(57)【要約】【課題】縦型熱処理装置により半導体ウエーハ等を熱処理する際、スリップ転位や汚染の発生を効果的に防止することができ、しかも、安価であって、改良が容易であり、さらに長期間にわたって使用することができる熱処理ボートを提供する。【解決手段】少なくとも、複数の支柱４と、各支柱の両端部に連結した一対の板状部材とを有し、前記各支柱に、被処理物を水平に支持するための支持部２が形成されている縦型熱処理用ボートであって、前記各支柱の支持部に、前記被処理物が載置される支持補助部材３が着脱可能に装着されているものであることを特徴とする縦型熱処理用ボート１。例えば、支持補助部材は、下面に設けたガイド手段５、あるいは支持部と支持補助部材に設けたほぞとほぞ穴により支持部に装着される。【選択図】    図１
2004241545.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも、複数の支柱と、各支柱の両端部に連結した一対の板状部材とを有し、前記各支柱に、被処理物を水平に支持するための支持部が形成されている縦型熱処理用ボートであって、前記各支柱の支持部に、前記被処理物が載置される支持補助部材が着脱可能に装着されているものであることを特徴とする縦型熱処理用ボート。
【請求項２】
前記支持補助部材の下面にガイド手段が設けられており、該ガイド手段により前記支持補助部材が前記支持部に装着されるものであることを特徴とする請求項１に記載の縦型熱処理用ボート。
【請求項３】
前記支持部と前記支持補助部材にほぞ加工が施されており、ほぞとほぞ穴により前記支持補助部材が前記支持部に装着されるものであることを特徴とする請求項１に記載の縦型熱処理用ボート。
【請求項４】
前記各支柱の本体に、前記支持補助部材が嵌め込まれる溝が設けられていることを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれか１項に記載の縦型熱処理用ボート。
【請求項５】
前記支持補助部材の上面に鏡面研磨加工が施されていることを特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれか１項に記載の縦型熱処理用ボート。
【請求項６】
前記支持補助部材の上面側の外縁部に面取り加工が施されていることを特徴とする請求項１ないし請求項５のいずれか１項に記載の縦型熱処理用ボート。
【請求項７】
前記支持補助部材の少なくとも表面の材質が、ＳｉＯ２、ＳｉＣまたはＳｉであることを特徴とする請求項１ないし請求項６のいずれか１項に記載の縦型熱処理用ボート。
【請求項８】
半導体ウエーハを熱処理する方法であって、前記請求項１ないし請求項７のいずれか１項に記載の熱処理用ボートを用い、前記各支柱の支持部に装着されている支持補助部材上に前記半導体ウエーハを載置して熱処理を行うことを特徴とする半導体ウエーハの熱処理方法。
【請求項９】
前記半導体ウエーハとして、シリコンウエーハを熱処理することを特徴とする請求項８に記載の半導体ウエーハの熱処理方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、主にシリコンウエーハ等を熱処理する際に使用する縦型熱処理用ボートに関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体単結晶ウエーハ、例えばシリコンウエーハを用いてデバイスを作製する場合、ウエーハの加工プロセスから素子の形成プロセスまで多数の工程が介在し、その一つに熱処理工程がある。熱処理工程は、ウエーハの表層における無欠陥層の形成、ゲッタリング、結晶化、酸化膜形成、不純物拡散等を目的として行われる重要なプロセスである。
【０００３】
このような熱処理工程、例えば、酸化や不純物拡散に用いられる拡散炉（酸化・拡散装置）としては、ウエーハの大口径化に伴い、多数のウエーハを所定の間隔をあけて水平に支持した状態で熱処理を行う縦型の熱処理炉が主に用いられている。そして、縦型熱処理炉を用いてウエーハを熱処理する際には、多数のウエーハをセットするための縦型熱処理用ボート（以下、「熱処理用ボート」又は単に「ボート」という場合がある。）が用いられる。
