(57)【要約】【課題】大容量磁気記録媒体では記録密度に対応できるＭＲ薄膜磁気ヘッドを保護膜の膜厚を４０Å程度以下に薄くしてスペーシングロスを大幅に減じることにより高密度化に対応するにあたり耐食性の問題を解決する。【解決手段】磁気抵抗効果型薄膜ヘッドにおいて、少なくとも前記ヘッドが記録媒体に接触する面に原子比で表して式ＣＨaＯbＮcＦdＢeＰf（ここにａ＝０〜０．７、ｂ＝０〜１、ｃ＝０〜１、ｄ＝０〜１、ｅ＝０〜１、及びｆ＝０〜１）で表される組成を有するダイヤモンド様薄膜の上層とが形成され厚さが４０Å以下である薄膜ヘッド、その製造法及びそれを用いた磁気ヘッド装置。【選択図】図１
2004047089.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
　磁気抵抗効果素子を含むヘッド部を備える薄膜磁気ヘッドにおいて、前記ヘッド部の少なくとも記録媒体に対向する面が原子比で表して
式ＣＨaＯbＮcＦdＢeＰf
（ここにａ＝０〜０．７、ｂ＝０〜１、ｃ＝０〜１、ｄ＝０〜１、ｅ＝０〜１、及びｆ＝０〜１）
で表される組成を有し且つ厚さが４０Å以下である保護膜を有することを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
【請求項２】
　保護膜の厚さが１０〜３０Åである請求項１の薄膜磁気ヘッド。
【請求項３】
　ａ＝０．０５〜０．７である請求項１又は２の薄膜磁気ヘッド。
【請求項４】
　薄膜磁気ヘッドの表面に
式ＣＨaＯbＮcＦdＢeＰf
（ここにａ＝０〜０．７、ｂ＝０〜１、ｃ＝０〜１、ｄ＝０〜１、ｅ＝０〜１、及びｆ＝０〜１）
で表される組成を有するダイヤモンド様保護膜を形成されるように調製された気体原料を使用し、薄膜磁気ヘッドの少なくとも記録媒体との対向表面に４０Å以下の前記保護膜が形成されるまで気相成膜することからなる薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項５】
　薄膜磁気ヘッドの表面にダイヤモンド様保護膜を形成する前に、気相エッチングを施す請求項４の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項６】
　薄膜磁気ヘッドに負のバイアス電圧を印加して気相成膜を実施する請求項４又は５の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項７】
　保護膜の厚さが１０〜３０Åである請求項４〜６のいずれかの薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項８】
　ａ＝０．０５〜０．７である請求項４〜７のいずれかの薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項９】
　前記請求項１の薄膜磁気ヘッドを備えた少なくとも１つのスライダを有する磁気ディスク装置。
【請求項１０】
　磁気抵抗効果素子はＭＲ型、ＧＭＲ型、ＴＭＲ型、またはＣＰＰ型の磁気抵抗効果素子である前記請求項１〜３のいずれかの薄膜磁気ヘッド。
【請求項１１】
　薄膜磁気ヘッドは磁気抵抗効果素子としてＭＲ型、ＧＭＲ型、ＴＭＲ型、またはＣＰＰ型の磁気抵抗効果素子を含む請求項４〜８のいずれかの薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
