(57)【要約】【課題】スパッタリングにより形成されたアルミニウムあるいはその合金の薄膜分布のバラツキを１％以下にする技術を提供する。【解決手段】スパッタリングされる面のＸ線回折により求められた結晶面（１１１）のピークの半値幅を０．３以下、またはそれと半値幅のバラツキを３０％以下とする。また、スパッタリングされる面のＸ線回折により求められた結晶面（１１１）と（２００）のピーク強度の結晶方位比率を０．１〜０．４、またはそれと結晶方位比率のバラツキを４０％以下とする。【特許請求の範囲】
【請求項１】
スパッタリングされる面のＸ線回折により求められた結晶面（１１１）のピークの半値幅が０．３以下であることを特徴とする高純度アルミニウムあるいはその合金からなるスパッタリングターゲット。
【請求項２】
スパッタリングされる面のＸ線回折により求められた結晶面（１１１）のピークの半値幅が０．３以下であり、その半値幅のバラツキが３０％以下であることを特徴とする高純度アルミニウムあるいはその合金からなるスパッタリングターゲット。
【請求項３】
スパッタリングされる面のＸ線回折により求められた結晶面（１１１）と（２００）のピーク強度の結晶方位比率（２００）／（１１１）が０．１〜０．４であることを特徴とする高純度アルミニウムあるいはその合金からなるスパッタリングターゲット。
【請求項４】
スパッタリングされる面のＸ線回折により求められた結晶面（１１１）と（２００）のピーク強度の結晶方位比率（２００）／（１１１）が０．１〜０．４であり、その結晶方位比率（２００）／（１１１）のバラツキが４０％以下であることを特徴とする高純度アルミニウムあるいはその合金からなるスパッタリングターゲット。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、弾性表面波素子成膜用の高純度アルミニウムあるいはその合金からなるスパッタリングターゲットに関する。
【０００２】
【従来の技術】
スパッタリング法で用いられるスパッタリングターゲットは、通常は円形または角形の板であり、各種素子の成膜に用いられる。スパッタリング装置のチャンバーの中でグロー放電によりプラズマ化したＡｒ＋イオンが加速され、スパッタリングターゲットに衝突した際に、スパッタリングターゲットを構成する原子が原子状、分子状またはクラスター状になり対向して置かれた基板上に堆積し薄膜を形成する。
【０００３】
近年、弾性表面波素子に使用される薄膜の均一性は益々厳しさを増しており、膜厚分布のバラツキが１％以下が要求されるようになっている。
従来のアルミニウムあるいはその合金からなるスパッタリングターゲットではこのような基準、仕様を満足することができない。
このようなスパッタリングターゲットに起因すると思われる膜厚分布のバラツキについては、ターゲットの結晶構造が影響していることが明らかになっている。例えば、特開昭６３−３１２９７５号、特開平２−１５１６７号、特開平３−２３６９号では、種々の結晶方位の含有比が規定されている。
しかし、このような規定に従ったターゲットでも膜厚分布のバラツキが１％以下の仕様を満足することはできない。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、スパッタリングにより形成されたアルミニウムあるいはその合金の薄膜分布のバラツキを１％以下の仕様を満たせる技術を提供することである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明者等は、スパッタリングにより基板上に形成されたアルミニムあるいはその合金の薄膜分布のバラツキを低減するために鋭意研究を重ねた結果、スパッタリングターゲットのスパッタリングされる面のＸ線回折により得られる結晶面（１１１）のピークの半値幅あるいは結晶面（１１１）と（２００）の結晶方位比率が膜厚分布のバラツキと重要な関係があることを見い出した。
結晶面（１１１）と（２００）の結晶方位比率は、Ｘ線回折により求められた結晶面（１１１）と（２００）のピーク強度の比である。
【０００６】
本発明は、スパッタリングされる面のＸ線回折により求められた結晶面（１１１）のピークの半値幅が０．３以下であることを特徴とする高純度アルミニウムあるいはその合金からなるスパッタリングターゲットである。
すなわち、結晶面（１１１）のピークの半値幅が０．３以下の場合、薄膜分布のバラツキが極端に低減し、１％以下となることがわかった。
【０００７】
本発明は、スパッタリングされる面のＸ線回折により求められた結晶面（１１１）のピークの半値幅が０．３以下であり、その半値幅のバラツキが３０％以下であることを特徴とする高純度アルミニウムあるいはその合金からなるスパッタリングターゲットである。
この場合は、前記の薄膜分布のバラツキをさらに低くすることができる。
【０００８】
本発明は、スパッタリングされる面のＸ線回折により求められた結晶面（１１１）と（２００）のピーク強度の結晶方位比率（２００）／（１１１）が０．１〜０．４であることを特徴とする高純度アルミニウムあるいはその合金からなるスパッタリングターゲットである。
この場合も薄膜分布のバラツキが１％以下となることがわかった。
【０００９】
