(57)【要約】【課題】めっき層によるところの非回路部分への短絡を確実に防いで歩留まりを大きく向上させる。【解決手段】絶縁性基材１表面に形成した金属薄膜２の回路部２１と非回路部２２との境界部分をレーザ等の電磁波を照射して除去し、この後、金属薄膜２の上記回路部２１上にめっきを施すとともに非回路部２２をエッチングで除去して回路パターンを作成する。この時、金属薄膜２の回路部２１上に必要厚みよりも薄い厚みのめっきと、非回路部の金属薄膜を除去するためのエッチングとをこの順で繰り返して行う。めっきを薄く形成しておいた状態でエッチングを行って金属薄膜の非回路部２２の除去を行うために、めっきを必要厚みまで行う際に金属薄膜の非回路部２２にめっきが短絡してしまうことがない。【選択図】　図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁性基材表面に形成した金属薄膜の回路部と非回路部との境界部分をレーザ等の電磁波を照射して除去し、この後、金属薄膜の上記回路部上にめっきを施すとともに非回路部をエッチングで除去して回路パターンを作成する回路板の製造方法において、金属薄膜の回路部上に必要厚みよりも薄い厚みのめっきと、非回路部の金属薄膜を除去するためのエッチングとをこの順で繰り返して行うことを特徴とする回路板の製造方法。
【請求項２】
めっき材質に金属薄膜材質よりも耐エッチング性に優れた材料を用いることを特徴とする請求項１記載の回路板の製造方法。
【請求項３】
めっき後にめっき部の縁の電解研磨処理を行うことを特徴とする請求項１記載の回路板の製造方法。
【請求項４】
エッチングはめっき用の電気めっき液中に電圧をかけずに浸漬させることで行うことを特徴とする請求項１記載の回路板の製造方法。
【請求項５】
エッチングはブラスト処理で行うことを行うことを特徴とする請求項１記載の回路板の製造方法。
【請求項６】
エッチングは電磁波照射による金属薄膜の除去で露出した基材表面に対して行うことを特徴とする請求項１記載の回路板の製造方法。
【請求項７】
エッチングは溶剤あるいは酸あるいはアルカリ溶液による化学エッチングで行うことを特徴とする請求項６記載の回路板の製造方法。
【請求項８】
セラミックス製の絶縁性基材の表面に形成した金属薄膜の上記境界部分の電磁波による除去にあたり、基材の表面粗さ以上の深さまで基材表面も除去することを特徴とする請求項１記載の回路板の製造方法。
【請求項９】
絶縁性基材として表面粗度がＲａ＝１〜５μｍのセラミックス材を用いることを特徴とする請求項８記載の回路板の製造方法。
【請求項１０】
絶縁性基材として着色したセラミックス材を用いることを特徴とする請求項８または９記載の回路板の製造方法。
【請求項１１】
絶縁性基材を加熱しながら電磁波の照射を行うことを特徴とする請求項８〜１０のいずれかの項に記載の回路板の製造方法。
【請求項１２】
金属薄膜の境界部の電磁波照射による除去を行った後、境界部に露出した絶縁性基材の表面の除去を行うことを特徴とする請求項８〜１１のいずれかの項に記載の回路板の製造方法。
【請求項１３】
金属薄膜及び絶縁性基材の除去用の電磁波と、絶縁性基材の加熱用の電磁波とを同時に照射することを特徴とする請求項８〜１１のいずれかの項に記載の回路板の製造方法。
【請求項１４】
絶縁性基材の加熱用の電磁波として、金属薄膜及び絶縁性基材の除去用の電磁波よりも波長の長いものを用いることを特徴とする請求項１３記載の回路板の製造方法。
【請求項１５】
絶縁性基材の加熱用の電磁波として、金属薄膜及び絶縁性基材の除去用の電磁波よりもスポット径の大きいものを用いることを特徴とする請求項１３記載の回路板の製造方法。
【請求項１６】
絶縁性基材の加熱用の電磁波として、金属薄膜及び絶縁性基材の除去用の電磁波よりもパルス幅の長いものを用いることを特徴とする請求項１３記載の回路板の製造方法。
【請求項１７】
絶縁性基材の加熱用の電磁波として、連続波を用いることを特徴とする請求項１３記載の回路板の製造方法。
【請求項１８】
