(57)【要約】    【目的】  安定性が高く高精度の多階調表示が可能なアクティブマトリクス型の表示装置を提供する。    【解決手段】 発光素子の各々の一方の端子に接続された導電部は、走査線又はデータ線の少なくとも１つ毎に設けられて互いに電気的に分離された複数の帯状電極からなり、電源部は上記複数の帯状電極の各々を上記電源回路に選択的に接続するスイッチ回路を制御して上記導電部に電力を供給する期間を調整することにより表示パネルの輝度を調整する。【選択図】 図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
マトリクス状に配置された走査線及びデータ線の交差位置に配された複数の発光素子、前記複数の発光素子の各々を駆動する駆動回路及び前記複数の発光素子の各々の一方の端子に接続された導電部を含む表示パネルと、入力映像信号に応じて前記駆動回路を制御する表示制御部と、前記複数の発光素子に前記導電部を経て電力を供給する電源回路を含む電源部と、を有するアクティブマトリクス型の表示装置であって、
前記導電部は、前記走査線の少なくとも１つ毎に設けられて互いに電気的に分離された複数の帯状電極からなり、前記電源部は前記複数の帯状電極の各々を前記電源回路に選択的に接続するスイッチ回路を含み、前記電源部は前記スイッチ回路を制御して前記導電部に電力を供給する期間を調整することにより前記表示パネルの輝度を調整することを特徴とする表示装置。
【請求項２】
マトリクス状に配置された走査線及びデータ線の交差位置に配された複数の発光素子、前記複数の発光素子の各々を駆動する駆動回路及び前記複数の発光素子の各々の一方の端子に接続された導電部を含む表示パネルと、入力映像信号に応じて前記駆動回路を制御する表示制御部と、前記複数の発光素子に前記導電部を経て電力を供給する電源回路を含む電源部と、を有するアクティブマトリクス型の表示装置であって、
前記導電部は、前記データ線の少なくとも１つ毎に設けられて互いに電気的に分離された複数の帯状電極からなり、前記電源部は前記複数の帯状電極の各々を前記電源回路に選択的に接続するスイッチ回路を含み、前記電源部は前記スイッチ回路を制御して前記導電部に電力を供給する期間を調整することにより前記表示パネルの輝度を調整することを特徴とする表示装置。
【請求項３】
マトリクス状に配置された走査線及びデータ線の交差位置に配された複数の発光素子、前記複数の発光素子の各々を駆動する駆動回路及び前記複数の発光素子の各々の一方の端子に接続された導電部を含む表示パネルと、入力映像信号に応じて前記駆動回路を制御する表示制御部と、前記複数の発光素子に前記導電部を経て電力を供給する電源回路を含む電源部と、を有するアクティブマトリクス型の表示装置であって、
前記導電部は、前記データ線の少なくとも１つ毎に設けられて互いに電気的に分離された複数の帯状電極からなり、前記電源部は前記複数の帯状電極の各々を前記電源回路に選択的に接続するスイッチ回路を含み、前記複数の発光素子は、互いに異なる複数の発光色の発光素子を含み、前記複数の帯状電極の１には前記複数の発光色のうちいずれか１色の発光素子が接続されていることを特徴とする表示装置。
【請求項４】
前記電源部は前記発光素子の発光色に応じた駆動電圧を生成し、前記スイッチ回路は前記帯状電極を前記帯状電極に接続された発光素子の発光色に応じた駆動電圧に接続することを特徴とする請求項３に記載の表示装置。
【請求項５】
前記電源部は、前記帯状電極に接続された発光素子の発光色に応じて前記スイッチ回路を制御し、発光素子の発光期間が発光色ごとに異なるように調整することを特徴とする請求項３又は４に記載の表示装置。
【請求項６】
前記電源部は、前記スイッチ回路を制御し、発光素子の発光期間を調整することにより前記表示パネルの輝度を調整することを特徴とする請求項３又は４に記載の表示装置。
【請求項７】
