(57)【要約】【課題】金型１・２を用いて複数個の半導体チップ３を一体に装着した基板５における各半導体チップ３と基板５との間に樹脂を注入する場合に、前記した半導体チップ３の天面に付着形成される樹脂ばりを効率良く防止する。【解決手段】まず、前記した各半導体チップ３の天面を被覆した下部離型フィルム１２と、前記したキャビティ７内面を含む上型１の型面を被覆した上部離型フィルム８との間に形成された空間部１３に加熱溶融化された樹脂材料を注入充填することにより、前記した空間部１３に注入充填した樹脂にて前記した各半導体チップ３の天面を前記した下部離型フィルム１２を介して所定の圧力で均等に且つ各別に加圧し、次に、この状態で、前記した各半導体チップ３と基板５との間に樹脂を注入して樹脂注入済基板１８を成形する。【選択図】　　　図４
2004140201.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アンダーフィル樹脂モールド金型を用いて半導体チップを接続電極を介して一体に装着した基板における前記した半導体チップと基板との間に樹脂を注入するアンダーフィル樹脂モールド方法であって、
前記した半導体チップと基板との間に樹脂を注入する工程の前に、前記した半導体チップの表面に離型フィルムを所定の圧力で押圧する工程を行うことを特徴とするアンダーフィル樹脂モールド方法。
【請求項２】
半導体チップを接続電極を介して一体に装着した基板における前記した半導体チップを樹脂注入用キャビティ内に嵌装した状態で前記した半導体チップと基板との間に樹脂を注入するアンダーフィル樹脂モールド金型であって、前記したキャビティに前記した半導体チップの表面を離型フィルムを介して所定の圧力で押圧する押圧材を介在させる空間部を形成したことを特徴とするアンダーフィル樹脂モールド金型。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、複数個の半導体チップの夫々をバンプを介して一体に装着した基板（例えば、前記した半導体チップをマトリクス形に配置した基板）について、前記した各半導体チップと基板との間に樹脂を注入するアンダーフィル樹脂モールド方法とその金型の改良に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、複数個の半導体チップの夫々をバンプ（接続電極）を介して一体に装着した基板における前記した各半導体チップと基板との間（隙間）に樹脂を注入することが行われているが、この方法は、次のようにして行われている。
即ち、まず、前記した基板に装着した複数個の半導体チップを前記した金型に設けた一つのキャビティ内に一括して嵌装し、次に、前記したキャビティ内に溶融樹脂を注入することにより、少なくとも前記した各半導体チップと基板との間に樹脂を注入してアンダーフィル樹脂モールド基板（樹脂注入済基板）を成形するようにしている。
ところで、前記した半導体チップの高さ（図６に示す高さＣ・Ｄ参照）には、ばらつきが存在するため、前記した金型キャビティ面と半導体チップの天面（表面）との間に樹脂が浸入して樹脂ばりが付着形成され易い。
従って、例えば、図６に示すアンダーフィル樹脂モールド金型を用いて、前記各半導体チップ６４と基板６６との間（隙間７３）に樹脂を注入することが行われている。
【０００３】
即ち、図６に示す金型は、可動上型６１と、前記上型６１に対向配置した可動下型６２と、前記した両型６１・６２間に設けた固定中間型６３とから成る三枚型で構成されている。
また、前記した下型６２には、複数個の半導体チップ６４の夫々をバンプ６５を介して一体に装着した基板６６を供給セットする基板セット部６７（前記下型６２の天面部）が設けられると共に、前記した中間型６３には前記した基板６６に装着した複数個の半導体チップ６４を一括して嵌装する樹脂注入用のキャビティ６８と前記キャビティ６８に連通接続する樹脂注入用のゲート６９（樹脂通路）とが設けられている。
なお、図６において、前記したバンプ６５の高さを含む半導体チップ６４の高さＣ・Ｄの関係について、高さＣ＞高さＤである。
また、前記した上型６１には前記した高さＣ・Ｄにばらつきのある各半導体チップ６４を離型フィルム７０を介して所定の圧力で均等に且つ各別に押圧する押圧部材７１が前記した各半導体チップ６４に各別に対応して設けられている。
