(57)【要約】      （修正有）【課題】ゲート電極とエミッタとの間に電位差を発生させないことで素子破壊が防止可能な電界放出冷陰極素子を提供する。【解決手段】電界放出冷陰極素子１００は、それぞれが基板６から突出するように形成された複数のエミッタ４と、各エミッタ４が電子を放出するように各エミッタ４に電圧を印加するために形成されたゲート電極５と、エミッタ４の電位を取り出すためのエミッタ電極パッド２と、ゲート電極５の電位を取り出すためのゲート電極パッド３と、エミッタ電極パッド２とゲート電極パッド３とを短絡するための少なくとも１個の短絡配線１とを具備する。【選択図】  図２
2004303470.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
それぞれが基板から突出するように形成された複数のエミッタと、
各エミッタが電子を放出するように各エミッタに電圧を印加するために形成されたゲート電極と、
前記エミッタの電位を取り出すためのエミッタ電極パッドと、
前記ゲート電極の電位を取り出すためのゲート電極パッドと、
前記エミッタ電極パッドと前記ゲート電極パッドとを短絡するための少なくとも１個の短絡配線とを具備することを特徴とする電界放出冷陰極素子。
【請求項２】
前記複数のエミッタは、前記基板に配置されたエミッタ領域に形成されており、
前記少なくとも１個の短絡配線は、前記エミッタ領域の外に形成されている、請求項１記載の電界放出冷陰極素子。
【請求項３】
前記短絡配線は、前記ゲート電極から各エミッタに印加される前記電圧に基づくジュールヒーティングによって溶解する材料によって構成されている、請求項１記載の電界放出冷陰極素子。
【請求項４】
前記短絡配線は、各エミッタが前記電子の放出を開始する電圧を表すエミッション開始電圧よりも低い電圧を前記ゲート電極と各エミッタとの間に印加することによって切断自在に形成されている、請求項１記載の電界放出冷陰極素子。
【請求項５】
前記少なくとも１個の短絡配線は、複数個の短絡配線であり、
各短絡配線の抵抗値は、互いに異なっている、請求項１記載の電界放出冷陰極素子。
【請求項６】
前記短絡配線は、導電素材の薄膜細線、ダイオードもしくは、単体または複合体のトランジスタによって構成されている、請求項１記載の電界放出冷陰極素子。
【請求項７】
請求項１記載の電界放出冷陰極素子が搭載された電界放出冷陰極電子管の製造方法であって、
前記電界放出冷陰極素子を前記電界放出冷陰極電子管に搭載する工程と、
前記電界放出冷陰極電子管に搭載された前記電界放出冷陰極素子に設けられた前記少なくとも１個の短絡配線を切断する工程とを包含することを特徴とする電界放出冷陰極電子管の製造方法。
【請求項８】
それぞれが基板から突出するように形成された複数のエミッタと、
各エミッタが電子を放出するように各エミッタに電圧を印加するために形成された第１ゲート電極および第２ゲート電極と、
前記第１ゲート電極と前記第２ゲート電極とを短絡するための少なくとも１個の短絡配線とを具備することを特徴とする電界放出冷陰極素子。
【請求項９】
前記短絡配線は、前記ゲート電極から各エミッタに印加される前記電圧に基づくジュールヒーティングによって溶解する材料によって構成されている、請求項８記載の電界放出冷陰極素子。
【請求項１０】
前記短絡配線は、各エミッタが前記電子の放出を開始する電圧を表すエミッション開始電圧よりも低い電圧を前記ゲート電極と各エミッタとの間に印加することによって切断自在に形成されている、請求項８記載の電界放出冷陰極素子。
【請求項１１】
前記少なくとも１個の短絡配線は、複数個の短絡配線であり、
各短絡配線の抵抗値は、互いに異なっている、請求項８記載の電界放出冷陰極素子。
【請求項１２】
前記短絡配線は、導電素材の薄膜細線、ダイオードもしくは、単体または複合体のトランジスタによって構成されている、請求項８記載の電界放出冷陰極素子。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、製造時における素子破壊を防止する機構を有する電界放出冷陰極素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来の電子管では、電子銃の電子源として、ヒーターによって酸化物層を加熱する酸化物陰極などの熱陰極が最も多く用いられてきた。近年では、このような熱陰極にかわる電子源として電界放出冷陰極素子を使用した電子管が提案されている。これは、電界放出冷陰極素子から放出される電流は、熱陰極から放出される電流と比較して高い電流密度を有しているとともに、電界放出冷陰極素子から放出される電子の速度分布が小さい等の利点を電界放出冷陰極素子が有しているためである。
