(57)【要約】【課題】半波放電が生じたときでも第１又は第２のコンデンサの両端電圧の何れかが過度に上昇するのを防いで両コンデンサに必要な耐電圧を下げる。【解決手段】補正制御回路２は第１のスイッチング素子Ｑ１に同期して第４のスイッチング素子Ｑ４をスイッチング制御するとともに、第２のスイッチング素子に同期して第３のスイッチング素子Ｑ３をスイッチング制御する。これにより第１及び第２のコンデンサＣ１，Ｃ２の両端電圧Ｖｃ１，Ｖｃ２をそれぞれ第１の目標電圧と第２の目標電圧に常時一致させることができ、両端電圧Ｖｃ１，Ｖｃ２の変動による高圧放電灯ＬＡの立ち消えが抑制できるとともに、半波放電が生じたときでも第１又は第２のコンデンサＣ１，Ｃ２の両端電圧Ｖｃ１，Ｖｃ２の何れかが過度に上昇するのを防いで両コンデンサＣ１，Ｃ２に必要な耐電圧を下げることができる。【選択図】        図１
2004303688.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
直流電源と、直流電源の直流出力を交番して矩形波の交流出力を得るインバータ回路とを備え、インバータ回路は、直流電源の出力端間に接続される第１及び第２のコンデンサと、第１及び第２のコンデンサに並列に接続される第１及び第２のスイッチング素子と、第１及び第２のスイッチング素子をスイッチング制御する制御回路とを具備し、制御回路は、高電位側の第１のスイッチング素子を第１の周波数でスイッチングする第１の期間と、低電位側の第２のスイッチング素子を第１の周波数よりも低い第２の周波数でスイッチングする第２の期間とを第２の周波数よりも低い周波数で交互に繰り返す放電灯点灯装置において、第１又は第２のコンデンサの両端電圧が個別に設定される第１及び第２の目標電圧から外れたときに第１又は第２のコンデンサを充放電することにより補正して第１及び第２のコンデンサの両端電圧をそれぞれ第１及び第２の目標電圧に一致させる補正手段を備えたことを特徴とする放電灯点灯装置。
【請求項２】
前記補正手段は、第１及び第２のコンデンサの直列回路と並列に接続される第３及び第４のスイッチング素子の直列回路と、第１及び第２のコンデンサの接続点と第３及び第４のスイッチング素子の接続点との間に接続されるインダクタと、第３及び第４のスイッチング素子をスイッチング制御する補正制御回路とを具備することを特徴とする請求項１記載の放電灯点灯装置。
【請求項３】
前記補正制御回路は、第３又は第４のスイッチング素子を高周波でスイッチングすることにより第１又は第２のコンデンサの一方の電荷をインダクタを介して他方へ移動させることを特徴とする請求項２記載の放電灯点灯装置。
【請求項４】
前記補正手段は、第１のコンデンサと並列に接続される第５のスイッチング素子と第１の抵抗の直列回路と、第２のコンデンサと並列に接続される第６のスイッチング素子と第２の抵抗の直列回路と、第１及び第２のコンデンサの両端電圧を検出するとともに検出結果に応じて第５及び第６のスイッチング素子をスイッチング制御する補正制御回路とを具備することを特徴とする請求項１記載の放電灯点灯装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、高圧放電灯を点灯するための放電灯点灯装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
図６は従来の放電灯点灯装置の一例を示す回路構成図である。この従来例では、交流電源ＡＣをダイオードブリッジからなる全波整流回路ＤＢで全波整流した脈流電圧を昇圧チョッパ回路ＣＨで交流電源ＡＣの電源電圧よりも高い所望の電圧まで昇圧し、この昇圧された直流電圧をハーフブリッジ型のインバータ回路ＩＮＶで低周波の矩形波交流に変換して負荷回路ＬＤに含まれる高圧放電灯ＬＡに印加するものである。
【０００３】
