(57)【要約】【目的】清澄剤として、Ａｓ２Ｏ３に替えてＳｎＯ２を使用しても、泡や異質層の発生を抑え、表面のうねりを小さくすることができる無アルカリガラス基板の製造方法を提供する。【構成】ガラス原料を調合し、溶融、清澄した後、板状に成形する無アルカリガラス基板の製造方法において、シリカ原料として、平均粒径（Ｄ５０）が６０μｍ以下の原料を使用し、清澄剤としてＳｎＯ２を使用する。【選択図】　　　　なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラス原料を調合し、溶融、清澄した後、板状に成形する無アルカリガラス基板の製造方法において、シリカ原料として、平均粒径（Ｄ５０）が６０μｍ以下の原料を使用し、清澄剤としてＳｎＯ２を使用することを特徴とする無アルカリガラス基板の製造方法。
【請求項２】
ガラス中のＳｎＯ２が０．００５〜０．５質量％となるように規制することを特徴とする請求項１記載の無アルカリガラス基板の製造方法。
【請求項３】
砒素酸化物をガラス原料中に添加しないことを特徴とする請求項１又は２記載の無アルカリガラス基板の製造方法。
【請求項４】
ガラス中のＣｌが０．０１〜０．５質量％となるように、塩化物をガラス原料中に添加することを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の無アルカリガラス基板の製造方法。
【請求項５】
ガラス中のＳｂ２Ｏ３が０．１〜１．８質量％となるように、アンチモン酸化物をガラス原料中に添加することを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の無アルカリガラス基板の製造方法。
【請求項６】
ガラス基板の表面のうねり量が０．０２μｍ以下となるように成形することを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の無アルカリガラス基板の製造方法。
【請求項７】
オーバーフローダウンドロー法によって成形することを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の無アルカリガラス基板の製造方法。
【請求項８】
ガラス基板の厚みが、０．１〜１．１ｍｍとなるように成形することを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の無アルカリガラス基板の製造方法。
【請求項９】
Ａｓ２Ｏ３の含有量が０．１質量％未満、ＳｎＯ２の含有量が０．００５〜０．５質量％であり、ガラス基板の表面のうねり量が０．０２μｍ以下であることを特徴とする無アルカリガラス基板。
【請求項１０】
ＺｒＯ２の含有量が０．２質量％以下であることを特徴とする請求項９記載の無アルカリガラス基板。
【請求項１１】
質量％で、ＳｉＯ２　５５〜７０％、Ａｌ２Ｏ３　１２〜２０％、Ｂ２Ｏ３　５〜１５％、ＭｇＯ　０〜７％、ＣａＯ　０〜１２％、ＢａＯ　０〜１０％、ＳｒＯ　０〜１０％、ＺｎＯ　０〜５％の基本組成を有することを特徴とする請求項９又は１０記載の無アルカリガラス基板。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、液晶ディスプレイ、ＥＬディスプレイ等のフラットパネルディスプレイ基板及び、電荷結合素子（ＣＣＤ）、等倍近接型固体撮像素子（ＣＩＳ）、ＣＭＯＳイメージセンサー等の各種イメージセンサー、ハードディスク、フィルター等のガラス基板として適した無アルカリガラス基板に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来より液晶ディスプレイ、ＥＬディスプレイ等のフラットディスプレイ基板として、ガラス基板が広く用いられている。
