(57)【要約】【課題】基体層と中間層と絶縁層と導電層を積層してなる基体層積層材の製造方法、ならびに基体層積層材を用いてなる部品の製造方法の提供。【解決手段】基体層２６と中間層２５と絶縁層２４と導電層２３とを順次積層してなる基体層積層材３０の製造方法において、基体層積層材３０の少なくとも１つの積層する面を活性化処理し、基体層あるいは絶縁層において積層する面の少なくとも一方に中間層２５を積層した後、中間層２５が基体層２６と絶縁層２４の間になるようにして当接して重ね合わせて積層接合して基体層積層材３０を製造する。またこの基体層積層材３０を用いてディスクヘッド用途などに適用される部品を製造する。【選択図】        図３
2004174904.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基体層と中間層と絶縁層と導電層とを順次積層してなる基体層積層材の製造方法において、基体層積層材の少なくとも１つの接合面が、接合されるそれぞれの面を活性化処理して当接し、重ね合わせて積層接合することを特徴とする基体層積層材の製造方法。
【請求項２】
基体層と中間層と絶縁層と導電層とを順次積層してなる基体層積層材の製造方法において、基体層積層材の少なくとも１つの積層する面を活性化処理し、基体層あるいは絶縁層において積層する面の少なくとも一方に中間層を積層した後、中間層が基体層と絶縁層との中間になるようにして当接して重ね合わせて積層接合することを特徴とする基体層積層材の製造方法。
【請求項３】
基体層と中間層と絶縁層と導電層と順次を積層してなる基体層積層材を用いることを特徴とする部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明が属する技術分野】
本発明は、基体層積層材を支持するに充分な機械的強度などを有する基体層と、中間層と、所要の誘電率を有し絶縁性に優れた絶縁層と、所要の導電性を有する導電層とを積層してなる基体層積層材の製造方法、ならびに基体層積層材を用いてなる部品の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、ハードディスク装置の高密度化やデータ転送速度の高速化が急速に進んできている。これにともなって、ハードディスク装置に使用されている部品、とりわけ磁気ヘッドの小型化と伝送スピードの高速化が顕著となってきている。このため磁気ヘッドを搭載するサスペンションも高度化することが求められている。従来、フィルム上に金属薄膜を形成した後、あるいは金属薄膜を形成するとともに金属箔を積層する方法が開示されている（例えば特許文献１参照）。また、過剰な熱や圧力を加えることなく金属板同士を接合する方法が開示されている（例えば特許文献２参照）。
【０００３】
本出願に関する先行技術文献情報として次のものがある。
【特許文献１】
特開２００２−１１３８１１号公報
【特許文献２】
特開平１−２２４１８４号公報
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、基体層積層材を支持するに充分な機械的強度などを有する基体層と、中間層と、絶縁性に優れた絶縁層と、導電性に優れた導電層とを積層してなる基体層積層材の製造方法、およびディスクヘッド用途などに適用できる基体層積層材を用いてなる部品の製造方法を提供することを課題とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
前記課題に対する第１の解決手段として本発明の基体層積層材の製造方法は、基体層と中間層と絶縁層と導電層とを順次積層してなる基体層積層材において、基体層積層材の少なくとも１つの接合面が、接合されるそれぞれの面を活性化処理して当接し、重ね合わせて積層接合する方法とした。あるいは、基体層と中間層と絶縁層と導電層とを順次積層してなる基体層積層材の製造方法において、基体層積層材の少なくとも１つの積層する面を活性化処理し、基体層あるいは絶縁層において積層する面の少なくとも一方に中間層を積層した後、中間層が基体層と絶縁層の中間になるようにして当接して重ね合わせて積層接合する方法とした。
【０００６】
