(57)【要約】【課題】ウェーハ保持側の面の形状が研磨面に転写され難く、バッチ式研磨時におけるウェーハ外周部の片減りも解消される半導体ウェーハの研磨方法およびその装置を提供する。【解決手段】シリコンウェーハＷを研磨ヘッド１２に真空度−６０ＫＰａ〜−５ＫＰａで吸着・保持し、研磨する。その結果、真空吸着方式でありながら、ウェーハＷが研磨ヘッド１２の回転に伴い公転するだけでなく、ウェーハ中心軸を中心にゆっくりと自転する。よって、研磨は表面基準となり、キャリアプレート１４の下面の形状がウェーハＷの研磨面に転写され難い。しかも、バッチ式の研磨装置１０にあっては、シリコンウェーハＷの外周部の片減りを抑制することができる。【選択図】　　　　図１
2004025352.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
研磨布に研磨剤を供給し、研磨ヘッドに保持された半導体ウェーハを研磨布に摺接させることにより、この半導体ウェーハを研磨する半導体ウェーハの研磨方法において、
前記半導体ウェーハが、前記研磨ヘッドに−６０ＫＰａ〜−５ＫＰａの真空度で吸着されている半導体ウェーハの研磨方法。
【請求項２】
研磨ヘッドのウェーハ保持側の面に環状のテンプレートを設け、該テンプレートの内側に、その研磨面とは反対側の面を前記研磨ヘッドと接触させた状態で半導体ウェーハを収容し、その後、研磨布に研磨剤を供給しながら、半導体ウェーハを研磨布に摺接させて研磨する半導体ウェーハの研磨方法。
【請求項３】
研磨ヘッドのウェーハ保持側の面に環状のテンプレートを設け、該テンプレートの内側に半導体ウェーハを収容するとともに、この半導体ウェーハと前記研磨ヘッドとの間に厚さが２００μｍ以下のバックパッドを介在させ、その後、研磨布に研磨剤を供給しながら、半導体ウェーハを研磨布に摺接させて研磨する半導体ウェーハの研磨方法。
【請求項４】
研磨布が貼着される研磨定盤と、
該研磨定盤に半導体ウェーハを保持するウェーハ保持側の面を対向配置させた研磨ヘッドと、
該研磨ヘッドのウェーハ保持側の面に半導体ウェーハを−６０ＫＰａ〜−５ＫＰａで真空吸着する吸着手段とを備えた半導体ウェーハの研磨装置。
【請求項５】
研磨布が貼着される研磨定盤と、
該研磨定盤に半導体ウェーハを保持するウェーハ保持側の面を対向配置させた研磨ヘッドと、
該研磨ヘッドのウェーハ保持側の面に設けられ、研磨面とは反対側の面を前記研磨ヘッドと接触させた状態で半導体ウェーハが収容される環状のテンプレートとを備えた半導体ウェーハの研磨装置。
【請求項６】
研磨布が貼着される研磨定盤と、
該研磨定盤に半導体ウェーハを保持するウェーハ保持側の面を対向配置させた研磨ヘッドと、
該研磨ヘッドのウェーハ保持側の面に設けられ、半導体ウェーハが内側に収容される環状のテンプレートと、
この半導体ウェーハと前記研磨ヘッドとの間に介在されるバックパッドとを備えた半導体ウェーハの研磨装置において、
前記バックパッドの厚さを、２００μｍ以下とした半導体ウェーハの研磨装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は半導体ウェーハの研磨方法およびその装置、詳しくは研磨中に半導体ウェーハを回転させながら研磨する半導体ウェーハの研磨技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】
面取り後、エッチング処理されたシリコンウェーハは、次の研磨工程において、その表面に機械的化学的研磨が施される。これにより、シリコンウェーハの表面は平滑で無歪の鏡面に仕上げられる。
一般的な研磨装置は、上面に研磨布が貼着された研磨定盤と、研磨定盤の上方に対向配置され、下面にシリコンウェーハが所定の保持構造により保持された研磨ヘッドとを備えている。研磨時には、研磨砥粒を含む研磨剤（スラリー）を研磨布に供給しながら、研磨ヘッドと一体的に回転中のシリコンウェーハを、研磨布の表面（研磨作用面）に摺接させることにより、研磨する。
【０００３】
