(57)【要約】【課題】第１主面および第２主面の接続端子にそれぞれ所要の厚みのＡｕメッキ層を個別に且つ確実に形成するための配線基板の製造方法を提供する。【解決手段】第１主面２４の少なくとも第１接続端子１８をマスキングＭする第１マスキング工程と、第２主面２３における第２接続端子１９の表面にＡｕメッキ層２９を形成する第１Ａｕメッキ工程と、第１主面２４のマスキングＭを除去する第１マスキング除去工程と、第２主面２３の少なくとも第２接続端子１９をマスキングＭする第２マスキング工程と、第１主面２４に露出する第１接続端子１８の表面にＡｕメッキ層２６を形成する第３Ａｕメッキ工程と、第２主面２３のマスキングＭを除去する第２マスキング除去工程と、を含む、配線基板１ｃの製造方法。【選択図】  図４
2004363475.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子部品を実装する第１主面および他の基板に接続される第２主面を有し、上記第１主面に電子部品と接続する第１接続端子を有し、且つ上記第２主面に他の基板と接続する第２接続端子を有する配線基板の製造方法であり、
上記第１主面における少なくとも上記第１接続端子をマスキングする第１マスキング工程と、
上記第２主面における上記第２接続端子の表面にＡｕメッキ層を形成する第１Ａｕメッキ工程と、
上記第１主面のマスキングを除去する第１マスキング除去工程と、
上記第２主面における少なくとも上記第２接続端子をマスキングする第２マスキング工程と、
上記第１主面における上記第１接続端子の表面にＡｕメッキ層を形成する第３Ａｕメッキ工程と、
上記第２主面のマスキングを除去する第２マスキング除去工程と、を含む、
ことを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項２】
前記第１Ａｕメッキ工程と前記第１マスキング除去工程との間に、前記第２接続端子の表面に形成されたＡｕメッキ層に更にＡｕメッキを施して、かかるＡｕメッキ層を厚くする第２Ａｕメッキ工程を、更に有する、
ことを特徴とする請求項１に記載の配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、第１主面および第２主面の接続端子に異なる厚みのＡｕメッキ層を形成するための配線基板の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
多層構造の配線基板は、その表面である第１主面に実装すべきＩＣチップなどの電子部品の接続端子とハンダ接合するために、当該第１主面に露出する接続端子の表面に厚みが例えば約０．０５μｍのＡｕメッキ層を被覆している。また、上記配線基板の裏面である第２主面では、当該配線基板とマザーボードなどの他の基板の接続端子とをソケットなどにより機械的にも接触可能とし、しかも剥離しにくくするため、当該第２主面に露出する接続端子の表面に、厚みが例えば約０．８μｍと比較的厚めのＡｕメッキ層を被覆するようにしている。
【０００３】
以上ような第１主面および第２主面の接続端子に異なる厚みのＡｕメッキ層を形成する配線基板の製造方法も提案されている（例えば、特許文献１参照）。この製造方法は、先ず、第１主面および第２主面に露出する各パッドの表面に予め厚みが約６〜８μｍのＮｉメッキ層を形成してから、更に厚みが約０．０５μｍのＡｕメッキ層を、第１主面および第２主面に露出するパッドそれぞれに形成する。次に、第１主面の全面をマスキングして、第２主面側のパッドの表面に形成した上記Ａｕメッキ層を剥離液により除去した後、かかるパッド上で露出した上記Ｎｉメッキ層の表面に改めて厚みが約０．８μｍのＡｕメッキ層を２段階のＡｕメッキにより形成する。そして、最後に第１主面のマスキングが除去される。
