(57)【要約】【課題】複数の記録層を従来の初期化装置で短時間に且つ均一に初期化することが可能な光情報記録媒体の製造方法を提供する。【解決手段】光情報記録媒体の製造方法を、予め第１の情報記憶層２が形成された光透過性の第１の基板１と第２の情報記憶層４が形成された第２の基板５を準備する第１工程と、前記第１の情報記憶層上から第１のレーザ光の照射を行って、前記第１の情報記憶層の初期化を行なう第２工程と、前記第１の情報記憶層上に接着剤からなる光学的に分離する中間層３を塗布する第３工程と、前記第１の情報記憶層に前記第２の情報記憶層を対向させて前記中間層を介して前記第１の基板と前記第２の基板とを接合する第４工程と、前記第１の基板側から第２のレーザ光を照射して、前記第２の情報記憶層の初期化を行う第５工程と、により形成する。【選択図】  図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
予め第１の情報記憶層が形成された光透過性の第１の基板と第２の情報記憶層が形成された第２の基板を準備する第１工程と、
前記第１の情報記憶層上から第１のレーザ光の照射を行って、前記第１の情報記憶層の初期化を行なう第２工程と、
前記第１の情報記憶層上に接着剤からなる光学的に分離する中間層を塗布する第３工程と、
前記第１の情報記憶層に前記第２の情報記憶層を対向させて前記中間層を介して前記第１の基板と前記第２の基板とを接合する第４工程と、
前記第１の基板側から第２のレーザ光を照射して、前記第２の情報記憶層の初期化を行う第５工程と、
からなることを特徴とする光情報記録媒体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光学的に情報の記録、再生が可能な多層の相変化型の光情報記録媒体の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
一般的に光ディスク等の光情報記録媒体は、レーザ光の案内溝等が形成された基板上に、第１の保護層と、相変化型記録層と、第２の保護層と、反射層とをこの順番に積層し、その上に保護膜を形成することにより得ていたものである。このような光ディスクは、例えば開口率（ＮＡ）が０．６の対物レンズを有する光学系を使用したＤＶＤ−ＲＷ、ＤＶＤ−ＲＡＭ等として知られている。
近年になって、さらに記録容量を高める（高密度化）のために、２次元方向の面密度の増大化を図った研究開発が進められていて、それの商品化が待たれている。そのためには、記録再生光の波長を短くし、高ＮＡの対物レンズを用いたシステムでなければならず、それへの各種提案がなされている。
【０００３】
しかしながら、記録再生レーザ光の短波長化や対物レンズの高ＮＡ化には技術的な限界があり、２次元方向の面密度の向上は頭打ちになってきている。そこで、３次元方向に記録面を多数有する、いわゆる多層の光情報記録媒体が検討されている。この光情報記録媒体としては、例えば特開平９−１９８７０９号公報等に提案されている。また、このような多層の光情報記録媒体を一括して初期化する方法が特開平９−９１７００号公報等に提案されている。
【０００４】
【特許文献１】
特開平９−１９８７０９号公報
【特許文献２】
特開平９−９１７００号公報
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、上記特許文献２に開示された初期化方法は、複数の光ヘッドを有する光ピックアップで行うものであり、これは装置が複雑となる。また、１つの光ヘッドで多層化されている複数の記録層を同時に初期化する方法も開示されているが、多層の光記録媒体の２つの記録層を、互いの記録層に悪影響を及ぼさないように短い処理時間で効率的に初期化することは非常に困難である。
