(57)【要約】【課題】本発明は、高周波信号による容量変化が小さくかつ、直流バイアスによる容量変化は大きく、小型な可変容量コンデンサ及びそれを用いた高周波部品を提供する。【解決手段】支持基板１上に、入力電極４ａと偶数番目の接続電極３ｂ、３ｄ・・を、奇数番目の接続電極３ａ、３ｃ・・と出力電極とを互いに平行となるように配列し、薄膜誘電体層２を直列接続するように配置し、入力電極４ａと偶数番目の接続電極３ｂ、３ｄ・・どうし、奇数番目の接続電極３ａ、３ｃ・・と出力電極とどうしが接続するようにインピーダンス素子５を配置した。【選択図】  図１
2004241440.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ｎ個の薄膜誘電体層、入力電極、ｎ−１個の接続電極及び出力電極を有するとともに、前記各薄膜誘電体層が前記各電極のいずれかの２つ電極に挟持され、且つ直列的に接続するｎ個の可変容量素子と、前記可変容量素子に制御電圧を供給するためのｎ−１個のインピーダンス素子とから構成される可変容量コンデンサであって、
前記接続電極、前記薄膜誘電体層を前記入力電極側に近い側から第１の接続電極、第２の接続電極・・・・第ｎ−１の接続電極及び第１の薄膜誘電体層、第２の薄膜誘電体層・・・・第ｎの薄膜誘電体層とした時、
支持基板上に、
前記入力電極及び偶数番目の接続電極を一直線上に配列し、且つ奇数番目の接続電極及び前記出力電極を、前記一直線に平行する直線上に配列するとともに、
前記第１の薄膜誘電体層を入力電極と第１の接続電極との間に、
前記第ｎの薄膜誘電体層を第（ｎ−１）の接続電極と出力電極との間に
及び前記第Ｍ＋１の薄膜誘電体層を、第Ｍの接続電極と第（Ｍ＋１）の接続電極との間にそれぞれ配置し、
前記インピーダンス素子を、前記入力電極と偶数番目の接続電極同士との間に、及び奇数番目の接続電極同士と前記出力電極との間に配置したことを特徴とする可変容量コンデンサ。
但し、ｎ＝２ｍ＋１
ｍ＝１、２、３・・・のいずれかの整数
１＜Ｍ＜ｎ−１
【請求項２】
前記入力電極、前記出力電極及び前記接続電極が、全体として概略矩形状に配列されていることを特徴とする請求項１記載の可変容量コンデンサ。
【請求項３】
前記ｎ個の薄膜誘電体薄膜が、平面視一直線上に配置されていることを特徴とする請求項１記載の可変容量コンデンサ。
【請求項４】
前記インピーダンス素子は、抵抗成分を有することを特徴とする請求項１記載の可変容量コンデンサ。
【請求項５】
前記インピーダンス素子は、インダクタンス成分を有することを特徴とする請求項１記載の可変容量コンデンサ。
【請求項６】
前記入力電極は、それぞれ高周波信号の信号入力端子と直流の制御電圧入力端子とを共用していることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか記載の可変容量コンデンサ。
【請求項７】
前記出力電極は、それぞれ高周波信号及び直流制御電圧の基準電位端子としていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか記載の可変容量コンデンサ。
【請求項８】
前記支持基板は、誘電率３０未満の低誘電率材料からなることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか記載の可変容量コンデンサ。
【請求項９】
前記支持基板は、ＭｇＯ、アルミナ、サファイア、ＬａＡｌＯ３のいずれかからなることを特徴とする請求項８記載の可変容量コンデンサ。
【請求項１０】
前記薄膜誘電体層は、（Ｂａｘ，Ｓｒ１−ｘ）ｙＴｉ１−ｙＯ３−ｚからなることを特徴とする請求項１記載の可変容量コンデンサ。
【請求項１１】
前記入力電極、前記接続電極及び前記出力電極は、Ａｕ、Ｐｔ、Ａｌ、Ｃｕのいずれかの金属からなることを特徴とする請求項１の可変容量コンデンサ。
【請求項１２】
前記インピーダンス素子は、Ｎｉ−Ｃｒ合金あるいはＦｅ−Ｃｒ−Ａｌ合金を含む高抵抗合金薄膜から成ることを特徴とする請求項４に記載の可変容量コンデンサ。
【請求項１３】
前記インピーダンス素子は、酸化物導電体材料、窒化物導電体材料又は半導体材料からなる抵抗素子であることを特徴とする請求項４の可変容量コンデンサ。
【請求項１４】
前記インピーダンス素子は、Ａｕ、Ｐｔ、Ｔｉのいずれかを含むなどの貴金属薄膜を有するインダクタ素子であることを特徴とする請求項５の可変容量コンデンサ。
【請求項１５】
前記インピーダンス素子は、Ｎｉ、Ｆｅなどの強磁性体薄膜を有するインダク素子であることを特徴とする請求項５記載の可変容量コンデンサ。
【請求項１６】
前記インピーダンス素子は、直線状、ループ状、ミアンダ状、あるいはスパイラル状であることを特徴とする請求項１２乃至請求項１５記載の可変容量コンデンサ。
【請求項１７】
請求項１記載の可変容量コンデンサに、共振回路素子を接続したことを特徴とする高周波部品。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、一対電極間に薄膜誘電体層を形成した可変容量素子が、奇数個の互いに直列接続するとともに、各可変容量素子に対して共通の制御電圧を印加できる可変容量コンデンサに関して、特に、小型化が極めて容易な可変容量コンデンサに関するものである。
【０００２】
【従来技術】
従来、薄膜コンデンサは、一対の電極と、その電極間に薄膜誘電体層を配置して形成される。即ち支持基板上に下部電極層、薄膜誘電体層、上部電極層を積層して形成していた。また、別の構造としては、支持基板上に薄膜誘電体層の一方端部に接続した一方の電極層、薄膜誘電体層の他方端部に接続する他方の電極層を形成していた。
【０００３】
