(57)【要約】【課題】レーザー照射による短絡配線の切断時の生産性が高く、配線の高密度化、回路の高集積化が容易なアクティブマトリクス基板の製造方法を提供する。【解決手段】本発明のアクティブマトリクス基板の製造方法は、レーザー加工装置から射出されるレーザー光を基板上で走査させながら照射することにより、短絡した複数の信号線から短絡配線を電気的に切断する工程を備えている。そして、前記切断工程においては、アライメントマーク１５等の所定のパターンを基準としてレーザー光の照射位置を制御し、レーザー光を局所的に照射することにより所望の短絡配線１１，１２のみを電気的に切断する。【選択図】        図５
2004205754.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の信号線が設けられ、前記複数の信号線同士を短絡させる短絡配線を有するアクティブマトリクス基板の製造方法であって、
レーザー加工装置から射出されるレーザー光を基板上で走査させながら照射することにより、短絡した複数の信号線から前記短絡配線を電気的に切断する工程を備え、前記切断工程においては、所定のパターンを基準として前記基板上でのレーザー光の照射位置を制御し、前記基板上で前記レーザー光を局所的に照射することにより所望の短絡配線を電気的に切断することを特徴とするアクティブマトリクス基板の製造方法。
【請求項２】
前記所定のパターンとして前記基板上に形成されたマークを用い、前記レーザー加工装置では前記マークの位置を基準とした相対位置に基づいて前記レーザー光の照射位置を制御することを特徴とする請求項１に記載のアクティブマトリクス基板の製造方法。
【請求項３】
前記所定のパターンとして前記短絡配線が形成された近傍の配線パターンを用い、前記レーザー加工装置では前記配線パターンの画像認識に基づいて前記レーザー光の照射位置を制御することを特徴とする請求項１に記載のアクティブマトリクス基板の製造方法。
【請求項４】
前記基板上の前記レーザー光を照射しない位置で走査させる際に、前記レーザー加工装置において前記レーザー光の射出を停止することを特徴とする請求項１ないし３のいずれか一項に記載のアクティブマトリクス基板の製造方法。
【請求項５】
前記基板上の前記レーザー光を照射しない位置で走査させる際に、前記レーザー加工装置において前記レーザー光の照射位置を前記基板上以外の位置に移動させることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか一項に記載のアクティブマトリクス基板の製造方法。
【請求項６】
複数のアクティブマトリクス基板を有し、前記複数のアクティブマトリクス基板における各短絡配線が略直線状に配置されたマザー基板を用い、前記マザー基板上で前記レーザー光を直線状に走査させながら照射することにより前記複数のアクティブマトリクス基板における各短絡配線を一括して電気的に切断することを特徴とする請求項１ないし５のいずれか一項に記載のアクティブマトリクス基板の製造方法。
【請求項７】
請求項１ないし６のいずれか一項に記載のアクティブマトリクス基板の製造方法を用いて製造されたことを特徴とするアクティブマトリクス基板。
【請求項８】
複数の信号線が設けられ、前記複数の信号線同士を短絡させる短絡配線を有するアクティブマトリクス基板を備えた電気光学装置の製造方法であって、
請求項１ないし６のいずれか一項に記載のアクティブマトリクス基板の製造方法を用いてアクティブマトリクス基板を製造する工程を含むことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項９】
請求項７に記載のアクティブマトリクス基板を備えたことを特徴とする電気光学装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、アクティブマトリクス基板の製造方法およびアクティブマトリクス基板、電気光学装置の製造方法および電気光学装置に関し、特に静電破壊防止用短絡配線の切断方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
例えば液晶表示装置等の電気光学装置の分野では、薄膜ダイオード（Thin Film Diode,以下、ＴＦＤと略記する）素子等のスイッチング素子を画素毎に備えたアクティブマトリクス方式のものが知られている。ＴＦＤ素子を用いたアクティブマトリクス型液晶表示装置の場合、液晶を挟持する２枚の基板のうち、一方の基板（アクティブマトリクス基板）に複数のデータ線がストライプ状に形成され、データ線に沿ってＴＦＤ素子や画素電極が形成される一方、他方の基板（対向基板）に複数の走査線がストライプ状に形成されている。
【０００３】
