(57)【要約】【課題】基板の裏面側のランドを主ランドと補助ランドとに仕切ることにより、基板の反り等を半田で吸収し、基板を高い強度で実装できるようにする。【解決手段】モジュール基板１の裏面１Ｂ側には、金属膜５を主ランド８と補助ランド９とに区画する仕切り７を設ける。これにより、基板１をマザーボード１０に実装するときには、端面電極２から主ランド８にわたって予め取付けられた半田１２を主ランド８から下向きに大きく突出させることができ、この突形状の半田１２により基板１の反り等を吸収することができる。また、基板１を実装した状態では、半田１２が主ランド８とマザーボード１０との間から押出されて仕切り７を乗越えることにより、ランド８，９の両方をマザーボード１０側に半田付けすることができ、これらを広い面積で安定的に接合することができる。【選択図】　　　　図２
2004104060.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面側に電子部品が搭載され裏面側がマザーボードに実装される基板と、該基板の端面に設けられ前記電子部品が接続される端面電極と、該端面電極と接続して前記基板の裏面側に設けられ該端面電極と一緒に前記マザーボード側に半田付けされるランドとからなる回路基板装置において、
前記基板の裏面側には、前記ランドを前記端面電極に接続された主ランドと前記端面電極から離れた補助ランドとに区画する仕切りを設ける構成としたことを特徴とする回路基板装置。
【請求項２】
前記主ランドと補助ランドとは金属膜により一体に形成し、前記仕切りは前記主ランドと補助ランドとの間に位置して該金属膜に設けられたレジスト部材である請求項１に記載の回路基板装置。
【請求項３】
前記主ランドと補助ランドとは金属膜により一体に形成し、前記仕切りは前記主ランドと補助ランドとの間に位置して該金属膜に設けられたシルク部材である請求項１に記載の回路基板装置。
【請求項４】
前記主ランドと補助ランドとは互いに離間した金属膜により形成し、前記仕切りは該各金属膜間に形成された間隙である請求項１に記載の回路基板装置。
【請求項５】
前記仕切りには前記主ランドに接続され補助ランドに向けて先細る先細り部を形成してなる請求項１，２，３または４に記載の回路基板装置。
【請求項６】
前記補助ランドには前記仕切りと離間した位置に面取りを施す面取り部を形成してなる請求項５に記載の回路基板装置。
【請求項７】
表面側に電子部品が搭載され裏面側がマザーボードに実装される基板と、該基板の端面に設けられ前記電子部品が接続される端面電極と、該端面電極と接続して前記基板の裏面側に設けられ該端面電極と一緒に前記マザーボード側に半田付けされるランドとからなる回路基板装置において、
前記ランドは、前記端面電極に接続された主ランドと、該主ランドと接続されると共に該主ランドから離れる方向に延びる複数の補助ランドとにより構成したことを特徴とする回路基板装置。
【請求項８】
前記主ランドは円形状または楕円形状に形成してなる請求項１，２，３，４，５，６または７に記載の回路基板装置。
【請求項９】
表面側に電子部品が搭載され裏面側がマザーボードに実装される基板と、該基板の端面に設けられ前記電子部品が接続される端面電極と、該端面電極と接続して前記基板の裏面側に設けられ該端面電極と一緒に前記マザーボード側に半田付けされるランドとからなる回路基板装置において、
前記ランドは円弧部分が１８０°よりも大きな円形状または楕円形状に形成する構成としたことを特徴とする回路基板装置。
【請求項１０】
表面側に電子部品が搭載され裏面側がマザーボードに実装される基板と、該基板の端面に設けられ前記電子部品が接続される端面電極と、該端面電極と接続して前記基板の裏面側に設けられ該端面電極と一緒に前記マザーボード側に半田付けされるランドとを備え、
前記基板の裏面側には、前記ランドを前記端面電極に接続された主ランドと前記端面電極から離れた補助ランドとに区画する仕切りを設ける構成とした回路基板装置の実装方法であって、
前記端面電極と主ランドとに半田を取付けて前記主ランドを覆う半田によって前記基板の裏面から突出した突部を形成し、
前記半田の突部とマザーボードの配線パターンとが対面した状態で回路基板装置をマザーボードに載置し、
前記半田を溶融させ、前記マザーボードの配線パターンに付着させた後、前記主ランド側の半田が前記仕切りを越えるように当該半田を前記補助ランド側に流動させ、前記回路基板装置の主ランドおよび補助ランドをマザーボードの配線パターンに接合してなる回路基板装置の実装方法。
【請求項１１】
表面側に電子部品が搭載され裏面側がマザーボードに実装される基板と、該基板の端面に設けられ前記電子部品が接続される端面電極と、該端面電極と接続して前記基板の裏面側に設けられ該端面電極と一緒に前記マザーボード側に半田付けされるランドとを備え、
前記ランドは、前記端面電極に接続された主ランドと、該主ランドと接続されると共に該主ランドから離れる方向に延びる複数の補助ランドとにより構成した回路基板装置の実装方法であって、
前記端面電極、主ランド及び補助ランドに半田を取付けて前記主ランドを覆う半田によって前記基板の裏面から突出した突部を形成すると共に、前記補助ランドを覆う半田によって薄肉の拡張部を形成し、
前記半田の突部とマザーボードの配線パターンとが対面した状態で回路基板装置をマザーボードに載置し、
前記半田を溶融させ、前記マザーボードの配線パターンに付着させた後、前記主ランド側の半田を前記補助ランド側に流動させ、前記回路基板装置の主ランド及び補助ランドをマザーボードの配線パターンに接合してなる回路基板装置の実装方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば電子部品を予めサブアッセンブリ化してマザーボードに実装するのに好適に用いられる回路基板装置及びその実装方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
一般に、回路基板装置としては、例えば複数の電子部品をモジュール基板上で予めサブアッセンブリ化する構成としたものが知られている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
【特許文献１】
特開２００１−１２７１８８号公報
【０００４】
この種の従来技術による回路基板装置は、表面側に電子部品が搭載され裏面側がマザーボードに実装される基板と、該基板の端面に間隔をもって設けられ電子部品が接続される複数の端面電極と、該各端面電極と接続して基板の裏面側に設けられ該各端面電極と一緒にマザーボード側に半田付けされる複数のランドとにより構成されている。
【０００５】
ここで、端面電極は、例えば基板の板厚方向に延びた帯状の金属膜等により形成され、その一端側は基板の表面側に設けられた配線パターン等を介して電子部品と接続されている。また、端面電極の他端側は基板の裏面側に向けて延び、金属膜等からなるランドと一体に形成されている。この場合、ランドは、マザーボード側に安定的に半田付けできるように、十分な面積をもって形成されている。
【０００６】
このように構成される基板をマザーボードに実装するときには、まず基板の実装前に各端面電極やランドに対して半田をそれぞれ取付ける取付作業を行う。そして、この取付作業では、基板の各端面電極やランド等に一定量の半田を付着させて溶融し、これらの半田を表面張力及び自重によってランドから垂れ下がるように下向きに突出した状態で固化させる。
【０００７】
次に、この基板をマザーボードに載置し、各半田の突出端をマザーボード側に当接した状態で基板等を加熱すると、基板の各ランドとマザーボード側との間で半田が溶融して潰れ、これらが半田付けされる。このとき、例えば基板が反り等によって変形している場合でも、各半田が順次溶融して潰れることにより全ての半田がマザーボード側に接触するようになるので、基板の実装時には、突形状の半田によって基板の反り等を吸収する構成となっている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、上述した従来技術では、基板の各ランドを十分な大きさに形成し、これらをマザーボード側に半田付けすることにより、基板をマザーボードに安定した状態で実装する構成としている。