　本発明は薄膜磁気ヘッド、その製造方法及びそれを用いたスライダを有する磁気ディスク装置に関し、より詳しくはＭＲ（Magnetoresistive）型、ＧＭＲ（Giant Magnetoresistive）型、ＴＭＲ（Tunneling Junction Magnetoresistive）型、ＣＰＰ（Current Perpendicular in Plane）型等の磁気抵抗効果膜を用いた薄膜磁気ヘッド、その製造方法及びそれを用いたスライダを設けた磁気ディスク装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
　近年、磁気記録における高密度化が進められている。これに伴い、ハードディスク用のヘッドとして、磁極として軟磁性薄膜を用いる薄膜磁気ヘッドや、記録を誘導型ヘッドで行い、磁気抵抗効果を利用して再生を行うＭＲヘッドの開発が盛んに進められている。
【０００３】
　ＭＲへッドは、磁性材料を用いた読み取りセンサー部の抵抗変化により外部磁気信号を読み出すものである。ＭＲへッドでは再生出力が記録媒体の磁気信号に依存し記録媒体に対する相対速度に依存しないことから、線記録密度の高い磁気記録においても高い出力が得られるという特徴がある。ＭＲヘッドでは、分解能を上げ、良好な高周波特性を得るために、通常、磁気抵抗効果膜（ＭＲ膜）を一対の磁気シールド膜で挟む構成（シールド型ＭＲヘッド）とされる。この場合、ＭＲヘッドは再生用へッドであるため、通常、記録を行うための誘導型へッド部をＭＲヘッド部と一体化したＭＲ誘導型複合へッドが用いられている。
【０００４】
　薄膜磁気ヘッドは通常、記録媒体上に空気のベアリング作用で浮上させ、ＣＳＳ(Contact Start Stop)方式を採用するものが多く、高速回転する磁気ディスク上に、通常０．２〜２．０μｍ程度の微少浮上量で保持されている。このため、ヘッドクラッシュやＣＳＳ摩耗に耐えるための表面強度、耐摩耗性が問題になる。耐摩耗性を向上させる試みも種々なされているが、例えば特開平４−２７６３６７号公報に記載されているように、磁気へッドスライダのレール上に保護皮膜を設けるといった手法が知られている。しかし、前記保護皮膜はシリコン接着層と水素含有アモルファス炭素膜とを厚さ２５０Å以下に形成するものであるが、接着層にシリコンを使用するため強度的に不十分である。また、磁性薄膜磁気ヘッドを構成するアルミナと炭化チタンの焼結体基板、アルミナ絶縁層、パーマロイ、センダスト、窒化鉄等の軟磁性体薄膜などの構造体にこのようなシリコン接着層を設けた場合、薄膜磁気ヘッドと保護皮膜との密着性ないし接着性が不十分であるため、剥離が生じたり、耐摩耗性が十分に得られないといった問題を生じていた。
【０００５】
　また、例えば特許第２５７１９５７号公報には酸化物表面に、アモルファスシリコン、アモルファスシリコンカーバイドのバッファ層を設け、さらにその上に炭素または炭素を主成分とする皮膜を設ける点について記載されている。しかし、このようにバッファ層を設けた保護層を薄膜磁気ヘッドに適用しても、耐久性の点で未だ不十分である。また、保護皮膜を設ける工程の他バッファ層製膜工程が必要となり、製造時間や製造コストが増加すると共に、膜厚が厚くなってしまうため、低コスト化、量産性、記録密度の増大に対する要請がますます大きくなるハードディスク用磁気ヘッド分野において極めて不利である。
【０００６】
