(57)【要約】【課題】  第１コイル片と第２コイル片との接続抵抗を小さくできるとともに磁気飽和し難く、磁化効率の向上が可能な薄膜磁気ヘッドを提供する。【解決手段】  下部コア層２９、隆起層３２及びバックギャップ層３３で囲まれた空間内に、コイル絶縁層３６で覆われた複数本の第１コイル片５５がハイト方向に並んで形成されている。前記コイル絶縁層３６上、隆起層３２上及びバックギャップ層３３上に形成された積層体６２上に、絶縁層５８を介して複数本の第２コイル片５６がハイト方向に並んで形成されている。前記下部コア層２９と前記第１コイル片５５との間には持ち上げ層８０が形成されており、前記第１コイル片と前記第２コイル片とは前記持ち上げ層８０の上方でコイル絶縁層３６から露出した接続面８１において接触している。【選択図】    図２
2004303393.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
記録媒体との対向面側からハイト方向に延びて形成された下部コア層と、前記対向面からハイト方向に所定距離離れた位置で前記下部コア層と直接的あるいは間接的に接続される磁性層と、前記磁性層の周囲をトロイダル状に巻回するコイル層とを有する薄膜磁気ヘッドにおいて、
前記トロイダルコイル層は、前記下部コア層と磁性層間に形成された複数の第１コイル片と、前記磁性層上に形成された複数の第２コイル片とが接続されて成り、
前記第１コイル片の上面は、前記第２コイル片との接続面を除いて、絶縁層で覆われているとともに、前記第１コイル片の接続面は上方に持ち上げられて、前記接続面が前記絶縁層の上面から露出し、
前記第２コイル片が前記第１コイル片の接続面上に接して形成されることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
【請求項２】
トラック幅方向の中心からトラック幅方向に離れた位置での下部コア層上に持ち上げ層が設けられ、前記第１コイル片の一部は前記持ち上げ層上に乗り、乗った位置での前記第１コイル片の上面の一部が前記絶縁層の上面から露出し、この露出面が前記接続面となる請求項１記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項３】
前記持ち上げ層の上面は平坦化面であり、この平坦化面上に乗った第１コイル片の上面の少なくとも一部が接続面となる請求項２記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項４】
前記第１コイル片は前記平坦化面の途中まで形成される請求項３記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項５】
前記持ち上げ層の表面は湾曲面であり、この湾曲面上に乗った第１コイル片の上面の一部が接続面となる請求項２記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項６】
前記第１コイル片は、前記湾曲面の途中まで形成される請求項５記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項７】
前記絶縁層の上面、及び前記第１コイル片の接続面は同一の平坦化面である請求項１ないし６のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項８】
前記持ち上げ層は複数本の前記第１コイル片の下を横断している請求項２ないし７のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項９】
前記持ち上げ層は、個々の第１コイル片の下にそれぞれ設けられている請求項２ないし７のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項１０】
前記下部コア層の上に、下から下部磁極層、ギャップ層及び前記磁性層である上部磁極層の順に構成された積層構造を有し、前記積層構造の前記対向面でのトラック幅方向における幅寸法でトラック幅Ｔｗが決定される請求項１ないし９のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項１１】
前記下部コア層の上に、少なくとも下から下部磁極層、非磁性金属材料で形成されたギャップ層及び上部磁極層の順にメッキ形成され、記録媒体との対向面側の端面の、トラック幅方向における幅寸法でトラック幅Ｔｗが規定される磁極端層が設けられ、前記磁極端層の上に前記磁性層が積層されている請求項１ないし９のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項１２】
前記磁性層は、前記上部磁極層よりも飽和磁束密度が低い請求項１１記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項１３】
前記第２コイル片の電流が流れる方向と直交する第１の方向の長さ寸法は、前記第１コイル片の前記第１の方向の長さ寸法よりも大きい請求項１ないし１２のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項１４】
前記第２コイル片の膜厚は、前記第１コイル片の膜厚よりも大きい請求項１ないし１３のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項１５】
以下の工程を有することを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
（ａ）記録媒体との対向面からハイト方向に下部コア層を延ばして形成する工程と、
（ｂ）前記下部コア層のトラック幅方向の中心からトラック幅方向に離れた位置での下部コア層上に持ち上げ層を形成する工程と、
（ｃ）複数本の第１コイル片を、ハイト方向に間隔を空けて、前記下部コア層の上方から前記持ち上げ層上にかけて形成する工程と、
（ｄ）コイル絶縁層を第１コイル片間及び第１コイル片上に形成する工程と、
（ｆ）前記コイル絶縁層の上面を削って平坦化面に形成するとともに、前記持ち上げ層の上面に形成された第１コイル片の一部を前記コイル絶縁層の上面から露出させて、露出面を形成する工程と、
（ｇ）前記コイル絶縁層上に磁性層を形成した後、前記磁性層の上方に第２コイル片を複数本形成し、このとき、前記第２コイル片の端部を前記第１コイル片に形成された前記露出面上に直接接触させ、前記第１コイル片と第２コイル片とから成るトロイダルコイル層を形成する工程。
【請求項１６】
前記（ｂ）工程で、前記持ち上げ層の上面を平坦化面に形成し、前記（ｆ）工程で、この平坦化面上に乗った前記第１コイル片の一部が前記露出面となるように研削加工を施す請求項１５記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１７】
前記（ｂ）工程で、前記第１コイル片を前記平坦化面の途中まで形成する請求項１６記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１８】
前記（ｂ）工程で、前記持ち上げ層の上面を湾曲面に形成し、前記（ｆ）工程で、この湾曲面上に乗った前記第１コイル片の一部が前記露出面となるように研削加工を施す請求項１５記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１９】
前記（ｂ）工程で、前記第１コイル片を前記湾曲面の途中まで形成する請求項１８記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項２０】
前記（ｆ）工程で、前記コイル絶縁層の上面と前記第１コイル片に形成された前記露出面とを、同一の平坦化面に形成する請求項１５ないし１９のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項２１】
前記（ｆ）工程で、前記絶縁層と前記露出面とを、ＣＭＰにより同一の平坦化面に形成する請求項２０記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項２２】
前記（ｃ）工程で、複数本の第１コイル片の下を持ち上げ層が横断するように、前記（ｂ）工程で、前記持ち上げ層を帯状に形成する請求項１５ないし２１のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項２３】
前記（ｃ）工程で、個々の前記第１コイル片の下にそれぞれ持ち上げ層が形成されるように、前記（ｂ）工程で、前記持ち上げ層を個々に分断形成する請求項１５ないし２１のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁性層の周囲をトロイダル状に巻回されたコイル構造を有する薄膜磁気ヘッドに係り、特に第１コイル片と第２コイル片とをより簡単に接続でき、且つ接続抵抗を小さくできるとともに磁気飽和し難く、磁化効率の向上が可能な薄膜磁気ヘッドに関する。
【背景技術】
【０００２】
以下に示す特許文献１には、インダクティブヘッド（記録ヘッド）を構成する磁性層の周囲をコイル片がトロイダル状に巻回された構成のトロイダル薄膜磁気ヘッドが開示されている。この薄膜磁気ヘッドの断面形状を図３３に書き写した。
【０００３】
図３３に示すように、基板２上に、例えば絶縁層３を介して前記磁性層４の下方に形成された第１コイル片５が形成され、前記第１コイル片５の上に絶縁層６、磁性層４が形成されている。この磁性層４の両側面から上面にかけて絶縁層７が形成されており、この絶縁層７の上面から前記第１コイル片５の上面にかけ、スルーホール１２を介して第２コイル片８が形成されている。前記第１コイル片５と、前記第２コイル片８とは接続部９で接した状態で電気的に接続されている。また、前記接続部９の側方には絶縁層１０が形成され、前記第２コイル片８の上面から前記絶縁層７の上面にかけて絶縁層１１が形成されている。
【０００４】
一方、以下に示す特許文献２，３，４にも、インダクティブヘッド（記録ヘッド）を構成する磁性層の周囲をトロイダル状に巻回されたコイル片を有するトロイダル薄膜磁気ヘッドが開示されている。これらの薄膜磁気ヘッドでも、磁性層の下方に形成された第１コイル片と、前記磁性層の上方に形成された第２コイル片とが接した状態で電気的に接続されている。これらの薄膜磁気ヘッドでは、下部コア層の表面に凹部が形成されており、前記下部コア層の表面から前記凹部の底面にかけて、前記磁性層の下方に形成された第１コイル片が形成されている。前記第１コイル片の中央領域は前記凹部の上面から側面にかけて形成されており、前記第１コイル片の側端部は前記下部コア層の表面に形成されている。従って、前記第１コイル片の両側端部は前記中央領域よりも上方に位置するように構成されている。そして、前記第１コイル片の両側端部と前記第２コイル片の側端部とが接した状態で電気的に接続されている。
【特許文献１】特開平５−２５０６３６号公報
【特許文献２】特開昭５０−１４７９１６号公報
【特許文献３】特開昭５０−１４５７９１７号公報
【特許文献４】実開昭６１−１３２５１６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、前記特許文献１に開示された薄膜磁気ヘッド１では、前記第１コイル片５と前記第２コイル片８とを接続させるために、前記絶縁層７にスルーホール１２を形成する必要がある。このスルーホール１２はエッチング加工により行うことが開示されているが、スルーホール１２を正確な位置や深さで高精度で形成するのは困難であるため、前記第１コイル片５と前記第２コイル片８との接続が不良になり、またコイル抵抗が増大するという問題があった。すなわち、前記スルーホール１２が形成される位置がずれたり、スルーホール１２の大きさが小さくなることで、前記第１コイル片５と前記第２コイル片８との接続面積が小さくなり、電気抵抗が大きくなる。その結果、前記接続部９附近で熱が発生しやすく、薄膜磁気ヘッドの内部が高温になる。薄膜磁気ヘッド内部が高温になると、コア層や絶縁層との熱膨張係数の差により、薄膜磁気ヘッドの記録媒体との対向面が基板（スライダ）よりも前方に突出し、この結果、前記薄膜磁気ヘッドが記録媒体上に衝突しやくなり、前記薄膜磁気ヘッドや前記記録媒体に損傷を与えてしまう。
【０００６】
また前記スルーホールの形成時に、前記第１コイル片が損傷するといった問題もある。
また、前記特許文献１に開示された薄膜磁気ヘッド１では、前記第２コイル片８が斜め下方に傾斜した状態で前記第１コイル片５と接続されているが、この傾斜した部分では、メッキ成長し難いため膜厚が小さくなる。したがって、これによっても電気抵抗の増大や、熱の発生が生じるという問題がある。
【０００７】
また前記特許文献２，３，４に開示された薄膜磁気ヘッドでは、下部コア層に凹部が形成された構成であるため、前記下部コア層の断面積が小さくなり、これにより磁気飽和しやすいといった問題がある。
【０００８】
さらに前記特許文献２，３，４に開示された薄膜磁気ヘッドでは、特許文献１と同様に、第１コイル片の前記第２コイル片との接続部分では、スルーホールが形成され、前記スルーホールを介して前記第１コイル片と第２コイル片とが接続されるため、前記第１コイル片と第２コイル片間の接続不良などによって前記第１コイルと第２コイル片との接続部附近での電気抵抗が大きくなりやすく熱が生じやすい。またスルーホールを形成して第１コイル片と第２コイル片とを接続する方法では、前記スルーホールの形成時に前記第１コイル片が傷つきやすい。
【０００９】
本発明は前記従来の課題を解決するものであり、第１コイル片と第２コイル片との接続をより簡単にでき、且つ接続抵抗を小さくできるとともに磁気飽和し難くし、磁化効率の向上が可能な薄膜磁気ヘッドを提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明における薄膜磁気ヘッドは、記録媒体との対向面側からハイト方向に延びて形成された下部コア層と、前記対向面からハイト方向に所定距離離れた位置で前記下部コア層と直接的あるいは間接的に接続される磁性層と、前記磁性層の周囲をトロイダル状に巻回するコイル層とを有する薄膜磁気ヘッドにおいて、
前記トロイダルコイル層は、前記下部コア層と磁性層間に形成された複数の第１コイル片と、前記磁性層上に形成された複数の第２コイル片とが接続されて成り、
前記第１コイル片の上面は、前記第２コイル片との接続面を除いて、絶縁層で覆われているとともに、前記第１コイル片の接続面は上方に持ち上げられて、前記接続面が前記絶縁層の上面から露出し、
前記第２コイル片が前記第１コイル片の接続面上に接して形成されることを特徴とするものである。
