(57)【要約】【課題】配線基板と半導体チップの高い接合強度を確保し、信頼性の高い半導体実装基板、電子デバイスおよびこれを備える電子機器を提供すること。【解決手段】本発明の半導体実装基板１００は、端子６を有する配線基板４に、端子３を有する半導体チップ１をそれらの対応する端子３、６同士が低融点金属層７を介して接合するように実装されたものである。隣接する端子３同士の間隙１０には、多数の気泡８１を含む充填材８が充填されている。この充填材８により、配線基板４と半導体チップ１との結合力が強化される。充填材８中における気泡８１の含有率は、２〜８５ｖｏｌ％程度が好ましく、気泡８１の短辺直径は、１〜８μｍ程度であるのが好ましい。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板側端子を有する配線基板に、チップ側端子を有する半導体チップをそれらの対応する端子同士が接合するように実装し、隣接する端子同士の間隙に充填材を充填してなる半導体実装基板であって、
前記充填材中に複数の気泡を含むことを特徴とする半導体実装基板。
【請求項２】
前記充填材は、主に樹脂で構成されている請求項１に記載の半導体実装基板。
【請求項３】
前記充填材中における気泡の含有率が２〜８５ｖｏｌ％である請求項１または２に記載半導体実装基板。
【請求項４】
前記気泡の平均直径は、前記隣接する端子同士の間隔の１〜８０％である請求項１ないし３のいずれかに記載半導体実装基板。
【請求項５】
前記充填材は、導電性粒子を含むものである請求項１ないし４のいずれかに記載の半導体実装基板。
【請求項６】
前記隣接する端子同士の間隔の平均は、５〜５０μｍである請求項１ないし５のいずれかに記載の半導体実装基板。
【請求項７】
前記配線基板の基材は、ポリイミドで構成されている請求項１ないし６のいずれかに記載の半導体実装基板。
【請求項８】
請求項１ないし７のいずれかに記載の半導体実装基板を備えることを特徴とする電子デバイス。
【請求項９】
請求項８に記載の電子デバイスを備えることを特徴とする電子機器。
【請求項１０】
表示部を備える請求項９に記載の電子機器。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体実装基板、電子デバイスおよび電子機器に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
半導体チップをテープ基板（可撓性配線基板）に実装する技術として、ＣＯＦ（Ｃｈｉｐ  Ｏｎ  Ｆｉｌｍ）実装技術がある（例えば、特許文献１参照。）。このＣＯＦ実装技術を用いて、半導体チップをテープ基板に実装する際には、半導体チップの端子と、対応する配線基板の端子とを位置決めして、この状態で、加熱・加圧を行うことにより、対応する端子同士を、例えば溶融し合金化して接合している。
【０００３】
また、半導体チップと配線基板との接合力を強化するために、半導体チップと配線基板との間（隣接する端子同士の間）に樹脂などによる充填材を充填することも行われている。
ところで、近年、電子機器の高性能化、高密度化、小型化に伴って、半導体チップに設けられる端子の配設密度が高まり、端子の設置間隔（ピッチ）がより一層狭くなる（狭ピッチ化する）傾向を示している。
【０００４】
このような狭ピッチ化に伴い、充填材の界面剥離が生じ、半導体チップと配線基板との接合力を十分に強化することができないという問題がある。すなわち、狭ピッチ化により充填材と半導体チップ表面、あるいは充填材と配線基板表面との接触面積が小さくなると、充填材の収縮が生じた場合に、その収縮力に耐えかねて、充填材と半導体チップ表面との間や、充填材と配線基板表面との間に界面剥離が生じる。
そして、このような界面剥離が生じると、半導体実装基板の信頼性が低下する。
【０００５】
【特許文献１】
国際公開第００／０１９５１６号パンフレット
