(57)【要約】  【課題】  本発明は、磁気抵抗センサの製造方法において、磁気抵抗センサの最大限の電子正反射と、下部構造体との間における高品質の安定な界面との最適な組合せを達成する。  【解決手段】  磁気抵抗センサは、下部積層構造体の上に形成されたフリー層を含むセンサ構造体を使用し、かつフリー層の上に重ねて酸化物構造体を形成して製造する。この酸化物構造の形成には、形成時にバッファ層金属であるバッファ層をフリー層の上に重ねて形成するステップと、被覆層金属の被覆層金属酸化物である被覆層をバッファ層に重ねて、かつバッファ層に接触させて形成するステップと、バッファ層を酸化させてバッファ層金属酸化物を形成するステップとが含まれる。【選択図】  図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁気抵抗センサの製造方法であって、
下部積層構造体の上に形成されたフリー層を含むセンサ構造体を得るステップと、
前記フリー層の上に重ねて酸化物構造体を形成するステップとを有し、
前記酸化物構造体を形成するステップは、
形成時にはバッファ層金属であるバッファ層を前記フリー層の上に重ねて形成し、その後、
被覆層金属の被覆層金属酸化物である被覆層を前記バッファ層の上に重ねて、かつ前記バッファ層に接触させて形成し、
前記バッファ層を酸化させて、バッファ層金属酸化物を形成するステップを有することを特徴とする磁気抵抗センサの製造方法。
【請求項２】
前記センサ構造体を得るステップは、
巨大磁気抵抗センサ構造体を得るステップを含むことを特徴とする請求項１に記載の磁気抵抗センサの製造方法。
【請求項３】
前記バッファ層を形成するステップは、
タンタル、アルミニウム、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、イットリウム、クロム、マグネシウムまたはケイ素によって構成されるグループから選択される前記バッファ層金属を形成するステップを含むことを特徴とする請求項１に記載の磁気抵抗センサの製造方法。
【請求項４】
前記被覆層金属と前記バッファ層金属は、同じ金属であることを特徴とする請求項１に記載の磁気抵抗センサの製造方法。
【請求項５】
前記被覆層金属と前記バッファ層金属は、異なる金属であることを特徴とする請求項１に記載の磁気抵抗センサの製造方法。
【請求項６】
前記バッファ層を酸化させるステップと前記被覆層を形成するステップは、少なくとも部分的に同時に行なわれることを特徴とする請求項１に記載の磁気抵抗センサの製造方法。
【請求項７】
前記バッファ層を酸化させるステップは、少なくとも部分的に、前記被覆層を形成するステップの終了後に行なわれることを特徴とする請求項１に記載の磁気抵抗センサの製造方法。
【請求項８】
前記バッファ層を酸化させるステップは、
前記被覆層を形成させるステップの終了後に前記バッファ層をアニ−ルするステップを含むことを特徴とする請求項１に記載の磁気抵抗センサの製造方法。
【請求項９】
前記バッファ層を形成するステップは、
約５オングストローム以上の厚さに前記バッファ層を形成するステップを含むことを特徴とする請求項１に記載の磁気抵抗センサの製造方法。
【請求項１０】
前記バッファ層を形成するステップは、
約１０〜約１５オングストロームの厚さに前記バッファ層を形成するステップを含むことを特徴とする請求項１に記載の磁気抵抗センサの製造方法。
【請求項１１】
前記バッファ層は、バッファ層層厚を有し、前記バッファ層を酸化させるステップは、
前記バッファ層層厚の約８０％以上を酸化させるステップを含むことを特徴とする請求項１に記載の磁気抵抗センサの製造方法。
【請求項１２】
前記バッファ層は、バッファ層層厚を有し、前記バッファ層を酸化させるステップは、
前記バッファ層層厚の約９０〜約１００％を酸化させるステップを含むことを特徴とする請求項１に記載の磁気抵抗センサの製造方法。
【請求項１３】
前記バッファ層を酸化させる段階は、
前記フリー層を実質的に全く酸化させないステップを含むことを特徴とする請求項１に記載の磁気抵抗センサの製造方法。
【請求項１４】
前記酸化物構造体を形成するステップは、
約２５オングストローム以上の厚さを有する前記酸化物構造体を形成するステップを含むことを特徴とする請求項１に記載の磁気抵抗センサの製造方法。
【請求項１５】
磁気抵抗センサの製造方法であって、
