(57)【要約】【課題】小型サイズであってもアイソレーションを十分にとることができる高周波スイッチモジュール等を提供すること。【解決手段】スイッチ回路の送信系には、一端をグランドに接続した第１の伝送線路と、この第１の伝送線路側にカソードを接続した第１のダイオードを有し、受信系には第２の伝送線路と、この第２の伝送線路側にカソードを接続した第２のダイオードと一端をグランドに接続した第１のコンデンサとを直列に接続し、この第２のダイオードと第１のコンデンサとの間に抵抗を介して電圧制御端子を接続しており、前記第２のダイオードと抵抗との接点と前記第１のコンデンサとの間にインダクタ又は伝送線路を挿入した高周波スイッチモジュール。【選択図】　　　図１
2004147166.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
通過帯域が異なる複数の送受信系に信号を分波する分波回路と、前記分波回路に接続され、前記各送受信系のそれぞれに送信系と受信系を切り替えるスイッチ回路を有し、前記スイッチ回路の各送信系にローパスフィルタを有し、前記分波回路はＬＣ回路で構成され、前記スイッチ回路はスイッチング素子と伝送線路を主構成とし、前記ローパスフィルタはＬＣ回路で構成され、前記分波回路のＬＣ回路、前記ローパスフィルタのＬＣ回路及び前記スイッチ回路の伝送線路の少なくとも一部は、電極パターンと誘電体層との積層体内に、前記電極パターンにより構成し、前記スイッチング素子やＬＣ回路等の一部を構成するチップ素子は前記積層体上に配置して構成された高周波スイッチモジュールにおいて、前記スイッチ回路の受信系には伝送線路と、この伝送線路に接続したダイオードと一端をグランドに接続したコンデンサとを直列に接続し、前記ダイオードとコンデンサとの間に抵抗を接続し、その一端を電圧制御端子に接続するか、あるいは接地しており、前記ダイオードと抵抗との接点と前記コンデンサとの間にインダクタまたは伝送線路を設けたことを特徴とする高周波スイッチモジュール。
【請求項２】
通過帯域が異なる複数の送受信系に信号を分波する分波回路と、前記分波回路に接続され、前記各送受信系のそれぞれに送信系と受信系を切り替えるスイッチ回路を有し、前記スイッチ回路の各送信系にローパスフィルタを有し、前記分波回路はＬＣ回路で構成され、前記スイッチ回路はスイッチング素子と伝送線路を主構成とし、前記ローパスフィルタはＬＣ回路で構成され、前記分波回路のＬＣ回路、前記ローパスフィルタのＬＣ回路及び前記スイッチ回路の伝送線路の少なくとも一部は、電極パターンと誘電体層との積層体内に、前記電極パターンにより構成し、前記スイッチング素子やＬＣ回路等の一部を構成するチップ素子は前記積層体上に配置して構成された高周波スイッチモジュールにおいて、前記スイッチ回路の送信系には、一端をグランドに接続した第１の伝送線路と、この第１の伝送線路側にカソードを接続した第１のダイオードを有し、受信系には第２の伝送線路と、この第２の伝送線路側にカソードを接続した第２のダイオードと一端をグランドに接続した第１のコンデンサとを直列に接続し、前記第２のダイオードと第１のコンデンサとの間に抵抗を介して電圧制御端子を接続しており、前記第２のダイオードと抵抗との接点と前記第１のコンデンサとの間にインダクタまたは伝送線路を設けたことを特徴とする高周波スイッチモジュール。
【請求項３】
通過帯域が異なる複数の送受信系に信号を分波するＬＣ回路で構成した分波回路と、前記分波回路に接続され、前記各送受信系のそれぞれに送信系と受信系を切り替えるスイッチング素子と伝送線路を主構成としたスイッチ回路と、ＬＣ回路で構成され前記スイッチ回路の各送信系に挿入されるローパスフィルタとを有し、前記スイッチ回路の受信系には伝送線路と、この伝送線路に接続したダイオードと一端をグランドに接続したコンデンサとを直列に接続し、前記ダイオードとコンデンサとの間に抵抗を接続し、その一端を電圧制御端子に接続するか、あるいは接地しており、前記ダイオードと抵抗との接点と前記コンデンサとの間にインダクタまたは伝送線路を挿入し、前記分波回路のＬＣ回路、前記ローパスフィルタのＬＣ回路及び前記スイッチ回路の伝送線路の少なくとも一部は、電極パターンと誘電体層との積層体内に、前記電極パターンにより構成し、前記スイッチング素子や抵抗及びＬＣ回路等の一部を構成するチップ素子は前記積層体上に配置して構成された高周波スイッチ積層モジュール部と、
少なくとも半導体素子と電源供給回路と整合回路とを有し、前記電源供給回路と整合回路を構成する伝送線路及びＬＣ回路の少なくとも一部は、電極パターンと誘電体層との前記積層体内に、前記電極パターンにより構成し、前記半導体素子やＬＣ回路等の一部を構成するチップ素子は前記積層体上に配置して構成された高周波増幅器積層モジュール部とを有し、
前記高周波スイッチ積層モジュール部と高周波増幅器積層モジュール部とを前記一つの積層体に構成したことを特徴とする複合積層モジュール。
【請求項４】
通過帯域が異なる複数の送受信系に信号を分波するＬＣ回路で構成した分波回路と、前記分波回路に接続され、前記各送受信系のそれぞれに送信系と受信系を切り替えるスイッチング素子と伝送線路を主構成としたスイッチ回路と、ＬＣ回路で構成され前記スイッチ回路の各送信系に挿入されるローパスフィルタとを有し、前記スイッチ回路の送信系には、一端をグランドに接続した第１の伝送線路と、この第１の伝送線路側にカソードを接続した第１のダイオードを有し、受信系には第２の伝送線路と、この第２の伝送線路側にカソードを接続した第２のダイオードと一端をグランドに接続した第１のコンデンサとを直列に接続し、前記第２のダイオードと第１のコンデンサとの間に抵抗を介して電圧制御端子を接続しており、前記第２のダイオードと抵抗との接点と前記第１のコンデンサとの間にインダクタまたは伝送線路を挿入し、前記分波回路のＬＣ回路、前記ローパスフィルタのＬＣ回路及び前記スイッチ回路の伝送線路の少なくとも一部は、電極パターンと誘電体層との積層体内に、前記電極パターンにより構成し、前記スイッチング素子や抵抗及びＬＣ回路等の一部を構成するチップ素子は前記積層体上に配置して構成された高周波スイッチ積層モジュール部と、