ところで、研磨ヘッドにシリコンウェーハを保持する方式として、例えば（１）　シリコンウェーハを負圧力により研磨ヘッドの下部に取り付けられたキャリアプレートの下面に真空吸着する方式が知られている。その他、（２）　研磨ヘッドのウェーハ保持側の面に、シリコンウェーハを収容する環状のテンプレートを設け、これらのシリコンウェーハと研磨ヘッドとの間にバックパッドを介在させるワックスレスマウント方式が知られている。
（１）　真空吸着方式では、約−６０ＫＰａ以下の高い真空度でシリコンウェーハをキャリアプレートに完全吸着（研磨時にウェーハが移動しない吸着力での吸着）し、この状態を維持して研磨する。一方、（２）　ワックスレスマウント方式では、厚さ２００〜４００μｍ程度のバックパッドを使用する。研磨時、バックパッドに純水を供給し、その表面張力によって、テンプレートの内側に収容されたシリコンウェーハを、ウェーハ裏面側から保持（水張り）し、研磨する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来のシリコンウェーハ研磨装置にあっては、以下の問題点があった。
すなわち、（１）　従来の真空吸着方式では、高い真空度でシリコンウェーハを研磨ヘッドに完全吸着した状態で研磨していた。そのため、研磨中のシリコンウェーハは、研磨ヘッドの回転に伴って一体的に回転（公転）するだけで、ウェーハ中心軸を中心にして単独で回転（自転）することはなかった。その結果、この研磨は裏面基準となり、キャリアプレートの下面形状がそのままシリコンウェーハの研磨面に転写される場合があった。しかも、複数枚のシリコンウェーハを同時に研磨するバッチ式の研磨装置にあっては、研磨ヘッドからキャリアプレートに作用する研磨圧は、プレート外周部の方がプレート中央部に比べて大きくなる。そのため、研磨後のウェーハ外周部の一部分に片減り（過剰な研磨）が生じやすかった。
また、（２）　従来のワックスレスマウント方式では、バックパッドとして４００μｍ程度の厚いパッドが採用されていた。そのため、研磨が表面基準となり、シリコンウェーハに直接作用する研磨圧が小さくなっていた。その結果、研磨前のウェーハ表面の形状がそのまま研磨後も維持されたり、研磨後にウェーハ表面の凹凸が増幅されるおそれがあった。
【０００５】
そこで、発明者は鋭意研究の結果、（１）　ウェーハを研磨ヘッドに−６０ＫＰａ〜−５ＫＰａの真空度で吸着して研磨すれば、真空吸着方式でありながら、ウェーハ中心軸を中心にしてウェーハが低速度で回転し、裏面基準から表面基準の研磨になることを知見した。これにより、キャリアプレートの下面の形状がウェーハの研磨面に転写され難くなり、しかもバッチ式の研磨装置を利用した研磨時には、ウェーハの外周部の片減りが解消されることも見出し、この発明を完成させた。
また、発明者は、（２）　ワックスレスマウント方式での研磨時、バックパッドを２００μｍ以下に薄くすれば、表面基準の研磨のままで、ウェーハに作用する研磨圧を大きくできることを知見した。これにより、研磨前のウェーハ表面の凹凸形状が研磨後も維持されるか、その凹凸形状が増幅されるおそれが減少し、その結果、研磨後のウェーハ表面の平坦度が高まることを見出し、この発明を完成させた。
【０００６】
【発明の目的】
この発明は、真空吸着方式の研磨において、研磨ヘッドのウェーハ保持側の面の形状が半導体ウェーハの研磨面に転写され難く、またバッチ式の研磨時におけるウェーハ外周部の片減りを解消することができる半導体ウェーハの研磨方法およびその装置を提供することを、その目的としている。
また、この発明は、ワックスレスマウント方式の研磨において、表面基準の研磨でありながら、研磨前のウェーハ表面の形状が研磨後も維持または増幅されることが抑制され、これにより研磨後のウェーハ表面の平坦度を高めることができる半導体ウェーハの研磨方法およびその装置を提供することを、その目的としている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