前記課題に対する第２の解決手段として本発明の部品の製造方法は、基体層と中間層と絶縁層と導電層とを順次積層してなる基体層積層材を用いる方法とした。
【０００７】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明の製造方法を説明する。図３は、本発明の製造方法を用いた基体層積層材の一実施形態を示す概略断面図であり、基体層２６、中間層２５、絶縁層２４、導電層２３を積層した例を示している。基体層積層材３０は、例えば、図１に示すような絶縁層２４の片面に導電層２３を積層してなる積層体２０の絶縁層２４側と、これと対向する基体層２６とをそれぞれ活性化処理し、絶縁層２４、基体層２６の少なくとも一方に中間層２５を積層した後に接合することにより製造してもよいし、図２に示すような絶縁層２４の両面にそれぞれ導電層２３と中間層２５を積層してなる積層体２２の中間層２５側と、これと対向する基体層２６とをそれぞれ活性化処理して接合することにより製造してもよい。
【０００８】
絶縁層２４の材質としては、基体層積層材を製造可能な素材であれば特にその種類は限定されず、基体層積層材の用途により適宜選択して用いることができる。例えば、プラスチックなどの有機高分子物質やプラスチックに粉末や繊維などを混ぜた混合体などのうち絶縁性を充分に有するものを適用することができる。基体層積層材を配線板用途などに用いる場合には適度な誘電率を持つ材料が好ましい。また回路付きサスペンションなどのディスクヘッド用途などに適用する場合には、液晶ポリマー（ＬＣＰ）などを用いることができる。
【０００９】
絶縁層に用いるプラスチックとしては、例えば、アクリル樹脂、アミノ樹脂（メラミン樹脂、ユリア樹脂、ベンゾグアナミン樹脂など）、アリル樹脂、アルキド樹脂、ウレタン樹脂、液晶ポリマー（ＬＣＰ：Ｌｉｑｕｉｄ  ＣｒｙｓｔａｌＰｏｌｙｍｅｒ）、ＥＥＡ樹脂（Ｅｔｈｙｌｅｎｅ  Ｅｔｈｙｌａｃｒｙｌａｔｅ  樹脂）、ＡＡＳ樹脂（Ａｃｒｙｌｏｎｉｔｒｉｌｅ  Ａｃｒｙｌａｔｅ  Ｓｔｙｒｅｎｅ  樹脂）、ＡＢＳ樹脂（Ａｃｒｙｌｏｎｉｔｒｉｌｅ  Ｂｕｔａｄｉｅｎｅ  Ｓｔｙｒｅｎｅ樹脂）、ＡＣＳ樹脂（Ａｃｒｙｌｎｉｔｒｉｌｅ  Ｃｈｌｏｒｉｎａｔｅｄ  ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ  Ｓｔｙｒｅｎｅ  樹脂）、ＡＳ樹脂（Ａｃｒｙｌｏｎｉｔｒｉｌｅ  Ｓｔｙｒｅｎｅ  樹脂）、アイオノマー樹脂、エチレンポリテトラフルオロエチレン共重合体、エポキシ樹脂、珪素樹脂、スチレンブタジエン樹脂、フェノール樹脂、弗化エチレンプロピレン、弗素樹脂、ポリアセタール、ポリアリレート、ポリアミド（６ナイロン、１１ナイロン、１２ナイロン、６６ナイロン、６１０ナイロン、６１２ナイロンなど）、ポリアミドイミド、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルサルホン、ポリエステル（ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリシクロヘキンジメルテレフタレート、ポリトリメチレンテレフタレート、ポリトリメチレンナフタレートなど）、ポリオレフィン（ポリエチレン、ポリプロピレンなど）、ポリカーボネート、ポリクロロトリフルオロエチレン、ポリサルホン、ポリスチレン、ポリフェニレンサルファイド、ポリブタジエン、ポリブテン、ポリメチルペンテンなどを用いてもよい。
【００１０】
絶縁層２４の厚みは、基体層積層材の用途により適宜選定される。例えば、１〜１０００μｍである。１μｍ未満の場合にはピンホールなどの欠陥を生じやすくなるため絶縁層を形成することが難しくなり、１０００μｍを超えると基体層積層材としての製造が難しくなる。例えば基体層積層材の用途が回路付きサスペンションなどであれば、５〜５０μｍの範囲のものが好ましい。５μｍ未満の場合には絶縁性を確保することが難しくなり、５０μｍを超えると重くなりすぎる。より好ましくは、１０〜２０μｍである。
【００１１】
