(57)【要約】【課題】誘電体層を薄層化しても高い絶縁性を有し信頼性を向上できる積層型電子部品およびその製法を提供する。【解決手段】誘電体粉末のメジアン径をＤ１、ガラス粉末のメジアン径をＤ２としたとき、０．６≦Ｄ２／Ｄ１≦０．８の関係を満足するように調整された誘電体グリーンシートを用いて誘電体層５を形成し、誘電体層５中に存在するボイド２７の最大径が２μｍ以下でかつ真円度が１μｍ以下とする。【選択図】図２
2004063912.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
誘電体層と内部電極層とを交互に積層してなる積層型電子部品であって、前記誘電体層中に存在するボイドの最大径が２μｍ以下でかつ真円度が１μｍ以下であることを特徴とする積層型電子部品。
【請求項２】
誘電体層断面におけるボイドの占有率が２％以下であることを特徴とする請求項１に記載の積層型電子部品。
【請求項３】
誘電体層の厚みが３μｍ以下であることを特徴とする請求項１または２に記載の積層型電子部品。
【請求項４】
誘電体粉末とガラス粉末とを含有する誘電体グリーンシートと、内部電極パターンとを交互に積層して形成した電子部品本体成形体を焼成する積層型電子部品の製法であって、前記誘電体粉末のメジアン径をＤ１、前記ガラス粉末のメジアン径をＤ２としたとき、０．６≦Ｄ２／Ｄ１≦０．８の関係を満足することを特徴とする積層型電子部品の製法。
【請求項５】
ガラス粉末の粒度分布が、前記ガラス粉末のメジアン径をＤ２、標準偏差をσとしたときに、Ｄ２／σ≦１６％の関係を満足することを特徴とする請求項４に記載の積層型電子部品の製法。
【請求項６】
誘電体グリーンシートの厚みが４μｍ以下であることを特徴とする請求項４または５に記載の積層型電子部品の製法。
【請求項７】
ガラス粉末は、誘電体粉末１００質量部に対して、０．５〜３質量部添加されることを特徴とする請求項４乃至６のうちいずれか記載の積層型電子部品の製法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、積層型電子部品およびその製法に関し、特に、極めて薄い誘電体層を有する積層型電子部品およびその製法に関するものである。
【０００２】
【従来技術】
近年、電子機器の小型化、高密度化に伴い、積層型電子部品、例えば、積層セラミックコンデンサは小型高容量化が求められており、このため誘電体層の薄層化と積層数の増加が図られている。このような積層セラミックコンデンサとしては、例えば、特開２００１−１５３７２号公報に開示されるようなものが知られている。この公報に開示された積層セラミックコンデンサを構成する誘電体層は、まず、平均粒径が０．５μｍ以下のＢａＴｉＯ３を主成分とする誘電体粉末を用いて誘電体グリーンシートが調製され、焼成後においてもその結晶の平均粒径が０．５μｍ以下となるように焼成され、このため誘電体層表面の凹凸を低減でき、さらに誘電体層と交互に積層される内部電極層の電極切れを減少させることができるために界面凹凸部にかかる電界集中を抑制して信頼性を向上できると記載されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記公報に開示された積層型電子部品では、誘電体粉末を微粒化することにより誘電体層を構成する結晶が微細化され、さらに誘電体層表面の凹凸の低減が図られているものの、Ｓｉを含む焼結助剤に対する適正な粒度調整が行われず、誘電体層中に、長径と短径の大きく異なる異形状のボイドが形成され、これが、上記のように薄層化された誘電体層を厚み方向に貫通するほどのボイドとなり、焼成後や高温負荷試験後に絶縁抵抗の低下やショートが多発するという問題があった。
【０００４】
従って、本発明は、誘電体層を薄層化しても高い絶縁性を有し信頼性を向上できる積層型電子部品およびその製法を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明の積層型電子部品は、誘電体層と内部電極層とを交互に積層してなる積層型電子部品であって、前記誘電体層中に存在するボイドの最大径が２μｍ以下でかつ真円度が１μｍ以下であることを特徴とする。
【０００６】
このような構成によれば、誘電体層中に存在するボイドの最大径が小さく、しかもそのボイドの長径と短径の差が小さいために、薄層化された誘電体層を、ボイドが厚み方向に貫通することがなく、このため、焼成後や高温負荷試験後においても絶縁抵抗の低下やショートを抑制でき、かつ磁器強度も向上できる。尚、ここでボイドの真円度とは、誘電体層中に形成された複数のボイドの最長径（Ｄｌ）と最短径（Ｄｓ）との差（Ｄｌ−Ｄｓ）の最大値のことを示す。
【０００７】
また、上記積層型電子部品では、誘電体層断面におけるボイドの占有率を２％以下とすることにより、さらに絶縁抵抗の低下やショートを抑制できる。
【０００８】
また、上記積層型電子部品では、誘電体層の厚みが３μｍ以下であることが望ましい。この場合、積層セラミックコンデンサ等の小型高容量化に対して特に有利に適用される。
【０００９】
本発明の積層型電子部品の製法は、誘電体粉末とガラス粉末とを含有する誘電体グリーンシートと、内部電極パターンとを交互に積層して形成した電子部品本体成形体を焼成する積層型電子部品の製法であって、前記誘電体粉末のメジアン径をＤ１、前記ガラス粉末のメジアン径をＤ２としたとき、０．６≦Ｄ２／Ｄ１≦０．８の関係を満足することを特徴とする。
【００１０】
このように誘電体粉末とガラス粉末とを適正に粒度調整することにより、微細な誘電体粉末やガラス粉末による結晶の異常粒成長や不均一な液相焼結を抑制でき、これにより結晶の均質化および均一粒径化とともにボイドの低減が図れ、さらには誘電体層中に形成されるボイドの真円度を高めることができる。ここでメジアン径とは、スラリー中に含まれる粉末の粒径を大きさの順に並べ、その中央にあたる粒径をいう。
