(57)【要約】      （修正有）【課題】ウェーハ枚数が異なるバッチを用いてもバッチ間もしくはバッチ内でウェーハ上のＳｉＮ膜のエッチング量が揃った高精度なエッチング処理が可能になるウェーハのエッチング方法及びこの方法を実施するためのエッチング装置を提供する。【解決手段】ウェーハに対するＨ３ＰＯ４エッチング工程において、エッチング槽１に投入するウエーハ１０の枚数を予め認識することにより、ウェーハ投入時は設定温度Ａより温度低下分（Δ＝Ｂ−Ａ）を考慮した温度Ｂに設定し、投入後以降は温度Ａで温度コントロールしながらウェーハ１０上に形成されたシリコン窒化膜を高精度にエッチングする。１バッチ当たりの処理枚数の違いによるエッチング量ばらつきが抑制可能となり、高精度なウェーハエッチング、とくにウェーハ上に形成されたＳｉＮ膜の高精度なエッチングが可能となる。【選択図】  図３
2004214243.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
エッチング液が充填されたエッチング槽内に投入する半導体ウェーハの枚数を投入前に認識する工程と、
前記認識に基づいて、前記半導体ウェーハ投入時は温度低下分を考慮した設定温度Ｂに前記エッチング液の温度を設定する工程と、
前記半導体ウェーハ投入終了前もしくは終了後に前記設定温度Ｂより前記温度低下分だけ低い温度Ａで温度コントロールをしながら前記半導体ウェーハを前記エッチング液によりエッチングする工程とを備えたことを特徴とする半導体ウェーハのエッチング方法。
【請求項２】
前記エッチング液は、Ｈ3 ＰＯ4 を主成分とすることを特徴とする請求項１に記載の半導体ウェーハのエッチング方法。
【請求項３】
前記エッチング液は、濃度一定に保たれ、且つ沸点以下に保持されていることを特徴とする請求項２に記載の半導体ウェーハのエッチング方法。
【請求項４】
前記半導体ウェーハを前記設定温度Ｂより前記温度低下分だけ低い温度Ａの変動が最小になるようにこの半導体ウェーハ投入前に暖めておくことを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに半導体ウェーハのエッチング方法。
【請求項５】
前記半導体ウェーハ表面のシリコン窒化膜をエッチングすることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の半導体ウェーハのエッチング方法。
【請求項６】
エッチング液が充填されたエッチング槽と、
前記エッチング槽に投入する半導体ウェーハの枚数を投入前に認識する手段と、
前記認識に基づいて、前記半導体ウェーハ投入時は温度低下分を考慮した設定温度Ｂに前記エッチング液の温度を設定する手段と、
前記半導体ウェーハのエッチング時に前記設定温度Ｂより前記温度低下分だけ低い温度Ａに前記エッチング液を温度コントロールする手段とを備えたことを特徴とする半導体ウェーハのエッチング装置。
【請求項７】
前記エッチング槽内のエッチング液は、Ｈ3 ＰＯ4 を主成分とすることを特徴とする請求項６に記載の半導体ウェーハのエッチング装置。
【請求項８】
前記エッチング槽には前記エッチング液の濃度をモニタする装置が取り付けられていることを特徴とする請求項６又は請求項７に記載の半導体ウェーハのエッチング装置。
【請求項９】
前記エッチング槽内の前記エッチング液は、濃度一定に保たれ、且つ沸点以下に保持されていることを特徴とする請求項６乃至請求項８のいずれかに記載の半導体ウェーハのエッチング装置。
【請求項１０】
前記半導体ウェーハを、前記設定温度Ｂより前記温度低下分だけ低い温度Ａの変動が最小になるように、この半導体ウェーハの投入前に暖めておく手段を備えたことを特徴とする請求項６乃至請求項１０のいずれかに記載の半導体ウェーハのエッチング装置。
【請求項１１】
前記エッチング槽の外側下部及び側面にヒータを取り付けたことを特徴とする請求項１０に記載の半導体ウェーハのエッチング装置。
【請求項１２】
