(57)【要約】【課題】  実装精度を向上させる半導体装置の製造方法、その方法により製造された半導体装置、半導体装置の製造装置、回路基板並びに電子機器を提供することにある。【解決手段】  光透過性の基板１２と基板１２の一方の面に形成された配線パターン１４とを含み配線パターン１４を除く領域で光が透過するフレキシブル基板１０を用意する工程と、フレキシブル基板１０における配線パターン１４の形成された面とは反対側の面から基板１２を透かして配線パターン１４の位置を認識する工程と、配線パターン１４の認識と同一方向に視線を向けて半導体素子３０における電極３２の位置を認識する工程と、配線パターン１４と電極３２との位置を合わせてフレキシブル基板１０に半導体素子３０をフェースダウンボンディングする工程と、を含む。【選択図】        図１
2004214705.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光透過性の基板の一方の面に配線パターンが形成されたフレキシブル基板と、半導体素子に形成された電極とを接続する半導体装置の製造方法であって、
前記半導体素子が形成される側とは異なる側に検出手段を配置し、
前記検出手段により前記電極及び前記配線パターンの少なくとも一方の位置を検出し、
前記配線パターンと前記電極とを電気的に接続する半導体装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
前記フレキシブル基板における前記配線パターンの形成された面とは反対側の面から、前記配線パターンの位置と前記電極の位置を前記検出手段により検出する半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１又は請求項２記載の半導体装置の製造方法において、
前記フレキシブル基板は、接着剤なしに、前記配線パターンが前記基板に形成された２層フレキシブル基板である半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項３記載の半導体装置の製造方法において、
前記配線パターンは、スパッタリングにより前記基板に形成されたものである半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項１から請求項４のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
前記基板は、ポリエチレンテレフタレートで形成されたものである半導体装置の製造方法。
【請求項６】
請求項１から請求項５のいずれかに記載の半導体装置の製造
方法において、
前記検出手段は、カメラからなり、
前記配線パターンの位置と前記電極の位置をカメラによって検出し、
前記カメラは、前記配線パターンが形成された前記フレキシブル基板及び前記電極が形成された前記半導体素子のいずれか一方を撮像後、他方の撮像を行う半導体装置の製造方法。
【請求項７】
請求項６記載の半導体装置の製造方法において、
前記カメラは、平行に移動して前記配線パターンもしくは前記電極を撮像する半導体装置の製造方法。
【請求項８】
請求項１から請求項７のいずれかに記載の方法により製造された半導体装置。
【請求項９】
基板上に形成された配線パターンを有するフレキシブル基板と、半導体素子とを含む半導体装置であって、
前記基板は光透過特性を有してなり、前記基板上に形成された配線パターンと前記半導体素子に形成された電極とが電気的に接続してなる半導体装置。
【請求項１０】
請求項９記載の半導体装置において、
前記半導体素子をフェースダウンボンディングして前記配線パターンと接続してなる半導体装置。
【請求項１１】
フレキシブル基板を搬送する第１搬送手段と、半導体素子
を搬送する第２搬送手段と、位置検出をするための検出手段とを有する半導体装置の製造装置であって、
前記検出手段は、前記半導体素子が配置された側とは異なる側に配置され、前記フレキシブル基板に形成された配線パターンの位置もしくは前記半導体素子に形成された電極の位置を検出する半導体装置の製造装置。
【請求項１２】
請求項８から請求項１０のいずれかに記載の半導体装置が実装された回路基板。
【請求項１３】
