(57)【要約】【課題】配線パターンの更なる微細化を図りつつ、導電性バンプの高さにばらつきが生じることを防止することが可能な配線パターンの構造及びバンプの形成方法を提供する。【解決手段】第１の部材１０２及び第２の部材１０３により、曲折した構造の第１のバンプ受けパッドを構成するとともに、当該第１のバンプ受けパッド及び第２のバンプ受けパッドの上面のレジスト膜１３０を同一のほぼ円筒状に除去する。このとき、第１の露出部１０４及び第２の露出部１１４の表面積は同一であるため、当該第１の露出部１０４及び第２の露出部１１４に形成される導電性バンプのばらつきが生じない。【選択図】　　　　図２
2004040056.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
平行して延在する第１及び第２のパターン線と、前記第１のパターン線に接続されるバンプ受けパッドとを有する配線パターンの構造において、
前記バンプ受けパッドは、
前記第１のパターン線に接続し、前記第２のパターン線の側へ曲折して延在する第１の部分と、
前記第１の部分に接続し、前記第２のパターン線の延長線上の位置において該第２のパターン線の側へ曲折し、該第２のパターン線に対して垂直に延在する第２の部分と、
を備えることを特徴とする配線パターンの構造。
【請求項２】
請求項１に記載の配線パターンの構造において、
前記第１のパターン線の延在方向と前記第１の部分の延在方向とのなす角度と、前記第１の部分の延在方向と前記第２の部分の延在方向とのなす角度とが４５°であることを特徴とする配線パターンの構造。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の配線パターンの構造において、
前記第１の部分と前記第２の部分との接続位置に形成される導電性バンプを備えることを特徴とする配線パターンの構造。
【請求項４】
平行して延在する第１及び第２のパターン線と、前記第１のパターン線に接続される第１のバンプ受けパッドと、前記第２のパターン線に接続される第２のバンプ受けパッドとを有する配線パターンの構造において、
前記第１のバンプ受けパッドは、
前記第１のパターン線の中途部に接続し、前記第２のパターン線の側へ曲折して延在する第１の部分と、
前記第１の部分に接続し、前記第１のパターン線と第２のパターン線との間の中央の位置において曲折し、該第１のパターン線に対して平行に延在する第２の部分と、
を備え、
前記第２のバンプ受けパッドは、
前記第２のパターン線の中途部に接続し、前記第１のパターン線の側へ曲折して延在する第３の部分と、
前記第３の部分に接続し、前記第１のパターン線と第２のパターン線との間の中央の位置において曲折し、該第２のパターン線に対して平行に延在する第４の部分と、
を備えることを特徴とする配線パターンの構造。
【請求項５】
請求項４に記載の配線パターンの構造において、
前記第１のパターン線の延在方向と前記第１の部分の延在方向とのなす角度と、前記第１の部分の延在方向と前記第２の部分の延在方向とのなす角度とが４５°であり、前記第２のパターン線の延在方向と前記第３の部分の延在方向とのなす角度と、前記第３の部分の延在方向と前記第４の部分の延在方向とのなす角度とが４５°であることを特徴とする配線パターンの構造。
【請求項６】
請求項４又は５に記載の配線パターンの構造において、
前記第１の部分と前記第２の部分との接続位置に形成される第１の導電性バンプと、
前記第３の部分と前記第４の部分との接続位置に形成される第２の導電性バンプと、
を備えることを特徴とする配線パターンの構造。
【請求項７】
平行して延在する第１及び第２のパターン線を形成する手順と、
前記第１のパターン線に接続され、前記第２のパターン線の側へ曲折して延在する第１の部分と、前記第１の部分に接続し、前記第２のパターン線の延長線上の位置において該第２のパターン線の側へ曲折し、該第２のパターン線に対して垂直に延在する第２の部分とを備えるバンプ受けパッドを形成する手順と、
前記第１及び第２のパターン線と前記バンプ受けパッドの形成面にレジスト膜を形成する手順と、
