との間に、トップコート層もしくは下地層と強磁性層との間に上述した特定元素の移動を抑制する移動抑制層を配置した構成とするものである。
【００２１】
あるいは、本発明による磁気抵抗効果素子は、対の強磁性層が中間層を介して対向されてなり、強磁性層の少なくとも一方の中間層と接する側とは反対側に、トップコート層もしくは下地層が配置され、膜面と交叉する方向に、通電することによって磁気抵抗変化を得る構成による磁気抵抗効果素子であって、トップコート層もしくは下地層が配置される少なくとも一方の強磁性層に、この強磁性層に対するトップコート層もしくは下地層との間の特定元素の移動を抑制する移動抑制効果を有する元素を含有させる。
【００２２】
すなわち、本発明による磁気抵抗効果素子は、強磁性層への上述した特定元素の移動を抑制すべきトップコート層もしくは下地層に接してこの特定元素の移動を抑制する移動抑制層あるいは強磁性層自体にこの移動抑制層の機能を有する強磁性層を配置するものである。
【００２３】
また、本発明による磁気メモリ装置（ＭＲＡＭ）は、上述した本発明による磁気抵抗効果素子をメモリ素子とするものである。
すなわち、本発明によるＭＲＡＭは、対の強磁性層が中間層を介して対向されてなり、膜面に対して垂直に電流を流すことによって磁気抵抗変化を得る構成の磁気抵抗効果素子と、この磁気抵抗効果素子を厚さ方向に挟むワード線およびビット線とを備えるものであり、その磁気抵抗効果素子が、上述した本発明による各磁気抵抗効果素子によって構成される。　　　　　　　　　　　　　　　　　そして、この磁気抵抗効果素子が、上述した各本発明による磁気抵抗効果素子構成とするものである。
【００２４】
すなわち、本発明は、トップコート層や下地層が、熱処理によって移動する元素を有し、しかもこの移動によって強磁性層の構成元素と結合して磁気特性に望ましくない変化を来すような特定元素を有する構成と場合において、熱処理による上述した特定元素の移動を抑制する構成としたものであり、これによってその特定元素の移動、したがって、磁気抵抗効果素子の特性変化を回避するものである。
【００２５】
【発明の実施の形態】
先ず、本発明による磁気抵抗効果素子の実施の形態について説明するが、本発明による磁気抵抗効果素子は、この実施形態に限られるものではない。
【００２６】
〔磁気抵抗効果素子の第１の実施の形態〕
本発明による磁気抵抗効果素子の一実施形態は、磁気メモリ装置のメモリ素子としての磁気抵抗効果素子であるが、この実施形態に限られるものではない。
本発明による磁気抵抗効果素子は、対の強磁性層、具体的には、磁化固定層と磁化自由層とが、中間層を介して対向された磁気抵抗効果を奏する構造部を構成する積層構造部を有し、その積層面に垂直、すなわち厚さ方向に通電することによって磁気抵抗変化を得る構成による。
そして、対の強磁性層の少なくとも磁化自由層を構成する強磁性層は、強磁性遷移金属元素の少なくともＦｅおよびＣｏを含むと共にＢを含有するＦｅＣｏＢより成る。
【００２７】
この磁気抵抗効果素子は、その中間層を、例えばトンネルバリア層によって構成することにより、トンネル磁気抵抗効果（ＴＭＲ）素子とされる。
あるいは、その中間層を非磁性導電層によって構成してスピンバルブ型のいわゆる巨大磁気抵抗効果（ＧＭＲ）素子とする。
強磁性層は、単層構造とすることもできるが、多層構造とすることができる。例えば磁化固定層を構成する強磁性層を、積層フェリ構造とすることができる。
【００２８】
図１は、この磁気抵抗効果素子、例えばスピンバルブ型のＴＭＲ１の一例の概略断面図を示す。
この例では、基板２例えばＳｉ基板上に、下地層３が形成され、この下地層３を介して反強磁性層４が形成され、この上に、中間層６を介して対の強磁性層５および７が形成された積層構造とされる。
この例では、反強磁性層４上に、磁化固定層を構成する強磁性層５が形成され、この上に、トンネルバリア層による中間層６が形成され、更にこの上に、情報記録層となる磁化自由層を構成する強磁性層７が形成されて、この積層構造によって強磁性トンネル接合部（以下ＭＴＪという）が構成される。そして、このＭＴＪ９上に、特定元素の移動を抑制する移動抑制層４０を介して保護層いわゆるトップコート層８が被着形成される。
【００２９】
下地層３は、例えばＴａ膜によって構成される。
反強磁性層４は、一方の強磁性層５による磁化固定層５と反強磁性的に結合することにより、外部から印加される信号磁界、例えばメモリ装置における書き込み磁界によっても磁化が反転することなく、常に、磁化固定層５の磁化の向きを一定の向きに設定するものである。
この反強磁性層４は、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｒｈ等を含むＭｎ合金、Ｃｏ酸化物、Ｎｉ酸化物等によって構成することができるものであり、この反強磁性層４は、例えばＰｔＭｎによって構成する。
【００３０】
中間層６のトンネルバリア層は、金属膜例えばＡｌのスパッタ膜あるいは蒸着膜を、酸化した酸化膜あるいは窒化した窒化膜によって形成することができる。そのほか、このトンネルバリア層６は、有機金属と、酸素、オゾン、窒素、ハロゲン、ハロゲン化ガス等を用いたＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）　法による成膜によって構成することもできる。
