(57)【要約】【課題】所定のサイズに切断する際に回路配線に生じるカット逃げを防止する。【解決手段】基材１１上に所定の配線パターンで形成された回路配線１２上に、この回路配線１２を構成する材料よりも高い硬度を有する材料により高硬度層１４を形成する。高硬度層１４は、ニッケルを主材とする材料によって形成された第１の高硬度層２０と、金を主材とする材料によって形成された第２の高硬度層２１とを順に回路配線１２上に形成され、積層構造とされている。このような高硬度層１４を形成した後に、基材１１を切断することにより、回路配線１２にカット逃げ現象が生じることを防止する。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子回路を構成する電子部品が配設される平板状の基材と、
前記基材の主面上に電解鍍金法により形成された銅を主材とする回路配線と、
前記回路配線よりも高い硬度を有する材料によって前記回路配線上に形成された高硬度層とを備えること
を特徴とする回路基板。
【請求項２】
前記高硬度層は、ニッケルを主材とする第１の高硬度層と、金を主材とする第２の高硬度層とが順に前記回路配線上に積層されてなること
を特徴とする請求項１記載の回路基板。
【請求項３】
前記基材における前記回路配線が形成された側の主面上に形成されたレジスト層をさらに備えること
を特徴とする請求項１記載の回路基板。
【請求項４】
電子回路を構成する電子部品が配設される平板状の基材の主面上に、電解鍍金法によって銅を主材とする材料により回路配線を形成する回路配線形成工程と、
前記回路配線上に、当該回路配線よりも高い硬度を有する材料によって高硬度層を形成する高硬度層形成工程と、
前記高硬度層が形成された基材を所定の領域に切断する基材切断工程とを有すること
を特徴とする回路基板の製造方法。
【請求項５】
前記高硬度層形成工程においては、ニッケルを主材とする第１の高硬度層と、金を主材とする第２の高硬度層とを順に前記回路配線上に積層形成すること
を特徴とする請求項４記載の回路基板の製造方法。
【請求項６】
前記高硬度層形成工程の前段に、
前記基材における前記回路配線が形成された側の主面上にレジスト層を形成するレジスト層形成工程と、
前記回路配線の配線パターンに対応した部位における前記レジスト層を除去するレジスト層除去工程とをさらに有すること
を特徴とする請求項４記載の回路基板の製造方法。
【請求項７】
前記高硬度層形成工程の後段に、
前記基材における前記回路配線が形成された側の主面上にレジスト層を形成するレジスト層形成工程をさらに有すること
を特徴とする請求項４記載の回路基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電子回路を構成する電子部品が配設される回路基板及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来から、各種の電気・電子機器には、情報の処理や機器の制御を行う電子回路が搭載されている。このような電子回路は、回路基板上に抵抗素子、トランス、半導体素子、或いは半導体チップ等の電子部品が取り付けられてなる。
【０００３】
従来の回路基板１００は、図２に示すように、ポリカーボネート樹脂等の非導電性材料からなる基材１０１と、この基材１０１上に所定の配線パターンで例えば電解鍍金法により形成された回路配線１０２と、回路配線１０２を覆うようにして基材１０１上に形成されたレジスト層１０３とを備えている（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
以上の構造とされた回路基板１００は、大量生産による低コスト化を図る目的で、所定の大きさの基材１０１上に所望とする回路配線１０２を複数箇所に形成した後に、図２に示すように高速回転するカッターブレード１５０によって切断され、各回路配線１０２が形成された部位をそれぞれ切り分けるといった手法により製造されている。
【０００５】
【特許文献１】
特開２０００−１００８４０号公報（図４）
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、回路基板１００の回路配線１０２は、銅を主材とする材料によって形成されていることから硬度が比較的低いため、高い硬度を有する材料によって形成された高速回転するカッターブレード１５０によって切断された際に、このカッターブレード１５０が回転する方向に引き延ばされてしまうといった現象がみられる。なお、このような現象は、「カット逃げ」或いは「銅逃げ」などとも称されており、引き延ばされた部位における銅材料は、「カットバリ」などと称されている。
【０００７】
従来の回路基板１００においては、回路配線１０２における配線間の距離が十分に離間していたため、上述のような現象が生じた場合でも不具合が発生することがなく、対処すべき問題として認識されていなかった。
【０００８】
しかしながら、近年、電気・電子機器の小型化・高機能化が進むに伴って、回路基板１００のサイズを小型化することが求められているだけでなく、多数の電子部品を高密度に配設することが必要となりつつある。このような回路基板１００の小型化や電子部品の高密度化を図るためには、回路配線１０２における配線幅や配線間距離をより一層小さくすることが必須となる。
【０００９】
