(57)【要約】【課題】  本発明はフォトマスク・ブランク、フォトマスク、概してフォトマスク・ブランクの作製、および特に粒子ビーム・スパッタリングによるフォトマスク・ブランクの作製のための方法と装置に関する。  微小構造を有するフォトマスクの作製に適した高品質と高安定性のフォトマスク・ブランクを作製する方法を提供することが本発明の目的である。【解決手段】  真空チャンバ内に基板とターゲットが供給され、第１の粒子もしくはイオンのビームで照射することによって前記ターゲットがスパッタされ、前記ターゲットの前記スパッタリングによって前記基板上に第１の材料の少なくとも第１の層が蒸着される、フォトマスク・ブランクの製造方法を提案する。【選択図】図１
2004246366.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フォトマスク・ブランク、特にバイナリ・フォトマスク・ブランク、位相シフト・フォトマスク・ブランクまたは極紫外フォトマスク・ブランクを製造するための方法であって、
真空チャンバ内に基板とターゲットを供給する工程、
第１の粒子ビームを供給する工程、
前記第１の粒子ビームで照射することによって前記ターゲットをスパッタリングする工程、
前記ターゲットの前記スパッタリングによって前記基板上に第１の材料の少なくとも第１の層を蒸着する工程を含む方法。
【請求項２】
前記第１の粒子ビームが前記ターゲット上に向けられ、スパッタされた粒子が前記ターゲットから前記基板への方向に現れる、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
第２の材料の少なくとも第２の層が前記ターゲットのスパッタリングによって前記フォトマスク・ブランク上に蒸着される、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記ターゲットがターゲットの法線を規定し、前記第１の粒子ビームが前記ターゲットの法線に対して或る角度で前記ターゲットを叩く、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記基板が基板の法線を規定し、前記ターゲットからスパッタされた粒子が前記基板の法線に対して或る角度で前記フォトマスク・ブランクを叩く、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記第１の層の蒸着の速度が０．０１と５ｎｍ／ｓｅｃの間にある、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記フォトマスク・ブランクが第２の粒子ビームによって照射される、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記基板が基板の法線を規定し、前記第２の粒子ビームが前記基板の法線に対して或る角度で前記フォトマスク・ブランクを叩く、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記第１と第２の粒子ビームのうちの少なくとも一方がイオンビームを含む、請求項７に記載の方法。
【請求項１０】
前記第１と第２の粒子ビームのうちの少なくとも一方がイオンビームを含み、それが電磁場によって加速および焦点集束される、請求項７に記載の方法。
【請求項１１】
前記第１と第２の粒子ビームが、前記第１の粒子ビームによって独立して層を蒸着し、かつ前記第２の粒子ビームによって前記基板と前記層のうちの少なくとも一方を処理するために別個に制御される、請求項７に記載の方法。
【請求項１２】
前記第１と第２の粒子ビームが異なる粒子を有する、請求項７に記載の方法。
【請求項１３】
前記第１と第２の粒子ビームが異なる粒子エネルギーを有する請求項７に記載の方法。
【請求項１４】
前記基板の表面が、前記第２の粒子ビームで照射することによって状態調整される、請求項７に記載の方法。
【請求項１５】
前記基板の表面が、前記第１の層の前記蒸着の前に前記第２の粒子ビームで照射することによって不純物から清浄化される、請求項７に記載の方法。
【請求項１６】
少なくとも１種類の反応性ガスが所定の圧力で前記真空チャンバ内に供給され、前記少なくとも１種類の反応性ガスによって前記清浄化が促進される、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記少なくとも１種類の反応性ガスが酸素を含む、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
複数層のうちの少なくとも１層が、前記第２の粒子ビームで照射することによってドープされる、請求項７に記載の方法。
【請求項１９】
複数の層が前記フォトマスク・ブランクの上に蒸着され、異なる層が異なるドープをされる、請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
複数層のうちの少なくとも１層の以下のパラメータ、すなわち
−光学密度、
−エッチング時間、
−接着性および
−反射率
のうちの少なくとも１つが前記ドーピングによって制御される、請求項１８に記載の方法。
【請求項２１】
複数層のうちの少なくとも１層の表面が、前記少なくとも１層の蒸着の後に前記第２の粒子ビームで照射することによって平坦化される、請求項７に記載の方法。
【請求項２２】
前記フォトマスク・ブランクの上にさらなる複数層が蒸着され、前記複数層間の界面粗さが、前記第２の粒子ビームで照射することによって小さくされる、請求項７に記載の方法。
【請求項２３】
反射層の表面の反射率が、前記第２の粒子ビームで照射することによって上げられる、請求項７に記載の方法。
【請求項２４】
前記第1の粒子ビームがイオンビームからなる、請求項１に記載の方法。
【請求項２５】
前記イオンビームがキセノンイオンビームである、請求項２４に記載の方法。
【請求項２６】
反射層の表面の反射率は、前記キセノンイオンビームを伴う照射によってターゲットをスパッタリングすることによって増加する、請求項２５に記載の方法。
【請求項２７】
フォトマスク・ブランク、特にバイナリ・フォトマスク・ブランク、位相シフト・フォトマスク・ブランクまたは極紫外フォトマスク・ブランクを製造するための方法であって、
真空チャンバ内に基板とスパッタ・ターゲットを供給する工程、
蒸着粒子源および補助の粒子源を供給する工程、
前記蒸着および補助の粒子源によって第１および第２の粒子ビームをそれぞれ供給する工程、
前記第１の粒子ビームで照射することによって前記ターゲットをスパッタリングし、そこでは前記第１の粒子ビームが前記蒸着粒子源から前記ターゲット上へと向けられ、スパッタされた粒子が前記ターゲットから前記基板に対する方向へ現れる工程、
