(57)【要約】【課題】入射光の偏向方向が変動しても常に適切に光変調器の最適動作点にて動作可能な光送信装置を提供することを目的とする。【解決手段】演算処理装置１２の制御によって変調器２の入出力特性の所定の範囲を走査して最適な動作範囲を利用可能なバイアス点を検出し、動作点制御回路７にて当該検出バイアス点を開始点としてフィードバック制御による動作範囲制御を実施する構成である。【選択図】　　　図８
2004020839.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
変調信号の入力によって入射光の光強度を変調して出射するマッハツェンダ型光変調器と、
前記変調信号のバイアスを変化させることによって前記マッハツェンダ型光変調器の入出力特性の所定の部分を走査する入出力特性走査手段と、
前記入出力特性走査手段の走査結果から前記マッハツェンダ型光変調器の最適なダイナミックレンジが得られるバイアス点を判断する最適バイアス点判断手段とよりなる光送信装置。
【請求項２】
前記マッハツェンダ光変調器の最適なダイナミックレンジが得られるバイアス点は、当該光変調器の出力光強度の最大と最小との比である消光比が最大となる動作範囲を利用可能とするバイアス点である請求項１に記載の光送信装置。
【請求項３】
更に、前記最適バイアス点判断手段によって最適と判断されたバイアス点を開始点とし、当該バイアス点によって利用可能とされた当該変調器の動作範囲の変動を検出して前記バイアス点を制御し、もって常に前記最適動作範囲が利用可能なように制御する動作点制御手段よりなる請求項１又は２に記載の光送信装置。
【請求項４】
前記入出力特性走査手段が走査する入出力特性の範囲は、ＴＭモード光入射時の当該入出力特性の周期の３周期分に相当する範囲よりなる請求項１乃至３のいずれか一項に記載の光送信装置。
【請求項５】
変調信号力によって入射光の光強度を変調して出射するマッハツェンダ型光変調器を含む光送信装置の制御方法であって、
前記変調信号のバイアスを変化させることによって前記マッハツェンダ型光変調器の入出力特性の所定の部分を走査する入出力特性走査段階と、
前記入出力特性走査段階による走査結果から前記マッハツェンダ型光変調器の最適なダイナミックレンジが得られるバイアス点を判断する最適バイアス点判断段階とよりなる光送信装置の制御方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はマッハツェンダ型の光変調器を備えた光送信装置及び同光送信装置の制御方法に係り、特に同光変調器の入出力特性を効果的に利用可能な光送信装置及び光送信装置の制御方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
光通信システムに使用される光送信器において、半導体レーザに供給する電流をデータ信号により変調する直接変調方式が知られている。しかしながら、この直接変調方式では、光ファイバ内の波長分散の影響により、伝送速度が高くなるに従って出力される光信号における動的波長変動（チャーピング）の影響が大きくなる傾向があり、長距離伝送には適さないと考えられる。そこで、原理的にチャーピングが生じにくいマッハツェンダ型の光変調器を備えた光送信器が検討されている。
【０００３】
このマッハツェンダ型光変調器を備えた光送信器を適用する場合、以下に説明する如く、光通信システムの安定動作を達成するため、光変調器の動作点ドリフトに起因する問題に対処する必要がある。
【０００４】
