(57)【要約】　　　（修正有）【課題】ウエッジボンディングのための最適な接着パラメータを決定する。【解決方法】ボールボンディングのための装置のボンド接着力と超音波変数並びに他の少なくとも１つのボンド接着パラメータを、予め定められた多数のボンド接着サイクルの中で決定することが可能である。即ち各ボンド接着サイクルにおいて、ワイヤボールを半導体チップ５の接続ポイント４に取り付けた後ａ）予め定められたボンド接着力を印加し、ｂ）予め定められた水平方向にボンド接着位置からキャピラリ１を移動しながらキャピラリの駆動電流をモニタし、ｃ）電流が低減するとすぐに、キャピラリ１の移動を停止し、ｄ）ステップｂ）とｃ）との間に設定されている電流の進行から最大電流を決定し、ｅ）ボンド接着位置にキャピラリ１を移動し、ｆ）半導体チップ５の接続ポイント４にワイヤボールを取り付ける。これによって最適なボンド接着パラメータが決定される。【選択図】図２
2004140357.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
　ボンド接着プロセスのためのＷｉｒｅ　Ｂｏｎｄｅｒ（ワイヤボンディング装置）のボンド接着力ＦＢ、超音波変数ＰＢ、および、任意に、少なくとも１つの別のボンド接着パラメータＧＢのための最適なボンド接着パラメータを決定する方法であって、それによって、この決定にちなんで、多数のボンド接着サイクルが行われ、それによって、各ボンド接着サイクルに関して、ワイヤ接続が、半導体チップ（５）の接続ポイント（４）と基板（９）の接続ポイント（８）との間で行われ、そのワイヤ接続において、キャピラリ（１）から突出するワイヤ端部がボール（３）に溶融され、そして、次に、ボンド接着位置において、前記ワイヤボール（３）が、前記半導体チップ（５）の接続ポイント（４）に取り付けられ、次に、前記ワイヤ（２）が、必要とされる長さにまで引き出され、ワイヤループに形成され、そして、前記基板（９）の接続ポイント（８）に取り付けられ、それによって、前記ボンド接着力ＦＢ、前記超音波変数ＰＢ、および、必要な場合、前記少なくとも１つの別のボンド接着パラメータＧＢが、予め定められた範囲内で別個のステップにおいてそれぞれ変えられ、各ボンド接着サイクルｎにおいて、前記ワイヤボール（３）を前記半導体チップ（５）の接続ポイント（４）に取り付け後、以下のステップ：
　ａ）予め定められたボンド接着力ＦＢｌを印加するステップと、
　ｂ）予め定められた方向に前記ボンド接着位置から前記キャピラリ（１）を移動するステップであって、それによって、前記キャピラリ（１）を移動する伝動装置を通流する電流Ｉｎ（ｔ）が時間ｔの経過の間モニタされるステップと、
　ｃ）電流Ｉｎ（ｔ）が低減するとすぐに、前記キャピラリ（１）の移動を停止するステップと、
　ｅ）ステップｂ）とｃ）との間に設定されている電流Ｉｎ（ｔ）の進行から最大電流Ｉｎ，ｍａｘ（ＦＢ，ｎ，ＰＢ，ｎ，ＧＢ，ｎ）を決定するステップであって、それによって、変数ＦＢ，ｎ，ＰＢ，ｎ，ＧＢ，ｎが、ボンド接着サイクルｎのために設定される前記ボンド接着力ＦＢ、前記超音波変数ＰＢ、および、必要な場合、前記少なくとも１つの別のボンド接着パラメータＧＢのための値となるステップと、
が行われることと、
ｎボンディングプロセスで設定されている値Ｉｎ，ｍａｘ（ＦＢ，ｎ，ＰＢ，ｎ，ＧＢ，ｎ）から、ボンド接着力ＦＢ，超音波変数ＰＢ、および、必要な場合、少なくとも１つの別のボンド接着パラメータＧＢのためのこれらの値は、電流Ｉｎ，ｍａｘ（ＦＢ，ｎ，ＰＢ，ｎ，ＧＢ，ｎ）が最大に達するための最適なボンド接着パラメータとして決定されることと、
を特徴とする、ボンド接着プロセスのためのＷｉｒｅ　Ｂｏｎｄｅｒ（ワイヤボンディング装置）のボンド接着力ＦＢ、超音波変数ＰＢ、および、任意に、少なくとも１つの別のボンド接着パラメータＧＢのための最適なボンド接着パラメータを決定する方法。
【請求項２】
　ボンディングプロセスのためのＷｉｒｅ　Ｂｏｎｄｅｒ（ワイヤボンディング装置）のボンド接着力ＦＷ、超音波変数ＰＷ、および、任意に、少なくとも１つの別のボンド接着パラメータＧＷのための最適なボンド接着パラメータを決定する方法であって、それによって、この決定にちなんで、多数のボンド接着サイクルが行われ、それによって、各ボンド接着サイクルに関して、ワイヤ接続が、半導体チップ（５）の接続ポイント（４）と基板（９）の接続ポイント（８）との間で行われ、そのワイヤ接続において、キャピラリ（１）から突出するワイヤ端部がボール（３）に溶融され、そして、次に、ボンド接着位置において、前記ワイヤボール（３）が、前記半導体チップ（５）の接続ポイント（４）に取り付けられ、次に、前記ワイヤ（２）が、必要とされる長さにまで引き出され、ワイヤループに形成され、そして、前記基板（９）の接続ポイント（８）に取り付けられ、それによって、前記ボンド接着力ＦＷ、前記超音波変数ＰＷ、および、必要な場合、前記少なくとも１つの別のボンド接着パラメータＧＷが、予め定められた範囲内で別個のステップにおいてそれぞれ変えられ、各ボンド接着サイクルｎに関して、前記ワイヤ（２）を前記基板（９）の接続ポイント（８）に取り付け後、以下のステップ：