請求項１２記載の回路基板を有する電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置及びその製造方法、半導体装置の製造装置、回路基板並びに電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年の電子機器の小型化に伴い、高密度実装に適した半導体装置のパッケージが要求されている。これに応えるために、ＢＧＡ（Ball Grid Array） やＣＳＰ（Chip Scale/Size Package） のような表面実装型パッケージが開発されている。表面実装型パッケージでは、配線パターンの形成された基板に、半導体チップがフェースダウン実装される。
【０００３】
従来の表面実装型パッケージの製造方法では、配線パターンと半導体チップの電極との位置合わせを行うために、光学系を使用していた。つまり、半導体チップの電極を有する面と、基板の配線パターンを有する面との間に、光学系を配置させて、両方の面をカメラで撮像して位置を把握して位置決めを行っていた。これによれば、光学系が複雑であるため、誤差が生じやすくて実装精度の低下を招いていた。
【０００４】
本発明は、この問題点を解決するものであり、その目的は、実装精度を向上させる半導体装置の製造方法、その方法により製造された半導体装置、半導体装置の製造装置、回路基板並びに電子機器を提供することにある。
【発明の開示】
【課題を解決するための手段】
【０００５】
（１）本発明に係る半導体装置の製造方法は、光透過性の基板の一方の面に配線パターンが形成されたフレキシブル基板と、半導体素子に形成された電極とを接続する半導体装置の製造方法であって、
前記半導体素子が形成される側とは異なる側に検出手段を配置し、
前記検出手段により前記電極及び前記配線パターンの少なくとも一方の位置を検出し、
前記配線パターンと前記電極とを電気的に接続する。
（２）この製造方法において、
前記フレキシブル基板における前記配線パターンの形成された面とは反対側の面から、前記配線パターンの位置と前記電極の位置を前記検出手段により検出してもよい。これによれば、光透過性の基板が使用されるので、フレキシブル基板の裏面から透かして配線パターンを認識することができる。このことにより、同一又は平行方向に視線を向けて認識を行っても、配線パターンと電極とを向かい合う方向又はこれと平行方向に向けることができる。そして、認識を終えて、フレキシブル基板及び半導体素子を、互いに平行移動させるだけでフェースダウンボンディングを行うことができる。その結果、複雑な光学系を使用せずに、実装精度を向上させることができる。
（３）この製造方法において、
前記フレキシブル基板は、接着剤なしに、前記配線パターンが前記基板に形成された２層フレキシブル基板であってもよい。一般的に使用される接着剤は光の透過を妨げるので、このような接着剤を使用しない２層フレキシブル基板を使用することで、フレキシブル基板の裏面から配線パターンを認識することができる。
（４）この半導体装置の製造方法において、
前記配線パターンは、スパッタリングにより前記基板に形成されたものであってもよい。このように、スパッタリングにより基板に配線パターンを形成することで、裏面からの配線パターンの認識が容易になる。
（５）この半導体装置の製造方法において、
前記基板は、ポリエチレンテレフタレートで形成されたものであってもよい。ポリエチレンテレフタレートは、光透過性を有する材料の例である。
（６）この半導体装置の製造方法において、
前記検出手段は、カメラからなり、
前記配線パターンの位置と前記電極の位置をカメラによって検出し、
前記カメラは、前記配線パターンが形成された前記フレキシブル基板及び前記電極が形成された前記半導体素子のいずれか一方を撮像後、他方の撮像を行ってもよい。
（７）この半導体装置の製造方法において、
前記カメラは、平行に移動して前記配線パターンもしくは前記電極を撮像してもよい。
（８）本発明に係る半導体装置は、上記方法により製造されたものである。
（９）本発明に係る半導体装置は、基板上に形成された配線パターンを有するフレキシブル基板と、半導体素子とを含む半導体装置であって、
前記基板は光透過特性を有してなり、前記基板上に形成された配線パターンと前記半導体素子に形成された電極とが電気的に接続してなる。
（１０）この半導体装置は、
前記半導体素子をフェースダウンボンディングして前記配線パターンと接続してなるものであってもよい。
（１１）本発明に係る半導体装置の製造装置は、フレキシブル基板を搬送する第１搬送手段と、半導体素子を搬送する第２搬送手段と、位置検出をするための検出手段とを有する半導体装置の製造装置であって、
