(57)【要約】【課題】エッチングの進行度合いを正確に監視して、エッチング液の不純物濃度の増大に応じて、各槽でのエッチング時間を適正な状態に設定でき、エッチング処理の精度を向上させ、かつエッチング液を有効に活用する。【解決手段】ＥＰＤエッチング槽１１でのエッチング時間をエッチング時間検出部２４で検出し、予め設定した延長時間Δｔから、ＥＰＤエッチング時間がＥＥＴ＋Δｔとなると、粗エッチング時間ＰＥＴにΔｔ／２を分担させることによりエッチング工程における処理時間が異常に長くならず、システム全体の時間的バランスが取られて、安定したシステムタクトを維持する。また、ジャストエッチング時間ＪＥＴがΔｔだけ延びることから、オーバーエッチング槽１２内でのオーバーエッチング時間ＯＥＴを（ＪＥＴ＋Δｔ）×ｍ％として設定する。【選択図】      図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の表面に形成した薄膜をエッチングすることにより所定の薄膜パターンを形成するために、１または複数の粗エッチング槽と、終点検出エッチング槽と、オーバーエッチング槽とからなり、これら各槽でそれぞれ所定の時間だけ基板に対してエッチング液を作用させて、基板表面に形成した薄膜をエッチングする方法であって、
前記終点検出エッチング槽内では、粗エッチング槽から受け取った基板における薄膜が剥離されて、下地が露出するまでエッチングを進行させるものであり、この終点検出槽でエッチングされる時間をＥＰＤ時間として検出し、
このＥＰＤ時間を基準として前記粗エッチング槽またはオーバーエッチング槽の少なくともいずれかでのエッチング時間を調整する
ことを特徴とするエッチング方法。
【請求項２】
前記ＥＰＤ時間が所定時間以上延びたときに、この延長時間の一部を前記粗エッチング槽でのエッチング時間に分担させるようになし、かつ前記基板が前記粗エッチング槽に導入されて、エッチング開始時点から終点検出時点までの時間から前記オーバーエッチング槽でのエッチング時間を演算で求めることを特徴とする請求項１記載のエッチング方法。
【請求項３】
前記ＥＰＤ時間に最長リミットを設定しておき、この最長リミットを越した時間分だけ前記粗エッチング槽でのエッチング時間を延長するようになし、かつ前記基板が前記粗エッチング槽に導入されて、エッチング開始時点から終点検出時点までの時間から前記オーバーエッチング槽でのエッチング時間を演算で求めることを特徴とする請求項１記載のエッチング方法。
【請求項４】
１または複数の粗エッチング槽と、終点検出エッチング槽と、オーバーエッチング槽とからなり、これら各槽でそれぞれ所定の時間だけ基板に対してエッチング液を作用させて、基板表面に形成した薄膜をエッチングする装置において、
前記終点検出エッチング槽内で、基板における薄膜が剥離されて、下地が露出するまでエッチングを進行させるために、前記薄膜の膜厚変化を検出する終点検出手段と、
この終点検出エッチング槽に導入されてから、終点検出までのエッチング時間をＥＰＤ時間として検出するエッチング時間検出手段と、
このエッチング時間検出手段により検出されたＥＰＤ時間に基づいて、前記粗エッチング槽またはオーバーエッチング槽の少なくともいずれかのエッチング時間を調整するエッチング時間制御手段と
を備える構成としたことを特徴とするエッチング装置。
【請求項５】
前記エッチング時間制御手段は、前記ＥＰＤ時間と、前記粗エッチング槽内でエッチングを行う粗エッチング時間とがほぼ等しくなるように制御するものであることを特徴とする請求項４記載のエッチング装置。
【請求項６】
前記エッチング時間制御手段は、前記ＥＰＤ時間の最長をを設定しておき、この最長エッチング時間を越した時間分だけ前記粗エッチング槽内でエッチングを行う粗エッチング時間を長くするように設定するものであることを特徴とする請求項４記載のエッチング装置。
【請求項７】
前記エッチング時間検出手段は、前記ＥＰＤ時間と粗エッチング時間との合計の時間に基づいてオーバーエッチング時間を演算することを特徴とする請求項５または請求項６記載のエッチング装置。
