(57)【要約】【課題】半導体受光素子出力の低下を招くことなく、装置の信頼性を確保することが可能な半導体光検出装置を提供すること。【解決手段】半導体受光素子１１における対向する２辺１１ａ，１１ｂの長さは、開口２７を形成するベース部材２１の縁部２２における対向する１組の２辺２２ａ，２２ｂの長さよりも大きく設定されている。半導体受光素子１１は、２辺１１ａ，１１ｂの方向の両端部が、開口２７を形成する縁部２２と重なるように、当該開口２７に対して配置されている。また、半導体受光素子１１は、開口２７を通して光感応部１３に光が入射するように、ベース部材２１の他方面側に配置されている。半導体受光素子１１は、上述したように配置された状態で、半導体受光素子１１における開口２７を形成する縁部２２と重なっている部分と当該縁部２２が接着剤３１により接着されることにより、ベース部材２１に搭載されている。【選択図】  図１
2004214291.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入射された光を光電変換する光感応部と、前記光感応部に電気的に接続された電極部とを有し、矩形形状を呈する半導体受光素子と、
矩形形状の開口が形成されており、当該開口内側に延設されたリードを有し、前記半導体受光素子が搭載されるベース部材と、を備えた半導体光検出装置であって、
前記半導体受光素子における２組の対向する２辺のうちの少なくとも１組の対向する２辺の夫々の長さが、前記開口を形成する前記ベース部材の縁部における対向する１組の２辺の夫々の長さよりも大きく設定されており、
前記半導体受光素子は、前記縁部における前記対向する１組の２辺の夫々の長さよりも大きく設定された前記半導体受光素子における前記対向する２辺の方向の両端部が前記縁部と重なるように、当該開口に対して配置され、
前記電極部と前記リードとがバンプ接続されると共に、前記半導体受光素子における前記縁部と重なっている部分と前記縁部とが接着されることにより、前記半導体受光素子が前記ベース部材に搭載されていることを特徴とする半導体光検出装置。
【請求項２】
前記半導体受光素子における前記縁部と重なっている部分と前記縁部との間に介在するスペーサを更に備え、
前記スペーサにより提供される前記半導体受光素子における前記縁部と重なっている部分と前記縁部との間の空間に前記接着剤が充填されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体光検出装置。
【請求項３】
前記半導体受光素子は、前記光感応部に電気的に接続されていない複数のダミー電極部を更に有し、
前記ベース部材は、外部と電気的に接続されない複数のリードを更に有し、
前記ダミー電極部と前記外部と電気的に接続されないリードとが夫々バンプ接続されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体光検出装置。
【請求項４】
前記各リードは、前記半導体受光素子が接着されない縁部における各辺の夫々に沿って並設されており、
前記電極部及び前記ダミー電極部は、前記縁部における前記対向する１組の２辺の夫々の長さよりも大きく設定された前記半導体受光素子における前記対向する２辺の夫々に沿って並設されていることを特徴とする請求項３に記載の半導体光検出装置。
【請求項５】
前記電極部及び前記ダミー電極部は、前記縁部に接着される前記両端部の夫々に沿って並設されており、
前記電極部及び前記ダミー電極部にバンプ接続された前記リードと前記半導体受光素子とで画成される空間に前記接着剤が充填されていることを特徴とする請求項３に記載の半導体光検出装置。
【請求項６】
前記リードは、前記ベース部材の一方面側に設けられ、
前記光感応部及び前記電極部は、前記半導体受光素子の一方面側に設けられており、
前記半導体受光素子は、前記開口を通して前記光感応部に光が入射するように、前記ベース部材の他方面側に配置されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体光検出装置。
