(57)【要約】【課題】通常考えられるディスクの使用環境において、経時変化の無い記録再生特性が安定した光磁気記録媒体を実現する。【解決手段】基板上に、少なくとも、磁壁を移動させることにより記録磁区を拡大して情報を再生するための磁壁移動層と、情報に応じた記録磁区を保持する記録層と、移動層と記録層の間に配置され、前記両層よりキュリー温度が低いスイッチング層とを成膜する工程（ａ）と、隣接する情報トラック間に高出力のレーザー光を照射し、前記情報トラック間に存在する前記磁性層を変質させることにより、隣接する情報トラックの磁性層間の磁気的な結合を分断するアニール工程（ｂ）を経た後に、前記アニール工程により変質させた領域の経時変化を飽和させる工程（ｃ）を有する。【選択図】      図１
2004185757.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、少なくとも、磁壁を移動させることにより記録磁区を拡大して情報を再生するための磁壁移動層と、情報に応じた記録磁区を保持する記録層と、移動層と記録層の間に配置され、前記両層よりキュリー温度が低いスイッチング層とを成膜する工程と、
隣接する情報トラック間に高出力のレーザー光を照射し、前記情報トラック間に存在する前記磁性層を変質させることにより、隣接する情報トラックの磁性層間の磁気的な結合を分断するアニール工程を経た後に、
アニール工程により変質させた領域の経時変化を飽和させる工程
を有することを特徴とする光磁気記録媒体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば光磁気ディスク等の磁気光学効果を利用してレーザー光により情報の記録及び再生が行われる光磁気記録媒体及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
情報の書き換え可能な情報記録媒体として、各種の磁性記録媒体が実用化されている。特に、半導体レーザーの熱エネルギを用いて磁性薄膜に磁区を書き込むことで情報を記録し、磁気光学効果を用いてこの記録情報を読み出す光磁気記録媒体は、高密度記録が可能な大容量可換媒体として期待されている。近年、動画像のデジタル化に伴って、これらの磁性記録媒体の記録密度を高めてさらに大容量の記録媒体とする要求が高まっている。
【０００３】
一般に、光記録媒体の線記録密度は、再生光学系のレーザー光の波長及び対物レンズの開口数ＮＡに大きく依存する。すなわち、再生光学系のレーザー光の波長λと対物レンズの開口数ＮＡが決まることでビームウェスト径が決定するため、信号再生可能な記録ピットの空間周波数は２ＮＡ／λ程度が限界となってしまう。したがって、従来の光ディスクで高密度化を実現するためには、再生光学系のレーザー光の波長λを短くするか、対物レンズの開口数ＮＡを大きくする必要がある。しかしながら、レーザー光の波長λを短くすることは、発光素子の効率や発熱等の問題から容易ではない。また、対物レンズの開口数ＮＡを大きくした場合には、焦点深度が浅くなる等の理由から、機械的精度に対する要求が厳しくなるという不都合が生じる。
【０００４】
そこで、最近では、レーザー光の波長λや対物レンズの開口数ＮＡを変更することなく、記録媒体の構成や再生方法を工夫して記録密度を改善する、いわゆる超解像技術が種々提案されている。
【０００５】
例えば、下記特許文献１には、磁気的に結合される再生層と記録保持層とを有してなる多層膜の、記録保持層に信号記録を行うとともに、再生層の磁化の向きを揃えた後、レーザー光を照射して加熱し、再生層の昇温領域に、記録保持層に記録された信号を転写させながら読み取る信号再生方法が開示されている。この信号再生方法によれば、再生時の符号間干渉を減少させることができるとともに、再生用のレーザー光のビームスポット径に対して、このレーザー光によって加熱されて転写温度に達し信号が検出される領域は、より小さな領域に限定できるため、空間周波数が２ＮＡ／λ以上の信号を再生することが可能である。
【０００６】
しかしながら、上述した信号再生方法は、再生用のレーザー光のビームスポット径に対して、有効に使用される信号検出領域が小さくなるため、再生信号の振幅が低下し、十分な再生出力が得られないという欠点を有している。このため、有効信号検出領域をビームスポット径に対してあまり小さくすることができず、結局は光学系の回折限界で決まる記録密度に対して、大幅な高密度化を達成することはできない。
【０００７】