【００３１】
そして、この中間層６を介して積層される磁化固定層５および磁化自由層７は、ＦｅＣｏＢを含有する強磁性層によって構成される。磁化固定層５は、上述したように、反強磁性層４との反強磁性結合によって磁化の向きが一定に固定される。
【００３２】
トップコート層８は、その構成元素が、熱処理によって移動し易く、強磁性層７の例えばＣｏと結合する特定元素の例えばＴａ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｒｕ、Ｔｉ、Ｗと、その酸化物または窒化物、例えばＴａ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｒｕ、Ｔｉ、Ｗの酸化物、Ｔａ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｗの窒化物を含む構成によるものとされる。
【００３３】
また、強磁性層７とトップコート層８との間に介在させる移動抑制層４０は、上述の特定元素の移動を抑制するＢ、Ｓｉ、Ｃ、Ｈｆ、Ｎ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｙの少なくとも１種を含有して成る。
この移動抑制層は、例えば厚さ３ｎｍ以下のＢを含有する層による。
【００３４】
強磁性層７、すなわち情報記録層としての磁化自由層は、膜厚１ｎｍ〜１０ｎｍとすることが、良好な磁気特性を確保する上で望ましい。
すなわち、この磁化自由層７の膜厚が、１ｎｍ未満である場合は、磁化自由層としての磁気特性が大幅に損なわれ、また、１０ｎｍを超えると保磁力が大きくなり過ぎ、例えば磁気メモリ装置のメモリ素子として用いる場合、実用上不適当となるおそれがあることに因る。
【００３５】
磁化自由層７は、上述したＦｅＣｏＢによる単層構造とするに限られるものではなく、例えばこの組成の強磁性層と、これに比し磁化量の小さいＮｉＦｅ層との積層構造とすることができ、この場合は、これら層の総厚が１０ｎｍを超える構成とすることもできる。
【００３６】
また、ＦｅＣｏＢによって磁化固定層５を構成する場合、その膜厚は、０．５ｎｍ〜６ｎｍに選定することが望ましい。
これは、磁化固定層５の膜厚が、０．５未満である場合には、磁化固定層としての磁気特性が損なわれ、また６ｎｍを超えると反強磁性層との交換結合磁界が十分に得られなくなることに因る。
【００３７】
図１で示した例では、磁化固定層５を単層構造とした場合であるが、図２にその一例の概略断面図を示すように、その磁化固定層５を、強磁性積層フェリ構造とすることができる。
この例では、反強磁性層４上に、この反強磁性層４と反強磁性結合する第１の磁化固定層５ａが成膜され、この上に非磁性導電層５ｃを介して第２の磁化固定層５ｂが積層されている。
非磁性導電層５ｃは、例えばＲｕ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ａｕ、Ａｇ等の金属膜によって構成することができる。
尚、図２において、図１と対応する部分には同一符号を付して重複説明を省略する。
【００３８】
また、上述した例では、中間層６が、トンネルバリア層であってＴＭＲ素子構成とした場合であるが、中間層６が、非磁性導電層によって構成され、膜厚方向に通電がなされるいわゆるＣＰＰ（Ｃｕｒｒｅｎｔ　Ｐｅｒｐｅｄｉｃｕｌａｒ　ｔｏ　Ｐｌａｎｅ）　構成のスピンバルブ型ＧＭＲ素子に適用することもできる。
【００３９】〔磁気抵抗効果素子の第２の実施の形態〕
上述した実施の形態においては、強磁性層７とトップコート層８との間に、特定元素の移動を抑制する移動抑制層４０を介在させた場合であるが、この第２の実施形態においては、この移動抑制層４０を、強磁性層７自体によって構成した場合である。
すなわち、この場合、図３に示すように、移動抑制層４０を特段に配置する構成とすることなく、強磁性層７に、上述した特定元素に対する移動を抑制するＢ、Ｓｉ、Ｃ、Ｈｆ、Ｎ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｙの少なくとも１種を含有させる構成とする。
尚、図３において、図１および図２と対応する部分には同一符号を付して重複説明を省略する。
【００４０】
上述した本発明による磁気抵抗効果素子を製造する方法は、基板２上に、下地層３、反強磁性層４、磁化固定層５、中間層６、磁化自由層７、第１の実施の形態においては、移動抑制層４０、保護層８を順次例えばマルチチャンバー型のスパッタリング装置によって成膜する。
【００４１】
例えば、先ず、１つのチャンバー内に、例えばＳｉよりなる基板２を配置して、この上に、順次例えばＴａによる下地層３、ＰｔＭｎによる反強磁性層４、対となる強磁性層の下層側のＦｅＣｏＢによる磁化固定層５、例えばＡｌ金属膜による中間層６を、連続的にスパッタリングによって形成する。
【００４２】
