(57)【要約】【課題】各種電子機器に使用される異方性導電膜において、厚さ方向の抵抗値を可逆的に変化させることを目的とする。【解決手段】有機誘電体膜１８の厚さ方向に貫通する孔の内部に金属１９を埋め込み、この金属より微細な金属１６を厚さ方向に貫通する孔に埋め込んだ有機誘電体膜１５を対向させ、その間に抵抗変化物質１７を挟み込んで両膜を接着する。ＩＣチップ１１と回路基板１２の対向する電極１３間に電気パルスを印加することにより、抵抗変化物質１７の抵抗値が可逆的に変化し、厚さ方向の抵抗値が局所的かつ可逆的に変化する異方性導電膜１４が得られる。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
厚さ方向に導電性を有する２層の異方性導電層の間に、電気的に抵抗値を制御する抵抗変化物質を有し、面内の個々の場所での抵抗値を電気的制御信号により可逆的に変化させることを特徴とする異方性導電膜。
【請求項２】
抵抗変化物質を介した上下２層の異方性導電層において、一方の微小導電体がサイズｄ１、数密度ｎ１を有し、他方の微小導電体がサイズｄ２、数密度ｎ２を有し、ｄ１＞ｄ２かつｎ１＜ｎ２なる関係を有する請求項１記載の異方性導電膜。
【請求項３】
異方性導電層に含まれる微小導電体の形状が厚さ方向にその軸を有する円柱であり、円柱の先端に抵抗変化物質を有する異方性導電膜。
【請求項４】
ポリマー膜にイオン若しくは中性子の高エネルギー粒子を照射することにより発生した欠陥領域をエッチングし、形成された孔に金属を電気化学的に埋め込み形成した膜を貼り合わせることにより作製した請求項１−３記載の異方性導電膜。
【請求項５】
ＩＣチップの有する電極と、回路基板に形成された電極の間に、請求項１−４記載の異方性導電膜を挟み、ＩＣチップと回路基板の電極の間に電気的制御信号を与えることにより電極の間の抵抗値を可逆的に変化させる電子機器。
【請求項６】
印加する電気的制御信号により異方性導電膜を高抵抗化し、異方性導電膜によって結線されるＩＣチップの内部の特定回路への電源電圧を低下させることを特徴とする、請求項５記載の電子機器。
【請求項７】
異方性導電膜によって結線される、１つのＩＣチップ内に存在する複数の通信方式回路ブロックから、印加する電気的制御信号により異方性導電膜を低抵抗化し、特定の通信方式回路ブロックを起動させることを特徴とする、請求項５記載の電子機器。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する利用分野】
本発明は、ＩＣチップと回路基板との接続に有用な、新規な構造を有する異方性導電膜とそれを用いた電子機器に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、異方性導電膜は有機誘電体膜にその表面から裏面までを貫通する微細な導電体を埋め込んだものが知られている（例えば特許文献１参照）。また、導電性微粒子を有機誘電体膜内部に一様に分散させているものや導電性微粒子の直鎖状凝集体を分散させたものもある（例えば、非特許文献１参照）。以下に、図面を用いて従来の技術を説明する。
【０００３】
図７は従来の異方性導電膜７４の構造を示しており、厚さ方向に微細な孔を開けた有機誘電体膜１５と、孔内部に電気化学的に充填した金属１６から構成されている。異方性導電膜７４はＩＣチップ１１と回路基板１２の間に挟んで熱圧着され、ＩＣチップ１１と回路基板１２の電極１３を電気的に接続し、ＩＣチップ１１が回路基板１２に実装される。
【０００４】
他方、電気的な制御信号により、高抵抗状態と低抵抗状態の２状態間を可逆的に変化する様々な抵抗変化物質が知られている。その主なものは、（１）相変化材料（例えば特許文献２参照）、（２）金属デンドライトを形成するイオン導電材料（例えば特許文献３もしくは非特許文献２参照）、（３）巨大磁気抵抗（ＣＭＲ）材料（例えば非特許文献３参照）、（４）ＬＢ膜材料（例えば非特許文献４参照）等である。
【０００５】
抵抗変化物質の作製方法として、電気化学的手法で金属電極を硫化させ目的の抵抗変化物質を形成する方法が知られている。（例えば非特許文献２参照）
【０００６】
