(57)【要約】【課題】形成される被膜と基材との接着性が良好であり、電子部品の電極保護用途に適したポリイミドシリコーン系樹脂組成物を提供する。【解決手段】（ａ）  芳香族テトラカルボン酸化合物および脂環式テトラカルボン酸化合物より成る群から選ばれるテトラカルボン酸化合物と芳香族ジアミンとジアミノシロキサンとの反応生成物であるポリアミック酸、並びに、該ポリアミック酸の閉環誘導体であるポリイミドシリコーンより成る群から選ばれるポリマー、（ｂ）  溶媒、および（ｃ）  下記構造式（１）：【化１】2004346178.tif 0000692004346178.tif 000070（式中、Ｒ１は有機基であり、Ｒ２およびＲ３は独立に非置換または置換の炭素原子数１〜１０の１価炭化水素基であり、ｎは１〜３の整数である）で示される反応性シリル基含有ビスイミド化合物を含有するポリイミドシリコーン系樹脂組成物。【選択図】      なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）  芳香族テトラカルボン酸化合物および脂環式テトラカルボン酸化合物より成る群から選ばれるテトラカルボン酸化合物と芳香族ジアミンとジアミノシロキサンとの反応生成物であるポリアミック酸、並びに、該ポリアミック酸の閉環誘導体であるポリイミドシリコーンより成る群から選ばれるポリマー、
（ｂ）  溶媒、および
（ｃ）  下記構造式（１）：
【化１】
2004346178.tif 000067
2004346178.tif 000068
（式中、Ｒ１は２価の有機基であり、Ｒ２およびＲ３は独立に非置換または置換の炭素原子数１〜１０の１価炭化水素基であり、ｎは１〜３の整数である）
で示される反応性シリル基含有ビスイミド化合物
を含有するポリイミドシリコーン系樹脂組成物。
【請求項２】
前記（ａ）成分のポリマー中の前記ジアミノシロキサンに基づく構造の含有量が１〜６０モル％であることを特徴とする請求項１に記載の組成物。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電子部品の電極保護用途に適したポリイミドシリコーン系樹脂組成物に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来から、電子部品等の絶縁保護膜用樹脂として、耐熱性および電気的・機械的特性に優れたポリイミド樹脂が利用されている。保護膜形成に際し、一般にポリイミド樹脂は有機溶媒に不溶であるために、その前駆体であるポリアミック酸の溶液を用い、これを基材に塗布した後、加熱して脱水縮合反応により閉環させて目的とするポリイミド樹脂被膜を形成する方法が採用されている。
【０００３】
しかし、このポリアミック酸の溶液を用いる方法においては、ポリアミック酸溶液の粘度が非常に高いため作業性に劣ること、脱水縮合工程において  ３００℃を超える高温とする必要があること、得られたポリイミド樹脂被膜はニッケル、アルミニウム、シリコン、シリコン酸化膜等の基材に対する接着性に劣ること等の問題があった。
【０００４】
こうした従来のポリイミドの問題点を改善するため、ポリイミドの原料であるジアミン成分の一部をシロキサン構造を含有するジアミンで置き換えて得られたポリイミドシリコーンを用いる方法（特許文献１、特許文献２参照）が知られている。ポリイミドシリコーンは、電子部品用の表面保護膜の形成材料や電子部品およびその他の耐熱部品の層間絶縁材料として、電子・電気工業において広く使用されている。ポリイミドシリコーンはコーティングまたはパターニングにより基材の表面を被覆するのに使われ、ポリイミド構造に由来する高耐熱性とシリコーン構造に由来する低弾性率とを兼ね備えた電子部品用材料であるが、シリコーン構造を含まないポリイミドに比べて透湿率が高いため、電極とポリイミドシリコーン界面に水分が到達し易く、イオン性の不純物が存在した場合に、電極の腐食等が発生して、信頼性に問題を生じる場合があった。また、基材との接着性についても更なる向上が望まれていた。
【０００５】
上記イオン性の不純物の存在により生じる問題に関して、アンダーコートレジンとしてのポリイミドシリコーン中にイオン交換樹脂またはキレート樹脂を配合することが提案されている（特許文献３参照）。これにより、オーバーコートレジンであるエポキシ樹脂層中の不純物イオンが捕捉され、半導体表面近傍にイオンが到達せず、高耐圧で低リーク電流を有する高耐圧ダイオードを安定に高歩留まりで生産できるとされている。しかし、耐久試験における高温条件下で、前記イオン交換樹脂またはキレート樹脂自体の分解が生じ、イオン種が電極表面に存在する結果、電極の腐食が生じるという問題点があることが明らかとなった。また、イオン交換樹脂は、溶媒により膨潤するため、後工程における溶媒除去が不十分となり、その結果、樹脂の機械的強度の低下や、電気的特性の劣化を生じることが明らかとなった。
【０００６】
【特許文献１】
特公昭４３−２７４３９号公報
【特許文献２】
特公昭５９−７２１３号公報
【特許文献３】
特開平１０−２９４３１９号公報
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
そこで、本発明の課題は、電極表面に腐食を生成せしめることがなく、基材との接着性に優れ、電極保護用途に適したポリイミドシリコーン系樹脂組成物を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、イミド環とアルコキシシリル基等とを有する新規な反応性シリル基含有ビスイミド化合物が、室温硬化が可能で作業性に優れ、更に、耐熱性、機械的強度、電気的特性に優れたイミド環構造を有する硬化皮膜を形成することができ、該硬化皮膜は基材との接着性に優れているとともに、耐溶剤性にも優れているため電子部品等の保護膜の材料として好適に使用できることを見出した。
【０００９】
また、本発明者らは、前記反応性シリル基含有ビスイミド化合物をポリイミドシリコーン樹脂と組み合わせることにより、ポリイミドシリコーン系被膜の基材との接着性が向上し、電極表面に腐食を生成せしめることがないポリイミドシリコーン系樹脂組成物を得ることができることを見出し、該知見に基いて鋭意検討した結果、本発明を完成させるに至ったものである。
【００１０】
即ち、本発明は、