請求項１に記載の発明は、研磨布に研磨剤を供給し、研磨ヘッドに保持された半導体ウェーハを研磨布に摺接させることにより、この半導体ウェーハを研磨する半導体ウェーハの研磨方法において、前記半導体ウェーハが、前記研磨ヘッドに−６０ＫＰａ〜−５ＫＰａの真空度で吸着されている半導体ウェーハの研磨方法である。
【０００８】
ここで適用される研磨方法としては、半導体ウェーハを１枚ずつ研磨する枚葉式でもよい。または、複数枚の半導体ウェーハを同時に研磨するバッチ式でもよい。
半導体ウェーハとしては、例えばシリコンウェーハ、ガリウム砒素ウェーハなどを採用することができる。
研磨布としては、例えば硬質発泡ウレタンフォームからなる「ＭＨパッド」、「ＩＣパッド」、不織布にウレタン樹脂を含浸・硬化させた「Ｓｕｂａパッド」などを採用することができる。
研磨剤としては、例えば焼成シリカやコロイダルシリカ（研磨砥粒）、アミン（加工促進剤）および有機高分子（ヘイズ抑制剤）などを混合したものを採用することができる。コロイダルシリカとは、珪酸微粒子の凝集が起こらないで１次粒子のまま水中に分散した透明または不透明な乳白色のコロイド液である。
【０００９】
研磨時、作用する真空度は−６０ＫＰａ〜−５ＫＰａ、好ましくは−４０ＫＰａ〜−１５ＫＰａである。−６０ＫＰａ未満では、半導体ウェーハは自転しないため、研磨が裏面基準となり、キャリプレートの下面形状の転写および片減りが発生しやすくなる。−５ＫＰａを超えると、研磨が表面基準となり、ウェーハ表面の凹凸が増幅する。
研磨時、研磨ヘッドから半導体ウェーハに作用する研磨圧は１００〜７００ｇ／ｃｍ２、好ましくは３５０〜４５０ｇ／ｃｍ２である。１００ｇ／ｃｍ２未満では、研磨が表面基準となり、ウェーハ表面の凹凸が増幅されやすくなる。また、７００ｇ／ｃｍ２を超えると自転しにくくなるため、研磨が裏面基準となり、片減りまたはキャリアプレートの下面形状の転写が生じやすくなる。
【００１０】
また、請求項２に記載の発明は、研磨ヘッドのウェーハ保持側の面に環状のテンプレートを設け、該テンプレートの内側に、その研磨面とは反対側の面を前記研磨ヘッドと接触させた状態で半導体ウェーハを収容し、その後、研磨布に研磨剤を供給しながら、半導体ウェーハを研磨布に摺接させて研磨する半導体ウェーハの研磨方法である。
テンプレートは、そのプレート内側に、半導体ウェーハの直径より若干大径な孔部を有している。この孔部に半導体ウェーハが収容される。テンプレートの高さは限定されない。ただし、半導体ウェーハの厚さと略同じ高さが好ましい。テンプレートの素材としては、例えばガラスエポキシ樹脂、各種のセラミックスなどを採用することができる。
ここでいうテンプレートの内側に、研磨面とは反対側の面を研磨ヘッドと接触させた状態で半導体ウェーハを収容するとは、半導体ウェーハが、その研磨面とは反対側の面を研磨ヘッドのウェーハ保持側の面に直接当てがってテンプレートの内側に収容されることをいう。
【００１１】
請求項３に記載の発明は、研磨ヘッドのウェーハ保持側の面に環状のテンプレートを設け、該テンプレートの内側に半導体ウェーハを収容するとともに、この半導体ウェーハと前記研磨ヘッドとの間に厚さが２００μｍ以下のバックパッドを介在させ、その後、研磨布に研磨剤を供給しながら、半導体ウェーハを研磨布に摺接させて研磨する半導体ウェーハの研磨方法である。
バックパッドの素材としては、例えばスウェード布などの不織布を採用することができる。また、その硬度も限定されない。
バックパッドの厚さが２００μｍを超えると、半導体ウェーハに作用する研磨圧が小さくなり、研磨が表面基準となるため、ウェーハ表面の凹凸が増幅されやすくなる。
【００１２】
請求項４に記載の発明は、研磨布が貼着される研磨定盤と、該研磨定盤に半導体ウェーハを保持するウェーハ保持側の面を対向配置させた研磨ヘッドと、該研磨ヘッドのウェーハ保持側の面に半導体ウェーハを−６０ＫＰａ〜−５ＫＰａで真空吸着する吸着手段とを備えた半導体ウェーハの研磨装置である。
