(57)【要約】【課題】高線速下における記録・再生が良好で、保存信頼性が高く、かつ、レーザー光波長が３５０〜４５０ｎｍの範囲でも十分変調度を確保でき、オーバーライト特性の優れた相変化型光記録媒体を提供する。【解決手段】記録層２が、式１：ＧａαＳｂβＭγ（但し、ＭはＧａ、Ｓｂ以外の元素及び元素の混合物を示し、α、β、γは原子比を示し、０．０５≦α≦０．２、０．８≦β≦０．９５、０＜γ≦０．１であり、かつα＋β＋γ＝１である）で表される材料からなり、３５０〜４５０ｎｍの範囲にあるいずれかの波長のレーザー光照射時における記録マークの反射率Ｒａと未記録部の反射率Ｒｃとによって得られる変調度Ｍ＝（Ｒｃ−Ｒａ）／Ｒｃが、Ｍ≧０．４を満たす相変化型情報記録媒体である。【選択図】　　　　図１
2004025801.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
円盤状の基板上に少なくとも記録層を有し、レーザー光の照射により該記録層が可逆的に変化して情報の記録再生を行う相変化型情報記録媒体において、
該記録層は、式１：ＧａαＳｂβＭγ（但し、ＭはＧａ、Ｓｂ以外の元素及び元素の混合物を示し、α、β、γは原子比を示し、０．０５≦α≦０．２、０．８≦β≦０．９５、０＜γ≦０．１であり、かつα＋β＋γ＝１である）で表される材料からなり、
３５０〜４５０ｎｍの範囲にあるいずれかの波長のレーザー光照射時における記録マークの反射率Ｒａと未記録部の反射率Ｒｃとによって得られる変調度Ｍ＝（Ｒｃ−Ｒａ）／Ｒｃが、Ｍ≧０．４を満たす
ことを特徴とする相変化型情報記録媒体。
【請求項２】
請求項１に記載の相変化型情報記録媒体において、
前記式１で表される材料のＭは、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｂ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｎ、Ｐ、Ｂｉ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｇｄ、Ｔｂからなる群より選択される元素の単体または混合物である
ことを特徴とする相変化型情報記録媒体。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の相変化型情報記録媒体において、
前記相変化型情報記録媒体は、前記基板上に、少なくとも第１保護層、記録層、第２保護層、反射放熱層をこの順で設けてなり、
各層の膜厚が、照射するレーザー光の波長をλとするとき、それぞれ以下の関係を満たす
ことを特徴とする相変化型情報記録媒体。
第１保護層膜厚ｔ１：０．０７０λ≦ｔ１≦０．５λ
記録層膜厚　　ｔ２：０．０１５λ≦ｔ２≦０．０５λ
第２保護層膜厚ｔ３：０．０１１λ≦ｔ３≦０．０５５λ
反射放熱層膜厚ｔ４：０．１０λ≦ｔ４
【請求項４】
請求項１又は２に記載の相変化型情報記録媒体において、
前記相変化型情報記録媒体は、前記基板上に、少なくとも反射放熱層、第２保護層、記録層、第１保護層、光透過層をこの順で設けてなり、
各層の膜厚が、照射するレーザー光の波長をλとするとき、それぞれ以下の関係を満たす
ことを特徴とする相変化型情報記録媒体。
反射放熱層膜厚ｔ４：０．１０λ≦ｔ４≦０．７５λ
第２保護層膜厚ｔ３：０．０１１λ≦ｔ３≦０．０５５λ
記録層膜厚　　ｔ２：０．０１５λ≦ｔ２≦０．０５λ
第１保護層膜厚ｔ１：０．０７０λ≦ｔ１≦０．５λ
光透過層膜厚　ｔ５：０≦ｔ５≦０．６ｍｍ
【請求項５】
請求項１又は２に記載の相変化型情報記録媒体において、
前記相変化型情報記録媒体は、前記記録層を２層以上有する
ことを特徴とする相変化型情報記録媒体。
【請求項６】
請求項５に記載の相変化型情報記録媒体において、
前記相変化型情報記録媒体は、レーザー光の入射方向から順に、少なくとも第１記録層を有する第１情報層と、少なくとも第２記録層を有する第２情報層とを設けてなり、
該第１情報層の記録再生レーザー光波長における光透過率が４０％以上である
