(57)【要約】【課題】検査の際に位置決めを安定して行うことができるチップサイズパッケージを提供する。【解決手段】シリコン基板の上に層間絶縁膜を介して、シリコン基板の上面に形成した各電極（パッド）２につながる再配線１０が形成されている。再配線１０の上に表面保護膜を介して再配線１０につながる半田ボール７が設けられている。再配線用金属膜１１に対し検査で使う認識パターン２０が描画されている。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板の上に層間絶縁膜を介して再配線用金属膜を配置し、この金属膜をパターニングして前記半導体基板の上面に形成した各電極につながる再配線を形成し、また、前記再配線の上に表面保護膜を介して前記再配線につながるバンプまたは導電性ボールを設けたチップサイズパッケージであって、
前記再配線用金属膜に対し検査で使う認識パターンを描画したことを特徴とするチップサイズパッケージ。
【請求項２】
前記認識パターンは、前記バンプまたは導電性ボールと電極とをつなぐ再配線とは切り離した領域に形成したものであることを特徴とする請求項１に記載のチップサイズパッケージ。
【請求項３】
前記認識パターンは、前記バンプまたは導電性ボールと電極とをつなぐ再配線の一部領域を抜いて形成したものであることを特徴とする請求項１に記載のチップサイズパッケージ。
【請求項４】
同一チップサイズのウエハレベルチップサイズパッケージであって、ウエハでの各チップ形成領域における前記認識パターンの配置位置を共通化したことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載のチップサイズパッケージ。
【請求項５】
前記半導体基板にパワー素子が作り込まれるとともに前記バンプまたは導電性ボールと電極とをつなぐ再配線はパワー素子に対するものであることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載のチップサイズパッケージ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、チップサイズパッケージ（ＣＳＰ）の構造に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
ウエハレベルチップサイズパッケージ（ＷＬＣＳＰ）の構造、特に、再配線の部分を説明するものとして、特許文献１に示すものがある。ウエハレベルチップサイズパッケージの構造は小電力のＣＰＵやメモリに使われており、この種の半導体装置を、図５，６を用いて説明する。図５は半導体装置の平面図であり、図６は図５のＡ−Ａ線での縦断面図である。図６において、シリコン基板（チップ）１の上面には電極（パッド）２が形成されているとともに、シリコン基板１の上には絶縁膜３および層間絶縁膜４を介して再配線５が形成されている。再配線５の上には表面保護膜６が形成されるとともに半田ボール７が形成されている。半田ボール７と電極２とは再配線５を通して電気的に接続されている。ここで、図６の再配線５は、図５に示すように細い帯状の再配線５０である。
【０００３】
また、従来のこのような半導体装置に対する検査方法として、特許文献２に示すような、ウエハ状態にてウエハにおける各チップ形成領域を検査するために、プローバーの針をチップ形成領域での半田ボールに当てて電気的接続をとり、電気的測定を行う検査技術（ダイソートテストなど）がある。これは、チップに切断した後では検査の効率が悪くなってしまうので、切断される前のウエハ状態で検査を行いたいという要望からである。
【０００４】
この検査では、ウエハにおける各チップ形成領域に対し１つずつ（１チップずつ）順番にプローバーの針をチップ形成領域での半田ボールに精度よく当てていくことになる。そのために、図５に示すように、ウエハにおいて特徴のあるパターン６０を探して、検査の際にこのパターン６０を用いて位置決めしている。このパターン６０におけるエッジ部（十字形状の交点部分）が明確、つまり、コントラスト比が高いと、位置決めは容易である。このように、ＣＰＵ、メモリなどの信号処理系のチップを使ったウエハレベルチップサイズパッケージでは、再配線５０の間を使い、半透明な層間絶縁膜を通してウエハ上に形成された特徴のあるパターン６０を探して位置決めに使っている。
【０００５】
