(57)【要約】【課題】周囲環境温度が高温になる車載用エンジン制御ＥＣＵ等に装着されたＥＥＰＲＯＭ等でなる不揮発性半導体記憶装置において、高温時に故障する恐れのあるＥＥＰＲＯＭの周囲環境温度を検出し、検出温度が所定温度に達したことを事前に判定できる温度検出判定手段等を用いて、高温時での運用を可能にした構造を実現することを課題とする。【解決手段】不揮発性半導体記憶装置には、周囲環境温度を検知する温度検知手段と、所定の不揮発性半導体に書込み又は読出しを行う場合に、温度検知手段により検知された温度が所定値以上であると、所定の不揮発性半導体の故障判定を行う故障判定手段と、故障判定手段によって、故障判定を行った所定の不揮発性半導体が故障していると判定された場合に、他の不揮発性半導体に対して、書込み又は読出しを行う制御手段と、を備えてなることを特徴とする。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の不揮発性半導体を有する不揮発性半導体記憶装置において、
周囲環境温度を検知する温度検知手段と、
所定の不揮発性半導体に対して、書込み又は読出しを行う場合に、前記温度検知手段により検知された温度が所定値以上であると、前記所定の不揮発性半導体の故障判定を行う故障判定手段と、
該故障判定手段によって、故障判定を行った前記所定の不揮発性半導体が故障していると判定された場合に、他の不揮発性半導体に対して、書込み又は読出しを行う制御手段と、を備えてなることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
【請求項２】
複数の不揮発性半導体を有する不揮発性半導体記憶装置において、
周囲環境温度を検知する温度検知手段と、
該温度検知手段により検知された温度が所定値以上である場合に、複数の不揮発性半導体に対して、同じ内容の書込みを行う制御手段と、を備えてなることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
【請求項３】
複数の不揮発性半導体を有する不揮発性半導体記憶装置において、
周囲環境温度を検知する温度検知手段と、
該温度検知手段により検知された温度が所定値以上である場合に、不揮発性半導体の故障判定を行う故障判定手段と、
前記複数の不揮発性半導体の内の所定数量に対して、同じ内容の書込みを行う第１制御手段と、
前記故障判定手段によって、前記の書込みが行われた不揮発性半導体の中に、故障していると判定された不揮発性半導体がある場合には、故障相当分の予備の不揮発性半導体を付加補充して書込みを行う第２制御手段と、を備えてなることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
【請求項４】
複数の不揮発性半導体を有する不揮発性半導体記憶装置において、
周囲環境温度を検知する温度検知手段と、
該温度検知手段により検知された温度が所定値以上である場合に、書込みを行う毎に、書込みを行う不揮発性半導体を変える制御手段と、を備えてなることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
【請求項５】
複数の不揮発性半導体を有する不揮発性半導体記憶装置において、
前記不揮発性半導体は、ＥＥＰＲＯＭであり、周囲環境温度を検知する温度検知手段と、該温度検知手段により検知された温度が所定値以上である場合には、該ＥＥＰＲＯＭの代わりに、他の不揮発性半導体へ書込みを行う制御手段と、を備えてなることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
【請求項６】
複数の不揮発性半導体を有する不揮発性半導体記憶装置において、
周囲環境温度を検知する温度検知手段と、
該温度検知手段により検知された温度が所定値以上である場合には、前記不揮発性半導体への書込み又は読出しを禁止する制御手段と、を備えてなることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
【請求項７】
複数の不揮発性半導体を有する不揮発性半導体記憶装置において、
前記不揮発性半導体は、車両の複数の場所に設置されており、
各不揮発性半導体の設置場所にそれぞれ設けられ、周囲環境温度を検知する温度検知手段と、該温度検知手段により検知された温度が、少なくとも前記設置場所の１箇所で所定値以上であると、他の低い場所に設置された不揮発性半導体を使用設定する制御手段と、を備えてなることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
【請求項８】
複数の不揮発性半導体を有する不揮発性半導体記憶装置において、
前記不揮発性半導体の書込み又は読出しを指示する制御手段は、エンジンルーム内に設置され、該不揮発性半導体は車室内に設置されることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
【請求項９】
エンジンルーム内の温度を検知する温度検知手段を備え、
前記制御手段は、該温度検知手段により検知された温度が所定値以上である場合に、前記車室内に設置された不揮発性半導体を使用することを特徴とする請求項８記載の不揮発性半導体記憶装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ＥＥＰＲＯＭ等の不揮発性半導体の書込み又は読出しを行う不揮発性半導体記憶装置に係わり、特に、高温場所、例えば周囲環境温度が過酷な状況になる車両部位に搭載されている車載用エンジン制御ＥＣＵ等に装着された不揮発性半導体記憶装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
