(57)【要約】【課題】周囲の温度を実質的に正確に測定することができる温度検知手段を有し、初期平面形状の歪みが少ない、鏡部の鏡面の形状が可変な形状可変鏡及び該形状可変鏡を有する光ピックアップ装置を備えた光ディスク情報入出力装置を提供する。【解決手段】温度検知手段１０は、鏡部の鏡面の形状が変化しない部分に設けられることを特徴とする。【選択図】　　　　図８
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
鏡部の鏡面の形状が可変な形状可変鏡において、
該形状可変鏡の周囲の温度を検知する温度検知手段を有し、
該温度検知手段は、前記鏡部の前記鏡面の形状が変化しない部分に設けられることを特徴とする形状可変鏡。
【請求項２】
鏡部の鏡面の形状が可変な形状可変鏡において、
該形状可変鏡の周囲の温度を検知する温度検知手段を有し、
該温度検知手段は、前記鏡部の前記鏡面の形状が変化しない部分に一体に設けられることを特徴とする形状可変鏡。
【請求項３】
前記鏡部の鏡面の形状は、前記鏡部の前記鏡面と反対側に設けられた圧電素子の伸縮によって変化させられ、
前記温度検知手段は、前記鏡部の前記鏡面と反対側の、前記鏡部を支持する部材が前記鏡部と接触する部分及び前記圧電素子が設けられる部分の間、に配置されることを特徴とする請求項１又は２記載の形状可変鏡。
【請求項４】
前記鏡部の鏡面の形状は、前記鏡部の前記鏡面と反対側に設けられた圧電素子の伸縮によって変化させられ、
前記温度検知手段は、前記鏡部の前記鏡面側の、前記鏡部の前記鏡面と反対側で前記鏡部を支持する部材が前記鏡部と接触する部分及び前記鏡部の前記鏡面と反対側で前記圧電素子が設けられる部分の間、に配置されることを特徴とする請求項１又は２記載の形状可変鏡。
【請求項５】
前記温度検知手段は、前記鏡部の前記鏡面と反対側の、前記鏡部を支持する部材が前記鏡部と接触する部分、に配置されることを特徴とする請求項１又は２記載の形状可変鏡。
【請求項６】
前記温度検知手段は、前記鏡部の前記鏡面側の、前記鏡部の前記鏡面と反対側で前記鏡部を支持する部材が前記鏡部と接触する部分、に配置されることを特徴とする請求項１又は２記載の形状可変鏡。
【請求項７】
前記鏡部は、前記鏡部の前記鏡面側に前記形状可変鏡に入射する光を反射する反射膜を含み、
前記温度検知手段は、前記鏡部の前記反射膜が設けられてない部分に配置されることを特徴とする請求項４又は６記載の形状可変鏡。
【請求項８】
前記鏡部の前記鏡面と反対側の、前記鏡部を支持する部材が前記鏡部と接触する部分は、前記鏡部の前記鏡面と反対側の、前記鏡部を支持する部材が前記鏡部と接触しない部分に対する凸部であり、
前記温度検知手段は、該温度検知手段を駆動する電圧を印加する電極を有し、
前記温度検知手段の前記電極に接続される配線は、少なくとも前記凸部に設けられ、
前記配線の前記凸部における幅は、前記電極の幅よりも広いことを特徴とする請求項３又は５記載の形状可変鏡。
【請求項９】
前記温度検知手段は、白金からなる薄膜の抵抗体、及び前記抵抗体の少なくとも一部分を覆う五酸化二タンタル又は窒化シリコンからなる絶縁層を含むことを特徴とする請求項１乃至８いずれか１項記載の形状可変鏡。
【請求項１０】
前記抵抗体の抵抗値は、１ｋΩ乃至１０ｋΩであることを特徴とする請求項９記載の形状可変鏡。
【請求項１１】
請求項１乃至１０いずれか１項記載の形状可変鏡を有する光ピックアップ装置を備えることを特徴とする光ディスク情報入出力装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、鏡部の鏡面の形状を変化させる形状可変鏡、及び光ピックアップ装置を備えた光ディスク情報入出力装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
一般に光ディスクを用いた光ディスク情報入出力装置としてＣＤやＤＶＤなどがある。ＤＶＤなどはＣＤに比べ記録密度が高い為、情報の読み書きに関する条件がより厳しくなっている。例えば光ピックアップ装置の光軸とディスク面は垂直であることが理想であるが、実際には光ディスクが樹脂製である為、ディスク面はかなりうねりを持っていて、これを回転させると光ピックアップ装置の光軸とディスク面は常には垂直ではなく、ディスク面が光軸に対して傾きを持つことがある（以下、光軸に対するディスク面の傾きをチルトと表現する）。またＣＤ、ＤＶＤ共に光ディスクにおいては、図１に示すように、記録層１０８が樹脂層１０２ａ、１０２ｂを介在している為、チルトすなわちディスク面が傾くとレーザー光の光路が曲げられてコマ収差が発生し、図１の１０３ａ、１０３ｂに示すように光ディスク上に正しくスポットを絞れなくなる。このコマ収差が許容される量よりも大きくなると、情報を正しく読み書きできなくなるという不具合が生じる。
【０００３】
チルトにより発生する収差を低減する手段としては、対物レンズと記録層との間にある樹脂層の厚さを薄くする方法がある。実際に図１（ｂ）に示すようなＤＶＤにおいて、対物レンズ１０１ｂと記録層１０８との間の樹脂層１０２ｂの厚さを、図１（ａ）に示すＣＤの場合に比較して半分にしてあるのは、コマ収差の低減を意図したものである。しかしこの方法では、ＤＶＤよりも記録密度を高くしようとした場合には樹脂層の厚さをさらに薄くしてチルトの影響を低減することになるが、今度は光ディスク上にゴミや傷が付いた場合に信号を正しく読み書きできなくなるという不具合が生じる。この為、アクチュエータによって光ピックアップ装置の光軸を傾けて、チルトに対応しているのが現状である。
【０００４】
チルトによる影響を光学的に補正する手段として、特開平１０−７９１３５に記載の液晶板を用いる方法がある。また圧電素子を用いたチルトによるコマ収差などの補正手段として、特開平５−１４４０５６に記載のレーザー光の光路中に透明圧電素子を用いる方法や、特開平５−３３３２７４に記載の複数のアクチェータを利用した形状可変鏡を用いる方法などが提案されている。
【０００５】
しかしながら、特開平１０−７９１３５のように液晶板を用いて位相を制御することでコマ収差を補正する方法では、レーザーが液晶板を通過するために光量が減衰して書き込みに必要なエネルギーを得ることが困難であり、また液晶の特性から、特にタンジェンシャルチルトの制御に要求される高周波動作に使用することは困難である。
【０００６】
また、特開平５−１４４０５６のように単独の透明圧電素子で必要な厚さの変化を得るためには、実際には高電圧が必要となり光ピックアップ装置などに用いるには現実的ではない。
