(57)【要約】【課題】配線を細密化することができる多層配線基板の製造方法を提供する。【解決手段】絶縁体層２の両面の配線層３がバンプ４により接続されている配線基板１の配線層３の上に絶縁体層２を形成し、レーザー光を照射してバンプ４に接続する位置を露出する穴部６を形成し、メッキを施してビア６ａを形成し、ビア６ａにメッキを施して該ビア６ａに充填されるメッキ層９を形成し、その上からエッチングを施して第１の配線パターン１０を形成す工程と、別途、バンプ４が形成された導電性支持体５上に絶縁体層２を積層して加圧することによりバンプ４を絶縁体層２に貫通せしめ、バンプ４の先端を絶縁体層２から露出せしめておき、このバンプ４の先端４ａを、ビア６ａ上のメッキ層９の凹みに圧着するように第１の配線パターン１０の上に積層し、エッチングを施して第２の配線パターン１２を形成する工程とを備える。【選択図】図１０
2004186354.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の絶縁体層の両面に形成された２つの配線層が第１の絶縁体層を貫通する第１のバンプにより接続されている配線基板の少なくとも一方の配線層の上に合成樹脂からなる第２の絶縁体層を形成する工程と、
該第２の絶縁体層の表面にレーザー光を照射して、該配線層の該第１のバンプに接続する位置を露出する穴部を形成する工程と、
該第２の絶縁体層上と、該穴部とにメッキを施して、該第２の絶縁体層上に施されたメッキにより第１の導電体層を形成し、該穴部に施されたメッキにより該第１の導電体層と該配線層とを接続するビアを形成する工程と、
該ビアにメッキを施して該ビアに充填されるメッキ層を形成する工程と、
該第１の導電体層にエッチングを施して所定の第１の配線パターンを形成する第１のエッチング工程と、
別途、所定位置に第２のバンプが形成されたシート状導電性支持体上に合成樹脂からなる第３の絶縁体層を積層して加圧することにより該第２のバンプを該第３の絶縁体層に貫通せしめ、該第２のバンプの先端を該第３の絶縁体層から露出せしめてシート状導電性支持体と第３の絶縁体層との積層体を形成する積層体形成工程と、
該積層体形成工程で形成された第２のバンプの先端を、第１のエッチング工程で残留したビア上のメッキ層の表面に圧着せしめて、第１のエッチング工程で形成された第１の配線パターンの上に、該第３の絶縁体層と該シート状導電性支持体とを積層する工程と、
該シート状導電性支持体にエッチングを施して所定の第２の配線パターンを形成する第２のエッチング工程とを備え、
該第１のバンプと、該ビアと、該メッキ層と、該第２のバンプとが垂直に積層された層間接続を形成することを特徴とする多層配線基板の製造方法。
【請求項２】
第２のエッチング工程で形成された第２の配線パターンの上に、合成樹脂からなる第４の絶縁体層を形成する工程と、
該第４の絶縁体層の表面にレーザー光を照射して、該第２の配線パターンの該第２のバンプに接続する位置を露出する第２の穴部を形成する工程と、
該第４の絶縁体層上と、該第２の穴部とにメッキを施して、該第４の絶縁体層上に施されたメッキにより第２の導電体層を形成し、該第２の穴部に施されたメッキにより該第２の導電体層と該第２の配線パターンとを接続する第２のビアを形成する工程と、
該第２のビアにメッキを施して該第２のビアに充填される第２のメッキ層を形成する工程と、
該第２の導電体層にエッチングを施して所定の第３の配線パターンを形成する第３のエッチング工程とを備え、
該第２のバンプの上に該第２のビアが垂直に積層された層間接続を形成することを特徴とする請求項１記載の多層配線基板の製造方法。
【請求項３】
前記積層体形成工程で形成された第２のバンプの先端を、前記第３のエッチング工程で形成された第２のビア上の第２のメッキ層の表面に圧着せしめて、第３のエッチング工程で形成された第３の配線パターンの上に、該第３の絶縁体層と該シート状導電性支持体とを積層する積層工程と、
該積層工程で積層されたシート状導電性支持体にエッチングを施して所定の第４の配線パターンを形成する第４のエッチング工程とを備え、
