(57)【要約】【課題】ＤＢＭ単体のキャリアリークを簡単に測定する。【解決手段】測定対象のＤＢＭを直交変調器に組込み、位相が互いに直交する一対のキャリア信号からなる第１のキャリア信号対を交変調器の各ＤＢＭに入力した状態で、直交変調器全体の出力信号レベルが最小となる一対のＤＢＭの各ＩＦ入力端子に印加する第１の一対の直流電圧を求め、第１のキャリア信号対に対してそれぞれの間の位相関係が入れ替わった第２のキャリア信号対を直交変調器の各ＤＢＭに入力した状態で、直交変調器全体の出力信号レベルが最小となる一対のＤＢＭの各ＩＦ入力端子に印加する第２の一対の直流電圧を求め、第１の一対の直流電圧と前記第２の一対の直流電圧と各ＤＢＭの変換係数とから各ＤＢＭのキャリアリークの大きさと位相とを算出する。【選択図】    図３
2004186880.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも一方が被測定ＤＢＭ（ダブルバランスド・ミキサ）である第１のＤＢＭ及び第２のＤＢＭにおけるそれぞれのＲＦ出力端子を加算器に連結して加算信号を出力する直交変調器を準備する段階と、
前記第１のＤＢＭにキャリア信号を入力するとともに、前記第２のＤＢＭに位相が９０°遅れたキャリア信号を入力する段階と、
これらキャリア信号を入力した段階で前記第１のＤＢＭのＩＦ入力端子に直流電圧を印加するとともに前記第２のＤＢＭのＩＦ入力端子に別の直流電圧を印加し、前記直交変調器の出力信号レベルが最低となるようなそれぞれの直流電圧ＩＡ、ＱＡを求める段階と、
前記第１のＤＢＭにキャリア信号を入力するとともに、前記第２のＤＢＭに位相が９０°進んだキャリア信号を入力する段階と、
これらキャリア信号を入力した段階で前記第１のＤＢＭのＩＦ入力端子に直流電圧を印加するとともに前記第２のＤＢＭのＩＦ入力端子に別の直流電圧を印加し、前記直交変調器の出力信号レベルが最低となるようなそれぞれの直流電圧ＩＢ、ＱＢを求める段階と、
前記直流電圧ＩＡ、ＱＡ、前記直流電圧ＩＢ、ＱＢ、並びに前記第１、第２のＤＢＭのそれぞれの変換係数ＫＩ、ＫＱから前記被測定ＤＢＭのキャリアリークのレベル及び位相を算出する段階と
を備えたことを特徴とするダブルバランスド・ミキサのキャリアリーク測定方法。
【請求項２】
前記第１、第２のＤＢＭの各ＩＦ入力端子に印加することによって、前記加算器から出力される直交変調器全体の出力信号レベルが最小となる一対の直流電圧を一対の基準電圧とし、
前記第１、第２のＤＢＭのうちの一方のＤＢＭのＩＦ入力端子に印加する直流電圧を前記基準電圧から変化させたときの電圧変化量と直交変調器の出力信号レベルの変化量との比率を該当ＤＢＭの変換係数とする
ことを特徴とする請求項１記載のダブルバランスド・ミキサのキャリアリーク測定方法。
【請求項３】
前記第１、第２のＤＢＭの各ＩＦ入力端子に直流電圧を印加し、前記加算器から出力される直交変調器全体の出力信号レベルが最小となるように前記直流電圧の一方を調節し、
この状態で、他方のＤＢＭのＩＦ入力端子に印加する直流電圧を変化させたときの電圧変化量と、直交変調器の出力信号レベルの変化量との比率を前記他方のＤＢＭの変換係数とする
ことを特徴とする請求項１記載のダブルバランスド・ミキサのキャリアリーク測定方法。
【請求項４】