基体層２６の材質としては、基体層積層材を製造可能な素材で充分な機械的強度を有するものであれば特にその種類は限定されず、基体層積層材の用途により適宜選択して用いることができる。例えば、常温で固体である金属や合金（例えば、ＪＩＳに規定の合金など）やそれらの積層体などである。基体層は基体層積層材を支持する役割を有しているが基体層積層材の厚みが薄い用途では適度な弾性を持つ材料が好ましい。基体層積層材の用途が回路付きサスペンションなどであれば、ＪＩＳに規定のステンレス鋼などを用いることができる。
【００１２】
基体層２６の厚みは、基体層積層材を製造可能であれば特に限定はされず、基体層積層材の用途により適宜選定して用いることができる。例えば、５〜５００μｍであることが好ましい。５μｍ未満では充分な機械的強度を保持することが難しくなり、５００μｍを超えると基体層積層材としての製造が難しくなる。より好ましくは、１０〜５０μｍである。なお基体層２６は、電解箔や圧延箔などの板材であってもよいし、板材にめっきや蒸着などによる膜材を予め積層したものであってもよいし、クラッド材などの積層体でもよい。
【００１３】
導電層２３の材質としては、基体層積層材を製造可能な素材で所要の導電性を有するものであれば特にその種類は限定されず、基体層積層材の用途により適宜選択して用いることができる。導電層は、単層構造の導電体層や抵抗体層でもよいし、複数の層からなる積層構造であってもよい。例えば、所要の導電率を有する材質からなる導電体層と、所要の抵抗率を有する材質からなる抵抗体層の積層構造などである。絶縁層上に抵抗体層、導電体層の順に積層されている場合、導電体層のみをエッチング加工などにより除去することにより抵抗体層を露出させることができ、抵抗体配線として利用することができる。基体層積層材の用途が配線板部分を有する回路付きサスペンションなどであれば、導電層２３としては、導電性の優れた金属であるＣｕ、Ａｌなどを用いることができる。
【００１４】
導電体層は、例えば、常温で固体である金属（例えば、Ａｌ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｇ、Ｐｔ、Ａｕなど）や、これらの金属のうち少なくとも１種類を含む合金（例えば、ＪＩＳに規定の合金など）などである。２０℃での比抵抗が１〜２０μΩ・ｃｍの範囲であれば良い。配線板用途に用いる場合には、導電性の優れた金属であるＣｕ、Ａｌなどや、これらの金属のうち少なくとも１種類を含む導電性の優れた合金などを適用することができる。すなわち銅層、アルミニウム層などを導電体層として適用することが可能である。銅層としては、Ｃｕの他、ＪＩＳ  Ｈ  ３１００に規定の無酸素銅、タフピッチ銅、リン青銅、黄銅や、銅ベリリウム系合金（例えば、ベリリウム２％、残部が銅の合金など）、銅銀系合金（例えば、銀３〜５％、残部が銅の合金など）など、アルミニウム層としては、Ａｌの他、ＪＩＳ  Ｈ  ４０００に規定の１０００系、３０００系などのアルミニウム合金を適用することができる。
【００１５】
抵抗体層は、例えば、抵抗合金（例えば、ＪＩＳに規定の抵抗合金など）や非合金抵抗材料などである。０℃での抵抗合金の比抵抗は３０〜３００μΩ・ｃｍ、非合金抵抗材料のシート抵抗は５〜１０００Ω／□の範囲が好ましい。抵抗合金としては、銅マンガン系合金（例えば、マンガン１２〜１５％、ニッケル２〜４％、残部が銅の合金など）、銅ニッケル系合金（例えば、銅５５％、ニッケル４５％からなる合金など）、ニッケルクロム系合金（例えば、ニッケル８０％、クロム２０％からなるＮｉ−Ｃｒ合金などや、Ｎｉ−Ｃｒ−Ｆｅ合金など）、ニッケルリン系合金（例えば、リン１〜２０％、残部がニッケルの合金など）、ニッケルホウ素リン系合金（例えば、ホウ素２％、リン８〜１６％、残部がニッケルの合金など）、鉄クロム系合金（例えば、クロム２０％、アルミニウム３％、残部が鉄のＦｅ−Ｃｒ−Ａｌ合金など）、鉄ニッケル系合金（Ｆｅ−Ｎｉ合金や、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｒ合金など）、鉄炭素系合金などを適用することができる。非合金抵抗材料としては、例えば、常温で固体であり所要のシート抵抗を有する非合金導電材料、例えば、導電性の酸化物、窒化物や炭化物などを用いることができる。酸化物としては、ＳｎＯ２、Ｉｎ２Ｏ３、Ｉｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２（ＩＴＯ：Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）、Ｉｎ４Ｓｎ３Ｏ１２、ＩｎＧａＺｎＯ４、ＺｎＯ、Ｉｎ２Ｏ３−ＺｎＯ、ＣｕＡｌＯ２、ＳｒＣｕ２Ｏ２、Ｃｄ２ＳｎＯ４などである。