ことを特徴とする相変化型情報記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、レーザー光を照射することにより記録層材料に光学的な変化を生じさせ、情報の記録、再生を行い、かつ書換えが可能な相変化型情報記録媒体に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
光ビーム照射により情報の記録・再生を行い、書き換えが可能な光情報記録媒体のひとつとして、結晶−非結晶相間、又は結晶−結晶相間の相転移に伴う反射率等の変化を利用したいわゆる相変化型光ディスクが知られている。この光ディスクは、単一ビームによるオーバーライトが可能であり、ドライブ側の光学系が単純な為に、コンピュータやＡＶ機器関連の記録媒体として使用されている。
従来、この種の記録媒体に用いられる記録材料として、Ｇｅ−Ｔｅ、Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓｅ、Ｉｎ−Ｓｂ、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅなどが知られている。特に、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅは感度が高く、記録マークのアモルファス部の輪郭が明確であるという特徴を有し、ＣＤ−ＲＷやＤＶＤ＋ＲＷなどに用いられている。しかしながら、この記録材料は結晶化速度が比較的遅いために、高線速記録ではオーバーライト特性が劣化するという問題が生ずる。Ｓｂ量を増やして結晶化速度を速くすることもできるが、この場合はＳｂの増加により結晶化温度が低下して保存特性が劣化するという問題が生ずる。
また、現在のＤＶＤシステムにおけるレーザー光波長は６６０ｎｍであるが、更なる光ディスクの高密度化のためには、使用するレーザー光波長を青色光領域まで短波長化することが提案されている。しかしながら、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅでは、波長が短くなるにつれて、結晶と非結晶での光学定数（消衰係数）の差が小さくなることで、反射率変化が少なくなるため、変調度がとれなくなるという問題が生ずる。変調度は、記録マーク（アモルファス）の反射率をＲａ、未記録部（結晶）の反射率をＲｃとすると、（Ｒｃ−Ｒａ）／Ｒｃと定義される。変調度が０．４より小さくなると、信号強度が小さくなり、再生エラーが生じる可能性が出てくる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、その課題は、高線速下における記録・再生が良好で、保存信頼性が高く、かつ、レーザー光波長が３５０〜４５０ｎｍの範囲でも十分変調度を確保でき、オーバーライト特性の優れた相変化型光記録媒体を提供することである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】
発明者らは、上記問題点を解決するために鋭意検討した結果、ＧａおよびＳｂの共晶組成近傍の組成を有する化合物が、結晶化速度が速く、高線速記録に対応可能であり、さらに、波長が３５０〜４５０ｎｍの範囲のレーザー光照射時も十分な変調度が確保できることを見出し、本発明の完成させるに至った。
【０００５】
ＧａＳｂは、１９８０年半ばにＣＤ−ＲＯＭと反射率互換性を有する書き換え型光ディスクの開発が行われた際に考案された経緯があるが、このときは組成（ａｔ％）がＧａ５０Ｓｂ５０近傍の化合物を使用していた。また、高反射率を狙っていたため、結晶―結晶間の相変化を利用するものであった。この結晶―結晶間の相変化は、結晶粒径が異なるＧａＳｂ結晶とＳｂ結晶とが共存し、互いの存在比が変化して生じる２つの相間の相変化であり、それぞれの結晶の存在比により反射率が変わることを利用していた。しかしながら、この相変化では、高反射率を得ることはできるが、モジュレーションが小さく、ＣＤシステムで使用するのに十分な信号強度を得ることができなかった。のちに考案されたＡｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系の低反射メディアが書き換え型光ディスクの主流となり、ＧａＳｂ系は実用化されなかったという経緯がある。