通常、支持基板は、電気絶縁性の優れた材料が用いられ、下部電極層、上部電極層、一方電極及び他方電極は、スパッタ法、蒸着法、イオンプレ−ティング法などの薄膜技法により形成されていた。即ち、支持基板全体に電極層となる導体層を形成し、フォトリソグラフィを用いて、例えば必要部のみレジストで覆い、その後、ドライエッチングあるいはウェットエッチングを行い、不要部を除去して所定形状の各電極層を形成し、レジスト膜を剥離して形成していた。
【０００４】
また、薄膜誘電体層は、スパッタ、ゾルゲル法などの薄膜技法で形成されていた。電極層が形成された支持基板上に、薄膜誘電体層を全面に形成し、下部電極層と同様に、不要部を除去し所定形状の誘電体層を形成する。
【０００５】
尚、電極層は、薄膜コンデンサの構造によって、例えば、支持基板上に形成する以外に、薄膜誘電体上に形成する場合もあり得る。
【０００６】
その後、保護膜層やハンダ端子部を形成していた。
【０００７】
ここで、可変容量素子では、薄膜誘電体層の材料として（Ｂａｘ，Ｓｒ１−ｘ）ｙＴｉ１−ｙＯ３−ｚを用いて、同時にこの薄膜誘電体層を挟む一対電極間に制御電圧を与えることにより、薄膜誘電体層の誘電率が変化して、その結果、可変容量素子の容量値を任意に変化させることができる。例えば特許文献（特開平１１−２６０６６７号）に開示されている。
【０００８】
可変容量素子の容量値の変化は、高周波領域にも及び高周波動作する高周波回路にも広く利用できる。たとえば、可変容量素子と共振回路素子（フィルタ回路の一部）とを用いて、可変容量素子の容量変化を利用して共振周波数特性やフィルタ特性を可変調整することもできる。例えば、可変容量素子と薄膜インダクタを組み合わせた電圧制御型薄膜共振器では、制御電圧の制御により共振周波数を変化させることができる。また、可変容量素子または電圧制御型薄膜共振器と薄膜インダクタ、薄膜コンデンサを組み合わせた電圧制御型薄膜帯域通過フィルタでは、制御電圧を制御することにより、通過帯域を変化させることができる。マイクロ波用の電圧制御型電子部品に関して例えば特許文献２（特表平８−５０９１０３号）に開示されている。
【０００９】
また、可変容量素子を高周波用電子部品で用いる場合、可変容量素子に容量可変を目的として印加する制御電圧と、高周波回路の高周波信号の電圧（高周波電圧）成分が同時に印加されることになる。これにより、高周波電圧が高い場合は高周波電圧によっても可変容量素子の容量値が変化するようになる。この場合には、高周波電圧による容量可変素子の容量変化が発生し、波形歪、相互変調歪みノイズが生じてしまう。波形歪、相互変調歪みノイズを小さくするためには高周波電界強度を下げ高周波電圧による容量変化を小さくする必要がある。
【００１０】
また、高周波信号ではコンデンサには電流が流れやすくなるため、コンデンサを高周波信号での使用において、コンデンサの損失抵抗によりコンデンサが発熱し、その結果、破壊してしまう。
【００１１】
これらの高周波電界強度を下げ高周波電圧による容量変化、耐電圧の劣化に対しては、薄膜誘電体層の厚みを厚くすることが有効である。しかし、誘電体層の厚みを厚くすると直流電界強度も小さくなるため容量変化率も下がってしまう。
【００１２】
また、別の解決方法としては、可変容量素子を複数積層して、各可変容量素子を直列接続することが考えられる。しかし、このように積層構造で可変容量素子を直列接続すると、各容量素子に印加される制御電圧が均一印加されず、直列接続された可変容量素子の薄膜誘電体層で誘電率のバラツキが発生して、全体の容量値の変化量が狭まってしまう。
【特許文献１】
特開平１１−２６０６６７号公報
【特許文献２】
特表平８−５０９１０３号公報
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】
支持基板上に、複数の可変容量素子を配置して、各可変容量素子を直列接続し、各電極層にそれぞれ共通の制御電圧を印加する構造が考えられる。しかし、このような構造の場合には、支持基板上に電極層、薄膜誘電体層からなる可変容量素子を形成し、さらに、制御電圧を均一に印加するためのバイアスラインが必要となる。即ち、支持基板上でたいへん複雑な構造となり、しかも、可変容量素子の直列数が増加すればその構造が複雑化してしまう。
【００１４】
即ち、近年この種の部品で要求される小型化に対応できなくなる。
【００１５】
本発明は上述の課題に鑑みて案出されたものであり、その目的は、支持基板上に直列接続された容量素子を簡潔な構造で形成し、高周波信号による容量変化が小さく、かつ制御信号による大きな容量変化が得られ、しかも小型化が可能な可変容量コンデンサを提供することにある。
【００１６】
また、別の目的は、上述の可変容量コンデンサを用いて、相互変調低歪みを実現し、耐電力、耐電圧に優れ、温度特性の良い高周波用電圧制御型薄膜共振器、電圧制御型薄膜高周波フィルタ、電圧制御型整合回路素子および電圧制御型薄膜アンテナ共用器などの高周波部品を提供することにある。
【００１７】
【課題を解決するための手段】
本発明は、ｎ個の薄膜誘電体層、入力電極、ｎ−１個の接続電極及び出力電極を有するとともに、前記各薄膜誘電体層が前記各電極のいずれかの２つ電極に挟持され、且つ直列的に接続するｎ個の可変容量素子と、前記可変容量素子に制御電圧を供給するためのｎ−１個のインピーダンス素子とから構成される可変容量コンデンサであって、
前記接続電極、前記薄膜誘電体層を前記入力電極側に近い側から第１の接続電極、第２の接続電極・・・・第ｎ−１の接続電極及び第１の薄膜誘電体層、第２の薄膜誘電体層・・・・第ｎの薄膜誘電体層とした時、
支持基板上に、
