(57)【要約】【課題】本発明は鉛フリーはんだを使用してもはんだ接合部に十分な接合強度をもたせることができ、電子部品の耐落下衝撃性を向上させることができる接合方法を提供することを課題とする。【解決手段】ＬＳＩパッケージ１のはんだバンプ２をプリントト基板３の電極パッド４に接合する。接合前のプリント基板３において、銅よりなる電極パッド４上に還元型金めっき法により金めっき層５を形成する。ＬＳＩパッケージ１のはんだバンプ２を金めっき層５に接触させてリフローすることにより、はんだバンプ２を電極パッド４に接合する。はんだバンプ２は、銀を含む鉛フリーはんだよりなる。【選択図】　　　　図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子部品の電極を基板又は他の電子部品の電極パッドに接合する接合方法であって、
銅よりなる電極パッド上に還元型金めっき法により金めっき層を形成し、
銀を含む合金よりなる導電性接合部材を該金めっき層に接触させてリフローすることにより該導電性接合部材を介して前記電極と前記電極パッドとを接合する
ことを特徴とする接合方法。
【請求項２】
請求項１記載の接合方法であって、
前記金めっき層の厚みが０．１μｍ以下となるように前記金めっき層を形成することを特徴とする接合方法。
【請求項３】
請求項１又は２記載の接合方法であって、
前記導電性接合部材を３回以上リフローすることを特徴とする接合方法。
【請求項４】
電子部品の接続構造であって、
銅よりなる電極パッドと、
該電極パッド上に形成された金めっき層と、
銀を含む合金よりなり、該金めっき層に接合された導電性接合部材と
を有することを特徴とする接続構造。
【請求項５】
電子部品が搭載される基板であって、
銅よりなる電極パッドと、
該電極パッド上に形成された金めっき層と
を有し、
該金めっき層は還元型金めっき法により形成された厚みが０．１μｍ以下の金めっき層であり、導電性接合部材と接触する層であることを特徴とする基板。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は電子部品の表面実装技術に係り、特に回路基板の金めっきを施した電極にはんだ等の導電性接合部材を用いて電子部品を実装するための接合方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年の電子装置の小型軽量化への要求、およびＩＣ、ＬＳＩ、超ＬＳＩなどの電子部品の高集積化技術の進展に伴い、電子部品の入出力端子（電極端子）数は数百〜数千といたった膨大な数になってきている。
【０００３】
多端子の電子部品を回路基板上に高密度に搭載する方法として、パッケージ表面に導電性バンプを形成し、バンプを介して回路基板（プリント配線板）に実装する方法がある。そのような接続方法のうち、ベアチップをバンプ接続により直接基板へ搭載するフリップチップ接続は、最も実装面積が小さく配線長が短くなることから、高集積度の半導体装置を実現できる実装技術である。
【０００４】
また、回路基板の技術開発も進展し、近年では携帯電子機器向けに、小面積でより高密度実装を行うことができる技術が提案されている。そのよう提案の一つとして、多端子の電子部品の実装用として、表面を無電解ニッケルおよび無電解金フラッシュめっき（無電解Ｎｉ−Ｐ／Ａｕフラッシュめっき）で処理した回路基板が知られている。
【０００５】
従来、基板の表面処理としての無電解めっきにおいて、銅の上に直接、金めっきを施すことは不可能とされていた。したがって、銅の酸化防止や銅の溶出防止のための下地金属（ｕｎｄｅｒ　ｂａｒｒｉｅｒ　ｍｅｔａｌ）としてニッケルが広く使用されている。しかし、ニッケルは自身も酸化し、また、はんだとの濡れ性が良くないことから、ニッケル表面にさらに金めっきを施すことが一般的となっている。とくに携帯機器などのように多端子の電子部品を実装するプリント基板の表面処理として、無電解ニッケル−リンめっきの上に無電解金めっきを施す処理が用いられてきた。
【０００６】