【００１６】
導電層２３の厚みは、基体層積層材を製造可能であれば特に限定はされず、基体層積層材の用途により適宜選定して用いることができる。導電層２３は、例えば１〜１００μｍであることが好ましい。１μｍ未満では充分な導電性を保持することが難しくなり、１００μｍを超えると重くなりすぎる。より好ましくは、５〜５０μｍである。また導電層は、基体層積層材の用途により、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、スパッタリング、真空蒸着、イオンプレーティングなどの乾式製膜手段や無電界めっきなどの湿式製膜手段から適宜選択して用いることができる。
【００１７】
中間層２５の材質としては、基体層積層材を製造可能な素材であれば特にその種類は限定されず、基体層積層材の用途により適宜選択して用いることができる。例えば、導電層２３に用いることのできる材質である。基体層積層材の用途が回路付きサスペンションなどであれば、中間層２５としては、Ｃｕなどを用いることができる。
【００１８】
中間層２５の厚みは、基体層積層材を製造可能であれば特に限定はされず、基体層積層材の用途により適宜選定して用いることができる。中間層２５は、例えば０．０１〜５μｍであることが好ましい。０．０１μｍ未満では中間層としての形成が難しくなり、５μｍを超えると製造時間が長くなりすぎる。より好ましくは、０．０２〜１μｍである。なお中間層２５は、単層構造でもよいし複数の層からなる積層構造をしていてもよい。例えば、基体層積層材の製造時の積層接合において絶縁層２４と基体層２６の双方に中間層が積層されていてもよい。また中間層は、基体層積層材の用途により、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、スパッタリング、真空蒸着、イオンプレーティングなどの乾式製膜手段や無電界めっきなどの湿式製膜手段から適宜選択して用いることができる。
【００１９】
図３に示す基体層積層材３０の活性化接合法を用いた製造方法について説明する。まず図１に示すような絶縁層２４の片面に導電層２３を積層してなる積層体２０の絶縁層２４側と、これと対向する基体層２６を活性化処理し、絶縁層２４、基体層２５の少なくとも一方に、例えば絶縁層２４側にのみに中間層２５を積層した後に接合することにより製造する場合について説明する。図４に示すように、真空槽５２内において、巻き戻しリール６２に設置された積層体２０の絶縁層２４側の接合予定面側を、活性化処理装置７０で活性化処理する。同様にして巻き戻しリール６４に設置された基体層２６の接合予定面側を、活性化処理装置８０で活性化処理する。
【００２０】
活性化処理は、以下のようにして実施する。すなわち、真空槽５２内に装填された積層体２０の導電層２３側、および基体層２６をそれぞれアース接地された一方の電極Ａと接触させ、絶縁支持された他の電極Ｂとの間に、１０〜１×１０−３Ｐａの極低圧不活性ガス雰囲気中で、１〜５０ＭＨｚの交流を印加してグロー放電を行わせ、グロー放電によって生じたプラズマ中に露出される電極Ａと接触した積層体２０の絶縁層２４側、および基体層２６のそれぞれの接合予定面側の面積が、実効的に電極Ｂの面積の１／３以下となるようにスパッタエッチング処理する。不活性ガスとしては、アルゴン、ネオン、キセノン、クリプトンなどやこれらを含む混合体を適用することができる。好ましくはアルゴンである。なお不活性ガス圧力が１×１０−３Ｐａ未満では安定したグロー放電が行いにくく高速エッチングが困難であり、１０Ｐａを超えると活性化処理効率が低下する。印加する交流は、１ＭＨｚ未満では安定したグロー放電を維持するのが難しく連続エッチングが困難であり、５０ＭＨｚを超えると発振し易く電力の供給系が複雑となり好ましくない。また、効率よくエッチングするためには電極Ａと接触した積層体２０の絶縁層２４側、基体層２６のそれぞれの面積を実効的に電極Ｂの面積より小さくする必要があり、実効的１／３以下とすることにより充分な効率でエッチング可能となる。
