(57)【要約】【課題】基板変形に伴う割れや位置ずれを起こさない基板冷却等を行うことができ、基板変形を低減し、半導体製造装置の生産性を高めた基板温度調整装置および基板温度調整方法を提供する。【解決手段】基板温度調整装置は、チャンバ装置２４内で高温の基板２３の当該温度を調整するもので、基板を載置し、基板温度を調整する温度調整装置３２を備えた冷却ステージ部２１と、チャンバ内部でステージ上での基板の変形を検出するために用いられる真空窓４３と、真空窓を通して基板の変形状態を計測するレーザ変位検出装置４４と、このレーザ変位検出装置から出力される計測信号に基づき温度調整機構による温度調整開始時点を最適な所定時間だけ遅延させる遅延制御部４８とを備えるように構成される。【選択図】      図２
2004303969.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
チャンバ内で所定温度の状態にある基板の当該温度を調整する装置であり、
前記基板を載置し、前記基板の温度を調整する温度調整機構を備えたステージと、
前記チャンバの内部で前記ステージ上での前記基板の変形状態を検出可能にするチャンバ監視窓と、
前記チャンバ監視窓を通して前記基板の変形を計測する計測手段と、
前記計測手段から出力される計測信号に基づき前記温度調整機構による温度調整開始時点を所定時間遅延させる遅延制御手段と、
を備えることを特徴とする基板温度調整装置。
【請求項２】
前記チャンバ内に伝熱用ガスを供給するガス供給装置と、
複数の前記基板を順次に前記ステージに載置させ、異なる遅延時間で前記ガス供給装置から前記伝熱用ガスを供給すると共に、前記計測手段で計測された複数の前記基板の各々の変形量の変化に基づき温度調整開始時点を遅らせる前記所定時間を決定する制御手段と、
を備えることを特徴とする請求項１記載の基板温度調整装置。
【請求項３】
前記ステージの表面には複数の突起が形成されていることを特徴とする請求項１または２記載の基板温度調整装置。
【請求項４】
前記計測手段は光学的検出装置であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の基板温度調整装置。
【請求項５】
前記基板の温度調整は、加熱された高温基板の冷却であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の基板温度調整装置。
【請求項６】
チャンバ内で所定温度の状態にある基板の温度を調整する方法であり、
温度調整機構を備えたステージに載置される前記基板の変形状態を前記チャンバの外側から検出しかつ計測するステップと、計測信号に基づき前記ステージの前記温度調整機構による温度調整開始時点を所定時間遅延させるステップを有することを特徴とする基板温度調整方法。
【請求項７】
前記ステージと前記基板の間の伝熱作用のため前記チャンバ内に伝熱用ガスを供給するステップと、
複数の前記基板を順次に前記ステージに載置させ、異なる遅延時間で前記ガス供給装置から前記伝熱用ガスを供給するステップと、
前記計測手段で計測された複数の前記基板の各々の変形量の変化に基づき温度調整開始時点を遅らせる前記所定時間を決定するステップと、
を有することを特徴とする請求項６記載の基板温度調整方法。
【請求項８】
前記基板の変形状態は光学的媒体を利用して計測される基板の変形量であることを特徴とする請求項６または７記載の基板温度調整方法。
【請求項９】
前記基板の温度調整は、高温基板を冷却することであることを特徴とする請求項６〜８のいずれか１項に記載の基板温度調整方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は基板温度調整装置および基板温度調整方法に関し、特に、処理または加工されて高温になった基板の割れや反り等を生じることなく冷却できかつ高スループットを維持できる基板温度調整装置および基板温度調整方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
