(57)【要約】【課題】ＳＩＭＳのように被測定試料ごとに標準試料を作製する必要もなく、半導体ウェーハの表面近傍のドーパント濃度を簡便に測定することができるようにした方法を提供する。【解決手段】被測定半導体ウェーハの主表面に該半導体ウェーハと同一導電型である厚さＤのエピタキシャル層を形成することによってＣＶ特性測定用エピタキシャルウェーハを作製する工程と、前記ＣＶ特性測定用エピタキシャルウェーハのＣＶ特性を測定することによって該ＣＶ特性測定用エピタキシャルウェーハのドーパント濃度の深さ方向のプロファイルＰ１を算出する工程と、該ドーパント濃度の深さ方向のプロファイルＰ１を前記主表面方向に前記エピタキシャル層の厚さＤ分だけ平行移動して該被測定半導体ウェーハのドーパント濃度の深さ方向のプロファイルＰ０を求める工程とを含むようにした。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
被測定半導体ウェーハの主表面に該半導体ウェーハと同一導電型である厚さＤのエピタキシャル層を形成することによってＣＶ特性測定用エピタキシャルウェーハを作製する工程と、前記ＣＶ特性測定用エピタキシャルウェーハのＣＶ特性を測定することによって該ＣＶ特性測定用エピタキシャルウェーハのドーパント濃度の深さ方向のプロファイルＰ１を算出する工程と、該ドーパント濃度の深さ方向のプロファイルＰ１を前記主表面方向に前記エピタキシャル層の厚さＤ分だけ平行移動して該被測定半導体ウェーハのドーパント濃度の深さ方向のプロファイルＰ０を求める工程とを含むことを特徴とする半導体ウェーハ表面近傍のドーパント濃度測定方法。
【請求項２】
前記エピタキシャル層の厚さＤは、該エピタキシャル層表面に形成したショットキー接合、あるいはＭＯＳ構造、あるいはＰＮ接合によって発生する拡散電位で拡がる空乏層幅Ｗ０以上の厚さ、即ちＤ≧Ｗ０であり、かつ、ＣＶ特性の測定で印加する電圧によって拡がる空乏層幅Ｗが、該エピタキシャル層の厚さＤと被測定ウェーハの表面から測定したい深さまでの距離Ｄ０の合計以上、即ちＷ≧Ｄ＋Ｄ０であることを特徴とする請求項１に記載の測定方法。
【請求項３】
前記被測定半導体ウェーハがエピタキシャルウェーハであることを特徴とする請求項１または２に記載の測定方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体ウェーハ（以下単にウェーハということもある）の表面近傍のドーパント濃度を正確に測定する方法に関する。
【０００２】
【関連技術】
半導体ウェーハのドーパント濃度測定方法としては、ウェーハ表面に空乏層を形成し、その容量（以下空乏層容量という）の電圧依存性（以下ＣＶ特性という）からドーパント濃度を求める方法が広く知られている（例えば非特許文献１）。このＣＶ特性の従来の測定方法について、ｎ型シリコンエピタキシャルウェーハのドーパント濃度測定を例に、図９を用いて詳細に説明する。まず、測定対象となるｎ型シリコンエピタキシャルウェーハ１を背面電極が形成されているステージ３に載置する。該ウェーハ１はｎ型シリコン単結晶ウェーハ１ａの主表面に、数μｍから数十μｍの厚さのｎ型シリコンエピタキシャル層１ｂを成長させたＮ／Ｎ構造のシリコンエピタキシャルウェーハ（以下ＥＰＷということがある）である。このｎ型シリコンエピタキシャル層１ｂの表面にショットキー電極２を形成する。ショットキー電極２は、ｎ型シリコン単結晶ウェーハの場合には、一般に広く市販されている真空蒸着装置を用いて例えば金を真空蒸着することにより形成できる。なお、本測定を行う測定装置は、測定中に発生する電気的ノイズを防止するために、非測定物がアース電位になるように設定したシールドボックス８内に設置する。
【０００３】
