(57)【要約】【課題】速度切替え時の時間短縮を図り、全体としてデータ書込み時間を短縮することができる光ディスク装置における書込み速度切替方法を提供する。【解決手段】段階的に線速度を切替えるゾーンＣＬＶ制御手段３２と、バッファアンダーランが生じた際には、バッファメモリ１６に所定量以上のデータが蓄積されるまでデータ書込みを中断するように制御する記録保護手段３１とを備えた光ディスク装置３０における書込み速度切替え方法であって、書込み速度を切替えるべきアドレスへデータ書込みが到着した際に、記録保護手段３１をバッファメモリ１６内のデータ残量とは無関係に作動させてデータ書込みを一旦中断し、該中断後に書込み時の線速度を切替えてデータ書込みを再開することを特徴とする。【選択図】　　　　図１
2004046976.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光ディスクの外周側へ向かうにしたがって段階的に書込み時の線速度を速くしてデータを書込むように制御するゾーンＣＬＶ制御手段と、
データ書込み前にデータを一旦貯留するバッファメモリ内のデータ残量をチェックし、バッファアンダーランが生じた際には、バッファメモリに所定量以上のデータが蓄積されるまでデータ書込みを中断するように制御する記録保護手段とを備えた光ディスク装置における書込み速度切替え方法であって、
書込み速度を切替えるべきアドレスへデータ書込みが到着した際に、
前記記録保護手段をバッファメモリ内のデータ残量にかかわらずに作動させてデータ書込みを一旦中断し、
該中断後に書込み時の線速度を切替えてデータ書込みを再開することを特徴とする書込み速度切替方法。
【請求項２】
光ディスクの外周側へ向かうにしたがって段階的に書込み時の線速度を速くしてデータを書込むように制御するゾーンＣＬＶ制御手段と、
データ書込み前にデータを一旦貯留するバッファメモリ内のデータ残量をチェックし、バッファアンダーランが生じた際には、バッファメモリに所定量以上のデータが蓄積されるまでデータ書込みを中断するように制御する記録保護手段とを備えた光ディスク装置において、
書込み速度を切替えるべきアドレスへデータ書込みが到着した際に、前記記録保護手段をバッファメモリ内のデータ残量にかかわらずに作動させてデータ書込みを一旦中断し、該中断後に書込み時の線速度を切替えてデータ書込みを再開するように制御する制御手段を具備することを特徴とする光ディスク装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光ディスクの外周側へ向かうにしたがって段階的に書込み時の線速度を速くして書込み可能としたゾーンＣＬＶ方式により制御されている光ディスク装置における書込み速度切替え方法、および光ディスク装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
光ディスクにデータを記録するための光ディスク装置として、ＣＤ−Ｒ（Ｃｏｎｐａｃｔ　Ｄｉｓｃ−Ｒｅｃｏｒｄａｂｌｅ）装置やＣＤ−ＲＷ（Ｃｏｎｐａｃｔ　Ｄｉｓｃ−Ｒｅｗｒｉｔａｂｌｅ）装置が知られている。
【０００３】
光ディスクへデータを書込む際には、書込んだピットの密度が一定となるように書込みの線速度を一定に保つ、いわゆるＣＬＶ（Ｃｏｎｓｔａｎｔ　Ｌｉｎｅｒ　Ｖｅｌｏｃｉｔｙ）方式により光ディスクの回転が制御され、書込みが行なわれていることが一般的である。ＣＬＶ方式では線速度を光ディスク全面で一定に保つため、光ディスクの内周側を書込む際にはスピンドルモータによる光ディスクの回転速度が速くなり、光ディスクの外周側に向かうにしたがって回転速度は遅くなるように制御される。
一方、近年の光ディスク装置においては、従来以上の速度でデータを光ディスクに書込むようにすることが望まれているが、ＣＬＶ方式による場合に単に線速度の上昇だけを行なおうとすると光ディスクの内周側の回転速度が速くなりすぎてしまい、内周側においては確実なデータの書込みが行なわれないという問題があった。