【請求項８】
前記エッチング時間検出手段に異常検出手段を接続して設け、この異常検出手段は、前回までのＥＰＤ時間と今回のＥＰＤ時間とを比較することによって、エッチング処理が正常であったか否かの判定を行うことを特徴とする請求項４記載のエッチング装置。
【請求項９】
請求項１乃至３のいずれか１項に記載のエッチング方法を用いて、または請求項４乃至請求項８のいずれかに記載のエッチング装置を用いて薄板基板を製造することを特徴とする薄板基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、液晶表示パネル、半導体ウエハ、光ディスク等の薄板基板の表面にコーティングや蒸着、スパッタリングその他の成膜手段で形成した薄膜を形成した後に、エッチングにより所望の薄膜パターンを形成するための方法及び装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
例えば、ＴＦＴ型の液晶表示パネルを構成する液晶セルは、ＴＦＴ基板とカラーフィルタとから構成されるが、ＴＦＴ基板は、ガラス基板の表面に金属膜を成膜し、さらにその上にレジスト膜を積層した上で、所定のパターンを焼き付け、次いで現像、エッチングという工程を複数回繰り返し行うことによって、基板表面にＴＦＴ素子が形成される。ここで、エッチングはレジスト膜を現像することにより剥離した部位に露出している金属膜等の薄膜を除去する工程であり、エッチング液と接触させることにより金属膜等を除去するのが一般的である。即ち、基板にエッチング液を噴霧するか、またはエッチング液槽内に基板を浸漬させる方式が採用される。
いずれの方式を採用するにしろ、エッチングは適正な状態で終了しなければならない。十分エッチングが行なわれないときには、薄膜の正確なパターンを形成することができず、また過剰にエッチングを行うと、レジスト膜の内側までエッチングされる結果、やはり正確なパターンが形成されない。ここで、エッチングが進行すると膜厚が減少していき、やがては薄膜の下地（基板表面、または既に下層のパターンが存在する場合には、この下地パターン）が部分的に露出する。この下地が露出したことを検出するのが終点検出（ＥＰＤ・Ｅｎｄ  Ｐｏｉｎｔ  Ｄｅｔｅｃｔｉｎｇ）である。そして、このＥＰＤにより薄膜が部分的に存在しなくなったことを検出した後、さらに所定の時間だけエッチングを継続することによって、所望のパターン形状が得られる。ＥＰＤ後に行われるエッチングがオーバーエッチングである。
【０００３】
ここで、基板のエッチングの際に、基板をエッチング液と接触させ始めた後、終点検出がなされるまでを第１の槽でエッチングを行い、またオーバーエッチングを別のステージの槽内で行うようにしたものは従来から知られている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００４】
【特許文献１】
特開２００１−７７０９８号公報（第５頁、図２）
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
エッチング開始から終点検出、つまりＥＰＤまでを単槽でエッチングを行うことは、時間的な負担が極めて大きくなり、他の工程との間等における時間的なマッチングが取れないことになる。とりわけ、膜厚のあるものや、エッチング液の種類等のエッチング条件によっては、かなり長い時間エッチングを行わなければならないことになる。そして、薄膜の終点検出を行う必要があるのは、薄膜におけるエッチングがかなり進行した後であり、従ってＥＰＤの前段階で粗エッチングを行い、膜厚がある程度薄くなったときから別の槽で平行してエッチングさせながらＥＰＤを行うようにしても何等の問題も生じることはない。従って、ＥＰＤを行うエッチング槽の前段に１乃至複数の粗エッチング槽を設けて、この粗エッチング槽によりある程度までエッチングを進行させた後にＥＰＤエッチング槽に基板を導入すると、このＥＰＤエッチング槽での処理時間が短縮される。即ち、エッチング工程において、エッチング開始からＥＰＤまでの時間（以下、ジャストエッチング時間という。また、オーバーエッチング槽内でのエッチング時間をオーバーエッチング時間という。）を分割するように、１乃至複数の粗エッチング槽を設けて、これとＥＰＤエッチング槽とでジャストエッチング時間を割り振って、前者を粗エッチング時間とし、後者で行われるエッチングをＥＰＤエッチング時間とすることによって、エッチング工程の時間短縮が図られる。
