(57)【要約】【課題】高慣性で大型サイズの複雑な移動式直線状シールによって生じる問題を回避しあるいは低減させるリトグラフ投影装置を提供すること。【解決手段】直線状シール１００は、リトグラフ投影装置の真空チャンバＶＣの壁１１０に形成されたスロット１１２全体を密封する。直線状シール１００は、選択可能な位置１２５でスロット１１２から局所的に変位する細長いシール部材１２０を備え、それによって、導管１４０が、細長いシール部材１２０が局所的に変位したところで真空チャンバＶＣの外側から真空チャンバＶＣの内側に入ることができる。【選択図】　　　図２
2004040105.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
放射投影ビームを供給する放射システムと、
所望のパターンに従って投影ビームをパターン化するように働くパターン化手段を支持する支持構造と、
基板を保持する基板テーブルと、
基板のターゲット部分にパターン化したビームを投影する投影システムと、
前記支持構造および／または前記基板テーブルを包囲する真空チャンバと、
前記真空チャンバの壁にある細長い貫通スロットと、
前記スロットに沿って前記真空チャンバを密封する直線状シールとを含むリトグラフ投影装置において、
前記直線状シールが前記スロットに沿って前記真空チャンバを密封する細長いシール部材を含み、前記真空チャンバ内への開口を作るために、前記シール部材が選択可能な位置で局所的に変位可能であることを特徴とするリトグラフ投影装置。
【請求項２】
前記細長いシール部材が金属材料から成る請求項１に記載されたリトグラフ投影装置。
【請求項３】
前記細長いシール部材が、前記選択可能な位置で曲げられ、その他の場所ではほぼ平坦である請求項１または請求項２に記載されたリトグラフ投影装置。
【請求項４】
前記真空チャンバ内の前記支持構造および／または前記基板テーブルにユーティリティを供給する導管をさらに含み、前記導管が、前記スロットを通り、前記選択可能な位置で前記壁と前記細長いシール部材の間を通る請求項１から請求項３までのいずれか一項に記載されたリトグラフ投影装置。
【請求項５】
前記直線状シールが、前記選択可能な位置の両側にそれぞれ１つずつ、前記細長いシール部材と回転接触する２つのローラをさらに含み、前記選択可能な位置が前記ローラの協働する動きによって選択可能である請求項１から請求項４までのいずれか一項に記載されたリトグラフ投影装置。
【請求項６】
前記選択可能な位置で前記細長いシール部材と前記スロットの間に位置し前記細長いシール部材と回転接触する少なくとも１つの別のローラをさらに含む請求項５に記載されたリトグラフ投影装置。
【請求項７】
前記細長いシール部材が強磁性材料から成り、前記細長いシール部材を前記スロットに向かって引きつけるために、前記スロットに沿って磁石が配置されている請求項１から請求項６までのいずれか一項に記載されたリトグラフ投影装置。
【請求項８】
前記直線状シールが、前記選択可能な位置の周りを密封する別のシール部材をさらに含む請求項１から請求項７までのいずれか一項に記載されたリトグラフ投影装置。
【請求項９】
前記選択可能な位置を覆って配置され、前記壁と前記細長いシール部材に対して密封状態になされ、それによって、前記選択可能な位置で前記スロットを密封するハウジングを、前記別のシール部材が含む請求項８に記載されたリトグラフ投影装置。
【請求項１０】
放射線感受性材料層によって少なくとも部分的に覆われた基板を用意する段階と、
放射システムを用いて放射投影ビームを付与する段階と、
パターン化手段を用いて、前記放射投影ビームの横断面にパターンを付与する段階と、
前記放射線感受性材料層のターゲット部分にパターン化された放射ビームを投影する段階と、
前記基板および／または前記パターン化手段を包囲する真空チャンバを用意する段階と、
前記真空チャンバ壁に細長い貫通スロットを設ける段階と、
位置決め手段を用いて、前記真空チャンバ内で、前記基板または前記パターン化手段を位置決めする段階と、
直線状シールを用いて、前記スロットに沿って前記真空チャンバを密封する段階とを含むデバイスの製造方法において、
前記直線状シールが、前記スロットに沿って前記真空チャンバを密封する細長いシール部材を含み、かつ選択可能な位置で前記細長いシール部材を局所的に変位させて前記真空チャンバへの開口を作る段階によって特徴づけられるデバイスの製造方法。
【請求項１１】
放射投影ビームを付与する放射システムと、
所望のパターンに従って投影ビームをパターン化するためのパターン化手段を支持する支持構造と、
基板を保持する基板テーブルと、
前記基板のターゲット部分にパターン化したビームを投影する投影システムと、
前記支持構造および／または前記基板テーブルを包囲する真空チャンバと、
前記真空チャンバの壁にある細長い貫通スロットと、
前記スロットに沿って前記真空チャンバを密封する直線状シールとを含むリトグラフ投影装置において、