【０００４】
【特許文献１】
特開２００１−３３９１４０号公報  （第１〜８頁、図３〜１０）
【０００５】
しかしながら、上記製造方法では、第２主面側のパッドの表面に予め形成した極薄のＡｕメッキ層を剥離液により除去するため、かかるＡｕメッキ層がムダになる共に、上記剥離の際にその一部が残滓として残ると追って形成するＡｕメッキ層の厚みがバラツキ易くなる、という問題があった。
また、上記製造方法における変形形態のように、第１主面側のパッドの表面と同時に第２主面側のパッドの表面に予め形成した極薄のＡｕメッキ層を剥離せずに残し、その表面上に更に所要の厚みのＡｕメッキ層を形成する手法では、極薄のＡｕメッキ層の形成後に乾燥工程が入る。このため、その後に形成すべきＡｕメッキ層が、上記極薄のＡｕメッキ層の表面に形成されなかったり、あるいは、形成されたＡｕメッキ層が変色し易い、という問題があった。
【０００６】
【発明が解決すべき課題】
本発明は、以上に説明した従来の技術における問題点を解決し、第１主面および第２主面の接続端子にそれぞれ所要の厚みのＡｕメッキ層を個別に且つ確実に形成するための配線基板の製造方法を提供する、ことを課題とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記課題を解決するため、第１主面および第２主面の接続端子ごとに独立してＡｕメッキ層を形成する、ことに着想して成されたものである。
即ち、本発明による配線基板の製造方法は、電子部品を実装する第１主面および他の基板に接続される第２主面を有し、上記第１主面に電子部品と接続する第１接続端子を有し、且つ上記第２主面に他の基板と接続する第２接続端子を有する配線基板の製造方法であり、上記第１主面における少なくとも上記第１接続端子をマスキングする第１マスキング工程と、上記第２主面における上記第２接続端子の表面にＡｕメッキ層を形成する第１Ａｕメッキ工程と、上記第１主面のマスキングを除去する第１マスキング除去工程と、上記第２主面における少なくとも上記第２接続端子をマスキングする第２マスキング工程と、上記第１主面における上記第１接続端子の表面にＡｕメッキ層を形成する第３Ａｕメッキ工程と、上記第２主面のマスキングを除去する第２マスキング除去工程と、を含む、ことを特徴とする。
【０００８】
これによれば、第１主面側の接続端子をマスキングした状態で、第２主面側の接続端子の表面に第１Ａｕメッキ工程により所定厚さのＡｕメッキ層を確実に形成でき、且つ第２主面側の接続端子をマスキングした状態で、第１主面側の接続端子の表面に第３Ａｕメッキ工程により所定厚さのＡｕメッキ層を確実に形成できる。従って、第１主面に実装する電子部品の接続端子とハンダ接合により容易に導通が取れ、且つ第２主面の接続端子と他の基板の接続端子とをハンダ接合のほか、ソケットなどを介する機械的接触により容易に導通が取れる配線基板を、確実に製造することが可能となる。
尚、第１Ａｕメッキ工程、次述する第２Ａｕメッキ工程、および第３Ａｕメッキ工程により形成するＡｕメッキ層は、例えば電解Ａｕメッキまたは無電解Ａｕメッキにより形成される。
【０００９】
また、本発明には、前記第１Ａｕメッキ工程と前記第１マスキング除去工程との間に、前記第２接続端子の表面に形成されたＡｕメッキ層に更にＡｕメッキを施して、かかるＡｕメッキ層を厚くする第２Ａｕメッキ工程を、更に有する、配線基板の製造方法も含まれる。これによれば、上記第２接続端子の表面に機械的接触によっても剥離しにくい厚みのＡｕメッキ層を確実に形成できる。