【０００３】
そこで、このような電界放出冷陰極素子を例えばブラウン管の電子源として使用すると、ヒーターの加熱電力が必要ないために低消費電力が実現でき、かつ放出される電流の電流密度が高いために高解像度のブラウン管を実現することができる可能性がある。
【０００４】
図７は、従来の電界放出冷陰極素子３１の構成を説明するための断面図である。電界放出冷陰極素子３１は、シリコン基板２１を備えている。シリコン基板２１上には、微小な円錐状をした複数のエミッタ２２が形成されている。各エミッタ２２を囲むようにシリコン基板２１の上に絶縁層２３が形成されている。絶縁層２３の上には、各エミッタ２２を囲むようにゲート電極２４がサブミクロンの程度の間隔を空けて形成されている。
【０００５】
このように構成された従来の電界放出冷陰極素子３１は、通常の半導体工程によって作製される。シリコンによって構成されるエミッタ２２は、一般には、フォトリソグラフィー工程を通して円形の熱酸化膜をマスクとして台形状に加工する。このときには、ＳＦ６＋Ｏ２ガスを用いた反応性イオンエッチング、あるいは、ＫＯＨなどによる異方性ウェットエッチングなどの方法を利用する。次に熱酸化を行い、絶縁膜２３およびＮｂ、Ｓｉによって構成されるゲート電極２４を形成する。次に、ＢＨＦによるリフトオフを行い完成する。
【０００６】
このように構成された従来の電界放出冷陰極素子３１においては、ゲート電極２４に基板２１を通じて電圧を印加すると、エミッタ２２の先端に電界が集中する。そして、電界が集中したエミッタ２２の先端から、真空中において電子が放出される。
【０００７】
図８は、従来の電界放出冷陰極素子３１が搭載された電界放出冷陰極電子管の構成を説明するための模式図である。この従来の電界放出冷陰極素子３１を例えばブラウン管の電子源として用いるには、図８に示すように、電界放出冷陰極素子３１が電子銃の陰極構造体に実装されることになる。電界放出冷陰極素子３１に設けられた各ゲート電極２４およびエミッタ２２と、電子レンズ３４とには、ステムピン３５を通じて電圧が印加される。
【０００８】
【特許文献１】
特開２００１−３５３４８号公報
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
熱陰極の代わりに従来の電界放出冷陰極素子３１を電子源として使用した電子管においては、電子源素子の破壊が重大な問題となる。電界放出冷陰極素子３１では、ゲート電極２４がエミッタ２２と近接している。このため、電子管の製造工程において電界放出冷陰極素子３１に静電気が帯電すると、ゲート電極２４とエミッタ２２との間において放電がおき、エミッタ２２に大電流が流れ、エミッタ２２が破壊される。このため、エミッタ２２とゲート電極２４との間に短絡が生じるおそれがある。エミッタ２２が破壊されて、エミッタ２２とゲート電極２４とが短絡すると電界放出冷陰極電子源が動作しなくなり、ひいては電子管自身がまったく動作しなくなるという問題がある。
【００１０】
このようなエミッタ２２の破壊を防止する対策が、特開２００１−３５３４８号公報に開示されている。この公報は、ゲート電極に接続されているステムピンとエミッタに接続されているステムピンとを電子管内において電気的に接続するように取り付け、ゲート電極とエミッタとを同電位にすることによって、電界放出冷陰極素子の製造時における、静電気等による破壊を防止する方法を提案している。
【００１１】
しかしながら、この特開２００１−３５３４８号公報に開示された方法では、電子管に半導体素子を実装する前の工程における静電気破壊からエミッタを守ることができない。
【００１２】
電子管に半導体素子を実装する前の工程においても静電気は発生するので、発生した静電気が電界放出冷陰極素子を破壊するおそれがある。
【００１３】
