(57)【要約】【課題】コンピュータ・システムの記憶密度を変更する方法を提供すること。【解決手段】コンピュータ・システムの記憶密度を変更する方法を提供する。記憶装置が第１の記憶密度および第２の記憶密度を提供できるようにスケーラブルであるか否かを判断する（２１０）。記憶密度において変更を承認する情報が受け取られる（２２０）。記憶密度の変更を示すためにファームウェアが更新される（２３０）。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
コンピュータ・システムの記憶密度を変更する方法であって、記憶装置が、第１の記憶密度と第２の記憶密度を提供するようにスケーラブルであるかどうか判定するステップと、
前記記憶密度の変更を認可する情報を受け取るステップと、
ファームウェアを、前記記憶密度の変更を示すように更新するステップと、
を含む方法。
【請求項２】
前記第１の記憶密度は、前記第２の記憶密度よりも小さい請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記記憶密度の変更は、前記第１の記憶密度から前記第２の記憶密度への変更である請求項２記載の方法。
【請求項４】
前記記憶装置は、前記第１の記憶密度で動作するように初期プログラムされたスケーラブル記憶装置である請求項１記載の方法。
【請求項５】
前記記憶密度の変更を認可する情報を受け取るステップは、
前記記憶装置用のライセンス・キーを受け取るステップと、
前記ライセンス・キーを検証するステップと、
前記ライセンス・キーが本物であると検証された場合に、前記記憶密度の前記変更を認可するステップと、
を含む請求項１記載の方法。
【請求項６】
前記第１の記憶密度は２５６メガバイトであり、また前記第２の記憶密度は５１２メガバイトである請求項３記載の方法。
【請求項７】
前記コンピュータ・システムをブートするステップをさらに含み、前記コンピュータ・システムをブートするステップの際に、前記記憶密度の変更が行われる請求項１記載の方法。
【請求項８】
前記記憶装置は、揮発性記憶装置である請求項１記載の方法。
【請求項９】
バスと、
前記バスに結合されたコンピュータ読取り可能記憶装置と、
前記バスに結合された処理装置と、
複数の記憶密度を提供するようにスケーラブルであって、前記バスに結合された記憶装置と、
を備えるコンピュータ・システム。
【請求項１０】
コンピュータ・システムの記憶密度を変更する方法であって、
記憶装置の記憶密度を、第１の記憶密度にプログラムするステップと、
前記記憶密度を、前記第１の記憶密度から第２の記憶密度に変更するために、認可を受けるステップと、
前記記憶密度を、前記第２の記憶密度にプログラムするステップと、
を含む方法を、コンピュータ・システムに実行させるために、コンピュータ読取り可能なプログラム・コードを内部に組み込んだコンピュータ読取り可能媒体。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明の様々な実施形態は、コンピュータ・メモリの分野に関する。
【０００２】
【従来の技術】
コンピュータ・システム用の揮発性記憶装置の要件は、ユーザごとに異なる。例えば、自宅で使用するパーソナル・コンピュータを持っているユーザは、ワードプロセッサやｗｅｂブラウザのように、大容量のＲＡＭを必要としないソフトウェアを使っていることもある。しかしながら、ユーザは、グラフィックを集約的に用いるビデオゲームまたはフォト・エディタ（ｐｈｏｔｏ　ｅｄｉｔｏｒ）のように、当初購入したものよりも大きいＲＡＭを必要とするソフトウェアをインストールすることがある。現在、コンピュータ・システムが有するＲＡＭの容量を大きくするために、コンピュータ・システム内に、さらに大きいＲＡＭを物理的に追加しなければならない。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、追加ＲＡＭの導入に関連する多くの問題がある。第１に、追加ＲＡＭを購入しなければならない。ＲＡＭは、デスクトップ・コンピュータ用のＤＩＭＭ（デュアル・インライン・メモリ・モジュール）や、ラップトップ・コンピュータに用いられるＳＯＤＩＭＭ（Ｓｍａｌｌ　Ｏｕｔｌｉｎｅ　ＤＩＭＭ）などのメモリ・モジュールに入っているものを購入する。ＤＩＭＭやＳＯＤＩＭＭでは、全容量を同一にする多数のチップ構成がある。ときには、コンピュータ・システムは、その構成に影響されやすいこともある。適正なメモリ・モジュールを選択するプロセスは、普通のコンピュータ・ユーザには、非常にわかりにくく、多量の読書や調査を必要とすることもある。