【００１１】
上記積層型電子部品の製法では、ガラス粉末の粒度分布が、前記ガラス粉末のメジアン径をＤ２、標準偏差をσとしたときに、Ｄ２／σ≦１６％の関係を満足することが望ましい。本発明の製法に用いるガラス粉末として粒径ばらつきの少ないものを用いることにより、誘電体層中に形成されるボイドの真円度をさらに高めることができる。
【００１２】
また、上記積層型電子部品の製法では、誘電体グリーンシートの厚みが４μｍ以下である場合に、積層セラミックコンデンサ等の小型高容量化に対して特に有利に適用される。
【００１３】
さらに、上記積層型電子部品の製法では、誘電体粉末１００質量部に対して、ガラス粉末を０．５〜３質量部添加することが、誘電体層の緻密化と、比誘電率や絶縁抵抗等の電気特性を向上させる上で望ましい。
【００１４】
【発明の実施の形態】
（構造）
本発明の積層型電子部品である積層セラミックコンデンサについて、図１の概略断面図をもとに詳細に説明する。
【００１５】
（積層型電子部品）
本発明の積層型電子部品は、電子部品本体１の両端部に外部電極３を形成して構成されている。この外部電極３は、例えば、ＣｕもしくはＣｕとＮｉの合金ペーストを焼き付けて形成され、さらに、所望により、この外部電極３の表面には、例えば、順にＮｉメッキ層、Ｓｎメッキ層もしくはＳｎ−Ｐｂ合金メッキ層が形成されている。
【００１６】
（電子部品本体）
電子部品本体１は、誘電体層５と内部電極層７とが交互に積層してなる容量部９の積層方向の両面に、誘電体層５と同一材料からなる絶縁層１１を形成して構成されている。
【００１７】
（誘電体層厚み）
ここで、容量部９を構成する誘電体層５の厚みは静電容量を高めるという理由から３μｍ以下であることが望ましく、特に、静電容量とともに絶縁性を維持するという理由から誘電体層５の厚みｔは１．５〜２．５μｍであることがより望ましい。
【００１８】
（誘電体層）
また、誘電体層５は、図２に示すように、シート状のセラミック焼結体であり、ＢａＴｉＯ３を主成分とする結晶２１と、非晶質相を含む粒界相２５と、これらの結晶２１および粒界相２５に介在するボイド２７とからなる。
【００１９】
（ボイド）
そして、本発明の誘電体層５に存在するボイド２７は、最大径が２μｍ以下でかつ真円度が１μｍ以下であることが重要である。ここでいうボイド２７の真円度は、誘電体層５中に形成された複数のボイド２７の最長径（Ｄｌ）と最短径（Ｄｓ）との差（Ｄｌ−Ｄｓ）の最大値のことであるが、特に、誘電体層５中に存在するボイド２７の最大径は１．８μｍ以下、真円度は０．８μｍ以下とすることにより薄層化された誘電体層５に対してボイド２７が厚み方向に貫通することを抑制して、焼成後や高温負荷試験後においても誘電体層５の絶縁抵抗の低下やショートを抑制できる。
【００２０】
一方、ボイドの最大径が２μｍより大きくかつ真円度が１μｍよりも大きい場合には、薄層化された誘電体層の厚み方向に貫通することとなり焼成後に絶縁抵抗の低下やショートが多発し、また、高温負荷試験後において不良率が高まる恐れがある。
【００２１】
また、誘電体層５の断面におけるボイド２７の占有率は面積比率で、絶縁抵抗の低下やショートを抑制するという理由から２％以下であることが望ましく、特に１．５％以下であることがより望ましい。
【００２２】
（結晶の平均粒径）
そして、誘電体層５を構成する結晶２１は、誘電体層５として高い比誘電率とともに高い絶縁抵抗を有するという理由から平均粒径は１μｍ以下が望ましく、特に０．５〜０．８μｍであることがより望ましい。
【００２３】
（結晶の組成）
また、結晶２１は、金属元素として、Ｂａ、Ｔｉ、Ｍｇ、およびＭｎの金属酸化物からなる主成分を含み、モル比による組成式を１００ＢａＴｉＯ３＋ｘＭｇＯ＋ｙＭｎＯ＋ｚＲ（Ｙを含む希土類元素の酸化物）と表したとき、ＢａＴｉＯ３１００質量部に対する質量比を表すｘ、ｙおよびｚが０．１≦ｘ≦１、０．０５≦ｙ≦０．５、０．１≦ｚ≦１で示される範囲であることが望ましく、このような範囲とすることにより誘電体層５の比誘電率および絶縁抵抗の向上およびエージングレートを小さくすることができる。
【００２４】
（粒界層）
一方、粒界相２５は、アルカリ土類金属と、Ｓｉ、Ｌｉの金属酸化物を含む副成分により構成されており、モル比による組成式をａＬｉ２Ｏ＋ｂ（ＣａＯ、ＳｒＯ、ＲａＯ（Ｒａ：アルカリ土類元素））＋ｃＳｉＯ２と表したとき、前記ａ、ｂおよびｃが１０≦ａ≦６０、１０≦ｂ≦６０、３０≦ｃ≦８０、ａ＋ｂ＋ｃ＝１００で示される範囲であることが望ましく、このような範囲とすることにより、結晶２１と同様に、誘電体層５の比誘電率および絶縁抵抗の向上並びに静電容量の温度特性をも安定化させることができる。
【００２５】
そして、本発明の誘電体層５は、金属元素として、Ｂａ、Ｔｉ、Ｍｇ、およびＭｎの金属酸化物からなる結晶２１成分１００質量部に対して、これらの粒界相２５成分を０．５〜３質量部含有することが誘電体層５の絶縁抵抗を高めるという点で望ましく、特には、１〜２質量部であることがより望ましい。
【００２６】
（内部電極層）
一方、内部電極層７は導電性ペーストの膜を焼結させた金属膜からなり、導電性ペーストとしては、例えば、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｃｕ等の卑金属が使用されている。また、内部電極層７は卑金属を主成分とし、概略矩形状の導体膜であり、内部電極層７の厚みは２μｍ以下が望ましく、この内部電極層７に含まれる金属量の低減が図れるとともに、充分な有効面積を確保するという理由から、特に、０．５〜１．５μｍであることが望ましい。
【００２７】
（積層数）
本発明の積層型電子部品の積層数は、その積層型電子部品を構成する誘電体層５が薄層多層化され、例えば、積層セラミックコンデンサの小型高容量化に対してその積層数は１００層以上が望ましい。
