(57)【要約】【課題】本発明では配線間に生じる寄生素子を要求精度に応じて抽出し自動配置配線の際に配置領域や配線経路を考慮して迂回させることにより高速にクロストーク制御する半導体装置及びその設計方法を提供する。【解決手段】仮配線工程１００で仮に全ネットを配線した後、配線密度抽出工程１０１で配線間に生じる寄生素子を配線密度の応じて抽出し、寄生素子係数設定工程１０２で配線の対象全体を格子状に分割し且つ予め用意した寄生素子テーブル１０３を基に算出し係数として設定することで配線経路決定工程１０４で配線経路を決定する際、複雑なクロストークの因果関係（例えば別ネットから受けたり別ネットへ与えたりするクロストークの強弱）を考慮しながら配線することにより、クロストークの影響の少ないレイアウトを必要且つ充分な精度で高速に得ることが出来る。【選択図】    図１
2004240838.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
仮に配線する工程と、
その配線結果から配線密度を抽出する工程と、
領域毎に寄生素子の重みを係数として設定する寄生素子係数設定工程と、
配線経路を探索する工程と、
実配線時に前記寄生素子の係数に基づいて補正する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の設計手法。
【請求項２】
前記仮に配線する工程は、ネットリスト情報に基づいて仮に配線する工程であることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の設計方法。
【請求項３】
前記寄生素子係数設定工程は、素子面を格子状領域に分割し、格子状領域ごとに寄生素子の重みを決定し、係数として設定する工程であることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置の設計方法。
【請求項４】
前記寄生素子係数設定工程は、配線下層による寄生容量の影響を考慮し寄生素子の重み係数を補正する工程とを含ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の半導体装置の設計方法。
【請求項５】
前記寄生素子係数設定工程は、リソグラフィ時の配線幅の変化を考慮し、前記寄生素子の重み係数を補正する工程とを含むことを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の半導体装置の設計方法。
【請求項６】
前記寄生素子係数設定工程は、リソグラフィ時の配線幅が細る部分を抽出する工程と、抽出された前記寄生素子の重み係数を補正して設定する工程とを含むことを特等とする請求５に記載の半導体装置の設計方法。
【請求項７】
前記仮に配線する工程は、
ネットリストの接続情報から回路グループを抽出する工程と、
グループ毎に配置領域を設定及び配置する工程と、
グループ毎に配線経路を探索し配線する工程とを具備したことを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の半導体装置の設計方法。
【請求項８】
前記仮に配線する工程は、
ネット属性によりネットリストの接続情報からネットグループを抽出する工程と、
前記グループ毎に配置領域を設定及び配置する工程とを備えたことを特徴とする請求項１乃至７のいずれかに記載の半導体装置の設計方法。
【請求項９】
前記補正する工程は、ネット属性に基づいて前記領域毎に当該配線を通過する信号の強度にもとづいて前記重み係数を補正する工程を含むことを特徴とする請求項１乃至８のいずれかに記載の半導体装置の設計方法。
【請求項１０】
前記領域の大きさを要求される寄生素子の抽出精度に応じて変化するようにしたことを特徴とする請求項１乃至９のいずれかに記載の半導体装置の設計方法。
【請求項１１】
請求項１乃至１０の半導体装置の設計方法を用いて設計された配線を具備したことことを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
請求項１乃至１０の半導体装置の設計方法をコンピュータに実行させるプログラム。
【請求項１３】