不揮発性半導体記憶装置は、電気的に消去、書込み可能な不揮発性の記憶媒体である不揮発性半導体（ＥＥＰＲＯＭ等を総称したもので、以降、ＥＥＰＲＯＭと称す）でなり、ＥＥＰＲＯＭには、周囲を絶縁膜で囲まれたフローティングゲートと呼ばれる特殊な制御ゲートが設定されている。そして、このＥＥＰＲＯＭは、メモリトランジスタのフローティングゲートに電荷が注入され、閾値電圧が制御されることにより、論理値唐Ｏ狽ニ  唐Ｐ狽フいずれかが記憶されるものである。このＥＥＰＲＯＭは、データの書込み／消去の繰り返しによって、そのメモリ中の酸化膜が徐々に劣化される特質を有しており、高温環境下においてはフローティングゲート内の電荷が消失され易くなり、ＥＥＰＲＯＭに記憶されたデータが安定して保持されなくなるため、周囲環境温度が高くなると、平均故障率が飛躍的に高くなる特質も有している。そして、このようなＥＥＰＲＯＭを記憶媒体とする不揮発性半導体記憶装置は、車載用エンジン制御ＥＣＵ等にも用いられてきている。
【０００３】
従来の不揮発性半導体の記憶装置としては、フラッシュＥＥＰＲＯＭのチップ内部に予備記憶領域を設け、チップ内部の記憶領域に、書き替え可能回数の限界値を超えること等による不良箇所が発生しても、不良記憶領域を予備記憶領域に代替することにより、そのチップ耐用期間を延長するものがある（例えば、特許文献１参照。）。
【０００４】
また、フラッシュＥＥＰＲＯＭのチップ内部に複数の記憶領域を設け、各記憶領域に同じ内容のデータを書き込むようにし、一つの記憶領域に、バッテリーの劣化、又はエンジンの始動に伴うクランキング（電圧低下）等に伴う電源電圧の低下によるデータ不良が生じた場合でも、他の領域からデータを読み出すことができるようにしたものもある（例えば、特許文献２参照。）。
【０００５】
また、フラッシュＥＥＰＲＯＭを４つのブロックに分割し、書き替えプログラム、制御情報、システムプログラムを格納するようにし、制御情報が２つのブロックに２重化して格納され、一方の消去ブロックの更新中に電源遮断や他の何らかのエラー等が発生しても、他方の消去ブロックの制御情報は正常に保持されるようにしたものもある（例えば、特許文献３参照。）。
【０００６】
上記の各提案は、何れも１つのフラッシュＥＥＰＲＯＭ内部に複数のブロックを設け、ＥＥＰＲＯＭの書込み限界超過によるＥＥＰＲＯＭの不良や、ＥＥＰＲＯＭ書込み時の電源断によるデータ不良に対処したもので、高温時におけるＥＥＰＲＯＭのデータ不良に対処したものではない。
【０００７】
【特許文献１】
特開平７−２９３９２号公報
【特許文献２】
特開平１０−２８９１６２号公報
【特許文献３】
特開平８−３０５１５号公報
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
上述のような特質を有するＥＥＰＲＯＭ等の不揮発性半導体を用いた不揮発性半導体記憶装置、特に、車載用エンジン制御ＥＣＵ等に装着された不揮発性半導体記憶装置は、周囲環境温度が高温になるため、ＥＥＰＲＯＭに設けられたフローティングゲート内の電荷が消失され易くなり、ＥＥＰＲＯＭに記憶されたデータが安定して保持されなくなる恐れがでてくる。
【０００９】
本発明は、このような問題を解決するもので、車載用エンジン制御ＥＣＵ等に装着される不揮発性半導体記憶装置においても、高温時での運用を可能にすることを課題とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明は、複数の不揮発性半導体を有する不揮発性半導体記憶装置において、周囲環境温度を検知する温度検知手段と、所定の不揮発性半導体に対して、書込み又は読出しを行う場合に、前記温度検知手段により検知された温度が所定値以上であると、前記所定の不揮発性半導体の故障判定を行う故障判定手段と、該故障判定手段によって、故障判定を行った前記所定の不揮発性半導体が故障していると判定された場合に、他の不揮発性半導体に対して、書込み又は読出しを行う制御手段と、を備えてなることを特徴とするものである。
【００１１】
また、複数の不揮発性半導体を有する不揮発性半導体記憶装置において、周囲環境温度を検知する温度検知手段と、該温度検知手段により検知された温度が所定値以上である場合に、複数の不揮発性半導体に対して、同じ内容の書込みを行う制御手段と、を備えてなることを特徴とするものである。
【００１２】
また、複数の不揮発性半導体を有する不揮発性半導体記憶装置において、周囲環境温度を検知する温度検知手段と、該温度検知手段により検知された温度が所定値以上である場合に、不揮発性半導体の故障判定を行う故障判定手段と、前記複数の不揮発性半導体の内の所定数量に対して、同じ内容の書込みを行う第１制御手段と、前記故障判定手段によって、前記の書込みが行われた不揮発性半導体の中に、故障していると判定された不揮発性半導体がある場合には、故障相当分の予備の不揮発性半導体を付加補充して書込みを行う第２制御手段と、を備えてなることを特徴とするものである。
【００１３】
また、複数の不揮発性半導体を有する不揮発性半導体記憶装置において、周囲環境温度を検知する温度検知手段と、該温度検知手段により検知された温度が所定値以上である場合に、書込みを行う毎に、書込みを行う不揮発性半導体を変える制御手段と、を備えてなることを特徴とするものである。
【００１４】
また、複数の不揮発性半導体を有する不揮発性半導体記憶装置において、前記不揮発性半導体は、ＥＥＰＲＯＭであり、周囲環境温度を検知する温度検知手段と、該温度検知手段により検知された温度が所定値以上である場合には、該ＥＥＰＲＯＭの代わりに、他の不揮発性半導体へ書込みを行う制御手段と、を備えてなることを特徴とするものである。
【００１５】
また、複数の不揮発性半導体を有する不揮発性半導体記憶装置において、周囲環境温度を検知する温度検知手段と、該温度検知手段により検知された温度が所定値以上である場合には、前記不揮発性半導体への書込み又は読出しを禁止する制御手段と、を備えてなることを特徴とするものである。
【００１６】
また、複数の不揮発性半導体を有する不揮発性半導体記憶装置において、前記不揮発性半導体は、車両の複数の場所に設置されており、各不揮発性半導体の設置場所にそれぞれ設けられ、周囲環境温度を検知する温度検知手段と、該温度検知手段により検知された温度が、少なくとも前記設置場所の１箇所で所定値以上であると、他の低い場所に設置された不揮発性半導体を使用設定する制御手段と、を備えてなることを特徴とするものである。
【００１７】
また、複数の不揮発性半導体を有する不揮発性半導体記憶装置において、前記不揮発性半導体の書込み又は読出しを指示する制御手段は、エンジンルーム内に設置され、該不揮発性半導体は車室内に設置されることを特徴とするものである。
