(57)【要約】【課題】レジスト被膜の形成されている基板とオゾン水とを接触させながら紫外線を照射する従来の方法では、酸化性ラジカルの生成量が少なく、レジスト除去能力が不充分であった。また、従来の方法はバッチ処理であり、液晶パネル用などの大型基板に対応できないと言う問題があった。【解決手段】低温加圧状態の高濃度オゾン水に紫外線を照射して活性化し、オゾン水中にレジスト被膜と反応するのに充分な量の酸化性ラジカルを発生させたのち、直ちにこのオゾン水を大気圧雰囲気に解放して、基板表面に噴射供給し、基板表面のレジスト被膜を除去する。この方法によれば、バッチ処理を行う必要はなく、平流し処理が可能なので、大型基板のレジスト被膜を均一に除去することができる。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面にレジスト被膜が形成されている基板にオゾン水を供給して前記レジスト被膜を除去するレジスト処理方法において、
加圧され、冷却されかつ紫外線の照射により活性化されているオゾン水を、大気圧雰囲気中の前記基板に噴射供給することを特徴とするレジスト処理方法。
【請求項２】
表面にレジスト被膜が形成されている基板にオゾン水を供給して前記レジスト被膜を除去するレジスト処理装置において、
加圧されているオゾン水を生成するオゾン水生成手段と、
オゾン水生成手段によって生成されるオゾン水を前記基板に噴射供給するノズルと、
オゾン水生成手段とノズルとの間に設けられ、紫外線を照射することによってオゾン水を活性化する活性化手段と、
オゾン水生成手段によって生成されるオゾン水を活性化手段に導くための配管と、
配管中を流過するオゾン水を冷却する冷却手段とを含むことを特徴とするレジスト処理装置。
【請求項３】
さらに基板加熱手段を含むことを特徴とする請求項２記載のレジスト処理装置。
【請求項４】
さらに基板搬送手段を含むことを特徴とする請求項２または３記載のレジスト処理装置。
【請求項５】
前記活性化手段が、
加圧および冷却されているオゾン水の流路を構成し、紫外線を透過する素材からなる紫外線透過配管と、
前記紫外線透過配管の周囲に設けられる紫外線発生手段とを含むことを特徴とする請求項２〜４のうちのいずれかに記載のレジスト処理装置。
【請求項６】
前記活性化手段が、
加圧および冷却されているオゾン水の流路を構成する配管と、
前記配管の内部に設けられる１または複数の紫外線発生手段とを含むことを特徴とする請求項２〜４のうちのいずれかに記載のレジスト処理装置。
【請求項７】
前記活性化手段と前記ノズルとが一体化され、
加圧および冷却されているオゾン水を活性化するオゾン水活性化槽と、
前記オゾン水活性化槽の内部に設けられる１または複数の紫外線発生手段と、
前記オゾン水活性化槽に連結されるスリットノズルとを含むことを特徴とする請求項２〜４のうちのいずれかに記載のレジスト処理装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、レジスト処理方法およびレジスト処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体製造プロセスにおいては、基板の表面に対して、レジスト塗布−エッチング−レジスト剥離の工程が繰り返される。レジスト剥離の方法は、剥離液として有機溶剤、硫酸／過酸化水素水混合液などの薬液を使用するウェット処理と、プラズマを利用するドライ処理とに大別され、それぞれ用途に応じて使い分けられている。両者を比較すると、一般的にはウェット処理の方が経済的である。しかしながら、ウェット処理は使用する薬液が総じて環境汚染物質であり、ウェット処理による廃液をそのまま廃棄すると環境保全上好ましくないので、廃液を廃棄するための特別な処理が必要になるという問題がある。
【０００３】
