(57)【要約】【課題】磁極層の磁区構造を制御し、意図しない磁壁移動によって発生する漏洩磁束に起因した記録磁化の乱れを防止することが可能な薄膜磁気ヘッドを提供する。【解決手段】磁極部分層１２Ａのうち、記録媒体の記録トラック幅を規定する先端部１２Ａ１に関して、その長さ（Ｙ軸方向の寸法）をＤとし、磁極端面２０Ｍの媒体流出側（図中の上側）に位置する上端縁Ｅの幅（Ｘ軸方向の寸法）をＷとしたとき、幅Ｗに対する長さＤの寸法比Ｄ／Ｗが０＜Ｄ／Ｗ≦２．３の範囲内となるようにする。先端部１２Ａ１の形状の適正化に基づいて磁極部分層１２Ａの磁区安定性が確保されるため、記録直後に先端部１２Ａ１から磁束が漏洩しにくくなる。したがって、漏洩磁束に起因する意図しない情報の消去などの不具合の発生が防止される。【選択図】      図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁束を発生させる薄膜コイルと、この薄膜コイルにおいて発生した磁束を所定の媒体進行方向に移動する記録媒体に向けて放出すると共に前記記録媒体をその表面と直交させる方向に磁化させる磁極層と、を備え、
前記磁極層が、前記記録媒体に対向する記録媒体対向面に露出した磁極端面を有すると共に前記記録媒体の記録トラック幅を規定するトラック幅規定部分を含む薄膜磁気ヘッドであって、
前記磁極層の前記トラック幅規定部分のうち、前記記録媒体対向面と直交する方向における長さをＤとし、前記磁極端面の、前記媒体進行方向における媒体流出側に位置する磁極端縁の幅をＷとしたとき、寸法比Ｄ／Ｗが０＜Ｄ／Ｗ≦２．３の範囲内である
ことを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
【請求項２】
前記トラック幅規定部分が、鉄（Ｆｅ）およびコバルト（Ｃｏ）を含むと共に５．０×１０３  ／（４π）Ａ／ｍ未満の保磁力を有する合金により構成されており、
前記寸法比Ｄ／Ｗが０＜Ｄ／Ｗ≦２．８の範囲内である
ことを特徴とする請求項１記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項３】
前記トラック幅規定部分が、鉄およびコバルトを含むと共に１０．０×１０３  ／（４π）Ａ／ｍの保磁力を有する合金により構成されており、
前記寸法比Ｄ／Ｗが０＜Ｄ／Ｗ≦２．３の範囲内である
ことを特徴とする請求項１記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項４】
前記磁極端縁の幅Ｗが、０．３μｍ以下である
ことを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項５】
前記磁極層が、さらに、前記トラック幅規定部分に連結されると共に前記トラック幅規定部分よりも大きな幅を有する拡幅部分を含み、
前記磁極層のうち、前記トラック幅規定部分および前記拡幅部分の合計長さをＬ１とし、前記拡幅部分の幅をＬ２としたとき、寸法比Ｌ１／Ｌ２が０．２５＜Ｌ１／Ｌ２＜１．０の範囲内である
ことを特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項６】
前記磁極層が、磁性層と非磁性層とが交互に積層された積層構造を有している
ことを特徴とする請求項１ないし請求項５のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッド。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、少なくとも記録用の誘導型磁気変換素子を備えた薄膜磁気ヘッドに関し、特に、記録時に記録媒体をその表面と直交する方向に磁化させる垂直記録方式の薄膜磁気ヘッドに関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、例えばハードディスクなどの磁気記録媒体（以下、単に「記録媒体」という。）の開発分野では、高記録密度化が進み、記録媒体の磁化遷移領域が狭小化したことに伴い、熱揺らぎに起因する意図しない磁化の反転現象、すなわち記録減磁が問題となりつつある。そこで、記録減磁に関する問題に対処するために、薄膜磁気ヘッドの記録方式として、従来の「長手記録方式」に代えて「垂直記録方式」が有望視されている。この垂直記録方式では、信号磁界の向きが記録媒体の面内方向（長手方向）になる長手記録方式とは異なり、信号磁界の向きが記録媒体の面に対して直交する方向になる。垂直記録方式の薄膜磁気ヘッドは、記録処理用のパーツとして、記録媒体に対して垂直に配置されたヘッド（単磁極ヘッド）を備えている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、約１００Ｇｂｐｓｉを超える高密度記録を実現するためには、記録方式として垂直記録方式を採用した上、例えば、以下に列挙する事項を考慮する必要がある。
【０００４】
第１に、高保磁力の記録媒体に対して優れた記録能力を確保するために、単磁極ヘッドの構成材料として高飽和磁束密度材料を用いる必要がある。この高飽和磁束密度材料としては、例えば、「スレーターポーリング曲線（Ｂｏｚｏｒｏｔｈ著）」にて紹介されている合金材料、具体的にはバルク合金中で最大の飽和磁束密度（＝約２．４５Ｔ（テスラ））を有する鉄コバルト合金（ＦｅＣｏ；Ｆｅ＝３０重量％）が挙げられる。しかしながら、鉄成分を３０重量％〜５０重量％含む鉄コバルト合金は、飽和磁束密度の観点において利点を得る一方、磁歪が大きく、これにより適正な軟磁気特性を得にくいため、単磁極ヘッドの構成材料として所望の磁区構造を得にくいという問題を抱えている。
【０００５】