【００１８】
また、エンジンルーム内の温度を検知する温度検知手段を備え、前記制御手段は、該温度検知手段により検知された温度が所定値以上である場合に、前記車室内に設置された不揮発性半導体を使用することを特徴とするものである。
【００１９】
【発明の実施の形態】
本発明の第１の実施の形態に係る不揮発性半導体記憶装置について、図面を参照して説明する。
【００２０】
図１は本発明の実施の形態に係る不揮発性半導体記憶装置に関する全体構成の一例を示す模式図で、図２は本発明の第１の実施の形態に係る不揮発性半導体記憶装置の書込み動作の一例を示すフローチャートを示す図で、図３は本発明の第１の実施の形態に係る不揮発性半導体記憶装置の読出し動作の一例を示すフローチャートを示す図である。尚、第１の実施の形態に係るものから第６の実施の形態に係るものまでの同一構成品は本第１の実施の形態に係るもので説明し、その他の実施の形態では説明を省略する。
【００２１】
本第１の実施の形態に係る不揮発性半導体記憶装置１０は、例えば、不揮発性半導体記憶装置（複数個のＥＥＰＲＯＭ２０を有したもの）の周囲環境温度（ｔ）を検出する温度検出回路部１１と、周囲環境温度（ｔ）が所定温度（Ｔ）に達したことを判定する動作判定回路部１２と、ＥＥＰＲＯＭ２０の故障状況を検出する部品故障検出回路部１３と、部品故障検出回路部１３の出力信号を受信しＥＥＰＲＯＭ２０へのデータの再書込み処理等を行う制御回路部１４と、ＥＥＰＲＯＭ２０への新規データの書込み処理等を行うメモリ制御回路部１５と、ＥＥＰＲＯＭ２０のデータを読出し、外部に出力する外部接続回路部１６と、デコーダ１７を介して接続された第１ＥＥＰＲＯＭ２０ａ、第２ＥＥＰＲＯＭ２０ｂ、第３ＥＥＰＲＯＭ２０ｃ等よりなるＥＥＰＲＯＭ２０等で構成されている。
【００２２】
不揮発性半導体記憶装置を構成している複数個でなるＥＥＰＲＯＭ２０（電気的に消去、書込み可能な不揮発性メモリ）は、一般に周囲環境温度が高くなると、平均故障率が高くなる特質を有しており、特に周囲温度が高くなる車載用エンジン制御ＥＣＵ等に設置されるものには、周囲環境温度に対応させて、高温時にも運用が可能となるようにする必要がある。
【００２３】
本第１の実施の形態に係る不揮発性半導体記憶装置１０は、高温時の運用を可能にしたもので、例えば複数個のＥＥＰＲＯＭ２０より構成され、各ＥＥＰＲＯＭ（２０ａ、２０ｂ、２０ｃ等）の周囲環境温度（ｔ）が温度検出回路部１１で測定検出され、この検出温度（ｔ）が所定温度（Ｔ）に達していることが動作判定回路部１２により判定されると、書込み（又は、読出し）の要求があった複数個のＥＥＰＲＯＭ２０の内の番号（ｎ）のＥＥＰＲＯＭ２０（例えば、第１ＥＥＰＲＯＭ２０ａ）が検索され、この第１ＥＥＰＲＯＭ２０ａが部品故障検出回路部１３により故障しているか否かが判定され、故障していない場合に、書込み（又は、読出し）処理等が行われるものである。
【００２４】
即ち、番号（ｎ）のＥＥＰＲＯＭ２０（例えば、第１ＥＥＰＲＯＭ２０ａ）が故障していない時には、メモリ制御回路部１５を介して第１ＥＥＰＲＯＭ２０ａへのデータの書込み処理（又はデータの読出し処理）が行われる。そして、故障している時には、第１ＥＥＰＲＯＭ２０ａ以外に、予備のＥＥＰＲＯＭ２０（例えば、第２ＥＥＰＲＯＭ２０ｂ等）があるか否かの検索を行い、その第２ＥＥＰＲＯＭ２０ｂの故障判定と書込み（又は、読出し）処理を行うことにより、故障したＥＥＰＲＯＭ２０に替えて予備のＥＥＰＲＯＭ２０を用いて代替するようにしている。即ち、高温時における故障に対し、複数個のＥＥＰＲＯＭ２０にそれぞれ同一手法で順々に、故障の判定と書込み処理（又は読出し処理）を行い対応している。又、ＥＥＰＲＯＭ２０の周囲環境温度（ｔ）は、複数個のＥＥＰＲＯＭ２０の近辺に設置された温度検出器（図示せず）で測定検出され、その出力信号が温度検出回路部１１を介して動作判定回路部１２に送られる。
【００２５】
そして、動作判定回路部１２では、測定検出された周囲環境温度（ｔ）が予め設定されたＥＥＰＲＯＭ２０の所定温度（Ｔ）に達したと判定された時、その出力信号が部品故障検出回路部１３に送られ、ＥＥＰＲＯＭ２０の故障状況が検索されるようになっている。このＥＥＰＲＯＭ２０の所定温度（Ｔ）は、温度に左右されるＥＥＰＲＯＭ２０の故障率が、急に高くなる時の温度（Ｔ）、例えば８５℃から１２５℃の範囲内から選定された温度で初期設定されたものである。
【００２６】
本発明の第１の実施の形態に係る不揮発性半導体記憶装置１０の動作制御等について、図２及び図３を参照して説明する。
【００２７】
まず、ＥＥＰＲＯＭ２０への書込み処理の手順について、図２による次のステップに基いて説明する。
【００２８】
ステップＳ１１では、例えば車載用エンジン制御ＥＣＵ等に設置されたＥＥＰＲＯＭ２０の近辺の周囲環境温度（ｔ）が温度検出器（図示せず）で測定検出され、その検出信号が温度検出回路部１１を介して動作判定回路部１２に送られ、次のステップＳ１２に進む。
【００２９】
ステップＳ１２では、温度検出器（図示せず）で測定検出されたＥＥＰＲＯＭ２０の周囲環境温度（ｔ）が、所定温度（Ｔ）に達したか否か（ｔ＞Ｔ）が、動作判定回路部１２により判定され、ＮＯ、即ちまだ所定温度（Ｔ）に達していない場合には、ステップＳ１３の通常の書込み処理に進み、メモリ制御回路部１５を介してＥＥＰＲＯＭ２０へのデータの書込み処理が行われる。又、ＹＥＳ、即ち所定温度（Ｔ）に達した場合には、次のステップＳ１４に進む。
【００３０】
ステップＳ１４では、書込み要求があったＥＥＰＲＯＭ２０の番号が、制御部（図示せず）によりｎに代入され、次のステップＳ１５に進む。
【００３１】
ステップＳ１５では、ステップＳ１４で代入されたｎ番号のＥＥＰＲＯＭ２０（例えば、第１ＥＥＰＲＯＭ２０ａ）が故障しているか否かが、部品故障検出回路部１３により判定され、ＮＯ、即ち故障していない場合には、ステップＳ１６に進み、制御回路部１４を介してｎ番号のＥＥＰＲＯＭ２０（例えば、第１ＥＥＰＲＯＭ２０ａ）へのデータの再書込み処理が行われる。又、ＹＥＳ、即ち故障している場合には、次のステップＳ１７に進む。
【００３２】
