(57)【要約】【課題】高精度にエッチングの終点を検出することができるエッチング終点検出方法およびエッチング終点検出装置を提供する。【解決手段】プラズマエッチング工程において、ウェハ２１外周部に形成したパッド２２ａ，２２ｂを通して交流電圧を測定することにより、ウェハ２１のエッチング終点を検出する。この方法では、交流電圧が所定のしきい値を下回った時点をウェハ２１のエッチング終点とする。また、プラズマエッチング工程では、配線層の上にライナー層を介して設けた絶縁層に配線層につながるビアおよびトレンチを形成するデュアルダマシントレンチエッチング工程が行われる。【選択図】　　　　図２
2004140233.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマエッチング工程において、ウェハ外周縁部に形成したパッドを通して交流電圧を測定することにより、前記ウェハのエッチング終点を検出するエッチング終点検出方法。
【請求項２】
交流電圧が所定の閾値を下回った時点をウェハのエッチング終点とすることを特徴とする請求項１記載のエッチング終点検出方法。
【請求項３】
プラズマエッチング工程は、ウェハに設けられた配線層の上にライナー層を介して設けた絶縁層に前記配線層につながるビアおよびトレンチを形成するデュアルダマシントレンチエッチング工程であり、パッドが前記配線層に接続されている請求項１または２記載のエッチング終点検出方法。
【請求項４】
パッドが第１および第２のパッドの２種類からなり、配線層が前記第１のパッドにつながる第１の配線と前記第２のパッドにつながる第２の配線とに分けられ、前記第１の配線上に設けられるビアの個数と前記第２の配線上に設けられるビアの個数が異なり、前記第１および第２のパッド間に現れる電位差を交流電圧として測定する請求項３記載のエッチング終点検出方法。
【請求項５】
プラズマエッチング装置の基板電極の外周縁部付近に設置した交流電圧測定用接続部と、外周縁部に交流電圧を測定するためのパッドを形成したウェハの前記パッドの上部に前記交流電圧測定用接続部を接触させたときに、前記交流電圧測定用接続部に現れる交流電圧を測定する交流電圧測定器とを備え、前記交流電圧測定器による測定値からエッチングの終点を検出することを特徴とする終点検出装置。
【請求項６】
交流電圧が所定の閾値を下回った時点をエッチングの終点とする終点検出制御部を設けた請求項５記載のエッチング終点検出装置。
【請求項７】
プラズマエッチング装置は、ウェハに設けられた配線層の上にライナー層を介して設けた絶縁層に前記配線層につながるビアおよびトレンチを形成するデュアルダマシントレンチエッチングを行い、パッドが前記配線層に接続されている請求項５または６記載のエッチング終点検出装置。
【請求項８】
パッドが第１および第２のパッドの２種類からなり、配線層が前記第１のパッドにつながる第１の配線と前記第２のパッドにつながる第２の配線とに分けられ、前記第１の配線上に設けられるビアの個数と前記第２の配線上に設けられるビアの個数が異なり、前記第１および第２のパッド間に現れる電位差を交流電圧として測定する請求項７記載のエッチング終点検出装置。
【請求項９】
マトリクス状に整列配列した製品回路パターンの間のスクライブライン上にエッチング終点検出用の終点検出配線パターンを形成し、外周縁部に前記終点検出配線パターンにつながるパッドを設けたウェハ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、プラズマ処理装置のエッチング終点を検出するためのエッチング終点検出方法およびエッチング終点検出装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
半導体製品のＬＳＩ（大規模集積回路）製造において、ダマシントレンチのエッチング工程では、そのエッチングでの下地Ｃｕ配線露出で、その表面が腐食し、その腐食がＬＳＩ製品の歩留や信頼性を悪化させていた。
【０００３】
Ｃｕ表面の腐食を防ぐためには、ダマシントレンチのエッチング深さ加工に対し、ＳｉＮライナー膜とＣｕ配線の界面付近でエッチング止めする高い加工制御技術が要求される。エッチングの深さを制御性良く加工するためには、その終点検出が必要である。
【０００４】
従来の終点検出技術として一般に用いられる方法が発光分光による終点検出方法である。これは、エッチング中にプラズマ化した反応生成物等の発光スペクトル強度をモニタリングし、時間的な発光強度変化からエッチング状態の変化を読み取りエッチング終点を判定する手法である（例えば、特許文献１参照）。
【０００５】
図１９（ａ），（ｂ）に、ＳｉＮ膜エッチングに利用する一般的な発光分光強度（ＣＮ：波長３８７ｎｍ）のエッチング時間依存特性のグラフの一例を示す。
図１９（ａ），（ｂ）においては、縦軸にＥＰＤ発光スペクトル強度（任意単位）をとり、横軸にエッチング時間（任意単位）をとっている。なお、上記の記号ＣＮは、化学記号で炭素（Ｃ）と窒素（Ｎ）の結合体を意味する。また、記号ＥＰＤは、エンドポイントディテクタ（Ｅｎｄ　Ｐｏｉｎｔ　Ｄｅｔｅｃｔｏｒ）の略である。
【０００６】
発光強度が低下する箇所をＳｉＮ膜が無くなる状態（ジャストエッチ）と判定し、さらにその後、ＳｉＮ膜の残渣除去のためオーバーエッチ処理を施しエッチングの終点とする。発光分光で終点検出するためには、図１９（ａ）に示すように、エッチング状態の変化に対応する発光強度の変化を得ることが必須である。
【０００７】
【特許文献１】
特開平１０−２６００７９号公報（第３〜５頁、第１図）
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、ダマシントレンチエッチングにおいては、ウェハ表面当たりのビアの開口総面積が少なく、かつ下地のＳｉＮライナー膜が薄い。そのため、上述のような終点検出方法では、ダマシントレンチエッチングにおけるＳｉＮライナーエッチングの場合には、エッチング状態の変化に対応する発光強度の変化が少なく、高精度のエッチング終点判定が大変難しいという問題を有している。また、光学的に検出、判定を行うため、大がかりな検出判定装置が必要で、判定が容易でなかった。