このような問題点を解決する方法の１つとして、下記特許文献２には、記録マーク（磁区）の境界部に存在する磁壁を光磁気記録媒体に生じた温度勾配に従って高温側に移動させることで、再生信号の振幅を低下させることなく、光学系の分解能を超えた記録密度の信号再生を可能にする再生方法が開示されている。
【０００８】
以下、この再生方法について説明する。
【０００９】
図１５は、前記光磁気記録媒体及びその情報再生原理を説明するための図で、図１５（Ａ）は、光磁気記録媒体の構成及び再生用のレーザー光が照射された部分の磁化状態を模式的に示す断面図、図１５（Ｂ）は、そのレーザー光の照射時に光磁気記録媒体に生じる温度分布を示す図、図１５（Ｃ）は、図１５（Ｂ）の温度分布に対応する磁壁移動層の磁壁エネルギ密度σ及び磁壁に作用する力Ｆの分布を示す図である。
【００１０】
図１５（Ａ）に示すように、この光磁気記録媒体１の磁性層１０は、磁壁移動層である第１の磁性層１１、スイッチング層である第２の磁性層１２、記録層である第３の磁性層１３が順次積層されてなる。ここでは、第１の磁性層１１が、再生用のレーザー光２１が照射される照射面側に位置して形成されている。各磁性層１１，２１，３１中の矢印ｍ１，ｍ２方向は原子スピンの向きを表している。この原子スピンの向きが相互に逆向きの各領域の境界部には磁壁２２が形成されている。
【００１１】
光磁気記録媒体１は、照射されたレーザー光２１のビームスポットに対して相対移動される。光磁気記録媒体１が、媒体移動方向である矢印ｒ方向に移動することで、ビームスポットが第３の磁性層１３の記録トラックに沿って移動する。このビームスポットが照射された領域では、図１５（Ｂ）に示すように、ビームスポットの移動方向に対して、ビームスポットの前方から温度が上昇し、位置Ｘｂで温度のピークになるような温度分布が生じる。ここでは、位置Ｘａにおいて、媒体温度が第２の磁性層１２のキュリー温度Ｔｓに達するようにされている。
【００１２】
第１の磁性層１１における磁壁エネルギ密度σの分布は、図１５（Ｃ）に示すように、ビームスポットの後方の温度ピーク部において極小となり、ビームスポットの前方ほど大きくなる。このように、位置Ｘ方向に磁壁エネルギ密度σの勾配があるとき、位置Ｘに存在する各層の磁壁に対して次式（１）から求められる力Ｆが作用する。
【００１３】
Ｆ＝∂σ／∂Ｘ          ・・・（１）
この力Ｆは、磁壁エネルギの低い方に磁壁を移動させるように作用する。
第１の磁性層１１は、磁壁抗磁力が小さく、磁壁移動度も大きいので、単層の場合にはこの力Ｆによって容易に磁壁２２が移動する。ただし、位置Ｘａよりビームスポットの前方側に位置する領域においては、媒体温度が第２の磁性層１２のキュリー温度Ｔｓより低く、磁壁抗磁力が大きな第３の磁性層１３と交換結合しているために、磁壁２２が移動せず、磁壁抗磁力が大きな第３の磁性層１３中の磁壁の位置と対応する位置に固定されている。
【００１４】
この光磁気記録媒体１では、矢印ｒ方向に光磁気記録媒体１が移動し、第１の磁性層１１の磁壁２２が位置Ｘａの位置に移動したとき、その磁壁２２の部分における媒体温度が第２の磁性層１２のキュリー温度近傍の温度Ｔｓまで上昇し、第１の磁性層１１と第３の磁性層１３との間の交換結合が切断される。この結果、第１の磁性層１１の磁壁２２は、破線で示す矢印ｓ方向に向かって、より温度が高く、且つより磁壁エネルギ密度が小さな領域へと瞬間的に移動する。ビームスポットの領域下を磁壁２２が通過するとき、位置Ｘａから位置Ｘｂの範囲で第１の磁性層１１の原子スピンが一方向に揃う。
【００１５】
信号の間隔で形成されている磁壁２２が、光磁気記録媒体１の移動に伴って位置Ｘａに来る度に、第１の磁性層１１中の磁壁２２がビームスポットの領域下を瞬間的に移動し、位置Ｘａから位置Ｘｂの範囲に記録磁区が拡大し、第１の磁性層１１の原子スピンは一方向に揃う。この結果、再生信号の振幅は、記録されている磁壁の間隔（すなわち記録マーク長）によらず、常に一定かつ最大の振幅になり、光学的な回折限界に起因した波形干渉等の問題から完全に解放される。
【００１６】
また、例えば下記特許文献３には、磁壁移動を円滑に行うために、隣接する記録トラック間での磁気的な結合を分断する提案がなされている。ここでは、高出力のレーザー光を記録とラック間に照射するアニール処理を施すことで、トラック間の磁性層を変質させて、良好な磁壁移動磁区拡大再生を実現させている。
【００１７】
【特許文献１】
特開平３−９３０５８号公報
【特許文献２】
特開平６−２９０４９６号公報
【特許文献３】
特開２００２−１５０６３１号公報
