(57)【要約】【課題】多層セラミック基板を用いたアクティブマトリクス型蛍光表示装置において，アノードとグリッドとカソードのすべてについて，その配線構造や組立構造を最適化する。【解決手段】基板１６とカソード保持棚２２とグリッド保持棚２４とを多層セラミックで形成し，それらの内部に配線を形成する。基板１６の内面にアノードセル３０を形成し，外面にドライバＩＣを実装する。基板１６の内部のアノード用内部配線を介してアノードセル３０とドライバＩＣとを電気的に接続する。カソード保持棚２２の表面にカソード保持電極２６を形成し，これにカソードを接続する。グリッド保持棚２４の表面にグリッド保持電極２８を形成し，これにグリッドを接続する。多層セラミックに形成した内部配線を介して，カソードとグリッドを基板１６の外面のカソード端子またはグリッド端子に接続する。【選択図】  図２
2004303706.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
次の構成を備えるアクティブマトリクス型蛍光表示装置。
（ａ）多層セラミックで形成された基板。
（ｂ）前記基板の内面に形成されていて，個々の画素を構成する多数のアノードセル。
（ｃ）前記基板の外面に形成されていて，個々の画素に対応するアノード端子。
（ｄ）前記基板の内部を通過していて，前記アノードセルと前記アノード端子とを電気的に接続するアノード用内部配線。
（ｅ）前記基板の外面に実装されたドライバＩＣであって，前記アノードセルに選択的に信号を供給するための能動素子と出力端子とを含んでいて，前記出力端子が前記アノード端子に電気的に接続されているドライバＩＣ。
（ｆ）多層セラミックで形成されていて，その表面が前記基板の内面から所定の距離だけ離れるように前記基板の内面上に形成されたカソード保持棚。
（ｇ）前記カソード保持棚の前記表面に形成されたカソード保持電極。
（ｈ）前記カソード保持電極に接続されたカソード。
（ｉ）前記基板の外面に形成されたカソード端子。
（ｊ）前記カソード保持棚の内部と前記基板の内部とを通過していて，前記カソード保持電極と前記カソード端子とを電気的に接続するカソード用内部配線。
（ｋ）多層セラミックで形成されていて，その表面が前記基板の内面から所定の距離だけ離れるように前記基板の内面上に形成されたグリッド保持棚。
（ｌ）前記グリッド保持棚の前記表面に形成されたグリッド保持電極。
（ｍ）前記グリッド保持電極に接続されたグリッド。
（ｎ）前記基板の外面に形成されたグリッド端子。
（ｏ）前記グリッド保持棚の内部と前記基板の内部とを通過していて，前記グリッド保持電極と前記グリッド端子とを電気的に接続するグリッド用内部配線。
【請求項２】
請求項１に記載のアクティブマトリクス型蛍光表示装置において，前記基板の外面に行選択シフトレジスタＩＣと列選択データロジックＩＣが実装され，前記基板の外面に入出力端子が形成されていることを特徴とするアクティブマトリクス型蛍光表示装置。
【請求項３】
請求項２に記載のアクティブマトリクス型蛍光表示装置において，前記ドライバＩＣは，前記出力端子のほかに，電源端子と接地端子と行選択端子と列選択端子とを備えていて，前記電源端子と前記接地端子は前記基板の内部の配線を介して前記入出力端子に接続され，前記行選択端子は前記基板の内部の配線を介して前記行選択シフトレジスタＩＣに接続され，前記列選択端子は前記基板の内部の配線を介して前記列選択データロジックＩＣに接続されていることを特徴とするアクティブマトリクス型蛍光表示装置。
【請求項４】
請求項１に記載のアクティブマトリクス型蛍光表示装置において，前記ドライバＩＣは複数個実装されていて，各ドライバＩＣはＮ１行×Ｎ２列の前記アノードセルを駆動できて，前記アノードセルは全体でＭ１行×Ｍ２列のマトリクスに配列されていて，前記Ｍ１は前記Ｎ１の整数倍に，前記Ｍ２は前記Ｎ２の整数倍になっていることを特徴とするアクティブマトリクス型蛍光表示装置。
【請求項５】
請求項４に記載のアクティブマトリクス型蛍光表示装置において，前記Ｎ１とＮ２はそれぞれ２〜１６の範囲内の整数であることを特徴とするアクティブマトリクス型蛍光表示装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は多層セラミック基板を用いたアクティブマトリクス型蛍光表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