前記検出手段は、前記半導体素子が配置された側とは異なる側に配置され、前記フレキシブル基板に形成された配線パターンの位置もしくは前記半導体素子に形成された電極の位置を検出する。
（１２）本発明に係る回路基板には、上記半導体装置が実装されている。
（１３）本発明に係る電子機器は、上記回路基板を有する。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００６】
以下、本発明の好適な実施の形態について図面を参照して説明する。
【０００７】
図１（Ａ）〜図１（Ｃ）は、本発明を適用した実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明する図である。本実施の形態では、図１（Ａ）に示すように、フレキシブル基板１０が用意される。フレキシブル基板１０は、ベース基板１２及び配線パターン１４を含む。
【０００８】
基板１２は、例えば有機系又は樹脂系の材料から形成されたもので可撓性を有する。また、基板１２は光透過性を有し、可視光が透過するのであれば、透過率は問わない。可撓性及び光透過性を有する限り、基板１２の材料は限定されない。光透過率の高い材料として、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）が挙げられる。あるいは、ポリイミド樹脂を使用してもよい。ポリイミド樹脂を使用した基板１２は、着色されているので、その厚みは、７５μｍ以下であることが好ましく、さらに５０μｍ以下であることが一層好ましい。また、基板１２の材料として、ＰＥＳ（ポリエーテルサルフォン）や、ＰＥＥＫ（ポリエーテルエーテルケトン）などの耐熱エンジニアリングプラスチックフィルムを使用してもよい。これらの材料は、透明であるか、または着色されていても色が薄いので
、厚みが問題にならないことが多い。
【０００９】
配線パターン１４は、基板１２の一方の面に形成される。なお、基板１２の一方の面の配線パターン１４の他に、他方の面に配線パターンを形成してもよいが、この他方の面に形成される配線パターンは本発明の必須の構成要件ではない。
【００１０】
配線パターン１４は、スパッタリング等により基板１２に銅などの導電性の膜を被着し、これをエッチングして形成することができる。この場合には、基板１２に配線パターン１４が直接形成され、接着剤が介在しない２層基板となる。接着剤は、一般的に遮光性を有する。フレキシブル基板１０によれば、遮光性の接着剤が介在しないので、光透過性の基板１２を透かして、配線パターン１４を裏面から認識することができる。詳しくは、基板１２における配線パターン１４が形成された面とは反対側の面から、基板１２を透かして、配線パターン１４を視覚的に認識することができる。基板１２として、ポリイミド樹脂を選択した場合、基板１２が着色されているため、配線パターン１４の形成面とは逆の面からのパターン認識性をより上げるため、上述した２層基板、特にポリイミド樹脂上にスパッタリングで銅などを形成したタイプの方が、この形態には望ましい。ここで、基板１２が光透過率の高いＰＥＴなどで形成されていれば、配線パターン１４の認識がよりしやすいので、接着剤付の３層基板の選択も可能である。
【００１１】
基板１２には、スルーホール１８が形成されており、配線パターン１４は、スルーホール１８上を通る。すなわち、スルーホール１８上を配線パターン１４がまたぐように形成されている。そして、スルーホール１８を介して、配線パターン１４は、基板１２における配線パターン１４が形成された面とは反対側の面に接続できるようになっている。こうして、基板１２における配線パターン１４の形成された面とは反対側の面に、配線パターン１４に電気的に接続された外部電極３４（図１（Ｃ）参照）を形成することができる。なお、スルーホール１８の内面に、金や銅などの導電部材をメッキしてもよい。
【００１２】
配線パターン１４には、ランド１６が形成されており、半導体素子３０の電極３２との接合がしやすくなっている。なお、ランド１６上にバンプを形成してもよい。
【００１３】
以上説明してきたように、フレキシブル基板１０として短冊のものを用いても良いし、図２に示すテープキャリア２０を使用してもよい。テープキャリア２０は、長尺状又はテープ状の基板２２と、基板２２の少なくとも一方の面に形成された配線パターン２４と、で構成され、図示しないリールに巻き取られて用意される。基板２２には、幅方向の両端部に、長さ方向に沿って連続的にスプロケットホール２６が形成されている。スプロケットホール２６は、テープキャリア２０を巻き取ったり引き出すときに、スプロケット１０４（図１（Ａ）参照）に噛み合うようになっている。
