(57)【要約】      （修正有）【課題】多様な識別情報を少ないフォトマスクを用いて板状部材に記録する。【解決手段】文字列Ｂに用いられ得る異なる種類の文字を規定する開口パターンがＸ軸方向およびＹ軸方向に沿って周期的に配列されたフォトマスクを用いて文字列Ｂを構成するべき文字の潜像をフォトレジスト層の所定領域に必要な回数だけ形成するとともに、文字列Ｂを構成しない文字をフォトレジスト層の所定領域の外側に形成する。その後、現像を行う工程と、フォトレジスト層上にレジスト層とは異なる材料の膜を堆積する工程と、フォトレジスト層を除去することにより、膜のリフトオフを行い、膜から文字列Ｂを規定する第１のパターンと文字列Ｂを構成しない第２のパターンを形成する工程とから構成する。【選択図】  図９Ａ
2004240189.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の板状部材に対して相互に異なる識別情報を記録する方法であって、
前記識別情報は、ｚ１桁の文字列Ａ、およびｚ２桁の文字列Ｂを含む文字列群（ｚ１およびｚ２は１以上の整数）であり、
（ａ）文字列Ａを規定する開口パターンがＸ軸方向およびＹ軸方向に沿って周期的に配列された第１フォトマスクと、文字列Ｂに用いられ得る異なる種類の文字を規定する開口パターンがＸ軸方向およびＹ軸方向に沿って周期的に配列された第２フォトマスクを用意する工程と、
（ｂ）前記板状部材の表面にポジ型フォトレジスト層を形成する工程と、
（ｃ）前記第１フォトマスクを用い、前記フォトレジスト層を露光することにより、前記文字列Ａの潜像を前記フォトレジスト層に形成する工程と、
（ｄ）前記第２フォトマスクを用い、前記文字列Ｂを構成するべき文字の潜像を前記フォトレジスト層の所定領域内に形成するとともに、前記文字列Ｂを構成しない文字を前記フォトレジスト層の前記所定領域の外側に形成する工程と、
を含み、
（ｅ）前記工程（ｄ）を必要な回数だけ行うことにより、前記文字列Ｂを構成する文字の潜像を全て前記第ポジ型フォトレジスト層の前記所定領域内に形成した後、前記フォトレジスト層に対する現像を行う工程と、
（ｆ）前記フォトレジスト層上に前記フォトレジスト層とは異なる材料の膜を堆積する工程と、
（ｇ）前記フォトレジスト層を除去することにより、前記膜のリフトオフを行い、それによって、前記膜から前記文字列Ａおよび文字列Ｂを規定する第１のパターンと前記文字列Ａおよび前記文字列Ｂを構成しない第２のパターンを形成する工程と、
を含む方法。
【請求項２】
複数の板状部材に対して相互に異なる識別情報を記録する方法であって、
前記識別情報は、文字列Ｂを含み、
（ａ）文字列Ｂに用いられ得る異なる種類の文字を規定する開口パターンがＸ軸方向およびＹ軸方向に沿って周期的に配列されたフォトマスクを用意する工程と、
（ｂ）前記板状部材の表面にポジ型フォトレジスト層を形成する工程と、
（ｃ）前記フォトマスクを用い、前記文字列Ｂを構成するべき文字の潜像を前記フォトレジスト層の所定領域内に形成するとともに、前記文字列Ｂを構成しない文字を前記フォトレジスト層の前記所定領域の外側に形成する工程と、
を含み、
（ｄ）前記工程（ｃ）を必要な回数だけ行うことにより、前記文字列Ｂを構成する文字の潜像を全て前記第ポジ型フォトレジスト層の前記所定領域内に形成した後、前記フォトレジスト層に対する現像を行う工程と、
（ｅ）前記フォトレジスト層上に前記フォトレジスト層とは異なる材料の膜を堆積する工程と、
（ｆ）前記フォトレジスト層を除去することにより、前記膜のリフトオフを行い、それによって、前記膜から前記文字列Ｂを規定する第１のパターンと前記文字列Ｂを構成しない第２のパターンを形成する工程と、
を含む方法。
【請求項３】
複数の板状部材に対して相互に異なる識別情報を記録する方法であって、
前記識別情報は、ｚ１桁の文字列Ａ、ｚ２桁の文字列Ｂ、およびｚ３桁の文字列Ｃを含む文字列群（ｚ１は０以上の整数、ｚ２およびｚ３は１以上の整数）によって表現されており、
（ａ）文字列Ａおよび文字列Ｃを規定する開口パターンがＸ軸方向およびＹ軸方向に沿って周期的に配列された第１フォトマスクと、文字列Ｂに用いられ得る異なる種類の文字を規定する開口パターンがＸ軸方向およびＹ軸方向に沿って周期的に配列された第２フォトマスクを用意する工程と、
（ｂ）前記板状部材の表面にポジ型フォトレジスト層を形成する工程と、
（ｃ）前記第１フォトマスクを用い、前記フォトレジスト層を露光することにより、前記フォトレジスト層の複数の領域の各々に対し、前記文字列Ａおよび文字列Ｃの潜像を形成する第１露光工程と、
（ｄ）前記第２フォトマスクを用い、前記複数の領域の各々における前記文字列Ｂが形成されるべき領域に対して、前記文字列Ｂを構成する文字の潜像を１桁ずつ形成するとともに、前記文字列Ｂを構成しない文字を前記フォトレジスト層の前記所定領域の外側に形成する第２露光工程と、
を含み、
（ｅ）前記工程（ｄ）を必要な回数だけ行うことにより、前記文字列Ｂを構成する文字の潜像を全て前記第ポジ型フォトレジスト層の前記所定領域内に形成した後、前記フォトレジスト層に対する現像を行う工程と、
（ｆ）前記フォトレジスト層上に前記フォトレジスト層とは異なる材料の膜を堆積する工程と、
（ｇ）前記フォトレジスト層を除去することにより、前記膜のリフトオフを行い、それによって、前記膜から前記文字列Ａ、文字列Ｂ、および文字列Ｃを規定する第１のパターンと、前記文字列Ａ、文字列Ｂ、および文字列Ｃを構成しない第２のパターンを形成する工程と、
を含む方法。
【請求項４】
前記フォトマスク上において、文字列Ｂに用いられ得る文字のＹ軸方向サイズをｙ１とし、同一の文字のＹ軸方向周期をｙ２とした場合、Ｙ軸方向に沿って計測した距離がｙ２の区間内に、文字列Ｂに用いられる異なる種類のｍ個（ｍは２以上の整数）の文字が配列されており、ｍ≦ｙ２／ｙ１の関係が成立している、請求項１から３のいずれかに記載の方法。
【請求項５】
前記フォトマスク上において、文字列Ｂに用いられ得る文字のＸ軸方向サイズをｘ１とし、同一の文字のＸ軸方向周期をｘ２とした場合、Ｘ軸方向に沿って計測した距離がｘ２の区間内に、文字列Ｂに用いられる異なる種類のｍ’個（ｍ’は２以上の整数）の文字が配列されており、ｍ’≦ｘ２／ｘ１の関係が成立している、請求項１から４のいずれかに記載の方法。
【請求項６】
前記第２のパターンの少なくとも一部を除去する工程を更に含む請求項１から５のいずれかに記載の方法。
【請求項７】
前記文字列Ｂは２桁以上であり、
前記工程（ｄ）は、前記文字列Ｂを構成する文字の潜像を１桁ずつ、前記フォトレジスト層に形成することを含む請求項１から６のいずれかに記載の方法。
【請求項８】
同一のフォトマスクの異なる部分を用いて、前記文字列Ｂを構成する文字の潜像を１桁ずつ、前記フォトレジスト層に形成する請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記フォトマスク上の選択された文字が所定の位置に投影されるように、前記フォトマスクを前記フォトレジスト層に対して位置あわせする工程を包含する請求項１から８のいずれかに記載の方法。
【請求項１０】
前記板状部材の表面に前記フォトレジスト層を形成する前にアライメントマークを形成する工程を更に包含し、前記位置あわせ工程は前記アライメントマークを用いて実行する請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記露光を行うとき、マスクアライナを用い、前記フォトレジスト層の全面に前記文字列の潜像を形成する請求項８から１０のいずれかに記載の方法。
【請求項１２】
前記露光を行うとき、ステッパを用い、前記フォトレジスト層の区分された複数の領域に対して、前記文字列の潜像を順次形成する請求項８から１０のいずれかに記載の方法。
【請求項１３】
前記文字列Ｃは、前記フォトレジスト層の前記複数の領域毎に異なっている文字列から構成されている請求項３に記載の方法。
【請求項１４】
前記複数の領域は、行および列からなるマトリックス状に配列されており、
