(57)【要約】【課題】振動子および振動子を電気的に制御する半導体集積回路チップを基板上に実装するのに際して、振動子を小型化することによって実装構造の小型化を実現可能し、かつ振動子の振動特性の変動を抑制できるようにすることである。【解決手段】実装構造１Ａは、振動子４、一対の対向面２０Ａ、２０Ｂを有する基板２、振動子４を基板の一方の対向面２０Ａに接触しない状態で支持するボンディングワイヤ５であって、振動子４に対して電気的に接続されるように構成されているボンディングワイヤ５、および基板２の他方の対向面２０Ｂ上に実装されている半導体集積回路チップ６を備えている。【選択図】　　　　　図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
振動子、一対の対向面を有する基板、前記振動子を前記基板の一方の対向面に接触しない状態で支持するボンディングワイヤであって、前記振動子に対して電気的に接続されるように構成されているボンディングワイヤ、および前記基板の他方の対向面上に実装されている半導体集積回路チップを備えていることを特徴とする、振動子の実装構造。
【請求項２】
前記基板が、前記一方の対向面を有する一方の平板部、前記他方の対向面を有する他方の平板部、および前記一方の平板部と前記他方の平板部とを連結する連結部を備えていることを特徴とする、請求項１記載の実装構造。
【請求項３】
前記連結部に接触する軸部を備えていることを特徴とする、請求項２記載の実装構造。
【請求項４】
前記基板がフレキシブル基板であることを特徴とする、請求項１〜３のいずれか一つの請求項に記載の実装構造。
【請求項５】
前記振動子が、回転角速度を検出するための振動型ジャイロスコープ用の振動子であることを特徴とする、請求項１〜４のいずれか一つの請求項に記載の実装構造。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、振動子の実装構造に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】自動車の車体回転速度フィードバック式の車両制御方法に用いる回転速度センサーに、振動型ジャイロスコープを使用することが検討されている。こうしたシステムにおいては、操舵輪の方向自身は、ハンドルの回転角度によって検出する。これと同時に、実際に車体が回転している回転速度を振動ジャイロスコープによって検出する。そして、操舵輪の方向と実際の車体の回転速度を比較して差を求め、この差に基づいて車輪トルク、操舵角に補正を加えることによって、安定した車体制御を実現する。
【０００３】車体制御システムにおいては、振動型ジャイロスコープおよびその振動子は、幅広い環境温度、即ち高温と低温とにさらされる。このような使用温度範囲は、通常は−４０℃−＋８５℃の範囲にわたっており、一層厳しい仕様では更に広い温度範囲にわたる場合もある。特に、振動子を圧電性単結晶によって形成した場合には、圧電性単結晶の有する温度特性の影響がある。本出願人は、特許文献１において、振動型ジャイロスコープの環境温度が変化した場合に、検出振動のＱ値の変動を抑制するために、振動子を支持部材へと接着する接着剤のｔａｎδを、使用温度範囲内において０．１以下とすることを開示した。
【特許文献１】
特開２００１−１２９５５号公報
【０００４】また、振動子は、セラミックパッケージなどの収容部材に収容し、これを回路基板に実装し、さらに所定の筐体内に収容し、筐体を車体へと取り付け可能とする必要がある。
【０００５】例えば、特許文献２においては、音叉型振動子を支持基板上に固定し、振動子と支持基板とをパッケージ内に収容したときに、外部からパッケージに加わった振動ないし衝撃によって振動子が揺動し、破損するのを防止するために、揺動防止部材を設けている。
【特許文献２】
特開２０００−９４７６号公報
