(57)【要約】　　　（修正有）【課題】ブラックマトリックス及び画素電極を同一面上に同時に形成して工程を単純化し、さらに外部光による反射を防止してコントラストの低下を防止して輝度を向上させることができるブラックマトリックスを備えた平板表示装置の製造方法の提供。【解決手段】絶縁基板２００上に画素電極物質２１０及びブラックマトリックス物質を順次形成する段階と；画素電極物質及びブラックマトリックス物質をパターニングして画素電極及びブラックマトリックスを基板２００上に同時に形成する段階と；基板全面に第１絶縁膜を形成する段階と；ブラックマトリックスに対応する第１絶縁膜上に、画素電極に連結される薄膜トランジスタと薄膜トランジスタに連結されるキャパシタとを形成する段階と；基板全面に第２絶縁膜を形成する段階と；第１及び第２絶縁膜をエッチングして画素電極の一部分を露出させる開口部を形成する段階と；を含む。【選択図】　　図２Ｂ
2004046087.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板上に画素電極物質及びブラックマトリックス物質を順次形成する段階と；
前記画素電極物質及び前記ブラックマトリックス物質をパターニングして前記基板上に画素電極及びブラックマトリックスを同時に形成する段階と；
基板全面に第１絶縁膜を形成する段階と；
前記ブラックマトリックスに対応する第１絶縁膜上に、前記画素電極に連結される薄膜トランジスタと前記薄膜トランジスタに連結されるキャパシタとを形成する段階と；
基板全面に第２絶縁膜を形成する段階と；
前記第１及び第２絶縁膜をエッチングして前記画素電極の一部分を露出させる開口部を形成する段階と；
を含むことを特徴とする平板表示装置の製造方法。
【請求項２】
前記ブラックマトリックス物質及び前記画素電極物質をハーフトーンマスクを利用してパターニングして前記画素電極物質及び前記ブラックマトリックス物質の積層構造を有するブラックマトリックス及び画素電極を同時に形成することを特徴とする請求項１に記載の平板表示装置の製造方法。
【請求項３】
前記ブラックマトリックス物質は、透明物質及び金属物質からなり、濃度勾配を有することを特徴とする請求項１に記載の平板表示装置の製造方法。
【請求項４】
前記ブラックマトリックス物質は、ＳｉＯ２またはＳｉＮｘの透明絶縁物質と金属物質とからなることを特徴とする請求項３に記載の平板表示装置の製造方法。
【請求項５】
前記ブラックマトリックス物質は、ＩＴＯ、ＩＺＯ、またはＺｎＯの透明導電物質と金属物質とからなることを特徴とする請求項３に記載の平板表示装置の製造方法。
【請求項６】
前記画素電極が透明導電物質からなり前記ブラックマトリックス物質が透明導電物質及び金属物質からなる場合、画素電極物質及びブラックマトリックス物質はインサイチュで蒸着されることを特徴とする請求項５に記載の平板表示装置の製造方法。
【請求項７】
前記ブラックマトリックス物質は、
その厚さが増加することによって透明物質が連続的に減少しかつ金属物質が連続的に増加する連続傾斜構造、
その厚さが増加することによって透明物質の成分が段階的に減少しかつ金属物質が段階的に増加するステップ傾斜構造、または
連続傾斜または／及びステップ傾斜が繰り返される多層傾斜構造、
の濃度勾配を有することを特徴とする請求項３に記載の平板表示装置の製造方法。
【請求項８】
前記ブラックマトリックスは、前記キャパシタの電極として用いられることを特徴とする請求項１に記載の平板表示装置の製造方法。
【請求項９】
前記基板上に画素電極及びブラックマトリックスを同時に形成する段階は、単に一つのマスクのみを用いて前記画素電極及び前記ブラックマトリックスを形成する段階を含むことを特徴とする請求項１に記載の平板表示装置の製造方法。
【請求項１０】
前記画素電極に連結される薄膜トランジスタと前記薄膜トランジスタに連結されるキャパシタとを形成する段階は、前記薄膜トランジスタを前記画素電極に連結して、前記キャパシタを前記薄膜トランジスタに連結する方法と同一に前記ブラックマトリックスを前記キャパシタに連結する段階を含むことを特徴とする請求項１に記載の平板表示装置の製造方法。
【請求項１１】
前記透明絶縁物質は、ＳｉＯ２またはＳｉＮｘであることを特徴とする請求項４に記載の平板表示装置の製造方法。
【請求項１２】
