(57)【要約】　　　（修正有）【課題】位置合せ不良を避けるデュアルダマシーン構造の製造方法を提供する。【解決手段】半導体チップ２０は、基板と、導電層２２と、保護層２４と、誘電層２６と、前記誘電層の表面層の中に形成されるトレンチとを含み、前記誘電層の表面に、前記トレンチを埋めるフォトレジスト層３２を形成し、前記フォトレジスト層の中における大体前記トレンチの開口に対応される位置に、前記誘電層を露出する限定開口３２ａを形成し、前記フォトレジスト層の表面に、前記限定開口の口径を前記トレンチの口径範囲内に縮小させるキャップ層３４を形成し、前記キャップ層をマスクとして前記導電層を露出するまでに前記誘電層と前記保護層を蝕刻し、前記キャップ層と前記フォトレジスト層を除去し、コンタクトホールを形成し、前記コンタクトホールの中に金属材料を埋め込み、デュアルダマシーン構造を形成する。【選択図】　図７
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップの表面にデュアルダマシーン構造を造る方法において、
前記半導体チップは、基板と、前記基板の表面に設けられる導電層と、前記基板と前記導電層の上に被さる保護層と、前記保護層の上に設けられる誘電層と、前記誘電層の表面層の中に形成されるトレンチとを含み、
前記誘電層の表面に、前記トレンチを埋めるフォトレジスト層を形成し、
前記フォトレジスト層の中における大体前記トレンチの開口に対応される位置に、前記誘電層を露出する限定開口を形成し、
前記フォトレジスト層の表面に、前記限定開口の口径を前記トレンチの口径範囲内に縮小させるキャップ層を形成し、
前記キャップ層をマスクとして前記導電層を露出するまでに前記誘電層と前記保護層を蝕刻し、
前記キャップ層と前記フォトレジスト層を除去し、デュアルダマシーン構造のコンタクトホールを形成し、
前記デュアルダマシーン構造のコンタクトホールの中に金属材料を埋め込み、デュアルダマシーン構造を形成することを特徴とする方法。
【請求項２】
前記トレンチを形成する方法において、
前記誘電層の表面にフォトレジスト層を形成し、
フォトリソグラフィ工程を行い、前記フォトレジストの中に、前記トレンチの位置を定義する開口を形成し、
蝕刻工程を行い、前記開口を介して、前記誘電層の中にある予定深さを除去し、前記誘電層の中に前記トレンチを形成し、
前記フォトレジスト層を除去することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記保護層が窒化珪素から構成されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記誘電層が酸化珪素から構成されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記誘電層がフッ化珪酸塩ガラスから構成されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記誘電層は、誘電係数が３より低い誘電材料から構成されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記キャップ層が低温化学気相成長工程によって形成され、前記低温化学気相成長工程が高密度プラズマ蝕刻装置の中で行われ、その工程パラメータは、
（１）　気体における炭素とフッ素の比率（Ｃ／Ｆ）が０．２５より大きい或いは等しい、
（２）　工程温度が１００°Ｃより低い、
（３）　圧力範囲が１〜１００（ｍ　ｔｏｒｒ）であり、
（４）　ソースパワー範囲が５００〜２０００ワットであり、
（５）　バイアスパワー範囲が０〜１２００ワットであることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記低温化学気相成長工程で選ばれる気体は、Ｃ４Ｆ８、ＣＦ２Ｈ２、Ｃ３Ｆ８、Ｃ４Ｆ６及びＣ５Ｆ８を含むことを特徴とする請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記低温化学気相成長工程で選ばれる気体は、更に一酸化炭素とアルゴンを含むことを特徴とする請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