また、透過率の高い第１の記録層を初期化するためには、標準的な単層の記録層を初期化するときの初期化パワーよりも高いパワーのレーザ光を照射する必要がある。しかしながら、この場合には第２の記録層に対しては過剰に光エネルギーや熱エネルギーが印加されることになり、各記録層を最適な初期化状態とすることができない。逆に第２の記録層を最適な状態に初期化すると、第１の記録層に対しては初期化パワーが不足し、それへの十分な結晶化が行えない、という問題が生ずる。
【０００６】
また、各層の記録層の初期化感度を調整し、第１の記録層と第２の記録層とを同時に初期化することも考えられるが、これを実現することはかなり困難である。
本発明は、このような従来の実情に鑑みて提案されたものであり、本発明の目的は複数の記録層を従来の初期化装置で短時間に且つ均一に初期化することが可能な光情報記録媒体の製造方法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明は、予め第１の情報記憶層が形成された光透過性の第１の基板と第２の情報記憶層が形成された第２の基板を準備する第１工程と、前記第１の情報記憶層上から第１のレーザ光の照射を行って、前記第１の情報記憶層の初期化を行なう第２工程と、前記第１の情報記憶層上に接着剤からなる光学的に分離する中間層を塗布する第３工程と、前記第１の情報記憶層に前記第２の情報記憶層を対向させて前記中間層を介して前記第１の基板と前記第２の基板とを接合する第４工程と、前記第１の基板側から第２のレーザ光を照射して、前記第２の情報記憶層の初期化を行う第５工程と、からなることを特徴とする光情報記録媒体の製造方法である。
【０００８】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明に係る光情報記録媒体の一実施形態を添付図面に基づいて詳述する。
図１は本発明の光情報記録媒体を示す概略構成図、図２は図１に示す光情報記録媒体の詳細を示す構成図である。
ここでは光情報記録媒体として光学的に記録再生が可能である２層の記録層を有する相変化型の光ディスクを例にとって説明する。この光ディスクＤは、図１に示すように、第１の基板１上に、第１の情報記憶層２と、中間層３と、第２の情報記憶層４と、第２の基板５とが順次積層されて構成される。図１中矢印ａは初期化レーザ光、記録又は再生レーザ光（いずれも図示れず）の入射方向を示す。
【０００９】
図２に詳しく示すように、上記第１の情報記憶層２は、第１の誘電体層２１と、第１の相変化型記録層２２と、第２の誘電体層２３と、第１の反射層２４と、高屈折率層２５とを順次積層してなる。また前記した第２の情報記憶層４は、第３の誘電体層４１と、第２の相変化型記録層４２と、第４の誘電体層４３と、第２の反射層４４とを順次積層してなる。
上記第１の基板１は、初期化レーザ光、記録又は再生レーザ光が矢印ａ側から透過できる透光性基板である。上記第２の基板５は、記録再生光が入射しないので透光性でなくてもよいが、生産効率を考えると第１の基板１と同様な基板を用いるのが好ましい。また、第１の基板１ならびに第２の基板５には図２に示すように、レーザ光を案内するプリグルーブ１ａ（いわゆる空溝）やプリピット１ｂが設けられており、これらの第１及び第２の基板１、５としてはポリカーボネート樹脂、ポリオレフィン樹脂、アクリル樹脂等のプラスチック基板やガラス基板が用いられる。
【００１０】
この第１の基板１上に形成されたプリグルーブ１ａやプリピット１ｂはレーザ光を案内する機能を有し、このプリグルーブ１ａやプリピット１ｂは直接、射出成形されたりして、平滑な基板上に２Ｐ法（フォトポリマー法）で形成される。
上記した構成の第１の基板１はＣＡＶ（ｃｏｎｓｔａｎｔ  ａｎｇｕｌａｒ  ｖｅｌｏｃｉｔｙ：角速度一定）やＣＬＶ（ｃｏｎｓｔａｎｔ  ｌｉｎｅａｒ  ｖｅｌｏｃｉｔｙ：線速度一定）或いはＺＣＡＶ（ｚｏｎｅ  ｃｏｎｓｔａｎｔａｎｇｕｌａｒ  ｖｅｌｏｃｉｔｙ）やＺＣＬＶ（ｚｏｎｅ  ｃｏｎｓｔａｎｔ  ｌｉｎｅａｒ  ｖｅｌｏｃｉｔｙ）のフォーマットがされ、各セクタの先頭にはアドレス信号がエンボスピットとして予め記録されている。更に、特定の周期で蛇行させてもよい。