【０００４】
さらに、新規のメモリ・モジュールは、手でコンピュータ・システムに挿入しなければならない。これは、コンピュータ・ユーザには、特にきつい大変なことであるかもしれない。ユーザが、そのメモリ・モジュールを、専門技術者に挿入してもらいたいと思う場合には、ユーザは、多大な費用を招くこともある。また、任意のコンピュータ構成要素の取付けと同様に、経験のない取付け者が、このような取付けを不完全に行って、ユーザに対して、さらなる損害や代償をもたらす場合もある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
コンピュータ・システムの記憶密度を変更する方法が提示される。記憶装置は、第１の記憶密度と第２の記憶密度を提供するようにスケーラブルであるかどうか判定する。記憶密度の変更を認可する情報を受け取る。このファームウェアは、記憶密度の変更を示すように更新される。
【０００６】
【発明の実施の形態】
次に、添付図面に実例が示されている本発明の好ましい実施形態を詳細に参照する。本発明は、好ましい実施形態といっしょに述べられるが、これらの好ましい実施形態は、本発明をこの実施形態に限定するつもりがないものと理解されよう。これに反して、本発明は、併記の特許請求の範囲により定義された本発明の精神および範囲内に含められる代替例、変更例、および同等なものをカバーするつもりである。さらに、本発明の以下の詳細な説明において、本発明を充分に理解できるようにするために、多数の特定の細部が記述される。しかしながら、本発明は、これらの特定の細部を用いることなく実施できることが、当業者には明らかになろう。他の場合に、公知の方法、手順、構成要素、構造、デバイス（装置）は、本発明の種々の面をいたずらに曖昧にすることのないように、詳細には述べられていない。
【０００７】
図１Ａは、本発明の実施形態を実施できるスケーラブル揮発性記憶装置１０２を有する模範的なコンピュータ・システム１００のブロック図を示している。コンピュータ・システム１００は、本発明の或るソフトウェア・ベースの機能を実施するための実行プラットフォームを提供する本発明の一実施形態によるコンピュータ・システムの構成要素を示している。一実施形態では、本発明のいくつかのプロセスおよびステップは、コンピュータ・システムのコンピュータ読取り可能記憶装置内にあって、かつシステム１００の処理装置（１つまたは複数）で実行される一連の命令（例えば、ソフトウェア・プログラム）として、認識される。これらの命令は、実行されると、本発明の一実施形態によりコンピュータ・システムの記憶密度を変更するプロセス（例えば、図２のプロセス２００、または、図３のプロセス３００）を、コンピュータ・システム１００に実施させる。
【０００８】
コンピュータ・システム１００は、情報をやり取りするアドレス／データ・バス１１０、情報および命令を処理するために、バス１１０に結合された１つまたは複数の中央演算処理装置１０１、中央演算処理装置（１つまたは複数）１０１向けに情報および命令を格納するために、バス１１０に結合されたコンピュータ読取り可能揮発性記憶装置１０２（例えば、ランダム・アクセス・メモリ、スタティックＲＡＭ、ダイナミックＲＡＭなど）、および、中央演算処理装置（１つまたは複数）１０１向けに、静的な情報および命令を格納するために、バス１１０に結合されたコンピュータ読取り可能不揮発性記憶装置１０３（例えば、リード・オンリー・メモリ、プログラマブルＲＯＭ、フラッシュ・メモリ、ＥＰＲＯＭ、ＥＥＰＲＯＭなど）から成っている。
【０００９】