さらに、特開平５−３３３２７４のように形状可変鏡の鏡自体を積層型圧電素子で変形させ位相制御する方法は、光ピックアップ装置などの小さい部品に用いるには配線などの考慮がされておらず、複雑になり、かつ組み付けコストも高くなる。また、配線などの問題が解決できたとしても、積層型圧電素子を小型化することは、技術的にもコスト的にも困難である。
【０００７】
上述した従来技術の問題点を解決する方法として、ユニモルフ型又はバイモルフ型の圧電素子を使用した形状可変鏡で、チルトなどにより発生する波面収差（主としてコマ収差）を低減する方法が考えられる。これは例えば、図２に示すような鏡面の形状が可変な形状可変鏡（以後、通常構造の形状可変鏡と呼ぶ）である。ここで図２は、形状可変鏡の断面図である。この形状可変鏡において、鏡基板６の片面に鏡材１、鏡材１の鏡面側を下と表現すると、鏡基板６の上には、配線４ｂ、その上には電極４ａ、その上に圧電極性が一方向の圧電素子２、さらにその上に二つの電極５ａがある。鏡基板６は、凹形状の鏡固定用部材８によって鏡固定部３で固定され、鏡固定用部材８には、配線４ｂとワイヤを介して接続する配線４ｃ、電極５ａとワイヤを介して接続する配線５ｃが設けられている。ここで、配線４ｃ及び二つの配線５ｃを介して電極４ａと電極５ａとの間に電位差を与えると、圧電素子２がその電位差に応じて伸縮し、鏡基板６及び鏡材１を含む鏡部の鏡面の形状を変形させる。なお、二つの電極５ａの圧電極性を変えたり、二つの電極５ａに印加する電圧を変えることで、圧電素子２の伸縮を調節して鏡部の鏡面形状を制御することができる。
【０００８】
また、図３（ａ）、（ｂ）は、別の形態の形状可変鏡（以後、薄膜構造と呼ぶことにする）を示す図であり、（ａ）は、配線４ｃ、５ｃを有する鏡固定用部材８を取り除いて反射膜１と反対側から見た形状可変鏡の平面図であり、（ｂ）は、（ａ）のＡ−Ａ’方向における形状可変鏡の断面図であり、（ｃ）は、形状可変鏡における鏡面形状の変化を説明する図である。図３（ａ）、（ｂ）に示すように、この薄膜構造の形状可変鏡は、鏡面側を下側、鏡面と反対側を上側と呼ぶことにすると、鏡基板６の下には反射膜１があり、鏡基板６の上には絶縁膜７があり、その上には配線４ｂ、５ｂがある。鏡基板６は周辺部に厚い凸部１４を有している。配線４ｂ上には配線４ｂと接続している二つの電極４ａがあり、電極４ａの上には圧電素子２が接着されており、さらに圧電素子２の上に二つの電極４ａと対向する二つの電極５ａがある。鏡基板６の周辺に形成された配線４ｂと電極４ａに接続している圧電素子２の下にある配線４ｂとの間、及び鏡基板６の周辺に形成された配線５ｂと圧電素子２上に形成された電極５ａとの間には、それぞれ接続用のワイヤがある。ここで、ここで、反射膜、鏡基板、絶縁膜、配線を含む部分を鏡部と定義する。また、図３の形状可変鏡においては、鏡部の変形を容易とする為に、鏡部にスリットを設けてある。ここで、圧電素子及び電極を含む部分を圧電基板部と定義する。圧電基板部及びワイヤを有する鏡部は、配線４ｃ、５ｃを有する鏡固定用部材８の鏡固定部３に、鏡部周辺の厚い凸部１４で固定されている。図３に示す薄膜構造の形状可変鏡は、鏡基板６の鏡面と反対側の部分をエッチングして、鏡基板６の厚さを薄くしており、低電圧で鏡部の鏡面形状を変化させることができる。
【０００９】
このような薄膜構造の形状可変鏡において、配線４ｂ、従って二つの電極４ａを接地し、配線５ｂから２つの電極５ａの片方にプラスの電圧、他方にマイナスの電圧を印加したとする。鏡基板６自体は電圧を印加しても伸縮しないが、圧電素子２は、電圧を印加すれば伸縮する。電極５ａにプラスの電圧を印加した場合に、電極５ａの設置された部分の圧電素子２が縮むとすると、マイナスの電圧を印加した場合には、その部分の圧電素子２は伸びることとなり、電極５ａにプラスの電圧を印加した部分の鏡面は凸面に、電極５ａにマイナスの電圧を印加した部分の鏡面は凹面になる。その結果、図３に示す形状可変鏡の鏡面形状は、図３（ｃ）に示すように、Ａ−Ａ’方向に鏡面の中心を挟んで凸面と凹面を有し、Ａ−Ａ’方向の断面は鏡面の中心が節に相当する波型の形状になる。なお、図３（ｃ）の横軸は、図３に示す形状可変鏡のＡ−Ａ’方向の軸、縦軸は、Ａ−Ａ’方向の断面における鏡面形状の変化量である。また２つの電極５ａに前述と逆の電圧を印加した場合には、図３（ｃ）に示す形状と逆の波型の形状になる。なお、二つの電極５ａの圧電極性を変えたり、二つの電極５ａに印加する電圧を変えることで、圧電素子２の伸縮を調節して鏡部の鏡面形状を制御することができる。
【００１０】
このような形状可変鏡を、光ディスク情報入出力装置における光ピックアップ装置の光軸上に設置し、鏡面の形状を制御することによって、チルトによるコマ収差を低減することが可能になる。光ディスク情報入出力装置において、光ディスクにチルト、即ちレーザー光の光軸に対して垂直な方向を基準とした光ディスクの傾き、が生じると、光ディスクから反射して戻ってきたレーザー光の波面は乱れコマ収差が発生する。チルトした光ディスクから戻ってきて形状可変鏡の鏡面に入射するレーザー光の波面収差は、レーザー光の光束の断面に対して図４に示すような等高線で表わされる。ここで、レーザーの光束の断面において、光ディスクがチルトした方向に対応する方向が図４のＡ−Ａ’方向である。すなわちＡ−Ａ’方向に沿って符号が変わる波面収差（コマ収差）が発生する。
【００１１】
このようなチルトにより発生する波面収差を低減する為に、図３に示すような形状可変鏡を、図３（ａ）のＡ−Ａ’方向と図４のＡ−Ａ’方向とを一致させて光ピックアップ装置の光軸上に設置する。前述した形状可変鏡の動作により、Ａ−Ａ’方向について凸面と凹面とが生じるように、鏡面の形状を適切に制御すれば、チルトによる波面収差（コマ収差）の補正又は低減が可能となる。ここで簡単の為に図４におけるＡ−Ａ’方向についてのみ注目して、レーザー光の波面収差の低減を、図５（ａ）乃至（ｃ）を用いて説明する。図５（ａ）は、光ディスクがチルトした場合に発生するレーザー光の波面収差に関する図４のＡ−Ａ’方向の波面収差図である。ここで、図５（ａ）乃至（ｃ）における縦軸は波面収差であり、図３における横軸は、図４のＡ−Ａ’方向の軸（即ち形状可変鏡のＡ−Ａ’方向の軸）である。なお、光ディスクがチルトせずレーザー光の光軸に対し垂直であれば、図５（ａ）に示すような波面収差は発生せず、波面は横軸に一致する。図５（ｂ）は、形状可変鏡を故意に収差を発生させるように動作させ、無収差の光を形状可変鏡に照射した場合の反射光の波面収差を示した図である。今、光ディスクにチルトが生じ、光ディスクからの反射光の波面収差が図５（ａ）であったとして、光ディスクにチルトが生じていない場合に形状可変鏡で反射した光の波面収差が図５（ｂ）となるように形状可変鏡の鏡面の形状を制御する。この場合には、図５（ａ）と図５（ｂ）の波面収差が互いに相殺する関係となって、形状可変鏡からの反射光の波面収差は、図５（ｃ）のようになり、図５（ａ）と比較して波面収差を低減させることができる。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】
