(57)【要約】【課題】良好な有機ＥＬ素子を形成するために、より高精度に層間絶縁膜（平坦化絶縁膜）の平坦化が可能になる電気光学装置の製造方法、及び電気光学装置、並びに電子機器を提供する。【解決手段】基板２０と発光層６０との間に平坦化絶縁膜２８４を備えた電気光学装置の製造方法であって、平坦化絶縁膜２８４を形成する工程は研磨工程を具備していることを特徴とする。【選択図】  図５
2004303644.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と発光層との間に平坦化絶縁膜を備えた電気光学装置の製造方法であって、
前記平坦化絶縁膜を形成する工程は研磨工程を具備していることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項２】
前記平坦化絶縁膜を形成する工程は湿式成膜法を施す工程を具備していることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項３】
前記平坦化絶縁膜の材料は有機材料であることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項４】
前記有機材料は、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、ベンゾシクロブテン樹脂のうちいずれかを含んでいることを特徴とする請求項３に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項５】
前記有機材料は感光性材料であることを特徴とする請求項３又は請求項４に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項６】
前記発光層を形成する工程は湿式成膜法を施す工程を具備することを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項７】
前記湿式成膜法は液体吐出法であることを特徴とする請求項６に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項８】
基板と発光層との間に平坦化絶縁膜を備えた電気光学装置であって、
請求項１から請求項７のうちいずれかに記載の製造方法で形成されることを特徴とする電気光学装置。
【請求項９】
前記発光層と前記平坦化絶縁膜との間に電極を具備する電気光学装置であって、
第一の電極と当該第一の電極に隣接する第二の電極との間には所定の方向に延在する棒状バンクが複数並んで形成され、
当該棒状バンクの両端部には前記棒状バンクに交わる方向に延在する端部バンクが接続され、
前記棒状バンク及び前記端部バンクによって形成された空間に前記発光層が形成されていることを特徴とする請求項８に記載の電気光学装置。
【請求項１０】
請求項８又は請求項９に記載の電気光学装置を具備することを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電気光学装置の製造方法、及び電気光学装置、並びに電子機器に関するものである。
【従来の技術】
【０００２】
従来、基板上に複数の薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴと称す。）と、このＴＦＴによって駆動される有機ＥＬ素子とを有した有機ＥＬ表示装置が知られている。また、このような有機ＥＬ表示装置においては、ＴＦＴと有機ＥＬ素子との間に層間絶縁膜が形成されており、良好な電気絶縁性が得られた構成となっている。
【０００３】
このような有機ＥＬ表示装置の中でも、層間絶縁膜を形成する方法として、ＣＶＤ法（化学的気相成長法）や蒸着法等のいわゆる乾式成膜法を用いるのが一般的であったが、近年ではスピンコート法等の湿式成膜法により、基板全面に塗布膜を形成する方法が挙げられている（特許文献１参照。）。
また、有機ＥＬ素子を形成する方法としては、湿式成膜法の中でも液体吐出法が提案されており、当該方法は各種材料を液状化させた液体材料を微細な領域に正確に吐出して定着させることができるので、フォトリソグラフィが不要になり、材料の無駄が発生せず、製造コストの低減が可能になる。
【０００４】
【特許文献１】
特開２００１−３５６７１１号公報
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、上記の液体吐出法により発光層を含む有機層を形成する場合には、層間絶縁膜の表面に高精度な平坦性が要求される。その理由は層間絶縁膜の表面が凹凸を有した場合に、その上に積層される画素電極にも凹凸が生じ、液体材料が凸部よりも凹部に偏って配置されるため、当該層間絶縁膜上に均一な膜厚の有機層を形成できないからである。膜厚が不均一な有機層を備えた表示装置は、発光特性のバラツキや有機ＥＬ表示装置の短寿命化を招いてしまうという問題があった。
【０００６】
更に、液体吐出法により形成される有機ＥＬ素子の膜厚は約０．１μｍ程度が好ましく、これに対して上記特許文献の層間絶縁膜（平坦化絶縁膜）の平坦性は約０．３μｍ程度である。従って、上記特許文献の層間絶縁膜は、良好な有機ＥＬ素子を湿式成膜法で形成するための十分な平坦性を有していないという問題があった。
【０００７】
この発明は、このような事情を考慮してなされたもので、良好な有機ＥＬ素子を形成するために、より高精度に層間絶縁膜（平坦化絶縁膜）の平坦化が可能になる電気光学装置の製造方法、及び電気光学装置、並びに電子機器を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために、本発明は以下の手段を採用した。
即ち、本発明の電気光学装置の製造方法は、基板と発光層との間に平坦化絶縁膜を備えた電気光学装置の製造方法であって、平坦化絶縁膜を形成する工程は研磨工程を具備していることを特徴とする。
ここで、基板とは、ガラス等の透明性を有する材料に限らず、薄膜フィルム、絶縁基板、シリコンウェハ等の所定材料からなるものであり、当該基板には後述のスイッチング素子、配線、各種電極等により構成された電気光学装置を駆動するための回路が形成される。
また、発光層とは、電気光学装置が備える一対の電極から供給される正孔と電子が結合し、励起状態から失活することにより、発光現象が生ずる性質を有したものである。
また、平坦化絶縁膜とは、基板上に形成されたスイッチング素子、配線、電極等の各種素子の上方に形成される層間絶縁膜であり、当該各種素子の配置に伴って相対的に形成された凹凸部を埋設すると共に、後の工程で発光層や画素電極等が形成される下地膜を意味する。
また、研磨工程とは、種種の表面粗さを有する研磨部材と平坦化絶縁膜とを接触させた状態でこれらを摺動することにより、平坦化絶縁膜の表面上の微細な凸部を連続的に除去して当該表面を平滑に仕上げ、平坦化された面を形成する工程である。また、ここで言う研磨工程とは、一般的にラッピング処理やポリッシング処理と呼ばれる工程を含むものであり、また、研磨液による化学的反応を生じさせつつ研磨工程を行う、所謂ＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）法も含む。
