(57)【要約】【課題】温度特性および電気的特性が優れた電子部品を得る。【解決手段】基板１と、基板１の上面に設けた櫛型電極２と、櫛型電極２を覆うとともに天面に凹凸形状を有する保護膜４とを備え、保護膜４と接する基板１の表面から保護膜４の凸部４ａの頂部までの高さをｔ、保護膜４と接する基板１の表面から保護膜４の凹部４ｂの底部までの高さをｔ１、保護膜４の凸部４ａの頂部から保護膜４の凹部４ｂの底部までの高さ（ｔ−ｔ１）をｔ２とし、保護膜４の凹凸形状の１ピッチあたりのピッチ幅をＬ、保護膜４の凹凸形状の１ピッチあたりの凹凸の凸部４ａの幅をＬ１、凹部４ｂの幅をＬ２、櫛型電極２の１ピッチあたりのピッチ幅をｐ、櫛形電極２を構成する電極指１本あたりの幅をｐ１、電極指間の幅をｐ２、櫛型電極２の膜厚をｈとしたとき、ｔ２≦ｈ（ただし、Ｌ≒ｐ、ｐ１+ｐ２＝ｐ、Ｌ１+Ｌ２＝Ｌ、Ｌ１≦ｐ１、Ｌ２≧ｐ２）である。【選択図】図１
2004222267.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、この基板の上面に設けた櫛型電極と、この櫛型電極を覆うとともに天面に凹凸形状を有する保護膜とを備え、この保護膜と接する前記基板の表面からこの保護膜の凸部の頂部までの高さをｔ、この保護膜と接する前記基板の表面からこの保護膜の凹部の底部までの高さをｔ１、この保護膜の凸部の頂部からこの保護膜の凹部の底部までの高さ（ｔ−ｔ１）をｔ２とし、この保護膜の凹凸形状の１ピッチあたりのピッチ幅をＬ、前記保護膜の凹凸形状の１ピッチあたりの凹凸の凸部の幅をＬ１、凹部の幅をＬ２、前記櫛型電極の１ピッチあたりのピッチ幅をｐ、前記櫛形電極を構成する電極指１本あたりの幅をｐ１、前記電極指間の幅をｐ２、前記櫛型電極の膜厚をｈとしたとき、
ｔ２≦ｈ
（ただし、Ｌ≒ｐ、ｐ１+ｐ２＝ｐ、Ｌ１+Ｌ２＝Ｌ、Ｌ１≦ｐ１、Ｌ２≧ｐ２の関係を満たす）である電子部品。
【請求項２】
基板上に設けられた櫛型電極において、前記櫛型電極の膜厚ｈと前記櫛型電極の１ピッチあたりのピッチ幅ｐとの関係が、
０．０５≦ｈ／（２×ｐ）
である、請求項１記載の電子部品。
【請求項３】
基板と、この基板の上面に設けた櫛型電極と、この櫛型電極を覆うとともに天面に凹凸形状を有する保護膜とを備え、この保護膜と接する前記基板の表面からこの保護膜の凸部の頂部までの高さをｔ、この保護膜と接する前記基板の表面からこの保護膜の凹部の底部までの高さをｔ１、この保護膜の凸部の頂部からこの保護膜の凹部の底部までの高さ（ｔ−ｔ１）をｔ２とし、この保護膜の凹凸形状の１ピッチあたりのピッチ幅をＬ、前記保護膜の凹凸形状の１ピッチあたりの凹凸の凸部の幅をＬ１、凹部の幅をＬ２、前記櫛型電極の１ピッチあたりのピッチ幅をｐ、前記櫛形電極を構成する電極指１本あたりの幅をｐ１、前記電極指間の幅をｐ２、前記櫛型電極の膜厚をｈとしたとき、
ｈ≦ｔ２
（ただし、Ｌ≒ｐ、ｐ１+ｐ２＝ｐ、Ｌ１+Ｌ２＝Ｌ、Ｌ１≦ｐ１、Ｌ２≧ｐ２の関係を満たす）である電子部品。
【請求項４】
基板上に設けられた櫛型電極において、前記櫛型電極の膜厚ｈと前記櫛型電極の１ピッチあたりのピッチ幅ｐとの関係が、
ｈ／（２×ｐ）≦０．０５
である、請求項３記載の電子部品。
【請求項５】
１ピッチあたりの保護膜のピッチ幅Ｌと、前記保護膜の凹凸形状の１ピッチあたりの凹凸の凸部の幅Ｌ１との比Ｌ１／Ｌをη'とし、１ピッチあたりの櫛型電極のピッチ幅ｐと、前記櫛形電極を構成する電極指１本あたりの幅ｐ１との比ｐ１／ｐをηとしたとき、ηとη'との関係が、
η'／ η  ≦  ０．８６
（ただし、Ｌ≒ｐ、ｐ１+ｐ２＝ｐ、Ｌ１+Ｌ２＝Ｌの関係を満たす）である請求項１または３のいずれかに記載の電子部品。
【請求項６】
１ピッチあたりの保護膜の凹凸の凸部の幅Ｌ１の中心をＬｃとし、前記１ピッチあたりの保護膜の凸部の下に位置する櫛型電極の電極指の幅ｐ１の中心をｐｃとしたとき、Ｌｃとｐｃが平面視ほぼ同一直線上に存在している請求項１または３のいずれかに記載の電子部品。
【請求項７】
基板は、タンタル酸リチウム基板であって、かつこのタンタル酸リチウム基板の切り出し角度が、Ｘ軸周りにＺ軸方向への回転角度をＤ°とした場合、
３８°≦Ｄ°
のＹ板から切り出されたものである請求項１または３のいずれかに記載の電子部品。
【請求項８】
基板の上面に設けた櫛型電極と、この櫛型電極を覆うとともに天面に凹凸形状を有する保護膜は、この保護膜と接する前記基板の表面からこの保護膜の凹部の底部までの高さｔ１と、櫛型電極の１ピッチあたりのピッチ幅ｐの関係が、
１３％≦ｔ１／（２×ｐ）≦３５％
である請求項１または３のいずれかに記載の電子部品。
【請求項９】
保護膜は二酸化シリコンである請求項１または３のいずれかに記載の電子部品。
【請求項１０】
基板と、この基板の上面に設けた櫛型電極と、この櫛型電極を覆うように設けた保護膜とを備え、この保護膜の天面はほぼ平坦であって、この保護膜と接する前記基板の表面からこの保護膜の上面までの高さをｔ、前記櫛型電極の１ピッチあたりのピッチ幅をｐとしたとき、前記基板は、タンタル酸リチウム基板であって、かつこのタンタル酸リチウム基板の切り出し角度が、Ｘ軸周りのＺ軸方向への回転角度をＤ°とした場合、
３８°≦Ｄ°
のＹ板から切り出されたものであり、かつ
１３％≦ｔ／（２×ｐ）≦３５％
である電子部品。
【請求項１１】
基板上に設けられた櫛型電極において、前記櫛型電極の膜厚ｈと前記櫛型電極の１ピッチあたりのピッチ幅ｐとの関係が、
０．０５≦ｈ／（２×ｐ）
である、請求項１０記載の電子部品。
【請求項１２】
少なくとも１つのアンテナと、このアンテナに電気的に接続する電気回路とを有する電子機器であって、前記電気回路は複数の電子部品を備え、この複数の電子部品の少なくとも一つは、請求項１ないし１１の何れかに記載の電子部品である電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品およびこの電子部品を用いた電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
以下、従来の電子部品について説明する。
【０００３】
本従来の技術では、電子部品の一例として弾性表面波デバイス（以下、「ＳＡＷデバイス」と記す。）を例にとり説明する。
【０００４】
近年、小型軽量なＳＡＷデバイスは、各種移動体通信端末機器等の電子機器に多く使用されている。特に、８００ＭＨｚ〜２ＧＨｚ帯における携帯電話システムの無線回路部には、タンタル酸リチウム（以下、「ＬＴ」と記す。）基板の切り出し角度が、Ｘ軸周りのＺ軸方向への回転角度が３６°であるＹ板から切り出された、いわゆる３６°ＹカットＸ伝播のＬＴ（以下、「３６°ＹＬＴ」と記す。）基板を用いて作成したＳＡＷフィルタが広く用いられてきた。しかし、携帯電話のシステムやその無線回路部におけるフィルタの使用箇所によっては、さらなる通過帯域の低挿入損失化およびフィルタのスカート特性が急峻で、かつ阻止域における抑圧度の高いフィルタ特性が要求されている。この様な要求を満たすため、ＬＴ基板の切り出し角度が、Ｘ軸周りのＺ軸方向への回転角度が４２°であるＹ板から切り出された、いわゆる４２°ＹカットＸ伝播のＬＴ（以下、「４２°ＹＬＴ」と記す。）基板を用いることで、従来の３６°ＹＬＴ基板を用いるよりも、より低損失かつフィルタのスカート特性が急峻なＳＡＷフィルタを実現する方法が、特許文献１に示されている。