前記入力電極及び偶数番目の接続電極を一直線上に配列し、且つ奇数番目の接続電極及び前記出力電極を、前記一直線に平行する直線上に配列するとともに、
前記第１の薄膜誘電体層を入力電極と第１の接続電極との間に、
前記第ｎの薄膜誘電体層を第（ｎ−１）の接続電極と出力電極との間に
及び前記第Ｍ＋１の薄膜誘電体層を、第Ｍの接続電極と第（Ｍ＋１）の接続電極との間にそれぞれ配置し、
前記インピーダンス素子を、前記入力電極と偶数番目の接続電極同士との間に、及び奇数番目の接続電極同士と前記出力電極との間に配置したことを特徴とする可変容量コンデンサである。
（ただし  ｎ＝２ｍ＋１、ｍ＝１、２、３・・・のいずれかの整数、１＜Ｍ＜ｎ−１）。
【００１８】
また、前記入力電極、前記出力電極及び前記接続電極が、全体として概略矩形状に配列されている。
【００１９】
また、前記入力電極、出力電極、第１及び第２の接続電極からなる電極パターンの全体形状が、概略矩形状である。しかも、前記ｎ個の薄膜誘電体薄膜が、平面視一直線上に配置されている。
【００２０】
また、前記入力電極は、それぞれ高周波信号の信号入力端子と直流の制御電圧入力端子とを共用している。そして、出力電極は、それぞれ高周波信号及び直流制御電圧の基準電位端子としている。
【００２１】
前記支持基板は、誘電率３０未満の低誘電率材料であり、ＭｇＯ、アルミナ、サファイア、ＬａＡｌＯ３のいずれかからなっている。
【００２２】
前記薄膜誘電体層は、（Ｂａｘ，Ｓｒ１−ｘ）ｙＴｉ１−ｙＯ３−ｚからなる。
【００２３】
前記入力電極、前記接続電極及び前記出力電極は、Ａｕ、Ｐｔ、Ａｌ、Ｃｕのいずれかの金属からなる。
【００２４】
また、インピーダンス素子は、抵抗成分であり、または、インダクタンス成分である。
【００２５】
好ましくは、インピーダンス素子が抵抗成分を有しており、その抵抗成分は、Ｎｉ−Ｃｒ合金あるいはＦｅ−Ｃｒ−Ａｌ合金を含む高抵抗合金薄膜で構成されている。また、酸化物導電体材料、窒化物導電体材料又は半導体材料で構成されている。
【００２６】
また好ましくは、インピーダンス素子がインダクタンス成分を有しており、Ａｕ、Ｐｔ、Ｔｉのいずれかを含むなどの貴金属薄膜を有するインダクタ素子である。つまり、Ｎｉ、Ｆｅなどの強磁性体薄膜で構成されている。しかも、その形状は、直線状、ループ状、ミアンダ状、あるいはスパイラル状である。
【００２７】
さらに、上述の可変容量コンデンサに、共振回路素子を接続した高周波部品である。
【作用】
本発明の可変容量コンデンサは、入力電極と、接続電極のうち偶数番目の各接続電極が一直線上に配列されており、接続電極のうち奇数番目の各接続電極が一直線上に配列されている。そして各配列は、互いに平行になるように形成され、その間に制御電圧によって誘電体率が変化する薄膜誘電体層が配置されている。即ち、この薄膜誘電体層も配列状況は、一直線上に配置されることになる。また、インピーダンス素子は、一直線上に配列された入力電極と、接続電極のうち偶数番目の各接続電極の間に接続されるように、また、一直線上に配列された出力電極と、接続電極のうち奇数番目の各接続電極の間に接続されるように形成される。
【００２８】
即ち、接続電極、薄膜誘電体層、インピーダンス素子は、直列接続する可変容量素子の素子数にかかわらず、規則正しく配列されるため、支持基板上に直列接続され、且つ各可変容量素子に制御電圧が均一印加される構造を効率よく形成でき、支持基の形状を極小化させることができる。
【００２９】
このような構造から、直列接続する可変容量素子に印加される高周波電圧がそれぞれの容量素子に分圧されるので、個々の容量素子に印加される電圧は減少する。このことから、高周波信号による容量の変化は小さく抑えることが出来る。また、インピーダンス素子を設けることにより、直流の制御電圧は、各々の薄膜誘電体層に独立に印加することができるため、制御電圧による容量の変化は大きく保つことができる。
【００３０】
もって、高周波信号による容量変化が小さく、かつ制御信号による大きな容量変化が得られ、しかも小型化が可能な可変容量コンデンサを提供することができる。
【００３１】
また、インピーダンス素子が少なくとも抵抗成分及びまたはインダクタンス成分からなるため、インピーダンス素子に高周波信号が入り込むことはなく、高周波信号を直列接続した各可変容量素子で、その電圧を分圧させ、信号電圧による容量変化が小さくすることができる。
【００３２】
また、直流電流（制御電圧）は各可変容量素子が直流制限抵抗として動作するため、各可変容量素子には流れない。即ち、接続電極、インピーダンス素子を介して各可変容量素子に印加されるものであり、この直流的には並列接続される可変容量素子となり、制御電圧の電圧降下は発生せず、容量変化を大きく維持できる。
【００３３】
また入力電極、出力電極及び接続電極の全体形状が概略矩形状に配列されているため、支持基板に占める電極の割合を高めることができる。このため、取り扱いに容易で小型な可変容量コンデンサとなる。
【００３４】
また、可変容量コンデンサの入力電極を高周波の入力端子と直流の制御電圧の入力端子を共通化しているため、端子数が減少して、これによって小型化が容易となる。
【００３５】
また、前記入力電極は、それぞれ高周波信号の信号入力端子と直流の制御電圧入力端子とを共用している。そして、出力電極は、それぞれ高周波信号及び直流制御電圧の基準電位端子としている。
【００３６】
さらに、前記支持基板は、誘電率３０未満の低誘電率材料であり、ＭｇＯ、アルミナ、サファイア、ＬａＡｌＯ３のいずれかからなっているため、電極層との密着性、薄膜誘電体層との密着性が良く、薄膜誘電体層の誘電率に影響を及ぼさないため可変容量コンデンサの容量変化率を最大限に利用できる。しかも、ＭｇＯ、アルミナ、サファイア、ＬａＡｌＯ３は、耐熱性にすぐれ、高温プロセスによる電極層、薄膜誘電体層などを形成することができる。