前記第１の部分と前記第２の部分の接続位置の上面のレジスト膜を、前記第１の部分と前記第２の部分の接続位置を中心としてほぼ円筒状に除去する手順と、露出した前記第１の部分と前記第２の部分の接続位置に導電性バンプを形成する手順と、
を備えることを特徴とするバンプの形成方法。
【請求項８】
請求項７に記載のバンプの形成方法において、
前記第１のパターン線の延在方向と前記第１の部分の延在方向とのなす角度と、前記第１の部分の延在方向と前記第２の部分の延在方向とのなす角度とが４５°であることを特徴とするバンプの形成方法。
【請求項９】
平行して延在する第１及び第２のパターン線を形成する手順と、
前記第１のパターン線の中途部に接続し、前記第２のパターン線の側へ曲折して延在する第１の部分と、前記第１の部分に接続し、前記第１のパターン線と第２のパターン線との間の中央の位置において曲折し、該第１のパターン線に対して平行に延在する第２の部分とを備える第１のバンプ受けパッドを形成する手順と、
前記第２のパターン線の中途部に接続し、前記第１のパターン線の側へ曲折して延在する第３の部分と、前記第３の部分に接続し、前記第１のパターン線と第２のパターン線との間の中央の位置において曲折し、該第２のパターン線に対して平行に延在する第４の部分とを備える第２のバンプ受けパッドを形成する手順と、
前記第１及び第２のパターン線と前記第１及び第２のバンプ受けパッドの形成面にレジスト膜を形成する手順と、
前記第１の部分と前記第２の部分の接続位置の上面のレジスト膜を、前記第１の部分と前記第２の部分の接続位置を中心としてほぼ円筒状に除去する手順と、前記第３の部分と前記第４の部分の接続位置の上面のレジスト膜を、前記第３の部分と前記第４の部分の接続位置を中心としてほぼ円筒状に除去する手順と、露出した前記第１の部分と前記第２の部分の接続位置に導電性バンプを形成する手順と、
露出した前記第３の部分と前記第４の部分の接続位置に導電性バンプを形成する手順と、
を備えることを特徴とするバンプの形成方法。
【請求項１０】
請求項９に記載のバンプの形成方法において、
前記第１のパターン線の延在方向と前記第１の部分の延在方向とのなす角度と、前記第１の部分の延在方向と前記第２の部分の延在方向とのなす角度とが４５°であり、前記第２のパターン線の延在方向と前記第３の部分の延在方向とのなす角度と、前記第３の部分の延在方向と前記第４の部分の延在方向とのなす角度とが４５°であることを特徴とするバンプの形成方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、基材上に形成される配線パターンの構造及び当該配線パターンに導電性バンプを形成するバンプの形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、携帯電話機やノートブック型パーソナルコンピュータに代表されるように、電子機器の小型化、高速化が要求されている。このため、半導体デバイスの高集積化、高速化が必要となり、更には、半導体デバイスを搭載するプリント配線板についても、配線パターンの微細化が必要となっている。
【０００３】
図１は、従来の配線パターンの構造の一例を示す平面図である。同図に示す配線パターンは、第１のパターン線５０１、第１のバンプ受けパッド５０２、第２のパターン線５１１、第２のバンプ受けパッド５１２、第３のパターン線５２１を有する構造である。
【０００４】
第２のパターン線５１１は、直線状に延在する。第２のバンプ受けパッド５１２は、第２のパターン線５１１の先端に接続され、当該第２のパターン線５１１の延在方向と同一の方向に延在する。
【０００５】
第１のパターン線５０１は、第２のパターン線５１１と平行に延在するとともに、端部が第２のパターン線５１１の側に曲折し、第２のパターン線５１１の延在方向の延長線上まで延在する。第１のバンプ受けパッド５０２は、第１のパターン線５０１の先端に接続され、第２のバンプ受けパッド５１２とほぼ同一直線上に延在する。
【０００６】
第３のパターン線５２１は、第１のバンプ受けパッド５０２の延在方向の延長線上に、第１のバンプ受けパッド５０２及び第２のバンプ受けパッド５１２の延在方向に垂直に延在する。