前記ターゲットの前記スパッタリングによって前記基板上に第１の材料の少なくとも第１の層を蒸着する（成長させる）工程、
前記ターゲットのスパッタリングによって前記第１の層の上に第２の材料の少なくとも第２の層を蒸着する（成長させる）工程、
前記基板または前記層のうちの少なくとも１層を処理するために前記第２の粒子ビームで前記フォトマスク・ブランクを照射する工程を含む方法。
【請求項２８】
フォトマスク・ブランク、特にバイナリ・フォトマスク・ブランク、位相シフト・フォトマスク・ブランクまたは極紫外フォトマスク・ブランクを製造するための方法であって、
真空チャンバ内に基板を供給する工程、
前記基板上に第１の材料の層を成長させる工程を含み、
前記層を成長させる前記工程がイオンビーム蒸着（ＩＢＤ）によって実行される方法。
【請求項２９】
請求項１、２７または２８のいずれか１項に記載の方法によって得ることが可能なフォトマスク・ブランクであって、特にバイナリ・フォトマスク・ブランク、極紫外フォトマスク・ブランクまたは位相シフト・フォトマスク・ブランク。
【請求項３０】
マスク・ブランク、特にバイナリ・フォトマスク・ブランク、位相シフト・フォトマスク・ブランクまたは極紫外フォトマスク・ブランクであって、
基板および
イオンビーム蒸着によって前記基板の上に蒸着された１層または複数層を含むマスク・ブランク。
【請求項３１】
前記マスク・ブランクが第２の粒子ビームで照射することによって処理されることを特徴とする、請求項３０に記載のマスク・ブランク。
【請求項３２】
前記複数層のうちの少なくとも１層が０ｎｍから１０ｎｍの粒塊サイズを有する請求項３０に記載のマスク・ブランク。
【請求項３３】
前記複数層のうちの少なくとも１層が５ｎｍ  ｒｍｓよりも低い表面粗さを有する請求項３０に記載のマスク・ブランク。
【請求項３４】
光減衰（もしくは吸収）層をさらに含む、請求項３０に記載のマスク・ブランク。
【請求項３５】
抗反射層をさらに含む、請求項３０に記載のマスク・ブランク。
【請求項３６】
請求項３０に記載のマスク・ブランクの（リソグラフィ法によって）作製されるフォトマスク。
【請求項３７】
フォトマスク・ブランク、特にバイナリ・フォトマスク・ブランク、位相シフト・フォトマスク・ブランクまたは極紫外フォトマスク・ブランクを製造するための装置であって、
基板とターゲットが処理可能で排気に適した真空チャンバ、
前記ターゲットをスパッタリングし、前記基板上に少なくとも第１の層を蒸着するために前記ターゲットに向けられることが可能な第１の粒子ビームを供給するための蒸着粒子源、および
前記基板を処理するために前記基板に向けられることが可能な第２の粒子ビームを供給するための補助の粒子源を含む装置。
【請求項３８】
前記蒸着粒子源と前記補助の粒子源のうちの少なくとも一方がイオンビームを供給する、請求項３４に記載の装置。
【請求項３９】
前記蒸着粒子源が第１のイオンビームを供給し、前記装置が、前記第１のイオンビームを前記ターゲットに向かうその経路上で加速および焦点集束させるために電磁場を供給するための手段を含む、請求項３７に記載の装置。
【請求項４０】
前記蒸着および補助の粒子源が別個に制御可能である、請求項３７に記載の装置。
【請求項４１】
前記蒸着粒子源と前記補助の粒子源が、
−異なる方向性、
−異なる粒子、および
−異なる粒子エネルギー
のうちの少なくとも１つのビームを供給するのに適している、請求項３７に記載の装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、概してフォトマスク・ブランク、フォトマスク、フォトマスク・ブランクを製造するための、特に粒子ビーム・スパッタリング法によるフォトマスク・ブランクの方法と装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
集積回路の製造のために、通常、構造は電子ビームまたはフォトマスクをその集積回路の構造用のオーバーレイとして使用するフォトリソグラフィによって作製される。
【０００３】
さらに、フォトマスク自体もまた、リソグラフィ工程によって非構造化フォトマスク・ブランクから作製される。
【０００４】
フォトマスク・ブランクは、通常、１層または複数層の遮光性、光吸収性または反射性の膜の層構造が上に蒸着される透明基板を含む。
【０００５】
半導体製造の中で増大し続ける小型構造および高構造密度の要求に起因して、ウェハ上で許容可能な欠陥密度と欠陥サイズは小さくなる。したがって、フォトマスクとその結果としてフォトマスク・ブランク、特に欠陥の数とサイズに関する品質要求もまた高まっている。
【０００６】
フォトマスク類およびそれぞれのフォトマスク・ブランク類は３つのグループ、すなわちバイナリ、位相シフトおよび極紫外（ＥＵＶ）フォトマスクまたはフォトマスク・ブランクにそれぞれ細分されることが可能である。
最も単純なタイプのフォトマスクは範例として以下で検討されるバイナリ・フォトマスクである。
【０００７】
バイナリ・フォトマスクは透過性の投影モードで使用されるように構成される。通常、バイナリ・フォトマスクとそれぞれのフォトマスク・ブランクは不透明または非透過性の材料、たとえば透明基板上に設けられたクロムもしくはクロム化合物の第１の層もしくは膜を有する。バイナリ・フォトマスク・ブランクはさらに不透明層の上に抗反射性材料、たとえば酸化クロムの第２または最上の層もしくは膜を有する。
【０００８】
さらに洗練されたタイプのフォトマスクは位相シフト・フォトマスクと呼ばれるものである。位相シフト・フォトマスクでもって、集積回路の構造密度の増大を可能にするさらに高い解像度を達成するために、構造の縁端部で相殺的干渉が使用される。位相シフト・フォトマスクでもって、投影波長以下の構造ですら達成されることが可能である。
【０００９】
位相シフト・フォトマスクもやはり空間周波数変調型位相シフト・マスクと埋め込み型ハーフトーン位相シフト・マスクに細分されることが可能である。空間周波数変調型位相シフト・マスクは、通常、線と間隔のような規則的な構造のために使用され、埋め込み型ハーフトーン位相シフト・マスクは、通常、ウェハ上に単一の孔または点またはその他の単一構造を作製するために使用される。
【００１０】
