(57)【要約】【課題】トリミング工数の増大を抑制し得るトリミング装置およびトリミング方法を提供する。【解決手段】抵抗値測定が抵抗値測定ステージにおいて為されると、予め記憶されたトリミング量と抵抗値変化量との関係データとその測定値とに基づいてトリミング量が決定された後、プローブが基板１２上に位置しないトリミング・ステージにおいてトリミングが為される。そのため、プローブをどのように配置しても、トリミングするに際してそのプローブが邪魔にならないので、その配置がトリミングとの関連で制限されることがない。したがって、基板１２上にトリミングの対象となる多数の厚膜抵抗体が高密度に備えられていても、プローブをその厚膜抵抗体を覆う位置にも設け得ることから、１回の抵抗値測定に用い得るプローブ数が増大するので、トリミングの分割回数が少なくなって加工時間が短縮される共に加工費が低減される。【選択図】　　　　　　　　　　図１
2004063797.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
厚膜回路基板上に形成された複数個の厚膜抵抗体の各々の抵抗値を目標値に調節するためのレーザ・トリミング装置であって、
前記厚膜抵抗体のトリミング量と抵抗値変化量との関係データを予め記憶するための関係記憶手段と、
所定の第１位置に配置された前記厚膜回路基板上の前記複数個の厚膜抵抗体の端子の各々にその上方から複数本の探針電極を接触させることによって各々の抵抗値を測定するための抵抗値測定装置と、
その測定した複数個の厚膜抵抗体の各々の抵抗値と前記記憶された関係データとに基づいて、各々の抵抗値を前記目標値に一致させるための各々のトリミング量を決定するトリミング量決定手段と、
前記第１位置と前記複数本の探針電極が前記厚膜回路基板上に位置しない第２位置との間で、その厚膜回路基板を前記抵抗値測定装置に対して相対移動させるための移動装置と、
前記第２位置に配置された前記厚膜回路基板上の前記複数個の厚膜抵抗体の各々を前記決定されたトリミング量だけトリミングするためのトリミング手段と
を、含むことを特徴とするレーザ・トリミング装置。
【請求項２】
厚膜回路基板上に形成された複数個の厚膜抵抗体の各々の抵抗値を目標値に調節するためのレーザ・トリミング方法であって、
所定の第１位置に配置された前記厚膜回路基板上の前記複数個の厚膜抵抗体の端子の各々にその上方から複数本の探針電極を接触させることによって各々の抵抗値を測定する抵抗値測定工程と、
予め記憶された前記厚膜抵抗体のトリミング量と抵抗値変化量との関係データと、前記測定された抵抗値とに基づいて、前記複数個の厚膜抵抗体の各々の抵抗値を前記目標値に一致させるための各々のトリミング量を決定するトリミング量決定工程と、
前記第１位置から前記複数本の探針電極が前記厚膜回路基板上に位置しない第２位置まで、その厚膜回路基板を前記抵抗値測定装置に対して相対移動させる移動工程と、
前記第２位置に配置された前記厚膜回路基板上の前記複数個の厚膜抵抗体の各々を前記決定されたトリミング量だけトリミングするトリミング工程と
を、含むことを特徴とするレーザ・トリミング方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、レーザ・トリミング装置およびレーザ・トリミング方法の改良に関する。
【０００２】
【従来の技術】
厚膜抵抗体を備えた厚膜回路基板を製造するに際しては、その厚膜抵抗体の抵抗値を微調節するためのレーザ・トリミングが施される。このレーザ・トリミングでは、厚膜抵抗体の端子に探針電極（プローブ）を突き当てることによりその抵抗値を測定しつつ、レーザ光でその一部に切り込みを入れて所望の値まで抵抗値を増大させる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
一般に、厚膜回路基板には複数個の厚膜抵抗体が備えられているため、上記のレーザ・トリミングにおいては、それら複数個の厚膜抵抗体の各々の抵抗値を測定するための複数本の探針電極（プローブ）を１枚の基板上に備えた図６、図７に示されるようなプローブ・カード７０が用いられている。なお、図７は、図６の適宜の位置における断面を表している。
