(57)【要約】【課題】半導体ウエハーの研磨後の最終洗浄においてウエハーの周辺部も含んでパーティクル数の上限が決まっているような基準を満たすことができるウエハーの洗浄方法を与えること。【解決手段】前回の洗浄から次回の洗浄まで１０分以上の待機時間をおき、ポンプ、フィルタを含む循環系によって充分に洗浄液が清浄化されてから次回の洗浄をするようにした。そのようにするとウエハーの隅の液切れの悪い部分に生じていた汚れがなくなり歩留まりが上がる。【選択図】　　図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
３−５族半導体ウエハーを研磨したあとの最終洗浄において、洗浄槽を洗浄槽より大きい貯留槽の中に設け洗浄液が貯留槽にあふれるようにし、貯留槽には洗浄液を循環させるためのポンプと洗浄液をろ過・清浄化するためのフィルタを設け、貯留槽にあふれた洗浄液はポンプとフィルタにより循環・清浄化されて再び洗浄槽に戻るようにした洗浄槽の洗浄液中に複数のウエハーを収容したウエハーカセットを浸漬し、洗浄槽のウエハーが洗浄液中で超音波洗浄されるようにし、前回のウエハーカセットのウエハー洗浄を行ったあと１０分以上の休止時間をおいて次のウエハーカセットのウエハーを洗浄するようにして、洗浄されたウエハーが周辺部も含めて全パーティクル数３０個以下であるようにウエハーを洗浄することを特徴とする３−５族半導体ウエハーの洗浄方法。
【請求項２】
ウエハーの歩留まりが、循環された同じ洗浄液で何回洗浄しても常に８０％以上あることを特徴とする請求項１に記載の３−５族半導体ウエハーの洗浄方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、ＧａＡｓ、ＩｎＰなど３−５族半導体ウエハーの最終洗浄の方法に関する。ＧａＡｓ、ＩｎＰは閃亜鉛鉱構造をもつ半導体でありレーザ基板、フォトダイオード基板など光素子の基板として、あるいは高速トランジスタ素子の基板として有用である。チョクラルスキー法、ブリッジマン法で単結晶インゴットを製造し方位をＸ線回折で決めて、円筒研削し、内周歯スライサーで薄い円板に切り出し、アズカットウエハーとする。
【０００２】
アズカットウエハーは単に切り出しただけで縁にはバリがあるし厚みは不定であり表面は凹凸があり加工変質層もある。
アズカットウエハーをミラーウエハーにするためのいくつかの処理をしなければならない。まずアズカットウエハーをベベリング（チャンファ）して角を丸め、ラッピング（研削）して厚みを所定のものにし、さらに研磨して表面の凹凸を取る。
【０００３】
研削は厚みを減らすために行う。研磨は表面の凹凸を減らすものである。研削と研磨は判然と区別しなければならない。厚みが減少する速度も大きく異なる。
研磨は前後二回行う。一次研磨は硬質の研磨布を用いて早い速度でウエハー面を削る。二次研磨は軟質の研磨布を用いて遅い速度でウエハー面を除去する。二次研磨を最終研磨とも呼ぶ。
【０００４】
最終研磨のあとワックスを完全に除去するための洗浄をする。そのあと外観検査をして合格すれば最終洗浄する。
最終洗浄は複数枚のウエハーをウエハーカセットに入れて洗浄液中で超音波を掛けて洗浄する。それを弱アルカリ超音波洗浄という。弱アルカリ超音波洗浄を２回して純水でリンスし蒸気乾燥する。
【０００５】
最終洗浄のあと乾燥させてスポット検査といって光を斜めからウエハーに当ててパーティクルの有無を調べる。パーティクルが充分に少なければ合格品となる。合格品のウエハーを出荷することになる。
ところがスポット検査でウエハーの上にパーティクルがある場合がある。その場合はそのウエハーは不合格となる。不合格なウエハーは集められて再び研磨され最終洗浄される。スポット検査において不合格となるのは最終洗浄に問題があるからであろうと思われる。本発明は最終洗浄の改良に関する。
【０００６】
アズカットウエハーの処理工程をもう一度順に述べる。ベベリング、ラッピング、一次研磨、仕上げ研磨、洗浄、外観検査、最終洗浄、スポット検査、出荷、というようになる。洗浄というのは多数のウエハーをウエハーキャリヤというプラスチックの底なし容器に立てて並べ洗浄槽に浸漬して超音波を掛けて汚れを除去するものである。ウエハーキャリヤは２枚の縦壁内側に縦に多数の溝を切り、そこへ多数のウエハー（５０枚程度）を並べるようにしたものでありウエハーの搬送にも洗浄にも利用する。本発明は最終洗浄を問題にする。中間のワックスを取るための洗浄とは違う。