【０００４】
そこで、光ディスクの内周側の回転速度は上げずに光ディスク全体の書込み時間を短縮し、全体として書込みの速度を上げるべく、ゾーンＣＬＶという制御方式により制御される光ディスク装置がある。
ゾーンＣＬＶ方式は、光ディスクの内周側においては低速の線速度一定で書込みを行なうので、内周側における光ディスクの回転速度は従来と同じであるが、光ディスクの外周側に移行するにしたがって、段階的に線速度を上げていこうとする方式である。
【０００５】
ゾーンＣＬＶ方式によるデータ書込みの一例を図６に示す。
この例では、光ディスク１０の最内周のゾーン２では１６倍速で書込み、その外側のゾーン３では２０倍速で書込み、さらに最外周のゾーン４では２４倍速で書込みを行なうという方式である。
このようにゾーンＣＬＶ方式を採用することによって、光ディスク１０の内周側は従来の回転速度で回転するので内周側で書込みエラーを生じさせず、且つ全体として書込み時間の短縮を図れるようになった。
【０００６】
なお、ゾーンＣＬＶ方式においては、原則として線速度の切替えは、データの書込みを連続して行なっている最中にはすることができない。これは、線速度を上昇させた場合に、上昇させた速度で光ディスクから既に書込まれたデータを読み出し、この読み出したデータと、上昇させた速度でこれから書込むべきデータとの位相を合わせて同期を取らなくてはならないためである。
したがって、線速度を切替える際には、データ書込みを一旦中断する必要がある。
【０００７】
なお、データ書込みを一旦中断させるために、バッファアンダーラン（書込むべきデータが無くなってしまい書込みエラーとなるような状態）を防止するために設けられた記録保護手段（バーンプルーフ、ジャストリンク等の名称で知られている）を用いてデータ書込みを中断しているのが現状である。
【０００８】
以下、ゾーンＣＬＶ方式における従来の光ディスク装置の線速度の切替え時の動作について、上記図６、図７および図８を合わせて説明する。図８は、縦軸にバッファメモリ内のデータ残量とスピンドルモータの回転数を表し、横軸に時間を表している。
まず、光ピックアップが光ディスクに形成されたプリグルーブｘに沿ってデータを書込んでいく。光ピックアップが線速度を切替えるべきアドレスＡの近傍（切替え指示アドレスＢ）に接近すると制御手段が切替え指示を出す（図８では時刻ｔ１）。制御手段の切替え指示により、バッファメモリ内に流入するデータが遮断される。
バッファメモリへのデータ流入が遮断されることにより、バッファメモリ内のデータは減少していく。
バッファメモリ内のデータ残量が所定容量よりも減少すると、バッファアンダーランによる書込みエラーを防止するために記録保護手段が作動し、データ書込みが一旦中断される（図８では時刻ｔ２）。
【０００９】
記録保護手段の作動によるデータ書込みの中断後、制御手段はバッファメモリへ流入する蓄積されるデータの遮断を解除する。すると、バッファメモリ内には再びデータが蓄積されていく。
また、データ書込みの中断後、光ピックアップを所定距離だけ戻し、書込み時の線速度を上げながら、既に書込まれたデータと次に書込むべきデータとの間で位相を合わせて同期をとるようにする。
バッファメモリへのデータの蓄積が所定量に到達し、且つ既に書込んだデータとこれから書込むデータとの間で同期がとれた場合には、この切替えた速度でデータの書込みを再開する（図８では時刻ｔ３）。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
上述したように、ゾーンＣＬＶ方式によりデータを書込む場合において、書込み速度を切替える際には、記録保護手段を作動させることによってデータ書込みを一旦中断する必要があった。そして、この記録保護手段の作動は、バッファメモリへのデータの蓄積を遮断させ、バッファアンダーランを故意に生じさせることによって行なわれていた。