一実施形態では、コンピュータ・システム１００の構成を管理するファームウェアが、不揮発性記憶装置１０３上に格納されている。このファームウェアは、揮発性記憶装置１０２のアドレス指定可能なスペースを制限する命令を含む。このアドレス指定可能なスペースを制限すれば、揮発性記憶装置１０２の記憶密度を制御することができる。例えば、揮発性記憶装置１０２は、５１２ＭＢのＳＤＲＡＭメモリ・モジュール（例えば、５１２ＭＢの記憶密度を持っている）である。このファームウェアは、揮発性記憶装置１０２のアドレス指定可能なスペースを制限することで、その記憶密度を、例えば２５６ＭＢまで小さくすることができる。この実施形態では、中央演算処理装置１０１は、このファームウェアの指示通りに、アドレス指定可能なスペースにアクセスできるにすぎない。一実施形態では、揮発性記憶装置１０２は、複数の記憶密度を提供するようにスケーラブルである。この複数の記憶密度は、第１の記憶密度と第２の記憶密度を含む。一実施形態では、第１の記憶密度は、第２の記憶密度よりも小さい。
【００１０】
一実施形態では、揮発性記憶装置１０２の記憶密度を、第１の記憶密度から第２の記憶密度にアップグレードするために、システム・コマンドを実行する。一実施形態では、揮発性記憶装置１０２は、第１の記憶密度で動作するように初期プログラムされたスケーラブル記憶装置である。
【００１１】
一実施形態では、コンピュータ・システム１００はまた、情報および命令を格納するために、バス１１０に結合された磁気ディスクと磁気ディスクドライブあるいは光ディスクと光ディスクドライブなどのコンピュータ読取り可能データ記憶装置１０４も含む。オプションとして、システム１００は、コンピュータ・ユーザに情報を表示するために、バス１１０に結合された表示装置１０５、情報およびコマンド選択を、中央演算処理装置（１つまたは複数）１０１に伝達するために、バス１１０に結合された英数字キーやファンクション・キーを含む英数字入力装置１０６、ユーザ入力の情報およびコマンド選択を、中央演算処理装置（１つまたは複数）１０１に伝達するために、バス１１０に結合されたカーソル制御装置１０７、および、コマンド選択を中央演算処理装置（１つまたは複数）１０１に伝達するために、バス１１０に結合された信号発生装置１０８を含むことができる。
【００１２】
図１Ｂは、本発明の一実施形態によるスケーラブル揮発性記憶装置１０２のブロック図を示している。一実施形態では、揮発性記憶装置１０２は、揮発性記憶装置１０２のプロパティに関する静的情報を格納するコンピュータ読取り可能不揮発性記憶装置１２０（例えば、リード・オンリー・メモリ、プログラマブルＲＯＭ、フラッシュ・メモリ、ＥＰＲＯＭ、ＥＥＰＲＯＭなど）を含む。一実施形態では、この情報は、揮発性記憶装置１０２がスケーラブルであることを示す標識（例えば、複数の記憶密度をサポートできる）を含む。他の実施形態では、この情報は、揮発性記憶装置１０２用の部品番号を含む。
【００１３】
図２は、本発明の一実施形態により、コンピュータ・システムの記憶密度を変更するプロセス中のステップを示す流れ図である。一実施形態では、プロセス２００は、コンピュータ読取り可能で、かつコンピュータ実行可能な命令の制御のもとに、処理装置と電気構成要素で実行される。一実施形態では、プロセス２００は、図１Ａのコンピュータ・システム１００で実行される。特定のステップがプロセス２００に開示されているとはいえ、このようなステップは模範的なものである。すなわち、本発明の実施形態は、他の様々なステップ、または図２に列挙されたステップの変形を実施するのによく適している。
【００１４】
プロセス２００のステップ２１０において、コンピュータ・システムの記憶装置は、第１の記憶密度と第２の記憶装置を提供するようにスケーラブルであるかどうか判定する。一実施形態では、この記憶装置は、揮発性記憶装置（例えば、図１Ａの揮発性記憶装置１０２）である。一実施形態では、このコンピュータ・システムのファームウェアは、その記憶装置がスケーラブルであるかどうか述べた情報を含む。他の実施形態では、この記憶装置は、記憶装置がスケーラブルであるかどうか述べた情報を含む不揮発性記憶装置（例えば、図１Ｂの不揮発性記憶装置１２０）を含む。このファームウェアは、記憶装置がスケーラブルであるかどうか判定するために、その不揮発性記憶装置にアクセスする命令を含む。
【００１５】