【請求項７】
前記接着剤は、前記ベース部材の他方面と前記半導体受光素子とにわたって塗布された状態で硬化されていることを特徴とする請求項６に記載の半導体光検出装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体光検出装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来から、矩形形状を呈する半導体素子と、この半導体素子を搭載するための開口が矩形形状に形成されており、当該開口に沿って設けられたリードを有する基材とを備え、半導体素子の電極とリードとがバンプ接続された状態で、当該バンプ接続部分、半導体素子及び開口を覆うように樹脂モールドした構成の半導体装置が知られている（例えば、特許文献１参照。）。なお、特許文献１に記載された半導体装置においては、半導体素子の面積は、開口の面積よりも小さく設定されている。
【０００３】
【特許文献１】
特開平４−３６１５３９号公報
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
本発明者等の調査研究の結果、特許文献１に記載されたような構成の半導体装置を、半導体受光素子を有する半導体光検出装置に適用しようとした場合、以下のような問題点が存在することが新たに判明した。
【０００５】
半導体光検出装置において検出対象となる光が、紫外線〜青色等の比較的エネルギーが高い帯域の光を含んでいる場合、光（エネルギー線）の照射により、モールドした樹脂が不透明化し、半導体受光素子の出力が低下することとなってしまう。
【０００６】
半導体受光素子の出力が低下するという問題点を解決するためには、樹脂モールドを行なわず、樹脂をなくすことが考えられる。しかしながら、樹脂モールドを行なわない場合、半導体受光素子は、リードを介してのみ基材に支持されることとなり、半導体受光素子及びリードの開口内側に位置する部分は安定せず、基材の主面に交差する方向に振動する。半導体受光素子及びリードの開口内側に位置する部分の上記の振動により半導体受光素子とリードとが接触して、ショートが発生したり、当該振動が繰り返されることによりリード自体が切断されてしまったりして、装置の信頼性が低下する惧れがある。
【０００７】
本発明は上述の点に鑑みてなされたもので、半導体受光素子出力の低下を招くことなく、装置の信頼性を確保することが可能な半導体光検出装置を提供することを課題とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る半導体光検出装置は、入射された光を光電変換する光感応部と、光感応部に電気的に接続された電極部とを有し、矩形形状を呈する半導体受光素子と、矩形形状の開口が形成されており、当該開口内側に延設されたリードを有し、半導体受光素子が搭載されるベース部材と、を備えた半導体光検出装置であって、半導体受光素子における２組の対向する２辺のうちの少なくとも１組の対向する２辺の夫々の長さが、開口を形成するベース部材の縁部における対向する１組の２辺の夫々の長さよりも大きく設定されており、半導体受光素子は、縁部における対向する１組の２辺の夫々の長さよりも大きく設定された半導体受光素子における対向する２辺の方向の両端部が縁部と重なるように、当該開口に対して配置され、電極部とリードとがバンプ接続されると共に、半導体受光素子における縁部と重なっている部分と縁部とが接着されることにより、半導体受光素子がベース部材に搭載されていることを特徴としている。
【０００９】
本発明に係る半導体光検出装置では、上述したように、半導体受光素子における２組の対向する２辺のうちの少なくとも１組の対向する２辺の夫々の長さが、開口を形成するベース部材の縁部における対向する１組の２辺の夫々の長さよりも大きく設定されているので、半導体受光素子は、縁部における対向する１組の２辺の夫々の長さよりも大きく設定された半導体受光素子における対向する２辺の方向の両端部とが縁部とが重なるように、ベース部材の開口に対して配置され、半導体受光素子における縁部と重なっている部分と当該縁部とを接着することにより、ベース部材に搭載される。これにより、半導体受光素子は、ベース部材に確実に固定支持されることとなり、装置の信頼性を確保することができる。また、半導体受光素子及び開口等を覆うように樹脂モールドする必要はないため、モールドした樹脂の変色に起因する半導体受光素子出力の低下が生じるようなことはない。
