(57)【要約】【課題】サンプルと試薬との反応ムラを防止し、高精度なサンプル処理を実現するサンプル処理装置を提供する。【解決手段】配管チューブ１０が、導波管１４を貫通して設けられている。配管チューブ１０内には、サンプルと試薬とが供給されて配合流体１２が生成される。配管チューブ１０の上流側にはポンプが設けられている。ポンプは、吐出動作によって配管チューブ１０内にキャリア液を供給し、また、吸引動作によって配管チューブ１０内からキャリア液を抜き取り、配合流体１２を移動させる。この吸引動作と吐出動作とが組み合わせることにより、配合流体１２は、導波管１４の内部の照射空間に間欠的に配置され、間欠的にマイクロ波にさらされる。なお、配合流体１２は、必要に応じて温度検出領域５０で温度が計測され、この計測温度に基づいて、マイクロ波の間欠照射が実行される。【選択図】        図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
サンプルにサンプル処理剤が配合された配合流体が滞留し又は通過する照射空間が導波通路内に形成された導波体を含み、
前記導波体は、
前記照射空間内の前記配合流体に前記電磁波を照射することを特徴とするサンプル処理装置。
【請求項２】
請求項１記載のサンプル処理装置において、
前記照射空間に嵌め入れられ、内部に前記配合流体が入れられる流体処理部と、
前記流体処理部内の配合流体の温度を検出する温度センサと、
前記検出された配合流体の温度に基づいて、前記配合流体への前記電磁波の照射量を制御する制御部と、
を含むことを特徴とするサンプル処理装置。
【請求項３】
請求項１記載のサンプル処理装置において、
前記照射空間に挿通され、内部に前記配合流体が配置されるチューブ体と、
前記チューブ体に連結されたポンプと、
前記ポンプを制御して、前記チューブ体内の前記配合流体の位置を調節し、前記配合流体を前記照射空間に配置する制御部と、
を含むことを特徴とするサンプル処理装置。
【請求項４】
請求項３記載のサンプル処理装置において、
前記制御部は、前記ポンプの吸引動作と吐出動作とを組み合わせ、前記配合流体を前記照射空間内に間欠的に配置させる間欠制御を行うことを特徴とするサンプル処理装置。
【請求項５】
請求項４記載のサンプル処理装置において、
前記配合流体の温度を検出する温度センサを含み、
前記制御部は、前記検出された配合流体の温度に基づいて、前記間欠制御を行うことを特徴とするサンプル処理装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、サンプルとサンプル処理液（サンプル処理剤）との混合液（配合流体）に電磁波を照射するサンプル処理装置に関する。
【０００２】
【従来技術及びその課題】
生化学などの分野では、生体組織片などのサンプルを化学分析する際に、当該分析に先立ってサンプルを試薬などのサンプル処理剤と反応させる処理が行われる。この反応処理では、例えば、スライドガラスに貼り付けられたサンプル上にサンプル処理剤を滴下し、サンプルにサンプル処理剤を浸潤させる。このサンプル処理剤浸潤状態のサンプルにマイクロ波を照射することで、反応が促進されることが知られており、一般的には、反応処理用電子レンジを利用して、スライドガラスにマイクロ波を照射している。この反応処理用電子レンジは食品用電子レンジと同様の構成を成している。したがって、空間部における電磁場分布が不均一であり、サンプルに反応ムラが生じてしまう問題が生じていた。また、このマイクロ波は、空洞部内を空中伝播して検体に照射されるため、例えば、検体へのマイクロ波照射におけるエネルギ効率が低く、本来反応処理に必要とされる以上の高出力なマイクロ波発振器を必要としていた。
【０００３】
一方、生化学等の分野において、血液や尿などの流体状の検体（サンプル）を簡便かつ迅速に化学分析を行う手段として、フローインジェクション分析法（ＦＩＡ法）を採用したサンプル処理装置が利用されている。この装置は、サンプルとサンプル処理液との配合処理、この配合されたサンプルとサンプル処理液との反応促進処理、及び反応後のサンプルの分析処理等の一連のサンプル処理の流れを自動的に行う。このサンプル処理装置は径が極めて小さい配管チューブを含み、その中には、キャリア液が連続して流されている。サンプル処理装置は、配管チューブ内にサンプルとサンプル処理剤とを注入し、これをキャリア液で搬送しながら、当該配管チューブ内で上述の一連のサンプル処理を行う。一般的に、このようなサンプル処理装置では、サンプルとサンプル処理剤との配合流体をヒータで加熱することにより反応を促進させる。