【０００３】
特に薄膜トランジスタ型アクティブマトリックス液晶ディスプレイ（ＴＦＴ−ＬＣＤ）等の電子デバイスは、薄型で消費電力も少ないことから、カーナビゲーション、デジタルカメラのファインダー、パソコンのモニターやＴＶ用など、様々な用途に使用されている。
【０００４】
液晶ディスプレイを駆動するためには、ＴＦＴ素子を代表とする駆動素子をガラス基板上に形成する必要があるが、ＴＦＴ素子の製造工程において、ガラス基板上に透明導電膜や絶縁膜、半導体膜、金属膜等を成膜し、さらにフォトリソグラフィ−エッチング工程において、ガラス基板を種々の熱処理や薬品処理で処理する。例えばＴＦＴ型アクティブマトリックス液晶ディスプレイでは、ガラス基板上に絶縁膜や透明導電膜を成膜し、さらにアモルファスシリコンや多結晶シリコンのＴＦＴ（薄膜トランジスタ）がフォトリソグラフィ−エッチング工程でガラス基板上に多数形成される。ＴＦＴの製造工程において、ガラス基板は３００〜６００℃の熱処理を受けると共に、硫酸、塩酸、アルカリ溶液、フッ酸、バッファードフッ酸等の種々の薬品による処理を受ける。そのためＴＦＴ液晶ディスプレイ用ガラス基板には、以下のような特性が求められる。
【０００５】
（１）ガラス中にアルカリ金属酸化物が含有されていると、熱処理中にアルカリイオンが成膜された半導体物質中に拡散し、膜の特性の劣化を招くため、実質的にアルカリ金属酸化物を含有しないこと。
【０００６】
（２）フォトリソグラフィ−エッチング工程で使用される酸、アルカリ等の溶液に対する耐性、すなわち耐薬品性に優れていること。
【０００７】
（３）成膜、アニール等の工程で、ガラス基板は数百℃の高温に加熱される。その際、ガラス基板が熱収縮しないように歪点が高いこと。現在、高性能の液晶ディスプレイとして注目されている低温多結晶シリコンＴＦＴ−ＬＣＤでは、その工程温度が約４００〜６００℃と比較的高い。この用途に用いるガラス基板には、歪点が６４０℃以上であることが望まれる。
【０００８】
（４）ガラスの溶融工程や成形工程でガラス中に異物が発生しないように、耐失透性に優れていること。特にオーバーフローダウンドロー法等のダウンドロー法によってガラスを成形する場合には、ガラスの耐失透性が重要であり、ガラス成形温度を考慮すると、その液相線温度が１２００℃以下であることが要求される。
【０００９】
（５）液晶ディスプレイを軽量化するため、密度が低いこと。特にノート型パソコンに搭載されるガラス基板は軽量化の要求が強く、具体的には、２．５０ｇ／ｃｍ３以下であることが要求されている。
【００１０】
さらに上記の特性以外にも、液晶ディスプレイに使用されるガラス基板には、表面の平坦度が高いことが要求される。例えば液晶ディスプレイは、２枚の薄いガラス基板の間に挟まれた液晶層が、光シャッターとして働き、この層が光を遮蔽したり、透視することで表示が行われる。この液晶層は、数μｍ〜１０数μｍと非常に薄い厚みに保持されている。そのため、ガラス基板の表面の平坦度、特にうねりと呼ばれるμｍレベルの凹凸は、液晶層の厚み（セルギャップと呼ばれる）に影響を与えやすく、表面のうねりが大きいと、表示ムラ等の表示不良の原因となる。
【００１１】
また近年、液晶ディスプレイでは、高速応答化や高精細化の目的で、セルギャップがより薄くなる傾向にあるため、これに用いられるガラス基板の表面のうねりを低減することがますます重要となってきている。
【００１２】
ガラス基板の表面のうねりを低減するために最も有効な方法は、成形後のガラス基板の表面を精密に研磨することであるが、この方法ではガラス基板の製造コストが非常に高くなる。
【００１３】