多層セラミック基板を用いた自発光表示装置として，次の公知文献が知られている。
【０００３】
【特許文献１】
特開２００２−１５１２５０号公報
【特許文献２】
特表平１１−５１０６４０号公報
【特許文献３】
米国特許第６５２５４８５号明細書
【０００４】
特許文献１と特許文献２は多層セラミック基板を用いたＥＬ（エレクトロルミネッセンス）表示装置を開示している。これらの従来技術は，基板を多層セラミックで形成して，基板の内面に発光層を形成するとともに，基板の外面に，能動素子を含む駆動回路を実装している。そして，多層セラミック基板の内部に多層の回路パターンを形成して，この回路パターンを介して発光層と駆動回路とを接続している。これにより，短い配線経路で発光部と駆動回路とを接続できるという利点がある。このうち，特許文献２はアクティブマトリクス型のＥＬ表示装置である。
【０００５】
上述の特許文献２では，ＥＬ表示装置のほかに，蛍光表示装置についても多層セラミック基板を用いることを開示している。すなわち，真空中に電子を放出してこれを蛍光体に当てるタイプの，いわゆるフィールドエミッションディスプレイについても，多層セラミック基板を用いることを開示している。
【０００６】
また，特許文献３は，多層セラミック基板を用いた真空蛍光表示装置を開示している。多層セラミックで形成した基板の内面に１個または複数の半導体チップを配置して，各チップの上にアノードセルを形成している。そして，多層セラミック基板の内部の回路パターンを介して外部配線と上記半導体チップとを電気的に接続することにも言及している。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
アクティブマトリクス型の蛍光表示装置において，上述の従来技術を採用すれば，多層セラミック基板の内部の配線を利用してアノードセルと駆動回路とを短い配線経路で接続することが可能になる。しかし，そのようなタイプの蛍光表示装置において，グリッドとカソードの配線構造や組立構造をどのようにしたら最適であるのかについて，新たな工夫が望まれていた。
【０００８】
本発明は上述の課題を解決するためになされたものであり，その目的は，多層セラミック基板を用いたアクティブマトリクス型蛍光表示装置において，アノードとグリッドとカソードのすべてについて，その配線構造や組立構造を最適化することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明のアクティブマトリクス型蛍光表示装置は，基板とカソード保持棚とグリッド保持棚とが多層セラミックで形成されていて，それらの内部に配線が形成されている。基板の内面（内側表面）にはアノードセルが形成され，基板の外面（外側表面）にはドライバＩＣが実装されている。基板の内部のアノード用内部配線を介してアノードセルとドライバＩＣとが電気的に接続されている。カソード保持棚の表面にはカソード保持電極が形成されていて，このカソード保持電極にカソードが接続されている。グリッド保持棚の表面にはグリッド保持電極が形成されていて，このグリッド保持電極にグリッドが接続されている。カソードはカソード保持電極とカソード用内部配線とを介して基板の外面のカソード端子に接続されている。グリッドはグリッド保持電極とグリッド用内部配線とを介して基板の外面のグリッド端子に接続されている。
【００１０】
本発明のアクティブマトリクス型蛍光表示装置は次の構成を備えている。（ａ）多層セラミックで形成された基板。（ｂ）前記基板の内面に形成されていて，個々の画素を構成する多数のアノードセル。（ｃ）前記基板の外面に形成されていて，個々の画素に対応するアノード端子。（ｄ）前記基板の内部を通過していて，前記アノードセルと前記アノード端子とを電気的に接続するアノード用内部配線。（ｅ）前記基板の外面に実装されたドライバＩＣであって，前記アノードセルに選択的に信号を供給するための能動素子と出力端子とを含んでいて，前記出力端子が前記アノード端子に電気的に接続されているドライバＩＣ。