例えば表面反応化学堆積法によって基板を処理するときには、基板は５００〜６００℃の高温まで加熱しながら、原料ガスであるジシラン等のガスを基板の熱を利用して基板の上で分解し、当該基板上にシリコンを堆積させるようにしている。表面反応化学堆積法による半導体製造装置では、そのスループットを高める目的で、高温になった基板を次の処理工程に搬送する前に冷却する必要がある。そのため、専用の冷却チャンバ装置が設けられていた。
【０００３】
専用の冷却チャンバ装置を開示する文献として特許文献１を挙げる。この特許文献１に示された冷却チャンバ装置は、クーラと呼ばれ、内部に専用の冷却ステージが設置されている。冷却チャンバ装置は、例えば下側に位置し基板を載置する冷却ステージと、冷却ステージに設けられたガス導入管と、ガス導入管で導入されたガスを基板が収容される空間に封じこめるための蓋部材と、ガス導入管にガスを供給するガス供給装置とから構成される。
【０００４】
従来の冷却チャンバ装置による冷却方法は、６００℃に加熱された基板は冷却チャンバ内に搬入され、冷却ステージの上に置かれる。冷却ステージは予め所要の温度に冷却されている。その後、ガス導入管で伝熱ガスが導入され、或る一定時間放置され、冷却ステージと基板の間で伝熱ガスによる伝熱作用が生じることにより基板が冷却される。
【０００５】
【特許文献１】
特表平１１−５０６８２１号公報
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
従来の冷却チャンバ装置では、冷却後、基板が冷却ステージ上で割れていたり、基板が正規の位置からずれることにより搬送停止トラブルが生じていた。これは冷却が原因で生じる基板の変形によるものと推測されたが、変形自体は基板全体の温度が一定の低い温度になると、その形状が復元するために、原因を究明することができなかった。
【０００７】
しかし、上記冷却チャンバ装置での冷却後の基板割れや位置ずれのトラブルは急激な冷却による基板の変形が原因であると予想される。
【０００８】
本発明の目的は、上記課題に鑑み、基板変形に伴う割れや位置ずれを起こさない基板冷却等を行い、基板変形を低減し、半導体製造装置の生産性を高めることを企図した基板温度調整装置および基板温度調整方法を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段および作用】
本発明に係る基板温度調整装置および基板温度調整方法は、上記目的を達成するために、次の通り構成される。
【００１０】
第１の基板温度調整装置（請求項１に対応）は、チャンバの内部で高温または低温等の所定温度状態にある基板の当該温度を調整する装置であり、基板を載置し、当該基板の温度を調整する温度調整機構（冷却媒体供給装置等）を備えたステージと、チャンバの内部でステージ上での基板の変形量等の変形状態を検出するために用いられるチャンバ監視窓（真空窓）と、このチャンバ監視窓を通して基板の変形状態（変形量等）を計測する計測部（レーザ変位検出装置等）と、この計測部から出力される計測信号に基づき温度調整機構による温度調整開始時点を最適な所定時間だけ遅延させる遅延制御部（遅延制御に係る制御部、伝熱用ガスのガス供給装置、真空排気装置等）とを備えるように構成されている。
【００１１】
上記の基板温度調整装置では、温度調整機構を備えたステージで、載置状態にある基板の温度を適宜な温度に調整するとき、ステージに載置された基板の変形量等を計測する構成とし、基板の変形量等が所望の値になるような基板温度遅延時間を決定し、この基板温度遅延時間に基づいて温度調整を開始するようにしている。この温度開始時点に関する遅延制御によって基板の割れや位置ずれを防止しつつ基板処理のスループットを高めている。特に、表面反応化学堆積で高温で加熱成膜を終えた基板を、次のプロセスに移行する前の段階で、急速に冷却するときに基板に破損を生じることなく効率よく冷却することが可能である。
【００１２】
