(57)【要約】【課題】  メッシュグリッドの変形を効果的に防止して良質の画質を具現でき、製造コストも下げられる電界放出素子およびその製造方法を提供する。【解決手段】  アノード電極の蛍光体層に対応して電子を放出する電子放出源および前記電子が通過するゲートホールを有するゲート電極がその内面に形成されているカソードプレートと、前記ゲートホールに対応する電子制御ホールが形成されており、前記カソードプレートに対応する面に絶縁層が形成されているメッシュグリッドと、前記アノードプレートと前記メッシュグリッドの間に設けられ、アノードプレートとカソードプレートの間の負圧により前記メッシュグリッドを前記カソードプレートに密着させるスペーサとを備える電界放出素子およびその製造方法。【選択図】    図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
アノード電極および蛍光体層がその内面に形成されているアノードプレートと、
前記蛍光体層に向けて電子を放出する電子放出源および前記電子が通過するゲートホールを有するゲート電極がその内面に形成されているカソードプレートと、
前記カソードプレートの内面に密着され、前記ゲートホールに対応する電子制御ホールが形成されており、前記カソードプレートに対応する面に絶縁層が形成されているメッシュグリッドと、
前記アノードプレートと前記メッシュグリッドの間に設けられ、アノードプレートとカソードプレート間の負圧により前記メッシュグリッドを前記カソードプレートに密着させるスペーサとを備えることを特徴とする電界放出素子。
【請求項２】
前記メッシュグリッドは、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金より形成されていることを特徴とする請求項１に記載の電界放出素子。
【請求項３】
前記絶縁層は、プリント法により形成されるＳｉＯ2層であることを特徴とする請求項１または２に記載の電界放出素子。
【請求項４】
前記メッシュグリッドの絶縁層は、前記ゲート電極の表面に直接接触されていることを特徴とする請求項３に記載の電界放出素子。
【請求項５】
（ａ）アノード電極および蛍光体層がその内面に形成されているアノードプレートを設ける段階と、
（ｂ）前記蛍光体層に向けて電子を放出する電子放出源および前記電子が通過するゲートホールを有するゲート電極がその内面に形成されているカソードプレートを設ける段階と、
（ｃ）前記ゲートホールに対応する電子制御ホールが形成され、前記カソードプレートに対応する面に絶縁層が形成されている別途のメッシュグリッドを製作する段階と、
（ｄ）前記メッシュグリッドの絶縁層が前記カソードプレートに対面するように前記メッシュグリッドを前記カソードプレートに接触させる段階と、
（ｅ）所定高さのスペーサを前記カソードプレートと前記アノードプレートの間に介在させた状態で前記アノードプレートとカソードプレートとを真空封着する段階とを含むことを特徴とする電界放出素子の製造方法。
【請求項６】
前記メッシュグリッドは、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金より形成されることを特徴とする請求項５に記載の電界放出素子の製造方法。
【請求項７】
前記絶縁層は、ＳｉＯ2ペーストのプリントおよび焼成により形成することを特徴とする請求項５または６に記載の電界放出素子の製造方法。
【請求項８】
メッシュグリッドの絶縁層は、ＳｉＯ2より形成されることを特徴とする請求項５に記載の電界放出素子の製造方法。
【請求項９】
前記メッシュグリッドを製作する段階（ｃ）は、
（ｃ１）金属板材の一側面に絶縁層を形成する段階と、
（ｃ２）前記金属板材の他側面に対してフォトリソグラフィ工程を行うことにより前記金属板に電子制御ホールを形成する段階と、
（ｃ３）前記電子制御ホールに対応する前記絶縁層部分を除去して前記電子制御ホールを貫通させる段階とを含むことを特徴とする請求項５または６に記載の電界放出素子の製造方法。
【請求項１０】
前記金属板材に絶縁層を形成する段階（ｃ１）は、
（ｃ１１）前記金属板材にＳｉＯ2ペーストをプリント法により塗布する段階と、
（ｃ１２）プリントされた前記ＳｉＯ2ペーストを焼成する段階とを含むことを特徴とする請求項９に記載の電界放出素子の製造方法。
【請求項１１】
前記アノードプレートとカソードプレートとを真空封着する段階は、
（ｆ１）前記アノードプレート内面にスペーサを整列させた後でバインダにより固定する段階と、
（ｆ２）前記アノードプレートを加熱して前記蛍光体層を焼成すると共に前記バインダを硬化させる段階と、
