(57)【要約】【課題】ニードルが加熱された場合であっても、ニードルと電極パッドとの規定の接触圧力を保持しつつ、複数の電極パッドと複数のニードルとの当接を適切に保持することが可能な、半導体評価用基板を得る。【解決手段】半導体評価用基板は、セラミック基板１と複数のニードル２とを備えている。各ニードル２は、外部の負荷供給源に電気的に接続されている。ニードル２は、セラミック基板１の主面に対して垂直（ほぼ垂直を含む）にセラミック基板１を貫通して埋め込まれている。また、ニードル２は、直線状（ほぼ直線状を含む）に延在している。ニードル２は、ウェハ６上の全てのチップ７の各電極パッドに対して、それぞれ１本ずつ当接される。【選択図】　　　　図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップ評価用の所定の電気的負荷を、外部の負荷供給源から前記半導体チップに印加するための半導体評価用基板であって、
基板と、
前記負荷供給源に電気的に接続され、前記基板の主面に対して略垂直に前記基板を貫通して埋め込み配設され、半導体ウェハ上の所定の各半導体チップに対してそれぞれ少なくとも１本当接され、略直線状に延在する、複数のニードルと
を備える、半導体評価用基板。
【請求項２】
前記基板には、前記ニードルに隣接した箇所で前記基板を貫通して、前記ニードルの先端部観察用の開口部が形成されており、
前記基板の前記開口部の周辺部分は、観察を容易にするために面取り加工が施されている、請求項１に記載の半導体評価用基板。
【請求項３】
前記開口部は、前記複数のニードルの各々に対応して個別に形成されており、
互いに隣接する前記開口部同士の間には、前記基板の補強部が形成されている、請求項２に記載の半導体評価用基板。
【請求項４】
前記開口部は、全ての前記ニードルの中から選択された複数の所定のニードルのみに対応して形成されている、請求項２に記載の半導体評価用基板。
【請求項５】
前記ニードルの先端部は、前記ニードルの延在方向に対して所定範囲内で可動であり、
前記半導体チップからの押圧により前記所定範囲を超えて前記ニードルの前記先端部が移動することを防止するために、前記基板と前記半導体ウェハとの最接近距離を規定するストッパをさらに備える、請求項１〜４のいずれか一つに記載の半導体評価用基板。
【請求項６】
前記基板の表面を覆って形成された、発塵防止用のコーティング材をさらに備える、請求項１〜５のいずれか一つに記載の半導体評価用基板。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、半導体チップ評価用の所定の電気的負荷を、外部の負荷供給源から半導体チップに印加するための、半導体評価用基板の構造に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
半導体装置の評価においては、常温あるいは半導体ウェハ（以下「ウェハ」と称する）を高温に過熱した状態で、外部の電気負荷印加機器（負荷供給源）から半導体チップ（以下「ウェハ」と称する）に電気的負荷が印加される。そして、負荷供給源からチップに電気的負荷を印加するために、半導体評価用基板が用いられる。
【０００３】
従来の半導体評価用基板（プローブカード）では、ウェハの主面に対して略水平方向に延在する部分（以下「水平部分」と称する）と、上記主面に対して略垂直方向に延在する部分（以下「垂直部分」と称する）とを有する、略Ｌ字形の複数のニードル（プローブ）が使用されていた。複数のニードルの各水平部分は、例えばセラミック基板に固定されている。そして、各垂直部分の先端を各チップ上の電極パッドに位置合わせして当接させることにより、負荷供給源から複数のニードルを介して複数のチップに電気的負荷が印加されていた（例えば、特許文献１〜３参照）。
【０００４】
【特許文献１】
特開平７−２９４５５５号公報（図１）
【特許文献２】
特開２００１−２２８１７１号公報（図１）
【特許文献３】
特開平１１−１７４１１８号公報（図４）
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、このような従来の半導体評価用基板には、以下のような問題があった。
【０００６】