第２の基板温度調整装置（請求項２に対応）は、上記の第１の構成において、好ましくは、さらに、チャンバの内部に伝熱用ガスを供給するガス供給装置と、複数の基板（例えば２〜５枚）を順次にステージに載置させ、異なる遅延時間でガス供給装置から伝熱用ガスを供給すると共に、計測部で計測された複数の基板の各々の変形量の変化に基づき温度調整開始時点を遅らせる所定時間を決定する制御部と、を備えるように構成される。
【００１３】
第３の基板温度調整装置（請求項３に対応）は、上記の各構成において、好ましくは、上記ステージの表面には複数の突起が形成されていることで特徴づけられている。この構成によれば、基板が、温度調整機構を備えたステージに載置されるときに、複数の突起を介して接触させ、遅延制御の下で伝熱ガス等を供給することにより伝熱作用を生じさせ、温度を調整することを開始する。これによって、基板とステージ表面との距離が大きくなり両者が離れることから、その隙間に伝熱ガスを供給でき、基板の割れや位置ずれを防止しながら基板作製のスループットを高めることができる。
【００１４】
第４の基板温度調整装置（請求項４に対応）は、上記の各構成において、好ましくは、上記の計測部は、例えばレーザ変位検出装置、ＬＥＤ、その他の光学的センサ、ＣＣＤ、その他の撮像装置等の光学的検出装置であることで特徴づけられる。計側部として代表的にはレーザ変位検出装置が用いられる。レーザ変位検出装置は、投光部と受光部と信号処理部から構成される。このような光学的検出装置を利用する構成によって、上記のチャンバ監視窓を通して基板の微小な変形量を正確に検出することができる。
【００１５】
第５の基板温度調整装置（請求項５に対応）は、上記の各構成において、好ましくは、基板の温度調整は、加熱された高温基板の冷却である。この基板温度調整装置は、基板冷却に適しており、この場合において上記の遅延制御は冷却遅延制御となる。
【００１６】
第１の基板温度調整方法（請求項６に対応）は、チャンバ内で所定温度の状態にある基板の温度を調整する方法であり、ステージに載置される基板の変形状態をチャンバの外側から検出しかつ計測するステップと、計測信号に基づきステージの温度調整機構による温度調整開始時点を最適な所定時間だけ遅延させるステップとを有する方法である。
【００１７】
上記の基板温度調整方法によれば、冷却等の温度調整の対象である基板をステージに載置させた状態でその変形量をチャンバの外側から監視しかつ計測するようにし、温度調整開始時点を最適な時点に遅延させることにより、基板の割れ等の破損を防止し、かつ基板処理のスループットを高めることができる。
【００１８】
第２の基板温度調整方法（請求項７に対応）は、上記の第１の方法において、ステージと基板の間の伝熱作用のためチャンバ内に伝熱用ガスを供給するステップと、複数の基板を順次にステージに載置させ、異なる遅延時間でガス供給装置から伝熱用ガスを供給するステップと、計測部で計測された複数の基板の各々の変形量の変化に基づき温度調整開始時点を遅らせる所定時間を決定するステップと、を有する方法である。
【００１９】
第３の基板温度調整方法（請求項８に対応）は、上記の各方法において、好ましくは、基板の変形状態はレーザ光等の光学的媒体を利用して計測される基板の変形量であることを特徴とする。
【００２０】
第４の基板温度調整方法（請求項９に対応）は、上記の各方法において、基板の温度調整は、加熱された高温の基板を冷却することである。
【００２１】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明の好適な実施形態を添付図面に基づいて説明する。
【００２２】
実施形態で説明される構成、形状、大きさおよび配置関係については本発明が理解・実施できる程度に概略的に示したものにすぎず、また数値および各構成要素の組成（材質）については例示にすぎない。従って本発明は、以下に説明される実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に示される技術的思想の範囲を逸脱しない限り様々な形態に変更することができる。