無電解ニッケルめっきの原理は、ニッケルイオンを還元剤によってニッケル金属として析出させることである。還元剤には次亜リン酸ナトリウムが広く使用されている。次亜リン酸ナトリウムは、組成成分中にリンを含むため、得られたニッケル析出皮膜中には通常、リンが５〜１０％含有しているのが普通である（日本プレーティング協会編実用めっきＩ増補版、槇書店、１９９７、Ｐ．５１５）。
【０００７】
また従来、プリント配線板へのベアチップ実装などに用いられる半導体チップのバンプには、Ｓｎ−ＰｂはんだやＡｕバンプ等がある。しかしながら、Ｓｎ−Ｐｂはんだは環境に有害な鉛を含有しているため、最近の鉛フリー化への要求を満たしていない。このため、プリント基板への実装に使用するはんだとして、鉛を含まない鉛フリーはんだであるＳｎ−Ａｇ系等のはんだを用いることが検討されている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
鉛フリーはんだを使用した電子部品の実装信頼性は、温度サイクル試験、基板繰り返し曲げ試験、落下衝撃試験などについて、従来のＳｎ−Ｐｂはんだと比較して評価される。このうち、とくに落下衝撃について、相対的に鉛フリーはんだの特性劣化が指摘されている。
【０００９】
この原因の一つとして、前述したリンの影響が指摘されている（例えば、杉崎：ＢＧＡはんだ接合に及ぼす無電解Ｎｉ／Ａｕ処理の影響、エレクトロニクス実装学会誌、Ｖｏｌ．４、Ｎｏ．２、ｐｐ．１２４−１２７、２００１）。この文献には、Ｓｎ−Ａｇ系の鉛フリーはんだと無電解Ｎｉ−Ｐ／Ａｕフラッシュめっきからなる接合において、界面に高濃度のリン層が形成されることが説明されている。この高濃度リン層の接合強度は弱いため、落下衝撃によりその界面から破断すると考えられている。
【００１０】
また、高濃度リン層が生じる原因としてニッケルの拡散の影響が考えられている。すなわち、基板−はんだ接合部にリフローなどで熱が加わると、基板表面のニッケル−リン皮膜中のニッケルがはんだ中へ拡散するため、皮膜表面のニッケル濃度が低下し、相対的にリン濃度が高くなると考えられている。
【００１１】
このようなリン濃度の上昇を防止する対策として、リン供給源となる次亜リン酸ナトリウムでなく、ボロンなどリン以外の化合物を還元剤として使用することが提案されている。しかし、還元剤としてボロン系のジメチルアミノボランなどを使用した場合では、めっき処理自体は良いものの接合信頼性については、従来の次亜リン酸ナトリウムに比べ大幅に劣る。
【００１２】
また近年、ボロン系還元剤は、環境基準や水質汚濁防止法に基づく排水基準が定められたことで、ニッケルめっき浴に使用されるボロンの使用は忌避され、代替物質の研究開発が進んでいる。さらに、ニッケル自体も欧州や日本国内の自治体（例えば神奈川県）などで、人体への金属アレルギ対象物質として検討された例がある。
【００１３】
今後は、とくにＰＲＴＲ（Ｐｏｌｌｕｔａｎｔ　Ｒｅｌｅａｓｅ　ａｎｄ　Ｔｒａｎｓｆｅｒ　Ｒｅｇｉｓｔｅｒ：環境汚染物質排出移動登録）などにより、有害性のある多種多様な化学物質がどのような発生源から、どれくらい環境中に排出されたか、あるいは廃棄物に含まれて事業所の外に運び出されたかというデータを把握、集計、公表する仕組みが施行されるため、なおいっそう規制が強まる傾向にある。そしてニッケルは、このＰＲＴＲ規制対象の化学物質の一つに取り上げられている。
【００１４】
このように強まる環境規制の下で、従来の銅電極の基板に、Ｓｎ−Ａｇ系の鉛フリーはんだを用いて接合した電子部品について、接合信頼性を保証することは益々困難となりつつあり、まして、耐落下衝撃性を向上させるのは至難となっていた。
【００１５】
本発明は上記の点に鑑みてなされたものであり、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系の鉛フリーはんだを使用してもはんだ接合部に十分な接合強度をもたせることができ、電子部品の耐落下衝撃性を向上させることができる接合方法を提供することを目的とする。
【００１６】
【課題を解決するための手段】
上記の課題を解決するために本発明では、次に述べる各手段を講じたことを特徴とするものである。
【００１７】
請求項１記載の発明は、電子部品の電極を基板又は他の電子部品の電極パッドに接合する接合方法であって、銅よりなる電極パッド上に還元型金めっき法により金めっき層を形成し、銀を含む合金よりなる導電性接合部材を該金めっき層に接触させてリフローすることにより該導電性接合部材を介して前記電極と前記電極パッドとを接合することを特徴とするものである。
