(57)【要約】    【課題】  下部電極と誘電膜との間における酸化膜の生成を抑制することができるキャパシタ及びその製造方法を提供すること。    【解決手段】  キャパシタは、下部電極28aと、下部電極28a上のアルミニウムを含有する酸素拡散防止膜30,31と、酸素拡散防止膜30、31上の誘電膜32と、誘電膜32上の上部電極33とを含んで構成されている。上記キャパシタによれば、下部電極28aと誘電膜32との間にシリコン窒化膜30とアルミナ膜31の二重の膜で構成された酸素拡散防止膜を備えているので、熱処理の際に、酸素が下部電極28aに拡散するのを防止することができる。そのため、キャパシタンスが高くなり、リーク電流が減少するので、安定な素子特性を得ることができる。【選択図】図3E
2004214655.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下部電極と、
該下部電極上のアルミニウムを含有する酸素拡散防止膜と、
該酸素拡散防止膜上の誘電膜と、
該誘電膜上の上部電極と
を含んで構成されていることを特徴とするキャパシタ。
【請求項２】
前記下部電極と前記アルミニウムを含有する酸素拡散防止膜との間に、窒素を含有する酸素拡散防止膜が、さらに設けられていることを特徴とする請求項１に記載のキャパシタ。
【請求項３】
前記下部電極の表面に、HSG層が形成されていることを特徴とする請求項１に記載のキャパシタ。
【請求項４】
前記酸素拡散防止膜が、アルミナ膜であることを特徴とする請求項１に記載のキャパシタ。
【請求項５】
下部電極を形成するステップと、
該下部電極上にアルミニウムを含有する酸素拡散防止膜を形成するステップと、
該酸素拡散防止膜上に誘電膜を形成するステップと、
該誘電膜上に上部電極を形成するステップと
を含むことを特徴とするキャパシタの製造方法。
【請求項６】
前記下部電極を形成するステップが、
該下部電極表面にHSG層を形成するステップと、
該HSG層が形成された前記下部電極上に、窒素を含有する前記酸素拡散防止膜を形成するステップと
を含むことを特徴とする請求項５に記載のキャパシタの製造方法。
【請求項７】
前記窒素を含有する酸素拡散防止膜を、
急速熱窒化法またはプラズマ窒化法により形成することを特徴とする請求項６に記載のキャパシタの製造方法。
【請求項８】
前記酸素拡散防止膜を、アルミナ膜により構成することを特徴とする請求項５に記載のキャパシタの製造方法。
【請求項９】
前記アルミナ膜を、
低圧化学気相成長法または原子層成長法により形成することを特徴とする請求項８に記載のキャパシタの製造方法。
【請求項１０】
前記アルミナ膜を、
350℃〜500℃の温度範囲で形成することを特徴とする請求項８に記載のキャパシタの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体製造技術に関し、特にキャパシタ及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
DRAMをはじめとする半導体素子の高集積化に伴って、キャパシタンスを高めるため、誘電物質として高誘電率を有する物質が採用されている。その高誘電率物質としては、主にTa2O5、TiO2、TaON、HfO2、Al2O3、ZrO2などの金属酸化物系の物質が開発されている。
【０００３】
現在、256M以上のDRAMなどの高集積素子では、セル内キャパシタの誘電物質に、タンタル酸化物(Ta2O5）を適用する技術が開発されている。Ta2O5は、誘電率(εr）が25程度であり、通常利用されているシリコン酸化膜とシリコン窒化膜との積層誘電膜、すなわち、Si3N4(εr≒7)/SiO2(εr≒3.8)膜より誘電率が高く、約3〜4倍である。
【０００４】
図1Aは、従来の技術に係るシリンダ型MISキャパシタを示す断図面であり、誘電膜にタンタル酸化物が適用された例である（例えば、特許文献１）。
【０００５】
