(57)【要約】    【課題】  無汚染で高速度のウエハ処理ができるプラズマ生成装置を提供する。    【解決手段】  放電室７と、放電室内にプラズマを発生するためのマグネトロン１と、導波管と、ソレノイドコイル１０，１１と、放電室７にマイクロ波を供給するための石英板９と、石英板９の内側にガスを溜めるための空間と、放電室の最大直径の１／４以下の大きさのガス供給口１７を持つ石英板１８により、ウエハ面にガスを噴出させる。【選択図】  図１
2004241783.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
有磁場マイクロ波プラズマ生成装置において、プラズマ生成ガスの供給口をウエハと対向するチャンバ壁面に配置したことを特徴とするプラズマ生成装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、マイクロ波プラズマ生成装置に係り、特に、半導体素子基板等の試料に対しマイクロ波プラズマを利用して処理の高速化を図るのに好適なマイクロ波プラズマ生成装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来のマイクロ波生成技術は、例えば、ニッケイ  マイクロデバイセス（NIKKEI MICRODEVICES)１９９０年８月号，８８頁，図５に記載のように、マイクロ波を伝播する導波管内にプラズマ生成室を有し、外部磁場とマイクロ波電界の作用によりこの導波管内にプラズマを生成するようになっている。そして、このプラズマを利用して、半導体ウエハ基板は処理される。
【０００３】
【特許文献１】ニッケイ  マイクロデバイセス（NIKKEI MICRODEVICES）１９９０年８月号，８８頁
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記従来技術では、プロセスガスの導入を反応副生成物の排気と無関係に設定しているため、反応副生成物のウエハへの再付着が多く、ウエハの汚染や処理速度の低下が問題となっていた。
【０００５】
本発明の目的は、無汚染で高速度のウエハ処理ができるプラズマ生成装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するために、本発明はマイクロ波生成ガスの供給口をウエハに対向させ、中心部に集中させた。
【０００７】
ウエハのすぐ上に形成される反応副生成物の溜った領域を生成ガスが流れるため、反応副生成物が排気されやすくなる。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、ウエハ処理によって発生する反応副生成物を効率的に排気することができ、処理の高速化を達成できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
本発明の一実施例を図１，図２，図３で説明する。図１は有磁場型のマイクロ波プラズマ処理装置のブロック図である。図２，図３は発明の断面図および平面図である。放電室１はマグネトロンであり、マイクロ波の発振源である。３〜６は、導波管である。ここで、３は、矩形導波管であり、４は円形導波管、６はテーパ管である。放電室７は、例えば、純度の高いアルミ等で作られており、導波管の役目もしている。８は、真空室である。９は放電室７にマイクロ波を供給するための石英板である。１０，１１はソレノイドコイルであり、放電室７内に磁場を与える。１２は、半導体素子基板（以下、ウエハ）１４を載置する試料台であり、バイアス用電源、例えば、ＲＦ電源１３が接続できるようになっている。
１６は放電室７内，真空室８内を減圧排気するための真空ポンプ系である。１５は放電室７内にエッチング，成膜等の処理を行うガスを供給するガス供給系である。放電室７の石英板９の内側には、ガス供給口１７を持つ石英板１８が設置され、石英板９と石英板１８との間にはガスを溜めるための空間１９が設けられている。石英板９と石英１８との距離は、プラズマが侵入しないように微小距離に設定される。放電室７の側壁７´の中には通路２０が設置され、通路２０は空間１９とガス供給系１５と連通している。放電室７には、ガスの排出口２１が設けられ、真空室８に連通している。ガス供給口１７の大きさは、最大放電室の直径の１／４以下に設定されている。
【００１０】
尚、図１で、円形導波管５，テーパ管６，石英板９，試料台１２の試料設置面は同軸の中心軸（図示省略）を有している。また、試料台１２の試料設置面でのウエハ１４の設置は、例えば、機械的押しつけ力や静電吸着力等を利用して実施される。また、試料台１２は、例えば、温度制御手段（図示省略）を備え、この手段により試料台１２の試料設置面に設置されたウエハ１２の温度は所定の温度に調節される。
【００１１】
マグネトロンは、従来と同様に矩形導波管３に取り付けられており、例えば、２.４５ＧＨｚ のマイクロ波を発振する。一方、放電室７内にはソレノイドコイル１０，１１により磁場分布が図１（ｂ）に示すように与えられており、ＥＣＲ点（８７５ガウス）となるところが放電室の中央付近に設定されている。
【００１２】
処理ガスは、供給系１５から通路２０を通り、空間１９に溜り、ガス供給口１７から放電室の内に導入される。ガスは、放電室７内のプラズマ中で解離されて一部ラジカルとなり、ウエハ１２の表面を処理する。この表面の処理により、反応副生成物が放電室７内に飛散する。放電室７のガスの流れは、ガス供給口１７から排出口２１に向かうように形成されている。従って、その流れに入った反応副生成物はガスの流れに乗って、排出口２１から廃棄される。しかし、反応
副生成物は発生源のウエハ１２の上に溜りやすい。本実施例によれば、ガス供給口が放電室７の中心に絞られているため、ガスが、上方から中心軸に沿って下降し、ウエハ１２に衝突してからウエハ１２の面を通って排出口に向かうので、反応副生成物が効率的にウエハ１２の面から排出口へ排気される。
【００１３】
図４に本発明のもう一つの実施例の平面図を示す。石英板１８に設けられたガス供給口１７が複数の小さい孔１７ａからなっている。その孔のあいている領域は、放電室の最大直径の１／４以下に設定されている。このように構成することにより、ガス供給口１７からのガスの速度が各供給口に一様になる効果がある。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の一実施例を示す有磁場型マイクロ波プラズマ処理装置の構成と磁場分布を示すブロック図。
【図２】本発明の一実施例の断面図。
【図３】本発明の他の実施例の平面図。
【符号の説明】
【００１５】
７…放電室、９…石英板、１２…試料台、１４…ウエハ、１７…ガス供給口、１８…石英板、１９…空間、２０…通路、２１…排出口。
【図１】
2004241783.tif 000003
【図２】
2004241783.tif 000004
【図３】
2004241783.tif 000005
【手続補正書】
【提出日】平成16年3月12日(2004.3.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
有磁場マイクロ波プラズマ生成装置において、プラズマ生成ガスの供給口をウエハと対向するチャンバ壁面に配置したことを特徴とするプラズマ生成装置。
【請求項２】
内部でプラズマが形成される処理容器と、
前記処理容器に前記プラズマと反応する処理ガスを供給する処理ガス供給手段と、前記処理室内のガスを排出し、前記処理室内を減圧するガス排出部と、
前記処理室内に、前記反応した処理ガスが供給されて処理される被処理ウエハが設置される試料台と、を有し、
前記試料台に搭載される被処理ウエハに対向する壁面に形成され、前記処理ガスが前記試料台が配置された空間に供給される供給口と、
前記壁面は、前記試料台に向かって開口した前記供給口と非開口領域とを有し、前記非開口領域に囲まれて前記処理容器中心軸を含む領域に前記供給口が形成され、
前記被処理ウエハにバイアス電圧を与える手段を備えることを特徴とするプラズマ生成装置。