(57)【要約】【課題】アースリード等のリードの一端部をアイレットに確実に抵抗溶接できる半導体装置用パッケージを提供する。【解決手段】金属板をプレス加工してキャップ状に形成されていると共に、搭載される半導体レーザ素子１８とワイヤー等で電気的に接続されるリード１２，１２が挿通される挿通孔１４，１４が形成されたアイレット１０に、挿通孔１４，１４に挿通されたリード１２，１２が、樹脂によってアイレット１０と電気的に絶縁されて封着されている半導体装置用パッケージにおいて、該アイレット１０に当接する一端部が鍔部２４ａに形成されたアースリード等の鍔付きリード２４の他端部が、アイレット１０に形成された鍔部２４ａよりも小径の挿通孔２６に挿通され、且つ鍔付きリード２４の鍔部２４ａが、その裏面がアイレット１０の表面に当接されていると共に、抵抗溶接によってアイレット１０に固着されていることを特徴とする。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属板をプレス加工してキャップ状に形成されていると共に、搭載される半導体素子とワイヤー等で電気的に接続されるリードが挿通される挿通孔が形成されたアイレットに、前記挿通孔に挿通されたリードが、樹脂によって前記アイレットと電気的に絶縁されて封着されている半導体装置用パッケージにおいて、
該アイレットに当接する一端部が鍔部に形成されたアースリード等の鍔付きリードの他端部が、前記アイレットに形成された前記鍔部よりも小径の挿通孔に挿通され、
且つ前記鍔付きリードの鍔部が、その裏面が前記アイレットの表面に当接されていると共に、抵抗溶接によってアイレットに固着されていることを特徴とする半導体装置用パッケージ。
【請求項２】
金属板をプレス加工してキャップ状に形成されていると共に、搭載される半導体素子とワイヤー等で電気的に接続されるリードが挿通される挿通孔が形成されたアイレットに、前記挿通孔に挿通されたリードが、樹脂層によって前記アイレットと電気的に絶縁されて封着されている半導体装置用パッケージを製造する際に、
該アイレットに当接する一端部を鍔部に形成したアースリード等の鍔付きリードの他端部を、前記アイレットに形成した前記鍔部よりも小径の挿通孔及び前記アイレット内に挿入した樹脂タブレットに挿通し、前記鍔付きリードの鍔部の裏面をアイレットの表面に当接した後、
前記鍔付きリードの鍔部の裏面が当接した当接面に対応するアイレットの裏面と樹脂タブレットとの間に空間を形成しつつ、前記鍔付きリードの鍔部とアイレットとを抵抗溶接して固着し、
次いで、前記アイレットの裏面と樹脂タブレットとを密着した後、前記樹脂タブレットを加熱溶融して前記樹脂層を、前記アイレット内に形成することを特徴とする半導体装置用パッケージの製造方法。
【請求項３】
鍔付きリードとして、鍔部の裏面に複数本の帯状のリブが形成された鍔付きリードを用いる請求項２記載の半導体装置用パッケージの製造方法。
【請求項４】
鍔付きリードの鍔部の裏面が当接した当接面に対応するアイレットの裏面と樹脂タブレットとの間の空間を、前記アイレットの裏面側からアイレットを持ち上げて形成する請求項２又は請求項３記載の半導体装置用パッケージの製造方法。
【請求項５】
鍔付きリードの鍔部とアイレットとの抵抗溶接を、前記鍔付きリードの鍔部の表面のみに第１抵抗溶接用電極の端面を当接すると共に、前記アイレットの表面のみに第２抵抗用電極の端面を当接して行う請求項２〜４のいずれか一項記載の半導体装置用パッケージの製造方法。
【請求項６】
金属板をプレス加工してキャップ状に形成されたアイレットに当接する一端部が鍔部に形成されたアースリード等の鍔付きリードの他端部を、前記アイレットに形成された前記鍔部よりも小径の挿通孔及び前記アイレット内に挿入した樹脂タブレットを挿通し、前記アイレットの表面に裏面が当接した鍔付きリードの鍔部を、前記アイレットに抵抗溶接して固着する半導体装置用リードの抵抗溶接装置には、