請求項１乃至１０に記載の設計手法をコンピュータに実行させるプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体集積回路（以下、ＬＳＩと略す）の自動配置配線方法に関し、特に配線の信号間に発生するクロストーク抑制に有効な技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、ＬＳＩは製造技術の進歩に伴い回路の高集積化、大規模化、複雑化及び動作速度の高速化に伴い、配線幅が小さくなり通電する電流量が減少し且つ配線間隔が狭まり隣接する配線間及び層間絶縁膜が薄くなり上下層間に発生する寄生容量が増大し、自動配置配線時に近接して並行または重層して配線される信号線間に生じる寄生素子を介して信号線間の相互干渉（以下クロストークと略す）により誤動作を引起しＬＳＩの信頼性や品質の劣化を招くことが問題となっている。
【０００３】
従来の技術では自動配置配線の際対象としているチップまたロック全体に対して同一手法により同一精度の寄生素子の抽出を行なっている（例えば、特許文献１参照。）。また、特に重要な信号線例えばクロック信号やデータのバス信号線などを高精度に検証するためレイアウトの寄生素子抽出（以下ＬＰＥと略す）しネットリスト（回路接続情報ファイル）から着目するネットのみをシミュレーションなどを用いて動作を検証し、問題となる箇所を自動配置配線へフィードバックする工程を正常動作を確認するまで繰返し実施している。このため回路が大規模化、複雑化して来ると工程全体の１回の検証時間が長く且つ多数回繰返す必要がある。
【０００４】
【特許文献１】
特開平９−１４７００９号公報（第２０頁、第２３図）
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
従来の技術では配線間に生じるクロストークを高精度に考慮すると処理時間が非常に膨大になり、図１１に示すように対象の信号線（ここでは長さＬ）を現実的な処理時間で考慮可能なもの例えば図１２の重層容量９００のみに絞ると波形の歪みや微小な揺らぎを確認する上で充分な結果を得られない。
【０００６】
更に、位相の異なるデジタル間やデジタルとアナログ間や種類の異なるアナログ間の信号線間の相互干渉を検証することはデジタルの信号レベル（‘Ｈ’、‘Ｌ’、‘Ｚ’）や信号の伝播時間のみの考慮では不充分であり、波形の歪みや微小な揺らぎ（０．数ｍＶオーダー）をも検証する必要がある。このためＬＰＥを高精度に実施しレイアウト後の波形が正確に動作することを確認するためにＳＰＩＣＥシミュレータを用いて検証しているが、デジタルのシミュレータに比べ２桁以上のシミュレーション時間を要するため、結果をフィードバックするレイアウト工程或いは回路設計工程間の繰返しが長時間且つ微小な調整を伴うため多数回を要し、膨大な工数と期間が必要となっている。
【０００７】
ＬＳＩの開発期間短縮や信頼性及び品質の向上には、配線毎における信号変化の頻度の違いや、位相が異なる信号や一定の電位を保つ信号線に対する相互間に生じる前記寄生容量の影響のみならず、製造工程で生じる段差部分での層間絶縁膜や配線膜の薄膜化やリソグラフィにおける焦点深度の差や近接配線からの光反射による配線幅の変化をも考慮したクロストークの回避を高精度に制御することが必要である。
【０００８】
従来の技術では前述したように、寄生容量の一部を考慮するように設計した技術があるが、高精度化すると処理速度が遅くなるという課題がある。しかしながら、アナログ的に近接して並行または重層して配線される信号線間に生じるクロストークにより信号の変化波形が前後にずれたり歪んだりというようなノイズの影響により波形が乱れる現象、あるいは製造工程で生じる段差部分での層間絶縁膜や配線膜の薄膜化が生じることによるクロストークへの影響、リソグラフィにおける焦点深度の差や光の近接効果による配線幅の変化をレイアウト工程で考慮する技術は無かった。
【０００９】
本発明は前記実情に鑑みてなされたもので、高精度で信頼性の高い半導体装置を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明の半導体装置の設計方法は、仮に配線する工程と、その配線結果から配線密度を抽出する工程と、領域毎に寄生素子の重みを係数として設定する寄生素子係数設定工程と、配線経路を探索する工程と、実配線時に前記寄生素子の係数に基づいて補正する工程とを含むことを特徴とする。
【００１１】