（ｆ３）前記スペーサを前記メッシュグリッドに接触させた状態でカソードプレートとアノードプレートとを相互結合した後で真空封着する段階とを含むことを特徴とする請求項５，６，９および１０のうちいずれか１項に記載の電界放出素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電界放出表示素子およびその製造方法に係り、さらに詳細にはダブルゲート型電界放出表示素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、電界放出素子の内部電子放出源から電子が放出される間に、電子放出源が設けられるカソードプレートと、電子が衝突する蛍光面を有するアノードプレートとの間の内部真空空間でアーク放電が発生する場合がある。このようなアーキング現象は、内部からの脱ガスなどにより瞬間的に多くのガスがイオン化される場合に起こる放電現象（電子なだれ現象）により発生すると推定される。また、カソードプレート上に形成される電界放出アレイ（ＦＥＡ：Ｆｉｅｌｄ Ｅｍｉｓｓｉｏｎ Ａｒｒａｙ）のチャンバテスト、またはカソードプレートとアノードプレートとを一体に形成した後、ＦＥＤ（Ｆｉｅｌｄ Ｅｍｉｓｓｉｏｎ Ｄｉｓｐｌａｙ）のテストのために１ＫＶ以上のアノード電圧を印加した時にもアーキングが起きる場合がある。アーキングが発生したＦＥＡの表面を光学顕微鏡で観察すれば、アーキングによる損傷がゲートホールのエッジ側から主に起きることが分かる。これは、ゲートホールのエッジ部分が鋭利であって強い電場下でアーキングが容易に起きるためであると推定される。アーキングは、最高電位であるアノード電圧が印加されるアノードと、これより低いゲート電圧が印加されるゲート電極との間に電気的短絡現象が起こし、これによって、アノード電圧がゲート電極に加わり、このような高電圧によりカソード電極とゲート電極とを電気的に絶縁するゲート酸化物およびカソード電極上に形成される抵抗層が損傷を受ける。アノード電圧が高くなるにつれて、抵抗層が損傷を受ける可能性は一層高くなり、１ｋＶ以上のアノード電圧の印加時にはアーキング可能性が一層高くなる。したがって、既存の電界放出素子のようにカソードとアノードとがスペーサにより隔離されている単純な構造では、高電圧で安定的に動作する高輝度ＦＥＤが得られない。
【０００３】
一方、このような従来のＦＥＤでは、一つのゲート電極から抽出された電子が蛍光面に向かって単純に加速される構造を有するため、電子ビームが発散されることにより、与えられたピクセルを外れた領域の蛍光体にも電子が衝突する問題が生じる。このような問題は、前記のような電子ビーム経路上に発散される電子ビームを制御する、例えば蛍光体層上の与えられた目標位置に電子ビームをフォーカシングする別途の電極を設けることにより解消することができる。このような電極は、ＦＥＤにおける二番目のゲート電極に該当し、ストライプ状に設けられる最初のゲート電極とは異なって一般的に単一体として形成される。このような単一体の二番目のゲート電極、すなわち、第２ゲート電極は、前記のような電子ビーム制御と共に前述したＦＥＤ内部でのアーキングも防止する。特許文献１などには、前記のような第２ゲート電極が適用されたダブルゲート電界放出素子が開示されている。
【０００４】
特許文献１に開示されたＦＥＤは、第２ゲート電極が金属物質の蒸着により形成される構造を有し、特許文献２に開示されたＦＥＤでは、別途の金属メッシュがアノード板とカソード板の間にスペーサが架設され、アノード板とカソード板とがいずれも分離されている構造を有する。
【０００５】
特許文献１に開示されているように、金属物質の蒸着により得られる第２ゲート電極のサイズは蒸着設備の規模に制約される。このような蒸着設備の規模による制限はＦＥＤサイズを一定値以下に制限し、従って、特許文献１に開示されている技術は、このような大型のＦＥＤ製造に適さない。大型のＦＥＤを製造するためには、金属膜蒸着装置は新しく設計および製作されねばならないが、それには莫大な費用がかかる。一方、金属蒸着膜による第２ゲート電極は、その厚さが最大１．５ミクロンほどに制限されるために、電子ビームを効果的に制御するための十分な厚さを有しない。
【０００６】
一方、特許文献２に開示されたＦＥＤの場合は、第２ゲート電極（メッシュグリッド）が、金属板で形成されているため、前述のようなサイズの制限を受けず、その厚さを自由に選択できるために電子ビームの効率的な制御が可能である。
【０００７】
図１Ａは、第２ゲート電極としてメッシュグリッドを有する従来のＦＥＤの一例を示す概略的断面図である。
【０００８】