【００１１】
本発明における薄膜磁気ヘッドでは、前記第１コイル片の上面を覆う絶縁層の上面から前記第１コイル片の接続面が露出しており、前記接続面上に前記第２コイル片が直接接して形成されている。このように本発明では、従来のようにスルーホールなどを設けることなく前記第１コイル片と第２コイル片との接続を簡単に行うことができ、また前記第１コイル片と第２コイル片との接続を確実なものにできる。よって前記第１コイル片と第２コイル片とが接続する部分での電気抵抗を従来よりも小さくでき熱の発生を抑制できる。従って薄膜磁気ヘッドの内部での温度が高温になることを抑制でき薄膜磁気ヘッドの熱膨張量を小さくでき、前記薄膜磁気ヘッド及び記録媒体の損傷を防止できる。
【００１２】
また本発明では、トラック幅方向の中心からトラック幅方向に離れた位置での下部コア層上に持ち上げ層が設けられ、前記第１コイル片の一部は前記持ち上げ層上に乗り、乗った位置での前記第１コイル片の上面の一部が前記絶縁層の上面から露出し、この露出面が前記接続面となることが好ましい。
【００１３】
前記持ち上げ層は下部コア層とは別体で形成されるものであるため、従来のように前記下部コア層に凹部を設けなくても前記第１コイル片の一部を前記持ち上げ層上に乗せることで、その乗せられた位置での前記第１コイル片の上面の一部を前記絶縁層の上面から簡単に露出させることができる。この形態では、前記第１コイル片の接続面の面積をコントロールしやすく、また前記接続面の周囲を同一の絶縁層で十分な膜厚をもって、第２コイル片との絶縁性を確保しやすい。また、前記下部コア層が磁気飽和し難く、良好な磁化特性を発揮することが可能となる。
【００１４】
また、前記持ち上げ層の上面は平坦化面であり、この平坦化面上に乗った第１コイル片の上面の少なくとも一部が接続面となることが好ましい。このように構成すると、前記第１コイル片と前記第２コイル片との接続をさらに良好にすることができる。
【００１５】
なお、前記第１コイル片は前記平坦化面の途中まで形成される形態であると、特に前記平坦化面上に十分な膜厚で第１コイル片を形成できる。
【００１６】
また本発明では、前記持ち上げ層の表面は湾曲面であり、この湾曲面上に乗った第１コイル片の上面の一部が接続面となる形態であってもよい。かかる場合でも前記第１コイル片は、前記湾曲面の途中まで形成されることが好ましい。
【００１７】
また本発明では、前記絶縁層の上面、及び前記第１コイル片の接続面は同一の平坦化面であることが好ましい。このように構成することで前記磁性層を平坦化面上に形成しやすく、トラック幅Ｔｗを高精度に規制しやすい。また前記第１コイル片と第２コイル片との接続をより確実なものにできる。
【００１８】
また前記持ち上げ層は複数本の前記第１コイル片の下を横断していてもよいし、前記持ち上げ層は、個々の第１コイル片の下にそれぞれ設けられている形態であってもよい。
【００１９】
また、前記下部コア層の上に、下から下部磁極層、ギャップ層及び前記磁性層である上部磁極層の順に構成された積層構造を有し、前記積層構造の前記対向面でのトラック幅方向における幅寸法でトラック幅Ｔｗが決定されるものとして構成することができる。
【００２０】
上述した磁性層は、下部磁極層、ギャップ層及び前記磁性層である上部磁極層を有する積層構造が、記録媒体との対向面側とハイト方向側の両方で下部コア層と接続される構造になっており、前記磁性層を前記第１コイル片の上に平面状に形成することができる。
【００２１】
または本発明では、前記下部コア層の上に、少なくとも下から下部磁極層、非磁性金属材料で形成されたギャップ層及び上部磁極層の順にメッキ形成され、記録媒体との対向面側の端面のトラック幅方向における幅寸法でトラック幅Ｔｗが規定される磁極端層が設けられ、前記磁極端層の上に前記磁性層が積層されているものとして構成することができる。
【００２２】
本発明では、前記磁極端層は前記下部コア層の記録媒体との対向面側の端部上に形成され、前記磁性層が前記下部コア層のハイト側と前記磁極端層とを接続する上部コア層となる。前記第１コイル片と第２コイル片は、上部コア層である前記磁性層を軸にして巻回形成される。
【００２３】
前記磁性層が上部コア層である本発明では、記録トラック幅の外側で磁気記録することを防ぐために、前記磁性層は、前記上部磁極層よりも飽和磁束密度が低いことが好ましい。
【００２４】
また、前記コイル層の発熱を低減するために、前記第２コイル片の電流が流れる方向と直交する第１の方向の長さ寸法は、前記第１コイル片の前記第１の方向の長さ寸法よりも大きいものとして構成することが好ましい。また、前記第２コイル片の膜厚は、前記第１コイル片の膜厚よりも大きいものとして構成することが好ましい。
【００２５】
また本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法は、以下の工程を有することを特徴とするものである。
（ａ）記録媒体との対向面からハイト方向に下部コア層を延ばして形成する工程と、
（ｂ）前記下部コア層のトラック幅方向の中心からトラック幅方向に離れた位置での下部コア層上に持ち上げ層を形成する工程と、
（ｃ）複数本の第１コイル片を、ハイト方向に間隔を空けて、前記下部コア層の上方から前記持ち上げ層上にかけて形成する工程と、
（ｄ）コイル絶縁層を第１コイル片間及び第１コイル片上に形成する工程と、
（ｆ）前記コイル絶縁層の上面を削って平坦化面に形成するとともに、前記持ち上げ層の上面に形成された第１コイル片の一部を前記コイル絶縁層の上面から露出させて、露出面を形成する工程と、
（ｇ）前記コイル絶縁層上に磁性層を形成した後、前記磁性層の上方に第２コイル片を複数本形成し、このとき、前記第２コイル片の端部を前記第１コイル片の前記露出面上に直接接触させ、前記第１コイル片と第２コイル片とから成るトロイダルコイル層を形成する工程。
【００２６】
本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法によれば、前記第１コイル片の上面にコイル絶縁層が形成されていても、前記コイル絶縁層を研磨することにより、前記コイル絶縁層の上面に前記第１コイル片の一部を簡単に露出できる。ここで、この露出面は第２コイル片との接続面となるため、前記第１コイル片と前記第２コイル片とを接続するため、前記コイル絶縁層にスルーホールを形成する工程が必要ない。したがって、前記第２コイル片との接続面となる露出面を容易に、かつ正確な位置に高精度で形成することが可能である。また、前記コイル絶縁層を研磨する際にその削り量を調整することで、前記接続面を、所定の面積で露出させることができるため、前記第１コイル片と前記第２コイル片との接続を良好とすることが可能となり、電気抵抗の増大を抑制することができる。したがって、薄膜磁気ヘッドの内部での温度が高温になることを抑制でき、薄膜磁気ヘッドの熱膨張量を小さくでき、薄膜磁気ヘッドおよび記録媒体の損傷を防止できる。
【００２７】
また、前記持ち上げ層は下部コア層とは別体で形成することができるため、従来のように前記下部コア層に凹部を設けなくても前記第１コイル片の一部を前記持ち上げ層上に乗せて形成することで、その乗せられた位置での前記第１コイル片の上面の一部を前記絶縁層の上面から簡単に露出させることができる。したがって、前記第１コイル片の接続面の面積をコントロールしやすく、また前記接続面の周囲を同一の絶縁層で十分な膜厚をもって、第２コイル片との絶縁性を確保しやすい。また、前記下部コア層が磁気飽和し難く、良好な磁化特性を発揮することが可能となる。
【００２８】
また、前記（ｂ）工程で、前記持ち上げ層の上面を平坦化面に形成し、前記（ｆ）工程で、この平坦化面上に乗った前記第１コイル片の一部が前記露出面となるように研削加工を施すことが好ましい。
【００２９】
このように構成すると、前記第２コイル片との接続面となる前記露出面上に第２コイル片を乗せやすく、前記第１コイル片５５と前記第２コイル片５６との接続をさらに良好にすることができる。
【００３０】
また、前記（ｂ）工程で、前記第１コイル片を前記平坦化面の途中まで形成するものとして構成することができる。
このように構成すると、前記平坦化面上に十分な膜厚で第１コイル片を形成できる。
【００３１】
また、前記（ｂ）工程で、前記持ち上げ層の上面を湾曲面に形成し、前記（ｆ）工程で、この湾曲面上に乗った前記第１コイル片の一部が前記露出面となるように研削加工を施すものとして構成しても良い。
【００３２】
この場合、前記（ｂ）工程で、前記第１コイル片を前記湾曲面の途中まで形成することもできる。
【００３３】
また、前記（ｆ）工程で、前記コイル絶縁層の上面と前記第１コイル片に形成された前記露出面とを、同一の平坦化面に形成することが好ましい。
【００３４】
このように構成すると、前記コイル絶縁層３６に形成される磁性層を所定形状で形成しやすく、前記磁性層の記録媒体との対向面での幅寸法で決定されるトラック幅Ｔｗを高精度に形成できるとともに、前記第１コイル片と前記第２コイル片との接続を確実に行うことができる。
【００３５】
この場合、前記（ｆ）工程で、前記絶縁層と前記露出面とを、ＣＭＰにより同一の平坦化面に形成することができる。
【００３６】
また、前記（ｃ）工程で、複数本の第１コイル片の下を持ち上げ層が横断するように、前記（ｂ）工程で、前記持ち上げ層を帯状に形成するものとして構成しても良いし、または前記（ｃ）工程で、個々の前記第１コイル片の下にそれぞれ持ち上げ層が形成されるように、前記（ｂ）工程で、前記持ち上げ層を個々に分断形成するものとして構成しても良い。
【発明の効果】
【００３７】
以上詳述した本発明の薄膜磁気ヘッドは、第１コイル片の第２コイル片との接続面を前記第１コイル片上を覆うコイル絶縁層上から露出させ、露出した前記接続面上に直接、前記第２コイル片を接合しているので、接続層などの介在部材やスルーホールなどの形成が必要なく、簡単に且つ確実に両コイル片の電気的な接続を行うことができるとともに、電気抵抗を低くすることができる。従って第１コイル片と第２コイル片とで構成されるトロイダルコイル構造から出る熱を従来に比べて少なくでき、前記薄膜磁気ヘッド内部での温度の上昇を抑制でき、熱膨張による薄膜磁気ヘッドの突出量を小さくすることができる。
【００３８】
また、下部コア層に凹部を設ける必要がないため、前記下部コア層の断面積を大きくすることができる。したがって、前記下部コア層の磁気飽和を抑制することができ、磁化効率の向上を図ることが可能となる。
【００３９】
また、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法によれば、コイル絶縁層を研磨することにより、前記コイル絶縁層の上面に第１コイル片に形成された接続面を簡単に露出できるため、接続面を容易に、しかも正確な位置に高精度で形成することが可能である。また、前記コイル絶縁層を研磨する際にその削り量を調整することで、前記接続面を所定の面積で露出させることができるため、前記第１コイル片と前記第２コイル片との接続を良好とすることが可能となり、電気抵抗の増大を抑制することができる。したがって、製造された薄膜磁気ヘッドは、内部での温度が高温になることによる熱膨張量を小さくでき、薄膜磁気ヘッドおよび記録媒体の損傷を防止できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４０】
図１は、本発明における第１実施形態の薄膜磁気ヘッド１Ａの構造を示す部分縦面図、図２は図１に示す薄膜磁気ヘッド１Ａから隆起層３２、保護層６０、ＭＲヘッド等を図面上除き、最も記録媒体との対向面側に形成された第１コイル片及び第２コイル片と、これらの層と膜厚方向で対向する各層の構造を記録媒体との対向面側から見た部分正面図、図３は図１に示す薄膜磁気ヘッド１Ａのコイル構造を説明するための部分平面図、図４は図１に示す薄膜磁気ヘッド１Ａの第１コイル片および前記第１コイル片の下方に形成された持ち上げ層を示す部分断面図、図５は図１に示す薄膜磁気ヘッド１Ａの一部の構造を示した部分拡大斜視図である。
【００４１】
なお以下では図示Ｘ方向をトラック幅方向と呼び、図示Ｙ方向をハイト方向と呼ぶ。また図示Ｚ方向は記録媒体（磁気ディスク）の進行方向である。また薄膜磁気ヘッドの前端面（図１に示す最左面）を「記録媒体との対向面」と呼ぶ。さらに各層において「前端面」とは図１における左側の面を指し「後端面」とは図１における右側の面を指す。
【００４２】
また図面を用いて説明する薄膜磁気ヘッド１Ａは、記録用ヘッド（インダクティブヘッドとも言う）と再生用ヘッド（ＭＲヘッドとも言う）とが複合された薄膜磁気ヘッドであるが、記録用ヘッドのみで構成された薄膜磁気ヘッドであってもよい。
【００４３】
符号２０はアルミナチタンカーバイト（Ａｌ2Ｏ3−ＴｉＣ）などで形成された基板であり、前記基板２０上にＡｌ2Ｏ3層２１が形成されている。
【００４４】
前記Ａｌ2Ｏ3層２１上には、ＮｉＦｅ系合金やセンダストなどで形成された下部シールド層２２が形成され、前記下部シールド層２２の上にＡｌ2Ｏ3などで形成された下部ギャップ層２３が形成されている。
【００４５】
前記下部ギャップ層２３の上の記録媒体との対向面からハイト方向（図示Ｙ方向）に所定の長さでスピンバルブ型薄膜素子などのＧＭＲ素子に代表される磁気抵抗効果素子２４が形成され、前記磁気抵抗効果素子２４のトラック幅方向（図示Ｘ方向）の両側にはハイト方向（図示Ｙ方向）に長く延びる電極層２５が形成されている。
【００４６】
前記磁気抵抗効果素子２４上及び電極層２５上にはＡｌ2Ｏ3などで形成された上部ギャップ層２６が形成され、前記上部ギャップ層２６上にはＮｉＦｅ系合金などで形成された上部シールド層２７が形成されている。
【００４７】
前記下部シールド層２２から前記上部シールド層２７までを再生用ヘッド（ＭＲヘッドとも言う）と呼ぶ。
【００４８】
図１に示すように前記上部シールド層２７上には、Ａｌ2Ｏ3などで形成された分離層２８が形成されている。なお前記上部シールド層２７及び分離層２８が設けられておらず、前記上部ギャップ層２６上に次の下部コア層２９が設けられていてもよい。かかる場合、前記下部コア層２９が上部シールド層をも兼ね備える。
【００４９】
図１では、前記分離層２８の上に下部コア層２９が形成されている。前記下部コア層２９はＮｉＦｅ系合金などの磁性材料で形成される。前記下部コア層２９は記録媒体との対向面からハイト方向（図示Ｙ方向）に所定の長さ寸法で形成される。前記下部コア層２９の後端面２９ａよりもハイト方向後方及び前記下部コア層２９のトラック幅方向（図示Ｘ方向）における両側には非磁性絶縁材料層３１が設けられている。図１に示すように前記下部コア層２９及び非磁性絶縁材料層３１の各層の表面は連続した平坦化面である。
