(57)【要約】【課題】高温側から低温側への伝熱を抑制した、電力半導体素子を備える電力半導体装置を提供する。【解決手段】電力半導体装置１０は、炭化シリコンを基体として用いる電力半導体素子１、２が搭載されたユニット７と、ユニットのパッケージ部８より熱伝導率が低い材質からなり、ユニットを被う外側パッケージ９とを備える。また、別の電力半導体装置２０としては、炭化シリコンを基体として用いる電力半導体素子１、２が搭載された第１ユニット２６と、シリコンを基体として用いる半導体素子１２ａ、１２ｂが搭載され、第１ユニットと電気的に接続された第２ユニット２８とを備える。さらに、第１ユニットと前記第２ユニットとの間に挟み込まれた断熱部材１８を備える。【選択図】　　　　図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
炭化シリコンを基体として用いる電力半導体素子が搭載されたユニットと、
前記ユニットのパッケージ部より熱伝導率が低い材質からなり、前記ユニットを被う外側パッケージと
を備えることを特徴とする電力半導体装置。
【請求項２】
炭化シリコンを基体として用いる電力半導体素子が搭載された第１ユニットと、
シリコンを基体として用いる半導体素子が搭載され、前記第１ユニットと電気的に接続された第２ユニットと
を備えることを特徴とする電力半導体装置。
【請求項３】
前記第１ユニットと前記第２ユニットとの間に挟み込まれた断熱部材をさらに備えることを特徴とする請求項２に記載の電力半導体装置。
【請求項４】
前記第２ユニットの内部に断熱部材を介して前記第１ユニットを包み込んでいることを特徴とする請求項２に記載の電力半導体装置。
【請求項５】
前記断熱部材は、前記第１及び第２ユニットの間に充填されたモールド樹脂からなることを特徴とする請求項４に記載の電力半導体装置。
【請求項６】
前記第１ユニットから前記第２ユニットに伝熱する熱を吸収する熱バッファ部を備えることを特徴とする請求項２に記載の電力半導体装置。
【請求項７】
前記第２ユニットから外部へ放熱させる放熱部を備え、
前記第１ユニットと前記放熱部との間に低熱伝導部を備えることを特徴とする請求項２に記載の電力半導体装置。
【請求項８】
前記第１及び第２ユニットとに共通する電極を備え、前記電極は、部分的に拡幅された部分を有することを特徴とする請求項２に記載の電力半導体装置。
【請求項９】
前記炭化シリコンを基体として用いる電力半導体素子は、圧接構造で前記第１ユニットに搭載されていることを特徴とする請求項２に記載の電力半導体装置。
【請求項１０】
前記炭化シリコンを基体として用いる電力半導体素子は、ダイオード又はトランジスタであることを特徴とする請求項２に記載の電力半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、炭化シリコンを基体として用いる電力半導体素子を搭載する電力半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
電力半導体装置は、一般的にパワーモジュールとも称されている。このパワーモジュールを構成する電力半導体素子として、シリコンＳｉを基体として用いたパワーＭＯＳ　ＦＥＴ、ＩＧＢＴ（Ｉｎｓｕｌａｔｅｄ　Ｇａｔｅ　Ｂｉｐｏｌａｒ　Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）、ダイオード等の半導体素子が用いられている。例えば、従来の電力半導体装置５０は、図１１に示すように、金属製の放熱ベース板６５の上に、回路パターン付セラミック基板６３が配置されている。さらに、該回路パターン付セラミック基板６３の上にシリコンを基体とする電力半導体素子５１、５２が半田及びアルミワイヤ６６で接続されて回路を構成する。また、素子５１、５２は、コレクタ電極５３、エミッタ電極５４、制御信号端子７２、エミッタ信号端子７４等の外部端子と接続されている。また、この電力半導体装置は、素子５１、５２及び回路を保護するためにケース６０とフタ６１とで構成される筐体内をゲル６２で充填されている。即ち、この電力半導体装置５０では、シリコンを基体とする電力半導体素子５１、５２は、半田及びアルミワイヤ６６で接続されて回路を構成している。
【０００３】
