(57)【要約】      （修正有）【課題】半導体装置の高密度化に伴い、回路基板の配線間距離は狭小化し、かつその配線幅も極小化している。このため、回路基板上における半導体装置を高精度、高信頼性でもって接合強度を確保できる技術がより一層重要となりつつある。【解決手段】回路基板１は、その実装面に微細窪み２ｅを有する端子電極２と、端子電極２の表面に設けられた導電性接着剤３とを備える。導電性接着剤３は、微細窪み２ｅに入り込む大きさを有する導電性粒子３ｂを備える。これにより、回路基板１と被実装物との間の電気的な接触または接続面積が大きくなり電子部品の実装体における接続信頼性が向上する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板実装面に設けられてその表面に微細窪みを有する端子電極と、
導電性粒子を有して前記端子電極の表面に設けられた導電性接着剤と、
を備え、
前記導電性接着剤は前記微細窪み内に充填されており、
前記導電性粒子は前記微細窪みに入り込んでいる、
回路基板。
【請求項２】
前記導電性粒子は、前記微細窪みに入り込む大きさを有する、
請求項１の回路基板。
【請求項３】
前記端子電極単独での表面粗さは、十点平均高さにして１．０μｍ〜１．５μｍである、  
請求項１の回路基板。
【請求項４】
前記導電性粒子の平均粒子径は１ｎｍ〜３００ｎｍである、
請求項３の回路基板。
【請求項５】
前記微細窪みの容積の一部が前記導電性接着剤で充填されている、
請求項１の回路基板。
【請求項６】
前記微細窪みが前記導電性接着剤によって満充填されており、前記端子電極表面は平滑である、
請求項１の回路基板。
【請求項７】
前記微細窪みが前記導電性接着剤によって充填された前記端子電極の表面は、十点平均高さにして１ｎｍ〜３００ｎｍの平滑面である、
請求項６の回路基板。
【請求項８】
前記微細窪みが前記導電性接着剤によって充填されたうえで、前記端子電極の表面は前記導電性接着剤により覆われている、
請求項１の回路基板。
【請求項９】
前記端子電極の表面を覆う導電性接着剤の表面は平滑である、
請求項８の回路基板。
【請求項１０】
前記端子電極を覆う前記導電性接着剤の表面は、十点平均高さにして１ｎｍ〜３００ｎｍの平滑面である、
請求項９の回路基板。
【請求項１１】
前記端子電極の幅は、１５μｍ以下である、
請求項１の回路基板。
【請求項１２】
前記導電性接着剤は、紫外線硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂のいずれからなる樹脂バインダを備え、樹脂バインダの硬化時もしくは乾燥時の収縮により、前記導電性粒子は、前記微細窪みの表面に噛み込んでいる、
請求項１の回路基板。
【請求項１３】
請求項１の回路基板と、
外部接続部を有する電子部品とを備え、
前記外部接続部が前記端子電極に接着することで、前記電子部品が前記回路基板に電気接続される、
電子部品の実装体。
【請求項１４】
前記外部接続部と前記端子電極との間にもう一つの導電性接着剤が設けられる、
請求項１３の電子部品の実装体。
【請求項１５】
前記もう一つの導電性接着剤は導電性粒子を有し、この導電性粒子は、前記微細窪みより大きい形状を有する、
請求項１４の電子部品の実装体。
【請求項１６】
前記外部接続部が前記回路基板の前記端子電極に圧着されることで、前記導電性粒子が前記外部接続部と前記端子電極とに噛み込む、
請求項１３の電子部品の実装体。
【請求項１７】
前記導電性接着剤が、前記外部接続部と前記端子電極との接続箇所に接した状態でこの接続箇所の周囲を取り囲む、
請求項１３の電子部品の実装体。
【請求項１８】
前記電子部品は、端子電極を有して前記回路基板にフェースダウンで実装される半導体装置であり、
前記外部接続部は前記半導体装置の端子電極である、
請求項１３の電子部品の実装体。
【請求項１９】
前記電子部品は、端子電極を有して前記回路基板にフェースアップで実装される半導体装置であり、
前記半導体装置の前記端子電極と前記回路基板の前記端子電極とが、接続ワイヤによって電気接続され、
前記外部接続部は前記接続ワイヤである、
請求項１３の電子部品の実装体。
【請求項２０】
前記電子部品は、端子電極を有する表面実装型の電子部品であり、
前記外部接続部は前記電子部品の端子電極である、
請求項１３の電子部品の実装体。
【請求項２１】
前記電子部品は、端子電極を有するもう一つの回路基板であり、
前記外部接続部は前記もう一つの回路基板の端子電極である、
請求項１３の電子部品の実装体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、回路基板や、回路基板を用いた半導体装置や電子部品の実装構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子機器の小型化、薄型化に伴う回路基板上への半導体装置も高密度実装化が進展している（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開平４−２５６３４３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
回路基板上への半導体装置も高密度実装化の進展に伴い、回路基板上における、半導体装置を接続するための配線の数も増大し、それら配線間の相互離間距離も狭小化し、かつその配線の幅も極小化してきている。このことから、回路基板上において半導体装置を高精度、高信頼性でもって実装するための技術はますます重要になってきている。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