【０００４】
両図において、プローブ・カード７０は、例えば、プリント配線基板７２の中央部において厚膜抵抗体４０が設けられている領域よりも十分に広い大きさ、図においてはそれが設けられている厚膜回路基板１２よりも大きな面積で設けられた開口７４の周縁部に、複数本の探針電極７６を各々の先端が内周側に向かい且つ下方すなわち厚膜抵抗体４０側に向かうように固着したものである。レーザ・トリミングをするに際しては、プローブ・カード７０を厚膜回路基板１２の上方に配置して探針電極７６をその微小径にされた先端において厚膜抵抗体４０の端子等に突き当て、開口７４を通して図７における上方から厚膜抵抗体４０にレーザ光を照射する。
【０００５】
しかしながら、このようなプローブ・カード７０では、開口７４の周縁から内周部に向かって探針電極７６が伸びることから、照射されるレーザ光を避けて探針電極７６を配置し得る位置が限定される。また、探針電極７６の基端がプリント配線基板７２に半田付け等で固着されることから、機械的強度等の必要性に基づいて太くされるその基端の配置ピッチが比較的大きくなる。そのため、厚膜回路基板１２に多数の厚膜抵抗体４０が備えられる場合に、その全てに対応する探針電極７６を一枚に設けることは困難である。したがって、１種の厚膜回路基板１２に対して複数枚のカード７０が必要になることからトリミング工程が複数回に分割され、しかも、その分割数は厚膜抵抗体４０の配置密度が高くなるほど多くなることから、近年の厚膜回路の高密度化傾向に伴う加工時間の長時間化や加工費の増大が問題になっていた。
【０００６】
本発明は、以上の事情を背景として為されたものであって、その目的は、トリミング工数の増大を抑制し得るトリミング装置およびトリミング方法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための第１の手段】
斯かる目的を達成するため、第１発明の要旨とするところは、厚膜回路基板上に形成された複数個の厚膜抵抗体の各々の抵抗値を目標値に調節するためのレーザ・トリミング装置であって、（ａ）前記厚膜抵抗体のトリミング量と抵抗値変化量との関係データを予め記憶するための関係記憶手段と、（ｂ）所定の第１位置に配置された前記厚膜回路基板上の前記複数個の厚膜抵抗体の端子の各々にその上方から複数本の探針電極を接触させることによって各々の抵抗値を測定するための抵抗値測定装置と、（ｃ）その測定した複数個の厚膜抵抗体の各々の抵抗値と前記記憶された関係データとに基づいて、各々の抵抗値を前記目標値に一致させるための各々のトリミング量を決定するトリミング量決定手段と、（ｄ）前記第１位置と前記複数本の探針電極が前記厚膜回路基板上に位置しない第２位置との間で、その厚膜回路基板を前記抵抗値測定装置に対して相対移動させるための移動装置と、（ｅ）前記第２位置に配置された前記厚膜回路基板上の前記複数個の厚膜抵抗体の各々を前記決定されたトリミング量だけトリミングするためのトリミング手段とを、含むことにある。
【課題を解決するための第２の手段】
また、前記目的を達成するための第２発明の要旨とするところは、厚膜回路基板上に形成された複数個の厚膜抵抗体の各々の抵抗値を目標値に調節するためのレーザ・トリミング方法であって、（ａ）所定の第１位置に配置された前記厚膜回路基板上の前記複数個の厚膜抵抗体の端子の各々にその上方から複数本の探針電極を接触させることによって各々の抵抗値を測定する抵抗値測定工程と、（ｂ）予め記憶された前記厚膜抵抗体のトリミング量と抵抗値変化量との関係データと、前記測定された抵抗値とに基づいて、前記複数個の厚膜抵抗体の各々の抵抗値を前記目標値に一致させるための各々のトリミング量を決定するトリミング量決定工程と、（ｃ）前記第１位置から前記複数本の探針電極が前記厚膜回路基板上に位置しない第２位置まで、その厚膜回路基板を前記抵抗値測定装置に対して相対移動させる移動工程と、（ｄ）前記第２位置に配置された前記厚膜回路基板上の前記複数個の厚膜抵抗体の各々を前記決定されたトリミング量だけトリミングするトリミング工程とを、含むことにある。
【０００８】
【発明の効果】