絶縁性基材表面に形成した金属薄膜の回路部と非回路部との境界部分をレーザ等の電磁波を照射して除去し、この後、金属薄膜の上記回路部上にめっきを施すとともに非回路部をエッチングで除去して回路パターンを作成する回路板の製造方法において、金属薄膜の非回路部の除去のためのエッチング処理で除去される厚みよりも大なる厚みで且つ必要厚みよりも薄い厚みのめっきを金属薄膜の回路部上に形成し、次いで金属薄膜の非回路部の除去のためのエッチング処理を行い、その後、金属薄膜の回路部上に必要厚みまで再度めっきを施すことを特徴とする回路板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は回路板の製造方法、殊に立体回路板の製造に好適に用いることができる回路板の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
絶縁性基材上に金属薄膜を形成しておき、パルス状レーザ等の電磁波照射にによって該金属薄膜の不要部分（非回路部分の少なくとも輪郭部）を除去した後、金属薄膜の回路部分にめっきを施して回路パターンを形成する回路板の製造方法が特許第３１５３６８２号などに示されている。立体成形回路板（ＭＩＤ基板）用に開発された該製造方法では、ＱスイッチＹＡＧレーザ等のパルス状レーザをガルバノミラー等の偏向手段を用いて基材上を走査させることで、上記金属薄膜の不要部分の除去を行う。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
ここにおいて、絶縁性基材が樹脂製である場合には問題となることは殆どなかったものの、絶縁性基材として例えばアルミナのようなセラミックスを用いた場合、次のような問題点が生じることが明らかになった。
【０００４】
すなわち、上記レーザの照射による金属薄膜の不要部分の除去は、回路部分と非回路部分との境界線にレーザを照射することで行い、この後、電気めっきを回路部分に対して行って回路部分上に必要厚みのめっき層を形成し、その後、エッチングで金属薄膜の非回路部分を除去しているのであるが、上記電気めっきに際して、めっき層３の一部が図６に示すように金属薄膜２の非回路部分２２につながって短絡してしまい、この結果、非回路部上にもめっき層が形成されてしまうという事態が多々生じる。レーザ照射で金属薄膜を除去した部分には本来めっき層が生じることはないはずであるにもかかわらず、ごく一部とはいえ、めっき層が触手を伸ばすようにして非回路部分にまで達してしまうのは、セラミックスからなる絶縁性基材として表面粗度の粗いものを用いた方が上記事態が生じる確率が高くなることを考慮すると、絶縁性基材の表面の微小凹凸やμクラック内に残った金属薄膜や、レーザ照射でいったん溶けて蒸発した後、再度絶縁性基材の表面に付着した金属薄膜の分子がめっきを誘導することが原因ではないかと推察される。
【０００５】
しかし、原因が何であれ、上記のような事態が生じるために、セラミックス製の絶縁性基材を用いた場合、合成樹脂製の絶縁性基材を用いた場合よりも歩留まりが大きく低下してしまっており、上記短絡が生じることのない製造方法が望まれている。
【０００６】
本発明はこのような点に鑑みなされたものであって、その目的とするところはめっき層によるところの非回路部分への短絡を確実に防いで歩留まりを大きく向上させることができる回路板の製造方法を提供するにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
しかして本発明は、絶縁性基材表面に形成した金属薄膜の回路部と非回路部との境界部分をレーザ等の電磁波を照射して除去し、この後、金属薄膜の上記回路部上にめっきを施すとともに非回路部をエッチングで除去して回路パターンを作成する回路板の製造方法において、金属薄膜の回路部上に必要厚みよりも薄い厚みのめっきと、非回路部の金属薄膜を除去するためのエッチングとをこの順で繰り返して行うことに特徴を有している。
【０００８】
金属薄膜の回路部上にめっきを所定の厚みまでいきなり形成するのではなく、薄く形成しておいた状態でエッチングを行って金属薄膜の非回路部の除去を行うことで、めっきを必要厚みまで行う際に金属薄膜の非回路部にめっき層が短絡してしまうことを防ぐようにしたものである。
【０００９】
この時、めっき材質に金属薄膜材質よりも耐エッチング性に優れた材料を用いることが好ましく、また、めっき後にめっき部の縁の電解研磨処理を行うのも好ましい。
【００１０】
