(57)【要約】【課題】電子部品の電気的接続の信頼性が向上した電子部品実装装置を得る。【解決手段】この電子部品実装装置は、主回路基板１と、この主回路基板１に設けられモジュール容器２内に電子部品が内蔵された電子回路モジュール３と、主回路基板１および電子回路モジュール３を収納した筐体４とを備え、電子回路モジュール３には筐体４と接続された固定部位１１が形成され、この固定部位１１でねじ１３により電子回路モジュール３は筐体４に固定されており、また電子回路モジュール３から導出された金属細線端子１４は、主回路基板１と電気的に接続されている。【選択図】　　　　図１
2004140146.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
主回路基板と、
この主回路基板に設けられモジュール容器内に電子部品が内蔵された電子回路モジュールと、
前記主回路基板および前記電子回路モジュールを収納した筐体と
を備え、
前記電子回路モジュールには前記筐体と接続された固定部位が形成され、この固定部位で固定手段により電子回路モジュールは筐体に固定されており、また前記電子回路モジュールから導出された端子は、前記主回路基板と電気的に接続されている電子部品実装装置。
【請求項２】
主回路基板と、
この主回路基板に設けられモジュール容器内に電子部品が内蔵された電子回路モジュールと
を備え、
前記モジュール容器は、材料の異なる部材を積層した積層構造であり、その表面側の外面層は、質量数（原子番号）の大きい材料で構成され、その内面側の内面層は、質量数（原子番号）の小さい材料で構成されている電子部品実装装置。
【請求項３】
前記モジュール容器は、材料の異なる部材を積層した積層構造であり、その表面側の外面層は、質量数（原子番号）の大きい材料で構成され、その内面側の内面層は、質量数（原子番号）の小さい材料で構成されている請求項１記載の電子部品実装装置。
【請求項４】
前記外面層は、タングステンまたはタングステン合金で構成され、前記内面層は、アルミニウムで構成され、前記外面層と前記内面層との間の中間層は銅で構成されている請求項２または３に記載の電子部品実装装置。
【請求項５】
前記モジュール容器と前記電子部品との間には、前記電子部品からの熱を前記モジュール容器に導く熱良伝導性の金属製の放熱ブロックが設けられている請求項１ないし４の何れかに記載の電子部品実装装置。
【請求項６】
前記電子部品は、モジュール回路基板に搭載され、このモジュール回路基板には、前記電子部品からの熱を前記モジュール容器に導く放熱ビュアホールが設けられている請求項１ないし４の何れかに記載の電子部品実装装置。
【請求項７】
前記モジュール容器と前記電子部品との間には、電子部品からの熱をモジュール容器に導く熱良伝導性で樹脂製のサーマルフィラーが設けられている請求項１ないし４の何れかに記載の電子部品実装装置。
【請求項８】
前記モジュール容器内の空隙部には、熱良伝導性で構成され前記電子部品からの熱を放熱するゲル状の放熱ゲルが充填されている請求項１ないし７の何れかに記載の電子部品実装装置。
【請求項９】
モジュール容器は密閉されている請求項１ないし８の何れかに記載の電子部品実装装置。
【請求項１０】
固定手段は、ねじである請求項１から９の何れかに記載の電子部品実装装置。
【請求項１１】
前記端子は、可撓性の金属細線端子である請求項１から１０の何れかに記載の電子部品実装装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、主回路基板と、この主回路基板に設けられモジュール容器内に電子部品が内蔵された電子回路モジュールとを備えた電子部品実装装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、電子部品の容器が基板に接着材により接着され、また電子部品のフラットリードが基板のパッドに接続されたものが知られている（例えば、特許文献１参照）。