このようにすれば、探針電極を用いた抵抗値測定が第１位置において為されると、予め記憶されたトリミング量と抵抗値変化量との関係データとその測定値とに基づいてトリミング量が決定されると共に、その探針電極が厚膜回路基板上に位置しない第２位置においてそのトリミング量だけトリミングが為される。そのため、探針電極をどのように配置しても、トリミングするに際してその探針電極が邪魔にならないので、その配置がトリミングとの関連で制限されることがない。したがって、厚膜回路基板上にトリミングの対象となる多数の厚膜抵抗体が高密度に備えられていても、探針電極をその厚膜抵抗体を覆う位置に設け得ることから、１回の抵抗値測定に用い得る探針電極数が増大する。上記により、トリミングの分割回数が少なくなって加工時間が短縮される共に加工費が低減される。
【０００９】
なお、上記トリミング量と抵抗値変化量との関係データは、トリミングの制御方法との関連で種々の態様を採り得る。例えば、トリミング量は、レーザで切り込む長さ寸法Δａとすることも、切り込み方向における初期寸法ｘに対する切込み寸法Δｘの比（Δｘ／ｘ）とすることもできる。また、抵抗値変化量は、抵抗値の増分ΔＲとすることも、初期抵抗値Ｒに対する増分ΔＲの比（ΔＲ／Ｒ）とすることもできる。
【００１０】
【発明の他の態様】
ここで、好適には、前記レーザ・トリミング装置は、前記厚膜抵抗体の設計値（例えば、幅寸法、長さ寸法、および目標抵抗値）を予め記憶するための設計値記憶手段を含み、前記関係記憶手段は、切込み方向における初期寸法と切込み寸法との比Δｘ／ｘで表される前記トリミング量と、初期抵抗値と増分との比ΔＲ／Ｒで表される抵抗値変化量との関係を前記関係データとして記憶するものであり、前記トリミング量決定手段は、前記目標抵抗値と前記測定した抵抗値Ｒとの差ΔＲとその抵抗値Ｒとの比ΔＲ／Ｒに応じた比Δｘ／ｘからトリミング量Δｘを決定するものである。また、好適には、前記レーザ・トリミング方法は、前記設計値を予め記憶するための設計値記憶工程を含み、前記トリミング量決定工程は、予め記憶された上記比ΔＲ／Ｒと比Δｘ／ｘとの関係データと、目標抵抗値とＲとの差ΔＲとからトリミング量Δｘを決定するものである。このようにすれば、上記関係データは、厚膜抵抗体の厚さ寸法ｔや比抵抗（抵抗率）ρに依存せず、電流方向の長さ寸法Ｌと幅寸法Ｗの比Ｌ／Ｗに依存するものとなるので、その比が同一である複数個の厚膜抵抗体に対して共通に利用することができる。
【００１１】
また、好適には、前記複数本の探針電極は、前記厚膜回路基板を覆うようにその上方に配置されるプローブ・カードに備えられ、且つそのプローブ・カードの中央部に設けられた開口部から下方に向かって突き出した先端部において前記端子に接触させられるものである。このような一般的なプローブ・カードが用いられるレーザ・トリミングにおいては、その探針電極の基部が上記開口部の内周縁よりも外側に固着される構造であることから、その開口部の内周側に多数の厚膜抵抗体が高密度に配設されている場合には、探針電極の中間部が厚膜抵抗体の上に被さる位置関係となり易い。そのため、従来では多数回に分割してトリミングする必要があったので、本発明を適用することによりトリミングの分割回数を少なくする効果が顕著に得られる。
【００１２】
また、好適には、前記関係データは、前記複数の厚膜抵抗体の各々をその抵抗値を測定しつつトリミングして得られるものである。すなわち、抵抗値変化量とトリミング量との関係データは、材料固有の抵抗率と厚膜抵抗体の寸法とから理論的に求めることもできるが、実際に測定して得た関係データを用いれば、厚膜形成時の寸法や形状のばらつきに起因する誤差が無くなるので、トリミング後の抵抗値の精度が一層高められる。
【００１３】
また、好適には、前記トリミング方法は、前記厚膜回路基板上の厚膜抵抗体のうちの一部をその抵抗値を測定しつつトリミングし、残部を測定値と前記関係データとに基づいてトリミングするものである。このようにすれば、探針電極に邪魔されることなくトリミング可能な厚膜抵抗体については、トリミング中にその抵抗値を監視できることから、トリミング後の抵抗値の精度が高められる利点がある。すなわち、１枚の厚膜回路基板上の厚膜抵抗体をトリミングするに際して、その抵抗値を測定した後に関係データを利用してトリミングする方法と、従来の抵抗値を測定しつつトリミングする方法とを併用することもできる。