【００１０】
また、半導体受光素子における縁部と重なっている部分と縁部との間に介在するスペーサを更に備え、スペーサにより提供される半導体受光素子における縁部と重なっている部分と縁部との間の空間に接着剤が充填されていることが好ましい。このように構成した場合、半導体受光素子とベース部材との間に充填する接着剤の量を装置毎で概ね一定にすることができ、使用する接着剤の量の管理を容易に行なうことができる。
【００１１】
また、半導体受光素子は、光感応部に電気的に接続されていない複数のダミー電極部を更に有し、ベース部材は、外部と電気的に接続されない複数のリードを更に有し、ダミー電極部と外部と電気的に接続されないリードとが夫々バンプ接続されていることが好ましい。このように構成した場合、半導体受光素子とベース部材との機械的接続強度を高めることができる。
【００１２】
また、上記各リードは、半導体受光素子が接着されない縁部における各辺の夫々に沿って並設されており、電極部及びダミー電極部は、縁部における対向する１組の２辺の夫々の長さよりも大きく設定された半導体受光素子における対向する２辺の夫々に沿って並設されていることが好ましい。このように構成した場合、バンプ接続と接着との夫々を半導体受光素子及び開口（ベース部材）の異なる位置（辺）において行なうことができ、各々の工程を容易に行なうことができる。
【００１３】
また、電極部及びダミー電極部は、縁部に接着される両端部の夫々に沿って並設されており、電極部及びダミー電極部にバンプ接続されたリードと半導体受光素子とで画成される空間に接着剤が充填されていることが好ましい。このように構成した場合、リードにより接着剤が広がるのを防ぐことができ、半導体受光素子とベース部材との接着を確実に行なうことができる。
【００１４】
また、リードは、ベース部材の一方面側に設けられ、光感応部及び電極部は、半導体受光素子の一方面側に設けられており、半導体受光素子は、開口を通して光感応部に光が入射するように、ベース部材の他方面側に配置されていることが好ましい。このように構成した場合、光感応部及び電極部が半導体受光素子の同じ面側に設けられていても、光感応部への光の入射が妨げられるようなことはない。
【００１５】
また、接着剤は、ベース部材の他方面と半導体受光素子とにわたって塗布された状態で硬化されていることが好ましい。このように構成した場合、光感応部に接着剤が付着するのを防ぐことができ、半導体受光素子出力の低下をより一層確実に防止できる。
【００１６】
【発明の実施の形態】
本発明の実施形態に係る半導体光検出装置について図面を参照して説明する。なお、説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には、同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。
【００１７】
（第１実施形態）
図１は、本第１実施形態に係る半導体光検出装置を示す平面図であり、図２は、図１のII−II線に沿った断面構成を説明するための概略図であり、図３（ａ）は、図１のIIIＡ−IIIＡ線に沿った断面構成を説明するための概略図であり、図３（ｂ）は、図１のIIIＢ−IIIＢ線に沿った断面構成を説明するための概略図である。図４は、半導体光検出装置に含まれる半導体受光素子を示す平面図である。
【００１８】
本実施形態の半導体光検出装置１は、図１〜図３（ａ）及び（ｂ）に示されるように、半導体受光素子１１、当該半導体受光素子１１が搭載されるベース部材２１等を備えている。
【００１９】