（ａ）  芳香族テトラカルボン酸化合物および脂環式テトラカルボン酸化合物より成る群から選ばれるテトラカルボン酸化合物と芳香族ジアミンとジアミノシロキサンとの反応生成物であるポリアミック酸、並びに、該ポリアミック酸の閉環誘導体であるポリイミドシリコーンより成る群から選ばれるポリマー、
（ｂ）  溶媒、および
（ｃ）  下記構造式（１）：
【００１１】
【化２】
2004346178.tif 000002
2004346178.tif 000003
（式中、Ｒ１は２価の有機基であり、Ｒ２およびＲ３は独立に非置換または置換の炭素原子数１〜１０の１価炭化水素基であり、ｎは１〜３の整数である）
で示される反応性シリル基含有ビスイミド化合物
を含有するポリイミドシリコーン系樹脂組成物を提供する。
【００１２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明について詳述する。
［（ａ）ポリマー］
【００１３】
［テトラカルボン酸化合物］
本発明で使用される芳香族テトラカルボン酸化合物および脂環式テトラカルボン酸化合物より成る群から選ばれるテトラカルボン酸化合物には、テトラカルボン酸、およびその一無水物、二無水物、モノエステル、ジエステル等の誘導体が含まれる（以下、「テトラカルボン酸成分」という）。
【００１４】
このテトラカルボン酸成分の好ましい具体例としては、例えば、ピロメリット酸二無水物、３，３’，４，４’−ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物、３，３’，４，４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、２，３，３’，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、１，３−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）−１，１，３，３，−テトラメチルジシロキサン二無水物、３，３’，４，４’−ジフェニルエーテルテトラカルボン酸二無水物、３，３’，４，４’−ジフェニルメタンテトラカルボン酸二無水物、１，１−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）エタン二無水物、３，３’，４，４’−（２，２−ジフェニルプロパン）テトラカルボン酸二無水物、３，３’，４，４’−（２，２−ジフェニルヘキサフルオロプロパン）テトラカルボン酸二無水物、２，３，６，７−ナフタリンテトラカルボン酸二無水物、１，４−ビス（３，４−ジカルボキシフェノキシ）ベンゼン二無水物、ビス［４−（３，４−ジカルボキシフェノキシ）フェニル］メタン二無水物、１，１−ビス［４−（３，４−ジカルボキシフェノキシ）フェニル］エタン二無水物、２，２−ビス［４−（３，４−ジカルボキシフェノキシ）フェニル］プロパン二無水物、２，２−ビス［４−（３，４−ジカルボキシフェノキシ）フェニル］ヘキサフルオロプロパン二無水物、シクロブタンテトラカルボン酸二無水物、ビシクロ［２．２．２］オクト−７−エン−２，３，５，６−テトラカルボン酸二無水物等；および、これらのテトラカルボン酸二無水物に対応するテトラカルボン酸、そのエステル、ジエステル等の反応性誘導体が挙げられる。これらは１種単独でも２種以上を組み合わせても使用することができる。
【００１５】
［芳香族ジアミン］
本発明で使用される芳香族ジアミンの好ましい具体例としては、例えば、４，４’−ジアミノジフェニルメタン、ｏ−，ｍ−，ｐ−フェニレンジアミン、ビス［４−（３−アミノフェノキシ）フェニル］スルフォン、２，４−ジアミノトルエン、２，５−ジアミノトルエン、２，４−ジアミノキシレン、３，６−ジアミノジュレン、２，２’−ジメチル−４，４’−ジアミノビフェニル、２，２’−ジエチル−４，４’−ジアミノビフェニル、２，２’−ジメトキシ−４，４’−ジアミノビフェニル、２，２’−ジエトキシ−４，４’−ジアミノビフェニル、４，４’−ジアミノジフェニルエーテル、３，４’−ジアミノジフェニルエーテル、４，４’−ジアミノジフェニルスルフォン、３，３’−ジアミノジフェニルスルフォン、４，４’−ジアミノベンゾフェノン、３，３’−ジアミノベンゾフェノン、１，３−ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，３−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，４−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、４，４’−ビス（４−アミノフェノキシ）ビフェニル、ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］スルフォン、２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン、２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス［４−（３−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン、２，２−ビス［４−（３−アミノフェノキシ）フェニル］ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス［４−（４−アミノ−２−トリフルオロメチルフェノキシ）フェニル］ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス［４−（３−アミノ−５−トリフルオロメチルフェノキシ）フェニル］ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス（４−アミノフェニル）ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス（３−アミノフェニル）ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス（３−アミノ−４−メチルフェニル）ヘキサフルオロプロパン、４，４’−ビス（４−アミノフェノキシ）オクタフルオロビフェニル、２，２’−ビス（トリフルオロメチル）−４，４’−ジアミノビフェニル、３，５−ジアミノベンゾトリフルオリド、２，５−ジアミノベンゾトリフルオリド、３，３’−ビス（トリフルオロメチル）−４，４’−ジアミノビフェニル、３，３’−ビス（トリフルオロメチル）−５，５’−ジアミノビフェニル、１，４−ビス（４−アミノテトラフルオロフェノキシ）テトラフルオロベンゼン、４，４’−ビス（４−アミノテトラフルオロフェノキシ）オクタフルオロビフェニル、４，４’−ジアミノビナフチル、４，４’−ジアミノベンズアニリド等が挙げられる。これらは１種単独でも２種以上を組み合わせても使用することができる。