前記エッチング槽の前記エッチング液は、排出パイプ及びこの排出パイプにつながる供給パイプを介して循環しており、前記エッチング液が循環する前記排出パイプ及び前記供給パイプとの間にはフィルタ、ポンプ及びヒータが介在していることを特徴とする請求項６乃至請求項１１のいずれかに記載の半導体ウェーハのエッチング装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体ウェーハのエッチング方法に関し、とくに微細パターンが存在する半導体基板のエッチングに使用される方法及びエッチング装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
半導体装置を製造する場合、半導体ウェーハ（以下、ウェーハという）の半導体素子形成領域に集積回路などの半導体素子を作り込む工程において、シリコン窒化膜（ＳｉＮ膜）は、様々に用いられる。例えば、シリコン半導体基板からなるウェーハの素子形成領域にキャパシタなどに用いられるディープトレンチ（ＤＴ:Deep Trench）を形成する際に使用されるマスク材、ゲート電極をパターニングする際に、ポリシリコンなどのゲート電極材を保護する絶縁膜、さらには、様々な処理を行う際にシリコン半導体基板の裏面を腐食、損傷などから守る保護膜などに用いられる。
【０００３】
半導体基板上に堆積されたシリコン窒化膜（ＳｉＮ膜）をエッチング除去するには、通常、燐酸などの酸が用いられる。燐酸を用いる場合、エッチング装置を構成するエッチング槽に１４０℃〜１７０℃程度のＨ3 ＰＯ4 （以下、Ｈ３ＰＯ４と記す）をエッチング液として充填し、そこにウェーハを投入してエッチング処理を行う。その後、純水洗浄を行い、乾燥処理を行ってエッチング処理が終了する。
【０００４】
図８は、従来のエッチング装置を示す概略図である。エッチング装置は、Ｈ３ＰＯ４溶液からなるエッチング液１１０が充填されたエッチング槽１０１に複数のシリコンウェーハ１００が投入されている。エッチング槽１０１には排出パイプ及び供給パイプが接続され、これらのパイプがポンプ１０２、フィルタ１０３及びヒータ１０４を介して接続されてエッチング液の循環システムが構成されている。この循環システムにおいて、エッチング槽１０１内のエッチング液１１０は、ポンプ１０２によって循環され、フィルタ１０３で不純物が取り除かれ、ヒータ１０４で所定の温度に加熱されて清浄なエッチング液として再びエッチング槽１０１に戻される。エッチング液１１０は、所定の温度を保つために、ヒータ１０４で加熱されるとともに、エッチング槽１０１の外側の下部に取り付けたヒータ１０５により加熱されている。Ｈ３ＰＯ４溶液の溶媒、すなわち、水は蒸発し易いので適宜純水１０７を投入してエッチング液１１０の濃度を一定に保つようにしている。エッチング液１１０の温度は、熱電対１０６で制御するように構成されている。この温度は、大体７０〜１７０℃である。
【０００５】
ところで、シリコン窒化膜（ＳｉＮ）に対するエッチングは、Ｈ３ＰＯ４の温度に敏感なことが知られている。例えば、濃度８５ｗｔ％のＨ３ＰＯ４からなるエッチング液は、ＳｉＮ膜を１５５℃で約３８オングストローム、１６０℃で約４３オングストローム程度エッチングする（図９参照）。図９は、横軸がＨ３ＰＯ４温度（℃）を表わし、縦軸がＳｉＮ膜のエッチングレート（オングストローム（Ａ）／ｍｉｎ）を表わしている。そして、図９には、８５ｗｔ％の濃度を有するＨ３ＰＯ４エッチング液の特性線が示されている。
燐酸（Ｈ３ＰＯ４）をエッチング液としてウェーハをエッチングする場合、濃度を一定にしてヒータによる温度コントロールする手法は行われていない。しかし、他のエッチング液ではこのような手法は通常用いられている。燐酸をエッチング液に用いたウェーハのエッチング方法について、その濃度管理方法に関する技術は、特許文献１に記載されており、燐酸溶液のヒートリカバリー短縮をするための方法については、特許文献２に記載されている。
【０００６】
【特許文献１】
特開平９−１２９５８８号公報（燐酸濃度管理システム（電気伝導度測定）が実施例に示されている。）
【特許文献２】
特開平１１−１６８０８１号公報（ウエットエッチング方法が実施例に示されている。）
