(57)【要約】【課題】二枚のウエハを同時に検知する。【解決手段】負圧移載室１０に設置された負圧移載装置１２と、搬入用予備室２０と、負圧移載室１０に連結されたＣＶＤユニット６１とを具備するマルチチャンバ型ＣＶＤ装置において、負圧移載室１０には筐体１１の天井壁に設置の投光器７１と筐体１１の底壁に設置の受光器７２とを備え投光器７１の投光７３の受光器７２での受光の有無でウエハＷを検知する複数組のウエハ検知装置７０が設置されている。ウエハ移載装置１２が上側アーム１４と下側アーム１５とを操作して上側ウエハＷ１　と下側ウエハＷ２　とをずらして上側ウエハ検知装置Ａ１　と下側ウエハ検知装置Ａ２　とを通過させることでウエハ検知装置Ａ１　、Ａ２　で上側ウエハと下側ウエハを同時に検知する。【効果】二枚のウエハの同時検知でスループットを高めコストを減らす。【選択図】　図３
2004040043.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理する処理室と、前記基板を保持する基板保持具を複数具備し前記処理室に対して前記基板を複数枚同時に搬入搬出する基板移載装置とを備えている基板処理装置において、
前記基板の主面に対して垂直な方向から見て前記複数枚の基板が重ならないようにずらした状態で前記複数枚の基板の有無を同時に検知する基板検知装置を備えていることを特徴とする基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、基板処理装置に関し、ワークである基板の有無を検知する技術に係り、例えば、半導体集積回路装置（以下、ＩＣという。）の製造方法において、半導体素子を含む集積回路が作り込まれる半導体ウエハ（以下、ウエハという。）に酸化膜や窒化膜や金属膜を成膜するのに利用して有効なものに関する。
【０００２】
【従来の技術】
ＩＣの製造方法において、ウエハに酸化膜や金属膜を成膜するのに、次のようなマルチチャンバ型ＣＶＤ装置が使用されることがある。すなわち、このマルチチャンバ型ＣＶＤ装置は、大気圧未満の圧力（以下、負圧という。）に耐えるロードロックチャンバ構造に構成された第一のウエハ移載室と、この第一のウエハ移載室に設置された第一のウエハ移載装置（ｗａｆｅｒ　ｔｒａｎｓｆｅｒ　ｅｑｕｉｐｍｅｎｔ　）と、ロードロックチャンバ構造に構成されて第一のウエハ移載室の手前に連設された搬入用予備室および搬出用予備室と、大気圧以上の圧力（以下、正圧という。）を維持可能な構造に構成されて搬入用予備室および搬出用予備室の手前に設置された第二のウエハ移載室と、第二のウエハ移載室に設置された第二のウエハ移載装置と、第二のウエハ移載室の手前に設置されてウエハを収納したキャリアが載置されるキャリアステージと、第一の移載室の後側に設置された複数のＣＶＤユニットとを備えている。
【０００３】
このようなマルチチャンバ型ＣＶＤ装置においては、第一のウエハ移載装置がウエハを保持しているか否かを認識するために、ウエハ検知装置が第一のウエハ移載室に設置されている。このウエハ検知装置としては、第一のウエハ移載室の壁に耐熱ガラス等の窓を設けて第一のウエハ移載室の外部に反射形光センサまたは透過形光センサを設置する外部形ウエハ検知装置と、第一のウエハ移載室に光ファイバを外部から引き込み光ファイバを通して光センサによってウエハの有無を検知する内部形ウエハ検知装置とがある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、反射形光センサが使用される外部形ウエハ検知装置においては、検知することができない膜種のウエハがあるという問題点がある。また、透過形光センサが使用される外部形ウエハ検知装置においては、複数枚のウエハを同時には検知することができないという問題点がある。他方の内部形ウエハ検知装置においては、次のような問題点がある。可動部位に敷設された光ファイバの断線の可能性がある。複数枚のウエハを同時に検知するためには光ファイバの検出端を縦に並べて設置する必要がある。高コストになるため、多くの部位に配置するには不利である。少ない設置箇所にウエハを移動させるように構成すると、移動時間の分だけロスタイムとなるため、スループットが低下する。