本発明による回路基板は、基板実装面に設けられてその表面に微細窪みを有する端子電極と、導電性粒子を有して前記端子電極の表面に設けられた導電性接着剤とを備え、前記導電性接着剤は前記微細窪み内に充填配置されており、前記導電性粒子は前記微細窪みに入り込んでいる。
【０００５】
これにより、微細窪みはその一部もしくは全部が導電物（導電性粒子）によって埋められた状態となる。この状態で、回路基板に半導体装置等の被実装物を実装すると、回路基板と被実装物とが接触する面積（接触面積）を十分に確保することが可能となる。
【０００６】
本発明は、端子電極の幅が１５μｍ以下といった極小の配線幅においてその効果が確実なものとなる。
【０００７】
本発明は、微細窪みが形成された端子電極の表面の表面粗さが十点平均高さにして１．０μｍ〜１．５μｍである場合において、その効果が確実なものとなる。
【０００８】
このような極小の微細窪みに入り込むことを可能とするために、導電性粒子の平均粒子径は１ｎｍ〜３００ｎｍとされるのが好ましい。
【０００９】
なお、端子電極の表面を導電性接着剤によって覆ったうえで、導電性接着剤の表面を平滑面としてもよい。この場合における導電性接着剤の平滑面の実施の形態としては、十点平均高さにして１ｎｍ〜３００ｎｍの平滑面を挙げることができる。このような構成にしても、被実装物と導電性接着剤との間の接触面積が増加し、その結果、被実装物は回路基板に確実に電気接続されることになる。
【００１０】
微細窪みに導電性接着剤が埋め込まれることで端子電極の表面は十点平均高さにして１ｎｍ〜３００ｎｍの平滑面となるのが好ましい。これは、微細窪みに選択的に導電性接着剤を充填することで、端子電極の表面を平滑面とする構成である。このような構成としても、導電性接着剤を介した被実装物と回路基板との間の接触面積が増加する結果、被実装物は回路基板に確実に電気接続されることになる。
【００１１】
なお、導電性接着剤は、紫外線硬化性樹脂、または熱可塑性樹脂からなる樹脂バインダを備えており、樹脂バインダの硬化時もしくは乾燥時の収縮により、導電性粒子は、微細窪み表面に噛み込んでいるのが好ましい。そうすれば、導電性粒子が端子電極にさらに確実に電気接続されることになる。また、導電性粒子が微細窪み表面に噛み込むことで、導電性粒子を介した被実装物と回路基板との間の接続距離が短くなる結果、回路基板と被実装物との間の接続信頼性はさらに高いものになる。
【００１２】
なお、本発明の回路基板を用いた具体的な実装構造としては、回路基板に半導体装置をフェースダウンで実装してなる半導体装置の実装体であって、前記回路基板の前記端子電極に前記半導体装置の端子電極を当接させて両端子電極を電気接続する、という構造が挙げられる。
【００１３】
同様に、本発明の回路基板を用いた具体的な実装構造としては、回路基板に半導体装置をフェースアップで実装してなる半導体装置の実装体であって、回路基板の前記端子電極と前記半導体装置の端子電極とを、接続ワイヤを介して電気接続する、という構造が挙げられる。
【００１４】
同様に、本発明の回路基板を用いた具体的な実装構造としては、回路基板に導電性接着剤を介して電子部品を実装してなる電子部品の実装体であって、前記回路基板の前記端子電極と前記電子部品の端子電極とを、前記導電性接着剤を介して電気接続する、という構造が挙げられる。
【００１５】
以上説明した具体的な実装構造では、回路基板と被実装物との間の電気的な接触または接続面積が大きくなる。また、導電性粒子を回路基板の端子電極と被実装物の端子電極とで噛み込むことでより良好な電気接続を得ることができる。また、端子電極の表面に導電性接着剤を設けることで、回路基板と被実装物との間の間に生じる応力を緩和させることができる。これにより、回路基板と被実装物とからなる電気構造体の電気的な特性（接続抵抗、周波数特性）を向上させることができる。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、被実装物は回路基板に確実に電気接続されることになる。また、端子電極の表面に導電性接着剤を設けることで、回路基板と被実装物との間に生じる応力を緩和させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、本発明の好ましい実施の形態を図面を参照して詳細に説明する。
【００１８】
図１２を参照して、半導体装置を回路基板に実装する構造を説明する。１００は回路基板、１０１は回路基板１００の端子電極、１０２は回路基板１００の内部に形成されたビア、１０３は半導体装置、１０４は半導体装置１０３の電極パッド、１０５は電極パッド１０４に設けられて端子電極を構成する半田バンプ、１０６は封止樹脂をそれぞれ示す。
【００１９】
図１２の実装構造では、半導体装置１０３を回路基板１００に接続するに先立って予め半導体装置１０３の電極パッド１０４に半田バンプ１０５を形成しておく。半田バンプ１０５を形成した状態で、半導体装置１０３を下向き（フェースダウン）に回路基板１００に配置する。その配置の状態で、半田バンプ１０５を高温に加熱して回路基板１００の端子電極１０１に融着させる。この構造は電極パッド１０４と端子電極１０１との接続上の機械的強度において強く、また、電極パッド１０４と端子電極１０１との接続を一括して行うことができる。
【００２０】
図１３は、図１２の実装構造をさらにマザー回路基板に実装する構造である。図１３において、１１０はマザー回路基板、１１１は半田接合部、１１２はマザー回路基板１１０の端子電極、１１３はマザー回路基板１１０の内部に形成されたビアである。
【００２１】