前記複数の領域のうち、第Ｍ行第Ｎ列（ＭおよびＮは自然数）に位置する領域に割り当てられる文字列ＣをＣＭＮで表記した場合、Ｍ≠Ｊおよび／またはＮ≠Ｋ（ＪおよびＫは自然数）とすると、ＣＭＮ≠ＣＪＫが成立する請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記複数の領域のうち、第Ｍ行第Ｎ列（ＭおよびＮは自然数）に位置する領域に割り当てられる文字列ＡをＡＭＮで表記した場合、Ｍ≠Ｊおよび／またはＮ≠Ｋ（ＪおよびＫは自然数）とすると、ＡＭＮ＝ＡＪＫが成立する請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記第１露光工程において、マスクアライナを用い、前記フォトレジスト層の全面に前記文字列Ａおよび文字列Ｃの潜像を形成する請求項１３から１５のいずれかに記載の方法。
【請求項１７】
前記第２露光工程において、ステッパを用い、各々が前記フォトレジスト層の複数の領域を含む更に広い複数の領域の各々に対して、前記文字列Ｂの潜像を順次形成する請求項１３から１５のいずれかに記載の方法。
【請求項１８】
文字列Ｂは、前記更に広い複数の領域毎に異なる文字列から構成されている請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
請求項１から１８のいずれかに記載の方法で識別情報が記録された前記板状部材を用意する工程と、
前記板状部材の選択された面上に薄膜を堆積する工程と、
前記板状部材を切断することにより、複数の分割部品に分割する工程と、
を包含する電子部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、板状部材に識別情報を記録する方法、および、この方法に使用するフォトマスクセットに関している。本発明は、磁気ヘッドなどに使用されるセラミックス基板への識別情報の刻印に好適に用いられるだけでなく、半導体ウェハその他の板状部材に対して識別情報を記録する場合に適用できる。
【０００２】
【従来の技術】
近年、ハードディスクドライブ（ＨＤＤ）装置、テープストレージ装置、およびフレキシブルディスクドライブ（ＦＤＤ）装置などに使用される磁気ヘッドスライダには、種々の構成からなる薄膜磁気ヘッドが使用されている。このような薄膜磁気ヘッドに用いられる基板としては、例えば、Ａｌ２Ｏ３−ＴｉＣ系、ＳｉＣ系、ＺｒＯ２系等の組成からなる焼結体基板が用いられている。
【０００３】
図１（ａ）は、典型的な薄膜磁気ヘッドスライダ１０を示している。この磁気ヘッドスライダ１０のトラック側は、磁気ディスクの表面に対向する２本のサイドレール１１を有しており、これらのサイドレール１１が形成されている面はエア・ベアリング面（ＡＢＳ）と称されることがある。ヘッドサスペンションによって磁気ヘッドスライダ１０のサイドレール１１が磁気ディスク表面を軽く押す状態で、磁気ディスクをモータなどによって高速回転させると、磁気ディスク表面にできる空気の層がスライダ１０のエア・ベアリング面直下に入り込み、磁気ヘッドスライダ１０を僅かに持ち上げることになる。こうして、磁気ヘッドスライダ１０は磁気ディスクの表面近くを「飛行」するようにして記録／再生動作を行うことができる。
【０００４】
磁気ヘッドスライダ１０の一端面には、磁気ディスクなどの記録媒体との間で磁気的相互作用を行うための薄膜１２が堆積されている。薄膜１２は電気／磁気トランスデューサ素子を構成するために用いられる。一方、磁気ヘッドスライダ１０の他の端面には、製品種を確認するために、認識番号（シリアルナンバー）などの識別情報１３が刻印されている。識別情報１３を焼結体基板に刻印する方法は、例えば、特許文献１、特許文献２、およびに特許文献３等に開示されている。
【０００５】
磁気ヘッドスライダ１０は、典型的には、図１（ｃ）に示されるような焼結体基板（ウェハ）１から図１（ｂ）に示されるようなバー２０を切り出した後、そのバー２０を多数のチップに分離することによって作製される。図１（ｃ）に示されるウェハ１の端面４は、図１（ａ）に示される磁気ヘッドスライダ１０のエア・ベアリング面に平行な位置関係にある。
【０００６】
電子機器の小型軽量化のために薄膜ヘッドの寸法が小さくなるに従い、ウェハ１の厚さ（磁気ヘッドスライダ１０の長さＬに相当）が薄くなるとともに、各バー２０の厚さＴ（磁気ヘッドスライダ１０の高さに相当）も薄くなってきている。例えば、ピコスライダと呼ばれる磁気ヘッドスライダの場合、Ｌは１．２ｍｍ程度であり、Ｔは０．３ｍｍ程度である。このように小型化された磁気ヘッドスライダに刻印されるべき文字のサイズも当然に小さくする必要がある。
【０００７】
識別情報１３の刻印にはレーザマーキング法が広く用いられている。レーザマーキング法による場合、図１（ｂ）や図１（ｃ）に示される識別情報１３は、各バー２０に分割される前のウェハ１の裏面３に対して印字される。印字工程の後、ウェハ１の表面２には、種々の薄膜１２が積層されることになる。
【０００８】
次に、図２を参照しながら、従来のレーザマーキング法を簡単に説明する。
【０００９】
レーザマーキング法では、ウェハ１の裏面３に対して、レンズ５で収束されたレーザビーム６を照射し、それによって、ウェハ１の照射部分を急速に加熱し、蒸発させる。このとき、ウェハ１の裏面３には小さな凹部が形成されるとともに、ウェハ１を構成していた焼結体材料が周囲に飛散し、その一部は再びにウェハ１に付着する。レーザビーム６でウェハ１の裏面３を走査することによって、凹部の平面パターンを任意に描くことができる。英文字、数字、またはバーコードなどの凹部パターンを形成すれば、種々の識別情報１３をウェハ１の任意の位置に書きこむことができる。
【００１０】
このようなレーザマーキング法によれば、（１）レーザ照射によって発生する飛散物がダスト化し、印字溝内などに吸着・集積するため、コンタミネーションとなるおそれが高く、（２）レーザ光の照射によって印字溝のエッジ部分にバリが発生するため、バリ除去のための工程が必要となる、などの問題点があった。
【００１１】
上記の問題が生じない識別情報記録方法として、フォトリソグラフィ法が開発されている（特許文献４）。フォトリソグラフィ法による場合、まずウェハ１の裏面３上にレジスト層を塗布形成した後、特定のフォトマスクを用いてレジスト層を露光することにより、レジスト層の所望の領域に識別情報の潜像が書き込まれる。その後、露光されたレジスト層を現像することより、識別情報に対応するパターンがレジスト層に転写される。パターニングされたレジスト層をマスクとしてウェハをエッチングすることにより、識別情報をウェハに書き込むことが可能である。フォトリソグラフィ法によれば、形成するパターンの細線化が可能であり、種々の識別情報を狭い領域内でも明瞭に記録することが可能である。
【００１２】
【特許文献１】
特開平９−８１９２２号公報
【特許文献２】
特開平１０−１３４３１７号公報
【特許文献３】
特開平１１−１２６３１１号公報
【特許文献４】
特開２００２−７５８１７号公報
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記のフォトリソグラフィ法によれば、ウェハごとに異なる識別情報を記録するには、ウェハの枚数だけ種類の異なるフォトマスクを用意する必要がある。フォトマスクは高価であり、例えば、１枚で数十万円程度もする場合がある。このため、フォトリソグラフィ法による場合は、大量に必要なフォトマスクの価格に起因するコストの大きな上昇が問題になる。
【００１４】
本出願人は、必要なフォトマスクの数を大幅に低減できる技術を特願２００１−２６９２９１号明細書に開示している。以下、この技術を説明する。
【００１５】
特願２００１−２６９２９１号明細書に開示した技術は、複数のセラミックス製ウェハに対して、相互に異なる識別情報を記録する方法である。この識別情報記録方法では、各ウェハに記録する識別情報は、ｚ１桁（ｚ１は自然数）の文字列Ａ、および、ｚ２桁（ｚ２は自然数）の文字列Ｂを含む文字列群によって表現される。ここでは、図３（ａ）に示すように、文字列Ａが１桁の文字Ａ１から構成され、文字列Ｂが２桁の文字Ｂ１・Ｂ２から構成される場合を説明する。文字Ａ１、Ｂ１およびＢ２の各々は、０〜９までの１０種類の数字を取り得るものとする。すなわち、文字列Ａおよび文字列Ｂから構成される識別情報は、「０００」〜「９９９」の１０００通りある。なお、文字列を構成する各文字は、数字だけではなく、アルファベット、かな、漢字、記号など、識別情報を表現し得る符号単位であれば何でも良い。
【００１６】
識別情報ＡＢは、図３（ｂ）に示すように各ウェハの複数の領域に記載することが好ましいが、図３（ｃ）に示すように各ウェハのどこか１箇所に記載するようにしてもよい。図３（ｃ）のようにして識別情報をウェハに記録した場合、識別情報はウェハ単位で種々の製造プロセスを行う各工程で利用され得るが、ウェハを複数のチップ部品に分割したあとは、識別情報の機能を発揮しなくなる。
