(57)【要約】【課題】特殊な半導体レーザチップを必要とせず、導電性ダイボンディングペーストを用いても放熱性を損なうことがない半導体レーザ装置を提供する。【解決手段】本発明の半導体レーザ装置では、サブマウント１の第一の面には溝２が形成されており、前記溝底部には１個あるいは複数の個別電極を設け、前記個別電極上に半導体レーザチップ４のアノード側がダイボンディングされてなる光源部を配置し、前記光源部とサブマウント１の第一の面をヒートシンク９の電極領域にダイボンディングしてなることを特徴とする。このように、半導体レーザチップ４からなる光源部を、サブマウント１の表面に形成した溝に配置し、そのサブマウント１の光源部側をヒートシンク９に実装することにより、半導体レーザチップで発生する熱を、より一層効率的に放熱することができる。【選択図】              図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
サブマウントの第一の面に溝を形成し、前記溝の底部には１個あるいは複数の個別電極を設け、前記個別電極上に半導体レーザチップのアノード側がダイボンディングされてなる光源部を配置し、前記光源部とサブマウントの第一の面をヒートシンクの電極領域にダイボンディングしてなることを特徴とする半導体レーザ装置。
【請求項２】
請求項１記載の半導体レーザ装置において、
前記サブマウントの第一の面に対向する第二の面に電極が形成されており、前記電極は前記溝底部の個別電極から延伸してなることを特徴とする半導体レーザ装置。
【請求項３】
請求項１記載の半導体レーザ装置において、
前記サブマウントの第一の面に対向する第二の面に電極が形成されており、前記第一の面および第二の面の電極は、サブマウントを貫通して形成される金属ビアで接続されていることを特徴とする半導体レーザ装置。
【請求項４】
請求項１記載の半導体レーザ装置において、
前記サブマウントにダイボンディングされた半導体レーザチップのカソード電極表面が、前記サブマウントの第一の面よりも低いことを特徴とする半導体レーザ装置。
【請求項５】
請求項１記載の半導体レーザ装置において、
前記半導体レーザチップの厚み方向における発光点位置は、アノード側に偏っていることを特徴とする半導体レーザ装置。
【請求項６】
請求項１記載の半導体レーザ装置において、
前記サブマウントの第一の面には、前記溝底部の個別電極から延伸した電極が形成され、他方ヒートシンク表面には、前記サブマウントの個別電極および半導体レーザチップのカソード電極に対応した電極が形成されており、両者をそれぞれ接続したことを特徴とする半導体レーザ装置。
【請求項７】
請求項６記載の半導体レーザ装置において、
前記ヒートシンクの母材はシリコンであり、該シリコン上に形成した絶縁層上にアノード用電極領域が形成され、シリコン表面にはカソード用電極を形成したことを特徴とする半導体レーザ装置。
【請求項８】
請求項１記載の半導体レーザ装置において、
前記サブマウントの材料はシリコンであり、前記溝は異方性エッチングにより形成されていることを特徴とする半導体レーザ装置。
【請求項９】
請求項１記載の半導体レーザ装置において、
前記サブマウントの溝部に半導体レーザチップを実装してなる光源部は、ヒートシンク上に導電性ダイボンディングペーストでダイボンディングされていることを特徴とする半導体レーザ装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体レーザ装置に関し、特に光源部を構成する半導体レーザチップの実装形態およびその実装方法に特徴を有する半導体レーザ装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来の半導体レーザ装置において、半導体レーザチップは熱伝導率が高く、熱膨張係数差が少ない窒化アルミニウム、シリコンなどの絶縁性サブマウント上にＡｕ−Ｓｎなどの金属ロウ材によりダイボンディングされ、さらに該サブマウントは金メッキされた銅製ヒートシンク部に金属ロウ材や導電性ダイボンディングペーストなどでダイボンディングされていた。
【０００３】