図１に示すように、カソードプレート１０とアノードプレート２０とが、スペーサ３０により相互に隔離されている。カソードプレート１０とアノードプレート２０の間の空間は真空にされており、従って内部負圧によりカソードプレート１０とアノードプレート２０とは、スペーサ３０を挟んでしっかりと結合されている。
【０００９】
カソード電極１２は、カソードプレート１０の背面板１１の上に形成されており、そのカソード電極１２の上にゲート絶縁層１３が形成されている。ゲート絶縁層１３には貫通孔１３ａが形成され、その貫通孔１３ａを通じてカソード電極１２が露出される。貫通孔１３ａを通じて露出されたカソード電極１２の上にはカーボンナノチューブ（Carbon Nano Ｔｕｂｅ：ＣＮＴ）のような電子放出源１４が形成されている。前記ゲート絶縁層１３の上には、前記貫通孔１３ａに対応するゲートホール１５ａを有するゲート電極１５が形成されている。
【００１０】
一方、アノードプレート２０の前面板２１の内面にアノード電極２２が形成され、アノード電極２２の前記ゲートホール１５ａに対面する部分に蛍光体層２３が形成され、その残りの部分にはブラックマトリックス２４が形成されている。
【００１１】
前記のような構造のカソードプレート１０とアノードプレート２０の間には、メッシュグリッド４０が介設され、このメッシュグリッド４０は、カソードプレート１０とアノードプレート２０とから離隔して前記スペーサ３０により支持されている。
【００１２】
前記メッシュグリッド４０は、スペーサ３０が貫通する固定ホール４１と前記ゲートホール１５ａに対応する電子ビーム制御ホール４２とを有する。前記固定ホール４１には、スペーサ３０にメッシュグリッド４０を結合するためのバインダ４３が充填されている。
【００１３】
前記のような構造の従来の電界放出素子におけるスペーサと他の要素との結合方法は次の通りである。
まず、蛍光体層２３がまだ焼成されていない状態のアノードプレート２０に、スペーサ３０が所定間隔に配した後に固定される。このような状態で金属板から完成された形に得られたメッシュグリッド４０の固定ホール４１に、前記アノードプレート２０に固定されたスペーサ３０を挟んだ後、スペーサ３０の固定のためのバインダ４３を固定ホール４１に充填する。
【００１４】
次に、前記メッシュグリッド４０とスペーサ３０とを整列させた後、バインダ４３を硬化させ、これに続いて前記蛍光体層２３を焼成する。さらに、前記アノードプレートとカソードプレートとを相互整列させた後、真空パッケージングを実施する。
【００１５】
前記のような従来の方法によれば、前記１２０℃ほどの温度でのバインダの硬化および４２０℃度ほどの温度での蛍光体層の焼成時に、メッシュグリッドの変形およびアノードプレートとの整列が乱れる問題が生じる。特に、真空パッケージング時に加えられる３００℃以上の温度で二次的なメッシュグリッドの変形およびアノードプレートの整列の乱れが発生する。図１Ｂは、従来方法により製造されたＦＥＤによる画面を写した写真であり、メッシュグリッドの変形により画面が全体的に均一ではなく縞がついていることが分かる。
【００１６】
このような画質悪化を招くメッシュグリッドの変形と乱れは、電界放出素子の性能を落としたり悪化させる。従って、このような問題を解消するための新しい方法の摸索が必要である。
【特許文献１】米国特許第５，７１０，４８３号明細書
【特許文献２】韓国公開特許第１０２００１００８１４９６号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１７】
本発明は前記のような問題点を解決するために創出されたものであり、メッシュグリッドの変形を効果的に防止できる電界放出素子およびその製造方法を提供するところにその目的がある。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
前記目的を達成するために本発明によれば、アノード電極および蛍光体層がその内面に形成されているアノードプレートと、前記蛍光体層に向けて電子を放出する電子放出源および前記電子が通過するゲートホールを有するゲート電極がその内面に形成されているカソードプレートと、前記カソードプレートの内面に密着され、前記ゲートホールに対応する電子制御ホールが形成されており、前記カソードプレートに対応する面に絶縁層が形成されているメッシュグリッドと、前記アノードプレートと前記メッシュグリッドの間に設けられ、アノードプレートとカソードプレートの間の負圧により前記メッシュグリッドを前記カソードプレートに密着させるスペーサとを備える電界放出素子が提供される。
【００１９】
前記メッシュグリッドは、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金で形成されていることが好ましい。