このような液晶表示装置の製造プロセスにおいて、工程中に発生する静電気によって基板上に形成されたＴＦＤ素子や絶縁膜などが破壊され、不良が発生することがある。そこで、従来から、この種の不良を防止するために、例えばデータ線同士を短絡する短絡配線を設け、静電気が発生した際にデータ線にたまった電荷を短絡配線を通じて分散させ、静電気によるＴＦＤ素子や絶縁膜の破壊を防止する技術が提案されている。静電破壊防止用の短絡配線は製造工程中は必要であっても、製品完成後は不要になるばかりか、短絡配線があると各データ線を駆動できないため、短絡したデータ線から短絡配線を電気的に切断する必要がある。短絡配線を切断する方法としては、例えばレーザー光照射による方法が採用される（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
【特許文献１】
特開平８−３１３９２１号公報
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
上記のように、レーザー光照射により短絡配線を切断する場合、切断、穴開け、エッチング等の表面加工に用いられるレーザー加工装置が用いられる。通常、レーザー加工装置においては、レーザー光を射出させたまま被加工物に対して直線的に走査させるのが最も加工速度が速くなる。したがって、レーザー加工装置を用いて短絡配線を切断する際にもレーザー光を直線的に走査させ、短絡配線を切断するのが最もタクトタイムが短く、生産性の高い方法である。ところが、レーザー光を直線的に走査させるエリア内に、製品として必要な配線や素子、あるいは後の組立工程等で必要なアライメントマーク等のマーク類が存在することは充分あり得ることであり、これらをレーザー光で破壊しないために何らかの方法でレーザー光を局所的に遮断する必要がある。この遮光方法としては、手作業によって遮光用のテープや蓋等を基板上に設置してマスキングを行う方法がある。しかしながら、この人手によるマスキング作業には膨大な作業時間や手間がかかり、生産性を著しく阻害するものであった。また、この方法ではマスキング位置の精度が悪いために、切断すべき短絡配線が完全に切断できなかったり、その逆に必要な配線や素子を誤って破壊してしまう等の問題もあった。
【０００６】
そこで、アクティブマトリクス基板の設計段階から、レーザー光を走査させるエリア内には、切断してはいけない各種配線や素子、あるいはマーク類を配置しないように配慮しなければならない。すなわち、上記配線や素子、マーク類をレーザー光の走査エリアを避けて配置しなければならず、その結果、設計の自由度が低下するのと同時に、配線の高密度化、回路の高集積化に限界が生じるという問題が生じた。例えばこの種のアクティブマトリクス基板を用いた液晶表示装置においては、表示領域外の非表示領域、いわゆる額縁領域を狭くすることが困難になり、携帯機器等への応用に欠かせない狭額縁化が図れない、という問題につながることになる。
【０００７】
本発明は、上記の課題を解決するためになされたものであって、レーザー照射による短絡配線の切断時の生産性が高く、しかも配線の高密度化、回路の高集積化が容易なアクティブマトリクス基板の製造方法およびアクティブマトリクス基板、並びに電気光学装置の製造方法および電気光学装置を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために、本発明のアクティブマトリクス基板の製造方法は、複数の信号線が設けられ、前記複数の信号線同士を短絡させる短絡配線を有するアクティブマトリクス基板の製造方法であって、レーザー加工装置から射出されるレーザー光を基板上で走査させながら照射することにより、短絡した複数の信号線から前記短絡配線を電気的に切断する工程を備え、前記切断工程においては、所定のパターンを基準として前記基板上でのレーザー光の照射位置を制御し、前記基板上で前記レーザー光を局所的に照射することにより所望の短絡配線を電気的に切断することを特徴とする。
【０００９】
従来の切断方法では、レーザー光を射出させたまま直線的に走査させるので、レーザー光の走査エリア内に切断してはいけない配線、素子等が存在する場合は膨大な手間がかかるマスキング作業を行わなければならない。もしくは、マスキング作業を行わずに済むように、始めからレーザー光の走査エリアを避けて配線や素子等を配置しなければならない。すなわち、従来の方法では、レーザー照射による短絡配線切断時の生産性の向上と、配線の高密度化、回路の高集積化の双方の要求を満足することはできなかった。これに対して、本発明のアクティブマトリクス基板の製造方法によれば、短絡配線の切断工程において、基板上の所定のパターンを基準としてレーザー光の照射位置を制御し、基板上でレーザー光を局所的に照射することで所望の短絡配線のみを切断することができる。したがって、従来のマスキング作業が不要になるとともに、レーザー光の走査エリア内に配線、素子等を配置することができる。その結果、本発明の方法によれば、レーザー照射による短絡配線切断時の生産性の向上と、配線の高密度化、回路の高集積化の双方を満足することができる。
