(57)【要約】【課題】縦結合多重モードＳＡＷフィルタの通過帯域近傍の減衰傾度及び通過帯域近傍の阻止域減衰量を改善する手段を得ることを目的とする。【解決手段】複数個のＩＤＴとその両側にグレーティング反射器とを配置した縦結合多重モード弾性表面波フィルタを１個あるいは複数個縦続接続し、前記縦結合多重モード弾性表面波フィルタに少なくとも１個の１端子対ＳＡＷ共振子を直列あるいは並列に接続した弾性表面波フィルタにおいて、前記１端子対ＳＡＷ共振子にくし形キャパシタが並列に接続されていることを特徴とする弾性表面波フィルタ。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数個のＩＤＴとその両側にグレーティング反射器とを配置した縦結合多重モード弾性表面波フィルタを１個あるいは複数個縦続接続し、前記縦結合多重モード弾性表面波フィルタに少なくとも１個の１端子対ＳＡＷ共振子を直列に接続した弾性表面波フィルタにおいて、前記１端子対ＳＡＷ共振子に並列にキャパシタを接続したことを特徴とする弾性表面波フィルタ。
【請求項２】
複数個のＩＤＴとその両側にグレーティング反射器とを配置した縦結合多重モード弾性表面波フィルタを１個あるいは複数個縦続接続し、前記縦結合多重モード弾性表面波フィルタに少なくとも１個の１端子対ＳＡＷ共振子を並列に接続した弾性表面波フィルタにおいて、前記１端子対ＳＡＷ共振子に並列にキャパシタを接続したことを特徴とする弾性表面波フィルタ。
【請求項３】
請求項１又は２記載の弾性表面波フィルタにおいて、前記キャパシタは圧電基板上にくし形形状の電極を配置したくし形キャパシタであることを特徴とする弾性表面波フィルタ。
【請求項４】
請求項３記載の弾性表面波フィルタにおいて、前記くし形キャパシタは縦結合多重モード弾性表面波フィルタあるいは１端子対ＳＡＷ共振子と同一の圧電基板上に形成されたものであり、これらとの間で弾性表面波を送受信しないように配置したことを特徴とする弾性表面波フィルタ。
【請求項５】
請求項３乃至４記載の弾性表面波フィルタにおいて、前記くし形キャパシタを同一の圧電基板上に複数個設けた場合にくし形キャパシタ同士で弾性表面波を送受信しないように当該くし形キャパシタを配置したことを特徴とする弾性表面波フィルタ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、弾性表面波フィルタに関し、特に通過帯域近傍の阻止域減衰量を改善した弾性表面波フィルタに関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、弾性表面波フィルタは通信分野で広く利用され、高性能、小型、量産性等の優れた特徴を有することから特に携帯電話等に多く用いられる。図８は、従来の縦続接続型１次−３次縦結合弾性表面波フィルタ（以下、二重モードＳＡＷフィルタと称す）の構成を示す電極パターンの平面図であって、圧電基板４１の主面上に表面波の伝搬方向に沿って３つのすだれ上のＩＤＴ４２、４３、４４を近接配置すると共に、これらの両側にグレーティング反射器４５ａ、４５ｂ（以下、反射器と称す）を配置して第一のフィルタとする。ＩＤＴ４２、４３、４４はそれぞれ互いに間挿し合う複数本の電極指を有する一対のくし型電極により構成され、ＩＤＴ４２の基板４１の端部寄りのくし形電極は該電極の外側近傍に設けた電極パッドＰ１と接続して入力とし、他方のくし形電極は該電極の近傍で基板４１の中心部寄りに設けた接地用電極パッドＥ１に接続する。そして、ＩＤＴ４３、４４の基板４１の端部寄りのくし形電極は該電極の外側近傍に設けた接地用電極パッドＥ２、Ｅ３にそれぞれ接続する。また、ＩＤＴ４３、４４の他方のくし形電極からそれぞれ縦続接続用のリード電極Ｌ１を次段に向けて延在する。
