(57)【要約】【課題】モノブロックバルブ内及び原料溶液供給ラインの洗浄を短時間でかつ容易に行うことが可能となるモノブロックバルブを提供すること。副生成物乃至反応生成物の残留が極めて少なくなるモノブロックバルブを提供すること。【解決手段】バルブ内の停留部を少なくし、内容積を少なくする。液体材料供給タンクや液体材料気化器等の構成部材との接続は、配管内容積の低減を目的として金属製のシール部材を使用して構成部材に直接バルブを接続する。【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の通路と、該複数の通路と連通する複数のバルブとが一つの多面体ブロック内に形成されており、少なくとも一つの面が、液供給タンク乃至液供給先装置にシール部材を介して直接接続できるようにされているブロックバルブが原料溶液タンク乃至気化器に取り付けられていることを特徴とする気化器への原料溶液供給系。
【請求項２】
一端に一通路と他端にニ通路を有するバルブＶ１と、一端に一通路と他端に一通路を有するバルブＶ２と、一端に一通路と他端に一通路を有するバルブＶ３とを該通路とともに一つのブロック内に形成されているバルブであり、
バルブＶ１の該一端の通路と、バルブＶ１の該他端の一つの通路と、バルブＶ２の該一端の通路と、バルブＶ３の該一端の通路が該ブロック外部にそれぞれ開口部Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄを有し、
バルブＶ１の該他端の他の一つの通路と、バルブＶ２の該他端の通路と、バルブＶ３の該他端の通路とが連通しているモノブロックバルブが使用されていることを特徴とする気化器への原料溶液供給系。
【請求項３】
開口部Ａを洗浄剤入口とし、開口部Ｃを圧送用ガス入口とし、開口部Ｄをパージガス入口とし、開口部Ｂを出口とすることを特徴とする請求項２記載の気化器への原料溶液供給系。
【請求項４】
開口部Ａから開口部Ｂにいたる経路は水平乃至下降していることを特徴とする請求項３記載の気化器への原料溶液供給系。
【請求項５】
開口部Ａは平坦な面に形成されていることを特徴とする請求項２乃至４のいずれか１項記載の気化器への原料溶液供給系。
【請求項６】
一端に一通路と他端に三通路を有するバルブＶ１と、一端に一通路と他端に一通路を有するバルブＶ２と、一端に一通路と他端に一通路を有するバルブＶ３と、一端に一通路と他端にニ通路と有するバルブＶ４とを該通路とともに一つのブロック内に形成されているバルブであり、
バルブＶ１の該一端の通路と、バルブＶ１の該他端の一つの通路と、バルブＶ２の該一端の通路と、バルブＶ４の該一端の通路と、バルブ４の該他端の一つの通路が該ブロック外部にそれぞれ開口部Ａ、Ｃ、Ｂ、Ｄ、Ｅを有し、
バルブＶ１の該他端の他の一つの通路とバルブＶ２の該他端の通路とが連通し、バルブＶ１の該他端のさらに他の通路とバルブＶ３の一端の通路とが連通し、バルブＶ３の他端の通路とバルブＶ４の他端の他の通路とが連通しているモノブロックバルブが用いられていることを特徴とする気化器への原料溶液供給系。
【請求項７】
開口部Ａを原料溶液入口とし、開口部Ｂを真空排気口とし、開口部Ｃを原料溶液出口とし、開口部Ｄを圧送ガス出口とし、開口部Ｅを圧送ガス入口とすることを特徴とする請求項６記載の気化器への原料溶液供給系。
【請求項８】
開口部Ａから開口部Ｃにいたる経路は水平乃至下降していることを特徴とする請求項７記載の気化器への原料溶液供給系。
【請求項９】
開口部Ａ及び開口部Ｄは平坦な面に形成されていることを特徴とする請求項７又は８記載の気化器への原料溶液供給系。
【請求項１０】