【００１８】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、アニール処理を施したＤＷＤＤ光磁気ディスクにおいて、通常考えられるディスクの使用環境において時間の経過と共に記録再生特性が悪化してしまうという問題が発見された。特に高温の環境で前記悪化が激しい。
【００１９】
本発明はこのような問題に顧みなされたものであり、通常考えられるディスクの使用環境において、時間が経過しても良好な記録再生特性が安定した光磁気記録媒体の製造方法を提供することを目的とする。
【００２０】
【課題を解決するための手段】
本発明者は鋭意研究を重ねた結果、アニール処理によって磁性が変質したアニール領域は、時間の経過と共にその磁性が経時変化するということをつきとめた。
【００２１】
また、ドライブ装置内等の高温環境にＤＷＤＤ光ディスクを放置した場合、アニール領域の磁気的性質がより一層経時変化するということも判明した。そして、アニール処理直後に良好な記録再生特性が得られていても、時間の経過により前記アニール領域の磁性の経時変化がおこり、記録再生特性は悪化してしまうという現象を発見した。
【００２２】
そして、前記問題を解決するためには、アニール処理を施した後に、アニール処理により変質させた領域の経時変化を予め飽和させておく工程を有することで、通常考えられるディスクの使用環境において、経時変化の無い記録再生特性が安定した光磁気記録媒体を実現できるということが判明した。
【００２３】
ここで、アニール処理により変質させた領域の経時変化を予め飽和させておく工程とは、高温環境に曝す処理、高温環境まで温度を上げその後温度を下げるという工程を複数回繰り返す処理、外部磁界を加える処理、及び外力による変形を加える処理、のうち少なくとも一つの処理を行う工程のことである。
【００２４】
さらに、前記経時変化前後で、良好な記録再生特性が得られるアニール処理条件が異なることも判明した。そこで、アニール処理条件として、アニール工程を経て、さらにアニール領域の経時変化を飽和させる工程を経た後での記録再生特性が最も良くなるレーザーパワーを用いる。これによって、高温環境で動作させる等の通常考えられるディスクの使用環境において、経時変化の無い良好な記録再生特性が安定した光磁気記録媒体を実現できるということが判明した。
【００２５】
アニール処理のレーザーパワーとして、アニール工程により変質させた領域の経時変化を飽和させた状態での記録再生特性が最も良くなるパワーを用いることで、通常考えられるディスクの使用環境において、経時変化の無い良好な記録再生特性が安定した光磁気記録媒体を得ることができる。
【００２６】
前記経時変化は、より高温環境に曝すことによって短時間で飽和させることが可能である。
【００２７】
【発明の実施の形態】
まず、本発明における磁壁移動検出方式の光磁気記録媒体の作製方法について説明する。
【００２８】
図２は、本発明における光磁気記録媒体の基本的な層構成を模式的に示す断面図である。図２に示すように、本発明の光磁気記録媒体１は、透明な基板１６上に誘電体層１４、磁性層１０、誘電体層１５が順次積層されて構成されている。また、磁性層１０は、基板１６側から順に、磁壁が移動する磁壁移動層である第１の磁性層１１と、磁壁移動層と記録層間に設けられ、これら各磁性層より低いキュリー温度を有するスイッチング層である第２の磁性層１２と、情報を記録（蓄積）する記録層である第３の磁性層１３とがそれぞれ積層されている。
【００２９】
そして、これら第１の磁性層１１、第２の磁性層１２、第３の磁性層１３は、第２の磁性層１２のキュリー温度以下で交換結合する。
【００３０】
基板１６としては、例えば、透明なポリカーボネート、ガラス等が用いられている。
【００３１】
実施の形態では、基板越しにレーザー光を照射して再生する光磁気記録媒体１の層構成を用いて説明するが、これに限定するものではない。基板に対して膜側からレーザー光を照射する場合は磁性層の順序は逆にすれば良く基板としては不透明な材料を用いてもよい。
【００３２】
誘電体層１４としては、例えば、Ｓｉ３Ｎ４、ＡｌＮ、ＳｉＯ２、ＳｉＯ、ＺｎＳ、ＭｇＦ２等の透明誘電材料を使用することができる。保護層として再び形成される誘電体層５にも、これと同様の誘電材料を用いることができる。これら各層は、例えばマグネトロンスパッタ装置による連続スパッタリング、または連続蒸着等によって被着形成することができる。
【００３３】
本実施形態としては、誘電体層１４として、Ｓｉターゲットを用いて、Ａｒガス１９ｓｃｃｍ（ｍＬ／ｍｉｎ）とＮ２ガス１２．７ｓｃｃｍを導入しながら０．２Ｐａの圧力で反応性スパッタリング法によりＳｉＮを３０ｎｍに形成した。
