(57)【要約】【課題】電気機械結合係数に優れたニオブ酸カリウムを薄膜として作製する場合、Ｎｂに比べてＫの飽和蒸気圧が著しく高いためにＫが蒸発しやすく、作製した薄膜の組成が出発組成と比べてＮｂ過剰側にずれてしまい、電気機械結合係数に劣るという課題があった。【解決手段】ニオブ酸カリウムと３Ｋ２Ｏ・Ｎｂ２Ｏ５の共晶温度以上に保持した基板に、Ｋ２Ｏ：Ｎｂ２Ｏ５＝５０：５０からＫ２Ｏ：Ｎｂ２Ｏ５＝６５：３５までの組成の原料を高堆積速度で堆積し、液相中から組成ずれのない単結晶状のニオブ酸カリウム薄膜を成長させることにより、電気機械結合係数の大きな表面弾性波素子を実現し、周波数フィルタ、周波数発振器の小型化、電子回路および電子機器の省電力化を実現する。【選択図】    図１１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
気相法によるニオブ酸カリウム（ＫＮｂＯ３）薄膜の製造工程において、基板を所定の酸素分圧下でＫＮｂＯ３と３Ｋ２Ｏ・Ｎｂ２Ｏ５との共晶温度以上完全溶融温度以下、すなわちＫＮｂＯ３と液相とが共存する温度領域に保持し、気相原料を基板上に固液共存状態で堆積し、液相中からＫＮｂＯ３を固相として析出させることによりＫＮｂＯ３薄膜を成長させることを特徴とするニオブ酸カリウム単結晶薄膜の製造方法。
【請求項２】
請求項１記載のニオブ酸カリウム単結晶薄膜の製造方法において、気相として蒸発させる出発原料の組成が、Ｋ２Ｏ：Ｎｂ２Ｏ５＝５０：５０からＫ２Ｏ：Ｎｂ２Ｏ５＝６５：３５の間にあることを特徴とするニオブ酸カリウム単結晶薄膜の製造方法。
【請求項３】
請求項１ないし２記載のニオブ酸カリウム単結晶薄膜の製造方法において、上記基板が、その表面において結晶軸が表面に垂直かつ平行な方向ともに配向した構造であり、液相から析出するＫＮｂＯ３が基板を種結晶として単結晶成長することを特徴とするニオブ酸カリウム単結晶薄膜の製造方法。
【請求項４】
請求項３記載のニオブ酸カリウム単結晶薄膜の製造方法において、ニオブ酸カリウム薄膜の製造工程が、単結晶成長後に表面に残留した液相成分の付着層を、物理的あるいは化学的に除去する工程を含むことを特徴とするニオブ酸カリウム単結晶薄膜の製造方法。
【請求項５】
請求項３ないし４記載のニオブ酸カリウム単結晶薄膜の製造方法において、ニオブ酸カリウム薄膜の製造工程が、液相からＫＮｂＯ３を析出させる工程の前に、結晶性向上を目的としてあらかじめ低堆積速度で基板表面をニオブ原子、カリウム原子で終端させる工程を含むことを特徴とするニオブ酸カリウム単結晶薄膜の製造方法。
【請求項６】
請求項３ないし５記載のニオブ酸カリウム単結晶薄膜の製造方法において、上記基板が、シリコン単結晶基板と、前記シリコン単結晶基板上にエピタキシャル成長したバッファ層と、前記バッファ層上にエピタキシャル成長したニオブ酸カリウム単結晶薄膜と、からなる構造であることを特徴とするニオブ酸カリウム単結晶薄膜の製造方法。
【請求項７】
請求項６記載のニオブ酸カリウム単結晶薄膜の製造方法において、上記バッファ層が、シリコンよりも熱力学的に酸素と結合しやすい金属を含むＮａＣｌ型酸化物からなる第一のバッファ層と、前記第一バッファ層上に堆積した単純ペロブスカイト型酸化物からなる第二のバッファ層と、からなることを特徴とするニオブ酸カリウム単結晶薄膜の製造方法。
【請求項８】
請求項６記載のニオブ酸カリウム単結晶薄膜の製造方法において、上記バッファ層が、シリコンよりも熱力学的に酸素と結合しやすい金属を含むフルオライト型酸化物からなる第一のバッファ層と、前記第一バッファ層上に堆積した層状ペロブスカイト型酸化物からなる第二のバッファ層と、前記第二バッファ層上に堆積した単純ペロブスカイト型酸化物からなる第三のバッファ層と、からなることを特徴とするニオブ酸カリウム単結晶薄膜の製造方法。
【請求項９】
請求項３ないし５記載のニオブ酸カリウム単結晶薄膜の製造方法において、上記基板が、単結晶、多結晶、アモルファスのいずれかの基板と、前記基板上に、イオンビーム照射を伴う気相法によって、前記基板の結晶方位とは無関係に面内配向成長したバッファ層と、前記バッファ層上にエピタキシャル成長したニオブ酸カリウム単結晶薄膜と、からなる構造であることを特徴とするニオブ酸カリウム単結晶薄膜の製造方法。
【請求項１０】
請求項９記載のニオブ酸カリウム単結晶薄膜の製造方法において、上記バッファ層が、ＮａＣｌ型酸化物からなる第一のバッファ層と、前記第一バッファ層上に堆積した単純ペロブスカイト型酸化物からなる第二のバッファ層と、からなることを特徴とするニオブ酸カリウム単結晶薄膜の製造方法。
【請求項１１】
請求項９記載のニオブ酸カリウム単結晶薄膜の製造方法において、上記バッファ層が、フルオライト型酸化物からなる第一のバッファ層と、前記第一バッファ層上に堆積した層状ペロブスカイト型酸化物からなる第二のバッファ層と、前記第二バッファ層上に堆積した単純ペロブスカイト型酸化物からなる第三のバッファ層と、からなることを特徴とするニオブ酸カリウム単結晶薄膜の製造方法。
【請求項１２】
請求項１ないし１１記載の製造方法によって作製されたニオブ酸カリウム単結晶薄膜を有することを特徴とする表面弾性波素子。
【請求項１３】
請求項１２記載の表面弾性波素子を含むことを特徴とする周波数フィルタ。
【請求項１４】
請求項１２記載の表面弾性波素子を含むことを特徴とする周波数発振器。
【請求項１５】
請求項１４記載の周波数発振器を含むことを特徴とする電子回路。
【請求項１６】
請求項１３記載の周波数フィルタ、請求項１４記載の周波数発振器、請求項１５記載の電子回路の少なくとも１つを含むことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、情報通信機器に用いられる表面弾性波素子に関し、特に圧電薄膜を用いた表面弾性波素子に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
携帯電話などの移動体通信を中心とした通信分野の著しい発展に伴い、表面弾性波素子の需要が急速に拡大している。表面弾性波素子の開発の方向としては、小型化、高効率化、高周波化の方向にあり、そのためには、より大きな電気機械結合係数（以下ｋ２）、より安定な温度特性、より大きな表面弾性波伝播速度、が必要となる。例えば高周波フィルタとして用いる場合には、損失の小さく帯域幅の広い通過帯域を得るためには高ｋ２が望まれる。共振周波数を高周波化するためには、インターディジタル型電極（Ｉｎｔｅｒ−Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ、以下ＩＤＴ）のピッチのデザインルールの限界からしても、より音速の速い材料が望まれている。さらに、使用温度領域での特性の安定化を得るためには、中心周波数温度係数（ＴＣＦ）が小さいことが必要となる。
【０００３】
表面弾性波素子は、従来、主として圧電体の単結晶上にＩＤＴを形成した構造が用いられてきた。圧電単結晶の代表的なものとしては、水晶、ニオブ酸リチウム（以下ＬｉＮｂＯ３）、タンタル酸リチウム（以下ＬｉＴａＯ３）などである。例えば、広帯域化や通過帯域の低損失化が要求されるＲＦフィルタの場合には、ｋ２の大きいＬｉＮｂＯ３が用いられる。一方、狭帯域でも安定な温度特性が必要なＩＦフィルタの場合は、ＴＣＦの小さい水晶が用いられる。さらに、ｋ２およびＴＣＦがそれぞれＬｉＮｂＯ３と水晶の間にあるＬｉＴａＯ３はその中間的な役割を果たしている。ただし、ｋ２の最も大きいＬｉＴａＯ３でも、ｋ２〜２０％程度であった。
【０００４】
最近ＫＮｂＯ３（ａ＝０．５６９５ｎｍ、ｂ＝０．５７２１ｎｍ、ｃ＝０．３９７３ｎｍ、以下斜方晶としては本指数表示に従う）単結晶において、大きなｋ２の値を示すカット角が見出された。Ｅｌｅｔｒｏｎ．Ｌｅｔｔ．Ｖｏｌ．３３（１９９７）１９３．に記載されているように、０°ＹカットＸ伝播（以下０°Ｙ−Ｘ）ＫＮｂＯ３単結晶板が、ｋ２＝５３％と非常に大きな値を示すことが計算によって予測された。さらに、Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｖｏｌ．３７（１９９８）２９２９．に記載されているように、０°Ｙ−ＸＫＮｂＯ３単結晶板がｋ２〜５０％の大きな値を示すことが実験でも確認され、４５°から７５°までの回転Ｙ−ＸＫＮｂＯ３単結晶基板を用いたフィルタの発振周波数が、室温付近で零温度特性を示すことが報告されている。これらの０°Ｙ−Ｘを含めた回転Ｙ−ＸＫＮｂＯ３単結晶板は、特開平１０−６５４８８で出願されている。
【０００５】
圧電単結晶基板を用いた表面弾性波素子では、ｋ２、温度係数、音速などの特性は材料固有の値であり、カット角および伝播方向で決定される。０°Ｙ−ＸＫＮｂＯ３単結晶基板はｋ２に優れるが、４５°から７５°までの回転Ｙ−ＸＫＮｂＯ３単結晶基板のような零温度特性は室温付近において示さない。また、伝播速度は同じペロブスカイト型酸化物であるＳｒＴｉＯ３やＣａＴｉＯ３に比べて遅い。このように、ＫＮｂＯ３単結晶基板を用いるだけでは、高音速、高ｋ２、零温度特性を全て満足させることはできない。
【０００６】
そこで、何らかの基板上に圧電体薄膜を堆積し、その膜厚を制御して、音速やｋ２、温度特性を向上させることが期待される。Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｖｏｌ．３２（１９９３）２３３７．に記載されているようなサファイア基板上に酸化亜鉛（以下ＺｎＯ）薄膜を形成したもの、あるいはＪｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｖｏｌ．３２（１９９３）Ｌ７４５．に記載されているようなサファイア基板上にＬｉＮｂＯ３薄膜を形成したものなどが挙げられる。従って、ＫＮｂＯ３についても、基板上に薄膜化して、諸特性を全て向上させることが期待される。
【０００７】