半導体素子として、シリコンに代えて炭化シリコン（ＳｉＣ）を基体として用いた半導体素子が実用化されている。この炭化シリコンを基体として用いた半導体素子は、動作保証温度は１５０℃以上であって、およそ３００℃程度までの高温で動作させることができるという特徴がある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
電力半導体装置では、上述したようにＩＧＢＴやフライホイールダイオード等の各素子と回路パターン間を半田で接続している。このため、１５０℃以上の高温、さらに３００℃程度まで高温動作させた場合には、素子間の半田が融けてしまう。停止時には半田が凝固し、高温での動作と停止を繰り返すと、半田の溶融、凝固という現象を繰り返すため接合部の信頼性を失ってしまう。一方、素子のエミッタ部及びゲート部では、アルミワイヤボンディングで接続されている。ワイヤボンディングの場合、高温動作時と停止時において、ワイヤと素子との接合部での温度差が大きくなり、ワイヤに過大な応力が生じる。また、素子とアルミワイヤとの熱膨張率差による熱応力が生じるため、接合部の信頼性が低下する。さらに、従来のパッケージ構造では、放熱ベース板６５が約３００℃という高温になり、その伝熱で電力半導体装置全体が高温になる。そのため、電力半導体装置がインバータに組み込まれた場合、インバータを構成する周辺部品もまた高温にさらされるため、インバータ全体の寿命が短くなる。
【０００５】
また、電力半導体装置には、最近、パワーボードとも呼ばれる電力用プリント基板が用いられている。搭載される電力半導体素子が高温になると、接合部からの伝熱によって電力用プリント基板も高温にさらされる。電力用プリント基板は高温には弱いので、電力半導体素子とプリント基板との接合部の高温化を避ける必要がある。また、高温側から低温側への伝熱を抑制する必要がある。
【０００６】
そこで、本発明の目的は、高温側から低温側への伝熱を抑制した、炭化シリコンを基体として用いる電力半導体素子を搭載した電力半導体装置を提供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る電力半導体装置は、炭化シリコンを基体として用いる電力半導体素子が搭載されたユニットと、
前記ユニットのパッケージ部より熱伝導率が低い材質からなり、前記ユニットを被う外側パッケージと
を備えることを特徴とする。
【０００８】
本発明に係る電力半導体装置は、炭化シリコンを基体として用いる電力半導体素子が搭載された第１ユニットと、
シリコンを基体として用いる半導体素子が搭載され、前記第１ユニットと電気的に接続された第２ユニットと
を備えることを特徴とする。
【０００９】
また、本発明に係る電力半導体装置は、前記電力半導体装置であって、前記第１ユニットと前記第２ユニットとの間に挟み込まれた断熱部材をさらに備えることを特徴とする。
【００１０】
さらに、本発明に係る電力半導体装置は、前記電力半導体装置であって、断熱部材を介して前記第２ユニットの内部に前記第１ユニットを包み込んでいることを特徴とする。
【００１１】
またさらに、本発明に係る電力半導体装置は、前記電力半導体装置であって、前記断熱部材は、前記第１及び第２ユニットの間に充填されたモールド樹脂からなることを特徴とする。
【００１２】
また、本発明に係る電力半導体装置は、前記電力半導体装置であって、前記第１ユニットから前記第２ユニットに伝熱する熱を吸収する熱バッファ部を備えることを特徴とする。
【００１３】
さらに、本発明に係る電力半導体装置は、前記電力半導体装置であって、前記第２ユニットから外部へ放熱させる放熱部を備え、
前記第１ユニットと前記放熱部との間に低熱伝導部を備えることを特徴とする。
【００１４】
またさらに、本発明に係る電力半導体装置は、前記電力半導体装置であって、前記第１及び第２ユニットとに共通する電極を備え、前記電極は、部分的に拡幅された部分を有することを特徴とする。
【００１５】
また、本発明に係る電力半導体装置は、前記電力半導体装置であって、前記炭化シリコンを基体として用いる電力半導体素子は、圧接構造で前記第１ユニットに搭載されていることを特徴とする。
【００１６】
さらに、本発明に係る電力半導体装置は、前記電力半導体装置であって、前記炭化シリコンを基体として用いる電力半導体素子は、ダイオード又はトランジスタであることを特徴とする。
【００１７】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の形態に係る電力半導体装置について、添付図面を用いて説明する。なお、図面において、実質的に同一の部材には同一の符号を付している。