このとき、上述したカット逃げ現象が生じることによって、隣接する配線同士がカットバリによって電気的に短絡してしまうなどの問題が生じてしまう。これにより、回路基板を製造する際の製品不良率が高まり、結果として高コスト化を招いてしまうといった問題があった。
【００１０】
そこで、本発明は、上述した従来の実情に鑑みてなされたものであり、回路基板を構成する基材を切断して各回路基板に切り分ける際に生じるカット逃げ現象を防止して、高品質な回路基板を低コストで提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明の請求項１に係る回路基板は、電子回路を構成する電子部品が配設される平板状の基材と、前記基材の主面上に電解鍍金法により形成された銅を主材とする回路配線と、前記回路配線よりも高い硬度を有する材料によって前記回路配線上に形成された高硬度層とを備えることを特徴とするものである。
【００１２】
以上のように構成された本発明の請求項１に係る回路基板は、回路配線上に高硬度層が積層して形成されているため、高硬度な材料によって形成された高速回転するカッターブレードなどによって切断される際に、回路配線にカット逃げが生じることを防止することができる。
【００１３】
本発明の請求項２に係る回路基板は、請求項１に記載の構成に加えて、前記高硬度層が、ニッケルを主材とする第１の高硬度層と、金を主材とする第２の高硬度層とが順に前記回路配線上に積層されてなることを特徴とするものである。
【００１４】
以上のように構成された本発明の請求項２に係る回路基板は、高硬度層が第１の高硬度層と第２の高硬度層との積層構造とされていることから、回路配線との密着性を向上させることができる一方で、カット逃げを防止するに十分な硬度を確保することができる。
【００１５】
本発明の請求項３に係る回路基板は、請求項１に記載の構成に加えて、前記基材における前記回路配線が形成された側の主面上に形成されたレジスト層をさらに備えることを特徴とするものである。
【００１６】
以上のように構成された本発明の請求項３に係る回路基板は、レジスト層を備えていることから、基材の主面を保護することができ、例えば、回路配線や高硬度層が酸化などにより劣化してしまうことなどを防止することができる。
【００１７】
本発明の請求項４に係る回路基板の製造方法は、電子回路を構成する電子部品が配設される平板状の基材の主面上に、電解鍍金法によって銅を主材とする材料により回路配線を形成する回路配線形成工程と、前記回路配線上に、当該回路配線よりも高い硬度を有する材料によって高硬度層を形成する高硬度層形成工程と、前記高硬度層が形成された基材を所定の領域に切断する基材切断工程とを有することを特徴とするものである。
【００１８】
以上のように構成された本発明の請求項４に係る回路基板の製造方法では、基材を切断する基材切断工程の前段に、回路配線上に高硬度層を形成する高硬度層形成工程を有している。このため、回路基板を切断して所望とする領域毎に切り分ける際に、回路配線にカット逃げが生じることを防止することができる。
【００１９】
本発明の請求項５に係る回路基板の製造方法は、請求項４に記載の構成に加えて、前記高硬度層形成工程においては、ニッケルを主材とする第１の高硬度層と、金を主材とする第２の高硬度層とを順に前記回路配線上に積層形成することを特徴とするものである。
【００２０】
以上のように構成された本発明の請求項５に係る回路基板の製造方法では、高硬度層を第１の高硬度層と第２の高硬度層との積層構造とすることができることから、回路配線との密着性を向上させることができる一方で、カット逃げを防止するに十分な硬度を確保することができる。
【００２１】
本発明の請求項６に係る回路基板の製造方法は、請求項４に記載の構成に加えて、前記高硬度層形成工程の前段に、前記基材における前記回路配線が形成された側の主面上にレジスト層を形成するレジスト層形成工程と、前記回路配線の配線パターンに対応した部位における前記レジスト層を除去するレジスト層除去工程とをさらに有することを特徴とするものである。
【００２２】
以上のように構成された本発明の請求項６に係る回路基板の製造方法では、基材の主面上にレジスト層を形成し、このレジスト層を回路基板が形成された部位で除去した後に高硬度層を形成することができる。
【００２３】
本発明の請求項７に係る回路基板の製造方法は、請求項４に記載の構成に加えて、前記高硬度層形成工程の後段に、前記基材における前記回路配線が形成された側の主面上にレジスト層を形成するレジスト層形成工程をさらに有することを特徴とするものである。
【００２４】
以上のように構成された本発明の請求項７に係る回路基板の製造方法では、回路配線上に高硬度層が形成された状態の基材上にレジスト層を形成する。このため、これら回路配線及び高硬度層をレジスト層によって埋め込むことができる。
【００２５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。以下では、図１に示す構造とされた回路基板１０について説明する。
【００２６】
回路基板１０は、図１に示すように、基材１１と、この基材１１上に形成された回路配線１２と、回路配線１２上に形成された高硬度層１３と、基材１１上で回路配線１２が形成された部位を除く部位に形成されたレジスト層１４とを備えている。
【００２７】
基材１１は、例えばポリカーボネート樹脂等の非導電性材料によって平板形状に形成されている。回路配線１２は、基材１１における一方の主面上に銅（Ｃｕ）を主材とする材料によって所定の配線パターンで電解鍍金法によって形成されている。