【０００７】
【従来の技術】
洗浄技術について、いくつかの先行例がある。最終洗浄とは限らないが、ここに紹介する。
▲１▼特開平２−４４７２７号「半導体ウエハー洗浄装置」は数十枚のＳｉウエハーを立てた、下部の開口したウエハーキャリヤを純水の洗浄液に漬け下から超音波を当てて洗浄する装置においてウエハーとキャリヤの隙間の部分に汚れが残留する傾向があるが、それは洗浄液の流れが悪いからであるとし洗浄液の循環を早めるために洗浄槽の側壁にも穴を開けて液体を横からあふれさせるような改良を提案している。そのようにすると純水の循環速度が早くなりウエハーとキャリヤ溝の間の流れが促進されてウエハーの汚れが減ると述べている。ウエハーキャリヤはウエハーの周辺の一部だけを溝で保持するのであるが溝に入っている部分にパーティクルが残留する傾向があることに気付いて、そのような改良を与えている。
【０００８】
確かにウエハーが溝に嵌まっている部分に汚れが滞留するような傾向はある。それは液の流れが悪いからだという指摘も首肯できるところもある。しかし、どうして流れが悪いとパーティクルがウエハーに付くのか？流れ速度の大小と汚れの因果関係はどうなのか？という疑問がある。
【０００９】
▲２▼特開平２−３２５２５号「超音波洗浄装置」は最終洗浄とは限らず洗浄一般の改良を与えている。洗浄槽の底に超音波振動子を設置して上向きに２０〜４０ｋＨｚの超音波を発生させ洗浄液の中を伝搬させると底面と表面で仕切られる空間に、定在波ができて定在波の腹に当たる部分でキャビテーションが起こるので異物が除かれると超音波洗浄の原理を説明している。
【００１０】
しかし超音波の当たらないところは汚れが取れないから斜め下方から、横から超音波を印加して影ができないように超音波を当てるようにした過去の改良を説明し、それでも不十分であるから、超音波発生機を水平から傾け真下から洗浄液を上へ流すようにし、超音波の発振周波数を８００ｋＨｚ〜２０００ｋＨｚに上げることを提案している。超音波を傾けたから定在波ができないし超音波周波数が高いので微小の異物も除去することができると主張している。それは超音波の周波数を高めて定在波ができないようにし超音波の進行方向を斜めにして洗浄液の流れを上向きにして洗浄作用を高めているのである。これはウエハーキャリヤの溝に接触する部分のウエハーの残留汚れを問題にしていない。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は半導体ウエハーのスポット検査の直前の最終洗浄の改良に関する。スポット検査というのは斜めから集光燈でウエハーを照らし肉眼でパーティクルの存在・非存在を見るものである。斜めから見ると肉眼でもパーティクルはよく分かる。
【００１２】
ＧａＡｓウエハー（２インチ、３インチ、４インチウエハー）の表面のパーティクルの分布と数に関して従来は基準が甘くてウエハーの周辺部（３ｍｍ幅）にパーティクルが２０〜３０個程度存在しても差し支えないものとされていた。ウエハーの中央部にパーティクルがなければ良いとされていた。デバイスを作製するのはウエハーの中央部であり周辺部に作ったデバイスはどうせ不合格になるからそれで良いとされていたのである。スポット検査でパーティクルの分布と数を数えパーティクルが周辺部に局在し、それが３０個程度までなら良いとしていたのである。そのような基準でこれまで長い間合否の判断がされてきた。
【００１３】
ところが周辺部にパーティクルがあると、やはりエピ成長に影響を及ぼす事があるという場合もあることがわかってきた。さらに周辺部に作製したデバイスも利用したいという希望もある。あるいは半導体素子の構造が微細化してエピ成長の条件が厳しくなってきたというような事情もある。
【００１４】
最近のウエハー条件の厳しさを克服するために、半導体ウエハー研磨後の最終洗浄において、液切れの悪いウエハー周辺部に発生しやすいパーティクル数を減らし、ウエハー一枚あたりの全パーティクル数が３０個以下になるようにするウエハー洗浄方法を与えるのが本発明の第一の目的である。