【００１８】
請求項１記載の発明によれば、銅よりなる電極パッドの上に、ニッケルめっきを省いて直接、金めっきを施すことにより、導電性接合部材と電極パッドとの接合強度を向上することができ、接合部分の信頼性を増大することができる。これにより、導電性接合部材として鉛フリーはんだを用いても十分な接合信頼性を確保することができる。
【００１９】
請求項２記載の発明は、請求項１記載の接合方法であって、前記金めっき層の厚みが０．１μｍ以下となるように前記金めっき層を形成することを特徴とするものである。
【００２０】
請求項２記載の発明によれば、接合部分の引張強度を高い値に維持することができ、接合信頼性をさらに向上することができる。
【００２１】
請求項３記載の発明は、請求項１又は２記載の接合方法であって、前記導電性接合部材を３回以上リフローすることを特徴とするものである。
【００２２】
請求項３記載の発明によれば、リフロー回数を増やすことにより接合部分の接合信頼性をさらに向上することができる。
【００２３】
請求項４記載の発明は、電子部品の接続構造であって、銅よりなる電極パッドと、該電極パッド上に形成された金めっき層と、銀を含む合金よりなり、該金めっき層に接合された導電性接合部材とを有することを特徴とするものである。
【００２４】
請求項４記載の発明によれば、銅よりなる電極パッドの上に、ニッケルめっきを省いて直接、金めっきを施すことにより、導電性接合部材と電極パッドとの接合強度を向上することができ、接合部分の信頼性を増大することができる。
【００２５】
請求項５記載の発明は、電子部品が搭載される基板であって、銅よりなる電極パッドと、該電極パッド上に形成された金めっき層とを有し、該金めっき層は還元型金めっき法により形成された厚みが０．１μｍ以下の金めっき層であり、導電性接合部材と接触する層であることを特徴とするものである。
【００２６】
請求項５記載の発明によれば、銅よりなる電極パッドの上に、ニッケルめっきを省いて直接、厚みが０．１μｍ以下の金めっきを施すことにより、導電性接合部材と電極パッドとの接合強度を向上することができ、接合部分の信頼性を増大することができる。
【発明の実施の形態】
次に、本発明の実施の形態について図面と共に説明する。
【００２７】
本発明者は、鉛フリーはんだを用いた場合の接合強度低下という問題点を解決するために鋭意検討を重ねた結果、ニッケルを使用せず銅電極に直接、金の皮膜を形成した基板に、鉛フリーはんだを実装することで、接合強度を向上させることができることを見出した。
【００２８】
近年、無電解金めっきの技術開発が進み、従来不可能とされた銅表面に直接、金めっき処理ができるようになってきた。これを基に、本発明者は、あらためて従来ニッケルを使用していた銅電極の表面処理を見直し、接合部の強度を向上するにはニッケルめっきを廃止することが効果的であることを発見した。そこで、表面処理プリント基板と電子部品の実装に使用するはんだとして鉛フリーはんだを使用して検証実験を行ったところ、良好な接合信頼性が得られた。
【００２９】
とくに、本発明者は、はんだ合金に銀（Ａｇ）を含む組成であり、かつ、実装するプリント基板の表面処理が銅（Ｃｕ）電極上に直接、金（Ａｕ）めっきした構成であるときに、耐落下衝撃性が著しく向上する効果があることを見出した。
【００３０】
鉛フリーはんだの組成には、錫−亜鉛（Ｓｎ−Ｚｎ）系など種々の合金組成がある。このうち、近年注目される鉛フリーはんだの錫−銀−銅（Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ）系など、銅（Ｃｕ）を含む場合にも有効であった。
【００３１】
一般に、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系はんだは融点が高いが、とくに電子情報技術産業協会（ＪＥＩＴＡ）が推奨するＳｎ−３Ａｇ−０．５Ｃｕは融点（固相線２１８℃）と、従来の鉛系はんだ（Ｓｎ−３７Ｐｂ：融点１８３℃）に比べると約３０℃高い。そして、この２００℃以上の融点をもつＳｎ−３Ａｇ−０．５Ｃｕにおいても、有効なことが実験で確認された。