該樹脂タブレットが載置される載置面に、前記鍔付きリードの他端部が挿入される挿入孔が開口されている載置台が形成されている載置板と、
前記載置台の載置面に載置した樹脂タブレットが内側に挿入されるように載置したアイレットを、前記鍔付きリードの鍔部の裏面が当接した当接面に対応するアイレットの裏面と前記樹脂タブレットとの間に空間を形成するように、前記アイレットを所定距離持ち上げるリフト手段と、
前記鍔付きリードの鍔部に当接する第１抵抗溶接用電極と、前記アイレットに当接する第２抵抗溶接用電極とを具備することを特徴とする半導体装置用リードの抵抗溶接装置。
【請求項７】
リフト手段が、裏面側からアイレットを持ち上げるリフト手段であって、
鍔付きリードの鍔部の表面に端面が当接する第１抵抗溶接用電極と、前記アイレットの表面に端面が当接する第２抵抗溶接用電極とを具備する請求項６記載の半導体装置用リードの抵抗溶接装置。
【請求項８】
リフト手段には、載置板の載置台の外周縁近傍に形成された貫通孔内に挿入され、前記載置台の載置面に載置した樹脂タブレットが内側に挿入されるように載置したアイレットの下端面に、先端面が当接して前記アイレットを所定距離持ち上げるピンが設けられている請求項６又は請求項７記載の半導体装置用リードの抵抗溶接装置。
【請求項９】
第１抵抗溶接用電極の端部は、その端面が鍔付きリードの鍔部の表面に当接するように円柱状に形成され、第２抵抗溶接用電極の端部には、その端面がアイレットの表面から突出する前記鍔付きリードの鍔部等の突出部材に当接することなく前記アイレットの表面に当接するように、前記突出部材に対応する部分に切欠部が形成されている請求項６〜８のいずれか一項記載の半導体装置用リードの抵抗溶接装置。
【請求項１０】
載置板の載置台の外周縁に沿って溝部が形成されている請求項６〜９のいずれか一項記載の半導体装置用リードの抵抗溶接装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体装置用パッケージ及びその製造方法並びに半導体装置用リードの抵抗溶接装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体レーザ素子等の半導体素子を搭載する半導体装置用パッケージには、下記の特許文献１に提案されているものがある。
特許文献１に提案されている半導体装置用パッケージは、図７に示す様に、キャップ状に形成したアイレット１００にリード１０２，１０２を挿通してステム形状とした半導体装置用パッケージである。この半導体装置用パッケージでは、リード１０２，１０２の各々は、アイレット１００に形成した挿通孔１０４に挿通され、樹脂層によってアイレット１００に封着されている。かかるアイレット１００の挿通孔１０４，１０４に挿通されたリード１０２の先端部は、アイレット１００の表面から突出されている。
また、アイレット１００の上面を切り起こして形成した切片状の素子付け部１０６の側面には、半導体レーザ素子１０８が接合され、リード１０２，１０２の各先端とワイヤ（図示せず）によってボンディングされる。
【０００３】
図７に示す半導体装置用パッケージでは、図８に示す様に、アースリード１１０の先端面が、アイレット１００の裏面に抵抗溶接されている。
更に、キャップ状に形成されたアイレット１００の凹部内に満たされた樹脂層１１４によって、素子付け部１０６の切り起こしによって形成された開口部１１２、及びリード１０２，１０２を挿通した挿通孔１０４，１０４が封止されている。
【０００４】
【特許文献１】
特開２００２−１３４６３７号公報（第２頁、図４〜６）
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
図７及び図８に示す半導体装置用パッケージによれば、例えば熱硬化性の樹脂を用いてリード１０２，１０２をアイレット１００に封着する場合、２００℃程度の温度で樹脂を加熱溶融してリード１０２，１０２を封着でする樹脂層１１４を形成できる。このため、リード１０２，１０２を、従来の如く、ガラスを溶融して封着する場合と比較して、加熱温度を低温度化でき、アイレット１００及びリード１０２，１０２にめっきを施した後に、リード１０２，１０２をアイレット１００に封着する操作を行うことができる。