【００１１】
次に、前記した構成の２層の光情報記録媒体Ｄの製造方法について説明する。
まず第１の情報記録層１の製造方法について説明する。第１の基板１を真空成膜装置（図示せず）内に設置し、この表面に第１の情報記憶層２の第１の誘電体層２１と、第１の相変化型記録層２２と、第２の誘電体層２３と、第１の反射層２４と、高屈折率層２５とをこの順序で真空成膜する。真空成膜方法は、抵抗加熱型や電子ビーム型の真空蒸着、直流や交流スパッタリング、反応性スパッタリング、イオンビームスパッタリング、イオンプレーティング等が用いられる。
【００１２】
次に、上記第２の情報記憶層４の製造方法について説明する。上記第１の情報記憶層２と同様にして各層を積層するが、積層の順番が第１の情報記憶層２の場合とは反対になる。すなわち第２の基板５を真空成膜装置（図示せず）内に設置し、この表面に第２の反射層４４と、第４の誘電体層４３と、第２の相変化型記録層４２と、第３の誘電体層４１とをこの順序で順次真空成膜する。
ここで第１の情報記憶層２で第１の反射層２４上に上述のように高屈折率層２５を設けると、透過率を増大することができる。この高屈折率層２５としては金属の酸化物、窒化物、硫化物が用いられ、例えばＺｎＳ−ＳｉＯ２  、ＺｎＳ、ＳｉＯ２  、Ｔａ２  Ｏ５  、Ｓｉ３  Ｎ４  、ＡｌＮ、Ａｌ２  Ｏ３  、ＡｌＳｉＯＮ、ＺｒＯ２  、ＴｉＯ２  などの単体、或いはこれらの混合物が用いられる。これらの光の吸収を伴う媒質の複素屈折率の実部であるｎが”２＜ｎ＜２．８”であり、吸収係数ｋが”ｋ＜０．１”であって、極力透明で高い屈折率を有するように金属と酸素、窒素、硫黄等の混合率を制御する。
【００１３】
図２に示すように、第１の誘電体層２１、第２の誘電体層２３、第３の誘電体層４１、第４の誘電体層４３は、金属の酸化物、窒化物、硫化物が用いられ、例えばＺｎＳ−ＳｉＯ２  、ＺｎＳ、ＳｉＯ２  、Ｔａ２  Ｏ５  、Ｓｉ３  Ｎ４  、ＡｌＮ、Ａｌ２  Ｏ３  、ＡｌＳｉＯＮ、ＺｒＯ２  、ＴｉＯ２  などの単体、或いはこれらの混合物が用いられる。
【００１４】
第１の誘電体層２１ならびに第３の誘電体層４１の膜厚はそれぞれ１０ｎｍ〜３００ｎｍの範囲にある。使用するレーザ光の波長によって最適膜厚は変動するが、好ましくは再生信号を増大させるために、３０ｎｍ〜２００ｎｍとするのがよい。第１の相変化型記録層２２と第２の相変化型記録層４２は、アモルファス−結晶間の反射率変化、或いは屈折率変化を利用する相変化材料が用いられ、例えばＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系、Ａｇ−Ｉｎ−Ｔｅ−Ｓｂ系などが挙げられる。第１の相変化型記録層２２の膜厚は２ｎｍ〜１０ｎｍ、好ましくは、透過率を高めつつ書き換えが可能で再生信号も増大させるために、３ｎｍ〜７ｎｍとするのがよい。この膜厚を３ｎｍ以下にすると透過率は増大するが、結晶化速度が極端に低下して書き換えができなくなる。また、記録信号の再生出力も著しく低下する。逆に膜厚を７ｎｍよりも厚くすると透過率が減少し、第２の情報記憶層４に対する記録に十分な光を導くことができなくなる。
【００１５】
第２の相変化型記録層４２の膜厚は７ｎｍ〜３０ｎｍ、好ましくは記録感度を高めつつクロスイレーズを低減させるために、８ｎｍ〜１５ｎｍとするのがよい。この膜厚を８ｎｍ以下にすると記録感度が低下し、逆に膜厚を１５ｎｍ以上にすると記録感度は向上するがクロスイレーズが大きくなる。
組成が（Ｓｂ７０Ｔｅ３０）の共晶点付近の組成域を用いた（ＳｂＴｅ）Ｍ（ここでＭは、Ｇｅ、Ａｇ、Ｉｎ、Ｇａ、Ｃｕ、Ａｌの少なくともひとつからなる）系の相変化型記録材料を多層の相変化型光情報記録媒体の第１の相変化型記録層としてその膜厚を１０ｎｍ以下と薄くして用いた場合には、従来の単層の情報記録媒体であるＤＶＤ−ＲＷの組成Ｓｂ６５Ｔｅ２５Ｍ１０（Ｍは、ＡｇとＩｎ。Ｓｂ／Ｔｅ＝２．６）のままでは結晶化速度が遅いため初期化することができない。