【特許文献１】特開平９−１６７９３６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、４２°ＹＬＴ基板は、従来の３６°ＹＬＴ基板同様、弾性表面波の伝播方向の基板の熱膨張係数が大きく、また弾性定数そのものも温度により変化するため、フィルタの周波数特性も温度の変化に対して約−３５ｐｐｍ/oＫと、大きくシフトしてしまうという、温度特性に課題を有していた。例えばアメリカのＰＣＳ用の送信フィルタを例にとって考えた場合、常温で中心周波数１．８８ＧＨｚのフィルタが、常温±５０℃で、約±３．３ＭＨｚつまり約６.６ＭＨｚも変動する。ＰＣＳの場合、送信帯域と受信帯域の間隔は２０ＭＨｚしかなく、製造上の周波数ばらつきも考慮すると、フィルタにとっての送受信間隔は実質１０ＭＨｚ程度しかない。このため、例えば送信帯域を全温度（常温±５０℃）で確保しようとすると受信側の減衰量が十分に取れなくなるという問題を有していた。
【０００６】
本発明は、上記従来の課題を解決するものであり、電極上に保護膜を形成することによって温度特性および電気的特性が優れた電子部品を得ることを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するために、本発明の第１の態様は電子部品であって、この電子部品に設けた天面に凹凸形状を有する保護膜は、保護膜と接する前記基板の表面からこの保護膜の凸部の頂部までの高さをｔ、この保護膜と接する前記基板の表面からこの保護膜の凹部の底部までの高さをｔ１、この保護膜の凸部の頂部からこの保護膜の凹部の底部までの高さ（ｔ−ｔ１）をｔ２とし、この保護膜の凹凸形状の１ピッチあたりのピッチ幅をL、前記保護膜の凹凸形状の１ピッチあたりの凹凸の凸部の幅をＬ１、凹部の幅をＬ２、前記櫛型電極の１ピッチあたりのピッチ幅をｐ、前記櫛形電極を構成する電極指１本あたりの幅をｐ１、前記電極指間の幅をｐ２、前記櫛型電極の膜厚をｈとしたとき、
ｔ２≦ｈ
（ただし、Ｌ≒ｐ、ｐ１+ｐ２＝ｐ、Ｌ１+Ｌ２＝Ｌ、Ｌ１≦ｐ１、Ｌ２≧ｐ２の関係を満たす）であるもので、電極上の保護膜の形状の影響を減らし、不要なＳＡＷの反射の発生を抑えることにより、結果として、保護膜が電極を覆うように形成されかつその表面に凸凹状態が存在する場合においても、特性の良い電子部品を得ることができるという作用を有する。
【０００８】
また、本発明の第２の態様は電子部品であって、この電子部品に設けた天面に凹凸形状を有する保護膜は、この保護膜と接する前記基板の表面からこの保護膜の凸部の頂部までの高さをｔ、この保護膜と接する前記基板の表面からこの保護膜の凹部の底部までの高さをｔ１、この保護膜の凸部の頂部からこの保護膜の凹部の底部までの高さ（ｔ−ｔ１）をｔ２とし、この保護膜の凹凸形状の１ピッチあたりのピッチ幅をＬ、前記保護膜の凹凸形状の１ピッチあたりの凹凸の凸部の幅をＬ１、凹部の幅をＬ２、前記櫛型電極の１ピッチあたりのピッチ幅をｐ、前記櫛形電極を構成する電極指１本あたりの幅をｐ１、前記電極指間の幅をｐ２、前記櫛型電極の膜厚をｈとしたとき、
ｈ≦ｔ２
（ただし、Ｌ≒ｐ、ｐ１+ｐ２＝ｐ、Ｌ１+Ｌ２＝Ｌ、Ｌ１≦ｐ１、Ｌ２≧ｐ２の関係を満たす）であるもので、保護膜が電極を覆うように形成された場合でも、電極部分と電極指間との間に基板にかかる質量の差を設けることで、電極端部におけるＳＡＷの反射係数の低下を抑制、または向上させることができ、その結果、小型で特性の良い電子部品を得ることができるという作用を有する。
【０００９】
また、本発明の第３の態様は電子部品であって、この電子部品に設けた天面がほぼ平坦な保護膜は、保護膜と接する前記基板表面からこの保護膜の上面までの高さをｔ、前記櫛型電極の１ピッチあたりのピッチ幅をｐとしたとき、前記基板は、タンタル酸リチウム基板であって、かつこのタンタル酸リチウム基板の切り出し角度が、Ｘ軸周りにＺ軸方向への回転角度をＤ°とした場合、
３８°≦Ｄ°
のＹ板から切り出されたものであり、かつ
１３％≦ｔ／（２×ｐ）≦３５％
とすることで、温度特性の変化が少なく、かつ特性の良好な電子部品を得ることができるという作用を有する。
【発明の効果】
【００１０】
以上の様に本発明によれば、基板上に形成された電極を覆うように保護膜を形成し、かつその保護膜の形状や厚さを特定の範囲に設定することによって温度特性および電気的特性が優れた電子部品を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、本発明の実施の形態における電子部品について、図面を参照しながら説明する。本実施の形態では電子部品の一例としてＳＡＷデバイスを例にして説明する。
【００１２】
（実施の形態１）
図１（ａ）は本発明の実施の形態１における電子部品としてのＳＡＷデバイスの上面図、図１（ｂ）は同断面図である。
【００１３】
同図に示すように本実施の形態１のＳＡＷデバイスは、基板１の上面に櫛型電極２を、この櫛型電極２の両側に反射器３とを備え、少なくともこれら櫛型電極２および反射器３を覆う保護膜４を備えるものである。さらに櫛型電極２には、この櫛型電極２と電気的に接続された電気信号の取出しを行うパッド５を有し、ＳＡＷデバイスを構成するものである。
【００１４】
基板１は、Ｘ軸周りにＺ軸方向へ数度回転させたＹ板から切り出したタンタル酸リチウム（以下「ＬＴ」と記す。）からなるもので、その回転の角度が３６°である３６°ＹＬＴ基板である。
【００１５】
櫛型電極２はアルミニウム（以下、「Ａｌ」と記する。）またはＡｌ合金からなるものである。
【００１６】
保護膜４は、好ましくは二酸化シリコン（以下、「ＳｉＯ2」と記する。）からなるもので、図１（ｂ）に示すように、その天面には凹凸形状を備えている。保護膜４の凸部分４ａは、基板１の上面の櫛型電極２を有する部分の上方に備わっている。また、保護膜４の凹部分４ｂは、凸部分４ａ間の櫛型電極２が基板１の上面に存在しない部分およびその近傍に備わっている。
【００１７】
ここで、保護膜４が接している基板１の表面から、保護膜４の凸部分４ａの頂部までの高さをｔとし、保護膜４が接している基板１の表面から、保護膜４の凹部分４ｂの底部までの高さをｔ１とし、保護膜４の凹部分４ｂの底部から凸部分４ａの頂部までの高さ（ｔ−ｔ１）をｔ２とする。
【００１８】