【０００５】
本発明の目的は、前記した従来の技術の問題点を解決し、基板の検知の信頼性やスループットを向上することができるとともに、コストを低減することができる基板処理装置を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る基板処理装置は、基板を処理する処理室と、前記基板を保持する基板保持具を複数具備し前記処理室に対して前記基板を複数枚同時に搬入搬出する基板移載装置とを備えている基板処理装置において、
前記基板の主面に対して垂直な方向から見て前記複数枚の基板が重ならないようにずらした状態で前記複数枚の基板の有無を同時に検知する基板検知装置を備えていることを特徴とする。
【０００７】
前記した手段によれば、複数枚の基板を基板検知装置によって同時に検知することができるため、基板移載装置は複数枚の基板を同時に搬送することができ、その結果、基板処理装置のスループットを向上させることができる。例えば、基板検知装置としては、透過形光センサを使用することができるため、検知の信頼性を向上させることができるとともに、コストを低減することができる。
【０００８】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の一実施の形態を図面に即して説明する。
【０００９】
本実施の形態において、図１および図２に示されているように、本発明に係る基板処理装置は、マルチチャンバ型ＣＶＤ装置（以下、ＣＶＤ装置という。）として構成されており、このＣＶＤ装置はＩＣの製造方法にあってウエハに酸化シリコンや窒化シリコン等の絶縁膜を成膜したり、ウエハに五酸化タンタル（Ｔａ２　Ｏ５　）やルテニウム（Ｒｕ）等の金属膜を成膜する成膜工程に使用されるようになっている。
【００１０】
なお、本実施の形態に係るＣＶＤ装置においてはウエハ搬送用のキャリアとしては、ＦＯＵＰ（ｆｒｏｎｔ　ｏｐｅｎｉｎｇ　ｕｎｉｆｉｅｄ　ｐｏｄ　。以下、ポッドという。）が使用されている。また、以下の説明において、前後左右は図１を基準とする。すなわち、ウエハ移載室４０側が前側、その反対側すなわちウエハ移載室１０側が後側、搬入用予備室２０側が左側、搬出用予備室３０側が右側とする。
【００１１】
図１および図２に示されているように、ＣＶＤ装置は大気圧未満の圧力（負圧）に耐えるロードロックチャンバ構造に構成された第一のウエハ移載室（以下、負圧移載室という。）１０を備えており、負圧移載室１０の筐体（以下、負圧移載室筐体という。）１１は平面視が六角形で上下両端が閉塞した箱形状に形成されている。負圧移載室１０の中央部には負圧下でウエハＷを移載するウエハ移載装置（以下、負圧移載装置という。）１２が設置されており、負圧移載装置１２はスカラ形ロボット（ｓｅｌｅｃｔｉｖｅ　ｃｏｍｐｌｉａｎｃｅ　ａｓｓｅｍｂｌｙ　ｒｏｂｏｔ　ａｒｍ　ＳＣＡＲＡ）によって構成されており、負圧移載室筐体１１の底壁に設置されたエレベータ１３によって気密シールを維持しつつ昇降するように構成されている。
【００１２】
負圧移載室筐体１１の六枚の側壁のうち正面側に位置する二枚の側壁には、搬入用予備室（以下、搬入室という。）２０と搬出用予備室（以下、搬出室という。）３０とがそれぞれ隣接して連結されている。搬入室２０の筐体（以下、搬入室筐体という。）２１と搬出室３０の筐体（以下、搬出室筐体という。）３１とはそれぞれ平面視が大略四角形で上下両端が閉塞した箱形状に形成されているとともに、負圧に耐え得るロードロックチャンバ構造に構成されている。
【００１３】
互いに隣接した搬入室筐体２１の側壁および負圧移載室筐体１１の側壁には搬入口２２、２３がそれぞれ開設されており、負圧移載室１０側の搬入口２３には搬入口２２、２３を開閉するゲートバルブ２４が設置されている。互いに隣接した搬出室筐体３１の側壁および負圧移載室筐体１１の側壁には搬出口３２、３３がそれぞれ開設されており、負圧移載室１０側の搬出口３３には搬出口３２、３３を開閉するゲートバルブ３４が設置されている。搬入室２０には搬入室用仮置き台２５が設置され、搬出室３０には搬出室用仮置き台３５が設置されている。
