(57)【要約】【課題】ウエハの分割時に斜め割れ等が生じるのを防止できると共に、電極層の引出し部と外部電極との接続性を確保して生産性、信頼性を高める。【解決手段】アルミナ基板２１の表面に電極層２２，２４，２６，２８と絶縁層２３，２５，２７を交互に積層し、最上層の電極層２８を絶縁保護層２９によって覆い、ウエハ３０を形成する。そして、ウエハ３０の表面には、絶縁保護層２９の厚みＴ２よりも小さい深さ寸法Ｄ１を有する表面側ブレイク溝３１を形成する。また、ウエハ３０の裏面には、アルミナ基板２１の厚さ寸法Ｔ１に対して３０％〜５０％の深さ寸法Ｄ１をもった一次分割用ブレイク溝３２Ａと厚さ寸法Ｔ１に対して２０％〜３５％の深さ寸法Ｄ２をもった二次分割用ブレイク溝３２Ｂとからなる裏面側ブレイク溝３２を形成する。これにより、ウエハ３０の分割時に斜め割れ等が生じるのを防止することができる。【選択図】　　　　図７
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
アルミナ基板の表面に電極層と絶縁層とを交互に積層し最上層の電極層を絶縁保護層によって覆ったウエハに対して格子状のブレイク溝を形成し、該ブレイク溝のうち互いに平行な一方向に一次分割した後、該一次分割と直交する方向に二次分割して個々の電子部品毎に分離する工程を含む電子部品の製造方法において、
前記アルミナ基板の厚さ寸法は０．１ｍｍ〜０．３ｍｍに設定し、
前記ブレイク溝は、前記ウエハの表面に位置してレーザを用いて形成された表面側ブレイク溝と、前記ウエハの裏面に位置して該表面側ブレイク溝と対応する部位にレーザを用いて形成された裏面側ブレイク溝とからなり、
前記表面側ブレイク溝の深さ寸法は、前記絶縁保護層の表面から最上層の電極層までの厚さ寸法よりも小さい値に設定したことを特徴とする電子部品の製造方法。
【請求項２】
前記裏面側ブレイク溝のうち一次分割用ブレイク溝の深さ寸法はアルミナ基板の厚さ寸法に対して３０％〜５０％に設定し、二次分割用ブレイク溝の深さ寸法は、該一次分割用ブレイク溝の深さ寸法以下の値で、かつアルミナ基板の厚さ寸法に対して２０％〜３５％に設定してなる請求項１に記載の電子部品の製造方法。
【請求項３】
前記最上層の電極層は前記表面側ブレイク溝に対応した位置まで延びる引出し部を有し、該表面側ブレイク溝を一次分割または二次分割した端面に該引出し部に接続する外部電極を設ける構成としてなる請求項１または２に記載の電子部品の製造方法。
【請求項４】
前記表面側ブレイク溝および裏面側ブレイク溝は０．１ｍｍ〜１．５ｍｍの間隔寸法をもって格子状に形成してなる請求項１，２または３に記載の電子部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば１枚のウエハから複数の電子部品を分離する工程を含む電子部品の製造方法に関し、特に、電子部品として携帯電話等の移動体通信機器に使用される小型の高周波用チップコイル等の製造に用いて好適な電子部品の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
一般に、電子部品として例えばチップコイル、コンデンサ、抵抗、複数のストリップ線路が多層に積層された素子等を製造する場合、１枚のウエハに多数の電子部品を形成した後、ウエハに形成した格子状のブレイク溝に沿って分割し、これら複数の電子部品を分離する方法が知られている。この場合、ウエハは例えばセラミックス等からなる基板の表面に電極層等を積層することによって形成している。また、格子状のブレイク溝は、互いに平行な一方向に一次分割した後、該一次分割と直交する方向に二次分割している。
【０００３】
そして、第１の従来技術として、ウエハ（基板）の裏面に格子状のブレイク溝を形成すると共に、一次分割時に二次分割する方向にウエハが割れるのを防止するために、該ブレイク溝のうち一次分割方向のブレイク溝の深さ寸法を二次分割方向のブレイク溝の深さ寸法よりも大きな値に設定する構成が知られている（特開平１０−２７０８１３号公報、特開２０００−２８６５１１号公報等）。
【０００４】
また、第２の従来技術として、基板の表面に抵抗膜と保護膜とを形成すると共に、該基板の表面に格子状のブレイク溝を形成し、基板から分離した電子部品（抵抗器）をマザー基板に実装したときに半田フィレットを確実に形成するために、ブレイク溝の開口幅および深さ寸法を０．１ｍｍ〜０．３ｍｍに設定する構成が知られている（特開平１１−３２９８０２号等）。
【０００５】