【０００６】
本発明では、単一相を出現させるＧａＳｂ系の共晶組成近傍の化合物を用いるものであり、上記課題を解決させることができるものである。
すなわち、請求項１に記載の発明は、円盤状の基板上に少なくとも記録層を有し、レーザー光の照射により該記録層が可逆的に変化して情報の記録再生を行う相変化型情報記録媒体において、該記録層は、式１：ＧａαＳｂβＭγ（但し、ＭはＧａ、Ｓｂ以外の元素及び元素の混合物を示し、α、β、γは原子比を示し、０．０５≦α≦０．２、０．８≦β≦０．９５、０＜γ≦０．１であり、かつα＋β＋γ＝１である）で表される材料からなり、３５０〜４５０ｎｍの範囲にあるいずれかの波長のレーザー光照射時における記録マークの反射率Ｒａと未記録部の反射率Ｒｃとによって得られる変調度Ｍ＝（Ｒｃ−Ｒａ）／Ｒｃが、Ｍ≧０．４を満たす相変化型情報記録媒体である。
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の相変化型情報記録媒体において、前記式１で表される材料のＭが、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｂ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｎ、Ｐ、Ｂｉ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｇｄ、Ｔｂからなる群より選択される元素の単体または混合物である相変化型情報記録媒体である。
【０００７】
請求項３に記載の発明は、請求項１又は２に記載の相変化型情報記録媒体において、前記相変化型情報記録媒体が、前記基板上に、少なくとも第１保護層、記録層、第２保護層、反射放熱層をこの順で設けてなり、各層の膜厚が、照射するレーザー光の波長をλとするとき、それぞれ以下の関係を満たす相変化型情報記録媒体である。
第１保護層膜厚ｔ１：０．０７０λ≦ｔ１≦０．５λ
記録層膜厚　　ｔ２：０．０１５λ≦ｔ２≦０．０５λ
第２保護層膜厚ｔ３：０．０１１λ≦ｔ３≦０．０５５λ
反射放熱層膜厚ｔ４：０．１０λ≦ｔ４
【０００８】
請求項４に記載の発明は、請求項１又は２に記載の相変化型情報記録媒体において、前記相変化型情報記録媒体が、前記基板上に、少なくとも反射放熱層、第２保護層、記録層、第１保護層、光透過層をこの順で設けてなり、各層の膜厚が、照射するレーザー光の波長をλとするとき、それぞれ以下の関係を満たす相変化型情報記録媒体である。
反射放熱層膜厚ｔ４：０．１０λ≦ｔ４≦０．７５λ
第２保護層膜厚ｔ３：０．０１１λ≦ｔ３≦０．０５５λ
記録層膜厚　　ｔ２：０．０１５λ≦ｔ２≦０．０５λ
第１保護層膜厚ｔ１：０．０７０λ≦ｔ１≦０．５λ
光透過層膜厚　ｔ５：０≦ｔ５≦０．６ｍｍ
【０００９】
請求項５に記載の発明は、請求項１又は２に記載の相変化型情報記録媒体において、前記相変化型情報記録媒体が、前記記録層を２層以上有する相変化型情報記録媒体である。
請求項６に記載の発明は、請求項５に記載の相変化型情報記録媒体において、前記相変化型情報記録媒体が、レーザー光の入射方向から順に、少なくとも第１記録層を有する第１情報層と、少なくとも第２記録層を有する第２情報層とを設けてなり、該第１情報層の記録再生レーザー光波長における光透過率が４０％以上である相変化型情報記録媒体である。
【００１０】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。
図１及び図２は、本発明に係わる相変化型情報記録媒体の概略構成を示す断面図である。図１は、基板７上に、第１保護層１、記録層２、第２保護層３、反射放熱層４を順次積層した構造からなるものである。また、図２は、基板７上に図１とは逆の順序で、反射放熱層４、第２保護層３、記録層２、第１保護層１を順次積層し、最後に光透過層５を形成した構造からなるものである。それぞれの記録媒体は図示した方向からレーザー光を照射して記録・再生を行う。図２の構造をもつ相変化情報記録媒体は、特に、光ピックアップの対物レンズの開口数ＮＡを向上させてレーザー光のスポットを小径化し、記録マークを高密度化するために好適な構成である。尚、本発明の相変化型情報記録媒体は、これらの構成に限定されるものではない。
