(57)【要約】【課題】遠紫外光、特にＡｒＦエキシマレーザー光を使用したミクロフォトファブリケーションに於いて好適に使用することができる、ラインエッジラフネス、パターン倒れの問題が解消されたポジ型レジスト組成物を提供すること。【解決手段】（Ａ）脂肪族環状炭化水素基を側鎖に有し、特定の２種の繰り返し単位を含有する酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解速度が増加する樹脂、及び（Ｂ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する特定の構造を有する特定のスルホニウム化合物を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。【選択図】　　なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）下記一般式（Ｉａ）で表される繰り返し単位と一般式（Ｉｂ）で表される繰り返し単位を含有する酸の作用によりアルカリ現像液中の溶解度が増大する樹脂、及び（Ｂ）下記一般式（Ｉ）、（ＩＩ）または（ＩＩＩ）で表される化合物を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。
【化１】
2004145298.tif 000078
　式（Ｉａ）及び（Ｉｂ）中、Ｒa1は独立に水素原子又はアルキル基を表し、Ａは連結基を表す。
　式（Ｉａ）中、Ｒa11は炭素数１〜４のアルキル基を表し、Ｚは炭素原子とともに脂環式炭化水素基を形成するのに必要な原子団を表す。
　式（Ｉｂ）中、Ｒa12〜Ｒa14は、各々独立に炭化水素基を表し、但し、Ｒa12〜Ｒa14のうち少なくとも１つは脂環式炭化水素基を表す。
【化２】
2004145298.tif 000079
　一般式（Ｉ）及び（ＩＩ）中、
　Ｒ1〜Ｒ3は、同じでも異なっていてもよく、水素原子又はアルキル基、アルケニル基、アリール基若しくはアルコキシ基を表す。
　Ｒ4及びＲ5は、同じでも異なっていてもよく、水素原子、シアノ基又はアルキル基、アリール基若しくはアルコキシ基を表す。
　Ｙ1及びＹ2は、同じでも異なっていてもよく、アルキル基、アリール基、アラルキル基又はヘテロ原子を含む芳香族基を表す。
　ｎは、１〜４の整数を表す。ｎが２以上の場合に複数個存在するＲ1及びＲ2は、同じでも異なっていてもよい。
　Ｒ1〜Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｙ1及びＹ2の内のいずれか２つ以上が結合して環構造を形成してもよい。
　また、Ｒ1〜Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｙ1及びＹ2のいずれかの位置で、連結基を介して結合し、一般式（Ｉ）又は（ＩＩ）の構造を２つ以上有していてもよい。
　Ｘ-は、非求核性アニオンを表す。
【化３】
2004145298.tif 000080
　一般式（ＩＩＩ）中、
　Ａｒは、アリール基又はヘテロ原子を含む芳香族基を表す。
　Ｒ6は、水素原子、シアノ基、アルキル基又はアリール基を表す。
　Ｒ7は、アルキル基又はアリール基を表す。
　Ｙ3及びＹ4は、同じでも異なっていてもよく、アルキル基、アリール基、アラルキル基又はヘテロ原子を含む芳香族基を表す。Ｙ3とＹ4とが結合して環を形成してもよい。
　ＡｒとＹ3及びＹ4の少なくとも一つが結合して環を形成してもよい。
　ＡｒとＲ6とが結合して環を形成してもよい。
　また、Ａｒ、Ｒ6若しくはＲ7のいずれか又はＹ3若しくはＹ4のいずれかの位置で、連結基を介して結合し、一般式（ＩＩＩ）の構造を２つ以上有していてもよい。
　Ｘ-は、非求核性アニオンを表す。
【請求項２】
（Ｂ）前記一般式（ＩＩＩ）で表される化合物が、下記一般式（ＩＶ）で表される化合物であることを特徴とする請求項１に記載のポジ型レジスト組成物。
【化４】
2004145298.tif 000081
　一般式（ＩＶ）中、
　Ｒ8〜Ｒ12は、同じでも異なっていてもよく、水素原子、ニトロ基、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルオキシカルボニル基、アリール基又はアシルアミノ基を表す。
　Ｒ8〜Ｒ12のうち少なくとも２つが結合して環構造を形成してもよい。
　Ｒ13は、水素原子、シアノ基、アルキル基又はアリール基を表す。
　Ｒ14は、アルキル基又はアリール基を表す。
　Ｙ5及びＹ6は、同じでも異なっていてもよく、アルキル基、アリール基、アラルキル基又はヘテロ原子を含む芳香族基を表す。
　Ｙ5とＹ6とが結合して環を形成してもよい。
　Ｒ8〜Ｒ12の少なくとも１つとＹ5及びＹ6の少なくとも一つが結合して環を形成してもよい。
　Ｒ8〜Ｒ12の少なくとも１つとＲ13とが結合して環を形成してもよい。
また、Ｒ8〜Ｒ14のいずれか又はＹ5若しくはＹ6のいずれかの位置で、連結基を介して結合し、一般式（ＩＶ）の構造を２つ以上有していてもよい。
　Ｘ-は、非求核性アニオンを表す。
【請求項３】
更に、（Ｃ）フッ素系及び／又はシリコン系界面活性剤を含有することを特徴とする請求項１または２に記載のポジ型レジスト組成物。
【請求項４】
更に、（Ｄ）有機塩基性化合物を含有することを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載のポジ型レジスト組成物。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれかに記載のレジスト組成物によりレジスト膜を形成し、該レジスト膜を露光、現像することを特徴とするパターン形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
　本発明は、超ＬＳＩや高容量マイクロチップの製造等の超マイクロリソグラフィプロセスやその他のフォトファブリケ−ションプロセスに使用するポジ型レジスト組成物に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
　近年、集積回路はその集積度を益々高めており、超ＬＳＩなどの半導体基板の製造に於いてはハーフミクロン以下の線幅から成る超微細パターンの加工が必要とされるようになってきた。その必要性を満たすためにフォトリソグラフィーに用いられる露光装置の使用波長は益々短波化し、今では、遠紫外線の中でも短波長のエキシマレーザー光（ＸｅＣｌ、ＫｒＦ、ＡｒＦなど）を用いることが検討されるまでになってきている。
　この波長領域におけるリソグラフィーのパターン形成に用いられるものとして、化学増幅系レジストがある。
【０００３】
　一般に化学増幅系レジストは、通称２成分系、２．５成分系、３成分系の３種類に大別することができる。２成分系は、光分解により酸を発生する化合物（以後、光酸発生剤という）とバインダー樹脂とを組み合わせている。該バインダー樹脂は、酸の作用により分解して、樹脂のアルカリ現像液中での溶解性を増加させる基（酸分解性基ともいう）を分子内に有する樹脂である。２．５成分系はこうした２成分系に更に酸分解性基を有する低分子化合物を含有する。３成分系は光酸発生剤とアルカリ可溶性樹脂と上記低分子化合物を含有するものである。
【０００４】
　上記化学増幅系レジストは紫外線や遠紫外線照射用のフォトレジストに適しているが、その中でさらに使用上の要求特性に対応する必要がある。
　ＡｒＦ光源用のフォトレジスト組成物としては、ドライエッチング耐性付与の目的で脂環式炭化水素部位が導入された樹脂が提案されているが、脂環式炭化水素部位導入の弊害として系が極めて疎水的になるがために、従来レジスト現像液として幅広く用いられてきたテトラメチルアンモニウムヒドロキシド（以下ＴＭＡＨ）水溶液での現像が困難となったり、現像中に基板からレジストが剥がれてしまうなどの現象が見られる。
　このようなレジストの疎水化に対応して、現像液にイソプロピルアルコールなどの有機溶媒を混ぜるなどの対応が検討され、一応の成果が見られるものの、レジスト膜の膨潤の懸念やプロセスが煩雑になるなど必ずしも問題が解決されたとは言えない。レジストの改良というアプローチでは親水基の導入により疎水的な種々の脂環式炭化水素部位を補うという施策も数多くなされている。
【０００５】
　特許文献１（特開平９−７３１７３号公報）には、脂環式基を含む構造で保護されたアルカリ可溶性基と、そのアルカリ可溶性基が酸により離脱して、アルカリ可溶性とならしめる構造単位を含む酸感応性化合物を用いたレジスト材料が記載されている。
　また、特許文献２（特開平１１−１１９４３４号公報）は、高解像性、高感度で、ドライエッチング耐性が向上した、低コストのレジスト材料として、脂環式炭化水素を有する繰り返し単位、ラクトン構造を有する繰り返し単位を含有する樹脂を使用したレジスト材料を提案している。
【０００６】
　特許文献３（特開２０００−２９２９１７号公報）には、トリアリールスルホニウム塩系酸発生剤及びフェナシルスルホニウム塩系酸発生剤の混合物を用いたレジスト組成物が記載されている。
　また、特許文献４（特開２００１−２９４５７０号公報）には、フェナシルスルホニウム塩を含有するレジスト組成物が記載されている。
【０００７】
【特許文献１】特開平９−７３１７３号公報
【特許文献２】特開平１１−１１９４３４号公報
【特許文献３】特開２０００−２９２９１７号公報
【特許文献４】特開２００１−２９４５７０号公報
【０００８】
　しかしながら、従来のポジ型レジスト組成物は、遠紫外光、特にＡｒＦエキシマレーザー光を使用したミクロフォトファブリケーションに於いて、ラインエッジラフネス、パターン倒れ性能に関する充分な成果が得られていなかった。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
　従って、本発明の目的は、遠紫外光、特にＡｒＦエキシマレーザー光を使用したミクロフォトファブリケーションに於いて好適に使用することができる、ラインエッジラフネス性能に優れ、パターン倒れ性能が優れるポジ型レジスト組成物を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
　本発明者等は、ポジ型化学増幅系レジスト組成物の構成材料を鋭意検討した結果、特定の酸分解性樹脂を用いることにより、本発明の目的が達成されることを見出し本発明に至った。
　即ち、上記目的は下記構成によって達成される。
【００１１】
（１）（Ａ）下記一般式（Ｉａ）で表される繰り返し単位と一般式（Ｉｂ）で表される繰り返し単位を含有酸の作用によりアルカリ現像液中の溶解度が増大する樹脂、及び（Ｂ）下記一般式（Ｉ）、（ＩＩ）または（ＩＩＩ）で表される化合物を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。
【００１２】
【化５】
2004145298.tif 000002
【００１３】
　式（Ｉａ）及び（Ｉｂ）中、Ｒa1は独立に水素原子又はアルキル基を表し、Ａは連結基を表す。
　式（Ｉａ）中、Ｒa11は炭素数１〜４のアルキル基を表し、Ｚは炭素原子とともに脂環式炭化水素基を形成するのに必要な原子団を表す。
　式（Ｉｂ）中、Ｒa12〜Ｒ14は、各々独立に炭化水素基を表し、但し、Ｒa12〜Ｒa14のうち少なくとも１つは脂環式炭化水素基を表す。
【００１４】
【化６】
2004145298.tif 000003
【００１５】
　一般式（Ｉ）及び（ＩＩ）中、
　Ｒ1〜Ｒ3は、同じでも異なっていてもよく、水素原子又はアルキル基、アルケニル基、アリール基若しくはアルコキシ基を表す。
　Ｒ4及びＲ5は、同じでも異なっていてもよく、水素原子、シアノ基又はアルキル基、アリール基若しくはアルコキシ基を表す。
　Ｙ1及びＹ2は、同じでも異なっていてもよく、アルキル基、アリール基、アラルキル基又はヘテロ原子を含む芳香族基を表す。
　ｎは、１〜４の整数を表す。ｎが２以上の場合に複数個存在するＲ1及びＲ2は、同じでも異なっていてもよい。
　Ｒ1〜Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｙ1及びＹ2の内のいずれか２つ以上が結合して環構造を形成してもよい。
　また、Ｒ1〜Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｙ1及びＹ2のいずれかの位置で、連結基を介して結合し、一般式（Ｉ）又は（ＩＩ）の構造を２つ以上有していてもよい。
　Ｘ-は、非求核性アニオンを表す。
【化７】
2004145298.tif 000004
　一般式（ＩＩＩ）中、
　Ａｒは、アリール基又はヘテロ原子を含む芳香族基を表す。
　Ｒ6は、水素原子、シアノ基、アルキル基又はアリール基を表す。
　Ｒ7は、アルキル基又はアリール基を表す。
　Ｙ3及びＹ4は、同じでも異なっていてもよく、アルキル基、アリール基、アラルキル基又はヘテロ原子を含む芳香族基を表す。Ｙ3とＹ4とが結合して環を形成してもよい。
　ＡｒとＹ3及びＹ4の少なくとも一つが結合して環を形成してもよい。
　ＡｒとＲ6とが結合して環を形成してもよい。
　また、Ａｒ、Ｒ6若しくはＲ7のいずれか又はＹ3若しくはＹ4のいずれかの位置で、連結基を介して結合し、一般式（ＩＩＩ）の構造を２つ以上有していてもよい。
　Ｘ-は、非求核性アニオンを表す。
【００１６】