半導体受光素子１１は、図４にも示されるように、平面視で矩形形状（本実施形態においては、例えば２．７ｍｍ×２．０ｍｍの長方形形状）を呈しており、光感応部１３、一対の電極部１５，１７及び複数のダミー電極部１９を有している。これらの光感応部１３、電極部１５，１７及びダミー電極部１９は、半導体受光素子１１の一方面側に設けられている。
【００２０】
光感応部１３は、入射された光を光電変換するものであり、光の入射強度に応じた電荷量を蓄積するフォトダイオードにて構成されている。電極部１５，１７は、光感応部１３（フォトダイオード）に電気的に接続されており、一方の電極部１５がフォトダイオードのカソードに接続され、他方の電極部１７がフォトダイオードのアノードに接続されている。ダミー電極部１９は、光感応部１３（フォトダイオード）に電気的に接続されていない。電極部１５及びダミー電極部１９は、半導体受光素子１１における対向する２辺のうちの一方の辺（長辺）１１ｂに沿って並設されており、電極部１７及びダミー電極部１９は、他方の辺（長辺）１１ａに沿って並設されている。
【００２１】
ベース部材２１は、図１〜図３（ａ）及び（ｂ）に示されるように、複数のリード２３，２５とを有している。このベース部材２１は、ポリイミド等の絶縁材料からなるフィルム状の部材であり、矩形形状（本実施形態においては、例えば２．４ｍｍ×２．６ｍｍの長方形状）の開口２７が形成されている。リード２３，２５は、ベース部材２１の一方面側に設けられており、その一端側（インナーリード部分）が開口２７の内側まで延びている。リード２３，２５は、開口２７を形成するベース部材２１の縁部２２における対向する２辺２２ａ，２２ｂの夫々に沿って並設されている。リード２３は、外部（半導体光検出装置１を搭載するプリント配線基板等）と電気的に接続され、リード２５は、外部と電気的に接続されない。
【００２２】
本実施形態においては、半導体受光素子１１における対向する２辺１１ａ，１１ｂの夫々の長さ（２．７ｍｍ）が、開口２７を形成するベース部材２１の縁部２２における対向する１組の２辺２２ａ，２２ｂの夫々の長さ（２．４ｍｍ）よりも大きく設定されている。
【００２３】
半導体受光素子１１は、図１及び図２に示されるように、上記２辺１１ａ，１１ｂの方向（長辺方向）の両端部、即ち、半導体受光素子１１における対向する２辺（短辺）１１ｃ，１１ｄ側の端部が、開口２７を形成する縁部２２と重なるように、当該開口２７に対して配置されている。また、半導体受光素子１１は、開口２７を通して光感応部１３に光が入射するように、ベース部材２１の他方面側に配置されている。本実施形態において、半導体受光素子１１は、対向する２辺１１ａ，１１ｂ（長辺）が縁部２２の２辺２２ａ，２２ｂと略平行となるように、配置されている。
【００２４】
半導体受光素子１１は、上述したように配置された状態で、半導体受光素子１１における開口２７を形成する縁部２２と重なっている部分と当該縁部２２が接着剤３１により接着されることにより、ベース部材２１に搭載されている。即ち、半導体受光素子１１は、電極部１５及びダミー電極部１９が設けられていない側の端部がベース部材２１の縁部２２に接着されることにより、ベース部材２１に搭載されている。接着剤３１は、ベース部材２１の他方面と半導体受光素子１１とにわたって塗布された状態で硬化される。この接着剤３１としては、エポキシ系樹脂を主成分とするものを用いることができる。
【００２５】
半導体受光素子１１は、ベース部材２１にＴＡＢ（Tape Automated Bonding）方式によっても、ベース部材２１に搭載されている。電極部１５，１７の夫々は、図３（ａ）に示されるように、対応するリード２３にバンプ電極３３を介してバンプ接続されている。また、ダミー電極部１９の夫々は、図３（ｂ）に示されるように、対応するリード２５にバンプ電極３３を介してバンプ接続されている。
【００２６】
