(57)【要約】【課題】ｐ型不純物をドープした窒化アルミニウムガリウムインジウム化合物半導体を熱的アニーリング処理等をしないで、ａｓ−ｇｒｏｗｎの状態で低抵抗のｐ型窒化アルミニウムガリウムインジウム化合物半導体を効率的に作成できる製造効率に優れた方法を提供すること。【解決手段】ＭＯＣＶＤ法で、アルミニウム、ガリウムとインジウムの有機金属原料から、ｐ型不純物をドープした窒化アルミニウムガリウムインジウム化合物半導体を成長させたのち、該窒化アルミニウムガリウムインジウム化合物半導体上にｐ型不純物が高ドープされた高抵抗の窒化アルミニウムガリウムインジウム化合物半導体を成長させた後、常温まで冷却する。【選択図】　　　なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機金属気相成長方法を使用して窒化ガリウム系化合物半導体を製造する方法であって、アルミニウム、ガリウム及びインジウムの各金属を含む有機金属原料を使用し、先ずｐ型不純物をドープした第１の窒化アルミニウムガリウムインジウム化合物半導体を成長させ、引き続き該窒化アルミニウムガリウムインジウム化合物半導体上に、アクセプター不純物を高ドープした高抵抗の第２の窒化アルミニウムガリウムインジウム化合物半導体を成長させた後、常温まで冷却することを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法。
【請求項２】
前記第２の窒化アルミニウムガリウムインジウム化合物半導体が、抵抗率が１０６Ω・ｃｍ以上の高抵抗の化合物半導体であることを特徴とする請求項１に記載の窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、紫色、青色、または緑色発光ダイオード、紫色または青色レーザーダイオード等に使用される窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法に係わり、特に気相成長後、アニーリング処理等の必要がなく、ｐ型窒化アルミニウムガリウムインジウム化合物半導体を安定的に得る製造効率に優れた方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ｐ型の窒化ガリウム系化合物半導体の作成方法として、アクセプター不純物であるＭｇ等をドープして窒化ガリウム系化合物半導体を有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ法）で成長させたのち、実質的に水素を含まない雰囲気中、４００℃以上の温度でアニーリングを行い、半導体から水素を放出させることにより低抵抗化する方法が知られている（特開平５−１８３１８９公報参照）。しかし、熱的アニーリング法では、熱処理の際に半導体の表面から酸素や炭素等の不純物が膜中に侵入しやすく、特に表面付近に不純物が多く存在することになる。又ｐ型不純物と水素の結合を切断して水素を半導体から放出させることになるが、半導体表面では水素拡散に対する障壁が高いために、水素は完全には放出されず半導体表面付近に水素が偏在することは避けにくく、このために良好なオーミック特性を有する電極が形成しにくい。又半導体の熱的アニーリング処理には気相成長終了後、雰囲気ガスを置換して再度高温に加熱して、保持する必要があり、製造効率が劣る問題がある。
