(57)【要約】【課題】ＣＶＤ装置等において、プロセスガスとなる成膜用の液体を供給する装置の小型化、パージ処理の容易化、短縮化を図る。【解決手段】成膜用の液体が収容された容器２０の蓋２１に、Ｈｅ等のガスを導くガス導入通路３４、容器２０内の液体を吐出する吐出通路３５、ガス導入通路３４と吐出通路３５とを連通するバイパス通路３６を一体的に画定するマニホールドブロック３０を固定し、マニホールドブロック３０に対して、バイパス通路３６の連結部よりも上流側及び下流側のガス導入通路３４に、第１バルブ４０及び第２バルブ５０を対向させて表面実装し、バイパス通路３６の連結部の領域の吐出通路３５に第３バルブ６０を、バイパス通路３６の途中で第３バルブ６０と対向する位置に第４バルブ７０をそれぞれ表面実装する。【選択図】　図２
2004063833.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液体が収容された密閉容器に対して所定のガスを導くガス導入通路と、前記容器内の液体を吐出する吐出通路と、前記ガス導入通路と吐出通路とを連通するバイパス通路と、前記通路を開閉する複数のバルブとを備える液体供給構造であって、
前記ガス導入通路、前記吐出通路、及び前記バイパス通路を一体的に画定するマニホールドブロックを有し、
前記複数のバルブは、前記マニホールドブロックに対して締結により表面実装され、前記バイパス通路の連結部よりも上流側及び下流側において前記ガス導入通路に配置された第１バルブ及び第２バルブと、前記バイパス通路の連結部の領域において前記吐出通路に配置された第３バルブと、前記バイパス通路の途中に配置された第４バルブと、を有する、
ことを特徴とする液体供給構造。
【請求項２】
前記マニホールドブロックは、略直方体に形成されて前記容器に結合され、
前記第１バルブ及び第２バルブは、お互いに略対向するように配置され、
前記第３バルブ及び第４バルブは、お互いに略対向するように配置されている、
ことを特徴とする請求項１記載の液体供給構造。
【請求項３】
前記バルブは、通路を開閉するダイヤフラムと、前記ダイヤフラムにより直接開閉される中央通路と、前記ダイヤフラムの周辺側に位置する周辺通路と、を有し、
前記第３バルブの中央通路は、前記吐出通路の下流側に連通され、
前記第４バルブの中央通路は、前記吐出通路との連結側に連通されている、
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の液体供給構造。
【請求項４】
前記第４バルブの中央通路と前記吐出通路とを連通する前記バイパス通路は、前記第３バルブの中央通路に向かうように形成されている、
ことを特徴とする請求項３記載の液体供給構造。
【請求項５】
前記マニホールドブロックは、熱源の熱を伝達する熱伝達部材を有する、
ことを特徴とする請求項１ないし４いずれかに記載の液体供給構造。
【請求項６】
前記第２バルブ及び前記第３バルブは、手動により駆動される手動式バルブであり、前記第１バルブ及び前記第４バルブは、空気圧により駆動される空気式バルブである、
ことを特徴とする請求項１ないし５いずれかに記載の液体供給構造。
【請求項７】
前記吐出通路には、前記第３バルブよりも下流側において連結された第５バルブを有する、
ことを特徴とする請求項１ないし６いずれかに記載の液体供給構造。
【請求項８】
前記第５バルブは、前記マニホールドブロックに対して、溶接により連結されている、