【００１４】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の一実施例を図面を参照して詳細に説明する。
【００１５】
図１は、本発明の一実施例のレーザ・トリミング装置（以下、トリミング装置という）１０の構成を説明するための模式図である。図において、トリミング装置１０は、トリミング対象である厚膜回路基板（以下、基板という）１２を一方向に沿って搬送するためのベルト・コンベア等の搬送装置１４のその搬送方向に沿って、第１抵抗値測定器１６，レーザ照射機１８，第２抵抗値測定器２０，およびこれらを制御するための制御装置２２等を備えている。本実施例においては、上記の搬送装置１４が移動装置に相当する。
【００１６】
上記の第１抵抗値測定器１６は、搬送装置１４によって搬送されてきた基板１２を予め定められた一定の位置に固定するための位置決め機構や、その基板１２上に形成されている複数個の厚膜抵抗体４０（図３、図５参照）の各々の抵抗値を測定するためにその上方に配置されるプローブ・カード２４等を備えたものである。第２抵抗値測定器２０は、上記の第１抵抗値測定器１６と同様に構成されている。
【００１７】
また、上記のレーザ照射機１８は、例えば波長１（μｍ）程度の赤外レーザを発生させるＹＡＧレーザ装置であって、例えば、５０（μｍ）程度のビーム径で前記厚膜抵抗体４０にレーザ光２６を照射するものである。また、レーザ照射機１８の出力は例えば１〜１０（Ｗ）程度、パルスの繰り返し速度（Ｑレート）は例えば１〜１０（ｋＨｚ）程度である。
【００１８】
また、前記の制御装置２２は、ＣＰＵ、ＲＯＭ、ＲＡＭ等を備え、予めＲＯＭに記憶されたプログラムに従って、ＲＡＭの一時記憶機能を利用しつつ上記の第１抵抗値測定器１６，レーザ照射機１８、および第２抵抗値測定器２０を制御する。すなわち、第１抵抗値測定器１６および第２抵抗値測定器２０のプローブ・カード２４を所定の測定位置に移動させることにより、基板１２の抵抗値測定処理を実行させると共に、得られた測定値に基づいてその厚膜抵抗体４０のトリミング量を決定し、ＲＡＭに一時的に記憶する。また、レーザ照射機１８から射出されたレーザ光２６をトリミング対象となる厚膜抵抗体４０の所定位置に、形成される切り込みが上記決定されたトリミング量となるように照射させる。
【００１９】
図２は、上記制御装置２２の機能を説明する機能ブロック線図である。設計値記憶手段３０は、トリミング処理を施そうとする基板１２上に形成されている複数個の厚膜抵抗体４０の各々の設計値、例えば幅寸法Ｗ、長さ寸法Ｌ、および目標抵抗値Ｒｍ等を記憶する。これらの設計値は、例えば、基板１２の品番毎の厚膜抵抗体４０の設計値を予め記憶しておき、制御装置２２等に設けられた入力装置を操作者が操作して、その基板１２の品番を入力することでＲＡＭの所定のアドレスに読み込まれる。上記操作は、例えば搬送装置１４によって基板１２を搬送している間に、イメージ・リーダ等を用いてその基板１２に記録されている品番情報を読み取ることで自動的に行うことができる。また、これらに代えて、個々の厚膜抵抗体４０毎の設計値を直接的に入力してもよい。
【００２０】
また、関係データ記憶手段３２は、予め測定し或いは理論的に（計算により）求められた厚膜抵抗体４０のトリミング量と抵抗値変化量との関係データ（詳細については後述する）を例えばＲＡＭに記憶する。この関係データは、基板１２上の複数個の厚膜抵抗体４０の各々毎に個別のデータとして記憶してもよいが、厚膜抵抗体４０の仕様毎すなわち同一の幅寸法Ｗおよび長さ寸法Ｌ毎に共通のデータとして記憶してもよい。また、関係データとしては、例えばトリミングの切込み方向における元の長さ寸法ｘに対する切込み長さ寸法Δｘの比（Δｘ／ｘ）と元の抵抗値Ｒに対する抵抗値増分ΔＲの比（ΔＲ／Ｒ）とを対応させたものが用いられ得る。このような比を相互に対応させたものは、厚膜抵抗体４０の構成材料や厚さ寸法ｔに依存しない汎用的なデータすなわち厚膜抵抗体４０の仕様毎の共通のデータとなる。