上記のような結晶成長後の付加的な工程により、低抵抗なｐ型窒化アルミニウムガリウムインジウム化合物半導体とするのではなく、ＭＯＣＶＤ後に低抵抗なｐ型窒化アルミニウムガリウムインジウム化合物半導体を得る方法も知られている。例えばＭｇ等のｐ型不純物をドープした窒化ガリウム系化合物半導体の気相成長後の冷却時に、大気圧下、４００℃以上の温度で水素化ガスを含む雰囲気から水素または窒素の雰囲気に切り替え、水素パッシベーションを起こさずに熱処理なしで低抵抗なｐ型窒化ガリウム系化合物半導体を得る方法（特開平８−１１５８８０公報参照）、９５０℃から略７００℃まで降下する間において、ｐ型窒化物半導体がその低抵抗性を維持できる雰囲気と冷却時間の組合せにより冷却する方法（特開２００２−３３２７９公報参照）、キャリアガスとして実質的に窒素ガスを用い、インジウム源のガスを原料源のガスと同時に成長装置に流しｐ型ＩＩＩ族窒化物半導体を得る製造方法（特開２００１−９４１４９公報参照）等が知られている。しかし、装置内に残存するキャリアガスの水素、或いは水素化ガスに基づく水素等が冷却時に窒化ガリウム系化合物半導体の膜内に拡散し、高い正孔キャリア濃度が得られにくく、又再現性も良くない等の製造効率上の問題がある。
これを回避するために、ｐ型不純物をドープした窒化ガリウム系化合物半導体を成長させたのち、該半導体上にｎ型窒化ガリウム系化合物半導体を成長させた状態で冷却し、水素原子等がｐ型半導体層に侵入することを防止する方法が知られている（特開平８−８４６０公報参照）。しかし成長後にｎ型窒化ガリウム系化合物半導体をリアクティブイオンエッチング（ＲＩＥ）方式等で除去する必要があり、工程が複雑になり、製造効率が良くないという難点がある。
工程の複雑さを回避するために、ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体の代わりに２〜５ｎｍの極く薄いＺｎ金属膜を用いる方法が知られている（特開２００１−１５６００３公報参照）。しかし、Ｚｎ金属が酸化されやすく、素子の寿命が短いという問題がある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は熱的アニーリング処理なしで、低抵抗のｐ型窒化アルミニウムガリウムインジウム化合物半導体を作成する製造効率に優れた方法を提供することを目的とする。
【０００４】
【問題を解決するための手段】
上記の問題を解決するために、本発明は、ＭＯＣＶＤ法で、９５０℃から１１００℃の温度範囲にて、水素を主成分とする雰囲気中、ｐ型不純物をドープしながら、ｐ型の第１の窒化アルミニウムガリウムインジウム半導体（ＡｌｘＧａｙＩｎ１−ｘ−ｙＮ、ただし、０≦ｘ＜１，０＜ｙ≦１、０≦１−ｘ−ｙ＜１）を成長させ、更に高濃度のＭｇ等のアクセプター不純物がドープされた高抵抗の第２の窒化アルミニウムガリウムインジウム半導体（ＡｌａＧａｂＩｎ１−ａ−ｂＮ、ただし、０≦ａ＜１、０＜ｂ≦１，０≦１−ａ−ｂ＜１）を薄く成長させた後、冷却させる方法である。ここで、高抵抗の窒化アルミニウムガリウムインジウム半導体とは、７５０℃、窒素ガス雰囲気中で３０分間アニーリング処理後、ホール測定すると、抵抗率で１０６Ω・ｃｍ以上の高抵抗を示し、ｎ，ｐ型の判定ができない状態の半導体のことである。
第１の窒化アルミニウムガリウムインジウム半導体が形成される温度では水素は半導体内の窒素と結合していず、この水素が外部に放出される際、第２の半導体により表面での障壁が低くなり、放出されやすくなっていると考えられる。又半導体外の水素分子、水素化物に対しては、第１の半導体と第２の半導体の接合面、或いは第２の半導体がなんらかの障壁として機能して、水素が第１のｐ型窒化アルミニウムガリウムインジウム半導体に拡散侵入することを防止しているものと考えている。
【０００５】
【発明の実施の形態】
本発明は、ＭＯＣＶＤ法により、高抵抗の窒化アルミニウムガリウムインジウム半導体を成長させることで、アニーリング処理の必要ない低抵抗のｐ型窒化アルミニウムガリウムインジウム半導体を形成できることである。すなわち、ａｓ−ｇｒｏｗｎの状態でｐ型窒化アルミニウムガリウムインジウム半導体を形成することである。