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、信頼性の高い半導体実装基板、電子デバイスおよびこれを備える電子機器を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
このような目的は、下記の本発明により達成される。
本発明の半導体実装基板は、基板側端子を有する配線基板に、チップ側端子を有する半導体チップをそれらの対応する端子同士が接合するように実装し、隣接する端子同士の間隙に充填材を充填してなる半導体実装基板であって、
前記充填材中に複数の気泡を含むことを特徴とする。
これにより、充填材の収縮（または膨張）による内部応力が緩和され、界面剥離が抑制されるので、半導体チップと配線基板との接合力の低下が防止され、信頼性が向上する。
【０００８】
本発明の半導体実装基板では、前記充填材は、主に樹脂で構成されていることが好ましい。
これにより、さらに半導体チップと配線基板との接合力が増大する。
本発明の半導体実装基板は、前記充填材中における気泡の含有率が２〜８５ｖｏｌ％であることが好ましい。
これにより、さらに半導体チップと配線基板との接合力が増大する。
【０００９】
本発明の半導体実装基板では、前記気泡の平均直径は、前記隣接する端子同士の間隔の１〜８０％であることが好ましい。
これにより、さらに半導体チップと配線基板との接合力が増大する。
本発明の半導体実装基板では、前記充填材は、導電性粒子を含むものであることが好ましい。
導電性粒子を含む充填材を用いることにより、対応する端子同士をより確実に接触させることができる。
【００１０】
本発明の半導体実装基板では、前記隣接する端子同士の間隔の平均は、５〜５０μｍであることが好ましい。
これにより、端子の配設密度の高い半導体実装基板が得られる。
本発明の半導体実装基板では、前記配線基板の基材は、ポリイミドで構成されていることが好ましい。
ポリイミドは、耐熱性、耐久性が高く、デバイスの信頼性の向上に寄与する。
【００１１】
本発明の電子デバイスは、本発明の半導体実装基板を備えることを特徴とする。
これにより、信頼性の高い電子デバイスが得られる。
本発明の電子機器は、本発明の電子デバイスを備えることを特徴とする。
これにより、信頼性の高い電子機器が得られる。
本発明の電子機器は、表示部を備えることが好ましい。
本発明の電子機器は、特に、各種の表示機能を有する電子機器へ適用するのが好ましい。
【００１２】
【発明の実施の形態】
本発明における半導体チップには、ベアチップ（個別のチップおよびウェハの双方）および半導体パッケージのいずれのものをも含む。
以下、本発明の半導体実装基板、電子デバイスおよび電子機器の好適な実施形態について説明する。
【００１３】
まず、本発明で用いられる半導体チップおよび配線基板の一例について、図１に基づいて説明する。
図１は、本発明で用いられる半導体チップおよび配線基板の一例を示す断面図である。なお、以下の説明では、図１中の上側を「上」、下側を「下」と言う。図１に示す半導体チップ１は、基板２と、基板２の一方の面（下面）２１に設けられた複数の端子（バンプ）３とを有している。
【００１４】
基板２は、例えば、Ｓｉ等の半導体材料で構成されている。基板２の厚さ（平均）は、特に限定されないが、通常、５０μｍ〜１ｍｍ程度とされる。
また、基板２は、単層で構成されたもののみならず、複数の層の積層体で構成されたものでもよい。
この基板２の一方の面２１側には、集積回路（図示せず）が形成され、この集積回路の配線パターン２１１の一部に接触するように端子３が配設されている。
【００１５】
配線パターン２１１は、例えば、Ａｌ、Ｃｕ、Ｗ、Ｍｏ、Ｔｉまたはこれらを含む合金等で構成されている。
また、この配線パターン２１１上には、例えば電解メッキ法等により、Ｎｉメッキ、Ａｕメッキ、Ｃｕメッキ、Ａｇメッキ、あるいはこれらの複合メッキ等が施されている。
なお、集積回路は、基板２の他方の面２２側に形成されていてもよく、面２１側および面２２側の双方に形成されていてもよい。また、基板２が複数の層の積層体で構成される場合には、集積回路は、基板２の内部に形成されていてもよい。