また、保護膜４が接している基板１の表面から、電極指２ａの頂部までを櫛型電極２の高さｈとする。
【００１９】
さらに保護膜４の凸部分４ａ、凹部分４ｂ各々１つを１ピッチとし、この１ピッチあたりのピッチ幅をＬとし、保護膜４の凸部分４ａの幅をＬ１とし、保護膜４の凹部分４ｂの幅をＬ２（Ｌ＝Ｌ１＋Ｌ２が成り立つこと）とする。また、保護膜４の１ピッチと同様に、１つの櫛型電極２の電極指２ａおよび一方が隣合う電極指２ａの存在する部分までを櫛型電極２の１ピッチ幅ｐとする。
【００２０】
また、電極指２ａの１本あたりの幅をｐ１とし、隣合う電極指間の幅をｐ２（ｐ＝ｐ１＋ｐ２が成り立つこと）とする。
【００２１】
また、保護膜４のピッチ幅Ｌと保護膜４の凸部分４ａの幅Ｌ１との比Ｌ１/Ｌをη’、櫛型電極２の１ピッチ幅ｐと電極指１本あたりの幅ｐ１との比ｐ１/ｐをηとする。
【００２２】
以上のように構成されるＳＡＷデバイスについて、以下にその製造方法を図面を参照しながら説明する。
【００２３】
図２は本発明の実施の形態１におけるＳＡＷデバイスの製造方法を説明する図である。
【００２４】
まず、図２（ａ）に示すように、ＬＴ基板２１の上面にＡｌまたはＡｌ合金を蒸着またはスパッタ等の方法により櫛形電極または／および反射器となる電極膜２２を成膜する。
【００２５】
次に、図２（ｂ）に示すように、電極膜２２の上面にレジスト膜２３を形成する。
【００２６】
次に、図２（ｃ）に示すように、所望の形状となるように露光・現像技術等を用いてレジスト膜２３を加工する。
【００２７】
次に、図２（ｄ）に示すように、ドライエッチング技術等を用いて電極膜２２を櫛型電極や反射器等、所望の形状に加工した後、レジスト膜２３を除去する。
【００２８】
次に、図２（ｅ）に示すように、電極膜２２を覆うようにＳｉＯ2を蒸着またはスパッタ等の方法により、保護膜２４を形成する。
【００２９】
次に、さらに図２（ｆ）に示すように、保護膜２４の表面にレジスト膜２５を形成する。
【００３０】
次に、図２（ｇ）に示すように、露光、現像技術等を用いてレジスト膜２５を所望の形状に加工する。
【００３１】
次に、図２（ｈ）に示すように、ドライエッチング技術等を用いて、電気信号取出しのためのパッド２６等、保護膜２４が不要な部分の保護膜を取り除き、その後レジスト膜２５を除去する。
【００３２】
最後にダイシングにより個々に分割した後、セラミックパッケージにダイボンド等によりマウントし、ワイヤーボンディング後、蓋を溶接し気密封止を行った。
【００３３】
本発明の実施の形態１においては、
ｔ２≦ｈ
（ただし、Ｌ≒ｐ、ｐ１+ｐ２＝ｐ、Ｌ１+Ｌ２＝Ｌ、Ｌ１≦ｐ１、Ｌ２≧ｐ２の関係を満たす）の関係を満たすものである。
【００３４】
この関係を満たす形状を得る方法として、製造方法を示した図２（ｅ）のＳｉＯ2膜形成において基板側にバイアスを印加しながらスパッタリングで成膜を行う、いわゆるＢｉａｓスパッタリング法を用いた。その際、ＳｉＯ2膜の形状をコントロールするには、基板に印加するバイアスとスパッタリング電力の比を変えることで行った。
【００３５】
本実施の形態１においては、保護膜の凸部の頂部からこの保護膜の凹部の底部までの高さｔ２と電極の膜厚ｈとの関係をどのようにすることで、保護膜を形成した場合においても良い特性が得られるのかを示すために、実施例１および比較例２として、ｔ２≦ｈ（ただし、Ｌ≒ｐ、ｐ１+ｐ２＝ｐ、Ｌ１+Ｌ２＝Ｌ、Ｌ１≦ｐ１、Ｌ２≧ｐ２の関係を満たす）であるＳＡＷデバイスと、比較例１としてｈ＜ｔ２（ただし、Ｌ≒ｐ、ｐ１+ｐ２＝ｐ、Ｌ１+Ｌ２＝Ｌ、Ｌ１≦ｐ１、Ｌ２≧ｐ２の関係を満たす）のＳＡＷデバイスを作成し、その電気特性を測定した。ただし、実施例１および比較例１の電極膜の規格化膜厚（ｈ／２×ｐ）は７％、比較例２の電極膜の規格化膜厚（ｈ／２×ｐ）は４％とし、ＳｉＯ2膜厚ｔ１は実施例１および比較例１，２とも２０％とした。また作成したＳＡＷデバイスは、図１（ａ）に示したＳＡＷ共振子および、図１（ａ）の構造を有するＳＡＷ共振子を複数段梯子型に接続してなる図３に示したラダー型ＳＡＷフィルタである。図３において、３１はＬＴ基板、３２はＳｉＯ2膜、３４は電極パッド、３３ｓは直列腕に配置されたＳＡＷ共振子、３３ｐは並列腕に配置されたＳＡＷ共振子を示している。
【００３６】
図４（ａ）に本発明の実施の形態にかかる実施例１のＳＡＷ共振子の電気特性を、図４（ｂ）にＳＡＷフィルタの電気特性を示す。またに比較例１のＳＡＷ共振子の電気特性を図５（ａ）に、比較例１のＳＡＷフィルタの電気特性を図５（ｂ）に、比較例２のＳＡＷ共振子の電気特性を図６（ａ）に、比較例２のＳＡＷフィルタの電気特性を図６（ｂ）に示す。ただし、電気特性は、デバイス間の周波数ずれを考慮するため、また各デバイス間の特性の違いが分かりやすいように、共振子特性に関しては反共振周波数で、またＳＡＷフィルタに関しては高周波側の減衰極の周波数で規格化して示した。更に、表１に各実施例および比較例の構造上のパラメータを示す。
【００３７】
【表１】
2004222267.tif 000003
【００３８】
図４〜図６の各図の（ａ）に示されているＳＡＷ共振子の特性から、ｔ２≦ｈ（ただし、Ｌ≒ｐ、ｐ１+ｐ２＝ｐ、Ｌ１+Ｌ２＝Ｌ、Ｌ１≦ｐ１、Ｌ２≧ｐ２の関係を満たす）である実施例１および比較例２のＳＡＷ共振子は減衰量が大きく急峻な特性を有していることがわかる。また電極の規格化膜厚が７％の実施例１および比較例１のＳＡＷ共振子では反共振周波数の高周波側に発生しているスプリアスが反共振周波数から離れているのに対し、電極の規格化膜厚が４％である比較例２のＳＡＷ共振子ではこのスプリアスがより反共振周波数の近くに存在している。同様にＳＡＷフィルタの特性を見比べると、ｔ２≦ｈ（ただし、Ｌ≒ｐ、ｐ１+ｐ２＝ｐ、Ｌ１+Ｌ２＝Ｌ、Ｌ１≦ｐ１、Ｌ２≧ｐ２の関係を満たす）である実施例１および比較例２のＳＡＷフィルタは、急峻なスカート特性を示している。ただし図６の（ｂ）に示された比較例２の電極の規格化膜厚が４％のＳＡＷフィルタでは、共振子のリップルに起因するリップルがその帯域に発生してしまっている。一方、電極の膜厚７％の実施例１および比較例１のＳＡＷフィルタではリップルは帯域外に存在し、帯域内における不要なリップルの発生はみられない。
【００３９】
したがって、ＳＡＷ共振子を複数段梯子型に接続するフィルタにおいては、そのフィルタを構成するＳＡＷ共振子の反共振周波数よりも高周波側に発生するリップルが、フィルタの帯域内のリップルとして現れない限り、急峻なフィルタのスカート特性を実現し、かつ、低損失で高い抑圧を得るには、そのフィルタを構成するＳＡＷ共振子のＳｉＯ2の形状はｔ２≦ｈ（ただし、Ｌ≒ｐ、ｐ１+ｐ２＝ｐ、Ｌ１+Ｌ２＝Ｌ、Ｌ１≦ｐ１、Ｌ２≧ｐ２の関係を満たす）となっている事がよいことを発明者らは見出した。
【００４０】