【０００４】
ここで、サンプルとサンプル処理液との反応に当たって、反応ムラを防止する上でサンプルとサンプル処理液とが均一に混ざり合っていることが望ましい。しかしながら、サンプルとサンプル処理液は径の小さな配管チューブ内で配合されるため、これらを均等に混ぜ合わせることは困難であった。また、化学合成やハイブリダイゼーションなどの反応系では、マイクロ波を照射することにより、反応が促進されることが知られているが、ＦＩＡ法における効果的な照射方法がなかった。
【０００５】
なお、下記特許文献１には、平面状の試薬展開面に試薬を導入してサンプルを試薬浸潤状態にし、それに対してマイクロ波を照射するサンプル処理装置が開示されている。
【０００６】
【特許文献１】
特開２００２−２０６９９７号公報
【０００７】
本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、その目的は、新しい構造を有するサンプル処理装置を提供することにある。
【０００８】
また、本発明の他の目的は、サンプルとサンプル処理剤との反応ムラを防止し、高精度なサンプル処理を実現するサンプル処理装置を提供することにある。
【０００９】
また、本発明の他の目的は、細長いチューブ内および小さい配管チューブ内に収容されたサンプルおよびサンプル処理剤に、効果的に、均一にマイクロ波を照射するサンプル処理装置を提供することである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明は、サンプルにサンプル処理剤が配合された配合流体が滞留し又は通過する照射空間が導波通路内に形成された導波体を含み、前記導波体は、前記照射空間内の前記配合流体に電磁波を照射することを特徴とする。
【００１１】
上記構成によれば、導波体中における導波通路内に照射空間が形成されており、配合流体は、この照射空間において直接電磁波にさらされる。したがって、配合流体に対して、エネルギ効率の高い電磁波照射ができ、例えばより低出力の発振器でサンプル処理ができる。ここで、導波通路を進行波が進行する構成であることが望ましい。この構成の場合、照射空間内における位置、或いは導波通路内の照射空間の位置によらず、配合流体は、進行する電磁波に当たる。したがって、配合流体が電磁波照射を受ける位置に影響を受けずに、電磁波が均一に照射され、サンプルとサンプル処理剤との反応ムラを防止できる。
【００１２】
また、配合流体に電磁波が照射されることで、例えば、サンプルとサンプル処理剤とに含まれる粒子が直接振動され得る。これにより、例えば、よりサンプルとサンプル処理剤とが混ぜ合わされ、均一な混合物となる。したがって、例えば、サンプルとサンプル処理剤とが反応する構成である場合には、サンプルとサンプル処理剤との不十分な混合状態に起因する反応ムラを防止、或いは軽減できる。
【００１３】
本発明の好適な態様では、前記照射空間に嵌め入れられ、内部に前記配合流体が入れられる流体処理部と、前記流体処理部内の配合流体の温度を検出する温度センサと、前記検出された配合流体の温度に基づいて、前記配合流体への前記電磁波の照射量を制御する制御部と、を含むことを特徴とする。
【００１４】
ここで、配合流体には、当該流体に温度変化を与える周波数帯の電磁波を利用し、望ましくはマイクロ波を利用する。配合流体は、照射空間に嵌め入れられた流体処理部に入れられ、制御部は、配合流体の温度に基づいて配合流体への電磁波照射量を制御する。したがって、例えば、サンプルとサンプル処理剤との反応がより促進される温度など、配合流体を適切な温度に保つことができる。なお、電磁波照射量の制御としては、例えば、導波体に供給される電磁波信号をＯＮ／ＯＦＦ制御し、電磁波をパルス状に発生させる態様であってもよい。また、例えば、流体処理部が、照射空間外に突出した部分を有する構成とし、混合流体を当該突出部分と照射空間内へ物理的に移動させて電磁波照射量を制御する態様であってもよい。その他、例えば、照射空間に対して流体処理部を物理的に出し入れする態様であってもよい。ちなみに、流体処理部は、内部に配合流体が流され又は留置されるチューブ状部材が望ましいが、内部に配合流体を収容する容器等であってもよい。なお、この配合流体を構成するサンプルやサンプル処理剤は、例えば、液体、ビーズなどの微小な固体粒子の集合体、又はこれらの混合体等である。