従って、ガラスを溶融して封着する場合に必要としていた、ガラス封着したアイレット１００及びリード１０２，１０２へのバレルめっきを終了した後、曲がったリード１０２等を修正する修正作業等を省略できる。
【０００６】
ところで、図７及び図８に示す半導体装置用パッケージでは、アースリード１１０を、アイレット１００の裏面に抵抗溶接して固着しているため、アースリード１１０の先端面をアイレット１００の裏面に確実に当接させてから抵抗溶接することを要する。
しかし、アースリード１１０の先端面がアイレット１００の裏面に確実に当接しているか否かの確認を工業的に行うことは容易でなく、アースリード１１０の先端面とアイレット１００の裏面との間に隙間が存在する状態で抵抗溶接を施してしも、充分な溶接を行うことができない。このため、最終的に得られた半導体装置用パッケージの信頼性が低下するおそれがある。
また、前述した特許文献１の半導体装置用パッケージを製造する際には、アイレット内に挿入した樹脂タブレットのリード用挿入孔に、リード１０２及びアースリード１１０を挿通した状態で、アースリード１１０の先端面とアイレット１００の裏面とを抵抗溶接する。このため、アイレットの裏面と樹脂タブレットとが密着した状態で抵抗溶接を施すと、抵抗溶接の熱や圧力等の影響を樹脂タブレットが受け易い。特に、樹脂タブレットが熱硬化性樹脂から成る場合、抵抗溶接の熱によって樹脂タブレットの一部が溶融して硬化が進行すると、最終的に樹脂タブレットを溶融して形成した樹脂層１１４が不均一層となる懸念もある。
そこで、本発明の課題は、アースリード等のリードの一端部をアイレットに確実に抵抗溶接できる半導体装置用パッケージ及びその製造方法並びに半導体装置用リードの抵抗溶接装置を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明者は、前記課題を解決すべく検討した結果、一端部が鍔部に形成されたアースリードを、アイレットに形成した鍔部よりも小径のアース挿通孔に挿通し、アースリードの鍔部の裏面をアイレットの表面に当接させた後、アースリードの鍔部とアイレットとに抵抗溶接用電極を当接して抵抗溶接することによって、アースリードをアイレットに確実に抵抗溶接できること、かかる抵抗溶接の際に、アイレットの裏面と樹脂タブレットとの間に空間を形成しておくことによって、樹脂タブレットが受ける抵抗溶接の熱や圧力の影響を軽減できることを見出し、本発明に到達した。
すなわち、本発明は、金属板をプレス加工してキャップ状に形成されていると共に、搭載される半導体素子とワイヤー等で電気的に接続されるリードが挿通される挿通孔が形成されたアイレットに、前記挿通孔に挿通されたリードが、樹脂によって前記アイレットと電気的に絶縁されて封着されている半導体装置用パッケージにおいて、該アイレットに当接する一端部が鍔部に形成されたアースリード等の鍔付きリードの他端部が、前記アイレットに形成された前記鍔部よりも小径の挿通孔に挿通され、且つ前記鍔付きリードの鍔部が、その裏面が前記アイレットの表面に当接されていると共に、抵抗溶接によってアイレットに固着されていることを特徴とする半導体装置用パッケージにある。
【０００８】
更に、本発明は、金属板をプレス加工してキャップ状に形成されていると共に、搭載される半導体素子とワイヤー等で電気的に接続されるリードが挿通される挿通孔が形成されたアイレットに、前記挿通孔に挿通されたリードが、樹脂層によって前記アイレットと電気的に絶縁されて封着されている半導体装置用パッケージを製造する際に、該アイレットに当接する一端部を鍔部に形成したアースリード等の鍔付きリードの他端部を、前記アイレットに形成した前記鍔部よりも小径の挿通孔及び前記アイレット内に挿入した樹脂タブレットに挿通し、前記鍔付きリードの鍔部の裏面をアイレットの表面に当接した後、前記鍔付きリードの鍔部の裏面が当接した当接面に対応するアイレットの裏面と樹脂タブレットとの間に空間を形成しつつ、前記鍔付きリードの鍔部とアイレットとを抵抗溶接して固着し、次いで、前記アイレットの裏面と樹脂タブレットとを密着した後、前記樹脂タブレットを加熱溶融して前記樹脂層を、前記アイレット内に形成することを特徴とする半導体装置用パッケージの製造方法でもある。