【００１６】
端子３は、メッキ法、特に無電解メッキ法により形成されたもの（メッキ金属）、低融点金属（例えば、半田、銀ろう、銅ろう、燐銅ろう、黄銅ろう、アルミろう、ニッケルろう等の各種ろう材）で構成されたもの等が挙げられるが、この中でも特に、無電解メッキ法により形成されたものが好ましい。無電解メッキ法を用いて端子３を形成することにより、端子３同士の間隔（ピッチ）をより小さくすることができる。これにより、電子機器の高性能化、小型化に伴って要求される、狭ピッチ化（端子の配設密度の高密度化）に対応することができる。
【００１７】
端子３の構成材料としては、例えば、Ｎｉ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｓｎ、Ｔｉ、Ｉｎ、Ｂｉ、Ｐｂ、Ｚｎまたはこれらを含む合金等が挙げられるが、これらの中でも、特に、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｓｎ、Ａｕ、Ｐｂまたはこれらを含む合金であるのが好ましい。これらのものは、導電性に優れ、また、前述したような配線パターン２１１の構成材料との密着性も高い。
【００１８】
端子３は、それぞれ、ほぼ等しい厚さ（高さ）に設定されており、その厚さ（平均）は、特に限定されないが、好ましくは、５〜２０μｍ程度とされる。また、端子３の横断面積も、特に限定されないが、好ましくは、１×１０−４〜５×１０−３ｍｍ２程度とされる。
隣接する端子３同士（端子６同士）の間隔（ピッチ）の平均は、特に限定されないが、５〜５０μｍ程度であるのが好ましく、１０〜３０μｍ程度であるのがより好ましい。これにより、端子３の配設密度を高密度化することが可能となり、電子機器の高性能化、小型化（薄型化、軽量化）等に寄与する。
【００１９】
端子３を無電解メッキ法により形成する場合、例えば、基板２の面２１上に、フォトリソグラフィー法により、所望のレジストパターンを形成し、このレジストパターンをマスクとして無電解メッキ法を行うことにより形成することができる。また、端子３は、例えば、印刷法、ディップ、インクシート等の他の方法で形成されたものでもよい。
【００２０】
一方、図１に示す配線基板（回路基板）４は、基板５と、基板５の一方の面（上面）５１に設けられた複数の端子６とを有している。
基板５は、例えば、各種ガラス、各種セラミックス、Ｓｉ等の半導体材料、各種樹脂材料、またはこれらを任意に組み合わせたもの等で構成することができるが、この中でも特に、樹脂材料で構成されたものが好ましい。この樹脂材料としては、例えば、ポリイミド、ポリアミド、ポリアミドイミド、ポリエチレンテレフタレート等のポリエステル、液晶ポリマー等が挙げられるが、特に、ポリイミド、液晶ポリマー、ポリエステル等で構成されたフィルム状基板が好ましい。
基板５の厚さ（平均）は、特に限定されないが、０．０１〜３ｍｍ程度であるのが好ましい。
【００２１】
また、基板５は、単層で構成されたもののみならず、複数の層の積層体で構成されたものでもよい。
この基板５の一方の面５１には、例えば、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｓｎ、Ｎｉ、Ｐｂ、Ｉｎ、Ｂｉ、Ｚｎまたはこれらを含む合金等で構成される配線パターン６０が形成されている。そして、この配線パターン（リード）６０の端部が各端子６を構成している。
なお、配線パターン６０は、基板２が複数の層の積層体で構成される場合には、基板５の内部に形成されていてもよい。
【００２２】
以上のような配線基板４に、半導体チップ１をそれらの対応する端子３、６同士が接合するように実装し、隣接する端子同士の間隙１０に充填材を充填して、本発明の半導体実装基板１００とする（図２参照）。