また、第３の従来技術として、ウエハの裏面にダイシングブレードを用いて格子状のブレイク溝を形成すると共に、ブレイク溝の深さ寸法を基板の厚さ寸法の１０％〜３０％の範囲内に設定する構成が知られている（特開平１１−３８３３号公報等）。これにより、第３の従来技術では、ウエハをブレイク溝に沿って分割するときに、ウエハの厚さ方向に対して斜めに傾斜した状態で分割される（斜め割れ）のを防止できると共に、必要以上にブレイク溝が割れるのを防止している。
【０００６】
さらに、第４の従来技術として、基板の表面、裏面に電気配線用導体を含んだ絶縁体層を設けた複合基板（ウエハ）を形成し、該複合基板の表面、裏面のいずれにも絶縁体層の７５％〜９５％の深さ寸法をもったブレイク溝を形成する構成も知られている（実開平５−１３０８４号公報等）。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、上述した第１ないし第３の従来技術では、ウエハ（基板）の片面のみにブレイク溝を形成している。このため、第１ないし第３の従来技術では、ウエハを分割するときに、斜め割れが生じ易い傾向がある。
【０００８】
特に、近年の高周波用チップコイルでは、インダクタンス値を高めるために電極層と絶縁層の総数を増加させる傾向があるのに対し、チップコイル全体の厚み寸法は規格等によって定められている。このため、ウエハのうち基板部分を従来技術による０．６ｍｍ程度から０．１ｍｍ〜０．３ｍｍ程度まで薄くする必要がある。この場合、基板の厚さ寸法が小さくなるから、ウエハ全体の厚さ寸法に対して基板に設けたブレイク溝の深さ寸法も小さくなる傾向があり、従来技術のものに比べて電極層と絶縁層とが積層された部分に斜め割れが発生し易い。
【０００９】
また、高周波用チップコイルは、その外形寸法が例えば０．６ｍｍ×０．３ｍｍまたは１．０ｍｍ×０．５ｍｍ程度のように非常に小さい値となっている。これに伴い、電極層のうち各チップコイルのコイル電極はチップコイル端面との間にコイル電極の露出を防止するためのサイドギャップが形成されているものの、該サイドギャップが例えば０．０２ｍｍ〜０．０３ｍｍ程度の小さい値に設定されている。このため、僅かな斜め割れが生じた場合でもコイル電極の露出を生じ易い。また、外形寸法の寸法公差も±０．０５ｍｍ程度の小さい値になるため、斜め割れによって寸法公差の許容範囲内に収まらない傾向があり、生産性が低下するという問題がある。
【００１０】
一方、第４の従来技術では、複合基板（ウエハ）の両面にブレイク溝を設ける構成が開示されているものの、ブレイク溝の深さ寸法は複合基板の両面に形成された絶縁体層に対して７５％〜９５％程度の大きな値に設定されている。このため、ブレイク溝を加工することによって、絶縁体層内に設けられた配線用導体のうち外部電極と接続するためにブレイク溝近傍に延びた引出し部がブレイク溝内に露出することがある。このとき、例えばブレイク溝の加工にレーザを用いた場合には、配線用導体の引出し部がレーザによって溶融し、この溶融物によって引出し部と外部電極との接続性が低下して断線不良が発生するという問題がある。
【００１１】
本発明は上述した従来技術の問題に鑑みなされたもので、本発明の目的は、ウエハの分割時に斜め割れ等が生じるのを防止できると共に、電極層の引出し部と外部電極との接続性を確保して生産性、信頼性を高めることができる電子部品の製造方法を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
上述した課題を解決するために、本発明は、アルミナ基板の表面に電極層と絶縁層とを交互に積層し最上層の電極層を絶縁保護層によって覆ったウエハに対して格子状のブレイク溝を形成し、該ブレイク溝のうち互いに平行な一方向に一次分割した後、該一次分割と直交する方向に二次分割して個々の電子部品毎に分離する工程を含む電子部品の製造方法に適用される。
【００１３】
そして、請求項１の発明が採用する構成の特徴は、前記アルミナ基板の厚さ寸法は０．１ｍｍ〜０．３ｍｍに設定し、前記ブレイク溝は、前記ウエハの表面に位置してレーザを用いて形成された表面側ブレイク溝と、前記ウエハの裏面に位置して該表面側ブレイク溝と対応する部位にレーザを用いて形成された裏面側ブレイク溝とからなり、前記表面側ブレイク溝の深さ寸法は、前記絶縁保護層の表面から最上層の電極層までの厚さ寸法よりも小さい値に設定したことにある。
【００１４】
