(57)【要約】【課題】基板面の連続走査状態で、基板の入射電子ビーム量を調整制御し、基板に所定幅のパターン露光を行なう電子ビーム露光装置を提供する。【解決手段】ＣＰＵ２９に、基板１３の露光量とパターン幅の特性データ、基板１３の半径位置とパターン幅の特性データ、半径位置と目標パターン幅の特性データが格納され、ＣＰＵ２９が、これら特性データにより、パターン形成時に半径位置ごとに必要な露光線速度を演算し、ＣＰＵ２９の指令でスピンドルモータ１７が、基板１３を半径位置ごとに所定線速度で回転し、基板１３の内周側と外周側での露光から現像までの時間差、露光時の熱影響の差、フォトレジスト膜差、照射電子ビーム変動に起因するパターン幅不均一を補償し、均一幅のパターン又は半径位置で溝幅が異なるパターンが、常に高品質状態で形成可能で、微細化されたグルーブやピットが形成された高品質の情報記録媒体の製造が可能になる。【選択図】        図１
2004185786.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子ビームに対して前記基板を相対的に直線移動させ、且つ前記基板を回転させながら、前記電子ビームを前記基板に照射することにより、前記基板の表面に被着されたレジスト膜にパターンを描画する電子ビーム露光方法であり、
前記基板の半径方向の位置に対応して、前記電子ビームの前記基板に対する照射線速度を変更することにより、前記電子ビームの照射線密度を変更する照射線密度変更ステップを有することを特徴とする電子ビーム露光方法。
【請求項２】
予め測定される基板の半径方向位置と対応するパターン幅間の特性関係データ、及び露光量と対応するパターン幅間の特性関係データに基づいて、前記半径方向位置に対応するパターン幅変化を露光感度変化に換算する演算ステップと、
該演算ステップで得られる露光感度変化を補正するように、前記半径方向位置での照射線速度を変更することにより、均一幅のパターンによるパターン描画を行なう描画パターン幅制御ステップと
が請求項１記載の電子ビーム露光方法にさらに設けられていることを特徴とする電子ビーム露光方法。
【請求項３】
予め測定される露光量と対応するパターン幅間の特性関係データと、予め設定される基板の半径位置に対応する目的パターン幅とに基づき、前記半径位置ごとの露光量を演算する露光量演算ステップと、
該露光量演算ステップでの演算結果に基づき、前記半径位置ごとに目的パターン幅を形成する照射線速度を演算する照射線速度演算ステップと、
前記半径位置ごとに前記照射線速度演算ステップで演算される照射線速度で、前記基板に電子ビームを照射することにより、前記半径位置に対応する目的パターン幅でパターン描画を行なうパターン描画制御ステップと
が請求項１記載の電子ビーム露光方法にさらに設けられていることを特徴とする電子ビーム露光方法。
【請求項４】
基板を回転させる回転ステージと前記基板を半径方向に直線移動する直動ステージとを備え、前記基板に収束した電子ビームを照射して、前記基板の表面に被着されたレジスト膜にパターンを描画する電子ビーム露光装置であり、
前記回転ステージと前記直動ステージとを関連駆動制御することにより、前記基板に対する前記電子ビームの照射線速度を設定する照射線速度設定手段と、
基板の半径位置に対応して、前記照射線速度設定手段で設定される照射線速度で、前記電子ビームを照射することにより、前記電子ビームの照射線密度を制御する照射線密度制御手段と
を有することを特徴とする電子ビーム露光装置。
【請求項５】
描画パターンを指定するフォーマッタ信号を出力するフォーマッタと、
前記フォーマッタ信号に基づき、電子ビームの照射と遮断を切換えるＯＮ−ＯＦＦ切換手段と、
照射電子ビームの位置を基板上で基板の半径方向に偏向するウォブル手段と、照射線密度制御手段で制御される照射線速度に対応して、前記フォーマッタ信号の周波数と前記ウォブル手段のウォブル信号の周波数とを変更する周波数変更手段と
が請求項４記載の電子ビーム露光装置にさらに設けられていることを特徴とする電子ビーム露光装置。
【請求項６】
フォーマッタ、ＯＮ−ＯＦＦ制御手段、ウォブル手段、照射線速度設定手段及び照射線密度制御手段に供給する基準パルスを変更する基準パルス変更手段が、請求項５記載の電子ビーム露光装置にさらに設けられていることを特徴とする電子ビーム露光装置。
【請求項７】
電子ビームに対して基板を相対的に直線移動させ、且つ前記基板を回転させることにより得られる照射線速度で、前記電子ビームが前記基板に照射されてパターン描画が行なわれ、予め測定される前記基板の半径方向位置と対応するパターン幅間の特性関係データ、及び露光量と対応するパターン幅間の特性関係データに基づいて、前記基板の半径方向位置でのパターン幅変化が露光感度変化に換算され、得られる露光感度変化を補正するように前記照射線速度が変更され、前記電子ビームの照射線密度が変更された前記電子ビームが、前記基板に照射されることにより、前記基板の表面に被着されたレジスト膜に、均一幅のパターンによるパターン描画が行なわれた後に、現像処理が施され、導電膜が被着され、電気鋳造処理後に剥離製造されることを特徴とする形成用スタンパ。
【請求項８】
電子ビームに対して基板を相対的に直線移動させ、且つ前記基板を回転させることにより得られる照射線速度で、前記電子ビームが前記基板に照射されてパターン描画が行なわれ、予め測定される露光量と対応するパターン幅間の特性関係データと、予め設定される前記基板の半径位置に対応する目的パターン幅とに基づき、前記半径位置ごとの露光量が演算され、得られる演算結果に基づき、前記半径位置ごとに目的パターン幅を形成する照射線速度が演算され、前記半径位置に対応して演算される照射線速度で、前記基板に電子ビームが照射され、前記半径位置に対応する目的パターン幅でパターン描画が行なわれた後に、現像処理が施され、導電膜が被着され、電気鋳造後に剥離製造されることを特徴とする形成用スタンパ。
【請求項９】
請求項７記載のスタンパに、後加工処理、成形処理、成膜処理及び検査処理が施されて製造されることを特徴とする情報記録媒体。
【請求項１０】