ウェハが高温（７０〜１４０℃程度）に加熱されると、ウェハからの輻射熱によってセラミック基板の温度が上昇し、セラミック基板は熱膨張する。ここで、ウェハの材質は通常はシリコンであり、その線膨張係数は３．５×１０−６／Ｋ程度である。また、セラミックの線膨張係数は８．０×１０−６／Ｋ程度である。従って、ウェハとセラミック基板とはほぼ同程度に熱膨張するため、セラミック基板の熱膨張はさほど問題にはならない。
【０００７】
一方、ウェハが高温に加熱されると、チップからの直接的な熱伝導と、上記セラミック基板の温度上昇とに起因して、ニードルも加熱される。ニードルの材質は例えば銅であり、その線膨張係数は１７×１０−６／Ｋ程度である。即ち、ウェハとニードルとでは、線膨張係数が大きく異なる。ところで、上記の通り従来の半導体評価用基板では、ニードルが、ウェハの主面に対して略水平方向に延在する水平部分を有している。そのため、加熱によってニードルの水平部分がウェハよりも大きく熱膨張し、これにより、一旦適切に位置合わせされた複数の電極パッドと複数のニードルとの当接位置に、次第にずれが生じる。その結果、ニードルと電極パッドとの規定の接触圧力が保持できない状況や、電極パッドとニードルとが互いに当接せず、チップへの電気的負荷の印加が行えない状況が生じ得るという問題があった。
【０００８】
本発明はかかる問題を解決するために成されたものであり、ウェハの加熱に伴ってニードル及びセラミック基板が加熱された場合であっても、ニードルと電極パッドとの規定の接触圧力を保持しつつ、複数の電極パッドと複数のニードルとの当接を適切に保持することが可能な、半導体評価用基板を得ることを目的とするものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
この発明に係る半導体評価用基板は、半導体チップ評価用の所定の電気的負荷を、外部の負荷供給源から半導体チップに印加するための半導体評価用基板であって、基板と、負荷供給源に電気的に接続され、基板の主面に対して略垂直に基板を貫通して埋め込み配設され、半導体ウェハ上の所定の各半導体チップに対してそれぞれ少なくとも１本当接され、略直線状に延在する、複数のニードルとを備えるものである。
【００１０】
【発明の実施の形態】
パワーＭＯＳトランジスタ等の半導体装置の製造プロセスにおいては、個々のチップに分割される前のウェハの状態で、半導体装置の信頼性及び特性に関する様々な評価が行われる。半導体装置の信頼性の評価としては、経時絶縁破壊試験（Ｔｉｍｅ　Ｄｅｐｅｎｄｅｎｔ　Ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ　Ｂｒｅａｋｄｏｗｎ：ＴＤＤＢ）や、タイムゼロ絶縁破壊試験（Ｂｒｅａｋｄｏｗｎ　Ｖｏｌｔａｇｅ　ｏｆ　Ｇａｔｅ−ｏｘｉｄｅ：ＢＶＧあるいはＴｉｍｅ　Ｚｅｒｏ　Ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ　Ｂｒｅａｋｄｏｗｎ：ＴＺＤＢ）等が知られている。また、半導体装置の特性の評価は、機能テストとして知られている。
【００１１】
これらの半導体装置の評価においては、チップ評価用の所定の電気的負荷（信頼性評価の場合は電気的ストレス、特性評価の場合は電気信号）を、外部の負荷供給源からチップに印加するために、半導体評価用基板が用いられる。
【００１２】
以下、絶縁膜の信頼性評価の際に用いられる半導体評価用基板を例にとり、本発明の実施の形態について具体的に説明する。
【００１３】
実施の形態１．
図１は、ウェハ６の構造を示す上面図である。ウェハ６には、複数のチップ７が行列状の配列で形成されている。各チップ７には、評価対象である絶縁膜（ゲート酸化膜等）を有する、パワーＭＯＳトランジスタ等の半導体装置がそれぞれ形成されている。チップ７の表面には、電極パッド７０がそれぞれ形成されている。例えばゲート酸化膜の信頼性評価の場合、各電極パッド７０は、ゲート酸化膜上に形成されたゲート電極に、それぞれ電気的に接続されている。
【００１４】
図２は、本発明の実施の形態１に係る半導体評価用基板の構造を示す上面図である。図２には、二点鎖線を用いてウェハ６を表記してある。また、図３，４はそれぞれ、図２に示したラインＩＩＩ−ＩＩＩ，ＩＶ−ＩＶに沿った位置に関する断面構造を示す断面図である。
