(57)【要約】【課題】製造ラインの設計裕度が高く、生産効率の良い熱電変換装置の製造方法を提供する。【解決手段】絶縁基板１上で多数のＰ形半導体チップ４とＮ形半導体チップ５を並設して多数の電極２，７で直列に接続して構成した下段側チップユニット２０と、絶縁基板１５上で多数のＰ形半導体チップ１１とＮ形半導体チップ１２を並設して多数の電極９，１４で直列に接続して構成した上段側チップユニット２１と、絶縁基板８の両面に弾性被膜２３を形成して構成した基板ユニット２２を備え、基板ユニット２２を下段側チップユニット２０と上段側チップユニット２１で挟持することにより、基板ユニット２２の弾性被膜２３上に各電極７，９を圧着したことを特徴とする＞【選択図】　　図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板上で多数のＰ形半導体チップとＮ形半導体チップを並設して多数の電極で直列に接続して構成したチップユニットと、
絶縁基板の片面に弾性被膜を形成して構成した基板ユニットとを重ね合わせて、前記基板ユニットの弾性被膜上に当該弾性被膜と対向する各電極を圧着したことを特徴とする熱電変換装置の製造方法。
【請求項２】
絶縁基板上で多数のＰ形半導体チップとＮ形半導体チップを並設して多数の電極で直列に接続して構成した下段側チップユニットと、
絶縁基板上で多数のＰ形半導体チップとＮ形半導体チップを並設して多数の電極で直列に接続して構成した上段側チップユニットと、
絶縁基板の両面に弾性被膜を形成して構成した基板ユニットを備え、
その基板ユニットを前記下段側チップユニットと上段側チップユニットで挟持することにより、
前記基板ユニットの弾性被膜上に当該弾性被膜と対向する各電極を圧着したことを特徴とするカスケード構造を有する熱電変換装置の製造方法。
【請求項３】
絶縁基板上で多数のＰ形半導体チップとＮ形半導体チップを並設して多数の電極で直列に接続して構成した下段側チップユニットと、
絶縁基板上で多数のＰ形半導体チップとＮ形半導体チップを並設して多数の電極で直列に接続して構成した上段側チップユニットと、
多数のＰ形半導体チップとＮ形半導体チップを並設して多数の電極で直列に接続して構成した中間チップユニットと、
絶縁基板の両面に弾性被膜を形成して構成した第１基板ユニットならびに第２基板ユニットを備え、
前記下段側チップユニットの上に第１基板ユニット、中間チップユニット、第２基板ユニットならびに上段側チップユニットを順次積層して挟持することにより、
前記第１基板ユニットならびに第２基板ユニットの弾性被膜上に当該弾性被膜と対向する各電極を圧着したことを特徴とするカスケード構造を有する熱電変換装置の製造方法。
【請求項４】
絶縁基板上で多数のＰ形半導体チップとＮ形半導体チップを並設して多数の電極で直列に接続して構成したチップユニットと、
絶縁基板の片面に弾性被膜を形成して構成した基板ユニットとを重ね合わせて、前記基板ユニットの弾性被膜上に当該弾性被膜と対向する各電極を圧着したことを特徴とする熱電変換装置。
【請求項５】
絶縁基板上で多数のＰ形半導体チップとＮ形半導体チップを並設して多数の電極で直列に接続して構成した下段側チップユニットと、
絶縁基板上で多数のＰ形半導体チップとＮ形半導体チップを並設して多数の電極で直列に接続して構成した上段側チップユニットと、
絶縁基板の両面に弾性被膜を形成して構成した基板ユニットを備え、
その基板ユニットを前記下段側チップユニットと上段側チップユニットで挟持することにより、
前記基板ユニットの弾性被膜上に当該弾性被膜と対向する各電極を圧着したことを特徴とするカスケード構造を有する熱電変換装置。
【請求項６】
絶縁基板上で多数のＰ形半導体チップとＮ形半導体チップを並設して多数の電極で直列に接続して構成した下段側チップユニットと、
絶縁基板上で多数のＰ形半導体チップとＮ形半導体チップを並設して多数の電極で直列に接続して構成した上段側チップユニットと、
多数のＰ形半導体チップとＮ形半導体チップを並設して多数の電極で直列に接続して構成した中間チップユニットと、