一端に一通路と他端にニ通路を有するバルブＶ１と、一端にニ通路と他端に一通路を有するバルブＶ２と、一端に一通路と他端に一通路を有するバルブＶ３と、一端に一通路と他端に一通路と有するバルブＶ４とを該通路とともに一つのブロック内に形成されているバルブであり、
バルブＶ１の該一端の通路と、バルブＶ２の該一端の一つの通路と、バルブＶ３の該一端の通路と、バルブＶ４の該一端の通路とが該ブロック外部にそれぞれ開口部Ｅ、Ｃ、Ｄ、Ｂを有し、
バルブＶ１の該他端の一つの通路とバルブＶ３の該他端の通路とが連通し、バルブＶ１の該他端の他の通路とバルブＶ２の他端の通路とが連通し、バルブＶ２の一端の他の通路とバルブＶ４の他端の通路とが連通しており、
一端がブロック外部に開口部Ａを有し、他端が、バルブＶ１の該他端の他の通路とバルブＶ２の他端の通路とを連通する通路に連通しているモノブロックバルブが用いられていることを特徴とする気化器への原料溶液供給系。
【請求項１１】
開口部Ａを原料溶液出口とし、開口部Ｂを真空排気口とし、開口部Ｃを原料溶液入口とし、開口部Ｄをパージガス入口とし、開口部Ｅをウオッシャー入口とすることを特徴とする請求項１０記載の気化器への原料溶液供給系。
【請求項１２】
開口部Ｃから開口部Ａにいたる経路は水平乃至下降していることを特徴とする請求項１１記載の気化器への原料溶液供給系。
【請求項１３】
原料溶液元と開口部Ｃとの間にマスフローコントローラーが設けられていることを特徴とする請求項１０乃至１２のいずれか１項記載の気化器への原料溶液供給系。
【請求項１４】
一端に一通路と他端に一通路を有するバルブＶ１と、一端に一通路と他端に三通路を有するバルブＶ２と、一端に一通路と他端に一通路を有するバルブＶ３と、一端に一通路と他端にニ通路と有するバルブＶ４と、一端に一通路と他端に一通路を有するバルブＶ５が該通路とともに一つのブロック内に形成されているバルブであり、
バルブＶ１の該一端の通路と、バルブＶ２の該一端の一つの通路と、バルブＶ３の該一端の通路と、バルブＶ４の該一端の通路と、バルブＶ５の該一端の通路が該ブロック外部にそれぞれ開口部Ｂ、Ａ、Ｄ、Ｅ、Ｆを有し、
バルブＶ１の該他端の一つの通路とバルブＶ２の該一端の通路とが連通し、バルブＶ２の該他端の一つ通路とバルブＶ３の他端の通路とが連通し、バルブＶ２の該他端の他の通路とバルブＶ４の他端の通路とが連通し、バルブＶ４の他端の他の通路とバルブＶ５の他端の通路とが連通しており、
一端がブロック外部に開口部Ｃを有し、他端が、バルブＶ２の該他端のさらに他の通路と連通しているモノブロックバルブが用いられていることを特徴とする気化器への原料溶液供給系。
【請求項１５】
開口部Ａを混合原料溶液出口とし、開口部Ｂを原料溶液入口とし、開口部Ｃを他の原料溶液入口とし、開口部Ｄを真空排気口とし、開口部Ｅをウオッシャー入口とし、開口部Ｆをパージガス入口とすることを特徴とする請求項１４記載の気化器への原料溶液供給系。
【請求項１６】
開口部Ｂ及びＣから開口部Ａにいたる経路は水平乃至下降していることを特徴とする請求項１５記載の気化器への原料溶液供給系。
【請求項１７】
原料溶液元と開口部Ｃとの間にマスフローコントローラーが設けられていることを特徴とする請求項１０乃至１２のいずれか１項記載の気化器への原料溶液供給系。
【請求項１８】
開口部Ａは平坦な面に形成されていることを特徴とする請求項１４乃至１７のいずれか１項記載の気化器への原料溶液供給系。
【請求項１９】
前記平坦な面は、気化器が、シール部材を介して直接取りつけ可能となっていることを特徴とする請求項１８記載の気化器への原料溶液供給系。
【請求項２０】
前記バルブはダイヤフラムバルブであることを特徴とする請求項１乃至１９のいずれか１項記載の気化器への原料溶液供給系。
【請求項２１】
通路の内径は２ｍｍ以下であることを特徴とする請求項１乃至２０のいずれか１項記載の気化器への原料溶液供給系。