次に、ＥＰＷの主表面に形成されたショットキー電極２に測定用プローブ４を接触させる。プローブ４にはキャパシタンスメーター５とパルス電圧発生器６が接続されており、該キャパシタンスメーター５と該パルス電圧発生器６は制御用コンピュータ７に接続されている。ＣＶ特性はパルス電圧発生器６で階段状に変化する電圧を発生させ、該電圧をショットキー電極２に接触するプローブ４を通してＥＰＷに印加しながらキャパシタンスメーター５で空乏層容量を測定することにより測定することができる。
【０００４】
その際、印加する電圧はショットキー接合に対して逆バイアスになるようにする。ｎ型シリコン単結晶ウェーハの場合は負の電圧を印加することによりシリコン内部に空乏層が拡がる。空乏層の幅は印加する電圧に比例して大きくなるため、印加電圧を変化させることで深さ方向の情報を得る事ができる。
【０００５】
一般に印加電圧と容量の変化量には以下の関係式が成り立つ（例えば非特許文献２）。
【０００６】
【数１】
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【０００７】
【数２】
Ｗ＝ＡεＳｉ／Ｃ                              ・・・・・（２）
【０００８】
ここで、Ｎ（Ｗ）は深さ方向の空乏層幅と一致する深さＷにおけるシリコンウェーハ中のドーパント濃度、ｑは電荷素量、εＳｉはシリコンの誘電率、Ｖは印加電圧、Ｃは空乏層容量、Ｗは空乏層の幅、Ａはショットキー電極面積である。
【０００９】
すなわち、印加電圧がＶからＶ＋ΔＶへ増加するとき、空乏層幅がＷからＷ＋ΔＷへ変化することで生じる空乏層容量の変化ｄ（Ｃ−２）／ｄＶを算出することにより、シリコン中の深さ方向の空乏層幅と一致する深さＷとＷ＋ΔＷの間のドーパント濃度を測定することができる。したがって、印加電圧Ｖを逐次増加させることで空乏層幅Ｗを逐次増加させながらｄ（Ｃ−２）／ｄＶをプロットすることにより、シリコン中のドーパント濃度の深さ方向のプロファイルを測定することができる。
【００１０】
半導体ウェーハのドーパント濃度を測定する別方法としては、Ｓｅｃｏｎｄａｒｙ  Ｉｏｎ  Ｍａｓｓ  Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ（以下、ＳＩＭＳという）による分析がある。これはイオンビームを試料に照射することで、試料内の原子を叩き出し、その一部のイオン化した粒子を質量分析して、試料の組成を求めるものである。このとき、試料に照射するイオンを１次イオン、試料から放出された分析対象のイオンを２次イオンという。しかし、ＳＩＭＳ法では、いわゆる初期効果（分析初期に２次イオン生成率が時々刻々変化する現象）や基板表面の酸化膜などの影響により、半導体表面の不純物の定量分析を行うことは困難であった。
【００１１】
そのため、シリコンウェーハ表面の不純物分析を行うにあたり、該表面に単結晶シリコン膜や多結晶シリコン膜を形成した後、このシリコン薄膜表面から該薄膜とシリコンウェーハの界面より深い位置まで分析を行うことにより、上述の初期効果などの影響を抑え、シリコンウェーハ表面の不純物の定量分析を可能とする方法が提案されている（例えば、非特許文献３）。また、分析対象をＩｎＰ基板とした分析方法も提案されている（例えば特許文献１）。
【００１２】
【非特許文献１】
宇佐美晶編集「半導体デバイス工程評価技術」リアライズ社、ｐ３８−ｐ４４（１９９０年９月１１日発行）
【非特許文献２】
Ｓｚｅ著「Ｐｈｙｓｉｃｓ  Ｏｆ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ  Ｄｅｖｉｃｅｓ」ｐ３７２（１９６９年発行）
【非特許文献３】
Ｐｅｔｅｒ  Ｗｉｌｌｉａｍｓ  ａｎｄ  Ｊｕｄｉｔｈ  Ｅ．  Ｂａｋｅｒ「Ｑｕａｎｔｉｔａｔｉｖｅ  ａｎａｌｙｓｉｓ  ｏｆ  ｉｎｔｅｒｆａｃｉａｌ  ｉｍｐｕｒｉｔｉｅｓ  ｕｓｉｎｇ  ｓｅｃｏｎｄａｒｙ−ｉｏｎ  ｍａｓｓ  ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ」Ａｐｐｌｉｅｄ  Ｐｈｙｓｉｃｓ  Ｌｅｔｔｅｒｓ  Ｖｏｌ３６（１９８０）ｐ８４２−８４５
