(57)【要約】【課題】光記録媒体において、繰り返し記録耐用回数を増大させ信頼性を向上させること。【解決手段】透明基板上に少なくとも第１の透明保護層、記録層、第２の透明保護層、反射層を順次構成することにより作製され、記録層はＳｂとＴｅとを含み、電磁波の照射により非晶相と結晶相の間を相転位する相変化型であり、反射層はＡｇを主成分とする光記録媒体の製造方法であって、反射層作製時に低エネルギーのＡｇ粒子が記録媒体に堆積するようにした光記録媒体製造方法。【選択図】　　　図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明基板上に少なくとも第１の透明保護層、記録層、第２の透明保護層、反射層を順次構成することにより作製され、記録層はＳｂとＴｅとを含み、電磁波の照射により非晶相と結晶相の間を相転位する相変化型であり、反射層はＡｇを主成分とする光記録媒体の製造方法であって、反射層作製時に低エネルギーのＡｇ粒子が記録媒体に堆積するようにした光記録媒体製造方法。
【請求項２】
前記反射層作製時に、真空蒸着法により反射層を作製することを特徴とする請求項１に記載の光記録媒体製造方法。
【請求項３】
前記反射層作製時に、スパッタ法により反射層を作製し、そのときのターゲットと基板の距離をスパッタ粒子の平均自由行程の５倍以上とすることを特徴とする請求項１に記載の光記録媒体製造方法。
【請求項４】
透明基板上に少なくとも第１の透明保護層、記録層、第２の透明保護層、反射層を順次構成することにより作製され、記録層はＳｂとＴｅとを含み、電磁波の照射により非晶相と結晶相の間を相転位する相変化型であり、反射層はＡｇを主成分とする光記録媒体の製造方法であって、反射層作製時に堆積中の反射層に荷電粒子が衝突する確率を低くするようにした光記録媒体製造方法。
【請求項５】
前記反射層作製時に、マグネトロンスパッタ法により反射層を作製し、そのときの基板とターゲットの間の距離をターゲットの直径以上に離すことを特徴とする請求項４に記載の光記録媒体製造方法。
【請求項６】
前記反射層作製時に、対向ターゲットスパッタ法により反射層を作製する請求項４に記載の光記録媒体製造方法。
【請求項７】
前記反射層作製時に、イオンビームスパッタ法により反射層を作製する請求項４に記載の光記録媒体製造方法。
【請求項８】
前記反射層作製時に、クラスタイオンビーム法により反射層を作製する請求項４に記載の光記録媒体製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、相変化型光記録に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
相変化記録方式光記録媒体では、Ｓｂ，Ｔｅに何種類かの添加元素を入れた記録材料が広く使用されている。近年、高速記録を達成するためにＡｇを主成分とする反射膜が優れていることが判っている。
しかしながら、これらの光記録媒体は繰返し記録により劣化を起こし、繰り返し記録回数は１０００回程度しかもたない。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、上記欠点を克服し、光記録媒体において繰り返し記録耐用回数を増大させ信頼性を向上させることにある。
【０００４】
すなわち、上記課題は、本発明の（１）「透明基板上に少なくとも第１の透明保護層、記録層、第２の透明保護層、反射層を順次構成することにより作製され、記録層はＳｂとＴｅとを含み、電磁波の照射により非晶相と結晶相の間を相転位する相変化型であり、反射層はＡｇを主成分とする光記録媒体の製造方法であって、反射層作製時に低エネルギーのＡｇ粒子が記録媒体に堆積するようにした光記録媒体製造方法」、（２）「前記反射層作製時に、真空蒸着法により反射層を作製することを特徴とする前記第（１）項に記載の光記録媒体製造方法」、（３）「前記反射層作製時に、スパッタ法により反射層を作製し、そのときのターゲットと基板の距離をスパッタ粒子の平均自由行程