従って、本発明によれば、平坦化絶縁膜の表面が研磨工程によって高精度に平坦化されるので、平坦化絶縁膜の上方に形成される電極、発光層等の種種の機能層が当該平坦化絶縁膜の表面に従って均一かつ平滑に形成され、均一な膜厚を有する層膜が形成される。特に、発光層を含む有機層の膜厚が均一になることにより、駆動電流が供給された場合に、画素電極（後述）上の有機層薄膜部に電流が集中しないために当該有機層の劣化を抑制することができ、発光輝度のバラツキが生じることなく良好な発光特性を得ることができる。更に、電気光学装置の長寿命化を達成することが可能となる。
【０００９】
また、本発明は先に記載の電気光学装置の製造方法であり、平坦化絶縁膜を形成する工程は湿式成膜法を施す工程を具備していることを特徴とする。
ここで、湿式成膜法とは、スイッチング素子等が形成された基板と種種の液体材料とを接触状態にする方法であって、スピンコート法、スリットコート法、ディップコート法、スプレー成膜法、印刷法、液体吐出法等を意味している。また、当該湿式成膜法を施した後には、液体材料に含まれる揮発性溶媒を蒸発乾燥させて薄膜を形成する熱処理等の工程が行われ、また、必要に応じて当該薄膜を更に熱処理して所望の層膜に形成する工程が行われる。
従って、本発明によれば、先に記載の製造方法と同様の効果を奏すると共に、従来の乾式成膜法で用いた真空装置が不要になるので、低コストで電気光学装置を製造することが可能になる。
【００１０】
また、本発明は先に記載の電気光学装置の製造方法であり、平坦化絶縁膜の材料は有機材料であることを特徴とすることを特徴とする。ここで、有機材料の中でも、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、ベンゾシクロブテン樹脂のうちいずれかを含んでいることが好ましい。また、有機材料は感光性材料であってもよい。
従って、本発明によれば、先に記載の製造方法と同様の効果を奏すると共に、有機材料は無機材料と比較して硬度が低いため、研磨工程を容易に行うことが可能になる。また、有機材料の中でも好適な材料を用いるので、好適な電気光学装置をとなる。また、有機材料として感光性材料を用いることにより、平坦化絶縁膜にコンタクトホール等のパターンを形成する工程で、レジストが不要になるので、当該レジストに起因する工程、即ち、塗布・乾燥工程、アッシング工程等が不要になり、低コストで電気光学装置を製造することが可能になる。
【００１１】
また、本発明は先に記載の電気光学装置の製造方法であり、発光層を形成する工程は湿式成膜法を施す工程を具備することを特徴とする。ここで、湿式成膜法の中でも液体吐出法であることが好ましい。
従って、本発明によれば、液体吐出装置に設定されたパターンの電子データに応じて、吐出量が制御された液体材料を微細な領域に正確に吐出して定着させることができるので、マスクパターンを転写するフォトリソグラフィが不要になり、材料の無駄が発生せず、製造コストの低減が可能になる。
また、平坦化絶縁膜が高精度な平坦面を有しているので、上記方法で吐出された発光層の液体材料は均一になり、また、液体吐出法により一滴あたりの液体材料の吐出量が一定に管理されているので、発光層を含む有機層の膜厚が均一になり、先に記載の製造方法と同様の効果を奏する。
【００１２】
また、本発明の電気光学装置は、基板と発光層との間に平坦化絶縁膜を備えた電気光学装置であって、先に記載の製造方法で形成されることを特徴とする。
従って、先に記載の電気光学装置の製造方法と同様の効果を奏する。
【００１３】
また、本発明は先に記載の電気光学装置であり、発光層と平坦化絶縁膜との間に電極を具備する電気光学装置であって、第一の電極と当該第一の電極に隣接する第二の電極との間には所定の方向に延在する棒状バンクが複数並んで形成され、当該棒状バンクの両端部には棒状バンクに交わる方向に延在する端部バンクが接続され、棒状バンク及び端部バンクによって形成された空間に発光層が形成されていることを特徴とする。
ここで、電極とは、平坦化絶縁膜に形成されたコンタクトホールに埋設された配線によって上記のスイッチング素子と接続される部位であり、正孔を発光層に供給する、所謂画素電極である。
また、棒状バンク及び端部バンクとは、湿式成膜法により塗布又は吐出された液体材料をこれらバンクに囲まれた部位に留める部材である。また、棒状バンク及び端部バンクは電極外周の上部に形成されている。
従って、本発明によれば、先に記載の電気光学装置と同様の効果を奏すると共に、棒状バンク及び端部バンクによって形成された空間に発光層が形成されるので、所謂ストライプ型の電気光学装置となる。また、当該空間に一様に発光層が形成されるとともに、発光光を遮蔽する部材、例えばバンク等がないので、画素電極を大きくして開口率を向上させることができ、パネル輝度を向上させることができる。また、当該空間の底面は、上記の製造方法によって高精度に平坦化されているので、発光層を含む有機層の膜厚が均一となり発光特性にバラツキが生じない。
また、当該空間に発光層を含む有機層を形成する工程として液体吐出法を行う場合に、棒状バンクの延在する方向の吐出精度は高精度が要求されないので、基板と吐出ヘッドとの相対移動速度を大きく設定し、液体吐出の工程時間を短縮し、歩留まりを向上させることができる。
【００１４】
また、本発明の電子機器は、先に記載の電気光学装置を具備することを特徴とする。
従って、本発明の電子機器としては、例えば、携帯電話機、移動体情報端末、時計、ワープロ、パソコン、ＴＶなどの情報処理装置などを例示することができる。このように電子機器の表示部に、本発明の電気光学装置を採用することによって、良好な発光特性及び発光寿命の表示部を備え、低コストの電子機器となる。
これらの電子機器を製造するには、電気光学装置を携帯電話、携帯型情報処理装置、腕時計型電子機器等の各種電子機器の表示部に組み込むことにより製造される。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下では、本発明に係る電気光学装置の製造方法、及び電気光学装置、並びに電子機器の実施の形態について、図面を参照して説明する。なお、係る実施の形態は、本発明の一態様を示すものであり、この発明を限定するものではなく、本発明の技術的思想の範囲内で任意に変更可能である。なお、以下に示す各図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材ごとに縮尺を異ならせてある。
【００１６】
（第１の実施形態）
（ＥＬ表示装置）
まず、第１の実施形態として本発明の製造方法によって製造される電気光学装置について説明する。そこで、電気光学物質の一例である電界発光型物質、中でも有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）材料を用いたＥＬ表示装置について説明する。図１は本実施形態に係るＥＬ表示装置の配線構造を示す模式図である。
【００１７】
図１に示すＥＬ表示装置（電気光学装置）１は、薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ、以下では、ＴＦＴと略記する）を用いたアクティブマトリクス方式のＥＬ表示装置である。
【００１８】
このＥＬ表示装置１は、複数の走査線（配線）１０１…と、各走査線１０１に対して直角に交差する方向に延びる複数の信号線（配線）１０２…と、各信号線１０２に並列に延びる複数の電源線（配線）１０３…とがそれぞれ配線された構成を有するとともに、走査線１０１…と信号線１０２…の各交点付近に、画素領域Ｘ…が設けられている。
