(57)【要約】【課題】半導体装置の信頼性を高めることにある。【解決手段】半導体装置は、能動素子領域１２を有し、前記能動素子を含む集積回路に電気的に接続された電極１４を有する半導体基板１０と、半導体基板１０の電極１４が形成された面に、電極１４を避けて形成された樹脂層１８と、電極１４から樹脂層１８上に延びてなり、複数の電気的接続部を含む配線層２４と、電気的接続部に設けられた外部端子３０と、を含む。複数の電気的接続部のうち、第１の電気的接続部２６の表面形状は、第２の電気的接続部２８の表面形状よりも面積が大きい。【選択図】        図１
2004241696.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
能動素子領域を有し、前記能動素子を含む集積回路に電気的に接続された電極を有する半導体基板と、
前記半導体基板の前記電極が形成された面に、前記電極を避けて形成された樹脂層と、
前記電極から前記樹脂層上に延びてなり、複数の電気的接続部を含む配線層と、
前記電気的接続部に設けられた外部端子と、
を含み、
前記複数の電気的接続部は、第１の電気的接続部と第２の電気的接続部とを含み、
前記第１の電気的接続部の表面形状は、前記第２の電気的接続部の表面形状よりも面積が大きい半導体装置。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置において、
前記第２の電気的接続部は、前記樹脂層の上面に形成されてなる半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２記載の半導体装置において、
前記樹脂層は、前記半導体基板の前記能動素子領域と平面的に重なるように形成され、
前記第１の電気的接続部は、前記樹脂層のうち、前記能動素子領域と平面的に重なる部分に形成されてなる半導体装置。
【請求項４】
請求項１から請求項３のいずれかに記載の半導体装置において、
前記第１の電気的接続部は、前記樹脂層の上面のほぼ全体を覆うように形成されてなる半導体装置。
【請求項５】
請求項４記載の半導体装置において、
前記第１の電気的接続部は、前記樹脂層の側面をさらに覆うように形成されてなる半導体装置。
【請求項６】
請求項５記載の半導体装置において、
前記第１の電気的接続部は、前記半導体基板における前記樹脂層の外側の領域に至るように形成されてなる半導体装置。
【請求項７】
請求項１から請求項６のいずれかに記載の半導体装置において、
前記第１の電気的接続部は、グランド電位又は電源電位を供給してなる半導体装置。
【請求項８】
請求項７記載の半導体装置において、
第１の電気的接続部は、所定の電気特性を得ることができるような形状又は大きさに形成されてなる半導体装置。
【請求項９】
請求項１から請求項８のいずれかに記載の半導体装置において、
前記外部端子を避けて、前記配線層を覆うように形成された絶縁層をさらに含む半導体装置。
【請求項１０】
請求項１から請求項９のいずれかに記載の半導体装置において、
前記半導体基板は、半導体チップ又は半導体ウエハである半導体装置。
【請求項１１】
能動素子領域を有し、前記能動素子を含む集積回路に電気的に接続された電極を有する半導体基板と、
前記半導体基板の前記電極が形成された面に、前記電極を避けて形成された樹脂層と、
前記電極から前記樹脂層上に延びてなり、複数の電気的接続部を含む配線層と、
前記電気的接続部に設けられた外部端子と、
を含み、
前記配線層は、第１の電気的接続部と第２の電気的接続部とを含み、
前記第１の電気的接続部は、前記第２の電気的接続部を含む配線層及び前記第２の電気的接続部を含む配線層の周囲を除いて、前記樹脂層の全面を覆う半導体装置。
【請求項１２】
請求項１から請求項１１のいずれかに記載の半導体装置が実装されてなる回路基板。
【請求項１３】
請求項１から請求項１１のいずれかに記載の半導体装置を有する電子機器。
【請求項１４】
（ａ）能動素子領域を有し、前記能動素子を含む集積回路に電気的に接続された電極を有する半導体基板の前記電極が形成された面に、前記電極を避けて樹脂層を形成すること、
（ｂ）前記電極から樹脂層上に延びるように、かつ、複数の電気的接続部を有するように配線層を形成すること、
（ｃ）前記電気的接続部に外部端子を設けること、
を含み、
前記（ｂ）工程で、前記複数の電気的接続部を、第１の電気的接続部の表面形状が第２の電気的接続部の表面形状よりも面積が大きくなるように形成する半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器に関する。
【０００２】
【発明の背景】
