(57)【要約】【課題】樹脂封止型半導体装置の製造方法における生産工程で生産スピード、効率上の問題があり、一括成形工法の確実な実現が望まれていた。【解決手段】複数のパッケージユニットを有した基板１０上に半導体チップ１１を搭載、電気的な接続の後、複数のパッケージユニットを連続した一体の封止樹脂１３で樹脂封止する。そして反りの発生した基板１０をシート１４に貼付し、この状態で各パッケージごとに切断することによって基板１０の反りを解消させながら個々の樹脂封止型半導体装置に切断分離する。これにより発生した反りを解消させながら個片化に切断できるので、一括成形法の量産化技術として、高信頼性で高効率の樹脂封止型半導体装置の製造方法を実現することができる。【選択図】　図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のパッケージユニットを有した基板の各パッケージユニットの素子搭載部に半導体チップを搭載するボンディング工程と、
搭載された各半導体チップと前記基板とを電気的に接続する接続工程と、
前記基板の複数のパッケージユニットを連続した一体の樹脂で樹脂封止する封止工程と、
前記一体で樹脂封止した基板を各パッケージユニットごとに切断し、個片化した樹脂封止型半導体装置に分離する切断工程とを有する樹脂封止型半導体装置の製造方法であって、
前記切断工程では、一体で樹脂封止した基板を反った状態でシートに貼付し、各パッケージユニットごとに切断することによって個々の樹脂封止型半導体装置に切断分離することを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。
【請求項２】
基板はリードフレームを用いることを特徴とする請求項１に記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法。
【請求項３】
基板は回路基板を用いることを特徴とする請求項１に記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法。
【請求項４】
搭載された各半導体チップと基板とを電気的に接続する接続工程は、金属細線で基板の接続箇所と半導体チップの電極とを各々接続することを特徴とする請求項１に記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法。
【請求項５】
搭載された各半導体チップと基板とを電気的に接続する接続工程は、基板の接続箇所と半導体チップの電極とを各々対向させて接続することを特徴とする請求項１に記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法。
【請求項６】
切断工程は回転ブレードにより各パッケージユニットごとに切断して個片化した樹脂封止型半導体装置に分離することを特徴とする請求項１に記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法。
【請求項７】
封止工程後、０．１５〜１．００［ｍｍ］の平坦偏差で反った基板をシートに貼付することを特徴とする請求項１に記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法。
【請求項８】
切断工程では、一体で樹脂封止した基板を反った状態でシートに貼付し、各パッケージごとに切断することによって前記基板の反りを解消させながら個々の樹脂封止型半導体装置に切断分離することを特徴とする請求項１に記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法。
【請求項９】
基板の複数のパッケージユニットを一体で樹脂封止する封止工程では、一枚の基板に一体で樹脂封止する領域が複数個存在するように分割させて一体で樹脂封止することを特徴とする請求項１に記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
切断工程では、切断によって略直方体状の個片化した樹脂封止型半導体装置に分離することを特徴とする請求項１に記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
少なくとも半導体チップが搭載されるダイパッド部と、前記ダイパッド部にその先端部が対向配置したリード部とよりなるパッケージユニットをその面内に複数個有したリードフレームを用意する工程と、
前記リードフレームの各パッケージユニットのダイパッド部に電極パッドを有した半導体チップを搭載するボンディング工程と、
前記半導体チップの電極パッドと前記リードレームのリード部とを金属細線で接続する接続工程と、
前記リードフレームの略上面領域であって、複数のパッケージユニットを連続した一体の樹脂で樹脂封止し、樹脂封止した面側にリードフレームを反らせる封止工程と、
前記一体で樹脂封止したリードフレームを各パッケージユニットごとに切断し、個片化した樹脂封止型半導体装置に分離する切断工程とを有する樹脂封止型半導体装置の製造方法であって、
