(57)【要約】【課題】簡単な機構により異物除去性能を高めた半導体製品製造装置およびその清浄化方法を提供する。【解決手段】半導体製品製造装置９０に用いられ、ウエハ１の反応室６の気体を排気するターボ分子ポンプ本体１２を清浄化する清浄化方法であって、ターボ分子ポンプ本体１２に対して、反応室６の気体の排気におけるそのターボ分子ポンプの排気方向と逆方向に排気をする逆方向排気を行なうことにより、ターボ分子ポンプを清浄化する。【選択図】        図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体製品製造装置に用いられ、半導体製品中間品の処理室の気体を排気するターボ分子ポンプを清浄化する清浄化方法であって、
前記ターボ分子ポンプに対して、前記処理室の気体の排気におけるそのターボ分子ポンプの排気方向と逆方向に排気をする逆方向排気を行なうことにより、前記ターボ分子ポンプを清浄化する、半導体製品製造装置の清浄化方法。
【請求項２】
前記ターボ分子ポンプに対する逆方向排気では、前記ターボ分子ポンプに配置された粗引きポンプを駆動に用いる、請求項１に記載の半導体製品製造装置の清浄化方法。
【請求項３】
前記ターボ分子ポンプに逆方向にパージガスを流す、請求項１または２に記載の半導体製品製造装置の清浄化方法。
【請求項４】
前記パージガスとして、窒素（Ｎ２）、水素（Ｈ２）、ヘリウム（Ｈｅ）およびアルゴン（Ａｒ）の少なくとも１種のガスを用いる、請求項１〜３のいずれかに記載の半導体製品製造装置の清浄化方法。
【請求項５】
前記パージガスとして、水蒸気を用いる、請求項１〜３のいずれかに記載の半導体製品製造装置の清浄化方法。
【請求項６】
前記パージガスとして、水蒸気を用い、前記清浄化の対象の異物を核として前記水蒸気を氷結させ、逆方向に放出する、請求項５に記載の半導体製品製造装置の清浄化方法。
【請求項７】
前記ターボ分子ポンプの回転翼を所定の回転速度以下で回転させながら、前記逆方向排気を行なう、請求項１〜６のいずれかに記載の半導体製品製造装置の清浄化方法。
【請求項８】
前記パージガスを回転翼に、直接、噴射する、請求項１〜７のいずれかに記載の半導体製品製造装置の清浄化方法。
【請求項９】
半導体製品中間品の処理室の気体を排気するターボ分子ポンプを用いた半導体製品製造装置であって、
前記ターボ分子ポンプに対して、前記処理室の気体の排気における前記ターボ分子ポンプの排気方向と逆方向に排気をするための逆方向排気経路と、
前記逆方向排気経路を閉鎖する開閉切換手段とを備える、半導体製品製造装置。
【請求項１０】
前記ターボ分子ポンプに逆方向にパージガスを導入する気体導入部を備える、請求項９に記載の半導体製品製造装置。
【請求項１１】
前記気体導入部が、前記ターボ分子ポンプの排気部を構成するターボ分子ポンプ排気配管から分岐した分岐配管に形成されている、請求項１０に記載の半導体製品製造装置。
【請求項１２】
前記ターボ分子ポンプの回転翼に、前記パージガスを直接噴射する直噴機構を備える、請求項１０または１１に記載の半導体製品製造装置。
【請求項１３】
前記ターボ分子ポンプの回転翼を形成している材料がアルマイト処理を施されている、請求項９〜１２のいずれかに記載の半導体製品製造装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体製品製造装置およびその清浄化方法に関し、とくに高真空度を可能にするターボ分子ポンプを含む半導体製品製造装置およびその清浄化方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、半導体素子を製造するための半導体製品製造装置における性能向上技術は目覚しい進歩を遂げてきた。被処理基板であるウエハから半導体素子を形成する一連の工程であるウエハプロセスにおいて、ウエハは高真空に保持された半導体製品製造装置の処理室で処理が施されて、製品の半導体素子として完成する。ウエハを真空室で加工処理する半導体製品製造装置には、高真空度を達成し保持するためにターボ分子ポンプが用いられている。
【０００３】