前記スロットに対して密封を行なう回転可能なシール・バンドを、前記直線状シールが含むことを特徴とするリトグラフ投影装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、リトグラフ投影装置に係わり、この装置は、
放射投影ビームを供給する放射システムと、
所望のパターンに従って投影ビームをパターン化するように働くパターン化手段を支持する支持構造と、
基板を保持する基板テーブルと、
基板のターゲット部分にパターン化したビームを投影する投影システムと、
前記支持構造および／または前記基板テーブルを包囲する真空チャンバと、
前記真空チャンバの壁にある細長い貫通スロットと、
前記スロットに沿って前記真空チャンバを密封する直線状シールとを含む。
【０００２】
【従来の技術】
本明細書で使用する「パターン化手段」という用語は、基板のターゲット部分に形成すべきパターンに相当するパターン化した横断面を、入射する放射ビームに付与するのに使用することができる複数の手段を指すものと広い意味に解釈すべきである。本明細書では、「光バルブ」という用語を使用することもある。一般に、前記パターンは、ターゲット部分に生成されるデバイス中の特定の機能層、たとえば集積回路その他のデバイス（下記参照）に相当する。斯かるパターン化手段の例は、以下のものを含む。
＊マスク：　マスクの概念は、リトグラフにおいて周知であり、２値型、交互配置型位相シフト、ハーフトーン位相シフト、および各種ハイブリッド型等のマスク・タイプの例が含まれる。こうしたマスクを放射ビーム中に配置することにより、マスク上のパターンに従って、マスク上に入射する放射ビームを、選択的に透過（透過型マスクの場合）または反射（反射型マスクの場合）させる。マスクの場合には、一般に、支持構造はマスク・テーブルであり、それによって、入射する放射ビーム中で所望の位置にマスクを保持し、必要な場合には、マスクがビームに対して相対的に移動できるようにする。
＊プログラム可能なミラー・アレイ：　このようなデバイスの一例は、粘弾性制御層および反射面を有するマトリックス・アドレス可能型表面である。そのような装置の基本原理は、（たとえば）アドレス指定される反射面領域は入射光を回折光として反射し、アドレス指定されない領域は入射光を非回折光として反射するというものである。適当なフィルタを使用して、前記非回折光をフィルタリングして反射光から除去し、回折光のみを後に残すことができる。このようにして、マトリックス・アドレス可能型表面のアドレス・パターンに従って、ビームがパターン化される。また、プログラム可能なミラー・アレイの代替例では、適切な局所電界を印加し、あるいは圧電作動手段を使用することによってそれぞれ独立にある軸の周りで傾けることができる小ミラーのマトリックス構成を使用する。この場合も、ミラーはマトリックス・アドレス可能型であり、そのためアドレスされたミラーは、入射する放射ビームをアドレスされないミラーとは異なる方向に反射する。このようにして、反射ビームは、マトリックス・アドレス可能型ミラーのアドレス・パターンに従ってパターン化される。必要とされるマトリックス・アドレス指定は、適当な電子的手段を使用して行うことができる。上記のいずれの状況でも、パターン化手段は、１つまたは複数のプログラム可能なミラー・アレイを備えることができる。ここで言及したミラー・アレイに関するより多くの情報は、たとえば、米国特許第５２９６８９１号および第５５２３１９３号、ならびにＰＣＴ特許出願ＷＯ９８／３８５９７号およびＷＯ９８／３３０９６号から得ることができる。その内容を引用によって本明細書の記載として援用する。プログラム可能なミラー・アレイの場合、前記支持構造は、たとえばフレームまたはテーブルとして実施することができ、必要に応じて、固定あるいは移動可能とすることができる。
＊プログラム可能なＬＣＤアレイ：　このような構造の一例が、米国特許第５２２９８７２号で示されている。その内容を引用によって本明細書の記載として援用する。上記の場合と同様に、この場合の支持構造も、たとえばフレームまたはテーブルとして実施することができ、必要に応じて、固定あるいは移動可能とすることができる。単純化のために、本明細書の残りの部分は、ある箇所では、具体的にはマスクおよびマスク・テーブルを含む例を取り上げる。しかし、こうした例で論じる一般原理は、前記パターン化手段のより広い文脈で理解すべきである。
【０００３】