【０００９】
図２０に示すＣｕ配線を用いたデュアルダマシントレンチエッチングのエッチングプロセスフローを例に、その具体例を説明する。図２０に示す構造の各膜は、ＳｉＯＮ膜から成るＡＲＬ（ａｎｔｉ−ｒｅｆｌｅｃｔｉｖｅ　ｌａｙｅｒ）２０１、高密度のプラズマＣＶＤにより形成したＦＳＧ（フッ素添加のｓｉｌｉｃａｔｅ　ｇｌａｓｓ）２０２、プラズマＣＶＤにより形成されたシリコン酸化膜（ｔｅｔｒａ　ｅｔｈｏｘｙ　ｓｉｌａｎｅより生成）であるｐ−ＴＥＯＳ２０３、プラズマＣＶＤにより形成されたＳｉＮライナー膜２０４である。２０５はＣｕ配線である。なお、Ｃｕ配線２０５の両側の層はＦＳＧで形成されている。
【００１０】
Ｃｕ配線を用いたデュアルダマシントレンチエッチングのエッチングプロセスフローは、図２０（ａ）に示すビアエッチング工程、図２０（ｂ）に示すトレンチエッチング工程、図２０（ｃ）に示すライナーエッチング工程の順に行う。図２０（ａ）のビアエッチング工程と図２０（ｂ）のトレンチエッチング工程では、各々レジストマスク２０８をパターニングする。
【００１１】
トレンチエッチングにおいては、図２０（ｂ）の状態とは異なり実際にＳｉＮライナー膜２０４が抜けてしまっている場合でも、図１９（ｂ）に示すように、従来の光学式終点検出装置では、発光強度（例えばＣＮ：波長３８７ｎｍ）の変化は大変小さい。そのため、ＳｉＮライナー膜２０４が抜ける直前での判定が困難である。
【００１２】
このため、ダマシントレンチエッチングには、Ｃｕ配線２０５とＳｉＮライナー膜２０４との界面を検知する有効な終点検出方法がなく、そのため、その終点検出方法が望まれていた。
【００１３】
本願発明は上記課題に鑑み、高精度にかつ容易にエッチングの終点を検出することができるエッチング終点検出方法およびエッチング終点検出装置を提供することを目的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、本発明のエッチング終点検出方法は、プラズマエッチング工程において、ウェハ外周縁部に形成したパッドを通して交流電圧を測定することにより、ウェハのエッチング終点を検出する方法である。この方法では、交流電圧が所定の閾値を下回った時点をウェハのエッチング終点とすることが好ましい。また、プラズマエッチング工程では、例えば、ウェハに設けられた配線層の上にライナー層を介して設けた絶縁層に配線層につながるビアおよびトレンチを形成するデュアルダマシントレンチエッチング工程が行われ、パッドは配線層に接続されている。さらに、上記のプラズマエッチングの場合に、例えば、パッドが第１および第２のパッドの２種類からなり、配線層が第１のパッドにつながる第１の配線と第２のパッドにつながる第２の配線とに分けられ、第１の配線上に設けられるビアの個数と第２の配線上に設けられるビアの個数が異なり、第１および第２のパッド間に現れる電位差を交流電圧として測定する。
【００１５】
この方法によれば、エッチングの進行に伴って交流電圧が大きく変化するので、交流電圧を測定することによりエッチングの終点を精度よく検出することができ、エッチング掘れ量の加工精度を向上させ、半導体製品製造の歩留り向上を実現できるものである。
【００１６】
しかも、交流電圧の測定によってエッチング終点を検出するので、エッチング時の発光強度の変化を検出するのに比べてエッチング終点を容易に検出することができる。
【００１７】
例えば、ダマシントレンチエッチングを行う場合、その進行に伴うＳｉＮライナー膜の厚みの変化に応じて交流電圧が大きく変化するので、交流電圧を測定することにより、ダマシントレンチエッチングでのＣｕ配線とＳｉＮライナー膜の界面付近で精度よくエッチング止めを行うことが可能で、エッチング掘れ量の加工精度を向上させ、半導体製品製造の歩留り向上を実現できるものである。
【００１８】
また、本発明のエッチング終点検出装置は、プラズマエッチング装置の基板電極の外周縁部付近に設置した交流電圧測定用接続部と、外周縁部に交流電圧を測定するためのパッドを形成したウェハのパッドの上部に交流電圧測定用接続部を接触させたときに、交流電圧測定用接続部に現れる交流電圧を測定する交流電圧測定器とを備え、交流電圧測定器による測定値からエッチングの終点を検出する。この装置では、交流電圧が所定の閾値を下回った時点をエッチングの終点とする終点検出制御部を設けることが好ましい。また、プラズマエッチング装置は、ウェハに設けられた配線層の上にライナー層を介して設けた絶縁層に配線層につながるビアおよびトレンチを形成するデュアルダマシントレンチエッチングを行うのに使用され、パッドは配線層に接続されている。
【００１９】
この構成によれば、エッチングの進行に伴って交流電圧が大きく変化するので、交流電圧を測定することによりエッチングの終点を精度よく検出することができ、エッチング掘れ量の加工精度を向上させ、半導体製品製造の歩留り向上を実現できるものである。
【００２０】
しかも、交流電圧の測定によってエッチング終点を検出するので、エッチング時の発光強度の変化を検出するのに比べてエッチング終点を容易に検出することができる。
【００２１】
例えば、ダマシントレンチエッチングを行う場合、その進行に伴うＳｉＮライナー膜の厚みの変化に応じて交流電圧が大きく変化するので、交流電圧を測定することにより、ダマシントレンチエッチングでのＣｕ配線とＳｉＮライナー膜の界面付近で精度よくエッチング止めを行うことが可能で、エッチング掘れ量の加工精度を向上させ、半導体製品製造の歩留り向上を実現できるものである。
【００２２】
本発明のウェハは、マトリクス状に整列配列した製品回路パターンの間のスクライブライン上にエッチング終点検出用の終点検出配線パターンを形成し、周縁部分に前記終点検出配線パターンにつながるパッドを設けている。
【００２３】
この構成によれば、終点検出配線パターンおよびパッドを利用してエッチング終点検出を行うことができる。
【００２４】
【発明の実施の形態】
（第１の実施の形態）
本発明の第１の実施の形態について図１を用いて説明する。