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】こうした振動型ジャイロスコープにおいては、パッケージの平面的寸法を小さくすると共に、パッケージの高さを低くすることが要求されている。しかし、これまで、振動型ジャイロスコープの機能に悪影響を与えることなく、パッケージの小型化を達成する技術は十分に検討されてきていない。
【０００７】本発明者は、圧電単結晶製の振動子を支持部材上に接着し、固定する構造を量産する研究を進めていたが、この過程で、次の問題点を見いだした。即ち、振動子の支持構造を製造するためには、典型的には、振動子をピン状、平板状の支持部材へと接着している。このためには、振動子と支持部材との間に、液状の接着剤組成物を流し込み、硬化させる必要がある。次いで支持部材とパッケージの台座の表面との間に、接着剤、例えば銀ペーストを流し込み、熱処理によって硬化させる。これによって、振動子と支持部材とをパッケージの台座に接着できる。振動子の支持部材への接着剤としては、例えばシリコーン樹脂系接着剤が好ましい。
【０００８】しかし、最近の技術進歩に伴い、新たな問題点が生じてきた。即ち、本発明者は、パッケージを薄くするために、振動子およびその実装構造を小型化することを研究している。例えば携帯電話の画像撮影装置に振動型ジャイロスコープを内蔵するためには、超小型のパッケージが必要となる。
【０００９】しかし、振動子の支持部材を薄い平板とし、その厚さを０．５ｍｍ以下、更には０．３ｍｍ以下とすると、種々の問題点が生じてきた。例えば、振動子と平板状の支持部材との間に液状の接着剤組成物を流し込み、硬化させる場合、接着面が小さくなり、使用する接着剤組成物の容積が非常に小さくなると、接着剤の総量や面積を均一に調整することが難しくなる。また、接着剤の液だれや不要な回り込みが発生しやすくなり、全体として接着層の形状および容量の制御が困難になってくる。振動子の接着層の形状や容量に不均一が生じたり、液だれや不要な回り込みが発生すると、接着層の全体的な物性が変動し、この結果、振動子の振動特性が変化する。特に、振動型ジャイロスコープの場合には、振動子上の検出電極からの出力信号が、回転角速度を表す信号である。このため、振動子の振動特性が変化すると、ノイズが大きくなり、回転角速度の正しい値を得ることが難しくなる。
【００１０】本発明の課題は、振動子および振動子を電気的に制御する半導体集積回路チップを基板上に実装するのに際して、振動子を小型化することによって実装構造の小型化を実現可能し、かつ振動子の振動特性の変動を抑制できるようにすることである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明は、振動子、一対の対向面を有する基板、振動子を基板の一方の対向面に接触しない状態で支持するボンディングワイヤであって、振動子に対して電気的に接続されるように構成されているボンディングワイヤ、および基板の他方の対向面上に実装されている半導体集積回路チップを備えていることを特徴とする、振動子の実装構造に係るものである。
【００１２】本発明者は、振動子の端子部に対して電気信号を供給したり、あるいは振動子の端子部から所定の電気信号をパッケージ基板に伝送するためのボンディングワイヤに着目した。そして、基板の一方の対向面上に固定されたボンディングワイヤを振動子に対して接合し、振動子を基板から浮上した状態で支持することを想到した。振動子を小型化することによって、振動子を浮上状態で支持するのに必要な構造強度が、ボンディングワイヤによって得られる。このような支持構造によれば、各振動子ごとの振動状態の偏差や変動を抑制することができる。これと共に、基板の他方の対向面上に半導体集積回路チップを支持し、モジュールを小型化することを想到した。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、適宜図面を参照しつつ、本発明を更に詳細に説明する。