【００２１】
これに代えて、切込み長さΔｘと抵抗値増分ΔＲとを対応させたものも用い得るが、これは切込み方向における元の長さ寸法ｘや元の抵抗値Ｒ等に依存するので、厚膜抵抗体４０の各々毎の個別データとなる。また、抵抗値Ｒとそれを目標抵抗値Ｒｍまで増大させるために必要な切込み長さΔｘとを対応させたものを、厚膜抵抗体４０毎の個別データとして用いてもよい。
【００２２】
また、抵抗値測定手段３４は、前記第１抵抗値測定器１６を制御して、その第１抵抗値測定器１６が設けられている抵抗値測定ステージに位置させられた基板１２上の厚膜抵抗体４０の各々のトリミング前の抵抗値Ｒを測定する。この抵抗値測定ステージでは、例えば全ての厚膜抵抗体４０の抵抗値が測定されるが、トリミングは実施されない。本実施例においては、上記の抵抗値測定ステージが第１位置に相当する。
【００２３】
トリミング量決定手段３６は、上記の測定された抵抗値Ｒおよび前記の関係データ等に基づいて、厚膜抵抗体４０の各々のトリミング量を決定し且つＲＡＭに記憶する。例えば、関係データがΔｘ／ｘとΔＲ／Ｒとを対応させたものである場合には、抵抗値Ｒおよび目標値Ｒｍからこれらの差すなわち要求される抵抗値変化量ΔＲが算出され、ΔＲ／Ｒと切込み方向における元の長さ寸法ｘとからトリミング量Δｘが決定されることとなる。なお、図においては上記のように目標値Ｒｍがトリミング量の決定段階で利用される場合を示している。トリミング手段３８は、レーザ照射機１８を制御して、その下方すなわちトリミング・ステージに位置させられた基板１２上の複数の厚膜抵抗体４０の各々にレーザ光２６を照射させ、上記決定されたトリミング量だけトリミングを実施させる。本実施例においては、このトリミング・ステージが第２位置に相当する。
【００２４】
図３（ａ），（ｂ）は、前記の関係データ記憶手段３２によってＲＡＭに記憶される関係データの一例を説明する図である。（ａ）は厚膜抵抗体４０の幅方向（電流方向に垂直な方向）に直線的に切込む「直線カット」と称されるトリミング形状の場合の関係データを、（ｂ）は幅方向に小さく切込みを入れた後、その先端から長さ方向すなわち電流方向に切り込む「Ｌカット」と称されるトリミング形状の場合の関係データを、それぞれ示している。（ａ）においては横軸が幅寸法Ｗと切込み長さ寸法ΔＷとの比ΔＷ／Ｗに、（ｂ）においては横軸が長さ寸法Ｌと電流方向における切込み長さ寸法ΔＬとの比ΔＬ／Ｌにそれぞれ設定されているが、縦軸は何れも抵抗値増分ΔＲと元の抵抗値Ｒとの比ΔＲ／Ｒである。
【００２５】
なお、（ａ）には変化率の異なる２本の曲線Ａ，Ｂが示されている。曲線Ａは、長さ寸法Ｌに対して幅寸法Ｗが十分に大きい（Ｌ＜＜Ｗ）場合のデータの一例であり、曲線Ｂは長さ寸法Ｌに対して幅寸法Ｗが十分に小さい（Ｌ＞＞Ｗ）場合のデータの一例である。この図に示されるように、厚膜抵抗体４０のトリミング量と抵抗値変化量との関係は、その形状に基づいて幾何学的に決定されるものであるので、長さ寸法Ｌと幅寸法Ｗとの比が同一であれば、厚膜抵抗体４０の構成材料に拘わらず略同一の曲線が得られるので、基板１２に要求される厚膜抵抗体４０の抵抗値公差次第で、その寸法毎に共通の曲線関係を用いることができる。なお、電流方向に相互に離隔する２位置において幅方向の両側から互い違いに切り込む「Ｚカット」と称されるトリミング形状の場合にも、上記の直線カットと同様な形状の関係データが得られる。
【００２６】
また、（ｂ）にも変化率（傾き）の異なる２本の直線Ｃ，Ｄが示されている。これらの直線Ｃ，Ｄの傾きは、幅寸法Ｗに対する幅方向における切込み長さ寸法ΔＷの比ΔＷ／Ｗに応じて決まるものである。幅方向の切込みが深くなってΔＷ／Ｗが大きくなるほど傾きが大きくなるので、電流方向における切込み長さ寸法ΔＬに対する抵抗値増分ΔＲの増大率が大きくなる。図に示す２本の直線Ｃ，Ｄでは、直線Ｃの方が切込み深さΔＷが相対的に大きい場合を示している。
【００２７】