図1Aを参照すると、トランジスタ及びビットラインが形成された半導体基板11上に、層間絶縁膜12とエッチングバリア膜13が形成され、さらに、エッチングバリア膜13と層間絶縁膜12とを貫通して、半導体基板11に接続されたストレージノードコンタクト14が形成されている。ここで、ストレージノードコンタクト14の上部が層間絶縁膜12の上面より突出している。また、エッチングバリア膜13は、層間絶縁膜12の外周縁部から内側に突出しているので、エッチングバリア膜13の下方の層間絶縁膜12には、アンダーカット部が形成されている。さらに、エッチングバリア膜13上（層間絶縁膜12に接している面の反対側の面上）にストレージノード酸化膜15が形成されている。
【０００６】
また、シリンダ型の下部電極16が、ストレージノードコンタクト14に接するとともに、凹状のアンダーカット部に埋め込まれた態様で形成されている。さらに、シリンダ型下部電極16の面上にHSG(Hemispherical Grained)層17が形成され、HSG層17の面上に、酸素拡散防止膜であるシリコン窒化膜18が形成されている。
【０００７】
そして、シリコン窒化膜18が形成されたシリンダ型下部電極16上にタンタル酸化膜19が形成され、タンタル酸化膜19上に上部電極20が形成されている。
【０００８】
図1Bは、図1Aに示したキャパシタのＡ部に関する要部拡大断面図である。図1Bを参照して製造方法を簡単に説明する。図1Bに示したように、シリンダ型下部電極16上にHSG層17を形成した後、表面窒化法によりシリコン窒化膜18を形成する。次に、シリコン窒化膜18上にタンタル酸化膜19を形成した後、タンタル酸化膜19を結晶化させるとともに、所定の誘電特性を得るために熱処理を施す。これらの処理により誘電層を形成する。次いで、タンタル酸化膜19上に上部電極20を形成する（例えば、特許文献２）。
【０００９】
しかし、上記の従来の技術では、タンタル酸化膜19の形成に続く熱処理の際に、酸素が下部電極16側に拡散する傾向がある。その理由は、シリコン窒化膜18が酸素の拡散を十分に防止することができないからである。その結果、シリンダ型下部電極16の上、すなわちHSG層17の上面に、シリコン酸化膜(SiO2、誘電率=3.9）の厚い低誘電層Xが形成されるという問題がある。
【００１０】
このような低誘電層Xは、キャパシタの電気的特性に悪影響を及ぼし、素子の動作の安定性を低下させる。すなわち、キャパシタのキャパシタンスが低くなりリーク電流が増加するという問題がある。
【特許文献１】米国特許第６３５５５１９号公報
【特許文献２】米国特許第６２０７５２８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
本発明は、上記従来の技術の問題点を解決するためになされたものであって、誘電層（誘電膜）形成後の熱処理の際に、下部電極と誘電膜との間における酸化膜の生成を抑制することができるキャパシタ及びその製造方法を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
前記目的を達成するための本発明に係るキャパシタは、下部電極と、該下部電極上のアルミニウムを含有する酸素拡散防止膜と、該酸素拡散防止膜上の誘電膜と、該誘電膜上の上部電極とを含んで構成されていることを特徴としている。
【００１３】
また、本発明に係る別のキャパシタは、上記のキャパシタにおいて、前記下部電極と前記アルミニウムを含有する酸素拡散防止膜との間に、窒素を含有する酸素拡散防止膜が、さらに設けられていることを特徴としている。
【００１４】
また、前記目的を達成するための本発明に係るキャパシタの製造方法は、下部電極を形成するステップと、該下部電極上にアルミニウムを含有する酸素拡散防止膜を形成するステップと、該酸素拡散防止膜上に誘電膜を形成するステップと、該誘電膜上に上部電極を形成するステップとを含むことを特徴としている。
【００１５】
また、本発明に係る別のキャパシタの製造方法は、上記のキャパシタの製造方法において、前記下部電極を形成するステップが、該下部電極の表面にHSG層を形成するステップと、該HSG層が形成された前記下部電極上に、窒素を含有する前記酸素拡散防止膜を形成するステップとを含むことを特徴としている。
【発明の効果】
【００１６】