【０００９】
また、本発明は、金属板をプレス加工してキャップ状に形成されたアイレットに当接する一端部が鍔部に形成された鍔付きリードの他端部を、前記アイレットに形成された前記鍔部よりも小径の挿通孔及び前記アイレット内に挿入した樹脂タブレットを挿通し、前記アイレットの表面に裏面が当接した鍔付きリードの鍔部を、前記アイレットに抵抗溶接して固着する半導体装置用リードの抵抗溶接装置には、該樹脂タブレットが載置される載置面に、前記鍔付きリードの他端部が挿入される挿入孔が開口されている載置台が形成されている載置板と、前記載置台の載置面に載置した樹脂タブレットが内側に挿入されるように載置したアイレットを、前記鍔付きリードの鍔部の裏面が当接した当接面に対応するアイレットの裏面と前記樹脂タブレットとの間に空間を形成するように、前記アイレットを所定距離持ち上げるリフト手段と、前記鍔付きリードの鍔部に当接する第１抵抗溶接用電極と、前記アイレットに当接する第２抵抗溶接用電極とを具備することを特徴とする半導体装置用リードの抵抗溶接装置にある。
【００１０】
かかる本発明において、鍔付きリードとして、鍔部の裏面に複数本の帯状のリブが形成された鍔付きリードを用いることによって、抵抗溶接によって更に確実に鍔付きリードとアイレットとを固着できる。
更に、鍔付きリードの鍔部の裏面が当接した当接面に対応するアイレットの裏面と樹脂タブレットとの間の空間を、前記アイレットの裏面側からアイレットを持ち上げて形成することによって、この空間を簡易なリフト手段によって容易に形成できる。
かかる簡易なリフト手段としては、載置板の載置台の外周縁近傍に形成された貫通孔内に挿入され、前記載置台の載置面に載置した樹脂タブレットが内側に挿入されるように載置したアイレットの下端面に、先端面が当接して前記アイレットを所定距離持ち上げるピンが設けられているリフト手段を採用できる。
ここで、載置板の載置台の外周縁に沿って溝部を形成することによって、樹脂タブレットの厚さ等が変動しても、リフト手段によるアイレットの持ち上げを解除したとき、確実にアイレットの裏面と樹脂タブレットとを密着できる。
また、鍔付きリードの鍔部とアイレットとの抵抗溶接を、前記鍔付きリードの鍔部の表面に第１抵抗溶接用電極の端面を当接すると共に、前記アイレットの表面に第２抵抗用電極の端面を当接して行うことにより、アイレットの表面側から抵抗溶接作業を行うことができ、作業効率を向上できる。
【００１１】
本発明によれば、一端部が鍔部に形成されたアースリード等の鍔付きリードを、アイレットに形成した鍔部よりも小径のアース挿通孔に挿通し、鍔付きリードの鍔部の裏面をアイレットの表面に当接させた後、鍔付きリードの鍔部とアイレットとに抵抗溶接用電極を当接して抵抗溶接することによって、鍔付きリードの裏面をアイレットの表面に確実に当接した状態で抵抗溶接を施すことができ、鍔付きリードの一端部を確実にアイレットに固着できる。
更に、かかる抵抗溶接を、鍔付きリードの鍔部の裏面が当接した当接面に対応するアイレットの裏面と樹脂タブレットとの間に空間を形成して施すため、樹脂タブレットが受ける抵抗溶接の熱や圧力の影響を可及的に軽減でき、樹脂タブレットを加熱溶融して形成した樹脂層を均一層とすることができる。
【００１２】
【発明の実施の形態】