ことを特徴とする請求項７記載の液体供給構造。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ＣＶＤ（化学気相成長）法等を用いた半導体製造システムにおいて、液体を蒸発させて成膜用のプロセスガスとして供給するべく、液体を直接噴射して供給する液体供給構造に関し、特に、液体の供給とパージ処理とを行なうための流れ制御用のバルブを備えた液体供給構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、ＣＶＤ装置等により成膜を行なう場合に、有機金属の前駆体として、例えばＴＤＭＡＴ（ｔｅｔｒａｋｉｓ（ｄｉｍｅｔｈｙｌａｍｉｎｏ）ｔｉｔａｎｉｕｍ）等の成膜用の液体が用いられる。このプロセスガス用の液体を供給する液体供給構造（システム）は、図７及び図８に示すように、ガス導入パイプ１、吐出パイプ２、両パイプ１，２が連結されたアンプル（容器）３、ガス導入パイプ１と吐出パイプ２とを連結するバイパスパイプ４、通路を開閉して流れを制御するバルブ５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄ，５ｅ，５ｆ、コネクタ６等を備え、ガス導入パイプ１と吐出パイプ２とは、コネクタ６により半導体製造システム側と容器側とに分離できるようになっている
【０００３】
成膜処理において、液体を噴射させる場合には、バルブ５ｆだけを閉じて、図８中に黒塗りの矢印で示すように、ガス導入パイプ１からＨｅ等のガスをアンプル３内に送り込んで、液体（ＴＤＭＡＴ）を加圧し、吐出パイプ２を通してその下流側に設けられた噴射ノズルから噴射させると共に加熱して気化させ、キャリアガスと共にＣＶＤ装置の成膜チャンバ内に供給する。
一方、液体は、その供給に伴なって吐出パイプ２の内壁に固体となって付着するため、安定した供給特性を確保するべく定期的にその付着物を取り除くパージ処理を行なう必要がある。このパージ処理の場合には、バルブ５ｂ，５ｃを閉じて、図８中の白抜きの矢印で示すように、ガス導入パイプ１の上流側及び吐出パイプ２の下流側からＮ２等のパージガスを送り込む。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、上記の液体供給構造においては、バルブ５ａ〜５ｆ同士が、上下方向に積み重ねられるようにパイプ１，２に連結されているため、吐出通路２ａ、バイパス通路４ａ等が比較的長くなり、付着物を生じる通路（空間）が長くなる。したがって、パージ処理に要する時間が長くなり、その間成膜処理を行なえず、生産性が低下する。
特に、バルブ５ｄの上流側の吐出通路２ｂについては、上記のパージ処理が行なえないため、コネクタ６の部分で容器側（アンプル３、バルブ５ｂ，５ｃ）を取り外した後に、アンプル３、コネクタ６の上流側にある吐出通路２ｂ等を洗浄し、さらに、コネクタ６の下流側にある吐出通路２ｂについては、上記の洗浄とは別途に洗浄作業を行なう必要がある。
また、バルブ５ａ〜５ｆが上下方向に積み重ねられた構造であるため、この構造の背丈が高くなって取り扱いが不便であり、さらに、この構造を半導体製造システムに組み込むために比較的広いスペースを必要とする。
【０００５】
本発明は、上記従来技術の問題点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、小型化、構造の簡略化、通路の短縮化を図り、パージ処理を確実に行なえると共にその処理に要する時間の短縮化を図れ、生産性を高めることができる液体供給構造を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明の液体供給構造は、液体が収容された密閉容器に対して所定のガスを導くガス導入通路と、容器内の液体を吐出する吐出通路と、ガス導入通路と吐出通路とを連通するバイパス通路と、通路を開閉する複数のバルブとを備える液体供給構造であって、上記ガス導入通路、吐出通路、及びバイパス通路を一体的に画定するマニホールドブロックを有し、上記複数のバルブは、マニホールドブロックに対して締結により表面実装され、上記バイパス通路の連結部よりも上流側及び下流側においてガス導入通路に配置された第１バルブ及び第２バルブと、上記バイパス通路の連結部の領域において吐出通路に配置された第３バルブと、上記バイパス通路の途中に配置された第４バルブと、を有する、ことを特徴としている。
