(57)【要約】【課題】フルアディティブ法、およびセミアディティブ法が有していた、金属パターンの断面形状が四角形になりにくく、また線幅が一定になりにくい欠点、並びに、上記の導電性インクとフォトレジストを使用した方法が印刷を利用して行なわれることによる寸法精度および位置精度を高度に確保することが困難である点を解消する。【解決手段】パターン基板４を用いて基板１に凹凸を形成し、導電性薄膜９を形成した後、感光性樹脂の層１０で被覆し、再度パターン基板４を用いて露光、現像して凸部の導電性薄膜９ａを露出させ、電解メッキにより導電性パターン１２ａを得る。凹部の導電性薄膜９および感光性樹脂の層を除去してもよい。【選択図】　図５
2004064035.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（１）基板Ａと、別の基板Ｂ上に層のある箇所と無い箇所とで構成されたパターン層が積層されたパターン基板Ｃとを、前記パターン層を前記基板Ａ側として硬化性樹脂組成物を介して重ね合わせた後、前記基板Ａと前記パターン基板Ｃの間の前記硬化性樹脂組成物を硬化させ、硬化後、前記パターン基板Ｃを剥離することにより、前記基板Ａ上に、前記パターン層の前記層のある部分に対応する凹部と前記層の無い部分に対応する凸部からなり、前記硬化性樹脂組成物の硬化物から構成された凹凸層を形成する工程、（２）前記凹凸層上に気相法により、前記凹凸層の凹部の底面、および前記凹凸層の凸部の頂面に導電性薄膜を形成する工程、（３）前記凹凸層の前記導電性薄膜が形成された上面に、感光性樹脂組成物の層を前記凹凸層に由来する凹凸をならして一面に積層し、積層された前記感光性樹脂組成物の層上に、前記パターン基板Ｃのパターン層と同じパターンの遮光性パターンを有する遮光性パターン基板Ｄを介して露光し、露光後に現像を行うことにより、前記凹部の底面もしくは前記凸部の頂面のいずれか一方の上に積層された感光性樹脂組成物の層を除去して、前記導電性薄膜を露出させる工程、および（４）露出された前記導電性薄膜上に金属のメッキを施して導電性パターンを形成する工程の各工程を（１）〜（４）の順に行うことを特徴とする導電性パターン基板の製造方法。
【請求項２】
前記パターン基板Ｃとして、遮光性層のある箇所と無い箇所とで構成された遮光性パターン層が積層されたものを使用することを特徴とする請求項１記載の導電性パターン基板の製造方法。
【請求項３】
前記（３）の工程において使用する感光性樹脂組成物がポジ型であり、前記（４）の導電性パターンを形成する工程を行った後、さらに（５）前記感光性樹脂組成物の層を全面露光し、全面露光後、エッチングを施して、前記凹部の前記導電性薄膜上の前記感光性樹脂組成物の層を除去する工程を行うことを特徴とする請求項１または請求項２記載の導電性パターン基板の製造方法。
【請求項４】
前記（５）の工程において、前記凹部の前記感光性樹脂組成物の層を除去するのに加えて、前記凹部上の前記導電性薄膜をも除去することを行うことを特徴とする請求項３記載の導電性パターン基板の製造方法。
【請求項５】
前記（３）の工程において使用する感光性樹脂組成物がネガ型であり、前記（４）の導電性パターンを形成する工程を行った後、さらに（５’）エッチングを施して、前記凸部の前記導電性薄膜上の前記感光性樹脂組成物の層を除去する工程を行うことを特徴とする請求項１または請求項２記載の導電性パターン基板の製造方法。
【請求項６】
前記（５’）の工程において、前記凸部の感光性樹脂組成物の層を除去するのに加えて、前記凸部上の前記導電性薄膜をも除去することを行うことを特徴とする請求項５記載の導電性パターン基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、基板の表面に所望のパターン状の凹凸を形成することにより、凹部もしくは凸部に選択的に導電性パターンを形成することが可能な導電性パターン基板の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