下部積層構造体の上に形成されたフリー層を含む巨大磁気抵抗センサ構造体を得るステップと、
前記フリー層の上に重ねられ、かつ約２５オングストローム以上の厚さを有する酸化物構造体を形成するステップとを有し、
前記酸化物構造体を形成するステップは、
形成時にバッファ層金属であり、かつ約５オングストローム以上の厚さを有するバッファ層を前記フリー層の上に重ねて形成するステップと、その後で、
被覆層金属の被覆層金属酸化物である被覆層を前記バッファ層の上に重ねて、かつ接触させて形成するステップと、該ステップと同時に、
前記バッファ層を酸化させて、バッファ層金属酸化物を形成するステップとを含むことを特徴とする磁気抵抗センサの製造方法。
【請求項１６】
前記バッファ層を形成させるステップは、
タンタル、アルミニウム、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、イットリウム、クロム、マグネシウムまたはケイ素によって構成されるグループから選択される前記バッファ層金属を形成するステップを含むことを特徴とする請求項１５に記載の磁気抵抗センサの製造方法。
【請求項１７】
前記被覆層金属と前記バッファ層金属は、同じ金属であることを特徴とする請求項１５に記載の磁気抵抗センサの製造方法。
【請求項１８】
前記被覆層金属と前記バッファ層金属は、異なる金属であることを特徴とする請求項１５に記載の磁気抵抗センサの製造方法。
【請求項１９】
前記バッファ層を形成するステップは、
約１０〜約１５オングストロームの厚さを有する前記バッファ層を形成するステップを含むことを特徴とする請求項１５に記載の磁気抵抗センサの製造方法。
【請求項２０】
前記バッファ層は、バッファ層層厚を有し、前記バッファ層を酸化させるステップは、
前記バッファ層層厚の約９０〜約１００％を酸化させるステップを含むことを特徴とする請求項１５に記載の磁気抵抗センサの製造方法。
【請求項２１】
前記バッファ層を酸化させるステップは、
前記フリー層を実質的に全く酸化させないステップを含むことを特徴とする請求項１５に記載の磁気抵抗センサの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気抵抗センサの製造方法に関し、特にフリー層の上に形成される酸化物構造体に関する。
【背景技術】
【０００２】
磁気抵抗（ＭＲ）センサは、読み取り／書き込みヘッドに用いられて、磁気記憶装置の記録媒体上において磁界を読み取る。一例は、コンピュータのハードディスクドライブまたは磁気記録テープドライブの読み取り／書き込みヘッドである。この読み取り／書き込みヘッドは、コンピュータのハードディスクドライブの場合は、エアベアリングにより記録媒体から分離されるか、または記録媒体に接触しさえして、記録媒体に非常に近接して配置される。データビットは、記録媒体の領域上において、読み取り／書き込みヘッドの書き込み部分を用いて該領域の磁性状態を局所的に変化させることによって書き込まれる。この磁性状態が、後に、読み取り／書き込みヘッドの読み取り部分であるＭＲセンサで検出されて、前記データビットが読み取られる。
【０００３】
２つの周知のタイプのＭＲセンサとして、巨大磁気抵抗（ＧＭＲ）センサとトンネル磁気抵抗（ＴＭＲ）センサがある。ＧＲＭセンサの一般的な基本技術と構造と動作とは、たとえば特許文献１（米国特許第５，４３６，７７８号）に説明されている。ＴＭＲセンサの一般的な基本技術と構造と動作とは、たとえば特許文献２（米国特許第５，７２９，４１０号）に説明されている。両特許の開示内容は、引用により全面的に含まれる。これらの特許には、さらにまた、読み取り／書き込みヘッドと磁気記憶装置とが説明されている。
【０００４】
ＧＭＲセンサまたはＴＭＲセンサ等のＭＲセンサの構造には、中間非磁性膜により分離される２層の積層薄膜が含まれる。中間非磁性膜は、一般に銅薄膜または酸化アルミ薄膜であり、それぞれＧＭＲセンサまたはＴＭＲセンサのスペーサー層としての役割を果たす。ひとつの形態において、下部積層薄膜は、横方向（センサの浮上面に対して垂直）の磁気的バイアス構造を含み、上部積層薄膜は、外部磁界に反応するフリー層を有する検知層を含んでいる。縦方向（浮上面に対して平行）の磁気的ハードバイアス構造は、上部積層薄膜の一部分として存在するのか、または積層薄膜から横方向に配置されるかのいずれかである。これらの積層は、逆の場合もある。