第２に、安定した記録特性を確保するために、単磁極ヘッドと組み合わせて使用される記録媒体として、例えば、軟磁性層と記録磁性層との積層構造を有する２層膜構成の記録媒体を用いる必要がある。この２層膜構成の記録媒体によれば、磁束の流路（Ｆｌｕｘ  Ｐａｔｈ  ）として機能する軟磁性層を利用して、単磁極ヘッドから放出された記録用の磁束を軟磁性層に効率よく引き込むことが可能となる。しかしながら、２層膜構成の記録媒体は、記録用の磁束の引き込み効率の観点において利点を有する一方、単磁極ヘッドから磁束が漏洩すると、その漏洩磁束に起因して記録媒体の記録磁化が乱され、意図せずに情報が消去されるおそれがあるという問題を抱えている。
【０００６】
第３に、安定な記録動作を確保するために、単磁極ヘッドの磁区構造を制御する必要がある。一般に、磁性材料中では、▲１▼静磁エネルギーと、▲２▼形状磁気異方性を含むその他の磁気異方性エネルギーと、▲３▼磁壁エネルギーとの和が全体として最小となるように磁区構造が形成される。単磁極ヘッドの磁区構造の制御が不十分だと、磁区変化の発生（磁壁の移動）に起因して単磁極ヘッドから意図せずに磁束が漏洩し、上記したように、その漏洩磁束に起因して記録媒体の記録磁化が乱されるおそれがある。
【０００７】
上記した３つの事項のうち、特に、単磁極ヘッドの磁区構造を制御する点は、意図しない磁束の漏洩現象に大きく関与することとなるため、非常に重要である。単磁極ヘッドの磁区構造を制御する技術としては、例えば、軟磁性層と非磁性層とを交互に積層させる手法や（例えば、特許文献１，２参照。）、磁性人工格子膜と非磁性絶縁膜とを交互に積層させる手法（例えば、特許文献３参照。）などが既に知られている。
【０００８】
【特許文献１】
特公平６−６６１８８号公報
【特許文献２】
特開平５−５４３２０号公報
【特許文献３】
特許第２５４３３７４号公報
【０００９】
しかしながら、近年の急速な高記録密度化に伴い、ヘッド材料が高飽和磁束密度化し、かつ記録トラック幅が狭小化している動向を考慮すると、意図しない磁束の漏洩を防止する上で単磁極ヘッドの磁区構造を制御することが重要であるにも関わらず、上記した一連の既存技術では、単磁極ヘッドの磁区構造の適正化を十分に図ることが困難であるという問題がある。特に、意図しない磁束の漏洩を可能な限り防止することを目指すならば、上記したように単磁極ヘッドの磁区構造を制御した上、さらに、単磁極ヘッドの形状を適正化する必要もある。
【００１０】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その第１の目的は、磁極層の磁区構造を制御し、意図しない磁壁移動によって発生する漏洩磁束に起因した記録磁化の乱れを防止することが可能な薄膜磁気ヘッドを提供することにある。
【００１１】
また、本発明における第２の目的は、磁極層の形状を適正化し、意図しない磁壁移動によって発生する漏洩磁束に起因した記録磁化の乱れを防止することが可能な薄膜磁気ヘッドを提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本発明の薄膜磁気ヘッドは、磁束を発生させる薄膜コイルと、この薄膜コイルにおいて発生した磁束を所定の媒体進行方向に移動する記録媒体に向けて放出すると共に記録媒体をその表面と直交させる方向に磁化させる磁極層と、を備え、磁極層が、記録媒体に対向する記録媒体対向面に露出した磁極端面を有すると共に記録媒体の記録トラック幅を規定するトラック幅規定部分を含むものであり、磁極層のトラック幅規定部分のうち、記録媒体対向面と直交する方向における長さをＤとし、磁極端面の、媒体進行方向における媒体流出側に位置する磁極端縁の幅をＷとしたとき、寸法比Ｄ／Ｗが０＜Ｄ／Ｗ≦２．３の範囲内となるようにしたものである。
【００１３】
本発明の薄膜磁気ヘッドでは、磁極層のトラック幅規定部分に関する寸法比Ｄ／Ｗが０＜Ｄ／Ｗ≦２．３の範囲内であるため、トラック幅規定部分の形状の適正化に基づいて磁極層の磁区安定性が確保され、記録直後にトラック幅規定部分から磁束が漏洩しにくくなる。
【００１４】
本発明の薄膜磁気ヘッドでは、トラック幅規定部分が、鉄（Ｆｅ）およびコバルト（Ｃｏ）を含むと共に５．０×１０３  ／（４π）Ａ／ｍ未満の保磁力を有する合金により構成されており、寸法比Ｄ／Ｗが０＜Ｄ／Ｗ≦２．８の範囲内であるようにしてもよい。
【００１５】
また、本発明の薄膜磁気ヘッドでは、トラック幅規定部分が、鉄およびコバルトを含むと共に１０．０×１０３  ／（４π）Ａ／ｍの保磁力を有する合金により構成されており、寸法比Ｄ／Ｗが０＜Ｄ／Ｗ≦２．３の範囲内であるようにしてもよい。
【００１６】
また、本発明の薄膜磁気ヘッドでは、磁極端縁の幅Ｗが、０．３μｍ以下であるときに特に有効である。
【００１７】
また、本発明の薄膜磁気ヘッドでは、磁極層が、さらに、トラック幅規定部分に連結されると共にトラック幅規定部分よりも大きな幅を有する拡幅部分を含み、磁極層のうち、トラック幅規定部分および拡幅部分の合計長さをＬ１とし、拡幅部分の幅をＬ２としたとき、寸法比Ｌ１／Ｌ２が０．２５＜Ｌ１／Ｌ２＜１．０の範囲内であるのが好ましい。
【００１８】
また、本発明の薄膜磁気ヘッドでは、磁極層が、磁性層と非磁性層とが交互に積層された積層構造を有していれば、さらに有効である。
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。
【００１９】
［第１の実施の形態］