半導体チップ１側の端子３を無電解メッキ等で形成されたメッキ金属とする場合、配線基板４側の端子６との接続は、低融点金属層７を介して行うことができる。この低融点金属層７としては、例えば、半田、銀ろう、銅ろう、燐銅ろう、黄銅ろう、アルミろう、ニッケルろう等の各種ろう材が挙げられる。
【００２３】
また、低融点金属層７の形成方法としては、特に限定されないが、例えば、ディッピング法、印刷法、電解メッキ、浸漬メッキ、無電解メッキ等の湿式メッキ法、熱ＣＶＤ、プラズマＣＶＤ、レーザーＣＶＤ等の化学蒸着法（ＣＶＤ）、真空蒸着、スパッタリング、イオンプレーティング等の乾式メッキ法、溶射、金属箔の接合等が挙げられるが、これらの中でも、特に、ディッピング法または印刷法が好ましい。かかる方法によれば、低融点金属層７を容易かつ確実に形成することができる。
【００２４】
端子３と端子６との接合は、例えば、接合すべき端子同士を位置合わせした後、半導体チップ１と配線基板４の一方または双方を加熱（加熱・加圧）して低融点金属層７（および／または端子３）を溶融し、固化することにより行うことができる。この場合、加熱は、例えば、ボンディングツールによる加熱・加圧や、リフロー（熱風、赤外線等）、さらには、高周波、超音波等の付与により行うことができる。
【００２５】
低融点金属層７は、比較的低温（例えば、１５０〜２５０℃程度）で溶融するので、端子３と端子６との接合に際し、加熱温度を低くすることができ、その結果、半導体チップ１および配線基板４の面方向および厚さ方向への膨張をそれぞれ小さくすることができ、これにより、接合すべき端子３と端子６との位置ズレを防止することができる。そのため、端子３と端子６とを確実に接合することができ、半導体チップ１と配線基板４との優れた接合信頼性（接続信頼性）が得られる。
【００２６】
半導体チップ１の各端子３と、これに対応する配線基板４の端子６とが接合された状態では、半導体チップ１の基板２と配線基板４の基板５との間に、間隙１０が形成されている。換言すれば、接合された端子３および６と、これに隣接する接合された端子３および６との間に間隙１０が存在する。この間隙１０には、充填材（封止材）８が充填されている。
【００２７】
間隙１０への充填材（封止材）８の充填方法は、特に限定されず、例えば、半導体チップ１の縁部からノズルＮを用いて充填材８を供給、充填する（図２参照）。供給された充填材８は、毛細管現象により間隙１０のほぼ全域に展開され、間隙１０が封止される。
間隙１０に充填材８を充填することにより、間隙１０への水分（湿気）の侵入防止、半導体チップ１と配線基板４との密着性（結合強度）の向上、半導体チップ１および配線基板４の保護、半導体チップ１の遮光性の確保等の効果が発揮される。
【００２８】
充填材８としては、樹脂を主とするものが好ましく、特に、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、ケトン樹脂等の熱硬化性樹脂またはその前駆体（未硬化または半硬化の熱硬化性樹脂）を主材料とするものが好ましい。これにより、前記効果がより顕著に発揮される。また、充填材８中には、カップリング剤、着色剤、難燃剤、低応力成分、離型剤、酸化防止剤、無機フィラー等の各種添加剤が配合（混合）されていてもよい。
間隙１０に充填された熱硬化性樹脂の前駆体による充填材８は、必要時に硬化させる。この充填材８の硬化は、好ましくは加熱（例えば、１００〜２００℃程度）により行われるが、その他例えば、紫外線、電子線、放射線等の照射により硬化させる方法もある。
【００２９】
このような充填材８は、複数（多数）の気泡８１を含んでいる。これにより、次のような効果が得られる。一般に、半導体実装基板１００は、製造過程や使用環境において、環境変化、特に温度変化や湿度変化に晒されるが、このような環境変化により、基板２、５および充填材８に応力が作用し、基板２と充填材８との間、基板５と充填材８との間に界面剥離が生じ易くなる。特に、このような界面剥離は、充填材８の収縮または膨張により充填材８の内部応力（残留応力）が増大することが原因となる。本発明では、充填材８が複数の気泡８１を含むので、充填材８の収縮等による内部応力が緩和（吸収）され、前記の界面剥離が抑制される。その結果、半導体チップ１と配線基板４との接合力の低下が防止され、信頼性が向上する。