【０００３】
第１の二重モードＳＡＷフィルタに対し基板中央でほぼ線対称に第２の二重モードＳＡＷフィルタ、即ちＩＤＴ４６、４７、４８とその両側に配置した反射器４９ａ、４９ｂからなる二重モードＳＡＷフィルタを表面波の伝搬方向に沿って形成する。そして、ＩＤＴ４６の基板４１の中央部寄りのくし形電極は該電極の外側近傍に設けた接地用電極パッドＥ４と接続し、ＩＤＴ４６の他方のくし形電極は該電極の外側近傍に設けた出力用電極パッドＰ２と接続する。さらに、ＩＤＴ４７、４８の基板４１の端部寄りのくし形電極は該電極の外側近傍に設けた接地用電極パッドＥ５、Ｅ６にそれぞれ接続する。また、ＩＤＴ４７、４８の他方のくし形電極からそれぞれ縦続接続用のリード電極Ｌ２を前段に向けて延在する。
【０００４】
第１の二重モードＳＡＷフィルタの一方の出力端子、即ちＩＤＴ４３の基板４１内側のバスバーより延在するリード電極Ｌ１に、表面波の伝搬方向に沿ってＩＤＴ５０とその両側に反射器５１ａ、５１ｂを配置したＳＡＷ共振子（以下、ＳＡＷ共振子Ａ）の一方の端子を直列接続すると共に、二重モードＳＡＷフィルタの他方の出力端子であるＩＤＴ４４の基板４１内側のバスバーより延在するリード電極Ｌ１にＩＤＴ５２と反射器５３ａ、５３ｂを配置したＳＡＷ共振子（以下、ＳＡＷ共振子Ｂ）の一方の端子を直列接続する。そして、ＳＡＷ共振子Ａ、Ｂのそれぞれ他方の端子からリード電極Ｌ２を延在し、第２の二重モードＳＡＷフィルタのＩＤＴ４７、４８の基板４１の中心部寄りのバスバーとそれぞれ接続するように構成する。
【０００５】
図８に示す二重モードＳＡＷフィルタの動作は、周知のように、ＩＤＴ４２、４３、４４によって励起される表面波が反射器４５ａ、４５ｂの間に閉じ込められて音響結合し、電極パターンにより１次と３次の２つの縦共振モードが強勢に励振され、これらの２つのモードを利用して二重モードＳＡＷフィルタを構成する。また、ＳＡＷ共振子Ａ、Ｂの反共振周波数を二重モードＳＡＷフィルタの通過帯域よりも高周波数側に設定することで、通過帯域の高域側で前記ＳＡＷ共振子の反共振周波数による減衰極が発生し、通過帯域高域側の減衰傾度及び阻止域減衰量が改善される。
【０００６】
図９は、３９°ＹカットＸ伝搬ＬｉＴａＯ３基板上に、中心周波数８３６．５ＭＨｚ、通過帯域幅２５ＭＨｚの二重モードＳＡＷフィルタを形成すべく、アルミニウム合金の膜厚を４１００Å、二重モードＳＡＷフィルタのＩＤＴ４２、４６の対数を１８．５対、ＩＤＴ４３、４４及び４７、４８の対数をそれぞれ１２．５対、反射４５ａ、４５ｂ及び４９ａ、４９ｂの本数をそれぞれ１２０本とし、ＳＡＷ共振子Ａ、ＢのＩＤＴ５０、５２の対数をそれぞれ６３対、反射器５１ａ、５１ｂ及び５３ａ、５３ｂの本数をそれぞれ４本とした場合の二重モードＳＡＷフィルタの通過特性を示す図である。
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
近年、更なる通話品質の向上に伴い、市場からの要求仕様が厳しくなってきており、特に通過帯域近傍の阻止域の高減衰化の要求が顕著になってきた。これらの要求に応えるため、例えば特開２０００−３４９５９０号公報、特開平７−３０７６４１号公報、特開平７−３０３６６号公報、特開平７−３０３６７号公報に開示されたように、弾性表面波フィルタに一端子対ＳＡＷ共振子を接続することで通過帯域近傍の減衰傾度及び阻止域減衰量の改善が行われてきたが、これら従来の弾性表面波フィルタでは通過帯域近傍の阻止域の減衰特性の改善も限界に達し、市場からの要求仕様を満足することが困難になってきた。