前記直交変調器は一つの回路素子として一体形成されていることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項記載のダブルバランスド・ミキサのキャリアリーク測定方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ローカル入力端子に入力されたキャリア信号とＩＦ入力端子に入力されたＩＦ信号とを掛け算するダブルバランスド・ミキサの出力信号に含まれるキャリアリークを測定するダブルバランスド・ミキサのキャリアリーク測定方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
図５（ｂ）に示す構造を有するダブルバランスド・ミキサ（Ｄｏｕｂｌｅ  Ｂａｌａｎｃｅｄ  Ｍｉｘｅｒ  以下、ＤＢＭと略記する）１（この構造はダブルバランスド・ミキサの一例である）においては、図５（ａ）に示すように、ローカル入力端子に入力されたキャリア信号ｃとＩＦ入力端子に入力されたＩＦ信号ｂとを掛け算して、出力信号ｄとして出力する。
【０００３】
この場合、一般のＤＢＭ１においては、図５（ｃ）の位相ベクトル図に示すように、出力信号ｄに、この出力信号ｄの正規ベクトルの他に、キャリア信号ｃがこのＤＢＭ１を介して出力信号ｄにリークするキャリアリークが含まれる。このように、ＤＢＭ１の出力信号ｄにキャリアリークが含まれると、このＤＢＭ１が組込まれた例えば直交変調器等の各種の回路や信号処理機器の出力信号において、大きなスプリアスが発生し、性能低下の要因となる。
【０００４】
したがって、各種の回路や信号処理機器に組込まれる各ＤＢＭ１におけるキャリアリークの大きさ及び位相θを予め測定して、把握しておくことは、回路設計上重要なことである。
【０００５】
従来、図６（ａ）に示すネットワークアナライザ（ＮＷＡ）２を用いて、このＤＢＭ１におけるキャリアリークの大きさＬと基準位相（キャリア信号ｃの位相）からの角度を示す位相θを求めていた。すなわち、測定対象のＤＢＭ１のＩＦ入力端子をこのＤＢＭ１の特性インピーダンス３で終端し、ネットワークアナライザ（ＮＷＡ）２から、位相と周波数と振幅とが既知である試験信号としてのキャリア信号ｃをＤＢＭ１のＲＦ入力端子に印加し、そのときのＤＢＭ１の出力信号ｄを取込んで、この出力信号ｄの大きさと位相とを測定していた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、ネットワークアナライザ（ＮＷＡ）２で、このＤＢＭ１におけるキャリアリークを測定する手法においても、まだ解消すべき次のような課題があった。
【０００７】
すなわち、ＤＢＭ１のなかには、信号レベルが一定以上のキャリア信号ｃを入力する必要がある動作仕様を有するものもある。一般に、ネットワークアナライザ（ＮＷＡ）２に入出力される信号の信号レベルは、ＤＢＭ１を駆動するには、小さくて、ネットワークアナライザは、この小さい信号レベルの信号の特性を高い精度で測定する機能を有している。したがって、図６（ｂ）に示すように、キャリア信号ｃの信号路に増幅器４を介在させる必要がある。
【０００８】
しかし、このように信号路に増幅器４を介在させると、測定結果に対する増幅器４の増幅特性、位相特性の影響も無視できないので、測定、及び最終のキャリアリークの大きさＬと位相θを求める演算処理が複雑化する。
【０００９】
さらに、図７に示すように、測定対象のＤＢＭ１が、他のＤＢＭ５及び加算器６とともに、例えばＩＣ回路のように一つの一体形成された直交変調器７に組込まれていた場合においては、測定対象のＤＢＭ１の出力信号を単独で取出すことができないので、ネットワークアナライザ（ＮＷＡ）２を用いて、測定対象のＤＢＭ１単独のキャリアリークを測定することは不可能であった。