【０００４】
図３は、一般的な縦型熱処理用ボート１０の概略を示している。４本の支柱（ロッド）１４の両端部に一対の板状部材（連結部材、あるいは天板と底板とも言う）１６が連結されている。各支柱１４には多数のスリット１１が形成され、各スリット１１間の凸部がウエーハの支持部１２として作用する。ウエーハを熱処理する際には、図４（Ａ）（Ｂ）に示したように、各支柱１４の同じ高さに形成されている支持部１２にウエーハＷの外周部を載置することでウエーハＷが水平に支持されることになる。
【０００５】
図５は、縦型熱処理炉の一例を示す概略図である。熱処理炉２０の反応室２２の内部に搬入された熱処理用ボート１０には多数のウエーハＷが水平に支持されている。熱処理の際には、ウエーハＷは、反応室２２の周囲に設けられたヒータ２４によって加熱されることになる。熱処理中、反応室２２にはガス導入管２６を介してガスが導入され、上方から下方に向かって流れてガス排気管２８から外部に排出される。使用するガスは熱処理の目的によって異なるが、主としてＨ２、Ｎ２、Ｏ２、Ａｒ等が用いられる。不純物拡散の場合には、これらのガスを不純物化合物ガスのキャリアガスとしても使用する。
【０００６】
縦型熱処理用ボート１０におけるウエーハ支持部１２は種々の形状が採用されており、図６（Ａ）（Ｂ）はそれぞれ一例を示している。（Ａ）の方は、円柱形状の支柱１４に凹み状のスリット（溝）１１を設けることで半円形の支持部１２を形成したものである。一方、（Ｂ）の方は、（Ａ）のものよりもウエーハＷの中心に近い箇所を支持するために幅の広い角柱形状の支柱１５に凹み状のスリット１１を設けて長方形の支持部１３を形成したものである。他にも、スリット形状を円弧状にしたものや、鉤型状にしたものなどもある。
【０００７】
また、支柱に比較的大きな板状の支持部（支持板）を設けることでウエーハを安定した状態で支持するもの（特許文献１参照）や、各支持部の上面に段差を設けることで直径の異なるウエーハを支持することができるようにしたもの（特許文献２参照）なども提案されている。
【０００８】
ボートの材質に関しては、シリコンウエーハ用としては、ウエーハの汚染を防ぐため、通常、石英（ＳｉＯ２）、炭化珪素（ＳｉＣ）、シリコン（Ｓｉ）等の材料が使用されている。例えば、１０００℃を超えるような高温熱処理工程では、石英（ＳｉＯ２）製のボートよりも耐熱性が高いＳｉＣやＳｉ製のボートが使用されている。特にＳｉＣ製のボートは、Ｓｉ製のものよりも加工が容易な上、ＣＶＤ−ＳｉＣコートを施すことにより熱処理中に発生する金属汚染をより低減させることができることから多く使用されている。
【０００９】
縦型熱処理用ボートを使用すると、特に酸化や不純物拡散等を目的とした高温の熱処理を行う場合、ウエーハの自重による内部応力やウエーハ内温度分布の不均一性による熱歪応力などが生じ、これらの応力がある一定の臨界値を超えると、ウエーハに結晶欠陥であるスリップ（スリップ転位）が発生してしまう。この転位発生の臨界値は高温になると急激に小さくなるため、高温になる程スリップ転位が発生し易くなることが知られている。スリップ転位発生箇所に素子を形成すると、接合リーク等の原因となり、デバイス作製の歩留まりを著しく低下させることがあった。
【００１０】
例えば、図６（Ａ）（Ｂ）に示したような支持部１２，１３を形成したボートを用いたとき、支持部１２，１３の先端と接する箇所にスリップが発生しやすい。これは、ウエーハを水平に保持して高温熱処理を行った場合、ウエーハが自重により撓み、支持部１２，１３の先端において点接触になりやすくなるためと考えられている。
【００１１】
また、特にＣＶＤ−ＳｉＣコートを施した熱処理用ボートでは、その表面は、Ｒａ（中心線平均粗さ）が１μｍ程度と非常に粗いため、支持部にウエーハを載置するとウエーハは微小な隆起状部で点接触として支持されることになる。そのため、ウエーハの自重による内部応力が局部的に大きくなり、スリップが発生しやすいと言われている。
【００１２】
このようなスリップの発生を防ぐため、支持部の先端を面取りしたり、ウエーハ支持部の表面を研磨することにより隆起状部を除去する等の対策が講じられている。