エッチングはめっき用の電気めっき液中に電圧をかけずに浸漬させることで行うようにしたり、ブラスト処理で行うようにしてもよい。
【００１１】
また、エッチングは電磁波照射による金属薄膜の除去で露出した基材表面に対して行ったり、この時、エッチングは溶剤あるいは酸あるいはアルカリ溶液による化学エッチングで行うようにしてもよい。
【００１２】
そして、セラミックス製の絶縁性基材の表面に形成した金属薄膜の上記境界部分の電磁波による除去にあたり、基材の表面粗さ以上の深さまで基材表面も除去することが望ましい。
【００１３】
この時、絶縁性基材としては表面粗度がＲａ＝１〜５μｍのセラミックス材が好適であり、また着色したセラミックス材を用いることも好ましい。
【００１４】
絶縁性基材を加熱しながら電磁波の照射を行うようにしてもよく、金属薄膜の境界部の電磁波照射による除去を行った後、境界部に露出した絶縁性基材の表面の除去を行うようにしてもよい。
【００１５】
さらには、金属薄膜及び絶縁性基材の除去用の電磁波と、絶縁性基材の加熱用の電磁波とを同時に照射してもよいものであり、この場合、絶縁性基材の加熱用の電磁波として、金属薄膜及び絶縁性基材の除去用の電磁波よりも波長の長いものを用いたり、金属薄膜及び絶縁性基材の除去用の電磁波よりもスポット径の大きいものを用いたり、金属薄膜及び絶縁性基材の除去用の電磁波よりもパルス幅の長いものを用いたり、あるいは連続波を用いるとよい。
【００１６】
また本発明は、絶縁性基材表面に形成した金属薄膜の回路部と非回路部との境界部分をレーザ等の電磁波を照射して除去し、この後、金属薄膜の上記回路部上にめっきを施すとともに非回路部をエッチングで除去して回路パターンを作成する回路板の製造方法において、金属薄膜の非回路部の除去のためのエッチング処理で除去される厚みよりも大なる厚みで且つ必要厚みよりも薄い厚みのめっきを金属薄膜の回路部上に形成し、次いで金属薄膜の非回路部の除去のためのエッチング処理を行い、その後、金属薄膜の回路部上に必要厚みまで再度めっきを施すことに他の特徴を有している。
【００１７】
【発明の実施の形態】
以下本発明を実施の形態の一例に基づいて詳述すると、図中１はアルミナやジルコニア、窒化アルミ等のセラミックス材からなる絶縁性基材であり、その表面にはスパッタリング等によって形成した金属薄膜２を設けてある。この金属薄膜２にはＣｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｃｒ、Ａｇなどを用いることができるが、その厚みは０．１〜１μｍ程度のものとしてある。
【００１８】
この絶縁性基材１上の金属薄膜２のうち、最終的に回路パターンが形成される部分を回路部、回路パターンが形成されない部分を非回路部とする時、両者の境界に位置する部分に電磁波（レーザ）を照射して、図１に示すように、該境界部分の金属薄膜２を除去し、回路部２１と非回路部２２との間に絶縁性基材１が露出する絶縁溝を形成する。照射する電磁波（レーザ）は、金属薄膜２の材質などにもよるが、第２高調波（ＳＨＧ）ＹＡＧレーザ、第３高調波（ＴＨＧ）ＹＡＧレーザなどのパルスレーザが好適であり、ガルバノミラーによる走査などで上記境界部に照射することで境界部にある金属薄膜２の除去を行う。レーザの照射エネルギーは５０〜５００μＪ／ｐｕｌｓｅ程度が好ましいが、これに限定するものではない。
【００１９】
この後、金属薄膜２における回路部２１上に電気めっきを行うのであるが、従来では電気めっきによってめっき層３を必要厚み（たとえば１０〜２０μｍ）まで一気に形成し、その後、金属薄膜２における非回路部２２をエッチングで除去していたのに対して、ここでは上記回路部２１上に薄い電気めっきをまず行って、たとえば２〜５μｍ程度の厚みの薄めっき層３０を形成し、次いでエッチングを行って金属薄膜２の非回路部２２の除去を行う。この時のエッチング処理は薄めっき層３０が残るものの、金属薄膜２の非回路部２２は全て除去されてしまう程度の軽いエッチング処理が好ましいが、必ずしも非回路部２２が全て除去されてしまうものでなくてもよい。その後、上記薄めっき層３０上にさらに電気めっきでめっき層３１を形成し、さらに必要であればエッチング処理を行って金属薄膜２の非回路部２２の除去を行う。こうして複数回の電気めっきによって最終的に必要な厚み（たとえば１０〜２０μｍ）のめっき層３を金属薄膜２の回路部２１上に形成する。
