(57)【要約】【課題】　本発明は、入射する放射線（７５）により照射される被写体（２００）を画像化するための可撓性イメージャ（１００）に関する。【解決手段】　可撓性イメージャは、可撓性基板（１０１）と、該可撓性基板（１０１）上に配置された光センサ・アレイ（１１０）と、シンチレータ（１９０）とを含む。シンチレータ（１９０）は、入射する放射線（７５）を光子に変換し、光センサ・アレイ（１１０）に光学的に結合されている。光センサ・アレイ（１１０）は光子を受けて、該光子に対応する電気信号を生成する。被写体（２００）を画像化するためのデジタル画像形成方法は、可撓性デジタルイメージャ（１００）を、被写体（２００）が該可撓性デジタルイメージャ（１００）と放射線源（３００）との間に位置決めされるように該被写体に適合させるステップを含む。【選択図】　　　図１
2004064087.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
　入射する放射線（７５）によって照射された被写体（２００）を画像化するための可撓性イメージャ（１００）であって、
　可撓性基板（１０１）と、
　前記可撓性基板上に配置された光センサ・アレイ（１１０）と、
　前記入射する放射線を受けかつ吸収するように配置され、前記入射する放射線を光子に変換するように構成され、前記光センサ・アレイに光学的に結合されたシンチレータ（１９０）と、
を備え、
　前記光センサ・アレイは、前記光子を受けて、該光子に対応する電気信号を生成するように構成されている、
ことを特徴とするイメージャ。
【請求項２】
　前記可撓性基板（１０１）がポリマーを含むことを特徴とする、請求項１に記載の可撓性イメージャ（１００）。
【請求項３】
　前記可撓性基板（１０１）がフレキシブル有機ポリマーを含むことを特徴とする、請求項２に記載の可撓性イメージャ（１００）。
【請求項４】
　前記可撓性基板（１０１）がポリイミドを含むことを特徴とする、請求項３に記載の可撓性イメージャ（１００）。
【請求項５】
　前記可撓性基板（１０１）が約２ミルから約１０ミルまでの厚さにされていることを特徴とする、請求項２に記載の可撓性イメージャ（１００）。
【請求項６】
　前記可撓性基板（１０１）が約３ミルから約８ミルまでの厚さにされていることを特徴とする、請求項５に記載の可撓性イメージャ（１００）。
【請求項７】
　前記可撓性基板（１０１）の背面（１０７）上に配置された背面層（１０６）を更に備えることを特徴とする、請求項１に記載の可撓性イメージャ（１００）。
【請求項８】
　前記背面層（１０６）が複数の加熱素子（１０８）を備えることを特徴とする、請求項７に記載の可撓性イメージャ（１００）。
【請求項９】
　前記光センサ・アレイ（１１０）が、複数の光センサ（１２０）と、複数のＴＦＴ（１３４）を含むアドレス指定可能な薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）アレイ（１３０）とを備え、
　前記ＴＦＴの各々は、各光センサが前記光センサ・アレイにおいて選択的にアドレス指定されるように前記光センサの１つとそれぞれ電気的に接続され、
　前記ＴＦＴ（１３４）の各々は、ゲート電極（１３８）と、前記ゲート電極の上に配置された半導体領域（１３９）と、前記半導体領域に接触しかつ該領域の上に配置されたソース電極（１３７）及びドレイン電極（１３６）とを備え、
　前記半導体領域（１３９）の各々は、真性アモルファス・ケイ素（ａ−Ｓｉ）層（１０３）と、前記真性ａ−Ｓｉ層の上に配置されたドープ処理アモルファス・ケイ素層（１０４）とを備える、
ことを特徴とする、請求項１に記載の可撓性イメージャ（１００）。
【請求項１０】
　前記アドレス指定可能なＴＦＴアレイ（１３０）が、前記可撓性基板（１０１）と前記複数の光センサ（１２０）との間に位置され、前記光センサの各々は、アモルファス−ケイ素・光ダイオード（１２０）を含み、前記可撓性イメージャが更に、
　前記可撓性基板（１０１）と前記アドレス指定可能なＴＦＴアレイ（１３０）との間に配置された被覆層（１０５）と、
　前記シンチレータ（１９０）の上に配置されたカバー層（１９５）と、
を備える、
ことを特徴とする、請求項９に記載の可撓性イメージャ（１００）。
【請求項１１】
　前記光センサ・アレイ（１１０）が、複数の光センサ（１２０）と、複数のＴＦＴ（１３４）を含むアドレス指定可能な薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）アレイ（１３０）とを備え、
　前記ＴＦＴの各々は、各光センサが前記光センサ・アレイにおいて選択的にアドレス指定されるように前記光センサの１つとそれぞれ電気的に接続され、
　前記ＴＦＴ（１３４）の各々は、ゲート電極（１３８）と、有機半導体を含み前記ゲート電極の上に配置された半導体領域（１３９）と、前記半導体領域に接触するソース電極（１３７）及びドレイン電極（１３６）とを備える、
ことを特徴とする、請求項１に記載の可撓性イメージャ（１００）。
【請求項１２】
　前記半導体領域が、前記ソース及びドレイン電極（１３７、１３６）の上に配置され、前記複数の光センサ（１２０）が、前記可撓性基板（１０１）と前記アドレス指定可能なＴＦＴアレイ（１３０）との間に位置され、前記ＴＦＴ（１３４）が光学的に透明なものにされ、前記可撓性イメージャが更に、前記シンチレータ（１９０）の上に配置されたカバー層（１９５）を備えることを特徴とする、請求項１１に記載の可撓性イメージャ（１００）。
【請求項１３】
　前記シンチレータ（１９０）がヨウ化セシウムを含むことを特徴とする、請求項１に記載の可撓性イメージャ（１００）。
【請求項１４】
　前記シンチレータ（１９０）が蛍光体スクリーン（１９０）を含むことを特徴とする、請求項１に記載の可撓性イメージャ（１００）。
【請求項１５】
　入射する放射線（７５）によって照射された被写体（２００）を画像化するための可撓性デジタルイメージャ（１００）であって、
　可撓性基板（１０１）と、
　前記可撓性基板上に配置された光センサ・アレイ（１１０）と、
を備え、
　前記光センサ・アレイは、複数の光センサ（１２０）と、複数のＴＦＴ（１３４）を含むアドレス指定可能な薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）アレイ（１３０）とを備え、前記光センサは、複数の列（２１１）と少なくとも１つの行（２１２）とを形成するように配列され、前記ＴＦＴの各々は、各光センサが前記光センサ・アレイにおいて選択的にアドレス指定されるように前記光センサの１つとそれぞれ電気的に接続され、
　前記入射する放射線を受けかつ吸収するように配置され、前記入射する放射線を光子に変換するように構成され、前記光センサ・アレイに光学的に結合されたシンチレータ（１９０）が設けられ、
　前記光センサ・アレイは、前記光子を受けて、該光子に対応する電気信号を生成するように構成されている、