の５倍以上とすることを特徴とする前記第（１）項に記載の光記録媒体製造方法」、（４）「透明基板上に少なくとも第１の透明保護層、記録層、第２の透明保護層、反射層を順次構成することにより作製され、記録層はＳｂとＴｅとを含み、電磁波の照射により非晶相と結晶相の間を相転位する相変化型であり、反射層はＡｇを主成分とする光記録媒体の製造方法であって、反射層作製時に堆積中の反射層に荷電粒子が衝突する確率を低くするようにした光記録媒体製造方法」、（５）「前記反射層作製時に、マグネトロンスパッタ法により反射層を作製し、そのときの基板とターゲットの間の距離をターゲットの直径以上に離すことを特徴とする前記第（４）項に記載の光記録媒体製造方法」、（６）「前記反射層作製時に、対向ターゲットスパッタ法により反射層を作製する前記第（４）項に記載の光記録媒体製造方法」、（７）「前記反射層作製時に、イオンビームスパッタ法により反射層を作製する前記第（４）項に記載の光記録媒体製造方法」、（８）「前記反射層作製時に、クラスタイオンビーム法により反射層を作製する前記第（４）項に記載の光記録媒体製造方法」によって解決される。
【０００５】
【発明の実施の形態】
本発明は図１に示す相変化記録方式光記録媒体の製造方法である。
第１、第２の保護層の１例としてはＺｎＳ・ＳｉＯ２からなり、５〜３０ｎｍ厚程度のものである。
記録層としてはＳｂ、Ｔｅを基本成分とし、Ｉｎ、Ｇａ、Ｇｅ等を１種以上添加したもので、５〜２０ｎｍ厚程度のものである。反射層はＡｇを主成分とし、１０〜５０ｎｍ厚程度のものである。
これらの間に更に別の層を設けることもある。
基板上に第１の透明保護層、記録層、第２の透明保護層を製膜した後、反射層を製膜する。通常はマグネトロンスパッタ法により反射層を製膜するのが一般的である。
【０００６】
図３はマグネトロンスパッタ装置の概略図、図４はマグネトロンスパッタで特徴的なターゲット近傍の構造を示したものである。
通常のマグネトロンスパッタにより、反射層を作製した場合には、図２においてＡｇ粒子が基板に衝突するときのエネルギーは〜４０ｅＶ程度の範囲で分布しており、少数ではあるが、４０ｅＶ以上のものも存在する。
この場合にはＡｇ粒子が堆積する際に一部は表面に留まらずに内部まで入り込み、第２の保護層はもちろん、記録層まで到達する。
【０００７】
前記第（１）項：反射層作製する方法として、基板に堆積する際の粒子のエネルギーが小さい方法を選ぶ。これにより第１、第２保護層と記録層まで進入するＡｇの量が減少する。
【０００８】
前記第（２）項：蒸着法により反射層を作製する（図５）。通常１０−４Ｔｏｒｒ以下の圧力で蒸着源（反射層材料）を加熱し膜作製を行なう。蒸着源の加熱方法としては抵抗加熱法（タングステン等に電流を流して加熱する）あるいは電子ビーム加熱法（電子ビームを蒸着源にぶつけて加熱する）が一般的である。この場合、製膜時に基板に衝突する反射層材料の粒子のエネルギーは１ｅＶ以下に抑えられ、ほとんど保護層あるいは記録層にＡｇ粒子が入り込むことはない。
【０００９】
前記第（３）項：スパッタ法で作製するが、図６に示すようターゲットと基板の間の距離Ｌをスパッタ粒子の平均自由行程の５倍以上にする。平均自由行程はその時のガス圧、粒子のエネルギー、元素種によって変わるが、１０−３Ｔｏｒｒで１０ｃｍ程度である。平均自由行程の５倍以上の距離であれば、ターゲットより飛び出したほとんどの粒子は何回かガス粒子と衝突を繰返し、そのエネルギーは大幅に減少する。これにより保護層あるいは記録層に入り込むＡｇ粒子の量を減少させることができる。
【００１０】
前記第（４）項：保護層あるいは記録層にＡｇ粒子が入り込む原因としては、堆積するＡｇ粒子のエネルギーのほかに、堆積後に高エネルギーの荷電粒子（プラズマ中のイオンおよびγ電子といわれる高エネルギー電子）が堆積したＡｇ粒子に衝突することが挙げられる（図７）。この確率を低くすることにより、保護層あるいは記録層に入り込むＡｇ粒子の量を減少させることができる。
【００１１】