まず、図１を参照して、本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの構成について説明する。図１は薄膜磁気ヘッドの断面構成を表しており、（Ａ）はエアベアリング面に平行な断面を示し、（Ｂ）はエアベアリング面に垂直な断面を示している。なお、図１に示した上向きの矢印Ｂは、薄膜磁気ヘッドに対して記録媒体（図示せず）が相対的に進行する方向、すなわち記録媒体の進行方向（媒体進行方向）を表している。
【００２０】
以下の説明では、図１中におけるＸ軸方向の距離（または方向）を「幅（または幅方向）」、Ｙ軸方向の距離を「長さ」、Ｚ軸方向の距離を「厚さ」と表記する。また、Ｙ軸方向のうちのエアベアリング面に近い側を「前方」、その反対側を「後方」とそれぞれ表記する。これらの表記内容は、後述する図２以降においても同様とする。
【００２１】
この薄膜磁気ヘッドは、例えば、記録・再生の双方の機能を実行可能な複合型ヘッドであり、図１に示したように、例えばアルティック（Ａｌ２  Ｏ３  ・ＴｉＣ）よりなる基板１上に、例えば酸化アルミニウム（Ａｌ２  Ｏ３  ；以下、単に「アルミナ」という。）よりなる絶縁層２と、磁気抵抗効果（ＭＲ；Ｍａｇｎｅｔｏ−ｒｅｓｉｓｔｉｖｅ  ）を利用して再生処理を実行する再生ヘッド１００Ａと、例えばアルミナよりなる非磁性層７と、垂直記録方式により記録処理を実行する単磁極型の記録ヘッド１００Ｂと、例えばアルミナよりなるオーバーコート層１４とがこの順に積層された構成をなしている。
【００２２】
再生ヘッド１００Ａは、例えば、下部シールド層３と、シールドギャップ膜４と、上部シールド層５とがこの順に積層された構成をなしている。シールドギャップ膜４には、記録媒体に対向する記録媒体対向面（エアベアリング面）２０に一端面が露出するように、再生素子としてのＭＲ素子６が埋設されている。
【００２３】
下部シールド層３および上部シールド層５は、例えば、いずれもニッケル鉄合金（ＮｉＦｅ（例えばＮｉ：８０重量％，Ｆｅ：２０重量％）；以下、単に「パーマロイ（商品名）」という。）により構成されており、シールドギャップ膜４は、例えば、アルミナにより構成されている。ＭＲ素子６は、例えば、巨大磁気抵抗効果（ＧＭＲ；Ｇｉａｎｔ  Ｍａｇｎｅｔｏ−ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ）やトンネル磁気抵抗効果（ＴＭＲ；Ｔｕｎｎｅｌｉｎｇ  Ｍａｇｎｅｔｏ−ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ）などを利用して再生処理を実行するものである。
【００２４】
記録ヘッド１００Ｂは、例えば、リターンヨーク層８と、開口９ＣＫを有するギャップ層９により埋設された磁束発生用の薄膜コイル１０と、開口９ＣＫにおいてリターンヨーク層８と磁気的に連結された連結部１１と、この連結部１１を介してリターンヨーク層８と磁気的に連結された磁極層１２とがこの順に積層された構成をなしている。ギャップ層９は、リターンヨーク層８上に配設され、開口９ＡＫが設けられたギャップ層部分９Ａと、このギャップ層部分９Ａ上に、薄膜コイル１０の各巻線間およびその周辺領域を覆うように配設されたギャップ層部分９Ｂと、ギャップ層部分９Ａ，９Ｂと共に薄膜コイル１０を覆うように配設され、開口９ＡＫに対応する箇所に開口９ＣＫが設けられたギャップ層部分９Ｃとを含んで構成されている。磁極層１２は、ギャップ層部分９Ｃのうちの前方部分上に、一端面がエアベアリング面２０に露出するように配設された磁極部分層１２Ａと、バッファ層１３と、一端面がエアベアリング面２０から後退し、磁極部分層１２Ａの後方部分と磁気的に連結されたヨーク部分層１２Ｂとがこの順に積層された構成をなしている。
【００２５】
リターンヨーク層８および連結部１１は、例えば、いずれもパーマロイにより構成されている。ギャップ層９のうち、例えば、ギャップ層部分９Ａはアルミナにより構成され、ギャップ層部分９Ｂはフォトレジスト（感光性樹脂）やスピンオングラス（ＳＯＧ）により構成され、ギャップ層部分９Ｃはアルミナやシリコン酸化物（ＳｉＯ２  ）により構成されている。磁極層１２のうち、例えば、磁極部分層１２Ａおよびヨーク部分層１２Ｂはいずれも飽和磁束密度Ｂｓ＝約２．０Ｔ以上の材料により構成されており、バッファ層１３はニッケル銅や、チタンまたはタンタルを含む材料や、アルミナや、シリコン酸化物により構成されている。特に、磁極部分層１２Ａは、ヨーク部分層１２Ｂよりも大きな飽和磁束密度を有する材料により構成されており、具体的には、例えば、鉄（Ｆｅ）およびコバルト（Ｃｏ）を含む合金（鉄コバルト系合金）により構成されている。この鉄コバルト系合金としては、例えば、飽和磁束密度Ｂｓ＝約２．３Ｔ以上の鉄コバルト合金（ＦｅＣｏ）により構成されている。
【００２６】
次に、図２を参照して、磁極部分層１２Ａの詳細な構成について説明する。図２は、図１に示した磁極部分層１２Ａの斜視構成を拡大して表している。
【００２７】
この磁極部分層１２Ａは、主に、薄膜コイル１０において発生した磁束を記録媒体に向けて放出すると共に記録媒体をその表面と直交する方向に磁化させるものであり、図２に示したように、エアベアリング面２０に近い側から順に、例えば一定幅を有する先端部１２Ａ１と、この先端部１２Ａ１に磁気的に連結された後端部１２Ａ２とを含んで構成されている。先端部１２Ａ１と後端部１２Ａ２との連結位置は、磁極部分層１２Ａ全体の幅が拡がり始める位置、すなわちフレアポイントＦＰである。
【００２８】