【００１４】基板は一対の対向面を有する。ここで、一対の対向面とは、互いに対向する一対の面であれば良く、基板の具体的形態は限定されない。一実施形態においては、基板が一枚の平板であり、他の実施形態においては、基板が、一方の対向面を有する一方の平板部、他方の対向面を有する他方の平板部、および一方の平板部と他方の平板部とを連結する連結部を備えている。
【００１５】振動子の寸法は限定されない。しかし、振動子の重量や寸法が大きいと、ボンディングワイヤに加わる重力が大きくなり、長期間経過時にボンディングワイヤが変形する可能性がある。このため、ボンディングワイヤの変形による振動への影響を抑制するという観点からは、振動子の幅を１０ｍｍ以下とすることが好ましく、５ｍｍ以下とすることがさらに好ましい。また、同様の観点からは、振動子の重量を５ｍｇ以下とすることが好ましく、１ｍｇ以下とすることが一層好ましい。また、振動子の厚さを０．３ｍｍ以下とすることが好ましく、０．２ｍｍ以下とすることが更に好ましい。
【００１６】振動子の用途は限定されない。好適な実施形態においては、振動子が、回転角速度を検出するための振動型ジャイロスコープ用の振動子である。この場合には、振動子からの出力信号を信号処理することで角速度を検出しているので、各振動子ごとの振動状態のバラツキに伴う角速度の誤差が大きくなる。従って、本発明の作用効果が特に顕著である。
【００１７】好ましくは、振動片が圧電性単結晶からなる。圧電性単結晶としては、水晶、ＬｉＮｂＯ３、ＬｉＴａＯ３、ニオブ酸リチウム−タンタル酸リチウム固溶体（Ｌｉ（Ｎｂ，Ｔａ）Ｏ３）単結晶、ホウ酸リチウム単結晶、ランガサイト単結晶を例示できる。
【００１８】振動子における駆動手段、検出手段は、振動型ジャイロスコープ分野において通常のいずれの手段も採用できる。振動子を圧電性材料によって形成した場合には、この振動子に駆動手段、検出手段として駆動電極および検出電極を設ける。圧電性材料としては、圧電単結晶の他に、ＰＺＴ等の圧電セラミックスがある。また、振動子を恒弾性金属によって形成した場合には、駆動手段、検出手段として、圧電性セラミックスを振動子上に貼りつけることができる。
【００１９】基板の材質は特に限定されず、いわゆるパッケージ用途に用いられている絶縁性材料、例えばセラミックス、ガラス、樹脂を使用できる。
【００２０】好適な実施形態においては、基板がフレキシブル基板である。これは、柔らかく薄いフィルム状の回路基板であり、一般的にはポリイミドのフィルム上に銅配線を施した基板が多く用いられている。設計の自由度の高さから、最近は小型・精密化の進むエレクトロニクス製品の多くに採用されている。
【００２１】ボンディングワイヤは、基板の実装面に直接に支持されていてもよいが、基板上の枠体上に支持されていてもよい。なぜなら、振動子に対して複数のボンディングワイヤを位置決めする必要がある。この際に、枠体上に複数のボンディングワイヤを位置決めし、アライメントすることは、基板の実装面上にボンディングワイヤを位置決めすることよりも容易だからである。
【００２２】ボンディングワイヤの振動子への接合方法は限定されないが、超音波ボンディング、スポット溶接、導電性接着剤、半田付けが好ましい。
【００２３】ボンディングワイヤは、振動子の端子部に対して電気的に接続されている。ここで、好適な実施形態においては、ボンディングワイヤが振動子の端子部に対して接合されている。しかし、ボンディングワイヤは、端子部に対して直接接合されている必要はない。例えば、ボンディングワイヤの先端を振動子の端子部以外の領域に対して接合し、ボンディングワイヤの先端と端子部とを、例えば振動子上の配線や振動子とは別体の電線を通して、電気的に接続することができる。
【００２４】振動子は、基板に直接接触しない状態で支持する必要があり、これによって振動子の振動の阻害を防止する。好適な実施形態においては、振動子と基板との間隔は、０．１ｍｍ以上であり、更に好ましくは０．２ｍｍ以上である。