【０００６】
サファイア基板上への成膜はＭＯＣＶＤ法で行う、なわち第１の窒化アルミニウムガリウムインジウム半導体を成長する温度範囲は９００℃から１１５０℃である。２次元的成長がしやすい９５０℃以上が好ましく、又１１５０℃以上では、窒化アルミニウムガリウムインジウム半導体の分解が激しくなり、又活性層も劣化するので１１００℃以下とする必要がある。好ましくは、９５０℃から１０５０℃である。第１の窒化アルミニウムガリウムインジウム半導体は水素等のキャリヤガスを主成分とした雰囲気中でＡｌ、ＧａとＩｎの有機金属原料からｐ型不純物をドープしながら０．５μ／Ｈｒから２μ／Ｈｒの成長速度で成長させる。上記の温度範囲ではＩｎは結晶内には殆ど取り込まれず、Ｘ線回折結果は窒化アルミニウムガリウムのパターンを示す。ＳＩＭＳ分析では結晶膜のＩｎ／Ｇａ含有比は０．１％程度前後以下であり、混晶とは異なり、ＩｎがＧａと置き換わるのではなく、窒化ガリウム中の転位の部分に取り込まれている状態と考えられる。
【０００７】
第１のｐ型不純物をドープした窒化アルミニウムガリウムインジウム半導体を成長後、アクセプター不純物をドープし高抵抗の第２の窒化アルミニウムガリウムインジウム半導体を成長させる。発光ダイオード等を作成する場合は、第２の窒化アルミニウムガリウムインジウム半導体は高抵抗のため膜厚は５０ｎｍ以下で１ｎｍから２０ｎｍの範囲が好ましい。この膜は膜厚方向には電流が流れ、膜厚方向には大きな抵抗を示さない。機構は不明だが、従来とは違う機構、例えば、欠陥を介在するホッピング或いはトンネル的機構により、接触電位が低いと考えられる。従って、ＬＥＤのデバイス作成時に第２の窒化アルミニウムガリウムインジウム半導体をＲＩＥ方式等で除去する必要がなく、製造効率が高い。
【０００８】
原料はトリメチルガリウム（以下ＴＭＧと記す。）、トリエチルガリウム等のトリアルキルガリウム、トリメチルアルミニウム（以下ＴＭＡと記す。）、トリエチルアルミニウム等のトリアルキルアルミニウム，トリメチルインジウム（以下ＴＭＩと記す。）等を使用する。ｐ型不純物、アクセプター不純物はＭｇ、Ｚｎ、Ｂｅ等にアルキル基等の有機基を有する化合物、キレート化合物を用いるが、活性化効率の点ではビスシクロペンタジエニルマグネシウム（以下Ｃｐ２Ｍｇと記す。）、ビスエチルシクロペンタジエニルマグネシウム等の有機Ｍｇ化合物が好ましい。
【０００９】
この新しいｐ型化の手法でＬＥＤ用の半導体膜を堆積する場合、バッファ層は窒化ガリウム半導体に限らず、窒化アルミニウム半導体や窒化アルミニウムガリウム半導体を、アンドープ窒化ガリウム半導体は窒化アルミニウムガリウム半導体或いは漏洩電流を少なくするためにＭｇを微量ドープした窒化ガリウム半導体を、Ｓｉドープ窒化ガリウム半導体はＳｉドープ窒化アルミニウムガリウム半導体を用いてもよい。
【００１０】
【実施例１】
ｃ面から面方位が０．２度の傾いた、厚さ３００μ程度の平滑なサファイア基板を１１０℃に加熱した混酸（硫酸：リン酸＝３：１）中で３０分処理し、純水でよく水洗、乾燥する基板処理を行った。
【００１１】
サファイア基板を横型のＭＯＣＶＤ装置内部の基板ホルダに設置し、水素雰囲気中で、１１００℃の高温に、１０分間保持し基板の高温クリーニングを行なった。
【００１２】
次に温度を５５０℃まで下げ、４００トールの圧力下で主キャリアガスとして水素を６リットル／分、アンモニアを３．５リットル／分で流しながら、ＴＭＧ用のキャリアガスを１０ｃｃ／分で流して５分保持し、約２０ｎｍの厚みの窒化ガリウム低温バッファ半導体を作成した。
【００１３】
