(57)【要約】【課題】スクラッチの発生やワークの吸着および研磨速度の低下を防止しつつ、被研磨面を高い精度をもって均一に研磨する。【解決手段】研磨面に複数条の溝と複数個の孔とを有する研磨パッドを備えた化学的機械研磨装置１０において、複数条の溝は同心円の環状溝３３に形成され、かつ、これら環状溝３３の隣り合うもの同士の間隔Ｐ１　が孔の隣り合うもの同士の間隔Ｐ２　以下に設定されている。【効果】研磨パッドの回転による遠心力に関わらず、スラリを環状溝によって保持できるために研磨速度の低下を防止できる。また、環状溝は被研磨面と研磨面との間を外部に接続できるために被研磨面が研磨面に真空吸着する現象が発生するのを防止できる。さらに、スクラッチの発生原因となる異物を孔によってトラップできるためにスクラッチの発生を防止できる。【選択図】　　　図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
研磨面に複数条の溝と複数個の孔とを有する研磨パッドを備えた化学的機械研磨装置であって、前記複数条の溝は同心円の環状溝に形成され、かつ、これら環状溝の隣り合うもの同士の間隔が前記孔の隣り合うもの同士の間隔以下に設定されていることを特徴とする化学的機械研磨装置。
【請求項２】
前記環状溝の隣り合うもの同士の間隔が、１．５〜５ｍｍに設定されていることを特徴とする請求項１に記載の化学的機械研磨装置。
【請求項３】
前記環状溝の幅が、０．２５〜２ｍｍに設定されていることを特徴とする請求項１または２に記載の化学的機械研磨装置。
【請求項４】
前記環状溝の深さが、０．１５〜１．８ｍｍに設定されていることを特徴とする請求項１、２または３に記載の化学的機械研磨装置。
【請求項５】
前記孔の口径が、１〜４ｍｍに設定されていることを特徴とする請求項１、２、３または４に記載の化学的機械研磨装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、化学的機械研磨技術、特に、パターニングされた半導体ウエハ（以下、パターン付きウエハという。）のパターニングされた側の主面を化学的機械研磨（Ｃｈｍｉｃａｌ　Ｍｅｃｈｉｃａｌ　Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）する技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】
最近、パターン付きウエハの表面を機械的な作用と化学的な作用との組み合わせによって研磨する化学的機械研磨装置が使用されて来ている。従来のこの種の化学的機械研磨装置は、回転されるベースプレートの上に貼着された研磨パッドと、ワークであるウエハを保持するウエハ保持ヘッドとを備えており、ウエハ保持ヘッドによって保持したウエハをスラリと称される研磨溶液が滴下される研磨パッドに擦り付けて化学的機械研磨するように構成されている。
【０００３】
この研磨パッドとしては、ポリウレタンを含浸させた不織布の上に発泡ポリウレタンが積層されて構成されており、発泡ポリウレタン側がウエハを研磨する側となっている。従来のこの種の研磨パッドとしては、例えば、次のものがある。第一は、口径が１．５ｍｍの複数個の孔を発泡ポリウレタンの表面に５ｍｍの間隔をもって全面にわたって開設することにより、スラリを複数個の孔によって保持してウエハの表面に接触させるように構成した研磨パッドである。第二は、幅が２ｍｍで深さが０．５〜０．８ｍｍの溝を発泡ポリウレタンの表面に１５ｍｍの間隔をもって格子状に形成することにより、スラリを格子状の溝によって保持してウエハの表面に接触させるように構成した研磨パッドである。第三は、発泡ポリウレタンの表面に口径が約１．５ｍｍの孔を５ｍｍ間隔をもって全面にわたって開設するとともに、幅が孔の口径よりも小さく深さが約０．３ｍｍの複数条の溝を孔の間隔よりも大きい間隔をもって格子状に形成することにより、ウエハの研磨パッドへの吸着を防止しつつスラリの必要量を抑え、かつ、研磨パッドの経時劣化を低減させるように構成した研磨パッドである。