その後、他のチャンバー内に、これら成膜を施した基板２を移行し、このチャンバー内において、中間層６を構成するＡｌ金属膜の表面を酸化してトンネルバリア層を形成する。
その後、再び基板２を、例えば先のチャンバー内に持ち来し、中間層６上に、上述した対となる上層側の強磁性層として、ＦｅＣｏＢによる磁化自由層７をスパッタリングし、更に、この上に、例えばＢによる移動抑制層４０、Ｔａによる保護層８を、連続スパッタリングによって形成する。
【００４３】
これらスパッタリングは、放電ガスを用いて、各種方法によって発生させたプラズマからのイオンを、スパッタ材のターゲットに衝突させてスパッタリングする方法、あるいはいわゆるイオンビームスパッタにおけるように、高エネルギーに加速させたイオンビームをターゲットに衝撃させるスパッタ等、各種のスパッタリングによることができる。
【００４４】
次に、この積層膜を有する基板２を、磁場中熱処理し、反強磁性層４の規則化すなわち所定の向きに磁化し、これによってこの反強磁性層４上に接して形成され、反強磁性層４と反強磁性結合された強磁性層による磁化固定層５の磁化を一方向に固定することができる。
【００４５】
図１〜図３で示した例では、反強磁性層がボトム側に配置されたいわゆるボトム型磁気抵抗効果素子構成とした場合であるが、下地層３上に情報記録層、すなわち磁化自由層となる強磁性層７が配置されたトップ型構造とする場合に適用することができる。
【００４６】
本発明による磁気抵抗効果素子においては、磁気抵抗効果を奏する構成部、すなわち上述の例ではＭＴＪ９の強磁性層７に対する上述した特定元素の例えばＴａを含有するトップコート層８もしくは下地層３が存在する側において、この特定元素の移動、すなわち熱拡散の抑制効果を有する例えばＢを有する移動抑制層４０を配置するとか、強磁性層７を移動抑制層を兼ねる構成としたことによって、後述するところから明らかなように、例えばＴａが強磁性層７の例えばＣｏと結合することによる特性劣化を回避できるものである。
【００４７】
次に、本発明による磁気メモリ装置の実施の形態について説明するが、この場合においても、この実施形態に限定されるものではない。
【００４８】
〔磁気メモリ装置の実施の形態〕
本発明による磁気メモリ装置は、そのメモリセルを構成するメモリ素子が、上述した本発明の各構成による磁気抵抗効果素子、例えばＴＭＲ素子によって構成される。
この磁気メモリ装置は、例えば図４に、その一例の要部の概略構成の斜視図を示し、図５に、その１つのメモリセル１１の概略断面図を示すように、クロスポイント型のＭＲＡＭアレイ構造とすることができる。
【００４９】
すなわち、このＭＲＡＭにおいては、並置配列された複数のワード線ＷＬと、これらワード線ＷＬとそれぞれ立体的に交叉するように並置配列された複数のビット線ＢＬとを有し、これらワード線ＷＬとビット線ＢＬとの間の立体的交叉部に、それぞれメモリセル１１として、本発明による磁気抵抗効果素子、例えばＴＭＲ素子１が配置される。
図４においては、磁気メモリ装置における３×３のメモリセル１１がマトリクス状に配置された部分を示している。
【００５０】
各メモリセル１１は、図５に示すように、例えばシリコン基板より成る半導体基板２上すなわち半導体ウエハ上に、スイッチング用のトランジスタ１３が形成される。
このトランジスタ１３は、例えばＭＯＳトランジスタ（絶縁ゲート電界効果型トランジスタ）より成る。この場合、半導体基板２上にゲート絶縁層１４が形成され、この上にゲート電極１５が被着された絶縁ゲート部が構成される。
また、半導体基板２に、絶縁ゲート部を挟んでその両側にソース領域１６とドレイン領域１７とが形成される。この構成において、ゲート電極１５は、読み出し用のワード線ＷＬ１　を構成している。
【００５１】
このトランジスタ１３が形成された半導体基板２上には、ゲート電極１５を覆って第１の層間絶縁層３１が形成され、この第１の層間絶縁層３１の、各ソース領域１６およびドレイン領域１７上に、層間絶縁層３１を貫通してコンタクトホール１８が穿設され、各コンタクトホール１８に、導電性プラグ１９が充填される。
そして、第１の層間絶縁層３１上に、ソース領域１６に対する配線層２０が、ソース領域１６にコンタクトされた導電性プラグ１９上に跨がって被着形成される。
【００５２】
更に、配線層２０を覆って第１の層間絶縁層３１上に第２の層間絶縁層３２が形成される。
この第２の層間絶縁層３２には、ドレイン領域１７にコンタクトされた導電性プラグ１９上に、コンタクトホール１８が貫通穿設され、これに導電性プラグ１９が充填される。
【００５３】
第２の層間絶縁層３２上には、例えば読み出し用ワード線ＷＬ１　の延長方向に延長して図４のワード線ＷＬに相当する書き込み用ワード線ＷＬ２　が形成される。
また、この書き込み用ワード線ＷＬ２　を覆って、第２の層間絶縁層３２上に、例えば酸化シリコンより成る第３の層間絶縁層３３が形成される。この第３の層間絶縁層３３においても、ドレイン領域１７にコンタクトされた導電性プラグ１９上に、コンタクトホール１８が貫通穿設され、これに導電性プラグ１９が充填される。
【００５４】