ことを特徴とするイメージャ。
【請求項１６】
　前記可撓性基板（１０１）がフレキシブル有機ポリマーを含み、約３ミルから約８ミルまでの厚さにされていることを特徴とする、請求項１５に記載の可撓性デジタルイメージャ（１００）。
【請求項１７】
　前記可撓性基板（１０１）の背面（１０７）上に配置された背面層（１０６）を更に備え、前記背面層が複数の加熱素子（１０８）を備えることを特徴とする、請求項１５に記載の可撓性デジタルイメージャ（１００）。
【請求項１８】
　前記光センサ（１２０）が１つの行（２１２）を形成するように配列されていることを特徴とする、請求項１５に記載の可撓性デジタルイメージャ（１００）。
【請求項１９】
　前記光センサ（１２０）が複数の行（２１２）を形成するように配置されていることを特徴とする、請求項１５に記載の可撓性デジタルイメージャ（１００）。
【請求項２０】
　前記ＴＦＴ（１３４）の各々は、ゲート電極（１３８）と、前記ゲート電極の上に配置された半導体領域（１３９）と、前記半導体領域に接触しかつ該領域の上に配置されたソース電極（１３７）及びドレイン電極（１３６）とを備え、
　前記半導体領域（１３９）の各々が、真性アモルファス・ケイ素（ａ−Ｓｉ）層（１０３）と、前記真性ａ−Ｓｉ層の上に配置されたドープ処理アモルファス・ケイ素層（１０４）とを備えることを特徴とする、請求項１５に記載の可撓性デジタルイメージャ（１００）。
【請求項２１】
　前記アドレス指定可能なＴＦＴアレイ（１３０）が前記可撓性基板（１０１）と前記光センサ（１２０）との間に位置され、前記光センサの各々は、アモルファス−ケイ素・光ダイオード（１２０）を含み、前記可撓性デジタルイメージャが更に、前記可撓性基板（１０１）と前記アドレス指定可能なＴＦＴアレイ（１３０）との間に配置された被覆層（１０５）を備えることを特徴とする、請求項２０に記載の可撓性デジタルイメージャ（１００）。
【請求項２２】
　前記ＴＦＴ（１３４）の各々は、ゲート電極（１３８）と、有機半導体を含み前記ゲート電極の上に配置された半導体領域（１３９）と、前記半導体領域に接触するソース電極（１３７）及びドレイン電極（１３６）とを備えることを特徴とする、請求項１５に記載の可撓性デジタルイメージャ（１００）。
【請求項２３】
　前記半導体領域が前記ソース及びドレイン電極（１３７、１３６）の上に配置され、前記複数の光センサ（１２０）が前記可撓性基板（１０１）と前記アドレス指定可能なＴＦＴアレイ（１３０）との間に位置され、前記ＴＦＴ（１３４）が光学的に透明なものとされていることを特徴とする、請求項２２に記載の可撓性デジタルイメージャ（１００）。
【請求項２４】
　被写体（２００）を画像化するためのデジタル画像形成方法であって、
　可撓性デジタルイメージャ（１００）を、前記被写体（２００）が該可撓性デジタルイメージャと放射線源（３００）との間に位置決めされるように該被写体に適合させるステップと、
　前記放射線源を作動させて前記被写体を放射線（７５）を曝すステップと、
　前記可撓性デジタルイメージャを用いて画像を集めるステップと、
を含むことを特徴とするデジタル画像形成方法。
【請求項２５】
　前記可撓性デジタルイメージャ（１００）が、線形配列で配置された複数の光センサ（１２０）を備えることを特徴とする、請求項２４に記載のデジタル画像形成方法。
【請求項２６】
　前記可撓性デジタルイメージャ（１００）が、二次元（２Ｄ）配列で配置された複数の光センサ（１２０）を備えることを特徴とする、請求項２４に記載のデジタル画像形成方法。
【請求項２７】
　前記放射線源（３００）が、前記可撓性デジタルイメージャをＸ線（７５）に曝すように構成されたＸ線源（３００）を含むことを特徴とする、請求項２４に記載のデジタル画像形成方法。
【請求項２８】
　前記被写体（２００）が航空機の一部であることを特徴とする、請求項２４に記載のデジタル画像形成方法。
【請求項２９】
　前記被写体（２００）が航空機胴体であり、前記適合させるステップが、前記航空機胴体の少なくとも一部の周りを前記可撓性イメージャで包むステップを含むことを特徴とする、請求項２８に記載のデジタル画像形成方法。
【請求項３０】
　前記被写体（２００）が航空機翼であり、前記適合させるステップが、前記航空機翼の少なくとも一部の周りを前記可撓性イメージャで包むステップを含むことを特徴とする、請求項２８に記載のデジタル画像形成方法。
【請求項３１】
　拡がった放射線ビーム（７５）を放射するように構成された放射線源（３００）を用いて被写体（２００）を画像化するためのデジタル画像形成方法であって、
　円柱状構造（１９６）をもつシンチレータ（１９０）を備えた可撓性デジタルイメージャ（１００）を、該円柱状構造が前記拡がった放射線ビームと平行に位置合わせされるように屈曲させるステップと、
　前記被写体が前記放射線源と前記可撓性イメージャとの間になるように、前記可撓性デジタルイメージャを位置決めするステップと、
　前記放射線源（３００）を作動させて、前記被写体を前記拡がった放射線ビーム（７５）に曝すステップと、
　前記可撓性デジタルイメージャを用いて画像を集めるステップと、
を含むことを特徴とするデジタル画像形成方法。
【請求項３２】
　前記放射線源（３００）と前記可撓性デジタルイメージャ（１００）との間の距離を、前記シンチレータ（１９０）の円柱状構造（１９６）が前記拡がった放射線ビーム（７５）と位置合わせされるように調整するステップを更に含むことを特徴とする、請求項３１に記載のデジタル画像形成方法。
【請求項３３】
　被写体（２００）を画像化するためのデジタル画像形成方法であって、
　前記被写体の中に少なくとも１つの可撓性デジタルイメージャ（１００）を埋め込むステップと、
　放射線源（３００）を作動させて、該放射線源と前記可撓性デジタルイメージャとの間に位置決めされた前記被写体の一部を、拡がった放射線ビーム（７５）に曝すステップと、
　前記可撓性デジタルイメージャを用いて画像を集めるステップと、
を含むことを特徴とするデジタル画像形成方法。
【請求項３４】
　前記被写体（２００）が、航空機構造体の一部を含むことを特徴とする、請求項３３に記載のデジタル画像形成方法。
【請求項３５】
　前記被写体（２００）が航空機胴体（２００）を含み、前記埋め込むステップが、前記可撓性デジタルイメージャを、前記航空機胴体と断熱層（２３２）との間に埋め込むステップを含むことを特徴とする、請求項３４に記載のデジタル画像形成方法。
【請求項３６】
　前記被写体（２００）が航空機翼（２００）を含み、前記埋め込むステップが、前記可撓性デジタルイメージャを、前記航空機翼の中に組み込むステップを含むことを特徴とする、請求項３４に記載のデジタル画像形成方法。
【請求項３７】
　前記被写体（２００）がパイプライン（２００）の一部を含むことを特徴とする、請求項３３に記載のデジタル画像形成方法。
【請求項３８】