【００３７】
薄膜誘電体層は、（Ｂａｘ，Ｓｒ１−ｘ）ｙＴｉ１−ｙＯ３−ｚからなるため、制御電圧を与えて可変容量素子として利用することができる、容量変化率が大きく損失が小さい可変容量コンデンサを作製することが出来る。
【００３８】
前記入力電極、前記接続電極及び前記出力電極は、Ａｕ、Ｐｔ、Ａｌ、Ｃｕのいずれかの金属からなるため、電極層の低抵抗が実現でき、高Ｑ化が可能となる。
【００３９】
また、インピーダンス素子は、抵抗成分であり、または、インダクタンス成分である。
【００４０】
好ましくは、インピーダンス素子が抵抗成分を有しており、その抵抗成分は、Ｎｉ−Ｃｒ合金あるいはＦｅ−Ｃｒ−Ａｌ合金を含む高抵抗合金薄膜で構成されている。また、酸化物導電体材料、窒化物導電体材料又は半導体材料で構成されている。
【００４１】
また、前記インピーダンス素子の全てまたは一部がＮｉ−Ｃｒ合金あるいはＦｅ−Ｃｒ−Ａｌ合金などの高抵抗合金薄膜からなることを特徴とする薄膜コンデンサ素子で、高抵抗の合金薄膜を用いることで、短い抵抗線でも高抵抗が達成でき、小型化、低コスト等の可変容量コンデンサを作製することが出来る。
【００４２】
また、インピーダンス素子の全てまたは一部がＡｕ、Ｐｔなどの貴金属薄膜からなり、金属薄膜をスパッタ法、蒸着法などでごく薄く成膜した場合、完全な膜にはならず、微小な島状の金属塊からなる膜質の悪い膜になり、膜厚が薄くなると抵抗値が急激に高くなる。この性質を用いて、抵抗率の小さな貴金属類を用いることで、高抵抗で耐酸化性に優れたインピーダンス成分を有する導体膜が得られる。
【００４３】
また、前記インピーダンス素子の全てまたは一部がＮｉ、Ｆｅ等の強磁性体薄膜からなる。このことから、強磁性体では透磁率μが大きいため、δ＝１／√（πｆμσ）で表わされる表皮深さが常磁性体よりも小さくなる傾向がある。（ただし、ｆは周波数、σは伝導率である。）このため、機械的に安定な厚みの膜を作製しても、高周波では表皮深さが薄くなり、抵抗が高くなるため高抵抗の膜を作製できる。
【００４４】
また、前記インピーダンス素子の全てまたは一部が酸化物伝導体、窒化物導伝体または半導体からなる。このことにより絶縁層または支持基板との密着性の良いインピーダンス素子を作製することができる。
【００４５】
また好ましくは、インピーダンス素子がインダクタンス成分を有しており、Ａｕ、Ｐｔ、Ｔｉのいずれかを含むなどの貴金属薄膜を有するインダクタ素子である。しかも、その形状は、直線状、ループ状、ミアンダ状、あるいはスパイラル状である。即ち、インピーダンス素子を直線状とすることよりインピーダンス素子にインダクタンス成分を具備させることができ、インピーダンス成分とした時と同様の効果が得られる。
【００４６】
さらに、上述の可変容量コンデンサに、共振回路素子を接続した高周波部品である。即ち、可変容量コンデンサは集積化、小型化等が容易なため、フィルタやデュプレクサなどの高周波部品に用いることが容易となり、安定した特性の可変制御が可能で、しかも小型化に寄与できる。
【００４７】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の可変容量コンデンサを図面に基づいて説明する。
【００４８】
図１は本発明のうち最も構成が簡単なｎ＝３個（ｍ＝１の時）の可変容量素子Ｃ１〜Ｃ３を有する可変容量コンデンサの等価回路図であり、図２は、各可変容量素子を抵抗成分と見なした時の等価回路図であり、図３は、保護膜、外部端子部材を省略した状態の概略平面図である。
【００４９】
本発明の可変容量コンデンサは、図３に示すように、ｎ＝３個（ｍ＝１の時）の可変容量素子Ｃ１〜Ｃ３においては、可変容量コンデンサでは、ｎ＝３個の薄膜誘電体層２ａ〜２ｃ（総じて符号２と記す）と、１つの入力電極４ａ、ｎ−１＝２個の接続電極３ａ、３ｂ（総じて符号３と記す）と、１つの出力電極４ｂと、さらに、ｎ−１個＝２個のインピーダンス素子５ａ、５ｂ（総じて符号５と記す）とで構成される。尚、入力電極４ａに接続している側または入力電極４ｂに近い側から夫々第１、第２と定義する。
【００５０】
図３の構造を図１の等価回路に示す第１の可変容量素子Ｃ１は、入力電極４ａと第１の接続電極３ａと、その両電極４ａ、３ａ間に配置された第１の薄膜誘電体層２ａで構成される。また、第２の可変容量素子Ｃ２は、第１の接続電極３ａと第２の接続電極３ｂと、その電極３ａ、３ｂ間に配置された第２の薄膜誘電体層２ｂで構成される。第３の可変容量素子Ｃ３は、第２の接続電極３ｂと出力電極４ｂと、その電極３ｂ、４ｂとの間に配置された第３の薄膜誘電体層２ｃとで構成される。
【００５１】
また、インピーダンス素子Ｚ１は、入力電極４ａと第２の接続電極３ｂとの間に配置された第１のインピーダンス素子５ａで構成され、インピーダンス素子Ｚ２は、第１の接続電極３ａと出力電極４ｂとの間に配置された第２のインピーダンス素子５ｂで構成されている。
【００５２】
また、図１の入力端子Ｉは入力電極４ａである。この入力電極４ａは、第１の可変容量素子Ｃ１の一方電極であり、且つ第１のインピーダンス素子Ｚ１の一方電極となり、接続点Ａ１に相当する。
接続点Ｂ１は、第１の接続電極３ａである。この第１の接続電極３ａは、第１の可変容量素子Ｃ１の他方電極、第２の可変容量素子Ｃ２の一方電極及び第２のインピーダンス素子Ｚ２の一方電極となる。
接続点Ａ２は、第２の接続電極３ｂである。この第２の接続電極３ｂは、第２の可変容量素子Ｃ２の他方電極、第３の可変容量素子Ｃ３の一方電極及び第１のインピーダンス素子Ｚ１の他方電極となる。
【００５３】