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
一方において、ウェーハをエッチング槽に投入するウエーハ投入時にＨ３ＰＯ４エッチング液温度は変動する。しかも、投入されるバッチ１つ当たりのウエーハ枚数によってその変動幅も変化するため（図１０参照）、エッチング時間一定の処理を行うと、ＳｉＮエッチング量が変動するという問題があった。図１０は、ウェーハ処理枚数のＨ３ＰＯ４エッチング液の温度変化依存性を示す特性図であり、横軸がバッチ当たりのウェーハ枚数を表し、縦軸がウェーハ投入前後のＨ３ＰＯ４エッチング液の温度変化（Ｋ（絶対温度））を表している。エッチング槽は、容積６０リットル（ｌ）の循環式であり、濃度が８５ｗｔ％のＨ３ＰＯ４エッチング液を用い、液温を１６０℃に設定している。エッチングに用いられるウェーハは、３００ｍｍ径のシリコン半導体基板から構成されている。
【０００８】
また、従来の方法において、ヒータは、循環システム（１０４）又はエッチング槽の一部（１０５）にしか存在しておらず、ウエーハ投入時の薬液温度低下から目的処理温度に回復するまでの時間が掛かったり、エッチング槽１０１内の温度分布が大きくなったりして、どのウエーハも均一にエッチングすることが困難であるという問題があった。
本発明は、この様な事情によりなされたものであり、ウェーハ枚数が異なるバッチを用いてもバッチ間もしくはバッチ内でウェーハ上のＳｉＮ膜のエッチング量が揃った高精度なエッチング処理が可能になるウェーハのエッチング方法及びこの方法を実施するためのエッチング装置を提供する。なお、「バッチ間」は、バッチを取り替えてエッチングを行ってもそれぞれのバッチに収納されたウェーハにおけるＳｉＮ膜のエッチング量は、揃っていることを表し、「バッチ内」は、どのバッチに収納された複数のウェーハにおけるＳｉＮ膜のエッチング量もそれぞれバッチ内で揃っていることを示している。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明は、半導体装置製造時におけるウェーハに対するＨ３ＰＯ４エッチング工程において、エッチング槽に投入するウエーハの枚数を予め認識することにより、ウェーハ投入時は設定温度Ａより温度低下分（Δ＝Ｂ−Ａ）を考慮した温度Ｂに設定し、投入後以降は温度Ａで温度コントロールしながら半導体基板、とくに基板上に形成されたシリコン窒化膜（ＳｉＮ）を高精度にエッチングすることを特徴としている。また、本発明は、ヒータをエッチング槽の外側全体（下部及び側面）に貼り付けることにより、ウエーハ投入時の温度低下から設定処理温度になるまでの液温回復時間及びエッチング槽内温度分布を抑えることを特徴としている。１バッチ当たりの処理枚数の違いによるエッチング量ばらつきが抑制可能となり、高精度なウェーハエッチング、とくにウェーハ上に形成されたＳｉＮ膜の高精度なエッチングが可能となる。
【００１０】
すなわち、本発明のウェーハのエッチング方法は、エッチング液が充填されたエッチング槽内に投入するウェーハの枚数を投入前に認識する工程と、前記認識に基づいて、前記ウェーハ投入時は温度低下分を考慮した設定温度Ｂに前記エッチング液の温度を設定する工程と、前記ウェーハ投入終了前もしくは終了後に前記設定温度Ｂより前記温度低下分だけ低い温度Ａで温度コントロールをしながら前記半導体ウェーハを前記エッチング液によりエッチングする工程とを備えたことを特徴としている。前記エッチング液は、Ｈ３ＰＯ４を主成分とするようにしても良い。前記エッチング液は、濃度一定に保たれ、且つ沸点以下に保持されているようにしても良い。前記ウェーハを前記設定温度Ｂより前記温度低下分だけ低い温度Ａの変動が最小になるようにこのウェーハ投入前に暖めておくようにしても良い。前記ウェーハ表面のシリコン窒化膜をエッチングするようにしても良い。
【００１１】