ステップＳ１７では、複数個のＥＥＰＲＯＭ２０の内に予備のＥＥＰＲＯＭ２０が有るか否かが、制御部（図示せず）により判定され、ＮＯ、即ち予備のＥＥＰＲＯＭ２０がない場合には、ステップＳ１９に進み、異常出力信号を制御部（図示せず）から外部接続回路部１６を介して外部に送信し、処理を終了する。又、ＹＥＳ、即ち予備のＥＥＰＲＯＭ２０がある場合には、ステップＳ１８に進む。
【００３３】
ステップＳ１８では、制御部（図示せず）により予備のＥＥＰＲＯＭ２０にＥＥＰＲＯＭ２０のｎ番号が割り当てられ、例えば第１ＥＥＰＲＯＭ２０ｂが割り当てられ、ステップＳ１５に戻され、処理が継続される。即ち、正常なＥＥＰＲＯＭ２０への書込み処理が終了するまで継続されることになる。
【００３４】
次に、ＥＥＰＲＯＭ２０への書込み処理手順と略同一処理手順で行われるＥＥＰＲＯＭ２０からの読出し処理の手順について、図３による次のステップに基いて説明する。
【００３５】
ステップＳ２１では、例えば車載用エンジン制御ＥＣＵ等に設置されたＥＥＰＲＯＭ２０の近辺の周囲環境温度（ｔ）が温度検出器（図示せず）で測定検出され、その検出信号が温度検出回路部１１を介して動作判定回路部１２に送られ、次のステップＳ２２に進む。
【００３６】
ステップＳ２２では、温度検出器（図示せず）で測定検出されたＥＥＰＲＯＭ２０の周囲環境温度（ｔ）が、所定温度（Ｔ）に達したか否か（ｔ＞Ｔ）が、動作判定回路部１２により判定され、ＮＯ、即ちまだ所定温度（Ｔ）に達していない場合には、ステップＳ２３の通常の読出し処理に進み、制御回路部１４を介して書込み処理されたＥＥＰＲＯＭ２０（例えば、複数個のＥＥＰＲＯＭ２０の内の第１ＥＥＰＲＯＭ２０ａ）からのデータの読出し処理が行われる。又、ＹＥＳ、即ち所定温度（Ｔ）に達した場合には、次のステップＳ２４に進む。
【００３７】
ステップＳ２４では、読出し要求があったＥＥＰＲＯＭ２０のｎ番号が、制御部（図示せず）によりｎに代入され、次のステップＳ２５に進む。
【００３８】
ステップＳ２５では、ステップＳ２４で代入されたｎ番号のＥＥＰＲＯＭ２０（例えば、第１ＥＥＰＲＯＭ２０ａ）が故障しているか否かが、部品故障検出回路部１３により判定され、ＮＯ、即ち故障していない場合には、ステップＳ２６に進み、制御回路部１４を介して書込み処理されたｎ番号のＥＥＰＲＯＭ２０（例えば、第１ＥＥＰＲＯＭ２０ａ）からのデータの読出し処理が行われる。又、ＹＥＳ、即ち故障している場合には、次のステップＳ２７に進む。
【００３９】
ステップＳ２７では、複数個のＥＥＰＲＯＭ２０の内に書込み処理された予備のＥＥＰＲＯＭ２０が有るか否かが、制御部（図示せず）により判定され、ＮＯ、即ち書込み処理された予備のＥＥＰＲＯＭ２０がない場合には、ステップＳ２９に進み、異常出力信号を制御部（図示せず）から外部接続回路部１６を介して外部に送信し、処理を終了する。又、ＹＥＳ、即ち書込み処理された予備のＥＥＰＲＯＭ２０がある場合には、ステップＳ２８に進む。
【００４０】
ステップＳ２８では、制御部（図示せず）により書込み処理された予備のＥＥＰＲＯＭ２０にＥＥＰＲＯＭ２０のｎ番号が割り当てられ、例えば第１ＥＥＰＲＯＭ２０ｂが割り当てられ、ステップＳ２５に戻され、処理が継続される。
【００４１】
即ち、正常なＥＥＰＲＯＭからの読出し処理が終了するまで継続されることになる。
【００４２】
以上により、周囲環境温度が高温になる車載用エンジン制御ＥＣＵ等に装着された不揮発性半導体記憶装置１０には、複数個のＥＥＰＲＯＭ２０と、ＥＥＰＲＯＭ２０の周囲環境温度（ｔ）を検出する温度検出回路部１１と、周囲環境温度（ｔ）がＥＥＰＲＯＭ２０の所定温度（Ｔ）に達したことを判定する動作判定回路部１２と、部品故障検出回路部１３等を設けることにより、高温時におけるＥＥＰＲＯＭ２０の故障状況を事前に検索し、迅速に、故障したＥＥＰＲＯＭ２０を複数個のＥＥＰＲＯＭ２０で代替え補充できるため、高温時での運用を可能にすることができる。又、高温時における複数個のＥＥＰＲＯＭ２０を第１のＥＥＰＲＯＭ２０ａから第Ｎ番目まで、順番に故障判定し、ＥＥＰＲＯＭ２０に故障したものがある場合には、故障していない予備のＥＥＰＲＯＭ２０を用いて書込み処理（又は読出し処理）を行っているため、無駄なく、着実に高温時での運用を行うことができる。
【００４３】
次に、本発明の第２の実施の形態に係る不揮発性半導体記憶装置について、図４を参照して説明する。
【００４４】
図４は本発明の第２の実施の形態に係る不揮発性半導体記憶装置の書込み動作の一例を示すフローチャートである。
【００４５】
本発明の第２の実施の形態に係る不揮発性半導体記憶装置は、第１の実施の形態に係る不揮発性半導体記憶装置１０に用いたものと同様に、複数個のＥＥＰＲＯＭ２０と動作判定回路部１２と部品故障検出回路部１３等で構成し、不揮発性半導体記憶装置の動作制御方法を別の方法に変えたものである。この不揮発性半導体記憶装置の動作制御方法は、温度検出回路部１１で測定検出されたＥＥＰＲＯＭ２０の周囲環境温度（ｔ）が、動作判定回路部１２によりＥＥＰＲＯＭ２０の所定温度（Ｔ）に達していると判定された時、予備を含めた複数個のＥＥＰＲＯＭ２０に同一内容の書込み処理を行うようにしたものである。例えば、不揮発性半導体記憶装置１０内に設けられた全てのＥＥＰＲＯＭに同一内容の書込み処理を行うようにしても良い。そして、ＥＥＰＲＯＭ２０の読出し処理時において、例えば、第１の実施の形態における読出し処理のように、書込み処理された第１ＥＥＰＲＯＭ２０ａが故障しているか否かが判定され、故障していないと判定された時には、第１ＥＥＰＲＯＭ２０ａから読出し処理が行われる。又、故障していると判定された時には、書込み処理された次の第２ＥＥＰＲＯＭ２０ｂが故障しているか否かが判定されるように、以降順々に同一手法で、故障状況の判定と読出し処理が行われるようにしたものである。
【００４６】
本発明の第２の実施の形態に係る不揮発性半導体記憶装置の動作制御等について、図４を参照して説明する。
【００４７】
まず、ＥＥＰＲＯＭ２０への書込み処理の手順について、図４による次のステップに基いて説明する。
【００４８】
ステップＳ３１では、例えば車載用エンジン制御ＥＣＵ等に設置されたＥＥＰＲＯＭ２０の近辺の周囲環境温度（ｔ）が温度検出器（図示せず）で測定検出され、その検出信号が温度検出回路部１１を介して動作判定回路部１２に送られ、次のステップＳ３２に進む。
【００４９】