環境面での問題がないクリーンで経済的なレジスト剥離方法として、近年、オゾンを利用する処理方法が注目されている。オゾンは強力な酸化力を有しており、しかも分解して酸素になるので、環境汚染の懸念がなく、排ガス、排液処理の問題もなく、クリーンな酸化分解剤として認知されている。オゾンを利用する方法は、オゾンガスによって基板表面を処理する気相処理と、オゾン水によって基板表面を処理する液相処理とに大別される。
【０００４】
オゾン水は、オゾンガスよりも酸化力が弱く、レジスト被膜を分解する能力が小さい。ところが、オゾン水に紫外線を照射すると、オゾンガスよりも酸化力の強い酸化性ラジカルを生成することが知られており、オゾン水の酸化分解能力を高めることが可能である。このようなオゾン水の特性を利用し、低温の高濃度オゾン水を拡散供給しながら紫外線を照射して基板表面のレジストを処理する方法が提案されている（たとえば、特許文献１参照）。図４は、従来のレジスト処理方法を実現するためのレジスト処理装置１０１の構成を示す模式図である。レジスト処理装置１０１は、基板１０２を洗浄する洗浄槽１０３と、洗浄槽１０３の中底部に設けられるオゾン水拡散器１０４と、洗浄槽１０３の底部に設けられ、２５４ｎｍの紫外光を照射するＵＶランプ１０５と、オゾン水生成装置１０６と、オゾン水生成装置１０６にオゾンの原料になる酸素を供給する酸素ガスライン１０７と、オゾン水生成装置１０６によって得られるオゾン水をオゾン水拡散器１０４に供給するオゾン水ライン１０８と、冷却装置１０９と、冷却装置１０９に純水を供給する純水ライン１１０と、冷却装置１０９によって冷却される純水をオゾン水生成装置１０６に供給する冷却水ライン１１１とを含んで構成される。
【０００５】
まず、純水を、純水ライン１１０から冷却装置１０９に導入し、３〜７℃に冷却する。この純水は、冷却水ライン１１１を介してオゾン水生成装置１０６に供給される。また、酸素は、酸素ガスライン１０７を介してオゾン水生成装置１０６に供給される。オゾン水生成装置１０６において、酸素からオゾンガスが合成され、このオゾンガスと純水とを混合することによってオゾン水が生成する。オゾン水は水温が低いので、５０〜１００ｐｐｍ程度の高濃度である。この低温・高濃度オゾン水を、オゾン水ライン１０８およびオゾン水拡散器１０４を介して洗浄槽１０３に供給するとともに、ＵＶランプ１０５から２５４ｎｍ光を照射する。低温・高濃度のオゾン水に２５４ｎｍ光を照射すると、洗浄槽１０３内でラジカル生成反応が促進される。このような状態の洗浄槽１０３にレジストが付着している半導体ウェハ１０２を投入すると、レジストと酸化性ラジカルとが反応し、レジストの除去時間が短縮される。しかしながら、特許文献１のように、オゾン水に大気圧下で紫外線を照射するだけでは、たとえオゾン水を冷却していても、酸化性ラジカルの生成量は少なく、レジスト除去能力は不充分である。
【０００６】
また、基板を温純水中で高温に加熱し、温純水中から取り出して低温・高濃度のオゾン水に浸漬して基板のレジストを除去する方法が提案されている（たとえば、特許文献２参照）。さらに、特許文献２には、オゾン水のオゾン濃度を高めるために上記の方法を加圧下に行うこと、酸化性ラジカルを発生させるために、オゾン水に紫外線を照射することなどが記載されている。
【０００７】
特許文献２の方法は、特許文献１と同様に、基板と低温・高濃度のオゾン水とを接触させた状態で紫外線を照射し、酸化性ラジカルを発生させようとするものである。しかしながら、特許文献２の基板は高温に加熱されているので、オゾン水が冷却されかつ加圧されて非常に高濃度になっているとしても、基板周辺のオゾン水は熱せられ、オゾン水中のオゾン濃度が低下するのを避けることができない。したがって、レジスト除去を効率的に行うのに必要な量の酸化性ラジカルを発生させることはできず、レジスト除去能力は不充分になる。特許文献２には、オゾン水を基板に接触させる前に、オゾン水中に、レジストを除去するのに充分な量の酸化性ラジカルを発生させることについて、具体的に記載するところはなく、示唆すら見当たらない。