上記本発明に係るキャパシタまたはその製造方法によって得られるキャパシタによれば、下部電極と誘電膜との間にシリコン窒化膜とアルミナ膜の二重の膜で構成された酸素拡散防止膜を備えているので、後続の熱処理の際に、酸素が下部電極へ拡散するのを防止することができる。そのため、キャパシタンスが高くなり、リーク電流が減少するので、素子の安定した特性を確保することができるという優れた効果が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、本発明に係る最も好ましい実施の形態を添付する図面を参照しながら説明する。図2は、本発明の実施の形態に係るキャパシタの構造を示す断面図である。
【００１８】
図2に示したように、少なくともトランジスタ及びビットラインが形成された半導体基板21上に層間絶縁膜22が形成され、層間絶縁膜22を貫通して、半導体基板21に接続されたストレージノードコンタクトプラグ23が形成されている。また、ストレージノードコンタクトプラグ23の上部は、層間絶縁膜22の上面から突出しており、その上方のエッチングバリア膜24には開口部が設けられている。さらに、エッチングバリア膜24の上面には、ストレージノード酸化膜25が形成されている。ここで、エッチングバリア膜24は、層間絶縁膜22の外周縁部から内側に突出した形態となっており、それによりエッチングバリア膜24の下部にアンダーカット部が形成されている。
【００１９】
シリンダ型下部電極28aは、その下部領域がエッチングバリア膜24により物理的に支持され、ストレージノードコンタクトプラグ23と接続されている。また、シリンダ型下部電極28aの下部は、エッチングバリア膜24の下部に設けられたアンダーカット部に食い込んだ形態をしている。なお、シリンダ型下部電極28aの表面には、表面積を広くするために、HSG層29のような突起を有する層が設けられている。さらに、HSG層29の上には、酸素の拡散防止の役割を担う、表面が窒化処理されたシリコン窒化膜30が形成されている。
【００２０】
そして、シリコン窒化膜30上には、さらに酸素拡散防止の役割をする別のアルミナ膜31が形成され、アルミナ膜31上にはタンタル酸化膜32が形成され、タンタル酸化膜32上には上部電極33が形成されている。
【００２１】
図2に示したように、本発明に係るキャパシタには、シリコン窒化膜30とアルミナ膜31との二重の酸素拡散防止膜が設けられている。それによって、誘電膜であるタンタル酸化膜32の形成後に行なわれる熱処理の際に、下部電極28aの酸化が防止されるようになっている。
【００２２】
このように、酸素拡散防止膜としてシリコン窒化膜30とアルミナ膜31との二重の膜を採用する場合には、シリコン窒化膜30のみを用いるキャパシタに比べて、アルミナ膜31の優れた酸素拡散防止作用により、タンタル酸化膜32の形成後に行なわれる熱処理の際に、下部電極28aへの酸素の拡散を效果的に防止することができる。後で述べるが、アルミナ膜31の優れた酸素拡散防止作用とは、アルミナのアルミニウム-酸素(Al-O)間の結合エネルギが大きいために、高温における熱処理の際に、酸素がアルミナ膜31をほとんど透過しないことを意味する。
【００２３】
このように、図2に示したキャパシタにはHSG層29が形成されているので、キャパシタの容量を増大させることができる。また、シリンダ型下部電極28aがエッチングバリア膜24の下部に設けられたアンダーカット部により堅固に支持されているので、下部電極が崩れて生じる下部電極間ブリッジ及び下部電極のリフティング(lifting)現象の発生を防止することができる。
【００２４】
図3A〜図3Eは、図2に示したキャパシタの製造方法を示す図であり、製造工程の各ステップにおける素子の構造を示す断面図である。
【００２５】
図3Aは、シリンダ型下部電極を形成した段階における素子の構造を示す断面図である。図3Aに示したように、半導体基板21上に層間絶縁膜22を形成した後、半導体基板21の一部が露出するように、層間絶縁膜22をエッチングして、プラグ用のコンタクト孔を形成する。次に、コンタクト孔を埋め込むために、層間絶縁膜22上にプラグ用導電層としてポリシリコン膜を成膜し、全面をエッチングすることによりストレージノードコンタクトプラグ23を形成する。
【００２６】
次に、ストレージノードコンタクトプラグ23を含む層間絶縁膜22上に、エッチングバリア膜24とストレージノード酸化膜25を順に成膜する。この場合、ストレージノード酸化膜25はTEOS（テトラエチルオルソシリケート）膜で形成し、エッチングバリア膜24はシリコン窒化膜で形成する。次に、ストレージノード酸化膜25上に、ハードマスク26用のポリシリコン層を成膜する。この場合、ハードマスク26には、ポリシリコン膜を用いる。ポリシリコン膜を用いるのは、周知のように、感光膜のみによるマスクでは、厚いストレージノード酸化膜25をエッチングすることが難しいからである。