【００２５】
図１に示すＣｕ配線を用いたデュアルダマシントレンチエッチングのエッチングプロセスフローを例に、その具体例を説明する。図１に示す構造の各膜は、ＳｉＯＮ膜から成るＡＲＬ（ａｎｔｉ−ｒｅｆｌｅｃｔｉｖｅ　ｌａｙｅｒ）１１、高密度のプラズマＣＶＤにより形成したＦＳＧ（フッ素添加のｓｉｌｉｃａｔｅ　ｇｌａｓｓ）１２、プラズマＣＶＤにより形成されたシリコン酸化膜（ｔｅｔｒａ　ｅｔｈｏｘｙ　ｓｉｌａｎｅ　より生成）であるｐ−ＴＥＯＳ１３、プラズマＣＶＤにより形成されたＳｉＮライナー膜１４である。１５はＣｕ配線である。１６はビア、１７はトレンチ、１８はレジストマスクである。なお、Ｃｕ配線１５の両側の層はＦＳＧで形成されている。
【００２６】
図１に示す構造の各種膜厚は、ＳｉＯＮ膜から成るＡＲＬ（ａｎｔｉ−ｒｅｆｌｅｃｔｉｖｅ　ｌａｙｅｒ）１１が８０ｎｍ、高密度のプラズマＣＶＤにより形成したＦＳＧ（フッ素添加のｓｉｌｉｃａｔｅ　ｇｌａｓｓ）１２が３００ｎｍ、プラズマＣＶＤにより形成されたシリコン酸化膜（ｔｅｔｒａ　ｅｔｈｏｘｙ　ｓｉｌａｎｅより生成）ｐ−ＴＥＯＳ１３が４００ｎｍ、プラズマＣＶＤにより形成されたＳｉＮライナー膜１４が１６０ｎｍである。また、レジストマスク１８のパターニング時膜厚は５００ｎｍである。
【００２７】
Ｃｕ配線を用いたデュアルダマシントレンチエッチングのエッチングプロセスフローは図１に示す通りで、図１（ａ）のビアエッチング工程、図１（ｂ）のトレンチエッチング工程、図１（ｃ）のライナーエッチング工程の順に行う。図１（ａ）のビアエッチング工程と図１（ｂ）のトレンチエッチング工程では、各々レジストマスク１８をパターニングする。
【００２８】
本実施の形態では、図１（ｂ）のトレンチエッチング工程でＳｉＮライナー膜１４が抜ける直前でのエッチング止めする場合について説明する。なお、図１（ｃ）のライナーエッチング工程は図示しない別エッチング装置で処理する。
【００２９】
本発明の第１の実施の形態では、図２に示すようなウェハ２１が使用される。
このウェハ２１は、外周縁部４隅に、交流電圧を測定するための第１パッド２２ａと第２パッド２２ｂを各々２つ有している。また、ウェハ２１は、製品回路パターン２３同士の間に第１終点検出配線パターン２４ａおよび第２終点検出配線パターン２４ｂが形成されている。第１終点検出配線パターン２４ａおよび第２終点検出配線パターン２４ｂは、Ｃｕ配線１５と同じ配線層で形成され、ウェハ２１の表面に例えば４個の領域に分かれて張り巡らされている。パッド２２もＣｕ配線１５と同じ配線層で形成され、第１終点検出配線パターン２４ａと第２終点検出配線パターン２４ｂは各々、第１パッド２２ａと第２パッド２２ｂに電気的につながっている。
【００３０】
上記の終点検出配線パターン２４ａ，２４ｂは、ウェハ２１を製品回路パターン２３が形成されたチップ毎に分割するときのスクライブライン上に設けられており、ウェハ２１上における製品回路パターン２３の形成領域を狭めることがないようにしている。つまり、終点検出配線パターン２４ａ，２４ｂをウェハ２１に形成したことによって、ウェハ２１上に形成される製品回路パターン２３の個数が少なくなることがないようにしている。
【００３１】
ここで、第１終点検出配線パターン２４ａと第２終点検出配線パターン２４ｂとの違いは、第１終点検出配線パターン２４ａの方が、第２終点検出配線パターン２４ｂよりも多数のビアを含むことである。つまり、トレンチの一定長さ当たりのビアの個数が異なるということである。
【００３２】
第１終点検出配線パターン２４ａおよび第２終点検出配線パターン２４ｂの一部の微細構造断面図を図３に示す。図３（ａ）の断面図はエッチング前の状態を示し、図３（ｂ）の断面図はエッチング後の状態を示す。なお、第１終点検出配線パターン２４ａおよび第２終点検出配線パターン２４ｂは同じ断面形状を有している。
【００３３】
図３に示す構造の各種膜厚は、ＳｉＯＮ膜から成るＡＲＬ（ａｎｔｉ−ｒｅｆｌｅｃｔｉｖｅ　ｌａｙｅｒ）３１が８０ｎｍ、高密度のプラズマＣＶＤにより形成したＦＳＧ（フッ素添加のｓｉｌｉｃａｔｅ　ｇｌａｓｓ）３２が３００ｎｍ、プラズマＣＶＤにより形成されたシリコン酸化膜（ｔｅｔｒａ　ｅｔｈｏｘｙ　ｓｉｌａｎｅより生成）ｐ−ＴＥＯＳ３３が４００ｎｍ、プラズマＣＶＤにより形成されたＳｉＮライナー膜３４が１６０ｎｍである。また、図３（ａ）および図３（ｂ）のレジストマスク３８のパターニング時膜厚は５００ｎｍである。
【００３４】
図３には図示しない第１パッド２２ａおよび第２パッド２２ｂとそれぞれ電気的につながるＣｕ配線（ＴａＮ上にシードとしてＣｕをスパッタし、その後メッキにてＣｕ層を形成）３５上にＳｉＮライナー膜３４を介し多数のビア（Ｖｉａ）３６が形成されている。
【００３５】
トレンチ３７のプラズマエッチングは、ＡＲＬエッチングステップとメインエッチングステップの２ステップエッチングであり、ＡＲＬエッチングステップはＡＲＬ３１の膜をエッチングするステップで、メインエッチングステップはＦＳＧ３２とｐ−ＴＥＯＳ３３の一部をエッチングするステップである。
【００３６】
本実施の形態のエッチング反応室はＲＦ１３．５６ＭＨｚの平行平板ＲＩＥである。ＡＲＬエッチングステップの条件は、圧力設定が１３Ｐａ、ＲＦ（高周波）パワー設定が８００Ｗ、反応ガス流量がＡｒ／ＣＦ４／Ｏ２＝２００ｓｃｃｍ／５０ｓｃｃｍ／１０ｓｃｃｍ、基板電極温度設定が４０℃である。
【００３７】
また、メインエッチングステップの条件は、圧力設定が１３Ｐａ、ＲＦパワー設定が１７００Ｗ、反応ガス流量がＡｒ／Ｃ４Ｆ８／Ｏ２＝８００ｓｃｃｍ／２０ｓｃｃｍ／２０ｓｃｃｍ、基板電極温度設定が４０℃である。
【００３８】
トレンチ３７のエッチング中に、図３（ｂ）の断面図に示すように、ＳｉＮライナー膜３４が薄くなり、エッチングを継続すると、そのＳｉＮライナー膜３４は抜け、Ｃｕ配線３５の表面が露出する。
【００３９】