【００１５】
また、循環する同じ洗浄液で何回洗浄しても、ウエハーの歩留まりが常に８０％以上あるという高い歩留まりを実現するウエハー洗浄方法を与えるのが本発明の第二の目的である。
【００１６】
【課題を解決するための手段】
多数のウエハーを収容したウエハーカセットを、同じ洗浄液を循環して用いる洗浄槽に浸漬して洗浄するようにした洗浄方法において前回の洗浄から次回の洗浄まで１０分以上の間隔をおくようにした。だから１回目の洗浄が終りカセットを引き上げるとすぐに次のカセットを浸漬して２回目の洗浄を行うのではなくて１０分以上待機してから次回のカセットを漬けて洗浄する、ということである。洗浄と洗浄の間に１０分以上のインターバルを持たせるということである。
【００１７】
洗浄槽からみて洗浄を行っている時間を洗浄時間といい洗浄をしていない時間を待機時間Ｔ１と呼ぶとすれば、本発明は、各バッチ毎に少なくとも１０分の待機時間Ｔ１を設けるようにするということである。待機時間Ｔ１は２５分以上だとなお完全である。しかし、あまりに待機時間が長いと当然に効率が低下するので、上限は経済性によって限定される。それは６０分程度である。だから待機時間Ｔ１は１０分〜６０分であろう。
【００１８】
【発明の実施の形態】
図１によって洗浄槽の洗浄液の循環を説明する。より大きい貯留槽２の中に洗浄槽３が設けられる。貯留槽２の内部に洗浄槽３を保持するためのスペーサがあるが、ここでは図示を省略した。洗浄槽３の中には洗浄液４が満たされる。洗浄槽３は側壁５、５と底壁６を有し上部が開口した容器である。洗浄槽３の側壁５の中間高さに内向き水平に延びる棚７、７がある。洗浄槽３の底壁６の上には超音波発生器８が設けられる。洗浄槽３の棚７、７の上には下部の開口したウエハーカセット９が置かれる。ウエハーカセット９には複数枚の半導体ウエハーＷが縦に並べて収容される。ウエハーカセット９はプラスチック製で一対の縦壁２０、２０を継ぎ棒２２でつないだ構造になっている。
【００１９】
縦壁２０、２０の内面には、ウエハーの周面曲率に合わせ、下方で僅かに内向きに彎曲する縦溝が一定間隔で刻まれている。それぞれ対になる縦溝にウエハーの左右の側辺部を挿入してウエハーを支持するようになっている。縦壁２０、２０の間に収納できるウエハーの数は２０枚〜５０枚程度でありカセットの長さによって違う。縦壁２０は図１のように僅かに傾斜していることもあるし平行鉛直のものもある。
【００２０】
洗浄液は循環使用される。循環系について説明する。貯留槽２の底には吸込口２３があり使用済みの洗浄液４を吸い込むようになっている。吸込口２３は外部の排出管２４に続く。排出管２４はポンプ２５につながる。ポンプ２５は中継管２６によってフィルタ２７につながる。フィルタ２７はメッシュをもち洗浄液をそれに通すことによって汚れを除く。例えば０．５μｍのメッシュで直径が０．５μｍ以上の異物を排除するようになっている。濾過されたあとの洗浄液は供給管２８を通り、吐出口２９から再び洗浄槽３の内部へ戻される。
【００２１】
そのような循環系は常時作動しており洗浄液は不断に濾過再使用される。洗浄操作は、定まった数のウエハーを収容したウエハーカセット９を洗浄槽３の洗浄液４に浸漬し下方から超音波を掛け洗浄液をウエハー間において下から上へ流しながらウエハー表面裏面の汚れを除去するようにする。汚れを含む洗浄液４はオーバーフローして貯留槽２に溜まる。使用済みの洗浄液４は貯留槽２から吸込口２３、排出管２４、ポンプ２５、中継管２６を通りフィルタ２７で純化される。そのような超音波洗浄は普通に用いられる方法である。
【００２２】
図２によってこれまでの洗浄方法の問題を述べる。図２（１）は立ち上げ時の１回目の洗浄の様子を示す。洗浄槽３の中へ複数枚のウエハーＷを立てて収納したウエハーカセット９が漬けてある。下から超音波が上に向けて発振している（超音波発生器は図示略）。洗浄液は洗浄槽３からオーバーフローし貯留槽２に入り配管系２４、２６、２８とポンプ２５、フィルタ２７によって浄化され循環する。
【００２３】