請求項８記載のスタンパに、後加工処理、成形処理、成膜処理及び検査処理が施されて製造されることを特徴とする情報記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、情報記録媒体系部材と、その製造に用いられる電子ビーム露光方法及び電子ビーム露光装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
光ディスクなどの情報記録媒体は、従来、鏡面に研磨されたガラス材の基板の表面に被着されるフォトレジストに対して、露光装置から記録パターン情報に基づき変調されたレーザ光を照射して露光し、現像することにより得られる原盤からスタンパの製造を介して製造されていた。
ところが、近年の情報記録媒体の記憶容量の増加に伴って、案内溝やピットが微細化したために、レーザ光では露光できなくなり、光源として電子ビームを使用した電子ビーム露光装置が提案されている。
以下に、従来のレーザ光を使用する露光装置を、下記の特許文献１に基づいて、従来の電子ビーム露光装置を、同様に下記の特許文献２に基づいて順次説明する。
【０００３】
【特許文献１】
特開平１１−３７３１５７号公報
【特許文献２】
特開２００１−３４４８３３号公報
【０００４】
従来のレーザ光を使用する露光装置には、図７に示すように、全体の動作を制御するＣＰＵ２９が設けられ、このＣＰＵ２９に接続され、ＣＰＵ２９の指令によって、光量変調信号を出力する光量信号発生器４８からの光量変調信号により、光量信号発生器４８に接続されるドライバ４７から、ドライバ４７に接続されるＡ／Ｏ変調器（Ａｃｏｕｓｔｏ−ｏｐｔｉｃ  ｍｏｄｕｌａｔｏｒ）４３に変調信号が出力され、一方、Ａ／Ｏ変調器４３には、レーザ光源４４からのレーザ光が入力され、Ａ／Ｏ変調器４３からは、所定値に光量が調整制御されたレーザ光が出力される。
このようにして、光量が調整制御されたレーザ光が、デジタル変調器４２を通過する際には、フォーマッタ２６に接続されて、フォーマッタ２６からのフォーマット信号で駆動されるドライバ４６が出力するＯＮ−ＯＦＦ信号に基づき、デジタル変調器４２によってレーザ光の通過がＯＮ−ＯＦＦ制御される。
【０００５】
また、デジタル変調器４２のＯＮ制御により、デジタル変調器４２を通過したレーザ光が、Ａ／Ｏ偏向器４１を通過する際には、ウォブル信号発生器２８に接続されて、ウォブル信号発生器２８からのウォブル信号で駆動されるドライバ４５からの偏向信号によって、照射位置の偏向が行なわれる。
そして、Ａ／Ｏ偏向器４１を通過したレーザ光は、対物レンズ４０によって、表面にフォトレジストが被着された基板１３のフォトレジスト膜の所定位置に焦点を結んで照射される。
この場合、回転ステージ１４上に載置された基板１３は、スピンドルモータ１７により回転駆動される回転ステージ１４によって、回転軸を中心に回転すると共に、スピンドルモータ１７が載置され、モータ１６の回転で直線移動する直動ステージ１５によって直線移動する。
【０００６】
一方、ＣＰＵ２９には、回転送りパルス発生器２５が接続され、回転送りパルス発生器２５には、スピンドルモータ１７に接続されるスピンドルドライバ２２、モータ１６に接続される横送りドライバ２１、及び測長器２５がそれぞれ接続されており、ＣＰＵ２９の指令で作動するスピンドルモータ１７とモータ１６によって、収束レーザ光が、基板１３面上において螺旋軌跡上を一定の線速度で移動しながらフォトレジスト膜を照射し、この照射によってフォトレジスト膜の露光が行なわれる。
このように行なわれる露光後に、現像処理されてフォトレジスト膜に形成される案内溝やピットのパターン幅が均一でない場合には、予め測定した基板１３のパターン幅と露光量との特性関係に基づいて、ＣＰＵ２９から指令信号が光量変調信号発生器４８に入力され、基板１３の半径位置に対応して、レーザ光の光量が調整制御され均一幅のパターン形成が行なわれる。
【０００７】
このようにして、図８（ａ）に示すフォトレジスト３２が表面に被着塗布された基板１３に、同図（ｂ）に示すように、レーザ光３５が照射されて露光が行なわれ、ＰＥＢ（Ｐｏｓｔ  ｅｘｐｏｓｕｅｒ  Ｂａｋｅ）処理が施され、現像処理が施されることにより、同図（ｃ）に示すように案内溝やピットからなるパターンが、フォトレジスト膜に形成され、同図（ｄ）に示すように、形成されたパターン上に導電膜３３が被着され、この導電膜３３上に電鋳皮膜３４が配設され、電気鋳造を行なって剥離処理することにより、同図（ｅ）に示すようなスタンパ３６が製造される。
そして、このスタンパ３６に、後加工処理、成形処理、成膜処理及び検査処理が施されて光ディスクなどの情報記録媒体が形成される。
【０００８】
前述したように、近年の情報記録媒体の記憶容量の増加による案内溝やピットの微細化に対応して使用されるようになった電子ビーム露光装置は、図９及び図１０に示すように、１０−５ｔｏｒｒ以下に真空度が維持された鏡筒１内に、電子ビームを放射する電子銃４、電子銃４からの電子ビーム５を収束する電磁レンズ６、収束された電子ビームを偏向するブランキング電極９、ブランキング電極９で偏向された電子ビームを通過させ、後段への入射電子ビームのＯＮ−ＯＦＦを行なう絞り１０、絞り１０を通過した入射電子ビームを偏向する偏向器１１、偏向された入射電子ビームを収束するフォーカスレンズ７、及び表面にフォトレジストが被着された基板１３のフォトレジスト膜の所定位置に、収束光の焦点を結ばせる対物レンズ８が、電子銃４と基板１３との間に前述の順序で配設されている。
【０００９】
一方、フォーマット信号Ｆｂを出力するフォーマッタ２６の出力端子が、ブランキングドライバ２３に接続され、ブランキングドライバ２３から出力されるブランキング信号Ｆａが、ブランキング電極９に入力されるように構成され、フォーマット信号Ｆｂ１を出力するウォブル信号発生器２８が、偏向ドライバ２４に接続され、偏向ドライバ２４から出力されるウォブル信号Ｆｗが、偏向器１１に入力されるように構成されている。
そして、基板１３は回転ステージ１４によって、回転軸を中心に一定線速度となるように回転され、同時に基板１３は、直動ステージ１５によって、半径方向に一定ピッチで移動され、測長器３によって直動ステージ１５の移動距離が測定されるように構成されている。
【００１０】
このような構成の従来の電子ビーム露光装置では、ブランキング電極９に印加されるブランキング信号Ｆａによって、電子ビーム５の絞り１０の通過がＯＮ−ＯＦＦ制御され、フォーマット信号Ｆｂの論理値“０”に対応して、論理値が“１”となるブランキング信号Ｆａによって、電子ビーム５が大きく偏向され、電子ビーム５の絞り１０の通過が阻止される。