埋め込み型ハーフトーン位相シフト・マスクは透明基板と透明基板の上で構造化された位相シフト層を含む。構造化された位相シフト層は透明および半透明の部分を有する。光はウェハ上の光感受性レジストを露光するのに充分な強度で透明部分を通過することが可能である。半透明部分の透過率は通常、これらの部分を通過する光が光感受性レジストを露光することができないように５％と２０％の間である。しかしながら、半透明部分を通過する光の位相は透明部分を通過する光に関して約１８０°シフトされる。構造のエッジで相殺的干渉が作り出される。したがって、ウェハ上で画像のコントラストが促進される。位相シフト層は単層もしくは多層構造のいずれかとしてモデル化される。単層構造は通常クロム化合物層または金属ケイ化物層を有する。多層構造は通常光透過性と光吸収性の材料の交互の層を有する。
【００１１】
それら位相シフト層を製造するために、反応性スパッタリングが知られている方法である。反応性スパッタリングに関すると、ターゲットがスパッタリングされ、反応性ガスの存在下で真空チャンバ内の透明基板上にターゲット材料が蒸着される。
【００１２】
反応性スパッタリングは層の高い蒸着速度に起因して高い生産性を提供する。高蒸着速度の不都合は不純物、たとえば粒子、液体または気体の封入の高い発生度であって、不都合なことに収率を低下させる。他方で、蒸着速度を下げることはフォトマスク・ブランクおよびフォトマスクを曲げる大きな膜応力につながる大きな結晶粒塊の発生に結びつく可能性がある。構造の位置決め精度が害されるので膜応力は不都合であり、それは特に集積回路の配線設計のような厳密な構造で、そのようなフォトマスク・ブランクによって作製されたフォトマスクの完全な無駄に結びつく可能性すらある。
【００１３】
欧州特許出願ＥＰ−Ａ−１０２２６１４号から、ヘリウムを含むスパッタ・ガスを供給することによってＣｒＣ膜の結晶粒塊のサイズが３ｎｍと７ｎｍの間に下げられることが可能であることは知られている。
【００１４】
しかしながら、反応性スパッタリングはそれでもまだ欠陥のあるフォトマスク・ブランクの比較的高い収率を与え、それゆえに、特に高精度要求性については不都合である。
【特許文献１】欧州特許出願ＥＰ−Ａ−１０２２６１４号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
その結果、微小の構造を有するフォトマスクの製造に適した高い品質と高い安定性のフォトマスク・ブランクを製造する方法を提供することが本発明の目的である。
本発明のさらなる目的は、高い再現性を備え、かつ高い収率を備えたフォトマスク・ブランクを製造する方法を提供することである。
【００１６】
本発明のまたさらなる目的は、フォトマスク・ブランクを製造する変更可能な方法を提供することである。
【００１７】
本発明のまたさらなる目的は、低欠陥密度および／または基板または互い同士で高い接着性を備えた膜を有する高精度のフォトマスク・ブランクを製造する方法を提供することである。
【００１８】
本発明のまたさらなる目的は、特に、反射率、光学密度、不透明層に関するエッチング時間、層の厚さの均一性に関して高品質であり、低い膜応力を有するフォトマスク・ブランクとフォトマスクを提供することである。
【００１９】
本発明のまたさらなる目的は、バイナリ、位相シフトおよびＥＵＶのフォトマスク・ブランクの製造に適した高品質のフォトマスク・ブランクを提供することである。
【００２０】
本発明のまたさらなる目的は、本発明の方法を実行するための装置を提供することである。
本発明の目的は特許請求項の主題事項によって、驚くほど単純な方式で達成される。
【課題を解決するための手段】
【００２１】
特に絶えず増大し続ける品質および精度の要求性に関して、反応性スパッタリングに対する強力な代替法は第１の粒子ビームを備えたスパッタリングである。前記第１の粒子ビーム・スパッタリングは第１のイオンビームであるかまたはそれを含むことが好ましい。この好ましいケースでは、前記第１の膜はイオンビーム・スパッタリング（ＩＢＳ）によって蒸着される。イオンビーム・スパッタリングまたはイオンビーム蒸着（ＩＢＤ）はすべてのタイプの高品質フォトマスク・ブランクを達成することを可能にする。
【００２２】
本発明によると、フォトマスク・ブランク、特にバイナリ・フォトマスク・ブランク、位相シフト・フォトマスク・ブランクまたは極紫外フォトマスク・ブランクは真空チャンバ内に基板とターゲットを供給する工程、真空チャンバ内で第１の粒子源もしくは蒸着源から発射される第１の粒子ビームを供給する工程、前記第１の粒子ビームを伴なう照射によって前記ターゲットをスパッタリングする工程、および前記ターゲットの前記スパッタリングによって前記基板上に第１の材料の少なくとも第１の層を蒸着する工程によって製造される。
【００２３】
イオンビーム・スパッタリングで、第１のイオンビームはターゲット上に向けられる。それによって材料もしくは粒子、たとえばターゲットからスパッタリングされた原子または分子は基板上または既に基板上に存在する別の層もしくは膜の上で成長している。
【００２４】
イオンビーム・スパッタリングもしくはイオンビーム蒸着（ＩＢＤ）によって作製された膜は、スパッタリング工程内の運動量移動によって生じる高い蒸着エネルギーのせいで高度に安定している。蒸着エネルギーは＞１ｅＶ、＞１０ｅＶ、＞１００ｅＶもしくは＞５００ｅＶであることが好ましい。さらに、イオンビーム蒸着は高い再現性を提供する。
【００２５】
しかしながら、フォトマスク上にさらに一層小さい構造を供給する絶え間なく増大する要求性に従って、微細リソグラフィに使用される照射波長はさらに短いＵＶレーザ波長になる傾向があり、それと共にフォトマスク・ブランクに必要となる品質はなおさらに大幅に高まる。
【００２６】
この観点で、低い欠陥密度はフォトマスク・ブランクの重要なパラメータである。欠陥はフォトマスク・ブランクの製造工程によって、特に粒子、液体または気体によって引き起こされる可能性がある。そのような欠陥は不都合なことに、フォトマスク・ブランクの局所もしくは全体のいずれかにわたって層の接着性の損失を引き起こす可能性がある。フォトマスク・ブランクは露光され、現像され、エッチングされ、レジスト除去され、複数の洗浄工程を受けるであろうから、低い接着性を伴なった配置はフォトマスクの欠陥を引き起こす可能性がある。
【００２７】
しかしながら、フォトマスク・ブランクにとって特に光学的品質に関してさらに重要な複数のパラメータが存在する。それらは、たとえば反射率、光学密度、不透明層に関するエッチング時間、層の厚さの均一性および低い膜応力である。
【００２８】
フォトマスク・ブランクは、蒸着源とは異なる第２の粒子源もしくは補助供給源によって発射される第２の粒子ビームによって直接的に照射されることが好ましい。特に、第２の粒子ビームは前記フォトマスク・ブランク上、すなわち基板上に直接的に、もしくは基板に蒸着された前記膜のうちの１つの上に直接的に向けられる。第２の粒子ビームもまたイオンビームであることが好ましい。しかしながら、いくつかの用途については、それは電子ビームであることもやはり可能である。