このように構成したことにより、アルミナ基板の厚さ寸法を従来技術よりも薄い０．１ｍｍ〜０．３ｍｍに設定した場合であっても、ウエハの両面に表面側ブレイク溝と裏面側ブレイク溝をそれぞれ設けたから、これらのブレイク溝を用いることによって、斜め割れを防止しつつウエハを分割することができる。
【００１５】
また、表面側ブレイク溝と裏面側ブレイク溝は、いずれもレーザを用いて形成する。ここで、比較的硬いアルミナ基板に対して例えばブレードを用いて機械的にブレイク溝を形成する場合には、ブレードの磨耗によって頻繁にブレードを交換する必要があり、ブレイク溝の加工時間が長くなり易い。これに対し、本発明ではレーザを用いてブレイク溝を形成するから、ブレイク溝の加工時間を短縮することができる。
【００１６】
さらに、表面側ブレイク溝の深さ寸法を保護層の表面から最上層の電極層までの厚さ寸法よりも小さい値に設定したから、表面側ブレイク溝をレーザを用いて形成する場合でも、レーザが最上層の電極層に接触することがなくなる。このため、表面側ブレイク溝の近傍に電極層の引出し部が配置されるときでも、引出し部の溶融を防止することができ、引出し部と外部電極との接続性を高めることができる。
【００１７】
請求項２の発明では、前記裏面側ブレイク溝のうち一次分割用ブレイク溝の深さ寸法はアルミナ基板の厚さ寸法に対して３０％〜５０％に設定し、二次分割用ブレイク溝の深さ寸法は、該一次分割用ブレイク溝の深さ寸法以下の値で、かつアルミナ基板の厚さ寸法に対して２０％〜３５％に設定している。
【００１８】
この場合、一次分割用ブレイク溝と二次分割用ブレイク溝との深さ寸法をいずれもアルミナ基板の厚さ寸法に対して５０％以下に設定したから、一次分割以前のウエハの搬送時等にウエハが裏面側ブレイク溝に沿って割れるのを防ぐことができる。また、一次分割用ブレイク溝の深さ寸法はアルミナ基板の厚さ寸法に対して３０％以上の値に設定したから、一次分割時に全ての一次分割用ブレイク溝を分割することができ、分割不良を防止することができる。
【００１９】
さらに、二次分割用ブレイク溝の深さ寸法は、一次分割用ブレイク溝の深さ寸法以下の値で、かつアルミナ基板の厚さ寸法に対して２０％〜３５％に設定したから、一次分割時や一次分割後の搬送中等に二次分割用ブレイク溝が割れることがなくなると共に、二次分割時に全ての二次分割用ブレイク溝を確実に分割することができる。
【００２０】
請求項３の発明では、前記最上層の電極層は前記表面側ブレイク溝に対応した位置まで延びる引出し部を有し、該表面側ブレイク溝を一次分割または二次分割した端面に該引出し部に接続する外部電極を設ける構成としている。
【００２１】
これにより、表面側ブレイク溝をレーザを用いて形成するときに、電極層の引出し部がレーザによって溶融し易いものの、表面側ブレイク溝の深さ寸法を絶縁保護層の表面から最上層の電極層までの厚さ寸法よりも小さい値に設定したから、レーザが電極層の引出し部に接触することがなくなる。このため、電極層の引出し部の溶融を防止することができ、引出し部と外部電極との接続性を高めることができる。
【００２２】
請求項４の発明では、前記表面側ブレイク溝および裏面側ブレイク溝は０．１ｍｍ〜１．５ｍｍの間隔寸法をもって格子状に形成している。
【００２３】
このように、表面側ブレイク溝および裏面側ブレイク溝は０．１ｍｍ〜１．５ｍｍの間隔寸法をもって形成した場合には、一次分割時または二次分割時に僅かな斜め割れが生じたときに、電極の露出や寸法公差を超えた外形寸法になり易い。これに対し、本発明ではウエハの両面に表面側ブレイク溝と裏面側ブレイク溝をそれぞれ形成するから、斜め割れを防止することができる。
【００２４】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態による電子部品の製造方法として、チップコイルの製造方法を例に挙げて添付図面を参照しつつ詳細に説明する。
【００２５】
まず、本実施の形態による製造方法が適用されるチップコイルについて図１ないし図４を参照しつつ説明する。
【００２６】
図において、１はチップコイルの外形を構成する略角柱状のチップで、該チップ１は後述するアルミナ基板２、絶縁層３，４，５、絶縁保護層６、コイル電極８〜１１等によって大略構成されている。
【００２７】
また、チップ１は、例えば縦方向に対して０．６ｍｍ程度の長さ寸法を有し、横方向に対して０．３ｍｍ程度の長さ寸法を有すると共に、厚さ方向に対して０．２５〜０．３５ｍｍ程度の厚さ寸法を有している。
【００２８】