【００２０】
この場合、電気めっきを行う時、めっき層３０（もしくはめっき層３１）が上記レーザ照射による絶縁溝（幅は５０〜６０μｍ程度）を横切って金属薄膜２の非回路部２２に達するまで成長することはなく、例え複数回の電気めっきの繰り返しで絶縁溝を横切るまで成長することがあっても、その時には複数回にわたるエッチング処理で金属薄膜２の非回路部２２は除去されてしまっていることから、短絡が生じることはない。
【００２１】
ところで、このような電気めっきの繰り返しでめっき層３を形成するにあたっては、金属薄膜２の非回路部２２の除去のためのエッチング処理で除去される厚みよりも大なる厚みで且つ必要厚みよりも薄い厚みの薄めっき層３０を金属薄膜２の回路部２１上に形成し、次いで金属薄膜２の非回路部２２をエッチングによって完全に除去し、その後の薄めっき層３０上への電気めっきでめっき層３１を形成した時点で必要厚みが確保されためっき層３を得られるようにするのがめっき処理の回数やエッチング回数の点から一番好ましいのはもちろんである。
【００２２】
上記エッチング処理は金属薄膜２がＣｕからなる場合、過硫酸アンモニウムをエッチング液として用いるのが通常であるが、めっき層３（殊に薄めっき層３０）はこのエッチング液によってエッチングされにくい材質のもの、例えばＡｕなどで形成すると、エッチングの際にめっき層３が浸食されにくくなるために、好ましい結果を得ることができる。なお、材質はＣｕとＡｕに限るものではなく、金属薄膜２の材質よりも耐エッチング性に優れた金属でめっき層３を形成しているのであれば、その材質は問わない。
【００２３】
また、薄めっき層３０の形成後にその縁の電解研磨処理を行っておくことも好ましい。非回路部２０へと延びようとする部分を除去することができるからである。電解研磨処理は例えば１０ｖｏｌ％のリン酸に浸漬して電流密度０．１〜０．３Ａ／ｄｍ２通電して処理する。
【００２４】
なお、金属薄膜２の非回路部２２の除去のためのエッチングは、めっき用の電気めっき液中に電圧をかけずに浸漬しておくことで行ってもよい。たとえば硫酸銅めっき浴中において通電してめっき層３０を形成し、その後、浸漬させたままで通電せずに硫酸濃度を調整して浴管理を行うのである。別途エッチング液に浸漬せずとも、めっき層３（３０，３１）の形成のための電気めっき液中に浸漬したままでエッチングを行うことができる。
【００２５】
このほか、エッチングはアルミナ粉やガラス粒やクルミ殻、ビーズ等のブラスト処理で行ってもよい。
【００２６】
さらに、エッチングは電磁波照射による金属薄膜２の除去で露出した基材２表面の絶縁溝部分に対してエッチング性の強いエッチングを選択的に行うものであってもよい。この場合のエッチングは溶剤あるいは酸あるいはアルカリ溶液による化学エッチングが好ましく、例えば絶縁性基材１がアルミナ基板である場合、リン酸浴に浸漬すればよく、液晶ポリマーなどにおいては水酸化ナトリウム溶液などに浸漬すればよい。ちなみにこのエッチング処理では金属薄膜２の非回路部２２が最終的にすべて除去されなくてもよい。絶縁溝での絶縁が確実になされるからであり、まためっき層３と非回路部２２との短絡の原因となるめっき層３の不要な成長は上記エッチング処理で除去されるためである。
【００２７】
ところで、絶縁性基材１がアルミナや窒化アルミやジルコニアなどのセラミックス焼結体である場合、その表面がどうしても粗くなるために、前述のようにめっき層３と金属薄膜２の非回路部２２との短絡が生じやすくなることから、この短絡のより確実な防止という点において、めっき層３（３０，３１）を前記手順で形成することに加えて、金属薄膜２の非回路部２２と回路部２１との境界部に電磁波（レーザ）を照射して境界部の金属薄膜２を除去することで絶縁溝を形成するにあたり、図２に示すように、電磁波で境界部の金属薄膜２だけでなく、基材１の表面をその表面粗さ以上の深さまで除去するようにしてもよい。表面粗さＲａ＝１〜５μｍであれば、Ｒａ＜ｄとなる深さｄまで基材１の表面も除去してしまうのである。このような処理を行うと、電磁波の照射でセラミックスである基材１の表面が溶融するために表面凹凸が小さくなり、残存する導体粒子が浮き出て露出することでエッチングによる除去が用意となる等の推定的理由で、短絡が生じにくいことは経験的に確かめられている。