また、図に示されるように、Ｌカットでは切込み長さ寸法を大きくしても抵抗値の増大率ΔＲ／Ｒが一定の傾きに維持されるが、直線カットでは切込み長さ寸法が大きくなるほど増大率ΔＲ／Ｒの傾きが大きくなる。そのため、厚膜抵抗体４０のトリミング形状は、これらの変化特性を考慮して、抵抗値公差と加工速度との兼ね合い等から適宜定められるものであり、予め定められたトリミング形状に応じた関係データが前記の関係データ記憶手段３２によってＲＡＭに記憶されることとなる。
【００２８】
なお、上記のような関係データは、例えば、加工対象となる基板１２と同一仕様のダミー基板を用意し、前記抵抗値測定手段３４で抵抗値を測定しつつ、前記トリミング手段３８によって厚膜抵抗体４０をトリミングすることで取得される。抵抗値の測定は、要求される抵抗値公差が得られるように適宜定められた周期で行えばよい。また、この関係データの取得および記憶は、多数の基板１２をトリミングするに先立って、関係データ取得用に特に製造したダミー基板を用いて行っても良いが、基板１２の量産段階において、最初に工程を流されてきた半製品を用いて行うこともできる。また、上記トリミングは、厚膜抵抗体４０の所望の抵抗値を得ることを目的とするものではなく、トリミング量と抵抗値変化量との関係を得ることが目的であるので、必ずしも抵抗値を測定しつつトリミングする必要はない。
【００２９】
前記のトリミング量決定手段３６はこのような関係データを用いてトリミング量を決定する。すなわち、算出された抵抗値増分ΔＲと元の抵抗値Ｒのと比がΔＲ／Ｒ＝ｋであれば、それに対応する比ΔＷ／Ｗ＝ｍが図３（ａ）に例示されるように前記関係データから得られる。幅寸法Ｗは制御装置２２に予め入力されているので、式ΔＷ＝ｍＷにｍ、Ｗの値を代入することでトリミング量が決定されるのである。
【００３０】
図４は、以上のように構成されたトリミング装置１０を用いたトリミング方法の一例を説明する工程図である。図に示される工程は、前述したように関係データが記憶された後に行われる量産段階のものである。図において、搬入工程４２では、焼成工程を経て厚膜抵抗体４０が形成された基板１２が、第１抵抗値測定器１６の備えられた抵抗値測定ステージまで搬送装置１４によって運び込まれる。次いで、抵抗値測定工程４４においては、基板１２が所定の位置に固定された後、プローブ・カード２４がその上方の所定高さ位置に配置され、且つ図５に示されるようにその複数本のプローブ（探針電極）４６が複数例えば基板１２上の全ての厚膜抵抗体４０の端子４８に接触させられて、各々の抵抗値が測定される。
【００３１】
上記の図５は、上記抵抗値の測定中の状態をプローブ・カード２４の上方から見た状態で示した図である。図において、プローブ・カード２４は、例えば、中央部に略矩形の開口５０を備えたプリント配線基板５２と、その開口５０の周縁部に先端が内周側に向かう向きで半田付け等で固着された上記複数本のプローブ４６とを備えている。プリント配線基板５２は、例えば略矩形を成すアルミナ製薄板であり、図におけるその下端部に設けられた端子部５４において前記第１抵抗値測定器１６或いは第２抵抗値測定器２０に取り付けられ且つその電気系統に接続される。
【００３２】
上記複数本のプローブ４６は、図７に示される従来のトリミング方法で用いられるプローブ７６と同様に、その先端部に例えば直径０．３（ｍｍ）程度の細い接触部５６を備えたものであり、開口５０から下方に向かって突き出したその接触部５６の先端が弾性的に端子４８に押付けられることでそれらの間の導通が確保されている。本実施例においては、基板１２に備えられている多数の厚膜抵抗体４０の全ての端子４８に、プローブ４６がその接触部５６において接触させられており、前記の抵抗値測定工程４４では、この一枚のプローブ・カード２４で全ての抵抗値が測定される。
【００３３】
なお、上記のように全ての厚膜抵抗体４０に対してプローブ４６が配置された結果として、図５に示されるように一部の厚膜抵抗体４０は、他の厚膜抵抗体４０の端子４８に接触させられたプローブ４６が被さる位置関係にある。しかしながら、本実施例においては、この抵抗値測定工程４４においてトリミング（レーザ光２６の照射）を実施しないので、プローブ４６が厚膜抵抗体４０上に位置しても何ら支障が無い。
【００３４】