【００１６】
ＤＶＤ−ＲＷでは、相変化型記録層の膜厚は１０ｎｍから２０ｎｍであったが、多層化するため透過率を増大するようこの膜厚を１０ｎｍ以下に薄くすると結晶化が困難になる。これは、記録層の膜厚が厚いときに比べ記録層の膜厚を薄くするとレーザ光の照射によって発生した熱が早く逃げるため、融点以上に熱せられた記録材料が急速に冷却して液相状態を凍結した非晶質状態になるためである。このため急速な冷却でも非晶質化しないようにＳｂ量を増大、すなわちＳｂ／Ｔｅ比を増加させて結晶化速度を速める必要がある。Ｓｂは単体で薄膜化すると、成膜直後から結晶化するという性質を持っている。膜厚が１０ｎｍ以下となる極端に薄い記録層でも結晶化できるＳｂ／Ｔｅ比は、成膜装置や成膜の条件、スパッタ法であればスパッタガス圧、ターゲットへの投入電力等により異なるため絶対値を規定することはできない。しかしながら、本発明者らが検討したところ、第２の相変化型記録層４２に用いる記録材料のＳｂ／Ｔｅ比に比べ、第１の相変化型記録層２２のＳｂ／Ｔｅ比を大きくするとこの第１の相変化型記録層２２の結晶化が容易に起こることが判明した。
第１の相変化型記録層２２の膜厚は、第２の相変化型記録層４２の膜厚に比べ薄いのでレーザ光によって発生した熱はより早く冷却されてしまう。したがって、第１の相変化型記録層２２の材料の結晶化速度を速めるために第２の相変化型記録層４２の材料よりもＳｂ量を増大させる必要がある。
【００１７】
第２の誘電体層２３ならびに第４の誘電体層４３は、それぞれの第１及び第２の反射層２４、４４への熱伝導を制御し、記録感度やクロスイレーズの特性を調節する。膜厚は５ｎｍ〜５０ｎｍとするのがよい。
中間層３は、記録、再生時に第１の情報記憶層２と第２の情報記憶層４とを光学的に分離すると共に、記録時、或いは初期化時には第１の情報記憶層２と第２の情報記憶層４が同時に加熱されないように熱を断つ効果を合わせ持っている。すなわち第１の情報記憶層２に記録する情報と第２の情報記憶層４に記録する情報とが相互に記録されないように、また、第１の情報記憶層２に記録された情報と第２の情報記憶層４に記録された情報が相互に再生できないようにするために中間層３の膜厚が設定されている。更に、第１の情報記憶層２を初期化する時に第２の情報記憶層４に熱が伝導するのを防ぐ機能も有している。その膜厚は、記録再生に使用するレーザ光の波長や対物レンズの開口数（ＮＡ）によって変わる。波長６５０ｎｍ、ＮＡ＝０．６の場合には、厚さが４０μｍ〜７０μｍの中間層３を形成すると第１の情報記憶層２と第２の情報記憶層４とを独立して記録再生することができる。また、波長４０５ｎｍ、ＮＡ＝０．８５の場合には、厚さが２０μｍ〜３５μｍの中間層３を形成すると、第１の情報記憶層２と第２の情報記憶層４とを独立して記録再生することができる。この中間層３は、例えば樹脂材料からなる。
【００１８】
前述したように、真空成膜装置内で、それぞれ別個に第１の情報記憶層２と第２の情報記憶層４とを成膜した後、それぞれの第１及び第２の基板１、５を大気中に取り出し、第１の情報記憶層２と第２の情報記憶層４とを対向させて接着剤からなる中間層３で第１及び第２の基板１、５を貼り合わせる。中間層３の形成の際には、塗布、加圧、加熱或いは光照射する。
本発明方法では、１枚の２層の相変化型の光情報記録媒体を完成するには複数の製造方法が存在する。第１の方法は、第１及び第２の基板１、５の表面に形成されたそれぞれの情報記憶層２、４に保護膜（図示せず）をそれぞれ形成した後に、まず第２の情報記憶層４を初期化し、次いで中間層３を介在して、第２の情報記憶層４を第１の情報記憶層２に対向させて第２の基板５を第１の基板１に貼り合わせる。その後に第１の情報記憶層２を初期化する。第２の方法は、第１及び第２の基板１、５の表面に形成されたそれぞれの情報記憶層２、４に保護膜を形成せずに、まず第２の情報記憶層４を初期化し、ついで中間層３を介在して第１の情報記憶層２を第２の情報記憶層４に対向させて第２の基板５を第１の基板１に貼り合わせる。そして、その後に第１の情報記憶層２を初期化する。尚、この場合、上記保護層としては中間層３と光学的に同じ材質のものを用いるのがよい。