【０００６】
以上のことから、エッチング工程では、少なくとも１槽の粗エッチング槽と、１槽からなり、終点検出機能、即ちＥＰＤ機構を有するＥＰＤエッチング槽と、オーバーエッチング槽とを直列に配列して、これら各槽でエッチングを行うようにする。また、エッチング処理の迅速化を図るために、エッチング液を加温すると共に、液流を形成するのが望ましい。そして、エッチング液は各槽共通のものとなし、エッチング液の貯留タンクを用いて各槽から溢出するエッチング液を回収して、各槽にエッチング液を分配するように循環させる構成とするのが一般的である。
【０００７】
このように、エッチング液が循環使用されることから、基板に対して繰り返しエッチングを行うと、エッチング液にエッチングされた膜の成分が不純物として蓄積され、この不純物濃度が高くなると、その分だけエッチング能力が低下することになり、全体のエッチング時間が長くなり、エッチング効率が悪くなる。従って、エッチング液における不純物濃度がある程度まで高くなると、新液を補給したり、新液に交換したりしなければならない。このエッチング液の濃度管理を正確に行わなければ、エッチング液に無駄が発生することになる。また、オーバーエッチングでは時間管理を行うようになっており、基板のパターンを一定にするには、エッチング能力が低下した分だけオーバーエッチングの時間を延長しなければならず、このためにもエッチング液における不純物濃度を検出する必要がある。
【０００８】
本発明は以上の点に鑑みてなされたものであって、その目的とするところは、エッチングの進行度合いを正確に監視することによって、エッチング液の不純物濃度の増大に応じて、各槽でのエッチング時間を適正な状態に設定でき、エッチング処理の精度を向上させ、かつエッチング液を有効に活用できるようにすることにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
前述した目的を達成するために、本発明において、基板の表面に形成した薄膜をエッチングすることにより所定の薄膜パターンを形成するために、１または複数の粗エッチング槽と、終点検出エッチング槽と、オーバーエッチング槽とからなり、これら各槽でそれぞれ所定の時間だけ基板に対してエッチング液を作用させて、基板表面に形成した薄膜をエッチングする方法としては、前記終点検出エッチング槽内では、粗エッチング槽から受け取った基板における薄膜が剥離されて、下地が露出するまでエッチングを進行させるものであり、この終点検出槽でエッチングされる時間をＥＰＤ時間として検出し、このＥＰＤ時間を基準として前記粗エッチング槽またはオーバーエッチング槽の少なくともいずれかのエッチング時間を調整することをその特徴とする。
【００１０】
そして、１または複数の粗エッチング槽と、終点検出エッチング槽と、オーバーエッチング槽とからなり、これら各槽でそれぞれ所定の時間だけ基板に対してエッチング液を作用させて、基板表面に形成した薄膜をエッチングする装置の構成としては、前記終点検出エッチング槽内で、基板における薄膜が剥離されて、下地が露出するまでエッチングを進行させるために、前記薄膜の膜厚変化を検出する終点検出手段と、この終点検出エッチング槽に導入されてから、終点検出までのエッチング時間をＥＰＤ時間として検出するエッチング時間検出手段と、このエッチング時間検出手段により検出されたＥＰＤ時間に基づいて、前記粗エッチング槽またはオーバーエッチング槽の少なくともいずれかのエッチング時間を調整するエッチング時間制御手段とを備える構成としたことをその特徴とするものである。
【００１１】