マトリクス状に配置された走査線及びデータ線の交差位置に配された複数の発光素子と、前記複数の発光素子の各々を駆動する駆動回路と、前記複数の発光素子の各々の一方の端子に接続された導電部を含む表示パネルであって、
前記導電部は、前記データ線の少なくとも１つ毎に設けられて互いに電気的に分離された複数の帯状電極からなり、前記複数の発光素子は、互いに異なる複数の発光色の発光素子を含み、前記導電部の１には前記複数の発光色のうちいずれか１色の発光素子が接続されていることを特徴とする表示パネル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はアクティブマトリクス型表示装置、特に、有機エレクトロルミネセンス素子等の発光素子を有するアクティブマトリクス型表示パネルを用いた表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
発光素子をマトリクス状に配置して構成される発光表示パネルを用いたマトリクス型ディスプレイの開発が広く進められている。このような表示パネルに用いられる発光素子としては、例えば、有機材料を発光層として用いたエレクトロルミネセンス素子（以下、有機ＥＬ素子と称する）がある。かかる有機ＥＬ素子においては、素子を流れる電流によってその発光輝度を制御することができる。有機ＥＬ素子を用いた表示パネルとして、有機ＥＬ素子を単にマトリクス状に配置した単純マトリクス型表示パネルと、マトリクス状に配置した有機ＥＬ素子の各々にトランジスタからなる駆動素子を加えたアクティブマトリクス型表示パネルがある。アクティブマトリクス型表示パネルは単純マトリクス型表示パネルに比べて、低消費電力であり、また画素間のクロストークが少ないなどの利点を有し、特に大画面ディスプレイや高精細度ディスプレイに適している。
【０００３】
図１は、従来のアクティブマトリクス型表示パネルの１つの画素１０に対応する回路構成の１例を示している。
【０００４】
図１において、ＦＥＴ（Field Effect Transistor)１１（アドレス選択用トランジスタ）のゲートＧは、アドレス信号が供給されるアドレス走査電極線（走査ライン）に接続され、ＦＥＴ１１のソースＳはデータ信号が供給されるデータ電極線（データライン）に接続されている。ＦＥＴ１１のドレインＤはＦＥＴ１２（駆動用トランジスタ）のゲートＧに接続され、キャパシタ１３の一方の端子に接続されている。ＦＥＴ１２のソースＳはキャパシタ１３の他方の端子と共に共通の陽極１６に接続されている。ＦＥＴ１２のドレインＤは有機ＥＬ素子１５の陽極に接続され、有機ＥＬ素子１５の陰極は共通の陰極１７に接続されている。
【０００５】
図２に示すように、共通陽極１６及び各有機ＥＬ素子１５の陰極が接続された共通陰極１７は、これらに電力を供給する電圧源１８に接続されている。
【０００６】
この回路の発光制御動作について述べると、先ず、図１においてＦＥＴ１１のゲートＧにオン電圧が供給されると、ＦＥＴ１１はソースＳに供給されるデータの電圧に対応した電流をソースＳからドレインＤへ流す。ＦＥＴ１１のゲートＧがオフ電圧であるとＦＥＴ１１はいわゆるカットオフとなり、ＦＥＴ１１のドレインＤはオープン状態となる。従って、ＦＥＴ１１のゲートＧがオン電圧の期間に、キャパシタ１３は充電され、その電圧がＦＥＴ１２のゲートＧに供給されて、ＦＥＴ１２にはそのゲート電圧とソース電圧に基づいた電流が有機ＥＬ素子１５を通じてソースＳからドレインＤへ流れ、有機ＥＬ素子１５を発光せしめる。また、ＦＥＴ１１のゲートＧがオフ電圧になると、ＦＥＴ１１はオープン状態となり、ＦＥＴ１２はキャパシタ１３に蓄積された電荷によりゲートＧの電圧が保持され、次の走査まで駆動電流を維持し、有機ＥＬ素子１５の発光も維持される。尚、ＦＥＴ１２のゲートＧとソースＳの間にはゲート入力容量が存在するのでキャパシタ１３を設けなくとも上記と同様な動作が可能である。
【０００７】
アクティブマトリクス駆動により発光制御を行う表示パネルの１画素に対応する回路はこのように構成され、当該画素の有機ＥＬ素子１５が駆動された場合に当該画素の発光が維持される。