【請求項２２】
バルブ内の通路に原料溶液が表面張力により落下しないようにしておき、該通路にパージガスを流すことを特徴とする気化器への原料溶液供給系の洗浄方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は、半導体メモリ装置や半導体装置を製造するための装置を構成する配管系で使用される遮断弁に関し、特に液体材料供給を目的とする配管系で使用され、バルブ内部の洗浄とクリーニングを効果的に行えうことができる気化器への原料溶液供給系に関する
【従来の技術】
【特許文献１】特開２００１−１７６８０号公報
近年、ＦｅＲＡＭ（Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ−Ｒａｎｄｏｍ−Ａｃｃｅｓｓ−Ｍｅｍｏｒｙ）のようなキャパシタを用いる半導体メモリ装置や半導体装置に対して、更なるキャパシタの高集積化を目的として、より比誘電率の高い誘電体材料ＰＺＴ［（Ｐｂ，Ｚｒ）ＴｉＯ３］、ＢＳＴ［（Ｂａ，Ｓｒ）ＴｉＯ３］、ＳＢＴ［ＳｒＢｉ  ＴａｙＯｚ］等が検討されている。これらの誘電体材料はＣＶＤ法によりウェハ上に成膜されるが、ウェハ上以外の装置内や配管内等に、（１）成膜反応による副生成物、（２）配管内に残留した誘電体成膜材料に対する反応活性を有する分子との反応による反応生成物が生成され付着堆積する。このウェハ上以外に付着堆積した生成物は、パーティクルの発生源となり歩留まりの低下を招いたり、材料供給配管内の詰まりに伴う材料供給流量不足を招いたり、材料供給配管系に構成されたバルブの弁座に堆積することによる弁座漏れを発生させたりする。これらの問題を解決するための装置内クリーニング方法が、特開２００１−１７６８０７号公報等に提案されているが、装置を構成するバルブ内部の洗浄とクリーニングに関する提案はない。
【０００２】
液体原料を気化器に供給するシステムとして図Ｘに示すようシステムが従来採用されている。すなわち、原料タンク１０２に二本のパイプ１０５ａ，１０５ｂが挿入されている。パイプ１０５ａはバルブ１０３ｃ、パイプ１０４ｂ、バルブＶ０１を介してガス源に接続されている。パイプ１０５ａとバルブＶ０３との接続には継手１０３ｃが用いられている。他の部分においてもパイプとバルブとの接続には継手が用いられている。
【０００３】
一方、パイプ１０５ｂは、バルブＶ０４，パイプ１０４ａ、バルブＶ０５，パイプ１０４ｃ、バルブＶ０７を介して気化器に接続されている。
【０００４】
また、パイプ１０４ｂとパイプ１０４ａとの間にはバルブＶ０２が設けられている。
【０００５】
気化器に原料液を供給する際は、バルブＶ０２、バルブＶ０６を閉とし、他のバルブは開としておく。ガス源から、Ａｒなどの不活性ガスを原料タンク１０２内に吹き込み。原料タンク１０２内の原料液は圧力を受け、パイプ及びバルブを介して気化器１０１に圧送される。
【０００６】
成膜が終了した場合、系のクリーニングを行う。その際は、バルブＶ０３、バルブＶ０４、バルブＶ０７を閉、他のバルブを開とする。ガス源からガスを導入するとガスは、バルブＶ０１，ｖバルブＶ０２、バルブＶ０５、パイプ１０４ｃ、バルブＶ０６を通過してバルブ内及びパイプ１０４内がクリーニングされる。
【０００７】