本発明の目的は、冷陰極電子源を電子管へ実装する前の製造工程等においてもゲート電極とエミッタとの間に電位差を発生させないことで素子破壊が防止可能な電界放出冷陰極素子を提供することにある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る電界放出冷陰極素子は、それぞれが基板から突出するように形成された複数のエミッタと、各エミッタが電子を放出するように各エミッタに電圧を印加するために形成されたゲート電極と、前記エミッタの電位を取り出すためのエミッタ電極パッドと、前記ゲート電極の電位を取り出すためのゲート電極パッドと、前記エミッタ電極パッドと前記ゲート電極パッドとを短絡するための少なくとも１個の短絡配線とを具備することを特徴とする。
【００１５】
本発明に係る電界放出冷陰極電子管の製造方法は、本発明に係る電界放出冷陰極素子が搭載された電界放出冷陰極電子管の製造方法であって、前記電界放出冷陰極素子を前記電界放出冷陰極電子管に搭載する工程と、前記電界放出冷陰極電子管に搭載された前記電界放出冷陰極素子に設けられた前記少なくとも１個の短絡配線を切断する工程とを包含することを特徴とする。
【００１６】
本発明に係る他の電界放出冷陰極素子は、それぞれが基板から突出するように形成された複数のエミッタと、各エミッタが電子を放出するように各エミッタに電圧を印加するために形成された第１ゲート電極および第２ゲート電極と、前記第１ゲート電極と前記第２ゲート電極とを短絡するための少なくとも１個の短絡配線とを具備することを特徴とする。
【００１７】
【発明の実施の形態】
本実施の形態に係る電界放出冷陰極素子においては、エミッタ電極パッドとゲート電極パッドとを短絡するための少なくとも１個の短絡配線が設けられている。このため、エミッタとゲート電極とをエミッタ領域の外において短絡させることができる。従って、エミッタとゲート電極との間に静電気によって電位差が発生することを防止することができる。その結果、エミッタの破壊が防止され、電界放出冷陰極素子の歩留まりを向上させることができる。
【００１８】
前記複数のエミッタは、前記基板に配置されたエミッタ領域に形成されており、前記少なくとも１個の短絡配線は、前記エミッタ領域の外に形成されていることが好ましい。
【００１９】
前記短絡配線は、前記ゲート電極から各エミッタに印加される前記電圧に基づくジュールヒーティングによって溶解する材料によって構成されていることが好ましい。
【００２０】
前記短絡配線は、各エミッタが前記電子の放出を開始する電圧を表すエミッション開始電圧よりも低い電圧を前記ゲート電極と各エミッタとの間に印加することによって切断自在に形成されていることが好ましい。
【００２１】
前記少なくとも１個の短絡配線は、複数個の短絡配線であり、各短絡配線の抵抗値は、互いに異なっていることが好ましい。
【００２２】
前記短絡配線は、導電素材の薄膜細線、ダイオードもしくは、単体または複合体のトランジスタによって構成されていることが好ましい。
【００２３】
本実施の形態に係る電界放出冷陰極電子管の製造方法においては、本実施の形態に係る電界放出冷陰極素子が電界放出冷陰極電子管に搭載される。このため、電界放出冷陰極素子のエミッタ電極とゲート電極とをエミッタ領域の外において短絡させることができる。従って、エミッタとゲート電極との間に静電気によって電位差が発生することを防止することができる。その結果、エミッタの破壊が防止され、電界放出冷陰極素子が搭載された電界放出冷陰極電子管の歩留まりを向上させることができる。
【００２４】
他の実施の形態に係る電界放出冷陰極素子においては、各エミッタが電子を放出するように各エミッタに電圧を印加するために形成された第１ゲート電極および第２ゲート電極とを短絡するための少なくとも１個の短絡配線が設けられている。このため、エミッタとゲート電極との間が短絡した場合に、短絡した箇所のゲート電極を短絡配線を切り離すことによって分離して、短絡のない箇所のエミッション領域で動作させることができる。
【００２５】
前記短絡配線は、前記ゲート電極から各エミッタに印加される前記電圧に基づくジュールヒーティングによって溶解する材料によって構成されていることが好ましい。
【００２６】
前記短絡配線は、各エミッタが前記電子の放出を開始する電圧を表すエミッション開始電圧よりも低い電圧を前記ゲート電極と各エミッタとの間に印加することによって切断自在に形成されていることが好ましい。