（２）（Ｂ）前記一般式（ＩＩＩ）で表される化合物が、下記一般式（ＩＶ）で表される化合物であることを特徴とする請求項１に記載のポジ型レジスト組成物。
【００１７】
【化８】
2004145298.tif 000005
【００１８】
　一般式（ＩＶ）中、
Ｒ8〜Ｒ12は、同じでも異なっていてもよく、水素原子、ニトロ基、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルオキシカルボニル基、アリール基又はアシルアミノ基を表す。
Ｒ8〜Ｒ12のうち少なくとも２つが結合して環構造を形成してもよい。
Ｒ13は、水素原子、シアノ基、アルキル基又はアリール基を表す。
Ｒ14は、アルキル基又はアリール基を表す。
Ｙ5及びＹ6は、同じでも異なっていてもよく、アルキル基、アリール基、アラルキル基又はヘテロ原子を含む芳香族基を表す。
Ｙ5とＹ6とが結合して環を形成してもよい。
Ｒ8〜Ｒ12の少なくとも１つとＹ5及びＹ6の少なくとも一つが結合して環を形成してもよい。
Ｒ8〜Ｒ12の少なくとも１ＦつとＲ13とが結合して環を形成してもよい。
また、Ｒ8〜Ｒ14のいずれか又はＹ5若しくはＹ6のいずれかの位置で、連結基を介して結合し、一般式（ＩＶ）の構造を２つ以上有していてもよい。
Ｘ-は、非求核性アニオンを表す。
【００１９】
（３）　更に、（Ｃ）フッ素系及び／又はシリコン系界面活性剤を含有することを特徴とする（１）または（２）に記載のポジ型レジスト組成物。
（４）　更に、（Ｄ）有機塩基性化合物を含有することを特徴とする（１）〜（３）のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物。
（５）　（１）〜（４）のいずれかに記載のレジスト組成物によりレジスト膜を形成し、該レジスト膜を露光、現像することを特徴とするパターン形成方法。
【発明の効果】
【００２０】
　本発明は、ラインエッジラフネス性能に優れ、パターン倒れ性能も優れるポジ型レジスト組成物を提供することが出来る。本発明のポジ型レジスト組成物は、遠紫外光、特にＡｒＦエキシマレーザー光を使用するミクロファブリケーションに好適に使用できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
　以下、本発明について詳細に説明する。
　尚、本明細書における基（原子団）の表記において、置換及び無置換を記していない表記は置換基を有さないものと共に置換基を有するものをも包含するものである。例えば「アルキル基」とは、置換基を有さないアルキル基（無置換アルキル基）のみならず、置換基を有するアルキル基（置換アルキル基）をも包含するものである。
【００２２】
〔１〕（Ａ）酸の作用によりアルカリ現像液中の溶解度が増大する樹脂（「酸分解性樹脂」ともいう）。
【００２３】
　本発明における（Ａ）成分、すなわち酸の作用によりアルカリ現像液中の溶解度が増大する樹脂は、下記一般式（Ｉａ）で表される繰り返し単位と一般式（Ｉｂ）で表される繰り返し単位を含有する樹脂である。
【００２４】
【化９】
2004145298.tif 000006
【００２５】
　式（Ｉａ）及び（Ｉｂ）中、Ｒa1は独立に水素原子又はアルキル基を表し、Ａは連結基を表す。
　式（Ｉａ）中、Ｒa11は炭素数１〜４のアルキル基を表し、Ｚは炭素原子とともに脂環式炭化水素基を形成するのに必要な原子団を表す。
　式（Ｉｂ）中、Ｒa12〜Ｒa14は、各々独立に炭化水素基を表し、但し、Ｒa12〜Ｒa14のうち少なくとも１つは脂環式炭化水素基を表す。
【００２６】
　Ｒa1のアルキル基としては、好ましくは炭素数１〜４個のアルキル基（メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基）であり、Ｒa1として特に好ましくは水素原子、メチル基である。
　Ａは、連結基を表し、一般的には、単結合、アルキレン基、置換アルキレン基、エーテル基、チオエーテル基、カルボニル基、エステル基、アミド基、スルフォンアミド基、ウレタン基、又はウレア基よりなる群から選択される単独あるいは２つ以上の基の組み合わせを表す。Ａとしての連結基は、好ましくは炭素数１０以下である。
　Ａのアルキレン基としては、下記式で表される基を挙げることができる。
　　　−〔Ｃ（Ｒｆ)(Ｒｇ）〕ｒ1−
　上記式中、Ｒｆ、Ｒｇは、水素原子、アルキル基、ハロゲン原子、水酸基、アルコキシ基を表し、両者は同一でも異なっていてもよい。アルキル基は置換アルキル基でも無置換のアルキル基でもよく、直鎖でも分岐型でもよく、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基等の低級アルキル基が好ましく、更に好ましくはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基から選択される。置換アルキル基の置換基としては、水酸基、ハロゲン原子、アルコキシ基を挙げることができる。アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基等の炭素数１〜４のものを挙げることができる。ハロゲン原子としては、塩素原子、臭素原子、フッ素原子、沃素原子等を挙げることができる。ｒ1は１〜１０の整数である。
【００２７】
　式（Ｉａ）中、Ｒa11は炭素数１〜４のアルキル基（メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基）を表す。
【００２８】
　式（Ｉｂ）中、Ｒa12〜Ｒa14は、各々独立に炭化水素基を表し、但し、Ｒa12〜Ｒa14のうち少なくとも１つは脂環式炭化水素基を表す。
【００２９】
　Ｒa12〜Ｒa14の脂環式炭化水素基以外の炭化水素基としては、好ましくは炭素数１〜１５の直鎖又は分岐アルキル基（特に好ましくは炭素数１〜４）である。
【００３０】
　Ｒa12〜Ｒa14における脂環式炭化水素基あるいはＺと炭素原子が形成する脂環式炭化水素基は、単環式でも、多環式でもよい。具体的には、炭素数５以上のモノシクロ、ビシクロ、トリシクロ、テトラシクロ構造等を有する基を挙げることができる。その炭素数は６〜３０個が好ましく、特に炭素数７〜２５個が好ましい。これらの脂環式炭化水素基は置換基を有していてもよい。
　以下に、脂環式炭化水素基のうち、脂環式部分の構造例を示す。
【００３１】
【化１０】
2004145298.tif 000007
【００３２】
【化１１】
2004145298.tif 000008
【００３３】
【化１２】
2004145298.tif 000009
【００３４】
　本発明においては、上記脂環式部分の好ましいものとしては、アダマンチル基、ノルアダマンチル基、デカリン残基、トリシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、ノルボルニル基、セドロール基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロデカニル基、シクロドデカニル基を挙げることができる。より好ましくは、アダマンチル基、デカリン残基、ノルボルニル基、セドロール基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロデカニル基、シクロドデカニル基である。
【００３５】
　これらの脂環式炭化水素基の置換基としては、例えば、アルキル基、ハロゲン原子、水酸基、オキソ基（＝Ｏ）が挙げられる。アルキル基は置換でも無置換でもよく、直鎖でも分岐型でもよく、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基等の低級アルキル基が好ましく、更に好ましくはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基よりなる群から選択された置換基を表す。置換アルキル基の置換基としては、水酸基、ハロゲン原子、アルコキシ基を挙げることができる。上記アルコキシ基としてはメトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基等の炭素数１〜４個のものを挙げることができる。
【００３６】
　以下、一般式（Ｉａ）又は（Ｉｂ）で表される繰り返し単位に相当するモノマーの具体例を示す。
【００３７】
【化１３】
2004145298.tif 000010
【００３８】
【化１４】
2004145298.tif 000011
【００３９】
【化１５】
2004145298.tif 000012
【００４０】
【化１６】
2004145298.tif 000013
【００４１】
【化１７】
2004145298.tif 000014
【００４２】
【化１８】
2004145298.tif 000015
　
【００４３】
【化１９】
2004145298.tif 000016
【００４４】
【化２０】
2004145298.tif 000017
　　　
【００４５】
【化２１】
2004145298.tif 000018
【００４６】
　本発明の（Ａ）酸分解性樹脂は、更に下記一般式（ｐIII）〜（ｐＶ）で示される脂環式炭化水素を含む部分構造を有する繰り返し単位を含有してもよい。
【００４７】
【化２２】
2004145298.tif 000019
【００４８】
（上記式中、Ｒ15及びＲ16は、各々独立に、炭素数１〜４個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基又は脂環式炭化水素基を表し、但し、Ｒ15及びＲ16のいずれかは脂環式炭化水素基を表す。
　Ｒ17〜Ｒ21は、各々独立に、水素原子、炭素数１〜４個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基又は脂環式炭化水素基を表し、但し、Ｒ17〜Ｒ21のうち少なくとも１つは脂環式炭化水素基を表す。また、Ｒ19、Ｒ21のいずれかは炭素数１〜４個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基又は脂環式炭化水素基を表す。
　Ｒ22〜Ｒ25は、各々独立に、炭素数１〜４個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基又は脂環式炭化水素基を表し、但し、Ｒ22〜Ｒ25のうち少なくとも１つは脂環式炭化水素基を表す。また、Ｒ23とＲ24は、互いに結合して環を形成していてもよい。）
【００４９】
　一般式（ｐIII）〜（ｐＶ）において、Ｒ15〜Ｒ25におけるアルキル基としては、置換もしくは非置換のいずれであってもよい、１〜４個の炭素原子を有する直鎖もしくは分岐のアルキル基を表す。そのアルキル基としては、例えばメチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基等が挙げられる。
　また、上記アルキル基の更なる置換基としては、炭素数１〜４個のアルコキシ基、ハロゲン原子（フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、アシル基、アシロキシ基、シアノ基、水酸基、カルボキシ基、アルコキシカルボニル基、ニトロ基等を挙げることができる。
【００５０】
　上記樹脂における一般式（ｐIII）〜（ｐＶ）で示される構造は、アルカリ可溶性基の保護に使用することができる。アルカリ可溶性基としては、この技術分野において公知の種々の基が挙げられる。
　具体的には、カルボン酸基、スルホン酸基、フェノール基、チオール基などが挙げられ、好ましくはカルボン酸基、スルホン酸基である。
　上記樹脂における一般式（ｐIII）〜（ｐＶ）で示される構造で保護されたアルカリ可溶性基としては、好ましくは下記一般式（ｐＩＸ）〜（ｐＸＩ）で表される基が挙げられる。
【００５１】
【化２３】
2004145298.tif 000020
【００５２】
　ここで、Ｒ15〜Ｒ25は、それぞれ前記定義に同じである。
　上記樹脂において、一般式（ｐIII）〜（ｐＶ）で示される構造で保護されたアルカリ可溶性基を有する繰り返し単位としては、下記一般式（ｐＡ）で示される繰り返し単位が好ましい。
【００５３】
【化２４】
2004145298.tif 000021
【００５４】
　ここで、Ｒは、水素原子、ハロゲン原子又は１〜４個の炭素原子を有する置換もしくは非置換の直鎖もしくは分岐のアルキル基を表す。複数のＲは、各々同じでも異なっていてもよい。
　Ａは、式（Ｉａ）（Ｉｂ）におけるのと同様である。
　Ｒａは、上記式（ｐIII）〜（ｐＶ）のいずれかの基を表す。
【００５５】
　以下に一般式（ｐＡ）で表される繰り返し構造単位に相当するモノマーの具体例を挙げるが、これらに限定されるものではない。
【００５６】
【化２５】
2004145298.tif 000022
【００５７】
【化２６】
2004145298.tif 000023
【００５８】
　本発明の酸分解性樹脂は、更に下記一般式（IV）で表されるラクトン構造を有する繰り返し単位を含有することができる。
【００５９】
【化２７】
2004145298.tif 000024
【００６０】
　一般式（IV）中、Ｒ1aは、水素原子又はメチル基を表す。
　Ｗ1は、単結合、アルキレン基、エーテル基、チオエーテル基、カルボニル基、エステル基よりなる群から選択される単独あるいは２つ以上の基の組み合わせを表す。