　一般にシリコン中間層を形成するための工業的方法ではシリコン原子がスパッタされるだけであり、シリコン原子間には化学結合が形成されないため硬度が低く緻密性に欠け、シリコン原子の塊ができやすい。そのため保護膜を薄くすると耐食性及び耐摩耗性（ＣＳＳ）を満足させることができなかった。すなわち、スパッタ法で形成したシリコンバッファ層の表面に薄いダイヤモンド様炭素膜を形成すると、シリコン同士の化学結合が形成されず、シリコン中間層が緻密性に欠け且つ細かい塊を有するために、ダイヤモンド様炭素膜が単にシリコン中間層を覆っているだけとなる。従ってダイヤモンド様炭素膜を薄くすると水分等の腐食性ガスがシリコン中間層に容易に透過してこれを腐食し、或いはダイヤモンド様保護膜が容易に剥離される。また薄膜磁気ヘッド側の金属が腐食したりシリコン中に拡散して電気抵抗を変化させ薄膜磁気ヘッドの特性が低下する問題もある。
【０００７】
　更に、本発明者らは特開平１０−２８９４１９号公報や特開平１０−２７５３０８号公報において、薄膜磁気ヘッドの構成部材に対する密着力が強く、耐食性及び耐摩耗性に優れた薄膜磁気ヘッド用保護膜を提供した。すなわち、例えば特開平１０−２７５３０８号公報では保護膜がＳｉＣXＨYＯZＮW（Ｘ、Ｙ、ＺおよびＷは原子比を表し、Ｘ＝３〜２６、Ｙ＝０．５〜１３、Ｚ＝０．５〜６、Ｗ＝０〜６である）で表される組成を有する優れた耐久性を有する薄膜磁気ヘッドを提供した。
【０００８】
【特許文献１】特開平４−２７６３６７号公報
【特許文献２】特許第２５７１９５７号公報
【特許文献３】特開平１０−２８９４１９号公報
【特許文献４】特開平１０−２７５３０８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
　最近では一枚のディスクで８０Ｇｐｓｉの容量をもつ記録媒体が使用されるように至っている。このような大容量磁気記録では記録密度を高めるためヘッドと記録媒体とのスペースは小さくする必要があるが、ヘッド上に分厚い保護膜があるとこれがスペーシングロスとなり高密度化に十分対応できていない。
【００１０】
　上記の特開平１０−２７５３０８号公報の保護膜は厚さ約７０Å程度であり、これ以上では十分な耐食性と耐摩耗性を発揮できるが、高密度化には保護膜の厚さをできるだけ薄くしてスペーシングを極力低下しなければならないが、これ以下の厚さではＳｉが含まれているためと思われるが耐食性が満足できず保護膜の厚さを更に薄くすることができなかった。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
　本発明者は、従来の磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドではダイヤモンド様薄膜による保護膜が単独では十分な耐久性（耐食性及び耐摩耗性）を持たず、中間層を介在させる必要があった点を検討したところ、従来技術では耐食性を増すために７０Å以上の比較的厚い膜を使用していたために内部応力が大きくなり、密着性が減じ、そのためＳｉ含有層のような中間層を介在させなければ所期の耐久性の高い保護膜が得られなかったことが解明できた。このように、７０Å以下の厚さの単一のダイヤモンド様薄膜を試みるという着想は従来存在しなかった。
【００１２】
　これに対して本発明者はダイヤモンド様薄膜保護膜の厚さを４０Å以下にすれば薄膜磁気ヘッド面への密着性が増し、却って耐食性及び耐摩耗性も従来と遜色のない特性が得られることを見い出した。このように従来ダイヤモンド様保護膜を用いた薄膜磁気ヘッドは中間層を必須としていたのであるが、本発明は中間層を省略してしかも膜厚を４０Å以下、さらには３０Å以下にできる点で、工程数の減少、及びスペーシングロスの大幅な低減を達成することができたものである。
【００１３】