【００２７】
前記少なくとも１個の短絡配線は、複数個の短絡配線であり、各短絡配線の抵抗値は、互いに異なっていることが好ましい。
【００２８】
前記短絡配線は、導電素材の薄膜細線、ダイオードもしくは、単体または複合体のトランジスタによって構成されていることが好ましい。
【００２９】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を説明する。
【００３０】
（実施の形態１）
図１は実施の形態１に係る電界放出冷陰極素子１００の構成を説明するための平面図であり、図２（ａ）は図１に示す面ＡＡに沿った断面図であり、図２（ｂ）は電界放出冷陰極素子１００に設けられたエミッタとゲート電極と短絡配線とによって構成される等価回路を示す模式図である。
【００３１】
電界放出冷陰極素子１００は、電子銃に実装されるベース１２の上に接着材８によって固定されている。
【００３２】
電界放出冷陰極素子１００には、基板６が設けられている。基板６の表面に配置された略円状のエミッタ領域７には、それぞれが基板６から突出するように形成された微小な円錐状の複数のエミッタ４が設けられている。これらの複数のエミッタ４は、約数マイクロメータ（μｍ）の間隔を空けて、数千個ないし数万個が密集してエミッタ領域７に形成されている。
【００３３】
基板６の上には、各エミッタ４を囲むように絶縁膜１６が形成されている。絶縁膜１６の上には、各エミッタ４が電子を放出するように各エミッタ４に電圧を印加するためのゲート電極５が形成されている。エミッタ領域７の隣には、ゲート電極５の電位を取り出すためのゲート電極パッド３が形成されている。
【００３４】
基板６には、エミッタ４の電位を取り出すためのエミッタ電極パッド２がゲート電極パッド３と対向するように設けられている。ゲート電極パッド３とエミッタ電極パッド２との間には、エミッタ電極パッド２とゲート電極パッド３とを短絡するための２本の短絡配線１、１’が所定の間隔を空けて互いに平行に絶縁膜１６の側面に沿うように形成されている。短絡配線１、１’は高抵抗で低融点材料のＭｏＳｉで構成されているが、ゲート電極５と同一の材料Ｎｂによって構成してもよい。各短絡配線１、１’の長さは、１０マイクロメートル（μｍ）になっている。短絡配線１の幅は１マイクロメートル（μｍ）になっており、短絡配線１’の幅は５マイクロメートル（μｍ）になっている。
【００３５】
図３は、図１に示す面ＢＢに沿った断面図である。エミッタ領域７から見てエミッタ電極パッド２へ向かう方向と略直交する方向には、絶縁膜１６に形成された開口内の基板６の表面にエミッタ電極パッド１３が設けられている。ベース１２の上には、エミッタ電極パッド１３を挟んでエミッタ領域７と対向するようにパッド１８Ａと実装端子１８とがこの順番に積層されている。実装端子１８は、ベース１２を通って図示しない電子銃に設けられたステムピンに配線されている。エミッタ電極パッド１３と実装端子１８とは、ワイヤー１７によってボンディングされている。
【００３６】
エミッタ領域７に対してエミッタ電極パッド１３と反対側における絶縁膜１６の上には、ゲート電極パッド１９が設けられている。ベース１２の上には、ゲート電極パッド１９を挟んでエミッタ領域７と対向するようにパッド１４Ａと実装端子１４とがこの順番に積層されている。実装端子１４は、ベース１２を通って図示しない電子銃に設けられたステムピンに配線されている。ゲート電極パッド１９と実装端子１４とは、ワイヤー１７によってボンディングされている。
【００３７】
このように構成された電界放出冷陰極素子１００は、以下のようにして作製される。まず、通常の半導体工法によって電界放出冷陰極素子１００を作製する。電界放出冷陰極素子１００を作製する最後の工程において、エミッタ領域７とは離れた場所に配置されたエミッタ電極パッド２とゲート電極パッド３との間に、ゲート電極５とエミッタ４とを短絡させる短絡配線１、１’を絶縁膜１６に沿って形成する。この短絡配線１、１’によって、ゲート電極５とエミッタ４との間の電位差の発生を防止することが可能となる。短絡配線１、１’は複数個形成するので、複数回の静電気による破壊の防止に対応することができる。
【００３８】
