(57)【要約】【課題】イオン化ポテンシャルが低く、正孔輸送性に優れた新規化合物と、このような化合物を用いた電荷輸送材料及び有機電界発光素子を提供する。【解決手段】下記一般式（Ｉ）で表される２，６−アリールアミノアントラセン系化合物。このアントラセン系化合物を含む電荷輸送材料。基板上に、一対の電極と、両極間に設けられた有機発光層とを有する有機電界発光素子において、有機発光層として、および／または該有機発光層と電極との間に設ける層として、このアントラセン系化合物を含む層を有する有機電界発光素子。【化２２】2004091334.tif 000034【選択図】　なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式（Ｉ）で表される２，６−アリールアミノアントラセン系化合物。
【化１】
2004091334.tif 000032
（上記一般式（Ｉ）中、Ｒ１〜Ｒ６は各々独立に、アルキル基、芳香族炭化水素基または芳香族複素環基を表し、これらはいずれも置換基を有していても良い。また、Ｒ１ないしＲ６は、隣接する基同士で結合して、或いは上記一般式（Ｉ）におけるベンゼン環またはアントラセン環を構成する炭素原子と結合して環を形成していても良い。
さらに、上記一般式（Ｉ）におけるベンゼン環およびアントラセン環は、式中に明記されたアミノ基以外に置換基を有していても良い。）
【請求項２】
下記一般式（ＩＩ）で表される、請求項１に記載の２，６−アリールアミノアントラセン系化合物。
【化２】
2004091334.tif 000033
（上記一般式（ＩＩ）中、Ｒ１〜Ｒ６は一般式（Ｉ）におけると同義である。Ｒ７およびＲ８は各々独立に、アルキル基、芳香族炭化水素基または芳香族複素環基を表し、これらはいずれも置換基を有していても良い。また、上記一般式（ＩＩ）におけるベンゼン環およびアントラセン環は、式中に明記されたアミノ基、Ｒ７およびＲ８以外に置換基を有していても良い。）
【請求項３】
前記一般式（ＩＩ）において、ベンゼン環およびアントラセン環が式（ＩＩ）中に明記されたアミノ基、Ｒ７およびＲ８以外に有しうる置換基が、ハロゲン原子、置換基を有していても良いアルキル基、置換基を有していても良いアルコキシ基、置換基を有していても良い芳香族炭化水素基、置換基を有していても良い芳香族複素環基、および置換基を有していても良いアリールオキシ基から選ばれる基であるか、あるいは一般式（ＩＩ）におけるベンゼン環またはアントラセン環に縮合する環を形成している、請求項２に記載の２，６−アリールアミノアントラセン系化合物。
【請求項４】
前記一般式（ＩＩ）において、Ｒ７およびＲ８が、置換基を有していても良いフェニル基である、請求項２又は３に記載の２，６−アリールアミノアントラセン系化合物。
【請求項５】
イオン化ポテンシャルが５．３ｅＶ以下である、請求項１ないし４のいずれか１項に記載の２，６−アリールアミノアントラセン系化合物。
【請求項６】
請求項１ないし５のいずれか１項に記載の２，６−アリールアミノアントラセン系化合物を含む電荷輸送材料。
【請求項７】
基板上に、一対の電極と、両極間に設けられた有機発光層とを有する有機電界発光素子において、該有機発光層として、及び／または該有機発光層と電極との間に設ける層として、請求項１ないし５のいずれか１項に記載の２，６−アリールアミノアントラセン系化合物を含む層を有することを特徴とする有機電界発光素子。
【請求項８】
請求項１ないし５のいずれか１項に記載の２，６−アリールアミノアントラセン系化合物を含む層を、陽極と有機発光層との間に有する、請求項７に記載の有機電界発光素子。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、有機電界発光素子の正孔輸送材料やホスト材料、有機感光体（ＯＰＣ）等における電荷輸送材料としての用途が期待される新規２，６−アリールアミノアントラセン系化合物と、この２，６−アリールアミノアントラセン系化合物よりなる電荷輸送材料及びこの２，６−アリールアミノアントラセン系化合物を用いた有機電界発光素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】
一般に、有機物を用いた電界発光素子において、その最も簡単な構造としては発光層及び該層を挟んだ一対の対向電極からなる構成が挙げられる。これは、両電極間に電界が印加されると、陰極側から電子が注入され、陽極から正孔が注入され、これらが発光層において再結合してエネルギー準位が伝導帯から価電子帯に戻る際にエネルギーとして光を放出する現象を利用する。
【０００３】
有機電界発光素子をフラットパネル・ディスプレイ等の表示素子に応用するためには、素子の信頼性を十分に確保する必要がある。
【０００４】
素子の劣化の原因としては、各層に含まれる化合物の高い対称性および低いガラス転移温度のために、温度上昇により結晶化したり、発光層とこれに隣接する電荷輸送性の層との間で相互拡散現象を起こしたりすることが挙げられる。例えば、正孔輸送層と発光層の２層型素子構造においては、該２層間で相互拡散現象を起こす場合がある。
【０００５】
さらに、例えば正孔輸送層を構成する化合物の正孔輸送能が不十分な場合、該化合物を用いた有機電界発光素子は、駆動させた際に電荷の注入バランスが崩れて正孔空間電荷が形成されるため、発光層への電子注入量が増大して、発光材料の還元劣化を引き起こす。その結果、素子の発光特性、特に駆動電圧が高くなる劣化現象が現れ、最終的には駆動寿命の低下につながる。
【０００６】
このような問題を解決するため、高い正孔輸送能（正孔輸送性）や、高いガラス転移温度を有する正孔輸送材料が求められてきた。
【０００７】
従来、有機電界発光素子における発光層または正孔輸送層材料として、特開２００１−１３１５４１号公報には、下記例示化合物（Ｐ−１）が記載されている。
【０００８】
【化３】
2004091334.tif 000002
【０００９】
しかし、この化合物（Ｐ−１）は、アリールアミンユニットが少なく、正孔輸送性が低いため、これを用いた有機電界発光素子は、素子中に電流が流れにくく、発光輝度や発光効率が不十分になる畏れがある。
【００１０】
また、特開平１０−３０２９６０号公報には、有機電界発光素子用材料として下記化合物（Ｐ−２）などが記載されている。
【００１１】
【化４】
2004091334.tif 000003
【００１２】
この化合物（Ｐ−２）は、１分子中のアリールアミンユニットの数は多いが、化合物中央部のアリールアミンユニットを、トリフェニルメタンユニットが囲い込む形になっているため、アリールアミンユニットによる正孔輸送性が充分に発揮できないことが考えられる。また、分子量が非常に大きいため、蒸着による薄膜形成は困難であると予想される。
【００１３】
その他、特開平１０−７２５８０号公報には下記化合物（Ｐ−３）が、特開平７−１０９４４９号公報には下記化合物（Ｐ−４）が記載されている。
【００１４】
【化５】
2004091334.tif 000004
【００１５】
しかし、上記化合物（Ｐ−３）はアリールアミンユニットがアントラセンの９，１０−位に置換しており、分子全体の共役を妨げている。このため、低いイオン化ポテンシャルを得ることが難しく、正孔輸送性材料の分子設計としては好ましくない。
【００１６】
また、化合物（Ｐ−４）は前述の化合物（Ｐ−１）と同様、分子中に含まれるアリールアミンユニットが少ないため、正孔輸送性は充分でないと考えられる。
【００１７】
