(57)【要約】【課題】光学系を構成する光学素子の有する複屈折特性を制御し、複屈折の影響を低減して所望の結像性能をもたらす保持装置、当該保持装置を有する光学系及び露光装置を提供する。【解決手段】光学素子を保持するための保持装置であって、前記光学素子の一又は複数箇所に局所的に応力を発生させ得る圧力制御手段を有することを特徴とする保持装置を提供する。【選択図】          図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
光学素子を保持するための保持装置であって、
前記光学素子の一又は複数箇所に局所的に応力を発生させ得る圧力制御手段を有することを特徴とする保持装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、一般には、光学素子を搭載する精密機械、特に、露光装置等の投影光学系に関し、更に詳細には、半導体素子、撮像素子（ＣＣＤ等）又は薄膜磁気ヘッド等を製造するためのリソグラフィー工程に使用される露光装置において、原版（例えば、マスク及びレチクル（なお、本出願ではこれらの用語を交換可能に使用する。））の像を被処理体（例えば、半導体ウェハ用の単結晶基板、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）用のガラス基板）に投影露光する際、より正確な結像関係を得るための光学素子の保持装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年の電子機器の小型化及び薄型化の要請から、電子機器に搭載される半導体素子の微細化への要求はますます高くなっている。半導体素子製造用の代表的な露光装置である投影露光装置は、マスク上に描画されたパターンをウェハに投影露光する投影光学系を備えている。投影露光装置の解像度（正確に転写できる最小寸法）Ｒは、光源の波長λ、投影光学系の開口数ＮＡ及びレジストの解像力やプロセス等によって決定される定数ｋ１を用いて次式で与えられる。
【０００３】
【数１】
2004214454.tif 000003
【０００４】
従って、波長を短くすればするほど、及び、ＮＡを上げれば上げるほど、解像度は良くなる。近年では、解像度はより小さい値を要求されＮＡを上げるだけではこの要求を満足するには限界となっており、短波長化により解像度の向上を見込んでいる。現在では、露光光源は、ｇ線（波長約４３６ｎｍ）、ｉ線（波長約３６５ｎｍ）、Ｋｒ−Ｆエキシマレーザー（波長約２４８ｎｍ）、Ａｒ−Ｆエキシマレーザー（波長約１９３ｎｍ）と進み、今後は、Ｆ２レーザー（波長約１５７ｎｍ）の使用が有望視されている。
【０００５】
ｉ線までの波長域では、光学系に従来の光学素子を使用することが可能であったが、Ｋｒ−Ｆエキシマレーザー、Ａｒ−Ｆエキシマレーザー、Ｆ２レーザーの波長域では、透過率が低く、従来の光学ガラスを使用することは不可能である。このためエキシマレーザーを光源とする露光装置の光学系には、短波長光の透過率が高い石英ガラス（ＳｉＯ２）又はフッ化カルシウム（ＣａＦ２）を材料とした光学素子を使用することが一般的になっており、特に、Ｆ２レーザーを光源とする露光装置においては、フッ化カルシウムを材料とした光学素子を使用することが必須とされている。また、投影光学系の高ＮＡ化に伴い投影光学系を構成するレンズの大口径化が必要になり、屈折率均質性等の光学特性に優れたフッ化カルシウムが要求されている。
【０００６】
フッ化カルシウム単結晶は、従来から、（「ブリッジマン法」としても知られる）坩堝降下法によって製造されている。かかる方法は、化学合成された高純度原料を坩堝に入れ育成装置内で熔融した後、坩堝を除々に引き下げ、坩堝の下部から結晶化させる。この育成過程の熱履歴によりフッ化カルシウム結晶内には応力が残留する。フッ化カルシウムは、応力に対して複屈折性を示し、残留応力があると光学特性が悪化するので、結晶育成後、熱処理を施し応力を除去する。また、光学素子に圧力をかけて応力分布を発生させることにより複屈折を補正する提案がされている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００７】
【特許文献１】
特開２０００−３３１９２７号公報
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、フッ化カルシウムは、理想的な内部応力がない結晶であっても、結晶構造に起因する複屈折、いわゆる真性複屈折（Ｉｎｔｒｉｎｓｉｃ  Ｂｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ）が無視できない量だけ発生する。