【００２８】
高硬度層１３は、ニッケル（Ｎｉ）を主材とする材料によって電解鍍金法により形成された第１の高硬度層２０と、金（Ａｕ）を主材とする材料によって形成された第２の高硬度層２１とが回路配線１２上に順に積層された積層構造とされている。また、高硬度層１３は、図１に示すように、回路配線１２の側部まで覆うように形成されている。このため、回路基板１０においては、回路配線１２が高硬度層１３によって完全に覆われた状態とされている。
【００２９】
また、レジスト層１４は、例えば紫外線硬化樹脂を塗布した後に紫外線を照射することなどによって基材１１における回路配線１２が形成された側の主面上に形成されている。このレジスト層１４は、基材１１の主面を保護する目的で形成されており、例えば、回路配線１２や高硬度層１３が酸化などにより劣化してしまうことなどを防止している。
【００３０】
なお、回路基板１０においては、例えば、回路配線１２や高硬度層１３の酸化による劣化などによる影響を無視することができる場合などには、レジスト層１４を設けることは必須ではない。また、図１においては、回路配線１２及び高硬度層１３が形成された部位でレジスト層１４に開口部が設けられた状態を図示しているが、回路配線１２及び高硬度層１３が形成された部位に、さらに別のレジスト層によって回路配線１２及び高硬度層１３が埋め込まれた構造としてもよい。また、回路配線１２及び高硬度層１３を完全に覆うようにレジスト層１４が形成されていてもよい。
【００３１】
以上のように構成された回路基板１０においては、図１に示すように、高い硬度を有する材料によって形成された高速回転するカッターブレード５０により切断して所定の領域に切り分けるに際して、回路配線１２が高硬度層１３によって覆われていることから、回路配線１２を構成する比較的硬度が低い材料が流れてしまうことがない。したがって、いわゆるカット逃げ現象が生じてしまうことがなく、例えば隣接する配線同士がカットバリによって短絡してしまうことがない。
【００３２】
このため、回路基板１０は、回路配線１２における配線幅や配線間距離をより一層小さくした場合であっても、カット逃げ現象を起因とする配線の短絡や損傷が生じてしまうことがなく、基板サイズの小型化や、搭載する電子部品の高密度化に対応することができる。また、配線の短絡や損傷が効果的に防止されていることから、製造時の歩留まりを向上させることができ、結果として低コスト化を図ることができる。
【００３３】
つぎに、上述した回路基板１０を製造する手法について説明する。
回路基板１０を製造するに際しては、平板状の基材１１を用意し、この基材１１の主面上に、電解鍍金法によって銅を主材とする材料により回路配線１２を所定の配線パターンで形成する。次に、基材１１において回路配線１２が形成された側の主面上にレジスト層１４を形成する。次に、回路配線１２の配線パターンに対応した部位に形成されたレジスト層１４を除去し、外方に露出された回路配線１２上に、電解鍍金法によって第１の高硬度層２０と第２の高硬度層２１とを順に積層形成する。次に、高速回転するカッターブレード５０を用いて基材１１を所定のサイズでそれぞれ切断する。これにより、回路基板１０が完成する。
【００３４】
なお、上述においては、第１の高硬度層２０及び第２の高硬度層２１を形成する以前にレジスト層１４を形成・除去すると説明したが、これら第１の高硬度層２０及び第２の高硬度層２１を形成した後にレジスト層１４を基材１１の全面に形成することによって、これら第１の高硬度層２０及び第２の高硬度層２１をレジスト層１４によって完全に覆うように形成してもよい。また、第１の高硬度層２０及び第２の高硬度層２１を形成した後に、さらに別のレジスト層を基材１１の全面に形成することによって、これら第１の高硬度層２０及び第２の高硬度層２１を完全に覆うように形成してもよい。
【００３５】
また、以上の説明においては、ニッケルを主材とする第１の高硬度層２０と、金を主材とする第２の高硬度層２１によって高硬度層１３が積層形成されているとしたが、回路配線１３におけるカット逃げ現象を十分に防止することが可能な程度の硬度を有していれば、高硬度層１３を形成する材料や構造については特に限定されるものではなく、任意とすることができる。
【００３６】
【発明の効果】
本発明によれば、基材上に形成された回路配線に高硬度層が積層された回路基板を実現することができる。このため、例えば、高硬度な材料によって形成された高速回転するカッターブレードなどによって切断する際に、回路配線にカット逃げが生じることを効果的に防止することができる。
【００３７】
したがって、基板サイズの小型化するという要求や、電子部品を高密度に配設するという要求に対応するために回路配線の配線パターンを微細化した場合であっても、カット逃げ現象を起因とする回路配線の短絡や損傷などが生じてしまうことを防止することができ、歩留まりを向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態として示す回路基板の積層構造を説明するための概略図である。
【図２】従来の回路基板の積層構造を説明するための概略図である。
【符号の説明】
１０    回路基板
１１    基材
１２    回路配線
１３    高硬度層
１４    レジスト層
２０    第１の高硬度層
２１    第２の高硬度層
【図１】
2004303845.tif 000003
【図２】
2004303845.tif 000004