(57)【要約】【課題】利得と共振周波数が部品によって大幅に異なるマイクロ電気機械装置（ＭＥＭＳ）の制御ループの性能を最適にする調整方法を提供する。【解決手段】ＭＥＭＳミラー制御ループの性能が最適になるようにＭＥＭＳミラー制御装置を特定のＭＥＭＳミラーに対して較正する。この較正を行うには、特定のＭＥＭＳミラーの利得と共振周波数とを測定し（１２）、ＰＩＤコントローラと、状態推定器と、シークを行うのに用いるフィードフォーワード構成要素とを実現するのに用いる１つ以上のパラメータを調整する（１４，１６，１８）。【選択図】　　　図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
マイクロ電気機械（ＭＥＭ）ミラー制御装置を較正する方法であって、ＭＥＭミラーと、状態推定器要素を備えるＭＥＭミラー制御装置とを設けるステップと、
前記ＭＥＭミラーに関連する共振周波数と利得とを測定するステップと、
所定の状態推定器パラメータが前記ＭＥＭミラーの利得と共振周波数とに関連するように前記状態推定器要素を調整するステップと、
を特徴とするＭＥＭミラー制御装置を較正する方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は一般にマイクロ電気機械装置（ＭＥＭＳ）ミラーに関するもので、より詳しくは、ＭＥＭＳミラー制御装置を調整して、ＭＥＭＳミラー制御装置と特定のＭＥＭＳミラーとの間の較正を行う方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ＭＥＭＳミラー制御ループは、利得（所定の電流に対する動き）と共振周波数が大幅に異なる複数のＭＥＭＳミラーを制御する必要がある。部品間に３０％もの相違があることが珍しくない。ＭＥＭＳミラー制御装置を設計するときに、かかる利得と共振周波数の相違は問題である。なぜなら、このようなＭＥＭＳミラーの利得と共振周波数の大幅な相違に対処するには非常に控えめな（ｃｏｎｓｅｒｖａｔｉｖｅ）コントローラが必要だからである。控えめなＭＥＭＳミラー・コントローラを用いると制御性能が最適にならないので望ましくない。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
上に述べたことから、ＭＥＭＳミラー技術において、ＭＥＭＳミラー制御装置を調整して、ＭＥＭＳミラー制御ループの性能が最適になるようにＭＥＭＳミラー制御装置と特定のＭＥＭＳミラーとの間の較正を行う方法を提供することが望ましいしまた利点がある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】
本発明は、ＭＥＭＳミラー制御ループの性能が最適になるように、ミラーの物理的パラメータ（利得と共振周波数）に基づいてＭＥＭＳミラー制御装置を較正する方法に関する。
１つの実施の形態では、マイクロ電気機械（ＭＥＭ）ミラー制御装置を較正する方法は、ＭＥＭミラーと、比例・積分・微分利得要素を備えるＰＩＤコントローラと、状態推定器要素と、ルックアップテーブル・パラメータに関連して定義されるフィードフォーワード制御要素とを有するＭＥＭミラー制御装置とを設けるステップと、ＭＥＭミラーに関連する共振周波数と利得とを測定するステップと、ＰＩＤコントローラ利得要素と状態推定器要素とフィードフォーワード・ルックアップテーブル・パラメータとをＭＥＭミラーの利得と共振周波数との関数として調整するステップとを含む。
【０００５】