そのため現在では、オーバーフローダウンドロー法やフロート法等の成形法により、できるだけ表面のうねりの小さいガラス基板を成形し、無研磨の状態で、あるいは極く軽い研磨（タッチポリッシュ）を施して出荷されている。
【００１４】
また液晶ディスプレイ用途のガラス基板には、表面の平坦度以外にも、様々な要求特性があるが、特にガラス中の泡や結晶性異物等の内部欠陥に対する要求品位が非常に厳しい。しかしながら液晶ディスプレイ基板は、無アルカリガラスからなり、融剤の働きをするアルカリ金属酸化物成分を含有しないため、ガラス融液の粘度が高く、またガラス融液の組成が不均一になりやすいため、溶融が困難である。
【００１５】
そのため従来から、無アルカリガラスを溶融するに際しては、比較的高温で作用する清澄剤（溶融ガラス中の泡を切る消泡剤）であるＡｓ２Ｏ３を用い、且つ、ガラス溶融炉の最高温度が１６００℃超の高温となるように設定してガラスの溶融性を高める方法が採られている。
【００１６】
【発明が解決しようとする課題】
ところで近年、ますます環境問題が注目されつつあるが、Ａｓ２Ｏ３は、毒物に区分される化合物で、環境負荷化学物質であるため、その使用を避けることが強く求められている。無アルカリガラスを溶融するに際し、Ａｓ２Ｏ３を含有させなければ、清澄性が低下し、ガラス中の泡数が増加するが、ＳｎＯ２を含有させることにより、泡の低減を図ることが可能である。
【００１７】
ＳｎＯ２は高温で作用する清澄剤であるが、Ａｓ２Ｏ３と比較すると、ガラスの清澄作用に劣るため、泡を十分に低減したガラスが得難くなる。またガラス中に溶融しきれずに残った異質な層が発生し易くなり、これが原因となって、ガラス基板の表面のうねりが大きくなりやすい。
【００１８】
本発明は、上記事情に鑑みなされたものであり、清澄剤として、Ａｓ２Ｏ３に替えてＳｎＯ２を使用しても、泡や異質層の発生を抑え、表面のうねりを小さくすることができる無アルカリガラス基板の製造方法を提供することを目的とする。
【００１９】
【課題を解決するための手段】
本発明者の知見によると、無アルカリガラス中に異質層が発生する第１の理由は、この種のガラスの主成分であるＳｉＯ２濃度の高いガラス質層がガラス中に残存するためである。また第２の理由は、一般にこの種のガラスを溶融するための溶融炉は、ＺｒＯ２質耐火物から構築されているが、ガラス融液と耐火物との反応によりＺｒＯ２がガラス中に溶出し、ＺｒＯ２濃度の高いガラス質層がガラス中に残存するためである。ところが、このような異質層は、シリカ原料を適切に選択することによって発生を抑えることが可能となる。
【００２０】
すなわち本発明の無アルカリガラス基板の製造方法は、ガラス原料を調合し、溶融、清澄した後、板状に成形する無アルカリガラス基板の製造方法において、シリカ原料として、平均粒径（Ｄ５０）が６０μｍ以下の原料を使用し、清澄剤としてＳｎＯ２を使用することを特徴とする。
【００２１】
また本発明の無アルカリガラス基板は、Ａｓ２Ｏ３の含有量が０．１質量％未満、ＳｎＯ２の含有量が０．００５〜０．５質量％であり、ガラス基板の表面のうねり量が０．０２μｍ以下であることを特徴とする
【００２２】
【発明の実施の形態】
本発明の無アルカリガラスの製造方法において、清澄剤として使用するＳｎＯ２は、１４００℃以上の温度域で酸素を放出して清澄ガスを発生し、ガラス中の泡を減少する作用を有する。このＳｎＯ２は、Ａｓ２Ｏ３に比較すると、清澄作用に劣るが、シリカ原料、すなわち珪砂や珪粉として、平均粒径（Ｄ５０）が６０μｍ以下の原料を使用すると、ガラスの溶融性が著しく向上し、ガラス基板のうねり量を小さくすることができ、しかもガラス中の泡を大幅に低減することが可能となる。
【００２３】