なお、化合物（Ｐ−２）および（Ｐ−３）は、いずれもアリールアミノ基で置換されたアリールアミノ基を有するが、分子設計、具体的には置換位置等が適切ではないため、十分な正孔輸送性を有するとは言えず、更なる正孔輸送性の向上が求められている。
【００１８】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上記従来の問題点を解決し、イオン化ポテンシャルが低く、正孔輸送性に優れた新規化合物と、このような化合物を用いた電荷輸送材料及び有機電界発光素子を提供することを目的とする。
【００１９】
【課題を解決するための手段】
本発明の２，６−アリールアミノアントラセン系化合物は、下記一般式（Ｉ）で表されるものである。
【００２０】
【化６】
2004091334.tif 000005
【００２１】
（上記一般式（Ｉ）中、Ｒ１〜Ｒ６は各々独立に、アルキル基、芳香族炭化水素基または芳香族複素環基を表し、これらはいずれも置換基を有していても良い。また、Ｒ１ないしＲ６は、隣接する基同士で結合して、或いは上記一般式（Ｉ）におけるベンゼン環またはアントラセン環を構成する炭素原子と結合して環を形成していても良い。
さらに、上記一般式（Ｉ）におけるベンゼン環およびアントラセン環は、式中に明記されたアミノ基以外に置換基を有していても良い。）
【００２２】
すなわち、本発明者らは、正孔輸送性に優れた化合物として、化合物のイオン化ポテンシャルを下げるべく、分子内共役２重結合系を効果的に拡げるのに有効なアリールアミノ基の置換位置について鋭意検討を重ね、アントラセン骨格の２，６−位に、正孔輸送性の高いアリールアミノ基を置換させることにより、分子内共役２重結合系を効果的に拡げることができ、化合物のイオン化ポテンシャルの降下を図り、正孔輸送性を向上させることができることを見出し、本発明に至った。
【００２３】
上記一般式（Ｉ）で表される本発明の２，６−アリールアミノアントラセン系化合物はまた、結晶性が低い点においても好ましい。
【００２４】
すなわち、例えば、特開１０−７２５８０号公報などに記載される、アリールアミノ基が９，１０−位に置換したアントラセン系化合物では、分子の対称性が高すぎるために結晶性が高く、これらの化合物を含む薄膜は結晶化しやすいという問題があるが、上記一般式（Ｉ）で表される本発明のアントラセン系化合物は２，６−位置換体であるため、結晶化の傾向が緩和される。
【００２５】
本発明の２，６−アリールアミノアントラセン系化合物は、結晶性が低く、高いガラス転移温度（Ｔｇ）を有し、かつ電荷輸送性が高いことから、電荷輸送性材料として電子写真感光体、有機電界発光素子、光電変換素子、有機太陽電池、有機整流素子等に好適に使用することができる。
【００２６】
本発明の電荷輸送材料は、このような本発明の２，６−アリールアミノアントラセン系化合物を含むものであり、イオン化ポテンシャルが低く、正孔輸送性に優れる。
【００２７】
また、本発明の有機電界発光素子は、基板上に、一対の電極と、両極間に設けられた有機発光層とを有する有機電界発光素子において、該有機発光層として、および／または該有機発光層と電極との間に設ける層として、本発明の２，６−アリールアミノアントラセン系化合物を含む層を有するものであり、イオン化ポテンシャルが低く、正孔輸送性に優れると共に、低結晶性で、更には高融点、高Ｔｇの２，６−アリールアミノアントラセン系化合物により、発光輝度、発光効率が高く、発光素子特性に優れた有機電界発光素子を実現することができる。
【００２８】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明の実施の形態を詳細に説明する。
【００２９】
まず、本発明の２，６−アリールアミノアントラセン系化合物について説明する。
【００３０】
本発明の２，６−アリールアミノアントラセン系化合物は、前記一般式（Ｉ）で示されるものであって、アミノ基で置換されたアリールアミノ基、すなわち、
【化７】
2004091334.tif 000006
で、母骨格であるアントラセン骨格の２，６−位が置換されていることに特徴がある。
【００３１】
前記一般式（Ｉ）において、Ｒ１ないしＲ６は、各々独立に置換基を有していても良いアルキル基、置換基を有していても良い芳香族炭化水素基または芳香族複素環基を表し、具体的には、例えばメチル基、エチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基等の炭素数１〜６の直鎖または分岐のアルキル基や、フェニル基、ナフチル基、アントリル基、フェナントリル基、ピリジル基、チエニル基、フリル基、カルバゾリル基などの５または６員環の単環または２〜３縮合環からなる基が挙げられる。
【００３２】
前記アルキル基、芳香族炭化水素基または芳香族複素環基が有しうる置換基としては、特に制限はないが、例えば
フッ素原子、塩素原子、臭素原子またはヨウ素原子であるハロゲン原子；
メチル基、エチル基等の炭素数１〜６の直鎖または分岐のアルキル基；
ビニル基、アリル基等の炭素数２〜７の直鎖または分岐のアルケニル基；
メトキシ基、エトキシ基等の炭素数１〜６の直鎖または分岐のアルコキシ基；
メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基等の炭素数２〜７のアルコキシカルボニル基；
フェノキシ基、ナフトキシ基等のアリールオキシ基；
ベンジルオキシ基等のアラルキルオキシ基；
ジエチルアミノ基、ジイソプロピルアミノ基、メチルエチルアミノ基等の、炭素数１〜６の直鎖または分岐のアルキル基を有するジアルキルアミノ基；
ジフェニルアミノ基、フェニルナフチルアミノ基等のジアリールアミノ基；
ジベンジルアミノ基、ジフェネチルアミノ基等のジアラルキルアミノ基；
ベンジル基、フェネチル基等のアラルキル基；
フェニル基、ナフチル基等の芳香族炭化水素基；
チエニル基、フリル基、ピリジル基、キノリル基等の芳香族複素環基；
などが挙げられる。
【００３３】
Ｒ１およびＲ６として特に好ましくは、置換基を有していても良いフェニル基、ナフチル基、フェナントリル基またはメチル基である。ナフチル基としては、β−ナフチル基が特に好ましい。
【００３４】
また、Ｒ１ないしＲ６は、隣接する基同士で結合して、或いは前記一般式（Ｉ）におけるベンゼン環またはアントラセン環を構成する炭素原子と結合して環を形成していても良い。
【００３５】
具体的には、一般式（Ｉ）中の下記構造
【化８】
2004091334.tif 000007
において、
Ｒ１とＲ２、
Ｒ１および／またはＲ２と、−ＮＲ１Ｒ２基が結合しているベンゼン環を構成する炭素原子、
Ｒ３と、−ＮＲ３−が結合しているベンゼン環またはアントラセン環を構成する炭素原子、
が結合して環を形成していても良い。
【００３６】
上記構造において、このような環を形成している例としては、例えば下記のものが挙げられる。
【００３７】
【化９】
2004091334.tif 000008
【００３８】
なお、上記例では記載を省略したが、前記化８にて明記したベンゼン環に相当する部分は、後述する置換基を有していても良い。また、Ｒ１ないしＲ３が形成する環も置換基を有していても良く、該置換基としては、Ｒ１ないしＲ３が有しうる基として前述した基などが挙げられる。
【００３９】
同様に、一般式（Ｉ）中の下記構造
【化１０】
2004091334.tif 000009
におけるＲ４ないしＲ６も、同様の環を形成していても良い。
【００４０】
前記一般式（Ｉ）におけるベンゼン環およびアントラセン環は、式中に明記されたアミノ基、すなわち
【化１１】