先端部１２Ａ１は、記録媒体の記録トラック幅を規定する一定幅を有するものであり、エアベアリング面２０に露出した例えば矩形状の磁極端面２０Ｍを有している。この磁極端面２０Ｍは、記録媒体の進行方向Ｂにおける媒体流出側に位置する上端縁（磁極端縁）Ｅを有している。この上端縁Ｅは、記録トラック幅を規定する部分、すなわち先端部１２Ａ１から記録媒体に対して実際に記録処理が施される部分であり、その幅Ｗは、例えば、０．０３μｍ≦Ｗ≦０．３μｍの範囲内である。ここで、「媒体流出側（またはトレーリング側）」とは、記録媒体の進行方向Ｂに向かう記録媒体の移動状態を１つの流れと見た場合に、その流れの流出する側をいい、具体的には、ここでは厚さ方向（Ｚ軸方向）における上側を指す。なお、「媒体流出側」に対して、流れの流入する側、すなわち厚さ方向における下側は、「媒体流入側（リーディング側）」と呼ばれる。
【００２９】
特に、磁極部分層１２Ａのうち、エアベアリング面２０からフレアポイントＦＰに至る部分、すなわち先端部１２Ａ１の形状は、意図しない磁束漏洩を防止するために適正化されている。すなわち、先端部１２Ａ１の長さをＤとし、磁極端面２０Ｍの上端縁Ｅの幅をＷとしたとき、幅Ｗに対する長さＤの比（寸法比）Ｄ／Ｗは０＜Ｄ／Ｗ≦２．３の範囲内になっている。より具体的には、寸法比Ｄ／Ｗの範囲は、先端部１２Ａ１の構成材料（保磁力）に応じて異なる。すなわち、例えば、保磁力Ｈｃ＝約５．０×１０３  ／（４π）Ａ／ｍ（＝５．０Ｏｅ）未満の鉄コバルト合金により先端部１２Ａ１が構成されている場合、寸法比Ｄ／Ｗは０＜Ｄ／Ｗ≦２．８の範囲内である。また、例えば、保磁力Ｈｃ＝約１０．０×１０３  ／（４π）Ａ／ｍ（＝１０．０Ｏｅ）の鉄コバルト合金により先端部１２Ａ１が構成されている場合、寸法比Ｄ／Ｗは０＜Ｄ／Ｗ≦２．３範囲内である。
【００３０】
なお、先端部１２Ａ１は、上記した特定の保磁力値を有するものに限らず、保磁力Ｈｃ＝約１０．０×１０３  ／（４π）Ａ／ｍ以下の適正な軟磁気特性を有するものであれば、他の保磁力値を有する鉄コバルト合金により構成される場合もある。また、先端部１２Ａ１は、上記した鉄コバルト合金以外の他の鉄コバルト系合金により構成される場合もある。この「他の鉄コバルト系合金」としては、例えば、鉄コバルト合金よりも飽和磁束密度が劣るコバルトニッケル鉄合金（ＣｏＮｉＦｅ；飽和磁束密度Ｂｓ＝約１．８Ｔ〜２．０Ｔ，保磁力Ｈｃ＜約５．０×１０３  ／（４π）Ａ／ｍ（＝５．０Ｏｅ））や、鉄コバルトジルコニウム合金酸化物（ＦｅＣｏＺｒＯ；飽和磁束密度Ｂｓ＝約２．０〜２．３Ｔ，保磁力Ｈｃ＝約５．０×１０３  ／（４π）Ａ／ｍ（＝５．０Ｏｅ））などが挙げられる。ここで、先端部１２Ａ１が本発明における「トラック幅規定部分」の一具体例に対応する。
【００３１】
後端部１２Ａ２は、先端部１２Ａ１よりも大きな幅を有しており、具体的には、例えば、後方において先端部１２Ａ１よりも大きな一定幅を有し、かつ、前方において先端部１２Ａ１に近づくにしたがって幅が狭まるような構成をなしている。ここで、後端部１２Ａ２が本発明における「拡幅部分」の一具体例に対応する。
【００３２】
次に、図１および図２を参照して、薄膜磁気ヘッドの動作について説明する。
【００３３】
この薄膜磁気ヘッドでは、情報の記録動作時において、図示しない外部回路から記録ヘッド１００Ｂの薄膜コイル１０に電流が流れると、薄膜コイル１０において磁束が発生し、その磁束が主に磁極層１２のヨーク部分層１２Ｂに収容される。このヨーク部分層１２Ｂに収容された磁束は、磁極層１２内をヨーク部分層１２Ｂから磁極部分層１２Ａに流れたのち、その磁極部分層１２Ａの先端部１２Ａ１から外部に放出される。この放出磁束に基づいて記録用の信号磁界（垂直磁界）が発生し、この垂直磁界に基づいて記録媒体がその表面と直交する方向に磁化されることにより、記録媒体に情報が磁気的に記録される。
【００３４】
一方、情報の再生動作時においては、再生ヘッド１００ＡのＭＲ素子６にセンス電流が流れると、そのＭＲ素子６の抵抗値が、記録媒体からの再生用の信号磁界に応じて変化する。この抵抗変化がセンス電流の変化として検出されることにより、記録媒体に記録されている情報が磁気的に読み出される。
【００３５】
本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドでは、磁極部分層１２Ａの先端部１２Ａ１に関する寸法比Ｄ／Ｗを０＜Ｄ／Ｗ≦２．３の範囲内としたので、以下の理由により、先端部１２Ａ１の形状を適正化し、意図しない漏洩磁束に起因する不具合の発生を防止することができる。
【００３６】
すなわち、記録ヘッド１００Ｂの磁極部分層１２Ａが記録媒体に情報を記録する際には、一般に、磁極部分層１２Ａから記録媒体に対して磁気的な作用（垂直磁界）が及ぼされると同時に、その反作用として記録媒体から磁極部分層１２Ａに対しても磁気的な作用（外部磁場）が及ぼされ、磁極部分層１２Ａが外部磁場の影響を受ける。この場合、磁極部分層１２Ａに与える外部磁場の影響によっては、記録直後に先端部１２Ａ１から磁束が漏洩し、この漏洩磁束に起因して意図せずに情報が消去されるおそれがある。この点に関して、本実施の形態では、先端部１２Ａ１の寸法比Ｄ／Ｗを０＜Ｄ／Ｗ≦２．３の範囲内とし、意図しない磁束漏洩を防止する観点において先端部１２Ａ１の形状を適正化したため、磁極部分層１２Ａの磁区安定性が確保され、記録直後に先端部１２Ａ１から磁束が漏洩しにくくなる。この磁区安定性とは、記録直後における磁極部分層１２Ａの磁気的な耐性、すなわち漏洩磁束に起因した媒体磁化（記録媒体に情報として記録された磁化）の磁化反転（すなわち情報の消去）を生じさせないような外部磁場の最大値で表される。したがって、本実施の形態では、先端部１２Ａ１の形状の適正化を通じて、意図しない磁壁移動によって発生する漏洩磁束に起因した記録磁化の乱れが防止されるため、意図しない情報の消去などの不具合の発生が防止されるのである。
【００３７】
