(57)【要約】【課題】安定で高繰り返しの連続光パルスを発生でき、しかも繰り返し周波数を精度良く自由に変えることができるパルス光源を提供すること。【解決手段】反射鏡１及び２からなる共振器１−１と、反射鏡１及び３からなる共振器１−２と、共振器１−１及び１−２の内部に共有される半導体光増幅媒質４と、共振器１−１の内部に配置された電界吸収型光変調器５と、共振器１−１及び１−２の共振長を変化させるリニアステージ２４及び２５とを具備し、共振器１−１及び１−２及び半導体光増幅媒質４は、共振器１−１及び１−２内を伝搬する光が少なくとも半導体光増幅媒質４内の一部で偏波面と光軸が一致するように配置する。【選択図】  図１
2004363419.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の反射鏡と第２の反射鏡とからなる第１の共振器と、
前記第２の反射鏡の前記第１の反射鏡と反対側に配置された第３の反射鏡と前記第１の反射鏡とからなる第２の共振器と、
前記第１の共振器と前記第２の共振器の内部に共有される光増幅媒質と、
前記第１の共振器あるいは前記第２の共振器の少なくとも一方の内部に配置された光透過率変調媒質と、
前記第１の共振器及び前記第２の共振器の共振長を連動して変化させる共振長変化手段と、を具備し、
前記第１の共振器、第２の共振器及び前記光増幅媒質は、前記第１の共振器及び前記第２の共振器内を伝搬する光が少なくとも前記光増幅媒質内の一部で偏波面と光軸が一致するようにが配置されている、
ことを特徴とするパルス光源。
【請求項２】
請求項１に記載のパルス光源において、
前記共振長変化手段は、前記第１の共振器及び前記第２の共振器の共振長を、その比を一定に保持して変化させることを特徴とするパルス光源。
【請求項３】
請求項１又は２に記載のパルス光源において、
前記光透過率変調媒質は、前記第１の共振器の共振器長に相当する共振周波数の電気信号と、前記第２の共振器の共振器長に相当する共振周波数の電気信号とが重畳されて印加されるようにしたことを特徴とするパルス光源。
【請求項４】
請求項１、２又は３に記載のパルス光源において、
前記光透過率変調媒質を前記光増幅媒質で兼ねさせ、前記光増幅媒質に注入する電流により変調を行うようにしたことを特徴とするパルス光源。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、繰り返し周波数を変化させることができるパルス光源に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
パルス光源は、光計測や光通信等、光の広帯域性を利用した様々な技術分野において非常に重要な役割を果たしている。特に近年、１００ＧＨｚを超えるような高い繰り返し周波数の連続パルス列を発生するパルス光源は、超高速の光通信に用いる光源や光電変換素子と組み合わせたミリ波信号ソース等として利用されている。
【０００３】
パルス光源の典型的なものとして、非常に短い光パルスを発生できるモード同期レーザがあるが、なかでも半導体モード同期レーザは、固体レーザや気体レーザを用いたモード同期レーザに比べ、高い繰り返しパルスが発生でき、小型でかつ安定性に優れるという利点をもっている。現在、数ＧＨｚから１００ＧＨｚ程度までの繰り返し周波数を持つ半導体モード同期レーザが報告されているが、通常、劈開等により半導体材料の一部を加工して反射鏡を形成するため、共振器長が固定され、繰り返し周波数を連続的に変えることができないという問題があった。例えば、非特許文献１，２がその例である。
【０００４】
また、さらに高い繰り返し周波数を得るため、半導体レーザの共振器の内部に溝等を作ることによって第３の反射鏡を設け、複合共振器効果を利用するという試みもなされている（非特許文献３）。この複合共振器効果とは、複数の共振器で発生する縦モードどうしの干渉によって、縦モード間隔の広い光を生成するものである。このような構成を採用することにより高繰り返し周波数を実現することが可能であるが、この場合もやはり、半導体材料の一部を加工して反射鏡を形成しているため、繰り返し周波数を変えることができないという問題があった。