本発明の別の実施の形態では、マイクロ電気機械（ＭＥＭ）ミラー制御装置を較正する方法は、ＭＥＭミラーと、比例・積分・微分利得要素を備えるＰＩＤコントローラを有するＭＥＭミラー制御装置とを設けるステップと、ＭＥＭミラーに関連する共振周波数と利得とを測定するステップと、各利得要素がＭＥＭミラーの利得と共振周波数とに関係する望ましい利得を有するようにＰＩＤコントローラ利得要素を調整するステップとを含む。
【０００６】
更に別の実施の形態では、マイクロ電気機械（ＭＥＭ）ミラー制御装置を較正する方法は、ＭＥＭミラーと、状態推定器要素を有するＭＥＭミラー制御装置とを設けるステップと、ＭＥＭミラーに関連する共振周波数と利得とを測定するステップと、所定の状態推定器パラメータがＭＥＭミラーの利得と共振周波数とに関係するように状態推定器要素を調整するステップとを含む。
【０００７】
更に別の実施の形態では、マイクロ電気機械（ＭＥＭ）ミラー制御装置を較正する方法は、ＭＥＭミラーと、望ましいルックアップテーブル・パラメータに関連して定義されるフィードフォーワード制御要素を備えるＭＥＭミラー制御装置とを設けるステップと、ＭＥＭミラーに関連する共振周波数と利得とを測定するステップと、ルックアップテーブル・パラメータがＭＥＭミラーの利得と共振周波数とに関係するようにフィードフォーワード・ルックアップテーブル・パラメータを基準化するステップとを含む。
添付の図面に関連して詳細な説明を参照して本発明を理解することにより、本発明の特徴や利点は明らかになる。
図は特定の実施の形態を示すが、本文の説明から分かるように本発明の他の実施の形態も考えることができる。全ての場合において、この開示は本発明の例示の実施の形態を示すものであって、制限するものではない。当業者は、本発明の原理の範囲と精神に含まれる種々の修正や実施の形態を考えることができる。
【０００８】
【発明の実施の形態】
前に述べたように、ＭＥＭＳミラー制御ループは、利得（所定の電流に対する動き）と共振周波数が大幅に異なる複数のＭＥＭＳミラーを制御する必要がある。部品間に３０％もの相違があることが珍しくない。ＭＥＭＳミラー制御装置を設計するときに、かかる利得と共振周波数の相違は問題である。なぜなら、このようなＭＥＭＳミラーの利得と共振周波数の大幅な相違に対処するには非常に控えめなコントローラが必要だからである。控えめなＭＥＭＳミラー・コントローラを用いると制御性能が最適にならないので望ましくない。
【０００９】
図１は、本発明の１つの実施の形態に従って、ＭＥＭＳミラー制御装置（図２に１００で示す）を調整して、ＭＥＭＳミラー制御ループの性能が最適になるようにＭＥＭＳミラー制御装置１００と特定のＭＥＭＳミラー（図２の「プラント」）との間の較正を行う方法１０を示す流れ図である。方法１０は（１）ＰＩＤ利得と（２）状態推定器パラメータと（３）フィードフォーワード・ブロックの修正を示すが、本発明はこれに制限されるものではない。要素（１）、（２）、（３）の１つ以上の任意の組合わせを本発明の原理に従って修正することができる。制御装置１００の一層詳細な機能的説明は、本特許出願の被譲渡人であるテキサス・インスツルメント社に譲渡されたＥｒｉｃ　Ｇ．　Ｏｅｔｔｉｎｇｅｒの米国特許出願「推定器予測を改善するための誤差フィードバック（Ｒｅｓｉｄｕａｌ　Ｆｅｅｄｂａｃｋ　Ｔｏ　Ｉｍｐｒｏｖｅ　Ｅｓｔｉｍａｔｏｒ　Ｐｒｅｄｉｃｔｉｏｎ）」、文書番号ＴＩ−３４１８５、２００２年５月３１日出願、に開示されている。ＴＩ−３４１８５特許出願全体をここに援用する。特定のミラーの共振周波数と利得（所定の電流に対する動き）とを測定した後、コントローラ（すなわち、制御装置１００）を適宜調整する。本発明者が発見したのは、装置の物理的パラメータに基づいて較正を行うことにより制御が改善されるＭＥＭＳミラー制御装置の要素が３つあることと、かかる較正を行わないとＭＥＭＳミラーに関連する利得と共振周波数の大幅な相違に対処するために非常に控えめなコントローラが必要になることである。控えめなコントローラを用いると装置の性能が最適でなくなる。