【００２９】
前記フォトマスク・ブランクを照射する工程は前記基板および／または前記第１の膜および／または前記膜もしくは複数膜を蒸着する工程の前および／または後にさらに蒸着される膜を照射する工程を含むことが好ましい。都合のよいことに、前記第２の粒子ビームによって前記フォトマスク・ブランクを照射する工程はフォトマスク・ブランクの品質と性能を向上させるための処理の可能性の大幅な多様性を提供する。本発明は特に粒子不純物混入の少ないフォトマスク・ブランクを提供し、それはすべての種類のフォトマスク・ブランクにとって好都合である。
【００３０】
本発明は特にバイナリ・フォトマスク・ブランク、位相シフト・フォトマスク・ブランクおよびＥＵＶフォトマスク・ブランクの製造によく適している。
【００３１】
第２、第３およびさらなる層もしくは膜さえも前記フォトマスク・ブランク上に、特に互いに次々と蒸着されることが好ましい。バイナリ・フォトマスクについては、第１および第２の膜はクロム化合物を含むかまたはそれで構成されることが好ましく、特に第１の膜はＣｒＮを含み、第２の膜はＣｒＣを含む。さらに、第３または最後の膜は抗反射膜、たとえばＣｒＯＮを含む膜であることが好ましい。
【００３２】
都合のよいことに、本発明は、比較的薄い膜で高い光学密度を供給する高密度の１層または複数層の、特に異なった層もしくは膜を提供する。これはフォトマスク・ブランクによって作製されるフォトマスクの限界寸法（ＣＤ）値を向上させる。
【００３３】
ターゲットおよび／または基板は回転可能もしくはピボット旋回可能に装着されることが好ましい。これによって、ターゲットの法線に関して＞０°、特に＞１０°の角度で第１の粒子ビームによってターゲットを叩くようにシステムが調節可能となる。さらに、基板が基板の法線を規定し、スパッタ・ターゲットからスパッタされた粒子および／または前記第２の粒子ビームが前記フォトマスク・ブランク、すなわち基板、あるいはさらなる膜に基板の法線に関して＞０°、特に＞１０°の角度で当たることが好ましい。
【００３４】
都合のよいことに、本発明は約０．２ＭＰａまたはそれ未満ですらある膜応力の極めて低い値を備えたフォトマスク・ブランクを提供する。
【００３５】
本発明のさらなる利点は、フォトマスク・ブランクが基板上の第１の膜、および／または膜同士の優れた接着性を与えられることである。
【００３６】
さらに、都合のよいことに発明した方法は高度に再現性があり、それにより、プレート間とプレート内の両方で光学的仕様の高い安定性が達成される。
【００３７】
本発明は、蒸着処理に含まれる好ましくはすべてのパラメータの別個の制御を可能にする。第１のイオンビームのイオンを発生させるためにガスが使用されることが好ましい。第１のイオンビームのイオンは希ガス、たとえばアルゴンまたはキセノンのイオンであるかまたはそれを含むことが好ましく、その理由はそれらの異なる運動量移動関数である。
【００３８】
光学特性、特に特定のＥＵＶ光学特性が、スパッタリングガスとしてキセノンを用いることによって改善されるので、第一のイオンビームはキセノンイオンビームであると都合がよい。
【００３９】
本発明の好ましい実施形態によると、制御可能な無線周波数電力のプラズマ加熱と共に３つの格子状イオン抽出格子が、構造限界内で抽出イオンのエネルギーと電流の別個の調節を提供する。抽出光学系は第１の粒子もしくはイオンビームの、前記ターゲットに向かうその経路上での加速、指向および／または焦点集束を提供する。
【００４０】
スパッタされたターゲット原子の分布は、第１の粒子ビームのパラメータ類、たとえば粒子もしくはイオンの入射角度、エネルギー、電流および／または質量を調節することによって調整可能であることが好ましい。第１の粒子ビームの前記パラメータ類を調節もしくは制御することによって、ターゲット材料の純度、化学組成、表面状態および／または微小粒塊サイズが調整可能もしくは制御可能となる。
【００４１】
さらに、ターゲットに関する基板の幾何学的配向、特にスパッタされたターゲット原子の入射角度が調整可能である。これらのパラメータ類を調整することで、基本的膜成長は応力、均一性および光学パラメータを最適化するように操作されることが可能となる。
【００４２】
補助供給源と蒸着源は異なる供給源であるが同等にかつ／または独立して調整可能であることが好ましい。これによって、第１と第２の粒子ビームは別個に制御可能となり、かつ／または異なる粒子を含み、かつ／または異なる粒子エネルギーを有する。
【００４３】
＞０．０１ｎｍ／ｓｅｃもしくは＞０．０５ｎｍ／ｓｅｃでかつ／または＜５ｎｍ／ｓｅｃ、＜２ｎｍ／ｓｅｃ、＜０．５ｎｍ／ｓｅｃまたは＜０．３ｎｍ／ｓｅｃ、最も好ましくは約０．１ｎｍ±５０％の範囲の蒸着速度が与えられることが好ましい。一見したところ、これは非経済的に思われる可能性があるが、他方で、低い蒸着速度は時間とその場の制御の両方による膜厚の極めて正確な制御を可能にする。特に位相シフトおよびＥＵＶのフォトマスク・ブランクについてこれは好都合であり、なぜならば必要な位相角度と高い反射率が達成されるように膜の、もしくは周期的な厚さの極めて正確な制御が供給されるからである。さらに、フォトマスク・ブランクの全面積にわたって±１％よりも小さい最大反射の均一性、および±０．１ｎｍよりも小さい中心波長の均一性が達成される。
【００４４】
本発明の好ましい実施形態によると、第１の膜が蒸着される前に基板は第２の粒子ビームの照射によって状態調整される。このケースでは低エネルギーのイオンビーム、たとえば＜１００ｅＶもしくは＜３０ｅＶが第２の粒子ビームとして利用される。第２のイオンビームのエネルギーは、スパッタリングによって基板表面が損傷を受けることはないが、表面に存在する有機の不純物が壊される値に調整される。特定すると、第２の粒子ビームのイオンのエネルギーは不純物の化学結合エネルギーよりも高い。この物理的洗浄効果は、処理の間の少なくともある程度の時間について真空チャンバ内に１種類または複数種類の反応性ガス、たとえば酸素を供給することによって化学的に増強されることが好ましい。都合のよいことに、基板上の第１の膜および／または膜同士の接着性、および欠陥密度が改善される。
【００４５】
場合によって、あるいは表面の前記状態調整に加えて、１層または複数層の膜が第２の粒子ビームでドープされる。気体の形で利用可能なドープ材料が使用されることが好ましい。必要条件に従って、そのガスはその本来の状態で使用され、供給源の内部でプラズマによってイオン化され、あるいはフォトマスク・ブランクに向けて加速されることすらある。特にこのケースでは、第２の粒子ビームの幾何学形状および／または入射角度は調整可能かつ／または制御可能である。