図１３の構造では、印刷等によって半田ペーストを端子電極１１２上に形成する。次に端子電極１１２と端子電極１０１とを位置合わせする。この位置合わせした状態で、マザー回路基板１１０上に回路基板１００を搭載する。この搭載の状態で、端子電極１１２上の半田ペーストを融点以上に加熱する。この加熱によって、半田接合部１１１を形成する。この半田接合部１１１によって端子電極１０１と端子電極１１２とを接続する。
【００２２】
端子電極１０１,１１２の配線幅が比較的広い場合、図１２,図１３の構造における両端子電極１０１，１１２の接続の信頼性は比較的高い。しかしながら、半導体装置の小型化は、端子電極１０１,１１２の配線幅を１５μｍ以下にすることを要求する。図１２,図１３の構造は、この要求に応えたうえで高い接続信頼性を確保することは容易ではない。
以下、その理由を説明する。
【００２３】
例えば、端子電極１０１,１１２どうしを半田や導電性接着剤等の接続介在物を介して接続する場合、端子電極１０１,１１２の接続に高い信頼性を確保するには、端子電極１０１,１１２が半田（他の接続介在物も同様）と接触する面積（以下、必要接触面積という）を十分に確保することが必要となる。しかしながら、１５μｍ以下の配線幅にする場合、端子電極１０１,１１２が半田に接触できる領域（以下、実接触可能領域という）は必然的に小さくなる。そのため、極小の配線幅で高い接続信頼性を得るには、実接触可能領域内で必要接触面積を最大限まで大きくする必要がある。
しかしながら、端子電極１０１,１１２の表面には、各種のメッキ層を形成して半田とのなじみ性や防錆性を高めることが行われている。メッキ層の形成に際してはその表面に微細窪みが生じる。微細窪みは、メッキ層表面の微小な凹凸や微小なポーラス形状を意味する。この微細窪みは、上記必要接触面積を大きくすることを困難にさせる。
【００２４】
また、OLE_LINK1アディティブ法と称する微細ピッチの配線電極の形成手法を用いても、この手法それ自体がOLE_LINK1配線電極の表面そのものをメッキにより作製するから、端子電極１０１,１１２の表面にメッキ層を形成しなくとも、当該電極表面に微細窪みが形成される。その結果は、上述と同様に、上記必要接触面積を大きくすることが困難である。
【００２５】
以下、図１２,図１３の構造の不具合を解消した本発明の各実施の形態を図面を参照して説明する。
【００２６】
（実施の形態１）
図１を参照して、回路基板１は、複数の絶縁基板１ａ，１ｂ，１ｃを積層した構造を有する。本発明は、絶縁基板１ａ，１ｂ，１ｃの積層枚数に限定されない。内部配線層５は、絶縁基板１ａ，１ｂ，１ｃ間に挟まれている。内部配線層５の相互間、内部配線層５および端子電極２の相互間はビア４を介して接続される。この接続のことを層間接続と称する。
【００２７】
各端子電極２は、そのうちの１つの端子電極２の一部を一点鎖線で囲む部分を拡大して示すように、内部層２ａと、内部層２ａを覆う中間層２ｂと、中間層２ｂを覆う表面層２ｃとを備える。内部層２ａは、銅箔からなる。中間層２ｂは、ニッケルメッキ層からなる。表面層２ｃは、金メッキ層からなる。以上の構成を備えた各端子電極２の電極幅Ｗは、いずれも、１５μｍ以下である。
【００２８】
表面層２ｃの最表面２ｄは、微細窪み２ｅを有した粗面な形状となっている。微細窪み２ｅは、表面２ｄに形成される微細な凹凸や微細なポーラスからなる。このような微細窪み２ｅは表面層２ｃ（金メッキ層等）の製造時だけでなく、回路基板１のハンドリングや輸送において端子電極２の表面２ｄが損傷することで形成される。具体的には、表面２ｄは、十点平均高さＲｚで規定する表面粗さにして、１．０μｍ〜１．５μｍとなっている。十点平均高さとは、周知の測定法であるが、簡単に言えば、断面曲線から基準長さだけを抜き取った部分において、最高から５番目までの山頂の標高の平均値と最深から５番目までの谷底の標高の平均値との差を表したものである。なお、表面２ｄの場合における上述した基準長さは、２．５μｍ〜８．０μｍ程度が適当である。
【００２９】
導電性接着剤３は端子電極２の表面である表面層２ｃの表面２ｄに設けられる。導電性接着剤３は、樹脂バインダ３ａと導電性粒子３ｂとを混合することで構成される。樹脂バインダ３ａは、紫外線硬化性樹脂や熱可塑性樹脂から構成される。導電性粒子３ｂは、例えば、銀フィラ等の金属フィラから構成される。導電性粒子３ｂは、微細窪み２ｅに入り込む大きさを有する。具体的には、十点平均高さＲｚで規定する表面粗さにして、１．０μｍ〜１．５μｍとなっている表面２ｄにおいて微細窪み２ｅに入り込めるように、導電性粒子３ｂの粒子径は設定される。詳細にいえば、導電性粒子３ｂの平均粒子径は表面２ｄの表面粗さより小さい値である０．００１μｍ（１ｎｍ）〜０．３μｍ（３００ｎｍ）に設定される。これにより、導電性粒子３ｂは、微細窪み２ｅに入り込む。
【００３０】
表面２ｄは、導電性接着剤３が微細窪み２ｅに入り込むことで、平滑面になっている。具体的には、表面２ｄは、十点平均高さにして、０．００１μｍ（１ｎｍ）〜０．３μｍ（３００ｎｍ）の平滑面になっている。これは、微細窪み２ｅだけに選択的に導電性接着剤３を充填することで、表面２ｄを平滑面とする構成である。このような構造は、例えば、次のようにして形成することができる。
【００３１】
未乾燥または未硬化の導電性接着剤３を表面層２ｃ上にスピンコートにより塗布したのち、導電性接着剤３を乾燥または硬化させる。そののち、表面２ｄの頂部が露出するまで導電性接着剤３を研磨する。これにより、微細窪み２ｅにのみ選択的に導電性接着剤３を形成することができる。
【００３２】
なお、図２に示されるように、表面層２ｃを覆って導電性接着剤３を配置してもよい。この場合、未乾燥または未硬化の導電性接着剤３を表面層２ｃ上にスピンコートにより塗布したのち、導電性接着剤３を乾燥または硬化させてもよい。この場合であっても、導電性接着剤３の表面は、十点平均高さにして、０．００１μｍ（１ｎｍ）〜０．３μｍ（３００ｎｍ）の平滑面となる。なお、この場合において導電性接着剤３の表面をさらに平滑にするために導電性接着剤３の表面を研磨してもよいのはいうまでもない。
