(57)【要約】      （修正有）【課題】プラズマ腐蝕の効果を向上できるプラズマ腐蝕方法を提供する。【解決手段】基材は少なくとも一つの樹脂層１０および樹脂層１０の一面を被覆する少なくとも一つの銅層２０を備え、銅層２０は露出された表面を有し、且つ銅層２０は表面から樹脂層１０まで貫通する開口２１を有する。銅層２０を化学薬剤に接触させ、表面に酸化層マスク４０を形成するプロセスと、酸素を含有する気体によるプラズマ腐蝕方法によって開口２１と相対する樹脂材料を除去するプロセスとを含む。銅層２０の表面に酸化層マスク４０を形成するため、二つの銅層２０が酸素遊離基とともに反応を進行することを阻止し、酸素遊離基（Ｏ）の密度が低減することがなく、プラズマ腐蝕の効果を向上できる。【選択図】    図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材を腐蝕するように、基材は少なくとも一つの樹脂層および樹脂層の一面を被覆する少なくとも一つの銅層を備え、銅層は露出された表面を有し、且つ銅層は表面から樹脂層まで貫通する開口を有し、
１．銅層の表面を銅とともに酸化反応を発生する化学薬剤に接触させ、表面に酸化層マスクを形成するプロセスと、
２．酸素を含有する気体をプラズマを形成する気体にするプラズマ腐蝕方法によって開口と相対する樹脂材料を除去するプロセスと、
を含むことを特徴とするプラズマ腐蝕方法。
【請求項２】
化学薬剤は亜塩素酸ナトリウム（ＮａＣｌＯ２）と水酸化ナトリウム（ＮａＯＨ）との混合液体であることを特徴とする請求項１に記載のプラズマ腐蝕方法。
【請求項３】
亜塩素酸ナトリウム（ＮａＣｌＯ２）の比重は６０ｇ／ｌ、水酸化ナトリウム（ＮａＯＨ）の比重は８０ｇ／ｌであることを特徴とする請求項２に記載のプラズマ腐蝕方法。
【請求項４】
化学薬剤は、亜塩素酸ナトリウム（ＮａＣｌＯ２）と、水酸化ナトリウム（ＮａＯＨ）と、リン酸三ナトリウム（Ｎａ３ＰＯ４．・１２Ｈ２Ｏ）との混合液体であることを特徴とする請求項１に記載のプラズマ腐蝕方法。
【請求項５】
亜塩素酸ナトリウム（ＮａＣｌＯ２）の比重は３０ｇ／ｌ、水酸化ナトリウム（ＮａＯＨ）の比重は１０ｇ／ｌ、且つリン酸三ナトリウム（Ｎａ３ＰＯ４・１２Ｈ２Ｏ）の比重は１０ｇ／ｌであることを特徴とする請求項４に記載のプラズマ腐蝕方法。
【請求項６】
基材は、樹脂層および別々樹脂層の両面を被覆する二つの銅層を備え、二つの銅層の所定の対応する位置にはそれぞれ開口を設け、開口はそれぞれ二つの銅層の露出された表面から樹脂層まで貫通するものであることを特徴とする請求項１に記載のプラズマ腐蝕方法。
【請求項７】
基材は、多層樹脂層と各樹脂層との間に設けられる複数の銅線回路および別々上述の樹脂層の一番表の表面を被覆する二つの銅層を備え、二つの銅層の所定の対応する位置にはそれぞれ開口を設け、開口はそれぞれ二つの銅層の露出された表面から各銅層に被覆される樹脂層まで貫通するものであることを特徴とする請求項１に記載のプラズマ腐蝕方法。
【請求項８】
更に化学薬剤によって酸化層マスクを除去する第三プロセスを備えることを特徴とする請求項１に記載のプラズマ腐蝕方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、腐蝕技術に関係し、特に、プラズマ腐蝕方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
プラズマ腐蝕技術は、エレクトロニクス産業の製造プロセスで広汎に応用され、例えば、ＩＣの封じ込めプロセスでＩＣ基板の板面の屑を除去するために使用されるものである。
【０００３】
近年、プラズマ腐蝕技術は、プリント回路基板の製造プロセスにも採用されるものであり、例えば、プリント回路基板の微孔を形成するために採用される場合、プリント回路基板は基材を有し、基材が樹脂層および別々樹脂層の両表面を被覆する二つの銅層を有し、或は、基材が多層樹脂層、別々各樹脂層の間にある銅線回路および別々上述樹脂層の一番表の表面を被覆する二つ銅層を有し、微孔を形成する方法は、下記の通りである。
【０００４】
一．二つの銅層或はその中の一つの銅層の露出された表面の所定の位置に開口を設け、開口が表面から樹脂層まで貫通すること。
二．基板を公知のプラズマ腐蝕機器に送入し、プラズマによって樹脂層の開口位置と相対する樹脂材料を除去して微孔を形成することである。