【００１１】
基板７の材料は、通常ガラス、セラミックスあるいは樹脂であり、樹脂基板が成形性、コストの点で好適である。樹脂の例としてはポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリスチレン樹脂、アクリロニトリル−スチレン共重合体樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、シリコーン系樹脂、フッ素系樹脂、ＡＢＳ樹脂、ウレタン樹脂などがあげられるが、成形性、光学特性、コストの点で優れるポリカーボネート樹脂やポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）などのアクリル系樹脂が好ましい。基板７には案内溝などの凹凸パターンが形成されており、射出成形または、フォトポリマー法によって成形される。
【００１２】
記録層２は、式１：ＧａαＳｂβＭγで表される材料で形成される。ここで、ＭはＧａ、Ｓｂ以外の元素及び元素の混合物を示す。また、α、β、γは原子比を示し、０．０５≦α≦０．２、０．８≦β≦０．９５、０＜γ≦０．１であり、かつα＋β＋γ＝１である。αが０．０５より小さいと結晶化速度が低下し、高線速下での記録・再生が困難になり、また、０．２より大きいとオーバーライトの繰り返し回数が低下する。βが０．８より小さいと記録マークの反射率と、未記録部の反射率との変調度が０．４以下と小さくなってしまい、また、０．９５より大きいとオーバーライトの繰り返し回数が低下する。さらに、γが０または０．１より大きいと、保存特性が劣化してしまう。
記録層２は、各種気相成長法、たとえば真空蒸着法、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、イオンプレーティング法、電子ビーム蒸着法などによって形成できる。中でも、スパッタリング法が、量産性、膜質等に優れている。
【００１３】
反射放熱層４としては、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｗなどの金属材料、またはそれらの合金などを用いることができる。また、添加元素としては、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｓｉ、Ｐｄ、Ｔａなどが使用される。このような反射放熱層４は、各種気相成長法、たとえば真空蒸着法、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、イオンプレーティング法、電子ビーム蒸着法などによって形成できる。中でも、スパッタリング法が、量産性、膜質等に優れている。
【００１４】
第１保護層１及び第２保護層３は、記録層２の劣化変質を防ぎ、また、記録層２の接着強度を高め、かつ記録特性を高めるなどの作用を有するもので、ＳｉＯ、ＳｉＯ２、ＺｎＯ、ＳｎＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、Ｉｎ２Ｏ３、ＭｇＯ、ＺｒＯ２などの金属酸化物、Ｓｉ３Ｎ４、ＡｌＮ、ＴｉＮ、ＺｒＮなどの窒化物、ＺｎＳ、Ｉｎ２Ｓ３、ＴａＳ４などの硫化物、ＳｉＣ、ＴａＣ、Ｂ４Ｃ、ＷＣ、ＴｉＣ、ＺｒＣなどの炭化物やダイヤモンドライクカーボン等の材料を用いて形成される。これらの材料は、単体で保護層とすることもできるが、互いの混合物としてもよい。また、不可避的に不純物を含むものであってもよい。第１保護層１及び第２保護層３の融点は記録層２よりも高いことが必要である。このような保護層は、各種気相成長法、たとえば真空蒸着法、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、イオンプレーティング法、電子ビーム蒸着法などによって形成できる。中でも、スパッタリング法が、量産性、膜質等に優れている。
【００１５】