前記透明伝導性物質は、ＩＴＯ、ＩＺＯ及びＺｎＯのうちの一つであることを特徴とする請求項５に記載の平板表示装置の製造方法。
【請求項１３】
絶縁基板上に形成された画素電極と；
前記画素電極と同一面上に形成されたブラックマトリックスと；
基板全面に形成された第１絶縁膜と；
前記ブラックマトリックスに対応する第１絶縁膜上に形成されて、前記画素電極に連結される薄膜トランジスタと；
前記ブラックマトリックスに対応する第１絶縁膜上に形成されて、前記薄膜トランジスタに連結されるキャパシタと；
前記画素電極の一部分を露出させる開口部を含む、基板全面に形成された第２絶縁膜と；
を含むことを特徴とする平板表示装置。
【請求項１４】
前記ブラックマトリックスは、前記画素電極用物質でなされたパターンと濃度勾配を有するパターンとの積層構造でなされることを特徴とする請求項１３に記載の平板表示装置。
【請求項１５】
前記ブラックマトリックス用濃度勾配を有するパターンは、ＳｉＯ２、またはＳｉＮｘの透明絶縁物質と金属物質とからなることを特徴とする請求項１４に記載の平板表示装置。
【請求項１６】
前記ブラックマトリックス用濃度勾配を有するパターンは、ＩＴＯ、ＩＺＯ、またはＺｎＯの透明導電物質と金属物質とからなることを特徴とする請求項１４に記載の平板表示装置。
【請求項１７】
前記ブラックマトリックス用濃度勾配を有するパターンは、
その厚さが増加することによって透明物質が連続的に減少しかつ金属物質が連続的に増加する連続傾斜構造、
その厚さが増加することによって透明物質の成分が段階的に減少しかつ金属物質が段階的に増加するステップ傾斜構造、または
連続傾斜または／及びステップ傾斜が繰り返される多層傾斜構造、
の濃度勾配を有することを特徴とする請求項１４に記載の平板表示装置。
【請求項１８】
前記ブラックマトリックスは、前記キャパシタに電気的に連結されて前記キャパシタの電極として用いられることを特徴とする請求項１３に記載の平板表示装置。
【請求項１９】
前記画素電極及び前記ブラックマトリックスは、選択的に前記画素電極及び前記ブラックマトリックス物質を除去することによって同一表面に同時に形成される構造であることを特徴とする請求項１４に記載の平板表示装置。
【請求項２０】
前記画素電極及び前記ブラックマトリックスは、単に一つのマスクのみを用いて形成される構造であることを特徴とする請求項１４に記載の平板表示装置。
【請求項２１】
前記金属物質は、Ａｌ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ａｇ、Ａｕ、Ｗ、及びＣｕのうち少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項１４に記載の平板表示装置。
【請求項２２】
前記透明絶縁物質は、ＳｉＯ２またはＳｉＮｘであることを特徴とする請求項１５に記載の平板表示装置。
【請求項２３】
前記透明伝導性物質は、ＩＴＯ、ＩＺＯ及びＺｎＯのうちの一つであることを特徴とする請求項１６に記載の平板表示装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は平板表示装置に係り、さらに詳細には透明物質及び金属物質の濃度勾配を有するブラックマトリックスと画素電極とを基板の同一面上に形成した有機電界発光表示装置及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
図１は、従来のアクティブマトリックス有機電界発光表示装置の断面構造を示したものである。
図１を参照すると、その上部にバッファ層１１０が形成された絶縁基板１００内の第１領域１０１上に薄膜トランジスタ及びキャパシタが形成される。前記薄膜トランジスタは半導体層１２０に形成されたソース／ドレイン領域１２５、１２６と、ゲート絶縁膜１３０上に形成されたゲート電極１３１と、層間絶縁膜１４０上に形成されて、コンタクトホール１４１、１４２を通して各々ソース／ドレイン領域１２５、１２６と電気的に連結されるソース／ドレイン電極１５１、１５２とを備える。
【０００３】
前記キャパシタは、前記ゲート絶縁膜１３０上に形成された第１電極１３５と、前記ソース電極１５１に連結された第２電極１５５とを備え、前記層間絶縁膜１４０内の第１及び第２電極１３５、１５５間に介在された部分がキャパシタ誘電膜として働く。