【０００５】
従来、繰り返し周波数を自由に変化させることができるパルス光源として図５に示すようなビート光源がある。これは、２つの発振波長の違うレーザ４１とレーザ４２の出力光を、カプラ４７で合波させ、光路４８からビート光４９を発生させるものである。この際、レーザ４１、光路４３ａ、偏波コントローラ４５、光路４３ｂを通して出射する光の偏波面と、レーザ４２、光路４４ａ、偏波コントローラ４６、光路４４ｂを通して出射する光の偏波面とが一致するように偏波コントローラ４５，４６で偏波面を調整してやる必要がある。
【０００６】
この方法では、各レーザ４１，４２の発振波長を制御することによって、ビート光４９の周波数を変化させているが、波長を可変にしながらその絶対値を正確に制御することが難しいため、周波数のチューナビリティーを保ちながら繰り返し周波数を正確に制御することが困難である。また、ビート光４９の一部を光電変換して電気領域で参照信号と比較し、フィードバックすることによって繰り返し周波数を制御することができるが、この方法では繰り返し周波数の最大値が電気部品の帯域で制限されてしまうという問題がある。また、光源装置自体が大掛かりとなってしまうという問題もある。
【０００７】
さらに、非特許文献４に見られるような、半導体モード同期レーザの反射鏡の１つを外部反射鏡に置き換えた構成をもつ光源を用いる方法もある。この構成の光源では、外部反射鏡を動かして共振器長を変えることで、繰り返し周波数可変の光パルス列を生成できる。しかし、共振器長に対応した基本共振周波数の光パルス列を生成する場合、使用する光学部品等の寸法によって共振器長が制限されるため、繰り返し周波数は４０ＧＨｚ程度が上限であった。また、基本共振周波数の整数倍の電気信号で同期することにより、８０ＧＨｚ程度までの繰り返しのパルス列を生成できるが、エレクトロニクスの制限により、１００ＧＨｚを超える高繰り返しの光パルス列を生成するのは困難であった。
【０００８】
【非特許文献１】ハンセンＰＢ、レイボンＧ、コレンＵ、ミラーＢＩ、ヤングＭＧ、シエンＭ、バルスＣＡ、アルファネスＲＣ著、「アクティブモードロッキング用の集積ブラッグ反射鏡を含む５．５ｍｍ長ＩｎＧａＡｓモノリシック拡張キャビティレーザ」、ＩＥＥＥ、光技術、第４巻８、１９９２年３月、２１５−２１７頁（”５．５ｎｍ  Ｌｏｎｇ  ＩｎＧａＡｓＰ  Ｍｏｎｏｌｉｔｈｉｃ  Ｅｘｔｅｎｄｅｄ−Ｃａｖｉｔｙ  Ｌａｓｅｒ  ｗｉｔｈ  ａｎ  Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  Ｂｒａｇｇ−Ｒｅｆｌｅｃｔｏｒ  ｆｏｒ  Ａｃｔｉｖｅ  Ｍｏｄｅ−Ｌｏｃｋｉｎｇ”，  Ｈａｎｓｅｎ，Ｐ．Ｂ．，Ｒａｙｂｏｎ，Ｇ．，Ｋｏｒｅｎ，Ｕ．，Ｍｉｌｅｒ，Ｂ．Ｉ．，Ｙｏｕｎｇ，Ｍ．Ｇ．，Ｃｈｉｅｎ，Ｍ．，Ｂｕｒｒｕｓ，Ｃ．Ａ．，Ａｌｆｅｒｎｅｓｓ，Ｒ．Ｃ．，ＩＥＥＥ  Ｐｈｏｔｏｎ．  Ｔｅｃｈｎｏｌ．）。
【０００９】
【非特許文献２】サトウＫ、コタカＩ、ヒラノＡ、アソベＭ、ミヤモトＹ、シミズＮ、ハギモトＫ著、「電界吸収変調器が集積されたモードロックドレーザを使用した１０２ＧＨｚにおける高繰り返し周波数パルス発生」、エレクトロニクス  レター、第３４巻８、１９９８年４月１６日、７９０−７９２頁（”Ｈｉｇｈ−ｒｅｐｅｔｉｔｉｏｎ  ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ  ｐｕｌｓｅ  ｇｅｎｅｒａｔｉｏｎ  ａｔ  １０２ＧＨｚ  ｕｓｉｎｇ  ｍｏｄｅｌｏｃｋｅｄ  ｌａｓｅｒｓ  ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  ｗｉｔｈ  ｅｌｅｃｔｒｏａｂｓｏｒｐｔｉｏｎ  ｍｏｄｕｌａｔｏｒｓ”，Ｓａｔｏ，Ｋ．，Ｋｏｔａｋａ，Ｉ．，Ｈｉｒａｎｏ，Ａ．，Ａｓｏｂｅ，Ｍ．，Ｍｉｙａｍｏｔｏ，Ｙ．，Ｓｈｉｍｉｚｕ，Ｎ．，Ｈａｇｉｍｏｔｏ，Ｋ．，Ｅｌｅｃｔｒｏｎ．  Ｌｅｔｔ．，ｖｏｌ．３４，８，１６  Ａｐｒｉｌ  １９９８，  ｐｐ．  ７９０−７９２．）。
