(57)【要約】【課題】マザーボードに接合する電極数を増加させ、電極配置の自由度を高めることができると共に、マザーボードとの接合強度を高める。【解決手段】モジュール基板１の外周側端面１Ｃには外側端面電極４を設けると共に、外側端面電極４には外側半田バンプ８を取付ける。また、基板１の中央部には貫通穴９を設ける。そして、貫通穴９の内側端面９Ａには内側端面電極１１を設けると共に、内側端面電極１１には内側半田バンプ１５を取付ける。これにより、基板１には外側端面電極４に加えて内側端面電極１１を設けるから、電極数を増加させることができると共に、基板１の外周側に加えて中央部側をマザーボードに接合し、接合強度を高めることができる。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面側に電子部品が搭載され裏面側がマザーボードに実装される基板と、該基板の外周側端面に設けられ前記電子部品が接続される外側端面電極と、該外側端面電極に設けられその一部が前記基板の裏面側に突出した半田からなる外側半田バンプと、前記基板に設けられた貫通穴および／または切欠きと、該貫通穴および／または切欠きの内側端面に設けられた内側端面電極と、該内側端面電極に設けられその一部が前記基板の裏面側に突出した半田からなる内側半田バンプとによって構成してなる回路基板装置。
【請求項２】
前記基板の裏面側には裏面電極を設け、該裏面電極には基板の裏面側に突出した裏側半田バンプを設けてなる請求項１に記載の回路基板装置。
【請求項３】
前記内側半田バンプが前記基板の裏面から突出した突出寸法は前記外側半田バンプが前記基板の裏面から突出した突出寸法よりも小さい値に設定してなる請求項１または２に記載の回路基板装置。
【請求項４】
表面側に電子部品が搭載され裏面側がマザーボードに実装される基板と、該基板の裏面側に設けられた裏面電極と、該裏面電極に設けられ基板の裏面側に突出した裏側半田バンプと、前記基板に設けられた貫通穴および／または切欠きと、該貫通穴および／または切欠きの内側端面に設けられた内側端面電極と、該内側端面電極に設けられその一部が前記基板の裏面側に突出した半田からなる内側半田バンプとによって構成してなる回路基板装置。
【請求項５】
表面側に電子部品が搭載され裏面側がマザーボードに実装される基板と、該基板の外周側端面に設けられ前記電子部品が接続される外側端面電極と、該外側端面電極に設けられその一部が前記基板の裏面側に突出した半田からなる外側半田バンプと、前記基板の裏面側に設けられた裏面電極と、該裏面電極に設けられ基板の裏面側に突出した裏側半田バンプとによって構成してなる回路基板装置。
【請求項６】
前記基板の裏面側には、前記外側端面電極に接続され外側半田バンプに覆われた主ランドと前記外側端面電極から離れた補助ランドとを設け、これら主ランドと補助ランドとの間には仕切りを設ける構成としてなる請求項１，２，３または５に記載の回路基板装置。
【請求項７】
前記基板の裏面側には、前記内側端面電極に接続され内側半田バンプに覆われた主ランドと前記内側端面電極から離れた補助ランドとを設け、これら主ランドと補助ランドとの間には仕切りを設ける構成としてなる請求項１，２，３，４または６に記載の回路基板装置。
【請求項８】
前記仕切りには前記主ランドに接続され補助ランドに向けて先細る先細り部を形成してなる請求項６または７に記載の回路基板装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば電子部品を予めサブアッセンブリ化してマザーボードに実装するのに好適に用いられる回路基板装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
一般に、回路基板装置としては、例えば複数の電子部品をモジュール基板上で予めサブアッセンブリ化する構成としたものが知られている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
【特許文献１】
特開２００１−１２７１８８号公報
【０００４】
この種の従来技術による回路基板装置は、表面側に電子部品が搭載され裏面側がマザーボードに実装される基板と、該基板の端面に間隔をもって設けられ電子部品が接続される複数の端面電極と、該各端面電極に取付けられ基板の裏面側に突出した半田とによって構成されている。
【０００５】
そして、このように構成される基板をマザーボードに実装するときには、この基板をマザーボードに載置し、各半田の突出端をマザーボード側に当接した状態で基板等を加熱する。これにより、基板の各ランドとマザーボード側との間で半田が溶融して潰れ、これらが半田付けされる。このとき、例えば基板が反り等によって変形している場合でも、各半田が順次溶融して潰れることにより全ての半田がマザーボード側に接触するようになるので、基板の実装時には、突形状の半田によって基板の反り等を吸収する構成となっている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、上述した従来技術では、マザーボードのランドに接合される端面電極が基板の外周側の端面にのみ配置されているから、端面電極の数が制限されると共に、電極配置の自由度が低いという問題がある。
【０００７】
また、従来技術では電極数が制限されるから、基板とマザーボードとの間の接合強度を強化できない傾向があると共に、基板に搭載される電子部品のピンアサイン自由度が低く、電子部品を所望な位置に配置できないという問題もある。
【０００８】
本発明は上述した従来技術の問題に鑑みなされたもので、本発明の目的は、マザーボードに接合する電極数を増加させ、電極配置の自由度を高めることができると共に、マザーボードとの接合強度を高めることができる回路基板装置を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上述した課題を解決するために、請求項１の発明による回路基板装置は、表面側に電子部品が搭載され裏面側がマザーボードに実装される基板と、該基板の外周側端面に設けられ前記電子部品が接続される外側端面電極と、該外側端面電極に設けられその一部が前記基板の裏面側に突出した半田からなる外側半田バンプと、前記基板に設けられた貫通穴および／または切欠きと、該貫通穴および／または切欠きの内側端面に設けられた内側端面電極と、該内側端面電極に設けられその一部が前記基板の裏面側に突出した半田からなる内側半田バンプとによって構成している。
【００１０】