【０００９】
フッ化カルシウムの結晶軸は図８に示す通りである。結晶軸としての［１  ００］軸、［０  １  ０］軸及び［０  ０  １］軸は互いに入れ替えて考えることが可能であり、結晶としては立方晶系に属する。そのため真性複屈折の影響を無視すれば、光学的な特性は等方的、即ち、結晶中を光束が進む向きによって光学的な影響が変化することはないことが知られている。
【００１０】
フッ化カルシウムの真性複屈折は図９及び図１０によって説明される。まず、図９は、結晶中の光線方向に応じた複屈折の大きさを表す。図９を参照するに、［１  １  １］軸、［１  ０  ０］軸、［０  １  ０］軸及び［０  ０  １］軸方向に進行する光束に対しては複屈折量がゼロとなる。しかし、［１  ０  １］軸、［１  １  ０］軸及び［０  １  １］軸方向に進行する光束に対しては複屈折量が最大となり、例えば、Ａｒ−Ｆエキシマレーザーの波長１９３ｎｍでは３．４ｎｍ／ｃｍ、Ｆ２レーザーの波長１５７ｎｍでは１１．２±０．５ｎｍ／ｃｍにも達する。図１０は、光線方向に応じた複屈折の進相軸分布を表すものである。そのような結晶で光学系を構成した場合、像の形成に寄与する波面が入射光の偏光方向によって変化し、近似的には２つに分かれた波面が二重の像を形成する。そのため真性複屈折によって、光学系としての結像特性が大きく劣化するという結果になる。
【００１１】
従って、Ａｒ−ＦエキシマレーザーやＦ２レーザー等の紫外光を露光光源とする露光装置においては、真性複屈折を含めた複屈折特性を考慮してフッ化カルシウムからなる光学素子を投影光学系内に保持することが必要となる。
【００１２】
そこで、本発明は、光学系を構成する光学素子の有する複屈折特性を制御し、複屈折の影響を低減して所望の結像性能をもたらす保持装置、当該保持装置を有する光学系及び露光装置を提供することを例示的目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明の一側面としての保持装置は、光学素子を保持するための保持装置であって、前記光学素子の一又は複数箇所に局所的に応力を発生させ得る圧力制御手段を有することを特徴とする。
【００１４】
本発明の更なる目的又はその他の特徴は、以下添付図面を参照して説明される好ましい実施例によって明らかにされるであろう。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下、添付図面を参照して、本発明の例示的な保持装置１００及び露光装置２００について説明する。但し、本発明は、これらの実施例に限定するものではなく、本発明の目的が達成される範囲において、各構成要素が代替的に置換されてもよい。例えば、本実施形態では、保持装置１００を例示的に露光装置２００の投影光学系２３０に適用しているが、露光装置２００の照明光学系２１４、その他周知のいかなる光学系に適用してもよい。ここで、図１は、露光装置２００の投影光学系２３０に適用される本発明の保持装置１００を示す概略平面図である。図２は、図１に示す保持装置１００のＡ−Ａ´概略断面図である。
【００１６】
保持装置１００は、図１及び図２に示すように、保持部材１２０と、伸縮部材１３２と、接続部材１３４と、圧力制御部１３０と、保持部１４０と、圧力量制御手段１５０と、回転制御手段１６０とを有し、光学素子１１０を保持する。
【００１７】
光学素子１１０は、周辺部に配置した複数個の保持部材１２０及び保持部１４０によって保持される。光学素子１１０は、反射、屈折及び回折等を利用して光を結像させ、例えば、レンズ、平行平板ガラス、プリズム及びフレネルゾーンプレート、キノフォーム、バイナリオプティックス、ホログラム等の回折光学素子を含む。エキシマレーザーを使用する露光装置に使用可能なレンズの材料は、例えば、合成石英ガラスやフッ化カルシウム（蛍石）である。
【００１８】
保持部材１２０は、各々伸縮部材１３２及び接続部材１３４により構成される圧力制御部１３０を介して図示しない鏡筒と結合している。ここで、本実施形態においては、光学素子１１０の周辺部に配置される保持部材１２０、及び保持部材１２０に接続されている伸縮部材１３２、接続部材１３４は、図１に示すように、１２個であるが、かかる数は例示的である。例えば、光学素子１１０としてフッ化カルシウム単結晶を用いる場合、フッ化カルシウムの結晶軸の対称性を考慮して、かかる結晶軸の位置を包含するように配置する。
【００１９】