半導体チップの表面にデュアルダマシーン構造を造る方法において、
表面に順番に導電層、保護層、誘電層が設けてある基板を提供し、
前記誘電層の表面に第一フォトレジスト層を形成し、
第一フォトリソグラフィ工程を行い、前記第一フォトレジスト層の中にトレンチの位置を定義する第一開口を形成し、
第一蝕刻工程を行い、前記第一開口を介して、前記誘電層の中にある予定深さを除去し、前記誘電層の中に前記トレンチを形成し、その後に、前記第一フォトレジスト層を除去し、
前記誘電層の表面に第二フォトレジスト層を塗布し、更に前記トレンチを埋め、
第二フォトリソグラフィ工程を行い、前記第二フォトレジスト層の中における大体前記トレンチの開口に対応される位置に、前記誘電層を露出する第二開口を形成し、
低温化学気相成長工程を行い、前記第二フォトレジスト層と前記第二開口の内壁の上にキャップ層を堆積し、前記キャップ層が前記トレンチの口径範囲内に前記第二開口の口径を縮小させ、
第二蝕刻工程を行い、前記第二開口を介して、前記導電層の表面を露出するまでに順に前記誘電層と前記保護層を蝕刻し、
前記キャップ層と前記第二フォトレジスト層を除去し、デュアルダマシーン構造のコンタクトホールを形成し、
前記デュアルダマシーン構造のコンタクトホールの中に金属層を埋め込み、デュアルダマシーン構造を形成することを特徴とする方法。
【請求項１１】
前記保護層が窒化珪素から構成されることを特徴とする請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記誘電層が酸化珪素から構成されることを特徴とする請求項１０に記載の方法。
【請求項１３】
前記誘電層がフッ化珪酸塩ガラスから構成されることを特徴とする請求項１０に記載の方法。
【請求項１４】
前記誘電層は、誘電係数が３より低い誘電材料から構成されることを特徴とする請求項１０に記載の方法。
【請求項１５】
前記低温化学気相成長工程が高密度プラズマ蝕刻装置の中で行われ、その工程パラメータは、
（１）　気体における炭素とフッ素の比率が０．２５より大きい或いは等しい、
（２）　工程温度が１００°Ｃより低い、
（３）　圧力範囲が１〜１００（ｍ　ｔｏｒｒ）であり、
（４）　ソースパワー範囲が５００〜２０００ワットであり、
（５）　バイアスパワー範囲が０〜１２００ワットであることを特徴とする請求項１０に記載の方法。
【請求項１６】
前記低温化学気相成長工程で選ばれる気体は、Ｃ４Ｆ８、ＣＦ２Ｈ２、Ｃ３Ｆ８、Ｃ４Ｆ６及びＣ５Ｆ８を含むことを特徴とする請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記低温化学気相成長工程で選ばれる気体は、更に一酸化炭素とアルゴンを含むことを特徴とする請求項１６に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、デュアルダマシーン構造の製造方法に関し、特に位置合せ不良（ｍｉｓａｌｉｇｎ）を避けるデュアルダマシーン構造の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
デュアルダマシーン工程は、同時に誘電層の中に、金属導線と金属プラグが上下になる堆積構造を形成する方法である。デュアルダマシーン構造は、主に上のトレンチと下のコンタクトホール（ｖｉａ）を含み、半導体チップの中にある各層間の異なるデバイスと導線を接続することとして使われ、更に周りの中間層誘電材料で他のデバイスと互いに隔たる。集積回路における精密化と複雑化の発展に従って、デュアルダマシーン構造の歩留まりをどう維持するかは、半導体工程の中に一つ重要な課題である。
【０００３】
図１から図３までを参照するに、図１から図３までは、従来技術による半導体チップの上でデュアルダマシーン構造の製造方法を表す説明図である。図１に示すように、半導体チップ１０は、基板１１と、基板１１の中に形成される導電層１２と、基板１１及び導電層１２の表面に順に堆積される保護層１３、第一誘電層１４、蝕刻中止層１５、第二誘電層１６及び第一フォトレジスト層１７を含む。更に第一フォトリソグラフィ工程を行い、第一フォトレジスト層１７の中に複数の第一開口１７ａを形成する。