該第２のビアに充填された第２のメッキ層の上に、該積層工程で積層された第２のバンプが垂直に積層された層間接続を形成することを特徴とする請求項２記載の多層配線基板の製造方法。
【請求項４】
前記配線基板の他方の配線層の上に、一方の配線層の上に積層されたものと同一の構成を形成する工程を備え、他方の配線層の上に積層されたビアおよびバンプと前記第１のバンプとが垂直に積層された層間接続を形成することを特徴とする請求項１乃至請求項３のうちのいずれか１項記載の多層配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、細密な配線が可能な多層配線基板の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、積層された複数の絶縁体層の間と最外層の表面に導電体層が配置された多層配線基板では、絶縁体層にビア（層間接続部）を配設し、絶縁体層で隔てられた複数の導電体層を層間接続する方法がとられている（例えば、特許文献１参照）。例えば絶縁体層にレーザーにより穴部を穿設し、該穴部の内壁面にメッキ層を形成して構成されるレーザービアが層間接続体として用いられている。また、層間接続するための別の方法として、ビアを穿設する代わりに、銀ペーストなどのバンプを銅箔などのシート状導電性支持体上に印刷により形成し、このバンプの上にプリプレグなどの絶縁体層を載置して、バンプの先端を絶縁体層に貫通させて露出させ、該バンプの先端を導電体層に圧着して層間接続する方法も提案されている。
【０００３】
一方、携帯電話などの電子機器の小型化、高速化に伴い、多層配線基板の高密度実装・高密度配線化が要望されている。基板面積の縮小化や配線を細密化するためには、ビア又はバンプを同じ位置に積層（ビア・オン・ビア）することが必要とされている。そこで、従来、バンプを同じ位置に垂直に積層した多層配線基板が作製されている。このような多層配線基板にＢＧＡ（Ｂａｌｌ  Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａｙ）やＣＳＰ（Ｃｈｉｐ  Ｓｉｚｅ／Ｓｃａｌｅ  Ｐａｃｋａｇｅ）と呼ばれる半導体パッケージ等を実装する際には、バンプのランド径を小さくすることが求められている。
【０００４】
しかしながら、バンプのみを積み重ねたときには、バンプのランド径を小さくすることができないという問題がある。それは、バンプがペーストから構成されており、また、ある程度の大きさを有しなければプリプレグなどの絶縁体層を貫通することが困難であるからである。また、バンプに例えばレーザービアを積層したときには、レーザービアにメッキを充填するときに（ビアフィル）、ビアの表面を平坦にすることは難しく、盛り上がってしまったり、凹んでしまう。従って、接続信頼性の高い積層を良好に行うことができないという不具合がある。
【０００５】
【特許文献１】
特開２０００−３４０９５３号公報  （第４−５頁、第１−７図）
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
本発明はかかる背景に鑑み、配線を細密化することができる多層配線基板の製造方法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
前記の目的を達成するために、本発明の多層配線基板の製造方法の第１の態様は、第１の絶縁体層の両面に形成された２つの配線層が第１の絶縁体層を貫通する第１のバンプにより接続されている配線基板の少なくとも一方の配線層の上に合成樹脂からなる第２の絶縁体層を形成する工程と、該第２の絶縁体層の表面にレーザー光を照射して、該配線層の該第１のバンプに接続する位置を露出する穴部を形成する工程と、該第２の絶縁体層上と、該穴部とにメッキを施して、該第２の絶縁体層上に施されたメッキにより第１の導電体層を形成し、該穴部に施されたメッキにより該第１の導電体層と該配線層とを接続するビアを形成する工程と、該ビアにメッキを施して該ビアに充填されるメッキ層を形成する工程と、該