【００３４】
また、本実施形態の光磁気記録媒体１の構成に加えて、更に例えばＡｌ、ＡｌＴａ、ＡｌＴｉ、ＡｌＣｒ、Ｃｕ等からなる金属層を付加して、熱的な特性が調整可能に構成されてもよい。さらに、高分子樹脂からなる保護コートを付与してもよい。さらに、各層が成膜された基板を貼り合わせた構成としてもよい。
【００３５】
また、本実施形態の光磁気記録媒体１の構成において、各第１、第２及び第３の磁性層１１，１２，１３は、種々の磁性材料によって構成することが考えられるが、例えば、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ等の希土類金属元素の１種類あるいは２種類以上が１０〜４０ａｔ％と、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ等の鉄族元素の１種類あるいは２種類以上が９０〜６０ａｔ％とで構成される希土類−鉄族非晶質合金によって構成してもよい。また、耐食性向上等のために、これにＣｒ、Ｍｎ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｐｔ、Ｉｎ等の元素を少量添加してもよい。
【００３６】
重希土類−鉄族非晶質合金の場合、飽和磁化は、希土類元素と鉄族元素との組成比により制御することが可能である。また、キュリー温度も、組成比により制御することが可能であるが、飽和磁化と独立に制御するためには、鉄族元素として、Ｆｅの一部をＣｏで置き換えた材料を用い、置換量を制御する方法がより好ましく利用できる。すなわち、Ｆｅの１ａｔ％をＣｏで置き換えることにより、６℃程度のキュリー温度上昇が見込めるので、この関係を用いて所望のキュリー温度となるようにＣｏの添加量を調整することができる。また、Ｃｒ、Ｔｉ等の非磁性元素を微量添加することにより、キュリー温度を低下させることも可能である。さらにまた、２種類以上の希土類元素を用いてそれらの組成比を調整することによってもキュリー温度を制御することができる。
【００３７】
上述した他に、例えばガーネット、白金族−鉄族周期構造膜、あるいは白金族−鉄族合金等の材料も使用可能である。
【００３８】
第１の磁性層１１としては、例えば、ＧｄＣｏ、ＧｄＦｅＣｏ、ＧｄＦｅ、ＮｄＧｄＦｅＣｏ等の垂直磁気異方性の小さな希土類−鉄族非晶質合金や、ガーネット等のバブルメモリ用材料を用いることが望ましい。第３の磁性層１３としては、例えば、ＴｂＦｅＣｏ、ＤｙＦｅＣｏ、ＴｂＤｙＦｅＣｏ等の希土類−鉄族非晶質合金等、垂直磁気異方性が大きく安定に磁化状態が保持できるものが望ましい。
【００３９】
磁壁移動検出方式の情報再生原理の説明は、図１５で示すものであり［従来の技術］の項目で記述したとおりである。
【００４０】
本実施形態の光磁気記録媒体に対してデータ信号の記録及び再生を行う記録再生装置は、光学系を備えている。
【００４１】
図５は、その記録再生装置の光学系の一例を示す模式図である。図５に示すように、光磁気記録媒体６９は、基板６７と膜６８から成っており、光学系は、光路の順に、レーザー光６０を出射するレーザー光源６１と、このレーザー光源６１から出射されたレーザー光を平行光に変換するコリメータレンズ６２と、レーザー光源６１からのレーザー光６０を透過するとともに光磁気記録媒体６９からの戻り光を反射するビーム成形部付きビームスプリッタ６３と、このビームスプリッタ６３を透過したレーザー光６０を光磁気記録媒体６９に集光する対物レンズ６４と、ビームスプリッタ６３に反射された戻り光を受光するディテクタ６６を有する信号検出系６５とを備えている。レーザー光源６１は、記録再生用の光源であって、レーザー光６０の波長が６６０ｎｍである。ビームスプリッタ６３は、レーザー光６０を整形する整形部を有している。
【００４２】
以上のように構成された光学系を備える記録再生装置では、光磁気記録媒体の記録面のグルーブ（またはランド）上において、レーザー光源６１からの出射された波長６６０ｎｍのレーザー光６０が集光された記録再生用のビームスポットが形成される。データ信号の記録再生は、光磁気記録媒体を例えば線速度２．４ｍ／ｓｅｃで移動しながら、記録再生用のビームスポットを用いて行う。これにより、再生時には、光磁気記録媒体を図１５（Ｂ）に示したような温度勾配で加熱することができる。
【００４３】
ここで、前述した経時変化による記録再生特性の悪化、及び前記経時変化前後で、良好な記録再生特性が得られるアニール処理条件が異なることについて説明する。