【００２５】ボンディングワイヤの材質は特に限定されないが、導電性材料である必要があり，また柔軟性ないし可撓性を有する材料であることが好ましい。この観点からは、金めっき付銅、金めっき付ニッケル、ニッケル、アルミニウムが好ましい。
【００２６】ボンディングワイヤの幅と厚さは特に限定されないが、振動子を長期間にわたって安定して支持するという観点からは、幅２５μｍ、厚さ１０μｍ以上であることが好ましく、幅５０μｍ、厚さ２０μｍ以上であることが更に好ましい。また、実装構造全体の小型化という観点からは、幅２００μｍ、厚さ８０μｍ以下であることが好ましく、幅１００μｍ、厚さ４０μｍ以下であることが更に好ましい。
【００２７】ボンディングワイヤによって振動子の上面を支持することができる。この場合は、振動子がボンディングワイヤの端部から下へと向かってつり下げられる。この形態は、支持構造全体の厚さを低減するという観点から好適である。
【００２８】あるいは、ボンディングワイヤによって振動子の下面を支持することができる。この形態は、振動子を長期間にわたって安定に支持するという観点からは好適である。
【００２９】半導体集積回路チップの種類は特に限定されないが、振動子の駆動信号および検出信号を制御する半導体集積回路チップであることが好ましく、ＡＳＩＣ（Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ　Ｓｐｅｃｉｆｉｅｄ　Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ　Ｃｉｒｃｕｉｔ：特定用途向け集積回路）が好ましい。
【００３０】図１は、本発明の一実施形態に係る実装構造１Ａを一方の対向面２ａ側から見た斜視図であり、図２は、図１の実装構造１Ａの正面図であり、図３（ａ）は、実装構造１Ａの作成前のアセンブリを示す正面図であり、図３（ｂ）は同じく平面図である。図４（ａ）は、実装構造１Ａをパッケージ８内に収容して得られた振動子収容構造１１Ａを示す横断面図である。図４（ｂ）は、図４（ａ）の収容構造１１Ａの内部を示す平面図である。
【００３１】図１、図２に示す実装構造１Ａにおいては、本例の基板２は、一方の平板部２ａ、他方の平板部２ｂおよび連結部２ｃを有する。連結部２ｃの内側には丸棒状の軸部３が設けられている。一方の平板部２ａの一方の対向面２０Ａ上には、ボンディングワイヤ５によって振動子４が支持されている。ボンディングワイヤ５は、振動子４上の図示しない電極に対して電気的に接続されている。他方の平板部２ｂの他方の対向面２０Ｂ上には、ボンディングワイヤ７によって半導体集積回路チップ６が支持されている。振動子上の電極端子、半導体集積回路チップの端子は、それぞれボンディングワイヤを介して、基板２上の電極に接続されている。本例では、振動子４と半導体集積回路チップ６とが、基板２の厚さ方向（図２のＡ方向）に投影したときに互いに重複する位置に設置されている。
【００３２】本例の基板２はフレキシブル基板である。本例の実装構造を作製するためには、図３（ａ）、（ｂ）に示すように、フレキシブル基板２Ａの表面に振動子４、半導体集積回路チップ６を設置する。次いで、軸部３を半導体集積回路チップ６および振動子４の反対側に設置し、圧力を加え、フレキシブル基板２Ａを折り曲げる。この結果、図１、図２に示すように連結部２ｃが折り曲げによって生じ、一対の平板部２ａ、２ｂが対向するに至る。
【００３３】本発明の実装構造の封止方法は限定されず、例えば以下の方法がある。
（１）封止手段が半導体チップ用パッケージである。このようなパッケージとしては、ＱＦＰ（Ｑｕａｄ　Ｆｌａｔ　Ｐａｃｋａｇｅ）　パッケージ、ＱＦＮ（Ｑｕａｄ　Ｆｌａｔ　Ｎｏ　−ｌｅａｄ）パッケージを例示できる。
（２）封止手段が樹脂モールド材である。樹脂モールド材としては、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ポリイミド樹脂、ウレタン樹脂を例示できる。