リトグラフ投影装置は、たとえばＩＣ（集積回路）の製造に使用することができる。この場合、パターン化手段は、ＩＣの個々の層に対応する回路パターンを生成することができ、これらのパターンを、放射線感受性材料（レジスト）の層を塗布した基板（シリコン・ウエハ）の（たとえば１つまたは複数のダイを含む）ターゲット部分上に結像させることができる。一般に、１枚のウエハは、投影システムにより１度に１つずつ次々に照射される隣接し網目状に並んだターゲット部分全体を含んでいる。マスク・テーブル上のマスクによってパターン形成を行う現在の装置では、２つの異なるタイプの機械が区別できる。１つのタイプのリトグラフ投影装置では、１回でマスク・パターン全体をターゲット部分上に露光することによって、各ターゲット部分を照射する。通常、このような装置をウエハ・ステッパと称する。通常ステップ・アンド・スキャン装置と称する代替装置では、投影ビーム下でマスク・パターンを所与の基準方向（「走査」方向）に漸進的に走査することによって各ターゲット部分を照射し、基板テーブルをこの基準方向と同方向または逆方向に同期走査する。一般に、投影システムは拡大倍率Ｍ（一般に１未満）を有するので、基板テーブルを走査する速度Ｖは、マスク・テーブルを走査する速度のＭ倍となる。ここで述べたリトグラフ装置に関するより多くの情報は、たとえば、米国特許第６０４６７９２号から得ることができる。その内容を引用によって本明細書の記載として援用する。
【０００４】
リトグラフ投影装置を使用する製造プロセスでは、放射線感受性材料（レジスト）の層で少なくとも部分的に覆われた基板上に、（たとえばマスク内の）パターンを結像させる。この結像ステップの前に、基板に、各種処理、たとえば、プライミング（下塗り）、レジスト被覆、およびソフト・ベーク（弱焼成）を施してもよい。露光後、基板を、その他の処理、たとえば、ＰＥＢ（露光後ベーク）、現像、ハード・ベーク（強焼成）、および形成したフィーチャー（画像）の測定／検査を施すことができる。この一連の処理をベースとして使用して、デバイスたとえばＩＣの個々の層のパターン形成を行う。次いで、このようなパターン形成された層に、各種プロセス、たとえば、エッチング、イオン注入（ドーピング）、メタライゼーション、酸化、化学機械研磨などを施すことができる。これらの処理はいずれも、個々の層を完成させるためのものである。複数の層を必要とする場合には、それぞれ新しい層ごとにこの処理全体またはその変形形態としての処理を繰り返さなければならない。最終的に、デバイス・アレイが基板（ウエハ）上に得られる。次いで、これらのデバイスを、ダイシングやソーイング（鋸切断）などの技術によって互いに分離し、その後、個々のデバイスをキャリア上に実装し、ピンに接続する等を行うことができる。こうしたプロセスに関するさらに詳しい情報は、たとえば、Ｐｅｔｅｒ　ｖａｎ　Ｚａｎｔ著「Ｍｉｃｒｏｃｈｉｐ　Ｆａｂｒｉｃａｔｉｏｎ：Ａ　Ｐｒａｃｔｉｃａｌ　Ｇｕｉｄｅ　ｔｏ　Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ　Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ」、Ｔｈｉｒｄ　Ｅｄｉｔｉｏｎ，ＭｃＧｒａｗ　Ｈｉｌｌ　Ｐｕｂｌｉｓｈｉｎｇ　Ｃｏ．，ＩＳＢＮ　０−０７−０６７２５０−４、１９９７年から得ることができる。その内容を引用によって本明細書の記載として援用する。
【０００５】
簡単にするため、以下では、投影システムを「レンズ」と称する。しかし、この用語は、たとえば、屈折光学系、反射光学系、および反射屈折型システムを含む様々なタイプの投影システムを包含すると広く解釈すべきである。また、放射システムは、これらの設計タイプのいずれかに従って動作する構成部品を含み、放射投影ビームを方向づけ、整形し、または制御することができる。下記では、このような構成部品も総称してあるいは単独で「レンズ」と称する。さらに、リトグラフ装置は、２つ以上の基板テーブル（および／または２つ以上のマスク・テーブル）を有するタイプのものとすることもできる。このような「マルチ・ステージ」型の装置では、追加のテーブルを並列で使用し、あるいは準備ステップを１つまたは複数のテーブル上で実施しながら、１つまたは複数の他のテーブルを使用して露光することができる。複式ステージ・リトグラフ装置が、たとえば、米国特許第５，９６９，４４１号および国際公開ＷＯ９８／４０７９１号に記載されている。その内容を引用によって本明細書の記載として援用する。
【０００６】
リトグラフ装置では、基板上に結像することができるフィーチャーのサイズは、投影用の放射の波長によって制限される。より高密度のデバイス群を備え、したがってより高速な動作速度を有する集積回路を作り出すには、より小さいフィーチャーを結像させることができることのが望ましい。現在のリトグラフ投影装置の大部分は、水銀ランプまたはエキシマ・レーザによって生成される紫外光を使用しているが、約１３ｎｍというより短波長の放射を使用することが提案されている。このような放射をＥＵＶ（極紫外線）または軟Ｘ線と称し、可能な放射源には、レーザ生成プラズマ源および放電プラズマ源が含まれる。
【０００７】