【００３３】
さらには、各微細窪み２ｅの容積を満たすように導電性接着剤３を充填するのではなく、図３に示されるように、各微細窪み２ｅの容積の一部だけを満たすように導電性接着剤３を充填してもよい。この場合、各微細窪み２ｅは導電性接着剤３によって完全に満たされないので、表面２ｄは十分な平滑面にならない。
【００３４】
導電性接着剤３の形成方法としては、スピンコートによる塗布のほか、インクジェット印刷法でもよい。
【００３５】
以上のようにして導電性接着剤３を形成することにより、導電性接着剤３の導電性粒子３ｂが、端子電極２の表面２ｄにある微細窪み２ｅに入り込む。そのため、導電性粒子３ｂを含む導電性接着剤３によって微細窪み２ｅが埋められることで、表面２ｄは平滑化される。これにより、回路基板１に半導体装置等の被実装物を実装して電気接続する際における回路基板１と被実装物との間の接続信頼性が高くなる。これは、導電性接着剤層３の充填によって微細窪み２ｅが平滑化することで、被実装物の端子電極と回路基板１の端子電極２との接触面積が大きくなることに起因する。
【００３６】
なお、図３の構成では、微細窪み２ｅの平滑化は不十分となる。図３の構成では、微細窪み２ｅがある程度押し潰されるまで被実装物の外部接続部を端子電極２に圧着させればよい。そうすれば、回路基板１と被実装物との間の接続信頼性が高まる。これは、圧着により、導電性接着剤３中の導電性粒子３ｂが、端子電極２の表面２ｄや被実装物の外部接続部に噛み込むことに起因する。理由の詳細は次の通りである。第１に、上記噛み込みにより、被実装物の外部接続部と回路基板１の端子電極２との間の接触面積が大きくなる。第２に、上記噛み込みにより外部接続部と端子電極２との間の接触が確実になる。第３に、上記噛み込みにより外部接続部と端子電極２との間の接続距離が短くなる。
【００３７】
また、導電性接着剤３は、紫外線硬化性樹脂または熱可塑性樹脂からなる樹脂バインダ３ａを備えており、樹脂バインダ３ａの硬化時または乾燥時の収縮により、導電性粒子３ｂは、微細窪み２ｅの表面に噛み込んでいる。そのため、導電性粒子３ｂは端子電極２にさらに確実に電気接続される。これにより、回路基板１と被実装物との間の接続信頼性がさらに高くなる。
【００３８】
また、導電性粒子３ｂが微細窪み２ｅの表面に噛み込むことで、導電性粒子３ｂを介した被実装物と回路基板１との間の接続距離がさらに短くなる。その結果、回路基板１と被実装物との間の接続信頼性がさらに高くなる。接続距離の短縮化効果は、図３の構成において被実装物を端子電極２に圧着させた場合にも得られる。
【００３９】
さらには、端子電極２の微細窪み２ｅに導電性接着剤３を設けることで、回路基板１と被実装物との間の間に生じる応力を緩和させることができる。そのため、被実装物を回路基板１に実装したのちの被実装物や回路基板１の経年変化によって回路基板１と被実装物との間に熱応力等の応力が生じたとしても、その応力は、微細窪み２ｅに設けられた導電性接着剤３によって効率よく吸収される。そのため、前記応力によって回路基板１と被実装物との間の電気接続の信頼性が経年劣化することは起きにくくなる。
【００４０】
導電性粒子３ｂとしては、銀（Ａｇ）の他、炭素（Ｃ）,ニッケル（Ｎｉ）,銅（Ｃｕ）,コバルト（Ｃｏ）,鉛（Ｐｂ）,鉄（Ｆｅ）,白金（Ｐｔ）,金（Ａｕ）,インジウム（Ｉｎ）,スズ（Ｓｎ）から選ばれた少なくとも一つを主成分としたうえで、この主成分にさらに上記成分から選ばれた１種類以上を混合させるか、または２種類以上からなる合金を混合させるかにより構成してもよい。さらには、導電性粒子３ｂは、メッキコートをしてもよい。
【００４１】
導電性接着剤３は、イオンキャプチャや犠牲導電性粒子を含んでいてもよい。犠牲導電性粒子は、以下の金属グループよりもイオン傾向の高いものから選択される。金属グループとは、銅（Ｃｕ）,スズ（Ｓｎ）,ニッケル（Ｎｉ）,コバルト（Ｃｏ）,鉄（Ｆｅ）,クロム（Ｃｒ）,亜鉛（Ｚｎ）,マンガン（Ｍｎ）,アルミニウム（Ａｌ）,マグネシウム（Ｍｇ）,カルシウム（Ｃａ）である。
【００４２】
導電性接着剤３を構成する樹脂バインダ３ａとしては、紫外線硬化性樹脂、熱可塑性樹脂のほか、熱硬化性樹脂であってもよい。具体的には、エポキシ系樹脂,ポリアリルエーテル系樹脂,ポリアミド系樹脂,ポリエステル系樹脂,ポリイミド系樹脂等が適当な樹脂材料として挙げられる。
【００４３】
導電性粒子３ｂの形状は、球状でも鎖状でも、フレーク状でもよい。鎖状とは、図４に示されるように、導電性粒子３ｂどうしが互いに鎖状に連なった状態をいう。鎖状の導電性粒子３ｂは、互いにくっ付きやすいために少ない粒子数（充填数）で導電性を発現させることができる、という特性を有する。このような特性はニッケル等の磁性を有する鎖状の導電性粒子３ｂにおいて顕著である。
【００４４】
端子電極本体２ａの表面粗さは十点平均高さで１．０μｍ〜１．５μｍ程度であるが、中間層２ｂを厚みにして３μｍ程度メッキ形成し、さらに表面層２ｃを厚みにして０．０５μｍ〜０．５μｍ程度メッキ形成すると、表面層２ｃの表面２ｄにメッキ析出により金属瘤塊が形成される。そのため表面層２ｃの表面２ｄには、数μｍ〜１０μｍ毎に、数１００ｎｍ〜数μｍ程度の微細窪み２ｅが形成される。さらに回路基板１に搬送等のハンドリング処理を施す際に、表面層２ｃが損傷を受けて表面層２ｃが部分的に削り取られて中間層２ｂが表面２ｄに露出することもある。この場合は部分的に０．３μｍ以上の凹凸となる。さらには、表面層２ｃ等のメッキ形成時において発生するピンホール等により数１０ｎｍ〜数１００ｎｍ程度の微細ポーラスが表面２ｄに発生することもある。このようにして表面層２ｃに発生する各種の微細窪み２ｅにより、表面２ｄは、十点平均高さＲｚで規定する表面粗さにして、１．０μｍ〜１．５μｍ程度の表面粗さとなる。