　前記埋め込むステップが、前記被写体（２００）の中に複数の可撓性デジタルイメージャ（１００）を埋め込むステップを含むことを特徴とする、請求項３３に記載のデジタル画像形成方法。
【請求項３９】
　入射する放射線（７５）によって照射された被写体（２００）を画像化するための線形配列コンピュータ断層撮影（ＣＴ）スキャナ（１００）であって、
　可撓性基板（１０１）と、
　前記可撓性基板上に配置された線形光センサ・アレイ（１１０）と、
を備え、
　前記光センサ・アレイは、行（２１２）に配列された複数の光センサ（１２０）と、複数のＴＦＴ（１３４）を含むアドレス指定可能な薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）アレイ（１３０）とを備え、前記ＴＦＴの各々は、各光センサが前記線形光センサ・アレイにおいて選択的にアドレス指定されるように、線形光センサ・アレイ（１１０）の１つとそれぞれ電気的に接続され、
　前記入射する放射線を受けかつ吸収するように配置され、前記入射する放射線を光子に変換するように構成され、前記線形光センサ・アレイに光学的に結合されたシンチレータ（１９０）が設けられ、
　前記線形光センサ・アレイは、前記光子を受けて、該光子に対応する電気信号を生成するように構成されている、
ことを特徴とする線形配列ＣＴスキャナ。
【請求項４０】
　前記光センサ（１２０）の各々が、前記入射する放射線（７５）に対して位置合わせされるように、隣接する前記光センサの１つに対して所定の角度をなして配向され、前記可撓性基板（１１０）と前記線形光センサ・アレイ（１１０）とが、固定構成で配置されていることを特徴とする請求項３９に記載の線形配列ＣＴスキャナ。
【請求項４１】
　前記線形光センサ・アレイ（１１０）及び前記可撓性基板（１０１）は、前記光センサ（１２０）の各々が隣接する前記光センサの１つに対して所定の角度をもって配置されるように調整可能に構成されていることを特徴とする、請求項３９に記載の線形配列ＣＴスキャナ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
　本発明は、一般的に放射線イメージャに関し、より具体的には、可撓性があり、適合性があってかつ堅牢な放射線イメージャに関する。
【背景技術】
【０００２】
　放射線画像形成システムは、医療及び産業用途に幅広く用いられている。ソリッドステート式放射線イメージャを用いて得られた画像は、電気的に分析及び格納されることが有益である。しかしながら、従来のソリッドステート式放射線イメージャは、重く、壊れやすくかつ剛直であり、典型的にはガラス基板上に形成されている。これは、移動性、堅牢性及び軽量性が必要とされる産業上の適用を制限するものとなる。
【特許文献１】米国特許第５，５８７，５９１号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
　従って、他の方法ではデジタル画像形成のためにアクセスできないような密閉区域においてイメージャを用いることを含む、産業上の適用を可能にするような、可撓性がありかつ堅牢性があるイメージャを提供することが望ましい。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
　手短に述べると、本発明の１つの実施形態によれば、入射する放射線によって照射された被写体を画像化するための可撓性イメージャが開示される。可撓性イメージャは、可撓性基板と、該可撓性基板上に配置された光センサ・アレイと、シンチレータとを含む。シンチレータは、入射する放射線を受けかつ吸収するように配置され、該入射する放射線を光子に変換するように構成され、かつ光センサ・アレイに光学的に結合されている。光センサ・アレイは、光子を受けて、該光子に対応する電気信号を生成するように構成される。
【０００５】
　被写体を画像化するためのデジタル画像形成方法の実施形態が更に開示される。デジタル画像形成方法は、可撓性デジタルイメージャを、被写体が該可撓性デジタルイメージャと放射線源との間に位置決めされるように該被写体に適合させるステップを含む。このデジタル画像形成方法は更に、放射線源を作動させて被写体を放射線に曝すステップと、可撓性デジタルイメージャを用いて画像を収集するステップとを含む。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００６】
　本発明のこれら及び他の特徴、態様及び利点は、同じ符号が図面全体にわたって同じ部分を表している添付図面を参照して、以下の詳細な説明を読むことにより、一層よく理解されるであろう。
【０００７】
　図１及び図８を参照しながら、入射する放射線７５により照射された被写体２００を画像化するための可撓性イメージャ１００について説明する。図示するように、可撓性イメージャ１００は、可撓性基板１０１と、可撓性基板１０１上に配置された光センサ・アレイ１１０とを含む。可撓性イメージャ１００は更に、入射する放射線７５を受けかつ吸収するように配置されたシンチレータ１９０を含む。シンチレータ１９０は、入射する放射線７５を光子に変換するように構成され、かつ光センサ・アレイ１１０に光学的に結合されている。例示的な入射する放射線７５は、典型的には、約０．０００５オングストロームから約５オングストロームまでの間の範囲内の波長を有するＸ線を含む。光センサ・アレイ１１０は、光子を受けて、該光子に対応する電気信号を生成するように構成されている。可撓性イメージャ１００の一般的な構造は、参考文献として本明細書に組み入れられる、「薄膜トランジスタのアドレス指定可能なアレイを有するソリッドステート式Ｘ線透視放射線イメージャ」と題する、本発明の出願人に譲渡されたＪａｃｋ　Ｄ．Ｋｉｎｇｓｌｅｙらによる米国特許第５，５８７，５９１号と同様のものであることに注目されたい。しかしながら、このソリッドステート式Ｘ線透視放射線イメージャの公知の基板は剛直な（可撓性がない）ものであり、例えば、ガラスを含むものである。これとは対照的に、基板１０１は、図１及び図２に例示的な曲率によって示されるように可撓性がある。有利なことに、可撓性基板１０１は堅牢であり、ガラスのような剛直な基板上に作製されたイメージャが乱暴な取扱及び輸送状態によって損傷を受けがちな現場での使用を可能にする。その上、可撓性基板１０１により、ユーザが、例えば航空機構造体の一部などの被検査被写体２００の表面に、可撓性イメージャ１００を適合させることが可能になる。
【０００８】
　光センサ・アレイ１１０により生成された電気信号に対応する画像を表示するために、読み取り及びリセット回路２１０が光センサ・アレイ１１０に電気的に接続されて、入射する放射線７５に応答して生成された電気的信号を受信する。読み取り及びリセット回路２１０は更に、該読み取り及びリセット回路から伝送された信号を処理して、情報を可撓性イメージャ１００のユーザに提供する表示及び分析装置２２０に接続される。
【０００９】