【００１５】
また、本発明の好適な態様では、前記照射空間に挿通され、内部に前記配合流体が配置されるチューブ体と、前記チューブ体に連結されたポンプと、前記ポンプを制御して、前記チューブ体内の前記配合流体の位置を調節し、前記配合流体を前記照射空間に配置する制御部と、を含むことを特徴とする。
【００１６】
上記構成によれば、制御部は、ポンプを制御してチューブ体内の配合流体の位置を調節し、照射空間に配置する。これにより、例えば、照射空間内への配合流体の配置処理を容易に自動化できる。さらに、制御部が、例えば、ポンプを制御することによって、照射終了後の配合流体を照射空間から取り出す態様であれば、配合処理の配置処理と当該取り出し処理の一連工程を自動化できる。
【００１７】
本発明の好適な態様では、前記制御部は、前記ポンプの吸引動作と吐出動作とを組み合わせ、前記配合流体を前記照射空間内に間欠的に配置させる間欠制御を行うことを特徴とする。これにより、配合流体に望ましいタイミングで電磁波を照射でき、配合流体への電磁波照射のタイミング制御を容易に実現できる。
【００１８】
本発明の好適な態様では、前記配合流体の温度を検出する温度センサを含み、前記制御部は、前記検出された配合流体の温度に基づいて、前記間欠制御を行うことを特徴とする。なお、配合流体に照射する電磁波として、配合流体に温度変化をもたらす周波数帯のものを利用し、望ましくはマイクロ波を利用する。
【００１９】
【発明の実施の形態】
本発明の好適な実施の形態（以下、実施形態という）について、図面を参照しながら説明する。なお、本実施形態では、本発明に係るサンプル処理装置が、ＦＩＡ法の分析装置として機能する場合を例にとって説明する。このサンプル処理装置は、配管チューブを有し、液体状のサンプルと試薬とを配合して配合流体を生成する配合処理、この配合流体におけるサンプルとサンプル処理剤（試薬）との反応を促進させる反応促進処理、反応促進処理後にサンプルの分析に先立って実行される分析前処理、及びサンプルの分析を行う分析処理などで構成される一連のサンプル処理の流れを、この配管チューブ内に沿って、当該チューブ内において実行する。
【００２０】
図１は、本サンプル処理装置において、主として、上記反応促進処理において機能する構成要素を概略的に示した図である。したがって、以下の説明では、上記配合処理が終了し、配管チューブ１０内には、すでに混合流体１２が注入されているものとする。
【００２１】
発振器１６は、制御部１８の制御の下で交流信号である電磁波信号（高周波）を発生する。本実施形態では、発振器１６は半導体発振器であり、例えば２４５０ＭＨｚの高周波を発生する。この電磁波信号は、マイクロ波ケーブル２０を介して導波管１４に供給される。
【００２２】
導波管１４は導体で形成された管状部材であり、内部に導波通路としての空間部が導波管１４の伸長方向に沿って形成されている。導波管１４に高周波が供給されるとこの空間部に電磁波が発生する。なお、本実施形態では、空間部でマイクロ波が発生するように、電磁波信号の周波数が調整されている。ここで、導波管１４には、マイクロ波ケーブル２２を介して、ダミーロード２４が接続され、且つ、それぞれの間においてインピーダンス整合がなされている。したがって、導波管１４内には、マイクロ波ケーブル２０側からマイクロ波ケーブル２２側に向かって進行波が進行する良好な進行波状態が形成される。さらに、図２を利用して説明を続ける。
【００２３】
本実施形態の導波管１４は、長方形断面を有する方形導波管であり、その一方端１４ａと他方端１４ｂは塞がれている。なお、本実施形態では、例えば横幅及び縦幅（厚さ）がそれぞれ１００ｍｍ及び６０ｍｍの方形導波管を採用しており、その長さは、例えば２４５０ＭＨｚのマイクロ波が共振する長さに設定されている。導波管１４の上面２６における一方端１４ａ側及び他方端１４ｂ側には、それぞれ入力端子としての接栓２８及び出力端子としての接栓３０が設けられており、導波管１４は、接栓２８及び３０を介して、マイクロ波ケーブル２０及び２２と接続されている。導波管１４の中央付近における上面２６及び下面３２には、円形状の開口３４及び３６が形成されており、それぞれ内部の空間部と連通している。