【００１４】
本実施の形態で使用される製造装置は、フレキシブル基板１０を搬送するスプロケット１０４などの第１搬送手段と、半導体素子３０を搬送する吸着治具１０２などの第２搬送手段と、位置検出をするためのカメラ１００などの検出手段とを有する。
【００１５】
本実施の形態では、上記フレキシブル基板１０と半導体素子３０とを、図１（Ａ）に示すように配置する。図１（Ａ）において、フレキシブル基板１０における配線パターン１４が形成された面と、半導体素子３０における電極３２が形成された面とは、反対の方向であって、面に沿って平行移動したときに対面し得る方向を向いている。言い換えると、フレキシブル基板１０における配線パターン１４が形成された面とは反対側の面と、半導体素子３０における電極３２が形成された面とは、同じ方向を向くとともに、平面視において重ならないようにずれている。
【００１６】
また、フレキシブル基板１０及び半導体素子３０は、それぞれ、配線パターン１４が形成された面又は電極３２が形成された面に沿って、平行移動できるように、図示しないスライド手段にて保持されている。
【００１７】
図１（Ａ）において、カメラ１００は、フレキシブル基板１０における配線パターン１４が形成された面とは反対側の面と、半導体素子３０における電極３２が形成された面と、に対面可能な方向であって、いずれか一方の面に実際に対面して、カメラ１００が配置されている。すなわち、カメラ１００は、フレキシブル基板１０における配線パターン１４が形成された面とは反対側の面に配置されている。または、半導体素子３０における電極３２が形成された面に配置されている。なお、カメラ１００は、位置が固定されている。
【００１８】
ここで、カメラ１００は、フレキシブル基板１０における配線パターン１４が形成された面とは反対側に配置されていても、上述したように、フレキシブル基板１０の基板１２が光透過性を有するので、基板１２を透かして配線パターン１４を撮像することができる。
【００１９】
カメラ１００は、配線パターン１４及び電極３２のうち、視野に入っている一方を撮像する。これにより、これらの位置が認識される。なお、フレキシブル基板１０を撮像する場合は、具体的には、配線パターン１４における電極３２との接合部となるランド１６の位置を検出手段（例えばカメラ１００）が認識する。詳しくは、予め配線パターン１４の形状、ランド１６の形状及び配線パターン１４上での位置などの基礎情報を、記憶手段に記憶させておく。そして、基板１２を透かして配線パターン１４を撮像し、基礎情報と、カメラ１００にて撮像されて得られた配線パターン１４の画像情報と、に基づいてランド１６の位置を認識する。さらに、精密な位置合わせ精度が要求される場合は、ランドとは別に専用の位置合わせマークを配線パターンと同一プロセスで設けておき、基板１２を透
かして位置合わせマークを撮像し、これを位置基準としてランドの位置を算出してもよい。この認識は、演算処理手段によって行われ、認識された位置のデータは、記憶手段に蓄積してもよい。
【００２０】
こうして、配線パターン１４及び電極３２のうちの一方の位置を認識すると、この認識対象となったフレキシブル基板１０及び半導体素子３０のうちの一方を平行移動し、他方をカメラ１００の視野に入れる。そして、同様にして、配線パターン１４及び電極３２のうちの他方の位置を認識する。なお、フレキシブル基板１０及び半導体素子３０を平行移動するときに、その移動方向及び移動距離を記憶しておくことで、配線パターン１４及び電極３２の位置のデータをその後も有効に利用することができる。
【００２１】
こうして、配線パターン１４における電極３２との接合部となるランド１６と、電極３２との位置を認識できるので、次に両者の位置合わせを行う（図１（Ｂ）参照）。さらに、位置合わせを行った後に、基板１２を透かして、電極３２とランド１６の位置が合っているか確認することができ、確実な位置合わせを画像として確認後、次の接合工程に入れるのが本発明の大きな特徴である。
【００２２】
以上の工程によれば、カメラ１００を固定したままで、複雑な光学系もないにもかかわらず、配線パターン１４における電極３２との接合部となるランド１６と電極３２との位置合わせを簡単に行うことができる。
【００２３】