【００１０】
【非特許文献３】ヤンソンＤＡ、ストリートＭＷ、マクドガルＳＤ、タニーＩＧ、マーシュＪＨ、アブラチンＥＡ著、「フォトニックバンドギャップ反射鏡を用いたモノリシック複合キャビティレーザダイオードの超高速ハーモニックモードロック」、ＩＥＥＥ  Ｊ、クァンタム  エレクトロニクス  レター、第３８巻１、２００２年１月１日、１−１１頁（”Ｕｌｔｒａｆａｓｔ  Ｈａｒｍｏｎｉｃ  Ｍｏｄｅ−Ｌｏｃｋｉｎｇ  ｏｆ  Ｍｏｎｏｌｉｔｈｉｃ  Ｃｏｍｐｏｕｎｄ−Ｃａｖｉｔｙ  Ｌａｓｅｒ  Ｄｉｏｄｅｓ  Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｉｎｇ  Ｐｈｏｔｏｎｉｃ−Ｂａｎｄｇａｐ  Ｒｅｆｌｅｃｔｏｒｓ”，  Ｙａｎｓｏｎ，Ｄ．Ａ．，Ｓｔｒｅｅｔ，Ｍ．Ｗ．，ＭｃＤｏｕｇａｌｌ，Ｓ．Ｄ．，Ｔｈａｙｎｅ，Ｉ．Ｇ．，Ｍａｒｓｈ，Ｊ．Ｈ．，Ａｖｒｕｔｉｎ，Ｅ．Ａ．，ＩＥＥＥ  Ｊ．  Ｑｕａｎｔｕｍｎ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ．Ｌｅｔｔ．，ｖｏ１．３８，１，１  Ｊａｎ．  ２００２，  ｐｐ．１−１１．）。
【００１１】
【非特許文献４】ハシモトＹ、ヤマダＨ、クリバヤシＲ、ヨコヤマ著、「高安定外部キャビティモードロック半導体レーザモジュールによる４０ＧＨｚチューナブル光パルス発生」、ＯＦＣ、２００２年、ＷＶ５、３４２−３４３頁（”４０−ＧＨｚ  Ｔｕｎａｂｌｅ  Ｏｐｔｉｃａｌ  Ｐｕｌｓｅ  Ｇｅｎｅｒａｔｉｏｎ  ｆｒｏｍ  ａ  Ｈｉｇｈｌｙ−Ｓｔａｂｌｅ  Ｅｘｔｅｒｎａｌ−Ｃａｖｉｔｙ  Ｍｏｄｅ−Ｌｏｃｋｅｄ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ  Ｌａｓｅｒ  Ｍｏｄｕｌｅ”  ，Ｈａｓｈｉｍｏｔｏ，Ｙ．，Ｙａｍａｄａ，Ｈ．，Ｋｕｒｉｂａｙａｓｈｉ，Ｒ．，Ｙｏｋｏｙａｍａ，  ＯＦＣ  ２００２，  ＷＶ５，  ｐｐ．  ３４２−３４３．）。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】
以上述べたように従来のパルス光源技術では、安定で高い周波数まで精度良く繰り返し周波数を変えることができるパルス光源を実現することが難しかった。
【００１３】
本発明の目的は、従来の技術では実現することが難しかった、１００ＧＨｚから数ＴＨｚの繰り返し周波数を精度良く制御できるようにした可変周波数のパルス光源を提供することである。
【００１４】
【発明を解決するための手段】
請求項１にかかる発明は、第１の反射鏡と第２の反射鏡とからなる第１の共振器と、前記第２の反射鏡の前記第１の反射鏡と反対側に配置された第３の反射鏡と前記第１の反射鏡とからなる第２の共振器と、前記第１の共振器と前記第２の共振器の内部に共有される光増幅媒質と、前記第１の共振器あるいは前記第２の共振器の少なくとも一方の内部に配置された光透過率変調媒質と、前記第１の共振器及び前記第２の共振器の共振長を連動して変化させる共振長変化手段とを具備し、前記第１の共振器、第２の共振器及び前記光増幅媒質は、前記第１の共振器及び前記第２の共振器内を伝搬する光が少なくとも前記光増幅媒質内の一部で偏波面と光軸が一致するようにが配置されていることを特徴とするパルス光源とした。
【００１５】
請求項２にかかる発明、請求項１に記載のパルス光源において、前記共振長変化手段は、前記第１の共振器及び前記第２の共振器の共振長を、その比を一定に保持して変化させることを特徴とするパルス光源とした。
【００１６】
請求項３にかかる発明は、請求項１又は２に記載のパルス光源において、前記光透過率変調媒質は、前記第１の共振器の共振器長に相当する共振周波数の電気信号と、前記第２の共振器の共振器長に相当する共振周波数の電気信号とが重畳されて印加されるようにしたことを特徴とするパルス光源とした。