　ａ）予め定められたボンド接着力ＦＷｌを印加するステップと、
　ｂ）予め定められた方向に前記ボンド接着位置から前記キャピラリ（１）を移動するステップであって、それによって、前記キャピラリ（１）を移動する前記伝動装置を通流する電流Ｉｎ（ｔ）が時間ｔの経過の間モニタされるステップと、
　ｃ）電流Ｉｎ（ｔ）が低減するとすぐに、前記キャピラリ（１）の移動を停止するステップと、
　ｆ）ステップｂ）とｃ）との間に設定されている電流Ｉｎ（ｔ）の進行から最大電流Ｉｎ，ｍａｘ（ＦＷ，ｎ，ＰＷ，ｎ，ＧＷ，ｎ）を決定するステップであって、それによって、前記変数ＦＷ，ｎ，ＰＷ，ｎ，ＧＷ，ｎが、ボンド接着サイクルｎのために設定される前記ボンド接着力ＦＷ、前記超音波変数ＰＷ、および、必要な場合、前記少なくとも１つの別のボンド接着パラメータＧＷのための値となるステップと、
が行われることと、
ｎボンディングプロセスで設定されている値Ｉｎ，ｍａｘ（ＦＷ，ｎ，ＰＷ，ｎ，ＧＷ，ｎ）から、前記ボンド接着力ＦＷ，前記超音波変数ＰＷ、および、必要な場合、前記少なくとも１つの別のボンド接着パラメータＧＷのためのこれらの値は、電流Ｉｎ，ｍａｘ（ＦＷ，ｎ，ＰＷ，ｎ，ＧＷ，ｎ）が最大に達するための最適なボンド接着パラメータとして決定されることと、
を特徴とする、ボンディングプロセスのためのＷｉｒｅ　Ｂｏｎｄｅｒ（ワイヤボンディング装置）のボンド接着力ＦＷ、超音波変数ＰＷ、および、任意に、少なくとも１つの別のボンド接着パラメータＧＷのための最適なボンド接着パラメータを決定する方法。
【請求項３】
　ボンド接着力Ｆ、超音波変数Ｐおよび少なくとも１つの別のボンド接着パラメータＧの予め定められた値Ｆ１、Ｐ１、Ｇ１を有するＷｉｒｅ　Ｂｏｎｄｅｒ（ワイヤボンディング装置）のワイヤ送りキャピラリによって製造されるボンド接着接続の品質の現場でのモニタリングの方法であって、テストされるために、選択されたボンド接着接続が、以下のように：
‐前記ボンド接着力Ｆ、前記超音波変数Ｐおよび前記少なくとも１つの別のボンド接着パラメータＧのための予め定められた値Ｆ２、Ｐ２、Ｇ２で、ボンド接着接続を行うステップであって、それによって、前記値Ｆ２、Ｐ２、Ｇ２の少なくとも１つが、前記対応する値Ｆ１、Ｐ１、Ｇ１未満である、前記ボンド接着力Ｆ、前記超音波変数Ｐおよび前記少なくとも１つの別のボンド接着パラメータＧのための予め定められた値Ｆ２、Ｐ２、Ｇ２で、ボンド接着接続を行うステップと、
‐以下のステップ：
　ａ）予め定められたボンド接着力Ｆ３を印加するステップと、
　ｂ）予め定められた方向に前記ボンド接着位置から前記キャピラリ（１）を移動するステップであって、それによって、前記キャピラリ（１）を移動する前記伝動装置を通流する電流Ｉｎ（ｔ）が、時間ｔの経過の間モニタされる、予め定められた方向に前記ボンド接着位置から前記キャピラリ（１）を移動するステップと、
　ｃ）電流Ｉ（ｔ）が低減するとすぐに、前記キャピラリ（１）の移動を停止するステップと、
　ｄ）ステップｂ）とｃ）との間に設定されている電流Ｉ（ｔ）の進行から最大電流Ｉｍａｘ（Ｆ２、Ｐ２、Ｇ２）を決定するステップと、
によりテストを行うステップと、
‐前記値Ｆ１、Ｐ１、Ｇ１で、前記ボンド接着接続を行うステップと、
により行われることを特徴とする、ボンド接着力Ｆ、超音波変数Ｐおよび少なくとも１つの別のボンド接着パラメータＧの予め定められた値Ｆ１、Ｐ１、Ｇ１で、Ｗｉｒｅ　Ｂｏｎｄｅｒ（ワイヤボンディング装置）のワイヤ送りキャピラリによって製造されるボンド接着接続の品質の現場でのモニタリングの方法。
【請求項４】
　前記値Ｐ２が、前記値Ｐ１未満であることを特徴とする請求項３に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
　本発明は、請求項１のプリアンブルに記載のＷｉｒｅ　Ｂｏｎｄｅｒ（ワイヤボンディング装置）を用いてボンディングするときの最適なボンド接着パラメータを決定する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