次に、図１（Ｂ）に示すように、ランド１６と電極３２とをフェースダウンボンディングする。本実施の形態では、汎用のギャングボンディング方式のボンダを使用し、フレキシブル基板１０における配線パターン１４の形成された面とは反対側の面から、ボンディングツール２００を半導体素子３０の方向に押圧する。
【００２４】
なお、図２に示すように、テープキャリア２０がフレキシブル基板１０として使用されるときには、複数のユニットとしての半導体装置について位置合わせを行ってから、連続的に図１（Ｂ）に示す工程を行ってもよい。
【００２５】
こうして、ランド１６と電極３２とが接合されると、図１（Ｃ）に示すように、スルーホール１８を介して、配線パターン１４の上にボール状にハンダを設けて外部電極３４を形成する。そして、フレキシブル基板１０を、半導体素子３０の外形に沿って、あるいは任意の形状に打ち抜いて半導体装置３６を得ることができる。
【００２６】
このように、本実施形態によれば、汎用のボンダを使用して、対面する方向を向くランド１６及び電極３２を、簡単に接合することができる。
【００２７】
以上、自動認識位置合わせ装置（工程）を用いる例について述べたが、本発明は、手動位置合わせ装置（カメラ映像をディスプレイで人が見て位置合わせする装置）にも適用でき、これが別の大きなメリットとなっている。これにより、高価な設備を使用しなくとも、簡易な装置で高精度な接合を行うことができる。
【００２８】
なお、本発明は、上記実施の形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば、図１（Ａ）に示す工程の代わりに、図３に示す工程を行ってもよい。すなわち、図１（Ａ）では、カメラ１００の位置が固定されて、フレキシブル基板１０及び半導体素子３０が平行移動するが、図３では、カメラ２００が平行移動し、フレキシブル基板１０及び半導体素子３０の位置が固定されている。これによっても、上記実施の形態と同様の効果を達成することができる。なお、図３において、フレキシブル基板１０及び半導体素子３０は、カメラ２００による撮像時に位置が固定されているが、フェースダウン実装を行うときには、平行移動して図１（Ｂ）に示すように位置合わせを行えることが好ましい。
【００２９】
上述した例では、全てＣＳＰ（Chip Size/Scale Package） 構造の製造を例にして述べたが、本発明に係る方法はこれに限らず、光透過性を有する基板を用いるＦＤ（Face Down） 構造全般の実装、例えばＣＯＦ（Chip On Flex）構造にも用いることができる。この場合でも、半導体素子と基板との接続工程にポイントがある。
【００３０】
図４には、上述した実施形態に係る方法によって製造された半導体装置１１００を実装した回路基板１０００が示されている。回路基板１０００には例えばガラスエポキシ基板等の有機系基板を用いることが一般的である。回路基板１０００には、例えば銅からなる配線パターンが所望の回路となるように形成されている。そして、配線パターンと半導体装置１１００の外部電極とを機械的に接続することでそれらの電気的導通が図られる。
【００３１】
なお、半導体装置１１００は、実装面積をベアチップにて実装する面積にまで小さくすることができるので、この回路基板１０００を電子機器に用いれば電子機器自体の小型化が図れる。また、同一面積内においてはより実装スペースを確保することができ、高機能化を図ることも可能である。
【００３２】
そして、この回路基板１０００を備える電子機器として、図５には、ノート型パーソナルコンピュータ１２００が示されている。
【００３３】
なお、上記実施の形態は、半導体装置に本発明を適用した例であるが、半導体装置と同様に多数の外部端子を必要とする面実装用の電子部品であれば、能動部品か受動部品かを問わず、本発明を適用することができる。電子部品として、例えば、抵抗器、コンデンサ、コイル、発振器、フィルタ、温度センサ、サーミスタ、バリスタ、ボリューム又はヒューズなどがある。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１】図１（Ａ）〜図１（Ｃ）は、本発明を適用した実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明する図である。
【図２】図２は、フレキシブル基板の例としてテープキャリアを示す図である。
【図３】図３は、本発明を適用した実施の形態の変形例を示す図である。
