(57)【要約】【課題】電子ビームの軌道を容易に制御できるとともに電子放出源側への放電を抑制し、信頼性および表示品位の向上した画像表示装置、およびその製造方法を提供する。【解決手段】蛍光面を有した第１基板１０と、第１基板に隙間を置いて対向配置されているとともに、蛍光面を励起する複数の電子放出源１８が設けられた第２基板と、を備え、これら第１および第２基板間には、基板に作用する大気圧荷重を支持する複数のスペーサ３０ａ、３０ｂが設けられている。各スペーサは、第１基板と第２基板との間の途中から複数に分割され、隙間を置いて並んでいるとともに第２基板に当接した複数の分割部４２を有している。【選択図】    図７
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
蛍光面を有した第１基板と、
上記第１基板に隙間を置いて対向配置されているとともに、電子を放出して上記蛍光面を励起する複数の電子放出源が設けられた第２基板と、
上記第１基板と第２基板との間に設けられ、第１および第２基板に作用する大気圧を支持する複数のスペーサと、を備え、各スペーサは、上記第１基板と第２基板との間の途中から複数に分割され、隙間を置いて並んでいるとともに上記第２基板に当接した複数の分割部を有していることを特徴とする画像表示装置。
【請求項２】
上記各スペーサの複数の分割部は櫛歯状に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の画像表示装置。
【請求項３】
各分割部の高さは、上記スペーサ全体の高さに対して２０ないし９０％に形成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の画像表示装置。
【請求項４】
上記各分割部は、隣合う電子放出源に対して等間隔を置いた位置で上記第２基板に当接していることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載の画像表示装置。
【請求項５】
上記第１基板および第２基板の間に上記第１基板および第２基板に対向して設けられているとともに、それぞれ上記電子放出源に対向した複数の電子ビーム通過孔を有した板状のグリッドを備え、
上記複数のスペーサは上記グリッド上に立設されていることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項に記載の画像表示装置。
【請求項６】
上記グリッドは、上記板状部材に対向した第１表面と、上記第２基板に対向した第２表面とを有し、上記スペーサは、上記グリッドの第１基板上に立設され上記第１基板に当接した複数の第１スペーサと、上記グリッドの第２表面上に立設されているとともに上記複数の分割部を有し上記第２基板に当接した複数の第２スペーサと、を含んでいることを特徴とする請求項５に記載の画像表示装置。
【請求項７】
上記第１スペーサは、上記電子ビーム通過孔の間で上記グリッドの第１表面上に立設され、上記第２スペーサは、上記電子ビーム通過孔の間で上記グリッドの第２表面上に立設され上記第１スペーサと整列していることを特徴とする請求項６に記載の画像表示装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、対向配置された基板と、基板間に配設された複数のスペーサと、を備えた画像表示装置およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、高品位放送用あるいはこれに伴う高解像度の画像表示装置が望まれており、そのスクリーン表示性能については一段と厳しい性能が要望されている。これら要望を達成するためにはスクリーン面の平坦化、高解像度化が必須であり、同時に軽量、薄型化も図らねばならない。
【０００３】