【０００８】
上記したように、アクティブマトリクス型表示パネルにおいては、各発光素子の発光制御はＦＥＴ等の駆動素子を含む駆動回路を制御することによってなされていた。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、従来のアクティブマトリクス型表示装置においては、駆動回路のみによって各発光素子の発光制御を行うので発光素子制御の自由度が低いという問題があった。
【００１０】
本発明はかかる点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、発光素子制御の自由度が高いアクティブマトリクス型の表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明による表示装置は、マトリクス状に配置された走査線及びデータ線の交差位置に配された複数の発光素子、上記複数の発光素子の各々を駆動する駆動回路及び複数の発光素子の各々の一方の端子に接続された導電部を含む表示パネルと、入力映像信号に応じて上記駆動回路を制御する表示制御部と、上記複数の発光素子に上記導電部を経て電力を供給する電源回路を含む電源部と、を有するアクティブマトリクス型の表示装置であって、上記導電部は、上記走査線の少なくとも１つ毎に設けられて互いに電気的に分離された複数の帯状電極からなり、上記電源部は上記複数の帯状電極の各々を上記電源回路に選択的に接続するスイッチ回路を含み、上記電源部は上記スイッチ回路を制御して上記導電部に電力を供給する期間を調整することにより上記表示パネルの輝度を調整することを特徴としている。
【００１２】
また、本発明による表示装置は、マトリクス状に配置された走査線及びデータ線の交差位置に配された複数の発光素子、上記複数の発光素子の各々を駆動する駆動回路及び上記複数の発光素子の各々の一方の端子に接続された導電部を含む表示パネルと、入力映像信号に応じて上記駆動回路を制御する表示制御部と、上記複数の発光素子に上記導電部を経て電力を供給する電源回路を含む電源部と、を有するアクティブマトリクス型の表示装置であって、上記導電部は、上記データ線の少なくとも１つ毎に設けられて互いに電気的に分離された複数の帯状電極からなり、上記電源部は上記複数の帯状電極の各々を上記電源回路に選択的に接続するスイッチ回路を含み、上記電源部は上記スイッチ回路を制御して上記導電部に電力を供給する期間を調整することにより上記表示パネルの輝度を調整することを特徴としている。
【００１３】
また、本発明による表示装置は、マトリクス状に配置された走査線及びデータ線の交差位置に配された複数の発光素子、上記複数の発光素子の各々を駆動する駆動回路及び上記複数の発光素子の各々の一方の端子に接続された導電部を含む表示パネルと、入力映像信号に応じて上記駆動回路を制御する表示制御部と、上記複数の発光素子に上記導電部を経て電力を供給する電源回路を含む電源部と、を有するアクティブマトリクス型の表示装置であって、上記導電部は、上記データ線の少なくとも１つ毎に設けられて互いに電気的に分離された複数の帯状電極からなり、上記電源部は上記複数の帯状電極の各々を上記電源回路に選択的に接続するスイッチ回路を含み、上記複数の発光素子は、互いに異なる複数の発光色の発光素子を含み、上記複数の帯状電極の１には上記複数の発光色のうちいずれか１色の発光素子が接続されていることを特徴としている。
【００１４】
また、本発明による表示パネルは、マトリクス状に配置された走査線及びデータ線の交差位置に配された複数の発光素子と、上記複数の発光素子の各々を駆動する駆動回路と、上記複数の発光素子の各々の一方の端子に接続された導電部を含む表示パネルであって、上記導電部は、上記データ線の少なくとも１つ毎に設けられて互いに電気的に分離された複数の帯状電極からなり、上記複数の発光素子は、互いに異なる複数の発光色の発光素子を含み、上記導電部の１には上記複数の発光色のうちいずれか１色の発光素子が接続されていることを特徴としている。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