図１は従来の一例のマッハツェンダ型光変調器を備えた光送信装置のブロック図であり、同図において、１は半導体レーザ等からなる光源、２はマッハツェンダ型の光変調器、３は同変調器の信号用電極、４は光検出回路、５は変調器駆動回路、６は終端器、７は動作点制御回路、８は低周波重畳回路、９は低周波発振器、１０、１１はバイアスティ、Ｌ、Ｃはバイアスティを構成するインダクタンスとコンデンサである。
【０００５】
マッハツェンダ型の光変調器２は、分岐／結合するパターンの光導波路を形成し、分岐された光導波路に電界を印加する信号用電極３と接地用電極とを形成する。そして、信号用電極３の一端に駆動信号を印加し、他端をバイアスティ１１のコンデンサＣを介して５０Ωの終端器６により終端する。
【０００６】
このような構成の光変調器２では、定常光強度の入射光は分岐部で等分され別々の導波路を伝搬した後、結合部で合光され出射される。ここで信号用電極３に所定の電圧を印加すると、一方の導波路の屈折率、つまり伝搬速度が変化し、電圧印加の無い側との間で位相差が生じる。この時、結合部の位相差がπ×２ｎ　［ｎ＝０，１，２，・・・］ならば出射光の光強度は最大となり、位相差がπ×（２ｎ＋１）　［ｎ＝０，１，２，・・・］ならば出射光の光強度は最小となる。このように、マッハツェンダ型の光変調器を備えた光送信機においては、同変調器の機能によって、半導体レーザ等の光源からの定常強度の光に対して強度変調を行うことができるので、直接変調方式が採用されている場合と比較して、チャーピングの影響を受けにくく、従って高速／長距離の伝送に適する光送信装置を達成可能である。
【０００７】
ここで、このようなマッハツェンダ型の光変調器の入出力特性（動作特性曲線）は周期性を持つ。そこで、入力信号の論理に対応して動作曲線上の極小、極大値が得るように駆動電圧Ｖ０、Ｖ１にバイアスすることで効果的な変調を行うことができる。この極大値から極小値までの駆動電圧差をＶπと呼ぶ。ここでバイアス点には温度変化や経時変化等によりドリフトが生じる（動作点ドリフト）。このような動作点ドリフトが発生したとき、駆動電圧Ｖ０／Ｖ１　が一定である場合、出力光信号の消光比が劣化する可能性がある。従って、動作点ドリフトが発生したときにそのドリフト量をｄＶとすると、駆動電圧Ｖ０、Ｖ１　をそれぞれＶ０＋ｄＶ、Ｖ１＋ｄＶとして動作点ドリフトを補償することが要求される。
【０００８】
そこで、低周波発振器９からの低周波信号を低周波重畳回路８に加え、数Ｇｂｐｓの入力信号に従った変調器駆動回路５からの駆動信号に低周波信号を重畳する。この信号をバイアスティ１０のコンデンサＣを介して信号用電極３に印加し、光源１からの光を低周波信号が重畳された駆動信号によって変調駆動する。光変調器２により変調された出力光は光検出器４により電気信号に変換され、低周波発振器９からの低周波信号により同期検波される。光変調器２は、バイアス電圧によって動作点の制御が可能であるから、動作点制御回路７は同期検波出力の低周波信号成分が最小となるようにバイアス電圧をバイアスティ１１のインダクタンスＬを介して信号用電極３に印加するよう制御する。このようなフィードバック制御により、動作点ドリフトに対して、安定な変調特性を得ることが可能となる（本出願人による特開２０００−１６２５６３号公報参照）。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
導波路中を伝搬する導波光は偏光状態の異なる二つのモードに分離できる。一つはＴＭ（Ｔｒａｎｓｖｅｒｓｅ　ｍａｇｎｅｔｉｃ）モード、もう一つはＴＥ（Ｔｒａｎｓｖｅｒｓｅ　Ｅｌｅｃｔｒｉｃ）モードである。このモード毎に導波路中の屈折率が異なるため、光変調器の入出力特性は入射光の偏光方向により変化する。ここで導波路中での減衰がないとすると、光変調器の入出力特性は以下のように表される。
【００１０】