【００４６】
１層または複数層の膜が独立してドープされることが好ましく、それはたとえそれらが同じターゲットからスパッタされるときですら本発明によって可能である。したがって、たとえば同じターゲット材料の２層の膜が蒸着され、一方の膜だけがドープされるか、または両方の膜が独立して、たとえば異なるドーピング材料もしくはドーピング・パラメータでドープされる。
【００４７】
好ましい実施形態では、クロムのバイナリ・マスクの最後もしくは最上の層はドーピングによって反射のために最適化され、その間に１層または複数層の他の膜が、たとえば光学密度、エッチング時間、接着性、反射率および／または他の特性を調整および最適化するために異なってドープされる。たとえば、抗反射コーティングの反射が下げられることも可能である。
【００４８】
他方で、第２の粒子ビームを伴なう処理によってＥＵＶフォトマスク・ブランクの１層または複数層の反射層の反射率が上げられ、かつ／または均質化されることも可能である。
【００４９】
さらなる好ましい実施形態では、基板および／または膜のうちの１層、数層または全層が前記第２の粒子ビームの照射によって平坦化もしくは平滑化される。前記第２の粒子ビームによってフォトマスク・ブランクを照射する工程は、１層または複数層の膜が蒸着され、その後に実行されることが好ましい。１層または複数層の膜を平坦化もしくは平滑化する工程は、本発明によって特に低減される多層積層の界面粗さにＥＵＶ反射率が大きく依存するので、ＥＵＶフォトマスク・ブランクにとって特に好都合である。
【００５０】
本発明は、これ以降でさらに詳細に、かつ好ましい実施形態の観点で説明される。添付の図面類が参照され、そこでは同じおよび類似した要素は同じ参照記号で示される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００５１】
図１は本発明によるイオンビーム・スパッタリング（ＩＢＳ）もしくはイオンビーム蒸着（ＩＢＤ）によってフォトマスク・ブランクを作製するための蒸着装置１０の構成を図式的に示している。装置１０はポンプ・システム１４によって排気される真空チャンバ１２を含む。
【００５２】
蒸着粒子源またはさらに特定するとイオン蒸着源２０は第１の粒子もしくはイオンビーム２２を生じさせる。蒸着イオン源２０は高周波（ＨＦ）イオン源であるが、しかしながら他のタイプのイオン源を使用することもやはり可能である。スパッタ・ガス２４は入り口２６で蒸着イオン源２０内に導入され、誘導結合型の電磁場によって加速される電子と原子の衝突によって蒸着イオン源２０の内部でイオン化される。一次イオンを加速するために、第１のイオンビーム２２内に含まれてそれらをターゲット４０に向けて焦点集束させる曲率を有した３つの格子状イオン抽出アセンブリ２８が使用される。
【００５３】
一次イオンは蒸着イオン源２０から抽出され、ターゲットもしくはスパッタ・ターゲット４０を叩き、それにより原子衝突のカスケードを引き起こし、ターゲット原子が砕け散る。このスパッタリングの処理もしくはターゲットの蒸発はスパッタ処理と呼ばれる。スパッタ・ターゲット４０はたとえばモリブデン、シリコンまたはクロムのターゲットであり、蒸着される層によって決まる。スパッタ処理および層の蒸着は適切な真空中で生じ、かつ反応性ガスによって支えられるものではないことが好ましい。
【００５４】
レーザ品質を最適化するように一次イオンとターゲット原子の間の運動量移動関数を左右するためにいくつかのパラメータが調整されることが可能である。これらのパラメータは、
−一次イオンの質量、
−秒当たりの一次イオンの数（すなわちイオン電流）、
−加速電圧によって規定される一次イオンビーム２２のエネルギー、
−ターゲットの法線４４に関する一次イオンビームの入射角度、
−ターゲットの密度と純度である。
【００５５】
ターゲット原子への運動量移動は、一次イオンの質量がターゲット原子の質量と同等であるときに最大となる。希ガスは扱い易いので、スパッタ・ガス２４としてアルゴンまたはキセノンが使用されることが好ましい。
【００５６】
スパッタリング処理の運動量移動の結果としてターゲットから離れるスパッタされたイオン４２の幾何学的状態およびエネルギーの統計学的分布は、上述の方法パラメータのうちの少なくとも１つによって調整もしくは制御される。
【００５７】
特に、スパッタされた原子、このケースではクロム原子の平均エネルギーは第１のイオンビーム２２のエネルギーおよび／または入射角度によって調整もしくは制御される。ターゲットの法線４４に関する第１のイオンビーム２２の入射角度はターゲット４０をピボット旋回させることによって調整される。
【００５８】
スパッタされたイオン４２のうちの少なくとも一部はターゲット４０から基板５０の方向に現れる。スパッタされたイオン４２は、従来の気相蒸着法の場合よりもはるかに高いエネルギーで基板５０を叩き、基板５０上に高度に安定した高密度の層もしくは膜を蒸着もしくは成長させる。
【００５９】
基板５０は三次元回転装置に回転可能に装着される。基板５０の法線５４に関するスパッタされたイオンの平均入射角度αは基板５０を第１の軸の回りでピボット旋回させることによって調整される。入射角度αを一様に調整することによって、内部膜構造と機械的パラメータ、特に膜応力が制御され、したがって改善されることが可能となる。
【００６０】
さらに、蒸着の均質性を向上させるために、法線５４に対して直角に基板５０を回転させることが可能であり、回転の第２の軸を表わす。
【００６１】
基板は、追加的に、第３の軸の回りで回転可能またはピボット旋回可能であり、たとえば蒸着の直前の基板５０の洗浄を可能にするために基板をビームの外に移動させることが可能になる。
【００６２】
さらに、装置１０は補助の粒子源もしくは補助のイオン源６０を含む。その動作原理は蒸着源２０と同じである。第２の粒子もしくはイオンビーム６２は、たとえば基板５０および／または基板５０上に蒸着された膜の平坦化、状態調整、ドーピングおよび／またはさらなる処理のために基板５０に向けて方向付けされる。
第２のイオンビーム６２は直立した３つの格子状抽出システム６８によって加速される。
【００６３】
基板面積の全体にわたって均一なイオン分布と処理を得るために、第２のイオンビーム６２は基板全体を実質的に網羅する。第２のイオンビーム６２は特に、
−酸素、窒素、炭素および／またはその他のイオンで膜をドープすること、
−蒸着の前にたとえば酸素プラズマで基板を洗浄すること、
−膜を平坦化することによって膜の界面の品質を向上させることに使用される。