【０００８】
さらに、最近では、基板の大型化が進み、たとえば液晶パネルなどにおいて、１辺の長さが１ｍを超えるような大型基板が用いられるようになってきている。このような大型基板を処理するには、従来のバッチ処理では非常に大きな処理槽が必要になり、そのような非常に大きな処理槽は生産性、作業性、一般的な設備の設置面積などからみて現実的ではないので、また従来のスピン処理では均一な処理ができないので、ローラなどの基板搬送手段の上に大型基板を載せて搬送しながら、処理液を大型基板表面に供給する平流し処理が主流になっている。これに対し、特許文献１および特許文献２のレジスト除去方法は、いずれもバッチ処理であるので、大型基板のレジスト除去には対応できない。
【０００９】
【特許文献１】
特開２０００−０５８４９６号公報（第４頁、第５図）
【特許文献２】
特開２００２−１１０６０５号公報（第９頁、第３５〜３６段落）
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、従来の方法よりもレジスト除去能力が大きく、大型基板のレジスト除去にも対応できるレジスト処理方法およびレジスト処理装置を提供することである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明は、表面にレジスト被膜が形成されている基板にオゾン水を供給して前記レジスト被膜を除去するレジスト処理方法において、
加圧され、冷却されかつ紫外線の照射により活性化されているオゾン水を、大気圧雰囲気中の前記基板に噴射供給することを特徴とするレジスト処理方法である。
【００１２】
本発明に従えば、オゾン水を加圧および冷却してオゾン濃度を高め、この低温加圧状態にある高濃度オゾン水に紫外線を照射して活性化し、レジスト被膜の除去に充分な量の酸化性ラジカルを発生させたのち、この酸化性ラジカルを豊富に含むオゾン水を大気雰囲気中すなわち常圧下の基板に噴射供給することによって、酸化性ラジカルが不足することなく基板表面の全面に行き渡るので、基板表面のレジスト被膜を非常に効率よく除去することができる。
【００１３】
本発明は、表面にレジスト被膜が形成されている基板にオゾン水を供給して前記レジスト被膜を除去するレジスト処理装置において、
加圧されているオゾン水を生成するオゾン水生成手段と、
オゾン水生成手段によって生成されるオゾン水を前記基板に噴射供給するノズルと、
オゾン水生成手段とノズルとの間に設けられ、紫外線を照射することによってオゾン水を活性化する活性化手段と、
オゾン水生成手段によって生成されるオゾン水を活性化手段に導くための配管と、
配管中を流過するオゾン水を冷却する冷却手段とを含むことを特徴とするレジスト処理装置である。
【００１４】
本発明に従えば、前述のレジスト処理方法を実現することができるレジスト処理装置が提供される。
【００１５】
本発明のレジスト処理装置は、前述のように、オゾン水を基板に供給する前に、レジスト被膜を除去するのに充分な量の酸化性ラジカルがオゾン水中に生成しているので、基板に接触するオゾン水の濃度変化などに影響を受けることなく、レジスト被膜をきわめて効率よく除去することができる。
【００１６】
また本発明のレジスト処理装置は、さらに基板加熱手段を含むことを特徴とする。
【００１７】
本発明に従えば、基板を加熱することによって、基板表面のレジスト被膜とオゾン水中の酸化性ラジカルとの反応が一層促進される。本発明で使用するオゾン水中には、基板と接触する前に酸化性ラジカルが充分に含まれているので、加熱によるオゾン濃度の低下などの影響を受けることがない。
【００１８】
また本発明のレジスト処理装置は、さらに基板搬送手段を含むことを特徴とする。
【００１９】