基板の表面に金属の導電性パターンを形成するには、まず、一面に金属層を設け、その上にフォトレジスト層を重ね、パターン露光および現像によりレジストパターンを形成してから、エッチングするサブトラクティブ法がある。このサブトラクティブ法によると、一旦形成した金属層の大半を除去するのが普通であるから、金属の回収の問題が生じ、また、大量のエッチング廃液の処理も必要になる。
【０００３】
また、基板の表面に、メッキレジストパターンを設け、メッキレジストパターンで被覆されていない露出部分に無電解メッキで金属パターンを設けるフルアディティブ法や、基板等の表面に、金属層を無電解メッキで設けた上にメッキレジストパターンを設け、メッキレジストパターンで被覆されていない露出部分に電解メッキで金属パターンを設けるセミアディティブ法がある。フルアディティブ法、およびセミアディティブ法においては、必要な箇所に金属層をパターン状に設けることができるので、上記のサブトラクティブ法の欠点は解消もしくは緩和される。
【０００４】
しかし、フルアディティブ法、およびセミアディティブ法においては、金属パターンはメッキレジストパターンの開孔部の形状により決まるとは言え、メッキにより成長するので、断面形状が四角形になりにくく、また線幅が一定になりにくい欠点を有している。
【０００５】
あるいは、透明な基体に導電性インクでパターンを印刷し、パターンの膜厚より厚いネガ型フォトレジスト層で被覆し、透明な基体の裏側から露光し、現像して、パターン上のフォトレジスト層を除去した後、電解メッキによりパターン上に金属パターンを形成させる方法がある（例えば、特許文献１参照。）。
【０００６】
【特許文献１】
特開２０００−２６５０８７号公報（請求項１）
【０００７】
けれども、最初のパターンは印刷により形成されるので、寸法精度および位置精度を高度に確保することが困難である。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
本発明においては、従来、フルアディティブ法、およびセミアディティブ法が有していた、金属パターンの断面形状が四角形になりにくく、また線幅が一定になりにくい欠点、並びに、上記の導電性インクとフォトレジストを使用した方法が印刷を利用して行なわれることによる寸法精度および位置精度を高度に確保することが困難である点を解消することを課題とする。
【０００９】
【課題を解決する手段】
これらの課題は、図５に概略を示すように、従来の方法におけるメッキレジストパターンの形成や導電性インクのパターンの形成に変えて、基板１上にパターン基板４（凹凸型）を用いて、硬化性樹脂組成物５の硬化した凹凸層７を形成し、蒸着等により導電性薄膜９を一面に形成した後、感光性樹脂の層１０で全体を被覆し、パターン基板４を今度は遮光性パターン基板１１として用いて露光することにより、例えば、凸部上の導電性薄膜９ａを選択的に露出させ、この露出した導電性薄膜９ａに対してメッキを行うことにより、断面形状および線幅の点で良好な導電性パターン１２ａを有する導電性パターン基板１３ａを得ることができた。
【００１０】
第１の発明は、（１）基板Ａと、別の基板Ｂ上に層のある箇所と無い箇所とで構成されたパターン層が積層されたパターン基板Ｃとを、前記パターン層を前記基板Ａ側として硬化性樹脂組成物を介して重ね合わせた後、前記基板Ａと前記パターン基板Ｃの間の前記硬化性樹脂組成物を硬化させ、硬化後、前記パターン基板Ｃを剥離することにより、前記基板Ａ上に、前記パターン層の前記層のある部分に対応する凹部と前記層の無い部分に対応する凸部からなり、前記硬化性樹脂組成物の硬化物から構成された凹凸層を形成する工程、（２）前記凹凸層上に気相法により、前記凹凸層の凹部の底面、および前記凹凸層の凸部の頂面に導電性薄膜を形成する工程、（３）前記凹凸層の前記導電性薄膜が形成された上面に、感光