第１の導電体層にエッチングを施して所定の第１の配線パターンを形成する第１のエッチング工程と、別途、所定位置に第２のバンプが形成されたシート状導電性支持体上に合成樹脂からなる第３の絶縁体層を積層して加圧することにより該第２のバンプを該第３の絶縁体層に貫通せしめ、該第２のバンプの先端を該第３の絶縁体層から露出せしめてシート状導電性支持体と第３の絶縁体層との積層体を形成する積層体形成工程と、該積層体形成工程で形成された第２のバンプの先端を、第１のエッチング工程で残留したビア上のメッキ層の表面に圧着せしめて、第１のエッチング工程で形成された第１の配線パターンの上に、該第３の絶縁体層と該シート状導電性支持体とを積層する工程と、該シート状導電性支持体にエッチングを施して所定の第２の配線パターンを形成する第２のエッチング工程とを備え、該第１のバンプと、該ビアと、該メッキ層と、該第２のバンプとが垂直に積層された層間接続を形成することを特徴とする。
【０００８】
かかる本発明の製造方法の第１の態様によれば、第１のバンプを内蔵した前記配線基板の一方の配線層の上に絶縁体層を形成し、その表面にレーザー光を照射して第１のバンプの上に穴部を形成し、その表面にメッキを施し、穴部に施されたメッキにより形成されたビアをメッキで充填してメッキ層を形成する。そして、第１のエッチング工程で第１の導電体層にエッチングを施して第１の配線パターンを形成する。一方、別途、積層体形成工程により、第２のバンプが形成されたシート状導電性支持体上に第３の絶縁体層を積層して加圧することにより第２のバンプの先端を第３の絶縁体層から露出させてシート状導電性支持体と第３の絶縁体層との積層体を形成しておく。そして、この第２のバンプの先端が、第１のエッチング工程後のメッキ層の表面に圧着するように、第１の配線パターンの上に、シート状導電性支持体を積層する。さらに、第２のエッチング工程により、このシート状導電性支持体にエッチングを施して第２の配線パターンを形成する。
【０００９】
従って、第１のバンプの上に形成されたビアのランド径は第１のバンプのランド径よりも小さく形成することができる。また、ビアにメッキを充填したときに形成されるメッキ層の表面は、平滑化されずにへこんでしまう。しかし、積層体形成工程で形成された第２のバンプの先端が該メッキ層に圧着し、第２のバンプの先端が潰れてメッキ層の表面の凹みに充填されて第２のバンプと該メッキ層が密着する。従って、第２のバンプの先端によりメッキ層の表面の凹みが解消されて、層間接続が良好になる。さらに、第１のバンプと、ビアと、メッキ層と、第２のバンプとが垂直に積層されるので、細密な配線が可能な多層配線基板を製造することができる。
【００１０】
また、本発明の多層配線基板の製造方法の第２の態様は、第２のエッチング工程で形成された第２の配線パターンの上に、合成樹脂からなる第４の絶縁体層を形成する工程と、該第４の絶縁体層の表面にレーザー光を照射して、該第２の配線パターンの該第２のバンプに接続する位置を露出する第２の穴部を形成する工程と、該第４の絶縁体層上と、該第２の穴部とにメッキを施して、該第４の絶縁体層上に施されたメッキにより第２の導電体層を形成し、該第２の穴部に施されたメッキにより該第２の導電体層と該第２の配線パターンとを接続する第２のビアを形成する工程と、該第２のビアにメッキを施して該第２のビアに充填される第２のメッキ層を形成する工程と、該第２の導電体層にエッチングを施して所定の第３の配線パターンを形成する第３のエッチング工程とを備え、該第２のバンプの上に該第２のビアが垂直に積層された層間接続を形成することを特徴とする。
【００１１】
かかる本発明の製造方法の第２の態様によれば、第１の態様で形成される４層基板、すなわち、下から、配線層、第１のバンプを介した配線層、ビアを介した第１の配線パターン、第２のバンプを介した第２の配線パターンからなる基板の上に、第４の絶縁体層を形成する。そして、その表面にレーザー光を照射して第２のバンプの上に第２の穴部を形成し、その表面にメッキを施し、第２の穴部に施されたメッキにより形成された第２のビアをメッキで充填して第２のメッキ層を形成する。そして、第３のエッチング工程でエッチングを施して第３の配線パターンを形成する。従って、この５層配線基板の最外層にはレーザービアが形成される。レーザービアのランド径は第１及び第２のバンプのランド径よりも小さく形成することができる。従って、例えば、ピッチの小さなＣＳＰ等を実装することが可能となる。