【００１０】
また、ネットワークアナライザ（ＮＷＡ）２は、本質的に、小さい信号レベルの信号の特性を高い精度で測定する機能を有するので、非常に高価である。
【００１１】
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであり、測定対象のＤＢＭを直交変調器に組込み、この直交変調器全体の出力信号レベルを各ＤＢＭのＩＦ入力端子に印加する直流電圧で制御することによって、ネットワークアナライザ（ＮＷＡ）を用いることなく、簡単に高い精度で、かつたとえ直交変調器に組込まれたＤＢＭであったとしても、測定対象のＤＢＭ単独のキャリアリークを測定できるダブルバランスド・ミキサのキャリアリーク測定方法を提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解消するために、本発明のダブルバランスド・ミキサ（ＤＢＭ）のキャリアリーク測定方法においては、少なくとも一方が被測定ＤＢＭ（ダブルバランスド・ミキサ）である第１のＤＢＭ及び第２のＤＢＭにおけるそれぞれのＲＦ出力端子を加算器に連結して加算信号を出力する直交変調器を準備する段階と、第１のＤＢＭにキャリア信号を入力するとともに、前記第２のＤＢＭに位相が９０°遅れたキャリア信号を入力する段階と、これらキャリア信号を入力した段階で第１のＤＢＭのＩＦ入力端子に直流電圧を印加するとともに第２のＤＢＭのＩＦ入力端子に別の直流電圧を印加し、直交変調器の出力信号レベルが最低となるようなそれぞれの直流電圧ＩＡ、ＱＡを求める段階と、第１のＤＢＭにキャリア信号を入力するとともに、第２のＤＢＭに位相が９０°進んだキャリア信号を入力する段階と、これらキャリア信号を入力した段階で第１のＤＢＭのＩＦ入力端子に直流電圧を印加するとともに第２のＤＢＭのＩＦ入力端子に別の直流電圧を印加し、直交変調器の出力信号レベルが最低となるようなそれぞれの直流電圧ＩＢ、ＱＢを求める段階と、直流電圧ＩＡ、ＱＡ、直流電圧ＩＢ、ＱＢ、並びに第１、第２のＤＢＭのそれぞれの変換係数ＫＩ、ＫＱから被測定ＤＢＭのキャリアリークのレベル及び位相を算出する段階とを備えている。
【００１３】
また、別の発明は、上述したＤＢＭのキャリアリーク測定方法において、第１、第２のＤＢＭの各ＩＦ入力端子に印加することによって、加算器から出力される直交変調器全体の出力信号レベルが最小となる一対の直流電圧を一対の基準電圧とし、第１、第２のＤＢＭのうちの一方のＤＢＭのＩＦ入力端子に印加する直流電圧を基準電圧から変化させたときの電圧変化量と直交変調器の出力信号レベルの変化量との比率を該当ＤＢＭの変換係数としている。
【００１４】
さらに、別の発明は、上述したＤＢＭのキャリアリーク測定方法において、第１、第２のＤＢＭの各ＩＦ入力端子に直流電圧を印加し、前記加算器から出力される直交変調器全体の出力信号レベルが最小となるように直流電圧の一方を調節し、この状態で、他方のＤＢＭのＩＦ入力端子に印加する直流電圧を変化させたときの電圧変化量と、直交変調器の出力信号レベルの変化量との比率を他方のＤＢＭの変換係数としている。
【００１５】
さらに別の発明は、直交変調器は一つの回路素子として一体形成されている。
【００１６】
このように構成されたＤＢＭのキャリアリーク測定方法の測定原理を図１、図２を用いて説明する。