【００２８】
（製法）
本発明の積層型電子部品は、先ず、誘電体層５となる誘電体グリーンシートを作製する。
【００２９】
（誘電体粉末）
この誘電体グリーンシートは、例えば、誘電体粉末としてＢａＴｉＯ３原料粉末を用いて形成することができ、主原料のＢａＴｉＯ３粉の合成法は、固相法、液相法（シュウ酸塩を経過する方法等）、水熱合成法等があるが、そのうち粒度分布が狭く、結晶性が高いという理由から水熱合成法が望ましい。そして、本発明では、ＢａＴｉＯ３粉末は、メジアン径が０．３〜０．９μｍであることが望ましく、特には、０．４〜０．８μｍであるものが好ましい。つまり、比表面積では１．５〜７ｍ２／ｇであることが望ましい。
【００３０】
（ガラス粉末）
次に、ガラス粉末として、Ｌｉと、アルカリ土類金属と、Ｓｉとを含む粉末を秤量して混合した後、９００〜１１００℃の温度にて仮焼した後粉砕を行う。
【００３１】
この場合、粉砕は、まず、メディア径が２〜４ｍｍのジルコニア製のメディアボールを入れたボールミルを用いて粗粉砕を行い、さらに、この粗粉砕したガラス粉末を、今度はメディア径が０．５〜１．５ｍｍのジルコニア製のメディアボールを入れたボールミルを用いて微粉砕を行う。このような多段階の粉砕により調製されるガラス粉末としては、メジアン径で０．４〜０．８μｍであること望ましく、特に、０．４５〜０．４９μｍであることがより望ましい。即ち、比表面積で６〜１２ｍ２／ｇであることが望ましい。
【００３２】
また、本発明のガラス粉末の粒度分布の程度をメジアン比／標準偏差の比で表されるばらつきの値で表した場合、ガラス粉末のメジアン径をＤ２、標準偏差をσとしたときに、Ｄ２／σ≦１６％の関係を満足するほどに均一粒径化されていることが望ましく、ボイド２７の最大径および真円度を低減するという理由から粒度分布は１５．３％以下であることがより望ましい。
【００３３】
つまり、このようなガラス粉末の微粒化および均一粒径化の効率を高めるために用いられる多段階的な粉砕の条件としては、ガラス粉末などの被粉砕物のメジアン径をＤ３とし、粉砕用のボール径メディア径をＤ４としたときに、Ｄ３／Ｄ４比が０．００５〜０．０１２の範囲であることが望ましく、微粒化に伴いメディア径を小さくしていくことにより粉砕効率を高めることができ、このように粉砕効率を高めることにより、長時間の粉砕を行わなくても微細かつ粒度分布の狭い均一な粒径のガラス粉末を得ることができる。尚、この多段階的粉砕方法はガラス粉末のみではなく誘電体粉末や、ガラス粉末と誘電体粉末との混合粉末に対しても用いることができることはいうまでもない。
【００３４】
（粉末混合）
次に、上記のＢａＴｉＯ３原料粉末１００質量部に対して、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）を０．１〜１質量部、炭酸マンガン（ＭｎＣＯ３）を０．０５〜０．５質量部、酸化イットリウム（Ｙ２Ｏ３）を０．１〜１の割合で混合され誘電体粉末が調製される。
【００３５】
そして、多段階的に粉砕して得られたＬｉ、アルカリ土類金属と、およびＳｉを含むガラス粉末を、誘電体粉末１００質量部に対して０．５〜３質量部添加し、公知の分散剤、分散媒とともに直径が１０ｍｍのＺｒＯ２ボールを用いたボールミルにて湿式粉砕、混合し、原料スラリーが調製される。ここでのガラス粉末の添加量としては、誘電体層の緻密化と、比誘電率や絶縁抵抗等の電気特性を向上させるという理由から、誘電体粉末１００質量部に対して、１〜２質量部であることがより望ましい。
【００３６】
（メジアン径比）
そして、上記のような多段階的粉砕方法により調製された原料スラリー中の誘電体粉末やガラス粉末は、誘電体粉末のメジアン径をＤ１、ガラス粉末のメジアン径をＤ２としたとき、０．６≦Ｄ２／Ｄ１≦０．８の関係を満足することが重要である。特に、ボイド２７の最大径を２μｍ以下でかつ真円度を１μｍ以下、さらに、誘電体層断面におけるボイド２７の占有率を２％以下とする点で、Ｄ２／Ｄ１比は０．６５〜０．７の範囲であることがより望ましく、この結果として、高温負荷試験における信頼性の向上や、ショート発生率の低減が実現される。
【００３７】
ここで、誘電体粉末のメジアン径Ｄ１とガラス粉末のメジアン径Ｄ２とのメジアン径比Ｄ２／Ｄ１が０．６より小さい場合は、凝集したガラス粉末により焼結が局部的に進みすぎてボイドの最大径が大きくなるとともに、ボイド２７の占有率が高くなる恐れがある。一方、０．８より大きい場合には、粗大粒の存在比が増加することにより、焼成した際に形成されるボイド径が大きくなり、磁器の絶縁抵抗が低下しやすくなるとともに高温負荷試験における信頼性が低下する。
【００３８】
（シート成形）
次に、この誘電体粉末とガラス粉末との混合粉末と有機バインダとを混合しスラリーを得た後、ドクターブレード法により、厚さ２〜４μｍの誘電体グリーンシートを成形する。
【００３９】
（内部電極パターン）
次に、上記誘電体グリーンシート上に、平均粒径が０．１〜０．２μｍのＮｉ内部電極ペーストを塗布して内部電極パターンを形成し、これを乾燥させ、この内部電極パターンが形成された誘電体グリーンシートを複数枚積層し、熱圧着させる。その後、この積層体を格子状に切断して、電子部品本体１の成形体を得る。この電子部品本体１の成形体の両端面には、内部電極パターンの端部が交互に露出している。
【００４０】
次に、この電子部品本体１の成形体を大気中で脱バインダ処理を行い、その後、還元雰囲気中で５００℃からの昇温速度を２００〜４００℃／ｈとし、１２００〜１３００℃の温度で２〜５時間焼成し、続いて２００〜４００℃／ｈの降温速度で冷却し、窒素雰囲気中９００〜１１００℃で再酸化処理を行う。
【００４１】