而して、エッチング条件、即ちエッチング液の種類、濃度、温度、槽内での流速等に基づいて、エッチング開始から粗エッチング終了までの粗エッチング時間、粗エッチングが終了した後、終点検出がなされるまでのＥＰＤエッチング時間及びオーバーエッチング時間が初期的に設定される。終点検出エッチング槽（以下、ＥＰＤエッチング槽という）では、それに基板が導入されてからＥＰＤまでの時間が計測される。基板のエッチングを繰り返し行うと、エッチング液における不純物濃度が高くなり、初期的に設定したエッチング条件が変化する。その傾向としては、不純物濃度が高くなると、ジャストエッチング時間が延びることになる。
【００１２】
ジャストエッチング時間が延びたときに、この時間の延びをＥＰＤエッチング槽でのＥＰＤエッチングで全て吸収すると、全体としてのタクトタイムのバランスが崩れてしまう。そこで、ジャストエッチング時間の延びをＥＰＤエッチング槽だけでなく、粗エッチング槽に分担させる。つまり、ジャストエッチング時間が延びると、粗エッチング時間を延長させることによって、ＥＰＤエッチング時間とバランスを取らせる。この場合において、ジャストエッチング時間が延びると、一定の割合、例えば１／２の時間を粗エッチング時間に振り向けることができる。また、ＥＰＤエッチング時間の最長を予め設定しておき、この最長時間まではＥＰＤエッチング槽で負担させ、それ以後は粗エッチング時間を延長させるようにしても良い。
【００１３】
ジャストエッチング時間があまり長くなると、製造ライン全体に悪影響を与えるので、エッチング液の一部または全部を新液と交換しなければならない。エッチング液を全部交換したときには、粗エッチング時間及びＥＰＤエッチング時間を初期値に戻す。また、エッチング液の一部を交換したときには、粗エッチング時間を変えなければ、ＥＰＤエッチング時間が短縮される。これによって、全体としてのジャストエッチング時間が判明することになるので、このジャストエッチング時間の短縮に伴って、粗エッチング時間とＥＰＤエッチング時間とを再設定することができる。
【００１４】
オーバーエッチング槽でのエッチング時間、つまりオーバーエッチング時間もエッチング液の不純物濃度に応じて変化する。従って、オーバーエッチング時間をジャストエッチング時間に応じて変化させ、ジャストエッチング時間が延びると、一定の割合でオーバーエッチング時間も延長する。
【００１５】
エッチング時間は、正常な状態では漸増することになり、従ってＥＰＤ時間の変動は延びる方向であり、かつ急激な延びはないはずである。そこで、ＥＰＤ時間をモニタリングすれば、エッチング工程における異常検出を行うことができる。エッチング工程における異常事態は、薄膜の厚みが適正でない場合、粗エッチング槽、終点検出エッチング槽の温度変化等が考えられる。ＥＰＤ時間が短縮されたり、予想以上長くなったりした場合には、エッチング工程において、何等かの異常事態が発生したと推定でき、そのような事態が発生すると、異常検出手段でこれを検出して、アラームを発する等の措置を採ることができる。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下、図面に基づいて本発明の実施の形態について説明する。ここで、エッチングは、液晶基板を例に取ると、図１に示したように、ガラス基板１の表面に積層された薄膜２（例えば、ＩＴＯ膜等）上にレジスト膜３をコーティングした後、このレジスト膜３を現像することにより形成したワーク４から、薄膜２の外部に露出している部分を除去する工程である。
【００１７】
そして、エッチング工程は、概略図２に示したように、直列に配置した多槽構造となっており、上流側から順に、粗エッチング槽１０、ＥＰＤエッチング槽１１、オーバーエッチング槽１２、置換槽１３、水洗槽１４が設けられている。なお、粗エッチング槽１０は複数段設けても良い。
【００１８】
粗エッチング槽１０では、図３（ａ）に示したように、薄膜２は概略半分の厚みとなるようにエッチングされ、またＥＰＤエッチング槽１１では、図３（ｂ）に示したように、薄膜２は部分的に除去されるまでエッチングを進行させる。そして、オーバーエッチング槽１２では、図３（ｃ）に示したように、薄膜２のパターンにおけるエッジがほぼ垂直乃至所定のテーパ角を持った状態となるように調整される。その後、置換槽１３において、エッチング液を、例えば硝酸液等と反応させることによって、エッチングの進行を停止させ、さらに水洗槽１４によって硝酸液等が洗い流される。