（３）封止手段が、セラミックパッケージである。カバーは、シーム溶接されているか、あるいは半田溶接または金ロウ溶接されていることが好ましい。
【００３４】例えば本例の実装構造１Ａは、図４（ａ）、（ｂ）に示すようにセラミックパッケージ８内に収容し、振動子パッケージ１１Ａを作製することができる。
【００３５】図５〜図７は、他の実施形態に係る実装構造１Ｂおよび収容構造１１Ｂを示すものである。図５は、実装構造１Ｂを一方の対向面１２ａ側から見た斜視図であり、図６（ａ）は、実装構造１Ｂの正面図であり、図６（ｂ）は、実装構造１Ｂの平面図であり、図７（ａ）は、実装構造１Ｂをパッケージ８内に収容して得られた振動子収容構造１１Ｂを示す横断面図である。図７（ｂ）は、図７（ａ）の収容構造１１Ｂの内部を示す平面図である。
【００３６】図５、図６に示すように、本例の基板１２は平板状であり、一方の対向面１２ａおよび他方の対向面１２ｂを有する。一方の対向面１２ａ上には、ボンディングワイヤ５によって振動子４の上面が支持されている。ボンディングワイヤ５は、振動子４上の図示しない電極に対して電気的に接続されている。他方の対向面１２ｂ上には、ボンディングワイヤ７によって半導体集積回路チップ６が支持されている。振動子４上の電極端子、半導体集積回路チップ６の端子は、それぞれボンディングワイヤを介して、基板１２上の電極に接続されている。本例では、振動子４と半導体集積回路チップ６とが、基板１２の厚さ方向に投影したときに互いに重複する位置に設置されている。本例の基板１２はフレキシブル基板である。
【００３７】図７（ａ）、（ｂ）に示す振動子パッケージ１１Ｂにおいては、本例の実装構造１Ｂがセラミックパッケージ８内に収容されている。
【００３８】図８〜図１０は、更に他の実施形態に係る実装構造１Ｃおよび収容構造１１Ｃを示すものである。図８は、実装構造１Ｃを一方の対向面１２ａ側から見た斜視図であり、図９（ａ）は、実装構造１Ｃの正面図であり、図９（ｂ）は、実装構造１Ｃの平面図であり、図１０（ａ）は、実装構造１Ｃをパッケージ８内に収容して得られた振動子収容構造１１Ｃを示す横断面図である。図１０（ｂ）は、図１０（ａ）の収容構造１１Ｃの内部を示す平面図である。
【００３９】図８、図９に示すように、本例の基板１２は平板状であり、一方の対向面１２ａおよび他方の対向面１２ｂを有する。一方の対向面１２ａ上には、ボンディングワイヤ５によって振動子４の下面が支持されている。ボンディングワイヤ５は、振動子４上の図示しない電極に対して電気的に接続されている。他方の対向面１２ｂ上には、バンプ７によって半導体集積回路チップ６が支持されている。ここでいうバンプの材質は、Ａｕ、半田、導電性樹脂、またはその複合材である。振動子４上の電極端子、半導体集積回路チップ６の端子は、それぞれボンディングワイヤを介して、基板１２上の電極に接続されている。本例では、振動子４と半導体集積回路チップ６とが、基板１２の厚さ方向に投影したときに互いに重複する位置に設置されている。本例の基板１２は構造上強度を要することからガラスエポキシ基板を用いている。
【００４０】図１０（ａ）、（ｂ）に示す振動子パッケージ１１Ｃにおいては、本例の実装構造１Ｃがセラミックパッケージ８内に収容されている。
【００４１】図１１は、本発明の更に他の実施形態に係る実装構造１Ｄを一方の対向面２０Ａ側から見た斜視図であり、図１２は、図１１の実装構造１Ｄの正面図であり、図１３（ａ）は、実装構造１Ｄの作成前のアセンブリを示す正面図であり、図１３（ｂ）は同じく平面図である。図１４（ａ）は、実装構造１Ｄをパッケージ８内に収容して得られた振動子収容構造１１Ｄを示す横断面図である。図１４（ｂ）は、図１４（ａ）の収容構造１１Ｄの内部を示す平面図である。