【００１５】
図２〜４を参照して、本実施の形態１に係る半導体評価用基板は、セラミック基板１と複数のニードル２とを備えている。セラミック基板１の板厚は５〜１０ｍｍ程度である。但し、セラミック基板１の代わりに、炭化珪素（ＳｉＣ）、窒化珪素（Ｓｉ３Ｎ４）、シリコン等の基板を用いてもよい。セラミック（Ａｌ２Ｏ３９２％）、炭化珪素、窒化珪素の各線膨張係数は、ウェハ６の材質であるシリコンの線膨張係数（約３．５×１０−６／Ｋ）にほぼ等しく、それぞれ約８．０×１０−６／Ｋ、約３．７×１０−６／Ｋ、約２．８×１０−６〜３．２×１０−６／Ｋである。
【００１６】
図２に示すように、ニードル２は、ウェハ６上のチップ７の配列に合わせて行列状に配設されている。各ニードル２は、外部の負荷供給源（図示しない）に電気的に接続されている。また、図３，４に示すように、セラミック基板１には、ニードル２の直径とほぼ同じ大きさの貫通孔が設けられており、その貫通孔にニードル２が挿入されることにより、ニードル２は、セラミック基板１の主面（上面又は底面）に対して垂直（ほぼ垂直を含む）にセラミック基板１を貫通して埋め込まれている。また、ニードル２は、直線状（ほぼ直線状を含む）に延在している。図２〜４に示した例では、ニードル２は、ウェハ６上の全てのチップ７の各電極パッド７０に対して、それぞれ１本ずつ当接される。
【００１７】
また、図２，３に示すように、セラミック基板１には、ニードル２に隣接した箇所でセラミック基板１を貫通して、複数の開口部３が形成されている。図２に示すように、開口部３は、ニードル２の各行ごとに対応して一体的に形成されている。開口部３は、ニードル２とチップ７の電極パッド７０とを互いに当接させる際に、位置合わせのためにニードル２の先端部及び電極パッド７０を目視等により観察するためのものである。図３に示すように、開口部３の周辺部分におけるセラミック基板１の上面及び底面には、面取り部４ａ，４ｂがそれぞれ形成されている。このように、開口部３の周辺部分においてセラミック基板１の上面及び底面を面取り加工したことによって視認性が向上し、図３の矢印Ｗで示されるように、斜め上方からのニードル２の先端部及び電極パッド７０の観察が容易となる。なお、セラミック基板１の板厚が薄いほどニードル２の先端部等の観察は容易となるが、板厚が薄くなればセラミック基板１の剛性が弱くなるため、極端に薄くすることはできない。剛性や剪断力を考慮して、セラミック基板１の板厚、開口部３の寸法、及び互いに隣接する開口部３同士の間の寸法を、それぞれ決定する必要がある。
【００１８】
また、図４を参照して、セラミック基板１の底面には、例えばセラミック等から成る円柱状のストッパ５が配設されている。セラミック基板１の底面に座グリをとり、ストッパ５の上部がこの座グリにはめ込まれている。このとき、ストッパ５は、耐熱性エポキシ樹脂等の接着剤によって接着される。ニードル２とチップ７とが互いに当接される前の状態（図４）において、セラミック基板１の底面からの突出量は、ストッパ５よりもニードル２の方が大きい。図２に示したように、ストッパ５は、ウェハ６の外周に沿って複数の箇所（図２に示した例では４箇所）に配設されている。
【００１９】
図５は、図３のうち、１本のニードル２付近の構造を拡大して示す断面図である。ニードル２の先端部は、セラミック基板１の底面から規定寸法だけ突出している。同様に、ニードル２の上端は、セラミック基板１の上面から突出している。ニードル２の上端には、ビニール等の絶縁材によって被覆された配線１０の一端が、半田付け等によって接続されている。配線１０の他端は、外部の負荷供給源（図示しない）に接続されている。即ち、ニードル２は、配線１０を介して負荷供給源に電気的に接続されている。
【００２０】
ニードル２は、耐熱性エポキシ樹脂等の接着剤１１ａ，１１ｂによって、セラミック基板１の上面及び底面に固定されている。ここで、セラミック基板１の底面には、切り欠き部９が予め形成されている。そのため、接着剤１１ｂの塗布量を多くすることができ、ニードル２とセラミック基板１との接着力を高めることができる。
【００２１】