またこれら実施例および比較例より、ＳＡＷ共振子において反共振周波数よりも高周波側に発生するリップルの発生している周波数と反共振周波数との周波数差は、電極の膜厚とＳｉＯ2膜の構造に依存しているものと考えられる。そこで発明者らはさらに、ＳｉＯ2の構造が、ｔ２≦ｈ（ただし、Ｌ≒ｐ、ｐ１+ｐ２＝ｐ、Ｌ１+Ｌ２＝Ｌ、Ｌ１≦ｐ１、Ｌ２≧ｐ２の関係を満たす）を満たす場合に、好ましい電極膜厚がどの程度かを調べるため、電極規格化膜厚ｈ／（２×ｐ）が３，５，７，１０％，ＳｉＯ2規格化膜厚ｔ１／（２×ｐ）が１０，１５，２０％の場合に関してＳＡＷ共振子を作成し、リップルの発生周波数との関係を調べた。その結果を図７に示す。ただし、ＳｉＯ2の構造としては、共振子のリップルが最も反共振周波数に近づくと思われるｔ≒ｔ１の状態のものを作成した。
【００４１】
ここで、共振子のリップルの発生周波数とフィルタの特性との関係を、図８に示した最も単純な逆Ｌ型のラダー型フィルタを用いて考察する。図８において８０はフィルタの構成を示しており、８１はフィルタ特性，８２は並列腕に配置されたＳＡＷ共振子，８３は直列腕に配置されたＳＡＷ共振子であり、８２ａは並列腕に配置されたＳＡＷ共振子のアドミッタンス特性，８３ａは直列腕に配置されたＳＡＷ共振子のアドミッタンス特性である。また、８６の領域はフィルタの通過帯域を示している。ラダー型ＳＡＷフィルタでは、ほぼ帯域の中心に直列腕の共振子の並列共振周波数と直列腕の共振周波数が設定され、帯域の低周波側では直列腕の共振子８３の特性が、帯域の高周波側では並列腕８２の特性が支配的となる。従って、ＳＡＷ共振子の反共振周波数より高周波側に発生するリップルが、フィルタの通過帯域に影響を及ぼさないようにするには直列腕の共振子で発生するリップルがフィルタの帯域内に入らないようにする必要がある。従ってこの場合、フィルタを構成しているＳＡＷ共振子のうち、直列腕のＳＡＷ共振子におけるリップルの発生周波数に関して、（リップルの発生周波数−反共振周波数）が（フィルタの通過帯域／２）以上であることが目安となる。通常の移動体通信のフィルタに求められる通過帯域は、比帯域で約０．３〜０．４であることを考慮すると、目安となる（リップルの発生周波数−反共振周波数）の値は０．１５以上となり、従って図７より電極の規格化膜厚は５％以上が好ましいことがわかる。
【００４２】
以上のように、ＳＡＷ共振子を複数段梯子型に接続するフィルタにおいては、そのフィルタを構成するＳＡＷ共振子の反共振周波数よりも高周波側に発生するリップルが、フィルタの帯域内のリップルとして現れない限り、急峻なフィルタのスカート特性を実現し、かつ、低損失で高い抑圧を得るには、そのフィルタを構成するＳＡＷ共振子のＳｉＯ2の形状はｔ２≦ｈ（ただし、Ｌ≒ｐ、ｐ１+ｐ２＝ｐ、Ｌ１+Ｌ２＝Ｌ、Ｌ１≦ｐ１、Ｌ２≧ｐ２の関係を満たす）となっていることがよく、特に電極の規格化膜厚ｈ／（２×ｐ）が０．０５以上であることが好ましいことを発明者らは見出した。
【００４３】
本実施の形態１では保護膜としてＳｉＯ2膜を用いたが、保護膜はこれに限られるものではなく、ＳｉＮ，ＳｉＯＮ，Ｔａ2Ｏ5など他の誘電体膜を用いた場合においてもその形状が上記条件を満たせば同様の効果を得ることができることは言うまでも無い。また、本実施の形態１においては、その基板として３６°ＹＬＴを用いたが、基板はこれに限られるものではなく、他の角度で切り出されたＬＴや、例えばＬｉＮｂＯ3やＬｉＢ2Ｏ3、ＫＮｂＯ3等の他の圧電基板を用いたＳＡＷデバイス、また、圧電膜上に電極を形成したＳＡＷデバイスにおいて、その表面に保護膜を形成する場合は、その形状が上記条件を満たせば同様の効果を得ることができることは言うまでも無い。
【００４４】
さらに、形状の形成方法として本実施の形態１ではバイアススパッタリングを用いたが、これもこの手法に限られるものでもない。
【００４５】
（実施の形態２）
以下本発明の実施の形態２におけるＳＡＷデバイスについて図面を参照しながら説明する。
【００４６】
本実施の形態２においてＳＡＷデバイスは、実施の形態１と同様のＳＡＷデバイスを用いた。図９は本発明の実施の形態２におけるＳＡＷデバイスの断面図である。本図において、実施の形態１で用いた図１（ｂ）と同様の構成は同一符号を付し、その説明は省略する。
【００４７】
保護膜４は、好ましくはＳｉＯ2からなるもので、図９に示すように、その天面は凹凸形状を備えている。保護膜４の凸部分９４ａは、基板１の上面の櫛型電極２を有する部分の上方に備わっている。また、保護膜４の凹部分９４ｂは、凸部分９４ａ間の櫛型電極２が基板１の上面に存在しない部分およびその近傍に備わっている。
【００４８】
ここで、保護膜４が接している基板１の表面から、保護膜４の凸部分９４ａの頂部までの高さをｔとし、保護膜４が接している基板１の表面から、保護膜４の凹部分９４ｂの底部までの高さをｔ１とし、保護膜４の凹部分９４ｂの底部から凸部分９４ａの頂部までの高さｔ−ｔ１をｔ２とする。
【００４９】
さらに保護膜４の凸部分９４ａ、凹部分９４ｂ各々１つを１ピッチとし、この１ピッチあたりのピッチ幅をＬとし、保護膜４の凸部分９４ａの幅をＬ１とし、保護膜４の凹部分９４ｂの幅をＬ２（Ｌ＝Ｌ１＋Ｌ２が成り立つこと）とする。
【００５０】
本実施の形態２と実施の形態１の図１（ｂ）とが相違する点は、実施の形態１の図１（ｂ）の保護膜４の凹部分４ｂの底部から凸部分４ａの頂部までの高さｔ２が櫛型電極２の高さｈ以下であるのに対し、発明の実施の形態２の図９では、保護膜４の凹部分９４ｂの底部から凸部分９４ａの頂部までの高さｔ２が櫛型電極２の高さｈ以上である点が相違する。
【００５１】
本発明の実施の形態２においては、
ｈ≦ｔ２
（ただし、Ｌ≒ｐ、ｐ１+ｐ２＝ｐ、Ｌ１+Ｌ２＝Ｌ、Ｌ１≦ｐ１、Ｌ２≧ｐ２の関係を満たす）の関係を満たすものである。
【００５２】
この関係を満たす形状を得る方法として、以下にその製造方法を図面を参照しながら説明する。本図において、実施の形態１で用いた図２と同様の材料および構成は同一符号を付し、その説明は省略する。
【００５３】
図１０は本発明の実施の形態２におけるＳＡＷデバイスの製造方法を説明する図である。
【００５４】
まず、図１０（ａ）に示すように、ＬＴ基板２１の上面にＡｌまたはＡｌ合金を蒸着またはスパッタ等の方法により櫛形電極または／および反射器となる電極膜２２を成膜する。
【００５５】
次に、図１０（ｂ）に示すように、ＳｉＯ2を蒸着またはスパッタ等の方法により保護膜２４の一部２４ａを形成する。
【００５６】
次に、図１０（ｃ）に示すように、電極膜２４ａの上面にレジスト膜２３を形成する。
【００５７】
次に、図１０（ｄ）に示すように、所望の形状となるように露光・現像技術等を用いてレジスト膜２３を加工する。
【００５８】
次に、図１０（ｅ）に示すように、ドライエッチング技術等を用いて電極膜２２、保護膜２４aを櫛型電極や反射器等、所望の形状に加工した後、レジスト膜２３を除去する。この際、ＳｉＯ2のエッチングと電極膜のエッチングは途中でエッチングガスをフッ素系ガスから塩素系ガスに変更することで行った。