【０００７】
第１のバンプ受けパッド５０２及び第２のバンプ受けパッド５１２には、以下の手順により、半田バンプ等の導電性バンプが形成される。まず、第１のパターン線５０１、第１のバンプ受けパッド５０２、第２のパターン線５１１、第２のバンプ受けパッド５１２、第３のパターン線５２１の形成面にレジスト膜５３０が形成される。
【０００８】
次に、第１のバンプ受けパッド５０２及び第２のバンプ受けパッド５１２の中央部分の上面に形成されているレジスト膜５３０がほぼ円筒状に除去される。これにより、孔５３１が形成されて第１のバンプ受けパッド５０２の一部５０３が露出するとともに、孔５３２が形成されて第２のバンプ受けパッド５１２の一部５１３が露出する。以下、第１のバンプ受けパッド５０２の一部５０３を第１の露出部５０３と称し、第２のバンプ受けパッド５１２の一部５１３を第２の露出部５１３と称する。レジスト膜５３０を除去する際は、孔５３１及び孔５３２の半径を同一にし、第１の露出部５０３及び第２の露出部５１３の表面積が同一となるようにする。
【０００９】
次に、レジスト膜５３０の上面に半田ペースト等の導電性ペースト（図示せず）が塗布される。この導電性ペーストは、レジスト膜５３０に形成された孔５３１及び孔５３２に流入する。その後、孔５３１及び孔５３２に流入した導電性ペーストにより、第１の露出部５０３及び第２の露出部５１３上に導電性バンプ（図示せず）が形成される。上述したように、第１の露出部５０３及び第２の露出部５１３の表面積は同一であるため、これらの上に形成される導電性バンプの高さは、ばらつきが生じない。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述したように、第１のバンプ受けパッド５０２と第２のバンプ受けパッド５１２とが同一直線上に延在する構造では、これら第１のバンプ受けパッド５０２と第２のバンプ受けパッド５１２とが接触しない構造とすると、第１の露出部５０３上及び第２の露出部５１３上に形成される導電性バンプの間隔が広くなる。また、第１のバンプ受けパッド５０２の延在方向と第３のパターン線５２１の延在方向とが垂直であるため、これら第１のバンプ受けパッド５０２と第３のパターン線５２１とが接触しない構造とすると、第１の露出部５０３上に形成される導電性バンプと第３のパターン線５２１の間隔が広くなる。このため、配線パターンの微細化の妨げとなっていた。
【００１１】
このような問題の対策として、第１のバンプ受けパッド５０２を小さくし、これに伴って孔５３１の半径を小さくすることが考えられる。しかし、この方法では、第１の露出部５０３の表面積が第２の露出部５１３の表面積より小さくなる。このため、これら第１の露出部５０３上及び第２の露出部５１３上に形成される導電性バンプの高さにばらつきが生じてしまう。
【００１２】
本発明は、上記問題点を解決するものであり、その目的は、配線パターンの更なる微細化を図りつつ、導電性バンプの高さにばらつきが生じることを防止することが可能な配線パターンの構造及びバンプの形成方法を提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するため、本発明の配線パターンの構造は、請求項１に記載されるように、平行して延在する第１及び第２のパターン線と、前記第１のパターン線に接続されるバンプ受けパッドとを有する配線パターンの構造において、前記バンプ受けパッドは、前記第１のパターン線に接続し、前記第２のパターン線の側へ曲折して延在する第１の部分と、前記第１の部分に接続し、前記第２のパターン線の延長線上の位置において該第２のパターン線の側へ曲折し、該第２のパターン線に対して垂直に延在する第２の部分とを備えることを特徴とする。
【００１４】
また、本発明の配線パターンの構造は、請求項２に記載されるように、請求項１に記載の配線パターンの構造において、前記第１のパターン線の延在方向と前記第１の部分の延在方向とのなす角度と、前記第１の部分の延在方向と前記第２の部分の延在方向とのなす角度とが４５°であることを特徴とする。