本発明の実施例を図面を参照しつつ詳細に説明する。尚、以下に説明する図において、実質的に同等な部分には同一の参照符を付している。
【実施例１】
【００１６】
図３は、本発明の実施例１であるアクティブマトリクス型表示パネルを用いた有機ＥＬ表示装置２０の構成を概略的に示している。
【００１７】
図３において、アナログ／デジタル（Ａ／Ｄ）変換器２１は、アナログ映像信号入力を受けてデジタル映像信号データに変換する。変換により得られたデジタル映像信号はＡ／Ｄ変換器２１からフレームメモリ２４へ供給され１フレーム単位のデジタル映像信号データが一旦フレームメモリ２４に記憶される。
【００１８】
一方、有機ＥＬ表示装置２０内の各部の制御をなす表示制御部２６は、相異なる発光時間をパラメータとする複数のサブフィールドによって、上記フレームメモリ２４に記憶されたデジタル映像信号データを、列アドレスカウンタ２２及び行アドレスカウンタ２３を用いて制御することにより、複数（すなわち、サブフィールドの数）の階調表示データに変換し、それぞれ発光表示パネル３０の画素のアドレスに対応する発光・非発光データと共に順次マルチプレクサ２５に供給する。
【００１９】
また、表示制御部２６は、マルチプレクサ２５に供給された発光・非発光データの中から各サブフィールドに対応する列データを第１行目（第１走査ライン）から順次画素の配列順にデータドライバ２８が有するデータラッチ回路に保持させるように制御する。
【００２０】
表示制御部２６は、データラッチ回路によって順次保持された各サブフィールド毎の列データを、走査ライン毎に表示パネル３０に供給すると共に、走査ドライバ２７によって、対応する走査ラインに含まれるＥＬ素子１５を同時に発光させる。また、表示制御部２６は計時装置（タイマ）を内部に有し、後述するように、帯状電極に接続された電極制御ドライバ３５（以下、帯状電極制御ドライバと称する）を制御する。帯状電極制御ドライバ３５には電源回路３６が接続されており、表示制御部２６の制御の下、各ＥＬ素子１５の発光制御及び後述する逆バイアス電圧印加制御がなされる。
【００２１】
尚、図４に示すように、本実施例においては、サブフィールド２n階調法（ｎ＝８）に基づいた方法により、輝度階調の制御がなされる。すなわち、上記入力映像信号における１フレーム期間を８個のサブフィールド（ＳＦ１〜ＳＦ８）に分割し、各サブフィールド期間内における輝度（すなわち、各サブフィールド期間内における各ＥＬ素子１５の発光期間：Ｔ１〜Ｔ８）の相対比がそれぞれ順に１／２，１／４，１／８，１／１６，１／３２，１／６４，１／１２８，１／２５６（すなわち、１／２1〜１／２8）、となるように設定され、それらのサブフィールドの選択的組合せにより２５６通りの輝度階調表示が可能なように制御される。
【００２２】
各ＥＬ素子１５の発光制御は、各サブフィールド毎に行われる。すなわち、１フレームのデータ単位で、第１サブフィールドから第８サブフィールドまでのそれぞれの列データに関して行なわれる（すなわち、８回）。表示パネル３０の各ＥＬ素子１５は、供給される各サブフィールドの各々に対し、後述する所定の発光期間だけ発光制御され、１フレーム分の発光表示を多階調表示によって行うことができる。尚、かかるサブフィールド２n階調法を用いた画像表示装置は、例えば、本願と同一の出願人による特開平１０−３１２１７３号公報に開示されている。
【００２３】
また、本実施例においては、有機ＥＬ発光層に形成不良部が有る場合、その部分でリーク電流が発生して発光不良が生じることを防ぐために、有機ＥＬ素子に逆バイアス電圧を印加して不良部の除去が行えるようにしている。
【００２４】