【特許文献１】
特開２００２−７６０５６号公報（第２図）
【特許文献２】
特開平５−２１７４０号公報
【特許文献３】
特表２０００−５１２０５８号公報
【非特許文献１】
日経メカニカル、“住友電工，鎖状の金属ナノ粉末と樹脂で異方性導電シートを開発  ─  次世代携帯電話機などの実装向けに”、［ｏｎｌｉｎｅ］、２００２年６月１２日、Ｄｅｓｉｇｎ  ＆  Ｍａｎｕｆａｃｔｕｒｉｎｇ  ＯＮＬＩＮＥ、インターネット＜ＵＲＬ：ｈｔｔｐ：／／ｄｍ．ｎｉｋｋｅｉｂｐ．ｃｏ．ｊｐ／ｍｅｍｂｅｒｓ／ＤＭ／ＤＭＮＥＷＳ／２００２０６１１／３／＞
【非特許文献２】
阪本利司、外６名、“硫化銅を用いたスイッチング素子”、２００２年９月２６日、第６３回応用物理学会学術講演会
【非特許文献３】
Ｗ．  Ｗ．  Ｚｈｕａｎｇ、外１７名、“Ｎｏｖｅｌｌ  Ｃｏｌｏｓｓａｌ  Ｍａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔｉｖｅ  Ｔｈｉｎ  ＦｉｌｍＮｏｎｖｏｌａｔｉｌｅ  Ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ  Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ  （ＰＲＡＭ）”、２００２年１２月８−１１日、Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｄｅｖｉｃｅｓ  Ｍｅｅｔｉｎｇ  ２００２
【非特許文献４】
瀧本  清、外４名、“走査型プローブ顕微鏡を用いたＬＢ膜のスイッチング現象”、応用物理  第６３巻  第５号  （１９９４年）    ｐ．４７０
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
この異方性導電膜１４においては、ＩＣチップ１１と回路基板１２との個々の電気的接続を随時開閉することが要求されている。
【０００８】
本発明は、異方性導電膜１４の厚さ方向の抵抗値を局所的かつ可逆的に変化させることを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
この課題を解決するために本発明は、電気制御信号により抵抗値が可逆的に変化する抵抗変化物質を異方性導電膜内部に挿入したものである。
【００１０】
これにより、ＩＣチップと回路基板との間の電極の間が抵抗変化物質を介して接続され、抵抗変化物質が高抵抗状態から低抵抗状態に変化する電気制御信号を両電極の間に印加することにより導通（閉）状態、および抵抗変化物質が低抵抗状態から高抵抗状態に変化する電気制御信号を両電極の間に印加することにより絶縁（開）状態が得られる。
【００１１】
本発明の請求項１に記載の発明は、厚さ方向に導電性を有する２層の異方性導電層の間に、電気的に抵抗値を制御する抵抗変化物質を有し、面内の個々の場所での抵抗値を電気的制御信号により可逆的に変化させることを特徴とする異方性導電膜としたものであり、ＩＣチップと回路基板との電極の間のコンタクト抵抗を随時変化させるという作用を有する。
【００１２】
請求項２に記載の発明は、抵抗変化物質を介した上下２層の異方性導電層において、一方の微小導電体がサイズｄ１、数密度ｎ１を有し、他方の微小導電体がサイズｄ２、数密度ｎ２を有し、ｄ１＞ｄ２かつｎ１＜ｎ２なる関係を有する請求項１記載の異方性導電膜としたものであり、抵抗変化物質の電気的経路を厚さ方向にするという作用を有する。
【００１３】
請求項３に記載の発明は、異方性導電層に含まれる微小導電体の形状が厚さ方向にその軸を有する円柱であり、円柱の先端に抵抗変化物質を有する異方性導電膜としたものであり、面内の電極の間の絶縁性が増大するという作用を有する。
【００１４】
請求項４に記載の発明は、ポリマー膜にイオン若しくは中性子の高エネルギー粒子を照射することにより発生した欠陥領域をエッチングし、形成された孔に金属を電気化学的に埋め込み形成した膜を貼り合わせることにより作製した請求項１−３記載の異方性導電膜としたものであり、異方性導電膜の作製に要する微細な孔を容易に形成するという作用を有する。