上記のような要望を満たす画像表示装置として、例えば、フィールドエミッションディスプレイ（以下ＦＥＤと称する）等の平面表示装置が注目されている。このＦＥＤは、所定の隙間を置いて対向配置された第１基板および第２基板を有し、これらの基板は、その周縁部同士が直接あるいは矩形枠状の側壁を介して互いに接合され真空外囲器を構成している。第１基板の内面には蛍光体層が形成され、第２基板の内面には、蛍光体層を励起して発光させる電子放出源として複数の電子放出素子が設けられている。
【０００４】
また、第１基板および第２基板に加わる大気圧荷重を支えるために、これら基板の間には支持部材として複数のスペーサが配設されている。そして、このＦＥＤにおいて、画像を表示する場合、蛍光体層にアノード電圧が印加され、電子放出素子から放出された電子ビームをアノード電圧により加速して蛍光体層へ衝突させることにより、蛍光体が発光して画像を表示する。
【０００５】
このような構成のＦＥＤでは、電子放出素子の大きさがマイクロメートルオーダーであり、第１基板と第２基板との間隔をミリメートルオーダーに設定することができる。このため、現在のテレビやコンピュータのディスプレイとして使用されている陰極線管（ＣＲＴ）と比較して、画像表示装置の高解像度化、軽量化、薄型化を達成することが可能となる。
【０００６】
上述のような画像表示装置において、実用的な表示特性を得るためには、通常の陰極線管と同様の蛍光体を用い、アノード電圧を数ｋＶ以上望ましくは１０ｋＶ以上に設定することが必要となる。第１基板と第２基板との間の隙間は、解像度や支持部材の特性、製造性などの観点からあまり大きくすることはできず、１〜２ｍｍ程度に設定する必要がある。また、高い加速電圧を持った電子が蛍光面に衝突した際、蛍光面で２次電子および反射電子が発生する。
【０００７】
第１基板と第２基板との間の空間が狭い場合、蛍光面で発生した２次電子および反射電子が、基板間に配設されたスペーサに衝突し、その結果、スペーサが帯電する。ＦＥＤにおける加速電圧では、一般にスペーサは正に帯電する。この場合、電子放出素子から放出された電子ビームはスペーサに引き付けられ、本来の軌道からずれてしまう。その結果、蛍光体層に対して電子ビームのミスランディングが発生し、表示画像の色純度が劣化するという問題がある。
【０００８】
このようなスペーサによる電子ビームの吸引を低減するため、スペーサ表面の全部または一部に導電処理を施して帯電を逃がすことが考えられる。例えば、特許文献１には、絶縁スペーサの第２基板側の端部に導電性処理を施し、スペーサの帯電を逃がす構造が開示されている。
【０００９】
【特許文献１】
米国特許第５，７２６，５２９号明細書
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、スペーサに導電性処理を施した場合、帯電されたスペーサの電荷が第２基板へ放電し、第２基板上に設けられた電子放出素子が損傷あるいは劣化し表示品位が低下する恐れがある。また、スペーサを介して第１基板から第２基板に流れる無効電流が増加し、温度の上昇や消費電力の増加を引き起こす恐れがある。更に、微細なスペーサに導電処理を施すことは非常に困難であり、製造効率が低下する。
【００１１】
この発明は以上の点に鑑みなされたもので、その目的は、電子ビームの軌道を容易に制御できるとともに電子放出源側への放電を抑制し、信頼性および表示品位の向上した画像表示装置を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、この発明の態様に係る画像表示装置は、蛍光面を有した第１基板と、上記第１基板に隙間を置いて対向配置されているとともに、電子を放出して上記蛍光面を励起する複数の電子放出源が設けられた第２基板と、上記第１基板と第２基板との間に設けられ、第１および第２基板に作用する大気圧を支持する複数のスペーサと、を備え、各スペーサは、上記第１基板と第２基板との間の途中から複数に分割され、隙間を置いて並んでいるとともに上記第２基板に当接した複数の分割部を有している。