前記メッシュグリッド上に形成されている絶縁層は、プリンティング法によって形成されたＳｉＯ2層であることが好ましい。
前記メッシュグリッド上に形成されている絶縁層は、前記ゲート電極の表面に直接接触していることが好ましい。
【００２０】
また、上記の目的を達成するために本発明によれば、（ａ）アノード電極および蛍光体層がその内面に形成されているアノードプレートを設ける段階と、（ｂ）前記蛍光体層に向けて電子を放出する電子放出源および前記電子が通過するゲートホールを有するゲート電極がその内面に形成されているカソードプレートを設ける段階と、（ｃ）前記ゲートホールに対応する電子制御ホールが形成され、前記カソードプレートに対応する面に絶縁層が形成されているメッシュグリッドを製作する段階と、（ｄ）前記メッシュグリッドの絶縁層が前記カソードプレートに対面するように前記メッシュグリッドを前記カソードプレートに接触させる段階と、（ｅ）所定高さのスペーサを前記カソードプレートと前記アノードプレート間に介在させた状態で前記アノードプレートとカソードプレートとを真空封着する段階とを含む電界放出素子の製造方法が提供される。
【００２１】
前記メッシュグリッドは、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金で形成されていることが好ましい。
前記絶縁層は、ＳｉＯ2ペーストをメッシュグリッドにプリンティングしてそのＳｉＯ2ペーストを焼成することによって形成することが好ましい。
前記絶縁層は、前記メッシュグリッドの上にＳｉＯ2で形成されていることが好ましい。
【００２２】
前記メッシュグリッドを製作する段階は、（ｃ１）金属板材の一側面に絶縁層を形成する段階と、（ｃ２）前記金属板材の他側面に対してフォトリソグラフィ工程を行うことにより前記金属板に電子制御ホールを形成する段階と、（ｃ３）前記電子制御ホールに対応する前記絶縁層部分を除去して前記電子制御ホールを貫通させる段階とを含むことが好ましい。
【００２３】
前記絶縁層は、前記金属板材にＳｉＯ2ペーストを塗布した後、その金属板材にプリンティングされたＳｉＯ2ペーストを焼成処理することによって形成されることが好ましい。
【００２４】
前記アノードプレートとカソードプレートの真空封着は、前記アノードプレートの内面に前記スペーサを配置して前記バインダを用いて固定した後、前記アノードプレートを加熱することによって前記バインダを硬化させると同時に蛍光体層を焼成し、前記カソードプレートと前記アノードプレートとを、前記スペーサが前記メッシュグリッドに接触するように結合させ、次に、前記カソードプレートと前記アノードプレートとを一体的に真空封着することによって行うことが好ましい。
【発明の効果】
【００２５】
本発明によれば、蛍光体層の焼成による部品の変形、特にメッシュグリッドの変形を完全に防止できる。特に、メッシュグリッドが、蒸着法によらずに別途の金属板から形成され、このメッシュグリッドの表面に、絶縁層がスキージング法などにより形成されるために大面積電界放出素子の製造に適している。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
以下、添付された図面を参照しつつ、本発明による電界放出素子およびその製造方法の望ましい実施形態を詳細に説明する。
【００２７】
図２は、本発明の望ましい実施形態に係る電解放出素子の断面図である。図２に示すように、カソードプレート１００とアノードプレート２００とは、スペーサ３００により相互に離隔されている。カソードプレート１００とアノードプレート２００とは真空封着されており、それらの間の空間は真空化されている。従って、内部負圧によって、カソードプレート１００とアノードプレート２００とが、スペーサ３００を挟んでしっかりと結合されている。
【００２８】
前記カソードプレート１００の背面板１１０の上に、カソード電極１２０が形成され、そのカソード電極１２０の上にゲート絶縁層１３０が形成されている。ゲート絶縁層１３０には、貫通孔１３０ａが形成されており、この貫通孔１３０ａの底にカソード電極１２０が露出される。貫通孔１３０ａを通じて露出されたカソード電極１２０の上には、ＣＮＴのような電子放出源１４０が形成されている。前記ゲート絶縁層１３０の上には、前記貫通孔１３０ａに対応するゲートホール１５０ａを有するゲート電極１５０が形成されている。
【００２９】
一方、アノードプレート２００の前面板２１０の内面に、アノード電極２２０が形成され、アノード電極２２０の前記ゲートホール１５０ａに対面する部分に、蛍光体層２３０が形成され、その残りの部分には、外光吸収遮断および光学的クロストークなどを防止するためのブラックマトリックス２４０が形成されている。