図５は、表示パネル３０の構造の一部を模式的に示す、表示パネル３０を裏面から見た場合の平面図である。
【００２５】
この表示パネル３０は、ガラスなどの透明な基板上に走査ライン５及びデータライン７がマトリクス状に配置されている。走査ライン５及びデータライン７の交差位置にはそれぞれ、アドレス選択用ＦＥＴ１１、駆動用ＦＥＴ１２、キャパシタ１３及び発光部を構成する有機ＥＬ素子１５が設けられている。尚、これらの回路構成は図１に示したものと同様である。
【００２６】
表示パネル３０の裏面には、走査ライン（Ａ１−Ａｎ）に沿って延びた帯状の金属膜からなる帯状電極４５（ＳＥ１−ＳＥｎ）が形成されている。帯状電極４５は走査ライン毎に設けられており、互いに電気的に分離されている。第ｋ走査ライン（Ａｋ）にＦＥＴ１１，１２を介して接続されたＥＬ素子１５（ＥＬk,j ,ｊ＝１〜ｍ）の陰極は、対応する帯状電極４５（ＳＥｋ）に接続されている。すなわち、ＥＬ素子１５の陰極は走査ライン毎に互いに電気的に分離され、走査ライン毎に独立して制御することができるようになっている。一方、ＥＬ素子１５の陽極は駆動ＦＥＴ１２を介してアノードライン４７に接続されている。各アノードライン４７は互いに電気的に接続されて表示パネル３０内のＥＬ素子１５の共通の陽極として機能し、電源回路３６の正の電圧出力端ＶDに接続されている。
【００２７】
図６は、本実施例における表示パネル３０及び帯状電極制御ドライバ３５を模式的に示している。各帯状電極４５は帯状電極制御ドライバ３５内に設けられたスイッチＳ１〜Ｓｎにより選択的に電源回路３６の電圧出力端ＶG、ＶB、又はＶD（又はオープン）に接続されるようになっている。ここで、電圧ＶGは、ＥＬ素子１５を発光せしめる場合に接続される電圧である。すなわち、電圧ＶGはアノードライン４７に印加される電圧ＶDとの電圧差（＝ＶD−ＶG）がＥＬ素子１５の所定の駆動電圧となるように選べばよい。また、ＥＬ素子１５を非発光とする場合、アノードライン４７は電圧ＶD（又はオープン）に切り換えられる。尚、この電圧は必ずしもＶDでなくともよく、ＥＬ素子１５を非発光とする電圧であればよい。更に、電圧ＶBはＥＬ素子１５に上記した逆バイアス電圧を印加するための電圧であり、アノードライン４７に印加される電圧ＶDとの電圧差（＝ＶD−ＶB＜０）が所定の逆バイアス電圧となるように選ばれる。帯状電極制御ドライバ３５は、表示制御部２６からの制御信号に基づいて各帯状電極４５に印加する電圧の切替えを行う。
【００２８】
本発明における有機ＥＬ表示装置２０は、このように構成され、入力映像信号に対し、各サブフィールド毎に表示パネルの画面全体のアドレス走査による発光制御を繰り返すことにより、フレーム単位の発光表示を多階調表示によって行うことができる。
【００２９】
以下に、表示制御部２６が、表示パネル３０の発光・非発光を制御して多階調表示を実現する発光制御動作について、図７に示すタイムチャートを参照しつつ詳細に説明する。
【００３０】
先ず、表示制御部２６は、列アドレスカウンタ２２、行アドレスカウンタ２３、フレームメモリ２４、及びマルチプレクサ２５を制御し、１フレーム分のデジタル映像信号データを各サブフィールドに対応する階調表示データに変換し、マルチプレクサ２５に供給する。次に、第１サブフィールド（ＳＦ１）に関する表示データのうち、第１走査ラインに対応する表示データをデータドライバ２８内のデータラッチ回路（図示しない）にラッチさせる。表示制御部２６はラッチされた第１走査ラインの列データのそれぞれを、対応する各アドレスに書き込む。すなわち、走査ドライバ２７からアドレス信号を送出して第１走査ラインの各アドレス選択用ＦＥＴ１１を導通せしめる。これと同時に、表示制御部２６は帯状電極制御ドライバ３５のスイッチＳ１を開状態（ＯＰＥＮ）からＶGに切替える。これにより、第１走査ラインに対応する帯状電極４５は電圧ＶGに接続され、映像信号データに応じて第１走査ライン内の発光すべきＥＬ素子１５は発光する。すなわち、発光を示すデータが供給されるアドレスのＥＬ素子１５を発光せしめる。