【００３０】
充填材８中における気泡８１の含有率（含有量）は、特に限定されないが、２〜８５ｖｏｌ％程度であるのが好ましく、１０〜８０ｖｏｌ％程度であるのがより好ましい。気泡８１の含有率が低すぎると、充填材８の組成、特性等の他の条件によっては、収縮等による内部応力の緩和が十分に図れないことがあり、また、気泡８１の含有率が高すぎると、逆に、充填材８の基板２や基板５との接触面積が減少し、接着強度が低下するおそれがある。
【００３１】
気泡８１の平均直径は、特に限定されないが、前述した隣接する端子３同士の間隔の１〜８０％程度が好ましく、５〜５０％程度がより好ましい。また、気泡８１の短辺直径（平均）は、特に限定されないが、１〜８μｍ程度であるのが好ましく、２〜７μｍ程度であるのがより好ましい。気泡８１の平均直径が小さすぎる（端子３同士の間隔に対する比率が小さ過ぎる）と、充填材８の組成、特性等の他の条件によっては、収縮等による内部応力の緩和が十分に図れないことがあり、また、気泡８１の平均直径が大きすぎる（端子３同士の間隔に対する比率が大き過ぎる）と、隣接する端子３同士の間隔が小さい場合などに、１個の気泡８１により充填材８と基板２、基板５とが接触しない箇所の面積が大きくなり、接着強度が部分的に低下するおそれがある。
【００３２】
なお、上述した気泡の含有率（含有量）および気泡の平均直径の好適な範囲は、以下のようにして求めた。図１〜図３に示す構成で、諸条件を以下のように適宜変更した複数の半導体実装基板を製造し、それらを高温・高湿（８５℃、８５％ＲＨ）環境下で１００、２００、３００、４００および５００時間保存し（バイアス試験）、配線基板４と半導体チップ１との絶縁抵抗値の保存前に対する低下の度合いを調べた。絶縁抵抗の低下が著しいものは、不良品とした。
【００３３】
・基板２の構成：シリコン製（厚さ６００μｍ）
・基板５の構成：ポリイミド製フィルム（厚さ４０μｍ）
・端子３の構成：無電解メッキで形成されたＮｉメッキ（厚さ２０μｍ）
・端子６の構成：Ｃｕ（厚さ１０μｍ）
・低融点金属層７：はんだ
・隣接する端子３同士の間隔（平均）Ｄ：１０μｍ
・気泡含有率（含有量）：０〜９０ｖｏｌ％の間で適宜変更
・気泡の短辺直径：０．５〜８μｍの間で適宜変更
・気泡の長辺直径：１０〜１００μｍの間で適宜変更
・テストピースの数：各条件の半導体実装基板を２５個ずつ
【００３４】
上記試験の結果、５００時間まで絶縁抵抗値の低下がほとんどないかまたは実際の使用において影響がない程度と判断されるものがないこと（０個であること）を基準に、気泡含有率（含有量）および気泡の直径の好適な範囲を決定した。なお、上記では、端子３とこれに対応する端子６とを接合した後に、間隙１０に充填材８を充填して半導体実装基板１００を製造する場合について説明したが、本発明の半導体実装基板１００は、このような方法で製造されたものに限らず、例えば、基板５上に既に充填材８が存在する状態で端子３および端子６を接合して製造されたものでもよい。この場合、充填材８として、未硬化の樹脂を用い、端子３および端子６を接合した後、前記未硬化の樹脂を加熱等の方法により硬化させるのが好ましい。
【００３５】
次に、本発明の半導体実装基板の他の実施形態について説明する。図４は、本発明の半導体実装基板の他の実施形態を示す断面図である。なお、以下の説明では、図４中の上側を「上」、下側を「下」と言う。以下、この実施形態を図４に基づいて説明するが、前記の実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
【００３６】
本実施形態の半導体実装基板１００’は、充填材８中に、導電性粒子９を含んでいる。
これにより、半導体チップ１の端子３と、これに対応する配線基板４の端子６とを位置決めし接合すると、低融点金属層７と配線基板４の端子６との間に、導電性粒子９が介在するようになる（図４参照）。