【００１０】
レーザー光の照射位置を制御する具体的な方法としては、以下の２つの方法が考えられる。
第１の方法は、前記所定のパターンとして基板上に形成されたマークを用い、レーザー加工装置においてマークの位置を基準とした相対位置に基づいてレーザー光の照射位置を制御する方法である。この場合、「マーク」としては、フォトリソグラフィー工程で用いるアライメントマーク、マザー基板から個々の基板を切り出す基板ブレイク工程で用いるガイドマーク、駆動用ドライバーＩＣ等を搭載したフレキシブルプリント配線板（Flexible Printed Circuit, 以下、ＦＰＣと略記する）を接合する際のアライメントマークなどを用いることができる。
この方法によれば、基板上に通常形成される上記のマークを利用してレーザー光の照射位置を高精度に制御することができ、所望の短絡配線のみを確実に切断することができる。
【００１１】
第２の方法は、前記所定のパターンとして短絡配線が形成された近傍の配線パターンを用い、レーザー加工装置において配線パターンの画像認識に基づいてレーザー光の照射位置を制御する方法である。
この方法においては、切断すべき位置（配線パターン）をレーザー加工装置に予め記憶させておき、これらから走査しようとするエリア内にある配線パターンの画像認識を行って切断すべき配線パターンと比較する。そして、その配線パターンが切断すべき配線パターンであるか否かを判断し、レーザー加工装置自身がレーザー光の照射位置を自動的に制御する。この方法によれば、上記のマークを用いることなく（つまり、マークの制約を受けることなく）、所望の短絡配線のみを確実に切断することができる。
【００１２】
また、基板上の所望の位置にのみレーザー光を照射する方法として、基板上のレーザー光を照射しない位置で走査させる際には、レーザー加工装置においてレーザー光の射出を停止してもよいし、レーザー光の照射位置を基板上以外の位置に移動させてもよい。すなわち、レーザー光の射出自体をＯＮ／ＯＦＦ制御してもよいし、レーザー光をＯＮしたままの状態でレーザー光を照射したくない位置では基板から外れた位置にレーザー光を飛ばすような制御を行ってもよい。
【００１３】
また、複数のアクティブマトリクス基板を有し、複数のアクティブマトリクス基板における各短絡配線が直線状に配置されたマザー基板を用いた場合、マザー基板上でレーザー光を直線状に走査させながら照射することにより複数のアクティブマトリクス基板における各短絡配線を一括して電気的に切断するようにしてもよい。
１枚のマザー基板上に複数のアクティブマトリクス基板を一括して形成する、いわゆる「多面取り」と呼ばれる製造方法を用いることがよくある。その場合、複数のアクティブマトリクス基板における各短絡配線を略直線状に配置する設計とし、マザー基板上でレーザー光を直線状に走査させながら照射することにより複数の短絡配線を一括して切断すると、極めて生産効率の高い方法とすることができる。
【００１４】
本発明のアクティブマトリクス基板は、上記本発明のアクティブマトリクス基板の製造方法を用いて製造されたことを特徴とする。
この構成によれば、配線の高密度化、回路の高集積化が図れ、生産性が高いとともに、製造プロセス中の静電気の発生に強いアクティブマトリクス基板を提供することができる。
【００１５】
本発明の電気光学装置の製造方法は、複数の信号線が設けられ、前記複数の信号線同士を短絡させる短絡配線を有するアクティブマトリクス基板を備えた電気光学装置の製造方法であって、上記本発明のアクティブマトリクス基板の製造方法を用いてアクティブマトリクス基板を製造する工程を含むことを特徴とする。
この構成によれば、上記本発明のアクティブマトリクス基板の製造方法を用いたことによって、レーザー照射による短絡配線切断時の生産性の向上と、配線の高密度化、回路の高集積化の双方を満足することができる。
【００１６】
本発明の電気光学装置は、上記本発明のアクティブマトリクス基板を備えたことを特徴とする。
この構成によれば、配線の高密度化、回路の高集積化が図れ、生産性が高いとともに、製造プロセス中の静電気の発生に強い電気光学装置を提供することができる。
【００１７】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の一実施の形態を図１〜図７を参照して説明する。
本実施の形態では、スイッチング素子としてＴＦＤ素子を用いたアクティブマトリクス方式の液晶表示装置を例にあげて説明する。図１は、この液晶表示装置の電気的な構成を示すブロック図である。
【００１８】