【００１５】
また、本発明の配線パターンの構造は、請求項３に記載されるように、請求項１又は２に記載の配線パターンの構造において、前記第１の部分と前記第２の部分との接続位置に形成される導電性バンプを備えることを特徴とする。
【００１６】
また、本発明の配線パターンの構造は、請求項４に記載されるように、平行して延在する第１及び第２のパターン線と、前記第１のパターン線に接続される第１のバンプ受けパッドと、前記第２のパターン線に接続される第２のバンプ受けパッドとを有する配線パターンの構造において、前記第１のバンプ受けパッドは、前記第１のパターン線の中途部に接続し、前記第２のパターン線の側へ曲折して延在する第１の部分と、前記第１の部分に接続し、前記第１のパターン線と第２のパターン線との間の中央の位置において曲折し、該第１のパターン線に対して平行に延在する第２の部分とを備え、前記第２のバンプ受けパッドは、前記第２のパターン線の中途部に接続し、前記第１のパターン線の側へ曲折して延在する第３の部分と、前記第３の部分に接続し、前記第１のパターン線と第２のパターン線との間の中央の位置において曲折し、該第２のパターン線に対して平行に延在する第４の部分とを備えることを特徴とする。
【００１７】
また、本発明の配線パターンの構造は、請求項５に記載されるように、請求項４に記載の配線パターンの構造において、前記第１のパターン線の延在方向と前記第１の部分の延在方向とのなす角度と、前記第１の部分の延在方向と前記第２の部分の延在方向とのなす角度とが４５°であり、前記第２のパターン線の延在方向と前記第３の部分の延在方向とのなす角度と、前記第３の部分の延在方向と前記第４の部分の延在方向とのなす角度とが４５°であることを特徴とする。
【００１８】
また、本発明の配線パターンの構造は、請求項６に記載されるように、請求項４又は５に記載の配線パターンの構造において、前記第１の部分と前記第２の部分との接続位置に形成される第１の導電性バンプと、前記第３の部分と前記第４の部分との接続位置に形成される第２の導電性バンプとを備えることを特徴とする。
【００１９】
また、本発明のバンプの形成方法は、請求項７に記載されるように、平行して延在する第１及び第２のパターン線を形成する手順と、前記第１のパターン線に接続され、前記第２のパターン線の側へ曲折して延在する第１の部分と、前記第１の部分に接続し、前記第２のパターン線の延長線上の位置において該第２のパターン線の側へ曲折し、該第２のパターン線に対して垂直に延在する第２の部分とを備えるバンプ受けパッドを形成する手順と、前記第１及び第２のパターン線と前記バンプ受けパッドの形成面にレジスト膜を形成する手順と、前記第１の部分と前記第２の部分の接続位置の上面のレジスト膜を、前記第１の部分と前記第２の部分の接続位置を中心としてほぼ円筒状に除去する手順と、露出した前記第１の部分と前記第２の部分の接続位置に導電性バンプを形成する手順とを備えることを特徴とする。
【００２０】
また、本発明のバンプの形成方法は、請求項８に記載されるように、請求項７に記載のバンプの形成方法において、前記第１のパターン線の延在方向と前記第１の部分の延在方向とのなす角度と、前記第１の部分の延在方向と前記第２の部分の延在方向とのなす角度とが４５°であることを特徴とする。
【００２１】
また、本発明のバンプの形成方法は、請求項９に記載されるように、平行して延在する第１及び第２のパターン線を形成する手順と、前記第１のパターン線の中途部に接続し、前記第２のパターン線の側へ曲折して延在する第１の部分と、前記第１の部分に接続し、前記第１のパターン線と第２のパターン線との間の中央の位置において曲折し、該第１のパターン線に対して平行に延在する第２の部分とを備える第１のバンプ受けパッドを形成する手順と、前記第２のパターン線の中途部に接続し、前記第１のパターン線の側へ曲折して延在する第３の部分と、前記第３の部分に接続し、前記第１のパターン線と第２のパターン線との間の中央の位置において曲折し、該第２のパターン線に対して平行に延在する第４の部分とを備える第２のバンプ受けパッドを形成する手順と、前記第１及び第２のパターン線と前記第１及び第２のバンプ受けパッドの形成面にレジスト膜を形成する手順と、前記第１の部分と前記第２の部分の接続位置の上面のレジスト膜を、前記第１の部分と前記第２の部分の接続位置を中心としてほぼ円筒状に除去する手順と、前記第３の部分と前記第４の部分の接続位置の上面のレジスト膜を、前記第３の部分と前記第４の部分の接続位置を中心としてほぼ円筒状に除去する手順と、露出した前記第１の部分と前記第２の部分の接続位置に導電性バンプを形成する手順と、露出した前記第３の部分と前記第４の部分の接続位置に導電性バンプを形成する手順とを備えることを特徴とする。