性樹脂組成物の層を前記凹凸層に由来する凹凸をならして一面に積層し、積層された前記感光性樹脂組成物の層上に、前記パターン基板Ｃのパターン層と同じパターンの遮光性パターンを有する遮光性パターン基板Ｄを介して露光し、露光後に現像を行うことにより、前記凹部の底面もしくは前記凸部の頂面のいずれか一方の上に積層された感光性樹脂組成物の層を除去して、前記導電性薄膜を露出させる工程、および（４）露出された前記導電性薄膜上に金属のメッキを施して導電性パターンを形成する工程の各工程を（１）〜（４）の順に行うことを特徴とする導電性パターン基板の製造方法に関するものである。
【００１１】
第２の発明は、第１の発明において、前記パターン基板Ｃとして、遮光性層のある箇所と無い箇所とで構成された遮光性パターン層が積層されたものを使用することを特徴とする導電性パターン基板の製造方法に関するものである。
【００１２】
第３の発明は、第１または第２の発明において、前記（３）の工程において使用する感光性樹脂組成物がポジ型であり、前記（４）の導電性パターンを形成する工程を行った後、さらに（５）前記感光性樹脂組成物の層を全面露光し、全面露光後、エッチングを施して、前記凹部の前記導電性薄膜上の前記感光性樹脂組成物の層を除去する工程を行うことを特徴とする導電性パターン基板の製造方法に関するものである。
【００１３】
第４の発明は、第３の発明において、前記（５）の工程において、前記凹部の前記感光性樹脂組成物の層を除去するのに加えて、前記凹部上の前記導電性薄膜をも除去することを行うことを特徴とする導電性パターン基板の製造方法に関するものである。
【００１４】
第５の発明は、第１または第２の発明において、前記（３）の工程において使用する感光性樹脂組成物がネガ型であり、前記（４）の導電性パターンを形成する工程を行った後、さらに（５’）エッチングを施して、前記凸部の前記導電性薄膜上の前記感光性樹脂組成物の層を除去する工程を行うことを特徴とする導電性パターン基板の製造方法に関するものである。
【００１５】
第６の発明は、第５の発明において、前記（５’）の工程において、前記凸部の感光性樹脂組成物の層を除去するのに加えて、前記凸部上の前記導電性薄膜をも除去することを行うことを特徴とする導電性パターン基板の製造方法に関するものである。
【００１６】
【発明の実施の形態】
図１〜図４は、いずれも本発明の導電性パターン基板の製造方法の各工程を示す図であり、後に述べるように、使用する感光性樹脂組成物のタイプにより、大別して、図１→図２→図３の順に進行するか、もしくは図１→図２→図４の順に進行する。
【００１７】
まず、基板Ａ（図中符号１）を準備する。基板Ａは、回路基板等の土台をなすものであり、具体的には、ガラス、シリコンウェハー、もしくは石英等の無機基材か、次に列挙するような有機基材からなる。有機基材としては、ポリアミド、ポリアセタール、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、もしくはシンジオタクティック・ポリスチレン等、ポリフェニレンサルファイド、ポリエーテルエーテルケトン、液晶ポリマー、フッ素樹脂、もしくはポリエーテルニトリル等、ポリカーボネート、変性ポリフェニレンエーテル、ポリシクロヘキセン、もしくはポリノルボルネン系樹脂等、または、ポリサルホン、ポリエーテルサルホン、ポリアリレート、ポリアミドイミド、ポリエーテルイミド、もしくは熱可塑性ポリイミド等からなるものを挙げることができるが、一般的なプラスチックからなるものも使用可能である。特に基板Ａが有機基材である場合、厚みが５μｍ〜３００μｍ程度の薄いフレキシブルなフィルム状のものを使用すると、得られる導電性パターン基板をフレキシブルなものとすることができるので、好ましい。
【００１８】