昇圧チョッパ回路ＣＨは全波整流回路ＤＢの高電位側の出力端に接続されたインダクタＬ３及びダイオードＤ１の直列回路と、インダクタＬ３とダイオードＤ１の接続点と全波整流回路ＤＢの低電位側の出力端との間に挿入されるスイッチング素子Ｑ５と、スイッチング素子Ｑ５をスイッチング制御する昇圧チョッパ制御回路ＣＮとで構成され、昇圧チョッパ制御回路ＣＮによりスイッチング素子Ｑ５のオンデューティ比を調整することで所望の直流出力が得られる、従来周知のものである。
【０００４】
またインバータ回路ＩＮＶは、昇圧チョッパ制御回路ＣＮの出力端間に接続される第１及び第２のコンデンサＣ１，Ｃ２の直列回路と、同じく昇圧チョッパ制御回路ＣＮの出力端間に接続される第１及び第２のスイッチング素子Ｑ１，Ｑ２の直列回路と、高電位側の第１のスイッチング素子Ｑ１を駆動する駆動回路ＨＤと、低電位側の第２のスイッチング素子Ｑ２を駆動するとともに駆動回路ＨＤに対して第１のスイッチング素子Ｑ１の駆動用の制御信号を出力する制御回路ＣＤとを備え、第１及び第２のコンデンサＣ１，Ｃ２の接続点と第１及び第２のスイッチング素子Ｑ１，Ｑ２の接続点との間に負荷回路ＬＤが接続されて構成される。負荷回路ＬＤはインダクタＬ１とコンデンサＣ３の直列回路と、コンデンサＣ３と並列に接続される高圧放電灯ＬＡ並びにパルストランスＰＴの１次巻線の直列回路とからなる。また、パルストランスＰＴとパルストランスＰＴの２次巻線に高周波パルスを印加するパルス発生回路ＰＸとからなる始動回路（イグナイタ）ＩＧが設けてある。
【０００５】
上記従来例の動作を簡単に説明する。図７に示すように第２のスイッチング素子Ｑ２をオフした状態で駆動回路ＨＤ及び制御回路ＣＤにより第１のスイッチング素子Ｑ１のみを高周波でスイッチングする第１の期間Ｔ１と、第１のスイッチング素子Ｑ１をオフした状態で制御回路ＣＤにより第２のスイッチング素子Ｑ２のみを高周波でスイッチングする第２の期間Ｔ２とを低周波で交互に繰り返すことにより、負荷回路ＬＤの高圧放電灯ＬＡには図７（ｃ）に示すような低周波の矩形波電流ＩＬＡが流れる。ここで第１の期間Ｔ１では、第１のコンデンサＣ１、第１のスイッチング素子Ｑ１及び負荷回路ＬＤで構成される降圧チョッパ回路により、図６における右向きにほぼ一定のランプ電流ＩＬＡが供給され、第２の期間Ｔ２では、第２のコンデンサＣ２、第２のスイッチング素子Ｑ２及び負荷回路ＬＤで構成される降圧チョッパ回路により、図６における左向きにほぼ一定のランプ電流ＩＬＡが供給される。そして、インダクタＬ１は上記降圧チョッパ回路のインダクタンス成分を担い、コンデンサＣ３は高周波除去フィルタの役目を担っており、高圧放電灯ＬＡに流れるランプ電流ＩＬＡは低周波の矩形波電流となる。なお、第１及び第２のコンデンサＣ１，Ｃ２の両端電圧Ｖｃ１，Ｖｃ２は、図７（ｄ）に示すように第１及び第２の期間Ｔ１，Ｔ２で単調に増加又は減少を繰り返すが、任意の時点における第１及び第２のコンデンサＣ１，Ｃ２の直列回路の両端電圧Ｖｃ１＋Ｖｃ２は昇圧チョッパ回路ＣＨによって常に一定値Ｖｄｃに保たれている。
【０００６】
ところで、高圧放電灯を点灯する場合、特に不点灯時（始動時）に半波放電が起こることがある。この半波放電は必ずしも異常な現象ではなく、高圧放電灯の電極間で絶縁破壊が生じた後にアーク放電が成長する過程で起こり得るものである。
【０００７】
図８は上記従来例において半波放電が起こったときの動作波形を示すものである。同図における期間Ａ，Ｂでは正方向に流れるランプ電流ＩＬＡが減少して本来流れるべきはずの電流が流れなくなることから、第１及び第２のコンデンサＣ１，Ｃ２の両端電圧Ｖｃ１，Ｖｃ２も不平衡（アンバランス）となって偏りが発生する。このような電圧の偏りは一方のコンデンサＣ１又はＣ２に高電圧が印加されることになるので、コンデンサとして耐電圧の高いものを使用しなければならない。