上記のウェハ２１は、プラズマエッチング装置としての図４に示すようなエッチング反応室１００における基板電極４１の上まで図示しない搬送系で搬送され、基板電極４１が移動し、ウェハ２１上の第１パッド２２ａおよび第２パッド２２ｂ（図示せず）が外周リング４３に、つまり基板電極４１の外周縁部付近に設けたパッド押え４２（第１パッド押え４２ａおよび第２パッド押え４２ｂ）の電極と接触し、これによってウェハ２１は基板電極４６上に固定される。図４において、４４はウェハ２１の上方に存在するプラズマ、４５はマッチングボックス、４６はＲＦ電源である。矢符Ａは基板電極移動方向を示している。矢符Ｂはパッドピンに現れる交流電圧が図示しない終点検出制御部へ送られることを示している。
【００４０】
また、図５に示すように、ウェハ２１上の第１パッド２２ａおよび第２パッド２２ｂは、第１パッド押え４２ａおよび第２パッド押え４２ｂでそれぞれ上から覆われる。
【００４１】
そして、エッチングの終点検出のために、図６に示すように、終点検出回路を構成し、交流電圧測定器６２で交流電圧を測定し、その測定値を図示しない終点検出の制御部に伝達する。
【００４２】
図６において、２１ａは第１パッド２２ａ付近のウェハの部分を示し、２１ｂは第２パッド２２ｂ付近のウェハの部分を示し、２１ｃは第１終点検出配線パターン２４ａ付近のウェハの部分を示し、２１ｄは第２終点検出配線パターン２４ｂ付近のウェハの部分を示している。
【００４３】
２２ａは第１パッド、２２ｂは第２パッド、３６ａは第１終点検出配線パターン２４ａのビア、３６ｂは第２終点検出配線パターン２４ｂのビア、３７ａは第１終点検出配線パターン２４ａのトレンチ、３７ｂは第２終点検出配線パターン２４ｂのトレンチである。４２ａは第１パッド押えであり、ウェハに接触する面（パッド対面部分）に例えばＰｔ等からなる腐食しにくい膜状もしくは板状の導電体からなる電極４２ｃが形成されている。４２ｂは第２パッド押えであり、ウェハに接触する面（パッド対面部分）に例えばＰｔ等からなる腐食しにくい膜状もしくは板状の導電体からなる電極４２ｄが形成されている。４４はプラズマ、６１は交流等価電源である。
【００４４】
６３ａは第１終点検出配線パターン２４ａのビア並列容量（Ｃｘ）、６３ｂは第２終点検出配線パターン２４ｂのビア並列容量（Ｃｙ）である。６４ａは第１終点検出配線パターン２４ａのパッド容量（Ｃ１）、６４ｂは第２終点検出配線パターン２４ｂのパッド容量（Ｃ２）である。６５ａは第１終点検出配線パターン２４ａ側の終点検出回路抵抗（Ｒ１）、６５ｂは第２終点検出配線パターン２４ｂ側の終点検出回路抵抗（Ｒ２）である。６６ａは第１終点検出配線パターン２４ａ側の終点検出回路容量（Ｃ３）、６６ｂは第２終点検出配線パターン２４ｂ側の終点検出回路容量（Ｃ４）である。６７ａは第１終点検出配線パターン２４ａ側の終点検出回路可変抵抗（Ｒ３）、６７ｂは第２終点検出配線パターン２４ｂ側の終点検出回路可変抵抗（Ｒ４）である。
【００４５】
ここで、プラズマ４４中の電子あるいはイオンの移動を交流電源の等価回路と見なす。
【００４６】
以上のように構成されたエッチング終点検出回路において、以下にそのエッチング終点検出方法について説明する。
【００４７】
ＲＦパワー印加により図４に示すエッチング反応室１００の内部でプラズマ４４が発生し、ビア３６内のＳｉＮライナー膜３４はエッチングされて薄くなる。
各ビア３６にはプラズマからのイオンあるいは電子による電荷の授受がＲＦ周波数により周期的かつ定常的に行われ、これは電気的に交流等価電源（Ｅ）６１から電圧が印加されていることと等価になる。
【００４８】
図６に示すように、第１終点検出配線パターン２４ａと第２ビア終点検出配線パターン２４ｂとはビア３６の個数が異なるため、第１終点検出配線パターン２４ａのビア並列容量６３ａ（Ｃｘ）と第２終点検出配線パターン２４ｂのビア並列容量６３ｂ（Ｃｙ）は互いに異なる。
【００４９】
図６に示す回路図を等価回路に示すと図７になる。ここで、第１終点検出配線パターン２４ａのビア並列容量６３ａ（Ｃｘ）および第２終点検出配線パターン２４ｂのビア並列容量６３ｂ（Ｃｙ）以外の回路等価素子が等しいとする（Ｃ１＝Ｃ２、Ｚ１＝Ｚ２（Ｒ１＝Ｒ２、Ｃ３＝Ｃ４）、Ｒ３＝Ｒ４）。
【００５０】
ここで、図７の等価回路における各容量Ｃｘ，Ｃｙ，Ｃ１ｘ，Ｃ２ｘ、Ｚ１，Ｚ２および交流電圧測定器６２に現れる電位差Ｄを以下に数式で示す。ただし、Ｉ１は第１終点検出配線パターン２４ａに流れる電流、Ｉ２は第２終点検出配線パターン２４ｂに流れる電流である。ｋ１は第１終点検出配線パターン２４ａにおけるビアの個数、ｋ２は第２終点検出配線パターン２４ｂにおけるビアの個数であり、ｋ１＞ｋ２である。
【００５１】
【数１】
2004140233.tif 000003
【００５２】
【数２】
2004140233.tif 000004
【００５３】
【数３】
2004140233.tif 000005
【００５４】
【数４】
2004140233.tif 000006
【００５５】
【数５】
2004140233.tif 000007
【００５６】
【数６】
2004140233.tif 000008
【００５７】
【数７】
2004140233.tif 000009
【００５８】
ビア３６（３６ａ，３６ｂ）のＳｉＮライナー膜３４が薄くなるにつれ、ビア並列容量Ｃｘ，Ｃｙが変化し、（数７）に示すように、交流電圧測定器６２の箇所で電位差Ｄが生じる。その交流電圧測定器６２で測定される電位差Ｄに対し、所定の閾値を設定し、電位差Ｄが上記閾値を下回った時点をエッチングの終点とし、エッチングを終了させるようにプラズマエッチング装置を制御する。
【００５９】
本実施の形態では、図３（ｂ）に示すようなトレンチエッチング工程でＳｉＮライナー膜３４が抜ける直前でのエッチング止めをするが、閾値判定により、ＳｉＮライナー膜３４が抜ける前にエッチング停止を行うことも可能である。
【００６０】
図６に示す終点検出回路による交流電位差測定の一例を図８に示す。図８は、縦軸に交流電圧絶対値（任意単位）をとり、横軸にエッチング時間（任意単位）をとっている。
【００６１】