【０００４】
一方、絶縁基板１００内の第２領域１０２上には有機ＥＬ素子が形成される。前記有機ＥＬ素子は保護膜１６０上に形成されて、ビアホール１６１を通して前記ドレイン電極１５２と電気的に連結される陽極としての画素電極１７０と、開口部１８５を通して露出された画素電極１７０上に形成された有機ＥＬ層１９０と、該有機ＥＬ層１９０を含んだ平坦化膜１８０上に形成された陰極としての金属電極１９５とを備える。
【０００５】
前記したような構造を有するＡＭＯＬＥＤ（Ａｃｔｉｖｅ　Ｍａｔｒｉｘ　Ｏｒｇａｎｉｃ　Ｌｉｇｈｔ　Ｅｍｉｔｔｉｎｇ　Ｄｅｖｉｃｅ）のような平板表示装置は、スイッチング素子と該スイッチング素子に電源を印加するためのいろいろな配線とを含むのに、このような配線用金属物質により外部光が反射される。
【０００６】
例えば、図１に示したようにゲート電極及びキャパシタの下部電極を構成する金属物質、ソース／ドレイン電極及びキャパシタの上部電極を構成する電極物質、そして陰極を構成する電極物質等により外部光が反射されてコントラスト（ｃｏｎｔｒａｓｔ）が大幅に低下する。
【０００７】
このような外部光の反射によるコントラスト低下を防止するために、従来は表示装置の全面に高価な偏光板を付着させたが、これは高価な偏光板使用による製造原価の上昇をもたらすのみならず偏光板自体が有機電界発光層から放出される光も遮断するために透過度を低下させて輝度が低下する問題点があった。
【０００８】
また、Ｃｒ／ＣｒＯｘ、または有機膜等でなされたブラックマトリックスをＴＦＴ及びキャパシタが形成される領域に別途に形成する方法があるが、このような方法はブラックマトリックスを形成するために別途のマスク工程が要求されて工程が複雑になる問題点があった。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
したがって、本発明は前記したような従来技術の問題点を解決するためのものであり、ブラックマトリックス及び画素電極を同一面上に同時に形成して工程を単純化したブラックマトリックスを備えた平板表示装置及びその製造方法を提供することにその目的がある。
【００１０】
本発明の他の目的は、外部光による反射を防止してコントラストの低下を防止して輝度を向上させることができるブラックマトリックスを備えた平板表示装置及びその製造方法を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
前記したような目的を達成するために、本発明は絶縁基板上に画素電極物質及びブラックマトリックス物質を順次形成する段階と；前記画素電極物質及びブラックマトリックス物質をパターニングして前記基板上に画素電極及びブラックマトリックスを同時に形成する段階と；基板全面に第１絶縁膜を形成する段階と；前記ブラックマトリックスに対応する第１絶縁膜上に、前記画素電極に連結される薄膜トランジスタと前記薄膜トランジスタに連結されるキャパシタとを形成する段階と；基板全面に第２絶縁膜を形成する段階と；前記第１及び第２絶縁膜をエッチングして前記画素電極の一部分を露出させる開口部を形成する段階と；を含む平板表示装置の製造方法を提供することを特徴とする。
【００１２】
前記ブラックマトリックス物質は、ＳｉＯ２、ＳｉＮｘなどの透明絶縁物質と金属物質とからなり、またはＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯなどの透明導電物質と金属物質とからなって；前記ブラックマトリックス物質はその厚さが増加することによって透明物質が連続的に減少しかつ金属物質が連続的に増加する連続傾斜構造、その厚さが増加することによって透明物質が段階的に減少しかつ金属物質が段階的に増加するステップ傾斜構造、または連続傾斜または／及びステップ傾斜が繰り返される多層傾斜構造、の濃度勾配を有する。
【００１３】
また、本発明は絶縁基板上に形成された画素電極と；前記画素電極と同一面上に形成されたブラックマトリックスと；基板全面に形成された第１絶縁膜と；前記ブラックマトリックスに対応する第１絶縁膜上に形成されて、前記画素電極に連結される薄膜トランジスタと；前記ブラックマトリックスに対応する第１絶縁膜上に形成されて、前記薄膜トランジスタに連結されるキャパシタと；前記画素電極の一部分を露出させる開口部を含む、基板全面に形成された第２絶縁膜と；を含む平板表示装置を提供することを特徴とする。