そして、この第３の層間絶縁層３３を貫通する導電プラグ１９にコンタクトして、第３の層間絶縁層３３上に、例えば図１〜図３で示したように、導電性の例えばＴａより成る下地層３を形成し、この下地層３上に、磁気抵抗効果素子例えばＴＭＲ素子１を形成する。
【００５５】
更に、この下地層３とこの上のＴＭＲ素子１を覆って第４の層間絶縁層３４が形成され、この上に、書き込み用ワード線ＷＬ上を横切って、ビット線ＢＬを形成する。
【００５６】
ビット線ＢＬ上には、図示しないが表面絶縁層が必要に応じて形成される。
上述した第１〜第４の各層間絶縁層や表面絶縁層等は、例えばプラズマＣＶＤによって形成することができる。
【００５７】
これら、メモリセル１１は、共通の半導体基板２すなわち半導体ウエハ上に、図４で示すように、マトリックス状に配列される。
【００５８】
次に、磁場中熱処理して反強磁性層４の規則化すなわち反強磁性層４を所定の向きに磁化し、これによってこの反強磁性層４上に接して形成されこれと反強磁性結合された強磁性層による磁化固定層５の磁化を一方向に固定することができる。
【００５９】
この構成による磁気メモリ装置は、ビット線ＢＬと書き込みワード線ＷＬ（ＷＬ１　）とに所要の電流を通電することによって、選択された交叉部のメモリセル１１の磁気抵抗効果素子例えばＴＭＲ素子１の磁化自由層に、両ビット線ＢＬと書き込みワード線ＷＬによる発生磁界の合成による所要の書き込み磁界を印加して、前述したように、磁化自由層の磁化を反転させて、情報の記録を行う。
【００６０】
この情報の読み出しは、選択された読み出しを行うメモリセルに関わるトランジスタ１３のゲート電極１５すなわち読み出しワード線ＷＬ１　に所要のオン電圧を印加してトランジスタ１３をオン状態とし、ビット線ＢＬとトランジスタ１３のソース領域１６の配線層２０との間に、読み出し電流を通電することによってその読み出しを行う。
【００６１】
一方、磁化固定層および磁化自由層を構成する強磁性層５および７、特に磁化自由層を構成する強磁性層７が強磁性遷移金属元素であるＦｅ、Ｃｏと共にＢを含有するＦｅＣｏＢによって構成することにより反転磁界の増大化が図られる。すなわち、強磁性遷移金属元素のみで強磁性層を構成する従来通常のＴＭＲ素子では、スピン分極率の向上と反転磁界の低減化とが相容れないという不都合がある。
これに比し、上述したＦｅＣｏＢによるときは、スピン分極率の向上と共に保磁力すなわち反転磁界の低減が実現される。すなわち、スピン分極率が高められることによって、前記（１）式から高い抵抗変化率、すなわちＴＭＲ素子においては、高いＴＭＲ比が得られる。また、反転磁界の低減によって、磁気メモリ装置において、そのメモリ素子としての磁気抵抗効果素子に対する書き込み磁界、すなわち書き込み電流の低減、したがって、消費電力の低減を図ることができる。
また、Ｂ（ボロン）を含有することによってバイアス電圧依存性が改善される。
【００６２】
ここで、情報記録層がＣｏ７２Ｆｅ８　Ｂ２０〔原子％〕によるＴＭＲ素子と、情報記録層がＣｏ９０Ｆｅ１０〔原子％〕によるＴＭＲ素子とを作製し、これらについて外部磁場の変化に対するトンネル抵抗値の変化率を測定した。このＴＭＲ〔％〕−外部磁場〔Ｏｅ〕曲線の測定結果を、図６に示す。図６において、曲線６１は、情報記録層がＣｏ７２Ｆｅ８０Ｂ２０のＴＭＲ素子の場合のＴＭＲ−外部磁場曲線であり、曲線６２は、情報記録層がＣｏ９０Ｆｅ１０のＴＭＲ素子のＴＭＲ−外部磁場曲線である。
【００６３】
曲線６１と６２を比較して明らかなように、情報記録層がＦｅ、Ｃｏ、Ｂを含有するＴＭＲは、Ｆｅ、Ｃｏのみを含有するＴＭＲ素子に比してＴＭＲ比を高く維持しつつ、保磁力Ｈｃを低減することが可能であった。
また、ＴＭＲ−磁場ループの角形性が向上すると共に、バルクハウゼンノイズも改善されていることが分かる。
【００６４】
したがって、本発明の磁気抵抗効果素子による磁気メモリ装置のメモリ素子は、書き込み電流の低減が図られるばかりでなく、アステロイド曲線の形状も改善され、書き込み特性が向上し、また、特性の安定化により繰り返し使用による特性のばらつきが改善され、書き込みエラーの低減が図られる。
【００６５】
そして、磁気メモリ装置においては、同一基板上に、極めて多数のメモリ素子、すなわち磁気抵抗効果素子が形成されることから、上述した書き込み電流の低減は、きわめて大きな利益をもたらすものであり、また、すぐれたアステロイド曲線を得ることができること、つまり安定した磁気的特性の安定化が図られことは、極めて重要な点である。
【００６６】
尚、強磁性層が含有するＦｅＣｏＢの合金組成には、好ましい範囲が存在するものである。これらＦｅＣｏＢによる強磁性層による磁気抵抗効果素子、メモリ素子については、本出願人による特許願２００２−１０６９２６号ですでに提案しているところである。
【００６７】
すなわち、強磁性層が含有するＦｅ、Ｃｏ、Ｂの合金組成については、不可避な不純物元素を除いて、組成式ＦｅＸ　Ｃｏｙ　Ｂｚ　（組成式中、ｘ、ｙ、ｚは、原子％を表す）から構成され、５≦ｘ≦４５、３５≦ｙ≦８５、１０≦ｚ≦３０であることが好ましい。このとき、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００である。これら組成の特定について以下説明する。