　Ｗｉｒｅ　Ｂｏｎｄｅｒ（ワイヤボンディング装置）は、ワイヤが基板にマウントされた後にワイヤ接続を半導体チップに行う機械である。Ｗｉｒｅ　Ｂｏｎｄｅｒ（ワイヤボンディング装置）は、ホーンの先端にクランプで締められているキャピラリを有している。そのキャピラリは、ワイヤを半導体チップ上の接続ポイントと、基板上の接続ポイントとに固定するだけでなく、その２つの接続ポイント間にワイヤをガイドする役割を果たす。半導体シップ上の接続ポイントと基板上の接続ポイントとの間のワイヤ接続を行う際に、キャピラリから突出するワイヤの端部は、先ず、ボールに溶融される。その後、そのワイヤボールは、圧力および超音波によって半導体チップ上の接続ポイントに固定される。その際に、超音波が、超音波トランスデューサからホーンに印加される。このプロセスは、ボールボンディングとして周知である。ワイヤは、次に、必要とされる長さにまで引き出され、ワイヤループに形成され、そして、基板上の接続ポイントに溶接される。この最後のプロセスは、ウェッジボンディングとして周知である。ワイヤを基板上の接続ポイントに固定後、そのワイヤはちぎられ、そして、次のボンドサイクルに着手できる。
【０００３】
　ボールボンディングだけでなくウェッジボンディングは、様々な要因によって影響が及ぼされる。予め定められた品質のボンド接着接続を達成するために、いくつかの物理的および／または技術的パラメータの適切な値が、特定のプロセスのために決定される必要がある。そのようなパラメータの例示は：
‐ボンディングプロセスの間に、キャピラリが、ボールボンド接着部、あるいは、半導体チップの接続ポイントに加わる垂直力であるボンド接着力、
‐超音波トランスデューサへの超音波の印加を制御する、超音波変数Ｐとここでは指定されているパラメータ。その超音波変数は、例えば、ホーンの超音波トランスデューサを通流する交流の振幅や、超音波トランスデューサに印加される交流電圧の振幅や、パワーや、他の変数などであり、
‐超音波変数Ｐが、超音波トランスデューサに印加される時間の長さを表示する超音波時間Ｔとここでは指定されている時間持続期間、
‐接続ポイント上のキャピラリのインパクト速度、
‐キャピラリが、接続ポイントにインパクトを与える前に、超音波変数が、超音波トランスデューサに既に印加されているかどうかを表示するバイナリパラメータ、
などである。
【０００４】
　現在では、品質コントロールという点におけるボンド接着品質に特性を与えるだけでなく最適なボンド接着パラメータを決定するために、２つの方法が主として使用されており、すなわち、
　ａ）ボンドが、半導体チップ、あるいは、基板の表面に対して垂直方向に引張られるとき、ボンドが、半導体チップ、あるいは、基板からちぎれる力が測定される、いわゆるＰｕｌｌ　Ｔｅｓｔ（引張りテスト）と、
　ｂ）ボンドが、ツールによって、半導体チップ、あるいは、基板の表面と平行に押し続けられるとき、ボンドが、半導体チップ、あるいは、基板からちぎれる力が測定される、いわゆるＳｈｅａｒ　Ｔｅｓｔ（せん断テスト）と、
である。
【０００５】
　一般に、その結果が、Ｐｕｌｌ　Ｔｅｓｔ（引張りテスト）の結果と比べてより信頼性があるというので、ユーザーは、ボールボンド接着に対しては、Ｓｈｅａｒ　Ｔｅｓｔ（せん断テスト）のほうを好む。
【０００６】
　これらのテストは、通常、この用途のために特に開発されている機器を用いて行われている。しかしながら、米国特許第５　８９４　９８１号からは、Ｐｕｌｌ　Ｔｅｓｔ（引張りテスト）を行うように設定されているＷｉｒｅ　Ｂｏｎｄｅｒ（ワイヤボンディング装置）が周知である。このＷｉｒｅ　Ｂｏｎｄｅｒ（ワイヤボンディング装置）において、しかしながら、Ｐｕｌｌ　Ｔｅｓｔ（引張りテスト）は、Ｗｅｄｇｅ　Ｂｏｎｄｓ（ウェッジボンド接着）に対して行われるだけである。米国特許第５　５９１　９２０号からは、キャピラリを高め、そして、低下するモータを通流する最大電流が測定されるＰｕｌｌ　Ｔｅｓｔ（引張りテスト）を行うように設定されているＷｉｒｅ　Ｂｏｎｄｅｒ（ワイヤボンディング装置）が周知である。このテストは、Ｂａｌｌ　Ｂｏｎｄｓ（ボールボンド接着）だけでなくＷｅｄｇｅ　Ｂｏｎｄｓ（ウェッジボンド接着）に対しても行われることが可能である。このＰｕｌｌ　Ｔｅｓｔ（引張りテスト）が、Ｗｅｄｇｅ　Ｂｏｎｄｓ（ウェッジボンド接着）に対して行われるとき、その場合、重大な不利な点は、テストを行う際、荷重が、設定されたＰｕｌｌ　Ｔｅｓｔ（引張りテスト）に関するかぎりでは、ウェッジ部にかからず、ボンド接着サイクルの最後の段階においてちぎられることになるワイヤの一片、いわゆる、末端部にかかるという点にある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
　本発明の目的は、ボールボンディングだけでなくウェッジボンディングのための最適なボンド接着パラメータを容易に決定する方法を開発することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