なお、本実施の形態では、先端部１２Ａ１の寸法比Ｄ／Ｗを０＜Ｄ／Ｗ≦２．３の範囲内とし、先端部１２Ａ１の形状を適正化することにより意図しない漏洩磁束に起因する不具合の発生を防止することが可能な限り、薄膜磁気ヘッドの構成を自由に変更可能である。
【００３８】
具体的には、本実施の形態では、図２に示したように、先端部１２Ａ１が一定幅Ｗを有するようにしたが、必ずしもこれに限られるものではなく、例えば、図３に示したように、先端部１２Ａ１の幅が媒体流出側（図中の上側）から媒体流入側（図中の下側）に向かって次第に狭まるようにしてもよい。この場合には、磁極端面２０Ｍが逆台形状をなし、幅Ｗ１を有する上端縁Ｅ１と、その幅Ｗ１よりも小さい幅Ｗ２（Ｗ２＜Ｗ１）を有する下端縁Ｅ２とを含むように構成される。この場合においても、下端縁Ｅ２の幅Ｗ２に関係せず、上端縁Ｅ１の幅Ｗ１に基づいて先端部１２Ａ１の寸法比Ｄ／Ｗ１を適正化することにより、上記実施の形態と同様の効果を得ることができる。
【００３９】
また、本実施の形態では、図１に示したヘッド構造に代えて、例えば、図４に示したヘッド構造を有するようにしてもよい。図４に示した薄膜磁気ヘッドは、（１）連結部１１に代えて、ギャップ層部分９Ｃと共に平坦面Ｆを構成するヨーク層２１と、（２）磁極部分層１２Ａとバッファ層１３とヨーク部分層１２Ｂとがこの順に積層された磁極層１２に代えて、主磁極層２２と非磁性層２３と補助磁極層２４とがこの順に積層された磁極層３０と、（３）この磁極層３０上に配設されたバッファ層３１とを備える点を除き、上記実施の形態において説明した薄膜磁気ヘッド（図１参照）と同様の構成を有している。この磁極層３０は、図５に示したように、主磁極層２２が、先端部１２Ａ１に対応して一定幅Ｗを有する先端部２２Ａと、後端部１２Ａ２に対応して先端部２２Ａよりも大きな幅を有する後端部２２Ｂとを含んで構成されており、補助磁極層２４が、磁極層３０の幅が拡がる位置（先端部２２Ａと後端部２２Ｂとの連結位置）、すなわちフレアポイントＦＰから順に、先端部２２Ａと同一の一定幅Ｗを有する先端部２４Ａと、この先端部２４Ａよりも大きな幅を有する後端部２４Ｂとを含んで構成されている。また、非磁性層２３は、主磁極層２２と同一の平面形状を有しており、バッファ層３１は、先端部２２Ａ，２４Ａと後端部２４Ｂとの合成体に対応した平面形状を有している。この種のヘッド構造を有する場合においても、主磁極層２２のうち、エアベアリング面２０からフレアポイントＦＰに至る部分、すなわち先端部２２Ａの寸法比Ｄ／Ｗを適正化することにより、上記実施の形態と同様の効果を得ることができる。
【００４０】
さらに、本実施の形態では、図１や図４に示したヘッド構造に代えて、例えば、図６に示したヘッド構造を有するようにしてもよい。図６に示した薄膜磁気ヘッドは、主磁極層２２と非磁性層２３と補助磁極層２４とがこの順に積層された磁極層３０に代えて、補助磁極層４２と非磁性層４３と主磁極層４４とがこの順に積層された磁極層５０を備える点を除き、図４に示した薄膜磁気ヘッドと同様の構成を有している。この磁極層５０は、図７に示したように、補助磁極層４２が、後端部２２Ｂに対応する平面形状を有しており、主磁極層４４が、先端部２２Ａに対応して一定幅Ｗを有する先端部４４Ａと、先端部２４Ａに対応して先端部４４Ａと同一の一定幅Ｗを有する中間部４４Ｂと、後端部２４Ｂに対応して先端部４４Ａや中間部４４Ｂよりも大きな幅を有する後端部４４Ｃとを含んで構成されている。この磁極層５０では、主磁極層４４の先端部４４Ａと補助磁極層４２との連結位置に基づいてフレアポイントＦＰが規定されている。また、非磁性層４３は、補助磁極層４２と同一の平面形状を有しており、バッファ層５１は、主磁極層４４と同一の平面形状を有している。この種のヘッド構造を有する場合においても、主磁極層４４のうち、エアベアリング面２０からフレアポイントＦＰに至る部分、すなわち先端部４４Ａの寸法比Ｄ／Ｗを適正化することにより、上記実施の形態と同様の効果を得ることができる。
【００４１】
［第２の実施の形態］
次に、本発明の第２の実施の形態について説明する。
【００４２】
本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドは、意図しない磁束漏洩を防止するために、上記第１の実施の形態において説明した「先端部１２Ａ１の形状の適正化」に加えて、磁極部分層１２Ａ全体の形状を適正化することにより、その磁極部分層１２Ａの磁区構造を制御したものである。
【００４３】
図８は、磁極部分層１２Ａの平面構成を拡大して表している。この磁極部分層１２Ａでは、図８に示したように、長さよりも幅が大きい幅広の形状を有している。すなわち、磁極部分層１２Ａ全体の長さ（すなわち先端部１２Ａ１および後端部１２Ａ２の合計長さ）をＬ１とし、磁極部分層１２Ａ全体の幅（すなわち後端部１２Ａ２の幅）をＬ２としたとき、幅Ｌ２に対する長さＬ１の寸法比Ｌ１／Ｌ２が０＜Ｌ１／Ｌ２＜１．０の範囲内になっている。この寸法比Ｌ１／Ｌ２は、特に、記録動作を安定に実行するために必要な垂直磁界強度を確保する点を考慮すれば、０．２５＜Ｌ１／Ｌ２＜１．０の範囲内であることが好ましい。
【００４４】
本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドでは、上記第１の実施の形態において説明したように先端部１２Ａ１の形状を適正化した上、さらに、磁極部分層１２Ａに関する寸法比Ｌ１／Ｌ２を０．２５＜Ｌ１／Ｌ２＜１，０の範囲内としたので、以下の理由により、先端部１２Ａ１の形状のみが適正化された上記第１の実施の形態と比較して、意図しない漏洩磁束に起因する不具合の発生をより効果的に防止することができる。
【００４５】