【００５０】
前記下部コア層２９上には記録媒体との対向面からハイト方向（図示Ｙ方向）にかけて所定の長さ寸法Ｌ１（図５を参照）で形成された隆起層３２が形成されている。さらに前記隆起層３２のハイト方向後端面３２ａからハイト方向（図示Ｙ方向）に所定距離離れた位置にバックギャップ層３３が前記下部コア層２９上に形成されている。
【００５１】
前記隆起層３２及びバックギャップ層３３は磁性材料で形成され、前記下部コア層２９と同じ材質で形成されてもよいし、別の材質で形成されていてもよい。また前記隆起層３２及びバックギャップ層３３は単層であってもよいし多層の積層構造で形成されていてもよい。前記隆起層３２及びバックギャップ層３３は前記下部コア層２９に磁気的に接続されている。
【００５２】
図１に示すように、前記隆起層３２とバックギャップ層３３間の下部コア層２９上にはコイル絶縁下地層３４が形成され、前記コイル絶縁下地層３４上には、図３に示すようにトラック幅方向（図示Ｘ方向）に延びる複数本の第１コイル片５５がハイト方向に並んで形成されている。
【００５３】
前記第１コイル片５５上はＡｌ2Ｏ3などの無機絶縁材料で形成されたコイル絶縁層３６で埋められている。図１に示すように前記隆起層３２の上面、コイル絶縁層３６の上面、及びバックギャップ層３３の上面は図１に示す基準面Ａに沿った連続した平坦化面となっている。
【００５４】
図１に示すように前記隆起層３２及びコイル絶縁層３６の平坦化面上には、前記記録媒体との対向面からハイト方向（図示Ｙ方向）に所定の距離離れた位置からハイト方向に向けてＧｄ決め層３８が形成されている。
【００５５】
図１に示す実施形態では前記Ｇｄ決め層３８の前端面３８ａは、隆起層３２上にあり、また前記Ｇｄ決め層３８の後端面３８ｂはコイル絶縁層３６上にある。
【００５６】
また図１に示すように、記録媒体との対向面から前記Ｇｄ決め層３８の前端面３８ａまでの隆起層３２上、前記Ｇｄ決め層３８の後端面３８ｂよりハイト方向のコイル絶縁層３６上、及び前記バックギャップ層３３上に、下から下部磁極層３９及びギャップ層４０が形成されている。前記下部磁極層３９及びギャップ層４０はメッキ形成されている。
【００５７】
また図１に示すように前記ギャップ層４０上及びＧｄ決め層３８上には、本発明の磁性層である上部磁極層４１がメッキ形成され、さらに前記上部磁極層４１上には上部コア層４２がメッキ形成されている。前記上部磁極層４１は、前記バックギャップ層３３を介して、前記下部コア層２９と直接的あるいは間接的に接続されている。
【００５８】
この実施の形態では、前記下部磁極層３９、ギャップ層４０、上部磁極層４１及び上部コア層４２の４層で積層体６２が構成されている。なお、前記積層体６２は図１に示すように、下から下部磁極層３９、ギャップ層４０、上部磁極層４１及び上部コア層４２の順に積層された４層構造であるものに限定されるものではなく、例えば前記積層体６２が、下から下部磁極層３９、ギャップ層４０及び上部磁極層４１の順に積層された３層構造で構成されるものであっても良い。
【００５９】
図１及び図２に示すように前記積層体６２の上面６２ａからトラック幅方向の両側端面６２ｂにかけて例えばＡｌ2Ｏ3やＳｉＯ2などの無機絶縁材料や、レジストなどの有機絶縁材料で形成された絶縁層５８が形成されている。
【００６０】
図１ないし図３に示すように前記絶縁層５８の上に、トラック幅方向（図示Ｘ方向）からハイト方向（図示Ｙ方向）に延びる複数本の第２コイル片５６がハイト方向に並んで形成されている。
【００６１】
図２に示すように、前記第１コイル片５５の上面５５ｅは前記コイル絶縁層３６によって覆われている。しかし、全ての前記上面５５ｅが前記コイル絶縁層３６によって覆われているわけではなく、前記第１コイル片５５の第２コイル片５６との接続面８１は前記コイル絶縁層３６の上面３６ａと同一の平坦化面で形成される。
【００６２】
図２及び図３に示すように、この薄膜磁気ヘッド１Ａにおけるトラック幅方向の中心Ｂ−Ｂからトラック幅方向に離れた位置での下部コア層２９上には持ち上げ層８０が形成される。この持ち上げ層８０は所定の幅寸法を有して形成され、また図３や図４のように、各第１コイル片５５の下を横断するように帯状で形成される。前記持ち上げ層８０は例えばレジストによる有機絶縁材料などの絶縁材料により形成される。
【００６３】
前記第１コイル片５５は、コイル絶縁下地層３４上から前記持ち上げ層８０上にかけて形成される。このため前記持ち上げ層８０上に形成された第１コイル片５５の端部領域５５ａ，５５ｂは中央領域５５ｆに比べて上方に持ち上げられ、前記持ち上げ層８０上に乗った前記端部領域５５ａ，５５ｂの一部が前記コイル絶縁層３６の上面３６ａから露出し、この露出面が接続面８１となっている。
【００６４】
なお図２に示す実施の形態では、前記第１コイル片５５の端部領域５５ａ，５５ｂは、前記持ち上げ層８０よりもさらに中心Ｂ−Ｂから離れる方向に延出し、前記第１コイル片５５のトラック幅方向における端面５５ｃ，５５ｄは、前記持ち上げ層８０のトラック幅方向の外方に位置するように構成されている。
【００６５】
図２に示すように、前記持ち上げ層８０は、Ｘ−Ｚ平面と平行な方向における断面形状が所定の高さ寸法ｈ１を有した半円形状や半楕円形状で構成されている。このため前記持ち上げ層８０の表面は湾曲面となっている。
【００６６】
ここで前記高さ寸法ｈ１は、前記コイル絶縁下地層３４の上面から前記持ち上げ層８０の最も高い位置までの高さ寸法を意味する。
【００６７】
前記のように持ち上げ層８０は所定の高さ寸法ｈ１を有しているため、図２、図３および図４に示すように、前記第１コイル層５５は前記持ち上げ層８０の上に形成されている前記端部領域５５ａ，５５ｂが、その他の領域部分よりも上方に突出し、前記持ち上げ層８０上に乗った位置での第１コイル片５５の上面の一部を接続面８１として形成することができる。
【００６８】
前記接続面８１は、前記接続面８１以外の第１コイル片５５の上面５５ｅを覆う前記コイル絶縁層３６の上面３６ａと同一の平坦化面であることが好ましい。このような平坦化面はＣＭＰ技術などによる研削加工によって形成される。図２に示すように、前記第２コイル片５６の端部領域５６ａ，５６ｂは、前記接続面８１上に直接接し、電気的に接続した状態である。すなわち、前記第１コイル片５５の一方の端部領域５５ａは前記接続面８１において、前記第２コイル片５６の一方の端部領域５６ａと直接に接した状態で電気的に接続されている。同様に、前記第１コイル片５５の他方の端部領域５５ｂは前記接続面８１において、前記第２コイル片５６の他方の端部領域５６ｂと直接に接した状態で電気的に接続されている。
【００６９】
また図３に示すように、引出し層５９は、最後方に形成された前記第２コイル片５６よりもハイト方向後方に形成され、最後方に形成された前記第１コイル片５５と前記接続面８１において直接に接した状態で電気的に接続されている。
【００７０】
このように図１に示す薄膜磁気ヘッド１Ａでは、前記積層体６２の膜厚方向の上下で対向する第１コイル片５５のトラック幅方向における端部領域５５ａ，５５ｂと第２コイル片５６のトラック幅方向における端部領域５６ａ，５６ｂとが、前記接続面８１で直接に接した状態で電気的に接続され、トロイダル状のコイル構造５７が形成されている。
【００７１】
前記薄膜磁気ヘッド１Ａでは、前記第１コイル片５５と前記第２コイル片５６とが、例えば接続層などの介在部材を介さずに、直接に接触した状態で電気的に接続されているため、介在部材の電気抵抗が発生しない。また、前記第１コイル片５５の端部領域５５ａ，５５ｂの下には持ち上げ層８０が形成され、これによって前記端部領域５５ａ、５５ｂが中央領域５５ｆよりも上方に持ち上げるため、第１コイル片５５の上面５５ｅに前記コイル絶縁層３６が形成されていても、前記コイル絶縁層３６をＣＭＰなどにより研磨すれば、前記第２コイル片５６との接続面８１を簡単に露出でき、前記コイル絶縁層３６にスルーホールを形成する工程が必要ない。仮に、前記コイル絶縁層３６にスルーホールを形成するものとすると、前記スルーホールはエッチング加工により行うことになるが、エッチングでは前記スルーホールを正確な位置や深さで高精度で形成するのは困難であるため、前記スルーホールが形成される位置がずれることによって、前記第１コイル片５５と前記第２コイル片５６との接続面積が小さくなり、電気抵抗が大きくなり、その結果、前記第１コイル片５５と前記第２コイル片５６との接続部で熱が発生するという問題が生じる。また前記スルーホールの形成時に前記第１コイル片の端部領域５５ａ、５５ｂに損傷を与えるといった問題もある。
【００７２】
これに対し、前記薄膜磁気ヘッド１Ａでは、前記接続面８１は、持ち上げ層８０が形成される位置によって決定されるが、この持ち上げ層８０は、レジストによるフォトエッチングによって形成することができるため、正確な位置に高精度で形成することが可能である。また、前記コイル絶縁層３６をＣＭＰ技術などにより研磨する際にその削り量を調整することで、前記接続面８１を、所定の面積で露出させることができる。そのため、前記第１コイル片５５と前記第２コイル片５６との接続を良好とすることが可能となり、電気抵抗の増大を抑制することができる。
【００７３】
さらに、前記下部コア層２９に凹部を設ける必要がないため、前記下部コア層２９の断面積を大きくすることができる。したがって、前記下部コア層２９の磁気飽和を抑制することができ、磁化効率の向上を図ることが可能となる。
【００７４】
また本実施の形態のように、下部コア層２９上に帯状の持ち上げ層８１を必要な部分にのみ設けることで、接続面８１以外の部分での第１コイル片５５と第２コイル片５６間の絶縁性や第１コイル片５５や積層体６２間の絶縁性はもちろんのこと、前記第１コイル片５５の端面５５ｃ，５５ｄよりも外方領域や各第１コイル片５５間での下部コア層２９と第２コイル片５６や積層体６２との絶縁性も、前記第１コイル片５５の上面５５ｅを覆うコイル絶縁層３６により十分な膜厚をもって確保しやすい。
【００７５】
また、前記接続面８１はコイル絶縁層３６の上面３６ａと同一の平坦化面に形成されているため、前記接続面８１上に第２コイル片５６の端部領域５６ａ、５６ｂを乗せやすく、前記第１コイル片５５と前記第２コイル片５６との接続を良好にすることができる。したがって、前記第１コイル片５５と前記第２コイル片５６との接触抵抗を更に低く抑えることが可能となる。また前記コイル絶縁層３６の上面３６ａが平坦化面であるので、前記コイル絶縁層３６上に形成される積層体６２を所定形状で形成しやすく、前記積層体６２の記録媒体との対向面での幅寸法で決定されるトラック幅Ｔｗを高精度に形成できる。
【００７６】
また前記接続面８１での面積を大きくして前記第２コイル片５６との接続を良好にするには、少なくとも前記第１コイル片５５の前記持ち上げ層８０上に乗る位置での端部領域５５ａ，５５ｂの幅寸法を中央領域５５ｆでの幅寸法に比べて大きくすることが好ましい。また前記持ち上げ層８０上に乗る位置での端部領域５５ａ，５５ｂの幅寸法を、第２コイル片５６の幅寸法より大きくすることが好ましい。また前記接続面８１の面積は前記接続面８１上及びコイル絶縁層３６上に乗る部分での第２コイル片５６の端部領域５６ａ、５６ｂの下面５６ａ１，５６ｂ１の面積より小さくてもよいが、小さすぎると電気抵抗が高くなってしまうため、前記接続面８１の面積は、前記接続面８１上及びコイル絶縁層３６上に乗る部分での第２コイル片５６の端部領域５６ａ、５６ｂの下面５６ａ１，５６ｂ１の面積の５０％〜１００％の範囲内であることが好ましい。
【００７７】
図４に示す実施の形態では、前記持ち上げ層８０は所定の幅寸法で実質的にハイト方向に延びる帯状の形状で構成され、複数本の第１コイル片５５の下を横断しているが、本発明はこれに限定されるものではなく、図６に示すように、持ち上げ層８０は複数の持ち上げ片８０ａからなり、前記持ち上げ片８０ａは各第１コイル片５５の下にそれぞれ設けられ、この各持ち上げ層８０ａが個々の第１コイル片５５の端部領域５５ａ，５５ｂを、それぞれ上方に持ち上げるように構成されていても良い。
【００７８】
図７は本発明の第２の実施の形態の薄膜磁気ヘッド１Ｂを示す部分正面図であり、図２に相当するものである。また、図８は図７に示す薄膜磁気ヘッド１Ｂの第１コイル片および前記第１コイル片の下方に形成された持ち上げ層を示す部分断面図であり、図４に相当するものである。
【００７９】
図７および図８に示す薄膜磁気ヘッド１Ｂは、図１ないし図５に示す薄膜磁気ヘッド１Ａと同様の構造部分を有して構成されている。したがって、図７および図８では、図１ないし図５に示す薄膜磁気ヘッド１Ａと同様の構造部分には同様の符号を付して、その詳しい説明を省略する。
【００８０】
図７および図８に示すように、前記薄膜磁気ヘッド１Ｂも、持ち上げ層８０が前記下部コア層２９の上に形成された前記コイル絶縁層３４の上に位置して形成されている。前記持ち上げ層８０は、前記第１コイル片５５の端部領域５５ａ，５５ｂの下方に、複数の前記第１コイル片５５のそれぞれの前記端部領域５５ａ，５５ｂの下を横断するように、記録媒体との対向面からハイト方向に実質的に延びて形成されている。
【００８１】
図７に示すように、前記持ち上げ層８０は、Ｘ−Ｚ平面と平行な方向での断面形状が所定の高さ寸法ｈ１を有した半円形状や半楕円形状で構成されている。ここで前記高さ寸法ｈ１は、前記コイル絶縁層３４の上面から前記持ち上げ層８０の最も高い位置までの高さ寸法を意味する。
【００８２】
図７および図８に示すように、前記薄膜磁気ヘッド１Ｂは、第１コイル片５５のトラック幅方向における端面５５ｃ，５５ｄが、持ち上げ層８０の上面に位置するように構成されている。すなわち前記第１コイル片５５は、トラック幅方向にて持ち上げ層８０間に挟まれた位置でのコイル絶縁下地層３４上から前記持ち上げ層８０の途中にまで延びて形成されている。
【００８３】
図７および図８に示すように、前記第１コイル片５５の端部領域５６ａ，５６ｂは、前記持ち上げ層８０の上に形成されている。この持ち上げ層８０は前記したように所定の高さ寸法ｈ１を有しているため、前記第１コイル層５５は前記持ち上げ層８０の上に形成されている前記端部領域５５ａ，５５ｂが、中央領域５５ｆよりも上方に突出し、持ち上げ層８０上に乗った位置での端部領域５５ａ，５５ｂの上面の一部が、前記コイル絶縁層３６の上面３６ａから露出し、その露出面が接続面８１となる。図７に示すように、前記接続面８１は前記コイル絶縁層３６の上面３６ａと同一の平坦化面に形成されている。
【００８４】