　Ｒａ1、Ｒｂ1、Ｒｃ1、Ｒｄ1、Ｒｅ1は各々独立に、水素原子又は炭素数１〜４のアルキル基を表す。ｍ、ｎは各々独立に０〜３の整数を表し、ｍ＋ｎは、２以上６以下である。
【００６１】
　Ｒａ1〜Ｒｅ1の炭素数１〜４のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基等を挙げることができる。
【００６２】
　一般式（IV）において、Ｗ1のアルキレン基としては、下記式で表される基を挙げることができる。
　　　−〔Ｃ（Ｒｆ)(Ｒｇ）〕ｒ1−
　上記式中、Ｒｆ、Ｒｇは、水素原子、アルキル基、ハロゲン原子、水酸基、アルコキシ基を表し、両者は同一でも異なっていてもよい。アルキル基は、置換アルキル基でも無置換のアルキル基でもよく、直鎖でも分岐型でもよく、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基等の低級アルキル基が好ましく、更に好ましくはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基から選択される。置換アルキル基の置換基としては、水酸基、ハロゲン原子、アルコキシ基を挙げることができる。アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基等の炭素数１〜４のものを挙げることができる。ハロゲン原子としては、塩素原子、臭素原子、フッ素原子、沃素原子等を挙げることができる。ｒ1は１〜１０の整数である。
【００６３】
　上記アルキル基における更なる置換基としては、カルボキシル基、アシルオキシ基、シアノ基、アルキル基、置換アルキル基、ハロゲン原子、水酸基、アルコキシ基、置換アルコキシ基、アセチルアミド基、アルコキシカルボニル基、アシル基が挙げられる。
　ここでアルキル基としては、置換アルキル基でも無置換のアルキル基でもよく、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基等の低級アルキル基を挙げることができる。置換アルキル基の置換基としては、水酸基、ハロゲン原子、アルコキシ基を挙げることができる。アルコキシ基は置換アルコキシ基でも無置換のアルコキシ基でもよく、置換基としては、アルコキシ基等を挙げることができる。アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基等の炭素数１〜４のものを挙げることができる。アシルオキシ基としては、アセトキシ基等が挙げられる。ハロゲン原子としては、塩素原子、臭素原子、フッ素原子、沃素原子等を挙げることができる。
【００６４】
　以下、一般式（IV）で示される繰り返し構造単位の具体例を示すが、これらに限定されるものではない。
【００６５】
【化２８】
2004145298.tif 000025
【００６６】
【化２９】
2004145298.tif 000026
【００６７】
【化３０】
2004145298.tif 000027
【００６８】
　上記一般式（IV）の具体例において、露光マージンがより良好になるという点から（IV−１７）〜（IV−３６）が好ましい。
　更に一般式（IV）の構造としては、エッジラフネスが良好になるという点からアクリレート構造を有するものが好ましい。
【００６９】
　また、下記一般式（Ｖ−１）〜（Ｖ−４）のいずれかで表される基を有する繰り返し単位を含有しても良い。
【００７０】
【化３１】
2004145298.tif 000028
【００７１】
　一般式（Ｖ−１）〜（Ｖ−４）において、Ｒ1b〜Ｒ5bは、各々独立に水素原子、置換基を有していてもよい、アルキル基、シクロアルキル基又はアルケニル基を表す。Ｒ1b〜Ｒ5bの内の２つは、結合して環を形成してもよい。
【００７２】
　一般式（Ｖ−１）〜（Ｖ−４）において、Ｒ1b〜Ｒ5bにおけるアルキル基としては、直鎖状、分岐状のアルキル基が挙げられ、置換基を有していてもよい。
　直鎖状、分岐状のアルキル基としては、炭素数１〜１２個の直鎖状あるいは分岐状アルキル基が好ましく、より好ましくは炭素数１〜１０個の直鎖状あるいは分岐状アルキル基であり、更に好ましくはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基である。
　Ｒ1b〜Ｒ5bにおけるシクロアルキル基としては、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基等の炭素数３〜８個のものが好ましい。
　Ｒ1b〜Ｒ5bにおけるアルケニル基としては、ビニル基、プロペニル基、ブテニル基、ヘキセニル基等の炭素数２〜６個のものが好ましい。
　また、Ｒ1b〜Ｒ5bの内の２つが結合して形成する環としては、シクロプロパン環、シクロブタン環、シクロペンタン環、シクロヘキサン環、シクロオクタン環等の３〜８員環が挙げられる。
　なお、一般式（Ｖ−１）〜（Ｖ−４）におけるＲ1b〜Ｒ5bは、環状骨格を構成している炭素原子のいずれに連結していてもよい。
【００７３】
　また、上記アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基が有してもよい好ましい置換基としては、炭素数１〜４個のアルコキシ基、ハロゲン原子（フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、炭素数２〜５のアシル基、炭素数２〜５のアシロキシ基、シアノ基、水酸基、カルボキシ基、炭素数２〜５のアルコキシカルボニル基、ニトロ基等を挙げることができる。
【００７４】
　一般式（Ｖ−１）〜（Ｖ−４）で表される基を有する繰り返し単位としては、下記一般式（ＡＩ）で表される繰り返し単位等を挙げることができる。
【００７５】
【化３２】
2004145298.tif 000029
【００７６】
　一般式（ＡＩ）中、Ｒb0は、水素原子、ハロゲン原子、又は炭素数１〜４の置換もしくは非置換のアルキル基を表す。Ｒb0のアルキル基が有していてもよい好ましい置換基としては、前記一般式（Ｖ−１）〜（Ｖ−４）におけるＲ1bとしてのアルキル基が有していてもよい好ましい置換基として先に例示したものが挙げられる。
　Ｒb0のハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、沃素原子を挙げることができる。Ｒb0は水素原子が好ましい。
　Ａ’は、単結合、エーテル基、エステル基、カルボニル基、アルキレン基、又はこれらを組み合わせた２価の基を表す。
　Ｂ2は、一般式（Ｖ−１）〜（Ｖ−４）のうちのいずれかで示される基を表す。Ａ’において、該組み合わせた２価の基としては、例えば下記式のものが挙げられる。
【００７７】
【化３３】
2004145298.tif 000030
【００７８】
　上記式において、Ｒab、Ｒbbは、水素原子、アルキル基、ハロゲン原子、水酸基、アルコキシ基を表し、両者は同一でも異なっていてもよい。
　アルキル基は、置換基を有していてもよく、直鎖でも分岐型でもよく、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基等の低級アルキル基が好ましく、更に好ましくはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基から選択される。置換アルキル基の置換基としては、水酸基、ハロゲン原子、炭素数１〜４のアルコキシ基を挙げることができる。　
　アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基等の炭素数１〜４個のものを挙げることができる。ハロゲン原子としては、塩素原子、臭素原子、フッ素原子、沃素原子等を挙げることができる。ｒ１は１〜１０の整数、好ましくは１〜４の整数を表す。ｍは１〜３の整数、好ましくは１又は２を表す。
【００７９】
　以下に、一般式（ＡＩ）で表される繰り返し単位の具体例を挙げるが、これらに限定されるものではない。
【００８０】
【化３４】
2004145298.tif 000031
【００８１】
【化３５】
2004145298.tif 000032
【００８２】
【化３６】
2004145298.tif 000033
【００８３】
【化３７】
2004145298.tif 000034
【００８４】
【化３８】
2004145298.tif 000035
【００８５】
【化３９】
2004145298.tif 000036
【００８６】
【化４０】
2004145298.tif 000037
　　　
【００８７】
　また、本発明の酸分解性樹脂は、更に下記一般式（VI）で表される繰り返し単位を含有することができる。
【００８８】
【化４１】
2004145298.tif 000038
【００８９】
　一般式（VI）において、Ａ6は単結合、アルキレン基、シクロアルキレン基、エーテル基、チオエーテル基、カルボニル基、エステル基よりなる群から選択される単独あるいは２つ以上の基の組み合わせを表す。
　Ｒ6aは水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、シアノ基、又はハロゲン原子を表す。
【００９０】
　一般式（VI）において、Ａ6のアルキレン基としては、下記式で表される基を挙げることができる。
　　　−〔Ｃ（Ｒｎｆ)(Ｒｎｇ）〕ｒ−
　上記式中、Ｒｎｆ、Ｒｎｇは、水素原子、アルキル基、ハロゲン原子、水酸基、アルコキシ基を表し、両者は同一でも異なっていてもよい。アルキル基は、置換基を有していてもよく、直鎖でも分岐型でもよく、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基等の低級アルキル基が好ましく、更に好ましくはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基から選択される。置換アルキル基の置換基としては、水酸基、ハロゲン原子、アルコキシ基を挙げることができる。アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基等の炭素数１〜４のものを挙げることができる。ハロゲン原子としては、塩素原子、臭素原子、フッ素原子、沃素原子等を挙げることができる。ｒは１〜１０の整数である。
　一般式（VI）において、Ａ6のシクロアルキレン基としては、炭素数３から１０個のものが挙げられ、シクロペンチレン基、シクロヘキシレン基、シクロオクチレン基等を挙げることができる。
【００９１】
　Ｚ6を含む有橋式脂環式環は、置換基を有していてもよい。置換基としては、例えば、ハロゲン原子、アルコキシ基(好ましくは炭素数１〜４)、アルコキシカルボニル基（好ましくは炭素数１〜５）、アシル基（例えば、ホルミル基、ベンゾイル基）、アシロキシ基（例えば、プロピルカルボニルオキシ基、ベンゾイルオキシ基）、アルキル基（好ましくは炭素数１〜４）、カルボキシル基、水酸基、アルキルスルホニルカルバモイル基（-ＣＯＮＨＳＯ2ＣＨ3等）が挙げられる。尚、置換基としてのアルキル基は、更に水酸基、ハロゲン原子、アルコキシ基（好ましくは炭素数１〜４）等で置換されていてもよい。
【００９２】
　一般式（VI）において、Ａ6に結合しているエステル基の酸素原子は、Ｚ6を含む有橋式脂環式環構造を構成する炭素原子のいずれの位置で結合してもよい。
【００９３】
　以下に、一般式（VI）で表される繰り返し単位の具体例を挙げるが、これらに限定されるものではない。
【００９４】
【化４２】
2004145298.tif 000039
【００９５】
【化４３】
2004145298.tif 000040
【００９６】
　更に、下記一般式（VII）で表される基を有する繰り返し単位を含有してもよい。
【００９７】
【化４４】
2004145298.tif 000041
【００９８】
　一般式（VII）中、Ｒ2c〜Ｒ4cは、各々独立に水素原子又は水酸基を表す。ただし、Ｒ2c〜Ｒ4cのうち少なくとも１つは水酸基を表す。
【００９９】
　一般式（VII）で表される基は、好ましくはジヒドロキシ体、モノヒドロキシ体であり、より好ましくはジヒドロキシ体である。　
【０１００】
　一般式（VII）で表される基を有する繰り返し単位としては、下記一般式（ＡII）で表される繰り返し単位等を挙げることができる。
【０１０１】
【化４５】
2004145298.tif 000042
【０１０２】
　一般式（ＡII）中、Ｒ1cは、水素原子又はメチル基を表す。
　Ｒ2c〜Ｒ4cは、各々独立に水素原子又は水酸基を表す。ただし、Ｒ2c〜Ｒ4cのうち少なくとも１つは水酸基を表す。
【０１０３】
　以下に、一般式（ＡII）で表される構造を有する繰り返し単位の具体例を挙げるが、これらに限定されるものではない。
【０１０４】
【化４６】
2004145298.tif 000043
【０１０５】
　（Ａ）成分である酸分解性樹脂は、上記の繰り返し構造単位以外に、ドライエッチング耐性や標準現像液適性、基板密着性、レジストプロファイル、さらにレジストの一般的な必要な特性である解像力、耐熱性、感度等を調節する目的で様々な繰り返し構造単位を含有することができる。
【０１０６】
　このような繰り返し構造単位としては、下記の単量体に相当する繰り返し構造単位を挙げることができるが、これらに限定されるものではない。
　これにより、酸分解性樹脂に要求される性能、特に、
（１）塗布溶剤に対する溶解性、
（２）製膜性（ガラス転移点）、
（３）アルカリ現像性、