しかし、上記技術で、パワー素子を形成したウエハレベルチップサイズパッケージ（ＷＬＣＳＰ）の構造を作るのにあたり、電流容量の確保と放熱性の向上のため、図７に示すように、ウエハ上に形成された再配線５１は、幅広または隙間なく形成される（ベタになる）。そのため、ウエハ上に形成された特徴のあるパターン６０が隠れてしまう。その結果、ウエハ状態での検査の際に位置決めに問題が生じる。具体的には、プローバーへウエハ情報を登録する時に位置決めパターンを登録できない。
【０００６】
【特許文献１】
特開２００１−１５６２０９号公報
【特許文献２】
特開平６−２７１４３号公報
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
本発明はこのような背景の下になされたものであって、その目的は、検査の際に位置決めを安定して行うことができるチップサイズパッケージを提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
請求項１に記載の発明は、再配線用金属膜に対し検査で使う認識パターンを描画したことを特徴としている。よって、プローバーで検査をする時に、前記認識パターンを位置決めパターンとして使用でき、エッジ部が明確、つまり、高コントラスト比が得られ、検査の位置決めを安定して行うことができる。
【０００９】
認識パターンは、請求項２に記載のように、バンプまたは導電性ボールと電極とをつなぐ再配線とは切り離した領域に形成したものであっても、請求項３に記載のように、バンプまたは導電性ボールと電極とをつなぐ再配線の一部領域を抜いて形成したものであってもよい。
【００１０】
請求項４に記載のように、同一チップサイズのウエハレベルチップサイズパッケージであって、ウエハでの各チップ形成領域における認識パターンの配置位置を共通化することにより、プローバーへの登録プログラムの共通化を図ることができ、これにより、プローバーへのウエハ情報の登録および管理作業の低減を図ることができる。
【００１１】
請求項５に記載のように、半導体基板にパワー素子が作り込まれるとともにバンプまたは導電性ボールと電極とをつなぐ再配線はパワー素子に対するものである場合に適用するとよい。
【００１２】
【発明の実施の形態】
以下、この発明を具体化した一実施の形態を図面に従って説明する。
図１には、本実施形態でのウエハレベルチップサイズパッケージ（ＷＬＣＳＰ）の平面図を示す。図１におけるＢ−Ｂ線での縦断面図としては、図６と同じ構成となっている。つまり、図６において、シリコン基板（チップ）１の上面には電極（パッド）２が形成されるとともに、シリコン基板１の上には絶縁膜３および層間絶縁膜４を介して再配線５が形成されている。再配線５は、層間絶縁膜４の上に銅の膜（広義には金属膜）を形成した後に当該膜をパターニングしたものである。再配線５の上には表面保護膜６が形成されるとともに半田ボール（広義には導電性ボール）７が再配線５につながるように形成されている。半田ボール７の代わりにバンプ（突起電極）を用いてもよい。
【００１３】
このように、半導体基板としてのシリコン基板１の上に層間絶縁膜４を介して再配線用金属膜を配置し、この金属膜をパターニングしてシリコン基板１の上面に形成した各電極（パッド）２につながる再配線５を形成している。また、再配線５の上に表面保護膜６を介して再配線５につながるバンプまたは半田ボール７を設けている。
【００１４】
また、シリコン基板１にパワー素子（例えば、パワーＭＯＳトランジスタ）が作り込まれるとともに、図１に示すように、半田ボール７と電極（パッド）２とをつなぐ再配線１０はパワー素子に対するものである。この再配線１０は、電流容量の確保と放熱性の向上のために、幅広であり、隙間なく形成されている（ベタになっている）。
【００１５】
ここで、本実施形態においては、図１に示すように、再配線用金属膜１１に対しウエハ状態での検査で使う認識パターン２０を描画している。図２には、再配線用金属膜１１の平面図を示し、同図２においてハッチングを付した領域が再配線用金属膜１１の配置領域であることを表している。
【００１６】
図２における認識パターン２０およびその周辺部を拡大したものを図３に示す。図３において、認識パターン２０は、半田ボール７と電極（パッド）２とをつなぐ再配線１０とは切り離した領域に形成されている。詳しくは、再配線１０は概略形状として四角形状をなし、図３での右下の角部において認識パターン２０が形成されている。認識パターン２０は帯状で、かつ、逆Ｌ字状をなしている。また、四角形状をなす再配線１０における認識パターン２０と対向する部位（角の部分）は、認識パターン２０の形状に合わせて切り欠かれている。つまり、再配線１０と認識パターン２０との間に等間隔の隙間ができるように切り欠かれている。