ここで圧電薄膜としては、そのｋ２、温度特性を引き出すために最適な方向に配向することが望ましく、リーキー波伝播に伴う損失をなるべく小さくするためには、平坦で緻密なエピタキシャル膜であることが望ましい。ここでｋ２〜５０％のＹ−ＸＫＮｂＯ３は、擬立方晶（１００）に相当し、ｋ２〜１０％の９０°Ｙ−ＸＫＮｂＯ３は、擬立方晶（１１０）に相当する。従って例えば、ＳｒＴｉＯ３（１００）あるいは（１１０）単結晶基板を用いることで、ｋ２〜５０％のＹ−ＸＫＮｂＯ３薄膜あるいはｋ２〜１０％の９０°Ｙ−ＸＫＮｂＯ３薄膜を得ることができる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、これらのＫＮｂＯ３圧電薄膜を用いた表面弾性波素子には、以下の問題点があった。
【０００９】
ＫＮｂＯ３薄膜の作製に際しては、Ｎｂに比べてＫの飽和蒸気圧が著しく高いたために、Ｎｂに比べてＫが蒸発しやすく、作製後の薄膜における組成が出発組成と比べてＮｂ過剰側にずれるという問題があった。この組成ずれを補償するために、例えばＡｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．Ｖｏｌ．６８（１９９６）１４８８．に報告されているように、レーザーアブレーション法を用いてＫＮｂＯ３薄膜を作製する場合、あらかじめＫを過剰にしたターゲットが用いられていた。ところが、図１に示すＫ２Ｏ−Ｎｂ２Ｏ５の相図（Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．Ｖｏｌ．７７（１９５５）２１１７．から明らかなように、ＫＮｂＯ３のＫ過剰組成側には３Ｋ２Ｏ・Ｎｂ２Ｏ５化合物が存在し、ＫＮｂＯ３と３Ｋ２Ｏ・Ｎｂ２Ｏ５の共晶温度８４５℃以下ではＫＮｂＯ３と３Ｋ２Ｏ・Ｎｂ２Ｏ５がともに固相として共存し、ＫＮｂＯ３のＮｂ過剰組成側には２Ｋ２Ｏ・３Ｎｂ２Ｏ５化合物が存在し、ＫＮｂＯ３の融点である１０３９℃以下ではＫＮｂＯ３と２Ｋ２Ｏ・３Ｎｂ２Ｏ５がともに固相として共存する。従って、レーザーによってアブレーションされた出発原料が基板に到達した時点で厳密にＫ：Ｎｂ＝５０：５０の組成となっていなければ、Ｋ過剰側にずれてもＮｂ過剰側にずれても作製された薄膜は異相を含み、単一相は得られないことになる。
【００１０】
ここで、ＫＮｂＯ３バルク単結晶の場合は、Ｋ：Ｎｂ＝５０：５０よりもわずかにＫ過剰組成の液相中から種結晶による引き上げ（Ｔｏｐ  Ｓｅｅｄｅｄ  Ｓｏｌｕｔｉｏｎ  Ｇｒｏｗｔｈ（ＴＳＳＧ）法）などによって大型の単結晶が得られている（Ｊ．Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｇｒｏｗｔｈ  Ｖｏｌ．７８（１９８６）４３１．）。これは、図１のＫ２Ｏ−Ｎｂ２Ｏ５二元系状態図において、Ｋ２Ｏ：Ｎｂ２Ｏ５＝５０：５０からＫ２Ｏ：Ｎｂ２Ｏ５＝６５：３５程度までの間の組成を有する出発原料を、ＫＮｂＯ３と３Ｋ２Ｏ・Ｎｂ２Ｏ５の共晶温度８４５℃以上に存在するＫＮｂＯ３と液相との共存領域に置くことにより、得られる。即ち図２において、組成Ｃ１を有する出発原料を液相線温度Ｔｌ１から結晶成長温度Ｔｌ２へ冷却したとき、液相中からＫＮｂＯ３が析出し、液相はＴｌ２を液相線温度とする組成Ｃ２までＫ過剰側にずれる。このときの結晶成長速度はＣ１−Ｃ２が大きいほど速くなるので、ＫＮｂＯ３よりも若干Ｋ過剰ではあるがＫＮｂＯ３に近い組成を、なるべくＫＮｂＯ３と３Ｋ２Ｏ・Ｎｂ２Ｏ５の共晶温度８４５℃付近まで冷却することが望ましい。ただし、以上の挙動は、大気中においてのものであり、しかも大量の液相中からＫＮｂＯ３バルク単結晶を成長させる場合においてのものである。
【００１１】
そこで本発明は、大気中で液相中から単結晶を析出させる結晶成長プロセスを減圧下の気相法による薄膜作製プロセスに適用し、各種単結晶基板上で高品質なＫＮｂＯ３単結晶薄膜をエピタキシャル成長させ、さらには、高周波化に対応できｋ２が高く、小型化や省電力化の効果の期待できる表面弾性波素子を提供することを目的としている。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
〔ニオブ酸カリウム薄膜の製造方法〕
請求項１記載のニオブ酸カリウム単結晶薄膜の製造方法は、気相法によるニオブ酸カリウム薄膜の製造工程において、基板を所定の酸素分圧下でＫＮｂＯ３と３Ｋ２Ｏ・Ｎｂ２Ｏ５との共晶温度以上完全溶融温度以下、すなわちＫＮｂＯ３と液相とが共存する温度領域に保持し、気相原料を基板上に固液共存状態で堆積し、液相中からＫＮｂＯ３を固相として析出させることによりＫＮｂＯ３薄膜を成長させることを特徴とする。
【００１３】
上記方法によれば、液相中から単結晶状のニオブ酸カリウム薄膜を得ることができ、電気機械結合係数に優れた表面弾性波素子が得られるという効果を有する。
【００１４】
請求項２記載のニオブ酸カリウム単結晶薄膜の製造方法は、請求項１記載のニオブ酸カリウム単結晶薄膜の製造方法において、気相として蒸発させる出発原料の組成が、Ｋ２Ｏ：Ｎｂ２Ｏ５＝５０：５０からＫ２Ｏ：Ｎｂ２Ｏ５＝６５：３５の間にあることを特徴とする。
【００１５】
上記方法によれば、Ｋ：Ｎｂ＝５０：５０からの組成ずれのないニオブ酸カリウム単結晶薄膜を得ることができ、電気機械結合係数に優れた表面弾性波素子が得られるという効果を有する。
【００１６】
請求項３記載のニオブ酸カリウム単結晶薄膜の製造方法は、請求項１ないし２記載のニオブ酸カリウム単結晶薄膜の製造方法において、上記基板が、その表面において結晶軸が表面に垂直かつ平行な方向ともに配向した構造であり、液相から析出するＫＮｂＯ３が基板を種結晶として単結晶成長することを特徴とする。
【００１７】
上記方法によれば、基板を種結晶として薄膜全体にわたって配向方向がそろったニオブ酸カリウム単結晶薄膜を得ることができ、電気機械結合係数に優れた表面弾性波素子が得られるという効果を有する。
【００１８】
請求項４記載のニオブ酸カリウム単結晶薄膜の製造方法は、請求項３記載のニオブ酸カリウム単結晶薄膜の製造方法において、ニオブ酸カリウム薄膜の製造工程が、単結晶成長後に表面に残留した液相成分の付着層を、物理的あるいは化学的に除去する工程を含むことを特徴とする。
【００１９】
上記方法によれば、Ｋ：Ｎｂ＝５０：５０からＫ過剰側に組成のずれた液相成分を除去することによって単一相のニオブ酸カリウム単結晶薄膜を得ることができ、電気機械結合係数に優れた表面弾性波素子が得られるという効果を有する。
【００２０】
請求項５記載のニオブ酸カリウム単結晶薄膜の製造方法は、請求項３ないし４記載のニオブ酸カリウム単結晶薄膜の製造方法において、ニオブ酸カリウム薄膜の製造工程が、液相からＫＮｂＯ３を析出させる工程の前に、結晶性向上を目的としてあらかじめ低堆積速度で基板表面をニオブ原子、カリウム原子で終端させる工程を含むことを特徴とする。
【００２１】
上記方法によれば、ニオブ酸カリウム単結晶薄膜の結晶性を向上させることができ、電気機械結合係数に優れた表面弾性波素子が得られるという効果を有する。
【００２２】
請求項６記載のニオブ酸カリウム単結晶薄膜の製造方法は、請求項３ないし５記載のニオブ酸カリウム単結晶薄膜の製造方法において、上記基板が、シリコン単結晶基板と、前記シリコン単結晶基板上にエピタキシャル成長したバッファ層と、前記バッファ層上にエピタキシャル成長したニオブ酸カリウム単結晶薄膜と、からなる構造であることを特徴とする。
【００２３】
上記方法によれば、ニオブ酸カリウム単結晶薄膜をシリコン単結晶基板の上に成長させることができ、電気機械結合係数に優れた表面弾性波素子が低コストで得られるという効果を有する。
【００２４】
請求項７記載のニオブ酸カリウム単結晶薄膜の製造方法は、請求項６記載のニオブ酸カリウム単結晶薄膜の製造方法において、上記バッファ層が、シリコンよりも熱力学的に酸素と結合しやすい金属を含むＮａＣｌ型酸化物からなる第一のバッファ層と、前記第一バッファ層上に堆積した単純ペロブスカイト型酸化物からなる第二のバッファ層と、からなることを特徴とする。
【００２５】
上記方法によれば、高品質のニオブ酸カリウム単結晶薄膜をシリコン単結晶基板の上にエピタキシャル成長させることができ、電気機械結合係数に優れた表面弾性波素子が低コストで得られるという効果を有する。
【００２６】
請求項８記載のニオブ酸カリウム単結晶薄膜の製造方法は、請求項６記載のニオブ酸カリウム単結晶薄膜の製造方法において、上記バッファ層が、シリコンよりも熱力学的に酸素と結合しやすい金属を含むフルオライト型酸化物からなる第一のバッファ層と、前記第一バッファ層上に堆積した層状ペロブスカイト型酸化物からなる第二のバッファ層と、前記第二バッファ層上に堆積した単純ペロブスカイト型酸化物からなる第三のバッファ層と、からなることを特徴とする。
【００２７】
上記方法によれば、高品質のニオブ酸カリウム単結晶薄膜をシリコン基板の上にエピタキシャル成長させることができ、電気機械結合係数に優れた表面弾性波素子が低コストで得られるという効果を有する。
【００２８】
請求項９記載のニオブ酸カリウム単結晶薄膜の製造方法は、請求項３ないし５記載のニオブ酸カリウム単結晶薄膜の製造方法において、上記基板が、単結晶、多結晶、アモルファスのいずれかの基板と、前記基板上に、イオンビーム照射を伴う気相法によって、前記基板の結晶方位と無関係に面内配向成長したバッファ層と、前記バッファ層上にエピタキシャル成長したニオブ酸カリウム単結晶薄膜と、からなる構造であることを特徴とする。
【００２９】
上記方法によれば、ニオブ酸カリウム単結晶薄膜を任意の基板の上に成長させることができ、電気機械結合係数に優れた表面弾性波素子が低コストで得られるという効果を有する。
【００３０】
請求項１０記載のニオブ酸カリウム単結晶薄膜の製造方法は、請求項９記載のニオブ酸カリウム単結晶薄膜の製造方法において、上記バッファ層が、ＮａＣｌ型酸化物からなる第一のバッファ層と、前記第一バッファ層上に堆積した単純ペロブスカイト型酸化物からなる第二のバッファ層と、からなることを特徴とする。
【００３１】
上記方法によれば、ニオブ酸カリウム単結晶薄膜を任意の基板の上に成長させることができ、電気機械結合係数に優れた表面弾性波素子が低コストで得られるという効果を有する。
【００３２】