【００１７】
請求項４にかかる発明は、請求項１、２又は３に記載のパルス光源において、前記光透過率変調媒質を前記光増幅媒質で兼ねさせ、前記光増幅媒質に注入する電流により変調を行うようにしたことを特徴とするパルス光源とした。
【００１８】
【発明の実施の形態】
［第１の実施例］
図１に、本発明にかかるパルス光源の第１の実施例を説明する概略図を示す。同図において、反射鏡１と反射鏡２とで形成される共振器１−１（第１の共振器）と反射鏡１と反射鏡３とで形成される共振器１−２（第２の共振器）とが、複合共振器１−３を構成している。また、複合共振器１−３内には、半導体光増幅媒質４（光増幅媒質）と電界吸収型光変調器５（光透過率変調媒質）とが配置されている。反射鏡１及び反射鏡３は、それぞれリニアステージ２４及び２５（共振長変化手段）により位置を移動できるようになっており、これにより、共振器１−１及び共振器１−２の共振器長を変化させることができる。共振器１−１、共振器１−２、及び半導体光増幅媒質４は、共振器１−１及び共振器１−２内を伝搬する光が少なくとも半導体光増幅媒質４内の一部で偏波面と光軸が一致するように配置されている。なお、電界吸収型光変調器５は共振器１−１あるいは共振器１−２の少なくとも一方の内部に配置されていればよい。
【００１９】
半導体光増幅媒質４は、ＩｎＧａＡｓＰ多重量子井戸から成る活性層６と、その上下のクラッド層７及び８と、それらを挟む上下の電極９及び１０で構成されている。同様に、電界吸収型光変調器５は、ＩｎＧａＡｓＰ多重量子井戸からなる変調層１１と、その上下のクラッド層１２及び１３と、それらを挟む電極１４及び１５で構成されている。半導体光増幅媒質４の光導波方向の長さは３００μｍ、電界吸収型光変調器５の光導波方向の長さは１００μｍとなっている。
【００２０】
反射鏡１は、硝子基板１６と反射膜１７と反射防止膜１８とで構成される。反射膜１７の反射率は、反射膜の材料及び厚みなどの設計パラメータにより、自由に設定可能であり、ここでは、３０％としたが、１０〜９０％の範囲内の反射率でも利用可能である。反射鏡２は、半導体光増幅媒質４の光出射端面１９上の誘電体多層膜２０で構成される。誘電体多層膜２０の反射率は、ここでは１０％としたが、５％から９０％の範囲の反射率でも利用可能である。反射鏡３は、硝子基板２１と反射膜２２により構成される。本実施例では、反射膜２２はほぼ１００％の反射率としたが、３０％以上あれば利用可能である。
【００２１】
リニアステージ２４及び２５は、例えばステッピングモータにより反射鏡１及び反射鏡３の位置が移動できる機能を持つものである。
【００２２】
次に、上記の構成により連続可変周波数の高繰り返しパルス列が発生する理由について、図１、図２及び図３を用いて詳細に説明する。
【００２３】
共振器１−１においては、半導体光増幅媒質４の電極９から電流注入を行うと、ある閾値電流以上で共振器長に相当するモード間隔でレーザ発振が起こる。このとき、電界吸収型光変調器５の電極１４に、逆バイアス電圧と共に共振器１−１の共振器長に相当する共振周波数の高周波電気信号を重畳すると、電界吸収型光変調器５を通過するレーザ光が強度変調される。この強度変調された光が共振器１−１内で往復することで、高周波電気信号に同期した光パルス列が生成される。
【００２４】
共振器１−２においても同様に、電界吸収型光変調器５の電極１４に、逆バイアス電圧と共に共振器１−２の共振器長に相当する共振周波数の高周波電気信号を重畳すると、共振器１−２の共振器長に相当する共振周波数の高周波電気信号に同期した光パルス列が生成される。
【００２５】
ここで、共振器１−１の共振器長を８ｍｍ、電界吸収型光変調器５の電極１４に印加する高周波電気信号を１８．４ＧＨｚ、共振器１−２の共振器長を１３ｍｍ、電界吸収型光変調器５の電極１４に印加する別の高周波電気信号を１１．４ＧＨｚとした場合を例に挙げて、複合共振器１−３から発生する光パルス列の繰り返し周波数について説明を行う。
【００２６】