【数１】
2004020839.tif 000003
ここで、Ｐは入射光を基準にしたときの出射光の光強度、Ｖは駆動電圧、Ｖπは駆動電圧が極大から極小まで変化する周期、ΦはＴＭモードとＴＥモード夫々の間の入出力特性の位相差を表す。
【００１１】
実測値より、ＶＴＭπ＝３．０Ｖ、ＶＴＥπ＝８．８Ｖ、Φ＝０とすると、変調器の入出力特性は、ＴＭモード入射時、及びＴＥモード入射時の夫々において、図２に示す如くとなる。
【００１２】
又、図３に示すように、変調器に入射される光はＴＭモード成分とＴＥモード成分とを含んでおり、合成したときのベクトルの向きをφとする。
【００１３】
ＴＭモード、及びＴＥモードの各成分を含む光が入射されたとき、それぞれは前述の入出力特性に従い、その光出力強度は以下のように表されるものとなる。
【００１４】
【数２】
2004020839.tif 000004
ここで通常、光変調器に入射される定常光はＴＭモード成分が支配的な状態である。このときＰ≒ＰＴＭであるので、変調器の入出力特性は図４に示す如くとなる。
【００１５】
このとき、動作曲線上における光出力強度の最小値Ｐｏｕｔ＿ｍｉｎは０となる（図５の点ｃ参照）。そしてフィードバック制御によって理想的なバイアスを得た場合、以下の式で表される消光比は∞となる（図５参照）。
【００１６】
【数３】
2004020839.tif 000005
しかし、光源、変調器、及びその間のファイバ結合（スプライス）等の影響により、偏光方向にズレが生じたとき、ＴＥモード成分が発生し、その結果φ≠０°となる（図３参照）。そして変調器の入出力特性はこのＴＥモード成分の影響を受け、ＴＭモード消光特性が劣化する。そのときの様子の一例を図６に示す。即ち、例えば同図中、点ａ，ｂにて極小点がゼロから浮き上がっている。
【００１７】
この時、変調器における変調特性は、例えば図７に示す如くとなる。
【００１８】
即ち、Ｐｏｕｔ＿ｍｉｎ１＝０．０００の場合、理想的に消光比１＝∞　ｄＢとなるが、上記の如くＴＥモード成分の影響を受けて変調器の入出力特性が乱れると、光出力強度の極小値が０とならず、例えばＰｏｕｔ＿ｍｉｎ２＝０．０６５の場合消光比＝１１．９　ｄＢとなり、Ｐｏｕｔ＿ｍｉｎ３＝０．０６０の場合消光比＝１２．２　ｄＢとなってしまう。
【００１９】
以上の如く、光源、変調器、及びその間のファイバ結合（スプライス）などで変調器への入射光の偏光方向にズレが生じたとき、その出射光の光強度の極小値はＴＥモード成分の周期に従って変動し、変調光波形のダイナミックレンジはバイアス点の選択に依存して変化することになる。即ち、上述の如くの従来の制御方式では、動作点ドリフトについて補償し、極大、極小値に対してロックするが、周期性を持つ動作曲線のどの周期に対してロックするかが不定であり、たまたま変調光波形のダイナミックレンジが不足する周期（例えば図６の点ａを含む周期）にロックしてしまった場合、光送信器として特性劣化を生ずる。そのような場合、特に消光比、出力断抑圧比などの特性に与える悪影響が大きくなる。
【００２０】
このため、上述の如くの偏光方向のズレの影響を考慮して光源、変調器の選別、スプライスの精度向上を図ったり、或いは変調器の入射端に偏光フィルタを挿入してＴＥモード成分を除去する手法等が考えられるが、それらいずれの方法もコストアップ、サイズアップ等につながる可能性が大きいと考えられる。
【００２１】
本発明は上記課題に鑑み、マッハツェンダ型の光変調器への入射光の偏光方向にズレが生じた場合であっても、常に理想的な光変調器のダイナミックレンジを得ることが可能な光送信装置、及び光送信装置の制御方法を提供することを目的とする。
【００２２】
【課題を解決するための手段】