【００１４】
【発明の実施の形態】
図２Ａないし図２Ｅは、本発明の一実施例による有機電界発光表示装置の製造方法を説明するための工程断面図を示したものである。
図２Ａを参照すると、ＴＦＴ及びキャパシタが形成される第１領域２０１と有機ＥＬ素子が形成される第２領域２０２とを備えた透明な絶縁基板２００上に画素電極用透明導電膜２１０とブラックマトリックス用濃度勾配を有する層２２０とを順次蒸着して、かつ感光膜２３０を塗布する。
【００１５】
続いて、ハーフトーンマスク３００を利用してブラックマトリックス及び画素電極が形成される部分を定義するのに、前記ハーフトーンマスク３００はブラックマトリックスが形成される部分を限定するための、光を完全に遮断する遮断領域３１０と、画素電極が形成される部分を限定するための、光を一部分のみ透過させる半透過領域３２０とを備え、前記遮断領域３１０及び半透過領域３２０を除外した残り部分は光をすべて透過させる透過領域になる。
【００１６】
図２Ｂを参照すると、前記ハーフトーンマスク３００を利用して前記感光膜２３０をパターニングすれば、第１領域２０１及び第２領域２０２に各々感光膜パターン２３１及び２３２が形成される。このとき、第１領域２０１に形成された感光膜パターン２３１はハーフトーンマスク３００の遮断領域３１０に対応して形成されて、前記第２領域２０２に形成された感光膜パターン２３２はハーフトーンマスク３００の半透過領域３２０に対応して形成される。それゆえ、第２領域２０２に形成された感光膜パターン２３２は第１領域２０１に形成された感光膜パターン２３１に比べて相対的に薄い厚さを有する。
【００１７】
図２Ｃを参照すると、相異なる厚さを有する前記感光膜パターン２３１、２３２をマスクとしてその下部の濃度勾配を有する層２２０と画素電極物質２１０とをエッチングして第１領域２０１にブラックマトリックスを形成すると同時に第２領域２０２に画素電極を形成する。このとき、前記感光膜パターン２３１、２３２の厚さ差により第１領域２０１では透明導電パターン２１１と濃度勾配を有するパターン２２１とを含むブラックマトリックス２２５が形成されて、第２領域２０２では透明導電パターン２１２を有する画素電極が形成される。
【００１８】
前記ブラックマトリックス２２５用濃度勾配を有する層２２０は、透明物質からなる第１成分と金属物質からなる第２成分とからなり、連続傾斜構造（ｃｏｎｔｉｎｕｏｕｓ　ｇｒａｄｉｅｎｔ）、ステップ傾斜構造（ｓｔｅｐ　ｇｒａｄｉｅｎｔ）、または多層傾斜構造（ｍｕｌｔｉ　ｇｒａｄｉｅｎｔ）の濃度勾配を有する。
【００１９】
図４Ａと図４Ｂは、本発明の実施例によるブラックマトリックス用層２２０の濃度勾配を示す断面構造を示したものである。
図４Ａに示したように、前記層２２０は基板表面からブラックマトリックスの厚さが増加することによって、すなわち外部光が入射される距離が遠ざかるほど第１成分である透明物質が漸進的に減少して、第２成分である金属物質が漸進的に増加する連続傾斜構造の濃度勾配を有する。
【００２０】
図４Ｂに示したように、前記層２２０は、基板表面からブラックマトリックスの厚さが増加することによって、すなわち外部光が入射される距離が遠ざかるほど第１成分である透明物質が階段的に減少して、第２成分である金属物質が階段的に増加するステップ傾斜構造の濃度勾配を有する。このとき、前記層２２０は第１成分及び第２成分が５段階で減少及び増加するステップ傾斜構造を有する。
【００２１】
そして、図面上には示さなかったが、前記層２２０は図４Ａの連続傾斜構造が反復形成される多層傾斜構造、図４Ｂのステップ傾斜構造が反復形成される多層構造、または連続傾斜構造とステップ傾斜構造とが反復形成される傾斜構造の濃度勾配を有することもできる。
【００２２】
このとき、前記ブラックマトリックスを構成する第１成分である透明物質としてはＳｉＯ２、ＳｉＮｘ等のような透明絶縁物質、またはＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯ等のような透明導電物質を用いることができ、第２成分である金属物質はＡｌ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ａｇ、Ａｕ、Ｗ、Ｃｕなどを用いることができる。