【００１６】
［ジアミノシロキサン］
本発明で使用されるジアミノシロキサンの好ましい具体例としては、例えば、１，３−ビス（３−アミノプロピル）−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン、１，３−ビス（４−アミノブチル）−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン、ビス（４−アミノフェノキシ）ジメチルシラン、１，３−ビス（４−アミノフェノキシ）−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン等、および下記一般式（２）：
【００１７】
【化３】
Ｈ２Ｎ−Ｚ−（ＳｉＲ２Ｏ）ｍ−ＳｉＲ２−Ｚ−ＮＨ２      （２）
（式中、Ｒは、独立に、非置換もしくは置換の炭素原子数１〜１０、好ましくは、脂肪族不飽和基を除く、１〜８の１価炭化水素基、または炭素原子数１〜８のアルコキシ基、アルケノキシ基もしくはシクロアルコキシ基であり、Ｚは独立に、非置換もしくは置換の炭素原子数１〜８の、鎖中にエーテル結合酸素原子を含んでもよい２価炭化水素基であり、ｍは１〜１００、好ましくは３〜６０の整数である。）
で表されるものが挙げられる。これらは１種単独でも２種以上を組み合わせても使用することができる。
【００１８】
上記一般式（２）中、Ｒが１価炭化水素基である場合としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基等のアルキル基；ビニル基、アリル基、プロペニル基、イソプロペニル基、ブテニル基、イソブテニル基、ヘキセニル基等のアルケニル基；シクロペンチル基、シクロヘキシル基等のシクロアルキル基；シクロヘキセニル基等のシクロアルケニル基；フェニル基、トリル基、キシリル基等のアリール基；ベンジル基、エチルフェニル基、プロピルフェニル基等のアラルキル基；および、これらの基の水素原子の少なくとも１つが、フッ素原子、塩素原子、臭素原子等のハロゲン原子、シアノ基等で置換された、例えば、クロロメチル基、３−フルオロプロピル基、３，３，３−トリフルオロプロピル基、４−フルオロフェニル基、２−シアノエチル基等が挙げられる。
【００１９】
また、Ｒがアルコキシ基、アルケノキシ基もしくはシクロアルキルオキシ基である場合としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基、ブトキシ基、イソブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、ヘキシルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、オクトキシ基、ビニロキシ基、アリロキシ基、プロペニノキシ基、イソプロペニノキシ基等が挙げられる。
【００２０】
上記一般式（２）中、Ｚで表わされる鎖中にエーテル結合酸素原子を含んでもよい２価炭化水素基としては、例えば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基（トリメチレン基）、メチルエチレン基（但し、上記２個の該基に対して、アミノ基は、２−アミノ−１−メチルエチル基を形成するように結合するか、或いは、上記２個の該基に対して、アミノ基は、２−アミノプロピル基を形成するように結合する）、テトラメチレン基、２−メチルプロピレン基、１−メチルプロピレン基（但し、上記２個の該基に対して、アミノ基は、３−アミノ−１−メチルプロピル基を形成するように結合するか、或いは、上記２個の該基に対して、アミノ基は、３−アミノブチル基を形成するように結合する）、エチルエチレン基（但し、上記２個の該基に対して、アミノ基は、１−（アミノメチル）プロピル基を形成するように結合するか、或いは、上記２個の該基に対して、アミノ基は、２−アミノブチル基を形成するように結合する）、ヘキサメチレン基、オクタメチレン基等のアルキレン基；ｏ−，ｍ−，ｐ−フェニレン基、トリレン基等のアリーレン基；下式で示されるエーテル結合酸素原子を含んでもよいアルキレン・アリーレン基等が挙げられる。
【００２１】
【化４】
2004346178.tif 000004
【００２２】
【化５】
2004346178.tif 000005
【００２３】
【化６】
2004346178.tif 000006
（但し、アミノ基は、上記３つの式中のベンゼン環に結合する）
上記一般式（２）で表わされるジアミノシロキサンの具体例としては、下記の化合物が挙げられるが、これに限定されるものではない。
【００２４】
【化７】
2004346178.tif 000007
【００２５】
【化８】
2004346178.tif 000008
【００２６】
【化９】
2004346178.tif 000009
【００２７】
【化１０】
2004346178.tif 000010
【００２８】
【化１１】
2004346178.tif 000011
（ｍは、３〜６０の整数）
【００２９】
【化１２】
2004346178.tif 000012
（ｍは、３〜６０の整数）
【００３０】
【化１３】
2004346178.tif 000013
【００３１】
【化１４】
2004346178.tif 000014
【００３２】
【化１５】
2004346178.tif 000015
【００３３】
【化１６】
2004346178.tif 000016
【００３４】
ジアミノシロキサンの使用量は、ポリアミック酸またはその閉環誘導体であるポリイミドシリコーン中における前記ジアミノシロキサンに基づく構造（即ち、テトラカルボン酸化合物とジアミノシロキサンとの反応によって生成するポリアミック酸またはそれを閉環したポリイミド単位）が、ポリアミック酸またはポリイミドシリコーンを構成する全繰り返し単位中の１〜６０モル％となる量が好ましく、より好ましくは  １０〜５０モル％となる量である。ジアミノシロキサンに基づく構造が１モル％未満では可とう性の付与効果に乏しく、６０モル％を越えると透湿性が上昇して、耐熱性の低下が認められるため好ましくない。このためには、上記芳香族ジアミンと該ジアミノシロキサンとの合計モル数に対して、好ましくは  １〜６０モル％、より好ましくは  １０〜５０モル％のジアミノシロキサンを使用すればよい。