上記目的達成のため、本発明は、バイアス入力によって入射光の光強度を変調して出射するマッハツェンダ型光変調器と、
前記バイアス入力を変化させることによって前記マッハツェンダ型光変調器の入出力特性の所定の部分を走査する入出力特性走査手段と、
前記入出力特性走査手段の走査結果から前記マッハツェンダ型光変調器の最適なダイナミックレンジが得られるバイアス点を判断する最適バイアス点判断手段とよりなる構成を有する。
【００２３】
この構成により、入出力特性走査手段によってマッハツェンダ型変調器の入出力特定の所定の範囲を走査することで、入射光の偏向方向がずれて最適な動作範囲が前記入出力特性のうちの所定の限られた周期の範囲内にしか存在しないようになっても、当該所定の限られた周期の範囲を検出可能となり、この入出力特性走査手段による走査結果から前記マッハツェンダ型光変調器の最適なダイナミックレンジが得られるバイアス点を判断することが可能となる。
【００２４】
【発明の実施の形態】
以下、図面と共に本発明の実施の形態について詳細に説明する。
【００２５】
まず、本発明の基本的考え方について説明する。前述の通り、マッハツェンダ型の光変調器への入射光の偏光方向にズレが生じたとき、その出射光の光強度の極小値はＴＥモードにおける周期に従って変動し、変調光波形のダイナミックレンジはバイアス点の選択の如何に依存する（図６参照）。しかし、ＴＥモードの周期毎にあらわれる最適なバイアス点を正しく選択することが出来れば光送信器としての特性劣化は生じない。このＴＥモードの周期毎にあらわれる最適なバイアス点を正しく選択するための構成について、図８と共に説明する。
【００２６】
同図において、図１の構成と同様の構成については同じ符号を付してある。まず、変調器２には光源１より定常光を入射する。演算処理装置１２は動作点制御回路７を介して所定のバイアス電圧をマッハツエンダ型変調器２の信号用電極３に与える。その時、変調器２からは、その入出力特性に応じた光強度の出射光が得られ、出射された光は光検出器４で検出され電気信号に変換される。そしてこのようにして検出された変調器２の入出力特性から、最小の極小光強度が得られるバイアス点を選択し、それを上記従来のフィードバック制御の開始点とし、上記従来技術のおける如くのフィードバック制御により動作点ドリフトに対応する。
【００２７】
更に具体的な本発明の実施例の構成について以下に説明する。
【００２８】
まず、図９，１０，１１と共に本発明の第１実施例の構成について説明する。
【００２９】
図９は本発明の第１実施例の構成を示すブロック図であり、図８に示す基本構成における構成部分と対応する部分には同じ符号を付し、重複説明を省略する。
【００３０】
同図において、１は半導体レーザ等からなる光源、２はマッハツェンダ型の光変調器、３は同変調器の変調信号入力用電極、４は光検出用のＰＤ、５は変調器駆動回路、６は終端器、７は動作点制御回路、ＡＭＰは変調信号に対するバイアス電圧印加用の増幅器、９は低周波発振器、１１はバイアスティ用のコイル、１２はＣＰＵなどの演算処理装置、１３は記憶装置、１４はリセット回路、１５はＤ／Ａコンバータ、１６はＡ／Ｄコンバータを夫々示す。
【００３１】
このうち、変調器２には光源１より定常光を入射する。他方、演算処理装置１２は増幅器ＡＭＰ、およびコイル１１を介して所定のバイアス電圧Ｖｂｉａｓ１を信号用電極３に与える。それにより変調器２からはその入出力特性に応じた光強度の出射光が得られる。更にこの出射された光は光検出器４で検出され電気信号に変換される。演算処理装置１２はこの信号がＡ／Ｄコンバータによってディジタル信号に変換されて得られる、上記バイアス電圧に対応した出力光強度値Ｐｏｕｔ１を取得する。