図１に示されるように、液晶表示装置１００には、複数本（ｍ本）の配線としての走査線（コモン配線）２１４が行方向（Ｘ方向）に延在して形成される一方、複数本（３ｎ本）のデータ線（セグメント配線）３１４が列方向（Ｙ方向）に延在して形成されるとともに、走査線２１４とデータ線３１４との各交差に対応して画素１１０が形成されている。この画素１１０は、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）のいずれかの一色に対応するものであり、Ｘ方向に相隣接するＲ、Ｇ、Ｂの３つの画素１１０によって１つのドット１２０が構成されている。
ここで、画素１１０は、液晶容量１６２と、二端子型スイッチング素子の一例であるＴＦＤ３２０との直列接続で構成されている。このうち、液晶容量１６２は、後述するように、対向電極として機能する走査線２１４と画素電極との間に、電気光学物質の一例たる液晶を挟持した構成となっている。また、ＴＦＤ３２０は、本実施の形態では、一端がデータ線３１４に接続される一方、他端が画素電極に接続され、走査線２１４とデータ線３１４との電位差に従ってＯＮ／ＯＦＦ制御される。
【００１９】
図１において、Ｙドライバ２５１、２５３は、一般に走査線駆動回路と呼ばれるものである。このうち、図中左側のＹドライバ２５１は、図１において上から数えて奇数（１、３、５、…、ｍ−１）本目の走査線２１４の駆動を担当し、図中右側のＹドライバ２５３は、偶数（２、４、６、…、ｍ）本目の走査線２１４の駆動を担当している。すなわち、Ｙドライバ２５１、２５３によって、１行目、２行目、３行目、…、ｍ行目の走査線２１４が１垂直走査期間において順次排他的に１本ずつ選択されるとともに、選択された走査線２１４には、選択電圧の走査線信号が供給される一方、他の非選択の走査線２１４には、非選択電圧の走査信号が供給される構成となっている。
一方、Ｘドライバ３５０は、一般にデータ線駆動回路と呼ばれ、Ｙドライバ２５１、２５３のいずれかにより選択された走査線２１４に位置する３ｎ個の画素１１０に対し、表示内容に応じたデータ信号Ｘ１Ｂ、Ｘ１Ｇ、Ｘ１Ｒ、Ｘ２Ｂ、Ｘ２Ｇ、Ｘ２Ｒ、・・・、ＸｎＢ、ＸｎＧ、ＸｎＲを、それぞれ対向するデータ線３１４を介して供給するものである。
【００２０】
次に、液晶表示装置１００の構造について説明する。
図２は、液晶表示装置１００の外観構成を示す斜視図である。なお、この図では、液晶表示装置１００における配線レイアウトを分かりやすくするために、観察者に視認される観察側を図において裏側として示す一方、観察者が通常視認することのない背面側を図において表側にしている。また、図３は、この液晶表示装置１００を図２におけるＸ方向に沿って破断した場合の構成について、観察側を上側として示す部分断面図である。
【００２１】
図２および図３に示されるように、液晶表示装置１００は、視認側に位置し、素子や配線などが配置されたアクティブマトリクス基板３００と、その背面側に位置し、視認側のアクティブマトリクス基板３００よりも一回り小さい対向基板２００とが、スペーサを兼ねる導電性粒子１１４が分散されたシール材１１１によって、一定の間隙を保って貼り合わされている。そして、この間隙に例えばＴＮ（Twisted Nematic）型の液晶１６０が封入された構成となっている。ここで、シール材１１１は、対向基板２００の内周縁に沿って形成されるが、液晶１６０を封入するためにその一部が開口している。このため、液晶１６０の封入後に、その開口部分が封止材１１２によって封止されている。
【００２２】
対向基板２００の内面には、ｍ本の走査線２１４がＸ方向に延在して形成されている。一方、アクティブマトリクス基板３００の内面には、３ｎ本のデータ線３１４がＹ方向に延在して形成されている。対向基板２００に形成された走査線２１４のうち、上から数えて奇数行目の走査線２１４は、シール材１１１の形成領域のうち、図２において左側まで延設される一方、偶数行目の走査線２１４は、シール材１１１の形成領域のうち、図において右側まで延設されている。また、アクティブマトリクス基板３００には、走査線２１４と一対一に対応して引き廻し配線３７２が設けられるとともに、シール材１１１の形成領域において、対応する走査線２１４の一端と対向するように形成されている。
【００２３】
ここで、導電性粒子１１４は、走査線２１４の一端と引き廻し配線３７２の一端とが対向する部分に、少なくとも１個以上介在するような割合でシール材１１１中に分散されている。このため、対向基板２００に形成された走査線２１４は、導電性粒子１１４を介してアクティブマトリクス基板３００に形成された引き廻し配線３７２に接続される構成となっている。なお、この引き廻し配線３７２は、後述するＴＦＤ３２０の第２導電膜と同一層、および画素電極３４８と同一層をパターニングした積層構造となっており、その配線抵抗が低く抑えられている。
【００２４】