図６は、ニードル２の構造を具体的に示す断面図である。タングステン等から成るニードル部２ａが、枠体２ｂ内に挿入されている。セラミック基板１には、枠体２ｂが接着される。また、枠体２ｂ内にはコイル状のスプリング２ｃが配設されており、このスプリング２ｃの作用によって、ニードル部２ａは、ニードル２の延在方向（図６の上下方向）に沿って所定距離だけ可動となっている。
【００２２】
図７，８は、本実施の形態１に係る半導体評価用基板を用いてチップ７の評価が行われる状況を示す断面図である。複数のチップ７が形成されたウェハ６は、ホットチャック８上に載置されている。ホットチャック８は、ウェハ６を加熱する機能とともに、互いに垂直なＸ，Ｙ，Ｚ方向、及びθ方向にウェハ６を移動する機能を有している。ここで、Ｘ方向及びＹ方向はウェハ６の主面の面内方向であり、Ｚ方向はウェハ６の主面の法線方向である。また、θ方向は、Ｚ方向を回転軸とする回転方向である。
【００２３】
図７には、ニードル２がチップ７の電極パッド７０に当接される前の状態が示されている。ホットチャック８によってウェハ６をＸ，Ｙ，θ方向に移動することにより、各ニードル２と各電極パッド７０とを互いに位置合わせする。図２に示したように、セラミック基板１にはチップ７の配列に対応して複数のニードル２が配設されている。そのため、全てのニードル２と全ての電極パッド７０とが適切に位置合わせされるよう、セラミック基板１の開口部３から各ニードル２の先端部及び電極パッド７０を観察しながら、Ｘ，Ｙ，θ方向の各移動量を微調整する。
【００２４】
図７に示した状態からホットチャック８によってウェハ６をＺ方向に移動することにより、ニードル２と電極パッド７０とが互いに当接される。図６に示したように、ニードル２はスプリング２ｂを内蔵している。そのため、電極パッド７０からニードル部２ａを介して押圧されることによるスプリング２ｂの弾性復元力によって、ニードル２の先端部は電極パッド７０に確実に接触する。即ち、電極パッド７０とニードル２との規定の接触圧力が保持される。ＴＤＤＢ試験においては、ホットチャック８によってウェハ６を高温（７０〜１４０℃程度）に加熱した状態で、外部の負荷供給源から各ニードル２を介して各チップ７に高電圧の電気的ストレスが所定時間（数秒〜数十時間）印加される。
【００２５】
図８には、ニードル２と電極パッド７０とが互いに当接された後、チップ７がさらに押し上げられた状態が示されている。ホットチャック８によってチップ７が押し上げられると、最終的にウェハ６の上面の周縁部がストッパ５の底面に接触し、これによってチップ７の押し上げが停止される。即ち、ストッパ５によって、セラミック基板１の底面とウェハ６の上面との最接近距離が規定される。上記の通り、ニードル２は、スプリング２ｃの作用によって、ニードル部２ａが所定距離だけ可動となっている。そのため、チップ７からの押圧によってその所定距離を超えてニードル部２ａが移動すると、ニードル２が破損するおそれがある。従って、ストッパ５によってセラミック基板１とウェハ６との最接近距離を規定し、それ以上はニードル部２ａが移動しないようにすることにより、ニードル２の破損を未然に防止することができる。
【００２６】
以下、本実施の形態１に係る半導体評価用基板の効果について説明する。例えば、直径が約１２５ｍｍのウェハ６を、常温（２５℃）から１４０℃に加熱する場合を考える。図１に示すように、常温において、チップ配列の最左列のチップ７の電極パッド７０ａの中心と、最右列のチップ７の電極パッド７０ｂの中心との距離Ｌ１は、例えば９２ｍｍである。セラミック基板１の直径は例えば１８２ｍｍ程度であるが、図２を参照して、電極パッド７０ａに当接されるニードル２ａと、電極パッド７０ｂに当接されるニードル２ｂとの距離は、距離Ｌ１に等しい９２ｍｍに設計されている。また、常温において、全てのニードル２は、対応する各電極パッド７０の中央にそれぞれ当接されているものとする。
【００２７】
ウェハ６が１４０℃に加熱されると、熱膨張によって、電極パッド７０ａの中心と電極パッド７０ｂの中心との距離は、３．５×１０−６×９２×（１４０−２５）≒０．０４ｍｍだけ左右方向に広がる。
【００２８】
ウェハ６の加熱に伴ってセラミック基板１も１４０℃に加熱されると、熱膨張によって、ニードル２ａとニードル２ｂとの距離は、８．０×１０−６×９２×（１４０−２５）≒０．０８ｍｍだけ左右方向に広がる。