付言すれば、本発明には、前記第１Ａｕメッキ工程と上記第２Ａｕメッキ工程との間に、前記配線基板を乾燥する乾燥工程を有しない、配線基板の製造方法も含まれ得る。これによる場合、上記第１Ａｕメッキ工程により前記第２接続端子の表面に形成された極薄のＡｕメッキ層に上記第２Ａｕメッキ工程によって更に厚くしたＡｕメッキ層を確実に生成することが可能となる。換言すれば、乾燥工程を有しないため、これに起因する無メッキや変色を防ぐことが可能となる。
【００１０】
また付言すれば、本発明には、前記マスキングは、製品単位である配線基板が複数集合して構成される製品エリアを有するパネルの表面および裏面に対し、少なくとも上記製品エリア全体を被覆する非接着保護層と、平面視において上記製品エリアの外側に位置するパネル周辺部に接着する接着剤層と、を含むマスキング層を用いて行われる、配線基板の製造方法も含まれ得る。
これによる場合、製品エリア内の各配線基板における第１主面と第２主面は、上記非接着保護層に覆われるため、前記第１および第２マスキング工程にて第１および第２接続端子の表面を含めて確実に保護され、且つ剥離の際に損傷しにくい。しかも、上記非接着保護層は、その上面全体または周辺部を上記接着剤層を下面に有するテープ基材に接着されている。更に、上記非接着保護層、接着剤層、およびテープ基材を備えるマスキング層は、製品エリアの外側に位置する上記接着剤層により、パネル周辺部に接着するため、マスキングされた主面を、別の主面における接続端子をＡｕメッキするためのメッキ液から確実に保護できる。
【００１１】
更に付言すれば、本発明には、前記第１Ａｕメッキ工程または第３Ａｕメッキ工程の直前に、予め前記第２接続端子または前記第１接続端子の表面にＮｉメッキを施こすＮｉメッキ工程を更に有する、配線基板も含まれ得る。
これによる場合、形成されるＮｉメッキ層により、銅メッキ層などからなる第１接続端子や前記第２接続端子の酸化を防ぎ、且つその上に追って形成されるＡｕメッキ層の下地としてその密着性も高められ得る。
また付言すれば、本発明には、前記マスキング層は、前記パネルの全面または当該パネルの周辺部を覆い且つかかるパネルの平面視における前記製品エリアの外側で当該パネルに接着されるテープ基材と、かかるテープ基材と上記パネルとの間に挟持され且つ上記製品エリアの全面に被覆される前記非接着保護層と、を備える配線基板の製造方法を含めることもできる。
これによる場合、製品エリアの外側に位置するパネル周辺部にテープ基材が密着するため、第１および第２マスキング工程にて第１および第２接続端子を含む各主面を確実に保護でき、且つ当該マスキング層の剥離の際に配線基板の各主面を損傷しにくすることが可能となる。
【００１２】
更に付言すれば、上記テープ基材は、ポリエステルやポリエチレンテレフタレート（以下、ＰＥＴと称する）からなるマスキング層である、配線基板の製造方法も含まれ得る。これによる場合、マスキング層自体の耐食性および強度が確保され得る。
また、上記非接着保護層は、紙またはＰＥＴからなるマスキング層である、配線基板の製造方法も含まれ得る。これによる場合、ＰＥＴや紙の弾性変形により前記第１および第２主面に密着するため、メッキ液の不用意な浸透（漏れ）や付着を防ぎ得る。尚、上記紙には、例えば無塵紙や、紙の表面に樹脂コーティングされた複層構造の形態のものなどが含まれる。
更に、上記テープ基材の上記非接着保護層側の面には、厚みが７０μｍ以上の接着剤層が塗布されているマスキング層である配線基板の製造方法も含まれ得る。これによる場合、パネル周辺部への接着が空隙を生じることなく可能となり、上記メッキ液の浸透などを確実に防止し得る。尚、上記接着剤層は、例えばＳｉ系接着剤からなるものである。
【００１３】
【発明の実施の形態】