【００６８】
まず、Ｂの添加量について説明する。このＢの添加量が１０原子％未満であると、ベースとなるＦｅ−Ｃｏ合金の磁気特性が大きく反映され、緩やかな改善　効果が認められるのみである。したがって、１０原子％以上のＢを含有することにより、Ｆｅ、Ｃｏ等を同じ比率で含む合金と比較して、ＴＭＲ比が顕著に増大すると共に、抵抗−磁場曲線（Ｒ−Ｈ曲線）の角形性が改善される。また、ＴＭＲ比のバイアス依存性も改善され、更に、情報記録層の磁化状態が安定しているため、保磁力のばらつきが小さく、Ｒ−Ｈ曲線上に見られるノイズも大幅に低減する。
【００６９】
また、Ｂの添加量は、３０原子％以下であることが好ましい。これは、Ｂの添加量が３０原子％を超えると、例えば情報記録層としての強磁性的な特性および磁化固定層としての固定磁界が損なわれてくる。その結果、ＴＭＲ比の低下、Ｒ−Ｈ曲線の角形性の劣化および保磁力の減少を来すおそれが生じる。したがって、Ｂを添加することによる効果を確実に得るためには、Ｆｅ−Ｃｏ合金の組成によって若干変化するが、少なくとも一方の強磁性層の、情報記録層を構成する強磁性層７は、１０原子％以上、３０原子％以下のＢが含有する組成とすることが望ましい。
【００７０】
また、Ｂは、後述するところから明らかなように、例えばトップコート層に用いられるＴａが、強磁性層７への移動を阻止する効果を奏する。
【００７１】
次に、ベースとなるＦｅ−Ｃｏ合金について説明する。
Ｂを含めた合金組成で少なくとも３５原子％のＣｏが必要である。Ｂが添加された場合の効果を促進し、しかも強磁性的な性質を保持するためである。その上で、Ｆｅが添加されると、Ｃｏ−Ｆｅベース合金での変化と同様に、ＴＭＲ比の向上および保磁力の増大効果が認められる。しかし、Ｆｅの含有量が、４５原子％を超えると実際の素子寸法では、保磁力が過剰に増大し、ＴＭＲ素子として不適当となる。また、Ｆｅの含有量が５原子％未満であると、強磁性層のスピン分極率が小さくなり、磁気抵抗効果素子として動作するに十分なＴＭＲ比が得られなくなるおそれがある。したがって、Ｆｅの含有量は、５原子％以上、４５原子％以下とすることが好ましい。
【００７２】
上述したところから明らかなように、強磁性層すなわち磁化自由層としては、ＦｅＣｏＢ合金によることが好ましく、また、そのＢの含有量は、１０原子％〜３０原子％とすること、更にその厚さは前述した理由から１ｎｍ〜１０ｎｍとすることが好ましいことから鑑みても、移動抑制層４０をＢ単層によって構成する場合、前述したように、その厚さは３ｎｍ以下とすることが望ましいことが分かる。
【００７３】
〔特性評価〕
次に、本発明による磁気抵抗効果素子をメモリ素子として用いたＭＲＡＭの実施例に対応する特性評価用素子（以下ＴＥＧ（Ｔｅｓｔ　Ｅｌｅｍｅｎｔ　Ｇｒｏｕｐ）という）としてのサンプル１を作製し、これによって本発明構成の特性評価を行った。このサンプルとその特性評価について説明する。
【００７４】
＜サンプル１＞
この場合、図５において説明したように、ＭＲＡＭにおいては、メモリ素子としてのＴＭＲ素子以外に、スイッチング用のトランジスタ１３が形成されるものであるが、このＴＥＧにおいては、半導体基板２すなわち半導体ウエハには上述したスイッチング用トランジスタ１３の形成を省略した。
【００７５】
図７に概略平面図を示し、図８に、図７のＡ−Ａ線の概略断面図を示すように、表面に厚さ２μｍの熱酸化膜による絶縁層１２が形成された、厚さ０．６ｍｍの半導体基板（半導体ウエハ）２を用意した。
この半導体基板２上に、ワード線を構成する金属膜の形成、およびフォトリソグラフィによるパターンエッチングを行って、一方向に延長するワード線ＷＬを形成した。
このとき、ワード線ＷＬの形成部以外のエッチング部においては、半導体基板２の表面の酸化膜すなわち絶縁層１２が深さ５ｎｍまでエッチングされた。
【００７６】
ワード線ＷＬ上の一部に、ＴＭＲ素子１を作製した。このＴＭＲ素子１の形成は、先ず、半導体基板２側から、それぞれ全面的に、順次、厚さ３ｎｍのＴａ層と厚さ１００ｎｍのＣｕ層とによる下地層３、厚さ２ｎｍのＰｔＭｎ層による反強磁性層４、厚さ３ｎｍのＣｏＦｅ層と厚さ０．８ｎｍのＲｕ層による非磁性導電層と厚さ２．５ｎｍのＣｏＦｅ層とのフェリ磁性層による磁化固定層５、厚さ１ｎｍのＡｌを酸化処理した中間層６、厚さ５ｎｍのＦｅＣｏＢ層による磁化自由層７、厚さ５ｎｍのＴａ層より成る保護層すなわちトップコート層８を形成した。
【００７７】
このようにして、形成した積層膜の一部によってＴＭＲ素子１を構成するものであり、このために積層膜のＴＭＲ素子１の形成部上に、フォトレジスト層によるマスク層（図示せず）をフォトリソグラフィによって形成する。
このマスク層を、エッチングマスクとして、上述の積層膜に対するエッチング例えばドライエッチングを行って、上述した積層膜による所要のパターンのＴＭＲ素子１を形成する。
更に、フォトレジスト層によるマスク層上から、ＴＭＲ素子１の周囲を覆って厚さ１００ｎｍ程度に、Ａｌ２　Ｏ３　をスパッタし、その後、マスク層の除去を行って、ＴＭＲ素子１上の絶縁層の除去、すなわちリフトオフを行ってＴＭＲ１の表面を露出する。