【００２８】
なお、基材１が合成樹脂製である場合は、基材１の一部も電磁波で除去することは炭化が生じて基材１にダメージを与えるために問題となるが、セラミックスであれば何ら問題は生じない。
【００２９】
さらに、基材１の表面が粗くとも、上記処理を行うことで短絡を防ぐことができるために、逆に言えば、金属薄膜２の基材１への密着性を高めるために基材１の表面をＲａ＝１〜５μｍ程度に粗くしておいても問題は無いことになる。
【００３０】
また、セラミックスからなる基材１の上記絶縁溝の部分の表面を電磁波で除去する場合、セラミックスとして、アルミナにＭｎやＣｏなどを混ぜて焼結することで黒色に着色したものを用いると、基材１の電磁波吸収率が高くなるために、基材１表面の除去を容易に行うことができる。
【００３１】
なお、金属薄膜２の境界部の除去にはエキシマレーザやＴＨＧ−ＹＡＧレーザなどの吸収率の高い紫外レーザを用い、境界部に露出した絶縁性基材１の表面にＣＯ２レーザなどのセラミックスの加工に適した高出力のレーザを用いるようにしてもよい。金属薄膜２の除去の後に基材１の表面除去を行う。
【００３２】
さらには、セラミックス製の基材１は熱伝導性が樹脂と比較して高いために熱加工が困難であることから、基材１を加熱しながら除去のための電磁波の照射を行うようにしてもよい。この場合、基材１の加熱には電磁波（レーザ）を好適に用いることができ、たとえば図３に示すようにＩＲ−ＹＡＧレーザＬ２でで基材１全体を加熱することなく加工部のみを効率良く加熱しつつ、ＴＨＧ−ＹＡＧレーザやエキシマレーザなどのレーザＬ１で基材１の表面の上記除去を行う。ここで加熱用に長波長のレーザＬ２を用いるのは、加熱効率の点と、金属薄膜２の残しておくべき部分が除去されてしまうことがないようにするためである。
【００３３】
この時、加熱用レーザＬ２と除去用レーザＬ１とは同時に照射することが好ましい。また、図４に示すように、加熱用のレーザＬ２のスポット径Ｄ２は、金属薄膜及び絶縁性基材の除去用のレーザＬ１のスポット径Ｄ１より大きくしておくと、位置調整を容易に行うことができる。ちなみにスポット径Ｄ１が３０〜１００μｍであるとすると、スポット径Ｄ２は２００〜３００μｍとしておく。
【００３４】
さらに、加熱用のレーザＬ２には、図５に示すように除去用のレーザＬ１よりもパルス幅の長いものを用いると同時に、加熱用レーザＬ２の各パルスの終期に除去用のレーザＬ１のパルスが出るようにしておくことで、基材１の温度が十分に上昇した時点で除去を行うことができ、除去加工性を高くすることができる。
【００３５】
加熱用のレーザＬ２にＣＷ（連続波）発振のＩＲ−ＹＡＧレーザを用いてもよい。パルス制御の必要がなくなるために除去加工が容易となる。
【００３６】
【発明の効果】
以上のように本発明は、絶縁性基材表面に形成した金属薄膜の回路部と非回路部との境界部分をレーザ等の電磁波を照射して除去し、この後、金属薄膜の上記回路部上にめっきを施すとともに非回路部をエッチングで除去して回路パターンを作成する回路板の製造方法において、金属薄膜の回路部上に必要厚みよりも薄い厚みのめっきと、非回路部の金属薄膜を除去するためのエッチングとをこの順で繰り返して行うものであり、金属薄膜の回路部上にめっきを所定の厚みまでいきなり行わずに、薄く形成しておいた状態でエッチングを行って金属薄膜の非回路部の除去を行うことから、めっきを必要厚みまで行う際に金属薄膜の非回路部にめっき層が短絡してしまうことを防ぐことができるものであり、このために歩留まり及び生産性を向上させることができる。
【００３７】
この時、めっき材質に金属薄膜材質よりも耐エッチング性に優れた材料を用いると、エッチングによるめっき部分の浸食を抑制することができる。
【００３８】
また、めっき後にめっき部の縁の電解研磨処理を行うと、短絡発生をより確実に防ぐことができる。
【００３９】
エッチングはめっき用の電気めっき液中に電圧をかけずに浸漬させることで行ってもよく、この場合、エッチング槽が不要となる上に水洗工程などを省略することができる。
【００４０】
エッチングはブラスト処理で行ってもよく、この場合、化学薬品を用いないために液管理などが不要となって生産性を良くすることができる。