【図４】図４は、本実施の形態に係る半導体装置が実装された回路基板を示す図である。
【図５】図５は、本実施の形態に係る半導体装置が実装された回路基板を備える電子機器を示す図である。
【符号の説明】
【００３５】
１０  フレキシブル基板、  １２  基板、  １４  配線パターン、  １６  ランド、
３０  半導体素子、  ３２  電極、  ３６  半導体装置
【図１】
2004214705.tif 000003
【図２】
2004214705.tif 000004
【図３】
2004214705.tif 000005
【図４】
2004214705.tif 000006
【図５】
2004214705.tif 000007
【手続補正書】
【提出日】平成16年4月23日(2004.4.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光透過性の基板の第１の面に配線パターンが形成されたフレキシブル基板に半導体素子を実装して、前記半導体素子に形成された電極と前記配線パターンとを接続する半導体装置の製造方法であって、
（ａ）前記基板の前記第１の面とは反対側の第２の面と、前記半導体素子の前記電極が形成された面と、に対面可能な方向に配置されている検出手段により、前記基板を透かして、前記配線パターンの前記電極との接合部の位置を検出すること、
（ｂ）前記接合部の位置を検出した後に、前記検出手段により前記電極の位置を検出すること、
（ｃ）前記フレキシブル基板及び前記半導体素子を互いに平行移動させて、前記接合部及び前記電極の位置合わせすること、及び、
（ｄ）前記接合部と前記電極とを電気的に接続すること、
を含み、
前記位置合わせは、前記接合部の位置のデータと、前記電極の位置のデータと、前記フレキシブル基板及び前記半導体素子の移動方向及び移動距離と、を利用して行う半導体装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
前記検出手段は、カメラからなり、
前記接合部の位置と前記電極の位置をカメラによって検出し、
前記カメラは、前記接合部及び前記電極のいずれか一方を撮像後、他方の撮像を行う半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項２記載の半導体装置の製造方法において、
前記カメラは、平行に移動して前記接合部又は前記電極を撮像する半導体装置の製造方法。
【請求項４】
光透過性の基板の第１の面に配線パターン及び位置合わせマークが形成されたフレキシブル基板に半導体素子を実装して、前記半導体素子に形成された電極と前記配線パターンとを接続する半導体装置の製造方法であって、
（ａ）前記基板の前記第１の面とは反対側の第２の面と、前記半導体素子の前記電極が形成された面と、に対面可能な方向に配置されている検出手段により、前記基板を透かして、前記位置合わせマークの位置を検出すること、
（ｂ）前記位置合わせマークの位置のデータから前記接合部の位置のデータを算出すること、
（ｃ）前記位置合わせマークの位置を検出した後に、前記検出手段により前記電極の位置を検出すること、
（ｄ）前記フレキシブル基板及び前記半導体素子を互いに平行移動させて、前記接合部及び前記電極の位置合わせすること、及び、
（ｅ）前記接合部と前記電極とを電気的に接続すること、
を含み、
前記位置合わせは、前記接合部の位置のデータと、前記電極の位置のデータと、前記フレキシブル基板及び前記半導体素子の移動方向及び移動距離と、を利用して行う半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項４記載の半導体装置の製造方法において、
前記検出手段は、カメラからなり、
前記位置合わせマークの位置と前記電極の位置をカメラによって検出し、
前記カメラは、前記位置合わせマーク及び前記電極のいずれか一方を撮像後、他方の撮像を行う半導体装置の製造方法。
【請求項６】
請求項５記載の半導体装置の製造方法において、
前記カメラは、平行に移動して前記位置合わせマーク又は前記電極を撮像する半導体装置の製造方法。
【請求項７】
請求項１から請求項６のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
前記フレキシブル基板は、接着剤なしに、前記配線パターンが前記基板に形成された２層フレキシブル基板である半導体装置の製造方法。
【請求項８】
請求項７記載の半導体装置の製造方法において、