【００７８】
この露出したＴＭＲ素子１上にコンタクトして全面的に金属膜の形成を成膜し、この金属膜をフォトリソグラフィによってパターンエッチングしてビット線ＢＬを形成する。
【００７９】
このビット線ＢＬと上述したワード線ＷＬとは、それぞれＣｕ層によって形成し、相互に交叉する方向に延長するパターンに形成する。
【００８０】
磁化自由層すなわち情報記録層を構成する強磁性層７のＦｅＣｏＢの組成は、Ｆｅ８　Ｃｏ７２Ｂ２０〔原子％〕とした。
また、磁化固定層を構成する強磁性層５のＣｏＦｅの組成は、Ｃｏ７５Ｆｅ２５〔原子％〕とした。
中間層６のトンネルバリア層は、先ずＡｌ膜をＤＣスパッタ法により厚さ１ｎｍに堆積し、その後に、酸素とアルゴンの流量比は、１：１とし、チャンバーのガス圧を０．１ｍＴｏｒｒとし、ＩＣＰ（Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅ　Ｃｏｕｐｌｅｄ　Ｐｌａｓｍａ：　誘導結合型プラズマ）により金属Ａｌ膜をプラズマ酸化することによって形成した。
この酸化時間は、ＩＣＰプラズマ出力に依存するが、この例では３０秒の酸化処理を行った。
この中間層６以外の成膜は、ＤＣマグネトロンスパッタ法を用いて成膜した。
ＴＭＲ素子１は、短軸０．５μｍ、長軸１．０μｍの楕円形パターンに形成した。
【００８１】
ワード線ＷＬおよびビット線ＢＬは、それぞれ金属膜を形成し、これをフォトリソグラフィを用いたＡｒプラズマエッチングによってパターン化して形成した。
ワード線ＷＬおよびビット線ＢＬの両端には、図７に示すように、それぞれ端子パッドを２３および２４を延長形成した。
このＴＥＧは、共通の基板２上に、多数個配列形成した。
【００８２】
このようにして作製したＴＥＧを上述した磁場中熱処理装置よって、磁場中熱処理した。この熱処理は、ＰｔＭｎによる反強磁性層４の規則化熱処理も兼ねることができ、これによって強磁性トンネル接合ＭＴＪを構成した。
この磁場中熱処理は、磁場強度１０ｋＯｅ、２７０℃、４時間とした。
このようにして作製されたＴＥＧをサンプル１とする。
【００８３】
＜サンプル２＞
上述したサンプル１と同様の構成および方法によるものの、その磁化自由層すなわち情報記録層を構成する強磁性層７の組成を、Ｃｏ７５Ｆｅ２５〔原子％〕としてＴＥＧを作製した。このＴＥＧをサンプル２とする。
【００８４】
これらサンプル１および２について、そのＴＭＲ比、保磁力Ｈｃの繰り返し使用におけるばらつき、角形比およびバイアス電圧依存性を測定した。これらは、次のように測定した。
【００８５】
〔ＴＭＲ比の測定〕
ＭＲＡＭのメモリ素子への情報記録は、ビット線、ワード線への通電による誘導磁界によって行うが、この場合の測定においては、ＴＥＧの情報記録層すなわち磁化自由層７の磁化反転を、外部磁界の印加によって行い、ＴＭＲ比の測定を行った。
この測定は、先ず、ＴＭＲ素子１の情報記録層を磁化反転させるための外部磁界を、情報記録層の磁化容易軸に対して平行になるように印加した。
この磁界の大きさは、５００〔Ｏｅ〕とした。
【００８６】
次に、情報記録層の磁化容易軸の一方からみて、−５００〔Ｏｅ〕から＋５００〔Ｏｅ〕まで掃引するのと同時に、ワード線ＷＬの端子パッド２３とビット線ＢＬの端子パッド２４とにかかるバイアス電圧が１００ｍＶとなるように調整して、強磁性トンネル接合（ＭＴＪ）にトンネル電流を流した。このときの各外部磁界に対する抵抗値を測定した。
【００８７】
そして、磁化固定層５と情報記録層７との磁化が反平行の状態であって抵抗が高い状態の抵抗値ＲＨ　と、磁化固定層５と情報記録層７との磁化が平行の状態であって抵抗が低い状態での抵抗値ＲＬ　との差と、ＲＬ　との比、｛（ＲＨ　−ＲＬ　）／ＲＬ　｝×１００を、ＴＭＲ比とした。そして、このＴＭＲ比は、良好な読み出し特性を得るという観点から、４５％以上であることが望ましい。
【００８８】
〔保磁力Ｈｃのばらつきの測定〕
保磁力Ｈｃは、前記ＴＭＲ比の測定法から求められるＲ−Ｈ曲線から求めた。そして、同一素子に対してＲ−Ｈ曲線を５０回繰り返し測定し、最大抵抗値と最小抵抗値との半分の値に対し、保磁力Ｈｃの繰り返し使用におけるばらつきを求めた。ばらつき値は、ΔＨｃ／Ｈｃの平均値、として算出した。ΔＨｃは標準偏差である。
この保磁力Ｈｃのばらつきは、書き込み特性の向上を図るという観点から、４％以下であることが好ましい。
【００８９】
〔角形比の測定〕
Ｒ−Ｈ曲線から波形の角形比を求めた。この角形比は、測定時の−５００〔Ｏｅ〕から＋５００〔Ｏｅ〕までの磁場範囲でのＲ−Ｈ曲線の最大の抵抗値Ｒ１　ｍａｘ　と最小抵抗値Ｒ１　ｍｉｎ　との差（Ｒ１　ｍａｘ　−Ｒ１　ｍｉｎ　）と、ゼロ磁場での最大の抵抗値Ｒ２ｍａｘ　と最小抵抗値Ｒ２ｍｉｎ　との差（Ｒ２ｍａｘ　−Ｒ２ｍｉｎ　）との比、（Ｒ２ｍａｘ　−Ｒ２ｍｉｎ　）／（Ｒ１　ｍａｘ　−Ｒ１　ｍｉｎ　）とした。この角形比は、書き込み特性の向上を図るという観点から、０．９以上であることが好ましい。
【００９０】
〔バイアス電圧依存性の測定〕