しかし、熱処理ボートの支持部は薄く脆いため、機械等で面取り加工や研磨加工する際に破損が起こりやすいという問題がある。支持部を１つでも破損すると、ボート全体として不良品となってしまう。そのため、完全な鏡面に研磨するには手作業等で行う必要があるが、各支持部の面粗さにバラツキが出やすい上、全ての支持部を鏡面研磨するには多大な労力を必要とし、非常に高価なボートとなってしまう。
【００１３】
また、支持部の表面粗さや先端部の面取りなどの最適形状を確立するためには、様々な表面粗さや面取り形状に設定した種々の熱処理用ボートを作製して数多くの事前実験を行う必要がある。しかし、熱処理ボートは高価なため、多様な熱処理用ボートを揃えて実験することは非常にコストがかかってしまう。
【００１４】
一方、スリップの発生を軽減するため、熱処理用ボートの各支柱に形成された溝に円弧状またはリング状の支持部材を設けたものが提案されている（特許文献３参照）。このような熱処理用ボートを用いれば、ウエーハは支持部材と面接触して内部応力等が緩和され、結果的にスリップの発生が軽減されるというものである。
【００１５】
しかし、例えばシリコンウエーハは４インチ（１００ｍｍ）〜１２インチ（３００ｍｍ）までの様々な直径を有するものが製造されており、上記のような円弧状またはリング状の支持部材も各ウエーハの大きさに合わせたものを用意する必要がある。また、円弧状またはリング状の支持部材はかなり大きなものとなるため製造コストが高く、また、熱処理の際にはウエーハとの接触面積が大きくなることからウエーハが汚染され易いという問題もある。
【００１６】
【特許文献１】
特開平６−２１２０１号公報
【特許文献２】
特開平５−２９１１６６号公報
【特許文献３】
特開平６−２６０４３８号公報
【００１７】
【発明が解決しようとする課題】
これらの問題に鑑み、本発明は、縦型熱処理装置により半導体ウエーハ等を熱処理する際、スリップ転位や汚染の発生を効果的に防止することができ、しかも、安価であって、改良が容易であり、さらに長期間にわたって使用することができる熱処理ボートを提供することを主な目的とする。
【００１８】
【課題を解決するための手段】
前記目的を達成するため、本発明によれば、少なくとも、複数の支柱と、各支柱の両端部に連結した一対の板状部材とを有し、前記各支柱に、被処理物を水平に支持するための支持部が形成されている縦型熱処理用ボートであって、前記各支柱の支持部に、前記被処理物が載置される支持補助部材が着脱可能に装着されているものであることを特徴とする縦型熱処理用ボートが提供される（請求項１）。
【００１９】
このような縦型熱処理用ボートであれば、各支持補助部材を、予め機械加工により所望の形状に精度良く加工した上で各支持部に装着することができる。従って、安価にかつ容易に製造することができるので、改良も容易であり、支持補助部材上にシリコンウエーハ等の被処理物を載置して熱処理を行えば、スリップ転位の発生等を効果的に抑制することができる。また、支持補助部材との接触面積を小さくすることができるので、汚染等も効果的に防ぐことができる。
さらに、このような熱処理用ボートを長時間使用して支持補助部材が劣化した場合には、支持補助部材だけを新品のものと交換すればよく、長期間にわたって使用することができる。
【００２０】
支持補助部材を各支柱の支持部に着脱可能に装着させる手段に関しては、例えば、支持補助部材の下面にガイド手段が設けられており、該ガイド手段により支持補助部材が支持部に装着されるもの（請求項２）、あるいは支持部と支持補助部材にほぞ加工が施されており、ほぞとほぞ穴により支持補助部材が支持部に装着されるもの（請求項３）とすることができる。
【００２１】
このようにガイド手段、あるいは、ほぞとほぞ穴により支持補助部材を支持部に装着するようにすれば、支持補助部材を支持部に安定して固定することができる。また、支持補助部材を容易に着脱することができるので、支持補助部材の交換等の際に非常に便利である。
【００２２】
また、各支柱の本体に、支持補助部材が嵌め込まれる溝を設けても良い（請求項４）。