（４）膜べり（親疎水性、アルカリ可溶性基選択）、
（５）未露光部の基板への密着性、
（６）ドライエッチング耐性、
等の微調整が可能となる。
　このような単量体として、例えばアクリル酸エステル類、メタクリル酸エステル類、アクリルアミド類、メタクリルアミド類、アリル化合物、ビニルエーテル類、ビニルエステル類等から選ばれる付加重合性不飽和結合を１個有する化合物等を挙げることができる。
【０１０７】
　具体的には、以下の単量体を挙げることができる。
　アクリル酸エステル類（好ましくはアルキル基の炭素数が１〜１０のアルキルアクリレート）：
　アクリル酸メチル、アクリル酸エチル、アクリル酸プロピル、アクリル酸アミル、アクリル酸シクロヘキシル、アクリル酸エチルヘキシル、アクリル酸オクチル、アクリル酸−ｔ−オクチル、クロルエチルアクリレート、２−ヒドロキシエチルアクリレート２、２−ジメチルヒドロキシプロピルアクリレート、５−ヒドロキシペンチルアクリレート、トリメチロールプロパンモノアクリレート、ペンタエリスリトールモノアクリレート、ベンジルアクリレート、メトキシベンジルアクリレート、フルフリルアクリレート、テトラヒドロフルフリルアクリレート等。
【０１０８】
　メタクリル酸エステル類（好ましくはアルキル基の炭素数が１〜１０のアルキルメタアクリレート）：
　メチルメタクリレート、エチルメタクリレート、プロピルメタクリレート、イソプロピルメタクリレート、アミルメタクリレート、ヘキシルメタクリレート、シクロヘキシルメタクリレート、ベンジルメタクリレート、クロルベンジルメタクリレート、オクチルメタクリレート、２−ヒドロキシエチルメタクリレート、４−ヒドロキシブチルメタクリレート、５−ヒドロキシペンチルメタクリレート、２、２−ジメチル−３−ヒドロキシプロピルメタクリレート、トリメチロールプロパンモノメタクリレート、ペンタエリスリトールモノメタクリレート、フルフリルメタクリレート、テトラヒドロフルフリルメタクリレート等。
【０１０９】
　アクリルアミド類：
　アクリルアミド、Ｎ−アルキルアクリルアミド（アルキル基としては炭素数１〜１０のもの、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ｔ−ブチル基、ヘプチル基、オクチル基、シクロヘキシル基、ヒドロキシエチル基等がある。）、Ｎ、Ｎ−ジアルキルアクリルアミド（アルキル基としては炭素数１〜１０のもの、例えばメチル基、エチル基、ブチル基、イソブチル基、エチルヘキシル基、シクロヘキシル基等がある）、Ｎ−ヒドロキシエチル−Ｎ−メチルアクリルアミド、Ｎ−２−アセトアミドエチル−Ｎ−アセチルアクリルアミド等。
【０１１０】
　メタクリルアミド類：
　メタクリルアミド、Ｎ−アルキルメタクリルアミド（アルキル基としては炭素数１〜１０のもの、例えばメチル基、エチル基、ｔ−ブチル基、エチルヘキシル基、ヒドロキシエチル基、シクロヘキシル基等がある）、Ｎ、Ｎ−ジアルキルメタクリルアミド（アルキル基としてはエチル基、プロピル基、ブチル基等がある）、Ｎ−ヒドロキシエチル−Ｎ−メチルメタクリルアミド等。
【０１１１】
　アリル化合物：
　アリルエステル類（例えば酢酸アリル、カプロン酸アリル、カプリル酸アリル、ラウリン酸アリル、パルミチン酸アリル、ステアリン酸アリル、安息香酸アリル、アセト酢酸アリル、乳酸アリル等）、アリルオキシエタノール等。
【０１１２】
　ビニルエーテル類：
　アルキルビニルエーテル（例えばヘキシルビニルエーテル、オクチルビニルエーテル、デシルビニルエーテル、エチルヘキシルビニルエーテル、メトキシエチルビニルエーテル、エトキシエチルビニルエーテル、クロルエチルビニルエーテル、１−メチル−２、２−ジメチルプロピルビニルエーテル、２−エチルブチルビニルエーテル、ヒドロキシエチルビニルエーテル、ジエチレングリコールビニルエーテル、ジメチルアミノエチルビニルエーテル、ジエチルアミノエチルビニルエーテル、ブチルアミノエチルビニルエーテル、ベンジルビニルエーテル、テトラヒドロフルフリルビニルエーテル等。
【０１１３】
　ビニルエステル類：
　ビニルブチレート、ビニルイソブチレート、ビニルトリメチルアセテート、ビニルジエチルアセテート、ビニルバレート、ビニルカプロエート、ビニルクロルアセテート、ビニルジクロルアセテート、ビニルメトキシアセテート、ビニルブトキシアセテート、ビニルアセトアセテート、ビニルラクテート、ビニル−β−フェニルブチレート、ビニルシクロヘキシルカルボキシレート等。
【０１１４】
　イタコン酸ジアルキル類：
　イタコン酸ジメチル、イタコン酸ジエチル、イタコン酸ジブチル等。
　フマール酸のジアルキルエステル類又はモノアルキルエステル類；ジブチルフマレート等。
【０１１５】
　その他クロトン酸、イタコン酸、無水マレイン酸、マレイミド、アクリロニトリル、メタクリロニトリル、マレイロニトリル等。
【０１１６】
　その他にも、上記種々の繰り返し構造単位に相当する単量体と共重合可能である付加重合性の不飽和化合物であれば、共重合されていてもよい。
【０１１７】
　酸分解性樹脂において、各繰り返し構造単位の含有モル比はレジストのドライエッチング耐性や標準現像液適性、基板密着性、レジストプロファイル、さらにはレジストの一般的な必要性能である解像力、耐熱性、感度等を調節するために適宜設定される。
【０１１８】
　酸分解性樹脂中、一般式（Ｉａ）で表される繰り返し単位と一般式（Ｉｂ）で表される繰り返し単位の総量は、全繰り返し構造単位中３０〜７０モル％が好ましく、より好ましくは３５〜６５モル％、更に好ましくは４０〜６０モル％である。
　一般式（Ｉａ）で表される繰り返し単位：一般式（Ｉｂ）で表される繰り返し単位（モル比）の範囲は、一般的には９９／１〜１／９９、好ましくは９０／１０〜１０／９０、更に好ましくは８０／２０〜２０／８０である。
　酸分解性樹脂中、一般式（ｐIII）〜(ｐＶ)で表される脂環式炭化水素を含む部分構造を有する繰り返し単位の含有量は、全繰り返し構造単位中３０〜７０モル％が好ましく、より好ましくは３５〜６５モル％、更に好ましくは４０〜６０モル％である。
　一般式（ＩＶ）〜（ＶII）の繰返し単位の含有量は、総量として、全繰り返し構造単位中５〜７０モル％が好ましく、より好ましくは１０〜６５モル％、更に好ましくは１５〜６０モル％である。
　一般式（Ｉａ）又は（Ｉｂ）で表される繰り返し単位、（ｐIII）〜(ｐＶ)で表される脂環式炭化水素を含む部分構造を有する繰り返し単位等を含む酸分解性基を有する繰返し単位の含有量は、全繰り返し構造単位中３０〜７０モル％が好ましく、より好ましくは３５〜６５モル％、更に好ましくは４０〜６０モル％である。
【０１１９】
　本発明に用いる酸分解性樹脂は、常法に従って（例えばラジカル重合）合成することができる。例えば、一般的合成方法としては、モノマー種を、一括であるいは反応途中で反応容器に仕込み、これを必要に応じ反応溶媒、例えばテトラヒドロフラン、１、４−ジオキサン、ジイソプロピルエーテルなどのエーテル類やメチルエチルケトン、メチルイソブチルケトンのようなケトン類、酢酸エチルのようなエステル溶媒、さらには後述のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートのような本発明の組成物を溶解する溶媒に溶解させ均一とした後、窒素やアルゴンなど不活性ガス雰囲気下で必要に応じ加熱、市販のラジカル開始剤（アゾ系開始剤、パーオキサイドなど）を用いて重合を開始させる。所望により開始剤を追加、あるいは分割で添加し、反応終了後、溶剤に投入して粉体あるいは固形回収等の方法で所望のポリマーを回収する。反応の濃度は２０質量％以上であり、好ましくは３０質量％以上、さらに好ましくは４０質量％以上である。
　反応温度は１０℃〜１５０℃であり、好ましくは３０℃〜１２０℃、さらに好ましくは５０〜１００℃である。
【０１２０】
　本発明に係る樹脂の重量平均分子量は、ＧＰＣ法によりポリスチレン換算値として、好ましくは１、０００〜２００、０００である。重量平均分子量が１、０００以上であることは耐熱性やドライエッチング耐性の面から好ましく、２００、０００以下とすることは現像性や、製膜性の面から好ましい　本発明の組成物がＡｒＦ露光用であるとき、ＡｒＦ光への透明性の点から樹脂は芳香環を有しないことが好ましい。
　また、樹脂の主鎖に脂環基を有しないことが、コンタクトホールの抜け性に優れる点、またデフォーカスラチチュード（焦点ずれの許容範囲）が顕著に向上する点から好ましい。
【０１２１】
　本発明の遠紫外線露光用ポジ型フォトレジスト組成物において、本発明に係わる全ての樹脂の組成物全体中の配合量は、全レジスト固形分中４０〜９９．９９質量％が好ましく、より好ましくは５０〜９９．９７質量％である。
【０１２２】
〔２〕（Ｂ）酸発生剤
　本発明における（Ｂ）成分は、前記一般式（Ｉ）、（ＩＩ）または（ＩＩＩ）で表される化合物であり、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物であり、赤外線、可視光、紫外光、遠紫外光等の活性光線、Ｘ線、電子線等の荷電粒子線、熱、超音波等により酸を発生する化合物である。
【０１２３】
（Ｂ−１）一般式（Ｉ）または（ＩＩ）で表される化合物
　まず、一般式（Ｉ）または（ＩＩ）で表される化合物について説明する。
【０１２４】
【化４７】
2004145298.tif 000044
【０１２５】
　一般式（Ｉ）及び（ＩＩ）中、
　Ｒ1〜Ｒ3は、同じでも異なっていてもよく、水素原子又はアルキル基、アルケニル基、アリール基若しくはアルコキシ基を表す。
　Ｒ4及びＲ5は、同じでも異なっていてもよく、水素原子、シアノ基又はアルキル基、アリール基若しくはアルコキシ基を表す。
　Ｙ1及びＹ2は、同じでも異なっていてもよく、アルキル基、アリール基、アラルキル基又はヘテロ原子を含む芳香族基を表す。
　ｎは、１〜４の整数を表す。ｎが２以上の場合に複数個存在するＲ1及びＲ2は、同じでも異なっていてもよい。
　Ｒ1〜Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｙ1及びＹ2の内のいずれか２つ以上が結合して環構造を形成してもよい。
　また、Ｒ1〜Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｙ1及びＹ2のいずれかの位置で、連結基を介して結合し、一般式（Ｉ）又は（ＩＩ）の構造を２つ以上有していてもよい。
　Ｘ-は、非求核性アニオンを表す。
【０１２６】
　一般式（Ｉ）及び（ＩＩ）中、Ｒ1〜Ｒ3は、同じでも異なっていてもよく、水素原子又は置換基を有していてもよい、アルキル基、アルケニル基、アリール基若しくはアルコキシ基を表す。Ｒ4及びＲ5は、同じでも異なっていてもよく、水素原子、シアノ基又は置換基を有していてもよい、アルキル基、アリール基若しくはアルコキシ基を表す。Ｙ1及びＹ2は、同じでも異なっていてもよく、置換基を有していてもよい、アルキル基、アリール基、アラルキル基又はヘテロ原子を含む芳香族基を表す。ｎは、１〜４の整数を表す。ｎが２以上の場合に複数個存在するＲ1及びＲ2は、同じでも異なっていてもよい。Ｒ1〜Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｙ1及びＹ2の内のいずれか２つ以上が結合して環構造を形成してもよい。また、Ｒ1〜Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｙ1及びＹ2のいずれかの位置で、連結基を介して結合し、一般式（Ｉ）又は（ＩＩ）の構造を２つ以上有していてもよい。Ｘ-は、非求核性アニオンを表す。
【０１２７】
　Ｒ1〜Ｒ5、Ｙ1及びＹ2のアルキル基は、置換基を有していてもよく、好ましくは炭素数１〜１０のアルキル基であり、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基、シクロペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基等の直鎖状、分岐状及び環状のアルキル基を挙げることができる。アルキル基は、アルキル鎖中に酸素原子、硫黄原子、カルボニル基等を有していてもよい。
　Ｒ1〜Ｒ5、Ｙ1及びＹ2のアリール基は、置換基を有していてもよく、好ましくは炭素数６〜１４のアリール基であり、例えば、フェニル基、トリル基、ナフチル基等を挙げることができる。
【０１２８】
　Ｒ1〜Ｒ3のアルケニル基は、置換基を有していてもよく、好ましくは炭素数２〜６のアルケニル基であり、例えばビニル基、プロペニル基、アリル基、ブテニル基、ペンテニル基、ヘキセニル基、シクロペンテニル基、シクロヘキセニル基、３−オキソシクロペンテニル基、３−オキソシクロヘキセニル基等を挙げることができる。
【０１２９】
　Ｒ1〜Ｒ5のアルコキシ基は、置換基を有していてもよく、炭素数１〜８のアルコキシ基が好ましく、例えば、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉｓｏ−プロポキシ基、ブトキシ基、ペントキシ基、アリルオキシ基、オクトオキシ基等を挙げることができる。
【０１３０】
　Ｙ1及びＹ2のアラルキル基は、好ましくは炭素数７〜１２のアラルキル基であり、例えば、ベンジル基、フェネチル基、クミル基等を挙げることができる。
【０１３１】
　ヘテロ原子を含む芳香族基とは、例えば炭素数４〜１４のアリール基等の芳香族基に、ヘテロ原子、例えば、窒素原子、酸素原子、硫黄原子等を有する基を表す。