推奨されるその他の放射線の種類には、電子ビームおよびイオン・ビームが含まれる。リトグラフにおける電子ビームの使用に関するさらに詳しい情報は、たとえば、米国特許第５０７９１２２号、米国特許第５２６０１５１号、およびＥＰ−Ａ−０９６５８８８から得ることができる。これらの種類のビームは、マスク、基板および光学構成部品を含むビーム経路を高真空に保つ必要があるという点でＥＵＶと共通している。これは、ビームの吸収および／または散乱を防止するためのものであり、その際、一般に、電荷粒子ビームの場合には、全圧力が約１０−６ミリバールよりも低いことが必要である。あるいは、ＥＵＶ放射を使用する装置では、全真空圧力を、１０−５〜１０−７ミリバールＨ２Ｏ、および１０−７〜１０−９ミリバールＣｘＨｙとするだけでよい。ＥＵＶ放射用の光学要素は、その表面に炭素層が被着すると損なわれることがあり、これにより、一般に、炭化水素の分圧をできるだけ低く、たとえば１０−８または１０−９ミリバールより低く保つべきであるという追加の要件が課される。
【０００８】
高真空中での作業では、真空中に入れなければならない構成部品に対して、非常に厄介な条件が課される。真空チャンバ内部の構成部品には、汚染物質および全体のガス放出、すなわち、材料自体からのガス放出と、構成部品の表面上に吸着したガスからのガス放出の合計を最小限に抑えあるいはゼロにする材料を使用すべきである。基板、マスクおよび搬送ステージの従来方式の設計は非常に複雑であり、多数のセンサおよび駆動装置を使用している。このそれぞれが水およびガスを搬送しかつ電気配線を保護する多数の導管を必要とする。
【０００９】
解決策がＥＰ−１０５２５４９−Ａで提案されている。この刊行物は、移動可能な対象物テーブルに剛体的に連結された中空パイプを通して供給が行われる導管を記載している。このパイプを使用して、真空チャンバの外側からテーブルに動きを伝達する。このパイプは中空であり、パイプ内部の圧力は真空チャンバ外部の圧力に等しい。このパイプは、真空チャンバの壁の細長いスロットを通り、そのスロットの長手方向に移動可能である。パイプが中を通って延びるスライディング・シール・プレートによりスロット全体で密封が保たれており、このシール・プレートはスロットの長手方向に変位可能である。したがって、多くの構成部品を真空部の外側に残しておくことができる。この構成の問題は、スライディング・シール・プレートの慣性が大きく、また、真空チャンバの壁に当てたスライディング・シール・プレートの移動による摩擦とその結果生じる磨耗を最小限に抑えるために、このプレートの外側を囲む空気支承体の必要があることである。この空気支承体により、アセンブリがより複雑となり、その容積および重量が増す。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、高慣性で大型サイズの複雑な移動式直線状シールによって生じる問題を回避しあるいは低減させるリトグラフ投影装置を提供することである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
前記目的およびその他の目的は、本発明による以下のリトグラフ装置によって達成される。
直線状シールがスロットに沿って真空チャンバを密封する細長いシール部材を含み、真空チャンバ内への開口を作るために、シール部材が選択可能な位置で局所的に変位可能であることを特徴とするリトグラフ装置。
【００１２】
こうすると、スロットに沿って選択可能な位置へ移動中に、細長いシール部材と真空チャンバ壁の間でスライドによる相対的な変位がなくなり、したがって、空気支承体の必要性が回避される。実際には、選択可能な位置がスロットに沿って動くとき、細長いシール部材が単にスロットから（すなわち一方の側に）もち上がるように構成することができる。シール部材が一方の側にもち上がる場合、細長いシール部材と真空チャンバ壁の間の摩擦は、細長いシール部材全体ではなく、選択可能な局所的位置に限定される。さらに、細長いシール部材の小さな部分、すなわち選択可能な位置にある細長いシール部材の材料しか動かす必要がないので、スロットに沿って選択可能な位置を動かすために必要なエネルギー量は小さい。
【００１３】
前記支持構造および／または前記真空チャンバ内の基板テーブルにユーティリティを供給する導管は、前記選択可能な位置で前記スロットを通ることが好ましい。
【００１４】
本明細書で使用するユーティリティという用語は、移動可能な構成部品（すなわち支持構造または基板テーブル）に供給しなければならない液体（たとえば水、ガス）、電気および信号を指す。導管という用語は、移動可能な構成部品にユーティリティを搬送するのに使用するケーブルおよびチューブを指す。例を挙げると、このような導管には、電力コード、信号搬送線、（たとえば、テーブル中の気体軸受にガスを供給する）ガス・ホース、冷却液ホースなどが含まれ得る。マスク・テーブルおよび／または基板テーブルおよび／または関連するモータおよび／またはセンサを含めて、真空チャンバ内部の移動可能な構成部品は、このようにして（各構成部品ごとに別の導管を使用して）真空チャンバ外部のフレームに連結することができる。
【００１５】
移動可能な構成部品が２次元で移動可能な場合、選択可能な位置が１自由度を有するので、導管自体は自由度を１つ（すなわち、移動可能な構成部品の動きに対応するために、スロットの長手方向にほぼ垂直な方向）しか必要としない。
【００１６】