なお、前記した離型フィルム７０は前記した上型６１の型面に張設することができるように構成されている。
【０００４】
即ち、図６に示すように、まず、前記した基板６６を前記基板セット部６７に供給して前記した下型６２を上動することにより、前記した中間型６３のキャビティ６８内に前記した各半導体チップ６４を一括して嵌装し、次に、前記した上型６１を下動して前記三枚型６１・６２・６３を型締めすることにより、前記した押圧部材７１にて前記した各半導体チップ６４の天面を前記した離型フィルム７０を介して所定の押圧力で均等に且つ各別に押圧するようにしている。
従って、次に、前記したゲート６９から前記したキャビティ６８内に加熱溶融化された樹脂材料７２（溶融樹脂）を所定の樹脂圧で注入することにより、少なくとも前記した各半導体チップ６４と基板６６との間７３（隙間）に樹脂を注入して樹脂注入済基板を成形するようにしている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、図６に示すように、前記した半導体チップ６４の天面に付着形成する樹脂ばり（硬化樹脂）を防止するために、前記した高さＣ・Ｄにばらつきのある各半導体チップ６４を前記離型フィルム７０を介して各別に押圧する押圧部材７１等を用いる等、前記した三枚型６１・６２・６３の複雑な構造が必要とされ、そのために、前記金型のコストが高くなって前記した樹脂注入済基板の生産性が低下すると云う弊害がある。
即ち、アンダーフィル樹脂モールド金型を用いて複数個の半導体チップの夫々を一体に装着した基板における前記した各半導体チップと基板との間に樹脂を注入して樹脂注入済基板を成形する場合に、前記した半導体チップの天面に付着形成される樹脂ばりを効率良く防止することができ、且つ、前記金型の構造を簡易にして金型コストを低減することが求められている。
【０００６】
従って、本発明は、樹脂注入済基板の生産性を向上させることができるアンダーフィル樹脂モールド方法及び金型を提供することを目的とするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
前記したような技術的課題を解決するための本発明に係るアンダーフィル樹脂モールド方法は、アンダーフィル樹脂モールド金型を用いて半導体チップを接続電極を介して一体に装着した基板における前記した半導体チップと基板との間に樹脂を注入するアンダーフィル樹脂モールド方法であって、前記した半導体チップと基板との間に樹脂を注入する工程の前に、前記した半導体チップの表面に離型フィルムを所定の圧力で押圧する工程を行うことを特徴とする。
【０００８】
また、前記したような技術的課題を解決するための本発明に係るアンダーフィル樹脂モールド金型は、半導体チップを接続電極を介して一体に装着した基板における前記した半導体チップを樹脂注入用キャビティ内に嵌装した状態で前記した半導体チップと基板との間に樹脂を注入するアンダーフィル樹脂モールド金型であって、前記したキャビティに前記した半導体チップの表面を離型フィルムを介して所定の圧力で押圧する押圧材を介在させる空間部を形成したことを特徴とする。
【０００９】
【発明の実施の形態】
本発明は、前述したように、まず、固定上型と可動下型とから成るアンダーフィル樹脂モールド金型において、複数個の半導体チップの夫々を接続電極を介して一体に装着した基板における各半導体チップの天面（表面）を被覆した下部離型フィルムと、前記したキャビティ内面を含む上型の型面を被覆した上部離型フィルムとの間に形成された空間部に加熱溶融化された樹脂材料（押圧材）を供給（注入充填）することにより、前記した空間部に注入充填した樹脂にて前記した各半導体チップの天面を前記した下部離型フィルムを介して所定の圧力で均等に且つ各別に加圧し、次に、この状態で、前記した各半導体チップと基板との間に樹脂を注入して樹脂注入済基板を成形する構成である。
【００１０】
即ち、本発明は、前述したように、複数個の半導体チップを装着した基板における各半導体チップと基板との間に樹脂を所定の樹脂圧で注入する場合に、例えば、前記した半導体チップの高さにばらつきがあったとき、前記した空間部内に加熱溶融化された樹脂材料を供給して前記した各半導体チップ天面を前記した下部離型フィルムを介して所定の圧力で均等に且つ各別に加圧することにより、前記した各半導体チップ天面と下部離型フィルムとの隙間を無くすことができるように構成されているので、前記した各半導体チップ天面と下部離型フィルムとの間に前記した各半導体チップと基板との間に注入される樹脂が浸入しないように構成することができる。