　より具体的な実施形態によると、可撓性基板１０１はポリマーから形成される。より具体的には、可撓性基板１０１は、ポリイミドのようなフレキシブル有機ポリマーから形成され、こうしたポリマーの例には、Ｋａｐｔｏｎ（商標）及びＵｐｉｌｅｘ（商標）の商標名で市販されている材料が含まれる。Ｕｐｉｌｅｘ（商標）は、ＵＢＥ　Ｉｎｄｕｓｔｒｉｅｓ，Ｌｔｄ．から市販されており、Ｋａｐｔｏｎ（商標）は、Ｅ．Ｉ．ｄｕ　Ｐｏｎｔ　ｄｅ　Ｎｅｍｏｕｒｓ　ａｎｄ　Ｃｏｍｐａｎｙから市販されている。他の例示的なフレキシブル有機ポリマーには、ＢＡＳＦ製のポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）と、Ｅ．Ｉ．ｄｕ　Ｐｏｎｔ　ｄｅ　Ｎｅｍｏｕｒｓ　ａｎｄ　Ｃｏｍｐａｎｙ製のポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ又はポリエステル）と、Ｅ．Ｉ．ｄｕ　Ｐｏｎｔ　ｄｅ　Ｎｅｍｏｕｒｓ　ａｎｄ　Ｃｏｍｐａｎｙ製のポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）と、Ｇｅｎｅｒａｌ　Ｅｌｅｃｔｒｉｃ製のポリエーテルイミド（ＰＥＩ）とが含まれる。
【００１０】
　加工処理中の機械的な安定性をもたらしながら可撓性イメージャ１００の可撓性を高めるには、可撓性基板１０１は、特定の実施形態によると、約２ミル乃至約１０ミルの厚さにされる。より特定的には、可撓性基板１０１は、約３ミル乃至約８ミルの厚さにされる。例示的な可撓性基板の厚さは約５ミルである（１ミルは千分の１インチ、１インチは、２．５４ｃｍ）。
【００１１】
　例示的な光センサ・アレイ１１０の一部が図３に示される。図示するように、光センサ・アレイ１１０は、多数の光センサ１２０と、アドレス指定可能な薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）アレイ１３０とを含む。より具体的には、各光センサ１２０は、例えばアモルファス・ケイ素（ａ−Ｓｉ）の光ダイオードといった光ダイオード１２０を含む。ＴＦＴアレイ１３０は多数のＴＦＴ１３４を含み、該ＴＦＴの各々は、光センサ・アレイ１１０において各光センサ１２０が選択的にアドレス指定されるように、光センサ１２０の１つとそれぞれ電気的に接続される。図３に示すように、例示的な光センサ・アレイ１１０は更に、光センサ１２０の各々を選択的にアドレス指定することができる走査ライン１３１とデータライン１３２とを含む。有利なことに、Ｉｏｗａ　Ｔｈｉｎ　Ｆｉｌｍｓ　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，Ｉｎｃ，から市販されているポリイミドのａ−Ｓｉシートを加工して、可撓性基板上に配置された光ダイオードを形成することができる。
【００１２】
　光センサ・アレイ１１０の一般的な構造は、本発明の出願人に譲渡された上述の米国特許第５，５８７，５９１号の図１（Ｂ）に示されているものと同じであることに注目されたい。従って、光センサ・アレイ１１０の詳細な説明を省略する。手短に述べると、例示的なＴＦＴ１３４は、例えば図４に示すように、ゲート電極１３８と、該ゲート電極１３８の上に配置された半導体領域１３９と、該半導体領域１３９に接触するソース電極１３７及びドレイン電極１３６とを含む。図５に示すＴＦＴ１３４の特定の積層構造においては、半導体領域１３９はゲート誘電層１０２の上に配置される。また、ソース電極１３７及びドレイン電極１３６を形成する際に用いられる典型的な材料及び技術に加えて、従来の写真平版技術を必要としない材料を用いることもできる。ソース電極１３７及びドレイン電極１３６の従来の材料には、金（Ａｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、クロム（Ｃｒ）、アルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）、及び酸化スズインジウム（ＩＴＯ）が含まれる。しかしながら、ソース電極１３７及びドレイン電極１３６はまた、場合によっては低コストでインクジェット又はスクリーン印刷のような公知の技術を用いて、例えば、酸化チタン（ＴｉＯ2）及び金（Ａｕ）のような金属性ナノ粒子を含む電気的に伝導性のある（「導電性の」）インクか、又はポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）のような導電性ポリマーから形成することもできる。産業上の画像形成の用途では、関係する速度が僅かに低く及び／又は関係する電圧が僅かに高いので、導電性インク又は導電性ポリマーから形成されたソース電極１３７及びドレイン電極１３６が受け入れられる。より具体的な実施形態によると、ゲート電極１３８は、導電性インク又は導電性ポリマーから形成されて、例えば、約１乃至約１０ｎｍＲＭＳの粗度をもつ、ほぼピンホールのない滑らかな表面を形成し、該表面上に優れた表面品質及び電気的性質を有するゲート誘電層１０２を形成可能にする。走査ライン１３１及びデータライン１３２は、Ａｕ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｍｏ、及びクロム／金（Ｃｒ／Ａｕ）又はクロム／モリブデン（Ｃｒ／Ｍｏ）の二重層のような導電性材料から形成される。例示的な走査ライン１３１及びデータライン１３２が図２に示されている。
【００１３】
　特定の実施形態によると、ＴＦＴ１３４は、例えば、上述の米国特許第５，５８７，５９１号に開示されている従来のアモルファス・ケイ素（ａ−Ｓｉ）ベースのＴＦＴである。手短に述べると、ソース電極１３７及びドレイン電極１３６は、図４に示すように、半導体領域の上に配置される。この実施形態において、半導体領域１３９は、例えば図５に示すように、真性ａ−Ｓｉ層１０３と、該真性ａ−Ｓｉ層の上に配置されたドープ処理ａ−Ｓｉ層１０４とを含む。ａ−ＳｉベースのＴＦＴ１３４は、キャリアの電界効果移動度、サブスレショルド勾配、及びソース／ドレイン電流のオン／オフ比について、望ましい素子特性をもたらす利点がある。より具体的には、アドレス指定可能なＴＦＴアレイ１３０は、可撓性基板１０１と光センサ１２０との間に位置し、各光センサ１２０はａ−Ｓｉ光ダイオード１２０を備える。この実施形態において、例示的な走査ライン１３１は、アルミニウム（Ａｌ）から又はクロム／モリブデン（Ｃｒ／Ｍｏ）の二重層から形成され、例示的なデータライン１３２はモリブデン（Ｍｏ）を含む。更に、各ＴＦＴ１３４は、図５に示すように、ゲート電極１３８と半導体領域１３９との間に配置されるゲート誘電層１０２を含む。従来のゲート誘電層１０２は、窒化ケイ素（ＳｉＮx）又は二酸化ケイ素（ＳｉＯ2）から形成される。しかしながら、可撓性イメージャ１００の可撓性を高めるために、ゲート誘電層１０２はまた、ポリイミド、ポリアミド、パリレン、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）、その他の同様な有機誘電物質などの有機誘電材料から形成することもできる。