【０００９】
しかし、ランドが大きく形成されていると、半田の取付作業時には、マザーボード側に突出すべき半田がランドに沿って薄く広がるようなるため、多量の半田をランドに付着させない限り、半田の突出寸法が不足して基板の反り等を吸収できないことがあり、ランドの接続不良等が生じ易くなるという問題がある。
【００１０】
これに対し、多量の半田をランドに付着させた場合には、半田の消費量が無駄に増えるだけでなく、基板を実装するときにランドとマザーボードとの間で溶融して潰れた半田が隣接するランド間を短絡することがあるため、半田の付着量を増やすには限界がある。
【００１１】
このため、従来技術では、ランドの面積と半田の突出寸法とをそれぞれ適切な大きさとして両立させるのが難しいため、基板をマザーボードに十分な取付強度で実装できなかったり、各ランド等の接続状態が不安定となることがあり、信頼性が低下するという問題がある。
【００１２】
本発明は上述した従来技術の問題に鑑みなされたもので、本発明の目的は、ランドの面積を大きくした場合でも、基板を実装するときにランド上で半田の突出寸法を十分に確保でき、基板の取付強度を高めてランドを安定的に接続できると共に、信頼性を向上できるようにした回路基板装置及びその実装方法を提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
上述した課題を解決するために本発明は、表面側に電子部品が搭載され裏面側がマザーボードに実装される基板と、該基板の端面に設けられ前記電子部品が接続される端面電極と、該端面電極と接続して前記基板の裏面側に設けられ該端面電極と一緒に前記マザーボード側に半田付けされるランドとからなる回路基板装置に適用される。
【００１４】
そして、請求項１の発明が採用する構成の特徴は、基板の裏面側には、ランドを端面電極に接続された主ランドと端面電極から離れた補助ランドとに区画する仕切りを設ける構成としたことにある。
【００１５】
このように構成することにより、基板をマザーボードに実装する前には、例えば端面電極から主ランドにわたって半田を取付けることができ、このときに溶融した半田が主ランドから補助ランド側に流動するのを仕切りによって規制することができる。これにより、主ランドに溜まる半田を表面張力及び自重によって下向きに突出した状態で固化できるから、基板の実装時には、この半田の突出部位をマザーボードに当接した状態で溶融でき、基板の反り等を吸収することができる。また、主ランドとマザーボードとの間から押出された半田が仕切りを乗越えて補助ランドに付着するので、主ランドと補助ランドの両方をマザーボード側に広い面積で半田付けすることができる。
【００１６】
また、請求項２の発明によると、主ランドと補助ランドとは金属膜により一体に形成し、仕切りは前記主ランドと補助ランドとの間に位置して該金属膜に設けられたレジスト部材により構成している。
【００１７】
これにより、例えばエッチング処理等の手段を用いて金属膜上に仕切りとなるレジスト部材を形成でき、このレジスト部材によって金属膜を主ランドと補助ランドとに区画することができる。
【００１８】
また、請求項３の発明によると、主ランドと補助ランドとは金属膜により一体に形成し、仕切りは前記主ランドと補助ランドとの間に位置して該金属膜に設けられたシルク部材により構成している。
【００１９】
これにより、例えばシルク印刷等の手段を用いて金属膜上に仕切りとなるシルク部材を形成でき、このシルク部材によって金属膜を主ランドと補助ランドとに区画することができる。
【００２０】
また、請求項４の発明によると、主ランドと補助ランドとは互いに離間した金属膜により形成し、仕切りは該各金属膜間に形成された間隙により構成している。これにより、例えばエッチング処理等の手段を用いて主ランド及び補助ランドとなる２個の金属膜を形成でき、これらの間の間隙を仕切りとして用いることができる。
【００２１】
請求項５の発明によると、仕切りには主ランドに接続され補助ランドに向けて先細る先細り部を形成している。
【００２２】
これにより、基板の実装時には、先細り部に半田を集中させて主ランドから補助ランドに向う半田の流出を促進することができ、半田が仕切りを乗越えるのを確実にすることができる。また、半田の流出部位を先細り部に限定することができるから、基板に複数の主ランドを近付けて配設した場合であっても、これらの主ランド間に半田が流出することがなく、複数の主ランド間の短絡を防ぐことができる。
【００２３】
請求項６の発明によると、補助ランドには仕切りと離間した位置に面取りを施す面取り部を形成している。これにより、基板の実装時に、補助ランドの角隅に半田の塗り残しが生じるのを防ぐことができ、補助ランドを全面にわたって確実に半田で覆うことができる。
【００２４】
また、請求項７の発明によると、ランドは、端面電極に接続された主ランドと、該主ランドと接続されると共に該主ランドから離れる方向に延びる複数の補助ランドとにより構成している。
【００２５】
これにより、基板に半田を取付けるときには、主ランドに付着させた半田のうち、例えば各補助ランドの面積、幅寸法等に対応する少量の半田のみが個々の補助ランドに流れ込むようになる。このため、補助ランドには、半田が各補助ランドに沿って広がった薄肉な部位（拡張部）を形成することができる。そして、基板をマザーボードに実装するときには、半田を溶融すると、まず主ランド側の半田がマザーボードとの間で溶融して潰れることにより、主ランドとマザーボードとの間を接続することができる。また、各補助ランドは、半田の拡張部が溶融することによって半田濡れした状態となるため、主ランドとマザーボードとの間で潰れて押出された余剰な半田を、これらの半田濡れした各補助ランドに沿って円滑に広げることができる。
【００２６】
また、請求項８の発明によると、主ランドは円形状または楕円形状に形成する構成としている。これにより、例えば一定量の半田を主ランドに付着した状態で下向きに突出させる場合に、他の形状のランドと比較して半田の突出寸法を最も大きくすることができる。
【００２７】
また、請求項９の発明によると、ランドは円弧部分が１８０°よりも大きな円形状または楕円形状に形成する構成としている。これにより、他の形状をもつランドと比較して、半田を主ランドから下向きに最も大きく突出させることができる。また、主ランドを大きな面積に形成できると共に、半田の突出寸法を主ランドの幅寸法（直径）等に応じて容易に設定することができる。
【００２８】
一方、請求項１０の発明による回路基板の実装方法は、表面側に電子部品が搭載され裏面側がマザーボードに実装される基板と、該基板の端面に設けられ前記電子部品が接続される端面電極と、該端面電極と接続して前記基板の裏面側に設けられ該端面電極と一緒に前記マザーボード側に半田付けされるランドとを備え、前記基板の裏面側には、前記ランドを前記端面電極に接続された主ランドと前記端面電極から離れた補助ランドとに区画する仕切りを設ける構成とした回路基板装置に適用される。
【００２９】
そして、請求項１０の発明では、前記端面電極と主ランドとに半田を取付けて前記主ランドを覆う半田によって前記基板の裏面から突出した突部を形成し、前記半田の突部とマザーボードの配線パターンとが対面した状態で回路基板装置をマザーボードに載置し、前記半田を溶融させ、前記マザーボードの配線パターンに付着させた後、前記主ランド側の半田が前記仕切りを越えるように当該半田を前記補助ランド側に流動させ、前記回路基板装置の主ランドおよび補助ランドをマザーボードの配線パターンに接合する構成としている。
【００３０】
このように構成することにより、基板をマザーボードに載置する前に、予め端面電極から主ランドにわたって半田を取付けるから、主ランドを覆う半田を表面張力及び自重によって下向きに突出した状態で固化させ、半田の突部を形成することができる。このため、基板をマザーボードに実装するときには、半田の突部をマザーボードの配線パターンに当接した状態で溶融でき、基板の反り等を吸収することができる。また、主ランドとマザーボードとの間から押出された半田が仕切りを越えて補助ランドに付着するので、主ランドと補助ランドの両方をマザーボードの配線パターンに広い面積で半田付けすることができる。
【００３１】