次に基板Ａとは別の基板Ｂ（図中符号２）に、パターン層Ｐ（図中符号３）が積層されたパターン基板Ｃ（図中符号４）を準備する。基板Ｂを構成する素材は、原則的には、基板Ａを構成するものと同じであり、ただし、後に述べるように、パターン基板Ｃは感光性樹脂組成物の層を露光する際のマスクパターンとして用いることもあるから、基板Ｂは、露光光に対する透明性を有するものであることが好ましい。基板Ｂの厚みは任意であるが、寸法安定性の観点から言えば、厚い方が好ましい。上記の無機基材のうち、ガラスや石英であれば、１ｍｍ〜５ｍｍ程度、上記の有機基材であれば、５０μｍから３００μｍ程度である。
【００１９】
パターン層Ｐは、好ましくは、遮光性層がパターン化されて構成されたものである。遮光性層は、クロム等の無機物の薄膜層であっても、染料や顔料等の遮光剤を含有する樹脂組成物の層のいずれであってもよい。パターン層Ｐがクロム等の無機物の薄膜層の有無で構成される場合、その形成は、半導体製造用のフォトマスクを製造するのと同様なフォトエッチング法で行うことができる。あるいは、パターン層Ｐの形成は、基材上に塗布もしくはラミネートにより形成された感光性樹脂層に対し、パターン露光および現像を施す方法によって行うこともできる。
【００２０】
遮光性層がパターン化されたものからなるパターン層Ｐは、遮光性層のある箇所と遮光性層の無い箇所とで構成され、後に使用する感光性樹脂の層がポジ型であるときは、遮光性層の無い箇所が導電性パターンの形状をなすよう構成されていることが好ましく、使用する感光性樹脂の層がネガ型であるときは、遮光性層のある箇所が導電性パターンの形状をなすよう構成されていることが好ましい。パターン基板Ｃが仮にマスクパターン基板の役割のみを果たすものであれば、遮光性層の厚みはごく薄くてよいが、本発明で用いるパターン基板Ｃには、その遮光性層の厚みが、基板Ａ上に形成される凹凸層の凹部の深さを決めるので、得たい導電性パターン基板にもよるが、遮光性層の厚みは、１０ｎｍ〜１μｍ程度であることが好ましい。また、遮光性層のある部分の幅もしくは無い部分の幅も、厚みと同様、１０ｎｍ〜１μｍ程度であることが好ましい。また、パターン層Ｐの各部分の断面形状は、できるだけ四角形に近いものであることが好ましく、断面形状における角の部分が丸みを帯びているとしても、その曲率半径ｒが、遮光性層の厚みの１／１０以下であることが好ましい。
【００２１】
なお、パターン層Ｐを遮光性層の有無で構成したのは、パターン基板Ｃが後の工程において、感光性樹脂組成物のパターン露光の際にも使用され得るからであるが、もし、パターン基板Ｃが、基板Ａ上に形成される凹凸層の凹部の深さを決める際にのみ使用され、後の感光性樹脂組成物のパターン露光の際には、別のパターン基板が使われるのであれば、パターン層Ｐは遮光性層でなく、光透過性層で構成されていてもよく、結局、パターン層Ｐは、層のある箇所と無い箇所とで構成されていればよい。もし、パターン層Ｐが光透過性層からなっていれば、パターン基板Ｃの基板Ｂ側から露光した際に、パターン層Ｐを光が透過するので、基板Ａとパターン基板Ｃとの間の硬化性樹脂をパターン基板Ｃの側からの光の照射により硬化させることも可能になる。
【００２２】
基板Ａとパターン基板Ｃとは、両者をパターン層Ｐが基板Ａ側になるよう、かつ、両者の間に硬化性樹脂組成物５を介して重ね合わせる。間に挟むものは、必ずしも硬化性樹脂組成物でなくてもよいが、後の工程で金属の薄膜を形成する際にもたらされる熱や導電性パターン基板の用途を考慮すると、耐熱性およびその他の耐久性の高い硬化性樹脂組成物を用いることが好ましい。
【００２３】
上記における硬化性樹脂組成物５としては、一例として、不飽和ポリエステル、メラミン、エポキシ、ポリエステル（メタ）アクリレート、ウレタン（メタ）アクリレート、エポキシ（メタ）アクリレート、ポリエーテル（メタ）アクリレート、ポリオール（メタ）アクリレート、メラミン（メタ）アクリレート、もしくはトリアジン系アクリレート等などの硬化性樹脂を単独もしくは混合したものである。これら硬化性樹脂組成物５には、必要に応じて、硬化剤、光重合開始剤等を加えてあってよく、熱硬化性樹脂組成物、もしくは紫外線硬化性等の電離放射線硬化性樹脂組成物の硬化性樹脂組成物として使用することができる。硬化性樹脂組成物は塗布に適した粘度を有することが好ましく、溶剤もしくはモノマーを配合して粘度を調整するとよい。
【００２４】
基板Ａとパターン基板Ｃとを、硬化性樹脂組成物５を介して重ね合わせるには、
基板Ａの表面、もしくはパターン基板Ｃのパターン層Ｐ側の表面のいずれか、もしくは両方に、硬化性樹脂組成物５を塗布し、重ねあわせるか、予め、両者を隙間を保って固定した間に、硬化性樹脂組成物５を注入する等による。
【００２５】
基板Ａとパターン基板Ｃとを硬化性樹脂組成物５を介して重ね合わせた後、間に挟まれた硬化性樹脂組成物５を硬化させる。熱硬化性樹脂組成物を使用した場合には、常温で、もしくは加温して所要時間放置することにより、また、紫外線硬化性等の電離放射線硬化性樹脂組成物を使用した場合には、紫外線６等の電離放射線を照射することにより硬化を行う。なお、電離放射線を照射して硬化を行う際には、基板Ａもしくはパターン基板Ｃのいずれかのうち、電離放射線透過性であるものの側から照射を行うので、基板Ａを電離放射線透過性の素材で構成し、紫外線照射する場合であれば、透明なもので構成しておき、あるいは、パターン基板Ｃを構成する基板Ｂおよびパターン層Ｐを電離放射線透過性の素材で構成し、紫外線照する場合であれば、それら両方を、透明なもので構成しておく。電子線照射の場合には、素材が電子線透過性であればよく、電子線は透過性が比較的よいので、必ずしも透明性を有していなくてもよいこともある。
【００２６】
基板Ａとパターン基板Ｃとの間に挟まれた硬化性樹脂組成物５を硬化させた後、パターン基板Ｃを剥離することにより、基板Ａ上に、パターン層Ｐの層の無い部分に対応する凸部７ａと、パターン層Ｐの層のある部分に対応する凹部７ｂとからなり、硬化性樹脂組成物５の硬化物から構成された凹凸層７が積層された凹凸積層体８が得られる。なお、この凹凸層７は、図３に示すように、凹部においては層が薄く、全体として一続きなものであってもよいし、あるいは、凹部７ｂにおいては硬化性樹脂組成物の硬化物が無いものであってもよい。後者の場合、凹凸層７の全厚は、遮光性層の厚みである１０ｎｍ〜１μｍ程度であり、前者の場合は、凹凸層７の全厚は、１００ｎｍ〜１０μｍ程度である。
【００２７】
図２（ａ）に示すように、凹凸積層体８の凹凸層７上に、蒸着もしくはスパッタリング等を適用して、凹部７ｂの底面および凸部７ａの頂面に気相法により、それぞれ導電性薄膜９ａおよび９ｂを形成する。
【００２８】
導電性薄膜９を構成する素材は、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｈｆ、Ｚｎ、Ｚｒ、Ｍｏ、もしくはＴａ等の導電性の高いものが好ましい。導電性薄膜９は同じ金属からなる単一の層で構成されていてもよいが、互いに異なる金属からなる二層以上の層で構成されていてもよい。一例として、感光性樹脂組成物の効果物からなる凹凸層７上に、まず密着性のよいＣｒの薄膜を形成してから、Ｃｕの薄膜を形成する等である。これらの金属から構成される導電性薄膜９の厚みは２０ｎｍ〜５００ｎｍ程度であることが好ましい。
【００２９】
導電性薄膜９が形成された凹凸層７の導電性薄膜９上には、凹凸層７に由来する凹凸をならして一面に感光性樹脂組成物の層１０を積層する。凹凸をならすためには、感光性樹脂組成物の層１０の厚みを、凸部の高さ（凸部と凹部の高さの差である。）よりも厚くなるようにすればよい。従って、感光性樹脂組成物の層１０の厚みは、１０ｎｍ〜２０μｍ程度であることが好ましい。
【００３０】
感光性樹脂組成物としては、ポジ型感光性樹脂である、例えば、光分解可溶型のキノンジアジド系感光性樹脂等を主成分とするもの、または、ネガ型感光性樹脂である、例えば、光分解架橋型のアジド系感光性樹脂、光分解不溶型のジアゾ系感光性樹脂、光二量化型のシンナメート系感光性樹脂、光重合型の不飽和ポリエステル系感光性樹脂、光重合型のアクリレート樹脂、もしくはカチオン重合系樹脂等を成分とするものが挙げられる、感光性樹脂組成物は、これらの感光性樹脂に加えて、光重合開始剤、および増感色素等を必要に応じて伴なう。