【００４５】
導電性粒子３ｂは粒径が非常に小さいこともあり、その粒度分布は非常に尖鋭である。例えば、平均粒径５０ｎｍの導電性粒子３ｂでは、粒度分布は±５％以内に収まる。導電性粒子３ｂの比表面積は、２ｍ２／ｇ〜９０ｍ２／ｇ程度が適当である。また、導電性粒子３ｂの嵩密度は０．１ｇ／ｃｃ〜３ｇ／ｃｃ程度が適当である。導電性接着剤３における導電性粒子３ｂの含有率は、１２Ｖｏｌ％〜９８Ｖｏｌ％程度が適当である。また、導電性接着剤３にイオントラップ剤を混合させてもよい。イオントラップ剤を混合させることにより、湿中放置や湿中バイアス印加時において、臭素（Ｂｒ）や塩素（Ｃｌ）等のハロゲン系の不純物イオンを含む水溶液が導電性接着剤３に侵入してきたときに、イオントラップ剤で陰イオンを捕獲することができる。イオントラップ剤は無機ハイドロタルサイド系化合物であり、その含有量は０．１ｗｔ％〜１５ｗｔ％程度が好ましい。より好ましくは、０．０１ｗｔ％〜１０ｗｔ％の含有量がよい。イオン捕獲速度を上げるためや目的とする捕獲イオン交換体との接触を大きくするためにイオントラップ剤の粒径は小さくするのが好ましい。具体的には、イオントラップ剤の平均粒径は１μｍ以下であり、より好ましくは、数ｎｍ〜数１００ｎｍがよい。
【００４６】
導電性接着剤の印刷性を良好な状態に維持するためには、未乾燥または未硬化時における導電性接着剤３の粘度は、２Ｐａ・ｓ〜１００Ｐａ・ｓ程度が好ましい。導電性接着剤３に溶剤を含ませてもよい。
【００４７】
（実施の形態２）
図５は本発明の実施の形態２における半導体装置の実装体の概略断面図である。図５において、７は半導体装置、８は半導体装置の端子電極である。本実施の形態では被実装物は半導体装置７であり、被実装物の外部接続部は端子電極８である。
【００４８】
本実施の形態では、半導体装置７が、実施の形態１の回路基板１上にフェースダウンで実装される。これにより、半導体装置７の端子電極８が、回路基板１の端子電極２に、導電性接着剤３を間に噛み込んだ状態で圧着もしくは融着される。ここで融着とは、端子電極８の一部と端子電極２の一部とが互いに融着する状態を含む。また、圧着とは、微細窪み２ｅを押し潰さない程度の圧着状態と微細窪み２ｅを押し潰す圧着状態とを含む。
【００４９】
これにより、半導体装置７の端子電極８と回路基板１の端子電極２とは、接着されて電気接続される。そして、その際の接続信頼性は高くなる。
【００５０】
本実施の形態における半導体装置７は、実施の形態１における被実装物に相当する。本実施の形態の構造の接続信頼性が高い理由の詳細は、実施の形態１の回路基板１に被実装物を実装する際において接続信頼性が高い理由と基本的に同じである。本実施の形態は、被実装物である半導体装置７をフェースダウン形態で回路基板１に実装する構造において本発明を実施する例である。
【００５１】
本実施の形態において、半導体装置７を回路基板１に実装する構成としては、次の第１〜第３の構成がある。第１の構成では、図６Ａに示されるように、回路基板１の端子電極２の表面２ｄは、微細窪み２ｅへの導電性接着剤３の充填によって平滑化されており、平滑化された端子電極２に半導体装置７の端子電極８が当接する。その際、両電極２,８は、導電性接着剤３を間にして圧着もくしは融着されて互いに電気接続される。第１の構成では、圧着時に微細窪み２ｅが端子電極８によって押し潰される必要はない。
【００５２】
第１の構成では、端子電極２の平滑化によって、端子電極２と端子電極８との間の接触面積（接着面積）が大きくなって、両電極２,８の接続信頼性が高まる。第１の構成を実現するために必要となる回路基板１の構成は、実施の形態１において図１,図２を参照して説明された回路基板１の構成である。
【００５３】
第２の構成では、図６Ｂに示されるように、端子電極２の微細窪み２ｅは、導電性接着剤３によって充填されており、このような状態の端子電極２に、半導体装置７の端子電極８が当接し、さらに両電極２,８が互いに圧着される。その際、端子電極２の微細窪み２ｅが押し潰されることで、両電極２,８は、導電性接着剤３を間にして圧着もしくは融着されて互いに電気接続される。第２の構成では、導電性粒子３ｂが微細窪み２ｅの表面に噛み込むことで、導電性粒子３ｂを介した両電極２,８の間の接着が強固になるとともに接続距離が短くなる。その結果、両電極２,８の間の接続信頼性が高まる。第２の構成を実現するために必要となる回路基板１の構成は、実施の形態１において図１〜図３を参照して説明された回路基板１の構成である。なお、第２の構成では、微細窪み２ｅの容積全てを導電性接着剤３によって満たす必要は必ずしもない。図３に示されるように、微細窪み２ｅの容積の一部を導電性接着剤３で満たすだけでよい。これは、微細窪み２ｅを押し潰すためである。
【００５４】