【００１０】
本発明者は、広範囲のＭＥＭＳミラーに用いるコントローラを最適にするには３つのコントローラ要素が重要であることを発見した。３つの要素は、ＰＩＤ（比例・積分・微分）利得と、推定器と、迅速なシークを行うのに用いるフィードフォーワード波形とを含む。ＰＩＤ利得は装置（すなわち、制御装置１００）が位置誤差と速度誤差に応答する方法を決定するものであり、次式を用いて較正することができる。
ＫＰ＝ＫＰ＿Ｉｎｉｔ＊ＩｎｖＰｌａｎｔＧａｉｎ
ＫＩ＝ＫＩ＿Ｉｎｉｔ＊ＩｎｖＰｌａｎｔＧａｉｎ＊ＲｅｓＦｒｅｑ
ＫＤ＝ＫＤ＿Ｉｎｉｔ＊ＩｎｖＰｌａｎｔＧａｉｎ／ＲｅｓＦｒｅｑ
【００１１】
推定器はミラーの動きを予測するものである（フィードバック・コントローラにも用いられる）。状態推定器は次式で定義される。
2004029779.tif 000003
ただし、状態Ｘ１は位置、状態Ｘ２は速度、状態Ｘ３は前の制御動作である。項「ｕ」は現在の制御動作である。また本発明者は、ＲｅｓＦｒｅｑ（ＭＥＭＳミラーの共振周波数）とＩｎｖＰｌａｎｔＧａｉｎ（ＭＥＭＳミラーの利得）の相違が上記のマトリクス係数の５つに大きな影響を与え、その関係は次式で定義されることを発見した。
Ｇａｉｎ１＝（ｑＲｅｓＦｒｅｑ／ＮｏｍＲｅｓＦｒｅｑ）＾２
Ｇａｉｎ２＝Ｇａｉｎ１＊（ｑＩｎｖＰｌａｎｔＧａｉｎ／
ＮｏｍＩｎｖＰｌａｎｔＧａｉｎ）
Ａ１３＝ＮｏｍＡ１３＊Ｇａｉｎ２
Ａ２１＝ＮｏｍＡ２１＊Ｇａｉｎ１
Ａ２３＝ＮｏｍＡ２３＊Ｇａｉｎ２
Ｂ１＝ＮｏｍＢ１＊Ｇａｉｎ２
Ｂ２＝ＮｏｍＢ２＊Ｇａｉｎ２
【００１２】
迅速なシークを行うのに用いるフィードフォーワード（ＦＦ）波形は、上に述べたＧａｉｎ２の逆数として基準化するフィードフォーワード・テーブルで識別される。ここで用いるシークという用語は、ＭＥＭＳミラーを１つの角位置から別の角位置に動かす過程を意味する。図２において、ＦＦ要素はフィードフォーワード電流を表す。シークを行うとき、シークを行うのに必要な制御動作に非常に近いＦＦテーブルを介して電流波形が供給される。例えば、全てのフィードバックを遮断した場合に、ＦＦ電流パルスを与えると起点から終点までの大部分を動く。フィードバックを用いないと、装置の変動性のために起点から終点まで正確には動かない。上に述べたＦＦテーブルは、シーク中に動いているときにＭＥＭＳミラーを軌道上に保つのに必要な期待シーク位置（Ｘｒｅｆ）および速度（Ｖｒｅｆ）のデータを含む。シークが終わると（トラッキング中に）、ＦＦ入力はゼロであり、Ｖｒｅｆ（任意の所定のサンプルでの望ましい速度）も０であり（動きが停止している）、Ｘｒｅｆ（望ましい位置）は目標位置である。したがって、シーク中を除けばこれらのパラメータは一定値である（シーク中は、これらのパラメータは起点から終点まで動くのに必要な軌道を定義する）。
【００１３】
図１に戻り、制御装置１００の較正はブロック１２で開始し、まず共振周波数（ＲｅｓＦｒｅｑ）とＭＥＭＳミラー利得（ＩｎｖＰｌａｎｔＧａｉｎ）とを測定して、特定のミラーに関連するこれらの量を明確に識別する。次にブロック１４で、比例・積分・微分利得要素が上の説明で定義した各利得ＫＰ、ＫＩ、ＫＤを有するように、ＭＥＭＳミラーの動きを制御するのに用いるＰＩＤコントローラを調整する。ブロック１６で、状態推定器パラメータＡ１３，Ａ２１，Ａ２３，Ｂ１，Ｂ２を前の説明に従って定義するように、ＰＩＤコントローラに関連する状態推定器を調整する。最後にブロック１８で、ＭＥＭＳミラーの利得と共振周波数に関して前に定義したＧａｉｎ２の逆数としてＦＦテーブル・パラメータを基準化する。