以上のように、本第１実施形態によれば、半導体受光素子１１における１組の対向する２辺１１ａ，１１ｂの夫々の長さが、開口２７を形成するベース部材２１の縁部２２における対向する１組の２辺２２ａ，２２ｂの夫々の長さよりも大きく設定されているので、半導体受光素子１１は、当該２辺１１ａ，１１ｂの方向の両端部が縁部２２と重なるように、ベース部材２１の開口２７に対して配置され、半導体受光素子１１における縁部２２と重なっている部分と当該縁部２２とを接着することにより、ベース部材２１に搭載される。これにより、半導体受光素子１１は、ベース部材２１に確実に固定支持されることとなり、装置１の信頼性を確保することができる。また、半導体受光素子１１及び開口２７等を覆うように樹脂モールドする必要はないため、モールドした樹脂の変色に起因する半導体受光素子１１の出力の低下が生じるようなことはない。
【００２７】
本第１実施形態においては、半導体受光素子１１は、光感応部１３に電気的に接続されていない複数のダミー電極部１９を更に有し、ベース部材２１は、外部と電気的に接続されない複数のリード２５を更に有しており、ダミー電極部１９とリード２５とが夫々バンプ接続されている。これにより、半導体受光素子１１とベース部材２１との機械的接続強度を高めることができる。
【００２８】
また、本第１実施形態においては、上記各リード２３，２５は、半導体受光素子１１が接着されない縁部２２における各辺２２ａ，２２ｂの夫々に沿って並設されており、電極部１５，１７及びダミー電極部１９は、半導体受光素子１１における対向する２辺１１ａ，１１ｂの夫々に沿って並設されている。これにより、バンプ接続と接着との夫々を半導体受光素子１１及び開口２７（ベース部材２１）の異なる位置（辺）において行なうことができ、各々の工程を容易に行なうことができる。
【００２９】
また、本第１実施形態においては、リード２３，２５は、ベース部材２１の一方面側に設けられ、光感応部１３及び電極部１５，１７は、半導体受光素子１１の一方面側に設けられており、半導体受光素子１１は、開口２７を通して光感応部１３に光が入射するように、ベース部材２１の他方面側に配置されている。これにより、光感応部１３及び電極部１５，１７が半導体受光素子１１の同じ面側に設けられていても、光感応部１３への光の入射が妨げられるようなことはない。
【００３０】
また、本第１実施形態においては、接着剤３１は、ベース部材２１の他方面と半導体受光素子１１とにわたって塗布された状態で硬化されている。これにより、光感応部１３に接着剤が付着するのを防ぐことができ、半導体受光素子１１の出力の低下をより一層確実に防止できる。
【００３１】
（第２実施形態）
図５は、本第２実施形態に係る半導体光検出装置を示す平面図であり、図６は、図５のVI−VI線に沿った断面構成を説明するための概略図であり、図７（ａ）は、図５のVIIＡ−VIIＡ線に沿った断面構成を説明するための概略図であり、図７（ｂ）は、図５のVIIＢ−VIIＢ線に沿った断面構成を説明するための概略図である。第２実施形態の半導体光検出装置は、スペーサを備えている点で、上記第１実施形態と相違する。
【００３２】
本実施形態の半導体光検出装置４１は、図５〜図７（ａ）及び（ｂ）に示されるように、半導体受光素子１１、ベース部材２１、スペーサ４３等を備えている。
【００３３】
スペーサ４３は、半導体受光素子１１におけるベース部材２１の縁部２２と重なっている部分と当該縁部２２との間に介在し、電気絶縁性を有している。このスペーサ４３は、半導体受光素子１１におけるベース部材２１の縁部２２と重なっている部分と当該縁部２２との間に所定の空間を提供しており、この所定の空間には、接着剤３１が充填されている。
【００３４】
本第２実施形態の半導体光検出装置４１においても、上述した第１実施形態と同じく、半導体受光素子１１の出力の低下を招くことなく、装置４１の信頼性を確保することができる。
【００３５】
また、本第２実施形態によれば、スペーサ４３により提供される半導体受光素子１１におけるベース部材２１の縁部２２と重なっている部分と当該縁部２２との間の所定の空間に接着剤３１が充填されている。これにより、半導体受光素子１１とベース部材２１との間に充填する接着剤３１の量を装置毎で概ね一定にすることができ、使用する接着剤３１の量の管理を容易に行なうことができる。