【００３２】
次に演算処理装置１２はバイアス電圧をＶｂｉａｓ１からｄＶ変動させたＶｂｉａｓ２を信号電極３に与え、上記同様の経路にて対応する出力光強度値Ｐｏｕｔ２を取得する。更にこの動作を繰り返し、バイアス点をスイープさせて、夫々のバイアス点に対応した出力光強度値Ｐｏｕｔ１、Ｐｏｕｔ２，・・・，Ｐｏｕｔｎを取得し、夫々の出力光強度値を記憶装置１３に格納する（図１０参照）。
【００３３】
このときスイープする範囲として、マッハツェンダ型の光変調器の特性から、（ＴＭモードにおけるＶπ）×３≒（ＴＥモードにおけるＶπ）であるから、ＴＭモードにおけるＶπの３周期分測定することで最適バイアス点（例えば図６の点ｃを含む周期に対応するバイアス点）が検出可能である。
【００３４】
このようにして入出力特性を取得後、所得された光強度値Ｐｏｕｔ１、Ｐｏｕｔ２，・・・，Ｐｏｕｔｎ中で最大のダイナミックレンジを得るバイアス範囲Ｖｂｉａｓ＿ｌ乃至Ｖｂｉａｓ＿ｍ（図１０参照）を選択し、これを上記フィードバック制御の開始点とする。
【００３５】
ここで上記フィードバック制御とは、上記選択されたバイアス範囲を利用可能とするバイアス点に対応する値を基準電圧としてＤ／Ａコンバータ１５を介して増幅器ＡＭＰに与え、その電圧を基準として動作点制御回路７が増幅器ＡＭＰに印加する電圧を制御することによって信号用電極３に印加するＶｂｉａｓ値を微調整し、もって光検出器４によって検出される上記動作点ドリフトを補償する動作を言う。
【００３６】
尚、電源起動、変調器への入射光の切り替え、α切り替え等による所定のリセット信号をリセット回路１４が検出した時、当該リセット回路１４は演算処理装置１２をリセットし、再び上記バイアス点のスイープ動作を行い、変調器２の入出力特性を検出し、最適バイアス点を選択する動作を行なうものとする（最適バイアス点の更新動作）。
【００３７】
ここで上記の如くにバイアス電圧をスイープして入出力特性を取得する際の検出精度は、結果的に得られる変調器２による消光比特性に影響を与える。即ち、スイープの際、サンプリングのステップ幅が広すぎると正確に極小点を検出できないためである（図１１，（ａ）参照）。したがって十分な検出精度を得るために、以下の２つの観点からスイープ時のステップ幅を決めることが望ましい。
【００３８】
即ち、▲１▼バイアス点スイープ時のステップ幅を小さくする点（図１１、（ａ）、（ｂ）参照）、及び▲２▼特に入出力特性の極大時、極小時にステップ幅を小さくとる点（図１２，（ａ）、（ｂ）参照）、である。
【００３９】
上記▲１▼の観点によれば、上記ＴＭモード成分入射時の光強度を表す式
【００４０】
【数４】
2004020839.tif 000006
から、以下の表に示す如くの、所望の検出精度に対する所要ステップ幅を得ることができる。
【００４１】
【表１】
2004020839.tif 000007
同表により、所要消光比に対するステップ幅が得られる。
【００４２】
次に上記観点にによるスイープステップ幅の決定の手法について説明する。図１２は変調器の入出力特性曲線の拡大図である。同図によれば、あるバイアス点Ｖｂｉａｓ＿ａでの検出光強度をＰｏｕｔ＿ａ、その手前のバイアス点Ｖｂｉａｓ＿ａ−２、Ｖｂｉａｓ＿ａ−１による検出光強度が夫々Ｐｏｕｔ＿ａ−２、Ｐｏｕｔ＿ａ−１であるとき、それぞれの差分の絶対値を
ΔＰｏｕｔ＿ａ−１＝｜（Ｐｏｕｔ＿ａ−１）−（Ｐｏｕｔ＿ａ−２）｜
ΔＰｏｕｔ＿ａ　　＝｜（Ｐｏｕｔ＿ａ）−（Ｐｏｕｔ＿ａ―１）｜