【００２２】
また、本発明のバンプの形成方法は、請求項１０に記載されるように、請求項９に記載のバンプの形成方法において、前記第１のパターン線の延在方向と前記第１の部分の延在方向とのなす角度と、前記第１の部分の延在方向と前記第２の部分の延在方向とのなす角度とが４５°であり、前記第２のパターン線の延在方向と前記第３の部分の延在方向とのなす角度と、前記第３の部分の延在方向と前記第４の部分の延在方向とのなす角度とが４５°であることを特徴とする。
【００２３】
本発明によれば、曲折した構造のバンプ受けパッドを用いることにより、従来より導電性バンプ同士の間隔や導電性バンプとパターン線との間隔を狭めた場合でも、バンプ受けパッド同士の接触や導電性パッドとパターン線との接触を避けることができ、配線パターンの更なる微細化が可能となる。また、パターン線及びバンプ受けパッドの形成面にレジスト膜を形成するとともに、各バンプ受けパッドの上面のレジスト膜を同一のほぼ円筒状に除去した場合に、各バンプ受けパッドの露出面の面積を同一にすることができる。このため、バンプ受けパッド上に形成される導電性バンプの高さがばらつくことを防止することができる。
【００２４】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態として、第１及び第２実施例を図面に基づいて説明する。
【００２５】
まず、第１実施例について説明する。図２は、第１実施例における配線パターンの構造の一例を示す平面図である。一方、図３は、図２におけるＡ−Ｂ線の断面図である。これら図２及び図３に示す配線パターンは、第１のパターン線１０１、第１の部材（第１のパッド部）１０２及び第２の部材（第２のパッド部）１０３によって構成される第１のバンプ受けパッド、第２のパターン線１１１、第２のバンプ受けパッド１１２、第３のパターン線１２１を有する構造である。
【００２６】
これら第１のパターン線１０１、第１の部材１０２及び第２の部材１０３によって構成される第１のバンプ受けパッド、第２のパターン線１１１、第２のバンプ受けパッド１１２、第３のパターン線１２１は、基材１４０の上面に形成される。形成方法としてはサブトラクティブ法、セミアディティブ法、フルアディティブ法等が採用される。サブトラクティブ法は、基材上に感光性エッチングレジスト膜あるいは金属レジスト膜を形成し、エッチング法により、配線パターン以外の部分の導体を除去する方法である。セミアディティブ法は、基材上に無電解銅メッキを施した後、メッキレジストにより配線パターンを形成する部位を露出させ、露出した無電解銅メッキ膜を電極とし、配線パターンを形成する部分のみに電解メッキを成長させる方法である。フルアディティブ法は、メッキレジストを露光現像することにより、配線パターンを形成する部分のみを開口し、開口した部分のみに無電解メッキを成長させる方法である。
【００２７】
第２のパターン線１１１は、直線状に延在する。第２のバンプ受けパッド１１２は、第２のパターン線１１１の先端に接続され、当該第２のパターン線１１１の延在方向と同一の方向に延在する。この第２のバンプ受けパッド１１２は、例えば長手方向が１７５μｍ、幅が５０±１０μｍである。
【００２８】