また、請求項１１の発明による回路基板装置の実装方法は、表面側に電子部品が搭載され裏面側がマザーボードに実装される基板と、該基板の端面に設けられ前記電子部品が接続される端面電極と、該端面電極と接続して前記基板の裏面側に設けられ該端面電極と一緒に前記マザーボード側に半田付けされるランドとを備え、前記ランドは、前記端面電極に接続された主ランドと、該主ランドと接続されると共に該主ランドから離れる方向に延びる複数の補助ランドとにより構成した回路基板装置に適用される。
【００３２】
そして、請求項１１の発明では、前記端面電極、主ランド及び補助ランドに半田を取付けて前記主ランドを覆う半田によって前記基板の裏面から突出した突部を形成すると共に、前記補助ランドを覆う半田によって薄肉の拡張部を形成し、前記半田の突部とマザーボードの配線パターンとが対面した状態で回路基板装置をマザーボードに載置し、前記半田を溶融させ、前記マザーボードの配線パターンに付着させた後、前記主ランド側の半田を前記補助ランド側に流動させ、前記回路基板装置の主ランド及び補助ランドをマザーボードの配線パターンに接合する構成としている。
【００３３】
これにより、基板に半田を取付けるときには、主ランドに付着させた半田のうち、例えば各補助ランドの面積、幅寸法等に対応する少量の半田のみが個々の補助ランドに流れ込むようになる。このため、補助ランドには、半田が各補助ランドに沿って広がった薄肉な拡張部を形成することができる。そして、基板をマザーボードに実装するときには、半田を溶融すると、まず主ランド側の半田がマザーボードとの間で溶融して潰れることにより、主ランドとマザーボードの配線パターンとの間を接続することができる。また、各補助ランドは、半田の拡張部が溶融することによって半田濡れした状態となるため、主ランドとマザーボードとの間で潰れて押出された余剰な半田を、これらの半田濡れした各補助ランドに沿って円滑に広げることができる。この結果、主ランドと補助ランドの両方をマザーボードの配線パターンに広い面積で半田付けすることができる。
【００３４】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態による回路基板装置を、添付図面を参照して詳細に説明する。
【００３５】
ここで、図１ないし図９は本発明による第１の実施の形態を示し、本実施の形態では、回路基板装置をモジュール基板に適用した場合を例に挙げて述べる。
【００３６】
１は回路基板装置の本体部分を構成する基板としてのモジュール基板で、該モジュール基板１は、図１ないし図４に示す如く、例えば絶縁性の樹脂材料等により四角形の平板状に形成され、表面１Ａ、裏面１Ｂ及び４辺の端面１Ｃを有している。また、基板１の各端面１Ｃには、例えば半円弧状をなす複数の凹溝１Ｄが間隔をもって設けられ、該各凹溝１Ｄは、基板１の板厚方向に延びて表面１Ａと裏面１Ｂとに開口している。
【００３７】
２はモジュール基板１の各端面１Ｃにそれぞれ間隔をもって設けられた複数の端面電極で、該各端面電極２は、例えば基板１の各凹溝１Ｄに金属膜等をめっき処理することにより凹円弧状に形成され、基板１の板厚方向に延びている。そして、端面電極２は、長さ方向の一端側が後述の配線パターン１１に接続され、他端側が後述の主ランド８に接続されている。
【００３８】
３はモジュール基板１の表面１Ａに設けられた複数の配線パターンで、該各配線パターン３は、例えば細長い金属膜等により形成され、その端部側には、基板１の各凹溝１Ｄを取囲む位置で端面電極２と接続された半円弧状の接続部３Ａが設けられている。
【００３９】
４はモジュール基板１の表面１Ａに搭載された電子部品で、該電子部品４は、例えば半導体ＩＣ、トランジスタ等の能動素子、または抵抗、コンデンサ、コイル等の受動素子からなる複数の素子により構成され、これらの素子は各配線パターン３等を介して端面電極２に接続されている。
【００４０】
そして、モジュール基板１は、電子部品４を基板１上で予めサブアッセンブリ化し、この状態で後述のマザーボード１０に実装される。また、電子部品４は、モジュール基板１の端面電極２等を介してマザーボード１０の配線パターン１１に接続されるものである。
【００４１】
５は後述のランド８，９を形成するためモジュール基板１の裏面１Ｂに設けられた複数の金属膜で、該各金属膜５は、図４ないし図６に示す如く、例えば細長い四角形状の薄膜として形成され、各端面電極２に対応する位置で基板１の外縁側から内側に向けて延びると共に、互いに間隔をもって配置されている。また、金属膜５は、基板１の各凹溝１Ｄを取囲む位置で端面電極２と接続されている。
【００４２】
６はモジュール基板１の裏面１Ｂに設けられたレジスト膜で、該レジスト膜６は、例えば絶縁性のレジスト材料等により形成され、金属膜５の一部を含めて基板１の裏面１Ｂを覆っている。また、レジスト膜６には、例えばエッチング処理等の手段により金属膜５上で開口する四角形状の開口６Ａ，６Ｂが各金属膜５毎に設けられ、該開口６Ａ，６Ｂは金属膜５の長さ方向に離間している。
【００４３】
７はレジスト膜６のうち開口６Ａ，６Ｂ間を仕切る部位により構成されたレジスト部材としての仕切りで、該仕切り７は、金属膜５を長さ方向の途中部位で横断する細長い隔壁として形成され、金属膜５からマザーボード１０に向けて下向きに突出している。
【００４４】
そして、仕切り７は、金属膜５を後述の主ランド８と補助ランド９とに区画している。これにより、図７に示す半田取付工程では、主ランド８の半田１２が補助ランド９側に流動するのを仕切り７によって規制し、図８、図９に示す半田付け工程では、主ランド８とマザーボード１０との間から押出された半田１２が仕切り７を乗越えて補助ランド９に付着する構成となっている。
【００４５】
８はモジュール基板１の裏面１Ｂに設けられた複数の主ランドで、該各主ランド８は、金属膜５のうちレジスト膜６の開口６Ａの位置で露出した四角形状の露出部位により構成され、基板１の外縁側で端面電極２と連続するように接続されている。そして、主ランド８は、半田取付工程において、端面電極２側から流下してくる半田１２を下向きに大きく突出させた状態で溜めるものである。
【００４６】
９はモジュール基板１の裏面１Ｂで各主ランド８の近傍に設けられた複数の補助ランドで、該各補助ランド９は、金属膜５のうちレジスト膜６の開口６Ｂの位置で露出した四角形状の露出部位により構成され、仕切り７によって主ランド８との間を仕切られている。また、補助ランド９は、主ランド８よりも基板１の内側で端面電極２から離れた位置に配設されている。
【００４７】
そして、補助ランド９は、半田１２を用いて端面電極２と主ランド８と一緒にマザーボード１０の配線パターン１１に接続される。これにより、ランド８，９は、これらの面積を合わせた広い接合面積をもって配線パターン１１に接合されるものである。この場合、主ランド８と各補助ランド９とは、レジスト膜６の開口６Ａ，６Ｂ内に配置され、その膜厚分だけレジスト膜６の裏面から窪んだ状態となっているため、モジュール基板１は、ランド８，９内に流れ込んだ半田１２が外側に食み出すのを防止でき、半田１２をランド８，９上に安定的に配置できる構成となっている。
【００４８】
一方、１０はモジュール基板１が実装されるマザーボードで、該マザーボード１０には、図８、図９に示す如く、複数の配線パターン１１（１個のみ図示）と他の電子回路（図示せず）等とが設けられている。そして、これらの配線パターン１１には、基板１の各端面電極２とランド８，９とが半田１２を用いて接続されるものである。
【００４９】
本実施の形態による回路基板装置は上述の如き構成を有するもので、次に図７ないし図９を参照しつつ、モジュール基板１の実装方法について説明する。
【００５０】
まず、図７に示す半田取付工程では、基板１に対して、例えば各配線パターン３の接続部３Ａの位置に粒状の半田材料１２′を配置し、この半田材料１２′を溶融させる。これにより、半田材料１２′が溶融した半田１２は、図７中に実線で示す如く、接続部３Ａから端面電極２を介して主ランド８に流下し、これら濡れ性のよい部位にわたって延びた状態となる。
【００５１】