本発明のウェーハのエッチング半導体装置は、エッチング液が充填されたエッチング槽と、前記エッチング槽に投入するウェーハの枚数を投入前に認識する手段と、前記認識に基づいて、前記ウェーハ投入時は温度低下分を考慮した設定温度Ｂに前記エッチング液の温度を設定する手段と、前記ウェーハのエッチング時に前記設定温度Ｂより前記温度低下分だけ低い温度Ａに前記エッチング液を温度コントロールする手段とを備えたことを特徴としている。前記エッチング槽内のエッチング液は、Ｈ３ＰＯ４を主成分としても良い。前記エッチング槽には前記エッチング液の濃度をモニタする装置が取り付けられていても良い。前記エッチング槽内の前記エッチング液は、濃度一定に保たれ、且つ沸点以下に保持されているようにしても良い。前記ウェーハを、前記設定温度Ｂより前記温度低下分だけ低い温度Ａの変動が最小になるように、このウェーハの投入前に暖めておく手段を備えていても良い。前記エッチング槽の外側下部及び側面にヒータを取り付けても良い。前記エッチング槽の前記エッチング液は、排出パイプ及びこの排出パイプにつながる供給パイプを介して循環しており、前記エッチング液が循環する前記排出パイプ及び前記供給パイプとの間にはフィルタ、ポンプ及びヒータが介在しているようにしても良い。
【００１２】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して発明の実施の形態を説明する。
まず、図１乃至図３を参照して第１の実施例を説明する。
図１は、ウェーハのエッチング方法を説明するフロー図、図２は、エッチング液である燐酸（Ｈ３ＰＯ４）溶液の沸点の濃度依存性を示す特性図、図３は、エッチング装置を示すシステム図である。この実施例で行われるエッチング処理は、図３に示すエッチング装置を用いる。すなわち、エッチング装置は、Ｈ３ＰＯ４溶液からなるエッチング液１１が充填されたエッチング槽１に複数のシリコンウェーハ１０が投入されている。エッチング槽１には排出パイプ及び供給パイプが接続され、これらのパイプがポンプ２、フィルタ３及びヒータ４を介して接続されてエッチング液の循環システムが構成されている。
【００１３】
この循環システムにおいて、エッチング槽１内のエッチング液１１は、ポンプ２によって循環され、フィルタ３で不純物が取り除かれ、ヒータ４で所定の温度に加熱されて清浄なエッチング液１１として再びエッチング槽１に供給される。エッチング液１１は、所定の温度を保つために、ヒータ４で加熱されるとともに、エッチング槽１の外側の下部に取り付けたヒータ５により加熱されている。Ｈ３ＰＯ４溶液の溶媒、すなわち、水は蒸発し易いので適宜純水７を投入してエッチング液１１の濃度を一定に保つようにしている。また、エッチング液１１の温度は、熱電対６で制御するように構成され、エッチング液１１の濃度は、Ｈ３ＰＯ４濃度モニタ８により検知される。
エッチング液の濃度を測定する手段としては、電気伝導度、光学的な手法、比重から類推する方法など既知のいずれの方法でも用いることができる。
また、このエッチング装置は、システム内にウェーハカウンタ１２及びウェーハカウンタ１２からの情報を基に温調温度Ｂを計算する温度計算機１３を備えている。このエッチング装置のエッチング液１１の温度を制御するには、ヒータ４、５及び熱電対６から構成される温調器１４によりコントロールする。
【００１４】
このエッチング装置を用いてこの実施例のエッチング方法を説明する。
図１のフロー図に示されるように、まず、（１）  投入レシピを始める。（２）  レシピスタート時又はレシピスタートからウエーハがＨ３ＰＯ４溶液をエッチング液処理槽に投入する前までにウェーハカウンタ１２により枚数をカウントする。カウンタは、ウェーハを自動的にカウントする自動カウンタ装置を用いることができる。（３）  ウェーハ枚数及びウエーハ体積、比熱からウエーハ投入時の薬液温度調整温度（以下、温調温度という）Ｂを温度計算機１３により計算し決定する。この設定温度（温調温度）Ｂは、ウェーハの枚数情報から自動的に計算するようにできる。次に、（４）  エッチング槽１内のエッチング液１１を決定された薬液温度Ｂに温度調整する。（５）  ウエーハ１０をエッチング槽１に投入する。（６）  ウエーハ投入終了前もしくは終了後（すなわち、投入終了後のＮ（但し、Ｎ≧０、Ｎ＜０）ｓｅｃ後）、処理中薬液温調温度Ａに変更する。（７）  ウェーハ投入後このウェーハ１０を所定時間エッチングする。その後、（８）  ウェーハ１０をエッチング槽１から取り出して水洗する。（９）  ウェーハ１０を水洗後乾燥処理を施す。（１０）  ウェーハ１０をエッチング装置から払い出す。この実施例では、エッチング液は、沸点以下の温度で濃度と温度を管理する方法が採られている。