【０００４】
続いて、図２に示すように、第一蝕刻工程を行い、第一フォトレジスト層１７に被さっていない第二誘電層１６を除くことによって、第二誘電層１６の中に複数のトレンチを形成する。そして、第二誘電層１６の上に第二フォトレジスト層１８を塗布し、更に前記複数のトレンチを埋め込み、続いて、第二フォトリソグラフィ工程を行い、第二フォトレジスト層１８の中に複数の第二開口１８ａを形成する。理想的な状況の下で、第二開口１８ａが完全に第二誘電層１６のトレンチの中にある。しかし、第二開口１８ａを定義する時に、工程技術の制限或いは他の原因で位置合せ不良を生じ、部分の第二開口１８ａが第二誘電層１６のトレンチの外に形成されてしまう。
【０００５】
図３に開示するように、第二開口１８ａに沿い、順に蝕刻中止層１５、第一誘電層１４及び保護層１３を除去し、更に第二フォトレジスト層１８を除去し、デュアルダマシーン構造を形成し、最後に完成したデュアルダマシーン構造の中に金属を埋め込み、化学機械研磨工程による平坦化プロセスを行うことによって、金属導線１９と金属プラグ１９ａの製作を完成する。
【０００６】
前に述べたように、第二フォトレジスト層１８の中に第二開口１８ａを形成する時に、工程の原因で（例えば、フォトマスク欠陥或いは、フォトレジスト厚みの不均等）位置合せ不良を生じ、部分の第二開口１８ａが第二誘電層１６の中にあるトレンチの外に形成されてしまう。この状態は、金属プラグ１９と導電層１２との接触面積を縮小させ、更に金属プラグ１９の抵抗を上げる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、位置合せ不良を避けるデュアルダマシーン構造の製造方法を提供することを課題とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
そこで、本発明者は従来の技術に見られる欠点に鑑み鋭意研究を重ねた結果、半導体チップは、基板と、前記基板の表面に設けられる導電層と、前記基板と前記導電層の上に被さる保護層と、前記保護層の上に設けられる誘電層と、前記誘電層の表面層の中に形成されるトレンチとを含み、前記誘電層の表面に、前記トレンチを埋めるフォトレジスト層を形成し、前記フォトレジスト層の中における大体前記トレンチの開口に対応される位置に、前記誘電層を露出する限定開口を形成し、前記フォトレジスト層の表面に、前記限定開口の口径を前記トレンチの口径範囲内に縮小させるキャップ層を形成し、前記キャップ層をマスクとして前記導電層を露出するまでに前記誘電層と前記保護層を蝕刻し、前記キャップ層と前記フォトレジスト層を除去し、デュアルダマシーン構造のコンタクトホールを形成し、前記デュアルダマシーン構造のコンタクトホールの中に金属材料を埋め込み、デュアルダマシーン構造を形成する方法によって課題を解決できる点に着眼し、かかる知見に基づいて本発明を完成させた。
【０００９】
以下、この発明について具体的に説明する。
【００１０】
請求項１に記載する半導体チップの表面にデュアルダマシーン構造を造る方法であって、前記半導体チップは、基板と、前記基板の表面に設けられる導電層と、前記基板と前記導電層の上に被さる保護層と、前記保護層の上に設けられる誘電層と、前記誘電層の表面層の中に形成されるトレンチとを含み、前記誘電層の表面に、前記トレンチを埋めるフォトレジスト層を形成し、前記フォトレジスト層の中における大体前記トレンチの開口に対応される位置に、前記誘電層を露出する限定開口を形成し、前記フォトレジスト層の表面に、前記限定開口の口径を前記トレンチの口径範囲内に縮小させるキャップ層を形成し、前記キャップ層をマスクとして前記導電層を露出するまでに前記誘電層と前記保護層を蝕刻し、前記キャップ層と前記フォトレジスト層を除去し、デュアルダマシーン構造のコンタクトホールを形成し、前記デュアルダマシーン構造のコンタクトホールの中に金属材料を埋め込み、デュアルダマシーン構造を形成する。
【００１１】