半導体装置のパッケージとして、パッケージをウエハレベルで製造するウエハレベルＣＳＰ（Ｃｈｉｐ  Ｓｉｚｅ  Ｐａｃｋａｇｅ）の普及が高まっている。この方法で製造された半導体装置は、外部寸法が半導体チップ寸法になっており、従来の半導体装置以上の信頼性が要求されている。
【０００３】
本発明の目的は、半導体装置の信頼性を高めることにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】
（１）本発明に係る半導体装置は、能動素子領域を有し、前記能動素子を含む集積回路に電気的に接続された電極を有する半導体基板と、
前記半導体基板の前記電極が形成された面に、前記電極を避けて形成された樹脂層と、
前記電極から前記樹脂層上に延びてなり、複数の電気的接続部を含む配線層と、
前記電気的接続部に設けられた外部端子と、
を含み、
前記複数の電気的接続部は、第１の電気的接続部と第２の電気的接続部とを含み、
前記第１の電気的接続部の表面形状は、前記第２の電気的接続部の表面形状よりも面積が大きい。本発明によれば、第１の電気的接続部の表面形状が第２の電気的接続部の表面形状よりも大きいので、第１の電気的接続部によって、半導体基板に外部光が入るのを防止して、遮光性を高めることができる。また、第１の電気的接続部によって、電磁波を遮断することで、シールド効果を得ることができる。したがって、半導体装置の誤動作をなくして、その信頼性を高めることができる。
（２）この半導体装置において、
前記第２の電気的接続部は、前記樹脂層の上面に形成されていてもよい。これによって、第２の電気的接続部に加わる応力を樹脂層によって吸収することができる。
（３）この半導体装置において、
前記樹脂層は、前記半導体基板の前記能動素子領域と平面的に重なるように形成され、
前記第１の電気的接続部は、前記樹脂層のうち、前記能動素子領域と平面的に重なる部分に形成されていてもよい。これによって、遮光性及びシールド効果をさらに高めることができる。また、第１の電気的接続部は樹脂層に形成されているので、第１の電気的接続部に加わる応力を樹脂層によって吸収することができる。
（４）この半導体装置において、
前記第１の電気的接続部は、前記樹脂層の上面のほぼ全体を覆うように形成されていてもよい。
（５）この半導体装置において、
前記第１の電気的接続部は、前記樹脂層の側面をさらに覆うように形成されていてもよい。
（６）この半導体装置において、
前記第１の電気的接続部は、前記半導体基板における前記樹脂層の外側の領域に至るように形成されていてもよい。
（７）この半導体装置において、
前記第１の電気的接続部は、グランド電位又は電源電位を供給していてもよい。これによれば、例えば、配線層のインピーダンスを下げることができ、ノイズによる影響が少なくなる。
（８）この半導体装置において、
第１の電気的接続部は、所定の電気特性を得ることができるような形状又は大きさに形成されていてもよい。
（９）この半導体装置において、
前記外部端子を避けて、前記配線層を覆うように形成された絶縁層をさらに含んでもよい。
（１０）この半導体装置において、
前記半導体基板は、半導体チップ又は半導体ウエハであってもよい。
（１１）本発明に係る半導体装置は、能動素子領域を有し、前記能動素子を含む集積回路に電気的に接続された電極を有する半導体基板と、
前記半導体基板の前記電極が形成された面に、前記電極を避けて形成された樹脂層と、
前記電極から前記樹脂層上に延びてなり、複数の電気的接続部を含む配線層と、
前記電気的接続部に設けられた外部端子と、
を含み、
前記配線層は、第１の電気的接続部と第２の電気的接続部とを含み、
前記第１の電気的接続部は、前記第２の電気的接続部を含む配線層及び前記第２の電気的接続部を含む配線層の周囲を除いて、前記樹脂層の全面を覆う。本発明によれば、第１の電気的接続部は、樹脂層の全面を覆うので、第１の電気的接続部によって、半導体基板に外部光が入るのを防止して、遮光性を高めることができる。また、第１の電気的接続部によって、電磁波を遮断することで、シールド効果を得ることができる。したがって、半導体装置の誤動作をなくして、その信頼性を高めることができる。
（１２）本発明に係る回路基板には、上記半導体装置が実装されている。
（１３）本発明に係る電子機器は、上記半導体装置を有する。
（１４）本発明に係る半導体装置の製造方法は、（ａ）能動素子領域を有し、前記能動素子を含む集積回路に電気的に接続された電極を有する半導体基板の前記電極が形成された面に、前記電極を避けて樹脂層を形成すること、
（ｂ）前記電極から樹脂層上に延びるように、かつ、複数の電気的接続部を有するように配線層を形成すること、