【００２９】
電極パッド７０ａとニードル２ａとに着目すると、電極パッド７０ａが左方向に０．０４／２＝０．０２ｍｍだけ移動し、ニードル２ａが左方向に０．０８／２＝０．０４ｍｍ移動するので、加熱後の電極パッド７０ａとニードル２ａとの位置ずれ量は、０．０４−０．０２＝０．０２ｍｍとなる。
【００３０】
パワーＭＯＳＩＣにおいて、電極パッド７０の一辺は１ｍｍ程度であるため、加熱によって０．０２ｍｍ程度の位置ずれが生じても、ニードル２ａと電極パッド７０ａとの当接は適切に保持されている。
【００３１】
このように本実施の形態１に係る半導体評価用基板によれば、スプリング２ｃを内蔵して略直線状に延在する複数のニードル２が、セラミック基板１の主面に対して略垂直にセラミック基板１を貫通して、セラミック基板１内に埋め込み配設されている。従って、ウェハ６の加熱に起因してニードル２及びセラミック基板１が熱変形した場合であっても、ニードル２と電極パッド７０との平面視上（即ち、ウェハ６の主面の法線方向から眺めた場合）の相対的な位置関係は、ほとんど変化しない。その結果、ニードル２と電極パッド７０との規定の接触圧力を保持しつつ、複数の電極パッド７０と複数のニードル２との当接を適切に保持することが可能となる。
【００３２】
図９は、図２に対応させて、本実施の形態１の第１の変形例に係る半導体評価用基板の構造を示す上面図である。ニードル２の各行に対応して一体的に形成された開口部３の代わりに、複数に分割された開口部３ａが形成されている。開口部３ａは各ニードル２に対応して個別に形成されており、行方向に互いに隣接する開口部３ａ同士の間には、補強部３ｂが形成されている。図９に示した例では、補強部３ｂはセラミック基板１の一部である。但し、一体的な開口部３を形成した後に、所定の箇所に補強部３ｂを別途形成してもよい。第１の変形例に係る半導体評価用基板によると、ニードル２のスプリング圧力の総計が大きい場合等であっても、ウェハ６からの押圧力によってセラミック基板１に歪みが生じることを防止することができる。
【００３３】
図１０は、図２に対応させて、本実施の形態１の第２の変形例に係る半導体評価用基板の構造を示す上面図である。全てのニードル２に対応して開口部３を形成するのではなく、所定のニードルのみに対応して開口部３が形成されている。所定のニードルとしては、例えば、ニードル配列の周縁に沿って複数個のニードル２を選択すればよい。ニードル配列の中心を挟んで対向する２個のニードル２や、ニードル配列の四隅のニードル２を選択するのが望ましい。図１０に示した例では、所定のニードルとして２個のニードル２ｘ，２ｙが選択されている。ニードル２ｘは、ニードル配列の最左列のニードル２であり、ニードル２ｙは、ニードル配列の最右列のニードル２である。所定のニードル２ｘ，２ｙのみを基準として、このニードル２ｘ，２ｙと、対応する各電極パッド７０との位置合わせを行う。これにより、全てのニードル２に関して各電極パッド７０との位置合わせが行われることになる。第２の変形例に係る半導体評価用基板によると、開口部３の必要個数が削減されるため、セラミック基板１の強度を保持できるとともに、製造が容易となる。
【００３４】
実施の形態２．
図１１，１２は、それぞれ図４，５に対応させて、本発明の実施の形態２に係る半導体評価用基板の構造を示す断面図である。セラミック基板１の代わりに、高強度及び高耐熱性を併せ持つ熱硬化性のフェノール樹脂等を用いた、合成樹脂基板１５が用いられている。フェノール樹脂は発塵のおそれがあるため、合成樹脂基板１５の表面は、発塵防止用のフッ素樹脂やメラニン樹脂等のコーティング材１６によって覆われている。
【００３５】
上記実施の形態１と同様に複数のニードル２を合成樹脂基板１５に埋め込み配設し、合成樹脂基板１５から突出しているニードル２の上端部及び下端部を所定のマスク材によってマスキングした後、コーティング材１６によって、合成樹脂基板１５の表面全体をコーティングする。マスク材を除去した後、耐熱性のエポキシ樹脂等の接着剤によってストッパ５を接着することにより、本実施の形態２に係る半導体評価用基板が得られる。なお、合成樹脂基板１５にストッパ５を接着した後に、コーティング材１６によるコーティングを行ってもよい。