　本発明は請求項１および請求項２に示されている特徴を備えている。
【発明の効果】
【０００９】
　ボールボンディングのためのＷｉｒｅ　Ｂｏｎｄｅｒ（ワイヤボンディング装置）のボンド接着力ＦＢ、超音波変数ＰＢ、および、任意に、少なくとも１つの別のボンド接着パラメータＧＢのための最適なボンド接着パラメータは、本発明による以下のステップを用いる方法によって、決定されることが可能であり：
多数のｎ＝ｌからｋのボンド接着サイクルを行うステップであり、それによって、ボンド接着力ＦＢ、超音波変数ＰＢ、および、必要な場合、少なくとも１つの別のボンド接着パラメータＧＢが、予め定められた範囲内で別個のステップにおいてそれぞれに変えられ、それによって、各ボンド接着サイクルにおいて、ワイヤ接続が、半導体チップの接続ポイントと基板の接続ポイントとの間で行われ、そのワイヤ接続において、キャピラリから突出するワイヤの端部がボールに溶融され、そして、次に、第１のボンド接着位置において、そのワイヤボールが半導体チップの接続ポイントに取り付けられ、そのワイヤが、次に、必要とされる長さにまで引き出され、ワイヤループに形成され、そして、第２のボンド接着位置において、基板の接続ポイントに取り付けられ、それによって、各ボンド接着サイクルｎに関して、ワイヤボールを半導体チップの接続ポイントに取り付け後、以下のステップ：
　ａ）予め定められたボンド接着力ＦＢｌを印加するステップと、
　ｂ）予め定められた水平方向にボンド接着位置からキャピラリを移動するステップと、それによって、キャピラリを移動する伝動装置を通流する電流ＩＢ，ｎがモニタされ、
　ｃ）電流ＩＢ，ｎが低減するとすぐに、キャピラリの移動を停止するステップと、
　ｄ）ステップｂ）とｃ）との間に設定されている電流ＩＢ，ｎ（ＦＢ，ｎ，ＰＢ，ｎ，ＧＢ，ｎ，ｔ）の進行から最大電流ＩＢ，ｎ，ｍａｘ（ＦＢ，ｎ，ＰＢ，ｎ，ＧＢ，ｎ）を決定するステップと、それによって、変数ＦＢ，ｎ，ＰＢ，ｎ，ＧＢ，ｎは、ボンド接着サイクルｎのために設定されるボンド接着力ＦＢ、超音波変数ＰＢ、および、必要な場合、少なくとも１つの別のボンド接着パラメータＧＢの値となり、そして、時間は、パラメータｔで指定されており、
　ｅ）ボンド接着位置にキャピラリを移動するステップと、
　ｆ）半導体チップの接続ポイントにワイヤボールを取り付けるステップと、
が行われ、
それによって、ｎボンド接着サイクルで設定されている値ＩＢ，ｎ，ｍａｘ（ＦＢ，ｎ，ＰＢ，ｎ，ＧＢ，ｎ）から、ボンド接着力ＦＢ，超音波変数ＰＢ、および、必要な場合、少なくとも１つの別のボンド接着パラメータＧＢのためのこれらの値は、電流ＩＢ，ｎ，ｍａｘ（ＦＢ，ｎ，ＰＢ，ｎ，ＧＢ，ｎ）が最大に達する最適なボンド接着パラメータとして決定される。この決定のために、必要な場合、例えば、補間などの統計の通例の方法が使用されることが可能である。
【００１０】
　ボンド接着力ＦＢｌは、全てのせん断テストに対して同一である。一般に、それは、できるかぎり低く設定されているので、せん断テストの結果は、ボールの下面と接続ポイントとの間に生じる摩擦力によってねじりを受けない。ボンド接着力ＦＢｌは、概して、約５０ｍＮになる。
【００１１】
　必要な場合、ステップｅ、ｆは、それらが、以下のボンド接着サイクルの機能不全を回避する役割を果たすだけのとき、省略されることができる。
【００１２】
　ウェッジボンディングのためのＷｉｒｅ　Ｂｏｎｄｅｒ（ワイヤボンディング装置）のボンド接着力ＦＷ、超音波変数ＰＷ、および、任意に、少なくとも１つの別のボンド接着パラメータＧＷは、パラメータＦＷ、ＰＷ、および、必要な場合、ＧＷのための他の値を想定する同様の方法によって決定されることが可能であり、それによって、各ボンド接着サイクルｎに関して、ワイヤを基板上の接続ポイントに取り付け後、以下のステップ：
　ａ）予め定められたボンド接着力ＦＷｌを印加するステップと、
　ｂ）予め定められた水平方向にボンド接着位置からキャピラリを移動するステップと、それによって、キャピラリを移動する伝動装置を通流する電流ＩＷ，ｎがモニタされ、
　ｃ）電流ＩＷ，ｎが低減するとすぐに、キャピラリの移動を停止するステップと、
　ｄ）ステップｂ）とｃ）との間に設定されている電流ＩＷ，ｎ（ＦＷ，ｎ，ＰＷ，ｎ，ＧＷ，ｎ，ｔ）の進行から最大電流ＩＷ，ｎ，ｍａｘ（ＦＷ，ｎ，ＰＷ，ｎ，ＧＷ，ｎ）を決定するステップと、それによって、変数ＦＷ，ｎ，ＰＷ，ｎ，ＧＷ，ｎは、ボンド接着サイクルｎのために設定されるボンド接着力ＦＷ、超音波変数ＰＷ、および、必要な場合、少なくとも１つの別のボンド接着パラメータＧＷの値となり、
　ｅ）ボンド接着位置にキャピラリを移動するステップと、
　ｆ）基板の接続ポイントにワイヤを取り付けるステップと、
が行われ、