【００４４】
図３は、記録再生特性のジッタ値のアニールパワー依存性を示す図である。
【００４５】
アニール処理直後の記録再生特性のジッタ値のアニールパワー依存性、及び十分に時間が経過し特性の変化が飽和した後のジッタ値のアニールパワー依存性を示す。ここで、アニールパワーとは、後述の図４に示す装置を用いて、光磁気記録媒体にレーザー光を照射してアニール処理を行う際のエネルギであり、図３ではレーザーパワーとして表される。
【００４６】
アニール処理直後の記録再生特性のジッタ値のアニールパワー依存性を破線で示し、アニール処理直後の特性が最も良い最適アニールパワーをＰａ１、この時のジッタ値をσ１ｉｎｉと表示する。この光磁気記録媒体を高温の環境に曝した場合のジッタ値のアニールパワー依存性は実線で示すように、最適アニールパワーがハイパワー側へと変化する。そしてハイパワー側に変化する最適アニールパワーはある値に飽和する。飽和した時の最適アニールパワーをＰａ２、Ｐａ２でアニール処理直後でのジッタ値をσ２ｉｎｉと表示する。アニール領域の変化が飽和した後のＰａ１でのジッタ値をσ１ｓａｔ、Ｐａ２でのジッタ値をσ２ｓａｔと表示する。従来は、Ｐａ１を最適アニールパワーとしていたので、経時変化を想定した上記特性の変化が起こるとσ１ｉｎｉからσ１ｓａｔへと特性が悪化した。
【００４７】
そこで、本発明によれば、光磁気記録媒体の製造方法において、成膜工程、アニール工程、経時変化を飽和させる工程を有している。
【００４８】
図１は、本発明の光磁気記録媒体の各製造工程を示す図である。
【００４９】
図１（Ａ）に示すように、成膜（図１（Ａ）−（ａ））後に予め特性の変化が飽和した後に記録再生特性が最適となるＰａ２でアニール処理を施し（図１（Ａ）−（ｂ））、さらにアニール領域の経時変化を飽和させておく（図１（Ａ）−（ｃ））ことでσ２ｓａｔと良好な特性を示し、高温環境に曝しても経時変化のない安定した記録再生特性を実現する光磁気記録媒体が得られる。
【００５０】
特性の経時変化を飽和させる場合、より高温な環境に曝すほど短時間で飽和させることが可能であるが、基板の変形が始まる軟化温度より低温が望ましい。また低温過ぎると非常に時間を要するので５０℃以上が望ましい。
【００５１】
図１（Ｂ）は、図１（Ａ）の工程におけるＰａ２を求めるための予備段階を示すもので、（ｂ）の工程でレーザーパワーを等間隔で変え、複数のレーザーパワーでアニール処理し、（ｄ）の工程で記録再生処理しＰａ２を求めている。
【００５２】
【実施例】
〔実施例１〕
図６は、本発明の実施例１の光磁気記録媒体の基本的な製造工程を示す図である。
【００５３】
まず、光磁気記録媒体を成膜する（図６（Ａ）−（ａ））。本実施例の光磁気記録媒体の膜構成は実施の形態に記載したものと同じ構成である。本実施例では基板１６として、トラックピッチが０．５５μｍ、グルーブ幅が０．４μｍ、溝深さ４０ｎｍのサンプルサーボを利用してトラッキングサーボをかけるグルーブ記録ポリカーボネート基板を用いた。本実施例ではポリカーボネート基板を用いたが、ポリカーボネート基板に限定するものではなく基板の種類は何でもよい。また、本実施例はグルーブ記録基板を用いるが、基板を限定するものではなく、ランド記録用基板、ランド／グルーブ記録用基板、溝のないミラー基板等を用いても効果を発する。誘電体層４としてＳｉターゲットを用いてＡｒガス１９ｓｃｃｍとＮ２ガス１２．７ｓｃｃｍを導入しながら反応性スパッタリングによりＳｉＮを３０ｎｍに形成した。磁壁移動層である第１の磁性層１１としては（Ｇｄ２７（ＦｅＣｏ１７））Ｃｒ１．８を３６ｎｍ、スイッチング層である第２の磁性層１２としては他の第１、第３と比べてキュリー温度近傍の温度Ｔｓが１５０℃程度と最も低い垂直磁化膜（Ｔｂ２４Ｆｅ）Ｃｒ１．９を１０ｎｍ、第３の磁性層１３としては（Ｔｂ２６（ＦｅＣｏ３８））Ｃｒ１．８５を６０ｎｍ形成した。誘電体層１５としては誘電体層１４と同様にＳｉターゲットを用いてＡｒガス１９ｓｃｃｍとＮ２ガス１２．７ｓｃｃｍを導入しながら反応性スパッタリング法によりＳｉＮを５０ｎｍ形成した。
【００５４】
次に、記録トラック間の交換結合を切断するために、記録トラックであるグルーブとグルーブの間のランド部を高出力のレーザー光でアニール処理を施す。本実施例１では、アニール工程により変質させた領域の経時変化を飽和させた後の記録再生特性が最適となるレーザーパワーＰａ２でアニール処理を施す。
【００５５】