【００２４】
図３に本実施形態における導波管１４の断面の一部を拡大した図を示す。ここで、開口３４及び３６の相対的位置に関しては、開口３４の中心を通る上面２６に対する法線を仮想的に想定した場合、この法線上に開口３６の中心が位置するように開口３４及び３６がそれぞれ配置されている。本実施形態において、開口３４及び３６の径は共に３ｍｍである。ここで、これらの開口３４及び３６の径はマイクロ波の波長に比べて極めて小さい。したがって、開口３４及び３６からのマイクロの漏洩は生じない、或いは無視できる程度である。したがって、導波管１４内にマイクロが発生しても、周りの部材など周辺に電磁波の影響を与えてしまうことを防ぐことができるとともに、電磁波エネルギーの不用意な損失を防ぐことができる。
【００２５】
空間部３８内には、図中二点鎖線で示された照射空間４０が設けられている。この照射空間４０は、空間部３８において開口３４と開口３６に接続する円筒状の空間である。実際の装置では、この開口３４及び３６を介して、この照射空間４０に配管チューブ１０（図２参照）が挿通される。したがって、この照射空間４０内に配置された配管チューブ１０の部位には、空間部３８を図中矢印方向に進行する電磁波４２が照射され、電磁波４２は、当該部位を透過して進行する。なお、図中の破線は、導波管１４内（空間部３８）で発生する電磁波４２を概略的に表したものである。
【００２６】
図１に戻り説明を続ける。配管チューブ（キャピラリー）１０は、径の小さなカテーテル状の部材であり、本実施形態では、内径及び外径がそれぞれ２ｍｍ及び３ｍｍである。配管チューブ１０は、導波管１４を貫通して配置され、照射空間４０に挿通されている。配管チューブ１０は、配合流体１２を照射空間４０に導入する導入路として機能するとともに、照射空間４０から配合流体１２を排出する排出路として機能する。また、配管チューブ１０における照射空間４０に嵌め入れられている部位では、電磁波を透過させて、配合流体１２にその電磁波を照射させる。なお、本実施形態における配管チューブ１０は、シリコンチューブであるが、これに限らず、電磁波を透過させる材質で形成されたチューブであればよい。
【００２７】
この細径の配管チューブ１０内では、配合流体１２が流体の層を形成する。この配合流体１２の流体層の両側には、例えばバッファ液や水などのキャリア液が当該流体層に隣接して充填されている。
【００２８】
キャリア液タンク４４には、キャリア液が貯留されている。ポンプ４６は、キャリア液タンク４４と接続されているとともに配管チューブ１０と接続されている。ポンプ４６は、制御部１８内のポンプ制御部１８ａの制御に基づいて、キャリア液タンク４４内のキャリア液を配管チューブ１０内に吐出（供給）する。また、配管チューブ１０内のキャリア液を吸引し（引き抜き）てキャリア液タンク４４に排出する。これらのポンプ４６の吸引動作と吐出動作により、配合流体１２は、圧力伝達媒体として機能するキャリア液により搬送されて、配管チューブ１０内をその伸長方向に沿って移動する。
【００２９】
移動液量検出部４８は、吸引動作や吐出動作に伴って、配管チューブ１０内に対して供給され、又は引き抜かれるキャリア液の液量、すなわち配管チューブ１０とキャリア液タンク４４との間におけるキャリア液の移動量を検出し、その検出結果を制御部１８ａに出力する。制御部１８ａは、この移動量に基づいて配管チューブ１０内における配合流体１２の配置位置を調整し、例えば、配合流体１２を照射空間４０内に位置決めし、また照射空間４０内に配置されていた配合流体１２を導波管１４の外に位置決めする。
【００３０】
温度センサ４４は、配管チューブ１０内における配合流体１２の温度を検出し、この検出結果を制御部１８内の照射制御部１８ｂに出力する。ここで、配合流体１２は、照射空間４０内に配置されることでマイクロ波にさらされ、温度が上昇する。一般的に、配合流体１２を構成するサンプルと試薬との反応においては、反応が最も促進される等、反応に適した最適温度又は最適温度帯域が存在する。制御部１８ｂは、検出された配合流体１２の温度に基づいて、配合流体１２が当該最適温度又は最適温度帯域に維持されるように、間欠的に配合流体１２を照射空間４０内に配置させる間欠制御を行う。