第１回目の洗浄液は清浄である。図２（２）は第１回目の洗浄をしたあとウエハーカセット９を引き上げた状態を示す。洗浄槽３には洗浄液４が残っている。それには第１回目の洗浄による汚れ物質がかなりの量含まれる。第１回目洗浄のウエハーは汚れがなくて合格品となる。１回目に続いて間をおかず、すぐに２回目の洗浄をする。
【００２４】
図２（３）は第２回目の洗浄の様子を示す。同じように複数のウエハーＷを入れたウエハーカセット９を洗浄液４に漬けて同じように洗浄液をオーバーフローさせながら超音波を掛けてウエハー面を浄化する。超音波の作用でウエハー裏面は綺麗になる。しかし洗浄液自体は汚れを含む。
【００２５】
第２回目洗浄後のカセットを引き上げた状態を図２（４）に示す。引き上げるまでは汚れはない。カセットを引き上げると汚れた洗浄液がウエハー面を流れ落下しウエハー表面の殆どの部分から液はなくなる。だから汚れも付いていない。しかしカセットの縦溝に当たるウエハーの左右側辺弓形部分は表面張力によってどうしても液滴が残留する。その液滴は洗浄液の汚れを凝縮して含む。それが縦溝とウエハーの狭い接触部分に残る。
【００２６】
ウエハーＷを乾燥装置で乾燥したとき、その接触部分の液が蒸発するが汚れは濃縮されて狭い接触弓形部分に付着する。それが図２（５）に示すような左右の接触弓形部分の汚れ３０となる。そのような訳でウエハーの周辺部にパーティクルが存在し、それがスポット検査に掛かってくる。従来はそれでも良かったのであるがエピ成長後のデバイス歩留まりを上げるために、そのような液切れの悪い部分に生ずるパーティクルも問題になってきた。
【００２７】
それはつまり残留洗浄液４に汚れが含まれるからである。残留洗浄液４に汚れが無ければ良いのである。これまでは第１回目の洗浄に続いて、すぐに第２回目の洗浄、それが終ると、直ちに第３回目の洗浄というように間断無く同じ洗浄槽を経時的に用いて洗浄していたので前回の洗浄液の汚れを次回に持ち越し、それが段々に濃縮されて汚染の度合いが高まっていったのである。
【００２８】
本発明者は循環による清浄化が不十分だから、そのように汚れが次から次へと持ち越されるのだというように考えた。そうであれば洗浄液の循環フィルタリングが充分行われるまで待てば良いのである。本発明はそのような着想に基づいてなされたものである。
それで前回の洗浄から少なくとも１０分間待機して次回の洗浄を行うというようにしたのである。
【００２９】
図３によって本発明の洗浄方法を述べる。図３（１）は新しい洗浄液をたたえた洗浄槽３にウエハーＷを多数枚立てたウエハーカセット９を漬けて第１回目の洗浄を行っている状態を示す。洗浄液を下から上へと循環させ超音波を下から上へと伝搬させてウエハーの汚れを除去しようとしている。
【００３０】
第１回目の洗浄が終わったのでウエハーカセット９を取り出した状態が図３（２）である。ウエハーＷから液は滴下してしまう。カセット溝とウエハーの接触部は液滴が僅かに残る。しかし新規な洗浄液で汚れが殆どないので、その液滴にも汚れが少ない。乾燥してもウエハーの左右の溝との接触部分には汚れが出ない。スポット検査によってもパーティクルが出現しない。
【００３１】
しかし洗浄槽３の洗浄液４には１回分の汚れが残留している。その状態を図３（３）に示す。このように洗浄をしない待機時間Ｔ１をおく。待機時間Ｔ１中にポンプは洗浄液を引き出しフィルタは洗浄液から汚れを除く。濾過された洗浄液は洗浄槽３に戻る。何度も何度も循環を繰り返すことによって、いつしか洗浄液４は清浄になる。どれほど清浄化するかというのは待機時間Ｔ１による。２５分まてば充分に綺麗になる。しかし１０分でもかなり清浄である。
【００３２】
そのような待機時間Ｔ１のあと、第２回目の洗浄を行う。それが図３（４）である。多数枚のウエハーＷを縦に入れたウエハーカセット９を洗浄液４に漬けて超音波洗浄している。それは図３（１）と洗浄液の清浄度において同じものであって、それによって洗浄し、ウエハーカセットを持ち上げると、図３（５）のようになる。洗浄液４は少し汚れる。それは１回分の汚れであり前回の持ち越しはない。持ち上げられて液切れの悪い部分（溝と接触する左右弓形）にも液が付いているが、それが汚れていないので、乾燥してもパーティクルとならない。だからスポット検査をした場合、周辺部に汚れがなくて合格となる。