なお、このような研磨パッドを述べてある文献としては、特開平１１−２３５６５６号公報、がある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、孔だけが開設された第一の研磨パッドにおいては、研磨が終了した後にウエハ保持ヘッドを上昇させてウエハを取り除こうとした時に、ウエハが研磨パッドに吸着してしまうという問題点がある。また、溝だけが形成された第二の研磨パッドにおいては、深い溝が高密度に形成されていることにより下層の軟質層であるポリウレタンを含浸させた不織布への局所的な圧力負荷が発生するために、均一性が劣化し易くなるという問題点がある。さらに、孔と格子状の溝とを有する第三の研磨パッドにおいては、スラリが研磨時の研磨パッドの回転による遠心力によって格子状の溝に落ちて格子状の溝を通って研磨パッドの外へ排出されてしまうために、研磨速度が低下してしまうという問題点がある。そして、従来のこの種の化学的機械研磨装置においては、パターン付きウエハの被研磨面にスクラッチ（研磨傷）が発生するのを防止することが最も重要である。
【０００５】
本発明の目的は、スクラッチの発生やワークの吸着および研磨速度の低下を防止しつつ、被研磨面を高い精度をもって均一に研磨することができる化学的機械研磨装置を提供することにある。
【０００６】
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要を説明すれば、次の通りである。
【０００８】
すなわち、研磨面に複数条の溝と複数個の孔とを有する研磨パッドを備えた化学的機械研磨装置であって、前記複数条の溝は同心円の環状溝に形成され、かつ、これら環状溝の隣り合うもの同士の間隔が前記孔の隣り合うもの同士の間隔以下に設定されていることを特徴とする。
【０００９】
前記した手段によれば、研磨パッドの回転による遠心力に関わらず、スラリを環状溝によって保持することができるために、研磨速度の低下を防止することができる。また、環状溝は被研磨面と研磨面との間を外部に接続することができるために、被研磨面が研磨面に真空吸着する現象が発生するのを防止することができる。さらに、スクラッチの発生原因となる異物を孔によってトラップすることができるために、スクラッチの発生を防止することができる。
【００１０】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の一実施の形態を図面に即して説明する。
【００１１】
図１に示されているように、本実施の形態に係る化学的機械研磨装置１０は研磨ヘッド１１を備えている。研磨ヘッド１１はワークであるパターン付きウエハ（以下、ウエハという。）１の直径よりも充分に大きい半径を有する円盤形状に形成されたベースプレート１２を備えており、ベースプレート１２は水平面内において回転自在に支持されている。ベースプレート１２の下面の中心には垂直方向に配された回転軸１３が固定されており、ベースプレート１２は回転軸１３によって回転駆動されるように構成されている。ベースプレート１２の上面には図２に示された研磨パッド３０が全体にわたって均一に貼着されている。研磨ヘッド１１の中心線上には研磨溶液であるスラリ１５を滴下するスラリ供給ノズル１４が垂直方向下向きに設置されている。スラリ１５は用途により多くの種類がある。例えば、酸化膜を研磨する場合には、シリカ（ＳｉＯ２　）粒子を１０〜２０％程度含み、ＫＯＨまたはＮＨ４　ＯＨ等によりｐＨ１０〜１１程度に調整されたものが使用される。
【００１２】
研磨ヘッド１１の上方にはウエハ保持ヘッド１６が水平に設置されている。ウエハ保持ヘッド１６は研磨ヘッド１１が設備されたステーションとウエハ１が一枚ずつ払い出されるローディングステーション（図示せず）との間を移送装置（図示せず）によって往復移動されるようになっており、ウエハ保持ヘッド１６は研磨作業に際して極僅かに下降されるようになっている。研磨ヘッド１１はウエハ１の直径よりも若干大きい直径を有する円盤形状に形成されたヘッド本体１７を備えており、ヘッド本体１７の下面には円形で一定深さの保持穴１８が同心円に配されて没設されている。保持穴１８の大きさはウエハ１の大きさよりも若干大きめに形成されている。