【０００５】
従来公知のプラズマ腐蝕の原理は、低圧且つ高強度の電場を備える環境において所定の気体を注入することによって気体が電子、イオンおよび遊離基（ｆｒｅｅ  ｒａｄｉｃａｌ）等に解離し、その後、それらの遊離基が樹脂材料の分子チェーンを破壊することによって樹脂材料が分子量のやや低い気体分子を形成し、気体分子をその環境から抽出することである。
【０００６】
プラズマ腐蝕の技術が上述微孔を形成するプロセスに使用される場合、プラズマの気体とされるのは通常酸素（Ｏ２）或は酸素を含有する気体であり、上述低圧且つ高強度の電場を備える環境において酸素から解離される酸素遊離基および基板の樹脂が反応を起こすことによって樹脂材料が分子量のやや低い気体分子を形成することである。
【０００７】
又、前述微孔を形成するプロセスでは、基板の銅層が樹脂層を遮蔽することによって遊離基に僅かに開口のあたりの樹脂層を破壊させ、微孔を形成する。
しかし、プラズマ腐蝕が進行する場合、大部分の酸素遊離基は樹脂層を遮蔽する銅層とともに反応を起こし、酸素分子（Ｏ２）に還元されるため、低圧且つ高強度の電場を備える環境下の酸素遊離基の密度は大幅に低下し、腐蝕効率が低減し、製造コストが大幅に増加する。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の主な目的は、高効率のプラズマ腐蝕方法を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上述目的を達成するために、本発明によって提供されるプラズマ腐蝕方法は、銅とともに化学反応を発生する化学薬剤と上述基板の銅層の表面とが接触し、表面に酸化層を形成することによって、プラズマ腐蝕が進行する時に表面が酸素遊離基とともに反応を起こし、酸素遊離基が酸素分子（Ｏ２）に還元されることを阻止するものである。
【００１０】
【発明の実施の形態】
本発明の方法は、単側プリント回路基板或は多層プリント回路基板の微孔の形成に適用されるため、別々二つの実施例をもって説明する。図１に示すように、第一実施例では、本発明の方法に適用するプリント回路基板の基材１は、樹脂層１０および別々樹脂層１０の両面を被覆する二つの銅層２０を備えるものであり、図２から図６に示すように、本実施例の方法は次の通りのプロセスである。
【００１１】
一．二つの銅層２０に乾式光阻止マスク３０を設け（図２に示す）、公知の露光現像および化学腐蝕の技術を用いて別々二つの銅層２０の所定の対応する位置に開口２１を設け（図３に示す）、開口２１は別々二つの銅層２０の露出された表面から樹脂層まで貫通し、更に二つの乾式光阻止マスク３０を化学溶剤で除去する（図４に示す）。
【００１２】
二．銅とともに酸化反応を発生する化学薬剤の水槽に基材１を入れ、二つの銅層２０の露出された表面は化学薬剤とともに酸化反応を起こし、表面に酸化層マスク４０を形成する（図５に示すように）。本実施例に採用される化学薬剤は、比重が６０ｇ／ｌの亜塩素酸ナトリウム（ＮａＣｌＯ２）と比重が８０ｇ／ｌの水酸化ナトリウム（ＮａＯＨ）との混合液体であり、化学薬剤が二つの銅層２０の表面とともに起こす酸化の反応式は、次の通りである。
２Ｃｕ＋２ＣｌＯ２→Ｃｕ２Ｏ＋ＣｌＯ３＋Ｃｌ
【００１３】
或は、化学薬剤は、比重が３０ｇ／ｌの亜塩素酸ナトリウム（ＮａＣｌＯ２）、比重が１０ｇ／ｌの水酸化ナトリウム（ＮａＯＨ）および比重が１０ｇ／ｌのリン酸三ナトリウム（Ｎａ３ＰＯ４・１２Ｈ２Ｏ）であると、銅層２０の表面とともに起こす酸化の反応式は次の通りである。
【００１４】
２Ｃｕ＋２ＣｌＯ２→Ｃｕ２Ｏ＋ＣｌＯ３＋Ｃｌ
Ｃｕ２Ｏ＋２ＣｌＯ２→２ＣｕＯ＋ＣｌＯ３＋Ｃｌ
前者は銅層２０の表面に酸化銅マスク（Ｃｕ２Ｏ）を形成し、後者は銅層２０の表面に酸化銅マスク（ＣｕＯ）を形成する。
【００１５】
三．公知の酸素を含有する気体をプラズマを形成する気体にするプラズマ腐蝕方法を採用することによって、樹脂層１０の開口２１と相対する樹脂材料を除去する。このプロセスでは、基材は低圧且つ高強度の電場を備える環境に置かれ、且つそのような環境下、注入される酸素（Ｏ２）或は酸素（Ｏ２）を含有する混合気体の酸素（Ｏ２）は激化されて酸素遊離基（Ｏ）に解離し、酸素遊離基（Ｏ）は樹脂層１０の銅層２０の開口２１と相対する樹脂材料とともに反応を進行することによって、樹脂材料が形成した分子量のやや低い気体分子はその環境から抽出される。従って、樹脂層１０の開口２１と相対するところに別々樹脂層１０を貫通する微孔１１を図６に示すように形成する。