絶縁基板の両面に弾性被膜を形成して構成した第１基板ユニットならびに第２基板ユニットを備え、
前記下段側チップユニットの上に第１基板ユニット、中間チップユニット、第２基板ユニットならびに上段側チップユニットを順次積層して挟持することにより、
前記第１基板ユニットならびに第２基板ユニットの弾性被膜上に当該弾性被膜と対向する各電極を圧着したことを特徴とするカスケード構造を有する熱電変換装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は、産業用あるいは民生用の電子冷却装置や熱電発電装置として用いられる熱電変換装置の製造方法ならびに熱電変換装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
図１２は、カスケード構造を有する従来の熱電変換モジュールの断面図である。同図に示すように放熱側絶縁基板１の上に下段側放熱電極２が設けられ、その上に半田層３を介して多数の下段側Ｐ形半導体チップ４と下段側Ｎ形半導体チップ５が並設されている。この下段側半導体チップ４，５の上には半田層６を介して下段側吸熱電極７が設けられ、その上に中間絶縁基板８が設置される。
【０００３】
さらにこの中間絶縁基板８の上に上段側放熱電極９が設けられ、その上に半田層１０を介して多数の上段側Ｐ形半導体チップ１１と上段側Ｎ形半導体チップ１２が並設されている。この上段側半導体チップ１１，１２の上には半田層１３を介して上段側吸熱電極１４が設けられ、その上に吸熱側絶縁基板１５が設置される。なお、１６は下段側リード体、１７は上段側リード体である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
この熱電変換モジュールの従来の製造方法は、放熱側絶縁基板１から吸熱側絶縁基板１５までの各構成部品を順次積み上げるようにして組み立てるため、製造ラインが長くなり、製造ラインの設計裕度が低く、生産効率が悪いなどの問題点を有している。
【０００５】
本発明の目的は、このような従来技術の欠点を解消し、製造ラインの設計裕度が高く、生産効率の良い熱電変換装置の製造方法ならびに熱電変換装置を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
前記目的を達成するため、第１の本発明は、絶縁基板上で多数のＰ形半導体チップとＮ形半導体チップを並設して多数の電極で直列に接続して構成したチップユニットと、絶縁基板の片面に例えばフィラーを分散したシリコーン樹脂などからなる弾性被膜を形成して構成した基板ユニットとを重ね合わせて、前記基板ユニットの弾性被膜上に当該弾性被膜と対向する各電極を圧着したことを特徴とするものである。
【０００７】
前記目的を達成するため、第２の本発明は、絶縁基板上で多数のＰ形半導体チップとＮ形半導体チップを並設して多数の電極で直列に接続して構成した下段側チップユニットと、絶縁基板上で多数のＰ形半導体チップとＮ形半導体チップを並設して多数の電極で直列に接続して構成した上段側チップユニットと、絶縁基板の両面に弾性被膜を形成して構成した基板ユニットを備え、
その基板ユニットを前記下段側チップユニットと上段側チップユニットで挟持することにより、前記基板ユニットの弾性被膜上に当該弾性被膜と対向する各電極を圧着したことを特徴とするものである。
【０００８】
前記目的を達成するため、第３の本発明は、絶縁基板上で多数のＰ形半導体チップとＮ形半導体チップを並設して多数の電極で直列に接続して構成した下段側チップユニットと、絶縁基板上で多数のＰ形半導体チップとＮ形半導体チップを並設して多数の電極で直列に接続して構成した上段側チップユニットと、多数のＰ形半導体チップとＮ形半導体チップを並設して多数の電極で直列に接続して構成した中間チップユニットと、絶縁基板の両面に弾性被膜を形成して構成した第１基板ユニットならびに第２基板ユニットを備え、
前記下段側チップユニットの上に第１基板ユニット、中間チップユニット、第２基板ユニットならびに上段側チップユニットを順次積層して挟持することにより、前記第１基板ユニットならびに第２基板ユニットの弾性被膜上に当該弾性被膜と対向する各電極を圧着したことを特徴とするものである。