【０００７】
この構成によれば、例えば成膜用の液体を用いて成膜処理を行なう場合には、第４バルブのみが閉じられた状態で、ガスがガス導入通路から密閉容器内に導かれ液体が加圧されると、吐出通路を通って液体が吐出され、成膜チャンバに向けて供給される。一方、パージ処理の場合には、第２バルブ及び第３バルブが閉じられた状態で、パージガスが、ガス導入通路から導入されると、バイパス通路から第４バルブを経て、第３バルブに接し吐出通路から噴出し、又、吐出通路から導入されると、第３バルブに接し、第４バルブ及びバイパス通路を経て、ガス導入通路から噴出する。
特に、通路を画定するマニホールドブロックを採用し、バルブを表面実装としたことにより、吐出通路、バイパス通路等を短くでき、パージ処理に要する時間を短縮できる。また、バルブは締結により表面実装されているため、構造自体を簡略化、小型化でき、分解によるクリーニング、部品交換等が容易になる。
【０００８】
上記構成において、マニホールドブロックは略直方体に形成されて容器に結合され、第１バルブ及び第２バルブはお互いに略対向するように配置され、第３バルブ及び第４バルブはお互いに略対向するように配置されている、構成を採用できる。
この構成によれば、バルブを上下方向に積み重ねて配列する場合に比べて、構造の背丈が低くなり、全体を小型化できる。また、第３バルブと第４バルブとの間の通路が短くなり、液体が付着する空間すなわちデッドボリュームが小さくなり、パージ処理が短縮される。
【０００９】
上記構成において、バルブは、通路を開閉するダイヤフラムと、ダイヤフラムにより直接開閉される中央通路と、ダイヤフラムの周辺側に位置する周辺通路とを有し、第３バルブの中央通路は吐出通路の下流側に連通され、第４バルブの中央通路は吐出通路との連結側に連通されている、構成を採用できる。
この構成によれば、吐出通路に連通するデッドボリュームが小さくなるため、液体が付着する壁面自体を極力少なくすることができる。
【００１０】
上記構成において、第４バルブの中央通路と吐出通路とを連通するバイパス通路は、第３バルブの中央通路に向かうように形成された、構成を採用できる。
この構成によれば、パージ処理を行なう場合に、バイパス通路から第４バルブを経て吐出通路に導かれるパージガスは、第３バルブの中央通路に向かって流れた後、吐出通路に向かうため、淀むことなく第３バルブの領域に確実に導かれ、パージ処理がより確実に行なわれる。
【００１１】
上記構成において、マニホールドブロックは、熱源の熱を伝達する熱伝達部材を有する、構成を採用できる。
この構成によれば、熱源の熱が熱伝達部材を介してマニホールドブロックに伝達されるため、パージ処理がより効率良く行なわれる。
【００１２】
上記構成におて、第２バルブ及び第３バルブは、手動により駆動される手動式バルブであり、第１バルブ及び第４バルブは、空気圧により駆動される空気式バルブである、構成を採用できる。
この構成によれば、この構造体を半導体の製造システムに対して取り付けあるいは取り外す際に、第２バルブ及び第３バルブを手動により開閉することで、容易にその着脱作業を行なうことができる。
【００１３】
上記構成において、吐出通路には、第３バルブよりも下流側において連結された第５バルブを有する、構成を採用できる。