また、タングステン合金パッケージおよびタングステン合金パッケージカバーをはんだで封止した放射線遮蔽器内に半導体および電子部品が収納された耐放射線能力を有する半導体装置が知られている（例えば、特許文献２参照）。
【０００３】
【特許文献１】
特開平６−２２４５３５号公報
【特許文献２】
特開平８−１４８６１６号公報
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
上記の電子部品の実装構造では、容器の電子部品と基板とがフラットリードを介して電気的に接続されているとともに、容器と基板とが物理的にも接続されているので、容器に大きな振動、衝撃等が加わった場合に、接着材とともにフラットリードにも大きな荷重が加わり、フラットリードが切断されてしまうといった問題点があった。
【０００５】
また、上記の半導体装置では、放射線遮蔽器は高エネルギー粒子を遮蔽減衰させる一方、新たに多重散乱による二次電子粒子が生成し、この二次散乱線が内部に浸透して、内部の半導体および電子部品に放射線損傷を与え、内部帯電に起因する絶縁破壊が生じるという問題点があった。
【０００６】
この発明は、上記のような問題点を解決することを課題とするものであって、電子部品の電気的接続の信頼性が向上した電子部品実装装置を得ることを目的とする。
【０００７】
また、この発明は、二次電子粒子の生成が抑制され、内部の電子部品の放射線損傷が低減された電子部品実装装置を得ることを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
この発明の電子部品実装装置は、主回路基板と、この主回路基板に設けられモジュール容器内に電子部品が内蔵された電子回路モジュールと、前記主回路基板および前記電子回路モジュールを収納した筐体とを備え、前記電子回路モジュールには前記筐体と接続された固定部位が形成され、この固定部位で固定手段により電子回路モジュールは筐体に固定されており、また前記電子回路モジュールから導出された端子は、前記主回路基板と電気的に接続されている。
【０００９】
また、この発明の電子部品実装装置は、主回路基板と、この主回路基板に設けられモジュール容器内に電子部品が内蔵された電子回路モジュールとを備え、前記モジュール容器は、材料の異なる部材を積層した積層構造であり、その表面側の外面層は、質量数（原子番号）の大きい材料で構成され、その内面側の内面層は、質量数（原子番号）の小さい材料で構成されている。
【００１０】
【発明の実施の形態】
以下、この発明の実施の形態について説明するが、各実施の形態において、同一、相当部材、部位については同一符号を付して説明する。
実施の形態１．
図１はこの発明の実施の形態１の電子部品実装装置の要部斜視図、図２は図１の電子部品実装装置の組立途中の分解斜視図である。
この電子部品実装装置は、主回路基板１と、この主回路基板１上に設けられモジュール容器２内に電子部品（図示せず）が内蔵されたＣＰＵである電子回路モジュール３と、主回路基板１および電子回路モジュール３を収納した筐体４とを備えている。
【００１１】
アルミニウム製の筐体４は、矩形状の枠部８および十字状に枠部８に向かって延びた柱部６を有するベース５と、このベース５を覆ったカバー（図示せず）とを備えている。枠部８および柱部６にはねじ穴１０を有する突起９が複数個間隔をおいて設けられている。
各電子回路モジュール３の四隅には、突起９の先端面と面接触した固定部位１１が形成されている。突起９は主回路基板１の貫通穴１２から主回路基板１上に突出している。電子回路モジュール３は、固定部位１１で固定手段であるねじ１３が突起９のねじ穴１０に螺着して筐体４に物理的に固定されている。
また、電子回路モジュール３からは可撓性の金属細線端子１４が導出しており、この金属細線端子１４の先端は、主回路基板１のパッド部でハンダにより接合されている。
【００１２】