ついでＴＭＧのみ止めて、温度を１０５０℃まで上昇させた後、主キャリアガスとして水素８リットル／分、アンモニア３．５リットル／分を流しながら、ＴＭＧ用キャリアガスを４０ｃｃ／分で流し６０分間保持し、１．５ミクロンの厚みのアンドープ窒化ガリウム半導体を得た。
【００１４】
次に温度を１０２０℃まで下げ、主キャリアガスとして水素ガスを８リットル／分、アンモニアを３．５リットル／分、ＴＭＧ用のキャリアガスを４０ｃｃ／分で流しながら、Ｉｎ源ガスとしてＴＭＩをＧａ源ガス１に対して１０％、Ｍｇ源ガスとしてＣｐ２ＭｇをＧａ源ガス１に対して０．２％となるように流し、１０分保持し第１の窒化ガリウムインジウムを作成した。その後、ＴＭＧ用のキャリアガスを１０ｃｃ／分、Ｃｐ２ＭｇをＧａ源ガス１に対して０．６％となるように変更し、２０分間保持し第２の窒化ガリウムインジウム半導体を作成した。ＴＭＧ，ＴＭＩ，Ｃｐ２Ｍｇを停止し、主キャリアガスを水素ガスから窒素ガスに切り替え８．９リットル／分で流し、アンモニアを２．６リットル／分で流しながら、冷却速度１１℃／分程度で８５０℃にした。８５０℃でアンモニアを停止し、７００℃まで冷却速度１０℃／分程度で冷却した。その後窒素ガスだけをそのまま流しながら常温まで自然冷却した。
【００１５】
冷却後、ＭＯＣＶＤ装置から、半導体膜のついた基板を取り出し、ホール測定を行うとキャリア濃度の測定は不可能であり、抵抗率は約１０６Ω・ｃｍ以上であった。また、窒素ガス雰囲気中で、７５０℃、３０分間アニーリングし、ホール測定を行なったところ抵抗率は約１０６Ω・ｃｍ以上であった。
又第２の窒化ガリウムインジウム半導体作成時にＣｐ２ＭｇをＧａ源ガス１に対して０．２，０．４，０．８，１％とした場合は、０．４，０．８％の半導体は成長、アニーリング後もホール測定を行うとキャリア濃度の測定は不可能であり、抵抗率は約１０６Ω・ｃｍ以上であり、窒素ガス雰囲気中で、７５０℃、３０分間アニーリングし、ホール測定を行なっても抵抗率は約１０６Ω・ｃｍ以上であった。０．２％のは成長後は抵抗率は約１０６Ω・ｃｍ以上の高抵抗、アニーリング後は１Ω・ｃｍ程度の抵抗率を示した。一方１％のはｎ型を示した。
なお第２の半導体を形成せず、第１の半導体のみを作成した試料の抵抗率は約１０６Ω・ｃｍ以上であり、窒素ガス雰囲気中で、７５０℃、３０分間アニーリングし、ホール測定を行なうと、ｐ型を示し、キャリア濃度は約９×１０１７／ｃｍ３、抵抗率は約１Ω・ｃｍであった。
【００１６】
【実施例２】
基板処理、基板クリーニング、低温バッファ半導体、アンドープ窒化ガリウム半導体形成、を実施例１に於いて述べたものと同一の方法で行った。温度を１０２０℃まで下げ、該アンドープ窒化ガリウム半導体上に以下の半導体を形成した。主キャリアガスとして水素ガスを８リットル／分、アンモニアを３．５リットル／分、ＴＭＧ用のキャリアガスを４０ｃｃ／分、水素で希釈された１００ｐｐｍモノシランを２．５ｃｃ／分で流しながら６０分間保持し、１．５ミクロンの厚みのＳｉドープ窒化ガリウム半導体を得た。その後、７６０℃、窒素雰囲気中で厚み８ｎｍのＳｉドープＧａ０．９７Ｉｎ０．０３Ｎ障壁層と、厚み３ｎｍのアンドープＧａ０．７Ｉｎ０．３Ｎ井戸層の５対の量子井戸層からなるＭＱＷを障壁層、井戸層と順次積み最後に障壁層を作成した。最初と最後の障壁層はキャリアーの閉じこめ効果を高めるために窒化ガリウムにした。