【０００８】
本発明は、上記問題を解決するためになされたものであって、市場からの様々な特性改善要求の中で特に通過帯域近傍の減衰傾度及び阻止域減衰量を改善した弾性表面波フィルタを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成するために本発明に係る弾性表面波フィルタの請求項１記載の発明は、複数個のＩＤＴとその両側に反射器とを配置した縦結合多重モード弾性表面波フィルタを１個あるいは複数個縦続接続し、前記縦結合多重モード弾性表面波フィルタに少なくとも１個の１端子対ＳＡＷ共振子を直列に接続した弾性表面波フィルタにおいて、前記１端子対ＳＡＷ共振子に並列にキャパシタを接続したことを特徴とする弾性表面波フィルタである。
【００１０】
請求項２記載の発明は、複数個のＩＤＴとその両側に反射器とを配置した縦結合多重モード弾性表面波フィルタを１個あるいは複数個縦続接続し、前記縦結合多重モード弾性表面波フィルタに少なくとも１個の１端子対ＳＡＷ共振子を並列に接続した弾性表面波フィルタにおいて、前記１端子対ＳＡＷ共振子に並列にキャパシタを接続したことを特徴とする弾性表面波フィルタである。
【００１１】
請求項３記載の発明は、請求項１又は２記載の弾性表面波フィルタにおいて、前記キャパシタは圧電基板上にくし形形状の電極を配置したくし形キャパシタであることを特徴とする弾性表面波フィルタである。
【００１２】
請求項４記載の発明は、請求項３記載の弾性表面波フィルタにおいて、前記くし形キャパシタは縦結合多重モード弾性表面波フィルタあるいは１端子対ＳＡＷ共振子と同一の圧電基板上に形成されたものであり、これらとの間で弾性表面波を送受信しないように配置したことを特徴とする弾性表面波フィルタ。
【００１３】
請求項５記載の発明は、請求項３乃至４記載の弾性表面波フィルタにおいて、前記くし形キャパシタを同一の圧電基板上に複数個設けた場合にくし形キャパシタ同士での弾性表面波を送受信しないように当該くし形キャパシタを配置したことを特徴とする弾性表面波フィルタ。
【発明の実施の形態】
【００１４】
以下、本発明を図面に図示した実施の形態例に基づいて詳細に説明する。　図１は、本発明の第１の実施例に係る二重モードＳＡＷフィルタの構成を示す平面図であって圧電基板１の主面上に表面波の伝搬方向に沿って３つのＩＤＴ２、３、４を近接配置すると共にこれらの両側に反射器５ａ、５ｂを配設して第１のフィルタとする。ＩＤＴ２、３、４はそれぞれ互いの間挿し合う複数本の電極指を有する一対のくし形電極により構成され、ＩＤＴ２の外側のくし形電極は該電極の外側近傍に設けた電極パッドＰ１と接続して入力とし、他方のくし形電極は該電極の近傍で基板１の中心部寄りに設けた接地用電極パッドＥ１に接続する。そして、ＩＤＴ３、４の外側のくし形電極は該電極の外側近傍に設けた接地用電極パッドＥ２、Ｅ３に接続する。またＩＤＴ３、４の他方のくし形電極からそれぞれ縦続接続用のリード電極Ｌ１を次段に向けて延在する。
【００１５】