ここで、上述したような形状可変鏡においては、圧電素子に電圧を印加していない状態における鏡部の鏡面形状（以下、簡単のために初期平面形状と呼ぶことにする）が、周囲の温度変化によって変動することが知られている。特に、図３に示す薄膜構造の形状可変鏡では、鏡基板６の厚さが薄いため、温度変化による鏡面形状の変動は、顕著となる。すなわち、形状可変鏡の鏡部における鏡面形状が変化する部分は、反射膜１、鏡基板６、絶縁膜７、配線４ｂなどを含むと共に、電極４ａ、５ａ、配線４ｂ、接着剤で取り付けられた圧電素子２を備えており、これらの構成要素は、それぞれ異なる熱膨張係数を有している。よって、これらの構成要素は、周囲の温度変化によって別々に伸縮するため、鏡部の初期鏡面形状は、全体として歪むことになる。
【００１３】
従って、周囲の温度変化が起こっても形状可変鏡の初期平面形状を平面に保つために、形状可変鏡の初期平面形状の温度変化を補償する必要がある。形状可変鏡の初期平面形状の温度変化を補償する方法として、周囲の温度を温度検知手段で随時測定し、測定した温度に基づいて圧電素子にオフセット電圧を印加することで、形状可変鏡の初期平面形状の歪みを補正する方法がある。
【００１４】
温度検知手段としては、市販の温度検知手段を使用することができる。このような温度検知手段を、温度補償が必要とされる、形状可変鏡における鏡面形状の変化する部分の近傍に取りつけてもよい。しかしながら、光ディスク情報入出力装置の光ピックアップ装置などに設置する小型の形状可変鏡に対する温度検知手段の取り付けは、温度検知手段を取り付ける場所を確保しなければならないという問題がある。このため、薄膜で構成される温度検知手段を、形状可変鏡の鏡部と一体に作製することが望ましい。このような薄膜で構成される温度検知手段は、温度変化によって抵抗値が変動する金属薄膜抵抗体と金属薄膜抵抗体を覆う絶縁膜を含む。
【００１５】
しかしながら、形状可変鏡、特に薄膜構造の形状可変鏡、の鏡部における鏡基板は、鏡部の鏡面形状を効率良く変形するために、非常に薄く形成されている（例えば、５０μｍ〜２００μｍ）。このため、薄膜で構成される温度検知手段を、単純に鏡部と一体に形成すると、温度検知手段における金属薄膜抵抗体や絶縁膜の膜応力による影響で、鏡部の初期鏡面形状が歪むと共に周囲の温度変化による鏡部の初期平面形状の変動がさらに強調される場合もある。また、薄膜で構成される温度検知手段において、金属薄膜抵抗体の材料を白金（Ｐｔ）とすると、Ｐｔの金属薄膜抵抗体は、一般的な酸化シリコン（ＳｉＯ２）の絶縁膜との密着性が悪い。よって、ＳｉＯ２の絶縁膜を通じたＰｔの金属薄膜抵抗体への熱伝導が不十分であり、Ｐｔの金属薄膜抵抗体における抵抗の変化による温度測定が不正確となり、温度検知手段としての信頼性を確保するのことが困難となる。さらに、形状可変鏡の鏡部における鏡面形状が変化する部分の近傍に温度検知手段内の金属薄膜抵抗体を配置すると、圧電素子に電圧を印加して鏡部の鏡面形状を変化させるとき、鏡面形状の変化によって金属薄膜抵抗体に応力が発生して、その抵抗値が変動し、周囲の温度を正確に測定することができなくなる。
【００１６】
本発明は、上記問題に鑑みなされたものであり、周囲の温度を実質的に正確に測定することができる温度検知手段を有し、初期平面形状の歪みが少ない、形状可変鏡及び該形状可変鏡を有する光ピックアップ装置を備えた光ディスク情報入出力装置を提供することを目的とする。
【００１７】
【課題を解決するための手段】
請求項１記載の発明は、鏡部の鏡面の形状が可変な形状可変鏡において、該形状可変鏡の周囲の温度を検知する温度検知手段を有し、該温度検知手段は、前記鏡部の前記鏡面の形状が変化しない部分に設けられることを特徴とする。
【００１８】
請求項１記載の発明によれば、該形状可変鏡の周囲の温度を検知する温度検知手段を有し、該温度検知手段は、前記鏡部の前記鏡面の形状が変化しない部分に設けられるので、周囲の温度を実質的に正確に測定することができる温度検知手段を有し、初期平面形状の歪みが少ない、形状可変鏡を提供することができる。
【００１９】
請求項２記載の発明は、鏡部の鏡面の形状が可変な形状可変鏡において、該形状可変鏡の周囲の温度を検知する温度検知手段を有し、該温度検知手段は、前記鏡部の前記鏡面の形状が変化しない部分に一体に設けられることを特徴とする。
【００２０】
請求項２記載の発明によれば、該形状可変鏡の周囲の温度を検知する温度検知手段を有し、該温度検知手段は、前記鏡部の前記鏡面の形状が変化しない部分に一体に設けられるので、周囲の温度を実質的に正確に測定することができる温度検知手段を有し、初期平面形状の歪みが少ない、形状可変鏡を提供することができると共に、温度検知手段を確実に形状可変鏡に設けることができる。
【００２１】
請求項３記載の発明は、請求項１又は２記載の形状可変鏡において、前記鏡部の鏡面の形状は、前記鏡部の前記鏡面と反対側に設けられた圧電素子の伸縮によって変化させられ、前記温度検知手段は、前記鏡部の前記鏡面と反対側の、前記鏡部を支持する部材が前記鏡部と接触する部分及び前記圧電素子が設けられる部分の間、に配置されることを特徴とする。
【００２２】
請求項３記載の発明によれば、前記鏡部の鏡面の形状は、前記鏡部の前記鏡面と反対側に設けられた圧電素子の伸縮によって変化させられ、前記温度検知手段は、前記鏡部の前記鏡面と反対側の、前記鏡部を支持する部材が前記鏡部と接触する部分及び前記圧電素子が設けられる部分の間、に配置されるので、圧電素子の伸縮により鏡部の鏡面の形状を変化させても、温度を高い精度で測定でき、長期信頼性が確保された温度検知手段を有する形状可変鏡を提供することができる。
【００２３】
請求項４記載の発明は、請求項１又は２記載の形状可変鏡において、前記鏡部の鏡面の形状は、前記鏡部の前記鏡面と反対側に設けられた圧電素子の伸縮によって変化させられ、前記温度検知手段は、前記鏡部の前記鏡面側の、前記鏡部の前記鏡面と反対側で前記鏡部を支持する部材が前記鏡部と接触する部分及び前記鏡部の前記鏡面と反対側で前記圧電素子が設けられる部分の間、に配置されることを特徴とする。
【００２４】