本発明に係る半導体装置用パッケージの一例を図１（ａ）（ｂ）に示す。図１（ａ）に示す斜視図は、金属板をプレス加工してキャップ状に形成したアイレット１０にリード１２を挿通してステム形状とした半導体装置用パッケージである。この半導体装置用パッケージでは、リード１２，１２が、アイレット１０に形成した挿通孔１４，１４に挿通され、樹脂によってアイレット１０に封着されている。かかるリード１２，１２の各先端部は、アイレット１０の表面から突出されている。
また、アイレット１０の上面を切り起こして形成した切片状の素子付け部１６の側面には、半導体レーザ素子１８が接合され、リード１２，１２の先端とワイヤ（図示せず）によってボンディングされる。
かかるリード１２，１２が装着された半導体装置用パッケージでは、図１（ｂ）の断面図に示す様に、キャップ状に形成されたアイレット１０の凹部内に満たされた樹脂層２０によって、素子付け部１６の切り起こしによって形成された開口部２２、及びリード１２，１２を挿通した挿通孔１４，１４が封止されている。
更に、図１（ｂ）に示す様に、アースリードとしての鍔付きリード２４がアイレット１０に固着されている。
この鍔付きリード２４は、リード本体２４ｂよりも大径の鍔部２４ａが一端部に形成されているものである。
かかる鍔付きリード２４は、その他端部がアイレット１０に形成された鍔部２４ａよりも小径の挿通孔２６に挿通され、鍔部２４ａの裏面がアイレット１０の表面に当接された状態で抵抗溶接によってアイレット１０に固着されている。
この様に、鍔付きリード２４は、リード本体２４ｂよりも大径の鍔部２４ａの裏面がアイレット１０の表面に当接して抵抗溶接されるため、確実に且つ高強度にアイレット１０に固着できる。
【００１３】
図１（ａ）（ｂ）に示す半導体装置用パッケージを製造する際には、図２に示す載置板３０が用いられる。この載置板３０には、その四隅に位置決め孔３２が形成されていると共に、複数個のアイレット載置部３４，３４・・が形成されている。
このアイレット載置部３４の拡大図を図３に示す。アイレット載置部３４には、樹脂タブレットが載置される載置面に、鍔付きリード２４の他端部が挿入される挿入孔３８及びリード１２の他端部が挿入される挿入孔４０，４０が開口された載置台３６が形成されている。
かかる載置台３６の外周縁に沿って溝部４２が形成されていると共に、載置台３６の外周縁近傍に貫通孔４４，４４が形成されている。この貫通孔４４，４４は、載置台３６を挟むように形成されている。
【００１４】
この図２及び図３に示す載置板３０のアイレット載置部３４には、図４に示す様に、リード１２，１２及び鍔付きリード２４が挿通された状態のアイレット１０及び樹脂タブレット４７が載置される。
図４に示す様に、リード１２，１２及び鍔付きリード２４が挿通された状態でアイレット１０及び樹脂タブレット４７を載置するには、先ず、アイレット載置部３４の挿入孔４０，４０にリード１２，１２を挿入した後、樹脂タブレット４７を載置する。その際に、樹脂タブレット４７は、その貫通孔の各々にアイレット載置部３４の載置面から突出するリード１２，１２の各突出部を挿通して、アイレット載置部３４の載置面に載置する。
次いで、載置台３６の載置面に載置した樹脂タブレット４７を内側に挿入するようにアイレット１０を載置する。この際に、樹脂タブレット４７から突出するリード１２，１２の各突出部にアイレット１０に形成した挿通孔１４，１４を挿通して、アイレット１０を載置する。
その後、鍔付きリード２４を、アイレット１０の挿通孔２６、樹脂タブレット４７の貫通孔及び載置台３６の載置面に開口する挿入孔３８に挿入し、鍔付きリード２４の鍔部２４ａの裏面をアイレット１０の表面に当接させる。
載置台３６に載置されたアイレット１０は、その下端部が溝部４２内に挿入されるため、アイレット１０の裏面と樹脂タブレット４７とが密着される。
【００１５】
この様に、複数個のアイレット載置部３４，３４・・の各々に、アイレット１０、樹脂タブレット４７、リード１２，１２及び鍔付きリ−ド２４が載置及び挿入された載置板３０は、図４に示す抵抗溶接装置に供される。