【００１５】
この実施例において、工程（２）でウエーハ枚数をカウントし、このカウント結果を基にして工程（３）においてウエーハ投入時の薬液温調温度Ｂを決定することが発明のポイントである。つまり、エッチング槽に投入するウエーハの枚数を予め認識することにより、ウェーハ投入時は、設定温度（処理中薬液温調温度）Ａより温度低下分（Δ＝Ｂ−Ａ）を考慮した温調温度Ｂに設定し、投入後以降は、温調温度Ａで温度コントロールをしながら半導体基板、とくに半導体基板上に形成されたシリコン窒化膜（ＳｉＮ）を高精度にエッチングすることが可能になる。
【００１６】
次に、図４を参照して第２の実施例を説明する。
図４は、エッチング装置を示すシステム図である。この実施例のエッチング装置は、基本的には図３と同じであるが、エッチング槽１の外側には下部のみならず側面にもヒータ９を取り付けたことに特徴がある。
このエッチング装置は、システム内にウェーハカウンタ１２及びウェーハカウンタ１２からの情報を基にしてウェーハ投入時の温調温度Ｂを計算する温度計算機１３を備えており、エッチング液の液温は、ヒータ４、５、９及び熱電対６から構成される温調器１４′によりコントロールされている。
この実施例ではヒータがエッチング槽底面のみならず側面にも形成されているので、温度コントロールを第１の実施例よりいち早く行うことができる。
【００１７】
本発明では、ポンプ、フィルタ、ヒータを介して温調循環するためにＨ３ＰＯ４からなるエッチング液をエッチング槽から排出させなければならないが、第１及び第２の実施例のようにヒータのあるエッチング槽の外側壁より外側に流すなど、ヒータに直接かからない構造にするのが好ましい。
ここで温度及び濃度をモニタする場所はエッチング装置のどこでも良くモニタ手段は既知のどのようなものでも良い。また、純水を添加する場所はどこでも良く、その手段は既知のどのような構成のものでも良い（比重など間接的に濃度換算するものも含む）。Ｈ３ＰＯ４の温調方法は、その濃度によって沸点が異なる性質（図２参照）を利用した沸点が一定になるように純水を足してＨ３ＰＯ４処理温度を一定に保つ方法が一般的だが、本発明では沸点以下の温度で濃度と温度を管理する方法で実施することが好ましい。
【００１８】
次に、図５乃至図７を参照して第１及び第２の実施例で説明したエッチング装置を利用することによってウェーハに形成されたシリコン窒化膜（ＳｉＮ）をエッチング処理により除去する実際の例を説明する。図５、図６及び図７は、半導体基板上に形成されたＳｉＮ膜をエッチング除去する工程を説明する断面図である。
まず、図５は、半導体基板にキャパシタ用ディープトレンチ形成用フォトレジストを塗布し、露光し、現像する工程を終えた状態を説明する断面図である。ＤＲＡＭなどのキャパシタが形成されるディープトレンチが設けられるシリコンなどの半導体基板上には、まず、ディープトレンチを形成する加工時に必要なパッドが形成される。パッドは、シリコン窒化膜（ＳｉＮ）からなり、素子分離領域であるＳＴＩを形成する際のＣＭＰのストッパー層として用いられる。シリコン窒化膜は、シリコン酸化膜（Ｏｘ）を介在させている。シリコン窒化膜の上にはＢＳＧ膜とＴＥＯＳ膜の積層膜からなるシリコン酸化膜（ＢＳＧ＋ＴＥＯＳ）が形成される。シリコン酸化膜上にはノボラック(Novolak) 層が塗布形成される。さらに、ノボラック層の上にはＳＯＧ(Spin-On-Glass) 膜を介して所定形状にパターニングされたフォトレジストが形成される（図５（ａ））。
【００１９】