本発明は、スパッタリングされる面のＸ線回折により求められた結晶面（１１１）と（２００）のピーク強度の結晶方位比率（２００）／（１１１）が０．１〜０．４であり、その結晶方位比率（２００）／（１１１）のバラツキが４０％以下であることを特徴とする高純度アルミニウムあるいはその合金からなるスパッタリングターゲットである。
この場合は、前記の薄膜分布のバラツキをさらに低くすることができる。
【００１０】
【発明の実施の形態】
通常、アルミニウムあるいはその合金からなるスパッタリングターゲットは、溶解鋳造して得たインゴットを圧延加工し、さらに熱処理することにより製造されるが、この方法では薄膜分布のバラツキを低減することはできず、その分布のバラツキを１％以下にすることは難しい。
本発明になるスパッタリングターゲットは、温間による鍛造加工を行うことによって薄膜分布のバラツキを１％以下にすることができる。
【００１１】
【実施例１】
１．０ｗｔ％の銅を含むアルミニウム合金のインゴットを溶解鋳造により製造し、そのインゴットを温間鍛造加工を行ったのち、２５０ｍｍφ×６ｍｍｔのスパッタリングターゲットを製造した。
このターゲットのスパッタリングされる面をＸ線回折分析を行い、（１１１）面のピークの半値幅を測定した結果を表１の実験番号１、２、３に示す。
次ぎに、このターゲットを直流マグネトロンスパッタリング装置に装着し、装置内に９０ｓｃｃｍの流量でＡｒガスを流し、出力ＤＣ２．５Ｋｗ、スパッタレイト４ｎｍ／ｓｅｃ、スパッター時間１００ｓｅｃでスパッターし、７０５９ガラス基板上に成膜した。
この薄膜の膜厚分布のバラツキを測定した結果を表１の実験番号１、２、３に示す。
表１から明らかなように、（１１１）面のピークの半値幅は０．３以下であり、膜厚分布のバラツキは１％以下であった。
【００１２】
【表１】
2004300565.tif 000002
【００１３】
【比較例１】
温間鍛造加工を行わず圧延加工を行った以外は、実施例１と同様にしてスパッタリングターゲットを製造した。
このターゲットのスパッタリング条件は実施例１と同様にした。
このターゲットの（１１１）面のピークの半値幅と薄膜の膜厚分布のバラツキを測定した結果を表１の実験番号４、５に示す。
表１から明らかなように、（１１１）面のピークの半値幅は０．３以上であり、膜厚分布のバラツキは１％以上であった。
【００１４】
【実施例２】
スパッタリングターゲットの製造とそのターゲットのスパッタリング条件は実施例１と同様にした。
このターゲットの（１１１）面のピークの半値幅とその半値幅のバラツキおよび薄膜の膜厚分布のバラツキを測定した結果を表２の実験番号１、２、３に示す。
表２から明らかなように、膜厚分布のバラツキは実施例１よりさらによくなることがわかった。
【００１５】
【表２】
2004300565.tif 000003
【００１６】
【比較例２】
スパッタリングターゲットの製造とそのターゲットのスパッタリング条件は比較例１と同様にした。
このターゲットの（１１１）面のピークの半値幅とその半値幅のバラツキおよび薄膜の膜厚分布のバラツキを測定した結果を表２の実験番号４、５に示す。
表２から明らかなように、膜厚分布のバラツキは１％以上であった。
【００１７】
【実施例３】
スパッタリングターゲットの製造とそのターゲットのスパッタリング条件は実施例１と同様にした。
このターゲットのスパッタリングされる面をＸ線回折分析を行い、（１１１）面と（２００）面のピーク強度の結晶方位比率を測定した結果を表３の実験番号１、２、３に示す。
また、この薄膜の膜厚分布のバラツキを測定した結果を表３の実験番号１、２、３に示す。
表３から明らかなように、（１１１）面と（２００）面のピーク強度の結晶方位比率は０．１〜０．４であり、薄膜の膜厚分布のバラツキは１％以下であった。
【００１８】
【表３】
2004300565.tif 000004
【００１９】
【比較例３】
スパッタリングターゲットの製造とそのターゲットのスパッタリング条件は比較例１と同様にした。
このターゲットの（１１１）面と（２００）面のピーク強度の結晶方位比率と薄膜の膜厚分布のバラツキを測定した結果を表３の実験番号４、５に示す。
表３から明らかなように、（１１１）面と（２００）面のピーク強度の結晶方位比率は０．４以上であり、薄膜の膜厚分布のバラツキは１％以上であった。
【００２０】
【実施例４】
スパッタリングターゲットの製造とそのターゲットのスパッタリング条件は実施例１と同様にした。
このターゲットの（１１１）面と（２００）面のピーク強度の結晶方位比率と結晶方位比率のバラツキおよび薄膜の膜厚分布のバラツキを測定した結果を表４の実験番号１、２、３に示す。
表４から明らかなように、膜厚分布のバラツキは実施例３よりさらによくなることがわかった。
【００２１】
【表４】
2004300565.tif 000005
【００２２】
【比較例４】
スパッタリングターゲットの製造とそのターゲットのスパッタリング条件は比較例１と同様にした。
このターゲットの（１１１）面と（２００）面のピーク強度の結晶方位比率と結晶方位比率のバラツキおよび薄膜の膜厚分布のバラツキを測定した結果を表４の実験番号４、５に示す。
表４から明らかなように、膜厚分布のバラツキは１％以上であった。
【００２３】
【発明の効果】
本発明によれば、スパッタリングにより形成されたアルミニウムあるいはその合金の薄膜の膜厚分布のバラツキを１％以下にしたスパッタリングターゲットを製造することができる。