【００１５】
請求項５に記載の発明は、ＩＣチップの有する電極と、回路基板に形成された電極の間に、請求項１−４記載の異方性導電膜を挟み、ＩＣチップと回路基板の電極の間に電気的制御信号を与えることにより電極の間の抵抗値を可逆的に変化させる電子機器としたものであり、ＩＣチップと回路基板の電極の間の開閉を電子的に行うという作用を有する。
【００１６】
請求項６に記載の発明は、印加する電気的制御信号により異方性導電膜を高抵抗化し、異方性導電膜によって結線されるＩＣチップの内部の特定回路への電源電圧を低下させることを特徴とする、請求項５記載の電子機器としたものであり、ＩＣチップの消費電力を低減するという作用を有する。
【００１７】
請求項７に記載の発明は、異方性導電膜によって結線される、１つのＩＣチップ内に存在する複数の通信方式回路ブロックから、印加する電気的制御信号により異方性導電膜を低抵抗化し、特定の通信方式回路ブロックを起動させることを特徴とする、請求項５記載の電子機器としたものであり、１つのＩＣチップで多方式の通信方式に対応するという作用を有する。
【００１８】
【発明の実施の形態】
次に、本発明の具体例を説明する。
【００１９】
（実施例１）
図１に示した、本発明の一実施の形態による異方性導電膜１４の断面を用いて実施例を説明する。図１においてＩＣチップ１１は、電子機器を制御する作用を行うもので、半導体などから構成されている。回路基板１２は、ＩＣチップ１１に電力の提供や電気信号を送受する作用を行うもので、配線が施されたプラスチックやセラミックなどの絶縁体から構成されている。電極１３は電気的な入出力に関する作用を行うもので、金属から構成されている。異方性導電膜１４はＩＣチップ１１と回路基板１２を電気的に結線する作用を行うものである。有機誘電体膜１５は金属１６間の電気的絶縁及び対向する電極との接着の作用を行うもので、絶縁性ポリマーから構成されている。金属１６は有機誘電体膜１５の厚さ方向に導電性を与える作用を行うもので、導電体から構成されている。抵抗変化物質１７は電気制御信号により抵抗値が変化する作用を行うもので、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系の相変化材料から構成されており、電気制御信号を印加する前はアモルファス状態で高抵抗状態にある。有機誘電体膜１８は金属１９間の電気的絶縁及び対向電極との接着の作用を行うもので、絶縁性ポリマーから構成されている。金属１９は有機誘電体膜１８の厚さ方向に導電性を与える作用を行うもので、導電体から構成されている。
【００２０】
全面が高抵抗状態にある異方性導電膜１４を、ＩＣチップ１１と回路基板１２の間に電極１３を介して挟んだ後、まず各電極１３の間に電圧８Ｖ、パルス幅２００ｎｓの制御信号（セット信号）を印加し、各電極１３の間の領域の異方性導電膜１４を低抵抗状態に変化させた。この時、セット信号によるジュール熱で電極１３の間の相変化材料からなる抵抗変化物質１７はアモルファス状態から結晶状態に変化している。それ以外の領域の異方性導電膜１４は依然高抵抗状態にあり、膜の面方向の導電性は低く、充分に絶縁されていた。
【００２１】
セット信号印加の結果、ＩＣチップ１１と回路基板１２の電極１３すべてが小さな接触抵抗で接続され、電気的にＩＣチップ１１への結線が開いている状態から閉じる状態となった。ＩＣチップ１１を起動させた後、動作させる必要がなくなったＩＣチップ１１の内部の回路ブロックに電源を供給する電極に対し、異方性導電膜１４の両端に電圧１０Ｖ、パルス幅１００ｎｓが印加されるように制御信号（リセット信号）を与えたことにより、印加した電極１３の間の抵抗値は高抵抗状態に変化した。この時、リセット信号によるジュール熱で電極１３の間の相変化材料からなる抵抗変化物質１７が融点まで昇温された後に急冷され、結晶状態からアモルファス状態に変化している。
【００２２】