（ｃ）前記電気的接続部に外部端子を設けること、
を含み、
前記（ｂ）工程で、前記複数の電気的接続部を、第１の電気的接続部の表面形状が第２の電気的接続部の表面形状よりも面積が大きくなるように形成する。本発明によれば、第１の電気的接続部の表面形状を第２の電気的接続部の表面形状よりも大きく形成するので、第１の電気的接続部によって、半導体基板に外部光が入るのを防止して、遮光性を高めることができる。また、第１の電気的接続部によって、電磁波を遮断することで、シールド効果を得ることができる。したがって、半導体装置の誤動作をなくして、その信頼性を高めることができる。
【０００５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
【０００６】
図１は、本実施の形態に係る半導体装置の一部（絶縁層３２）を取り除いた平面図である。図２は、本実施の形態に係る半導体装置の断面図（図１のＩＩ−ＩＩ線断面図）である。図３は、本実施の形態に係る半導体装置の断面図（図１のＩＩＩ−ＩＩＩ線断面図）である。図４〜図７は、本実施の形態の変形例に係る半導体装置を示す図である。詳しくは、図４及び図５は半導体装置の部分断面図であり、図６及び図７は半導体装置の一部（絶縁層３２）を取り除いた平面図である。
【０００７】
半導体装置１は、半導体基板１０を含む。半導体基板１０は、図１に示すように半導体チップであってもよいし、あるいは半導体ウエハであってもよい。半導体基板１０は、能動素子領域１２を有する（図２参照）。能動素子領域１２は、半導体基板１０の中央部に形成されていてもよい。能動素子領域１２とは、集積回路（能動素子及び受動素子を含む）のうち、能動素子を有する領域（例えば複数の能動素子が密集して設けられた領域）をいう。能動素子領域１２の外側の領域には、能動素子が形成されていない周辺領域（例えば集積回路の受動素子領域）があってもよい。
【０００８】
半導体基板１０には、集積回路に電気的に接続された電極（例えばパッド）１４が形成されている。半導体チップの場合には、集積回路（又は能動素子領域１２）は１つの領域に形成されることが多く、半導体ウエハの場合には、集積回路（又は能動素子領域１２）は複数の領域に形成されることが多い。電極１４は、半導体基板１０のいずれかの面に複数形成されている。複数の電極１４は、半導体チップ（又は半導体チップとなる領域）の端部（例えば対向する２辺又は４辺）に沿って配列されていてもよい。電極１４は、能動素子領域１２の外側に形成されていてもよい。半導体基板１０の表面（電極１４が形成された面）には、パッシベーション膜（例えばシリコン窒化膜又はシリコン酸化膜）１６が形成されている。
【０００９】
半導体基板１０の電極１４が形成された面（例えばパッシベーション膜１６上）には、１層又は複数層からなる樹脂層１８が形成されている。樹脂層１８は、電極１４を避けて形成されている。図１に示すように、樹脂層１８は、半導体チップの中央部に形成されてもよい。樹脂層１８は、上面よりもその反対面（底面）が大きくなるように、側面が傾斜してもよい。樹脂層１８は、応力緩和機能を有してもよい。樹脂層１８は、ポリイミド樹脂、シリコーン変性ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン変性エポキシ樹脂、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ；ｂｅｎｚｏｃｙｃｌｏｂｕｔｅｎｅ）、ポリベンゾオキサゾール（ＰＢＯ；ｐｏｌｙｂｅｎｚｏｘａｚｏｌｅ）等の樹脂で形成することができる。樹脂層１８は、半導体基板１０と後述の外部端子３０との間に形成されてもよい。
【００１０】
樹脂層１８は、能動素子領域１２と平面的に重なる（オーバーラップする）領域に形成されている。樹脂層１８は、少なくとも能動素子領域１２上に設けられている。その場合、樹脂層１８における半導体基板１０側の上面２０の面積は、能動素子領域１２の面積と同じ面積になっていてもよい。樹脂層１８は、能動素子領域１２上にのみ設けられていてもよい。能動素子領域１２が半導体基板１０の中央部に形成される場合、樹脂層１８の半導体基板１０側の上面２０の面積は、能動素子領域１２の面積よりも大きく、半導体基板１０の中央部に形成されていてもよい。
【００１１】