【００２１】
次に積層体２０の絶縁層２４側の表面に、膜形成ユニット９０により中間層２５を形成する。膜形成方法として、スパッタリングを用いた場合について説明する。膜形成ユニット９０では、前記活性化処理装置とは逆に絶縁層２４側の面積を実効的に大きくすることによりスパッタリング処理を行うことができる。すなわち、真空槽５２内に装填された積層体２０の導電層２３側をアース接地された一方の電極Ａと接触させ、絶縁支持された他の電極Ｃとの間に、１０〜１×１０−３Ｐａの極低圧不活性ガス雰囲気中で、１〜５０ＭＨｚの交流を印加してグロー放電を行わせ、グロー放電によって生じたプラズマ中に露出される電極Ａと接触した積層体２０の絶縁層２４側の面積が、実効的に電極Ｃの面積の３倍以上となるようにスパッタリング処理する。不活性ガスとしては、アルゴン、ネオン、キセノン、クリプトンなどやこれらを含む混合体を適用することができる。好ましくはアルゴンである。なお不活性ガス圧力が１×１０−３Ｐａ未満では安定したグロー放電が行いにくく、１０Ｐａを超えるとスパッタリング効率が低下する。印加する交流は、１ＭＨｚ未満では安定したグロー放電を維持するのが難しく連続スパッタリングが困難であり、５０ＭＨｚを超えると発振し易く電力の供給系が複雑となり好ましくない。また、効率よくスパッタリングするためには電極Ａと接触した積層体２０の絶縁層２４側の面積を実効的に電極Ｃの面積より大きくする必要があり、３倍以上とすることにより充分な効率で膜形成が可能となる。
【００２２】
スパッタリングを用いる膜形成ユニット９０は、例えば図５に示すように、電気的にフローティング状態にされたターゲット電極９４と、アース接地された水冷の電極ロール７２との組み合わせで構成される。ターゲット電極９４には中間層２５を形成するターゲット９２が設置され、またマグネット９８を設置して磁場によりスパッタリングの効率を向上させている。さらにターゲット９２の異常加熱を防止するために、ターゲット電極９４を水冷できるようにしてある。ターゲット電極９４−電極ロール７２間に高周波電源９６を印加することで、プラズマを発生させてターゲット９２にイオン衝撃を与え、これにより放出されたターゲット物質を積層体２０の絶縁層２４上に積層させて中間層２５を形成させ、図２に示すような積層体２２を得ることができる。
【００２３】
その後、活性化処理された基体層２６と、積層体２０の絶縁層２４上に中間層２５を形成させた積層体２２を積層接合する。積層接合は、積層体２２、基体層２６の接合予定面が対向するようにして両者を当接して重ね合わせ圧接ユニット６０で冷間圧接を施すことによって達成される。この際の積層接合は低温度で可能であり、積層体２２、基体層２６ならびに接合部に組織変化や合金層の形成などといった悪影響を軽減または排除することが可能である。Ｔを積層体２２、基体層２６の温度（℃）とするとき、０℃＜Ｔ＜３００℃で良好な圧接状態が得られる。０℃以下では特別な冷却装置が必要となり、３００℃以上では組織変化などの悪影響が生じてくるため好ましくない。より好ましくは、０℃＜Ｔ＜２００℃である。さらに好ましくは、０℃＜Ｔ＜１５０℃である。また圧延率Ｒ（％）は、０．０１％≦Ｒ≦３０％であることが好ましい。０．０１％未満では充分な接合強度が得られず、３０％を超えると変形が大きくなり加工上好ましくない。より好ましくは、０．１％≦Ｒ≦３％である。さらに好ましくは、１％＜Ｒ≦３％である。
【００２４】
このように積層接合することにより、所要の層厚みを有する基体層積層材３０を形成することができ、巻き取りロール６６に巻き取られる。さらに必要により所定の大きさに切り出して、図３に示すような基体層積層材３０を製造することができる。またこのようにして製造された基体層積層材３０に、必要により残留応力の除去または低減などのために問題が生じない範囲で熱処理を施してもよいし、さらに半田めっきなどの導電性膜材などを積層してもよい。
【００２５】