以下において、本発明の実施に好適な形態を図面と共に説明する。図１（Ａ）は、本発明の製造方法が適用されるパネルＰの平面図、図１（Ｂ）は、かかるパネルＰの断面図、図１（Ｃ）は図１（Ｂ）中の一点鎖線部分Ｃの拡大図である。
パネルＰは、図１（Ａ）および（Ｂ）に示すように、製品単位である複数の配線基板１ａ〜１ｉが縦・横方向に沿って集合して構成される製品エリアＰＡと、その外側に位置し平面視が四角枠形状の耳部（パネル周辺部）ｍと、を備えている。
図１（Ｃ）の配線基板１ｃで例示するように、配線基板１ｃは、厚み方向の中央付近に位置するコア基板２と、その表面４の上方に位置する絶縁層１２，２０と、コア基板２の裏面５の上方（図示で下方）に位置する絶縁層１３，２１と、を含んだ多層基板である。
【００１４】
コア基板２は、厚みが約８００μｍの例えばガラス−エポキシ樹脂の複合材からなり、その表面４と裏面５との間には、複数のスルーホール６、かかるスルーホール６の内壁に沿って形成され且つ銅メッキ膜からなるほぼ円筒形のスルーホール導体８、およびその内側に充填される充填樹脂９が形成されている。
また、図１（Ｃ）に示すように、コア基板２の表面４と裏面５とには、所定パターンを有し且つ銅メッキ膜からなる厚みが約１５μｍの配線層１０，１１が個別に形成され、且つ上記スルーホール導体８の上端または下端と接続されている。
更に、絶縁層１２，１３は、厚みが約４０μｍで例えばシリカフィラなどの無機フィラを含むエポキシ系樹脂からなり、最上層および最下層の絶縁層（ソルダーレジスト層）２０，２１は、厚みが約２５μｍで上記同様の樹脂からなる。
【００１５】
図１（Ｃ）に示すように、上方の絶縁層１２，２０間には、銅メッキからなり且つ所定パターンを有する厚みが約１５μｍの配線層１６が形成され、係る配線層１６はビア導体（フィルドビア）１４を介して上記配線層１０と接続されている。また、下方の絶縁層１３，２１間にも上記同様の配線層１７が形成され、係る配線層１７はビア導体１５を介して上記配線層１１と接続されている。
最上層と最下層の絶縁層２０，２１における所定の位置には、レーザ加工などによる開口部２２，２５が形成され、それらの底面には配線層１６，１７から延びた第１接続端子１８と第２接続端子１９とが個別に位置する。
【００１６】
かかる第１接続端子１８は、追ってＩＣチップなどの電子部品（図示せず）が実装される第１主面２４側に露出し、第２接続端子１９は、第２主面２３側に露出し、且つ当該配線基板１ｃを搭載するマザーボードなどの他の基板（図示せず）との接続に活用される。
以上のような配線基板１ｃは、第１および第２接続端子１８，１９の表面に、後述するＮｉメッキ層およびＡｕメッキ層を順次形成し、且つ第１接続端子１８の上記Ａｕメッキ層の上方にハンダバンプを形成する完成直前の状態にある。
尚、以上のような配線基板１ｃなどは、公知のセミアディティブ法、フルアディティブ法、サブトラクティブ法、フィルム状樹脂材料のラミネートによる絶縁層の形成、フォトリソグラフィ技術などにより形成される。
【００１７】
以下において、本発明の製造方法における具体的な製造工程につき説明する。
先ず、図２（Ａ），（Ｂ）に示すように、パネルＰの表面、即ち複数の配線基板１ｃなどの前記第１主面２４からなる製品エリアＰＡおよびその周囲の耳部ｍをマスキング層Ｍによりマスキングする（第１マスキング工程）。
マスキング層Ｍは、図２（Ｂ）の断面図で示すように、少なくとも製品エリアＰＡの全面を覆う非接着保護層Ｓと、パネルＰの表面全体を覆うテープ基材Ｔとを備える。非接着保護層Ｓは、厚みが約２５μｍのＰＥＴからなり、テープ基材Ｔは、厚みが約２５〜５０μｍのポリエステルフィルムからなる。かかるテープ基材Ｔの下面には、厚みが７０μｍ以上でＳｉ系の接着剤層（図示せず）が被着されている。尚、非接着保護層Ｓは、厚みが約１０μｍの紙としても良い。