【００１８】
実施の形態１．
本発明の実施の形態１に係る電力半導体装置について、図１を用いて説明する。図１は、この電力半導体装置１０の（ａ）平面図、（ｂ）正面図、（ｃ）側面図からなる。この電力半導体装置１０は、炭化シリコンを基体とする電力半導体素子１、２を搭載するユニット７と、該ユニット内に充填された樹脂２４と、熱伝導率が該ユニット７のパッケージ部８より低い外側パッケージ部９とを備えている。外側パッケージ部９が低熱伝導率の材料からなるため、外側パッケージ部９の表面温度を低くすることができる。また、全体として小型の電力半導体装置１０を提供できる。なお、上記ユニット７内に充填された樹脂２４は、熱伝導率が上記外側パッケージ９より低い。また、上記炭化シリコンを基体とする電力半導体素子１、２は、動作保証温度が１５０℃以上であり、約１５０℃以上の高温での動作も可能であるので、ユニット７は、約１５０℃以上で動作させることができる。さらに、このユニット７は、外側パッケージ部８の内部に包み込まれている。外側パッケージ部９は、断熱部材によってユニット７と断熱されている。これによって、高温のユニット７から外側パッケージ部９への伝熱を抑制できる。なお、この外側パッケージ部８として、例えば、熱伝導率が１０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以下、さらに好ましくは２Ｗ／（ｍ・Ｋ）以下の低熱伝導性の材料を用いることができる。この断熱部材としては、例えば、エポキシ樹脂等のモールド樹脂を用いることができる。
【００１９】
次に、この電力半導体装置で使用する炭化シリコンを基体として用いる電力半導体素子１、２について説明する。この炭化シリコンを基体とする電力半導体素子１、２は、１５０℃以上、さらに３００℃程度での高温動作においても損失が大きくならないという特徴を有している。そこで、チップサイズを小さくして素子自体の発熱によって高温となった場合でも損失を大きくすることなく高温動作させることができる。なお、シリコンを基体とする半導体素子は、通常、１２５℃以下の動作が保証されている。その動作保証温度は最大１５０℃とされている。１５０℃以上の高温で動作させた場合には、半導体素子での電力損失の増加が著しい。なお、通常の半導体素子では、チップサイズを大きくしておき、発熱した場合にも高温にならないようにしている。
【００２０】
ここで、電力半導体素子のサイズと発熱との関係について説明する。電力半導体素子１、２は、大電流、高電圧で動作させるため素子自体による発熱が大きく、裏面側で放熱系に接続されている。電力半導体素子１、２から放熱系への熱回路を考えた場合、伝熱の容易さを示す熱抵抗の大小によって素子自体の温度が決定される。伝熱方向は、素子の裏面から面の法線方向に沿った縦方向と、面に平行な横方向がある。縦方向の伝熱は、素子裏面から放熱系までの構成部材の材質や厚さ等に依存する。また、横方向の伝熱は、各構成部材の熱拡散面積、即ち、素子のサイズ等に依存する。従って素子の面積が小さいほど伝熱しにくくなるため高温になりやすい。
【００２１】
また、この電力半導体装置における電力半導体素子１、２の接続部について説明する。この電力半導体素子１、２は、圧接構造でユニット７に搭載されている。圧接構造では接続部に半田を用いないので、１５０℃以上、さらに３００℃以上で高温動作させた場合にも、接続部で半田の溶融等は生じない。例えば、ユニット７をトランスファモールド法で形成する場合には、モールド成形時の金型圧力を利用して圧力を印加した状態でモールドを行うことによって電力半導体素子１、２の圧接構造を実現することができる。なお、電力半導体素子の電気的接続の方法は、上記圧接構造に限られず、動作温度での耐熱性を確保できれば他の接続方法を用いてもよい。例えば、銀ろう、金ろう等の硬質はんだ（硬ろう）による接続を行ってもよい。また、補助的に皿バネを用いてもよい。さらに、素子の両面に薄いリボン状の電極を超音波接合してもよい。この他、上下をネジで締め付ける構造を用いてもよい。
【００２２】
またさらに、電極３、４の構造について説明する。コレクタ電極３は、図１の（ａ）に示すように、高温のユニット７側から外部機器への接合部への途中において電極の幅が部分的に拡張されている。なお、エミッタ電極４は図示していないが、コレクタ電極３と同様の構造を用いることができる。これによって高温のユニット７から低温の外側パッケージ９、さらには外部機器との接続部にかけて伝わる熱を拡張部分で放熱し、低温側への伝熱を抑制することができる。このコレクタ電極３、エミッタ電極４等には、通常、電気伝導度の大きい銅材が使用される。