細長いシール部材は金属材料からなることが好ましい。こうすると、細長いシール部材のガス放出を最小限に抑えることができる。
【００１７】
本発明の別の観点によれば、以下のリトグラフ投影装置が提供される。
＊放射投影ビームを付与する放射システムと、
＊所望のパターンに従って投影ビームをパターン化するためのパターン化手段を支持する支持構造と、
＊基板を保持する基板テーブルと、
＊基板のターゲット部分にパターン化したビームを投影する投影システムと、
＊前記支持構造および／または基板テーブルを包囲する真空チャンバと、
＊真空チャンバの壁にある細長い貫通スロットと、
＊前記スロットに沿って真空チャンバを密封する直線状シールとを含み、
前記スロットに対して密封を行なう回転可能なシール・バンドを、直線状シールが含むことを特徴とするリトグラフ投影装置。
【００１８】
本発明の別の観点によれば、以下のリトグラフ投影装置が提供される。
＊放射線感受性材料層によって少なくとも部分的に覆われた基板を用意する段階と、
＊放射システムを用いて放射投影ビームを付与する段階と、
＊パターン化手段を用いて、前記放射投影ビームの横断面にパターンを付与する段階と、
＊放射線感受性材料層のターゲット部分にパターン化された放射ビームを投影する段階と、
＊基板および／またはパターン化手段を包囲する真空チャンバを用意する段階と、
＊真空チャンバ壁に細長い貫通スロットを設ける段階と、
＊位置決め手段を用いて、真空チャンバ内で、基板またはパターン化手段を位置決めする段階と、
＊直線状シールを用いて、前記スロットに沿って真空チャンバを密封する段階とを含み、
直線状シールが、前記スロットに沿って真空チャンバを密封する細長いシール部材を含み、かつ選択可能な位置で細長いシール部材を局所的に変位させて真空チャンバへの開口を作る段階によって特徴づけられるデバイスの製造方法。
【００１９】
本明細書では、ＩＣ製造における本発明による装置の使用について具体的に参照するが、このような装置は他の多くの応用が可能であることを明確に理解されたい。たとえば、集積光学システムや、磁気ドメイン・メモリ、液晶ディスプレイ・パネル、薄膜磁気ヘッド用の誘導／検出パターンなどの製造に使用することができる。このような別の応用例の場合、本明細書で使用している「レチクル」、「ウエハ」あるいは「ダイ」という用語を、それぞれ「マスク」、「基板」および「ターゲット部分」という、より一般的な用語で置き換えて考えるべきであることが、当業者には判るだろう。
【００２０】
この文章では、「放射」および「ビーム」という用語は、（たとえば、３６５、２４８、１９３、１５７または１２６ｎｍの波長をもつ）紫外放射、および（極紫外放射、たとえば、５〜２０ｎｍの範囲の波長を有する）ＥＵＶ、ならびにイオン・ビームまたは電子ビームなどの粒子ビームを含むあらゆるタイプの電磁放射を包含するものとして使用する。
【００２１】
次に、本発明の具体例を、単なる例として、添付の模式図を見ながら説明する。
【００２２】
図では、対応する同一符号はそれに対応する部品を示す。
【００２３】
【発明の実施の形態】
例１
図１に、本発明の一具体例としてのリトグラフ投影装置を模式的に示す。この装置は、
放射投影ビームＰＢ（たとえばＥＵＶ放射）を供給し、この特定のケースでは放射源ＬＡも備える放射システムＥｘ、ＩＬと、
マスクＭＡ（たとえばレチクル）を保持するマスク・ホルダを備え、要素ＰＬに対してマスクを精確に位置決めするように第１位置決め手段に連結された第１対象物テーブル（マスク・テーブル）ＭＴと、
基板Ｗ（たとえばレジストを塗布したシリコン・ウエハ）を保持する基板ホルダを備え、要素ＰＬに対して基板を精確に位置決めするように第２位置決め手段に連結された第２対象物テーブル（基板テーブル）ＷＴと、
基板Ｗの（たとえば１つまたは複数のダイを含む）ターゲット部分Ｃ上に、マスクＭＡの照射された部分を結像するための投影システム（「レンズ」）ＰＬ（たとえばミラー群）とを備える。
ここで示すように、この装置は、反射タイプの（すなわち、反射型マスクを有する）ものである。しかし、一般に、たとえば（透過型マスクを備える）透過タイプのものとすることもできる。あるいは、この装置では、別の種類のパターン化手段、たとえば上記で言及した種類のプログラム可能なミラー・アレイを使用することもできる。
【００２４】
放射源ＬＡ（たとえば、レーザ誘導プラズマ源または放電プラズマ源）は、放射ビームを生成する。このビームを、直接あるいはビーム・エキスパンダＥｘなどの調節手段を横切った後に、照明システム（照明器）ＩＬ内に供給する。照明器ＩＬは、ビームの強度分布の外側および／または内側半径方向範囲（通常、それぞれ外側σおよび内側σと称する）を設定する調節手段ＡＭを備えることができる。さらに、一般に、照明器ＩＬは、様々な他の構成部品、たとえば統合器ＩＮおよびコンデンサＣＯも備えている。こうすると、マスクＭＡ上に入射するビームＰＢは、所望の均一性および強度分布をその横断面に有することになる。
【００２５】