ターボ分子ポンプは、内部に薄い金属製の回転翼ブレードおよび固定翼ブレードを回転可能に保持している。そして、回転翼ブレードを分子の運動速度である数百ｍ／秒の高速で運転させ、吸気口側から入る分子数が排気口側から入る分子数より多くすることにより、高排気能力を得ている。回転翼ブレードと、固定翼ブレードとは非常に狭い隙間を高速回転しているため、停電、振動、異物の落下等により瞬時に破壊にいたる場合がある。
【０００４】
吸気口側より飛び込んできたガス分子は、排気口側に進む間に回転翼ブレードの排気側への移動により、ガス分子は固定翼ブレードにぶつかりそこに吸着される。固定翼ブレードに吸着したガス分子は吸気口側に向って飛び出す。このとき、回転翼ブレードが排気口側に移動するため、ガス分子の進路を妨げ、ガス分子は回転翼ブレードの裏側下方にぶつかり、吸着する。
【０００５】
回転翼ブレードの裏側に吸着したガス分子は、回転翼ブレードの排気口側への移動にともない斜め下方に放出され、隣りの固定翼ブレードに吸着し、同様に排気口側へと排気する。
【０００６】
ウエハを加工処理する際、発生する反応性生成物と異物とは、上記のターボ分子ポンプの吸込口から吸い込まれる。反応性生成物などの異物もガス分子と同様に排気されるが、異物は付着力が強く、回転翼ブレードの裏面側や、固定翼ブレードに吸着し、堆積して排気されない場合がある。このため、ターボ分子ポンプの排気能力の低下や、処理圧力異常、異物の舞い上がりによる半導体素子の生産効率の低下、ウエハ表面の異物付着や処理中断によるウエハ不良、ターボ分子ポンプ内翼ブレードの破壊などの問題が発生していた。
【０００７】
上記の問題を解決する１つの方法として、たとえばターボ分子ポンプを定期的にオーバーホールする方策があるが、修復費やターボ分子ポンプの予備品の購入費用の増加や、半導体製品製造装置の停止による生産効率の悪化という問題があった。また、上記ターボ分子ポンプの構成部品であるロータ翼やその周辺部への反応性生成物の付着を減少させる方策として、ターボ分子ポンプ内や周辺部より窒素などのガスを導入する方法が提案されている（たとえば、特許文献１、２、３参照）。
【０００８】
また、上記のターボ分子ポンプを加熱したり、または冷却トラップを追設して異物をトラップすることにより異物付着を抑制する方法も提案されている（特許文献４、５）。
【０００９】
上記の提案を用いることにより、反応性生成物と異物との付着は抑制される。
【００１０】
【特許文献１】
特開平１１−０８２３６８号公報
【００１１】
【特許文献２】
特開平１１−３３６６９１号公報
【００１２】
【特許文献３】
特開平８−３２１４４８号公報
【００１３】
【特許文献４】
特開平９−２９８１５９号公報
【００１４】
【特許文献５】
特開平９−３２７９４号公報
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、窒素などのガスを導入する方法では、ターボ分子ポンプの吸込口側から排気口へ流れる排気方向への異物の付着は抑制することはできるが、排気の流れによりロータ翼の裏面側に付着した異物を除去することは困難であった。また、ターボ分子ポンプを加熱し、または吸気側に冷却トラップを設けて異物を除去する方法においても、同様に、ロータ翼の裏面側に付着した異物を除去することは困難であった。すなわち、上述の方法では、異物除去の程度が低く、上記の方法で用いる機構を複雑化することなく、異物除去の程度を高める方法や装置が求められていた。
【００１６】
本発明は、簡単な機構により異物除去性能を高めた半導体製品製造装置およびその清浄化方法を提供することを目的とする。
【００１７】
【課題を解決するための手段】
本発明の半導体製品の清浄化方法は、半導体製品製造装置に用いられ、半導体製品中間品の処理室の気体を排気するターボ分子ポンプを清浄化する清浄化方法である。この清浄化方法では、ターボ分子ポンプに対して、処理室の気体の排気におけるそのターボ分子ポンプの排気方向と逆方向に排気をする逆方向排気を行なうことにより、ターボ分子ポンプを清浄化する。
【００１８】