少なくとも半導体素子と電源供給回路と整合回路とを有し、前記電源供給回路と整合回路を構成する伝送線路及びＬＣ回路の少なくとも一部は、電極パターンと誘電体層との前記積層体内に、前記電極パターンにより構成し、前記半導体素子やＬＣ回路等の一部を構成するチップ素子は前記積層体上に配置して構成された高周波増幅器積層モジュール部とを有し、
前記高周波スイッチ積層モジュール部と高周波増幅器積層モジュール部とを前記一つの積層体に構成したことを特徴とする複合積層モジュール。
【請求項５】
２つ以上の異なる周波数の信号を１つのアンテナを共用して送受信する通信機であって、請求項１又は２記載の高周波スイッチモジュールあるいは請求項３又は４記載の複合積層モジュールに前記１つの共用アンテナを接続して搭載したことを特徴とする通信機。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は２つ以上の異なる周波数の信号を１つのアンテナを共用して送受信する無線通信システムに関し、マルチバンド型の高周波スイッチモジュールと、この高周波スイッチモジュールと高周波増幅器を一つの積層体に構成したマルチバンド型の複合積層モジュール及びこれを用いた通信機に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
携帯無線システムには、例えば主に欧州で盛んなＥＧＳＭ（Ｅｘｔｅｎｄｅｄ　Ｇｌｏｂａｌ　Ｓｙｓｔｅｍ　ｆｏｒ　Ｍｏｂｉｌｅ　Ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎｓ）方式およびＤＣＳ（Ｄｉｇｉｔａｌ　Ｃｅｌｌｕｌａｒ　Ｓｙｓｔｅｍ）方式、米国で盛んなＰＣＳ（Ｐｅｒｓｏｎａｌ　Ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎ　Ｓｅｒｖｉｃｅ）方式、日本で採用されているＰＤＣ（Ｐｅｒｓｏｎａｌ　Ｄｉｇｉｔａｌ　Ｃｅｌｌｕｌａｒ　）方式などの時分割マルチプルアクセス（ＴＤＭＡ）を用いた様々なシステムがある。昨今の携帯電話の急激な普及に伴い、特に先進国の主要な大都市部においては各システムに割り当てられた周波数帯域ではシステム利用者を賄いきれず、接続が困難であったり、通話途中で接続が切断するなどの問題が生じている。そこで、利用者が複数のシステムを利用できるようにして、実質的に利用可能な周波数の増加を図り、さらにサービス区域の拡充や各システムの通信インフラを有効活用することが提唱されている。
従来、複数のシステムに対応した小型軽量の高周波回路部品として、例えばＥＧＳＭとＤＣＳの２つのシステムに対応した携帯通信機に用いられるデュアルバンド対応の高周波スイッチモジュールが特許文献１に開示されている。また、ＥＧＳＭ、ＤＣＳ、ＰＣＳの３つのシステムに対応した携帯通信機に用いられるトリプルバンド対応の高周波スイッチモジュールが特許文献２に開示されている。
【０００３】
図５にトリプルバンド型アンテナスイッチモジュール（アンテナまでを含めてアンテナスイッチモジュールと言っている）のブロック構成の一例を示す。アンテナＡＮＴ端子に接続された分波器（ダイプレクサＤｉｐ）によりＥＧＳＭの周波数帯の信号とＤＣＳ／ＰＣＳの周波数帯の信号を分波し（逆方向では合成するが、本明細書では分波で説明する。）、第１の高周波スイッチＳＷ１はＥＧＳＭ送信端子ＴｘとＥＧＳＭ受信端子Ｒｘとを切り替え、第２の高周波スイッチＳＷ２はＤＣＳ／ＰＣＳ送信端子ＴｘとＤＣＳ受信端子Ｒｘ及びＰＣＳ受信端子Ｒｘとを切り替える。ローパスフィルタＬＰＦ１、ＬＰＦ２は送信経路に挿入されパワーアンプで発生する高調波歪発生量を低減する。バンドパスフィルタＳＡＷ１、ＳＡＷ２、ＳＡＷ３はアンテナＡＮＴからの受信信号のうち不要周波数成分を除去し、必要成分だけをローノイズアンプに送る。従って、ＥＧＳＭ送信端子ＴｘとＤＣＳ／ＰＣＳ送信端子Ｔｘの前段にはパワーアンプＨＰＡ１、ＨＰＡ２が設けられ、ＥＧＳＭ受信端子ＲｘとＤＣＳ受信端子Ｒｘ及びＰＣＳ受信端子Ｒｘの後段にはローノイズアンプＬＮＡ１、ＬＮＡ２、ＬＮＡ３が設けられている。
【０００４】
携帯通信機の小型軽量化の要求は依然として強く、部品の共有化や機能を集約したモジュール化が進められている。例えば、図５の点線で囲まれた回路部品は、ＬＴＣＣ（Ｌｏｗ　Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ　Ｃｏ−ｆｉｒｅｄ　Ｃｅｒａｍｉｃｓ）等の誘電体シートを多層に積み重ねた積層体内に伝送線路やコンデンサを電極パターンにより形成し、ダイオード等を積層体上に搭載したマルチバンド型アンテナスイッチモジュールとして実現されている。また、一点鎖線で囲まれた範囲のモジュール化についてもディスクリートのＳＡＷフィルタを積層体上に搭載した形で実現されている。
【０００５】
一方、携帯通信機の送信側では比較的大電力の信号を出力するために、数Ｗ程度のハイパワーアンプ（本発明ではパワーアンプ等と区別をせず高周波増幅器と言うがパワーアンプ等と記す場合がある。）が用いられる。携帯電話機等は小型で低消費電力にする必要があるため、ＤＣ電力の大部分を消費するハイパワーアンプには、ＤＣ−ＲＦ電力変換効率（電力付加効率とも言う。）が高く小型であることが求められる。特に携帯電話機等においては、機器が小型であることと、電池の１回充電当たりの通話時間の長さが製品の重要なセールス・ポイントであるために、ハイパワーアンプの小型化と高効率化が必須である。
【０００６】
