(57)【要約】【課題】ＣＯＤレベルの低下が少なく、レーザ素子の信頼性の高い、端面保護膜が形成された半導体レーザ装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】本発明にかかる半導体レーザ装置は、半導体レーザ素子の端面保護膜として半導体レーザ結晶の少なくとも一方に接して形成された酸化シリコン膜を有する。たとえば、レーザチップ１の主出射面側１ａに接して形成された酸化シリコン膜１００ａを有する。かかる酸化シリコン膜の屈折率は、１．６以上であることが好ましい。また、酸化シリコン膜の外側に別の膜を形成することも可能である。また、酸化シリコン膜は、抵抗加熱蒸着法により成膜されることが好ましい。【選択図】　　　　図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体レーザ素子の端面保護膜として半導体レーザ素子結晶の少なくとも一方に接して形成された酸化シリコン膜を有することを特徴とする半導体レーザ装置。
【請求項２】
酸化シリコン膜を形成する酸化シリコンの屈折率が１．６以上であることを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ装置。
【請求項３】
酸化シリコン膜の外側に別の膜を形成したことを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ装置。
【請求項４】
別の膜を形成する材料がアルミナであることを特徴とする請求項３に記載の半導体レーザ装置。
【請求項５】
酸化シリコン膜の膜厚が０．５ｎｍ〜２０ｎｍであることを特徴とする請求項３に記載の半導体レーザ装置。
【請求項６】
半導体レーザ素子の主出射面の反射率が６％〜１７％、後面の反射率が８５％以上であることを特徴とする請求項１〜請求項５のいずれかに記載の半導体レーザ装置。
【請求項７】
請求項１〜請求項５のいずれかに記載された半導体レーザ装置を製造する方法であって、酸化シリコン膜が抵抗加熱蒸着法により成膜されることを特徴とする半導体レーザ装置の製造方法。
【請求項８】
請求項３〜請求項５のいずれかに記載された半導体レーザ装置を製造する方法であって、酸化シリコン膜と別の膜とが一つのチャンバー内で成膜を行なうことを特徴とする半導体レーザ装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、端面に高い信頼性を有する保護膜を用いた半導体レーザ装置およびその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
図７に従来の代表的な半導体レーザ装置の概略図を示す。図７に示すように、従来の半導体レーザ装置の多くは、レーザチップ活性層２を含むレーザチップ１の主出射面側（前面側）１ａと後面側１ｂに等しい反射率を有するアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）膜１００ｈとアルミナ膜１０１ｈをそれぞれ設けている。
【０００３】
また、図８に光出力２０ｍＷ以上の従来の一の高出力半導体レーザ装置の概略図を示す。図８に示すように、一般的には主出射面（前面）からの光出力Ｐｆを高くするために、主出射面側１ａを保護膜が無い場合の反射率より小さい低反射、後面側１ｂを保護膜が無い場合の反射率より大きい高反射となるように設計している。
【０００４】
たとえば、主出射面側１ａのアルミナ膜１００ｈの反射率は約１７％以下に設定され、この反射率に対応する膜厚は約６７〜１７７ｎｍとなる。また、後面側１ｂの後面側保護膜１０１は、レーザチップ１の屈折率より大きい膜を用いても、１層では十分高い反射率が得られないため、第１層および第３層の保護膜として厚さλ／４（λはレーザ発振波長）のアルミナ膜１０１ｂ、第２層および第４層の保護膜として厚さλ／４のアモルファスシリコン膜１０１ｃを交互に積層する。最後に、第５層として厚さλ／２のアルミナ膜１０１ｄを積層する。これにより、約８５％以上の高反射率の保護膜を形成することが可能になる。