請求項１１記載のニオブ酸カリウム単結晶薄膜の製造方法は、請求項９記載のニオブ酸カリウム単結晶薄膜の製造方法において、上記バッファ層が、フルオライト型酸化物からなる第一のバッファ層と、前記第一バッファ層上に堆積した層状ペロブスカイト型酸化物からなる第二のバッファ層と、前記第二バッファ層上に堆積した単純ペロブスカイト型酸化物からなる第三のバッファ層と、からなることを特徴とする。
【００３３】
上記方法によれば、ニオブ酸カリウム単結晶薄膜を任意の基板の上に成長させることができ、電気機械結合係数に優れた表面弾性波素子が低コストで得られるという効果を有する。
【００３４】
〔表面弾性波素子〕
請求項１２記載の表面弾性波素子は、請求項１ないし１１記載の製造方法によって作製されたニオブ酸カリウム単結晶薄膜を有することを特徴とする。
【００３５】
上記方法によれば、電気機械結合係数の大きなニオブ酸カリウム単結晶薄膜を用いることによって、表面弾性波素子の小型化を実現することができるという効果を有する。
【００３６】
〔周波数フィルタ〕
請求項１３記載の周波数フィルタは、請求項１２記載の表面弾性波素子を含むことを特徴とする。
【００３７】
上記方法によれば、電気機械結合係数の大きなニオブ酸カリウム単結晶薄膜を用いることによって、フィルタ特性の広帯域化を実現することができるという効果を有する。
【００３８】
〔周波数発振器〕
請求項１４記載の周波数発振器は、請求項１２記載の表面弾性波素子を含むことを特徴とする。
【００３９】
上記方法によれば、電気機械結合係数の大きなニオブ酸カリウム単結晶薄膜を用いることによって、周波数発振器の小型化を実現することができるという効果を有する。
【００４０】
〔電子回路〕
請求項１５記載の電子回路は、請求項１４記載の周波数発振器を含むことを特徴とする。
【００４１】
上記方法によれば、電気機械結合係数の大きなニオブ酸カリウム単結晶薄膜を用いることによって、電子回路の省電力化を実現することができるという効果を有する。
【００４２】
〔電子機器〕
請求項１６記載の電子機器は、請求項１３記載の周波数フィルタ、請求項１４記載の周波数発振器、請求項１５記載の電子回路の少なくとも１つを含むことを特徴とする。
【００４３】
上記方法によれば、電気機械結合係数の大きなニオブ酸カリウム単結晶薄膜を用いることによって、電子機器の小型化、広帯域化、省電力化を実現することができるという効果を有する。
【００４４】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
〔ニオブ酸カリウム薄膜の製造方法の第１の実施形態〕
図３、４はそれぞれ、本発明におけるニオブ酸カリウム単結晶薄膜の製造方法の第１の実施形態を表す断面図であり、反射高速電子線回折（Ｒｅｆｌｅｃｔｉｏｎ  Ｈｉｇｈ  Ｅｎｅｒｇｙ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ（ＲＨＥＥＤ））により観察された基板表面の回折パターンである。
【００４５】
本実施の形態に係るニオブ酸カリウム単結晶薄膜１００は、ＳｒＴｉＯ３単結晶基板１１と、前記ＳｒＴｉＯ３単結晶基板１１上にエピタキシャル成長したＫ、Ｎｂ、Ｏからなる初期層１２と、前記初期層１２上にエピタキシャル成長したＫＮｂＯ３単結晶層１３とからなる。ＳｒＴｉＯ３単結晶基板１１であるが、ここでは（１００）基板が用いられている。初期層１２であるが、ＳｒＴｉＯ３からＫＮｂＯ３へ構造が移行するための界面層であり、構造および組成は限定されないが、ＳｒＴｉＯ３基板１１上にエピタキシャル成長していればよく、その厚さは５ｎｍである。ＫＮｂＯ３単結晶層１３であるが、ここではＫＮｂＯ３単結晶薄膜が、斜方晶（００１）配向または斜方晶（１１０）配向でエピタキシャル成長している。
【００４６】
次に、上述したニオブ酸カリウム単結晶薄膜の製造方法について述べる。
【００４７】
ＳｒＴｉＯ３単結晶基板１１を有機溶媒に浸漬させ、超音波洗浄機を用いて脱脂洗浄を行う。ここで、有機溶媒としては、例えばエチルアルコールとアセトンの１：１混合液を使用することができるが、これに限るものではない。
【００４８】
脱脂洗浄したＳｒＴｉＯ３単結晶基板１１を基板ホルダーに装填したあと、室温での背圧１×１０−８Ｔｏｒｒの真空装置内に基板ホルダーごと導入し、１×１０−２Ｔｏｒｒの酸素分圧になるように酸素ガスを導入し、赤外線ランプを用いて２０℃／分で５００℃まで加熱昇温する（図３（ａ））。このとき、図４（ａ）に示されるように、ＳｒＴｉＯ３＜０１０＞方向からのＲＨＥＥＤパターンにはストリーク状の回折パターンが観測される。なお、昇温速度、基板温度、圧力などの条件は、これに限るものではない。
【００４９】
次に、Ｋ１．２ＮｂＯｘターゲット表面に、エネルギー密度２．５Ｊ／ｃｍ２、周波数１Ｈｚ、パルス長１０ｎｓの条件でＫｒＦエキシマレーザー（波長２４８ｎｍ）のパルス光を入射し、ターゲット表面にＫ、Ｎｂ、Ｏのプラズマプルームを発生させる。このプラズマプルームを、基板温度５００℃、酸素分圧１×１０−２Ｔｏｒｒの条件で、ターゲットから４０ｍｍ離れた位置にあるＳｒＴｉＯ３単結晶基板１１に２分間照射し、Ｋ１．２ＮｂＯｘ層１４を２ｎｍ堆積した（図３（ｂ））。図４（ｂ）に示されるように、ＳｒＴｉＯ３＜０１０＞方向からのＲＨＥＥＤパターンからは回折パターンが消え、Ｋ１．２ＮｂＯｘ層１４はエピタキシャル成長しない。その後再び赤外線ランプを用いて２０℃／分で８５０℃まで加熱昇温すると、図４（ｃ）に示されるように、７５０〜８００℃でスポットパターンが現れ、８００℃以上では変化しなかった。即ち、８００℃以上ではＫ１．２ＮｂＯｘ層がＫＮｂＯ３と液相の共存状態になった後、液相のほとんどが蒸発し（図３（ｃ））、残ったＫＮｂＯ３が基板と反応してＫ、Ｎｂ、Ｓｒ、Ｔｉ、Ｏからなる表面を形成したと考えられる。従って、酸素分圧１×１０−２Ｔｏｒｒにおける共晶温度は７５０〜８００℃にあることが分かった。なお、照射時の各条件は、レーザーエネルギー密度が２Ｊ／ｃｍ２以上３Ｊ／ｃｍ２以下、レーザー周波数が１Ｈｚ以下、ターゲット基板間距離が３０ｍｍ以上５０ｍｍ以下、基板温度が７００℃以下、堆積中の酸素分圧が１×１０−３Ｔｏｒｒ以上１×１０−１Ｔｏｒｒ以下が望ましいが、Ｋ、Ｎｂプラズマが十分基板に到達できるのであれば、各条件はこれに限るものではない。さらに、ターゲットとして、Ｋ１．２ＮｂＯｘの代わりにＫ２Ｏ：Ｎｂ２Ｏ５＝５０：５０からＫ２Ｏ：Ｎｂ２Ｏ５＝６５：３５までの組成のターゲットを用いても同様の効果が得られる。
【００５０】
次に、Ｋ１．２ＮｂＯｘターゲット表面に、エネルギー密度２．５Ｊ／ｃｍ２、周波数１Ｈｚ、パルス長１０ｎｓの条件でＫｒＦエキシマレーザーのパルス光を入射し、発生したＫ、Ｎｂ、Ｏのプラズマプルームを、基板温度８００℃、酸素分圧１×１０−２Ｔｏｒｒの条件で、ターゲットから４０ｍｍ離れた位置にあるＳｒＴｉＯ３単結晶基板１１に５分間照射し、Ｋ、Ｎｂ、Ｏからなる初期層１２を５ｎｍ堆積した（図３（ｄ））。図４（ｄ）に示されるように、ＳｒＴｉＯ３＜０１０＞方向からのＲＨＥＥＤパターンにはスポット状の回折パターンが現れ、初期層１２がエピタキシャル成長した。なお、各条件は、レーザーエネルギー密度が２Ｊ／ｃｍ２以上３Ｊ／ｃｍ２以下、レーザー周波数が１Ｈｚ以下、ターゲット基板間距離が３０ｍｍ以上５０ｍｍ以下、基板温度が７５０℃以上８５０℃以下、堆積中の酸素分圧が１×１０−３Ｔｏｒｒ以上１×１０−１Ｔｏｒｒ以下が望ましいが、Ｋ、Ｎｂプラズマが十分基板に到達でき、初期層として低堆積速度でエピタキシャル成長できるのであれば、各条件はこれに限るものではない。さらに、ターゲットとして、Ｋ１．２ＮｂＯｘの代わりにＫ２Ｏ：Ｎｂ２Ｏ５＝５０：５０からＫ２Ｏ：Ｎｂ２Ｏ５＝６５：３５までの組成のターゲットを用いても同様の効果が得られる。
【００５１】
次に、Ｋ１．２ＮｂＯｘターゲット表面に、エネルギー密度２．５Ｊ／ｃｍ２、周波数２０Ｈｚ、パルス長１０ｎｓの条件でＫｒＦエキシマレーザーのパルス光を入射し、Ｋ、Ｎｂ、Ｏのプラズマプルームを、基板温度８００℃、酸素分圧１×１０−２Ｔｏｒｒの条件で、ターゲットから４０ｍｍ離れた位置にあるＳｒＴｉＯ３単結晶基板１１に６０分間照射し、Ｋ１．２ＮｂＯｘ層１５を５００ｎｍ堆積した。ここでＫ１．２ＮｂＯｘ層１５中には固相と液相が共存しており、図３（ｅ）に示されるように、基板を結晶成長の核として、ＫＮｂＯ３単結晶層１３が４００ｎｍ成長し、その上に液相１６が１００ｎｍ残留した。図４（ｅ）に示されるように、ＳｒＴｉＯ３＜０１０＞方向からのＲＨＥＥＤパターンには図４（ｄ）のような明確な回折パターンは現れず、表面に液相１６が存在していることが分かる。なお、各条件は、レーザーエネルギー密度が２Ｊ／ｃｍ２以上３Ｊ／ｃｍ２以下、レーザー周波数が１０Ｈｚ以上、ターゲット基板間距離が３０ｍｍ以上５０ｍｍ以下、基板温度が７５０℃以上８５０℃以下、堆積中の酸素分圧が１×１０−３Ｔｏｒｒ以上１×１０−１Ｔｏｒｒ以下が望ましいが、Ｋ、Ｎｂのプラズマが十分基板に到達でき、かつＫの蒸気圧を高くして基板からのＫの蒸発を抑えることができるならば、各条件はこれに限るものではない。さらに、ターゲットとして、Ｋ１．２ＮｂＯｘの代わりにＫ２Ｏ：Ｎｂ２Ｏ５＝５０：５０からＫ２Ｏ：Ｎｂ２Ｏ５＝６５：３５までの組成のターゲットを用いても同様の効果が得られる。
【００５２】
次に、基板温度８５０℃、酸素分圧１×１０−２Ｔｏｒｒの条件で、基板を６０分間熱処理した。このとき、基板表面に残留した液相１６は蒸発し（図３（ｆ））、図４（ｆ）に示すように、ＲＨＥＥＤパターンはより明確に観察された。また、前記８５０℃での熱処理工程を省略したＫＮｂＯ３単結晶薄膜のＸ線回折パターンを図５（ａ）に、前記８５０℃での熱処理工程を行ったＫＮｂＯ３単結晶薄膜のＸ線回折パターンを図５（ｂ）に示すが、ＫＮｂＯ３ではない異相のピーク強度に差があり、熱処理工程の際の液相の蒸発によって、単一相が得られることが明らかである。なお、各条件は、基板温度が８００℃以上９００℃以下、酸素分圧が１×１０−３Ｔｏｒｒ以上１×１０−２Ｔｏｒｒ以下が望ましいが、液相が蒸発できるのであれば、各条件はこれに限るものではない。また、熱処理による蒸発によって液相を除去する方法以外でも、化学的または物理的に表面をエッチングまたは研磨することによっても同様の効果が得られる。