図９は、磁極部分層１２Ａに対する比較例としての磁極部分層６２Ａの平面構成を拡大して表している。この磁極部分層６２Ａは、磁極部分層１２Ａの先端部１２Ａ１および後端部１２Ａ２にそれぞれ対応する先端部６２Ａ１および後端部６２Ａ２を含み、その寸法比Ｌ１／Ｌ２が１以上（Ｌ１／Ｌ２≧１．０）になっている。この磁極部分層６２Ａでは、図９に示したように、全体の磁区構造の決定に大きく影響する主要な環流磁区構造中において、その磁極部分層６２Ａの細長い形状に対応して磁化Ｊが配向する。この場合には、環流磁区構造中を占める割合が、幅方向（Ｘ軸方向）に配向した磁化ＪＸよりも長さ方向（Ｙ軸方向）に配向した磁化ＪＹについて大きくなり、磁極部分層６２Ａが全体としてエアベアリング面２０へ向かって磁化されることとなるため、記録直後に磁束を漏洩しやすくなる。
【００４６】
これに対して、本実施の形態の磁極部分層１２Ａでは、図８に示したように、主要な環流磁区構造中において、その磁極部分層１２Ａの幅広の形状に対応して磁化Ｊが配向する。この場合には、上記した比較例とは異なり、環流磁区構造中を占める割合が、長さ方向に配向した磁化ＪＹよりも幅方向に配向した磁化ＪＸについて大きくなり、磁極部分層１２Ａが全体としてエアベアリング面２０と平行な方向へ磁化されるため、記録直後に磁束が漏洩しにくくなる。したがって、先端部１２Ａ１の形状が適正化された上、さらに、磁極部分層１２Ａ全体の形状の適正化に基づいて磁区構造が制御されることにより、先端部１２Ａ１の形状のみが適正化された上記第１の実施の形態と比較して、意図しない漏洩磁束に起因する不具合の発生をより効果的に防止することが可能となるのである。
【００４７】
なお、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドに関する上記特徴部分以外の構成、作用、効果および変形は上記第１の実施の形態と同様であるので、その説明を省略する。
【００４８】
［第３の実施の形態］
次に、本発明の第３の実施の形態について説明する。
【００４９】
本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドは、意図しない磁束漏洩を防止するために、上記第１の実施の形態において説明した「先端部１２Ａ１の形状の適正化」に加えて、積層構造を有するように磁極部分層１２Ａを構成することにより、その磁極部分層１２Ａの磁区構造を制御したものである。
【００５０】
図１０は、磁極部分層１２Ａの磁極端面２０Ｍの断面構成を拡大して表している。この磁極部分層１２Ａは、図１０に示したように、例えば鉄コバルト合金などの高飽和磁束密度材料よりなる磁性層Ｍと、例えばクロム（Ｃｒ）などの非磁性材料よりなる非磁性層Ｎとが交互に積層された積層構造を有している。なお、図１０では、例えば、３層の磁性層Ｍと２層の非磁性層Ｎとを含む計５層の積層構造の場合を示している。
【００５１】
本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドでは、上記第１の実施の形態において説明したように先端部１２Ａ１の形状を適正化した上、さらに、磁性層Ｍと非磁性層Ｎとが交互に積層された積層構造を有するように磁極部分層１２Ａを構成したので、積層構造を有する磁極部分層１２Ａ中では、各磁性層Ｍ間に静磁的相互作用が生じ、磁壁エネルギーが減少する。これにより、磁壁エネルギーの減少に応じて磁壁が消失し、磁極部分層１２Ａが単磁区化される。したがって、磁極部分層１２Ａの積層構造化に基づいて磁区構造が制御され、これにより記録直後に磁束が漏洩しにくくなるため、先端部１２Ａ１の形状のみが適正化された上記第１の実施の形態と比較して、意図しない漏洩磁束に起因する不具合の発生をより効果的に防止することができる。
【００５２】
なお、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドに関する上記特徴部分以外の構成、作用、効果および変形は上記第１の実施の形態と同様であるので、その説明を省略する。
【００５３】
［第４の実施の形態］
次に、本発明の第４の実施の形態について説明する。
【００５４】
本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドは、意図しない磁束漏洩を防止するために、上記第１の実施の形態において説明した「先端部１２Ａ１の形状の適正化」と、上記第２の実施の形態において説明した「磁極部分層１２Ａ全体の形状の適正化」と、上記第３の実施の形態において説明した「磁極部分層１２Ａの積層構造化」との全てが適用されたものである。すなわち、この薄膜磁気ヘッドでは、（１）先端部１２Ａ１の寸法比Ｄ／Ｗが０＜Ｄ／Ｗ≦２．３の範囲内であり（図２参照）、（２）磁極部分層１２Ａの寸法比Ｌ１／Ｌ２が０．２５＜Ｌ１／Ｌ２＜１．０の範囲内であり（図８参照）、（３）磁性層Ｍと非磁性層Ｎとが交互に積層された積層構造を有するように（図１０参照）、磁極層部分１２Ａが構成されている。
【００５５】
本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドでは、上記第１の実施の形態において説明した「先端部１２Ａ１の形状の適正化」に加えて、上記第２の実施の形態において説明した「磁極部分層１２Ａ全体の形状の適正化」と、上記第３の実施の形態において説明した「磁極部分層１２Ａの積層構造化」との双方が適用されるようにしたので、「先端部１２Ａ１の形状の適正化」と共に「磁極部分層１２Ａ全体の形状の適正化」が適用された上記第２の実施の形態や、「先端部１２Ａ１の形状の適正化」と共に「磁極部分層１２Ａの積層構造化」が適用された上記第３の実施の形態と比較して、記録直後に磁束がより漏洩しにくくなる。したがって、意図しない漏洩磁束に起因する不具合の発生を顕著に防止することができる。