としたとき、ΔＰｏｕｔ＿ａ―１＜ΔＰｏｕｔ＿ａならば　、極大／極小値から遠ざかるためステップ幅を拡大しながらスイープを実施するものとし、逆にΔＰｏｕｔ＿ａ―１＞ΔＰｏｕｔ＿ａならば　、極大／極小値に近づくためステップ幅を縮小しながらスイープを実施するものとする。更に、ΔＰｏｕｔ＿ａ―１≒ΔＰｏｕｔ＿ａならば　、ステップ幅を維持してスイープを実施する。
【００４３】
このようにしてサンプリングするステップ幅を制御することにより、一律に所望のステップ幅でサンプリングする場合に比して取得データ数が減るため、所要スイープ時間の短縮、所要メモリ容量の削減が可能である。
【００４４】
次に、本発明の第２実施例について図１３と共に説明する。
【００４５】
図１３は本発明の第２実施例の構成を示すブロック図である。尚、同図に示す構成において、上述の第１実施例の構成部分と同様な部分には同一の符号を付してある。１は半導体レーザ等からなる光源、２はマッハツェンダ型の光変調器、３は信号用電極、４は光検出用のＰＤ、５は変調器駆動回路、６は終端器、７は動作点制御回路、ＡＭＰはバイアス電圧印加用の増幅器、９は低周波発振器、１１はバイアスティ用のコイル、１２はＣＰＵなどの演算処理装置、１３は記憶装置、１４はリセット回路、１５、および１７はＤ／Ａコンバータ、１６はＡ／Ｄコンバータ、１８はクロス・ポイント・スイッチＣＰＳを夫々示す。
【００４６】
変調器２には光源１より定常光を入射する。まずクロス・ポイント・スイッチＣＰＳ１８を図中Ｂ側に切り替えておく。演算処理装置１２は増幅器ＡＭＰ、およびコイル１１を介して任意のバイアス電圧Ｖｂｉａｓ１を信号用電極３に与える。それにより変調器２からはその入出力特性に応じた光強度の出射光が得られる。出射された光は光検出器４で検出され電気信号に変換され、Ａ／Ｄコンバータでディジタル信号に変換され、その結果演算処理装置１２は上記入力バイアス電圧に対応した光強度値Ｐｏｕｔ１を取得する。
【００４７】
次に演算処理装置１２はバイアス電圧を上記Ｖｂｉａｓ１からｄＶ変動させたＶｂｉａｓ２を信号電極３に与え、同様の経路にて対応する光強度値Ｐｏｕｔ２を取得する。更にこの動作を繰り返し、上記第１実施例同様の手法でバイアス点をスイープさせて、夫々対応する光強度値Ｐｏｕｔ１、Ｐｏｕｔ２、・・・、Ｐｏｕｔｎを取得し、記憶装置１３に格納する。
【００４８】
このときバイアス点をスイープする範囲は、マッハツェンダ型の光変調器の特性から、（ＴＭモードにおけるＶπ）×３≒（ＴＥモードにおけるＶπ）であるから（図２参照）、ＴＭモードにおけるＶπの３周期分を測定することで最適バイアス点が検出可能である。
【００４９】
このようにして入出力特性取得後、各光強度値Ｐｏｕｔ１、Ｐｏｕｔ２、・・・、Ｐｏｕｔｎ中で最大のダイナミックレンジを得ることが可能なバイアス点範囲Ｖｂｉａｓ＿ｌ乃至Ｖｂｉａｓ＿ｍを選択し、これを上記フィードバック制御の開始点とする。この後にＣＰＳ１８をＡ側に切り替え、上記従来技術によるフィードバック制御ループに切り換える。
【００５０】
又、電源起動、変調器への入射光の切り替え、α切り替え等の所定のリセット信号をリセット回路１４が検出した時、リセット回路は演算処理装置１２をリセットし、再度上記バイアス点のスイープ動作を行い、再度変調器の入出力特性を検出し、最適バイアス点を再選択するものとする。
【００５１】
尚、入出力特性の検出において十分な精度を得るためのスイープステップ幅の選択に関する方法は上記第１実施例と同様である。
【００５２】
このような構成により、光源、変調器、およびその間のファイバ結合（スプライス）等に起因して変調器への入射光の偏光方向にズレが生じ、変調器の入出力特性が変動した場合においても、安定した光送信器の特性を得ることができる。また、光源、変調器、スプライスの精度に対する規格緩和、高価な偏光フィルタの使用の省略等が可能となり、光送信装置のコストダウン、小型化等が可能である。