前記配線パターンは、スパッタリングにより前記基板に形成されたものである半導体装置の製造方法。
【請求項９】
請求項１から請求項８のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
前記基板は、ポリエチレンテレフタレートで形成されたものである半導体装置の製造方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
本発明は、この問題点を解決するものであり、その目的は、実装精度を向上させる半導体装置の製造方法を提供することにある。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
（１）本発明に係る半導体装置の製造方法は、光透過性の基板の第１の面に配線パターンが形成されたフレキシブル基板に半導体素子を実装して、前記半導体素子に形成された電極と前記配線パターンとを接続する半導体装置の製造方法であって、
（ａ）前記基板の前記第１の面とは反対側の第２の面と、前記半導体素子の前記電極が形成された面と、に対面可能な方向に配置されている検出手段により、前記基板を透かして、前記配線パターンの前記電極との接合部の位置を検出すること、
（ｂ）前記接合部の位置を検出した後に、前記検出手段により前記電極の位置を検出すること、
（ｃ）前記フレキシブル基板及び前記半導体素子を互いに平行移動させて、前記接合部及び前記電極の位置合わせすること、及び、
（ｄ）前記接合部と前記電極とを電気的に接続すること、
を含み、
前記位置合わせは、前記接合部の位置のデータと、前記電極の位置のデータと、前記フレキシブル基板及び前記半導体素子の移動方向及び移動距離と、を利用して行う。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
（２）本発明に係る半導体装置の製造方法は、光透過性の基板の第１の面に配線パターン及び位置合わせマークが形成されたフレキシブル基板に半導体素子を実装して、前記半導体素子に形成された電極と前記配線パターンとを接続する半導体装置の製造方法であって、
（ａ）前記基板の前記第１の面とは反対側の第２の面と、前記半導体素子の前記電極が形成された面と、に対面可能な方向に配置されている検出手段により、前記基板を透かして、前記位置合わせマークの位置を検出すること、
（ｂ）前記位置合わせマークの位置のデータから前記接合部の位置のデータを算出すること、
（ｃ）前記位置合わせマークの位置を検出した後に、前記検出手段により前記電極の位置を検出すること、
（ｄ）前記フレキシブル基板及び前記半導体素子を互いに平行移動させて、前記接合部及び前記電極の位置合わせすること、及び、
（ｅ）前記接合部と前記電極とを電気的に接続すること、
を含み、
前記位置合わせは、前記接合部の位置のデータと、前記電極の位置のデータと、前記フレキシブル基板及び前記半導体素子の移動方向及び移動距離と、を利用して行う。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
これによれば、光透過性の基板が使用されるので、フレキシブル基板の裏面から透かして接合部又は位置合わせマークを認識することができる。このことにより、同一又は平行方向に視線を向けて認識を行っても、配線パターンと電極とを向かい合う方向又はこれと平行方向に向けることができる。そして、認識を終えて、フレキシブル基板及び半導体素子を、互いに平行移動させるだけでフェースダウンボンディングを行うことができる。その結果、複雑な光学系を使用せずに、実装精度を向上させることができる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
（６）この半導体装置の製造方法において、
前記検出手段は、カメラからなり、
前記接合部（前記位置合わせマーク）の位置と前記電極の位置をカメラによって検出し、
前記カメラは、前記接合部（前記位置合わせマーク）及び前記電極のいずれか一方を撮像後、他方の撮像を行ってもよい。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
（７）この半導体装置の製造方法において、
前記カメラは、平行に移動して前記前記接合部（前記位置合わせマーク）もしくは前記電極を撮像してもよい。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】削除
【補正の内容】