【００１７】
このようにして、ウエハレベルチップサイズパッケージ（ＷＬＣＳＰ）の再配線部において再配線用金属膜１１によってウエハ検査で使う認識パターン２０が形成されている。
【００１８】
これにより、プローバーでウエハ検査をする時に、認識パターン２０を位置決めパターンとして使用でき、これにより、再配線用金属膜による認識パターン２０を位置決めパターンとしてプローバーへウエハ情報を登録することができる。即ち、認識パターン２０は所定の角部（図３において符号Ｅ１，Ｅ２で示す箇所）がエッジ部であり、このエッジ部が明確、つまり、コントラスト比が高い。この高いコントラスト比が得られることにより、ウエハ状態での検査の位置決めを安定して行うことができる（ウエハ状態での検査の位置決めに問題が生じない）。
【００１９】
この再配線用金属膜による認識パターン２０の形成の方法を、ウエハのＷＬＣＳＰ加工方法とともに、図６を用いて説明する。
（１）図６において、通常の半導体製造プロセスによりウエハ状のシリコン基板１に対し各チップ形成領域において素子を作り込むとともに絶縁膜３を形成する。
（２）ウエハ状のシリコン基板１の上に層間絶縁膜４を形成する。
（３）ウエハ状のシリコン基板１の上に、電極（パッド）２につながる再配線５（図２の再配線１０）を形成する。この処理において、図２に示すように、再配線用金属膜１１に認識パターン２０を描画する。
（４）図６において、ウエハ状のシリコン基板１の上に表面保護膜６を形成する。
（５）ウエハ状のシリコン基板１の上に、再配線５（図２の再配線１０）につながる半田ボール７を形成する。
（６）ウエハにおける各チップ形成領域を検査する。詳しくは、プローバーの針をチップ形成領域での半田ボール７に当てて電気的接続をとり、電気的測定を行う。この切断される前のウエハ状態での検査により、検査を効率よく行うことができる。また、この検査では、ウエハにおける各チップ形成領域に対し１つずつ順番にプローバーの針をチップ形成領域での半田ボール７に精度よく当てていく。その時、図１に示す認識パターン２０を用いて位置決めする。このパターン２０におけるエッジ部（図３のＥ１，Ｅ２）は明確、つまり、コントラスト比が高く位置決めは容易である。
（７）ウエハ状のシリコン基板１をダイシングして、各チップに裁断する。
【００２０】
以上から分かるように、ウエハをＷＬＣＳＰ加工する処理の中で、余分な処理を施さずに認識パターン２０を作成できるので、コストアップせずに容易に認識パターン２０を形成できる。さらに、同一チップサイズのウエハレベルチップサイズパッケージ（ＷＬＣＳＰ）で、ウエハでの各チップ形成領域における認識パターン２０の配置位置を共通化することにより、プローバーへの登録プログラムの共通化を図ることができ、プローバーへのウエハ情報の登録および管理作業の低減を図ることができる。
【００２１】
図１に代わる構成として図４に示すようにしてもよい。図４の認識パターン３０は、バンプまたは半田ボール７と電極（パッド）２とをつなぐ再配線１０の一部領域を抜いて形成している。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施の形態におけるウエハレベルチップサイズパッケージ（ＷＬＣＳＰ）の平面図。
【図２】再配線用金属膜を示す平面図。
【図３】認識パターンを説明するための平面図。
【図４】別例のウエハレベルチップサイズパッケージ（ＷＬＣＳＰ）の平面図。
【図５】従来技術を説明するためのウエハレベルチップサイズパッケージ（ＷＬＣＳＰ）の平面図。
【図６】ウエハレベルチップサイズパッケージ（ＷＬＣＳＰ）の縦断面図。
【図７】従来技術を説明するためのウエハレベルチップサイズパッケージ（ＷＬＣＳＰ）の平面図。
【符号の説明】
１…シリコン基板、２…電極、４…層間絶縁膜、６…表面保護膜、７…半田ボール、１０…再配線、１１…再配線用金属膜、２０…認識パターン、３０…認識パターン。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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