そして、フォーマット信号Ｆｂの論理値“１”に対応して、論理値が“０”となるブランキング信号Ｆａによって、電子ビーム５が絞り１０を通過して、対物レンズ８によって、基板１３表面のフォトレジスト膜の表面の所定位置に焦点を結んで照射される。この場合、電子ビーム５の基板１３での反射ビームを、センサ１９で受光することにより、基板１３の面ぶれが検出されると、フォーカスレンズ７が補正駆動され、基板１３への入射電子ビームのフォーカスが制御され、入射電子ビーム径の変動が防止される。
【００１１】
このようにして、従来の電子ビーム露光装置によると、電子ビーム５の連続照射によって、基板１３の表面のフォトレジスト膜に螺旋状に案内溝が形成され、電子ビーム５の間欠照射によって、基板１３表面のフォトレジスト膜に螺旋状にピットが形成される。
また、例えば、トラッキングエラーを検出するために、ピットを変位形成する場合には、ウォブル信号発生器２８からのフォーマット信号Ｆｂ１により、偏向ドライバ２４から偏向器１１に入力されるウォブル信号Ｆｗによって、入射電子ビームが基板１３上で偏向されピットが変位形成される。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、基板１３の全面にわたって、同一ピッチで均一幅の溝やピットを形成するためには、基板１３を線速度が一定となるＣＬＶ駆動を行いながら、一定光量の電子ビームを、フォトレジスト感度が全面で一定の基板１３に照射し、照射後の現像を基板１３の全面で均一に行い、さらにベーク処理を基板１３の全面均一に行なうことが必要である。
しかし、実際には、基板１３の内周側と外周側とでは、露光から現像までの時間差、露光時の温度差が存在し、また、フォトレジスト膜に差があることがあり、さらに、基板１３の移動により照射電子ビームが変動することもあり、必ずしも均一のパターン幅のパターン形成が行なわれない。さらに、基板１３によっては、成形時に最外周部分での転写が不十分になることを補正するために、最外周部分のパターンを深くするために、フォトレジスト膜厚を厚くすることがあり、この場合には、同一光量の電子ビームの照射では均一幅のパターンは形成されない。
【００１３】
前述した図７に示すレーザ光を使用する露光装置では、レーザ光源４４からのレーザ光の光量を、Ａ／Ｏ変調器４３により調整制御することができるが、図９及び図１０に示す電子ビーム露光装置では、基板１３を半径位置に対応して同一線速度で回転しながら、基板１３の全面に螺旋状にパターンを連続的に形成することが必要で、電子ビームを切断し、電子ビーム量を変更後に再度照射する方式は取れず、電子銃４から放射され基板１３に入射する電子ビーム量を調整制御することはできない。
【００１４】
本発明は、前述したような従来の電子ビーム露光装置の動作の現状に鑑みてなされたものであり、その第１の目的は、基板面に対して連続走査状態で、基板への入射電子ビーム量を調整制御して、基板に所定幅のパターン露光を行なう電子ビーム露光方法を提供することにある。
また、本発明の第２の目的は、基板面に対して連続走査状態で、基板への入射電子ビーム量を調整制御して、基板に所定幅のパターン露光を行なう電子ビーム露光装置を提供することにある。
そして、本発明の第３の目的は、基板面に対して連続走査状態で、基板への入射電子ビーム量を調整制御して、基板に所定幅のパターン露光を行なうことにより製造される情報記録媒体系部材を提供することにある。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
前記第１の目的を達成するために、請求項１記載の発明は、電子ビームに対して前記基板を相対的に直線移動させ、且つ前記基板を回転させながら、前記電子ビームを前記基板に照射することにより、前記基板の表面に被着されたレジスト膜にパターンを描画する電子ビーム露光方法であり、前記基板の半径方向の位置に対応して、前記電子ビームの前記基板に対する照射線速度を変更することにより、前記電子ビームの照射線密度を変更する照射線密度変更ステップを有することを特徴とするものである。
【００１６】
請求項１記載の発明によると、電子ビームに対して基板を相対的に直線移動させ、且つ基板を回転させながら、電子ビームを基板に照射することにより、基板の表面に被着されたレジスト膜にパターンが描画されるが、照射線密度変更ステップで、基板の半径方向の位置に対応して、電子ビームの基板に対する照射線速度が変更されることにより、電子ビームの照射線密度が変更されるので、基板の半径方向位置の違いに起因する露光から現像までの時間差、位置ごとの温度差、レジスト膜厚差、電子ビームの変動などによるパターン幅の変動を補正して、均一幅の高精度のパターン描画が可能になり、或いは、基板の半径方向位置に対応して設定される目的パターン幅の高品質のパターンを形成して、半径方向位置でパターン幅の異なる高品質のパターン描画が行なわれる。
【００１７】
同様に前記第１の目的を達成するために、請求項２記載の発明は、予め測定される基板の半径方向位置と対応するパターン幅間の特性関係データ、及び露光量と対応するパターン幅間の特性関係データに基づいて、前記半径方向位置に対応するパターン幅変化を露光感度変化に換算する演算ステップと、該演算ステップで得られる露光感度変化を補正するように、前記半径方向位置での照射線速度を変更することにより、均一幅のパターンによるパターン描画を行なう描画パターン幅制御ステップとが請求項１記載の電子ビーム露光方法にさらに設けられていることを特徴とするものである。
【００１８】
請求項２記載の発明によると、演算ステップにより、予め測定される基板の半径方向位置と対応するパターン幅間の特性関係データ、及び露光量と対応するパターン幅間の特性関係データに基づいて、半径方向位置に対応するパターン幅変化が露光感度変化に換算され、演算ステップで得られる露光感度変化を補正するように、描画パターン幅制御ステップによって、半径方向位置での照射線速度が変更されることにより、均一幅のパターンによるパターン描画が行なわれ、請求項１記載の発明で得られる均一幅のパターンによるパターン描画時の作用が実行される。