リセット信号印加の結果、ＩＣチップ１１と回路基板１２の当該電極１３の間の接触抵抗が高くなり、電気的にＩＣチップ１１への結線が閉じている状態から開く状態となった。その結果、本電極から電力が供給されていたＩＣチップ１１の内部の回路ブロックは、電圧低下により動作しなくなり、ＩＣチップ１１の消費電力は低下した。再度この回路ブロックが必要になった時点で、電極１３に対し、異方性導電膜１４の両端に電圧８Ｖ、パルス幅２００ｎｓが印加されるように制御信号を与えたことにより、印加した電極１３の間の抵抗値は低抵抗状態に復帰した。その結果、電極１３から電力が供給されていたＩＣチップ１１の内部の回路ブロックは、電圧復帰により再度動作を開始した。
【００２３】
図２に、本発明の一実施例による異方性導電膜１４の製造方法を示す。図２において導電性支持板２１は電気メッキする際の陰極の作用を行うもので、Ｃｒを密着層に用いてＡｕをスパッタ堆積した平滑なＳｉウェーハから構成されている。多孔質ポリマー膜２２は、電気メッキにより形成される金属のテンプレートの作用を行うもので、膜の厚さ方向に孔を多数開けたポリカーボネートから構成されている。金属２３は絶縁性ポリマー膜の厚さ方向に導電性を与える作用を行うもので、電気メッキにより堆積したＲｈから構成される。異方性導電膜２４および異方性導電層２５は対向する電極と電気的接続及び接着する作用を行うもので、孔に金属を埋め込んだポリマーから構成されている。
【００２４】
まず、高エネルギーを有するイオン若しくは中性子をポリカーボネート膜面２２に垂直に照射しトラックと呼ばれる欠陥を膜内部に形成し、これらトラックがエッチングされやすいことを利用して孔を開けたポリマー膜を用意する。孔は面内に規則正しく配列しておらずランダムに分布しているが、作製する異方性導電膜１４の機能に問題は生じない。図２（ａ）に示すように、ポリマー膜は導電性支持板に熱接着した。この熱接着では孔は埋まらず保持されており、図２（ｂ）に示すように導電性支持板を陰極にしてＲｈを電気メッキし、孔をＲｈで埋めた。結果、膜の厚さ方向にその軸を有する円柱形のＲｈ（参照符号２３）が形成された。次いで、ポリマー膜は水中での超音波洗浄により導電性支持板から容易くはがれて、図２（ｃ）の形状となった。なお、導電性支持板がＰｔで覆われていた場合はこの様に容易くはがれることがなかった。得られた膜表面に抵抗変化物質１７としてＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅをスパッタ法で堆積し、図２（ｄ）を得た。堆積したＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ薄膜はアモルファス構造（高抵抗状態）であった。図２（ｃ）までの作製方法で金属を埋め込んだ別のポリマー膜２６を用意し、図２（ｅ）の様に熱接着し、本発明の異方性導電膜１４が完成した。
【００２５】
有機誘電体膜に埋め込んだ、金属からなる円柱の大きさと数密度には好ましい条件が存在する。以下、図３を用いて、円柱の大きさと数密度について説明する。図３はＩＣチップ１１と回路基板１２に挟まれた、本発明の一実施例による異方性導電膜１４の断面構造を拡大した模式図である。抵抗変化物質１７を介した上下２層の有機誘電体膜層１５、１８において、上層の金属１９の直径がｄ１、数密度がｎ１、下層の金属１６の直径がｄ２、数密度がｎ２である。図３（ａ）は、ｄ１＞ｄ２かつｎ１＜ｎ２なる関係を有し、図３（ｂ）は、ｄ１＝ｄ２かつｎ１＝ｎ２である。図３（ａ）は好ましい構造で、金属１９と金属１６の間を流れる電流経路３１が抵抗変化物質１７の厚さ方向になり、抵抗変化物質に加える電気制御信号の電圧を制御しやすい。図１の異方性導電膜１４の構造はこの条件を満たしている。図３（ｂ）のような構造では、電流経路３２の様に抵抗変化物質１７の面内方向へ電流が流れ、電流制御信号の電圧が高くなる傾向や、個々の電極１３の間の電流制御信号のばらつきが増大する等の不具合が生じやすい。
【００２６】
以上、本発明による異方性導電膜１４を用いれば、膜内部に抵抗変化物質１７が挿入されており、電気パルスにより抵抗変化物質１７が可逆的に高抵抗状態と低抵抗状態を遷移するという効果が得られていることがわかる。
【００２７】
なお、以上の説明では、回路基板１２と接続する部品をＩＣチップ１１で構成した例で説明したが、電気的に結線したい部品であればＩＣチップ１１に限定するものではなく、画像表示ディスプレイや他の回路基板１２でも、同様に実施可能である。