なお、チップ１は、例えば縦方向に対して１．０ｍｍ程度の長さ寸法を有し、横方向に対して０．５ｍｍ程度の長さ寸法を有すると共に、厚さ方向に対して０．３〜０．４５ｍｍ程度の厚さ寸法を有する構成としてもよい。
【００２９】
２はアルミナを用いて形成されたアルミナ基板で、該アルミナ基板２は、略四角形の平板状をなし、厚さ方向に対して０．１ｍｍ〜０．３ｍｍの範囲内の値として例えば０．１５ｍｍ程度の厚さ寸法Ｔ１を有している。
【００３０】
なお、アルミナ基板２の厚さ寸法Ｔ１は、０．１ｍｍ〜０．３ｍｍの範囲内であればよく、例えば０．２ｍｍまたは０．２５ｍｍ程度の値に設定してもよい。
【００３１】
３〜５はアルミナ基板２の表面に積層された３枚の絶縁層で、該各絶縁層３〜５は、例えば感光性ポリイミド樹脂、感光性ガラスペースト等の液状の絶縁性材料を印刷等によって塗布、乾燥および焼成して形成され、１０μｍ〜２０μｍ程度の厚さ寸法を有している。
【００３２】
６は最上層の絶縁層５の表面に積層された絶縁保護層で、該絶縁保護層６は、絶縁層３〜５と同様に例えばガラスペースト等の絶縁性材料によって形成され、後述する最上層のコイル電極１１を覆っている。また、絶縁保護層６は、その表面とコイル電極１１との間の厚さ寸法Ｔ２が例えば３０μｍ〜７０μｍ程度となるような厚みをもって絶縁層５の表面に形成されている。
【００３３】
７はチップ１の内部に形成された螺旋状のコイルで、該コイル７は後述する４層のコイル電極８〜１１によって構成され、その始端と終端が引出し部７Ａ，７Ｂとなって後述の外部電極１５，１６にそれぞれ接続されている。
【００３４】
８〜１１は絶縁層３〜５と交互に積層された電極層をなすコイル電極で、該コイル電極８〜１１は、例えば導電性ペーストをスクリーン版を介して印刷、塗布した後に焼成する厚膜印刷法または感光性導電ペーストを塗布した後に渦巻き状等のパターンを露光、現像し、焼成する方法等によって５μｍ〜１０μｍ程度の厚さ寸法をもって形成されている。そして、コイル電極８〜１１は、後述するビアホール１２〜１４を介して互いに電気的に直列接続されている。
【００３５】
ここで、最下層のコイル電極８は、アルミナ基板２と最下層の絶縁層３との間に配設され、その一端側がチップ１の一側端面１Ａに向けて延びて外部電極１５に接続され、他端側が後述のビアホール１２を介して中間層のコイル電極９に接続されている。
【００３６】
また、中間層のコイル電極９は、２層の絶縁層３，４間に配設され、その一端側がビアホール１２を介して最下層のコイル電極８に接続され、他端側がビアホール１３を介して他の中間層のコイル電極１０に接続されている。
【００３７】
また、中間層のコイル電極１０は、２層の絶縁層４，５間に配設され、その一端側がビアホール１３を介して中間層のコイル電極９に接続され、他端側がビアホール１４を介して最上層のコイル電極１１に接続されている。
【００３８】
さらに、最上層のコイル電極１１は、最上層の絶縁層５と絶縁保護層６との間に配設され、その一端側がビアホール１４を介して中間層のコイル電極１０に接続され、他端側がチップ１の他側端面１Ｂに延びて外部電極１６に接続されている。
【００３９】
１２〜１４は絶縁層３〜５に形成された合計３個のビアホールで、該各ビアホール１２〜１４は、コイル電極９〜１１の一端側にそれぞれ位置して、絶縁層３〜５を貫通して形成されている。そして、ビアホール１２〜１４は、その内部にコイル電極８〜１１と同様の導電性材料が充填されることによって、コイル電極８〜１１を互いに直列接続している。
【００４０】
１５，１６はチップ１の両端面１Ａ，１Ｂにそれぞれ設けられた外部電極で、該外部電極１５，１６は、チップ１の裏面に設けられた底面電極１５Ａ，１６Ａとチップ１の端面１Ａ，１Ｂに設けられた端面電極１５Ｂ，１６Ｂとによって構成されている。また、端面電極１５Ｂ，１６Ｂは、図３に示すようにチップ１の裏面側で底面電極１５Ａ，１６Ａにそれぞれ接続され、例えばチップ１の端面１Ａ，１Ｂに導電性ペーストを塗布、乾燥および焼成して焼成電極を形成した後に該焼成電極上に銅、ニッケル、錫等のめっき膜を設けることによって形成されている。そして、一方の外部電極１５は最下層のコイル電極８に接続され、他方の外部電極１６は最上層のコイル電極１１に接続されている。
【００４１】
本実施の形態に適用されるチップコイルは上述の如き構成を有するもので、次に、その製造方法について図５ないし図７を参照しつつ説明する。
【００４２】