従来、高周波増幅器とアンテナスイッチ等を積層体内に複合モジュール化する従来技術としては、例えば、受信専用アンテナとアンプを積層体上に搭載し両者間に位相調整回路を設けたアンテナ装置がある（特許文献３参照）。しかしながら、このものはアンプから漏れた電磁波を当該受信専用アンテナ（パッチアンンテナ）自身が受信した場合の閉ループの位相ずれを調整するためのものであった。即ち、高周波スイッチ機能を複合化したものではない。
また、複数の誘電体層を積層してなる多層基板に高周波スイッチとアンプを構成する伝送線路やコンデンサを内蔵し、多層基板上にトランジスタ等を搭載してモジュール化したものがある（特許文献４参照）。しかし、このものでは構想を示すだけで両者を一体化したときの現実的な問題点や手段は何ら開示されておらず実現困難なものであった。
さらに、ハイパワーアンプとこの出力電力をモニタするカプラを一体化した高周波用送信モジュールがある（特許文献５参照）に開示されている。しかしながら、このものはパワーアンプとカプラを積層モジュール化するに留まっていた。
【０００７】
【特許文献１】
特開平１１−２２５０８８号公報
【特許文献２】
特開２０００−１６５２８８号公報
【特許文献３】
特開２０００−１８３６１２号公報
【特許文献４】
特開平１０−１２６３０７号公報
【特許文献５】
特開２００２−１４１８２７号公報
【０００８】
【本発明が解決しようとする課題】
このように、従来、マルチバンド型のアンテナスイッチモジュールと高周波増幅器までを含めた積層モジュール化は検討課題であるが、実際ＬＴＣＣ等の一つの積層体内にモジュール化することは実現されていない。
例え実現したとしても大型のものでは意味がなく、例えば１５ｍｍ×１０ｍｍ×２ｍｍ以下のサイズが必要である。しかしながら、高周波回路モジュールの小型、高集積化を図ることは、すなわち、各内部回路間の密集度を上げることにつながり、各回路間のアイソレーションが十分とれなくなるといった問題が生じる。受信回路と送信回路との間のアイソレーションが十分でないと、送信信号が受信回路側に漏洩し受信回路のＬＮＡ（Ｌｏｗ　Ｎｏｉｓｅ　Ａｍｐｌｉｆｉｅｒ）、ミキサ、変復調器を構成するＡｎａｌｏｇ　Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ　ＩＣの誤動作を引き起こす恐れがある。
【０００９】
本発明はこのような問題に鑑み、小型サイズの積層体であってもアイソレーションを十分にとることができる高周波スイッチモジュールを提供すること、同様にマルチバンド型の高周波スイッチモジュールと高周波増幅器を一つの積層体内に構成し、アイソレーションが良好で低損失かつ高効率の複合積層モジュールを提供することを目的とする。また、これらを用いたマルチバンド型の小型通信機を提供するものである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明は、通過帯域が異なる複数の送受信系に信号を分波する分波回路と、前記分波回路に接続され、前記各送受信系のそれぞれに送信系と受信系を切り替えるスイッチ回路を有し、前記スイッチ回路の各送信系にローパスフィルタを有し、前記分波回路はＬＣ回路で構成され、前記スイッチ回路はスイッチング素子と伝送線路を主構成とし、前記ローパスフィルタはＬＣ回路で構成され、前記分波回路のＬＣ回路、前記ローパスフィルタのＬＣ回路及び前記スイッチ回路の伝送線路の少なくとも一部は、電極パターンと誘電体層との積層体内に、前記電極パターンにより構成し、前記スイッチング素子やＬＣ回路等の一部を構成するチップ素子は前記積層体上に配置して構成された高周波スイッチモジュールにおいて、前記スイッチ回路の受信系には伝送線路と、この伝送線路に接続したダイオードと一端をグランドに接続したコンデンサとを直列に接続し、前記ダイオードとコンデンサとの間に抵抗を接続し、その一端を電圧制御端子に接続するか、あるいは接地しており、前記ダイオードと抵抗との接点と前記コンデンサとの間にインダクタまたは伝送線路を設けた高周波スイッチモジュールである。
【００１１】
同様に本発明は、通過帯域が異なる複数の送受信系に信号を分波する分波回路と、前記分波回路に接続され、前記各送受信系のそれぞれに送信系と受信系を切り替えるスイッチ回路を有し、前記スイッチ回路の各送信系にローパスフィルタを有し、前記分波回路はＬＣ回路で構成され、前記スイッチ回路はスイッチング素子と伝送線路を主構成とし、前記ローパスフィルタはＬＣ回路で構成され、前記分波回路のＬＣ回路、前記ローパスフィルタのＬＣ回路及び前記スイッチ回路の伝送線路の少なくとも一部は、電極パターンと誘電体層との積層体内に、前記電極パターンにより構成し、前記スイッチング素子やＬＣ回路等の一部を構成するチップ素子は前記積層体上に配置して構成された高周波スイッチモジュールにおいて、前記スイッチ回路の送信系には、一端をグランドに接続した第１の伝送線路と、この第１の伝送線路側にカソードを接続した第１のダイオードを有し、受信系には第２の伝送線路と、この第２の伝送線路側にカソードを接続した第２のダイオードと一端をグランドに接続した第１のコンデンサとを直列に接続し、前記第２のダイオードと第１のコンデンサとの間に抵抗を介して電圧制御端子を接続しており、前記第２のダイオードと抵抗との接点と前記第１のコンデンサとの間にインダクタまたは伝送線路を設けた高周波スイッチモジュールである。
【００１２】