【００１９】
信号線１０２には、シフトレジスタ、レベルシフタ、ビデオライン及びアナログスイッチを備えるデータ線駆動回路１００が接続されている。また、走査線１０１には、シフトレジスタ及びレベルシフタを備える走査線駆動回路８０が接続されている。
【００２０】
更に、画素領域Ｘ各々には、走査線１０１を介して走査信号がゲート電極に供給されるスイッチング用ＴＦＴ（スイッチング素子）１１２と、このスイッチング用ＴＦＴ１１２を介して信号線１０２から共有される画素信号を保持する保持容量１１３と、該保持容量１１３によって保持された画素信号がゲート電極に供給される駆動用ＴＦＴ（スイッチング素子）１２３と、この駆動用ＴＦＴ１２３を介して電源線１０３に電気的に接続したときに当該電源線１０３から駆動電流が流れ込む画素電極（電極）２３と、当該画素電極２３と陰極５０との間に挟み込まれた機能層１１０とが設けられている。
【００２１】
このＥＬ表示装置１によれば、走査線１０１が駆動されてスイッチング用ＴＦＴ１１２がオン状態になると、そのときの信号線１０２から供給される電荷が保持容量１１３に保持され、該保持容量１１３の状態に応じて、駆動用ＴＦＴ１２３のオン・オフ状態が決まる。そして、駆動用ＴＦＴ１２３のチャネルを介して、電源線１０３から画素電極２３に電流が流れ、更に機能層１１０を介して陰極５０に電流が流れる。機能層１１０は、これを流れる電流量に応じて発光する。
【００２２】
次に、本実施形態のＥＬ表示装置１の具体的な態様を図２から図５を参照して説明する。図２はＥＬ表示装置１の構成を模式的に示す平面図である。図３は図２のＡ−Ｂ線に沿う断面図、図４は図２のＣ−Ｄ線に沿う断面図である。図５は図３の要部拡大断面図である。
【００２３】
図２に示すＥＬ表示装置１は、電気絶縁性を備える基板２０と、図示略のスイッチング用ＴＦＴに接続された画素電極が基板２０上にマトリックス状に配置される図示略の画素電極域と、画素電極域の周囲に配置されるとともに各画素電極に接続される図示略の電源線と、少なくとも画素電極域上に位置する平面視ほぼ矩形の画素部３（図中一点鎖線枠内）とを具備して構成されている。また画素部３は、中央部分の実表示領域４（図中二点鎖線枠内）と、実表示領域４の周囲に配置されたダミー領域５（一点鎖線および二点鎖線の間の領域）とに区画されている。
【００２４】
実表示領域４には、図１に示した画素領域Ｘに対応して画素Ｒ、Ｇ、Ｂが複数形成され、また、Ａ−Ｂ方向およびＣ−Ｄ方向に離間して配置されている。
また、実表示領域４の図中両側には、走査線駆動回路８０、８０が配置されている。この走査線駆動回路８０、８０はダミー領域５の下層側に位置して設けられている。
【００２５】
更に、実表示領域４の図中上側には、検査回路９０が配置されている。この検査回路９０はダミー領域５の下層側に位置して設けられている。この検査回路９０は、ＥＬ表示装置１の作動状況を検査するための回路であって、例えば検査結果を外部に出力する不図示の検査情報出力手段を備え、製造途中や出荷時の表示装置の品質、欠陥の検査を行うことができるように構成されている。
【００２６】
走査線駆動回路８０および検査回路９０の駆動電圧は、所定の電源部から駆動電圧導通部３１０（図３参照）および駆動電圧導通部３４０（図４参照）を介して印加されている。また、これら走査線駆動回路８０および検査回路９０への駆動制御信号および駆動電圧は、このＥＬ表示装置１の作動制御を司る所定のメインドライバなどから駆動制御信号導通部３２０（図３参照）および駆動電圧導通部３５０（図４参照）を介して送信および印加されるようになっている。なお、この場合の駆動制御信号とは、走査線駆動回路８０および検査回路９０が信号を出力する際の制御に関連するメインドライバなどからの指令信号である。
【００２７】
次に、図２を断面視した図３及び図４を用いて、ＥＬ表示装置１の構成について詳細に説明する。
ＥＬ表示装置１は、図３及び図４に示すように、基板２０上に形成された回路部１１を覆うように形成された陰極５０と、透明保護膜４０と、接着層４５と、カバー基板４６とが順に形成されている。即ち、ＥＬ表示装置１は発光光を陰極側に取り出す、所謂トップエミッション型（封止側発光型）表示装置である。
【００２８】
基板２０は、トップエミッション型の場合には、透明基板及び不透明基板のいずれも用いることができる。不透明基板としては、例えば、アルミナ等のセラミック、ステンレススチール等の金属シートに表面酸化などの絶縁処理を施したものの他に、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂などが挙げられる。
また、所謂バックエミッション型（基板側発光型）のＥＬ表示装置の場合には、基板２０側から発光光を取り出す構成であるので、基板２０は透明あるいは半透明のものが採用される。例えば、ガラス、石英、樹脂（プラスチック、プラスチックフィルム）等が挙げられ、特に、安価なソーダガラス基板が好適に用いられる。
【００２９】
透明保護膜４０は、発光光を遮蔽することなく透過させると共に、ＥＬ表示装置１の外部から侵入する水分や酸素に対するガスバリア性を備えた部材である。この透明保護膜４０の材料としては、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）や窒化シリコン（ＳｉＮｘ）、酸窒化シリコン（ＳｉＯｘＮｙ）等が採用される。なお、窒化シリコンを採用する場合には、透明性を有する程度に薄膜化する必要がある。
接着層４５は、透明保護膜４０にカバー基板４６を接着すると共に、カバー基板４６の外部からの衝撃を緩衝する緩衝材としての機能を有するものである。
カバー基板４６は、例えば、電気絶縁性を有する板状部材を採用することができる。
【００３０】
また、基板２０上には、画素電極２３を駆動するための駆動用ＴＦＴ１２３などを含む回路部１１が形成され、更に、画素電極２３上に機能層１１０（図１参照）が設けられている。機能層１１０は、正孔を注入／輸送可能な正孔注入／輸送層７０と、電気光学物質の一つである有機ＥＬ物質を備える有機ＥＬ層（発光層）６０と、有機ＥＬ層６０に対して電子を注入する電子注入層５２とが順に形成されたものであり、画素電極２３と陰極５０とによって狭持されている。
従って、有機ＥＬ層６０においては、正孔注入／輸送層７０から注入された正孔と、陰極５０からの電子とが結合して発光光が発生するようになっている。
【００３１】
画素電極２３は、トップエミッション型及びバックエミッション型に応じて、アルミ（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、タングステン（Ｗ）等の金属やＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ（登録商標））（出光興産社製）等の透明性金属等によって形成されており、これらの材料の単層構造や２層構造が好適に採用される。トップエミッション型の場合、画素電極としてＣｒ等を採用した場合、発光光を好適に反射するため、発光効率を向上させることができる。またＴｉとＩＴＯの積層膜の場合、ＩＴＯ、正孔注入／輸送層７０、有機ＥＬ層６０、電子注入層５２、陰極５０の屈折率を基に、各層の膜厚を最適化することにより、入射光の反射を抑制して画素部３を黒色化してコントラストを改善することができる。