　すなわち、本発明は磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドにおいて、少なくとも前記ヘッドが記録媒体に接触する面に
　式ＣＨaＯbＮcＦdＢeＰf
（ここに原子比でａ＝０〜０．７、ｂ＝０〜１、ｃ＝０〜１、ｄ＝０〜１、ｅ＝０〜１、及びｆ＝０〜１）
で表されるダイヤモンド様薄膜を保護膜として形成することにより、耐食性と耐摩耗性を高く保持しながら全膜厚を従来の限界であった約７０Åを４０Å、さらには３０Å以下にまで薄くすることを可能にしたものである。
【００１４】
　本発明では、薄膜磁気ヘッドの少なくとも記録媒体対向面、すなわち浮上面または摺動する面に所定の組成比のアモルファスのダイヤモンド様炭素膜よりなる単一の保護膜を形成する。この保護膜は薄膜磁気ヘッドにＤＣバイアス電圧、あるいはセルフバイアスを印加し、プラズマＣＶＤ法やイオン化蒸着法などの気相成膜法で形成することができる。
【発明の効果】
【００１５】
　このようにして形成された保護膜は耐食性及び耐摩耗性を満足しながら約４０、さらには３０Å以下に形成できるので、ＭＲ薄膜磁気ヘッドのスペーシングを減じ、記録の高密度化に対処できる。そしてかかる薄膜化にもかかわらず耐食性及び耐摩耗性保護膜が７０Å以上のように厚い特開平１０−２７５３０８号公報等に記載の薄膜磁気ヘッドと遜色がない。
【００１６】
　従来のＳｉ中間層を介在した保護膜ではすでに述べた理由で水分等の腐食性気体に対する浸透が十分に防止できないために保護膜の厚さを十分に厚くする必要があったが、本発明の保護膜は従来のものに比して非常に薄いにもかかわらず被保護面に対する密着性がきわめて良いために、腐食性気体に対する浸透が十分に防止でき耐食性が向上するものと思われる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
　保護膜に使用するアモルファスのダイヤモンド様薄膜は
　式ＣＨaＯbＮcＦdＢeＰf
で表される組成を有し、Ｃを必須とし、原子比でａ＝０〜０．７、ｂ＝０〜１、ｃ＝０〜１、ｄ＝０〜１、ｅ＝０〜１、及びｆ＝０〜１である。
　炭化水素を原料とするプラズマＣＶＤ法、イオン化蒸着法、ＥＣＲプラズマＣＶＤ等の気相成膜法によれば一般に水素がａ＝０．０５〜０．７含有される。しかし、カーボンターゲットを用いて フォローカソード方式（ＦＣＶＡ）、スパッタ方式等でダイヤモンド様薄膜を形成すれば水素を含まない層を形成することも可能である。
【００１８】
　ダイヤモンド状炭素（ＤＬＣ）膜は、ダイヤモンド様炭素膜、ｉ−カーボン膜等と称されることもある。ダイヤモンド状炭素膜については、例えば、特開昭６２−１４５６４６号公報、同６２−１４５６４７号公報、Ｎｅｗ　Ｄｉａｍｏｎｄ　Ｆｏｒｕｍ、第４巻第４号（昭和６３年１０月２５日発行）等に記載されている。ＤＬＣ膜は、上記文献（Ｎｅｗ　Ｄｉａｍｏｎｄ　Ｆｏｒｕｍ）に記載されているように、ラマン分光分析において、１４００〜１７００ｃｍ-1にブロードなラマン散乱スペクトルの山を有し、１３３３ｃｍ-1に鋭いピークを有するダイヤモンドや、１５８１ｃｍ-1に鋭いピークを有するグラファイトとは、明らかに異なった構造を有する物質である。ＤＬＣ膜のラマン分光分析スペクトルは上記のブロードな山は、炭素および水素以外の上記元素を含有することにより、これから相当程度変動する。ＤＬＣ膜は、炭素と水素とを主成分とするアモルファス状態の薄膜であって、炭素同士のｓｐ２及びｓｐ３結合がランダムに存在することによって形成されている。
【００１９】