前記切断工程では、一体で樹脂封止したリードフレームを反った状態でシートに貼付し、各パッケージごとに切断することによって前記リードフレームの反りを解消させながら略直方体状の個々の樹脂封止型半導体装置に切断分離することを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は複数のパッケージユニットを有した回路基板やリードフレーム等の単一基板を用いて樹脂封止型半導体装置を製造する際、基板上の複数のパッケージエリアを一括で樹脂封止してＱＦＮ（Ｑｕａｄ　Ｆｌａｔ　Ｎｏｎ−ｌｅａｄｅｄ　Ｐａｃｋａｇｅ），ＢＧＡ（Ｂａｌｌ　Ｇｒｉｄ　Ａｒｒａｙ），ＬＧＡ（Ｌａｎｄ　Ｇｒｉｄ　Ａｒｒａｙ）等の樹脂封止型半導体装置を製造する樹脂封止型半導体装置およびその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、携帯電子機器の小型化に対応するために、樹脂封止型半導体装置などの半導体部品の高密度実装が要求され、それにともなって、半導体パッケージの小型、薄型化が進んでいる。このような要求に応えるため、最近は小型薄型の樹脂封止型半導体装置としてＱＦＮタイプの樹脂封止型半導体装置が市場に投入されている。
【０００３】
以下、従来のＱＦＮタイプの樹脂封止型半導体装置の製造方法について説明する。
【０００４】
図６は、従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法で用いるリードフレームを示す平面図である。図７〜図８は従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示す断面図である。図６中のＢ−Ｂ１ラインは、図７，図８の製造工程の説明での断面箇所を示している。
【０００５】
図６に示すように、従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法で用いるリードフレームは、２００〜３００［μｍ］厚程度の金属板よりなるものであって、半導体チップが搭載されるダイパッド部１と、そのダイパッド部１の各辺にその先端部が対向配置した複数のリード部２を有し、ダイパッド部１は吊りリード部３によりその角部が支持されている。このリードフレームは個片タイプのリードフレームであり、個々の樹脂封止型半導体装置を構成するパッケージユニットＵ１は互いに連続することなく、面内にマトリックス状に配置されているものである。またリードフレームの材質としては、銅（Ｃｕ）材をベースとした金属フレームなどがある。
【０００６】
このようなリードフレームを用いて樹脂封止型半導体装置を製造するには、図７（ａ）に示すように、リードフレームの各ダイパッド部１上に銀ペースト等の接着剤により半導体チップ４を接着搭載し、半導体チップの電極パッドとリード部２の上面の所定の接続箇所とを金線等の金属細線５で電気的に接続する。
【０００７】
次に図７（ｂ）に示すように、各パッケージユニットごとに封止樹脂６でトランスファーモールドにより封止する。この樹脂封止の際には、リードフレームの上面領域を封止し、下面領域は封止しないために、例えば、リードフレームの下面に樹脂フィルムを介在させて封止する。これにより、リードフレーム裏面への封止樹脂の回り込みを防止し、確実にリード部２の下面を露出させて片面封止構造を実現できる。
【０００８】
次に図７（ｃ）に示すように、リードフレームから個片化した樹脂封止型半導体装置への分離は、切断金型のポンチ７により封止樹脂６側面側から切断し、リード部２の端面を封止樹脂６の側面とほぼ同等面に形成する。図７（ｃ）では、リードフレームの上面側から切断しているが、下面側から切断する場合もある。また切断手段としてはポンチを用いているが、回転ブレードを用いてリードカットする方法もある。
【０００９】
図８に示すように、リードフレームから分離させた個片化した樹脂封止型半導体装置は、リード部２が封止樹脂６の底面に配列するとともに、封止樹脂６の側面にそのリード部２の側端面が露出した構造のＱＦＮである。従来の製造方法では樹脂封止が個々のパッケージユニットごとに行われるため、リードフレームから切断分離した樹脂封止型半導体装置の外形は封止樹脂の外形をほぼそのまま受け、封止樹脂６の上面がテーパー状をなした形状となっている。
【００１０】
以上、従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法では、リードフレームに対して半導体チップを搭載し、その後の樹脂封止は、個々のパッケージユニットごと独立で樹脂封止するものである。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら前記従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法では、近年の携帯機器の普及とそのスピードに対応する量産工法ではないという課題が顕在化してきている。すなわち量産化技術として、より早く、より安く、より高精度に、かつより高効率で製造することが求められている。