光透過層５の材料には、樹脂を用いることが成形性、コストの点で好適である。樹脂の例としてはポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリスチレン樹脂、アクリロニトリル−スチレン共重合体樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、シリコーン系樹脂、フッ素系樹脂、ＡＢＳ樹脂、ウレタン樹脂などが挙げられるが、成形性、光学特性、コストの点で優れるポリカーボネート樹脂やポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）などのアクリル系樹脂が好ましく、紫外線硬化型樹脂を用いるのも好ましい。
また、光透過層５は、基板７と同様な、射出成形または、フォトポリマー法などによって成形される、案内溝などの凹凸パターンが形成されたものでもよい。
【００１６】
このようにして作製された相変化型情報記録媒体は、３５０〜４５０ｎｍの範囲にあるいずれかの波長のレーザー光を照射させたときの記録マークの反射率Ｒａと未記録部の反射率Ｒｃとから得られる変調度Ｍ＝（Ｒｃ−Ｒａ）／Ｒｃが、Ｍ≧０．４を満たす記録媒体である。記録マークを小さくし、その間隔も小さくして記録媒体の高容量化を図るために、用いるレーザー光の短波長化が望まれている。本発明の相変化型情報記録媒体は、これを実現し、３５０〜４５０ｎｍの範囲にあるいずれかの波長のレーザー光を照射させたときに記録・再生に十分な変調度Ｍ≧０．４を満足する記録媒体である。
また、記録層２は上述のように、式１：ＧａαＳｂβＭγで表され、結晶化速度が低下せず、変調度も低下しない組成範囲を規定しているため、高速記録・再生が可能で、大記録容量の相変化情報記録媒体にも用いることができる。
【００１７】
上記式１で表される材料の元素Ｍは、好ましくは、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｂ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｎ、Ｐ、Ｂｉ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｇｄ、Ｔｂからなる群より選択される元素の単体または混合物である。これらの元素を加えることで、保存安定性が向上することや、記録に要するレーザーパワーが少なくてすむなど、記録システム上扱いやすい記録媒体を得ることができる。
【００１８】
また、図１及び図２に示す相変化型情報記録媒体の各層の膜厚は、照射するレーザー光の波長をλとするとき、以下の範囲であることが好ましい。
記録層２の膜厚ｔ２は、０．０１５λ≦ｔ２≦０．０５λの範囲が好ましい。この範囲より膜厚が薄いと、均一な膜にするのが困難となる。逆にこの範囲より膜厚が厚いと、記録感度が低下してしまう。
第１保護層１の膜厚ｔ１　は０．０７０λ≦ｔ１≦０．５λの範囲が好ましい。この範囲より薄いと、記録時の熱によって基板を破壊してしまう恐れがある。また、この範囲より厚いと、量産性に問題が生じてくる。これらの膜厚の範囲で、レーザー光を照射したときに最適な反射率が得られるように、膜厚の設計を行う。
第２保護層３の膜厚ｔ３は、０．０１１λ≦ｔ３≦０．０５５λの範囲が好ましい。この範囲より膜厚が薄いと、記録感度が低下してしまう。逆に膜厚が厚いと、繰り返しオーバーライトに伴って第２保護層３内部に微視的な塑性変形が蓄積され、ノイズが上昇するといった問題が生じる。
反射放熱層４の膜厚ｔ４は０．１０λ≦ｔ４の範囲が好ましい。この範囲より膜厚が薄くなると繰り返し記録特性が低下する。尚、図２に示すように、反射放熱層４を基板７に隣接させる場合、反射放熱層４の厚さは、０．１０λ≦ｔ４≦０．７５λの範囲が好ましい。この範囲より膜厚が厚いと、成膜した記録層２の形状が基板の溝形状と大きく変わってしまったり、クラックが発生するといった問題が生じる。
また、図２の構成において、最上面に形成される光透過層５の膜厚ｔ５は、レーザースポット形成に使用する対物レンズの開口数ＮＡが大きい場合でも、チルトマージンを大きくするために薄い方が好ましく、０≦ｔ５≦０．６ｍｍである。厚さが０．６ｍｍより厚くなると、収差が発生しエラーの増加につながる。
【００１９】