【０００５】
次に、半導体レーザチップのへき開から光出射端面に上述したような反射率を有する保護膜を形成する一連の工程について以下に説明する。図１０〜図１２は、半導体レーザ装置における保護膜形成方法の説明図である。
【０００６】
図１０に示すように、ｐ、ｎの電極４、５が形成された半導体レーザウエハ３の特定素子の電極４と隣接する素子の電極４’の間へ発光部（チャネル）１０と直交する方向にへき開線１１をスクライブにより形成した後、図１１に示すように、半導体レーザウエハ３をへき開によってレーザバー（バー状態のレーザチップをいう）１２の状態にする。次に、図１２に示すように、レーザバー１２をレーザバー固定装置１３に電極面を重ねるようにセットする。このとき、すべてのレーザバーにおいて、レーザバー１２の主出射面側１ａおよび後面側１ｂがそれぞれ同じ向きとなるようにセットする。次に、レーザバー固定装置１３に固定されたレーザーバー１２の光出射端面に所定の反射率を有する保護膜の形成を行なう。この場合、一般的に真空蒸着装置が用いられる。
【０００７】
蒸着によってレーザチップの端面保護膜を形成する場合、蒸着開始直後より保護膜の材料であるアルミナから分解発生する酸素分子の分圧が高くなる。この酸素が、レーザ端面と衝突あるいは結びつくことによって、レーザ端面にダメージを与える可能性が高い。また、レーザチップ活性層およびその近傍層がアルミニウム原子を含んでいる組成の場合、そのダメージはさらに大きくなると考えられる。このような半導体レーザを高出力で動作させると、必要とする信頼性が得られない場合があった。
【０００８】
図９に、従来の別の高出力半導体レーザ装置の概略図を示す。図９では、高出力タイプレーザの信頼性向上のために、光出射端面の保護膜としてシリコン膜１００ｉがアルミナ蒸着より先に形成されている。この場合、放熱性の向上ばかりでなく、蒸着時の材料分解による酸素の発生がないシリコン膜１００ｉを先に形成することで、蒸着開始直後より酸素分圧が低い状態でレーザバーの端面近傍の成膜が行なえるため、前述した端面近傍でのダメージを抑えることができる。
【０００９】
また、シリコン膜１００ｉ内でのリーク電流発生によるレーザ発振特性への悪影響を防止するために、該シリコン膜の厚さを４ｎｍ（好ましくは０．５〜３ｎｍ）以下とした技術もある（たとえば、特許文献１参照。）。
【００１０】
【特許文献１】
特開２００２−１６４６０９号公報
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、図９のように、レーザチップ１の主出射面側１ａにシリコン膜１００ｉを形成した場合、シリコン膜１００ｉでの光吸収が起こり、該シリコン膜の膜厚のバラツキによるＣＯＤ（光学損傷；Ｃａｔａｓｔｒｏｐｈｉｃ　Ｏｐｔｉｃａｌ　Ｄａｍａｇｅ）レベルの低下が生じる可能性がある。
【００１２】
また、図１３に示すように、電極５に使用されているＡｕとシリコン膜１００ｉのＳｉとが反応を起こし、主出射面側１ａの端面にＳｉと反応したＡｕ６が拡散する場合がある。発光点位置２ａを越えてＳｉと反応したＡｕ６が存在する場合、拡散したＡｕでのリーク電流が発生しやすくなり、レーザ素子の発振特性に悪影響を及ぼす場合がある。また、電子線ビーム（ＥＢ）蒸着法では、端子にダメージを与え、ＣＯＤレベルの低下が生じる可能性がある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、本発明にかかる半導体レーザ装置は、半導体レーザ素子の端面保護膜として半導体レーザ素子結晶の少なくとも一方に接して形成された酸化シリコン膜を有することを特徴とする。ここで、前記酸化シリコン膜の屈折率は１．６以上であることが好ましい。また、前記酸化シリコン膜の外側に別の膜を形成すること、また該別の膜としてアルミナを用いることが好ましい。また、前記酸化シリコン膜の膜厚は０．５ｎｍ〜２０ｎｍであることが好ましい。さらに、半導体レーザ素子の前端面の反射率は６％以上１７％以下、後端面の反射率が８５％以上であることが好ましい。