特に、５００℃からの昇温速度を２００〜４００℃／ｈとし、１２７０〜１３００℃の温度で焼成することにより、誘電体層５に存在するボイド２７の最大径を２μｍ以下でかつそのボイド２７の真円度を１μｍ以下にできる。
【００４２】
この後、焼成した電子部品本体１の両端面に、外部電極ペーストを塗布して窒素中で焼き付けることによって外部電極３を形成する。さらに外部電極３の表面を脱脂、酸洗浄、純水を用いた水洗を行った後、バレル方式により、メッキを行う。
【００４３】
【実施例】
積層型電子部品の一つである積層セラミックコンデンサを以下のように作製した。
【００４４】
（ガラス粉末、粉砕）
まず、ガラス粉末の原料である、Ｌｉ、アルカリ土類金属、およびＳｉの金属酸化物よりなる混合粉末を１０００℃の温度にて仮焼した後、予備粉砕し、粉砕処理用のガラス粉末を用意した。
【００４５】
次に、この予備粉砕した仮焼粉体をボールミル中に入れ、さらに、この仮焼粉体と等量のイソプロピルアルコール（以下ＩＰＡ）を加えて、直径２ｍｍのジルコニアボールを用いて粗粉砕を行った。
【００４６】
次に、この粗粉砕したガラス粉末を含むスラリーを別のミルに移し変えて、今度は直径１ｍｍのジルコニアボールにより微粉砕を行った。
【００４７】
（誘電体粉末）
次に、比表面積が３．２ｍ２／ｇであるＢａＴｉＯ３原料粉末を用い、ＢａＴｉＯ３１００質量部に対して、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）を０．８質量部、炭酸マンガン（ＭｎＣＯ３）を０．４質量部、酸化イットリウム（Ｙ２Ｏ３）を０．８質量部の割合で混合して誘電体粉末を調製した。誘電体粉末のメジアン径は０．７μｍとした。
【００４８】
尚、ガラス粉末のメジアン径Ｄ２は粉砕時間を変更することにより調整した。
【００４９】
次に、微粉砕したガラス粉末を誘電体粉末１００質量部に対して表１に示す割合になるように秤量し、さらに公知の分散剤、分散媒とともに直径が１０ｍｍのＺｒＯ２ボールを用いたボールミルにて混合し原料スラリーを調製した。
【００５０】
（誘電体グリーンシート成形）
次に、この原料スラリーに有機バインダを加えて成形用スリップを調製した後、ドクターブレード法により厚さ３μｍの誘電体グリーンシートを成形した。
【００５１】
（内部電極パターン）
次に、この誘電体グリーンシート上に、Ｎｉ粉末、エチルセルロースおよびテルピネオールを含む内部電極ペーストをもちいてスクリーン印刷により内部電極パターンを形成した。その際、電子部品本体成形体１個あたりの内部電極パターンの有効面積は約０．６ｍｍ２とした。
【００５２】
次に、内部電極ペーストを印刷した誘電体グリーンシートを１００枚積層し、その上下面に、内部電極ペーストを印刷していない誘電体グリーンシートをそれぞれ２０枚積層し、ホットプレスして一体化し、所定寸法に切断して電子部品本体成形体を作製した。
【００５３】
そして、この電子部品本体成形体を大気中で４００℃にて脱バインダ処理を行い、その後１２８５℃（酸素分圧１０−１１ａｔｍ）で２時間焼成し、続いて大気雰囲気中１０００℃で再酸化処理をして電子部品本体を作製した。このようにして作製した電子部品本体の寸法は１．６×０．８×０．８ｍｍ３であった。また、誘電体層厚みは２．２μｍであった。
【００５４】
次に、焼成した電子部品本体をバレル研磨した後、その両端部にＣｕ粉末を含んだ外部電極ペーストを塗布し、８５０℃、窒素中で焼き付けを行い外部電極を形成した。さらにこの外部電極上に順にＮｉメッキ層、Ｓｎメッキ層を施した。
【００５５】
（評価）
誘電体粉末およびガラス粉末のメジアン径およびガラス粉末の粒度分布はレーザー式粒度測定器を用いて測定した。
【００５６】
ボイドの最大径と真円度および占有率は光学式測定顕微鏡を用いて測定した。
【００５７】
作製した積層セラミックコンデンサは、各１００個について焼成後の静電容量（Ｃ）と絶縁抵抗（Ｒ）を測定した。測定は、基準温度２５℃で行い、静電容量は、周波数１．０ｋＨｚ、入力信号レベル０．５Ｖｒｍｓの条件で測定し、また、測定の際ショートした積層セラミックコンデンサの個数よりショート率を算出した。
【００５８】
また、絶縁抵抗（Ｒ）は、直流電圧１０Ｖを１分間印加して測定した。
【００５９】
高温負荷試験は、試料数１００個について、温度８５℃、電圧は９．５Ｖの条件で１０００時間行い、ショートした試料数を不良率として評価した。
【００６０】
【表１】
2004063912.tif 000003
【００６１】
表１の結果から明らかなように、ガラス粉末と誘電体粉末のメジアン径比を０．６〜０．８、ガラス粉末の粒度分布を１６％以下とし、ボイドの最大径を２μｍ以下でかつボイドの真円度を１μｍ以下とした試料Ｎｏ．２〜５、７〜１１では、静電容量が４．６８μＦ以上、絶縁抵抗が３００ＭΩ以上、ショート率が７％以下で、高温負荷試験後の不良率が２％以下であった。特に、メジアン径比を０．６５〜０．７、ガラス粉末の粒度分布を１５．３％以下とし、ガラス粉末を１〜２質量部添加した試料Ｎｏ．３、４、８および９では、高温負荷試験での不良率が０％であった。
【００６２】
一方、メジアン径比を０．８９、ガラス粉末の粒度分布を１８．２％とした試料Ｎｏ．１、およびガラス粉末の粒度分布を１５．８％としてもメジアン径比を０．５とした試料Ｎｏ．６では、焼成後でのショート率が１０％以上、高温負荷試験後の不良率が５％以上であった。
【００６３】
【発明の効果】
以上詳述したように、本発明では、誘電体粉末のメジアン径をＤ１、ガラス粉末のメジアン径をＤ２としたとき、０．６≦Ｄ２／Ｄ１≦０．８の関係を満足するように調整することにより、誘電体層中に存在するボイドの最大径を２μｍ以下でかつ真円度を１μｍ以下にできることから薄層化された誘電体層をボイドが厚み方向に貫通することがなく、このため、焼成後や高温負荷試験後においても絶縁抵抗の低下やショートを抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の積層型電子部品の概略断面図である。