【００３２】
接合信頼性とくに耐落下衝撃性においては、はんだ剛性の目安となるヤング率が大きく影響する。従来の鉛系はんだのヤング率（２２ＧＰａ）に比べ、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系はんだのヤング率は大きい（≧２５ＧＰａ）。しかし、本発明による接合方法を用いると、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系はんだを用いた場合でも良好な耐落下衝撃性を示した。
【００３３】
また一方で、プリント基板表面の金（Ａｕ）の膜厚については、厚ければ良い接合信頼性を示す訳でなく、むしろ薄膜である方がよいという結果を得た。この理由は定かではないが、金めっき層と電極との密着強度が弱くなるためであると考えられる。このため、基板表面の金皮膜の膜厚は、従来、無電解ニッケル（Ｎｉ）めっき上に皮膜形成した無電解金（Ａｕ）めっき厚と同等の０．１μｍ以下が好ましいことが分かった。
【００３４】
ここで、本発明による接合方法によりプリント基板に実装した半導体装置を用いて行った実験について説明する。図１は本発明による接合方法によりプリント基板に実装した半導体装置を示す図である。
【００３５】
半導体装置１はいわゆるボールグリッドアレイ型（ＢＧＡタイプ）のＬＳＩパッケージであり、はんだバンプ２を介してガラスエポキシよりなるプリント基板３に搭載した。半導体装置１は一辺が３５ｍｍの四辺形であり、底面にはんだバンプ２が格子状に配列された。プリント基板３は一辺が１１０ｍｍの四辺形であり、はんだバンプ２の配列と同じ配列で電極パッド４が配列された。図１に示す例では、電極パッドの直径は７６０μｍであり、電極ピッチ間の距離は１．２７ｍｍであった。
【００３６】
ＬＳＩパッケージ１とプリント基板３は、接続時に回路がデイジーチェインパターンを形成するよう設計し、接続抵抗を測定できるようにした。プリント基板３は基板材料にガラスエポキシ系の材料を用い、電極および配線材料に銅を用いた。その基板表面を、金（Ａｕ）めっき液（ＡＳＨゴールド：奥野製薬工業製）で処理し、本発明による接合方法を実施するプリント基板３を作製した。
【００３７】
図２は上述の方法で作製した図１に示す半導体装置実装基板の接合部付近（Ａで示す円で囲まれた部分）の拡大断面図である。本発明の接合方法によれば、プリント基板３の電極パッド４上に直接、金めっき層５が形成される。そして、金めっき層５に対してはんだバンプ２（導電性接合部材）がリフローにより接合される。
【００３８】
プリント基板３を作製後、表面の金めっき層を除去し、エネルギー分散型Ｘ線分析装置（ＥＤＸ）で分析し、表面の金の膜厚を測定したところ、金めっき層５の厚さは０．０６μｍであった。
【００３９】
ここで、上述の金めっき法は、置換型の金めっきではなく、還元型の無電解金めっきである。従来の置換型の金めっきにより銅（Ｃｕ）上に金（Ａｕ）をめっきした場合、銅の一部を溶解しながら金めっき層が形成される。しかし、上述の本発明による接合方法では、還元型の金めっき法を用いており、銅を溶解することなく金めっき層を形成することができる。この点がはんだとの接合信頼性を低下させない理由であると推測される。
【００４０】
上述のように作製したプリント基板３の電極パッド４に、Ｓｎ−３Ａｇ−０．５Ｃｕはんだボールを搭載したＬＳＩパッケージ１を、同組成のはんだペーストを使用してリフロー加熱装置により接合した。このようにして作製した半導体装置搭載基板について自由落下試験を行い落下寿命を調べた。すなわち、はんだバンプ２と電極パッド４との間の抵抗値が、初期抵抗値から１０％以上増加したときを接合部の破断と判定し、このときの落下回数（以下、破断落下回数という）を調べた。
【００４１】
この結果、本発明による接合方法を用いた場合であって、リフローを２回行った場合、破断落下回数は７回であった。同じ条件でリフローを４回行った場合、破断落下回数は２４回であった。このように、リフロー回数を２回から４回に増やしても、落下寿命が大幅に延びることがわかった。この理由として、実装温度（リフローピーク温度２３１℃）が影響しているものと考えられる。すなわち、銅の上に直接金めっきが施されている場合には、金を介して銅とはんだが接合するのに、より多くの熱が必要であると考えられる。