第１のパターン線１０１は、第２のパターン線１１１と平行に延在する。第１のパターン線１０１と第２のパターン線１０２の間隔は、例えば５５μｍである。第１のバンプ受けパッドを構成する第１の部材１０２は、第１のパターン線１０１の先端に接続され、第２のパターン線１１１の側へ曲折し、第１のパターン線１０１の延在方向と４５°の角度をなす方向に延在する。第１のバンプ受けパッドを構成する第２の部材１０３は、第１の部材１０２の先端に接続され、第２のパターン線１１１の側へ曲折し、第１の部材１０２の延在方向と４５°の角度をなす方向に延在する。従って、第２の部材１０２は、第２のパターン線１１１の延在方向に対して垂直に延在する。これら第１の部材１０２及び第２の部材１０３は、例えば幅が第２のバンプ受けパッド１１２と同様、５０±１０μｍである。また、第２の部材１０３と第３のパターン線１２１との間隔は、例えば３０μｍである。
【００２９】
基材１４０における、第１のパターン線１０１、第１の部材１０２及び第２の部材１０３によって構成される第１のバンプ受けパッド、第２のパターン線１１１、第２のバンプ受けパッド１１２、第３のパターン線１２１が形成された面には、レジスト膜１３０が形成される。
【００３０】
その後、このレジスト膜１３０を露光現像することにより、第１の部材１０２と第２の部材１０３の接続位置の上面のレジスト膜１３０が当該第１の部材１０２と第２の部材１０３の接続位置を中心としてほぼ円筒状に除去される。これにより、孔１３１が形成され、第１のバンプ受けパッドの一部１０４が露出する。
同様に、レジスト膜１３０を露光現像することにより、第２のバンプ受けパッド１１２の上面のレジスト膜１３０がほぼ円筒状に除去される。これにより、孔１３２が形成され、第２のバンプ受けパッドの一部１１４が露出する。以下、第１のバンプ受けパッドの一部１０４を第１の露出部１０４と称し、第２のバンプ受けパッド１１２の一部１１４を第２の露出部１１４と称する。なお、レジスト膜１３０を除去する際は、孔１３１及び孔１３２の半径を同一にする。孔１３１及び孔１３２の半径は、例えば下部が１０５μｍ、上部が１１５±１２μｍであり、孔１３１の中心と孔１３２の中心との距離は、１９０μｍである。このとき、第１の露出部１０４及び第２の露出部１１４の表面積は同一になる。
【００３１】
また、第１のバンプ受けパッドの先端部分及び第２のバンプ受けパッド１１２の先端部分を露出させないのは、これら先端部分をレジスト膜１３０で押圧することにより、第１のバンプ受けパッド及び第２のバンプ受けパッド１１２が上方に跳ね上がることを防止するためである。
【００３２】
次に、レジスト膜１３０の上面に半田ペースト等の導電性ペースト（図示せず）が塗布される。この導電性ペーストは、レジスト膜１３０に形成された孔１３１及び孔１３２に流入する。その後、レジスト膜１３０を剥離することにより、孔１３１及び孔１３２に流入した導電性ペーストによって、図４に示すように、第１の露出部１０４上に導電性バンプ１５１が形成され、第２の露出部１１４上に導電性バンプ１５２が形成される。または、第１の露出部１０４及び第２の露出部に導電性ボールを搭載した後、当該導電性ボールをリフローすることにより、第１の露出部１０４上に導電性バンプ１５１が形成され、第２の露出部１１４上に導電性バンプ１５２が形成される。
【００３３】
このように、第１の部材１０２及び第２の部材１０３により、曲折した構造の第１のバンプ受けパッドを構成することにより、導電性バンプ１５１と導電性バンプ１５２の間隔や導電性バンプ１５１と第３のパターン線１２１との間隔を狭めた場合でも、バンプ受けパッド同士の接触やバンプ受けパッドとパターン線との接触を避けることができ、配線パターンの更なる微細化が可能となる。また、曲折した構造の第１のバンプ受けパッドを用い、第１及び第２のバンプ受けパッドの上面のレジスト膜１３０を同一のほぼ円筒状に除去した場合であっても、第１の露出部１０４及び第２の露出部１１４の表面積は同一である。このため、導電性バンプ１５１及び導電性バンプ１５２の高さにばらつきが生じることはない。
【００３４】
特に、第１のバンプ受けパッドを構成する第１の部材１０２を第１のパターン線１０１の延在方向と４５°の角度をなす方向に延在させるとともに、第２の部材１０３を第１の部材１０２の延在方向と４５°の角度をなす方向に延在させることにより、第１のパターン線１０１の延在方向と、当該延在方向と垂直の方向の双方について、最適な微細化を図ることができる。