例えば、測定対象のＤＢＭ１１と測定対象でないＤＢＭ１２と加算器１３とで構成される直交変調器１４の各ＤＢＭ１１、１２のＩＦ入力端子に印加するＩ、Ｑ信号の信号レベルを「０」に維持した状態で、各ＤＢＭ１１、１２に対して互いに位相が９０°異なるキャリア信号ｃ１、ｃ２を印加する。なお、各ＤＢＭ１１、１２が全くキャリアリークを発生しない状態においては加算器１３から信号は出力されない。
【００１７】
しかし、一般的に、図２に示すように、ＤＢＭ１１からのこのＤＢＭ１１に入力するキャリア信号ｃ１の位相に対して位相θＩだけ離れたキャリアリーク（大きさＬＩ）が発生し、ＤＢＭ１２からのこのＤＢＭ１２に入力するキャリア信号ｃ２の位相に対して位相θＱだけ離れたキャリアリーク（大きさＬＱ）が発生する。加算器１３から出力される直交変調器１４全体のキャリアリーク（大きさＬ０）は各キャリアリークＬＩ、ＬＱをベクトル合成したものである。
【００１８】
この直交変調器１４からキャリアリークＬ０が出力されないためには、このキャリアリークＬ０を打ち消すベクトル方向を持つ調整のための電圧Ｖを加算器１３の出力に発生させればよい。この調整のための電圧Ｖを発生させるためには、ＤＢＭ１１、１２のＩＦ入力端子に対して、各キャリア信号ｃ１、ｃ２の入力位相（位相軸）に投影された直流電圧ＩＤＣ、ＱＤＣを印加すればよい。
【００１９】
ここで、直交変調器１４から出力されるキャリアリークＬ０（出力信号）の大きさを示す信号レベルは簡単に測定できるので、キャリアリークＬ０の信号レベルが最小を示す直流電圧ＩＤＣ、ＱＤＣを求めることは容易である。
【００２０】
図２から理解できるように、キャリアリークＬ０を打ち消すために印加した直流電圧ＩＤＣは、各キャリアリークＬＩ、ＬＱをＤＢＭ１１に入力するキャリア信号ｃ１の位相（Ｉ相軸）に投影したＩ相成分を加算した値を打ち消す電圧である。
【００２１】
また、キャリアリークＬ０を打ち消すために印加した直流電圧ＱＤＣは、各キャリアリークＬＩ、ＬＱをＤＢＭ１２に入力するキャリア信号ｃ２の位相（Ｑ相軸）に投影したＱ相成分を加算した値を打ち消す電圧である。
【００２２】
したがって、直流電圧ＩＤＣ、ＱＤＣと各キャリアリークＬＩ、ＬＱの大きさと位相θＩ、θＱとの関係が求まる。
【００２３】
次に、各ＤＢＭ１１、１２に印加するキャリア信号ｃ１、ｃ２を切り換えて同様の関係を求めることによって、各キャリアリークＬＩ、ＬＱの大きさと位相θＩ、θＱとが求まる。
【００２４】
但し、各ＤＢＭ１１、１２においては、ＩＦ入力端子に入力される電圧がそのまま出力端子に現れるのではなく、各ＤＢＭ１１、１２に対応した変換係数ＫＩ、ＫＱを乗算した値が現れる。したがって、前述した直流電圧ＩＤＣ、ＱＤＣに変換係数ＫＩ、ＫＱを乗算した値と各キャリアリークＬＩ、ＬＱの大きさと位相θＩ、θＱとの関係を用いて各キャリアリークＬＩ、ＬＱの大きさと位相θＩ、θＱとが求まる。
【００２５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の一実施形態に係わるダブルバランスド・ミキサ（ＤＢＭ）のキャリアリーク測定方法を図面を用いて説明する。
図３（ａ）は、図１で示した測定対象のＤＢＭ１１と、このＤＢＭ１１と同一仕様のＤＢＭ１２と、加算器１３とが組込まれた直交変調器１４におけるＤＢＭ１１のローカル入力端子にキャリア信号ｃ１（＝Ｅ  ｃｏｓ（２πｆＣ））を印加し、他方のＤＢＭ１２のローカル入力端子にキャリア信号ｃ２（＝Ｅ  ｓｉｎ（２πｆＣ））を印加した状態Ａを示す。したがって、この状態Ａにおいては、各キャリア信号ｃ１、ｃ２は互いに位相が９０°離れている。