【００１４】
本発明にかかる半導体レーザ装置の製造方法は、前記半導体レーザ装置において前記酸化シリコン膜は抵抗加熱蒸着法で成膜することを特徴とする。また、半導体レーザ装置において前記酸化シリコン膜と前記別の膜とを１つのチャンバー内で成膜を行なうことを特徴とする。
【００１５】
【発明の実施の形態】
本発明にかかる半導体レーザ装置は、半導体レーザ素子の端面保護膜として半導体レーザ素子結晶の少なくとも一方に接して形成された酸化シリコン膜を有する。酸化シリコンは、シリコン膜に比べて、レーザ光の消衰係数が小さいため膜厚のバラツキによるＣＯＤレベルの低下が生じにくいからであり、またＡｕ電極と反応しにくいためリーク電流が発生しにくくレーザ素子の発振特性に悪影響を及ぼさないからである。また、酸化シリコンは、アルミナに比べて、蒸着時の酸素の発生が少ないため、レーザ端面へのダメージが少なくレーザ素子の信頼性を向上できるからである。
【００１６】
前記酸化シリコンの屈折率が１．６以上であることは、好ましい実施形態である。酸化シリコンには、ＳｉＯ２、ＳｉＯ等種々の化学組成を有するが、酸素含有量が少なくなるほど屈折率が大きくなるとともに酸素透過性が減少し、蒸着時の酸素の発生が少なくなるためである。たとえば、ＳｉＯ２の屈折率は１．４９程度であり、ＳｉＯの屈折率は１．７程度である。そして、屈折率で１．６０以上になる化学組成を有する酸化シリコンであれば、蒸着時の酸素の発生を十分に抑制することができるからである。
【００１７】
また、前記酸化シリコン膜の外側に別の膜を形成することも、好ましい実施形態である。内側に存在する前記酸化シリコン膜によりレーザ素子の信頼性を向上できるとともに、外側に存在する別の膜によって光学的設計の多様化を図ることができるからである。
【００１８】
ここで、別の膜としては、レーザ端面を保護しレーザ透過性を有する膜であれば、酸化シリコンのみならずシリコンアルミナ等材料に限定されることなく使用することができるが、出射光波長に対して光学的に透明で絶縁性、耐熱性に高いアルミナを用いることが好ましい。
【００１９】
ここで、内側の酸化シリコン膜の膜厚は、０．５ｎｍ〜２０ｎｍであることが好ましい。膜厚が０．５ｎｍ未満であると外側の膜形成の際にレーザ端面にダメージを与える場合があり、膜厚が２０ｎｍを超えると膜内におけるレーザ光吸収増加によるＣＯＤの低下やレーザ出力低下を生じる場合があるからである。
【００２０】
また、主出射面の反射率が６％〜１７％、後面の反射率が８５％以上であることは好ましい実施形態である。主出射面からのレーザ光出力Ｐｆを向上させるため、主出射面の反射率は小さく、後面の反射率を大きく設計することにより、後面側に出射される光量を少なくし主出射面側に出射される光量を増すことができるからである。また、出射面の反射率が小さすぎると戻り光によるノイズが問題となるからである。
【００２１】
ここで、主反射面の反射率は、６％〜１７％の範囲内において、光出力と駆動電流とを考慮して、レーザー発振波長に応じてさらに最適な範囲内に設定することができる。たとえば、レーザー発振波長が７２０ｎｍ〜８１０ｎｍの場合は、主反射面の反射率を１１％〜１７％の範囲内に設定するのがさらに好ましく、レーザー発振波長が６２０ｎｍ〜７２０ｎｍの場合は、主反射面の反射率を６％〜１１％の範囲内に設定するのがさらに好ましい。
【００２２】