図４に戻って、トリミング量決定工程５８においては、測定された抵抗値と予め記憶された前記関係データとに基づいて、基板１２上に備えられた複数個の厚膜抵抗体４０の各々のトリミング量、例えば直線カットの場合には幅方向の切込み深さΔＷが全て決定される。次いで、移動工程６０においては、抵抗値を測定された基板１２が、搬送装置１４によって、レーザ照射器１８の備えられたトリミング・ステージに送られる。すなわち、第１抵抗値測定器１６に対して相対移動させられる。
【００３５】
次いで、トリミング工程６２においては、基板１２をトリミング・ステージの所定位置に位置決めした後、その基板１２上の複数個の厚膜抵抗体４０の各々にレーザ光２６を照射してトリミングを施す。このとき、厚膜抵抗体４０の抵抗値はトリミング中には測定されず、レーザ光２６の出力や照射位置等は各々のトリミング量がトリミング量決定工程５８において決定された値となるように、記憶されたデータに従って制御される。また、この段階では、基板１２が所定位置に位置決めされることで、抵抗値測定ステージにおいて得た測定値と１対１の対応関係で厚膜抵抗体４０が特定される。
【００３６】
また、上記のトリミングの実施中においては、前記の図１に示されるように、基板１２とレーザ照射器１８との間にレーザ光２６の進路を妨げるものが何ら存在しない。すなわち、図７に示される従来のトリミング方法の場合のようなプローブ・カード７０の基板７２やプローブ７６等が、基板１２の上方に位置しない状態でトリミングが実施される。そのため、前述した図５に示されるように、抵抗値の測定中においてプローブ４６が厚膜抵抗体４０に被さる位置関係となっていても、そのようなプローブ４６の配置状態とされていることは、何らトリミングの妨げとはならない。すなわち、基板１２の上方に障害物が何ら存在しないので、全ての厚膜抵抗体４０を、工程を分割することなく１回のトリミング工程でその抵抗値を調節できる。
【００３７】
上記のようにしてトリミングを終えた後、抵抗値測定工程６４においては、トリミング・ステージから第２抵抗値測定器２０が設けられている位置まで基板１２が移動させられた後、抵抗値測定工程４４と同様にして、トリミング後の抵抗値が測定される。この工程でトリミング後の抵抗値データが取得され且つ記録されると、一連のトリミング処理が完了するので、送出工程６６において、基板１２が次工程に送られる。なお、抵抗値測定工程６４は、厚膜抵抗体４０の抵抗値が公差内に留まっていることが工程能力上明らかであれば実施する必要はない。
【００３８】
ここで、本実施例においては、プローブ４６を用いた抵抗値測定が抵抗値測定ステージにおいて為されると、予め記憶されたトリミング量と抵抗値変化量との関係データとその測定値とに基づいてトリミング量が決定された後、そのプローブ４６が基板１２上に位置しないトリミング・ステージにおいてトリミングが為される。そのため、プローブ４６をどのように配置しても、トリミングするに際してそのプローブ４６が邪魔にならないので、その配置がトリミングとの関連で制限されることがない。したがって、基板１２上にトリミングの対象となる多数の厚膜抵抗体４０が高密度に備えられていても、図５に示されるようにプローブ４６をその厚膜抵抗体４０を覆う位置にも設け得ることから、１回の抵抗値測定に用い得るプローブ４６数が増大する。上記により、トリミングの分割回数が少なくなって加工時間が短縮される共に加工費が低減される利点がある。
【００３９】
また、本実施例においては、厚膜抵抗体４０の設計値が予め記憶されると共に、切込み方向における初期寸法と切込み寸法との比（例えばΔＷ／Ｗ）で表されるトリミング量と、初期抵抗値と増分との比ΔＲ／Ｒで表される抵抗値変化量との関係が「関係データ」として利用され、トリミング量決定手段３６は、目標抵抗値Ｒｍと測定した抵抗値Ｒとの差ΔＲとその抵抗値Ｒとの比ΔＲ／Ｒに応じた比ΔＷ／Ｗからトリミング量ΔＷを決定するので、関係データの汎用性が高いことから、必ずしも個々の厚膜抵抗体４０についてデータを取得しておく必要がないので、その関係データの取得が容易になる利点がある。
【００４０】
以上、本発明を図面を参照して詳細に説明したが、本発明は更に別の態様でも実施できる。
【００４１】