上記サブマウントは、半導体レーザチップと、放熱性に優れた銅製ヒートシンクとの熱膨張係数差による熱応力を緩和するために必要とされている。また、半導体レーザチップは、通常、アノード電極側に発光点が偏って形成されるため、放熱性をよくするためにアノード電極側をダイボンディングするジャンクションダウン実装が行われる。したがって、接地電位となるヒートシンクに半導体レーザチップのアノード電極を直接ダイボンディングすることができず、絶縁性サブマウントを介して実装する方法が取られていた。また、このような絶縁性サブマウントを介した半導体レーザチップの実装の場合には、半導体レーザチップに電力を供給するために２本のワイヤーボンディングを必要としていた。
【０００４】
ここで、銅製ヒートシンクと窒化アルミニウムの熱伝導率を比較すると、銅は約４００（Ｗ／ｍ・Ｋ）に対して窒化アルミニウムはその半分程度の２００（Ｗ／ｍ・Ｋ）程度と小さい。したがって、半導体レーザチップの熱による劣化を考えれば、熱伝導率の高い銅製ヒートシンク上に、半導体レーザチップのカソード電極側を直接ダイボンディングできれば、半導体レーザチップからの放熱特性は改善され、また、カソード電極からのワイヤーボンディングを省略することが可能になる。
【０００５】
そこで上記従来技術の問題点を解決する方法として、下記の特許文献１に記載の半導体レーザ装置が提案されている。図７にその半導体レーザ装置を示す。図７の半導体レーザ装置では、鉄系あるいは銅系の金属製ステム（ヒートシンク）１１１に、導電性ダイボンディングペースト１１４を用いて半導体レーザチップ１１０を直接ダイボンディングする構造が採用されている。つまり、半導体レーザチップ１１０と金属製ステム（ヒートシンク）１１１との熱膨張係数差による熱応力の緩和には、柔軟性のある導電性ダイボンディングペースト１１４を用いることで、半導体レーザチップと熱膨張係数が大きく異なるヒートシンク上への直接ダイボンディングを可能にしている。また、過剰な導電性ダイボンディングペースト１１４が半導体レーザチップ１１０の発光点を塞がないように、発光点１１８を従来のものよりもダイボンディング面から離した特殊な半導体レーザチップを使用している。このように、図７に示す構成の半導体レーザ装置では、半導体レーザチップ１１０のカソード電極をヒートシンク１１１に直接ダイボンディングしているため、放熱性に優れ、また、半導体レーザチップからのリード線引き出しも簡略化できる利点がある。
【０００６】
【特許文献１】
特開２００１−２２３４２５号公報
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、上記従来技術の方法では、導電性ダイボンディングペーストを微少量塗布することが難しいために起こる過剰なペーストが、半導体レーザチップの発光点まで回り込む不具合を防止するため、その発光点はカソード電極から３０μｍ、好ましくは５０μｍ程度離して形成する必要があり、放熱性の点では不利な構造となっていた。
【０００８】
本発明は上記事情に鑑みなされたものであり、その目的は、特殊な半導体レーザチップを必要とせず、また、導電性ダイボンディングペーストを用いても放熱性を損なうことがない構成の半導体レーザ装置を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するための手段として、本発明の第１の構成の半導体レーザ装置では、サブマウントの第一の面に溝を形成し、前記溝の底部には１個あるいは複数の個別電極を設け、前記個別電極上に半導体レーザチップのアノード側がダイボンディングされてなる光源部を配置し、前記光源部とサブマウントの第一の面をヒートシンクの電極領域にダイボンディングしてなることを特徴としている（請求項１）。
このように第１の構成の半導体レーザ装置では、半導体レーザチップからなる光源部を、サブマウントの第一の面（表面）に形成した溝の底部に配置し、光源部とサブマウントの第一の面をヒートシンクの電極領域にダイボンディングして実装することにより、半導体レーザチップで発生する熱を、より一層効率的に放熱するという作用がある。
【００１０】
本発明の第２の構成の半導体レーザ装置では、第１の構成に加えて、前記サブマウントの第一の面に対向する第二の面に電極が形成されており、前記電極は前記溝底部の個別電極から延伸してなることを特徴としている（請求項２）。
このように第２の構成の半導体レーザ装置では、サブマウントの第二の面（裏面）に、第一の面（表面）の溝底部の電極から延伸した電極を形成することにより、半導体レーザチップのアノード電極からのワイヤーボンディングが容易になるという作用がある。
【００１１】