第３の構成では、図６Ｃに示されるように、回路基板１の端子電極２の表面２ｄは、表面が平滑化された導電性接着剤３によって覆われており、このような状態の導電性接着剤３に半導体装置７の端子電極８が当接する。さらに、端子電極８は端子電極２に向けて加圧されて端子電極２に当接する。これにより、電極２,８は、導電性接着剤３を間にして圧着もしくは融着されて互いに電気接続される。第３の構成では、圧着時に微細窪み２ｅが端子電極８によって押し潰される必要はない。さらに、この状態で、電極２,８どうしは、導電性接着剤３によって接着される。その際、電極２,８どうしの当接により導電性接着剤３は周囲に押し出されて電極２と電極８との接続箇所に接した状態でその周囲を取り囲んで配置される。第３の構成では、導電性接着剤３による端子電極２の平滑化によって、端子電極２と端子電極８との間の接触面積（接着面積）が大きくなって、両電極２,８の接続信頼性が高まる。さらに第３の構成では、電極２と電極８との接続箇所を取り囲んで配置される導電性接着剤３によって端子電極２と端子電極８との間の接触面積（接着面積）はさらに大きくなり、これによって両電極２,８の接続信頼性がさらに高まる。なお、この場合において増加する接触面積とは、両電極２,８を取り囲む導電性接着剤３を介した両電極２,８の接触面積のことである。
【００５５】
導電性接着剤３は、両電極２,８の間に生じる熱応力を緩和させる能力を有しているが、第３の構成のごとく両電極２,８を取り囲んで導電性接着剤３を配置すれば、両電極２,８の間に生じる熱応力をさらに効率よく緩和させることができる。
【００５６】
第３の構成を実現するために必要となる回路基板１の構成は、実施の形態１において図２を参照して説明された回路基板１の構成である。
【００５７】
なお、図５では、半導体装置７と回路基板１との間の隙間は封止樹脂９により封止されているが、封止樹脂９により封止されていなくてもよい。
【００５８】
（実施の形態３）
図７は本発明の実施の形態３における半導体装置の実装体の概略断面図である。図７において、７は半導体装置、８は半導体装置７の端子電極、９は金線等からなる接続ワイヤである。本実施の形態では被実装物は半導体装置７であり、被実装物の外部接続部は接続ワイヤ９の回路基板側先端である。
【００５９】
半導体装置７が回路基板１上にフェースアップで実装される。半導体装置７の端子電極８に接続された接続ワイヤ９の先端が、回路基板１の端子電極２に、導電性接着剤３を噛み込んだ状態で圧着もしくは融着される。ここで、融着とは、接続ワイヤ９の一部が端子電極２に融着されることを含む。圧着とは、微細窪み２ｅを押し潰さない程度の圧着状態と微細窪み２ｅを押し潰す圧着状態とを含み、図７では、微細窪み２ｅは押し潰されている。
【００６０】
これにより半導体装置７の端子電極８と回路基板１の端子電極２とは接着されて電気接続される。そして、その際の接続信頼性は高くなる。なお、半導体装置７は封止されていてもよい。
【００６１】
本実施の形態における半導体装置７は、実施の形態１における被実装物に相当する。そのため、本実施の形態の構造の接続信頼性が高い理由の詳細は、実施の形態１の回路基板１に被実装物を実装する際において接続信頼性が高い理由と基本的に同じである。本実施の形態は、被実装物である半導体装置７をワイヤボンディングにより回路基板１に電気接続間する構造において本発明を実施する例である。また、本実施の形態では、半導体装置７の端子電極８が、回路基板１の端子電極２に当接するのではなく、端子電極８に電気接続された接続ワイヤ９が端子電極２に電気接続される。そのため、接続ワイヤ９の回路基板側先端は被実装物の端子電極として機能する。接続ワイヤ９と端子電極２との接続構造は、図６Ａ,図６Ｂ,図６Ｃを参照して実施の形態２で前述した構造と同じ構造を採用することができる。
【００６２】
実施の形態２,３においては、半導体装置７の端子電極８上に突起電極を形成してもよい。突起電極はボールボンディング法、メッキ法により形成することができる。ボールボンディング法により形成する突起電極の形状としては、引きちぎりバンプ、ループバンプの他、これらのバンプを形成したのちレベリングして高さを揃えた２段バンプのいずれかであればよい。また、メッキ法によれば、種々の形状のメッキバンプを形成することができる。突起電極の材質は、金（Ａｕ）,白金（Ｐｔ）,銀（Ａｇ）,銅（Ｃｕ）,ニッケル（Ｎｉ）,鉛（Ｐｂ）,スズ（Ｓｎ）,ビスマス（Ｂｉ）,亜鉛（Ｚｎ）の中の一つもしくは、これらの合金であればよい。
【００６３】
また、回路基板１の裏面には、ＬＧＡまたはＢＧＡ用の電極を格子エリア状にパターン化して形成してもよい。
【００６４】
（実施の形態４）
図８は本発明の実施の形態４における電子部品の実装体の概略断面図である。図８において、１０は電子部品、１１は電子部品１０の端子電極、１２は導電性接着剤である。ここでは、電子部品１０として、回路基板（インターポーザ基板）１３に半導体装置１４が実装されたものを用いる。本実施の形態は、導電性接着剤３とは別にもう一つの導電性接着剤１２を設ける点に特徴を有する。本実施の形態では被実装物は電子部品１０であり、被実装物の外部接続部は端子電極１１である。
【００６５】
本実施の形態では、回路基板（マザー回路基板）１上にもう一つの導電性接着剤１２を用いて電子部品１０が実装される。電子部品１０の端子電極１１と回路基板１の端子電極２とは、導電性接着剤３と導電性接着剤１２とを介して当接しており、導電性接着剤３が微細窪み２ｅに噛み込んで、端子電極２の表面２ｄに圧着もしくは融着することで、回路基板１の端子電極２と導電性接着剤３とは強固に電気接続される。ここで融着とは、導電性接着剤３の一部が表面２ｄに融着することを含む。また、圧着とは、微細窪み２ｅを押し潰さない程度の圧着状態と微細窪み２ｅを押し潰す圧着状態とを含む。このようにして互いに強固に電気接続された導電性接着剤３と端子電極２とは、さらにもう一つの導電性接着剤１２を介して端子電極１１に電気接続される。
【００６６】
このとき、端子電極２の表面２ｄは、微細窪み２ｅに導電性接着剤３が充填されることで平滑化しており、端子電極２ともう一つの導電性接着剤１２との間の接触面積は大きい。そのため、端子電極２ともう一つの導電性接着剤１２とは強固に接着されて電気接続される。その結果、端子電極２と端子電極１１との間の接続信頼性は高くなる。