ついでＭｇ拡散防止のために厚さ１０ｎｍのアンドープ窒化ガリウム半導体を、Ｓｉドープをしないので活性層の成膜温度より若干低い７５０℃で積層した。ついで、主キャリアガスとして水素ガスを８リットル／分、アンモニアを３．５リットル／分、ＴＭＧ用のキャリアガスを４０ｃｃ／分で流しながら、ｈ源ガスとしてＴＭＩをＧａ源ガス１に対して１０％、Ｍｇ源ガスとしてＣｐ２ＭｇをＧａ源ガス１に対して０．２％となるように流し、５分保持し第１の窒化ガリウムインジウム半導体を１２５ｎｍ厚さに作成した。その後、ＴＭＧ用のキャリアガスを２ｃｃ／分、Ｃｐ２ＭｇをＧａ源ガス１に対して０．６％となるように変更し、４分間保持し第２の窒化ガリウムインジウム半導体を５ｎｍ厚さに作成した。ＴＭＧ，ＴＭＩ，Ｃｐ２Ｍｇを停止し、主キャリアガスを水素ガスから窒素ガスに切り替え８．９リットル／分で流し、アンモニアを２．６リットル／分で流しながら、冷却速度１１℃／分程度で８５０℃にした。８５０℃でアンモニアを停止し、７００℃まで冷却速度１０℃／分程度で冷却した。その後窒素ガスだけをそのまま流しながら常温まで自然冷却した。
冷却後、第２のＭｇドープ高抵抗窒化ガリウムインジウム半導体表面に所定の形状のマスクを形成し、Ｎｉ、Ａｕを順次蒸着し空気中で５５０℃、１０分間アニーリングし透光性のｐ電極を形成した。次に高抵抗の第２の窒化ガリウムインジウム半導体の一部を表面からＳｉドープ窒化ガリウム半導体に達する深さまでＲＩＥ法で除去した。ついで、露出させたＳｉドープ窒化ガリウム半導体表面上に、Ｔｉ、Ａｕを順次薄膜形成し、ｎ電極を形成した。窒化ガリウム系半導体を堆積した側と反対側のサファイア基板面を研磨により、９０μ程度の厚さにした。スクライブ後、各電極に金ワイヤーを接続し、常法に従って樹脂でモールドしてＬＥＤとした。順方向電圧２０ｍＡにおいて発光させたところ、Ｖｆ３．２Ｖ、波長４５０ｎｍの青色発光を示し、発光出力は６ｍＷと非常に良好な特性を示した。
【００１７】
【実施例３】
第２の窒化ガリウムインジウム半導体の作成時に、Ｍｇ源ガスとしてＣｐ２ＭｇをＧａ源ガス１に対して０．４％となるように流す以外は、実施例２と同一の方法でＬＥＤを作製した。
ＬＥＤを順方向電圧２０ｍＡにおいて発光させたところ、Ｖｆ３．３Ｖ、波長４５２ｎｍの青色発光を示し、発光出力は５．５ｍＷと非常に良好な特性を示した。
【００１８】
【実施例４】
第１の半導体の成膜条件に、ＴＭＡを１０ｃｃ／分で流すことを加え、第２の半導体の成膜条件にＴＭＡを２ｃｃ／分流すことを加える以外は、実施例２と同一の方法でＬＥＤを作製した。
ＬＥＤを順方向電圧２０ｍＡにおいて発光させたところ、Ｖｆ３．５Ｖ、波長４４９ｎｍの青色発光を示し、発光出力は４．５ｍＷと非常に良好な特性を示した。
【００１９】
【実施例５】
ＴＭＩを流さず、第１の窒化ガリウム半導体と第２の窒化ガリウム半導体を作成する以外は、実施例２と同一の方法でＬＥＤを作製した。
ＬＥＤを順方向電圧２０ｍＡにおいて発光させたところ、Ｖｆ３．４Ｖ、波長４５３ｎｍの青色発光を示し、発光出力は５ｍＷと非常に良好な特性を示した。
【００２０】
【実施例６】
第２の窒化ガリウム半導体を作成する際に、Ｍｇ源ガスとしてＣｐ２ＭｇをＧａ源ガス１に対して０．８％となるように流す以外は実施例２と同一の方法でＬＥＤを作製した。
ＬＥＤを順方向電圧２０ｍＡにおいて発光させたところ、Ｖｆ３．６Ｖ、波長４５５ｎｍの青色発光を示し、発光出力は４ｍＷと非常に良好な特性を示した。
【００２１】
【比較例１】
第２の窒化ガリウムインジウム半導体の作成時に、Ｍｇ源ガスとしてＣｐ２ＭｇをＧａ源ガス１に対して０．２％となるように流す以外は、実施例２と同一の方法でＬＥＤを作製した。
作成したＬＥＤは抵抗が高く光らなかった。
【００２２】
【比較例２】
第２の窒化ガリウムインジウム半導体の作成時に、Ｍｇ源ガスとしてＣｐ２ＭｇをＧａ源ガス１に対して１％となるように流す以外は、実施例２と同一の方法でＬＥＤを作製した。
作成したＬＥＤは青色発光をしたが、抵抗が高く、発光出力は０．５ｍＷ程度と低くかった。