本発明は、通過帯域が異なる複数の送受信系に信号を分波するＬＣ回路で構成した分波回路と、前記分波回路に接続され、前記各送受信系のそれぞれに送信系と受信系を切り替えるスイッチング素子と伝送線路を主構成としたスイッチ回路と、ＬＣ回路で構成され前記スイッチ回路の各送信系に挿入されるローパスフィルタとを有し、前記スイッチ回路の受信系には伝送線路と、この伝送線路に接続したダイオードと一端をグランドに接続したコンデンサとを直列に接続し、前記ダイオードとコンデンサとの間に抵抗を接続し、その一端を電圧制御端子に接続するか、あるいは接地しており、前記ダイオードと抵抗との接点と前記コンデンサとの間にインダクタまたは伝送線路を挿入し、前記分波回路のＬＣ回路、前記ローパスフィルタのＬＣ回路及び前記スイッチ回路の伝送線路の少なくとも一部は、電極パターンと誘電体層との積層体内に、前記電極パターンにより構成し、前記スイッチング素子や抵抗及びＬＣ回路等の一部を構成するチップ素子は前記積層体上に配置して構成された高周波スイッチ積層モジュール部と、少なくとも半導体素子と電源供給回路と整合回路とを有し、前記電源供給回路と整合回路を構成する伝送線路及びＬＣ回路の少なくとも一部は、電極パターンと誘電体層との前記積層体内に、前記電極パターンにより構成し、前記半導体素子やＬＣ回路等の一部を構成するチップ素子は前記積層体上に配置して構成された高周波増幅器積層モジュール部とを有し、前記高周波スイッチ積層モジュール部と高周波増幅器積層モジュール部とを前記一つの積層体に構成した複合積層モジュールである。
【００１３】
同様に本発明は、通過帯域が異なる複数の送受信系に信号を分波するＬＣ回路で構成した分波回路と、前記分波回路に接続され、前記各送受信系のそれぞれに送信系と受信系を切り替えるスイッチング素子と伝送線路を主構成としたスイッチ回路と、ＬＣ回路で構成され前記スイッチ回路の各送信系に挿入されるローパスフィルタとを有し、前記スイッチ回路の送信系には、一端をグランドに接続した第１の伝送線路と、この第１の伝送線路側にカソードを接続した第１のダイオードを有し、受信系には第２の伝送線路と、この第２の伝送線路側にカソードを接続した第２のダイオードと一端をグランドに接続した第１のコンデンサとを直列に接続し、前記第２のダイオードと第１のコンデンサとの間に抵抗を介して電圧制御端子を接続しており、前記第２のダイオードと抵抗との接点と前記第１のコンデンサとの間にインダクタまたは伝送線路を挿入し、前記分波回路のＬＣ回路、前記ローパスフィルタのＬＣ回路及び前記スイッチ回路の伝送線路の少なくとも一部は、電極パターンと誘電体層との積層体内に、前記電極パターンにより構成し、前記スイッチング素子や抵抗及びＬＣ回路等の一部を構成するチップ素子は前記積層体上に配置して構成された高周波スイッチ積層モジュール部と、少なくとも半導体素子と電源供給回路と整合回路とを有し、前記電源供給回路と整合回路を構成する伝送線路及びＬＣ回路の少なくとも一部は、電極パターンと誘電体層との前記積層体内に、前記電極パターンにより構成し、前記半導体素子やＬＣ回路等の一部を構成するチップ素子は前記積層体上に配置して構成された高周波増幅器積層モジュール部とを有し、前記高周波スイッチ積層モジュール部と高周波増幅器積層モジュール部とを前記一つの積層体に構成した複合積層モジュールである。
【００１４】
また、本発明は、２つ以上の異なる周波数の信号を１つのアンテナを共用して送受信する通信機であって、上記高周波スイッチモジュールあるいは複合積層モジュールに１つの共用アンテナを接続して搭載したことを特徴とする通信機である。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の一実施例を、高周波スイッチモジュールと高周波増幅器を例に図面を参照して説明する。図１はＥＧＳＭ、ＤＣＳ、ＰＣＳトリプルバンド用の高周波スイッチモジュール（以下、アンテナスイッチモジュールと言う。）の等価回路図の一例を示し、図２は高周波増幅器の等価回路図の一例を示す。図３は積層体の誘電体シートの一部展開図を示し、図４に積層体の断面図を示す。
【００１６】
先ず、アンテナスイッチモジュール側の回路について図１を用いて説明する。
図１において分波器（ダイプレクサ）Ｄｉｐは、伝送線路Ｌ１〜Ｌ４および容量Ｃ１〜Ｃ４により構成される。伝送線路Ｌ２と容量Ｃ１は直列共振回路を形成し、ＤＣＳ帯域（送信周波数：１７１０〜１７８５ＭＨｚ、受信周波数：１８０５〜１８８０ＭＨｚ）およびＰＣＳ帯域（送信周波数：１８５０〜１９１０ＭＨｚ、受信周波数：１９３０〜１９９０ＭＨｚ）で減衰量が得られるように設計する。本例では前記周波数帯のほぼ中心である１．８ＧＨｚに共振周波数をあわせた。また、伝送線路Ｌ４と容量Ｃ３は直列共振回路を形成し、ＥＧＳＭ帯域（送信周波数：８８０〜９１５ＭＨｚ、受信周波数：９２５〜９６０ＭＨｚ）に減衰量が得られるように設計する。本例では前記周波数帯域のほぼ中心である０．９ＧＨｚに共振周波数をあわせた。
この回路により、ＥＧＳＭ系の信号とＤＣＳ／ＰＣＳ系の信号とを分波合成することが可能となる。伝送線路Ｌ１、Ｌ３はＤＣＳ／ＰＣＳ系の信号の周波数にとって高インピーダンスになるようにある程度の長さに設定するのが好ましい。これによりＤＣＳ／ＰＣＳ系の信号がＥＧＳＭ系の経路へ伝送しにくくなる。逆に容量Ｃ２、Ｃ４はＥＧＳＭ系の信号の周波数にとって高インピーダンスになるように比較的小さい容量値に設定されるのが好ましい。これによりＥＧＳＭ系の信号がＤＣＳ／ＰＣＳ系の経路へ伝送しにくくなる。
【００１７】
第１のスイッチ回路ＳＷ１は、容量Ｃ５、Ｃ６、伝送線路Ｌ５、Ｌ６、ＰＩＮダイオードＤ１、Ｄ２、および抵抗Ｒ１により構成される。伝送線路Ｌ５、Ｌ６はＥＧＳＭの送信周波数帯においてλ／４共振器となるように伝送線路の長さを設定する。ただし、伝送線路Ｌ５はチョークコイルでも代用可能であり、その場合ＥＧＳＭの送信周波数において、接地されている端子と反対の端子がオープンのインピーダンス状態になるようなインダクタンスである必要がある。この場合インダクタンス値は１０〜１００ｎＨ程度が望ましい。抵抗Ｒ１はコントロール電源ＶＣ１がＨｉｇｈ状態での第１、第２のダイオードＤ１、Ｄ２に流れる電流を決定する。本例では１００Ω〜２００Ωを使用した。容量Ｃ５、Ｃ６はコントロール電源のＤＣカットのために必要である。また容量Ｃ６はＤＣカットだけでなく、ＥＧＳＭ　Ｔｘ〜ＥＧＳＭ　Ｒｘ間のアイソレーションを調整する役割を持つ。伝送線路Ｌ６はλ／４共振器となるような伝送線路の長さが基本的に必要であるが、ＥＧＳＭ　Ｒｘのインピーダンス整合のために長さなどを調整するため、アイソレーションが十分に取れないような伝送線路長になる場合がある。このような場合、前記インピーダンス整合を保つよう伝送線路Ｌ６を変化させずに、容量Ｃ６を調整することによりアイソレーション量を最適にすることができる。本実施例では容量Ｃ６を積層体内部で構成できる面積を確保することができた。よって伝送線路またはインダクタＬ４０を挿入してアイソレーションを調整しなくとも容量Ｃ６で調整できるので、このインダクタを設けるには及ばなかった。よって点線で示している。