例えば、実施例においては、基板１２が搬送装置１４によって一方向に沿って送られることにより、その基板１２と第１抵抗値測定器１６とが相対移動させられていたが、反対に、基板１２が一定の位置に留められたまま、抵抗値測定器１６およびレーザ照射器１８を移動させて、抵抗値の測定とトリミングとを順次に実施するようにしても良い。
【００４２】
また、実施例においては、トリミング量決定工程５８において、予め記憶された関係データと測定された抵抗値とに基づいて、トリミング量すなわち切込み深さΔＷが決定され且つ記憶されていたが、トリミング量は、トリミング工程において複数個の厚膜抵抗体４０の各々を加工する際に順次に決定しても良い。すなわち、抵抗値測定工程４４において測定された抵抗値をＲＡＭに記憶し、これを加工時にトリミング量に変換してもよいのである。
【００４３】
また、実施例においては、基板１２上の全ての厚膜抵抗体４０が予め抵抗値を測定され、且つ抵抗値を同時に測定していない状態でトリミングを施していたが、プローブ４６がトリミングの妨げとならない厚膜抵抗体４０は、従来と同様に抵抗値を測定しつつトリミングしても良い。
【００４４】
また、実施例においては、トリミング量と抵抗値変化量との関係データを、基板１２上の厚膜抵抗体４０を実際にトリミングしつつその抵抗値変化を測定することで取得していたが、材料固有の抵抗率や各部の寸法等に基づいて理論的に得られる関係データを利用することもできる。
【００４５】
また、実施例においては、プリント配線基板５２の開口５０内に露出させられた先端部の接触部５６において端子４８に接触させられる複数本のプローブ４６が備えられたプローブ・カード２４を用いて抵抗値を測定していたが、プローブ４６は、抵抗値測定装置１６，２０に直接固定されるものであってもよい。また、本発明においては、プローブ・カード２４がレーザ光２６を透過させるものである必要がないので、開口５０を有していないプリント配線基板の裏面側（基板１２側）にその裏面に対して垂直に立設されたプローブを有するプローブ・カードも用いることができる。すなわち、抵抗値を測定するためのプローブは、可及的に多くの厚膜抵抗体４０の抵抗値を同時に測定することができるものであれば、適宜の構造・形式のものを用い得る。
【００４６】
また、搬送装置１４は、実施例で示したコンベア型のものに限られず、基板１２を挟持して一枚ずつ移動させるロボット型のもの等適宜のもので構成し得る。
【００４７】
また、実施例では、基板１２上の全ての厚膜抵抗体４０が１回の抵抗値測定工程４４およびトリミング工程６２で全て処理されていたが、高密度実装されている等の理由により一回で測定やトリミングが困難な場合には、２回以上に工程を分割してもよい。この場合にも、厚膜抵抗体４０とプローブ４６との立体的な交叉状態すなわちプローブ４６が被さる位置関係となることが差し支えないことに基づき、従来に比較して工数を少なくできる利点がある。
【００４８】
その他、一々例示はしないが、本発明は、その主旨を逸脱しない範囲で種々変更を加え得るものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例のレーザ・トリミング装置の全体構成を説明する図である。
【図２】図１に示される制御装置の機能を説明する機能ブロック線図である。
【図３】（ａ）、（ｂ）はそれぞれトリミング量と抵抗値変化量との関係データの一例を説明する図である。
【図４】図１のレーザ・トリミング装置を用いたトリミング方法の一例を説明する工程図である。
【図５】図１のレーザ・トリミング装置における抵抗値の測定状態を説明するための平面図である。
【図６】従来のレーザ・トリミング装置におけるトリミング方法を説明するための平面図である。
【図７】図６の適宜の位置における断面図である。
【符号の説明】
１０：レーザ・トリミング装置
１２：厚膜回路基板
１４：搬送装置（移動装置）
１６：第１抵抗値測定器（抵抗値測定装置）
１８：レーザ照射器
２２：制御装置
２４：プローブ・カード
２６：レーザ光
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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