（ｆ）多層セラミックで形成されていて，その表面が前記基板の内面から所定の距離だけ離れるように前記基板の内面上に形成されたカソード保持棚。（ｇ）前記カソード保持棚の前記表面に形成されたカソード保持電極。（ｈ）前記カソード保持電極に接続されたカソード。（ｉ）前記基板の外面に形成されたカソード端子。（ｊ）前記カソード保持棚の内部と前記基板の内部とを通過していて，前記カソード保持電極と前記カソード端子とを電気的に接続するカソード用内部配線。（ｋ）多層セラミックで形成されていて，その表面が前記基板の内面から所定の距離だけ離れるように前記基板の内面上に形成されたグリッド保持棚。（ｌ）前記グリッド保持棚の前記表面に形成されたグリッド保持電極。（ｍ）前記グリッド保持電極に接続されたグリッド。（ｎ）前記基板の外面に形成されたグリッド端子。（ｏ）前記グリッド保持棚の内部と前記基板の内部とを通過していて，前記グリッド保持電極と前記グリッド端子とを電気的に接続するグリッド用内部配線。
【００１１】
このような構造を採用することにより，（１）アノードセルとドライバＩＣとの間の配線長さが短くなる，（２）カソードとグリッドの水平位置と高さとを精度良く置決めできる，（３）カソードとグリッドを容器内へ組み立てる作業が容易になる，という利点がある。
【００１２】
また，ドライバＩＣを複数個実装する場合において，各ドライバＩＣがＮ１行×Ｎ２列の前記アノードセルを駆動できるようにし，前記アノードセルを全体でＭ１行×Ｍ２列のマトリクスに配列にして，前記Ｍ１を前記Ｎ１の整数倍に，前記Ｍ２を前記Ｎ２の整数倍にすることができる。このようにすると，アノードセルを行方向にＮ１個の単位で増やし，列方向にＮ２個の単位で増やせば，同じ設計のドライバＩＣをそのまま使うことができて，表示規模の拡大に容易に対応できる。
【００１３】
さらに，上述のＮ１とＮ２は，それぞれ２〜１６の範囲内の整数にするのが適当である。このようにすると，ひとつのドライバＩＣが駆動できるアノードセルの数があまり大きならずに，小型で安価なドライバＩＣが使える。
【００１４】
【発明の実施の形態】
次に，本発明の実施形態について図面を参照して説明する。図１は，本発明のアクティブマトリクス型蛍光表示装置のひとつの実施形態についての製造途中の斜視図である。矩形の容器１０と電極フレーム１２とを上下に離した状態で示している。電極フレーム１２は，容器１０内にグリッド５２とカソード５０を組み立てるときに使用するものである。
【００１５】
図２は容器１０の斜視図であり，その側壁１４の一部を切り欠いて示している。容器１０は，底部を構成する基板１６と，側壁１４と，基板１６の内面３２上に形成された棚部１８とからなる。棚部１８は４個のカソード保持棚２２と２個のグリッド保持棚２４とからなる。カソード保持棚２２の表面にはカソード保持電極２６が形成されている。グリッド保持棚２４の表面にはグリッド保持電極２８が形成されている。基板１６の内面３２上には画素電極となる多数のアノードセル（ピクセルパッド）３０が形成されている。図２では，図面を見やすくするために，１２個×１２個＝１４４個のアノードセル３０を示しているが，実際のものは４８個×４８個＝２３０４個のアノードセルがある。
【００１６】
アノードセル３０の表面からグリッド保持電極２８の表面までの高さ方向の距離は０．３〜１．０ｍｍ程度であり，アノードセル３０の表面からカソード保持電極２６の表面までの高さ方向の距離は１．０〜２．０ｍｍ程度である。
【００１７】
アノードセル３０は次のようにして形成できる。多層セラミックでできている基板１６の内面には，導電性材料からなる画素端子が形成されている。この画素端子上に，電着法，インクジェット印刷法または塗布法を用いて，蛍光体の薄膜を所定の矩形状に形成して，アノードセル３０が出来上がる。アノードセル３０は，この実施形態では１辺が０．３ｍｍの正方形である。隣り合うアノードセル３０の間隔は０．１ｍｍである。したがって，アノードセル３０の配列ピッチは０．４ｍｍである。
【００１８】