　本発明において、ＤＬＣ膜の厚さは、通常１０〜４０Å、好ましくは１５〜３０Åである。これよりも厚いとＭＲ薄膜磁気ヘッドと記録媒体の間のスペーシングが大きくなるので高密度記録用の薄膜磁気ヘッドとしては好ましくない。
【００２０】
　次に、本発明の薄膜磁気ヘッドについて説明する。図１は、本発明の薄膜磁気ヘッドの構成例を示した断面概略構成図である。図示例の薄膜磁気ヘッドは、本発明のダイヤモンド様薄膜の保護層１、保護層２、上部磁極層３、ギャップ４、下部磁極層５、絶縁層６、上部シールド層７、ＭＲ素子８、下部シールド層９、下地層１０、基体１１、導電コイル１２、及び絶縁層１３とを有する。図示例の薄膜磁気ヘッドは再生用のＭＲヘッド部と記録用の誘導型へッド部とを有する、いわゆるＭＲ誘導型複合へッドである。ここで、記録用の誘導型ヘッド部は、上部磁極層３と下部磁極層５、およびこれらに挟まれたギャップ４と導電コイル１２により構成される。ＭＲへッド部は上部シールド層７と下部シールド層９、およびこれらに挟まれた絶縁層１３とＭＲ素子８により構成されていろ。そして、図示例では誘導型へッド部がいわゆるトレーリング側であり、ＭＲへッド部がリーディング側である。かかる構成は公知であり、例えば特開平１０−２７５３０８号公報等を参照されたい。
【００２１】
　そして、これらの構造物が積層された薄膜磁気ヘッド素体の少なくとも走行面または摺動する面、つまり磁気記録媒体（磁気ディスク）と対向する面（図では左側の紙面と垂直な面）に本発明の保護層１が形成される。
　なお、図１ではＭＲ誘導型複合ヘッドの例を示したが、ＭＲ素子８に代えてより感度の高いＧＭＲ（Giant Magnetoresistive）構造、ＴＭＲ（Tunneling Junction Magnetoresistive）構造、ＣＰＰ（Current Perpendicular Plane）構造を用いることも可能である。
【００２２】
　図２は磁気ディスク装置の全体図であり、駆動部に複数の磁気ヘッド装置を支持し、それらのアーム部先端に薄膜磁気ヘッドを備えたスライダを取り付けたものである。図３は薄膜磁気ヘッドを備えるスライダの斜視図であり、スライダのトレーリング側（空気流出端）にＭＲヘッドを備える。
【００２３】
　この形態はＣＳＳ(contact start-stop)動作方式と呼ばれる方式の磁気ディスク装置を例示して説明するものとする。図２のようにこの磁気ディスク装置は、複数の磁気記録媒体２１と、これらの磁気記録媒体２１の各面に対応して配設された複数の磁気ヘッド装置２２とを備えている。磁気記録媒体２１は、筐体２３に固定されたスピンドルモータ２４により回転するようになっている。磁気ヘッド装置２２は、筐体２３に固定された固定軸２５にべアリング２６を介して回動可能なように取り付けられている。ここでは複数の磁気ヘッド装置２２が共通のべアリング２６を介して固定軸２５に取り付けられており、これにより、複数の磁気ヘッド装置２２が一体となって回動するようになっているものとする。磁気ヘッド装置２２の先端側には磁気ヘッドスライダ２７が取り付けられている。また、この磁気ディスク装置は、磁気ヘッド装置２２の他方の後端側に、磁気記録媒体２１のトラック上におけるスライダ２７の位置決めを行うための駆動部２８を備えている。駆動部２８は、固定軸２５を中心として磁気ヘツド装置２２を回動させるものであり、これによりスライダ２７は、磁気記録媒体２１の径方向に移動可能となっている。
【００２４】