【００５６】
なお、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドに関する変形は上記第１の実施の形態と同様であるので、その説明を省略する。
【００５７】
以上、いくつかの実施の形態を挙げて本発明を説明したが、本発明はこれらの実施の形態に限定されず、種々の変形が可能である。具体的には、例えば、上記した一連の実施の形態では、本発明を、再生ヘッド１００Ａおよび記録ヘッド１００Ｂの双方を備えた複合型薄膜磁気ヘッドに適用する場合について説明したが、必ずしもこれに限られるものではなく、記録ヘッド１００Ｂのみを備えた記録専用の薄膜磁気ヘッドや、再生処理および記録処理の双方を実行可能な再生・記録兼用ヘッドを備えた薄膜磁気ヘッドにも適用可能である。また、本発明を、再生ヘッド１００Ａと記録ヘッド１００Ｂとの積層順序を反転させた構造の薄膜磁気ヘッドについて適用することも可能である。
【００５８】
【実施例】
次に、本発明に関する実施例について説明する。本発明の薄膜磁気ヘッドについて、磁束漏洩防止に関するいくつかの実験を行ったところ、以下に示す結果が得られた。
【００５９】
まず、上記第１の実施の形態において説明した先端部１２Ａ１の形状依存性を調べたところ、図１１に示した結果が得られた。図１１は磁極部分層１２Ａの磁区安定性を説明するためのものであり、図中の「横軸」は先端部１２Ａ１の寸法比Ｄ／Ｗを示し、「縦軸」は磁区安定性を評価するための指標となる外部磁場（１０３  ／（４π）Ａ／ｍ（＝Ｏｅ））を示している。なお、図１１中に示した「△（実線）」は、保磁力Ｈｃ＝約１０．０×１０３  ／（４π）Ａ／ｍ（＝１０．０Ｏｅ）の鉄コバルト合金を用いて先端部１２Ａ１を構成した場合を示し、「□（破線）」は、保磁力Ｈｃ＝約５．０×１０３  ／（４π）Ａ／ｍ（＝５．０Ｏｅ）未満の鉄コバルト合金を用いて先端部１２Ａ１を構成した場合を示している。
【００６０】
なお、磁区安定性を調べる際には、磁極部分層１２Ａの厚さＴをＴ＝０．３μｍとし、かつ上端縁Ｅの幅ＷをＷ≦０．３μｍとした（図２参照）。また、磁区安定性の評価は、以下の手順で行った。すなわち、本発明の薄膜磁気ヘッドを用いて記録媒体上の所定のトラック（記録対象トラック）に記録し、引き続き、その記録対象トラック中の一定の場所に外部磁場の印加強度を変化させながら互いに異なる周波数で例えば１００回以上に渡って再記録したのち、記録対象トラックの初期記録時と再記録直後とでの再生出力の変化を調べた。
【００６１】
図１１から判るように、磁区安定性を示す外部磁場は、寸法比Ｄ／Ｗが小さくなるにしたがって増加する。特に、外部磁場は、寸法比Ｄ／Ｗが約３より小さくなると急激に増加し、寸法比Ｄ／Ｗが約２より小さくなると約１００×１０３  ／（４π）Ａ／ｍになる。ここで、薄膜磁気ヘッドの実使用上において必要とされる磁区安定性（外部磁場の最大値）を約２０．０×１０３  ／（４π）Ａ／ｍとすると、保磁力Ｈｃ＝約１０．０×１０３  ／（４π）Ａ／ｍの鉄コバルト合金を用いて先端部１２Ａ１が構成された場合（△）については、寸法比Ｄ／Ｗが０＜Ｄ／Ｗ≦２．３の範囲内のときに所望の磁区安定性が得られ、一方、保磁力Ｈｃ＝約５．０×１０３  ／（４π）Ａ／ｍ未満の鉄コバルト合金を用いて先端部１２Ａ１が構成された場合（□）については、寸法比Ｄ／Ｗが０＜Ｄ／Ｗ≦２．８以下のときに所望の磁区安定性が得られた。このことから、寸法比Ｄ／Ｗが０＜Ｄ／Ｗ≦２．３の範囲内のときに、保磁力Ｈｃ＝約１０．０×１０３  ／（４π）Ａ／ｍの鉄コバルト合金を用いて構成された先端部１２Ａ１と、保磁力Ｈｃ＝約５．０×１０３  ／（４π）Ａ／ｍ未満の鉄コバルト合金を用いて構成された先端部１２Ａ１との双方について、所望の磁区安定性が得られることが確認された。
【００６２】
次に、上記第３の実施の形態において説明した磁極部分層１２Ａの積層構造化に基づく磁区構造の変化を調べたところ、図１２に示した結果が得られた。図１２は、ＭＦＭ（Ｍａｇｎｅｔｉｃ  Ｆｏｒｃｅ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ  ）を用いて観察した磁極部分層１２Ａの磁区構造の変化を模式的に表すものである。
【００６３】
なお、磁極部分層１２Ａの磁区構造を観察する際には、磁性層Ｍの構成材料として保磁力Ｈｃ＝約１０．０×１０３  ／（４π）Ａ／ｍの鉄コバルト合金を用い、非磁性層Ｎの構成材料としてクロムを用いると共に、これらの磁性層Ｍおよび非磁性層Ｎを含む積層構造体を５．０μｍ×２．５μｍ角にパターン化した。この際、非磁性層Ｎの厚さを５．０ｎｍに固定しつつ、磁性層Ｍの総厚が０．３μｍとなるように各磁性層Ｍの厚さを０．３μｍ，０．１μｍ，０．０６μｍ，０．０３μｍと変化させた。図１２中の（Ａ）〜（Ｄ）は、磁性層Ｍの厚さが（Ａ）０．３μｍ（すなわち磁性層Ｍ＝１層，非磁性層Ｎ＝１層）、（Ｂ）０．１μｍ（すなわち磁性層Ｍ＝３層，非磁性層Ｎ＝２層）、（Ｃ）０．０６μｍ（すなわち磁性層Ｍ＝５層，非磁性層Ｎ＝４層）、（Ｄ）０．０３μｍ（すなわち磁性層Ｍ＝１０層，非磁性層Ｎ＝９層）の場合についてそれぞれ示している。
【００６４】
図１２に示した結果から判るように、磁極部分層１２Ａ中の磁区構造として、磁性層Ｍが単層の場合には磁壁Ｒを有する還流磁区構造が明瞭に観察されたが（図１２（Ａ））、磁性層Ｍの層数が３層、５層と増加するにしたがって次第に磁壁Ｒが不明瞭化し（図１２（Ｂ），（Ｃ））、特に、磁性層Ｍの層数が１０層になると磁壁Ｒが消失し、単磁区化された（図１２（Ｄ））。
【００６５】
【発明の効果】