【００１８】
以上によりコントロール電源ＶＣ１がＨｉｇｈの時には、第１、第２のダイオードＤ１、Ｄ２は共にＯＮとなり、第２のダイオードＤ２と伝送線路Ｌ６の接続点がグランドレベルとなり、λ／４共振器である伝送線路Ｌ６の反対側のインピーダンスが無限大となる。したがって、コントロール電源ＶＣ１がＨｉｇｈの時にはダイプレクサＤｉｐ〜ＥＧＳＭ　Ｒｘ間の経路では信号は通過できず、ダイプレクサＤｉｐ〜ＥＧＳＭ　Ｔｘ間の経路では信号が通過しやすくなる。一方、コントロール電源ＶＣ１がＬｏｗの時には第１のダイオードＤ１もＯＦＦとなりダイプレクサＤｉｐ〜ＥＧＳＭ　Ｔｘ間の経路では信号は通過できず、また第２のダイオードＤ２もＯＦＦであるので、ダイプレクサＤｉｐ〜ＥＧＳＭ　Ｒｘ間の経路では信号が通過しやすくなる。以上の構成により、ＥＧＳＭ信号の送受信の切り替えが可能となる。
【００１９】
第２のスイッチ回路ＳＷ２は、容量Ｃ７〜Ｃ１０、伝送線路Ｌ７〜Ｌ１０、ＰＩＮダイオードＤ３〜Ｄ６、抵抗Ｒ２、Ｒ３およびダイオードＤ４と抵抗Ｒ２との接点と容量Ｃ７との間に設けたインダクタ又は伝送線路Ｌ２０により構成される。伝送線路Ｌ７〜Ｌ１０はＤＣＳ／ＰＣＳの信号の周波数においてλ／４共振器となるように伝送線路の長さを設定する。ただし、伝送線路Ｌ７、Ｌ９はチョークコイルでも代用可能であり、その場合それぞれＤＣＳの送信周波数において、ＰＣＳの送信周波数において、接地されている端子と反対の端子がオープンのインピーダンス状態になるようなインダクタンスである必要がある。この場合インダクタンス値は５〜６０ｎＨ程度が望ましい。抵抗Ｒ２はコントロール電源ＶＣ２がＨｉｇｈ状態での第３、第４のダイオードＤ３、Ｄ４に流れる電流を決定する。本例では１００Ω〜２００Ωを使用した。抵抗Ｒ３はコントロール電源ＶＣ３がＨｉｇｈ状態での第５、第６のダイオードＤ５、Ｄ６に流れる電流を決定する。本実施例では１００Ω〜２ｋΩを使用した。容量Ｃ７、Ｃ８、Ｃ１０はコントロール電源のＤＣカットのために必要である。また容量Ｃ７及びＣ１０はＤＣカットだけでなく、おのおのＤＣＳ／ＰＣＳＴｘ　〜　ＤＣＳ　Ｒｘ、ＰＣＳ　Ｒｘ間、及びＰＣＳ　Ｒｘ　〜　ＤＣＳ　Ｒｘ間のアイソレーションを調整する役割を持つ。
【００２０】
伝送線路Ｌ８はλ／４共振器となるような伝送線路の長さが基本的に必要であるが、ＤＣＳ　Ｒｘ及びＰＣＳ　Ｒｘのインピーダンス整合のために長さなどを調整するため、前記アイソレーションが十分に取れないような伝送線路長になる場合がある。このような場合、前記インピーダンス整合を保つよう伝送線路Ｌ８を変化させずに、容量Ｃ７を調整することによりアイソレーション量を最適にすることが望ましい。ここで本実施例ではＣ７を積層体内に構成しており、さらに面積的な制約、層数の制限で十分なアイソレーションを得るだけの容量をとることが出来ない。従来、そのような場合は、伝送線路Ｌ８でアイソレーションを調整しているが、伝送線路Ｌ８を調整すると、その後段にあるＰＣＳ　Ｒｘ、ＤＣＳ　Ｒｘのインピーダンス特性が変化し、Ｌ８より後段の回路定数（Ｌ９、Ｌ１０、Ｃ９、Ｃ１０等）を調整する必要があり、その調整に相当な時間と積層構造の変更が必要であった。そこで容量Ｃ７と伝送線路Ｌ８を調整せずにＤＣＳ／ＰＣＳ　Ｔｘ　〜　ＤＣＳ　Ｒｘ間のアイソレーションを得る為に、積層体内に伝送線路Ｌ２０を設けたのである。これによりダイオードＤ３、Ｄ４がＯＮ時には、伝送線路Ｌ２０は高周波的にＬ８の延長として考えることができ、その結果アイソレーション調整をすることができる。またダイオードＤ３、Ｄ４がＯＦＦ時（ＤＣＳ　Ｒｘ受信時）には伝送線路Ｌ２０は、信号経路であるアンテナ〜ＤＣＳ　Ｒｘ間に存在しないので、挿入損失低減にも寄与する。また容量Ｃ７は積層した誘電体シート間に印刷した電極パターンによって形成されるが、小型で面積、層数で制限された誘電体シート上では十分な容量をとることが困難である。このような状況にあっても伝送線路Ｌ２０は比較的容易に形成することが出来るので有利である。伝送線路Ｌ２０の長さは伝送線路Ｌ８の長さの３０％以下が好ましい。
【００２１】
以上によりコントロール電源ＶＣ２がＨｉｇｈの時には、第３、第４のダイオードＤ３、Ｄ４は共にＯＮとなり、第４のダイオードＤ４と伝送線路Ｌ８の接続点がグランドレベルとなり、λ／４共振器である伝送線路Ｌ８の反対側のインピーダンスが無限大となる。したがって、コントロール電源ＶＣ２がＨｉｇｈの時にはダイプレクサＤｉｐ〜ＰＣＳ　ＲｘおよびダイプレクサＤｉｐ〜ＤＣＳ　Ｒｘ間の経路では信号は通過できず、ダイプレクサＤｉｐ〜ＤＣＳ／ＰＣＳ　Ｔｘ間の経路では信号が通過しやすくなる。一方、コントロール端子ＶＣ２がＬｏｗの時には第３のダイオードＤ３もＯＦＦとなりダイプレクサＤｉｐ〜ＤＣＳ／ＰＣＳＴｘ間の経路では信号は通過できず、また第４のダイオードＤ４もＯＦＦであるのでダイプレクサＤｉｐ〜ＰＣＳ　ＲｘおよびダイプレクサＤｉｐ〜ＤＣＳ　Ｒｘ間の経路では信号が通過しやすくなる。
【００２２】