なお図１に示した積層体２０は、上記に説明した方法を用いても製造することが可能である。すなわち図４において、積層材２０の代わりに絶縁層２４を用い、基体層２６の代わりに導電層２３を用い、膜形成ユニット９０により絶縁層２４上に導電層２３と同種の中間層を積層して、導電層２３と積層接合することによって、絶縁層２４上に２層の導電体層からなる導電層２３を積層してなる積層材２０を製造することができる。同様にして図２に示した絶縁層２４の両面にそれぞれ導電層２３と中間層２５を積層してなる積層体２２も上記方法により製造することができる。
【００２６】
膜形成ユニットは、図４に示すように一方の活性化処理装置側のみならず、図６に示すように双方の活性化処理装置側にも配置してもよいし、図７に示すように複数段の膜形成ユニットを配置することも可能である。膜形成ユニットは、活性化処理装置の近傍であることが好ましく、膜形成ユニットを活性化処理装置の近傍に配置することで、製造装置のコンパクト化などを図ることが可能である。例えば、図４〜７に図示しているように活性化処理装置の電極ロールと膜形成ユニットの電極ロールを共用化する形態などや、さらに活性化処理装置と膜形成ユニットをそれぞれ共用の電極ロールの外周上に配置する形態などである。このような形態を採ることで一体化した処理が可能となる。なお近傍とは、活性化処理された導電板面が吸着や反応などにより再び不活性化されて膜形成に悪影響を与えない範囲あるいは状態のことである。
【００２７】
基体層積層材３０は、図２に示すような絶縁層２４の両面にそれぞれ導電層２３と中間層２５を積層してなる積層体２２の中間層２５側と、これと対向する基体層２６とをそれぞれ活性化処理して接合することにより製造することも可能である。すなわち上記説明において、図１に示す積層体２０の代わりに図２に示す積層体２２を用い、図４に示す製造装置の膜形成ユニット９０を停止させることにより、同様にして基体層積層材３０を製造することができる。また積層体２０、２２は、乾式製膜手段などの適切な方法を用いて絶縁層２４上に導電層２３や中間層２５を積層することにより得ることができる。
【００２８】
基体層積層材の製造にはバッチ処理を用いることができる。すなわち真空槽内に予め所定の大きさに切り出された積層体、基体層を複数装填して活性化処理装置に搬送して垂直または水平など適切な位置に処理すべき面を対向または並置した状態などで設置または把持して固定して活性化処理や必要により膜形成処理を行い、さらに積層体や基体層を保持する装置が圧接装置を兼ねる場合には活性化処理後に設置または把持したまま圧接し、積層体や基体層を保持する装置が圧接装置を兼ねない場合にはプレス装置などの圧接装置に搬送して圧接を行うことにより達成される。なお活性化処理や膜形成処理は、積層体や基体層を絶縁支持された一方の電極Ａとし、アース接地された他の電極Ｂとの間で行うことが好ましい。
【００２９】
本発明の部品の製造方法は、基体層と中間層と絶縁層と導電層を積層してなる基体層積層材を用いる方法であり、本発明の製造方法を用いた部品は、基体層積層材にエッチング加工やレーザ加工などの加工を施して一部を除去したもの、さらにこれに樹脂などで被覆あるいは固定したものや、基体層積層材を接着剤などを用いて高分子や金属、合金などからなる基材や基板に積層したもの、さらにビア加工やスルーホール加工などにより基板の層間導通処理などを施したものなどである。例えば、図８に示すようなディスクヘッド用途などの部品３６などである。図８に示すような部品は、基体層２６にＳＵＳ３０４やＳＵＳ３１６などのステンレス箔、絶縁層２４に液晶ポリマー（ＬＣＰ）、導電層２３や中間層２５に銅を用いたステンレス−銅−ＬＣＰ−銅の４層構造の積層材に、プラズマエッチングなどの種々のエッチング加工を施してサブトラクティブ法により製造したものであり、ディスクヘッド用途の回路付きサスペンションとして用いることができる。また基体層を除去してフレキシブル基板を部分的に構成することも可能なため、サスペンションと伝送回路を一体成形することができ、データ転送速度の高速化に不可欠なインピ−ダンス整合を図ることも容易となる。その上絶縁層をも除去して電極のみの部分を構成して電気的接合のためのフライングリード部を形成することも可能である。さらにＧＭＲ（Ｇｉａｎｔ  Ｍａｇｎｅｔｏ  Ｒｅｓｉｓｔｉｖｅ）素子などの磁気検出素子やアンプ回路などのＩＣチップを搭載することも可能である。