支持補助部材を支柱の本体に設けた溝に嵌め込むようにすれば、支持補助部材を、支柱の支持部だけでなく本体に対しても位置決めすることができ、一層安定させることができる。従って、ウエーハを支持補助部材に載置したり、離脱させるときに支持補助部材の位置がずれるのを防ぐことができる。
【００２３】
また、支持補助部材の上面に鏡面研磨加工が施されていることが好ましく（請求項５）、また、支持補助部材の上面側の外縁部に面取り加工が施されていることが好ましい（請求項６）。
このように鏡面研磨加工や面取り加工が施された支持補助部材とすれば、熱処理するシリコンウエーハ等のスリップ転位の発生を一層効果的に防止することができる。
【００２４】
前記支持補助部材の少なくとも表面の材質が、ＳｉＯ２、ＳｉＣまたはＳｉであることが好ましい（請求項７）。
支持補助部材の表面を上記のようなシリコンベースの材質とすれば、特にシリコンウエーハの熱処理の際に好適に使用することができる。
【００２５】
さらに、本発明では、半導体ウエーハを熱処理する方法であって、前記本発明の熱処理用ボートを用い、前記各支柱の支持部に装着されている支持補助部材上に前記半導体ウエーハを載置して熱処理を行うことを特徴とする半導体ウエーハの熱処理方法が提供される（請求項８）。
【００２６】
支持補助部材を半導体ウエーハを汚染しない材質で構成し、支持部に装着した支持補助部材上に半導体ウエーハを載置して熱処理を行えば、ウエーハのスリップ転位や金属汚染の発生を効果的に防ぐことができる。また、長時間（長期間）の熱処理により支持補助部材が劣化した場合には、支持補助部材のみを新品に交換すれば良いので、結果的に熱処理のコストを低く抑えて高品質の半導体ウエーハを製造することができる。
【００２７】
特に、シリコンウエーハは汎用性が高いが、スリップ転位が入り易いため、これを抑えることが重要である。そこで、本発明に係る熱処理用ボートを用いてシリコンウエーハの熱処理を行えば（請求項９）、スリップ転位の発生を抑制するとともに、熱処理のコストを低減させることができる。
【００２８】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に係る熱処理用ボートと、これを用いたシリコンウエーハの熱処理について図面を参照しながら具体的に説明する。
図１は、本発明の縦型熱処理用ボートにおける支柱の支持部と支持補助部材の組み合わせの一例を示している。この熱処理用ボート１は、４本の支柱４（１本のみ図示）と、各支柱４の両端部に連結した一対の板状部材（図示せず）とを有している。各支柱４には、それぞれ同じ高さの位置に多数のスリット（第１の溝）７が等間隔で形成されており、スリット７間の凸部がウエーハの支持部２として作用する。そして、この熱処理用ボート１では、各支柱４の支持部２に支持補助部材３が着脱可能に装着される。シリコンウエーハを熱処理する際には、各支柱４の同じ高さの支持部２に装着した支持補助部材３上にウエーハを載置することによりウエーハを水平に支持することができる。
【００２９】
支持補助部材３についてさらに詳しく説明する。支持補助部材３の下面には、図１（Ｂ）に見られるように、支持部２の上面の形状（長方形）に合致したガイド手段５が設けられている。このようなガイド手段５により支持補助部材３が支持部２に対して位置決めされて装着することができる。
また、支柱本体には、支持部２の上面側に支持補助部材３の厚さに相当する溝（第２の溝）６が設けられている。従って、支持補助部材３を、ガイド手段５により支持部２に合わせるとともに支柱本体の溝６に嵌め込むことにより、支柱４の支持部２だけでなく本体に対しても位置決めされ、安定して装着することができる。
【００３０】
なお、ウエーハを支持補助部材３上に載置して熱処理した後、アンロードする際、支持補助部材３とウエーハとが弱い力で貼りついてしまうことがある。しかし、支持補助部材３を支柱本体に設けた溝６に嵌め込んで装着しておけば、熱処理後、ウエーハが支持補助部材３に弱く貼り付いたとしても、アンロードの際にウエーハを支持補助部材３から容易に引き離すことができる。また、支持補助部材３の位置がずれるようなことがなく、位置の修正等の必要がなくなる。