【００１９】
同様に前記第１の目的を達成するために、請求項３記載の発明は、請求項１記載の発明に、予め測定される露光量と対応するパターン幅間の特性関係データと、予め設定される基板の半径位置に対応する目的パターン幅とに基づき、前記半径位置ごとの露光量を演算する露光量演算ステップと、該露光量演算ステップでの演算結果に基づき、前記半径位置ごとに目的パターン幅を形成する照射線速度を演算する照射線速度演算ステップと、前記半径位置ごとに前記照射線速度演算ステップで演算される照射線速度で、前記基板に電子ビームを照射することにより、前記半径位置に対応する目的パターン幅でパターン描画を行なうパターン描画制御ステップとがさらに設けられていることを特徴とするものである。
【００２０】
請求項３記載の発明によると、露光量演算ステップにより、予め測定される露光量と対応するパターン幅間の特性関係データと、予め設定される基板の半径位置に対応する目的パターン幅とに基づき、半径位置ごとの露光量が演算され、照射線速度演算ステップにより、露光量演算ステップでの演算結果に基づき、半径位置ごとに目的パターン幅を形成する照射線速度が演算され、パターン描画制御ステップにより、半径位置に対応して照射線速度演算ステップで演算される照射線速度で、基板に電子ビームが照射され、半径位置に対応する目的パターン幅でパターン描画が行なわれ、請求項１記載の発明で得られる半径方向位置でパターン幅の異なるパターン描画時の作用が実行される。
【００２１】
前記第２の目的を達成するために、請求項４記載の発明は、基板を回転させる回転ステージと前記基板を半径方向に直線移動する直動ステージとを備え、前記基板に収束した電子ビームを照射して、前記基板の表面に被着されたレジスト膜にパターンを描画する電子ビーム露光装置であり、前記回転ステージと前記直動ステージとを関連駆動制御することにより、前記基板に対する前記電子ビームの照射線速度を設定する照射線速度設定手段と、基板の半径位置に対応して、前記照射線速度設定手段で設定される照射線速度で、前記電子ビームを照射することにより、前記電子ビームの照射線密度を制御する照射線密度制御手段とを有することを特徴とするものである。
【００２２】
請求項４記載の発明では、基板を回転させる回転ステージと基板を半径方向に直線移動する直動ステージとが設けられ、基板に収束した電子ビームを照射して、基板の表面に被着されたレジスト膜にパターンが描画されるが、照射線速度設定手段により、回転ステージと直動ステージとが関連駆動制御され、基板に対する電子ビームの照射線速度が設定され、照射線密度制御手段により、基板の半径位置に対応して、照射線速度設定手段で設定される照射線速度で、電子ビームが照射されることにより、電子ビームの照射線密度が制御される。
このために、基板の半径方向位置の違いに起因する露光から現像までの時間差、位置ごとの温度差、レジスト膜圧差、電子ビームの変動などによるパターン幅の変動を補正して、均一幅の高品質のパターン描画が行なわれ、或いは、基板の半径方向位置に対応して設定される目的パターン幅の高品質のパターンを露光して、半径方向位置でパターン幅の異なる高品質のパターン描画が行なわれる。
【００２３】
同様に前記第２の目的を達成するために、請求項５記載の発明は、描画パターンを指定するフォーマッタ信号を出力するフォーマッタと、前記フォーマッタ信号に基づき、電子ビームの照射と遮断を切換えるＯＮ−ＯＦＦ切換手段と、照射電子ビームの位置を基板上で基板の半径方向に偏向するウォブル手段と、照射線密度制御手段で制御される照射線速度に対応して、前記フォーマッタ信号の周波数と前記ウォブル手段のウォブル信号の周波数とを変更する周波数変更手段とが請求項４記載の発明にさらに設けられていることを特徴とするものである。
【００２４】
請求項５記載の発明によると、フォーマッタにより、描画パターンを指定するフォーマッタ信号が出力され、ＯＮ−ＯＦＦ切換手段により、フォーマッタ信号に基づき、電子ビームの照射と遮断の切換が行なわれ、ウォブル手段により、照射電子ビームの位置が基板上で基板の半径方向に偏向されて、パターン描画が行なわれるが、周波数変更手段により、照射線密度制御手段で制御される照射線速度に対応して、フォーマッタ信号の周波数とウォブル手段のウォブル信号の周波数とが変更されるので、請求項４記載の発明での作用に加えて、駆動系とピットパターン及びウォブル動作の同期が取られ、ジッタやウォブルジッタを大幅に低減して、高品質のパターン描画が行なわれる。
【００２５】
同様に前記第２の目的を達成するために、請求６記載の発明は、フォーマッタ、ＯＮ−ＯＦＦ制御手段、ウォブル手段、照射線速度設定手段及び照射線密度制御手段に供給する基準パルスを変更する基準パルス変更手段が、請求項５記載の発明にさらに設けられていることを特徴とするものである。
【００２６】
請求項６記載の発明によると、請求項５記載の発明での作用に加えて、基準パルス変更手段により、フォーマッタ、ＯＮ−ＯＦＦ制御手段、ウォブル手段、照射線速度設定手段及び照射線密度制御手段に供給される基準パルスが変更されるので、各部の動作の基準パルスが、動作に対応して精度よく設定され、ジッタやウォブルジッタをさらに大幅に低減して、より高品質のパターン描画が行なわれる。
【００２７】
前記第３の目的を達成するために、請求項７記載の発明は、電子ビームに対して基板を相対的に直線移動させ、且つ前記基板を回転させることにより得られる照射線速度で、前記電子ビームが前記基板に照射されてパターン描画が行なわれ、予め測定される前記基板の半径方向位置と対応するパターン幅間の特性関係データ、及び露光量と対応するパターン幅間の特性関係データに基づいて、前記基板の半径方向位置でのパターン幅変化が露光感度変化に換算され、得られる露光感度変化を補正するように前記照射線速度が変更され、前記電子ビームの照射線密度が変更された前記電子ビームが、前記基板に照射されることにより、前記基板の表面に被着されたレジスト膜に、均一幅のパターンによるパターン描画が行なわれた後に、現像処理が施され、導電膜が被着され、電気鋳造処理後に剥離製造されることを特徴とするものである。
【００２８】