請求項４記載の発明によれば、前記鏡部の鏡面の形状は、前記鏡部の前記鏡面と反対側に設けられた圧電素子の伸縮によって変化させられ、前記温度検知手段は、前記鏡部の前記鏡面側の、前記鏡部の前記鏡面と反対側で前記鏡部を支持する部材が前記鏡部と接触する部分及び前記鏡部の前記鏡面と反対側で前記圧電素子が設けられる部分の間、に配置されるので、圧電素子の伸縮により鏡部の鏡面の形状を変化させても、温度を高い精度で測定でき、長期信頼性が確保された温度検知手段を有する形状可変鏡を提供することができると共に、温度検知手段を容易に製造することができる。
【００２５】
請求項５記載の発明は、請求項１又は２記載の形状可変鏡において、前記温度検知手段は、前記鏡部の前記鏡面と反対側の、前記鏡部を支持する部材が前記鏡部と接触する部分、に配置されることを特徴とする。
【００２６】
請求項５記載の発明によれば、前記温度検知手段は、前記鏡部の前記鏡面と反対側の、前記鏡部を支持する部材が前記鏡部と接触する部分、に配置されるので、
温度を高い精度で測定でき、長期信頼性が確保された温度検知手段を有する形状可変鏡を提供することができると共に、温度検知手段の膜応力による形状可変鏡の初期鏡面形状の歪みを除去することができる。
【００２７】
請求項６記載の発明は、請求項１又は２記載の形状可変鏡において、前記温度検知手段は、前記鏡部の前記鏡面側の、前記鏡部の前記鏡面と反対側で前記鏡部を支持する部材が前記鏡部と接触する部分、に配置されることを特徴とする。
【００２８】
請求項６記載の発明によれば、前記温度検知手段は、前記鏡部の前記鏡面側の、前記鏡部の前記鏡面と反対側で前記鏡部を支持する部材が前記鏡部と接触する部分、に配置されるので、製造が容易であり、温度を高い精度で測定でき、長期信頼性が確保された温度検知手段を有する形状可変鏡を提供することができると共に、温度検知手段の膜応力による形状可変鏡の初期鏡面形状の歪みを除去することができる。
【００２９】
請求項７記載の発明は、請求項４又は６記載の形状可変鏡において、前記鏡部は、前記鏡部の前記鏡面側に前記形状可変鏡に入射する光を反射する反射膜を含み、前記温度検知手段は、前記鏡部の前記反射膜が設けられてない部分に配置されることを特徴とする。
【００３０】
請求項７記載の発明によれば、前記鏡部は、前記鏡部の前記鏡面側に前記形状可変鏡に入射する光を反射する反射膜を含み、前記温度検知手段は、前記鏡部の前記反射膜の設けられてない部分に配置されるので、反射膜の膜応力による温度検知手段の測定精度の低下を防止し、正確に温度を測定することができる温度検知手段を有する形状可変鏡を提供することができる。
【００３１】
請求項８記載の発明は、請求項３又は５記載の形状可変鏡において、前記鏡部の前記鏡面と反対側の、前記鏡部を支持する部材が前記鏡部と接触する部分は、前記鏡部の前記鏡面と反対側の、前記鏡部を支持する部材が前記鏡部と接触しない部分に対する凸部であり、前記温度検知手段は、該温度検知手段を駆動する電圧を印加する電極を有し、前記温度検知手段の前記電極に接続される配線は、少なくとも前記凸部に設けられ、前記配線の前記凸部における幅は、前記電極の幅よりも広いことを特徴とする。
【００３２】
請求項８記載の発明によれば、前記鏡部の前記鏡面と反対側の、前記鏡部を支持する部材が前記鏡部と接触する部分は、前記鏡部の前記鏡面と反対側の、前記鏡部を支持する部材が前記鏡部と接触しない部分に対する凸部であり、前記温度検知手段は、該温度検知手段を駆動する電圧を印加する電極を有し、前記温度検知手段の前記電極に接続される配線は、少なくとも前記凸部に設けられ、前記配線の前記凸部における幅は、前記電極の幅よりも広いので、配線を凸部に容易に形成することができると共に、温度検知手段に接続する配線の凸部における抵抗値の増加を抑制し、不正抵抗が少なく、温度測定の感度が高い温度検知手段を有する形状可変鏡を提供することができる。
【００３３】
請求項９記載の発明は、請求項１乃至８いずれか１項記載の形状可変鏡において、前記温度検知手段は、白金からなる薄膜の抵抗体、及び前記抵抗体の少なくとも一部分を覆う五酸化二タンタル又は窒化シリコンからなる絶縁層を含むことを特徴とする。
【００３４】
請求項９記載の発明によれば、前記温度検知手段は、白金からなる薄膜の抵抗体、及び前記抵抗体の少なくとも一部分を覆う五酸化二タンタル又は窒化シリコンからなる絶縁層を含むので、特に抵抗体と絶縁層の密着性が良好であり、温度を精度よく正確に測定できる温度検知手段を有する形状可変鏡を提供することができる。
【００３５】
請求項１０記載の発明は、請求項９記載の形状可変鏡において、前記抵抗体の抵抗値は、１ｋΩ乃至１０ｋΩであることを特徴とする。
【００３６】
請求項１０記載の発明によれば、前記抵抗体の抵抗値は、１ｋΩ乃至１０ｋΩであるので、適切な温度測定に対する感度と適切な消費電力を有する温度検知手段を備えた形状可変鏡を提供することができる。
【００３７】
請求項１１記載の発明は、光ピックアップ装置を備える光ディスク情報入出力装置において、請求項１乃至１０いずれか１項記載の形状可変鏡を有することを特徴とする。
【００３８】
請求項１１記載の発明によれば、請求項１乃至１０いずれか１項記載の形状可変鏡を有するので、周囲の温度を実質的に正確に測定することができる温度検知手段を有し、初期平面形状の歪みが少ない、形状可変鏡を有する光ピックアップ装置を備えた光ディスク情報入出力装置を提供することができる。
【００３９】
【発明の実施の形態】
次に、本発明の実施の形態について図面と共に説明する。
【００４０】
まず、本発明における第一の実施形態を図６と共に説明する。図６は、本発明の第一の実施形態における形状可変鏡を示し、（ａ）は、本発明の形状可変鏡の鏡面と反対側から見た平面図である。ただし、簡単のために鏡固定用部材や一部の配線やワイヤを省略して描いてある。また、図６（ｂ）、（ｃ）は、本発明の形状可変鏡に設けられる温度検知手段の断面図である。
【００４１】
本実施形態の形状可変鏡の基本的な構成は、図２に示す通常構造の形状可変鏡と同様である。図６（ａ）に示すように、本実施形態の形状可変鏡においては、鏡面側を下側、鏡面と反対側を上側と呼ぶことにすると、Ｓｉで形成された鏡基板６の下には鏡材があり、鏡基板６の上には配線４ｂがある。配線４ｂ上には配線４ｂと接続している電極があり、その電極の上には圧電素子２が接着されており、さらに圧電素子２の上に上述の二つの電極と対向する二つの電極５ａがある。
【００４２】