【０００５】
被覆層すなわちキャップ層は、積層薄膜の上に形成される。ＭＲセンサの性能は、被覆層の特性によって変わる。多数の異なる被覆層が用いられ、機能を果たしているが、これらの被覆層では、性能と安定性との最適な組合せは達成されない。したがって、被覆層構造の改良が必要とされている。本発明は、この必要性を満たすとともに、さらに関連ある利点を提供するものである。
【０００６】
【特許文献１】米国特許第５，４３６，７７８号
【０００７】
【特許文献２】米国特許第５，７２９，４１０号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
磁気抵抗センサにおける上記の被覆層すなわちキャップ層は、積層薄膜の上に形成される。ＭＲセンサの性能は、被覆層の特性によって変わる。多数の異なる被覆層が用いられ、機能を果たしているが、これらの被覆層では、性能と安定性との最適な組合せは達成されない。したがって、被覆層構造の改良が必要とされている。
【０００９】
本発明は、上記の必要性を満たすとともに、さらに関連ある利点を提供することが可能な磁気抵抗センサの製造方法と、この方法によって製造される磁気抵抗センサとを提供することを目的とするものである。
【００１０】
さらに、本発明は、磁気抵抗センサの製造方法により、最大限の電子正反射と、下部構造体との間における高品質の安定な界面との最適な組合せを達成することを目的とする。ここにおいて、被覆層は、非導電性であり、素子の加工および製造時にセンサを劣化から保護する効果的な拡散隔膜としての役割を果たさせ、ＭＲセンサのｄＲ／Ｒ性能は、従来技術と比較して顕著に向上させることを目的としている。さらにまた、この方法は、製作パラメータにおいてある範囲の許容度を有しているようにすることをも目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記目的を達成するために、本発明では、磁気抵抗センサの製造方法において、下層構造体の上に形成された自由層を含むセンサ構造体を得るステップと、酸化物構造体をフリー層の上に重ねて形成するステップとを有するようにした。センサ構造体は、好ましくは巨大磁気抵抗センサであるようにした。酸化物構造体を形成するステップは、形成時にバッファ層金属となるバッファ層をフリー層の上に重ねて形成するステップと、然る後に被覆層金属の被覆層金属酸化物である被覆層をバッファ層の上に重ねて、かつ接触させて形成するステップとを含むようにした。バッファ層は、酸化されて、バッファ層金属酸化物を形成するようにした。この酸化物構造体は、好ましくは約２５オングストローム以上の厚さを有するようにした。
【００１２】
さらに、バッファ層金属は、好ましくはタンタル、アルミニウム、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、イットリウム、クロム、マグネシウムまたはケイ素（いずれも本目的において金属と考えられる）であるようにした。被覆層金属およびバッファ層金属は、同じ金属または異なる金属であってもよい。
【００１３】
さらにまた、バッファ層を酸化させるステップと被覆層を形成するステップは、好ましくは少なくとも部分的に同時に行なわれるようにした。バッファ層を酸化させるステップは、バッファ層を含む磁気抵抗センサのアニーリングにより、バッファ層を形成するステップの終了後も少なくとも部分的に継続しうるようにした。
【００１４】
また、バッファ層は、好ましくは約５オングストローム以上、最も好ましくは約５〜約２５オングストロームの厚さを有するようにした。
【００１５】
さらに、バッファ層の酸化により、好ましくはバッファ層の厚さの約８０％以上が酸化されるようにした。最も好ましくは、バッファ層の酸化により、バッファ層の厚さの約９０〜約１００％が酸化されるようにした。最も好ましくは、自由層は実質的に全く酸化されないようにした。
【００１６】
さらにまた、本発明は、磁気抵抗センサの製造方法において、最大限の電子正反射と、下部構造体との間における高品質の安定な界面との最適な組合せを得るようにし、被覆層は、非導電性であり、素子の加工および製造時にセンサを劣化から保護する効果的な拡散隔膜としての役割を果たすようしした。ＭＲセンサのｄＲ／Ｒ性能は、従来技術と比較して顕著に向上させるようにした。さらにまた、製作パラメータにおいてある範囲の許容度を有するようにした。