【００２７】
次に、マスキング及びエッチング処理によりパターニングし、ハードマスク26を形成する。その後、ハードマスク26をエッチングマスク、エッチングバリア膜24をエッチング停止層として利用し、ストレージノード酸化膜25をエッチングする。引き続き、エッチングバリア膜24をエッチングすることにより、下部電極が形成される領域に、例えば、コンケーブパターン27を形成する。この場合、エッチングバリア膜24の下方の層間絶縁膜22をオーバエッチングすることにより、ストレージノードコンタクトプラグ23の上部が、層間絶縁膜22の上面より突出するようにし、ストレージノードコンタクトプラグ23の突出部の側面を露出させる。
【００２８】
次に、エッチング液として、希薄なフッ酸、フッ酸系の混合液、アンモニア系の混合液などを用いて、ディップ処理を施す。このウェットエッチングによって、ストレージノード酸化膜25のコンケーブパターン27の幅をさらに広くする。このようなディップ処理を行なう理由は、後に形成する下部電極の表面積を広くするとともに、下部電極の下部構造が物理的に堅固に支持されるようにするためである。
【００２９】
前記のような湿式ディップ処理の際、ストレージノード酸化膜25に対してエッチング選択比を有するエッチングバリア膜24とハードマスク26は、エッチングされないため、ハードマスク26の下部とエッチングバリア膜24の下部にアンダーカットが発生する。そのため、ハードマスク26とエッチングバリア膜24が、ストレージノード酸化膜25の内側に突出した形態になる。
【００３０】
次に、幅が広くなったコンケーブパターン27を含む全面に、下部電極物質として非晶質シリコン膜28を成膜する。
【００３１】
図3Bは、下部電極及びHSG層を形成した段階における素子の構造を示す断面図である。図3Bに示したように、CMP(化学的機械研磨)法により、ストレージノード酸化膜25の表面が露出するまで、非晶質シリコン膜28及びハードマスク26を研磨する。この研磨によって、コンケーブパターン27の内側のみに接した下部電極28aが形成されると同時に、隣接する下部電極とは相互に分離される。
【００３２】
次に、表面が露出したストレージノード酸化膜25の上部をウェットエッチングすることにより、下部電極２８ａの上面より低くする。このように、ストレージノード酸化膜25の上部の一部分を、ウェットエッチングにより除去する理由は、後続のHSG層形成の際、隣接する下部電極間がHSG層によって電気的に接続されることを防止するためである。
【００３３】
次に、下部電極28aの表面積を広くするために、HSG層29を成長させる。図3Cは、シリコン窒化膜を形成した段階における素子の構造を示す断面図である。図3Cに示したように、HSG層29が形成された下部電極28aの表面を窒化させてシリコン窒化膜30を形成する。ここで、シリコン窒化膜30は、NH3ガスを利用してプラズマ処理を行なうプラズマ窒化法、または高温で熱処理する急速熱窒化(Rapid Thermal Nitriding; RTN)法を利用して形成する。
【００３４】
例えば、NH3ガス雰囲気における急速熱窒化(RTN)処理は、温度：500℃〜850℃、NH3ガスの流量：1slm〜20slm、圧力：常圧の条件で、60秒〜180秒間処理する。一方、NH3ガス雰囲気下におけるプラズマによる窒化処理は、NH3ガスの流量：10sccm〜1000sccm、プラズマを発生させるためのRFパワー：50W〜400W、圧力：0.1torr〜2torr（1.3×10〜2.7×102Pa）の条件で、30秒〜300秒間プラズマ処理を行う。
【００３５】
図3Dは、アルミナ膜31を形成した段階における素子の構造を示す断面図である。図3Dに示したように、シリコン窒化膜30が形成された下部電極28a上に、厚さ10Å〜30Åのアルミナ(Al2O3)膜31を形成する。すなわち、シリコン窒化膜30が形成された下部電極28aの表面をアルミナ膜31でパッシべーション(passivation)させる。一方、アルミナ膜31は、原子層成長(ALD)法や有機金属化学気相成長(MOCVD)法によって形成する。