【００５３】
本発明は以下の付記に記載の構成を含む。
【００５４】
（付記１）
入力変調信号によって入射光の光強度を変調して出射するマッハツェンダ型光変調器と、
前記変調信号のバイアスを変化させることによって前記マッハツェンダ型光変調器の入出力特性の所定の部分を走査する入出力特性走査手段と、
前記入出力特性走査手段の走査結果から前記マッハツェンダ型光変調器の最適なダイナミックレンジが得られるバイアス点を判断する最適バイアス点判断手段とよりなる光送信装置。
【００５５】
（付記２）
前記マッハツェンダ光変調器の最適なダイナミックレンジが得られるバイアス点は、当該光変調器の出力光強度の最大と最小との比である消光比が最大となる動作範囲を利用可能とするバイアス点である付記１に記載の光送信装置。
【００５６】
（付記３）
更に、前記最適バイアス点判断手段によって最適と判断されたバイアス点を開始点とし、当該バイアス点によって利用可能とされた当該変調器の動作範囲の変動を検出して前記バイアス点を制御し、もって常に前記最適動作範囲が利用可能なように制御する動作点制御手段よりなる付記１又は２に記載の光送信装置。
【００５７】
（付記４）
前記入出力特性走査手段が走査する入出力特性の範囲は、ＴＭモード光入射時の入出力特性の周期の３周期分に対応する範囲よりなる付記１乃至３のいずれかに記載の光送信装置。
【００５８】
（付記５）
前記入出力特性走査手段は所定のリセット条件によって再度前記マッハツェンダ型変調器の入出力特性の所定の範囲を走査し、前記最適バイアス点判断手段は前記捜査の結果から前記マッハツェンダ型光変調器の最適なダイナミックレンジが得られるバイアス点を判断する動作を再度実施する付記１乃至４に内のいずれかに記載の光送信装置。
【００５９】
（付記６）
前記入出力特性走査手段は、所望の消光比が得られる動作範囲を利用可能なバイアス点を検出するのに必要なステップ幅にて前記入出力特性の所定の範囲内の入出力特性値をサンプリングしながら走査する構成の付記１乃至５のうちのいずれかに記載の光送信装置。
【００６０】
（付記７）
前記ステップ幅は前記変調器の入出力特性上の走査位置に応じて可変とされた付記６に記載の光送信装置。
【００６１】
（付記８）
前記入出力特性走査手段による入出力特性走査動作のための回路と、前記最適バイアス点判断手段によって最適と判断されたバイアス点を開始点とし、当該バイアス点によって利用可能とされた当該変調器の動作範囲の変動を検出して前記バイアス点を制御して前記最適動作範囲が利用可能なように制御する動作範囲制御手段による制御動作のための回路とを適宜切り替える切り替え手段よりなる付記１乃至７のうちのいずれかに記載の光送信装置。
【００６２】
（付記９）
変調信号の入力によって入射光の光強度を変調して出射するマッハツェンダ型光変調器を含む光送信装置の制御方法であって、
前記変調信号のバイアスを変化させることによって前記マッハツェンダ型光変調器の入出力特性の所定の部分を走査する入出力特性走査段階と、
前記入出力特性走査段階による走査結果から前記マッハツェンダ型光変調器の最適なダイナミックレンジが得られるバイアス点を判断する最適バイアス点判断段階とよりなる光送信装置の制御方法。
【００６３】
（付記１０）
前記マッハツェンダ光変調器の最適なダイナミックレンジが得られるバイアス点は、当該光変調器の出力光強度の最大と最小との比である消光比が最大となる動作範囲を利用可能とするバイアス点である付記９に記載の光送信装置の制御方法。
【００６４】
（付記１１）