請求項２に記載する方法は、請求項１におけるトレンチを形成する方法であって、前記誘電層の表面にフォトレジスト層を形成し、フォトリソグラフィ工程を行い、前記フォトレジストの中に、前記トレンチの位置を定義する開口を形成し、蝕刻工程を行い、前記開口を介して、前記誘電層の中にある予定深さを除去し、前記誘電層の中に前記トレンチを形成し、前記フォトレジスト層を除去する。
【００１２】
請求項３に記載する方法は、請求項１における保護層が窒化珪素から構成される。
【００１３】
請求項４に記載する方法は、請求項１における誘電層が酸化珪素から構成される。
【００１４】
請求項５に記載する方法は、請求項１における誘電層がフッ化珪酸塩ガラスから構成される。
【００１５】
請求項６に記載する方法は、請求項１における誘電層は、誘電係数が３より低い誘電材料から構成される。
【００１６】
請求項７に記載する方法は、請求項１におけるキャップ層が低温化学気相成長工程によって形成され、前記低温化学気相成長工程が高密度プラズマ蝕刻装置の中で行われ、その工程パラメータは、（１）気体における炭素とフッ素の比率（Ｃ／Ｆ）が０．２５より大きい或いは等しい、（２）工程温度が１００°Ｃより低い、（３）圧力範囲が１〜１００（ｍ　ｔｏｒｒ）であり、（４）ソースパワー範囲が５００〜２０００ワットであり、（５）バイアスパワー範囲が０〜１２００ワットである。
【００１７】
請求項８に記載する方法は、請求項７における低温化学気相成長工程で選ばれる気体は、Ｃ４Ｆ８、ＣＦ２Ｈ２、Ｃ３Ｆ８、Ｃ４Ｆ６及びＣ５Ｆ８を含む。
【００１８】
請求項９に記載する方法は、請求項８における低温化学気相成長工程で選ばれる気体は、更に一酸化炭素とアルゴンを含む。
【００１９】
請求項１０に記載する方法は、半導体チップの表面にデュアルダマシーン構造を造る方法であって、表面に順番に導電層、保護層、誘電層が設けてある基板を提供し、前記誘電層の表面に第一フォトレジスト層を形成し、第一フォトリソグラフィ工程を行い、前記第一フォトレジスト層の中にトレンチの位置を定義する第一開口を形成し、第一蝕刻工程を行い、前記第一開口を介して、前記誘電層の中にある予定深さを除去し、前記誘電層の中に前記トレンチを形成し、その後に、前記第一フォトレジスト層を除去し、前記誘電層の表面に第二フォトレジスト層を塗布し、更に前記トレンチを埋め、第二フォトリソグラフィ工程を行い、前記第二フォトレジスト層の中における大体前記トレンチの開口に対応される位置に、前記誘電層を露出する第二開口を形成し、低温化学気相成長工程を行い、前記第二フォトレジスト層と前記第二開口の内壁の上にキャップ層を堆積し、前記キャップ層が前記トレンチの口径範囲内に前記第二開口の口径を縮小させ、第二蝕刻工程を行い、前記第二開口を介して、前記導電層の表面を露出するまでに順に前記誘電層と前記保護層を蝕刻し、前記キャップ層と前記第二フォトレジスト層を除去し、デュアルダマシーン構造のコンタクトホールを形成し、前記デュアルダマシーン構造のコンタクトホールの中に金属層を埋め込み、デュアルダマシーン構造を形成する。
【００２０】
請求項１１に記載する方法は、請求項１０における保護層が窒化珪素から構成される。
【００２１】
請求項１２に記載する方法は、請求項１０における誘電層が酸化珪素から構成される。
【００２２】
請求項１３に記載する方法は、請求項１０における誘電層がフッ化珪酸塩ガラスから構成される。
【００２３】
請求項１４に記載する方法は、請求項１０における記誘電層は、誘電係数が３より低い誘電材料から構成される。
【００２４】
請求項１５に記載する方法は、請求項１０における低温化学気相成長工程が高密度プラズマ蝕刻装置の中で行われ、その工程パラメータは、（１）気体における炭素とフッ素の比率が０．２５より大きい或いは等しい、（２）工程温度が１００°Ｃより低い、（３）圧力範囲が１〜１００（ｍ　ｔｏｒｒ）であり、（４）ソースパワー範囲が５００〜２０００ワットであり、（５）バイアスパワー範囲が０〜１２００ワットである。
【００２５】
請求項１６に記載する方法は、請求項１５における低温化学気相成長工程で選ばれる気体は、Ｃ４Ｆ８、ＣＦ２Ｈ２、Ｃ３Ｆ８、Ｃ４Ｆ６及びＣ５Ｆ８を含む。