【００２３】
【発明の効果】
本発明の成長方法によると、半導体成膜後のアニーリング処理が必要なく、ａｓ−ｇｒｏｗｎで、高い正孔濃度を有する低抵抗のｐ型窒化アルミニウムガリウムインジウム半導体を形成でき、製造効率に優れる方法を得ることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成14年12月10日(2002.12.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
【実施例２】
基板処理、基板クリーニング、低温バッファ半導体、アンドープ窒化ガリウム半導体形成、を実施例１に於いて述べたものと同一の方法で行った。温度を１０２０℃まで下げ、前記アンドープ窒化ガリウム半導体上に以下の半導体を形成した。主キャリアガスとして水素ガスを８リットル／分、アンモニアを３．５リットル／分、ＴＭＧ用のキャリアガスを４０ｃｃ／分、水素で希釈された１００ｐｐｍモノシランを２．５ｃｃ／分で流しながら６０分間保持し、１．５ミクロンの厚みのＳｉドーブ窒化ガリウム半導体を得た。その後、７６０℃、窒素雰囲気中で厚み８ｎｍのＳｉドープＧａ０．９７Ｉｎ０．０３Ｎ障壁層と、厚み３ｎｍのアンドープＧａ０．７Ｉｎ０．３Ｎ井戸層の５対の量子井戸層からなる多重量子井戸層を障壁層、井戸層と順次積み最後に障壁層を作成した。最初と最後の障壁層はキャリアーの閉じこめ効果を高めるために窒化ガリウムにした。又最後の障壁層はＭｇ拡散防止のためＳｉをドープせずアンドープ窒化ガリウムにした。ついで温度を１０２０℃まで上げて、主キャリアガスとして水素ガスを８リットル／分、アンモニアを３．５リットル／分、ＴＭＧ用のキャリアガスを４０ｃｃ／分で流しながら、Ｉｎ源ガスとしてＴＭＩをＧａ源ガス１に対して１０％、Ｍｇ源ガスとして、Ｃｐ２ＭｇをＧａ源ガス１に対して０．２％となるように流し、５分保持し第１の窒化ガリウムインジウム半導体を１２５ｎｍ厚さに作成した。その後、ＴＭＧ用のキャリアガスを２ｃｃ／分，Ｃｐ２ＭｇをＧａ源ガス１に対して０．６％となるように変更し、４分間保持し第２の窒化ガリウムインジウム半導体を５ｎｍ厚さに作成した。ＴＭＧ、ＴＭＩ、Ｃｐ２Ｍｇを停止し、主キャリアガスを水素ガスから窒素ガスに切り替え８．９リットル／分で流し、アンモニアを２６リットル／分で流しながら、冷却速度１１℃／分程度で８５０℃にした。８５０℃でアンモニアを停止し、７００℃まで冷却速度１０℃／分程度で冷却した。その後窒素ガスだけをそのまま流しながら常温まで自然冷却した。冷却後、窒化ガリウム半導体を堆積した側と反対側のサファイア基板面を研磨により、９０ミクロン程度の厚さにした。第２のＭｇドープ高抵抗窒化ガリウムインジウム半導体表面に、Ｎｉ、Ａｕを順次蒸着し空気中で５５０℃、１０分間アニーリングし透光性のｐ電極を形成した。次に表面にピッチ間隔３５０ミクロンで、線幅４０ミクロン、１．５ミクロン深さの第一の割り溝をエッチングで作成し、更にこの溝を中心にして、幅６０ミクロンの第二の溝を更に深さ１．５ミクロンＲＩＥ法でエッチングし形成した。第一の溝はアンドープ窒化ガリウム半導体に、第二の溝はＳｉドープ窒化ガリウム半導体に達している。第二の溝を作成の際に、ｎ電極を作成する面も同時に作成した。ついで、ｎ−電極用の露出させたＳｉドープ窒化ガリウム半導体表面上に、Ｔｉ、Ａｕを順次薄膜形成し、ｎ電極を形成した。ついで第一の溝に沿ってスクライブ後チップにした。チップ化後、各電極に金ワイヤーを接続し、常法に従って樹脂でモールドしてＬＥＤとした。順方向電圧２０ｍＡにおいて発光させたところ、Ｖｆ３．２Ｖ、波長４５０ｎｍの青色発光を示し、発光出力は６ｍＷと非常に良好な特性を示した。