【００１４】
　写真平版技術のような加工処理の際の機械的安定性をもたらすために、可撓性イメージャ１００は更に、例えば図５に示すように、可撓性基板１０１とアドレス指定可能なＴＦＴアレイ１３０との間に配置された被覆層１０５を含むことができる。例示的な被覆層１０５は、窒化ケイ素（ＳｉＮx）、二酸化ケイ素（ＳｉＯ2）、及び酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）を含む。被覆層１０５の他の利点は、防湿障壁をもたらして、写真平版技術のような加工処理中の溶剤のガス抜け及びポリマー鎖の分解を防ぐことを含む。
【００１５】
　図１に示される特定の実施形態において、可撓性イメージャ１００は更に、可撓性基板１０１の背面１０７上に配置された背面層１０６を含む。より具体的には、背面層１０６は加熱素子１０８を含み、例示的な背面層１０６は、Ｍｏ、Ｗ、Ｐｔ、多結晶シリコン（Ｐｏｌｙ−Ｓｉ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、窒化タンタル（ＴａＮx）、導電性インク、又はＣｒ／ＳｉＯ2、Ｔａ／ＳｉＯ2、Ｔｉ／ＳｉＯ2及びＷ／ＳｉＯ2のような抵抗性サーメット材料から形成される。加熱素子１０８は、例えば、フィルムパターン形成のための平版印刷法に組み込まれた、上述の材料の真空蒸着、電極メッキ、又は無電極メッキによって作製される。別の例示的な背面層１０６の作製には、平版印刷法の代わりに導電性インクの直接印刷が用いられる。
【００１６】
　特定の実施形態によると、加熱素子１０８は、デバイスの加工処理中に可撓性基板１０１内で局所的に熱を再分配し、また可撓性基板１０１を全体的に加熱及び冷却するための導電性の熱電極（図示せず）を含む。このように、背面層１０６が、デバイスの加工処理中における可撓性基板１０１の寸法安定性を高める。加熱素子１０８の働きは、電流を熱電極に印加して、熱電効果すなわちジュール熱効果を生み出すことを含む。熱電効果に基づく加熱素子１０８においては、熱電極に対する熱の移動方向は、印加された電流の極性に依存する。熱電極の特定の寸法及び幾何学的形状は、光センサ・アレイ１１０の寸法及び幾何学的形状、並びに特定の用途に関連する他の因子によって変化する。
【００１７】
　電流が加熱素子１０８を通って流れるときに、結果として生じる加熱素子１０８における温度勾配によって、熱電加熱すなわちジュール加熱の法則に基づいて光センサ・アレイ１１０の加工処理領域の対応する部分について定められた通りに可撓性基板１０１が局所的に収縮又は膨張するように、加熱素子１０８の抵抗率が選択される。可撓性基板１０１の背面１０７上に加熱素子１０８を設けることにより、背面層１０６が、加工処理中の可撓性基板１０１の熱寸法変化を動的に制御し、相殺する、という利点が得られる。１つの例示的な実施形態においては、背面層１０６は、可撓性基板１０１の加工処理中の収縮又は膨張を、約百万分の１から約百万分の１０００（ｐｐｍ）までの範囲内で補正する。
【００１８】
　別の例示的な製造に関する実施形態においては、デバイス加工処理中に、外付けの加熱装置（図示せず）を可撓性基板１０１上に取り付けて、可撓性基板１０１の熱寸法変化を動的に制御し、相殺する。外付けの加熱装置は、可撓性イメージャ１００の製造後に可撓性基板１０１から容易に取り外すことができる。特筆すべきことは、背面層１０６と外付けの加熱装置との両方によって、デバイス加工処理中の可撓性基板１０１への加熱及び冷却制御機構の実装が容易になり、加工処理中の可撓性基板１０１の寸法安定性が能動的に制御され、維持されることである。
【００１９】
　有機半導体もまた、それらが機械的な可撓性があること、及び室温での蒸着処理が可能であることから、半導体領域に望ましい材料である。従って、別の実施形態においては、半導体領域１３９は、有機半導体（又は「有機半導体領域」）を含む。例示的な有機半導体には、ペンタセン、ナフタセン、銅フタロシアニン、及びアルファ−６チエニルが含まれる。この実施形態において、例示的な走査ライン１３１は、ニッケル（Ｎｉ）又はアルミニウム（Ａｌ）を含み、例示的なデータライン１３２はパラジウム（Ｐｄ）又は金（Ａｕ）を含む。より具体的には、有機半導体領域１３９は、ソース電極１３７及びドレイン電極１３６の上に配置される。後者の形態は、例えば金又は白金を含む通常のソース電極１３７及びドレイン電極１３６の写真平版印刷処理及び蒸着の際に、有機半導体領域１３９を保護する利点がある。ソース電極１３７及びドレイン電極１３６が導電性インク又は導電性ポリマーを用いて形成される場合には、有機半導体領域１３９の上部にソース電極１３７及びドレイン電極１３６を形成するのが、このような上部での電極形態が全体的に優れた性能となるため、有利である。ここで用いられる「〜の上に」という用語及び「〜の上部に」という語句は、可撓性基板１０１に対して定義されるものである。例えば、ソース電極１３７及びドレイン電極１３６が、有機半導体領域１３９「の上部に」（又は「の上に」）配置されるという意味は、ソース電極１３７及びドレイン電極１３６が、例えば図５に示すように、有機半導体領域１３９よりも可撓性基板１０１から更に遠くに配置されていることを示す。可撓性イメージャ１００のこの有機半導体の実施形態においては、光センサ１２０は、光センサ１２０の形成に関係する加工処理から有機半導体領域１３９を更に保護するために、図６に示すように、可撓性基板１０１とアドレス指定可能なＴＦＴアレイ１３０との間に位置させられることが望ましい。この実施形態の特定の態様によると、ＴＦＴ１３４は、シンチレータ１９０により発生された光子がＴＦＴ１３４を通して光センサ１２０に伝わるように、光学的に透明にされる。光学的に透明なＴＦＴ１３４は、透明なソース電極１３６、ドレイン電極１３７及びゲート電極１３８と、ペンタセン、ナフタセン、銅フタロシアニン及びアルファ−６チエニルのような薄く透明な有機半導体１３９とを含む。例示的な透明なソース電極１３６、ドレイン電極１３７及びゲート電極１３８は、酸化インジウム・スズ（Ｉｎ2Ｏ3：Ｓｎ，ＩＴＯ）及びアルミニウム酸化亜鉛（ＺｎＯ：Ａｌ，ＡＺＯ）のような透明な導電性金属酸化物か、又はアルミニウム（Ａｌ）、パラジウム（Ｐｄ）、ニッケル（Ｎｉ）及び金（Ａｕ）のような高い光透過率及び電気伝導率を示す電子ビーム又はイオンビーム蒸着された超薄金属フィルムを含む。
【００２０】