保持穴１８の中心には通気孔１９が開設されており、通気孔１９がエアポンプおよび真空ポンプ（いずれも図示せず）に接続されることにより、保持穴１８には正圧および負圧が供給されるようになっている。ちなみに、エアポンプおよび真空ポンプは切換弁によって適宜に切り換えられるようになっている。保持穴１８の下面には保持穴１８の内径と略等しい外径を有する円盤形状のバッキングパッド２０が、同心に配されて接着材層（図示せず）によって接着されている。バッキングパッド２０はポリウレタンの発泡体によって形成されており、発泡体の多孔質かつ多孔群によってウエハ１と接する面に柔軟性の高い層が全体にわたって均一に構成されている。ヘッド本体１７の下面における外周辺部には円形リング形状のリテーナリング２１が当接されており、リテーナリング２１は複数本のボルト（図示せず）によりヘッド本体１７に締結されている。リテーナリング２１は外径がヘッド本体１７の外径と等しく内径が保持穴１８の内径と略等しい円形リング形状に形成されている。リテーナリング２１はウエハ１をその被研磨面を下端から下方に露出させた状態で、研磨作業中にウエハ１が外側に飛び出すのを阻止しつつ保持するようになっている。ヘッド本体１７の中心線上には回転軸２２が垂直方向上向きに突設されており、回転軸２２は回転駆動装置（図示せず）によって回転駆動されるようになっている。
【００１３】
研磨ヘッド１１の上方のウエハ保持ヘッド１６と反対側には、研磨によってダメージを受けた研磨パッド３０の表層部を除去して再生させるドレッサ２３が水平に設置されており、ドレッサ２３は研磨パッド３０に接触した状態で研磨ヘッド１１に対して水平移動し得るように構成されている。ドレッサ２３は研磨ヘッド１１の半径よりも充分に小さい直径を有する円盤形状に形成されたベースプレート２４を備えており、ベースプレート２４は水平面内において回転自在に支持されている。ベースプレート２４の上面の中心には垂直方向に配された回転軸２５が固定されており、ベースプレート２４は回転軸２５によって回転駆動されるように構成されている。ベースプレート２４の下面には研磨パッド３０の表層部を研磨するダイヤモンドパッド２６が全体にわたって均一に貼着されている。
【００１４】
図２に示されているように、研磨パッド３０はポリウレタンを含浸させた不織布３１の上に発泡ポリウレタン３２が積層されて構成されている。不織布（以下、軟質層部という。）３１は発泡ポリウレタン３２に比べて軟質に構成されており、研磨パッド３０がウエハ１の形状に倣うことができるようになっている。発泡ポリウレタン（以下、硬質層部という。）３２はウエハ１の表面を平坦に研磨するために硬質に構成されているが、ウエハ１から受ける荷重によってミクロンオーダーで変形することができるようになっている。研磨パッド３０の研磨面である硬質層部３２の表面には一定幅で一定深さの環状溝３３が複数条、同心円に没設されているとともに、円柱形状の孔３４が複数個一定間隔をもって格子状に配列されて開設されており、隣り合う環状溝３３、３３同士の間隔（ピッチ）Ｐ１　は、隣り合う孔３４、３４同士の間隔（ピッチ）Ｐ２　以下に設定されている。
【００１５】
隣り合う環状溝３３、３３同士の間隔Ｐ１　は１．５〜５ｍｍに設定することが望ましい。本実施の形態においては、隣り合う環状溝３３、３３同士の間隔Ｐ１　は、約１．５ｍｍに設定されている。環状溝３３の幅Ｗは０．２５〜２ｍｍに設定することが望ましい。本実施の形態においては、環状溝３３の幅Ｗは約０．２５ｍｍに設定されている。環状溝３３の深さＨは０．１５〜１．８ｍｍに設定することが望ましい。本実施の形態においては、環状溝３３の深さＨは約０．４ｍｍに設定されている。孔３４の口径Ｄは１〜４ｍｍに設定することが望ましい。本実施の形態においては、孔３４の口径Ｄは約１．５ｍｍに設定されており、隣り合う孔３４、３４の間隔Ｐ２　は約５．５ｍｍに設定されている。
【００１６】
次に、前記構成に係る化学的機械研磨装置の作用および効果を説明する。
【００１７】