2004091334.tif 000010
以外にも置換基を有していても良い。
【００４１】
該置換基は、本発明の化合物の性能を損なわない限り、特に制限はないが、例えばハロゲン原子、置換基を有していても良いアルキル基、置換基を有していても良いアルコキシ基、置換基を有していても良い芳香族炭化水素基、置換基を有していても良い芳香族複素環基、および置換基を有していても良いアリールオキシ基から選ばれるか、あるいは一般式（ＩＩ）におけるベンゼン環またはアントラセン環に縮合する環を形成する。上記各置換基の具体例としては、Ｒ１ないしＲ６におけるアルキル基、芳香族炭化水素基および芳香族複素環基、並びにこれらが有しうる基として前述したもの等が挙げられる。
【００４２】
前記一般式（Ｉ）で表される本発明の２，６−アリールアミノアントラセン系化合物は、特に下記一般式（ＩＩ）で表されることが好ましい。
【００４３】
【化１２】
2004091334.tif 000011
【００４４】
（上記一般式（ＩＩ）中、Ｒ１〜Ｒ６は一般式（Ｉ）におけると同義である。Ｒ７およびＲ８は各々独立に、アルキル基、芳香族炭化水素基または芳香族複素環基を表し、これらはいずれも置換基を有していても良い。また、上記一般式（ＩＩ）におけるベンゼン環およびアントラセン環は、式中に明記されたアミノ基、Ｒ７およびＲ８以外に置換基を有していても良い。）
【００４５】
上記一般式（ＩＩ）におけるＲ７およびＲ８の具体例としては、一般式（Ｉ）におけるＲ１〜Ｒ６に関する説明の項で挙げたものと同様の基が挙げられる。Ｒ７およびＲ８は、置換基を有していても良い芳香族炭化水素基である場合が好ましく、置換基を有していても良いフェニル基である場合がさらに好ましい。
【００４６】
上記一般式（ＩＩ）で表される化合物、特に上記一般式（ＩＩ）において、Ｒ７およびＲ８が芳香族炭化水素基である化合物は、母骨格（９，１０−位に芳香族炭化水素基が結合したアントラセン骨格）が剛直であるため、末端基（２，６−位のアリールアミノ基）が長くなった際に懸念されるガラス転移温度（Ｔｇ）の低下が避けられ、高融点、高Ｔｇ材料となる点においても、好ましい。
【００４７】
また、一般式（ＩＩ）におけるベンゼン環およびアントラセン環は、式中に明記されたアミノ基、Ｒ７およびＲ８以外にも置換基を有していても良い。
【００４８】
該置換基としては、前記一般式（Ｉ）におけるベンゼン環およびアントラセン環が、式中に明記されたアミノ基以外に有していても良い基として挙げたものと同様の基が挙げられる。
【００４９】
本発明の２，６−アリールアミノアントラセン系化合物の代表例として、下記の（Ａ−１）〜（Ａ−７２）の化合物を例示するが、本発明の２，６−アリールアミノアントラセン系化合物は何らこれらに限定されるものではない。
【００５０】
【表１】
2004091334.tif 000012
【００５１】
【表２】
2004091334.tif 000013
【００５２】
【表３】
2004091334.tif 000014
【００５３】
【表４】
2004091334.tif 000015
【００５４】
【表５】
2004091334.tif 000016
【００５５】
【表６】
2004091334.tif 000017
【００５６】
【表７】
2004091334.tif 000018
【００５７】
【表８】
2004091334.tif 000019
【００５８】
【表９】
2004091334.tif 000020
【００５９】
【表１０】
2004091334.tif 000021
【００６０】
【化１３】
2004091334.tif 000022
【００６１】
前記一般式（Ｉ）で表される２，６−アリールアミノアントラセン系化合物は、通常、分子量４５０〜２０００、好ましくは８００〜１５００程度である。
【００６２】
また、本発明の２，６−アリールアミノアントラセン系化合物は、イオン化ポテンシャルの低い化合物を得るのに好適である。該化合物のイオン化ポテンシャルは、好ましくは５．３ｅＶ以下である。また、イオン化ポテンシャルの下限値は、特に制限はないが、４．５ｅＶ程度が好ましい。
【００６３】
本発明の２，６−アリールアミノアントラセン系化合物は、結晶性が低く、高いガラス転移温度（Ｔｇ）を有し、かつ電荷輸送性が高いことから、電荷輸送性材料として電子写真感光体、有機電界発光素子、光電変換素子、有機太陽電池、有機整流素子等に好適に使用することができる。
【００６４】
次に、このような本発明の２，６−アリールアミノアントラセン系化合物を電荷輸送材料として用いる本発明の有機電界発光素子について説明する。
【００６５】
本発明の有機電界発光素子は、陽極および陰極からなる一対の電極と、両極間に設けられた有機発光層とを有し、該有機発光層として、および／または該有機発光層と電極との間に設ける層として、前記一般式（Ｉ）で表される本発明の２，６−アリールアミノアントラセン系化合物を含む層を有するものである。
【００６６】
本発明の２，６−アリールアミノアントラセン系化合物を含む層は、陽極−陰極間のいずれの層であっても良く、例えば後述する発光層にホスト材料またはドーパント材料として使用しても良く、また、電極と発光層との間に設ける電荷輸送性の層として使用しても良い。中でも、陽極と発光層との間に、正孔注入・輸送性の層として設けることが好ましい。
【００６７】
本発明の有機電界発光素子において、同一の層内に２種以上の前記アントラセン系化合物が含有されていても良く、また、２以上の層に前記アントラセン系化合物が含有されている場合、これらの層に含有されるアントラセン系化合物は同一のものであっても異なるものであっても良い。
【００６８】
以下に、図面を参照して、本発明の有機電界発光素子の実施の形態を詳細に説明する。
【００６９】
なお、本発明の有機電界発光素子において、陽極−発光層間の層が、１つの場合にはこれを「正孔輸送層」と称し、２つ以上の場合は陽極に接している層を「陽極バッファ層」、それ以外の層を総称して「正孔輸送層」と称す。
【００７０】
図１〜３は本発明の有機電界発光素子の構造例を模式的に示す断面図であるが、本発明の有機電界発光素子は、何ら図示のものに限定されるものではない。図１〜３において、１は基板、２は陽極、３は陽性バッファ層、４は正孔輸送層、５は発光層、６は電子輸送層、７は陰極を各々表わす。
【００７１】
基板１は、有機電界発光素子の支持体となるものであり、石英板やガラス板、金属板や金属箔、プラスチックフィルムやシートなどが用いられる。特にガラス板や、ポリエステル、ポリメタクリレート、ポリカーボネート、ポリスルホンなどの透明な合成樹脂シートが好ましい。なお、基板に合成樹脂を使用する場合には、ガスバリア性に留意する必要がある。基板のガスバリア性が低いと、基板を通過する外気により有機電界発光素子が劣化することがある。従って、基板に合成樹脂を用いる場合には、基板の片面または両面に緻密なシリコン酸化膜等を設けてガスバリア性を高めることが好ましい。
【００７２】