【００２６】
請求項１７に記載する方法は、請求項１６における低温化学気相成長工程で選ばれる気体は、更に一酸化炭素とアルゴンを含む。
【００２７】
【発明の実施の形態】
本発明は、デュアルダマシーン構造の製造方法に関し、特に不良位置合せを避けるデュアルダマシーン構造の製造方法に関し、半導体チップは、基板と、前記基板の表面に設けられる導電層と、前記基板と前記導電層の上に被さる保護層と、前記保護層の上に設けられる誘電層と、前記誘電層の表面層の中に形成されるトレンチとを含み、前記誘電層の表面に、前記トレンチを埋めるフォトレジスト層を形成し、前記フォトレジスト層の中における大体前記トレンチの開口に対応される位置に、前記誘電層を露出する限定開口を形成し、前記フォトレジスト層の表面に、前記限定開口の口径を前記トレンチの口径範囲内に縮小させるキャップ層を形成し、前記キャップ層をマスクとして前記導電層を露出するまでに前記誘電層と前記保護層を蝕刻し、前記キャップ層と前記フォトレジスト層を除去し、デュアルダマシーン構造のコンタクトホールを形成し、前記デュアルダマシーン構造のコンタクトホールの中に金属材料を埋め込むことによって、デュアルダマシーン構造を形成する。
【００２８】
かかるデュアルダマシーン構造の製造方法を詳述するために、具体的な実施例を挙げ、図示を参照して以下に説明する。
【００２９】
【実施例】
図４から図９までを参照するに、図４から図９までは、本発明による半導体チップの上でデュアルダマシーン構造の製造方法を表す説明図である。図４に示すように、半導体チップ２０は、導電層基板２２と、導電層基板２２の上に形成される保護層２４と、保護層２４の上に形成される誘電層２６とを含む。まず、誘電層２６の表面にフォトレジスト層２８を塗布し、更に露光、現像及び洗浄などの手順を含むフォトリソグラフィ工程を介して、フォトレジスト層２８の中に開口２８ａを形成し、デュアルダマシーン構造にあるトレンチを定義する。本発明による好ましい実施例の中で、導電層基板２２が銅で構成され、誘電層２６が酸化珪素、フッ化珪酸塩ガラス（ＦＳＧ）、或いは誘電係数が３より低い誘電材料（例えばＳｉＬＫＴＭ）から構成され、保護層２４が窒化珪素から構成される。
【００３０】
図５に示すように、続いて、蝕刻マスクとされるフォトレジスト層２８によって、蝕刻工程を行い、フォトレジスト層２８の中にある開口２８ａに沿い、誘電層２６を蝕刻し、誘電層２６の中にトレンチ３０を形成し、その後にフォトレジスト層２８を除去する。次に、図６に示すように、誘電層２６の表面にフォトレジスト層３２を塗布し、更にフォトレジスト層３２がトレンチ３０を埋め込み、そして、露光、現像及び洗浄などの手順を含むフォトリソグラフィ工程を介して、フォトレジスト層３２の中に開口３２ａを形成し、開口３２ａがデュアルダマシーン構造のコンタクトホールの位置を定義することとして使われ、この時の開口３２ａの口径が工程において必要される大きさよりやや大きい。
【００３１】
次に、図７に示すように、低温化学気相成長工程を行い、キャップ層３４は、フォトレジスト層３２と開口３２ａの内壁に堆積され、開口３２ａの開口口径を工程において必要される大きさまでに縮小させることとして使われる。本発明による好ましい実施例の中に、キャップ層３４が炭素とフッ素を含む高分子薄膜である。
【００３２】
次に、図８に示すように、蝕刻マスクとされるキャップ層３４によって、蝕刻工程を行い、開口３２ａを沿い、順に誘電層２６及び保護層２４を除去し、そして、コンタクトホール３６が誘電層２６及び保護層２４の中に形成される。次に、キャップ層３４とフォトレジスト層３２を除去し、ついにデュアルダマシーン構造を完成する。最後に、図９に示すように、デュアルダマシーン構造の中に金属層３８を埋め込み、更に化学機械研磨工程による全面的な平坦化プロセスを行うことによって、誘電層２６の表面にある金属層３８を完全に除去し、デュアルダマシーン構造の中にある金属層３８の上端が誘電層２６の表面と大体同様の高さである。
【００３３】