【００３０】
前記のような構造のカソードプレート１００とアノードプレート２００の間には、メッシュグリッド４００が介設され、このメッシュグリッド４００は、アノードプレート２０から離れた状態で、前記スペーサ３００によりカソードプレート１００に密着されている。前述の通り、カソードプレート１００とアノードプレート２００の間の空間は真空状態であり、従って、前記メッシュグリッド４００は、スペーサ３００によりカソードプレート１００に強く密着されている。
【００３１】
前記メッシュグリッド４００の底面、すなわちカソードプレート１００のゲート電極１５０に対向する部分に、絶縁層４４０が形成されており、この絶縁層４４０は、ゲート電極１５０の表面に強く密着されている状態である。このようなメッシュグリッド４００は、前記ゲートホール１５０ａに対応する電子ビーム制御ホール４２０を有する。
【００３２】
以上のような構造を有する本発明による電界放出素子の特徴は、金属板から別途の部品で製造されたメッシュグリッド４００がゲート電極１５０に密着されているということであり、この時、スペーサ３００が、メッシュグリッド４００をカソードプレート１００に向けて圧力を加えるということである。
【００３３】
以下、本発明による電界放出素子の製造方法の望ましい実施形態を詳細に説明する。
図３に示されたように、前述の通り前面板２１０の内面（図面で上面）に、アノード電極２２０、蛍光体層２３０およびブラックマトリックス２４０が、その内面（図面で上面）に形成されているアノードプレート２００を設ける。ここで適用される工程は従来の方法が利用され、前記蛍光体層２３０は未焼成の状態である。
【００３４】
図４に示されたように、背面板１１０の内面（図面で上面）に、前記蛍光体層２３０に向けて電子を放出する電子放出源１４０、電子放出源１４０が形成されるカソード電極１２０、前記電子が通過するゲートホール１５０ａを有するゲート電極１５０、ゲート電極１５０の下部に設けられたゲート絶縁層１３０、その内面に形成されているカソードプレート１９９を設ける。やはりカソードプレートも従来の方法により製造され、前記蛍光体層２３０は未焼成の状態である。
【００３５】
図５に示されたように、電子ビーム制御ホール４２０が形成され、その底面に絶縁層４４０が形成されているメッシュグリッド４００を準備する。
【００３６】
図６に示されたように、所定の高さを有する柱状のスペーサ３００を多数準備する。
図７に示されたように、前記スペーサ３００を、前記アノードプレート２００に整列させた後に付着させる。この時、スペーサ３００の付着は、ペーストタイプのバインダ３０１を用いて行われる。このように、スペーサ３００がアノードプレート２００に付着させた状態で加熱して、前記蛍光体層２３０を焼成すると共に前記バインダ３０１を硬化させる。
【００３７】
図８に示されたように、前記メッシュグリッド４――は、前記カソードプレート１００の内面に前記メッシュグリッド４００を整列させた後に装着する。
【００３８】
図９に示されたように、カソードプレート１００とアノードプレート２００とを相互に結合した後、封着を行い、図２に示されたような目的とする電界放出素子を得る。
【００３９】
前記のとおり、前記蛍光体層２３０およびバインダ３０１を焼成するまで、メッシュグリッドはカソードプレート１００とアノードプレート２００の間に配置されていない。従って、従来のように前記蛍光体層２３０およびバインダ３０１の焼成時に、メッシュグリッドが変形されたりねじれる現象を基本的に防止することができる。
【００４０】
図１０および図１１は、本発明による電界放出素子の製造方法の実施形態において、前記メッシュグリッド４００を製造する方法の一実施形態の工程を示す断面図である。
【００４１】
図１０に示されたように、５０ないし１００ミクロンほどの厚さを有するＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金（インバー）の一側面に、ＳｉＯ2ペーストをスキージングによりプリンティングする。そして、５３０℃の温度で焼成する。
【００４２】
図１１に示されたように、公知のフォトリソグラフィ法により、前記Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金に電子ビーム制御ホール４２０を形成する。このフォトリソグラフィには、フォトレジストマスクが適用され、このフォトレジストマスクは、前記電子ビーム制御ホール４２０に対応するウインドウを有し、エッチャントとして塩化第２鉄を使用できる。
【００４３】