【発明の効果】
【００１７】
本発明の方法により、上部酸化物構造体と下部センサ構造体との間における高品質の界面が確保される。この界面の特性は、金属性バッファ層が形成されるとともに、然る後に酸化されるため、十分に制御される。これと対照的に、酸化層がフリー層の上に直接形成される場合は、フリー層の酸化の量と界面の特性とを制御することが困難である。
【００１８】
また、本発明によれば、磁気抵抗センサの被覆層は、非導電性であり、素子の加工および製造時にセンサを劣化から保護する効果的な拡散隔膜としての役割を果し、ＭＲセンサのｄＲ／Ｒ性能は、従来技術と比較して顕著に向上させることができる。また、本発明の製造方法は、製作パラメータにおいてある範囲の許容度を有することが可能となる。
【００１９】
本発明のその他の特徴および利点は、本発明の原理を例示的に示す添付図面を参照して行なわれる以下の好適な実施例の詳細な説明から明らかになろう。しかし、本発明の範囲は、この好適な実施例に制限されない。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
本発明に係る実施の形態について、図１〜図９を用いて詳述する。
【００２１】
図１に、本明細書において本発明の方法が用いられうる磁気ディスク駆動装置２０として示されるデータ記憶装置が示されている。この磁気ディスク駆動装置２０は、スピンドル２４上に支持され、かつ、制御装置４４のモータ制御２７の下でディスク駆動モータ２６により回転される回転可能な磁気記憶ディスク２２を備えている。磁気記憶ディスク２２の表面３０には磁気記憶媒体２８が形成されている。
【００２２】
磁気記憶ディスク２２に対して対向するようにスライダ３２が配置されている。このスライダ３２は、少なくとも１個の読み取り／書き込みヘッド３４を磁気記憶ディスク２２の磁気記憶媒体２８に対して対向するように支持している。スライダ３２は、サスペンション３８によりアクチュエータアーム３６に取り付けられている。このアクチュエータアーム３６とスライダ３２が半径方向の内方および外方に移動し、このスライダ３２の内方／外方の移動と磁気記憶ディスク２２の回転との組合せにより、読み取り／書き込みヘッドが磁気記憶媒体の領域全体に対して対向するように配置される。アクチュエータアーム３６は、制御装置４４の半径方向位置制御４２の下でアクチュエータ４０（ボイスコイルモータまたはＶＣＭとして示される）により駆動される。
【００２３】
サスペンション３８は、スライダ３２を磁気記憶ディスク２２の表面３０の方向に寄せる軽微なばね力を発生させる。センサ動作時において、磁気記憶ディスク２２は回転し、エアベアリングが、エアベアリング面４６すなわちＡＢＳと呼ばれる、スライダ３２の下方対向面と、磁気記憶ディスク２２の上方対向面３０との間に生成される。（下向きに配向されたスライダのみが図示されているが、上向きに配向されて磁気記憶ディスクの裏側に対向するスライダがさらにあってもよく、このスライダだけが前者の代わりにあってもよい。）エアベアリングは、サスペンション３８の軽微なばね力と釣り合うとともに、スライダ３２を磁気記憶ディスクの表面３０から上にわずかな距離をおいて、実質的に一定の小間隔を有して支持する。
【００２４】
読み取り／書き込みヘッド３４は、磁気記憶媒体の磁性状態を変えることによってデータを磁気記憶媒体２８上に書き込むとともに、さらにまた磁気記憶媒体２８の磁性状態を検知することによって磁気記憶媒体２８からデータを読み取る。書き込みおよび読み取り命令と書き込みまたは読み取り対象のデータとは、制御装置４４と読み取り／書き込みヘッド３４との間において記録チャネル４８を介して伝達される。本発明の方法は、読み取り／書き込みヘッド３４の一部分をなす磁気抵抗（ＭＲ）センサ構造体５０に関する。
【００２５】
上述の説明は、本発明が用いられる環境を設定することを目的とした、磁気ディスク駆動装置２０の形態をとるデータ記憶装置の簡単な説明である。本発明は、テープ駆動装置およびこれらの装置の読み取り／書き込みヘッド等、その他の形式のデータ記憶装置にも適用することができる。
【００２６】