【００１７】
従来のフォトリソグラフィ方法を用いて、１０００通りの識別情報を１０００枚のウェハに刻印するには、１０００枚のフォトマスク（レチクル）が必要であった。この場合、例えば１５０枚目のフォトマスクには「１５０」の文字列を規定する遮光パターンが形成されるというように、各フォトマスクに異なる識別情報が割り当てられることになる。
【００１８】
これに対して、特願２００１−２６９２９１号明細書に開示した識別情報記録方法では、２種類のフォトマスク（第１フォトマスクと第２フォトマスク）を含むフォトマスクセットを用いてフォトレジスト層に複数回の露光工程を行うことにより、従来よりも格段に少ない枚数のフォトマスクで必要な識別情報をウェハに刻印することが可能になる。
【００１９】
以下、図４（ａ）および（ｂ）を参照しながら、上記識別情報記録方法に用いるフォトマスクを説明する。
【００２０】
図４（ａ）に示す第１フォトマスクでは、文字列Ａを規定する遮光パターンが形成されている。ここで、「文字列Ａを規定する遮光パターン」とは、フォトマスク上における遮光層の開口部によって文字列Ａの文字部分が形成されたパターンを意味している。図４（ａ）および（ｂ）においては、各フォトマスクの白い部分が遮光層であり、黒い文字（数字）の部分が遮光層中の開口部である。
【００２１】
ウェハ毎に異なる識別情報をウェハ内の複数の領域に対して書き込む場合、各第１フォトマスク上において、上記の文字列Ａの遮光パターンがＸ軸方向およびＹ軸方向に沿って周期的に配列される。この例では、文字Ａ１は「０」〜「９」の数であるため、１０種類の第１フォトマスクが必要になる。もしも、文字列Ａが２桁の数字であれば、文字列「００」〜「９９」に対応して、１００枚の第１フォトマスクが必要になる。
【００２２】
一方、図４（ｂ）に示す第２フォトマスクでは、文字列Ｂに用いられる文字（１桁分）を規定するパターンがＸ軸方向およびＹ軸方向に沿って周期的に配列されている。この周期は、文字列Ａの周期と同一であり、第２フォトマスク上の文字は、第１フォトマスクの遮光マスクによって遮光された領域（非露光領域）に重ね合わせられるように配置される。
【００２３】
図４の例では、第１フォトマスクと第２フォトマスクが同一の遮光パターンを有しているので、第１フォトマスクが第２フォトマスクを兼ねても良い。ただし、第１フォトマスクと第２フォトマスクが同一の遮光パターンを有している必要はなく、例えば、第１フォトマスクはアルファベットの文字を規定し、第２フォトマスクが数字を規定していも良い。
【００２４】
次に、図５〜図７を参照しながら、上記のフォトマスクセットを用いて行う露光方法を説明する。
【００２５】
ここでは、図５（ａ）に示す第１フォトマスク６２を用いる。この第１フォトマスク６２上には、文字Ａ１を規定するパターンを有する遮光膜６２ａが設けられている。このようなフォトマスクは、ガラスなどの透明基板上に遮光性を有する金属膜や樹脂膜を形成し、その膜から文字部分をくり抜くことによって得られる。遮光膜６２ａの開口部６２ｂが文字の形状を有している。図では、簡単化のため、１つの識別情報に関する開口部６２ｂのみを示しているが、現実のフォトマスク６２上には同様の形状を有する開口部６２ｂが周期的に配列されている。
【００２６】
次に、図５（ｂ）に示すように、ポジ型フォトレジスト層６１が塗布されたウェハ６０を用意し、第１フォトマスク６２を用いてウェハ６０上のフォトレジスト層６１を露光する。この露光により、フォトレジスト層６１の複数の領域の各々に、文字Ａ１を規定する開口部６２ｂの形状を持つ潜像（文字Ａ１の潜像）が形成される。具体的には、０〜９のうちのいずれかの文字Ａ１（図では「１」の文字）の領域が露光されるため、遮光膜６２ａの開口部６２ｂを透過した光により、フォトレジスト層６１が部分的に露光される（図５（ｃ））。図５（ｃ）では、ポジ型フォトレジスト層６１の露光部分をドットで示している。フォトレジスト層６１の露光部分は、ポジ型レジストの性質上、あとで行う現像工程で現像液に溶解し、開口部を形成する。その結果、本実施形態ではフォトレジスト層６１の文字部分がくり抜かれることになる。
【００２７】
なお、上記の露光を行うに際しては、例えばアライナを用いて、ウェハ６０の全面に対して文字列Ａを規定する潜像を形成することが効率的である。
【００２８】
次に、現像工程を行う前に、文字列Ｂの記録を行う。具体的には、図４（ｂ）に示すような１０枚の第２フォトマスクから適切な第２フォトマスクを選択し、選択した第２フォトマスクを用いて、文字Ｂ１の潜像をレジスト層６１に形成する。図６（ａ）は、選択した第２フォトマスク６３の一部を示している。第２フォトマスク６３には、文字列Ｂの文字を規定するパターンを有する遮光膜６３ａが設けられている。遮光膜６３ａには文字Ｂ１の形状を持つ開口部６３ｂが形成されている。
【００２９】
第２フォトマスク６３のアライメントを適切に行うことにより、文字Ｂ１の位置を文字Ａ１の潜像位置に対して適切な関係を持つ位置に合わせ、図６（ｂ）に示すように、光を照射する。フォトレジスト層６１の文字列Ａ以外の領域は未露光領域であったため、文字Ｂ１を規定するパターンを持った光で照射されると、遮光膜６３ａの開口部６３ｂに対応した形状の潜像が形成される（図６（ｃ））。
【００３０】
次に、図７（ａ）〜図７（ｄ）を参照する。上記の露光工程の後、前述の第２フォトマスクから適切な第２フォトマスク６４を選択し、選択した第２フォトマスク６４を用いて文字Ｂ２の潜像をレジスト層６１に形成する。第２フォトマスク６４には、文字列Ｂの文字を規定する遮光膜ａが設けられている。遮光膜６４ａには文字Ｂ２の形状を持つ開口部６４ｂが形成されている。このとき、第２フォトマスク６４のアライメントを適切に行うことにより、文字Ａ１の潜像位置に対して適切な関係を持つ位置に文字Ｂ２の位置を合わせ、図７（ｂ）に示すように、光を照射する。これにより、文字Ｂ２を規定するパターンを持った光でレジスト層６１の未露光領域が照射され、遮光膜６４ａの開口部６４ｂに対応した形状を持つ潜像がレジスト層６１に形成されることになる（図７（ｃ））。
【００３１】
以上の露光工程により、フォトレジスト層６１における複数の領域の各々に対して、図７（ｄ）に示すように識別情報が書き込まれる。この後、現像工程を経て、露光部分（図のドット部分）がフォトレジスト層６１から除去され、文字を規定する開口部がフォトレジスト層６１に形成される。図８（ａ）は、現像後のフォトレジスト層６１の断面を模式的に示している。
【００３２】
図８（ｂ）〜（ｅ）を参照しながら、パターニングされたフォトレジスト６１を用いてウェハ６０に識別情報を記録する方法を説明する。
【００３３】
まず、エッチング法による場合を説明する。この場合、レジスト付きウェハ６０を不図示のエッチング装置内にロードし、適切なエッチャントとウェハ表面とを反応させる。こうすることにより、図８（ｂ）に示すように、ウェハ６０のレジスト層６１によって覆われていない表面部分がエッチングされ、文字列ＡおよＢがウェハ６１に転写される。エッチングは、被エッチング対象であるウェハの材料に応じて適宜好ましいエッチング条件が選択される。プラズマを用いたＲＩＥ（反応性イオンエッチング）などのドライエッチングの他、ウェットエッチングを行ってもよい。
【００３４】
現像後のフォトレジスト層６１を用いて、ウェハ６０に識別情報を記録する方法は上記のエッチング方法に限定されない。図８（ｃ）に示すように、パターニングされたフォトレジスト層６１で覆われたウェハ６１に対して金属膜などの薄膜６５を堆積し、その後、フォトレジスト層６１を除去することによっても識別情報をウェハ６１に転写することができる。このような方法は「リフトオフ」と呼ばれ、フォトレジスト層６１上に堆積した薄膜６５はレジスト層６１とともにウェハ表面から取り除かれる。その結果、図８（ｄ）に示すように、フォトレジスト層６１の開口部（本実施形態では「文字部分」）に薄膜６５が残存し、文字部分が他の面から凸状に突出する。
【００３５】