【００１２】
また、本発明の多層配線基板の製造方法の第３の態様は、第２の態様の工程に加えて、さらに、前記積層体形成工程で形成された第２のバンプの先端を、前記第３のエッチング工程で形成された第２のビア上の第２のメッキ層の表面に圧着せしめて、第３のエッチング工程で形成された第３の配線パターンの上に、該第３の絶縁体層と該シート状導電性支持体とを積層する積層工程と、該積層工程で積層されたシート状導電性支持体にエッチングを施して所定の第４の配線パターンを形成する第４のエッチング工程とを備え、該第２のビアに充填された第２のメッキ層の上に、該積層工程で積層された第２のバンプが垂直に積層された層間接続を形成することを特徴とする。
【００１３】
かかる本発明の製造方法の第３の態様によれば、別途、積層体形成工程により、第２のバンプが形成されたシート状導電性支持体上に第３の絶縁体層を積層して加圧することにより第２のバンプの先端を第３の絶縁体層から露出させて導電体層と第３の絶縁体層の積層体を形成しておく。そして、第２の態様で形成される５層基板、すなわち、下から、配線層、第１のバンプを介した配線層、ビアを介した第１の配線パターン、第２のバンプを介した第２の配線パターン、第２のビアを介した第３の配線パターンからなる基板の上に、上述の導電体層と第３の絶縁体層の積層体を配設する。このとき、この積層体の第２のバンプの先端が、５層基板の第２のビアの第２のメッキ層の表面に圧着するようにする。そして、第４のエッチング工程で最外層のシート状導電性支持体にエッチングを施して第４の配線パターンを形成する。従って、この６層配線基板は、上から第２層と第４層は、レーザービアのランドが形成されるので、バンプのみを積層した場合に比べて配線密度を高めることができる。
【００１４】
また、本発明の多層配線基板の製造方法の第１乃至第３の態様は、さらに、前記配線基板の他方の配線層の上に、一方の配線層の上に積層されたものと同一の構成を形成する工程を備えることが好ましい。かかる本発明によれば、他方の配線層の上に積層されたビアおよびバンプと前記第１のバンプとが垂直に積層された層間接続を形成し、細密な配線が可能な６層配線基板、８層配線基板、１０層配線基板を実現することができる。
【００１５】
【発明の実施の形態】
（第１の実施形態）次に、添付の図面を参照しながら本発明の実施の形態についてさらに詳しく説明する。図１は本発明の第１の実施形態の製造方法に用いるコア基板の一構成例を示す説明的断面図であり、図２はコア基板の製造方法を示す説明的断面図である。また、図３乃至図１０は第１の実施形態の多層配線基板の製造工程を示す説明的断面図である。
【００１６】
まず、図１を参照して、第１の実施形態の多層配線基板に用いるコア基板について説明する。なお、このコア基板は本発明の配線基板に相当する。図１示のコア基板１は、プリプレグ等の合成樹脂製シートからなる絶縁体層２（合成樹脂製シート２）の表裏両面に配線層３が設けられ、配線層３，３がバンプ４により接続されて構成されている。なお、配線層３，３に挟まれた合成樹脂製シート２およびバンプ４は、それぞれ本発明の第１の絶縁体層および第１のバンプに相当する。
【００１７】
コア基板１は、次の様にして製造することができる。まず、図２（ａ）示のように、例えば厚さ１８μｍの銅箔等の導電性支持体５上の所定の位置に、複数のバンプ４を形成する。バンプ４は、導電性支持体５に、所定の位置に貫通孔を備えるメタルマスクを積層し、該メタルマスクの上から銀ペースト等の導電性ペーストをスクリーン印刷して、乾燥することにより形成される。
【００１８】