図２に、ＭＲセンサ構造体５０を製造する好適な方法が示されており、図３〜５には、製造工程のさまざまなステップにおけるＭＲセンサ構造体が図示されている。センサ構造体７０が、図２のステップ６０において提供される。図３に示されるセンサ構造体７０は、下部積層構造体７２とこの下部積層構造体７２の上に形成されるフリー層７４とを有する。任意で、上部積層構造体７６がフリー層７４の上に形成される。下部積層構造体７２、フリー層７４および上部積層構造体７６の構成材料と層厚は、当該技術分野において周知である。フリー層７４は、一般に、Ｃｏ−Ｆｅ合金等の強磁性材料の単一層または強磁性材料の２層以上の副層によって製造される。センサ構造体７０は、好ましくは、米国特許第５，４３６，７７８号に記載されているような巨大磁気抵抗（ＧＭＲ）センサ構造体である。
【００２７】
酸化物構造体は、図２のステップ６２において、フリー層の上に重ねて形成される。この酸化物構造体は、望ましくは２５オングストローム以上の厚さを有する。酸化物構造体を形成するステップ６２は、好ましくはいくつかの副次的ステップからなる。バッファ層７８は、符号６４において、フリー層７４の上に重ねて形成され、図４に示される構造体が得られる。このバッファ層７８は、フリー層７４と直接接触して形成してもよい。任意の上部積層構造体７６が存在する場合は、バッファ層７８は、上部積層構造体７６に接触して形成される。
【００２８】
バッファ層７８は、ステップ６４において形成される時点ではバッファ層金属である。このバッファ層金属は、好ましくは、酸素に対してフリー層７４の材料より高い親和性を有する。好適なバッファ層金属には、アルミニウムおよびタンタルが含まれるが、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、イットリウム、クロム、マグネシウムまたはケイ素等のその他のバッファ層金属も用いることができる。バッファ層７８は、好ましくは約５オングストローム以上の厚さに形成され、最も好ましくは約１０〜約１５オングストロームの厚さに形成される。バッファ層７８は、選択されたバッファ層金属に適するいかなる技術によって形成されてもよいが、スパッタリングが好適である。
【００２９】
その後、被覆層８０が、図２のステップ６６において、バッファ層７８の上に重ねて、かつこの層に接触して形成される。形成された被覆層８０を有する構造体が、図５に示されている。被覆層８０は、被覆層金属の被覆層金属酸化物として形成される。被覆層金属とバッファ層金属は、同じ金属であることが好ましいが、異なる金属であってもよい。被覆層８０は、好ましくは約２０オングストローム以上の厚さに形成され、最も好ましくは約２０〜約５０オングストロームの厚さに形成される。被覆層８０は、いかなる適切な技術によって形成されてもよいが、反応性スパッタリング法が好適である。
【００３０】
バッファ層７８は、図２のステップ６８において酸化されて、バッファ層金属のバッファ層金属酸化物を形成する。バッファ層７８を酸化させるステップ６８は、好ましくは被覆層８０を形成させるステップ６６と少なくとも部分的に同時に行なわれる。すなわち、被覆層の形成ステップ６６は、好ましくは酸化環境において反応性スパッタリング法等の技術により行なわれて、バッファ層７８が同時に酸化される。バッファ層７８を酸化させるステップ６８は、被覆層８０を形成させるステップ６６の終了後に継続してもよい。たとえば、バッファ層７８（および一般的にそのステップにおける全構造体）は、一般に被覆層８０を形成させるステップ６６の終了後にアニ−ルされて、下部積層構造体７２の一部分をなすＰｔ−Ｍｎ固定層によるフリー層の横方向の偏倚が起こるとともに、このアニ−リング時に一般にある程度のさらなる酸化が行なわれる。これらの２つの酸化法のいずれもが、被覆層８０の高温形成６６と併せて用いられて、バッファ層７８の部分的な酸化が達成され、続いてその後にアニーリングが行なわれる。
【００３１】
図５の完成した酸化物構造体８２は、酸化物の形態に変換された被覆層８０とバッファ層７８との両方を含む。酸化物構造体８２は、望ましくは約２５オングストローム以上の酸化層層厚ｔ１を有し、バッファ層金属酸化物７８（酸化後）は、望ましくは約５オングストローム以上、より好ましくは約１０〜約１５オングストロームのバッファ層層厚ｔ２を有する。
【００３２】
いずれにしても、バッファ層層厚の約８０％以上を酸化させることが好ましく、バッファ層層厚の約９０〜約１００％を酸化させるのが最も好ましい。
【００３３】