図１を見ると、（放射源ＬＡが、たとえば水銀ランプであるときはしばしばそうであるが）、放射源ＬＡを、このリトグラフ投影装置のハウジング内に置くことができるが、リトグラフ投影装置から離し、放射源ＬＡが生成する放射ビームを（たとえば適当な方向づけミラーにより）装置内に導入することもできることに留意されたい。後者の状況が生じるのは、しばしば放射源ＬＡがエキシマ・レーザのときである。本発明および特許請求の範囲は、どちらの場合も包含するものとする。
【００２６】
その後、ビームＰＢは、マスク・テーブルＭＴ上に保持されるマスクＭＡに当たる。マスクＭＡによって選択的に反射されたビームＰＢは、レンズＰＬを通過し、それによって基板Ｗのターゲット部分Ｃ上に結像される。第２位置決め手段（および干渉計測手段ＩＦ）により、基板テーブルＷＴは精確に動き、たとえば異なるターゲット位置ＣをビームＰＢの経路内に位置決めすることができる。同様に、第１位置決め手段を使用して、たとえば、マスク・ライブラリからマスクＭＡを機械的に取り出した後、あるいは走査中にビームＰＢの経路に対してマスクＭＡを精確に位置決めすることができる。一般に、対象物テーブルＭＴ、ＷＴの移動は、長ストローク・モジュール（粗位置決め用）および短ストローク・モジュール（精密位置決め用）により行われる。これらのモジュールは、図１に明示的に示していない。しかし、ウエハ・ステッパの場合には（ステップ・アンド・スキャン装置と異なり）、マスク・テーブルＭＴは、短ストローク・アクチュエータだけに連結することも、また固定することもできる。
【００２７】
図に示す装置は、下記の２つの異なるモードで使用することができる。
１．ステップ・モードでは、マスク・テーブルＭＴはほぼ固定したまま、ターゲット部分Ｃ上にマスク像全体を１回で（すなわち１回の「フラッシュ」で）投影する。次いで、基板テーブルＷＴを、ｘ方向および／またはｙ方向に移動し、それによってビームＰＢで異なるターゲット部分Ｃを照射することができる。
２．スキャン・モードでは、所与のターゲット部分Ｃが１回の「フラッシュ」で露光されない点を除き、ほぼ同じ状況が当てはまる。その代わりに、マスク・テーブルＭＴが、所与の方向（いわゆる「走査方向」、たとえばｙ方向）に速度ｖで移動可能であり、それによって、投影ビームＰＢがマスク像の上を走査する。それに並行して、基板テーブルＷＴが同時に同方向または反対方向に速度Ｖ＝Ｍｖで移動する。ただし、ＭはレンズＰＬの倍率（一般に、Ｍ＝１／４または１／５）である。このようにして、比較的大きなターゲット部分Ｃを、解像力を損なわずに露光することができる。
【００２８】
本発明によるリトグラフ投影装置では、少なくとも１つの第１対象物テーブルＭＴ（パターン化手段たとえばマスクを支持する支持構造）および第２対象物テーブルＷＴ（基板テーブル）を、真空チャンバＶＣ内に設ける。真空チャンバＶＣ内部の真空は、排気手段ＶＥ、たとえばポンプにより作り出す。
【００２９】
位置合わせセンサ、差圧真空シールを備える空気支承体、ならびに電力、制御信号、真空およびガスなどのユーティリティを必要とし、測定信号および別の制御信号などのユーティリティを供給する位置決めモータおよびアクチュエータなど、多くの装置が対象物テーブルに関連する。これらのユーティリティは、導管１４０、たとえばホース、パイプ、電気ケーブルなどにより供給される。これらの導管は、真空チャンバＶＣの壁１１０にある直線状シール１００内の開口を通って真空チャンバＶＣ内に入る。本発明の直線状シール１００を単一の基板テーブルＷＴまたはマスク・テーブルＭＴと関連して説明するが、本発明は、それぞれ基板Ｗを保持する基板ホルダを備え、それぞれ基板Ｗを位置決めする位置決め手段に連結された２つの基板テーブルを有する、いわゆる複式ステージ型リトグラフ投影装置にも同様に適用可能である。この場合、各基板テーブルは、関連する直線状シールを有することになる。１つ（または複数）の基板テーブルは、ベース・プレートＢＰ上に配置する。
【００３０】
第１および第２対象物テーブルＭＴ、ＷＴはしばしば、２つの自由度で動くことが求められる。したがって、真空チャンバＶＣの外側から対象物テーブルＭＴ、ＷＴに供給されるユーティリティは、同じ数の自由度をもつ導管１４０を通して供給しなければならない。本発明では、真空チャンバＶＣ内部で１自由度をもつ導管１４０を提供するとともに、導管１４０が真空チャンバの壁１１０を通るときに導管１４０の端部が第２の自由度をもつことができるようにすることによって、これを実現する。この第２の自由度は、直線状シール１００によってもたらされる。
【００３１】
本発明の直線状シール１００を図２に示す。直線状シール１００は、真空チャンバＶＣの壁１１０にある細長いスロット１１２全体を密封する。直線状シール１００は、真空チャンバＶＣの壁１１０にある細長いスロット１１２全体にわたって配置される細長いシール部材１２０を備える。細長いシール部材１２０は、選択可能な位置１２５でスロット１１２から離れるように局所的に変位して、外側から真空チャンバ内に通じる開口を形成する。