このような引き廻し配線３７２のうち、奇数行目の走査線２１４に接続される引き廻し配線３７２は、シール材１００の形成領域外において９０度屈曲した後、Ｙ方向に沿って張出領域３０２まで延設されている。そして、引き廻し配線３７２は、張出領域３０２において、Ｙドライバ２５１の出力側バンプに接合されている。同様に、偶数行目の走査線２１４に接続される引き廻し配線３７２は、シール材１００の形成領域外において９０度屈曲した後、Ｙ方向に沿って張出領域３０２まで延設されて、Ｙドライバ２５３の出力用バンプに接続されている。
【００２５】
一方、データ線３１４の他端部は、シール材１００の形成領域外においてピッチが狭められ、張出領域３０２まで延設されている。そして、データ線３１４は、張出領域３０２においてＸドライバ３５０の出力側バンプに接合されている。また、張出領域３０２にはＦＰＣ１５０が接合されており、外部回路（図示省略）から、Ｙドライバ２５１、２５３およびＸドライバ３５０の入力側バンプにクロック信号や制御信号などを供給する構成となっている。そして、アクティブマトリクス基板３００の張出領域３０２においては、配線３８４が形成され、その一端がＹドライバ２５１、２５３またはＸドライバ３５０の入力側バンプに接続される一方、その他端がＦＰＣ１５０の配線と接続されている。
なお、図２では、説明の理解を優先させるため、便宜的に走査線２１４の本数ｍを８とし、データ線３１４の本数３ｎを１８とした場合を示している。
【００２６】
次に、液晶表示装置１００における表示領域の内部構成について説明する。
図３に示されるように、視認側のアクティブマトリクス基板３００の外面に、位相差板１３３および偏光板１３１が貼り付けられている。なお、これらの位相差板１３３および偏光板１３１は、図２では図示を省略している。また、アクティブマトリクス基板３００の内面には、第２導電膜からなるクロムのデータ線３１４がＹ方向（図３では紙面に垂直な方向）に延在して形成されている。さらに、データ線３１４の近傍には、インジウム錫酸化物（Indium Tin Oxide, 以下、ＩＴＯと略記する）等の透明導電材料からなる矩形状の画素電極３４８が形成されている。なお、データ線３１４や画素電極３４８等の詳細構成については、さらに後述する。
【００２７】
ここで、画素電極３４８の表面には、ポリイミドなどからなる配向膜３０８が形成されている。なお、この配向膜３０８には、背面側の対向基板２００と貼り合わせる前に所定のラビング処理が施されている。なお、配向膜３０８は、表示領域外では不要であるから、シール材１１１の形成領域近傍およびその外側には設けられていない。
【００２８】
続いて、背面側の対向基板２００について説明する。対向基板２００の外面には、位相差板１２３および偏光板１２１が貼り付けられている。なお、これらの位相差板１２３および偏光板１２１も、図２では図示を省略している。
一方、対向基板２００の内面には、凹凸が形成された散乱樹脂層２０９が形成されている。この散乱樹脂層２０９は、例えば対向基板２００の表面上において点状にパターニングしたフォトレジストを熱処理し、当該フォトレジストの端部を軟化させるなどによってなだらかな凹凸状に形成したものである。そして、散乱樹脂層２０９の凹凸面には、アルミニウムや銀などの反射性金属からなる反射膜２０４が形成されている。したがって、散乱樹脂層２０９の凹凸を反映して、反射膜２０４の表面も凹凸状となるので、観察側から入射した光は、反射膜２０４によって反射する際に適度に散乱することとなる。
【００２９】
なお、液晶表示装置１００を反射型のみならず透過型としても機能させるために、反射膜２０４に光を透過させるための開口部を設けてもよい。もしくは、このような開口部を設けずに、例えばアルミニウム等の光反射性を有する金属の膜厚を比較的薄く（２０〜５０ｎｍ）形成することにより、背面側から入射光の一部を透過させる構成としても良い。
【００３０】
さらに、反射膜２０４の表面には、画素電極３４８と走査線２１４との対向領域に対応して、赤色のカラーフィルタ２０５Ｒ、緑色のカラーフィルタ２０５Ｇ、および青色のカラーフィルタ２０５Ｂが、それぞれ所定の配列で設けられている。なお、カラーフィルタ２０５Ｒ、２０５Ｇ、２０５Ｂの配列は、本実施形態では、データ系の表示に好適なストライプ配列となっている。また、各色のカラーフィルタ２０５Ｒ、２０５Ｇ、２０５Ｂの表面には、絶縁材からなる平坦化膜２０７が設けられ、当該カラーフィルタの段差や反射膜２０４等の凹凸が平坦化されている。
【００３１】
そして、平坦化膜２０７上に、ＩＴＯ等の透明導電材料からなる走査線２１４がＸ方向（図３では紙面左右方向）に延び、アクティブマトリクス基板３００に形成された画素電極３４８と対向するように形成されている。そして、走査線２１４の表面に、ポリイミドなどからなる配向膜２０８が形成されている。なお、この配向膜２０８には、観察側のアクティブマトリクス基板３００と貼り合わせる前に所定の方向にラビング処理が施されている。また、各色のカラーフィルタ２０５Ｒ、２０５Ｇ、２０５Ｂ、平坦化膜２０７および配向膜２０８は表示領域外では不要であるから、シール材１１１の領域近傍および外側には設けられていない。