本発明に従えば、前述のレジスト処理装置は、さらに基板搬送手段を備えることによって、平流し処理が可能になり、液晶パネルなどの大型基板のレジスト被膜を除去するのにも有効である。
【００２０】
また本発明のレジスト処理装置は、前記活性化手段が、
加圧されかつ冷却されているオゾン水の流路を構成し、紫外線を透過する素材からなる紫外線透過配管と、
前記紫外線透過配管の周囲に設けられる紫外線発生手段とを含むことを特徴とする。
【００２１】
本発明に従えば、紫外線を透過する素材からなる配管にオゾン水を流し、その周囲に紫外線発生手段を設けることによって、オゾン水が効率よく活性化されて、酸化性ラジカルが充分に発生し、レジスト被膜の除去能力が向上する。
【００２２】
また本発明のレジスト処理装置は、前記活性化手段が、
加圧され及び冷却されているオゾン水の流路を構成する配管と、
前記配管の内部に設けられる１または複数の紫外線発生手段とを含むことを特徴とする。
【００２３】
本発明に従えば、オゾン水が流れている配管の内部に１または複数の紫外線発生手段を設けることによって、オゾン水が効率よく活性化されて、酸化性ラジカルが充分に発生し、レジスト被膜の除去能力が向上する。
【００２４】
また本発明のレジスト処理装置は、前記活性化手段と前記ノズルとが一体化され、
加圧および冷却されているオゾン水を活性化するオゾン水活性化槽と、
前記オゾン水活性化槽の内部に設けられる１または複数の紫外線発生手段と、
前記オゾン水活性化槽に連結されるスリットノズルとを含むことを特徴とする。
【００２５】
本発明に従えば、活性化手段およびノズルとを、オゾン水活性化槽とオゾン活性化層の内部に設けられる紫外線発生手段とオゾン水活性化槽に連結されるスリットノズルを含む一体化構造とすることによって、オゾン水をさらに効率よく活性化させて酸化性ラジカルの生成を促進し、レジスト被膜の除去能力を向上させるとともに、基板表面をさらに均一に処理することができる。
【００２６】
【発明の実施の形態】
本発明のレジスト処理方法は、大気圧雰囲気中にある、表面にレジスト被膜が形成されている基板に、加圧され、冷却されかつ紫外線の照射により活性化されているオゾン水を噴射供給することによって、基板表面のレジスト被膜を除去するものである。
【００２７】
すなわち本発明の方法は、従来技術のように、オゾン水と基板と接触させた状態で、オゾン水に紫外線を照射したりまたは加圧したりするのではなく、オゾン水を基板に接触させる前に、オゾン水を加圧および冷却してオゾン濃度を高めるとともに、紫外線を照射してオゾン水中にレジスト除去に充分な量の酸化性ラジカルを発生させておくことを特徴としている。
【００２８】
本発明の方法は、表面の一部または全面にレジスト被膜が形成されている基板を処理対象にする。
【００２９】
オゾン水は、公知の方法に従って、たえとば、オゾンガスを水に溶解することによって製造できる。オゾンガスの水への溶解は、オゾン濃度を高めるために、加圧下に行われる。オゾン水は、さらにオゾン濃度を高めるために加圧下に冷却される。加圧の際の圧力は特に制限されないけれども、紫外線照射によって酸化性ラジカルを効率よく生成させ、ひいてはレジスト被膜の除去能力を向上させること、作業性などを考慮すると、通常は０．５ＭＰａ程度である。また加圧下に行われる冷却は、紫外線照射によって酸化性ラジカルを効率よく生成させ、ひいてはレジスト被膜の除去能力を向上させることなどを考慮すると、オゾン水の水温が５〜１５℃になるように行えばよい。オゾン水中のオゾン濃度は特に制限されず、オゾン濃度ができるだけ高くなるように、圧力および／または水温を調整すればよい。
【００３０】
加圧下および冷却下にあるオゾン水は、紫外線照射によって活性化される。紫外線照射量は特に制限されず、オゾン濃度、圧力、オゾン水の水温などの各種条件に応じて広い範囲から適宜選択できる。しかしながら、酸化性ラジカルを効率よく生成させることなどを考慮すると、通常の紫外線照射には５００ＷクラスのＵＶランプを使用するのが好ましい。