【００３１】
表示制御部２６は、発光開始後、所定の期間（Ｔ0）が経過したときに帯状電極制御ドライバ３５を制御してスイッチＳ１をＶGからＶBに切替えて、所定の逆バイアス期間（ＴB）の間、帯状電極４５を逆バイアス電圧に保持する。所定逆バイアス期間経過の後、スイッチＳ１をＶBからＶGに切替えて、再度ＥＬ素子１５を発光せしめる。発光開始から所定の発光期間（ＴL,1）が経過の後、スイッチＳ１をＶGから開状態（OPEN）に切替えて、ＥＬ素子１５の発光を停止せしめる。尚、この場合、実際にＥＬ素子１５が発光している期間は、所定の発光期間から所定の逆バイアス期間を減じた期間（＝ＴL,1−Ｔb）である。
【００３２】
表示制御部２６は、第１走査ラインの列データがラッチされた後のステップとして、上記した第１走査ラインの場合と同様にして第２走査ラインの各ＥＬ素子１５の発光及び逆バイアス印加に関する制御動作を実行する。
【００３３】
全ての走査ライン、すなわち第ｎ走査ラインまでの制御動作が終了した後、表示制御部２６は、第２サブフィールド（ＳＦ２）に関する制御を実行する。第２サブフィールドにおいては第１サブフィールドと同様の発光制御がなされるが、帯状電極４５への逆バイアス電圧印加はなされない。第３〜第ｎサブフィールド（ＳＦ３−ＳＦｎ）については、第２サブフィールドと同様に、逆バイアス電圧を印加しない発光制御がなされる。すなわち、本実施例においては、１フレーム期間に対して、１つのサブフィールド期間においてのみ逆バイアス電圧印加が行われる。尚、本実施例において、各サブフィールド（ＳＦｋ）内の各走査ラインの発光期間は同一（＝ＴL,k ）であるように制御される。
【００３４】
本発明によれば、上記したように逆バイアス電圧印加制御が実行されるので、逆バイアス電圧を印加するタイミング及び印加期間の長さを走査ライン毎に任意に設定できる。一方、例えば各走査ラインに共通の電極を用いた場合では、図８に示すように、各走査ラインに同時に逆バイアス電圧が印加される。この場合、アドレス信号のパルス幅である書込み期間と逆バイアス電圧期間の相対的なタイミングに応じて各走査ラインの発光状態は変化し、走査ライン毎に輝度が異なってしまう。図９(ａ)に示すように、書込み期間と逆バイアス電圧期間が離れている場合と、図９(ｂ)、(ｃ)に示すように、これらの期間が重なっている場合とでは輝度に違いが生じる。この発光状態の変化はＥＬ素子１５を充電する際の時定数に起因するものである。しかしながら、本発明によれば、このような影響が生じないように逆バイアス電圧期間を設けることができるので、各走査ラインの発光状態を同一に維持しつつ逆バイアス電圧を印加することができる。
【００３５】
また、アドレス信号に基づいて発光を停止（又は開始）する場合には、全ての走査ラインの走査が終了するまでＥＬ素子１５の発光データを更新できないので、発光期間をアドレス期間（ＴA）よりも短くすることができない。従って、階調表示の精度が制限されるという不都合が生じる。しかしながら、本発明によれば、前述のように、ＥＬ素子１５の発光の開始及び停止のタイミングを任意に設定できるので、全ての走査ラインを走査するために要する期間であるアドレス期間（ＴA）よりも短い任意の発光期間をサブフィールドに対し割り当てることが可能であり、高精度の多階調表示が可能である。
【００３６】
更に、本発明によれば、ＥＬ素子１５の発光期間を任意に設定でき、その期間の長さによって輝度調整ができるので、例えば、駆動ＴＦＴへの輝度制御信号の振幅変調による輝度調整の場合と異なり、Ｓ／Ｎ比の劣化を生じさせることなく表示パネルの輝度を調整することが可能である。
【００３７】
上記した実施例においては、アドレス信号と同時にＥＬ素子１５の発光を開始するように帯状電極制御ドライバ３５のスイッチを制御する場合を例に説明したが、前述のように発光の開始及び停止は任意に設定することができる。
【００３８】