特定の処理に応じて、基板５０および／または基板５０上に蒸着された膜を第２のイオンビーム６２で照射する工程は基板５０上の膜の蒸着の前、同時および／または後であることが可能である。図１に見られるように、基板５０は第２のイオンビーム６２の軸６４に関して角度βで傾けられる。
【実施例１】
【００６４】
ＥＵＶフォトマスク・ブランク
図２はＥＵＶフォトマスク・ブランク７０の範例となる層もしくは膜の系の概略図を示している。
【００６５】
基板５０上で、高反射性多層積層７１は４０層のモリブデン７２とシリコン７３の二重層または交互の膜を含む。明確化するために、基板５０に直接接触する第１の二重層だけを図中に参照記号７２と７３で示す。各々の層の対もしくは膜の対は６．８ｎｍの厚さを有し、モリブデンの区分は４０％であり、その結果、２７２ｎｍの合計厚さのＭｏ／Ｓｉ多層積層７１に結びつく。多層積層７１はＥＵＶのミラーを代表し、多層積層７１の最上層に蒸着される１１ｎｍのシリコンのキャップ層もしくは膜７４によって保護される。
【００６６】
シリコンのキャップ層７４の上に、６０ｎｍの厚さを備えたＳｉＯ２のバッファ層７５が蒸着される。さらにバッファ層７５の上に、７０ｎｍの厚さを備えた抗反射クロム二重層系を含む吸収層の積層７６が設けられる。吸収層の積層７６は２層のクロム層７７と７８で構成される。
【００６７】
ＥＵＶフォトマスク・ブランク７０から構造化されたフォトマスクを作製するために、吸収層の積層７６が構造化され、フォトリソグラフィによって部分的に除去される。バッファ層７５は下にある多層積層のミラー７１を損傷させることなく構造化バッファ層を修復することを可能にする。
【００６８】
実施例１に関する蒸着パラメータ
本発明による方法の極めて低い蒸着速度は層の厚さの極めて正確な制御を可能にする。特に多層積層ミラー７１の層７２、７３は数ｎｍの厚さしかないので、これは極めて好都合である。層７２、７３は、極めて制御されて再現性があり、したがって等しい厚さの各二重層で蒸着されることが可能である。発明人らは、以下に述べるような低下させた蒸着パラメータでもって精度がさらに上げられることを見出した。
【００６９】
スパッタ・ガスとしてアルゴンが１０ｓｃｃｍで使用され、第１のイオンビーム２２内の一次アルゴン・イオンのエネルギーは６００ｅＶである。第１のイオンビーム２２の電流は約１５０ｍＡに設定される。純粋な第１のイオンビームを得るために、蒸着源の中で背圧は２ｅ−８Ｔｏｒｒであり、アルゴンの分圧は１ｅ−４Ｔｏｒｒに設定される。
【００７０】
モリブデン、シリコンおよびクロムのターゲット４０はモリブデン膜７２、シリコンとＳｉＯ２膜７３、７４、７５、およびクロム膜７７、７８をそれぞれ蒸着するために使用される。
【００７１】
ＳｉＯ２バッファ層７５は酸素イオンを含む第２のイオンビームによってドープされ、補助のイオン源６０はバッファ層７５の蒸着の間および／または後に１５ｓｃｃｍの酸素流を使用する。
【００７２】
吸収層の対７７、７８の上の層７８は８ｓｃｃｍの酸素流を使用して第２のイオンビームによってドープされ、それによって上部クロム層７８の反射率が下がる。
【００７３】
実施例１の測定結果
均一性
図３ａから３ｃはドイツのベルリンにあるＰｈｙｓｉｋａｌｉｓｃｈ  Ｔｅｃｈｎｉｓｃｈｅ  Ｂｕｎｄｅｓａｎｓｔａｌｔ（ＰＴＢ）でシンクロトロン放射を使用して行った直角入射反射の測定結果を示している。２通りの走査が行われた。１つはフォトマスク・ブランク７０のｘ軸に沿って、１つはｙ軸に沿って行われ、６インチ平方のプレートであった。各走査は１０箇所の測定点から構成される。
【００７４】
図３ｂは測定した反射率のプロットで反射の均一性を６インチのプレートのｘ軸およびｙ軸に沿った位置の関数として示している。
【００７５】
図３ｃは測定した中心波長のプロットでピーク反射の均一性を６インチのプレートのｘ軸８８およびｙ軸８４に沿った位置の関数として示している。
【００７６】
図３ｂと３ｃそれぞれから理解できるように、フォトマスク・ブランク７０の全面積にわたってピーク反射の均一性は±０．２％よりも優れており、中心波長の均一性は±０．０２ｎｍよりも優れている。
【００７７】
図３ａはｘ軸およびｙ軸に沿った２通りの走査の全２０測定点の反射測定の結果を１つのプロットに一緒にして示している。反射率は波長ｎｍの関数として示されており、均一性が優れていて２０の曲線がプロット内で殆ど区別できないことが見てとれる。
【００７８】
図４はフォトマスク・ブランク７０の一部の断面の透過型電子顕微鏡画像を示している。基板５０と多層積層７１が示されている。全層が極めて平滑な表面を有し、偏りは識別不可能である。これは本発明の方法によって蒸着および処理された層もしくは膜の優れた均一性と再現性を示している。
【００７９】
界面粗さ
図５はラスタ原子間力顕微鏡によって２層のＭｏ／Ｓｉ多層積層７０、７０’について為された表面測定を示している。左の縦列は１０層の二重層のＭｏ／Ｓｉ多層積層７０’に関する結果を示し、それに対して右の縦列は図２と４に示したような４０層の二重層のＭｏ／Ｓｉ多層積層７０に関する結果を示している。
【００８０】
上側の横列は１０μｍ×１０μｍの面積を表わす低倍率の結果を示し、それに対して下側の横列は１μｍ×１μｍの面積を表わす高倍率の結果を示している。
【００８１】
２つのラスタ規模から、二重層の数を増加させることに関して表面粗さが上昇することはないことが見てとれる。したがって、本発明の方法で蒸着する間に表面粗さが上昇することはない。実際では、本発明によるイオンビーム蒸着は、少なくとも５層、１０層もしくは４０層でさえ、複数の層にわたって基板の粗さを再現する。少なくとも１層、最も好ましくは全層が＜５ｎｍ  ｒｍｓ、好ましくは＜２ｎｍ  ｒｍｓの表面粗さを有する。
【００８２】
図６は、蒸着処理の間に補助供給源６０の第２のイオンビーム６２によってフォトマスク・ブランクを処理すると表面の品質がさらに改善されることが可能であることを示している。実線の曲線は界面の処理もしくは設計を施していない５０層の二重層の積層の反射率曲線である。破線は層界面の平坦化の形で界面の処理もしくは設計をして蒸着された３０層の二重層しか有していない。表面品質の改善は、少ない数の層で同じ反射値、すなわち３０層のみの二重層を使用して６０％を超える反射率を達成することを可能にする。処理されたフォトマスク・ブランク７０は同じ数の層を備えた未処理のフォトマスク・ブランクの反射率よりも少なくとも２％、５％、１０％、２０％高いピーク反射率を有することが好ましい。
【実施例２】
【００８３】
バイナリ・フォトマスク・ブランク
図７はバイナリ・フォトマスク・ブランク８０の概略の断面を示している。バイナリ・フォトマスク・ブランク８０は基板５０上に蒸着された少なくとも２層８７、８８の吸収層の積層８６を含む。