しかし、原料液が通過したパイプ、１０３ａ、バルブＶ０４，パイプ１０４ａ内はクリーニングされない。すなわち、パイプ１０４ａ内はデッドゾーンとなり原料液が残留したままとなっている。そのため、パイプ１０４ａ内は継手１０３ｂを取り外してからクリーニングせざるを得ない。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、ＦｅＲＡＭによる半導体メモリ装置や半導体装置を製造するための装置を構成する液体材料供給を目的とする配管系統の、バルブ内部の洗浄とクリーニングを容易にする構造を提供する事により、洗浄とクリーニングに要する時間の短縮と装置の信頼化を図ることを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明の気化器への原料溶液供給系は、複数の通路と、該複数の通路と連通する複数のバルブとが一つの多面体ブロック内に形成されており、少なくとも一つの面が、液供給タンク乃至液供給先装置にシール部材を介して直接接続できるようにされていることを特徴とする。
【００１０】
本発明のモノブロックバルブは、一端に一通路と他端にニ通路を有するバルブＶ１と、一端に一通路と他端に一通路を有するバルブＶ２と、一端に一通路と他端に一通路を有するバルブＶ３とを該通路とともに一つのブロック内に形成されているバルブであり、
バルブＶ１の該一端の通路と、バルブＶ１の該他端の一つの通路と、バルブＶ２の該一端の通路と、バルブＶ３の該一端の通路が該ブロック外部にそれぞれ開口部Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄを有し、
バルブＶ１の該他端の他の一つの通路と、バルブＶ２の該他端の通路と、バルブＶ３の該他端の通路とが連通しているモノブロックバルブが用いられていることを特徴とする。
【００１１】
本発明の気化器への原料溶液供給系は、一端に一通路と他端に三通路を有するバルブＶ１と、一端に一通路と他端に一通路を有するバルブＶ２と、一端に一通路と他端に一通路を有するバルブＶ３と、一端に一通路と他端にニ通路と有するバルブＶ４とを該通路とともに一つのブロック内に形成されているバルブであり、
バルブＶ１の該一端の通路と、バルブＶ１の該他端の一つの通路と、バルブＶ２の該一端の通路と、バルブＶ４の該一端の通路と、バルブ４の該他端の一つの通路が該ブロック外部にそれぞれ開口部Ａ、Ｃ、Ｂ、Ｄ、Ｅを有し、
バルブＶ１の該他端の他の一つの通路とバルブＶ２の該他端の通路とが連通し、バルブＶ１の該他端のさらに他の通路とバルブＶ３の一端の通路とが連通し、バルブＶ３の他端の通路とバルブＶ４の他端の他の通路とが連通しているモノブロックバルブが用いられていることを特徴とする。
【００１２】
本発明の気化器への原料溶液供給系は、一端に一通路と他端にニ通路を有するバルブＶ１と、一端にニ通路と他端に一通路を有するバルブＶ２と、一端に一通路と他端に一通路を有するバルブＶ３と、一端に一通路と他端に一通路と有するバルブＶ４とを該通路とともに一つのブロック内に形成されているバルブであり、
バルブＶ１の該一端の通路と、バルブＶ２の該一端の一つの通路と、バルブＶ３の該一端の通路と、バルブＶ４の該一端の通路とが該ブロック外部にそれぞれ開口部Ｅ、Ｃ、Ｄ、Ｂを有し、
バルブＶ１の該他端の一つの通路とバルブＶ３の該他端の通路とが連通し、バルブＶ１の該他端の他の通路とバルブＶ２の他端の通路とが連通し、バルブＶ２の一端の他の通路とバルブＶ４の他端の通路とが連通しており、
一端がブロック外部に開口部Ａを有し、他端が、バルブＶ１の該他端の他の通路とバルブＶ２の他端の通路とを連通する通路に連通しているモノブロックバルブが用いられていることを特徴とする。
【００１３】
本発明の気化器への原料溶液供給系は、一端に一通路と他端に一通路を有するバルブＶ１と、一端に一通路と他端に三通路を有するバルブＶ２と、一端に一通路と他端に一通路を有するバルブＶ３と、一端に一通路と他端にニ通路と有するバルブＶ４と、一端に一通路と他端に一通路を有するバルブＶ５が該通路とともに一つのブロック内に形成されているバルブであり、