【００２３】
また、この電力半導体装置１０では、モールド樹脂の絶縁では経時劣化が考えられるので、セラミック基板６を用いて一定の絶縁耐量を確保している。
【００２４】
次に、この電力半導体装置１０の製造方法について説明する。この電力半導体装置１０は、次の手順で作製される。
（ａ）ユニット７内に樹脂２４を充填する。この時、同時にユニット７に炭化シリコンを基体とする電力半導体素子１、２を圧接構造で配置する。トランスファモールド法を用いる場合、モールド成形の金型圧力を利用して圧力を印加した状態でモールド成形を行うことによって、電力半導体素子１、２の圧接構造を実現することができる。
（ｂ）外側パッケージ９でユニット７を包み込むようにモールド成形を行う。この場合、外側パッケージ９には、ユニット７のパッケージ部８より熱伝導率が低い樹脂を用いる。低熱伝導性であって、耐熱性のある樹脂でモールド成形することにより、ユニット７を被う外側パッケージ９の樹脂厚さを薄くすることができる。
以上の手順によって作製された電力半導体装置１０では、ユニット７と外側パッケージ９との間を断熱的に接続することができる。これによって、ユニット７から外側パッケージ９への伝熱を抑制することができる。
【００２５】
実施の形態２．
本発明の実施の形態２に係る電力半導体装置について、図２を用いて説明する。図２は、この電力半導体装置１０ａの（ａ）平面図、（ｂ）正面図、（ｃ）側面図からなる。この電力半導体装置１０ａは、実施の形態１に係る電力半導体装置と比較すると、図２の（ｂ）、（ｃ）に示すように、ユニット７を覆う外側パッケージ９の内部に熱容量の大きい熱バッファプレート１１を設けた点で相違する。この熱バッファプレート１１はユニット７から外側パッケージ９へ伝熱する熱を吸収する。これによって、熱バッファプレート１１を用いない場合に比べて、外側パッケージ９の熱抵抗を大きくできるので、ユニット７の炭化シリコン・トランジスタ１、炭化シリコン・ダイオード２の動作によって発生した熱を外部に伝達しにくくすることができる。また、この熱バッファプレート１１を用いることによって熱をプールでき、外部への伝熱を抑制することができる。例えば、第２ユニット８の内部温度が１００℃の場合、熱バッファプレートを用いない場合には外部表面温度が約８０℃である。一方、熱バッファプレート１１を用いた場合には、外部表面温度を約６０℃程度に低減させることができる。なお、この熱バッファプレート１１には、例えば、銀、銅等の金属の他、アルミナ等のセラミック等を用いることができる。
【００２６】
実施の形態３．
本発明の実施の形態３に係る電力半導体装置について、図３から図６を用いて説明する。図３は、この電力半導体装置２０の（ａ）平面図、（ｂ）正面図からなる。この電力半導体装置２０は、実施の形態１に係る電力半導体装置と比較すると、図３に示すように、第１ユニット２６と第２ユニット２８とを並列して配置している点で相違する。即ち、炭化シリコンを基体とする電力半導体素子２を含む高温動作部の第１ユニット２６と、シリコンを基体とする半導体素子１２ａ、１２ｂを含む低温動作部である第２ユニット２８とを断熱的に接続している。これによって高温動作する第１ユニット２６から低温動作する第２ユニット２８への伝熱を抑制することができる。なお、放熱ベース板１５は、第２ユニット２８から外部へ放熱させる役割を担っている。
【００２７】
図４は、コレクタ電極３の配置を示す斜視図であり、図５は、エミッタ電極４の配置を示す斜視図である。コレクタ電極３の第１ユニット２６側には炭化シリコンを基体とする電力半導体素子２が設けられ、第２ユニット２８側にはシリコンを基体とする半導体素子１２ａ、１２ｂが設けられている。エミッタ電極４は、第１ユニット２６側で櫛型形状の端子を有し、第２ユニット２８側でアルミワイヤ１６によるワイヤボンディング用の端子を有する。
【００２８】
また、別の態様の電力半導体装置は、図６の（ａ）に示すように、第１及び第２ユニットとの間に充填されたモールド樹脂からなる断熱部１８を備える。このモールド樹脂からなる断熱部１８によって、高温動作する第１ユニット２６から低温動作する第２ユニット２８への伝熱を抑制することができる。この断熱部１８は、第１ユニット２６からの熱の蓄積と放散との役割を担っており、第２ユニット２８への伝熱を抑制することができる。