そして、ｎボンド接着サイクルで設定されている値ＩＷ，ｎ，ｍａｘ（ＦＷ，ｎ，ＰＷ，ｎ，ＧＷ，ｎ）から、ボンド接着力ＦＷ，超音波変数ＰＷ、および、必要な場合、少なくとも１つの別のボンド接着パラメータＧＷのためのこれらの値は、電流ＩＷ，ｎ，ｍａｘ（ＦＷ，ｎ，ＰＷ，ｎ，ＧＷ，ｎ）が最大に達する最適なボンド接着パラメータとして決定される。
【００１３】
　ボンド接着力ＦＷｌは、全てのせん断テストに対して同一であり、そして、一般に、できるかぎり低く設定されている。
【００１４】
　この方法において、値は、せん断において降伏応力に比例し、その結果、半導体チップ上のボールボンド接着部のせん断強度のための基準となる、各ボンド接着サイクルのための電流ＩＢ，ｎ，ｍａｘで決定され、そしてまた、値は、基板上のウェッジボンド接着部のせん断強度のための基準となる電流ＩＷ，ｎ，ｍａｘで決定される。
【００１５】
　ここでは、変えられるボンド接着パラメータの数は、ボールボンディングとウェッジボンディングとでは異なる場合があるということについて述べる必要がある。
【００１６】
　そのうえ、ここでは、さらに、本発明による方法は、異なる構造のＷｉｒｅ　Ｂｏｎｄｅｒ（ワイヤボンディング装置）への実施に適しているということについて述べる必要がある。ｘ方向にキャピラリを有するホーンを移動する伝動装置と、ｘ方向に直交するｙ方向に移動する伝動装置とを有するＷｉｒｅ　Ｂｏｎｄｅｒ（ワイヤボンディング装置）がある。予め定められた方向にホーンおよびキャピラリを移動する伝動装置と、回転軸上にホーンおよびキャピラリを回転移動する第２の伝動装置とを有するＷｉｒｅ　Ｂｏｎｄｅｒ（ワイヤボンディング装置）は、欧州特許出願ＥＰ１０９８３５６から周知である。
【００１７】
　本発明は、記述されているように、最適なボンド接着パラメータを決定するのに使用されることが可能である。ボンド接着力Ｆ、超音波変数Ｐおよび別のボンド接着パラメータＧのための最適なボンド接着パラメータＦ１、Ｐ１、Ｇ１は、製造作業が着手される前に決定される。（別のボンド接着パラメータＧの数字は、一般に、ｌより大きいので、表示Ｇｌは、対応する数字の値を表わす。）しかしながら、変更された形において、本発明は、さらに製造作業の間にボンド接着品質の現場でのモニタリングを可能にする。そのように行うために、選択されたボンド接着接続のせん断強度は、ボンド接着接続からせん断するためにキャピラリが使用されるという点で、ボンド接着接続が行われた直後にテストされ、それによって、キャピラリの伝動装置を通流する最大電流が決定される。その後、第２のボンディングプロセスは、テストの間に引き離されるボール、あるいは、ウェッジが接続ポイントに再度取り付けられるために行われる。ボンディングの間に、形成されたボール、あるいは、ウェッジは、変形され、特に、フラットに押圧される。ボンド接着接続が行われ、分離され、そして、再度、ボンド接着接続が行われるとき、その場合、結果として生ずるボール、あるいは、ウェッジは、フラットすぎて、テストされたボンド接着接続は、要求されるボンド接着品質にもはや達しない恐れがある。このために、第１のボンド接着接続を行う際に、弱いボンド接着接続を結果として生じ、そして、ボール、あるいは、ウェッジを強いほどではなく変形するボンド接着パラメータが使用される。ボンド接着接続を行い、せん断し、そして、繰り返してボンド接着接続を行うことは、それゆえ、以下のプロセスステップ：
‐ボンド接着力Ｆ、超音波変数Ｐおよび別のボンド接着パラメータＧのための予め定められた値Ｆ２、Ｐ２、Ｇ２で、接続ポイントにボンド接着接続を行うステップと、それによって、値Ｆ２、Ｐ２、Ｇ２の少なくとも１つは、対応する値Ｆ１、Ｐ１、Ｇ１未満であり、
‐以下のステップ：
　ａ）予め定められたボンド接着力Ｆ３を印加するステップと、
　ｂ）予め定められた方向にボンド接着位置からキャピラリを移動するステップと、それによって、キャピラリを移動する伝動装置を通流する電流Ｉｎ（ｔ）が、時間ｔの経過の間モニタされ、
　ｃ）電流Ｉ（ｔ）が低減するとすぐに、キャピラリの移動を停止するステップと、
　ｄ）ステップｂ）とｃ）との間に設定されている電流Ｉ（ｔ）の進行から最大電流Ｉｍａｘを決定するステップと、
により品質コントロールのためのテストを行うステップと、
‐値Ｆ１、Ｐ１、Ｇ１で、接続ポイントにボンド接着接続を行うステップと、
により行われる。
【００１８】