【００３１】
ちなみに、本実施形態における温度センサ４４は、図２に示されるように、導波管１４よりも上流側に、配管チューブ１０の外側表面に導波管１４から離間配置されている。配管チューブ１０内には、温度センサ４４と隣接する温度検出領域５０が設けられており、配合流体１２は、この温度検出領域５０に配置されることにより、温度検出が行われる。なお、温度センサ４４は、照射空間４０（図１参照）内に配置された配管チューブ１０表面等に設けて、電磁波を浴びている状態の配合流体１２を直接検出する構成でもよい。この構成の場合、温度センサ４４には、電磁波の影響を防御する構成を付することが望ましい。
【００３２】
次に、反応促進処理での本サンプル処理装置の動作について図２を参照しながら説明する。なお、反応促進処理に先立って、配管チューブ１０の上流側において、所望の配合処理ユニットが、サンプルと試薬をそれぞれ別々に配管チューブ１０内に注入し、配合流体１２の流体層を生成する。
【００３３】
ポンプ４６（図１参照）が吐出動作し、この配合流体１２の上流側にキャリア液を供給する。本実施形態では、この上流側のキャリア液が配合流体１２と直接隣接するように供給されるが、配合流体１２とこのキャリア液との間に空気層を配置させる構成であってもよい。なお、配合流体１２の下流側にもキャリア液が充填されており、本実施形態ではこの配合流体１２と直接隣接している。
【００３４】
配合流体１２の上流側にキャリア液が供給されることで、配合流体１２は、下流側へ移動し、導波管１４内（照射空間４０）に配置される。なお、導波管１４内への配置に先立って、温度検出領域５０において、配合流体１２の温度を検出し、このマイクロ波照射前に検出された当該温度を、後述する配合流体１２へのマイクロ波の照射における間欠制御に利用してもよい。
【００３５】
配合流体１２の上流側にキャリア液が供給されると、配合流体１２は、導波管１４に向けて下流側へ移動する。なお、この移動の際に、温度検出領域５０において配合流体１２の温度を検出し、このマイクロ波照射直前における配合流体１２の温度を後述のマイクロ波照射量の制御に利用してもよい。
【００３６】
配合流体１２は、図４に示されるように、照射空間４０内において位置決めされ、停止する。なお、本実施形態では、配管チューブ１０の伸長方向における配合流体１２の流体層の幅は、鉛直方向における照射空間４０の幅（厚さ）以下に設定されている。
【００３７】
次に、導波管１４に高周波が供給され、導波管１４内に２４５０ＭＨｚのマイクロ波４２が発生し、進行波として図中矢印方向に進行する。これにより、サンプルや試薬を構成する微小粒子が共振し、サンプルと試薬とがより積極的に混合して均一に混ざり合う。したがって、サンプルの反応ムラが防止され、また、マイクロ波の照射により、配合流体１２の温度が上昇し反応が促進される。なお、図中の破線は、導波管１４内（空間部３８）で発生する電磁波４２を概略的に表したものである。
【００３８】
制御部１８（図１参照）は、所望のプログラムに基づいて、配合流体１２を所定期間（照射期間）留置した後、ポンプ４６に吸引動作させて、配管チューブ１０内のキャリア液を所定量抜き取らせる。これにより、配合流体１２は、上流側に移動し、照射空間４０の外に待避される。制御部１８は、配合流体１２を照射空間４０外に所定期間（待避期間）留置させた後、ポンプ４６に吐出動作させて、配管チューブ１０内に所定量のキャリア液を注入させる。これにより、配合流体１２が照射空間４０内に位置決めされ、上述と同様にマイクロ波の照射を受ける。制御部１８は、このようなポンプ４６の吸引動作と吐出動作とを組み合わせ、配合流体１２を照射空間４０内に間欠的に配置する間欠制御を行う。なお、本実施形態では、配合流体１２を導波管１４の上流側に待避させているが、下流側に待避させてもよい。また、上流側と下流側の待避を組み合わせてもよい。
【００３９】
ここで、制御部１８は、この間欠制御において、必要に応じて配合流体１２を温度検出領域５０に配置させ、これによって検出された配合流体１２の温度に基づいて照射期間や待避期間を調整し、最適温度又は最適温度帯域に配合流体１２が保たれるように、配合流体１２への電磁波照射量を制御する。
【００４０】