【００１３】
上記のように構成された画像表示装置によれば、各スペーサの第２基板側の部分は、隙間を置いて並んだ複数の分割部に分割され、各分割部が第２基板に当接している。各分割部は、スペーサの非分割部分に対して、細く形成され帯電量も充分に小さくなる。そのため、この細い分割部が第２基板に当接して電子放出素子の近傍に位置した場合でも、電子放出素子から放出された電子ビームに与える影響、すなわち、スペーサの分割部から電子ビームに作用する吸引力を充分に小さくすることが可能となる。これにより、スペーサの帯電に起因する電子ビームの軌道ずれを低減し、画像品位の向上を図ることが可能となる。
【００１４】
同時に、スペーサに導電処理を施す必要がなく、製造効率の向上を図ることが可能となる。また、スペーサから第２基板側へ放電を防止し、電子放出素子の損傷あるいは劣化を抑制することができる。更に、スペーサを介して第１基板から第２基板に流れる無効電流を無くし、温度の上昇や消費電力の増加を抑制することが可能となる。スペーサの第２基板側の部分のみを分割した構成とすることにより、スペーサ全体を細く形成する場合に比較して、スペーサを容易にかつ確実に形成することができ、スペーサの形成率が向上する。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下図面を参照しながら、この発明を、平面型の画像表示装置としてＦＥＤの一種である表面伝導型電子放出装置（以下、ＳＥＤと称する）に適用した実施の形態について詳細に説明する。
【００１６】
図１ないし図４に示すように、このＳＥＤは、透明な絶縁基板としてそれぞれ矩形状のガラス板からなる第１基板１０および第２基板１２を備え、これらの基板は約１．０〜２．０ｍｍの隙間を置いて対向配置されている。第２基板１２は、第１基板１０よりも僅かに大きな寸法に形成されている。そして、第１基板１０および第２基板１２は、ガラスからなる矩形枠状の側壁１４を介して周縁部同志が接合され、内部が高真空に維持された偏平な矩形状の真空外囲器１５を構成している。
【００１７】
第１基板１０の内面には蛍光面として蛍光体スクリーン１６が形成されている。この蛍光体スクリーン１６は、電子の衝突で赤、青、緑に発光する蛍光体層Ｒ、Ｇ、Ｂ、および遮光層１１を並べて構成されている。これらの蛍光体層Ｒ、Ｇ、Ｂはストライプ状あるいはドット状に形成されている。また、蛍光体スクリーン１６上には、アルミニウム等からなるメタルバック１７、および図示しないゲッタ膜が順に形成されている。なお、第１基板１０と蛍光体スクリーン１６との間に、例えばＩＴＯからなる透明導電膜あるいはカラーフィルタ膜を設けてもよい。
【００１８】
図６に示すように、蛍光体スクリーン１６の蛍光体層Ｒ、Ｇ、Ｂはそれぞれ矩形状に形成されている。第１基板１０および第２基板１２の長手方向をＸ、幅方向をＹとした場合、赤、緑、青の３色の蛍光体層Ｒ、Ｇ、Ｂは、Ｘ方向に沿って所定のピッチで交互に配列されている。また、Ｙ方向については、同一色の蛍光体層が所定のピッチで配列されている。そして、これらの蛍光体層Ｒ、Ｇ、Ｂは、それぞれ蛍光体画素を形成している。遮光層１１は、蛍光体層Ｒ、Ｇ、Ｂ間の隙間を埋めるようにマトリクス状に形成されている。なお、図６においては、メタルバックを省略して示している。
【００１９】
図１ないし図４および図７に示すように、第２基板１２の内面には、蛍光体スクリーン１６の蛍光体層を励起する電子放出源として、それぞれ電子ビームを放出する多数の表面伝導型の電子放出素子１８が設けられている。これらの電子放出素子１８は、画素毎に対応して複数列および複数行に配列されている。すなわち、電子放出素子１８は、Ｘ方向およびＹ方向にそれぞれ蛍光体層Ｒ、Ｇ、Ｂと同一のピッチで配列され、それぞれ蛍光体層と対向している。各電子放出素子１８は、図示しない電子放出部、この電子放出部に電圧を印加する一対の素子電極等で構成されている。第２基板１２の内面には、電子放出素子１８に電位を供給する多数本の配線２１がマトリクス状に設けられ、その端部は真空外囲器１５の周縁部に引出されている。