基板１上には陽極２が設けられる。陽極２は正孔輸送層４への正孔注入の役割を果たすものである。陽極２は、通常、アルミニウム、金、銀、ニッケル、パラジウム、白金等の金属、インジウム及び／またはスズの酸化物などの導電性の金属酸化物、ヨウ化銅などのハロゲン化金属、カーボンブラック、あるいは、ポリ（３−メチルチオフェン）、ポリピロール、ポリアニリン等の導電性高分子などにより形成される。陽極２は、通常、基板１上へのスパッタリング、真空蒸着などにより形成されることが多い。また、銀などの金属微粒子、ヨウ化銅などの微粒子、カーボンブラック、導電性の金属酸化物微粒子、導電性高分子微粉末などで陽極２を形成する場合には、適当なバインダ樹脂溶液中に分散させて、基板１上に塗布する方法により形成することもできる。さらに、導電性高分子で陽極２を形成する場合には、電解重合により基板１上に直接重合薄膜を形成したり、基板１上に導電性高分子溶液を塗布する方法によることもできる（Ａｐｐｌ．　Ｐｈｙｓ．　Ｌｅｔｔ．，　６０　巻，　２７１１頁，　１９９２年）。陽極２は通常は単層構造であるが、所望により複数の材料の積層構造とすることも可能である。
【００７３】
陽極２は、不透明であっても良いが、透明であることが好ましい。通常は、可視光の透過率が６０％以上、特に８０％以上であることが好ましい。この透明性を確保するため、陽極２の厚みの上限は通常１０００ｎｍ好ましくは５００ｎｍであり、下限は通常５ｎｍ好ましくは１０ｎｍである。不透明で良い場合は陽極２の厚さは任意であり、所望により金属で形成して基板１を兼ねても良い。
【００７４】
図１に示す構成の素子の場合、陽極２の上には正孔輸送層４が設けられる。正孔輸送層４の材料に要求される条件としては、陽極２からの正孔注入効率が高く、かつ注入された正孔を効率良く輸送することができる材料であることが必要である。そのためにはイオン化ポテンシャルが小さく、可視光の光に対して透明性が高く、しかも正孔移動度が大きく、さらに安定性に優れ、トラップとなる不純物が製造時や使用時に発生しにくいことが要求される。上記の一般的要求以外に、用途によっては素子はさらに１００℃以上の耐熱性が要求される。従って、ガラス転移温度（Ｔｇ）として１００℃以上の値を有する材料が好ましい。
【００７５】
本発明の有機電界発光素子は、好ましくはこの正孔輸送材料として前記一般式（Ｉ）で表される化合物からなる群から選ばれた１つ、または２つ以上のアントラセン系化合物を含有する。
【００７６】
なお正孔輸送層４は、本発明の目的を損なわない限り、前記一般式（Ｉ）で表されるアントラセン系化合物に加えて、公知の正孔輸送性材料を含有していても良い。
【００７７】
公知の正孔輸送性材料としては、例えば、１，１−ビス（４−ジ−ｐ−　トリルアミノフェニル）シクロヘキサン等の３級芳香族アミンユニットを連結した芳香族ジアミン化合物（特開昭５９−１９４３９３号公報）、４，４’−　ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−　フェニルアミノ］ビフェニルで代表される２個以上の３級アミンを含み２個以上の縮合芳香族環が窒素原子に置換した芳香族アミン（特開平５−２３４６８１号公報）、トリフェニルベンゼンの誘導体でスターバースト構造を有する芳香族トリアミン（米国特許第４，９２３，７７４　号）、Ｎ，Ｎ’−　ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）ビフェニル−４，４’−ジアミン等の芳香族ジアミン（米国特許第４，７６４，６２５　号）、α，　α，　α’，α’−テトラメチル−　α，　α’−ビス（４−ジ−ｐ−　トリルアミノフェニル）−ｐ−　キシレン（特開平３−２６９０８４号公報）、分子全体として立体的に非対称なトリフェニルアミン誘導体（特開平４−１２９２７１号公報）、ピレニル基に芳香族ジアミノ基が複数個置換した化合物（特開平４−１７５３９５号公報）、エチレン基で３級芳香族アミンユニットを連結した芳香族ジアミン（特開平４−２６４１８９号公報）、スチリル構造を有する芳香族ジアミン（特開平４−２９０８５１号公報）、チオフェン基で芳香族３級アミンユニットを連結したもの（特開平４−３０４４６６号公報）、スターバースト型芳香族トリアミン（特開平４−３０８６８８号公報）、ベンジルフェニル化合物（特開平４−３６４１５３号公報）、フルオレン基で３級アミンを連結したもの（特開平５−２５４７３　号公報）、トリアミン化合物（特開平５−２３９４５５号公報）、ビスジピリジルアミノビフェニル（特開平５−３２０６３４号公報）、Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリフェニルアミン誘導体（特開平６−１９７２号公報）、フェノキサジン構造を有する芳香族ジアミン（特開平７−１３８５６２号公報）、ジアミノフェニルフェナントリジン誘導体（特開平７−２５２４７４号公報）、ヒドラゾン化合物（特開平２−３１１５９１号公報）、シラザン化合物（米国特許第４，９５０，９５０　号公報）、シラナミン誘導体（特開平６−４９０７９　号公報）、ホスファミン誘導体（特開平６−２５６５９　号公報）、キナクリドン化合物等が挙げられる。これらの化合物は、単独で用いても良いし、必要に応じて、各々、混合して用いても良い。
【００７８】
上記の化合物以外に、正孔輸送層４の材料として、ポリビニルカルバゾールやポリシラン（Ａｐｐｌ．　Ｐｈｙｓ．　Ｌｅｔｔ．　，５９巻，２７６０頁，１９９１年）、ポリフォスファゼン（特開平５−３１０９４９号公報）、ポリアミド（特開平５−３１０９４９号公報）、ポリビニルトリフェニルアミン（特開平７−５３９５３　号公報）、トリフェニルアミン骨格を有する高分子（特開平４−１３３０６５号公報）、トリフェニルアミン単位をメチレン基等で連結した高分子（Ｓｙｎｔｈｅｔｉｃ　Ｍｅｔａｌｓ，５５−５７　巻，４１６３頁，１９９３年）、芳香族アミンを含有するポリメタクリレート（Ｊ．　Ｐｏｌｙｍ．　Ｓｃｉ．，　Ｐｏｌｙｍ．　Ｃｈｅｍ．Ｅｄ．　，２１巻，９６９　頁，１９８３年）等の高分子材料を併用しても良い。
【００７９】
前記一般式（Ｉ）で表されるアントラセン系化合物を含む正孔輸送層４は、塗布法あるいは真空蒸着法により、前記陽極２上に形成される。
【００８０】
塗布法による場合には、正孔輸送材料の１種または２種以上と、必要により正孔のトラップにならないバインダ樹脂や塗布性改良剤などの添加剤とを添加して調製した塗布溶液を、スピンコート法など公知の塗布方法により陽極２上に塗布し、乾燥して正孔輸送層４を形成する。バインダ樹脂としては、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエステル等が用いられる。正孔輸送層４に占めるバインダ樹脂量が多いと正孔移動度が低下するので、バインダ樹脂は正孔輸送層４中の含有量が５０重量％以下となるように用いるのが好ましく、３０重量％以下であるのがより好ましい。
【００８１】
真空蒸着法による場合には正孔輸送性材料をルツボに入れ、真空容器内に設置し、陽極２をルツボに対向させて配置する。真空容器内を真空ポンプで１０−４Ｐａ程度にまで排気した後、ルツボを加熱して正孔輸送性材料を蒸発させ、発生した蒸気を陽極２上に蒸着させる。
【００８２】
本発明のアントラセン系化合物と公知の正孔輸送性材料とを併用する場合、本発明のアントラセン系化合物による効果を十分に発揮させるために、正孔輸送材料の総量中の前記アントラセン系化合物の含有量は、５０重量％以上、特に８０重量％以上であることが好ましい。
【００８３】
本発明のアントラセン系化合物を含む正孔輸送層４の膜厚の上限は通常３００ｎｍ好ましくは１００ｎｍであり、下限は通常５ｎｍ好ましくは１０ｎｍである。このように薄い正孔輸送層４は、薄い膜を一様に形成することが容易な真空蒸着法により形成することが好ましい。
【００８４】
図１に示す層構成の素子において、正孔輸送層４の上には発光層５が設けられる。発光層５は、電界を与えられた電極間において陰極７から注入された電子と陽極２から注入された正孔を効率良く再結合し、かつ再結合により効率良く発光する材料より形成される。