【００３６】
例えば、原子層成長法によるアルミナ膜31の形成方法は、次のとおりである。チャンバ（反応室）内に、下部電極28aが形成された半導体基板21を配置した後、基板を温度350℃〜500℃に保持する。その状態で、TMA（トリメチルアルミニウム）ソースガスをチャンバ内に流して、シリコン窒化膜30の表面にTMAを吸着させる。次に、未反応のTMAソースガスと反応副生物をチャンバ内から除去するために、窒素(N2)ガスまたはアルゴン(Ar)ガスをチャンバ内に流してパージするか、真空ポンプにより残留ガスを吸引・排出する。
【００３７】
引き続き、反応ガスであるH2OまたはO3をチャンバ内に供給して、吸着しているTMAとの反応により、アルミナ膜31を形成する。さらに、未反応の反応ガス及び反応副生物をチャンバ内から除去するために、窒素ガスまたはアルゴンガスをチャンバ内に流してパージするか、真空ポンプにより吸引・排出する。上述のようなTMAソースガスの供給、パージ、反応ガスの供給、パージのステップを複数回繰り返すことによって、厚さ10Å〜30Åのステップカバレッジに優れたアルミナ膜31を形成する。
【００３８】
次に、有機金属化学気相成長(MOCVD)法によるアルミナ膜31の形成方法を説明する。MOCVD法の場合、Al(OC2H5)3ソースガスと酸素ガスとを、350℃〜500℃の温度範囲に保持されたチャンバ内に供給することにより、アルミナ膜31を成膜する。
【００３９】
ここで、アルミナ膜31の成膜温度を350℃〜500℃の範囲にする理由は次の通りである。300℃未満の温度では、アルミナソースに含まれている炭素不純物が半導体基板21の表面に残留しやすいので、後続のタンタル酸化膜の成膜と熱処理の際に、誘電膜全体の不純物量が多くなる。そのため、リーク電流の増加を抑制することができないだけではなく、スループットが低下する。一方、成膜温度が500℃を超えると、下部電極28aの酸化が生じやすくなる。
【００４０】
図3Eは、上部電極を形成した段階における素子の構造を示す断面図である。図3Eに示したように、アルミナ膜31上に有機金属化学気相成長(MOCVD)法または原子層成長(ALD）法を利用してタンタル酸化膜32を成膜する。例えば、有機金属化学気相成長(MOCVD）法を利用したタンタル酸化膜32の形成方法は次のとおりである。
【００４１】
まず、キャリアガスである窒素ガスを用いて、原料物質としてTa(OC2H5)5をチャンバ内に供給する。この場合、窒素ガスの流量を350sccm〜450sccmに維持する。引き続き、チャンバ内に反応ガス(酸化剤)として、酸素ガスを10sccm〜1000sccmの流量で供給し、150℃〜200℃の温度に加熱した半導体基板上に形成されているTa(OC2H5)5を熱分解する。この熱分解によって、アルミナ膜31上にタンタル酸化膜32を成膜する。この場合、チャンバ内の圧力を、0.2torr〜10torr(2.7×10〜1.3×103Pa)に保持する。
【００４２】
一方、タンタル酸化膜32を形成するためのソースとして広く用いられるTa(OC2H5)5は、室温では液体状態である。Ta(OC2H5)5が反応しやすくするために、液状のTa(OC2H5)5をガス状にしなければならない。Ta(OC2H5)5は、145℃で気化する性質を持っているので、例えば、Ta(OC2H5)5を170℃〜190℃に保持された気化器に通して、ガス状に変化させた後、窒素ガスをキャリアガスとして、反応チャンバ内に供給する。
【００４３】
次に、タンタル酸化膜32の結晶化、及び不純物または酸素空乏を減らすために熱処理を行なう。この熱処理では、N2Oまたは酸素ガス雰囲気で600℃〜750℃の温度範囲で熱処理することにより、タンタル酸化膜32を結晶化させるとともに、膜内の炭素のような不純物を除去し酸素空乏を補償するようにする。このような高温の熱処理により、アルミナ膜31も結晶化するので、アルミナ膜31の形成後に別の熱処理を行なわなくても良い。特に、アルミナ膜31を350℃〜500℃の温度で成膜すると、膜内に不純物がほとんど残留しないので、アルミナ膜31及びタンタル酸化膜31の成膜後には、別の低温度の熱処理を実施しなくても良い。
【００４４】