上記構成の電子部品実装装置では、電子回路モジュール３は、ねじ１３が筐体４の突起９のねじ穴１０に螺着することで、筐体４に強固に、かつ簡単に固定されているとともに、金属細線端子１４が主回路基板１に電気的に接続されており、電子回路モジュール３に対する物理的接続と電気的接続とは分離されている。従って、装置全体の振動、衝撃により、金属細線端子１４に過大な応力が加わるようなことは防止され、振動、衝撃による金属細線端子１４の破損が防止される。また、筐体４に対するねじ１３の弛み等により電子回路モジュール３が変動した場合、電子回路モジュール３は、筐体４に対して変動し、主回路基板１に対しては小さな変動ですみ、それだけ金属細線端子１４に加わる応力は小さく、金属細線端子１４は破損しにくい。
また、電子回路モジュール３からの熱は、主に、熱伝導性のよくないエポキシ樹脂を主要構成材料とする電子回路モジュール３を通るのではなく、固定部位１１、ベース５の突起９、柱部６および枠部８を通じて筐体４の外部に放出されるので、放熱性の点でも優れている。
【００１３】
また、金属細線端子１４は、可撓性を有しており、主回路基板１に対して電子回路モジュール３が相対的に変動した場合には、金属細線端子１４で吸収され、金属細線端子１４の先端のはんだ接合部には応力が集中せず、はんだ接合部での破損は防止される。
また、電子回路モジュール３では、モジュール容器２の内部は完全密閉されているので、樹脂モールドパッケージされた電子部品が地上で使用された場合に吸湿するようなことは防止される。また、電子部品実装装置が宇宙機に搭載され、真空環境下に置かれても、樹脂モールドの脱ガスを防止することができる。
【００１４】
なお、上記実施の形態では、固定手段としてねじ１３を用いたが、勿論このものに限定されるものではなく、固定部位をベースの突起に接着材を用いて固定してもよいし、固定部位を突起の孔に圧入して固定してもよい。
【００１５】
実施の形態２．
図３はこの発明を実施の形態２の電子部品実装装置の電子回路モジュール２０の断面図である。
この電子回路モジュール２０は、断面コの字形状の第１の容器部２４ａおよび平板状の第２の容器部２４ｂからなるモジュール容器２４と、このモジュール容器２４内に設けられたモジュール回路基板２５と、このモジュール回路基板２５に実装された電子部品２２と、この電子部品２２と第２の容器部２４ｂとの間に設けられ、電子部品２２からの熱を第２の容器部２４ｂに導く熱良伝導性で銅製の放熱ブロック２１と、この放熱ブロック２１および電子部品２２の間並びに放熱ブロック２１および第２の容器部２４ｂの間に介在した介在材２６とを備えている。
モジュール容器２４は、実施の形態１のモジュール容器２と同様に、第１の容器部２４ａの端面と第２の容器部２４ｂとがはんだによる溶接で完全密閉されている。
介在材２６は、熱良伝導性のシリコン系弾性材で構成されている。
【００１６】
上記構成の電子部品実装装置では、電子部品２２からの熱は、介在材２６、放熱ブロック２１、介在材２６、第２の容器部２４ｂ、固定部位１１、ベース５の突起９、柱部６および枠部８を通じて筐体４の外部に円滑に放出される。
【００１７】
ところで、本願の発明者は、電子回路モジュールがエポキシ系樹脂で構成された主回路基板に接着された従来のものと、この実施の形態の電子部品実装装置とにおいて、電子部品の放熱性について、電子部品の表面温度と電子回路モジュールの隅部との温度差（ΔＴ）を測定して調べた。
その結果、温度差（ΔＴ）は、従来のものが１０〜２０℃であったのに対して、この実施の形態のものは、１〜２℃であり、従来のものと比較してほぼ１／１０であった。
この測定結果から、この実施の形態のものは、従来のものと比較して放熱ブロック２１を備えたことにより、それだけ電子部品と電子回路モジュールの隅部との間の熱経路での熱抵抗が小さくなり、電子部品の放熱性が高いことが実証された。
【００１８】
なお、上記構成の電子部品実装装置では、第１の容器部２４ａと第２の容器部２４ｂとをはんだによる溶接することで、モジュール容器２４を密閉したが、第１の容器部と第２の容器部とを、例えば接着材、電子ビーム溶接、短長波レーザ融着で接合するようにしてもよい。