【００１９】
エッチング液は貯留タンク１５で所定の温度にまで加温されて、粗エッチング槽１０、ＥＰＤエッチング槽１１及びオーバーエッチング槽１２に分配される。そして、これらの各槽１０〜１２においては、エッチングの進行を速めるために、エッチング液の流れが形成されるようになっており、槽１０〜１２から溢れ出たエッチング液は回収容器１６を経て貯留タンク１５に回収されるようになっている。つまり、エッチング液は貯留タンク１５と各槽１０〜１２との間で常時循環している。
【００２０】
ＥＰＤエッチング槽１１には、ＥＰＤ機構が装着されている。ここで、ＥＰＤ機構は、光学的手段によって、ワーク４におけるガラス基板１の表面における薄膜２の厚み変化を検出するものであり、薄膜２が部分的に除去されて、ガラス基板１が完全に露出した状態、つまり図３（ｂ）に示した状態となった時点を終点として、ＥＰＤエッチング槽１１では、この終点に至るまでエッチングを進行させる。このために、ＥＰＤ機構は、図４に示したように、ワーク４に向けて検出光を照射する発光手段２０と、この発光手段２０からの光をガラス基板１上に集光させるためのレンズ２１と、ワーク４からの反射光を受光する受光手段２２とから構成される膜厚の変化を検出する光学手段を備えている。そして、受光手段２２による受光信号は、終点検出部２３に取り込まれて終点検出が行われる。
【００２１】
終点検出部２３はオートゲインコントロール（ＡＧＣ）機構を備えており、図５に示したように、受光手段２２で得られる受光信号のレベルを所定時間だけサンプリングして、このサンプリング期間ｓｔにおける受光信号の平均値を求めてゲイン値を決定する。エッチングの進行により薄膜２の膜厚が減少するために、受光手段２２による受光信号のレベルが低下することになり、信号レベルが所定の値となったときに、終点ｅｐであると判定して、ＥＰＤエッチング槽１１によるエッチングを終了するように制御される。従って、ＥＰＤエッチング槽１１でのワーク４のエッチング時間、つまりＥＰＤエッチング時間はサンプリング期間ｓｔの開始から終点ｅｐまでの時間となる。そこで、終点検出部２３にエッチング時間検出部２４を接続して、サンプリング期間ｓｔの開始から終点ｅｐまでのＥＰＤエッチング時間ＥＥＴを計測する。そして、このエッチング時間検出部２４で計測されたＥＰＤエッチング時間ＥＥＴはエッチング時間制御部２５に取り込まれて、粗エッチング槽１０における粗エッチング時間ＰＥＴと、オーバーエッチング槽１２におけるオーバーエッチング時間ＯＥＴとが調整されることになる。
【００２２】
ここで、エッチング時間制御部２５においては、粗エッチング時間ＰＥＴ、ＥＰＤエッチング時間ＥＥＴ及びオーバーエッチング時間ＯＥＴは、エッチング条件に基づいて予め初期値として設定される。エッチング条件は、剥離すべき薄膜２の種類及び厚みと、エッチング液の種類及び濃度と、エッチング液の温度や各槽１０〜１２内でのエッチング液の流速等がある。このエッチング条件を一定にしてワーク４のエッチングを実験的に行えば、エッチング開始から終点検出までの時間、即ちジャストエッチング時間ＪＥＴとオーバーエッチング時間ＯＥＴとを実測することができる。ここで、ジャストエッチング時間ＪＥＴは粗エッチング時間ＰＥＴ＋ＥＰＤエッチング時間ＥＥＴであるから、例えばジャストエッチング時間ＪＥＴを概略２等分することによって、粗エッチング時間ＰＥＴとＥＰＤエッチング時間ＥＥＴとすることができる。これによって、エッチング時間制御部２５に粗エッチング時間ＰＥＴ、ＥＰＤエッチング時間ＥＥＴ及びオーバーエッチング時間ＯＥＴの設定が行われる。
【００２３】
エッチングはガラス基板１から薄膜２を剥離するものであるから、剥離された薄膜２を構成する成分がエッチング液の不純物として残存する。この不純物の濃度が高くなると、エッチング能力が低下することになり、全体的なエッチング時間が延びることになる。エッチング時間制御部２５において、粗エッチング時間ＰＥＴ、ＥＰＤエッチング時間ＥＥＴ及びオーバーエッチング時間ＯＥＴを変化させるのは、このためである。