【００１２】
従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法では、リードフレームに対して半導体チップを搭載し、その後の樹脂封止は、個々のパッケージユニットごと独立で樹脂封止するものであったため、リードフレーム面内の１つのパッケージユニットの面積も大きく、リードフレーム１枚の面内に設けられるユニット個数も大幅に増大できるものではなかった。そのため量産ラインで製造個数を増大させるには限界があった。
【００１３】
近年は前記した課題を解決すべく、１枚のリードフレーム面内にパッケージユニットを複数個、連続して形成したリードフレームを用いた「パンケーキモールド法」、または「一括成形法」と称される製造工法が開発されてきている。しかしながら、リードフレーム上面にある複数のパッケージユニットを覆うように１つの封止樹脂体を一括で形成するがゆえに、封止樹脂による応力によってリードフレーム自体が全体的に大きく反りを起こし、反り量如何によっては封止樹脂内の半導体チップへのダメージ、リード断線等のトラブルが発生し、確実な量産化には至っていない。
【００１４】
本発明は、前記した従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法における生産工程での量的な問題を解決し、また生産数、生産スピードをも向上させ、高効率で樹脂封止型半導体装置を実現することができる樹脂封止型半導体装置の製造方法を提供するものである。もちろん「パンケーキモールド法」、「一括成形法」での課題も解決した樹脂封止型半導体装置の製造方法を提供するものである。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
前記従来の課題を解決するために本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法は、複数のパッケージユニットを有した基板の各パッケージユニットの素子搭載部に半導体チップを搭載するボンディング工程と、搭載された各半導体チップと前記基板とを電気的に接続する接続工程と、前記基板の複数のパッケージユニットを連続した一体の樹脂で樹脂封止する封止工程と、前記一体で樹脂封止した基板を各パッケージユニットごとに切断し、個片化した樹脂封止型半導体装置に分離する切断工程とを有する樹脂封止型半導体装置の製造方法であって、前記切断工程では、一体で樹脂封止した基板を反った状態でシートに貼付し、各パッケージユニットごとに切断することによって個々の樹脂封止型半導体装置に切断分離することを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法である。
【００１６】
そして具体的には、基板はリードフレームを用いる樹脂封止型半導体装置の製造方法である。
【００１７】
また、基板は回路基板を用いる樹脂封止型半導体装置の製造方法である。
【００１８】
また、搭載された各半導体チップと基板とを電気的に接続する接続工程は、金属細線で基板の接続箇所と半導体チップの電極とを各々接続する樹脂封止型半導体装置の製造方法である。
【００１９】
また、搭載された各半導体チップと基板とを電気的に接続する接続工程は、基板の接続箇所と半導体チップの電極とを各々対向させて接続する樹脂封止型半導体装置の製造方法である。
【００２０】
また、切断工程は回転ブレードにより各パッケージユニットごとに切断して個片化した樹脂封止型半導体装置に分離する樹脂封止型半導体装置の製造方法である。
【００２１】
また、封止工程後、０．１５〜１．００［ｍｍ］の平坦偏差で反った基板をシートに貼付する樹脂封止型半導体装置の製造方法である。
【００２２】
また、切断工程では、一体で樹脂封止した基板を反った状態でシートに貼付し、各パッケージごとに切断することによって前記基板の反りを解消させながら個々の樹脂封止型半導体装置に切断分離する樹脂封止型半導体装置の製造方法である。
【００２３】
また、基板の複数のパッケージユニットを一体で樹脂封止する封止工程では、一枚の基板に一体で樹脂封止する領域が複数個存在するように分割させて一体で樹脂封止する樹脂封止型半導体装置の製造方法である。
【００２４】
また、切断工程では、切断によって略直方体状の個片化した樹脂封止型半導体装置に分離する樹脂封止型半導体装置の製造方法である。
【００２５】
また本発明をＱＦＮの量産化工程に適用した場合、少なくとも半導体チップが搭載されるダイパッド部と、前記ダイパッド部にその先端部が対向配置したリード部とよりなるパッケージユニットをその面内に複数個有したリードフレームを用意する工程と、前記リードフレームの各パッケージユニットのダイパッド部に電極パッドを有した半導体チップを搭載するボンディング工程と、前記半導体チップの電極パッドと前記リードレームのリード部とを金属細線で接続する接続工程と、前記リードフレームの略上面領域であって、複数のパッケージユニットを連続した一体の樹脂で樹脂封止し、樹脂封止した面側にリードフレームを反らせる封止工程と、前記一体で樹脂封止したリードフレームを各パッケージユニットごとに切断し、個片化した樹脂封止型半導体装置に分離する切断工程とを有する樹脂封止型半導体装置の製造方法であって、前記切断工程では、一体で樹脂封止したリードフレームを反った状態でシートに貼付し、各パッケージごとに切断することによって前記リードフレームの反りを解消させながら略直方体状の個々の樹脂封止型半導体装置に切断分離することを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法である。