またコントロール端子ＶＣ３がＨｉｇｈの時には、第５、第６のダイオードＤ５、Ｄ６は共にＯＮとなり、第６のダイオードＤ６と伝送線路Ｌ１０の接続点がグランドレベルとなり、λ／４共振器である伝送線路Ｌ１０の反対側のインピーダンスが無限大となる。したがって、コントロール端子ＶＣ３がＨｉｇｈの時にはＤＣＳ　Ｒｘ間の経路には信号は通過できず、ＰＣＳ　Ｒｘ間の経路では信号が通過しやすくなる。逆にコントロール端子ＶＣ３がＬｏｗの時には第５のダイオードＤ５もＯＦＦとなり、ＰＣＳ　Ｒｘ間の経路には信号は通過できず、また第６のダイオードＤ６もＯＦＦであるのでＤＣＳ　Ｒｘ間の経路では信号が通過しやすくなる。以上の構成により、コントロール端子ＶＣ２がＨｉｇｈの時にはＤＣＳ／ＰＣＳ　Ｔｘへ、コントロール端子ＶＣ２、ＶＣ３がそれぞれＬｏｗ、Ｈｉｇｈの時にはＰＣＳ　Ｒｘへ、コントロール端子ＶＣ２およびコントロール端子ＶＣ３がＬｏｗの時にはＤＣＳ　Ｒｘへの切り替えが可能となる。
【００２３】
ＶＣ３がＨｉｇｈの時のＰＣＳ　Ｒｘ　−　ＤＣＳ　Ｒｘ間のアイソレーションの調整にインダクタ又は伝送線路Ｌ３０を使用する事も可能であるが、λ／４共振器であるＬ１０と容量Ｃ１０が、回路の末端であるＤＣＳ＿Ｒｘ端子に接続されており、他の回路素子への影響度も少ないことから、比較的自由にＬ１０、Ｃ１０を前記アイソレーション、ＤＣＳ＿Ｒｘ端子の整合のために調整することができた。よってここではインダクタ又は伝送線路Ｌ３０を挿入するに至らなかった。
【００２４】
第１のローパスフィルタＬＰＦ１は、伝送線路Ｌ１１および容量Ｃ１１〜Ｃ１３より構成されるπ型のローパスフィルタである。ここでＬ１１とＣ１１は並列共振回路を構成し、その共振周波数はＥＧＳＭの送信周波数の２倍もしくは３倍の周波数に設定する。本実施例では３倍の２．７ＧＨｚに設定した。以上の構成によりパワーアンプから入力されるＥＧＳＭ側の送信信号に含まれる高調波歪みを除去できる。
第１のローパスフィルタＬＰＦ１は第１の高周波スイッチＳＷ１の第１のダイオードＤ１と伝送線路Ｌ５の間に配置しているが、これはダイプレクサＤｉｐと第１の高周波スイッチＳＷ１との間に配置しても良いし、前記伝送線路Ｌ５とＥＧＳＭ　Ｔｘとの間に配置しても良い。前記第１のローパスフィルタＬＰＦ１のグランドに接続する容量を伝送線路Ｌ５と並列に配置すれば、並列共振回路を構成することとなり、伝送線路Ｌ５の線路長をλ／４よりも短く構成でき、またチョークコイルのインダクタンス値を小さくすることが出来る。
【００２５】
第２のローパスフィルタＬＰＦ２は、伝送線路Ｌ１２および容量Ｃ１４〜Ｃ１６より構成されるπ型のローパスフィルタである。ここで伝送線路Ｌ１２と容量Ｃ１４は並列共振回路を構成し、その共振周波数はＤＣＳ／ＰＣＳ送信周波数の２倍もしくは３倍の周波数に設定する。本実施例では２倍の３．６ＧＨｚに設定した。以上の構成によりパワーアンプから入力されるＤＣＳ／ＰＣＳ側の送信信号に含まれる高調波歪みを除去できる。
第２のローパスフィルタＬＰＦ２も第１のローパスフィルタＬＰＦ１と同様に、ダイプレクサＤｉｐと第２の高周波スイッチＳＷ２との間に配置しても良いし、前記伝送線路Ｌ７とＤＣＳ送信端子ＤＣＳ　Ｔｘとの間に配置しても良い。第１、第２のローパスフィルタＬＰＦ１、ＬＰＦ２は、ダイオードＤ１と伝送線路Ｌ５との間、及びダイオードＤ３と伝送線路Ｌ７との間に構成されて、スイッチ回路の中に設けられている。これは回路設計上好ましいが必須ではない。ローパスフィルタは送信信号が通過するダイプレクサ〜送信端子との間の送信経路のどこかの位置に設けてあれば良い。
【００２６】
また、ＥＧＳＭ系をさらにＧＳＭ８５０（送信周波数：８２４〜８４９ＭＨｚ、受信周波数：８６９〜８９４ＭＨｚ）とＥＧＳＭに分けて、クワッドバンド対応とすることもできる。この場合、送信系は共通端子を用いることができ、受信系は前記トリプルバンド対応アンテナスイッチのＥＧＳＭ受信端子部にＧＳＭ８５０とＥＧＳＭを切り替えるスイッチを接続することにより構成できる。また、前記スイッチの代わりにＧＳＭ８５０、ＥＧＳＭ帯のλ／４共振器である伝送線路を用いて、両者間の周波数を分けることでも実現できる。
【００２７】
次に、高周波増幅器側を図２を参照して説明する。この高周波増幅器はハイパワーアンプで整合回路端の出力端子Ｐ０を図１のアンテナスイッチモジュールの例えばＥＧＳＭ　Ｔｘの送信端子Ｐ１に接続し、増幅した送信信号をアンテナスイッチ側に送る役割を果たす。出力端子Ｐ０には、直流カットコンデンサＣａ２を介して、伝送線路ＡＳＬ１の一端が接続される。伝送線路ＡＳＬ１には一端を接地されたコンデンサＣａ３、Ｃａ４が接続されて出力整合回路を構成する。伝送線路ＡＳＬ１の他端は、半導体素子の一種である電界効果スイッチングトランジスタ（ＦＥＴ）Ｑ１のドレインに接続される。また、ＦＥＴ　Ｑ１のソースは接地され、ゲートはバイポーラスイッチング素子（Ｂ−Ｔｒ）Ｑ２のコレクタに接続される。
【００２８】
他方、伝送線路ＡＳＬ１の他端と電界効果スイッチングトランジスタＦＥＴ　Ｑ１のドレインＤとの接続点は、λ／４ストリップライン等からなるインダクタＳＬ１とコンデンサＣａ５との直列回路を介して接地され、インダクタＳＬ１とコンデンサＣａ５との接続点はドレイン電圧端子Ｖｄｄ１に接続されている。また、電界効果スイッチングトランジスタＦＥＴ　Ｑ１のゲートとバイポーラスイッチング素子Ｑ２のコレクタとの接続点は、コンデンサＣａ６を介して接地されると共にゲート電圧端子Ｖｇにも接続される。
【００２９】
更に、バイポーラスイッチング素子Ｑ２のエミッタは接地され、ベースは伝送線路ＳＬ３の一端に接続される。バイポーラスイッチング素子Ｑ２のコレクタは、ストリップライン等からなるインダクタＳＬ２とコンデンサＣａ７との直列回路を介して接地され、インダクタＳＬ２とコンデンサＣａ７との接続点は、コレクタ電圧端子Ｖｃに接続される。また、インダクタＳＬ２とコンデンサＣａ７との接続点は、バイポーラスイッチング素子Ｑ２のベースと伝送線路ＳＬ３の一端との接続点にも接続される。伝送線路ＳＬ３の他端は、コンデンサＣａ８を介して接地されると共に入力端子Ｐｉｎに接続される。
【００３０】