例えば、ネットリスト情報にもとづいて、全ネットを最短距離で仮に配線し、その結果から配線層毎に並行またはその上層又は下層で重なり合う重層パターンの配線間に生じる寄生素子の分布と配線密度を算出し、例えば配線層間の論理積（ＡＮＤ）部を一定量オーバーサイジングした後に論理和（ＯＲ）して得られた領域を一つの配線密度図形とすることを配線層毎に繰返す。
【００１２】
次に、予め配線形状と配線密度と配線の並行または重層パターンの各々の単独または組合せにより設定された寄生素子テーブルに基づいて前記配線密度図形と照合または前記配線密度図形を前記寄生素子テーブルに合致する様に細分化する。
【００１３】
そして、この後、前記寄生素子テーブルを照合し寄生素子の重みを係数として決定する。そしてさらに配線の対象となるチップ又はブロックを前記配線密度図形を参照し、大きさを決定しながら格子状に分割し、夫々の格子に寄生素子の重みを係数として設定する。
【００１４】
次に、予めネット毎にピンとピン間あるいはネット全体に設定された配線順序で前記寄生素子係数を参照しながら、配線の経路を複数探索し最適な経路を選択し配線する。
【００１５】
また、寄生素子の重みを係数として設定する際、配線膜厚や下層との層間絶縁膜がその下層、例えばポリシリコン配線層や拡散層（ディフフュージョン）などの影響による段差部で薄膜化し、寄生容量値が変化（層間絶縁膜厚の減少により下層との寄生容量が増大し、配線膜厚の減少により線間のカップリング容量が減少）するため、段差部を抽出し、夫々の格子に設定された寄生素子の係数を補正する（増減）。この段差部の抽出は、例えば配線と下層の論理積及びオーバーサイジングにより求めるという方法がとられる。
【００１６】
更に、寄生素子の重みを係数として設定する際、配線間隔の粗密からリソグラフィ時の光の近接効果によって配線幅が変化するが配線が近接している箇所を配線痩せ部抽出工程において抽出する。この抽出に際しては、例えば配線夫々をオーバーサイジングした後論理積により求めるというような方法がとられる。そして、夫々の格子に設定された寄生素子の係数を増減し、補正する。
【００１７】
また、ネットリストを基に予めセル化されているセルのクロックピンを基点として探索しクロックの系統を自動解析し、且つ外部端子を基点として探索し信号の流れ（強度）や信号の流れる方向などを自動解析し、し回路グループとして抽出し、回路グループ毎に配置領域を設定し配置する。
【００１８】
次に回路グループ毎に配線グループ決定しながら配線するグループの順番を決定し、ネットグループ毎に寄生素子の抽出精度を切替える。
【００１９】
更に、ネットの属性を基に例えばクロストークを受ける敏感度の強弱やクロストークを与える（ノイズ発生源）頻度及び強弱によってネットのグループを抽出し、ネットのグループ毎に配置領域を設定し配置する。
更に、配線の経路を複数探索する際、ネットグループを跨るネットの配線経路に存在する別のネットグループを考慮しクロストークの影響が最小となる経路に迂回する。
【００２０】
また、要求される寄生素子の抽出精度を満たすよう格子の大きさを変化させ、また精度が要求されない部分を低精度に抽出することにより必要に応じた高精度且つ高速な抽出が出来る。
【００２１】
以上の単独又は組合せにより、ネット毎に設定されたクロストーク制御の要求に応じた寄生素子の抽出精度で高速に配線することが出来る。
【００２２】
また上記設計方法で形成された半導体装置はクロストークが低減され信頼性の高いものとなる。
【００２３】
さらにまた上記設計方法にもとづく半導体装置の設計方法をコンピュータに実行させるプログラムによれば、演算量が低減され、高精度でクロストークの少ない設計が可能となる。
【００２４】
加えて上記設計手法をコンピュータに実行させるプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体によれば、高精度でクロストークの少ない設計が高速で、可能となる。
【００２５】
なお領域への分割については格子状領域に分割する方法あるいは、チップ周辺部の枠状領域と中央部とを分割する方法など、適宜採用可能である。
【００２６】
【発明の実施の形態】
以下、実施形態の一例について図面を参照しながらその動作を説明する。
【００２７】
（実施の形態１）