【００２３】
この実施形態では、基板温度調整装置の例として加熱されて高温状態（例えば５００〜６００℃）にある基板を冷却するための冷却チャンバ装置が説明され、基板温度調整方法としては基板冷却方法が説明される。
【００２４】
図１は半導体製造装置の全体を概略的に示した平面図である。図１において、半導体製造装置１０は冷却ステージを有する薄膜作製装置である。この薄膜作製装置１０では、中央に、図示しない基板搬送用ロボット機構を備えたセンタチャンバ１１を設けている。センタチャンバ１１の周囲には、搬入された基板の表面に成膜等のプロセスを行うための例えば３つの処理チャンバ１２〜１４を備える。さらにセンタチャンバ１１には、処理対象である基板（シリコンウェハ等）を薄膜作製装置１０に搬入するためのロードロックチャンバ（ＬＬＡ）１５、搬入された基板を配列させるためのアライナ（Ａｌｉｇｎｅｒ）チャンバ１６、内部クーラ（インクーラ：Ｉｎ−Ｃｏｏｌｅｒ）１７、処理が完了した基板を薄膜作製装置１０の外部に搬出するためのロードロックチャンバ（ＬＬＢ）１８を備えている。
【００２５】
薄膜作製装置１０で処理される複数の基板は、薄膜作製装置１０の内部では、例えば２５枚の基板がカセットに収容される状態で管理され、搬送される。
【００２６】
上記において、処理チャンバ１２〜１４は、所定の手順で、図示しない基板の表面に成膜処理等を行うプロセスモジュールを備えている。各処理チャンバ１２〜１４は、実際には真空排気機構、成膜機構、原料ガスやプロセスガス等のガス導入機構、電力供給機構等を備えているが、それらの図示は省略されている。
【００２７】
内部クーラ１７は、冷却専用のチャンバであり、薄膜作製装置１０の内部に設けられた冷却専用のチャンバ装置である。内部クーラ１７は、この実施形態による薄膜作製装置１０では、処理チャンバ１２〜１４での基板への処理（表面反応化学堆積法等による表面処理）によって、基板は、例えば５００〜６００℃に加熱され、処理終了後の基板は高温状態にあるので、次の工程に行く前の段階で、この高温の基板を冷却するために設けられている。
【００２８】
図２を参照して内部クーラ１７について説明し、内部クーラ１７の温度調整装置の構造を明らかにする。図２で、内部クーラ１７は冷却ステージ部２１と蓋部２２とから成り、蓋部２２は相対的に上昇した状態、すなわちチャンバ内部の空間（基板収容領域）が開放された状態で示されている。内部クーラ１７は、冷却対象である基板２３が搬入されかつ載置が行われる上記冷却ステージ部２１が設けられたチャンバ装置２４と、ガス供給装置２５と、真空排気装置２６とから構成されている。
【００２９】
チャンバ装置２４において、上記蓋部２２は２つの支柱部２７，２８により下部プレート２９と連結されている。蓋部２２は、シリコン等による基板２３がチャンバ装置２４内の基板収容領域３０に対して出し入れされるとき、基板収容領域３０で当該基板２３を保持するための複数の支持部３１を備えている。支持部３１は蓋部２２の内面部から下方に延びるように設けられている。
【００３０】
上記の冷却ステージ部２１はチャンバ装置２４の底部を形成している。冷却ステージ部２１には温度調整装置の一例である冷却装置が組み込まれている。この冷却装置は、例えば冷却導管が内部を貫通する冷却器である。冷却装置に対しては外部から冷却媒体が供給される。外部には冷却装置に冷却媒体を供給する冷却媒体供給装置３２が設けられている。
【００３１】
なお温度調整装置が加熱用装置である場合には、加熱ランプや加熱コイル等のヒータが用いられる。
【００３２】
チャンバ装置２４には、一定の高さ位置（例えば図２に示された位置）に保たれる冷却ステージ部２１に対して、上記の下部プレート２９を上下動させる駆動装置３３が設けられている。駆動装置３３で下部プレート２９を上下動させると、支柱部２７，２８を介して、同時に蓋部２２も上下動することになる。図２に示された状態では、蓋部２２は上動し、基板収容領域３０が開放された状態にある。