　図３は、図２に示したスライダ２７の拡大斜視図である。スライダ２７は例えばアルティック(Ａｌ2Ｏ3・ＴｉＣ)よりなり、ほぼ六面体状に形成された基体１００を有している。そのうちの磁気記録媒体２１に対向する面が、記録媒体対向面あるいはエアべアリング面(ABS:AirBearingSnrface)２９である。図３に示したように、スライダ２７のＡＢＳ２９に直交する一側面には薄膜磁気ヘッド３０が設けられている。
【００２５】
　続いて、このように構成された磁気ディスク装置による記録・再生の動作について、図２を参照して説明する。ＣＳＳ動作方式の場合、磁気ディスク装置が動作していない時、すなわち、スピンドルモータ２４が停止しており磁気記録媒体２１が回転していない状態においては、スライダ２７のＡＢＳ２９と磁気記録媒体２１とを接触させておく。記録・再生動作を行う際には、スピンドルモータ２４により磁気記録媒体２１を高速回転させる。磁気記録媒体２１が高速回転すると空気流が発生し、揚力が生まれる。スライダ２７を、この揚力によって磁気記録媒体２１の表面から浮上させると共に、駆動部２８により、この磁気記録媒体２１の表面に対して水平方向に相対的に移動させる。この際、スライダ２７の一側面に形成された薄膜磁気ヘッド３０によって記録・再生を行うのである。
【００２６】
保護膜の製造
　ダイヤモンド様炭素膜（以下ＤＬＣ）は、プラズマＣＶＤ法、イオン化蒸着法、フォローカソード法、ＥＣＲプラズマＣＶＤ法等により形成できるほか、スパッタ法でも形成することができる。
　ＤＬＣ膜をプラズマＣＶＤ法により形成する場合、例えば特開平４−４１６７２号公報等に記載されている方法により成膜することができる。プラズマＣＶＤ法におけるプラズマは、直流、交流のいずれであってもよいが、交流を用いることが好ましい。交流としては数ヘルツからマイクロ波まで使用可能である。また、ダイヤモンド薄膜技術（総合技術センター発行）などに記載されているＥＣＲプラズマも使用可能である。また、バイアス電圧を印加してもよい。
【００２７】
　ＤＬＣ膜をプラズマＣＶＤ法により形成する場合、原料ガスには、下記化合物を使用することが好ましい。
　ＣおよびＨを含有する化合物として、メタン、エタン、プロパン、ブタン、ペンタン、ヘキサン、エチレン、プロピレン等の炭化水素が挙げられる。
　Ｃ＋Ｈ＋Ｏを含む化合物としては、ＣＨ3ＯＨ、Ｃ2Ｈ5ＯＨ、ＨＣＨＯ、ＣＨ3ＣＯＣＨ3等がある。
　Ｃ＋Ｈ＋Ｎを含む化合物としては、シアン化アンモニウム、シアン化水素、モノメチルアミン、ジメチルアミン、アリルアミン、アニリン、ジエチルアミン、アセトニトリル、アゾイソブタン、ジアリルアミン、エチルアミン、ＭＭＨ、ＤＭＨ、トリアリルアミン、トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリフェニルアミン等がある。
　この他、上記の化合物、Ｏ源あるいはＯＮ源、Ｎ源、Ｈ源、Ｆ源、Ｂ源、Ｐ源等とを組み合わせてもよい。
【００２８】
　Ｏ源としてＯ2、Ｏ3等、Ｃ＋Ｏ源としてＣＯ、ＣＯ2等、Ｈ源としてＨ2等、Ｈ＋Ｏ源としてＨ2Ｏ等、Ｎ源としてＮ2、Ｎ＋Ｈ源としてＮＨ3等、Ｎ＋Ｏ源としてＮＯ、ＮＯ2、Ｎ2ＯなどＮＯxで表示できるＮとＯの化合物等、Ｎ＋Ｃ源として（ＣＮ）2等、Ｎ＋Ｈ＋Ｆ源としてＮＨ4Ｆ等、Ｏ＋Ｆ源としてＯ2＋Ｆ2等を用いてもよい。
【００２９】
　上記原料ガスの流量は原料ガスの種類に応じて適宜決定すればよい。動作圧力は、通常、１〜７０Ｐａ、投入電力は、通常、１０Ｗ〜５ＫＷ程度が好ましい。
【００３０】