また、半導体レーザ装置を製造する際の成膜方法に特に制限はないが、上記酸化シリコン膜が抵抗加熱蒸着法により成膜されることは好ましい製造方法である。ここで、抵抗加熱蒸着法とは、真空蒸着法の一種であって、抵抗加熱体（ヒータ）に電流を流し、発生したジュール熱により蒸着材料を加熱、蒸発させ、基板上に膜を形成する方法をいう。真空蒸着法には、抵抗加熱蒸着法の他、蒸着材料に電子線（電子ビーム）を照射することによって蒸着材料を加熱、蒸発させ、基板上に膜を形成させる電子ビーム加熱蒸着、高周波誘導によって蒸着材料を加熱、蒸発させ、基板上に膜を形成させる誘導加熱蒸着法があり、これらの方法を用いることもできるが、成膜時に基板に与えるダメージが最も少ない点で、抵抗加熱法が好ましい。
【００２３】
さらに、半導体レーザ装置の製造において上記酸化シリコン膜と別の膜を成膜する場合は、成膜方法に特に制限はないが、該酸化シリコン膜と別の膜とが一つのチャンバー内で成膜を行なうことは、好ましい製造方法である。一つのチャンバー内で２層を続けて成膜することにより、成膜時間の短縮が図れ、１層目の表面を汚すことがないため１層目と２層目の密着性が高いからである。
【００２４】
（実施形態１）
以下、図に基づき本発明にかかる半導体レーザ装置の実施の形態を具体的に説明する。図１に本発明にかかる半導体レーザ装置の一の実施形態を示す。本実施形態の半導体レーザ装置は、図１に示すように、レーザチップ１の主出射面側１ａに主出射面側保護膜１００として酸化シリコン膜１００ａが設けられ、レーザチップ１の後面側１ｂに後面側保護膜１０１として、第１層と第３層がアルミナ膜１０１ｂ、第２層と第４層がアモルファスシリコン膜１０１ｃ、第５層がアルミナ膜１０１ｄの５層からなる多層高反射膜が形成されている。
【００２５】
本実施形態の半導体レーザ装置は、以下のようにして作成する。まず、図１２に示すように、レーザバー１２をレーザバー固定装置１３に電極面を重ねるようにセットする。このとき、すべてのレーザバー１２において、レーザバー１２の主出射面側１ａおよび後面側１ｂが同じ向きとなるようにセットする。次に、レーザバー固定装置１３に固定されたレーザバー１２の主出射面側１ａに主出射面側保護膜１００として酸化シリコン膜１００ａの形成を行なう。成膜速度は０．０１ｎｍ〜０．５ｎｍ、成膜時基板温度は２５０℃〜３００℃とする。
【００２６】
図２に本実施形態におけるレーザー発振波長が７８０ｎｍ場合の酸化シリコン膜厚に対する反射率の変化を示す。酸化シリコン膜１００ａの屈折率が１．７０、レーザチップ活性層２の屈折率が３．５０であるとき、酸化シリコン膜１００ａの膜厚ｄの変化により、酸化シリコン膜１００ａの反射率は図２のように変化する。図２からわかるように、レーザー発振波長７８０ｎｍに対して、主出射面側１ａの反射率を１１％〜１７％とするためには、酸化シリコン膜の膜厚は６２ｎｍ〜７５ｎｍ、１５４ｎｍ〜１６８ｎｍとする。
【００２７】
図１２を参照して、上記主出射面側１ａの成膜を完了した後、レーザバー固定装置１３を１８０°反転させて、図１に示すように、レーザチップ１の後面側１ｂに多層高反射の後面側保護膜１０１として厚さλ／４のアルミナ膜１０１ｂ、アモルファスシリコン膜１０１ｃ、アルミナ膜１０１ｂ、アモルファスシリコン膜１０１ｃ、厚さλ／２のアルミナ膜１０１ｄを順次成膜する。
【００２８】
（実施形態２）
図３に本発明にかかる半導体レーザ装置の別の実施形態を示す。本実施形態の半導体レーザ装置は、図３に示すように、レーザチップ１の主出射面側１ａに主出射面側保護膜１００として第１層目に厚さ１０ｎｍの酸化シリコン膜１００ｅ、第２層目にアルミナ膜１００ｆが設けられ、レーザチップ１の後面側１ｂに後面側保護膜１０１として、実施形態１と同様の多層高反射膜が形成されている。
【００２９】
本実施形態の半導体レーザ装置の作成については、実施形態１と同様にしてレーザバー１２をレーザバー固定装置１３に固定した後、固定されたレーザバー１２の主出射面側１ａに主出射面側保護膜１００として、酸化シリコン膜１００ｅ（厚さ１０ｎｍ）およびアルミナ膜１００ｆを順次成膜する。
【００３０】