【００４２】
上述の実験において、比較例として、従来と同様に基板表面に中リン濃度の無電解ニッケルめっき液（ＩＣＰニコロンＧＳＲ−Ｍ：奥野製薬工業製）を使用し無電解ニッケルめっきを施し、その上に無電解金めっき（フラッシュゴールド２０００−Ｍ：奥野製薬工業製）を処理したプリント基板４を作製した。
【００４３】
図３は上述の方法で比較例として作製した図１に示す半導体装置実装基板の接合部付近（Ａで示す円で囲まれた部分）の拡大断面図である。比較例では、プリント基板３の電極パッド４上にニッケル被膜６が形成され、その上に金めっき層５が形成される。そして、金めっき層５に対してはんだバンプ２（導電性接合部材）がリフローにより接合される。
【００４４】
このように、比較例では、銅よりなる電極パッド４と金めっき層５との間にニッケル被膜６が介在した構成である。作製したプリント基板４のリン濃度は５．７％、ニッケル皮膜６の厚さは５．２μｍ、金めっき層５の厚さは０．０６μｍであった。
【００４５】
このようにして作製した比較例を用いて落下試験を行ったところ、リフローを２回行った場合、破断落下回数は５回であった。同じ条件でリフローを４回行った場合、破断落下回数は１回に減少した。これは上述の本発明による接合方法を用いた場合とは反対の現象であり、銅の上にニッケル被膜を介して金めっき層を形成した場合には、熱を加えることにより接合部の強度が低下することを示している。
【００４６】
図４はリフロー回数を増加することによる落下寿命（破断落下回数）の変化を示すグラフである。本発明の接合方法によればリフロー回数を２回から４回に増やすと破断落下回数は７回から２４回へと大幅に増加するのに対し、比較例では５回から１回へと減少した。すなわち、リフロー回数が２回の場合は、本発明と比較例とでは破断落下回数の差は２回であるが、リフロー回数を増やして３回以上になると、本発明による接合方法を用いた例と比較例との差は大幅に大きくなり、本発明による接合方法を用いた場合の落下寿命は飛躍的に増大することが分かった。
【００４７】
接合部分の引張強度も接合信頼性を評価する尺度の一つである。そこで、本発明者は金めっき層５の厚みと接合部分の引張強度との関係について調べた。図５はその結果を示すグラフである。接合部分の引張り強度は、金めっき層５の厚さが小さい方が高く、厚さ０．１μｍ付近から急激に減少することが分かった。
【００４８】
これにより、リフロー実装する前のプリント基板４上における金メッキ層５の厚さは０．１μｍ以下とすることが好ましいことが分かった。フラッシュ金めっきで形成される金めっき層の厚さは０．１μｍ程度であり、金めっき層５はフラッシュ金めっきにより形成することが好適であることが分かった。
【００４９】
また、金めっき層５の厚さが０．１μｍを超えると、引張強度が減少するだけでなく、はんだとの接合信頼性が低下し、落下衝撃による破断を生じやすいことも実験の結果明らかとなった。
【００５０】
以上の如く、本明細書は以下の発明を開示する。
【００５１】
（付記１）　電子部品の電極を基板又は他の電子部品の電極パッドに接合する接合方法であって、
銅よりなる電極パッド上に還元型金めっき法により金めっき層を形成し、
銀を含む合金よりなる導電性接合部材を該金めっき層に接触させてリフローすることにより該導電性接合部材を介して前記電極と前記電極パッドとを接合する
ことを特徴とする接合方法。
（付記２）　付記１記載の接合方法であって、
前記金めっき層の厚みが０．１μｍ以下となるように前記金めっき層を形成することを特徴とする接合方法。
（付記３）　付記１又は２記載の接合方法であって、
前記導電性接合部材を３回以上リフローすることを特徴とする接合方法。
（付記４）　付記１乃至３のうちいずれか一項記載の接合方法であって、
前記導電性接合部材として銅を含む合金を用いることを特徴とする接合方法。
【００５２】
（付記５）　付記１乃至４のうちいずれか一項記載の接合方法であって、
前記導電性接合部材として融点が２００℃以上の合金を用いることを特徴とする接合方法。