【００２４】
粗エッチング時間ＰＥＴを変化させないとすれば、終点検出部２３に接続したエッチング時間検出部２４により検出されるＥＰＤエッチング時間ＥＥＴが長くなる。そこで、エッチング時間制御部２５にＥＰＤエッチング時間ＥＥＴの延長時間Δｔを予め設定しておき、実際のＥＰＤエッチング時間がＥＥＴ＋Δｔとなると、粗エッチング時間ＰＥＴにΔｔ／２を加算するように調整される。これによって、エッチング工程における処理時間が異常に長くなるようなことがなく、このシステムにおける時間のバランスが取られて、安定したシステムタクトを維持することができる。
【００２５】
また、粗エッチング時間ＰＥＴ＋ＥＰＤエッチング時間ＥＥＴからなるジャストエッチング時間ＪＥＴがΔｔだけ延びると、オーバーエッチング槽１２内でのオーバーエッチング時間ＯＥＴにも影響を与える。オーバーエッチング時間ＯＥＴはジャストエッチング時間ＪＥＴのｍ％として表すことができる。従って、ジャストエッチング時間がＪＥＴ＋Δｔになれば、オーバーエッチング時間を（ＪＥＴ＋Δｔ）×ｍ％とする。これによって、オーバーエッチングを高精度に行うことができる。
【００２６】
以上のように、各槽１０〜１２内でのエッチング時間の調整を行う手順を図６に示す。ステップ１では、粗エッチング時間をｓｅｔ  ＰＥＴ、ＥＰＤエッチング時間をｓｅｔ  ＥＥＴ、オーバーエッチング時間をｓｅｔ  ＯＥＴとして設定する。なお、最初に設定されるのは初期値であり、これらの初期値は変更がない限りその値がホールドされる。また、ＥＰＤエッチング時間ＥＥＴの延長時間Δｔが与えられる。さらに、ＥＰＤエッチング時間ＥＥＴの最長の値ＥＥＴ  ｌｉｍも設定される。
【００２７】
そこで、ワーク４をエッチング工程に導入することによりエッチングが開始されるが（ステップ２）、エッチングはワーク４をまず粗エッチング槽１０内でｓｅｔ  ＰＥＴだけエッチングを行い、次いでＥＰＤエッチング槽１１内に移行させて、このＥＰＤエッチング槽１１内で終点検出部２３により終点が検出されるまでエッチングを行うことになり、その後にオーバーエッチング槽１２に移行させて、ｓｅｔ  ＯＥＴだけオーバーエッチングを行う。ここで、ＥＰＤエッチング槽１１内でのエッチング時間はｓｅｔ  ＥＥＴではなく、あくまで終点検出部２３により終点検出がなされるまで行なわれ、このＥＰＤエッチング時間ＥＥＴはエッチング時間検出部２４でｒｅａｌ  ＥＥＴとして計測される（ステップ３）。
【００２８】
このようにして計測されたｒｅａｌ  ＥＥＴの値は、まずＥＰＤの最長時間値ＥＥＴ  ｌｉｍと比較され（ステップ４）、ｒｅａｌ  ＥＥＴ＜ＥＥＴ  ｌｉｍであれば、次のステップ５で（ｓｅｔ  ＥＥＴ＋Δｔ）と比較されて、ｒｅａｌ  ＥＥＴ≧（ｓｅｔ  ＥＥＴ＋Δｔ）でなければ、ステップ２に戻って、次のワーク４が導入される。
【００２９】
ワーク４を繰り返しエッチングすると、ワーク４から剥離された薄膜２の成分がエッチング液に対する不純物となり、エッチング能力が低下する。粗エッチング槽１０でのエッチング時間はｓｅｔ  ＰＥＴのままであるから、ＥＰＤエッチング槽１１でのエッチング時間、つまり終点検出されるまでの時間ｒｅａｌ  ＥＥＴが延びることになる。そして、ステップ５で、この時間ｒｅａｌ  ＥＥＴが（ｓｅｔ  ＥＥＴ＋Δｔ）にまで延びたことが検出されると、ステップ６に移行してｓｅｔ  ＰＥＴにΔｔ／２を加算した値をｓｅｔ  ＰＥＴとして設定すると共に、ｓｅｔ  ＥＥＴにΔｔ／２を加算する。さらに、オーバーエッチング槽１２におけるエッチング時間ＯＥＴを変更する（ステップ７）。ここで、オーバーエッチング時間ＯＥＴはジャストエッチング時間ＪＥＴのｍ％であり、従って（ｓｅｔ  ＰＥＴ＋ｒｅａｌ  ＥＥＴ）×ｍ％を求めて、これをｓｅｔ  ＯＥＴとして設定する。これによって、エッチング液のエッチング能力の低下によりエッチング時間が延長されたときに、ＥＤＰエッチング槽１１のエッチング時間だけが延びるのではなく、この時間の延びを粗エッチング槽１０に分配されるので、全体としてのタクトタイムのバランスが取れて、効率的なエッチングを行うことができる。また、これと共にオーバーエッチング時間ＯＥＴも調整されるので、エッチング能力が低下しても、正確なオーバーエッチングを行うことができる。