　本発明は、ボンド接着パラメータＦ２、Ｐ２、Ｇ２で行われるボンド接着接続のために設定された最大電流Ｉｍａｘが、ボンド接着パラメータＦ１、Ｐ１、Ｇ１で行われるボンド接着接続のために設定された最大電流Ｉｍａｘに強く相関されるという事実を使用している。これは、特に、Ｆ２＝Ｆ１、Ｇ２＝Ｇ１、そして、Ｐ２＝α＊Ｐ１である場合であり、それによって、パラメータαは、１より小である。パラメータαは、概して、０．４＜α＜０．７の範囲内にある。第１のボンド接着接続は、例えば、パラメータＦ２＝Ｆ１、Ｇ２＝Ｇ１、そして、Ｐ２＝０．５＊Ｐ１で行われる。ボンド接着品質の評定が実行可能であるために、電流Ｉｍａｘがそれ以下に低下してはいけない値は、いうまでもなく、製造を着手する前に決定される必要がある。新しいプロセスの設定は、それゆえ、第一に、ボール接続だけでなくウェッジ接続のための最適なボンド接着パラメータＦ１、Ｐ１、Ｇ１が、上記の方法により決定され（それによって、ボンド接着パラメータＧ１の数字は、０からｎになる）、次に、ボンド接着パラメータＦ２、Ｐ２、Ｇ２が選択され、そして、電流Ｉｍａｘがボンド接着パラメータＦ２、Ｐ２、Ｇ２で行われるボンド接着接続のために、それ以下に低下してはならない、対応する最小値Ｉｍａｘ，０が決定されるように行われる。
【００１９】
　製造において、ボンド接着品質について、特定の時間間隔で、あるいは、予め定められた事象の発生時に、ボンド接着接続が、本発明による方法でテストされるという点で、ここでは、モニタが可能である。得られたテスト値Ｉｍａｘは、それらがいつでも分析されることが可能なようにデータベースに格納されている。利点としては、１つ以上のテスト値Ｉｍａｘが、最小値Ｉｍａｘ，０より低いときに、製造が停止され、そして、警報が発せられる。
【００２０】
　これに反して、プロセスコントロールは、さらに、１つ以上のテスト値Ｉｍａｘが、最小値Ｉｍａｘ，０より低いときに、Ｗｉｒｅ　Ｂｏｎｄｅｒ（ワイヤボンディング装置）が、独立して、ボンド接着パラメータＦ１、Ｐ１、Ｇ１を変更するように拡大されることが可能である。
【００２１】
　下記において、本発明の実施例が、図面に基づいてより詳細に説明されている。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
　図１Ａ乃至図１Ｅは、簡単なボンド接着サイクルの異なる局面を示している：
　Ａ）キャピラリ１の先端において、そのキャピラリ１から突出するワイヤ２の端部が、ワイヤボール３に形成されている（図１Ａ）。
　Ｂ）そのワイヤボール３は、半導体チップ５の第１の接続ポイント４にボンド接着されている（ボール６）（図１Ｂ）。
　Ｃ）キャピラリ１が上昇されて、ワイヤ２が、必要とされる長さにまで引き出されている（図１Ｃ）。
　Ｄ）キャピラリ１は、予め定められた軌道を移動し、それによって、ワイヤ２が、ワイヤループ７に形成されている。
　Ｅ）そのワイヤ２は、基板９の接続ポイント８にボンド接着されている（ウェッジ１０）（図１Ｄ）。
　Ｆ）キャピラリ１が上昇され、それによって、ワイヤ２は、ウェッジボンド部１０でちぎれて、そして、ワイヤ２の短片がキャピラリ１から突出し（図１Ｅ）、そのために、その後、次のボンド接着サイクルが行われることが可能である。
【００２３】
　このボンド接着サイクルは、本発明を理解するに足る簡単なバージョンを表わしているにすぎない。とはいえ、多数のボンド接着サイクルは、個々のステップ、特に、ステップｃ）、ｄ）がさらに改良されて、市場と特許文献とにより知られている。基板９自体もまた、例えば、マルチチップモジュールにおける半導体チップとすることができる。
【００２４】
　ボールボンディングのためだけでなくウェッジボンディングのためのＷｉｒｅ　Ｂｏｎｄｅｒ（ワイヤボンディング装置）のボンド接着力Ｆ、超音波変数Ｐ、および、任意に、少なくとも１つの別のボンド接着パラメータＧのための最適なボンド接着パラメータを決定するために、多数のｎ＝ｌからｋのボンド接着サイクルが行われ、それによって、ボンド接着力ＦＢ、あるいは、ＦＷ、超音波変数ＰＢ、あるいは、ＰＷ、および、必要な場合、少なくとも１つの別のボンド接着パラメータＧＢ、あるいは、ＧＷは、予め定められた範囲内で別個のステップにおいてそれぞれ変えられる。各ボンド接着サイクルｎにおいて、ワイヤボール３を半導体チップ５の接続ポイント４に取り付け後、つまり、ステップＢ後で、ステップＣ前に、以下のステップ：
　Ｂ．ａ）予め定められたボンド接着力ＦＢｌを印加するステップと、
　Ｂ．ｂ）予め定められた水平方向にボンド接着位置からキャピラリ１を移動するステップと、それによって、キャピラリ１を動かす伝動装置を通流する電流ＩＢ，ｎ（ｔ）がモニタされ（ｔは、時間を表わす）、
　Ｂ．ｃ）電流ＩＢ，ｎ（ｔ）が低減するとすぐに、キャピラリ１の移動を停止するステップと、
　Ｂ．ｄ）ステップｂ）とｃ）との間に設定されている電流ＩＢ，ｎ（ｔ）の時間進行から最大電流ＩＢ，ｎ，ｍａｘ（ＦＢ，ｎ，ＰＢ，ｎ，ＧＢ，ｎ）を決定するステップと、それによって、変数ＦＢ，ｎ，ＰＢ，ｎ，ＧＢ，ｎは、ボンド接着サイクルｎのために設定されるボンド接着力ＦＢ、超音波変数ＰＢ、および、必要な場合、少なくとも１つの別のボンド接着パラメータＧＢのための値となり、