　従来のデジタルイメージャと同様に、シンチレータ１９０は、入射する放射線の大部分を吸収して光子を生成するように、入射する放射線７５に対して比較的大きい断面をもつように選択される。シンチレータ１９０のための１つの例示的な材料は、例えばタリウムがドープされたヨウ化セシウムのようなヨウ化セシウム（ＣｓＩ）である。有利なことに、ヨウ化セシウム（ＣｓＩ）は、Ｘ線に対して比較的大きい断面をもつ。特定の実施形態によると、ＣｓＩのような特定の蛍光材料が薄膜として蒸着される。別の実施形態によると、ＣｓＩはファイバ形状で形成される。他の例示的なシンチレータ材料は、この業界では公知の技術を用いることにより、結着剤を用いて光センサ・アレイ１１０上に直接付着される。別の実施形態によると、シンチレータ１９０は、アモルファスセレンのような光電陰極材料を含む。この実施形態においては、光センサ・アレイ１１０は、光ではなく電子を検出するように構成される。別の実施形態については、シンチレータ１９０は蛍光体スクリーン１９０を含む。蛍光体スクリーン１９０は、例えば、光学エポキシ、ＵＶ硬化型接着剤又は光結合グリースを介して光センサ・アレイ１１０に光学的に結合される。例示的な蛍光体スクリーン１９０は、酸化テルビウムにより活性化されたガドリニウム酸硫化物を含む。他の例示的な蛍光体スクリーン１９０には、ＢａＦＣｌ：Ｅｕ2+、ＹＴａＯ4及びＺｎＣｄＳ：ＣｕのようなＸ線蛍光体が多結晶粒子状に形成され、最終的にＸ線の蛍光体スクリーン１９０に形成されたものが含まれる。
【００２１】
　シンチレータ１９０を保護するために、可撓性イメージャ１００はまた、図１に示すように、シンチレータ１９０の上に配置されたカバー層１９５を含むことができる。例示的なカバー層１９５はパリレンから形成される。より具体的な実施形態によると、カバー層１９５はシンチレータ１９０に入射する周辺光を遮断するように構成され、１つの例示的な材料はポリエチレンを含み、該材料は、黒い可撓性の有機ベース材料であることが望ましい。例示的なカバー層１９５はポリエチレンのスリーブを含み、該スリーブはＸ線フィルムを覆うために用いられる場合が多く、シンチレータ１９０の遮光シールを形成するのに有利である。
【００２２】
　入射する放射線７５によって照射された被写体２００を画像化するための可撓性デジタルイメージャ１００の実施形態を、図１、図３及び図７を参照して説明する。上述の特徴についての説明は繰り返さない。手短に述べると、図１に示すように、可撓性デジタルイメージャ１００は、可撓性基板１０１と、可撓性基板１０１上に配置された光センサ・アレイ１１０と、シンチレータ１９０とを含む。上述のように、光センサ・アレイ１１０は、多数の光センサ１２０と、アドレス指定可能な薄膜トランジスタＴＦＴアレイ１３０とを含む。図３及び図７に示すように、光センサ１２０は、多数の列２１１と、少なくとも1つの行２１２とを形成するように配列される。特定の実施形態によると、可撓性基板１０１はフレキシブル有機ポリマーから形成され、約３ミル乃至約８ミルの厚さにされる。より特定的な実施形態によると、可撓性デジタルイメージャ１００は更に、上述のように、可撓性基板１０１の背面１０７上に配置された背面層１０６を含む。上述のように、例示的なＴＦＴ１３４は、ａ−Ｓｉ又は有機半導体領域１３０を組み込まれる。
【００２３】
　図７に示す実施形態において、光センサ１２０は１つの行２１２を形成するように配列される。この形態の場合には、光センサ・アレイ１１０は線形配列を形成する。有利なことに、加工処理中の可撓性基板１０１の熱に起因する寸法変化は、加工処理面積の縮小に伴って減少するので、可撓性基板１０１上への線形配列構成の作製は、比較的容易である。
【００２４】
　可撓性イメージャ１００の線形配列の実施形態の特に有用な用途の１つは、医療又は産業上の画像形成のためのコンピュータ断層撮影（ＣＴ）システム（図示せず）の１次検出要素（即ち、同様に参照符号１００で示される線形配列ＣＴスキャナ）を供給することである。コンピュータ断層撮影の用途においては、線形配列ＣＴスキャナ１００は、典型的には、例えば図１０に示すように、放射線の円錐状ビームの方向に傾斜させられる。現在、医療用の線形配列ＣＴスキャナの製造は、光センサ（例えば、シリコンダイオード）及びシンチレータの個々のモジュールを、隣接する光センサ／シンチレータのモジュールが互いに僅かな角度をなして位置決めされて、入射するＸ線と位置合わせされるように製作し、組み立てられるという点でかなり労働集約的である。これとは対照的に、図１０の例示的な線形配列ＣＴスキャナ１００においては、各光センサ１２０は、隣接する光センサ１２０に対して所定の角度をなして配向されて、入射する放射線７５と位置合わせされる。１つの実施形態によると、可撓性基板１１０及び線形光センサ・アレイ１１０は、光センサ１２０の各々の位置及び相対的配向が一定になるような固定構成で配列される。別の実施形態においては、線形光センサ・アレイ１１０及び可撓性基板１１０は、光センサ１２０の各々を隣接する光センサの１つに対して所定の角度をなして配列されるように調節可能に構成される。後者の実施形態においては、可撓性イメージャ１００には可撓性があるので、光センサ１２０の行２１２は、可撓性イメージャ１００と放射線源３００との間の距離の変化に対して調節されて、例えば検査中の被写体２００の幾何学的倍率を変化させるように位置決めし直されるように構成される。有利なことに、線形配列ＣＴスキャナ１００の製造工程は、上述の線形配列ＣＴスキャナの現在の製造工程に比べて単純である。更に、線形配列ＣＴスキャナ１００においては、光センサ１２０は、個別の光センサ・セルの配列ではなく、連続的な行２１２として構成され、より低いコストでＸ線ビーム７５に対する優れた位置合わせをもたらす。
【００２５】
　図３に示される実施形態において、光センサ１２０は、多数の行２１２を成して、２次元（２Ｄ）光センサ・アレイ１１０を形成するように配列される。有利なことに、２Ｄアレイは、列２１１及び行２１２の数と、光センサ１２０の寸法に応じて、被写体２００の大きな部分の画像化を可能にする。より具体的には、２Ｄアレイは、単一走査から２Ｄ画像を生成し、より幅広い面積を画像化する能力を与える。２Ｄアレイは更に、１回の走査で多数の被写体又は断続的な特徴をもつ被写体を画像化することができる。こうした能力は、例えば、航空機の胴体若しくはエンジンの一部、船体の一部、又はプリント回路基板及び光学電子チップのような部品の一部の画像化といった、産業上の非破壊検査の用途に望ましい。他の将来的に可能性のある用途には、例えば、宇宙ステーションで宇宙飛行士及び作業者の医学的診断を飛行中にリアルタイムで実行することや、宇宙での高エネルギー放射能源をマッピングすることのような宇宙開発が含まれる。更に、線形配列の実施形態に関して上述したのと同様の位置合わせ及び製造の利点が、同様に可撓性イメージャ１００の２Ｄアレイの実施形態にも当てはまる。
【００２６】