前記接続面８１上には、前記第２コイル片５６の端部領域５６ａ，５６ｂが直接に接触し、前記第１コイル片５５と第２コイル片５６とが電気的に接続した状態である。すなわち、前記第１コイル片５５の一方の端部領域５５ａは前記接続面８１において、前記第２コイル片５６の一方の端部領域５６ａと直接に接した状態で電気的に接続されている。同様に、前記第１コイル片５５の他方の端部領域５５ｂは前記接続面８１において、前記第２コイル片５６の他方の端部領域５６ｂと直接に接した状態で電気的に接続されている。
【００８５】
このように構成された前記薄膜磁気ヘッド１Ｂでも、接続面８１を所定面積でコイル絶縁層３６の上面３６ａから露出させることができ、前記第１コイル片５５と前記第２コイル片５６とを、直接に接触した状態で電気的に接続できるので、接続層などの介在部材やスルーホールなどを形成する必要がなく、電気抵抗を低くすることができる。
【００８６】
また、前記下部コア層２９に凹部を設ける必要がないため、前記下部コア層２９の断面積を大きくすることができる。したがって、前記下部コア層２９の磁気飽和を抑制することができ、磁化効率の向上を図ることが可能となる。
【００８７】
また、前記接続面８１はコイル絶縁層３６の上面３６ａと同一の平坦化面に形成されているため、前記第２コイル片５６の端部領域５６ａ，５６ｂを前記接続面８１上に確実に且つ簡単に導通接続できる。したがって、前記第１コイル片５５と前記第２コイル片５６との接触抵抗を更に低く抑えることが可能となる。また前記コイル絶縁層３６上に所定形状の積層体６２を形成しやすい。
【００８８】
また前記第１コイル片５５の端部領域５５ａ，５５ｂを図２のようにトラック幅方向における持ち上げ層８０を越えてその外方にまで延出形成せず、図７のように前記持ち上げ層８０の表面の途中までしか形成しないことで、第１コイル片５５の形成時に、持ち上げ層８０上に乗った部分での前記第１コイル片５５の端部領域５５ａ，５５ｂの上面が、中央領域５５ｆの上面と同じ位相での平坦化面になろうと第１コイル片５５の上面全体が均される現象、いわゆるレベリング効果が生じる。このレベリング効果を抑制でき、前記持ち上げ層８０上に前記端部領域５５ａ，５５ｂを厚い膜厚で形成できる。この結果、前記接続面８１をコイル絶縁層３６内に埋没している第１コイル片５５の上面５５ｅに比べて十分に上方に持ち上げることができ、前記第１コイル片５５の上面５５ｅと積層体６２間の絶縁性などを十分に確保しやすい。
【００８９】
図７及び図８に示す実施の形態では、前記持ち上げ層８０は所定の幅寸法で実質的にハイト方向に延びる帯状の形状で構成されているが、本発明はこれに限定されるものではなく、図９に示すように、前記持ち上げ層８０は複数の持ち上げ片８０ａによって構成され、この各持ち上げ片８０ａが各第１コイル片５５の端部領域５５ａ，５５ｂ下にそれぞれ設けられていてもよい。これにより各第１コイル片５５の端部領域５５ａ，５５ｂが、個々に設けられた持ち上げ片８０ａによって上方に持ち上げられる。
【００９０】
図８に示すように、帯状に延びる一体の持ち上げ層８０が複数の各第１コイル片５５の端部領域５５ａ，５５ｂの下を横断するように設けられている方が製造を容易化できるが、図９のように、持ち上げ層８０を複数の持ち上げ片８０ａに分断形成しても良い。
【００９１】
図１０は本発明の第３の実施の形態の薄膜磁気ヘッド１Ｃを示す部分正面図であり、図２に相当するものである。また、図１１は図１０に示す薄膜磁気ヘッド１Ｃの第１コイル片および前記第１コイル片の下方に形成された持ち上げ層を示す部分断面図であり、図４に相当するものである。
【００９２】
図１０および図１１に示す薄膜磁気ヘッド１Ｃは、図１ないし図５に示す薄膜磁気ヘッド１Ａと同様の構造部分を有して構成されている。したがって、図１０および図１１では、図１ないし図５に示す薄膜磁気ヘッド１Ａと同様の構造部分には同様の符号を付して、その詳しい説明を省略する。
【００９３】
図１０および図１１に示すように、前記薄膜磁気ヘッド１Ｃも、所定の幅寸法を有する帯状の持ち上げ層１８０が、トラック幅方向の中心Ｂ−Ｂからトラック幅方向に離れた位置での前記コイル絶縁下地層３４の上に位置して形成されている。前記持ち上げ層１８０は、例えばレジストによる有機絶縁材料により形成され、前記第１コイル片５５の端部領域５５ａ，５５ｂの下に、各第１コイル片５５を横断するように記録媒体との対向面からハイト方向に実質的に延びて形成されている。
【００９４】
図１０に示すように、前記持ち上げ層１８０は、Ｘ−Ｚ平面と平行な方向での断面形状が所定の高さ寸法ｈ２を有した略台形状の形状で構成されている。ここで前記高さ寸法ｈ２は、前記コイル絶縁層３４の上面から前記持ち上げ層１８０の最も高い位置までの高さ寸法を意味する。
【００９５】
図１０に示すように、前記持ち上げ層１８０の上面１８０ｂには平坦化面が形成されている。
【００９６】
図１０および図１１に示すように、前記第１コイル片５５の端部領域５５ａ，５５ｂは、前記持ち上げ層１８０の上に形成されており、第１コイル片５５のトラック幅方向における端面５５ｃ，５５ｄが、平坦化された前記上面１８０ｂの上に位置するように構成されている。すなわち前記第１コイル片５５は、トラック幅方向にて前記持ち上げ層１８０間に挟まれたコイル絶縁下地層３４上から前記持ち上げ層１８０の上面１８０ｂの途中にまで形成されている。この持ち上げ層１８０は前記したように所定の高さ寸法ｈ２を有しているため、前記第１コイル層５５は前記持ち上げ層１８０の上に形成されている前記端部領域５５ａ，５５ｂが、中央領域５５ｆよりも上方に突出し、前記持ち上げ層１８０上に乗った部分での前記第１コイル片５５の端部領域５５ａ，５５ｂ上面の少なくとも一部がコイル絶縁層３６の上面３６ａから露出した状態になっており、この露出面が接続面１８１となる。
【００９７】
前記持ち上げ層１８０の上面１８０ｂは平坦化面に形成されているため、前記上面１８０ｂの上に形成される前記第１コイル片５５の端部領域５５ａ，５５ｂは厚さ寸法ｔ１が大きく形成されやすい。すなわち、前記持ち上げ層１８０の上面１８０ｂに前記第１コイル片５５は、後記するようにフレームメッキ法により形成されるが、このとき、前記持ち上げ層１８０の上面１８０ｂが平坦化面に構成されていると、前記第１コイル片５５が図示Ｚ方向にメッキ成長しやすくなり、前記膜厚ｔ１を大きくすることが可能になるのである。前記膜厚ｔ１が大きく構成されると、前記接続面１８１の面積を所定面積に画定しやすいとともに、第１コイル片５５と積層体６２間のコイル絶縁層３６の膜厚を厚くできるので、前記第１コイル片５５と積層体６２間の絶縁性を良好に保ちやすい。
【００９８】
前記接続面１８１は、前記コイル絶縁層３６の上面３６ａと同一の平坦化面に形成されていることが好ましい。
【００９９】
前記接続面１８１上には、前記第２コイル片５６の端部領域５６ａ，５６ｂの下面が直接に接触し、前記第１コイル片５５と第２コイル片５６とが電気的に接続した状態である。すなわち、前記第１コイル片５５の一方の端部領域５５ａは前記接続面１８１において、前記第２コイル片５６の一方の端部領域５６ａと直接に接した状態で電気的に接続されている。同様に、前記第１コイル片５５の他方の端部領域５５ｂは前記接続面１８１において、前記第２コイル片５６の他方の端部領域５６ｂと直接に接した状態で電気的に接続されている。
【０１００】
このように図１０及び図１１に示す薄膜磁気ヘッド１Ｃでは、前記積層体６２の膜厚方向の上下で対向する第１コイル片５５のトラック幅方向における端部領域５５ａ，５５ｂと第２コイル片５６のトラック幅方向における端部領域５６ａ，５６ｂとが、前記接続面１８１で直接に接した状態で電気的に接続され、トロイダル状のコイル構造５７が形成されている。
【０１０１】
このように構成された前記薄膜磁気ヘッド１Ｃでも、前記接続面１８１をコイル絶縁層３６の上面３６ａから確実に露出させることができ、この接続面１８１上に第２コイル片５６の端部領域５６ａ，５６ｂを直接接して形成できるため、接続層などの介在部材やスルーホールの形成を必要とせず、第１コイル片５５と第２コイル片５６との接続を確実且つ簡単なものにできるとともに、電気抵抗を低くすることができる。
【０１０２】
また、前記下部コア層２９に凹部を設ける必要がないため、前記下部コア層２９の断面積を大きくすることができる。したがって、前記下部コア層２９の磁気飽和を抑制することができ、磁化効率の向上を図ることが可能となる。
【０１０３】
さらに図１０及び図１１のように、下部コア層２９上に必要な部分にのみ持ち上げ層１８０を設ければよいので、持ち上げ層１８０から外れる位置でのコイル絶縁層３６の膜厚を厚く形成でき、前記接続面１８１以外における第１コイル片５５と第２コイル片５６間の絶縁性や、前記第１コイル片５５とコイル絶縁層３６間の絶縁性を十分に保つことが可能である。
【０１０４】
また、前記接続面１８１はコイル絶縁層３６の上面３６ａと同一の平坦化面として形成されるため、前記接続面１８１上に第２コイル片５６の端部領域５６ａ，５６ｂを確実に接合でき、第１コイル片５５と第２コイル５６との接続を良好なものにできる。また前記コイル絶縁層３６上に形成される積層体６２を所定形状に形成しやすく、前記積層体６２の記録媒体との対向面での幅で決められるトラック幅Ｔｗを精度良く形成できる。
【０１０５】
図１１に示す実施の形態では、前記持ち上げ層１８０は所定の幅寸法で実質的にハイト方向に延びる帯状の形状で構成されているが、本発明はこれに限定されるものではなく、図１２に示すように、前記持ち上げ層１８０は複数の持ち上げ片１８０ａによって分断形成され、前記持ち上げ片１８０ａが各第１コイル片５５の端部領域５５ａ，５５ｂを、それぞれ上方に持ち上げるように構成されていても良い。図１２に示すように、帯状に延びる一体の持ち上げ層１８０が複数の各第１コイル片５５の端部領域５５ａ，５５ｂの下を横断するように形成されていると、前記持ち上げ層１８０の製造が容易になる。
【０１０６】
また、図１２のように前記持ち上げ層１８０を個々の持ち上げ片１８０ａに分断し、各持ち上げ片１８０ａ上にそれぞれの第１コイル片５５の端部領域５５ａ，５５ｂを形成すると、前記持ち上げ片１８０ａ間に空間ができるので、この部分にコイル絶縁層３６を厚い膜厚で形成でき、隣り合う第１コイル片５５の端部領域５５ａ，５５ｂ間の絶縁性を良好に保つことができる。
【０１０７】
また図１０ないし図１１のように、前記持ち上げ層１８０の上面１８０ａが平坦化されたものであると、この上面１８０ａに前記第１コイル片５５の端部領域５５ａ，５５ｂを乗り上げ形成しやすく、また前記端部領域５５ａ，５５ｂでの膜厚ｔ１を所定膜厚で形成しやすい。ただし、前記第１コイル片５５の両側端面５５ｃ，５５ｄは前記持ち上げ層１８０の上面１８０ｂの途中にあることが好ましく、仮に図２のように前記両側端面５５ｃ，５５ｄをトラック幅方向にて前記持ち上げ層１８０の外方にまで延出形成すると、レベリング効果が発生しやすく、前記持ち上げ層１８０の上面１８０ａに乗る部分での持ち上げ層１８０の膜厚ｔ１が小さくなりやすい。よって前記レベリング効果を抑制するには、前記第１コイル片５５を前記持ち上げ層１８０の上面１８０ｂの途中までしか形成しないようにすることが好ましい。
【０１０８】
なお上記のレベリング効果は特に上面１８０ｂが平坦化面となっている図１０のような断面が略台形状や略矩形状である持ち上げ層１８０の上面１８０ｂに第１コイル片５５を乗り上げ形成した場合の方が、表面が湾曲面である図２のような持ち上げ層８０上に第１コイル片５５を乗り上げ形成する場合に比べて大きいものと考えられる。このため表面が湾曲面である持ち上げ層８０を用いる場合は、図２のように前記持ち上げ層８０を越えて、その外方にまで前記第１コイル片５５を延出形成してもレベリング効果は、持ち上げ層１８０を用い前記持ち上げ層１８０を超えてその外方にまで第１コイル片５５を延出形成する場合に比べて小さいものと考えられる。
【０１０９】
図１３は本発明の第４の実施の形態の薄膜磁気ヘッド１Ｄを示す部分正面図であり、図２に相当するものである。また、図１４は図１３に示す薄膜磁気ヘッド１Ｄの第１コイル片および前記第１コイル片の下方に形成された持ち上げ層を示す部分断面図であり、図４に相当するものである。
【０１１０】
図１３および図１４に示す薄膜磁気ヘッド１Ｄは、図１ないし図５に示す薄膜磁気ヘッド１Ａと同様の構造部分を有して構成されている。したがって、図１３および図１４では、図１ないし図５に示す薄膜磁気ヘッド１Ａと同様の構造部分には同様の符号を付して、その詳しい説明を省略する。
【０１１１】
図１３および図１４に示すように、前記薄膜磁気ヘッド１Ｄも、持ち上げ層２８０が中心Ｂ−Ｂからトラック幅方向に離れた位置での前記下部コア層２９の上に形成された前記コイル絶縁層３４の上に位置して形成されている。前記持ち上げ層２８０は、例えばレジストによる有機絶縁材料などの絶縁材料により形成された複数の持ち上げ片２８０ａによって構成されている。前記持ち上げ片２８０ａは、各第１コイル片５５の端部領域５５ａ，５５ｂの下に、それぞれ設けられている。
【０１１２】
図１３および図１４に示すように、前記持ち上げ片２８０ａは、断面形状が所定の高さ寸法ｈ３を有した半円球形状で構成されている。ここで前記高さ寸法ｈ３は、前記コイル絶縁層３４の上面から前記持ち上げ片２８０ａの最も高い位置までの高さ寸法を意味する。
【０１１３】
図１５は、前記第１コイル片５５および前記持ち上げ片２８０ａを示す部分拡大平面図である。図１３および図１４に示す薄膜磁気ヘッド１Ｄでは前記持ち上げ片２８０ａのＸ−Ｙ平面と平行な方向での断面は略円状であり、図１５に示すように、前記持ち上げ片２８０ａの直径寸法ｄは、前記第１コイル片５５の端部領域５５ａ，５５ｂの幅寸法ｗ１よりも大きく形成されている。
【０１１４】
図１３ないし図１５に示すように、前記薄膜磁気ヘッド１Ｄは、第１コイル片５５のトラック幅方向における端面５５ｃ，５５ｄが、持ち上げ片２８０ａの表面２８０ｂ上に位置するように構成されている。
【０１１５】
図１３または図１４に示すように、前記第１コイル片５５の端部領域５６ａ，５６ｂの少なくとも一部は、前記持ち上げ片２８０ａの上に形成されている。この持ち上げ片２８０ａは前記したように所定の高さ寸法ｈ３を有しているため、前記第１コイル片５５は前記持ち上げ片２８０ａの上に形成されている前記端部領域５５ａ，５５ｂが、前記第１コイル片５５の中央領域５５ｆに比べて上方に突出し、前記持ち上げ片２８０ａ上に乗った位置での前記第１コイル片５５の端部領域５５ａ、５５ｂの一部が前記コイル絶縁層３６の上面３６ａから露出し、この露出面が接続面２８１となる。
【０１１６】