【００５９】
次に、図１０（ｆ）に示すように、電極膜２２、および保護膜２４ａを覆うようにＳｉＯ2を蒸着またはスパッタ等の方法により、保護膜２４を形成する。この時点で保護膜２４ａは保護膜２４の一部となる。
【００６０】
次に、さらに図１０（ｇ）に示すように、保護膜２４の表面にレジスト膜２５を形成する。
【００６１】
次に、図１０（ｈ）に示すように、露光、現像技術等を用いてレジスト膜２５を所望の形状に加工する。
【００６２】
次に、図１０（ｉ）に示すように、ドライエッチング技術等を用いて、電気信号取出しのためのパッド２６等、保護膜２４が不要な部分の保護膜を取り除き、その後レジスト膜２５を除去する。
【００６３】
最後にダイシングにより個々に分割した後、セラミックパッケージにダイボンド等によりマウントし、ワイヤーボンディング後、蓋を溶接し気密封止を行った。
【００６４】
なお、本実施の形態２においては、形状がＬ≒ｐ、ｐ１+ｐ２＝ｐ、Ｌ１+Ｌ２＝Ｌ、Ｌ１≦ｐ１、Ｌ２≧ｐ２の関係を満たすように、図１０（ｆ）のＳｉＯ2膜形成は、基板側にＲＦバイアスを印加しながら成膜を行う、いわゆるＢｉａｓ−スパッタリング法を用いてＳｉＯ2膜の形成を行った。
【００６５】
本実施の形態２においては、保護膜の凸部の頂部からこの保護膜の凹部の底部までの高さｔ２と電極の膜厚ｈとの関係をどのようにすることで、保護膜を形成した場合においても良い特性が得られるのかを示すために図１０で示した製造方法で作成した実施例２の他に、ＳｉＯ2膜を形成していない比較例３、図２で示した製造方法でかつ、図２（ｅ）においてＢｉａｓ−スパッタを用いて作成した比較例４の３種類のＳＡＷデバイスについて、電気的特性を調べた。
【００６６】
ただし、本実施の形態２において各ＳＡＷデバイスの電極の規格化膜厚ｈ／（２×ｐ）は４％とし、ＳｉＯ2規格化膜厚ｔ１／（２×ｐ）の規格化膜厚は２０％とした。
【００６７】
図１１（ａ）に本発明の実施の形態にかかる実施例２のＳＡＷ共振子の電気特性を、図１１（ｂ）に実施例２のＳＡＷフィルタの電気特性を示す。また、図１２（ａ）に比較例３のＳＡＷ共振子の電気特性を、図１２（ｂ）に比較例３のＳＡＷフィルタの電気特性を、図１３（ａ）に比較例４のＳＡＷ共振子の電気特性を、図１３（ｂ）に比較例４のＳＡＷフィルタの電気特性を示す。本実施の形態２で用いたＳＡＷ共振子は図１（ａ）と同様の構成をしたＳＡＷ共振子であり、ＳＡＷフィルタは図３に示した構成のものである。図１１〜図１３において、その電気特性は、デバイス間の周波数ずれを考慮するため、また各デバイス間の特性の違いが分かりやすいように、共振子特性に関しては反共振周波数で、またＳＡＷフィルタに関しては高周波側の減衰極の周波数で規格化して示した。更に、これらの実施例及び比較例の構造上のパラメータを表２に示す。
【００６８】
【表２】
2004222267.tif 000004
【００６９】
図１２（ａ）から分かるように、本実施の形態２で用いたＳＡＷデバイスは、その電極膜の規格化膜厚が４％と薄いため、ＳｉＯ2がない場合においても、反共振周波数よりも高周波側で発生するリップルは反共振周波数に比較的近いところに発生する。さらに図１２の比較例３と、図１３の比較例４のＳＡＷ共振子の特性を比較すると、反共振周波数より高周波側に発生するリップルは、ＳｉＯ2膜を形成することでより、反共振周波数側に近づくことがわかる。そのため、図１２（ｂ）に示した、ＳｉＯ2膜を形成していない比較例３の共振子を用いて構成されたＳＡＷフィルタの特性ではかろうじて通過帯域の外側に存在していたリップルが、比較例４においては図１３（ｂ）に示される様に、通過帯域内に発生していることがわかる。これに対して、実施例２においては逆にリップルが高周波側にシフトしていることが、図１１（ａ）からわかる。これはｈ≦ｔ２とすることで、電極上に形成されているＳｉＯ2によって、電極の膜厚が見かけ上厚くなったようになったためと考えられる。その結果、図１１（ｂ）に示された、図１１（ａ）のＳＡＷ共振子を用いて構成されたＳＡＷフィルタにおいては通過帯域にリップルが発生していない。
【００７０】
以上より、ＳＡＷ共振子を複数段梯子型に接続するフィルタにおいて、そのフィルタを構成するＳＡＷ共振子の反共振周波数よりも高周波側に発生するリップルが、フィルタの帯域内のリップルとして現れないようにする一手法として、そのフィルタを構成するＳＡＷ共振子のＳｉＯ2の形状をｈ≦ｔ２（ただし、Ｌ≒ｐ、ｐ１+ｐ２＝ｐ、Ｌ１+Ｌ２＝Ｌ、Ｌ１≦ｐ１、Ｌ２≧ｐ２の関係を満たす）とすればよいことを発明者らは見出した。特に、反射係数は電極の膜厚に大きく影響することから、電極膜厚が薄い場合、特に、実施の形態１における図７の考察より、電極膜厚が５％以下の共振子を用いる場合に有効である。
【００７１】
（実施の形態３）
図１４は本発明の実施の形態３における電子部品としてのＳＡＷデバイスの断面図である。同上面図は、図１（ａ）と同一に表される。
【００７２】
図１（ａ）及び図１４に示すように本実施の形態３のＳＡＷデバイスは、基板１の上面に櫛型電極２を、この櫛型電極２の両側に反射器３とを備え、少なくともこれら櫛型電極２および反射器３を覆う保護膜４を備えるものである。さらに櫛型電極２には、この櫛型電極２と電気的に接続された電気信号の取出しを行うパッド５を有し、ＳＡＷデバイスを構成するものである。
【００７３】
基板１は、Ｘ軸周りにＺ軸方向へ数度回転させたＹ板から切り出したタンタル酸リチウムからなるもので、その回転の角度が３６°である３６°ＹＬＴ基板である。
【００７４】
櫛型電極２はアルミニウム（以下、「Ａｌ」と記する。）またはＡｌ合金からなるものである。
【００７５】
保護膜４は、好ましくは二酸化シリコン（以下、「ＳｉＯ2」と記述する。）からなるもので、図１４に示すように、その上面は凹凸形状を備えている。保護膜４の凸部分４ａは、基板１の上面の櫛型電極２を有する部分の上方に備わっている。また、保護膜４の凹部分４ｂは、凸部分４ａ間の櫛型電極２が基板１の上面に存在しない部分およびその近傍に備わっている。
【００７６】
ここで、保護膜４の凸部分４ａ、凹部分４ｂ各々１つを１ピッチとし、この１ピッチあたりのピッチ幅をＬとし、保護膜４の凸部分４ａの幅をＬ１とし、保護膜４の凹部分４ｂの幅をＬ２（Ｌ＝Ｌ１＋Ｌ２が成り立つこと）とする。また、保護膜４の１ピッチと同様に、１つの櫛型電極２の電極指２ａおよび一方が隣合う電極指２ａの存在する部分までを櫛型電極２の１ピッチ幅ｐとする。さらに、電極指２ａの１本あたりの幅をｐ１とし、隣合う電極指間の幅をｐ２（ｐ＝ｐ１＋ｐ２が成り立つこと）とする。さらに、１ピッチあたりの保護膜のピッチ幅Ｌと前記保護膜の凹凸形状の１ピッチあたりの凹凸の凸部の幅Ｌ１との比Ｌ１/Ｌをη'とし、１ピッチあたりの櫛型電極のピッチ幅ｐと前記櫛形電極を構成する電極指１本あたりの幅ｐ１との比ｐ１/ｐをηとする。