図２には、各共振器で発生する縦モードの光周波数特性を示しており、横軸には光周波数、縦軸には光強度を取っている。共振器１−１では、縦モード間隔が１８．４ＧＨｚ、共振器１−２では、１１．４ＧＨｚ間隔と、各共振器長に対応した間隔で縦モードが発生する。そして、複合共振器１−３の効果によって、これらの縦モードをもつ光波が干渉する結果、縦モード位置が一致する１．０４８８ＴＨｚ間隔の光のみが強調され、複合共振器１−３からは、繰り返し周期１．０４８８ＴＨｚの光パルス列が出力される。つまり、各共振器の共振周波数が低くても、複合共振器構成とすることで、高繰り返しの光パルスが生成できる。
【００２７】
ここで、リニアステージ２４，２５により、共振器１−１及び１−２の共振器長を、その共振器１−１の共振器長と共振器１−２の共振器長の比を一定に保ったまま変化させるとともに、変化する共振器長の共振周波数に応じて重畳する高周波電気信号の周波数を変化させると、複合共振器１−３で生成される光パルス列の繰り返し周波数を連続的に変化させることが可能となる。例えば、各共振器長を２倍とした場合、共振器１−１の共振器長は１６ｍｍ、共振器１−２の共振器長は２６ｍｍとなる。この場合、共振器１−１及び共振器１−２の縦モード間隔は、９．２ＧＨｚと５．７ＧＨｚとなって、複合共振器１−３で生成される光パルス列の繰り返し周波数は、５２４．４ＧＨｚとなる。
【００２８】
つぎに、各共振器長を２０倍と非常に長くした場合、共振器１−１の共振器長は１６０ｍｍ、共振器１−２の共振器長は２６０ｍｍとなる。この場合、共振器１−１及び共振器１−２の縦モード間隔は、それぞれ９２０ＭＨｚと５７０ＭＨｚとなって、複合共振器１−３で生成される光パルス列の繰り返し周波数は、５２．４４ＧＨｚとなる。この程度の寸法の共振器であれば、市販のステージを用いて容易に作製でき、さらに長い共振器でも、装置は大がかりとなるが実現可能である。
【００２９】
逆に、各共振器長を０．５倍と短くした場合、共振器１−１の共振器長は４ｍｍ、共振器１−２の共振器長は６．５ｍｍとなる。これらの共振器長は、半導体光増幅媒質４の光出射端面１９及び電界吸収型光変調器５の光出射端面２３から出射される光をコリメートするためのレンズの幅２ｍｍ、そのレンズのワーキングディスタンス０．３ｍｍ、半導体光増幅媒質４と電界吸収型光変調器５の光導波路長の和０．４ｍｍ等の、各共振器内に配置される部品の寸法を考えた場合、十分に実現可能な共振器長である。そして、共振器１−１及び共振器１−２の縦モード間隔は、３６．８ＧＨｚと２２．８ＧＨｚとなって、複合共振器１−３で生成される光パルス列の繰り返し周波数は２．０９７６ＴＨｚとなる。
【００３０】
図３は、横軸に複合共振器１−３で生成される光パルス列の繰り返し周波数を、縦軸に共振器長を、対数−対数プロットしたものである。繰り返し周波数と共振器長との関係が、対数−対数グラフで直線となっているのは、各共振器長をｎ倍とすると、繰り返し周波数は、１／ｎとなるからである。これにより、繰り返し周波数は連続的に変化できることがわかる。
【００３１】
以上述べたような構成において、共振器１−１及び共振器１−２の長さの比を保ったまま、各共振器長を変化させることで、光パルス列の繰り返し周波数は５０ＧＨｚから２ＴＨｚ程度まで連続的に変化させることができる。
【００３２】
なお、本実施例では、反射鏡１〜３として誘電体多層膜２０や硝子基板上に形成した反射膜１７及び２２を用いたが、半導体のブラッグ反射鏡でも、ファイバグレーティングでも構成できる。
【００３３】
また、半導体光増幅媒質４として、ＩｎＧａＡｓＰ多重量子井戸から成る活性層６を用いたが、ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓの量子井戸や、ＧａＮ／ＡｌＧａＮの量子井戸の活性層でもよい。
【００３４】
また、光透過率変調媒質として、電界吸収型光変調器５を用いたが、可飽和吸収体を逆バイアスで用いても良いし、リチウム酸ニオブ強度変調器で構成しても良いし、半導体光増幅媒質４の注入電流を変調して用いてもよい。後者の場合は半導体光増幅媒質４のみでレーザ発生と光強度変調を兼ねさせ、電界吸収方光変調器５を削除することができる。