また、本発明の相変化型情報記録媒体は、記録層を２層以上設け、記録密度の高い多層化記録媒体とすることもできる。図３は、一例として記録層を２層有する相変化型情報記録媒体の概略構成を示す断面図である。基板７上に第１保護層１１、２１、記録層１２、２２、第２保護層１３、２３、反射放熱層１４、２４をそれぞれ有する第１情報層１０と第２情報層２０とが形成されている。第１情報層１０と第２情報層２０の間には中間層６が設けられ、また、第１情報層１０の反射放熱層１４と中間層６の間には第１情報層の記録の際に発生する熱を十分に拡散させるための放熱層１５が設けられている。
ここで、第２情報層２０の記録再生を良好にするためには、第１情報層１０の光透過率が高くなくてはならない。そこで、本発明の相変化型情報記録媒体は、第１情報層１０の各層の膜厚を調整することによって、第１情報層１０の光透過率を４０％以上とする。特に、記録層１２の膜厚を薄くするものであるが、すでに説明したように、式１で表される材料を用いることで、薄膜でありながら、十分な変調度Ｍと結晶化速度とを達成することができる。これにより、２層化した相変化型情報記録媒体においても、良好な記録・再生が実現でき、大記録容量の記録媒体とすることができる。
【００２０】
【実施例】
以下に、実施例を挙げ、本発明をより具体的に説明する。但し、これらの実施例は本発明をなんら制限するものではない。
【００２１】
（実施例１〜９、比較例１〜４）
直径１２ｃｍ、厚さ０．６ｍｍで表面に連続溝によるトラッキングガイドの凹凸を持つポリカーボネート基板上に、第１保護層としてＺｎＳ−ＳｉＯ２（２０ｍｏｌ％）を１００ｎｍ、　表１に示した組成のターゲットを用いて記録層を１２ｎｍ、第２保護層としてＺｎＳ−ＳｉＯ２（２０ｍｏｌ％）を２０ｎｍ、反射放熱層としてＡｇ−Ｐｄ（１ａｔ％）−Ｃｕ（１ａｔ％）を１４０ｎｍ、順次成膜した。成膜方法はＡｒガス雰囲気中のスパッタ法を用いて行った。
その上に、スピンコーターを用いてオーバーコート層を設けて相変化型情報記録媒体を作製した。ついで、大口径の半導体レーザーを有する初期化装置によって、記録媒体の記録層の初期化処理を行った。
【００２２】
作製された各記録媒体について下記に示す条件で記録を行った。その際、線密度０．１８μｍ／ｂｉｔでのジッター、変調度Ｍ、及び１０００回記録後のジッター、変調度Ｍを測定した。結果を表１に示す。
＜記録条件＞
・レーザー波長　４０７ｎｍ
・開口数ＮＡ　０．６５
・線速　５．７ｍ／ｓ、１７．１ｍ／ｓ、３４．２ｍ／ｓ
・トラックピッチ　０．４０μｍ
【００２３】
【表１】
2004025801.tif 000003
【００２４】
表１に示すように、実施例１〜９の本発明による相変化型情報記録媒体が高線速下においても、ジッターと変調度Ｍが良好であり、オーバーライト特性も優れていることがわかった。また、各層の膜厚を請求項３に記載の範囲内で変化させても、上記特性を得ることが出来た。
一方、記録層材料の組成が請求項１の式１に示す範囲にない比較例１〜４の記録媒体では、変調度Ｍが十分でなかったり、十分な変調度Ｍが得られてもジッターが大きく、好ましい結果は得られなかった。
更に、上記実施例以外の実験によって、記録層材料にＡｕ、Ｂ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｂｉ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｇｄ、Ｔｂを添加することによって、保存安定性や記録感度の向上といった良好な特性が得られることを確認した。
【００２５】
（実施例１０）
直径１２ｃｍ、厚さ１．１ｍｍで表面に連続溝によるトラッキングガイドの凹凸を持つポリカーボネート基板上に、反射放熱層としてＡｇ−Ｐｄ（１ａｔ％）−Ｃｕ（１ａｔ％）を１２０ｎｍ、第２保護層としてＺｎＳ−ＳｉＯ２（２０ｍｏｌ％）を１５ｎｍ、記録層としてＧａ１１Ｓｂ８４Ｇｅ５を１２ｎｍ、第１保護層としてＺｎＳ−ＳｉＯ２（２０ｍｏｌ％）を１００ｎｍに順次成膜した。成膜方法はＡｒガス雰囲気中のスパッタ法を用いて行った。
その上に、５０μｍの厚さのポリカーボネートフィルムを厚さ５０μｍの粘着シートを介して貼り合わせて、０．１ｍｍからなる光透過層を形成し、相変化型情報記録媒体を作製した。ついで、大口径の半導体レーザーを有する初期化装置によって、記録媒体の記録層の初期化処理を行った。