【００２６】
さらに、この状態Ａにおいて、加算器１３から出力される信号（キャリアリークＬ０）の信号レベルが最小となるような、すなわち、この信号（キャリアリークＬ０）を打ち消すベクトル方向の調整のための電圧Ｖを発生させるために、各ＤＢＭ１１、１２のＩＦ入力端子へ直流電圧ＩＡ、ＱＡを印加している。
【００２７】
この一対の直流電圧ＩＡ、ＱＡの組合せを求める具体的手法は、各ＤＢＭ１１、１２のＩＦ入力端子へ印加する直流電圧ＩＤ、ＱＤの組合せを順次変化させていって、加算器１３の出力信号レベルが最小となる直流電圧ＩＤ、ＱＤの組合せを検索すればよい。
【００２８】
この状態Ａにおいては、図３（ｂ）、（ｃ）に示すように、ＤＢＭ１１からのこのＤＢＭ１１に入力されるキャリア信号ｃ１の位相（Ｉ相軸）に対して位相θＩだけ離れたキャリアリークＬＩが発生し、ＤＢＭ１２からのこのＤＢＭ１２に入力されるキャリア信号ｃ２の位相（Ｑ相軸）に対して位相θＱだけ離れたキャリアリークＬＱが発生する。加算器１３から出力される直交変調器１４全体のキャリアリークＬ０は各キャリアリークＬＩ、ＬＱをベクトル合成したものである。
【００２９】
図３（ｂ）において、このベクトル合成されたキャリアリークＬ０のＤＢＭ１１に入力されるキャリア信号ｃ１の相軸（Ｉ相軸）方向成分を打ち消すために、ＤＢＭ１１のＩＦ入力端子へ印加する直流電圧ＩＡのＤＢＭ１１の出力端に現れるＲＦ成分ＲＦＩＡは、各キャリアリークＬＩ、ＬＱのＤＢＭ１１に入力されるキャリア信号ｃ１の位相（Ｉ相軸）方向成分を合算した値を打ち消す値であるので、（１）式で示すことができる。
【００３０】
ＲＦＩＡ＝［ＬＩ  ｃｏｓ（θＩ）―ＬＱ  ｓｉｎ（θＱ）］・（―１）            …（１）
同様に、図３（ｃ）において、このベクトル合成されたキャリアリークＬ０のＤＢＭ１２に入力されるキャリア信号ｃ２の位相（Ｑ相軸）方向成分を打ち消すために、ＤＢＭ１２のＩＦ入力端子へ印加する直流電圧ＱＡのＤＢＭ１２の出力端に現れるＲＦ成分ＲＦＱＡは、各キャリアリークＬＩ、ＬＱのＤＢＭ１２に入力されるキャリア信号ｃ２の位相（Ｑ相軸）方向成分を合算した値を打ち消す値であるので、（２）式で示すことができる。
【００３１】
ＲＦＱＡ＝［ＬＩ  ｓｉｎ（θＩ）＋ＬＱ  ｃｏｓ（θＱ）］・（―１）          …（２）
しかしながら、直流電圧ＩＡ、ＩＢで二つのキャリアリークＬＩ、ＬＱをまとめて打ち消しているので、この（１）、（２）式から二つのキャリアリークＬＩ、ＬＱを個別に求めることはできない。
【００３２】
そこで、図４（ａ）に示すように、直交変調器１４の各ＤＢＭ１１、１２に入力するキャリア信号ｃ１、ｃ２を交換する。すなわち、直交変調器１４におけるＤＢＭ１１のローカル入力端子にキャリア信号ｃ２（＝Ｅ  ｓｉｎ（２πｆＣ））を印加し、他方のＤＢＭ１２のＲＦ入力端子にキャリア信号ｃ１（＝Ｅ  ｃｏｓ（２πｆＣ））を印加して、状態Ｂとする。したがって、この状態Ｂにおいても、各キャリア信号ｃ１、ｃ２は互いに位相が９０°異なる。
【００３３】
この状態Ｂの場合、各ＤＢＭ１１、１２に入力されるキャリア信号の位相が状態Ａに比較して、９０°移動する。
【００３４】