【００４２】図１１、図１２に示すように、本例の基板２２は、一方の平板部２２ａ、他方の平板部２２ｂおよび連結部１９を有する。一方の平板部２２ａの一方の対向面２０Ａ上には、ボンディングワイヤ５によって振動子４が支持されている。ボンディングワイヤ５は、振動子４上の図示しない電極に対して電気的に接続されている。他方の平板部２２ｂの他方の対向面２０Ｂ上には、ボンディングワイヤ７によって半導体集積回路チップ６が支持されている。振動子上の電極端子、半導体集積回路チップの端子は、それぞれボンディングワイヤを介して、基板２２上の電極に接続されている。本例では、振動子４と半導体集積回路チップ６とが、基板２２の厚さ方向（図１２のＡ方向）に投影したときに互いに重複する位置に設置されている。
【００４３】本例では、一方の平板部２２ａと他方の平板部２２ｂとの連結部１９が配線からなる。この配線は、例えば各平板部２２ａ、２２ｂ上の電極パターンを構成する各配線に連続し、電気的に導通していてよい。このように、基板の配線を連結部として利用することによって、フレキシブル基板を折り曲げることが不要となるので、作製が一層容易となる。
【００４４】本例の実装構造を作製するためには、図１３（ａ）、（ｂ）に示すように、２つのフレキシブル基板２２ａ、２２ｂの表面にそれぞれ振動子４、半導体集積回路チップ６を設置する。この段階において、隣接するフレキシブル基板の間は配線１９によって連結される。この配線１９上に軸部３を設置する。次いで、軸部３を中心として圧力を加え、フレキシブル基板２Ａを折り曲げる。この結果、図１１、図１２に示すように連結部１９が折り曲げられ、一対の平板部２２ａ、２２ｂが互いに対向するに至る。
両平板部を連結する配線の種類は特に限定されないが、銅箔、金めっき付銅箔、アルミ箔、ニッケル箔が好ましい。
【００４５】本例の実装構造１Ｄを図１４（Ａ）、（ｂ）に示すようにセラミックパッケージ８内に収容し、振動子パッケージ１１Ｄを作製することができる。
【００４６】図１５、図１６は、更に他の実施形態に係る実装構造１Ｅおよび収容構造１１Ｅを示すものである。図１５は、収容構造１１Ｅの断面図であり、図１６（ａ）は、収容構造１１Ｅの内部を示す平面図であり、図１６（ｂ）は、収容構造１１Ｅの底面図である。
【００４７】本例の基板３２は平板状であり、一方の対向面３２ａおよび他方の対向面３２ｂを有する。一方の対向面３２ａ上には、更に別体の枠体１３がボンディングワイヤ１４によって設置されており、枠体１３上にボンディングワイヤ５によって振動子４の下面が支持されている。ボンディングワイヤ５、１４は、振動子４上の図示しない電極に対して電気的に接続されている。他方の対向面３２ｂ上には、バンプ７によって半導体集積回路チップ６が支持されている。振動子４上の電極端子、半導体集積回路チップ６の端子は、それぞれボンディングワイヤを介して、基板３２上の電極に接続されている。本例では、振動子４と半導体集積回路チップ６とが、基板３２の厚さ方向に投影したときに互いにほぼ重複しない位置に設置されている。この実装構造１Ｅは、セラミックパッケージ８内に収容され、収容構造１１Ｅを構成している。　本例に限らずセラミックパッケージには空気孔（図示せず）を設け、パッケージ内を真空にして振動子を動作させることも好適に行われる。
【００４８】図１７は、更に他の実施形態に係る収容構造１１Ｆを示す概略断面図であり、図１８（ａ）は、収容構造１１Ｆの内部を振動子４側から見た部分断面平面図であり、図１８（ｂ）は、収容構造１１Ｆの内部を半導体集積回路チップ６側から見た部分断面平面図である。
【００４９】本例の基板４２は平板状であり、一方の対向面４２ａおよび他方の対向面４２ｂを有する。対向面４２ａ上には、更に別体の枠体１３がボンディングワイヤ１４によって設置されており、枠体１３上にボンディングワイヤ５によって振動子４の下面が支持されている。ボンディングワイヤ５、１４は、振動子４上の図示しない電極に対して電気的に接続されている。他方の対向面４２ｂ上には半導体集積回路チップ６が設置されている。振動子４上の電極端子、半導体集積回路チップ６の端子は、基板４２上の電極に接続されており、実装構造１Ｆを構成している。本例では、振動子４と半導体集積回路チップ６とが、基板４２の厚さ方向に投影したときに、互いにほぼ重複する位置に設置されている。