出力端子Ｏは出力電極４ｂである。この出力電極４ｂは、第３の可変容量素子Ｃ３の他方電極であり、且つ第２のインピーダンス素子Ｚ２の他方電極となる。
【００５４】
即ち、第１の可変容量素子Ｃ１〜第３の可変容量素子Ｃ３は、互いに直列接続されており、入力端子１である接続点Ａ１と接続点Ａ２との間に、第１のインピーダンス素子Ｚ１が配置されている。尚、等価回路上、第１のインピーダンス素子Ｚ１を含む接続ラインを入力側バイアスラインＶ１とする。また、接続点Ｂ１と出力端子Ｏである接続点Ｂ２との間に、第２のインピーダンス素子Ｚ２が配置されている。この第２のインピーダンス素子Ｚ２を含む接続ラインを出力側バイアスラインＶ２とする。
【００５５】
そして、入力端子Ｉに供給される高周波信号は、直列に接続した可変容量コンデンサＣ１〜Ｃ３を介して出力端子Ｏに流れることになる。
また、入力端子Ｉに供給される制御電圧であるＤＣバイアスは、各可変容量コンデンサＣ１〜３に別々に独立に印加されることになる。そして、この制御電圧によって、各可変容量素子Ｃ１〜Ｃ３の薄膜誘電体層２の誘電率が変化して、所定容量値に制御される。ここで、各可変容量素子Ｃ１〜Ｃ３は、直流成分に対して制限抵抗として見なすことができるため、図２の等価回路図に見なすことができる。即ち、可変容量素子Ｃ１〜Ｃ３はそれぞれ抵抗成分Ｒｐ１、Ｒｐ２、Ｒｐ３となる。また、第１のインピーダンス素子Ｚ１、第２のインピーダンス素子Ｚ２の抵抗成分をＲ１、Ｒ２とする。
【００５６】
抵抗Ｒ１及び抵抗Ｒ２のインピーダンス成分が小さすぎると、高周波信号も抵抗Ｒ１、抵抗Ｒ２を流れることになり、高周波信号による可変容量素子Ｃ２の容量変化の依存が大きくなり、Ｑが低下する。
【００５７】
また、抵抗Ｒ１、Ｒ２のインピーダンス成分が大きすぎると時定数が大きくなり、制御電圧を印加後に各可変容量素子の容量変化が一定になるまでに時間が掛かるようになる。このため、可変容量コンデンサの回路の使用条件に応じて抵抗成分が決定される。
【００５８】
抵抗成分Ｒ１、Ｒ２の上限値は、直列接続した各可変容量素子Ｃ１〜Ｃ３にかかる電圧がバイアスラインの無い場合よりも大きくなる抵抗値を上限とする。バイアス電圧は図２の抵抗により分圧されるので、
可変容量素子Ｃ１について考えると、
Ｒｐ１／（Ｒ２＋Ｒｐ１）＞Ｒｐ１／（Ｒｐ１＋Ｒｐ２＋Ｒｐ３）が必要となり、Ｒ２＜Ｒｐ２＋Ｒｐ３となるようにする。
同様に、可変容量素子Ｃ２について考えると
Ｒｐ２／（Ｒ１＋Ｒ２＋Ｒｐ２）＞Ｒｐ２／（Ｒｐ１＋Ｒｐ２＋Ｒｐ３）が必要となり、Ｒ１＋Ｒ２＜Ｒｐ１＋Ｒｐ３となるようにする。
同様に、可変容量素子Ｃ３について考えると
Ｒｐ３／（Ｒ１＋Ｒｐ３）＞Ｒｐ３／（Ｒｐ１＋Ｒｐ２＋Ｒｐ３）が必要となり、Ｒ１＜Ｒｐ２＋Ｒｐ３となるようにする。
ここでＲ１＝Ｒ２＝Ｒ、Ｒｐ１＝Ｒｐ２＝Ｒｐ３＝Ｒｐ＝１ＧΩとすると
Ｒ＜Ｒｐ＝１ＧΩ
が得られる。各可変容量素子Ｃ１〜Ｃ３にかかるバアイス電圧が１／１０になる抵抗値を限界とすると、Ｒ＜１００ＭΩとなる。
また、時定数の４倍が応答時間より小さいことを要求すると、
Ｔ＜４×２×ＲＣよりＲ＜Ｔ／８Ｃとなり、ここで応答時間１０μｓ、容量２ｐＦとすると
Ｒ＜１０×１０−６／８×（２×１０−１２）＝６２５ｋΩ
となる。仮に、応答時間がｍｓ程度でよければ上限は６２ＭΩ程度となる。
【００５９】
また、抵抗成分Ｒ１、Ｒ２の下限については、
高周波回路で動作する高周波信号に対して直列の可変容量素子Ｃ１〜Ｃ３であるためには、
抵抗Ｒ１より第１の可変容量素子Ｃ１のインピーダンスと第２の可変容量素子Ｃ２のインピーダンスの合成インピーダンスが小さくなる周波数が使用周波数より小さく、また、抵抗Ｒ２よりＣ２＋Ｃ３の合成インピーダンスが小さくなる周波数が使用周波数より小さい必要がある。
即ち、Ｒ１＞（Ｃ１＋Ｃ２）／（ω×Ｃ１×Ｃ２）
Ｒ２＞（Ｃ２＋Ｃ３）／（ω×Ｃ２×Ｃ３）
ここでＲ１＝Ｒ２＝Ｒ、Ｃ１＝Ｃ２＝Ｃ３＝２ｐＦ、使用周波数を２ＧＨｚとすると
Ｒ＞２Ｃ／ωＣ２＝２／ωＣ＝８０Ω
また、使用周波数の１／１０までコンデンサであるためには、Ｒ＞８００Ωが必要となる。
【００６０】
以上より第１のインピーダンス素子Ｚ１、第２のインピーダンス素子Ｚ２を含むバイアスラインの抵抗値は、数１００Ωから１００ＭΩ程度の範囲であればよいことになる。
【００６１】
図１、図２の等価回路で説明した可変容量コンデンサは、その入力電極４ａ、出力電極４ｂ、接続電極３、薄膜誘電体層２、インピーダンス素子５の配列は図３のように配置することができる。尚、図３では、その上面に、入力電極４ａ、出力電極４ｂの一部を露出する保護膜が被覆されるが、接続状態が明確にするため、保護膜を省略している。
【００６２】
図３において１は支持基板であり、２は薄膜誘電体層（第１の誘電体を２ａ、第２の薄膜誘電体層を２ｂ、第３の薄膜誘電体層を２ｃ）であり、３は接続電極（第１の接続電極を３ａ、第２の接続電極を３ｂ）であり、４は外部接続の入出力電極（入力電極４ａ、出力電極を４ｂ）であり、５はインピーダンス素子（第１のインピーダンス素子を５ａ、第２のインピーダンス素子を５ｂ）である。尚、入出力電極４上には、半田などの端子部を設けられる。
【００６３】
図中Ｃ１〜Ｃ３は、直流の制御電圧によって容量成分を調整できる可変容量素子を示す。
【００６４】
支持基板１はアルミナなどのセラミック基板、サファイアなどの単結晶基板などである。そして、支持基板１の表面には、薄膜誘電体層２が形成されて、この薄膜誘電体層２の一方電極及び他方電極になるように、入力電極４ａ、出力電極４ｂ及び第１の接続電極３ａ、第２の接続電極３ｂが形成される。各電極４ａ、４ｂ、３ａ及び３ｂの配列について説明する。