【０００８】
これに対して、高圧放電灯ＬＡを始動した直後から所定の時間だけ第１及び第２のコンデンサＣ１，Ｃ２の両端電圧Ｖｃ１，Ｖｃ２を所定電圧Ｖｄｃ／２に補正する補正回路を設けて始動時に半波放電が起きてもコンデンサＣ１，Ｃ２やスイッチング素子Ｑ１，Ｑ２などに過大なストレスがかからないようにした放電灯点灯装置が提案されている（特許文献１参照）。
【０００９】
一方、始動直後の高圧放電灯ＬＡをグロー放電からアーク放電に安定して移行させるためには、一定の高い電圧、例えば定格ランプ電力が３５Ｗ〜１５０Ｗ程度のメタルハライドランプにおいては約３００Ｖ程度の電圧を印加する必要がある。このとき、上記従来例のようにハーフブリッジ型のインバータ回路ＩＮＶを用いる場合、負荷回路ＬＤに印加可能な最大電圧は第１及び第２のコンデンサＣ１，Ｃ２の両端電圧Ｖｃ１，Ｖｃ２であるから、昇圧チョッパ回路ＣＨの出力電圧Ｖｄｃは６００Ｖ程度となり、第１及び第２のスイッチング素子Ｑ１，Ｑ２には高い耐電圧の素子を使用しなければならない。
【００１０】
そこで、図９に示すように高電位側の第１のコンデンサＣ１の両端電圧Ｖｃ１が低電位側の第２のコンデンサＣ２の両端電圧Ｖｃ２よりも高く（例えば、Ｖｃ１≒３００Ｖ、Ｖｃ２≒１５０Ｖ）なるようにそれぞれの容量値を設定し、高圧放電灯ＬＡの始動時に高電位側の第１のコンデンサＣ１の両端電圧Ｖｃ１を電源として高圧放電灯ＬＡをグロー放電からアーク放電に移行させるようにした放電灯点灯装置も提案されている。ここで、第１及び第２のコンデンサＣ１，Ｃ２の両端電圧Ｖｃ１，Ｖｃ２が異なるから、高圧放電灯ＬＡに流れるランプ電流ＩＬＡを正負の両極性で等しくするために、図９（ａ）、（ｂ）に示すように第２のスイッチング素子Ｑ２のスイッチング周波数を第１のスイッチング素子Ｑ１のスイッチング周波数よりも低くしている。
【００１１】
【特許文献１】
特開２００２−４３０７６号公報（段落００２５−段落００２９、図１）
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、上述のように始動時における第１及び第２のコンデンサＣ１，Ｃ２の両端電圧Ｖｃ１，Ｖｃ２をアンバランスに制御する場合、第２のコンデンサＣ２の両端電圧Ｖｃ２を電源としているときに半波放電が起こると第１のコンデンサＣ１の両端電圧Ｖｃ１はますます高くなり、第２のコンデンサＣ１の両端電圧Ｖｃ２はますます低くなる。その結果、第１のコンデンサＣ１に必要な耐電圧が上昇するとともに、第２のコンデンサＣ２を電源とする期間において供給電力の減少により高圧放電灯が立ち消えする虞があった。
【００１３】
本発明は上記事情に鑑みて為されたものであり、その目的は、半波放電が生じたときでも第１又は第２のコンデンサの両端電圧の何れかが過度に上昇するのを防いで両コンデンサに必要な耐電圧を下げることができる放電灯点灯装置を提供することにある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
請求項１の発明は、上記目的を達成するために、直流電源と、直流電源の直流出力を交番して矩形波の交流出力を得るインバータ回路とを備え、インバータ回路は、直流電源の出力端間に接続される第１及び第２のコンデンサと、第１及び第２のコンデンサに並列に接続される第１及び第２のスイッチング素子と、第１及び第２のスイッチング素子をスイッチング制御する制御回路とを具備し、制御回路は、高電位側の第１のスイッチング素子を第１の周波数でスイッチングする第１の期間と、低電位側の第２のスイッチング素子を第１の周波数よりも低い第２の周波数でスイッチングする第２の期間とを第２の周波数よりも低い周波数で交互に繰り返す放電灯点灯装置において、第１又は第２のコンデンサの両端電圧が個別に設定される第１及び第２の目標電圧から外れたときに第１又は第２のコンデンサを充放電することにより補正して第１及び第２のコンデンサの両端電圧をそれぞれ第１及び第２の目標電圧に一致させる補正手段を備えたことを特徴とする。