更に、１フレーム期間内の１つのサブフィールド期間においてのみ逆バイアス電圧を印加する場合を例に説明したが、これに限らず適宜逆バイアス電圧を印加するようにしてもよい。例えば、逆バイアス電圧の印加は数フレーム毎に１回でもよい。また、フレーム期間内における逆バイアス電圧の印加タイミングは任意でよい。
【００３９】
図１０は、発光期間及び逆バイアス電圧印加タイミングの他の例を示すタイムチャートである。発光期間はサブフィールド期間内の所定のタイミングに設けられ、逆バイアス印加が行われるサブフィールドにおいては、逆バイアス印加期間は発光期間と重ならないように非発光期間内に設けられている。
【実施例２】
【００４０】
図１１は、本発明の実施例２であるアクティブマトリクス型表示パネル３０の構成を模式的に示している。有機ＥＬ表示装置２０の構成は実施例１の場合と同様である。
【００４１】
本実施例が上記した実施例と異なるのは、表示パネル３０の帯状電極４５が、各々が少なくとも１つの走査ラインを含む走査ラインブロック（ＳＬＢ１−ＳＬＢｐ）毎に設けられている点である。すなわち、図１１に示すように、例えば、走査ラインブロック１（ＳＬＢ１）に含まれる走査ライン（Ａ１−Ａｉ）上のＥＬ素子１５（ＥＬq,r ,（ｑ＝１〜ｉ，ｒ＝１〜ｍ））の陰極は同じ帯状電極４５（ＳＥ１）に接続されている。他の各走査ラインブロック（ＳＬＢ２〜ＳＬＢｐ）のＥＬ素子１５も同様にして帯状電極４５（ＳＥ２〜ＳＥｐ）の各々に接続されている。すなわち、ＥＬ素子１５の陰極は走査ラインブロック毎に互いに電気的に分離されている。
【００４２】
また、帯状電極制御ドライバ３５は表示制御部２６からの制御信号に応答して各スイッチＳ１〜Ｓｐを切替え、各帯状電極４５を選択的に電源回路３６の電圧出力端ＶB、ＶD又は接地電圧（ＧＮＤ）に接続する。すなわち、ＥＬ素子１５を発光せしめる場合には接地電圧（ＧＮＤ）に、発光を停止する場合には共通陽極と同電圧のＶDに、逆バイアス電圧を印加する場合には逆バイアス電圧ＶBに帯状電極４５を接続する。このように、走査ラインブロック毎に独立して帯状電極４５の接続を制御することができるようになっている。
【００４３】
図１２は、表示制御部２６が実行する表示パネル３０の制御動作を示すタイムチャートである。走査ラインブロック毎にＥＬ素子１５の発光制御及び逆バイアス電圧印加制御を行う点において、走査ライン毎に制御を行う実施例１の場合と異なる。各走査ラインブロックにおいて、発光制御及び逆バイアス電圧印加は、同一の走査ラインブロックに含まれる走査ラインに対して同時に行われる。また、各サブフィールドにおける発光期間の長さは同一のサブフィールド（ＳＦｋ）内においては全ての走査ラインブロックに対して一定（ＴL,k ）であるように制御される。
【実施例３】
【００４４】
図１３は、本発明の実施例３であるアクティブマトリクス型表示パネル３０の構成を模式的に示している。有機ＥＬ表示装置２０の構成は実施例１の場合と同様である。
【００４５】
本実施例が上記した実施例と異なるのは、表示パネル３０の帯状電極４５（ＳＥ１−ＳＥｍ）がデータライン（Ｂ１−Ｂｍ）に沿って形成されている点である。帯状電極４５はデータライン毎に設けられており、互いに電気的に分離されている。第ｋデータライン（Ｂｋ）上のＥＬ素子１５（ＥＬj,k , ｊ＝１〜ｎ）の陰極は、対応する帯状電極４５（ＳＥｋ）に接続されている。各帯状電極４５の電圧は帯状電極制御ドライバ３５内に設けられたスイッチにより選択的に切替えることが可能である。すなわち、表示パネル３０のＥＬ素子１５はデータライン毎に独立して制御することができるようになっている。従って、ＥＬ素子１５に関して自由度の高い制御が可能である。
【００４６】