【００３３】
ウエハーＷの面を図３（６）に示す。そのように裏面にも表面にも汚れが残留しないのである。図２（５）と図３（６）を比較すれば洗浄後のウエハーの様子の違いが分かる。その違いは図３（３）の待機時間Ｔ１にある。そのような洗浄の中断の時間をとることによって循環・フィルタリングが充分に行われて第２回目も清浄洗浄液で洗浄することができるようになる。それは第３回目、第４回目も同じことで、前回の洗浄から少なくとも１０分以上の待機時間をおいて次回の洗浄を行うことにする。
【００３４】
【実施例】
既に述べたように、アズカットウエハーの処理は、面取り（チャンファ；ベベリング）、エッチング、ラッピング、研磨、洗浄というように続く。研磨工程以後をより詳しく述べると、一次研磨、二次研磨（仕上げ研磨）、洗浄（ワックス取り）、外観検査、最終洗浄、乾燥、スポット検査、出荷という順序になる。乾燥というのはウエハーカセットごと蒸気乾燥するものである。スポット検査は斜めから集光燈を当てて反射によってパーティクルを見るものである。本発明の対象となる最終洗浄というのも、より詳しく言えば、３つの異なる洗浄槽を通し３回洗浄する。
【００３５】
弱アルカリ超音波洗浄、弱アルカリ超音波洗浄、純水リンス洗浄というような３段階の洗浄である。最終洗浄を構成するいずれの洗浄にも本発明の洗浄−待機−洗浄−待機という方法を適用することができる。
【００３６】
［１．実施例（図４；○；実線）］
本発明を実行した。新しい洗浄液を洗浄槽に入れて第１回目の洗浄をした。その歩留まりは８１％であった。第１回目の洗浄のあと、２５分の待機時間をおいて、第２回目の洗浄をした。第２回目の歩留まりは９５％であった。第２回目の洗浄の後、４０分をおいて第３回目の洗浄をした。第３回目洗浄の歩留まりは９２％であった。第３回目洗浄のあと２０分おいて第４回目の洗浄をし、その歩留まりは９３％であった。以後は１０分〜６０分の待機時間をおいて次回の洗浄をする。そうすれば９０％以上の歩留まりを維持できる。図４にそのような洗浄回数と歩留まりの変化を図示した。縦軸が歩留まり（％）であり、横軸が時間（分）である。○と実線で示したものが本発明の実施例である。
【００３７】
［２．比較例（図４；黒ひし形；一点鎖線）］
より短い待機時間で引き続き洗浄をした。第１回洗浄は歩留まりが１００％であった。これは極めて優れた結果である。５分待機して第２回目の洗浄を行った。９６％の歩留まりであった。５分待機して第３回目の洗浄をした。７１％の歩留まりに低下した。５分待機し第４回目の洗浄をした。歩留まりは５７％であった。そのように回を重ねるごとに歩留まりは低下していった。最終的には３５％程度に落ち込む事が予想された。
【００３８】
［３．比較例（図４；黒三角；二点鎖線）］
純水洗浄の段階でやはり１０分より短い待機時間で引き続き洗浄を重ねた。第１回洗浄では８３％の歩留まりであった。５分間待機して同じ洗浄槽で第２回の洗浄をした。歩留まりは６２％であった。さらに５分の待機時間の後同じ洗浄槽で第３回の洗浄を行った。歩留まりは６２％であった。さらにまた５分の待ち時間ののち第４回目の洗浄を行った。歩留まりは更に下がって５２％であった。そのようにして段々に歩留まりが低下してゆき、やはり最終的には３５％程度の低い歩留まりになることが予想された。
【００３９】
これらの３つの系列の洗浄の結果をみると本発明のように１０分以上の待機時間をおいてから次の回の洗浄をするということが歩留まり向上のために有用だということがよく分かる。
【００４０】
【発明の効果】
従来法と本発明の方法の違いを明らかにするために比較試験を行った。まず連続的に次から次へと異なるウエハーカセットのウエハーを洗浄した（従来法）ときのウエハー面に出現するパーティクル数とその出現頻度を計測した。その結果が図５である。横軸はパーティクル数、縦軸は頻度（度数）である。
【００４１】