【００３５】
［（ｂ）溶媒］
（ｂ）成分の溶媒としては、ポリアミック酸等の合成に当たって通常採用される溶解力の大きい溶媒が採用される。好ましい溶媒としては、Ｎ−メチルピロリドン；Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド等のアミド系溶媒；γ−ブチロラクトン、α−メチル−γ−ブチロラクトン、γ−バレロラクトン、δ−バレロラクトン、γ−カプロラクトン、ε−カプロラクトン等のラクトン類；プロピレンカーボネート等のカーボネート類；酢酸ブチル、エチルセロソルブアセテート、ブチルセロソルブアセテート等のエステル類；ジブチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、トリエチレングリコールジメチルエーテル等のエーテル類；テトラヒドロフラン等の環状エーテル類；メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、アセトフェノン等のケトン類；ブタノール、オクタノール、エチルセロソルブ等のアルコール類；ジメチルホルムアミド等の鎖状ないし環状のアミド系、尿素系、ジメチルスルフォキシド等のスルフォキシド系、スルフォン系、トルエン等の炭化水素系、クロロホルム、四塩化炭素等のハロゲン系溶媒等が挙げられる。これらは１種単独でも２種以上を組み合わせても使用することができる。
【００３６】
この溶媒の使用量は、特に制限されず、ポリイミド系樹脂組成物の安定性に影響を及ぼさない範囲の量であればよいが、（ａ）成分１００重量部に対して、通常、５０〜１９００重量部、好ましくは  １００〜９００量部程度である。
【００３７】
［（ｃ）反応性シリル基含有ビスイミド化合物］
本発明で使用される反応性シリル基含有ビスイミド化合物は、下記構造式（３）：
【００３８】
【化１７】
2004346178.tif 000017
で表されるアリル基含有酸無水物と、下記構造式（４）：
【００３９】
【化１８】
Ｈ２Ｎ−Ｒ１−ＮＨ２        （４）
（式中、Ｒ１は２価の有機基である）
で表される２官能性ジアミン化合物とを反応させて、
下記構造式（５）：
【００４０】
【化１９】
2004346178.tif 000018
で示されるアリル基含有ビスイミド化合物を得て、次いで、下記一般式（６）：
【００４１】
【化２０】
2004346178.tif 000019
（式中、Ｒ２およびＲ３は独立に非置換または置換の炭素原子数１〜１０、好ましくは１〜６、より好ましくは１〜３の１価炭化水素基であり、ｎは１〜３の整数である）
で表され、ケイ素原子に結合した水素原子を１個有する有機シラン化合物とをヒドロシリル化反応により付加させることにより、下記一般式（１）：
【００４２】
【化２１】
2004346178.tif 000020
2004346178.tif 000021
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびｎは上記のとおりである）
で表される化合物として得ることができる。
上記反応性シリル基含有ビスイミド化合物の原料、製法等について、更に詳細に説明する。
【００４３】
＜アリル基含有酸無水物＞
下記構造式（３）：
【００４４】
【化２２】
2004346178.tif 000022
で表されるアリル基含有酸無水物において、アリル基は、上記式（３）中のシクロペンテン環骨格の炭素原子に結合した水素原子のいずれと置換されていてもよい。また、該アリル基含有酸無水物は、１種単独でも、前記アリル基の置換位置が異なる２種以上の異性体の組み合わせであっても差し支えない。
【００４５】
＜２官能性ジアミン化合物＞
下記構造式（４）：
【化２３】
Ｈ２Ｎ−Ｒ１−ＮＨ２        （４）
（式中、Ｒ１は２価の有機基である）
で表される２官能性ジアミン化合物において、上記有機基は１種単独でも２種以上の組み合わせでもよい。
Ｒ１は、好ましくは、芳香環または直鎖状オルガノポリシロキサン構造を有する２価の有機基であり、該有機基の具体例を、以下に示すが、これに限定されるものではない。
【００４６】
【化２４】
2004346178.tif 000023
（式中、ｐは０〜２００の整数である）
【００４７】
【化２５】
2004346178.tif 000024
【００４８】
【化２６】
2004346178.tif 000025
【００４９】
【化２７】
2004346178.tif 000026
【００５０】
【化２８】
2004346178.tif 000027
【００５１】
また、他のジアミン化合物としては、ｐ−フェニレンジアミン、４，４’−ジアミノジフェニルエ−テル、２，２’−ビス（４−アミノフェニル）プロパン、４，４’−ジアミノジフェニルスルホン、４，４’−ジアミノジフェニルスルフィド、１，４−ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，４−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，４−ビス（ｐ−アミノフェニルスルホニル）ベンゼン、１，４−ビス（ｍ−アミノフェニルスルホニル）ベンゼン、１，４−ビス（ｐ−アミノフェニルチオ）ベンゼン、１，４−ビス（ｍ−アミノフェニルチオ）ベンゼン、２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン、２，２−ビス［３−メチル−４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン、２，２−ビス［３−クロロ−４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン、１，１−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］エタン、１，１−ビス［３−メチル−４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］エタン、１，１−ビス［３−クロロ−４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］エタン、１，１−ビス［３，５−ジメチル−４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］エタン、ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］メタン、ビス［３−メチル−４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］メタン、ビス［３−クロロ−４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］メタン、ビス［３，５−ジメチル−４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］メタン、ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］スルホン、２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］パ−フルオロプロパン等の芳香環含有ジアミンが挙げられる。これらは１種単独でも２種以上を組み合わせても使用することができる。
また、下記構造式（７）で示されるジアミン化合物も挙げられる。
【００５２】
【化２９】
2004346178.tif 000028
ここで、上記式中、Ｒ４は、上記［化２４］〜［化２８］に例示したものから選ばれる１種または２種以上の２価の基、或いは、上記「他のジアミン化合物」として例示した芳香環含有ジアミンからアミノ基を除いた芳香環含有ジアミン残基から選ばれる１種または２種以上の２価の基であり、ｑは０〜１００の整数であり、Ｘは芳香族テトラカルボン酸二無水物に由来する芳香環を含む４価の有機基である。なお、前記Ｘは１種単独でも２種以上の組み合わせでもよい。
前記Ｘの具体例を、以下に示すが、これに限定されるものではない。
【００５３】
【化３０】
2004346178.tif 000029
更に、下記に示されるケイ素含有ジアミン類（例えば、ジアミノシロキサン、ジアミノシルエチレン、ジアミノシルフェニレン等）も使用することができる。
【００５４】
【化３１】
2004346178.tif 000030
なお、これらは１種単独でも２種以上を組み合わせても使用することができる。
【００５５】
上記の中でも、本発明において好適に使用される２官能性ジアミン化合物は、４，４’−ジアミノジフェニルメタンおよび下記ジアミンの１種または２種以上の組み合わせである。
【００５６】
【化３２】
2004346178.tif 000031
【００５７】
【化３３】
2004346178.tif 000032
【００５８】
【化３４】
2004346178.tif 000033
【００５９】
＜アリル基含有ビスイミド化合物の調製＞
テトラカルボン酸とジアミン化合物からポリアミック酸を調製し、次いで閉環させてポリイミドを得る周知の合成方法と同様にして、上記アリル基含有酸無水物と上記２官能性ジアミン化合物とを有機溶媒中で反応させて、下記構造式：
【００６０】
【化３５】
2004346178.tif 000034
（式中、Ｒ１は上記と同じである）
で表される中間体を得て、引き続き、この中間体を加熱条件下で脱水縮合して閉環させることにより、下記構造式（５）：
【００６１】
【化３６】
2004346178.tif 000035
で示されるアリル基含有ビスイミド化合物を得ることができる。
【００６２】
＜反応性シリル基含有ビスイミド化合物の調製＞
上記アリル基含有ビスイミド化合物と、下記一般式（６）：
【００６３】
【化３７】
2004346178.tif 000036
（式中、Ｒ２、Ｒ３およびｎは上記のとおりである）
で表されるケイ素原子に結合した水素原子を１個有する有機シラン化合物とを、常法により、トルエン、メチルイソブチルケトン、テトラヒドロフラン等の溶媒中において、白金系触媒の存在下に反応させることにより、（アリル基中の）ビニル基（ＣＨ２＝ＣＨ−）とケイ素原子に結合した水素原子（ＳｉＨ）とがヒドロシリル化反応により付加し、下記一般式（１）：
【００６４】
【化３８】
2004346178.tif 000037
2004346178.tif 000038
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびｎは上記のとおりである）
で表される、本発明の（ｃ）成分である反応性シリル基含有ビスイミド化合物を得ることができる。
【００６５】
上記一般式（６）で表される有機シラン化合物中の、上記Ｒ２およびＲ３としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基等のアルキル基；シクロペンチル基、シクロヘキシル基等のシクロアルキル基；フェニル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基等のアリール基；ベンジル基、フェネチル基、フェニルプロピル基等のアラルキル基；クロロメチル、３−クロロプロピル基、３−フルオロクロロプロピル基、３，３，３−トリフルオロプロピル基等のハロゲン化アルキル基；ビニル基、アリル基、ブテニル基、プロペニル基、イソプロペニル基、ブテニル基、ペンテニル基、ヘキセニル基等のアルケニル基等が挙げられ、これらの中でも、脂肪族不飽和結合を有しないものが好ましく、アルキル基がより好ましく、メチル基およびエチル基が特に好ましい。
該有機シラン化合物の具体例としては、例えば、下記化合物が挙げられるが、これに限定されるものではない。
【００６６】
【化３９】
2004346178.tif 000039
上記の中でも、好適に使用される有機シラン化合物は、トリメトキシシラン：ＨＳｉ（ＯＣＨ３）３  である。
なお、上記有機シラン化合物は、１種単独でも２種以上を組み合わせても使用することができる。
【００６７】
上記ヒドロシリル化反応自体は、当該技術分野において周知であり、白金系触媒の使用量、反応条件等についても、通常のとおりで差し支えない。
上記（ｃ）成分の具体例としては、下記化合物が例示される。
【００６８】
【化４０】
2004346178.tif 000040
【００６９】
【化４１】
2004346178.tif 000041
【００７０】
【化４２】
2004346178.tif 000042
【００７１】
【化４３】
2004346178.tif 000043
【００７２】
【化４４】
2004346178.tif 000044