バルブＶ１の該一端の通路と、バルブＶ２の該一端の一つの通路と、バルブＶ３の該一端の通路と、バルブＶ４の該一端の通路と、バルブＶ５の該一端の通路が該ブロック外部にそれぞれ開口部Ｂ、Ａ、Ｄ、Ｅ、Ｆを有し、
バルブＶ１の該他端の一つの通路とバルブＶ２の該一端の通路とが連通し、バルブＶ２の該他端の一つ通路とバルブＶ３の他端の通路とが連通し、バルブＶ２の該他端の他の通路とバルブＶ４の他端の通路とが連通し、バルブＶ４の他端の他の通路とバルブＶ５の他端の通路とが連通しており、
一端がブロック外部に開口部Ｃを有し、他端が、バルブＶ２の該他端のさらに他の通路と連通しているモノブロックバルブが用いられていることを特徴とする。
【００１４】
本発明の気化器への原料溶液供給系は、バルブ内の通路に原料溶液が表面張力により落下しないようにしておき、該通路にパージガスを流すことを特徴とする。
【００１５】
【作用】
バルブ内部の洗浄とクリーニングを容易にする為、次に述べる（１）〜（４）が特徴となるような構造とした遮断弁を考案し、バルブ内部への誘電体成膜材料に対する反応活性を有する分子の残留を抑制する
停留部を少なくする
ウェット洗浄とガスパージクリーニングをバルブ内流路で効果的に実施する為に、流体の特性（表面張力）と重力を考慮して、バルブ内部で流体の位置ヘッドの作用により流入と流出が補助されるように設計された金属製ダイアフラムを使用した超高純度流体用バルブとする。
（２）内容積が少ないバルブとする。
【００１６】
パイプ（配管）内径を２ｍｍ以下とし、更に配管内径に見合った、例えばダイアフラム外径寸法がφ１４ｍｍ以下の金属製ダイアフラムを使用した超高純度流体用バルブとする
。また、この超高純度流体用バルブを複数個同一の弁箱（Ｂｏｄｙ）に組み合わせて構成する事により内容積を少なくする。
（３）弁内部のクリーニング
液体材料を供給する配管に構成された金属製ダイアフラムを使用した超高純度流体用バルブに対して、ウェット洗浄液とガスパージクリーニングを目的とする流体を供給する複数の超高純度流体用バルブをそのダイアフラム室側に接続し、更にそのダイアフラム室側にはウェット洗浄とガスパージクリーニングを目的とする流体の回収用超高純度流体用バルブを接続することにより、液体材料を供給する配管に構成された金属製ダイアフラムを使用した超高純度流体用バルブのダイアフラム室側弁内部のウェット洗浄とガスパージクリーニングを確実におこなう。
（４）バルブと構成部材との接続方法液体材料を供給する配管に構成された金属製ダイアフラムを使用した超高純度流体用バルブと、高純度液体材料供給タンクや液体材料気化器等の構成部材との接続は、配管内容積の低減を目的として金属製のシール部材を使用して構成部材に直接バルブを接続する。ここで使用する金属製のシール部材はＯリング、Ｃリング、金属ガスケット等、形状・材質は使用条件に合っていればよい。
【００１７】
【実施例】
（実施例１）
図１及び図２に実施例１に係るバルブを示す。
【００１８】
本例では、一端に一通路と他端にニ通路を有するバルブＶ１と、一端に一通路と他端に一通路を有するバルブＶ２と、一端に一通路と他端に一通路を有するバルブＶ３とを該通路とともに一つのブロック１内に形成されているバルブであり、
バルブＶ１の該一端の通路と、バルブＶ１の該他端の一つの通路と、バルブＶ２の該一端の通路と、バルブＶ３の該一端の通路が該ブロック外部にそれぞれ開口部Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄを有し、
バルブＶ１の該他端の他の一つの通路と、バルブＶ２の該他端の通路と、バルブＶ３の該他端の通路とが連通している。
【００１９】
本例に係るモノブロックバルブＸ１は、図１１のバルブＡに示すように用いることができる。
【００２０】