【００５３】
（付記６）　付記１乃至５のうちいずれか一項記載の接合方法であって、
前記導電性接合部材としてヤング率が２５ＧＰａ以上の合金を用いることを特徴とする接合方法。
【００５４】
（付記７）　付記１乃至６のうちいずれか一項記載の接合方法であって、
前記導電性接合部材として鉛フリーはんだを用いることを特徴とする接合方法。
【００５５】
（付記８）　電子部品の接続構造であって、
銅よりなる電極パッドと、
該電極パッド上に形成された金めっき層と、
銀を含む合金よりなり、該金めっき層に接合された導電性接合部材と
を有することを特徴とする接続構造。
（付記９）　付記８記載の接続構造であって、
前記金めっき層の厚みは０．１μｍ以下であることを特徴とする接続構造。
【００５６】
（付記１０）　付記８又は９記載の接合構造であって、
前記導電性接合部材は、銅を含む合金よりなることを特徴とする接合構造。
【００５７】
（付記１１）　付記８乃至１０のうちいずれか一項記載の接合構造であって、
前記導電性接合部材は融点が２００℃以上の合金よりなることを特徴とする接合構造。
【００５８】
（付記１２）　付記８乃至１１のうちいずれか一項記載の接合構造であって、
前記導電性接合部材はヤング率が２５ＧＰａ以上の合金よりなることを特徴とする接合構造。
【００５９】
（付記１３）　付記８乃至１２のうちいずれか一項記載の接合構造であって、
前記導電性接合部材は、鉛フリーはんだであることを特徴とする接合構造。
【００６０】
（付記１４）　電子部品が搭載される基板であって、
銅よりなる電極パッドと、
該電極パッド上に形成された金めっき層と
を有し、
該金めっき層は還元型金めっき法により形成された厚みが０．１μｍ以下の金めっき層であり、導電性接合部材と接触する層であることを特徴とする基板。
【発明の効果】
上述の如く本発明によれば、次に述べる種々の効果を実現することができる。
請求項１記載の発明によれば、銅よりなる電極パッドの上に、ニッケルめっきを省いて直接、金めっきを施すことにより、導電性接合部材と電極パッドとの接合強度を向上することができ、接合部分の信頼性を増大することができる。これにより、導電性接合部材として鉛フリーはんだを用いても十分な接合信頼性を確保することができる。
【００６１】
請求項２記載の発明によれば、接合部分の引張強度を高い値に維持することができ、接合信頼性をさらに向上することができる。
【００６２】
請求項３記載の発明によれば、リフロー回数を増やすことにより接合部分の接合信頼性をさらに向上することができる。
【００６３】
請求項４記載の発明によれば、銅よりなる電極パッドの上に、ニッケルめっきを省いて直接、金めっきを施すことにより、導電性接合部材と電極パッドとの接合強度を向上することができ、接合部分の信頼性を増大することができる。
【００６４】
請求項５記載の発明によれば、銅よりなる電極パッドの上に、ニッケルめっきを省いて直接、厚みが０．１μｍ以下の金めっきを施すことにより、導電性接合部材と電極パッドとの接合強度を向上することができ、接合部分の信頼性を増大することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による接合方法によりプリント基板に実装した半導体装置を示す図である。
【図２】本発明による接合方法により作製した図１に示す半導体装置実装基板の接合部付近（Ａで示す円で囲まれた部分）の拡大断面図である。
【図３】比較例として作製した図１に示す半導体装置実装基板の接合部付近（Ａで示す円で囲まれた部分）の拡大断面図である。
【図４】リフロー回数を増加することによる落下寿命（破断落下回数）の変化を示すグラフである。
【図５】金めっき層の厚みと接合部分の引張強度との関係を示すグラフである。
【符号の説明】
１　ＬＳＩパッケージ
２　はんだバンプ
３　プリント基板
４　電極パッド
５　金めっき層
６　ニッケル被膜
【図１】
2004047550.tif 000003
【図２】
2004047550.tif 000004
【図３】
2004047550.tif 000005
【図４】
2004047550.tif 000006
【図５】
2004047550.tif 000007