【００３１】
一方、例えば、支持補助部材３のガイド手段５とウエーハ支持部２との間に遊びを設けて支持補助部材３が多少可動できるようにしても良い。熱処理中、ウエーハが熱膨張したときにウエーハ支持部２との摩擦で微小なキズが発生するおそれがある。このような傷はデバイス作製時の露光工程などに影響する場合がある。そこで、支持補助部材３に可動性を与えておけば、ウエーハと支持補助部材３との摩擦が低減され、ウエーハの裏面におけるキズの発生を防ぐことができる。
【００３２】
図２は、支持部と支持補助部材の他の組み合わせを示したものである。この熱処理用ボート１′では、支持部２′と支持補助部材３′にほぞ加工が施されており、支持部２′の両サイドには凹状の穴（ほぞ穴）８が、支持補助部材３′の下面側には支持部２′のほぞ穴８に合致する凸状のほぞ９がそれぞれ形成されている。このように支持部２′と支持補助部材３′にそれぞれ形成したほぞ穴８とほぞ９により支持補助部材３′を支持部２′に装着することができる。なお、支持部２′にほぞ９を形成し、支持補助部材３′にほぞ穴８を形成して装着するようにしても良い。また、図１のものと同様に、支柱本体には支持補助部材３′が嵌め込まれる溝６が形成されており、支持部２′に確実に固定することができる。
【００３３】
なお、支持補助部材の装着手段としては、図１及び図２に示したような機械的手段に限定されず、例えば、熱処理条件に影響を受けず、特定の溶剤で容易に取り外すことができるような接着剤等を用いて支持補助部材を支持部に接着させても良い。
【００３４】
支持補助部材３，３′の材質に関しては、被処理物の材質に応じて適宜決めれば良い。シリコンウエーハの熱処理に使用する場合には、少なくとも表面の材質をＳｉＯ２、ＳｉＣまたはＳｉとすれば、熱処理中の汚染を効果的に防ぐことができる。
【００３５】
また、支持補助部材３，３′の上面は鏡面研磨加工が施されていることが好ましい。ウエーハを熱処理する際、熱処理用ボートの支持部２，２′に装着した支持補助部材３，３′上にウエーハを載置するため、ウエーハの下面の外周部が支持補助部材３，３′の上面と接することになる。従って、支持補助部材３，３′の上面の表面粗さが大きいと、ウエーハと支持補助部材３，３′とが点接触となり、接点に応力が集中して熱処理中にスリップ転位を引き起こすおそれがある。そこで、支持補助部材３，３′の少なくとも上面が鏡面研磨されていれば、ウエーハに対する応力集中を緩和し、スリップ転位の発生を効果的に防ぐことができる。
【００３６】
また、ウエーハを支持補助部材３，３′上に載置したとき、ウエーハは自重によってわずかに撓むことなどから、支持補助部材３，３′の外縁部と接する部分に応力が集中してスリップ転位が生じるおそれがある。従って、支持補助部材３，３′の上面側の外縁部に面取り加工を施しておくことで、スリップ転位の発生を一層効果的に防ぐことができる。
【００３７】
なお、前記したように、従来の熱処理用ボートで研磨加工や面取り加工を施す場合、支持部が脆く、また、支柱に形成された細かい溝の間に加工（研磨加工や面取り加工）を施す必要があることなどから機械加工が困難であった。しかし、本発明の熱処理用ボートでは、支持補助部材３，３′は支柱４とは別に製造されるため、外段取りで個々に機械加工を施すことができる。例えば、図１及び図２に示したように、支持補助部材３，３′の先端部を楕円形に近い形状とし、ウエーハと接触する側の面を研磨装置により平滑化し、さらに角部分を面取り装置により面取り加工を施すことができる。
【００３８】
このような機械加工により種々の形態の支持補助部材を容易に作製することができるため、支持補助部材を、熱処理条件、熱処理装置、支柱の形態等に応じ、適宜好ましい形状等に設定することができる。従って、従来のように事前の実験等において熱処理ボート全体を作製する必要がなく、好ましい形態の熱処理用ボートを安価にかつ迅速に作製し、熱処理条件等にあった最適状態の確認（実験）を事前に実施することができる。
【００３９】