請求項７記載の発明の製造に際しては、電子ビームに対して基板を相対的に直線移動させ、且つ基板を回転させることにより得られる照射線速度で、電子ビームが基板に照射されてパターン描画が行なわれ、予め測定される基板の半径方向位置と対応するパターン幅間の特性関係データ、及び露光量と対応するパターン幅間の特性関係データに基づいて、基板の半径方向位置でのパターン幅変化が露光感度変化に換算され、得られる露光感度変化を補正するように照射線速度が変更されて、電子ビームの照射線密度が変更された電子ビームが、基板に照射される。
このために、基板の表面に被着されたレジスト膜に、均一幅のパターンによ
るパターン描画が行なわれ、現像処理が施され、導電膜が被着され、電気鋳造処理後に剥離されて製造が行なわれるので、基板の半径方向位置の違いに起因する露光から現像までの時間差、位置ごとの温度差、レジスト膜圧差、電子ビームの変動などによるパターン幅の変動を補正して、表面に均一幅の高品質のパターンの描画が行なわれた形成用スタンパが製造取得される。
【００２９】
同様に前記第３の目的を達成するために、請求項８記載の発明は、電子ビームに対して基板を相対的に直線移動させ、且つ前記基板を回転させることにより得られる照射線速度で、前記電子ビームが前記基板に照射されてパターン描画が行なわれ、予め測定される露光量と対応するパターン幅間の特性関係データと、予め設定される前記基板の半径位置に対応する目的パターン幅とに基づき、前記半径位置ごとの露光量が演算され、得られる演算結果に基づき、前記半径位置ごとに目的パターン幅を形成する照射線速度が演算され、前記半径位置に対応して演算される照射線速度で、前記基板に電子ビームが照射され、前記半径位置に対応する目的パターン幅でパターン描画が行なわれた後に、現像処理が施され、導電膜が被着され、電気鋳造後に剥離製造されることを特徴とするものである。
【００３０】
請求項８記載の発明の製造に際しては、電子ビームに対して基板を相対的に直線移動させ、且つ基板を回転させることにより得られる照射線速度で、電子ビームが基板に照射されてパターン描画が行なわれ、予め測定される露光量と対応するパターン幅間の特性関係データと、予め設定される基板の半径位置に対応する目的パターン幅とに基づき、半径位置に対応する露光量が演算され、得られる演算結果に基づき、半径位置に対応して目的パターン幅を形成する照射線速度が演算され、半径位置に対応して演算される照射線速度で、基板に電子ビームが照射され、半径位置に対応する目的パターン幅でパターン描画が行なわれ、現像処理が施され、導電膜が被着され、電気鋳造後に剥離されて製造が行なわれる。
このために、基板の半径方向位置の違いに起因する露光から現像までの時間差、位置ごとの温度差、レジスト膜圧差、電子ビームの変動などによるパターン幅の変動を補正して、表面に基板の半径方向位置に対応して設定される目的パターン幅の高品質のパターンを形成して、半径方向位置でパターン幅の異なる高品質のパターンの描画が行なわれた形成用スタンパが製造取得される。
【００３１】
同様に前記第３の目的を達成するために、請求項９記載の発明は、請求項７記載の発明に、後加工処理、成形処理、成膜処理及び検査処理が施されて製造されることを特徴とするものである。
【００３２】
請求項９記載の発明は請求項７記載のスタンパに、後加工処理、成形処理、成膜処理及び検査処理が施されて製造されるので、基板の半径方向位置の違いに起因する露光から現像までの時間差、位置ごとの温度差、レジスト膜圧差、電子ビームの変動などによるパターン幅の変動を補正して、表面に均一幅の高品質のパターンの描画の彫設が行なわれる。
【００３３】
同様に前記第３の目的を達成するために、請求項１０記載の発明は、請求項８記載の発明に、後加工処理、成形処理、成膜処理及び検査処理が施されて製造されることを特徴とするものである。
【００３４】
請求項１０記載の発明は、請求項８記載の発明に、後加工処理、成形処理、成膜処理及び検査処理が施されて製造されるので、基板の半径方向位置の違いに起因する露光から現像までの時間差、位置ごとの温度差、レジスト膜圧差、電子ビームの変動などによるパターン幅の変動を補正して、表面に基板の半径方向位置に対応して設定される目的パターン幅の高品質のパターンを形成して、半径方向位置でパターン幅の異なる高品質のパターン描画の彫設が行なわれる。
【００３５】
【発明の実施の形態】
以下に本発明を、電子ビーム露光装置に係る実施の形態に基づいて説明する。［第１の実施の形態］
本発明の第１の実施の形態を、図１ないし図５を参照して説明する。
図１は本実施の形態の要部の構成を示すブロック図、図２は本実施の形態の第１実施例の動作を示す動作特性図、図３は本実施の形態の第１実施例での形成パターン幅変動特性を示す動作特性図、図４は本実施の形態の第２実施例での形成パターン幅変動特性を示す動作特性図、図５は本実施の形態の第３実施例の動作を示す動作特性図である。
【００３６】
本実施の形態において、図１に示すように、鏡筒１の内部及び試料室２の内部の構成は、すでに図９及び図１０を参照して説明した従来の電子線露光装置での構成と同一なので、重複する説明は行なわない。
本実施の形態では、全体の動作を制御するＣＰＵ２９が設けられ、このＣＰＵ２９に、フォーマット信号Ｆｂを出力するフォーマッタ２６、フォーマット信号Ｆｂ１を出力するウォブル信号発生器２８、回転送りパルス発生器２５及び直線移送距離を検出する測長器３がが接続され、フォーマッタ２６にブランキング信号Ｆａを出力するブランキングドライバ２３が接続され、ブランキングドライバ２３の出力端子がブランキング電極９に接続されている。
【００３７】
また、ウォブル信号発生器２８には、ウォブル信号Ｆｗを出力する偏向ドライバ２４が接続され、偏向ドライバ２４の出力端子が偏向器１１に接続され、回転送りパルス発生器２５には、スピンドルドライバ２２と横送りドライバ２１とが接続され、スピンドルドライバ２２がスピンドルモータ１７に、横送りドライバ２１が、直動ステージ１５を直線移動させるモータ１６に、それぞれ接続され、測長器３はＣＰＵ２９にも接続されている。
そして、本実施の形態では、ＣＰＵ２９に、基板１３へのパターン形成時の電子ビームの露光量と形成されるパターン幅との特性関係データと、半径位置と形成されるパターン幅との特性関係データを取り込み格納する特性関係データ格納手段と、特性関係データに基づき、基板１３の半径位置の露光感度と、半径位置で所定パターン幅のパターンを形成するための露光線速とを演算する演算手段とが設けられている。