【図２】図１の誘電体層を拡大して示す模式図である。
【符号の説明】
５　誘電体層
７　内部電極層
２１　結晶
２５　粒界相
２７　ボイド
【図１】
2004063912.tif 000004
【図２】
2004063912.tif 000005
【手続補正書】
【提出日】平成15年2月28日(2003.2.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の詳細な説明】
【特許請求の範囲】
【請求項１】誘電体層と内部電極層とを交互に積層してなる積層型電子部品であって、前記誘電体層中に存在するボイドの最大径が２μｍ以下でかつ真円度が１μｍ以下であることを特徴とする積層型電子部品。
【請求項２】誘電体層断面におけるボイドの占有率が２％以下であることを特徴とする請求項１に記載の積層型電子部品。
【請求項３】誘電体層の厚みが３μｍ以下であることを特徴とする請求項１または２に記載の積層型電子部品。
【請求項４】誘電体粉末とガラス粉末とを含有する誘電体グリーンシートと、内部電極パターンとを交互に積層して形成した電子部品本体成形体を焼成する積層型電子部品の製法であって、前記誘電体粉末のメジアン径をＤ１、前記ガラス粉末のメジアン径をＤ２としたとき、０．６≦Ｄ２／Ｄ１≦０．８の関係を満足することを特徴とする積層型電子部品の製法。
【請求項５】ガラス粉末の粒度分布が、前記ガラス粉末のメジアン径をＤ２、標準偏差をσとしたときに、σ／Ｄ２≦１６％の関係を満足することを特徴とする請求項４に記載の積層型電子部品の製法。
【請求項６】誘電体グリーンシートの厚みが４μｍ以下であることを特徴とする請求項４または５に記載の積層型電子部品の製法。
【請求項７】ガラス粉末は、誘電体粉末１００質量部に対して、０．５〜３質量部添加されることを特徴とする請求項４乃至６のうちいずれか記載の積層型電子部品の製法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、積層型電子部品およびその製法に関し、特に、極めて薄い誘電体層を有する積層型電子部品およびその製法に関するものである。
【０００２】
【従来技術】
近年、電子機器の小型化、高密度化に伴い、積層型電子部品、例えば、積層セラミックコンデンサは小型高容量化が求められており、このため誘電体層の薄層化と積層数の増加が図られている。このような積層セラミックコンデンサとしては、例えば、特開２００１−１５３７２号公報に開示されるようなものが知られている。この公報に開示された積層セラミックコンデンサを構成する誘電体層は、まず、平均粒径が０．５μｍ以下のＢａＴｉＯ３を主成分とする誘電体粉末を用いて誘電体グリーンシートが調製され、焼成後においてもその結晶の平均粒径が０．５μｍ以下となるように焼成され、このため誘電体層表面の凹凸を低減でき、さらに誘電体層と交互に積層される内部電極層の電極切れを減少させることができるために界面凹凸部にかかる電界集中を抑制して信頼性を向上できると記載されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記公報に開示された積層型電子部品では、誘電体粉末を微粒化することにより誘電体層を構成する結晶が微細化され、さらに誘電体層表面の凹凸の低減が図られているものの、Ｓｉを含む焼結助剤に対する適正な粒度調整が行われず、誘電体層中に、長径と短径の大きく異なる異形状のボイドが形成され、これが、上記のように薄層化された誘電体層を厚み方向に貫通するほどのボイドとなり、焼成後や高温負荷試験後に絶縁抵抗の低下やショートが多発するという問題があった。
【０００４】
従って、本発明は、誘電体層を薄層化しても高い絶縁性を有し信頼性を向上できる積層型電子部品およびその製法を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明の積層型電子部品は、誘電体層と内部電極層とを交互に積層してなる積層型電子部品であって、前記誘電体層中に存在するボイドの最大径が２μｍ以下でかつ真円度が１μｍ以下であることを特徴とする。
【０００６】
このような構成によれば、誘電体層中に存在するボイドの最大径が小さく、しかもそのボイドの長径と短径の差が小さいために、薄層化された誘電体層を、ボイドが厚み方向に貫通することがなく、このため、焼成後や高温負荷試験後においても絶縁抵抗の低下やショートを抑制でき、かつ磁器強度も向上できる。尚、ここでボイドの真円度とは、誘電体層中に形成された複数のボイドの最長径（Ｄｌ）と最短径（Ｄｓ）との差（Ｄｌ−Ｄｓ）の最大値のことを示す。
【０００７】
また、上記積層型電子部品では、誘電体層断面におけるボイドの占有率を２％以下とすることにより、さらに絶縁抵抗の低下やショートを抑制できる。
【０００８】
また、上記積層型電子部品では、誘電体層の厚みが３μｍ以下であることが望ましい。この場合、積層セラミックコンデンサ等の小型高容量化に対して特に有利に適用される。
【０００９】
本発明の積層型電子部品の製法は、誘電体粉末とガラス粉末とを含有する誘電体グリーンシートと、内部電極パターンとを交互に積層して形成した電子部品本体成形体を焼成する積層型電子部品の製法であって、前記誘電体粉末のメジアン径をＤ１、前記ガラス粉末のメジアン径をＤ２としたとき、０．６≦Ｄ２／Ｄ１≦０．８の関係を満足することを特徴とする。
【００１０】
このように誘電体粉末とガラス粉末とを適正に粒度調整することにより、微細な誘電体粉末やガラス粉末による結晶の異常粒成長や不均一な液相焼結を抑制でき、これにより結晶の均質化および均一粒径化とともにボイドの低減が図れ、さらには誘電体層中に形成されるボイドの真円度を高めることができる。ここでメジアン径とは、スラリー中に含まれる粉末の粒径を大きさの順に並べ、その中央にあたる粒径をいう。