トレンチエッチングを行うと、エッチング時間に対し、ＳｉＮライナー膜３４が薄くなり、さらにエッチングを継続するとＳｉＮライナー膜３４は突き抜ける。それに伴い交流電圧測定器６２の電位差は無くなる。終点に対応した閾値については、交流電圧の絶対値と断面形状評価等で得られるＳｉＮライナー膜３４の残膜厚との相関をとり、最適値を設定すればよい。
【００６２】
以上のように、この実施の形態は、プラズマエッチング工程において、ウェハ２１の外周縁部に形成したパッド２２ａ，２２ｂを通して交流電圧を測定することにより、ウェハ２１のエッチング終点を検出する方法であり、ダマシントレンチエッチングでのＣｕ配線３５とＳｉＮライナー膜３４の界面付近でエッチング止めすることができる。
【００６３】
なお、以上の発明においては、図３（ｂ）に示すように、トレンチエッチング工程でＳｉＮライナー膜３４が抜ける直前でのエッチング止めする場合について説明したが、図９に示すようにＳｉＮライナー膜３４を抜いた状態までエッチングを継続しても同様の効果が得られることは言うまでも無い。
【００６４】
また、本実施の形態の終点検出回路は一例であって、他の電気及び電子回路を用いて、電位差やインピーダンスあるいは信号の変化等から求めても良い。
【００６５】
本実施の形態によれば、ダマシントレンチエッチングの進行に伴うＳｉＮライナー膜３４の厚みの変化に応じて直流リーク電流が大きく変化するので、直流リーク電流を測定することにより、ダマシントレンチエッチングでのＣｕ配線３５とＳｉＮライナー膜３４の界面付近で精度よくエッチング止めを行うことが可能で、エッチング掘れ量の加工精度を向上させることができる。
【００６６】
しかも、リーク電流の測定によってエッチング終点を検出するので、エッチング時の発光強度の変化を検出するのに比べてエッチング終点を容易に検出することができる。
【００６７】
本実施の形態では、ダマシントレンチエッチングの終点検出方法として述べたが、これ以外のエッチングの場合にも、エッチング終点の検出に利用することができる。たとえば、レート換算で求めたエッチング時間を通常の終点とした場合での過剰エッチングリミッターの検出方法として使用しても良い。以下、この点について具体的に説明する。
【００６８】
上記で説明した終点検出の場合と、エッチングリミッターとして使用する場合とで、構成は、全く同じである。エッチング加工の終点をＥＰＤにするか、時間にするかの違いである。時間で止める場合、ＳｉＮライナー膜３４の抜けが心配されるので、終点時間がまだでも、リミッターで検知したならエッチングを終了させる。例えば、図３（ｂ）のエッチングで、トレンチ３７を時間固定で加工する場合である。この固定時間はエッチレート換算で求める。トレンチ３７のエッチングでも、何らかの影響でエッチングレートが変動した場合、ＳｉＮライナー膜３４が抜けてしまう可能性がある。そうした場合は、エッチングリミッターとして使える。また、図３（ａ）のビア３６のような場合でも、時間固定が加工するので、同様のことが言える。
【００６９】
また、上記の実施の形態では、下地配線がＣｕの場合について説明したが、これに限らず、Ａｌ等の場合にも本発明を適用できる。
（第２の実施の形態）
本発明の第２の実施の形態について図１０を参照しながら説明する。
【００７０】
図１０に示すＣｕ配線を用いたデュアルダマシントレンチエッチングのエッチングプロセスフローを例に、その具体例を説明する。図１０に示す構造の各膜は、ＳｉＯＮ膜から成るＡＲＬ（ａｎｔｉ−ｒｅｆｌｅｃｔｉｖｅ　ｌａｙｅｒ）１０１、高密度のプラズマＣＶＤにより形成したＦＳＧ（フッ素添加のｓｉｌｉｃａｔｅ　ｇｌａｓｓ）１０２、プラズマＣＶＤにより形成されたシリコン酸化膜（ｔｅｔｒａ　ｅｔｈｏｘｙ　ｓｉｌａｎｅ　より生成）であるｐ−ＴＥＯＳ１０３、プラズマＣＶＤにより形成されたＳｉＮライナー膜１０４である。１０５はＣｕ配線である。１０６はビア、１０７はトレンチ、１０８はレジストマスクである。なお、Ｃｕ配線１０５の両側の層はＦＳＧで形成されている。
【００７１】
図１０に示す構造の各種膜厚は、ＳｉＯＮ膜から成るＡＲＬ（ａｎｔｉ−ｒｅｆｌｅｃｔｉｖｅ　ｌａｙｅｒ）１０１が８０ｎｍ、高密度のプラズマＣＶＤにより形成したＦＳＧ（フッ素添加のｓｉｌｉｃａｔｅ　ｇｌａｓｓ）１０２が３００ｎｍ、プラズマＣＶＤにより形成されたシリコン酸化膜（ｔｅｔｒａ　ｅｔｈｏｘｙ　ｓｉｌａｎｅより生成）ｐ−ＴＥＯＳ１０３が４００ｎｍ、プラズマＣＶＤにより形成されたＳｉＮライナー膜１０４が１６０ｎｍである。また、レジストマスク１０８のパターニング時膜厚は５００ｎｍである。
【００７２】
Ｃｕ配線を用いたデュアルダマシントレンチエッチングのエッチングプロセスフローは、図１０に示す通りで、図１０（ａ）のビアエッチング工程、図１０（ｂ）のトレンチエッチング工程、図１０（ｃ）のライナーエッチング工程の順に行う。図１０（ａ）のビアエッチング工程と図１０（ｂ）のトレンチエッチング工程では、各々レジストマスク１０８をパターニングする。
【００７３】
本実施の形態では、図１０（ｂ）のトレンチエッチング工程でＳｉＮライナー膜１０４が抜ける直前でのエッチング止めする場合について説明する。なお、図１０（ｃ）のライナーエッチング工程は図示しない別エッチング装置で処理する。
【００７４】
本発明の第２の実施の形態では、図１１に示すようなウェハ１１１が使用される。このウェハ１１１は、外周縁部４隅に、交流電圧を測定するための第１パッド１１２ａと第２パッド１１２ｂを各々２つ有している。また、ウェハ１１１は、製品回路パターン１１３同士の間に第１終点検出配線パターン１１４ａおよび第２終点検出配線パターン１１４ｂが形成されている。第１終点検出配線パターン１１４ａおよび第２終点検出配線パターン１１４ｂは、Ｃｕ配線１０５と同じ配線層で形成され、ウェハ１１１の表面に例えば４個の領域に分かれて張り巡らされている。第１パッド１１２ａおよび第２パッド１１２ｂもＣｕ配線１０５と同じ配線層で形成され、第１終点検出配線パターン１１４ａと第２終点検出配線パターン１１４ｂは各々、第１パッド１１２ａと第２パッド１１２ｂに電気的につながっている。
【００７５】