図３は容器１０の製造方法を概略的に示した斜視図である。この容器はＬＴＣＣ（Ｌｏｗ  Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ  Ｃｏ−ｆｉｒｅｄ  Ｃｅｒａｍｉｃ：低温同時焼成セラミック）と呼ばれる多層セラミックでできている。容器の底部を構成する基板１６は３枚のグリーンシート１６ａ，１６ｂ，１６ｃを積層して作られている。カソード保持棚２２とグリッド保持棚２４と側壁１４は７枚のグリーンシート２０ａ〜２０ｇを積層して作られている。グリーンシート２０ａ，２０ｂは側壁１４の下部とカソード保持棚２２の下部とグリッド保持棚２４のすべてとを構成している。グリーンシート２０ｃ，２０ｄは側壁１４の中間高さ部とカソード保持棚２２の上部とを構成している。したがって，カソード保持棚２２の表面はグリッド保持棚２４の表面よりも高い位置にある。グリーンシート２０ｅ，２０ｆ，２０ｇは側壁１４の上部を構成している。各グリーンシート１６ａ〜１６ｃ，２０ａ〜２０ｇは，所望の形状になるように不要部分をパンチングなどで打ち抜いて作ることができ，必要に応じてこれらのグリーンシートの片面または両面に所望のパターンの導体層を形成する。そして，これらのグリーンシートを順に重ねてから，高い圧力で加圧して，各シートを密着させる。その後，これらの全シートを低温で（通常のセラミックの焼成温度よりは低温の例えば８５０℃で）同時に焼成して，容器１０を形成することができる。このようなＬＴＣＣ製の容器は，蛍光表示管の動作に必要な真空度，例えば１×１０のマイナス５乗Ｐａ程度の圧力，を維持することができる。
【００１９】
グリーンシートの具体的な材質としては，市販されている製品として  ＤｕＰｏｎｔ  ９５１，  Ｈｅｒｅａｕｓ  ＣＴ２０００，  Ｆｅｒｒｏ  Ａ６−Ｓ  などを使うことができる。基板１６としては，積層・焼成後の合計厚さが１ｍｍ以上であれば，良好な真空度を維持できることが実験で確かめられている。ゆえに，真空度の観点からは，厚さが２５０μｍのグリーンシートを使う場合は４枚以上のグリーンシートを積層して基板１６を作ることができる。厚さが５００μｍのグリーンシートを使う場合は２枚以上を積層することになる。
【００２０】
図４は電極フレーム１２の斜視図である。この電極フレーム１２の本体は１枚の金属製の薄板を加工して作られている。薄板の材質としては，ＬＴＣＣの線膨張係数に近いコバールなどの金属を使うことができる。板厚は０．１５〜０．２ｍｍ程度が適当である。これよりも薄くなると，機械的強度が保てなくなり，逆に，これよりも厚くなると，ＬＴＣＣ上の電極と溶接する際に電極に損傷を与えるおそれがある。
【００２１】
電極フレーム１２の長手方向の両端には支持部３４が形成されている。この支持部３４は組立作業が完了したあとに除去される。１対の支持部３４の間には４個のカソード接続部３６が一体に形成されている。支持部３４とカソード接続部３６との間には段差３７が形成されている。長手方向に隣り合う二つのカソード接続部３６の間にはＵ字部３８が形成されている。このＵ字部３８は，電極フレーム１２と容器１０との位置合わせに利用するものである。２個のＵ字部３８のうちの一方にはゲッター４０が溶接で接合されている。このゲッター４０は，容器１０の内部空間（真空状態に維持される）に放出される分子を吸着するもので，真空度を維持するのに役に立つ。
【００２２】
幅方向に隣り合う１対のカソード接続部３６の間にはカソード支持体４２が溶接で接合されている。図５は１対のカソード支持体４２だけを示した斜視図である。カソード支持体４２には１対の接合部４４があり，この接合部４４がカソード接続部３６（図４を参照）に接合されている。１対の接合部４４の間には連結部４６が一体に形成されている。連結部４６は１対の接合部４４の間の間隔を所定値に維持する役割を果たしており，組立完了後は除去される。連結部４６と接合部４４との間には段差６４があり，この段差６４のところに切断窓６６が形成されている。切断窓６６の両側には細首部６８が形成されていて，この部分で連結部４６が両側の接合部４４につながっている。接合部４４にはフィラメント支持片４８が接合されている。そして，１対のフィラメント支持片４８の間にフィラメントカソード５０が適当な張力で張り渡されている。
【００２３】