この方法により、回転翼の裏面に付着した異物を除去し、異物の除去の程度、すなわち清浄化の程度を向上させることができる。また、ターボ分子ポンプの周辺部で逆方向排気される経路に含まれる部分であれば、その周辺部も清浄化することができる。このため、真空排気システムの安定な稼働を維持することができ、真空排気システムの長寿命化およびオーバーホールコストの削減をはかることが可能になる。
【００１９】
なお、上記の逆方向排気では排気配管を閉じて密閉容器から逆方向排気する形にしてもよいし、排気配管は開放しておき両端開放の容器の一方端から排気する形態にしてもよい。後で説明するように、この密閉容器または両端開放容器とみなせるターボ分子ポンプにパージガスを導入して逆方向排気してもよい。
【００２０】
本発明の半導体製品製造装置は、半導体製品中間品の処理室の気体を排気するターボ分子ポンプを用いた半導体製品製造装置である。この半導体製品製造装置は、ターボ分子ポンプに対して、処理室の気体の排気におけるそのターボ分子ポンプ内の排気方向と逆方向に逆方向排気をするための逆方向排気経路と、その逆方向排気経路を閉鎖する開閉切換手段とを備える。
【００２１】
この構成により、処理室を排気するときには上記の逆方向排気経路を機能させることなく、処理室の排気に適した経路のみを用いて排気することができる。そして、清浄化のときにのみ、ターボ分子ポンプの回転翼を含む部分およびターボ分子ポンプの周辺部で逆方向排気経路になっている部分を逆方向排気することができる。この結果、通常の排気能力に悪影響を及ぼすことなく、回転翼の裏面に付着した異物をより徹底して除去することができる。したがって、真空排気システムの安定な稼働を維持することができ、真空排気システムの長寿命化およびオーバーホールコストの削減をはかることが可能になる。
【００２２】
【発明の実施の形態】
次に図面を用いて本発明の実施の形態について説明する。
【００２３】
（実施の形態１）
図１に本発明の実施の形態１における半導体製品製造装置９０を示す。この半導体製品製造装置９０は、大きく、ターボ分子ポンプ本体１２、粗引きポンプ１３などを含むターボ分子ポンプ３０と、このターボ分子ポンプにより高真空とされる反応室（処理室）６を含むドライエッチング装置５０とから構成されている。次に、半導体製品製造装置の各構成部分を、装置全体の機能を説明しながら紹介する。
【００２４】
まず、反応室（処理室）６を排気する手順について説明する。分岐バルブ１５，２５を閉じ、分岐バルブ１４を開き、粗引きポンプ１３を起動して、粗引き配管１６を経由させて、一旦、ドライエッチング装置５０の反応室６を低真空状態に粗引きする。その後、分岐バルブ１４を閉じ、分岐バルブ１５を開き、ターボ分子ポンプ本体１２を起動し、反応室６内の圧力制御や、反応室６とターボ分子ポンプ吸気配管１７との間の全開閉に、使用されるゲートバルブ１１を開く。圧力が制御され、高真空に保持された反応室６内に、図１に示すように、高周波電源４と、高周波整合器３と、ブロッキングコンデンサ８とをシリーズに接続する。そして、絶縁体１０により反応室６と絶縁された下部電極２上に、半導体製品中間品であり、被処理基板であるウエハ１を保持する。
【００２５】
次いで、処理ガス５を反応室６内に導入する手段を備える上部電極７と、下部電極２との間でプラズマ放電を発生させ、ウエハ１をエッチング処理する。その際、ウエハ１および反応室６の内壁などと、プラズマにより活性化された処理ガス５との化学反応により、反応性生成物などの異物９が発生する。この異物９はターボ分子ポンプ吸気配管１７、ゲートバルブ１１、ターボ分子ポンプ本体１２を経てターボ分子ポンプ排気配管１８、分岐バルブ１５、粗引きポンプ１３へと排気される。
【００２６】
ターボ分子ポンプ本体１２には窒素、アルゴン、ヘリウム、または水素といったパージガス２９を導入する気体導入部１９が設けられている。また、粗引き配管１６とターボ分子ポンプ吸気配管１７とを連絡する、分岐バルブ２５により開閉可能なバイパス２６を設けてある。バイパス２６と、粗引き配管１６と、粗引きポンプ１３とが、逆方向排気経路を構成する。また、分岐バルブ２５が、逆方向排気経路の開閉を切り換える開閉切換手段を構成する。
【００２７】