本発明の第３の構成の半導体レーザ装置では、第１の構成に加えて、前記サブマウントの第一の面に対向する第二の面に電極が形成されており、前記第一の面および第二の面の電極は、サブマウントを貫通して形成される金属ビアで接続されていることを特徴としている（請求項３）。
このように第３の構成の半導体レーザ装置では、サブマウントの溝底部の電極と裏面電極を金属ビアで接続することにより、半導体レーザチップのアノード電極の取出しを容易にするという作用がある。
【００１２】
本発明の第４の構成の半導体レーザ装置では、第１の構成に加えて、前記サブマウントにダイボンディングされた半導体レーザチップのカソード電極表面が、前記サブマウントの第一の面よりも低いことを特徴としている（請求項４）。
半導体レーザチップのカソード電極がサブマウントの表面よりも高いと、サブマウント表面がヒートシンク表面から浮いてしまい、サブマウント上にワイヤーボンディングした際の加重で、剥がれを引き起こす場合がある。したがって、第４の構成の半導体レーザ装置のように、半導体レーザチップのカソード電極をサブマウントの表面よりも低く設定することにより、安定したダイボンディングを可能にし信頼性を向上させるという作用がある。
【００１３】
本発明の第５の構成の半導体レーザ装置では、第１の構成に加えて、前記半導体レーザチップの厚み方向における発光点位置は、アノード側に偏っていることを特徴としている（請求項５）。
つまり、第５の構成の半導体レーザ装置では、半導体レーザチップの発光点がアノード側に偏っている通常の安価なチップを使用できるという作用がある。
【００１４】
本発明の第６の構成の半導体レーザ装置では、第１の構成に加えて、前記サブマウントの第一の面には、前記溝底部の個別電極から延伸した電極が形成され、他方ヒートシンク表面には、前記サブマウントの個別電極および半導体レーザチップのカソード電極に対応した電極が形成されており、両者をそれぞれ接続したことを特徴としている（請求項６）。
このように第６の構成の半導体レーザ装置では、半導体レーザチップのアノード側の個別電極を、サブマウント表面に延伸し、ヒートシンク電極と接続することにより、半導体レーザチップあるいはサブマウントへのワイヤーボンディングを不要にするという作用がある。
【００１５】
本発明の第７の構成の半導体レーザ装置では、第６の構成に加えて、前記ヒートシンクの母材はシリコンであり、該シリコン上に形成した絶縁層上にアノード用電極領域が形成され、シリコン表面にはカソード用電極を形成したことを特徴としている（請求項７）。
このように第７の構成の半導体レーザ装置では、ヒートシンクに半導体レーザチップと熱膨張差の小さいシリコンを用い、アノード用電極とカソード用電極は酸化膜などの絶縁層で分離し、半導体レーザチップのカソード電極をシリコンのカソード用電極に直接ダイボンディンすれば、シリコン系電子デバイスと半導体レーザ装置を組み合わせて複合回路を実現できるという作用がある。
【００１６】
本発明の第８の構成の半導体レーザ装置では、第１の構成に加えて、前記サブマウントの材料はシリコンであり、前記溝は異方性エッチングにより形成されていることを特徴としている（請求項８）。
このように第８の構成の半導体レーザ装置では、サブマウントにシリコンを用いて、結晶性を利用した異方性エッチングを行うことにより、溝形状を正確に作製できるという作用がある。
【００１７】
本発明の第９の構成の半導体レーザ装置では、第１の構成に加えて、前記サブマウントの溝部に半導体レーザチップを実装してなる光源部は、ヒートシンク上に導電性ダイボンディングペーストでダイボンディングされていることを特徴としている（請求項９）。
このように第９の構成の半導体レーザ装置では、半導体レーザチップのダイボンディングに導電性ボンディングペーストを用いることにより、熱膨張係数差の大きな、ヒートシンク材へ半導体レーザチップをボンディングしても、熱応力を緩和できるという作用がある。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に係る半導体レーザ装置の構成、動作および作用を、図示の実施例に基づいて詳細に説明する。
【００１９】
（実施例１）
図１は本発明の第一の実施例を示す半導体レーザ装置のサブマウントと光源部の構成および製造工程の説明図であり、同図（ａ）は本発明の半導体レーザ装置のサブマウントを表面側から見た平面図、（ｂ）はサブマウントの側面図、（ｃ）はサブマウントを裏面側から見た平面図である。