図４に戻って，電極フレーム１２の支持部３４にはグリッド５２が一体に折り曲げ形成されている。図６は１対のグリッド５２だけを示した斜視図である。手前のグリッド５２は第１垂直部を切り欠いて示してある。グリッド５２は３個のタイバー５４によって支持部３４（図４を参照）に一体に連結されている。タイバー５４から下方へと第１垂直部５６が延びており，第１垂直部５６の下端から水平に水平部５８が延びている。さらに，水平部５８の先端から上方に向かって第２垂直部６０が延びている。したがって，グリッド５２の垂直断面は概略Ｕ字形をしている。そして，水平部５８と第２垂直部６０とにまたがって，多数のグリッド開口６２が形成されている。図６では，図面を見やすくするために，１２個のグリッド開口を示しているが，実際のものは，可能な限りの細かさで多数のグリッド開口が形成されている。
【００２４】
次に，図１を参照して，電極フレーム１２を使ってフィラメントカソード５０とグリッド５２を容器１０内に組み立てる方法を説明する。まず，容器１０の上部の開口内に電極フレーム１２の４個のカソード接続部３６を挿入する。電極フレーム１２の幅Ｗは，容器１０の上部の開口の一方向の内面寸法にほぼ等しくなっている。また，電極フレーム１２の長手方向に隣り合う１対の段差３７の外面の間の距離Ｌ１も，容器１０の上部の開口の他方向の内面寸法にほぼ等しくなっている。さらに，Ｕ字部３８の外面間の距離Ｌ２が，１対のカソード保持棚２６の間の距離にほぼ等しくなっている。したがって，電極フレーム１２の４個のカソード接続部３６を容器１０内に挿入すると，ぴったりと収まることになる。これにより，電極フレーム１２は容器１０に対して正しく位置決めされる。なお，この実施形態では，容器１０は正方形であり，ＷとＬ１は等しい。
【００２５】
電極フレーム１２を容器１０内にきちんと収容すると，４個のカソード接続部３６の下面が４個のカソード保持電極２６の上面に接触し，さらに，２個のグリッド５２の水平部５８（図６を参照）の下面が２個のグリッド保持電極２８の上面に接触する。この状態で，カソード接続部３６とカソード保持電極２６との間，および，グリッド５２とグリッド保持電極２８との間を，溶接やロー付けなどで接合する。
【００２６】
次に，電極フレーム１２の両端の支持部３４のそれぞれにおいて，２箇所の段差３７と３箇所のタイバー５４とをレーザで切断する。これにより，支持部３４が切り取られる。さらに，カソード支持体４２（図５を参照）の連結部４６の両側の細首部６８をレーザで切断する。これにより，連結部４６が切り取られる。以上の作業によって，フィラメントカソード５０とグリッド５２の組立が完了する。このような組立方法を採用することにより，フィラメントカソード５０とグリッド５２の水平位置と高さとを高い精度で位置決めでき，かつ，その組立作業も容易になる。
【００２７】
次に，容器に窓ガラスを接合することを説明する。図７は容器１０の正面断面図である。容器１０の側壁１４の上端は封止面１５になっていて，この封止面１５に金属被膜が形成されている。この金属被膜はグリーンシート上の導電パターンとして形成されるものであり，その材質は，例えば，銀／パラジウム（Ａｇ／Ｐｄ）合金である。一方で，透明な窓ガラス７０の周辺の封止部分にも同様の金属被膜が形成されている。容器１０の封止面１５に窓ガラス７０を載せて，これを真空チャンバーの中に入れて，真空チャンバーを排気した状態で，封止面１５の金属被膜と窓ガラス７０の金属被膜とを低融点合金でロー付けによって接合する。また，上述の金属被膜を用いる代わりに，フリットガラスを用いて窓ガラス７０を接合することも可能である。
【００２８】
従来の蛍光表示装置では，容器と窓ガラスと電極アッセンブリーという三つの部品を，互いに位置がずれないように特殊な治具に挟み込んでから，容器と窓ガラスの間を封止していた。これに対して，本発明では，あらかじめ電極を取り付けた容器１０と窓ガラス７０という二つの部品の間で封止作業をするので，工程が簡略化され，また，歩留まりも向上する。
【００２９】
この図７では，アノードセル３０とグリッド５２とフィラメントカソード５０の上下方向の位置関係が概略的に示されている。フィラメントカソード５０から放出された電子は，負電位のグリッド５２によって容器の内部空間に引き出される。そして，選択的に正電位が供給されたアノードセル３０だけに電子が衝突して，そのアノードセル３０に形成された蛍光体が発光する。この発光を窓ガラス７０を通して見ることができる。各電極に印加する電位の一例ば，アノード電圧が１０〜３０Ｖ，グリッド電圧がマイナス１０〜３０Ｖ，カソード電圧がマイナス１〜２Ｖ程度である。