【００７７】
また、保護膜４と接している基板１の表面から保護膜４の凹部分４ｂまでの高さをｔとし、櫛型電極２の厚さ（基板１の表面から櫛型電極２の天面までの高さ）をｈとする。
【００７８】
本発明の実施の形態３におけるＳＡＷデバイスの製造方法は、図２に示したものと同様であるので、説明を略する。
【００７９】
本発明の実施の形態３においては、電極およびＳｉＯ2膜の形状は
Ｌ１≦ｐ１、かつＬ２≧ｐ２
（ただし、Ｌ≒ｐ、ｐ１+ｐ２＝ｐ、Ｌ１+Ｌ２＝Ｌの関係を満たす）の関係を満たすものである。
【００８０】
この関係を満たす形状を得る方法として、製造方法を示した図２（ｅ）のＳｉＯ2膜形成において基板側にバイアスを印加しながらスパッタリングで成膜を行う、いわゆるＢｉａｓスパッタリング法を用いた。その際、ＳｉＯ2膜の形状をコントロールするには、基板に印加するバイアスとスパッタリング電力の比を変える事で行った。
【００８１】
本実施の形態３においては、ＳｉＯ2膜の形状をどのようにすることで、保護膜を形成した場合においても良い特性が得られるかを示すために、以下の６種類のＳＡＷデバイス（実施例３〜５および比較例５〜７）を作成した。比較例５はＳｉＯ2膜を設けていない通常のＳＡＷデバイス，比較例６はＳｉＯ2膜形成において通常の（基板側にＢｉａｓを印加しない）スパッタリングを用いたＳＡＷデバイス，比較例７はＳｉＯ2膜を形成するのにバイアススパッタを用いたが、基板に印加するバイアスとスパッタリングパワーの比を変え、Ｌ１≧ｐ１、かつＬ２≦ｐ２となるようにＳｉＯ2膜を形成したものである。ただし、本実施の形態３においては、全ての実施例および比較例における電極の規格化膜厚ｈ／（２×ｐ）は４％とし、ＳｉＯ2膜の規格化膜厚ｔ／（２×ｐ）は２０％とした。図１５に実施例３〜５および比較例６，７の断面形状を、図１６に電気的特性を示す。また、表３に図１６で示した各実施例および比較例の、最小挿入損失および反共振点における減衰量（最大減衰量）、急峻性の指標となる共振周波数と反共振周波数の周波数差（Δｆ）のおよび図１５に示したそれぞれのＳＡＷデバイスの断面から測定した、ηとη'の比η'／ηの一覧を示す。
【００８２】
【表３】
2004222267.tif 000005
【００８３】
この際、ＳＡＷデバイスの断面形状は、ＳＡＷデバイスの表面を金属でコーティングした上で、ＦＩＢ（Ｆｏｃｕｓｅｄ Ｉｏｎ Ｂｅａｍ）によりＳＡＷの伝播方向に電極を切断し、電子顕微鏡で観察した結果からその形状を特定した。ただし、例えば図２６（ａ）に示された電極の断面形状のように、そのＳｉＯ2の凸部の頂部１４１がほぼ点状で、かつ凸部の頂部から底部にかけて曲線状に丸みを帯びた状態になり、Ｌ１とＬ２の境が判然としない場合については、図２６（ｂ）に示すように、凸部の頂部近傍において底部から頂部への辺を曲線１４２で近似し、その曲線の凸部の頂部１４１における接線１４３と、隣あうＳｉＯ2の底部を結ぶ直線１４４との交点１４５を用いてＬ１およびＬ２を定義した。また、凸が小さくこの定義により、Ｌ１およびＬ２が定義できない場合もしくは、Ｌ１，Ｌ２間の距離が電極幅ｐ１より長くなる場合は、ＳｉＯ2膜の形状はほぼ平坦と判断した。
【００８４】
図１６及び表３からＳｉＯ2膜の形状が「Ｌ１≦ｐ１、かつＬ２≧ｐ２（ただし、Ｌ≒ｐ、ｐ１+ｐ２＝ｐ、Ｌ１+Ｌ２＝Ｌの関係を満たす）」の関係を満たしていない比較例６，７においてはその反共振周波数の減衰量が約−２０ｄＢと、ＳｉＯ2を形成することで大きく劣化することが、比較例５の減衰量との比較から分かる。これに対し、ＳｉＯ2膜の形状が上記関係を満たしている実施例３，４，５については、その反共振周波数における減衰量は約−２５ｄＢ以上と比較例５とほぼ同等である。特に実施例３，４，５を比較すると、実施例３，４，５の順で急峻かつ減衰量が大きくなり、しかも実施例４，５では減衰が−２６ｄＢ以上とＳｉＯ2膜を形成する前とほぼ同等であることが示されている。
【００８５】
また図１７は最大減衰量とη’／ηとの関係をグラフにしたものである。このグラフから、η’／ηが小さくなるに従って減衰量が改善されて行くことがわかる。特に０．８６以下で、ＳｉＯ2を形成しなかった場合の９０％以上の減衰量となっており、ＳｉＯ2膜を形成した後も、ＳｉＯ2膜形成前とほぼ同等の性能を得ることができる。
【００８６】
以上のように、発明者らはＳｉＯ2膜の形状を「Ｌ１≦ｐ１、かつＬ２≧ｐ２（ただし、Ｌ≒ｐ、ｐ１+ｐ２＝ｐ、Ｌ１+Ｌ２＝Ｌの関係を満たす）」の関係を満たすようにして作成することによって保護膜を形成した場合においても良い特性が得られることを見出した。特にη’／η≦０．８６とすることで、保護膜を形成しない場合と同等の減衰量を実現することを見出した。
【００８７】
本実施の形態３では保護膜としてＳｉＯ2膜を用いたが、保護膜はこれに限られるものではなく、ＳｉＮ，ＳｉＯＮ，Ｔａ2Ｏ5など他の誘電体膜を用いた場合においてもその形状が上記条件を満たせば同様の効果を得ることができることは言うまでも無い。また、本実施の形態３においては、その基板として３６°ＹＬＴを用いたが、基板はこれに限られるものではなく、他の角度で切り出されたＬＴや、例えばＬｉＮｂＯ3やＬｉＢ2Ｏ3、ＫＮｂＯ3等の他の圧電基板を用いたＳＡＷデバイス、また、圧電膜上に電極を形成したＳＡＷデバイスにおいて、その表面に保護膜を形成する場合は、その形状が上記条件を満たせば同様の効果を得ることができる事は言うまでも無い。
【００８８】
さらに、形状の形成方法として本実施の形態３ではバイアススパッタリングを用いたが、これもこの手法に限られるものでもない。
【００８９】
（実施の形態４）
以下本発明の実施の形態４におけるＳＡＷデバイスについて図面を参照しながら説明する。
【００９０】
本実施の形態４におけるＳＡＷデバイスは、電極や反射器の本数や、ピッチｐは異なるものの、実施の形態３で用いたＳＡＷデバイスと同様のＳＡＷデバイスを用いた。したがってその構造および作成方法についてはそれぞれ図１（ａ）、図１４および図２に示したものと同様であり、その説明は省略する。本実施の形態４によるＳＡＷデバイスも、「Ｌ１≦ｐ１、かつＬ２≧ｐ２（ただし、Ｌ≒ｐ、ｐ１+ｐ２＝ｐ、Ｌ１+Ｌ２＝Ｌの関係を満たす）」の関係を満たしている。
【００９１】