ステップＳ３２では、温度検出器（図示せず）で測定検出されたＥＥＰＲＯＭ２０の周囲環境温度（ｔ）が、所定温度（Ｔ）に達したか否か（ｔ＞Ｔ）が、動作判定回路部１２により判定され、ＮＯ、即ちまだ所定温度（Ｔ）に達していない場合には、ステップＳ３３の通常の書込み処理に進み、メモリ制御回路部１５を介してＥＥＰＲＯＭ２０へのデータの書込み処理が行われる。又、ＹＥＳ、即ち所定温度（Ｔ）に達した場合には、次のステップＳ３４に進む。
【００５０】
ステップＳ３４では、複数個でなるＥＥＰＲＯＭ２０の番号をｎと称し、初期値を１（ｎ＝１）と設定し、次のステップＳ３５に進む。
【００５１】
ステップＳ３５では、複数個でなるＥＥＰＲＯＭ２０の内のＥＥＰＲＯＭ２０ｎに、メモリ制御回路部１５を介してデータの書込み処理が行われ、次のステップＳ３６に進む。
【００５２】
ステップＳ３６では、書込みを行うＥＥＰＲＯＭ２０の番号を１加算した後、次のステップＳ３７に進む。
【００５３】
ステップＳ３７では、ｎが予備を含めた書込み可能なＥＥＰＲＯＭ２０の数（Ｎと称す）を超えたか（ｎ＞Ｎ）否かが、制御部（図示せず）により判定され、ＮＯ、即ちまだｎがＮを超えてなく、書込み可能なＥＥＰＲＯＭ２０の全てに書込み処理が行われていない場合には、ステップＳ３５に戻され、処理が継続される。又、ＹＥＳ、即ちｎがＮを超え、書込み可能なＥＥＰＲＯＭ２０の全てに書込み処理が行われている場合には、書込み処理を終了する。
【００５４】
次に、ＥＥＰＲＯＭ２０からの読出し処理の手順については、第１の実施の形態に係る不揮発性半導体記憶装置１０の読出し処理手順（図３による）と略同一なので、説明を省略する。
【００５５】
以上により、同一内容の書込みを複数のＥＥＰＲＯＭ２０に対して行うため、例え読出しを行おうとしたＥＥＰＲＯＭ２０が故障していたとしても、他のＥＥＰＲＯＭ２０から読出しが可能であるので、記憶処理の信頼性が向上できる。
【００５６】
次に、本発明の第３の実施の形態に係る不揮発性半導体記憶装置について、図５を参照して説明する。
【００５７】
図５は本発明の第３の実施の形態に係る不揮発性半導体記憶装置の書込み動作の一例を示すフローチャートである。
【００５８】
本発明の第３の実施の形態に係る不揮発性半導体記憶装置は、第１の実施の形態に係る不揮発性半導体記憶装置に用いたものと同様に、複数個のＥＥＰＲＯＭと動作判定回路部１２と部品故障検出回路部１３等で構成し、不揮発性半導体記憶装置の動作制御方法を別の方法に変えたものである。この不揮発性半導体記憶装置の動作制御方法は、温度検出回路部１１で測定検出されたＥＥＰＲＯＭ２０の周囲環境温度（ｔ）が、動作判定回路部１２によりＥＥＰＲＯＭ２０の所定温度（Ｔ）に達しているか否かが判定され、達したと判定された時には、複数個のＥＥＰＲＯＭ２０の内の所定数量分（例えば、３個分相当のＥＥＰＲＯＭ２０ａ、２０ｂ、２０ｃ）への書込みが要求される。そして、この要求された所定数量分に故障したものがあるかどうかの判定が行われ、故障していないと判定された時には、複数個のＥＥＰＲＯＭの内の所定数量分（例えば、３個分相当のＥＥＰＲＯＭ２０ａ、２０ｂ、２０ｃ）に書込み処理が行われ、書込み処理された所定数量分に故障したものがある（例えば、第１ＥＥＰＲＯＭ２０ａの１個分）と判定された時には、別のＥＥＰＲＯＭ２０（例えば、第４番目のＥＥＰＲＯＭ２０ｄ）を追加代替えし、書込み処理をするようにしたものである。従って、書込み処理されたＥＥＰＲＯＭが故障する毎に予備のＥＥＰＲＯＭ２０を追加代替えし、同一手法で、故障状況の判定と書込み処理を行っている。
【００５９】
本発明の第３の実施の形態に係る不揮発性半導体記憶装置の動作制御等について、図５を参照して説明する。
【００６０】
まず、ＥＥＰＲＯＭ２０への書込み処理の手順について、図５による次のステップに基いて説明する。
【００６１】
ステップＳ４１では、例えば車載用エンジン制御ＥＣＵ等に設置されたＥＥＰＲＯＭ２０の近辺の周囲環境温度（ｔ）が温度検出器（図示せず）で測定検出され、その検出信号が温度検出回路部１１を介して動作判定回路部１２に送られ、次のステップＳ４２に進む。
【００６２】
ステップＳ４２では、温度検出器（図示せず）で測定検出されたＥＥＰＲＯＭ２０の周囲環境温度（ｔ）が、所定温度（Ｔ）に達したか否か（ｔ＞Ｔ）が、動作判定回路部１２により判定され、ＮＯ、即ちまだ所定温度（Ｔ）に達していない場合には、ステップＳ４３の通常の書込み処理に進み、メモリ制御回路部１５を介してデータの書込み処理が行われる。又、ＹＥＳ、即ち所定温度（Ｔ）に達した場合には、次のステップＳ４４に進む。
【００６３】
ステップＳ４４では、書込み要求があったＥＥＰＲＯＭ２０のグループ番号が、制御部（図示せず）によりｎに代入される。
【００６４】
ステップＳ４５では、複数個でなるＥＥＰＲＯＭ２０のグループ番号ｎに含まれるＥＥＰＲＯＭ２０の所定数量をＸとした場合、それを制御するための変数ｘの初期値を１（ｘ＝１）と設定し、次のステップＳ４６に進む。尚、書込みを行うグループ番号に含まれるＥＥＰＲＯＭ２０の所定数量は、少なくとも２個相当分以上が設定される。
【００６５】
ステップＳ４６では、部品故障検出回路部１３により、グループ番号ｎのｘ番目のＥＥＰＲＯＭ２０であるＥＥＰＲＯＭ２０ｎｘに故障したものがあるか否かが判定され、ＮＯ、即ち故障していない場合には、ステップＳ４７に進む。又、ＹＥＳ、即ち故障している場合には、次のステップＳ５０に進む。
【００６６】
ステップＳ４７では、ＥＥＰＲＯＭ２０ｎｘに、メモリ制御回路部１５を介してデータの書込み処理が行われ、ステップＳ４８に進む。
【００６７】
ステップＳ４８では、書込みを行うグループ番号ｎのＥＥＰＲＯＭ２０の番号ｘを１加算した後、ステップＳ４９に進む。
【００６８】
ステップＳ４９では、ｘがグループｎに含まれるＥＥＰＲＯＭ２０の数であるＸを超えたか（ｘ＞Ｘ）否かが、制御部（図示せず）により判定され、ＮＯ、即ちまだｘがＸを超えてなく、グループ番号ｎのＥＥＰＲＯＭ２０の全てに書込み処理が行われていない場合には、ステップＳ４６に戻され、処理が継続される。又、ＹＥＳ、即ちｘがＸを超え、グループ番号ｎのＥＥＰＲＯＭ２０の全てに書込み処理が行われている場合には、書込み処理を終了する。
【００６９】