【００３５】
次に、第２実施例について説明する。図５は、第２実施例における配線パターンの構造の一例を示す平面図である。一方、図６は、図５におけるＡ−Ｂ線の断面図である。これら図５及び図６に示す配線パターンは、第１のパターン線２０１、第１の部材（第１のパッド部）２０３及び第２の部材（第２のパッド部）２０４によって構成される第１のバンプ受けパッド、第２のパターン線２０２、第３の部材（第３のパッド部）２０６及び第４の部材（第４のパッド部）２０７によって構成される第２のバンプ受けパッドを有する構造である。
【００３６】
これら第１のパターン線２０１、第１の部材２０３及び第２の部材２０４によって構成される第１のバンプ受けパッド、第２のパターン線２０２、第３の部材２０６及び第２の部材２０７によって構成される第２のバンプ受けパッドは、基材２４０の上面に形成される。形成方法としては第１実施例と同様、サブトラクティブ法、セミアディティブ法、フルアディティブ法等が採用される。
【００３７】
第１のパターン線２０１及び第２のパターン線２０２は、直線状に平行に延在する。第１のバンプ受けパッドを構成する第１の部材２０３は、第１のパターン線２０１の中途部に接続され、第２のパターン線２０２の側へ曲折し、第１のパターン線２０１の延在方向と４５°の角度をなす方向に延在する。第１のバンプ受けパッドを構成する第２の部材２０４は、第１の部材２０３の先端に接続され、第１のパターン線２０１と第２のパターン線２０２との間の中央の位置において曲折し、第１の部材２０３の延在方向と４５°の角度をなす方向に延在する。
従って、第２の部材２０４は、第１のパターン線２０１の延在方向に対して平行に延在する。
【００３８】
同様に、第２のバンプ受けパッドを構成する第３の部材２０６は、第２のパターン線２０２の中途部に接続され、第１のパターン線２０１の側へ曲折し、第２のパターン線２０２の延在方向と４５°の角度をなす方向に延在する。第２のバンプ受けパッドを構成する第４の部材２０７は、第３の部材２０６の先端に接続され、第１のパターン線２０１と第２のパターン線２０２との間の中央の位置において曲折し、第３の部材２０６の延在方向と４５°の角度をなす方向に延在する。従って、第４の部材２０７は、第２のパターン線２０２の延在方向に対して平行に延在する。
【００３９】
第１の部材２０３、第２の部材２０４、第３の部材２０６及び第４の部材２０７は、例えば幅が５０±１０μｍである。
【００４０】
基材２４０における、第１のパターン線２０１、第１の部材２０３及び第２の部材２０４によって構成される第１のバンプ受けパッド、第２のパターン線２０２、第３の部材２０６及び第２の部材２０７によって構成される第２のバンプ受けパッドが形成された面には、レジスト膜２３０が形成される。
【００４１】
その後、このレジスト膜２３０を露光現像することにより、第１の部材２０３と第２の部材２０４の接続位置の上面のレジスト膜２３０が当該第１の部材２０３と第２の部材２０４の接続位置を中心としてほぼ円筒状に除去される。これにより、孔２３１が形成され、第１のバンプ受けパッドの一部２０５が露出する。
同様に、レジスト膜２３０を露光現像することにより、第２のバンプ受けパッドの上面のレジスト膜２３０がほぼ円筒状に除去される。これにより、孔２３２が形成され、第２のバンプ受けパッドの一部２０８が露出する。以下、第１のバンプ受けパッドの一部２０５を第１の露出部２０５と称し、第２のバンプ受けパッドの一部２０８を第２の露出部２０８と称する。なお、レジスト膜２３０を除去する際は、第１実施例と同様、孔２３１及び孔２３２の半径を同一にする。孔２３１及び孔２３２の半径は、例えば下部が１０５μｍ、上部が１１５±１２μｍであり、孔２３１の中心と孔２３２の中心との距離は、１９０μｍである。このとき、第１の露出部２０５及び第２の露出部２０８の表面積は同一になる。
【００４２】