【００３０】
次に，アノードセルとドライバＩＣとの接続構造を説明する。図８は図７のＡ部を拡大した断面図である。基板１６は３枚のシート１６ａ，１６ｂ，１６ｃを積層した多層セラミックでできていて，各シートの両面または片面の所定の箇所に導体パターンが形成されている。また，各シートの所定箇所にシートを貫通するビアホールが形成されていて，ビアホールの内部には導電体（ビアホール配線）が埋め込まれている。基板１６の内面３２（真空に維持される側）には画素端子７２が形成されている。一方，基板１６の外面８０（大気側）にはアノード端子７４が露出している。内面３２の画素端子７２と外面８０のアノード端子７４は，多層セラミック製の基板１６の内部に形成された内部配線７６や基板１６の外面上の表面配線７８を経由して，互いに電気的に接続されている。上述の内部配線７６が本発明におけるアノード用内部配線に該当する。画素端子７２の上には，蛍光体からなるアノードセル３０が形成されている。
【００３１】
内部配線７６や表面配線７８は，発光に必要な電流をアノードセル３０に流しても電圧降下を無視できるような良好な導電性を持つ材質で形成する。具体的には銀／パラジウム合金を用いることができる。アノード端子７４などのボンディングパッドには金（Ａｕ）材料を使うことができる。また，基板１６の材質としては，配線間の電気抵抗が高い値を保つような大きな絶縁抵抗を持つ材質で形成する。具体的には，上述のような市販のグリーンシートを使うことができる。
【００３２】
この実施形態では，基板１６は３枚のシートの積層構造になっているが，配線の複雑さに応じて積層数を変えることができる。積層数の実用的な範囲は２層〜３０層の範囲内である。
【００３３】
基板１６の外面８０にはドライバＩＣ８２が接着剤で固定されている。そして，ドライバＩＣ８２の出力端子９８とアノード端子７４との間はワイヤー８６でボンディングされている。
【００３４】
図９はフリップチップボンディング用のドライバＩＣ８８を実装する場合の，図８と同様の断面図である。ドライバＩＣ８８には半田バンプ９０が形成されていて，この半田バンプ９０を基板１６の外面８０上のアノード端子と接合する。
【００３５】
後述するように，ドライバＩＣには，アノード端子と接続する出力端子以外の電極パッドも形成されていて，これらの電極パッドも基板の外面上の対応する端子と接続されている。図８と図９では，このようなその他の電極パッドについての接続構造は図示を省略している。
【００３６】
次に，ドライバＩＣを詳しく説明する。図１０はアノードセルとドライバＩＣとの関係を示した説明図である。ひとつのドライバＩＣ８２は４行×４列＝１６個のアノードセル３０を駆動するようになっている。１６個のアノードセル３０からなる領域のほぼ中央において，基板の反対側にドライバＩＣ８２が配置されている。１６個のアノードセル３０が占める領域は１辺が寸法Ｂの正方形であり，Ｂは約１．６ｍｍである。これに対して，１個のドライバＩＣ８２が占める領域は１辺が寸法Ｃの正方形であり，Ｃは約０．５５ｍｍである。１個のドライバＩＣ８２は４行×４列＝１６個の駆動回路９２を含んでいる。各駆動回路９２は２個のＭＯＳトランジスタ９４，９６を含み，さらに，行選択端子ＲＳＥＬ（ｎ）と列選択端子ＣＳＥＬ（ｍ）と電源端子ＶＤＤと接地端子ＧＮＤと出力端子９８とを備えている。出力端子９８は基板の内部配線を介してアノードセル３０に接続される。ＲＳＥＬ（ｎ）の記号の意味は，ｎ行目の行選択端子の意味である。同様に，ＣＳＥＬ（ｍ）の記号の意味は，ｍ列目の列選択端子の意味である。
【００３７】
図１１はドライバＩＣ８２の表面に露出する端子の配列を示す平面図である。１６個の駆動回路９２の各出力端子９８は４行×４列で配列されている。このほかに，ドライバＩＣ８２の周辺付近には，４個の行選択端子ＲＳＥＬ（ｎ）〜ＲＳＥＬ（ｎ＋３）と４個の列選択端子ＣＳＥＬ（ｍ）〜ＣＳＥＬ（ｍ＋３）と２個の電源端子ＶＤＤと２個の接地端子ＧＮＤが配列されている。したがって，１個のドライバＩＣ８２には２８個の端子（電極パッド）が形成されている。電源端子ＶＤＤと接地端子ＧＮＤはそれぞれ１個で足りるが，冗長性を持たせてある。