【００１５】
請求項２の発明は、請求項１の発明において、前記補正手段は、第１及び第２のコンデンサの直列回路と並列に接続される第３及び第４のスイッチング素子の直列回路と、第１及び第２のコンデンサの接続点と第３及び第４のスイッチング素子の接続点との間に接続されるインダクタと、第３及び第４のスイッチング素子をスイッチング制御する補正制御回路とを具備することを特徴とする。
【００１６】
請求項３の発明は、請求項２の発明において、前記補正制御回路は、第３又は第４のスイッチング素子を高周波でスイッチングすることにより第１又は第２のコンデンサの一方の電荷をインダクタを介して他方へ移動させることを特徴とする。
【００１７】
請求項４の発明は、請求項１の発明において、前記補正手段は、第１のコンデンサと並列に接続される第５のスイッチング素子と第１の抵抗の直列回路と、第２のコンデンサと並列に接続される第６のスイッチング素子と第２の抵抗の直列回路と、第１及び第２のコンデンサの両端電圧を検出するとともに検出結果に応じて第５及び第６のスイッチング素子をスイッチング制御する補正制御回路とを具備することを特徴とする。
【００１８】
【発明の実施の形態】
（実施形態１）
本実施形態は、図１に示すように従来例の回路構成（図７参照）に対して補正回路１を追加した点に特徴があり、これ以外の昇圧チョッパ回路ＣＨやインバータ回路ＩＮＶの構成については基本的に従来例と共通である。但し、本実施形態では、図９の従来例と同様に高電位側の第１のコンデンサＣ１の両端電圧Ｖｃ１が低電位側の第２のコンデンサＣ２の両端電圧Ｖｃ２よりも高くなるようにそれぞれの容量値を設定し（例えば、第１のコンデンサＣ１と同容量の２個の電解コンデンサを並列接続したものを第２のコンデンサＣ２としたり、第２のコンデンサＣ２と同容量の２個の電解コンデンサを直列接続したものを第１のコンデンサＣ１とすればよい）、第２のスイッチング素子Ｑ２のスイッチング周波数を第１のスイッチング素子Ｑ１のスイッチング周波数よりも低くすることで高圧放電灯ＬＡに流れるランプ電流ＩＬＡを正負の両極性で等しくしている。
【００１９】
補正回路１は、第１及び第２のコンデンサＣ１，Ｃ２の直列回路と並列に接続される第３及び第４のスイッチング素子Ｑ３，Ｑ４の直列回路と、第１及び第２のコンデンサＣ１，Ｃ２の接続点と第３及び第４のスイッチング素子Ｑ３，Ｑ４の接続点との間に接続されるインダクタＬ２と、第３及び第４のスイッチング素子Ｑ３，Ｑ４をスイッチング制御する補正制御回路２とを具備する。
【００２０】
補正制御回路２は、図２に示すように第１のスイッチング素子Ｑ１のスイッチング周波数の半分の周波数で第１のスイッチング素子Ｑ１に同期して第４のスイッチング素子Ｑ４をスイッチング制御するとともに、第２のスイッチング素子Ｑ２のスイッチング周波数と同じスイッチング周波数で第２のスイッチング素子に同期して第３のスイッチング素子Ｑ３をスイッチング制御している。
【００２１】
もう少し詳しく説明すると、第１のコンデンサＣ１を電源として第１のスイッチング素子Ｑ１を高周波でスイッチングさせている第１の期間Ｔ１においては、第１のスイッチング素子Ｑ１がオン／オフする１周期毎に第４のスイッチング素子Ｑ４がオンとオフを繰り返し、第４のスイッチング素子Ｑ４のオン期間に第２のコンデンサＣ２の電荷が放電されることで第２のコンデンサＣ２→インダクタＬ２→第４のスイッチング素子Ｑ４→第２のコンデンサＣ２の経路で電流が流れてインダクタＬ２にエネルギが蓄積され、第４のスイッチング素子Ｑ４のオフ期間にインダクタＬ２に蓄積されたエネルギがインダクタＬ２→第３のスイッチング素子Ｑ３の寄生ダイオード→第１のコンデンサＣ１→インダクタＬ２の経路で放出されて第１のコンデンサＣ１が充電される。