また、介在材として、例えば銀ペースト、エポキシ系樹脂に銀が混入されたものであってもよく、熱良伝導性のもの、または熱良伝導性および接着性の両方を備えたものであればよい。
【００１９】
実施の形態３．
図４はこの発明を実施の形態３の電子部品実装装置の電子回路モジュール３０の断面図である。
この実施の形態では、モジュール回路基板３２に、電子部品２２からの熱をモジュール容器２４の第２の容器部２４ｂに導く放熱ビュアホール３１が設けられている点が、実施の形態２の電子回路モジュール２０と異なる。
この実施の形態では、モジュール回路基板３２に、内壁面に銅金属が付着した放熱ビュアホール３１が設けられているので、電子部品２２からの熱は、主に、介在材２６、放熱ビュアホール３１、介在材２６、第２の容器部２４ｂ、固定部位１１、ベース５の突起９、柱部６および枠部８を通じて筐体４の外部に円滑に放出される。
【００２０】
実施の形態４．
図５はこの発明を実施の形態４の電子部品実装装置の電子回路モジュール４０の断面図である。
この実施の形態では、電子部品２２と第１の容器部２４ａとの間に、電子部品２２からの熱をモジュール容器２４の第１の容器部２４ａに導くサーマルフィラー４２が設けられている点が、実施の形態２の電子回路モジュール２０と異なる。このサーマルフィラー４２は、介在材２６と同一の熱良伝導性のシリコン系弾性材で構成されている。なお、サーマルフィラーの材料として、例えば銀ペースト、エポキシ系樹脂に銀が混入されたものであってもよく、熱良伝導性を有するもの、または熱良伝導性および接着性の両方を有するものであればよい。
この実施の形態では、サーマルフィラー４２が電子部品２２と第１の容器部２４ａとの間に設けられているので、電子部品２２からの熱は、サーマルフィラー４２、第１の容器部２４ａ、固定部位１１、ベース５の突起９、柱部６および枠部８を通じて筐体４の外部に円滑に放出される。
【００２１】
実施の形態５．
図６はこの発明の実施の形態５の電子部品実装装置の電子回路モジュール５０の断面図である。
この実施の形態では、モジュール容器２４内に、熱良伝導性でゲル状態の放熱ゲル５２が充填されている点が、実施の形態２の電子回路モジュール２０と異なる。
この放熱ゲル５２は、熱良伝導性のシリコン系樹脂で構成されている。
【００２２】
この実施の形態では、電子部品２２は放熱ゲル５２で覆われているので、電子部品２２からの熱は、主に、放熱ゲル５２、容器部２４、固定部位１１、ベース５の突起９、柱部６および枠部８を通じて筐体４の外部に円滑に放出される。
【００２３】
実施の形態６．
図７はこの発明の実施の形態６の電子部品実装装置のモジュール容器６０の断面図である。
この実施の形態では、モジュール容器６０は、材料の異なる、外面層６１、中間層６２および内面層６３から構成された積層構造であり、外面層６１は、質量数（原子番号）の大きい材料で構成され、内面層６３は、質量数（原子番号）の小さい材料で構成されている。
具体的には、外面層６１は、タングステンまたはタングステン合金で構成され、内面層６３はアルミニウムで構成され、外面層６１と内面層６３との間の中間層６２は、銅で構成されている。
他の構成は実施の形態２の電子部品実装装置と同様である。
【００２４】
次に、上記構成のモジュール容器６０の放射線耐久性構造について詳述する。エネルギー粒子など外部放射線の侵入に対する防護策の一つとして、電子部品２２のみを遮蔽する局所遮蔽が有効である。
この実施の形態のモジュール容器６０は、数百Ｍｅｖの高エネルギー粒子に対する減衰・阻止能力は有していないものの、数Ｍｅｖ程度の低エネルギー粒子に対してモジュール容器６０内部での吸収線量を実用レベルまで減らすことが可能であり、特に局所遮蔽の際に発生する二次散乱線を抑えるための構造的特長を備えている。
【００２５】