ここで、半田１２は、主ランド８から補助ランド９側に流動するのを仕切り７によって規制されているため、半田１２のうち主ランド８に達した部位は、主ランド８に溜まるようになる。そして、この部位は表面張力及び自重によって主ランド８から垂れ下がり、下向きに大きく突出した突部１２Ａとなるので、この状態で半田１２を固化させる。この場合、突部１２Ａの突出寸法は、例えば接続部３Ａと主ランド８との面積比や半田材料１２′の量、粘度等に応じて調整することができる。
【００５２】
次に、図８、図９に示す基板実装工程では、まずモジュール基板１をマザーボード１０に載置し、各半田１２の突部１２Ａを配線パターン１１に対面させて、当接させる。
【００５３】
そして、この状態で各半田１２を加熱すると、図８に示すように、主ランド８と配線パターン１１との間で半田１２の突部１２Ａが溶融して潰れ、端面電極２と主ランド８とは、半田１２により配線パターン１１と接続される。この場合、例えば基板１やマザーボード１０の反り等により配線パターン１１に接触していない突部１２Ａがあったとしても、各半田１２が順次溶融して潰れることにより全ての半田１２が主ランド８と配線パターン１１とに接触するようになる。これにより、基板１の反り等を半田１２の突部１２Ａによって吸収でき、基板１の全ての端面電極２をマザーボード１０側に確実に接続することができる。
【００５４】
また、主ランド８と配線パターン１１との間で半田１２が溶融すると、半田１２には、モジュール基板１及び電子部品４の重さによって押し潰されて主ランド８からの流出を促す力が作用する共に、ぬれ性のよい配線パターン１１に沿って拡張を促す力が作用する。これにより、半田１２は、これらの間から押出されることにより仕切り７を乗越えて補助ランド９側に流動し、補助ランド９と配線パターン１１との間を接続する。
【００５５】
これにより、モジュール基板１を実装した状態では、図９に示す如く、各端面電極２を配線パターン１１に接続できるだけでなく、これらの位置で主ランド８と補助ランド９の両方を広い接合面積をもって配線パターン１１に接合することができる。
【００５６】
かくして、本実施の形態によれば、モジュール基板１の裏面１Ｂ側には、金属膜５を主ランド８と補助ランド９とに区画する仕切り７を設ける構成としたので、例えば基板１の実装前に半田１２を取付けるときには、半田１２が主ランド８から補助ランド９側に流動するのを仕切り７によって規制でき、主ランド８に十分な量の半田１２を溜めることができると共に、これによって半田１２の突部１２Ａ等を下向きに大きく突出した状態で固化させることができる。
【００５７】
これにより、基板１をマザーボード１０に実装するときには、これらが反り等により変形していた場合でも、突形状の半田１２によって端面電極２と主ランド８とをマザーボード１０側の配線パターン１１に安定的に接続でき、これらの接続不良を確実に防止することができる。
【００５８】
また、基板１の実装時には、半田１２が仕切り７を乗越えることにより主ランド８と補助ランド９の両方を配線パターン１１に半田付けすることができ、これらの間に半田付けによる広い接合面積を確保できるから、基板１をマザーボード１０に高い強度で実装することができる。しかも、端面電極２と主ランド８とにわたって適量の半田１２を残すことができるから、基板１とマザーボード１０との間には、例えば略三角形状の適切な断面形状をもつ半田１２のフィレットを安定的に形成でき、これらの接合強度を高めることができると共に、両者が振動、衝撃等により剥がれるのを防止することができる。
【００５９】
従って、例えば半田１２の突部１２Ａが主ランド８から大きく突出するように主ランド８の面積を抑える構成としても、２個のランド８，９により基板１の接合強度を十分に確保でき、半田１２の突出寸法とランド８，９の接合面積とを容易に両立できると共に、信頼性を向上させることができる。
【００６０】
また、仕切り７をレジスト部材により形成したので、例えば金属膜５上に設けたレジスト膜６にエッチング処理等を施すだけで、仕切り７を正確な形状で容易に形成することができる。
【００６１】
ここで、本実施の形態と比較する比較例として、例えば仕切り７、補助ランド９等を形成していない場合について述べる。この場合、例えばマザーボード１０の反り等に対応するために主ランド８に多量の半田材料１２′を付着させると、例えば図９中に仮想線で示すように、半田１２″が主ランド８から外側に食み出して球状に盛上ることがある。この状態では、僅かな衝撃等でも半田１２″に亀裂が生じ易いため、基板１とマザーボード１０との接合強度が低下する。しかし、本実施の形態では、端面電極２と主ランド８に適量の半田１２を配置できるから、適切な形状の半田１２のフィレットを形成できるものである。
【００６２】
次に、図１０は本発明による第２の実施の形態を示し、本実施の形態の特徴は、仕切りをシルク部材により構成したことにある。なお、本実施の形態では、前記第１の実施の形態と同一の構成要素に同一の符号を付し、その説明を省略するものとする。
【００６３】
２１はモジュール基板１の裏面１Ｂ側に設けられた仕切りで、該仕切り２１は、第１の実施の形態とほぼ同様に、金属膜５を主ランド８と補助ランド９とに区画している。しかし、仕切り２１は、レジスト膜６′の一部ではなく、例えばインク、塗料等のシルク部材をシルク印刷等の手段によって金属膜５に印刷することにより形成されている。
【００６４】
かくして、このように構成される本実施の形態でも、第１の実施の形態とほぼ同様の作用効果を得ることができる。そして、特に本実施の形態では、例えばシルク印刷等の手段を用いて仕切り２１を容易に形成でき、その形状や寸法等をより簡単に変更することができる。
【００６５】
次に、図１１は本発明による第３の実施の形態を示し、本実施の形態の特徴は、主ランドと補助ランドとを別個の金属膜により形成し、仕切りを該各金属膜間の間隙によって構成したことにある。なお、本実施の形態では、前記第１の実施の形態と同一の構成要素に同一の符号を付し、その説明を省略するものとする。
【００６６】
３１はモジュール基板１の裏面１Ｂ側に設けられた主ランドで、該主ランド３１は、第１の実施の形態とほぼ同様に、例えば略四角形状の金属膜等により形成され、基板１の外縁側で端面電極２と連続するように接続されている。
【００６７】
３２は例えば主ランド３１と別体の金属膜等を用いてモジュール基板１の裏面１Ｂ側に設けられた補助ランドで、該補助ランド３２は、第１の実施の形態とほぼ同様に、主ランド３１から基板１の内側に一定の間隔分だけ離間している。
【００６８】
３３は主ランド３１と補助ランド３２との間を仕切る仕切りで、該仕切り３３は、ランド３１，３２間の間隙（隙間空間）によって構成されている。
【００６９】
かくして、このように構成される本実施の形態でも、第１の実施の形態とほぼ同様の作用効果を得ることができる。そして、特に本実施の形態では、仕切り３３をランド３１，３２間の間隙により構成したので、仕切り３３の構造をより簡略化でき、これを容易に形成することができる。
【００７０】
次に、図１２は本発明による第４の実施の形態を示し、本実施の形態の特徴は、主ランドを半円形状よりも大きな面積をもつ略円形状に形成する構成としたことにある。なお、本実施の形態では、前記第１の実施の形態と同一の構成要素に同一の符号を付し、その説明を省略するものとする。
【００７１】
４１はモジュール基板１の裏面１Ｂに設けられた四角形状の金属膜で、該金属膜４１は、第１の実施の形態とほぼ同様に、基板１の各凹溝１Ｄを取囲む位置で端面電極２と接続されている。
【００７２】
４２はモジュール基板１の裏面１Ｂに設けられたレジスト膜で、該レジスト膜４２は、金属膜４１の周縁部位等を含めて基板１の裏面１Ｂ側を覆っている。また、レジスト膜４２には、金属膜４１上に開口する円形状または楕円形状（以下、略円形状という）の開口４２Ａと、該開口４２Ａを取囲む位置で金属膜４１上に開口する他の開口４２Ｂ，４２Ｃとが設けられ、これらの開口４２Ａ〜４２Ｃを合わせた開口全体の形状は、金属板４１よりも僅かに小さな略四角形状となっている。
【００７３】
４３はレジスト膜４２のうち開口４２Ａ，４２Ｂ，４２Ｃ間を仕切る部位により構成された仕切りで、該仕切り４３は、金属膜４１上を略円弧状に延びる細長い隔壁として形成され、レジスト膜４２の開口４２Ａの周壁を構成すると共に、金属膜４１からマザーボード側に向けて下向きに突出している。そして、仕切り４３は、第１の実施の形態とほぼ同様に、金属膜４１を後述の主ランド４４と補助ランド４５，４６とに区画しているものである。