前記接続面２８１は、前記コイル絶縁層３６の上面３６ａと同一の平坦化面に形成されることが好ましい。
【０１１７】
前記接続面２８１上には、前記第２コイル片５６の端部領域５６ａ，５６ｂが直接に接触し、前記第１コイル片５５と第２コイル片５６とが電気的に接続した状態である。すなわち、前記第１コイル片５５の一方の端部領域５５ａは前記接続面２８１において、前記第２コイル片５６の一方の端部領域５６ａと直接に接した状態で電気的に接続されている。同様に、前記第１コイル片５５の他方の端部領域５５ｂは前記接続面２８１において、前記第２コイル片５６の他方の端部領域５６ｂと直接に接した状態で電気的に接続されている。
【０１１８】
このように構成された前記薄膜磁気ヘッド１Ｄでも、コイル絶縁層３６の上面３６ａから前記接続面２８１を確実且つ簡単に露出させることができ、接続層などの介在部材やスルーホールの形成などが必要なくても、前記第２コイル片５６の端部領域５６ａ，５６ｂを前記接続面２８１上に接合するだけで、前記第１コイル片５５と第２コイル片５６とを良好に接続させることができる。
【０１１９】
また、前記下部コア層２９に凹部を設ける必要がないため、前記下部コア層２９の断面積を大きくすることができる。したがって、前記下部コア層２９の磁気飽和を抑制することができ、磁化効率の向上を図ることが可能となる。
【０１２０】
また、前記接続面２８１は、コイル絶縁層３６の上面３６ａと同一の平坦化面で形成されるので、前記接続面２８１上に確実に第２コイル片５６の端部領域５６ａ，５６ｂを接合させることができるとともに、前記コイル絶縁層３６上に所定形状で積層体６２を形成でき、前記積層体６２の記録媒体との対向面でのトラック幅方向の幅で決められるトラック幅Ｔｗを高精度に形成することができる。
【０１２１】
図１３ないし図１５に示す実施の形態では、前記持ち上げ片２８０ａの直径寸法ｄは、前記第１コイル片５５の端部領域５５ａ，５５ｂの幅寸法ｗ１よりも小さく形成されている。ただし本発明はこれに限定されるものではなく、図１６に示すように、前記持ち上げ片２８０ａの直径寸法ｄが、前記第１コイル片５５の端部領域５５ａ，５５ｂの幅寸法ｗ１よりも大きく形成されるものであっても良い。
【０１２２】
なお図１５のように、端部領域５５ａ，５５ｂの幅寸法ｗ１より前記持ち上げ片２８０ａの直径ｄを小さくすると、前記持ち上げ片２８０ａ上に乗る端部領域５５ａ、５５ｂは少なくなるため、前記コイル絶縁層３６の上面３６ａから露出する接続面２８１の面積も減少してしまう。このため、前記接続面２８１の面積を大きくして、第２コイル片５６と第１コイル片５５との接続を確実なものにするには、図１６のように持ち上げ片２８０ａの直径ｄが前記端部領域５５ａ，５５ｂの幅寸法Ｗ１よりも大きい方がよい。ただしレベリング効果を少なくするには、図１５のように端部領域５５ａ，５５ｂの幅寸法Ｗ１より前記持ち上げ片２８０ａの直径ｄを小さくする方が好ましいと考えられる。
【０１２３】
また図１ないし図１５において説明してきた前記持ち上げ層のＸ−Ｚ平面と平行な平面での断面形状や、Ｘ−Ｙ平面と平行な平面での断面形状は、これらの図に示すものに限るものではなく、他の形状であってもかまわない。また前記持ち上げ層の材質については、レジストなどの有機絶縁材料やＡｌ2Ｏ3やＳｉＯ2などの無機絶縁材料を使用できる。特に図２などの持ち上げ層８０のように表面を湾曲面とする場合には、レジストなどの有機絶縁材料を用いるとよい。かかる場合、レジストを塗布した後、パターンニングし、さらに熱処理を加えることで、前記持ち上げ層８０の表面を湾曲面にできる。また図１０の持ち上げ層１８０のように、上面１８０ａに平坦化面を有する形状とする場合には、無機絶縁材料を使用する方がよい。
【０１２４】
図２９は、本発明における第５の実施の形態の薄膜磁気ヘッド１Ｅの構造を示す部分縦面図、図３０は図２９に示す薄膜磁気ヘッド１Ｅから前記下部シールド層２２から前記上部シールド層２７までの再生用ヘッド（ＭＲヘッド）、保護層６０等を図面上除き、後記する磁極端層３６２と、最も記録媒体との対向面側に形成された第１コイル片及び第２コイル片と、これらの層と膜厚方向で対向する各層の構造を記録媒体との対向面側から見た部分正面図、図３１は図２９に示す薄膜磁気ヘッド１Ｅの部分平面図、図３２は図２９に示す薄膜磁気ヘッド１Ｅの一部の構造を示した部分拡大斜視図である。
【０１２５】
前記薄膜磁気ヘッド１Ｅの構成要素のうち、前記下部シールド層２２から前記上部シールド層２７までの再生用ヘッド（ＭＲヘッドとも言う）は、第１の実施の形態ないし第４の実施の形態の薄膜磁気ヘッド１Ａ，１Ｂ，１Ｃ，１Ｄと同じものである。また、図２９ないし図３２に示す前記薄膜磁気ヘッド１Ｅのその他の構成要素のうち、図１ないし図５に示す前記薄膜磁気ヘッド１Ａと同じ構成要素には、同じ符号を付して、その詳しい説明を省略する。
【０１２６】
図２９に示すように、前記上部シールド層２７上にはＡｌ2Ｏ3などで形成された分離層２８が形成されている。なお前記上部シールド層２７及び分離層２８が設けられておらず、前記上部ギャップ層２６上に次の下部コア層３２９が設けられていてもよい。かかる場合、前記下部コア層３２９が上部シールド層２７をも兼ね備える。
【０１２７】
図２９に示す形態では、前記分離層２８の上に下部コア層３２９が形成されている。前記下部コア層３２９はＮｉＦｅ系合金などの磁性材料で形成される。前記下部コア層３２９は記録媒体との対向面からハイト方向（図示Ｙ方向）に所定の長さ寸法で形成される。前記下部コア層３２９の後端面３２９ａよりもハイト方向後方及び前記下部コア層３２９のトラック幅方向（図示Ｘ方向）における両側には非磁性絶縁材料層３１が設けられている。図２９に示すように前記下部コア層３２９及び非磁性絶縁材料層３１の各層の表面は連続した平坦化面である。
【０１２８】
図２９に示すように、下部コア層３２９上には、記録媒体との対向面からハイト方向後方に向けて所定の長さ寸法で磁極端層３６２が形成されている。磁極端層３６２はトラック幅方向（図示Ｘ方向）への幅寸法がトラック幅Ｔｗで形成されている。トラック幅Ｔｗは、例えば０．５μｍ以下で形成される。
【０１２９】
図２９に示す実施の形態では、磁極端層３６２は、下部磁極層３４９、ギャップ層３５０、および上部磁極層３５１の３層膜の積層構造で構成されている。以下、上部磁極層３４９、下部磁極層３５１およびギャップ層３５０について説明する。
【０１３０】
下部コア層３２９上には磁極端層３６２の最下層となる下部磁極層３４９がメッキ形成されている。下部磁極層３４９は磁性材料を用いて形成され、下部コア層３２９と磁気的に接続されており、下部磁極層３４９は、下部コア層３２９と同じ材質でも異なる材質で形成されていてもどちらでもよい。また単層膜でも多層膜で形成されていてもどちらでもよい。
【０１３１】
下部磁極層３４９上には、非磁性のギャップ層３５０が積層されている。ギャップ層３５０は非磁性金属材料で形成されて、下部磁極層３４９上にメッキ形成されることが好ましい。非磁性金属材料として、ＮｉＰ、ＮｉＲｅＰ，ＮｉＰｄ、ＮｉＷ、ＮｉＭｏ、ＮｉＲｈ、ＮｉＲｅ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｃｒのうち１種または２種以上を選択することが好ましく、ギャップ層３５０は、単層膜で形成されていても多層膜で形成されていてもどちらであってもよい。
【０１３２】
次にギャップ層３５０上には、後述する上部コア層３４２と磁気的に接続する上部磁極層３５１がメッキ形成されている。本実施の形態では、上部磁極層３５１を下層３５１ａと上層３５１ｂの積層構造にしている。下層３５１ａ及び上層３５１ｂは磁性材料によって形成され、下層３５１ａの飽和磁束密度は、上層３５１ｂの飽和磁束密度より大きくなっている。
【０１３３】
上記したようにギャップ層３５０が、非磁性金属材料で形成されていれば、下部磁極層３４９、ギャップ層３５０および上部磁極層３５１を連続してメッキ形成することが可能になる。
【０１３４】
さらに前記磁極端層３６２のハイト方向後端面３６２ａからハイト方向（図示Ｙ方向）に所定距離離れた位置にバックギャップ層３３３が前記下部コア層３２９上に形成されている。
【０１３５】
バックギャップ層３３３は磁性材料で形成され、前記下部コア層３２９と同じ材質で形成されてもよいし、別の材質で形成されていてもよい。またバックギャップ層３３３は単層であってもよいし多層の積層構造で形成されていてもよい。バックギャップ層３３３は前記下部コア層３２９に磁気的に接続されている。
【０１３６】
図２９に示すように、前記下部コア層３２９上には、前記記録媒体との対向面からハイト方向（図示Ｙ方向）に所定の距離離れた位置からハイト方向に向けてＧｄ決め層３３８が形成されている。また図２９に示すように、上部磁極層３５１の後端部はＧｄ決め層３３８上に載せられている。ギャップデプス（Ｇｄ）は、前記ギャップ層３５０の記録媒体との対向面から前記Ｇｄ決め層３３８に突き当たるまでのハイト方向（図示Ｙ方向）への長さで決められる。
【０１３７】
前記Ｇｄ決め層３３８のハイト方向後端面３３８ａから前記バックギャップ層３３３間における下部コア層３２９上にはコイル絶縁下地層３３４が形成され、前記コイル絶縁下地層３３４上には、トラック幅方向（図示Ｘ方向）に延びる複数本の第１コイル片３５５がハイト方向に並んで形成されている。
【０１３８】
前記第１コイル片３５５上はＡｌ2Ｏ3などの無機絶縁材料で形成されたコイル絶縁層３３６で埋められている。図２９に示すように、前記磁極端層３６２の上面、コイル絶縁層３３６の上面、及びバックギャップ層３３３の上面は図２９に示す基準面Ａに沿った連続した平坦化面となっている。
【０１３９】
前記上部磁極層３５１とバックギャップ層３３３上には上部コア層（磁性層）３４２がメッキ形成されている。前記上部コア層３４２は、バックギャップ層３３３を介して、前記下部コア層３２９のハイト方向側と前記磁極端層３６２とを直接的あるいは間接的に接続しており、この上部コア層３４２が本発明の磁性層に相当する。
【０１４０】
なお上部磁極層３５１と上部コア層３４２とは同じ材質で形成されていてもよいが、異なる材質で形成されるほうが好ましい。特に、上部コア層３４２が前記上部磁極層３５１の上層３５１ｂよりも飽和磁束密度が同じ、または低いことがより好ましい。上部コア層３４２の飽和磁束密度は例えば１．４〜１．９Ｔであり、前記上部磁極層３５１の飽和磁束密度は例えば下層１．９〜２．４Ｔ、上層が１．４〜１．９Ｔである。
【０１４１】
前記上部コア層３４２の飽和磁束密度が前記上部磁極層３５１の飽和磁束密度よりも低いと、上部コア層３４２からの洩れ磁界で磁気記録することを防ぐことが容易になる。
【０１４２】
図２９および図３０に示すように、前記上部コア層３４２の上面３４２ａからトラック幅方向の両側端面３４２ｂ，３４２ｂにかけて、例えばＡｌ2Ｏ3やＳｉＯ2などの無機絶縁材料や、レジストなどの有機絶縁材料で形成された絶縁層３５８が形成されている。そして、この絶縁層３５８の上に、トラック幅方向（図示Ｘ方向）からハイト方向（図示Ｙ方向）に延びる複数本の第２コイル片５６がハイト方向に並んで形成されている。
【０１４３】
図２９ないし図３２に示す前記薄膜磁気ヘッド１Ｅも、図１ないし図５に示す前記薄膜磁気ヘッド１Ａと同じように、前記第１コイル片３５５の上面３５５ｅは前記コイル絶縁層３３６によって覆われている。しかし、全ての前記上面３５５ｅが前記コイル絶縁層３６によって覆われているわけではなく、前記第１コイル片３５５の第２コイル片３５６との接続面３８１は前記コイル絶縁層３３６の上面３３６ａと同一の平坦化面で形成される。
【０１４４】
図３１に示すように、この薄膜磁気ヘッド１Ｅにおけるトラック幅方向の中心Ｂ−Ｂからトラック幅方向に離れた位置での下部コア層２９上には、図１ないし図５に示す前記薄膜磁気ヘッド１Ａと同様に、所定の幅寸法を有し、前記第１コイル片３５５の下を横断する、帯状の持ち上げ層８０が形成されている。前記持ち上げ層８０は前記したように、例えばレジストによる有機絶縁材料などの絶縁材料により形成される。
【０１４５】
前記第１コイル片３５５は、前記コイル絶縁下地層３３４上から前記持ち上げ層８０上にかけて形成されている。このため前記持ち上げ層８０上に形成された第１コイル片３５５の端部領域３５５ａ，３５５ｂは中央領域３５５ｆに比べて上方に持ち上げられている。そして、図１ないし図５に示す前記薄膜磁気ヘッド１Ａと同様に、前記持ち上げ層８０上に乗った前記端部領域３５５ａ，３５５ｂの一部が前記コイル絶縁層３３６の前記上面３３６ａから露出し、この露出面が接続面８１となっている。
【０１４６】
なお図３１に示す実施の形態では、前記第１コイル片３５５の端部領域３５５ａ，３５５ｂは、前記持ち上げ層８０よりもさらに中心線Ｂ−Ｂから離れる方向に延出し、前記第１コイル片３５５のトラック幅方向における端面３５５ｃ，３５５ｄは、前記持ち上げ層８０のトラック幅方向の外方に位置するように構成されている。
【０１４７】
図３０に示すように、前記持ち上げ層８０は、Ｘ−Ｚ平面と平行な方向における断面形状が所定の高さ寸法ｈ１を有した半円形状や半楕円形状で構成されている。このため前記持ち上げ層８０の表面は湾曲面となっている。
【０１４８】
ここで前記高さ寸法ｈ１は、前記コイル絶縁下地層３４の上面から前記持ち上げ層８０の最も高い位置までの高さ寸法を意味する。
【０１４９】
前記のように持ち上げ層８０は所定の高さ寸法ｈ１を有しているため、図３０に示すように、前記第１コイル層３５５は前記持ち上げ層８０の上に形成されている前記端部領域３５５ａ，３５５ｂが、その他の領域部分よりも上方に突出し、前記持ち上げ層８０上に乗った位置での第１コイル片３５５の上面の一部を接続面３８１として形成することができる。
【０１５０】
前記接続面３８１は、前記接続面３８１以外の第１コイル片３５５の上面３５５ｅを覆う前記コイル絶縁層３３６の上面３３６ａと同一の平坦化面であることが好ましい。このような平坦化面はＣＭＰ技術などによる研削加工によって形成される。図３０および図３１に示すように、前記第２コイル片３５６の端部領域３５６ａ，３５６ｂは、前記接続面３８１上に直接接し、電気的に接続した状態である。すなわち、前記第１コイル片３５５の一方の端部領域３５５ａは前記接続面３８１において、前記第２コイル片３５６の一方の端部領域３５６ａと直接に接した状態で電気的に接続されている。同様に、前記第１コイル片３５５の他方の端部領域３５５ｂは前記接続面３８１において、前記第２コイル片３５６の他方の端部領域３５６ｂと直接に接した状態で電気的に接続されている。
【０１５１】