【００２９】
さらに別の態様の電力半導体装置では、図６の（ｂ）に示すように、第１ユニット２６と放熱ベース板１５との間で低熱伝導性材料を充填した低熱伝導部１９を備える。この放熱ベース板１５は、第２ユニット２８から放熱させる役割を担っている。また、この低熱伝導性の材料の熱伝導率は、１０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以下、さらに好ましくは２Ｗ／（ｍ・Ｋ）以下である。低熱伝導性の材料としては、例えば、エポキシ樹脂等を用いることができる。この低熱伝導部１９によって、第１ユニット２６から放熱ベース板１５を介して第２ユニット２８への伝熱を抑制することができる。
【００３０】
実施の形態４．
本発明の実施の形態４に係る電力半導体装置について、図７を用いて説明する。この電力半導体装置２０ａは、実施の形態３に係る電力半導体装置と比較すると、図７に示すように、第２ユニット２８側でシリコンを基体とする半導体素子としてシリコン・トランジスタ１２ａのみを搭載する点で相違する。この他、種々の素子の組み合わせを搭載してもよい。
【００３１】
実施の形態５．
本発明の実施の形態５に係る電力半導体装置について、図８を用いて説明する。この電力半導体装置２０ｂは、実施の形態４に係る電力半導体装置と比較すると、炭化シリコンを基体とする電力半導体素子とシリコンを基体とする半導体素子とのハイブリッド構成において、第１ユニット２６側に炭化シリコン・トランジスタ１を搭載し、第２ユニット２８側にシリコン・ダイオード１２ｂを搭載している点で相違する。炭化シリコン・トランジスタ１を用いることでシリコン・トランジスタに比べてチップサイズを小さくできるので、電力半導体装置を小型化することができる。
【００３２】
実施の形態６．
本発明の実施の形態６に係る電力半導体装置について、図９を用いて説明する。この電力半導体装置３０は、実施の形態３に係る電力半導体装置と比較すると、図９に示すように、電力半導体素子等のパワーデバイスを制御するためのＩＣ等の機能デバイスを搭載した点で相違する。これにより従来のインテリジェントパワーモジュールの技術を有効に活用してシリコンを基体とする半導体素子と炭化シリコンを基体とする電力半導体素子のハイブリッドモジュールを実現することができる。
【００３３】
実施の形態７．
本発明の実施の形態７に係る電力半導体装置について、図１０を用いて説明する。この電力半導体装置３０ａは、実施の形態６に係る電力半導体装置と比較すると、図１０に示すように、電力半導体素子等のパワーデバイスを制御するためのＩＣに他の部品を搭載するプリント基板２３を内蔵する点で相違する。このプリント基板２３を追加、変更することで様々な機能追加を容易に行うことができる。
【００３４】
【発明の効果】
本発明に係る電力半導体装置によれば、炭化シリコンを基体として用いる電力半導体素子が搭載されたユニットと、該ユニットのパッケージ部より熱伝導率が低い材質からなり、該ユニットを被う外側パッケージ部とを備える。この外側パッケージ部は低熱伝導率の材料からなるため、外側パッケージ部の表面温度を低くすることができる。また、全体として小型の電力半導体装置を提供できる。
【００３５】
本発明に係る電力半導体装置によれば、炭化シリコンを基体として用いる電力半導体素子が搭載された第１ユニットと、シリコンを基体として用いる半導体素子が搭載され、第１ユニットと電気的に接続されている第２ユニットとを備える。炭化シリコンを基体とする電力半導体素子は高温で動作可能であるため、高温動作可能な第１ユニットと、低温で動作させる第２ユニットとを複合させることができる。これによって炭化シリコンを基体とする電力半導体素子の寿命を向上させることができる。
【００３６】
また、本発明に係る電力半導体装置によれば、第１ユニットと第２ユニットとの間に挟み込まれた断熱部材をさらに備える。これによって、第１及び第２ユニットとを断熱的に接続することができ、高温動作する第１ユニットから低温動作する第２ユニットへの伝熱を抑制できる。そこで、第２ユニットの過昇温を防止することができる。
【００３７】
さらに、本発明に係る電力半導体装置によれば、第２ユニットは、その内部に第１ユニットを断熱部材で覆って包み込んでいる。これによって、高温の第１ユニットから第２ユニットへの伝熱を抑制できる。