従って、前記した半導体チップの天面に付着形成される樹脂ばりを効率良く防止することができる。
また、前述したように、従来例の金型構造（三枚型）に較べて、本発明による金型構造（二枚型）を簡易にすることができるので、前記金型のコストを低減し得て樹脂注入済基板の生産性を向上させることができる。
【００１１】
【実施例】
以下、実施例図に基づいて説明する。
図１・図２・図３・図４は、本発明に係るアンダーフィル樹脂モールド金型（樹脂注入用金型）である。
【００１２】
即ち、図例に示すように、前記した金型には、固定上型１と、前記上型１に対向配置した可動下型２とから構成されると共に、前記した両型１・２には前記両型１・２を所定の温度にまで加熱する加熱手段（図示なし）が設けられて構成されている。
また、前記した下型２の型面には複数個の半導体チップ３の夫々をバンプ４（接続電極）を介して一体に装着した基板５を供給セットするセット用凹所６が設けられると共に、前記した上型１の型面には前記した複数個の半導体チップ３を一括して嵌装する樹脂注入用のキャビティ７が設けられて構成されている。
従って、前記したセット用凹所６に前記した基板５を供給セットすると共に、前記した下型２を上動して前記した両型１・２を型締めすることにより、前記したキャビティ７内に前記した複数個の半導体チップ３を一括して嵌装することができるように構成されている。
なお、本発明に用いられる基板５において、前記したバンプ４の高さを含む半導体チップ３の高さには、ばらつきがある（高さが異なる）。
例えば、図２において、向かって左側には高さＡの半導体チップ３が示されると共に、向かって右側には高さＢの半導体チップ３が示され、前記した高さＢより高さＡの方が高く構成されている。
【００１３】
また、前記した両型１・２の型面間にはキャビティ被覆用の上部離型フィルム８が適宜な上部離型フィルム供給機構（図示なし）にて張架して設けられると共に、前記した上型１のキャビティ７の内面と上型１の型面の所要個所には前記したキャビティ被覆用の上部離型フィルム８を吸着固定するフィルム吸着固定用の吸着口９が設けられ、且つ、前記吸着口９には真空パイプ等の真空経路１０を介して真空ポンプ等の真空引き機構１１が接続して設けられて構成されている。
従って、前記した真空引き機構１１にて前記した真空経路１０を通して前記した吸着口９から強制的に空気等を吸引排出することにより、前記したキャビティ被覆用の上部離型フィルム８を前記した上型１の型面形状とキャビティ７形状とに沿って被覆することができるように構成されている。
【００１４】
また、前記した両型１・２間における上部離型フィルム８の下方位置には、基板被覆用の下部離型フィルム１２が適宜な下部離型フィルム供給機構（図示なし）にて張架して設けられて構成されている。
従って、前記した下型２のセット用凹所６に供給された基板５全体を前記した基板被覆用の下部離型フィルム１２にて被覆することができるように構成されている。
【００１５】
即ち、前記した上部離型フィルム８を前記した上型１側に被覆した状態で、且つ、前記した下部離型フィルム１２を前記下型２のセット用凹所６内の基板５に被覆した状態で、前記両型１・２を型締めすることにより、少なくとも前記した複数個の半導体チップ３を前記した下部離型フィルム１２で被覆した状態で、前記したキャビティ７内に前記した複数個の半導体チップ３を一括して嵌装することができるように構成されている。
このとき、前記したキャビティ７内において、前記した被覆上部離型フィルム８と被覆下部離型フィルム１２との間に加熱溶融化された樹脂材料（押圧材）を供給（注入充填）する空間部１３が形成されて構成されることになる。
【００１６】
また、前記した金型１・２には、前記した空間部１３内に樹脂を供給（注入充填）し且つ前記した空間部１３内に注入充填した樹脂を所定の圧力で加圧する空間部用の樹脂供給機構（図示なし）が設けられて構成されている。
即ち、前記した両型１・２の型締時に、前記した樹脂供給機構にて加熱溶融化された樹脂材料を前記した両型１・２における二枚の離型フィルム８・１２間に形成される空間部１３内に注入充填することができるように構成されると共に、当該溶融樹脂で前記した各半導体チップ３の天面（バンプ非装着面）を前記した下部離型フィルム１２を介して所定の圧力で均等に且つ各別に押圧することができるように構成されている。