【００３２】
正孔注入／輸送層７０は、例えば、ポリチオフェン誘導体、ポリピロール誘導体など、または、それらのドーピング体等の材料が採用される。より具体的には、例えば、ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳの一種であるバイトロン−ｐ（Ｂｙｔｒｏｎ−ｐ：バイエル社製）などを好適に用いることができる。
【００３３】
有機ＥＬ層６０は、蛍光あるいは燐光を発光することが可能な公知の発光材料が採用される。具体的には、（ポリ）フルオレン誘導体（ＰＦ）、（ポリ）パラフェニレンビニレン誘導体（ＰＰＶ）、ポリフェニレン誘導体（ＰＰ）、ポリパラフェニレン誘導体（ＰＰＰ）、ポリビニルカルバゾール（ＰＶＫ）、ポリチオフェン誘導体、ポリメチルフェニルシラン（ＰＭＰＳ）などのポリシラン系などが好適に用いられる。また、これらの高分子材料に、ペリレン系色素、クマリン系色素、ローダミン系色素などの高分子系材料、例えば、ルブレン、ペリレン、９，１０−ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリン６、キナクリドン等の低分子材料をドープして用いることができる。
また、有機ＥＬ層６０の膜厚は、１００ｎｍ程度であることが好ましい。
【００３４】
上記の正孔注入／輸送層７０と、有機ＥＬ層６０の形成方法としては、液体吐出法が好適に用いられる。当該液体吐出法においては、各種材料を好適な溶媒に溶解させた液体材料を微細な領域に正確に吐出して定着させることができるので、フォトリソグラフィが不要になり、材料の無駄が発生せず、製造コストの低減が可能になる。
【００３５】
電子注入層５２を形成するための材料としては、例えばバソクプロインとセシウムの共蒸着膜が好適に採用される。バソクプロインとセシウムの共蒸着膜は、バソクプロインとセシウムを蒸発源とする共蒸着法により形成される。
【００３６】
陰極５０は、図３から図５に示すように、実表示領域４およびダミー領域５の総面積より広い面積を備え、それぞれを覆うように形成されている。
陰極５０を形成するための材料としては、所謂トップエミッション型のＥＬ表示装置の場合には、透明性を備えた公知の材料として、ＩＴＯが好適に採用される。その他の透明性を備えた金属として、金属酸化物に亜鉛（Ｚｎ）を含有した材料、例えば、酸化インジウム・酸化亜鉛系アモルファス透明導電膜（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ：ＩＺＯ／アイ・ゼット・オー）（登録商標））（出光興産社製）等を採用することができる。
また、所謂バックエミッション型のＥＬ表示装置の場合には、特に光透過性を備えた材料を採用する必要はなく、好適な材料であればよい。
このような陰極５０は、上記の材料のターゲット材を用いたスパッタリング法、或いは上記材料を含有する反応性ガスを用いるＣＶＤ法などにより形成される。
【００３７】
次に、実表示領域４に設けられた駆動用ＴＦＴ１２３の近傍の構成について、図５を参照して説明する。
図５に示すように、基板２０の表面には、ＳｉＯ２を主体とする下地保護層２８１を下地として、その上層にはシリコン層（スイッチング素子）２４１が形成されている。このシリコン層２４１の表面は、ＳｉＯ２および／またはＳｉＮを主体とするゲート絶縁層（絶縁膜）２８２によって覆われている。なお、本明細書において、「主体」とする成分とは、構成成分のうち最も含有率の高い成分を指すこととする。また、シリコン層２４１、ゲート絶縁層２８２、ゲート電極２４２などの構造体から駆動用ＴＦＴ１２３が構成されている。
【００３８】
このシリコン層２４１のうち、ゲート絶縁層２８２を挟んでゲート電極２４２と重なる領域がチャネル領域２４１ａとされている。なお、このゲート電極２４２は図示略のスイッチング用ＴＦＴ１１２のドレイン領域に電気的に接続されている。一方、シリコン層２４１を覆い、ゲート電極２４２が形成されたゲート絶縁層２８２の表面は、ＳｉＯ２を主体とする層間絶縁層（絶縁膜）２８３によって覆われている。
【００３９】
また、シリコン層２４１のうち、チャネル領域２４１ａのソース側には低濃度ソース領域２４１ｂおよび高濃度ソース領域２４１Ｓが設けられる一方、チャネル領域２４１ａのドレイン側には低濃度ドレイン領域２４１ｃおよび高濃度ドレイン領域２４１Ｄが設けられて、所謂ＬＤＤ（Ｌｉｇｈｔ  Ｄｏｐｅｄ  Ｄｒａｉｎ）構造となっている。これらのうち、高濃度ソース領域２４１Ｓは、ゲート絶縁層２８２と層間絶縁層２８３とにわたって開孔するコンタクトホール２４３ａを介して、ソース電極２４３に接続されている。このソース電極２４３は、上述した電源線１０３（図１参照、図５においてはソース電極２４３の位置に紙面垂直方向に延在する）の一部として構成される。一方、高濃度ドレイン領域２４１Ｄは、ゲート絶縁層２８２と層間絶縁層２８３とにわたって開孔するコンタクトホール２４４ａを介して、ソース電極２４３と同一層からなるドレイン電極２４４に接続されている。更に、ソース電極２４３およびドレイン電極２４４が形成された層間絶縁層２８３の上層は、平坦化絶縁層（平坦化絶縁膜）２８４によって覆われている。
【００４０】
平坦化絶縁層２８４は、基板２０上に形成された上記の部位、即ち、シリコン層２４１、ゲート電極２４２、ソース電極２４３、ドレイン電極２４４、ゲート絶縁層２８２、層間絶縁層２８３等の各種素子の上方に形成される層間絶縁膜であり、当該各種素子の配置に伴って相対的に形成された凹凸部を埋設すると共に、後に詳細を説明するように有機ＥＬ層６０等を均一に形成するための下地膜である。平坦化絶縁層２８４の材料は有機材料が好適であり、本実施形態においては非感光性アクリル樹脂を採用する。なお、アクリル樹脂に限定することなく、他の有機材料としてポリイミド樹脂、ベンゾシクロブテン樹脂（以下、ＢＣＢ樹脂と称す）等を採用してもよい。また、上記の有機材料の中でも感光性材料を採用してもよく、この場合はコンタクトホール２３ａ等のパターンを形成するための前工程であるレジスト塗布工程が不要になる。また、平坦化絶縁層２８４は、後に製造方法を説明するようにスピンコート等の湿式成膜法により液体材料が塗布された後に、研磨工程により所望の膜厚に形成され、高精度に平坦化されている。その膜厚は３μｍ以下に形成され、表面の平坦性（凹凸部の最大高低差）は０．２μｍ以下、斜面の傾斜（画素電極２３形成領域を基準）は４度以下となっている。
以上に説明した基板２０から平坦化絶縁層２８４までの層は回路部１１を構成している。
【００４１】
更に、この平坦化絶縁層２８４の面上には、画素電極２３が形成されると共に、平坦化絶縁層２８４を貫通するようにコンタクトホール２３ａが形成され、当該コンタクトホールに埋設された配線を介して、画素電極２３とドレイン電極２４４とが接続されている。即ち、画素電極２３は、ドレイン電極２４４を介して、シリコン層２４１の高濃度ドレイン領域２４１Ｄに電気的に接続されている。
【００４２】
なお、走査線駆動回路８０および検査回路９０に含まれるＴＦＴ（駆動回路用ＴＦＴ）、すなわち、例えばこれらの駆動回路のうち、シフトレジスタに含まれるインバータを構成するＮチャネル型又はＰチャネル型のＴＦＴは、画素電極２３と接続されていない点を除いて上記駆動用ＴＦＴ１２３と同様の構造であり、同一のプロセスで形成される。