図２を参照して、図１で示した半導体製品製造装置を用いて本発明の本実施の形態における清浄化方法を示す。まず、粗引きポンプ１３を起動状態にして、ターボ分子ポンプ本体１２を停止し、ゲートバルブ１１を閉じ、分岐バルブ１４を閉じ、分岐バルブ１５を閉じ、分岐バルブ２５を開状態とする。粗引きポンプ１３による粗引き排気により、ターボ分子ポンプ本体内に逆流を発生させる。この逆流は、ターボ分子ポンプ本体１２内に付着した異物９を逆流中へと離脱させ、バイパス２６および粗引き配管１６を経て、粗引きポンプ１３側に排気することを可能にする。
【００２８】
さらに、ターボ分子ポンプ本体１２に追設した気体導入部１９からパージガスを導入し逆流させて異物の除去を促進して、異物除去性能を向上させる。上記の気体導入部１９は、ターボ分子ポンプ本体の排気配管１８に近い底部に設けられる。また、パージガスの気体導入部１９は、図３の変形例に示すように、排気配管１８そのものに分岐配管として設けられてもよい。図３の構成によれば、ターボ分子ポンプ本体１２を隈なくパージガスが逆流し、さらに排気配管１８のターボ分子ポンプ本体１２に近い周辺部を逆流して、付着した異物を除去することができる。
【００２９】
図４を参照して、図２および図３に示す異物除去方法を実施したときの異物およびガスの流れを説明する。気体導入部１９より導入されたパージガス２９の分子は回転翼ブレード３３、固定翼ブレード３４に付着した異物９に衝突して吸気口側へと逆排気される。パージガスを導入しない場合でも、逆方向排気により残存ガスや吸着されていた分子が脱離して逆方向に流れ、その程度は小さいが上記のパージガスの分子と同様の効果を得ることができる。
【００３０】
図５に、従来の半導体製品製造装置に設けられたターボ分子ポンプと、図１に示した本実施の形態の半導体製品製造装置に設けられたターボ分子ポンプとの故障発生までの稼動時間を比較して示す。図５から分るように、従来の半導体製品製造装置におけるターボ分子ポンプでは３６００時間程度稼働させると故障が発生していたのに対して、本実施の形態の半導体製品製造装置におけるターボ分子では８６００時間程度まで故障発生時間が延びる。すなわち、本実施の形態における半導体製品製造装置の清浄化方法を用いることにより、故障発生までの時間を２．４倍程度延長することが可能となる。
【００３１】
本実施の形態における清浄化の時間を延長し、また清浄化の頻度を増加させることによりターボ分子ポンプ故障発生までの時間がさらに延びることは言うまでもない。
【００３２】
（実施の形態２）
本発明の実施の形態２では、実施の形態１に記載した半導体製品製造装置を用い、パージガスを使用しない場合と、パージガス２９を使用した場合とについて、粗引き配管１６を通過した異物の数を検出した。パージガス２９としては、窒素ガスまたは水蒸気を使用した。さらに、ターボ分子ポンプ本体１２を保温加熱した場合の効果についても調査した。その結果を図６に示す。図６に示すように、パージガスを導入しない場合（条件Ａ）でも逆方向排気により異物除去性能の効果は得られる。しかし、パージガス２９として窒素ガスを用いることにより（条件Ｂ）、異物検出数が増加し異物除去性能が向上することがわかる。
【００３３】
また、パージガスとして水蒸気を導入した場合（条件Ｃ，Ｄ）も、図６に示すように窒素ガスを用いた場合と同様に異物検出数が増加し、異物除去性能が向上することがわかる。また、パージガスを水蒸気とし、ターボ分子ポンプ本体１２を加熱しない場合には（条件Ｄ）、粒径２．０μｍ以上の異物検出数が増加する。次に、この理由について詳しく説明する。
【００３４】
ターボ分子ポンプ本体１２内に水蒸気３９を導入したとき、ターボ分子ポンプは減圧され、かつターボ分子ポンプを加熱していないため内部に付着した異物９は冷却されている。このため、この異物に衝突した水蒸気は、図７の水相形態図に示すように、矢印ａのように気相域から固相域に向い、異物を核として氷結して氷３９ａとなる。このため、異物を核とする氷結異物４９が形成される。図８に示すように、この氷結異物４９は、そのまま逆方向に排出される。
【００３５】
また、図６からわかるように、パージガスとして水蒸気を使用してターボ分子ポンプ本体を保温加熱した場合（条件Ｃ）には、パージガスに窒素を用いた場合（条件Ｂ）とほぼ同じ異物除去性能を得ることができる。したがって、パージガスに水蒸気を用いることにより、故障発生までの稼働時間を延ばすことができる。