上記の終点検出配線パターン１１４ａ，１１４ｂは、ウェハ１１１を製品回路パターン１１３が形成されたチップ毎に分割するときのスクライブライン上に設けられており、ウェハ１１１上における製品回路パターン１１３の形成領域を狭めることがないようにしている。つまり、終点検出配線パターン１１４ａ，１１４ｂをウェハ１１１に形成したことによって、ウェハ２１上に形成される製品回路パターン１１３の個数が少なくなることがないようにしている。
【００７６】
ここで、第１終点検出配線パターン１１４ａと第２終点検出配線パターン１１４ｂとの違いは、第１終点検出配線パターン１１４ａの方が、第２終点検出配線パターン１１４ｂよりも多数のビアを含むことである。つまり、トレンチの一定長さ当たりのビアの個数が異なるということである。
【００７７】
第１終点検出配線パターン１１４ａおよび第２終点検出配線パターン１１４ｂの一部の微細構造断面図を図１２に示す。図１２（ａ）の断面図はエッチング前の状態を示し、図１２（ｂ）の断面図はエッチング後の状態を示す。なお、第１終点検出配線パターン１１４ａおよび第２終点検出配線パターン１１４ｂは同じ断面形状を有している。
【００７８】
図１２に示す構造の各種膜厚は、ＳｉＯＮ膜から成るＡＲＬ（ａｎｔｉ−ｒｅｆｌｅｃｔｉｖｅ　ｌａｙｅｒ）１２１が８０ｎｍ、高密度のプラズマＣＶＤにより形成したＦＳＧ（フッ素添加のｓｉｌｉｃａｔｅ　ｇｌａｓｓ）１２２が３００ｎｍ、プラズマＣＶＤにより形成されたシリコン酸化膜（ｔｅｔｒａ　ｅｔｈｏｘｙ　ｓｉｌａｎｅより生成）ｐ−ＴＥＯＳ１２３が４００ｎｍ、プラズマＣＶＤにより形成されたＳｉＮライナー膜１２４が１６０ｎｍである。また、図１２（ａ）および図１２（ｂ）のレジストマスク１２８のパターニング時膜厚は５００ｎｍである。
【００７９】
図１２には図示しない第１パッド１１２ａおよび第２パッド１１２ｂとそれぞれ電気的につながるＣｕ配線（ＴａＮ上にシードとしてＣｕをスパッタし、その後メッキにてＣｕ層を形成）１２５上にＳｉＮライナー膜１２４を介し多数のビア１２６が形成されている。
【００８０】
トレンチ１２７のプラズマエッチングは、ＡＲＬエッチングステップとメインエッチングステップの２ステップエッチングであり、ＡＲＬエッチングステップはＡＲＬ１２１の膜をエッチングするステップで、メインエッチングステップはＦＳＧ１２２とｐ−ＴＥＯＳ１２３の一部をエッチングするステップである。
【００８１】
本実施の形態のエッチング反応室はＲＦ１３．５６ＭＨｚの平行平板ＲＩＥである。ＡＲＬエッチングステップの条件は、圧力設定が１３Ｐａ、ＲＦ（高周波）パワー設定が８００Ｗ、反応ガス流量がＡｒ／ＣＦ４／Ｏ２＝２００ｓｃｃｍ／５０ｓｃｃｍ／１０ｓｃｃｍ、基板電極温度設定が４０℃である。
【００８２】
また、メインエッチングステップの条件は、圧力設定が１３Ｐａ、ＲＦパワー設定が１７００Ｗ、反応ガス流量がＡｒ／Ｃ４Ｆ８／Ｏ２＝８００ｓｃｃｍ／２０ｓｃｃｍ／２０ｓｃｃｍ、基板電極温度設定が４０℃である。
【００８３】
トレンチ１２７のエッチング中に、図１２（ｂ）の断面図に示すように、ＳｉＮライナー膜１２４が薄くなり、エッチングを継続すると、そのＳｉＮライナー膜１２４は抜け、Ｃｕ配線１２５の表面が露出する。
【００８４】
上記のウェハ１１１は、プラズマエッチング装置としての図１３に示すようなエッチング反応室２００における基板電極１３１の上まで図示しない搬送系で搬送され、基板電極１３１が移動し、ウェハ１１１上の第１パッド１１２ａおよび第２パッド１１２ｂ（図示せず）が外周リング１３３に、つまり基板電極１３１の外周縁部付近に設けたパッド押え１３２（第１パッド押え１３２ａおよび第２パッド押え１３２ｂ）の電極と接触し、これによってウェハ１１１は基板電極１３６上に固定される。図１３において、１３４はウェハ１１１の上方に存在するプラズマ、１３５はマッチングボックス、１３６はＲＦ電源である。矢符Ｃは基板電極移動方向を示している。矢符Ｄはパッドピンに現れる交流電圧が図示しない終点検出制御部へ送られることを示している。
【００８５】
また、図１４に示すように、ウェハ１１１上の第１パッド１１２ａおよび第２パッド１１２ｂは、第１パッド押え１３２ａおよび第２パッド押え１３２ｂでそれぞれ上から覆われる。
【００８６】
そして、エッチングの終点検出のために、図１５に示すように、終点検出回路を構成し、交流電圧測定器６２で交流電圧を測定し、その測定値を図１６に示す終点検出制御部１６１に伝達する。図１５に示す終点検出回路と図１６に示す終点検出制御部１６１とを合せて終点検出装置とする。
【００８７】
図１５において、１１１ａは第１パッド１１２ａ付近のウェハの部分を示し、１１１ｂは第２パッド１１２ｂ付近のウェハの部分を示し、１１１ｃは第１終点検出配線パターン１１４ａ付近のウェハの部分を示し、１１１ｄは第２終点検出配線パターン１１４ｂ付近のウェハの部分を示している。
【００８８】
１１２ａは第１パッド、１１２ｂは第２パッド、１２６ａは第１終点検出配線パターン１１４ａのビア、１２６ｂは第２終点検出配線パターン１１４ｂのビア、１２７ａは第１終点検出配線パターン１１４ａのトレンチ、１２７ｂは第２終点検出配線パターン１１４ｂのトレンチである。１３２ａは第１パッド押えであり、ウェハに接触する面（パッド対面部分）に例えばＰｔ等からなる腐食しにくい膜状もしくは板状の導電体からなる電極１３２ｃが形成されている。１３２ｂは第２パッド押えであり、ウェハに接触する面（パッド対面部分）に例えばＰｔ等からなる腐食しにくい膜状もしくは板状の導電体からなる電極１３２ｄが形成されている。１３４はプラズマ、１５１は交流等価電源である。
【００８９】
１５３ａは第１終点検出配線パターン１１４ａのビア並列容量（Ｃｘ）、１５３ｂは第２終点検出配線パターン１１４ｂのビア並列容量（Ｃｙ）である。１５４ａは第１終点検出配線パターン１１４ａのパッド容量（Ｃ１）、１５４ｂは第２終点検出配線パターン１１４ｂのパッド容量（Ｃ２）である。１５５ａは第１終点検出配線パターン１１４ａ側の終点検出回路抵抗（Ｒ１）、１５５ｂは第２終点検出配線パターン１１４ｂ側の終点検出回路抵抗（Ｒ２）である。１５６ａは第１終点検出配線パターン１１４ａ側の終点検出回路容量（Ｃ３）、１５６ｂは第２終点検出配線パターン１１４ｂ側の終点検出回路容量（Ｃ４）である。１５７ａは第１終点検出配線パターン１１４ａ側の終点検出回路可変抵抗（Ｒ３）、１５７ｂは第２終点検出配線パターン１１４ｂ側の終点検出回路可変抵抗（Ｒ４）である。