図１に示されているように、ウエハ１は被研磨面側を下向きに配された状態でウエハ保持ヘッド１６のリテーナリング２１内に挿入される。ウエハ１がリテーナリング２１内に挿入されると、負圧が通気孔１９に供給される。負圧はバッキングパッド２０の多孔を通じてウエハ１の被研磨面と反対側の主面（以下、裏側面という。）に印加されるため、ウエハ１はウエハ保持ヘッド１６に真空吸着される。ウエハ１を真空吸着したウエハ保持ヘッド１６は移送装置によって研磨ヘッド１１の真上に移送された後に下降される。ウエハ保持ヘッド１６の下降によってウエハ１の被研磨面が研磨パッド３０の研磨面である表面に当接すると、切換弁が切り換えられてエアが通気孔１９に供給される。
【００１８】
続いて、スラリ１５が研磨パッド３０の表面にスラリ供給ノズル１４から供給されながら、研磨ヘッド１１およびウエハ保持ヘッド１６が回転される。ウエハ保持ヘッド１６が回転されると、研磨パッド３０の表面に供給されたスラリ１５は同心円に没設された複数条の環状溝３３群に取り込まれて保持される。この際、幅Ｗが約０．２５ｍｍで深さＨが約０．４ｍｍの多数条の環状溝３３が約１．５ｍｍの間隔をもって同心円に没設されているため、大量のスラリ１５が研磨パッド３０の研磨面である表面に保持された状態になる。
【００１９】
以降、ウエハ保持ヘッド１６は極僅かずつ下降される。ウエハ保持ヘッド１６の下降により、ウエハ１はバッキングパッド２０を介して垂直方向に付勢される。同時に、通気孔１９に供給されたエアが裏側面に供給されているため、ウエハ１はエアの圧力による作用力によっても垂直方向に付勢される。したがって、ウエハ１の被研磨面は研磨パッド３０の研磨面に機械的な力とエアの圧力による作用力とによって同時に付勢された状態で、研磨パッド３０の研磨面に擦られる。このとき、スラリ１５が環状溝３３群によって保持されているために、機械的な研磨（ポリシング）に加えてそのポリシング効果を高めるメカノケミカルポリシング（ｍｅｃｈａｎｏｃｈｅｍｉｃａｌ　ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）が実施される。
【００２０】
ウエハ１が研磨パッド３０に機械的な力とエアの圧力による作用力とによって同時に付勢された状態で、被研磨面は研磨パッド３０の多数条の環状溝３３に保持された大量のスラリ１５によって化学的機械研磨されるため、被研磨面の研磨パッド３０による研磨量は全体にわたって均一になる。化学的機械研磨中に、ウエハ保持ヘッド１６の機械的な押し力によって押されるウエハ１側から作用する不規則で複雑な歪力は、研磨ヘッド１１の軟質層部３１の変形および硬質層部３２のミクロンオーダーの変形によって自己整合的に補正されるため、被研磨面の研磨量は全面にわたって均一になる。
【００２１】
設定した研磨量の化学的機械研磨が終了した状態で、ウエハ１の被研磨面はきわめて高精度に平坦化され、かつ、絶縁膜が予め設定された層厚をもって残された状態になる。この状態のウエハ１はウエハ保持ヘッド１６によって吸着保持されて研磨ヘッド１１の上から移送される。この際、図１（ｂ）に示されているように、ウエハ１に接触した環状溝３３群はウエハ１の下面の外側で両端が開口した状態になっていることにより、ウエハ１が研磨パッド３０の表面に吸着してしまうことはないため、ウエハ１は研磨パッド３０の表面からウエハ保持ヘッド１６によって確実に引き上げることができる。
【００２２】
ところで、以上の化学的機械研磨においては、スラリ１５に含まれる砥粒同士の凝集物、研磨中にウエハ１が破砕することによって生ずる破片や切り屑、ドレッサ２３の研磨による切り屑等の異物が研磨パッド３０の表面に多数存在し、これら異物はスラリ１５のかけ流しでは完全に除去することができないために、研磨パッド３０の表面に残留することが起きる。そして、ウエハ１の被研磨面が研磨パッド３０の表面に残留した異物によって損傷されることにより、ウエハ１の被研磨面にはスクラッチが形成されてしまう。
【００２３】
しかし、本実施の形態においては、研磨パッド３０の硬質層部３２には口径が約１．５ｍｍの円柱形状の孔３４が約５．５ｍｍの間隔をもって全体的に開設されていることにより、研磨パッド３０の表面に発生した異物を孔３４群によって直ちにトラップすることができるために、ウエハ１の被研磨面が研磨パッド３０の表面に残留した異物によって損傷されることによってウエハ１の被研磨面に形成されてしまうスクラッチの発生は未然に防止することができる。
【００２４】