【００２６】
前記構成の通り本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法は、１枚のリードフレーム等の基板面内にパッケージユニットを複数個、連続して形成した基板を用いた「パンケーキモールド法」、または「一括成形法」において、あえて基板自体の反りを残存させ、反りがある状態で個々の樹脂封止型半導体装置に切断分離するものである。ここで本発明では反りのある状態で切断するが、切断にともない、基板が封止樹脂から受ける応力は低減していき、反りを解消しながら切断できるため、封止樹脂内部の半導体チップ、電気的な接続部分へのダメージは影響がない。
【００２７】
そして、基板の複数のパッケージユニットを一体で樹脂封止する封止工程では、一枚の基板に一体で樹脂封止する領域が複数個存在するように分割させて一体で樹脂封止することにより、全面封止を避け、基板の反り量を抑制しているので、影響のない範囲で切断工程を行うことができる。具体的には、封止工程後、０．１５〜１．００［ｍｍ］の範囲の平坦偏差で反った状態を形成できるので、影響のない範囲で切断工程を行うことができる。また、切断工程では、一体で樹脂封止した基板を反った状態でシートに貼付することで、切断時に基板の反りを解消させながら個々の樹脂封止型半導体装置に切断分離することができるものである。
【００２８】
以上、本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法により、基板自体の封止樹脂の応力による反りを低減しつつ、発生した反りを解消させながら個片化に切断できるので、量産化技術として、より早く、より安く、より高精度に、かつより高効率で樹脂封止型半導体装置を製造することができる。
【００２９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法の一実施形態について、図面を参照しながら説明する。
【００３０】
まず本実施形態の樹脂封止型半導体装置の製造方法の概要について説明する。図１は本実施形態の製造工程を示す断面図である。
【００３１】
まず図１（ａ）に示すように、複数のパッケージユニットを有した基板１０の各パッケージユニットの素子搭載部に半導体チップ１１を搭載し、搭載された各半導体チップ１１と基板１０の接続箇所とを金属細線１２により電気的に接続する。もちろん、基板の接続箇所と半導体チップとを各々対向させてバンプや接着剤等を介して直接に接続してもよい。
【００３２】
そして図１（ｂ）に示すように、基板１０の複数のパッケージユニットを連続した一体の封止樹脂１３で樹脂封止する。そしてこの封止工程の後では、基板１０は図１（ｃ）に示すように封止樹脂１３の応力によって、封止樹脂側に反った状態となる。
【００３３】
そして図１（ｄ）に示すように、反りを有した基板１０の底面側をダイシングシートと呼ばれるシート１４に貼付する。この状態で若干量の反りは緩和されている。
【００３４】
そして図１（ｅ）に示すように、一体で樹脂封止した基板１０を各パッケージユニットごとに封止樹脂１３側から切断し、個片化した樹脂封止型半導体装置に分離する。ここでは各パッケージごとに切断することによって基板１０の反りを解消させながら個々の樹脂封止型半導体装置に切断分離しているものである。また図１（ｅ）では回転ブレード１５により切断した例を示し、切断後の基板１０の反りは解消されている。
【００３５】
個片化した樹脂封止型半導体装置１６は、一括成形ゆえに図１（ｆ）のようにその外形が略直方体をなした形状となる。
【００３６】
本実施形態の樹脂封止型半導体装置の製造方法は、概して言うならば、一体で樹脂封止した基板を反った状態でシートに貼付し、各パッケージごとに切断することによって基板の反りを解消させながら個々の樹脂封止型半導体装置に切断分離するものである。
【００３７】
次に本実施形態の具体形態について説明する。図２〜図５は本実施形態の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示す図である。図２は本実施形態の樹脂封止型半導体装置の製造方法で用いるリードフレームを示す平面図である。図３〜図４は本実施形態の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示す断面図であり、断面箇所は図２のＡ−Ａ１ラインである。図５は本実施形態の樹脂封止型半導体装置の製造方法の封止樹脂によるリードフレームの封止状態を示す平面図である。