研磨装置は、研磨ヘッドを研磨装置の上方に対向配置したものでも、これとは上下を逆に配置したものでもよい。さらには、研磨ヘッドを研磨布に沿って往復動させる方式の研磨装置でもよいし、往復動させない方式の研磨装置でもよい。往復動させる場合には、半導体ウェーハの外周部の一部を研磨布の外部にはみ出させての研磨でもよいし、そうでない研磨でもよい。
【００１３】
請求項５に記載の発明は、研磨布が貼着される研磨定盤と、該研磨定盤に半導体ウェーハを保持するウェーハ保持側の面を対向配置させた研磨ヘッドと、該研磨ヘッドのウェーハ保持側の面に設けられ、研磨面とは反対側の面を前記研磨ヘッドと接触させた状態で半導体ウェーハが収容される環状のテンプレートとを備えた半導体ウェーハの研磨装置である。
【００１４】
請求項６に記載の発明は、研磨布が貼着される研磨定盤と、該研磨定盤に半導体ウェーハを保持するウェーハ保持側の面を対向配置させた研磨ヘッドと、該研磨ヘッドのウェーハ保持側の面に設けられ、半導体ウェーハが内側に収容される環状のテンプレートと、この半導体ウェーハと前記研磨ヘッドとの間に介在されるバックパッドとを備えた半導体ウェーハの研磨装置において、前記バックパッドの厚さを、２００μｍ以下とした半導体ウェーハの研磨装置である。
【００１５】
【作用】
請求項１および請求項４の発明によれば、半導体ウェーハを研磨ヘッドに−６０ＫＰａ〜−５ＫＰａという完全吸着時より低い真空度で吸着して研磨する。そのため、真空吸着方式でありながら、半導体ウェーハが研磨ヘッドの回転に伴って公転するだけではなく、そのウェーハ中心軸を中心にしてゆっくりと自転する。これにより、表面基準の研磨となり、研磨ヘッドのウェーハ保持側の面の形状が半導体ウェーハのウェーハ研磨面に転写され難くなる。しかも、バッチ式の研磨時にあっては、半導体ウェーハの外周部の片減りを抑制することができる。
【００１６】
また、請求項２、請求項３、請求項５および請求項６の発明によれば、テンプレートの内側に、研磨面とは反対側の面を研磨ヘッドと直接接触させて半導体ウェーハを収容するか、厚さ２００μｍ以下の薄いバックパッドを介して半導体ウェーハを収容する。その後、この状態を維持し、ウェーハの研磨面を研磨布に摺接させて研磨する。これにより表面基準の研磨でありながら、研磨前のウェーハ表面の形状が研磨後も維持または増幅されるおそれが減少する。その結果、研磨後のウェーハ表面の平坦度を高めることができる。
【００１７】
【発明の実施の形態】
以下、この発明の実施例を図面を参照して説明する。まず、図１を参照して第１の実施例を説明する。図１は、この発明の第１の実施例に係る半導体ウェーハの研磨装置の要部縦断面図である。
図１において、１０は半導体ウェーハの研磨装置（以下、研磨装置）である。この研磨装置１０は、４枚の単結晶シリコンからなる口径６インチのシリコンウェーハ（ＣＺウェーハ）Ｗの片面を同時に研磨可能な真空吸着方式の研磨装置である。
研磨装置１０は、研磨定盤１１と、この研磨定盤１１の上方に配され、シリコンウェーハＷを保持するウェーハ保持側の面（下面）を研磨定盤１１に対向配置させた研磨ヘッド１２と、研磨ヘッド１２の下面にシリコンウェーハＷを真空吸着するための真空度を作用させる吸着手段Ｖとを備えている。これらの研磨定盤１１および研磨ヘッド１２は厚肉な円板形状で、対向する各面はそれぞれ平坦である。
【００１８】
研磨定盤１１は、回転軸を中心にして、図示しない回転手段により回転自在である。研磨定盤１１の上面には、厚地のスポンジゴムを介して研磨布１３が貼着されている。この研磨布１３は、不織布にウレタン樹脂を含浸・硬化させたロデール社製のＳｕｂａ６００（厚さ１２７０μｍ、硬度８０°（Ａｓｋｅｒ））である。
研磨ヘッド１２は、図示しない昇降手段により上下動可能に構成されている。研磨ヘッド１２の下面には、ウェーハ保持用のキャリアプレート１４が着脱自在に取り付けられている。キャリアプレート１４の下面には、プレート中心部を中心にした仮想円上に、シリコンウェーハＷを吸着するウェーハ保持領域が、９０度間隔で配置されている。キャリアプレート１４の各ウェーハ保持領域には、プレート表裏両面を貫通して、所定本数の連通孔１４ａ…が、互いに所定距離だけ離間して形成されている。また、同じく各ウェーハ保持領域には、シリコンウェーハＷがその保持領域からはみ出さないように、テンプレート２１を固着している。テンプレート２１は、平面視して円形のリング状を有するガラスエポキシ樹脂製の板材である。テンプレート２１の厚さは、シリコンウェーハＷと略同じか、それより１〜２００μｍだけ薄い。