エッチング法やリフトオフ法によってウェハ表面に凹凸を形成する方法以外の方法でも、識別情報の記録を行うことは可能である。図８（ｅ）に示すように、パターニングされたフォトレジスト層６１で覆われたウェハ６０に対して、例えばイオンビームなどのエネルギビームを照射し、それによってウェハ６０の露出表面領域を改質しても、識別情報をウェハに転写することも可能である。表面の改質により、反射率特性や導電性などの物理的パラメータが変化するため、この変化を検知すれば、識別情報をウェハから再生することが可能である。
【００３６】
上記の識別情報記録方法によれば、各フォトマスクに１種類の文字しか割り当てられていないため、用いる文字の種類だけフォトマスクが必要になる。例えば「Ａ」から「Ｚ」のアルファベット２６文字で文字列Ｂを表現する場合、２６枚のフォトマスクが必要になるが、現在は、フォトマスクの数を更に減らすことが強く求められている。
【００３７】
本発明はかかる諸点に鑑みてなされたものであり、その主な目的は、多様な識別情報を少ないフォトマスクを用いて板状部材に記録することができる識別情報記録方法を提供することにある。
【００３８】
本発明の他の目的は、上記識別情報記録方法で行う新規な露光方法を提供するとともに、この露光方法に用いられるフォトマスクの組（フォトマスクセット）を提供することにある。
【００３９】
【課題を解決するための手段】
本発明の識別情報を記録する方法は、複数の板状部材に対して相互に異なる識別情報を記録する方法であって、前記識別情報は、ｚ１桁の文字列Ａ、およびｚ２桁の文字列Ｂを含む文字列群（ｚ１およびｚ２は１以上の整数）であり、（ａ）文字列Ａを規定する開口パターンがＸ軸方向およびＹ軸方向に沿って周期的に配列された第１フォトマスクと、文字列Ｂに用いられ得る異なる種類の文字を規定する開口パターンがＸ軸方向およびＹ軸方向に沿って周期的に配列された第２フォトマスクを用意する工程と、（ｂ）前記板状部材の表面にポジ型フォトレジスト層を形成する工程と、（ｃ）前記第１フォトマスクを用い、前記フォトレジスト層を露光することにより、前記文字列Ａの潜像を前記フォトレジスト層に形成する工程と、（ｄ）前記第２フォトマスクを用い、前記文字列Ｂを構成するべき文字の潜像を前記フォトレジスト層の所定領域に形成するとともに、前記文字列Ｂを構成しない文字を前記フォトレジスト層の前記所定領域の外側に形成する工程と、（ｅ）前記工程（ｄ）を必要な回数だけ行うことにより、前記文字列Ｂを構成する文字の潜像を全て前記第ポジ型フォトレジスト層の前記所定領域内に形成した後、前記フォトレジスト層に対する現像を行う工程と、（ｆ）前記フォトレジスト層上に前記レジスト層とは異なる材料の膜を堆積する工程と、（ｇ）前記フォトレジスト層を除去することにより、前記膜のリフトオフを行い、それによって、前記膜から前記文字列Ａおよび文字列Ｂを規定する第１のパターンと前記文字列Ａおよび前記文字列Ｂを構成しない第２のパターンを形成する工程とを含む。
【００４０】
本発明による他の識別情報を記録する方法は、複数の板状部材に対して相互に異なる識別情報を記録する方法であって、前記識別情報は、文字列Ｂを含み、（ａ）文字列Ｂに用いられ得る異なる種類の文字を規定する開口パターンがＸ軸方向およびＹ軸方向に沿って周期的に配列されたフォトマスクを用意する工程と、（ｂ）前記板状部材の表面にポジ型フォトレジスト層を形成する工程と、（ｃ）前記フォトマスクを用い、前記文字列Ｂを構成するべき文字の潜像を前記フォトレジスト層の所定領域内に形成するとともに、前記文字列Ｂを構成しない文字を前記フォトレジスト層の前記所定領域の外側に形成する工程と、（ｄ）前記工程（ｃ）を必要な回数だけ行うことにより、前記文字列Ｂを構成する文字の潜像を全て前記第ポジ型フォトレジスト層の前記所定領域内に形成した後、前記フォトレジスト層に対する現像を行う工程と、（ｅ）前記フォトレジスト層上に前記レジスト層とは異なる材料の膜を堆積する工程と、（ｆ）前記フォトレジスト層を除去することにより、前記膜のリフトオフを行い、それによって、前記膜から前記文字列Ｂを規定する第１のパターンと前記文字列Ｂを構成しない第２のパターンを形成する工程とを含む。
【００４１】
本発明の識別情報を記録する方法は、複数の板状部材に対して相互に異なる識別情報を記録する方法であって、前記識別情報は、ｚ１桁の文字列Ａ、ｚ２桁の文字列Ｂ、およびｚ３桁の文字列Ｃを含む文字列群（ｚ１は０以上の整数、ｚ２およびｚ３は１以上の整数）によって表現されており、（ａ）文字列Ａおよび文字列Ｃを規定する開口パターンがＸ軸方向およびＹ軸方向に沿って周期的に配列された第１フォトマスクと、文字列Ｂに用いられ得る異なる種類の文字を規定する開口パターンがＸ軸方向およびＹ軸方向に沿って周期的に配列された第２フォトマスクを用意する工程と、（ｂ）前記板状部材の表面にポジ型フォトレジスト層を形成する工程と、（ｃ）前記第１フォトマスクを用い、前記フォトレジスト層を露光することにより、前記フォトレジスト層の複数の領域の各々に対し、前記文字列Ａおよび文字列Ｃの潜像を形成する第１露光工程と、（ｄ）前記第２フォトマスクを用い、前記複数の領域の各々における前記文字列Ｂが形成されるべき領域に対して、前記文字列Ｂを構成する文字の潜像を１桁ずつ形成するとともに、前記文字列Ｂを構成しない文字を前記フォトレジスト層の前記所定領域の外側に形成する第２露光工程とを含み、（ｅ）前記工程（ｄ）を必要な回数だけ行うことにより、前記文字列Ｂを構成する文字の潜像を全て前記第ポジ型フォトレジスト層の前記所定領域内に形成した後、前記フォトレジスト層に対する現像を行う工程と、（ｆ）前記フォトレジスト層上に前記レジスト層とは異なる材料の膜を堆積する工程と、（ｇ）前記フォトレジスト層を除去することにより、前記膜のリフトオフを行い、それによって、前記膜から前記文字列Ａおよび文字列Ｂを規定する第１のパターンと、前記文字列Ａおよび前記文字列Ｂを構成しない第２のパターンを形成する工程とを含む。
【００４２】
好ましい実施形態では、前記フォトマスク上において、文字列Ｂに用いられ得る文字のＹ軸方向サイズをｙ１とし、同一の文字のＹ軸方向周期をｙ２とした場合、Ｙ軸方向に沿って計測した距離がｙ２の区間内に、文字列Ｂに用いられる異なる種類のｍ個（ｍは２以上の整数）の文字が配列されており、ｍ≦ｙ２／ｙ１の関係が成立している。
【００４３】
好ましい実施形態では、前記フォトマスク上において、文字列Ｂに用いられ得る文字のＸ軸方向サイズをｘ１とし、同一の文字のＸ軸方向周期をｘ２とした場合、Ｘ軸方向に沿って計測した距離がｘ２の区間内に、文字列Ｂに用いられる異なる種類のｍ’個（ｍ’は２以上の整数）の文字が配列されており、ｍ’≦ｘ２／ｘ１の関係が成立している。
【００４４】
好ましい実施形態では、前記第２のパターンの少なくとも一部を除去する工程を更に含む。
【００４５】
好ましい実施形態では、前記文字列Ｂは２桁以上であり、前記工程（ｄ）は、前記文字列Ｂを構成する文字の潜像を１桁ずつ、前記フォトレジスト層に形成することを含む。
【００４６】
好ましい実施形態においては、同一のフォトマスクの異なる部分を用いて前記文字列Ｂを構成する文字の潜像を１桁ずつ、前記フォトレジスト層に形成する。
【００４７】
好ましい実施形態においては、前記第２フォトマスク上の選択された文字が所定の位置に投影されるように、前記第２フォトマスクを前記フォトレジスト層に対して位置あわせを行う。
【００４８】
好ましい実施形態においては、前記板状部材の表面に前記フォトレジスト層を形成する前にアライメントマークを形成する工程を更に包含し、前記位置あわせ工程は前記アライメントマークを用いて実行する。
【００４９】
好ましい実施形態において、前記露光を行うとき、マスクアライナを用い、前記フォトレジスト層の全面に前記文字列の潜像を形成する。
【００５０】
好ましい実施形態において、前記露光を行うとき、ステッパを用い、前記フォトレジスト層の区分された複数の領域に対して、前記文字列の潜像を順次形成する。
【００５１】
好ましい実施形態において、前記文字列Ｃは、前記レジスト層の前記複数の領域毎に異なっている文字列から構成されている。
【００５２】
好ましい実施形態において、前記複数の領域は、行および列からなるマトリックス状に配列されており、前記複数の領域のうち、第Ｍ行第Ｎ列（ＭおよびＮは自然数）に位置する領域に割り当てられる文字列ＣをＣＭＮで表記した場合、Ｍ≠Ｊおよび／またはＮ≠Ｋ（ＪおよびＫは自然数）とすると、ＣＭＮ≠ＣＪＫが成立する。
【００５３】
好ましい実施形態において、前記複数の領域のうち、第Ｍ第Ｎ列（ＭおよびＮは自然数）に位置する領域に割り当てられる文字列ＡをＡＭＮで表記した場合、Ｍ≠Ｊおよび／またはＮ≠Ｋ（ＪおよびＫは自然数）とすると、ＡＭＮ＝ＡＪＫが成立する。