【００３３】
また基板２３を冷却するときには、蓋部２２は下動し、蓋部２２と冷却ステージ部２１が接触し、基板収容領域３０が閉じられた状態になる。この状態は、後述する図３に示されている。
【００３４】
基板２３を冷却するときには、図３に示すごとく、蓋部２２と冷却ステージ部２１とは密着させられる。図３は、チャンバ装置２４の構成に関して、蓋部２２を下動させ、当該蓋部２２と冷却ステージ部２１を密着させた状態の要部を示している。このとき、基板２３は冷却ステージ部２１のステージ上面に載置された状態に保たれる。またこの状態において、基板収容領域３０は、ガス供給装置２５から伝熱ガスが導入されると共に、必要に応じて真空排気装置２６によって所要の真空状態になるように減圧され、伝熱ガスが排気される。冷却ステージ部２１のステージ上面には適宜のパターン（平行、同心円、または放射状の形状）で溝３４が形成されている。この溝３４は伝熱ガスを流すための溝である。溝３４の形状パターンおよび寸法等は任意に設定することができる。
【００３５】
図２および図３において、蓋部２２のプレート部材の適宜な箇所に開口部４１が形成されており、当該開口部４１にはシール用Ｏリング４２を介して例えば石英板材で形成された円板状の真空窓４３が設けられている。真空窓４３は透光性を有する。この真空窓４３を設けることによってチャンバ装置２４の内部を覗くことができる。蓋部２２と冷却ステージ部２１を密着させ基板収容領域３０を密閉空間として形成したとき、当該基板収容領域３０において、冷却ステージ部２１のステージ上面の突起に接触した状態でステージ状面からの距離をあけて冷却ステージ部２１上に載置される基板２３の一部を真空窓４３から覗くことができる。
【００３６】
内部クーラ１５のチャンバ装置２４では、上記の真空窓４３の上方位置にレーザ変位検出装置４４が設けられている。レーザ変位検出装置４４は、所定の配置関係で設けられたレーザ投光器４５とレーザ受光器４６が含まれている。レーザ投光器４５から出射されたレーザ光４７は、真空窓４３を通して基板２３に照射され、その後、基板２３で反射作用が生じ、レーザ受光器４６に入射されるようになっている。レーザ受光器４６で検出されたレーザ光に基づく基板２３の変形状態に係る変形量は、内蔵される信号処理部（図示しない）の処理に基づき電気信号として出力され、制御部４８に入力される。制御部４８は、基板の変形量を電気信号で入力し、変形量データとして内蔵するメモリに記憶する。同時に、制御部４８は、複数の基板の冷却に関して異なる条件で得られる記憶データに基づき基板変形量の推移状態を計測し、変形量の変化を監視し、後述するごとく、冷却ステージ部２１に対して冷却装置の冷却動作の開始時点（冷却遅延時間）の制御を行う。従って、制御部４８は、メモリと、各種の信号処理を行う制御手段とを有している。冷却装置の冷却動作の開始時点の制御は、冷却遅延時間（Ｃｏｏｌ  Ｄｅｌａｙ  Ｔｉｍｅ）の制御に関するものである。冷却ステージ部２１の冷却装置の動作制御は、冷却媒体供給装置３２の冷却媒体の供給タイミング、冷却媒体の温度、ガス供給装置２５による伝熱ガスの導入タイミング、伝熱ガスの導入圧力、真空排気装置２６による基板収容空間３０の排気タイミングの少なくともいずれかを適宜に設定・制御することによって行われる。なお冷却ステージ部２１の冷却装置の動作状態、すなわち冷却媒体供給装置３２による冷却媒体の供給は、通常、定常的に行われ、冷却装置は定常的に冷却状態にある。
【００３７】
図３において、機構５１は、冷却ステージ部２１を支持し、これを一定の高さ位置に保持するための装置部分であり、機構５２は、機構５１の上部に取り付けられ、レーザ変位検出装置４４を支持するための装置部分ある。機構５２はレーザ光を通す孔５２ａが形成されている。図３において、図２で示した周辺部分の図示は省略されている。
【００３８】