　Ｙ1及びＹ2のヘテロ原子を含む芳香族基としては、例えば、フラン、チオフェン、ピロール、ピリジン、インドール等の複素環式芳香族炭化水素基が挙げられる。
【０１３２】
　Ｒ1〜Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｙ1及びＹ2の内の２つ以上が結合して形成する環構造としては、例えば、Ｒ1又はＲ2と、Ｒ3とが結合して形成する環構造、Ｒ1又はＲ2と、Ｒ4又はＲ5とが結合して形成する環構造、Ｒ3と、Ｒ4又はＲ5とが結合して形成する環構造、Ｒ1と、Ｒ2と、Ｒ4又はＲ5とが結合して形成する環構造、Ｒ1と、Ｒ2と、Ｒ3と、Ｒ4又はＲ5とが結合して形成する環構造、Ｙ1と、Ｙ2とが結合して一般式（Ｉ）又は（ＩＩ）中のＳ+とともに形成する環構造等を挙げることができる。
【０１３３】
　Ｒ1又はＲ2と、Ｒ3とが結合して環構造を形成する場合に、Ｒ1又はＲ2と、Ｒ3とが結合して形成する基としては、好ましくは、鎖中にヘテロ原子を含んでもよい炭素数１〜１０のアルキレン基、例えば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ペンチレン基、ヘキシレン基等を挙げることができる。
【０１３４】
　Ｒ1又はＲ2と、Ｒ4又はＲ5とが結合して環構造を形成する場合、Ｒ1又はＲ2と、Ｒ4又はＲ5とが結合して形成する基としては、例えば、アルキレン基、カルボニル基等を挙げることができる。アルキレン基としては、好ましくは、炭素数１〜１０のアルキレン基、例えば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ペンチレン基、ヘキシレン基等を挙げることができる。
【０１３５】
　Ｒ3と、Ｒ4又はＲ5とが結合して環構造を形成する場合に、Ｒ3と、Ｒ4又はＲ5とが結合して形成する基としては、好ましくは、炭素数１〜１０のアルキレン基、例えば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ペンチレン基、ヘキシレン基等を挙げることができる。
【０１３６】
　Ｒ1と、Ｒ2と、Ｒ4又はＲ5とが結合して形成する環構造及びＲ1と、Ｒ2と、Ｒ3と、Ｒ4又はＲ5とが結合して形成する環構造としては、例えば、炭素数５〜１５の２環式縮合環構造を挙げることができる。
【０１３７】
　Ｙ1とＹ2とは結合して、一般式（Ｉ）又は（ＩＩ）中のＳ+とともに、環構造を形成してもよい。
　この場合、Ｙ1とＹ2とが結合して形成する基としては、例えば、炭素数４〜１０のアルキレン基、好ましくはブチレン基、ペンチレン基、ヘキシレン基、特に好ましくはブチレン基、ペンチレン基を挙げることができる。
　また、Ｙ1とＹ2と結合して、一般式（Ｉ）又は（ＩＩ）中のＳ+とともに形成した環の中に、ヘテロ原子を含んでいても良い。
【０１３８】
　上記のアルキル基、アルケニル基、アリール基、アラルキル基、芳香族基、環状構造の各々が有してもよい置換基としては、例えば、ニトロ基、ハロゲン原子、カルボキシル基、水酸基、オキソ基、アミノ基、シアノ基、アルコキシ基（好ましくは炭素数１〜５)等があげられる。更にアリール基、アラルキル基については、アルキル基（好ましくは炭素数１〜５）で置換されていてもよい。　
　また、アルキル基の置換基としては、ハロゲン原子、水酸基、アルコキシ基が好ましい。
【０１３９】
　Ｘ-の非求核性アニオンとしては、例えば、スルホン酸アニオン、カルボン酸アニオン、ビス（アルキルスルホニル）イミドアニオン、トリス（アルキルスルホニル）メチドアニオン等を挙げることができる。
　非求核性アニオンとは、求核反応を起こす能力が著しく低いアニオンであり、分子内求核反応による経時分解を抑制することができるアニオンである。これによりレジストの経時安定性が向上する。
　スルホン酸アニオンとしては、例えば、アルキルスルホン酸アニオン、アリールスルホン酸アニオン、カンファースルホン酸アニオンなどが挙げられる。
　カルボン酸アニオンとしては、例えば、アルキルカルボン酸アニオン、アリールカルボン酸アニオン、アラルキルカルボン酸アニオンなどが挙げられる。
【０１４０】
　アルキルスルホン酸アニオンにおけるアルキル基としては、好ましくは炭素数１〜３０のアルキル基、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ペンチル基、ネオペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基、ヘキサデシル基、ヘプタデシル基、オクタデシル基、ノナデシル基、エイコシル基、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、アダマンチル基、ノルボニル基、ボロニル基等を挙げることができる。
　アリールスルホン酸アニオンにおけるアリール基としては、好ましくは炭素数６〜１４のアリール基、例えば、フェニル基、トリル基、ナフチル基等を挙げることができる。
【０１４１】
　上記アルキルスルホン酸アニオン及びアリールスルホン酸アニオンにおけるアルキル基及びアリール基は、置換基を有していてもよい。
　置換基としては、例えば、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基等を挙げることができる。
【０１４２】
　ハロゲン原子としては、例えば、塩素原子、臭素原子、弗素原子、沃素原子等を挙げることができる。
　アルキル基としては、例えば、好ましくは炭素数１〜２０のアルキル基、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ペンチル基、ネオペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基、ヘキサデシル基、ヘプタデシル基、オクタデシル基、ノナデシル基、エイコシル基等を挙げることができる。
　アルコキシ基としては、例えば、好ましくは炭素数１〜５のアルコキシ基、例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基等を挙げることができる。
　アルキルチオ基としては、例えば、好ましくは炭素数１〜２０のアルキルチオ基、例えば、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、イソプロピルチオ基、ｎ−ブチルチオ基、イソブチルチオ基、ｓｅｃ−ブチルチオ基、ペンチルチオ基、ネオペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、ヘプチルチオ基、オクチルチオ基、ノニルチオ基、デシルチオ基、ウンデシルチオ基、ドデシルチオ基、トリデシルチオ基、テトラデシルチオ基、ペンタデシルチオ基、ヘキサデシルチオ基、ヘプタデシルチオ基、オクタデシルチオ基、ノナデシルチオ基、エイコシルチオ基等を挙げることができる。尚、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基は、更にハロゲン原子(好ましくはフッ素原子）で置換されていてもよい。
【０１４３】
　アルキルカルボン酸アニオンにおけるアルキル基としては、アルキルスルホン酸アニオンにおけるアルキル基と同様のものを挙げることができる。
　アリールカルボン酸アニオンにおけるアリール基としては、アリールスルホン酸アニオンにおけるアリール基と同様のものを挙げることができる。
　アラルキルカルボン酸アニオンにおけるアラルキル基としては、好ましくは炭素数６〜１２のアラルキル基、例えば、ベンジル基、フェネチル基、ナフチルメチル基、ナフチルエチル基、ナフチルメチル基等を挙げることができる。
【０１４４】
　上記アルキルカルボン酸アニオン、アリールカルボン酸アニオン及びアラルキルカルボン酸アニオンにおけるアルキル基、アリール基及びアラルキル基は置換基を有していてもよく、置換基としては、例えば、アリールスルホン酸アニオンにおけると同様のハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基等を挙げることができる。
【０１４５】
　ビス（アルキルスルホニル）イミドアニオン、トリス（アルキルスルホニル）メチドアニオンにおけるアルキル基は、炭素数１〜５のアルキル基が好ましく、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ペンチル基、ネオペンチル基等を挙げることができる。これらのアルキル基は置換基を有していてもよく、置換基としては、例えば、ハロゲン原子、アルコキシ基、アルキルチオ基等を挙げることができる。
【０１４６】
　その他の非求核性アニオンとしては、例えば、弗素化燐、弗素化硼素、弗素化アンチモン等を挙げることができる。
【０１４７】
　Ｘ-の非求核性アニオンとしては、スルホン酸のα位がフッ素原子で置換されたアルカンスルホン酸アニオン、フッ素原子又はフッ素原子を有する基で置換されたアリールスルホン酸アニオン、アルキル基がフッ素原子で置換されたビス（アルキルスルホニル）イミドアニオン、アルキル基がフッ素原子で置換されたトリス（アルキルスルホニル）メチドアニオンが好ましく、特に好ましくは炭素数１〜８個のパーフロロアルカンスルホン酸アニオン、最も好ましくはノナフロロブタンスルホン酸アニオン、パーフロロオクタンスルホン酸アニオンである。
【０１４８】
　一般式（Ｉ）又は（ＩＩ）において、Ｒ1〜Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｙ1及びＹ2のいずれかの位置で、連結基を介して結合し、一般式（Ｉ）又は（ＩＩ）の構造を２つ以上有していてもよい。
【０１４９】
　一般式（Ｉ）又は（ＩＩ）で表される酸発生剤（Ｂ）は、カルボニル基と共役する２重結合を有することが特徴であり、これにより励起状態が安定化され、酸発生能が向上する。
　また、Ｒ1又はＲ2と、Ｒ4又はＲ5とが結合して環構造を形成するか、Ｒ3と、Ｒ4又はＲ5とが結合して環構造を形成すると、立体構造がカルボニルのπ*軌道とＣ−Ｓ+σ軌道が平行になるように固定され、酸発生能が向上するので更に好ましい。
　一般式（Ｉ）又は（ＩＩ）に於いて、ｎ＝１又は２が好ましく、特に好ましくはｎ＝１である。
　Ｒ1〜Ｒ5の内のいずれか２つがアルキレン基を介して結合し、５〜７員環又は５〜７員環を含有する多環環状構造を形成することが好ましい。
　Ｒ4、Ｒ5は、水素原子又はアルキル基が好ましい。
　Ｙ1、Ｙ2は、アルキレン基を介して結合し、５〜７員環を形成することが好ましい。
【０１５０】
　以下に、上記一般式（Ｉ）又は（ＩＩ）で表される化合物の好ましい具体例を示すが、本発明はこれに限定されるものではない。
【０１５１】
【化４８】
2004145298.tif 000045
【０１５２】
【化４９】
2004145298.tif 000046
【０１５３】
【化５０】
2004145298.tif 000047
【０１５４】
【化５１】
2004145298.tif 000048
【０１５５】
【化５２】
2004145298.tif 000049
【０１５６】
【化５３】
2004145298.tif 000050
【０１５７】
【化５４】
2004145298.tif 000051
【０１５８】
【化５５】
2004145298.tif 000052
【０１５９】
【化５６】
2004145298.tif 000053
【０１６０】
【化５７】
2004145298.tif 000054
【０１６１】
　上記一般式（Ｉ）又は（ＩＩ）の化合物は、１種単独で又は２種以上を組み合わせて使用することができる。
【０１６２】
　一般式（Ｉ）又は（ＩＩ）に示す化合物は、対応する不飽和ケトン化合物を塩基性条件下でトリメチルシリルクロリドなどでシリルエノールエーテル化した後、スルホキシドと反応させてスルホニウム塩とし、塩交換することにより合成できる。
　また、一般式（Ｉ）又は（ＩＩ）に示す化合物は、対応する不飽和ケトン化合物のケトンのα位又はアリル位を臭素または臭化銅などでハロゲン化してαハロゲン置換不飽和ケトン或いはアリル位がハロゲン化された不飽和ケトンとした後、これにスルフィド化合物を無触媒又は銀触媒の存在下反応させてスルホニウム塩とし、塩交換する事により合成することもできる。
【０１６３】
　一般式（Ｉ）又は（ＩＩ）に示す化合物の化合物の本発明のレジスト組成物中の含量は、組成物の固形分を基準として、０．１〜２０質量％が好ましく、より好ましくは０．５〜１０質量％、更に好ましくは１〜７質量％である。
【０１６４】
（Ｂ−２）一般式（ＩＩＩ）で表される化合物
　次に、一般式（ＩＩＩ）で表される化合物について説明する。
【０１６５】
【化５８】
2004145298.tif 000055
【０１６６】
一般式（ＩＩＩ）中、
　Ａｒは、アリール基又はヘテロ原子を含む芳香族基を表す。
　Ｒ6は、水素原子、シアノ基、アルキル基又はアリール基を表す。
　Ｒ7は、アルキル基又はアリール基を表す。
　Ｙ3及びＹ4は、同じでも異なっていてもよく、アルキル基、アリール基、アラルキル基又はヘテロ原子を含む芳香族基を表す。Ｙ3とＹ4とが結合して環を形成してもよい。
　ＡｒとＹ3及びＹ4の少なくとも一つが結合して環を形成してもよい。
　ＡｒとＲ6とが結合して環を形成してもよい。