【００４３】
画素電極２３が形成された平坦化絶縁層２８４の表面は、画素電極２３と、例えばＳｉＯ２などの親液性材料を主体とする親液性制御層２５と、アクリル樹脂やポリイミド樹脂などからなる有機バンク層（バンク）２２１とによって覆われている。そして、画素電極２３には親液性制御層２５に設けられた開口部２５ａ、および有機バンク２２１に設けられた開口部２２１ａの開口内部に、正孔注入／輸送層７０と、有機ＥＬ層６０とが画素電極２３側からこの順で積層されている。なお、本実施形態における親液性制御層２５の「親液性」とは、少なくとも有機バンク層２２１を構成するアクリル樹脂、ポリイミド樹脂などの材料と比べて親液性が高いことを意味するものとする。
【００４４】
また、本実施形態のＥＬ表示装置１は、カラー表示を行うべく、各有機ＥＬ層６０が、その発光波長帯域が光の三原色にそれぞれ対応して形成されている。例えば、有機ＥＬ層６０として、発光波長帯域が赤色に対応した赤色用有機ＥＬ層６０Ｒ、緑色に対応した緑色用有機ＥＬ層６０Ｇ、青色に対応した青色用有機ＥＬ層６０Ｂとをそれぞれに対応する画素Ｒ、Ｇ、Ｂに設け、これら画素Ｒ、Ｇ、Ｂをもってカラー表示を行う１画素が構成されている。
【００４５】
このように構成されたＥＬ表示装置１においては、平坦化絶縁層２８４の表面が研磨工程によって高精度に平坦化されるので、平坦化絶縁層２８４の上方に形成される画素電極２３、有機ＥＬ層６０等を有する機能層１１０が平坦化絶縁層２８４の表面に従って均一かつ平滑に形成され、均一な膜厚を有する層膜が形成される。特に、機能層１１０の膜厚が均一になることにより、駆動電流が機能層１１０に供給された場合に、画素電極２３（後述）上の機能層１１０の薄膜部に集中しないために薄膜部の劣化を抑制することができ、発光輝度のバラツキが生じることなく良好な発光特性を得ることができる。更に、ＥＬ表示装置１の長寿命化を達成することが可能となる。
【００４６】
なお、本実施形態においては、トップエミッション型表示装置について説明したが、本発明はトップエミッション型に限定するものではなく、バックエミッション型にも対応できるものである。この場合、基板２０と封止基板との間の空間に不活性ガスが充填され、封止樹脂により当該不活性ガスが密閉されると共に、好適な位置に乾燥剤が配置された構成が代表的である。
このような構成によれば、水分及び酸素のＥＬ表示装置１内部への浸入を抑制し、ＥＬ表示装置の長寿命化を達成することが可能になる。
【００４７】
（ＥＬ表示装置の製造方法）
次に、本実施形態に係るＥＬ表示装置１の製造方法の一例として、トップエミッション型ＥＬ表示装置の製造方法について、図６から図１０を参照して説明する。なお、図６から図１０に示す各断面図は、図２のＡ−Ｂ線の断面図に対応しており、各製造工程順に示している。
【００４８】
まず、図６（ａ）に示すように、基板２０の表面に、下地保護層２８１を形成する。次に、下地保護層２８１上に、プラズマＣＶＤ法などを用いてアモルファスシリコン層５０１を形成した後、レーザアニール法又は急速加熱法により結晶粒を成長させてポリシリコン層とする。
【００４９】
次に、図６（ｂ）に示すように、ポリシリコン層をフォトリソグラフィ法によりパターニングし、島状のシリコン層２４１、２５１および２６１を形成する。これらのうちシリコン層２４１は、実表示領域４内に形成され、画素電極２３に接続される駆動用ＴＦＴ１２３を構成するものであり、シリコン層２５１、２６１は、走査線駆動回路８０に含まれるＰチャネル型およびＮチャネル型のＴＦＴ（駆動回路用ＴＦＴ）をそれぞれ構成するものである。
【００５０】
次に、プラズマＣＶＤ法、熱酸化法などの方法により、シリコン層２４１、２５１および２６１、下地保護層２８１の全面に厚さが約３０ｎｍ〜２００ｎｍのシリコン酸化膜からなるゲート絶縁層２８２を形成する。ここで、熱酸化法を利用してゲート絶縁層２８２を形成する際には、シリコン層２４１、２５１および２６１の結晶化も行い、これらのシリコン層をポリシリコン層とすることができる。
【００５１】
また、シリコン層２４１、２５１および２６１にチャネルドープを行う場合には、例えば約１×１０１２ｃｍ−２のドーズ量でボロンイオンを打ち込む。その結果、シリコン層２４１、２５１および２６１は、不純物濃度（活性化アニール後の不純物にて算出）が約１×１０１７ｃｍ−３の低濃度Ｐ型のシリコン層となる。
【００５２】
次に、Ｐチャネル型ＴＦＴ、Ｎチャネル型ＴＦＴのチャネル層の一部にイオン注入選択マスクを形成し、この状態でリンイオンを約１×１０１５ｃｍ−２のドーズ量でイオン注入する。その結果、パターニング用マスクの開口部に対して高濃度不純物が導入され、図６（ｃ）に示すように、シリコン層２４１及び２６１中に高濃度ソース領域２４１Ｓおよび２６１Ｓ並びに高濃度ドレイン領域２４１Ｄおよび２６１Ｄが形成される。
【００５３】
次に、図６（ｃ）に示すように、ゲート絶縁層２８２の表面全体に、ドープドシリコンやシリサイド膜、或いはアルミニウム膜やクロム膜、タンタル膜という金属膜からなるゲート電極形成用導電層５０２を形成する。この導電層５０２の厚さは概ね５００ｎｍ程度である。その後、フォトリソグラフィ法により、図６（ｄ）に示すように、Ｐチャネル型の駆動回路用ＴＦＴを形成するゲート電極２５２、画素用ＴＦＴを形成するゲート電極２４２、Ｎチャネル型の駆動回路用ＴＦＴを形成するゲート電極２６２を形成する。また、駆動制御信号導通部３２０（３５０）、陰極電源配線の第１層１２１も形成する。なお、この場合、駆動制御信号導通部３２０（３５０）はダミー領域５に配設するものとされている。
【００５４】
次に、図６（ｄ）に示すように、ゲート電極２４２，２５２および２６２をマスクとして用い、シリコン層２４１，２５１および２６１に対してリンイオンを約４×１０１３ｃｍ−２のドーズ量でイオン注入する。その結果、ゲート電極２４２，２５２および２６２に対して低濃度不純物が導入され、図６（ｃ）および（ｄ）に示すように、シリコン層２４１および２６１中に低濃度ソース領域２４１ｂおよび２６１ｂ、並びに低濃度ドレイン領域２４１ｃおよび２６１ｃが形成される。また、シリコン層２５１中に低濃度不純物領域２５１Ｓおよび２５１Ｄが形成される。
【００５５】
次に、図７（ｅ）に示すように、Ｐチャネル型の駆動回路用ＴＦＴ２５２以外の部分を覆うイオン注入選択マスク５０３を形成する。このイオン注入選択マスク５０３を用いて、シリコン層２５１に対してボロンイオンを約１．５×１０１５ｃｍ−２のドーズ量でイオン注入する。結果として、Ｐチャネル型駆動回路用ＴＦＴを構成するゲート電極２５２もマスクとして機能するため、シリコン層２５２中に高濃度不純物がドープされる。従って、低濃度不純物領域２５１Ｓおよび２５１Ｄはカウンタードープされ、Ｐ型チャネル型の駆動回路用ＴＦＴのソース領域およびドレイン領域となる。
【００５６】
次に、図７（ｆ）に示すように、基板２０の全面にわたって層間絶縁層２８３を形成すると共に、フォトリソグラフィ法を用いて当該層間絶縁層２８３およびゲート絶縁層２８２をエッチングすることによって、各ＴＦＴのソース電極およびドレイン電極に対応する位置にコンタクトホールＣを形成する。
【００５７】