尚、図１及び図２の等価回路において伝送線路及びインダクタはストリップラインで構成されることが多いものの、マイクロストリップライン、コプレーナガイドライン等で構成されていてもよい。また、図１のスイッチ回路ではｐｉｎダイオードは伝送線路側にカソードを接続した例を示したが、この向きに限るものではない。伝送線路側にアノードを接続しても良い。但し、この場合は送信系の伝送線路はコンデンサを介して接地するか、または伝送線路の他端を直接電圧制御端子にする。前記伝送線路にコンデンサを介して接地した場合、伝送線路とコンデンサの間に電圧制御端子を接続する。受信系のｐｉｎダイオードはアノードを伝送線路側に接続しており、カソードはコンデンサを介して接地されている。前記受信系ｐｉｎダイオードとコンデンサの間には抵抗が接続されており、その一端は電圧制御端子、又は接地されている。電圧制御端子として使用される場合、その端子に正の電圧を印加することにより送受信系ダイオードに逆バイアスをかけることができ、ダイオードのアイソレーションを更に大きくすることができる。結果として、アンテナ〜受信経路の挿入損失低減、他経路の送信時では前記ダイオードからの高調波発生を抑制することができる。
【００３１】
また、スイッチ回路のスイッチング素子としてｐｉｎダイオードを用いたが、これはＳＰ３Ｔ（Ｓｉｎｇｌｅ　Ｐｏｌｅ　３　Ｔｈｒｏｗ）等のＧａＡｓスイッチを用いても良い。さらにトランジスタはＱ１をＦＥＴ、Ｑ２をＢ−Ｔｒとしたが、それぞれ他の種類のトランジスタでも良い。例えば、Ｓｉ−ＭＯＳＦＥＴ、ＧａＡｓＦＥＴ、Ｓｉバイポーラトランジスタ、ＧａＡｓＨＢＴ（ヘテロ接合バイポーラトランジスタ）、ＨＥＭＴ（高電子移動度トランジスタ）等があげられる。もちろん、いくつものトランジスタを集積化したＭＭＩＣ（モノリシックマイクロ波集積回路）を用いても良い。また、本実施例では伝送線路ＳＬ３とトランジスタＱ２の間を直接繋いでいるが、抵抗を介して接続しても良い。
【００３２】
図３は、図１のアンテナスイッチモジュールと図２の高周波増幅器を一つの積層体内に収めた複合積層モジュールの誘電体グリーンシートの一部展開図である。図は積層体上部の１〜３層、中間の７〜８層及び下層の１３〜１５層の誘電体グリーンシートを抜き出したものである。誘電体グリーンシートは▲１▼が最上層で以下順に１５層で構成され、最後のシート（１５）は積層体の裏面を示している。また、図４はＸ−Ｘ断面図である。
実施例で使用した誘電体グリーンシート（以下、グリーンシート或いはシートと言う。）は９５０℃以下の低温焼成が可能なＬＴＣＣ材料からなる。例えば、Ａｌ２Ｏ３換算で１０〜６０質量％、ＳｉＯ２換算で２５〜６０質量％、ＳｒＯ換算で７．５〜５０質量％、ＴｉＯ２換算で２０質量％以下のＡｌ，Ｓｉ，Ｓｒ，Ｔｉと、Ｂｉ２Ｏ３換算で０．１〜１０質量％、Ｎａ２Ｏ換算で０．１〜５質量％、Ｋ２Ｏ換算で０．１〜５質量％、ＣｕＯ換算で０．０１〜５質量％、ＭｎＯ２換算で０．０１〜５質量％のＢｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｃｕ、Ｍｎをそれぞれ含有した誘電体組成物が用いられる。
【００３３】
グリーンシートは伝送線路や容量を形成しやすいようにシート厚みは４０〜２００μｍのものを使用し、電極材は銀系のものを用いた。このグリーンシートの各層に伝送線路やコンデンサ容量を電極パターンにより形成し、適宜スルーホールを設けて回路を構成している。このグリーンシートを順次積層圧着し、９５０℃で焼成することにより高周波部品が複合化された複合積層モジュールが得られる。積層体の大きさは横１３．７５ｍｍ×縦８ｍｍ×高さ０．７５ｍｍ程度であり、積層体の上面には図４に示すようにダイオードやトランジスタ及びチップインダクタ、チップコンデンサ、抵抗体等のチップ素子を搭載し、その上に金属ケース（図示せず）を被せて完成品とする。完成後の全高は１．８ｍｍ程度である。ただし、金属ケースの代わりに、樹脂封止パッケージとしても良く、この場合の全高は１．５ｍｍ程度である。
【００３４】
積層体内の概略構成は、アンテナスイッチモジュール側は、上部層に分波器及びローパスフィルタを構成する伝送線路Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３、Ｌ４等を、中間層に分波器、スイッチ回路及びローパスフィルタを構成するコンデンサ容量Ｃ１、Ｃ３、Ｃ６、Ｃ１０等を、下部層にスイッチ回路を構成する伝送線路Ｌ５、Ｌ６、Ｌ７、Ｌ８、Ｌ９、Ｌ１０等が主に形成されている。一方高周波増幅器側は、上部層に初段整合回路の主に伝送線路を、中間層に初段、後段整合回路の主にコンデンサ容量を、下部層にサーマルビアや後段整合回路の主に伝送線路、電源供給用ラインが主に形成されている。グランド電極は図３に示した第２、３、８、１３、１４、１５層にそれぞれＧ１、Ｇ２、Ｇ３、Ｇ４、Ｇ５、Ｇ６と設けられている。本例では中間層を省略しているのでグランド電極や伝送線路、コンデンサ容量の全てを表していないが、概略上記のような配置によってそれぞれ電極パターンにより形成されている。積層体への搭載部品あるいは基板外付け部品は、上記したようにダイオードＤ１〜Ｄ６、トランジスタＱ１〜Ｑ３、チップコンデンサＣ５、Ｃ８、Ｃａ５〜Ｃａ７、抵抗体Ｒ１〜Ｒ３などがある。
【００３５】
高周波増幅器とアンテナスイッチモジュールの接続は上層にあり、相互干渉を避けるためにグリーンシート▲１▼の伝送線路ＡＳＬ１（高周波増幅器側の線路）とグリーンシート▲２▼の伝送線路ＡＳＬ２（アンテナスイッチモジュール側の引廻し線路）とは層を変えて且つ上下に重ならないような位置に形成している。本例では両者の間に位相調整用のハイパスフィルタを介在させているが、これはＬＣ回路をチップインダクタとチップコンデンサで構成し積層体の上面に搭載している。これにより積層体モジュールを作成した後でも位相調整が出来るので、高調波を減衰するため等に試作調整の時間がかからず望ましい。また伝送線路ＡＳＬ１とＡＳＬ２は上下異なる層で且つ投影上で干渉しない位置に設けているので両高周波部品間の干渉をここでも避けることが出来ている。また、表層において、ＡＳＬ１とシールド電極を挟んでアンテナスイッチ側には、ローパスフィルタよりもアンテナ側の回路パターンが存在するため、ＡＳＬ１とこのパターンが電磁気的な結合を起こすと、ローパスフィルタを介さず、不要高周波電力がそのままアンテナから出力されることとなる。本実施例のようにこの間をシールド電極ＳＧで分離することによって、上記のような結合を回避することができ、高周波特性の向上に役立っている。