【００３０】
一方、ステップ４において、ｒｅａｌ  ＥＥＴの値とＥＰＤの最長時間値ＥＥＴ  ｌｉｍとの比較の結果、ｒｅａｌ  ＥＥＴがＥＥＴ  ｌｉｍと同じになったか、若しくはそれを越えたときには、このエッチング条件でそれ以上エッチングを継続すると、このエッチング工程でのタクトタイムが長くなり過ぎて、後続の工程に対して悪影響を与えることになる。そこで、ステップ４において、ｒｅａｌ  ＥＥＴ≧ＥＥＴ  ｌｉｍと判定されたときには、エッチングを停止させる。ただし、このエッチング停止時には、既に粗エッチング槽１０内にワーク４が導入されて、エッチングが開始されているので、このワーク４まではエッチング処理を行い、それ以後のワーク４のエッチング工程への導入を行わないようにする。そして、エッチングを停止させた後には、エッチング液を新液と完全に交換するか、新液を部分的に入れ替えるようにする。
【００３１】
その後に、ｓｅｔ  ＰＥＴ、ｓｅｔ  ＥＥＴ、ｓｅｔ  ＯＥＴを新たに設定して、エッチングを再開する。このように、エッチング液における新液との交換または補給のタイミングをエッチング時間全体のタクトバランスから判定することによって、エッチング液を最大限有効に使用することができ、エッチング液の無駄をなくすことができる。
【００３２】
さらに、前述したように、ｒｅａｌ  ＥＥＴの値を常時モニタリングしていることから、エッチング工程の異常検出も併せて行うことができる。即ち、エッチング液は連続的に不純物濃度が増大することから、前回までのｒｅａｌ  ＥＥＴと今回のｒｅａｌ  ＥＥＴとを比較したときに、今回のｒｅａｌ  ＥＥＴ時間が短縮されることは本来あり得ないものである。また、今回のｒｅａｌ  ＥＥＴが大幅に遅延することもあり得ない。これらの事態が発生するということは、ガラス基板１に積層した薄膜２の膜厚が変化していたり、エッチング液の温度が変化したりする場合等であるから、アラームを発生させる等の措置により異常警報を出すことができる。
【００３３】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、エッチングの進行度合いを正確に監視することによって、エッチング液の不純物濃度の増大に応じて、各槽でのエッチング時間を適正な状態に設定でき、エッチング処理の精度を向上させ、かつエッチング液を有効に活用できる等の効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の一形態において、エッチング処理されるワークの断面図である。
【図２】エッチング工程のシステム構成図である。
【図３】エッチング段階を示す説明図である。
【図４】終点検出機構の構成説明図である。
【図５】終点検出部による信号波形線図である。
【図６】エッチング工程における各槽でのエッチング時間を調整するためのフローチャート図である。
【符号の説明】
１  ガラス基板      ２  薄膜
３  レジスト膜      ４  ワーク
１０  粗エッチング槽
１１  ＥＰＤエッチング槽
１２  オーバーエッチング槽
２０  発光手段      ２２  受光手段
２３  終点検出部
２４  エッチング時間検出部
２５  エッチング時間制御部
【図１】
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【図２】
2004186289.tif 000004
【図３】
2004186289.tif 000005
【図４】
2004186289.tif 000006
【図５】
2004186289.tif 000007
【図６】
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