【００２０】
接合部材として機能する側壁１４は、例えば、低融点ガラス、低融点金属等の封着材２０により、第１基板１０の周縁部および第２基板１２の周縁部に封着され、第１基板および第２基板同志を接合している。
【００２１】
図２ないし図５に示すように、ＳＥＤは、第１基板１０および第２基板１２間に配設されたスペーサアッセンブリ２２を備えている。本実施の形態において、スペーサアッセンブリ２２は、板状のグリッド２４と、グリッドの両面に一体的に立設された複数のスペーサと、を備えている。
【００２２】
詳細に述べると、グリッド２４は第１基板１０の内面と対向した第１表面２４ａおよび第２基板１２の内面と対向した第２表面２４ｂを有し、これらの基板と平行に配置されている。そして、グリッド２４には、エッチング等により多数の電子ビーム通過孔２６が形成され、Ｘ方向およびＹ方向に電子放出素子１８と同一のピッチで配列されている。電子ビーム通過孔２６は、それぞれ電子放出素子１８と対向して位置し、電子放出素子１８から放出された電子ビームを透過する。電子ビーム通過孔２６は、例えば、０．１５〜０．２５ｍｍ×０．１５〜０．２５ｍｍの矩形状に形成されている。
【００２３】
グリッド２４は、例えば鉄−ニッケル系の金属板により厚さ０．１〜０．２５ｍｍに形成されている。グリッド２４の表面には、金属板を構成する元素からなる酸化膜、例えば、Ｆｅ３Ｏ４、ＮｉＦｅ２Ｏ４からなる酸化膜が形成されている。更に、グリッド２４の少なくとも第２基板側の表面には、ガラス、セラミックからなる高抵抗物質を塗布、焼成した高抵抗膜が形成され、高抵抗膜の抵抗は、Ｅ＋８Ω／□以上に設定されている。放電電流制限効果を有する高抵抗膜は、グリッド２４に設けられた電子ビーム通過孔２６の壁面にも形成されている。
【００２４】
グリッド２４の第１表面２４ａ上には、複数の第１スペーサ３０ａが一体的に立設され、その延出端は、ゲッタ膜、メタルバック１７および蛍光体スクリーン１６の遮光層１１を介して第１基板１０に当接している。グリッド２４の第２表面２４ｂ上には、複数の第２スペーサ３０ｂが一体的に立設され、その延出端は、第２基板１２の内面上に設けられた配線２１に当接している。第１および第２スペーサ３０ａ、３０ｂはグリッド２４を間に挟んで互いに整列して延びて、グリッド２４と一体に形成されている。
【００２５】
第１スペーサ３０ａは、細長い板状に形成され、Ｘ方向に沿って延びている。一例として、第１スペーサ３０ａは、グリッド２４側に位置した底面が０．３×２０ｍｍ、第１基板１０側の先端が０．２×２０ｍｍ、高さＨ１が０．６ｍｍに形成されている。そして、第１スペーサ３０ａは、電子ビーム通過孔２６の間でグリッド２４の第１表面２４ａ上に立設され、その延出端は、図６に示すように、蛍光体層の間で第１基板１０に当接している。
【００２６】
図３ないし図７に示すように、第２スペーサ３０ｂは細長い板状に形成された基端部４０と、基端部から複数に分割され第２基板１２まで延びた複数の分割部４２と、を有している。すなわち、第２スペーサ３０ｂは、第１基板１０と第２基板１２との間の途中から、ここでは、グリッド２４と第２基板との間の途中から複数に分割されている。基端部４０は、電子ビーム通過孔２６の間でグリッド２４の第２表面２４ｂ上に立設され、Ｘ方向に沿って延びている。一例として、基端部４０のグリッド２４側に位置した底面は０．３×２０ｍｍの寸法に形成されている。
【００２７】