例えば横軸で４０とあるのはパーティクル数が３１〜４０個ということである。ウエハーの試料の数はＮ＝５０であり、パーティクル数の平均値は３８．７である。標準偏差は１６．２である。それは図７に示すように周辺部３ｍｍ以内に殆どが局在していた。以前の基準であると周辺部３ｍｍを除いて３０個以内ということだから、それでも良かったのである。ところが周辺部も含んでパーティクル数が３０以下ということになったので、４０より多い部分のものが不合格ということになってしまった。そうなると合格であるのはパーティクル数が１１〜２０の３枚と、２１〜３０の１２枚だけである。５０枚のうち１５枚が合格なのだから歩留まりは３０％にすぎない。
【００４２】
それに対して１０分以上の待機時間をおいて洗浄を行う本発明はずっと良い結果を示す。図６は本発明の方法の結果である。平均値が１２．３個、標準偏差が６．１である。パーティクル数が０〜１０個というものが２１枚である。５０枚の内２１枚が、パーティクル数が１０個以下ということになり著しい改善である。また２０枚がパーティクル数１１〜２０個である。３枚がパーティクル数２１〜３０である。ということは４４枚までがパーティクル数３０以下で合格品ということになる。歩留まりは８８％ということになる。優れた発明であることがわかる。
【図面の簡単な説明】
【図１】多数のウエハーを縦に並べて保持するウエハーカセットを漬けて洗浄液に超音波を掛けることによってウエハーを洗浄するようにした最終洗浄のための装置の断面図。
【図２】従来法において、前回と次回のインターバル時間を充分にとらないために２回目以降のウエハーには液切れの悪い部分にパーティクルが発生することを説明するための洗浄工程図。（１）は新たな洗浄液を洗浄槽に入れ第１回目の洗浄をしている状態を、（２）は第１回目洗浄が終わりウエハーカセットを引き上げたものの状態を、（３）は続いて第２回目の洗浄を行っている状態を、（４）は第２回目の洗浄のあとウエハーカセットを引き上げている状態を、（５）は第２回目の洗浄の後のウエハーには周辺弓形部分にパーティクルが発生している状態をそれぞれ示す。
【図３】前回と次回の間に１０分以上の長いインターバル時間をとり２回目以降のウエハーも歩留まり良く洗浄できる本発明の洗浄方法を説明するための洗浄工程図。（１）は新たな洗浄液を洗浄槽に入れ第１回目の洗浄をしている状態を、（２）は第１回目洗浄が終わりウエハーカセットを引き上げたものの状態を、（３）は第１回洗浄のあと充分な待機時間Ｔ１をおいて洗浄液の循環・浄化をしている状態を、（４）は待機時間Ｔ１のあとに第２回目の洗浄をしている状態を、（５）は第２回目の洗浄のあとウエハーカセットを引き上げている状態を、（６）は第２回目の洗浄の後のウエハーには周辺弓形部分にパーティクルが発生していない状態をそれぞれ示す。
【図４】第１回目洗浄のあと２５分の待機時間、第２回目洗浄のあと４０分の待機時間、第３回目洗浄のあと２０分の待機時間をもって洗浄液を充分に浄化してから洗浄を行うようにした本発明の実施例の方法と、待機時間を５分しかとらず順次連続的に洗浄を行う比較例の方法において、第１回目洗浄以後の洗浄における歩留まりを測定した結果を示すグラフ。横軸は時間、縦軸は歩留まりである。
【図５】同じ洗浄槽を連続的に用いて５分以内の待機時間で次から次へとウエハーカセットに収容したウエハーを洗浄したとき（従来法）においてウエハー上に現れたパーティクル数の分布を示すヒストグラム。横軸はパーティクル数、縦軸は度数（頻度）である。
【図６】同じ洗浄槽を用い前回の洗浄から１０分以上の充分な待機時間をおいて次回のウエハーカセットに収容したウエハーを洗浄したとき（本発明）においてウエハー上に現れたパーティクル数の分布を示すヒストグラム。横軸はパーティクル数、縦軸は度数（頻度）である。
【図７】図５の連続的洗浄においてウエハーの周辺に出現するパーティクルの分布を示す図。
【符号の説明】
２　貯留槽
３　洗浄槽
４　洗浄液
５　側壁
６　底壁
７　棚
８　超音波発生器
９　ウエハーカセット
２０　縦壁
２２　継ぎ棒
２３　吸込口
２４　排出管
２５　ポンプ
２６　中継管
２７　フィルタ
２８　供給管
２９　吐出口
３０　汚れ（パーティクル）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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