したがって、図４（ｂ）において、ベクトル合成されたキャリアリークＬ０のＤＢＭ１２に入力されるキャリア信号ｃ２の位相（Ｑ相軸）方向成分を打ち消すために、ＤＢＭ１２のＩＦ入力端子へ印加する直流電圧ＱＢによってＤＢＭ１２の出力端に現れるＲＦ成分ＲＦＱＢは、各キャリアリークＬＩ、ＬＱのＤＢＭ１２に入力されるキャリア信号ｃ２の位相（Ｑ相軸）方向成分を合算した値を打ち消す値であるので、（３）式で示すことができる。
【００３５】
ＲＦＱＢ＝［―ＬＩ  ｓｉｎ（θＩ）＋ＬＱ  ｃｏｓ（θＱ）］・（―１）      …（３）
同様に、図４（ｃ）において、このベクトル合成されたキャリアリークＬ０のＤＢＭ１１に入力されるキャリア信号ｃ１の位相（Ｉ相軸）方向成分を打ち消すために、ＤＢＭ１１のＩＦ入力端子へ印加する直流電圧ＩＢによってＤＢＭ１１の出力端に現れるＲＦ成分ＲＦＩＢは、各キャリアリークＬＩ、ＬＱのＤＢＭ１１に入力されるキャリア信号ｃ１の位相（Ｉ相軸）方向成分を合算した値を打ち消す値であるので、（４）式で示すことができる。
【００３６】
ＲＦＩＢ＝ＬＩ  ｃｏｓ（θＩ）＋ＬＱ  ｓｉｎ（θＱ）                        …（４）
前述したように、各ＤＢＭ１１、１２においては、ＩＦ入力端子に入力される電圧がそのまま出力端子にＲＦ成分として現れるのではなく、各ＤＢＭ１１、１２に対応した変換係数Ｋを乗算した値がＲＦ成分として現れる。各ＤＢＭ１１、１２の変換係数をＫＩ、ＫＱとすると、各ＲＦ成分と各直流電圧との関係は、（５）〜（８）式で示すことが可能である。
【００３７】
ＲＦＩＡ＝ＫＩ・ＩＡ                                      …（５）
ＲＦＱＡ＝ＫＱ・ＱＡ                                      …（６）
ＲＦＩＢ＝ＫＩ・ＩＢ                                      …（７）
ＲＦＱＢ＝ＫＱ・ＱＢ                                      …（８）
以上の（５）〜（８）式を（１）〜（４）式へ代入して下記に示す（９）〜（１２）式を得る。
【００３８】
ＲＦＩＡ＝ＫＩ・ＩＡ＝［ＬＩ  ｃｏｓ（θＩ）―ＬＱ  ｓｉｎ（θＱ）］・（―１）      …（９）
ＲＦＱＡ＝ＫＱ・ＱＡ＝［ＬＩ  ｓｉｎ（θＩ）＋ＬＱ  ｃｏｓ（θＱ）］・（―１）      …（１０）
ＲＦＱＢ＝ＫＱ・ＱＢ＝［―ＬＩ  ｓｉｎ（θＩ）＋ＬＱ  ｃｏｓ（θＱ）］・（―１）    …（１１）
ＲＦＩＢ＝ＫＩ・ＩＢ＝［ＬＩ  ｃｏｓ（θＩ）＋ＬＱ  ｓｉｎ（θＱ）］・（―１）      …（１２）
（９）〜（１２）式を変形して、下記に示す（１３）〜（１６）式を得る。
【００３９】
ＫＩ・ＩＡ＋ＫＩ・ＩＢ＝２ＬＩ  ｃｏｓ（θＩ）・（―１）                    …（１３）
ＫＱ・ＱＡ＋ＫＱ・ＱＢ＝２ＬＱ  ｃｏｓ（θＱ）・（―１）                  …（１４）
ＫＩ・ＩＡ―ＫＩ・ＩＢ＝―２ＬＱ  ｓｉｎ（θＱ）・（―１）                …（１５）
ＫＱ・ＱＡ―ＫＱ・ＱＢ＝２ＬＩ  ｓｉｎ（θＩ）・（―１）                    …（１６）
式（１３）、（１６）からＤＢＭ１１のキャリアリークの大きさＬＩは（１７）式で求まる。
ＬＩ＝（１／２）［ＫＩ２（ＩＡ＋ＩＢ）２＋ＫＱ２（ＱＡ―ＱＢ）２］１／２…（１７）
また、式（１４）、（１５）からＤＢＭ１２のキャリアリークの大きさＬＱは（１８）式で求まる。
【００４０】
ＬＱ＝（１／２）［ＫＩ２（ＩＡ―ＩＢ）２＋ＫＱ２（ＱＡ＋ＱＢ）２］１／２…（１８）