【００３１】
加圧され、冷却されかつ紫外線によって活性化され、酸化性ラジカルを含むオゾン水は、大気圧雰囲気下すなわち常圧下で、レジスト被膜を表面に有する基板に供給される。このとき加圧されているオゾン水が急激に大気圧雰囲気に解放され、勢いよく噴射されて基板表面に到達するので、酸化性ラジカルとレジスト被膜との反応がさらに促進され、レジスト被膜の除去がきわめて効率よく行われることになる。
【００３２】
つぎに、図面を参照しつつ、前述のレジスト処理方法に好適に用いられる本発明のレジスト処理装置について説明する。
【００３３】
図１は、本発明の実施の第１形態であるレジスト処理装置１の構成を示す断面図である。
【００３４】
レジスト処理装置１は、加圧されているオゾン水を生成するオゾン水生成手段２と、オゾン水生成手段２によって生成されるオゾン水を基板３の表面３ａに噴射供給するノズル４と、オゾン水生成手段２とノズル４との間に設けられ、紫外線を照射することによってオゾン水を活性化する活性化手段５と、オゾン水生成手段２によって生成されるオゾン水を活性化手段５に導くための配管６と、配管６の周囲に設けられ、配管６中を流過するオゾン水を冷却する冷却手段７と、基板３を搬送するための基板搬送手段であるローラ８と、基板３を加熱するための基板加熱手段であるヒータ９とを含んで構成されている。
【００３５】
活性化手段５は、一方で配管６に連結され、もう一方でノズル４に連結され、加圧されているオゾン水の流路を構成し、紫外線を透過する素材からなる紫外線透過配管１０と、紫外線透過配管１０の周囲に設けられる紫外線発生手段であるらせん状のＵＶランプ１１とを含んで構成される。紫外線透過配管１０には、紫外線を透過できる素材が使用され、たとえば、石英などが挙げられる。らせん状ＵＶランプ１１は、紫外線を効率よく照射することができるので、オゾン水の流量が大きい場合にふさわしい紫外線発生手段である。
【００３６】
冷却手段７は、配管６の周囲に設けられ、冷媒が流過する冷媒用配管７ａと、配管６および冷却用配管７ａを保護する保護カバー７ｂとを含んで構成される。冷媒は、液体および気体のいずれでもよい。また保護カバー７ｂは、好ましくは断熱性素材からなっている。
【００３７】
ローラ８は、図に対して垂直方向に軸線を有するようにして複数配置されており、図示しない駆動装置によって軸線回りに回転駆動されて基板３を矢符１２の方向に搬送することができる。ローラ８にて基板３を搬送させることによって、平流し処理を行うことができる。したがって、液晶パネル用などの大型基板も均一に処理することができる。
【００３８】
ヒータ９は、複数のローラ８の間に、ローラ８によって搬送されてくる基板３を加熱することができるように配設される。ヒータ９にて基板３を加熱することによって、レジスト被膜の除去反応が一層速やかに進行する。
【００３９】
オゾン水生成手段２において、加圧下に、水、好ましくは低温の純水とオゾンガスとが混合され、高濃度のオゾン水が生成する。オゾン水生成手段２は、公知のオゾン水生成手段を使用でき、たとえば、純水を加圧送水するための送水ポンプと、微細な穴が形成されたフッ素樹脂膜からなるオゾン溶解ユニットとを含んで構成されるものが挙げられる。オゾン水生成手段２によって生成する高濃度オゾン水は配管６を流過し、冷却手段７によって冷却され、オゾン濃度の低下を制御できるようになっている。このオゾン水は、低温加圧状態にあり、オゾンの常温常圧での飽和濃度よりも高いオゾン濃度を有している。冷却手段７を通過したオゾン水は、配管６から紫外線透過配管１０に導かれ、低温加圧状態のままで、らせん状ＵＶランプ１１から発生する紫外線を照射され、活性化（励起）される。紫外線の照射によって、オゾン水中には、レジスト被膜を除去するのに充分な量の酸化性ラジカルが発生する。多量の酸化性ラジカルを含むオゾン水１３は、加圧状態のままで、ノズル４から大気圧雰囲気中に放出されて解放されるので、勢いよく噴出する。