このモジュール容器６０は、外面層６１は、質量数（原子番号）の大きい材料で構成され、内面層６３は、質量数（原子番号）の小さい材料で構成されているので、高密度の外面層６１で発生する２次生成粒子（散乱電子・制動Ｘ線）の内、二次散乱電子を低密度の内面層６３で効果的に吸収される。これは、この内面層６３の低エネルギー散乱線発生割合が外面層６１に比べ少ないためである。このため、モジュール容器６０内の電子部品２２が受ける吸収線量や不要な内部帯電が軽減される。
なお、モジュール容器の内部空隙に有機材等の低原子番号からなる元素材料で充填すれば、低エネルギー散乱線に対する抑制効果が更に高い。
【００２６】
このモジュール容器の遮蔽特性は、Ｂｅｔｈｅの理論式（注１）から得られるエネルギー減衰量から導ける。
モジュール容器中のエネルギープロトンの減速特性は、式（１）中の遮蔽材中の各変数に依存する。同式は、モジュール容器材料の主要組成の原子番号（質量数）が高いほど、あるいはプロトンエネルギーが低域になるほど、遮蔽効果が高くなることを示す。
Ｓ（Ｅ）　＝　Ｆ（１／Ｅｐ，Ｎ，Ｍｅ，Ｍｐ）・・・（式１）
Ｓ（Ｅ）　　エネルギー遮蔽能［Ｍｅｖ／ｇ／ｃｍ２］
Ｅｐ　　　陽子エネルギー［Ｍｅｖ］
Ｎ　　　　遮蔽材の電子密度
Ｍｅ　　　電子の静止エネルギー［Ｍｅｖ］
Ｍｐ　　　陽子の静止エネルギー［Ｍｅｖ］
注１：Ｕ．Ｆａｎｏ著「陽子、アルファー粒子、並びに中間子の侵入について」Ｎｕｃｌ−ｅａｒ　Ｓｃｉｅｎｃｅ誌年報、第１３巻第１章Ａｎｎｕａｌ　Ｒｅｖｉｅｗｓ，Ｉｎｃ．社１９６３年発行
また、エネルギープロトン以外のエネルギー粒子の場合も、このエネルギープロトン粒子の遮蔽式から導くことができる。
【００２７】
モジュール容器厚みを決定するために、アルミニウム材中でのエネルギー粒子（プロトン、電子）と飛程Ｒ（Ｅ）との関係式を次に示す（注２）。
エネルギープロトンの飛程式
Ｒ（Ｅ）＝（ＡＰ／２ＢＰ）×ｌｎ（１＋２ＢＰＥγ）・・・（式２）
エネルギー電子の飛程式
Ｒ（Ｅ）＝｛（Ｅ／Ａｅ）２＋Ｂｅ２−Ｂｅ｝｝０．５　・・・・（式３）
ここで
Ｒ（Ｅ）　　：飛程　（ｇ／ｃｍ２）
Ｅ　　　　　：エネルギー　（Ｍｅｖ）
ＡＰ　　　　　：２．７７×１０−３
ＢＰ　　　　　：２．５×１０−６
γ　　　　　：　１．７８
Ａｅ　　　　：　１．９２
Ｂｅ　　　　：　０．１１
注２：ＮＡＳＡ　ＴＮ　Ｄ−６３８５：Ｅｌｅｃｔｒｏｎ　ａｎｄ　Ｂｒｅｍｓｓｔｒａｈｌｕｎｇ　Ｐｅｎｅｔｒａｔｉｏｎ　ａｎｄ　ＤｏｓｅＣａｌｃｕｌａｔｉｏｎ（１９７１）
ＮＡＳＡ　ＳＰ−７１：　Ｔｈｅ　Ｃａｌｃｕｌａｔｉｏｎ　ｏｆ　Ｐｒｏｔｏｎ　Ｐｅｎｅｔｒａｔｉｏｎ　ａｎｄ　Ｄｏｓｅ　Ｒａｔｅｓ（１９６４）
【００２８】
図８にアルミニウム製のモジュール容器の場合の関係図を示す。
例えばプロトン粒子エネルギー２０Ｍｅｖの場合、モジュール容器が５ｍｍ厚なら、その侵入を十分に阻止できる。また、このモジュール容器厚さでは、エネルギー電子粒子１．５Ｍｅｖが、ほぼ吸収できる。
実際にモジュール容器が載置される、宇宙等放射線粒子環境下では、エネルギープロトンや、エネルギー電子等の粒子エネルギーは単色ではなく、ブロードなエネルギースペクトルを有する。これら粒子エネルギーフルエンスΦ（Ｅ）は、ＡＥ８およびＡＰ８コードとして知られ、およそ次式で近似できる。
Φｅ（Ｅ）∝　１／Ｅｅ３［ｎ／Ｍｅｖ・ｓｅｃ・ｓｔｒ・ｃｍ２］・・・（式４）
Φｐ（Ｅ）∝　１／ＥＰ３［ｎ／Ｍｅｖ・ｓｅｃ・ｓｔｒ・ｃｍ２］・・・（式５）
ｎ：粒子個数
両式は、エネルギー成分が低くなる程、粒子エネルギーフルエンスΦｅ（Ｅ）、Φｐ（Ｅ）が高くなる傾向がある。
【００２９】
このようなエネルギー粒子環境に置いたモジュール容器内部の各電子部品が受けるエネルギー吸収線量は、上記（式１）と上記（式２）（（ないし式３））とから、
Ｅｓｕｍ　＝　Σｋ＝１〜Ｋｍａｘ　Φｅ（Ｅｋ）×｛Ｅｋ−Ｓ（Ｅｋ）｝・・（式６）
となる。
シリコンデバイスなど電子部品の放射線損傷の程度は、吸収線量（Ｄｏｓｅ；Ｇｙ）の多寡で評価できる。また、この吸収線量は、エネルギー沈着量との比例関係にあることから、モジュール容器による遮蔽は、吸収線量抑制に有効である。