スケーラブル記憶装置は、複数の異なる記憶密度を提供できるものと理解されよう。記憶密度は、その記憶装置が、いつでも、どの程度のメモリを格納できるのかを示している。記憶装置は、定められた量のアドレス指定可能なスペースを含む。このアドレス指定可能なスペースを制限すれば、その記憶装置の記憶密度を制限することができる。例えば、５１２ＭＢのＲＡＭ記憶装置は、５１２ＭＢのアドレス指定可能なスペースを持っている。そのアドレス指定可能なスペースを制限すれば、例えば、その記憶装置が２５６ＭＢのアドレス指定可能なスペースしか持っていないことをファームウェアに指示すれば、その記憶密度を小さくすることができる。
【００１６】
一実施形態では、この記憶装置は、第１の記憶密度で動作するように初期プログラムされたスケーラブル記憶装置である。この記憶装置の不揮発性記憶装置は、その初期プログラムの情報を含む。このコンピュータ・システムのファームウェアは、記憶密度を確定するために、その不揮発性記憶装置にアクセスするように指示されている。
【００１７】
ステップ２２０に示されるように、その記憶装置がスケーラブルであるという条件で、その記憶密度の変更を認可する情報が受け取られる。一実施形態では、記憶密度の変更は、第１の記憶密度から第２の記憶密度への変更である。一実施形態では、第１の記憶密度から第２の記憶密度への変更により、この記憶装置の記憶密度がさらに大きくなるように、第１の記憶密度は、第２の記憶密度よりも小さくなっている。例えば、１ＧＢ（例えば、１０２４ＭＢ）のアドレス指定可能なスペースを持つスケーラブル記憶装置を製造する。この記憶装置は、２５６ＭＢのアドレス指定可能なスペースを持つものとして、このコンピュータ・システムのファームウェアにおいて、あるいは、その記憶装置の不揮発性記憶装置において、初期プログラムされる。５１２ＭＢへの記憶密度の変更を認可する情報が受け取られる。
【００１８】
図３は、本発明の一実施形態により、記憶密度の変更を認可する情報を受け取るプロセス３００中のステップを示す流れ図である。ステップ３１０において、ライセンス・キーを受け取る。一実施形態では、このライセンス・キーは、このコンピュータ・システムの製造者とコンタクトを取って、そのライセンス・キーを購入することで、得られる。
【００１９】
ステップ３２０において、このライセンス・キーの検証を行う。一実施形態では、この記憶装置のシリアルナンバーおよび部品番号に基いて、このライセンス・キーと暗号化データが一致するかどうか判定する。この暗号化データは、その製造者により生成された暗号化アルゴリズムに基いている。ステップ３３０において、このライセンス・キーが本物であると検証されるかどうか判定する。
【００２０】
ステップ３４０に示されるように、このライセンス・キーが本物であると検証された場合、その記憶装置の記憶密度を第２の記憶密度に変更することが認可されて、図２のプロセス２００は、ステップ２３０に進む。別法として、ステップ３５０に示されるように、このライセンス・キーが本物であると検証されない場合、その記憶装置の記憶密度を第２の記憶密度に変更することが拒絶されて、図２のプロセス２００は終了する。
【００２１】
図２を参照すると、ステップ２３０において、このファームウェアは、その記憶密度の変更を示すように、更新される。一実施形態では、この変更は、第１の記憶密度から第２の記憶密度への変更である。一実施形態では、第１の記憶密度は、第２の記憶密度よりも小さい。上述のように、このファームウェアに述べられた記憶密度が、その記憶装置のアドレス指定可能なスペースを制限する。したがって、このファームウェアを調整すれば、この記憶装置のアドレス指定可能なスペースが制御できる。このファームウェアになされた変更は、コンピュータのシステム・ブート（起動）の間に、保存される（例えば、不揮発性記憶装置に保存される）ものと理解されよう。
【００２２】
ステップ２４０において、コンピュータ・システムをブートする。一実施形態では、コンピュータ・システムをブートすると、ファームウェアに変更がなされる。ファームウェアに保存される内容で、アドレス指定可能なスペースを変更するためには、コンピュータ・システムをリブートする必要がある場合もある。
【００２３】