ステップＳ５０では、複数個のＥＥＰＲＯＭ２０の内に予備のＥＥＰＲＯＭ２０が有るか否かが、制御部（図示せず）により判定され、ＮＯ、即ち予備のＥＥＰＲＯＭ２０がない場合には、ステップＳ５２に進み、異常出力信号を制御部（図示せず）から外部接続回路部１６を介して外部に送信し、処理を終了する。又、ＹＥＳ、即ち予備のＥＥＰＲＯＭ２０がある場合には、ステップＳ５１に進む。
【００７０】
ステップＳ５１では、制御部（図示せず）により予備のＥＥＰＲＯＭ２０にＥＥＰＲＯＭ２０の番号（ｎｘ）が割り当てられ、例えば故障した第１ＥＥＰＲＯＭ２０ａの代わりに第４番目のＥＥＰＲＯＭ２０ｄに番号が割り当てられ、ステップＳ４６に戻され、処理が継続される。即ち、書込み処理されたＥＥＰＲＯＭ２０に故障したものがある毎に、予備のＥＥＰＲＯＭ２０が追加補充され、複数個のＥＥＰＲＯＭ２０への書込みが完了するまで書込み処理が続けて行われる。
【００７１】
次に、ＥＥＰＲＯＭ２０からの読出し処理の手順については、第１の実施の形態に係る不揮発性半導体記憶装置１０の読出し処理手順（図３による）と略同一なので、説明を省略する。
【００７２】
以上により、同一内容の書込みを複数のＥＥＰＲＯＭ２０に対して行うため、例え読出しを行おうとしたＥＥＰＲＯＭ２０が故障していたとしても、他のＥＥＰＲＯＭ２０から読出しが可能であるので、記憶装置の信頼性が向上できると共に、ＥＥＰＲＯＭ２０が故障する毎に予備の正常なＥＥＰＲＯＭ２０を追加する構成なので、ＥＥＰＲＯＭ２０の無駄をなくすことができる。
【００７３】
次に、本発明の第４の実施の形態に係る不揮発性半導体記憶装置について、図６を参照して説明する。
【００７４】
図６は本発明の第４の実施の形態に係る不揮発性半導体記憶装置の書込み動作の一例を示すフローチャートである。
【００７５】
本発明の第４の実施の形態に係る不揮発性半導体記憶装置は、第１の実施の形態に係る不揮発性半導体記憶装置に用いたものと同様に、複数個のＥＥＰＲＯＭ２０と動作判定回路部１２と部品故障検出回路部１３等で構成し、不揮発性半導体記憶装置の動作制御方法を別の方法に変えたものである。この不揮発性半導体記憶装置の動作制御方法は、温度検出回路部１１で測定検出されたＥＥＰＲＯＭ２０の周囲環境温度（ｔ）が、動作判定回路部１２によりＥＥＰＲＯＭ２０の所定温度（Ｔ）に達しているか否かが判定され、まだ達していないと判定された時には、通常の書込み処理が行われ、達したと判定された時には、書込み処理を行う毎に次回書込みを行うＥＥＰＲＯＭ２０を変更していくものである。
【００７６】
本発明の第４の実施の形態に係る不揮発性半導体記憶装置の動作制御等について、図６を参照して説明する。
【００７７】
まず、ＥＥＰＲＯＭ２０への書込み処理の手順について、図６による次のステップに基いて説明する。
【００７８】
ステップＳ６１では、例えば車載用エンジン制御ＥＣＵ等に設置されたＥＥＰＲＯＭ２０の近辺の周囲環境温度（ｔ）が温度検出器（図示せず）で測定検出され、その検出信号が温度検出回路部１１を介して動作判定回路部１２に送られ、次のステップＳ６２に進む。
【００７９】
ステップＳ６２では、温度検出器（図示せず）で測定検出されたＥＥＰＲＯＭ２０の周囲環境温度（ｔ）が、所定温度（Ｔ）に達したか否か（ｔ＞Ｔ）が、動作判定回路部１２により判定され、ＮＯ、即ちまだ所定温度（Ｔ）に達していない場合には、ステップＳ６３の通常の書込み処理に進み、メモリ制御回路部１５を介してデータの書込み処理が行われる。又、ＹＥＳ、即ち所定温度（Ｔ）に達した場合には、次のステップＳ６４に進む。
【００８０】
本実施例では、フローチャートには記載していないが、システム起動時等の最初の時点に、ＥＥＰＲＯＭ２０の番号であるｎを１（ｎ＝１）に初期化する処理を行っている。
【００８１】
ステップＳ６４では、ＥＥＰＲＯＭ２０ｎに、メモリ制御回路部１５を介してデータの書込み処理が行われ、次のステップＳ６５に進む。
【００８２】
ステップＳ６５では、書込みを行うＥＥＰＲＯＭ２０の番号ｎを１加算した後、次のステップＳ６６に進む。
【００８３】
ステップＳ６６では、ｎが書込み可能なＥＥＰＲＯＭ２０の数（Ｎと称す）を超えたか（ｎ＞Ｎ）否かが、制御部（図示せず）により判定され、ＹＥＳ、即ちｎがＮを超え、ＥＥＰＲＯＭ２０の全てに書込み処理が行われている場合には、ステップＳ６７進み、ｎを１（ｎ＝１）の初期値にし書込み処理を終了する。又、ＮＯ、即ちまだｎがＮを超えてなく、書込み可能なＥＥＰＲＯＭ２０の全てに一通り書込み処理が行われていない場合には、今回の書込み処理を終了する。
【００８４】
次に、ＥＥＰＲＯＭ２０からの読出し処理の手順については、第１の実施の形態に係る不揮発性半導体記憶装置１０の読出し処理手順（図３による）と略同一なので、説明を省略する。
【００８５】
以上により、書込みを行う毎に異なるＥＥＰＲＯＭ２０に書込みを行うようにしているので、例え数個のＥＥＰＲＯＭ２０が故障したとしても、全てのデータが読み出せない事態を回避することができると共に、１つのＥＥＰＲＯＭ２０に集中的に書込みを行わない（書込みを行うＥＥＰＲＯＭ２０を分散させる）ことにより、ＥＥＰＲＯＭ２０の故障を減らすことができる。
【００８６】
尚、本実施例における書込みを行うＥＥＰＲＯＭ２０を変更する方法として、順次変更する方法について説明したが、例えばランダムに変更するなど、さまざまな方法を用いることが可能である。
【００８７】
次に、本発明の第５の実施の形態に係る不揮発性半導体記憶装置について、図７を参照して説明する。
【００８８】
図７は本発明の第５の実施の形態に係る不揮発性半導体記憶装置の動作の一例を示すフローチャートで、（ａ）は書込み処理時のフローチャート、（ｂ）は読出し処理時のフローチャートである。
【００８９】
本発明の第５の実施の形態に係る不揮発性半導体記憶装置は、第１の実施の形態に係る不揮発性半導体記憶装置に用いられた複数個のＥＥＰＲＯＭ２０と動作判定回路部１２、及びＥＥＰＲＯＭ２０とは別にフラッシュＲＯＭ等でなる他の記録媒体を設置して構成し、不揮発性半導体記憶装置の動作制御方法を別の方法に変えたものである。この不揮発性半導体記憶装置の動作制御方法は、温度検出回路部１１で測定検出されたＥＥＰＲＯＭ２０の周囲環境温度（ｔ）が、動作判定回路部１２により所定温度（Ｔ）に達しているか否かが判定され、まだ達していないと判定された時には、通常の書込み処理としてメモリ制御回路部１５を介してＥＥＰＲＯＭ２０へのデータの書込み処理が行われ、達したと判定された時には、他の記憶媒体であるフラッシュ  ＲＯＭ等への書込み処理が行われるようにしたものである。