伸縮部材１３２は、圧力量制御手段１５０から印加される印加電圧によって長さが伸縮し、保持部材１２０を微小に移動させる。伸縮部材１３２は、保持部材１２０を光学素子１１０の中心側に押圧することで（又は外側に引くことで）、光学素子１１０に対して局所的に応力を発生させる。伸縮部材１３２は、例えば、ピエゾ素子として構成される。
【００２０】
図３は、図１に示す保持部材１２０と伸縮部材１３２の接合面の概略拡大図である。図３を参照するに、保持部材１２０に対して伸縮部材１３２が上下方向に複数個接続されており、光学素子１１０の厚み方向においても局所的に応力を発生させることができる。なお、本実施形態では、伸縮部材１３２としてピエゾ素子を使用しているが、ピエゾ素子以外のものでも物理的に保持部材１２０を介して光学素子１１０を周辺から押圧したり、引いたりすることができるもの（即ち、長さが伸縮可能なもの）であればよい。
【００２１】
また、圧力制御部１３０は、回転制御手段１６０を有する。従って、回転制御手段１６０により、光学素子１１０に対して圧力制御部１３０を回転調整することができる。また、光学素子１１０を鏡筒に対して光軸まわりに回転制御することにより各光学素子の相対配置を回転調整することができる。
【００２２】
保持部１４０は、例えば、３点において光学素子１１０を支持し、圧力制御部１３０を載置する。保持部１４０は、光軸を中心とするリング状部材であり、例えば、実質的に光学素子１１０の線膨張率と等しい線膨張率を有する材料から構成される。
【００２３】
また、光学素子１１０の複屈折は投影光学系の収差となって現れるから、公知の収差測定手段により非点収差を測定し、この非点収差が許容範囲内になるように圧力制御部１３０により光学素子１１０に応力分布を与えるといった形態をとることもできる。つまり、保持装置１００は、圧力制御部１３０により、制御位置、制御方向及び制御量を各々独立に制御することで、光学素子１１０に対して応力を発生させる位置及び応力量を制御し、光学素子１１０の応力分布を制御する。また、圧力制御部１３０は、回転制御手段１６０を有し、かかる回転制御手段１６０により、光学素子１１０に対して圧力制御部１３０を回転調整することができる。また、回転制御手段１６０により、鏡筒に対して光学素子１１０の相対配置を回転調整することができる。このように、光学素子１１０の局所的な複屈折量と進相軸方向を制御することで光学素子１１０の有する真性複屈折を含めた複屈折特性（量）を制御することができ、複屈折の影響を低減して所望の結像性能をもたらすことができる。
【００２４】
以下、図４を参照して、本発明の保持装置１００を適用した例示的な投影光学系２３０及び投影光学系２３０を有する露光装置２００について説明する。ここで、図４は、本発明の例示的な露光装置２００を示す概略ブロック断面図である。露光装置２００は、図４に示すように、回路パターンが形成されたマスク２２０を照明する照明装置２１０と、照明されたマスクパターンから生じる回折光をプレート２４０に投影する投影光学系２３０と、プレート２４０を支持するステージ２４５とを有する。
【００２５】
露光装置２００は、例えば、ステップアンドスキャン方式やステップアンドリピート方式でマスク２２０に形成された回路パターンをプレート２４０に露光する投影露光装置である。かかる露光装置は、サブミクロンやクオーターミクロン以下のリソグラフィー工程に好適であり、以下、本実施形態ではステップアンドスキャン方式（「スキャナー」とも呼ばれる。）を例に説明する。ここで、「ステップアンドスキャン方式」は、マスクに対してウェハを連続的にスキャン（走査）してマスクパターンをウェハに露光すると共に、１ショットの露光終了後ウェハをステップ移動して、次の露光領域に移動する露光方法である。「ステップアンドリピート方式」は、ウェハの一括露光ごとにウェハをステップ移動して次のショットの露光領域に移動する露光方法である。
【００２６】
照明装置２１０は、転写用の回路パターンが形成されたマスク２２０を照明し、光源部２１２と、照明光学系２１４とを有する。
【００２７】
光源部２１２は、例えば、光源としては、波長約１９３ｎｍのＡｒＦエキシマレーザー、波長約２４８ｎｍのＫｒＦエキシマレーザー、波長約１５７ｎｍのＦ２エキシマレーザーなどを使用することができるが、光源の種類はエキシマレーザーに限定されず、例えば、ＹＡＧレーザーを使用してもよいし、その光源の個数も限定されない。また、ＥＵＶ光源等を用いても良い。例えば、独立に動作する２個の固体レーザーを使用すれば固体レーザー間相互のコヒーレンスはなく、コヒーレンスに起因するスペックルはかなり低減する。さらにスペックルを低減するために光学系を直線的又は回転的に揺動させてもよい。また、光源部２１２にレーザーが使用される場合、レーザー光源からの平行光束を所望のビーム形状に整形する光束整形光学系、コヒーレントなレーザー光束をインコヒーレント化するインコヒーレント化光学系を使用することが好ましい。また、光源部２１２に使用可能な光源はレーザーに限定されるものではなく、一又は複数の水銀ランプやキセノンランプなどのランプも使用可能である。