【００５３】
得られた薄膜は、図６の断面ＳＥＭ写真に示すように、きれいなへき開面が観察されることから、ＫＮｂＯ３の単結晶から構成されていることが分かる。また、Ｘ線回折結果と合わせると、ＫＮｂＯ３、ＳｒＴｉＯ３をそれぞれ斜方晶、立方晶指数表示した場合、膜面に垂直方向にＫＮｂＯ３（００１）／ＳｒＴｉＯ３（１００）、面内でＫＮｂＯ３＜１１０＞／／ＳｒＴｉＯ３＜００１＞の方位関係を有していた。
【００５４】
〔表面弾性波素子の第１の実施形態〕
図７は本発明における表面弾性波素子の第１の実施形態を表す断面図である。
【００５５】
まず、金属アルミニウムを用いた真空蒸着により、基板温度２５℃、真空度１０Ｔｏｒｒ、アルゴン：酸素＝９：１の条件で、ＫＮｂＯ３単結晶層１３上にＡｌ電極１７を１００ｎｍ堆積した。ただし、基板温度、真空度、アルゴン酸素比は、これに限るものではない。
【００５６】
次に、Ａｌ電極１７に対して、レジスト塗布、露光、ドライエッチング、レジスト除去によるパターニングの連続プロセスを行い、ＫＮｂＯ３単結晶層１３上にＩＤＴ電極１８、１９を形成した。
【００５７】
得られた表面弾性波素子について、ＩＤＴ電極１８、１９の間での表面弾性波の遅延時間Ｖｏｐｅｎから求めた音速は４０００ｍ／ｓであった。ＩＤＴ電極１８、１９の間を金属薄膜で覆った場合の表面弾性波の遅延時間Ｖｓｈｏｒｔとの差から求めたｋ２は２５％であった。ＫＮｂＯ３単結晶薄膜作製を行わなかった場合、音速４０００ｍ／ｓは同じであるが、ｋ２は１０％と小さくなり、ＫＮｂＯ３薄膜を単結晶化することによって、ｋ２が改善することが明らかとなった。
【００５８】
また、ＫＮｂＯ３の代わりに固溶体Ｋ１−ｘＮａｘＮｂ１−ｙＴａｙＯ３（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）を用いた場合も同様の効果が得られた。
〔ニオブ酸カリウム薄膜の製造方法の第２の実施形態〕
図８は、本発明におけるニオブ酸カリウム単結晶薄膜の製造方法の第２の実施形態を表す断面図である。
【００５９】
本実施の形態に係るニオブ酸カリウム単結晶薄膜２００は、Ｓｉ単結晶基板２１と、前記Ｓｉ単結晶基板２１上にエピタキシャル成長したＹＳＺからなる第一バッファ層ａ２２と、前記，第一バッファ層ａ２２上にエピタキシャル成長したＣｅＯ２からなる第一バッファ層ｂ２３と、前記第一バッファ層ｂ２３上にエピタキシャル成長したＹＢａ２Ｃｕ３Ｏｘからなる第二バッファ層２４と、前記第二バッファ層２４上に堆積したＳｒＴｉＯ３からなる第三バッファ層２５と、前記第三バッファ層２５上にエピタキシャル成長したＫ、Ｎｂ、Ｏからなる初期層２６と、前記初期層２６上にエピタキシャル成長したＫＮｂＯ３単結晶層２７とからなる。
【００６０】
Ｓｉ単結晶基板２１であるが、ここでは表面が自然酸化膜で被覆されたままの（１００）単結晶基板が用いられている。
【００６１】
第一バッファ層ａ２２および第一バッファ層ｂ２３を構成する金属酸化物としては、ＮａＣｌ構造またはフルオライト構造の金属酸化物が挙げられるが、これらの中でも、特に、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯ、または、これらを含む固溶体のうちの少なくとも１種、または、ＹＳＺ、ＣｅＯ２、ＺｒＯ２、または、これらを含む固溶体のうちの少なくとも１種、を用いるのが好ましい。ここでは、第一バッファ層が第一バッファ層ａ２２、第一バッファ層ｂ２３の二層構造になっており、第一バッファ層ａとして、ＹＳＺが立方晶（１００）配向でエピタキシャル成長しており、その厚さは５ｎｍである。また第一バッファ層ｂ２３として、ＣｅＯ２が立方晶（１００）配向でエピタキシャル成長しており、その厚さは１０ｎｍである。第二バッファ層２４であるが、ここではＹＢａ２Ｃｕ３Ｏｘが正方晶または斜方晶（００１）配向でエピタキシャル成長しており、その厚さは２ｎｍである。第三バッファ層２５であるが、ここではＳｒＴｉＯ３が立方晶（１００）配向でエピタキシャル成長しており、その厚さは１００ｎｍである。
【００６２】
ここで、第一バッファ層として、ＭｇＯのようなＮａＣｌ構造の金属酸化物を用いる場合、第二バッファ層として、ＳｒＴｉＯ３が立方晶（１００）配向でエピタキシャル成長し、第三バッファ層の無い構造でもよい。
【００６３】
初期層２６であるが、ＳｒＴｉＯ３からＫＮｂＯ３へ構造が移行するための界面層であり、構造および組成は限定されないが、ＳｒＴｉＯ３第三バッファ層２５上にエピタキシャル成長していればよく、その厚さは５ｎｍである。ＫＮｂＯ３単結晶層２７であるが、ここではＫＮｂＯ３単結晶が斜方晶（００１）配向または斜方晶（１１０）配向でエピタキシャル成長しており、その厚さは４００ｎｍである。
【００６４】
次に、上述したニオブ酸カリウム単結晶薄膜の製造方法について述べる。
【００６５】
Ｓｉ基板２１を有機溶媒に浸漬させ、超音波洗浄機を用いて脱脂洗浄を行う。ここで、有機溶媒としては、例えばエチルアルコールとアセトンの１：１混合液を使用することができるが、これに限るものではない。また、通常のＳｉ基板の代表的な洗浄方法であるＲＣＡ洗浄や弗酸洗浄といった自然酸化膜を除去する工程を行う必要はない。その結果、Ｓｉ基板２１表面には、図８（ａ）に示すように自然酸化膜２８が形成されている。
【００６６】
脱脂洗浄したＳｉ基板２１を基板ホルダーに装填したあと、室温での背圧１×１０−８Ｔｏｒｒの真空装置内に基板ホルダーごと導入し、赤外線ランプを用いて１０℃／分で７００℃まで加熱昇温する。途中５００℃以上の温度領域で、自然酸化膜２８が一部ＳｉＯとして蒸発するために、圧力が１×１０−６Ｔｏｒｒ以上まで上昇するが、７００℃では５×１０−７Ｔｏｒｒ以下の一定値となる。ただし、Ｓｉ＜０１１＞方向からのＲＨＥＥＤパターンには回折パターンは観測されず、Ｓｉ（１００）２×１による再構成表面は形成されておらず、図８（ａ）に示される自然酸化膜２８に覆われたＳｉ基板であることが分かる。なお、Ｓｉ基板表面に新たに熱酸化膜を形成しない範囲であれば、昇温速度、基板温度、圧力などの条件は、これに限るものではない。
【００６７】
圧力が一定になった後、Ｓｉ基板２１に対向して配置されたＹＳＺターゲット表面に、エネルギー密度２．５Ｊ／ｃｍ２、周波数１０Ｈｚ、パルス長１０ｎｓの条件でＫｒＦエキシマレーザーのパルス光を入射し、ターゲット表面にＹ、Ｚｒ、Ｏからなるプラズマプルームを発生させる。このプラズマプルームをターゲットから４０ｍｍ離れた位置にあるＳｉ（１００）基板２１に照射し、基板温度７００℃、堆積中の酸素分圧５×１０−５Ｔｏｒｒの条件で、基板に１０分照射してＹＳＺ第一バッファ層ａ２２を５ｎｍ堆積した（図８（ｂ））。Ｓｉ＜０１１＞方向からのＲＨＥＥＤパターンにはストリーク状の回折パターンが現れ、ＹＳＺバッファ層２２がエピタキシャル成長した。なお、各条件は、ターゲット組成がＹＳＺ、レーザーエネルギー密度が２Ｊ／ｃｍ２以上３Ｊ／ｃｍ２以上、レーザー周波数が５Ｈｚ以上１５Ｈｚ以下、ターゲット基板間距離が３０ｍｍ以上５０ｍｍ以下、基板温度が６５０℃以上７５０℃以下、堆積中の酸素分圧が１×１０−５Ｔｏｒｒ以上１×１０−４Ｔｏｒｒ以下が望ましいが、Ｙ、Ｚｒプラズマが選択的に基板に到達でき、基板上の自然酸化膜をＳｉＯとして除去しながらＹＳＺとしてエピタキシャル成長できるのであれば、各条件はこれに限るものではない。ただし、条件によっては、ＹＳＺ第一バッファ層ａ２２は変化しないものの、Ｓｉ基板２１のＹＳＺ第一バッファ層ａ２２との界面には酸素が供給されて酸化膜が形成される場合がある。さらに、ＺｒＯ２が立方晶として固溶体を形成するのであれば、Ｙの代わりにＬａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａを添加する場合も同様の効果が得られる。
【００６８】
ＹＳＺ第一バッファ層ａ２２を堆積した後、基板に対向して配置されたＣｅＯ２ターゲット表面に、エネルギー密度２．５Ｊ／ｃｍ２、周波数１０Ｈｚ、パルス長１０ｎｓの条件でＫｒＦエキシマレーザーのパルス光を入射し、ターゲット表面にＣｅ、Ｏのプラズマプルームを発生させる。このプラズマプルームをターゲットから４０ｍｍ離れた位置にあるＳｉ基板２１に照射し、基板温度７００℃、堆積中の酸素分圧５×１０−５Ｔｏｒｒの条件で、基板に１０分照射してＣｅＯ２第一バッファ層ｂ２３を１０ｎｍ堆積した。Ｓｉ＜０１１＞方向からのＲＨＥＥＤパターンにはスポット状の回折パターンが現れ、ＣｅＯ２第一バッファ層ｂ２３がエピタキシャル成長した。なお、各条件は、ターゲット組成がＣｅＯ２、レーザーエネルギー密度が２Ｊ／ｃｍ２以上３Ｊ／ｃｍ２以上、レーザー周波数が５Ｈｚ以上１５Ｈｚ以下、ターゲット基板間距離が３０ｍｍ以上５０ｍｍ以下、基板温度が６５０℃以上７５０℃以下、堆積中の酸素分圧が１×１０−５Ｔｏｒｒ以上１×１０−４Ｔｏｒｒ以下が望ましいが、ＣｅＯ２としてエピタキシャル成長できるのであれば、各条件はこれに限るものではない。さらに、ＣｅＯ２が立方晶として固溶体を形成するのであれば、Ｐｒ、Ｚｒを添加する場合も同様の効果が得られる。
【００６９】