【特許文献１】
特開平５−７２１５２号公報（第２−５頁、図１−９）
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、ＣＶ特性評価については、以下の点において問題があった。すなわち、印加電圧が０Ｖであっても、ショットキー障壁で形成される拡散電位のために、空乏層がある深さまで形成されてしまい、拡散電位でシリコンの深さ方向に延びた空乏層幅以下の深さのドーパント濃度を測定することができない。ｎ型シリコンウェーハを例にとると、空乏層幅Ｗは次式で与えられる。
【００１４】
【数３】
Ｗ＝３．６１×１０７｛（Ｖｉ―Ｖ）／Ｎｄ｝０．５          ・・・・（３）
【００１５】
ここで、Ｖｉは拡散電位、Ｖは逆方向の印加電圧、Ｎｄはドナー濃度である。
【００１６】
ｎ型シリコンウェーハに金を蒸着して形成したショットキー障壁の拡散電位は凡そ０．８Ｖであることが知られている。したがって、例えばドナー濃度が１×１０１４（Ａｔｏｍｓ／ｃｃ）の場合、印加電圧が０Ｖでも空乏層は３．２μｍ既に拡がった状態であり、表面から３．２μｍの深さ方向のドーパント濃度が測定できないことになる。
【００１７】
一方、ＳＩＭＳによる不純物分析は、上述の方法によれば、初期効果や表面酸化膜の影響を抑えてシリコンウェーハ表面の不純物を定量分析することが可能である。ＳＩＭＳによる定量分析は、標準試料と被測定試料の比較によって行われるが、評価対象となる２次イオンの生成率が試料母材の影響を強く受けるため、標準試料としてはあらかじめ組成が既知であり、かつ、被評価試料と組成の近いものを準備する必要がある。そのため、シリコンウェーハの標準試料としては、一般に所望の不純物を所望の濃度でイオン注入したものが用いられる。しかしながら、シリコンウェーハやその主表面に成長するエピタキシャル層へ導入する不純物には、ボロン（Ｂ）、リン（Ｐ）、ヒ素（Ａｓ）など様々な元素があり、その不純物濃度もウェーハの用途に応じて異なっている。それゆえ、測定にあたっては、被測定試料ごとに標準試料を準備する必要があった。
【００１８】
本発明は、上記した問題点に鑑みなされたものであり、半導体ウェーハ表面もしくはエピタキシャル層表面に、それらと同一導電型のエピタキシャル層を成長させてＣＶ特性を測定することにより、ＳＩＭＳのように被測定試料ごとに標準試料を作製する必要もなく、半導体ウェーハの表面近傍のドーパント濃度を簡便に測定することができるようにした方法を提供することを目的とするものである。
【００１９】
【課題を解決するための手段】
上記問題を解決するため、本発明の半導体ウェーハ表面近傍のドーパント濃度測定方法は、被測定半導体ウェーハの主表面に該半導体ウェーハと同一導電型である厚さＤのエピタキシャル層（以下Ｃａｐ層ということがある）を形成することによってＣＶ特性測定用エピタキシャルウェーハ（以下Ｃａｐウェーハということがある）を作製する工程と、前記ＣＶ特性測定用エピタキシャルウェーハのＣＶ特性を測定することによって該ＣＶ特性測定用エピタキシャルウェーハのドーパント濃度の深さ方向のプロファイルＰ１を算出する工程と、該ドーパント濃度の深さ方向のプロファイルＰ１を前記主表面方向に前記エピタキシャル層の厚さＤ分だけ平行移動して該被測定半導体ウェーハのドーパント濃度の深さ方向のプロファイルＰ０を求める工程とを含むことを特徴とする。
【００２０】
本発明方法によれば、ドーパント濃度の異なる被測定ウェーハごとに標準試料を作製する必要がなく、ごく簡便にウェーハ表面近傍のドーパント濃度を測定することが可能となる。
【００２１】