【００３２】
細長いシール部材１２０を可撓性の材料（たとえば薄い金属シート）で形成する場合、そのシール部材を、逆Ｕ字形に曲げることによって、選択可能な位置１２５で局所的に変位させることができる。細長いシール部材１２０の好ましい材料は金属であり、強磁性体の性質を有するもの、たとえば厚さ約０．１ｍｍのステンレス鋼であることが好ましい。このような材料は、ゴムやプラスチック材料に比べて、ガスを放出しないという利点を有する。細長いシール部材１２０が、壁１１０の表面にほぼ直交する向きにスロット１１２から離れるように逆Ｕ字形に曲げられる位置１２５は選択可能である。すなわち、スロットから局所的に変位する部分は、細長いシール部材１２０に沿って曲げる部分を動かすことによって変更することができる。湾曲部は、緊張したひもを伝わる横波と同じように、シール部材の各部分の縦ではなくて横の動きによって「動く」ことを理解されたい。導管１４０は、細長いスロット１１２が細長い部材１２０によって密封されない選択可能な位置１２５で、直線状シール１００の開口を通ることができる。したがって、導管１４０は、真空チャンバＶＣの外側（図２では直線状シール１００の下側）から真空チャンバＶＣの内側（図では直線状シールの上側）に入ることができる。こうすると、真空チャンバＶＣ内で、導管１４０の端部に１自由度がもたらされる。
【００３３】
説明例では、細長いシール部材１２０は、選択された位置１２５で、真空チャンバ壁１１０の面と直交する方向に曲げられる。実際、長手方向に直交する向きの（長方形ではなく）正方形の断面をもち、非常に曲がりやすい材料でできている細長いシール部材１２０を使用した場合、選択可能な部分の湾曲部は、スロット１１２から真空チャンバ壁１１０の面にほぼ平行な方向に変位することがある。
【００３４】
好適例では、ローラ１３０を選択可能な位置１２５の両側に設けて、スロット１１２から局所的に離れるように細長いシール部材１２０を曲げて開口を形成し、それによって、導管１４０がその湾曲部（すなわち開口）の下でスロットを通って真空チャンバＶＣに入ることができる。細長いシール部材１２０を曲げる他の手段も可能であるが、細長いシール部材１２０と回転接触するローラ１３０の利点は、アセンブリが動いて異なる位置１２５を選択するとき、摩擦が減少することである。
【００３５】
導管１４０とローラ１３０の間に取り付けたフレーム部材（図示せず）を使用して、真空チャンバＶＣの外側の導管に加えられる力をローラ１３０に伝えることができると好都合である。こうすると、曲げを受けたことによる細長いシール部材１２０の（図では上方向の）反力に、導管１４０によって（図では下方向に）力を加えられるローラ１３０が対抗する。したがって、細長いシール部材１２０の湾曲部がローラ１３０間に収まり、シール部材１２０の残りの部分を平坦に維持することができる。次いで、スロット１１２の長手方向に沿って導管１４０を動かすことによって、細長いシール部材１２０を局所的にスロット１１２から変位させる位置１２５を選択することが可能となる。真空チャンバＶＣの壁１１０にあるスロット１１２の縁部に沿って磁石（図示せず）を設けて、密封する部分に沿って細長いシール部材１２０（強磁性体材料でできている場合）を引きつけて、よりよい密封をもたらすことができる。
【００３６】
図２に示す例では、真空チャンバＶＣは、図の細長いシール部材の上には約１０−７ミリバールＨ２Ｏがもたらされ、図の細長いシール部材１２０の下には約１０−３ミリバールのより低い真空がもたらされる。シール部材１２０にかかる低真空による力がシール部材１２０を真空チャンバ壁１１０から離して真空チャンバＶＣ内に押し込まず、シールを通した高真空中への重大な漏れが回避されるように、シール部材の両側に真空がもたらされなければならない。図２に示すように、細長いシール部材１２０の下が高真空側である場合、真空チャンバＶＣの外側のより高い圧力が細長いシール部材１２０を壁１１０に押し付けてよりよい密封を作り出すようにだけ働くため、細長いシール部材１２０の他方の側では真空に関する要件はなくなる。
【００３７】
この直線状シールは、やはりフレーム部材に取り付けることができる別のシール部材を備え、選択された位置１２５でスロット１１２の周りで真空チャンバを密封する。図示例では、この別のシール部材は、ローラ１３０の上に配置され、導管１４０が中を通って延びるハウジング１５０によって実現される。ハウジングの底面フランジ１５２を、細長いシール部材１２０および真空チャンバＶＣの壁１１０に近づけて配置して密封をもたらす。細長いシール部材１２０および壁１１０とハウジング１５０との分離間隔は０．１ｍｍ未満である。ハウジング１５０のフランジ１５２が、細長いシール部材１２０を位置決め可能な陥凹部を備えるか、あるいは、細長いスロット１１２の縁部のところで壁１１０に陥凹部を設けることによって、シール部材１２０を真空チャンバの壁１１０に陥凹させる。必要な場合には、フランジ１５２の周りに空気支承体を設けることもできる。
【００３８】