【００７４】
４４はモジュール基板１の裏面１Ｂ側に設けられた主ランドで、該主ランド４４は、金属膜４１のうちレジスト膜４２の開口４２Ａ内に露出した部位からなり、基板１の端面電極２を取囲むように配置されると共に、端面電極２と接続されている。
【００７５】
ここで、主ランド４４は、仕切り４３に取囲まれることによって略円形状に形成されている。これにより、半田取付工程では、例えば一定量の半田１２を主ランド４４に付着した状態で下向きに突出させる場合に、他の形状のランドと比較して半田１２の突出寸法を最も大きくすることができる。即ち、例えば四角形状のランドに半田を付着させる場合には、半田がランドの中央部と角隅部とにわたって薄肉に広がるため、半田の突出寸法は主ランド４４の場合と比較的して小さくなる。これに対し、本実施の形態では、例えば半田付けに必要最低限の量の半田１２を主ランド４４に付着させることにより、その突出寸法を可能な限り大きく形成できるものである。
【００７６】
また、主ランド４４は、例えば半円形状よりも大きな面積をもつ略円形状に形成され、その輪郭をなす円弧状縁部４４Ａは１８０°よりも大きな中心角をもって延びると共に、該円弧状縁部４４Ａの中心Ｏは基板１の端面１Ｃから内側に離れた位置に配置されている。そして、主ランド４４の幅寸法（基板１の端面１Ｃと平行な方向に対する寸法）は、端面１Ｃから離れた位置で直径Ｄと等しい最大の幅寸法となっている。これにより、半田取付工程では、主ランド４４の面積を十分に大きくして必要な量の半田１２を確実に付着させることができ、また半田１２の突出寸法を主ランド４４の直径Ｄに応じて所望の大きさに設定できるものである。
【００７７】
４５は主ランド４４の近傍に設けられた補助ランドで、該補助ランド４５は、金属膜４１のうちレジスト膜４２の開口４２Ｂ内に露出した部位からなり、端面電極２から離れた位置に配置されている。また、補助ランド４５のうち主ランド４４と隣接する周縁側の部位には、主ランド４４と一定の間隔をもって略円弧状に延びる円弧状縁部４５Ａが形成されている。また、主ランド４４の両側には、基板１の端面１Ｃ側に位置してレジスト膜４２の開口４２Ｃ内に露出した他の補助ランド４６が設けられている。
【００７８】
かくして、このように構成される本実施の形態でも、第１の実施の形態とほぼ同様の作用効果を得ることができる。そして、特に本実施の形態では、主ランド４４を半円形状よりも大きな面積をもつ略円形状に形成したので、モジュール基板１に半田１２を取付けるときには、例えば必要最低限の量の半田１２を主ランド４４に付着させるだけで、基板１から下向きに突出する半田１２の突出寸法を十分に大きくすることができ、しかも主ランド４４の直径Ｄに応じて突出寸法を所望の大きさに調整することができる。従って、主ランド４４に付着させる半田１２を適切な量に抑えつつ、モジュール基板１やマザーボード１０の反り等を半田１２によって確実に吸収することができる。
【００７９】
次に、図１３は本発明による第５の実施の形態を示し、本実施の形態の特徴は、略円形状の主ランドと周囲の補助ランドとを別個の金属膜により形成する構成としたことにある。なお、本実施の形態では、前記第１の実施の形態と同一の構成要素に同一の符号を付し、その説明を省略するものとする。
【００８０】
５１はモジュール基板１の裏面１Ｂ側に設けられた主ランドで、該主ランド５１は、第４の実施の形態とほぼ同様に、例えば略円形状の金属膜等によって形成され、１８０°よりも大きく延びた円弧状縁部５１Ａを有し、基板１の端面電極２と接続されている。
【００８１】
５２，５３は主ランド５１の近傍に設けられた補助ランドで、該補助ランド５２，５３は、第４の実施の形態とほぼ同様に、端面電極２から離れた位置で主ランド５１と一定の間隔をもって配置されている。そして、これらのランド５１，５２，５３は互いに別個の金属膜等を形成されている。
【００８２】
５４は主ランド５１と補助ランド５２，５３との間を仕切る略円弧状の仕切りで、該仕切り５４は、主ランド５１と補助ランド５２，５３との間の間隙によって構成されている。
【００８３】
かくして、このように構成される本実施の形態でも、前記第１，第３，第４の実施の形態とほぼ同様の作用効果を得ることができる。
【００８４】
次に、図１４は本発明による第６の実施の形態を示し、本実施の形態の特徴は、仕切りには主ランドに接続され補助ランドに向けて先細る先細り部を形成したことにある。なお、本実施の形態では、前記第１の実施の形態と同一の構成要素に同一の符号を付し、その説明を省略するものとする。
【００８５】
６１は仕切り７に設けられた先細り部で、該先細り部６１は、金属膜５を横断して延びる仕切り７のうち例えば長さ方向のほぼ中央部に配置され、主ランド８から補助ランド９に向けて先細る（徐々に縮小する）略三角形状の切欠き６１Ａによって形成されている。そして、先細り部６１は、金属膜５のうち切欠き６１Ａの位置で露出した三角形状の露出部位により構成され、主ランド８と連続するように接続されている。
【００８６】
かくして、このように構成される本実施の形態でも、第１の実施の形態とほぼ同様の作用効果を得ることができる。しかし、本実施の形態では、仕切り７に先細り部６１を設けたから、基板１の実装時には、図１４中に矢示したように先細り部６１に半田１２を集中させて主ランド８から補助ランド９に向う半田１２の流出を促進することができる。このため、モジュール基板１や電子部品４が軽量で半田１２を押出す力が弱いときであっても、半田１２を確実に仕切り７を乗越えさせることができる。
【００８７】
また、半田１２の流出部位を先細り部６１に限定することができるから、基板１に複数の主ランド８を近付けて配設した場合であっても、隣合う主ランド８に向けて半田１２が流出することがなくなる。このため、複数の主ランド８間の短絡を防いでアイソレーションを向上でき、信頼性を高めることができる。
【００８８】
次に、図１５乃至図１７は本発明による第７の実施の形態を示し、本実施の形態の特徴は、仕切りに先細り部を形成すると共に、補助ランドのうち仕切りと離間した位置に面取り部を形成したことにある。なお、本実施の形態では、前記第１の実施の形態と同一の構成要素に同一の符号を付し、その説明を省略するものとする。
【００８９】
７１は仕切り７に設けられた先細り部で、該先細り部７１は、第６の実施の形態による先細り部６１とほぼ同様に、仕切り７のうち長さ方向の中央位置（途中位置）に配置され、主ランド８から補助ランド９に向けて先細る略三角形状の切欠き７１Ａによって形成されている。そして、先細り部７１は、金属膜５のうち切欠き７１Ａの位置で露出した三角形状の露出部位により構成され、主ランド８と連続するように接続されている。
【００９０】
７２は補助ランド９のうち仕切り７と離間した位置に面取りを施す面取り部で、該面取り部７２は、略四角形状をなす補助ランド９のうち先細り部７１からの距離が長い２つの角隅側に配置され、レジスト膜６の開口６Ｂのうち角隅に対応した位置を例えば円弧状をなして開口させることによって形成されている。
【００９１】
かくして、このように構成される本実施の形態でも、前記第１，第６の実施の形態とほぼ同様の作用効果を得ることができる。しかし、本実施の形態では、補助ランド９のうち仕切り７と離間した位置に面取り部７２を形成したから、基板１の実装時に、補助ランド９の角隅側に半田１２の塗り残しが生じるのを防ぐことができ、補助ランド９を全面にわたって確実に半田１２で覆うことができる。
【００９２】
即ち、図１８に示す比較例のように、面取り部を省いた場合には、基板１の実装時に矢示の如く先細り部７１を中心に半田１２が広がるから、補助ランド９のうち仕切り７と離間した２つの角隅では半田１２が行き渡らず、塗り残しが生じる傾向がある。このように半田１２の塗り残しが生じた場合、補助ランド９の角隅や配線パターン１１の一部が外気中に露出するから、これらの補助ランド９等に酸化等の腐食が生じるという問題がある。
【００９３】
また、半田１２が拡散途中で停止した場合には、その表面張力によって断面形状が円弧状となるから、図１９中のａ部のように半田１２と補助ランド９、配線パターン１１との間に鋭角状の溝が形成される傾向がある。この場合、ａ部には応力が集中し易いから、半田１２、補助ランド９、配線パターン１１に剥離が生じ易いという問題もある。