　ＤＬＣ膜は、イオン化蒸着法により形成してもよい。イオン化蒸着法は、例えば特開昭５９−１７４５０８号公報等に記載されている。ただし、これらに開示された方法、装置に限られるものではなく、原料用イオン化ガスの加速が可能であれば他の方式のイオン蒸着技術を用いてもよい。この場合の装置の好ましい例としては、例えば、特開昭５９−１７４５０８号公報に記載されたイオン直進型またはイオン偏向型のものを用いることができる。
【００３１】
　イオン化蒸着法においては、真空容器内を１０-4Ｐａ程度までの高真空とする。この真空容器内には交流電源によって加熱されて熱電子を発生するフィラメントが設けられ、このフィラメントを取り囲んで対電極が配置され、フィラメントとの間に電圧Ｖｄを与える。また、フィラメント、対電極を取り囲んでイオン化ガス閉じこめ用の磁界を発生する電磁コイルが配置されている。原料ガスはフィラメントからの熱電子と衝突して、プラスの熱分解イオンと電子を生じ、このプラスイオンはグリッドに印加された負電位Ｖａにより加速される。このＶｄ、Ｖａおよびコイルの磁界を調整することにより、組成や膜質を変えることができる。また、バイアス電圧を印加してもよい。
【００３２】
　ＤＬＣ膜をイオン化蒸着法により形成する場合、原料ガスには、プラズマＣＶＤ法と同様のものを用いればよい。上記原料ガスの流量はその種類に応じて適宜決定すればよい。動作圧力は、通常１〜７０Ｐａ程度が好ましい。
【００３３】
　ＤＬＣ膜は、スパッタ法により形成することもできる。この場合、Ａｒ、Ｋｒ等のスパッタ用のスパッタガスに加えて、Ｏ2 、Ｎ2、ＮＨ3、ＣＨ4、Ｈ2等のガスを反応性ガスとして導入すると共に、Ｃをターゲットとしたり、Ｃ、Ｎ、Ｏ等を含む混成ターゲット或いは２以上のターゲットを用いてもよい。また、ポリマーをターゲットとして用いることも可能である。このようなターゲットを用いて高周波電力、交流電力、直流電力のいずれかを印加し、ターゲットをスパッタし、これを基板上にスパッタ堆積させることによりＤＬＣ膜を形成する。高周波スパッタ電力は、通常、５０Ｗ〜２ＫＷ程度である。動作圧力は、通常、１０-3〜０．１Ｐａが好ましい。
【００３４】
　このようなターゲットを用いて高周波電力を加え、ターゲットをスパッタし、薄膜磁気ヘッドの所定の面にスパッタ堆積させることにより保護膜を形成する。なお、この場合も基板ないし薄膜磁気ヘッドに加えるバイアスは負のバイアス電圧を印加する。バイアス電圧は、直流が好ましい。また、バイアス電圧を印加せずにセルフバイアスを利用してもよい。上記のバイアス電圧は、好ましくは−１０〜−２０００Ｖであり、より好ましくは−５０〜−１０００Ｖである。高周波スパッタ電力は、通常５０Ｗ〜２ＫＷ程度である。動作圧力は、通常０．００１３〜０．１３Ｐａが好ましい。
【００３５】
　ダイヤモンド様保護膜の成膜に先立って、Ａｒ、Ｋｒ等のガスを用いて薄膜磁気ヘッドの所定の表面を気相エッチングし、表面層を浄化することが望ましい。エッチングにより薄膜磁気ヘッドの表面に微細な凹凸ができることによりアンカー効果がえられ、より良好な密着性を得ることができる。例えば上記のイオン化蒸着法において成膜ガスの導入に先立ってＡｒガスを導入し薄膜磁気ヘッドの所定面をエッチングすればよい。
【実施例】
【００３６】
実施例の保護膜の成膜
　ＤＬＣの成膜法
　薄膜磁気ヘッドの記録媒体との接触面（Ａｒでエッチングを行ったものは実施例１〜３、行わないものは実施例４）の上に、ＤＬＣ１及びＤＬＣ２膜を自己バイアスＲＦプラズマＣＶＤ法により次の条件で成膜した。
ＤＬＣ１
　原料ガス：Ｃ2Ｈ4（０．０１７Ｐａ・ｍ3・ｓ-1）
　電源：ＲＦ
　動作圧：６６．５Ｐａ
　投入電力：５００Ｗ
　成膜レート：１００ｎｍ／ｍｉｎ