次に、タンタル酸化膜32上に上部電極33を形成する。例えば、熱処理されたタンタル酸化膜32上にチタニウムナイトライド膜(TiN)またはチタニウムナイトライド膜とポリシリコン膜の積層膜を成膜することにより、MISキャパシタを完成させる。
【００４５】
上記の実施の形態によれば、下部電極28aとタンタル酸化膜32との間に、表面窒化法により、酸素拡散防止膜として作用するシリコン窒化膜30とアルミナ膜31の二重の膜が設けられている。そのため、後続の熱処理の際に、酸素が下部電極28aに拡散することが抑制され、下部電極28aとタンタル酸化膜32との境界における低誘電率層の形成が防止される。
【００４６】
さらに詳しく説明すると、アルミナ膜31は、タンタル酸化膜32に比べて、アルミニウム-酸素間の結合エネルギが大きいため、高温の熱処理の際に、下部電極28aに対する酸化作用が小さい。また、アルミナの分子構造は、タンタル酸化物の分子構造に比べて健全であり分子欠陥が少ない。そのため、アルミナは、熱処理の際に用いられる酸化剤(O2、N2O)の酸素が下部電極28aへ拡散することを效果的に抑制することができるという優れた酸化防止作用を有している。
【００４７】
なお、アルミナは、タンタル酸化物や窒化物に比べて誘電率が大きいため、キャパシタの誘電膜としても作用する。すなわち、二重のAl2O3/Ta2O5を誘電膜に利用するキャパシタは、窒化物、Al2O3またはTa2O5を単独に利用するキャパシタに比べて、外部から印加される電気的衝撃に強い。そのため、絶縁破壊電圧(Breakdown voltage）が高く、リーク電流水準(level）が低いという電気的特性を得ることができる。
【００４８】
上記の実施の形態では、タンタル酸化膜を利用するキャパシタについて説明したが、TaON、BSTのような高誘電率の膜を採用したキャパシタにも適用可能である。
【００４９】
なお、本発明は上記の実施の形態にはなんら限定されるものではなく、本発明に係る技術的思想を逸脱しない範囲において、種々の態様で実施可能であり、それらも本発明の技術的範囲に属することはいうまでもない。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１Ａ】従来の技術に係るシリンダ型MISキャパシタの構造を示す断面図である。
【図１Ｂ】図1Aに示したキャパシタのＡ部に関する要部拡大断面図である。
【図２】本発明の実施の形態に係るキャパシタの構造を示す断面図である。
【図３Ａ】本発明の実施の形態に係るキャパシタの製造方法を示す図であり、シリンダ型下部電極を形成した段階における素子の構造を示す断面図である。
【図３Ｂ】本発明の実施の形態に係るキャパシタの製造方法を示す図であり、下部電極及びHSG層を形成した段階における素子の構造を示す断面図である。
【図３Ｃ】本発明の実施の形態に係るキャパシタの製造方法を示す図であり、シリコン窒化膜を形成した段階における素子の構造を示す断面図である。
【図３Ｄ】本発明の実施の形態に係るキャパシタの製造方法を示す図であり、アルミナ膜31を形成した段階における素子の構造を示す断面図である。
【図３Ｅ】本発明の実施の形態に係るキャパシタの製造方法を示す図であり、上部電極を形成した段階における素子の構造を示す断面図である。
【符号の説明】
【００５１】
21      半導体基板
22      層間絶縁膜
23      ストレージノードコンタクトプラグ
24      エッチングバリア膜
25      ストレージノード酸化膜
26      ハードマスク
27      コンケーブパターン
28a      下部電極
29      HSG層
30      シリコン窒化膜
31      アルミナ膜
32      タンタル酸化膜
33      上部電極
【図１Ａ】
2004214655.tif 000003
【図１Ｂ】
2004214655.tif 000004
【図２】
2004214655.tif 000005
【図３Ａ】
2004214655.tif 000006
【図３Ｂ】
2004214655.tif 000007
【図３Ｃ】
2004214655.tif 000008
【図３Ｄ】
2004214655.tif 000009
【図３Ｅ】
2004214655.tif 000010