支持基板１の図面の上部側には、入力電極４ａ及び偶数番目、即ち、第２の接続電極３ｂが一直線上に配列されている。
また、支持基板１の図面の下部側に、奇数番目、即ち、第１の接続電極３ａ及び出力電極４ｂが直線上に配列されている。そして両者の間隔を跨ぐように３つの薄膜誘電体層２ａ〜２ｃが配置されている。この３つの薄膜誘電体層２ａ〜２ｃについても、上述の各配列に平行に配置されている。具体的には、前記第１の薄膜誘電体層２ａは、入力電極４ａと第１の接続電極３ａとの間に配置され、ｎ＝３である第３の薄膜誘電体層２ｃは、第（ｎ−１）である第２の接続電極３ｂと出力電極４ｂとの間に配置され、第Ｍ＋１である第２の薄膜誘電体層２ｂは、Ｍである第１の接続電極３ａと第Ｍ＋１である第２の接続電極３ｂとの間に配置されている。
【００６５】
また、第１のインピーダンス素子５ａは、入力電極と偶数番目の接続電極同士とを接続するように、即ち、図３では、入力電極４ａと第２の接続電極３ｂとを接続するように配置されている。第２のインピーダンス素子５ｂは、奇数番目の接続電極同士及び出力電極とを接続するように、即ち、図３では、第１の接続電極３ａと出力電極４ｂとを接続するように配置されている。
このように、支持基板１の上部側の電極群（入力電極４ａと第２の接続電極３ｂ）と下部側の電極群（第１の接続電極３ａと出力電極４ｂ）とが平行に配列され、しかも、各電極が実質的に矩形状とすることにより、両電極群の外形形状を概ね矩形状とすることができる。即ち、矩形状の支持基板１と実質的に相似形状とすることが可能であるため、支持基板１の専有面積を有効に活用できる。しかも、薄膜誘電体層２及びインピーダンス素子５ａ、５ｂも実施に両電極群の配列方向に沿って形成できるため、支持基板１を高密度化することができる。
【００６６】
そして、上述の等価回路を構造に展開した時に、複雑化するインピーダンス素子Ｚ１、Ｚ２を含むバイアスラインＶ１、Ｖ２をも、簡単な構造で達成することができる。即ち、入力端子側のバイアスラインＶ１は、第１のインピーダンス素子５ａ及び第１のインピーダンス素子５ａが接続される入力電極４ａと第２の接続電極３ｂとで形成されることができ、出力側のバイアスラインＶ２は、第２のインピーダンス素子５ｂ及び第２のインピーダンス素子５ｂが接続される第１の接続電極３ａと出力電極４ｂとで構成することができる。
【００６７】
このように可変容量コンデンサは、支持基板１上の全面に同一バッチで形成できるという利点も有している。まず、支持基板１上に、薄膜誘電体層２をスパッタリングにより形成し、その後、フォトリソグラフィを用いて所定形状に物理的または化学的にエッチングして、第１〜第３の薄膜誘電体層２ａ〜２ｃを形成する。続いて、各電極とする電極層をスパッタリングにより形成し、その後フォトリソグラフィを用いて所定形状に物理的または化学的にエッチングする。これにより、薄膜誘電体層２ａ〜２ｃの端部に接続する入力電極４ａ、第１の接続電極３ａ、第２の接続電極３ｂ、出力電極４ｂを形成する。その後、インピーダンス素子５ａ、５ｂとなる所定材料をスパッタリングにより形成し、フォトリソグラフィを用いて所定形状に物理的エッチングして形成する。
【００６８】
薄膜誘電体層２ａ、２ｂ、２ｃは、少なくともＢａ、Ｓｒ、Ｔｉを含有するペロブスカイト型酸化物結晶粒子から成る高誘電率の誘電体層である。この薄膜誘電体層２は、上述の支持基板１の表面に形成されている。例えば、ペロブスカイト型酸化物結晶粒子が得られる誘電体をターゲットとして、スパッタリングを行なう。例えば、基板温度を８００℃として、厚みを考慮した時間だけ成膜を行なう。高温でスパッタを行なうことにより、スパッタ後の熱処理を行なうこと無く、高誘電率で変化率が大きく損失の低い誘電体層が得られる。
【００６９】
入力電極４ａ、第１の接続電極３ａ、第２の接続電極３ｂ、出力電極４ｂは、抵抗を下げるため、抵抗率の小さなＡｕが望ましく、他に、Ａｇ、Ａｌなども使用できるが、薄膜誘電体層２との密着性向上のためにはＰｔ、Ｐｄなどの高融点貴金属が望ましい。この入力電極４ａ、第１の接続電極３ａ、第２の接続電極３ｂ、出力電極４ｂの厚みは０．１〜１０μｍとなっている。厚みの下限については、電極自身の抵抗を考慮して設定され、また、厚みの上限については密着性の低下を考慮して設定される。
【００７０】
インピーダンス素子５ａ、５ｂは、図１の等価回路図中、接続点Ａ１と接続点Ａ２とを結ぶ第１のインピーダンス素子Ｚ１と、接続点Ｂ１と接続点Ｂ２とを結ぶ第２のインピーダンス素子Ｚ２である。所定インピーダンス成分Ｚ１、Ｚ２を具備させるため、材料には、高抵抗材料のＮｉ−Ｃｒ合金、Ｆｅ−Ｃｒ−Ａｌ合金、Ａｕ、Ｐｔなどの貴金属材料（厚みを制御してインピーダンス成分を調整する）、Ｎｉ、Ｆｅ等の強磁性体材料、酸化物導電体材料、窒化物導電体材料又は半導体材料を用いることができる。厚み、長さにおいては、必要とするインピーダンス値によって設定される。
【００７１】
尚、図では省略しているが、入力電極４ａ、第１の接続電極３ａ、第２の接続電極３ｂ、出力電極４ｂ、薄膜誘電体層２の上部には、外部からの機械的な衝撃からの保護の他、湿度による劣化、薬品の汚染、酸化等を防止するための保護膜が形成される。尚、この保護膜は、入力電極４ａ、出力電極４ｂの一部を露出させさて形成し、この露出部分にハンダ拡散防止層を形成し、半田端子または半田電極を形成してもよい。また、半田端子部の代わりに金属ワイヤーのファーストボンディングを行い、所定長さで切断することにより、金などのバンプを形成しても構わない。
【００７２】