本実施の形態４においては、保護膜の凹凸の凸部中心Ｌｃと、櫛型電極の電極指の中心ｐｃとの位置関係と、本実施の形態３で示した形状を有する保護膜が形成されたＳＡＷデバイスの電気的特性との関係を示す為に、実施例６として、保護膜の凹凸の凸部中心Ｌｃと、櫛型電極の電極指の中心ｐｃとがほぼ一直線上にあるＳＡＷデバイスと、比較例８として保護膜の凹凸の凸部中心Ｌｃと、櫛型電極の電極指の中心ｐｃとがずれているＳＡＷデバイスを作成した。図１８（ａ）に実施例６の、また図１９（ａ）に比較例７のデバイスの断面形状を図１８（ｂ）に実施例６の、また図１９（ｂ）に比較例８のデバイスの電気特性を示す。ただし図１８（ｂ）および図１９（ｂ）においては、デバイス間の周波数ずれを考慮するため、また各デバイス間の特性の違いが分かりやすいように、各ＳＡＷデバイスの反共振周波数で規格化した規格化周波数を用いてその依存性を示している。
【００９２】
保護膜の凹凸の凸部中心Ｌｃと、櫛型電極の電極指の中心ｐｃとがずれることによって、挿入損失および減衰量が劣化することが分かる。さらに規格化周波数１．０２付近に発生しているリップルが図１９（ｂ）では大きく発生しておりまた反共振点とこのリップルとの周波数差が狭くなっていることが分かる。このＳＡＷデバイスを用いてラダー型のＳＡＷフィルタを構成する際、このリップルが大きく出ているとフィルタ特性を悪化させてしまい、またこのリップルが反共振点の近くに存在した場合、フィルタの帯域の大きなリップルとして現れてしまう。
【００９３】
したがって、以上の結果から発明者らは、ＳｉＯ2膜の形状を「Ｌ１≦ｐ１、かつＬ２≧ｐ２（ただし、Ｌ≒ｐ、ｐ１+ｐ２＝ｐ、Ｌ１+Ｌ２＝Ｌの関係を満たす）」の関係を満たすようにして作成されたデバイスにおいて良好な電気特性を得るには、保護膜４の凸部分４ａの幅Ｌ１の中心をＬｃ、この保護膜４の凸部分４ａの下方およびその近辺に存在する電極指２の１本あたりの幅ｐ１の中心をｐｃとした場合、Ｌｃとｐｃとが、基板１の上面から見てほぼ同一直線上、すなわち平面視ほぼ同一直線上に存在していることが好ましいことを見出した。
【００９４】
（実施の形態５）
以下本発明の実施の形態５におけるＳＡＷデバイスについて図面を参照しながら説明する。
【００９５】
本実施の形態５におけるＳＡＷデバイスは、電極や反射器の本数や、ピッチｐは異なるものの、実施の形態３で用いたＳＡＷデバイスと同様のＳＡＷデバイスを用いた。したがってその構造および作成方法についてはそれぞれ図１（ａ）、図１４および図２に示したものと同様であり、その説明は省略する。本実施の形態５によるＳＡＷデバイスも、「Ｌ１≦ｐ１、かつＬ２≧ｐ２（ただし、Ｌ≒ｐ、ｐ１+ｐ２＝ｐ、Ｌ１+Ｌ２＝Ｌの関係を満たす）」の関係を満たしている。
【００９６】
本実施の形態５おいては、基板１の切り出し角度と本実施の形態３で示した形状を有する保護膜が形成されたＳＡＷデバイスの電気的特性の関係を示す為に、切り出し角の異なる比較例９、１０と実施例７，８，９の計５種類の基板を用いてＳＡＷデバイスを作成した。表４にそれぞれのＳＡＷデバイスに用いたＬＴ基板の切り出し角度の一覧を示す。
【００９７】
【表４】
2004222267.tif 000006
【００９８】
また図２０にそれぞれのＳＡＷデバイスの電気特性を示す。ただし図２０においては、デバイス間の周波数ずれを考慮するため、また各デバイス間の特性の違いが分かり易いように、各ＳＡＷデバイスの反共振周波数で規格化した規格化周波数を用いてその依存性を示している。
【００９９】
図２０は基板１の切り出し角度が３４°から高角度側になるにつれ、その減衰量と急峻性が大きく改善される事を示している。特に、この実施の形態５で用いたＳＡＷデバイスにおいて減衰量を−２０ｄＢ以上確保するには、基板の切り出し角度が約３８°以上あればよい。したがって、以上の結果から発明者らは、基板１を、Ｘ軸周りにＺ軸方向へＤ°回転させたＹ板から切り出したＬＴとして、その回転の角度Ｄ°が
３８°≦Ｄ°
であるＤ°ＹＬＴ基板を用いた場合に良好な温度特性および電気特性が得られることを確認した。
【０１００】
（実施の形態６）
以下本発明の実施の形態６におけるＳＡＷデバイスについて図面を参照しながら説明する。
【０１０１】
本実施の形態６におけるＳＡＷデバイスは、電極や反射器の本数や、ピッチｐは異なるものの、実施の形態３で用いたＳＡＷデバイスと同様のＳＡＷデバイスを用いた。したがってその構造および作成方法についてはそれぞれ図１（ａ）、図１４および図２に示したものと同様であり、その説明は省略する。本実施の形態６によるＳＡＷデバイスも、「Ｌ１≦ｐ１、かつＬ２≧ｐ２（ただし、Ｌ≒ｐ、ｐ１+ｐ２＝ｐ、Ｌ１+Ｌ２＝Ｌの関係を満たす）」の関係を満たしている。但し、電極の規格化膜厚ｈ／（２×ｐ）は５％とした。
【０１０２】
本実施の形態６においては、ＳｉＯ2膜の膜厚と温度特性および電気特性の関係を示す為に、実施例１０、１１、１２としてＳｉＯ2の膜厚ｔの異なるＳＡＷデバイスを３種類と比較例１１としてＳｉＯ2を形成していないＳＡＷデバイスを作成した。それぞれのデバイスの電気特性を図２１に、また、図２１に示した電気特性から算出した電気機械結合係数（Ｋ２）とＳｉＯ2膜厚との関係を図２２に示す。ただし図２１の電気特性の周波数依存性については、デバイス間の周波数ずれを考慮するため、また各デバイス間の特性の違いが分かりやすいように、各ＳＡＷデバイスの共振周波数で規格化した規格化周波数を用いてその依存性を示した。さらに、図２３に各ＳＡＷデバイスの反共振周波数で測定した温度特性を示す。また、それぞれのデバイスのＳｉＯ2膜の規格化膜厚ｔ／（２×ｐ）および電気機械結合係数と温度特性の一覧を表５に示した。
【０１０３】
【表５】
2004222267.tif 000007
【０１０４】
図２３はＳｉＯ2膜の膜厚が厚くなるにつれて、その温度特性も改善されることを示している。特にＳｉＯ2膜の規格化膜厚が約０．１３以上になると温度特性も−３０ｐｐｍ/°Ｋ以下となり、さらに約３０％で０温度係数となる。しかし同時に、図２２は、その電気機械結合係数Ｋ２が低下すること示している。電気機械結合係数Ｋ２が小さくなるにつれて、急峻性は増すが、同時にこのＳＡＷデバイスを用いてラダー型のＳＡＷフィルタを構成する際、その帯域幅は狭くなる。現在普及している携帯電話システムにおいて必要とされるフィルタの帯域幅を確保するには、６％程度以上の結合係数が好ましい。図２２から６％の結合係数が得られるのはＳｉＯ2の規格化膜厚が約２０％以下の場合で、ＳｉＯ2膜の膜厚が約３５％以上になると結合係数が５％以下となり、フィルタの帯域を確保することが非常に困難となる。したがって、以上の結果から発明者らは、保護膜としてＳｉＯ2を用い、基板表面から前記保護膜の凹部までの高さで定義される保護膜の厚さｔが
１３％≦ｔ／（２×ｐ）≦３５％
の条件を満たしている場合に良好な温度特性および電気特性が得られることを確認した。
【０１０５】
（実施の形態７）
以下に本発明の、実施の形態７における電子機器について図面を参照しながら説明する。
【０１０６】
本実施の形態では、電子機器の一例として携帯電話を例に取り説明する。
【０１０７】
図２４（ａ）は本発明の実施の形態７における、携帯電話の概観図、図２４（ｂ）は同内部の要部の電気回路図である。
【０１０８】