【００５４】
好ましい実施形態では、前記第１露光工程において、マスクアライナを用い、前記フォトレジスト層の全面に前記文字列Ａおよび文字列Ｃの潜像を形成する。
【００５５】
好ましい実施形態では、前記第２露光工程において、ステッパを用い、各々が前記フォトレジスト層の複数の領域を含む更に広い複数の領域の各々に対して、前記文字列Ｂの潜像を順次形成する。
【００５６】
好ましい実施形態において、文字列Ｂは、前記更に広い複数の領域毎に異なる文字列から構成されている。
【００５７】
本発明による電子部品の製造方法は、上記いずれかの方法で識別情報が記録された前記板状部材を用意する工程と、前記板状部材の選択された面上に薄膜を堆積する工程と、前記板状部材を切断することにより、複数の分割部品に分割する工程とを包含する。
【００５８】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照しながら、本発明の好ましい実施形態を説明する。
【００５９】
（実施形態１）
まず、本発明による識別情報記録方法の第１の実施形態を説明する。
【００６０】
本実施形態では、複数のセラミックス製ウェハに対して、相互に異なる識別情報を記録する。各ウェハに記録する識別情報は、ｚ１桁（ｚ１はゼロ以上の整数）の文字列Ａ、および、ｚ２桁（ｚ２は１以上の整数）の文字列Ｂを含む文字列群によって表現される。
【００６１】
ここでは、文字列Ａは、例えばウェハの種類や企業名などを示す文字列を示す情報を示し、あるウェハの群について共通の情報を示すが、文字列Ｂは、ウェハ毎に異なる情報を示すものとする。
【００６２】
以下、簡単化のため、文字列Ａが０桁であり、文字列Ｂが３桁の文字Ｂ１・Ｂ２・Ｂ３から構成される場合を説明する。また、文字Ｂ１〜Ｂ３の各々は、０〜９までの１０種類の数字を取り得るものとする。すなわち、文字列Ｂから構成される識別情報は、「０００」〜「９９９」の１０００通りある。なお、文字列を構成する各文字は、数字だけではなく、アルファベット、かな、漢字、記号など、識別情報を表現し得る符号単位であれば何でも良い。
【００６３】
まず、図９Ａ（ａ）を参照する。
【００６４】
図９Ａ（ａ）は、本実施形態で用いるフォトマスク９０の一部を模式的に示している。このフォトマスク９０には、遮光膜（クロスハッチング領域で図示されている）が形成されており、この遮光膜の存在しない領域（光透過領域）が、文字列Ｂを構成し得る各文字を規定している。
【００６５】
フォトマスク９０の文字（くり抜き部分）は、Ｘ軸方向およびＹ軸方向に沿って周期的に配列されている。この例では、１枚のフォトマスク９０に「１」〜「３」の文字が配列されている。文字Ｂ１として「０」から「９」の１０個の文字を使用する場合、１枚のフォトマスクに「０」から「９」の１０個の文字を配列しても良いし、２枚以上のフォトマスクに「０」から「９」の１０個を分けて配列してもよい。
【００６６】
フォトマスク９０における文字のサイズ、および同一文字の配列ピッチを図１１に示す。図１１では、代表的に選んだ文字「１」の配列の一部を示している。文字「１」は、Ｘ軸方向にｘ１のサイズを持ち、ｘ２のピッチで周期的に配列されている。また、文字「１」は、Ｙ軸方向にｙ１のサイズを持ち、ｙ２のピッチで周期的に配列されている。
【００６７】
本実施形態で用いるフォトマスク９０では、Ｙ軸方向に沿って隣接する２つの文字「１」の間に、文字「２」および「３」が存在している。文字「２」および「３」の各々も、Ｘ軸方向にｘ１のサイズを持ち、ｘ２のピッチで周期的に配列され、Ｙ軸方向にｙ１のサイズを持ち、ｙ２のピッチで周期的に配列されている。すなわち、このフォトマスクでは、Ｙ軸方向に沿って計測した距離がｙ２の区間内に、文字列Ｂに用いられる異なる種類の３個の文字が配列されている。本発明は、この場合に限定されず、Ｙ軸方向に沿って計測した距離がｙ２の区間内に、文字列Ｂに用いられる異なる種類のｍ個（ｍは２以上の自然数）の文字が配列されていてもよい。ここで、ｍ≦ｙ２／ｙ１の関係が成立している。
【００６８】
なお、図９Ａ（ａ）に示すフォトマスク１０では、Ｘ軸方向に沿って隣接する２つの文字「１」の間には、他の文字は存在していない。
【００６９】
次に、図９Ａ（ｂ）を参照する。この図は、ポジ型フォトレジスト９１が塗布され、フォトマスク９０を用いた露光が行われたウェハ９２の上面および断面を模式的に示している。ポジ型フォトレジスト９１のうち、フォトマスク９０における遮光膜の開口部を透過してきた光に照射された部分には、文字例Ｂを構成する文字Ｂ１の潜像が形成されている。なお、フォトレジスト９１に形成された潜像は、フォトマスク９０の文字と等しい大きさを持つ必要はない。微細な文字をウェハ９２上に記録したい場合、フォトマスク９０のパターンは露光装置の光学系によってフォトレジスト９１に縮小投影されることが好ましい。
【００７０】
図９Ａ（ｂ）には、破線で囲んだ矩形領域が示されている。この矩形領域は、識別情報（この場合、文字列Ｂ）が記録されるべき領域であり、最終的にウェハから分離される多数のチップの各々に１つの割合で割り当てられている。図示している例では、矩形領域に「１」の文字の潜像が形成されている。すなわち、この例では、文字Ｂ１は「１」である。「１」の文字の潜像を上記矩形領域に形成するには、フォトマスク９０上の「１」の文字を規定する開口部を透過した光が上記矩形領域内の所定部分に入射するようにマスクアライメントを行う必要がある。
【００７１】
上記露光により、「１」以外の文字（「２」および「３」）の潜像も同時にフォトレジスト９１に形成されるが、その潜像は、上記矩形領域の外側に位置している。
【００７２】
次に、図９Ａ（ｃ）を参照する。図９Ａ（ｃ）は、文字列Ｂを構成する文字Ｂ２の潜像を形成するための露光を行った後のウェハ９２の上面および断面を模式的に示している。図示する例では、文字Ｂ２は「３」である。「３」の文字は、図９Ａ（ａ）のフォトマスク９０に規定されているため、このフォトマスク９０を用いて「３」の文字の潜像をフォトレジスト９１中に形成することができる。ただし、フォトマスク９０の「３」の文字を規定する開口部を透過した光がフォトレジスト９１の上記矩形領域内に所定部分に入射するようにマスクアライメントを行う。具体的には、文字「１」の潜像の隣に文字「３」の潜像を形成するようにフォトマスク９０とウェハ９２との配置関係を決定する。
【００７３】
次に、図９Ｂ（ａ）に示すように文字Ｂ３の潜像をフォトレジスト９１に形成する。図示する例では、文字Ｂ３は「２」である。「２」の文字も、図９Ａ（ａ）のフォトマスク９０に規定されているため、このフォトマスク９０を用いて「２」の文字の潜像をフォトレジスト９１中に形成することができる。フォトマスク９０の「２」の文字を規定する開口部を透過した光がフォトレジスト９１の上記矩形領域内に所定部分に入射するようにマスクアライメントを行う。具体的には、文字「３」の潜像の隣に文字「２」の潜像を形成するようにフォトマスク９０とウェハ９２との配置関係を決定する。
【００７４】
上記の露光工程を一桁ずつ繰り返すことにより、フォトレジスト９１には、文字列Ｂの潜像だけではなく、文字例Ｂ以外の文字列の不要な潜像も形成される。
【００７５】
次に、フォトレジスト９１を現像し、露光部分を除去することにより、図９Ｂ（ｂ）に示すように、露光部分がくり抜かれたレジストパターン９１ａを形成する。露光するフォトレジスト９１がポジ型であるため、文字部分はレジストパターン９１ａの開口部によって構成されている。
【００７６】
次に、図９Ｂ（ｃ）に示すように、レジストパターン９１ａ上にＣｒ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ａｌなどの金属から形成した膜９３を堆積する。金属膜９３の厚さは、例えば５ｎｍ〜１μｍの範囲に設定され、スパッタ法や他の薄膜堆積方法によって堆積される。金属膜の一部は、レジストパターン９１ａの開口部を介してウェハ９２の表面に接触している。なお、膜９３の材料は、金属に限定されず、セラミックスなどであってもよい。
【００７７】
次に、図９Ｂ（ｄ）に示すように、レジストパターン９１ａを除去することにより、金属膜９３のリフトオフを行う。このリフトオフにより、金属膜９３のうちレジストパターン９１ａ上に存在した部分は選択的に取り除かれ、レジストパターン９１ａの開口部内に存在した部分はウェハ９２上に留まることになる。このようして、レジストパターン９１ａの開口部の形状に対応する形状を持つ金属パターン９３ａ〜９３ｃが得られる。