このように構成することにより、基板には外側端面電極に加えて内側端面電極を設けるから、マザーボードに接合する電極数を増加させることができると共に、電極配置の自由度を高めることができる。また、基板の外周側に加えて貫通穴や切欠きの内側もマザーボードに接合することができるから、基板とマザーボードとの接合強度を高めることができる。
【００１１】
また、基板の外周側端面に外側半田バンプを設けると共に、貫通穴や切欠きに内側半田バンプを取付ける構成としたから、基板の外周側と中央側とで熱容量の差を小さくすることができる。また、貫通穴や切欠きを通じて放熱を促進し、基板とマザーボードとの間に熱が篭るのを緩和することができる。このため、基板をリフロー半田付けしたときに、基板の外周側と中央側との温度差を小さくすることができると共に、基板の表面側と裏面側との温度差も小さくすることができるから、これらの温度差に基づく基板の反り（変形）を抑制することができる。
【００１２】
また、請求項２の発明によると、基板の裏面側には裏面電極を設け、該裏面電極には基板の裏面側に突出した裏側半田バンプを設ける構成としている。
【００１３】
これにより、基板には裏面電極を設けるから、電極数をさらに増加させることができる。また、裏面電極は基板の裏面であれば任意の位置に配置することができるから、電極配置の自由度をさらに高めることができる。
【００１４】
また、請求項３の発明では、内側半田バンプが基板の裏面から突出した突出寸法は外側半田バンプが基板の裏面から突出した突出寸法よりも小さい値に設定している。
【００１５】
この場合、基板をマザーボードに載置した状態でリフロー半田付けをしたときには、マザーボードと対面する基板の裏面に比べて外部に露出した基板の表面が早期に冷えるから、基板は中央側がマザーボードに近付き、外周側がマザーボードから遠ざかる凹湾曲状に変形し易い。このため、基板の外周側に比べて中央側の方が基板とマザーボードとの間のギャップ（隙間）が小さいから、内側半田バンプの突出寸法は外側半田バンプの突出寸法よりも小さくて済む。そして、内側半田バンプの突出寸法を外側半田バンプの突出寸法よりも小さくしたから、基板に対して内側半田バンプが占める占有面積を小さくすることができ、基板のデッドスペースを減少させることができる。
【００１６】
また、請求項４の発明による回路基板装置は、表面側に電子部品が搭載され裏面側がマザーボードに実装される基板と、該基板の裏面側に設けられた裏面電極と、該裏面電極に設けられ基板の裏面側に突出した裏側半田バンプと、前記基板に設けられた貫通穴および／または切欠きと、該貫通穴および／または切欠きの内側端面に設けられた内側端面電極と、該内側端面電極に設けられその一部が前記基板の裏面側に突出した半田からなる内側半田バンプとによって構成している。
【００１７】
このように構成することにより、基板には裏面電極と内側端面電極を設けるから、マザーボードに接合する電極数を増加させることができると共に、電極配置の自由度を高めることができる。また、内側半田バンプを用いて内側端面電極とマザーボードのランドとの間にフィレットを形成することができるから、裏面電極だけをマザーボードに接合した場合に比べて、基板とマザーボードとの接合強度を高めることができる。
【００１８】
また、請求項５の発明による回路基板装置は、表面側に電子部品が搭載され裏面側がマザーボードに実装される基板と、該基板の外周側端面に設けられ前記電子部品が接続される外側端面電極と、該外側端面電極に設けられその一部が前記基板の裏面側に突出した半田からなる外側半田バンプと、前記基板の裏面側に設けられた裏面電極と、該裏面電極に設けられ基板の裏面側に突出した裏側半田バンプとによって構成している。
【００１９】
このように構成することにより、基板には外側端面電極に加えて裏面電極を設けるから、マザーボードに接合する電極数を増加させることができると共に、電極配置の自由度を高めることができる。また、基板の外周側に加えて裏面側もマザーボードに接合することができるから、基板とマザーボードとの接合強度を高めることができる。
【００２０】
また、請求項６の発明によると、基板の裏面側には、外側端面電極に接続され外側半田バンプに覆われた主ランドと外側端面電極から離れた補助ランドとを設け、これら主ランドと補助ランドとの間には仕切りを設ける構成としている。
【００２１】
これにより、外側半田バンプを取付けるときには、例えば溶融した半田をその濡れ性を利用して外側端面電極から主ランドに亘って付着させることができると共に、溶融した半田が主ランドから補助ランド側に流動するのを仕切りによって規制することができる。このため、主ランドに溜まる半田をその表面張力や自重によって下向きに突出した状態で固化させることができ、基板の裏面よりも突出した外側半田バンプを取付けることができると共に、その突出量を主ランドによって設定することができる。そして、基板の実装時には、外側半田バンプの突出部位をマザーボードに当接した状態で溶融させることができるから、基板の反り等を吸収することができる。
【００２２】
また、溶融した外側半田バンプは基板の自重等によって主ランドとマザーボードとの間から押出されると共に、この押出された半田は仕切りを乗越えて補助ランドに付着する。このため、主ランドと補助ランドの両方をマザーボード側に広い面積で半田付けすることができ、基板とマザーボードとの接合強度を高めることができる。
【００２３】
さらに、請求項７の発明では、基板の裏面側には、内側端面電極に接続され内側半田バンプに覆われた主ランドと内側端面電極から離れた補助ランドとを設け、これら主ランドと補助ランドとの間には仕切りを設ける構成としている。
【００２４】
これにより、請求項６の発明とほぼ同様に、内側半田バンプを取付けるときには、主ランドを用いて内側半田バンプの突出量を設定することができる。また、基板をマザーボードに実装するときには、溶融した内側半田バンプが仕切りを越えて補助ランドに付着するから、主ランドと補助ランドの両方をマザーボード側に半田付けすることができ、基板とマザーボードとの接合強度を高めることができる。
【００２５】
また、請求項８の発明では、仕切りには主ランドに接続され補助ランドに向けて先細る先細り部を形成している。
【００２６】
これにより、基板の実装時には、先細り部に半田を集中させて主ランドから補助ランドに向う半田の流出を促進することができ、半田が仕切りを乗越えるのを確実にすることができる。また、半田の流出部位を先細り部に限定することができるから、基板に複数の主ランドを近付けて配設した場合であっても、これらの主ランド間に半田が流出することがなく、複数の主ランド間の短絡を防ぐことができる。
【００２７】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態による回路基板装置を、添付図面を参照して詳細に説明する。