【００３８】
またさらに、前記断熱部材は、第１及び第２ユニットの間にわたって充填されたモールド樹脂からなる。これにより第１ユニットから第２ユニットへの伝熱を抑制できる。
【００３９】
また、本発明に係る電力半導体装置によれば、第１ユニットから第２ユニットへの伝熱を吸収する熱バッファ部を備える。この熱バッファ部を備えることで第２ユニットは熱容量が大きくなり、熱抵抗が高くなるので、第１ユニットからの伝熱によっても第２ユニットにおける過昇温を抑制できる。
【００４０】
さらに、本発明に係る電力半導体装置によれば、第２ユニットから外部へ放熱させる放熱部を備え、第１ユニットと該放熱部との間に低熱伝導部を備える。これによって第１ユニットから放熱部を介して第２ユニットへの伝熱を抑制することができる。
【００４１】
またさらに、本発明に係る電力半導体装置によれば、第１及び第２ユニットとに共通する電極を備え、前記電極は、部分的に拡幅された部分を有する。これによって、電極の拡幅部分から放熱することができ、第１ユニットから第２ユニットへの伝熱を抑制できる。
【００４２】
また、本発明に係る電力半導体装置によれば、炭化シリコンを基体とする電力半導体素子は、圧接構造で第１ユニットに搭載されている。これによって高温動作させた場合にも接続部に半田を用いていないので半田の溶融が起きないので、信頼性の劣化を防止できる。
【００４３】
さらに、本発明に係る電力半導体装置によれば、炭化シリコンを基体とする電力半導体素子として、ダイオード、トランジスタ等を用いることができる。これによって種々の素子の組み合わせを搭載できる。また、炭化シリコン・トランジスタの場合には、シリコン・トランジスタに比べてチップサイズを小さくすることができ、電力半導体装置を小型化することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）は、本発明の実施の形態１に係る電力半導体装置の平面図であり、（ｂ）は正面図であり、（ｃ）は側面図である。
【図２】（ａ）は、本発明の実施の形態２に係る電力半導体装置の平面図であり、（ｂ）は正面図であり、（ｃ）は側面図である。
【図３】（ａ）は、本発明の実施の形態３に係る電力半導体装置の平面図であり、（ｂ）は正面図である。
【図４】図３のコレクタ電極の配置を示す斜視図である。
【図５】図３の電力半導体装置のエミッタ電極の配置を示す斜視図である。
【図６】（ａ）は、本発明の実施の形態３に係る電力半導体装置において、第１ユニットと第２ユニットとの間の断熱的な接続を示す平面図であり、（ｂ）は正面図である。
【図７】（ａ）は、本発明の実施の形態４に係る電力用半導体装置の平面図であり、（ｂ）は正面図である。
【図８】（ａ）は、本発明の実施の形態５に係る電力用半導体装置の平面図であり、（ｂ）は正面図である。
【図９】（ａ）は、本発明の実施の形態６に係る電力用半導体装置の平面図であり、（ｂ）は正面図である。
【図１０】（ａ）は、本発明の実施の形態７に係る電力用半導体装置の平面図であり、（ｂ）は正面図である。
【図１１】（ａ）は、従来の電力用半導体装置の平面図であり、（ｂ）は正面図である。
【符号の説明】
１　ＳｉＣトランジスタ、２　ＳｉＣダイオード、３、３ａ、３ｂ　コレクタ電極、４、４ａ、４ｂ　エミッタ電極、５　ゲート電極、６　セラミック基板、７ユニット、８　パッケージ部、９　外側パッケージ部、１０、１０ａ、２０、２０ａ、２０ｂ、３０、３０ａ　電力用半導体装置、１１　熱バッファプレート、１２ａ　Ｓｉトランジスタ、１２ｂ　Ｓｉダイオード、１３　パターン付セラミック基板、１４　半田、１５　放熱ベース板、１６　アルミワイヤ、１７　第２半田、１８　断熱部、１９　低熱伝導部、２１　制御素子、２２　制御信号端子、２３　プリント基板、２４　樹脂、２６　第１ユニット、２８　第２ユニット、５０　電力半導体装置、５１　Ｓｉトランジスタ、５２　Ｓｉダイオード、５３　コレクタ電極、５４　エミッタ電極、６０　ケース、６１　フタ、６２　ゲル、６３　パターン付セラミック基板、６４　半田、６５　放熱ベース板、６６　アルミワイヤ、７２　制御信号端子、７４　エミッタ信号端子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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