【００１１】
上記積層型電子部品の製法では、ガラス粉末の粒度分布が、前記ガラス粉末のメジアン径をＤ２、標準偏差をσとしたときに、σ／Ｄ２≦１６％の関係を満足することが望ましい。本発明の製法に用いるガラス粉末として粒径ばらつきの少ないものを用いることにより、誘電体層中に形成されるボイドの真円度をさらに高めることができる。
【００１２】
また、上記積層型電子部品の製法では、誘電体グリーンシートの厚みが４μｍ以下である場合に、積層セラミックコンデンサ等の小型高容量化に対して特に有利に適用される。
【００１３】
さらに、上記積層型電子部品の製法では、誘電体粉末１００質量部に対して、ガラス粉末を０．５〜３質量部添加することが、誘電体層の緻密化と、比誘電率や絶縁抵抗等の電気特性を向上させる上で望ましい。
【００１４】
【発明の実施の形態】
本発明の積層型電子部品である積層セラミックコンデンサについて、図１の概略断面図をもとに詳細に説明する。
【００１５】
本発明の積層型電子部品は、電子部品本体１の両端部に外部電極３を形成して構成されている。この外部電極３は、例えば、ＣｕもしくはＣｕとＮｉの合金ペーストを焼き付けて形成され、さらに、所望により、この外部電極３の表面には、例えば、順にＮｉメッキ層、Ｓｎメッキ層もしくはＳｎ−Ｐｂ合金メッキ層が形成されている。
【００１６】
電子部品本体１は、誘電体層５と内部電極層７とが交互に積層してなる容量部９の積層方向の両面に、誘電体層５と同一材料からなる絶縁層１１を形成して構成されている。
【００１７】
ここで、容量部９を構成する誘電体層５の厚みは静電容量を高めるという理由から３μｍ以下であることが望ましく、特に、静電容量とともに絶縁性を維持するという理由から誘電体層５の厚みｔは１．５〜２．５μｍであることがより望ましい。
【００１８】
また、誘電体層５は、図２に示すように、シート状のセラミック焼結体であり、ＢａＴｉＯ３を主成分とする結晶２１と、非晶質相を含む粒界相２５と、これらの結晶２１および粒界相２５に介在するボイド２７とからなる。
【００１９】
そして、本発明の誘電体層５に存在するボイド２７は、最大径が２μｍ以下でかつ真円度が１μｍ以下であることが重要である。ここでいうボイド２７の真円度は、誘電体層５中に形成された複数のボイド２７の最長径（Ｄｌ）と最短径（Ｄｓ）との差（Ｄｌ−Ｄｓ）の最大値のことであるが、特に、誘電体層５中に存在するボイド２７の最大径は１．８μｍ以下、真円度は０．８μｍ以下とすることにより薄層化された誘電体層５に対してボイド２７が厚み方向に貫通することを抑制して、焼成後や高温負荷試験後においても誘電体層５の絶縁抵抗の低下やショートを抑制できる。
【００２０】
一方、ボイドの最大径が２μｍより大きくかつ真円度が１μｍよりも大きい場合には、薄層化された誘電体層の厚み方向に貫通することとなり焼成後に絶縁抵抗の低下やショートが多発し、また、高温負荷試験後において不良率が高まる恐れがある。
【００２１】
また、誘電体層５の断面におけるボイド２７の占有率は面積比率で、絶縁抵抗の低下やショートを抑制するという理由から２％以下であることが望ましく、特に１．５％以下であることがより望ましい。
【００２２】
そして、誘電体層５を構成する結晶２１は、誘電体層５として高い比誘電率とともに高い絶縁抵抗を有するという理由から平均粒径は１μｍ以下が望ましく、特に０．５〜０．８μｍであることがより望ましい。
【００２３】
また、結晶２１は、金属元素として、Ｂａ、Ｔｉ、Ｍｇ、およびＭｎの金属酸化物からなる主成分を含み、モル比による組成式を１００ＢａＴｉＯ３＋ｘＭｇＯ＋ｙＭｎＯ＋ｚＲ（Ｙを含む希土類元素の酸化物）と表したとき、ＢａＴｉＯ３１００質量部に対する質量比を表すｘ、ｙおよびｚが０．１≦ｘ≦１、０．０５≦ｙ≦０．５、０．１≦ｚ≦１で示される範囲であることが望ましく、このような範囲とすることにより誘電体層５の比誘電率および絶縁抵抗の向上およびエージングレートを小さくすることができる。
【００２４】
一方、粒界相２５は、アルカリ土類金属と、Ｓｉ、Ｌｉの金属酸化物を含む副成分により構成されており、モル比による組成式をａＬｉ２Ｏ＋ｂ（ＣａＯ、ＳｒＯ、ＲａＯ（Ｒａ：アルカリ土類元素））＋ｃＳｉＯ２と表したとき、前記ａ、ｂおよびｃが１０≦ａ≦６０、１０≦ｂ≦６０、３０≦ｃ≦８０、ａ＋ｂ＋ｃ＝１００で示される範囲であることが望ましく、このような範囲とすることにより、結晶２１と同様に、誘電体層５の比誘電率および絶縁抵抗の向上並びに静電容量の温度特性をも安定化させることができる。
【００２５】
そして、本発明の誘電体層５は、金属元素として、Ｂａ、Ｔｉ、Ｍｇ、およびＭｎの金属酸化物からなる結晶２１成分１００質量部に対して、これらの粒界相２５成分を０．５〜３質量部含有することが誘電体層５の絶縁抵抗を高めるという点で望ましく、特には、１〜２質量部であることがより望ましい。
【００２６】
一方、内部電極層７は導電性ペーストの膜を焼結させた金属膜からなり、導電性ペーストとしては、例えば、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｃｕ等の卑金属が使用されている。また、内部電極層７は卑金属を主成分とし、概略矩形状の導体膜であり、内部電極層７の厚みは２μｍ以下が望ましく、この内部電極層７に含まれる金属量の低減が図れるとともに、充分な有効面積を確保するという理由から、特に、０．５〜１．５μｍであることが望ましい。
【００２７】
本発明の積層型電子部品の積層数は、その積層型電子部品を構成する誘電体層５が薄層多層化され、例えば、積層セラミックコンデンサの小型高容量化に対してその積層数は１００層以上が望ましい。