【００８５】
このような条件を満たす材料としては、テトラフェニルブタジエンなどの芳香族化合物（特開昭５７−５１７８１　号公報）、８−ヒドロキシキノリンのアルミニウム錯体などの金属錯体（特開昭５９−１９４３９３号公報）、１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリンの金属錯体（特開平６−３２２３６２号公報）、混合配位子アルミニウムキレート錯体（特開平５−１９８３７７号公報、特開平５−１９８３７８号公報、特開平５−２１４３３２号公報、特開平６−１７２７５１号公報）、シクロペンタジエン誘導体（特開平２−２８９６７５号公報）、ペリノン誘導体（特開平２−２８９６７６号公報）、オキサジアゾール誘導体（特開平２−２１６７９１号公報）、ビススチリルベンゼン誘導体（特開平１−２４５０８７号公報、同２−２２２４８４号公報）、ペリレン誘導体（特開平２−１８９８９０号公報、同３−　７９１号公報）、クマリン化合物（特開平２−１９１６９４号公報、同３−　７９２号公報）、希土類錯体（特開平１−２５６５８４号公報）、ジスチリルピラジン誘導体（特開平２−２５２７９３号公報）、ｐ−フェニレン化合物（特開平３−　３３１８３号公報）、チアジアゾロピリジン誘導体（特開平３−　３７２９２号公報）、ピロロピリジン誘導体（特開平３−　３７２９３号公報）、ナフチリジン誘導体（特開平３−２０３９８２号公報）、シロール誘導体（日本化学会第７０春季年会，２Ｄ１　０２及び２Ｄ１　０３
，　１９９６　年）などが挙げられる。
【００８６】
素子の駆動寿命の改善などの目的で、上記発光層材料をホスト材料として、発光色素をドープすることは有効である。例えば、８−ヒドロキシキノリンのアルミ素子の駆動ニウム錯体などの金属錯体をホスト材料として、ルブレンに代表されるナフタセン誘導体（特開平４−３３５０８７号公報）、キナクリドン誘導体（特開平５−　７０７７３号公報）、ペリレン等の縮合多環芳香族環（特開平５−１９８３７７号公報）などを、ホスト材料に対して　０．１〜１０重量％ドープすることにより、素子の発光特性、特に駆動安定性を大きく向上させることができる。
【００８７】
前述したように、本発明の２，６−アリールアミノアントラセン系化合物は、この発光層に使用しても良い。その場合、前記したようなホスト材料にドープさせて使用しても良く、また本発明の２，６−アリールアミノアントラセン系化合物をホスト材料とし、前述したような発光色素（蛍光色素や燐光色素）をドープして使用しても良い。
【００８８】
発光層５も正孔輸送層４と同様の方法で形成することができるが、通常は真空蒸着法が用いられる。発光層５のホスト材料に発光色素をドープする方法としては、共蒸着による方法や蒸着源を予め所定の濃度で混合しておく方法がある。
【００８９】
上記各ドーパントが発光層５中にドープされる場合、通常は発光層５の膜厚方向において均一にドープされるが、膜厚方向において濃度分布があっても構わない。例えば、正孔輸送層４側の界面近傍にのみドープしたり、逆に、陰極７側の界面近傍のみにドープしても良い。
【００９０】
発光層５の膜厚の上限は通常２００ｎｍ好ましくは１００ｎｍであり、下限は通常１０ｎｍ好ましくは３０ｎｍである。
【００９１】
図１の素子において、発光層５の上に設けられる陰極７は、発光層５に電子を注入する役割を果たす。陰極７として用いられる材料は、前記陽極２に使用される材料と同様の材料を用いることが可能であるが、効率良く電子注入を行なうには、仕事関数の低い金属が好ましく、スズ、マグネシウム、インジウム、カルシウム、アルミニウム、銀等の適当な金属またはそれらの合金が用いられる。具体例としては、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、アルミニウム−リチウム合金等の低仕事関数合金電極が挙げられる。
【００９２】
陰極７の膜厚は通常、陽極２と同様である。
【００９３】
低仕事関数金属から成る陰極７を保護する目的で、この上にさらに、仕事関数が高く大気に対して安定な金属層を積層することにより、素子の安定性が増すため好ましい。この安定な金属層としてはアルミニウム、銀、ニッケル、クロム、金、白金等の金属が使用される。
【００９４】
さらに、陰極７と発光層５または後述する図３の電子輸送層６との界面にＬｉＦ、Ｌｉ２Ｏ等の極薄膜（０．１〜５ｎｍ）を挿入することも、素子の効率を向上させる有効な方法であり、好ましい（Ａｐｐｌ．　Ｐｈｙｓ．　Ｌｅｔｔ．，　７０巻，１５２頁，１９９７年；ＩＥＥＥ　Ｔｒａｎｓ．　Ｅｌｅｃｔｒｏｎ．Ｄｅｖｉｃｅｓ，４４巻，１２４５頁，１９９７年）。
【００９５】
また、陰極７と発光層５または後述する図３の電子輸送層６とのコンタクトを向上させるために、両者の間に有機化合物からなる界面層を設けても良い。この陰極界面層に用いられる化合物としては、芳香族ジアミン化合物（特開平６−２６７６５８号公報）、キナクリドン化合物（特開平６−３３００３１号公報）、ナフタセン誘導体（特開平６−３３００３２号公報）、有機シリコン化合物（特開平６−３２５８７１号公報）、有機リン化合物（特開平５−３２５８７２号公報）、Ｎ−フェニルカルバゾール骨格を有する化合物（特開平８−６０１４４号公報）、Ｎ−ビニルカルバゾール重合体（特開平８−６０１４５号公報）等で構成された層が例示できる。
【００９６】
このような界面層の膜厚の上限は通常１００ｎｍ好ましくは３０ｎｍであり、下限は通常２ｎｍ好ましくは５ｎｍである。
【００９７】
また、界面層を設ける代わりに、発光層５または後述の図３の電子輸送層６の、陰極７側の界面近傍に、上記界面層の材料を５０重量％以上含む領域を設けても良い。
【００９８】
図１の構成の素子では、正孔輸送層４は陽極２から正孔を受け取る（正孔注入）機能と、受け取った正孔を発光層５の方へ運ぶ（正孔輸送）機能を果たしており、発光層５は、陰極８から電子を受け取る（電子注入）機能と、陰極８から受け取った電子を発光層５へ運ぶ（電子輸送）機能、及び発光機能をも果たしている。
【００９９】
しかし、本発明の素子の、更なる発光特性や駆動安定性の向上のために、例えば図３に示す様に、陰極７と発光層５の間に電子輸送層６を設けたり、図２，３に示す様に、陽極２と正孔輸送層４の間に陽極バッファ層３を設けたりして、機能毎に層を分ける構造、すなわち機能分離型の素子にすることも可能である。
【０１００】
図３に示す有機電界発光素子において、電子輸送層６を形成する材料には、陰極７からの電子注入が容易で、電子の輸送能力が大きいことが要求される。この様な電子輸送材料としては、既に発光層５の形成材料として挙げた、８−ヒドロキシキノリンのアルミニウム錯体などの金属錯体（特開昭５９−１９４３９３号公報）、１０−　ヒドロキシベンゾ［ｈ］　キノリンの金属錯体（特開平６−３２２３６２号公報）、混合配位子アルミニウムキレート錯体（特開平５−１９８３７７号公報、特開平５−１９８３７８号公報、特開平５−２１４３３２号公報、特開平６−１７２７５１号公報シクロペンタジエン誘導体（特開平２−２８９６７５号公報）、ペリノン誘導体（特開平２−２８９６７６号公報）、オキサジアゾール誘導体（特開平２−２１６７９１号公報）、ビススチリルベンゼン誘導体（特開平１−２４５０８７号公報、同２−２２２４８４号公報）、ペリレン誘導体（特開平２−１８９８９０号公報、同３―　７９１号公報）、クマリン化合物（特開平２−１９１６９４号公報、同３−　７９２号公報）、希土類錯体（特開平１−２５６５８４号公報）、ジスチリルピラジン誘導体（特開平２−２５２７９３号公報）、ｐ−フェニレン化合物（特開平３−３３１８３号公報）、チアジアゾロピリジン誘導体（特開平３−　３７２９２号公報）、ピロロピリジン誘導体（特開平３−３７２９３号公報）、ナフチリジン誘導体（特開平３−２０３９８２号公報）、シロール誘導体（日本化学会第７０春季年会，２Ｄ１　０２及び２Ｄ１　０３，１９９６年）などが挙げられる。