【００９０】
このフラッシュ  ＲＯＭは、ＥＥＰＲＯＭ２０に対し、書込み回数が少なく制限されているが、所定温度（記憶媒体の故障率が、急に高くなる時の設定温度）が高いため、ＥＥＰＲＯＭ２０に併用して設置し、高温時における書込み処理用として設けたものである。即ち、高温時における書込み処理は、ＥＥＰＲＯＭ２０には行わず、別に設けたフラッシュ  ＲＯＭに行い、ＥＥＰＲＯＭ２０の高温時における故障等を未然に防いでいる。
【００９１】
尚、本実施の形態に係るものでは、高温時には他の記憶媒体であるフラッシュＲＯＭへ書込み処理を行うようにしているが、その他の実施の形態に係るものとして、高温時には書込み処理を禁止する動作制御方法がある。
【００９２】
本発明の第５の実施の形態に係る不揮発性半導体記憶装置の動作制御等について、図７を参照して説明する。
【００９３】
まず、ＥＥＰＲＯＭ２０への書込み処理の手順について、図７（ａ）による次のステップに基いて説明する。
【００９４】
ステップＳ７１では、例えば車載用エンジン制御ＥＣＵ等に設置されたＥＥＰＲＯＭ２０及びフラッシュ  ＲＯＭの近辺の周囲環境温度（ｔ）が温度検出器（図示せず）により測定検出され、その検出信号が温度検出回路部１１を介して動作判定回路部１２に送られ、次のステップＳ７２に進む。
【００９５】
ステップＳ７２では、温度検出器（図示せず）で測定検出されたＥＥＰＲＯＭ２０の周囲環境温度（ｔ）が、所定温度（Ｔ）に達したか否か（ｔ＞Ｔ）が、動作判定回路部１２により判定され、ＮＯ、即ちまだ所定温度（Ｔ）に達していない場合には、ステップＳ７３の通常の書込み処理に進み、メモリ制御回路部１５を介してＥＥＰＲＯＭ２０にデータの書込み処理が行われ、処理が終了する。又、ＹＥＳ、即ち所定温度（Ｔ）に達した場合には、次のステップＳ７４、又は他の動作制御方法であるステップＳ８４に進む。
【００９６】
ステップＳ７４では、ＥＥＰＲＯＭ２０への書込み処理は行わず、他の記憶媒体であるフラッシュ  ＲＯＭにメモリ制御回路部１５を介してデータの書込み処理を行い、処理を終了する。これにより、高温時においても、フラッシュ  ＲＯＭへの書込み処理が行われ、ＥＥＰＲＯＭ２０の故障等が未然に防がれると共に、書込んだデータが読出せないという事態を回避でき、信頼性を向上することができる。尚、高温時にＥＥＰＲＯＭ２０とフラッシュ  ＲＯＭとの両方に書込みを行う構成にすると、データの信頼性という面では、より大きな効果が得られる。
【００９７】
ステップＳ８４は、その他の実施の形態に係るものの動作制御方法に用いられたものである。このステップＳ８４では、高温時に、ＥＥＰＲＯＭ２０への書込み処理を禁止し、処理を終了している。これにより、高温時におけるＥＥＰＲＯＭ２０の故障等が未然に防がれることになる。
【００９８】
次に、ＥＥＰＲＯＭ２０からの読出し処理の手順について、図７（ｂ）による次のステップに基いて説明する。
【００９９】
ステップＳ７５では、例えば車載用エンジン制御ＥＣＵ等に設置されたＥＥＰＲＯＭ２０及びフラッシュ  ＲＯＭの近辺の周囲環境温度（ｔ）が温度検出器（図示せず）で測定検出され、その検出信号が温度検出回路部１１を介して動作判定回路部１２に送られ、次のステップＳ７６に進む。
【０１００】
ステップＳ７６では、温度検出器（図示せず）で測定検出されたＥＥＰＲＯＭ２０の周囲環境温度（ｔ）が、所定温度（Ｔ）に達したか否か（ｔ＞Ｔ）が、動作判定回路部１２により判定され、ＮＯ、即ちまだ所定温度（Ｔ）に達していない場合には、ステップＳ７７の通常の読出し処理に進み、制御回路部１４を介して書込み処理されたＥＥＰＲＯＭ２０（例えば、複数個のＥＥＰＲＯＭ２０の内の第１ＥＥＰＲＯＭ２０ａ）からのデータの読出し処理が行われ、処理が終了する。又、ＹＥＳ、即ち所定温度（Ｔ）に達した場合には、次のステップＳ７８、又は他の動作制御方法であるステップＳ８８に進む。
【０１０１】
ステップＳ７８では、ＥＥＰＲＯＭ２０からの読出し処理は行わず、他の記憶媒体であるフラッシュ  ＲＯＭから制御回路部１４を介して読出し処理を行い、処理を終了する。これにより、高温時においては、フラッシュ  ＲＯＭからの読出し処理が行われ、ＥＥＰＲＯＭ２０の故障等が未然に防がれることになる。
【０１０２】
ステップＳ８８は、その他の実施の形態に係るものの動作制御方法に用いられたものである。このステップＳ８８では、高温時には、ＥＥＰＲＯＭ２０からの読出し処理を禁止し、処理を終了する。これにより、高温時におけるＥＥＰＲＯＭ２０の故障等が未然に防がれることになる。
【０１０３】
以上により、ＥＥＰＲＯＭ２０に併用して他の記憶媒体である所定温度（Ｔ）がＥＥＰＲＯＭ２０より高く設定できるフラッシュ  ＲＯＭを設けて、高温時にはフラッシュ  ＲＯＭに書込み処理及び読出し処理を行うことにより、高温時におけるＥＥＰＲＯＭ２０の故障等が未然に防げ、故障対応の品質向上を図ることができると共に、書込んだデータが読出せないという事態を回避でき、信頼性を向上することができる。そして、高温時にＥＥＰＲＯＭ２０とフラッシュ  ＲＯＭとの両方に書込みを行う構成にすると、データの信頼性という面では、より大きな効果が得られる。又、その他の実施の形態に係る動作制御方法では、高温時には書込み処理及び読出し処理を禁止しているため、高温時におけるＥＥＰＲＯＭ２０の故障等を未然に防ぐことができる。
【０１０４】
次に、本発明の第６の実施の形態に係る不揮発性半導体記憶装置３０について、図８を参照して説明する。
【０１０５】
図８は本発明の第６の実施の形態に係る不揮発性半導体記憶装置の構成の一例を示す配置図で、（ａ）は上面図、（ｂ）は側面図である。
【０１０６】