【００５０】本例では、基板４２はセラミック基板となっており、セラミックパッケージ８の一部を構成している。パッケージ８の内部には空間４０Ａが設けられており、振動子４、枠体１３は空間４０Ａ内に収容されている。半導体集積回路チップ６はエポキシ樹脂４０Ｂで封着されている。
【００５１】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、振動子をパッケージに収容し、振動子を半導体集積回路チップによって電気的に制御する振動型ジャイロスコープにおいて、振動子を小型化することによってモジュールの小型化を実現可能し、かつ振動子の振動特性の変動を抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態に係る実装構造１Ａを一方の対向面２ａ側から見た斜視図である。
【図２】図１の実装構造１Ａの正面図である。
【図３】（ａ）は、実装構造１Ａの作成前のアセンブリを示す正面図であり、（ｂ）は同じく平面図である。
【図４】（ａ）は、実装構造１Ａをパッケージ８内に収容して得られた振動子収容構造１１Ａを示す横断面図である。（ｂ）は、図４（ａ）の収容構造１１Ａの内部を示す平面図である。
【図５】実装構造１Ｂを一方の対向面１２ａ側から見た斜視図である。
【図６】（ａ）は、実装構造１Ｂの正面図であり、図６（ｂ）は、実装構造１Ｂの平面図である。
【図７】（ａ）は、実装構造１Ｂをパッケージ８内に収容して得られた振動子収容構造１１Ｂを示す横断面図である。（ｂ）は、図７（ａ）の収容構造１１Ｂの内部を示す平面図である。
【図８】実装構造１Ｃを一方の対向面１２ａ側から見た斜視図である。
【図９】（ａ）は、実装構造１Ｃの正面図であり、図９（ｂ）は、実装構造１Ｃの平面図である。
【図１０】（ａ）は、実装構造１Ｃをパッケージ８内に収容して得られた振動子収容構造１１Ｃを示す横断面図である。図１０（ｂ）は、図１０（ａ）の収容構造１１Ｃの内部を示す平面図である。
【図１１】本発明の更に他の実施形態に係る実装構造１Ｄを一方の対向面２０Ａ側から見た斜視図である。
【図１２】図１１の実装構造１Ｄの正面図である。
【図１３】（ａ）は、実装構造１Ｄの作成前のアセンブリを示す正面図であり、図１３（ｂ）は同じく平面図である。
【図１４】（ａ）は、実装構造１Ｄをパッケージ８内に収容して得られた振動子収容構造１１Ｄを示す横断面図である。図１４（ｂ）は、図１４（ａ）の収容構造１１Ｄの内部を示す平面図である。
【図１５】収容構造１１Ｅの断面図である。
【図１６】（ａ）は、収容構造１１Ｅの内部を示す平面図であり、図１６（ｂ）は、収容構造１１Ｅの底面図である。
【図１７】更に他の実施形態に係る収容構造１１Ｆを示す概略断面図である。
【図１８】（ａ）は、収容構造１１Ｆの内部を振動子４側から見た部分断面平面図であり、（ｂ）は、収容構造１１Ｆの内部を半導体集積回路チップ６側から見た部分断面平面図である。
【符号の説明】１Ａ、１Ｂ、１Ｃ、１Ｄ、１Ｅ、１Ｆ　実装構造　　　　２、１２、２２、３２、４２　基板　　　　２ａ、２２ａ、３２ａ、４２ａ　一方の平板部　　　　２ｂ、２２ｂ、３２ｂ、４２ｂ　他方の平板部　　　　２ｃ　連結部　　　　３　軸部　　　　４　振動子　　　　５、７　ボンディングワイヤ
６　半導体集積回路チップ　　　　８　セラミックパッケージ　　　　１１Ａ、１１Ｂ、１１Ｃ、１１Ｄ、１１Ｅ、１１Ｆ　収容構造　　　　１２ａ、２０Ａ　一方の対向面　　　　１２ｂ、２０Ｂ　他方の対向面
１９　連結部を構成する配線
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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