複数の分割部４２はＸ方向に隙間を置いて並んで設けられ、櫛歯状に形成されている。各分割部４２は寸法が０．２×０．２ｍｍ、高さｈが０．２ｍｍに形成され、Ｘ方向に沿った分割部４２のピッチｐは２ｍｍに設定されている。第２スペーサ３０ｂ全体の高さＨ２は０．８ｍｍに形成され、第１スペーサ３０ａの高さＨ１よりも高く形成されている。各分割部４２の高さｈは、スペーサ全体の高さ、ここでは、第１および第２スペーサ３０ａ、３０ｂの合計の高さ（Ｈ１＋Ｈ２）に対して２０ないし９０％に形成されていることが望ましい。
【００２８】
図７および図８に示すように、第２スペーサ３０ｂの分割部４２の延出端は、隣合う電子放出素子１８に対し等間隔を置いた位置で第２基板１２に当接している。各分割部４２の中心をＳＣ、電子放出素子１８の中心ＥＣを通りＹ方向と平行に延びた直線ＣＹ、Ｘ方向に互いに隣合う２つの電子放出素子１８の中心ＥＣを通る中心線をＣＸとした場合、分割部４２は、Ｘ方向に隣合う２本の中心線ＣＹ間のほぼ中間に位置し、かつ、Ｙ方向に隣合う２本の直線ＣＸ間のほぼ中間に位置するように配置されている。
【００２９】
上記のように構成されたスペーサアッセンブリ２２は第１基板１０および第２基板１２間に配設されている。そして、第１および第２スペーサ３０ａ、３０ｂは、第１基板１０および第２基板１２の内面に当接することにより、これらの基板に作用する大気圧荷重を支持し、基板間の間隔を所定値に維持している。
【００３０】
ＳＥＤは、グリッド２４および第１基板１０のメタルバック１７に電圧を印加する図示しない電圧供給部を備えている。この電圧供給部は、グリッド２４およびメタルバック１７にそれぞれ接続され、例えば、グリッド２４に１２ｋＶ、メタルバック１７に１０ｋＶ程度の電圧を印加する。すなわち、グリッド２４に印加する電圧は、第１基板１０に印加する電圧と同一か、より高く設定されている。あるいは、場合により、グリッド２４に印加する電圧は、第１基板１０に印加する電圧より低く設定される。
【００３１】
上記ＳＥＤにおいて、画像を表示する場合、蛍光体スクリーン１６およびメタルバック１７にアノード電圧が印加され、電子放出素子１８から放出された電子ビームをアノード電圧により加速して蛍光体スクリーン１６へ衝突させる。これにより、蛍光体スクリーン１６の蛍光体層が励起されて発光し、画像を表示する。
【００３２】
次に、以上のように構成されたＳＥＤの製造方法について説明する。スペーサアッセンブリ２２を製造する場合、図９に示すように、まず、所定寸法のグリッド２４、グリッドとほぼ同一の寸法を有した矩形板状の第１および第２成形型３６ａ、３６ｂを用意する。この場合、Ｆｅ−４５〜５５％Ｎｉからなる板厚０．１ｍｍの薄板を脱脂、洗浄、乾燥した後、エッチングにより電子ビーム通過孔２６を形成しグリッド２４とする。その後、グリッド２４全体を酸化処理により酸化させ、電子ビーム通過孔２６の内面を含めグリッド表面に絶縁膜を形成する。更に、絶縁膜の上に、ガラスを主成分としたコート液をスプレー被覆し、乾燥、焼成して高抵抗膜を形成する。
【００３３】
第１および第２成形型３６ａ、３６ｂは、スペーサ形成用の凹所３８ａ、３８ｂを有している。そして、第１および第２成形型３６ａ、３６ｂの凹所２８ａ、３８ｂにガラスを主成分としたスペーサ形成材料４４を充填する。続いて、図１０に示すように、第１成形型３６ａを、グリッド２４に位置決めした状態でグリッドの第１表面２４ａに密着させる。同様に、第２成形型３６ｂをグリッド２４に位置決めした状態で、グリッドの第２表面２４ｂに密着させる。そして、これら第１成形型３６ａ、グリッド２４、および第２成形型３６ｂを図示しないクランパ等を用いて互いに固定する。
【００３４】