【００１４】
搬入室２０および搬出室３０の前側には、大気圧以上の圧力（正圧）を維持可能な構造に構成された第二のウエハ移載室（以下、正圧移載室という。）４０が隣接して連結されており、正圧移載室４０の筐体（以下、正圧移載室筐体という。）４１は平面視が横長の長方形で上下両端が閉塞した箱形状に形成されている。正圧移載室４０には正圧下でウエハＷを移載する第二のウエハ移載装置（以下、正圧移載装置という。）４２が設置されており、正圧移載装置４２はスカラ形ロボットによって二枚のウエハを同時に搬送し得るように構成されている。正圧移載装置４２は正圧移載室４０に設置されたエレベータ４３によって昇降されるように構成されているとともに、リニアアクチュエータ４４によって左右方向に往復移動されるように構成されている。
【００１５】
互いに隣接した搬入室筐体２１の側壁および正圧移載室筐体４１の側壁には搬入口２６、２７がそれぞれ開設されており、正圧移載室４０側の搬入口２７には搬入口２６、２７を開閉するゲートバルブ２８が設置されている。互いに隣接した搬出室筐体３１の側壁および正圧移載室筐体４１の側壁には搬出口３６、３７がそれぞれ開設されており、正圧移載室４０側の搬出口３７には搬出口３６、３７を開閉するゲートバルブ３８が設置されている。図１に示されているように、正圧移載室４０の左側にはノッチ合わせ装置４５が設置されている。また、図２に示されているように、正圧移載室４０の上部にはクリーンエアを供給するクリーンユニット４６が設置されている。
【００１６】
図１および図２に示されているように、正圧移載室筐体４１の正面壁には三つのウエハ搬入搬出口４７、４８、４９が左右方向に並べられて開設されており、これらのウエハ搬入搬出口４７、４８、４９はウエハＷを正圧移載室４０に対して搬入搬出し得るように設定されている。これらのウエハ搬入搬出口４７、４８、４９にはポッドオープナ５０がそれぞれ設置されている。ポッドオープナ５０はポッドＰを載置する載置台５１と、載置台５１に載置されたポッドＰのキャップを着脱するキャップ着脱機構５２とを備えており、載置台５１に載置されたポッドＰのキャップをキャップ着脱機構５２によって着脱することにより、ポッドＰのウエハ出し入れ口を開閉するようになっている。ポッドオープナ５０の載置台５１に対してはポッドＰが、図示しない工程内搬送装置（ＲＧＶ）によって供給および排出されるようになっている。したがって、載置台５１によってキャリアステージとしてのポッドステージが構成されていることになる。
【００１７】
図１に示されているように、負圧移載室筐体１１の六枚の側壁のうち背面側に位置する二枚の側壁には、第一処理部としての第一ＣＶＤユニット６１と、第二処理部としての第二ＣＶＤユニット６２とがそれぞれ隣接して連結されている。第一ＣＶＤユニット６１および第二ＣＶＤユニット６２はいずれも二枚葉式ホットウオール形減圧ＣＶＤ装置によってそれぞれ構成されている。また、負圧移載室筐体１１における六枚の側壁のうちの残りの互いに対向する二枚の側壁には、第三処理部としての第一クーリングユニット６３と、第四処理部としての第二クーリングユニット６４とがそれぞれ連結されており、第一クーリングユニット６３および第二クーリングユニット６４はいずれも処理済みのウエハＷを冷却するように構成されている。
【００１８】
図３および図４に示されているように、負圧移載装置１２は上側に位置する第一のアーム（以下、上側アームという。）１４と、下側に位置する第二のアーム（以下、下側アームという。）１５とを備えており、上側アーム１４および下側アーム１５の先端部にはウエハＷを下から支持する二股のフォーク形状に形成された上側エンドエフェクタ１６および下側エンドエフェクタ１７がそれぞれ取り付けられている。
【００１９】