【００８４】
第１の層８７はたとえばクロム層であって必要な光学密度を達成し、それに対して第２の層８８はたとえば酸化クロム層であって抗反射コーティングを提供する。この実施例では第１の層は４８ｎｍの厚さを有し、第２の層は２２ｎｍの厚さを有する。
【００８５】
実施例２の蒸着パラメータ
バイナリ・フォトマスク・ブランク８０は上述のＥＵＶフォトマスク・ブランク７０の二重層７２、７３ほど薄い層を含まない。したがって、以下のような比較的高い蒸着パラメータが使用されることが可能である。
一次原子：アルゴン１０ｓｃｃｍ
一次エネルギー：１３００ｅＶ
一次電流：３５０ｍＡ
背圧：２ｅ−８Ｔｏｒｒ
蒸着圧：１ｅ−４Ｔｏｒｒ
【００８６】
両方の層に関するスパッタ・ターゲット４０はクロム・ターゲットである。吸収層積層８６の第２もしくは上の層８８は、反射率を下げるために８ｓｃｃｍの酸素ガス流６６を使用して酸素イオンを含む第２のイオンビーム６２によってドープされる。
【００８７】
実施例２の測定結果
図８はバイナリ・フォトマスク・ブランク８０に関して測定した光学密度を波長の関数として示している。層の積層もしくは系８６は、この実施例では３６５ｎｍである設計波長の領域で少なくとも光学密度３を達成するように設計される。
【００８８】
図９は測定した反射率曲線を波長の関数として示している。層の積層もしくは系８６は、３６５ｎｍの設計波長で１／４波長条件を満たすように設計される。抗反射層８８の厚さおよび酸素含有量は設計波長で≦１２％の最小反射率を達成するように調整される。
【００８９】
図１０は６インチのフォトマスク・ブランク８０の表面にわたって３６５ｎｍで二次元で測定した反射率の輪郭プロットを示している。都合のよいことに、フォトマスク・ブランク８０にわたって±０．２％よりも優れた反射率の均一性が達成される。
【００９０】
［実施例３、４、５］
位相シフト・フォトマスク・ブランク
図１１ａから１１ｃは３つのタイプの位相シフト・フォトマスク・ブランク９０、１００、１１０の断面を示している。フォトマスク・ブランク９０、１００、１１０はそれぞれ１８０°の位相シフトを引き起こしてかつ約６％の透過率を有する位相シフト層構造９１、１０１、１１１を含む。位相シフト層構造は一様もしくは複合の材料で作製された単層９１、あるいは二重層１０１または多層１１１のいずれかである。後者の１つは増えた自由パラメータ数が理由となって改善された制御を可能にする。
【００９１】
図１１ａは、透明基板５０の表面の上に直接蒸着された複合の位相シフト構造９１を備えた位相シフト・フォトマスク・ブランク９０を示している。
【００９２】
図１１ｂは、基板５０の表面の上に接触して蒸着された二重層の位相シフト構造１０１を備えた位相シフト・フォトマスク・ブランク１００を示している。二重層構造１０１は第１と第２の層１０２、１０３を含む。
【００９３】
図１１ｃは、基板５０の上に成長した多層の位相シフト構造１１１を備えた位相シフト・フォトマスク・ブランク１１０を示している。多層構造１１１は１０層の二重層１０２、１０３で構成される。
【００９４】
位相シフト・フォトマスク・ブランク９０、１００、１１０の各々の位相シフト構造９１、１０１、１１１は１４０ｎｍの厚さを有する。さらに、７０ｎｍの厚さを備えた抗反射クロム層の対９６と９７、１０６と１０７、１１６と１１７がそれぞれの位相シフト層構造９１、１０１、１１１の上に成長させられている。
【００９５】
図１２は図１１ａに示した実施例による単層の位相シフトの計算を示している。図１２から、１８０°の望ましい位相シフトが膜厚、それと同時に透過率を規定することが見てとれる。透過率は材料の光学定数を変えることによってのみ左右されることが可能である。したがって、構造設計に関してさらなる自由度は存在しない。
【００９６】
図１２では、異なる光学定数を備えた２つの材料に関する２つのプロット１２１と１２２が実線と破線によってそれぞれ示されている。それらのプロットから引き出すことができるように、それらの実施例に関して結果的に得られる膜厚は約８０ｎｍと約１００ｎｍであり、結果的に得られる透過率はそれぞれ約０．２７５と約０．１である。
【００９７】
図１３は図１１ｂに示した実施例による二重層の位相シフトの計算を示している。ここでは、第２の層１０３の膜厚は第１の層１０２の厚さに対する追加的な自由パラメータである。
【００９８】
図１３の左のプロットから、高い吸収性の層である第１の層１０２の厚さは所望の透過率に調整されることが可能であり、この実施例では約７０ｎｍの厚さで０．１が達成されることが見てとれる。
【００９９】
その後、１８０°の位相シフトを達成するために、低吸収性材料の成長層である第２の層１０３の厚さが調整される。図１３の右のプロットから見てとれるように、第２の層の厚さは約３０ｎｍに選択される。
【０１００】
２つの材料、すなわち第１の層１０２に関する目標透過率を調整するための高い吸収係数を備えた材料、および位相シフトを１８０°に調整するための第２の層１０３に関する低い吸収係数を備えた材料が使用される。この実施例では、吸収性の第１の層１０２についてはＳｉＮ、位相シフト用の第２の層１０３についてはＳｉＯ２が選択される。
【０１０１】
実施例３に関する蒸着パラメータ
層が比較的厚いので、以下のように高い蒸着パラメータが選択される。
一次原子：アルゴン１０ｓｃｃｍ
一次エネルギー：１３００ｅＶ
一次電流：３５０ｍＡ
背圧：２ｅ−８Ｔｏｒｒ
蒸着圧：１ｅ−４Ｔｏｒｒ
【０１０２】
スパッタ・ターゲット４０としてシリコンおよびクロムのターゲットが使用される。
ＳｉＮ層１０２は２２ｓｃｃｍの流量を使用して窒素でドープされ、ＳｉＯ２層１０３は１５ｓｃｃｍの流量を使用して酸素でドープされる。窒素は補助の供給源６０内でイオン化され、１００Ｖの加速電圧を使用して基板５０に向けて加速される。クロム層は図７に示したバイナリの実施例と同じである。
【０１０３】
実施例３の測定結果
図１４ａと１４ｂはＳｉＮおよびＳｉＯ２の層１０２、１０３の光学定数の測定した分散を示している。測定のためにＮ＆Ｋ分光光度計が使用された。
図１４ａはＳｉＯ２層１０３の屈折率１３１と減衰率１３２のプロットを示し、図１４ｂはＳｉＮ層１０２の屈折率１３３と減衰率１３４のプロットを示し、各々が光の波長の関数である。
１９３ｎｍに関する光学定数は次のように認められる。
【０１０４】
【表１】
2004246366.tif 000003
【０１０５】
これらの分散データを使用して、以下のパラメータで範例となる二重層の位相シフト・フォトマスク・ブランク１００が設計される。
ＳｉＮの厚さ：２７ｎｍ
ＳｉＯ２の厚さ：９２ｎｍ