すなわち平均粒径（Ｄ５０）が６０μｍ以下のシリカ原料を使用すると、ガラス中にＳｉＯ２濃度の高い異質層が発生し難くなるため、これに起因するガラス基板の表面のうねりが小さくなる。また、ガラスの溶融性が向上すると、ガラス溶融炉の最高温度を下げられることにより、耐火物からのＺｒＯ２の溶出を抑えることができ、ガラス中にＺｒＯ２濃度の高い異質層が発生し難くなるため、これに起因するガラス基板の表面のうねりも小さくなる。しかも均質な溶融ガラスが得られることにより、清澄が容易となり、ＳｎＯ２の清澄作用によって十分に泡を低減することが可能となる。
【００２４】
シリカ原料の平均粒径（Ｄ５０）は、好ましくは５８μｍ以下、より好ましくは５５μｍ以下である。
【００２５】
本発明では、ガラス中のＳｎＯ２の含有量が、０．００５〜０．５質量％（好ましくは、０．０１〜０．３質量％）となるように規制することが好ましい。すなわちガラス中に含有されるＳｎＯ２が、０．００５質量％より少ないと、上記したシリカ原料を使用しても、十分な清澄効果が得られず、逆に０．５質量％より多いと、成形時にＳｎＯ２の失透物が析出しやすくなるからである。特にオーバーフローダウンドロー法で成形する場合には、失透が発生しやすいため注意する必要がある。ＳｎＯ２は、ガラス原料として錫酸化物を添加すると、その含有量を規制しやすいため好ましいが、製造工程でガラス中に混入するようにしても良い。例えばガラス溶融炉に錫電極を使用した場合は、数ｐｐｍ〜数百ｐｐｍ程度のＳｎＯ２がガラス中に混入し、これが清澄剤として作用するからである。
【００２６】
Ａｓ２Ｏ３は、環境負荷化学物質であるため、本質的にガラス中に含有しないこと、つまり砒素酸化物をガラス原料中に添加しないことが好ましい。尚、Ａｓ２Ｏ３を本質的にガラス中に含有しないとは、ガラス中のＡｓ２Ｏ３が０．１質量％以下ということを意味している。Ａｓ２Ｏ３の好ましい含有量は０．０５質量％以下、より好ましい含有量は０．０１質量％以下である。
【００２７】
また本発明では、シリカ原料の溶解を促進する目的で、塩化物をガラス原料中に添加することが好ましい。塩化物は、１２００℃以上の温度域で分解、揮発して清澄ガスを発生し、その攪拌作用により異質層の形成を抑制する。また塩化物は、その分解時にシリカを取り込んで溶解させる効果がある。ただし塩化物が多すぎると、過度の揮発によるガラスの変質を起こしやすくなるため好ましくない。よって塩化物の添加量は、ガラス中のＣｌが０．５質量％以下、好ましくは０．０１〜０．５質量％、より好ましくは、０．０１〜０．３質量％となるように規制することが重要である。尚、塩化物としては、ＢａＣｌ２、ＣａＣｌ２、ＳｒＣｌ２等を使用すれば良い。
【００２８】
また本発明では、アンチモン酸化物をガラス原料中に添加し、ガラス中にＳｂ２Ｏ３を含有させると、清澄効果がより促進されるため好ましい。すなわちＳｂ２Ｏ３は、Ａｓ２Ｏ３よりも清澄ガスの放出温度は低いが、本発明では、平均粒径（Ｄ５０）が６０μｍ以下のシリカ原料を使用するため、原料の溶解を比較的低温で行うことができる。そのため後工程である清澄工程も低温化が可能となり、Ｓｂ２Ｏ３による清澄効果が得られる。ただしＳｂ２Ｏ３も、Ａｓ２Ｏ３ほどではないが、環境上好ましくない化学物質であるため、多量に含有することは好ましくない。よってガラス中のＳｂ２Ｏ３の含有量は、１．８重量％以下、好ましくは０．０１〜１．８質量％、より好ましくは０．０５〜１．５質量％となるように規制することが重要である。
【００２９】
このように本発明では、清澄剤としてＳｎＯ２を使用しながらも、平均粒径（Ｄ５０）が６０μｍ以下のシリカ原料を使用するため、泡や異質層を低減することができる。その結果、表面のうねり量が０．０２μｍ以下の無アルカリガラス基板を製造することが可能となる。この表面のうねり量が０．０２μｍ以下の無アルカリガラス基板を液晶ディスプレイに使用すると、液晶ディスプレイのセルギャップが１μｍ程度でも表示不良の発生を抑えることが可能である。