【００１４】
説明を要約すると、１つの実施の形態に係るマイクロ電気機械装置（ＭＥＭＳ）ミラーＰＩＤ制御装置を較正する方法は、（１）ＰＩＤ利得を修正し、（２）状態推定器を修正し、および／または（３）フィードフォーワード・ブロックを修正することである。重要なことは、上記の要素（１）、（２）、（３）は互いに関係がないので、上記の要素（１）、（２）、（３）の任意の組合わせを修正して、本発明の特定の実施の形態を実現してよいことである。
【００１５】
上に述べたことから、本発明はＭＥＭＳミラーの位置決め技術を大幅に改善する方法であることが分かる。また本発明を詳細に説明して、新しい原理を適用しまた必要な特殊な構成要素を構築し使用するのに必要な情報をＭＥＭＳミラー技術の当業者に提供した。上記の説明から、本発明は構造と動作が従来とは非常に異なるものを提示していることは明らかである。本発明の特定の実施の形態について詳細に説明したが、特許請求の範囲に規定されている本発明の精神と範囲から逸れることなく種々の変更、修正、代替を行うことが可能であることを理解すべきである。
【００１６】
以上の説明に関して更に以下の項を開示する。
（１）　マイクロ電気機械（ＭＥＭ）ミラー制御装置を較正する方法であって、ＭＥＭミラーと、状態推定器要素を備えるＭＥＭミラー制御装置とを設けるステップと、
前記ＭＥＭミラーに関連する共振周波数と利得とを測定するステップと、
所定の状態推定器パラメータが前記ＭＥＭミラーの利得と共振周波数とに関連するように前記状態推定器要素を調整するステップと、
を特徴とするＭＥＭミラー制御装置を較正する方法。
【００１７】
（２）　前記コントローラ状態推定器要素は
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で定義され、ただし、状態Ｘ１は位置、状態Ｘ２は速度、状態Ｘ３は前の制御動作、項「ｕ」は現在の制御動作であることを特徴とする、第１項記載のＭＥＭミラー制御装置を較正する方法。
（３）　所定の状態推定器パラメータが前記ＭＥＭミラーの利得と共振周波数とに関係するように前記状態推定器要素を調整する前記ステップは、Ｇａｉｎ１＝（ｑＲｅｓＦｒｅｑ／ＮｏｍＲｅｓＦｒｅｑ）＾２、Ｇａｉｎ２＝Ｇａｉｎ１＊（ｑＩｎｖＰｌａｎｔＧａｉｎ／ＮｏｍＩｎｖＰｌａｎｔＧａｉｎ）、Ａ１３＝ＮｏｍＡ１３＊Ｇａｉｎ２、Ａ２１＝ＮｏｍＡ２１＊Ｇａｉｎ１、Ａ２３＝ＮｏｍＡ２３＊Ｇａｉｎ２、Ｂ１＝ＮｏｍＢ１＊Ｇａｉｎ２、Ｂ２＝ＮｏｍＢ２＊Ｇａｉｎ２、になるようにパラメータＡ１３，Ａ２１，Ａ２３，Ｂ１，Ｂ２を調整することを含むことを特徴とする、第１または２項記載のＭＥＭミラー制御装置を較正する方法。
【００１８】
（４）　前記状態推定器要素は比例・積分・微分利得要素を有するＰＩＤコントローラを含み、
また前記状態推定器を調整する前記ステップは各利得要素が前記ＭＥＭミラーの利得と共振周波数とに関係する望ましい利得を有するように前記ＰＩＤコントローラ利得要素を調整することを含む、
ことを特徴とする第１−３項のいずれか記載のＭＥＭミラー制御装置を較正する方法。
（５）　各利得要素が前記ＭＥＭミラーの利得と共振周波数とに関係する望ましい利得を有するように前記ＰＩＤコントローラ利得要素を調整する前記ステップは、ＫＰ＝ＫＰ＿Ｉｎｉｔ＊ＩｎｖＰｌａｎｔＧａｉｎ　になるように前記比例利得要素ＫＰを調整することを含み、ただし、ＩｎｖＰｌａｎｔＧａｉｎは逆ＭＥＭミラー利得、ＫＰ＿Ｉｎｉｔは初期比例利得要素利得であることを特徴とする、第４項記載のＭＥＭミラー制御装置を較正する方法。