【００３６】
このように本実施の形態２に係る半導体評価用基板によると、発塵のおそれがあるフェノール樹脂等の合成樹脂基板１５を用いた場合であっても、合成樹脂基板１５の表面を発塵防止用のコーティング材１６によって覆うことにより、合成樹脂基板１５からの発塵を防止することができる。その結果、半導体製造工場等のクリーンルーム内での使用が可能となる。
【００３７】
ここで、フェノール樹脂から成る合成樹脂基板１５を用いても、上記実施の形態１と同様の効果が得られることについて説明する。フェノール樹脂の線膨張係数は、約１６×１０−６／Ｋである。上記の通り、ウェハ６が常温から１４０℃に加熱されると、電極パッド７０ａの中心と電極パッド７０ｂの中心との距離は、０．０４ｍｍだけ左右方向に広がる。
【００３８】
ウェハ６の加熱に伴って合成樹脂基板１５も１４０℃に加熱されると、熱膨張によって、ニードル２ａとニードル２ｂとの距離は、１６×１０−６×９２×（１４０−２５）≒０．１７ｍｍだけ左右方向に広がる。
【００３９】
電極パッド７０ａとニードル２ａとに着目すると、電極パッド７０ａが左方向に０．０４／２＝０．０２ｍｍだけ移動し、ニードル２ａが左方向に０．１７／２≒０．０９ｍｍ移動するので、加熱後の電極パッド７０ａとニードル２ａとの位置ずれ量は、０．０９−０．０２＝０．０７ｍｍとなる。
【００４０】
上記の通り電極パッド７０の一辺は１ｍｍ程度であるため、加熱によって０．０７ｍｍ程度の位置ずれが生じても、ニードル２ａと電極パッド７０ａとの当接は適切に保持されている。
【００４１】
なお、上記実施の形態１，２では、ウェハ６上の全てのチップ７に対してニードル２を一括して当接する例について説明したが、本発明に係る半導体評価用基板は、ウェハ６内の任意のエリアや任意の部位等、ウェハ６内の一部の複数のチップ７に対してのみニードル２を当接させる場合にも適用できる。
【００４２】
また、上記実施の形態１，２では、絶縁膜の信頼性評価を例にとり説明したが、本発明に係る半導体評価用基板は、半導体装置の特性評価にも適用できる。信頼性評価では各チップ７にニードル２が１本ずつ当接されることが多いが、特性評価では各チップ７に複数本のニードル２が当接されることが多い。
【００４３】
【発明の効果】
この発明に係る半導体評価用基板によれば、半導体ウェハの加熱に起因してニードル及び基板が熱変形した場合であっても、各ニードルと各半導体チップの電極パッドとの平面視上の相対的な位置関係は、ほとんど変化しない。その結果、複数の電極パッドと複数のニードルとの当接を適切に保持することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】ウェハの構造を示す上面図である。
【図２】本発明の実施の形態１に係る半導体評価用基板の構造を示す上面図である。
【図３】図２に示したラインＩＩＩ−ＩＩＩに沿った位置に関する断面構造を示す断面図である。
【図４】図２に示したラインＩＶ−ＩＶに沿った位置に関する断面構造を示す断面図である。
【図５】図３のうち、１本のニードル付近の構造を拡大して示す断面図である。
【図６】ニードルの構造を具体的に示す断面図である。
【図７】本発明の実施の形態１に係る半導体評価用基板を用いてチップの評価が行われる状況を示す断面図である。
【図８】本発明の実施の形態１に係る半導体評価用基板を用いてチップの評価が行われる状況を示す断面図である。
【図９】本発明の実施の形態１の第１の変形例に係る半導体評価用基板の構造を示す上面図である。
【図１０】本発明の実施の形態１の第２の変形例に係る半導体評価用基板の構造を示す上面図である。
【図１１】本発明の実施の形態２に係る半導体評価用基板の構造を示す断面図である。
【図１２】本発明の実施の形態２に係る半導体評価用基板の構造を示す断面図である。
【符号の説明】
１　セラミック基板、２　ニードル、３　開口部、４ａ，４ｂ　面取り部、５ストッパ、６　ウェハ、７　チップ、１５　合成樹脂基板、１６　コーティング材。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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