このため、バッファメモリへのデータ流入を遮断させるときの実際のバッファメモリ内に蓄積されているデータの量によって、データ流入の遮断からバッファメモリ内のデータ残量が所定量になるまでの時間（図８でいうとｔ３―ｔ１に該当する）がその都度異なることとなる。すなわち、バッファメモリ内のデータ残量がフルに近いほど、データが減少して記録保護手段が起動するまで時間が必要となるので、速度切替えをする位置が遅れてしまう。
速度切替えをする時期が遅くなると、切替え位置までは遅い線速度でデータを書込むこととなるので、その分ディスク全体として記録時間が長時間化してしまうという課題がある。
【００１１】
また、図８に示したように、ＣＬＶで制御している以上、実際のスピンドルモータの回転数は速度切替えが無ければ徐々に遅くなっていく。したがって、バッファメモリの残量がフルに近いほどデータが減少して記録保護手段が起動するまでの時間が遅れてしまうと共に、この時間の遅れと比例して書込み中断時の回転速度もさらに遅くなっていく。
書込み中断時の回転速度が遅くなると、書込み再開時の回転速度を許容最高速度まで上昇させるには時間がかかってしまうので、結局ある程度の回転速度まで上昇したときに書込を再開せざるをえない。
このように、速度切替えをする時期が遅くなると、その分、ディスク全体として記録時間が長時間化してしまうということの他に、書込み再開時にスピンドルモータの回転数が許容最高回転数よりも下がってしまうという課題がある。
【００１２】
本発明者等は、ゾーンＣＬＶ方式における速度切替え時に記録保護手段を作動させる場合に、バッファメモリ内のデータ残量に関わらず記録保護手段を作動させるようにすれば、速度切替えをすべき指示があってから実際に速度が切り替わるまでの時間を短縮することができるのではないかという考えに想到した。
【００１３】
そこで、本発明は上記課題を解決すべくなされ、その目的とするところは、ゾーンＣＬＶ方式で光ディスクにデータを書込む場合に、速度切替え時の時間短縮を図り、全体としてデータ書込み時間を短縮することができる光ディスク装置における書込み速度切替方法、および光ディスク装置を提供することにある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
すなわち、本発明にかかる光ディスク装置における書込み速度切替方法によれば、光ディスクの外周側へ向かうにしたがって段階的に書込み時の線速度を速くしてデータを書込むように制御するゾーンＣＬＶ制御手段と、データ書込み前にデータを一旦貯留するバッファメモリ内のデータ残量をチェックし、バッファアンダーランが生じた際には、バッファメモリに所定量以上のデータが蓄積されるまでデータ書込みを中断するように制御する記録保護手段とを備えた光ディスク装置における書込み速度切替え方法であって、書込み速度を切替えるべきアドレスへデータ書込みが到着した際に、前記記録保護手段をバッファメモリ内のデータ残量にかかわらずに作動させてデータ書込みを一旦中断し、該中断後に書込み時の線速度を切替えてデータ書込みを再開することを特徴としている。
この方法を採用することによって、速度を切替えようとするとき、このときのバッファメモリ内に蓄積されているデータ量にかかわらず記録保護手段を作動させて速度の切替えをする。このため、速度を切替えるべくデータ書込みを中断してから速度を上昇させてデータ書込を再開するまでの時間を従来と比較して短縮することができるので、全体として書込み時間のさらなる短縮を図ることができる。
【００１５】