次に、ゲート電極５とエミッタ４との間に、エミッタ４が電子を放出するためのしきい値電圧よりも低い電圧を印加することによって、短絡配線１、１’を切断する。この全ての短絡配線１、１’の切断によって、通常動作が可能な電界放出冷陰極素子１００を備えた電子管を得ることができる。
【００３９】
短絡配線１、１’を切断する時に切断後の不純物等がエミッタ領域７に直接降りかからないように、短絡配線１、１’は、その表面がエミッタ領域７と反対の方向に向くように形成されている。
【００４０】
このように、電界放出冷陰極素子１００が実装された電子管においては、通常動作をさせる前に、電界放出冷陰極素子１００に設けられたゲート電極５とエミッタ４との間に形成された短絡配線１、１’が切断される。実施の形態１における電子管の製造方法では、電子管を作製するための最終工程として、出荷前に短絡配線１、１’を切断する。電界放出冷陰極素子１００の電子放出しきい値電圧未満の電圧をゲート電極５とエミッタ４との間に印加することにより短絡配線１、１’を切断することができるように、短絡配線１、１’の材料および寸法等は適宜選択される。これにより、ゲート電極５とエミッタ４との間で放電を起こさずに、電子管を作成することができた。
【００４１】
以上のように実施の形態１によれば、エミッタ電極パッド２とゲート電極パッド３とを短絡するための少なくとも１個の短絡配線１が設けられている。このため、エミッタ４とゲート電極５とをエミッタ領域７の外において短絡させることができる。従って、エミッタ４とゲート電極５との間に静電気によって電位差が発生することを防止することができる。その結果、エミッタ４の破壊が防止され、電界放出冷陰極素子１００の歩留まりを向上させることができる。
【００４２】
なお、絶縁膜１６の短絡配線１、１’に沿って形成されている部分を、マスク処理後に等方エッチングによって除去してもよい。このようにすると、ジュール加熱の際に短絡配線１、１’から絶縁膜１６を伝わって熱が逃げることを防ぐことができるので、短絡配線１、１’を容易に切断することができる。
【００４３】
また、短絡配線１、１’は、長手方向に沿って一様に同じ太さに形成しなくてもよい。短絡配線１、１’の両端部よりも細い部分を中央部に形成しておくと、両端部よりも細い中央部において容易に短絡配線１、１’を切断することができるので、好ましい。
【００４４】
（実施の形態２）
図５（ａ）は実施の形態２に係る電界放出冷陰極素子の構成を説明するための平面図であり、図５（ｂ）は図５（ａ）に示す面ＤＤに沿った断面図である。図１および図２を参照して前述した実施の形態１に係る電界放出冷陰極素子１００の構成要素と同一の構成要素には同一の参照符号を付している。従って、これらの構成要素の詳細な説明は省略する。
【００４５】
エミッタ電極パッド２Ａは、絶縁膜１６に形成された略円錐台状の開口において基板６の上に略円板状に形成されている。短絡配線１Ａは、エミッタ電極パッド２Ａとゲート電極パッド３Ａとを短絡するように、絶縁膜１６に形成された略円錐台状の開口の側壁に沿って形成されている。
【００４６】
このように、絶縁膜１６に形成された略円錐台状の開口に形成されたエミッタ電極パッド２Ａと絶縁膜１６の上に形成されたゲート電極パッド３Ａとを短絡するように短絡配線１Ａを形成すると、短絡配線１Ａを焼き切る際に発生する不純物の飛散を抑えることができる。そして、ゲート電極とエミッタとの間で放電を起こさず、かつ、不純物による短絡のない電子管を作成することができた。
【００４７】
なお、実施の形態２では、エミッタ電極パッド２Ａとゲート電極パッド３Ａとが同心円状に形成されている例を示したが、これに限るものではなく、エミッタ電極パッド２Ａの中心が、ゲート電極パッド３Ａの中心と必ずしも一致する必要はない。
【００４８】
（実施の形態３）
図６は、実施の形態３に係る電界放出冷陰極素子の構成を説明するための平面図である。実施の形態３に係る電界放出冷陰極素子では、ゲート電極を複数個に分割している。
【００４９】
エミッション領域中において、ゲート電極を複数個のゲート電極５Ｂに分割するようにした以外は、前述した実施の形態１と同様の工程によって電界放出冷陰極素子を作製した。分割された３個のゲート電極５Ｂからゲート電位を取り出すためのゲート電極パッド３Ｂを３個設けた。このゲート電極パッド３Ｂにゲート電位を引き出すための配線の途中において、エミッション領域外の箇所に短絡配線１Ｂを設けた。ゲート電極５Ｂとその配線以外の素子上の領域は、絶縁膜５４が表面に露出するように構成した。