この構成によれば、第５バルブをパージ処理の流れ制御に用いることで、この構造体を、パージ処理のためのバルブ等を備えた既存設備に対して適用できる。
【００１４】
上記構成において、第５バルブは、マニホールドブロックに対して、溶接により連結されている、構成を採用できる。
この構成によれば、継手部材等を用いて第５バルブを連結する場合に比べて、通路を短くできる。したがて、デッドボリュームが小さくなり、液体が付着し得る壁面自体を少なくできる。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について、添付図面に基づき説明する。
図１ないし図５は、本発明に係る液体供給構造を（もつ構造体）の一実施形態を示すものであり、図１はこの構造が適用される半導体製造システムの概略図、図２はこの構造の外観斜視図、図３はマニホールドブロックの斜視図、図４はマニホールドブロックの断面図、図５はバルブの断面図である。
【００１６】
この構造体１０は、図１に示すように、ＣＶＤ法により半導体を製造するシステムの一部として組み込まれるものである。このシステムでは、構造体１０に隣接して配置されパージ処理のためのバルブＡ１，Ａ２，Ａ３を含む熱源としてのヒータＡ、バルブＡ２の下流側に配置された流量制御器Ｂ、流量制御器Ｂにより制御された液体を噴射する噴射ノズルを備えると共に噴射液体を８０度程度に加熱し気化させてキャリアガスと混合する混合室Ｃ、混合室Ｃの下流側に配置された成膜チャンバＤ等を備えている。
【００１７】
この構造体１０は、図２に示すように、ＴｉＮ膜を成膜する際のプロセスガスの基になる液体としてのＴＤＭＡＴが充填された密閉容器（アンプル）２０、容器２０の蓋２１に締結により結合されたマニホールドブロック３０、マニホールドブロック３０に対して締結により表面実装された第１バルブ４０、第２バルブ５０、第３バルブ６０、第４バルブ７０、マニホールドブロック３０に溶接により結合された第５バルブ８０、マニホールドブロック３０に締結により結合された熱伝達部材９０等を備えている。
【００１８】
蓋２１には、取っ手２２が一体的に形成されている。したがって、この装置を持ち運ぶ際に、バルブ４０〜８０等ではなく取って２２を掴むことで、容易に持ち運ぶことができ、又、バルブ４０〜８０等の破損、変形等を防止できる。
【００１９】
マニホールドブロック３０は、図３に示すように、下端にフランジ部３１及び上端にパイプ部３２，３３をもつ略直方体となるように、ステンレス材料にマシンニングを施すことにより製造されている。
パイプ部３２及びその下方には、ガス導入通路３４が形成されている。パイプ部３３及びその下方には、吐出通路３５が形成されている。中間領域には、ガス導入通路３４と吐出通路３５とを連通させるべく、水平方向に伸長するバイパス通路３６が形成されている。
【００２０】
ガス導入通路３４は、図３及び図４に示すように、上方領域において鉛直に伸長する直線通路３４ａ、開口部３４ｂ´，３４ｃ´を一側面３０ａにもつ傾斜通路３４ｂ，３４ｃ、開口部３４ｄ´，３４ｅ´を他側面３０ｂにもつ傾斜通路３４ｄ，３４ｅ、下方領域において鉛直に伸長する直線通路３４ｆ、により形成されている。そして、成膜時において、Ｈｅ等のガスは、上流側の直線通路３４ａから下流側の直線通路３４ｆに向かって流される。
【００２１】
吐出通路３５は、図３及び図４に示すように、下方領域において鉛直方向に伸長する直線通路３５ａ、開口部３５ｂ´，３５ｃ´を他側面３０ｂにもつ傾斜通路３５ｂ，３５ｃ、上方領域において鉛直方向に伸長する直線通路３５ｄ、により形成されている。そして、成膜時において、加圧されたＴＤＭＡＴの液体は、上流側の直線通路３５ａから下流側の直線通路３５ｄに向かって流れ出る。
【００２２】