半導体装置１は、配線層２４を含む。配線層２４は、半導体基板１０の電極１４が形成された面に形成されている。配線層２４は、導電材料（例えば金属）で形成されている。配線層２４は、図１に示すように複数形成され、各配線層２４は、１層又は複数層で形成されている。複数層の場合には、構造の信頼性及び電気特性を考慮して、配線層２４を異なる複数の材料（例えば、銅（Ｃｕ）、クロム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタンタングステン（ＴｉＷ）、金（Ａｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、ニッケルバナジウム（ＮｉＶ）、タングステン（Ｗ）など）を組み合わせて形成してもよい。配線層２４は、電極１４を覆うように形成されて、電極１４に電気的に接続されている。配線層２４は、電極１４から樹脂層１８上に延びている。配線層２４は、樹脂層１８の側面（傾斜面）２２を通って、その上面２０に至るように形成されている。
【００１２】
配線層２４は、複数の電気的接続部（本実施の形態では第１及び第２の電気的接続部２６，２８）を含む。電気的接続部は、ランドであってもよく、遮光性（能動素子領域１２が反応する波長の光を遮断する性質）を有する導電材料で形成されることが多い。電気的接続部の表面には、電気的特性を高めるために、メッキ層（図示しない）が形成されてもよい。電気的接続部がランドの場合、ランドは、配線層２４のラインよりも幅が大きくなっている。
【００１３】
半導体装置１は、複数の外部端子３０を含む。外部端子３０は、半導体基板１０の電極１４が形成された面に形成されている。外部端子３０は、電極１４に電気的に接続されている。図１及び図２に示すように、外部端子３０は、配線層２４に電気的に接続されている。外部端子３０は、電気的接続部に設けられてもよい。外部端子３０は、導電性を有する金属で形成されてもよい。外部端子３０は、ろう材で形成されてもよい。外部端子３０は、例えば球状をなしていてもよく、例えばハンダボールであってもよい。図１に示す例では、複数の外部端子３０は、半導体基板１０の平面視において、左右対称に配置されている。
【００１４】
半導体装置１は、絶縁層（例えば樹脂からなる層）３２を含んでもよい。絶縁層３２は、光透過性を有し、例えば半透明又は透明な材料で形成されてもよい。絶縁層３２は、１層又は複数層（図２に示す例では第１及び第２の絶縁層５２，５４）で形成されている。絶縁層３２は、半導体基板１０の外部端子３０側の面に設けられている。詳しくは、絶縁層３２は、外部端子３０を避けて（外部端子３０の先端部を露出させて）、配線層２４を覆うように形成されている。絶縁層３２は、ソルダレジストとして使用してもよい。
【００１５】
図２に示すように、絶縁層３２は、第１及び第２の絶縁層３４，３６を含む。第１の絶縁層３４は、配線層２４を形成した後に、配線層２４の少なくとも一部を覆うように形成してもよい。図２に示すように、第１の絶縁層３４は、それぞれの電気的接続部の少なくとも中央部を除いて形成されてもよい。第１の絶縁層３４を形成することによって、配線層２４の酸化、腐食又は断線などを防止することができる。
【００１６】
第２の絶縁層３６は、第１の絶縁層３４上に積層されている。第２の絶縁層３６は、外部端子３０を形成した後に、第１の絶縁層３４上に形成してもよい。第２の絶縁層３６は、外部端子３０の先端部を露出させて設けられている。その場合、第２の絶縁層３６は、外部端子３０の根本部（下端部）を覆っている。これによって、外部端子３０の根本部を補強することができる。
【００１７】
本実施の形態では、複数の電気的接続部のうち、第１の電気的接続部２６の表面形状は、第２の電気的接続部２８の表面形状よりも面積が大きい（例えば２倍以上面積が大きい）。すなわち、半導体基板１０の平面視において、第１の電気的接続部２６の外形は、第２の電気的接続部２８の外形よりも大きい。
【００１８】
図１に示す例では、複数の電気的接続部のうち、いずれか１つが第１の電気的接続部２６であり、残りの全て（図１では複数）が第２の電気的接続部２８である。あるいは、複数の第１の電気的接続部２６を形成してもよい。第２の電気的接続部２８として、周知のランドの形態を適用してもよく、例えば、第２の電気的接続部２８は、円形状をなす丸ランドであってもよい。その場合、第２の電気的接続部（ランド）２８の表面形状の面積とは、円形部分の面積を指し、配線層２４のライン及び接続部（ラインとランドの間の接続部）は除かれる。第２の電気的接続部２８は、樹脂層１８の上面２０に形成してもよい。これによって、第２の電気的接続部２８（又は外部端子３０）に加わる応力を樹脂層１８によって吸収することができる。
【００１９】