まず、アルミナ基板２と同じ厚さ寸法Ｔ１（Ｔ１＝０．１ｍｍ〜０．３ｍｍ）を有する大型のアルミナ基板２１を用意し、該アルミナ基板２１の表面に厚膜印刷法等を用いて複数のコイル電極８からなる電極層２２を形成する。次に、電極層２２を覆って絶縁層２３（絶縁層３）を印刷、塗布した後に乾燥、焼成することによって形成する。その後、電極層２２、絶縁層２３と同様にして、電極層２４（コイル電極９）、絶縁層２５（絶縁層４）、電極層２６（コイル電極１０）、絶縁層２７（絶縁層５）、電極層２８（コイル電極１１）の順序で電極層２４，２６，２８と絶縁層２５，２７とを交互に積層する。
【００４３】
また、電極層２２，２４，２６，２８と絶縁層２３，２５，２７とを交互に積層するときには、電極層２２，２４，２６，２８のコイル電極８〜１１を絶縁層２３，２５，２７に設けたビアホール（図示せず）を通じて互いに直列接続し、複数のコイル７をアレイ状（例えば縦方向と横方向にそれぞれ２２０個ずつ配列したアレイ状）に配置する。この状態で、最上層の電極層２８を３０μｍ〜７０μｍ程度の厚さをもった絶縁保護層２９（絶縁保護層６）によって覆い、ウエハ３０を形成する。
【００４４】
次に、ウエハ３０の表面と裏面に表面側ブレイク溝３１と裏面側ブレイク溝３２をそれぞれレーザ（例えばＹＡＧレーザ等）を用いて形成する。このとき、表面側ブレイク溝３１は、アレイ状に配置された複数のコイル７を区切るように縦方向と横方向に延びる格子状に形成され、裏面側ブレイク溝３２は、表面側ブレイク溝３１と対応（対向）する部位に対して表面側ブレイク溝３１と同様の格子状をなして形成される。
【００４５】
ここで、表面側ブレイク溝３１は、縦方向に互いに平行に延びる複数本の一次分割用ブレイク溝３１Ａと、一次分割用ブレイク溝３１Ａに直交して横方向に互いに平行に延びる二次分割用ブレイク溝３１Ｂとによって構成されている。また、複数本の一次分割用ブレイク溝３１Ａは、チップコイルの外形に応じて例えば０．６ｍｍ程度の間隔寸法をもって形成され、複数本の二次分割用ブレイク溝３１Ｂは、例えば０．３ｍｍ程度の間隔寸法をもって形成されている。
【００４６】
そして、一次分割用ブレイク溝３１Ａと二次分割用ブレイク溝３１Ｂとは、ほぼ同じ一定の深さ寸法Ｄ０をもって形成され、該深さ寸法Ｄ０は、絶縁保護層２９の表面と電極層２８との間の厚さ寸法Ｔ２よりも小さい値として、例えば１０μｍ〜７０μｍ程度の値に設定されている。
【００４７】
一方、裏面側ブレイク溝３２は、表面側ブレイク溝３１に対応して縦方向に互いに平行に延びる複数本の一次分割用ブレイク溝３２Ａと、一次分割用ブレイク溝３２Ａに直交して横方向に互いに平行に延びる二次分割用ブレイク溝３２Ｂとによって構成されている。そして、複数本の一次分割用ブレイク溝３２Ａは、例えば０．６ｍｍ程度の間隔寸法をもって形成され、複数本の二次分割用ブレイク溝３２Ｂは、０．３ｍｍ程度の間隔寸法をもって形成されている。
【００４８】
また、一次分割用ブレイク溝３２Ａの深さ寸法Ｄ１は、アルミナ基板２１の厚さ寸法Ｔ１に対して３０％〜５０％の範囲内で一定の値に設定されている。一方、二次分割用ブレイク溝３２Ｂの深さ寸法Ｄ２は、一次分割用ブレイク溝３２Ａの深さ寸法Ｄ１以下の一定の値で、かつアルミナ基板２１の厚さ寸法Ｔ１に対して２０％〜３５％の範囲内の値に設定されている。
【００４９】
また、一次分割用ブレイク溝３１Ａ，３２Ａは、後述する一次分割時に分割後の端面にコイル７の引出し部７Ａ，７Ｂが露出するように、コイル７の引出し部７Ａ，７Ｂと重なる位置（近傍位置）に配置されている。
【００５０】
なお、裏面側ブレイク溝３２は、電極層２２，２４，２６，２８と絶縁層２３，２５，２７とを積層する前に、予めアルミナ基板２１の裏面に形成してもよい。
【００５１】
次に、図６に示すように、ウエハ３０に対してローラを押し当てるローラブレイクを行い、ウエハ３０を一次分割用ブレイク溝３１Ａ，３２Ａに沿って折曲させて一次分割し、多数のチップ１が縦方向に１列につながったスティック３３を形成する。このとき、スティック３３のうち一次分割によって露出した両端面にはコイル７の引出し部７Ａ，７Ｂが露出する。
【００５２】
このため、一次分割によって露出したスティック３３の両端面には、外部電極１５，１６用の導電性ペースト３４，３５を塗布し、乾燥する。その後、スティック３３に対して再びローラブレイクを行い、スティック３３を二次分割用ブレイク溝３１Ｂ，３２Ｂに沿って二次分割し、チップ１毎に分離する。
【００５３】
最後に、導電性ペースト３４，３５を焼成した後、この焼成電極にめっき処理を施すことによって外部電極１５，１６を形成し、チップコイルが完成する。