以上説明したように、請求項１ないし請求項６のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッドによれば、磁極層のトラック幅規定部分に関する寸法比Ｄ／Ｗを０＜Ｄ／Ｗ≦２．３の範囲内としたので、トラック幅規定部分の形状の適正化に基づいて磁極層の磁区安定性が確保され、記録直後にトラック幅規定部分から磁束が漏洩しにくくなる。したがって、漏洩磁束に起因する記録磁化の乱れを防止し、意図しない情報の消去などの不具合の発生を防止することができる。
【００６６】
また、請求項５に記載の薄膜磁気ヘッドによれば、磁極層に関する寸法比Ｌ１／Ｌ２を０．２５＜Ｌ１／Ｌ２＜１．０の範囲内としたので、磁極層全体の形状の適正化に基づいて、全体として記録媒体対向面と平行な方向へ磁化されやすくなり、すなわち記録媒体対向面へ向かって磁化されにくくなるように、磁極層の磁区構造が制御される。この場合には、磁極層が細長い形状的特徴を有する場合（Ｌ１／Ｌ２≧１．０）とは異なり、記録直後に磁極層から磁束が漏洩しにくくなる。したがって、トラック幅規定部分の形状を適正化した上、さらに、磁極層の寸法比Ｌ１／Ｌ２を上記範囲内とすれば、トラック幅規定部分の形状のみを適正化した場合と比較して、意図しない漏洩磁束に起因する不具合の発生をより効果的に防止することができる。
【００６７】
また、請求項６に記載の薄膜磁気ヘッドによれば、磁性層と非磁性層とが交互に積層された積層構造を有するように磁極層を構成したので、その積層構造化に基づいて磁極層が単磁区化され、記録直後に磁極層から磁束が漏洩しにくくなる。したがって、トラック幅規定部分の形状を適正化した上、さらに、磁極層を積層構造化すれば、トラック幅規定部分の形状のみを適正化した場合と比較して、意図しない漏洩磁束に起因する不具合の発生をより効果的に防止することができる。特に、本発明の薄膜磁気ヘッドに、トラック幅規定部分の形状の適正化に加えて、磁極層全体の形状の適正化および磁極層の積層構造化の双方を適用すれば、意図しない漏洩磁束に起因する不具合の発生を顕著に防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの断面構成を表す断面図である。
【図２】図１に示した薄膜磁気ヘッドのうちの磁極部分層の斜視構成を拡大して表す斜視図である。
【図３】磁極部分層の構成に関する変形例を表す斜視図である。
【図４】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドに対する変形例としての薄膜磁気ヘッドの断面構成を表す断面図である。
【図５】図４に示した薄膜磁気ヘッドのうちの磁極部分層の斜視構成を拡大して表す斜視図である。
【図６】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドに対する他の変形例としての薄膜磁気ヘッドの断面構成を表す断面図である。
【図７】図６に示した薄膜磁気ヘッドのうちの磁極部分層の斜視構成を拡大して表す斜視図である。
【図８】本発明の第２の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドのうちの磁極部分層の平面構成を拡大して表す平面図である。
【図９】磁極部分層の構成に関する比較例を表す平面図である。
【図１０】本発明の第３の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドうちの磁極部分層の磁極端面の断面構成を拡大して表す断面図である。
【図１１】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドのうちの磁極部分層の磁区安定性を説明するための図である。
【図１２】本発明の第３の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドのうちの磁極部分層の磁区構造の変化を模式的に表す図である。
【符号の説明】
１…基板、２…絶縁層、３…下部シールド層、４…シールドギャップ膜、５…上部シールド層、６…ＭＲ素子、７，２３，４３…非磁性層、８…リターンヨーク層、９…ギャップ層、９Ａ，９Ｂ，９Ｃ…ギャップ層部分、１０…薄膜コイル、１１…連結部、１２，３０，５０…磁極層、１２Ａ…磁極部分層、１２Ａ１，２２Ａ，２４Ａ，４４Ａ…先端部、１２Ａ２，２２Ｂ，２４Ｂ，４４Ｃ…後端部、１２Ｂ…ヨーク部分層、１３…バッファ層、１４…オーバーコート層、２０…エアベアリング面、２０Ｍ…磁極端面、２１…ヨーク層、２２，４４…主磁極層、２４，４２…補助磁極層、３１，５１…バッファ層、４４Ｂ…中間部、１００Ａ…再生ヘッド、１００Ｂ…記録ヘッド、Ｂ…記録媒体の進行方向、Ｄ…長さ、Ｅ，Ｅ１…上端縁、Ｅ２…下端縁、Ｆ…平坦面、ＦＰ…フレアポイント、Ｊ（ＪＸ，ＪＹ）…磁化、Ｍ…磁性層、Ｎ…非磁性層、Ｔ…厚さ、Ｗ，Ｗ１，Ｗ２…幅。
【図１】
2004185742.tif 000003
【図２】
2004185742.tif 000004
【図３】
2004185742.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2004185742.tif 000009
【図８】
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【図９】
2004185742.tif 000011
【図１０】
2004185742.tif 000012
【図１１】
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【図１２】
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