【００１８】
即ち、マスキング層Ｍは、図２（Ａ），（Ｂ）に示すように、非接着保護層Ｓによって、製品エリアＰＡ内の配線基板１ｃなどの前記第１接続端子１８を含む第１主面２４を保護し、且つテープ基材Ｔの周辺部の上記接着剤層によりパネルＰの耳部ｍに接着される。この際、非接着保護層Ｓは、配線基板１ｃの第１主面２４に密接するため、後述する各メッキ工程でメッキ液が浸透するおそれがない。
尚、上記第１マスキング工程および後述する第２マスキング工程には、図２（Ｃ），（Ｄ）に示すマスキング層Ｍ′を用いても良い。マスキング層Ｍ′は、少なくとも製品エリアＰＡ全体を覆う非接着保護層Ｓと、製品エリアＰＡの外周側およびパネルＰの耳部ｍを覆うテープ基材Ｔと、を備え、平面視が四角枠形状のテープ基材Ｔのうち外周寄りの下面の接着剤層によりパネルＰの耳部ｍに接着される。
【００１９】
図３（Ａ）は、上記第１マスキング工程において、第１主面２４の全面がマスキング層Ｍによりマスキングされた状態の前記図１（Ｃ）に対応する配線基板１ｃの部分断面図である。図示のように、ＰＥＴからなる非接着保護層Ｓの一部は、底面に第１接続端子１８が位置する開口部２２内に進入している。
次に、図３（Ｂ）に示すように、第１主面２４をマスキングした状態で、第２主面２３側に露出する第２接続端子１９の表面に、Ｐを含むＮｉ−Ｐメッキを施し、厚みが約８μｍのＮｉメッキ層２７を形成する。
次いで、図３（Ｃ）に示すように、同じマスキング状態で、第２接続端子１９上に形成された上記Ｎｉメッキ層２７の表面に、無電解Ａｕメッキ（ここでは、例えば公知の置換Ａｕメッキ）を施することにより、厚みが約０．１μｍのＡｕメッキ層２９を形成する（第１Ａｕメッキ工程）。この際、Ｎｉメッキ層２７は陰極となって、予めメッキ液中に溶出していたＡｕ＋イオンを析出させる。
【００２０】
更に、図４（Ａ）に示すように、第１主面２４をマスキングした状態で、第２接続端子１９上方のＡｕメッキ層２９の表面に、無電解Ａｕメッキ（ここでは、例えば公知の自己触媒タイプのＡｕメッキ）を施すことにより、厚みが約０．７μｍのＡｕメッキ層を形成する（第２Ａｕメッキ工程）。
この結果、第２接続端子１９の表面には、上記Ａｕメッキ層２９を含み且つ全体の厚みが約０．８μｍのＡｕメッキ層３１が形成される。
尚、第１Ａｕメッキ工程と第２Ａｕメッキ工程との間には、複数の配線基板１ｎを有するパネルＰを室温よりも高温で乾燥する乾燥工程を有していない。かかる乾燥工程を行うと、第１Ａｕメッキ工程にて形成されたＡｕメッキ層２９の表面に、第２Ａｕメッキ工程による厚めのＡｕメッキ層が形成されなかったり、Ａｕメッキ層が変色するためである。また、第１Ａｕメッキ工程において、電解Ａｕメッキを用いる場合には、上記第２Ａｕメッキ工程を省略することができる。
【００２１】
次に、図４（Ｂ）に示すように、前記パネルＰの表面および第１主面２４をマスキングしていたマスキング層Ｍを除去する第１マスキング除去工程と、パネルＰの裏面および第２主面２３の全面をマスキング層Ｍによりマスキングする第２マスキング工程と、を行う。この際、マスキング層Ｍにおける非接着保護層Ｓの一部は、底面に第２接続端子１９が位置する開口部２５内に進入する。
次いで、図４（Ｃ）に示すように、第２主面２３をマスキングした状態で、第１主面２４側に露出する第１接続端子１８の表面に、上記同様のＮｉ−Ｐメッキを施して、厚みが約６μｍのＮｉメッキ層２６を形成する。
【００２２】
更に、図５（Ａ）に示すように、上記と同じマスキング状態にて、第１接続端子１８上に形成された上記Ｎｉメッキ層２６の表面に、前記同様の無電解Ａｕメッキを施することによって、厚みが約０．０５μｍのＡｕメッキ層２８を形成する（第３Ａｕメッキ工程）。