同図に示すように本実施の形態７の携帯電話は、アンテナ１２１およびこのアンテナ１２１に接続されたアンテナ共用器１２２を有している。このアンテナ共用器１２２は、送信用ＳＡＷフィルタ１２２ａ、受信用ＳＡＷフィルタ１２２ｂ、および移相回路１２２ｃにより構成する。
【０１０９】
本実施の形態７における送信用ＳＡＷフィルタ１２２ａおよび受信用ＳＡＷフィルタ１２２ｂは、実施の形態３で説明したＳＡＷデバイスを用いるものである。
【０１１０】
図２５（ａ）に送信用ＳＡＷフィルタ１２２ａの、−３５℃，２５℃，＋８５℃のそれぞれの温度で測定した電気特性を示す。
【０１１１】
また、比較のため送信用ＳＡＷフィルタ１２２ａと同一周波数帯のＳｉＯ2膜を形成していないＳＡＷフィルタを−３５℃，２５℃，＋８５℃のそれぞれの温度で測定した電気特性を図２５（ｂ）に示す。また、図２５においては、本実施の形態７の一例として取り上げた携帯電話システムにおける送信帯域１３１および受信帯域１３２をハッチングによって示している。この携帯電話システムでは、−３５℃〜＋８５℃の温度範囲において、送信フィルタの場合、送信帯域において挿入損失−３．５ｄＢ以下、受信帯域において−４２ｄＢ以上の抑圧が要求される。
【０１１２】
図２５の（ａ）、（ｂ）を比較すると、実施の形態３で説明したＳＡＷデバイスを用いた図２５（ａ）の特性を持つフィルタは、急峻なフィルタ特性をもち、かつ温度変化による周波数ドリフトが少ないため、この携帯電話システムの要求性能である−３０℃〜＋８５℃の温度範囲において、送信帯域において挿入損失−３．５ｄＢ以下、受信帯域において−４２ｄＢ以上の抑圧が実現しているのに対し、図２５（ａ）の特性を持つＳｉＯ2膜を形成していないフィルタは急峻な特性が実現できず、常温においても要求性を満たしておらず、しかも温度による周波数ドリフトが大きく、−３０℃〜＋８５℃の範囲で特性を満たすことができない。
【０１１３】
送信用ＳＡＷフィルタ１２２ａおよび受信用ＳＡＷフィルタ１２２ｂに、実施の形態１で説明したＳＡＷデバイスを用いた携帯電話に対して、発明者らは、−３０℃から＋８５℃の環境下でその感度も同様に測定したところ、温度変化に対して、感度の変化が少ないことを確認した。
【産業上の利用可能性】
【０１１４】
以上の様に本発明によれば、基板上に形成された電極を覆うように保護膜を形成し、かつその保護膜の形状や厚さを特定の範囲に設定することによって温度特性および電気的特性が優れた電子部品を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【０１１５】
【図１】（ａ）本発明の実施の形態１における電子部品の構成を示す上面図、（ｂ）本発明の実施の形態１における電子部品の断面図
【図２】本発明の実施の形態１における電子部品の製造方法を説明する図
【図３】本発明の実施の形態１におけるＳＡＷフィルタの概観図
【図４】（ａ）本発明の実施の形態１におけるＳＡＷ共振子の電気特性を示す図、（ｂ）本発明の実施の形態１におけるＳＡＷフィルタの電気特性を示す図
【図５】（ａ）本発明の実施の形態１におけるＳＡＷ共振子の電気特性を示す図、（ｂ）本発明の実施の形態１におけるＳＡＷフィルタの電気特性を示す図
【図６】（ａ）本発明の実施の形態１におけるＳＡＷ共振子の電気特性を示す図、（ｂ）本発明の実施の形態１におけるＳＡＷフィルタの電気特性を示す図
【図７】本実施の形態１における電極の規格化膜厚とリップル発生周波数の関係を示した図
【図８】ラダー型ＳＡＷフィルタの構成を示した図
【図９】本発明の実施の形態２における電子部品の断面図
【図１０】本発明の実施の形態２における電子部品の製造方法を示した図
【図１１】（ａ）本発明の実施の形態２におけるＳＡＷ共振子の電気特性を示す図、（ｂ）本発明の実施の形態２におけるＳＡＷフィルタの電気特性を示す図
【図１２】（ａ）本発明の実施の形態２におけるＳＡＷ共振子の電気特性を示す図、（ｂ）本発明の実施の形態２におけるＳＡＷフィルタの電気特性を示す図
【図１３】（ａ）本発明の実施の形態２におけるＳＡＷ共振子の電気特性を示す図、（ｂ）本発明の実施の形態２におけるＳＡＷフィルタの電気特性を示す図
【図１４】本発明の実施の形態３における電子部品の断面図
【図１５】本発明の実施の形態３における電子部品の断面図
【図１６】本発明の実施の形態３における電子部品の電気特性を示す図
【図１７】本発明の実施の形態３における電子部品の構造と電気特性の関係を示す図
【図１８】（ａ）本発明の実施の形態４における電子部品の断面図、（ｂ）本発明の実施の形態４における電子部品の電気特性を示す図
【図１９】（ａ）本発明の実施の形態４における電子部品の断面図、（ｂ）本発明の実施の形態４における電子部品の電気特性を示す図
【図２０】本発明の実施の形態５における電子部品の電気特性を示す図
【図２１】本発明の実施の形態６における電子部品の電気特性を示す図
【図２２】本発明の実施の形態６における電子部品の構造と電気特性の関係を示す図
【図２３】本発明の実施の形態６における電子部品の構造と温度特性の関係を示す図
【図２４】（ａ）本発明の実施の形態７における電子機器の概観図、（ｂ）本発明の実施の形態７における電子機器の内部の要部の電気回路図
【図２５】（ａ）本発明の実施の形態７における電子部品の電気特性を示す図、（ｂ）本発明の実施の形態７における電子部品の電気特性を示す図
【図２６】（ａ）本発明の実施の形態における電子部品の断面図の例を示す図、（ｂ）本発明の実施の形態における電子部品の断面の構造の定義を示す図
【符号の説明】
【０１１６】
１  基板
２  櫛型電極
２ａ  電極指
３  反射器
４  保護膜
４ａ  保護膜の凸部分
４ｂ  保護膜の凹部分
５  パッド
２１  基板
２２  電極膜
２３  レジスト膜
２４  保護膜
２５  レジスト膜
２６  パッド
３１  基板
３２  ＳｉＯ2膜
３３ｓ  直列腕のＳＡＷ共振子
３３ｐ  並列腕のＳＡＷ共振子
３４  パッド
９４ａ  保護膜の凸部分
９４ｂ  保護膜の凹部分
１２１  アンテナ
１２２  アンテナ共用器
１２２ａ  送信用ＳＡＷフィルタ
１２２ｂ  受信用ＳＡＷフィルタ
１２２ｃ  移相線路
１３１  送信帯域
１３２  受信帯域
１４１  保護膜の凸部の頂部
１４２  保護膜の凸部の頂部近辺の形状を近似する曲線
１４３  保護膜の凸部の頂部近辺の形状を近似する曲線の凸部の頂部における接線
１４４  保護膜の凹部の底面を結ぶ直線
１４５  保護膜の凸部の頂部近辺の形状を近似する曲線の凸部の頂部における接線と保護膜の凹部の底面を結ぶ直線の交点
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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