　また、Ａｒ、Ｒ6若しくはＲ7のいずれか又はＹ3若しくはＹ4のいずれかの位置で、連結基を介して結合し、一般式（ＩＩＩ）の構造を２つ以上有していてもよい。
　Ｘ-は、非求核性アニオンを表す。
【０１６７】
　一般式（ＩＩＩ）で表される化合物は、下記一般式（ＩＶ）で表される化合物であることが好ましい。
【０１６８】
　一般式（ＩＩＩ）中、Ａｒのアリール基は、好ましくは炭素数６〜１８のアリール基であり、例えば、フェニル基、ナフチル基、アントラセニル基等を挙げることができ、フェニル基、ナフチル基が好ましく、フェニル基がより好ましい。
　Ａｒのヘテロ原子を含む芳香族基は、炭素数６〜１８のアリール基等の芳香族基に、ヘテロ原子、例えば、窒素原子、酸素原子、硫黄原子等を有する基が好ましい。
【０１６９】
【化５９】
2004145298.tif 000056
【０１７０】
　一般式（ＩＶ）中、Ｒ8〜Ｒ12は、同じでも異なっていてもよく、水素原子、ニトロ基、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルオキシカルボニル基、アリール基又はアシルアミノ基を表す。Ｒ8〜Ｒ12のうち少なくとも２つが結合して環構造を形成してもよい。Ｒ13、Ｒ14は、それぞれ前記一般式（ＩＩＩ）のＲ6、Ｒ7と同義である。
　Ｙ5及びＹ6は、それぞれ前記一般式（ＩＩＩ）のＹ3、Ｙ4と同義である。Ｙ5とＹ6とが結合して環を形成してもよい。Ｒ8〜Ｒ12の少なくとも１つとＹ5及びＹ6の少なくとも一つが結合して環を形成してもよい。Ｒ8〜Ｒ12の少なくとも１つとＲ13とが結合して環を形成してもよい。また、Ｒ8〜Ｒ14のいずれか又はＹ5若しくはＹ6のいずれかの位置で、連結基を介して結合し、一般式（ＩＶ）の構造を２つ以上有していてもよい。Ｘ-は、非求核性アニオンを表す。
【０１７１】
　一般式（ＩＩＩ）および一般式（ＩＶ）中、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8〜Ｒ14のアルキル基及びアシルアミノ基におけるアルキル基は、好ましくは炭素数１〜２０のアルキル基であり、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基、シクロブチル基、ペンチル基、ネオペンチル基、シクロペンチル基、へキシル基、シクロへキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基等の直鎖状、分岐状及び環状のアルキル基を挙げることができる。
　Ｒ8〜Ｒ12のアルコキシ基及びアルキルオキシカルボニル基におけるアルコキシ基は、好ましくは炭素数１〜１０のアルコキシ基であり、例えばメトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキシ基等を挙げることができる。
　Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8〜Ｒ14のアリール基は、好ましくは炭素数６〜１４のアリール基であり、例えば、フェニル基、トリル基、ナフチル基等を挙げることができる。
　Ｒ8〜Ｒ12のハロゲン原子としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、沃素原子等を挙げることができる。
【０１７２】
　Ｙ3〜Ｙ6のアルキル基は、好ましくは炭素数１〜３０のアルキル基であり、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基等の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基、及びシクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、アダマンチル基、ノルボニル基、ボロニル基等の環状のアルキル基を挙げることができる。
　Ｙ3〜Ｙ6のアリール基は、好ましくは炭素数６〜１４のアリール基であり、例えば、フェニル基、トリル基、ナフチル基等を挙げることができる。
　Ｙ3〜Ｙ6のアラルキル基は、好ましくは炭素数７〜１２のアラルキル基であり、例えば、ベンジル基、フェネチル基、クミル基等を挙げることができる。
　Ｙ3〜Ｙ6のヘテロ原子を含む芳香族基は、炭素数６〜１４のアリール基等の芳香族基に、ヘテロ原子、例えば、窒素原子、酸素原子、硫黄原子等を有する基が好ましく、例えば、フラン、チオフェン、ピロール、ピリジン、インドール等の複素環式芳香族炭化水素基が挙げられる。
【０１７３】
　Ａｒが２つ以上の置換基を有し、それらの内の少なくとも２つの置換基が結合して環構造を形成してもよい。　
　この場合、少なくとも２つの置換基が結合して形成する基としては、炭素数４〜１０のアルキレン基が好ましく、例えばブチレン基、ペンチレン基、ヘキシレン基等を挙げることができる。
【０１７４】
　Ｒ8〜Ｒ12の内の少なくとも２つが結合して環構造を形成してもよい。
　この場合、Ｒ8〜Ｒ12の内の少なくとも２つが結合して形成する基としては、炭素数４〜１０のアルキレン基が好ましく、例えばブチレン基、ペンチレン基、ヘキシレン基等を挙げることができる。これらのアルキレン基はヘテロ原子を含んでもよい。　
【０１７５】
　Ｙ3とＹ4と、およびＹ5とＹ6とは結合して、一般式（ＩＩＩ）および一般式（ＩＶ）中のＳ+とともに、環を形成してもよい。
　この場合、Ｙ3とＹ4と、およびＹ5とＹ6とが結合して形成する基としては、例えば、炭素数４〜１０のアルキレン基、好ましくはブチレン基、ペンチレン基、ヘキシレン基、特に好ましくはブチレン基、ペンチレン基を挙げることができる。また、形成した環の中に、ヘテロ原子を含んでいても良い。
【０１７６】
　上記の各基は、さらに置換基を有していなくともよいし、置換基を有していてもよい。アリール基、アルキル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、アラルキル基等が有していてもよい置換基としては、例えば、ニトロ基、ハロゲン原子、カルボキシル基、水酸基、アミノ基、シアノ基、アルコキシ基（好ましくは炭素数１〜５)、アルキル基（好ましくは炭素数１〜２０）、アリール基（好ましくは炭素数６〜１４）、アルコキシカルボニルオキシ基（好ましくは炭素数２〜７）等を挙げることができる。　
　アルキル基の置換基としては、ハロゲン原子が好ましく、フッ素原子が特に好ましい。
【０１７７】
　ＡｒとＹ3又はＹ4の少なくとも１つとが結合して環を形成してもよいし、或いはＡｒとＲ6とが結合して環を形成してもよい。
　この場合に、ＡｒとＹ3又はＹ4の少なくとも１つが結合して形成する基及びＡｒとＲ6とが結合して形成する基としては、炭素数１〜１０のアルキレン基が好ましく、例えば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ペンチレン基、ヘキシレン基等を挙げることができる。また、ＡｒとＲ6とが結合して形成する基としては、カルボニル基も好ましい。
【０１７８】
　Ａｒ、Ｒ6、Ｒ7のいずれか、若しくは、Ｙ3又はＹ4のいずれかの位置で、連結基を介して結合し、一般式（ＩＩＩ）の構造を２つ以上有していてもよい。
【０１７９】
　Ｒ8〜Ｒ14のいずれか、若しくは、Ｙ5又はＹ6のいずれかの位置で、連結基を介して結合し、一般式（ＩＶ）の構造を２つ以上有していてもよい。
【０１８０】
　Ｒ8〜Ｒ12の少なくとも１つとＹ5又はＹ6の少なくとも一つが結合して環を形成してもよいし、或いは、Ｒ8〜Ｒ12の少なくとも１つとＲ13とが結合して環を形成してもよい。
　この場合に、Ｒ8〜Ｒ12の少なくとも１つとＹ5又はＹ6の少なくとも１つが結合して形成する基及びＲ8〜Ｒ12の少なくとも１つとＲ13とが結合して形成する基としては、炭素数１〜１０のアルキレン基が好ましく、例えば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ペンチレン基、ヘキシレン基等を挙げることができる。また、Ｒ8〜Ｒ12の少なくとも１つとＲ13とが結合して形成する基としては、カルボニル基も好ましい。
【０１８１】
　（Ｂ）成分は、Ｒ7に水素原子を有しておらず、これにより光分解能が向上し、感度が向上する。（Ｂ）成分は、好ましくは、Ｒ6及びＲ7が両方ともアルキル基であるか、Ｒ7が炭素数２〜２０のアルキル基であることであり、より好ましくは、Ｒ7が炭素数４〜２０のアルキル基であることである。また、ＡｒとＲ6とが結合して環を形成する際には、Ｒ7は炭素数１〜２０のアルキル基が好ましい。
【０１８２】
　Ｘ-の非求核性アニオンとしては、前記一般式（Ｉ）および（ＩＩ）と同様のものが挙げられる。
【０１８３】
　以下に、本発明の上記一般式（ＩＩＩ）で表される化合物の好ましい具体例を示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【０１８４】
【化６０】
2004145298.tif 000057
【０１８５】
【化６１】
2004145298.tif 000058
【０１８６】
【化６２】
2004145298.tif 000059
【０１８７】
【化６３】
2004145298.tif 000060
【０１８８】
【化６４】
2004145298.tif 000061
【０１８９】
　一般式（ＩＩＩ）の化合物は、１種単独で又は２種以上を組み合わせて使用することができる。
【０１９０】
　一般式（ＩＩＩ）に示す化合物は、対応するアシルベンゼン誘導体を塩基性条件下トリアルキルシリルハロゲニドと反応させてシリルエノーエルエーテル化し、これをスルホキシドと反応させることによりスルホニウム骨格を合成し、これを対応するアニオンと塩交換することにより得ることができる。別の合成法としては、対応するフェナシルハロゲニドとスルフィド化合物を無触媒または銀触媒の存在下反応させ、スルホニウム骨格を合成し、これを対応するアニオンと塩交換する方法を挙げることができる。
【０１９１】
　一般式（ＩＩＩ）で表される化合物の本発明のレジスト組成物中の含量は、組成物の固形分を基準として、０．１〜２０質量％が好ましく、より好ましくは０．５〜１０質量％、更に好ましくは１〜７質量％である。
【０１９２】
　本発明の（Ｂ）成分として、上記一般式（Ｉ）または（ＩＩ）で表される化合物と、一般式（ＩＩＩ）で表される化合物は、それぞれ単独で用いても併用しても良い。併用して用いる場合の合計の使用量は、全レジスト組成物の固形分を基準として、０．１〜２０質量％が好ましく、より好ましくは０．５〜１０質量％、更に好ましくは１〜７質量％である。
【０１９３】
（Ｂ）成分以外の併用しうる酸発生化合物
　本発明においては、成分（Ｂ）以外に、活性光線又は放射線の照射により分解して酸を発生する化合物を更に併用してもよい。
　本発明の（Ｂ）成分と併用しうる酸発生剤の使用量は、モル比（成分（Ｂ）／その他の酸発生剤）で、通常１００／０〜２０／８０、好ましくは１００／０〜４０／６０、更に好ましくは１００／０〜５０／５０である。
　特に芳香環構造を有する酸発生剤を併用する場合、その使用量は、質量比で全酸発生剤の６０％以下が好ましく、更に好ましくは５０％以下である。
　そのような併用可能な酸発生剤としては、光カチオン重合の光開始剤、光ラジカル重合の光開始剤、色素類の光消色剤、光変色剤、あるいはマイクロレジスト等に使用されている活性光線又は放射線の照射により酸を発生する公知の化合物及びそれらの混合物を適宜に選択して使用することができる。
【０１９４】
　たとえば、ジアゾニウム塩、ホスホニウム塩、スルホニウム塩、ヨードニウム塩、イミドスルホネート、オキシムスルホネート、ジアゾジスルホン、ジスルホン、ｏ−ニトロベンジルスルホネートを挙げることができる。
　特に好ましくは、スルホニウム塩であり、トリアリールスルホニウム塩、２−オキソアルキル基を有するスルホニウム塩が最も好ましい。
【０１９５】
　また、これらの活性光線又は放射線の照射により酸を発生する基、あるいは化合物をポリマーの主鎖又は側鎖に導入した化合物、たとえば、米国特許第３、８４９、１３７号、独国特許第３９１４４０７号、特開昭６３−２６６５３号、特開昭５５−１６４８２４号、特開昭６２−６９２６３号、特開昭６３−１４６０３８号、特開昭６３−１６３４５２号、特開昭６２−１５３８５３号、特開昭６３−１４６０２９号等に記載の化合物を用いることができる。
【０１９６】
　さらに米国特許第３、７７９、７７８号、欧州特許第１２６、７１２号等に記載の光により酸を発生する化合物も使用することができる。
【０１９７】
　併用してもよい活性光線又は放射線の照射により分解して酸を発生する化合物の内で特に好ましい化合物として、下記一般式（ＺＩ）、（ＺＩＩ）、（ＺＩＩＩ）で表される化合物を挙げることができる。
【０１９８】
【化６５】
2004145298.tif 000062
【０１９９】
　上記一般式（Ｚ１）において、Ｒ201、Ｒ202及びＲ203は、各々独立に有機基を表す。
　Ｘ-は、非求核性アニオンを表し、一般式（Ｉ）に於けるＸ-の非求核性アニオンと同様のものを挙げることができる。
【０２００】
　Ｒ201、Ｒ202及びＲ203としての有機基の炭素数は、一般的に１〜３０、好ましくは１〜２０である。
　また、Ｒ201〜Ｒ203のうち２つが結合して環構造を形成してもよく、環内に酸素原子、硫黄原子、エステル結合、アミド結合、カルボニル基を含んでいてもよい。