【００２８】
ここで、図１ないし図８は本発明による第１の実施の形態を示し、本実施の形態では、回路基板装置をモジュール基板に適用した場合を例に挙げて述べる。
【００２９】
１は回路基板装置の本体部分を構成する基板としてのモジュール基板で、該モジュール基板１は、例えば絶縁性の樹脂材料等により四角形の平板状に形成され、表面１Ａ、裏面１Ｂ及び４辺の外周側端面１Ｃを有している。また、基板１の各外周側端面１Ｃには、例えば半円弧状をなす複数の凹溝２が間隔をもって設けられ、該各凹溝２は、基板１の板厚方向に延びて表面１Ａと裏面１Ｂとに開口している。さらに、基板１の裏面１Ｂは、ほぼ全面に亘って絶縁性材料からなるレジスト膜３によって覆われている。
【００３０】
４はモジュール基板１の各外周側端面１Ｃにそれぞれ間隔をもって設けられた複数の外側端面電極で、該各外側端面電極４は、例えば基板１の各凹溝２に金属膜等をめっき処理することにより凹円弧状に形成され、基板１の板厚方向に延びている。そして、外側端面電極４は、長さ方向の一端側が後述の配線パターン５に接続され、他端側が後述のランド６に接続されている。
【００３１】
５はモジュール基板１の表面１Ａに設けられた複数の配線パターンで、該各配線パターン５は、例えば細長い金属膜等により形成され、その端部側には、基板１の各凹溝２を取囲む位置で外側端面電極４と接続された半円弧状の接続部５Ａが設けられている。
【００３２】
６はモジュール基板１の裏面１Ｂに設けられた複数のランドで、該ランド６は、各外側端面電極４に対応する位置でモジュール基板１の裏面１Ｂに設けられ例えば細長い四角形状の薄膜からなる金属膜７によって構成され、該金属膜７の外縁側はレジスト膜３によって覆われている。そして、金属膜７は、基板１の各凹溝２を取囲む位置で外側端面電極４と接続されると共に、レジスト膜３には、例えばエッチング処理等の手段により金属膜７上で開口する四角形状の開口３Ａが設けられている。これにより、ランド６は、金属膜７のうちレジスト膜３の開口３Ａの位置で露出した四角形状の露出部位により構成され、基板１の外縁側で外側端面電極４と連続するように接続されている。
【００３３】
８は外側端面電極４に取付けられた外側半田バンプで、該外側半田バンプ８は、外側端面電極４とランド６を覆って固定されている。そして、外側半田バンプ８を外側端面電極４に取付けるときには、例えば半田を外側端面電極４に接触した状態で溶融させる。このとき、溶融した半田は、その濡れ性によって外側端面電極４からランド６に亘って広がると共に、表面張力や自重によってランド６を覆った状態で盛り上がる（垂れ下がる）から、この状態で半田を固化させる。これにより、外側半田バンプ８は、外側端面電極４とランド６とに固着されると共に、外側半田バンプ８のうちランド６を覆う部分は、基板１の裏面１Ｂよりも突出寸法Ｌ１をもって下向きに突出した突部８Ａを形成するものである。
【００３４】
９はモジュール基板１の中央側に配設された貫通穴で、該貫通穴９は、例えば略四角形状をなして基板１を貫通すると共に、その内壁をなす内側端面９Ａには、凹溝２とほぼ同様の凹溝１０が間隔をもって複数個設けられている。そして、凹溝１０は、例えば半円弧状をなすと共に、基板１の板厚方向に延びて表面１Ａと裏面１Ｂとに開口している。
【００３５】
１１は貫通穴９の各内側端面９Ａにそれぞれ間隔をもって設けられた複数の内側端面電極で、該各内側端面電極１１は、外側端面電極４とほぼ同様に例えば各凹溝１０に形成された凹円弧状の金属膜等からなり、基板１の板厚方向に延びている。そして、内側端面電極１１は、長さ方向の一端側が後述の配線パターン１２に接続され、他端側が後述のランド１３に接続されている。
【００３６】
１２はモジュール基板１の表面１Ａに設けられた複数の配線パターンで、該各配線パターン１２は、配線パターン５とほぼ同様に形成され、その端部側には、基板１の各凹溝１０を取囲む位置で内側端面電極１１と接続された半円弧状の接続部１２Ａが設けられている。
【００３７】
１３はランド６よりも小さい面積をもってモジュール基板１の裏面１Ｂに設けられた複数のランドで、該ランド１３は、ランド６とほぼ同様に各内側端面電極１１に対応する位置でモジュール基板１の裏面１Ｂに設けられ例えば細長い四角形状の薄膜からなる金属膜１４によって構成されている。そして、金属膜１４は、その外縁側がレジスト膜３によって覆われると共に、凹溝１０を取囲む四角形状の部位がレジスト膜３の開口３Ｂによって露出している。これにより、ランド１３は、金属膜１４のうち開口３Ｂの位置で露出した四角形状の露出部位からなり、貫通穴９の内壁側で内側端面電極１１と連続するように接続されている。
【００３８】
１５は内側端面電極１１に取付けられた内側半田バンプで、該内側半田バンプ１５は、内側端面電極１１とランド１３を覆って固定されている。また、内側半田バンプ１５は、外側半田バンプ８とほぼ同様に半田を内側端面電極１１に接触した状態で溶融させた後に、該半田を固化させることによって形成されている。そして、内側半田バンプ１５のうちランド１３を覆う部分は、基板１の裏面１Ｂよりも突出寸法Ｌ２をもって下向きに突出した突部１５Ａを形成している。ここで、内側半田バンプ１５の突出寸法Ｌ２は外側半田バンプ８の突出寸法Ｌ１よりも小さい値に設定されている。
【００３９】
１６はモジュール基板１の表面１Ａに搭載された電子部品で、該電子部品１６は、例えば半導体ＩＣ、トランジスタ等の能動素子、または抵抗、コンデンサ、コイル等の受動素子からなる複数の素子により構成され、これらの素子は各配線パターン５，１２等を介して外側端面電極４、内側端面電極１１に接続されている。
【００４０】
そして、モジュール基板１は、電子部品１６を基板１上で予めサブアッセンブリ化し、この状態で後述のマザーボード１７に実装される。また、電子部品１６は、モジュール基板１の端面電極４，１１等を介してマザーボード１７の配線パターン１８に接続されるものである。
【００４１】
一方、１７はモジュール基板１が実装されるマザーボードで、該マザーボード１７には、図３に示す如く、複数の配線パターン１８と他の電子回路（図示せず）等とが設けられている。そして、これらの配線パターン１８の表面には予めフラックスまたはフラックスを含有したペースト半田が塗布されており、後述のリフロー半田付けを行うことによって、配線パターン１８には、基板１の各端面電極４，１１とランド６，１３とが半田バンプ８，１５を用いて接続されるものである。
【００４２】
本実施の形態による回路基板装置は上述の如き構成を有するもので、次に、モジュール基板１の実装方法について説明する。