バイパス通路３６は、図３及び図４に示すように、水平方向に伸長する直線通路３６ａ、開口部３６ｂ´，３６ｃ´を一側面３０ａにもつ傾斜通路３６ｂ，３６ｃ、により形成されている。ここで、直線通路３６ａのＰ１点が、ガス導入通路３４との連結部に相当し、傾斜通路３６ｃの上側端部に位置するＰ２点が、吐出通路３５との連結部に相当する。そして、パージ処理時において、パージガスが、例えば、ガス導入通路３４からバイパス通路３６を通って、吐出通路３５に導かれる。
また、バイパス通路３６は、マシンニングによりガス導入通路３４側の端面から開けて、吐出通路３５の近傍まで穴加工した後、端面の開口にプラグ３７を圧入して閉塞したものである。バイパス通路３６を、仮に吐出通路３５側の端面から開けると、パージ処理ができない部分（デッドボリューム）が残ってしまうため、ガス導入通路３４側から開けるのが好ましい。
【００２３】
このように、ガス導入通路３４、吐出通路３５、バイパス通路３６を一体的に画定するマニホールドブロック３０を採用することにより、従来のようにパイプにて連結する場合に比べて通路長さを短くでき、ＴＤＭＡＴが流れる空間を小さくすることができる。また、マニホールドブロック３０をマシンニングにより製造できるため、製造コストが安価になる。
さらに、従来の吐出通路２ｂに相当する部分が、マニホールドブロック３０内の直線通路３５ａ、傾斜通路３５ｂに相当するため、容器２０の交換時に半導体製造システム側と容器側とを分離する際に、パージ処理を行なえない部分が半導体製造システム側に残らず、従来のような別途の洗浄作業は不要になり、メンテナンスを簡便にできる。
【００２４】
第１バルブ４０〜第４バルブ７０は、図５に示すように、ピストン１０１により往復動されて通路を開閉するダイヤフラム１０２、ダイヤフラム１０２により直接開閉される中央通路１０３、ダイヤフラム１０２の周辺側に位置する周辺通路１０４等により形成された、表面実装タイプのバルブである。そして、ダイヤフラム１０２が閉じた状態では、中央通路１０３の容積が、周辺通路１０４の容積に比べて小さくすなわちデッドボリュームが小さくなっている。
第１バルブ４０及び第４バルブ７０は、ピストン１０１が空気圧により駆動される空気式バルブである。第２バルブ５０及び第３バルブ６０は、ピストン１０１が手動により駆動される手動式バルブである。
第２バルブ５０及び第３バルブ６０を手動式バルブとすることにより、容器２０内の液体を密閉した状態で、システムに対して、構造体１０の脱着を容易に行なうことができる。
【００２５】
第１バルブ４０は、図４（ａ）に示すように、マニホールドブロック３０の一側面３０ａに対して、ネジ等により締結されて表面実装されている。そして、その中央通路１０３が傾斜通路３４ｃに連通され、周辺通路１０４が傾斜通路３４ｂに連通されている。
すなわち、第１バルブ４０は、ガス導入通路３４に対して、バイパス通路３６の連結部Ｐ１よりも上流側に配置されている。また、中央通路１０３がバイパス通路３６寄りに配置されているため、吐出通路３５及びバイパス通路３６に連通する通路が短くなっている。
【００２６】
第２バルブ５０は、図４（ａ）に示すように、マニホールドブロック３０の他側面３０ｂに対して、第１バルブ４０と略対向するように、ネジ等により締結されて表面実装されている。そして、その中央通路１０３が傾斜通路３４ｄに連通され、周辺通路１０４が傾斜通路３４ｅに連通されている。
すなわち、第２バルブ５０は、ガス導入通路３４に対して、バイパス通路３６の連結部Ｐ１よりも下流側に配置されている。また、中央通路１０３がバイパス通路３６寄りに配置されているため、吐出通路３５及びバイパス通路３６に連通する通路が短くなっている。
【００２７】