図４は、本発明の一実施形態により、コンピュータ・システムの記憶密度を変更する代替プロセス４００中のステップを示す流れ図である。ステップ４１０において、この記憶装置の記憶密度は、第１の記憶密度にプログラム書き込みされる。一実施形態では、第１の記憶密度にプログラムする作業は、この記憶装置をコンピュータ・システムに導入するときに、行われる。一実施形態では、この記憶密度を、コンピュータ・システムのファームウェアにプログラムする。他の実施形態では、この記憶密度を、コンピュータ・システムのファームウェアによりアクセスされる、スケーラブル記憶装置の不揮発性記憶装置にプログラムする。
【００２４】
ステップ４２０において、この記憶密度を、第１の記憶密度から第２の記憶密度に変更するために、認可を受ける。一実施形態では、記憶密度の変更は、第１の記憶密度から第２の記憶密度への変更である。一実施形態では、第１の記憶密度から第２の記憶密度への変更により、この記憶装置の記憶密度がさらに大きくなるように、第１の記憶密度は、第２の記憶密度よりも小さくなっている。一実施形態では、記憶密度の変更を認可する情報を受け取るプロセス（例えば、図３のプロセス３００）を実行して、この記憶密度を変更する認可が受け入れられるかどうか判定する。
【００２５】
ステップ４３０において、この記憶密度は、第２の記憶密度にプログラムされる。一実施形態では、このファームウェアは、第２の記憶密度に変更するようにプログラムされる。上述のように、このファームウェアに述べられた記憶密度は、この記憶装置のアドレス指定可能なスペースを制限する。したがって、このファームウェアを調整すれば、この記憶装置のアドレス指定可能なスペースが制御できる。このファームウェアになされた変更は、コンピュータのシステム・ブート（起動）の間に、保存される（例えば、不揮発性記憶装置に保存される）ものと理解されよう。
【００２６】
図２のプロセス２００と、図４のプロセス４００は、同一の記憶装置上で複数回、実行される場合があると理解されよう。例えば、１ＧＢの記憶装置（例えば、１０２４ＭＢ）は、２５６ＭＢの記憶密度で初期設定される。次に、ユーザは、この記憶密度を５１２ＭＢにアップグレードするために、ライセンス・キーを得る。後日、ユーザは、この記憶密度を１ＧＢの全容量にアップグレードするために、ライセンス・キーを購入することもある。
【００２７】
本発明の実施形態は、記憶装置を物理的に追加または変更することなく、コンピュータ・システムの記憶密度を大きくする方法を提供する。さらに、記憶密度は、所在のフィールド・サポート・エンジニアまたは専門技術者のサービスなしに、記憶密度を大きくすることができる。したがって、この記憶密度を変更することにより、以前よりも、コンピュータ・システムのダウンタイム（例えば、電源を切って、記憶装置を追加／変更し、再び電源を入れる）が短くなり、かつ費用が少なくなる。さらに、本発明の実施形態、すなわち、コンピュータ・システムの記憶密度を変更する方法が、このように述べられる。本発明は、特定の実施形態において述べられてきたが、本発明は、このような実施形態によって限定されるものと解されるべきではなく、もっと適切に言えば、併記の特許請求の範囲によるものであると解されるべきことが理解されよう。
【図面の簡単な説明】
本願明細書に組み入れられて、本願の一部を形成する添付図面は、本発明の実施形態を図示し、またこの記述とともに、本発明の原理を説明するのに役立つ。
【図１Ａ】本発明の実施形態を実施できるスケーラブル揮発性記憶装置を有する模範的なコンピュータ・システムのブロック図。
【図１Ｂ】本発明の一実施形態によるスケーラブル揮発性記憶装置のブロック図。
【図２】本発明の一実施形態により、コンピュータ・システムの記憶密度を変更するプロセス中のステップを示す流れ図。
【図３】本発明の一実施形態により、記憶密度の変更を認可する情報を受け取るプロセス中のステップを示す流れ図。
【図４】本発明の一実施形態により、コンピュータ・システムの記憶密度を変更する代替プロセス中のステップを示す流れ図。
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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