【００３６】
（第３実施形態）
図８は、本第３実施形態に係る半導体光検出装置を示す平面図であり、図９は、図８のIX−IX線に沿った断面構成を説明するための概略図であり、図１０（ａ）は、図８のXＡ−XＡ線に沿った断面構成を説明するための概略図であり、図１０（ｂ）は、図８のXＢ−XＢ線に沿った断面構成を説明するための概略図である。図１１は、半導体光検出装置に含まれる半導体受光素子を示す平面図である。第３実施形態の半導体光検出装置は、半導体受光素子とベース部材との接着位置に関して、上記第１実施形態と相違する。
【００３７】
本第３実施形態の半導体光検出装置５１において、図１１に示されるように、電極部１５及びダミー電極部１９は、半導体受光素子１１における対向する２辺のうちの一方の辺（短辺）１１ｄに沿って並設されており、電極部１７及びダミー電極部１９は、他方の辺（短辺）１１ｃに沿って並設されている。なお、半導体受光素子１１は、２．０ｍｍ×２．９ｍｍの長方形状を呈している。
【００３８】
本実施形態においては、半導体受光素子１１における対向する２辺１１ａ，１１ｂの夫々の長さ（２．９ｍｍ）が、開口２７を形成するベース部材２１の縁部２２における対向する１組の２辺２２ｃ，２２ｄの夫々の長さ（２．６ｍｍ）よりも大きく設定されている。
【００３９】
半導体受光素子１１は、図８〜図１０（ａ）及び（ｂ）に示されるように、上記２辺１１ａ，１１ｂの方向（長辺方向）の両端部、即ち、半導体受光素子１１における対向する２辺（短辺）１１ｃ，１１ｄ側の端部が、開口２７を形成する縁部２２と重なるように、当該開口２７に対して配置されている。また、半導体受光素子１１は、開口２７を通して光感応部１３に光が入射するように、ベース部材２１の他方面側に配置されている。
【００４０】
本実施形態において、半導体受光素子１１は、対向する２辺１１ａ，１１ｂ長辺が縁部２２の２辺２２ｃ，２２ｄと略平行となるように、配置されている。また、半導体受光素子１１は、電極部１５及びダミー電極部１９が設けられた側の端部がベース部材２１の縁部２２に接着されることにより、ベース部材２１に搭載されている。
【００４１】
本第３実施形態の半導体光検出装置５１においても、上述した第１実施形態と同じく、半導体受光素子１１の出力の低下を招くことなく、装置５１の信頼性を確保することができる。
【００４２】
また、本第３実施形態においては、電極部１５，１７及びダミー電極部１９が、縁部２２に接着される両端部（辺１１ｃ，１１ｄ）の夫々に沿って並設されており、電極部１５，１７及びダミー電極部１９にバンプ接続されたリード２３，２５と半導体受光素子１１とで画成される空間に接着剤３１が充填されている。これにより、リード２３，２５により接着剤３１が広がるのを防ぐことができ、半導体受光素子１１とベース部材２１との接着を確実に行なうことができる。また、接着剤３１が光感応部１３に付着するのを防止でき、半導体受光素子１１の出力の低下を確実に防ぐことができる。
【００４３】
（第４実施形態）
図１２は、本第４実施形態に係る半導体光検出装置を示す平面図であり、図１３は、図１２のXIII−XIII線に沿った断面構成を説明するための概略図であり、図１４（ａ）は、図１２のXIVＡ−XIVＡ線に沿った断面構成を説明するための概略図であり、図１４（ｂ）は、図１２のXIVＢ−XIVＢ線に沿った断面構成を説明するための概略図である。第４実施形態の半導体光検出装置は、スペーサを備えている点で、上記第３実施形態と相違する。
【００４４】
本第４実施形態の半導体光検出装置６１は、図１２〜図１４（ａ）及び（ｂ）に示されるように、半導体受光素子１１におけるベース部材２１の縁部２２と重なっている部分と当該縁部２２との間に介在するスペーサ４３を備えている。
【００４５】
本第４実施形態の半導体光検出装置６１においても、上述した第３実施形態と同じく、半導体受光素子１１の出力の低下を招くことなく、装置６１の信頼性を確保することができる。また、スペーサ４３により、半導体受光素子１１とベース部材２１との間に充填する接着剤３１の量を装置毎で概ね一定にすることができ、使用する接着剤３１の量の管理を容易に行なうことができる。