【０００９】
【発明の実施の形態】
次に本発明の実施形態を図とともに説明する。図１ないし図３は第１実施形態に係る熱電変換モジュールを説明するための図で、図１は熱電変換モジュールの組み立て途中での断面図、図２は熱電変換モジュールの組み立てが完了した状態の断面図、図３はその熱電変換モジュールに用いる中間基板ユニットの斜視図である。
【００１０】
本実施形態の場合は図１に示すように、下段側チップユニット２０と、上段側チップユニット２１と、基板ユニット２２とから構成される。
【００１１】
前記下段側チップユニット２０は、放熱側絶縁基板１の上に多数の下段側放熱電極２が設けられ、その上に半田層３を介して多数の下段側Ｐ形半導体チップ４と下段側Ｎ形半導体チップ５が並設され、この下段側半導体チップ４，５の上には半田層６を介して多数の下段側吸熱電極７が設けられている。
【００１２】
前記上段側チップユニット２１は、多数の上段側放熱電極９の上に半田層１０を介して多数の上段側Ｐ形半導体チップ１１と上段側Ｎ形半導体チップ１２が並設されている。この上段側半導体チップ１１，１２の上には半田層１３を介して多数の上段側吸熱電極１４が設けられ、その上に吸熱側絶縁基板１５が設置される。
【００１３】
前記基板ユニット２２は、中間絶縁基板８の両面に弾性被膜２３が形成されている。本実施形態の場合は図３に示すように、弾性被膜２３は中間絶縁基板８のほぼ全面に一様に塗布形成されている。
【００１４】
下段側チップユニット２０と上段側チップユニット２１と基板ユニット２２は個別に作られ、図１に示すように下段側チップユニット２０の上に基板ユニット２２を介して上段側チップユニット２１を載置することにより、図２に示すような２層のカスケード構造を有する熱電変換モジュールの組み立てを終了する。図２において１６は下段側リード体、１７は上段側リード体である。
【００１５】
基板ユニット２２を間にして下段側チップユニット２０と上段側チップユニット２１を圧着することにより、下段側チップユニット２０の各下段側吸熱電極７が基板ユニット２２の下側弾性被膜２３に密着し、上段側チップユニット２１の各上段側放熱電極９が基板ユニット２２の上側弾性被膜２３に密着する。
【００１６】
前述の説明では、放熱側絶縁基板１の上に下段側放熱電極２、半田層３、下段側半導体チップ４，５、半田層６、下段側吸熱電極７を順次組付けて下段側チップユニット２０とし、上段側放熱電極９の上に半田層１０、上段側半導体チップ１１，１２、半田層１３、上段側吸熱電極１４、吸熱側絶縁基板１５を順次組付けて上段側チップユニット２１としたが、放熱電極と半田層とＰ形，Ｎ形半導体チップと半田層と吸熱電極を順次組付けて同じ集合体を製作し、その集合体に放熱側絶縁基板１を半田などにより接合したものを下段側チップユニット２０とし、集合体に吸熱側絶縁基板１５を半田などにより接合したものを上段側チップユニット２１とすることもできる。
【００１７】
図４と図５は第２実施形態に係る熱電変換モジュールを説明するための図で、図４は熱電変換モジュールの組み立て途中での断面図、図５は熱電変換モジュールの組み立てが完了した状態の断面図である。
【００１８】
本実施形態の場合は図４に示すように、熱電変換モジュールが基板ユニット２２とチップユニット２４とから構成されている。
【００１９】
前記基板ユニット２２は、放熱側絶縁基板１の片面に弾性被膜２３が形成されている。本実施形態の場合は、弾性被膜２３は後述の放熱側電極９の配置パターンと同様のパターンに印刷形成されている。
【００２０】
前記チップユニット２４は、放熱電極９の上に半田層１０を介して多数のＰ形半導体チップ１１とＮ形半導体チップ１２が並設されている。この半導体チップ１１，１２の上には半田層１３を介して吸熱電極１４が設けられ、その上に吸熱側絶縁基板１５が設置される。図５に示す１６はリード体である。
【００２１】