【００３１】
積層された感光性樹脂組成物の層１０上に、パターン基板Ｃのパターン層Ｐと同じ平面形状の遮光性パターンを有する遮光性パターン基板Ｄ（図中符号１１）を介して露光する。遮光性パターン基板Ｄとしては、先に使用したパターン基板Ｃが、遮光性層がパターン化されて構成された遮光性パターン層を有するものであった場合、先に使用したパターン基板Ｃと全く同一のもの、もしくは先に使用したパターン基板Ｃとは互いに複製物の関係にあるものを使うこともでき、資材の有効利用の点で好ましいが、ここでは、凹凸を形成する目的で使用するのではなく、パターン露光するために使用するので、パターン層Ｐの厚みは必ずしも必要ではないから、厚みの薄い遮光性のパターン層が積層されて構成された、パターン基板Ｃとは別のものであってもよいが、ただし、パターンの平面形状が、パターン基板Ｃのものと同じものを使用する。いずれにせよ、感光性樹脂組成物の層１０上に重ねられた遮光性パターン基板Ｄの基板Ａに対する平面的な位置関係が、先のパターン基板Ｃを用いたときの基板Ａに対する位置関係と同じになるよう、基板Ａと遮光性パターン基板Ｄとの位置決めを行う。
【００３２】
露光は、超高圧水銀灯、高圧水銀灯、カーボンアーク、キセノンアーク、もしくはメタルハライドランプ等の光源を用いて、０．１〜１０，０００ｍＪ／ｃｍ２　、好ましくは、１０〜１，０００ｍＪ／ｃｍ２　の紫外線照射により行う。
【００３３】
露光により、感光性樹脂組成物の層１０がポジ型感光性樹脂を主成分とするときは、露光部が可溶化するので、露光後、現像することにより、凹凸層７の凸部７ａ上の感光性樹脂組成物の層が可溶化した部分が、現像液により溶解除去され、従って、凸部７ａの頂面に形成されていた導電性薄膜９ａが露出し、凹部７ｂの底面に形成されていた導電性薄膜９ｂは、感光性樹脂組成物の層１０ｂにより被覆されて残る。なお、現像条件を強めることにより、凹部７ｂ上の感光性樹脂組成物の層１０ｂを、元の感光性樹脂組成物の層１０の状態にくらべて、薄くし、凹部７ｂを充填する程度に除去してもよい（図３（ａ））。
【００３４】
また、上記の露光により、感光性樹脂組成物の層１０がネガ型感光性樹脂を主成分とするときは、露光部が不溶化するので、露光後、現像することにより、凹凸層７の凹部７ｂ上の不溶化していない感光性樹脂組成物の層１０が、現像液により溶解除去され、従って、凹部７ｂの底面に形成されていた導電性薄膜９ｂが露出し、凸部７ａの頂面に形成されていた導電性薄膜９ａは、不溶化した感光性樹脂組成物の層１０ａにより被覆されて共に残る（図４（ａ））。
【００３５】
感光性樹脂組成物の層１０に対する露光および現像により露出した、凸部の頂面の導電性薄膜９ａもしくは凹部の底面の導電性薄膜９ｂに対し、電解メッキにより金属のメッキを施して、導電性パターン１２ａ（図３（ｂ））もしくは１２ｂ（図４（ｂ））を形成する。
【００３６】
導電性パターン１２ａおよび１２ｂを構成するのに用いる金属は、導電性薄膜９を構成する素材として挙げたものと、原則的には同じであるが、導電性の高いＣｕが好ましく、あるいは、金もしくは銀等であってもよい。導電性パターン１２ａおよび１２ｂの厚みは、線幅や要求される導電性の程度にもよるが、５０ｎｍ〜２０μｍが好ましく、より好ましくは１μｍ〜１０μｍ程度である。
【００３７】