　Ｂ．ｅ）ボンド接着位置にキャピラリ１を移動するステップと、
　Ｂ．ｆ）半導体チップ５の接続ポイント４にワイヤボール３を取り付けるステップと、
が行われる。
【００２５】
　これらのステップは、ここでは、図２Ａ乃至図２Ｄに基づいてより詳細に説明されている。ボンド接着位置は、破線１１で表わされているので、キャピラリ１のアラインメントが、ボンド接着位置に対して見ることが可能である。図２Ａは、ワイヤボール３が、半導体チップ５の接続ポイント４にボンド接着されるときのステップＢの間の状態を示し、それによって、ボールボンド６が生成される。ワイヤボール３のボンディングは、パラメータ：ボンド接着力ＦＢ，ｎ、超音波ＰＢ，ｎ、および、必要な場合、少なくとも１つの別のボンド接着パラメータＧＢ，ｎで行われる。キャピラリ１は、接続ポイント４の上のボンド接着位置に位置されている。
【００２６】
　図２Ｂは、ステップＢ．ｂの間の状態を示している。キャピラリ１がその先端にクランプで締められている図示されていないホーンは、水平方向に移動されるか、あるいは、垂直軸上で回転されるかである。同時に、ホーンを移動、あるいは、回転する伝動装置を通流する電流Ｉが、モニタされる。その際に、キャピラリ１の先端は、半導体チップ５の接続ポイント４に取り付けられたボールを押圧する。その際に、ボールおよび接続ポイント４が、わずかに変形される場合があるので、キャピラリ１は、ボンド接着位置から少し離れて移動される。接続ポイント４にボンド接着されたボールは、しかしながら、ここでは、キャピラリ１が、そしてそれゆえホーンが、所望の移動を行うことを妨げる。キャピラリ１によって水平方向にボールに加えられる力は、最後に、ボールが、それ自体を接続ポイント４から引き離すまで、連続して増加する。キャピラリ１は、ここでは、ホーンの移動に追随することが可能であるので、伝動装置を通流する電流は、急速に低減し、その結果、ステップＢ．ｃにおけるキャピラリ１の移動は、直ちに停止される。この状態は、図２Ｃに示されている。その後、ステップＢ．ｅにおいて、キャピラリ１は、ボンド接着位置に戻され、そして、ステップＢ．ｆにおいて、ボールは、再度、半導体チップ５の接続ポイント４に取り付けられる。２つの方法は、ここでは、ステップＢ．ｂが行われることが可能な方法に関して説明されている。
【００２７】
　第１の方法によれば、Ｗｉｒｅ　Ｂｏｎｄｅｒ（ワイヤボンディング装置）は、キャピラリ１の先端をそのボンド接着位置から新しい位置に移動するように命令されている。これは、位置偏向を対応する伝動装置を通流する電流のためのコマンドに変換するコントローラによって行われる。最初に、キャピラリ１は、移動を行う際にボールによって妨げられるので、キャピラリ１の実際の位置は変わらず、設定位置と実際の位置との間の差が残存する。これにより、コントローラに電流Ｉを引き続いて増大させる。電流Ｉ（ｔ）は、ひと続きの電流値Ｉ１（ｔ），Ｉ２（ｔ＋Δｔ），．．．，Ｉｍ＋１（ｔ＋ｍ＊Δｔ）のように連続して記録され、そして、保管され、それによって、変数Δｔは、予め定められた時間の持続期間を表示する。電流値Ｉｍ＋１が、前の電流値Ｉｍ未満である場合、このことは、ボールが、それ自体を半導体チップ５の接続ポイント４から今では引き離したので、キャピラリ１が移動可能であるため、設定位置と実際の位置との間の差が小さくなっているということを意味している。その結果、ステップＢ．ｄにおいて、値ＩＢ，ｎ，ｍａｘ（ＦＢ，ｎ，ＰＢ，ｎ，ＧＢ，ｎ）＝Ｉｍが格納される。
【００２８】
　第２の方法によれば、Ｗｉｒｅ　Ｂｏｎｄｅｒ（ワイヤボンディング装置）は、キャピラリ１の伝動装置を通流する電流Ｉを引き続いて増大し、そして、同時に、ホーン、あるいは、キャピラリ１の位置をモニタするように命令されている。電流Ｉは、それゆえ、ステップΔＩ：Ｉｍ＋１＝Ｉｍ＋ΔＩにおいて連続的に増大される。各電流が増大後、ホーン、あるいは、キャピラリ１の位置がチェックされる。その位置が、予め定められた値以上まで変化するとすぐに、このことは、ボールが、それ自体を半導体チップ５の接続ポイント４から今引き離したということを意味する。その結果、ステップＢ．ｄにおいて、値ＩＢ，ｎ，ｍａｘ（ＦＢ，ｎ，ＰＢ，ｎ，ＧＢ，ｎ）＝Ｉｍが格納される。
【００２９】
　同様に、ワイヤ２を基板９の接続ポイント８に取り付け後、つまり、ステップＥ後で、ステップＦ前に、以下のステップ：
　Ｅ．ａ）予め定められたボンド接着力ＦＷ２を印加するステップと、
　Ｅ．ｂ）予め定められた水平方向にボンド接着位置からキャピラリ１を移動するステップと、それによって、キャピラリ１を移動する伝動装置を通流する電流ＩＷ，ｎ（ｔ）がモニタされ、
　Ｅ．ｃ）電流ＩＷ，ｎ（ｔ）が低減するとすぐに、キャピラリ１の移動を停止するステップと、