この載置板３０のアイレット載置部３４，３４・・の各々に載置されたアイレット１０は、アイレット１０の裏面と樹脂タブレット４７とは密着された状態にある。このため、図４に示す抵抗溶接装置には、載置板３０の各アイレット載置部３４に載置されたアイレット１０の裏面と樹脂タブレット４７との間に空間部を形成するように、アイレット１０を所定距離持ち上げるリフト手段が設けられている。
かかるリフト手段としては、図４に示す抵抗溶接装置では、Ｘ−Ｙテーブル５０上に載置された基板５２に複数本のピン４６，４６・・が立設されて成るリフト部材Ｌが用いられている。
このリフト部材Ｌのピン４６，４６・・の各々は、載置板３０がリフト部材Ｌ上に載置されたとき、載置板３０の載置台３６の外周近傍に形成された貫通孔４４，４４・・に挿入される。この際に、載置台３６を挟むように形成された貫通孔４４，４４に挿入されたピン４６，４６の先端面は、アイレット１０の下端面に当接してアイレット１０を所定距離持ち上げることができる。
尚、載置板３０をリフト部材Ｌ上に載置したとき、ピン４６，４６の先端面が、アイレット１０の下端面に当接してアイレット１０を所定距離持ち上げることができるように、載置板３０とリフト部材Ｌの基板５２との間隙を予め調整しておく。
【００１６】
図４に示す抵抗溶接装置においては、アイレット１０の裏面側に、アイレット１０を所定距離持ち上げるリフト部材Ｌが配設されており、鍔付きリ−ド２４のリード側に抵抗溶接のための電極端子を接続することができない。
このため、図４に示す抵抗溶接装置では、抵抗溶接用電極５２として、鍔付きリード２４の鍔部２４ａに当接する第１抵抗溶接用電極５４ａと、アイレット１０の表面に当接する第２抵抗溶接用電極５４ｂとを、シリンダ装置等の昇降装置（図示せず）によって昇降可能に配設している。
かかる第１抵抗溶接用電極５４ａは、その端部が、図５に示す様に、鍔付きリード２４の鍔部２４ａの表面のみに端面が当接するように円柱状に形成され、第２抵抗溶接用電極５４ｂは、アイレット１０の表面から突出するリード１２，１２や素子付け部１６等の突出部材に当接することなくアイレット１０の表面のみに端面が当接する様に、これらの突出部材に対応する部分に切欠部５３が形成されている。
この第１抵抗溶接用電極５４ａと第２抵抗溶接用電極５４ｂとは、同時に昇降可能に設けられており、両抗溶接用電極の端面が同時に対象端面に当接するように、第１抵抗溶接用電極５４ａの端面は、第２抵抗溶接用電極５４ｂの端面よりも鍔付きリード２４の鍔部２４ａの厚さｔに相当する分だけ高く調整されている。
【００１７】
図４に示す抵抗溶接装置を用いてアイレット１０と鍔付きリード２４とを抵抗溶接する際には、先ず、載置台３６，３６・・の各々の外周近傍に形成された貫通孔４４，４４に、リフト手段Ｌを構成するピン４６，４６を挿通するように、載置板３０をリフト手段Ｌ上に載置することによって、載置台３６，３６・・の各々に載置されているアイレット１０を所定距離持ち上げる。かかるアイレット１０の所定距離の持ち上げにより、密着していたアイレット１０の裏面と樹脂タブレット４７との間に空間を形成できる。
次いで、所望のアイレット１０を抵抗溶接電極５４の下方となるように、Ｘ−Ｙテーブル５０を移動し、シリンダ装置等の昇降装置（図示せず）を駆動して抵抗溶接電極５４を降下する。
抵抗溶接電極５４を構成する第１抵抗溶接用電極５４ａの端面が、鍔付きリード２４の鍔部２４ａの表面に当接し、同時に第２抵抗溶接用電極５４ｂの端面がアイレット１０の表面に当接する。
この様に、第１抵抗溶接用電極５４ａの端面が、鍔付きリード２４の鍔部２４ａの表面に当接するため、鍔付きリード２４の鍔部２４ａの裏面がアイレット１０の表面から浮き上がっている場合も、鍔部２４ａが強制的に第１抵抗溶接用電極５４ａの端面によって押圧され、その裏面がアイレット１０の表面に確実に当接させることができる。
【００１８】
次いで、第１抵抗溶接用電極５４ａ及び第２抵抗溶接用電極５４ｂに通電することにより、アイレット１０と鍔付きリード２４とを抵抗溶接できる。