【００２８】
なお、以上の説明では、抵抗変化物質７をＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系で構成した例で説明したが、この元素組み合わせの相変化材料に限定するものではなく、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系やＴｅ−Ｓｂ−Ａｓ系、Ｔｅ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｓ系、Ｔｅ−Ｇｅ−Ａｓ系、Ｔｅ−Ｓｂ−Ａｓ系、Ｔｅ−Ｇｅ−Ｓｎ系、Ｇｅ−Ｔｅ系、Ｔｅ−Ｇｅ−Ｓｎ−Ａｕ系などを用いて同様に実施可能である。
【００２９】
なお、以上の説明では、抵抗変化材料１７を相変化材料で構成した例で説明したが、電気的に抵抗値を制御し得る物質であれば相変化材料に限定するものではなく、もちろん電気制御信号の形態は異なるが、巨大磁気抵抗（ＣＭＲ）材料であるＰｒ−Ｃａ−Ｍｎ−Ｏ系や、金属デンドライトを形成するイオン導電体のＡｇ−Ｓ系やＣｕ−Ｓ系、走査型プローブ顕微鏡でその抵抗変化現象が観測されているスクアリリウム系色素のＬＢ膜等を用いて同様に実施可能である。
【００３０】
なお、以上の説明では、有機誘電体膜１５中の微小な金属を円柱形状で構成した例で説明したが、有機誘電体膜１５の面内方向に絶縁性を、厚さ方向に導電性を与え得るものであれば円柱に限定するものではなく、球形や球状粒子が膜の厚さ方向に直鎖状に連なった構造でも同様に実施可能である。一例として図４に球形の微小導電体を有機誘電体膜に分散させた異方性導電膜１４の断面模式図を示す。異方性導電膜４４はＩＣチップ１１と回路基板１２との間に圧力を加えて押しつぶされているので有機誘電体膜４５、４８が変形し、導電体球４６がこの変形により互いに接触している。抵抗変化物質１７を介して上層と下層の有機誘電体膜層４５〜４８に分散させる微小な導電体球の４６・４９の直径は異なり、上層の導電体球４９の直径がｄ１、数密度がｎ１、下層の導電体球４６の直径がｄ２、数密度がｎ２であるとしたとき、ｄ１＞ｄ２かつｎ１＜ｎ２なる関係を有する。その理由は、図３を用いた説明と同じである。
【００３１】
（実施例２）
図５に示した、本発明の一実施例による異方性導電膜５４をＩＣチップ１１と回路基板１２の間に挟んだ断面の模式図を用いて実施例を説明する。図５において異方性導電膜５４５４はＩＣチップ１１と回路基板１２を電気的に結線する作用を行うものである。金属５６は有機誘電体膜１５の厚さ方向に導電性を与える作用を行うものでＲｈから構成されている。抵抗変化物質５７は電気制御信号により抵抗値が変化する作用を行うもので、Ｃｕ−Ｓ系のイオン伝導材料から構成されており、電気制御信号を印加することによりＣｕイオンが移動しＣｕ−Ｓ層内部にＣｕデンドライトが成長したり消失したりして抵抗値が変化する。金属５９は有機誘電体膜１８の厚さ方向に導電性を与える作用を行うもので、Ｃｕから構成されている。ＩＣチップ１１と回路基板１２は携帯電話内部に搭載されている。
【００３２】
本発明の異方性導電膜５４を利用して、ＩＣチップ１１内に用意した、通信方式が異なる複数の回路ブロックの中から使用時に必要な回路ブロックのみを動作させることを試みた。Ａ通信会社とＢ通信会社では通信方式が異なり、従来１つの携帯電話では片方の通信方式にしか対応できていなかった。そこで、ＩＣチップ１１内にこれらの通信会社に対応した通信方式の回路ブロックを其々用意し、回路基板１２に本発明の異方性導電膜５４を用いて実装した。実装した時点では異方性導電膜５４の厚さ方向の導電性は高く、低抵抗状態であった。Ａ通信会社の通信方式回路ブロックを利用する際には、Ｂ通信会社の通信方式回路ブロックは動作させる必要がないので、Ｂ通信会社の通信方式回路ブロックに結線される電極に通常印加するものより高い電圧（５Ｖ）をリセット信号として印加して異方性導電膜５４を高抵抗化した。その結果、Ａ通信会社の通信方式の回路ブロックのみ動作し、同通信方式の携帯電話と通話が可能となった。Ａ通信会社の通信方式からＢ通信会社の通信方式に切り替える場合は、まず、Ｂ通信会社の通信方式回路ブロックに結線される電極に通常印加するものより高く逆極性の電圧（−５Ｖ）をセット信号として印加して異方性導電膜５４を低抵抗化し、かつＡ通信会社の通信方式回路ブロックに結線される電極に通常印加するものより高い電圧（５Ｖ）をリセット信号として印加して異方性導電膜５４を高抵抗化した。その結果、Ｂ通信会社の通信方式の回路ブロックのみ動作し、同通信方式の携帯電話と通話が可能となった。