【０１０１】
電子輸送層６は、正孔輸送層４と同様にして塗布法あるいは真空蒸着法により発光層５上に積層することにより形成される。通常は、真空蒸着法が用いられる。
【０１０２】
電子輸送層６の膜厚の上限は通常２００　ｎｍ好ましくは１００　ｎｍであり、下限は通常５ｎｍ好ましくは１０ｎｍである。
【０１０３】
正孔注入の効率を向上させ、かつ、有機層全体の陽極への付着力を改善させる目的で、図２，３に示す如く、正孔輸送層４と陽極２との間に陽極バッファ層３を挿入することも行われている。
【０１０４】
陽極バッファ層３を挿入することで、初期の素子の駆動電圧が下がると同時に、素子を定電流で連続駆動した時の電圧上昇も抑制される効果がある。陽極バッファ層３に用いられる材料に要求される条件としては、陽極２とのコンタクトがよく均一な薄膜が形成でき、熱的に安定、すなわち、融点およびガラス転移温度が高いことが挙げられ、融点としては　３００℃以上、ガラス転移温度としては　１００℃以上が好ましい。さらに、イオン化ポテンシャルが低く陽極からの正孔注入が容易なこと、正孔移動度が大きいことが挙げられる。
【０１０５】
この目的のために、これまでにポルフィリン誘導体やフタロシアニン化合物（特開昭６３−２９５６９５号公報）、ヒドラゾン化合物、アルコキシ置換の芳香族ジアミン誘導体、ｐ−（９−アントリル）−Ｎ，Ｎ’−ジ−ｐ−トリルアニリン、ポリチエニレンビニレンやポリ−ｐ−フェニレンビニレン、ポリアニリン（Ａｐｐｌ．　Ｐｈｙｓ．　Ｌｅｔｔ．，　６４巻、１２４５頁，１９９４年）、ポリチオフェン（Ｏｐｔｉｃａｌ　Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，　９巻、１２５頁、１９９８年）、スターバスト型芳香族トリアミン（特開平４−３０８６８８号公報）等の有機化合物や、スパッタ・カーボン膜（Ｓｙｎｔｈ．　Ｍｅｔ．，　９１巻、７３頁、１９９７年）や、バナジウム酸化物、ルテニウム酸化物、モリブデン酸化物等の金属酸化物（Ｊ．Ｐｈｙｓ．　Ｄ，　２９巻、２７５０頁、１９９６年）が報告されている。
【０１０６】
また、正孔注入・輸送性の低分子有機化合物と電子受容性化合物を含有する層（特開平１１−２５１０６７号公報、特開２０００−１５９２２１号公報等に記載）や、芳香族アミノ基等を含有する非共役系高分子化合物に、必要に応じて電子受容性化合物をドープしてなる層（特開平１１−１３５２６２号公報、特開平１１−２８３７５０号公報、特開２０００−３６３９０号公報、特開２０００−１５０１６８号公報、特開平２００１−２２３０８４号公報、およびＷＯ９７／３３１９３号公報など）、またはポリチオフェン等の導電性ポリマーを含む層（特開平１０−９２５８４号公報）なども挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【０１０７】
上記陽極バッファ層の材料としては、低分子・高分子いずれの化合物を用いることも可能である。
【０１０８】
低分子化合物のうち、よく使用されるものとしては、ポルフィン化合物またはフタロシアニン化合物が挙げられる。これらの化合物は中心金属を有していても良いし、無金属のものでも良い。これらの化合物の好ましい例としては、以下の化合物が挙げられる：
ポルフィン
５，１０，１５，２０−テトラフェニル−２１Ｈ，２３Ｈ−ポルフィン
５，１０，１５，２０−テトラフェニル−２１Ｈ，２３Ｈ−ポルフィンコバルト（ＩＩ）
５，１０，１５，２０−テトラフェニル−２１Ｈ，２３Ｈ−ポルフィン銅（ＩＩ）
５，１０，１５，２０−テトラフェニル−２１Ｈ，２３Ｈ−ポルフィン亜鉛（ＩＩ）
５，１０，１５，２０−テトラフェニル−２１Ｈ，２３Ｈ−ポルフィンバナジウム（ＩＶ）オキシド
５，１０，１５，２０−テトラ（４−ピリジル）−２１Ｈ，２３Ｈ−ポルフィン
２９Ｈ，３１Ｈ−フタロシアニン
銅（ＩＩ）フタロシアニン
亜鉛（ＩＩ）フタロシアニン
チタンフタロシアニンオキシド
マグネシウムフタロシアニン
鉛フタロシアニン
銅（ＩＩ）４，４’４’’，４’’’−テトラアザ−２９Ｈ，３１Ｈ−フタロシアニン
【０１０９】
なお、本発明の２，６−アリールアミノアントラセン系化合物は、この陽極バッファ層に使用してもよい。該層に使用する場合、比較的イオン化ポテンシャルが低いものが好ましく、具体的には４．９ｅＶ以下程度のものが特に好ましい。
【０１１０】
陽極バッファ層の場合も、低分子化合物を用いる場合は、前述の正孔輸送層と同様にして薄膜形成可能であるが、無機物を用いる場合には、さらに、スパッタ法や電子ビーム蒸着法、プラズマＣＶＤ法が用いられる。
【０１１１】
以上の様にして、低分子化合物を用いて形成される陽極バッファ層３の膜厚の下限は通常３ｎｍ、好ましくは１０ｎｍ程度であり、上限は通常１００ｎｍ、好ましくは５０ｎｍ程度である。
【０１１２】
高分子化合物を用いる場合は、例えば、前記高分子化合物や電子受容性化合物、さらに必要により、正孔のトラップとならない、バインダ樹脂やレベリング剤等の塗布性改良剤などの添加剤を添加し溶解した塗布溶液を調製し、スプレー法、印刷法、スピンコート法、ディップコート法、ダイコート法などの通常のコーティング法や、インクジェット法等により陽極２上に塗布し、乾燥することにより陽極バッファ層３を薄膜形成することができる。
【０１１３】
ここで用いられるバインダ樹脂としては、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエステル等が挙げられる。バインダ樹脂は該層中の含有量が多いと正孔移動度を低下させる虞があるので、少ない方が望ましく、陽極バッファ層３中の含有量で５０重量％以下が好ましい。
【０１１４】
また、フィルム、支持基板、ロール等の媒体に、前述の薄膜形成方法によって予め薄膜を形成しておき、この媒体上の薄膜を、陽極２上に熱転写または圧力転写することにより、薄膜形成することも出来る。
【０１１５】
以上の様にして、高分子化合物を用いて形成される陽極バッファ層３の膜厚は、上記と同様の理由から、膜厚の下限は通常５ｎｍ、好ましくは１０ｎｍ程度であり、上限は通常１０００ｎｍ、好ましくは５００ｎｍ程度である。
【０１１６】
また、図示はしないが、発光層５の陰極側界面に接して正孔阻止層を設けることにより、素子の発光効率をさらに向上させることが可能である。
【０１１７】
正孔阻止層は正孔輸送層から移動してくる正孔が陰極に到達するのを阻止する役割と、電子注入層から注入された電子を効率良く発光層の方向に輸送する役割を果たし、このような機能を有する化合物により形成される。正孔阻止層の材料はまた、発光層で再結合によって生成するエキシトンを発光層内に閉じこめるために、発光層材料よりは広いバンドギャップを有することが必要である。この場合のバンドギャップは、電気化学的に決定される酸化電位−還元電位の差、または、光吸収端から求められる。正孔阻止層は電荷キャリアとエキシトンの両方を発光層内に閉じこめて、発光効率を向上させる機能を有する。
【０１１８】