【００３６】
（実施の形態３）
図９は、本発明の実施の形態３の清浄化方法における逆方向排気をしたときの異物とガスの流れを示す図である。この半導体製品のターボ分子ポンプでは、逆方向排気による異物除去のときに、回転翼ブレード３３を低速回転させる点に特徴がある。回転翼ブレードを低速回転することにより、回転翼ブレードとの異物とパージガスのヘリウムとの衝突回数を増加させ、吸着した異物の脱離と排気を促進させることに、その狙いがある。
【００３７】
回転翼ブレードは順方向、すなわち通常の排気をするように回転させるので、逆方向排気を妨害することが考えられるが、そのような影響をほとんど生じさせない条件下で低速回転を行なう。すなわち、逆方向排気の際、回転翼ブレード３３は低速回転し、かつパージガスとしてヘリウムガスを使用して、粗引きポンプ１３によりヘリウムガスが粘性流域となる真空度領域を保持する。このためヘリウムガスは、回転翼ブレード３３の低速回転によるヘリウム排気流れの影響を受けず、上記実施の形態と同様の異物除去性能を得ることができる。
【００３８】
図１０に、上記のように回転翼ブレードを低速回転させながら逆方向排気したときの粗引き配管１６を通過した異物の検出数を示す。測定条件は（Ｅ）ヘリウムなし（パージガスなし）、回転翼ブレード停止、（Ｆ）ヘリウム導入、回転翼ブレード停止、（Ｇ）ヘリウム導入、回転翼ブレード低速回転、の３条件である。図１０からわかるように、低速回転によって異物除去効果を向上できることが分る。この理由は、低速回転により異物とパージガスヘリウムとの衝突回数が増加して、異物除去性能が向上するためである。
【００３９】
なお、本実施の形態ではヘリウムをパージガスとして例示したが、水素によっても同様の効果が得られ、かつ低速回転領域の変更により窒素においても同様の効果が得られる。すなわち、パージガスの種類に応じて低速回転の速度を変えることにより、ヘリウムと同様の効果を得ることができる。
【００４０】
次に、上記の各実施の形態も含めて、その他の本発明の実施の形態とその作用効果について、羅列的に説明する。
【００４１】
上記のターボ分子ポンプに対する逆方向排気では、ターボ分子ポンプに配置された粗引きポンプを駆動に用いることができる。このため、新たに駆動源を用いずに逆方向排気経路を形成するための切換（分岐）バルブを設けるだけで、簡単に逆方向排気を行なうことができる。
【００４２】
上記のターボ分子ポンプに逆方向にパージガスを流してもよい。パージガスの使用により、上記したように、異物除去の効果を飛躍的に向上させることができる。裏返せば、本発明は、広くは、パージガスを用いずに、たとえば粗引きポンプを用いてターボ分子ポンプを１つの容器とみたてて逆方向排気をするだけでもよいことを意味している。また、ターボ分子ポンプの排気配管は開放しておき両端開放の容器とみたてて、一方端から逆方向排気する形態にしてもよい。また、上記の密閉容器または両端開放容器とみなせるターボ分子ポンプにパージガスを導入して逆方向排気してもよい。
【００４３】
上記のパージガスとして、窒素（Ｎ２）、水素（Ｈ２）、ヘリウム（Ｈｅ）およびアルゴン（Ａｒ）の少なくとも１種のガスを用いてもよい。また、水蒸気（Ｈ２Ｏ）を用いてもよい。これらのパージガス分子は、付着した異物と衝突して、異物を付着位置から脱離させて、異物を除去することができる。
【００４４】
水蒸気を用いる場合は、ターボ分子ポンプを保温加熱して水蒸気を気相のまま排気させて異物除去作用を用いてもよいし、また保温加熱せずに、ターボ分子ポンプ内の冷却された異物を核として水蒸気を氷結させ、氷結異物を逆方向に放出してもよい。
【００４５】
また、上記のターボ分子ポンプの回転翼を所定の回転速度以下で回転させながら、逆方向排気を行なってもよい。上述のように粘性流領域の真空度を維持しながら低速回転させることにより、回転翼ブレードと逆方向排気されるパージガス分子との衝突回数を高めて、異物除去性能を向上させることができる。
【００４６】