また、ウエーハを支持する面の表面粗さや面取り形状の水準を容易に変更でき、熱処理条件毎にスリップの発生し難い支持補助部材３，３′を準備することができる。また支持補助部材３，３′の交換が容易であり、スリップの発生しやすい部分のみ形状を変えること等も可能である。
【００４０】
本発明の熱処理用ボートを用いてシリコンウエーハの熱処理を行うには、各支柱４の同じ高さの支持部２に装着した支持補助部材３上にシリコンウエーハを載置する。これによりシリコンウエーハは、下面の外周４ヶ所が支持補助部材３と接して水平に支持される。同様にして複数枚のシリコンウエーハを各支持補助部材３を介して水平に支持した後、図５に示されるように、熱処理用ボート１，１′を熱処理炉内に導入し、炉内にガスを供給しながら熱処理を行えば良い。
【００４１】
なお、本発明の熱処理用ボートは、高温で熱処理を行なう場合に特に有効である。高温では熱処理用ボートの劣化が早く、早い段階でスリップ転位の発生が見られるが、本発明の熱処理用ボートでは、支持補助部材を交換すればウエーハを支持する部分が新しいものとなり、スリップ転位の発生を防ぐことができる。
【００４２】
【実施例】
以下、本発明の実施例及び比較例について説明する。
（実施例）
熱処理するウエーハとして、いわゆるＣＺ（Ｃｚｏｃｈｒａｌｓｋｉ）法で育成され、面方位（１００）、直径２００ｍｍ、厚さ７２５μｍの鏡面研磨されたシリコンウエーハを用意した。
熱処理用ボートは、４本の角柱状の支柱を有し、各支柱の支持部に、図１に示したようなガイドを設けた支持補助部材を装着したものを用意した。熱処理用ボート本体（支柱及び板状部材）の材質はＳｉＣであり、表面にはＣＶＤ−ＳｉＣコートを施して表面粗さをＲａ＝１μｍ程度としたものである。また、支持補助部材もＳｉＣ製とした。
【００４３】
なお、支持補助部材については、予め種々の表面粗さと面取り形態のものを作製してウエーハの熱処理試験を行い、最もスリップの発生が少なかった形態のものを選択した。具体的には、ウエーハと接触する上面部分を鏡面研磨によりＲａ＝０．１μｍ程度に平滑化し、また、上面側の外縁部をＲ１０で面取りし、先端部は図１に見られるような楕円形状としたものが最適であった。このような形態の支持補助部材を、各支柱の全ての支持部に装着した。
【００４４】
このような熱処理用ボートを用い、各支柱の支持部に装着した支持補助部材上に上述のシリコンウエーハを水平に載置し、図５に示すような縦型の熱処理炉を用いて熱処理を行った。具体的には、はじめに温度７００℃にてウエーハ（熱処理用ボート）を熱処理炉の下部より導入し、その後、アルゴン雰囲気中で１２００℃まで昇温し、１２００℃で１時間の熱処理を行った。その後７００℃まで降温させ、熱処理炉からウエーハ（熱処理用ボート）を取り出した。このようなウエーハの熱処理を、同じ熱処理用ボートを用いて繰り返し実施した。
【００４５】
（比較例）
各支柱に図６（Ｂ）に示すような溝を設けて支持部１３を形成した熱処理用ボートを用意し、シリコンウエーハを支持部に直接載置して熱処理を行った。
なお、熱処理用ボートは本体の材質がＳｉＣであり、表面にＣＶＤ−ＳｉＣコートを施したものである。また、ウエーハと接する支持部には鏡面研磨加工や面取り加工などの処理を施さず、ウエーハと接する支持部の上面の表面粗さはＲａ＝１μｍ程度であった。
このような熱処理用ボートを用いて実施例と同様の条件でシリコンウエーハの熱処理を繰り返して実施した。
【００４６】
（結果）
実施例及び比較例でそれぞれ熱処理を行った後のウエーハについて、Ｘ線Ｌａｎｇ法にてスリップ転位の発生状況を確認した。
その結果、比較例の熱処理用ボートを使用した場合では、約３０％のウエーハに数ミリ〜数センチ程度の長さのスリップ転位が生じていた。スリップ転位発生の傾向は、図７に示すようにウエーハＷ周辺の少し内側のところにスリップ１８の発生の起点が見られた。ほとんどの起点は、熱処理用ボートのウエーハ支持部の先端位置に対応していた。このことから、ウエーハの熱処理中、特に、ボートの支持部の先端により接触応力が加わり、スリップ転位が生じたことが判る。
一方、実施例で本発明に係る熱処理用ボートを使用した場合には、ウエーハのスリップ転位の発生はほとんど見られなかった。
【００４７】