ハウジング１５０として別のシール部材を説明したが、細長いシール部材１２０の他方の側にこの別のシール部材を配置し、選択可能な位置１２５における湾曲部の下で延びるハウジングまたは部材を備えることも可能である。この場合、選択可能な位置１２５で曲げられてできた開口の局所的な位置におけるシール部材１２０およびスロット１１２の縁部に近づけて配置することが必要である。
【００３９】
図３に、どのようにして直線状シール１００を基板テーブルＷＴとともに使用するかを示す。基板テーブルＷＴは、ベース・プレートＢＰ上で２次元的に動くことができる。導管１４０は、直線状シール１００のハウジング１５０と基板テーブルＷＴの間に延びている。基板テーブルＷＴがＹ方向に動くとき、それに対応して、ハウジング１５０とそれに伴う導管端部のＹ方向への動きが生じる。そのＹ方向への動きと同時に、ローラ１３０は、細長いスロット１１２の長手方向に動き、それによって細長いシール部材がスロット１１２から局所的に変位する位置１２５が選択される。基板テーブルＷＴがＸ方向に動くとき、導管１４０は曲がってその動きを吸収する。もちろん、図３では、導管は可撓性として示されているが、そうでないこともあり、導管を剛体として、基板テーブルＷＴのＸ方向への動きは機械的手段によって吸収することもできる。こうした構成の例については、欧州特許出願第１　０５２　５４９−Ａ号を参照されたい。
【００４０】
図３に、細長いシール部材１２０が、各端部１２７の近傍に固定されているところも示す。細長いシール部材１２０はスロット１１２よりも長く、したがって、細長い部材１２０の固定位置１２７間の距離は細長い部材１２０の長さよりも短いことが理解されよう。これにより、細長い部材１２０が選択可能な位置１２５で曲がることができる。
【００４１】
細長いシール部材１２０およびハウジング１５０が真空チャンバＶＣの内側にあるとして説明してきたが、これらの要素の両方あるいはその片方だけでも真空チャンバの外側に位置することも可能である。
【００４２】
例２、３
図４および５に、例２および例３を示す。これらは、１つまたは２つ（あるいはそれ以上）の別のローラ１３１を使用して細長いシール部材１２０を選択可能な位置１２５でスロットから離れるように保持する点を除いて、例１と同じである。これは、スロット１１２と細長いシール部材１２０の間に、細長いシール部材のローラ１３０とは反対側に別のローラ１３１を配置することによって実施される。別のローラ１３１は、細長いシール部材１２０と回転接触する。
【００４３】
例４
図６に示す例４では、細長いシール・バンド２１０を使用して、真空チャンバＶＣを密封する。バンド２１０は、２つのローラ２３０上に支持され、それらによって回転される。ある固定した長さのバンドが常に真空チャンバの内側にあるが、真空チャンバの内側にあるバンドの部分は、バンド２１０の回転によって変わる。バンド２１０の局部間に車２５０を取り付ける。車２５０は、常に真空チャンバＶＣの内側では一方の側（図では上側）にあり、真空チャンバＶＣの外側では他方の側（図では下側）にある。車２５０により、導管２４０が、真空チャンバＶＣの外側から車を通ってチャンバの内側に入ることができる。ローラ２３０とそれに伴うバンド２１０を回転させることによって、車２５０と真空チャンバＶＣ内に導管が入る位置が１自由度で変わる。真空チャンバＶＣの側壁２６０とバンド２１０の間のシール２２０（たとえば、真空シールとすることができる）は、バンド２１０のチャンバの内側部分の周り全体（すなわち、長手方向の両方の縁部に沿い、かつバンドの部分の端部の幅全体で）を密封する。このシステムは、慣性が小さくあまり複雑ではない。
【００４４】
以上、本発明の具体例について説明したが、説明したもの以外の形態でも、本発明を実施できることを理解されたい。以上の説明は、本発明を限定するものではない。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一具体例によるリトグラフ投影装置を示す図である。
【図２】本発明による直線状シールを、内部構成部品を明らかにするためにハウジングを切り取って示す斜視図である。
【図３】本発明によるウエハ・ステージおよび直線状シールを示す平面図である。
【図４】例２に係わる直線状シールの縦断面図である。
【図５】例３に係わる直線状シールの縦断面図である。
【図６】例４に係わる直線状シールの縦断面図である。
【符号の説明】
１００　直線状シール
１１０　壁
１１２　スロット
１２０　シール部材
１２５　選択可能な位置
１２７　端部、固定位置
１３０、１３１、２３０　ローラ
１４０　導管
１５０　ハウジング
１５２　フランジ
２１０　シール・バンド
２２０　シール
２４０　導管
２５０　車
２６０　側壁
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【外国語明細書】
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