また図３に示されるごとく、機構５１，５２で支持装置が構成されるので、一定高さ位置にある冷却ステージ部５１に対して、レーザ変位検出装置４４は一定の不変距離の位置に設けられている。このような位置関係の下で、レーザ光４７の光路は一定のものに設定されている。蓋部２２が前述のごとく下動して、冷却ステージ部２１のステージ上面に接触すると、レーザ投光部４５から出射されたレーザ光４７はちょうど基板２３の面（シリコン基板の場合には表面、ガラス基板の場合は表面と背面）で反射され、レーザ受光部４６に入射されるようになっている。こうして、レーザ変位検出装置４４によって、冷却ステージ部２１に載置された状態にある、冷却を行う際の基板２３の変形量を検出することが可能となる。
【００３９】
上記において、真空窓４３は開口部４１において基板２３に対して実質的に平行に設けられる。蓋部２２と冷却ステージ部２１によって作られる上記の基板収容領域３０での隙間は例えば２ｍｍ程度である。冷却ステージ部２１に内蔵されう上記冷却装置の冷却作用によって基板２３が変形すると、その変形量は上記のレーザ変位検出装置４４で検出される。基板２３から反射されるレーザ光４７のレーザ受光器４６の入射面での入射位置で基板の変形量が検出される。
【００４０】
図４には、冷却ステージ部２１の一部を拡大して示す。冷却ステージ部２１の表面には複数の微小な突起５３が形成されている。突起５３は冷却ステージ部２１の上に基板２３を置く時、冷却ステージ部２１の表面と基板２３の裏面の間に必要な距離を設けるためのものである。突起５３は例えば石英で形成された突起物であり、その高さは好ましくは０．５ｍｍである。また突起５３の個数は、好ましくは３つである。上記のごとく突起５３によって基板２３の裏面と冷却ステージ部２１の上面の間の距離は所要距離に維持されるので、基板２３の面内の各位置で冷却ステージ部２１と基板２３との間の距離のバラツキがなくなる。その結果、基板２３と冷却ステージ部２１の間の熱伝達効率の差が小さくなり、基板２３の変形量を少なくすることができる。
【００４１】
図５を参照して、上記の制御部４８に基づく冷却ステージ部２１による冷却動作の開始時点の制御について説明する。図５は冷却遅延時間に対する基板変形の依存性を示すグラフである。図５において横軸は冷却遅延時間を示し、縦軸は基板の最大変形量（相対値）を示している。図５に示した特性６１は、シリコン基板に関する特性である。特性６１によれば、高温状態の基板６１が冷却ステージ部２１のステージ上面に載置された状態で冷却ステージ部２１による冷却作用で冷却を開始するとき、その開始時点を、その基板の最大変形量が例えば０．１より小さくなるように約１５秒程度だけ遅らせると、基板割れや位置ずれの発生を抑制することができるということが分かる。
【００４２】
図５に示した特性６１の取得について詳述する。最初に、例えば、テスト用カセットが用意される。テスト用カセットは通常のカセットを用いてもよいし、特別に用意されたカセットを用いてもよい。テスト用カセットには例えば５枚のテスト基板が用意される。テスト用カセットに搭載されたテスト基板を含む複数の基板に関して、まず１枚目のテスト基板をセットし、蓋部２２と冷却ステージ部２１を密着させて基板収容領域３０を閉じ、冷却ステージ部２１に載置させる。その後、冷却遅延時間をほぼ０秒としてガス供給装置２５から伝熱ガスを導入し、その時にテスト基板に生じた最大変形量を真空窓４３を通してレーザ変位検出装置４４で求めたデータが計測点６１ａである。その後、真空排気装置２６で基板収容領域３０内の伝熱ガスを排気し、基板収容領域３０を開放して次に２枚目のテスト基板をセットし、前述と同様に冷却ステージ部２１に載置させて冷却する。この２枚目のテスト基板の冷却では、冷却遅延時間を約１０秒として伝熱ガスを導入し、前述と同様にして求めた最大変形量のデータが計測点６１ｂである。さらにその後、真空排気装置２６で基板収容領域３０内の伝熱ガスを排気し、基板収容領域３０を開放して次に３枚目のテスト基板をセットし、前述と同様に冷却ステージ部２１に載置させて冷却する。この３枚目のテスト基板の冷却では、冷却遅延時間を約１５秒として伝熱ガスを導入し、前述と同様にして求めた最大変形量のデータが計測点６１ｃである。同様にして、４枚目のテスト基板について計測点６１ｄ、５枚目のテスト基板について計測点６１ｅが取得される。