さらに、（１３）式からＤＢＭ１１のキャリアリークの位相θＩは（１９）式で求まる。
【００４１】
θＩ＝ＡＣＯＳ［―ＫＩ（ＩＡ＋ＩＢ）／（２ＬＩ）］          …（１９）
同様に、（１４）式からＤＢＭ１２のキャリアリークの位相θＱは（２０）式で求まる。
【００４２】
θＱ＝ＡＣＯＳ［―ＫＱ（ＱＡ＋ＱＢ）／（２ＬＱ）］        …（２０）
または、（１６）式からＤＢＭ１１のキャリアリークの位相θＩは（２１）式で求まる。
【００４３】
θＩ＝ＡＳＩＮ［―ＫＩ（ＱＡ―ＱＢ）／（２ＬＩ）］          …（２１）
同様に、（１５）式からＤＢＭ１２のキャリアリークの位相θＱは（２２）式で求まる。
【００４４】
θＱ＝ＡＳＩＮ［―ＫＱ（ＩＡ―ＩＢ）／（―２ＬＱ）］    …（２２）
このように、直交変換器１４の加算器１３から出力される直交変換器１４全体としてのキャリアリークＬ０の信号レベルが最小となる各ＤＢＭ１１、１２のＩＦ入力端子に印加する２組の直流電圧の組合せ（ＩＡ、ＱＡ）、（ＩＢ、ＱＢ）、及び各ＤＢＭ１１、１２の変換係数ＫＩ、ＫＱが求まれば、各ＤＢＭ１１、１２単独の各キャリアリークの大きさＬＩ、ＬＱ、及び位相θＩ、θＱが一義的に求まる。
【００４５】
次に、各ＤＢＭ１１、１２の変換係数ＫＩ、ＫＱの測定方法を説明する。この変換係数ＫＩ、ＫＱの測定方法は下記の（ａ）（ｂ）（ｃ）で示す複数種類が考えられる。
【００４６】
（ａ）簡易測定
精度を必要としない場合には、変換係数Ｋを測定したい一方のＤＢＭ１１のＩＦ入力端子に直流電圧を印加し、他方のＤＢＭ１２のＩＦ入力端子を接地する。そして、一方のＤＢＭ１１のＩＦ入力端子に印加する直流電圧ＤＣの変化量と、このときに直交変換器１４の加算器１３から出力される出力信号の信号レベルＶＬの変化量との関係から、変換係数Ｋを算出する。
【００４７】
この簡易測定においては、各ＤＢＭ１１、１２が有する各キャリアリークが加算器１３から出力される出力信号に含まれるので、変換係数ＫＩ、ＫＱの高い測定精度を期待できない。
【００４８】
（ｂ）正規測定（その１）
測定対象でないＤＢＭ１２のＩＦ入力端子に、加算器１３から出力される直交変調器全体の出力信号の信号レベルが最小となる直流電圧を探して印加する。この状態で、測定対象のＤＢＭ１１のＩＦ入力端子に印加する直流電圧を変化させたときの直交変調器１４の出力信号の信号レベルの変化の割合を測定対象のＤＢＭ１１の変換係数ＫＩとする。
【００４９】
具体的には、測定対象のＤＢＭ１１のＩＦ入力端子に印加する第１の電圧ＤＣ１に対する直交変調器１４の第１の出力信号レベルＶＬ１と、測定対象のＤＢＭ１１のＩＦ入力端子に印加する第２の電圧ＤＣ２に対する直交変調器１４の第２の出力信号レベルＶＬ２とを求めて、変換係数ＫＩを（２３）式で求める。
【００５０】
ＫＩ＝（ＶＬ２―ＶＬ１）／（ＤＣ２―ＤＣ１）                …（２３）
このように、測定対象でないＤＢＭ１２のＩＦ入力端子に直交変調器全体の出力信号レベルが最小となる直流電圧を印加しているので、測定対象のＤＢＭ１１の変換係数ＫＩを測定する過程で、測定対象でないＤＢＭ１２のキャリアリークの影響を最小限に抑制できる。その結果、前述した簡易測定に比較して変換係数Ｋの測定精度を向上できる。
【００５１】
（ｃ）正規測定（その２）