【００３８】
このような構成の本実施の形態の動作を、具体的実施例に基づいて以下に説明する。
（第１実施例）
電子ビーム電流を１００ｎＡ、加速電圧を５０ｋＶ、電子ビーム径を８０ｎｍとし、化学増幅型電子線レジストＥＮ００５−ＰＮを表面に被着塗布した基板１３を、ピッチ０．３５μｍ、線速度４ｍ／ｓでウォブリングしながら、電子ビームで螺旋状に全面露光し、ＰＥＢ処理をし、現像処理して基板１３のフォトレジスト膜に形成されたパターンのパターン幅と半径方向位置との間には、図２（ａ）に示すような特性関係が得られた。また、この時の電子ビームの露光量と形成パターンの溝幅間には、同図（ｂ）に示すような特性関係が得られた。
この場合、ＣＰＵ２９の特性関係データ格納手段には、測定で得られたこれらの特性関係データが格納され、ＣＰＵ２９の演算手段によって、図２（ａ）、（ｂ）の特性関係データから、基板１３の半径位置ごとの露光感度が演算されて、同図（ｃ）に示すような演算結果が得られ、さらに、所定の露光感度が得られる線速度が演算され、同図（ｄ）に示すような演算結果が得られる。
【００３９】
そこで、本実施例では、基板１３の半径方向位置において、図２（ｄ）の演算結果で得られた線速度の指令信号がＣＰＵ２９から、回転送りパルス発生器２５に入力され、スピンドルドライバ２２からは、各半径方向位置において、パターン幅を均一にするために、露光感度が一定となるような露光線速度が、図２（ｂ）に対応して設定され、ＣＰＵ２９の指令によって、基板１３の各半径位置において、演算値に対応する線速度を設定する駆動信号が、スピンドルドライバ２２からスピンドルモータ１７に入力され、基板１３の半径方向各位置で露光線量が一定となるように露光制御が行なわれる。
この露光制御によって、基板１３のフォトレジストには、図３の補正後に示すように、ほぼ均一幅のパターンが露光され、この基板１３をＰＥＢ処理し、現像処理を施すことにより、基板のフォトレジスト膜に、案内溝やピットからなるパターンが形成され、このパターン上に導電膜を被着し、導電膜上に電鋳皮膜を配設し、電気鋳造を行なって剥離処理することによりスタンパが製造される。そして、このスタンパに、後加工処理、成形処理、成膜処理及び検査処理が施されて光ディスクなどの情報記録媒体が製造される。
このようにして製造された情報記録媒体に情報を記録し、再生動作を行なわせた所、内周外周とも同一の高品質の再生信号が得られた。
【００４０】
（第２実施例）
この実施例は、成形時に基板１３の最外周位置での転写が不十分になることを防止するために、最外周位置のパターンを深くするために、基板１３の最外周位置にフォトレジスト膜厚が厚く設定される場合である。
この場合、基板１３のフォトレジスト膜は、最外周で内周よりも５０  厚くなるように、半径５０ｍｍ以上ではフォトレジストの膜厚が順次厚く設定されている。
このような基板１３に対して、電子ビームを露光した後で、ＰＥＢ処理し、現像処理を施すことにより、フォトレジストに形成されたパターンの溝幅と、対応する半径方向位置との間には、図４の補正前のように、第１実施例よりもさらに大きな溝幅差が認められた。
この場合、ＣＰＵ２９の特性関係データ格納手段には、測定で得られた図４の補正前の特性関係データと、基板１３の半径方向位置と露光量との特性関係データとが格納され、ＣＰＵ２９の演算手段によって、これらの特性関係データから、基板１３の半径方向位置ごとに必要な露光感度が演算され、この露光感度に基づいて、所定の露光感度が得られる線速度が演算される。
【００４１】
そして、基板１３の半径方向位置において、演算結果で得られた線速度の指令信号がＣＰＵ２９から、回転送りパルス発生器２５に入力され、スピンドルドライバ２２からは、各半径方向位置において、演算された線速度を設定する駆動信号がスピンドルモータ１７に入力され、基板１３の半径方向位置で線速度が制御され、相対露光線量が一定となるように露光制御が行なわれる。
この露光制御によって、基板１３のフォトレジストには、図４の補正後に示すように、ほぼ均一幅のパターンが露光され、この基板１３をＰＥＢ処理し、現像処理を施すことにより、基板のフォトレジスト膜に、案内溝やピットからなるパターンが形成され、このパターン上に導電膜を被着し、導電膜上に電鋳皮膜を配設し、電気鋳造を行なって剥離処理することによりスタンパが製造される。そして、このスタンパに、後加工処理、成形処理、成膜処理及び検査処理が施されて光ディスクなどの情報記録媒体が製造される。
このようにして製造された情報記録媒体に、情報を記録し再生動作を行なわせた所、内周外周とも同一の高品質の再生信号が得られた。
【００４２】
（第３実施例）
この実施例は、基板１３に外周部位置で溝幅を狭くしたパターンを形成する場合である。
基板１３に形成しようとするパターンの溝幅と、基板１３の半径方向位置との間には、図５（ａ）に示す条件が設定されるものとすると、この特性関係データと、この場合の露光量とパターン幅との特性関係データとが、ＣＰＵ２９の特性関係データ格納手段に格納され、ＣＰＵ２９の演算手段によって、これらの特性関係データに基づいて、この場合に基板１３の半径方向位置において、それぞれ必要な露光量が、同図（ｂ）に示すように演算され、さらに、この場合に基板１３の半径方向位置において、それぞれ必要な露光線速度が、同図（ｃ）に示すように演算される。
【００４３】
そして、基板１３の半径方向位置において、演算結果で得られた線速度の指令信号がＣＰＵ２９から、回転送りパルス発生器２５に入力され、スピンドルドライバ２２からは、各半径方向位置において、演算された線速度を設定する駆動信号がスピンドルモータ１７に入力され、基板１３の半径方向位置で相対露光線量が一定となるように露光制御が行なわれる。
この露光制御によって、基板１３のフォトレジストには、図５（ｄ）の補正後に示すように、同図（ａ）の各半径位置で目標パターン幅を満足する溝幅のパターンが露光され、この基板１３をＰＥＢ処理し、現像処理を施すことにより、基板のフォトレジスト膜に、外周方向で溝幅が狭められるパターンが形成され、このパターン上に導電膜を被着し、導電膜上に電鋳皮膜を配設し、電気鋳造を行なって剥離処理することによりスタンパが製造される。そして、このスタンパに、後加工処理、成形処理、成膜処理及び検査処理が施されて光ディスクなどの情報記録媒体が製造される。