【００３７】
このような導電性粒子９を含む充填材８を用いることにより、例えば、半導体チップ１の端子３や配線基板４の端子６に、高さのバラツキがある場合等でも、半導体チップ１を配線基板４に実装した際に、このバラツキに起因して生じる端子３、６間の隙間（ギャップ）を導電性粒子９により補うことができ、その結果、各端子３とこれに対応する端子６とを確実に接合し、導通させることができるという利点がある。
導電性粒子９としては、例えば、Ｎｉ、Ｓｎ、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕまたはこれらを含む合金等の各種金属材料で構成される粒子、各種樹脂材料で構成された粒子の表面を前記の金属材料で被覆したもの等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００３８】
充填材８中の導電性粒子９の含有量（含有率）は、特に限定されないが、５０ｖｏｌ％以下であるのが好ましく、１０〜３０ｖｏｌ％程度であるのがより好ましい。
なお、導電性粒子９の含有量がこのような範囲であれば、隣接する端子３間等での短絡は生じない。
【００３９】
次に、上述のような半導体実装基板１００（または１００’）を備える電子デバイス、すなわち、本発明の電子デバイスについて説明する。以下では、本発明の電子デバイスを表示装置に適用した場合を一例に説明する。
図５は、本発明の電子デバイスを表示装置に適用した場合の実施形態を示す断面図である。なお、以下の説明では、図６中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
【００４０】
図５に示す表示装置（電気光学装置）３００は、透過型の液晶表示装置であり、表示パネル（表示部）２００と、本発明の半導体実装基板１００（または１００’）と、図示しないバックライトとを有している。
表示パネル２００は、枠状のシール材２３０を介して貼り合わされた第１パネル基板２２０と、第１パネル基板２２０に対向する第２パネル基板２４０と、これらで囲まれる空間に封入された液晶を含む液晶層２７０とを有している。
【００４１】
第１パネル基板２２０および第２パネル基板２４０は、それぞれ、例えば、ガラス基板で構成されている。これらのパネル基板２２０、２４０の液晶層２７０側の面には、それぞれ、例えばＩＴＯ等で構成される透明電極２１０、２５０が設けられている。これらの透明電極２１０、２５０を介して、液晶層２７０に電圧が印加される。
【００４２】
また、第１パネル基板２２０の下面および第２パネル基板２４０の上面（いずれも液晶層２７０と反対側の面）には、それぞれ、偏光板２６０、２８０が設けられている。
また、第１パネル基板２２０は、第２パネル基板２４０から張り出した部分（張出領域２０１）を有している。この張出領域２０１にまで、各透明電極２１０、２５０が延在して設けられている。
半導体実装基板（可撓性回路基板）１００は、配線基板４と、この配線基板４に実装された半導体チップ１とを有している。
【００４３】
配線基板４は、可撓性を有する基板５の一方の面（図５中、上面）５１に配線パターン（リード）６０が形成され、その一端部（図５中、左側）において、配線パターン６０が下方を向くように長手方向の途中で折り曲げられている。
そして、この一端部において、配線パターン６０と張出領域２０１に延在する各透明電極２１０、２５０の端部とが、前述したような導電性粒子４１０を含む異方性導電性材料（異方性導電性ペースト、異方性導電性膜）４００を介して接続されている。
【００４４】
また、配線パターン６０の面方向の中央部には、配線パターン６０の端部により端子６が形成されており、この端子６に半導体チップ１の端子３が接合（接続）されている。これにより、各透明電極２１０、２５０と半導体チップ１との電気的導通が得られている。
そして、隣接する端子３同士の間隙１０には、気泡８１を含む充填材８が充填されている。