ＣｅＯ２第一バッファ層ｂ２３を堆積した後、基板に対向して配置されたＹＢａ２Ｃｕ３Ｏｘターゲット表面に、エネルギー密度２．５Ｊ／ｃｍ２、周波数５Ｈｚ、パルス長１０ｎｓの条件でＫｒＦエキシマレーザーのパルス光を入射し、ターゲット表面にＹ、Ｂａ、Ｃｕ、Ｏのプラズマプルームを発生させる。このプラズマプルームをターゲットから４０ｍｍ離れた位置にあるＳｉ基板２１に照射し、基板温度６００℃、堆積中の酸素分圧１×１０−２Ｔｏｒｒの条件で、基板に２分照射してＹＢａ２Ｃｕ３Ｏｘ第二バッファ層２４を２ｎｍ堆積した。Ｓｉ＜０１１＞方向からのＲＨＥＥＤパターンにはストリーク状の回折パターンが現れ、ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏｘ第二バッファ層２４がエピタキシャル成長した。なお、各条件は、ターゲット組成がＹＢａ２Ｃｕ３Ｏｘ、レーザーエネルギー密度が２Ｊ／ｃｍ２以上３Ｊ／ｃｍ２以下、レーザー周波数が２Ｈｚ以上１０Ｈｚ以下、ターゲット基板間距離が３０ｍｍ以上５０ｍｍ以下、基板温度が５５０℃以上６５０℃以下、堆積中の酸素分圧が１×１０−３Ｔｏｒｒ以上１×１０−１Ｔｏｒｒ以下が望ましいが、Ｙ、Ｂａ、Ｃｕプラズマが１：２：３の定比で基板に到達でき、ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏｘとしてエピタキシャル成長できるのであれば、各条件はこれに限るものではない。また、ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏｘの代わりに、Ｍ２ＲｕＯ４（Ｍ＝Ｃａ、Ｓｒ，Ｂａ）、ＲＥ２ＮｉＯ４（ＲＥ＝Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ｙ）とＮｉＯの固溶体、ＲＥＢａ２Ｃｕ３Ｏｘ（ＲＥ＝Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ）、（Ｂｉ、ＲＥ）４Ｔｉ３Ｏ１２（ＲＥ＝Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ｙ）を用いても同様の効果が得られる。
【００７０】
ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏｘ第二バッファ層２４を堆積した後、基板に対向して配置されたＳｒＴｉＯ３ターゲット表面に、エネルギー密度２．５Ｊ／ｃｍ２、周波数５Ｈｚ、パルス長１０ｎｓの条件でＫｒＦエキシマレーザーのパルス光を入射し、ターゲット表面にＳｒ、Ｔｉ、Ｏのプラズマプルームを発生させる。このプラズマプルームをターゲットから４０ｍｍ離れた位置にあるＳｉ基板２１に照射し、基板温度６００℃、堆積中の酸素分圧１×１０−２Ｔｏｒｒの条件で、Ｓｉ基板２１に３０分照射してＳｒＴｉＯ３第三バッファ層２５を１００ｎｍ堆積した（図８（ｃ））。Ｓｉ＜０１１＞方向からのＲＨＥＥＤパターンにはスポット状の回折パターンが現れ、ＳｒＴｉＯ３第三バッファ層２５がエピタキシャル成長した。なお、各条件は、ターゲット組成がＳｒＴｉＯ３、レーザーエネルギー密度が２Ｊ／ｃｍ２以上３Ｊ／ｃｍ２以下、レーザー周波数が２Ｈｚ以上１０Ｈｚ以下、ターゲット基板間距離が３０ｍｍ以上５０ｍｍ以下、基板温度が５５０℃以上６５０℃以下、堆積中の酸素分圧が１×１０−３Ｔｏｒｒ以上１×１０−１Ｔｏｒｒ以下が望ましいが、Ｓｒ、Ｔｉプラズマが１：１の定比で基板に到達でき、ＳｒＴｉＯ３としてエピタキシャル成長できるのであれば、各条件はこれに限るものではない。また、ＳｒＴｉＯ３の代わりに、ＭＴｉＯ３（Ｍ＝Ｃａ、Ｂａ）、（ＲＥ、Ｍ）ＡｌＯ３（ＲＥ＝Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ｙ、Ｍ＝Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ）、ＲＥＧａＯ３（ＲＥ＝Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ｙ）、を用いても同様の効果が得られる。
【００７１】
次に、Ｋ１．２ＮｂＯｘターゲット表面に、エネルギー密度２．５Ｊ／ｃｍ２、周波数１Ｈｚ、パルス長１０ｎｓの条件でＫｒＦエキシマレーザーのパルス光を入射し、発生したＫ、Ｎｂ、Ｏのプラズマプルームを、基板温度８００℃、酸素分圧１×１０−２Ｔｏｒｒの条件で、ターゲットから４０ｍｍ離れた位置にあるＳｉ基板２１に５分間照射し、Ｋ、Ｎｂ、Ｏからなる初期層２６を５ｎｍ堆積した（図８（ｄ））。Ｓｉ＜０１１＞方向からのＲＨＥＥＤパターンにはスポット状の回折パターンが現れ、初期層２６がエピタキシャル成長した。なお、各条件は、レーザーエネルギー密度が２Ｊ／ｃｍ２以上３Ｊ／ｃｍ２以下、レーザー周波数が１Ｈｚ以下、ターゲット基板間距離が３０ｍｍ以上５０ｍｍ以下、基板温度が７５０℃以上８５０℃以下、堆積中の酸素分圧が１×１０−３Ｔｏｒｒ以上１×１０−１Ｔｏｒｒ以下が望ましいが、Ｋ、Ｎｂプラズマが十分基板に到達でき、初期層としてエピタキシャル成長できるのであれば、各条件はこれに限るものではない。さらに、ターゲットとして、Ｋ１．２ＮｂＯｘの代わりにＫ２Ｏ：Ｎｂ２Ｏ５＝５０：５０からＫ２Ｏ：Ｎｂ２Ｏ５＝６５：３５までの組成のターゲットを用いても同様の効果が得られる。
【００７２】
次に、Ｋ１．２ＮｂＯｘターゲット表面に、エネルギー密度２．５Ｊ／ｃｍ２、周波数２０Ｈｚ、パルス長１０ｎｓの条件でＫｒＦエキシマレーザーのパルス光を入射し、Ｋ、Ｎｂ、Ｏのプラズマプルームを、基板温度８００℃、酸素分圧１×１０−２Ｔｏｒｒの条件で、ターゲットから４０ｍｍ離れた位置にあるＳｉ基板２１に６０分間照射し、Ｋ１．２ＮｂＯｘ層２９を５００ｎｍ堆積した（図８（ｅ））。ここでＫ１．２ＮｂＯｘ層２９中には固相と液相が共存しており、基板を結晶成長の核として、ＫＮｂＯ３単結晶層２７が４００ｎｍ成長し、その上に液相３０が１００ｎｍ残留した。Ｓｉ＜０１１＞方向からのＲＨＥＥＤパターンにはスポット状の回折パターンが現れ、ＫＮｂＯ３単結晶層２７がエピタキシャル成長した。なお、各条件は、レーザーエネルギー密度が２Ｊ／ｃｍ２以上３Ｊ／ｃｍ２以下、レーザー周波数が１０Ｈｚ以上、ターゲット基板間距離が３０ｍｍ以上５０ｍｍ以下、基板温度が７５０℃以上８５０℃以下、堆積中の酸素分圧が１×１０−３Ｔｏｒｒ以上１×１０−１Ｔｏｒｒ以下が望ましいが、Ｋ、Ｎｂのプラズマが十分基板に到達でき、かつＫの蒸気圧を高くして基板からのＫの蒸発を抑えることができるならば、各条件はこれに限るものではない。さらに、ターゲットとして、Ｋ１．２ＮｂＯｘの代わりにＫ２Ｏ：Ｎｂ２Ｏ５＝５０：５０からＫ２Ｏ：Ｎｂ２Ｏ５＝６５：３５までの組成のターゲットを用いても同様の効果が得られる。
【００７３】
次に、基板温度８５０℃、酸素分圧１×１０−２Ｔｏｒｒの条件で、基板を６０分間熱処理した。このとき、基板表面に残留した液相３０は蒸発し（図８（ｆ））、ＲＨＥＥＤパターンはよりはっきりと観察された。この後冷却過程を経て得たＫＮｂＯ３単結晶薄膜のＸ線回折パターンの結果からも、ＫＮｂＯ３ではない異相のピーク強度に差があり、熱処理工程の際の液相の蒸発によって、単一相が得られることが明らかになった。なお、各条件は、基板温度が８００℃以上９００℃以下、酸素分圧が１×１０−３Ｔｏｒｒ以上１×１０−１Ｔｏｒｒ以下が望ましいが、液相が蒸発できるのであれば、各条件はこれに限るものではない。また、熱処理による蒸発によって液相を除去する方法以外でも、化学的または物理的に表面をエッチングまたは研磨することによっても同様の効果が得られる。
【００７４】
得られた薄膜は、Ｘ線回折結果と合わせると、ＫＮｂＯ３、ＳｒＴｉＯ３、ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏｘ、ＣｅＯ２、ＹＳＺ、Ｓｉをそれぞれ斜方晶、立方晶、正方晶、立方晶、立方晶、立方晶で指数表示した場合、膜面に垂直方向にＫＮｂＯ３（００１）／ＳｒＴｉＯ３（１００）／ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏｘ（００１）／ＣｅＯ２（１００）／ＹＳＺ（１００）／Ｓｉ（１００）、面内でＫＮｂＯ３（１１０）／ＳｒＴｉＯ３＜０１０＞／／ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏｘ＜１００＞／／ＣｅＯ２＜０１１＞／／ＹＳＺ＜０１１＞／／Ｓｉ＜０１１＞の方位関係を有していた。
【００７５】
〔表面弾性波素子の第２の実施形態〕
図９は本発明における表面弾性波素子の第２の実施形態を表す断面図である。
【００７６】
表面弾性波素子の第１の実施形態と全く同様にして、ＫＮｂＯ３単結晶層２７上にＩＤＴ電極１８、１９を形成した。
【００７７】
得られた表面弾性波素子について、ＩＤＴ電極１８、１９の間での表面弾性波の遅延時間Ｖｏｐｅｎから求めた音速は５０００ｍ／ｓであった。ＩＤＴ電極１８、１９の間を金属薄膜で覆った場合の表面弾性波の遅延時間Ｖｓｈｏｒｔとの差から求めたｋ２は２０％であった。ＫＮｂＯ３単結晶薄膜作製を行わなかった場合、音速５０００ｍ／ｓは同じであるが、ｋ２は８％と小さくなり、ＫＮｂＯ３薄膜を単結晶化することによって、ｋ２が改善することが明らかとなった。
【００７８】
また、ＫＮｂＯ３の代わりに固溶体Ｋ１−ｘＮａｘＮｂ１−ｙＴａｙＯ３（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）を用いた場合も同様の効果が得られた。
【００７９】
〔ニオブ酸カリウム薄膜の製造方法の第３の実施形態〕
図１０は、本発明におけるニオブ酸カリウム単結晶薄膜の製造方法の第３の実施形態を表す断面図である。
【００８０】
本実施の形態に係るニオブ酸カリウム単結晶薄膜３００は、基板３１と、前記基板３１上に面内配向成長したＭｇＯからなる第一バッファ層３２と、前記第一バッファ層３２上に堆積したＳｒＴｉＯ３からなる第二バッファ層３３と、前記第二バッファ層３２上にエピタキシャル成長したＫ、Ｎｂ、Ｏからなる初期層３４と、前記初期層３４上にエピタキシャル成長したＫＮｂＯ３単結晶層３５とからなる。
【００８１】
基板３１は、Ｓｉ基板やＳＯＩ基板を用いる場合には、表面が自然酸化膜で覆われているものを用いてもよく、あるいは、多結晶ＹＳＺ基板のようなセラミックス基板を用いてもよく、あるいは、ガラス基板のように全体がアモルファスの基板を用いてもよい。このような汎用的な基板を用いることにより、後述する表面弾性波素子の製造コストを削減することができる。また、ペロブスカイト型酸化物がエピタキシャル成長できないような結晶構造の単結晶基板を用いてもよい。ここでは、表面弾性波素子用基板として重要な水晶基板が用いられている。
【００８２】