【００４０】
一方、表面３ａにレジスト被膜が形成された基板３は、ローラ８の上に表面３ａがノズル４に対向するようにして載置され、ノズル４の直下に搬送される。この基板３はヒータ９によって加熱されるとともに、その表面３ａには、ノズル４から多量の酸化性ラジカルを含むオゾン水１３が噴射供給される。オゾン水１３は、酸化性ラジカルを多量に含み、レジスト被膜と速やかに反応するので、レジスト被膜が極めて効率よく除去される。
【００４１】
本実施の形態では、配管６を耐圧性の素材で構成することが好ましい。これによって、オゾン水が冷却手段７を通過したのちでも、オゾン水の加圧状態は一定に保持され、オゾン濃度が低下することはない。
【００４２】
図２は、本発明の実施の第２形態であるレジスト処理装置１４の構成を示す断面図である。本実施の形態のレジスト処理装置１４は、実施の第１形態のレジスト処理装置１に類似し、対応する部分については同一の参照番号を付して説明を省略する。
【００４３】
レジスト処理装置１４は、活性化手段１５が、加圧されおよび冷却されているオゾン水の流路を構成する配管１６と、配管１６の内部に設けられる紫外線発生手段である直管型ＵＶランプ１７とを含んで構成されることを特徴とする。配管１６は、一方で配管６に連結され、もう一方でノズル４に連結されている。ＵＶランプを直管型にすることによって、ＵＶランプを小型化することができ、ひいてはレジスト処理装置１４そのものを小型化できるという長所がある。
【００４４】
オゾン水生成手段２によって生成され、冷却手段７によって冷却され、配管６を流過してきた低温加圧状態にある高濃度オゾン水は、配管１６に導入され、配管１６の内部に設置されている直管型ＵＶランプ１７から照射される紫外線によって活性化され、レジスト被膜を除去するのに充分な量の酸化性ラジカルが生成する。酸化性ラジカルを含むオゾン水１３は、低温加圧状態を保ったまま大気圧雰囲気中に解放されるので、ノズル４から勢いよく噴出し、基板３の表面３ａに噴射供給される。
【００４５】
本実施の形態においては、オゾン水を流過させる配管１６は、配管６と同様に、耐圧性の素材から構成されるのが好ましい。
【００４６】
本実施の形態においては、配管１６の内部に、直管型のＵＶランプを複数配列することもできる。これによって、オゾン水の流量を大きく、またはオゾン水中の酸化性ラジカルの生成量を増加させ、レジスト除去速度をさらに高めることができる。
【００４７】
図３は、本発明の実施の第３形態であるレジスト処理装置に備わる活性化手段１８およびスリットノズル１９の構成を示す斜視図である。
【００４８】
本実施の形態のレジスト処理装置は、活性化手段１８およびスリットノズル１９以外は、実施の第１形態であるレジスト処理装置１と同一の構成を有するので、活性化手段１８およびスリットノズル１９以外の構成およびそれについての説明を省略する。
【００４９】
活性化手段１８とスリットノズル１９とは一体化されている。活性化手段１８は、オゾン水活性化槽２０と、オゾン水活性化槽２０の内部に配置される複数の直管型ＵＶランプ１７（本実施の形態では３つ）とを含んで構成される。オゾン水活性化槽２０は、一方で配管６と連結し、もう一方でスリットノズル１９と連結している。直管型ＵＶランプ１７は個々には小型で、オゾン水活性化槽２０の厚みを増加させることがないので、オゾン水の噴射長さを長くすることができ、レジスト被膜の除去を効率よく行うことができる。
【００５０】