【００３０】
本発明の製造方法を用いた基体層積層材や部品では、絶縁層に接着剤を用いていないため接着剤などによる耐熱特性の低下問題が発生しない。また絶縁層を予め形成するため厚みを均一に保つことが可能であり、誘電率や絶縁性も安定しており、導電層に余計な応力をもたらすことがなく、品質向上に効果がある。このため本発明の基体層積層材や部品は、回路付きサスペンションなどのディスクヘッド用途に有用である。
【００３１】
【実施例】
以下に、実施例を図面に基づいて説明する。絶縁層２４として厚み１０μｍのＬＣＰフィルムを用い、基体層２６として厚み２５μｍのステンレス圧延箔を用いた。ＬＣＰフィルム２４に導電層２３として厚み５μｍの銅層をスパッタリングにより積層した積層体２０と、ステンレス圧延箔２６を基体層積層材製造装置５０にセットし、真空槽５２内の活性化処理ユニット７０および８０でスパッタエッチング法によりそれぞれ活性化処理した。活性化処理されたＬＣＰフィルム２４露出側にスパッタリングを用いた膜形成ユニット９０で中間層２５として厚み０．１μｍの銅層を形成させて積層体２２とし、これに活性化処理させたステンレス圧延箔２６を圧延ユニット６０で圧接して積層接合して基体層積層材３０を製造した。さらにパターンエッチングを行い部品３６を製造した。
【００３２】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の基体層積層材の製造方法は基体層と中間層と絶縁層と導電層とを順次積層する方法であり、本発明の部品の製造方法は基体層積層材を用いる方法である。このためディスクヘッド用途などに好適である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の基体層積層材の製造方法に用いる積層体の一実施形態を示す概略断面図である。
【図２】本発明の基体層積層材の製造方法に用いる積層体の他の一実施形態を示す概略断面図である。
【図３】本発明の製造方法を用いた基体層積層材の一実施形態を示す概略断面図である。
【図４】本発明の基体層積層材の製造方法に用いる装置の一実施形態を示す概略断面図である。
【図５】本発明の基体層積層材の製造方法に用いる膜形成ユニットの一実施形態を示す概略断面図である。
【図６】本発明の基体層積層材の製造方法に用いる装置の他の一実施形態を示す概略断面図である。
【図７】本発明の基体層積層材の製造方法に用いる装置のさらに他の一実施形態を示す概略断面図である。
【図８】本発明の製造方法を用いた部品の一実施形態を示す概略断面図である。
【符号の説明】
２０    積層体
２２    積層体
２３    導電層
２４    絶縁層
２５    中間層
２６    基体層
３０    基体層積層材
３６    部品
５０    基体層積層材製造装置
５２    真空槽
５４    真空ポンプ
６０    圧接ユニット
６２    巻き戻しリール
６４    巻き戻しリール
６６    巻き取りロール
７０    活性化処理装置
７２    電極ロール
７４    電極
７６    電極
７８    電極
８０    活性化処理装置
８２    電極ロール
８４    電極
８６    電極
９０    膜形成ユニット
９１    膜形成ユニット
９２    ターゲット
９４    ターゲット電極
９５    膜形成ユニット
９６    高周波電源
９８    マグネット
Ａ      電極Ａ
Ｂ      電極Ｂ
Ｃ      電極Ｃ
【図１】
2004174904.tif 000003
【図２】
2004174904.tif 000004
【図３】
2004174904.tif 000005
【図４】
2004174904.tif 000006
【図５】
2004174904.tif 000007
【図６】
2004174904.tif 000008
【図７】
2004174904.tif 000009
【図８】
2004174904.tif 000010