従って、前記した二枚の離型フィルム８・１２間に形成される空間部１３内に注入充填される溶融樹脂（流体）にて前記した半導体チップ３の天面を前記した下部離型フィルム１２を介して所定の圧力で均等に且つ各別に押圧することができるように構成されているので、前記した下部離型フィルム１２と半導体チップ３の天面との間に隙間が発生することを効率良く防止することができるように構成されている。
なお、前記した硬化性の樹脂材料を用いた場合、硬化に必要な所要時間の経過後、前記した二枚の離型フィルム８・１２間に形成される空間部１３内で前記した加熱溶融化された樹脂材料は硬化して樹脂硬化層１４となる。
【００１７】
また、前記両型１・２には、前記した複数個の半導体チップ３と基板５との間（隙間１５）に樹脂を注入する隙間用の樹脂注入機構（図示なし）が設けられて構成されると共に、前記した下部離型フィルム１２と基板５との間において、少なくとも前記した各半導体チップ３と基板５との間１５（隙間）に所定の樹脂圧で樹脂を注入することができるように構成されている。
従って、前記した樹脂注入機構にて少なくとも前記した各半導体チップ３と基板５との間１５に所定の樹脂圧で加熱溶融化された樹脂材料を注入することができると共に、硬化に必要な所要時間の経過後、少なくとも前記した各半導体チップ３と基板５との間１５に樹脂１６（硬化樹脂）を形成することができる。
なお、このとき、前述したように、前記した溶融樹脂にて前記した各半導体チップ３の天面が前記した下部離型フィルム１２を介して所定の圧力で均等に且つ各別に押圧されるように構成されると共に、前記した空間部１３内に注入充填された溶融樹脂による所定の圧力より前記した半導体チップ３と基板５との間１５に注入される樹脂圧の方が圧力において低くなる（小さくなる）ように構成されている。
【００１８】
即ち、図１に示すように、まず、前記下型２のセット用凹所６に複数個の半導体チップ３をバンプ４を介して一体に装着した基板５を、前記半導体チップ３側を前記上型１方向に向けた状態で供給セットすると共に、前記した上型１と前記した下型２（前記セット用凹所６内の基板５）との間に、前記下型２側から順に前記した下部離型フィルム１２と上部離型フィルム８とを張架して設ける。
次に、前記した真空引き機構１１を作動させて、前記した上型１の型面と前記したキャビティ７の内面に設けられた吸着口９から前記真空経路１０を通して空気等を強制的に吸引排出することにより、前記した上部離型フィルム８を前記したキャビティ７の内面と上型面の形状に沿って吸着固定して被覆すると共に、前記した下部離型フィルム８で前記した下型２の基板セット用凹所６内の基板５全体を被覆する。
このとき、前記した下部離型フィルム１２で前記した各半導体チップ３の天面（表面）を被覆することができる。
従って、次に、図２に示すように、前記した下型２を上動して前記両型１・２を型締めすることにより、前記したセット用凹所６内の基板５全体を前記した下部離型フィルム１２で被覆した状態で（即ち、前記した複数個の半導体チップ３を前記した下部離型フィルム１２で被覆した状態で）、前記したキャビティ７内に前記した複数個の半導体チップ３を一括して嵌装セットすることになる。
このとき、前記した上部離型フィルム８と下部離型フィルム１２との間に加熱溶融化された樹脂材料が注入充填される空間部１３（押圧材が介在する空間部）が形成される。
【００１９】
また、次に、図３に示すように、前記した樹脂供給機構にて加熱溶融化された樹脂材料を所定の樹脂圧で前記した空間部１３内に注入充填する。
このとき、前記した空間部１３に介在する樹脂にて前記した各半導体チップ３の天面を前記した下部離型フィルム１２を介して所定の圧力で均等に且つ各別に押圧することになる。
また、次に、図４に示すように、この状態で、前記した樹脂注入機構にて加熱溶融化した樹脂を少なくとも前記した各半導体チップ３と基板５との間１５に注入充填することになる。
なお、このとき、即ち、前記した各半導体チップ３と基板５との間１５への樹脂の注入時に、前記した各半導体チップの高さにばらつきＡ・Ｂがあったとしても、前記した半導体チップ３の天面と下部離型フィルム１２との間には隙間が発生しないように構成されている。