例えば、各走査ラインに赤、緑及び青で発光する３種類のＥＬ素子１５が順に繰り返し接続されたカラー表示パネル３０に本発明を適用することができる。この場合、帯状電極４５の１つには１種類の発光色のＥＬ素子１５が接続されている。図１２に示すように、ＥＬ素子１５を発光させる場合、各帯状電極４５は当該帯状電極４５に接続されたＥＬ素子１５の種類に応じて、電源回路３６の３種類の出力電圧（Ｖ1，Ｖ2，Ｖ3）のうち所定の１つに接続される。従って、ＥＬ素子１５の種類に応じて、ＥＬ素子１５の発光時の印加電圧を最適な電圧にすることができる。
【００４７】
図１４は、上記したカラー表示パネル３０において発光時に電圧Ｖ1に接続される帯状電極４５に関する制御動作を示すタイムチャートである。各走査ラインにおいてＥＬ素子１５は同時に発光し、また逆バイアス電圧印加も同時に行われる。電圧Ｖ2，Ｖ3に接続される帯状電極４５も同様に制御される。また、印加電圧のみならず、発光期間をＥＬ素子１５の種類に応じて変化させてもよい。
【００４８】
尚、上記した実施例においては、陰極を電気的に分離して帯状電極とした場合を例に説明したが、陽極を同様に帯状電極としてもよい。
【００４９】
更に、上記した実施例は例示であって、適宜組み合わせて用いることができる。
【００５０】
上記したように、本発明によれば、互いに電気的に分離された帯状の電極を少なくとも１つの走査ライン又はデータライン毎に設けているので、発光素子に印加する電圧及び印加のタイミングを自由に制御でき、安定性が高く高精度の多階調表示が可能である。
【００５１】
上記したことから明らかなように、本発明によれば、安定性が高く高精度の多階調表示が可能なアクティブマトリクス型の表示装置を実現できる。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】従来のアクティブマトリクス型表示パネルの１つの画素に対応する回路構成の１例を概略的に示す図である。
【図２】従来のアクティブマトリクス型表示パネルの概略的構成及び共通陽極及び共通陰極の接続を模式的に示す図である。
【図３】本発明の実施例１であるアクティブマトリクス型表示パネルを用いた有機ＥＬ表示装置の構成を概略的に示す図である。
【図４】デジタル映像信号の１フレーム期間、サブフィールド期間、及びアドレス期間を示す図である。
【図５】本発明の実施例１である表示パネルの構造の一部を模式的に示す平面図である。
【図６】本発明の実施例１である表示パネル及び帯状電極制御ドライバを模式的に示す図である。
【図７】表示制御部が実行する表示パネルの発光制御及び逆バイアス印加動作を示すタイムチャートである。
【図８】各走査ラインに同時に逆バイアス電圧を印加した場合のサブフィールド期間と逆バイアス期間の関係を模式的に示す図である。
【図９】図８における書込み期間と逆バイアス電圧期間の相対的なタイミングに応じて各走査ラインの発光状態が変化することを示す図である。
【図１０】本発明の実施例１である表示パネルにおける、発光期間及び逆バイアス電圧印加タイミングの他の例を示すタイムチャートである。
【図１１】本発明の実施例２であるアクティブマトリクス型表示パネルの構成を模式的に示す図である。
【図１２】図１１に示す表示パネルに関し表示制御部が実行する制御動作を示すタイムチャートである。
【図１３】本発明の実施例３であるアクティブマトリクス型表示パネルの構成を模式的に示す図である。
【図１４】図１３に示す表示パネルに関し表示制御部が実行する制御動作を示すタイムチャートである。
【主要部分の符号の説明】
【００５３】
１０ 画素
１１ アドレス選択用ＦＥＴ
１２ 駆動用ＦＥＴ
１３ キャパシタ
１５ 発光素子
２０ 表示装置
２１ Ａ／Ｄ変換器
２２ 列アドレスカウンタ
２３ 行アドレスカウンタ
２４ フレームメモリ
２５ マルチプレクサ
２６ 表示制御部
２７ 走査ドライバ
２８ データドライバ
３０ 表示パネル
３５ 帯状電極制御ドライバ
３６ 電源
４５ 帯状電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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