図１において、サブマウント１としては、窒化アルミニウムやシリコン基板を使用し、表面（第一の面）の溝２は、切削加工により形成するか、あるいはシリコンの場合には、その結晶性を用いた異方性エッチングを用いて形成する。また、図１では詳しく描写されていないが、溝２の底部には、１個あるいは複数の個別電極を形成する下地金属層としてＴｉ／Ｐｔ／Ａｕが順次積層され、半導体レーザチップ４は、Ａｕからなるアノード電極をサブマウント１側にして個別電極上にダイボンディングされる。半導体レーザチップ４のダイボンディングには、一般的にはハンダ層３としてＡｕ−Ｓｎハンダ層を使用する。また、図１（ｃ）に示すように、サブマウント１の裏面（第二の面）にも最上層を金で覆われたアノード用電極６が形成され、溝底部の個別電極とは側面の金属層７を介して接続されている。尚、図中の符号５は半導体レーザチップ４のカソード電極、８は半導体レーザチップ４の発光点である。
【００２０】
このようなサブマウント１の溝２に半導体レーザチップ４を配置する構造では、サブマウント１の表面よりも半導体レーザチップ４のカソード電極表面が高いと、サブマウント１にワイヤーボンディングなどで外力が加わった場合、サブマウント自身が剥がれる不具合が発生することが考えられる。そこで本発明の半導体レーザ装置においては、サブマウント１の溝底部にダイボンディングした半導体レーザチップ４のカソード電極５の表面の位置は、サブマウント１の表面よりも低く設定されている。
【００２１】
図２は、図１の後工程を示す半導体レーザ装置の製造工程の説明図であり、以下、本発明の半導体レーザ装置の製造工程を説明する。
金メッキした銅製ヒートシンク９の表面のダイボンディング位置に、導電性ダイボンディングペースト１０を適量塗布する（図２（ａ））。次に微小部品を真空吸着して取り扱うコレット１１で、図１に示す構成のサブマウント１の裏面（第二の面）側を吸着して所定の位置まで搬送し（図２（ｂ））、次に適正な加重でサブマウント１の表面（第一の面）と光源部（半導体レーザチップ４のカソード電極側）をヒートシンク９上にダイボンディングする（図２（ｃ））。その後、熱処理炉などで所定の温度にて導電性ダイボンディングペースト１０を硬化させる。次に、サブマウント１の裏面のアノード用電極６とリードピン１２間を金ボールボンディングで接続し、半導体レーザチップ４からのリード線引き出しを行う（図２（ｄ））。尚、ヒートシンク９はリードピン１３と同電位で接地電位に設定される。
【００２２】
このように、本発明の半導体レーザ装置では、通常の半導体レーザチップ、つまりアノード電極側に発光点８が偏った半導体レーザチップ４の表裏を逆転してヒートシンク９にダイボンディングするために、従来のような特殊な半導体レーザチップを必要とせず、また、半導体レーザチップ４のアノード電極側にサブマウント１を配置し、サブマウント１の第一の面と、半導体レーザチップ４のカソード電極側とでヒートシンク９と熱的に接続するため、従来構造よりも放熱効果が高いという効果がある。ここで、図３に本発明の半導体レーザ装置における放熱の様子を示す。半導体レーザチップ４の発光点８で発生した熱は、従来装置と同様にヒートシンク９側に向かって直接放熱する経路の他に、サブマウント１を介してもヒートシンク９に放熱するため、従来よりも放熱特性が向上し、信頼性を向上させることができる。
【００２３】
さらに、半導体レーザチップ４のアノード電極はサブマウント１の裏面に延伸して形成されているため、従来の様に半導体レーザチップに直接ワイヤーボンディングする必要がなく、ワイヤーボンディングの加重の結果発生する結晶欠陥を低減することができるため信頼性が向上するという利点がある。また、図２では、サブマウント１の裏面側のアノード用電極６にワイヤーボンディングを行ったが、側面の金属層７にワイヤーボンディングを行うことも可能である。
【００２４】
（実施例２）
図４は本発明の第二の実施例を示す半導体レーザ装置の概略要部斜視図である。図４には、二つの半導体レーザチップ４をサブマウント１にダイボンディングした本発明の半導体レーザ装置が示されている。サブマウント１の溝底部には、二つの半導体レーザチップ４の個別化されたアノード電極が形成されており、さらにこの電極は、側面の金属層７を通りサブマウント１の裏面の電極６まで延伸して形成されている。この構成では、サブマウント１をヒートシンク９にダイボンディングする際に、柔軟性のある導電性ダイボンディングペーストを使用すれば、ヒートシンク材料として熱伝導率の高い銅製ヒートシンクに直接ダイボンディングすることができる。