【００３３】
図６に、本発明の一実施例による異方性導電膜５４の作製方法を示す。図６において金属６３は絶縁性ポリマー膜の厚さ方向に導電性を与える作用を行うもので、電気メッキにより堆積したＣｕから構成される。抵抗変化物質６４は電気制御信号により抵抗値が変化する作用を行うもので、Ｃｕ−Ｓ系のイオン伝導材料から構成されている。有機誘電体膜（すなわち、ポリマー膜２２）に埋め込まれた電極の先端にのみ抵抗変化材料が形成さており、膜面内方向の絶縁性が高いという有利な特徴を有する。
【００３４】
まず、図６（ａ）に示すように、ポリマー膜２２を導電性支持板２１に熱接着した。ポリマー膜２２には孔が多数開けられており、この孔は熱接着した後にレーザー照射で開けてもよいし、そもそも孔が開いているポリマー膜を熱接着してもかまわない。続いて、図６（ｂ）に示すように導電性支持板２１を陰極にしてＣｕ６３を電気メッキし、孔をＣｕ６３で埋めた。結果、膜の厚さ方向にその軸を有する円柱形のＣｕ６３が形成された。続いて、硫酸ナトリウム若しくは硫酸塩などの硫黄分が入っている溶液中で通電を行うことにより、Ｃｕ先端部は硫化し、Ｃｕ−Ｓ系の抵抗変化物質６４がＣｕ先端部にのみ選択的に形成された。Ｃｕが埋め込まれた状態でポリマー膜は水中での超音波洗浄により導電性支持板から容易くはがれて、図６（ｄ）の形状となった。なお、導電性支持板がＰｔで覆われていた場合はこの様に容易くはがれないが、Ａｕで覆われていると容易にはがれた。図２（ｃ）までの作製方法で金属を埋め込んだ別のポリマー膜２４を用意し、図６（ｅ）の様に熱接着し、本発明の異方性導電膜５４が完成した。
【００３５】
以上、本発明による異方性導電膜５４を用いれば、有機誘電体膜に埋め込まれた電極の先端にのみ選択的に抵抗変化材料が形成さており、電気的制御により抵抗変化材料が可逆的に高抵抗状態と低抵抗状態を遷移するという効果とともに膜面内の絶縁性が高いという効果も得られていることがわかる。
【００３６】
【発明の効果】
以上のように本発明によれば、異方性導電膜５４の厚さ方向の抵抗値を局所的かつ可逆的に変化させるという有利な効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施の形態による異方性導電膜の断面模式図
【図２】本発明の一実施の形態による、異方性導電膜の製造方法の説明図
【図３】円柱の大きさと数密度についての説明図
【図４】本発明の一実施例による球形の微小導電体を有機誘電体膜に分散させた異方性導電膜の断面模式図
【図５】本発明の一実施例による異方性導電膜５４をＩＣチップ１１と回路基板１２の間に挟んだ断面の模式図
【図６】本発明の一実施例による、異方性導電膜の作製方法を示す図
【図７】従来の異方性導電膜の断面模式図
【符号の説明】
１１  ＩＣチップ１１
１２  回路基板１２
１３  電極
１４  異方性導電膜５４
１５  有機誘電体膜
１６  金属
１７  抵抗変化物質
１８  有機誘電体膜
１９  金属
２１  導電性支持板
２２  ポリマー膜
２３  金属
２４  異方性導電膜５４
２５  異方性導電層
３１  電流経路
３２  電流経路
４４  異方性導電膜５４
４５  有機誘電体膜
４６  導電体球
４８  有機誘電体膜
４９  導電体球
５４  異方性導電膜５４
５６  金属
５９  金属
６３  金属
６４  抵抗変化物質
７４  異方性導電膜５４
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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