バイアス電圧を１００ｍＶから１０００ｍＶまで１０ｍＶ刻みに変化させながらＲ−Ｈ曲線の測定を行い、ＴＭＲを求め、バイアス電圧に対してプロットした。そして、これから外挿された０ｍＶでのＴＭＲ比に対して、半分になるバイアス電圧を求め、これをＶｈａｌｆとした。
Ｖｈａｌｆは、５５０ｍＶ以上であることが望ましい。
【００９１】
上述の各サンプル１および２の情報記録層すなわち強磁性層７の組成、膜厚を（表１）に示し、ＴＭＲ比、保磁力Ｈｃのばらつき、角形比およびバイアス依存性を（表２）に示す。
【００９２】
【表１】
2004063592.tif 000003
【００９３】
【表２】
2004063592.tif 000004
【００９４】
表１および表２から明らかなように、磁化固定層および情報記録層のいづれにおいてもＢを含有しないサンプル２は、Ｂを含有するサンプル１に対して、ＴＭＲ比、保磁力Ｈｃのばらつき、角形比およびバイアス電圧依存性Ｖｈａｌｆのいずれにおいても劣っている。このことから、ＭＴＪの少なくとも一方の強磁性層がＦｅ、Ｃｏと共にＢを含有することにより書き込み特性の改善が図られることが分かる。
【００９５】
また、サンプル１は、４５％以上のＴＭＲ比が得られ、角形比が０．９以上とすぐれたＴＭＲ特性を示した。そして保磁力Ｈｃのばらつきが４％以下に抑制されていることから、磁気的にきわめて安定した状態であることが分かる。
更に、サンプル１は、Ｖｈａｌｆが５５０ｍＶ以上の高い値を示しているので、ＭＲＡＭとしての動作時において、情報“０”、“１”　の差電圧が大きくなる。したがって、書き込みおよび読み出し特性のいずれにおいてもエラーがきわめて小さいＭＲＡＭを実現できるものである。
【００９６】
以上のことから、磁気抵抗効果素子を構成する中間層を介して対向する対の　強磁性層の少なくとも一方は、Ｆｅ、ＣｏおよびＢを含有することが好ましいことが分かる。
【００９７】
次に、特定元素の移動の抑制について考察する。
このため、サンプル３および４を作製した。
＜サンプル３＞
このサンプルにおいては、基板上に、磁気抵抗効果素子のみを作製し、ワード線、ビット線等を省略した構成とし、サンプル１と同様に強磁性層７をＦｅＣｏＢを含む構成とし、これにおいて熱処理を行わない他は、サンプル１と同様の方法によった。
【００９８】
＜サンプル４＞
サンプル３と同様にして、すなわち強磁性層７にＢを含むサンプル４を作製したが、このサンプル４においては、１０ｋＯｅ、２７０℃、４時間の磁場中熱処理を行って反強磁性層のＰｔＭｎ層の規則化熱処理を行った。
【００９９】
＜サンプル５＞
このサンプル５は、情報記録層を構成する強磁性層７を、Ｂを含まないＦｅ２５Ｃｏ７５（原子％）とした以外は、サンプル４と同様の方法、すなわち磁場中熱処理を行って作製した。
【０１００】
これらサンプル３〜５について、ＡＥＳ（オージェ電子分光法）によって、膜の深さ方向の各元素の分布を調べた。
サンプル３とサンプル４とを比較した結果を図９に示す。図９では、横軸はＡｌのピークが一致するように合わせてあり、縦軸は各元素のピーク強度で規格してある。
この図９で示す結果から、熱処理を行ったサンプル４のＢの分布が、熱処理していないサンプル３よりトップコート層のＴａ側に移動していることが分かる。
【０１０１】
また、図１０は、サンプル４とサンプル５とを比較した同様の各元素の分布を示したもので、この場合においても、横軸は、Ａｌのピークが一致するように合わせてあり、縦軸は各元素のピーク強度で規格してある。
図１０に示す結果により、Ｂを含まないサンプル５は、トップコート層のＴａの分布がサンプル４よりもＣｏ側に移動していることが分かる。
【０１０２】
これら図９および図１０の結果により、ＣｏＦｅＢ層のＢがトップコート層のＴａ側に移動してＴａと結合することで、ＴａがＣｏすなわち強磁性層内へと熱拡散して侵入することを抑えていることが確認された。
【０１０３】
このように、Ｂをトップコート層に接して配置することにより、すなわちＢを含む移動抑制層４０を配置するとか、あるいは強磁性層にこの移動抑制層を兼ねるようにＢを含有する構成とすることによって、トップコート層からのＴａが強制層の遷移金属のＣｏ側に移動しにくくされ、これによってＴａがＣｏと結合することによって生じる膜組成に不均一性の招来、これによる磁気特性の変動、劣化の発生を回避できるものである。
【０１０４】
そして、このような拡散防止効果は、トップコート層８に接してＢの薄膜層による移動抑制層４０を設けるようにした、前述の磁気抵抗効果素子の第１の実施の形態による構成とすることが、より効果的に拡散防止効果を得ることができる。
【０１０５】
そして、この拡散防止効果は、Ｂ以外の同様の効果を奏するＳｉ、Ｃ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｎ、Ｃｕ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｙなどの強磁性層への添加および薄層によることができる。
【０１０６】
また、強磁性層への拡散が特性への影響を及ぼす特定元素は、Ｔａの他に、例えばＣｕ、Ａｌ、Ｒｕ、Ｔｉ、Ｗ、Ｏ、Ｎなどにおいても効果を有するものである。