　Ｅ．ｄ）ステップｂ）とｃ）との間に設定されている電流ＩＷ，ｎ（ｔ）の進行から最大電流ＩＷ，ｎ，ｍａｘ（ＦＷ，ｎ，ＰＷ，ｎ，ＧＷ，ｎ）を決定するステップと、それによって、変数ＦＷ，ｎ，ＰＷ，ｎ，ＧＷ，ｎは、ボンド接着サイクルｎのために設定されるボンド接着力ＦＷ、超音波変数ＰＷ、および、必要な場合、少なくとも１つの別のボンド接着パラメータＧＷのための値となり、
　Ｅ．ｅ）ボンド接着位置にキャピラリ１を移動するステップと、
　Ｅ．ｆ）基板９の接続ポイント８にワイヤ２を取り付けるステップと、
が行われる。
【００３０】
　図３Ａ乃至図３Ｄは、ウェッジボンディングに関する４つのスナップを示している。図３Ａは、ワイヤ２が、基板９の接続ポイント８にボンド接着されるときのステップＥの間の状態を示している。ワイヤ２のボンディングは、パラメータ：ボンド接着力ＦＷ，ｎ、超音波ＰＷ，ｎ、そして、必要な場合、少なくとも１つの別のボンド接着パラメータＧＷ，ｎで行われる。
【００３１】
　図３Ｂは、ステップＥ．ｂの間の状態を示している。キャピラリ１がその先端にクランプで締められている図示されていないホーンは、水平方向に移動されるか、あるいは、垂直軸上で回転されるかである。同時に、ホーンを移動、あるいは、回転する伝動装置を通流する電流Ｉが、モニタされる。その際に、キャピラリ１の先端は、基板９の接続ポイント８にウェッジ１０のように取り付けられたワイヤ２を押圧し、そのワイヤは、キャピラリ１が、そしてそれゆえホーンが、所望の移動を行うことを妨げる。キャピラリ１によって水平方向にウェッジ１０上に加えられる力は、最後に、ウェッジ１０が、それ自体を接続ポイント８から引き離すまで、引き続いて増大される。キャピラリ１は、ここでは、ホーンの移動に追随することが可能であるので、伝動装置を通流する電流は、急速に低減し、その結果、ステップＥ．ｃにおけるキャピラリ１の移動は、直ちに停止される。この状態は、図３Ｃに示されている。その後、ステップＥ．ｅにおいて、キャピラリ１は、ボンド接着位置に戻され、そして、ステップＥ．ｆにおいて、ウェッジ１０は、再度、基板９の接続ポイント８に取り付けられる。
【００３２】
　ｎボンド接着サイクルを行った後、設定された値ＩＢ，ｎ，ｍａｘ（ＦＢ，ｎ，ＰＢ，ｎ，ＧＢ，ｎ）から、ボンド接着力ＦＢ、超音波変数ＰＢ、および、任意に、少なくとも１つの別のボンド接着パラメータＧＢのためのこれらの値は、電流ＩＢ，ｎ，ｍａｘ（ＦＢ，ｎ，ＰＢ，ｎ，ＧＢ，ｎ）が最大に達するボールボンディングのための最適なパラメータとして決定される。同様に、設定された値ＩＷ，ｎ，ｍａｘ（ＦＷ，ｎ，ＰＷ，ｎ，ＧＷ，ｎ）から、ボンド接着力ＦＷ、超音波変数ＰＷ、および、必要な場合、少なくとも１つの別のボンド接着パラメータＧＷのためのこれらの値は、電流ＩＷ，ｎ，ｍａｘ（ＦＷ，ｎ，ＰＷ，ｎ，ＧＷ，ｎ）が最大に達するウェッジボンディングのための最適なボンド接着パラメータとして決定される。
【００３３】
　ステップＢ．ｂ、あるいは、ステップＥ．ｂの間に、キャピラリ１の先端は、数マイクロメートル、概して、５マイクロメートルから１０マイクロメートルほど移動されるだけである。この移動は、ボール、あるいは、ウェッジを引き離すのに十分である、それゆえに、伝動装置を通流する電流が低減することなく、キャピラリ１の先端が、予め定められた間隔以上ほど移動したときにせん断テストを中断することが予測されることが好ましい。
【００３４】
　ステップＢ．ｅおよびステップＢ．ｆだけでなくステップＥ．ｅおよびステップＥ．ｆは、引き離されたボール、あるいは、ウェッジを対応する接続ポイントに再度取り付ける役割を果たすので、次に続くボンド接着サイクルは、機能不全なく行われることが可能である。ステップＢ．ｅおよびステップＥ．ｅは、要求がある場合、省略されることが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
　下記において、本発明の実施例が、図面に基づいてより詳細に説明されている。
【図１】Ａ〜Ｅは簡単なボンド接着サイクルの異なる局面を示している。
【図２】Ａ〜Ｄはボールボンド接着部のせん断強度を決定する間の異なるスナップを示している。
【図３】Ａ〜Ｄはウェッジボンド接着部のせん断強度を決定する間の異なるスナップを示している。
【符号の説明】
【００３６】
　　１　　キャピラリ
　　２　　ワイヤ
　　３　　ワイヤボール
　　４　　第１の接続ポイント
　　５　　半導体チップ
　　６　　ボールボンド
　　８　　接続ポイント
　　９　　基板
　１０　　ウェッジボンド部　ウェッジ
　１１　　破線
【図１】
2004140357.tif 000003
【図２】
2004140357.tif 000004
【図３】
2004140357.tif 000005