【００５０】
実施の形態３においては、ゴミ等によってエミッタとゲート電極との間に短絡が起こった場合に、短絡の起こったゲート電極を、短絡配線１Ｂを切り離することによって分離して、短絡のない箇所のみのエミッション領域で動作させることができた。これにより、電子銃の歩留まりを上げることができた。
【００５１】
また、複数のゲート電極５Ｂのうちの２つのゲート電極５Ｂ間において、一方を第１のゲート電極５Ｂ１とし他方を第２のゲート電極５Ｂ２とした場合、第２のゲート電極５Ｂ２の動作電圧を第１のゲート電極５Ｂ１の動作電圧よりも大きくしておくことが好ましい。これにより、第１のゲート電極５Ｂ１とエミッタとの間で短絡が起こり、第１のゲート電極５Ｂ１を切り離す必要が生じた場合、第２のゲート電極５Ｂ２に負荷をかけることなく第１のゲート電極５Ｂ１を切り離すことができるので、切り離す際の電圧印加によるスパーク破壊を防止することができる。
【００５２】
なお、短絡配線１Ｂは、あらかじめ抵抗値の分かった抵抗によって構成し、また、短絡配線毎に抵抗値を変えておく。こうすることで、短絡が起こったとき、電圧、電流値を計測し、これらから換算する抵抗値を設計値と比較することで、切断すべき短絡配線１Ｂを見出した。
【００５３】
尚、もちろん、前述した実施の形態１および２に示される放電破壊防止用の短絡配線と組み合わせて用いることもできる。
【００５４】
なお、実施の形態１ないし３においては、導体の薄膜細線によって短絡配線を構成する例を示したが、これに限るものではない。所定の電圧を印加すると、導通している状態から、導通しない状態になるものであれば、ダイオード構成の細線でも、ノーマリーオンで動作するトランジスタ構成としてもよい。尚、ノーマリーオンで動作するトランジスタ構成の場合は、表示のための電源を入れるとトランジスタはオフ状態（エミッション動作可能状態）となり、電源を切るとトランジスタはオン状態（短絡状態）となる。従って、電源を切っている間は常に静電気から保護されることになる。
【００５５】
また、実施の形態１ないし３においては、電子管を用いたがこれに限るものではなく、半導体素子上のエミッタ領域外の短絡配線を除去できるような構成の表示装置であれば良い。
【００５６】
【発明の効果】
以上のように本発明によれば、冷陰極電子源を電子管へ実装する前の製造工程等においてもゲート電極とエミッタとの間に電位差を発生させないことで素子破壊が防止可能な電界放出冷陰極素子を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施の形態１に係る電界放出冷陰極素子の構成を説明するための平面図である。
【図２】（ａ）は、図１に示す面ＡＡに沿った断面図であり、
（ｂ）は、実施の形態１に係る電界放出冷陰極素子に設けられたエミッタとゲート電極と短絡配線とによって構成される等価回路を示す模式図である。
【図３】図１に示す面ＢＢに沿った断面図である。
【図４】図１に示す面ＣＣに沿った断面図である。
【図５】（ａ）は、実施の形態２に係る電界放出冷陰極素子の構成を説明するための平面図であり、
（ｂ）は、（ａ）に示す面ＤＤに沿った断面図である。
【図６】実施の形態３に係る電界放出冷陰極素子の構成を説明するための平面図である。
【図７】従来の電界放出冷陰極素子の構成を説明するための断面図である。
【図８】従来の電界放出冷陰極素子が搭載された電界放出冷陰極電子管の構成を説明するための模式図である。
【符号の説明】
１  短絡配線
２  エミッタ電極パッド
３  ゲート電極パッド
４  エミッタ
５  ゲート電極
６  基板
７  エミッタ領域
８  接着剤
１００  電界放出冷陰極素子
【図１】
2004303470.tif 000003
【図２】
2004303470.tif 000004
【図３】
2004303470.tif 000005
【図４】
2004303470.tif 000006
【図５】
2004303470.tif 000007
【図６】
2004303470.tif 000008
【図７】
2004303470.tif 000009
【図８】
2004303470.tif 000010