【００３２】
続いて、液晶表示装置１００における画素の構成について、ＴＦＤ３２０を中心にして説明する。図４（ａ）は、液晶表示装置１００におけるドット１個分（画素の３個分）のレイアウトを示す平面図であり、図４（ｂ）は図４（ａ）におけるＡ−Ａ’線に沿って示す断面図である。なお、図４（ａ）は、背面側から観察側を見た場合の構成を示しているので、図４（ａ）では手前側が、図４（ｂ）では上側がそれぞれ背面側となる。
【００３３】
これらの図に示されるように、矩形状の画素電極３４８はマトリクス状に配列され、このうち同一列に属する画素電極３４８が１本のデータ線３１４にそれぞれスイッチング素子としてのＴＦＤ３２０を介して共通接続されている。また、同一行の画素電極３４８は、上述したように、それぞれ１本の点線で示される走査線２１４と対向している。
【００３４】
また、ＴＦＤ３２０は、第１のＴＦＤ３２０ａおよび第２のＴＦＤ３２０ｂからなり、タンタルからなる島状の第１導電膜３２２と、この第１導電膜３２２の表面を陽極酸化することによって形成された絶縁膜３２３と、この表面に形成されて相互に離間した第２導電膜３１６、３３６とが積層された積層膜を有する。このうち、第２導電膜３１６、３３６は、クロムの同一導電膜をパターニングしたものであり、前者の第２導電膜３１６はデータ線３１４からＴ字状に分岐したものが用いられる一方、後者の第２導電膜３３６はＩＴＯ膜等の画素電極３４８に接続するために用いられる。
【００３５】
ここで、ＴＦＤ３２０のうち、第１のＴＦＤ３２０ａは、データ線３１４の側からみると順番に、第２導電膜３１６／絶縁膜３２３／第１導電膜３２２となって、金属／絶縁体／金属の構造をとるため、その電流−電圧特性を、原点を中心に点対称化したものとなる。一方、第２のＴＦＤ３２０ｂは、データ線３１４の側からみると順番に、第１導電膜３２２／絶縁膜３２３／第２導電膜３３６となって、第１のＴＦＤ３２０ａとは逆向きの構造をとる。このため、第２のＴＦＤ３２０ｂの電流−電圧特性は、第１のＴＦＤ３２０ａの電流−電圧特性を、原点を中心に点対称化したものとなる。
結局、ＴＦＤ３２０は、２つのＴＦＤ３２０ａ，３２０ｂを互いに逆向きに直列接続した形となるため、１つの素子を用いる場合と比べると、電流−電圧特性が正負双方向にわたって対称化されることになる。
【００３６】
上述したように、走査線２１４に電気的に接続された引き廻し配線３７２は、シール材１００の形成領域外を通って張出領域３０２まで延設される一方、データ線３１４の他端部はシール材１００の形成領域外においてピッチが狭められて張出領域３０２まで延設されている。液晶表示装置１００として完成した状態ではこれら走査線３７２に接続された引き廻し配線３７２やデータ線３１４の他端部は電気的に独立しているが、製造プロセスの途中ではＴＦＤ３２０等の静電破壊を防止するために互いに短絡した状態となっている。この様子を示したものが図５である。
【００３７】
図５は、製造プロセスの途中の時点でのアクティブマトリクス基板３００の張出領域３０２を拡大視したものである。走査線２１４に電気的に接続された複数の引き廻し配線３７２（ここでは４本のみを図示する）が、これらの端部を連結するように設けられた第１の短絡配線１１によって短絡した状態となっている。また同様に、複数のデータ線３１４の他端部（ここでは５本のみを図示する）が複数の引き廻し配線３７２の側方（図５中の右側）に位置しており、これらの端部を連結するように設けられた第２の短絡配線１２によって短絡した状態となっている。
【００３８】
本実施の形態の場合、各短絡配線１１，１２とその近傍の切断部１３は、平面的には引き廻し配線３７２やデータ線３１４と一体に見えるが、断面構造は異なっている。引き廻し配線３７２やデータ線３１４は、ＴＦＤの第２導電膜３１６、３３６を構成するクロムと画素電極３４８を構成するＩＴＯとの積層膜となっており、各短絡配線１１，１２とその近傍の切断部１３はクロムの単層膜で構成されている。このように断面構造が異なる理由は、以下の通りである。引き廻し配線３７２やデータ線３１４から各短絡配線１１，１２を切り離した後、引き廻し配線３７２やデータ線３１４の端部はＸドライバやＹドライバの出力側バンプに接続されることとなるが、その際、クロムの上にＩＴＯが積層されていた方が電気的接続の信頼性が高まるためである（クロムはその表面に酸化膜が付きやすく、うまく接続されない場合がある）。一方、切断部１３については、レーザー加工装置によって切断を行う際に単層膜の方が条件出しが容易だからである。
【００３９】