図３はスクラッチの低減効果を示すグラフである。図３において、横軸には研磨パッドの使用時間（ｈｒ）がとられており、縦軸にはスクラッチの個数がとられている。実線の折れ線Ａが本実施の形態の場合を示しており、破線の折れ線Ｂが比較例の場合を示している。比較例は、幅が０．２５ｍｍで深さが約０．３ｍｍの溝が発泡ポリウレタンの表面に１．５ｍｍの間隔をもって同心円に形成されている研磨パッドを使用した場合、である。図３によれば、比較例の場合には１．５時間使用後からスクラッチの個数が指数関数的に増加し始めているのに対して、本実施の形態の場合にはスクラッチの個数の増加が見られないことが、理解される。
【００２５】
図４は研磨パッドの使用時間（横軸）による研磨速度（縦軸）の推移を示すグラフである。図４において、実線の直線Ｃが本実施の形態の場合を示しており、破線の直線Ｄが比較例の場合を示している。比較例は図３の場合と同一の研磨パッドを使用した場合である。図４によれば、本実施の形態の研磨速度は比較例のそれよりも一割程度も大きいことが理解される。
【００２６】
図５は別の比較例についての研磨パッドの使用時間（横軸）による研磨速度（縦軸）の推移を示すグラフであり、実線の直線Ｅが本実施の形態の場合を示しており、破線の直線Ｆが比較例の場合を示している。この比較例は発泡ポリウレタンの表面に口径が約１．５ｍｍの孔が５ｍｍ間隔をもって全面にわたって開設されているとともに、幅が孔の口径よりも小さく深さが約０．３ｍｍの複数条の溝が孔の間隔よりも大きい間隔をもって格子状に形成されている研磨パッドを使用した場合である。図５によれば、本実施の形態の研磨速度は比較例のそれよりも五割程度も大きいことが理解される。本実施の形態の研磨速度が比較例のそれよりも大きい理由は、次の通りであると考察される。比較例の研磨パッドにおいては、スラリが研磨時の研磨パッドの回転による遠心力によって格子状の溝に落ちて格子状の溝を通って研磨パッドの外へ排出されてしまうために、研磨速度が低下してしまう。これに対して、本実施の形態に係る研磨パッド３０においては、スラリ１５を保持する溝が環状溝３３に形成されていることにより、スラリが研磨時の研磨パッドの回転による遠心力によって環状溝３３群から外に排出されることなく保持されるために、研磨速度が低下してしまうことはない。
【００２７】
図６は研磨パッドの使用時間（横軸）による研磨量の均一性（縦軸）の推移を示すグラフである。研磨量の均一性は次式によって表される特性である。
研磨量の均一性＝（最大研磨量−最小研磨量）／（最大研磨量＋最小研磨量）
図６において、実線の直線Ｇが本実施の形態の場合を示しており、破線の曲線Ｈが比較例の場合を示している。比較例は図３の場合と同一の研磨パッドを使用した場合である。図６で明らかな通り、比較例の場合には研磨の均一性が使用時間の経過に伴って曲線的に増加して行くのに対して、本実施の形態の場合には研磨の均一性が使用時間の経過に伴って直線的に漸増して行く。したがって、本実施の形態の場合には、研磨パッド３０の寿命を長く設定することができる。
【００２８】
ところで、研磨パッド３０の硬質層部３２の表面に形成される環状溝３３および孔３４の構成について究明したところ、次の結果が得られた。
【００２９】
隣り合う環状溝３３、３３の間隔は１．５〜５ｍｍに設定することが望ましい。隣り合う環状溝３３、３３の間隔が１．５ｍｍ未満であると、環状溝３３が過多になり、研磨パッド３０の硬質層部３２の表面とウエハ１との接触面積が不足し、また、大量のスラリ１５が必要になる。隣り合う環状溝３３、３３の間隔が５ｍｍを超えると、環状溝３３の不足によってスラリ１５が不足して研磨速度が小さくなる。
【００３０】
環状溝３３の幅は０．２５〜２ｍｍに設定することが望ましい。環状溝３３の幅が０．２５ｍｍ未満であると、環状溝３３の加工が困難になる。環状溝３３の幅が２ｍｍを超えると、研磨パッド３０の硬質層部３２の表面とウエハ１との接触面積が不足し、研磨速度が低下する。
【００３１】
環状溝３３の深さは０．１５〜１．８ｍｍに設定することが望ましい。環状溝の深さが０．１５ｍｍ未満であると、環状溝３３がないものと均等になり、研磨速度が低下する。環状溝の深さが１．８ｍｍを超えると、研磨パッド３０の硬質層部３２の厚さによる制約によって環状溝を加工することが困難になる。