【００２８】
照明光学系２１４は、マスク２２０を照明する光学系であり、レンズ、ミラー、ライトインテグレーター、絞り等を含む。例えば、コンデンサーレンズ、ハエの目レンズ、開口絞り、コンデンサーレンズ、スリット、結像光学系の順で整列する等である。照明光学系２１４は、軸上光、軸外光を問わずに使用することができる。ライトインテグレーターは、ハエの目レンズや２組のシリンドリカルレンズアレイ（又はレンチキュラーレンズ）板を重ねることによって構成されるインテグレーター等を含むが、光学ロッドや回折素子に置換される場合もある。かかる照明光学系２１４のレンズなどの光学素子の保持に本発明の光学素子保持装置１００を使用することができる。
【００２９】
マスク２２０は、例えば、石英製で、その上には転写されるべき回路パターン（又は像）が形成され、図示しないマスクステージに支持及び駆動される。マスク２２０から発せられた回折光は、投影光学系２３０を通りプレート２４０上に投影される。マスク２２０とプレート２４０は、光学的に共役の関係にある。本実施形態の露光装置２００はスキャナーであるため、マスク２２０とプレート２４０を縮小倍率比の速度比でスキャンすることによりマスク２２０のパターンをプレート２４０上に転写する。なお、ステップアンドリピート方式の露光装置（「ステッパー」とも呼ばれる。）の場合は、マスク２２０とプレート２４０を静止させた状態で露光が行われる。
【００３０】
投影光学系２３０は、複数のレンズ素子のみからなる光学系、複数のレンズ素子と少なくとも一枚の凹面鏡とを有する光学系（カタディオプトリック光学系）、複数のレンズ素子と少なくとも一枚のキノフォームなどの回折光学素子とを有する光学系、全ミラー型の光学系等を使用することができる。色収差の補正が必要な場合には、互いに分散値（アッベ値）の異なるガラス材からなる複数のレンズ素子を使用したり、回折光学素子をレンズ素子と逆方向の分散が生じるように構成したりする。
【００３１】
かかる投影光学系２３０のレンズなどの光学素子１１０の保持に本発明の保持装置１００を使用することができる。保持装置１００は、図５に示すように、投影光学系２３０の鏡筒２３２に連結されている。図５は、図４に示す露光装置１００の投影光学系２３０の鏡筒２３２内部を示す概略断面図である。なお、保持装置１００は、半径方向の変形を吸収することができる図示しないバネ部材によって投影光学系２３０の鏡筒２３２に連結することで、装置輸送時などの温度環境変動時に、線膨張率の違いから生じる鏡筒２３２と保持装置１００の相対変位により、保持装置１００が鏡筒２３２に対して偏芯するのを防止することができる。
【００３２】
なお、保持装置１００は、上述した構成であり、ここでの詳細な説明は省略する。従って、投影光学系２３０は、結像性能の劣化となる光学素子１１０の有する複屈折の影響を低減して所望の結像性能をもたらすことができる。
【００３３】
プレート２４０は、ウェハや液晶基板などの被処理体でありフォトレジストが塗布されている。
【００３４】
ステージ２４５は、プレート２４０を支持する。ステージ２４５は、当業界で周知のいかなる構成をも適用することができるので、ここでは詳しい構造及び動作の説明は省略する。例えば、ステージ２４５は、リニアモーターを利用してＸＹ方向にプレートを移動することができる。マスク２２０とプレート２４０は、例えば、同期走査され、ステージ２４５と図示しないマスクステージの位置は、例えば、レーザー干渉計などにより監視され、両者は一定の速度比率で駆動される。ステージ２４５は、例えば、ダンパを介して床等の上に支持されるステージ定盤上に設けられ、マスクステージ及び投影光学系２３０は、例えば、床等に載置されたベースフレーム上にダンパ等を介して支持される図示しない鏡筒定盤上に設けられる。
【００３５】
露光において、光源部２１２から発せられた光束は、照明光学系２１４によりマスク２２０を、例えば、ケーラー照明する。マスク２２０を通過してマスクパターンを反映する光は、投影光学系２３０によりプレート２４０に結像される。露光装置２００が使用する投影光学系２３０（及び／又は照明光学系２１４）は、本発明の保持装置１００で保持された光学素子を含んで、光学素子１１０の有する複屈折の影響を抑えることができるので、高いスループットで経済性よく従来よりも高品位なデバイス（半導体素子、ＬＣＤ素子、撮像素子（ＣＣＤなど）、薄膜磁気ヘッドなど）を提供することができる。