【００７３】
【化４５】
2004346178.tif 000045
【００７４】
【化４６】
2004346178.tif 000046
【００７５】
【化４７】
2004346178.tif 000047
【００７６】
【化４８】
2004346178.tif 000048
【００７７】
なお、上記ヒドロシリル化反応において、ケイ素原子に結合した水素原子（ＳｉＨ）は、専ら（アリル基中の）ビニル基（ＣＨ２＝ＣＨ−）に付加するが、アリル基含有ビスイミド化合物中のシクロペンテン環内の炭素−炭素二重結合（−ＣＨ＝ＣＨ−）に対しても若干付加反応が生じる場合もある。本発明の（ｃ）成分である反応性シリル基含有ビスイミド化合物に、前記環内炭素−炭素二重結合への付加反応生成物が含まれる場合であっても、本発明組成物は、そのまま絶縁保護膜形成剤等として使用することができるので何ら支障はない。
【００７８】
また、本発明の（ｃ）成分は、１種単独でも２種以上を組み合わせても使用することができる。
本発明の（ｃ）成分として、中でも、吸湿後の接着性、電極保護性能および室温硬化性（もしくは、低温硬化性）が良好である点から、好適に使用される化合物は以下のものである。
【００７９】
【化４９】
2004346178.tif 000049
【００８０】
【化５０】
2004346178.tif 000050
【００８１】
【化５１】
2004346178.tif 000051
【００８２】
【化５２】
2004346178.tif 000052
【００８３】
この（ｃ）成分の使用量は、（ａ）成分１００重量部に対して、通常、５〜２００重量部、好ましくは  １０〜１００重量部程度である。前記使用量が少なすぎると、本発明組成物から得られる被膜の基材に対する接着性が不十分となり、電極保護剤として適したものとはならない。また、逆に多すぎると、得られる被膜が脆くなってしまうために、硬い基材上の電極保護用途には使用可能であるが、フレキシブルな基材の電極保護用途には適用することができない。
【００８４】
［組成物の調製等］
（ａ）成分のポリアミック酸あるいは該ポリアミック酸の閉環誘導体であるポリイミドシリコーンの合成は、ジアミン成分とテトラカルボン酸成分が実質的に当モル量となるように反応器に仕込み、溶媒中で加熱して反応させることにより行う。好ましくは、反応容器中にジアミン成分を溶媒に分散または溶解させ、テトラカルボン酸成分を溶媒に溶解または分散させて低温で滴下攪拌後に加熱する。加熱反応温度条件としては、ポリアミック酸を得る場合には、５〜１００℃、好ましくは  ２０〜８０℃の範囲内の温度で、ジアミン成分とテトラカルボン酸成分の合計量  １００ｇに対して、１〜２４時間程度である。また、実質的に完全にイミド化したポリイミドシリコーンを得る場合は、１２０〜２００℃、好ましくは  １４０〜１８０℃の範囲の温度で、ジアミン成分とテトラカルボン酸成分の合計量  １００ｇに対して、１〜２４時間程度加熱すればよい。１２０℃以下では転化速度が遅く、２００℃以上であっても良いが特に利益はない。
なお、（ｃ）成分である反応性シリル基含有ビスイミド化合物は、上記加熱反応の終了後に、配合される。
【００８５】
好ましい実施態様としては、後記する実施例の具体例の他に、上記一般式（２）：
【００８６】
【化５３】
Ｈ２Ｎ−Ｚ−（ＳｉＲ２Ｏ）ｍ−ＳｉＲ２−Ｚ−ＮＨ２      （２）
（式中、Ｚ、Ｒおよびｍは、上記のとおりである。）
で表されるジアミノシロキサン  １０〜１５モル％およびビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］スルホン  ８５〜９０モル％から成るジアミン成分と、ピロメリット酸二無水物  ５０〜８０モル％およびベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物  ２０〜５０モル％から成るテトラカルボン酸成分とを、実質的に当モル量で、樹脂固形分が３０〜４５重量％となる量のシクロヘキサノン、γ−ブチロラクトンまたはＮ−メチルピロリドン溶媒中で反応させ、実質的にイミド化が完結したポリイミドシリコーンを生成させること、そして、前記反応終了後に、（ｃ）成分である反応性シリル基含有ビスイミド化合物を配合することである。
【００８７】
［その他の成分］
本発明の組成物には、上記（ａ）〜（ｃ）成分に加えて、本発明の組成物の特性を損なわない範囲において、更に他の成分を使用することは任意である。
【００８８】
本発明の（ｃ）成分である反応性シリル基含有ビスイミド化合物は、両末端にアルコキシ基、アルケノキシ基等の縮合反応性の基を有していることから、（ｃ）成分同士の縮合反応による硬化を促進させることを目的として、従来から公知の縮合反応触媒を配合することが望ましい。この縮合反応触媒としては、例えば、テトライソプロポキシチタン、テトラブトキシチタン、チタンビスアセチルアセトナ−ト、チタンキレ−ト化合物等のチタン含有有機化合物；テトラメチルグアニジン、テトラメチルグアニジルプロピルトリメトキシシラン等の強塩基類、；オクタン酸亜鉛、２−エチルヘキサン酸鉛、ジブチル錫ジアセテ−ト、ジブチル錫ジラクテ−ト、ジブチル錫ジオクテ−ト、オクタン酸第一錫、ナフテン酸亜鉛、オクタン酸第一鉄等のカルボン酸金属塩が挙げられる。これらは１種単独でも２種以上を組み合わせても使用することができる。この縮合反応触媒を使用する場合、その配合量は、触媒としての有効量であればよく、特に制限されないが、上記（ｃ）成分  １００重量部に対して、通常、０．０１〜６．０重量部、好ましくは  ０．０５〜５．０重量部程度である。
【００８９】
［コーティング膜］
本発明のポリイミドシリコーン系樹脂組成物は、基材上にコーティングした後、脱溶媒するのみで製膜、架橋および硬化させることができる。脱溶媒の条件としては、コーティング膜厚により異なるが、空気中または窒素等の不活性雰囲気下で、オーブン、ホットプレート等を用いて、通常、２０〜１５０℃で１〜１５０分間程度加熱して行う。前記温度条件については、処理時間の全体に亘って一定としてもよく、前記温度範囲内で徐々に昇温させながら行ってもよい。
【００９０】
また、（ａ）成分がポリアミック酸である場合、またはイミド化が不十分なポリイミドシリコーンである場合には、製膜後、焼成することにより、閉環反応により実質的に完全にイミド化したポリイミドシリコーンとする。焼成条件としては、膜厚により異なるが、オーブン、ホットプレート等を用いて、通常、１５０〜４００℃の温度範囲で、１０分〜５時間、好ましくは  ２０分〜３時間程度とすればよい。