第一バッファ層３２を構成する金属酸化物としては、ＮａＣｌ構造またはフルオライト構造の金属酸化物が挙げられるが、これらの中でも、特に、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯ、または、これらを含む固溶体のうちの少なくとも１種、または、ＹＳＺ、ＣｅＯ２、ＺｒＯ２、または、これらを含む固溶体のうちの少なくとも１種、を用いるのが好ましい。さらに、第一バッファ層３２は、面内配向成長しているが、その方向は、バッファ層堆積中に別に照射するアルゴンイオンビームの照射方向を変えることにより、任意に設定することが可能である。ここでは、第一バッファ層３２として、ＭｇＯが立方晶（１００）配向で面内配向成長しており、その厚さは１０ｎｍである。第二バッファ層３３であるが、ここではＳｒＴｉＯ３が立方晶（１００）配向でエピタキシャル成長しており、その厚さは１００ｎｍである。
【００８３】
ここで、第一バッファ層として、ＹＳＺあるいはＹＳＺ／ＣｅＯ２のようなフルオライト構造の金属酸化物を用いる場合、第二バッファ層として、ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏｘなどの層状ペロブスカイト構造の金属酸化物が正方晶または斜方晶（００１）配向でエピタキシャル成長し、さらにその上に第三バッファ層として、ＳｒＴｉＯ３が立方晶（１００）配向でエピタキシャル成長した構造でもよい。
【００８４】
初期層３４であるが、ＳｒＴｉＯ３からＫＮｂＯ３へ構造が移行するための界面層であり、構造および組成は限定されないが、ＳｒＴｉＯ３第二バッファ層３３上にエピタキシャル成長していればよく、その厚さは５ｎｍである。ＫＮｂＯ３単結晶層３５であるが、ここではＫＮｂＯ３単結晶薄膜が斜方晶（００１）配向または斜方晶（１１０）配向でエピタキシャル成長している。
【００８５】
次に、上述したニオブ酸カリウム単結晶薄膜の製造方法について述べる。
【００８６】
水晶基板３１を有機溶媒に浸漬させ、超音波洗浄機を用いて脱脂洗浄を行う。ここで、有機溶媒としては、例えばエチルアルコールとアセトンの１：１混合液を使用することができるが、これに限るものではない。
【００８７】
脱脂洗浄した水晶基板３１を基板ホルダーに装填したあと、室温での背圧１×１０−６Ｔｏｒｒの真空装置内に基板ホルダーごと導入し、アルゴン：酸素＝１００：１で１×１０−４Ｔｏｒｒの圧力になるように混合ガスを導入する（図１０（ａ））。なお、圧力の条件は、これに限るものではない。
【００８８】
まず始めに、基板に対向して配置されたＭｇターゲット表面に、エネルギー密度２．５Ｊ／ｃｍ２、周波数１０Ｈｚ、パルス長１０ｎｓの条件でＫｒＦエキシマレーザーのパルス光を入射し、ターゲット表面にＭｇのプラズマプルームを発生させる。このプラズマプルームをターゲットから４０ｍｍ離れた位置にある水晶基板３１に照射し、基板温度５０℃、堆積中の圧力１×１０−４Ｔｏｒｒの条件で、基板に１０分照射してＭｇＯ第一バッファ層３２を１０ｎｍ堆積した（図１０（ｂ））。このとき、基板の法線方向と４５度をなす方向から、アルゴンイオンビームを水晶基板３１に照射する。ここで、ソース源としてはＫａｕｆｆｍａｎｎイオンソースを用い、イオンビームの加速電圧を２００ｅＶ程度、電流を１０ｍＡ程度とするのが好ましい。ヒーターによる基板加熱は行わないが、アルゴンイオンビームの衝撃により基板温度は５０〜７０度に上昇する。ＲＨＥＥＤパターンにはスポット状の回折パターンが現れ、ＭｇＯ第一バッファ層３２がエピタキシャル成長した。なお、その他の各条件は、ターゲット組成がＭｇまたはＭｇＯ、レーザーエネルギー密度が２Ｊ／ｃｍ２以上３Ｊ／ｃｍ２以上、レーザー周波数が５Ｈｚ以上１５Ｈｚ以下、ターゲット基板間距離が３０ｍｍ以上５０ｍｍ以下、堆積中の圧力が１×１０−５Ｔｏｒｒ以上１×１０−４Ｔｏｒｒ以下が望ましいが、ＭｇＯとして面内配向成長できるのであれば、各条件はこれに限るものではない。
【００８９】
ＭｇＯ第一バッファ層３２を堆積した後、基板に対向して配置されたＳｒＴｉＯ３ターゲット表面に、エネルギー密度２．５Ｊ／ｃｍ２、周波数５Ｈｚ、パルス長１０ｎｓの条件でＫｒＦエキシマレーザーのパルス光を入射し、ターゲット表面にＳｒ、Ｔｉ、Ｏのプラズマプルームを発生させる。このプラズマプルームをターゲットから４０ｍｍ離れた位置にある水晶基板３１に照射し、基板温度６００℃、堆積中の酸素分圧１×１０−２Ｔｏｒｒの条件で、基板に３０分照射してＳｒＴｉＯ３第二バッファ層３３を１００ｎｍ堆積した（図１０（ｃ））。ＲＨＥＥＤパターンにはスポット状の回折パターンが現れ、ＳｒＴｉＯ３第二バッファ層３３がエピタキシャル成長した。なお、各条件は、ターゲット組成がＳｒＴｉＯ３、レーザーエネルギー密度が２Ｊ／ｃｍ２以上３Ｊ／ｃｍ２以下、レーザー周波数が２Ｈｚ以上１０Ｈｚ以下、ターゲット基板間距離が３０ｍｍ以上５０ｍｍ以下、基板温度が５５０℃以上６５０℃以下、堆積中の圧力が１×１０−３Ｔｏｒｒ以上１×１０−１Ｔｏｒｒ以下が望ましいが、Ｓｒ、Ｔｉプラズマが１：１の定比で基板に到達でき、ＳｒＴｉＯ３としてエピタキシャル成長できるのであれば、各条件はこれに限るものではない。また、ＳｒＴｉＯ３の代わりに、ＭＴｉＯ３（Ｍ＝Ｃａ、Ｂａ）、（ＲＥ、Ｍ）ＡｌＯ３（ＲＥ＝Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ｙ、Ｍ＝Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ）、ＲＥＧａＯ３（ＲＥ＝Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ｙ）、を用いても同様の効果が得られる。
【００９０】
次に、Ｋ１．２ＮｂＯｘターゲット表面に、エネルギー密度２．５Ｊ／ｃｍ２、周波数１Ｈｚ、パルス長１０ｎｓの条件でＫｒＦエキシマレーザーのパルス光を入射し、発生したＫ、Ｎｂ、Ｏのプラズマプルームを、基板温度８００℃、酸素分圧１×１０−２Ｔｏｒｒの条件で、ターゲットから４０ｍｍ離れた位置にある水晶基板３１に５分間照射し、Ｋ、Ｎｂ、Ｏからなる初期層３４を５ｎｍ堆積した（図１０（ｄ））。ＲＨＥＥＤパターンにはスポット状の回折パターンが現れ、初期層３４がエピタキシャル成長した。なお、各条件は、レーザーエネルギー密度が２Ｊ／ｃｍ２以上３Ｊ／ｃｍ２以下、レーザー周波数が１Ｈｚ以下、ターゲット基板間距離が３０ｍｍ以上５０ｍｍ以下、基板温度が７５０℃以上８５０℃以下、堆積中の酸素分圧が１×１０−３Ｔｏｒｒ以上１×１０−１Ｔｏｒｒ以下が望ましいが、Ｋ、Ｎｂプラズマが十分基板に到達でき、初期層としてエピタキシャル成長できるのであれば、各条件はこれに限るものではない。さらに、ターゲットとして、Ｋ１．２ＮｂＯｘの代わりにＫ２Ｏ：Ｎｂ２Ｏ５＝５０：５０からＫ２Ｏ：Ｎｂ２Ｏ５＝６５：３５までの組成のターゲットを用いても同様の効果が得られる。
【００９１】
次に、Ｋ１．２ＮｂＯｘターゲット表面に、エネルギー密度２．５Ｊ／ｃｍ２、周波数２０Ｈｚ、パルス長１０ｎｓの条件でＫｒＦエキシマレーザーのパルス光を入射し、Ｋ、Ｎｂ、Ｏのプラズマプルームを、基板温度８００℃、酸素分圧１×１０−２Ｔｏｒｒの条件で、ターゲットから４０ｍｍ離れた位置にある水晶基板３１に６０分間照射し、Ｋ１．２ＮｂＯｘ層３６を５００ｎｍ堆積した（図１０（ｅ））。ここでＫ１．２ＮｂＯｘ層３６中には固相と液相が共存しており、基板を結晶成長の核として、ＫＮｂＯ３単結晶層３５が４００ｎｍ成長し、その上に液相３７が１００ｎｍ残留した。ＲＨＥＥＤパターンにはストリーク状の回折パターンが現れ、ＫＮｂＯ３単結晶層３５がエピタキシャル成長した。なお、各条件は、レーザーエネルギー密度が２Ｊ／ｃｍ２以上３Ｊ／ｃｍ２以下、レーザー周波数が１０Ｈｚ以上、ターゲット基板間距離が３０ｍｍ以上５０ｍｍ以下、基板温度が７５０℃以上８５０℃以下、堆積中の酸素分圧が１×１０−３Ｔｏｒｒ以上１×１０−１Ｔｏｒｒ以下が望ましいが、Ｋ、Ｎｂのプラズマが十分基板に到達でき、かつＫの蒸気圧を高くして基板からのＫの蒸発を抑えることができるならば、各条件はこれに限るものではない。さらに、ターゲットとして、Ｋ１．２ＮｂＯｘの代わりにＫ２Ｏ：Ｎｂ２Ｏ５＝５０：５０からＫ２Ｏ：Ｎｂ２Ｏ５＝６５：３５までの組成のターゲットを用いても同様の効果が得られる。
【００９２】
次に、基板温度８５０℃、酸素分圧１×１０−２Ｔｏｒｒの条件で、基板を６０分間熱処理した。このとき、基板表面に残留した液相３７は蒸発し（図１０（ｆ））、ＲＨＥＥＤパターンはよりはっきりと観察された。この後冷却過程を経て得たＫＮｂＯ３単結晶薄膜のＸ線回折パターンの結果からも、ＫＮｂＯ３ではない異相のピーク強度に差があり、熱処理工程の際の液相の蒸発によって、単一相が得られることが明らかである。なお、各条件は、基板温度が８００℃以上９００℃以下、酸素分圧が１×１０−３Ｔｏｒｒ以上１×１０−１Ｔｏｒｒ以下が望ましいが、液相が蒸発できるのであれば、各条件はこれに限るものではない。また、熱処理による蒸発によって液相を除去する方法以外でも、化学的または物理的に表面をエッチングまたは研磨することによっても同様の効果が得られる。
【００９３】
得られた薄膜は、Ｘ線回折結果と合わせると、ＫＮｂＯ３、ＳｒＴｉＯ３をそれぞれ斜方晶、立方晶指数表示した場合、膜面に垂直方向にＫＮｂＯ３（００１）／ＳｒＴｉＯ３（１００）／ＭｇＯ（１００）、面内でＫＮｂＯ３＜１１０＞／／ＳｒＴｉＯ３＜０１０＞／／ＭｇＯ＜０１０＞の方位関係を有していた。
【００９４】
〔表面弾性波素子の第３の実施形態〕
図１１は本発明における表面弾性波素子の第３の実施形態を表す断面図である。
【００９５】
表面弾性波素子の第１の実施形態と全く同様にして、ＫＮｂＯ３単結晶層３５上にＩＤＴ電極１８、１９を形成した。
【００９６】
得られた表面弾性波素子について、ＩＤＴ電極１８、１９の間での表面弾性波の遅延時間Ｖｏｐｅｎから求めた音速は３０００ｍ／ｓであった。ＩＤＴ電極１８、１９の間を金属薄膜で覆った場合の表面弾性波の遅延時間Ｖｓｈｏｒｔとの差から求めたｋ２は１５％であった。ＫＮｂＯ３単結晶薄膜作製を行わなかった場合、音速３０００ｍ／ｓは同じであるが、ｋ２は５％と小さくなり、ＫＮｂＯ３薄膜を単結晶化することによって、ｋ２が改善することが明らかとなった。
【００９７】