【００２３】
本発明の一実施例において、ブラックマトリックス２２５用濃度勾配を有する層２２０に、画素電極用透明導電物質及び金属物質の濃度勾配を有する物質が用いられる場合、図２Ａの工程で画素電極物質２１０と濃度勾配を有する層２２０とはインサイチュ的（ｉｎ−ｓｉｔｕ）に蒸着することができる。
【００２４】
前記したような構造を有するブラックマトリックスは、基板表面からその厚さが増加することによって、すなわち外部光が入射される距離が遠ざかるほど光吸収率が増加して外部光の反射を防止するようになる。
【００２５】
前記で説明したようにハーフトーンマスク３００を用いて基板上に透明導電パターン２１１と濃度勾配を有するパターン２２１とを含むブラックマトリックス２２５と、透明導電パターン２１２を有する画素電極とを同時に形成するようになれば、ブラックマトリックス形成のための別途のマスク工程が排除されて工程を単純化できる。
【００２６】
ブラックマトリックス２２５及び画素電極２１２を形成した次に図２Ｄ及び図２ＥのようにＴＦＴとキャパシタと有機ＥＬ素子とを形成する。まず、ブラックマトリックス２２５及び画素電極２１２が形成された基板全面上にバッファ層２４０を形成して、前記第１領域２０１のバッファ層２４０上に半導体層２５０を形成する。
【００２７】
続いて、前記半導体層２５０を含んだバッファ層２４０上にゲート絶縁膜２６０を形成して、前記半導体層２５０上部のゲート絶縁膜２６０上にゲート電極２６１を形成すると同時にキャパシタの第１電極２６５を形成する。前記ゲート電極２６１とキャパシタの第１電極２６５とを形成した後、所定導電型、例えばｎ型またはｐ型不純物を前記半導体層２５０にイオン注入してソース／ドレイン領域２５５、２５６を形成する。
【００２８】
次に、基板全面に層間絶縁膜２７０を形成して、前記層間絶縁膜２７０、ゲート絶縁膜２６０及びバッファ層２４０をエッチングして前記ソース／ドレイン領域２５５、２５６及び前記画素電極２１２を露出させるコンタクトホール２７１〜２７３を形成する。
【００２９】
前記コンタクトホール２７１〜２７３を含んだ層間絶縁膜２７０上にソース／ドレイン電極用金属物質を蒸着した次にパターニングして前記ソース／ドレイン領域のうちの一つ、例えばソース領域２５５にコンタクトホール２７１を通して電気的にコンタクトされるソース電極２８１と、前記ソース電極２８１に連結されるキャパシタの第２電極２８５とを形成する。また、ドレイン領域２５６にコンタクトホール２７２を通して電気的にコンタクトされると同時に、コンタクトホール２７３を通して前記画素電極２１２に電気的に連結されるドレイン電極２８２を形成する。
【００３０】
続いて、基板全面に保護膜２９０を形成した次に、前記画素電極２１２が露出するように保護膜２９０、層間絶縁膜２７０、ゲート絶縁膜２６０、バッファ層２４０をエッチングして開口部２９５を形成する。次に、図面上には示さなかったが、前記開口部２９５内の画素電極２１２上に有機ＥＬ層を形成した次に陰極を形成すれば本発明の一実施例による有機電界発光表示装置が得られる。
【００３１】
図３は、本発明の他の実施例による平板表示装置である有機電界発光表示装置の断面構造を示したものである。本発明の他の実施例による有機電界発光表示装置は、前記ブラックマトリックス３２５をキャパシタの電極として利用し、第１実施例のように透明導電パターン３１１と濃度勾配を有するパターン３２１とを含むブラックマトリックス３２５と、透明導電パターン３１２を有する画素電極とが基板の同一面上に形成される。
【００３２】
すなわち、他の実施例では前記ブラックマトリックス３２５をキャパシタの第１電極として利用して、第２電極３６３及び第３電極３８５と一緒に並列構造を有するキャパシタを形成する。
【００３３】
他の実施例による有機電界発光表示装置の製造方法を説明すれば、一実施例のように絶縁基板３００上に透明導電パターン３１１と濃度勾配を有するパターン３２１とを含むブラックマトリックス３２５と、透明導電パターン３１２を有する画素電極とを形成する。続いて、バッファ層３４０にソース／ドレイン領域３５５、３５６を備えた半導体層３５０と、ゲート絶縁膜３６０上にゲート３６１及びキャパシタの第１電極３６５とを形成した次に、基板全面に層間絶縁膜３７０を形成する。
【００３４】