図４に本実施形態におけるレーザ発振波長が７８０ｎｍの場合の酸化シリコン膜とアルミナ膜の総膜厚に対する反射率の変化を示す。酸化シリコン膜１００ｅの屈折率が１．７０、アルミナ膜１００ｆの屈折率が１．６０、レーザチップ活性層２の屈折率が３．５０であるとき、酸化シリコン膜１００ｅとアルミナ膜１００ｆの総膜厚の変化により、主出射面側保護膜１００の反射率は図４のように変化する。したがって、レーザ発振波長７８０ｎｍに対して、主出射面側１ａの反射率を１１％〜１７％とするためには、アルミナ膜１００ｆの膜厚は６７ｎｍ〜８２ｎｍ、１６２〜１７７ｎｍとする。
【００３１】
（実施形態３）
図５に本発明にかかる半導体レーザ装置のまた別の実施形態を示す。本実施形態の半導体レーザ装置は、図５に示すように、レーザチップ１の主出射面側１ａに主出射面側保護膜１００として実施形態２と同様の２層の膜が設けられ、レーザチップ１の後面側１ｂに後面側保護膜１０１として、実施形態１における１層目のアルミナ膜１０１ｂに替えて、１層目に厚さ１０ｎｍの酸化シリコン膜１０１ｅ、２層目にアルミナ膜１０１ｇが設けられ、その上に３層目と５層目がアモルファスシリコン１０１ｃ、４層目がアルミナ膜１０１ｂ、６層目がアルミナ膜１０１ｄである多層高反射膜が形成されている。
【００３２】
本実施形態の半導体レーザ装置の作成については、図１２を参照して、実施形態１と同様に主出射面側１ａの成膜を完了した後、レーザバー固定装置１３を１８０°反転させて、図５に示すように、レーザチップ１の後面側１ｂに多層高反射の後面側保護膜１０１として、１層目に酸化シリコン膜１０１ｅ（厚さ１０ｎｍ）を成膜し、その上に続けてアルミナ膜１０１ｇを成膜する。膜厚は、１層目の酸化シリコン膜と２層目のアルミナ膜の反射率が最小となるように２つの膜の膜厚の和がλ／４となるようにする。レーザ発振波長が７８０ｎｍの場合、酸化シリコン膜１０１ｅの屈折率が１．７、アルミナ膜１０１ｇの屈折率が１．６であるとき、アルミナ膜１０１ｇの膜厚は１１０ｎｍとなる。さらにその上に、厚さλ／４のアモルファスシリコン膜１０１ｃ、アルミナ膜１０１ｂ、アモルファスシリコン膜１０１ｃ、厚さλ／２のアルミナ膜１０１ｄを順次成膜する。
【００３３】
（実施形態４）
本実施形態は、図５に示す実施形態３と同様な構成を有する半導体レーザ装置において、レーザ発振波長が６５０ｎｍの場合の実施形態である。本実施形態の半導体レーザ装置は、レーザチップ１の主出射面側１ａに主出射面側保護膜１００として、実施形態２および実施形態３と同様に、第１層目に厚さ１０ｎｍの酸化シリコン膜１００ｅ、第２層目にアルミナ膜１００ｆが設けられ、レーザチップ１の後面側１ｂに後面側保護膜１０１として実施形態３と同様の多層高反射膜が設けられている。
【００３４】
図６に本実施形態におけるレーザ発振波長が６５０ｎｍの場合の酸化シリコン膜とアルミナ膜の総膜厚に対する反射率の変化を示す。酸化シリコン膜１００ｅの屈折率が１．７０、アルミナ膜１００ｆの屈折率が１．６０、レーザチップ活性層２の屈折率が３．５０であるとき、酸化シリコン膜１００ｅとアルミナ膜１００ｆの総膜厚の変化により、主出射面側保護膜１００の反射率は図６のように変化する。したがって、レーザ発振波長６５０ｎｍに対して、主出射面側１ａの反射率を６％〜１１％とするためには、アルミナ膜１００ｆの膜厚は６０ｎｍ〜７１ｎｍ、１１３〜１２４ｎｍとする。
【００３５】