　可撓性イメージャ１００の２Ｄの実施形態は、製造検査及び実用現場検査の用途の両方に特に有用である。例えば、現在の大規模な構造用鋳造物（図示せず）のＸ線検査には、Ｘ線フィルム（図示せず）を緊密な組立体の中に滑り込ませること、及び、Ｘ線源により該構造用鋳造物の反対側の面を照射させながら、Ｘ線フィルムを構造用鋳造物に適合させることが必要である。有利なことに、可撓性イメージャ１００は、リアルタイムで適合可能な検出器であり、いずれも高いアラインメント感度がいる亀裂又は熱間亀裂のような欠陥について、可撓性イメージャ１００の配向に迅速なフィードバックを与える。従って、露光及び位置合わせが有効であるかどうかを確認する前に、一般的に１０分以上が費やされるゆっくりとしたフィルム露光に対して、可撓性イメージャ１００を用いると、これらの緊密な線形特徴の位置合わせ及び検出がより容易に可能となる。また、例えば、陸上用又は航空機用のガスタービンエンジンについての実用現場検査の用途にも、可撓性イメージャ１００のこの２Ｄの実施形態により利点が生じる。可撓性イメージャ１００は、狭い場所の中に置くことができ、かつ検査を受ける構造体に適合させることができる可撓性のリアルタイムのデバイスであることが利点である。このようにして、可撓性イメージャ１００は、欠陥アラインメント位置の場所を求めるのに有用な特定の重要な場所に接近するために、及び高解像度の非破壊検査を実行する前に適切な露光条件を迅速に確認するために用いることができる。
【００２７】
　デジタル画像形成方法の実施形態を、図８を参照して説明する。このデジタル画像形成方法は、図８に示すように、可撓性デジタルイメージャ１００を被写体２００に適合させるステップを含む。可撓性デジタルイメージャ１００は、シンチレータが被写体２００と向い合うように位置決めされる。例えば、Ｘ線源などの放射線源３００を作動させて、被写体２００を放射線７５に曝す。このようにして、Ｘ線７５のような放射線７５が、被写体２００を通り抜けて、シンチレータ１９０に衝突する。この方法は更に、可撓性デジタルイメージャ１００を用いて画像を収集するステップを含む。例えば、入射する放射線７５に応答して可撓性デジタルイメージャ１００により生成された電気信号が、読み取り及びリセット回路２１０によって受信され、該読み取り及びリセット回路２１０は更に、図１に関して上述し及び図８に示すように、表示及び分析装置２２０に接続されている。
【００２８】
　図３及び図７に示すように、可撓性デジタルイメージャ１００は、線形配列か又は２次元（２Ｄ）配列のいずれかで配列された多数の光センサ１２０を含むことができる。上述のように、線形配列構成は製造上の利点をもたらすのに対して、２Ｄ配列は２Ｄ画像形成及び幅広い画像形成能力をもたらす。線形配列は、画像形成する被写体２００の１次元情報を与え、２Ｄ情報は画像走査の際に移動可能な線形配列構成を用いて取得されることができるが、これは２Ｄ配列構成を用いて単一走査を実行することに比べて、２Ｄ画像形成の複雑さ及びコストを増加させる。
【００２９】
　本発明の方法について考えられる適用例の１つは航空機の検査である。この適用例を図９に示すが、この場合、被写体２００は、例えば民間航空機といった航空機の一部である。図９に示す配置において、被写体２００は胴体２００であり、胴体２００の少なくとも一部の周り、より具体的には、胴体２００の外板２４４の周りを可撓性イメージャ１００で包む。図９に示すように、胴体２００は、フレーム２３６と、多数のストリンガ２３４と、少なくとも1つのポート穴２４２とを含み、放射線源３００はデッキ２３８上に位置決めされる。現在、民間航空機の検査は、胴体２００の構造上重要なフレーム２３６及びストリンガ２３４を検査するために、側板及び断熱材２３２の取り外しを必要とする。しかしながら、本発明の方法は、断熱材２３２、オーバヘッドビン２３０及び側壁２４０を通してのストリンガ２３４及びフレーム２３６の検査を可能にし、これによって取り外ししなくても検査ができるようになり、このことにより検査コストが削減され、断熱材２３２の再組み立てに関連した潜在的な問題が回避される。可撓性デジタルイメージャ１００は、例えば、Ｉｏｗａ　Ｔｈｉｎ　Ｆｉｌｍｓ　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，Ｉｎｃ，から市販されているようなポリイミドａ−Ｓｉシートを用いて、大型シート状に形成するのが有利である。胴体２００の周りを包むことができる可撓性デジタルイメージャ１００のこの大規模な実施形態は、胴体検査のためにロール状にして輸送可能である。１つの例示的な放射線源３００は、高圧電源装置（図示せず）によって電源供給されるパノラマ式Ｘ線管３００である。パノラマ式Ｘ線管は、例えば、約６０度を超える幅広い角度分布をもつ放射線を放射する。しかしながら、このデジタル画像形成方法は、特定の形式の放射線源３００に限定されるものではない。このようにして、胴体３００のような航空機構造体２００を効率的に検査して、デジタル画像を形成し、多量のＸ線フィルムの使用及び処分を避けることができる。
【００３０】
　他の望ましい適用例は、従来の剛直なデジタルＸ線パネルが破損しがちな凹凸の激しい領域にアクセス可能な遠隔位置で使用することを含む。本発明の方法の別の望ましい適用例は、剛直なＸ線パネルでは不可能な狭い開口部の中といったアクセスが難しい場所に可撓性イメージャ１００を位置決めすること、即ち曲げることである。有利なことに、本発明の方法のこれらの適用例は、以前にはＸ線フィルム（図示せず）しか用いることができなかった場所及び位置でのデジタル画像形成を可能にし、コンピュータ（図示せず）を用いて容易に格納及び分析されるデジタル画像をもたらし、Ｘ線フィルムの使用、保存及び処分を避ける。その上、現場でのフィルムによるＸ線撮影式画像形成は、フィルム現像機（図示せず）を検査場所に持ち込むか、又は現像のためにフィルムを暗室に戻すかのいずれかを必要とする場合が多い。直ちに利用できるラップトップ・コンピュータ２２０と組み合わされた本発明のデジタル画像形成方法は、これらの手法のいずれの必要性も排除し、検査の即時理解をもたらす。更に、航空機の画像形成に加えて、他の望ましい適用例には、原子炉チャンバ、耐放射線性装置及び放射線防止構造体、並びに廃棄物処理のパイプライン及び機械類のような原子力施設における装置及び計測器、並びにパイプライン（図示せず）の腐食又は劣化している溶接部を検出するために、画像形成することが含まれる。
【００３１】
　本発明の方法についての他の例示的な適用例には、建設中及び／又は保守中の宇宙飛行の機器類、衛星及び宇宙ステーションの部品の画像形成が含まれる。これらの例示的な適用例の場合、可撓性イメージャ１００は、部品、ストラット、壁及び支持構造体に焦点を合わせて適合される。
【００３２】