間欠制御が終了した後、配管チューブ１０内にキャリア液が供給され、導波管１４の下流側に配置された上記分析前処理や上記分析処理を行うユニットへ当該配合流体１２が移動し、所望の処理を受ける。なお、この配合流体１２の上流側には、キャリア液の層を介して次々とサンプルと試薬とが供給され、互いにキャリア液層で隔離された複数の配合流体が生成される。これら複数の配合流体に対しても上記間欠制御が行われ、上述と同様の反応促進処理がなされた後、分析前処理や分析処理が行われる。
【００４１】
なお、本実施形態では、導波管１４（照射空間４０）内で直接配合流体１２に電磁波を照射する構成のため、低出力の発振器１４（図１参照）として半導体発振器が利用されている。ここで、この半導体発振器は、様々な周波数の電磁波信号を発生でき、例えば、導波管１４における固有周波数の整数倍の周波数（共振周波数）の電磁波を空間部３８に発生させることができる。したがって、制御部１８ａが発振器１４を制御し、例えば配合流体１２の温度に基づいて、進行波の周波数を異なる共振周波数に切換え、配合流体１２に照射してもよい。また、この周波数切換え制御を上記間欠制御と組み合わせてもよい。
【００４２】
本実施形態のサンプル処理装置は、配合流体１２に進行波を照射する構成であるが、定在波を利用してもよい。この場合、上記実施形態と同様に、例えば、配管チューブ１０が導波管１４に対して直交するように貫通した構成であることが望ましい。この場合には、配管チューブ１０の径が小さいため、当該チューブ１０内での径方向における位置の違いによって、反応の進み具合等に実質的な差異が生じることがない。したがって、電磁波照射に伴う反応ムラを防止、或いは軽減できる。
【００４３】
以上の実施形態におけるサンプル処理装置では、配管チューブ１０の伸長方向における配合流体層の幅が、鉛直方向における照射空間４０の幅以下に設定されている場合について説明した。これに対し、この照射空間４０の幅よりも配合流体層の幅が広い場合について説明する。この場合、制御部１８は、例えば、配管チューブ１０内に一定速度でキャリア液を供給させて、配合流体１２の一端から他端までを照射空間４０に潜らせ、配合流体１２を電磁波４２でスキャンさせればよい。また、このスキャン照射を例えば複数回往復させて配合流体１２に電磁波４２を照射させてもよい。
【００４４】
以上の実施形態では、例えば、複数の配合流体１２が、進行波にさらされ、あるいは、同一の電磁波分布を有する照射空間４０に配置されるため、例えば、常に安定した反応結果を得ることができ、同一種類の配合流体１２においては、再現性の高い反応処理を実現することができる。
【００４５】
ちなみに、単一の導波管１４に対して複数の配管チューブ１０を設けてもよい。この構成において電磁波照射に定在波を利用する場合では、定在波における位相が同一である位置に各配管チューブ１０を配置することが望ましい。これにより、配管チューブ１０によって反応促進の程度に差異が生じることを防ぐことができる。また、上述の実施形態では、導波管１４を利用する場合を例にとって説明したが、例えば、導波体としてストリップラインやマイクロストリップライン等を用いてもよい。
【００４６】
【発明の効果】
本発明によれば、新しい構造を有するサンプル処理装置を提供することにある。
【００４７】
また、本発明の他の目的は、サンプルとサンプル処理剤との反応ムラを防止し、高精度なサンプル処理を実現するサンプル処理装置を提供することにある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係るサンプル処理装置において、主に反応促進処理において機能する構成要素を概略的に示した図である。
【図２】本実施形態における導波管と、当該導波管に設けられた配管チューブ等の周辺部材が示された図である。
【図３】本実施形態における導波管の構造を説明する概略図である。
【図４】図２に示される導波管において、その照射空間に配合流体が配置されている状態を概略的に示す図である。
【符号の説明】
１０  配管チューブ、１２  配合流体、１４  導波管。
【図１】
2004205461.tif 000003
【図２】
2004205461.tif 000004
【図３】
2004205461.tif 000005
【図４】
2004205461.tif 000006