【００３０】
本発明の無アルカリガラス基板の製造方法は、ガラス原料を調合し、溶融、清澄した後、板状に成形するものであり、その成形法としては、オーバーフローダウンドロー法、スロットダウンドロー法、フロート法、ロールアウト法が適用できる。特にオーバーフローダウンドロー法によって成形すると、表面を研磨することなく、表面のうねり量が非常に小さいガラス基板が得られやすいため好ましい。
【００３１】
本発明の無アルカリガラス基板は、厚みが、０．１〜１．１ｍｍであると、液晶ディスプレイ基板として好適である。
【００３２】
また本発明の無アルカリガラス基板は、質量％で、ＳｉＯ２　５５〜７０％、Ａｌ２Ｏ３　１２〜２０％、Ｂ２Ｏ３　５〜１５％、ＭｇＯ　０〜７％、ＣａＯ　０〜１２％、ＢａＯ　０〜１０％、ＳｒＯ　０〜１０％、ＺｎＯ　０〜５％の基本組成を有することが好ましい。
【００３３】
上記のように本発明の無アルカリガラス基板の基本組成を規定した理由は、次のとおりである。
【００３４】
ＳｉＯ２が５５％より少ないと、耐薬品性、特に耐酸性が低下すると共に、低密度化が図り難くなる。また７０％より多いと、高温粘度が大きくなり、溶融性が低下すると共に、ガラス中にクリストバライトの失透異物が生じやすくなる。ＳｉＯ２の好ましい含有量は、５６〜６８％である。
【００３５】
Ａｌ２Ｏ３が１２％より少ないと、失透温度が上昇し、ガラス中にクリストバライトの失透異物が生じやすくなると共に歪点が低下する。また２０％より多いと、ガラスの耐バッファードフッ酸性が低下し、ガラス表面に白濁が生じやすくなると共に、ガラスの耐失透性が低下する。Ａｌ２Ｏ３の好ましい含有量は、１３〜１８％である。
【００３６】
Ｂ２Ｏ３は融剤として働き、粘性を下げ、溶融性を改善する成分である。５％より少ないと、融剤としての働きが不十分となり、また耐バッファアードフッ酸性が低下する。１５％より多いと、ガラスの歪点が低下すると共に、耐酸性が低下する。
【００３７】
ＭｇＯは、歪点を下げずに高温粘性を下げ、ガラスの溶融性を改善する成分である。またＭｇＯは、アルカリ土類金属酸化物中では、最も密度を下げる効果があるが、多量に含有すると、失透温度が上昇し、ガラス中に結晶異物が析出しやすくなる。さらにＭｇＯは、バッファードフッ酸と反応して生成物を形成し、ガラス基板の表面に形成される素子に固着したり、ガラス基板に付着して白濁させる虞れがあるため、その含有量には制限がある。よってＭｇＯは、７％以下、好ましくは５％以下、より好ましくは１％以下にすることが望ましい。
【００３８】
ＣａＯも、ＭｇＯと同様に歪点を下げずに高温粘性を下げ、ガラスの溶融性を著しく改善する効果を有する。ＣａＯが１２％より多いと、ガラスの耐バッファードフッ酸性が低下し、ガラス基板が浸食されやすくなると共に、反応生成物がガラス基板表面に付着しガラスを白濁させる。より望ましいＣａＯの含有量は、３〜１０％である。
【００３９】
ＢａＯは、ガラスの耐薬品性、耐失透性を向上させる成分であるが、多量に含有すると、ガラスの密度が上昇する。またＢａＯは、アルカリ金属酸化物の中では、溶融性を悪化させる成分である。この種のガラスは、ＳｉＯ２を減少させることが溶融性を高める上で最も効果的であるが、ＳｉＯ２を減少させると、耐酸性が低下するため好ましくない。従って、ＳｉＯ２を減少させることなく、ガラスの溶融性を高めるためには、ＢａＯ量を制限する必要があり、１０％以下とするべきである。ＢａＯの好ましい量は、５％以下である。
【００４０】
ＳｒＯは、ガラスの耐薬品性を向上させると共に失透性を改善する成分であるが、多量に含有すると、ガラスの密度が上昇する。またＳｒＯは、ＢａＯと同様、アルカリ金属酸化物の中では、溶融性を悪化させる成分である。よってＳｒＯは、１０％以下、より好ましくは８％以下である。