第１の二重モードＳＡＷフィルタに対し基板中央でほぼ線対称に第２の二重モードＳＡＷフィルタ、即ちＩＤＴ６、７、８とその両側に配置した反射器９ａ、９ｂとからなる二重モードＳＡＷフィルタを形成する。そして、ＩＤＴ６の内側のバスバーは該電極の近傍で基板１の中心部寄りに設けた接地用電極パッドＥ４と接続し、ＩＤＴ６の外側のバスバーは該電極の外側近傍に設けた出力用電極パッドＰ２と接続する。さらに、ＩＤＴ７、８の基板１の端部寄りのバスバーをそれぞれ接地用電極パッドＥ５、Ｅ６と接続する。またＩＤＴ７、８の他方のくし形電極からそれぞれ縦続接続用のリード電極Ｌ２を前段に向けて延在する。
【００１６】
第１の二重モードＳＡＷフィルタの一方の出力端子、即ちＩＤＴ３の基板１内側のバスバーより延在するリード電極Ｌ１に表面波の伝搬方向に沿ってＩＤＴ１０とその両側に反射器１１ａ、１１ｂを配置したＳＡＷ共振子（以下、ＳＡＷ共振子Ｃ）の一方の端子を直列接続すると共に、第１の二重モードＳＡＷフィルタの他方の出力端子であるＩＤＴ４の基板１内側のバスバーより延在するリード電極Ｌ１にＩＤＴ１２と反射器１３ａ、１３ｂを配置したＳＡＷ共振子（以下、ＳＡＷ共振子Ｄ）の一方の端子を直列接続する。そして、ＳＡＷ共振子Ｃ、Ｄのそれぞれ他方の端子からリード電極Ｌ２を延在し、第２の二重モードＳＡＷフィルタのＩＤＴ７、８の基板１の中心寄りのバスバーとそれぞれ接続するように構成する。
【００１７】
ＳＡＷ共振子Ｃ、Ｄを構成するＩＤＴ１０、１２の互いに間挿し合う電極指のピッチにより規定される波長λｒは、ＩＤＴ２〜４、６〜８の互いに間挿し合う電極指のピッチにより規定される波長λより幾分小さくし、その反共振周波数を縦続接続した第１及び第２の二重モードＳＡＷフィルタの通過帯域近傍の高周波数側に位置するよう設定し、通過帯域高域側に該ＳＡＷ共振子Ｃ、Ｄの反共振周波数を減衰極とするトラップを構成する。本発明の特徴は、表面波の励振受信がなされないよう表面波の伝搬方向と直交する方向にＩＤＴを配置して構成したくし形キャパシタ１４をリード電極Ｌ３を介して前記ＳＡＷ共振子Ｃに並列接続し、同様にリード電極Ｌ４を介してＳＡＷ共振子Ｄにくし形キャパシタ１５を並列接続して、弾性表面波フィルタを構成したことである。
【００１８】
次に、ＳＡＷ共振子Ｃ、Ｄのような１端子対ＳＡＷ共振子とそれに並列接続したキャパシタとの関係について説明する。図２は、１端子対ＳＡＷ共振子のインピーダンス−周波数特性を示す図であり、破線は１端子対ＳＡＷ共振子単体の特性であり、実線は１端子対ＳＡＷ共振子に１ｐＦ相当のキャパシタを並列接続したときの特性である。同図に示す通り１端子対ＳＡＷ共振子にキャパシタを並列に接続することにより、反共振周波数ｆａが共振周波数ｆｒ側に移動してｆａ’となり、共振周波数と反共振周波数の間隔が狭まることがわかる。
【００１９】
本願発明者はこの点に着目し、縦結合多重モードＳＡＷフィルタにおいて、該ＳＡＷフィルタに直列に１端子対ＳＡＷ共振子を接続して、通過帯域高域側に該ＳＡＷ共振子の反共振周波数を減衰極としてトラップを形成する場合、１端子対ＳＡＷ共振子にキャパシタを並列に接続することで、図３に示すように通過帯域高域側に設定した減衰極が低周波数側に移動し、通過帯域高域側の減衰傾度が更に改善されるのではないかと考えた。
【００２０】
図４は、３９°ＹカットＸ伝搬ＬｉＴａＯ３基板上に、中心周波数８３６．５ＭＨｚ、通過帯域幅２５ＭＨｚの二重モードＳＡＷフィルタを形成すべく図１に示すような電極パターンを形成して、くし形キャパシタを１端子対ＳＡＷ共振子に並列に接続した場合（実線）とくし形キャパシタを設けない従来構造の場合（破線）の実測データの比較を示す図である。この実測データにおいては、実線、破線共にアルミニウム合金の膜厚を４１００Å、ＩＤＴ２を１８．５対、ＩＤＴ３、４をそれぞれ１２．