更に、前記最適バイアス点判断段階によって最適と判断されたバイアス点を開始点とし、当該バイアス点によって利用可能とされた当該変調器の動作範囲の変動を検出して前記バイアス点を制御し、もって常に前記最適動作範囲を利用可能なように制御する動作範囲制御段階よりなる付記９又は１０に記載の光送信装置の制御方法。
【００６５】
（付記１２）
前記入出力特性走査段階にて走査する入出力特性の範囲は、ＴＭモード光入射時の入出力特性の周期の３周期分に対応する範囲よりなる付記９乃至１１のいずれかに記載の光送信装置の制御方法。
【００６６】
（付記１３）
所定のリセット条件によって、再度前記入出力特性走査段階を実行して前記マッハツェンダ型変調器の入出力特性の所定の範囲を走査し、前記最適バイアス点判断段階を実行して前記走査の結果から前記マッハツェンダ型光変調器の最適なダイナミックレンジが得られるバイアス点を判断する付記９乃至１２に内のいずれかに記載の光送信装置の制御方法。
【００６７】
（付記１４）
前記入出力特性走査段階では、所望の消光比が得られる動作範囲を利用可能なバイアス点を検出するのに必要なステップ幅にて前記入出力特性の所定の範囲内の入出力特性値をサンプリングしながら走査する構成の付記９乃至１３のうちのいずれか一項に記載の光送信装置の制御方法。
【００６８】
（付記１５）
前記ステップ幅は前記入出力特性上の走査位置に応じて可変とされた付記１４に記載の光送信装置の制御方法。
【００６９】
【発明の効果】
上述の如く、本発明によればマッハツェンダ型変調器を含む光送信装置において、入射光の偏向方向がずれることによって当該変調器が有する入出力特性が乱れた場合であっても、当該入出力特性の所定の範囲を走査することによって最適な動作範囲を利用可能なバイアス点を検出可能であり、当該検出バイアス点を開始点としてフィードバック制御等による動作点制御を実施することによって常に最適動作範囲を利用可能となり、もって最適消光比を得ることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来の一例の光送信装置のブロック図である。
【図２】光変調器の動作曲線の一例を示す図である。
【図３】光変調器への入射光の特性を説明するための図である。
【図４】ＴＭモードが支配的な場合の光変調器の動作曲線の一例を示す図である。
【図５】ＴＭモードが支配的な場合の光変調器による消光比について説明するための図である。
【図６】入射光の偏向方向にズレが生じた場合の光変調器の動作曲線の一例を示す図である。
【図７】入射光の偏向方向にズレが生じた場合の光変調器による消光比について説明するための図である。
【図８】本発明の実施例の概念的な構成を示すブロック図である。
【図９】本発明の第１実施例の光送信装置の回路ブロック図である。
【図１０】本発明の第１実施例における、光変調器の入出力特性を取得するためのバイアス電圧のスイープ動作について説明するための図である。
【図１１】本発明の第１実施例において光変調器の入出力特性を取得する際のステップ幅の選択方法について説明するための図（その１）である。
【図１２】本発明の第１実施例において光変調器の入出力特性を取得する際のステップ幅の選択方法について説明するための図（その２）である。
【図１３】本発明の第２実施例の光送信装置の回路ブロック図である。
【符号の説明】
１　　光源
２　　マッハツエンダ型光変調器
３　　信号用電極
４　　光検出器
７　　動作点制御装置
１２　　演算処理装置
１３　　記憶装置
１４　　リセット回路
１８　　回路切替えスイッチ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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