(57)【要約】【課題】　高密度配線板の製造を可能とする金属薄層付き絶縁基板及びその製造法を提供する。【解決手段】　仮基板に金属薄層を形成し、仮基板と、ガラス基材に熱硬化性樹脂を含浸した配線板用絶縁基材とを、仮基板の金属薄層が前記絶縁基材と面するように重ね合わせ、加熱圧着により一体化し、仮基板を除去する金属薄層付き絶縁基板の製造法に於て、ガラス基材に含浸する樹脂分を多くし、ガラス基材表面の樹脂層が接着剤層であり、加熱圧着後、絶縁基材のガラス布と金属薄層の間の接着剤層の厚さが５μｍ以上である金属薄層付き絶縁基板の製造法。【選択図】　なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
　仮基板に金属薄層を形成し、仮基板と、ガラス基材に熱硬化性樹脂を含浸した配線板用絶縁基材とを、仮基板の金属薄層が前記絶縁基材と面するように重ね合わせ、加熱圧着により一体化し、仮基板を除去する金属薄層付き絶縁基板の製造法に於て、ガラス基材に含浸する樹脂分を多くし、ガラス基材表面の樹脂層が接着剤層となり、加熱圧着後、絶縁基材のガラス布と金属薄層の間の接着剤層の厚さが５μｍ以上であることを特徴とする金属薄層付き絶縁基板の製造法。
【請求項２】
　金属薄層の厚みが５μｍ以下である請求項１に記載の金属薄層付き絶縁基板の製造法。
【請求項３】
　ガラス基材に熱硬化性樹脂を含浸した絶縁基材のガラス基材表面の熱硬化性樹脂層が接着剤層となり、該絶縁基材の外側に金属薄層が設けられた金属薄層付き絶縁基板において、金属薄層付き絶縁基板の少なくとも片面が、絶縁基材のガラス布と金属薄層の間の接着剤層の厚さが５μｍ以上である金属薄層付き絶縁基板。
【請求項４】
　該金属薄層の厚みが５μｍ以下である請求項３に記載の金属薄層付き絶縁基板。
【請求項５】
　ガラス基材に熱硬化性樹脂を含浸した絶縁基材のガラス基材表面の熱硬化性樹脂層が接着剤層となり、該絶縁基材の外側に金属薄層が設けられた金属薄層付き絶縁基板の金属薄層の厚みが５μｍ以下であり、かつ金属薄層付き絶縁基板の少なくとも片面が、絶縁基材のガラス布と金属薄層の間の接着剤層の厚さが５μｍ以上である金属薄層付き絶縁基板を用い製造した配線板であって、該金属薄層に銅めっきを行った後、回路加工を行った配線板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
　本発明は、高密度配線板の製造に使用される金属薄層付き絶縁基板及びその製造法に関する。
【背景技術】
【０００２】
　配線板の製造に使用される銅張り積層板としては、ステンレススチールの回転ドラム上に電解析出させた銅箔と紙やガラス基材に熱硬化性樹脂を含浸されたプリプレグとを積層したものがある。この場合、銅箔の厚さとしては、１８μｍ、３５μｍ、５０μｍ程度と厚いものが主流である。上記のような銅張り積層板を使用した配線板の製造方法としては、銅張り積層板をエッチングして回路加工を行うエッチドフォイル法やセミアディティブ法がある。エッチドフォイル法は、サイドエッチングの問題があり高密度配線の形成は困難である。セミアディティブ法に於ける配線の微細・高密度化は、下地金属層（銅箔）の厚さに依存している。すなわち、エッチングする下地金属層の厚さが薄いほどエッチング精度が高くなる。
【０００３】
　そこで高密度配線を形成する場合には、５〜９μｍの薄い銅箔を用いた銅張り積層板をベースとしているが、銅箔のキャリアーであるアルミ箔（厚さ約５０μｍ）を物理的あるいは化学的に除去する際に、アルミ箔の機械的強度がないために引き剥す途中でアルミ箔が破れたり、エッチング液でエッチング除去する際に多量の水素ガスが発生する問題がある。薄い下地金属層を形成する方法としては他に無電解めっき法、真空蒸着法、スパッタリング法などがある。無電解めっき法は絶縁基板表面を物理的または化学的な方法で処理してその表面を親水化・粗面化する工程を必要とするうえ、生成した金属層〜基板間の接着力も低い。
【０００４】
　このため、銅張り積層板の銅箔をエッチングした粗化面に無電解めっきを施し接着力を向上させる方法も提案されているが、レジストパターン形成時露光工程に於て粗化面で露光光が乱反射しレジストパターンとなるべきでない箇所が露光されるため、多量の現像残りが発生するという欠点がある。真空蒸着法及びスパッタリング法等の真空成膜法は平滑な基板上にも安定して１μｍ以下の金属層を形成できるが、基板として例えば、ガラス布−エポキシ積層板やガラス布−ポリイミド積層板等を用いる場合、ガラス布に吸着している水分及び樹脂層に残存している溶剤分のために、蒸着やスパッタリングなどで必要となる高真空下では水分や溶剤分がガス化し、ガラス布〜樹脂界面での剥離やボイドが生じてしまう。