【００４３】
まず、モジュール基板１をマザーボード１７に載置し、各半田バンプ８，１５の突部８Ａ，１５Ａを配線パターン１８に当接させる。そして、この状態で各半田バンプ８，１５を加熱し、リフロー半田付けを行う。このとき、マザーボード１７と対面するモジュール基板１の裏面１Ｂに比べて外部に露出した表面１Ａが早期に冷えるから、図８に示すようにモジュール基板１はその中央側がマザーボード１７に近付き、外周側がマザーボード１７から遠ざかる凹湾曲状に変形し易い。このため、半田バンプ１５の突部１５Ａは配線パターン１８に接触するものの、半田バンプ８の突部８Ａは配線パターン１８には非接触となる傾向がある。
【００４４】
しかし、半田バンプ１５は配線パターン１８に接触しているから、半田バンプ１５の突部１５Ａは、配線パターン１８の表面に塗布されたフラックス等が供給されることによって溶融して潰れる。これにより、モジュール基板１全体がマザーボード１７に向けて沈み込むから、半田バンプ８の突部８Ａも配線パターン１８に接触する。この結果、半田バンプ８の突部８Ａも半田バンプ１５と同様に溶融して潰れるから、全ての半田バンプ８，１５を配線パターン１８に接触する度に順次溶融させることができ、端面電極４，１１とランド６，１３とは、溶融した半田によって配線パターン１８と接続される。従って、基板１の反り等を半田バンプ８，１５の突部８Ａ，１５Ａによって吸収でき、基板１の全ての端面電極４，１１をマザーボード１７側に確実に接続することができる。
【００４５】
然るに、本実施の形態によれば、モジュール基板１に貫通穴９を設けると共に、該貫通穴９の内側端面９Ａに内側端面電極１１を設け、該内側端面電極１１には内側半田バンプ１５を取付ける構成としたから、従来技術のように外側端面電極４だけを設けた場合に比べて、マザーボード１７の配線パターン１８に接合する電極数を増加させることができる。
【００４６】
また、モジュール基板１の外周側端面１Ｃに外側半田バンプ８を設けると共に、貫通穴９に内側半田バンプ１５を取付ける構成としたから、従来技術のように外側端面電極４だけを設けた場合に比べて、モジュール基板１の外周側と貫通穴９周辺の中央側とで熱容量の差を小さくすることができる。また、モジュール基板１には貫通穴９を設けたから、貫通穴９を通じて放熱を促進し、モジュール基板１とマザーボード１７との間に熱が篭るのを緩和することもできる。このため、モジュール基板１をリフロー半田付けしたときに、モジュール基板１の外周側と中央側との温度差を小さくすることができると共に、モジュール基板１の表面１Ａ側と裏面１Ｂ側との温度差も小さくすることができるから、温度差に基づくモジュール基板１の反り（変形）を小さくでき、半田バンプ８，１５を確実にマザーボード１７に接合することができる。
【００４７】
また、モジュール基板１には外周側端面１Ｃに限らず内側端面９Ａにも端面電極１１を形成することができるから、電子部品１６のピン配置等に応じて最も近い位置に配設された端面電極４，１１に電子部品１６を接続することができる。このため、端面電極４，１１や電子部品１６の配置、ピンアサイン等の自由度を高めることができ、設計自由度を向上することができる。
【００４８】
さらに、モジュール基板１の外周側に加えてその中央側に位置する貫通穴９の内側もマザーボード１７に接合することができるから、基板１を略全面に亘ってマザーボード１７に接合でき、基板１とマザーボード１７との接合強度を高めることができる。
【００４９】
特に、本実施の形態では、半田バンプ８，１５を端面電極４，１１に取付けるから、モジュール基板１をマザーボード１７に接合した後には、これらの半田バンプ８，１５は端面電極４，１１とマザーボード１７の配線パターン１８との間にフィレットを形成する。このため、例えば裏面電極に半田バンプを設けて接合した場合に比べて、基板１に対してその厚み方向や水平方向等の任意の方向から外部応力が作用した場合でも、基板１がマザーボード１７から剥離することがなく、高い接合強度を実現でき、信頼性、耐久性を高めることができる。
【００５０】
また、一般に、モジュール基板１をマザーボード１７に対してリフロー半田付けをしたときには、マザーボード１７と対面するモジュール基板１の裏面１Ｂに比べて外部に露出した表面１Ａが早期に冷えるから、図８に示すようにモジュール基板１はその中央側がマザーボード１７に近付き、外周側がマザーボード１７から遠ざかる凹湾曲状に変形し易い。
【００５１】
このため、モジュール基板１の外周側に比べて中央側の方が基板とマザーボード１７との間のギャップ（隙間）が小さいから、内側半田バンプ１５の突出寸法Ｌ２は外側半田バンプ８の突出寸法Ｌ１よりも小さくて済み、いずれの半田バンプ１５，８もマザーボード１７の配線パターン１８に確実に接触させ、接合することができる。
【００５２】
また、内側半田バンプ１５の突出寸法Ｌ２を外側半田バンプ８の突出寸法Ｌ１よりも小さくしたから、突出寸法Ｌ２を設定するランド１３の面積を小さくでき、半田バンプ１５の半田の量を少なくすることができる。このため、モジュール基板１に対して内側半田バンプ１５（ランド１３）が占める占有面積を小さくすることができるから、モジュール基板１のデッドスペースを減少させることができる。
【００５３】
次に、図９および１０は本発明による第２の実施の形態を示し、本実施の形態の特徴は、モジュール基板に切欠きを設け、該切欠きの内側端面に内側端面電極を設けると共に、該内側端面電極に内側半田バンプを取付ける構成としたことにある。なお、本実施の形態では、前記第１の実施の形態と同一の構成要素に同一の符号を付し、その説明を省略するものとする。
【００５４】
２１は本実施の形態によるモジュール基板で、該モジュール基板２１は、第１の実施の形態によるモジュール基板１とほぼ同様に、表面２１Ａ、裏面２１Ｂ及び４辺の外周側端面２１Ｃを有している。また、各外周側端面２１Ｃには、複数の凹溝２が設けられると共に、該各凹溝２には外側端面電極４が形成されている。そして、基板２１の裏面２１Ｂには、凹溝２の周囲に位置してランド６が形成され、外側端面電極４とランド６には外側半田バンプ８が取付けられている。
【００５５】
２２はモジュール基板２１の外周側から中央側に向けて延びるスリット状の切欠きで、該切欠き２２は、例えば基板２１の一部を略四角形状に切欠くことによって形成され、その内壁をなす３辺の内側端面２２Ａには、第１の実施の形態による凹溝１０とほぼ同様の凹溝２３が間隔をもって複数個設けられている。
【００５６】