【００１９】
（６）　各利得要素が前記ＭＥＭミラーの利得と共振周波数とに関係する望ましい利得を有するように前記ＰＩＤコントローラ利得要素を調整する前記ステップは、ＫＩ＝ＫＩ＿Ｉｎｉｔ＊ＩｎｖＰｌａｎｔＧａｉｎ＊ＲｅｓＦｒｅｑ　になるように前記比例利得要素ＫＩを調整することを含み、ただし、ＩｎｖＰｌａｎｔＧａｉｎは逆ＭＥＭミラー利得、ＫＩ＿Ｉｎｉｔは初期積分利得要素利得、ＲｅｓＦｒｅｑは前記ＭＥＭミラーの共振周波数であることを特徴とする、第４または５項記載のＭＥＭミラー制御装置を較正する方法。
（７）　各利得要素が前記ＭＥＭミラーの利得と共振周波数とに関係する望ましい利得を有するように前記ＰＩＤコントローラ利得要素を調整する前記ステップは、ＫＤ＝ＫＤ＿Ｉｎｉｔ＊ＩｎｖＰｌａｎｔＧａｉｎ／ＲｅｓＦｒｅｑ　になるように前記微分利得要素ＫＤを調整することを含み、ただし、ＩｎｖＰｌａｎｔＧａｉｎは逆ＭＥＭミラー利得、ＫＤ＿Ｉｎｉｔは初期微分利得要素利得、ＲｅｓＦｒｅｑは前記ＭＥＭミラーの共振周波数であることを特徴とする、第４，５，６項のいずれか記載のＭＥＭミラー制御装置を較正する方法。
【００２０】
（８）　前記ＰＩＤコントローラは状態推定器要素を更に備え、フィードフォーワード制御要素はルックアップテーブル・パラメータに関連して定義され、
前記ルックアップテーブル・パラメータが前記ＭＥＭミラーの利得と共振周波数とに関係するように前記フィードフォーワード・ルックアップテーブル・パラメータを基準化する、
第４−７項のいずれか記載のＭＥＭミラー制御装置を較正する方法。
（９）　前記ルックアップテーブル・パラメータが前記ＭＥＭミラーの利得と共振周波数とに関係するように前記フィードフォーワード・ルックアップテーブル・パラメータを基準化する前記ステップは前記ルックアップテーブル・パラメータをＧａｉｎ２の逆数として基準化することを含み、ただし、Ｇａｉｎ２＝Ｇａｉｎ１＊（ｑＩｎｖＰｌａｎｔＧａｉｎ／ＮｏｍＩｎｖＰｌａｎｔＧａｉｎ）、Ｇａｉｎ１＝（ｑＲｅｓＦｒｅｑ／ＮｏｍＲｅｓＦｒｅｑ）＾２　であり、またＩｎｖＰｌａｎｔＧａｉｎは前記ＭＥＭミラーに関連する逆利得であり、ＮｏｍＲｅｓＦｒｅｑは前記ＭＥＭミラーの名目共振周波数であることを特徴とする、第８項記載のＭＥＭミラー制御装置を較正する方法。
【００２１】
（１０）　ＭＥＭＳミラー制御装置を調整する方法であって、ＭＥＭＳミラー制御ループの性能が最適になるようにＭＥＭＳミラー制御装置を特定のＭＥＭＳミラーに対して較正する。この較正を行うには、特定のＭＥＭＳミラーの利得と共振周波数とを測定し、ＰＩＤコントローラと、状態推定器と、シークを行うのに用いるフィードフォーワード構成要素とを実現するのに用いる１つ以上のパラメータを調整する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の１つの実施の形態に係る、ＭＥＭＳミラー制御装置を調整して、ＭＥＭＳミラー制御ループ性能を最適にするようにＭＥＭＳミラー制御装置と特定のＭＥＭＳミラーとの間の較正を行う方法を示す流れ図。
【図２】図１に示す方法に用いるのに適したＭＥＭＳミラー制御装置を示すブロック図。
【符号の説明】
１２　利得と共振周波数とを測定する
１４　ＰＩＤコントローラの利得を調整する
１６　状態推定器パラメータを調整する
１８　フィードフォーワード・テーブルを基準化する
【図１】
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【図２】
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