ここで、特性の変化が飽和した後の記録再生特性が最適となるアニールパワーＰａ２を本実施例１と全く同様な構成の光磁気記録媒体で求めておく。図６（Ｂ）に、アニールパワーＰａ２を求める工程を示す。
【００５６】
図４は、アニール処理を施す装置が備える光学系の一例を示す模式図である
図４に示す光学系において、光磁気記録媒体５９は、基板５７と膜５８から成っており、アニール用のレーザー光５１の波長λを４０８ｎｍ、対物レンズ５４の開口数ＮＡを０．８５、アニール時の線速を４．５ｍ／ｓとして、膜５８側からランド部にレーザー光５１を集光させ、成膜後の光磁気記録媒体５９に、レーザーパワーは６．５ｍＷから７．５ｍＷまで０．１ｍＷ間隔の条件でアニール処理を施した（図６（Ｂ）−（ｂ））。本実施例では膜側からレーザー光を照射してアニール処理をする方法を用いるが、前記アニール方法に限定するものではなく、本発明は基板越しにアニール処理した場合等、高出力のレーザーを照射してアニール処理を行う場合に効果を有する。
【００５７】
次に、８０℃の環境に４０時間曝して特性の変化を飽和させる（図６（Ｂ）−（ｃ））。その後に、グルーブ部の再生信号の評価を行った（図６（Ｂ）−（ｄ））。データ信号の記録は図５に示した光学系を用いて、波長λを６６０ｎｍ、対物レンズ６４の開口数ＮＡを０．６、記録時の線速を２．４ｍ／ｓ記録パワーは４．２ｍＷとした。外部磁界は２５０Ｏｅ（エールステッド［ＣＧＳ単位系］）を１１．２５ＭＨｚで変調して行った。このようにして記録したデータを再生したところ、本実施例１の光磁気記録媒体の特性の変化が飽和した後の最適アニールパワーＰａ２は、７．０ｍＷで、ジッタ値は３．６ｎｓであることが求まった。
【００５８】
上記で求めたアニールパワーＰａ２（７．０ｍＷ）で、本実施例１の光磁気記録媒体のランド部を全面にアニール処理し（図６（Ａ）−（ｂ））、８０℃の環境に４０時間曝して特性の変化を飽和させる処理（図６（Ａ）−（ｃ））を行った。なお、本実施例１では、アニール領域の膜質の変化を飽和させる工程として８０℃の環境に４０時間曝すとしたが、アニール領域の膜質の経時変化を飽和させることを目的にしたものであり、温度及び時間を限定するものではない。
【００５９】
このようにして作製した光磁気記録媒体を８０℃の環境に２０００時間に曝した後の記録再生特性を測定したところ、ジッタ値が３．６ｎｓを示し、記録再生特性に変化のない良好な結果が得られた。
【００６０】
〔比較例１〕
図７は、本発明の比較例１の光磁気記録媒体の基本的な製造工程を示す図である。
【００６１】
実施例１とは、アニール処理直後に最適アニールパワーを求めたこと及びアニール領域の膜質の経時変化を飽和させる工程を含まないこと以外は同様に作成及び測定を行った。
【００６２】
このようにして作製した光磁気記録媒体の記録再生特性を実施例１と同様の記録再生信号評価を行ったところ、アニールパワーＰａ１は、６．６ｍＷでアニール直後の特性はジッタ値は、３．６ｎｓと良好であったが、８０℃の環境に４０時間曝したところ、ジッタが４．０ｎｓまで悪化してしまった。さらに、８０℃の環境に２０００時間曝したところジッタ値は４．０ｎｓのまま安定していた。
【００６３】
〔実施例２〕
図８は、本発明の実施例２の光磁気記録媒体の基本的な製造工程を示す図である。
【００６４】
基板及び膜構成は実施例１と同一構成である。実施例２は、アニール処理後に特性の経時変化を飽和させる条件を９０℃の環境に２５時間曝すこと以外は実施例１と同じ行程である。
【００６５】
このようにして作製した光磁気記録媒体の記録再生特性を実施例１と同様の記録再生信号評価を行ったところ、アニールパワーは、７．０ｍＷ、ジッタ値は、３．６ｎｓであった。さらに、８０℃の環境に２０００時間に曝した後の記録再生特性を測定したところ、ジッタ値は、３．６ｎｓを示し、記録再生特性に変化のない良好な結果が得られた。
【００６６】
〔実施例３〕
図９は、本発明の実施例３の光磁気記録媒体の基本的な製造工程を示す図である。
【００６７】
実施例２は、アニール処理後に特性の経時変化を飽和させる条件を６０℃の環境に４５０時間曝すこと以外は実施例１と同じ行程である。
【００６８】
このようにして作製した光磁気記録媒体の記録再生特性を実施例１と同様の記録再生信号評価を行ったところ、アニールパワーは、７．０ｍＷ、ジッタ値は、３．６ｎｓであった。さらに、８０℃の環境に２０００時間に曝した後の記録再生特性を測定したところ、ジッタ値は、３．６ｎｓを示し、記録再生特性に変化のない良好な結果が得られた。
【００６９】
〔比較例２〕
図１０は、本発明の比較例２の光磁気記録媒体の基本的な製造工程を示す図である。