【００２６】
作製された記録媒体について下記に示す条件で記録を行った。
＜記録条件＞
・レーザー波長　４０７ｎｍ
・開口数ＮＡ　０．８５
・線速　５．７ｍ／ｓ、１７．１ｍ／ｓ、３４．２ｍ／ｓ
・トラックピッチ　０．３２μｍ
その際、線密度０．１３μｍ／ｂｉｔでのジッター、変調度Ｍ、及び１０００回記録後のジッター、変調度Ｍを測定したところ、線速５．７〜３４．２ｍ／ｓの範囲内で、ジッターと変調度Ｍが良好であり、オーバーライト特性も優れていることがわかった。また、各層の膜厚を請求項４に記載の範囲内で変化させても、上記特性を得ることが出来た。
【００２７】
（実施例１１）
直径１２ｃｍ、厚さ０．６ｍｍで表面にピッチ０．４μｍの連続溝によるトラッキングガイドの凹凸を持つポリカーボネート基板上に、ＺｎＳ−ＳｉＯ２（２０ｍｏｌ％）からなる第１保護層１５０ｎｍ、　Ｇａ１１Ｓｂ８４Ｇｅ５からなる第１記録層６ｎｍ、ＺｎＳ−ＳｉＯ２（２０ｍｏｌ％）からなる第２保護層１０ｎｍ、Ａｇ−Ｐｄ（１ａｔ％）−Ｃｕ（１ａｔ％）からなる反射放熱層１０ｎｍ、ＡｌＮからなる放熱層２００ｎｍの順に成膜し、第１情報層を形成した。成膜方法はＡｒガス雰囲気中のスパッタ法を用いて行った。このようにして形成された第１情報層の透過率を測定したところ、波長４０７ｎｍでは４２％が得られた。
この第１情報層上に、フォトポリマー法によって、ピッチ０．４μｍの連続溝によるトラッキングガイドの凹凸を持つ透明層を形成した。透明層の厚さは３０μｍである。さらにその上に、ＺｎＳ−ＳｉＯ２（２０ｍｏｌ％）からなる第１保護層４０ｎｍ、Ｇａ１１Ｓｂ８４Ｇｅ５からなる第２記録層１２ｎｍ、ＺｎＳ−ＳｉＯ２（２０ｍｏｌ％）からなる第２保護層１５ｎｍ、Ａｇ−Ｐｄ（１ａｔ％）−Ｃｕ（１ａｔ％）からなる反射放熱層１５０ｎｍの順に成膜し、第２情報層を形成した。成膜方法はＡｒガス雰囲気中のスパッタ法を用いて行った。
その上に、スピンコーターを用いてオーバーコート層を設けて２層相変化型情報記録媒体を作製した。ついで、大口径の半導体レーザーを有する初期化装置によって、記録媒体の各記録層の初期化処理を行った。
【００２８】
作製された記録媒体について下記に示す条件で記録を行った。
＜記録条件＞
・レーザー波長　４０７ｎｍ
・開口数ＮＡ　０．６５
・線速　１７．１ｍ／ｓ
その際、線密度０．１８μｍ／ｂｉｔの条件で、ジッター、変調度Ｍ、および１０００回記録後のジッター、変調度Ｍを測定したところ、第１情報層、第２情報層ともにジッターと変調度Ｍが良好であり、オーバーライト特性も優れていることがわかった。
また、上記実施例以外の実験によって、第２情報層を良好に記録再生するためには、第１情報層の透過率が４０％以上必要であることを確認した。
【００２９】
【発明の効果】
以上説明してきたように、本発明により、記録材料にＧａαＳｂβＭγを用い、組成比を限定することによって、３５０〜４５０ｎｍの波長領域にあるレーザー光を用いた場合であっても、変調度が大きく、記録・再生が良好で、オーバーライト特性も良好な相変化型情報記録媒体を提供することができる。また、各層の膜厚を規定することで、記録感度の良好な相変化型情報記録媒体とすることができる。
本発明の相変化型情報記録媒体は、レーザー光の短波長化に対応でき、また、開口数ＮＡの高い光ピックアップ装置にも対応が可能であるため、高密度な情報記録ができ、記録容量を増大させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係わる相変化型情報記録媒体の概略構成を示す断面図である。
【図２】本発明に係わる相変化型情報記録媒体の概略構成を示す断面図である。
【図３】記録層を２層有する相変化型情報記録媒体の概略構成を示す断面図である。
【符号の説明】
１，１１，２１　第１保護層
２，１２，２２　記録層
３，１３，２３　第２保護層
４，１４，２４　反射放熱層
５　光透過層
７　基板
１０　第１情報層
２０　第２情報層
【図１】
2004025801.tif 000004
【図２】
2004025801.tif 000005
【図３】
2004025801.tif 000006