【００６７】
本実施の形態における電子部品１０は、実施の形態１における被実装物に相当する。そのため、本実施の形態の構造の接続信頼性が高い理由の詳細は、実施の形態１の回路基板１に被実装物を実装する際において接続信頼性が高い理由と基本的に同じである。本実施の形態は、被実装物をフェースダウン形態で回路基板１に実装する構造において本発明を実施する例である。端子電極１１と端子電極２との接続構造は、図６Ａ,図６Ｂ,図６Ｃを参照して実施の形態２で前述した構造と同じ構造を採用することができる。ただし、本実施の形態では、もう一つの導電性接着剤１２を設けており、この点は図６Ａ,図６Ｂ,図６Ｃの構成と異なる。
【００６８】
本実施の形態は、もう一つの導電性接着剤１２と導電性接着剤３との間の構成上の相違に特徴がある。導電性接着剤３においては、導電性粒子３ｂの平均粒子径は、０．００１μｍ（１ｎｍ）〜０．３μｍ（３００ｎｍ）に設定されている。これに対して、もう一つの導電性接着剤１２を構成する導電性粒子の平均粒子径は５μｍ〜２０μｍであって、導電性粒子３ｂよりも格段に大きな粒子径となっている。このような粒子径の導電性粒子を有する導電性接着剤１２は、導電性粒子が大き過ぎるために、微細窪み２ｅに入り込んでそれを埋めることができない。このように、もう一つの導電性接着剤１２を設けるだけでは表面層２ｃの微細窪み２ｅを埋めて表面層２ｃを平滑化することはできない。本実施の形態の導電性接着剤３を設けることによりはじめて、表面層２ｃの微細窪み２ｅを埋めて表面層２ｃを平滑化することができる。
【００６９】
（実施の形態５）
図９は本発明の実施の形態５における電子部品の実装体の概略断面図である。図９において、１５は電子部品、１６は電子部品１５の端子電極、１７は導電性接着剤である。ここでは、電子部品１５として、チップ抵抗等の表面実装型の電子部品を用いる。本実施の形態は、導電性接着剤３とは別にもう一つの導電性接着剤１７を設けている点に特徴を有する。本実施の形態では被実装物は電子部品１５であり、被実装物の外部接続部は端子電極１６である。
【００７０】
本実施の形態では、回路基板１上にもう一つの導電性接着剤１７を用いて電子部品１５を実装する。電子部品１５の端子電極１６と回路基板１の端子電極２とは、導電性接着剤３と導電性接着剤１７とを間にして面接しており、導電性接着剤３が微細窪み２ｅに噛み込んだ状態で端子電極２の表面２ｄに圧着もしくは融着することで、回路基板１の端子電極２と導電性接着剤３とは強固に電気接続される。ここで融着とは、導電性接着剤３の一部が表面２ｄに融着することを含む。また、圧着とは、微細窪み２ｅを押し潰さない程度の圧着状態と微細窪み２ｅを押し潰す圧着状態とを含む。
【００７１】
このようにして互いに電気接続された端子電極２と導電性接着剤３とは、さらにもう一つの導電性接着剤１７を介して端子電極１６に電気接続される。
【００７２】
このとき、端子電極２の表面２ｄは、微細窪み２ｅに導電性接着剤３が充填されることで平滑化しており、端子電極２と導電性接着剤１７との間の接触面積は大きくなっている。これにより、端子電極２と導電性接着剤１７とは強固に接着されて電気接続される。その結果、端子電極２と端子電極１６との間の接続信頼性は高くなる。
【００７３】
本実施の形態における電子部品１５は、実施の形態１における被実装物に相当する。そのため、本実施の形態の構造の接続信頼性が高い理由の詳細は、実施の形態１の回路基板１に被実装物を実装する際において接続信頼性が高い理由と基本的に同じである。本実施の形態は、被実装物である表面実装型電子部品を回路基板１に表面実装する構造において本発明を実施する例である。端子電極１６と端子電極２との接続構造は、図６Ａ,図６Ｂ,図６Ｃを参照して実施の形態２で前述した構成と同じ構造を採用することができる。ただし、本実施の形態では、もう一つの導電性接着剤１７を設けており、この点は図６Ａ,図６Ｂ,図６Ｃの構成と異なる。
【００７４】
本実施の形態では、実施の形態４と同様、もう一つの導電性接着剤１７と導電性接着剤３との間の構成上の相違に特徴がある。導電性接着剤３においては、導電性粒子３ｂの平均粒子径は、０．００１μｍ（１ｎｍ）〜０．３μｍ（３００ｎｍ）に設定される。これに対して、導電性接着剤１７を構成する導電性粒子の平均粒子径は５μｍ〜２０μｍであって、導電性粒子３ｂよりも格段に大きな粒子径となっている。このような粒子径の導電性粒子を有する導電性接着剤１７では、導電性粒子が大き過ぎるために、微細窪み２ｅに入り込んで埋めることはできない。このように、もう一つの導電性接着剤１７を設けるだけでは表面層２ｃの微細窪み２ｅを埋めて表面層２ｃを平滑化することはできない。導電性接着剤３を設けることによりはじめて、表面層２ｃの微細窪み２ｅを埋めて表面層２ｃを平滑化することができる。
【００７５】
（実施の形態６）
図１０は、本発明の実施の形態６における表示装置の概略断面図である。図１０において、２０は半導体装置、２１は実施の形態１の回路基板１と同様の構成を有する回路基板、２２は表示装置、２３は回路基板２１の端子電極、２４は半導体装置２０の端子電極、２５は表示装置２２の端子電極である。本実施の形態では被実装物は半導体装置２０であり、被実装物の外部接続部は端子電極２４である。
【００７６】
本実施の形態では、予め、表示装置２２を実装しておいた回路基板２１に、半導体装置２０がフェースダウンで実装される。回路基板２１の端子電極２３の表面にある微細窪み２ｅに導電性接着剤３を噛み込んだ状態で、端子電極２４と端子電極２３とが圧着もしくは融着される。ここで融着とは、端子電極２４の一部と端子電極２３の一部とが互いに融着する状態を含む。また、圧着とは、微細窪み２ｅを押し潰さない程度の圧着状態と微細窪み２ｅを押し潰す圧着状態とを含む。