【００７８】
次に、図９Ｃ（ａ）に示すように、金属パターン９３ａ〜９３ｃのうち、文字列Ｂを規定する部分（９３ａ）を選択的に覆うマスク９４をウェハ９２上に形成する。このマスク９４は、好ましくは、新たに塗布したフォトレジストを露光・現像することによって作製される。
【００７９】
図９Ｃ（ｂ）に示すように、金属パターン９３ａ〜９３ｃのうち、マスク９４で覆われていない部分を除去した後、図９Ｃ（ｃ）に示すように、マスク９４を除去する。不要な金属パターンの除去には、ウェハ９２の表面をエッチングしないように、金属パターンを選択的に溶かす薬液を用いて行うことが好ましい。
【００８０】
以上の工程により、ウェハ９２の表面には、所定の間隔で配置された文字列Ｂ（金属パターン９３ａ）を形成することができる。
【００８１】
本実施形態によれば、１枚のフォトマスク９０で多種類の文字をウェハ９２上に形成できる。識別情報の配列ピッチに比べて各文字のサイズを充分に小さくすれば、識別情報を構成する文字の全てを１枚のフォトマスク上に配置することも可能である。
【００８２】
本実施形態では、識別情報を構成しない不要な文字をウェハ９２から除去しているが、このような文字を除去する必要はない。例えば、図９Ｄ（ａ）に示すように、識別情報を構成しない文字を選択的に何らかのマスク９５によって覆ってもよい。マスク９５は、例えば、マスク材料膜の堆積工程、フォトリソグラフィ工程、およびエッチング工程などによって形成され得る。この場合、マスク材料膜をエッチングすることにより、識別情報を構成する文字を露出させる必要がある。このため、マスク材料膜は、識別情報を構成する文字の形成に用いた金属膜とは異なるエッチング特性を有することが好ましい。マスクをパターニングするとき、マスク材料膜のうち識別情報を構成する文字を覆っている部分が選択的にエッチングされ、識別情報を構成する文字はほとんどエッチングされないことが望ましいからである。このマスク９５は、ウェハ９２からチップが分割された後も除去されず、不要な文字を覆ったままである。
【００８３】
また、図９Ｄ（ｂ）および図９Ｄ（ｃ）に示すように、識別情報を構成しない文字が視認され得る状態に置かれたままであっても、識別情報を構成する文字と区別可能であれば問題ない。図９Ｄ（ｂ）の例では、識別情報が書き込まれる領域またはその近傍に特別のパターン９６を形成している。図９Ｄ（ｃ）の例では、識別情報を取り囲むパターン９７を形成している。このようなパターン９６、９７の形成は、金属その他の膜の堆積工程、フォトリソグラフィ工程、およびエッチング工程などを付加することによって行うことができる。これらの工程は、識別情報を構成する文字列のパターンを形成する前に行ってもよいし、後に行ってもよい。
【００８４】
更に、図９Ｄ（ｄ）に示すように、識別情報を構成しない文字上に特別のパターン９８を形成しても良い。このパターン９８の形成も、識別情報を構成する文字列のパターンを形成する前に行ってもよいし、後に行ってもよい。また、図９Ｄ（ｅ）に示すように、識別情報を構成しない文字の一部だけを加工または除去しても、識別情報を構成する文字と区別可能になる。識別情報を構成しない文字の一部だけを加工または除去する場合、図９Ｃ（ｂ）に示すマスク９４のパターンを改変したパターンを有するマスクを形成し、その後、金属膜のエッチングを行えばよい。図９Ｃ（ｂ）に示す例では、識別情報を構成しない文字を完全に除去しているが、不要な文字の一部が残存したとしても、識別情報と誤認されなければ問題はない。
【００８５】
なお、識別情報に文字列Ａを含める場合、文字列Ａを規定するフォトマスクを用意する。文字列Ａを規定するフォトマスクは、多数のウェハに共通して用いることが可能である。このため、文字列Ａが複数の文字から構成されている場合でも、１枚のフォトマスクに文字列Ａそのものを周期的に配列しておけばよく、文字列を構成する文字の１桁ごとに露光を行う必要もない。
【００８６】
文字列Ａが複数の文字、例えば文字Ａ１およびＡ２から構成されている場合、それらの文字Ａ１およびＡ２は、ウェハ上で隣接して配置される必要はない。文字Ａ１およびＡ２が文字列Ｂを間に挟むように配置されていても良い。文字列Ａが複数の文字Ａ１〜Ａｎから構成されている場合、それらの文字Ａ１〜Ａｎは、直線上に１列で配置されている必要はない。文字Ａ１〜Ａｎは、行および列に分けられて２次元的に配置されていても良いし、曲線上に配置されていても良い。これらの文字配置形態については、文字列Ｂも文字列Ａと同様である。
【００８７】
このような文字列Ａをウェハ上に形成する際、同時に、図９Ｄ（ｂ）〜（ｄ）に示すようなパターンを形成しても良い。あるいは、文字列Ａ自体を利用して、識別情報を他の不要な文字列から区別することも可能である。すなわち、識別情報が記録される領域内にのみ文字列Ａを形成すれば、文字列Ａの存在に基づいても識別情報を構成する文字列Ｂを他の不要な文字列から区別して認識することが可能である。
【００８８】
（実施形態２）
図１０Ａ〜図１０Ｃを参照しながら、本発明の第２の実施形態を説明する。
【００８９】
図１０Ａは、本実施形態で用いるフォトマスク１００のレイアウトを示している。本実施形態においても、フォトマスク１００上の文字のサイズおよび同一文字の配列ピッチを図１１に示すように規定する。
【００９０】
本実施形態で用いるフォトマスク１００では、Ｙ軸方向に沿って計測した距離がｙ２の区間内に、文字列Ｂに用いられる異なる種類のｍ個（ｍは２以上の自然数）の文字が配列されているだけでなく、Ｘ軸方向に沿って計測した距離がｘ２の区間内に、文字列Ｂに用いられる異なる種類のｍ’個（ｍ’は２以上の自然数）の文字が配列されている。ここでは、ｍ≦ｙ２／ｙ１、およびｍ’≦ｘ２／ｘ１の関係が成立している。
【００９１】
図１０Ｂは、上記のフォトマスク１００を用いてウェハ１０１上に形成したパターンの平面レイアウトを示している。破線で囲んだ矩形領域内に識別情報を構成する文字列Ｂが書き込まれている。この例では、フォトマスク１００を用いる露光工程を３回行うことにより、「１」、「３」、「５」の３つの文字からなる文字列を識別情報として記録している。
【００９２】
ウェハ１０１には、図１０Ｂから明らかなように、識別情報を構成しない文字例も多数存在している。第１の実施形態では、Ｘ軸方向に沿って隣接する２つの識別情報を構成する文字列の間には、不要な文字列は存在していないが、本実施形態では、そのような位置にも不要な文字列が存在している。
【００９３】
不要な文字例は、第１の実施形態で行った工程と同様の工程を実行することにより、図１０Ｃに示すように除去することができる。もちろん、図９Ｄを参照しながら説明した各種の方法を行うことにより、不要な文字列の全体または一部をウェハ１０１上に残しても良い。
【００９４】
本実施形態によれば、より多くの種類の文字を１枚のフォトマスク上に配列することができる。本実施形態は、微細な文字列からなる識別情報をウェハ上に充分な間隔を置いて記録する場合に特に有効である。
【００９５】
なお、識別情報に文字列Ａを含める場合、文字列Ａを規定するフォトマスクを用意する。文字列Ａを形成するためのフォトマスクを用いて、図９Ｄ（ｂ）〜（ｄ）に示すようなパターンを文字列Ａとともに形成しても良いことなどは、第１の実施形態と同様である。
【００９６】
（実施形態３）
本実施形態において各ウェハに記録する識別情報は、ｚ２桁の文字列Ｂおよびｚ３桁の文字列Ｃ（ｚ２およびｚ３は１以上の整数）によって表現される。
【００９７】
ここでは、ウェハ内の位置に応じて異なる文字列Ｃを用いて識別情報を構成する例について説明する。ウェハ内の複数の領域に対して異なる識別情報を付与すれば、図１に示すように１枚のウェハから複数の分割部品を切り出す場合、各分割部品に固有の識別情報を割り当てることができる。
【００９８】
説明を簡単にするため、図１２（ａ）に示す４桁の識別情報を用いる場合を説明する。この識別情報における文字列Ｂは２桁の文字Ｂ１・Ｂ２から構成され、文字列Ｃは２桁の文字Ｃ１・Ｃ２から構成されている。ここでは、文字Ｂ１・Ｂ２の各々がａ〜ｚまでの２６種類のアルファベット記号を取り得るものとし、文字Ｃ１・Ｃ２文字の各々が０〜９までの１０種類の数字を取り得るものとする。すなわち、文字列ＢおよびＣから構成される識別情報は、「ａａ００」〜「ｚｚ９９」の２６２×１０２通りある。２桁の文字列Ｃは、例えば、マトリクス状に配列された１０行×１０列（＝１００個）の領域に対して異なる識別情報を与えるために用いられ得る。図１２（ｂ）は、上記識別情報が記録されたウェハ面を模式的に示している。文字列Ｃの桁数を増やせば、更に多数の領域に異なる識別情報を付与することが可能になる。