同様に、第２のコンデンサＣ２を電源として第２のスイッチング素子Ｑ２を高周波でスイッチングさせている第２の期間Ｔ２においては、第２のスイッチング素子Ｑ２と同じ周期で第３のスイッチング素子Ｑ３がオン／オフを繰り返し、第３のスイッチング素子Ｑ３のオン期間に第１のコンデンサＣ１の電荷が放電されることで第１のコンデンサＣ１→第３のスイッチング素子Ｑ３→インダクタＬ２→第１のコンデンサＣ１の経路で電流が流れてインダクタＬ２にエネルギが蓄積され、第３のスイッチング素子Ｑ３のオフ期間にインダクタＬ２に蓄積されたエネルギがインダクタＬ２→第２のコンデンサＣ２→第４のスイッチング素子Ｑ４の寄生ダイオード→インダクタＬ２の経路で放出されて第２のコンデンサＣ２が充電される。
【００２２】
而して、補正制御回路２により第３及び第４のスイッチング素子Ｑ３，Ｑ４を上述のようにスイッチングさせれば、図２（ｆ）、（ｇ）に示すように第１及び第２のコンデンサＣ１，Ｃ２の両端電圧Ｖｃ１，Ｖｃ２をそれぞれ第１の目標電圧（例えば、３００Ｖ）と第２の目標電圧（例えば、１５０Ｖ）に常時一致させることができ、両端電圧Ｖｃ１，Ｖｃ２の変動による高圧放電灯ＬＡの立ち消えが抑制できるとともに、半波放電が生じたときでも第１又は第２のコンデンサＣ１，Ｃ２の両端電圧Ｖｃ１，Ｖｃ２の何れかが過度に上昇するのを防いで両コンデンサＣ１，Ｃ２に必要な耐電圧を下げることができる。
【００２３】
（実施形態２）
本実施形態は、補正制御回路２が第１及び第２のコンデンサＣ１，Ｃ２の両端電圧Ｖｃ１，Ｖｃ２を個別に検出するとともに、それらの検出電圧が両端電圧Ｖｃ１，Ｖｃ２のそれぞれの目標電圧（例えば、第１のコンデンサＣ１の両端電圧Ｖｃ１に対しては３００Ｖ、第２のコンデンサＣ２の両端電圧Ｖｃ２に対しては１５０Ｖ）よりも所定値以上に上昇した場合にその上昇した方の両端電圧Ｖｃ１又はＶｃ２を下げるように第３又は第４のスイッチング素子Ｑ３，Ｑ４をスイッチングさせる点に特徴がある。なお、本実施形態の回路構成は補正制御回路２で第１及び第２のコンデンサＣ１，Ｃ２の両端電圧Ｖｃ１，Ｖｃ２を検出するようにした点を除いて基本的に実施形態１と共通であるから、回路図の図示並びに共通の動作についての説明を省略する。
【００２４】
補正制御回路２では、図３（ｆ）及び（ｇ）に示すように第１及び第２のコンデンサＣ１，Ｃ２の両端電圧Ｖｃ１，Ｖｃ２を検出し、それぞれ上記目標電圧よりも所定値だけ高い値に設定されたしきい値ＶＴｃ１，ＶＴｃ２と比較しており、両端電圧Ｖｃ１，Ｖｃ２がしきい値ＶＴｃ１，ＶＴｃ２を超えていなければ、第３及び第４のスイッチング素子Ｑ３，Ｑ４のスイッチングを行わずにオフ状態を維持する。このとき、例えば時刻ｔ＝ｔ０に半波放電が発生すると第２のスイッチング素子Ｑ２がスイッチングしているにもかかわらず負荷回路ＬＤに電流が流れないため、第２のコンデンサＣ２が放電せず、第１のコンデンサＣ１が充電されない状態となり、このような半波放電状態が数周期繰り返されると、第１のコンデンサＣ１の両端電圧Ｖｃ１は徐々に低下し、第２のコンデンサＣ２の両端電圧Ｖｃ２が徐々に上昇してやがてしきい値ＶＴｃ２を超えてしまう（時刻ｔ＝ｔ１）。そして、補正制御回路２は両端電圧Ｖｃ２がしきい値ＶＴｃ２を超えると第４のスイッチング素子Ｑ４を高周波でスイッチングさせて第２のコンデンサＣ２の電荷をインダクタＬ２を介して第１のコンデンサＣ１に移動させることにより、第２のコンデンサＣ２の両端電圧Ｖｃ２を低下させ、両端電圧Ｖｃ２がしきい値ＶＴｃ２を下回れば第４のスイッチング素子Ｑ４のスイッチング制御を終了する。なお、第１のコンデンサＣ１の両端電圧Ｖｃ１が上昇してしきい値ＶＴｃ１を超えた場合には第３のスイッチング素子Ｑ３をスイッチング制御することによって同様に両端電圧Ｖｃ１を低下させることができる。