また、図３に示されているように、負圧移載室１０には透過形光センサが使用されたウエハ検知装置７０が設置されている。すなわち、ウエハ検知装置７０は負圧移載室筐体１１の天井壁に下向きに設置された投光器７１と、負圧移載室筐体１１の底壁に投光器７１に対向して上向きに設置された受光器７２とを備えており、投光器７１の投光が受光器７２によって受光されたか否かによってウエハＷを検知するように構成されている。図３に示されているように、一対のウエハ検知装置７０、７０が上側エンドエフェクタ１６に保持されたウエハ（以下、上側ウエハという。）と下側エンドエフェクタ１７に保持されたウエハ（以下、下側ウエハという。）とを同時に検知するために一組として組み合わされており、図５に示されているように、六組（合計１２台）のウエハ検知装置７０が負圧移載室１０の六箇所のウエハ搬入搬出口に対応してそれぞれ配置されている。
【００２０】
すなわち、第一組のウエハ検知装置７０、７０のうち上側ウエハを検知するウエハ検知装置（以下、第一組の上側ウエハ検知装置Ａ１　という。各組においてこれに準ずる。）は搬入口２３の中心線上の搬入口２３付近に配置されており、第二組の下側ウエハを検知するウエハ検知装置（以下、第一組の下側ウエハ検知装置Ａ２　という。各組においてこれに準ずる。）は搬入口２３の中心線からずれて搬入口２３から離間した位置に配置されている。第二組の上側ウエハ検知装置Ｂ１　は搬出口３３の中心線上の搬出口３３付近に配置され、第二組の下側ウエハ検知装置Ｂ２　は搬出口３３の中心線からずれて搬出口３３から離間した位置に配置されている。第三組の上側ウエハ検知装置Ｃ１　は第一ＣＶＤユニット６１のウエハ搬入搬出口６５の中心線上のウエハ搬入搬出口６５付近に配置され、第三組の下側ウエハ検知装置Ｃ２　はウエハ搬入搬出口６５の中心線からずれてウエハ搬入搬出口６５から離間した位置に配置されている。第四組の上側ウエハ検知装置Ｄ１　は第二ＣＶＤユニット６２のウエハ搬入搬出口６６の中心線上のウエハ搬入搬出口６６付近に配置されており、第四組の下側ウエハ検知装置Ｄ２　はウエハ搬入搬出口６６の中心線からずれてウエハ搬入搬出口６６から離間した位置に配置されている。第五組の上側ウエハ検知装置Ｅ１　は第一クーリングユニット６３のウエハ搬入搬出口６７の中心線上のウエハ搬入搬出口６７付近に配置されており、第五組の下側ウエハ検知装置Ｅ２　はウエハ搬入搬出口６７の中心線からずれてウエハ搬入搬出口６７から離間した位置に配置されている。第六組の上側ウエハ検知装置Ｆ１　は第二クーリングユニット６４のウエハ搬入搬出口６８の中心線上のウエハ搬入搬出口６８付近に配置されており、第六組の下側ウエハ検知装置Ｆ２　はウエハ搬入搬出口６８の中心線からずれてウエハ搬入搬出口６８から離間した位置に配置されている。
【００２１】
以下、前記構成に係るＣＶＤ装置を使用したＩＣの製造方法における成膜工程を説明する。
【００２２】
これから成膜すべきウエハＷは二十五枚がポッドＰに収納された状態で、成膜工程を実施するＣＶＤ装置へ工程内搬送装置によって搬送されて来る。図１および図２に示されているように、搬送されて来たポッドＰは搬入室２０におけるポッドオープナ５０の載置台５１の上に工程内搬送装置から受け渡されて載置される。ポッドＰのキャップがキャップ着脱機構５２によって取り外され、ポッドＰのウエハ出し入れ口が開放される。
【００２３】
ポッドＰがポッドオープナ５０により開放されると、正圧移載室４０に設置された正圧移載装置４２はウエハ搬入搬出口４７を通してポッドＰからウエハＷを二枚ずつピックアップし、搬入室２０に搬入口２６、２７を通して搬入（ウエハローディング）し、二枚のウエハＷを搬入室用仮置き台２５に移載して行く。この移載作業中には、負圧移載室１０側の搬入口２２、２３はゲートバルブ２４によって閉じられており、負圧移載室１０の負圧は維持されている。二枚のウエハＷの搬入室用仮置き台２５への移載が完了すると、正圧移載室４０側の搬入口２６、２７がゲートバルブ２８によって閉じられ、搬入室２０が排気装置（図示せず）によって負圧に排気される。
【００２４】