図１２に示されたように、前記電子ビーム制御ホール４２０が形成されたＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金をマスクに利用して前記ＳｉＯ2の絶縁層４４０をエッチングして、前記電子ビーム制御ホール４２０を完全に貫通させる。この時、エッチング液としてはフッ酸を使用する。
【００４４】
図１３は、前記のような方法により製造されたメッシュグリッドの拡大写真である。
前記のようなメッシュグリッドの製造方法は、プリント法により絶縁層を形成するために非常に広い面積を有する大型の電界放出素子の製造に適し、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金自体を絶縁層パターニングのためのマスクに適用するため、全体工程が簡便となる長所を有する。
【００４５】
本発明は図面に示された実施形態を参考に説明されたが、これは例示的なものに過ぎず、当分野で当業者ならばこれから多様な変形および均等な他の実施形態が可能であるという点を理解できるであろう。従って、本発明の真の技術的保護範囲は特許請求の範囲に限って決定されるべきである。
【産業上の利用可能性】
【００４６】
本発明は、電界放出表示素子を用いる装置に効果的に適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１Ａ】従来の電界放出素子の概略的断面図である。
【図１Ｂ】従来の電界放出素子における変形されたメッシュグリッドによって縞が生じた画像を示す写真である。
【図２】本発明の電界放出素子の概略的な断面図である。
【図３】本発明の電界放出素子の製造方法におけるアノードプレートの製造工程を示す図である。
【図４】本発明の電界放出素子の製造方法におけるカソードプレートの製造工程を示す図である。
【図５】本発明の電界放出素子の製造方法におけるメッシュグリッドの製造工程を示す図である。
【図６】本発明の電界放出素子の製造方法におけるスペーサの製造工程を示す図である。
【図７】本発明の電界放出素子の製造方法の好適な実施形態を示す工程である。
【図８】本発明の電界放出素子の製造方法の好適な実施形態を示す工程である。
【図９】本発明の電界放出素子の製造方法の好適な実施形態を示す工程である。
【図１０】本発明の電界放出素子の製造方法において、メッシュグリッドを製造する方法を示す工程図である。
【図１１】本発明の電界放出素子の製造方法において、メッシュグリッドを製造する方法を示す工程図である。
【図１２】本発明の電界放出素子の製造方法において、メッシュグリッドを製造する方法を示す工程図である。
【図１３】本発明の電界放出素子の製造方法の実施形態により製造されたメッシュグリッドの表面拡大写真である。
【符号の説明】
【００４８】
１００      カソードプレート
１１０      背面板
１２０      カソード電極
１３０      ゲート絶縁層
１３０ａ    貫通孔
１４０      電子放出源
１５０      ゲート電極
１５０ａ    ゲートホール
２００      アノードプレート
２１０      前面板
２２０      アノード電極
２４０      ブラックマトリックス
３００      スペーサ
４００      メッシュグリッド
４４０      絶縁層
【図１Ａ】
2004214199.tif 000003
【図１Ｂ】
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【図２】
2004214199.tif 000005
【図３】
2004214199.tif 000006
【図４】
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【図５】
2004214199.tif 000008
【図６】
2004214199.tif 000009
【図７】
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【図８】
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【図９】
2004214199.tif 000012
【図１０】
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【図１１】
2004214199.tif 000014
【図１２】
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【図１３】
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