図１１に示すシステムはＭＯＣＶＤ装置などの気化器に原料溶液を供給するためのシステムである。
【００２１】
モノブロックバルブＸ１はモノブロックバルブＸ２に接続される。モノブロックバルブＸ２の詳細は実施例２において述べる。
【００２２】
モノブロックバルブＸ１のＶ２から圧送ガス（例えばＨｅその他の不活性ガス）を導入すると、圧送ガスはＶ１を経由してモノブロックバルブＸ２のバルブ４を介して原料溶液タンク２１に導入される。原料溶液タンクにおいては圧送ガスの圧力により原料溶液が押し出されモノブロックバルブＸ２のバルブＶ１を介してモノブロックバルブＸ３，Ｘ４を経由して気化器に送られる。
【００２３】
また、本例に係るモノブロックバルブについて、開口部Ａをウオッシャー入口とし、開口部Ｃを圧送用ガス入口とし、開口部Ｄをパージガス入口とし、開口部Ｂを出口とすれば供給システムの洗浄にも用いることができる。
【００２４】
すなわち、まず、ウオッシャーをモノブロックバルブＸ１のバルブＶ１から導入する。ウオッシャーは、、モノブロックバルブＸ２のバルブＶ３、Ｖ２を経由してモノブロックバルブＸ３に導入される。ウオッシャーは、さらに、モノブロックバルブＸ３のバルブＶ２、モノブロックバルブＸ４のバルブＶ２を流れる。これにより、原料溶液が通過した通路の洗浄が行われる。
【００２５】
ウオッシャーによる洗浄の後、モノブロックバルブＸ１のバルブＶ３からパージガスとして例えばＡｒガスなどの不活性ガスを導入する。経路はウオッシャーを同じ経路である。このパージガスにより通路内に残存するウオッシャーを除去する。
【００２６】
なお、ウオッシャーによる洗浄の前にパージガスによるパージを行うこともできる。特に、原料溶液を表面張力により落下させない状態にしておいた場合に有効である。通路の内径を例えば２ｍｍ以下としておくと原料溶液は落下することなく通路に存在する。すなわち、浮いた状態で通路に存在する。その状態でパージガスを流すと通路に存在する原料溶液は通路の内壁から容易に離脱する。離脱した原料溶液は、パージガスに運ばれてパージガスとともに系外に出される。原料溶液を落下させてしまうと、パージガスを流しても落下点において滞在する原料溶液落下点から持ち上げることは困難である。また、原料溶液を溶解する溶媒を流したとしても原料溶液の拡散による除去を待たざるを得ない。それに対して、表面張力で浮いた状態にしておけば離脱させるための力は表面張力という弱い力であるため離脱させることが極めて容易である。
【００２７】
なお、原料溶液としては、例えば、Ｓｒ（ＤＰＭ）２、Ｂｉ（Ｃ６Ｈ５）３、Ｔａ（ＯＣ２Ｈ５）５、ＴＨＦその他多数のものが上げられる。
【００２８】
また、ウオッシャーとしては原料溶液を溶解する溶媒を用いればよい。
【００２９】
開口部Ａから開口部Ｂにいたる経路は水平乃至下降させておくことが好ましい。これにより、原料溶液の供給を停止した場合、原料溶液が滞留することを防止することができる。そのためにはまず、モノブロックバルブ内の通路の方向及び角度を適宜選択する。そして、図１に示すような方向及び角度の通路の場合には、矢印で示す天面を上方に向くようにしてモノブロックバルブを取り付ければよい。
【００３０】
また、開口部Ａは平坦な面に形成されていることが好ましい。平坦な面とすることにより他の装置に継手を介さずに接続させることができる。他の装置とシール部材を介して接続すればよい。例えば、ＮｉＴｉより構成される超弾性金属材料製パイプ状ガスケットを介してボルトによるフランジ接続すればよい。かかる接続を行えば、従来例で述べたようなデッドゾーンが生じることを防止することができる。原料溶液供給系の洗浄が極めて容易になる。
【００３１】
（実施例２）
図３及び図４に本実施例に係るモノブロックバルブを示す。
【００３２】