【００４１】
また、エッチングは電磁波照射による金属薄膜の除去で露出した基材表面に対して行うと、金属薄膜の除去をより確実に行うことができ、これに伴って短絡の発生のおそれを低減させることができる。
【００４２】
この時、エッチングは溶剤あるいは酸あるいはアルカリ溶液による化学エッチングで行うと、確実にエッチングを行うことができる。
【００４３】
そして、セラミックス製の絶縁性基材の表面に形成した金属薄膜の上記境界部分の電磁波による除去にあたり、基材の表面粗さ以上の深さまで基材表面も除去すると、基材表面の除去部の表面粗さを小さくして短絡発生の事態をより確実に防ぐことができる。
【００４４】
この時、絶縁性基材としては表面粗度がＲａ＝１〜５μｍのセラミックス材を用いると、当初から表面粗さが小さい基材を用いる場合に比して、回路密着性を高くすることができる。
【００４５】
また着色したセラミックス材を基材として用いると、電磁波の吸収率が高くなるために基材表面の除去も容易に行うことができるものとなる。
【００４６】
絶縁性基材を加熱しながら電磁波の照射を行うようにしても、基材表面の除去を容易に行うことができる。熱伝導性の良いセラミックス製の基材を予備的に加熱することで基材表面の除去を効率よく行うことができるからである。
【００４７】
この時、金属薄膜の境界部の電磁波照射による除去を行った後、境界部に露出した絶縁性基材の表面の除去を行うと、金属薄膜の除去と基材の除去とを夫々に適切な電磁波を用いて確実に行うことができる。
【００４８】
また、金属薄膜及び絶縁性基材の除去用の電磁波と、絶縁性基材の加熱用の電磁波とを同時に照射すると、基材の他の部分に対する熱的影響を極力小さくすることができる。
【００４９】
この場合、絶縁性基材の加熱用の電磁波に、金属薄膜及び絶縁性基材の除去用の電磁波よりも波長の長いものを用いると、効果的な加熱を行えると同時に、加熱用の電磁波が基材や金属薄膜にダメージを与えてしまうことがないものとなる。
【００５０】
また加熱用の電磁波として、金属薄膜及び絶縁性基材の除去用の電磁波よりもスポット径の大きいものを用いると、両電磁波の位置調整を容易に行うことができるものとなる。
【００５１】
また、加熱用の電磁波として、金属薄膜及び絶縁性基材の除去用の電磁波よりもパルス幅の長いものを用いたり、あるいは連続波を用いると、加熱と除去とを夫々効率良く行うことができる。
【００５２】
また本発明は、絶縁性基材表面に形成した金属薄膜の回路部と非回路部との境界部分をレーザ等の電磁波を照射して除去し、この後、金属薄膜の上記回路部上にめっきを施すとともに非回路部をエッチングで除去して回路パターンを作成する回路板の製造方法において、金属薄膜の非回路部の除去のためのエッチング処理で除去される厚みよりも大なる厚みで且つ必要厚みよりも薄い厚みのめっきを金属薄膜の回路部上に形成し、次いで金属薄膜の非回路部の除去のためのエッチング処理を行い、その後、金属薄膜の回路部上に必要厚みまで再度めっきを施すことに他の特徴を有している。めっきを必要厚みまで行う際に金属薄膜の非回路部にめっき層が短絡してしまうことを防ぐことができて、歩留まり及び生産性を向上させることができる上に、めっき工程の増加を最小限に抑えるとともにエッチング処理の工程の増加を無くすことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態の一例の説明図である。
【図２】（ａ）は金属薄膜が表面に形成された基材の拡大断面図、（ｂ）は金属薄膜の境界部及び基材表面の除去後の拡大断面図である。
【図３】（ａ）（ｂ）は夫々加熱用レーザと除去用レーザの同時照射についての説明図である。
【図４】加熱用レーザと除去用レーザのスポット径についての説明図である。
【図５】加熱用レーザと除去用レーザのパルス幅についての説明図である。
【図６】短絡発生に関する説明図である。
【符号の説明】
１　基材
２　金属薄膜
３　めっき
２１　回路部
２２　非回路部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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