【００９４】
これに対し、本実施の形態では、補助ランド９のうち仕切り７と離間した位置には面取り部７２を形成したから、補助ランド９を全面にわたって半田１２で覆うことができ、補助ランド９の腐食や剥離を防いで、信頼性、耐久性を向上させることができる。
【００９５】
なお、本実施の形態では、補助ランド９に円弧状の面取りを施す面取り部７２を形成したが、直線状の面取りを施す面取り部を形成してもよい。
【００９６】
次に、図２０及び図２１は本発明による第８の実施の形態を示し、本実施の形態の特徴は、略円形状の主ランドと帯状に延びた複数の補助ランドとを接続して設ける構成としたことにある。なお、本実施の形態では、前記第１の実施の形態と同一の構成要素に同一の符号を付し、その説明を省略するものとする。
【００９７】
８１は回路基板装置の本体部分を構成するモジュール基板で、該モジュール基板８１は、図２０、図２１に示す如く、第１の実施の形態とほぼ同様に、表面８１Ａ、裏面８１Ｂ、４辺の端面８１Ｃ及び複数の凹溝８１Ｄを有し、該各凹溝８１Ｄには端面電極８２がそれぞれ設けられている。そして、モジュール基板８１は、表面８１Ａ側に電子部品４が搭載され、裏面８１Ｂ側が後述のマザーボード８８に実装されものである。
【００９８】
８３はモジュール基板８１の裏面８１Ｂ側に設けられた金属膜で、該金属膜８３は、例えばエッチング処理等を施すことにより後述の主ランド８４及び補助ランド８５，８６として形成されている。
【００９９】
８４は金属膜８３の一部を用いてモジュール基板８１の裏面８１Ｂ側に設けられた主ランドで、該主ランド８４は、第４の実施の形態とほぼ同様に、基板８１の端面電極８２を取囲むように配置され、端面電極８２と接続されている。
【０１００】
また、主ランド８４は、例えば半円形状よりも大きな面積をもつ略円形状に形成され、その輪郭をなす円弧状縁部８４Ａは１８０°よりも大きな中心角をもって延びると共に、該円弧状縁部８４Ａの中心Ｏ′は基板８１の端面８１Ｃから内側に離れた位置に配置されている。これにより、主ランド８４は、図２１に示す如く、後述する半田８７の突部８７Ａを主ランド８４から下向きに突出させる場合に、他の形状のランドと比較して突部８７Ａの突出寸法を最も大きくすることができる。
【０１０１】
８５は金属膜８３のうち主ランド８４を除いた部位を用いてモジュール基板８１の裏面８１Ｂ側に設けられた複数の補助ランドで、該各補助ランド８５は、図２０に示す如く、主ランド８４よりも小さな面積をもって細長い帯状に形成され、その幅寸法（基板８１の端面８１Ｃと平行な方向に対する寸法）Ｗは、主ランド８４の幅寸法（直径Ｄ′）よりも小さく形成されている。
【０１０２】
ここで、各補助ランド８５は、基板８１の端面電極８２（主ランド８４）から離れる方向に向けてほぼ直線状に延び、その長さ方向の一端側は、補助ランド８５の幅寸法Ｗよりも細幅に形成された絞り部８５Ａを介して主ランド８４と個別に接続されている。また、各補助ランド８５は、例えば全体として縞状になるように互いに並行に並んで配置され、各補助ランド８５間の間隔は、補助ランド８５の幅寸法Ｗよりも小さな寸法に形成されている。また、主ランド８４の周縁側には、補助ランド８５と異なる位置に他の補助ランド８６が接続されている。
【０１０３】
そして、これらの補助ランド８５，８６は、後述の如く半田８７の拡張部８７Ｂを形成することにより、モジュール基板８１とマザーボード８８との間に十分に大きな接合面積を確保するものである。
【０１０４】
本実施の形態によるモジュール基板８１は上述の如き構成を有するもので、次に、第１の実施の形態とほぼ同様の手順で行われるモジュール基板８１の半田取付工程、基板実装工程等について説明する。
【０１０５】
まず、モジュール基板８１に半田８７を取付けるときには、図２１に示す如く、端面電極８２側で溶融した半田８７が略円形状の主ランド８４に付着すると、半田８７は、第４の実施の形態とほぼ同様に、比較的少量であっても突部８７Ａが主ランド８４から下向きに大きく突出した状態となる。
【０１０６】
また、主ランド８４に付着した半田８７の一部は、各絞り部８５Ａ等を介して補助ランド８５側にも流れ込む。この場合、個々の補助ランド８５には、その小さな面積（幅寸法Ｗ）に対応する少量の半田８７のみが流れ込み、これらの半田８７は細長い各補助ランド８５に沿って少しずつ流動するようになる。また、他の補助ランド８６側にも同様に、半田８７の一部が流れ込む。
【０１０７】
このため、補助ランド８５，８６内に流れ込んだ半田８７は、突部８７Ａよりも小さな突出寸法をもってモジュール基板８１から下向きに突出しつつ、各補助ランド８５，８６に沿って縞状に広がった薄肉な拡張部８７Ｂとなり、この状態で突部８７Ａと拡張部８７Ｂとを固化させることができる。
【０１０８】
これにより、基板実装工程では、モジュール基板８１をマザーボード８８上に載置した状態で半田８７を加熱すると、まず半田８７の突部８７Ａは、第１の実施の形態とほぼ同様に、基板８１とマザーボード８８との間で溶融して潰れるので、これらの間に反り等が生じている場合でも、基板８１の主ランド８４とマザーボード８８側の配線パターン８９とを半田８７によって確実に接続することができる。
【０１０９】
また、このとき半田８７の拡張部８７Ｂも補助ランド８５，８６上で溶融して該各ランド８５，８６を跨ぐように広がり、これによって各補助ランド８５，８６は半田濡れした状態（半田レベラーに近い状態）となるため、半田８７のうち主ランド８４側で潰れて押出された部位を、これらの半田濡れした各補助ランド８５，８６に沿って円滑に広げることができる。
【０１１０】
かくして、このように構成される本実施の形態でも、前記第１，第４の実施の形態とほぼ同様の作用効果を得ることができる。即ち、主ランド８４を略円形状に形成しているので、例えば必要最低限の量の半田８７を主ランド８４に付着させるだけで、基板８１から下向きに突出する突部８７Ａの突出寸法を十分に大きくすることができ、しかも主ランド８４の直径Ｄ′に応じて突出寸法を所望の大きさに調整することができる。
【０１１１】
そして、特に本実施の形態では、細幅な複数の補助ランド８５等を縞状に並べて主ランド８４と接続する構成としたので、基板８１に半田８７を取付けるときには、半田８７の一部を補助ランド８５側に導くことができ、所定の面積にわたって広がる縞状の拡張部８７Ｂを形成することができる。この場合、例えば補助ランド８５の幅寸法Ｗや絞り部８５Ａの形状等を予め調整しておくことにより、主ランド８４から各補助ランド８５側に流れ込む半田８７の量、拡張部８７Ｂの厚み等を適切に設定でき、主ランド８４側に溜まる半田８７の量（突部８７Ａの突出寸法）を十分に確保しつつ、各補助ランド８５，８６を予め半田濡れした状態とすることができる。
【０１１２】
従って、モジュール基板８１をマザーボード８８に実装するときには、主ランド８４側に付着した半田８７の一部を各補助ランド８５，８６に沿って安定的に広げることができ、モジュール基板８１を主ランド８４と各補助ランド８５，８６とによって広い面積でマザーボード８８側に半田付けすることができる。これにより、基板８１とマザーボード８８との間の半田付けのムラ等を確実に防止でき、両者間の接合強度をより高めることができる。
【０１１３】
次に、図２２は本発明による第９の実施の形態を示し、本実施の形態の特徴は、四角形状の主ランドに対して前記第８の実施の形態を適用したことにある。なお、本実施の形態では、第８の実施の形態と同一の構成要素に同一の符号を付し、その説明を省略するものとする。
【０１１４】
９１はモジュール基板８１の裏面８１Ｂ側に設けられた金属膜で、該金属膜９１は、後述の主ランド９２と補助ランド９３とを形成している。
【０１１５】
９２は金属膜９１の一部を用いて形成された略四角形状の主ランドで、該主ランド９２は、基板８１の端面電極８２を取囲むように配置され、端面電極８２と接続されている。
【０１１６】
９３は金属膜９１の他の部位を用いて形成された複数の補助ランドで、該各補助ランド９３は、第８の実施の形態による補助ランド８５とほぼ同様に、主ランド９２よりも小さな面積をもって細長い帯状に形成され、端面電極８２及び主ランド９２から離れる方向に向けて縞状に並んで延びると共に、その長さ方向の一端側は絞り部９３Ａを介して主ランド９２と個別に接続されている。