搬入室２０が予め設定された圧力値に減圧されると、負圧移載室１０側の搬入口２２、２３がゲートバルブ２４によって開かれるとともに、第一ＣＶＤユニット６１のウエハ搬入搬出口６５がゲートバルブ６５Ａによって開かれる。続いて、負圧移載室１０の負圧移載装置１２は搬入口２２、２３を通して搬入室用仮置き台２５からウエハＷを二枚ずつピックアップして負圧移載室１０に搬入する。
【００２５】
この際、負圧移載装置１２は上側アーム１４と下側アーム１５とを適宜に操作して上側エンドエフェクタ１６と下側エンドエフェクタ１７とをずらすことにより、図５に想像線で示されているように、上側ウエハＷ１　と下側ウエハＷ２　とを垂直な方向から見て互いに重ならないようにずらした状態で、搬入口２３の中心線に沿って後退する。すなわち、２枚のウエハを垂直な方向から見て、互いに重なる領域と重ならない領域が構成されるように、上側エンドエフェクタ１６と下側エンドエフェクタ１７とがずらされる。つまり、上側ウエハＷ１　の一部分と下側ウエハＷ２　の一部分とが重ならないようにずらしている。互いに重ならないようにずれた上側ウエハＷ１　と下側ウエハＷ２　とが第一組の上側ウエハ検知装置Ａ１　と第一組の下側ウエハ検知装置Ａ２　とを同時に通過すると、第一組の上側ウエハ検知装置Ａ１　と第一組の下側ウエハ検知装置Ａ２　とは上側ウエハＷ１　と下側ウエハＷ２　とによって同時に遮蔽されるため、上側ウエハＷ１　と下側ウエハＷ２　とを同時に検知する。例えば、上側ウエハＷ１　が上側エンドエフェクタ１６に保持されていない場合においては、第一組の上側ウエハ検知装置Ａ１　の投光器７１の投光７３が受光器７２によって受光されるため、第一組の上側ウエハ検知装置Ａ１　は上側ウエハＷ１　が上側エンドエフェクタ１６によって保持されていないことを検知する。この場合においては、負圧移載装置１２は上側アーム１４を適宜に制御して上側エンドエフェクタ１６による上側ウエハＷ１　の掬い取り操作をやり直す。
【００２６】
第一組の上側ウエハ検知装置Ａ１　と第一組の下側ウエハ検知装置Ａ２　とが上側ウエハＷ１　と下側ウエハＷ２　とを検知すると、負圧移載装置１２は上側ウエハＷ１　と下側ウエハＷ２　とを第一ＣＶＤユニット６１のウエハ搬入搬出口６５に搬送して、ウエハ搬入搬出口６５から第一ＣＶＤユニット６１の処理室へ搬入（ウエハローディング）するとともに、処理室の基板載置台に移載（セッティング）する。上側ウエハＷ１　と下側ウエハＷ２　との基板載置台への移載が終了すると、第一ＣＶＤユニット６１のウエハ搬入搬出口６５がゲートバルブ６５Ａによって閉じられる。なお、ウエハの第一ＣＶＤユニット６１への搬入に際しては、搬入室２０および負圧移載室１０が真空排気されることによって内部の酸素や水分が予め除去されているため、外部の酸素や水分がウエハの第一ＣＶＤユニット６１への搬入に伴って第一ＣＶＤユニット６１の処理室に侵入することは確実に防止される。
【００２７】
その後、第一ＣＶＤユニット６１においては、処理室が気密に閉じられた状態で所定の圧力となるように排気管によって排気され、ヒータユニットによって所定の温度に加熱され、所定の原料ガスがガス導入管によって所定の流量だけ供給されることにより、予め設定された処理条件に対応する所望の膜がウエハＷに形成される。
【００２８】
第一ＣＶＤユニット６１について予め設定された処理時間が経過すると、成膜済みの二枚のウエハＷは第一ＣＶＤユニット６１の基板載置台から負圧移載装置１２によってピックアップされて、負圧に維持されている負圧移載室１０に第一ＣＶＤユニット６１のウエハ搬入搬出口６５から搬出（ウエハアンローディング）される。
【００２９】