第３バルブ６０は、図４（ｂ）に示すように、マニホールドブロック３０の他側面３０ｂに対して、ネジ等により締結されて表面実装されている。そして、その中央通路１０３が傾斜通路３５ｃに連通され、周辺通路１０４が傾斜通路３５ｂに連通されている。
すなわち、第３バルブ６０は、吐出通路３５に対して、バイパス通路３６の連結部Ｐ２の領域に配置されている。また、中央通路１０３が吐出通路３５の下流側でバイパス通路３６（傾斜通路３６ｃ）に連通する位置に配置されている。
【００２８】
ここで、傾斜通路３５ｃ（吐出通路３５）は、角度θの傾斜をなして第３バルブ６０の中央通路１０３に向かい、傾斜通路３６ｃ（バイパス通路３６）も、角度θの傾斜をなして第３バルブ６０の中央通路１０３に向かうように形成されている。したがって、例えばパージガスが、バイパス通路３６を通して、第３バルブ６０から吐出通路３５へと導かれる際に、傾斜通路３６ｃ→第３バルブ６０の中央通路１０３→傾斜通路３５ｃ→直線通路３５ｄの経路を辿って淀むことなく流れることができ、パージ処理が確実にかつ円滑に行なわれる。
また、第３バルブ６０の中央通路１０３が吐出通路３５の下流側に配置されているため、パージガスが通される通路が短くなっており、パージ処理の短縮化が行なわれる。
【００２９】
第４バルブ７０は、図４（ｂ）に示すように、マニホールドブロック３０の一側面３０ａに対して、第３バルブ６０と略対向するように、ネジ等により締結されて表面実装されている。そして、その中央通路１０３が傾斜通路３６ｃに連通され、周辺通路１０４が傾斜通路３６ｂに連通されている。
すなわち、第４バルブ７０は、バイパス通路３６の途中、傾斜通路３６ｂと傾斜通路３６ｃとの間に配置されている。また、第４バルブ７０の中央通路１０３が吐出通路３５（傾斜通路３５ｃ）との連結側に連通されている。
したがって、第４バルブ７０が閉じられて、ＴＤＭＡＴが吐出通路３５を流れる際に、吐出通路３５に連通するデッドボリュームが小さくなるため、ＴＤＭＡＴが付着し得る通路を短く（空間を小さく）することができる。
【００３０】
上記のように、第１バルブ４０と第２バルブ５０とが水平方向においてお互いに略対向するように配置され、又、第３バルブ６０と第４バルブ７０とが水平方向においてお互いに略対向するように配置されている。したがって、従来のように上下方向に積み重ねて配列する場合に比べて、構造体の背丈が低くなり、構造体全体を小型化できる。また、第３バルブ６０と第４バルブ７０との間の通路を短くできるため、ＴＤＭＡＴが付着する空間（デッドボリューム）が小さくなり、パージ処理が短縮される。
【００３１】
第５バルブ８０は、パイプ継手により連結するタイプのバルブであり、図１及び図２に示すように、マニホールドブロック３０のパイプ部３３に対して、溶接により結合されている。第５バルブ８０は、パージ処理を行なう際に、バルブＡ１，Ａ２，Ａ３と協働して流れを制御するために用いるものである。
すなわち、構造体１０の一部として第５バルブ８０を一体的に組み込んだことにより、バルブＡ１，Ａ２，Ａ３等を備えた既存の設備に対して、この構造体１０を適用することができる。また、第５バルブ８０が溶接により連結されているため、パイプ等の継手部材を用いる場合に比べて通路を短くでき、ＴＤＭＡＴが付着し得る空間を小さくできる。
【００３２】
熱伝達部材９０は、図２及び図３に示すように、上方に平坦面９１、下方にマニホールドブロック３０の上面３０ｃと接触する傾斜面を有する。そして、熱伝達部材９０は、マニホールドブロック３０の上面３０ｃ及び他側面３０ｂに面接触するようにして、ネジ等により締結されている。熱伝達部材９１の平坦面９１には、図１に示すように、ヒータＡが接触した状態で配置される。
【００３３】