【００２５】
半導体レーザチップ４としては、同じ発光波長のものや、異なる発光波長のものが考えられる。図４では、ＣＤ（コンパクト・ディスク）およびＤＶＤ（デジタル・バーサタイル・ディスク）兼用の光ピックアップに適用される二波長光源の例を示してある。二波長光源では、共通の光学系を使用するため、二つの発光点間隔は１００μｍ程度に接近させる必要があり、図４でも分るように、二つの半導体レーザチップ４の発光点８は、お互いに接近するように偏らせて作り込まれたものを使用する。尚、本実施例の半導体レーザ装置も実施例１と同様な作用・効果が得られることは明らかである。
【００２６】
（実施例３）
次に図５は本発明の第三の実施例を示す半導体レーザ装置の構成および製造工程の説明図である。図４の実施例では、サブマウント１の底部の電極と裏面電極６とを側面メタライズして（側面の金属層７を介して）接続していたのに対して、図５の実施例では、サブマウント１を貫通するように形成した金属ビア１４により両電極を接続する方法を採用している。
【００２７】
先ず、サブマウント１として、表面（第一の面）から裏面（第二の面）に貫通する孔部にタングステンあるいはモリブデンなどを充填し、焼結して金属ビア１４を形成した窒化アルミニウムを用い、この窒化アルミニウムの金属ビア１４が形成された領域に溝２を切削加工で形成する（図５（ａ））。次に、サブマウント１の溝２の底部に個別電極となる下地金属層としてＴｉ／Ｐｔ／Ａｕが順次積層され、その最表面にはハンダ層３としてＡｕ−Ｓｎハンダ層を形成する（図５（ｂ））。また、図示されていないが、サブマウント１の裏面側にも最上層を金で覆われたアノード用電極６が形成され、溝底部の個別電極とは金属ビア１４を介してそれぞれ接続されている。次に、サブマウント１の溝２の底部に、二つの半導体レーザチップ４を、アノード電極面を下にして配置し、Ａｕ−Ｓｎハンダ層３を用いてダイボンディングする（図５（ｃ））。最後に、サブマウント１の表裏を逆にし、サブマウント１の表面（第一の面）と、半導体レーザチップ４のカソード電極５側を、導電性ダイボンディングペーストを用いてヒートシンク９の表面にダイボンディングして半導体レーザ装置が完成する。
以上のように、本実施例では、電極間の接続に金属ビア１４を用いることで、工程の複雑なサブマウント１の側面メタライズ工程を省略することができ、低コスト化が可能になるという効果がある。
【００２８】
（実施例４）
次に図６は本発明の第四の実施例を示す半導体レーザ装置の構成および製造工程の説明図である。先ず、サブマウント１として、窒化アルミニウムあるいはシリコン基板を用い、切削あるいは異方性エッチングを用いて溝２を形成する（図６（ａ））。次に、サブマウント１の表面から溝２の底部にかけて下地金属層としてＴｉ／Ｐｔ／Ａｕを順次積層し、個別電極とアノード用電極６を形成し、溝底部の半導体レーザチップダイボンディング領域にはハンダ層３としてＡｕ−Ｓｎハンダ層を形成する（図６（ｂ））。次に、サブマウント１の溝２の底部に、二つの半導体レーザチップ４を、アノード電極面を下にして配置し、Ａｕ−Ｓｎハンダ層３を用いてダイボンディングする（図６（ｃ））。ヒートシンク９としては、アノード電極およびカソード電極を絶縁するため絶縁性のヒートシンク基板を用いるが、図ではシリコン系電子デバイスとの集積化に適したシリコン基板の例を示す。このシリコン基板（ヒートシンク）９の表面の中央部にはカソード用電極１５が形成され、その両側に隣接して、アノード用電極１６がシリコン酸化膜（絶縁層）１７の上にカソード用電極１５と絶縁されて形成されている。半導体レーザチップ４を実装したサブマウント１は表裏を逆にし、半導体レーザチップ４のカソード電極５側と、サブマウント１の表面（第一の面）の電極６とを、ヒートシンク９上の電極１５，１７にそれぞれ接続するように導電性ダイボンディングペースト１０を用いてダイボンディングする（図６（ｄ））。
【００２９】
このような構造とすることにより、半導体レーザチップ４からはワイヤーボンディングを使用しないでリード線を引出すことが可能になり、従来２個の半導体レーザチップでは４本必要であったワイヤーボンディングを不要にすることが可能になり、製造コストを低減することが可能になる。
【００３０】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の半導体レーザ装置によれば、半導体レーザチップを直接銅製ヒートシンクにダイボンディングすることが可能であるから、放熱特性が向上する効果があり、さらにカソード電極からのワイヤー引き出しが不要になり、実装コストを低減できる効果がある。