【００５４】
次に、表面側ブレイク溝３１の深さ寸法Ｄ０と裏面側ブレイク溝３２の深さ寸法Ｄ１，Ｄ２について検討する。
【００５５】
まず、表面側ブレイク溝３１について検討すると、表面側ブレイク溝３１の深さ寸法Ｄ０は、絶縁保護層２９の表面と電極層２８との間の厚さ寸法Ｔ２よりも小さい値に設定されている。この理由は、レーザを用いて表面側ブレイク溝３１をスクライブ（溝加工）するときに、最上層の電極層２８がレーザによって溶融するのを防止するためである。
【００５６】
ここで、ブレイク溝３１，３２の加工にレーザを用いる理由は、他の材料に比べて硬いアルミナ基板２１例えばブレードを用いて機械的にブレイク溝３１，３２を形成する場合にはブレードの磨耗によって頻繁にブレードを交換する必要があるのに対し、レーザではこのような不具合がなく、加工時間を短縮することができるからである。
【００５７】
また、本実施の形態では、最上層の電極層２８は表面側ブレイク溝３１に対応した位置まで延びる引出し部７Ｂを有し、該表面側ブレイク溝３１を一次分割した端面に引出し部７Ｂに接続する外部電極１６を設ける構成としている。このため、深さ寸法Ｄ０が厚さ寸法Ｔ２よりも大きい場合には、表面側ブレイク溝３１をレーザを用いて形成するときに、図３中に一点鎖線で示すように表面側ブレイク溝３１′が引出し部７Ｂに到達し、電極層２８の引出し部７Ｂがレーザによって溶融してしまう。この結果、引出し部７Ｂと外部電極１６との間で電気的な接続性が低下し易い傾向がある。
【００５８】
これに対し、本実施の形態では、表面側ブレイク溝３１の深さ寸法Ｄ０は、絶縁保護層２９の表面と電極層２８との間の厚さ寸法Ｔ２よりも小さい値に設定したから、電極層２８の引出し部７Ｂがレーザによって溶融することがなく、引出し部７Ｂを確実に外部電極１６に接続することができ、信頼性を高めることができる。
【００５９】
次に、裏面側ブレイク溝３２について検討すると、裏面側ブレイク溝３２のうち一次分割用ブレイク溝３２Ａの深さ寸法Ｄ１はアルミナ基板２１の厚さ寸法Ｔ１に対して３０％〜５０％に設定し、二次分割用ブレイク溝３２Ｂの深さ寸法Ｄ２は、一次分割用ブレイク溝３２Ａの深さ寸法Ｄ１以下の値で、かつアルミナ基板２１の厚さ寸法Ｔ１に対して２０％〜３５％に設定している。この理由は、ウエハ３０の搬送時等に不必要にブレイク溝３１，３２が割れるのを防止すると共に、一次分割時に二次分割用ブレイク溝３２Ｂの割れを防ぎつつ全ての一次分割用ブレイク溝３２Ａを割ることができ、二次分割時に全ての二次分割用ブレイク溝３２Ｂを割ることができるようにするためである。
【００６０】
即ち、裏面側ブレイク溝３２の深さ寸法Ｄ１，Ｄ２が大き過ぎると、ウエハ３０、スティック３３の搬送時等に不必要にブレイク溝３１，３２が割れることがある。一方、裏面側ブレイク溝３２の深さ寸法Ｄ１，Ｄ２が小さ過ぎると、一次分割時または二次分割時に割れないブレイク溝３１，３２が発生することがあり、一次分割時に２本のスティック３３が繋がった２本割れが発生すると共に、二次分割時に２個のチップ１が繋がった２個割れが発生する虞がある。また、一次分割時には一次分割用ブレイク溝３１Ａ，３２Ａが割れるのを許容するものの、二次分割用ブレイク溝３１Ｂ，３２Ｂが割れるのは防止する必要がある。
【００６１】
そこで、裏面側ブレイク溝３２の深さ寸法Ｄ１，Ｄ２の最適な値を調べるために、深さ寸法Ｄ１，Ｄ２をアルミナ基板２１の厚さ寸法Ｔ１に対して変化（１５％〜６７％）させて一次分割および二次分割を行った。その結果を以下の表１に示す。
【００６２】
【表１】
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【００６３】
この結果、一次分割用ブレイク溝３２Ａと二次分割用ブレイク溝３２Ｂとの深さ寸法Ｄ１，Ｄ２をいずれもアルミナ基板２１の厚さ寸法Ｔ１に対して５０％以下に設定したときに、一次分割以前のウエハ３０の搬送時等にウエハ３０が裏面側ブレイク溝３２に沿って割れるのを防止できることが分かった。
【００６４】
また、一次分割用ブレイク溝３２Ａの深さ寸法Ｄ１をアルミナ基板２１の厚さ寸法Ｔ１に対して３０％以上の値に設定したときに、一次分割時に全ての一次分割用ブレイク溝３２Ａを分割することができ、分割不良を防止できることが分かった。
【００６５】