２４は切欠き２２の各内側端面２２Ａにそれぞれ間隔をもって設けられた複数の内側端面電極で、該各内側端面電極２４は、第１の実施の形態による内側端面電極１１とほぼ同様に例えば各凹溝２３を覆う凹円弧状の金属膜等によって形成されている。そして、内側端面電極２４は、長さ方向の一端側が接続部２５Ａを介して配線パターン２５に接続され、他端側が後述のランド２６に接続されている。
【００５７】
２６はランド６よりも小さい面積をもってモジュール基板２１の裏面２１Ｂに設けられた複数のランドで、該ランド２６は、第１の実施の形態によるランド１３とほぼ同様に各内側端面電極２４に接続された四角形状の金属膜２７によって構成され、該金属膜２７はレジスト膜３の開口３Ｂを通じて露出している。また、複数のランド２６のうち切欠き２２の奥部側（モジュール基板２１の中央側）に位置するものの方が、切欠き２２の開口部側（モジュール基板２１の外周側）に位置するものに比べて、その面積が小さくなっている。
【００５８】
２８は内側端面電極２４に取付けられた内側半田バンプで、該内側半田バンプ２８は、第１の実施の形態による内側半田バンプ１５と同様に内側端面電極２４とランド２６を覆って固定されている。そして、内側半田バンプ２８のうちランド２６を覆う部分は、基板２１の裏面２１Ｂよりも下向きに突出した突部２８Ａを形成している。また、複数の内側半田バンプ２８のうち切欠き２２の奥部側（モジュール基板２１の中央側）に位置するものの方が、切欠き２２の開口部側に位置するものに比べて、その突出寸法が小さくなっている。
【００５９】
かくして、このように構成される本実施の形態でも、第１の実施の形態とほぼ同様の作用効果を得ることができる。
【００６０】
次に、図１１ないし図１３は本発明による第３の実施の形態を示し、本実施の形態の特徴は、モジュール基板の外周側端面に外側端面電極を設けると共に、モジュール基板の裏面には裏面電極を設ける構成としたことにある。なお、本実施の形態では、前記第１の実施の形態と同一の構成要素に同一の符号を付し、その説明を省略するものとする。
【００６１】
３１は本実施の形態によるモジュール基板で、該モジュール基板３１は、第１の実施の形態によるモジュール基板１とほぼ同様に、表面３１Ａ、裏面３１Ｂ及び４辺の外周側端面３１Ｃを有している。また、各外周側端面３１Ｃには、複数の凹溝２が設けられると共に、該各凹溝２には外側端面電極４が形成されている。そして、基板３１の裏面３１Ｂには、凹溝２の周囲に位置してランド６が形成され、外側端面電極４とランド６には外側半田バンプ８が取付けられている。
【００６２】
３２はモジュール基板３１の裏面３１Ｂに設けられた複数の裏面電極で、該各裏面電極３２は、例えば四角形状の金属膜３３からなり、該金属膜３３の外周側はレジスト膜３によって覆われている。そして、金属膜３３は、基板３１内部の配線等を通じて電子部品１６に接続されると共に、レジスト膜３には、金属膜３３上で開口する円形状の開口３Ｃが設けられている。これにより、裏面電極３２は、金属膜３３のうちレジスト膜３の開口３Ｃの位置で露出した円形状の露出部位によって構成されている。
【００６３】
３４は裏面電極３２に取付けられた裏側半田バンプで、該裏側半田バンプ３４は、裏面電極３２を覆った状態で固定され、基板３１の裏面３１Ｂよりも下向きに突出した突部３４Ａを有している。
【００６４】
かくして、このように構成される本実施の形態でも、第１の実施の形態とほぼ同様の作用効果を得ることができる。そして、特に本実施の形態では、モジュール基板３１の裏面３１Ｂには裏面電極３２を設ける構成としたから、例えば貫通穴の内側端面に内側端面電極を設ける場合に比べて、裏面電極３２をモジュール基板３１の裏面３１Ｂ全面に亘って配置することができる。このため、裏面電極３２の数をさらに増加させることができ、電極配置や設計の自由度を高めることができる。
【００６５】
また、モジュール基板３１には外側端面電極４と裏面電極３２を設けるから、外側端面電極４の外側半田バンプ８によってフィレットを形成することができる。このため、例えばモジュール基板３１に裏面電極３２のみを設けた場合に比べて、外側端面電極４のフィレットを用いて基板３１とマザーボードとの接合強度を高めつつ、裏面電極３２を用いて所望の電極数や電極配置を確保することができる。
【００６６】
次に、図１４は本発明による第４の実施の形態を示し、本実施の形態の特徴は、モジュール基板の裏面に裏面電極を設けると共に、モジュール基板の中央部に貫通穴を設け、該貫通穴の内側端面に内側端面電極を設ける構成としたことにある。なお、本実施の形態では、前記第１の実施の形態と同一の構成要素に同一の符号を付し、その説明を省略するものとする。
【００６７】
４１はモジュール基板１の裏面１Ｂに設けられた複数の裏面電極で、該各裏面電極４１は、例えば四角形状の金属膜４２からなり、該金属膜４２の外周側はレジスト膜３によって覆われている。そして、金属膜４２は、基板１の内部等を通じて電子部品に接続されると共に、レジスト膜３には、金属膜４２上で開口する円形状の開口３Ｃが設けられている。これにより、裏面電極４１は、金属膜４２のうちレジスト膜３の開口３Ｃの位置で露出した円形状の露出部位によって構成されている。
【００６８】
４３は裏面電極４１に取付けられた裏側半田バンプで、該裏側半田バンプ４３は、裏面電極４１を覆った状態で固定され、基板１の裏面１Ｂよりも下向きに突出した突部４３Ａを有している。
【００６９】
なお、本実施の形態では、第１の実施の形態とは異なり、モジュール基板１の外周側端面１Ｃには外側端面電極等は設けられていない。
【００７０】
かくして、このように構成される本実施の形態でも、第１，第３の実施の形態とほぼ同様の作用効果を得ることができる。
【００７１】
次に、図１５ないし図１８は本発明による第５の実施の形態を示し、本実施の形態の特徴は、モジュール基板の裏面には、外側端面電極に接続され外側半田バンプに覆われた主ランドと前記外側端面電極から離れた補助ランドとを設け、これら主ランドと補助ランドとの間には仕切りを設ける構成としたことにある。なお、本実施の形態では、前記第１の実施の形態と同一の構成要素に同一の符号を付し、その説明を省略するものとする。
【００７２】
５１は後述のランド５４，５５を形成するためモジュール基板１の裏面１Ｂに設けられた金属膜で、該金属膜５１は、例えば細長い四角形状の薄膜として形成され、各外側端面電極４に対応する位置で基板１の外縁側から内側に向けて延びると共に、互いに間隔をもって配置されている。また、金属膜５１は、基板１の各凹溝２を取囲む位置で外側端面電極４と接続されている。
【００７３】