【００１６】
四．微孔が完成した後、化学薬剤で酸化層マスク４０を除去する。
上述本実施例によるプラズマ腐蝕方法では、基材１の銅層２０の表面に酸化層マスク４０を形成するため、二つの銅層２０が酸素遊離基とともに反応を進行することを阻止し、且つ酸素遊離基が酸素分子（Ｏ２）に還元されることを避け、低圧且つ高強度の電場を備える環境下の酸素遊離基（Ｏ）の密度が低減することはない。つまり、プラズマ腐蝕の効果を高めるものである。
【００１７】
本発明の第二実施例は、本発明による方法を多層プリント回路基板の微孔の形成に応用する実施例であり、図７に示すように、多層プリント回路基板の基材２は多層樹脂層５０と各樹脂層５０との間に設けられる複数の銅線回路６０および別々上述の樹脂層５０の一番表の樹脂層５０ａおよび樹脂層５０ｂの表面を被覆する二つの銅層７０を備えるものであり、図８から図１２を対照しながら本実施例の方法によるプロセスを次の通り説明する。
【００１８】
一．二つの銅層７０に乾式光阻止マスク８０を設け（図８に示す）、公知の露光現像および化学腐蝕の技術を用いて別々二つの銅層７０の所定の位置に開口７１を設け（図９に示す）、開口７１が別々二つの銅層７０の露出された表面から銅層７０に被覆される樹脂層５０ａおよび樹脂層５０ｂまで貫通し、更に二つの乾式光阻止マスク８０を化学溶剤で除去する（図１０に示す）。
【００１９】
二．銅とともに酸化反応を発生する化学薬剤の水槽に基材２を入れ、二つの銅層７０の露出された表面が化学薬剤とともに酸化反応を起こし、表面に酸化層マスク９０を形成する（図１１に示すように）。このプロセスは第一実施例の第二プロセスと同じであるため、説明を省く。
【００２０】
三．公知の酸素を含有する気体をプラズマを形成する気体にするプラズマ腐蝕方法を採用することによって、二つの樹脂層７０に被覆される樹脂層５０ａおよび樹脂層５０ｂの開口７１と相対する樹脂材料を除去し、微孔を形成する（図１２に示すように）。このプロセスは第一実施例の第三プロセスと同じであるため、説明を省く。
四．化学薬剤で酸化層マスク９０を除去する。
【００２１】
以上、本発明の二つのよい実施例を通して本発明による方法を詳しく説明した。
上述の本発明による方法は、プリント回路基板の微孔の形成に応用される実施例のほかには、レザーによる穿孔方法或は機械による穿孔方法で微孔を形成した後の孔の周縁に残った屑を腐蝕し、除去することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第一実施例のプラズマ腐蝕方法による基材を示す断面図である。
【図２】本発明の第一実施例のプラズマ腐蝕方法のプロセスを示す断面図である。
【図３】本発明の第一実施例のプラズマ腐蝕方法のプロセスを示す断面図である。
【図４】本発明の第一実施例のプラズマ腐蝕方法のプロセスを示す断面図である。
【図５】本発明の第一実施例のプラズマ腐蝕方法のプロセスを示す断面図である。
【図６】本発明の第一実施例のプラズマ腐蝕方法のプロセスを示す断面図である。
【図７】本発明の第二実施例のプラズマ腐蝕方法の基材を示す断面図である。
【図８】本発明の第二実施例のプラズマ腐蝕方法のプロセスを示す断面図である。
【図９】本発明の第二実施例のプラズマ腐蝕方法のプロセスを示す断面図である。
【図１０】本発明の第二実施例のプラズマ腐蝕方法のプロセスを示す断面図である。
【図１１】本発明の第二実施例のプラズマ腐蝕方法のプロセスを示す断面図である。
【図１２】本発明の第二実施例のプラズマ腐蝕方法のプロセスを示す断面図である。
【符号の説明】
１    基材
２    基材
１０    樹脂層
１１    微孔
２０    銅層
２１    開口
３０    乾式光阻止マスク
４０    酸化層マスク
５０    樹脂層
５０ａ  樹脂層
５０ｂ  樹脂層
５１    微孔
６０    銅線回路
７０    銅層
７１    開口
８０    乾式光阻止マスク
９０    酸化層マスク
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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