また、本発明にかかる光ディスク装置によれば、光ディスクの外周側へ向かうにしたがって段階的に書込み時の線速度を速くしてデータを書込むように制御するゾーンＣＬＶ制御手段と、データ書込み前にデータを一旦貯留するバッファメモリ内のデータ残量をチェックし、バッファアンダーランが生じた際には、バッファメモリに所定量以上のデータが蓄積されるまでデータ書込みを中断するように制御する記録保護手段とを備えた光ディスク装置において、書込み速度を切替えるべきアドレスへデータ書込みが到着した際に、前記記録保護手段をバッファメモリ内のデータ残量にかかわらずに作動させてデータ書込みを一旦中断し、該中断後に書込み時の線速度を切替えてデータ書込みを再開するように制御する制御手段を具備することを特徴としている。
この構成を採用することによって、速度を切替えようとするとき、このときのバッファメモリ内に蓄積されているデータ量にかかわらず記録保護手段を作動させて速度の切替えをする。このため、速度を切替えるべくデータ書込みを中断してから速度を上昇させてデータ書込を再開するまでの時間を従来と比較して短縮することができるので、全体として書込み時間のさらなる短縮を図ることができる。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の好適な実施の形態を添付図面に基づいて詳細に説明する。
まず、本発明の動作を図１〜図４に基づいて説明する。図１は、縦軸にバッファメモリ内のデータ残量とスピンドルモータの回転数を表し、横軸に時間を表している。なお、図２と図３において、従来の技術の図６と図７で説明した構成要素と同一の構成要素には同一の符号を付して説明を省略する。
【００１７】
本発明の特徴を端的に言うと、ゾーンＣＬＶにおける線速度の切替え時に、バッファメモリ内のデータ残量がフルに近い状態であってもその残量にかかわらず強制的に記録保護手段を作動させてデータ書込みを中断させることにある。
すなわち、データを書込んでいる光ピックアップ１２が線速度を切替えるべきアドレスＡに到着すると、制御手段２８が速度の切替え指示を出す（図１の時間Ｔ１
）。この切替え指示によって、記録保護手段３１は強制的に作動させられ、データ書込を中断する。このように、記録保護手段３１はバッファメモリ１６内のデータ残量とは無関係に作動するため、記録保護手段３１の作動は速度を切替えるアドレスＡに到着したら行なえば良く、従来のように速度を切替えるアドレスの手前から切替え指示を出さなくともよい。
【００１８】
なお、書込み速度の切替え予定アドレスＡ（ゾーンとゾーンの境界）は、予め与えられている計算式によって算出される。この計算式はここでは詳しくは説明しないが、光ディスクのトラックピッチ等のその光ディスク固有の値や、線速度等を代入することで算出することができる。計算式は、制御手段２８に含まれる図示しないメモリ内に予め記憶されている。
すなわち、切替え予定アドレスの算出は、光ディスク１０の記録面の最内周に位置しているレーザパワーの校正エリアであるＰＣＡ（Ｐｏｗｅｒ　Ｃａｒｉｂｒａｔｉｏｎ　Ａｒｅａ）で、データ書込み試験であるＯＰＣ（Ｏｐｔｉｍｕｍ　Ｐｏｗｅｒ　Ｃｏｎｔｒｏｌ）を行なう際に、計算式に代入すべきトラックピッチ等の各値が計測されるので、これらの値を計算式に代入して、切替えるべき切替え予定アドレスＡを算出する。算出された切替え予定アドレスＡは、図示しないメモリ内に記憶しておく。
【００１９】
記録保護手段３１の作動によるデータ書込みの中断後、光ピックアップ１２を所定距離だけ戻し、書込み時の線速度を上げながら既に書込まれたデータと次に書込むべきデータとの間で同期をとるようにする。
既に書込んだデータとこれから書込むデータとの間で同期がとれた場合には、この切替えた速度でデータの書込みを再開する（図１の時間Ｔ２）。
ここで図１と従来の技術で説明した図８とを比較すると、本発明の動作の方が、速度の切替え指示が出てからデータ書込みの再開までの時間（図１でいうＴ２−Ｔ１）が、バッファメモリのデータ蓄積時間分（図８でいうｔ３−ｔ２）だけ従来よりも短縮されることが明らかである。
【００２０】
次に、図２に基づいて光ディスク装置の構造について説明する。