次に、図２（ｂ）示のように、バンプ４が形成された導電性支持体５にプリプレグ等の合成樹脂製シート２を積層し、加圧して、バンプ４を合成樹脂製シート２に貫通させ、その先端を合成樹脂製シート２から露出せしめる。合成樹脂製シート２は、例えば６０μｍの厚さを備えており、バンプ４はかかる合成樹脂製シート２を貫通するために、例えば導電性支持体５に接触する部分の径が０．２ｍｍ、高さが０．１ｍｍの大きさとなるように形成される。
【００１９】
次に、図２（ｃ）示のように、別に用意した銅箔等の導電性支持体５の上に、合成樹脂製シート２が積層された導電性支持体５を、バンプ４が合成樹脂製シート２から露出している面を下にして積層し、圧着する。次に、図２（ｄ）示のように、導電性支持体５にエッチングを施すことにより配線層２が形成され、図１示のコア基板１が得られる。尚、図１は図２（ｄ）のコア基板１の要部拡大図に相当する。
【００２０】
次に、図３乃至図１０を参照して、コア基板１を用いた本実施形態の多層配線基板の製造方法について説明する。
【００２１】
まず、図３示のように、コア基板１の表裏両面の上に、プリプレグ等の合成樹脂製シートからなる絶縁体層２を形成する。なお、この形成された絶縁体層２は、本発明の第２の絶縁体層に相当する。そして、コア基板１の配線層３の上の絶縁体層２にレーザ光を照射して、図４に示すように、バンプ４の上に穴部６を形成する。穴部６は、例えば、開口部の径が０．１ｍｍになるように形成される。
【００２２】
次に、図５示のように、コア基板１の上に積層された絶縁体層２の表面にメッキを施して、例えば厚さ１８μｍの導電体層７（本発明の第１の導電体層に相当する）を形成する。前記メッキは同時に穴部６にも施され、穴部６には、導電体層７と配線層３とを接続するビア６ａが形成される。
【００２３】
メッキは、絶縁体層２の表面を洗浄し、穴部６を穿設した際のバリを除去し、穴部６内を研磨材で研磨、水洗した後、以下のように、デスミア処理、前処理、無電解メッキ処理、電解メッキ処理の順で行う。
【００２４】
デスミア処理は、穴部６を穿設した際の熱により溶融した樹脂の切粉が穴部６の内壁に付着、固化してできたスミアを除去する処理である。デスミア処理は、絶縁体層２、穴部６が形成されたコア基板１を膨潤液に浸漬した後、湯洗し、過マンガン酸カリウム溶液または過マンガン酸ナトリウム溶液に前記スミアを溶解させて除去する。そして、硫酸で中和、水洗後、付着した二酸化マンガンを除去する。
【００２５】
デスミア処理に続く前処理は、脱脂剤で絶縁体層２及び穴部６の表面を脱脂、洗浄した後、湯洗し、ソフトエッチング剤（過酸化水素水と硫酸銅溶液との混合溶液または塩化第二銅溶液）で処理し、絶縁体層２と穴部６の表面の酸化被膜を除去する。次いで、プリディップによりソフトエッチング剤の残滓（スマット）を除去する。そして、パラジウム化合物溶液で処理し、無電解メッキの核を生成させるためのパラジウム化合物を付着させる。
【００２６】
前処理に続く無電解メッキは、初めに還元剤により前記パラジウム化合物を還元して、無電解メッキの核となるパラジウムを生成させる。次に、前記還元剤を水洗、除去したのち、絶縁体層２と穴部６が形成されたコア基板１を無電解メッキ浴に浸漬する。前記無電解メッキ浴は、硫酸銅、ホルマリン、水酸化ナトリウム、キレート剤、界面活性剤からなり、ホルマリンにより硫酸銅を還元して銅を析出させる。この結果、絶縁体層２と穴部６の表面に銅メッキ層が形成される。銅メッキ層が形成されたコア基板１は、水洗され、前記無電解メッキ浴の残滓が除去される。
【００２７】
無電解メッキに続く電解メッキは、前記銅メッキ層の厚付けのために行うものである。電解メッキは、銅メッキ層が形成されたコア基板１を電解メッキ浴に浸漬し、前記銅メッキ層を陰極とし、含リン銅からなる電極板を陽極として、両極間に通電することにより行う。前記電解メッキ浴は、硫酸銅、硫酸、塩素イオン、添加剤を含むものが用いられる。前記電解メッキにより、前記導電体層７とビア６ａが形成される。前記導電体層７とビア６ａが形成された多層配線基板８は水洗され、前記電解メッキ浴の残滓が除去される。
【００２８】