前記第（５）項：マグネトロンスパッタ法は高エネルギー荷電粒子を磁場中に閉じ込める効果があるため、図８において基板とターゲットの間の距離Ｌをターゲットの直径Ｄより離すことで、荷電粒子が基板に衝突する確率を大きく減少させることができる。これにより、保護層あるいは記録層に入り込むＡｇ粒子の量を減少させることができる。
【００１２】
前記第（６）項：図９に示す対向ターゲットスパッタ法は高エネルギーの荷電粒子特にγ電子を閉じ込める効果が大きく、ほとんど荷電粒子が基板に衝突するのを防ぐことができる。これにより、保護層あるいは記録層に入り込むＡｇ粒子の量を減少させることができる。
【００１３】
前記第（７）項：図１０に示すイオンビームスパッタは、γ電子は存在せず、イオンが直接基板に衝突することもなく、保護層あるいは記録層に入り込むＡｇ粒子の量を減少させることができる。
【００１４】
前記第（８）項：図１１に示すクラスタイオンビーム蒸着法は基板に衝突するＡｇ粒子のエネルギーをコントロールすることができ、なおかつ、イオンビームスパッタは、γ電子は存在せず、反射層構成元素以外のイオンが直接基板に衝突することもなく、保護層あるいは記録層に入り込むＡｇ粒子の量を減少させることができる。
【００１５】
【発明の効果】
前記第（１）項に対応する作用効果として、繰り返し記録耐用回数を増大させ、信頼性を向上させる。前記第（２）項に対応する作用効果として、繰り返し記録耐用回数を増大させ、信頼性を向上させる効果が大きくなる。前記第（３）項に対応する作用効果として、低真空で製膜するスパッタ法で製膜できることから、前記第（１）項の効果に加え精算効率も良くなる。前記第（４）項に対応する作用効果として、繰り返し記録耐用回数を増大させる効果は前記第（１）項より小さいが、膜質が向上することにより、耐環境性等その他の信頼性を向上させる。前記第（５）項に対応する作用効果として、生産性の高い前記第（４）項の実現が達成される。前記第（６）項に対応する作用効果として、生産性はやや劣るが、繰り返し記録耐用回数を増大させる効果が高くなる。前記第（７）項に対応する作用効果としては、生産性は更に劣るが、繰り返し記録耐用回数を増大させる効果が更に高くなる。前記第（８）項に対応する作用効果として、繰り返し記録耐用回数と耐環境性等その他の信頼性をある程度コントロールできる。
【図面の簡単な説明】
【図１】相変化記録方式光記録媒体を示す図である。
【図２】相変化記録方式光記録媒体を示す別の図である。
【図３】マグネトロンスパッタ装置の概略図である。
【図４】マグネトロンスパッタで特徴的なターゲット近傍の構造を示す図である。
【図５】蒸着法により反射層を作製する様子を示す図である。
【図６】マグネトロンスパッタ装置の別の概略図である。
【図７】真空槽において、高エネルギーの荷電粒子が堆積したＡｇ粒子に衝突する様子を示す図である。
【図８】真空槽において、基板とターゲットの間の距離Ｌをターゲットの直径Ｄより離してある様子を示す図である。
【図９】真空槽において、対向ターゲットスパッタ法により、荷電粒子が基板に衝突するのを防ぐ様子を示す図である。
【図１０】真空槽において、イオンビームスパッタにより、保護層あるいは記録層に入り込むＡｇ粒子の量を減少させる様子を示す図である。
【図１１】クラスタイオンビーム蒸着法により、保護層あるいは記録層に入り込むＡｇ粒子の量を減少させる様子を示す図である。
【符号の説明】
１　オーバーコート層
２　反射層
３　第２の透明保護層
４　記録層
５　第１の透明保護層
６　透明基板
７　透明基板
８　第１の透明保護層
９　記録層
１０　第２の透明保護層
１１　Ａｇ粒子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
2004047001.tif 000011
【図１０】
2004047001.tif 000012
【図１１】
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