【００４１】
ＺｎＯは、ガラスの耐バッファードフッ酸性と溶融性を改善する成分であるが、５％以上含有すると、ガラスが失透し易くなると共に歪点が低下する。
【００４２】
アルカリ土類金属酸化物は、混合して含有させることによりガラスの失透温度を著しく下げ、ガラス中に結晶異物が発生し難くすることができるため、ガラスの溶融性と成形性を改善することができるが、多量に含有させると、ガラスの密度が上昇して基板の軽量化が図れなくなるため、これらの成分は合量で１５％以下に抑えるべきである。
【００４３】
上記成分以外にも、本発明の特徴となるガラス特性が損なわれない限り、Ｆ２、ＳＯ３等の清澄剤やＹ２Ｏ３、Ｌａ２Ｏ３、Ｎｂ２Ｏ３、ＴｉＯ２等を添加しても良い。また本発明では、アルカリ金属酸化物を実質的に含有しないことを特徴とする。アルカリ金属酸化物を実質的に含有しないとは、その含有量を０．１質量％以下、好ましくは０．０５質量％以下に抑えるという意味である。
【００４４】
また本発明の無アルカリガラス基板は、１６００℃付近の高温で溶融する必要があるため、そのガラス溶融炉は、高温下でも耐食性に優れたＺｒＯ２質系耐火物から構築することが望ましい。ところが上記したようにＺｒＯ２質系耐火物からなるガラス溶融炉を使用しても、長期間の稼働の間に、耐火物の成分であるＺｒＯ２がガラス中に徐々に溶出することになる。ガラス融液中でのＺｒＯ２の拡散は非常に遅いため、ガラス中にＺｒＯ２が多量に混入すると、ガラス融液が不均質になり、ガラス基板の表面にうねりが発生しやすくなる。しかしながら本発明では、平均粒径（Ｄ５０）が６０μｍ以下のシリカ原料を使用し、ガラスの溶融性を向上させることができるため、ガラス溶融炉の最高温度を低下することができ、ＺｒＯ２質系耐火物の浸食によるＺｒＯ２の溶出を抑えることが可能である。またガラスの溶融性が向上するため、例え若干量のＺｒＯ２が溶出しても均質なガラス融液が得られる。
【００４５】
しかしながら実際の稼働においては、ガラスの流量を小さくしなければならない時があり、その結果、ガラス溶融炉内でのガラスの滞留時間が長くなり、耐火物がガラス中に溶出し、ガラス中のＺｒＯ２量が多くなることがある。この場合、ガラス基板の表面のうねりが大きくなりやすいため、原料のみならず、製造工程からの混入もできるだけ少なくなるように工夫することが望ましい。そのためには、ガラス溶融炉を構築する材料（耐火物）の一部又は全部を、ＺｒＳｉＯ４質系耐火物やＡｌ２Ｏ３質系耐火物に替えたり、耐火物を水冷や空冷して冷却することによってガラスへの溶出を抑える方法が有効である。以上のように、ＺｒＯ２は、ガラス基板の表面のうねりを低減するという見地から、原料及び製造工程からの混入をできるだけ避けるべきであり、ガラス中の含有量は、０．２質量％以下、好ましくは、０．１質量％以下とすべきである。
【００４６】
【実施例】
以下、本発明の無アルカリガラス基板を実施例に基づき詳細に説明する。
【００４７】
表１〜３は、本発明の実施例（試料Ｎｏ．１〜１０）と比較例（試料Ｎｏ．１１〜１３）を示すものである。
【００４８】
【表１】
2004091244.tif 000002
【００４９】
【表２】
2004091244.tif 000003
【００５０】
【表３】
2004091244.tif 000004
【００５１】
表中の各ガラス試料は、次のようにして作製した。
【００５２】