　Ｒ201〜Ｒ203の内の２つが結合して形成する基としては、アルキレン基（例えば、ブチレン基、ペンチレン基）を挙げることができる。
　Ｒ201、Ｒ202及びＲ203としての有機基の具体例としては、後述する化合物（Ｚ１−１）、（Ｚ１−２）における対応する基を挙げることができる。
【０２０１】
　尚、一般式（Ｚ１)で表される構造を複数有する化合物であってもよい。例えば、一般式（Ｚ１)で表される化合物のＲ201〜Ｒ203の少なくともひとつが、一般式（Ｚ１)で表されるもうひとつの化合物のＲ201〜Ｒ203の少なくともひとつと結合した構造を有する化合物であってもよい。
【０２０２】
　更に好ましい（Ｚ１）成分として、以下に説明する化合物（Ｚ１−１）および（Ｚ１−２）を挙げることができる。
【０２０３】
　化合物（Ｚ１−１）は、上記一般式（Ｚ１）のＲ201〜Ｒ203の少なくとも１つがアリール基である、アリールスルホニム化合物、即ち、アリールスルホニウムをカチオンとする化合物である。
　アリールスルホニウム化合物は、Ｒ201〜Ｒ203の全てがアリール基でもよいし、Ｒ201〜Ｒ203の一部がアリール基で、残りがアルキル基でもよい。
　アリールスルホニウム化合物としては、例えば、トリアリールスルホニウム化合物、ジアリールアルキルスルホニウム化合物、アリールジアルキルスルホニウム化合物を挙げることができる。
　アリールスルホニウム化合物のアリール基としてはフェニル基、ナフチル基が好ましく、更に好ましくはフェニル基である。アリールスルホニム化合物が２つ以上のアリール基を有する場合に、２つ以上あるアリール基は同一であっても異なっていてもよい。
　アリールスルホニウム化合物が必要に応じて有しているアルキル基は、炭素数１〜１５の直鎖、分岐又は環状アルキル基が好ましく、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロヘキシル基等を挙げることができる。
　Ｒ201〜Ｒ203のアリール基、アルキル基は、アルキル基（例えば炭素数１〜１５）、アリール基（例えば炭素数６−から１４）、アルコキシ基（例えば炭素数１〜１５）、ハロゲン原子、水酸基、フェニルチオ基を置換基として有してもよい。好ましい置換基としては炭素数１〜１２の直鎖、分岐又は環状アルキル基、炭素数１〜１２の直鎖、分岐又は環状のアルコキシ基であり、最も好ましくは炭素数１〜４のアルキル基、炭素数１〜４のアルコキシ基である。置換基は、３つのＲ201〜Ｒ203のうちのいずれか１つに置換していてもよいし、３つ全てに置換していてもよい。また、Ｒ201〜Ｒ203がアリール基の場合に、置換基はアリール基のｐ−位に置換していることが好ましい。
【０２０４】
　次に、化合物（Ｚ１−２）について説明する。
　化合物（Ｚ１−２）は、式（Ｚ１）におけるＲ201〜Ｒ203が、各々独立に、芳香環を含有しない有機基を表す場合の化合物である。ここで芳香環とは、ヘテロ原子を含有する芳香族環も包含するものである。
　Ｒ201〜Ｒ203としての芳香環を含有しない有機基は、一般的に炭素数１〜３０、好ましくは炭素数１〜２０である。
　Ｒ201〜Ｒ203は、各々独立に、好ましくはアルキル基、アリル基、ビニル基であり、更に好ましくは直鎖または分岐の２−オキソアルキル基および２−オキソシクロアルキル基、アルコキシカルボニルメチル基、最も好ましくは直鎖、分岐２−オキソアルキル基である。
【０２０５】
　Ｒ201〜Ｒ203としてのアルキル基およびシクロアルキル基は、置換基を有していてもよく、アルキル基は直鎖、分岐のいずれであってもよく、好ましくは、炭素数１〜１０の直鎖又は分岐アルキル基(例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基）、炭素数３〜１０の環状アルキル基（シクロペンチル基、シクロヘキシル基、ノルボニル基）を挙げることができる。より好ましくは、２−オキソアルキル基、アルコキシカルボニルメチル基であり、２−オキソアルキル基は、直鎖、分岐、環状の何れであってもよく、好ましくは、上記のアルキル基の２位に＞Ｃ＝Oを有する基を挙げることができる。また、アルコキシカルボニルメチル基におけるアルコキシ基としては、好ましくは炭素数１〜５のアルコキシ基（メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペントキシ基）を挙げることができる。
　Ｒ201〜Ｒ203は、ハロゲン原子、アルコキシ基（例えば炭素数１〜５）、水酸基、シアノ基、ニトロ基によって更に置換されていてもよい。
　Ｒ201〜Ｒ203のうち２つが結合して環構造を形成してもよく、環内に酸素原子、硫黄原子、エステル結合、アミド結合、カルボニル基を含んでいてもよい。Ｒ201〜Ｒ203の内の２つが結合して形成する基としては、アルキレン基（例えば、ブチレン基、ペンチレン基）を挙げることができる。
【０２０６】
　一般式（ＺＩＩ）、（ＺＩＩＩ）中、Ｒ204〜Ｒ207は、各々独立に、置換基を有しててもよいアリール基又は置換基を有していてもよいアルキル基を表す。
　Ｒ204〜Ｒ207のアリール基としてはフェニル基、ナフチル基が好ましく、更に好ましくはフェニル基である。
　Ｒ204〜Ｒ207としてのアルキル基は、直鎖、分岐、環状のいずれであってもよく、好ましくは、炭素数１〜１０の直鎖又は分岐アルキル基(例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基）、炭素数３〜１０の環状アルキル基（シクロペンチル基、シクロヘキシル基、ノルボニル基）を挙げることができる。
　Ｒ204〜Ｒ207の各基がさらに有していてもよい置換基としては、例えば、アルキル基（例えば炭素数１〜１５）、アリール基（例えば炭素数６〜１５）、アルコキシ基（例えば炭素数１〜１５）、ハロゲン原子、水酸基、フェニルチオ基等を挙げることができる。
　Ｘ-は、非求核性アニオンを表し、一般式（Ｉ）、（ＩＩ）に於けるＸ-の非求核性アニオンと同様のものを挙げることができる。
【０２０７】
　併用してもよい活性光線又は放射線の照射により分解して酸を発生する化合物の中で、特に好ましいものの例を以下に挙げる。
【０２０８】
【化６６】
2004145298.tif 000063
【０２０９】
【化６７】
2004145298.tif 000064
【０２１０】
【化６８】
2004145298.tif 000065
【０２１１】
【化６９】
2004145298.tif 000066
【０２１２】
【化７０】
2004145298.tif 000067
【０２１３】
〔３〕その他の添加剤
　本発明のポジ型レジスト組成物には、必要に応じて更に酸分解性溶解阻止化合物、染料、可塑剤、界面活性剤、光増感剤、有機塩基性化合物、及び現像液に対する溶解性を促進させる化合物等を含有させることができる。
【０２１４】
（Ｃ）フッ素系及び／又はシリコン系界面活性剤
　本発明のポジ型レジスト組成物は、少なくとも上記成分（Ａ）〜（Ｂ）を含有するが、更に（Ｃ）フッ素系及び／又はシリコン系界面活性剤（フッ素系界面活性剤及びシリコン系界面活性剤、フッ素原子と珪素原子の両方を含有する界面活性剤）のいずれか、あるいは２種以上を含有することが好ましい。
　本発明のポジ型レジスト組成物が上記（Ｃ）界面活性剤とを含有することにより、２５０ｎｍ以下、特に２２０ｎｍ以下の露光光源の使用時に、良好な感度及び解像度で、密着性及び現像欠陥の少ないレジストパターンを与えることが可能となる。
　これらの（Ｃ）界面活性剤として、例えば特開昭６２−３６６６３号公報、特開昭６１−２２６７４６号公報、特開昭６１−２２６７４５号公報、特開昭６２−１７０９５０号公報、特開昭６３−３４５４０号公報、特開平７−２３０１６５号公報、特開平８−６２８３４号公報、特開平９−５４４３２号公報、特開平９−５９８８号公報、特開２００２−２７７８６２号公報、米国特許第５４０５７２０号明細書、同５３６０６９２号明細書、同５５２９８８１号明細書、同５２９６３３０号明細書、同５４３６０９８号明細書、同５５７６１４３号明細書、同５２９４５１１号明細書、同５８２４４５１号明細書記載の界面活性剤を挙げることができ、下記市販の界面活性剤をそのまま用いることもできる。
　使用できる市販の界面活性剤として、例えばエフトップＥＦ３０１、ＥＦ３０３、(新秋田化成(株)製)、フロラードＦＣ４３０、４３１(住友スリーエム(株)製)、メガファックＦ１７１、Ｆ１７３、Ｆ１７６、Ｆ１８９、Ｒ０８（大日本インキ化学工業（株）製）、サーフロンＳ−３８２、ＳＣ１０１、１０２、１０３、１０４、１０５、１０６（旭硝子（株）製）、トロイゾルＳ−３６６（トロイケミカル（株）製）等のフッ素系界面活性剤又はシリコン系界面活性剤を挙げることができる。またポリシロキサンポリマーＫＰ−３４１（信越化学工業（株）製）もシリコン系界面活性剤として用いることができる。
【０２１５】
　また、界面活性剤としては、上記に示すような公知のものの他に、テロメリゼーション法（テロマー法ともいわれる）もしくはオリゴメリゼーション法（オリゴマー法ともいわれる）により製造されたフルオロ脂肪族化合物から導かれたフルオロ脂肪族基を有する重合体を用いた界面活性剤を用いることが出来る。フルオロ脂肪族化合物は、特開２００２−９０９９１号公報に記載された方法によって合成することが出来る。
　フルオロ脂肪族基を有する重合体としては、フルオロ脂肪族基を有するモノマーと（ポリ（オキシアルキレン））アクリレート及び／又は（ポリ（オキシアルキレン））メタクリレートとの共重合体が好ましく、不規則に分布しているものでも、ブロック共重合していてもよい。また、ポリ（オキシアルキレン）基としては、ポリ（オキシエチレン）基、ポリ（オキシプロピレン）基、ポリ（オキシブチレン）基などが挙げられ、また、ポリ（オキシエチレンとオキシプロピレンとオキシエチレンとのブロック連結体）やポリ（オキシエチレンとオキシプロピレンとのブロック連結体）基など同じ鎖長内に異なる鎖長のアルキレンを有するようなユニットでもよい。さらに、フルオロ脂肪族基を有するモノマーと（ポリ（オキシアルキレン））アクリレート（又はメタクリレート）との共重合体は２元共重合体ばかりでなく、異なる２種以上のフルオロ脂肪族基を有するモノマーや、異なる２種以上の（ポリ（オキシアルキレン））アクリレート（又はメタクリレート）などを同時に共重合した３元系以上の共重合体でもよい。
　例えば、市販の界面活性剤として、メガファックＦ１７８、Ｆ−４７０、Ｆ−４７３、Ｆ−４７５、Ｆ−４７６、Ｆ−４７２（大日本インキ化学工業（株）製）を挙げることができる。さらに、Ｃ6Ｆ13基を有するアクリレート（又はメタクリレート）と（ポリ（オキシアルキレン））アクリレート（又はメタクリレート）との共重合体、Ｃ6Ｆ13基を有するアクリレート（又はメタクリレート）と（ポリ（オキシエチレン））アクリレート（又はメタクリレート）と（ポリ（オキシプロピレン））アクリレート（又はメタクリレート）との共重合体、Ｃ8Ｆ17基を有するアクリレート（又はメタクリレート）と（ポリ（オキシアルキレン））アクリレート（又はメタクリレート）との共重合体、Ｃ8Ｆ17基を有するアクリレート（又はメタクリレート）と（ポリ（オキシエチレン））アクリレート（又はメタクリレート）と（ポリ（オキシプロピレン））アクリレート（又はメタクリレート）との共重合体、などを挙げることができる。
【０２１６】
　（Ｃ）界面活性剤の使用量は、ポジ型レジスト組成物全量（溶剤を除く）に対して、好ましくは０．０００１〜２質量％、より好ましくは０．００１〜１質量％である。
【０２１７】
　本発明で用いることのできる好ましい（Ｄ）有機塩基性化合物は、フェノールよりも塩基性の強い化合物である。中でも含窒素塩基性化合物が好ましい。　　
【０２１８】
【化７１】
2004145298.tif 000068
【０２１９】
　ここで、Ｒ250、Ｒ251及びＲ252は、各々独立に、水素原子、炭素数１〜６のアルキル基もしくはシクロアルキル基、または炭素数６〜２０の置換もしくは非置換のアリール基であり、ここでＲ251とＲ252は互いに結合して環を形成してもよい。上記のアルキル基は無置換であっても置換基を有していてもよく、置換基を有するアルキル基としては炭素数１〜６のアミノアルキル基、炭素数１〜６のヒドロキシアルキル基が好ましい。　
【０２２０】
【化７２】
2004145298.tif 000069
【０２２１】
（式中、Ｒ253、Ｒ254、Ｒ255及びＲ256は、各々独立に、炭素数１〜６のアルキル基を示す）
　更に好ましい化合物は、一分子中に異なる化学的環境の窒素原子を２個以上有する含窒素塩基性化合物であり、特に好ましくは、置換もしくは未置換のアミノ基と窒素原子を含む環構造の両方を含む化合物である。好ましい具体例としては、置換もしくは未置換のグアニジン、置換もしくは未置換のアミノピリジン、置換もしくは未置換のアミノアルキルピリジン、置換もしくは未置換のアミノピロリジン、置換もしくは未置換のインダーゾル、置換もしくは未置換のピラゾール、置換もしくは未置換のピラジン、置換もしくは未置換のピリミジン、置換もしくは未置換のプリン、置換もしくは未置換のイミダゾリン、置換もしくは未置換のピラゾリン、置換もしくは未置換のピペラジン、置換もしくは未置換のアミノモルフォリン、置換もしくは未置換のアミノアルキルモルフォリン等が挙げられる。好ましい置換基は、アミノ基、アルキル基、アルコキシ基、アシル基、アシロキシ基、アリール基、アリールオキシ基、ニトロ基、水酸基、シアノ基である。