図６〜８は、バッファ層７８の酸化のさまざまな可能な度合いを示している。フリー層７４は実質的に全く酸化されないのが好ましい。図６には、バッファ層７８の酸化が完了し、かつ、フリー層７４の一部も酸化されて酸化自由層領域７４ａとなっている状態を示している。こうした結果になることは、フリー層７４の検知能力が低下して、ＭＲセンサ構造体５０の機能性の低下が引き起こされるため、望ましくない。
【００３４】
正確にバッファ層の全部（１００％）が過不足なく酸化された好適な状態が図７に示されている。バッファ層７８の最初に形成されるバッファ層金属として、酸素に対してフリー層７４の金属より親和力を有するものが選択されているため、酸化のこの好適な度合いが実際に達成されるのである。
【００３５】
図８に示されているバッファ層７８の部分的酸化は、バッファ層７８の厚さ全体に満たない酸化領域７８ａをもたらしており、図７の完全な酸化ほど望ましくはないが、図６に示されたようなフリー層７４の部分的酸化をもたらす酸化よりは望ましい。
【００３６】
本発明は、さまざまな実施例として具現化されている。次の多層ＭＲセンサ構造体５０が、従来の下層構造体の上に形成された。すなわち、（１）ＣｏＦｅ／ＣｏＦｅＯｘ／ＣｕＯｘ／Ｔａバッファ／ＴａＯｘ酸化物、（２）ＣｏＦｅ／ＣｏＦｅＯｘ／Ａｌバッファ／ＡｌＯｘ酸化物、（３）ＣｏＦｅ／ＮｉＦｅ／Ａｌバッファ／ＡｌＯｘ酸化物／Ｔａである。さまざまな層厚のバッファ層７８が形成された。これらの試料を試験して、ＧＭＲ比（ｄＲ／Ｒ）をバッファ層層厚の関数として求めた。その結果が図９に示されている。ＧＭＲ比は、約５オングストロームを超えるバッファ層層厚の場合に有意に増加し、約１０〜１５オングストロームのバッファ層層厚の範囲内において最大限に達する。バッファ層層厚をさらに増加させると、ＧＭＲ比は、Ａｌバッファ試料において減少し、Ｔａバッファ試料においてはより急速に減少した。しかし、いずれの場合も、ＧＭＲ比は、適正な寸法のバッファ層７８が選択されると、約１３％未満から１４％または１５％まで増加した。
【００３７】
本発明の特定の実施例を例示のために詳細に説明したが、本発明の精神および範囲から逸脱することなしにさまざまな改変および改良が加えられうる。したがって、本発明は、添付の特許請求の範囲による以外には制限されない。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】磁気ディスクデータ記憶装置の概略図である。
【図２】本発明に係る磁気抵抗センサの製造方法を示すブロック流れ図である。
【図３】図２に示す製造工程のさまざまなステップにおけるセンサ構造を示す概略正面図の１つである。
【図４】図２に示す製造工程のさまざまなステップにおけるセンサ構造を示す概略正面図の１つである。
【図５】図２に示す製造工程のさまざまなステップにおけるセンサ構造を示す概略正面図の１つである。
【図６】本発明に係るバッファ層の、酸化の度合いが異なるセンサ構造を示す概略正面図の１つである。
【図７】本発明に係るバッファ層の、酸化の度合いが異なるセンサ構造を示す概略正面図の１つである。
【図８】本発明に係るバッファ層の、酸化の度合いが異なるセンサ構造を示す概略正面図の１つである。
【図９】本発明に係る３つの異なる積層ＧＭＲ構造のＧＭＲ比をバッファ層厚の関数として示すグラフである。
【符号の説明】
【００３９】
２０…磁気ディスク駆動装置、２２…磁気記憶ディスク、２４…スピンドル、２６…駆動モータ、２７…モータ制御、２８…磁気記憶媒体、３０…表面（上方対向面）、３２…スライダ、３４…読み取り／書き込みヘッド、３６…アクチュエータアーム、３８…サスペンション、４０…アクチュエータ（ボイスコイルまたはVCMとして示される）、４２…半径方向位置制御、４４…制御装置、４６…エアベアリング面、４８…記録チャネル、５０…磁気抵抗（MR）センサ構造体、６０…センサ構造体を得る、６２…酸化物構造体を形成する、６４…金属性バッファ層を形成する、６６…被覆層を形成する、６８…バッファ層を酸化させる、７０…センサ構造体、７２…下部積層構造体、７４…フリー層、７４ａ…酸化フリー領域、７６…上部積層構造体、７８…バッファ層、７８ａ…バッファ層の厚さ全体に満たない酸化領域、８０…酸化物(被覆層)、８２…酸化物構造体。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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