次いで、充填されたスペーサ形成材料４４に対し、第１および第２成形型３６ａ、３６ｂの外面側から放射線として紫外線（ＵＶ）を照射し、スペーサ形成材料を硬化させる。この後、必要に応じて熱硬化を行ってもよい。続いて、第１および第２成形型３６ａ、３６ｂをグリッド２４から離型する。更に、スペーサ形成材料４４により第１および第２スペーサ３０ａ、３０ｂが成形されたグリッド２４を加熱炉内で熱処理し、スペーサ形成材料内からバインダを飛ばした後、約５００〜５５０℃で３０分〜１時間、スペーサ形成材料を本焼成する。これにより、グリッド２４上に第１および第２スペーサ３０ａ、３０ｂが作り込まれたスペーサアッセンブリ２２が得られる。
【００３５】
一方、予め、蛍光体スクリーン１６およびメタルバック１７の設けられた第１基板１０と、電子放出素子１８および配線２１が設けられているとともに側壁１４が接合された第２基板１２と、を用意しておく。
【００３６】
続いて、上記のように構成されたスペーサアッセンブリ２２を第２基板１２上に位置決め配置する。この際、第２スペーサ３０ｂの延出端がそれぞれ配線２１上に配置されるようにスペーサアッセンブリ２２を位置決めする。この状態で、第１基板１０、第２基板１２、およびスペーサアッセンブリ２２を真空チャンバ内に配置し、真空チャンバ内を真空排気した後、側壁１４を介して第１基板を第２基板に接合する。これにより、スペーサアッセンブリ２２を備えたＳＥＤが製造される。
【００３７】
以上のように構成されたＳＥＤによれば、各第２スペーサ３０ｂの第２基板１２側の部分は、隙間を置いて並んだ複数の分割部４２に分割され、各分割部が第２基板に当接している。分割部４２は、スペーサの非分割部分、つまり、基端部４０に対して、細く形成され帯電量も充分に小さくなる。そのため、この細い分割部４２が第２基板１２に当接して電子放出素子１８の近傍に位置している場合でも、電子放出素子から放出された電子ビームに与える影響、すなわち、スペーサの分割部４２から電子ビームに作用する吸引力を充分に小さくすることが可能となる。これにより、スペーサの帯電に起因する電子ビームの軌道ずれを低減し、電子放出素子１８から放出された電子ビームを蛍光体スクリーンの目標とする蛍光体層に到達させることができる。従って、電子ビームのミスランディングを低減して色純度の劣化を防止し、画像品位の向上を図ることができる。
【００３８】
同時に、スペーサに特別な導電処理を施す必要がなく、製造効率の向上を図ることが可能となる。また、スペーサから第２基板１２側へ放電を防止し、電子放出素子の損傷あるいは劣化を抑制することができる。更に、スペーサを介して第１基板１０から第２基板１２に流れる無効電流を無くし、温度の上昇や消費電力の増加を抑制することが可能となる。スペーサの第２基板１２側の部分のみを分割した構成とすることにより、スペーサ全体を細く形成する場合に比較して、スペーサを容易にかつ確実に形成することができ、スペーサの形成率が向上する。これにより、スペーサの形成率が良好で、かつ、電子ビームの軌道を容易に制御できるとともに電子放出源側への放電を抑制し、信頼性および表示品位の向上したＳＥＤが得られる。
【００３９】
本発明者等は、上述した実施の形態に係る構成を有した実施例１および実施例２、および他の構成を有した種々の比較例１ないし４を用意し、評価試験を行った。その結果を表１に示す。
【００４０】
【表１】
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【００４１】
実施例１および２において、第２スペーサは複数の分割部を有し、スペーサのＸ方向長さを２０ｍｍ、分割部の高さをスペーサ全体の高さに対してそれぞれ２０％、９０％とした。実施例１では、分割部の形成率が１００％、スペーサ付近を通る電子ビームのミスランディング面積比率は８％であった。また、実施例２では、第２スペーサの形成率が１００％、スペーサ付近を通る電子ビームのミスランディング面積比率は５％であった。このことから、分割部を設けることにより高い形成率が得られるとともに、電子ビームのミスランディングを低減できることが分かる。また、電子ビームのミスランディングの面積比率は、分割部の高さが高くなるにつれて低下することが分かる。