図２に示す従来の形状可変鏡と異なり、本実施形態の形状可変鏡においては、鏡基板６の一部に温度検知手段１０が形成されている。具体的には、温度検知手段１０を、鏡基板６における鏡固定部３（鏡固定用部材で固定される部分）の近傍に形成している。ここで、圧電素子に電圧を印加して鏡部の鏡面形状を変化させたとき、鏡面形状が大きく変化する部分は、電極５ａが配置されている図６（ａ）の矢印部分である。よって、温度検知手段１０を鏡基板６の鏡固定部３の近傍に形成することで、温度検知手段１０は、圧電素子に電圧を印加したときの鏡面形状の変化に起因する内部応力の発生を回避することができる。よって、温度検知手段における金属薄膜抵抗体の抵抗値の変化を防ぎ、周囲の温度を実質的に正確に測定することができる。
【００４３】
本実施形態において使用される温度検知手段１０は、図６（ｂ）又は図６（ｃ）に示すように、温度変化によって抵抗値が変動する金属で形成される金属薄膜抵抗体１２、金属薄膜抵抗体１２を鏡基板６に密着させる、絶縁膜で形成される密着層１１、及び密着層１１と共に金属薄膜抵抗体１２を覆い、金属薄膜抵抗体１２を保護する保護膜１３を含む。
【００４４】
本実施形態において使用される温度検知手段１０の製造方法は、まず、ＳｉＯ２である絶縁膜の表面を、酸素（Ｏ２）プラズマ処理、バックスパッタ処理、又はアルゴン（Ａｒ）やシリコン（Ｓｉ）等のイオン注入によって処理し、金属薄膜抵抗体１２との密着性を向上させた密着層１１を製膜する。密着層１１と金属薄膜抵抗体１２との密着性をさらに向上させるために、図６（ｃ）に示すように、密着層１１の表面に凹部を形成し、その凹部の内部に金属薄膜抵抗体１２を形成することが好ましい。
【００４５】
次に、主としてスパッタ法により金属薄膜抵抗体１２を密着層１１上に形成する。この金属薄膜抵抗体１２の薄膜は、粒の集合体であり、これらの粒同志の界面（粒界）には、不正抵抗が存在する。ここで、金属薄膜抵抗体１２の薄膜に応力（膜変位）が発生すると、この粒界の不正抵抗が増大する。よって、金属薄膜抵抗体１２の薄膜を、温度変化に検知に使用する場合には、金属薄膜抵抗体１２の薄膜に応力が発生しないようにする必要がある。すなわち、圧電素子２に電圧を印加して形状可変鏡の鏡面形状を変化させる際には、凹凸形状などの鏡面形状の変動によって金属薄膜抵抗体１２に応力が発生することを避けるために、鏡部における鏡面形状の変化する部分に温度検出手段１０を形成しないことが望ましい。加えて、形状可変鏡の鏡面形状の変化によって、金属薄膜抵抗体１２にストレスマイグレーションが発生する可能性があるため、温度検知手段１０の温度測定における長期信頼性を確保するためにも、鏡部における鏡面形状の変化する部分に温度検出手段１０を形成することは避けるべきである。
【００４６】
最後に、金属薄膜抵抗体１２及び密着層１１上に絶縁膜からなる保護膜１３を形成して、金属薄膜抵抗体１２を密着層１１と保護膜１２で覆い、温度検知手段１０が完成する。
【００４７】
本実施形態においては、温度検知手段１０を鏡基板６の一部分においてのみ形成しているため、形状可変鏡の反射膜は、温度検知手段１０を構成している密着層１１、金属薄膜抵抗体１２、及び保護膜１３の膜応力による影響を実質的に受けない。よって、本実施形態の形状可変鏡においては、形状可変鏡の初期鏡面形状が歪むことや、周囲の温度変化による鏡部の初期平面形状の変動が強調されることを実質的に防止することができる。
【００４８】
次に、本発明における第二の実施形態を図６、図７と共に説明する。
【００４９】
本実施形態における形状可変鏡は、前述の第一の実施形態における形状可変鏡と同様の構成を有するが、金属薄膜抵抗体１２をＰｔ薄膜で作製し、密着層１１及び保護膜１３を、それぞれ窒化シリコン（Ｓｉ３Ｎ４）膜又は五酸化二タンタル（Ｔａ２Ｏ５）膜で作製している。
【００５０】
金属薄膜抵抗体１２であるＰｔ薄膜は、スパッタ法で成膜する。スパッタ条件を変えることによって金属薄膜抵抗体１２の抵抗温度係数（ＴＣＲ）をある程度自由に変化させることができるので、温度変化に対する抵抗値の変化の大きい、すなわち感度の高い、金属薄膜抵抗体１２を作製することができる。例えば、金属薄膜抵抗体１２を製膜するとき、スパッタ装置の電力を下げると共に鏡基板６の温度を高く設定することで、高い抵抗温度係数を有する金属薄膜抵抗体を得ることができる。このようにして、温度変化に対する抵抗値の変化が大きい、高感度な金属薄膜抵抗体１２を形成する。
【００５１】
金属薄膜抵抗体１２がＰｔ薄膜である場合において、温度検知手段１０の密着層１１及び保護膜１３にＳｉＯ２膜を使用すると、ＳｉＯ２膜は、Ｐｔとの密着性が悪いため、温度検知手段１０による温度測定の信頼性を確保することが困難である。密着層１１及び保護膜１３の金属薄膜抵抗体１２との密着性を向上させるためには、密着層１１及び保護膜１３としてＳｉＯ２膜の代わりにＳｉ３Ｎ４膜又はＴａ２Ｏ５膜を用いることが望ましい。また、金属薄膜抵抗体１２としてのＰｔ薄膜を密着層１１に製膜する前に、密着層１１にバックスパッタ処理を施すことで密着層１１と金属薄膜抵抗体１２との密着性をさらに向上させることができる。
【００５２】
ここで、本実施形態における温度検知手段１０の製造方法について説明する。まず、鏡基板６の鏡面と反対側の面に、密着層１１を形成するための厚さ０．３μｍのＴａ２Ｏ５膜をスパッタ法により成膜し、連続して金属薄膜抵抗体１２を形成するための厚さ０．２μｍのＰｔ薄膜をスパッタ法により成膜した。次に、Ｐｔ薄膜から金属薄膜抵抗体１２を形成するためのマスク材として０．２μｍのＴａ２Ｏ５膜を成膜した。このマスク材をフォトリソグラフ法によって所望の金属薄膜抵抗体１２の形状（金属薄膜抵抗体１２の抵抗値を測定する手段を接続する部分、即ちボンディングパッド、を含む）に合わせてパターニングし、次にバックスパッタ処理を施すことにより、Ｐｔ薄膜を所望の金属薄膜抵抗体の形状にエッチングした。その後、保護膜１３として、厚さ０．３μｍのＴａ２Ｏ５膜をスパッタ法により成膜した。次に、フォトリソグラフ法によって、密着層１１及び保護膜１３を形成するためのＴａ２Ｏ５膜を、鏡基板６における温度検知手段１０を形成する部分（以下、簡単のために温度検知手段形成領域と呼ぶことにする）の形状にパターニングする。最後に、密着層１１及び保護膜１３を形成するためのＴａ２Ｏ５膜における温度検知手段形成領域以外の部分の全てを、エッチングによって除去することで、本実施形態における温度検知手段１０が完成する。このパターニング及びエッチングの際には、同時に、保護膜１３に、金属薄膜抵抗体１２のボンディングパッドを金属薄膜抵抗体１２の抵抗値を測定する手段を接続するための穴を形成する（ボンディングパッドの窓開け）。
【００５３】
次に、本実施形態における温度検知手段１０の動作を、図７と共に具体的に説明する。図７は、本実施形態における温度検知手段１０及び金属薄膜抵抗体１２の形態を示す。