このような条件を満たす正孔阻止層材料としては、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（フェノラト）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（トリフェニルシラノラト）アルミニウム等の混合配位子錯体、ビス（２−メチル−８−キノラト）アルミニウム−μ−オキソ−ビス−（２−メチル−８−キノリラト）アルミニウム二核金属錯体等の金属錯体、ジスチリルビフェニル誘導体等のスチリル化合物（特開平１１−２４２９９６）、３−（４−ビフェニルイル）−４−フェニル−５（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，２，４−トリアゾール等のトリアゾール誘導体（特開平７−４１７５９号公報）、バソクプロイン等のフェナントロリン誘導体（特開平１０−７９２９７号公報）が挙げられる。
【０１１９】
正孔阻止層の膜厚の下限は、通常０．１ｎｍ、好ましくは１ｎｍ程度であり、上限は通常３００ｎｍ、好ましくは１００ｎｍ程度である。
【０１２０】
なお、図１とは逆の構造、すなわち、基板１上に陰極７、発光層５、正孔輸送層４、陽極２の順に積層することも可能であり、既述したように少なくとも一方が透明性の高い２枚の基板の間に本発明の有機電界発光素子を設けることも可能である。同様に、図２，３に示した前記各層構成とは逆の構造に積層することも可能である。更に、図１〜３に示した各層以外にも、陽極または陰極と、発光層との間に任意の層を有していても良い。
【０１２１】
本発明の有機電界発光素子は、有機電界発光素子が、単一の素子、アレイ状に配置された構造からなる素子、陽極と陰極がＸ−Ｙマトリックス状に配置された構造のいずれにおいても適用することができる。
【０１２２】
本発明の有機電界発光素子では、上述の如く、特に正孔輸送性の層として前記一般式（Ｉ）で表される特定のアントラセン系化合物を含有する層を設けることにより、発光輝度および発光効率に優れた有機電界発光素子を提供することができる。
【０１２３】
なお、前記一般式（Ｉ）で表される本発明のアントラセン系化合物は、基本的に正孔注入・輸送性の層への使用に適しているので、図１〜３における正孔輸送層に限らず、陽極−発光層間に設けられるいずれの層にも採用することが可能である。
【０１２４】
【実施例】
以下に実施例及び比較例を挙げて本発明をより具体的に説明するが、本発明はその要旨を超えない限り、これらの例に限定されるものではない。なお、以下の実施例における本発明のアントラセン系化合物のＮｏ．は、前記表１の化合物のＮｏ．に対応する。
【０１２５】
実施例１：化合物（Ａ−１）の合成
９，１０−ジフェニルアントラセン８．５８ｇ（２６ｍｍｏｌ）と、Ｎ−ブロモコハク酸イミド２３．１３ｇ（１３０ｍｍｏｌ）を１７７ｍｌのＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミドに加え、窒素下、８０℃で３６．５時間反応させた。反応終了後、沈殿を濾別し、メタノール洗浄、アセトン洗浄を行い、５．１８ｇの黄褐色粉末状の、下記構造式で示される２，６−ジブロモ−９，１０−ジフェニルアントラセンを得た（収率４１％）。
【０１２６】
【化１４】
2004091334.tif 000023
【０１２７】
生成物の質量分析値ＭＳ＝４８６、融点＝３１０℃、及び下記１Ｈ−ＮＭＲ測定結果より、臭素の置換位置が２位と６位であることを確認した。
【０１２８】
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３（δ＝ｐｐｍ））：７．３７（ｄｄ，２Ｈ），７．４２（ｍ，４Ｈ），７．５３（ｄ，２Ｈ），７．５８（ｍ，２Ｈ），７．６１（ｍ，４Ｈ），７．８２（ｄ，２Ｈ）
【０１２９】
得られた２，６−ジブロモ−９，１０−ジフェニルアントラセン１．２１ｇ（２．５ｍｍｏｌ）と、Ｎ，Ｎ，Ｎ’−トリフェニル−１、４−フェニレンジアミン２．０１ｇ（６．０ｍｍｏｌ）、ナトリウムターシャリーブトキシド０．７ｇ（７．３ｍｍｏｌ）を１１ｍｌのｏ−キシレンに加え、窒素下、　６０℃に加温した。
【０１３０】
その中にトリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）−クロロホルムアダクト（Ｐｄ２（ｄｂａ）３・ＣＨＣｌ３）を０．０２ｇ（０．０２ｍｍｏｌ）とターシャリーブチルホスフィン０．１７ｇ（０．８ｍｍｏｌ）を溶かした２ｍｌのｏ−キシレン溶液を加え、１２０℃で４時間反応させた。
【０１３１】
反応終了後、沈殿を回収して水洗した後、熱アセトン洗浄を行い、０．８３ｇの朱色粉末状の、下記構造式で示される２，６−ビス（Ｎ−（４−ジフェニルアミノ）フェニル−Ｎ−フェニル）アミノ−９，１０−ジフェニルアントラセン（Ａ−１）を得た（収率３３％）。なお、得られた固体（粉末）はＵＶ光照射により黄色の蛍光を示した。
【０１３２】
【化１５】
2004091334.tif 000024
【０１３３】
この生成物のＭＳ＝９９８で目的物と一致した。またセイコー電子社製ＤＳＣ−２０により示差熱分析測定したところ、ガラス転移温度（Ｔｇ）は１３５℃と高い値を示した。融点は３５０℃で、結晶化温度は２３５℃であった。
【０１３４】
次に、ガラス基板をアセトンで超音波洗浄、純水で水洗、イソプロピルアルコールで超音波洗浄、乾燥窒素で乾燥、ＵＶ／オゾン洗浄を行った後、真空蒸着装置内に設置して、装置内の真空度が３×１０−６Ｔｏｒｒ以下になるまで油拡散ポンプを用いて排気した。
【０１３５】
アントラセン系化合物（Ａ−１）をセラミックルツボに入れ、ルツボの周囲のタンタル線ヒーターで加熱して蒸着を行った。蒸着時の真空度は１．７×１０−６Ｔｏｒｒ（約２．３×１０−４Ｐａ）で、蒸着速度　０．１〜０．２ｎｍ／秒で膜厚９１ｎｍの一様で透明な膜を得た。この薄膜試料のイオン化ポテンシャルを理研計器（株）製の紫外線電子分析装置（ＡＣ−１）を用いて測定したところ、４．９５ｅＶと低い値を示した。
【０１３６】
実施例２：化合物（Ａ−２）の合成
Ｎ，Ｎ，Ｎ’−トリフェニル−１，４−フェニレンジアミンの代わりにＮ，Ｎ’−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニル−１，４−フェニレンジアミンを用いた以外は、実施例１と同様に合成を行い、朱色粉末状の、下記構造式で示される２，６−ビス（（（Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニル）アミノ）フェニル−Ｎ−（１−ナフチル））アミノ−９，１０−ジフェニルアントラセン（Ａ−２）を得た。
【０１３７】
【化１６】
2004091334.tif 000025
【０１３８】
生成物のＭＳ＝１１９８で目的物と一致した。またセイコー電子社製ＤＳＣ−２０により示差熱分析測定したところ、ガラス転移温度（Ｔｇ）は１６３℃と高い値を示した。この化合物（Ａ−２）は非晶質性が大変高いため、明確な融点は観測されなかった。
【０１３９】
次に、実施例１と同様の方法で化合物（Ａ−２）をセラミックルツボに入れ、膜厚９９ｎｍの一様で透明な膜を得た。この薄膜試料のイオン化ポテンシャルを測定したところ４．９３ｅＶと低い値を示した。
【０１４０】
実施例３：化合物（Ａ−５）の合成
Ｎ，Ｎ，Ｎ’−トリフェニル−１，４−フェニレンジアミンの代わりにＮ，Ｎ’−（４−ターシャリーブチル）フェニル−Ｎ−フェニル−１，４−フェニレンジアミンを用いた以外は、実施例１と同様に合成を行い、朱色粉末状の、下記構造式で示される２，６−ビス（（（Ｎ−（４−ターシャリーブチル）フェニル−Ｎ−フェニル）アミノ）フェニル−Ｎ−（４−ターシャリーブチル）フェニル）アミノ−９，１０−ジフェニルアントラセン（Ａ−５）を得た。