【０１１７】
かくして、このように構成される本実施の形態でも、前記第８の実施の形態とほぼ同様の作用効果を得ることができる。
【０１１８】
次に、図２３は本発明による第１０の実施の形態を示し、本実施の形態の特徴は、モジュール基板に略円形状のランドを設ける構成としたことにある。なお、本実施の形態では、第１の実施の形態と同一の構成要素に同一の符号を付し、その説明を省略するものとする。
【０１１９】
１０１は金属膜等を用いてモジュール基板１の裏面１Ｂ側に設けられたランドで、該ランド１０１は、第４の実施の形態とほぼ同様に、半円形状よりも大きな面積をもつ略円形状に形成され、その輪郭をなす円弧状縁部１０１Ａは１８０°よりも大きな中心角をもって延びると共に、該円弧状縁部１０１Ａの中心Ｏ″は基板１の端面１Ｃから内側に離れた位置に配置されている。そしてランド１０１の幅寸法は、端面１Ｃから離れた位置で直径Ｄ″と等しい最大の幅寸法となっている。また、ランド１０１は、第４の実施の形態における主ランド４４と補助ランド４５とを合わせた大きさとほぼ同程度の面積を有している。
【０１２０】
そして、ランド１０１は、必要最低限の量の半田１２をランド１０１に付着させることにより、その突出寸法を直径Ｄ″に応じて可能な限り大きく形成でき、ランド１０１に付着させる半田１２を適切な量に抑えつつ、モジュール基板１やマザーボード１０の反り等を半田１２によって確実に吸収できる構成となっている。
【０１２１】
かくして、このように構成される本実施の形態でも、前記第１，第４の実施の形態とほぼ同様の作用効果を得ることができる。
【０１２２】
なお、前記第１，第２の実施の形態では、仕切り７，２１を、金属膜５を横断する細長い隔壁として構成したが、本発明はこれに限らず、例えば図２４に示す第１の変形例のように、仕切り１１１の長さ方向途中部位に切欠き１１２を設ける構成としてもよい。また、例えば図２５に示す第２の変形例のように、仕切り１１３を、互い間隔をもって列設された複数の島状体１１３Ａにより構成してもよい。
【０１２３】
また、第１，第２の実施の形態では、レジスト膜６により金属膜５の外縁側を覆う構成としたが、本発明はこれに限らず、例えば図２６、図２７に示す第３の変形例のように、レジスト膜６″を金属膜５から離間させる構成としてもよい。
【０１２４】
また、第３の実施の形態では、仕切り３３をランド３１，３２間の隙間空間によって構成したが、本発明はこれに限らず、例えばレジスト材料、シルク材料等、半田の濡れ性が良くない各種の材料を用いてランド３１，３２間を埋める構成としてもよい。
【０１２５】
また、前記第８ないし第１０の実施の形態では、例えば金属膜８３，９１にエッチング処理等を施すことにより、ランド８４，８５，８６，９２，９３，１０１等を構成した。しかし、本発明はこれに限らず、第８〜第１０の実施の形態と同様の形状をもつランドを、例えば第１の実施の形態とほぼ同様の方法によって形成する構成としてもよい。そして、この場合には、例えばモジュール基板の裏面側に金属膜を介してレジスト膜等を設け、このレジスト膜にエッチング処理等を施して開口を形成することにより、金属膜のうちレジスト膜の開口内に露出した部位を用いてランド８４，８５，８６，９２，９３，１０１等を形成する。これにより、ランドをレジスト膜の裏面から窪んだ状態で形成できるから、ランド内に流れ込んだ半田が外側に食み出すのを防止でき、半田をランド上に安定的に配置することができる。
【０１２６】
また、第４、第５、第８、第１０の実施の形態では、ランド４４，５１，８４，１０１等を略円形状に形成する構成とした。この場合、本発明は、円形状のランドに限るものではなく、楕円形状のランドを含むものである。
【０１２７】
また、第４、第５、第８の実施の形態では、主要な補助ランド４５，５２，８５と別に、基板１，８１の端面１Ｃ，８１Ｃ側等に位置する他の補助ランド４６，５３，８６を設ける構成とした。しかし、本発明はこれに限らず、他の補助ランド４６，５３，８６を廃止する構成としてもよい。
【０１２８】
また、第６、第７の実施の形態では、レジスト材料からなる仕切り７に先細り部６１，７１を形成するものとしたが、第２、第３の実施の形態による仕切り２１，３３に先細り部を形成するものとしてもよい。
【０１２９】
また、第６、第７の実施の形態では、仕切り７に切欠き６１Ａ，７１Ａを形成することによって先細り部６１，７１を形成するものとした。しかし、本発明はこれに限らず、例えば図２８に示す第４の変形例のように、仕切り７′の一部を折り曲げることによって先細り部１２１を形成してもよい。
【０１３０】
また、第６、第７の実施の形態では、略三角形状の先細り部６１，７１を形成したが、例えば図２９に示す第５の変形例のように、略半円形状の先細り部１２２を形成してもよい。
【０１３１】
また、第６、第７の実施の形態では、直線状に延びる仕切り７の一部に先細り部６１，７１を形成したが、例えば図３０に示す第６の変形例のように、仕切り７″の全長にわたって先細り部１２３を形成してもよい。
【０１３２】
また、第６、第７の実施の形態では、第１の実施の形態による主ランド８と補助ランド９との間の仕切り７に先細り部６１，７１を形成するものとした。しかし、本発明はこれに限らず、例えば図３１に示す第７の変形例のように、第４の実施の形態による主ランド４４と補助ランド４５との間の仕切り４３に先細り部１２４を形成してもよい。
【０１３３】
また、第６、第７の実施の形態では、仕切り７の長さ方向の中央位置に先細り部６１，７１を設けるものとしたが、仕切り７の長さ方向の中央位置から変位した位置に設けてもよい。
【０１３４】
また、第６、第７の実施の形態では、仕切り７に単一の先細り部６１，７１を設けるものとしたが、例えば図３２に示す第８の変形例のように、仕切り７に２個の先細り部１２５を形成してもよく、３個以上の先細り部を設けてもよい。
【０１３５】
さらに、実施の形態では、モジュール基板１を例に挙げて述べたが、本発明はこれに限らず、マザーボード１０に実装される各種の基板に適用できるのは勿論である。
【０１３６】
【発明の効果】
以上詳述した通り、請求項１の発明によれば、基板の裏面側には、主ランドと補助ランドとを区画する仕切りを設ける構成としたので、例えば基板の実装前に半田を取付けるときには、半田が主ランドから補助ランド側に流動するのを仕切りによって規制でき、主ランドに溜めた十分な量の半田を突形状で固化させることができる。これにより、基板をマザーボードに実装するときには、これらの反り等を突形状の半田によって吸収でき、基板とマザーボードとを安定的に接続することができる。また、基板の実装時には、半田が仕切りを乗越えることにより主ランドと補助ランドの両方をマザーボードに広い面積で半田付けすることができ、基板をマザーボードに高い強度で実装できるから、半田の突出寸法とランドの接合面積とを容易に両立でき、信頼性を向上させることができる。
【０１３７】
また、請求項２の発明によれば、主ランドと補助ランドとは金属膜により一体に形成し、仕切りをレジスト部材により構成したので、例えば金属膜上に設けたレジスト材料の被膜にエッチング処理等を施すだけで、仕切りを正確な形状で容易に形成することができる。
【０１３８】
また、請求項３の発明によれば、主ランドと補助ランドとは金属膜により一体に形成し、仕切りをシルク部材により構成したので、例えばシルク印刷等の手段を用いて仕切りを容易に形成でき、その形状や寸法等を簡単に変更することができる。
【０１３９】
また、請求項４の発明によれば、主ランドと補助ランドとは互いに離間した金属膜により形成し、仕切りは該各金属膜間の間隙により構成したので、仕切りの構造をより簡略化でき、これを容易に形成することができる。
【０１４０】
また、請求項５の発明によれば、仕切りには先細り部を形成したから、基板の実装時に先細り部に半田を集中させることができ、基板等が軽量なときであっても、半田を確実に仕切りを乗越えさせることができる。また、半田の流出部位を先細り部に限定することができるから、隣合う主ランドに向けて半田が流出するのを防止でき、複数の主ランド間の短絡を防いで信頼性を高めることができる。