　別のデジタル画像形成方法の実施形態を、図１０を参照して説明する。このデジタル画像形成方法は、放射線源３００を用いて被写体２００を画像形成するようにされており、該放射線源は、図１０に示すように、拡がった放射線ビームを放射するように構成されている。このデジタル画像形成方法は、可撓性デジタルイメージャ１００を曲げるステップを含み、そのため、シンチレータ１９０は、図１０に示すように円柱状構造１９６をもち、該円柱状構造が拡がった放射線ビームと平行に位置合わせされる。可撓性デジタルイメージャ１００は、被写体２００が放射線源３００と該可撓性デジタルイメージャ１００との間にくるように位置決めされる。被写体２００は、上述のように画像形成される。その上、このデジタル画像形成方法は更に、放射線源３００と可撓性デジタルイメージャ１００との間の距離ｄを調節するステップを含み、シンチレータ１９０の円柱状構造１９６を拡がった放射線ビーム７５に更に位置合わせすることができる。この実施形態の有利な適用例は、コンピュータ断層撮影を含む。可撓性イメージャ１００の線形配列ＣＴスキャナの実施形態に関して上で説明したように、本発明の方法は、現在のＣＴ方法に対して製造の容易さ及び低コストと優れた位置合わせとの両方の利点を有する。
【００３３】
　別のデジタル画像形成方法の実施形態を、図１１及び図１２を参照して説明する。このデジタル画像形成法は、被写体２００の１つ又はそれ以上の部分を繰り返し画像形成するようにされており、少なくとも１つの可撓性デジタルイメージャ１００を被写体２００内に埋め込むステップと、放射線源３００を作動させて被写体２００を拡がった放射線ビーム７５に曝すステップとを含む。被写体２００の一部は、放射線源３００と可撓性デジタルイメージャ１００との間に位置決めされる。この方法は更に、可撓性デジタルイメージャ１００を用いて画像を収集するステップを含む。ここで用いられる「被写体２００を放射線７５に曝す」という語句は、被写体２００の少なくとも一部を放射線７５に曝すことを意味すると理解されたい。被写体２００の幾つかの部分を画像形成するために、多数の可撓性デジタルイメージャ１００を被写体２００内に埋め込むことができる。特定の実施形態においては、被写体２００は航空機構造体の一部である。
【００３４】
　図１１に示す特定の実施形態において、被写体２００は胴体２００であり、可撓性デジタルイメージャ１００は、図示するように胴体２００と断熱層２３２との間に埋め込まれる。より具体的には、図１１に示す航空機検査の適用例の場合には、可撓性デジタルイメージャ１００は、ストリンガ２３４及び重ね継手部２４６を画像形成するように位置合わせされる。図１１の例示的な構造において、電源及びデータライン２０２は、オーバヘッドビン２３２を貫通して、より具体的には、ジャンクションボックス２４８の外に延びて、読み取り及びリセット回路２１０、表示及び分析装置２２０又は電源装置（図示せず）に接続される。或いは、可撓性デジタルイメージャ１００は、このような外部装置に遠隔的に接続される。有利なことに、胴体２００内の断熱材２３２の下にある重ね継手部２４６に沿って可撓性デジタルイメージャ１００を位置決めすることにより、亀裂及び腐食の検出及び監視が、断熱材２３２を取り外し及び再取り付けすることなく、これらの構造的に重要な場所において繰り返し実行できる。
【００３５】
　別の航空機検査の適用例が図１２に示されており、この場合、被写体２００は翼２００であり、可撓性デジタルイメージャ１００は、翼２００の一部を画像形成するために、翼２００の内面２０４上に組み込まれる。航空機についての多数の検査は、典型的には、作業者が翼２００に入って放射線用フィルム（図示せず）を設置し、要所となる翼の構造要素の完全性を確認することを必要とする。有利なことに、図１２に示す航空機検査の適用例は、翼に入る回数を削減し、かつ可撓性デジタルイメージャ１００が検査から次の検査まで同じ位置にあるので、これらの構造要素の安定した追跡をもたらす。
【００３６】
　他の例示的な構造体には、原子力施設におけるパイプライン部分と装置と計測器とが含まれる。図１３はこれもまた参照符号２００によって示されるパイプラインの一部へのデジタル画像形成方法の適用を断面図で示すものである。図１３に示すように、この実施形態の場合、可撓性デジタルイメージャ１００は、腐食及び亀裂のような異常２７０を検出・監視するために、断熱材２３２及びフラッシング２６０の下のパイプライン２００内に組み込まれている。より具体的には、可撓性デジタルイメージャ１００は、パイプラインの溶接部（図示せず）沿いといった、パイプライン２００の内側で腐食が生じることが知られている重要な領域の付近に位置決めされる。可撓性デジタルイメージャ１００を劣化から保護するために、可撓性デジタルイメージャは、従来のシーリング手段によりプロセス流体（図示せず）からシールされる。図１３に示す特定の実施形態において、可撓性イメージャは可動ＰＩＧに接続され、電力を受け、画像形成データ（又は信号）を供給する。次に、この信号は可動ＰＩＧ２６２により無線で送信される。
【００３７】
　ここでは本発明の特定の特徴のみを図示し、説明してきたが、当業者であれば多くの修正及び変更を想い付くであろう。従って、本明細書と同時に提出した特許請求の範囲は、そのような修正及び変更の全てを本発明の技術思想に含まれるものとして保護することを意図していることを理解されたい。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】本発明の可撓性イメージャの実施形態についての概略部分断面図。
【図２】図１の可撓性イメージャの斜視図。
【図３】図１及び図２の可撓性イメージャについての例示的な光センサ・アレイの一部を示す図。
【図４】図３の光センサ・アレイの例示的な薄膜トランジスタを示す図。
【図５】図４の薄膜トランジスタの積層構造を示す図。
【図６】有機半導体を組み込んだ透明な薄膜トランジスタ・アレイを含む可撓性イメージャ１００の有機半導体の実施形態を示す図。
【図７】光センサ及び薄膜トランジスタの線形配列の一部を示す図。
【図８】本発明のデジタル画像形成方法の実施形態を示す図。
【図９】本発明の航空機用画像形成方法の実施形態を示す図。
【図１０】例えば、線形配列のコンピュータ断層撮影（ＣＴ）スキャナとして使用する場合の、可撓性イメージャ内のシンチレータの円柱状構造を拡がった放射線ビームと位置合わせするための方法を示す図。
【図１１】航空機検査の適用例における、可撓性デジタルイメージャが胴体の１つ又はそれ以上の部分を画像形成するために胴体と断熱層との間に埋め込まれるように、少なくとも１つの可撓性デジタルイメージャを被写体内に埋め込むことを含むデジタル画像形成方法を示す図。
【図１２】航空機の翼を検査するための、デジタル画像形成方法の別の航空機検査の実施形態を示す図。
【図１３】デジタル画像形成方法のパイプライン検査の適用例を示す図。
【符号の説明】
【００３９】
　７５　入射する放射線
　１００　可撓性イメージャ
　１０１　可撓性基板
　１０６　背面層
　１０８　加熱素子
　１１０　光センサ・アレイ
　１９０　シンチレータ
　１９５　カバー層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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