５２はモジュール基板１の裏面１Ｂに設けられたレジスト膜で、該レジスト膜５２は、例えば絶縁性のレジスト材料等により形成され、金属膜５１の一部を含めて基板１の裏面１Ｂを覆っている。また、レジスト膜５２には、例えばエッチング処理等の手段により金属膜５１上で開口する四角形状の開口５２Ａ，５２Ｂが各金属膜５１毎に設けられ、該開口５２Ａ，５２Ｂは金属膜５１の長さ方向に離間している。
【００７４】
５３はレジスト膜５２のうち開口５２Ａ，５２Ｂ間を仕切る部位により構成されたレジスト部材としての仕切りで、該仕切り５３は、金属膜５１を長さ方向の途中部位で横断する細長い隔壁として形成され、金属膜５１からマザーボード１７に向けて下向きに突出している。
【００７５】
そして、仕切り５３は、金属膜５１を後述の主ランド５４と補助ランド５５とに区画している。これにより、仕切り５３は、図１６に示す半田取付工程では、主ランド５４の半田５７が補助ランド５５側に流動するのを規制し、図１７、図１８に示す基板実装工程では、主ランド５４とマザーボード１７との間から押出された半田が補助ランド５５側（図１５中の矢示方向）に広がるのを許容する構成となっている。
【００７６】
５４はモジュール基板１の裏面１Ｂに設けられた主ランドで、該主ランド５４は、金属膜５１のうちレジスト膜５２の開口５２Ａの位置で露出した四角形状の露出部位により構成され、基板１の外縁側で外側端面電極４と連続するように接続されている。そして、主ランド５４は、半田取付工程において、外側端面電極４側から流下してくる半田５７を下向きに大きく突出させた状態で溜め、外側端面電極４と一緒に後述の外側半田バンプ５６が取付けられるものである。
【００７７】
５５はモジュール基板１の裏面１Ｂで各主ランド５４の近傍に設けられた補助ランドで、該補助ランド５５は、金属膜５１のうちレジスト膜５２の開口５２Ｂの位置で露出した四角形状の露出部位により構成され、仕切り５３によって主ランド５４との間を仕切られている。また、補助ランド５５は、主ランド５４よりも基板１の内側で外側端面電極４から離れた位置に配設されている。
【００７８】
そして、補助ランド５５は、外側半田バンプ５６を用いて外側端面電極４と主ランド５４と一緒にマザーボード１７の配線パターン１８に接続される。これにより、ランド５４，５５は、これらの面積を合わせた広い接合面積をもって配線パターン１８に接合されるものである。
【００７９】
５６は外側端面電極４に取付けられた外側半田バンプで、該外側半田バンプ５６は、外側端面電極４と主ランド５４を覆って固定されている。そして、外側半田バンプ５６のうち主ランド５４を覆う部分は、基板１の裏面１Ｂよりも下向きに突出した突部５６Ａを形成している。
【００８０】
本実施の形態による回路基板装置は上述の如き構成を有するもので、次に図１６ないし図１８を参照しつつ、外側半田バンプ５６の取付方法およびモジュール基板１の実装方法について説明する。
【００８１】
まず、図１６に示す半田取付工程では、基板１に対して、例えば外側端面電極４に接触した状態で半田材料５７′を配置し、この半田材料５７′を溶融させる。これにより、半田材料５７′が溶融した半田５７は、外側端面電極４から主ランド５４に流下し、これら濡れ性のよい部位にわたって延びた状態となる。
【００８２】
ここで、半田５７は、主ランド５４から補助ランド５５側に流動するのを仕切り５３によって規制されているため、半田５７のうち主ランド５４に達した部位は、主ランド５４に溜まるようになる。そして、この部位は表面張力及び自重によって主ランド５４から垂れ下がり、下向きに大きく突出した突部５６Ａとなるので、この状態で半田５７を固化させ、外側半田バンプ５６を固定する。この場合、突部５６Ａの突出寸法は、例えば接続部５Ａと主ランド５４との面積比や半田材料５７′の量等に応じて調整することができる。
【００８３】
次に、図１７、図１８に示す基板実装工程では、まずモジュール基板１をマザーボード１７に載置し、各外側半田バンプ５６の突部５６Ａを配線パターン１８に対面させて、当接させる。
【００８４】
そして、この状態で各外側半田バンプ５６を加熱すると、図１７に示すように、主ランド５４と配線パターン１８との間で外側半田バンプ５６の突部５６Ａが溶融して潰れ、外側端面電極４と主ランド５４とは、溶融した外側半田バンプ５６（半田５６′）により配線パターン１８と接続される。このとき、基板１の反り等を外側半田バンプ５６の突部５６Ａによって吸収でき、基板１の全ての外側端面電極４をマザーボード１７側に確実に接続することができる。
【００８５】
また、主ランド５４と配線パターン１８との間で外側半田バンプ５６が溶融すると、外側半田バンプ５６が溶融した半田５６′には、モジュール基板１及び電子部品１６の重さによって押し潰されて主ランド５４からの流出を促す力が作用する共に、濡れ性のよい配線パターン１８に沿って拡張を促す力が作用する。これにより、半田５６′は、これらの間から押出されることにより仕切り５３を乗越えて補助ランド５５側に流動し、補助ランド５５と配線パターン１８との間を接続する。
【００８６】
この結果、モジュール基板１を実装した状態では、図１８に示すように、各外側端面電極４を配線パターン１８に接続できるだけでなく、これらの位置で主ランド５４と補助ランド５５の両方を広い接合面積をもって配線パターン１８に接合することができる。
【００８７】
かくして、このように構成される本実施の形態でも、第１の実施の形態とほぼ同様の作用効果を得ることができる。特に、本実施の形態では、モジュール基板１の裏面１Ｂ側には、金属膜５１を主ランド５４と補助ランド５５とに区画する仕切り５３を設ける構成としたので、例えば基板１に外側半田バンプ５６を取付けるときには、半田５７が主ランド５４から補助ランド５５側に流動するのを仕切り５３によって規制でき、主ランド５４に十分な量の半田５７を溜めることができると共に、これによって外側半田バンプ５６の突部５６Ａ等を下向きに大きく突出した状態で固化させることができる。
【００８８】
これにより、基板１をマザーボード１７に実装するときには、これらが反り等により変形していた場合でも、突形状の外側半田バンプ５６によって外側端面電極４と主ランド５４とをマザーボード１７側の配線パターン１８に安定的に接続でき、これらの接続不良を確実に防止することができる。
【００８９】
また、基板１の実装時には、半田５６′が仕切り５３を乗越えることにより主ランド５４と補助ランド５５の両方を配線パターン１８に半田付けすることができ、これらの間に半田付けによる広い接合面積を確保できるから、基板１をマザーボード１７に高い強度で実装することができる。しかも、外側端面電極４と主ランド５４とにわたって適量の半田５６′を残すことができるから、基板１とマザーボード１７との間には、例えば略三角形状の適切な断面形状をもつ半田５６′のフィレットを安定的に形成でき、これらの接合強度を高めることができると共に、両者が振動、衝撃等により剥がれるのを防止することができる。