【０２２２】
　含窒素塩基性化合物の好ましい具体例として、グアニジン、１、１−ジメチルグアニジン、１、１、３、３、−テトラメチルグアニジン、２−アミノピリジン、３−アミノピリジン、４−アミノピリジン、２−ジメチルアミノピリジン、４−ジメチルアミノピリジン、２−ジエチルアミノピリジン、２−（アミノメチル）ピリジン、２−アミノ−３−メチルピリジン、２−アミノ−４−メチルピリジン、２−アミノ−５−メチルピリジン、２−アミノ−６−メチルピリジン、３−アミノエチルピリジン、４−アミノエチルピリジン、３−アミノピロリジン、ピペラジン、Ｎ−（２−アミノエチル）ピペラジン、Ｎ−（２−アミノエチル）ピペリジン、４−アミノ−２、２、６、６−テトラメチルピペリジン、４−ピペリジノピペリジン、２−イミノピペリジン、１−（２−アミノエチル）ピロリジン、ピラゾール、３−アミノ−５−メチルピラゾール、５−アミノ−３−メチル−１−ｐ−トリルピラゾール、ピラジン、２−（アミノメチル）−５−メチルピラジン、ピリミジン、２、４−ジアミノピリミジン、４、６−ジヒドロキシピリミジン、２−ピラゾリン、３−ピラゾリン、Ｎ−アミノモルフォリン、Ｎ−（２−アミノエチル）モルフォリン、１、５−ジアザビシクロ〔４．３．０〕ノナ−５−エン、１、８−ジアザビシクロ〔５．４．０〕ウンデカ−７−エン、１、４−ジアザビシクロ〔２.２.２〕オクタン、２、４、５−トリフェニルイミダゾール、Ｎ−メチルモルホリン、Ｎ−エチルモルホリン、Ｎ−ヒドロキシエチルモルホリン、Ｎ−ベンジルモルホリン、シクロヘキシルモルホリノエチルチオウレア（ＣＨＭＥＴＵ）等の３級モルホリン誘導体、特開平１１−５２５７５号公報に記載のヒンダードアミン類（例えば該公報〔０００５〕に記載のもの）等が挙げられるがこれに限定されるものではない。
【０２２３】
　特に好ましい具体例は、１、５−ジアザビシクロ〔４.３.０〕ノナ−５−エン、１、８−ジアザビシクロ〔５.４.０〕ウンデカ−７−エン、１、４−ジアザビシクロ〔２.２.２〕オクタン、４−ジメチルアミノピリジン、ヘキサメチレンテトラミン、４、４−ジメチルイミダゾリン、ピロール類、ピラゾール類、イミダゾール類、ピリダジン類、ピリミジン類、ＣＨＭＥＴＵ等の３級モルホリン類、ビス（１、２、２、６、６−ペンタメチル−４−ピペリジル）セバゲート等のヒンダードアミン類等を挙げることができる。
　中でも、１、５−ジアザビシクロ〔４．３．０〕ノナ−５−エン、１、８−ジアザビシクロ〔５．４．０〕ウンデカ−７−エン、１、４−ジアザビシクロ〔２．２．２〕オクタン、４−ジメチルアミノピリジン、ヘキサメチレンテトラミン、ＣＨＭＥＴＵ、ビス（１、２、２、６、６−ペンタメチル−４−ピペリジル）セバゲートが好ましい。
【０２２４】
　これらの含窒素塩基性化合物は、単独であるいは２種以上組み合わせて用いられる。含窒素塩基性化合物の使用量は、感光性樹脂組成物の全組成物の固形分に対し、通常、０．００１〜１０質量％、好ましくは０．０１〜５質量％である。０．００１質量％以上であることは上記含窒素塩基性化合物の添加の効果の面で好ましく、１０質量％以下とすることは感度や非露光部の現像性の面で好ましい。
【０２２５】
　本発明のポジ型レジスト組成物は、上記各成分を溶解する溶剤に溶かして支持体上に塗布する。ここで使用する溶剤としては、エチレンジクロライド、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、２−ヘプタノン、γ−ブチロラクトン、メチルエチルケトン、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、２−メトキシエチルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、トルエン、酢酸エチル、乳酸メチル、乳酸エチル、メトキシプロピオン酸メチル、エトキシプロピオン酸エチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、ピルビン酸プロピル、Ｎ、Ｎ−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、Ｎ−メチルピロリドン、テトラヒドロフラン等が好ましく、これらの溶剤を単独あるいは混合して使用する。
【０２２６】
　上記の中でも、好ましい溶剤としてはプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、２−ヘプタノン、γ−ブチロラクトン、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、乳酸メチル、乳酸エチル、メトキシプロピオン酸メチル、エトキシプロピオン酸エチル、Ｎ−メチルピロリドン、テトラヒドロフランを挙げることができる。
【０２２７】
　本発明のこのようなポジ型レジスト組成物は基板上に塗布され、薄膜を形成する。この塗膜の膜厚は０．２〜１．２μｍが好ましい。
　本発明において使用することができる無機基板とは、通常のBareSi基板、SOG基板、あるいは次に記載の無機の反射防止膜を有する基板等を挙げることができる。
　また、本発明においては、必要により、市販の無機あるいは有機反射防止膜を使用することができる。
【０２２８】
　反射防止膜としては、チタン、二酸化チタン、窒化チタン、酸化クロム、カーボン、α−シリコン等の無機膜型と、吸光剤とポリマー材料からなる有機膜型が用いることができる。前者は膜形成に真空蒸着装置、ＣＶＤ装置、スパッタリング装置等の設備を必要とする。有機反射防止膜としては、例えば特公平７−６９６１１号記載のジフェニルアミン誘導体とホルムアルデヒド変性メラミン樹脂との縮合体、アルカリ可溶性樹脂、吸光剤からなるものや、米国特許５２９４６８０号記載の無水マレイン酸共重合体とジアミン型吸光剤の反応物、特開平６−１１８６３１号記載の樹脂バインダーとメチロールメラミン系熱架橋剤を含有するもの、特開平６−１１８６５６号記載のカルボン酸基とエポキシ基と吸光基を同一分子内に有するアクリル樹脂型反射防止膜、特開平８−８７１１５号記載のメチロールメラミンとベンゾフェノン系吸光剤からなるもの、特開平８−１７９５０９号記載のポリビニルアルコール樹脂に低分子吸光剤を添加したもの等が挙げられる。
　また、有機反射防止膜として、ブリューワーサイエンス社製のＤＵＶ３０シリーズや、ＤＵＶ−４０シリーズ、ＡＲＣ２５、シプレー社製のＡＣ−２、ＡＣ−３、ＡＲ１９、ＡＲ２０等を使用することもできる。
【０２２９】
　上記レジスト液を精密集積回路素子の製造に使用されるような基板（例：シリコン／二酸化シリコン被覆）上に（必要により上記反射防止膜を設けられた基板上に）、スピナー、コーター等の適当な塗布方法により塗布後、所定のマスクを通して露光し、ベークを行い現像することにより良好なレジストパターンを得ることができる。ここで露光光としては、好ましくは１５０ｎｍ〜２５０ｎｍの波長の光である。具体的には、ＫｒＦエキシマレーザー（２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザー（１９３ｎｍ）、Ｆ2エキシマレーザー（１５７ｎｍ）、Ｘ線、電子ビーム等が挙げられる。本発明のレジスト組成物は、特にＡｒＦエキシマレーザーによる露光用として用いることが好ましい。
【０２３０】
　現像液としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、アンモニア水等の無機アルカリ類、エチルアミン、ｎ−プロピルアミン等の第一アミン類、ジエチルアミン、ジ−ｎ−ブチルアミン等の第二アミン類、トリエチルアミン、メチルジエチルアミン等の第三アミン類、ジメチルエタノールアミン、トリエタノールアミン等のアルコールアミン類、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド等の第四級アンモニウム塩、ピロール、ピヘリジン等の環状アミン類等のアルカリ性水溶液（通常０．１〜１０質量％）を使用することができる。
　更に、上記アルカリ性水溶液にアルコール類、界面活性剤を適当量添加して使用することもできる。
【実施例】
【０２３１】
　以下、本発明を実施例によって更に具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
【０２３２】
樹脂（１）の合成
　２−エチル−２−アダマンチルメタクリレート、イソアダマンチルメタクリレート、ブチロラクトンメタクリレート、メタクリル酸を２５／２５／４０／１０の割合で仕込みメチルイソブチルケトンに溶解し、固形分濃度３０％の溶液１００ｍＬを調製した。この溶液に重合開始剤和光純薬製Ｖ−６０１を４ｍｏｌ％加え、これを窒素雰囲気下、４時間かけて８０℃に加熱したメチルイソブチルケトン１０ｍＬに滴下した。滴下終了後、反応液を４時間加熱攪拌した。反応終了後、反応液を室温まで冷却し、蒸留水／ＩＳＯプロピルアルコール＝１／１の混合溶媒１Ｌに晶析、析出した白色粉体をメタノール１Ｌで洗浄し、目的物である樹脂（１）を回収した。
　Ｃ13ＮＭＲから求めたポリマー組成比は２２／２７／３９／１２であった。また、ＧＰＣ測定により求めた標準ポリスチレン換算の重量平均分子量は８７００であった。
　上記合成例と同様の操作で下表に示す組成比、分子量の樹脂を合成した。（繰り返し単位１、２、３、４は構造式の左からの順番を示す）
【０２３３】
【表１】
2004145298.tif 000070
【０２３４】
　また、以下に上記樹脂（１）〜（１８）の構造を示す。
【０２３５】
【化７３】
2004145298.tif 000071
【０２３６】
【化７４】
2004145298.tif 000072
【０２３７】
【化７５】
2004145298.tif 000073
【０２３８】
【化７６】
2004145298.tif 000074
【０２３９】
【化７７】
2004145298.tif 000075
【０２４０】
実施例１〜４２及び比較例１〜８
（ポジ型レジスト組成物組成物の調製と評価）
　下表２に示す成分をプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートに溶解させ固形分濃度１０質量％の溶液を調整し、これを０．１μｍのポリテトラフルオロエチレンフィルターまたはポリエチレンフィルターでろ過してポジ型レジスト溶液を調整した。
【０２４１】
　反射防止膜としてBrewer Science社製ARC-29Aをスピンコーターを利用してシリコンウエハー上に７８nm塗布後、ホットプレート上２０５℃で６０秒間乾燥した後、その上に得られたポジ型レジスト組成物を塗布し、１２０℃で９０秒間乾燥、約３００ｎｍのポジ型レジスト膜を形成し、それにＡｒＦエキシマレーザー(波長１９３ｎｍ、ＮＡ＝０．６のＩＳＩ社製ＡｒＦステッパー)でピッチ２６０nmのラインパターン／スペースパターン比が一対一のマスクを用いて、露光量を変化させながら露光した。露光後の加熱処理を１２０℃で９０秒間行い、２．３８質量％のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で現像、蒸留水でリンスし、スピン乾燥によりレジストパターンを得た。
　このようにして得られたシリコンウエハーのレジストパターンを走査型顕微鏡で観察し、得られたレジストパターンを下記のように評価した。結果を表２および表３に示す。
【０２４２】
ラインエッジラフネス：１３０ｎｍラインパターンの長手方向５μｍを５０ポイント測定（日立製Ｓ−８８４０）し、３σを算出した。値が小さいほど良好性能であることを示す。
【０２４３】
パターン倒れ：１３０ｎｍのライン／スペースパターン比が一対一の繰り返しパターンで１５本のラインを有するマスクを用い、このマスクサイズを再現する露光量においてラインパターンの倒れがゼロの場合〇、３本以下の場合△、それ以上の場合×として評価した。パターン倒れの全く無い場合が良好性能であることを示す。
【０２４４】
【表２】
2004145298.tif 000076
【０２４５】
【表３】
2004145298.tif 000077
【０２４６】
　界面活性剤としては、
　Ｗ１：メガファックＦ１７６（大日本インキ（株）製）（フッ素系）
　Ｗ２：メガファックＲ０８（大日本インキ（株）製）（フッ素及びシリコーン
系）
　Ｗ３：ポリシロキサンポリマーＫＰ−３４１（信越化学工業（株）製）
　Ｗ４：ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテル
　Ｗ５：トロイゾルＳ−３６６（トロイケミカル（株）製）
を表す。
【０２４７】
　塩基性化合物としては、
１は、１、５−ジアザビシクロ〔４．３．０〕−５−ノネン（ＤＢＮ）を表し、
２は、ビス（１、２、２、６、６−ペンタメチル−４−ピペリジル）セバゲート
３は、トリｎ−ブチルアミン
４は、トリフェニルイミダゾール
５は、アンチピリン
６は、２、６−ジイソプロピルアニリン
を表す。
【０２４８】
　比較樹脂Ｒとしては、特開平１１−１１９４３４号の実施例に準じて合成した２−メチル−２−アダマンチルメタクリレート／メバロニックラクトンメタクリレート／ｔ−ブチルメタクリレート（モル比５０／３０／２０）を用いた。
【０２４９】
　表２および表３の結果から明らかなように、本発明のポジ型レジスト組成物は、ラインエッジラフネス性能に優れ、パターン倒れ性能が優れていることが判る。