光ディスク装置３０は、光ディスクの一例としてのＣＤ−ＲまたはＣＤ−ＲＷ等の光ディスク１０にデータを書込み可能な装置である。光ディスク１０は、スピンドルモータ２２の回転軸に設けられたターンテーブル上に載置され、スピンドルモータ２２の駆動によって回転する。
【００２１】
スピンドルモータ２２の光ディスク１０の回転、光ピックアップ１２のトラッキングサーボ、光ピックアップ１２のフォーカスサーボおよび光ピックアップ１２の送り機構２０の制御は、サーボプロセッサ等からなるサーボ制御手段２４が行なう。
【００２２】
また、光ディスク装置３０は、ＳＣＳＩやＡＴＡＰＩ等のインターフェースからなる入出力部２６を介してホストコンピュータ４０とケーブル４１によって接続される。
光ディスク装置３０は、ホストコンピュータ４０からの各コマンドが入力されることで動作が開始され、また通常は、光ディスク１０に書込むべきデータは、ホストコンピュータ４０から転送される。
【００２３】
ホストコンピュータ４０から転送されてくる、光ディスク１０へ書込むべきデータは、入出力部２６を介してバッファメモリ１６に一旦貯留される。バッファメモリ１６としては、４ＭＢ程度の容量を有するＤＲＡＭ等が用いられることが多い。
光ピックアップ１２内のレーザダイオードを制御するレーザドライバ１４がバッファメモリ１６で貯留されたデータを受け取り、光ディスク１０へデータ書込みを行なうようにする。
【００２４】
制御手段２８は、ＣＰＵ、メモリ等から構成されており、該メモリ内に予め記憶されている制御プログラムに基づいて、光ディスク装置３０の全体動作を統括制御する。
制御手段２８には、バッファアンダーランが生じた場合において書込みエラーとして光ディスクを無駄にしないよう、データ書込みを中断する機能を有する記録保護手段３１（バーンプルーフ、ジャストリンク等の名称で呼ばれる機能を有する）が接続されている。記録保護手段３１はこのような機能を有するＩＣ（ＬＳＩ）等である。
記録保護手段３１は、バッファメモリ１６内のデータ残量を常時チェックしており、バッファメモリ１６内のデータが所定容量以下になったら書込を中断するようにサーボ制御手段２４等を制御する。
【００２５】
書込みが中断されたのちも、記録保護手段３１は、バッファメモリ１６のデータ残量をチェックしており、バッファメモリ１６内のデータが所定容量に達したらデータの書込みを再開するようにサーボ制御手段２４等を制御する。
【００２６】
また、制御手段２８には、ゾーンＣＬＶ制御手段３２が設けられている。ゾーンＣＬＶ制御手段３２は、光ディスク１０の内周側からの位置に応じて書込み速度を段階的に高速化させてデータ書込みを行なえるように、サーボ制御手段２４を制御する。
【００２７】
続いて、ゾーンＣＬＶにより書込み速度を切替える際の切替え方法について、図５のフローチャートに基づいて説明する。
ステップＳ１００において、データ書込みが開始されると、ゾーンＣＬＶ制御手段３２は、メモリ内に記憶された速度切替え予定アドレスＣに光ピックアップ１２が到達したか否かを常時チェックするようにする。
ゾーンＣＬＶ制御手段３２が速度切替え予定アドレスＣに光ピックアップ１２が到達したことを検出すると、ステップＳ１０２へ移行し、制御手段２８は、記録保護手段３１を作動させる。そしてステップＳ１０４において、記録保護手段３１は、バッファメモリ１６内のデータ残量とは関係なくデータ書込みを一旦中断するように、サーボ制御手段２４等を制御する。
【００２８】
そして、次のステップＳ１０６では、ゾーンＣＬＶ制御手段３２は、この中断した切替え予定アドレスＡから、光ディスク１０上に既にデータを書込んだプリグルーブｘに沿って所定の距離だけ光ピックアップ１２を内周側に戻すようにサーボ制御手段２４を制御する。なお、ここで所定の距離とはジャンプ後に乱れたスピンドルモータ２２の回転が安定する程度の距離であり、特にどの程度と限定されることはない。
【００２９】