【００４２】
一方、比較例１において、第２スペーサは長さ２０ｍｍ、分割部なしとした。この場合、第２スペーサの形成率は１００％であるが、電子ビームのミスランディング面積比率は１００％であり、電子ビームの軌道はスペーサによって大きくずれていることが分かる。
【００４３】
比較例２および３において、第２スペーサは複数の分割部を有し、スペーサのＸ方向長さを２０ｍｍ、分割部の高さをスペーサ全体の高さに対してそれぞれ１０％、９５％とした。比較例２では、分割部の形成率が１００％、スペーサ付近を通る電子ビームのミスランディング面積比率は１５％であった。また、比較例３では、第２スペーサの形成率が９０％、スペーサ付近を通る電子ビームのミスランディング面積比率は５％であった。このことから、分割部の高さが低すぎると、形成率が高い反面、電子ビームの軌道ずれが生じることが分かる。また、分割部の高さが高すぎると、電子ビームの軌道ずれは低い反面、形成率が低下することが分かる。
【００４４】
比較例４のように、スペーサ全体の全長を０．２ｍｍとし細く形成した場合、電子ビームのミスランディングを低減することができる反面、スペーサの形成率が大幅に低下した。
【００４５】
なお、本発明は上記実施形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより、種々の発明を形成できる。例えば、実施の形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。さらに、異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。この発明において、スペーサ全体および分割部の長さや高さ、その他の構成要素の寸法、材質等は必要に応じて適宜選択可能である。また、各スペーサにおいて分割部の数、形状は必要に応じて変更可能である。電子放出源は、表面導電型の電子放出素子に限らず、電界放出型、カーボンナノチューブ等、種々選択可能であり、また、この発明は、ＳＥＤに限定されることなく、他のＦＥＤにも適用可能である。
【００４６】
【発明の効果】
以上詳述したように、この発明によれば、電子ビームの軌道を容易に制御できるとともに電子放出源側への放電を抑制し、信頼性および表示品位の向上した画像表示装置提供するができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の実施の形態に係るＳＥＤを示す斜視図。
【図２】図１の線Ａ−Ａに沿って破断した上記ＳＥＤの斜視図。
【図３】上記ＳＥＤのＹ方向に沿った断面図。
【図４】上記ＳＥＤのＸ方向に沿った断面図。
【図５】上記ＳＥＤのスペーサを拡大して示す斜視図。
【図６】上記ＳＥＤの蛍光体スクリーンとスペーサとの位置関係を示す平面図。
【図７】上記ＳＥＤにスペーサの分割部と電子放出素子との関係を示す平面図。
【図８】上記分割部と電子放出素子との位置関係を拡大して示す平面図。
【図９】上記ＳＥＤにおけるスペーサアッセンブリの製造工程を示す断面図。
【図１０】上記スペーサアッセンブリの製造工程を示す断面図。
【符号の説明】
１０…第１基板、  １２…第２基板、  １４…側壁、
１５…真空外囲器、  １６…蛍光体スクリーン、  １８…電子放出素子、
２２…スペーサアッセンブリ、  ２４…グリッド、
２６…電子ビーム通過孔、  ３０ａ…第１スペーサ、
３０ｂ…第２スペーサ、  ４０…基端部、  ４２…分割部
４４…スペーサ形成材料
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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