第１の短絡配線１１によって短絡された複数の引き廻し配線３７２と、第２の短絡配線１２によって短絡された複数のデータ線３１４の他端部との間には、表示領域の上下に設けられたモニター画素に接続された複数のデータ線３１５（ここでは３本のみを図示する）が配置されている。本実施形態の液晶表示装置１００の場合、表示不良であるクロストークの補正回路を有しており、これらモニター画素用データ線３１５とＦＰＣの端子が接続されることによってモニター画素に補正がかかる構成となっている。このモニター画素用データ線３１５は静電気対策を取る必要がないため、短絡配線によって短絡されておらず、また、後述する短絡配線切断時に切断してはいけない配線である。また、複数の引き廻し配線３７２の側方（図５において左側）には、アクティブマトリクス基板３００の製造プロセスにおけるフォトリソグラフィー工程で各パターンのアライメントに用いるアライメントマーク１５が設けられている。
【００４０】
次に、本実施の形態のアクティブマトリクス基板３００の製造方法、特にアクティブマトリクス基板３００における短絡配線１１，１２の切断工程について最初に説明する。
アクティブマトリクス基板３００の製造工程自体は、従来の方法と特に変わるところはない。
すなわち、ガラス基板などの表面にＴａ酸化物、例えばＴａ２Ｏ５を成膜して下地層を形成する。
次に、例えば下地層上にＴａを成膜し、さらにフォトリソグラフィー技術を用いて、後に形成されるデータ線３１４の下層側に位置する第１導電膜３１２および第１導電膜３２２を形成する。
次に、第１導電膜３１２を陽極として陽極酸化処理を行う。これにより、表示領域中においては、第１導電膜３１２の表面および第１導電膜３２２の表面に絶縁膜である陽極酸化膜を形成する。これにより、絶縁膜３１３および３２３が形成される。
【００４１】
次に、Ｃｒを成膜した後、フォトリソグラフィー技術を利用してデータ線３１４、第１のＴＦＤ素子３２０ａの第２導電膜３１６、および第２のＴＦＤ素子３２０ｂの第２導電膜３３６を形成するとともに、前記引き廻し配線３７２、第１，第２の短絡配線１１，１２を形成する。
次に、画素電極３４６の形成予定領域の下地層３１１を除去した後、画素電極３４８を形成するためのＩＴＯを成膜し、フォトリソグラフィー技術により、１画素分の大きさに相当する所定形状の画素電極３４８を形成する
最後に、基板表面にポリイミドなどを成膜して配向膜２０８，３０８を形成した後、配向膜２０８，３０８に対してラビング処理、その他の配向処理を行い、アクティブマトリクス基板３００が完成する。
【００４２】
そして、アクティブマトリクス基板３００上の主な構成要素の形成が終了したところで、レーザー照射によって第１，第２の短絡配線１１，１２を引き廻し配線３７２やデータ線３１４から切り離す。
図７は、ここで用いるレーザー加工装置の概略構成を示す図である。なお、この装置は、本出願人が既に出願済みのレーザー加工装置である（特開平１１−１７００７２号公報参照）。この図に示すように、レーザー加工装置２０は、薄膜２８，２９を形成した基板２７を載置して所定の方向に搬送する加工テーブル２４と、レーザー発振器２１と、レーザー光Ｂを集光して基板２７表面に照射するための集光レンズ２２と、レーザー光Ｂを反射させるガルバノミラー２６と、ガルバノミラー２６を駆動してその反射方向を変化させるための駆動装置２５とを有している。このレーザー加工装置２０においては、レーザ発振器２１から出力されたレーザー光Ｂを２軸制御可能なガルバノミラー２６によって反射し、集光レンズ２２により集光し、基板２７上に照射して加工を行う。基板２７を載せた加工テーブル２４をＸ方向に送りながら、ガルバノミラー２６を駆動して反射方向を変化させることにより、Ｘ方向と直交するＹ方向にレーザー光Ｂを走査する。
【００４３】
短絡配線１１，１２を切断する際には、図５に示すように、アクティブマトリクス基板３００上のアライメントマーク１５を用い、レーザー加工装置２０においてアライメントマーク１５の位置を基準とした相対位置に基づいてレーザー光の照射位置を制御する。例えばアライメントマーク１５の中心位置Ｏの座標をＯ（ｘ０，ｙ０）とし、Ｘ方向に平行にレーザー光を走査するものとすると、当該製品の切断作業を行う前にアライメントマーク１５の位置を基準とした切断部１３の位置（座標）を予め記憶させておく。そして、アライメントマーク１５の位置から走査を開始し、点Ａ（ｘ１，ｙ０）に達した時点でレーザー光の出力を開始（ＯＮ）し、点Ｂ（ｘ２，ｙ０）に達した時点でレーザー光の出力を停止（ＯＦＦ）する。これにより、走査線２１４に接続された引き廻し配線３７２から第１の短絡配線１１が切り離される。さらに、レーザー光の走査を続けていき、点Ｃ（ｘ３，ｙ０）に達した時点でレーザー光の出力を再び開始（ＯＮ）し、図示しない任意の点に達した時点でレーザー光の出力を停止（ＯＦＦ）する。これにより、データ線３１４から第２の短絡配線１２が切断される。本構成では、レーザー光の走査エリア上をモニター画素用データ線３１５が横切っているが、モニター画素用データ線３１５の上を走査しているときはレーザー光が出力されていないので、モニター画素用データ線３１５が切断されることはない。
【００４４】