実際の問題として、モジュール容器を金属材料で構成するが、搭載重量の制限により容器重量には制限がある。このため、広範囲のエネルギー粒子束の内、高エネルギー粒子に対する遮蔽は不十分であるものの、低エネルギー粒子束成分に対して、モジュール容器内部の吸収線量を減らすようにすることができる。
【００３０】
上記式（１）と上記式（５）より実際の代表的なエネルギープロトン粒子環境下のモジュール容器内のエネルギー分布を図９に示す。
同図において符号イのグラフは、モジュール容器外の環境下でのプロトンエネルギーの線量分布を示し、符号ロのグラフは、モジュール容器内部のプロトンエネルギーの線量分布を示しており、低エネルギー域の線量が十分カットされていることが分かる。
【００３１】
以上、モジュール容器設計の一例から分かるように、適用環境の放射線強度や、モジュール容器重量等条件をもとに、線量低減に有効な容器構造を有する電子回路モジュールが提供できる。
回路モジュール内の電子部品が受ける吸収線量には、二次散乱線成分も含まれる。しかも、プロトンを含む重イオンの場合であっても、その減速散乱過程では、低エネルギー成分を含むエネルギー電子粒子が含まれ、この成分の電子部品に対する吸収線量への寄与は大きい。このため、モジュール容器から出る二次散乱電子の発生を抑制させることは有効である。
【００３２】
図１０、図１１に、５Ｍｅｖエネルギー電子のモジュール容器透過後の様子を示す。図１０はモジュール容器の外層面がアルミニウム、内層面が銅で構成された積層構造の場合である。図１１はモジュール容器の外層面がタングステン、中間層が銅、内層面がアルミニウムで構成された積層構造の場合である。
両図とも、モジュール容器の下面から内部に向かって矢印ハの方向に電子が侵入したときの様子を示すもので、電子部品が載置される直線ニの箇所では二次電子散乱粒子、および制動Ｘ線の飛跡が認められ、入射エネルギー粒子の遮蔽減衰に伴って二次電子が生成する様子が分かる。
【００３３】
本願の発明者は、単位面積当たりの重量が等しい条件下で質量数が異なる積層構造のモジュール容器を作製し、それぞれのモジュール容器内の吸収線量分布を実験により調べた。
図１２に各モジュール容器の構成を示す。ここで、ケースＩは外面層が厚さ０．１６ｃｍのアルミニウム、内面層が厚さ０．１ｃｍの銅で構成され、電子部品が厚さ０．５ｃｍで樹脂モールドされた例、ケースＩＩは外面層が厚さ０．１５ｃｍの銅で電子部品が厚さ０．５ｃｍで樹脂モールドされた例、ケースＩＩＩは外面層が厚さ０．０３ｍｍのタングステン、中間層が厚さ０．０６ｃｍの銅、内面層が厚さ０．１６ｃｍのアルミニウムで構成されている。
【００３４】
各ケースＩ、ＩＩ、ＩＩＩのモジュール容器内の吸収線量分布の実験結果を図１３に示す。
同図によれば、各ケースＩ、ＩＩ、ＩＩＩとも重量条件（ｇ／ｃｍ２）が同じであっても積層構造により容器内線量値および分布に次のような違いが認められた。
（１）ケースＩとケースＩＩとから、外面層材に低密度金属材（Ａｌ）を配置した場合と、外面層材に低密度金属材（Ａｌ）を配置しない銅単一の場合とを比較した場合に、外面層材に低密度金属材を配置したことによる優位性は認められない。
（２）外面層に高密度金属材、中間層に中密度、および内面層に低密度材を配置したケースＩＩＩでは、ケースＩ、ＩＩと比較して内部吸収線量の低減効果が大きい。
これより、最外層には最も密度の高い重金属材を配置、内側層および容器内空隙部に二次電子生成係数が小さな軽金属材／樹脂材を備えるのが効果的である。なお、ケースＩＩＩの場合には３層積層構造であるが、外面層がタングステンで構成され、内面層がアルミニウムで構成された２層構造であっても、吸収線量は低減される。
【００３５】
このエネルギー粒子遮蔽に関するモジュール容器の積層効果について次に述べる。
（１）重金属で構成の外面層により入射エネルギーを完全阻止するか、その一部エネルギーが吸収させる。
（２）遮蔽作用に伴って発生する二次電子粒子は軽金属で構成の内面層や樹脂材で吸収阻止される。