まず表の組成となるようにガラス原料を調合したバッチを白金ルツボに入れ、１６００℃で２４時間溶融した後、カーボン板上に流し出し、板状に成形した。こうして得られたガラス試料を用いて、密度、熱膨張係数、歪点、１０２．５ポイズ温度、液相温度、耐薬品性を測定した。またこれらのガラスを実際のガラス溶融炉を模して作製された小型のガラス溶融装置（ＺｒＯ２質耐火物製）で溶融し、オーバーフローダウンドロー法で板状に成形した後、３７０×４７０×０．７ｍｍに切断加工し、こうして得られたガラス基板の泡個数を計測すると共に、うねり量を測定した。尚、Ｎｏ．１〜５の実施例ガラスのＳｉＯ２原料は、平均粒径（Ｄ５０）が４０μｍの珪砂を使用し、またＮｏ．６〜１０の実施例ガラスのＳｉＯ２原料は、平均粒径（Ｄ５０）が５６μｍの珪砂を使用し、さらにＮｏ．１１〜１３の比較例ガラスのＳｉＯ２原料は、平均粒径（Ｄ５０）が９５μｍの珪砂を使用した。
【００５３】
表から明らかなように、Ｎｏ．１〜１０の実施例ガラスは、低密度で、熱膨張係数が３２〜３８×１０−７／℃であり、歪点が６６０℃以上であった。また１０２．５ポイズに相当する温度が１５９７℃以下であり、液相温度は１１０５℃以下、耐ＨＣｌ性と耐ＢＨＦ性に優れていた。さらに泡個数が６．０個／ｋｇ以下、うねり量が０．０２μｍ以下であった。
【００５４】
一方、Ｎｏ．１１〜１３の比較例ガラスは、泡個数が２０個／ｋｇ以上と多く、またうねり量が０．０３μｍ以上と大きかった。
【００５５】
尚、表中の密度は、周知のアルキメデス法で求め、熱膨張係数は、ディラトメーターを用いて３０〜３８０℃における平均熱膨張係数を測定した。歪点は、ＡＳＴＭ　Ｃ３３６−７１に基づいて測定した。１０２．５ポイズ温度は、高温粘性である１０２．５ポイズの粘度に相当する温度を示すものであり、この温度が低いほど溶融性に優れていることになる。液相温度は、ガラス試料を３００〜５００μｍの粒径に破砕し、これを白金ボート中に投入し、温度勾配炉中で２４時間熱処理した後、これを取り出し、ガラス中に失透（結晶異物）の見られた温度を示したものである。耐ＨＣｌ性と耐ＢＨＦ性は、以下の方法で浸食量を求めて評価した。まず各ガラス試料の両面を光学研磨した後、その一部をマスキングしてから所定の濃度に調合した薬液中で下に示す条件で浸漬した。このように薬液で処理した後、マスクを外し、マスク部分と浸食部分の段差を表面粗さ計で測定し、その値を浸食量とした。この浸食量が多いほど耐ＨＣｌ性と耐ＢＨＦ性が悪いということになる。耐ＨＣｌ性は、１０質量％塩酸水溶液を用いて８０℃、２４時間の処理条件で測定した。また耐ＢＨＦ性は、１３０ＢＨＦ溶液（ＮＨ４ＨＦ２：４．６質量％、ＮＨ４Ｆ：３６質量％）を用いて２０℃、３０分間の処理条件で測定した。
【００５６】
泡個数は、ガラス基板中を顕微鏡で観察し、長さ０．１ｍｍ以上の泡の個数を示した。うねり量は、触針式の表面形状測定装置を用いて、ＪＩＳ　Ｂ−０６１０に記載のＷＣＡ（ろ波中心線うねり）を測定した。この測定は、ＳＥＭＩ　ＳＴＤ　Ｄ１５−１２９６に準拠した方法で行い、測定時のカットオフは０．００８〜０．８ｍｍ、ガラス基板の引き出し方向に対して垂直な方向に３００ｍｍの長さで測定し、うねりの最大値を求め、それを表示した。
【００５７】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の無アルカリガラス基板の製造方法によると、シリカ原料として、平均粒径（Ｄ５０）が６０μｍ以下の原料を使用するため、清澄剤としてＳｎＯ２を使用しても、泡や異質層の発生を抑えることができ、その結果、表面のうねり量の小さなガラス基板が得ることが可能となる。
【００５８】
またこうして得られる無アルカリガラス基板は、液晶ディスプレイ、ＥＬディスプレイ等の高性能のフラットディスプレイ基板を始めとして、電荷結合素子（ＣＣＤ）、等倍近接型固体撮像素子（ＣＩＳ）、ＣＭＯＳイメージセンサー等の各種イメージセンサー、ハードディスク、フィルター等のガラス基板として好適である。