【００１９】
第２の情報記憶層４を初期化する場合に、第３の誘電体層４１上に樹脂製の保護膜を設けるか否かは光学特性上はほとんど関係ない。樹脂製の保護膜を設けないと初期化の線速度やレーザパワー等の条件が狭くなるが、第２の反射層４４の膜厚が厚く、レーザ光の照射によって発生する熱を十分に放熱するので、高出力の初期化レーザ光を記録層に照射しても記録層を熱損傷するようなことはない。従来の相変化型の記憶層単層からなるＤＶＤ−ＲＷを初期化する時に使用する初期化装置でも、略同等の処理時間で初期化することが可能である。
【００２０】
これに対して、第１の情報記憶層２は第１の相変化型記録層２２と第１の反射層２４とが１０ｎｍ以下と薄いために放熱し難く、初期化時に熱損傷を受け易い。従って、初期化レーザ光が入射する方向とは反対側に樹脂製の保護膜を設けないと第１の相変化型記録層２２が飛散するか、全く初期化できなくなってしまい、均一に初期化することが難しい。このため第２の情報記憶層４を初期化した後にこれを第１の情報記憶層２と貼り合わせて樹脂製の中間層３を形成し、その後に第１の情報記憶層２（第１の相変化型記録層２２）を初期化すると第１の相変化型記録層２２に熱損傷を与えることなくこれを均一に初期化することができる。
【００２１】
＜実施例＞
次に、第１、第２の相変化型記録層２２、４２として（ＳｂＴｅ）Ｇｅからなる相変化型記録膜を用いた具体例を示す。図３は製造方法の概略的な流れを示すフローチャートである。
まず、第２の情報記憶層４付きの第２の基板５を作製する。すなわちトラックピッチが０．７４μｍ、溝深さが３０ｎｍのプリグルーブ１ａが設けられた板厚が０．６ｍｍのポリカーボネート樹脂製の第２の基板５に、第２の反射層４４、第４の誘電体層４３、第２の相変化型記録層４２、第３の誘電体層４１を、スパッタリング装置内を真空度１×１０−６Ｔｏｒｒ以下に排気した後、この順序でスパッタリングによってそれぞれ成膜した。この第２の基板５は第１の基板１とはグルーブとランドの幅が逆転していて、光入射方向Ｌ１から見るとグルーブとランドの幅が第１の基板１と同じになる。
【００２２】
この際、第２の反射層４４は、Ａｇ９８Ｐｄ１  Ｃｕ１  を直流スパッタリングして、２００ｎｍの厚さで形成される。
第４の誘電体層４３は、ＺｎＳ−ＳｉＯ２  （８０：２０ｍｏｌ％）を高周波スパッタリングして２５ｎｍの厚さで形成される。
第２の相変化型記録層４２は、Ｇｅ６  Ｓｂ７１Ｔｅ２３（Ｓｂ／Ｔｅ＝３．１）を直流スパッタリングして１３ｎｍの厚さで形成される。
【００２３】
第３の誘電体層４１は、ＺｎＳ−ＳｉＯ２  （８０：２０ｍｏｌ％）をＡｒガスで高周波スパッタリングして８５ｎｍの厚さで形成される。このようにして第２の情報記憶層４は形成される（図３（Ａ）参照）。
この後、初期化装置（シバソク  ＬＫ２２０  波長８２０ｎｍ、ＮＡ＝０．３５）にて第３の誘電体層４１側からレーザ光Ｌ１（線速度４ｍ／ｓ、レーザパワー４００ｍＷ、送りピッチ４０μｍ／回転）を照射して、アモルファス状態から結晶状態に相変化させる（図３（Ａ）参照）。これにより第２の相変化型記録層４２を均一に結晶することができる。
【００２４】
次に第２の基板５と同様に、トラックピッチが０．７４μｍ、溝深さが３０ｎｍのプリグルーブ１ａが設けられた板厚が０．６ｍｍのポリカーボネート樹脂製の第１の基板１に第１の情報記憶層２として、第１の優電体層２１、第１の相変化型記録層２２、第２の誘電体層２３、第１の反射層２４、高屈折率層２５を、真空成膜装置内を真空度１×１０−６Ｔｏｒｒ以下に排気した後、この順序でスパッタリングによってそれぞれ成膜した。
この際、ＺｎＳ−ＳｉＯ２  （８０：２０ｍｏｌ％）をＡｒガスで高周波スパッタリングして第１の誘電体層２１として６６ｎｍの厚さで形成される。