【００３１】
より詳しく説明すると、前述の手段に記載の第１の構成の半導体レーザ装置では、半導体レーザチップからなる光源部を、サブマウントの第一の面（表面）に形成した溝の底部に配置し、光源部とサブマウントの第一の面をヒートシンクの電極領域にダイボンディングして実装することにより、半導体レーザチップで発生する熱を、より一層効率的に放熱することができる。
【００３２】
第２の構成の半導体レーザ装置では、第１の構成の効果に加え、サブマウントの第二の面（裏面）に、第一の面（表面）の溝底部の電極から延伸した電極を形成することにより、半導体レーザチップのアノード電極からのワイヤーボンディングを容易にすることができる。
また、第３の構成の半導体レーザ装置では、第１の構成の効果に加え、サブマウントの溝底部の電極と裏面電極を金属ビアで接続することにより、半導体レーザチップのアノード電極の取出しを容易にすることができる。
【００３３】
第４の構成の半導体レーザ装置では、第１の構成の効果に加え、半導体レーザチップのカソード電極をサブマウントの表面よりも低く設定することにより、安定したダイボンディングを可能にし信頼性を向上させることができる。
また、第５の構成の半導体レーザ装置では、第１の構成の効果に加え、半導体レーザチップの発光点がアノード側に偏っている通常の安価なチップを使用できるという効果が得られる。
【００３４】
第６の構成の半導体レーザ装置では、第１の構成の効果に加え、半導体レーザチップのアノード側の個別電極を、サブマウント表面に延伸し、ヒートシンク電極と接続することにより、半導体レーザチップあるいはサブマウントへのワイヤーボンディングを不要にすることができる。
また、第７の構成の半導体レーザ装置では、第６の構成の効果に加えて、ヒートシンクに半導体レーザチップと熱膨張差の小さいシリコンを用い、アノード電極とカソード電極は酸化膜などの絶縁層で分離し、半導体レーザチップのカソード電極をシリコンに直接ダイボンディンすれば、シリコン系電子デバイスと半導体レーザ装置を組み合わせて複合回路を実現することができる。
【００３５】
第８の構成の半導体レーザ装置では、第１の構成の効果に加えて、サブマウントにシリコンを用いて、結晶性を利用した異方性エッチングを行うことにより、溝形状を正確に作製することができる。
また、第９の構成の半導体レーザ装置では、第１の構成の効果に加えて、半導体レーザチップのダイボンディングに導電性ボンディングペーストを用いることにより、熱膨張係数差の大きなヒートシンク材へ半導体レーザチップをボンディングしても、熱応力を緩和することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第一の実施例を示す半導体レーザ装置のサブマウントと光源部の構成および製造工程の説明図である。
【図２】図１の後工程を示す半導体レーザ装置の製造工程の説明図である。
【図３】本発明の半導体レーザ装置における放熱の様子を示す図である。
【図４】本発明の第二の実施例を示す半導体レーザ装置の概略要部斜視図である。
【図５】本発明の第三の実施例を示す半導体レーザ装置の構成および製造工程の説明図である。
【図６】本発明の第四の実施例を示す半導体レーザ装置の構成および製造工程の説明図である。
【図７】従来技術の一例を示す半導体レーザ装置の構成説明図である。
【符号の説明】
１      サブマウント
２      溝
３      ハンダ層
４      半導体レーザチップ
５      カソード電極
６      アノード用電極
７      側面の金属層
８      発光点
９      ヒートシンク
１０    導電性ダイボンディングペースト
１１    コレット
１２    リードピン
１３    リードピン
１４    金属ビア
１５    カソード用電極
１６    アノード用電極
１７    シリコン酸化膜（絶縁層）
【図１】
2004186322.tif 000003
【図２】
2004186322.tif 000004
【図３】
2004186322.tif 000005
【図４】
2004186322.tif 000006
【図５】
2004186322.tif 000007
【図６】
2004186322.tif 000008
【図７】
2004186322.tif 000009