基板ユニット２２の上にチップユニット２４を圧着することにより、チップユニット２４の各放熱電極９が基板ユニット２２の弾性被膜２３に密着して、図５に示すような熱電変換モジュールの組み立てを終了する。
【００２２】
図６と図７は第３実施形態に係る熱電変換モジュールを説明するための図で、図６は熱電変換モジュールの組み立て途中での断面図、図７は熱電変換モジュールの組み立てが完了した状態の断面図である。
【００２３】
本実施形態の場合は図６に示すように、下段側チップユニット２０と、上段側チップユニット２１と、第１基板ユニット２２ａと、第２基板ユニット２２ｂと、中間チップユニット２５とから構成される。
【００２４】
前記下段側チップユニット２０、上段側チップユニット２１、第１基板ユニット２２ａ、第２基板ユニット２２ｂは、第１実施形態で説明した下段側チップユニット２０、上段側チップユニット２１、基板ユニット２２と同様であるので、それらの説明は省略する。
【００２５】
前記中間チップユニット２５は、絶縁基板を用いないで中間放熱電極２６上に中間半田層２７を介して多数の中間Ｐ形半導体チップ２８と中間Ｎ形半導体チップ２９が並設され、この中間半導体チップ２８，２９の上には中間半田層３０を介して中間吸熱電極３１が設けられている。
【００２６】
図６に示すように下段側チップユニット２０の上に第１基板ユニット２２ａ、中間チップユニット２５、第２基板ユニット２２ｂ、上段側チップユニット２１を順次積層することにより、図７に示すような３層のカスケード構造を有する熱電変換モジュールの組み立てを終了する。図７において３２は中間層リード体である。なお４層以上のカスケード構造の場合は、層数に応じて基板ユニット２２と中間チップユニット２５の数を増やせばよい。
【００２７】
本実施形態においても、放熱電極と半田層とＰ形，Ｎ形半導体チップと半田層と吸熱電極を順次組付けて同じ集合体を製作し、その集合体に放熱側絶縁基板１を半田などにより接合したものを下段側チップユニット２０とし、集合体に吸熱側絶縁基板１５を半田などにより接合したものを上段側チップユニット２１とし、何も接合しない集合体だけのものを中間チップユニット２５とすることもできる。
【００２８】
図８は、第４実施形態に係る熱電変換モジュールの組み立てが完了した状態の断面図である。本実施形態の場合、放熱側絶縁基板１、下段側放熱電極２、半田層３、下段側半導体チップ４，５、半田層６、下段側吸熱電極７、下段側リード体１６を備える下段側チップユニット２０と、吸熱側絶縁基板１５、上段側吸熱電極１４、半田層１３、上段側半導体チップ１１，１２、半田層１０、上段側放熱電極９、上段側リード体１７を備える上段側チップユニット２１の各部材の配置位置を上下対象としている。
【００２９】
この構造であれば、絶縁基板、放熱電極、半田層、Ｐ形，Ｎ形半導体チップ、半田層、吸熱電極、リード体を組付けたチップユニットを２つ製作し、基板ユニット２２を間にして前記２つのチップユニットを図８に示すように対象位置に配置することにより、２層のカスケード構造を有する熱電変換モジュールの組み立てを終了する。　図９は、第５実施形態に係る熱電変換モジュールの組み立てが完了した状態の断面図である。本実施形態の場合、下段側チップユニット２０と上段側チップユニット２１を例えば金属製クリップやリード線などからなる導電体３３で電気的に接続して、直列回路になっている。
【００３０】
前記各実施形態において前記絶縁基板１，８，１５には、例えばアルミナセラミック、窒化アルミニウム、表面に酸化物などの絶縁層を形成した銅やアルミニウム等の金属などが用いられる。
【００３１】
前記半田層３，６，１０，１３，２７，３０には、例えば錫と鉛の共晶半田などが用いられる。
【００３２】
前記半導体チップ４，５，１１，１２，２８，２９には、Ｂｉ−Ｔｅ系、Ｐｂ−Ｔｅ系、Ｚｎ−Ｓｂ系、Ｆｅ−Ｓｉ系、Ｍｎ−Ｓｉ系、Ｓｉ−Ｇｅ系、Ｃｏ−Ｓｂ系などが用いられ、カスケード構造の場合上下段の材料は同じであっても異なってもよい。
【００３３】
前記電極２，７，９，１４，２６，３１には、例えばニッケルメッキした銅薄板などが用いられる。
【００３４】