【００５４】
本実施形態において、Ｐｔ薄膜の成膜条件として、鏡基板の温度を３００℃に保つと共にスパッタ装置の電力２００Ｗに設定したことで、３２００ｐｐｍ／℃のＴＣＲを有するＰｔ薄膜が得られた。図７に示すように、ボンディングパット（金属薄膜抵抗体１２の両端部分）を除く金属薄膜抵抗体１２を線形に形成し、その寸法を、線幅４μｍ、線の長さ３０ｍｍ、膜厚０．２μｍとすれば、金属薄膜抵抗体１２の全体の抵抗値は、約５０００Ωとなる。ここで、ボンディングパッドは、通常、金属薄膜抵抗体１２のボンディングパット以外の部分より大きいので、ボンディングパッドの抵抗値は無視できる。また、ＴＣＲが３２００ｐｐｍ／℃であるので、温度が１℃だけ変化すると、抵抗値は、約１６Ωだけ変化する。例えば、この金属薄膜抵抗体に０．５ｍＡの定電流を流すとすれば、この金属薄膜抵抗体の電圧は、２．５Ｖになり、温度が１℃だけ変化すると、電圧の変化量は、約８ｍＶとなる。この電圧の変化量が、温度の変化に対応するので、金属薄膜抵抗体１２に定電流を流して電圧を測定すれば、周囲の温度を測定することができる。この抵抗値は、単なる一つの例であり、温度検知手段１０やボンディングパッドの大きさによる制限の下で、金属薄膜抵抗体１２の形状、即ち長さや断面積、をある程度自由に設計することができる。よって、金属薄膜抵抗体の感度（温度変化に対する電圧変化量）の向上や配線抵抗等の不正抵抗による電圧測定精度の低下を考慮して、ある程度自由に設計することができる。
【００５５】
また図７に示すように、金属薄膜抵抗体１２の面積は、ボンディングパッドを合わせても７ｍｍ×０．１５ｍｍのように、かなり小さく作製すりことができ、この温度検知手段１０を、鏡面と反対側における鏡部の鏡面形状の変化が少ない部分に設置することで、温度検知手段の温度測定における長期信頼性を得ることができる。この温度検知手段１０の大きさは、単なる一つの例であり、金属薄膜抵抗体１２の形状における折り返しの数を多くすることで、温度検知手段１０の長さを短くできる。これにより、形状可変鏡の鏡部の大きさに適合した温度検知手段１０をある程度自由に設計することができる。
【００５６】
次に、本発明における第三の実施形態を図８と共に説明する。
【００５７】
図８（ａ）に示す本実施形態における形状可変鏡は、図２に示す従来の通常構造の形状可変鏡と類似の構成を有するが、温度検知手段１０を、鏡部の鏡面と反対側における鏡固定部３の近傍又は鏡部の周辺部分に配置している。図８（ａ）においては、温度検知手段１０の幅が大きく描かれているが、実際には、図７に示すように温度検知手段１０の幅は、僅か０．１５ｍｍのように小さい。よって、鏡部の面積における温度検知手段１０の面積の占める割合は少ない。この温度検知手段１０を、鏡固定部３の近傍又は鏡部の周辺部分に配置することで、圧電素子２の伸縮により鏡部の鏡面形状を変化させても、温度検知手段１０は、ほとんど変形せず、温度を高い精度で測定でき、長期信頼性が確保された温度検知手段１０を提供することができる。
【００５８】
また、図８（ｂ）に示す本実施形態における形状可変鏡は、図３に示す従来の薄膜構造の形状可変鏡と類似の構成を有するが、温度検知手段１０を、鏡部の鏡面と反対側におけるスリット９と凸部１４との間に配置している。鏡部におけるスリット９の外側の部分は、圧電素子２の伸縮により鏡部の鏡面形状が変形しても、ほとんど変形しない。よって、このように温度検知手段を、鏡部の鏡面と反対側におけるスリット９と凸部１４との間に配置すれば、圧電素子２の伸縮により鏡部の鏡面形状が変形しても、温度検知手段１０は、ほとんど変形せず、温度を高い精度で測定でき、長期信頼性が確保された温度検知手段１０を提供することができる。
【００５９】
次に、本発明における第四の実施形態を説明する。
【００６０】
本実施形態における一つの形状可変鏡は、図２に示す従来の通常構造の形状可変鏡と類似の構成を有するが、温度検知手段１０を、鏡部の鏡面側における鏡固定部３に対応する場所に配置している。このように、温度検知手段１０を、鏡部の鏡面側における鏡固定部３に対応する場所に配置することによって、圧電素子２の伸縮により鏡部の鏡面形状を変化させても、温度検知手段１０は、全く変形せず、温度をさらに高い精度で測定でき、長期信頼性が確保された温度検知手段１０を提供することができる。
【００６１】
本実施形態における別の形状可変鏡は、図３に示す従来の薄膜構造の形状可変鏡と類似の構成を有するが、温度検知手段１０を、鏡部の鏡面側における凸部１４に対応する場所に配置している。このように、温度検知手段１０を、鏡部の鏡面側における凸部１４に対応する場所に配置することによって、圧電素子２の伸縮により鏡部の鏡面形状を変化させても、温度検知手段１０は、全く変形せず、温度をさらに高い精度で測定でき、長期信頼性が確保された温度検知手段１０を提供することができる。加えて、温度検知手段１０を、平坦な鏡部の鏡面側に形成しているので、温度検知手段１０を製造することが容易である。具体的には、温度検知手段１０を、フォトリソグラフ法における密着露光を使用して作製することができる。なお、本実施形態における形状可変鏡のように、温度検知手段１０を鏡部の鏡面側に形成する場合には、通常、温度検知手段１０を鏡基板６に作製した後、反射膜１を鏡基板６（及び温度検知手段１０）上に製膜する。
【００６２】
ここで、温度検知手段１０を、鏡部の鏡面と反対側における凸部１４の内側に作製するとすれば、薄膜構造の形状可変鏡は、鏡部の鏡面と反対側に凹部を有するので、例えば線幅４μｍのような細い金属薄膜抵抗体を、フォトリソグラフ法における密着露光によってパターニングすることは困難である。つまり、フォトリソグラフ法における密着露光によってパターニングするとすれば、フォトマスクと金属薄膜抵抗体を形成するためのマスク材との距離が約２００μｍほど離れるため、金属薄膜抵抗体のパターンがマスク材に不鮮明に露光されてしまう。金属薄膜抵抗体は、正確な抵抗値を有することが必要であり、金属薄膜抵抗体のパターンがマスク材に不鮮明に露光されてしまうと、金属薄膜抵抗体を正確に所望の形状に作製することができない。よって、正確な抵抗値を有する金属薄膜抵抗体得ることができず、正確な温度を検知することができる温度検知手段を提供することができない。これに対して、金属薄膜抵抗体を、鏡部の鏡面と反対側における凸部１４の内側において、所望の形状に作製するためには、ステッパー露光が有利であるが、フォトマスクを使用する密着露光よりも設備投資が大きく、コストが高くなる。
【００６３】
次に、本発明における第五の実施形態を図９と共に説明する。
【００６４】