【００３８】
図１２は，１個のドライバＩＣについて，そのドライバＩＣの端子と基板の外面上の端子との接続関係を示す平面図である。基板の外面上には内面上の各アノードセル３０に対応してアノード端子７４が形成されている。このアノード端子７４とドライバＩＣの出力端子とがワイヤー８６で接続される。また，基板の外面上にはアノード端子７４のほかに，行選択端子ＲＳＥＬ（ｎ）〜ＲＳＥＬ（ｎ＋３）と列選択端子ＣＳＥＬ（ｍ）〜ＣＳＥＬ（ｍ＋３）と電源端子ＶＤＤと接地端子ＧＮＤも形成されている。ドライバＩＣの４個の行選択端子が基板の４個の行選択端子ＲＳＥＬ（ｎ）〜ＲＳＥＬ（ｎ＋３）にワイヤー１００で接続される。同様に，ドライバＩＣの４個の列選択端子が基板の４個の列選択端子ＣＳＥＬ（ｍ）〜ＣＳＥＬ（ｍ＋３）にワイヤー１０１で接続される。また，ドライバＩＣの２個の電源端子ＶＤＤのうちの１個が基板のＶＤＤ端子と接続され，さらに，ドライバＩＣの２個の接地端子ＧＮＤのうちの１個が基板のＧＮＤ端子と接続される。
【００３９】
この実施態様のドライバＩＣは，４行×４列＝１６個のアノードセルを駆動するだけなので，非常に小型の半導体チップである。この半導体チップは，ひとつのシリコンウェーハからきわめて多数個製造することができるので，非常に安価である。試算では，製造規模にもよるが，チップ１個当たり１．５円前後になり，ビット単価は０．１円以下となる。小規模な蛍光表示装置の場合には，実用上十分に安価である。
【００４０】
多層セラミック製の基板の内部には，行選択線１０３と列選択線１０５と電源線と接地線とが，互いに接触することなく，多層配線によって形成されている。そして，基板の内部の行選択線１０３と基板表面の行選択端子ＲＳＥＬ（ｎ）〜ＲＳＥＬ（ｎ＋３）とがビアホール配線によって電気的に接続される。また，基板の内部の列選択線１０５と基板表面の列選択端子ＣＳＥＬ（ｍ）〜ＣＳＥＬ（ｍ＋３）とがビアホール配線によって電気的に接続されている。
【００４１】
図１３は図２に示す容器１０を裏側から見た斜視図である。基板１６の外面８０には，多数のドライバＩＣ８２が実装されている。図１３では３行×３列＝９個のドライバＩＣ８２を図示しているが，実際は１２行×１２列＝１４４個を実装している。基板１６の外面８０には，さらに，行シフトレジスタＩＣ１０２と列データロジックＩＣ１０４が実装されている。行シフトレジスタＩＣ１０２は駆動回路９２（図１０を参照）の行選択をするためのものである。この行シフトレジスタＩＣ１０２は約６０個の入出力パッドを備えていて，これらの入出力パッドは基板の外面８０に形成された端子にワイヤーボンディングまたはフリップチップボンディングで接続されている。図１２に示した行選択線１０３は行シフトレジスタＩＣ１０２に接続されている。一方，列データロジックＩＣ１０４は駆動回路９２（図１０を参照）の列選択をするためのものである。この列データロジックＩＣ１０４も約６０個の入出力パッドを備えていて，これらの入出力パッドも基板の外面８０に形成された端子にワイヤーボンディングまたはフリップチップボンディングで接続されている。図１２に示した列選択線１０５は列データロジックＩＣ１０４に接続されている。基板１６の外面８０には，さらに，入出力端子１０６が形成されていて，これらの入出力端子１０６には，フレキシブルケーブルなどを介して，蛍光表示装置の駆動に必要な電源電圧，カソード電圧，グリッド電圧，アノード電圧，データ信号，クロック信号などが外部から供給される。
【００４２】
入出力端子１０６の中にはカソード端子が含まれており，このカソード端子は，カソード用内部配線，すなわち基板１６の内部の配線とカソード保持棚２２（図２を参照）の内部の配線とからなるもの，を経由して，カソード保持電極２６（図２を参照）に接続されている。また，入出力端子１０６の中に含まれるグリッド端子は，グリッド用内部配線，すなわち基板１６の内部の配線とグリッド保持棚２４（図２を参照）の内部の配線とからなるもの，を経由して，グリッド保持電極２８（図２を参照）に接続されている。基板１６とカソード保持棚２２とグリッド保持棚２４は，いずれも，多層セラミックでできているので，このような内部配線構造にすることが可能になる。
【００４３】