次に、図７（ｇ）に示すように、層間絶縁層２８３を覆うように、アルミニウム、クロム、タンタルなどの金属からなる導電層５０４を形成する。この導電層５０４の厚さは概ね２００ｎｍないし８００ｎｍ程度である。この後、導電層５０４のうち、各ＴＦＴのソース電極およびドレイン電極が形成されるべき領域２４０ａ、駆動電圧導通部３１０（３４０）が形成されるべき領域３１０ａ、陰極電源配線の第２層が形成されるべき領域１２２ａを覆うようにエッチング用マスク５０５を形成すると共に、当該導電層５０４をエッチングして、図９（ｈ）に示すソース電極２４３、２５３、２６３、ドレイン電極２４４、２５４、２６４を形成する。
【００５８】
次に、図８（ｉ）に示すように、平坦化絶縁層２８４を形成する。当該平坦化絶縁層２８４の形成方法としては、非感光性アクリル樹脂を含有した液体材料をスピンコート法により塗布した後に、熱処理によりハーフキュア（半焼成、仮焼）を施す。ここで、ハーフキュアの処理時間は、後の研磨工程を行う際に好適な硬度が得られるように設定される。また、スピンコート法を施すことにより研磨工程前の良好な膜厚均一性が得られる。なお、液体材料の塗布方法は、スピンコート法に限定することなく、所望の膜厚均一性が得られれば他の湿式成膜法を用いてもよい。
【００５９】
次に、図８（ｊ）に示すように、平坦化絶縁層２８４に対して研磨工程を施す。研磨工程においては、研磨液及び研磨部材Ｗは種種の好適な材料が用いられ、研磨部材Ｗと平坦化絶縁層２８４とを相対的に回転運動及び往復運動させつつ、当該両者の隙間に研磨液を流動させることにより、平坦化絶縁層２８４は高精度に平坦化される。
【００６０】
次に、図８（ｋ）に示すように、平坦化絶縁層２８４にコンタクトホール２３ａを形成する工程が施される。従って、コンタクトホール２３ａを形成するには、第１にスピンコート法により平坦化絶縁層２８４にレジストを塗布するレジスト塗布工程を施し、第２にコンタクトホール２３ａのパターンマスクを介して露光光をレジストに照射する露光工程を施し、第３にコンタクトホール２３ａが形成される部分のレジストを除去する現像工程を施し、第４にレジストが除去されて露出状態となった平坦化絶縁層２８４を除去するエッチング工程を施す。なお、エッチング工程の後に残留したレジストを除去するアッシング処理を第５の工程として行ってもよいが、エッチング工程で酸素（Ｏ２）プラズマ等の処理を行うことにより、当該アッシング処理を行うこともできる。
更に、コンタクトホール２３ａが形成された後に熱処理によるキュア（焼成）を行うことにより、平坦化絶縁層２８４が硬化される。
【００６１】
更に、基板２０の全面を覆うように画素電極２３となる導電膜を形成する。そして、この透明導電膜をパターニングすることにより、図９（ｌ）に示すように、平坦化絶縁層２８４のコンタクトホール２３ａを介してドレイン電極２４４と導通する画素電極２３を形成すると同時に、ダミー領域のダミーパターン２６も形成する、なお、図３、４では、これら画素電極２３、ダミーパターン２６を総称して画素電極２３としている。
なお、画素電極２３はＩＴＯ、ＩＺＯなどの透明材料でも良いし、チタンとＩＴＯ、アルミとＩＺＯ等の積層構造でも良い。
【００６２】
ダミーパターン２６は、平坦化絶縁層２８４を介して下層のメタル配線へ接続しない構成とされている。即ち、ダミーパターン２６は、島状に配置され、実表示領域４に形成されている画素電極２３の形状とほぼ同一の形状を有している。もちろん、実表示領域４に形成されている画素電極２３の形状と異なる構造であってもよい。なお、この場合、ダミーパターン２６は少なくとも上記駆動電圧導通部３１０（３４０）の上方に位置するものも含むものとする。
【００６３】
次に、図９（ｍ）に示すように、画素電極２３、ダミーパターン２６上、および第２層間絶縁膜上に絶縁層である親液性制御層２５を形成する。なお、画素電極２３においては一部が開口する態様にて親液性制御層２５を形成し、開口部２５ａ（図３も参照）において画素電極２３からの正孔移動が可能とされている。ダミー領域５においては、親液性制御層２５に開口部を設けない構造となっているが、設けてもかまわない。
【００６４】
次に、図９（ｎ）に示すように、親液性制御層２５の所定位置に有機バンク層２２１を形成する。具体的な有機バンク層２２１の形成方法としては、例えば感光性アクリル樹脂、感光性ポリイミド樹脂を用いる方法が挙げられる。なお、有機バンク層２２１の構成材料は、後述するインクの溶媒に溶解せず、しかもエッチングなどによってパターニングし易いものであればどのようなものでも良く、感光性を有し露光現像によってパターン形成できることが更に望ましい。
【００６５】
まず、親液性制御層２５形成後の基板に、液状感光性アクリル樹脂をスピンコート法によって塗布し、次いでプレベークする。その後、有機バンク層２２１のパターンマスクを通して紫外光を感光性アクリル樹脂層に照射し、現像、焼成することで有機質物のバンク開口部２２１ａを形成し、開口部２２１ａに壁面を備えた有機バンク層２２１を形成する。なお、この場合、有機バンク層２２１は少なくとも上記駆動制御信号導通部３２０の上方に位置するものを含むものとされる。
【００６６】
次に、画素電極２３、親液性制御層２５、有機バンク層２２１の表面に、プラズマ処理することにより、親液性を示す領域と、撥液性を示す領域を形成する。具体的には、該プラズマ処理工程は、予備加熱工程と、有機バンク層２２１の上面および開口部２２１ａの壁面ならびに画素電極２３の電極面２３ｃ、親液性制御層２５の上面を親液性にする親インク化工程と、有機バンク層２２１の上面および開口部２２１ａの壁面を撥液性にする撥インク化工程とを具備している。
【００６７】
即ち、基材（バンクなどを含む基板２０）を所定温度、例えば７０〜８０℃程度に加熱し、次に親インク化工程として大気圧下で酸素を反応ガスとするプラズマ処理（Ｏ２プラズマ処理）を行う。次に、撥インク化工程として大気圧下で４フッ化メタンを反応ガスとするプラズマ処理（ＣＦ４プラズマ処理）を行うことで、親液性および撥液性が所定箇所に付与されることとなる。
【００６８】
なお、このＣＦ４プラズマ処理においては、画素電極２３の電極面２３ｃおよび親液性制御層２５についても多少の影響を受けるが、画素電極２３の材料であるＩＴＯはフッ素に対する親和性に乏しく、またシリコンのフッ素化合物は不安定だったり蒸気圧が高かったりするため、ＳｉＯ２がフッ素化されても親液性が保たれる。
【００６９】
次に、正孔注入／輸送層７０を形成するべく正孔注入／輸送層形成工程が行われる。正孔注入／輸送層形成工程では、インクジェット法（液体吐出法）により、正孔注入／輸送層材料を含む材料インクを電極面２３ｃ上に吐出した後に、乾燥処理および熱処理を行い、電極２３上に正孔注入／輸送層７０を形成する。なお、この正孔注入／輸送層形成工程以降は、正孔注入／輸送層７０および有機ＥＬ層６０の酸化を防止すべく、窒素雰囲気、アルゴン雰囲気などの不活性ガス雰囲気で行うことが好ましい。
このようなインクジェット法によれば、インクジェットヘッド（図示略、吐出ヘッド）に正孔注入／輸送層材料を含む材料インクを充填し、インクジェットヘッドの吐出ノズルを親液性制御層２５に形成された上記開口部２５ａ内に位置する電極面２３ｃに対向させ、インクジェットヘッドと基板２０とを相対移動させながら、吐出ノズルから１滴当たりの液量が制御された液滴を電極面２３ｃに吐出する。次に、吐出後の液滴を乾燥処理して材料インクに含まれる極性溶媒を蒸発させることにより、正孔注入／輸送層７０が形成される。