半導体チップ１は、液晶パネル２００の駆動用ＩＣとして設けられており、各透明電極２１０、２５０への電圧の印加量、印加パターン等を制御する。この半導体チップ１の駆動制御により、表示パネル２００では、所望の情報（静止画および動画の双方を含む画像）が表示される。
【００４５】
なお、本発明の電子デバイスは、図示の表示装置３００への適用に限定されず、例えば、有機または無機ＥＬ表示装置、電気泳動表示装置等の他の表示装置、インクジェット記録ヘッド等の液滴吐出用ヘッド、水晶振動子等に適用することもできる。
そして、このような電子デバイスを備える本発明の電子機器は、各種の電子機器に適用することができる。
【００４６】
以下、本発明の電子機器について、図６〜図８に示す実施形態に基づき、詳細に説明する。
図６は、本発明の電子機器を適用したモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。
この図において、パーソナルコンピュータ１１００は、キーボード１１０２を備えた本体部１１０４と、表示ユニット１１０６とにより構成され、表示ユニット１１０６は、本体部１１０４に対しヒンジ構造部を介して回動可能に支持されている。
このパーソナルコンピュータ１１００は、表示ユニット１１０６が前述の表示装置３００を備えており、表示パネル（表示部）２００の表示面が表示ユニット１１０６の前面に向くよう配置されている。
【００４７】
図７は、本発明の電子機器を適用した携帯電話機（ＰＨＳも含む）の構成を示す斜視図である。
この図において、携帯電話機１２００は、複数の操作ボタン１２０２、受話口１２０４および送話口１２０６とともに、前述の表示装置３００を備えている。表示装置３００の表示パネル（表示部）２００は、操作ボタン１２０２と受話口１２０４との間において、その表示面が携帯電話機１２００の前面に向くよう配置されている。
【００４８】
図８は、本発明の電子機器を適用したディジタルスチルカメラの構成を示す斜視図である。なお、この図には、外部機器との接続についても簡易的に示されている。
ここで、通常のカメラは、被写体の光像により銀塩写真フィルムを感光するのに対し、ディジタルスチルカメラ１３００は、被写体の光像をＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ  Ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｄｅｖｉｃｅ）などの撮像素子により光電変換して撮像信号（画像信号）を生成する。
【００４９】
ディジタルスチルカメラ１３００におけるケース（ボディー）１３０２の背面には、前述の表示装置３００の表示パネル（表示部）２００が設けられ、ＣＣＤによる撮像信号に基づいて表示を行う構成になっており、表示パネル２００は、被写体を電子画像として表示するファインダとして機能する。
また、ケース１３０２の正面側（図８においては裏面側）には、光学レンズ（撮像光学系）やＣＣＤなどを含む受光ユニット１３０４が設けられている。
撮影者が表示パネル２００に表示された被写体像を確認し、シャッタボタン１３０６を押下すると、その時点におけるＣＣＤの撮像信号が、メモリ１３０８に転送・格納される。
【００５０】
また、このディジタルスチルカメラ１３００においては、ケース１３０２の側面に、ビデオ信号出力端子１３１２と、データ通信用の入出力端子１３１４とが設けられている。そして、図８に示されるように、ビデオ信号出力端子１３１２にはテレビモニタ１４３０が、デ−タ通信用の入出力端子１３１４にはパーソナルコンピュータ１４４０が、それぞれ必要に応じて接続される。さらに、所定の操作により、メモリ１３０８に格納された撮像信号が、テレビモニタ１４３０や、パーソナルコンピュータ１４４０に出力される構成になっている。
【００５１】