【００３２】
孔３４の口径は１〜４ｍｍに設定することが望ましい。孔の口径が１ｍｍ未満であると、スクラッチの発生原因となる異物をトラップすることができないために、スクラッチの個数が増加してしまう。孔の口径が４ｍｍを超えると、研磨パッド３０の硬質層部３２の表面とウエハ１との接触面積が不足し、研磨速度が低下する。
【００３３】
なお、孔３４の口径は環状溝３３の幅よりも大きい方が望ましい。また、隣り合う孔３４、３４の間隔は５ｍｍ程度が望ましい。
【００３４】
以上本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
【００３５】
例えば、孔３４は碁盤の目の格子状に配列するに限らず、図７に示されているように、千鳥格子状に配列してもよい。
【００３６】
ウエハ保持ヘッドは前記実施の形態のように構成するに限らず、他の構成を採用してもよい。また、ウエハ保持ヘッドを上側に、研磨ヘッドを下側に配置するに限らず、ウエハ保持ヘッドを下側に、研磨ヘッドを上側に配置してもよい。さらに、ウエハ保持ヘッド側を下降させるように構成するに限らず、研磨ヘッド側を上昇させるように構成してもよい。
【００３７】
以上の説明では主として本発明者によってなされた発明をその背景となった利用分野であるパターン付きウエハのパターニング側主面の凹凸を平坦化する化学的機械研磨技術に適用した場合について説明したが、それに限定されるものではなく、ダマシン技術による銅（Ｃｕ）配線を形成するのに使用される化学的機械研磨技術等の化学的機械研磨技術全般に適用することができる。
【００３８】
【発明の効果】
本願において開示される発明のうち代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、次の通りである。
【００３９】
研磨パッドの研磨面に複数条の環状溝を同心円に形成し、かつ、これら環状溝の隣り合うもの同士の間隔を研磨面に開設された複数個の孔の隣り合うもの同士の間隔以下に設定することにより、研磨パッドの回転による遠心力に関わらず、スラリを環状溝によって保持することができ、かつ、スクラッチの発生原因となる異物を孔によってトラップすることができるために、スクラッチの発生やワークの吸着および研磨速度の低下を防止しつつ、被研磨面を高い精度をもって均一に研磨することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施の形態に係る化学的機械研磨装置を示しており、（ａ）は一部切断正面図、（ｂ）は平面図である。
【図２】研磨パッドを示しており、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のｂ−ｂ線に沿う断面図である。
【図３】スクラッチの低減効果を示すグラフである。
【図４】研磨パッドの使用時間による研磨速度の推移を示すグラフである。
【図５】研磨パッドの使用時間による研磨速度の推移を示すグラフである。
【図６】研磨パッドの使用時間による研磨量の均一性の推移を示すグラフである。
【図７】本発明の第二の実施の形態に係る研磨パッドを示しており、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のｂ−ｂ線に沿う断面図である。
【符号の説明】
１…ウエハ（半導体ウエハ）、１０…化学的機械研磨装置、１１…研磨ヘッド、１２…ベースプレート、１３…回転軸、１４…スラリ供給ノズル、１５…スラリ、１６…ウエハ保持ヘッド、１７…ヘッド本体、１８…保持穴、１９…通気孔、２０…バッキングパッド、２１…リテーナリング、２２…回転軸、２３…ドレッサ、２４…ベースプレート、２５…回転軸、２６…ダイヤモンドパッド、３０…研磨パッド、３１…軟質層部（不織布）、３２…硬質層部（発泡ポリウレタン）、３３…環状溝、３４…孔。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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