本発明に記載の半導体装置の設計手法は、図１に示すように、ネットリスト情報から、仮に配線する工程１００と、その配線結果から配線密度を抽出する工程１０１と、領域毎に、当該領域の敗戦密度に基づいて寄生素子テーブル１０３を参照し、寄生素子テーブル１０３から寄生素子の重みを係数として設定する寄生素子係数設定工程１０２と、配線経路を探索する工程１０４と、実配線時に前記寄生素子の係数に基づいて補正し、配線する工程１０５とを含むことを特徴とする。
【００２８】
すなわち、仮配線工程１００で、ネットリスト情報から、全ネットを最短距離で仮に配線し、その結果から配線層毎に並行または重層する配線間に生じる寄生素子の分布と配線密度を配線密度抽出工程１０１で算出する。ここで例えば図２の（ａ）乃至（ｃ）に示す通り配線層間の論理積（ＡＮＤ）部を一定量オーバーサイジングした後に論理和（ＯＲ）して得られた領域を一つの配線密度図形とすることを配線層毎に繰返す。
【００２９】
ここでは、領域２００、２０１について考えるものとし、これらの領域に、第１層配線２０４と、この上層に形成される第２層配線２０３を配置する。これら第１層配線２０４と、第２層配線２０３との間の接続はコンタクトホールを介してなされる（図２（ａ））。
【００３０】
そして図２（ｂ）に示すように、平面方向および垂直方向（他の層）間で配線層間の論理積（ＡＮＤ）部をとる。
そして図２（ｃ）に示すように、一定量オーバーサイジングした後に論理和（ＯＲ）をとる。ここで２０６はもっとも配線密度が大きく寄生容量が大きい領域、２０８はもっとも配線密度が小さく寄生容量が小さい領域、２０７，２０９はその中間領域である。
【００３１】
次に寄生素子係数設定工程１０２において予め配線形状と配線密度と配線の並行または重層パターンの各々の単独または組合せにより設定された寄生素子テーブル１０３を基に前記配線密度図形と照合または前記配線密度図形を前記寄生素子テーブルに合致する様に細分化した後照合する。
【００３２】
そして寄生素子の重みを係数として決定する。例えば図２（ｄ）に示す様な配線の対象となる（チップ又は）ブロックを前記配線密度図形を参照し、大きさを決定しながら格子状に分割し、夫々の格子に寄生素子の重みを係数として設定する。
【００３３】
次に予めネット毎にピンとピン間あるいはネット全体に設定された配線順序で前記寄生素子係数を参照しながら、図２（ｅ）の様に配線の経路を配線経路探索工程（１０４）で複数探索し最適な経路をその必要度に応じて選択し、配線する（配線工程１０５）ことで必要且つ充分な精度で高速に配線出来る。
【００３４】
ここでは、点２６０から点２６１に到達するのに、経路２６２よりも経路２６３をとるのが望ましいことが明らかである。
【００３５】
（実施の形態２）
本実施の形態では、図３に示すように前記実施の形態１と同様に寄生素子係数設定工程で寄生素子係数を設定した後、配線下層による寄生容量の影響を考慮し寄生素子の重み係数を補正するようにしたことを特徴とするものである。
【００３６】
すなわち、配線段差抽出工程３１０で下層の状態を抽出し、段差位置および段差の大きさを抽出しこの抽出値に基づいて寄生素子係数を補正する工程３１１を設けたことを特徴とする。
【００３７】
ここでも実施の形態１と同様に、図３に示すように、仮配線工程１００で全ネットを最短距離で仮に配線し、その結果から配線層毎に並行または重層する配線間に生じる寄生素子の分布と配線密度を配線密度抽出工程（１０１）で算出する。
そして、同様に、図２（ａ）乃至（ｃ）に示す通り配線層間の論理積（ＡＮＤ）部を一定量オーバーサイジングした後に論理和（ＯＲ）して得られた領域を一つの配線密度図形とすることを配線層毎に繰返す。
【００３８】
次に寄生素子係数設定工程（１０２）において予め配線形状と配線密度と配線の並行または重層パターンの各々の単独または組合せにより設定された寄生素子テーブルを基に前記配線密度図形と照合または前記配線密度図形を前記寄生素子テーブルに合致する様に細分化した後照合して寄生素子の重みを係数として決定する（１０３）。
【００３９】
例えば図２（ｄ）に示すように配線の対象となるチップ又はブロックを、前記配線密度図形を参照し大きさを決定しながら格子状に分割し、夫々の格子に寄生素子の重みを係数として設定する。
【００４０】
そしてここでは、図４（ａ）に示すように、配線膜厚３００や下層との層間絶縁膜がその下層（例えば図４のポリシリコン３０１や拡散層など）の影響により段差部３０２で薄膜化し寄生容量値が変化（層間絶縁膜厚の減少により下層との寄生容量が増大し、配線膜厚の減少により線間のカップリング容量が減少）するという事実を考慮している。