なお、本発明の電子機器は、図６のパーソナルコンピュータ（モバイル型パーソナルコンピュータ）、図７の携帯電話、図８のディジタルスチルカメラの他にも、例えば、インクジェット式吐出装置（例えばインクジェットプリンタ）、ラップトップ型パーソナルコンピュータ、テレビ、ビデオカメラ、ビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳（通信機能付も含む）、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニタ、電子双眼鏡、ＰＯＳ端末、医療機器（例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電図計測装置、超音波診断装置、電子内視鏡）、魚群探知機、各種測定機器、計器類（例えば、車両、航空機、船舶の計器類）、フライトシュミレータ等に適用することができる。
【００５２】
以上述べたように、本発明によれば、充填材中に気泡が存在することにより、充填材の収縮（または膨張）による内部応力が緩和され、界面剥離が抑制されるので、半導体チップと配線基板との接合力を十分に維持、確保することができる。その結果、半導体実装基板やそれを搭載したデバイスの高い信頼性が維持される。
【００５３】
以上、本発明の半導体実装基板、電子デバイスおよび電子機器について、図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明は、これらに限定されるものではなく、各構成は、同様の機能を発揮し得る任意のものと置換することができ、あるいは、任意の構成のものを付加することができる。例えば、本発明において実装される半導体チップは、予め複数の半導体チップを積層した積層体であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明で用いられる半導体チップおよび配線基板の一例を示す断面図である。
【図２】半導体チップの配線基板への実装方法における工程を示す断面図である。
【図３】本発明の半導体実装基板の実施形態を示す断面図である。
【図４】本発明の半導体実装基板の他の実施形態を示す断面図である。
【図５】本発明の電子デバイスを表示装置に適用した場合の実施形態を示す断面図である。
【図６】本発明の電子デバイスを備える電子機器（ノート型パーソナルコンピュータ）の斜視図である。
【図７】本発明の電子デバイスを備える電子機器（携帯電話）の斜視図である。
【図８】本発明の電子デバイスを備える電子機器（ディジタルスチルカメラ）の斜視図である。
【符号の説明】
１‥‥半導体チップ  ２‥‥基板  ２１、２２‥‥面  ２１１‥‥配線パターン  ３‥‥端子  ４‥‥配線基板  ５‥‥基板  ５１‥‥面  ６‥‥端子  ６０‥‥配線パターン  ７‥‥低融点金属層  ８‥‥充填材  ８１‥‥気泡  ９‥‥導電性粒子  １０‥‥間隙  １００、１００’‥‥半導体実装基板  ２００‥‥表示パネル  ２０１‥‥張出領域  ２１０‥‥透明電極  ２２０‥‥第１パネル基板  ２３０‥‥シール材  ２４０‥‥第２パネル基板  ２５０‥‥透明電極  ２６０、２８０‥‥偏光板  ２７０‥‥液晶層  ３００‥‥表示装置  ４００‥‥異方性導電性材料  ４１０‥‥導電性粒子  １１００‥‥パーソナルコンピュータ  １１０２‥‥キーボード  １１０４‥‥本体部  １１０６‥‥表示ユニット  １２００‥‥携帯電話機  １２０２‥‥操作ボタン  １２０４‥‥受話口  １２０６‥‥送話口  １３００‥‥ディジタルスチルカメラ  １３０２‥‥ケース（ボディー）  １３０４‥‥受光ユニット  １３０６‥‥シャッタボタン  １３０８‥‥メモリ  １３１２‥‥ビデオ信号出力端子  １３１４‥‥データ通信用の入出力端子  １４３０‥‥テレビモニタ  １４４０‥‥パーソナルコンピュータ  Ｎ‥‥ノズル
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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