【００３８】
まず図２に示すように、本実施形態で用いるリードフレームは、半導体チップが搭載されるダイパッド部２０と、そのダイパッド部２０にその先端部が対向配置した信号接続用のリード部２１と、ダイパッド部２０を角部で支持した吊りリード部２２とよりなるパッケージユニットＵ２をその面内に複数個連続して有したリードフレームであり、本実施形態では一括成形用のリードフレームと称する。またリードフレームとしては、１００〜３００［μｍ］厚程度の金属板よりなるものであって、本実施形態では２００［μｍ］厚を採用している。またリードフレームの材質としては、銅（Ｃｕ）材、４２アロイ（Ｆｅ／Ｎｉ）をベースとした金属フレームなどがあり、本実施形態では銅（Ｃｕ）材を使用している。
【００３９】
次に本実施形態の樹脂封止型半導体装置の製造方法について説明する。
【００４０】
まず図３（ａ）に示すように、図２に示したようなダイパッド部２０と、ダイパッド部２０にその先端部が対向配置したリード部２１と、吊りリード部２２とよりなるパッケージユニットをその面内に複数個連続で有したリードフレームを用意し、ボンディング工程として、ダイパッド部２０上に電極パッド（図示せず）を有した半導体チップ２３を接着剤により接着搭載する。
【００４１】
次に図３（ｂ）に示すように、接続工程として、半導体チップ２３の電極パッドとリードレームのリード部２１とを各々金属細線２４で電気的に接続する。ここでは金属細線（ファインワイヤー）を用いた接続例を示しているが、リードフレームとしてインナーリードボンディング（ＩＬＢ）用のリードフレームを用いた場合には、リードと半導体チップとを各々対向させてバンプや接着剤等を介して直接に接続してもよい。
【００４２】
次に図３（ｃ）に示すように、封止工程として、リードフレームの略上面領域であって、複数のパッケージユニットを覆うように連続した一体の封止樹脂２５で樹脂封止する。この樹脂封止の際には、リードフレームの上面領域を封止し、下面領域は封止しないために、例えば、リードフレームの下面に樹脂フィルムを介在させて封止する。これにより、リードフレーム裏面への封止樹脂の回り込みを防止し、確実にリード部２１の下面を露出させて片面封止構造を実現できる。樹脂封止後には、図４（ａ）に示すように、樹脂封止した面側（封止樹脂２５側）にリードフレーム全体が反った状態となる。
【００４３】
次に図４（ｂ）に示すように、切断工程として、一体で樹脂封止したリードフレームを各パッケージユニットごとに切断し、個片化した樹脂封止型半導体装置に分離する。ここでは、複数のパッケージユニットを一体で樹脂封止したリードフレームを反った状態でダイシング用シートなどの接着力のあるシート２６に貼付し、各パッケージユニットごとに切断することによってリードフレームの反りを解消させながら略直方体状の個々の樹脂封止型半導体装置に切断分離するものである。ここで反りのあるリードフレームを接着力のあるシート２６に貼付することによっても微量の反りを緩和させることができる。また本実施形態では切断手段として回転プレード２７を用いて各パッケージユニットを切断するとともに、個々のパッケージユニットに隣接する不要な封止樹脂２５、リードフレーム部分も切断する。これにより切断時にリードフレーム自体の反りを解消させながら個々の樹脂封止型半導体装置に切断分離することができるものである。各パッケージユニットごとに切断分離した後はリードフレームの反りは解消され、平坦な状態となっている。なお、切断手段としては回転ブレードの他、レーザーカットでもよい。
【００４４】
図４（ｃ）には個片化した樹脂封止型半導体装置２８を示し、ダイパッド２０上に搭載された半導体チップ２３と、半導体チップ２３とリード部２１とを電気的に接続した金属細線２４と、半導体チップ２３の外囲およびダイパッド部２０の底面、リード部２１の底面と側面を露出させて封止した封止樹脂２５とからなり、リードフレームから切断分離した樹脂封止型半導体装置の外形は封止樹脂２５の切断形状を受けて、略直方体をなした形状となっている。
【００４５】
次に本実施形態の樹脂封止型半導体装置の製造方法での封止樹脂によるリードフレームの封止状態について説明する。
【００４６】
図５に示すように、リードフレームの複数のパッケージユニットを一体で樹脂封止する場合、一枚のリードフレームに一体で樹脂封止する領域が複数個存在するように分割させて一体で樹脂封止することにより、封止工程後、０．１５〜１．００［ｍｍ］の平坦偏差で反ったリードフレームを得ることができる。図５には、一枚のリードフレーム上に３分割させて形成した一体の封止樹脂３０を示す。したがって、影響のある反り量を避けてリードフレームを反らせることができる。分割して形成する一体の封止樹脂の分割数はリードフレーム厚、リードフレーム全体の長さ、幅などの条件とともに、形成する封止樹脂の面積、厚みを考慮して設定する。無論、封止樹脂の面積が大きい場合、反り量は大きくなる。本実施形態では１枚のリードフレームで３分割で一体の封止樹脂を形成することで、０．５０［ｍｍ］の平坦偏差で反りが発生するが、次工程の切断工程を行うことにより反りを解消して、封止樹脂中の半導体チップ等への悪影響をなくすことができる。もし、反り量が大きい場合、切断工程前の段階で、一旦リードフレームに対して押圧力を付加して反り量を半減させることも可能である。