図示されないオゾン生成手段によって生成され、図示されない冷却手段によって冷却され、配管６を流過してきた低温加圧状態にある高濃度オゾン水は、オゾン水活性化槽２０に導入され、オゾン水活性化槽２０の内部に設置されている複数の直管型ＵＶランプ１７から照射される紫外線によって活性化され、レジスト被膜を除去するのに充分な量の酸化性ラジカルが生成する。酸化性ラジカルを含むオゾン水は、低温加圧状態を保ったまま大気圧雰囲気中に解放されるので、スリットノズル１９から矢符２１の方向に勢いよく噴出し、図示されない基板の表面に噴射供給され、レジスト被膜が除去される。
【００５１】
【発明の効果】
本発明によれば、オゾン水を加圧および冷却してオゾン濃度を高め、この低温加圧状態にある高濃度オゾン水に紫外線を照射して活性化し、レジスト被膜の除去に充分な量の酸化性ラジカルを発生させたのち、この酸化性ラジカルを豊富に含むオゾン水を大気雰囲気中すなわち常圧下の基板に噴射供給することによって、酸化性ラジカルが不足することなく基板表面の全面に行き渡るので、基板表面のレジスト被膜を非常に効率よく除去することができる。
【００５２】
本発明によれば、前述のレジスト処理方法を実現することができるレジスト処理装置が提供される。本発明のレジスト処理装置は、前述のように、オゾン水を基板に供給する前に、レジスト被膜を除去するのに充分な量の酸化性ラジカルがオゾン水中に生成しているので、基板に接触するオゾン水の濃度変化などに影響を受けることなく、レジスト被膜をきわめて効率よく除去することができる。
【００５３】
本発明によれば、基板を加熱することによって、基板表面のレジスト被膜とオゾン水中の酸化性ラジカルとの反応が一層促進される。本発明で使用するオゾン水中には、基板と接触する前に酸化性ラジカルが充分に含まれているので、加熱によるオゾン濃度の低下などの影響を受けることがない。
【００５４】
本発明によれば、前述のレジスト処理装置は、さらに基板搬送手段を備えることによって、平流し処理が可能になり、液晶パネルなどの大型基板のレジスト被膜を除去するのにも有効である。
【００５５】
本発明によれば、紫外線を透過する素材からなる配管にオゾン水を流し、その周囲に紫外線発生手段を設けることによって、オゾン水が効率よく活性化されて、酸化性ラジカルが充分に発生し、レジスト被膜の除去能力が向上する。
【００５６】
本発明によれば、オゾン水が流れている配管の内部に１または複数の紫外線発生手段を設けることによって、オゾン水が効率よく活性化されて、酸化性ラジカルが充分に発生し、レジスト被膜の除去能力が向上する。
【００５７】
本発明によれば、活性化手段およびノズルとを、オゾン水活性化槽とオゾン活性化層の内部に設けられる紫外線発生手段とオゾン水活性化槽に連結されるスリットノズルを含む一体化構造とすることによって、オゾン水をさらに効率よく活性化させて酸化性ラジカルの生成を促進し、レジスト被膜の除去能力を向上させるとともに、基板表面をさらに均一に処理することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の第１形態であるレジスト処理装置の構成を示す断面図である。
【図２】本発明の実施の第２形態であるレジスト処理装置の構成を示す断面図である。
【図３】本発明の実施の第３形態であるレジスト処理装置に備わる活性化手段およびノズルの構成を示す斜視図である。
【図４】従来のレジスト処理装置の構成を示す断面図である。
【符号の説明】
１，１４  レジスト処理装置
２  オゾン水生成手段
３  基板
３ａ  基板の表面
４  ノズル
５，１５，１８  活性化手段
６，１６  配管
７  冷却手段
８  ローラ
９  ヒータ
１０  紫外線透過配管
１１  らせん状ＵＶランプ
１２，２１  矢符
１３  オゾン水
１７  直管型ＵＶランプ
１９  スリットノズル
２０  オゾン水活性化槽
【図１】
2004241726.tif 000003
【図２】
2004241726.tif 000004
【図３】
2004241726.tif 000005
【図４】
2004241726.tif 000006