本例では、一端に一通路と他端に三通路を有するバルブＶ１と、一端に一通路と他端に一通路を有するバルブＶ２と、一端に一通路と他端に一通路を有するバルブＶ３と、一端に一通路と他端にニ通路と有するバルブＶ４とを該通路とともに一つのブロック内に形成されているバルブであり、
バルブＶ１の該一端の通路と、バルブＶ１の該他端の一つの通路と、バルブＶ２の該一端の通路と、バルブＶ４の該一端の通路と、バルブ４の該他端の一つの通路が該ブロック外部にそれぞれ開口部Ａ、Ｃ、Ｂ、Ｄ、Ｅを有し、
バルブＶ１の該他端の他の一つの通路とバルブＶ２の該他端の通路とが連通し、バルブＶ１の該他端のさらに他の通路とバルブＶ３の一端の通路とが連通し、バルブＶ３の他端の通路とバルブＶ４の他端の他の通路とが連通している。
【００３３】
本例のモノブロックバルブは、開口部Ａを原料溶液入口とし、開口部Ｂを真空排気口とし、開口部Ｃを原料溶液出口とし、開口部Ｄを圧送ガス出口とし、開口部Ｅを圧送ガス入口として使用することができる。使用例を図１１に示す。Ｘ２が本例に係るモノブロックバルブである。これにより、原料溶液タンク２１から原料溶液を気化器に送ることができる。
【００３４】
なお、開口部Ａから開口部Ｃにいたる経路は水平乃至下降していることが好ましい。
【００３５】
また、開口部Ａ及び開口部Ｄは平坦な面に形成すれば、継手を介することなくモノブロックバルブＸ２を原料溶液タンク２１に接続することができる。シールは実施例１で述べたと同様とすればよい。
【００３６】
（実施例３）
図５及び図６に本例に係るモノブロックバルブを示す。
【００３７】
本例のモノブロックバルブは、一端に一通路と他端にニ通路を有するバルブＶ１と、一端にニ通路と他端に一通路を有するバルブＶ２と、一端に一通路と他端に一通路を有するバルブＶ３と、一端に一通路と他端に一通路と有するバルブＶ４とを該通路とともに一つのブロック内に形成されているバルブであり、
バルブＶ１の該一端の通路と、バルブＶ２の該一端の一つの通路と、バルブＶ３の該一端の通路と、バルブＶ４の該一端の通路とが該ブロック外部にそれぞれ開口部Ｅ、Ｃ、Ｄ、Ｂを有し、
バルブＶ１の該他端の一つの通路とバルブＶ３の該他端の通路とが連通し、バルブＶ１の該他端の他の通路とバルブＶ２の他端の通路とが連通し、バルブＶ２の一端の他の通路とバルブＶ４の他端の通路とが連通しており、
一端がブロック外部に開口部Ａを有し、他端が、バルブＶ１の該他端の他の通路とバルブＶ２の他端の通路とを連通する通路に連通している。
【００３８】
本例のモノブロックバルブでは、開口部Ａを原料溶液出口とし、開口部Ｂを真空排気口とし、開口部Ｃを原料溶液入口とし、開口部Ｄをパージガス入口とし、開口部Ｅをウオッシャー入口とすることが好ましい。これにより図１２においてＸ３で示すような使用方法ができる。
【００３９】
また、開口部Ｃから開口部Ａにいたる経路は水平乃至下降していることが好ましい。
【００４０】
原料溶液元と開口部Ｃとの間にマスフローコントローラーが設けられていることが好ましい。
【００４１】
（実施例４）
図７及び図８に実施例４に係るモノブロックバルブを示す。
【００４２】
本例のモノブロックバルブは、一端に一通路と他端に一通路を有するバルブＶ１と、一端に一通路と他端に三通路を有するバルブＶ２と、一端に一通路と他端に一通路を有するバルブＶ３と、一端に一通路と他端にニ通路と有するバルブＶ４と、一端に一通路と他端に一通路を有するバルブＶ５が該通路とともに一つのブロック内に形成されているバルブであり、
バルブＶ１の該一端の通路と、バルブＶ２の該一端の一つの通路と、バルブＶ３の該一端の通路と、バルブＶ４の該一端の通路と、バルブＶ５の該一端の通路が該ブロック外部にそれぞれ開口部Ｂ、Ａ、Ｄ、Ｅ、Ｆを有し、