【００９９】
なお、図１２（ｂ）は、識別情報を構成しない不要な文字列を除去した場合のウェハ表面を模試的に示している。識別情報の現実の間隔は、図示している間隔よりも広く、その間隔部分に不要な文字列が形成される。
【０１００】
本明細書では、行列状に配列された複数の領域のうちの第Ｍ行第Ｎ列（ＭおよびＮは自然数）に位置する領域に割り当てられる文字列ＣをＣＭＮで表記する。すなわち、Ｃ１・Ｃ２＝ＣＭＮである。本実施形態では、Ｍ≠Ｊおよび／またはＮ≠Ｋ（ＪおよびＫは自然数）であれば、ＣＭＮ≠ＣＪＫが成立する。このような文字列Ｃを見れば、ウェハのどの行および列の位置に割り当てられた識別情報かがわかるため、文字列Ｃを「行列番号（コラム・ロウ・ナンバー）」と称することとする。ウェハが複数の部品に小さく分割される場合、各分割部品に対して上記識別情報が刻印されていれば、その分割部品がどのウェハのどの部分から切り出されものかが特定される。
【０１０１】
以下、図１２（ｃ）を参照しながら、本実施形態で使用するフォトマスクを説明する。
【０１０２】
本実施形態における第１フォトマスクにおいて、文字列Ｃの文字を規定する遮光パターンが形成されている。ここで、「文字列Ｃの文字を規定する遮光パターン」とは、フォトマスク上における遮光層の開口部によって文字列Ｃの文字部分が形成されたパターンを意味している。第１フォトマスク上においては、上記文字列Ｃの開口部パターンが、Ｘ軸方向およびＹ軸方向に沿って周期的に配列される。
【０１０３】
文字列Ａと本実施形態の文字列Ｃとの違いは、２桁の文字列Ｃが１枚のウェハの位置に応じて異なる値を持つ点にある。また、文字列Ｃは、ウェハ毎に異なる値を持つ必要はない。故に、文字列Ｃを書き込むためのフォトマスクは１種類で足りる。
【０１０４】
一方、第２フォトマスクは、実施形態１で用いたフォトマスク９０や実施形態２で用いたフォトマスク１００と同様の構成を有している。このような第２フォトマスクを用いることによって、図１２（ｂ）に示す文字「ａ」や文字「ｂ」が１桁ずつレジスト層に書き込まれることになる。
【０１０５】
次に、本実施形態における露光方法を説明する。
【０１０６】
まず、ポジ型フォトレジスト層が塗布されたウェハを用意し、第１フォトマスクを用いてフォトレジスト層の複数の領域の各々に対する露光を行う。この露光により、文字列Ｃ（「００」〜「９９」）の潜像がそれぞれレジスト層の異なる位置に形成される。
【０１０７】
次に、第１または第２の実施形態で用いたフォトマスクと同様のフォトマスクを用いて、文字Ｂ１の潜像をレジスト層に形成する。このとき、フォトマスクのアライメントを適切に行うことにより、文字Ｂ１の位置を文字列Ｃの潜像の位置に対して合わせ、ポジ型レジスト層の未露光部分に光を照射する。このとき、前述したように、識別情報を構成しない不要な文字の潜像もフォトレジストに形成される。
【０１０８】
更に、第１または第２の実施形態で用いたフォトマスクと同様のフォトマスクを用いて、文字Ｂ２の潜像をレジスト層に形成する。このとき、フォトマスクのアライメントを適切に行うことにより、文字Ｂ２の位置を文字列Ｃの潜像の位置に対して合わせ、レジスト層の未露光部分に光を照射する。このとき、識別情報を構成しない不要な文字の潜像もフォトレジストに形成される。
【０１０９】
以上の方法により、ポジ型レジスト層における複数の領域の各々に対して、文字列Ｂおよび文字列Ｃ、ならびに不要な文字が書き込まれる。この後、現像工程を経て、露光部分がレジスト層から除去されることにより、文字部がレジスト層からくり抜かれる。その後の工程は、第１実施形態および第２実施形態と同様にして行うことができる。
【０１１０】
上記の識別情報には文字列Ａを含めなかったが、文字列Ａを含めてもよい。この場合、文字列Ａのためのフォトマスクによって、文字列Ｃのための第１フォトマスクを兼用することができる。ただし、その場合は、文字列Ａの形成に用いるフォトマスクの遮光膜に文字列Ｃを規定する開口部パターンを形成する必要がある。一方、文字列Ｃを形成すためのフォトマスクと、文字列Ａを形成するために用いるフォトマスクとを別々にしてもよい。
【０１１１】
（実施形態４）
以下、識別情報が、ｚ１桁の文字列Ａ、ｚ２桁の文字列Ｂ、およびｚ３桁の文字列Ｃを含む文字列群（ｚ１は０以上の整数、ｚ２およびｚ３は１以上の整数）によって表現される実施形態を説明する。
【０１１２】
本実施形態では、図１３に示すように、文字列ＡＢＣを形成す領域が複数個集まって１つのクラスタ領域を形成している。１枚のウェハには、複数のクラスタ領域が割り当てられ、クラスタ領域毎に異なる文字列Ｂが割り当てられている。具体的には、１枚のウェハ上の第Ｌ番目のクラスタ領域における第Ｍ行第Ｎ列の領域には、文字列ＡＭＮＢＬＣＭＮによって表現される識別情報が記録される。ここで、Ｌは整数である。文字列ＡＭＮＢＬＣＭＮのうち、文字列ＣＭＮはクラスタ領域が異なっていても同じであるが、文字列ＢＬはクラスタ領域ごとに異なっている。このため、文字列ＢＬによって、クラスタ領域を特定することができ、文字列Ｃによって各クラスタ領域内の位置を特定することができる。
【０１１３】
各クラスタ領域内において、Ｍ≠Ｊおよび／またはＮ≠Ｋ（ＪおよびＫは自然数）の場合、ＡＭＮ≠ＡＪＫが成立するようにしてもよいし、ＡＭＮ＝ＡＪＫが成立するようにしてもよい。文字列Ａは、ウェハを識別するための情報を表現する。文字列ＣＭＮについては、Ｍ≠Ｊおよび／またはＮ≠Ｋ（ＪおよびＫは自然数）の場合、ＣＭＮ≠ＣＪＫが成立するため、各クラスタ内の位置による識別は文字列ＣＭＮによって可能であるため、クラスタ内の位置に応じて文字列ＡＭＮを変化させる必要はない。
【０１１４】
なお、文字列Ａ、文字列Ｂ、および文字列Ｃの配列順序や、クラスタ領域の配置形態は、図１３に示す例に限定されない。
【０１１５】
本実施形態では、第１フォトマスクを用いて、ポジ型フォトレジスト層の複数の領域の各々に対し、文字列Ａおよび文字列Ｃの潜像を形成する第１露光工程を行う。
【０１１６】
その後、上記ポジ型レジストの未露光部分に対し、文字列Ｂを構成する文字の潜像を１桁ずつ形成する第２露光工程を行う。第２露光工程は、文字列Ｂの桁数だけ行うことになる。文字列ＢＬは１桁である必要はない。
【０１１７】
第１露光工程では、アライナを用い、ウェハ全面のレジスト層に対して文字列Ａおよび文字列Ｃの潜像を形成することが好ましい。これに対して、第２露光工程では、ステッパを用い、クラスタ領域毎に文字列Ｂの露光を行うことが好ましい。なお、文字列Ａと文字列Ｃの潜像は、別々のフォトマスクを用いて別々に形成しても良い。
【０１１８】
本実施形態でも、文字列Ｂの露光工程を行う際、図９Ａ（ａ）に示すフォトマスクや図１０Ａに示すフォトマスクを用いる。このため、不要な文字列が形成されるが、不要な文字列は、他の実施形態で行ったようにして除去され得る。
【０１１９】
各フォトマスクによるパターンの位置あわせ（アライメント）は、ウェハ上に形成したアライメントマークを基準にして実行する。例えば、図１４（ａ）に示すようなアライメントマークを前もってウェハ上に形成しておく。このようなアライメントマークは、レジストパターンから形成することが好ましい。一方、第１フォトマスクや第２フォトマスクには、上記アライメントマークに重ね合わせられるべき他のアライメントマークを設けている。フォトマスクに設けられるアライメントマークとしては、図１４（ｂ）に示すような複数のパターンを採用することが好ましい。図１４（ｂ）に示すようなアライメントマークを採用すれば、マスクアライメントを高い精度で実行できる。
【０１２０】
本発明が適用される板状部材は、セラミックスウェハに限定されず、その材料は任意である。また、板状部材とは、ウェハに限定されず、識別情報が書き込まれる２次元的な広がりを有する表面をもつ部材であれば何でも良い。識別情報が書き込まれる表面は、平面である必要はなく、曲面であってもよい。また、識別情報は平坦な領域に書き込まれることが望ましいが、板状部材の表面のすべてが平坦である必要はない。識別情報が書き込まれる領域以外の領域には、既に何らなの凹凸や段差か形成されてもよい。