本実施形態の半導体レーザ素子の作成については、実施形態２および実施形態３と同様に、主出射面側１ａに主出射面側保護膜１００として、酸化シリコン膜１００ｅ（厚さ１０ｎｍ）を成膜し、その上に続けてアルミナ膜１００ｆを成膜する。図１２を参照して、主出射面側１ａの成膜を完了した後、レーザバー固定装置１３を１８０°反転させて、図５に示すように、レーザチップ１の後面側１ｂの多層高反射の後面側保護膜１０１として、１層目に酸化シリコン膜１０１ｅ（厚さ１０ｎｍ）を成膜し、その上に続けてアルミナ膜１０１ｇを成膜する。膜厚は、１層目の酸化シリコン膜と２層目のアルミナ膜の反射率が最小となるように２つの膜の膜厚の和がλ／４となるようにする。レーザ発振波長が６５０ｎｍの場合、酸化シリコン膜１０１ｅの屈折率が１．７、アルミナ膜１０１ｇの屈折率が１．６であるとき、アルミナ膜１０１ｇの膜厚は９０ｎｍとなる。さらにその上に、実施形態３と同様に、厚さλ／４のアモルファスシリコン膜１０１ｃ、アルミナ膜１０１ｂ、アモルファスシリコン膜１０１ｃ、厚さλ／２のアルミナ膜１０１ｄを順次成膜する。
【００３６】
なお、酸化シリコン膜の上に形成させる安定な膜としては、アルミナだけでなくＳｉＮＸ、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２などを用いることも可能である。また、後面側の１層目をすべて酸化シリコン膜としても有効であることはいうまでもない。
【００３７】
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した説明でなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内のすべての変更が含まれることが意図される。
【００３８】
【発明の効果】
上記のように、本発明によれば、半導体レーザ素子の端面保護膜として半導体レーザ素子結晶の少なくとも一方に接して形成された酸化シリコン膜を有することにより、レーザ光の消衰係数を小さくして膜厚のバラツキによるＣＯＤレベルの低下を抑えることができる。また、光出射端面へのＡｕの拡散を防止することにより、レーザ端面近傍でのリーク電流が抑えられ、レーザ素子の発振特性に悪影響を及ぼさない。また、蒸着時の酸素の発生が少ないため、レーザ端面へのダメージが少なくレーザ素子の信頼性を向上できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明にかかる半導体レーザ装置の一の実施形態を示す概略図である。
【図２】一の実施形態におけるレーザー発振波長が７８０ｎｍ場合の酸化シリコン膜厚に対する反射率の変化を示す図である。
【図３】本発明にかかる半導体レーザ装置の別の実施形態を示す概略図である。
【図４】別の実施形態おけるレーザ発振波長が７８０ｎｍの場合の酸化シリコン膜とアルミナ膜の総膜厚に対する反射率の変化を示す図である。
【図５】本発明にかかる半導体レーザ装置のまた別の実施形態を示す概略図である。
【図６】また別の実施形態におけるレーザ発振波長が６５０ｎｍの場合の酸化シリコン膜とアルミナ膜の総膜厚に対する反射率の変化を示す図である。
【図７】従来の代表的な半導体レーザ装置の概略図である。
【図８】従来の一の高出力半導体レーザ装置の概略図である。
【図９】従来の別の高出力半導体レーザ装置の概略図である。
【図１０】半導体レーザ装置における保護膜形成方法の説明図である。
【図１１】図１０に続く保護膜形成方法の説明図である。
【図１２】図１１に続く保護膜形成方法の説明図である。
【図１３】シリコン膜とＡｕ電極の反応による主出射面側へのＡｕの拡散を説明する図である。
【符号の説明】
１　レーザチップ、１ａ　主出射面側、１ｂ　後面側、２　レーザチップ活性層、２ａ　発光点位置、３　半導体レーザウエハ、４，４’，５　電極、６　Ｓｉと反応したＡｕ、１０　発光部、１１　へき開線、１２　レーザバー、１３　レーザバー固定装置、１００　主出射面側保護膜、１０１　後面側保護膜、１００ａ，１００ｅ，１０１ｅ　酸化シリコン膜、１００ｉ　シリコン膜、１０１ｃアモルファスシリコン膜、１００ｆ，１００ｈ，１０１ｂ，１０１ｄ，１０１ｇ，１０１ｈ　アルミナ膜。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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