【００７７】
これにより、半導体装置２０の端子電極２４と回路基板２１の端子電極２３とは強固に接着されて電気接続される。その結果、両電極２４,２３の間の電気接続は接続信頼性の高いものになる。なお、図１０では、半導体装置２０と回路基板１との間の隙間は封止樹脂２６により封止されているが、封止樹脂２６により封止されていなくてもよい。
【００７８】
本実施の形態における半導体装置２０は、実施の形態１における被実装物に相当する。そのため、本実施の形態の構造の接続信頼性が高い理由の詳細は、実施の形態１の回路基板１に被実装物を実装する際において接続信頼性が高い理由と基本的に同じである。本実施の形態は、被実装物である半導体装置２０をフェースダウン形態で回路基板２１に実装する構造において本発明を実施する例である。また、端子電極２４と端子電極２３との接続構造は、図６Ａ,図６Ｂ,図６Ｃを参照して実施の形態２で前述した構成と同じ構造を採用することができる。また、図８,図９に示されたように、端子電極２４と端子電極２３との間に、導電性接着剤３とは別のもう一つの導電性接着剤を設けてもよい。
【００７９】
なお、本実施の形態では、回路基板２１として液晶や有機ＥＬディスプレイ用のガラス基板やプラスチック基板が好適に用いられる。
【００８０】
（実施の形態７）
図１１は本発明の実施の形態７における電子装置の概略断面図である。図１１において符号３０,３１は、ポリイミド基板や液晶ポリマー基板等のフレキシブル基板からなる回路基板であって、これら回路基板３０,３１は基本的には、実施の形態１と同様の端子電極２および導電性接着剤３を有する。本実施の形態では、一方の回路基板３０,３１に対して他方の回路基板３１,３０が被実装物となる。したがって、被実装物の外部接続部は他方の回路基板３１．３０の端子電極２である。
【００８１】
このような構成を有する回路基板３０,３１の端子電極２どうしが、導電性接着剤３を噛み込んだ状態で圧着もしくは融着される。ここで融着とは、一方の端子電極２の一部と他方の端子電極２の一部とが互いに融着する状態を含む。また、圧着とは、微細窪み２ｅを押し潰さない程度の圧着状態と微細窪み２ｅを押し潰す圧着状態とを含む。
【００８２】
これにより、端子電極２どうしは強固に接着され電気接続される。その結果、端子電極２どうしの間の接続信頼性は高いものになる。
【００８３】
なお、本実施の形態における回路基板３０,３１の一方は、他方に対して実施の形態１における回路基板１に相当し、他方が一方に対して被実装物に相当する。そのため、本実施の形態の構造の接続信頼性が高い理由の詳細は、実施の形態１の回路基板１に被実装物を実装する際において接続信頼性が高い理由と基本的に同じである。本実施の形態は、回路基板どうしを電気接続する構造において本発明を実施する例である。端子電極２と端子電極２との接続構造は、図６Ａ,図６Ｂ,図６Ｃを参照して実施の形態２で前述した構造と同じ構造を採用することができる。また、図８,図９に示されたように、端子電極２と端子電極２との間に、導電性接着剤３とは別のもう一つの導電性接着剤を設けてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００８４】
【図１】図１は本発明の実施の形態１における回路基板の概略断面図。
【図２】図２は実施の形態１の変形例を示す回路基板の概略断面図。
【図３】図３は実施の形態１のもう一つの変形例を示す回路基板の概略断面図。
【図４】図４は鎖状の導電性粒子の構成を示す図。
【図５】図５は本発明の実施の形態２における半導体装置の実装体の概略断面図。
【図６】Ａは実施の形態２の要部の第１の構成を示す図、Ｂは実施の形態２の要部の第２の構成を示す図；Ｃは実施の形態２の要部の第３の構成を示す図。
【図７】図７は本発明の実施の形態３における半導体装置の実装体の概略断面図。
【図８】図８は本発明の実施の形態４における電子部品の実装体の概略断面図。
【図９】図９は本発明の実施の形態５における電子部品の実装体の概略断面図。
【図１０】図１０は本発明の実施の形態６における半導体装置の実装体の概略断面図。
【図１１】図１１は本発明の実施の形態７における電子部品の実装体の概略断面図。
【図１２】図１２は本発明の実施対象となる半導体装置の実装体の構造を示す概略断面図。
【図１３】図１３は本発明の実施対象となる電子部品の実装体の基本構造を示す概略断面図。
【符号の説明】
【００８５】
１  回路基板              ２  端子電極
２ａ  端子電極本体        ２ｂ  中間層
２ｃ  表面層              ２ｄ  表面
２ｅ  微細窪み            ３  導電性接着剤
３ａ  樹脂バインダ        ３ｂ  導電性粒子
４  ビア                  ５  内部配線層
７  半導体装置            ８  半導体装置の端子電極
９  接続ワイヤ            １０  電子部品
１１  電子部品の端子電極  １２  導電性接着剤
１３  インターポーザ基板  １４  半導体装置
１５  電子部品            １６  電子部品の端子電極
１７  導電性接着剤        ２０  半導体装置
２１  回路基板            ２２  表示装置
２３  回路基板の端子電極  ２４  半導体装置の端子電極
２５  表示装置の端子電極
【図１】
2004241764.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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