この際、負圧移載装置１２は上側アーム１４と下側アーム１５とを適宜に操作して上側エンドエフェクタ１６と下側エンドエフェクタ１７とをずらすことにより、図５に想像線で示されているように、上側ウエハＷ１　と下側ウエハＷ２　とを垂直な方向から見て互いに重ならないようにずらした状態で、第一ＣＶＤユニット６１のウエハ搬入搬出口６５の中心線に沿って後退する。互いに重ならないようにずれた上側ウエハＷ１　と下側ウエハＷ２　とが第三組の上側ウエハ検知装置Ｃ１　と第三組の下側ウエハ検知装置Ｃ２　とを同時に通過すると、第三組の上側ウエハ検知装置Ｃ１　と第三組の下側ウエハ検知装置Ｃ２　とは上側ウエハＷ１　と下側ウエハＷ２　とによって同時に遮蔽されるため、上側ウエハＷ１　と下側ウエハＷ２　とを同時に検知する。例えば、上側ウエハＷ１　が上側エンドエフェクタ１６に保持されていない場合においては、第三組の上側ウエハ検知装置Ｃ１　の投光器７１の投光７３が受光器７２によって受光されるため、第三組の上側ウエハ検知装置Ｃ１　は上側ウエハＷ１　が上側エンドエフェクタ１６によって保持されていないことを検知する。この場合においては、負圧移載装置１２は上側アーム１４を適宜に制御することにより、上側エンドエフェクタ１６による上側ウエハＷ１　の掬い取り操作をやり直す。
【００３０】
処理済みのウエハＷが第一ＣＶＤユニット６１から負圧移載室１０に負圧移載装置１２によって搬出されると、第一クーリングユニット６３のウエハ搬入搬出口６７がゲートバルブ６７Ａによって開かれる。続いて、負圧移載装置１２は第一ＣＶＤユニット６１から搬出した二枚のウエハＷを第一クーリングユニット６３の処理室（冷却室）へウエハ搬入搬出口６７を通して搬入するとともに、処理室の基板載置台に移載する。二枚のウエハＷの第一ＣＶＤユニット６１から第一クーリングユニット６３への移替え作業が完了すると、第一クーリングユニット６３の処理室のウエハ搬入搬出口６７がゲートバルブ６７Ａによって閉じられる。ウエハ搬入搬出口６７が閉じられると、第一クーリングユニット６３に搬入された成膜済みのウエハは冷却される。なお、第一ＣＶＤユニット６１による成膜済みのウエハＷについての第一ＣＶＤユニット６１から第一クーリングユニット６３への移替え作業は、いずれも負圧に維持された第一ＣＶＤユニット６１、第一クーリングユニット６３および負圧移載室１０において実施されるため、第一ＣＶＤユニット６１から第一クーリングユニット６３へのウエハＷの移替え作業に際して、ウエハＷの成膜の表面に自然酸化膜が生成されたり、異物等が付着したりするのは防止されることになる。
【００３１】
第一クーリングユニット６３に二枚のウエハを移載すると、負圧移載装置１２は搬入室２０の搬入室用仮置き台２５に予め準備された二枚のウエハＷを第一ＣＶＤユニット６１の処理室の空になった基板載置台へ前述した作動によって移載する。この移載作業中にも、搬入室２０の正圧移載室４０側の搬入口２６、２７がゲートバルブ２８によって閉じられることにより、搬入室２０および負圧移載室１０の負圧は維持されている。
【００３２】
第一クーリングユニット６３において予め設定された冷却時間が経過すると、前述した第一ＣＶＤユニット６１の場合と同様にして、冷却済みの二枚のウエハＷは負圧移載装置１２によって第一クーリングユニット６３からピックアップされ、負圧に維持されている負圧移載室１０に搬出される。
【００３３】
この際、負圧移載装置１２は上側アーム１４と下側アーム１５とを適宜に操作して上側エンドエフェクタ１６と下側エンドエフェクタ１７とをずらすことにより、図５に想像線で示されているように、上側ウエハＷ１　と下側ウエハＷ２　とを垂直な方向から見て互いに重ならないようにずらした状態で、第一クーリングユニット６３のウエハ搬入搬出口６７の中心線に沿って後退する。互いに重ならないようにずれた上側ウエハＷ１　と下側ウエハＷ２　とが第五組の上側ウエハ検知装置Ｅ１　と第五組の下側ウエハ検知装置Ｅ２　とを同時に通過すると、第五組の上側ウエハ検知装置Ｅ１　と第五組の下側ウエハ検知装置Ｅ２　とは上側ウエハＷ１　と下側ウエハＷ２　とによって同時に遮蔽されるため、上側ウエハＷ１　と下側ウエハＷ２　とを同時に検知する。例えば、上側ウエハＷ１　が上側エンドエフェクタ１６に保持されていない場合においては、第五組の上側ウエハ検知装置Ｅ１　の投光器７１の投光７３が受光器７２によって受光されるため、第五組の上側ウエハ検知装置Ｅ１　は上側ウエハＷ１　が上側エンドエフェクタ１６によって保持されていないことを検知する。この場合においては、負圧移載装置１２は上側アーム１４を適宜に制御することにより、上側エンドエフェクタ１６による上側ウエハＷ１　の掬い取り操作をやり直す。