製造された情報記録媒体に情報を記録し、再生動作を行なった所、内周外周とも同一の高品質の再生信号が得られた。
【００４４】
このように、本実施の形態によると、ＣＰＵ２９の特性関係データ格納手段には、対象となる基板１３に対して予め測定される露光量とパターン幅との特性関係データが格納され、均一溝幅のパターンの形成を行なう場合には、予め測定される基板の半径方向位置と対応するパターン幅との特性関係データが、さらに特性関係データ格納手段に格納され、一方、基板１３の半径位置方向で異なる溝幅のパターンの形成を行なう場合には、基板１３の半径方向位置と対応するパターンの目標溝幅との特性関係データが、さらに特性関係データ格納手段に格納される。
そして、ＣＰＵ２９の演算手段が、特性関係データ格納手段に格納される特性関係データに基づいて、均一溝幅のパターン形成を行なう場合と、半径方向位置で異なる溝幅のパターン形成を行なう場合とに、それぞれ対応する半径方向位置に対応して必要な露光線速度を演算し、得られる演算値に基づいて、ＣＰＵ２９から出力される指令信号によって、回転送りパルス発生器２５から、スピンドルドライバ２２に指令パルスが入力され、ドライバ２２によって、スピンドルモータ１７は、基板１３を半径方向位置に対応して所定の線速度になるように回転制御する。
【００４５】
このために、本実施の形態によると、基板１３の内周側と外周側との、露光から現像までの時間差、露光時の熱影響の差、フォトレジスト膜差、基板１３の移動による照射電子ビームの変動による均一パターン幅のパターン形成を補償して、また、成形時に最外周での不十分転写の補正のために、最外周のフォトレジスト膜厚を厚くした場合にも対応して、常に均一溝幅の高品質のパターン形成が可能になると共に、基板１３の半径位置方向で異なる溝幅のパターンを形成する場合にも適確に対応して、常に目標パターン幅の高品質のパターン形成が可能になり、微細化されたグレーブやピットが高精度に形成された高品質の情報記録媒体を製造することが可能になる。
【００４６】
［第２の実施の形態］
本発明の第２の実施の形態を、図６を参照して説明する。
図６は本実施の形態の要部の構成を示すブロック図である。
【００４７】
本実施の形態は、図６に示すように、ＣＰＵ２９に、基準パルス発生器２７が接続され、基準パルス発生器２７が、フォーマッタ２６、ウォブル信号発生器２８及び回転送りパルス発生器２５にそれぞれ接続されている。
本実施の形態のその他の部分の構成は、すでに説明した第１の実施の形態と同一なので、重複する説明は行なわない。
【００４８】
本実施の形態では、ＣＰＵ２９からの指令信号に基づいて、基準パルス発生器２７から、フォーマッタ２６、ウォブル信号発生器２８及び回転送りパルス発生器２５に、それぞれ高精度の基準パルスが出力され、フォーマッタ２６、ウォブル信号発生器２８及び回転送りパルス発生器２５からは、それぞれに入力される基準パルスに基づいて、フォーマット信号Ｆｂ、フォーマット信号Ｆｂ１、スピンドルドライバ２２と横送りドライバ２１の駆動信号が出力されるので、ＣＰＵ２９からの指令で基準基準パルスを、半径方向位置に対応して容易に変更制御することができ、線速度を変更しても記録されるパターンやウォブル動作への影響を防止することが可能になる。
本実施の形態のその他の動作及び効果は、すでに説明した第１の実施の形態の動作及び動作と同一なので、重複する説明は行なわない。
【００４９】
【発明の効果】
請求項１記載の発明によると、電子ビームに対して基板を相対的に直線移動させ、且つ基板を回転させながら、電子ビームを基板に照射することにより、基板の表面に被着されたレジスト膜にパターンが描画されるが、照射線密度変更ステップで、基板の半径方向の位置に対応して、電子ビームの基板に対する照射線速度が変更されることにより、電子ビームの照射線密度が変更されるので、基板の半径方向位置の違いに起因する露光から現像までの時間差、位置ごとの温度差、レジスト膜厚差、電子ビームの変動などによるパターン幅の変動を補正して、均一幅の高品質のパターン描画が可能になり、或いは、基板の半径方向位置に対応して設定される目的パターン幅の高品質のパターンを形成して、半径方向位置でパターン幅の異なる高品質のパターン描画が可能になる。
【００５０】
請求項２記載の発明によると、演算ステップにより、予め測定される基板の半径方向位置と対応するパターン幅間の特性関係データ、及び露光量と対応するパターン幅間の特性関係データに基づいて、半径方向位置に対応するパターン幅変化が露光感度変化に換算され、演算ステップで得られる露光感度変化を補正するように、描画パターン幅制御ステップによって、半径方向位置での照射線速度が変更されることにより、均一幅のパターンによるパターン描画が行なわれ、請求項１記載の発明で得られる均一幅のパターンによるパターン描画時の効果を実現することが可能になる。
【００５１】
請求項３記載の発明によると、露光量演算ステップにより、予め測定される露光量と対応するパターン幅間の特性関係データと、予め設定される基板の半径位置に対応する目的パターン幅とに基づき、半径位置ごとの露光量が演算され、照射線速度演算ステップにより、露光量演算ステップでの演算結果に基づき、半径位置ごとに目的パターン幅を形成する照射線速度が演算され、パターン描画制御ステップにより、半径位置に対応して照射線速度演算ステップで演算される照射線速度で、基板に電子ビームが照射され、半径位置に対応する目的パターン幅でパターン描画が行なわれ、請求項１記載の発明で得られる半径方向位置でパターン幅の異なるパターン描画時の効果を実現することが可能になる。
【００５２】
請求項４記載の発明では、基板を回転させる回転ステージと基板を半径方向に直線移動する直動ステージとが設けられ、基板に収束した電子ビームを照射して、基板の表面に被着されたレジスト膜にパターンが描画されるが、照射線速度設定手段により、回転ステージと直動ステージとが関連駆動制御され、基板に対する電子ビームの照射線速度が設定され、照射線密度制御手段により、基板の半径位置に対応して、照射線速度設定手段で設定される照射線速度で、電子ビームが照射されることにより、電子ビームの照射線密度が制御される。