また、前記エピタキシャル層の厚さ（Ｄ）は、エピタキシャル層表面に形成したショットキー接合、あるいはＭＯＳ構造、あるいはＰＮ接合によって発生する拡散電位で拡がる空乏層幅Ｗ０以上の厚さ、即ちＤ≧Ｗ０であり、かつ、ＣＶ特性の測定で印加する電圧によって拡がる空乏層幅Ｗが、該エピタキシャル層の厚さＤと被測定ウェーハの表面から測定したい深さまでの距離Ｄ０の合計以上、即ちＷ≧Ｄ＋Ｄ０であることが好ましい。
【００２２】
Ｃａｐ層表面にショットキー接合、あるいはＭＯＳ構造、あるいはＰＮ接合を形成すると、それらの電極に印加する電圧が０Ｖであっても、前記式（３）で算出されるようにＣａｐ層内に空乏層が形成される。印加電圧０Ｖ時の空乏層部分のドーパント濃度は測定することができないので、ウェーハ表面近傍のドーパント濃度を測定するためには、Ｃａｐ層の厚さＤを印加電圧０Ｖ時の空乏層幅Ｗ０以上の厚さ、即ちＤ≧Ｗ０にすることが必要となる。また、印加電圧によって拡がる空乏層幅Ｗを、Ｃａｐ層厚さＤと被測定ウェーハの表面から測定したい深さまでの距離Ｄ０の合計以上、即ちＷ≧Ｄ＋Ｄ０とすることにより、ウェーハ表面およびその近傍を含んだ空乏層容量を測定することが可能になる。
【００２３】
なお、本発明の半導体ウェーハ表面近傍のドーパント濃度測定方法は、被測定半導体ウェーハがエピタキシャルウェーハであっても適用が可能である。すなわち、エピタキシャル層の表面に同一導電型のＣａｐ層をさらに成長させた後、ＣＶ特性を測定することにより、エピタキシャル層表面近傍のドーパント濃度もウェーハ表面近傍と同様に測定することができる。
【００２４】
【発明の実施の形態】
以下に本発明の実施の形態を添付図面中、図１〜図５に基づいて説明するが、図示例は例示的に示されるもので、本発明の技術思想から逸脱しない限り種々の変形が可能なことはいうまでもない。
【００２５】
図１は、本発明方法においてＣａｐ層上にショットキー接合を形成し、半導体ウェーハ表面近傍のドーパント濃度プロファイルを測定する場合の測定手順を示すフローチャートである。図２は、本発明方法においてＣａｐ層を付加したシリコンエピタキシャルウェーハ上にショットキー接合を形成した場合のＣＶ特性の測定原理を示す概略図である。図３は、本発明方法においてＣａｐ層を付加したシリコンエピタキシャルウェーハ上にＭＯＳ構造を形成した場合のＣＶ特性の測定原理を示す概略図である。図４は、本発明方法においてＣａｐ層を付加したシリコンエピタキシャルウェーハ上にＰＮ接合を形成した場合のＣＶ特性の測定原理を示す概略図である。図５は本発明方法における測定原理を示すグラフである。なお、図２〜図４において、図９における部材と同一又は類似部材は同一の符号によって示されている。また、図２〜図４に示したＣＶ特性の測定原理は図９に示した従来のＣＶ特性の測定原理と基本的構成は共通であるので再度の詳細な説明は省略する。
【００２６】
図１において、まず、ステップ１００では、図２に示すように、表面近傍のドーパント濃度を測定する被測定ウェーハ１と同一導電型のシリコンエピタキシャル層（Ｃａｐ層）１１をウェーハ主表面に形成することによってＣＶ特性測定用エピタキシャルウェーハ（Ｃａｐウェーハ）２０を作製する。Ｃａｐ層１１の形成には一般に市販されているエピタキシャル装置を用いることができる。Ｃａｐ層１１の厚さＤは、前記式（３）で計算されるショットキー障壁の拡散電位により拡がる空乏層幅Ｗ０より厚く、即ちＤ≧Ｗ０とし、しかも測定で印加する電圧によって拡がる空乏層幅Ｗは、Ｃａｐ層の厚さＤと被測定ウェーハ１の表面から測定したい深さまでの距離Ｄ０の合計以上、即ちＷ≧Ｄ＋Ｄ０になるようにする。
【００２７】
Ｃａｐ層の厚さＤは、一般的に市販されているＦＴＩＲ（Ｆｏｕｒｉｅｒ  Ｔｒａｎｓｆｏｒｍ  Ｉｎｆｒａｒｅｄ）装置を用いて測定することができる。また、市販の静電容量方式の厚み計やレーザー変位形を用いて測定し、Ｃａｐ層形成後の厚さからＣａｐ層形成前の厚さを差し引く方法によって算出してもよい。