なお、上記脱溶媒および製膜工程における条件、更に焼成条件下において、（ｃ）成分の反応性シリル基含有ビスイミド化合物は、前記成分同士の縮合反応によって架橋および硬化する。
【００９１】
こうして得られるポリイミドシリコーン系被膜の膜厚は、通常、５〜２５０μｍ、好ましくは５〜２００μｍであり、より好ましくは  １０〜１００μｍとすることがよい。
【００９２】
基材としては、特に限定されないが、例えば、ポリイミド、ＢＴレジン等からなる有機基材；アルミニウム、銅、シリコンもしくはこれらの合金またはステンレス鋼等の金属；アルミナ、ガラス、ホウケイ酸ガラス、石英、シルコニア、ムライト、窒化珪素等のセラミックス；チタン酸バリウム、ニオブ酸リチウム、ニオブ酸タンタル、ガリウム砒素、インジウム燐等の半導体材料等を挙げることができる。また、これらの基材の表面に、更に、ポリイミド、芳香族ポリアミド、ポリフェニレン、ポリキシリレン、ポリフェニレンオキサイド、ポリスルホン、ポリアミドイミド、ポリエステルイミド、ポリベンズイミダゾール、ポリキナゾリンジオン、ポリベンゾオキサジノン等の耐熱性高分子化合物を被覆した基材に対して本発明のポリイミドシリコーン系樹脂組成物をコーティングしてもよい。
【００９３】
［用途］
本発明のポリイミドシリコーン系樹脂組成物の具体的な応用例としては、シリコンウェハ、ガリウム砒素等からなる基材上のモノリシックＩＣ、例えばＤＲＡＭ、ＳＲＡＭ、ＣＰＵ等；セラミック基材、ガラス基材等の上に形成されるハイブリッドＩＣ、サーマルヘッド、イメージセンサー、マルチチップ高密度実装基板等のデバイス；ＴＡＢテープ、フレキシブル基材、リジッド配線板等の各種配線板等の層間絶縁膜、表面保護膜、α線遮蔽を始め各種の目的を有する保護膜等への適用を挙げることができる。
【００９４】
【実施例】
以下に、合成例、実施例および比較例を示し、本発明をより詳細に説明するが、本発明はこれらに限られるものではない。
〔合成例１〕
熱電対、攪拌装置および還流コンデンサーを具えたガラス製４ツ口セパラブルフラスコに、ジアミン成分とテトラカルボン酸成分が当モル量となるように、３，３’４，４’−ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物（ＤＳＤＡ）１９．４５ｇ（テトラカルボン酸成分とジアミン成分との各重量部の総計を  １００モル％とした場合のモル％：２５モル％（以下に記載の「モル％」も同様））、３，３’，４，４’−（２，２−ジフェニルヘキサフルオロプロパン）テトラカルボン酸二無水物（６ＦＤＡ）２４．１１ｇ（２５モル％）、下記式（８）：
【００９５】
【化５４】
2004346178.tif 000053
で表されるジアミノポリシロキサン（ＫＦ−８０１０（商品名）、信越化学工業社製）３６．５５ｇ（２０モル％）、２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン（ＢＡＰＰ）１３．３７ｇ（１５モル％）、および、４，４’−ジアミノジフェニルエーテル（ＯＤＡ）６．５２ｇ（１５モル％）を仕込み、３００ｇのシクロヘキサノンを加え  １８０℃で４時間攪拌して、ポリイミドシリコーンおよび溶媒からなる組成物を得た。
〔合成例２−５〕
上記合成例１に記載のジアミン成分およびテトラカルボン酸成分の組成および使用量（重量部）を表１（（  ）内にモル％を併記した）に示すように変更したこと以外は、合成例１と同様にして、ポリイミドシリコーンおよび溶媒からなる組成物を得た。
【００９６】
【表１】
2004346178.tif 000054
【００９７】
〔合成例６〕
（１）撹拌器、温度計および窒素置換装置を具備したフラスコ内に、１，３−ビス（３−アミノプロピル）テトラメチルジシロキサン  ２４．８５ｇ（０．１モル）、溶媒としてＮ−メチル−２−ピロリドン  ８０ｇおよびシクロヘキサノン  １００ｇを仕込み、攪拌しながら、無水アリルナジック酸（下記構造式：
【００９８】
【化５５】
2004346178.tif 000055
で表される化合物と、下記構造式：
【００９９】
【化５６】
2004346178.tif 000056
で表される化合物とを、合計で約８０モル％含有する異性体混合物）（商品名：ＡＮＡＨ、丸善石油化学社製）４０．８ｇ（０．２モル）を徐々に滴下した。滴下終了後、更に室温で  １０時間撹拌し、次に、前記フラスコに水分受容器付き還流冷却器を取り付けた後、キシレン  ３０ｇを加え、反応系を  １６０℃に昇温して、その温度を２時間保持した。更に、温度を  １７５℃まで昇温させて、その温度を４時間保持した。この反応によって生成した水分の量は  ３．５ｇであった。
上記操作によって得られた赤褐色反応溶液を室温まで冷却後、減圧下でストリップして溶媒を除去した。
【０１００】
次いで、得られた反応生成物にメチルイソブチルケトン  ６００ｇを加えて溶解した後、水（６００ｍｌ）を加えて攪拌して、水洗した。その後、水相を分離して、水相の導電率を測定した。該水洗操作を、水洗後の水相の導電率が  １０μＳ／ｃｍ以下になるまで繰り返し実施した。その後、メチルイソブチルケトン溶液から共沸脱水により水分を除去し、得られた反応溶液をメタノール中に投じて、固体生成物を析出させた後、溶媒を除去し、下記構造式を有するビスイミド化合物（ＢＩ−１）５９ｇを得た。
【０１０１】
【化５７】
2004346178.tif 000057
【０１０２】
ビスイミド化合物（ＢＩ−１）の赤外吸収スペクトルを観測したところ、イミド結合に由来する吸収が  １７６８  ｃｍ−１に、また、ビニル基に由来する吸収が  １６４１  ｃｍ−１に、それぞれ観測された。また、ＮＭＲスペクトルから、ビニル基に由来するピ−クが  ５．０  ｐｐｍに観測された。
【０１０３】
（２）上記ビスイミド化合物（ＢＩ−１）５９ｇ（０．０９５モル）をメチルイソブチルケトン  ６００ｇに再度溶解し、昇温させて共沸脱水を行った。この溶液に塩化白金酸  ０．２ｇを加え、還流温度でトリメトキシシラン  ２６ｇ（０．２２モル）を滴下した。還流温度で６時間撹拌を続けた後、得られた反応溶液から過剰のトリメトキシシランを常圧蒸留により除去することにより、反応生成物溶液  １６４．４ｇ（不揮発分  ５０％）を得た。これから、溶媒を除去して下記構造式を有するメトキシシリル基含有ビスイミド化合物（ＢＩ−１ＭＳ）８２．２ｇを得た。