さらに、二次分割用ブレイク溝３２Ｂの深さ寸法Ｄ２を、一次分割用ブレイク溝３２Ａの深さ寸法Ｄ１以下の値で、かつアルミナ基板２１の厚さ寸法Ｔ１に対して２０％〜３５％に設定したときに、一次分割時や一次分割後の搬送中等に二次分割用ブレイク溝３２Ｂが割れることがなくなると共に、二次分割時に全ての二次分割用ブレイク溝３２Ｂを確実に分割できることが分かった。
【００６６】
以上の結果、一次分割用ブレイク溝３２Ａの深さ寸法Ｄ１をアルミナ基板２１の厚さ寸法Ｔ１に対して３０％〜５０％に設定し、二次分割用ブレイク溝３２Ｂの深さ寸法Ｄ２を、一次分割用ブレイク溝３２Ａの深さ寸法Ｄ１以下の値で、かつアルミナ基板２１の厚さ寸法Ｔ１に対して２０％〜３５％に設定した場合、不必要な分割や分割不良等を防止できることが分かった。
【００６７】
かくして、本実施の形態では、ウエハ３０の両面に表面側ブレイク溝３１と裏面側ブレイク溝３２とをそれぞれ設けたから、アルミナ基板２１の厚さ寸法Ｔ１を従来技術よりも薄い０．１ｍｍ〜０．３ｍｍに設定した場合であっても、これらのブレイク溝３１，３２を用いることによって、斜め割れを防止しつつウエハ３０を分割することができる。
【００６８】
このため、表面側ブレイク溝３１および裏面側ブレイク溝３２を０．１ｍｍ〜１．５ｍｍの間隔寸法をもって格子状に形成し、外形寸法が０．１ｍｍ〜１．５ｍｍ程度となる小型の電子部品を製造するときでも、ブレイク溝３１，３２によって図４中に二点鎖線で示すような斜め割れαを確実に防止できる。この結果、コイル電極８〜１１とチップ１端面との間のサイドギャップδが小さいときでも、不必要な電極の露出を防止できると共に、電子部品の外形寸法を寸法公差の範囲内に収めることができ、信頼性、生産性を向上させることができる。
【００６９】
また、本実施の形態では、表面側ブレイク溝３１と裏面側ブレイク溝３２をレーザを用いて形成したから、例えばブレードを用いて機械的にブレイク溝を形成する場合に比べて、磨耗によるブレード交換の手間を省くことができ、ブレイク溝３１，３２の加工時間を短縮し、生産性を向上させることができる。
【００７０】
さらに、表面側ブレイク溝３１の深さ寸法Ｄ０を絶縁保護層２９の表面から最上層の電極層２８までの厚さ寸法Ｔ２よりも小さい値に設定したから、表面側ブレイク溝３１のレーザ加工時にレーザが最上層の電極層２８に接触することがなくなる。このため、表面側ブレイク溝３１の近傍に電極層２８（コイル電極１１）の引出し部７Ｂが配置されるときでも、引出し部７Ｂの溶融を防止することができる。この結果、引出し部７Ｂと外部電極１６との接続性を高めることができ、チップコイルの信頼性を向上させることができる。
【００７１】
また、裏面側ブレイク溝３２のうち一次分割用ブレイク溝３２Ａの深さ寸法Ｄ１をアルミナ基板２１の厚さ寸法Ｔ１に対して３０％〜５０％に設定し、二次分割用ブレイク溝３２Ｂの深さ寸法Ｄ２を、一次分割用ブレイク溝３２Ａの深さ寸法Ｄ１以下の値で、かつアルミナ基板２１の厚さ寸法Ｔ１に対して２０％〜３５％に設定したから、ウエハ３０の搬送時等に不必要にブレイク溝３１，３２が割れるのを防止できると共に、一次分割時に全ての一次分割用ブレイク溝３２Ａを割ることができ、二次分割時に全ての二次分割用ブレイク溝３２Ｂを割ることができる。このため、製造時のウエハ３０等の分割不良を防止でき、生産性を向上させることができる。
【００７２】
なお、前記実施の形態では、一次分割用ブレイク溝３２Ａの深さ寸法Ｄ１は、アルミナ基板２１の厚さ寸法Ｔ１に対して３０％〜５０％に設定し、二次分割用ブレイク溝３２Ｂの深さ寸法Ｄ２は、一次分割用ブレイク溝３２Ａの深さ寸法Ｄ１以下の値で、かつアルミナ基板２１の厚さ寸法Ｔ１に対して２０％〜３５％に設定するものとした。
【００７３】
しかし、本発明はこれに限らず、例えば一次分割用ブレイク溝の深さ寸法は、アルミナ基板の厚さ寸法に対して３０％〜５０％に設定し、二次分割用ブレイク溝の深さ寸法は、アルミナ基板の厚さ寸法に対して２０％〜３０％に設定してもよい。また、一次分割用ブレイク溝の深さ寸法は、アルミナ基板の厚さ寸法に対して３５％〜５０％に設定し、二次分割用ブレイク溝の深さ寸法は、アルミナ基板の厚さ寸法に対して２０％〜３５％に設定してもよい。
【００７４】
また、前記実施の形態では、縦横方向に０．６ｍｍ×０．３ｍｍの外形寸法を有するチップコイルを製造する場合について説明した。しかし、本発明はこれに限らず、例えば縦横方向に１．０ｍｍ×０．５ｍｍの外形寸法を有するチップコイルを製造する場合にも適用でき、０．１ｍｍ〜１．５ｍｍの外形寸法（ブレイク溝３１，３２の間隔寸法）を有する小型の電子部品に対しても広く適用できるものである。