本発明の第６の実施の形態に係る不揮発性半導体記憶装置３０は、第１の実施の形態に係る不揮発性半導体記憶装置に用いられた複数個のＥＥＰＲＯＭ２０と動作判定回路部１２等で構成し、複数個のＥＥＰＲＯＭ２０として、車載用エンジン制御ＥＣＵ３１や車載用ＡＴ制御ＥＣＵ３２等に装着するＥＥＰＲＯＭ２０ａの他に、車室内の温度調整されたデータ保存ラック３３に装着するＥＥＰＲＯＭ２０ｂを設け、不揮発性半導体記憶装置３０の動作制御方法を別の方法に変えたものである。
【０１０７】
この不揮発性半導体記憶装置３０の動作制御方法は、温度検出回路部１１で測定検出されたＥＥＰＲＯＭ２０ａの周囲環境温度（ｔ）が、動作判定回路部１２により所定温度（Ｔ）に達しているか否かが判定され、まだ達していないと判定された時には、通常処理として、メモリ制御回路部１５を介して車載用エンジン制御ＥＣＵ３１や車載用ＡＴ制御ＥＣＵ３２等に装着されたＥＥＰＲＯＭ２０ａへのデータの書込み処理が行われる。又、所定温度（Ｔ）に達したと判定された時には、車室内の温度調整されたデータ保存ラック３３に装着されたＥＥＰＲＯＭ２０ｂへのデータの書込み処理が行われるようにしたものである。
【０１０８】
尚、本実施の形態に係るものでは、複数個のＥＥＰＲＯＭ２０を、車載用エンジン制御ＥＣＵ３１や車載用ＡＴ制御ＥＣＵ３２等に装着するものの他に、車室内の温度調整されたデータ保存ラック３３に装着するものを設け、高温時には車室内の温度調整されたデータ保存ラック３３に装着されたＥＥＰＲＯＭ２０ｂに書込みと読出し処理を行うようにしているが、その他の実施の形態に係るものとして、複数個のＥＥＰＲＯＭ２０を全て車室内の温度調整されたデータ保存ラック３３に装着し、書込みと読出し処理を行うようにした動作制御方法がある。
【０１０９】
本発明の第６の実施の形態に係る不揮発性半導体記憶装置３０の構成に関わる装着方法の一例について、図８を参照して説明する。
【０１１０】
本第６の実施の形態に係る不揮発性半導体記憶装置３０は、第１の実施の形態に係る不揮発性半導体記憶装置１０と同様に、例えば、不揮発性半導体記憶装置（複数個のＥＥＰＲＯＭ２０を有したもの）の周囲環境温度（ｔ）を検出する温度検出回路部１１と、周囲環境温度（ｔ）が所定温度（Ｔ）に達したことを判定する動作判定回路部１２と、ＥＥＰＲＯＭ２０へのデータの再書込み処理等を行う制御回路部１４と、ＥＥＰＲＯＭ２０への新規データの書込み処理等を行うメモリメモリ制御回路部１５と、ＥＥＰＲＯＭ２０のデータを読出し、外部に出力する外部接続回路部１６と、デコーダ１７を介して接続された車載用エンジン制御ＥＣＵ３１や車載用ＡＴ制御ＥＣＵ３２等に装着された複数個のＥＥＰＲＯＭ２０ａと、車室内の温度調整されたデータ保存ラック３３に装着されたＥＥＰＲＯＭ２０ｂと、車載用エンジン制御ＥＣＵ３１や車載用ＡＴ制御ＥＣＵ３２からデータ保存ラック３３（例えば、ナビゲーション装置３５に内臓されたＥＥＰＲＯＭ２０でも良い）までの間を電気接続するハーネス３４等より構成されている。
【０１１１】
以上により、複数個のＥＥＰＲＯＭ２０を、車載用エンジン制御ＥＣＵ３１や車載用ＡＴ制御ＥＣＵ３２等に装着するＥＥＰＲＯＭ２０ａの他に、車室内の温度調整されたデータ保存ラック３３に装着するＥＥＰＲＯＭ２０ｂを設けることにより、ＥＥＰＲＯＭ２０ａの周囲温度が高温になった時にはデータ保存ラック３３に装着しているＥＥＰＲＯＭ２０ｂに書込み処理と読出し処理を行うことができ、高温時におけるＥＥＰＲＯＭ２０ａの故障等が未然に防げ、故障対応の品質向上を図ることができると共に、書込んだデータが読出せないという事態を回避でき、信頼性をより向上することができる。又、その他の実施の形態に係るものでは、複数個のＥＥＰＲＯＭ２０を全て車室内の温度調整されたデータ保存ラック３３に装着しているため、車載用エンジン制御ＥＣＵ３１や車載用ＡＴ制御ＥＣＵ３２等が高温になっても、データ保存ラック３３に装着されたＥＥＰＲＯＭ２０は高温にならないため、故障等を起こすことも無くより品質の向上を図ることができる。
【０１１２】
尚、本発明の実施例の構成に用いた動作判定回路部１２、部品故障検出回路部１３、制御回路部１４、メモリ制御回路部１５等による処理制御は、マイコンピュータで行うようにしても良い。
【０１１３】
【発明の効果】
以上説明した様に、本発明によれば、周囲温度が高温になる車載用エンジン制御ＥＣＵ等においても、信頼性の高い不揮発性半導体記憶装置の運用を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態に係る不揮発性半導体記憶装置に関する全体構成の一例を示す模式図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態に係る不揮発性半導体記憶装置の書込み動作の一例を示すフローチャートである。
【図３】本発明の第１の実施の形態に係る不揮発性半導体記憶装置の読出し動作の一例を示すフローチャートである。
【図４】本発明の第２の実施の形態に係る不揮発性半導体記憶装置の書込み動作の一例を示すフローチャートである。
【図５】本発明の第３の実施の形態に係る不揮発性半導体記憶装置の書込み動作の一例を示すフローチャートである。
【図６】本発明の第４の実施の形態に係る不揮発性半導体記憶装置の書込み動作の一例を示すフローチャートである。
【図７】本発明の第５の実施の形態に係る不揮発性半導体記憶装置の動作の一例を示すフローチャートである。
【図８】本発明の第６の実施の形態に係る不揮発性半導体記憶装置の構成の一例を示す配置図である。
【符号の説明】
１０、３０・・・不揮発性半導体記憶装置
１１・・・温度検出回路部
１２・・・動作判定回路部
１３・・・部品故障検出回路部
１４・・・制御回路部
１５・・・メモリ制御回路部
１６・・・外部接続回路部
１７・・・デコーダ
２０・・・ＥＥＰＲＯＭ
３１・・・車載用エンジン制御ＥＣＵ
３２・・・車載用ＡＴ制御ＥＣＵ
３３・・・データ保存ラック
３４・・・ハーネス
３５・・・ナビゲーション装置
【図１】
2004185542.tif 000003
【図２】
2004185542.tif 000004
【図３】
2004185542.tif 000005
【図４】
2004185542.tif 000006
【図５】
2004185542.tif 000007
【図６】
2004185542.tif 000008
【図７】
2004185542.tif 000009
【図８】
2004185542.tif 000010