図４（ｂ）に示すように、凹部７ｂの底面の導電性薄膜９ｂに金属のメッキを施して導電性パターン１２ｂを形成したときは、凸部７ａの頂面の導電性薄膜９ａと、その上の不溶化した感光性樹脂組成物の層１０ａとが、残存している。導電性薄膜９ａが不要な場合、感光性樹脂組成物の層１０ａ、および導電性薄膜９ａをエッチング液を変えて逐次エッチングするか、もしくは両方を除去可能なエッチング液を用いてエッチングして、凸部７ａの頂面の導電性薄膜９ａおよび感光性樹脂組成物の層１０ａを除去した導電性パターン基板１３ｂを得ることができる（図４（ｃ））。なお、凸部７ａの頂面の導電性薄膜９ａおよび感光性樹脂組成物の層１０ａを除去する際には、導電性パターン１２ｂも影響を受けるので、導電性パターン１２ｂが形成時よりも薄くなり得る。前記した導電性パターン１２ｂの厚みは、このように薄くなることを考慮すると、最終的な導電性パターン基板１３ｂにおいて必要とされる厚みから逆算的に決めることが好ましい。
【００３８】
図３（ｂ）に示すように、凸部７ａ上の導電性薄膜９ａに金属のメッキを施して導電性パターン１２ａを形成したときは、導電性薄膜層９ｂと、そのままでは溶解除去しにくい感光性樹脂組成物の層１０ｂとが、凹部７ｂの底面上に積層されているので、これらが不要な場合、両者を除去するには、まず、感光性樹脂組成物の層１０ｂが積層されている側から、露光を行って、感光性樹脂の層１０ｂを可溶化させ（図３（ｃ））、その後、可溶化した感光性樹脂の層１０ｂ、および導電性薄膜９ｂをエッチング液を変えて逐次エッチングするか、もしくは両方を除去可能なエッチング液を用いてエッチングして、凹部７ｂの底面の導電性薄膜９ｂおよび感光性樹脂組成物の層１０ｂを除去した導電性パターン基板１３ａ（図３（ｄ））を得ることができる。この際、導電性パターン１２ａも影響を受けて薄くなり得るので、前記した導電性パターン１２ａの厚みは、最終的な導電性パターン基板１３ａにおいて必要とされる厚みから逆算的に決めることが好ましい。
【００３９】
なお、図３（ａ）および図３（ｂ）に示すように、凸部７ａに導電性パターン１２ａを形成したときは、凹部７ｂの底面に導電性薄膜９ｂが残存し、また、図４（ａ）および図４（ｂ）に示すように、凹部７ｂに導電性パターン１２ｂを形成したときは、凸部７ａの頂面の導電性薄膜９ａが残存しているが、このままでも、導電性パターン基板として使用することもできる。ただし、前工程の導電性薄膜の形成の際に、凸部７ａの側面にも導電性薄膜が若干付着し得るので、凸部７ａの頂面の導電性薄膜９ａと凹部７ｂの底面の導電性薄膜９ｂとが電気的に導通することが懸念されるから、エッチングを短時間施すことにより、生成したとしてもごく薄い、凸部７ａの側面の導電性薄膜を除去しておくとよい。
【００４０】
【実施例】
（実施例１）
ガラス基板上に、厚みが３００ｎｍのＣｒの薄膜層を形成し、このＣｒの薄膜層をフォトエッチングして、線幅；５００ｎｍおよびピッチ；１μｍのＣｒの細線が間にＣｒのない箇所を有して配列したパターンをフォトエッチング法により作成して、凹凸形成用パターン基板としたものを用い、この凹凸形成用パターン基板のパターン側と、厚みが１００μｍのポリカーボネートフィルムの間に未硬化の透明な紫外線硬化性樹脂をはさんで、ラミネートし、ポリカーボネートフィルム側より露光して、紫外線硬化性樹脂を硬化させた後、凹凸形成用パターン基板を剥離することにより、ポリカーボネートフィルム上に、凹凸形成用パターン基板の凹凸が転移した、凸部および凹部の幅がいずれも５００ｎｍで、凸部と凹部の高さの差が３００ｎｍの凹凸パターンを形成した。
【００４１】
得られた凹凸パターン上にスパッタリング法を適用し、凹凸パターンの凸部の頂面および凹部の底面に、Ｃｕの薄膜を厚みが１００ｎｍになるよう形成した後、ポジ型感光性樹脂組成物（東京応化工業（株）製、品名；「ＰＭＥＲ　Ｐ−ＬＡ９００」）をスピンナーにより塗布し、塗布後、温度；８０℃で３０分間加熱して、厚みが８μｍの上面が平坦なポジ型感光性樹脂組成物の膜を形成した。
【００４２】