【００２５】
上述のように本実施形態では、第１又は第２のコンデンサＣ１，Ｃ２の両端電圧Ｖｃ１，Ｖｃ２の何れかがしきい値ＶＴｃ１，ＶＴｃ２が超えたときにその超えた方の両端電圧Ｖｃ１又はＶｃ２のみを低下するように第３又は第４のスイッチング素子Ｑ３，Ｑ４のスイッチング制御を行うことによって、半波放電が生じたときでも第１又は第２のコンデンサＣ１，Ｃ２の両端電圧Ｖｃ１，Ｖｃ２の何れかが過度に上昇するのを防いで両コンデンサＣ１，Ｃ２に必要な耐電圧を下げることができる。
【００２６】
（実施形態３）
本実施形態は、図４に示すように第３のスイッチング素子Ｑ３の代わりにダイオードＤ３と第４のスイッチング素子Ｑ４の直列回路を補正回路１に具備した点に特徴があり、これ以外の構成は実施形態１と共通である。よって、実施形態１と共通の構成要素には同一の符号を付して説明を省略する。
【００２７】
第１のコンデンサＣ１の両端電圧Ｖｃ１の目標電圧を第２のコンデンサＣ２の両端電圧Ｖｃ２の目標電圧よりも充分高い値に設定した場合、半波放電現象が生じるのは第２のコンデンサＣ２を電源として第２のスイッチング素子Ｑ２がスイッチングされるときである。したがって、半波放電に起因する過大な電圧上昇も第２のコンデンサＣ２の両端電圧Ｖｃ２に対してだけ起こるから、補正回路１には第２のコンデンサＣ２の電荷を第１のコンデンサＣ１に移動させる構成のみがあればよく、第３のスイッチング素子Ｑ３の代わりにダイオードＤ３を用いることができる。
【００２８】
上述のように本実施形態では、補正回路１を構成するスイッチング素子が１つだけで済むから、補正制御回路２の回路構成が簡素化できるという利点がある。
【００２９】
（実施形態４）
本実施形態は、図５に示すように第１のコンデンサＣ１と並列に接続される第５のスイッチング素子Ｑ５と第１の抵抗Ｒ１の直列回路と、第２のコンデンサＣ２と並列に接続される第６のスイッチング素子Ｑ６と第２の抵抗Ｒ２の直列回路と、第１及び第２のコンデンサＣ１，Ｃ２の両端電圧Ｖｃ１，Ｖｃ２を検出するとともに検出結果に応じて第５及び第６のスイッチング素子Ｑ５，Ｑ６をスイッチング制御する補正制御回路４とで補正回路３が構成されている点に特徴があり、他の構成については実施形態１と共通であるから、共通の構成要素には同一の符号を付して説明を省略する。
【００３０】
第１及び第２の抵抗Ｒ１，Ｒ２はそれぞれ第５及び第６のスイッチング素子Ｑ５，Ｑ６がオンしたときに第１及び第２のコンデンサＣ１，Ｃ２の電荷を放電するための放電抵抗であって、第１及び第２のコンデンサＣ１，Ｃ２の両端電圧Ｖｃ１，Ｖｃ２の目標電圧に応じて互いに異なる抵抗値に設定されている。
【００３１】
補正制御回路４は、第１及び第２のコンデンサＣ１，Ｃ２の両端電圧Ｖｃ１，Ｖｃ２を検出し、第１のコンデンサＣ１の両端電圧Ｖｃ１が目標電圧を超えたときには第５のスイッチング素子Ｑ５をオンして第１の抵抗Ｒ１を介して第１のコンデンサＣ１の電荷を放電することで両端電圧Ｖｃ１の上昇を抑制し、第２のコンデンサＣ２の両端電圧Ｖｃ２が目標電圧を超えたときには第６のスイッチング素子Ｑ６をオンして第２の抵抗Ｒ２を介して第２のコンデンサＣ２の電荷を放電することで両端電圧Ｖｃ１の上昇を抑制する。このように補正回路３によって第１及び第２のコンデンサＣ１，Ｃ２の両端電圧Ｖｃ１，Ｖｃ２が常に目標電圧を超えないように補正回路３で補正されるから、半波放電が生じたときでも第１又は第２のコンデンサＣ１，Ｃ２の両端電圧Ｖｃ１，Ｖｃ２の何れかが過度に上昇するのを防いで両コンデンサＣ１，Ｃ２に必要な耐電圧を下げることができる。
【００３２】
【発明の効果】