【００３６】
次に、図６及び図７を参照して、上述の露光装置２００を利用したデバイス製造方法の実施例を説明する。図６は、デバイス（ＩＣやＬＳＩなどの半導体チップ、ＬＣＤ、ＣＣＤ等）の製造を説明するためのフローチャートである。ここでは、半導体チップの製造を例に説明する。ステップ１（回路設計）では、デバイスの回路設計を行う。ステップ２（マスク製作）では、設計した回路パターンを形成したマスクを製作する。ステップ３（ウェハ製造）では、シリコンなどの材料を用いてウェハを製造する。ステップ４（ウェハプロセス）は、前工程と呼ばれ、マスクとウェハを用いてリソグラフィー技術によってウェハ上に実際の回路を形成する。ステップ５（組み立て）は、後工程と呼ばれ、ステップ４によって作成されたウェハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封入）等の工程を含む。ステップ６（検査）では、ステップ５で作成された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テストなどの検査を行う。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、それが出荷される。
【００３７】
図７は、ステップ４のウェハプロセスの詳細なフローチャートである。ステップ１１（酸化）では、ウェハの表面を酸化させる。ステップ１２（ＣＶＤ）では、ウェハの表面に絶縁膜を形成する。ステップ１３（電極形成）では、ウェハ上に電極を蒸着などによって形成する。ステップ１４（イオン打ち込み）では、ウェハにイオンを打ち込む。ステップ１５（レジスト処理）では、ウェハに感光剤を塗布する。ステップ１６（露光）では、露光装置２００によってマスクの回路パターンをウェハに露光する。ステップ１７（現像）では、露光したウェハを現像する。ステップ１８（エッチング）では、現像したレジスト像以外の部分を削り取る。ステップ１９（レジスト剥離）では、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。これらのステップを繰り返し行うことによってウェハ上に多重に回路パターンが形成される。本実施例のデバイス製造方法によれば、従来よりも高品位のデバイスを製造することができる。このように、かかる露光装置２００を使用するデバイス製造方法、並びに結果物としてのデバイスも本発明の一側面として機能するものである。
【００３８】
以上、本発明の好ましい実施例を説明したが、本発明はこれらに限定されずその要旨の範囲内で様々な変形や変更が可能である。例えば、本発明の保持装置は、レンズやミラーやフィルター等の様々な光学部材を保持するために用いることができる。さらに、本発明の保持装置をマスクやウェハを支持するために用いても良い。
【００３９】
本発明は、更に以下の事項を開示する。
【００４０】
〔実施態様１〕  光学素子を保持するための保持装置であって、
前記光学素子の一又は複数箇所に局所的に応力を発生させ得る圧力制御手段を有することを特徴とする保持装置。
【００４１】
〔実施態様２〕  前記光学素子に対して前記光学素子の光軸まわりに前記圧力制御手段を回転させる回転手段を更に有することを特徴とする実施態様１記載の保持装置。
【００４２】
〔実施態様３〕  前記圧力制御手段は、前記光学素子の単体における応力分布情報を有し、当該応力分布情報を基に、前記光学素子を所望の応力分布に制御することを特徴とする実施態様１記載の保持装置。
【００４３】
〔実施態様４〕  前記圧力制御手段は、前記光学素子と接続し、当該光学素子を押圧する伸縮部材と、
前記伸縮部材が前記光学素子を押圧する圧力量を制御する圧力量制御手段とを有することを特徴とする実施態様１記載の保持装置。
【００４４】
〔実施態様５〕  前記圧力制御手段は、応力を発生させる位置及び応力量を制御することを特徴とする実施態様１記載の保持装置。
【００４５】
〔実施態様６〕  前記圧力制御手段は、前記光学素子の結晶軸方位の対称性に基づいて、前記応力を発生させる位置を制御することを特徴とする実施態様５記載の保持装置。
【００４６】
〔実施態様７〕  前記回転手段は、前記光学素子に対して光軸まわりに前記圧力制御手段の回転量を制御することを特徴とする実施態様２記載の保持装置。