【００４１】
ここでは、図３に示すように、配線段差抽出工程３１０において図４（ｂ）の２０３と２０４からこれらの交差部に起因する段差部３０３を抽出（例えば２０３と２０４の論理積及びオーバーサイジングにより求め）し、寄生素子係数補正工程３１１にて夫々の格子に設定された寄生素子の係数を増減させる。
【００４２】
次に予めネット毎にピンとピン間あるいはネット全体に設定された配線順序で前記寄生素子係数を参照しながら、図２（ｅ）の様に配線の経路を配線経路探索工程１０４で複数探索し最適な経路をその必要度に応じて選択し配線工程１０５で配線することで必要且つ充分な精度で高速に配線することが出来る。
【００４３】
（実施の形態３）
本実施の形態の設計方法は、寄生素子係数設定工程において、リソグラフィ時の配線幅の変化を考慮し、前記寄生素子の重み係数を補正する工程とを含むことを特徴とする。
【００４４】
この方法では、図５に示すように仮配線工程１００で全ネットを最短距離で仮に配線し、その結果から配線層毎に並行または重層する配線間に生じる寄生素子の分布と配線密度を配線密度抽出工程１０１で算出し、例えば図２（ａ）乃至（ｃ）に示す通り配線層間の論理積（ＡＮＤ）部を一定量オーバーサイジングした後に論理和（ＯＲ）して得られた領域を一つの配線密度図形とすることを配線層毎に繰返す。
【００４５】
次に、図５に示すように寄生素子係数設定工程１０２において予め配線形状と配線密度と配線の並行または重層パターンの各々の単独または組合せにより設定された寄生素子テーブル１０３を基に前記配線密度図形と照合または前記配線密度図形を前記寄生素子テーブルに合致する様に細分化した後照合し寄生素子の重みを係数として決定する。
【００４６】
例えば図２（ｄ）に示す様な配線の対象となるチップ又はブロックを前記配線密度図形を参照し大きさを決定しながら格子状に分割し、夫々の格子に寄生素子の重みを係数として設定する。
【００４７】
次に配線間隔の粗密からリソグラフィ時の光の近接効果によって配線幅が変化するが、図６に示すように配線が近接している箇所４００を図５の配線痩せ部抽出工程４１０において抽出（例えば２０３夫々をオーバーサイジングした後論理積により求め）し、寄生素子係数補正工程４１１にて夫々の格子に設定された寄生素子の係数を増減させる。通常は配線痩せによって配線幅が小さくなるため寄生容量も減少する。従って寄生素子の係数も低下させる。
【００４８】
次に予めネット毎にピンとピン間あるいはネット全体に設定された配線順序で前記寄生素子係数を参照しながら図２（ｅ）の様に配線の経路を、図５に示すように配線経路探索工程１０４で複数探索し最適な経路をその必要度に応じて選択し配線工程１０５で配線する。
【００４９】
このようにして必要且つ充分な精度で高速に配線を行うことが出来る。
【００５０】
またこのようにして設計された設計値に応じて半導体装置が形成される。
【００５１】
（実施の形態４）
本実施の形態の方法は、ネットリストの接続情報からネットグループを抽出しグループ毎に配置領域を設定および配置するとともに、グループ毎に配線経路を探索し配線するようにしたことを特徴とするものである。
【００５２】
すなわち、図７に示すようにネットリスト５１０を基に回路グループ抽出工程５１１で予めセル化されているセルのクロックピンを基点として探索しクロックの系統を自動解析し、且つ外部端子を基点として探索し信号の流れや信号の流れる方向などを自動解析し回路グループとして抽出し、配置領域設定工程５１２で図８に示すように回路グループ毎に配置領域５００及び５０１を設定し、配置工程５１３において配置する。
【００５３】
次に回路グループ毎に配線グループ決定工程５１４において配線するグループの順番を決定する。
【００５４】
次に配線グループ毎に仮配線工程１００で全ネットを最短距離で仮に配線し、その結果から配線層毎に並行または重層する配線間に生じる寄生素子の分布と配線密度を配線密度抽出工程１０１で算出する。
【００５５】
ここでも例えば図２の（ａ）乃至（ｃ）に示す通り配線層間の論理積（ＡＮＤ）部を一定量オーバーサイジングした後に論理和（ＯＲ）して得られた領域を一つの配線密度図形とすることを配線層毎に繰返す。
【００５６】