続いて、図５（Ｂ）に示すように、前記パネルＰの裏面および第２主面２３をマスキングしていたマスキング層Ｍを除去する第２マスキング除去工程を行う。
尚、以上の実施形態における各工程は、図６（Ａ）に示す流れ図で表される。また、前記第１Ａｕメッキ工程で電解Ａｕメッキを施して第２Ａｕメッキ工程を省略する形態は、図６（Ｂ）に示す流れ図で表される。
【００２３】
そして、図５（Ｃ）に示すように、第１接続端子１８の上方に形成されたＡｕメッキ層２８の表面に、ほぼ半球形状のハンダバンプ（ＩＣ接続端子）３０を、第１主面２４よりも高くなるよう公知の方法にて形成する。この結果、配線基板１Ｃが得られ、且つ前記パネルＰ中の他の配線基板１Ａなども同時に製造される。
上記ハンダバンプ３０は、公知のＳｎ−Ａｇ系、Ｐｂ−Ｓｎ系、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系、Ｓｎ−Ｃｕ系、Ｓｎ−Ｚｎ系など（本実施形態ではＳｎ−Ａｇ系）の低融点合金からなり、第１主面２４上に実装されるＩＣチップ（図示せず）の接続端子と接続される。
一方、図５（Ｃ）に示すように、第２接続端子１９の上方に形成された比較的厚めのＡｕメッキ層３１は、配線基板１Ｃを搭載するマザーボードなどとハンダ接合されたり、ソケットを介した機械的接触により電気的に接続される。
【００２４】
本発明は、以上において説明した形態に限定されるものではない。
例えば、図６（Ｃ）の流れ図で示すように、前記第２主面２３を先にマスキングする第２マスキング工程を行った状態で、先ず、第１接続端子１８の表面にＮｉメッキ層２６およびＡｕメッキ層２８を形成する第３Ａｕメッキ工程を行っても良い。その後、上記マスキングを除去する第２マスキング除去工程および第１主面２４をマスキングする第１マスキング工程を行った状態で、前記第２接続端子１９の表面にＮｉメッキ層２７、Ａｕメッキ層２９、およびＡｕメッキ層３１を形成する第１および第２Ａｕメッキ工程を行う。そして、上記マスキングを除去する第１マスキング除去工程を行った後、前記ハンダバンプ３０を形成する。
尚、図６（Ｃ）中の一点鎖線の矢印で示すように、第１Ａｕメッキ工程にて電解Ａｕメッキを施して、第２１Ａｕメッキ工程を省略する形態としても良い。
以上のような工程順によっても、前記配線基板１ｃなどを基にして配線基板１Ｃなどを製造することが可能である。
【００２５】
また、前記コア基板２の材質は、前記ガラス−エポキシ樹脂系の複合材料の他、ビスマレイミド・トリアジン（ＢＴ）樹脂、エポキシ樹脂、同様の耐熱性、機械強度、可撓性、加工容易性などを有するガラス織布や、ガラス織布などのガラス繊維とエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、またはＢＴ樹脂などの樹脂との複合材料であるガラス繊維−樹脂系の複合材料を用いても良い。あるいは、ポリイミド繊維などの有機繊維と樹脂との複合材料や、連続気孔を有するＰＴＦＥなど３次元網目構造のフッ素系樹脂にエポキシ樹脂などの樹脂を含浸させた樹脂−樹脂系の複合材料などを用いることも可能である。
【００２６】
更に、前記コア基板２の材質をセラミックとすることもできる。かかるセラミックには、アルミナ、ガラスセラミック、ムライト、窒化アルミニウムなどが含まれ、更には約１０００℃以下の比較的低温で焼成が可能な低温焼成セラミックを用いることもできる。セラミックからなるコア基板２には、パンチングやレーザ加工によってスルーホール６が穿孔され、表面４や裏面５の上方には、樹脂フィルムからなる絶縁層１２，１３などがラミネートされて形成される。尚、上記セラミックからなるコア基板の場合、これを貫通するスルーホール導体となるメタライズは、Ａｇ、Ａｕ、Ａｇ−Ｐｔ、Ａｇ−Ｐｄなどを素材としても良い。