５対、反射器５ａ、５ｂの本数をそれぞれ１２０本とし、１端子対ＳＡＷ共振子のＩＤＴ１０、１２の対数をそれぞれ６３対、反射器１１ａ、１１ｂ及び１３ａ、１３ｂの本数をそれぞれ４本とし、ＩＤＴ２、３、４を構成する電極指のピッチで規定される波長λと１端子対ＳＡＷ共振子を構成する電極指のピッチで規定される波長λｒの比（λｒ／λ）を０．９９１９３と設定した。実線データにおいては、くし形キャパシタ１４、１５の対数を３３対、くし形電極の交差幅を５３μｍとし、０．８５ｐＦ相当のキャパシタを１端子対ＳＡＷ共振子に並列接続した。なお、くし形キャパシタをそれぞれの１端子対ＳＡＷ共振子Ｃ、Ｄに並列接続しただけの構成にすると、１端子対ＳＡＷ共振子の共振周波数−反共振周波数間隔が狭まる影響で、フィルタ全体としての通過帯域幅が若干狭くなるため、図４に示した実測データにおいては、くし形キャパシタを並列接続した１端子対ＳＡＷ共振子は、くし形キャパシタを接続しない１端子対ＳＡＷ共振子と比較してＩＤＴと反射器の周期を短くし共振周波数を２ＭＨｚ高くしている。同図から明らかなように、１端子対ＳＡＷ共振子にくし形キャパシタを並列に接続することで、通過帯域の高域側近傍の減衰傾度及び阻止域減衰量が改善されていることが分かる。
【００２１】
くし形キャパシタの電極指配置周期は１端子対ＳＡＷ共振子のＩＤＴや反射器と必ずしも同等とする必要はなく、所望のリアクタンスが得られればよく、その構造上において他のＩＤＴ等の電極パターンと同時に形成することができるので、製造工程において工程が追加されることがない。
【００２２】
くし形キャパシタの配置方法においては、図１では、ＩＤＴと直交する方向にくし形キャパシタを配置しているが、必ずしも直交にする必要はなくＩＤＴの表面波を送受信しないような方向であればよい。ただし、チップサイズを考慮すると図１に示すＩＤＴに対し直交にくし形キャパシタを配置した構造が望ましい。また、くし形キャパシタをＳＡＷチップ上に複数個設けた場合、くし形キャパシタ同士で表面波が送受信され通過帯域外にスプリアスが発生しないようにくし形キャパシタを配置する必要がある。
【００２３】
図５は本発明に係る第２の実施例であり、圧電基板１上に表面波の伝搬方向に沿って３個のＩＤＴ２１、２２、２３を近接配置しその両端部に反射器２４ａ、２４ｂを配置した縦結合二重モードＳＡＷフィルタにおいて、ＩＤＴ２１の一方のくし形電極は入力用電極パッドＰ１に接続し、ＩＤＴ２１の他方のくし形電極は接地用電極パッドＥ１に接続する。また、ＩＤＴ２２、２３の一方のくし形電極はそれぞれ接地用電極パッドＥ２、Ｅ３に接続し、ＩＤＴ２２、２３の他方のくし形電極は、１端子対ＳＡＷ共振子２５の片側一方のくし形電極と接続し、ＳＡＷ共振子２５の他方のくし形電極を出力用電極パッドＰ２と接続する。なお、１端子対ＳＡＷ共振子２５の反共振周波数を前記二重モードＳＡＷフィルタの通過帯域よりも高周波数側に位置するよう設計している。本実施例の特徴は、前記二重モードＳＡＷフィルタに１端子対ＳＡＷ共振子２５を直列接続した構造において、１端子対ＳＡＷ共振子２５にくし形キャパシタ２６を並列に接続したことである。
【００２４】
第２の実施例においても、１端子対ＳＡＷ共振子にくし形キャパシタを並列に接続することで第１の実施例と同様に通過帯域の高域側近傍の減衰傾度及び阻止域減衰量が改善される。なお、図５においては二重モードＳＡＷフィルタの出力側に１端子対ＳＡＷ共振子を１個直列接続した構造であるが、二重モードＳＡＷフィルタに１端子対ＳＡＷ共振子を複数個直列接続した構造、あるいは二重モードＳＡＷフィルタの入出力側に１端子対ＳＡＷ共振子を直列接続した構造においても、同様な効果が得られるのは明らかである。