なお、スリップ転位は、同じ熱処理用ボートを用いて熱処理を繰り返すほど発生し易い傾向があった。特に、比較例の熱処理用ボートでは、熱処理を繰り返すにつれスリップ転位の発生頻度が顕著に増え、ボートの交換が必要であった。
一方、実施例の熱処理用ボートでも繰り返し使用した場合、ウエーハにスリップ転位の発生が見られたが、支持補助部材のみを交換して熱処理用ボート本体はそのまま使用してその後の熱処理を行ったところ、スリップの発生は新品時と同じレベルまで低減することが確認された。
【００４８】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は単なる例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
【００４９】
支柱、支持部、支持補助部材のそれぞれの形状は特に限定されず、支持補助部材の装着の仕方、支持部の間隔等も任意である。例えば、円柱状の支柱を採用し、各支柱に形成した支持部（例えば半円形）に合致する支持補助部材を作製して着脱可能に装着できるようにしても良い。また、被処理物も限定されず、シリコンウエーハ以外の半導体ウエーハ等の熱処理にも好適に適用できる。
【００５０】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の縦型熱処理用ボートは各支柱の支持部に支持補助部材を着脱可能に装着するものであり、支持補助部材の加工が容易であるので、ウエーハとの接触面を所望の形態に設定することができる。従って、この熱処理用ボートを用いてシリコンウエーハの熱処理を行えば、載置部に起因するスリップ転位の発生を防止することができる。また、支持補助部材が劣化した場合には、支持補助部材を交換するだけで良く、ボート本体を長期間使用することができるのでコスト的にも有利である。
【００５１】
さらに、支持補助部材の形状や粗さを変更するだけで、熱処理時におけるウエーハとの接触粗さの影響等に関する実験も低コストで容易に実施でき、改良等を容易に行うことができる。
そして、このような熱処理用ボートを用いて熱処理されたシリコンウエーハは、スリップ転位が少ないものとなるので、素子を形成する段階での接合リーク等の歩留低下も少なく、デバイス工程での歩留も向上する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の縦型熱処理用ボートにおける支柱の支持部と支持補助部材の組み合わせの一例を示す概略図である。
（Ａ）支持部及び支持補助部材（上面側）
（Ｂ）支持補助部材（下面側）
【図２】支柱の支持部と支持補助部材の組み合わせの他の例を示す概略図である。
（Ａ）支持部及び支持補助部材（上面側）
（Ｂ）支持補助部材（下面側）
【図３】縦型熱処理用ボートの一般的な形態を示す概略図である。
【図４】熱処理用ボートにウエーハをセットした状態を示す概略図である。
（Ａ）平面図
（Ｂ）正面図
【図５】縦型熱処理炉の一例を示す概略図である。
【図６】従来の熱処理用ボートにおけるウエーハ支持部を示す概略図である。
（Ａ）半円形の支持部
（Ｂ）長方形の支持部
【図７】スリップ転位の発生状況を示す概略説明図である。
【符号の説明】
１，１′…熱処理用ボート、  ２，２′…支持部、  ３，３′…支持補助部材、
４…支柱、  ５…ガイド手段、  ６…溝（第２の溝）、
７…スリット（第１の溝）、  ８…ほぞ穴、  ９…ほぞ、
１０…熱処理用ボート、  １１…スリット（溝）、  １２，１３…支持部、
１４，１５…支柱、  １６…板状部材（連結部材）、  １８…スリップ、
２０…熱処理炉、  ２２…反応室、  ２４…ヒータ、  ２６…ガス導入管、
２８…ガス排出管、  Ｗ…ウエーハ。
【図１】
2004241545.tif 000003
【図２】
2004241545.tif 000004
【図３】
2004241545.tif 000005
【図４】
2004241545.tif 000006
【図５】
2004241545.tif 000007
【図６】
2004241545.tif 000008
【図７】
2004241545.tif 000009