【００９０】
従って、例えば外側半田バンプ５６の突部５６Ａが主ランド５４から大きく突出するように主ランド５４の面積を抑える構成としても、２個のランド５４，５５により基板１の接合強度を十分に確保でき、外側半田バンプ５６の突出寸法とランド５４，５５の接合面積とを容易に両立できると共に、信頼性を向上させることができる。
【００９１】
また、仕切り５３をレジスト部材により形成したので、例えば金属膜５１上に設けたレジスト膜５２にエッチング処理等を施すだけで、仕切り５３を正確な形状で容易に形成することができる。
【００９２】
ここで、本実施の形態と比較する比較例として、例えば仕切り５３、補助ランド５５等を形成していない場合について述べる。この場合、例えばマザーボード１７の反り等に対応するために主ランド５４に多量の半田材料５７′を付着させると、例えば図１８中に仮想線で示すように、半田５６″が主ランド５４から外側に食み出して球状に盛上ることがある。この状態では、僅かな衝撃等でも半田５６″に亀裂が生じ易いため、基板１とマザーボード１７との接合強度が低下する。しかし、本実施の形態では、端面電極４と主ランド５４に適量の半田５６′を配置できるから、適切な形状の半田５６′のフィレットを形成できるものである。
【００９３】
次に、図１９は本発明による第６の実施の形態を示し、本実施の形態の特徴は、仕切りには主ランドに接続され補助ランドに向けて先細る先細り部を形成したことにある。なお、本実施の形態では、前記第５の実施の形態と同一の構成要素に同一の符号を付し、その説明を省略するものとする。
【００９４】
６１は仕切り５３に設けられた先細り部で、該先細り部６１は、金属膜５１を横断して延びる仕切り５３のうち例えば長さ方向のほぼ中央部に配置され、主ランド５４から補助ランド５５に向けて先細る（徐々に縮小する）略三角形状の切欠き６１Ａによって形成されている。そして、先細り部６１は、金属膜５１のうち切欠き６１Ａの位置で露出した三角形状の露出部位により構成され、主ランド５４と連続するように接続されている。
【００９５】
かくして、このように構成される本実施の形態でも、第５の実施の形態とほぼ同様の作用効果を得ることができる。しかし、本実施の形態では、仕切り５３に先細り部６１を設けたから、基板１の実装時には、図１９中に矢示したように先細り部６１に半田（外側半田バンプ５６）を集中させて主ランド５４から補助ランド５５に向う半田の流出を促進することができる。このため、モジュール基板１や電子部品１６が軽量で半田を押出す力が弱いときであっても、半田を確実に仕切り５３を乗越えさせることができる。
【００９６】
また、半田の流出部位を先細り部６１に限定することができるから、基板１に複数の主ランド５４を近付けて配設した場合であっても、隣合う主ランド５４に向けて半田が流出することがなくなる。このため、複数の主ランド５４間の短絡を防いで、信頼性を高めることができる。
【００９７】
なお、前記第５，第６の実施の形態では、基板１の裏面１Ｂ側には、外側端面電極４に接続され外側半田バンプ５６に覆われた主ランド５４と外側端面電極４から離れた補助ランド５５とを設け、これら主ランド５４と補助ランド５５との間には仕切り５３を設ける構成とした。しかし、本発明はこれに限らず、基板の裏面側には、内側端面電極に接続され内側半田バンプに覆われた主ランドと内側端面電極から離れた補助ランドとを設け、これら主ランドと補助ランドとの間には仕切りを設ける構成としてもよい。
【００９８】
また、前記第５，第６の実施の形態では、仕切り５３を、金属膜５１を横断する細長い隔壁とし、主ランド５４と補助ランド５５を分離する構成としたが、本発明はこれに限らず、仕切りの長さ方向途中部位に切欠きを設け、主ランドと補助ランドとが部分的に接続された構成としてもよい。
【００９９】
また、前記第５，第６の実施の形態では、主ランド５４と補助ランド５５とを共通の金属膜５１によって形成し、これらの間をレジスト膜５２からなる仕切り５３によって区画する構成とした。しかし、本発明はこれに限らず、例えば主ランドと補助ランドとを別個の金属膜によって形成し、これら２つの金属膜の隙間（間隔）によって仕切りを構成してもよい。また、仕切りはレジスト膜に限らず、半田の濡れ性が良くない材料であればよく、例えばシルク印刷による塗料、インク等を用いて仕切りを構成してもよい。
【０１００】
また、前記第１，第２の実施の形態では、基板１，２１に貫通穴９と切欠き２２のいずれかを設ける構成とした。しかし、本発明はこれに限らず、例えば図２０に示す第１の変形例のように、基板１′には貫通穴９′と切欠き２２′の両方を設け、これらの内側端面９Ａ′、２２Ａ′に内側端面電極１１′，２４′を設けると共に、内側端面電極１１′，２４′に内側半田バンプ１５′，２８′を取付ける構成としてもよい。
【０１０１】
また、前記第１の実施の形態では、基板１に外側端面電極４と内側端面電極１１を設ける構成とした。しかし、本発明はこれに限らず、例えば図２１に示す第２の変形例のように、基板１には外側端面電極４と内側端面電極１１とに加えて裏面電極３２′を設け、該裏面電極３２′には裏側半田バンプ３４′を取付ける構成としてもよい。同様に、第２の実施の形態による基板にも外側端面電極と内側端面電極とに加えて裏面電極、裏側半田バンプを設ける構成としてもよい。
【０１０２】
また、前記各実施の形態では、ランド６，１３，２６や主ランド５４を四角形状に形成するものとしたが、例えば円形状または楕円形状に形成してもよい。これにより、例えば一定量の半田を主ランドに付着した状態で下向きに突出させる場合に、ランドの面積に応じて半田バンプの突出寸法を容易に調整することができる。また、四角形状と比べて円形状、楕円形状の方が隣接するランド間の距離を増やすことができるから、隣接するランド同士の短絡が生じにくくなる。
【０１０３】
さらに、実施の形態では、モジュール基板１を例に挙げて述べたが、本発明はこれに限らず、マザーボード１７に実装される各種の基板に適用できるのは勿論である。
【０１０４】
【発明の効果】
以上詳述した通り、請求項１の発明によれば、基板の外周側端面に外側端面電極を設けると共に、基板に設けた貫通穴および／または切欠きの内側端面には内側端面電極を設ける構成としたから、マザーボードに接合する電極数を増加させることができると共に、電極配置の自由度を高めることができる。また、基板の外周側に加えて貫通穴や切欠きの内側もマザーボードに接合することができるから、基板とマザーボードとの接合強度を高めることができる。