【００３４】
冷却済みの二枚のウエハＷが第一クーリングユニット６３から負圧移載室１０に搬出されると、搬出口３３がゲートバルブ３４によって開かれる。続いて、負圧移載装置１２は第一クーリングユニット６３から搬出した二枚のウエハＷを負圧移載室１０の搬出口３３へ搬送し、搬出室３０に搬出口３３を通して搬出するとともに、搬出室用仮置き台３５に移載する。冷却済みの二枚のウエハＷの第一クーリングユニット６３から搬出室３０への移替え作業が完了すると、搬出室３０の搬出口３２、３３がゲートバルブ３４によって閉じられる。
【００３５】
搬出室３０の搬出口３２、３３がゲートバルブ３４によって閉じられると、搬出室３０の正圧移載室４０側の搬出口３６、３７がゲートバルブ３８によって開けられて、搬出室３０のロードロックが解除される。搬出室３０のロードロックが解除されると、正圧移載室４０の搬出室３０に対応したウエハ搬入搬出口４８がポッドオープナ５０によって開かれるとともに、載置台５１に載置された空のポッドＰのキャップがポッドオープナ５０によって開かれる。続いて、正圧移載室４０の正圧移載装置４２は搬出口３７を通して搬出室用仮置き台３５から二枚のウエハＷをピックアップして正圧移載室４０に搬出し、正圧移載室４０のウエハ搬入搬出口４８を通してポッドＰに収納（チャージング）して行く。処理済みの二十五枚のウエハＷのポッドＰへの収納が完了すると、ポッドＰのキャップがポッドオープナ５０のキャップ着脱機構５２によってウエハ出し入れ口に装着され、ポッドＰが閉じられる。閉じられたポッドＰは載置台５１の上から次の工程へ工程内搬送装置によって搬送されて行く。
【００３６】
以上の作動が繰り返されることにより、ウエハが二枚ずつ順次に処理されて行く。以上の作動は第一ＣＶＤユニット６１および第一クーリングユニット６３が使用される場合を例にして説明したが、第二ＣＶＤユニット６２および第二クーリングユニット６４が使用される場合についても同様の作動が実施される。
【００３７】
前記実施の形態によれば、次の効果が得られる。
【００３８】
１）　ウエハ移載装置が上側アームと下側アームとを適宜に操作して上側ウエハと下側ウエハとを垂直な方向から見て互いに重ならないようにずらした状態で、上側ウエハ検知装置と下側ウエハ検知装置とを同時に通過させることにより、上側ウエハ検知装置と下側ウエハ検知装置とは上側ウエハと下側ウエハとを同時に検知することができるため、ＣＶＤ装置のスループットを向上することができるとともに、コストを低減することができる。
【００３９】
２）　ウエハ検知装置を透過形光センサによって構成することにより、膜種等の条件に関わらず全てのウエハを検知することができるため、ウエハ検知装置の検知の信頼性を向上させることができ、しかも、コストを低減することができる。
【００４０】
３）　ウエハ移載装置が上側アームと下側アームとを適宜に操作して上側ウエハと下側ウエハとを垂直な方向から見て互いに重ならないようにずらした状態で、二枚のウエハを同時に検知するように構成することにより、透過形光センサによって構成されたウエハ検知装置であっても、二枚のウエハを同時に検知することができるため、ウエハ検知装置ひいてはＣＶＤ装置のスループットを向上することができるとともに、コストを低減することができる。
【００４１】
４）　ウエハ検知装置を負圧移載室の外部に設置することにより、光ファイバ等を負圧移載室の内部に敷設しなくても済むため、ウエハ移載装置等の可動部位による断線事故等の発生を未然に防止することができる。
【００４２】
５）　複数組のウエハ検知装置を負圧移載室に配置することにより、ウエハ検知のためにウエハを移動させるロスタイムの発生を回避することができるため、ＣＶＤ装置のスループットを向上することができる。
【００４３】
６）　ウエハを垂直な方向から見て互いに重ならないようずらした状態で保持し、上側ウエハＷ１　と下側ウエハＷ２　の重ならない部分でウエハの有無を検知することにより、上側ウエハＷ１　と下側ウエハＷ２　の有無を個々に検知することができる。