前記弾性被膜２３には、シリコーン系接着剤、エポキシ系接着剤、ポリアミド系接着剤、ジエン系ゴム接着剤、ジエン系ゴム接着剤などの接着剤、あるいはシリコーンゲルなどのゲル剤が基材として用いられ、熱伝導性を高めるために基材よりも熱伝導率の高いフィラーが適量混合されている。弾性被膜２３の膜厚は、３〜５０μｍが適当である。
【００３５】
フィラーを含有したシリコーン系接着剤からなる弾性被膜２３の硬さ（ＪＩＳＡ）は６５〜１００、引張強さは４０〜８０〔ｋｇｆ／ｃｍ２　〕、伸び率は４５〜１３０〔％〕、熱伝導率は２×１０−３〜５×１０−３〔ｃａｌ／ｃｍ・ｓｅｃ・℃〕である。
【００３６】
図１０は、前記第１〜５実施形態にいずれかの熱電変換モジュールを用いた電子冷蔵庫用熱電変換装置の断面図である。電子冷蔵庫の収納部を構成している箱形の第１熱導体４０の底部（奥部）裏面には、アルミニウムなどからなる第２熱導体４１を介して前述の熱電変換モジュール４２が密着し、その外側に熱移動媒体循環ジャケット４３が接合されている。
【００３７】
熱移動媒体循環ジャケット４３は、熱電変換モジュール４２の放熱側絶縁基板１と接合された板状の熱交換基体４４を有し、それの周辺部から前記第２熱導体４１側に向けて第１枠体４５が延びている。この第１枠体４５は上方ならびに下方が開放した中空状のもので、基端部４６とその基端部４６から上方に向けて延びた延設部４７を有し、断面形状がほぼ階段状をしている。基端部４６は接着剤あるいは接着剤とＯリングの併用などにより熱交換基体４４の上面周辺部に液密に接合されている。
【００３８】
前記延設部４７は第２熱導体４１の周面とほぼ平行に対向しており、両者の間に接着剤４８が注入されて、第２熱導体４１と第１枠体４５が一体に接合されている。
【００３９】
第２熱導体４１の周面と前記延設部４７の間に複数本の位置決めピン４９が挿通され、接着剤４８が完全に硬化する前の第２熱導体４１と第１枠体４５の相対的な位置ずれを防止している。延設部４７の外側に基端部４６側に延びた補強リブ５０が一体に複数個設けられ、第１枠体４５の剛性を保持している。
【００４０】
前記熱交換基体４４の下面周辺部には、下方がほぼ塞がれた中空状の第２枠体５１がＯリング５２を介して液密に接着されている。第２枠体５１のほぼ中央部に給水管部５３が、周辺近くに排水管部５４が設けられている。
【００４１】
第２枠体５１の中空部に設置された分散部材５５は、周壁５６と、周壁５６の上端に連設された上壁５７と、上壁５７から熱交換基体４４側に延びた多数本のノズル部５８とが設けられ、ノズル部５８に噴射孔５９が形成されている。
【００４２】
分散部材５５を第２枠体５１内に固定することにより、分散部材５５の給水管部５３側に扁平状の第１空間６０が形成され、分散部材５５の熱交換基体４４側に扁平状の第２空間６１が形成されるとともに、第２空間６１と排水管部５４を連通する排水路６２が形成される。
【００４３】
同図に示すように純水あるいは不凍液などからなる熱移動媒体６３を中央の給水管部５３から供給すると第１空間６０で一斉に拡がり、各ノズル部５８（噴射孔５９）から熱交換基体４４の下面に向けてほぼ垂直方向に勢いよく噴射する。熱交換基体４４に衝突してそれの熱を奪った熱移動媒体６３は隙間の狭い第２空間６１で素早く拡散し、排水路６２を経て排水管部５４から系外に排出される。排出された熱移動媒体６３は図示しないラジェータで強制冷却され、ポンプにより再び循環ジャケット４３側に送られる。図１０中の６４は断熱層、６５はフィラーを分散したシリコーンゲルからなる熱伝導性の良い弾性薄膜層である。
【００４４】
図１１は、前記第１〜５実施形態にいずれかの熱電変換モジュールを用いた発電用熱電変換装置の断面図である。アルミニウムブロックからなる第１熱導体７０と、アルミニウムからなり多数のフィン７１を有する第２熱導体７２との間に、熱電変換モジュール７３が介在されている。合成樹脂からなる複数本のボルト７４で第１熱導体７０と第２熱導体７２との間を締結することにより、熱電変換モジュール７３が両者の間で圧着される。
【００４５】