【００９０】
ここで、プラズマ１３４中の電子あるいはイオンの移動を交流電源の等価回路と見なす。
【００９１】
図１６において、１６２はエッチング反応室であり、図１３のエッチング反応室２００に対応する。１６３はエッチング反応室制御部であり、終点検出制御部１６１のエッチング終点検出信号に応答して、エッチング反応室１６２における、エッチング動作を停止させる。
【００９２】
以上のように構成された終点検出装置において、以下にその動作を説明する。
【００９３】
ＲＦパワー印加により図１３に示すエッチング反応室２００の内部でプラズマ１３４が発生し、ビア１２６のＳｉＮライナー膜１２４はエッチングされて薄くなる。各ビア１２６にはプラズマからのイオンあるいは電子による電荷の授受がＲＦ周波数により周期的かつ定常的に行われ、これは電気的に交流等価電源（Ｅ）１５１から電圧が印加されていることと等価になる。
【００９４】
図１５に示すように、第１終点検出配線パターン１１４ａと第２終点検出配線パターン１１４ｂとはビア１２６の個数が異なることから、第１終点検出配線パターン２４ａのビア並列容量１５３ａ（Ｃｘ）と第２終点検出配線パターン２４ｂのビア並列容量１５３ｂ（Ｃｙ）は互いに異なる。そして、ビア１２６（１２６ａ，１２６ｂ）のＳｉＮライナー膜１２４が薄くなるにつれ、ビア並列容量Ｃｘ，Ｃｙが変化し、図１５に示すように交流電圧測定器１５２の箇所で電位差Ｄが生じる。その交流電圧測定器１５２で測定される電位差Ｄに対し、所定の閾値を設定し、電位差Ｄが上記閾値を下回った時点をエッチングの終点とし、エッチング反応室制御部１６３がエッチング反応室１６２におけるエッチングを終了させる。電位差Ｄの詳細については、第１の実施の形態で説明しているので、詳しい説明は省略する。
【００９５】
本実施の形態では、図１２（ｂ）に示すようなトレンチエッチング工程でＳｉＮライナー膜１２４が抜ける直前でのエッチング止めをするが、閾値判定により、ＳｉＮライナー膜１２４が抜ける前でエッチング停止を行うことも可能である。
【００９６】
図１５に示す終点検出回路による交流電位差測定の一例を図１７に示す。図１７は、縦軸に交流電圧絶対値（任意単位）をとり、横軸にエッチング時間（任意単位）をとっている。
【００９７】
トレンチエッチングを行うと、エッチング時間に対し、ＳｉＮライナー膜１２４が薄くなり、さらにエッチングを継続するとＳｉＮライナー膜１２４は突き抜ける。それに伴い、交流電圧測定器１５２の電位差は無くなる。終点に対応した閾値については、交流電圧の絶対値と断面形状評価等で得られるＳｉＮライナー膜３４の残膜厚との相関をとり、最適値を設定すればよい。
【００９８】
以上のように本実施の形態は、プラズマエッチング装置の基板電極の外周縁部付近に設置したパッド押え１３２ａ，１３２ｂの電極を、外周縁部にパッド１１２ａ，１１２ｂを形成したウェハ１１１のパッド１１２ａ，１１２ｂの上部に接触させることによって交流電圧を測定し、その測定値の変化からエッチングの終点を判定することを特徴とする終点検出装置であり、ダマシントレンチエッチングでのＣｕ配線１２５とＳｉＮライナー膜１２４の界面付近でエッチング止めすることができる。
【００９９】
なお、以上の発明においては、図１２（ｂ）に示すように、トレンチエッチング工程でＳｉＮライナー膜１２４が抜ける直前でのエッチング止めする場合について説明したが、図１８に示すようにＳｉＮライナー膜１２４を抜いた状態までエッチングを継続しても同様の効果が得られることは言うまでも無い。
【０１００】
また、本実施の形態の終点検出回路は一例であって、他の電気及び電子回路を用いて、電位差やインピーダンスあるいは信号の変化等から求めても良い。
【０１０１】
本実施の形態によれば、ダマシントレンチエッチングの進行に伴うＳｉＮライナー膜１２４の厚みの変化に応じて直流リーク電流が大きく変化するので、直流リーク電流を測定することにより、ダマシントレンチエッチングでのＣｕ配線１２５とＳｉＮライナー膜１２４の界面付近で精度よくエッチング止めを行うことが可能で、エッチング掘れ量の加工精度を向上させることができる。
【０１０２】
しかも、リーク電流の測定によってエッチング終点を検出するので、エッチング時の発光強度の変化を検出するのに比べてエッチング終点を容易に検出することができる。
【０１０３】
本実施の形態では、ダマシントレンチエッチングの終点検出装置として述べたが、これ以外のエッチングの場合にも、エッチング終点の検出に利用することができる。たとえば、先に説明したように、レート換算で求めたエッチング時間を通常の終点とした場合での過剰エッチングリミッターの検出方法として使用しても良い。
【０１０４】
また、上記の実施の形態では、下地配線がＣｕの場合について説明したが、これに限らず、Ａｌ等の場合にも本発明を適用できる。
【０１０５】
【発明の効果】
本発明のエッチング終点検出方法によれば、エッチングの進行に伴って交流電圧が大きく変化するので、交流電圧を測定することによりエッチングの終点を精度よく検出することができ、エッチング掘れ量の加工精度を向上させ、半導体製品製造の歩留り向上を実現できる。しかも、交流電圧の測定によってエッチング終点を検出するので、エッチング時の発光強度の変化を検出するのに比べてエッチング終点を容易に検出することができる。
【０１０６】
本発明のエッチング終点検出装置によれば、エッチングの進行に伴って交流電圧が大きく変化するので、交流電圧を測定することによりエッチングの終点を精度よく検出することができ、エッチング掘れ量の加工精度を向上させ、半導体製品製造の歩留り向上を実現できる。しかも、交流電圧の測定によってエッチング終点を検出するので、エッチング時の発光強度の変化を検出するのに比べてエッチング終点を容易に検出することができる。
【０１０７】