【００４４】
７）　ウエハ移載装置が保持することができるウエハと同じ数の検知手段を用いて、上側ウエハＷ１　と下側ウエハＷ２　の重ならない部分でウエハの有無を同時に検知することにより、スループットの向上を図ることができる。
【００４５】
本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々に変更が可能であることはいうまでもない。
【００４６】
例えば、二枚のウエハを同時に検知するように構成するに限らず、三枚以上のウエハを同時に検知するように構成してもよい。
【００４７】
ウエハ検知装置は負圧移載室に設置するに限らず、正圧移載室に設置してもよいし、負圧移載室および正圧移載室の両方に設置してもよい。
【００４８】
ウエハ検知装置は全てのウエハ搬入搬出口に配置するに限らず、例えば、搬入口のような特定のウエハ搬入搬出口だけに配置してもよい。
【００４９】
負圧移載室の周囲に配設されるウエハを処理する処理部は、二枚葉式ホットウオール形減圧ＣＶＤ装置が設備されたＣＶＤユニットおよびクーリングユニットによって構成するに限らず、バッチ式ＣＶＤ装置および枚葉式ＣＶＤ装置が設備されたＣＶＤユニット、さらには、酸化装置や拡散装置、熱処理装置、スパッタリング装置、ドライエッチング装置、クリーニング装置等の基板処理装置を備えた処理ユニット等によって構成してもよい。
【００５０】
前記実施の形態では成膜する場合について説明したが、酸化処理や拡散処理やアニール処理、プラズマ処理、スパッタ処理、ドライエッチング処理、クリーニング処理、冷却処理、予備加熱処理およびそれらを組み合わせた処理にも適用することができる。
【００５１】
また、ウエハを処理する場合について説明したが、液晶パネルや磁気ディスク、光ディスク等の基板全般について適用することができる。
【００５２】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、基板の検知の信頼性やスループットを向上することができるとともに、コストを低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施の形態であるマルチチャンバ型ＣＶＤ装置を示す平面断面図である。
【図２】その側面断面図である。
【図３】負圧移載室を示す側面断面図である。
【図４】負圧移載装置を示す斜視図である。
【図５】ウエハ検知装置のレイアウトを示す平面断面図である。
【符号の説明】
Ｗ…ウエハ（基板）、Ｐ…ポッド（基板キャリア）、１０…負圧移載室（基板移載室）、１１…負圧移載室筐体、１２…負圧移載装置（ウエハ移載装置）、１３…エレベータ、１４…上側アーム、１５…下側アーム、１６…上側エンドエフェクタ、１７…下側エンドエフェクタ、２０…搬入室（搬入用予備室）、２１…搬入室筐体、２２、２３…搬入口、２４…ゲートバルブ、２５…搬入室用仮置き台、２６、２７…搬入口、２８…ゲートバルブ、３０…搬出室（搬出用予備室）、３１…搬出室筐体、３２、３３…搬出口、３４…ゲートバルブ、３５…搬出室用仮置き台、３６、３７…搬出口、３８…ゲートバルブ、４０…正圧移載室（ウエハ移載室）、４１…正圧移載室筐体、４２…正圧移載装置（ウエハ移載装置）、４３…エレベータ、４４…リニアアクチュエータ、４５…ノッチ合わせ装置、４６…クリーンユニット、４７、４８、４９…ウエハ搬入搬出口、５０…ポッドオープナ、５１…載置台、５２…キャップ着脱機構、６１…第一ＣＶＤユニット（第一処理部）、６２…第二ＣＶＤユニット（第二処理部）、６３…第一クーリングユニット（第三処理部）、６４…第２クーリングユニット（第四処理部）、６５、６６、６７、６５Ａ、６７Ａ…ゲートバルブ、６８…ウエハ搬入搬出口、７０…ウエハ検知装置、７１…投光器、７２…受光器、７３…投光。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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