次に、レジスト膜２３０の上面に半田ペースト等の導電性ペースト（図示せず）が塗布される。この導電性ペーストは、レジスト膜２３０に形成された孔２３１及び孔２３２に流入する。その後、レジスト膜２３０を剥離することにより、孔２３１及び孔２３２に流入した導電性ペーストにより、図７に示すように、第１の露出部２０５上に導電性バンプ２５１が形成され、第２の露出部２０８上に導電性バンプ２５２が形成される。
【００４３】
このように、第１の部材２０３及び第２の部材２０４により、曲折した構造の第１のバンプ受けパッドを構成し、第３の部材２０６及び第４の部材２０７により、曲折した構造の第２のバンプ受けパッドを構成することにより、導電性バンプ２５１と導電性バンプ２５２との間隔や、第１のパターン線２０１と第２のパターン線２０２との間隔を狭めた場合でも、バンプ受けパッド同士の接触やバンプ受けパッドとパターン線との接触を避けることができ、配線パターンの更なる微細化が可能となる。また、曲折した構造の第１及び第２のバンプ受けパッドを用い、これら第１及び第２のバンプ受けパッドの上面のレジスト膜２３０を同一のほぼ円筒状に除去した場合であっても、第１の露出部２０５及び第２の露出部２０８の表面積は同一である。このため、導電性バンプ２５１及び導電性バンプ２５２の高さにばらつきが生じることはない。
【００４４】
特に、第１のバンプ受けパッドを構成する第１の部材２０３を第１のパターン線２０１の延在方向と４５°の角度をなす方向に延在させるとともに、第２の部材２０４を第１の部材２０３の延在方向と４５°の角度をなす方向に延在させること、及び、第２のバンプ受けパッドを構成する第３の部材２０６を第２のパターン線２０２の延在方向と４５°の角度をなす方向に延在させるとともに、第４の部材２０７を第１の部材２０６の延在方向と４５°の角度をなす方向に延在させることにより、第１のパターン線２０１及び第２のパターン線２０２の延在方向と、当該延在方向と垂直の方向の双方について、最適な微細化を図ることができる。
【００４５】
【発明の効果】
上述の如く、本発明によれば、曲折した構造のバンプ受けパッドを用いることにより、従来より導電性バンプ同士の間隔や導電性バンプとパターン線との間隔を狭めた場合でも、バンプ受けパッド同士の接触や導電性パッドとパターン線との接触を避けることができ、配線パターンの更なる微細化が可能となる。また、パターン線及びバンプ受けパッドの形成面にレジスト膜を形成するとともに、各バンプ受けパッドの上面のレジスト膜を同一のほぼ円筒状に除去した場合に、各バンプ受けパッドの露出面の面積を同一にすることができる。このため、バンプ受けパッド上に形成される導電性バンプの高さがばらつくことを防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来の従来の配線パターンの構造の一例を示す平面図である。
【図２】第１実施例における配線パターンの構造の一例を示す平面図である。
【図３】第１実施例における配線パターンの構造の一例を示す断面図である。
【図４】第１実施例における導電性バンプ形成後の配線パターンの構造の一例を示す断面図である。
【図５】第２実施例における配線パターンの構造の一例を示す平面図である。
【図６】第２実施例における配線パターンの構造の一例を示す断面図である。
【図７】第２実施例における導電性バンプ形成後の配線パターンの構造の一例を示す断面図である。
【符号の説明】
１０１、２０１　第１のパターン線
１０２、２０３　第１の部材
１０３、２０４　第２の部材
１０４、２０５　第１の露出面
１１１、２０２　第２のパターン線
１１２　第２のバンプ受けパッド
１１４、２０８　第２の露出面
１２１　第３のパターン線
１３０、２３０　レジスト膜
１３１、１３２、２３１、２３２　孔
１４０、２４０　基材
１５１、１５２、２５１、２５２　導電性バンプ
２０６　第３の部材
２０７　第４の部材
【図１】
2004040056.tif 000003
【図２】
2004040056.tif 000004
【図３】
2004040056.tif 000005
【図４】
2004040056.tif 000006
【図５】
2004040056.tif 000007
【図６】
2004040056.tif 000008
【図７】
2004040056.tif 000009