【０１０５】
また、基板の外周側端面に外側半田バンプを設けると共に、貫通穴や切欠きに内側半田バンプを取付ける構成としたから、基板の外周側と中央側とで熱容量の差を小さくすることができると共に、貫通穴等を通じて放熱を促進し、基板とマザーボードとの間に熱が篭るのを緩和することができる。このため、基板をリフロー半田付けしたときに、基板の外周側と中央側との温度差に加えて基板の表面側と裏面側との温度差も小さくすることができるから、これらの温度差に基づく基板の反り（変形）を小さくでき、半田バンプをマザーボードに確実に接合することができる。
【０１０６】
請求項２の発明によれば、基板の裏面側には裏面電極を設けたから、電極数をさらに増加させることができる。また、裏面電極は基板の裏面であれば任意の位置の配置することができるから、電極配置の自由度をさらに高めることができる。
【０１０７】
請求項３の発明によれば、基板が凹湾曲状に変形し易いから、内側半田バンプの突出寸法は外側半田バンプの突出寸法よりも小さくて済む。これにより、内側半田ランドの占有面積を小さくすることができるから、基板のデッドスペースを減少させることができる。
【０１０８】
請求項４の発明によれば、基板には裏面電極を設けると共に、基板に設けた貫通穴および／または切欠きの内側端面には内側端面電極を設ける構成としたから、マザーボードに接合する電極数を増加させることができると共に、電極配置の自由度を高めることができる。また、貫通穴や切欠きを通じて放熱を促進し、基板とマザーボードとの間に熱が篭るのを緩和することができるから、基板の表面側と裏面側との温度差を小さくでき、温度差に基づく基板の反り（変形）を小さくすることができる。さらに、内側半田バンプを用いて内側端面電極とマザーボードのランドとの間にフィレットを形成することができるから、裏面電極だけをマザーボードに接合した場合に比べて、基板とマザーボードとの接合強度を高めることができる。
【０１０９】
請求項５の発明によれば、基板には外側端面電極に加えて裏面電極を設けるから、マザーボードに接合する電極数を増加させることができると共に、電極配置の自由度を高めることができる。また、基板の外周側に加えて裏面側もマザーボードに接合することができるから、基板とマザーボードとの接合強度を高めることができる。
【０１１０】
さらに、請求項６，７の発明によれば、基板の裏面側には、主ランドと補助ランドとを区画する仕切りを設ける構成としたので、基板に半田バンプを取付けるときには、半田が主ランドから補助ランド側に流動するのを仕切りによって規制でき、主ランドに溜めた十分な量の半田を突形状で固化させることができる。これにより、基板をマザーボードに実装するときには、これらの反り等を突形状の半田バンプによって吸収でき、基板とマザーボードとを安定的に接続することができる。また、基板の実装時には、溶融した半田バンプが仕切りを乗越えることにより主ランドと補助ランドの両方をマザーボードに広い面積で半田付けすることができ、基板をマザーボードに高い強度で実装できるから、半田バンプの突出寸法とランドの接合面積とを容易に両立でき、信頼性を向上させることができる。
【０１１１】
また、請求項８の発明によれば、仕切りには先細り部を形成したから、基板の実装時に先細り部に半田を集中させることができ、基板等が軽量なときであっても、半田を確実に仕切りを乗越えさせることができる。また、半田の流出部位を先細り部に限定することができるから、隣合う主ランドに向けて半田が流出するのを防止でき、複数の主ランド間の短絡を防いで信頼性を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態による回路基板装置を示す斜視図である。
【図２】図１中の回路基板装置を示す底面図である。
【図３】図１中の矢示ＩＩＩ−ＩＩＩ方向からみた回路基板装置の縦断面図である。
【図４】図２中のａ部を拡大して示す部分拡大底面図である。
【図５】図４中の矢示Ｖ−Ｖ方向からみた外側半田バンプ等を示す拡大断面図である。
【図６】図２中のｂ部を拡大して示す部分拡大底面図である。
【図７】図６中の矢示ＶＩＩ−ＶＩＩ方向からみた内側半田バンプ等を示す拡大断面図である。
【図８】回路基板装置をマザーボードにリフロー半田付けする状態を示す図３と同様位置の縦断面図である。
【図９】本発明の第２の実施の形態による回路基板装置を示す斜視図である。
【図１０】図９中の回路基板装置を示す底面図である。
【図１１】本発明の第３の実施の形態による回路基板装置を示す斜視図である。
【図１２】図１１中の回路基板装置を示す底面図である。
【図１３】図１１中の矢示ＸＩＩＩ−ＸＩＩＩ方向からみた回路基板装置の縦断面図である。
【図１４】本発明の第４の実施の形態による回路基板装置を示す底面図である。
【図１５】本発明の第５の実施の形態による外側端面電極等を拡大して示す部分拡大底面図である。
【図１６】半田取付工程により外側端面電極、主ランド等に半田を取付ける状態を示す部分拡大断面図である。
【図１７】基板実装工程によりモジュール基板の外側半田バンプをマザーボード上で溶融させる状態を示す部分拡大断面図である。
【図１８】モジュール基板をマザーボードに実装した状態を示す部分拡大断面図である。
【図１９】本発明の第６の実施の形態による外側端面電極等を拡大して示す部分拡大底面図である。
【図２０】本発明の第１の変形例による回路基板装置を示す斜視図である。
【図２１】本発明の第２の変形例による回路基板装置を示す底面図である。
【符号の説明】
１，２１，３１，１′  モジュール基板（基板）
１Ａ，２１Ａ，３１Ａ，１Ａ′  表面
１Ｂ，２１Ｂ，３１Ｂ，１Ｂ′  裏面
１Ｃ，２１Ｃ，３１Ｃ，１Ｃ′  外周側端面
２，１０，２３  凹溝
３，５２  レジスト膜
４  外側端面電極
５，１２，２５  配線パターン
６，１３，２６  ランド
８，５６  外側半田バンプ
９，９′  貫通穴
９Ａ，２２Ａ，９Ａ′，２２Ａ′  内側端面
１１，２４，１１′，２４′  内側端面電極
１５，２８，１５′，２８′  内側半田バンプ
１６  電子部品
１７  マザーボード
１８  配線パターン
２２，２２′  切欠き
３２，４１，３２′  裏面電極
３４，４３，３４′  裏側半田バンプ
５１  金属膜
５３  仕切り
５４  主ランド
５５  補助ランド
６１  先細り部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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