図９（ａ）に示す本実施形態における形状可変鏡は、図２に示す従来の通常構造の形状可変鏡と類似の構成を有するが、温度検知手段１０を、鏡部の鏡面と反対側における鏡固定部３の内部に配置している。また、図９（ｂ）に示す本実施形態における形状可変鏡は、図３に示す従来の薄膜構造の形状可変鏡と類似の構成を有するが、温度検知手段１０を、鏡部の鏡面と反対側の凸部１４に配置している。
【００６５】
図９（ａ）、（ｂ）に示すように、この温度検知手段１０を、鏡固定部３の内部又は凸部１４に配置することで、圧電素子２の伸縮により鏡部の鏡面形状を変化させても、温度検知手段１０は、全く変形せず、温度を高い精度で測定でき、長期信頼性が確保された温度検知手段１０を提供することができる。また温度検知手段１０は、鏡部と鏡固定用部材との間に挟まれるため、鏡部に温度検知手段１０を形成することに起因する、温度検知手段１０の膜応力による形状可変鏡の初期鏡面形状の歪みを除去することができる。ここで、鏡部と鏡固定用部材との間に挟まれる温度検知手段１０と、温度検知手段１０の金属薄膜抵抗体１２の抵抗値を測定する手段とを接続するために、金属薄膜抵抗体１２のボンディングパッド１０’を、鏡固定部３又は凸部１４以外の部分まで延長して形成する。また、図９（ｂ）に示す薄膜構造の形状可変鏡においては、凸部１４に温度検知手段１０を形成するため、安価なフォトリソグラフ法の密着露光を使用することができる。
【００６６】
次に、本発明における第六の実施形態を説明する。
【００６７】
本実施形態における形状可変鏡は、図２又は図３に示す従来の形状可変鏡と類似の構成を有するが、温度検知手段１０を、鏡部の鏡面側における鏡固定部３に対応する場所又は凸部１４に対応する場所に配置している。このように、温度検知手段１０を、鏡部の鏡面側における鏡固定部３に対応する場所又は凸部１４に対応する場所に配置することで、圧電素子２の伸縮により鏡部の鏡面形状を変化させても、温度検知手段１０は、全く変形せず、温度を高い精度で測定でき、長期信頼性が確保された温度検知手段１０を提供することができる。また温度検知手段１０は、鏡部における鏡面形状の変形しない部分に配置されるため、温度検知手段１０の膜応力による形状可変鏡の初期鏡面形状の歪みを除去することができる。また、温度検知手段１０を鏡部の鏡面側に配置することにより、ボンディングパッド温度検知手段形成領域の外側まで形成する必要がなく、鏡部を鏡固定用部材に取り付けた後でも、温度検知手段１０を、温度検知手段１０の金属薄膜抵抗体１２の抵抗値を測定する手段に接続することができる。
【００６８】
次に、本発明における第七の実施形態を説明する。
【００６９】
本実施形態の形状可変鏡は、第四の実施形態、及び第六の実施形態において、鏡基板６上で、反射膜１と温度検知手段１０が形成される領域（温度検知手段形成領域）を分離している。反射膜１は、金（Ａｕ）等の反射率の高い金属薄膜や誘電体多層膜で形成され、通常は、鏡面の全体に成膜される。しかしながら、鏡部の鏡面側に温度検知手段１０を形成した構造を有する形状可変鏡においては、温度検知手段１０の上にも反射膜１を形成すると、反射膜１の膜応力によって、温度検知手段１０の金属薄膜抵抗体１２に応力が発生して、抵抗値が変化する場合もある。特に反射膜１を誘電体多層膜で形成する場合には、所望に反射率を有する反射膜１を実現するために、反射膜１は、厚さ約３μｍの約３０層程度の積層膜である場合もある。また、温度検知手段１０を温度検知手段１０の金属薄膜抵抗体１２の抵抗値を測定する手段に接続するため、温度検知手段１０の上には何も存在しないことが望ましい。鏡基板６上で、反射膜１と温度検知手段１０が形成される領域を分離することで、反射膜１の膜応力によって、温度検知手段１０の金属薄膜抵抗体１２に抵抗値が変化することを防止し、正確に温度を測定することができる温度検知手段を有する形状可変鏡を提供することができる。
【００７０】
本実施形態における、鏡基板６上で反射膜１が温度検知手段形成領域と分離している形状可変鏡は、まず、鏡基板６上の温度検知手段形成領域に予め温度検知手段を作製する。その後、スパッタ法により反射膜１を鏡基板上に成膜するときに、メタルマスクを用いた蒸着を用いて、新たな工程を追加することなく、温度検知手段形成領域から分離して反射膜１を成膜することができる。なお、検知手段形成領域の面積は、図７に示すように、鏡部の面積と比較して非常に小さくすることができるため、温度検知手段形成領域用の新たなスペースを鏡基板６上に確保する必要はない。
【００７１】
次に、本発明における第八の実施形態を図１０と共に説明する。
【００７２】
本実施形態の形状可変鏡は、図３（ｂ）に示す第三の実施形態における薄膜構造の形状可変鏡において、凸部１４に形成された、温度検知手段１０の金属薄膜抵抗体１２に接続する配線の幅を、金属薄膜抵抗体１２のボンディングパッドの長さ又は幅よりも広くしている。図３（ｂ）に示す薄膜構造の形状可変鏡において、鏡部の鏡面と反対側の面に温度検知手段１０に対する配線を形成する場合、図１０（ａ）に示すように、鏡基板６の凸部１４に配線１０’を形成し、これらの配線１０’を、凸部１４における鏡固定用部材８と接触する面で、導電性接着剤やバンプ等を用いて、鏡固定用部材８に形成された配線と電気的に接続する。
【００７３】
しかしながら、図１０（ａ）における線ｂ−ｂ’に沿った断面を表す図１０（ｂ）に示すように、凸部１４の側面と鏡固定用部材８に接触する面との境界部分で、配線１０’の膜厚が薄くなり、この境界部分で、抵抗値が増加する。温度検知手段１０の金属薄膜抵抗体１２を使用して周囲の温度を検知する場合、理想的には、配線などの不正抵抗を排除することによって、ダイナッミックレンジの大きな温度検知手段を実現することができる。よって、上述の境界差部で発生する抵抗値の増加は、望ましくない。本実施形態における形状可変鏡では、図１０（ｃ）に示すように、凸部１４に形成された、温度検知手段１０の金属薄膜抵抗体１２に接続する配線１０’の幅を、金属薄膜抵抗体１２のボンディングパッドの長さ又は幅よりも広くする。これにより、凸部１４の側面と鏡固定用部材８に接触する面との境界部分で、配線１０’の膜厚が薄くなっても、配線１０’の幅が広くなっているため、その境界部分における抵抗値の増加を防止することができる。例えば、配線１０’の境界部分における膜厚が、他の部分における膜厚の半分になるとしても、配線の幅を通常の幅の二倍にすることで、境界部分における抵抗値の増大を無くすことができる。この配線１０’の幅は、広いことが望ましいが、形状可変鏡における全体の設計のバランスを考慮して配線１０’の幅を決定するべきである。また、配線１０’の幅が広いので、配線１０’を凸部１４に容易に形成することができる。