尚、上述の第１の可変容量素子Ｃ１〜第３の可変容量素子Ｃ３の容量を形成する構造として、平面的に配置された一対の電極（入力電極４ａと第１の接続電極３ａ、第１の接続電極３ａと第２の接続電極３ｂ，第２の接続電極３ｂと出力電極４ｂ）間を跨がるように薄膜誘電体層２を配置して、一対の電極間で容量を形成できる。この一対の電極の対向部分は、図３において直線状となっているが、高い容量を有るために、対向部分を互いにかみ合うようにしてもよい。即ち、インターデジタル構造であってもよい。この対向部分は、電極全体からすれば、内部領域での構造であるため、電極全体の外観形状には全く影響を与えないため、支持基板１の専有面積を維持した状態で行なえる。
【００７３】
さらに、第１の可変容量素子Ｃ１〜第３の可変容量素子Ｃ３の容量を形成する構造として、平面的配置から、厚み方向としてもよい。即ち、図３の図面上部側に位置する入力電極４ａ、第２の接続電極３ｂを第１の可変容量素子Ｃ１〜第３の可変容量素子Ｃ３の下部電極として、支持基板１上に形成し、続いて薄膜誘電体層２ａ〜２ｃを形成し、その後、薄膜誘電体層２ａ〜２ｃを介して下部電極の一部に厚み方向に対向するように第１の接続電極３ａ及び出力電極４ｂを形成する。製造工程で、電極の形成工程が若干増加するものの、このような積層構造を行っても、支持基板１の専有面積を維持したままで行なえる。
【００７４】
また、上述の製造工程は、まず、各電極４ａ、４ｂ、３を形成し、次ぎに薄膜誘電体層２を形成し、その後インピーダンス素子５を形成するようにしてもよい。
【００７５】
以上の説明は、３個の可変容量素子Ｃ１〜Ｃ３を有する例である。このような各可変容量素子に独立した制御電圧を印加して、容量の変化率を均一し、しかも、高周波信号の電圧による容量変化のバラツキを抑えた可変容量コンデンサは、３素子以外に、５素子、７素子・・のように奇数素子でも有効であり、また、上述の支持基板１の配列も同様にして行なえる。
【００７６】
図４は、ｎ＝５である５素子型の可変容量コンデンサの概略図であり、図５は、その等価回路図である。
ｎ＝５である５素子の可変容量素子を有する場合、薄膜誘電体層２はｎである５つ必要となる。また、１つの入力電極４ａ、１つの出力電極４ｂが必要となる。また、接続電極３は、ｎ−１の４である第１〜第４の接続電極３ａ〜３ｄが必要となり、さらに、インピーダンス素子５は、ｎ−１の４である第１〜第４のインピーダンス素子５ａ〜５ｄが必要となる。
【００７７】
そして、支持基板１の図面の上部側には、入力電極４ａと及び第２×Ｍで表される偶数番目、即ち、第２の接続電極３ｂ、第４の接続電極３ｄが一直線上に配列されている。
【００７８】
また、支持基板１の図面の下部側に、２×Ｍ−１で表される奇数番目、即ち、第１の接続電極３ａ、第３の接続電極３ｃ及び出力電極４ｂが直線上に配列されている。
【００７９】
その両者の間隔を跨ぐように５つの薄膜誘電体層２ａ〜２ｅが配置されている。この５つの薄膜誘電体層２ａ〜２ｅについても、上述の各配列に平行に配置されている。
【００８０】
具体的には、前記第１の薄膜誘電体層２ａは、入力電極４ａと第１の接続電極３ａとの間に配置されている。
【００８１】
また、ｎ＝５である第５の薄膜誘電体層２ｅは、第（ｎ−１）である第４の接続電極３ｄと出力電極４ｂとの間に配置されている。
【００８２】
また、第Ｍ＋１（Ｍ＝１）である第２の薄膜誘電体層２ｂは、第Ｍである第１の接続電極３ａと第Ｍ＋１である第２の接続電極３ｂとの間に配置されている。
【００８３】
また、第Ｍ＋１（Ｍ＝２）である第３の薄膜誘電体層２ｃは、第Ｍである第２の接続電極３ｂと第Ｍ＋１である第３の接続電極３ｃとの間に配置されている。
【００８４】
また、第Ｍ＋１（Ｍ＝３）である第４の薄膜誘電体層２ｄは、第Ｍである第３の接続電極３ｃと第Ｍ＋１である第４の接続電極３ｄとの間に配置されている。
【００８５】
また、第１のインピーダンス素子５ａ、第３のインピーダンス素子５ｃは、入力電極と偶数番目の接続電極同士とを接続するように、即ち、図４では、入力電極４ａと第２の接続電極３ｂとを接続するように、また第２の接続電極３ｂと第４の接続電極３ｄとを接続するように配置されている。
【００８６】
第２のインピーダンス素子５ｂ、第４のインピーダンス素子５ｄは、奇数番目の接続電極同士と出力電極とを接続するように、即ち、図４では、第１の接続電極３ａと第３の接続電極３ｃとを接続するように、また、第３の接続電極３ｃと出力電極４ｂとを接続するように配置されている。
【００８７】
このように、支持基板１の上部側の電極群（入力電極４ａ、第２の接続電極３ｂ、第４の接続電極３ｄ）と下部側の電極群（第１の接続電極３ａ、第３の接続電極３ｃ、出力電極４ｂ）とが平行に配列され、しかも、各電極が実質的に矩形状とすることにより、両電極群の外形形状を概ね矩形状とすることができる。即ち、矩形状の支持基板１と実質的に相似形状とすることが可能であるため、支持基板１の専有面積を有効に活用できる。しかも、薄膜誘電体層２及びインピーダンス素子５ａ〜５ｄも実施に両電極群の配列方向に沿って形成できるため、支持基板１を高密度化することができる。
【００８８】
また、図５の等価回路を考えると、接続点Ａ１と接続点Ａ２との間のインピーダンス素子Ｚ１を含む入力側の第１のバイアスラインＶ１は、入力電極４ａと第１のインピーダンス素子５ａと第２の接続電極３ｂで構成され、接続点Ａ３と接続点Ａ４との間のインピーダンス素子Ｚ３を含む入力側の第２のバイアスラインＶ３は、第２の接続電極３ｂと第３のインピーダンス素子５ｃと第４の接続電極３ｄで構成される。また、接続点Ｂ１と接続点Ｂ２との間のインピーダンス素子Ｚ２を含む出力側の第１のバイアスラインＶ２は、第２の接続電極３ｂと第２のインピーダンス素子５ｂと第３の接続電極３ｃで構成され、接続点Ｂ３と接続点Ｂ４との間のインピーダンス素子Ｚ４を含む出力側の第２のバイアスラインＶ４は、第３の接続電極３ｃと出力電極４ｂで構成される。