すなわち、ヒータＡの熱がマニホールドブロック３０に伝わることで、吐出通路３５、バイパス通路３６等のパージ処理が効率良く行なわれる。
特に、上面３０ｃが傾斜面として形成され、マニホールドブロック３０とヒータＡとの間において、熱伝達部材９０がくさび状に介在させられた状態となるため、熱伝達部材９０の水平方向（くさび作用を生じる方向）の位置を、ネジ等により適宜調整することで、熱伝達部材９０に対してヒータＡとマニホールドブロック３０とを確実に密着させることができ、熱伝達がより効率良く行なわれて、パージ処理を短縮できる。
【００３４】
次に、この構造体１０を用いた液体の供給及びパージ処理について、図１を参照しつつ説明する。
先ず、成膜処理を行なう場合は、第４バルブ７０を閉じバイパス通路３６を遮断した状態にする。そして、図１中の黒塗りの矢印で示すように、Ｈｅ等のガスがガス導入通路３４から容器２０内に導かれる。すると、ＴＤＭＡＴの液体は、加圧されて吐出通路３５から流れ出て、流量制御器Ｂにより適宜流量が制御され、噴射ノズルにて混合室Ｃ内に噴射される。そして、キャリアガスと混合されると共に約８０度程度に加熱されて、成膜チャンバＤに向けて供給される。
【００３５】
次に、パージ処理を行なう場合は、第２バルブ５０及び第３バルブ６０を閉じて容器２０内のＴＤＭＡＴを完全に遮断し、かつ、第４バルブ７０を開けてバイパス通路３６を開放し、さらに、ヒータＡのバルブＡ１，Ａ２，Ａ３が開放された状態にする。
【００３６】
そして、図１中の白抜きの矢印で示すように、Ｎ２等のパージガスが、ガス導入通路３４及びヒータＡのバルブＡ１から導入される。ガス導入通路３４側から導入されたパージガスは、直線通路３４ａ→傾斜通路３４ｂ→第１バルブ４０を経て、バイパス通路３６（直線通路３６ａ→傾斜通路３６ｂ）に流れる。
【００３７】
そして、第４バルブ７０を経た後、バイパス通路３６（傾斜通路３６ｃ）から第３バルブ６０の中央通路１０３に向けて淀むことなく直接的に流れ込む。その後、パージガスは、吐出通路３５（傾斜通路３５ｃ→直線通路３５ｄ）を流れ、第５バルブ９０を経て、バルブＡ３に流れ出る。
ここで、第３バルブ６０の領域においては、傾斜通路３６ｃが中央通路１０３に直接向かいその後傾斜通路３５ｃに連通するように形成されているため、パージガスの淀みを防止でき、第３バルブ６０のパージ処理が確実にかつ円滑に行われる。
【００３８】
一方、バルブＡ１側から導入されたパージガスは、バルブＡ２→第５バルブ８０→バルブＡ３の経路を辿って流れる。この流れにより、第５バルブ８０のパージ処理が行なわれる。
バルブＡ３を通過したパージガスは、ＣＶＤの成膜チャンバＤの排気通路に設けられたポンプに吸引されて、下流側の熱処理部にて加熱処理される。
【００３９】
上記パージ処理の際には、ヒータＡの熱が、熱伝達部材９０を介してマニホールドブロック３０に伝達されるため、吐出通路３５、バイパス通路３６、ガス導入通路３４等が加熱され、通路の内壁面に付着した付着物が効率良く取り除かれ、パージ処理が短縮される。
尚、構造体１０は、ネジ等を用いて締結によりそれぞれが結合されているため、それぞれの部品ごとに簡単に分解することができる。したがって、部品ごとにクリーニングでき、又、不良部品の交換も容易にできる。
【００４０】
図６は、他の実施形態を示すものであり、前述の実施形態に係る構造体１０に対して、フレーム１２０を設けたものである。この構造体１０´によれば、構造体１０´をシステムに対して脱着する際に、フレーム１２０を掴んで行なうことができ、作業が容易になると共に、仮に落下させた場合に、バルブ４０〜８０等を衝撃から保護することができる。
【００４１】