本発明のウェハによれば、終点検出配線パターンおよびパッドを利用してエッチング終点検出を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態におけるビア／トレンチ形成フローを示す断面図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態におけるパッドと終点検出回路パターンを形成したウェハを示す概略図である。
【図３】本発明の第１の実施の形態における終点検出配線パターンのトレンチエッチングの前と後の状態を示す断面図である。
【図４】本発明の第１の実施の形態におけるエッチング反応室の構成を示す概略図である。
【図５】本発明の第１の実施の形態におけるパッド押えとウェハを示す概略図である。
【図６】本発明の第１の実施の形態における終点検出回路の概念を模式図である。
【図７】図６の終点検出回路の等価回路図である。
【図８】本発明の第１の実施の形態における交流電圧のエッチング時間依存特性を示すグラフである。
【図９】本発明の第１の実施の形態における終点検出配線パターントレンチエッチングのＳｉＮライナー膜抜けエッチング後の状態を示す断面図である。
【図１０】本発明の第２の実施の形態におけるビア／トレンチ形成フローを示す断面図である。
【図１１】本発明の第２の実施の形態におけるパッドと終点検出回路パターンを形成したウェハを示す概略図である。
【図１２】本発明の第２の実施の形態における終点検出配線パターンのトレンチエッチングの前と後の状態を示す断面図である。
【図１３】本発明の第２の実施の形態におけるエッチング反応室の構成を示す概略図である。
【図１４】本発明の第２の実施の形態におけるパッド押えとウェハを示す概略図である。
【図１５】本発明の第２の実施の形態における終点検出回路の概念を模式図である。
【図１６】本発明の第２の実施の形態におけるエッチング反応室と終点検出制御部とエッチング反応室制御部の構成を示す概略図である。
【図１７】本発明の第２の実施の形態における交流電圧のエッチング時間依存特性を示すグラフである。
【図１８】本発明の第２の実施の形態における終点検出配線パターントレンチエッチングのＳｉＮライナー膜抜けエッチング後の状態を示す断面図である。
【図１９】従来例における終点検出方法とその課題の説明するための特性図である。
【図２０】従来例におけるビア／トレンチ形成フローを示す断面図である。
【符号の説明】
１１　　ＡＲＬ
１２　　ＦＳＧ
１３　　ｐ−ＴＥＯＳ
１４　　ＳｉＮライナー膜
１５　　Ｃｕ配線
１６　　ビア
１７　　トレンチ
１８　　レジストマスク
２１　　ウェハ
２２ａ　　第１パッド
２２ａ　　第２パッド
２３　　製品回路パターン
２４ａ　　第１終点検出配線パターン
２４ｂ　　第２終点検出配線パターン
３１　　ＡＲＬ
３２　　ＦＳＧ
３３　　ｐ−ＴＥＯＳ
３４　　ＳｉＮライナー膜
３５　　Ｃｕ配線
３６　　ビア
３６ａ　　ビア
３６ｂ　　ビア
３７　　トレンチ
３７ａ　　トレンチ
３７ｂ　　トレンチ
３８　　レジストマスク
４１　　基板電極
４２　　パッド押え
４２ａ　　第１パッド押え
４２ｂ　　第２パッド押え
４３　　外周リング
４４　　プラズマ
４５　　マッチングボックス
４６　　ＲＦ電源
６１　　交流等価電源
６２　　交流電圧測定器
６３ａ，６３ｂ　　ビア並列容量
６４ａ，６４ｂ　　パッド容量
６５ａ，６５ｂ　　終点検出回路抵抗
６６ａ，６６ｂ　　終点検出回路容量
６７ａ，６７ｂ　　終点検出回路可変抵抗
１００　　エッチング反応室
１０１　　ＡＲＬ
１０２　　ＦＳＧ
１０３　　ｐ−ＴＥＯＳ
１０４　　ＳｉＮライナー膜
１０５　　Ｃｕ配線
１０６　　ビア
１０７　　トレンチ
１０８　　レジストマスク
１１１　　ウェハ
１１２ａ，１１２ｂ　　パッド
１１３　　製品回路パターン
１１４ａ，１１４ｂ　　終点検出配線パターン
１２１　　ＡＲＬ
１２２　　ＦＳＧ
１２３　　ｐ−ＴＥＯＳ
１２４　　ＳｉＮライナー膜
１２５　　Ｃｕ配線
１２６　　ビア
１２７　　トレンチ
１２８　　レジストマスク
１３１　　基板電極
１３２，１３２ａ，１３２ｂ　　パッド押え
１３３　　外周リング
１３４　　プラズマ
１３５　　マッチングボックス
１３６　　ＲＦ電源
１５１　　交流等価電源
１５２　　交流電圧測定器
１５３ａ，１５３ｂ　　ビア並列容量
１５４ａ，１５４ｂ　　パッド容量
１５５ａ，１５５ｂ　　終点検出回路抵抗
１５６ａ，１５６ｂ　　終点検出回路容量
１５７ａ，１５７ｂ　　終点検出回路可変抵抗
１６１　　終点検出制御部
１６２　　エッチング反応室
１６３　　エッチング反応室制御部
２００　　エッチング反応室
２０１　　ＡＲＬ
２０２　　ＦＳＧ
２０３　　ｐ−ＴＥＯＳ
２０４　　ＳｉＮライナー膜
２０５　　Ｃｕ配線
２０６　　ビア
２０７　　トレンチ
２０８　　レジストマスク
【図１】
2004140233.tif 000010
【図２】
2004140233.tif 000011
【図３】
2004140233.tif 000012
【図４】
2004140233.tif 000013
【図５】
2004140233.tif 000014
【図６】
2004140233.tif 000015
【図７】
2004140233.tif 000016
【図８】
2004140233.tif 000017
【図９】
2004140233.tif 000018
【図１０】
2004140233.tif 000019
【図１１】
2004140233.tif 000020
【図１２】
2004140233.tif 000021
【図１３】
2004140233.tif 000022
【図１４】
2004140233.tif 000023
【図１５】
2004140233.tif 000024
【図１６】
2004140233.tif 000025
【図１７】
2004140233.tif 000026
【図１８】
2004140233.tif 000027
【図１９】
2004140233.tif 000028
【図２０】
2004140233.tif 000029