従って、硬化に必要な所要時間の経過後、少なくとも前記した各半導体チップ３と基板５との間１５で硬化樹脂１６が形成されると共に、前記した両型１・２で樹脂注入済基板１８が成形されることになる。
また、前記空間部１３内において、当該溶融樹脂は硬化して前記した硬化樹脂層１４となる。
【００２０】
即ち、前述したように、本発明に係るアンダーフィル樹脂モールド金型を用いて複数個の半導体チップ３をバンプ４を介して一体に装着した基板５における各半導体チップ３と基板５との間１５に樹脂を注入充填する場合に、例えば、前記した半導体チップの高さにばらつきＡ・Ｂがあったとき、前記した空間部１３内に充填された樹脂にて前記した半導体チップ３の天面を前記した下部離型フィルム１２を介して所定の圧力で均等に且つ各別に押圧することができるので、前記した半導体チップ３の天面と下部離型フィルム１２との間に隙間が発生しないように構成されている。
従って、前記した半導体チップ３の天面に付着形成される樹脂ばりを効率良く防止することができる。
また、前述したように、従来例の金型構造（三枚型）に較べて、本発明に係る金型構造（二枚型）を簡易にして金型コストを低減することができるので、樹脂注入済基板の生産性を向上させることができる。
【００２１】
なお、前記した樹脂注入済基板１８を形成した後、図５（１）・図５（２）・図５（３）に示すように、前記した樹脂注入済基板１８の所要個所をブレード等の切断刃で切断することにより、前記した樹脂注入済基板１８から前記した半導体チップ３に各別に対応した個片１７を形成することができる。
即ち、まず、前記した下型２を下動して前記した両型１・２を型開きし、前記した両型１・２から前記した樹脂注入済基板１８を取り出し、次に、図５（１）に示すように、前記した樹脂注入済基板１８の所要個所（想定切断部位１９）を各別に切断することにより、前記した樹脂注入済基板１８から前記した半導体チップ３に各別に対応した個片１７を形成することができる。
また、図５（２）には、半導体チップ３の高さＡを有する個片１７（１７ａ）を示され、図５（３）には、半導体チップ３の高さＢを有する個片１７（１７ｂ）を示され、前記した高さＢより前記した高さＡの方が高い。
【００２２】
また、前記した実施例において、前記した空間部１３に注入充填される樹脂の硬化状態（例えば、溶融状態、半硬化状態、完全硬化状態）にかかわらず、前記した空間部１３内の樹脂にて前記した各半導体チップ３の天面を前記した下部離型フィルム１２を介して所定の圧力にて均等に且つ各別に押圧することができるように構成されている。
【００２３】
また、前記した実施例において、前記した上部離型フィルム８を用いない構成を採用することができる。
【００２４】
また、前記した実施例において、前記した下部離型フィルム１２を前記した各半導体チップ３間に弛ませた状態で且つ前記した下部離型フィルム１２を前記した基板５に接触しない状態で、前記した下部離型フィルム１２で前記した各半導体チップ３の天面を隙間無く被覆する構成を採用してもよい（図２参照）。
【００２５】
また、前記した各実施例において、前記した上部離型フィルム８を前記上型１側（前記キャビティ７内面）に吸着固定しない構成を採用してもよい。
例えば、前記両型１・２間に前記した上部離型フィルム８と下部離型フィルム１２とを張架して前た両型１・２を型締めすると共に、前記した両離型フィルム８・１２間に前記した加熱溶融化された樹脂材料を注入充填する構成を採用することができる。
このとき、前記した上部離型フィルム８を前記した上型１の型面と前記したキャビティ７内面の形状に沿って被覆することができるように構成されると共に、前記した下部離型フィルム１２を介して複数個の半導体チップ３の天面を所定の圧力で且つ均等に加圧することができるように構成されている。
【００２６】
また、前記各実施例において、前記した空間部１３に注入充填する樹脂材料（押圧材）として、熱硬化性の樹脂材料を用いる構成を例示したが、熱可塑性の樹脂材料を用いる構成を採用し、例えば、前記した熱可塑性樹脂材料を加熱溶融化した状態で用いてもよい。
また、前記した空間部１３に注入充填する樹脂材料として、エラストマー、未加硫ゴム、加硫ゴムを採用することができる。
【００２７】