【００３６】
図に示すようにこの積層体モジュールは、高周波増幅器を構成する電極パターンは左側領域に、他方アンテナスイッチモジュールを構成する電極パターンは右側領域に形成し、グリーンシートは積層方向全てに渡って２つの領域に区分して構成している。さらに第１層の左右領域の間に帯状のシールド電極ＳＧを設け、このシールド電極ＳＧから積層方向の全層にわたってスルーホール電極ＨＧを縦列して設けている。スルーホール電極ＨＧは、シールド電極ＳＧから３層目のグランド電極Ｇ２、８層目のグランド電極Ｇ３、１３層目のグランド電極Ｇ４そして最下層のグランド電極Ｇ６にも繋がっており、両高周波部品間の相互干渉を抑制するとともに、上下方向にある電極パターン間の相互干渉の抑制にも効果がある。寸法配置的に余裕がある場合は、全層のグリーンシートに帯状のシールド電極ＳＧを設けることが望ましい。しかし多くの場合それが出来ないのでグランド電極を兼用してシールド電極ＳＧの作用を引き出すことができている。
【００３７】
縦列したスルーホール電極ＨＧの間隔は、出来るだけ広がらない方が良いが、強度上、製造上また相互干渉の抑制効果の傾向からスルーホール電極ＨＧの間隔ｇは、干渉を防ぎたい最も高い周波数の波長（λ）の１／４以下とする必要がある。実際のところではほぼλ／１０〜λ／５０程度で遮蔽効果が高まることが分かった。この実施例では間隔ｇは不等間隔であるが、おおよそＤＣＳ帯の３倍波（５．４ＧＨｚ近傍）のλ／２０（略１ｍｍ）〜λ／２５程度とした。このように縦列したスルーホール電極ＨＧは、間欠的に設けているので層間の密着強度が高まり強度が増す。スルーホールは必ずしも直線上に設ける必要は無く、図３の７層目及びそれ以下の層で見られるように電極パターンの配置等を考慮し適宜ずらして設けてもよい。以上のようにシールド電極ＳＧ及び／又はグランド電極とスルーホール電極ＨＧによるグランド遮蔽効果により両者高周波部品間のノイズ等の相互干渉が無くなり、高周波増幅器の発振等の不安定動作を防止できる。さらに、高周波部品を一つの積層体の中に集約したのでその占有面積は、従来のパワーアンプと高周波アンテナスイッチを別々に基板に実装した場合に比べて約５０％の小型化が出来ており、携帯電話などの通信機に搭載することで小型軽量化のニーズに答えることが出来る。
【００３８】
図１に示したアンテナスイッチモジュールの等価回路、図２に示した高周波増幅器の等価回路は一例である。増幅器回路側は、半導体素子Ｑ３と電源供給回路を同様に付加して増幅回路を３段、またそれ以上の多段となしハイパワーアンプとして構成することも出来る。また、アンテナスイッチモジュールと高周波増幅器の間にカプラ回路やアイソレータ回路を備えても良く、受信系経路にはＳＡＷフィルタを挿入しても良い。また、アンテナスイッチモジュール回路とカプラ回路を複合積層モジュールとしても良い。
上記した高周波スイッチモジュールやアンテナスイッチモジュールと高周波増幅器を複合化した複合積層モジュールをアンテナを共用とする携帯電話などの無線通信機に用いることによって小型軽量化の要求に答えることが出来る。
【００３９】
また本発明で用いられる送受信系システムとしては、上記した以外にもＰＤＣ８００帯域（８１０〜９６０ＭＨｚ）、ＧＰＳ帯域（１５７５．４２ＭＨｚ）、ＰＨＳ帯域（１８９５〜１９２０ＭＨｚ）、Ｂｌｕｅｔｏｏｔｈ帯域（２４００〜２４８４ＭＨｚ）や、米国で普及が見込まれるＣＤＭＡ２０００、中国で普及が見込まれるＴＤ−ＳＣＤＭＡ、欧州で普及が見込まれるＷ−ＣＤＭＡなどを組み合わせたマルチバンドアンテナスイッチ回路の場合も同様の効果が期待できる。これらの場合の回路を用いてデュアルバンド、３バンド、４バンド、５バンド等のマルチモードマルチバンドの高周波スイッチ回路が得られる。
【００４０】
【発明の効果】
本発明によれば、アイソレーションが十分とれて挿入損失が低減され、送信信号が受信回路側に漏洩することが防止された高周波スイッチモジュールとなる。
さらに一つの積層体内にこれらの機能を一体化することにより損失が無く変換効率の高い特性の優れた複合積層モジュールが得られる。そしてこれらを用いることにより小型軽量のマルチバンド型の高性能な通信機を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例を示すトリプルバンド用アンテナスイッチモジュールの等価回路図である。
【図２】本発明の一実施例を示す高周波増幅器の等価回路図である。
【図３】本発明の複合積層モジュールの一実施例を示す、誘電体グリーンシートの一部展開図である。
【図４】複合積層モジュールのＸ−Ｘ断面図である。
【図５】本発明のマルチバンド用アンテナスイッチモジュールの形態を説明するブロック図である。
【符号の説明】
ＡＳＭ：アンテナスイッチモジュール（高周波スイッチモジュール）
ＨＰＡ：ハイパワーアンプ（高周波増幅器）
Ｄｉｐ：ダイプレクサ（分波器）
ＳＷ：スイッチ回路
ＬＰＦ：ローパスフィルタ回路
ＳＡＷ：弾性表面波フィルタ
Ｌ、ＳＬ、ＡＳＬ：インダクタ、伝送線路
Ｃ、Ｃａ：コンデンサ
Ｑ１、Ｑ２：半導体スイッチング素子
ＳＧ：シールド電極
ＨＧ：スルーホールによるシールド電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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