【００４７】
〔実施態様８〕  前記回転手段は、前記光学素子を前記光軸まわりに回転制御できることを特徴とする実施態様２記載の保持装置。
【００４８】
〔実施態様９〕  前記光学素子は、フッ化カルシウムであることを特徴とする実施態様１記載の保持装置。
【００４９】
〔実施態様１０〕  前記光学素子は、レンズであることを特徴とする実施態様１記載の保持装置。
【００５０】
〔実施態様１１〕  一又は複数個の光学素子で構成される光学系の複屈折を低減させる方法であって、
前記光学素子の少なくとも一つの素子の真性複屈折を含めた複屈折を測定するステップと、
前記測定ステップで測定した前記光学素子の前記複屈折を打ち消すように、前記光学素子に発生させる応力の位置及び応力量を制御するステップとを有することを特徴とする方法。
【００５１】
〔実施態様１２〕  前記測定ステップで測定した前記光学素子の前記複屈折を打ち消すように、前記光学素子を他の光学素子に対して相対的に回転させることを特徴とする実施態様１１記載の方法。
【００５２】
〔実施態様１３〕  実施態様１乃至１０のうちいずれか一項記載の保持装置を有し、当該保持装置に保持された光学素子を介して物体面上のパターンを像面上に結像することを特徴とする光学系。
【００５３】
〔実施態様１４〕  光源からの光を、実施態様１３記載の光学系を介して被処理体に導いて当該被処理体を露光することを特徴とする露光装置。
【００５４】
〔実施態様１５〕  前記光源は、紫外線パルスレーザーであることを特徴とする実施態様１４記載の露光装置。
【００５５】
〔実施態様１６〕  前記光源は、エキシマレーザーであることを特徴とする実施態様１４記載の露光装置。
【００５６】
〔実施態様１７〕  実施態様１４乃至１６のうちいずれか一項記載の露光装置を用いて被処理体を露光するステップと、
露光された前記被処理体に所定のプロセスを行うステップとを有することを特徴とするデバイス製造方法。
【００５７】
【発明の効果】
本発明の保持装置によれば、投影光学系の光学素子の有する真性複屈折及び応力複屈折を良好に補正し、複屈折の影響を低減して所望の結像性能をもたらすことができる。よって、かかる保持装置を有する光学系及び露光装置は、高品位なデバイスを露光性能良く提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】露光装置の投影光学系に適用される本発明の保持装置を示す概略平面図である。
【図２】図１に示す保持装置のＡ−Ａ´断面図である。
【図３】図１に示す保持部材と伸縮部材の接合面の概略拡大図である。
【図４】本発明の例示的な露光装置を示す概略ブロック図である。
【図５】図４に示す露光装置の投影光学系の鏡筒内部を示す概略断面図である。
【図６】デバイス（ＩＣやＬＳＩなどの半導体チップ、ＬＣＤ、ＣＣＤ等）の製造を説明するためのフローチャートである。
【図７】図６に示すステップ４のウェハプロセスの詳細なフローチャートである。
【図８】フッ化カルシウム結晶の結晶軸を説明するための図である。
【図９】フッ化カルシウム結晶における真性複屈折量の分布を示す図である。
【図１０】フッ化カルシウム結晶における真性複屈折進相軸の分布を示す図である。
【符号の説明】
１００              保持装置
１１０              光学素子
１２０              保持部材
１３２              伸縮部材
１３４              接続部材
１３０              圧力制御部
１４０              保持部
１５０              圧力量制御手段
１６０              回転制御手段
１７０              応力分布測定手段
２００              露光装置
２１０              照明装置
２１２              光源
２１４              照明光学系
２２０              マスク
２３０              投影光学系
２３２              鏡筒
２４０              プレート
２４５              プレートステージ
【図１】
2004214454.tif 000004
【図２】
2004214454.tif 000005
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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