また、引出し層３５９は、最後方に形成された前記第２コイル片３５６よりもハイト方向後方に形成され、最後方に形成された前記第１コイル片３５５と前記接続面３８１において直接に接した状態で電気的に接続されている。
【０１５２】
このように図２９ないし図３２に示す薄膜磁気ヘッド１Ｅでは、前記上部コア層３４２の膜厚方向の上下で対向する第１コイル片３５５のトラック幅方向における端部領域３５５ａ，３５５ｂと第２コイル片３５６のトラック幅方向における端部領域３５６ａ，３５６ｂとが、前記接続面３８１で直接に接した状態で電気的に接続され、トロイダル状のコイル構造３５７が形成されている。
【０１５３】
なお図３０の図示右側に示した前記第１コイル片３５５の端部領域３５５ｂと接続されている前記第２コイル片３５６の端部領域３５６ｂは、図面上見えている第１コイル片３５５の一つ後ろ側（図示Ｙ方向）に位置する第１コイル片３５５の端部領域３５５ｂと、図面上見えている第２コイル片３５６の端部領域３５６ｂとが電気的に接続された状態を示している。
【０１５４】
前記コイル構造３５７に記録電流が与えられると、下部コア層３２９及び上部コア層３４２に記録磁界が誘導され、ギャップ層３５０を介して対向する下部磁極層３４９及び上部磁極層３５１間に漏れ磁界が発生し、この漏れ磁界により、ハードディスクなどの記録媒体に磁気信号が記録される。
【０１５５】
前記薄膜磁気ヘッド１Ｅでは、前記第１コイル片３５５と前記第２コイル片３５６とが、例えば接続層などの介在部材を介さずに、直接に接触した状態で電気的に接続されているため、介在部材の電気抵抗が発生しない。また、前記第１コイル片３５５の端部領域３５５ａ，３５５ｂの下には前記持ち上げ層８０が形成され、これによって前記端部領域３５５ａ、３５５ｂが中央領域３５５ｆよりも上方に持ち上げるため、第１コイル片３５５の上面３５５ｅに前記コイル絶縁層３３６が形成されていても、前記コイル絶縁層３３６をＣＭＰなどにより研磨すれば、前記第２コイル片３５６との接続面３８１を簡単に露出でき、前記コイル絶縁層３３６にスルーホールを形成する工程が必要ない。仮に、前記コイル絶縁層３３６にスルーホールを形成するものとすると、前記スルーホールはエッチング加工により行うことになるが、エッチングでは前記スルーホールを正確な位置や深さで高精度で形成するのは困難であるため、前記スルーホールが形成される位置がずれることによって、前記第１コイル片３５５と前記第２コイル片３５６との接続面積が小さくなり、電気抵抗が大きくなり、その結果、前記第１コイル片３５５と前記第２コイル片３５６との接続部で熱が発生するという問題が生じる。また前記スルーホールの形成時に前記第１コイル片の端部領域３５５ａ、３５５ｂに損傷を与えるといった問題もある。
【０１５６】
これに対し、前記薄膜磁気ヘッド１Ｅでは、前記接続面３８１は、前記持ち上げ層８０が形成される位置によって決定されるが、この持ち上げ層８０は、レジストによるフォトエッチングによって形成することができるため、正確な位置に高精度で形成することが可能である。また、前記コイル絶縁層３３６をＣＭＰ技術などにより研磨する際にその削り量を調整することで、前記接続面３８１を、所定の面積で露出させることができる。そのため、前記第１コイル片３５５と前記第２コイル片３５６との接続を良好とすることが可能となり、電気抵抗の増大を抑制することができる。
【０１５７】
さらに、前記下部コア層２９に凹部を設ける必要がないため、前記下部コア層２９の断面積を大きくすることができる。したがって、前記下部コア層２９の磁気飽和を抑制することができ、磁化効率の向上を図ることが可能となる。
【０１５８】
また本実施の形態のように、下部コア層２９上に帯状の持ち上げ層８０を必要な部分にのみ設けることで、接続面３８１以外の部分での第１コイル片３５５と第２コイル片３５６間の絶縁性や第１コイル片３５５や上部コア層３４２間の絶縁性はもちろんのこと、前記第１コイル片３５５の端面３５５ｃ，３５５ｄよりも外方領域や各第１コイル片３５５間での下部コア層２９と第２コイル片３５６や前記上部コア層３４２との絶縁性も、前記第１コイル片３５５の上面３５５ｅを覆うコイル絶縁層３３６により十分な膜厚をもって確保しやすい。
【０１５９】
また、前記接続面３８１はコイル絶縁層３３６の上面３３６ａと同一の平坦化面に形成されているため、前記接続面３８１上に第２コイル片３５６の端部領域３５６ａ、３５６ｂを乗せやすく、前記第１コイル片３５５と前記第２コイル片３５６との接続を良好にすることができる。したがって、前記第１コイル片３５５と前記第２コイル片３５６との接触抵抗を更に低く抑えることが可能となる。また前記コイル絶縁層３３６の上面３３６ａが平坦化面であるので、前記コイル絶縁層３３６上に形成される前記上部コア層３４２を所定形状で形成しやすい。
【０１６０】
また前記接続面３８１での面積を大きくして前記第２コイル片３５６との接続を良好にするには、少なくとも前記第１コイル片３５５の前記持ち上げ層８０上に乗る位置での端部領域３５５ａ，３５５ｂの幅寸法を中央領域３５５ｆでの幅寸法に比べて大きくすることが好ましい。また前記接続面３８１の面積は前記接続面３８１上及びコイル絶縁層３３６上に乗る部分での第２コイル片３５６の端部領域３５６ａ、３５６ｂの下面３５６ａ１，３５６ｂ１の面積より小さくてもよいが、小さすぎると電気抵抗が高くなってしまうため、前記接続面３８１の面積は、前記接続面３８１上及びコイル絶縁層３３６上に乗る部分での第２コイル片３５６の端部領域３５６ａ、３５６ｂの下面３５６ａ１，３５６ｂ１の面積の５０％〜１００％の範囲内であることが好ましい。
【０１６１】
図２９ないし図３２に示す前記薄膜磁気ヘッド１Ｅでは、上部コア層３４２と磁極端層３６２の上部磁極層３５１の材料を異ならせることによって、上部磁極層３５１のみ高飽和磁束密度を有する材料で形成し、上部コア層３４２を上部磁極層３５１より飽和磁束密度の小さな材料で形成することができる。また、高飽和磁束密度を有する上部磁極層３５１や下部磁極層３４９は、Ｇｄ決め層３３８の後方には形成されないので、磁束密度を適度に調節でき、磁極端層３６２の両側部からの磁束の洩れが少なくなり、磁気ヘッドのＳ／Ｎ比が向上する。
【０１６２】
また、上部コア層３４２の前端面３４２ｃを記録媒体との対向面よりも、ハイト方向後方に後退させることによって上部コア層３４２からの磁束の洩れをさらに低減できる。
【０１６３】
また、前記薄膜磁気ヘッド１Ｅでは、図２９に示すように、上部コア層３４２の上の第２コイル片３５６の膜厚ｔ５を第１コイル片３５５の膜厚ｔ６より大きくし、また、前記第２コイル片３５６の電流が流れる方向と直交する第１の方向の長さ寸法Ｗ２を、前記第１コイル片３５５の前記第１の方向の長さ寸法Ｗ３よりも大きくして、抵抗値を低減できる。すなわち、前記コイル構造５５７の発熱を低減することができ、磁極端部３６２周辺の記録媒体側への突出を低減できる。
【０１６４】
また、前記長さ寸法Ｗ２を、前記第１コイル片３５５の前記端部領域３５５ａ，３５５ｂの前記第１の方向の長さ寸法Ｗ４よりも大きくすると、前記コイル構造の発熱をさらに低減することができ、磁極端層３６２周辺の記録媒体側への突出をより効果的に低減できるため、さらに好ましい。
【０１６５】
図２９ないし図３２に示された前記薄膜磁気ヘッド１Ｅでは、磁極端層３６２上とバックギャップ層３３３上間を平坦形状の上部コア層３４２で結んで磁路長を形成するため、上部コア層３４２が盛り上がって形成される磁気ヘッドに比べて磁路長を短くできる。また、上部コア層３４２が平坦形状を有していると、コイル構造５５７から発生するジュール熱を磁気ヘッドの外部に効率よく放出することができる。
【０１６６】
さらに、コイル構造５５７は、上部コア層３４２を軸として巻回するトロイダルコイル構造を有している。
【０１６７】
このため磁気ヘッドを構成するコイル構造５５７のターン数を少なくしても一定の記録特性を維持することができ、ターン数を減らせることでコイル抵抗を低減できるから磁気ヘッドの駆動時においても磁気ヘッドの発熱を抑えることができる。
【０１６８】
磁気ヘッドの発熱を抑えることができると、磁極端層３６２周辺が記録媒体との対向面から突き出す等の問題を抑制することができる。
【０１６９】
さらにコイル構造５５７を覆うコイル絶縁層３３６に無機絶縁材料を用いることによって磁気ヘッドの熱膨張係数を低減させることができる。
【０１７０】
図２９ないし３２に示す薄膜磁気ヘッド１Ｅでは、前記持ち上げ層８０は所定の幅寸法で実質的にハイト方向に延びる帯状の形状で構成され、複数本の第１コイル片３５５の下を横断しているが、本発明はこれに限定されるものではなく、図６に示すのと同様に、持ち上げ層８０は複数の持ち上げ片８０ａからなり、前記持ち上げ片８０ａは各第１コイル片５５の下にそれぞれ設けられ、この各持ち上げ層８０ａが個々の第１コイル片５５の端部領域５５ａ，５５ｂを、それぞれ上方に持ち上げるように構成されていても良い。
【０１７１】
また図７および図８に示すのと同様に、前記持ち上げ層８０は、Ｘ−Ｚ平面と平行な方向での断面形状が所定の高さ寸法ｈ１を有した半円形状や半楕円形状で構成され、第１コイル片３５５のトラック幅方向における前記端面３５５ｃ，３５５ｄが、前記持ち上げ層８０の上面に位置するように構成されていても良い。すなわち前記第１コイル片３５５は、トラック幅方向にて前記持ち上げ層８０間に挟まれた位置でのコイル絶縁下地層３３４上から前記持ち上げ層８０の途中にまで延びて形成されているものとして構成しても良い。
【０１７２】
また図９に示すのと同様に、前記持ち上げ層８０は複数の持ち上げ片８０ａによって構成され、この各持ち上げ片８０ａが各第１コイル片３５５の端部領域３５５ａ，３５５ｂ下にそれぞれ設けられていてもよい。これにより各第１コイル片３５５の端部領域３５５ａ，３５５ｂが、個々に設けられた持ち上げ片８０ａによって上方に持ち上げられる。
【０１７３】
また前記薄膜磁気ヘッド１Ｅの前記持ち上げ層８０を、Ｘ−Ｚ平面と平行な方向での断面形状が所定の高さ寸法ｈ２を有した略台形状の形状であり、上面１８０ｂには平坦化面が形成された、図１０または図１１に示す持ち上げ層１８０として構成しても良い。この場合、図１０または図１１に示すのと同様に、前記第１コイル片３５５の端部領域３５５ａ，３５５ｂを、前記持ち上げ層１８０の上に形成し、前記第１コイル片３５５のトラック幅方向における端面３５５ｃ，３５５ｄが、平坦化された前記持ち上げ層１８０の上面１８０ｂの上に位置するように構成される。すなわち前記第１コイル片３５５は、トラック幅方向にて前記持ち上げ層１８０間に挟まれたコイル絶縁下地層３３４上から前記持ち上げ層１８０の上面１８０ｂの途中にまで形成されているものとして構成することもできる。
【０１７４】
また前記薄膜磁気ヘッド１Ｅの前記持ち上げ層８０を前記持ち上げ層１８０の構造とした場合には、この持ち上げ層１８０を図１２に示すのと同様に、複数の持ち上げ片１８０ａによって分断形成し、前記持ち上げ片１８０ａが各第１コイル片３５５の端部領域３５５ａ，３５５ｂを、それぞれ上方に持ち上げるように構成しても良い。
【０１７５】
また前記薄膜磁気ヘッド１Ｅの前記持ち上げ層８０を、図１３および図１４に示すような、断面形状が所定の高さ寸法ｈ３を有した半円球形状で構成された持ち上げ片２８０ａとして構成しても良い。この場合、図１５に示すのと同様に、前記持ち上げ片２８０ａの直径寸法ｄを、前記第１コイル片３５５の端部領域３５５ａ，３５５ｂの幅寸法ｗ１よりも大きく形成し、前記第１コイル片３５５のトラック幅方向における端面３５５ｃ，３５５ｄが、持ち上げ片２８０ａの表面２８０ｂ上に位置するように構成する。
【０１７６】
また前記薄膜磁気ヘッド１Ｅの前記持ち上げ層８０を前記持ち上げ片２８０ａの構造とした場合には、図１６に示すのと同様に、前記持ち上げ片２８０ａの直径寸法ｄが、前記第１コイル片３５５の端部領域３５５ａ，３５５ｂの幅寸法ｗ１よりも大きく形成されるものであっても良い。
【０１７７】
前記薄膜磁気ヘッド１Ａの製造方法を、図１７ないし図２８によって説明する。なお図１に示す下部コア層２９から第２コイル片５６までの各層の形成方法について説明する。また図１７ないし図２８に示す製造工程図は製造途中の薄膜磁気ヘッドの縦断面図（すなわち図示Ｙ−Ｚ平面と平行な平面から切断した断面図）である。
【０１７８】
図１７に示す工程で、まずＮｉＦｅ系合金等からなる下部コア層２９をメッキ形成し、Ａｌ2Ｏ3などの非磁性絶縁材料層３１を形成した後、ＣＭＰ技術等を用いて前記下部コア層２９表面及び非磁性絶縁材料層３１表面を研磨加工する。
【０１７９】
図１８に示す工程では、前記下部コア層２９表面及び非磁性絶縁材料層３１表面にＡｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2などのコイル絶縁下地層３４をスパッタ等で形成する。
【０１８０】
次に図１９に示す工程を行う。ここで図１９は、図１７や図１８とは別の部分を切断して示した薄膜磁気ヘッドの部分縦断面図である。図１９は図２に示す持ち上げ層８０の幅方向（図示Ｘ方向）における寸法を２分するＣ−Ｃ線に沿って切断した状態を、Ｙ−Ｚ平面と平行な方向から見た部分縦断面図である。
【０１８１】
図１９に示すように、前記コイル下地絶縁層３４の上面に、所定の高さ寸法ｈ１を有する図２および図４に示す持ち上げ層８０を、レジストなどの絶縁材料により形成する。この持ち上げ層８０は、フォトエッチング法によって形成することができる。
【０１８２】
前記持ち上げ層８０は、図２での矢視では、半円形状や半楕円形状で構成されるため、前記持ち上げ層８０の表面は湾曲面となる。
【０１８３】
次に、図２０、および図２１に示す工程を行う。ここで、図２１は図２０とは別の部分を切断して示した薄膜磁気ヘッドの部分縦断面図であり、図１９に相当する位置での部分縦断面図である。
【０１８４】
図２０に示す工程では、前記コイル絶縁下地層３４上に複数本の第１コイル片５５をパターン形成する。複数の前記第１コイル片５５をそれぞれハイト方向に並べて形成する。このとき、図２１に示すように、前記持ち上げ層８０上に前記第１コイル片５５の端部領域５５ａ，５５ｂの少なくとも一部が乗り上げるように形成する。この際、図４に示すように、前記第１コイル片５５の端部領域５５ａ、５５ｂの一部が前記持ち上げ層８０のトラック幅方向の外方に位置するように形成する。ここで、前記第１コイル片５５はＣｕなどの非磁性導電材料でメッキ形成する。
【０１８５】
前記第１コイル片５５は、コイル絶縁下地層３４上から前記持ち上げ層８０上にかけて形成されるため、図２に示すように前記持ち上げ層８０上に形成された第１コイル片５５の端部領域５５ａ，５５ｂは中央領域５５ｆに比べて上方に持ち上げられる。
【０１８６】