【００２５】
図６は、本発明に係る第３の実施例であり、二重モードＳＡＷフィルタは図５の構成と同じであるため、図５と同じ符号を用いている。本実施例の特徴は、二重モードＳＡＷフィルタの出力側に１端子対ＳＡＷ共振子２７を並列に接続した構造において、１端子対ＳＡＷ共振子２７にくし形キャパシタ２８を並列に接続し、１端子対ＳＡＷ共振子２７の共振周波数を二重モードＳＡＷフィルタの通過帯域よりも低周波数側に位置するよう設計したことである。
【００２６】
第３の実施例においては、二重モードＳＡＷフィルタに１端子対ＳＡＷ共振子が並列に接続された構造において、１端子対ＳＡＷ共振子にくし形キャパシタを並列に接続することで通過帯域の低域側近傍の減衰傾度及び阻止域減衰量が改善される。なお、図６においては二重モードＳＡＷフィルタの出力側に１端子対ＳＡＷ共振子を１個並列接続した構造であるが、二重モードＳＡＷフィルタに１端子対ＳＡＷ共振子を複数個並列接続した構造、あるいは二重モードＳＡＷフィルタの入出力側に１端子対ＳＡＷ共振子を並列接続した構造においても同様な効果が得られるのは明らかである。
【００２７】
図７は、本発明に係る第４の実施例である。本実施例の特徴は、二重モードＳＡＷフィルタの入力側において１端子対ＳＡＷ共振子２９を直列に接続し、前記二重モードＳＡＷフィルタの出力側において１端子対ＳＡＷ共振子３１を並列に接続した構造において、１端子対ＳＡＷ共振子２９、３１にくし形キャパシタ３０、３２がそれぞれ並列に接続しており、１端子対ＳＡＷ共振子２９の反共振周波数を二重モードＳＡＷフィルタの通過帯域よりも高周波数側に位置するよう設計し、且つ１端子対ＳＡＷ共振子３１の共振周波数を二重モードＳＡＷフィルタの通過帯域よりも低周波数側に位置するよう設計したことである。
【００２８】
第４の実施例においては、二重モードＳＡＷフィルタの入力側に直列に１端子対ＳＡＷ共振子を接続し、該二重モードＳＡＷフィルタの出力側に並列に１端子対ＳＡＷ共振子を接続した構造において、前記１端子対ＳＡＷ共振子に並列にくし形キャパシタを接続することで通過帯域の低域側近傍および高域側近傍の両側の減衰傾度及び阻止域減衰量が改善される。なお、図６においては二重モードＳＡＷフィルタの入力側に１端子対ＳＡＷ共振子を１個直列接続し、出力側に１端子対ＳＡＷ共振子を１個並列接続した構造であるが、１端子対ＳＡＷ共振子を複数個直列接続あるいは並列接続した場合も同様な効果が得られるのは明らかである。
【００２９】
以上のように、本発明の特徴は、多重モード縦結合ＳＡＷフィルタに１端子対ＳＡＷ共振子を接続した弾性表面波フィルタにおいて、前記１端子対ＳＡＷ共振子にくし形キャパシタを接続することによって、くし形キャパシタを設けない時と比較して通過帯域近傍の減衰傾度を急峻にしたことである。
【００３０】
以上では、１次−３次縦結合二重モードＳＡＷフィルタを１段あるいは２段縦続接続した例を用いて説明したが、本発明はこれのみに限ることなく２段以上縦続接続した多重モードＳＡＷフィルタ等に適用できることは言うまでもない。また、圧電基板に３９°ＹカットＸ伝搬ＬｉＴａＯ３基板を用いて説明したが他のカットでもよく、また、他の圧電材料、例えばニオブ酸リチウム、水晶、ランガサイト、四方酸リチウム等に適用できることは言うまでもない。
【００３１】
【発明の効果】