図１に示すように、第１の電気的接続部２６は、第２の電気的接続部２８を避ける形状で設けられてもよい。第１の電気的接続部２６は、第２の電気的接続部２８及び第２の電気的接続部２８の周囲を除いて、樹脂層１８の全面（上面２０及び側面２２を含む）を覆っていてもよい。第１の電気的接続部２６は、樹脂層１８の上面２０のうち、能動素子領域１２と平面的に重なる部分に形成されてもよい。すなわち、第１の電気的接続部２６は、樹脂層１８の上面２０のうち、能動素子領域１２上に形成されてもよい。こうすることで、半導体基板１０の能動素子領域１２に外部光が入るのを防止して、半導体装置の遮光性を高めることができる。さらに、第１の電気的接続部２６によって、電磁波を遮断することで、シールド効果を得ることができる。したがって、半導体装置の誤動作をなくして、その信頼性を高めることができる。また、第１の電気的接続部２６は樹脂層１８に形成されているので、第１の電気的接続部２６に加わる応力を樹脂層１８によって吸収することができる。
【００２０】
図６の変形例に示すように、図１に示す形態のいずれかの第２の電気的接続部２８を含む配線層２４が形成されていなくてもよい。逆にいえば、第１の電気的接続部２６は、第２の電気的接続部２８に起因することなく、切り抜かれた部分（例えば第２の電気的接続部２８を含む配線層２４の外形よりもわずかに大きい形状に切り抜かれた部分）が形成されていてもよい。これによれば、１つの第１の電気的接続部２６の表面形状を使用して、複数種類の配線層２４のパターンに対応することができるので、半導体装置の設計自由度が向上する。
【００２１】
第１の電気的接続部２６の材料は、第２の電気的接続部２８の材料と同一であってもよいし、異なっていてもよい。例えば、第１の電気的接続部２６は、第２の電気的接続部２８には設けられない遮光性の高い材料（例えばより不透明な金属）を有してもよい。また、第１の電気的接続部２６は、第２の電気的接続部２８よりも材料の積層数が多くてもよい。
【００２２】
図１及び図３に示すように、第１の電気的接続部２６は、樹脂層１８の上面２０のほぼ全体を覆うように形成されてもよい。図４の半導体装置の部分断面図に示すように、第１の電気的接続部２６は、樹脂層１８の側面（例えば傾斜面）をさらに覆うように形成されてもよい。その場合、第１の電気的接続部２６は、樹脂層１８の全面を覆ってもよい。図５の半導体装置の部分断面図に示すように、第１の電気的接続部２６は、半導体基板１０の樹脂層１８の外側の領域（例えばパッシベーション膜１６が露出する領域）に至るように形成されてもよい。すなわち、第１の電気的接続部２６は、樹脂層１８の全面（上面２０及び側面２２）と、樹脂層１８の外側の領域と、を含むように形成されてもよい。図７の半導体装置の平面図に示すように、樹脂層１８の外側の領域では、第１の電気的接続部２６は、電極１４及び配線層２４を避けて形成されていてもよい。
【００２３】
これらの形態によれば、第１の電気的接続部２６で覆われる面積を稼げるので、さらに、遮光性及びシールド効果を高めることができる。詳しくは、第１の電気的接続部２６によって、能動素子領域１２に斜め方向から入射する外部光も遮断することができる。
【００２４】
第１の電気的接続部２６は、グランド電位又は電源電位を供給するものであってもよい。第１の電気的接続部２６は、上述したように表面形状の面積が第２の電気的接続部２８よりも大きいので、例えば、配線層２４のインピーダンスを下げることができ、半導体装置のノイズによる影響を少なくすることができる。なお、図１に示すように、第１の電気的接続部２６には、１つのラインが接続されてもよいし、同じ電位の２以上のラインが接続されてもよい。
【００２５】
第１の電気的接続部２６は、所定の電気特性を得ることができるような形状又は大きさに形成されてもよい。例えば、第１の電気的接続部２６の形状又は大きさを、第２の電気的接続部２８の配線層２４（信号配線）の特性インピーダンスが所定値を得るように設計してもよい。具体的には、第１の電気的接続部２６の形状又は大きさを、第２の電気的接続部２８の配線層２４との間の距離、絶縁層３２の比誘電率、第２の電気的接続部２８の配線層２４（信号配線）の幅などの各種の値を考慮して決めてもよい。
【００２６】
本実施の形態に係る半導体装置は、上述のように構成されており、その効果はすでに説明した通りである。
【００２７】
本実施の形態に係る半導体装置の製造方法は、半導体基板１０の電極１４が形成された面に樹脂層１８を形成し、電極１４から樹脂層１８上に延びるように配線層２４を形成し、配線層２４の電気的接続部に外部端子３０を設けることを含む。そして、配線層２４の形成工程において、複数の電気的接続部を、第１の電気的接続部２６の表面形状が第２の電気的接続部２８の表面形状よりも面積が大きくなるように形成する。なお、その他の事項及び効果は、上述の半導体装置において説明した内容から導くことができるので省略する。
【００２８】