【００４３】
以上のような計測の下で特性６１が得られると、制御部４８は、計測点６１ａ〜６１ｅで形成される特性６１に基づき、複数のテスト基板に関する最大変形量の変化に基づき、その後の本来の基板カセットに収容された例えば２５枚の基板に関する基板冷却において伝熱ガスを導入するタイミングとしての最適な冷却遅延時間を約１５秒として決定する。このようにして、最適な冷却遅延時間が設定される。
【００４４】
上記のごとく制御部４８に基づく基板冷却の制御動作によれば、最初にテスト用カセットに収容された複数のテスト基板についていくつかの冷却遅延時間を設定して冷却を繰り返して行い、各テスト基板の冷却に関してレーザ変位検出装置４４の検出に基づき得られる基板変形量に係るデータを用いてテスト基板の最大変形量の変化を監視し、当該最大変形量が好ましくは０．１より小さくなった場合の冷却遅延時間を最適な冷却遅延時間として決定し、それ以後は、当該冷却遅延時間を利用して、冷却ステージ部２１とガス供給装置２５と真空排気装置２６等による冷却動作を開始する。その冷却遅延時間は、図５に示した特性を有する場合にはおよそ約１５秒となる。この約１５秒は最適な冷却遅延時間となる。
【００４５】
従って、従来の内部クーラでは高温の基板が搬入されると、ほぼ同時に（冷却遅延時間が０秒で）冷却動作を開始するようにしていたが、これに対して本実施形態に係る内部クーラ１７では基板２３が搬入された後、テスト基板による基板冷却を除いて、好ましくは、約１５秒程度遅延させて冷却動作を開始されることになる。なお上記の説明では、専用のテストカセットおよびテスト基板で最適な冷却遅延時間を求めるようにしたが、冷却遅延時間の求め方はこれに限定されるものではない。例えば２５枚の基板が収容された本来のカセットを利用し、２５枚の基板のいくつかを利用して冷却遅延時間を求めることも可能である。
【００４６】
冷却遅延時間の設定は、薄膜の種類等の条件に応じて任意に変わるものであり、好ましくは薄膜の種類ごとに冷却を行う際に決定される。遅延時間の最大の長さとしては、スループット（生産効率）を考慮すると、好ましくは約３０秒である。ただし、冷却遅延時間は生産効率を考慮して適宜に決められる。
【００４７】
図６に、従来の冷却プロセス（Ａ）と本実施形態に係る冷却プロセス（Ｂ）を対比して示す。（Ａ）に示すごとく従来の冷却プロセスによれば、基板搬入が完了するとほぼ同時に時点ｔ１で冷却プロセス６２を開始する（ステップＳ１１）。時点ｔ２で冷却プロセス６２が終了すると、基板の搬出が行われる（ステップＳ１２）。他方、（Ｂ）に示すごとく本実施形態に係る冷却プロセスによれば、時点ｔ１で基板搬入が完了する（ステップＳ１３）と、冷却遅延時間Ｔ０だけ遅れて時点ｔ３で冷却プロセス６３が開始される（ステップＳ１４）。時点ｔ４で冷却プロセス６３が終了すると、基板の搬出が行われる（ステップＳ１２）。以上のごとく、本実施形態による内部クーラ１７での冷却プロセスによれば、制御部４８による冷却遅延時間の制御に基づいて、所望の時間冷却プロセス６３が遅延させられる。
【００４８】
上記の冷却プロセス６２，６３の各々は、より詳しく図示すると、図６中のブロック６４内に示されるように、伝熱ガス導入工程６５、冷却実行工程６６、伝熱ガス粗引き排気工程６７、精密排気工程６８とから構成されている。ブロック６４内の特性６９に関して、横軸は時間、縦軸は圧力を示す。従って、特性６９は、基板冷却に係るチャンバ装置２４内の圧力レベルの変化を示している。
【００４９】
上記の本実施形態に係る高温基板の冷却方法によれば、内部クーラ１７のチャンバ装置２４に約６００℃に加熱された高温の基板２３を搬入し、冷却ステージ部２１のステージ上面の３つの突起５３の上に接触配置し、チャンバ装置２４内の基板収容領域３０を真空にし基板２３を保管する。その後、前述のごとくテスト基板について得られた冷却遅延時間の情報に基づいて、例えば最大限３０秒待ってガス導入装置２５から伝熱ガス（Ａｒガス等）を導入し、その圧力を例えば４ＫＰａとすることによって冷却を開始し、その状態を４５秒保持するようにした。