【０１４１】
また、請求項６の発明によれば、補助ランドのうち仕切りと離間した位置には面取り部を形成したから、補助ランドを全面にわたって半田を行き渡らせることができ、補助ランド等の腐食、剥離を防止することができる。
【０１４２】
また、請求項７の発明によれば、ランドは、端面電極に接続された主ランドと、該主ランドと接続され主ランドから離れる方向に延びる複数の補助ランドとにより構成したので、主ランドに半田を付着させるときには、半田を主ランドから下向きに大きく突出させつつ、各補助ランドを少量の半田によって濡れた状態とすることができる。そして、基板をマザーボードに実装するときには、主ランドとマザーボードとの間で潰れて押出された余剰な半田を、これらの半田濡れした各補助ランドに沿って円滑に広げることができる。従って、基板を主ランドと各補助ランドとによって広い面積でマザーボード側に半田付けすることができ、これらの間における半田付けのムラ等を確実に防止できると共に、基板やマザーボードの反り等を確実に吸収でき、両者間の接合強度をより高めることができる。
【０１４３】
また、請求項８の発明によれば、主ランドは円形状または楕円形状に形成する構成としたので、例えば他の形状のランドと比較して一定量の半田を主ランドから下向きに最も大きく突出させることができ、その突出寸法を主ランドの直径等に応じて容易に設定することができる。従って、主ランドに付着させる半田を適切な量に抑えつつ、その突出寸法に応じて基板やマザーボードの反り等を確実に吸収することができる。
【０１４４】
また、請求項９の発明によれば、ランドは円弧部分が１８０°よりも大きな円形状または楕円形状に形成する構成としたので、ランドに付着させる半田を適切な量に抑えつつ、半田をランドから下向きに大きく突出させることができ、その突出寸法に応じて基板やマザーボードの反り等を吸収することができる。また、ランドとマザーボードとの間を半円形状よりも大きな面積をもって接合でき、その接合強度を高めることができる。
【０１４５】
一方、請求項１０の発明による回路基板装置の実装方法によれば、基板の裏面側に主ランドと補助ランドとに区画する仕切りを備えた回路基板装置に対して、基板をマザーボードに載置する前に、予め端面電極から主ランドにわたって半田を取付けるから、主ランドに溜めた十分な量の半田を基板の裏面に突出した突部を形成した状態で固化させることができる。これにより、基板をマザーボードに実装するときには、これらの反り等を半田の突部によって吸収でき、基板とマザーボードとを安定的に接続することができる。また、基板の実装時には、半田が仕切りを越えるから、主ランドと補助ランドの両方をマザーボードの配線パターンに広い面積で半田付けすることができ、基板をマザーボードに高い強度で実装できる。このため、半田の突出寸法とランドの接合面積とを容易に両立でき、信頼性を向上させることができる。
【０１４６】
また、請求項１１の発明によれば、端面電極に接続された主ランドと、該主ランドと接続され主ランドから離れる方向に延びる複数の補助ランドとによるランドを備えた回路基板装置に対して、主ランドに半田を付着させるときには、主ランドには下向きに大きく突出した半田の突部を形成できると共に、各補助ランドには薄肉な半田の拡張部を形成することができる。そして、基板をマザーボードに実装するときには、主ランドとマザーボードとの間で潰れて押出された余剰な半田を、半田の拡張部によって半田濡れした各補助ランドに沿って円滑に広げることができる。従って、基板を主ランドと各補助ランドとによって広い面積でマザーボードの配線パターンに半田付けすることができ、これらの間における半田付けのムラ等を確実に防止できると共に、基板やマザーボードの反り等を確実に吸収でき、両者間の接合強度をより高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態による回路基板装置を示す斜視図である。
【図２】図１中の矢示ＩＩ−ＩＩ方向からみた回路基板装置の縦断面図である。
【図３】図１中の端面電極等を拡大して示す部分拡大斜視図である。
【図４】図３中の矢示ＩＶ−ＩＶ方向からみた部分拡大断面図である。
【図５】モジュール基板の裏面側を示す部分拡大斜視図である。
【図６】モジュール基板の裏面側を示す部分拡大底面図である。
【図７】半田取付工程により端面電極、主ランド等に半田を取付ける状態を示す部分拡大断面図である。
【図８】基板実装工程によりモジュール基板の半田をマザーボード上で溶融させる状態を示す部分拡大断面図である。
【図９】モジュール基板をマザーボードに実装した状態を示す部分拡大断面図である。
【図１０】本発明の第２の実施の形態による回路基板装置を図４と同様位置からみた部分拡大断面図である。
【図１１】本発明の第３の実施の形態による回路基板装置を図５と同様位置からみた部分拡大斜視図である。
【図１２】本発明の第４の実施の形態による回路基板装置を図６と同様位置からみた部分拡大底面図である。
【図１３】本発明の第５の実施の形態による回路基板装置を示す部分拡大底面図である。
【図１４】本発明の第６の実施の形態による回路基板装置を示す部分拡大底面図である。
【図１５】本発明の第７の実施の形態による回路基板装置を示す部分拡大底面図である。
【図１６】モジュール基板の主ランド等に半田を取付けた状態を図１５中の矢示ＸＶＩ−ＸＶＩ方向からみた部分拡大断面図である。
【図１７】図１６中のモジュール基板の裏面側を示す部分拡大底面図である。
【図１８】比較例によるモジュール基板の裏面側を示す部分拡大底面図である。
【図１９】比較例によるモジュール基板をマザーボードに実装した状態で図１８中の矢示ＸＩＸ−ＸＩＸ方向からみた部分拡大断面図である。
【図２０】本発明の第８の実施の形態による回路基板装置を示す部分拡大底面図である。
【図２１】モジュール基板の主ランドから補助ランドにわたって半田が延びた状態を図２０中の矢示ＸＸＩ−ＸＸＩ方向からみた部分拡大断面図である。
【図２２】本発明の第９の実施の形態による回路基板装置を示す部分拡大底面図である。
【図２３】本発明の第１０の実施の形態による回路基板装置を示す部分拡大底面図である。
【図２４】本発明の第１の変形例による回路基板装置を図６と同様位置からみた部分拡大底面図である。
【図２５】本発明の第２の変形例による回路基板装置を図６と同様位置からみた部分拡大底面図である。
【図２６】本発明の第３の変形例による回路基板装置を図６と同様位置からみた部分拡大底面図である。
【図２７】図２６中の矢示ＸＸＶＩＩ−ＸＸＶＩＩ方向からみた部分拡大断面図である。
【図２８】本発明の第４の変形例による回路基板装置を図６と同様位置からみた部分拡大底面図である。
【図２９】本発明の第５の変形例による回路基板装置を図６と同様位置からみた部分拡大底面図である。
【図３０】本発明の第６の変形例による回路基板装置を図６と同様位置からみた部分拡大底面図である。
【図３１】本発明の第７の変形例による回路基板装置を図６と同様位置からみた部分拡大底面図である。
【図３２】本発明の第８の変形例による回路基板装置を図６と同様位置からみた部分拡大底面図である。
【符号の説明】
１，８１　モジュール基板（基板）
１Ａ，８１Ａ　表面
１Ｂ，８１Ｂ　裏面
１Ｃ，８１Ｃ　端面
１Ｄ，８１Ｄ　凹溝
２，８２　端面電極
３　配線パターン
３Ａ　接続部
４　電子部品
５，４１，８３，９１　金属膜
６，４２　レジスト膜
６Ａ，６Ｂ，４２Ａ，４２Ｂ，４２Ｃ　開口
７，７′，７″，４３　仕切り（レジスト部材）
２１　仕切り（シルク部材）
３３，５４　仕切り（間隙）
１１１，１１３　仕切り
８，３１，４４，５１，８４，９２　主ランド
４４Ａ，５１Ａ，８４Ａ，１０１Ａ　円弧状縁部（円弧部分）
９，３２，４５，４６，５２，５３，８５，８６，９３　補助ランド
１０，８８　マザーボード
１１，８９　配線パターン
１２，８７　半田
１２Ａ，８７Ａ　突部
１２′　半田材料
６１，７１，１２１，１２２，１２３，１２４，１２５　先細り部
７２　面取り部
８７Ｂ　拡張部
１０１　ランド
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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