このために、基板の半径方向位置の違いに起因する露光から現像までの時間差、位置ごとの温度差、レジスト膜圧差、電子ビームの変動などによるパターン幅の変動を補正して、均一幅の高品質のパターン描画を行なうことが可能になり、或いは、基板の半径方向位置に対応して設定される目的パターン幅の高品質のパターンを露光して、半径方向位置でパターン幅の異なる高品質のパターン描画を行なうことが可能になる。
【００５３】
請求項５記載の発明によると、フォーマッタにより、描画パターンを指定するフォーマッタ信号が出力され、ＯＮ−ＯＦＦ切換手段により、フォーマッタ信号に基づき、電子ビームの照射と遮断の切換が行なわれ、ウォブル手段により、照射電子ビームの位置が基板上で基板の半径方向に偏向されて、パターン描画が行なわれるが、周波数変更手段により、照射線密度制御手段で制御される照射線速度に対応して、フォーマッタ信号の周波数とウォブル手段のウォブル信号の周波数とが変更されるので、請求項４記載の発明で得られる効果に加えて、駆動系とピットパターン及びウォブル動作の同期が取られ、ジッタやウォブルジッタを大幅に低減して、高品質のパターン描画を行なうことが可能になる。
【００５４】
請求項６記載の発明によると、請求項５記載の発明で得られる効果に加えて、基準パルス変更手段により、フォーマッタ、ＯＮ−ＯＦＦ制御手段、ウォブル手段、照射線速度設定手段及び照射線密度制御手段に供給される基準パルスが変更されるので、各部の動作の基準パルスが、動作に対応して精度よく設定され、ジッタやウォブルジッタをさらに大幅に低減して、より高品質のパターン描画を行なうことが可能になる。
【００５５】
請求項７記載の発明の製造に際しては、電子ビームに対して基板を相対的に直線移動させ、且つ基板を回転させることにより得られる照射線速度で、電子ビームが基板に照射されてパターン描画が行なわれ、予め測定される基板の半径方向位置と対応するパターン幅間の特性関係データ、及び露光量と対応するパターン幅間の特性関係データに基づいて、基板の半径方向位置でのパターン幅変化が露光感度変化に換算され、得られる露光感度変化を補正するように照射線速度が変更されて、電子ビームの照射線密度が変更された電子ビームが、基板に照射される。
このために、基板の表面に被着されたレジスト膜には、均一幅のパターンによるパターン描画が行なわれ、現像処理が施され、導電膜が被着され、電気鋳造処理後に剥離されて製造が行なわれるので、基板の半径方向位置の違いに起因する露光から現像までの時間差、位置ごとの温度差、レジスト膜圧差、電子ビームの変動などによるパターン幅の変動を補正して、表面に均一幅の高品質のパターンの描画が行なわれた形成用スタンパを製造取得することが可能になる。
【００５６】
請求項８記載の発明の製造に際しては、電子ビームに対して基板を相対的に直線移動させ、且つ基板を回転させることにより得られる照射線速度で、電子ビームが基板に照射されてパターン描画が行なわれ、予め測定される露光量と対応するパターン幅間の特性関係データと、予め設定される基板の半径位置に対応する目的パターン幅とに基づき、半径位置に対応する露光量が演算され、得られる演算結果に基づき、半径位置に対応して目的パターン幅を形成する照射線速度が演算され、半径位置に対応して演算される照射線速度で、基板に電子ビームが照射され、半径位置に対応する目的パターン幅でパターン描画が行なわれ、現像処理が施され、導電膜が被着され、電気鋳造後に剥離されて製造が行なわれる。
このために、基板の半径方向位置の違いに起因する露光から現像までの時間差、位置ごとの温度差、レジスト膜圧差、電子ビームの変動などによるパターン幅の変動を補正して、表面に基板の半径方向位置に対応して設定される目的パターン幅の高品質のパターンを形成して、半径方向位置でパターン幅の異なる高品質のパターンの描画が行なわれた形成用スタンパを製造取得することが可能になる。
【００５７】
請求項９記載の発明は、請求項７記載の発明に、後加工処理、成形処理、成膜処理及び検査処理が施されて製造されるので、基板の半径方向位置の違いに起因する露光から現像までの時間差、位置ごとの温度差、レジスト膜圧差、電子ビームの変動などによるパターン幅の変動を補正して、表面に均一幅の高品質のパターンの描画の彫設が可能になる。
【００５８】
請求項１０記載の発明は、請求項８記載の発明に、後加工処理、成形処理、成膜処理及び検査処理が施されて製造されるので、基板の半径方向位置の違いに起因する露光から現像までの時間差、位置ごとの温度差、レジスト膜圧差、電子ビームの変動などによるパターン幅の変化を補正して、表面に基板の半径方向位置に対応して設定される目的パターン幅の高品質のパターンを形成して、半径方向位置でパターン幅の異なる高品質のパターン描画の彫設が可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態の要部の構成を示すブロック図である。
【図２】同実施の形態の第１実施例の動作を示す動作特性図である。
【図３】同実施の形態の第１実施例での形成パターン幅変動特性を示す動作特性図である。
【図４】同実施の形態の第２実施例での形成パターン幅変動特性を示す動作特性図である。
【図５】同実施の形態の第３実施例の動作を示す動作特性図である。
【図６】本発明の第２の実施の形態の要部の構成を示すブロック図である。
【図７】レーザ光露光装置の要部の構成を示すブロック図である。
【図８】レーザ光露光装置によるスタンパ製造の説明図である。
【図９】従来の電子ビーム露光装置の構成を示す断面説明図である。
【図１０】従来の電子ビーム露光装置の要部の構成を示すブロック図である。
【符号の説明】
９  ブランキング電極
１０  絞り
１１  変更器
１３  基板
１４  回転ステージ
１５  直動ステージ
１６  モータ
１７  スピンドルモータ
２１  横送りドライバ
２２  スピンドルドライバ
２５  回転送りパルス発生器
２７  基準パルス発生器
２９  ＣＰＵ
【図１】
2004185786.tif 000003
【図２】
2004185786.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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