入力端子１０６の中の電源端子は，基板の内部の電源線を介して，ドライバＩＣの電源端子ＶＤＤに接続されている。入力端子１０６の中の接地端子は，基板の内部の接地線を介して，ドライバＩＣの接地端子ＶＤＤに接続されている。
【００４４】
ドライバＩＣ８２と行シフトレジスタＩＣ１０２と列データロジックＩＣ１０４は，ボンディング部分の保護のために，その表面を透明なポッティング樹脂で覆っている。
【００４５】
上述の実施形態では，１個のドライバＩＣで４行×４列＝１６個のアノードセルを駆動するようになっている。そして，アノードセルの全体の数は４８行×４８列＝２０３４個である。したがって，ドライバＩＣの数は１２行×１２列＝１４４個となる。しかし，本発明はこのような数値に限定されない。１個のドライバＩＣが駆動できるアノードセルの数をＮ１×Ｎ２個とした場合，Ｎ１とＮ２はそれぞれ２〜１６の範囲内の整数にするのが適当である。このようにすると，ひとつのドライバＩＣが駆動できるアノードセルの数があまり大きくならずに，小型で安価なドライバＩＣが使えるという利点がある。また，アノードセルの全体数をＭ１×Ｍ２個とした場合，Ｍ１はＮ１の整数倍に，Ｍ２はＮ２の整数倍にするのが好都合である。このようにすると，蛍光表示装置の画素数を増やすときに，アノードセルの行方向の数をＮ１個を単位として増やし，かつ，列方向の数をＮ２個を単位として増やせば，同じ設計のドライバＩＣをそのまま使うことができて，表示規模の拡大に容易に対応できる。
【００４６】
【発明の効果】
本発明のアクティブマトリクス型蛍光表示装置は，基板とカソード保持棚とグリッド保持棚をすべて多層セラミックで形成して，アノードセルとアノード端子の間，カソード保持電極とカソード端子の間，および，グリッド保持電極とグリッド端子の間を，多層セラミック内の配線を介して電気的に接続したので，（１）アノードセルとドライバＩＣとの間の配線長さが短くなる，（２）カソードとグリッドの水平位置と高さとを精度良く位置決めできる，（３）カソードとグリッドを容器内へ組み立てる作業が容易になる，という効果がある。
【００４７】
また，各ドライバＩＣでＮ１行×Ｎ２列のアノードセルを駆動できるようにして，かつ，アノードセルを全体でＭ１行×Ｍ２列のマトリクス配列にして，Ｍ１をＮ１の整数倍に，Ｍ２をＮ２の整数倍にすることができるが，このようにすると，アノードセルを行方向にＮ１個の単位で増やし，列方向にＮ２個の単位で増やすことにより，同じ設計のドライバＩＣをそのまま使うことができて，表示規模の拡大に容易に対応できる。
【００４８】
さらに，上述のＮ１とＮ２を，それぞれ２〜１６の範囲内の整数にすることができ，このようにすると，ひとつのドライバＩＣが駆動するアノードセルの数があまり大きならずに，小型で安価なドライバＩＣが使える。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のアクティブマトリクス型蛍光表示装置のひとつの実施形態についての製造途中の斜視図である。
【図２】容器の斜視図である。
【図３】容器の製造方法を概略的に示した斜視図である。
【図４】電極フレームの斜視図である。
【図５】カソード支持体の斜視図である。
【図６】グリッドの斜視図である。
【図７】容器の正面断面図である。
【図８】図７のＡ部を拡大した断面図である。
【図９】フリップチップボンディング用のドライバＩＣを実装する場合の図８と同様の断面図である。
【図１０】アノードセルとドライバＩＣの関係を示した説明図である。
【図１１】ドライバＩＣの表面に露出する端子の配列を示す平面図である
【図１２】ドライバＩＣの端子と基板の外面上の端子との接続関係を示す平面図である。
【図１３】図２に示す容器を裏側から見た斜視図である。
【符号の説明】
１０  容器
１２  電極フレーム
１４  側壁
１６  基板
２２  カソード保持棚
２４  グリッド保持棚
２６  カソード保持電極
２８  グリッド保持電極
３０  アノードセル
５０  フィラメントカソード
５２  グリッド
７６  内部配線
８２  ドライバＩＣ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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