材料インクとしては、例えば、ポリエチレンジオキシチオフェンなどのポリチオフェン誘導体と、ポリスチレンスルホン酸などの混合物を、イソプロピルアルコールなどの極性溶媒に溶解させたものを用いることができる。ここで、吐出された液滴は、親インク処理された電極面２３ｃおよび親液性制御層２５の上に広がる。その一方で、撥インク処理された有機バンク層２２１の上面では、液滴がはじかれて付着しない。従って、液滴が所定の吐出位置からずれて有機バンク層２２１の表面に液滴の一部がかかったとしても、有機バンク層２２１表面面が液滴で濡れることがなく、弾かれた液滴が親液性制御層２５および電極２３の露出領域に引き込まれる。更に、上記の平坦化絶縁層２８４が形成されているので、液滴が電極２３表面に濡れ広がり、均一な厚さの正孔注入／輸送層７０を形成可能である。
【００７０】
次に、有機ＥＬ層６０を形成すべく発光層形成工程が行われる。発光層形成工程では、上記と同様のインクジェット法により、発光層用材料を含む材料インクを正孔注入／輸送層７０上に吐出した後に乾燥処理および熱処理して、有機バンク層２２１に形成された開口部２２１ａ内に有機ＥＬ層６０を形成する。
【００７１】
発光層形成工程では、正孔注入／輸送層７０の再溶解を防止するために、発光層形成の際に用いる材料インクの溶媒として、正孔注入／輸送層７０が不溶な無極性溶媒を用いる。
この発光層形成工程としては、例えばインクジェットヘッド（図示略）に、青色（Ｂ）発光層の材料を含有する材料インクを充填し、インクジェットヘッドの吐出ノズルを有機バンク層２２１の開口部２２１ａ内に位置する正孔注入／輸送層７０に対向させ、インクジェットヘッドと基板２０とを相対移動させながら、吐出ノズルから青色（Ｂ）発光層の材料を含有する材料インクを、１滴当たりの液量が制御された液滴として正孔注入／輸送層７０上に吐出する。
【００７２】
吐出された液滴は、正孔注入／輸送層７０上に広がって有機バンク層２２１の開口部２２１ａ内に満たされる。その一方で、撥インク処理された有機バンク層２２１表面では、液滴が弾かれて付着しない。これにより、液滴が所定の吐出位置からずれて有機バンク層２２１表面に液滴の一部がかかったとしても、該表面が液滴で濡れることがなく、液滴が上記有機バンク層２２１の開口部２２１ａ内に引き込まれる。次に、吐出後の液滴を乾燥処理することにより材料インクに含まれる無極性溶媒を蒸発させ、有機ＥＬ層６０が形成される。なお、各色の有機ＥＬ層６０は、それぞれ各色表示領域Ｒ、Ｇ、Ｂ（図５参照）に対応して液滴が滴下される。更に、上記の平坦化絶縁層２８４が形成されているので、液滴が正孔注入／輸送層７０の表面に均一に濡れ広がる。
【００７３】
ここで、正孔注入／輸送層７０、有機ＥＬ層６０をそれぞれインクジェットプロセスにより形成するが、この際、インクジェットヘッドは発光ドット間のピッチに合わせてヘッドまたは基板の移動方向に対する傾きを制御している。
【００７４】
次に、図１０（ｏ）に示すように、有機ＥＬ層６０上に電子注入層５２を形成すべく電子注入層形成工程が行われ、この工程においては蒸着法が用いられる。ここで、蒸着法とは、真空容器内で金属または／および有機物を加熱・蒸発させ、材料原子または分子を所望の基板に堆積させて薄膜を形成する方法であり、高品質の薄膜をナノメートルオーダーで容易に形成する方法である。
【００７５】
続いて、図１０（ｐ）に示すように、陰極５０を形成すべく陰極層形成工程が行われ、この陰極層形成工程はスパッタリング法が用いられ、陰極５０の材料としては透明導電膜となるＩＴＯが用いられ、膜厚が１５０ｎｍとなるように形成される。
【００７６】
最後に、透明保護膜４０、接着層４５、カバー基板４６を順に形成することにより、ＥＬ表示装置１が完成となる。この工程は、窒素、アルゴン、ヘリウムなどの不活性ガス雰囲気中で行うことが好ましい。
【００７７】
本実施形態のＥＬ表示装置１の製造方法によれば、平坦化絶縁層２８４が研磨工程により高精度に平坦化されるので、先に記載したＥＬ表示装置１と同様の効果を奏する。
【００７８】
（第２の実施形態）
次に、本発明の電気光学装置の第２の実施形態について説明する。
図１１は、本実施形態のＥＬ表示装置（電気光学装置）１’の平面図を示すものである。本実施形態においては、第１実施形態と異なる部分のみ説明し、同一構成には同一符号を付して詳細な説明を省略する。なお、当該ＥＬ表示装置１’においては、透明保護膜４０、接着層４５及びカバー基板４６が図示略されている。また、図１１の紙面上下方向をＹ方向、紙面左右方向をＸ方向として本実施形態について説明する。
【００７９】
図１１に示すように、ＥＬ表示装置１’においてはＹ方向に画素電極２３が配列した画素電極列２３Ｙ（２３Ｙ１、２３Ｙ２、２３Ｙ３…）が形成されている。また、画素電極（第一の電極）２３ｍと画素電極（第二の電極）２３ｎとの間、即ち、画素電極列２３Ｙ１、２３Ｙ２との相互間には有機バンク層２２１がＹ方向（所定の方向）に延在する棒状バンク（バンク）２２１Ｙが設けられ、また、同様に他の画素電極列２３Ｙ２、２３Ｙ３…の相互間にも棒状バンク２２１Ｙが設けられている。更に、棒状バンク２２１Ｙの両端には、当該棒状バンク２２１Ｙの端部にＸ方向（棒状バンク２２１Ｙと交わる方向）に延在する端部バンク（バンク）２２１Ｘが設けられている。また、画素電極２３の下層には、第１の実施形態と同様に平坦化絶縁層２８４が形成されている。
【００８０】
更に、棒状バンク２２１Ｙ及び端部バンク２２１Ｘにより囲まれた空間、即ち画素電極列２３Ｙ（２３Ｙ１、２３Ｙ２、２３Ｙ３…）上には、正孔注入／輸送層７０および有機ＥＬ層６０がＹ方向に一様に形成された有機ＥＬ層列６０Ｙ（６０Ｙ１、６０Ｙ２、６０Ｙ３…）が形成されている。また、有機ＥＬ層列６０Ｙ１、６０Ｙ２、６０Ｙ３は、それぞれ赤色用有機ＥＬ層６０Ｒ、緑色用有機ＥＬ層６０Ｇ、青色用有機ＥＬ層６０Ｂに対応しており、従って、本実施形態のＥＬ表示装置１’の全体として正孔注入／輸送層７０および有機ＥＬ層６０が所謂ストライプ型に配列している。
【００８１】
このように構成されたＥＬ表示装置１’においては、平坦化絶縁層２８４が形成されているので第１の実施形態と同様の効果を奏する。また、有機ＥＬ層列６０Ｙが形成されることによりＹ方向の画素電極２３の相互間隔ｔが正孔注入／輸送層７０および有機ＥＬ層６０に覆われると共に、同一の画素電極列２３Ｙに含まれて隣り合う画素電極２３（例えば２３ｍと２３ｏ）間においては画素を縮小する仕切り部材（例えばバンク）等が形成されていないので画素電極を広げられ、開口率が大きくなり、従ってパネル輝度を向上させることができる。また、Ｙ方向の画素電極間に仕切り部材が無いため正孔注入／輸送層７０および有機ＥＬ層６０が均一に形成され、膜厚むらに起因するＹ方向の発光不均一が解消され、発光特性、発光寿命、画質を向上させることができる。
【００８２】
次に、ＥＬ表示装置１’の製造方法について、特に有機ＥＬ層列６０Ｙ（６０Ｙ１、６０Ｙ２、６０Ｙ３…）の製造方法について説明する。有機ＥＬ層列６０Ｙの形成方法は第１の実施形態と同様に液体吐出法が用いられ、特に本実施形態においては、Ｙ方向同色の有機ＥＬ層列６０Ｙが形成されるので、基板２０と吐出ヘッドとをＹ方向に相対移動させつつ液体材料を吐出することにより形成される。
【００８３】