【００２７】
また、前記配線層１０などやスルーホール導体６などの材質は、前記Ｃｕの他、Ａｇ、Ｎｉ、Ｎｉ−Ａｕ系などにしても良く、あるいは、これら金属のメッキ層を用いず、導電性樹脂を塗布するなどの方法により形成しても良い。
更に、前記絶縁層１２，１３などの材質は、前記エポキシ樹脂を主成分とするもののほか、同様の耐熱性、パターン成形性等を有するポリイミド樹脂、ＢＴ樹脂、ＰＰＥ樹脂、あるいは、連続気孔を有するＰＴＦＥなど３次元網目構造のフッ素系樹脂にエポキシ樹脂などの樹脂を含浸させた樹脂−樹脂系の複合材料などを用いることもできる。尚、絶縁層の形成には、絶縁性の樹脂フィルムを熱圧着する方法のほか、液状の樹脂をロールコータにより塗布する方法を用いることもできる。尚また、絶縁層に混入するガラス布またはガラスフィラの組成は、Ｅガラス、Ｄガラス、Ｑガラス、Ｓガラスの何れか、またはこれらのうちの２種類以上を併用したものとしても良い。
【００２８】
また、ビア導体は、前記フィルドビア導体１４，１５でなく、内部が完全に導体で埋まってない逆円錐形状のコンフォーマルビア導体とすることもできる。あるいは、各ビア導体の軸心をずらしつつ積み重ねるスタッガードの形態でも良いし、途中で平面方向に延びる配線層が介在する形態としても良い。
【００２９】
【発明の効果】
以上のような本発明の配線基板の製造方法によれば、第１主面側をマスキングした状態で、第２主面側の接続端子の表面に第１Ａｕメッキ工程にて所定厚さのＡｕメッキ層を確実に形成でき、且つ第２主面側をマスキングした状態で、第１主面側の接続端子の表面に第３Ａｕメッキ工程にて所定厚さのＡｕメッキ層を確実に形成できる。従って、第１主面に実装する電子部品の接続端子とハンダ接合により容易に導通でき、第２主面の接続端子と他の基板の接続端子とをハンダ接合やソケットなどによる機械的接触により容易に導通が取れる配線基板を、確実に製造することができる。
【００３０】
また、前記第１Ａｕメッキ工程と前記第１マスキング除去工程との間に、前記第２接続端子の表面に形成されたＡｕメッキ層に更にＡｕメッキを施し、かかるＡｕメッキ層を厚くする第２Ａｕメッキ工程を更に有する、配線基板の製造方法によれば、上記第２接続端子の表面に機械的接触によっても剥離しにくい厚みのＡｕメッキ層を確実に形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（Ａ）は本発明が適用されるパネルの平面図、（Ｂ）は（Ａ）中のＢ−Ｂ線に沿った矢視における断面図、（Ｃ）は（Ｂ）中の一点鎖線部分Ｃの拡大図。
【図２】（Ａ）は本発明の第１マスキング工程を示す平面図、（Ｂ）は（Ａ）中のＢ−Ｂ線に沿った矢視における断面図、（Ｃ）は異なるマスキング層を用いた第１マスキング工程を示す部分平面図、（Ｄ）は（Ｃ）中のＤ−Ｄ線に沿った矢視における断面図。
【図３】（Ａ）〜（Ｃ）は本発明の各製造工程を示す概略図。
【図４】（Ａ）〜（Ｃ）は図３（Ｃ）に続く各製造工程を示す概略図。
【図５】（Ａ）〜（Ｃ）は図４（Ｃ）に続く各製造工程を示す概略図。
【図６】（Ａ）〜（Ｃ）は本発明の製造方法における各形態を示す流れ図。
【符号の説明】
１ａ〜１ｉ，１Ｃ…配線基板
１８…………………第１接続端子
１９…………………第２接続端子
２３…………………第２主面
２３…………………第１主面
２８，２９，３１…Ａｕメッキ層
【図１】
2004363475.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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