このポジ型感光性樹脂組成物の膜上に、最初に用いた凹凸形成用パターン基板を、パターン側がポジ型感光性樹脂組成物の膜に接するよう、かつ、凹凸パターンを形成したときと同じポリカーボネートフィルム上の位置に位置合わせして密着させ、凹凸形成用パターン基板のガラス基板側より紫外線露光した。露光後、現像液（東京応化工業（株）製、品名；「ＰＭＥＲ　Ｄｅｖ　Ｐ−７Ｇ」）を用いて現像し、露光部である凸部上のポジ型感光性樹脂組成物の可溶化部を除去し、凸部上のＣｕの薄膜を露出させ、この薄膜を利用して、硫酸銅メッキ浴を用いた電解メッキを行ない、凸部上に厚みが３μｍのＣｕメッキ層を形成した。
【００４３】
その後、Ｃｕメッキ層の形成された側に紫外線を露光して、凹部に残留しているポジ型感光性樹脂組成物の膜を可溶化させ、現像液（東京応化工業（株）製、品名；「ＰＭＥＲ　Ｄｅｖ　Ｐ−７Ｇ」）を用いて、凹部の可溶化したポジ型感光性樹脂組成物の膜を除去した後、さらに、過硫酸ナトリウム水溶液（過硫酸ナトリウム；２０ｇおよびＨＣｌ；１０ｍｌを１０００ｃｍ３中に含む）中で３分間、および過マンガン酸カリウム水溶液（過マンガン酸カリウム；５０ｇおよびＮａＯＨ；３０ｇを１０００ｃｍ３中に含む）で４分間、それぞれ浸漬して、凹部の底面のＣｕ薄膜を除去し、導電性パターン基板を得た。
【００４４】
【発明の効果】
請求項１の発明によれば、凹凸を形成すること、および、凹凸上に形成した導電性薄膜を選択的に除去することとが、同じ平面形状を有するパターンを用いて行なわれるので、導電性パターンを形成する際の下地である導電性薄膜のパターンの、パターン基板に対する再現性がよく、従って、精度の優れた導電性パターンを形成可能な、導電性パターン基板の製造方法を提供することができる。
【００４５】
請求項２の発明によれば、凹凸層を形成する際のパターン基板と、凹凸層上の凸部上もしくは凹部上のいずれかの上の導電性薄膜を露出させるための工程で使用されるパターン基板とが全く同一、もしくは一方が他方の複製品であるものを使用でき、全く別異のものを準備せずに行なうことが可能な、導電性パターン基板の製造方法を提供することができる。
【００４６】
請求項３の発明によれば、請求項１または請求項２の発明の効果に加え、前記感光性樹脂組成物がポジ型であるので、凸部上および凹部上の感光性樹脂組成物を露光により可溶化させて、選択的に除去することが容易で、凸部上にのみ、精度の優れた導電性パターンを形成可能な、導電性パターン基板の製造方法を提供することができる。
【００４７】
請求項４の発明によれば、請求項３の発明の効果に加え、凹部の底面の導電性薄膜をも除去可能な、導電性パターン基板の製造方法を提供することができる。
【００４８】
請求項５の発明によれば、請求項１または請求項２の発明の効果に加え、前記感光性樹脂組成物がネガ型であるので、凹部上の未露光の感光性樹脂組成物を選択的に除去することが容易で、凹部にのみ、精度の優れた導電性パターンを形成可能な、導電性パターン基板の製造方法を提供することができる。
【００４９】
請求項６の発明によれば、請求項５の発明の効果に加え、凸部の頂面上の導電性薄膜をも除去可能な、導電性パターン基板の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】
パターン基板を用いた凹凸積層体の製造の過程を示す図である。
【図２】
導電性薄膜の形成、感光性樹脂の層の積層、露光の過程を示す図である。
【図３】ポジ型感光性樹脂を用いた場合の導電性パターン形成の過程を示す図である。
【図４】ネガ型感光性樹脂を用いた場合の導電性パターン形成の過程を示す図である。
【図５】本発明の製造方法の概略を示す図である。
【符号の説明】
１　　基板Ａ
４　　パターン基板Ｃ（２；基板Ｂ、３；パターン層Ｐ）
５　　硬化性樹脂組成物
８　　凹凸積層体（７；凹凸層）
９　　導電性薄膜
１０　　感光性樹脂の層
１１　　遮光性パターン基板Ｄ
１２　　導電性パターン
１３　　導電性パターン基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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