また、上述した例ではトップコート層からの強磁性層への特定元素の移動を抑制する場合について主として説明したものであるが、磁化自由層すなわち情報記録層となる強磁性層が下地層側に配置されるいわゆるトップ型の磁気抵抗効果素子において、その下地層が、上述した特定元素を含む構成である場合、この下地層と磁化自由層ないしは情報記録層の強磁性層７との間に上述した移動抑制層４０を配置するとか、あるいはこの移動抑制を兼ねた強磁性層とする構成とすることができる。
【０１０７】
また、強磁性層としては、上述したように、Ｆｅ、Ｃｏ、ＢのほかにＮｉを含有する組成とすることができる。このＮｉを含有する場合でも、保磁力の増大を抑えつつ良好なＴＭＲ比を維持し、Ｒ−Ｈ曲線の角形性の改善効果を得ることができる。この場合、Ｎｉ含有量の好ましい範囲が存在する。すなわちＮｉは、３５原子％以下であることが好ましい。これは、Ｎｉの含有量が、３５原子％を超えると保磁力が小さくなり過ぎて、ＴＭＲ素子の動作の制御が困難となるおそれがあることに因る。すなわち、ＦｅＣｏＮｉＢの強磁性層においては、不可避な不純物元素を除いて、組成式ＦｅａＣｏｂＮｉｃＢｄ（組成式中、ａ〜ｄは原子％を表す）から構成され、５≦ａ≦４５、３５≦ｂ≦８５、０＜ｃ≦３５、１０≦ｄ≦３０であるとが好ましい。そして、このとき、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００である。
【０１０８】
上述したように、本発明構成によれば、上述した特定元素の移動を抑制することによって、磁気特性の劣化、磁気−抵抗特性の角形性の劣化、保磁力の増加や不安定性を回避することができたものである。
したがって、本発明による磁気抵抗効果素子をメモリ素子とするＭＲＡＭによれば、すぐれたアステロイド特性を示し、反転磁界の増加や、不安定性を回避でき、すぐれた特性を有し、消費電力の低減化を図ることができる信頼性の高いＭＲＡＭを歩留り良く得ることができるものである。
【０１０９】
尚、上述した例では、主として、対の強磁性層５および７間の中間層６が、トンネルバリア層でＴＭＲ素子を構成する場合について説明したが、磁気抵抗効果素子として、中間層６が非磁性導電層によって構成したスピンバルブ型のいわゆるＧＭＲ素子とすることもできる。
【０１１０】
また、本発明による磁気抵抗効果素子は、言うまでもなく、磁気メモリ装置におけるメモリ素子への適用に限られず、磁気ヘッドおよびこの磁気ヘッドを搭載したハードディスクドライブ、集積回路チップ、更にはパソコン、携帯端末、携帯電話をはじめとする各種電子機器、電気機器等に適用することができるなど本発明の要旨内において種々の変更を行うことができる。
【０１１１】
【発明の効果】
上述したように、本発明によれば、優れたＭＲ比、ＭＲ比のバイアス電圧依存性の改善、反転磁界の低減およびばらつきの低減、アステロイド特性の改善が安定してなされる磁気抵抗効果素子を構成することができる。
【０１１２】
また、これらの改善によって、この磁気抵抗効果素子をメモリ素子とする本発明による磁気メモリ装置は、書き込み特性および読み出し特性にすぐれ、エラーレートの改善、安定した信頼性の高い、また消費電力の低減化等を図ることができるものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による磁気抵抗効果素子の一例の概略断面図である。
【図２】本発明による磁気抵抗効果素子の他の例の概略断面図である。
【図３】本発明による磁気抵抗効果素子の他の例の概略断面図である。
【図４】本発明による磁気メモリ装置の一例の概略構成の斜視図である。
【図５】本発明による磁気メモリ装置の一例のメモリセルの概略断面図である。
【図６】本発明および従来のＴＭＲ素子の外部磁場に対するＴＭＲ測定曲線を示す図である。
【図７】特性評価素子の概略平面図である。
【図８】特性評価素子の概略断面図である。
【図９】本発明の効果の説明に供するサンプルの元素の分布図である。
【図１０】本発明の効果の説明に供するサンプルの元素の分布図である。
【符号の説明】
１・・・磁気抵抗効果素子（ＴＭＲ素子）、２・・・基板、３・・・下地層、４・・・反強磁性層、５・・・強磁性層（磁化固定層）、５ａ・・・第１の磁化固定層、５ｂ・・・第２の磁化固定層、５ｃ・・・非磁性導電層、６・・・中間層（トンネルバリア層）、７・・・強磁性層（磁化自由層）、８・・・トップコート層、９・・・強磁性トンネル接合、１１・・・メモリセル、１２・・・絶縁層、１３・・・トランジスタ、１４・・・ゲート絶縁層、１５・・・ゲート電極、１６・・・ソース領域、１７・・・ドレイン領域、１８・・・コンタクトホール、１９・・・導電性プラグ、２０・・・配線層、２３，２４・・・端子パッド、３０・・・絶縁層、３１〜３４・・・第１〜第４の層間絶縁層、４０・・・移動抑制層、ＷＬ・・・ワード線、ＢＬ・・・ビット線
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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