相対透過率：６．２％
位相シフト：１８０°
【０１０６】
さらに、以下のパラメータで多層の位相シフト・フォトマスク・ブランク１１０が設計された。
各ＳｉＮ層の厚さ：１．６ｎｍ
各ＳｉＯ２層の厚さ：１２．７ｎｍ
二重層の数：１０
相対透過率：６．１％
位相シフト：１８０°
【０１０７】
両方の位相シフト・フォトマスク・ブランク１００、１１０で、位相シフトは直接測定されなかったが、測定した分散データと測定した膜厚を使用して算出された。高精度で膜厚を判定するためにグレージング入射のＸ線反射計が使用された。
【０１０８】
［実施例６，７］
この実施例のバックグラウンドは、ＥＵＶフォトマスク・ブランク又はフォトマスクのＥＵＶ光学特性に対する、アルゴンとキセノンのそれぞれのスパッタリングガスの違いを示すことに有る。
【０１０９】
キセノンとアルゴンの異なる原子量に関連して、両実施例において、およそ等しい被覆条件となる安定なプロセスパラメータを見つけることが必要である。
【０１１０】
それゆえ、実施例６において、キセノンは４，５ｓｃｃｍのスパッタガスとして用いられ、イオンビーム中の一次キセノンイオンのエネルギーはおよそ９００ｅＶであり、イオンビーム電流は約２００ｍＡに設定された。純粋なイオンビームを得るために堆積源における、背圧は２ｅ−８Ｔｏｒｒとされ、キセノンの分圧は１ｅ−４Ｔｏｒｒに設定された。実施例６において被覆されたプローブは５１のモリブデンとシリコンの二重層あるいは交互膜を含む。各層のペアが６．９９ｎｍの厚さを有する。この積層はＥＵＶミラーに相当し、１つのシリコンの１１ｎｍキャップ層によって被覆された。
【０１１１】
実施例７において、アルゴンが１０ｓｃｃｍのスパッタガスとして用いられ、イオンビーム中の一次アルゴンイオンのエネルギーはおよそ９００ｅＶであり、イオンビーム電流は約２００ｍＡに設定された。純粋なイオンビームを得るために堆積源における、背圧は２ｅ−８Ｔｏｒｒとされ、アルゴンの分圧は１ｅ−４Ｔｏｒｒに設定された。実施例７におけるプローブは、ＥＵＶミラーに相当する、４８のモリブデンとシリコンの二重層あるいは交互膜を含む。各層のペアが６．９２ｎｍの厚さを有する。この層のペアは、１つのシリコンの１１ｎｍキャップ層によって被覆された。
【０１１２】
図１５はスパッタリングプロセス時にキセノンとアルゴンを用いた場合の反射率における違いを示した図である。実線は実施例７（アルゴンスパッタ）の反射率曲線を示し、破線は実施例６（キセノンスパッタ）の反射率曲線を示す。キセノンを用いた実施例６のプローブは、アルゴンを用いた実施例7のプローブの反射レートよりも高い反射レートを持っている。
【０１１３】
発明者は、スパッタプロセス中にスパッタガスとしてキセノンを用いることによって、光学的、好ましくはフォトマスク・ブランクあるいはフォトマスクの光学的ＥＵＶ特性を改善することを見出した。
【０１１４】
本発明、好ましい実施形態および特許請求項に引用された事項のすべての特徴が互いに組み合わされることが可能であり、説明した実施例の多くの詳細が本発明の範囲から逸脱することなく変更され得ることは当業者にとって明らかである。
【図面の簡単な説明】
【０１１５】
【図１】本発明による装置の概略の構成を示す図である。
【図２】ＥＵＶフォトマスク・ブランク（実施例１）の概略の断面を示す図である。
【図３ａ】実施例１によるフォトマスク・ブランクの反射率測定の結果を示す図である。
【図３ｂ】実施例１によるフォトマスク・ブランクの反射率測定の結果を示す図である。
【図３ｃ】実施例１によるフォトマスク・ブランクの反射率測定の結果を示す図である。
【図４】実施例１によるフォトマスク・ブランクの断面の透過型電子顕微鏡画像を示す図である。
【図５】１０層の二重層（左側縦列）と４０層の二重層（右側縦列）の積層の表面画像を示す図である。
【図６】３０層および５０層の二重層をそれぞれ備えた２つのＥＵＶフォトマスク・ブランクの反射率測定の結果を示す図である。
【図７】バイナリ・フォトマスク・ブランク（実施例２）の概略の断面を示す図である。
【図８】実施例２によるバイナリ・フォトマスク・ブランクの光学密度の測定の結果を波長の関数として示す図である。
【図９】実施例２によるバイナリ・フォトマスク・ブランクの反射率測定の結果を波長の関数として示す図である。
【図１０】実施例２によるバイナリ・フォトマスク・ブランクの反射率測定の結果を二次元輪郭プロットで示す図である。
【図１１ａ】複合型位相シフト・フォトマスク・ブランク（実施例３）の概略の断面を示す図である。
【図１１ｂ】二重層型位相シフト・フォトマスク・ブランク（実施例４）の概略の断面を示す図である。
【図１１ｃ】多層型位相シフト・フォトマスク・ブランク（実施例５）の概略の断面を示す図である。
【図１２】単層の位相シフト・フォトマスク・ブランクの位相と透過率の算出結果を膜厚の関数として示す図である。
【図１３】二重層の位相シフト・フォトマスク・ブランクの位相と透過率の算出結果を膜厚の関数として示す図である。
【図１４ａ】ＳｉＯ２の波長分散の測定結果を示す図である。
【図１４ｂ】ＳｉＮの波長分散の測定結果を示す図である。
【図１５】スパッタガスとしてそれぞれ、アルゴンまたはキセノンを伴う、２つのＥＵＶフォトマスク・ブランクの反射率測定の結果を示す図である。
【図１】
2004246366.tif 000004
【図２】
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【図３ａ】
2004246366.tif 000006
【図３ｂ】
2004246366.tif 000007
【図３ｃ】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１ａ】
2004246366.tif 000016
【図１１ｂ】
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【図１１ｃ】
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【図１２】
2004246366.tif 000019
【図１３】
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【図１４ａ】
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【図１４ｂ】
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【図１５】
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