【００２８】
本発明の積層型電子部品は、先ず、誘電体層５となる誘電体グリーンシートを作製する。
【００２９】
この誘電体グリーンシートは、例えば、誘電体粉末としてＢａＴｉＯ３原料粉末を用いて形成することができ、主原料のＢａＴｉＯ３粉の合成法は、固相法、液相法（シュウ酸塩を経過する方法等）、水熱合成法等があるが、そのうち粒度分布が狭く、結晶性が高いという理由から水熱合成法が望ましい。そして、本発明では、ＢａＴｉＯ３粉末は、メジアン径が０．３〜０．９μｍであることが望ましく、特には、０．４〜０．８μｍであるものが好ましい。つまり、比表面積では１．５〜７ｍ２／ｇであることが望ましい。
【００３０】
次に、ガラス粉末として、Ｌｉと、アルカリ土類金属と、Ｓｉとを含む粉末を秤量して混合した後、９００〜１１００℃の温度にて仮焼した後粉砕を行う。
この場合、粉砕は、まず、メディア径が２〜４ｍｍのジルコニア製のメディアボールを入れたボールミルを用いて粗粉砕を行い、さらに、この粗粉砕したガラス粉末を、今度はメディア径が０．５〜１．５ｍｍのジルコニア製のメディアボールを入れたボールミルを用いて微粉砕を行う。
【００３１】
このような多段階の粉砕により調製されるガラス粉末としては、メジアン径で０．４〜０．８μｍであること望ましく、特に、０．４５〜０．４９μｍであることがより望ましい。即ち、比表面積で６〜１２ｍ２／ｇであることが望ましい。
【００３２】
また、本発明のガラス粉末の粒度分布の程度をメジアン比／標準偏差の比で表されるばらつきの値で表した場合、ガラス粉末のメジアン径をＤ２、標準偏差をσとしたときに、σ／Ｄ２≦１６％の関係を満足するほどに均一粒径化されていることが望ましく、ボイド２７の最大径および真円度を低減するという理由から粒度分布は１５．３％以下であることがより望ましい。
【００３３】
つまり、このようなガラス粉末の微粒化および均一粒径化の効率を高めるために用いられる多段階的な粉砕の条件としては、ガラス粉末などの被粉砕物のメジアン径をＤ３とし、粉砕用のボール径メディア径をＤ４としたときに、Ｄ３／Ｄ４比が０．００５〜０．０１２の範囲であることが望ましく、微粒化に伴いメディア径を小さくしていくことにより粉砕効率を高めることができ、このように粉砕効率を高めることにより、長時間の粉砕を行わなくても微細かつ粒度分布の狭い均一な粒径のガラス粉末を得ることができる。尚、この多段階的粉砕方法はガラス粉末のみではなく誘電体粉末や、ガラス粉末と誘電体粉末との混合粉末に対しても用いることができることはいうまでもない。
【００３４】
次に、上記のＢａＴｉＯ３原料粉末１００質量部に対して、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）を０．１〜１質量部、炭酸マンガン（ＭｎＣＯ３）を０．０５〜０．５質量部、酸化イットリウム（Ｙ２Ｏ３）を０．１〜１の割合で混合され誘電体粉末が調製される。
【００３５】
そして、多段階的に粉砕して得られたＬｉ、アルカリ土類金属と、およびＳｉを含むガラス粉末を、誘電体粉末１００質量部に対して０．５〜３質量部添加し、公知の分散剤、分散媒とともに直径が１０ｍｍのＺｒＯ２ボールを用いたボールミルにて湿式粉砕、混合し、原料スラリーが調製される。ここでのガラス粉末の添加量としては、誘電体層の緻密化と、比誘電率や絶縁抵抗等の電気特性を向上させるという理由から、誘電体粉末１００質量部に対して、１〜２質量部であることがより望ましい。
【００３６】
そして、上記のような多段階的粉砕方法により調製された原料スラリー中の誘電体粉末やガラス粉末は、誘電体粉末のメジアン径をＤ１、ガラス粉末のメジアン径をＤ２としたとき、０．６≦Ｄ２／Ｄ１≦０．８の関係を満足することが重要である。特に、ボイド２７の最大径を２μｍ以下でかつ真円度を１μｍ以下、さらに、誘電体層断面におけるボイド２７の占有率を２％以下とする点で、Ｄ２／Ｄ１比は０．６５〜０．７の範囲であることがより望ましく、この結果として、高温負荷試験における信頼性の向上や、ショート発生率の低減が実現される。
【００３７】
ここで、誘電体粉末のメジアン径Ｄ１とガラス粉末のメジアン径Ｄ２とのメジアン径比Ｄ２／Ｄ１が０．６より小さい場合は、凝集したガラス粉末により焼結が局部的に進みすぎてボイドの最大径が大きくなるとともに、ボイド２７の占有率が高くなる恐れがある。一方、０．８より大きい場合には、粗大粒の存在比が増加することにより、焼成した際に形成されるボイド径が大きくなり、磁器の絶縁抵抗が低下しやすくなるとともに高温負荷試験における信頼性が低下する。
【００３８】
次に、この誘電体粉末とガラス粉末との混合粉末と有機バインダとを混合しスラリーを得た後、ドクターブレード法により、厚さ２〜４μｍの誘電体グリーンシートを成形する。
【００３９】
次に、上記誘電体グリーンシート上に、平均粒径が０．１〜０．２μｍのＮｉ内部電極ペーストを塗布して内部電極パターンを形成し、これを乾燥させ、この内部電極パターンが形成された誘電体グリーンシートを複数枚積層し、熱圧着させる。その後、この積層体を格子状に切断して、電子部品本体１の成形体を得る。この電子部品本体１の成形体の両端面には、内部電極パターンの端部が交互に露出している。
【００４０】
次に、この電子部品本体１の成形体を大気中で脱バインダ処理を行い、その後、還元雰囲気中で５００℃からの昇温速度を２００〜４００℃／ｈとし、１２００〜１３００℃の温度で２〜５時間焼成し、続いて２００〜４００℃／ｈの降温速度で冷却し、窒素雰囲気中９００〜１１００℃で再酸化処理を行う。
【００４１】
特に、５００℃からの昇温速度を２００〜４００℃／ｈとし、１２７０〜１３００℃の温度で焼成することにより、誘電体層５に存在するボイド２７の最大径を２μｍ以下でかつそのボイド２７の真円度を１μｍ以下にできる。
【００４２】