図６には、本発明の実施の形態に係る半導体装置１が実装された回路基板１０００が示されている。本発明の実施の形態に係る半導体装置を有する電子機器として、図７にはノート型パーソナルコンピュータ２０００が示され、図８には携帯電話３０００が示されている。
【００２９】
本発明は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば、本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成（例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるいは目的及び結果が同一の構成）を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は、本実施の形態に係る半導体装置の平面図である。
【図２】図２は、本発明の実施の形態に係る半導体装置の断面図である。
【図３】図３は、本発明の実施の形態に係る半導体装置の部分平面図である。
【図４】図４は、本発明の実施の形態の変形例に係る半導体装置の部分断面図である。
【図５】図５は、本発明の実施の形態の変形例に係る半導体装置の部分断面図である。
【図６】図６は、本発明の実施の形態の変形例に係る半導体装置の平面図である。
【図７】図７は、本発明の実施の形態の変形例に係る半導体装置の平面図である。
【図８】図８は、本発明の実施の形態に係る回路基板を示す図である。
【図９】図９は、本発明の実施の形態に係る電子機器を示す図である。
【図１０】図１０は、本発明の実施の形態に係る電子機器を示す図である。
【符号の説明】
１０  半導体基板  １２  集積回路  １４  電極  １８  樹脂層  ２０  上面
２２  側面  ２４  配線層  ２６  第１の電気的接続部
２８  第２の電気的接続部  ３０  外部端子  ３２  絶縁層
【図１】
2004241696.tif 000003
【図２】
2004241696.tif 000004
【図３】
2004241696.tif 000005
【図４】
2004241696.tif 000006
【図５】
2004241696.tif 000007
【図６】
2004241696.tif 000008
【図７】
2004241696.tif 000009
【図８】
2004241696.tif 000010
【図９】
2004241696.tif 000011
【図１０】
2004241696.tif 000012
【手続補正書】
【提出日】平成16年5月13日(2004.5.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
半導体装置１は、絶縁層（例えば樹脂からなる層）３２を含んでもよい。絶縁層３２は、光透過性を有し、例えば半透明又は透明な材料で形成されてもよい。絶縁層３２は、１層又は複数層（図２に示す例では第１及び第２の絶縁層３６，３４）で形成されている。絶縁層３２は、半導体基板１０の外部端子３０側の面に設けられている。詳しくは、絶縁層３２は、外部端子３０を避けて（外部端子３０の先端部を露出させて）、配線層２４を覆うように形成されている。絶縁層３２は、ソルダレジストとして使用してもよい。


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
図２に示すように、絶縁層３２は、第１及び第２の絶縁層３６，３４を含む。第１の絶縁層３６は、配線層２４を形成した後に、配線層２４の少なくとも一部を覆うように形成してもよい。図２に示すように、第１の絶縁層３６は、それぞれの電気的接続部の少なくとも中央部を除いて形成されてもよい。第１の絶縁層３６を形成することによって、配線層２４の酸化、腐食又は断線などを防止することができる。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
第２の絶縁層３４は、第１の絶縁層３６上に積層されている。第２の絶縁層３４は、外部端子３０を形成した後に、第１の絶縁層３６上に形成してもよい。第２の絶縁層３４は、外部端子３０の先端部を露出させて設けられている。その場合、第２の絶縁層３４は、外部端子３０の根本部（下端部）を覆っている。これによって、外部端子３０の根本部を補強することができる。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
図８には、本発明の実施の形態に係る半導体装置１が実装された回路基板１０００が示されている。本発明の実施の形態に係る半導体装置を有する電子機器として、図９にはノート型パーソナルコンピュータ２０００が示され、図１０には携帯電話３０００が示されている。