（３）外面層と内面層との間に原子番号が両者の中間値である中間層を配置することで、高エネルギー粒子の遮蔽効果を図ることができるとともに、これに付随した二次電子粒子の発生率を更に低減することができる。
（４）容器内面層に軽金属で構成し、容器内部の電子部品が樹脂モールドされているので、この部分での新たな二次電子散乱線の発生を抑制できる。
（５）外面層で発生する制動輻射自身が、各種材料に対して低い線エネルギー付与係数（ＬＥＴ）を有するので、内部にある電子部品の吸収線量の寄与は散乱電子に比べかなり低い。
【００３６】
なお、上記実施の形態１〜６では、モジュール容器内の電子部品は、樹脂モールド成形され、パッケージ化された電子部品であったが、この発明は、電子部品がベアーチップであっても適用できるのは勿論である。
【００３７】
【発明の効果】
以上説明したように、この発明の電子部品実装装置によれば、主回路基板と、この主回路基板に設けられモジュール容器内に電子部品が内蔵された電子回路モジュールと、前記主回路基板および前記電子回路モジュールを収納した筐体とを備え、前記電子回路モジュールには前記筐体と接続された固定部位が形成され、この固定部位で固定手段により電子回路モジュールは筐体に固定されており、また前記電子回路モジュールから導出された端子は、前記主回路基板と電気的に接続されているので、耐振動性、耐衝撃性が向上し、電子部品の電気的接続の信頼性が向上する。
【００３８】
また、この発明の電子部品実装装置は、主回路基板と、この主回路基板に設けられモジュール容器内に電子部品が内蔵された電子回路モジュールとを備え、前記モジュール容器は、材料の異なる部材を積層した積層構造であり、その表面側の外面層は、質量数（原子番号）の大きい材料で構成され、その内面側の内面層は、質量数（原子番号）の小さい材料で構成されているので、内部の電子部品の放射線損傷が低減される。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の実施の形態１の電子部品実装装置の要部斜視図である。
【図２】図１の電子部品実装装置の分解斜視図である。
【図３】実施の形態２の電子回路モジュールの断面図である。
【図４】実施の形態３の電子回路モジュールの断面図である。
【図５】実施の形態４の電子回路モジュールの断面図である。
【図６】実施の形態５の電子回路モジュールの断面図である。
【図７】実施の形態６のモジュール容器の側断面図である。
【図８】実施の形態６の電子回路モジュールのエネルギープロトン粒子のアルミニウム中の透過を説明するための図である。
【図９】実施の形態６の電子回路モジュールをエネルギープロトン粒子環境下に置いたときのモジュール容器のエネルギー電子粒子透過後の線量を示す図である。
【図１０】実施の形態６のモジュール容器の一例でのエネルギー電子粒子の散乱の様子を示す図である。
【図１１】実施の形態６のモジュール容器の他の例でのエネルギー電子粒子の散乱の様子を示す図である。
【図１２】モジュール容器の各ケースの例を示す図である。
【図１３】実施の形態６のモジュール容器においてエネルギー電子に対する吸収線量を示す図である。
【符号の説明】
１　主回路基板、２，６０　モジュール容器、３　電子回路モジュール、４　筐体、９　突起、１０　ねじ穴、１１　固定部位、１３　ねじ（固定手段）、１４　金属細線端子、２０，３０，４０，５０　電子回路モジュール、２１　放熱ブロック、２２　電子部品、２４　モジュール容器、２４ａ　第１の容器部、２４ｂ　第２の容器部、２５　モジュール回路基板、３１　放熱ビュアホール、３２，４１，５１　モジュール回路基板、４２　サーマルフィラー、５２　放熱ゲル、６１　外面層、６２　中間層、６３　内面層。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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