次に、図７に示すように寄生素子係数設定工程１０２において予め配線形状と配線密度と配線の並行または重層パターンの各々の単独または組合せにより設定された寄生素子テーブルを基に前記配線密度図形と照合または前記配線密度図形を前記寄生素子テーブル１０３に合致する様に細分化した後照合し寄生素子の重みを係数として決定する。
【００５７】
例えば図２（ｄ）に示す様な配線の対象となるチップ又はブロックを前記配線密度図形を参照し大きさを決定しながら格子状に分割し、夫々の格子に寄生素子の重みを係数として設定する。
【００５８】
次に予めネット毎にピンとピン間あるいはネット全体に設定された配線順序で前記寄生素子係数を参照しながら、図２（ｅ）の様に配線の経路を複数探索し最適な経路を配線経路探索工程１０４で複数探索し最適な経路をその必要度に応じて選択し、配線工程１０５で配線する。
【００５９】
次に配線グループ終了判定５１５で回路グループの配線完了を判定し、同一グループ内の配線が完了するまで繰返しネットグループ毎に配線密度抽出工程１０１で寄生素子の抽出精度を切替えることで、ネットグループ毎に求められる精度で高速に配線することが出来る。
【００６０】
（実施の形態５）
本実施の形態の半導体装置の設計方法は、ネット属性によりネットリストの接続情報からネットグループを抽出しグループ毎に配置領域を設定および配置するとともに、グループ毎に配線経路を探索し配線するようにしたことを特徴とするものである。
【００６１】
すなわち、図９に示すように、ネットリスト６１１を基にネットグループ抽出工程６１２で予めセル化されているセルのクロックピンを基点として探索し、クロックの系統を自動解析し、且つ外部端子を基点として探索し信号の流れや信号の流れる方向などを自動解析し回路グループとして抽出する。
【００６２】
ここでは、さらにネットの属性６１０から例えばクロストークを受ける敏感度の強弱やクロストークを与える（ノイズ発生源）の頻度及び強弱によってネットのグループを抽出し、ネット領域設定工程６１３にて配置する領域を設定する。
【００６３】
そして、配置工程５１３でネットグループに属する回路を前記ネット領域内へ配置する。
【００６４】
この後、ネットグループ毎に配線グループ決定工程５１４において配線するグループの順番を決定し、仮配線工程１００で全ネットを最短距離で仮に配線する。
【００６５】
そして、その結果から配線層毎に並行または重層する配線間に生じる寄生素子の分布と配線密度を配線密度抽出工程１０１で算出する。
【００６６】
ここでも例えば図２の（ａ）乃至（ｃ）に示す通り配線層間の論理積（ＡＮＤ）部を一定量オーバーサイジングした後に論理和（ＯＲ）して得られた領域を一つの配線密度図形とすることを配線層毎に繰返す。
【００６７】
次に寄生素子係数設定工程１０２において予め配線形状と配線密度と配線の並行または重層パターンの各々の単独または組合せにより設定された寄生素子テーブル１０３を基に前記配線密度図形と照合または前記配線密度図形を前記寄生素子テーブルに合致する様に細分化した後照合し寄生素子の重みを係数として決定する。
【００６８】
ここでは例えば図２（ｄ）に示すように配線の対象となるチップ又はブロックを、前記配線密度図形を参照し大きさを決定しながら格子状に分割し、夫々の格子に寄生素子の重みを係数として設定する。
【００６９】
次に予めネット毎にピンとピン間あるいはネット全体に設定された配線順序で前記寄生素子係数を参照しながら図２（ｅ）に示すように配線の経路を配線経路探索工程１０４で複数探索する。
【００７０】
このようにして最適な経路をその必要度に応じて選択し、配線工程１０５で配線する。
【００７１】
さらに配線グループ終了判定５１５で回路グループの配線完了を判定し、同一グループ内の配線が完了するまで繰返すことで必要且つ充分な精度で高速に配線することが出来る。
【００７２】
（実施の形態６）
本実施の形態では、前記実施の形態においてネットリストのほかにネット属性６１０から信号の強度を設定するようにしたことを特徴とするもので、図９に示すように、ネットリスト６１１を基にネットグループ抽出工程６１２で予めセル化されているセルのクロックピンを基点として探索しクロックの系統を自動解析し、且つ外部端子を基点として探索し信号の流れや信号の流れる方向などを自動解析し回路グループとして抽出する。
【００７３】
そしてネットの属性６１０から例えばクロストークを受ける敏感度の強弱やクロストークを与える（ノイズ発生源）の頻度及び強弱によってネットのグループを抽出する。