【００２８】
ステップ１０１では、図２に示すように、該Ｃａｐ層１１上にショットキー電極２を形成した該Ｃａｐウェーハ２０を、ＣＶ測定器のステージ３にセットしプローブ４をショットキー電極２に接触させる。その後パルス電圧発生器６よりショットキー電極２へ階段状に電圧が変化する逆バイアス電圧を印加しながらキャパシタンスメーター５で空乏層容量の印加電圧依存性を測定する。印加する電圧はｎ型シリコンウェーハの場合、例えば−１〜−３０Ｖの範囲で１Ｖごとに階段状に変化させて印加すればよい。
【００２９】
次に、ステップ１０２において、前記式（１）及び（２）を用いて、ステップ１０１で測定した印加電圧Ｖと空乏層容量Ｃより、印加電圧Ｖに対してｄ（Ｃ−２）／ｄＶをプロットすることにより、該Ｃａｐウェーハ２０のドーパント濃度の深さ方向のプロファイルＰ１を算出する。
【００３０】
最後に、図５に示すように、ステップ１０３において、ステップ１０２で算出した該Ｃａｐウェーハ２０のドーパント濃度の深さ方向のプロファイルＰ１を前記主表面方向に前記エピタキシャル層の厚さＤ分だけ平行移動、換言すれば深さ方向に−Ｄだけ平行移動することにより、Ｃａｐ層１１が無い場合のウェーハ表面からの深さデータに換算し、被測定ウェーハ１のドーパント濃度の深さ方向のプロファイルＰ０を算出することができる。
【００３１】
上記した図２に示した例ではＣａｐ層１１表面にショットキー接合を形成した場合を説明したが、ＭＯＳ構造（図３）あるいはＰＮ接合（図４）を形成した場合にも同様に本発明の測定方法を適用することが可能である。なお、図３において、２ａは電極、１２は酸化膜であり、図４において、２ｂは電極、１３はｐ型拡散層である。
【００３２】
【実施例】
以下に実施例をあげて本発明をさらに具体的に説明するが、これらの実施例は例示的に示されるもので限定的に解釈されるべきでないことはいうまでもない。
【００３３】
（実施例１）
まず、ｎ型０．０１５Ω・ｃｍのシリコン単結晶インゴットからウェーハを切出して加工し、鏡面ウェーハを作製した。そして、それらのウェーハの主表面にｎ型で厚さ４μｍ、抵抗率５０Ω・ｃｍのエピタキシャル層を気相成長装置で形成し、Ｎ／Ｎ構造のＥＰＷ（被測定ウェーハ）を作製した。このＥＰＷの厚さはバイオラッド社製ＱＳ−３００を用いて測定した。
【００３４】
次に、該ＥＰＷのエピタキシャル層表面に、ｎ型で抵抗率が１０Ωｃｍ、厚さ３．５μｍのＣａｐ層を形成してＣａｐウェーハを作製した。このＣａｐウェーハ全体の厚さをバイオラッド社製ＱＳ−３００で測定した。このＣａｐ層形成後の厚さから形成前の厚さを差し引くことにより、Ｃａｐ層厚さを算出した。
【００３５】
続いて、このＣａｐウェーハのＣａｐ層表面に１×１０−４Ｐａの真空下で金を真空蒸着し、円形のショットキー電極を形成した。ショットキー電極の直径は約２ｍｍφで面積は３．１０２１ｍｍ２であった。このＣａｐウェーハをヒューレットパッカード社製ＣＶ測定装置（ＨＰ４２８０Ａシステム）を用い、ショットキー電極に−１〜−３０Ｖまで１Ｖステップで階段状に電圧を変化させながら電圧を印加して空乏層容量を測定した。このようにして得られた測定結果を前記式（１）及び（２）に代入してＣａｐウェーハのドーパント濃度の深さ方向のプロファイルＰ１を算出した。そして、該深さ方向のプロファイルＰ１を前記主表面方向に前記エピタキシャル層の厚さＤ分だけ平行移動、換言すれば深さ方向に−Ｄだけ平行移動して、評価したＥＰＷ（被測定ウェーハ）のウェーハ表面からのドーパント濃度の深さ方向のプロファイルＰ０を算出した（図６）。
【００３６】
図６から明らかなように、エピタキシャル層表面から深さ方向への正確なドーパント濃度のプロファイルが得られていることがわかる。
【００３７】
（比較例１）