次に、図６示のように、前記導電体層７とビア６ａが形成された多層配線基板８のビア６ａに上述のようにメッキを施して、メッキ層９を形成する。この結果、図６に仮想線示するように、ビア６ａの開口部に凹み９ａが形成される。このとき、電解メッキ浴を構成する物質の成分比と電流値の設定とを選択することで、ビア６ａに充填されるメッキが、ビア６ａ内の容積の５割以上を占めるようにすると、後述するようにメッキ層９の表面にバンプ４の先端を圧着する工程（図８参照）を行うときにメッキ層９と該バンプ４の間で優れた接続信頼性を得ることができる。
【００２９】
次に、導電体層７にエッチングを施すことにより、図７示のように、配線パターン１０（本発明の第１の配線パターンに相当する）を備える多層配線基板１１が得られる。この工程は本発明の第１のエッチング工程に相当する。前記エッチングは、例えば、次の様にして行うことができる。
【００３０】
まず、エッチングレジスト膜となる感光性フィルム（ドライフィルム）を貼り付け、導電体層７の配線パターン１０として必要な部分を被覆すると共に、ビア６ａの開口部（メッキ層９の表面）を閉塞する。次に、露光用フィルムを用いて露光、現像し、配線パターン１０として必要な部分と、ビア６ａの開口部とだけにエッチングレジスト膜を残す。そして、エッチング液を吹き付けると、前記エッチングレジスト膜で被覆されていない部分の導電体層７が溶解除去され、配線パターン１０が形成される。このとき、メッキ層９の表面は、前記エッチングレジスト膜で被覆されているので、前記エッチング液により溶解除去されず、そのまま残すことができる。
【００３１】
図７示の多層配線基板１１では、ビア６ａに接続するランド径を、配線層３においてバンプ４に接続するランド径よりも小さくすることができ、配線パターン１０を高密度化することができる。また、多層配線基板１１は、配線層１０がビア６ａを介してコア基板１の配線層３に接続された４層構成となっており、配線パターン１０は、配線層３との間で優れた接続信頼性を得ることができる。
【００３２】
次いで、多層配線基板１１とは別に、図２（ｂ）示のように、前記コア基板１を作製する工程で作製されたものと同様なもので、合成樹脂製シート２（本発明の第３の絶縁体層に相当する）が積層されバンプ４（本発明の第２のバンプに相当する）の先端が露出した導電性支持体５（本発明の積層体に相当する）を用意する。ここでは図２（ｂ）示の工程は、本発明の積層体形成工程に相当する。
【００３３】
そして、図８示のように、この合成樹脂製シート２が積層された導電性支持体５を、バンプ４の先端がメッキ層９の表面に配設されるように、配線パターン１０が形成された多層配線基板１１の両面に圧着する。そして、合成樹脂製シート２が積層された導電性支持体５が両面に圧着された多層配線基板１１を多層プレス機に装着して、真空中にて加熱プレスすることにより図９示のように一体化する。このとき、多層配線基板１１の最外層であるメッキ層９の表面は凹んでいるが、合成樹脂製シート２を貫通したバンプ４がメッキ層９に圧着するときに、バンプ４の先端４ａ（図９に仮想線示する）が潰れてメッキ層９の表面の凹みに充填されてバンプ４とメッキ層９が密着し、バンプの先端４ａによりメッキ層９の表面の凹みが解消される。
【００３４】
次に、多層配線基板１１に合成樹脂製シート２を介して一体化された導電性支持体５に、エッチングレジスト膜となる感光性フィルムを貼り付け、導電性支持体５の配線パターンとして必要な部分を残すように、エッチングを施す。この工程は本発明の第２のエッチング工程に相当し、第１のエッチング工程と同様な手法で行うことができる。その結果、図１０示のように、配線パターン１２（本発明の第２の配線パターンに相当する）を備える多層配線基板１３が得られる。
【００３５】
この多層配線基板１３は、配線パターン１２がバンプ４を介して配線パターン１０に接続され、該配線パターン１０がビア６ａを介してコア基板１の配線層３に接続された６層構成となっている。配線パターン１２は、バンプ４が配設された導電性支持体５から構成されており、該バンプ４がメッキ層９に圧着するときに、バンプ４の先端４ａが潰れてメッキ層９の表面の凹みに充填されてバンプ４とメッキ層９が密着しているので、メッキ層９を介して配線パターン１０との間で優れた接続信頼性を得ることができる。