また、ＫＮｂＯ３の代わりに固溶体Ｋ１−ｘＮａｘＮｂ１−ｙＴａｙＯ３（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）を用いた場合も同様の効果が得られた。
【００９８】
〔周波数フィルタ〕
図１２は、本発明の一実施形態による周波数フィルタの外観を示す斜視図である。図１２に示した周波数フィルタは、基板４００を有する。該基板４００は、例えば、図３に示した、ＳｒＴｉＯ３（１００）単結晶基板１１上に、Ｋ、Ｎｂ、Ｏからなる初期層１２、ＫＮｂＯ３単結晶層１３を順次積層して形成した基板、または図８に示した、Ｓｉ（１００）単結晶基板２１上に、ＹＳＺ第一バッファ層ａ２２、ＣｅＯ２第一バッファ層ｂ２３、ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏｘ第二バッファ層２４、ＳｒＴｉＯ３第三バッファ層２５、Ｋ、Ｎｂ、Ｏからなる初期層２６、及びＫＮｂＯ３単結晶層２７を順次積層して形成した基板、または図１０に示した、基板３１上に、ＭｇＯ第一バッファ層３２、ＳｒＴｉＯ３第二バッファ層３３、Ｋ、Ｎｂ、Ｏからなる初期層３４、及びＫＮｂＯ３圧電体層３５を順次積層して形成した基板である。
【００９９】
基板４００の上面には、ＩＤＴ電極４１及びＩＤＴ電極４２が形成されている。ＩＤＴ電極４１、４２は、例えば、Ａｌ、またはＡｌ合金により形成され、ＩＤＴ電極４１、４２の厚みは、ＩＤＴ電極４１、４２のピッチの１００分の１程度に設定される。また、ＩＤＴ電極４１、４２を挟み込むように、基板４００の上面には、吸音部４３、４４が形成されている。吸音材４３、４４は、基板４００の表面を伝播する表面弾性波を吸収するものである。基板４００上に形成されたＩＤＴ基板４１には高周波信号源４５が接続されており、ＩＤＴ電極４２には信号線が接続されている。なお、ＩＤＴ電極４１は、本発明にいう第１の電極に相当し、ＩＤＴ電極４２は、本発明にいう第２の電極に相当する。
【０１００】
上記の構成において、高周波信号源４５から高周波信号が出力されると、該周波数信号は、ＩＤＴ電極４１に印加され、基板４００の上面に表面弾性波が発生する。該表面弾性波は、約４０００ｍ／ｓ程度の速度で基板４００上面を伝播する。ＩＤＴ電極４１から吸音部４３側へ伝播した表面弾性波は、吸音部４３で吸収されるが、ＩＤＴ電極４２側へ伝播した表面弾性波のうち、ＩＤＴ電極４２のピッチ等に応じて定まる特定の周波数、または、特定の帯域の周波数の表面弾性波は、電気信号に変換されて、信号線を介して端子４６ａ、４６ｂに取り出される。なお、上記特定の周波数、または、特定の帯域の周波数以外の周波数成分は、大部分がＩＤＴ電極４２を通過して吸音部４４に吸収される。
【０１０１】
このように、本実施形態の周波数フィルタが備えるＩＤＴ電極４１に供給した電気信号のうち、特定の周波数、または、特定の帯域の周波数の表面弾性波のみを得る（フィルタリング）することが可能となる。
【０１０２】
〔周波数発振器〕
図１３は、本発明の一実施形態による周波数発振器の外観を示す斜視図である。図１３に示した周波数発振器は、基板５００を有する。該基板５００は、例えば、図３に示した、ＳｒＴｉＯ３（１００）単結晶基板１１上に、Ｋ、Ｎｂ、Ｏからなる初期層１２、ＫＮｂＯ３単結晶層１３を順次積層して形成した基板、または図８に示した、Ｓｉ（１００）単結晶基板２１上に、ＹＳＺ第一バッファ層ａ２２、ＣｅＯ２第一バッファ層ｂ２３、ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏｘ第二バッファ層２４、ＳｒＴｉＯ３第三バッファ層２５、Ｋ、Ｎｂ、Ｏからなる初期層２６、及びＫＮｂＯ３単結晶層２７を順次積層して形成した基板、または図１０に示した、基板３１上に、ＭｇＯ第一バッファ層３２、ＳｒＴｉＯ３第二バッファ層３３、Ｋ、Ｎｂ、Ｏからなる初期層３４、及びＫＮｂＯ３圧電体層３５を順次積層して形成した基板である。
【０１０３】
基板５００の上面には、ＩＤＴ電極５１が形成されており、さらに、ＩＤＴ電極５１を挟み込むように、ＩＤＴ電極５２、５３が形成されている。ＩＤＴ電極５１〜５３は、例えばＡｌ、または、Ａｌ合金により形成され、ＩＤＴ電極５１から５３のそれぞれの厚みは、ＩＤＴ電極５１から５３の各ピッチの１００分の１程度に設定される。また、ＩＤＴ電極５１を構成する一方の櫛歯状電極５１ａには、高周波信号源５４が接続されており、他方の櫛歯状電極５１ｂには信号線が接続されている。なお、ＩＤＴ５２、５３は、ＩＤＴ５１によって発生される表面弾性波の特定の周波数成分、または、特定の帯域の周波数成分を共振させる本発明にいう共振用電極に相当する。
【０１０４】
上記の構成において、高周波信号源５４から高周波信号が出力されると、該周波数信号は、ＩＤＴ電極５１の一方の櫛歯状電極５１ａに印加され、基板５００の上面にＩＤＴ電極５２側に伝播する表面弾性波、及びＩＤＴ電極５３側に伝播する表面弾性波が発生する。該表面弾性波は、約４０００ｍ／ｓ程度の速度である。これらの表面弾性波のうちの特定の周波数成分の表面弾性波は、ＩＤＴ電極５２及びＩＤＴ電極５３で反射され、ＩＤＴ電極５２とＩＤＴ電極５３との間には定在波が発生する。この特定の周波数成分の表面弾性波がＩＤＴ５２、５３で反射を繰り返すことにより、特定の周波数成分、または、特定の帯域の周波数成分が共振して、振幅が増大する。この特定の周波数成分、または、特定の帯域の周波数成分の表面弾性波の一部は、ＩＤＴ電極５１の他方の櫛歯状電極５１ｂから取り出され、ＩＤＴ電極５２とＩＤＴ電極５３との共振周波数に応じて周波数（または、ある程度の帯域を有する周波数）の電気信号が端子５５ａと端子５５ｂに取り出すことが可能となる。
【０１０５】
図１４は、本発明の実施形態の表面弾性波素子（周波数発振器）をＶＣＳＯ（Ｖｏｌｔａｇｅ  Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄ  ＳＡＷ  Ｏｓｃｉｌｌａｔｏｒ：電圧制御ＳＡＷ発振器）に応用した一例を示す図であり、（ａ）は、側面透視図であり、（ｂ）は、上面透視図である。ＶＣＳＯは、金属製（アルミニウム、または、ステンレススチール製）の筐体６００内部に実装される。６１は基板であり、この基板上にＩＣ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ）６２及び周波数発振器６３が実装されている。ＩＣ６２は、外部の不図示の回路から入力される電圧値に応じて、周波数発振器６３に印加する周波数を制御するものである。
【０１０６】
周波数発振器６３は、基板６４に、ＩＤＴ電極６５ａ〜６５ｃが形成されており、その構成は、図１３に示した周波数発振器とほぼ同様である。なお、基板６４は、例えば、図３に示した、ＳｒＴｉＯ３（１００）単結晶基板１１上に、Ｋ、Ｎｂ、Ｏからなる初期層１２、ＫＮｂＯ３単結晶層１３を順次積層して形成した基板、または図８に示した、Ｓｉ（１００）単結晶基板２１上に、ＹＳＺ第一バッファ層ａ２２、ＣｅＯ２第一バッファ層ｂ２３、ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏｘ第二バッファ層２４、ＳｒＴｉＯ３第三バッファ層２５、Ｋ、Ｎｂ、Ｏからなる初期層２６、及びＫＮｂＯ３単結晶層２７を順次積層して形成した基板、または図１０に示した、基板３１上に、ＭｇＯ第一バッファ層３２、ＳｒＴｉＯ３第二バッファ層３３、Ｋ、Ｎｂ、Ｏからなる初期層３４、及びＫＮｂＯ３圧電体層３５を順次積層して形成した基板である。
【０１０７】
基板６１上には、ＩＣ６２と、周波数発振器６３とを電気的に接続するための配線６６がパターンニングされている。ＩＣ６２及び配線６６が、例えば、金線等のワイヤ線６７によって接続され、周波数発振器６３及び配線６６が、金線等のワイヤ線６８によって接続されることにより、ＩＣ６２と、周波数発振器６３とが配線６６を介して電気的に接続されている。
【０１０８】
図１４に示したＶＣＳＯは、例えば、図１５に示すＰＬＬ回路のＶＣＯ（Ｖｏｌｔａｇｅ  Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄ  Ｏｓｃｉｌｌａｔｏｒ）として用いられる。ここで、ＰＬＬ回路について簡単に説明する。図１５は、ＰＬＬ回路の基本構成を示すブロック図である。図１５に示したように、ＰＬＬ回路は、位相比較器７１、低減フィルタ７２、増幅器７３、及びＶＣＯ７４とから構成される。
【０１０９】
位相比較器７１は、入力端子７０から入力される信号の位相（または、周波数）とを比較し、その差に応じてあたいが設定される誤差電圧信号を出力する。低減フィルタ７２は、位相比較器７１から出力される誤差電圧信号の位置の低周波成分のみを通過させ、増幅器７３は、低減フィルタ７２から出力される信号を増幅する。ＶＣＯ７４は、入力される電圧値に応じてある範囲で連続的に発振周波数が変化する発振回路である。係りＰＬＬ回路は、入力端子７０から入力される位相（または、周波数）との差が減少するように動作し、ＶＣＯ７４から出力される信号の周波数を入力７０から入力される信号の周波数に同期すると、その後は、一定の位相差を除いて入力端子７０から入力される信号に一致し、また、入力信号の変化に追従するような信号を出力する。
〔電子回路〕
図１６は、本発明の一実施形態による電子回路の電気的構成を示すブロック図である。なお、図１６に示した電子回路は、例えば、図１７に示す携帯電話機１０００の内部に設けられる回路である。図１７は、本発明の一実施形態による電子機器の一つとして携帯電話機の外観の一例を示す斜視図である。図１７に示した携帯電話機１０００は、アンテナ１０１、受話器１０２、送話機１０３、液晶表示部１０４、及び操作釦１０５等を備えている。
【０１１０】
図１６に示した電子回路は、携帯電話機１０００内に設けられる電子回路の基本構成を示し、送話機８０、送信信号処理回路８１、送信ミキサ８２、送信フィルタ８３、送信電力増幅器８４、送受分波器８５、アンテナ８６ａ、８６ｂ、低雑音増幅器８７、受信フィルタ８８、受信ミキサ８９、受信信号処理回路９０、受話器９１、周波数シンセサイザ９２、制御回路９３、及び入力／表示回路９４を含んで構成される。なお、現在実用化されている。送信信号処理回路８１は、送話器８０から出力される電気信号に対して、例えば、Ｄ／Ａ変換処理、変調処理等の処理を施す回路である。送信ミキサ８２は、携帯電話機は、周波数変換処理を複数回行っているため、その回路構成は、より複雑となっている。