【０１４１】
【化１７】
2004091334.tif 000026
【０１４２】
生成物のＭＳ＝１２２２で目的物と一致した。またセイコー電子社製ＤＳＣ−２０により示差熱分析測定したところ、ガラス転移温度（Ｔｇ）は１６０℃と高い値を示した。この化合物（Ａ−５）は非晶質性が非常に高いため、明確な融点は観測されなかった。
【０１４３】
次に、実施例１と同様の方法で化合物（Ａ−５）をセラミックルツボに入れ、膜厚９５ｎｍの一様で透明な膜を得た。この薄膜試料のイオン化ポテンシャルを測定したところ４．６４ｅＶと低い値を示した。
【０１４４】
実施例４：有機電界発光素子の作製
図３に示す構造を有する有機電界発光素子を以下の方法で作製した。
ガラス基板１上にインジウム・スズ酸化物（ＩＴＯ）透明導電膜を１２０ｎｍ堆積したもの（ジオマテック社製；電子ビーム成膜品；シート抵抗１５Ω）を通常のフォトリソグラフィ技術と塩酸エッチングを用いて２ｍｍ幅のストライプにパターニングして陽極２を形成した。パターン形成したＩＴＯ基板をアセトンによる超音波洗浄、純水による水洗、イソプロピルアルコールによる超音波洗浄の順で洗浄後、窒素ブローで乾燥させ、最後に紫外線オゾン洗浄を行った。
【０１４５】
次に、陽極バッファ層３として、下記に示す繰り返し単位からなる芳香族ジアミン含有ポリエーテル（（Ｇ−１）；単独重合体。重量平均分子量２５０００；ガラス転移温度　１９９℃）及び、その１０重量％量の下記構造のアクセプター（Ｊ−１）を塗布液とし、これを上記ガラス基板上にスピンコートした後、乾燥して３０ｎｍの膜厚の均一な薄膜を形成した。
【０１４６】
【化１８】
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【０１４７】
このときの成膜条件は下記の通りとした。
溶媒　　　　　　　　　　　シクロヘキサノン
塗布液濃度　　　　　　　　１３［ｍｇ／ｍｌ］
スピナ回転数　　　　　　　１５００［ｒｐｍ］
スピナ回転時間　　　　　　３０［秒］
乾燥条件　　　　　　　　　１００℃で１８８分間
【０１４８】
次に上記ポリエーテル（Ｇ−１）を成膜した基板を真空蒸着装置内に設置し、装置の粗排気を油回転ポンプにより行った後、装置内の真空度が２×１０−６Ｔｏｒｒ以下になるまで液体窒素トラップを備えた油拡散ポンプを用いて排気した。
【０１４９】
上記装置内に配置されたセラミックルツボに入れた、下記構造式（Ａ−１）で表されるアントラセン系化合物をルツボの周囲のＴａ線ヒーターで加熱して真空容器内で蒸発させた。蒸発時の真空度は１．０×１０−６Ｔｏｒｒであった。このようにして、膜厚４０ｎｍの正孔輸送層４を蒸着した。蒸着時間は３分１７秒であった。
【０１５０】
【化１９】
2004091334.tif 000028
【０１５１】
引き続き、同様の操作にて、発光層５の材料として、以下の構造式に示すアルミニウムの８−ヒドロキシキノリン錯体（Ｅ−１）を温度２７４〜２７６℃、真空度０．９×１０−６Ｔｏｒｒ、蒸着速度０．２ｎｍ／秒で、２分５９秒蒸着し、それと同時に下記に示す構造のルブレン（Ｄ−１）を発光層５中に化合物（Ｅ−１）に対して２．３重量％の濃度で膜厚方向で均一にドープした膜厚３０ｎｍで発光層５を得た。
【０１５２】
【化２０】
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【０１５３】
引き続き、電子輸送層６の材料として、アルミニウムの８−ヒドロキシキノリン錯体（Ｅ−１）を蒸着した。このときのルツボの温度は２７９〜２８６℃の範囲で制御した。蒸着時の真空度は０．８×１０−６Ｔｏｒｒ、蒸着時間は２分３５秒であった。結果として膜厚３０ｎｍの電子輸送層６が得られた。
【０１５４】
上記の正孔輸送層４、発光層５及び電子輸送層６を真空蒸着する時の基板温度は室温に保持した。
【０１５５】
ここで、電子輸送層６までの蒸着を行った素子を、一度真空蒸着装置内より大気中に取り出して、陰極蒸着用のマスクとして２ｍｍ幅のストライプ状シャドーマスクを、陽極２のＩＴＯストライプと直交する様に素子と密着させて、別の真空蒸着装置内に設置して、有機層と同様にして装置内の真空度が２×１０−６Ｔｏｒｒ以下となるまで排気した。続いて陰極界面層としてフッ化リチウムをモリブデンボードを用いて膜厚０．３ｎｍとなるように蒸着した。蒸着時の真空度は６×１０−６Ｔｏｒｒであった。
【０１５６】
次いで、陰極７として、アルミニウムをモリブデンボードを用いて１００ｎｍの膜厚で蒸着した。アルミニウム蒸着時の真空度は８．５×１０−６Ｔｏｒｒ、蒸着時間は４分３９秒であった。
【０１５７】
以上の様にして、２ｍｍ×２ｍｍのサイズの発光面積部分を有する有機電界発光素子が得られた。この素子の特性として、２５０ｍＡ／ｃｍ２の電流密度での輝度、１００ｃｄ／ｍ２での発光効率、輝度−電流密度特性の傾きを調べ、結果を表１１に示した。
【０１５８】
比較例１
正孔輸送層に、化合物（Ａ−１）の代りに、下記化合物（Ｃ−１）を用いた以外は実施例４と同様にして有機電界発光素子を作製し、素子特性を表１１に示した。
【０１５９】
【化２１】
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【０１６０】
【表１１】
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【０１６１】
表１１より明らかなように、本発明の２，６−アリールアミノアントラセン系化合物を用いた有機電界発光素子は発光輝度、発光効率、輝度−電流密度特性共に優れる。これに対して、化合物（Ｃ−１）を用いた場合には、発光輝度、発光効率、輝度−電流密度特性共に化合物（Ａ−１）を用いた場合に比べて半分以下となり、非常に劣るものであった。この結果から、同じ９，１０−ジフェニルアントラセン骨格の２，６−位にアリールアミノ基が置換したものであっても、単にジフェニルアミノ基が直接置換したのみの化合物（Ｃ−１）では正孔輸送性が低く、実用性が無いのに対して、アントラセン骨格の２，６−位に、アリールアミノ基を介してアリールアミノ基が置換した化合物（Ａ−１）であれば、正孔輸送性が高く、発光輝度、発光効率、輝度−電流密度特性共に著しく向上することが分かる。
【０１６２】
【発明の効果】
以上詳述した通り、本発明の２，６−アリールアミノアントラセン系化合物は、イオン化ポテンシャルが低く、正孔輸送性が高く、電荷輸送材料として極めて有用である。また、種々の置換基を有することが出来るため、要望されるあらゆる特性を発揮できる。
【０１６３】
また、本発明の有機電界発光素子では、このような本発明のアントラセン系化合物を用いることにより、発光効率や発光輝度などの点において、従来公知のアントラセン系化合物を含む素子より優れた性能を発揮することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の有機電界発光素子の実施の形態の一例を示した模式的断面図である。
【図２】本発明の有機電界発光素子の実施の形態の別の例を示した模式的断面図である。
【図３】本発明の有機電界発光素子の実施の形態の別の例を示した模式的断面図である。
【符号の説明】
１　基板
２　陽極
３　陽極バッファ層
４　正孔輸送層
５　発光層
６　電子輸送層
７　陰極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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