【００４６】
（第５実施形態）
図１５は、本第５実施形態に係る半導体光検出装置を示す平面図であり、図１６は、図１５のXVI−XVI線に沿った断面構成を説明するための概略図であり、図１７（ａ）は、図１５のXVIIＡ−XVIIＡ線に沿った断面構成を説明するための概略図であり、図１７（ｂ）は、図１５のXVIIＢ−XVIIＢ線に沿った断面構成を説明するための概略図である。図１８は、半導体光検出装置に含まれる半導体受光素子を示す平面図である。第５実施形態の半導体光検出装置は、半導体受光素子とベース部材との接着位置に関して、上記第１実施形態と相違する。
【００４７】
本第５実施形態の半導体光検出装置７１において、図１８に示されるように、電極部１５及びダミー電極部１９は、半導体受光素子１１における対向する２辺のうちの一方の辺（短辺）１１ｄに沿って並設されており、電極部１７及びダミー電極部１９は、他方の辺（短辺）１１ｃに沿って並設されている。なお、半導体受光素子１１は、２．７ｍｍ×２．９ｍｍの長方形状を呈している。
【００４８】
本実施形態においては、半導体受光素子１１における４辺１１ａ〜１１ｄの夫々の長さ（２．７ｍｍ、２．９ｍｍ）が、開口２７を形成するベース部材２１の縁部２２における４辺２２ａ〜２２ｄの夫々の長さ（２．４ｍｍ、２．６ｍｍ）よりも大きく設定されている。
【００４９】
半導体受光素子１１は、図１５〜図１７（ａ）及び（ｂ）に示されるように、４辺１１ａ〜１１ｄ側の端部が、開口２７を形成する縁部２２と重なるように、当該開口２７に対して配置されている。また、半導体受光素子１１は、開口２７を通して光感応部１３に光が入射するように、ベース部材２１の他方面側に配置されている。
【００５０】
本実施形態において、半導体受光素子１１は、対向する２辺１１ａ，１１ｂ（長辺）が縁部２２の２辺２２ｃ，２２ｄと略平行となるように、配置されている。また、半導体受光素子１１は、電極部１５及びダミー電極部１９が設けられた側の端部及び電極部１５及びダミー電極部１９が設けられていない側の端部がベース部材２１の縁部２２に接着されることにより、ベース部材２１に搭載されている。
【００５１】
本第５実施形態の半導体光検出装置７１においても、上述した第１実施形態と同じく、半導体受光素子１１の出力の低下を招くことなく、装置７１の信頼性を確保することができる。
【００５２】
また、本第３実施形態において、半導体受光素子１１は、４辺１１ａ〜１１ｄ側の端部がベース部材２１の縁部２２に接着されるので、半導体受光素子１１とベース部材２１との機械的接続強度をより一層高めることができる。
【００５３】
（第６実施形態）
図１９は、本第６実施形態に係る半導体光検出装置を示す平面図であり、図２０は、図１９のXX−XX線に沿った断面構成を説明するための概略図であり、図２１（ａ）は、図１９のXXIＡ−XXIＡ線に沿った断面構成を説明するための概略図であり、図２１（ｂ）は、図１９のXXIＢ−XXIＢ線に沿った断面構成を説明するための概略図である。第６実施形態の半導体光検出装置は、スペーサを備えている点で、上記第５実施形態と相違する。
【００５４】
本第６実施形態の半導体光検出装置８１は、図１９〜図２１（ａ）及び（ｂ）に示されるように、半導体受光素子１１におけるベース部材２１の縁部２２と重なっている部分と当該縁部２２との間に介在するスペーサ４３を備えている。
【００５５】
本第６実施形態の半導体光検出装置８１においても、上述した第５実施形態と同じく、半導体受光素子１１の出力の低下を招くことなく、装置８１の信頼性を確保することができる。また、スペーサ４３により、半導体受光素子１１とベース部材２１との間に充填する接着剤３１の量を装置毎で概ね一定にすることができ、使用する接着剤３１の量の管理を容易に行なうことができる。
【００５６】