請求項１の発明は、上記目的を達成するために、直流電源と、直流電源の直流出力を交番して矩形波の交流出力を得るインバータ回路とを備え、インバータ回路は、直流電源の出力端間に接続される第１及び第２のコンデンサと、第１及び第２のコンデンサに並列に接続される第１及び第２のスイッチング素子と、第１及び第２のスイッチング素子をスイッチング制御する制御回路とを具備し、制御回路は、高電位側の第１のスイッチング素子を第１の周波数でスイッチングする第１の期間と、低電位側の第２のスイッチング素子を第１の周波数よりも低い第２の周波数でスイッチングする第２の期間とを第２の周波数よりも低い周波数で交互に繰り返す放電灯点灯装置において、第１又は第２のコンデンサの両端電圧が個別に設定される第１及び第２の目標電圧から外れたときに第１又は第２のコンデンサを充放電することにより補正して第１及び第２のコンデンサの両端電圧をそれぞれ第１及び第２の目標電圧に一致させる補正手段を備えたことを特徴とし、補正手段により第１及び第２のコンデンサの両端電圧が常に第１及び第２の目標電圧にそれぞれ一致するため、半波放電が生じたときでも第１又は第２のコンデンサの両端電圧の何れかが過度に上昇するのを防いで両コンデンサに必要な耐電圧を下げることができる。
【００３３】
請求項２の発明は、請求項１の発明において、前記補正手段は、第１及び第２のコンデンサの直列回路と並列に接続される第３及び第４のスイッチング素子の直列回路と、第１及び第２のコンデンサの接続点と第３及び第４のスイッチング素子の接続点との間に接続されるインダクタと、第３及び第４のスイッチング素子をスイッチング制御する補正制御回路とを具備することを特徴とし、比較的に簡易な回路構成で補正手段が構成できる。
【００３４】
請求項３の発明は、請求項２の発明において、前記補正制御回路は、第３又は第４のスイッチング素子を高周波でスイッチングすることにより第１又は第２のコンデンサの一方の電荷をインダクタを介して他方へ移動させることを特徴とし、第１及び第２のコンデンサの間で電荷を移動させることにより第１及び第２のコンデンサの両端電圧を常に第１及び第２の目標電圧にそれぞれ一致させることができる。
【００３５】
請求項４の発明は、請求項１の発明において、前記補正手段は、第１のコンデンサと並列に接続される第５のスイッチング素子と第１の抵抗の直列回路と、第２のコンデンサと並列に接続される第６のスイッチング素子と第２の抵抗の直列回路と、第１及び第２のコンデンサの両端電圧を検出するとともに検出結果に応じて第５及び第６のスイッチング素子をスイッチング制御する補正制御回路とを具備することを特徴とし、第１のコンデンサの両端電圧が目標電圧を超えたときには第５のスイッチング素子をオンして第１の抵抗を介して第１のコンデンサの電荷を放電し、第２のコンデンサの両端電圧が目標電圧を超えたときには第６のスイッチング素子をオンして第２の抵抗を介して第２のコンデンサの電荷を放電することで第１及び第２のコンデンサの両端電圧が常に目標電圧を超えないように補正できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施形態１を示す一部省略した回路図である。
【図２】同上の動作説明図である。
【図３】実施形態２の動作説明図である。
【図４】実施形態３を示す一部省略した回路図である。
【図５】実施形態４を示す一部省略した回路図である。
【図６】従来例を示す回路図である。
【図７】同上の動作説明図である。
【図８】同上の動作説明図である。
【図９】他の従来例の動作説明図である。
【符号の説明】
１  補正回路
２  補正制御回路
Ｑ３  第３のスイッチング素子
Ｑ４  第４のスイッチング素子
Ｌ２  インダクタ
Ｃ１  第１のコンデンサ
Ｃ２  第２のコンデンサ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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