以上、１枚のアクティブマトリクス基板３００を製造する方法として説明したが、より生産性の高い製造方法として、マザー基板を切断することによって複数の液晶パネルを一括して製造する多面取りを用いる場合、マザー基板の設計として、複数のアクティブマトリクス基板における各短絡配線および切断部を略直線状に配置しておく。そして、図６に示すように、マザー基板３１０上でレーザー光を直線状に走査させながら照射することにより複数のアクティブマトリクス基板３００における各短絡配線１１，１２の切断部１３を一括して電気的に切断する。この方法を採用した場合、マザー基板３１０上でレーザー光を直線状に走査させながら照射することにより複数のアクティブマトリクス基板３００にわたって短絡配線１１，１２を一括して切断することができるので、極めて生産効率の高い方法とすることができる。
【００４５】
一方、反射膜２０４、走査線２１４などを備えた複数の対向基板２００を含むマザー基板を製作し、２枚のマザーガラス基板のどちらか一方の基板上に液晶注入口となる部分が開口した矩形状にシール材１１１を塗布し、このシール材１１１を介して２枚のマザーガラス基板を貼り合わせる。その後、ブレイクラインに沿って２枚のマザーガラス基板を切断することにより、アクティブマトリクス基板３００と対向基板２００とが貼り合わされてなる複数の空パネルが得られる。
次に、液晶注入口から液晶を注入し、液晶注入口を封止材１１２により封止することにより液晶パネルが得られる。その後、液晶パネルに位相差板１２３，１３３、偏光板１２１，１３１などを貼り付けることによって、液晶表示装置１００が完成する。
【００４６】
本実施の形態の製造方法によれば、短絡配線１１，１２の切断工程において、アクティブマトリクス基板３００上のアライメントマーク１５を基準としてレーザー光の出力を制御し、レーザー光を局所的に照射することによって必要な配線が切断されることなく、所望の短絡配線１１，１２のみを切断することができる。したがって、従来行っていたマスキング作業が不要になるとともに、レーザー光の走査エリア内に配線や素子、回路等を配置することができる。その結果、レーザー照射による短絡配線切断時の生産性の向上と、配線の高密度化、回路の高集積化の双方を満足することができる。
【００４７】
なお、本発明の技術範囲は上記実施の形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。例えば上記実施の形態ではレーザー光の出力位置の制御に用いる位置の基準としてフォトリソグラフィー工程で用いるアライメントマークを用いたが、その他、基板ブレイク工程で用いるガイドマーク、ＦＰＣ接合用のアライメントマークなどを用いることができる。
【００４８】
また、レーザー光の照射位置の制御方法として、レーザー加工装置において配線パターンの画像認識に基づいてレーザー光の照射位置を制御する方法を採用しても良い。すなわち、図５に示したような切断部１３のパターン形状をレーザー加工装置に予め記憶させておき、これらから走査しようとするエリア内にあるパターンの画像認識を行って切断すべきパターンと比較する。そして、そのパターンが切断すべき配線パターンであるか否かを判断し、レーザー加工装置自身がレーザー光の照射位置を自動的に制御する方法である。この方法では、マークの制約を受けることなく、所望の短絡配線のみを確実に切断することができる。
また、上記実施の形態では、レーザー光の出力自体をＯＮ／ＯＦＦ制御する例を挙げたが、これに代えて、例えば図７のレーザー加工装置２０を使用した場合、ガルバノミラー２６の駆動により、レーザー光を照射したくない位置ではレーザー光をＯＮしたままの状態で基板から外れた位置にレーザー光を飛ばすような制御を行うようにしてもよい。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態の液晶表示装置の回路構成を示すブロック図である。
【図２】同、液晶表示装置の構成を示す斜視図である。
【図３】同、液晶表示装置の構成を示す部分断面図である。
【図４】（ａ）同、液晶表示装置の画素の構成を示す平面図、（ｂ）（ａ）のＡ−Ａ’線に沿う断面図である。
【図５】同、液晶表示装置の短絡配線を示す拡大平面図である。
【図６】マザー基板における短絡配線の切断方法を説明するための図である。
【図７】同、切断方法に用いるレーザー加工装置の概略構成図である。
【符号の説明】
１１…第１の短絡配線、１２…第２の短絡配線、１３…切断部、１５…アライメントマーク、２０…レーザー加工装置、１００…液晶表示装置、２１４…走査線、３００…アクティブマトリクス基板、３１４…データ線、３１５…モニター画素用データ線
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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