本発明は、前述した実施形態に限定されるものではない。例えば、半導体受光素子１１及び開口２７の形状は上記長方形形状に限られるものではなく、例えば、正方形形状であってもよい。また、半導体受光素子１１及び開口２７の大きさも上記数値に限定されるものではない。また、半導体受光素子１１における電極部１５，１７，１９の配置も上述した実施形態のものに限られるものではなく、ダミー電極１９も必ずしも必要なものではない。
【００５７】
また、スペーサ４３は、必ずしも電気絶縁性を有している必要はない。ベース部材２１がポリイミド等の電気絶縁性を有した材料からなる場合、あるいは、半導体受光素子１１の表面（電極部１５，１７，１９を除く）がＳｉＯ2、ＳｉＮ等の絶縁膜からなる保護膜が被覆されている場合等においては、スペーサ４３は導電性を有していてもよい。
【００５８】
【発明の効果】
以上、詳細に説明したとおり、本発明によれば、半導体受光素子出力の低下を招くことなく、装置の信頼性を確保することが可能な半導体光検出装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１実施形態に係る半導体光検出装置を示す平面図である。
【図２】図１のII−II線に沿った断面構成を説明するための概略図である。
【図３】（ａ）は、図１のIIIＡ−IIIＡ線に沿った断面構成を説明するための概略図であり、（ｂ）は、図１のIIIＢ−IIIＢ線に沿った断面構成を説明するための概略図である。
【図４】第１実施形態に係る半導体光検出装置に含まれる半導体受光素子を示す平面図である。
【図５】第２実施形態に係る半導体光検出装置を示す平面図である。
【図６】図５のVI−VI線に沿った断面構成を説明するための概略図である。
【図７】（ａ）は、図５のVIIＡ−VIIＡ線に沿った断面構成を説明するための概略図であり、（ｂ）は、図５のVIIＢ−VIIＢ線に沿った断面構成を説明するための概略図である。
【図８】第３実施形態に係る半導体光検出装置を示す平面図である。
【図９】図８のIX−IX線に沿った断面構成を説明するための概略図である。
【図１０】（ａ）は、図８のXＡ−XＡ線に沿った断面構成を説明するための概略図であり、（ｂ）は、図８のXＢ−XＢ線に沿った断面構成を説明するための概略図である。
【図１１】第３実施形態に係る半導体光検出装置に含まれる半導体受光素子を示す平面図である。
【図１２】第４実施形態に係る半導体光検出装置を示す平面図である。
【図１３】図１２のXIII−XIII線に沿った断面構成を説明するための概略図である。
【図１４】（ａ）は、図１２のXIVＡ−XIVＡ線に沿った断面構成を説明するための概略図であり、（ｂ）は、図１２のXIVＢ−XIVＢ線に沿った断面構成を説明するための概略図である。
【図１５】第５実施形態に係る半導体光検出装置を示す平面図である。
【図１６】図１５のXVI−XVI線に沿った断面構成を説明するための概略図である。
【図１７】（ａ）は、図１５のXVIIＡ−XVIIＡ線に沿った断面構成を説明するための概略図であり、（ｂ）は、図１５のXVIIＢ−XVIIＢ線に沿った断面構成を説明するための概略図である。
【図１８】第５実施形態に係る半導体光検出装置に含まれる半導体受光素子を示す平面図である。
【図１９】第６実施形態に係る半導体光検出装置を示す平面図である。
【図２０】図１９のXX−XX線に沿った断面構成を説明するための概略図である。
【図２１】（ａ）は、図１９のXXIＡ−XXIＡ線に沿った断面構成を説明するための概略図であり、（ｂ）は、図１９のXXIＢ−XXIＢ線に沿った断面構成を説明するための概略図である。
【符号の説明】
１，４１，５１，６１，７１，８１…半導体光検出装置、１１…半導体受光素子、１１ａ〜１１ｄ…半導体受光素子の辺、１３…光感応部、１５，１７…電極部、１９…ダミー電極部、２１…ベース部材、２２…縁部、２２ａ〜２２ｄ…縁部の辺、２３，２５…リード、２７…開口、３１…接着剤、３３…バンプ電極、４３…スペーサ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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