　膜組成：ＣＨ0.21
　膜厚：２５Å
ＤＬＣ２
　原料ガス：Ｃ2Ｈ4とＮ2（０．０８５Ｐａ・ｍ3・ｓ-1）
　電源：ＲＦ
　動作圧：６６．５Ｐａ
　投入電力：５００Ｗ
　成膜レート：１００ｎｍ／ｍｉｎ
　膜組成：ＣＨ0.25Ｏ0.03Ｎ0.08
　膜厚：１５Å
【００３７】
比較例の保護膜の成膜
　比較例１〜２
　比較のため薄膜磁気ヘッドの走行面に下層にＳｉのスパッタによる成膜を１５〜２５Åの厚さが得られるまで行った。
　その上に上記ＤＬＣ１およびＤＬＣ２を表１に示した組み合わせ及び厚さで成膜した。
【００３８】
　比較例３〜５
　他の比較例として上に挙げた公知例の Ｓｉ、ＣおよびＨを含む化合物の原料ガスとして、Ｓｉ（ＣＨ3）4と、Ｃ2Ｈ4とをそれぞれ流量８ＳＣＣＭと、２０ＳＣＣＭにて導入した。プラズマ発生用の交流としてＲＦ５００Ｗを加え、動作圧力６．６６Ｐａで、ＭＲ薄膜磁気ヘッドの走行面に、セルフバイアス−４００Ｖにて３０Å、５０Å及び７０Åに成膜した。
【００３９】
　これらの結果を表１に示す。ここにＣＳＳはスタート／ストップを１００×１０4回行い読み取り不良が発生した不良個数（１０００個当たり）を１００回の試験で平均した値である。
　また耐食性は、加速試験として試料を８０℃に加熱した純水に４８時間浸漬後に、読み取り不良が発生した不良個数（１０００個当たり）を１００回の試験で平均した値である。
【００４０】
【表１】
2004047089.tif 000003
【００４１】
　表１の結果をみると、比較例１〜２のＳｉスパッタによる下層を形成した場合、ＤＬＣ薄膜の厚さが２５Åでも耐久性及び耐食性が十分でない。これは先に説明したようにＳｉがスパッタ時に微小な塊を形成し易いためと考えられる。またＳｉＣXＨYＯZＮW層単独でも膜厚が５０Åでは耐食性が不十分であり文献に記載されているように７０Åを必要とする。一方３０Åでは耐久性及び耐食性が大きく低下する。
　これに対して本発明の実施例ではＤＬＣ膜単独でも耐久性及び耐食性が十分に大きく、膜厚４０Å、さらには３０Å以下でもＭＲヘッドの保護膜として使用が可能となるため、スペーシングロスが大幅に低下し、そのため記録密度が非常に高い記録媒体に対して十分使用できることが分かる。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】本発明によるＭＲ薄膜磁気ヘッドの構成を示す断面図である。
【図２】本発明によるＭＲ薄膜磁気ヘッドが使用される磁気ヘッド装置を備えた磁気ディスク装置を示す斜視図である。
【図３】図２のスライダ部分の拡大斜視図である。
【符号の説明】
【００４３】
２　保護層
３　上部磁極層
４　ギャップ
５　下部磁極層
６　絶縁層
７　上部シールド層
８　ＭＲ素子
９　下部シールド層
１０　下地層
１１　基体
１２　導電コイル
１３　絶縁層
２１　磁気記録媒体
２２　磁気ヘッド装置
　２２Ａ　スライダ支持部
　２２Ｂ　アーム部
　２２Ｃ　スライダ
２３　筐体
２４　スピンドルモータ
２５　固定軸
２６　ベアリング
２７　スライダ
２８　駆動部
２９　記録媒体対向面
３０　薄膜磁気ヘッド
１００　基体
【図１】
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【図２】
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【図３】
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