【００７０】
比較例２は、アニール処理後に特性の経時変化を飽和させる条件を４０℃の環境に１０００時間曝すこと以外は実施例１と同じ行程である。
【００７１】
このようにして作製した比較例２の光磁気記録媒体について、実施例１と同様の記録再生信号評価を行ったところ、アニールパワーは、６．８ｍＷ、ジッタ値は、３．６ｎｓと良好であったが、さらに８０℃の環境に４０時間曝したところ、ジッタが、３．９ｎｓまで悪化してしまった。４０℃の環境では１０００時間でもアニール領域の膜質の変化が飽和していないことが分かる。特性の変化を飽和させるために高温環境に曝すが、その温度を低温にするほど飽和させるのに必要な時間が長くなることがわかる。
【００７２】
〔実施例４〕
図１１は、本発明の実施例４の光磁気記録媒体の基本的な製造工程を示す図である。
【００７３】
実施例４は、基板としてフォトポリマー（２Ｐ）法により作成したガラス２Ｐ基板を用い、アニール処理後に特性の経時変化を飽和させる条件を、１４０℃の環境に５分曝すこと以外は実施例１と同じ行程である。
【００７４】
このようにして作製した光磁気記録媒体の記録再生特性を実施例１と同様の記録再生信号評価を行ったところ、アニールパワーは、７．０ｍＷ、ジッタ値は、３．６ｎｓであった。さらに、８０℃の環境に２０００時間に曝した後の記録再生特性を測定したところ、ジッタ値は、３．６ｎｓを示し、記録再生特性に変化のない良好な結果が得られた。
【００７５】
〔実施例５〕
図１２は、本発明の実施例５の光磁気記録媒体の基本的な製造工程を示す図である。
【００７６】
実施例５は、アニール処理後に特性の経時変化を飽和させる条件を、光磁気記録媒体に対して垂直方向に磁場を印加しながら８０℃の環境に３０時間曝す以外は、実施例１と同様に作成及び測定を行った。
【００７７】
このようにして作製した光磁気記録媒体の記録再生特性を実施例１と同様の記録再生信号評価を行ったところ、アニールパワーは、７．０ｍＷ、ジッタ値は、３．６ｎｓであった。さらに、８０℃の環境に２０００時間に曝した後の記録再生特性を測定したところ、ジッタ値は、３．６ｎｓを示し、記録再生特性に変化のない良好な結果が得られた。
【００７８】
このことから、光磁気記録媒体の経時変化を飽和させる条件は、高温環境に曝すと同時に磁場を印加することで、特性の経時変化を短時間で飽和させることができる。
【００７９】
〔実施例６〕
図１３は、本発明の実施例６の光磁気記録媒体の基本的な製造工程を示す図である。
【００８０】
実施例６は、アニール処理後に特性の経時変化を飽和させる条件を、光磁気記録媒体に対してチルト量が−１５ｍｒａｄになるように外力を加えながら８０℃の環境に３０時間曝す以外は、実施例１と同様に作成及び測定を行った。
【００８１】
このようにして作製した光磁気記録媒体の記録再生特性を実施例１と同様の記録再生信号評価を行ったところ、アニールパワーは、７．０ｍＷ、ジッタ値は、３．６ｎｓであった。さらに、８０℃の環境に２０００時間に曝した後の記録再生特性を測定したところ、ジッタ値は、３．６ｎｓを示し、記録再生特性に変化のない良好な結果が得られた。
【００８２】
このことから、光磁気記録媒体の経時変化を飽和させる条件は、高温環境に曝すと同時に基板に外力を加えることで、特性の経時変化を短時間で飽和させることができる。
【００８３】
〔実施例７〕
図１４は、本発明の実施例７の光磁気記録媒体の基本的な製造工程を示す図である。
【００８４】
基板及び膜構成は、実施例１と同一構成である。実施例７は、アニール処理後に特性の経時変化を飽和させる条件として、室温から８０℃の環境まで３０分かけて温度を上げ、その後８０℃の環境に３時間曝した後に３０分かけて室温まで温度を下げる、という熱サイクルを７回行うこと以外は実施例１と同じ行程である。
【００８５】
このようにして作製した光磁気記録媒体の記録再生特性を実施例１と同様の記録再生信号評価を行ったところ、アニールパワーは７．０ｍＷ、ジッタ値は３．６ｎｓであった。さらに、８０℃の環境に２０００時間に曝した後の記録再生特性を測定したところ、ジッタ値は、３．６ｎｓを示し、記録再生特性に変化のない良好な結果が得られた。
【００８６】
このことから、光磁気記録媒体の経時変化を飽和させる条件は、高温環境まで温度を上げ、高温環境に曝しその後温度を下げるという工程を複数回繰り返すことで特性の経時変化を短時間で飽和させることができることがわかる。
【００８７】
以上、本発明の実施の形態について説明したが、本発明の好適な実施の態様を以下のとおり列挙する。