前に述べた低温化学気相成長工程は、ＤｉＲＥＣＴ（Ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ　Ｒｅｓｏｌｕｔｉｏｎ　Ｅｎｈａｎｃｅｍｅｎｔ　Ｃｏａｔｉｎｇ　Ｔｅｃｈｎｉｑｕｅ）　低温化学気相成長による方法である。この低温化学気相成長工程は、高密度プラズマ蝕刻装置の中で行われ、その工程パラメータが　気体における炭素とフッ素の比率（Ｃ／Ｆ）が０．２５より大きい或いは等しい、工程温度が１００°Ｃより低い、圧力範囲が１〜１００（ｍ　ｔｏｒｒ）であり、ソースパワー範囲が５００〜２０００ワットであり、バイアスパワー範囲が０〜１２００ワットである。この低温化学気相成長工程で選ばれる気体は、Ｃ４Ｆ８、ＣＦ２Ｈ２、Ｃ３Ｆ８、Ｃ４Ｆ６及びＣ５Ｆ８を含み、更に一酸化炭素とアルゴンを含む。
【００３４】
【発明の効果】
従来技術と比べて、本発明は、フォトリソグラフィ工程によって工程で必要される開口口径よりやや大きい開口３２ａを形成し、デュアルダマシーン構造の中にあるコンタクトホールの位置を定義し、更に低温化学気相成長工程によって、キャップ層３４をフォトレジスト層３２と開口３２ａの内壁に堆積し、開口３２ａの開口口径を工程において必要される大きさまでに縮小させる。即ち、キャップ層３４によって開口３２ａの位置を微調整し、開口３２ａが完全に誘電層２６のトレンチ３０の中に入ることができ、コンタクトホールを定義する時に、位置合せ不良が発生することを避け、又はフォトリソグラフィ工程での位置合せのマージンを増やす。他に、フォトリソグラフィ工程では、比較的に大きい露光量でコンタクトホールを定義することによって、生じる浮き滓を減少し、更に位置合せ不良が発生しない。その他、低温化学気相成長工程の温度が１００°Ｃより低いので、定義されたフォトレジスト層３２の上に薄膜を堆積することができ、半導体チップの上でもっと小さいパターンを作らせ、同時にフォトレジストを破壊することをしない。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来技術による半導体チップの上でデュアルダマシーン構造の製造方法を表す説明図である。
【図２】従来技術による半導体チップの上でデュアルダマシーン構造の製造方法を表す説明図である。
【図３】従来技術による半導体チップの上でデュアルダマシーン構造の製造方法を表す説明図である。
【図４】本発明による半導体チップの上でデュアルダマシーン構造の製造方法を表す説明図である。
【図５】本発明による半導体チップの上でデュアルダマシーン構造の製造方法を表す説明図である。
【図６】本発明による半導体チップの上でデュアルダマシーン構造の製造方法を表す説明図である。
【図７】本発明による半導体チップの上でデュアルダマシーン構造の製造方法を表す説明図である。
【図８】本発明による半導体チップの上でデュアルダマシーン構造の製造方法を表す説明図である。
【図９】本発明による半導体チップの上でデュアルダマシーン構造の製造方法を表す説明図である。
【符号の説明】
１０　　　半導体チップ
１１　　　基板
１２　　　導電層
１３　　　保護層
１４　　　第一誘電層
１５　　　蝕刻中止層
１６　　　第二誘電層
１７　　　第一フォトレジスト層
１７ａ　　第一開口
１８　　　第二フォトレジスト層
１８ａ　　第二開口
１９　　　金属導線
１９ａ　　金属プラグ
２０　　　半導体チップ
２２　　　導電層基板
２４　　　保護層
２６　　　誘電層
２８　　　フォトレジスト層
２８ａ　　開口
３０　　　トレンチ
３２　　　フォトレジスト層
３２ａ　開口
３４　　　キャップ層
３６　　　コンタクトホール
３８　　　金属層
【図１】
2004064053.tif 000003
【図２】
2004064053.tif 000004
【図３】
2004064053.tif 000005
【図４】
2004064053.tif 000006
【図５】
2004064053.tif 000007
【図６】
2004064053.tif 000008
【図７】
2004064053.tif 000009
【図８】
2004064053.tif 000010
【図９】
2004064053.tif 000011