【００７４】
次に、本発明における第九の実施形態を図１０と共に説明する。
【００７５】
本実施形態の形状可変鏡は、前述の全ての実施形態において、金属薄膜抵抗体としてＰｔ薄膜を用いる場合に、Ｐｔ薄膜の抵抗値を１ｋΩ乃至１０ｋΩとしたものである。
【００７６】
室温（２５℃）を周囲の温度に関する基準とすると、室温において温度検知手段で測定される抵抗値Ｒ２５は、次の式１
Ｒ２５＝Ｒｓ＋Ｒ１　　…（式１）
で表される。ここでＲｓは、室温における金属薄膜抵抗体の抵抗値、Ｒ１は、配線などに起因する不正抵抗の値である。
【００７７】
また、周囲の温度が１℃変化したとき（２６℃）の温度検知手段で測定される抵抗値Ｒ２６は、式２
Ｒ２６＝Ｒｓ＋Ｒ１＋（Ｒｓ×ＴＣＲ×１（℃））　　…（式２）
で表される。ここで、ＴＣＲは、抵抗温度係数である。
【００７８】
式１及び式２より、抵抗値は、温度に対してほぼ線形に変化する。ここで、不正抵抗の値Ｒ１が、金属薄膜抵抗体の抵抗値Ｒｓに比べて無視できるほど小さいことが望ましい。不正抵抗の値が増加すると、温度変化に対する温度検知手段で測定される抵抗値の変化が、小さくなり、温度を検知する感度が低下する。よって、金属薄膜抵抗体の抵抗値Ｒｓは、通常、不正抵抗の値Ｒ１に対して相対的に大きく設計され、温度に対する温度検知手段で測定される抵抗値の変化を大きくする。しかしながら、金属薄膜抵抗体の抵抗値Ｒｓを大きくしすぎると、金属薄膜抵抗体に定電流を流すために必要な電圧を高くしなければならない。よって、金属薄膜抵抗体の抵抗値Ｒｓは、適当な値に設定する必要がある。
【００７９】
ここで、不正抵抗が金属薄膜抵抗体の抵抗値に比べて無視できる程小さいとし、ＴＣＲが、３２００ｐｐｍ／℃とし、室温における金属薄膜抵抗体の抵抗値を１ｋΩとして金属薄膜抵抗体を設計する。室温でこの金属薄膜抵抗体に１ｍＡの定電流を流すとすれば、必要な電圧は、約１Ｖである。温度が１℃変化したときの温度検知手段で測定される抵抗値の変化は、式１及び式２から３．２Ωであり、電圧の変化は、３．２ｍＶとなる。同様に、不正抵抗が金属薄膜抵抗体の抵抗値に比べて無視できる程小さいとし、ＴＣＲが、３２００ｐｐｍ／℃とし、室温における金属薄膜抵抗体の抵抗値を１０ｋΩとして金属薄膜抵抗体を設計する。この場合に、室温でこの金属薄膜抵抗体に０．３ｍＡの定電流を流すとすれば、必要な電圧は、約３Ｖである。温度が１℃変化したときの温度検知手段で測定される抵抗値の変化は、３２Ωであり、電圧の変化は、９．６ｍＶとなる。
【００８０】
上記の設計条件は、光ピックアップ装置の電源の電圧を５Ｖと仮定し、金属薄膜抵抗体に印加する電圧が、この電源の電圧よりも小さくなるようにして決定した。室温における金属薄膜抵抗体の抵抗値を１ｋΩ〜１０ｋΩとすれば、金属薄膜抵抗体に上記のような定電流を流すために必要な電力は、１ｍＶＡ〜９ｍＶＡとなる。よって、温度検知手段が形成された形状可変鏡を光ピックアップ装置において使用する場合、温度検知手段における金属薄膜抵抗体の室温における抵抗値を１ｋΩ〜１０ｋΩの範囲内で設計すると、温度変化を検知する感度と消費電力のバランスがとれた温度検知手段を形状可変鏡に提供することができる。
【００８１】
【発明の効果】
本発明によれば、周囲の温度を実質的に正確に測定することができる温度検知手段を有し、初期平面形状の歪みが少ない、形状可変鏡及び該形状可変鏡を有する光ピックアップ装置を備えた光ディスク情報入出力装置を提供することができる。
【００８２】
【図面の簡単な説明】
【図１】光ディスクのチルトによるコマ収差の発生を説明する図であり、（ａ）は、ＣＤにおける図、（ｂ）は、ＤＶＤにおける図である。
【図２】従来の通常構造の形状可変鏡の断面図である。
【図３】従来の薄膜構造を有する形状可変鏡を示す図であり、（ａ）は、鏡固定用部材を取り除いて反射膜と反対側から見た平面図であり、（ｂ）は、（ａ）のＡ−Ａ’方向における断面図であり、（ｃ）は、鏡面形状の変化を説明する図である。
【図４】チルトによって生じたレーザ光の波面収差の等高線図である。
【図５】形状可変鏡のＡ−Ａ’方向におけるレーザ光の波面収差の低減を説明する図であり、（ａ）は、チルトにより発生したレーザ光の波面収差図、（ｂ）は、形状可変鏡により発生させた波面収差図、（ｃ）は、形状可変鏡で波面収差を低減した後の波面収差図である。
【図６】本発明の第一及び第二の実施形態における形状可変鏡を説明する図であり、（ａ）は、通常構造の形状可変鏡に温度検知手段を設けた形状可変鏡の図、（ｂ）は、薄膜構造を有する形状可変鏡に温度検知手段を設けた形状可変鏡の図である。
【図７】本発明における形状可変鏡の温度検知手段を説明する図である。
【図８】本発明の第三の実施形態における形状可変鏡を説明する図であり、（ａ）は、通常構造の形状可変鏡に温度検知手段を設けた形状可変鏡の図、（ｂ）は、薄膜構造を有する形状可変鏡に温度検知手段を設けた形状可変鏡の図である。
【図９】本発明の第五の実施形態における形状可変鏡を説明する図であり、（ａ）は、通常構造の形状可変鏡に温度検知手段を設けた形状可変鏡の図、（ｂ）は、薄膜構造を有する形状可変鏡に温度検知手段を設けた形状可変鏡の図である。
【図１０】本発明の第八の実施形態における形状可変鏡を説明する図であり、（ａ）は、幅の狭い温度検知手段用の配線を形成した形状可変鏡の図、（ｂ）は、（ａ）及び（ｃ）における線ｂ−ｂ’方向に沿った断面図、（ｃ）は、幅の広い温度検知手段用の配線を形成した形状可変鏡の図である。
【符号の説明】
１　　鏡材、反射膜
２　　圧電素子
３　　鏡固定部
４ａ、５ａ　　電極
４ｂ、４ｃ、５ｂ、５ｃ　　配線
６　　鏡基板
７　　絶縁膜
８　　鏡固定用部材
９　　スリット
１０　　温度検知手段
１０’　　配線、ボンディングパッド
１１　　密着層
１２　　金属薄膜抵抗体
１３　　保護膜
１４　　凸部
１０１ａ、１０１ｂ　　対物レンズ
１０２ａ、１０２ｂ　　樹脂層
１０３ａ、１０３ｂ　　スポット
１０８　　記録層
【図１】
2004020940.tif 000003
【図２】
2004020940.tif 000004
【図３】
2004020940.tif 000005
【図４】
2004020940.tif 000006
【図５】
2004020940.tif 000007
【図６】
2004020940.tif 000008
【図７】
2004020940.tif 000009
【図８】
2004020940.tif 000010
【図９】
2004020940.tif 000011
【図１０】
2004020940.tif 000012