【０１２１】
識別情報をセラミックスウェハやシリコンウェハに書き込む場合、識別情報の記録は、ウェハ上に種々の薄膜を堆積するプロセスを開始する前に行うことに限定されない。識別情報は、一連の薄膜堆積プロセスやパターニングプロセスの途中または終了後の任意の段階でウェハに記録することが可能である。
【０１２２】
なお、識別情報は、図１に示すようにウェハの裏面側リーディングエッジ側）に形成される代わりに、ウェハの表面側（パターニングされた磁性膜なとが配置される側）に形成されても良い。
【０１２３】
磁気へッドのスライダをセラミックス基板（セラミックスウェハ）から形成する場合、ウェハの表面側（トレーリングエッジ側）には、記録媒体に対してデータの記録／再生を行う素子（トランスデューサ素子）が形成される。
【０１２４】
データの記録／再生のための素子（電気／磁気トランスデューサ素子）や端子などをウェハの表面側に形成すると、その後、ウェハの裏面を研磨することによって基板を薄くしても、識別情報が消失してしまうことがないという利点が得られる。
【０１２５】
識別情報は、識別情報を読み取るために基板に照射される光（読み取り光）が到達できる位置（例えば、電気／磁気トランスデューサ素子などの光を遮断し得る部材が形成されない位置）に記録される。識別情報は、例えば、線幅が数μｍ程度のパターンによって表現されるため、識別情報の記録に必要な領域の面積は小さくても済む。このため、パターニングされた磁性膜や端子などが形成される基板表面においても、識別情報を記録するため空き領域を確保することは可能である。
【０１２６】
図１５は、ウェハ表面の一部を示す平面図であり、図１６は、基板表面における一つのチップに対応する領域を拡大表示した平面図である。
【０１２７】
図１５からわかるように、基板表面は、それぞれが磁気ヘッドのチップ基板に対応する複数の領域４６に区画されている。図１６では、８個の完全な領域４６が記載されている。この基板は、最終的には、各領域４６の境界線に沿って分離され、１枚の基板（ウェハ）から多数のチップ基板が作製される。図１６に示される１つのチップ基板は、１つの領域４６に相当し、基板上の各領域４６には、識別情報の記録された矩形領域４５が存在する。図１６のハッチングされた領域には、電気／磁気トランスデューサ素子を構成する磁性膜や端子などが記載されている。この結果、読み取り光を識別情報に照射することができる。なお、電気／磁気トランスデューサ素子や他の素子を構成する部材の一部が識別情報を覆う位置に存在したとしても、その部材が読み取り光を透過すれば問題ない。
【０１２８】
このように、ウェハの表面に識別情報を記録する場合、識別情報が書き込まれる領域は相対的に狭い範囲に制限され、かつ、それらの領域は図１５に示すように離散的に配列される。このため、図１０Ａに示すようなフォトマスクを用いた実施形態を好適に適用することができる。
【０１２９】
【発明の効果】
本発明によれば、多様な識別情報を少ないフォトマスクを用いて板状部材に記録することが可能であり、フォトマスクの価格に起因する製造コストの上昇を大きく抑制することができる。
【０１３０】
本発明は、ウェハなどの板状部材から複数の部品を切り出す製造方法に対して好適に適用される。特に、本発明によれば、識別情報が基板裏面側（リーディングエッジ側）ではなく表面側（トレーリングエッジ側）に記録された薄膜磁気ヘッド用基板を少ないフォトマスクで製造することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）は磁気ヘッド用スライダの斜視図であり、（ｂ）は磁気ヘッド用スライダが分離される前のバーを示す斜視図であり、（ｃ）は矩形の焼結体基板を示す斜視図である。
【図２】レーザマーキング工程を模式的に示す図である。
【図３】（ａ）は識別情報を示す図であり、（ｂ）および（ｃ）は、複数のウェハにそれぞれ異なる識別情報が記録された状態を示す図である。（ｂ）は、各ウェハの１箇所に識別情報が記録された場合を示し、（ｃ）は、各ウェハの複数の箇所に識別情報が書き込まれた場合を示している。
【図４】（ａ）は、実施形態１における第１フォトマスクの構成を模式的に示し、（ｂ）は第２フォトマスクの構成を模式的に示している。
【図５】（ａ）は、実施形態１における第１フォトマスクの一部を示す平面図であり、（ｂ）および（ｃ）は、第１フォトマスクを用いて行う第１露光工程を示す断面図である。
【図６】（ａ）は、実施形態１における第２フォトマスクの一部を示す平面図であり、（ｂ）および（ｃ）は、第２フォトマスクを用いて行う第２露光工程を示す断面図である。
【図７】（ａ）は、実施形態１における第２フォトマスクの一部を示す平面図であり、（ｂ）および（ｃ）は、第２フォトマスクを用いて行う第２露光工程を示す断面図であり、（ｄ）は、露光工程後のレジスト層を示す平面図である。
【図８】（ａ）から（ｅ）現像されたレジスト層を有するウェハに対して、識別情報を記録する方法を示す工程断面である。（ａ）は、現像直後のウェハを示し、（ｂ）はエッチング後のウェハを示す。（ｃ）〜（ｄ）は、リフトオフ法を示し、（ｅ）は表面改質法を示している。
【図９Ａ】（ａ）は、本発明の識別情報記録方法の第１の実施形態に用いられ得るフォトマスクの構成を示す平面図であり、（ｂ）および（ｃ）は、第１の実施形態の工程途上のウェハを示す図である。
【図９Ｂ】（ａ）から（ｄ）は、第１の実施形態の工程途上のウェハを示す図である。
【図９Ｃ】（ａ）から（ｃ）は、第１の実施形態の工程途上のウェハを示す図である。
【図９Ｄ】（ａ）から（ｅ）は、それぞれ、識別情報を構成する文字列を他の不要な文字列と区別するようにした例を示す平面図である。
【図１０Ａ】本発明の識別情報記録方法の第２の実施形態に用いられ得るフォトマスクの構成を示す平面図である。
【図１０Ｂ】第２の実施形態の工程途上のウェハ表面を示す平面図である。
【図１０Ｃ】第２の実施形態におけるウェハ表面に形成した文字列Ｂを示す平面図である。
【図１１】本発明の実施形態で用いら得るフォトマスク上における文字のサイズと配列ピッチを示す平面図である。
【図１２】（ａ）は、実施形態３で使用する識別情報のひとつを示す図であり、（ｂ）は、識別情報が書き込まれた状態のウェハを示す平面図であり、（ｃ）は実施形態３で使用する第１フォトマスクの構成を示す図である。
【図１３】実施形態４で使用する文字列群の構成を模式的に示す平面図である。
【図１４】（ａ）および（ｂ）はアライメントマークの構成を示すレイアウト図である。
【図１５】ウェハ表面の一部を示す平面図である。
【図１６】ウェハ表面における一つのチップに対応する領域を拡大表示した平面図である。
【符号の説明】
１        セラミックスウェハ（焼結体基板）
２        表面
３        基板裏面
４        基板端面
５        レンズ
６        レーザビーム
１０        磁気ヘッドスライダ
１１        エア・ベアリング面（ＡＢＳ）のサイドレール
１２        基板表面がらの積層薄膜
１３        識別情報（ＩＤまたはＩＤマーク）
２０        バー
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９Ａ】
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【図９Ｂ】
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【図９Ｃ】
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【図９Ｄ】
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【図１０Ａ】
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【図１０Ｂ】
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【図１０Ｃ】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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