更に、Ｘ−Ｙテーブル５０を移動し、次の抵抗溶接を施すアイレット１０を抵抗溶接電極５４の下方の位置に移動する。
かかる抵抗溶接の際に、鍔付きリード２４の鍔部２４ａの裏面が当接した当接面に対応するアイレット１０の裏面と樹脂タブレット４７との間に空間が形成されているため、樹脂タブレット４７が受ける抵抗溶接の熱や圧力の影響を可及的に軽減できる。
この様に、載置板３０に載置されたアイレット１０，１０・・の各々に鍔付きリード２４の抵抗溶接を施した後、載置板３０をリフト部材Ｌから取り外すことによって、アイレット１０，１０・・の各裏面と樹脂タブレット４７とを密着状態に戻すことができる。
その後、アイレット１０，１０・・の各裏面と樹脂タブレット４７とが密着状態で搭載されている載置板３０を、樹脂タブレット４７が溶融する温度雰囲気下に移動し、樹脂タブレット４７を加熱溶融してリード１２等を封止する樹脂層２０を形成する。
かかる樹脂層２０は、抵抗溶接の際に、その熱や圧力の影響から可及的に軽減された樹脂タブレット４７を加熱溶融して形成したものであるため、均一層に形成できる。
【００１９】
図１〜図５に示す鍔付きリード２４の鍔部２４ａの裏面は平坦面であったが、図６（ａ）（ｂ）に示す様に、鍔部２４ａの裏面に複数本の帯状のリブ２５，２５・・が形成された鍔付きリード２４を用いることができる。このリブ２５は、その横断面形状が三角形状等の先端が尖っている形状のものである。
かかる形状のリブ２５が裏面に放射状に形成されている鍔付きリード２４の抵抗溶接の際には、リブ２５とアイレット１０の表面との間の電気抵抗値を大とすることができ、両者の抵抗溶接を確実に行うことができる。
【００２０】
【発明の効果】
本発明によれば、鍔付きリードの一端部を確実にアイレットに抵抗溶接によって固着でき、且つ抵抗溶接の際には、アイレット内に挿入された樹脂タブレットが受ける抵抗溶接の熱や圧力の影響を可及的に軽減できる結果、最終的に得られた半導体装置用パッケージの信頼性を向上できることが期待できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る半導体装置用パッケージの一例を説明する斜視図及び断面図である。
【図２】本発明に係る半導体装置用パッケージの製造方法及び半導体装置用リードの抵抗溶接装置において用いる載置板の一例を説明する部分平面図である。
【図３】図２に示す載置板の部分拡大平面図である。
【図４】本発明に係る半導体装置用リードの抵抗溶接装置の一例を説明する部分断面図である。
【図５】図４に示す抵抗溶接装置に用いられる抵抗溶接用電極を説明する横断面図である。
【図６】図１に示す半導体装置用パッケージに用いられる鍔付きリードの他の例を説明するための部分正面図及び部分背面図である。
【図７】従来の半導体装置用パッケージを説明するための斜視図である。
【図８】図７に示す半導体装置用パッケージの断面図である。
【符号の説明】
１０  アイレット
１２  リード
１４  リード１２の挿通孔
１６  素子付け部
１８  半導体レーザ素子
２０  樹脂層
２２  開口部
２４  鍔付きリード
２４ａ  鍔部
２４ｂ  リード本体
２５  リブ
２６  鍔付きリード２４の挿通孔
３０  載置板
３４  アイレット載置部
３６  載置台
４０，３８  載置台３６に開口する挿入孔
４２  溝部
４４  リフト部材Ｌのピン４６の挿入孔
４６  ピン
４７  樹脂タブレット
５０  Ｘ−Ｙテーブル
５２  基板
５４  抵抗溶接電極
５４ａ  第１抵抗溶接用電極
５４ｂ  第２抵抗電極用電極
５３  切欠部
Ｌ  リフト部材
【図１】
2004186448.tif 000003
【図２】
2004186448.tif 000004
【図３】
2004186448.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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