上記実施形態においては、この構造体１０をＣＶＤ法による半導体製造システムに適用し、プロセスガスとなる成膜用液体としてＴＤＭＡＴを用いる場合を示したが、その他の半導体製造システムにおいて、又、プロセスガスとなる成膜用液体としてその他の液体を適用するシステムにおいて、本発明の構造体を適用してもよい。
【００４２】
上記実施形態においては、ヒータＡ等の既存の設備に適用させるべく、第５バルブ８０を一体的に設けた場合を示したが、これに限定されるものではなく、第５バルブ８０を取り除いて、表面実装される第１バルブ４０〜第４バルブ７０だけの構成とし、パージ処理に際しては、吐出通路３５側からパージガスを導入して、バイパス通路３６→ガス導入通路３４の経路で流す手法、あるいは、ガス導入通路３４側からパージガスを導入して、バイパス通路３６→吐出通路３５の経路で流す手法を採用してもよい。
【００４３】
【発明の効果】
以上述べたように、本発明の液体供給構造によれば、容器に対してガスを導くガス導入通路、容器内の液体を吐出する吐出通路、及びガス導入通路と吐出通路とを連通するバイパス通路を一体的に画定するマニホールドブロックを採用し、通路を開閉する第１バルブ〜第４バルブをマニホールドブロックに対して締結により表面実装する構成を採用したことにより、吐出通路、バイパス通路等を短くでき、パージ処理に要する時間を短縮できる。また、第１バルブ〜第４バルブを締結により表面実装することで、構造体の構造を簡略化、小型化でき、又、分解によるクリーニング、部品交換等も容易になる。
特に、第１バルブと第２バルブ及び第３バルブと第４バルブとを、お互いに略対向するように配置したことにより、バルブを上下方向に積み重ねて配列する場合に比べて、構造体の背丈が低くなり、構造体全体を小型化できる。また、第３バルブと第４バルブとの間の通路が短くなり、液体が付着する空間すなわちデッドボリュームが小さくなり、パージ処理が短縮される。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る液体供給構造が適用される半導体製造システムを示す概略構成図である。
【図２】本発明に係る液体供給構造の一実施形態を示す斜視図である。
【図３】（ａ），（ｂ）は本発明に係る構造体の一部を構成するマニホールドブロックを示す斜視図でる。
【図４】（ａ）は図３中のＥ１−Ｅ１におけるマニホールドブロックの断面図であり、（ｂ）は図３中のＥ２−Ｅ２におけるマニホールドブロックの断面図である。
【図５】第１バルブ〜第４バルブの断面図である。
【図６】本発明に係る液体供給構造の他の実施形態を示す斜視図である。
【図７】従来の液体供給構造を示す斜視図である。
【図８】従来の液体供給構造の断面図である。
【符号の説明】
Ａ　ヒータ（熱源）
Ａ１，Ａ２，Ａ３　バルブ
Ｂ　流量制御器
Ｃ　混合室
Ｄ　成膜チャンバ
１０，１０´　液体供給構造体
２０　容器
２１　蓋
２２　取っ手
３０　マニホールドブロック
３０ａ　一側面
３０ｂ　他側面
３０ｃ　上面
３１　フランジ部
３２，３３　パイプ部
３４　ガス導入通路
３４ａ，３４ｆ　直線通路
３４ｂ，３４ｃ，３４ｄ，３４ｅ　傾斜通路
３５　吐出通路
３５ａ，３５ｄ　直線通路
３５ｂ，３５ｃ　傾斜通路
３６　バイパス通路
３６ａ　直線通路
３６ｂ，３６ｃ　傾斜通路
３７　プラグ
Ｐ１，Ｐ２　連結部
４０　第１バルブ（空気式バルブ）
５０　第２バルブ（手動式バルブ）
６０　第３バルブ（手動式バルブ）
７０　第４バルブ（空気式バルブ）
８０　第５バルブ
９０　熱伝達部材
１０２　ダイヤフラム
１０３　中央通路
１０４　周辺通路
１２０　フレーム
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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