【００７４】
この後、ネット領域設定工程６１３にて配置する領域を設定し、配置工程５１３でネットグループに属する回路を前記ネット領域内へ配置する。
【００７５】
そして、ネットグループ毎に配線グループ決定工程５１４において配線するグループの順番を決定する。
【００７６】
この後前記実施の形態と同様に、仮配線工程１００で全ネットを最短距離で仮に配線し、その結果から配線層毎に並行または重層する配線間に生じる寄生素子の分布と配線密度を配線密度抽出工程１０１で算出する。
【００７７】
ここで例えば図２（ａ）乃至（ｃ）に示す通り配線層間の論理積（ＡＮＤ）部を一定量オーバーサイジングした後に論理和（ＯＲ）して得られた領域を一つの配線密度図形とするという動作を配線層毎に繰返す。
【００７８】
次に寄生素子係数設定工程１０２において、予め配線形状と配線密度と配線の並行または重層パターンの各々の単独または組合せにより設定された寄生素子テーブル１０３を基に前記配線密度図形と照合または前記配線密度図形を前記寄生素子テーブルに合致する様に細分化した後照合し寄生素子の重みを係数として決定する。
【００７９】
ここでも例えば図２（ｄ）に示すように、配線の対象となるチップ又はブロックを前記配線密度図形を参照し大きさを決定しながら格子状に分割し、夫々の格子に寄生素子の重みを係数として設定する。
【００８０】
次に予めネット毎にピンとピン間あるいはネット全体に設定された配線順序で前記寄生素子係数を参照しながら図１０に示すように配線の経路を配線経路探索工程１０４で複数探索する。
【００８１】
このときネットグループを跨るネットの配線経路に存在する別のネットグループを考慮し、クロストークの影響が最小となる経路を迂回し、最適な経路をその必要度に応じて選択し、配線工程１０５で配線する。そして、配線グループ終了判定５１５で回路グループの配線完了を判定し、同一グループ内の配線が完了するまで繰返すことで必要且つ充分な精度で高速に配線することが出来る。
【００８２】
（実施の形態７）
本実施の形態の半導体装置の設計手法は、格子領域の大きさを要求される寄生素子の抽出精度に応じて変化する用にしたことを特徴とするものである。
【００８３】
すなわち、図１の仮配線工程１００で全ネットを最短距離で仮に配線し、その結果から配線層毎に並行または重層する配線間に生じる寄生素子の分布と配線密度を配線密度抽出工程１０１で算出し、例えば図２（ａ）乃至（ｃ）に示す通り配線層間の論理積（ＡＮＤ）部を一定量オーバーサイジングした後に論理和（ＯＲ）して得られた領域を一つの配線密度図形とすることを配線層毎に繰返す。
【００８４】
次に、寄生素子係数設定工程１０２において予め配線形状と配線密度と配線の並行または重層パターンの各々の単独または組合せにより設定された寄生素子テーブル１０３を基に前記配線密度図形と照合または前記配線密度図形を前記寄生素子テーブルに合致する様に細分化した後照合し寄生素子の重みを係数として決定する。
【００８５】
ここで例えば図２（ｄ）に示す様な配線の対象となるチップ又はブロックを、前記配線密度図形を参照し要求される寄生素子の抽出精度を満たすよう格子の大きさを変化させながら夫々の格子に寄生素子の重みを係数として設定する。
【００８６】
次に予めネット毎にピンとピン間あるいはネット全体に設定された配線順序で前記寄生素子係数を参照しながら、図２（ｅ）の様に配線の経路を複数探索し、最適な経路を配線経路探索工程１０４で複数探索し最適な経路をその必要度に応じて選択し配線工程１０５で配線することで必要且つ充分な精度で高速に配線することが出来る。
【００８７】
【発明の効果】
以上説明してきたように、本発明によれば、配線間に生じる寄生素子を配線密度の応じて係数化することで配線経路を決定する際、複雑なクロストークの因果関係（例えば別ネットから受けたり別ネットへ与えたりするクロストークの強弱）を考慮しながら、配線出来るためクロストークの影響が最小なレイアウトを必要且つ充分な精度で高速に出来る。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態１の方法を示すフローチャート図である。
【図２】同方法における寄生素子の抽出手段と寄生素子係数を考慮した配線経路探索例を示す図である。
【図３】本発明の実施の形態２の方法を示すフローチャート図である。