【００３６】
上記実施形態によれば、ビアをメッキ層で充填した個所にバンプの先端部を圧着することにより、配線層間にバンプとビアを交互に略垂直に積層することが可能になるので、配線密度を高めることができる。なお、最外層の配線パターン１２は、耐熱性被覆及び外部環境からの保護のため、その上に絶縁体インキを塗布し、例えば２０μｍの厚さのレジストを形成することが好ましい。
【００３７】
（第２の実施形態）本発明の多層配線基板の製造方法は、上記第１の実施形態に限定されるものではない。例えば、図１１示のように、第１の実施形態の多層配線基板１３に対して、第１の実施形態における配線パターン１０を形成するまでの工程と全く同一な方法により、多層配線基板１３の両面に合成樹脂製シート２（本発明の第４の絶縁体層に相当する）を形成して、レーザ光を照射することにより穴部６（本発明の第２の穴部に相当する）を穿設し、メッキによりビア６ａ及びメッキ層９を形成する。そして、その上から、メッキ層９および必要な個所を残してエッチングを施す（本発明の第３のエッチング工程に相当する）ことにより配線パターン１４（本発明の第３の配線パターンに相当する）を形成するようにしてもよい。この場合には、８層構成の多層配線基板１５が製造され、最外層のランド径が、バンプ４のランド径よりも小さくなるので、ピッチの小さなＣＳＰ等を実装することが可能になる。
【００３８】
（第３の実施形態）図１２示のように、上記第２の実施形態の８層構成の多層配線基板１５に対して、第１の実施形態における配線パターン１２を形成するまでの工程と全く同一な方法により、多層配線基板１５の両面に、合成樹脂製シート２（本発明の第３の絶縁体層に相当する）を介して一体化された導電性支持体５を積層する（この工程は本発明の積層工程に相当する）。そして、導電性支持体５にエッチングを施して（本発明の第４のエッチング工程に相当する）配線パターン１６（本発明の第４の配線パターンに相当する）を形成するようにしてもよい。この場合には、１０層構成の多層配線基板１７を製造することができる。
【００３９】
上記第１乃至第３の実施形態では、コア基板１の両面に絶縁体層および導電体層を積層するものとしたが、コア基板１の一方の面にのみ積層するように多層配線基板を製造するようにしてもよい。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１の実施形態の製造方法に用いるコア基板の一構成例を示す説明的断面図。
【図２】図１示のコア基板の製造方法を示す説明的断面図。
【図３】図１示のコア基板に絶縁体層を積層した状態を示す説明的断面図。
【図４】図３示の基板に穴部を穿設した状態を示す説明的断面図。
【図５】図４示の基板にメッキを施した状態を示す説明的断面図。
【図６】図５示の基板にメッキ層を形成した状態を示す説明的断面図。
【図７】図６示の基板にエッチングを施した状態を示す説明的断面図。
【図８】図７示の基板に他の層を積層する過程を示す説明的断面図。
【図９】図７示の基板に他の層が積層された状態を示す説明的断面図。
【図１０】第１の実施形態の製造方法で製造された多層配線基板を示す説明的断面図。
【図１１】第２の実施形態の製造方法で製造された多層配線基板を示す説明的断面図。
【図１２】第３の実施形態の製造方法で製造された多層配線基板を示す説明的断面図。
【符号の説明】
１・・・コア基板、２・・・絶縁体層、３・・・配線層、４・・・バンプ、５・・・導電性支持体、６・・・穴部、６ａ・・・ビア、７・・・導電体層、８，１１，１３，１５，１７・・・多層配線基板、９・・・メッキ層、９ａ・・・凹み、１０，１２，１４，１６・・・配線パターン。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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