【００３５】
なお、第１の実施例を示す図１では、図面を省略するため、半導体光増幅媒質４の光出射端面１９及び電界吸収型光変調器５の光出射端面２３から出射される光をコリメートするためのレンズは省いている。
【００３６】
［第２の実施例］
図４に、本発明にかかるパルス光源の第２の実施例を説明する概略図を示す。第２の実施例の構成は、第１の実施例の構成とほぼ同じであるが、半導体光増幅媒質４の代わりに、ＹＡＧ結晶４−２（光増幅媒質）を用い、電界吸収型光変調器５の代わりに、リチウム酸ニオブ強度変調器５−２（光透過率変調媒質）を用いている。また、反射鏡２として、誘電体多層膜２０の代わりに、硝子基板２６と反射膜２７と反射防止膜２８とで構成される反射鏡２を用いている。さらに、この反射鏡２を動かすリニアステージ２９が追加されている。ただし、半導体光増幅媒質４の代わりに用いているＹＡＧ結晶４−２は、電流注入による光増幅ができないので、外部の半導体レーザ３０からの入力によって光励起する必要がある。
【００３７】
ここで、共振器１−１の共振器長を５５ｍｍ、リチウム酸ニオブ強度変調器５−２に印加する高周波電気信号を１．０７ＧＨｚ、共振器１−２の共振器長を６５ｍｍ、リチウム酸ニオブ強度変調器５−２に印加する別の高周波電気信号を０．９４ＧＨｚとした場合、複合共振器の効果により、複合共振器１−３からは、繰り返し周期１００．５８ＧＨｚの光パルス列が出力される。第１の実施例で述べたように、各共振器長を、比を一定に保ったまま変化させるとともに、変化する共振器長の共振周波数に応じて、重畳する高周波電気信号の周波数を変化させると、複合共振器１−３で生成される光パルス列の繰り返し周波数を連続的に変化させることが可能となる。
【００３８】
なお、第２の実施例を示す図４では、図面を省略するため、リチウム酸ニオブ強度変調器５−２から出射される光をコリメートするためのレンズなどの光学部品は省いている。
【００３９】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明のパルス光源によれば、安定で高繰り返しの連続光パルスを発生でき、しかも繰り返し周波数を精度良く自由に変えることができ、実用的に非常に有用なパルス光源を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明によるパルス光源の第１の実施例の構成を示す図である。
【図２】複合共振器の効果を説明する説明図である。
【図３】繰り返し周波数と共振器長との関係を示す特性図である。
【図４】本発明によるパルス光源の第２の実施例の構成を示す図である。
【図５】従来の周波数可変な光パルス光源の構成を示す図である。
【符号の説明】１−１：共振器、１−２：共振器、１−３：複合共振器、１：反射鏡、２：反射鏡、３：反射鏡、４：半導体光増幅媒質、５：電界吸収型光変調器、６：活性層、７：クラッド層、８：クラッド層、９：電極、１０：電極、１１：変調層、１２：クラッド層、１３：クラッド層、１４：電極、１５：電極、１６：硝子基板、１７：反射膜、１８：反射防止膜、１９：光出射端面、２０：誘電体多層膜、２１：硝子基板、２２：反射膜、２３：光出射端面、２４：リニアステージ、２５：リニアステージ、４−２：ＹＡＧ結晶、５−２：リチウム酸ニオブ強度変調器、２６：硝子基板：２７：反射膜、２８：反射防止膜、２９：リニアステージ、３０：半導体レーザ、４１：レーザ、４２：レーザ、４３ａ，４３ｂ：光路、４４ａ，４４ｂ：光路、４５：偏波コントローラ、４６：偏波コントローラ、４７：光カプラ、４８：光路、４９：ビート光
【図１】
2004363419.tif 000003
【図２】
2004363419.tif 000004
【図３】
2004363419.tif 000005
【図４】
2004363419.tif 000006
【図５】
2004363419.tif 000007