さらに、次のステップＳ１０８において、ゾーンＣＬＶ制御手段３２は、光ピックアップ１２を戻した位置である同期開始アドレスＣから切替え予定アドレスＡへ向けて、次のゾーンで書込むべき速度である線速度で、既に書込んだデータを読み出すようにサーボ制御手段２４を制御する。
このとき、光ピックアップ１２が読み出した信号からＲＦアンプ（図示せず）においてＥＦＭ信号が抽出され、制御手段２８へ入力される。また、書込むべきデータのＥＦＭ信号は、図示しないエンコーダにおいて作成され、制御手段２８へ入力される。
制御手段２８では、読み出したＥＦＭ信号に内部で生成したＥＦＭ信号を合わせて光ディスクに対しての同期をとる。
【００３０】
ステップＳ１１０において、読み出したＥＦＭ信号に内部で生成したＥＦＭ信号を合わせて同期がとれた場合には、切替え予定アドレスＣから続けて中断前よりも速い線速度でデータ書込みを再開するように、ゾーンＣＬＶ制御手段２８はサーボ制御手段２４を制御する。
【００３１】
なお、本実施形態では、ゾーンＣＬＶの線速度の切替えを１６倍速〜２０倍速〜２４倍速の場合について説明したが、線速度の切替えはこのような数字の速度に限定されるものではない。また１枚の光ディスクにおける線速度のゾーンも３つに限定されるものではない。
【００３２】
以上本発明につき好適な実施例を挙げて種々説明したが、本発明はこの実施例に限定されるものではなく、発明の精神を逸脱しない範囲内で多くの改変を施し得るのはもちろんである。
【００３３】
【発明の効果】
本発明に係る光ディスク装置における書込み速度切替方法および光ディスク装置によれば、書込み時の線速度を切替えようとするとき、このときのバッファメモリ内に蓄積されているデータ量にかかわらず記録保護手段を作動させて速度の切替えをするので、速度を切替えるべくデータ書込みを中断してから速度を上昇させてデータ書込を再開するまでの時間を従来と比較して短縮することができ、また速度切替え予定アドレスで確実に速度を上昇させることができ、さらにスピンドルモータの回転数を正確に許容された回転数にまで上昇させることができるので、光ディスク全体としてデータ書込み時間を短縮させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る光ディスク装置の線速度の切替え動作の原理を説明する説明図である。
【図２】線速度切替え時の動作を説明する光ディスク記録面の説明図である。
【図３】線速度切替え時において書込み中断後の動作を説明する光ディスク記録面の説明図である。
【図４】本発明にかかる光ディスク装置の内部構成について説明するブロック図である。
【図５】本発明にかかる書込み速度切替方法を説明するフローチャートである。
【図６】従来の線速度切替え時の動作を説明する光ディスク記録面の説明図である。
【図７】従来の線速度切替え時において書込み中断後の動作を説明する光ディスク記録面の説明図である。
【図８】従来の線速度の切替え動作の原理を説明する説明図である。
【符号の説明】
２，３，４　　ゾーン
１０　　光ディスク
１２　　光ピックアップ
１４　　レーザドライバ
１６　　バッファメモリ
２２　　スピンドルモータ
２４　　サーボ制御手段
２６　　入出力部
２８　　制御手段
３０　　光ディスク装置
３１　　記録保護手段
３２　　制御手段
４０　　ホストコンピュータ
４１　　ケーブル
ｘ　　　　プリグルーブ
【図１】
2004046976.tif 000003
【図２】
2004046976.tif 000004
【図３】
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【図４】
2004046976.tif 000006
【図５】
2004046976.tif 000007
【図６】
2004046976.tif 000008
【図７】
2004046976.tif 000009
【図８】
2004046976.tif 000010