図２２に示す工程では、前記コイル絶縁下地層３４上にレジスト層７５を塗布し、このレジスト層７５に露光現像により穴部７５ａ、７５ｂを形成する。前記穴部７５ａは、記録媒体との対向面から前記第１コイル片５５のうち最も前記対向面寄りの前記第１コイル片５５の前端面付近まで、前記穴部７５ｂは、前記下部コア層２９の基端部付近に設けられ、各穴部７５ａ、７５ｂから露出するコイル絶縁下地層３４をエッチングで除去した後、前記穴部７５ａ内から露出する前記下部コア層２９上に隆起層３２をメッキ形成し、同じ工程時に、前記穴部７５ｂ内から露出する前記下部コア層２９の基端部上にバックギャップ層３３をメッキ形成する。前記隆起層３２および前記バックギャップ層３３は磁性材料で形成され、前記下部コア層２９と同じ材料で形成しても良いし、別の材料で形成しても良い。前記隆起層３２および前記バックギャップ層３３は単層で形成しても良いし、多層の積層構造で形成しても良い。前記隆起層３２及びバックギャップ層３３と下部コア層２９間にはコイル絶縁下地層３４は無く、これらの層は磁気的に接続された状態になっている。
【０１８７】
次に、前記隆起層３２上及びバックギャップ層３３上、第１コイル片５５の上面５５ｅ上を、Ａｌ2Ｏ3などの無機絶縁材料でスパッタなどで覆い、コイル絶縁層３６を形成する。
【０１８８】
なお図１９工程後、図２２工程で示す隆起層３２およびバックギャップ層３３を形成し、その後図２０に示す工程で第１コイル片５５を形成してもよい。
【０１８９】
次に、図２３、図２４に示す工程を行う。ここで、図２４は図２３の状態を記録媒体との対抗面側から見た正面図であり、図２と同様の位置から見たものである。図２３および図２４に示すように、図示Ｄ−Ｄ線まで前記コイル絶縁層３６、前記隆起層３２、前記バックギャップ層３３を、図示Ｘ−Ｙ方向と並行な方向からＣＭＰ技術等を用いて削り込む。このとき、ある程度、前記の各層を削り込むと、前記持ち上げ層８０上に乗り上げ形成された第１コイル片５５の端部領域５５ａ、５５ｂの一部が前記コイル絶縁層３６の上面３６ａから露出する。前記端部領域５５，５５ｂの露出面は第２コイル片５６との接続面８１であり、前記削り量によって前記接続面８１の露出面積を規制することができる。前記接続面８１の露出面積が所定面積になったらその時点で前記研削加工を止める。前記削り込みをＣＭＰにより行うと、削り込み量の制御が容易である。削り込みを終了した時点を示したのが図２５および図２６である。ここで、図２６は図２４と同様の正面図である。
【０１９０】
図２５および図２６では隆起層３２の上面、コイル絶縁層３６の上面、バックギャップ層３３の上面が基準面Ａに沿った平坦化面として形成される。そして図２６に示すように第１コイル片５５は、前記接続面８１以外の部分が前記コイル絶縁層３６内に完全に埋められた状態になっている。また、図２４および図２６に示すように、前記接続面８１も前記コイル絶縁層３６の上面と同じ前記平坦化面に形成することが好ましい。なお前記研削加工を適切に行うには前記コイル絶縁層３６がＡｌ2Ｏ3などの無機絶縁材料で形成されていることが必要である。例えば前記コイル絶縁層３６が有機絶縁材料で形成された場合、上記の研削加工を施しても前記有機絶縁材料のねばり気によって適切に削り込むことができず平坦化加工を行うことが難しいからである。
【０１９１】
次に図２７に示すように、記録媒体との対向面からハイト方向（図示Ｙ方向）に所定距離だけ離れた位置に、無機絶縁材料や有機絶縁材料でＧｄ決め層３８を形成する。
【０１９２】
次に図２８に示す工程では、メッキに必要な例えばＮｉＦｅ合金やＦｅＣｏ合金から成るメッキシード膜（図示しない）を形成した後、例えば平面形状が図５に示す先端部Ｂと後端部Ｃとからなるパターン６５ａが設けられたレジスト層６５を形成し、このパターン６５ａ内に下から下部磁極層３９、ギャップ層４０、上部磁極層４１及び上部コア層４２を連続してメッキ形成する。
【０１９３】
前記下部磁極層３９、ギャップ層４０、上部磁極層４１及び上部コア層４２の平面形状は、記録媒体との対向面からハイト方向（図示Ｙ方向）に向けて細長形状の先端部Ｂと、この先端部Ｂの両側基端Ｂ１からハイト方向にトラック幅方向（図示Ｘ方向）が広がる後端部Ｃとで構成されている。またこのとき前記上部磁極層４１の前記対向面でのトラック幅方向（図示Ｘ方向）への幅寸法でトラック幅Ｔｗが規制される。そして前記レジスト層６５を除去する。
【０１９４】
この図２８工程では、前記下部磁極層３９、ギャップ層４０、上部磁極層４１及び上部コア層４２からなる積層体６２を、平坦化されたコイル絶縁層３６上、隆起層３２上及びバックギャップ層３３上に形成できる点で効果的である。すなわち前記積層体６２を前記コイル絶縁層３６上、隆起層３２上及びバックギャップ層３３上に所定形状に高精度に形成でき、これにより、前記トラック幅Ｔｗを所定寸法で形成することが可能である。
【０１９５】
なお本発明では、前記積層体６２を下から前記下部磁極層３９、ギャップ層４０、上部磁極層４１および上部コア層４２の順に積層して４層で形成する場合に限定されるものではなく、例えば前記積層体６２を下から前記下部磁極層３９、前記ギャップ層４０、および前記上部磁極層４１の順に積層された３層構造で形成しても良い。
【０１９６】
図２８の工程の次には、図２で示す絶縁層５８を形成した後、前記絶縁層５８上から前記接続面８１にかけて第２コイル片５６をパターン形成する。この際、第２コイル片５６の端部領域５６ａ，５６ｂが、前記第１コイル片５５の端部領域５５ａ，５５ｂに形成された接続面８１上に直接接するように形成し、両コイル片５５，５６とを電気的に接続する。前記第２コイル片５６は例えばＣｕなどの非磁性導電材料でメッキ形成される。また前記第２コイル片５６は複数本設けられる。
【０１９７】
上記した製造方法によれば図２３工程でＣＭＰ技術等を用いて、基準面Ａに沿って、コイル絶縁層３６、隆起層３２およびバックギャップ層３３の上面を同じ平坦化面として形成され、しかもこの平坦化面に前記接続面８１が露出している。したがって、前記第２コイル片５６のトラック幅方向（図示Ｘ方向）における端部領域５６ａ、５６ｂを、前記接続面８１を介して前記第１コイル片５５の端部領域５５ａ，５５ｂと直接に接した状態で接続することができる。したがって、前記第１コイル片５５と前記第２コイル片５６とを、例えば接続層などの介在部材を介さずに、直接に接触した状態で電気的に接続することができるため、介在部材に起因する電気抵抗が発生しない。
【０１９８】
なお、前記接続面８１での面積を大きくして前記第２コイル片５６との接続を良好にするには、図２０に示す工程で前記第１コイル片５５を形成する際、少なくとも前記第１コイル片５５の前記持ち上げ層８０上に乗る位置での端部領域５５ａ，５５ｂの幅寸法を中央領域５５ｆでの幅寸法に比べて大きく形成することが好ましい。また前記持ち上げ層８０上に乗る位置での端部領域５５ａ，５５ｂの幅寸法を、第２コイル片５６の幅寸法より大きくすることが好ましい。
【０１９９】
また前記接続面８１の面積は前記接続面８１上及びコイル絶縁層３６上に乗る部分での第２コイル片５６の端部領域５６ａ、５６ｂの下面５６ａ１，５６ｂ１の面積より小さくてもよいが、小さすぎると電気抵抗が高くなってしまうため、図２３に示す工程では、前記接続面８１の面積を、前記接続面８１上及びコイル絶縁層３６上に乗る部分での第２コイル片５６の端部領域５６ａ、５６ｂの下面５６ａ１，５６ｂ１の面積の５０％〜１００％の範囲内に形成することが好ましい。
【０２００】
図１７ないし図２８に示す薄膜磁気ヘッド１Ａの製造方法によれば、前記第１コイル片５５の端部領域５５ａ，５５ｂの下には持ち上げ層８０を形成し、これによって前記端部領域５５ａ、５５ｂを中央領域５５ｆよりも上方に持ち上げるように形成することができるため、第１コイル片５５の上面５５ｅに前記コイル絶縁層３６が形成されていても、前記コイル絶縁層３６をＣＭＰなどにより研磨すれば、前記第２コイル片５６との接続面８１を簡単に露出でき、前記コイル絶縁層３６にスルーホールを形成する工程が必要ない。仮に、前記コイル絶縁層３６にスルーホールを形成するものとすると、前記スルーホールはエッチング加工により行うことになるが、エッチングでは前記スルーホールを正確な位置や深さで高精度で形成するのは困難であるため、前記スルーホールが形成される位置がずれることによって、前記第１コイル片５５と前記第２コイル片５６との接続面積が小さくなり、電気抵抗が大きくなり、その結果、前記第１コイル片５５と前記第２コイル片５６との接続部で熱が発生するという問題が生じる。また前記スルーホールの形成時に前記第１コイル片の端部領域５５ａ、５５ｂに損傷を与えるといった問題もある。
【０２０１】
これに対し、図１７ないし図２８の前記薄膜磁気ヘッド１Ａの製造方法では、前記接続面８１は、持ち上げ層８０が形成される位置によって決定されるが、この持ち上げ層８０は、レジストによるフォトエッチングによって形成することができるため、容易に、しかも正確な位置に高精度で形成することが可能である。また、前記コイル絶縁層３６をＣＭＰ技術などにより研磨する際にその削り量を調整することで、前記接続面８１を、所定の面積で露出させることができる。そのため、前記第１コイル片５５と前記第２コイル片５６との接続を良好とすることが可能となり、電気抵抗の増大を抑制することができる。
【０２０２】
さらに、前記下部コア層２９に凹部を設ける工程が必要がないため、製造が容易であり、また前記下部コア層２９の断面積を大きくすることができる。したがって、前記下部コア層２９の磁気飽和を抑制することができ、磁化効率の向上を図ることが可能となる。
【０２０３】
また本実施の形態のように、下部コア層２９上に帯状の持ち上げ層８１を必要な部分にのみ設けることで、接続面８１以外の部分での第１コイル片５５と第２コイル片５６間の絶縁性や第１コイル片５５や積層体６２間の絶縁性はもちろんのこと、前記第１コイル片５５の端面５５ｃ，５５ｄよりも外方領域や各第１コイル片５５間での下部コア層２９と第２コイル片５６や積層体６２との絶縁性も、前記第１コイル片５５の上面５５ｅを覆うコイル絶縁層３６により十分な膜厚をもって確保しやすい。
【０２０４】
また、前記接続面８１はコイル絶縁層３６の上面３６ａと同一の平坦化面に形成されているため、前記接続面８１上に第２コイル片５６の端部領域５６ａ、５６ｂを乗せやすく、前記第１コイル片５５と前記第２コイル片５６との接続を良好にすることができる。したがって、前記第１コイル片５５と前記第２コイル片５６との接触抵抗を更に低く抑えることが可能となる。また前記コイル絶縁層３６の上面３６ａが平坦化面であるので、前記コイル絶縁層３６上に形成される積層体６２を所定形状で形成しやすく、前記積層体６２の記録媒体との対向面での幅寸法で決定されるトラック幅Ｔｗを高精度に形成できる。
【０２０５】
なお、図１９に示す工程では、図４に示す実施の形態のように、前記持ち上げ層８０を所定の幅寸法で実質的にハイト方向に延びる帯状の形状で形成しても良いが、本発明はこれに限定されるものではなく、図１９に示す工程で、図６に示すように、前記持ち上げ層８０を複数の持ち上げ片８０ａによって分断形成し、前記持ち上げ片８０ａが各第１コイル片５５の端部領域５５ａ，５５ｂを、それぞれ上方に持ち上げるように形成しても良い。
【０２０６】
薄膜磁気ヘッド１Ｂを製造するには、図１９で示す工程で、図８に示す持ち上げ層８０を形成し、図２１に示す工程で、前記第１コイル片５５の端部５５ｃ、５５ｄが前記持ち上げ層８０の表面の途中まで形成することによって製造することができる。
【０２０７】
図２１に示す工程で、前記第１コイル片５５の端部５５ｃ、５５ｄを前記持ち上げ層８０の表面の途中まで形成すると、前記したレべリング効果を抑制できるため、前記持ち上げ層８０上に前記端部領域５５ａ，５５ｂを厚い膜厚で形成できる。この結果、前記接続面８１を前記コイル絶縁層３６内に埋没している前記第１コイル片５５の上面５５ｅに比べて十分に上方に持ち上げることができ、前記第１コイル片５５の上面５５ｅと前記積層体６２間の絶縁性などを十分に確保しやすくなる。
【０２０８】
なお、図１９に示す工程では、図８に示す実施の形態のように、前記持ち上げ層８０を所定の幅寸法で実質的にハイト方向に延びる帯状の形状で形成しても良いが、本発明はこれに限定されるものではなく、図１９に示す工程で、図９に示すように、前記持ち上げ層８０を複数の持ち上げ片８０ａによって分断形成し、前記持ち上げ片８０ａが各第１コイル片５５の端部領域５５ａ，５５ｂを、それぞれ上方に持ち上げるように形成しても良い。
【０２０９】
薄膜磁気ヘッド１Ｃを製造するには、図１９で示す工程で、図１１、図１２、に示す持ち上げ層１８０、１８０ａを形成し、図２１に示す工程で、前記第１コイル片５５の端面５５ｃ、５５ｄが前記持ち上げ層１８０，１８０ａの表面の途中まで形成することによって製造することができる。
【０２１０】
図１９で示す工程で、前記持ち上げ層１８０は、図１０に示すように、Ｘ−Ｚ平面と平行な方向での断面形状が所定の高さ寸法ｈ２を有した略台形状に形成され、前記持ち上げ層１８０の上面１８０ｂには平坦化面が形成される。前記第１コイル片５５の端部領域５５ａ，５５ｂは、前記持ち上げ層１８０の表面の途中まで形成され、第１コイル片５５のトラック幅方向における端部５５ｃ，５５ｄが、平坦化された前記上面１８０ｂの上に位置するように形成される。
【０２１１】
前記持ち上げ層１８０の上面１８０ｂは平坦化面に形成されるため、前記上面１８０ｂの上に形成される前記第１コイル片５５の端部領域５５ａ，５５ｂは厚さ寸法ｔ１が大きく形成されやすい。すなわち、前記持ち上げ層１８０の上面１８０ｂに前記第１コイル片５５はフレームメッキ法により形成されるが、このとき、前記持ち上げ層１８０の上面１８０ｂが平坦化面に構成されていると、前記第１コイル片５５が、図２０に示すＺ方向にメッキ成長しやすくなり、前記膜厚ｔ１を大きくすることが可能になるのである。前記膜厚ｔ１が大きく構成されると、前記接続面１８１の面積を所定面積に画定しやすいとともに、第１コイル片５５と積層体６２間のコイル絶縁層３６の膜厚を厚くできるので、前記第１コイル片５５と積層体６２間の絶縁性を良好に保ちやすい。
【０２１２】
ただし、前記第１コイル片５５の両側端面５５ｃ，５５ｄは前記持ち上げ層１８０の上面１８０ｂの途中にあることが好ましく、仮に図２のように前記両側端面５５ｃ，５５ｄをトラック幅方向にて前記持ち上げ層１８０の外方にまで延出形成すると、レベリング効果が発生しやすく、前記持ち上げ層１８０の上面１８０ａに乗る部分での持ち上げ層１８０の膜厚ｔ１が小さくなりやすい。よって前記レベリング効果を抑制するには、前記第１コイル片５５を前記持ち上げ層１８０の上面１８０ｂの途中までしか形成しないようにすることが好ましい。