実施例１において用いたＥＰＷ（被測定ウェーハ）と同じバッチで処理したＥＰＷ（被測定ウェーハ）にＣａｐ層を形成せず、エピタキシャル層表面に直接実施例１と同じ条件で円形のショットキー電極を形成した。このウェーハをヒューレットパッカード製ＣＶ測定装置（ＨＰ４２８０Ａシステム）を用い、ショットキー電極に−１〜−３０Ｖまで１Ｖステップで階段状に電圧を変化させながら電圧を印加して空乏層容量を測定した。このようにして得られた測定結果を前記式（１）及び（２）式に代入してドーパント濃度の深さ方向プロファイルを算出した（図７）。図７から明らかなように、Ｃａｐ層なしの被測定ウェーハでは拡散電位のため、表面から３．５μｍまでの深さのドーパント濃度は測定できなかった。
【００３８】
（実験例１）
まず、シリコンウェーハにドーパント濃度が１×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３になるようリンをイオン注入して標準試料を作製した。また、被測定ウェーハとなる実施例１と同じバッチで処理したＥＰＷに、ｎ型で抵抗率が１０Ωｃｍ、厚さ０．１μｍのＣａｐ層を形成した。ＳＩＭＳで標準試料及びエピタキシャル層の評価を行い、両方のデータを比較することにより被測定ウェーハの深さ方向のドーパント濃度プロファイルを算出した（図８）。
【００３９】
図６及び図８から明らかなように、本発明の測定方法で算出した被測定ウェーハのドーパント濃度の深さ方向のプロファイルはＳＩＭＳの結果と良く一致しており、被測定ウェーハの表面からエピタキシャル層とサブストレート界面までのドーパントプロファイルを正確に測定していることがわかる。
【００４０】
なお、前記実施の形態及び実施例１ではシリコンエピタキシャルウェーハの測定について述べたが、この方法はシリコンウェーハにも適用可能であるし、化合物半導体ウェーハに対しても適用可能である。
【発明の効果】
【００４１】
上述したように、本発明の半導体ウェーハ表面近傍のドーパント濃度測定方法を用いれば、半導体ウェーハ表面近傍のドーパントプロファイルを簡便且つ正確に測定することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の測定方法の工程順を示すフローチャートである。
【図２】本発明方法においてＣａｐ層を付加したシリコンエピタキシャルウェーハ上にショットキー接合を形成した場合のＣＶ特性の測定原理を示す概略図である。
【図３】本発明方法においてＣａｐ層を付加したシリコンエピタキシャルウェーハ上にＭＯＳ構造を形成した場合のＣＶ特性の測定原理を示す概略図である。
【図４】本発明方法においてＣａｐ層を付加したシリコンエピタキシャルウェーハ上にＰＮ接合を形成した場合のＣＶ特性の測定原理を示す概略図である。
【図５】本発明方法の測定原理を示すグラフである。
【図６】実施例１で測定された半導体ウェーハの表面からの深さとドーパント濃度との関係を示すグラフである。
【図７】比較例１で測定された半導体ウェーハの表面からの深さとドーパント濃度との関係を示すグラフである。
【図８】実験例１で測定された半導体ウェーハの表面からの深さとドーパント濃度との関係を示すグラフである。
【図９】ＣＶ特性の従来の測定方法における測定原理を示す概略図である。
【符号の説明】
１：ｎ型シリコンエピタキシャルウェーハ（被測定ウェーハ）、１ａ：ｎ型シリコン単結晶ウェーハ、１ｂ：ｎ型シリコンエピタキシャル層、２：ショットキー電極、２ａ，２ｂ：電極、３：ステージ、４：測定用プローブ、５：キャパシタンスメーター、６：パルス電圧発生器、７：制御用コンピューター、８：シールドボックス、１１：Ｃａｐ層、１２：酸化膜、１３：ｐ型拡散層、２０：Ｃａｐウェーハ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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