【００８９】
以上のように、３素子、５素子の以外の奇数素子において、例えば、可変容量素子数（薄膜誘電体層の数）と各構成部材の数との関係を表１に、入力電極側に配列される接続電極、インピーダンス素子の関係を表２に、出力電極側に配列される接続電極、インピーダンス素子の関係を表３に示す。
【００９０】
【表１】
2004241440.tif 000003
【００９１】
【表２】
2004241440.tif 000004
【００９２】
【表３】
2004241440.tif 000005
【００９３】
このような可変容量コンデンサを、共振回路に接続して高周波共振回路部品として、また、共振回路どうしの結合手段として用いることにより、直流バイアス電圧の印加により周波数特性を大きく変化できるが、高周波信号による周波数特性の変化、ノイズ、非線形歪みは小さく抑えることができ、波形歪、相互変調歪みノイズを小さく抑えることができ、さらに耐電力に優れた高周波用電圧制御型共振器、電圧制御型高周波フィルタ、電圧制御型整合回路素子および電圧制御型アンテナ共用器などの高周波部品となる。
【００９４】
【実施例】
容量６ｐＦ、直列抵抗０．１Ω、直列インダクタンス１００ｐＨの可変容量素子Ｃ１〜Ｃ３を直列接続し、１０ｋΩのインピーダンス成分Ｚ１、Ｚ２をインピーダンス素子５に備えた可変容量コンデンサのインピーダンス特性を図６に示したものである。
６．５ＧＨｚに可変容量素子の自己共振、１．２ＭＨｚインピーダンス素子５による変曲点が見られ、この間では３素子の容量６ｐＦの可変容量素子Ｃ１〜Ｃ３を直列接続による合成容量２ｐＦとなっており、変曲点より低周波側では可変容量素子Ｃ１〜Ｃ３の容量６ｐＦのコンデンサを並列接続した合成抵抗１８ｐＦとなっていることがわかる。これにより、変曲点と自己共振周波数の間の高周波信号に対しては３素子の可変容量素子Ｃ１〜Ｃ３は直列になっているため１素子あたりの可変容量素子にかかる高周波電圧は１／３になり、容量変化による波形歪が小さく、直流も含む変曲点以下の周波数に対しては３素子の可変容量素子Ｃ１〜Ｃ３は並列になっており、容量変化を大きく保つことが出来る。
【００９５】
支持基板としてサファイアＲ基板上に、誘電体層として（Ｂａ０．５Ｓｒ０．５）ＴｉＯ３０．８５からなるターゲットを用いて同一バッチで成膜した。これは、基板温度は８００℃、成膜時間は２０分で成膜を行なった。その後、ＥＣＲ装置により誘電体層をエッチングし、レジスト層剥離後、その上に電極層としてＰｔおよびＡｕ電極層を同一バッチで形成膜し、取り出し後レジスト層を形成し、ＥＣＲ装置によりエッチングした。
【００９６】
レジスト層剥離後、インピーダンスアナライザによる測定の結果、容量は約１．５Ｆであり、容量変化率はＤＣ３Ｖ印加時で約６％であった。
測定後、インピーダンス素子５としてＴａＮを同一バッチで成膜し、取り出し後レジスト層を形成し、ＥＣＲ装置により不要部をエッチングした。
インピーダンス素子形成後に再度インピーダンスアナライザによる測定を行なった結果、容量変化率はＤＣ３Ｖ印加時で約１８％であった。また、容量は高周波では１．５ｐＦであった。
【００９７】
即ち、容量変化率が大きく、低周波では並列接続で、高周波で直列接続された可変容量コンデンサができることを確認した。
【００９８】
【発明の効果】
直列に接続した第１乃至第３の可変容量素子からなる可変容量コンデンサに直流バイアス印加用のインピーダンス素子を配置することにより、各可変容量素子に直流バイアス電圧を安定且つ均一に印加できる。このため、容量の変化を大きくし、且つ高周波信号による容量の変化、ノイズ、非線形歪みは小さく抑えることができる可変容量コンデンサとなる。
【００９９】
同時に、これを支持基板上に各電極、薄膜誘電体層、インピーダンス素子を全体として矩形状に配置でき、支持基板１に占める電極などの占有効率が向上させることができる。このため、取り扱いに容易で小型な可変容量コンデンサとなる。
【０１００】
また、前記可変容量コンデンサを用いることにより、直流バイアス電圧の印加により周波数特性を大きく変化できるが、高周波信号による周波数特性の変化、ノイズ、非線形歪みは小さく抑えることができ、波形歪、相互変調歪みノイズを小さく抑えることができ、さらに耐電力に優れ、小型化が可能な高周波用電圧制御型共振器、電圧制御型高周波フィルタ、電圧制御型整合回路素子および電圧制御型アンテナ共用器などの高周波部品となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の可変容量コンデンサの等価回路図である。
【図２】図１の等価回路をインピーダンス成分に置き換えた等価回路図である。
【図３】本発明の可変容量コンデンサの平面図である。
【図４】本発明の別の可変容量コンデンサの平面図である。
【図５】本発明の別の可変容量コンデンサの等価回路図である。
【図６】本発明の可変容量コンデンサ回路のインピーダンス特性図である。
【符号の説明】
１・・・支持基板
２、２ａ〜２ｅ・・・薄膜誘電体層
３、３ａ〜３ｄ・・・接続電極
４ａ・・・入力電極
４ｂ・・・出力電極
５、５ａ〜５ｄ・・・インピーダンス素子
Ｃ１〜Ｃ３  可変容量素子
Ｚ１    第１のインピーダンス素子
Ｚ２    第２のインピーダンス素子
Ｉ、Ｏ    入出力端子
【図１】
2004241440.tif 000006
【図２】
2004241440.tif 000007
【図３】
2004241440.tif 000008
【図４】
2004241440.tif 000009
【図５】
2004241440.tif 000010
【図６】
2004241440.tif 000011