【００１９】
研磨ヘッド１２の内部には、その下部が多数本に分岐した吸引路１２ａが形成されている。吸引路１２ａの上部は回転軸の中心軸線に沿って形成され、外部に配置された連通管を経て吸着手段Ｖの吸引部に連通されている。吸引路１２ａの分岐した下部は４つのグループに別れ、それぞれのグループの下端がキャリアプレート１４の対応するウェーハ保持領域に形成された連通孔１４ａ…に連通されている。吸着手段Ｖの作動により負圧力が発生し、この負圧力が連通管および吸引路１２ａを介して、各ウェーハ保持領域の連通孔１４ａ…に作用する。その結果、各ウェーハ保持領域にシリコンウェーハＷがそれぞれ吸着される。
第１の実施例の特徴は、吸着手段Ｖにより発生した負圧力の度合い（真空度）が、シリコンウェーハＷをキャリアプレート１４に完全吸着する従来の−６０ＫＰａよりも低い、−６０ＫＰａ〜−５ＫＰａに設定した点である。これにより、研磨中、４枚のシリコンウェーハＷは、それぞれ自己のウェーハ中心軸を中心にしてゆっくりと自転する。
【００２０】
次に、この第１の実施例の研磨装置１０の作用を説明する。
図１に示すように、シリコンウェーハＷの研磨時には、吸着手段Ｖを作動し、各テンプレート２１の孔部２１ａに収納された４枚のシリコンウェーハＷをキャリアプレート１４の下面の各ウェーハ保持領域にそれぞれ吸着する。このとき、各シリコンウェーハＷは−６０ＫＰａ〜−５ＫＰａという低い真空度で吸着される。
その後、研磨布１３の中心部に１．０リットル／分で研磨剤を供給しながら、回転中の研磨ヘッド１２を下降し、研磨定盤１１と一体的に回転している研磨布１３の研磨作用面にシリコンウェーハＷを摺接させる。研磨定盤１１の回転速度は５〜２０ｒｐｍ、研磨ヘッド１２の回転速度は３〜２０ｒｐｍ、研磨圧は２００〜４００ｇ／ｃｍ２である。研磨時間は１０分間程度である。
【００２１】
このように、研磨時のシリコンウェーハＷは、キャリアプレート１４の下面に−３０ＫＰａという低い真空度で吸着されている。そのため、真空吸着方式でありながら、シリコンウェーハＷが研磨ヘッド１２の回転に伴って公転するだけではなく、ウェーハ中心軸を中心にして１ｒｐｍ程度でゆっくりと自転する。これにより、シリコンウェーハＷの研磨が、従来の裏面基準から表面基準に変更され、その結果、キャリアプレート１４の下面の形状がシリコンウェーハＷの研磨面に転写され難くなる。
しかも、このようなバッチ式の研磨装置１０を利用した場合には、研磨ヘッド１２からの研磨圧は、キャリアプレート１４の外周部の方がその中央部に比べて大きくなる。これにより、従来は研磨後のウェーハ外周部の一部分に片減りが生じやすかった。しかしながら、第１の実施例では１ｒｐｍという低速度ではあるがシリコンウェーハＷが自転するので、ウェーハ外周部は略均一に研磨され、このような片減りを解消することができる。
【００２２】
次に、図２に基づき、この発明の第２の実施例を説明する。
図２は、この発明の第２の実施例に係る半導体ウェーハの研磨装置の要部縦断面図である。
図２に示すように、第２の実施例はワックスレスマウント方式の研磨装置２０において、テンプレート２１の内側の孔部２１ａに、研磨面とは反対側の面（上面）を、キャリアプレート１４の下面に直接接触させてシリコンウェーハＷを収容させた例である。したがって、この第２の実施例ではワックスレスマウント方式で通常利用されるバックパッドが存在しない。
研磨装置２０は、研磨ヘッド１２の下面の各ウェーハ保持領域にシリコンウェーハＷを収容するテンプレート２１がそれぞれ固着されている。テンプレート２１は、円形のリング状のガラスエポキシ板である。もちろん、この研磨装置２０はワックレスマウント方式である。そのため、第１の実施例で用いられた吸着手段Ｖ、研磨ヘッド１２内の吸引路１２ａ、および、テンプレート１４内の連通孔１４ａは除去されている。