次に、前記層間絶縁膜３７０をエッチングして前記ソース／ドレイン領域３５５、３５６を露出させる第１及び第２コンタクトホール３７１、３７２、前記画素電極３１２を露出させる第３コンタクトホール３７３、そして前記ブラックマトリックス３２５の濃度勾配を有するパターン３２１を露出させる第４コンタクトホール３７４を同時に形成する。
【００３５】
続いて、前記層間絶縁膜３７０上にソース／ドレイン電極用導電物質を蒸着した次にパターニングして前記ソース領域３５５に第１コンタクトホール３７１を通してコンタクトされるソース電極３８１、前記ドレイン領域３５６に第２コンタクトホール３７２を通してコンタクトされると同時に前記画素電極３１２に第３コンタクトホール３７３を通してコンタクトされるドレイン電極３８２、そして前記ソース電極３８１に連結されると同時に前記第４コンタクトホール３７４を通して前記ブラックマトリックス３２５に連結されるキャパシタの第３電極３８５、を形成する。
【００３６】
本発明の他の実施例では、前記ブラックマトリックス３２５がキャパシタの第１電極として用いられるので導電性を有する。それゆえ、前記ブラックマトリックス２２１を構成する第１成分としてＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯ等のような透明導電物質と第２成分としてＡｌ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ａｇ、Ａｕ、Ｗ、Ｃｕなどの金属物質とが用いられる。
【００３７】
【発明の効果】
前記したような本発明の実施例によると、ブラックマトリックス３２５及び画素電極をハーフトーンマスクを利用して一回のマスク工程で同時に基板の同一面上に形成することができるのでブラックマトリックスを形成するための別途のマスク工程を省略でき、また画素電極及びソース／ドレイン電極を形成するためのビアホール工程が省略されて１枚のマスク工程と、従来の画素電極とソース／ドレイン電極との間を絶縁させるための絶縁膜蒸着工程とを省略できる。したがって、工程を単純化して収率を向上させることができる利点がある。
【００３８】
また、高価な偏光板を用いないで外部光による反射を防止して透過度を向上させて輝度を向上させることができる利点がある。
前記では本発明の望ましい実施例を参照して説明したが、該技術分野の熟練した当業者は特許請求の範囲に記載された本発明の思想及び領域から外れない範囲内で本発明を多様に修正及び変更させることができることは理解できることである。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来の有機電界発光表示装置の断面構造図である。
【図２Ａ】本発明の一実施例による有機電界発光表示装置の製造方法を説明するための工程断面図である。
【図２Ｂ】本発明の一実施例による有機電界発光表示装置の製造方法を説明するための工程断面図である。
【図２Ｃ】本発明の一実施例による有機電界発光表示装置の製造方法を説明するための工程断面図である。
【図２Ｄ】本発明の一実施例による有機電界発光表示装置の製造方法を説明するための工程断面図である。
【図２Ｅ】本発明の一実施例による有機電界発光表示装置の製造方法を説明するための工程断面図である。
【図３】本発明の他の実施例による有機電界発光表示装置の製造方法を説明するための断面構造図である。
【図４Ａ】本発明の実施例による有機電界発光表示装置において、ブラックマトリックス物質の濃度勾配を示す断面図である。
【図４Ｂ】本発明の実施例による有機電界発光表示装置において、ブラックマトリックス物質の濃度勾配を示す断面図である。
【符号の説明】
２００　　　絶縁基板
２１０　　　画素電極物質
２１２　　　画素電極
２２５　　　ブラックマトリックス
【図１】
2004046087.tif 000003
【図２Ａ】
2004046087.tif 000004
【図２Ｂ】
2004046087.tif 000005
【図２Ｃ】
2004046087.tif 000006
【図２Ｄ】
2004046087.tif 000007
【図２Ｅ】
2004046087.tif 000008
【図３】
2004046087.tif 000009
【図４Ａ】
2004046087.tif 000010
【図４Ｂ】
2004046087.tif 000011