【００４７】
以上、本実施形態の樹脂封止型半導体装置の製造方法は、１枚のリードフレーム面内にパッケージユニットを複数個、連続して形成したリードフレームを用いた「パンケーキモールド法」、または「一括成形法」において、あえてリードフレーム自体の反りを残存させ、反りがある状態で個々の樹脂封止型半導体装置に切断分離するものであり、リードフレームが反りのある状態で切断され、その切断にともない、リードフレームが封止樹脂から受ける応力は低減していき、反りを解消しながら切断できるため、封止樹脂内部の半導体チップ、電気的な接続部分へのダメージは影響がない程度に抑えることができる。
【００４８】
なお、本実施形態では基板としてリードフレームを用い、ＱＦＮを製造する例を中心に説明したが、テープ基板、有機基板（プラスチック基板）、セラミック基板などの回路基板を用いたＢＧＡ，ＬＧＡ等の樹脂封止型半導体装置の製造方法にも有効に適用可能である。要は基板上を一体で封止して発生する反りの量を影響のない程度で抑え、後工程の切断工程で基板の反り自体を徐々に解消させて最終的に反りを解消して個片に分離するものである。
【００４９】
【発明の効果】
以上、実施形態で説明した通り、本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法は、１枚のリードフレーム等の基板面内にパッケージユニットを複数個、連続して形成した基板を用いた「パンケーキモールド法」、または「一括成形法」において、基板上を一体で樹脂封止して発生する反りの量を影響のない程度で抑え、後工程の切断工程で基板の反り自体を徐々に解消させて最終的に反りを解消して個片に分離するものである。そのため、封止樹脂内部の半導体チップ、電気的な接続部分へのダメージは解消できる。
【００５０】
したがって、本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法により、基板自体の封止樹脂の応力による反りを低減しつつ、発生した反りを解消させながら個片化に切断できるので、一括成形法の量産化技術として、より早く、より安く、より高精度に、かつより高効率で樹脂封止型半導体装置を製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置の製造方法の概略を示す断面図
【図２】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置の製造方法のリードフレームを示す平面図
【図３】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示す断面図
【図４】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示す断面図
【図５】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置の製造方法のリードフレームを示す平面図
【図６】従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法のリードフレームを示す平面図
【図７】従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示す断面図
【図８】従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示す断面図
【符号の説明】
１　ダイパッド部
２　リード部
３　吊りリード部
４　半導体チップ
５　金属細線
６　封止樹脂
７　ポンチ
１０　基板
１１　半導体チップ
１２　金属細線
１３　封止樹脂
１４　シート
１５　回転ブレード
１６　樹脂封止型半導体装置
２０　ダイパッド部
２１　リード部
２２　吊りリード部
２３　半導体チップ
２４　金属細線
２５　封止樹脂
２６　シート
２７　回転プレード
２８　樹脂封止型半導体装置
３０　封止樹脂
【図１】
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【図２】
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【図３】
2004047693.tif 000005
【図４】
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【図５】
2004047693.tif 000007
【図６】
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【図７】
2004047693.tif 000009
【図８】
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