【０１０４】
【化５８】
2004346178.tif 000058
【０１０５】
このメトキシシリル基含有ビスイミド化合物（ＢＩ−１ＭＳ）の赤外吸収スペクトル観測したところ、ＳｉＯ結合に由来する吸収が  １０８６  ｃｍ−１に観測され、アリル基に由来する吸収（  １６４１  ｃｍ−１）が消失していることが観測された。また、ＮＭＲスペクトルからアリル基に由来するピーク（  ５．０  ｐｐｍ）が消失していることも観測された。
【０１０６】
〔合成例７〕
（１）合成例６（１）に記載の１，３−ビス（３−アミノプロピル）テトラメチルジシロキサンに代えて、４，４’−ジアミノジフェニルメタン  １９．８３ｇ（０．１モル）を用いること以外は、合成例６と同様にして、下記構造式を有するビスイミド化合物（ＢＩ−２）４８．５ｇを得た。
【０１０７】
【化５９】
2004346178.tif 000059
このビスイミド化合物（ＢＩ−２）の赤外線吸収スペクトルおよびＮＭＲスペクトルを観測したところ、合成例６に記載の観測結果と同様であった。
【０１０８】
（２）合成例６（２）に記載のビスイミド化合物（ＢＩ−１）５９ｇ（０．０９５モル）に代えて、上記ビスイミド化合物（ＢＩ−２）４８．５ｇ（０．０８５モル）を用いること、およびトリメトキシシランを  ２４．９ｇ（０．２０モル）用いること以外は、合成例６と同様にして、下記構造式を有するメトキシシリル基含有ビスイミド化合物（ＢＩ−２ＭＳ）６９．２ｇ（０．０８５モル）を得た。
【０１０９】
【化６０】
2004346178.tif 000060
このメトキシシリル基含有ビスイミド化合物（ＢＩ−２ＭＳ）の赤外線吸収スペクトルおよびＮＭＲスペクトルを観測したところ、合成例６に記載の観測結果と同様であった。
【０１１０】
〔合成例８〕
（１）合成例６（１）に記載の１，３−ビス（３−アミノプロピル）テトラメチルジシロキサンに代えて、下記構造式で示されるジアミン化合物：
【０１１１】
【化６１】
2004346178.tif 000061
３１．０ｇ（０．１モル）を用いること以外は、合成例６と同様にして、下記構造式を有するビスイミド化合物（ＢＩ−３）５６．６ｇを得た。
【０１１２】
【化６２】
2004346178.tif 000062
ビスイミド化合物（ＢＩ−３）の赤外線吸収スペクトルおよびＮＭＲスペクトルを観測したところ、合成例６に記載の観測結果と同様であった。
【０１１３】
（２）合成例６（２）に記載のビスイミド化合物（ＢＩ−１）５９ｇ（０．０９５モル）に代えて、上記ビスイミド化合物（ＢＩ−３）５６．６ｇ（０．０８３モル）を用いること、およびトリメトキシシランを  ２４ｇ（０．２モル）用いること以外は、合成例６と同様にして、下記構造式を有するメトキシシリル基含有ビスイミド化合物（ＢＩ−３ＭＳ）７６．８ｇ（０．０８３モル）を得た。
【０１１４】
【化６３】
2004346178.tif 000063
このメトキシシリル基含有ビスイミド化合物（ＢＩ−３ＭＳ）の赤外線吸収スペクトルおよびＮＭＲスペクトルを観測したところ、合成例６に記載の観測結果と同様であった。
【０１１５】
＜実施例１〜１０＞
上記合成例１〜５で得られたポリイミドシリコーンおよび溶媒からなる組成物と、上記合成例６〜８で得られたメトキシシリル基含有ビスイミド化合物（ＢＩ−１ＭＳ〜ＢＩ−３ＭＳ）と、縮合反応触媒としてテトライソプロピルチタネート：Ｔｉ（Ｏ−ｉＰｒ）４とを、表２および表３に記載した組成および使用量（重量部）で混合し、その後十分に攪拌して、本発明のポリイミドシリコーン系樹脂組成物を調製した。
【０１１６】
次いで、実施例１〜１０の各ポリイミドシリコーン系樹脂組成物について、下記のとおりにして性能評価試験を行った。
【０１１７】
［接着強度測定］
ガラス板上に、ポリイミドシリコーン系樹脂組成物を塗布し、２３℃および湿度  ６０％の条件で  ７２時間放置して、溶媒を蒸発させて除去し、１０ｍｍ×１５０ｍｍおよび膜厚が平均  ５０μｍのテープ形状のフィルムを作製した。
上記フィルムの長手方向の片端部を、ガラス板に対して平行かつ１８０度の角度の方向に、３００ｍｍ／分の速度で引っ張って、ピール引き剥がし強度（ｇ／ｃｍ）を測定した。測定結果を表２および表３の「接着強度」の欄に表示した。
【０１１８】
［定電圧印加Ａｌ電極腐食試験］
１５μｍの線幅および  １５μｍの線間で、面積が  １０ｍｍ×５ｍｍのＡｌくし形電極を作製した。この電極表面上に、ポリイミドシリコーン系樹脂組成物を塗布し、２３℃および湿度  ６０％の条件で  ７２時間放置して、平均  ５０μｍの厚さの被膜を形成して被覆した。
【０１１９】
得られたＡｌくし形電極を  ８５℃、湿度  ８５％、および  ７．５Ｖの定電圧印加条件下で導通試験を行った。Ａｌ電極の腐食が発生するまでの時間（ｈｒｓ）を顕微鏡観察により測定した。測定結果を表２および表３の「電極腐食試験」の欄に表示した。
【０１２０】
【表２】
2004346178.tif 000064
【０１２１】
【表３】
2004346178.tif 000065
【０１２２】
〔比較例１〕
反応性シリル基含有ビスイミド化合物を使用しないこと以外は、実施例１と同様にして、ポリイミドシリコーン系樹脂組成物の調製、製膜等および上記性能評価試験を行った。結果を表４に示す。（１６８時間未満でＡｌ電極の腐食が生じ、断線が発生した。）
【０１２３】
〔比較例２〜５〕
反応性シリル基含有ビスイミド化合物を使用しないこと、メルカプト基含有アルコキシシラン加水分解縮合物：ＫＢＭ−８０３Ｐ（商品名、信越化学工業社製）またはヒドロシリル基含有アルコキシシラン：０３ＭＳ（商品名、信越化学工業社製）、およびテトライソプロピルチタネートを表４に記載した組成および使用量（重量部）で用いること以外は、実施例１と同様にして、ポリイミドシリコーン系樹脂組成物の調製、製膜等および上記性能評価試験を行った。結果を表４に示す。
【０１２４】
【表４】
2004346178.tif 000066
【０１２５】
【発明の効果】
本発明のポリイミドシリコーン系樹脂組成物は、反応性シリル基含有ビスイミド化合物が配合されていることにより、形成される被膜の基材に対する接着強度が良好であり、ポリイミドシリコーン系樹脂被膜と電極の界面での腐食を防止でき、また、電圧印加条件下の耐久試験においても電極表面に腐食を生成させることがないので、電極保護用途に適したものである。