次に、パターニングされたフォトレジストをマスクにして、ＳＯＧ膜及びノボラック層をＲＩＥなどの異方性エッチングによりエッチング処理する。ノボラック層及びＳＯＧ膜には、フォトレジストと同じ形状のパターンがパターニングされる。次に、パターニングされたノボラック層をマスクにしてシリコン酸化膜、シリコン窒化膜及びシリコン酸化膜を順次ＲＩＥによりエッチングして、これらの積層膜に前記パターンと同じ形状にパターニングする。その後、マスクとして用いたノボラック層を除去する（図５（ｂ））。
次に、所定形状にパターニングされたシリコン酸化膜（ＢＳＧ＋ＴＥＯＳ）等をマスクにしてディープトレンチ（ＤＴ）を半導体基板の表面領域に形成する。その後マスクとして用いたシリコン酸化膜（ＢＳＧ＋ＴＥＯＳ）を除去する（図５（ｃ））。さらに、ディープトレンチ（ＤＴ）が形成された半導体基板に素子分離領域（ＳＴＩ）を形成してからシリコン窒化膜（ＳｉＮ）を図３もしくは図４のエッチング装置を用いてエッチング除去する（図５（ｄ））。
【００２０】
図６は、シリコン酸化膜を用いてゲート電極を形成する工程を示す断面図である。半導体基板（Ｓｉ）上にゲート絶縁膜材（ＳｉＯ2 ）、ポリシリコンゲート材（ｐｏｌｙＳｉ）、シリコン窒化膜（ＳｉＮ）を積層し、最上層にゲート電極形状にパターニングされたフォトレジストを形成する。そして、このフォトレジストをマスクにして積層体をエッチングして、ゲート絶縁膜（ＳｉＯ2 ）及びゲート電極（ｐｏｌｙＳｉ）を形成する。その後シリコン窒化膜（ＳｉＮ）を図３もしくは図４のエッチング装置を用いてエッチング除去する。
また、図７に示すように、半導体基板裏面に形成されたシリコン窒化膜（ＳｉＮ）の保護膜を図３又は図４のエッチング装置を用いてエッチング除去する。
以上のように、本発明のエッチング装置は、半導体装置の製造に用いられるシリコン窒化膜を均一に効率良く迅速に除去することができる。
以上実施例ではエッチング液としてＨ３ＰＯ４を用いたが、本発明はこれに限らず硫酸、硝酸、弗酸などの単独の薬液や２種類以上の薬液の混合液でも構わない。
【００２１】
【発明の効果】
本発明は、以上の構成により、ウエーハ枚数が異なるバッチであっても、バッチ間、バッチ内でシリコン窒化膜（ＳｉＮ）のエッチング量が揃った高精度なエッチング処理が可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施例のウェーハのエッチング方法を説明するフロー図。
【図２】本発明のエッチング液のＨ３ＰＯ４濃度と沸点との関係を表す特性図。
【図３】本発明の第１の実施例のエッチング装置を示すシステム図。
【図４】本発明の第２の実施例のエッチング装置を示すシステム図。
【図５】半導体基板上に形成されたＳｉＮ膜をエッチング除去する工程を説明する断面図。
【図６】半導体基板上に形成されたＳｉＮ膜をエッチング除去する工程を説明する断面図。
【図７】半導体基板上に形成されたＳｉＮ膜をエッチング除去する工程を説明する断面図。
【図８】従来のエッチング装置を示すシステム図。
【図９】Ｈ３ＰＯ４処理温度とＳｉＮエッチングレートとの関係を表す特性図。
【図１０】ウェーハ処理枚数とＨ３ＰＯ４薬液温度変化との関係を表す特性図。
【符号の説明】
１、１０１    エッチング槽
２、１０２    ポンプ
３、１０３    フィルタ
４、５、９、１０４、１０５    ヒータ
６、１０６    熱電対
７、１０７    純水
８    Ｈ３ＰＯ４濃度モニタ
１０、１００    ウェーハ
１１、１１０    エッチング液
１２    ウェーハカウンタ
１３    温度計算機
１４、１４′    温調器
【図１】
2004214243.tif 000003
【図２】
2004214243.tif 000004
【図３】
2004214243.tif 000005
【図４】
2004214243.tif 000006
【図５】
2004214243.tif 000007
【図６】
2004214243.tif 000008
【図７】
2004214243.tif 000009
【図８】
2004214243.tif 000010
【図９】
2004214243.tif 000011
【図１０】
2004214243.tif 000012