バルブＶ１の該他端の一つの通路とバルブＶ２の該一端の通路とが連通し、バルブＶ２の該他端の一つ通路とバルブＶ３の他端の通路とが連通し、バルブＶ２の該他端の他の通路とバルブＶ４の他端の通路とが連通し、バルブＶ４の他端の他の通路とバルブＶ５の他端の通路とが連通しており、
一端がブロック外部に開口部Ｃを有し、他端が、バルブＶ２の該他端のさらに他の通路と連通している。
開口部Ａを混合原料溶液出口とし、開口部Ｂを原料溶液入口とし、開口部Ｃを他の原料溶液入口とし、開口部Ｄを真空排気口とし、開口部Ｅをウオッシャー入口とし、開口部Ｆｗｏパージガス入口とすることにより図１２に示す使用ができる。
【００４３】
また、開口部Ｂ及びＣから開口部Ａにいたる経路は水平乃至下降していることが好ましい。
【００４４】
また、原料溶液元と開口部Ｃとの間にマスフローコントローラーが設けられていることが好ましい。
を特徴とする請求項１０乃至１２のいずれか１項記載のモノブロックバルブ。
【００４５】
さらに、開口部Ａは平坦な面に形成されていることが好ましい。これにより、モノブロックバルブを継手を介することなく気化器に取り付けることができる。
【００４６】
（実施例５）
図９及び図１０に実施例１１に係るモノブロックバルブを示す。
【００４７】
本例のモノブロックバルブと実施例４に示したモノブロックバルブとは平面図において、紙面を鏡とした鏡面対称をなしている。
【００４８】
従って、図１１に示すように取り付け対象に対して、実施例４に係るモノブロックバルブと本例に係るモノブロックバルブとを左右対称に取り付けることが可能となる。
【００４９】
以上の実施例において、バルブはバルブはダイヤフラムバルブであることが好ましい。
【００５０】
また、原料溶液を表面張力で保持されるかどうかは、原料溶液の粘土、通路の内壁の表面粗度、通路の内径、原料溶液の温度などによって変わるが、ＭＯＣＶＤ用の原料溶液の場合は、通路の内径を２ｍｍ以下とすることが好ましい。１ｍｍ以下がより好ましい。下限は加工可能な値である。
【００５１】
【発明の効果】
本発明によれば、モノブロックバルブ内及び原料溶液供給ラインの洗浄を短時間でかつ容易に行うことが可能となる。
【００５２】
また、副生成物乃至反応生成物の残留が極めて少なくなる。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施例１に係るモノブロックバルブを示す図である。
【図２】実施例１に係るモノブロックバルブを示す図である。
【図３】実施例２に係るモノブロックバルブを示す図である。
【図４】実施例２係るモノブロックバルブを示す図である。
【図５】実施例３に係るモノブロックバルブを示す図である。
【図６】実施例３に係るモノブロックバルブを示す図である。
【図７】実施例４に係るモノブロックバルブを示す図である。
【図８】実施例４に係るモノブロックバルブを示す図である。
【図９】実施例５に係るモノブロックバルブを示す図である。
【図１０】実施例５係るモノブロックバルブを示す図である。
【図１１】実施例４，５に係るモノブロックバルブの使用例を示す図である。
【図１２】実施例に係るモノブロックバルブを用いた原料溶液供給系を示す図である。
【図１３】従来例に係る原料溶液供給系を示す図である。
【符号の説明】
１  ブロック
２１  原料溶液タンク
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2004186338.tif 000008
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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