上記の実施の形態では、ターボ分子ポンプ排気配管に分岐配管を設けてパージガスの気体導入部としたり、一般的にターボ分子ポンプ排気配管に近い底部に上記気体導入部を設けた例について説明した。しかし、上記気体導入部はどのような位置に設けてもよく、たとえば、パージガスを回転翼に、直接、噴射してもよい。この構成により、パージガスの分子が所定以上の運動量をもって回転翼ブレードに衝突するので異物除去性能を向上させることができる。したがって、本発明の１実施の形態における半導体製品製造装置では、回転翼に、パージガスを直接噴射する直噴機構を備えてもよい。
【００４７】
また、本発明の他の実施の形態における半導体製品製造装置では、回転翼を形成している材料がアルマイト処理を施されていてもよい。アルマイト処理により異物付着が抑制され、これに対して逆方向排気による異物除去を適用することにより、故障発生間隔をより長く延長させることができる。
【００４８】
さらに、上記実施の形態では、ターボ分子ポンプとドライエッチング装置との組み合わせを紹介したが、半導体製品中間品を処理する処理装置と、その処理を施す処理室を排気するターボ分子ポンプとの組み合わせであればどのような半導体製品製造装置であってもよい。たとえば、各種の薄膜形成処理を行なう装置と、ターボ分子ポンプとの組み合わせであってもよい。
【００４９】
上記において、本発明の実施の形態について説明を行ったが、上記に開示された本発明の実施の形態は、あくまで例示であって、本発明の範囲はこれら発明の実施の形態に限定されることはない。本発明の範囲は、特許請求の範囲の記載によって示され、さらに特許請求の範囲の記載と均等の意味および範囲内でのすべての変更を含むものである。
【００５０】
【発明の効果】
本発明の半導体製品製造装置およびその清浄化方法を用いることにより、簡単な機構により異物除去性能を高めることができ、半導体製品中間品の処理を故障無く長い時間連続して行なうことができる。このため、信頼性の高い半導体製品を高能率で歩留りよく製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態１における半導体製品製造装置を示す図である。
【図２】図１の半導体製品製造装置を用いた本発明の清浄化方法を示す図である。
【図３】本発明の実施の形態１の半導体製品製造装置の変形例を示す図である。
【図４】本発明の清浄化方法における逆方向排気をしたときの異物とガスの流れを示す図である。
【図５】本実施の形態の半導体製品製造装置におけるターボ分子ポンプの故障発生までの稼働時間を従来のものと比較して示す図である。
【図６】本発明の実施の形態２の半導体製品製造装置におけるターボ分子ポンプの逆方向排気経路での異物検出数を示す図である。
【図７】パージガスに用いられる水蒸気の一般的な水相形態図である。
【図８】水蒸気をパージガスに用いてターボ分子ポンプを保温加熱せずに逆方向排気したときに生じる氷結異物の排出を示す図である。
【図９】本発明の実施の形態３の清浄化方法における逆方向排気をしたときの異物とガスの流れを示す図である。
【図１０】図９の清浄化方法における回転翼の低速回転の効果を示す逆方向排気経路における異物検出数を示す図である。
【符号の説明】
１  ウエハ、２  下部電極、３  高周波整合器、４  高周波電源、５  処理用ガス、６  処理室、７  上部電極、８  ブロッキングコンデンサ、９  異物、１０  絶縁体、１１  ゲートバルブ、１２  ターボ分子ポンプ本体、１３  粗引きポンプ、１４，１５  分岐バルブ、１６  粗引き配管、１７  ターボ分子ポンプ吸気配管、１８  ターボ分子ポンプ排気配管、１９  気体導入部、２５  開閉バルブ（分岐バルブ）、２６  バイパス（逆方向排気経路）、２９  パージガス分子、３０  ターボ分子ポンプ、３３  回転翼ブレード、３４  固定翼ブレード、３９  水蒸気（気相）、３９ａ  氷、４９  氷結異物、５０  ドライエッチング装置、９０  半導体製品製造装置。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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