【図４】同方法における配線下層の段差を考慮した寄生素子係数の補正方法を示す図である。
【図５】本発明の実施の形態３の方法を示すフローチャート図である。
【図６】同方法における光の近接効果を考慮した寄生素子補正方法を示す図である。
【図７】本発明の実施の形態４の方法を示すフローチャート図である。
【図８】同方法においてネットリストから回路のグループを自動抽出し配置する方法を示す図である。
【図９】本発明の実施の形態６および７の方法を示すフローチャート図である。
【図１０】ネットグループを跨る配線経路の決定方法を示す図である。
【図１１】従来技術の自動配線時に対象とする寄生素子を示す図である
【図１２】本来自動配線時に考慮すべき寄生素子を示す図である。
【符号の説明】
１００                仮配線工程
１０１                配線密度抽出工程
１０２                寄生素子テーブル
１０３                寄生素子係数設定工程
１０４                配線経路探索工程
１０５                配線工程
２００                配線密度が粗な領域
２０１                配線密度が密な領域
２０３                １層目の配線層
２０４                ２層目の配線層
２０５                １層目配線と２層目配線の重層部
２０６〜２０８              抽出された重層部と配線密度の粗密領域
２０９                抽出された配線密度が高い領域
２５０                レイアウトの対象領域
２５１〜２５２              格子状に分割された寄生素子係数設定領域
２５３                寄生素子係数が高い領域
２５４                寄生素子係数が低い領域
２６０                配線の始点
２６１                配線の終点
２６２、２６３              配線経路
３００                配線断面図
３０１                ポリシリコン
３０２                配線の段差部
３０３                抽出した段差部
３１０                配線段差抽出工程
３１１                寄生素子係数補正工程
４００                光の近接効果により配線が細る部分
４１０                配線痩せ部抽出工程
４１１                寄生素子係数補正工程
５００、５０１              回路グループ
５１０                ネットリスト
５１１                回路グループ抽出工程
５１２                配置領域設定工程
５１３                配置工程
５１４                配線グループ決定工程
５１５                配線グループ終了判定
６１０                ネット属性
６１１                ネットリスト
６１２                ネットグループ抽出工程
６１３                ネット領域設定工程
７０１                配線の始点
７０２                配線の終点
７０３、７０４              配線経路
９００                重層部の寄生容量
【図１】
2004240838.tif 000003
【図２】
2004240838.tif 000004
【図３】
2004240838.tif 000005
【図４】
2004240838.tif 000006
【図５】
2004240838.tif 000007
【図６】
2004240838.tif 000008
【図７】
2004240838.tif 000009
【図８】
2004240838.tif 000010
【図９】
2004240838.tif 000011
【図１０】
2004240838.tif 000012
【図１１】
2004240838.tif 000013
【図１２】
2004240838.tif 000014