［実施態様１］  基板上に、少なくとも、磁壁を移動させることにより記録磁区を拡大して情報を再生するための磁壁移動層と、情報に応じた記録磁区を保持する記録層と、移動層と記録層の間に配置され、前記両層よりキュリー温度が低いスイッチング層とを成膜する工程と、
隣接する情報トラック間に高出力のレーザー光を照射し、前記情報トラック間に存在する前記磁性層を変質させることにより、隣接する情報トラックの磁性層間の磁気的な結合を分断するアニール工程を経た後に、
前記アニール工程により変質させた領域の経時変化を飽和させる工程を有することを特徴とする光磁気記録媒体の製造方法。
［実施態様２］  前記アニール工程により変質させた領域の経時変化を飽和させる工程において、高温環境に曝す処理を行うことを特徴とする実施態様１に記載の光磁気記録媒体の製造方法。
［実施態様３］  前記アニール工程により変質させた領域の経時変化を飽和させる工程において、５０℃〜１５０℃の高温環境に曝す処理を行うことを特徴とする実施態様２に記載の光磁気記録媒体の製造方法。
［実施態様４］  前記アニール工程により変質させた領域の経時変化を飽和させる工程において、高温環境に曝す処理、高温環境まで温度を上げその後温度を下げるという工程を複数回繰り返す処理、外部磁界を加える処理、及び外力による変形を加える処理のうち少なくとも一つの処理を行うことを特徴とする実施態様１に記載の光磁気記録媒体の製造方法。
［実施態様５］  前記アニール工程において、レーザー光のパワーとして、アニール工程により変質させた領域の経時変化を飽和させた後の記録再生特性が最も良くなるパワーを用いることを特徴とする実施態様１に記載の光磁気記録媒体の製造方法。
［実施態様６］  基板上に、少なくとも、磁壁を移動させることにより記録磁区を拡大して情報を再生するための磁壁移動層と、情報に応じた記録磁区を保持する記録層と、移動層と記録層の間に配置され、前記両層よりキュリー温度が低いスイッチング層とを有し、
隣接する情報トラック間に高出力のレーザー光を照射し、前記情報トラック間に存在する前記磁性層を変質させることにより、隣接する情報トラックの磁性層間の磁気的な結合を分断するアニール工程により変質させ、その後の経時変化を飽和させた領域を有することを特徴とする光磁気記録媒体。
［実施態様７］  前記レーザー光のパワーが、アニール工程により変質させ、その後の経時変化を飽和させた後の領域の記録再生特性が最も良くなるパワーであることを特徴とする実施態様６に記載の光磁気記録媒体。
【００８８】
【発明の効果】
基板上に成膜し、アニール処理を施した後に、アニール処理により変質させた領域の経時変化を予め飽和させておく工程を有することで、通常考えられるディスクの使用環境において、経時変化の無い記録再生特性が安定した光磁気記録媒体を実現できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の光磁気記録媒体の各製造工程を示す図
【図２】本発明における光磁気記録媒体の基本的な層構成を模式的に示す断面図
【図３】記録再生特性のジッタ値のアニールパワー依存性を示す図
【図４】アニール処理を施す装置が備える光学系の一例を示す模式図
【図５】記録再生装置の光学系の一例を示す模式図
【図６】実施例１の光磁気記録媒体の基本的な製造工程を示す図
【図７】比較例１の光磁気記録媒体の基本的な製造工程を示す図
【図８】実施例２の光磁気記録媒体の基本的な製造工程を示す図
【図９】実施例３の光磁気記録媒体の基本的な製造工程を示す図
【図１０】比較例２の光磁気記録媒体の基本的な製造工程を示す図
【図１１】実施例４の光磁気記録媒体の基本的な製造工程を示す図
【図１２】実施例５の光磁気記録媒体の基本的な製造工程を示す図
【図１３】実施例６の光磁気記録媒体の基本的な製造工程を示す図
【図１４】実施例７の光磁気記録媒体の基本的な製造工程を示す図
【図１５】従来の技術の光磁気記録媒体及びその情報再生原理を説明するための図
【符号の説明】
１  光磁気記録媒体
１０  磁性層
１１  第１の磁性層
１２  第２の磁性層
１３  第３の磁性層
１４  誘電体層
１５  誘電体層
１６  基板
２１  再生用レーザー光
２２  磁壁
５１  アニール用レーザー光
５９  光磁気記録媒体
６１  記録再生用レーザー光源
６９  光磁気記録媒体
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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