本発明に係る弾性表面波フィルタは、以上説明した如く構成したので下記の優れた効果を奏する。請求項１又は２記載の発明は、複数個のＩＤＴとその両側に反射器とを配置した縦結合多重モード弾性表面波フィルタを１個或いは複数個縦続接続し、前記縦結合多重モード弾性表面波フィルタに少なくとも１個の１端子対ＳＡＷ共振子を直列あるいは並列に接続した弾性表面波フィルタにおいて、前記１端子対ＳＡＷ共振子に並列にキャパシタを接続することにより、通過帯域近傍の減衰傾度を急峻にすることができるという優れた効果を奏する。
【００３２】
請求項３記載の発明は、前記キャパシタが圧電基板上にくし形形状の電極を配置したくし形キャパシタであり、ＳＡＷチップの主面上に電極パターンを形成する際に同時に形成できるので、製造工程において工程が追加されないという優れた効果を奏する。
【００３３】
請求項４乃至５記載の発明は、前記くし形キャパシタが隣接するＩＤＴ及び他のくし形キャパシタ同士の表面波を送受信しないよう配置されているので、通過帯域外でスプリアスが発生しないという優れた効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る第１の実施例の縦続接続型１次−３次縦結合二重モードＳＡＷフィルタの構成を示す平面図である。
【図２】１端子対ＳＡＷ共振子単体と該ＳＡＷ共振子にくし形キャパシタを並列接続した場合のインピーダンス−周波数特性の比較を示した図である。
【図３】縦続接続型１次−３次縦結合二重モードＳＡＷフィルタに用いるＳＡＷ共振子の反共振周波数とフィルタの減衰極の関係を示す図である。
【図４】本発明に係る縦続接続型１次−３次縦結合二重モードＳＡＷフィルタのフィルタ特性と従来のフィルタ特性との比較を示した実測データの図である。
【図５】本発明に係る第２の実施例の縦続接続形１次−３次縦結合二重モードＳＡＷフィルタの構成を示す平面図である。
【図６】本発明に係る第３の実施例の縦続接続形１次−３次縦結合二重モードＳＡＷフィルタの構成を示す平面図である。
【図７】本発明に係る第４の実施例の縦続接続形１次−３次縦結合二重モードＳＡＷフィルタの構成を示す平面図である。
【図８】従来の縦続接続型１次−３次縦結合二重モードＳＡＷフィルタの構成を示す平面図である。
【図９】従来の縦続接続型１次−３次縦結合二重モードＳＡＷフィルタのフィルタ特性を示す図である。
【符号の説明】
１、４１・・圧電基板
２、３、４、６、７、８、１０、１２、２１、２２、２３、４２、４３、４４、４６、４７、４８、５０、５２・・ＩＤＴ電極
５ａ、５ｂ、９ａ、９ｂ、１１ａ、１１ｂ、１３ａ、１３ｂ、２４ａ、２４ｂ、４５ａ、４５ｂ、４９ａ、４９ｂ、５１ａ、５１ｂ、５３ａ、５３ｂ・・グレーティング反射器
Ｐ１、Ｐ２・・入出力用電極パッド
Ｅ１、Ｅ２、Ｅ３、Ｅ４、Ｅ５、Ｅ６・・接地用電極パッド
Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３、Ｌ４・・リード電極
１４、１５、２６、２８、３０、３２・・くし形キャパシタ
２５、２７、２９、３１、Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ・・１端子対ＳＡＷ共振子
【図１】
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【図２】
2004140738.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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