【０１１１】
送話器８０は、例えば、音波信号を電波信号に変換するマイクロフォン等で実現され、図１７中の送話器１０３に相当するものである周波数シンセサイザ９２から出力される信号を用いて送信信号処理回路８１から出力される信号をミキシングする。なお、送信ミキサ８２に供給される信号の周波数は、例えば、３８０ＭＨｚである。送信フィルタ８３は、中間周波数（ＩＦ）の必要となる周波数の信号のみを通過させ、不要となる周波数の信号をカットする。なお、送信フィルタ８３から出力される信号は、不図示の変換回路によりＲＦ信号に変換される。このＲＦ信号の周波数は、例えば、１．９ＧＨｚ程度である。送信電力増幅器８４は、送信フィルタ８２から出力されるＲＦ信号の電力を増幅し、送受分波器８５へ出力する。
【０１１２】
送受分波器８５は、送信電力増幅器８４から出力されるＲＦ信号をアンテナ８６ａ、８６ｂから電波の形で送信する。また、送受分波器８５は、アンテナ８６ａ、８６ｂで受信した受信信号を分波して、低雑音増幅器８７へ出力する。なお、送受分波器８５から出力される受信信号の周波数は、例えば、２．１ＧＨｚ程度である。低雑音増幅器８７は、送受分波器８５からの受信信号を増幅する。なお、低雑音増幅器８７から出力される信号は、不図示の変換回路により中間信号（ＩＦ）に変換される。
【０１１３】
受信フィルタ８８は、不図示の変換回路により変換された中間周波数（ＩＦ）の必要となる周波数の信号のみを通過させ、不要となる周波数の信号をカットする。受信ミキサ８９は、周波数シンセサイザ９２から出力される信号を用いて送信信号処理回路８１から出力される信号をミキシングする。なお、受信ミキサ８９に供給される中間周波数は、例えば、１９０ＭＨｚ程度である。受信信号処理回路８０は、受信ミキサ８９から出力される信号に対して、例えばＡ／Ｄ変換処理、復調処理等を施す回路である。受話器９１は、例えば、電気信号を音波に変換する小型スピーカ等で実現され、図１７中の受話器１０２に相当するものである。
【０１１４】
周波数シンセサイザ９２は、送信ミキサ８２へ供給する信号（例えば、周波数３８０ＭＨｚ程度）及び受信ミキサ８９へ供給する信号（例えば、周波数３８０ＭＨｚ程度）及び受信ミキサ８９へ供給する信号（例えば、周波数１９０ＭＨｚ程度）を生成する回路である。なお、周波数シンセサイザ９２は、例えば、７６０ＭＨｚの発振周波数で発信するＰＬＬ回路を備え、このＰＬＬ回路から出力される信号を分周して周波数が３８０ＭＨｚの信号を生成し、さらに、分周して周波数が１９０ＭＨｚの信号を生成する。制御回路９３は、送信信号処理回路８１、受信信号処理回路９０、周波数シンセサイザ９２、及び入力／表示回路９４を制御することにより携帯電話機の全体動作を制御する。入力／表示回路９４は、携帯電話機１０００の使用者に対して機器の状態を表示したり、操作者の指示を入力するためのものであり、例えば、図１７に示した液晶表示部１０４及び操作釦１０５に相当する。
【０１１５】
以上の構成の電子回路において、送信フィルタ８３及び受信フィルタ８８として図１２に示した周波数フィルタが用いられる。フィルタリングする周波数（通過させる周波数）は、送信ミキサ８２から出力される信号の内の必要となる周波数、及び受信ミキサ８９で必要となる周波数に応じて送信フィルタ８３及び受信フィルタ８８で個別に設定されている。また、周波数シンセサイザ９２内に設けられるＰＬＬ回路は、図１５に示したＰＬＬ回路のＶＣＯ６４として、図１３に示した周波数発振器、または図１４に示した周波数発振器（ＶＣＳＯ）を設けたものである。
【０１１６】
以上、本発明の実施形態による表面弾性波素子、周波数フィルタ、周波数発振器、電子回路、及び電子機器について説明したが、本発明は、上記実施形態に制限されず、本発明の範囲内で自由に変更が可能である。例えば、上記実施形態においては電子機器として携帯電話機を、電子回路として携帯電話機内に設けられる電子回路を一例に挙げて説明した。しかしながら、本発明は、携帯電話機に限定されるものではなく、種々の移動体通信機器およびその内部に設けられる電子回路に適用することができる。
【０１１７】
さらに、移動体通信機器のみならずＢＳ（Ｂｒｏａｄｃａｓｔ  Ｓａｔｅｌｌｉｔｅ）及びＣＳ（Ｃｏｍｍｅｒｃｉａｌ  Ｓａｔｅｌｌｉｔｅ）放送を受信さするチューナ等の据置状態で使用される通信機器及びその内部に設けられる電子回路にも適用することができる。また、通信キャリアとして空中を伝播する電波を使用する通信機器のみならず、同軸ケーブル中を伝播する高周波信号、または光ケーブル中を伝播する光信号を用いるＨＵＢ等の電子機器及びその内部に設けられる電子回路にも適用することができる。
【０１１８】
【発明の効果】
以上述べたように、本発明によれば、気相法による薄膜作製プロセスにおいて、ニオブ酸カリウムと３Ｋ２Ｏ・Ｎｂ２Ｏ５の共晶温度以上に保持した安価な各種基板に、Ｋ２Ｏ：Ｎｂ２Ｏ５＝５０：５０からＫ２Ｏ：Ｎｂ２Ｏ５＝６５：３５の間にある組成の原料を高堆積速度で堆積し、基板を結晶成長の起点として液相中から組成ずれのない単結晶状のニオブ酸カリウム薄膜を成長させることにより、電気機械結合係数の大きな表面弾性波素子を実現することが可能になり、さらに前記表面弾性波素子を用いて、より小型の周波数フィルタあるいは周波数発振器を実現することが可能になり、さらには前記周波数発振器等を搭載することによって、電子回路や電子機器の省電力化を実現することが可能になる、という効果を有する。
【図面の簡単な説明】
【図１】Ｋ２Ｏ−Ｎｂ２Ｏ５二元系状態図。
【図２】出発原料を液相線温度から結晶成長温度へ冷却したとき、ＫＮｂＯ３が析出し、液相はＫ過剰側に組成がずれることを示す状態図。
【図３】本発明におけるニオブ酸カリウム単結晶薄膜の製造方法の第１の実施形態を表す断面図。
【図４】本発明におけるニオブ酸カリウム単結晶薄膜の製造方法の第１の実施形態において観察されるＲＨＨＥＤパターン。
【図５】本発明におけるニオブ酸カリウム単結晶薄膜の製造方法の第１の実施形態において、８５０℃での熱処理工程の無い場合（ａ）、有る場合（ｂ）で得られたＫＮｂＯ３単結晶薄膜のＸ線回折パターン。
【図６】本発明におけるニオブ酸カリウム単結晶薄膜の製造方法の第１の実施形態において得られた薄膜の断面ＳＥＭ写真。
【図７】本発明における表面弾性波素子の第１の実施形態を表す断面図。
【図８】本発明におけるニオブ酸カリウム単結晶薄膜の製造方法の第２の実施形態を表す断面図る。
【図９】本発明における表面弾性波素子の第２の実施形態を表す断面図。
【図１０】本発明におけるニオブ酸カリウム単結晶薄膜の製造方法の第３の実施形態を表す断面図。
【図１１】本発明における表面弾性波素子の第３の実施形態を表す断面図。
【図１２】本発明の一実施形態による周波数フィルタの外観を示す斜視図。
【図１３】本発明の一実施形態による周波数発振器の外観を示す斜視図。
【図１４】本発明の実施形態の表面弾性波素子（周波数発振器）をＶＣＳＯ（Ｖｏｌｔａｇｅ  Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄ  ＳＡＷ  Ｏｓｃｉｌｌａｔｏｒ：電圧制御ＳＡＷ発振器）に応用した一例を示す図。（ａ）は、側面透視図、（ｂ）は、上面透視図。
【図１５】ＰＬＬ回路の基本構成を示すブロック図。
【図１６】本発明の一実施形態による電子回路の電気的構成を示すブロック図。
【図１７】本発明の一実施形態による電子機器の一つとして携帯電話機の外観の一例を示す斜視図。
【符号の説明】
１００  ニオブ酸カリウム単結晶薄膜
２００  ニオブ酸カリウム単結晶薄膜
３００  ニオブ酸カリウム単結晶薄膜
４００  基板
５００  基板
６００  筐体
１０００  携帯電話機
１１  ＳｒＴｉＯ３（１００）単結晶基板
１２  初期層
１３  ＫＮｂＯ３単結晶層
１４  Ｋ１．２ＮｂＯｘ層
１５  Ｋ１．２ＮｂＯｘ層
１６  液相
１７  Ａｌ電極
１８  ＩＤＴ電極
１９  ＩＤＴ電極
２１  Ｓｉ（１００）単結晶基板
２２  ＹＳＺ第一バッファ層ａ
２３  ＣｅＯ２第一バッファ層ｂ
２４  ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏｘ第二バッファ層
２５  ＳｒＴｉＯ３第三バッファ層
２６  初期層
２７  ＫＮｂＯ３単結晶層
２８  自然酸化膜
２９  Ｋ１．２ＮｂＯｘ層
３０  液相
３１  水晶基板
３２  ＭｇＯ第一バッファ層
３３  ＳｒＴｉＯ３第二バッファ層
３４  初期層
３５  ＫＮｂＯ３単結晶層
３６  Ｋ１．２ＮｂＯｘ層
３７  液相
４１  ＩＤＴ電極
４２  ＩＤＴ電極
４３  吸音材
４４  吸音材
４５  高周波信号源
４６  端子
５１  ＩＤＴ電極
５２  ＩＤＴ電極
５３  ＩＤＴ電極
５４  高周波信号源
５５  端子
６１  基板
６２  ＩＣ
６３  周波数発振器
６４  基板
６５  ＩＤＴ電極
６６  配線
６７  ワイヤ線
６８  ワイヤ線
７０  入力端子
７１  位相比較器
７２  低減フィルタ
７３  増幅器
７４  ＶＣＯ
８０  送話器
８１  送信信号処理回路
８２  送信ミキサ
８３  送信フィルタ
８４  送信電力増幅器
８５  送受分波器
８６  アンテナ
８７  低雑音増幅器
８８  受信フィルタ
８９  受信ミキサ
９０  受信信号処理回路
９１  受話器
９２  周波数シンセサイザ
９３  制御回路
９４  入力／表示回路
１０１  アンテナ
１０２  受話器
１０３  送話器
１０４  液晶表示部
１０５  操作釦
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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