また、前記した実施例において、前記した空間部１３内に注入充填する押圧材として、流体（例えば、空気、窒素ガス当の気体、及び、水、油等の液体）を採用することができる。
即ち、前記空間部１３に所定の圧力で当該流体を注入充填することにより、前記した複数個の半導体チップ３の天面を前記した下部離型フィルム１２を介して所定の圧力で均等に且つ各別に押圧する構成を採用することができる。
【００２８】
また、前記した実施例において、前記した空間部１３内に介在する樹脂材料に代えて、適宜な形状の押圧材、テープ状、或いは、フィルム状のものを採用することができる。
例えば、前記した押圧材として、所要の厚さを備えた熱硬化性の樹脂部材を採用すると共に、前記した樹脂部材を前記した両離型フィルム８・１２間に配置して前記した両型１・２を型締めすることにより、前記した樹脂部材を前記した両型１・２の型面で挟持する構成を採用してもよい。
この場合、前記した樹脂部材の形状が、前記した複数個の半導体チップ３における各天面に沿って形成された下部離型フィルム１２の形状に沿って変形して硬化し、且つ、前記した下部離型フィルム１２を介して前記した複数個の半導体チップ３の天面を所定の圧力で均等に且つ各別に押圧することができるように構成されている。
なお、前記した上型１側において、前記した上型１の型面形状及び前記したキャビティ７の内面形状に沿って（或いは、前記した上部離型フィルム８の形状に沿って）前記した樹脂部材の形状が変形することになる。
【００２９】
また、前記した各実施例において、少なくとも前記キャビティ７内を所定の真空度に設定した状態で、前記した上部離型フィルム８と下部離型フィルム１２との間（空間部）に樹脂を注入する構成を採用してもよい。
なお、このとき、前記した上部離型フィルム８と下部離型フィルム１２とで形成される空間部は所定の真空度に設定された状態にある。
従って、前記した上部離型フィルム８と下部離型フィルム１２との間に樹脂を効率良く注入することができ、前述したような作用効果を得ることができる。
【００３０】
本発明は、前述した実施例のものに限定されるものでなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内で、必要に応じて、任意に且つ適宜に変更・選択して採用することができるものである。
【００３１】
【発明の効果】
本発明によれば、樹脂注入済基板の生産性を向上させることができるアンダーフィル樹脂モールド方法及び金型を提供することができると云う優れた効果を奏するものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は、本発明に係るアンダーフィル樹脂モールド金型を示す一部切欠縦断面図であって、前記金型の型開状態を示している。
【図２】図２は、図１に対応する金型を示す一部切欠縦断面図であって、前記金型の型締状態を示している。
【図３】図３は、図２に対応する金型を示す一部切欠縦断面図であって、前記金型に設けた二枚の離型フィルム間に樹脂を注入した状態を示している。
【図４】図４は、図３に対応する金型を示す一部切欠縦断面図であって、前記金型にて半導体チップと基板との間に樹脂を注入した状態を示している。
【図５】図５（１）は、半導体チップと基板との間に樹脂を注入した基板を示す一部切欠縦断面図であり、図５（２）及び図５（３）は、図５（１）に示す基板を前記した半導体チップごとに切断した個片を示す一部切欠縦断面図である。
【図６】図６は、従来のアンダーフィル樹脂モールド金型を示す一部切欠縦断面図である。
【符号の説明】
１　固定上型
２　可動下型
３　半導体チップ
４　バンプ（接続電極）
５　基板
６　セット用凹所
７　キャビティ
８　上部離型フィルム
９　吸着口
１０　真空経路
１１　真空引き機構
１２　下部離型フィルム
１３　空間部
１４　樹脂硬化層
１５　隙間
１６　　硬化樹脂
１７　個片
１７ａ　個片
１７ｂ　個片
１８　樹脂注入済基板
１９　想定切断部位
Ａ　高さ
Ｂ　高さ
【図１】
2004140201.tif 000003
【図２】
2004140201.tif 000004
【図３】
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【図４】
2004140201.tif 000006
【図５】
2004140201.tif 000007
【図６】
2004140201.tif 000008