この後、焼成した電子部品本体１の両端面に、外部電極ペーストを塗布して窒素中で焼き付けることによって外部電極３を形成する。さらに外部電極３の表面を脱脂、酸洗浄、純水を用いた水洗を行った後、バレル方式により、メッキを行う。
【００４３】
【実施例】
積層型電子部品の一つである積層セラミックコンデンサを以下のように作製した。
【００４４】
まず、ガラス粉末の原料である、Ｌｉ、アルカリ土類金属、およびＳｉの金属酸化物よりなる混合粉末を１０００℃の温度にて仮焼した後、予備粉砕し、粉砕処理用のガラス粉末を用意した。
【００４５】
次に、この予備粉砕した仮焼粉体をボールミル中に入れ、さらに、この仮焼粉体と等量のイソプロピルアルコール（以下ＩＰＡ）を加えて、直径２ｍｍのジルコニアボールを用いて粗粉砕を行った。
【００４６】
次に、この粗粉砕したガラス粉末を含むスラリーを別のミルに移し変えて、今度は直径１ｍｍのジルコニアボールにより微粉砕を行った。
【００４７】
次に、比表面積が３．２ｍ２／ｇであるＢａＴｉＯ３原料粉末を用い、ＢａＴｉＯ３１００質量部に対して、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）を０．８質量部、炭酸マンガン（ＭｎＣＯ３）を０．４質量部、酸化イットリウム（Ｙ２Ｏ３）を０．８質量部の割合で混合して誘電体粉末を調製した。誘電体粉末のメジアン径は０．７μｍとした。
【００４８】
尚、ガラス粉末のメジアン径Ｄ２は粉砕時間を変更することにより調整した。
【００４９】
次に、微粉砕したガラス粉末を誘電体粉末１００質量部に対して表１に示す割合になるように秤量し、さらに公知の分散剤、分散媒とともに直径が１０ｍｍのＺｒＯ２ボールを用いたボールミルにて混合し原料スラリーを調製した。
【００５０】
次に、この原料スラリーに有機バインダを加えて成形用スリップを調製した後、ドクターブレード法により厚さ３μｍの誘電体グリーンシートを成形した。
【００５１】
次に、この誘電体グリーンシート上に、Ｎｉ粉末、エチルセルロースおよびテルピネオールを含む内部電極ペーストをもちいてスクリーン印刷により内部電極パターンを形成した。その際、電子部品本体成形体１個あたりの内部電極パターンの有効面積は約０．６ｍｍ２とした。
【００５２】
次に、内部電極ペーストを印刷した誘電体グリーンシートを１００枚積層し、その上下面に、内部電極ペーストを印刷していない誘電体グリーンシートをそれぞれ２０枚積層し、ホットプレスして一体化し、所定寸法に切断して電子部品本体成形体を作製した。
【００５３】
そして、この電子部品本体成形体を大気中で４００℃にて脱バインダ処理を行い、その後１２８５℃（酸素分圧１０−１１ａｔｍ）で２時間焼成し、続いて大気雰囲気中１０００℃で再酸化処理をして電子部品本体を作製した。このようにして作製した電子部品本体の寸法は１．６×０．８×０．８ｍｍ３であった。また、誘電体層厚みは２．２μｍであった。
【００５４】
次に、焼成した電子部品本体をバレル研磨した後、その両端部にＣｕ粉末を含んだ外部電極ペーストを塗布し、８５０℃、窒素中で焼き付けを行い外部電極を形成した。さらにこの外部電極上に順にＮｉメッキ層、Ｓｎメッキ層を施した。
【００５５】
誘電体粉末およびガラス粉末のメジアン径およびガラス粉末の粒度分布はレーザー式粒度測定器を用いて測定した。
【００５６】
ボイドの最大径と真円度および占有率は光学式測定顕微鏡を用いて測定した。
【００５７】
作製した積層セラミックコンデンサは、各１００個について焼成後の静電容量（Ｃ）と絶縁抵抗（Ｒ）を測定した。測定は、基準温度２５℃で行い、静電容量は、周波数１．０ｋＨｚ、入力信号レベル０．５Ｖｒｍｓの条件で測定し、また、測定の際ショートした積層セラミックコンデンサの個数よりショート率を算出した。
【００５８】
また、絶縁抵抗（Ｒ）は、直流電圧１０Ｖを１分間印加して測定した。
【００５９】
高温負荷試験は、試料数１００個について、温度８５℃、電圧は９．５Ｖの条件で１０００時間行い、ショートした試料数を不良率として評価した。
【００６０】
【表１】
2004063912.tif 000006
【００６１】
表１の結果から明らかなように、ガラス粉末と誘電体粉末のメジアン径比を０．６〜０．８、ガラス粉末の粒度分布を１６％以下とし、ボイドの最大径を２μｍ以下でかつボイドの真円度を１μｍ以下とした試料Ｎｏ．２〜５、７〜１１では、静電容量が４．６８μＦ以上、絶縁抵抗が３００ＭΩ以上、ショート率が７％以下で、高温負荷試験後の不良率が２％以下であった。特に、メジアン径比を０．６５〜０．７、ガラス粉末の粒度分布を１５．３％以下とし、ガラス粉末を１〜２質量部添加した試料Ｎｏ．３、４、８および９では、高温負荷試験での不良率が０％であった。
【００６２】
一方、メジアン径比を０．８９、ガラス粉末の粒度分布を１８．２％とした試料Ｎｏ．１、およびガラス粉末の粒度分布を１５．８％としてもメジアン径比を０．５とした試料Ｎｏ．６では、焼成後でのショート率が１０％以上、高温負荷試験後の不良率が５％以上であった。
【００６３】
【発明の効果】
以上詳述したように、本発明では、誘電体粉末のメジアン径をＤ１、ガラス粉末のメジアン径をＤ２としたとき、０．６≦Ｄ２／Ｄ１≦０．８の関係を満足するように調整することにより、誘電体層中に存在するボイドの最大径を２μｍ以下でかつ真円度を１μｍ以下にできることから薄層化された誘電体層をボイドが厚み方向に貫通することがなく、このため、焼成後や高温負荷試験後においても絶縁抵抗の低下やショートを抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の積層型電子部品の概略断面図である。
【図２】図１の誘電体層を拡大して示す模式図である。
【符号の説明】
５　誘電体層
７　内部電極層
２１　結晶
２５　粒界相
２７　ボイド