ついで第１の相変化型記録層２２は、Ｇｅ８  Ｓｂ７５Ｔｅ１７（Ｓｂ／Ｔｅ＝４．４）を直流スパッタリングして、５ｎｍの厚さで形成される。
【００２５】
第２の誘電体層２３は、ＺｎＳ−ＳｉＯ２  （８０：２０ｍｏｌ％）を高周波スパッタリングして１５ｎｍの厚さで形成される。
第１の反射層２４は、Ａｇ９８Ｐｄ１  Ｃｕ１  を直流スパッタリングして８ｎｍの厚さで形成される。
更に高屈折率層２５は、ＺｎＳ−ＳｉＯ２  （８０：２０ｍｏｌ％）（波長６５０ｎｍの屈折率ｎ＝２．３、ｋ＝０）を高周波スパッタリングによって６６ｎｍの厚さで形成される。このようにして第１の情報記憶層２は形成される。
この後、第２の情報記憶層４上に、紫外線硬化樹脂（大日本インキ  ＥＸ８２１０）をスピンコート法により塗布した後、第１の情報記憶層２の高屈折率層２５と第２の情報記憶層４の第３の誘電体層４１とを対向させて接合し、第１の基板１側から紫外光線を照射し硬化させて第１及び第２の基板１、５を貼り合わせる。中間層３である樹脂製の保護膜の厚みは６０μｍであった（図３（Ｂ）参照）。
【００２６】
ついで、この第１の情報記憶層２（第１の相変化型記録層２２）を初期化装置（シバソク  ＬＫ２２０  波長８２０ｎｍ、ＮＡ＝０．３５）にて第１の基板１側からレーザ光Ｌ２（線速度５ｍ／ｓ、レーザパワー４００ｍＷ、送りピッチ２μｍ／回転）を照射して、アモルファス状態から結晶状態に相変化させた（図３（Ｃ）参照）。これにより第１の相変化型記録層２２を均一に初期化することができる。こうして、２層の光ディスクを完成する。
次に、記録再生特性の評価のために、第１の基板１側から第１の相変化型記録層２２のグルーブに記録を行った。グルーブは、レーザ光の入射方向からみて凸状になっている。記録の条件は、次の通りである。
線速度は３．５ｍ／ｓ、記録レーザ波長は６５０ｎｍ、対物レンズのＮＡは０．６、ピークパワーは１８．０ｍＷ、バイアスパワーは８．０ｍＷである。８−１７変調信号を記録し、標準偏差σをウィンド幅Ｔｗで割った値であるジッタを測定した。１回目のジッタは、１０．５％であった。また、書き換えも可能であり１０回後のジッタは、１１．２％であった。
【００２７】
次に第１の基板１側から第２の相変化型記録層４２のグルーブに記録した。ピークパワーは２８．０ｍＷ、バイアスパワーは１４．０ｍＷである。８−１７変調信号を記録し、標準偏差σをウィンド幅Ｔｗで割った値であるジッタを測定した。１回目のジッタは、９．３％であった。また、書き換えも可能であり１０回後のジッタは、１０．０％であった。
このように第１の情報記憶層２（第１の相変化型記録層２２）と第２の情報記憶層（第２の相変化型記録層４２）は、共に均一に初期化できて良好なジッタを示した。ここで良好なジッタとは、システムが破綻する１５％以下の範囲であり、余裕度を考慮すると１２％以下の範囲である。
【００２８】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の光情報記録媒体の製造方法によれば、次のように優れた作用効果を発揮することができる。
複数の記録層を従来の初期化装置で短時間に、且つ均一に初期化することができる。従って、記録再生特性に優れた容量の大きな多層の光情報記録媒体を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の光情報記録媒体を示す概略構成図である。
【図２】図１に示す光情報記録媒体の詳細を示す構成図である。
【図３】本発明の光情報記録媒体の製造方法の概略的な流れを示すフローチャートである。
【符号の説明】
１…第１の基板、２…第１の情報記憶層、３…中間層、４…第２の情報記憶層、５…第２の基板。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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