【００５０】
その結果、図７に示した測定図の特性８１によれば、基板２３での変形は観測されず、高い効率で基板２３を冷却することができた。なお特性８１は上記の突起５３と冷却遅延時間との組合せに基づいて得られる特性図である。特性８１によれば、ほとんど基板の変形は生じていない。ちなみに、特性８２は従来の冷却方法の場合であり、特性８３は石英製突起５３のみ（冷却遅延時間なし）の場合である。なお、図７のグラフで、横軸はスロット番号、縦軸は基板の最大変形量である。
【００５１】
上記の説明では、内部クーラ１７で高温基板の基板割れや位置ずれが生じない効率よい急激な基板冷却の例を説明したが、低温基板を同様に所定温度に急激に加熱する場合にも本願発明を適用することができるのは勿論である。また本願発明の温度調整は、基板の表裏で温度変化が異なる場合に生じる基板の変位や変形に対しても有効である。
【００５２】
上記の実施形態では、監視用真空窓４３を介して基板の変形等をレーザ変位検出装置４４で監視するようにしたが、監視手段としては、ＬＥＤ、その他のセンサ、ＣＣＤ、その他の撮像装置等の光学的装置を用いることができる。
【００５３】
【発明の効果】
以上の説明で明らかなように本発明によれば、チャンバ内で所定温度の基板の温度調整（冷却または加熱等）を行う装置または方法において、外部から基板の変形量を検出することを可能にするチャンバ監視窓と、基板の変形量を計測する計測部と、計測信号に基づき温度調整機構による温度調整開始時点を最適な所定時間だけ遅延させるための遅延制御部とを利用し、本来の温度調整の前の段階でテスト基板を利用して温度調整の最適な遅延時間を設定できるように構成したため、基板変形に伴う割れや位置ずれを起こさない基板冷却等を行うことができ、基板変形を低減し、半導体製造装置の生産性を高めることができる。さらに上記の遅延制御とステージの基板載置面に設けた複数の突起との組合せにより効果を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る基板温度調整装置（冷却チャンバ装置）が組み込まれた半導体製作装置の例を示す概略的な平面図である。
【図２】本発明に係る基板温度調整装置の構成を具体的に示す縦断面図である。
【図３】本発明に係る基板温度調整装置の特徴的部分の構成を説明するための縦断面構成および関連装置を示す図である。
【図４】ステージ部の冷却ステージの表面の一部を示す拡大図である。
【図５】冷却遅延時間に対する基板変形の依存性を示すグラフである。
【図６】従来の冷却プロセス（Ａ）と本実施形態に係る冷却プロセス（Ｂ）とを対比して示す図である。
【図７】従来の冷却方法、石英突起を利用した冷却方法、石英突起と冷却遅延時間の組合せによる冷却方法を比較するためのグラフである。
【符号の説明】
１０              薄膜作製装置
１１              センタチャンバ
１２〜１４        処理チャンバ
１７              内部クーラ
２１              冷却ステージ部
２２              蓋部
２３              基板
２４              チャンバ装置
２７，２８        支柱部
３０              基板収容領域
３２              冷却媒体供給装置
４３              真空窓
４４              レーザ変位検出装置
４８              制御部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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