【００２３】
第２の実施例の研磨装置２０の研磨時には、各テンプレート２１の孔部２１ａに所定の量の水を供給し、ウェーハ上面をキャリアプレート１４の下面に直接接触させてシリコンウェーハＷを水張りする。その後、所定量の研磨剤を供給しながら、シリコンウェーハＷを研磨布１３に摺接させて研磨する。
このように、シリコンウェーハＷがキャリアプレート１４の下面に、直接、水張りされているので、シリコンウェーハＷに直接作用する研磨ヘッド１２からの研磨圧が、従来のバックパッドを利用した研磨装置に比べて大きくなる。その結果、シリコンウェーハＷはウェーハ中心軸を中心にして１ｒｐｍ程度でゆっくりと回転する。これにより、表面基準の研磨でありながら、研磨前のシリコンウェーハＷの表面の形状が研磨後も維持されたり増幅されるおそれが減少する。その結果、研磨後のウェーハ表面の平坦度を高めることができる。
その他の構成、作用および効果は、第１の実施例から推測可能な範囲であるので、説明を省略する。
【００２４】
次に、図３に基づき、この発明の第３の実施例を説明する。
図３は、この発明の第３の実施例に係る半導体ウェーハの研磨装置の要部縦断面図である。
図３に示すように、第３の実施例の半導体ウェーハの研磨装置３０は、バックパッド３１の厚さを、従来品（４００μｍ程度）よりも薄くした例である。
すなわち、研磨装置３０は、キャリアプレート１４の下面全域に厚さｔが２００μｍのバックパッド３１を貼着し、バックパッド３１の下面の各ウェーハ保持領域にテンプレート２１がそれぞれ固着されている。バックパッド３１はスウェード布製である。研磨時には、バックパッド３１に所定量の純水を供給し、シリコンウェーハＷを水張りする。この状態を維持して研磨する。研磨時にシリコンウェーハＷに作用する研磨圧は、上述した第２の実施例の場合よりも小さい。しかしながら、従来品のバックパッドの厚さの約半分である２００μｍまで薄くすると、研磨後のシリコンウェーハＷの外周部の片減りはほとんど解消される。
その他の構成、作用および効果は、第２の実施例と略同じであるので、説明を省略する。
【００２５】
【発明の効果】
請求項１および請求項４の発明によれば、半導体ウェーハが研磨ヘッドに−６０ＫＰａ〜−５ＫＰａという低い真空度で吸着されて研磨されるので、真空吸着方式の研磨でありながら研磨中に半導体ウェーハが回転する。そのため、半導体ウェーハの研磨は表面基準となり、研磨ヘッドのウェーハ保持側の面の形状が半導体ウェーハの研磨面に転写され難く、またバッチ式の研磨時におけるウェーハ外周部の片減りを解消することができる。
【００２６】
また、請求項２、請求項３、請求項５および請求項６の発明によれば、テンプレートの内側に半導体ウェーハを収容する場合、半導体ウェーハの研磨面とは反対側の面を研磨ヘッドに直接当てがって収容するか、厚さが２００μｍ以下の薄いバックパッドを介して収容する。その結果、表面基準の研磨でありながら、研磨前のウェーハ表面の形状が研磨後も維持されたり増幅されるおそれが減少する。よって、研磨後のウェーハ表面の平坦度を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の第１の実施例に係る半導体ウェーハの研磨装置の要部縦断面図である。
【図２】この発明の第２の実施例に係る半導体ウェーハの研磨装置の要部縦断面図である。
【図３】この発明の第３の実施例に係る半導体ウェーハの研磨装置の要部縦断面図である。
【符号の説明】
１０，２０，３０　半導体ウェーハの研磨装置、
１１　研磨定盤、
１２　研磨ヘッド、
１３　研磨布、
２１　テンプレート、
３１　バックパッド、
Ｖ　吸着手段、
Ｗ　シリコンウェーハ（半導体ウェーハ）。
【図１】
2004025352.tif 000003
【図２】
2004025352.tif 000004
【図３】
2004025352.tif 000005