【０２１３】
なお上記のレベリング効果は、前記上面１８０ｂが平坦化面として形成されている持ち上げ層１８０の前記上面１８０ｂに、第１コイル片５５を乗り上げ形成した場合の方が、表面が湾曲面である持ち上げ層、たとえば図２に示す前記持ち上げ層８０上に、第１コイル片５５を乗り上げ形成する場合に比べて大きいものと考えられる。このため表面が湾曲面である持ち上げ層８０を用いる場合は、図２のように前記持ち上げ層８０を越えて、その外方にまで前記第１コイル片５５を延出形成しても、レベリング効果は、上面１８０ｂが平坦化面として形成される前記持ち上げ層１８０を用い、前記持ち上げ層１８０を超えてその外方にまで第１コイル片５５を延出形成する場合に比べて小さいものと考えられる。
【０２１４】
図１９に示す工程では、図１１に示す実施の形態のように、前記持ち上げ層１８０を所定の幅寸法で実質的にハイト方向に延びる帯状の形状で形成しても良いが、本発明はこれに限定されるものではなく、図１９に示す工程で、図１２に示すように、前記持ち上げ層１８０は複数の持ち上げ片１８０ａによって分断形成され、前記持ち上げ片１８０ａが各第１コイル片５５の端部領域５５ａ，５５ｂを、それぞれ上方に持ち上げるように形成しても良い。図１１に示すように、帯状に延びる一体の持ち上げ層１８０が複数の各第１コイル片５５の端部領域５５ａ，５５ｂの下を横断するように形成すると、前記持ち上げ層１８０の製造が容易になる。
【０２１５】
また、図１２のように前記持ち上げ層１８０を個々の持ち上げ片１８０ａに分断し、各持ち上げ片１８０ａ上にそれぞれの第１コイル片５５の端部領域５５ａ，５５ｂを形成すると、前記持ち上げ片１８０ａ間に空間ができるので、この部分にコイル絶縁層３６を厚い膜厚で形成でき、隣り合う第１コイル片５５の端部領域５５ａ，５５ｂ間の絶縁性を良好に保つことができる。
【０２１６】
薄膜磁気ヘッド１Ｄを製造するには、図１９で示す工程で、図１４に示す持ち上げ片２８０ａを形成し、図２１に示す工程で、前記第１コイル片５５の端部５５ｃ、５５ｄが前記持ち上げ片２８０ａの上面に位置するように形成することによって製造することができる。
【０２１７】
なお、図１９に示す工程で、図１５に示すように、端部領域５５ａ，５５ｂの幅寸法ｗ１より前記持ち上げ片２８０ａの直径ｄが小さくなるように形成すると、前記持ち上げ片２８０ａ上に乗る端部領域５５ａ、５５ｂは少なくなるため、前記コイル絶縁層３６の上面３６ａから露出する接続面２８１の面積も減少してしまう。このため、前記接続面２８１の面積を大きくして、第２コイル片５６と第１コイル片５５との接続を確実なものにするには、図１９で示す工程で、図１６に示すように、持ち上げ片２８０ａの直径ｄが前記端部領域５５ａ，５５ｂの幅寸法Ｗ１よりも大きくなるように形成した方がよい。ただしレベリング効果を少なくするには、図１５に示すように、端部領域５５ａ，５５ｂの幅寸法Ｗ１より、前記持ち上げ片２８０ａの直径ｄが小さくなるように前記持ち上げ片２８０ａを形成した方が好ましいと考えられる。
【０２１８】
図２９ないし図３２に示された前記薄膜磁気ヘッド１Ｅの製造方法は、図１７ないし図２８に示される磁気ヘッドの製造方法と類似している。すなわち、図１７に示す工程で前記下部コア層２９と同様にして前記下部コア層３２９を形成し、図１８に示す工程で、前記下部コア層３２９の上に、前記記録媒体との対向面からハイト方向（図示Ｙ方向）に所定の距離離れた位置からハイト方向に向けてＧｄ決め層３３８を形成する。次に図２２に示す工程で、前記隆起層３２の代わりに前記磁極端層３６２としてメッキ形成する。このとき、上部磁極層３５１の後端部が前記Ｇｄ決め層３３８上に載るように前記磁極端層３６２を形成する。次に、図２８に示す工程で、前記積層体６２を上部コア層３２９として形成すれば、前記薄膜磁気ヘッド１Ｅを形成することができる。
【０２１９】
また、前記薄膜磁気ヘッド１Ｅの前記持ち上げ層８０を、図７および図８に示すのと同様に、Ｘ−Ｚ平面と平行な方向での断面形状が所定の高さ寸法ｈ１を有した半円形状や半楕円形状で形成し、第１コイル片３５５のトラック幅方向における前記端面３５５ｃ，３５５ｄが、前記持ち上げ層８０の上面に位置するように形成する場合には、前記隆起層３２を前記磁極端層３６２としてメッキ形成し、前記積層体６２を上部コア層３２９として形成することに加え、図１９で示す工程で、図８に示す持ち上げ層８０を形成し、図２１に示す工程で、前記第１コイル片５５の端部５５ｃ、５５ｄが前記持ち上げ層８０の表面の途中まで形成すれば良い。
【０２２０】
また前記薄膜磁気ヘッド１Ｅの前記持ち上げ層８０を、図９に示すのと同様に、複数の持ち上げ片８０ａによって形成し、この各持ち上げ片８０ａが各第１コイル片３５５の端部領域３５５ａ，３５５ｂ下にそれぞれ設けられているものとして形成する場合には、前記隆起層３２を前記磁極端層３６２としてメッキ形成し、前記積層体６２を上部コア層３２９として形成することに加え、図１９に示す工程で、図９に示すように、前記持ち上げ層８０を複数の持ち上げ片８０ａによって分断形成し、前記持ち上げ片８０ａが各第１コイル片５５の端部領域５５ａ，５５ｂを、それぞれ上方に持ち上げるように形成すれば良い。
【０２２１】
また前記薄膜磁気ヘッド１Ｅの前記持ち上げ層８０を、図１０または図１１に示す持ち上げ層１８０として形成し、図１０または図１１に示すのと同様に、前記第１コイル片３５５のトラック幅方向における端面３５５ｃ，３５５ｄが、平坦化された前記持ち上げ層１８０の上面１８０ｂの上に位置するように形成する場合には、前記隆起層３２を前記磁極端層３６２としてメッキ形成し、前記積層体６２を上部コア層３２９として形成することに加え、図１９で示す工程で、図１１に示す持ち上げ層１８０を形成し、図２１に示す工程で、前記第１コイル片３５５の端面３５５ｃ、３５５ｄが前記持ち上げ層１８０の表面の途中まで形成することによって製造することができる。
【０２２２】
また前記薄膜磁気ヘッド１Ｅの前記持ち上げ層８０を図１２に示すのと同様に、複数の持ち上げ片１８０ａによって分断形成し、前記持ち上げ片１８０ａが各第１コイル片３５５の端部領域３５５ａ，３５５ｂを、それぞれ上方に持ち上げるように形成する場合には、前記隆起層３２を前記磁極端層３６２としてメッキ形成し、前記積層体６２を上部コア層３２９として形成することに加え、図１９で示す工程で図１２に示す持ち上げ片１８０ａを形成し、図２１に示す工程で、前記第１コイル片５５の端面３５５ｃ、３５５ｄが前記持ち上げ片１８０ａの表面の途中まで形成することによって製造することができる。
【０２２３】
また前記薄膜磁気ヘッド１Ｅの前記持ち上げ層８０を、図１３および図１４に示す半円球形状の持ち上げ片２８０ａとして形成し、図１５に示すのと同様に、前記持ち上げ片２８０ａの直径寸法ｄを、前記第１コイル片３５５の端部領域３５５ａ，３５５ｂの幅寸法ｗ１よりも大きく形成し、前記第１コイル片３５５のトラック幅方向における端面３５５ｃ，３５５ｄが、持ち上げ片２８０ａの表面２８０ｂ上に位置するように形成するには、以下のように形成すれば良い。すなわち、前記隆起層３２を前記磁極端層３６２としてメッキ形成し、前記積層体６２を上部コア層３２９として形成することに加え、図１９で示す工程で、図１４に示す持ち上げ片２８０ａを形成し、図２１に示す工程で、前記第１コイル片５５の端部５５ｃ、５５ｄが前記持ち上げ片２８０ａの上面に位置するように形成すれば良い。このとき図１９に示す工程で、図１５に示すように、端部領域５５ａ，５５ｂの幅寸法ｗ１より前記持ち上げ片２８０ａの直径ｄが小さくなるように形成する。
【０２２４】
また前記薄膜磁気ヘッド１Ｅの前記持ち上げ層８０を、図１６に示すのと同様に、前記持ち上げ片２８０ａの直径寸法ｄが、前記第１コイル片３５５の端部領域３５５ａ，３５５ｂの幅寸法ｗ１よりも大きく形成するには、前記隆起層３２を前記磁極端層３６２としてメッキ形成し、前記積層体６２を上部コア層３２９として形成することに加え、図１９で示す工程で持ち上げ片２８０ａを形成し、図２１に示す工程で、前記第１コイル片５５の端部５５ｃ、５５ｄが前記持ち上げ片２８０ａの上面に位置するように形成すれば良い。このとき、図１９で示す工程で、図１６に示すように、持ち上げ片２８０ａの直径ｄが前記端部領域５５ａ，５５ｂの幅寸法Ｗ１よりも大きくなるように形成する。
【０２２５】
以上、本発明における薄膜磁気ヘッドは、例えばハードディスク装置などに搭載される磁気ヘッド装置に内蔵される。前記薄膜磁気ヘッドは浮上式磁気ヘッドあるいは接触式磁気ヘッドのどちらに内蔵されたものでもよい。また前記薄膜磁気ヘッドはハードディスク装置以外にも磁気センサ等に使用できる。
【図面の簡単な説明】
【０２２６】
【図１】本発明における第１の実施の形態の薄膜磁気ヘッドの構造を示す縦断面図である。
【図２】図１に示す薄膜磁気ヘッドの部分正面図である。
【図３】図１に示す薄膜磁気ヘッドの第１コイル片と第２コイル片および磁性層の構造を示す部分平面図である。
【図４】図１に示す薄膜磁気ヘッドの第１コイル片および磁性層の構造を示す部分平面図である。
【図５】図１に示す薄膜磁気ヘッドの部分拡大斜視図である。
【図６】図１に示す薄膜磁気ヘッドの第１コイル片および磁性層の他の構造を示す部分平面図である。
【図７】本発明における第２の実施の形態の薄膜磁気ヘッドの構造を示す部分正面図である。
【図８】図７に示す薄膜磁気ヘッドの第１コイル片および磁性層の構造を示す部分平面図である。
【図９】図７に示す薄膜磁気ヘッドの第１コイル片および磁性層の他の構造を示す部分平面図である。
【図１０】本発明における第３の実施の形態の薄膜磁気ヘッドの構造を示す部分正面図である。
【図１１】図１０に示す薄膜磁気ヘッドの第１コイル片および磁性層の構造を示す部分平面図である。
【図１２】図１０に示す薄膜磁気ヘッドの第１コイル片および磁性層の他の構造を示す部分平面図である。
【図１３】本発明における第４の実施の形態の薄膜磁気ヘッドの構造を示す部分正面図である。
【図１４】図１３に示す薄膜磁気ヘッドの第１コイル片および磁性層の構造を示す部分平面図である。
【図１５】図１３に示す薄膜磁気ヘッドの第１コイル片および持ち上げ片の構造を示す部分拡大平面図である。
【図１６】図１３に示す薄膜磁気ヘッドの第１コイル片および持ち上げ片の他の構造を示す部分拡大平面図である。
【図１７】図１に示す薄膜磁気ヘッドの製造方法を示す一工程図である。
【図１８】図１７に示す工程の次に行われる一工程図である。
【図１９】図１８に示す工程の次に行われる一工程図である。
【図２０】図１９に示す工程の次に行われる一工程図である。
【図２１】図１９に示す工程の次に行われる一工程図である。
【図２２】図２０および図２１に示す工程の次に行われる一工程図である。
【図２３】図２２に示す工程の次に行われる一工程図である。
【図２４】図２２に示す工程の次に行われる他の一工程図である。
【図２５】図２３に示す工程が終了した時点の状態を示した部分縦断面図である。
【図２６】図２３に示す工程が終了した時点の状態を示した部分正面図である。
【図２７】図２３に示す工程の次に行われる一工程図である。
【図２８】図２５に示す工程の次に行われる一工程図である。
【図２９】本発明における第５の実施の形態の薄膜磁気ヘッドの構造を示す縦断面図である。
【図３０】図２９に示す薄膜磁気ヘッドの部分正面図である。
【図３１】図２９に示す薄膜磁気ヘッドの第１コイル片と第２コイル片および磁性層の構造を示す部分平面図である。
【図３２】図２９に示す薄膜磁気ヘッドの部分拡大斜視図である。
【図３３】従来の薄膜磁気ヘッドの構造を示す部分正面図である。
【符号の説明】
【０２２７】
１Ａ，１Ｂ，１Ｃ，１Ｄ，１Ｅ  薄膜磁気ヘッド
２０  基板
２２  下部シールド層
２３  下部ギャップ層
２４  磁気抵抗効果素子
２９，３２９  下部コア層
３２  隆起層
３３，３３３  バックギャップ層
３６  コイル絶縁層
４０，３５０  ギャップ層
５５，３５５  第１コイル片
５５ａ，５５ｂ，３５５ａ，３５５ｂ  端部領域
５５ｃ、５５ｄ，３５５ｃ，３５５ｄ  端面
５６，３５６  第２コイル片
５６ａ，５６ｂ，３５６ａ，３５６ｂ  端部領域
５８，３５８  絶縁層
６２  積層体
８０，１８０，２８０  持ち上げ層
８０ａ，１８０ａ，２８０ａ  持ち上げ片
８１，１８１，２８１，３８１  接続面
３４２  上部コア層
３４９  下部磁極層
３５１  上部磁極層
３５１ａ  下層
３５１ｂ  上層
３６２  磁極端層
【図１】
2004303393.tif 000003
【図２】
2004303393.tif 000004
【図３】
2004303393.tif 000005
【図４】
2004303393.tif 000006
【図５】
2004303393.tif 000007
【図６】
2004303393.tif 000008
【図７】
2004303393.tif 000009
【図８】
2004303393.tif 000010
【図９】
2004303393.tif 000011
【図１０】
2004303393.tif 000012
【図１１】
2004303393.tif 000013
【図１２】
2004303393.tif 000014
【図１３】
2004303393.tif 000015
【図１４】
2004303393.tif 000016
【図１５】
2004303393.tif 000017
【図１６】
2004303393.tif 000018
【図１７】
2004303393.tif 000019
【図１８】
2004303393.tif 000020
【図１９】
2004303393.tif 000021
【図２０】
2004303393.tif 000022
【図２１】
2004303393.tif 000023
【図２２】
2004303393.tif 000024
【図２３】
2004303393.tif 000025
【図２４】
2004303393.tif 000026
【図２５】
2004303393.tif 000027
【図２６】
2004303393.tif 000028
【図２７】
2004303393.tif 000029
【図２８】
2004303393.tif 000030
【図２９】
2004303393.tif 000031
【図３０】
2004303393.tif 000032
【図３１】
2004303393.tif 000033
【図３２】
2004303393.tif 000034
【図３３】
2004303393.tif 000035