直交変調器１４の加算器１３から出力される直交変調器１４全体の出力信号の信号レベルが最小となる各ＤＢＭ１１、１２の各ＩＦ入力端子に印加する一対の直流電圧ＩＡ、ＱＡを探してそれぞれ基準電圧として設定する。次に、変換係数Ｋを測定しようとするＤＢＭ１１のＩＦ入力端子に印加する直流電圧ＩＤを基準電圧ＩＡから変化させたときの直交変調器１４の出力信号レベルの変化割合を測定対象のＤＢＭ１１の変換係数ＫＩとする。
【００５２】
このように直交変調器１４全体の出力信号レベルを最小とした状態で変換係数Ｋを測定しているので、各ＤＢＭ１１、１２が有する各キャリアリークが加算器１３から出力される出力信号にほとんど含まれないので、変換係数Ｋの測定精度を大幅に向上できる。
【００５３】
このように各ＤＢＭ１１、１２の変換係数ＫＩ、ＫＱも高い精度で測定できるので、各ＤＢＭ１１、１２単独のキャリアリークの大きさＬＩ、ＬＱ、及び位相θＩ、θＱを高い精度で測定可能である。
【００５４】
また、直交変調器１４から出力される直交変調器全体の出力信号の信号レベルは簡単なレベル測定器で測定可能であり、各ＤＢＭ１１、１２のＩＦ入力端子に印加する直流電圧（ＩＡ、ＱＡ）、（ＩＢ、ＱＢ）も簡単な直流電圧源で実現できる。したがって、高価なネットワークアナライザ（ＮＷＡ）２を使用することなく、各ＤＢＭ１１、１２単独のキャリアリークの大きさＬＩ、ＬＱ、及び位相θＩ、θＱを測定可能である。
【００５５】
また、たとえ、測定対象のＤＢＭ１１が一つのＩＣ回路素子としての直交変調器１４に組込まれていたとしても、測定対象のＤＢＭ１１単独のキャリアリークの大きさＬＩ及び位相θＩを高い精度で測定可能できる。
【００５６】
もちろん、直交変調器１４に組込まれた両方のＤＢＭ１１、１２を測定対象のＤＢＭと指定することも可能である。
【００５７】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明のダブルバランスド・ミキサ（ＤＢＭ）のキャリアリーク測定方法においては、測定対象のＤＢＭを直交変調器に組込み、この直交変調器全体の出力が最小値になるように各ＤＢＭのＩＦ入力端子に印加する直流電圧の組合せを設定し、この直流電圧の組合せと各ＤＢＭのキャリアリークとの関係を用いて各ＤＢＭのキャリアリークの大きさ及び位相を算出している。
【００５８】
したがって、ネットワークアナライザ（ＮＷＡ）を用いることなく、簡単にかつ高い精度で、たとえ直交変調器に組込まれたＤＢＭであったとしても、測定対象のＤＢＭ単独のキャリアリークを高い精度で測定できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のダブルバランスド・ミキサのキャリアリーク測定方法に用いる直交変調器を示す図
【図２】本発明のダブルバランスド・ミキサのキャリアリーク測定方法の測定原理を示す図
【図３】本発明の一実施形態のダブルバランスド・ミキサのキャリアリーク測定方法における状態Ａを説明するための図
【図４】同実施形態のダブルバランスド・ミキサのキャリアリーク測定方法における状態Ｂを説明するための図
【図５】キャリアリークを説明するための図
【図６】従来のネットワークアナライザを用いたキャリアリーク測定方法を示す図
【図７】一般的な直交変調器の概略構成を示す図
【符号の説明】
１、５、１１、１２…ＤＢＭ
２…ネットワークアナライザ
６、１３…加算器
７、１４…直交変調器
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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