図１０ならびに図１１に示す熱電変換装置において、熱電変換モジュール４２，７３が機械的に圧着されることにより、基板ユニット２２側の弾性被膜２３にそれと対向する各電極７，９，２６，３１が食い込むように密着して、各電極７，９，２６，３１の位置決めがなされるとともに、熱的に導通する。
【００４６】
【発明の効果】
本発明は前述のような構成になっており、請求項１ならびに請求項４記載のものではチップユニットと基板ユニットとを別個に、請求項２ならびに請求項５記載のものでは下段側チップユニットと上段側チップユニットと基板ユニットとを別個に、請求項３ならびに請求項６記載のものでは下段側チップユニットと上段側チップユニットと中間チップユニットと基板ユニットとを別個にそれぞれ製作して、互いに重ね合わせることにより、熱電変換装置を簡単に効率よく製造することができる。
【００４７】
また、各ユニットが個別製作であるから、熱電変換装置の製造ラインを長くする必要がなく、製造ラインの設計裕度が高い。
【００４８】
さらにまた、基板ユニットの弾性被膜上に電極が良好に圧着され、その圧着状態が弾性被膜の弾力性によって常に維持されているから、熱抵抗を低く抑えて、優れた熱電変換特性を発揮することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施形態に係る熱電変換モジュールの組み立て途中での断面図である。
【図２】その熱電変換モジュールの組み立てが完了した状態の断面図である。
【図３】その熱電変換モジュールに用いる中間基板ユニットの斜視図である。
【図４】本発明の第２実施形態に係る熱電変換モジュールの組み立て途中での断面図である。
【図５】その熱電変換モジュールの組み立てが完了した状態の断面図である。
【図６】本発明の第３実施形態に係る熱電変換モジュールの組み立て途中での断面図である。
【図７】その熱電変換モジュールの組み立てが完了した状態の断面図である。
【図８】本発明の第４実施形態に係る熱電変換モジュールの組み立てが完了した状態の断面図である。
【図９】本発明の第５実施形態に係る熱電変換モジュールの組み立てが完了した状態の断面図である。
【図１０】本発明の実施形態に係る熱電変換モジュールを用いた電子冷蔵庫用熱電変換装置の断面図である。
【図１１】本発明の実施形態に係る熱電変換モジュールを用いた発電用熱電変換装置の断面図である。
【図１２】従来の熱電変換モジュールの断面図である。
【符号の説明】
１：放熱側絶縁基板、２：下段側放熱電極、３：半田層、４：下段側Ｐ形半導体チップ、５：下段側Ｎ形半導体チップ、６：半田層、７：下段側吸熱電極、８：中間絶縁基板、９：上段側放熱電極、１０：半田層、１１：上段側Ｐ形半導体チップ、１２：上段側Ｎ形半導体チップ、１３：半田層、１４：上段側吸熱電極、１５：吸熱側絶縁基板、１６：下段側リード体、１７：上段側リード体、２０：下段側チップユニット、２１：上段側チップユニット、２２：基板ユニット、２２ａ：第１基板ユニット、２２ｂ：第２基板ユニット、２３：弾性被膜、２４：チップユニット、２５：中間チップユニット、２６：中間放熱電極、２７：中間半田層、２８：中間Ｐ形半導体チップ、２９：中間Ｎ形半導体チップ、３０：中間半田層、３１：中間吸熱電極、３２：中間層リード体、３３：導電体、４０：第１熱導体、４１：第２熱導体、４２：熱電変換モジュール、４３：熱移動媒体循環ジャケット、４４：熱交換基体、４５：第１枠体、４６：基端部、４７：延設部、４８：接着剤、４９：位置決めピン、５０：補強リブ、５１：第２枠体、５２：Ｏリング、５３：給水管部、５４：排水管部、５５：分散板、５６：周壁、５７：上壁、５８：ノズル部、５９：噴射孔、６０：第１空間、６１：第２空間、６２：排水路、６３：熱移動媒体、６４：断熱層、６５：弾性薄膜層、７０：第１熱導体、７１：フィン、７２：第２熱導体、７３：熱電変換モジュール、７４：ボルト。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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