このような製造方法によれば、Ｙ方向の液体吐出精度は高精度が要求されないので、上記相対移動の速度を大きく設定することが可能になり、従って、液体吐出の工程時間を短縮することができ、ＥＬ表示装置の低コスト化を図ることができる。
【００８４】
（第３の実施形態）
次に、本発明の電気光学装置の第３の実施形態について説明する。
本実施形態と第１の実施形態との相違点は、平坦化絶縁層２８４の材料及び形成方法のみが異なっている。本実施形態においては、第１実施形態と異なる部分について、図８（ｉ）、図８（ｊ）、図８（ｋ）を参照して説明し、また、同一構成には同一符号を付して詳細な説明を省略する。
【００８５】
本実施形態においては、平坦化絶縁層２８４の材料として感光性アクリル樹脂を採用している。
まず、図８（ｉ）に示すように、感光性アクリル樹脂を含有した液体材料を第１の実施形態と同様にスピンコート法により塗布した後に、熱処理によりプレベークを施す。
次に、図８（ｊ）に示すように、第１の実施形態と同様に研磨工程を施し、平坦化絶縁層２８４は高精度に平坦化される。
次に、図８（ｋ）に示すように、平坦化絶縁層２８４にコンタクトホール２３ａを形成する工程が施される。平坦化絶縁層２８４の材料として感光性アクリル樹脂を採用しているので、レジスト塗布工程を行う必要がなく、更に他の工程は第１実施形態と同様に行われる。
【００８６】
このようなＥＬ表示装置の製造方法によれば、第１の実施形態と同様の効果を奏すると共に、レジスト塗布工程が不要になるので、ＥＬ表示装置の低コスト化を図ることができる。
なお、本実施形態においては、感光性アクリル樹脂に限定することなく、感光性ポリイミド樹脂を採用してもよい。
【００８７】
（第４の実施形態）
次に、本発明の電気光学装置の第４の実施形態について説明する。
本実施形態と第１の実施形態との相違点は、平坦化絶縁層２８４の材料及び形成方法のみが異なっている。本実施形態においては、第１実施形態と異なる部分について、図８（ｉ）、図８（ｊ）、図８（ｋ）を参照して説明し、また、同一構成には同一符号を付して詳細な説明を省略する。
【００８８】
本実施形態においては、平坦化絶縁層２８４の材料として非感光性ＢＣＢ樹脂を採用している。
まず、図８（ｉ）に示すように、非感光性ＢＣＢ樹脂を含有した液体材料を第１の実施形態と同様にスピンコート法により塗布した後に、熱処理によりプレベークを施す。
次に、図８（ｊ）に示すように、第１の実施形態と同様に研磨工程を施し、平坦化絶縁層２８４は高精度に平坦化される。続いて、窒化シリコン（ＳｉＮ）膜を平坦化絶縁層２８４上に形成する。
次に、図８（ｋ）に示すように、窒化シリコン膜及び平坦化絶縁層２８４を貫通するコンタクトホール２３ａを形成する工程が施される。当該工程においてはエッチング工程で酸素（Ｏ２）ガスとＣＦ４ガスとの混合ガスを用いたドライエッチング法が用いられ、他の工程は第１実施形態と同様である。
【００８９】
このようなＥＬ表示装置の製造方法によれば、第１の実施形態と同様の効果を奏すると共に、上記混合ガスによるドライエッチングにより、レジストの残渣を除去することができる。
なお、本実施形態においては、平坦化絶縁層２８４上に窒化シリコン膜を形成したが、窒化シリコン膜に代わって酸化シリコン（ＳｉＯ２）膜を形成してもよい。
【００９０】
次に、上述第４の実施形態の変形例について説明する。
本変形例においては、平坦化絶縁層２８４の材料として感光性ＢＣＢ樹脂を採用している。本変形例においては、図８（ｉ）、図８（ｊ）、図８（ｋ）を参照して説明し、また、同一構成には同一符号を付して詳細な説明を省略する。
【００９１】
まず、図８（ｉ）に示すように、感光性ＢＣＢ樹脂を含有した液体材料を第１の実施形態と同様にスピンコート法により塗布した後に、熱処理によりプレベークを施す。
次に、図８（ｊ）に示すように、第１の実施形態と同様に研磨工程を施し、平坦化絶縁層２８４は高精度に平坦化される。
次に、図８（ｋ）に示すように、窒化シリコン膜及び平坦化絶縁層２８４を貫通するコンタクトホール２３ａを形成する工程が施される。平坦化絶縁層２８４の材料として感光性ＢＣＢ樹脂を採用しているので、レジスト塗布工程が省略される。また、現像工程または最終焼成工程の後で、残渣を除去する工程で酸素（Ｏ２）ガスとＣＦ４ガスとの混合ガスを用いたドライエッチング法が用いられ、他の工程は第１実施形態と同様である。
【００９２】
このようなＥＬ表示装置の製造方法によれば、第１の実施形態と同様の効果を奏すると共に、レジスト塗布工程が不要になるので、ＥＬ表示装置の低コスト化を図ることができる。
【００９３】
（第５の実施形態）
以下、第１の実施形態のＥＬ表示装置を備えた電子機器の具体例について図１２に基づき説明する。
図１２（ａ）は、携帯電話の一例を示した斜視図である。図１２（ａ）において、符号１０００は携帯電話本体を示し、符号１００１は前記のＥＬ表示装置を用いた表示部を示している。
図１２（ｂ）は、腕時計型電子機器の一例を示した斜視図である。図１２（ｂ）において、符号１１００は時計本体を示し、符号１１０１は前記のＥＬ表示装置を用いた表示部を示している。
図１２（ｃ）は、ワープロ、パソコンなどの携帯型情報処理装置の一例を示した斜視図である。図１２（ｃ）において、符号１２００は情報処理装置、符号１２０１はキーボードなどの入力部、符号１２０２は前記のＥＬ表示装置を用いた表示部、符号１２０３は情報処理装置本体を示している。
【００９４】
図１２（ａ）〜（ｃ）に示すそれぞれの電子機器は、前記の第１の実施形態のＥＬ表示装置を用いた表示部を備えたものであり、先の第１の実施形態のＥＬ表示装置の特徴を有するので、好適な電子機器となる。
これらの電子機器を製造するには、第１、２、３または４の実施形態のＥＬ表示装置１を、携帯電話、携帯型情報処理装置、腕時計型電子機器などの各種電子機器の表示部に組み込むことにより製造される。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施形態のＥＬ表示装置の配線構造を示す模式図。
【図２】本発明の第１実施形態のＥＬ表示装置の構成を模式的に示す平面図。
【図３】図２のＡ−Ｂ線に沿う断面図。
【図４】図２のＣ−Ｄ線に沿う断面図。
【図５】図３の要部拡大断面図。
【図６】本発明の第１実施形態のＥＬ表示装置の製造方法を説明する工程図。
【図７】図６に続く本発明のＥＬ表示装置の製造方法を説明する工程図。
【図８】図７に続く本発明のＥＬ表示装置の製造方法を説明する工程図。
【図９】図８に続く本発明のＥＬ表示装置の製造方法を説明する工程図。
【図１０】図９に続く本発明のＥＬ表示装置の製造方法を説明する工程図。
【図１１】本発明の第２実施形態のＥＬ表示装置の平面図。
【図１２】本発明の電子機器を示す斜視図。
【符号の説明】
１、１’  ＥＬ表示装置（電気光学装置）、２０  基板、２３  画素電極（電極）、２３ｍ  画素電極（第一の電極）、２３ｎ  画素電極（第二の電極）、６０有機ＥＬ層（発光層）、２８４  平坦化絶縁層（平坦化絶縁層膜）、２２１Ｙ棒状バンク、２２１Ｘ  端部バンク、１０００、１１００、１２００  電子機器
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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