【００７５】
また、前記実施の形態では、４層の電極層２２，２４，２６，２８と３層の絶縁層２３，２５，２７とを交互に積層するものとしたが、５層以上の電極層と絶縁層と４層以上の絶縁層とを交互に積層する構成としてもよく、３層以下の電極層と２層以下の絶縁層とを交互に積層する構成としてもよい。
【００７６】
また、前記実施の形態では、電極層２２，２４，２６，２８は厚膜印刷法等を用いて形成するものとしたが、例えば真空蒸着、スパッタ等の薄膜形成法を用いて形成してもよい。
【００７７】
さらに、前記実施の形態では、電子部品としてチップコイルを例に挙げて説明したが、コンデンサ、抵抗、複数のストリップ線路が多層に積層された素子等の他の電子部品の製造方法にも広く適用できるものである。
【００７８】
【発明の効果】
以上詳述した如く、請求項１の発明によれば、ウエハの両面に表面側ブレイク溝と裏面側ブレイク溝とをそれぞれ設けたから、アルミナ基板の厚さ寸法を従来技術よりも薄い０．１ｍｍ〜０．３ｍｍに設定した場合であっても、これらのブレイク溝を用いることによって、斜め割れを防止しつつウエハを分割することができる。また、表面側ブレイク溝と裏面側ブレイク溝をレーザを用いて形成したから、ブレイク溝の加工時間を短縮することができ、生産性を向上させることができる。さらに、表面側ブレイク溝の深さ寸法を絶縁保護層の表面から最上層の電極層までの厚さ寸法よりも小さい値に設定したから、表面側ブレイク溝のレーザ加工時にレーザが最上層の電極層に接触することがなく、電極層の溶融による外部電極との接続不良を防止でき、電子部品の信頼性を向上させることができる。
【００７９】
請求項２の発明によれば、裏面側ブレイク溝のうち一次分割用ブレイク溝の深さ寸法をアルミナ基板の厚さ寸法に対して３０％〜５０％に設定し、二次分割用ブレイク溝の深さ寸法を、一次分割用ブレイク溝の深さ寸法以下の値で、かつアルミナ基板の厚さ寸法に対して２０％〜３５％に設定したから、各ブレイク溝が不必要に割れるのを防止できると共に、分割不良の発生を防ぐことができ、生産性を向上させることができる。
【００８０】
請求項３の発明によれば、最上層の電極層は表面側ブレイク溝に対応した位置まで延びる引出し部を有するから、表面側ブレイク溝をレーザを用いて形成するときに、電極層の引出し部がレーザによって溶融し、引出し部と外部電極との接続性が低下する傾向がある。これに対し、本発明では、表面側ブレイク溝の深さ寸法を絶縁保護層の表面から最上層の電極層までの厚さ寸法よりも小さい値に設定したから、レーザが引出し部に接触するのを防止して、引出し部と外部電極とを確実に接続することができ、電子部品の信頼性を高めることができる。
【００８１】
請求項４の発明のように、表面側ブレイク溝および裏面側ブレイク溝を０．１ｍｍ〜１．５ｍｍの間隔寸法をもって格子状に形成した場合であっても、ウエハの両面に表面側ブレイク溝と裏面側ブレイク溝をそれぞれ形成するから、斜め割れを防止できる。このため、外形寸法が０．１ｍｍ〜１．５ｍｍ程度となる小型の電子部品を製造するときでも、不必要な電極の露出を防止できると共に、電子部品の外形寸法を寸法公差の範囲内に収めることができ、信頼性、生産性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態が適用されるチップコイルを示す斜視図である。
【図２】図１中のチップを分解して示す分解斜視図である。
【図３】図１中のチップコイルを矢示ＩＩＩ−ＩＩＩ方向からみた断面図である。
【図４】図１中のチップコイルを矢示ＩＶ−ＩＶ方向からみた断面図である。
【図５】本実施の形態による製造方法を用いてウエハを形成する状態を示す分解斜視図である。
【図６】図５中のウエハを一次分割および二次分割した状態を示す平面図である。
【図７】図６中のウエハを矢示ＶＩＩ−ＶＩＩ方向からみた断面図である。
【符号の説明】
１　チップ
２，２１　アルミナ基板
３〜５，２３，２５，２７　絶縁層
６，２９　絶縁保護層
７　コイル
７Ｂ　引出し部
８〜１１　コイル電極（電極層）
１５，１６　外部電極
２２，２４，２６，２８　電極層
３０　ウエハ
３１　表面側ブレイク溝
３２　裏面側ブレイク溝
３２Ａ　一次分割用ブレイク溝
３２Ｂ　二次分割用ブレイク溝
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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