【０００５】
こうした理由から、蒸着やスパッタリング工程を別工程で行い、金属薄層を形成後、配線板用有機基材と積層する方法が提案されている（特開昭５３−１１４０７４号公報、特開昭５７−７２８５１号公報、特開昭５７−８７３５９号公報、特開昭５７−１４２３５５号公報）。
【特許文献１】特開昭５３−１１４０７４号公報
【特許文献２】特開昭５７−７２８５１号公報
【特許文献３】特開昭５７−８７３５９号公報
【特許文献４】特開昭５７−１４２３５５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
　しかしこれらの方法に於いても、金属薄層の厚さが３μｍ以下になると、加熱圧着時に基材のガラス布を構成するガラス繊維の交差部に対応する金属薄層が損傷を受けるという問題がある。この場合、金属薄層の厚さを厚くすれば金属薄層の損傷は減少するが、セミアディティブ法を用いて、配線幅が２０〜５０μｍ程度の超高密度配線を安定的に形成するには下地金属が３μｍ以下に薄いことが不可欠である。本発明は、高密度配線板の製造を可能とする金属薄層付き絶縁基板及びその製造法を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
　本発明は、以下のことを特徴とする。
（１）仮基板に金属薄層を形成し、仮基板と、ガラス基材に熱硬化性樹脂を含浸した配線板用絶縁基材とを、仮基板の金属薄層が前記絶縁基材と面するように重ね合わせ、加熱圧着により一体化し、仮基板を除去する金属薄層付き絶縁基板の製造法に於て、ガラス基材に含浸する樹脂分を多くし、ガラス基材表面の樹脂層が接着剤層となり、加熱圧着後、絶縁基材のガラス布と金属薄層の間の接着剤層の厚さが５μｍ以上であることを特徴とする金属薄層付き絶縁基板の製造法。
（２）金属薄層の厚みが５μｍ以下である（１）に記載の金属薄層付き絶縁基板の製造法。
（３）ガラス基材に熱硬化性樹脂を含浸した絶縁基材のガラス基材表面の熱硬化性樹脂層が接着剤層となり、該絶縁基材の外側に金属薄層が設けられた金属薄層付き絶縁基板において、金属薄層付き絶縁基板の少なくとも片面が、絶縁基材のガラス布と金属薄層の間の接着剤層の厚さが５μｍ以上である金属薄層付き絶縁基板。
（４）該金属薄層の厚みが５μｍ以下である（３）に記載の金属薄層付き絶縁基板。
（５）ガラス基材に熱硬化性樹脂を含浸した絶縁基材のガラス基材表面の熱硬化性樹脂層が接着剤層となり、該絶縁基材の外側に金属薄層が設けられた金属薄層付き絶縁基板の金属薄層の厚みが５μｍ以下であり、かつ金属薄層付き絶縁基板の少なくとも片面が、絶縁基材のガラス布と金属薄層の間の接着剤層の厚さが５μｍ以上である金属薄層付き絶縁基板を用い製造した配線板であって、該金属薄層に銅めっきを行った後、回路加工を行った配線板。
【発明の効果】
【０００８】
　本発明により、従来問題となっていた金属薄層転写時の金属薄層の損傷が激減し、微細回路パターン形成工程を安定化することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
　仮基板としては高分子、金属等のフィルム状、板状、ロール状のものが使用される。金属薄層は仮基板全面に形成したものだけでなく、所定の配線パターンをもつものでも良い。厚みは５μｍ以下が好ましく、更に好ましくは３μｍ以下である。厚さは薄い程高密度配線板の製造には都合が良い。仮基板と配線板用絶縁基材との加熱圧着は、圧力は１０〜７０ｋｇｆ／ｃｍ２、温度は１００〜２００℃が好ましい。ガラス基材に含浸する樹脂分を多くして、結果としてガラス基材表面の樹脂層が接着剤層となるようにする。接着剤層の厚さは、加熱圧着後５μｍ以上となるようにする必要がある。５μｍ未満であると金属薄層の損傷が防止できない。本発明により得られた金属薄層付き絶縁基板は、例えば銅箔にレジスト形成用表面処理を施した後、レジストパターン形成→パターンめっき→レジストパターン除去→クイックエッチングによる回路加工を行うことにより配線板を製造する。