(57)【要約】【課題】アニール処理を施す磁壁移動検出方式の光磁気記録媒体において、レーザー照射部の媒体膜厚方向への温度分布によって生じるアニール処理ムラが発生しない光磁気記録媒体を提供する。【解決手段】磁壁移動検出方式の光磁気記録媒体において、第１の磁性層を成膜後に情報記録トラック間の領域に高出力のレーザービームを照射してアニール処理し、さらに、酸化、腐食した第１の磁性層表面を逆スパッタによって除去し、第２、第３の磁性層を順次透明基板上に成膜する。【選択図】      図５
2004241005.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
記録トラック間に形成されたアニール領域を有する磁壁移動検出方式の光磁気記録媒体において、
磁壁が移動可能な第１の磁性層と、記録磁区を保持し、前記第１の磁性層より磁壁抗磁力が大きな第３の磁性層と、前記第１の磁性層及び前記第３の磁性層よりもキュリー温度の低い、前記第１の磁性層と前記第３の磁性層との間に配設された第２の磁性層とから構成されて、前記アニール領域として前記第１の磁性層のみアニール処理されていることを特徴とする光磁気記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、磁性膜に磁区パターンとして情報を記録し、磁気光学効果を用いて情報を再生する光磁気記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、光磁気記録媒体の高記録密度化への要望が高まっており、それに応えるため、光学的分解能を超えるような非常に微細な記録マークを再生する技術が開発されている。記録媒体の工夫によりこれを達成する方法として、磁気超解像再生法が知られている。この方法では、磁性多層膜において再生用レーザーのスポット径よりも狭い検出領域のみに記録マークが転写され、他の領域では磁気的に一方向に揃ってマスクされるため、信号検出領域が実質的に制限され光学系の分解能を超えた再生が可能になる。しかし、磁気超解像再生法において再生分解能を向上させようとすると、有効に使用される信号検出領域を狭くする必要があるので、再生信号振幅自体は低下するという欠点がある。
【０００３】
上記問題点を解決する方法として、信号検出領域を狭くするのではなく、記録マークを拡大して再生する方法が提案されている（特許文献１参照）。複数の磁性層からなる光磁気媒体に光スポットを照射して、垂直磁化として記録されている磁区を再生層に転写し、その再生層に転写した磁区の磁壁を移動させて、記録層の磁区よりも大きくして再生する。この磁壁移動検出方式について説明する。
【０００４】
図６に、磁壁移動検出方式の光磁気記録媒体及びその再生方法における作用を説明するための模式図を示す。図６（ａ）に示したように、記録媒体は小さな磁壁抗磁力を有する第１の磁性層１１と、相対的に低いキュリー温度Ｔｓを有する第２の磁性層１２と、大きな磁壁抗磁力を有する第３の磁性層１３からなる交換結合３層膜で構成される。各層中の矢印１４は電子スピンの向きを表わしている。スピンの向きが相互に逆向きの領域の境界部には磁壁１５が形成されている。記録膜面上を再生用のレーザービームスポット１６を利用して局所的に加熱すると、図６（ｂ）に示したような温度分布が形成され、これに伴い磁壁エネルギー密度の分布が図６（ｃ）に示したように形成される。磁壁エネルギー密度は一般的に温度が上昇するほど低下するので、ピーク温度の位置で磁壁エネルギー密度が最も低くなるような分布になる。この結果、位置Ｘに存在する第１の磁性層の磁壁をエネルギー密度の低い高温側へ移動させようとする磁壁駆動力Ｆが発生する。
【０００５】
媒体温度が第２の磁性層のキュリー温度Ｔｓよりも低い場所では、各磁性層は交換結合しているため、前述の温度勾配による磁壁駆動力が作用しても、第３の磁性層の大きな磁壁抗磁力に阻止されて磁壁移動は起こらない。ところが、媒体温度Ｔｓよりも高い場所では第１の磁性層と第３の磁性層との間の交換結合が切断されるため、磁壁抗磁力の小さな移動層中の磁壁は、温度勾配による磁壁駆動力で磁壁移動が可能となる。このため、媒体の走査に伴って、磁壁が温度Ｔｓの位置を越えて結合切断領域に侵入した瞬間に、移動層中で高温側へ磁壁移動が起こる。
【０００６】
記録膜中に信号に対応した間隔で形成されている磁壁が、媒体の走査に伴って温度Ｔｓの位置を通過するたびに、移動層内で磁壁移動が発生する。媒体を一定速度で走査すると、記録されている磁壁の空間的間隔に対応した時間間隔で、この磁壁移動が発生することになる。したがって、磁壁移動の発生を検知することにより記録信号を再生することができる。磁壁移動の発生は、再生用のレーザービームにより、磁壁移動領域の磁化の向きに応じた偏光面の回転（カー効果）を利用して検知することができる。
【０００７】
信号振幅は磁壁移動距離で決まり、記録されている磁壁間の距離すなわち磁区長には依存しない。また、再生スポットではなく、温度Ｔｓの等温線が記録パターンを弁別していくことになるので、光学系の分解能とは無関係に信号を再生することができる。
【０００８】
上記の磁壁移動検出方式を用いる光磁気記録媒体において、ノイズの少ない良好な再生信号を得ようとすると、隣接する情報トラック間の磁性層の磁気的結合を分断する必要がある。これは情報トラック間の磁性膜が物理的、物性的に連続した一様な膜である場合は、記録マークが閉じた磁壁で周囲を囲まれた磁区として存在するので、この記録マークを拡大させる方向に磁壁移動させようとすると、必然的に磁壁面積が拡大して磁壁の有するエネルギーが大きくなるため、結果として磁壁移動の動作が不安定となるからであると考えられる。
【０００９】
磁気的結合を分断するために、３つの方法が挙げられている。すなわち、第１の方法として、情報トラックと情報トラックとの間に矩形の案内溝を設けて案内溝側面の磁性膜厚を薄くする方法、第２の方法として、情報トラックと情報トラックの間の案内溝部分の磁性膜を高出力レーザーでアニール処理を施して磁気的性質を変質させる方法、第３の方法として、エッチング処理によってパターニングする方法である。また、第１の方法の変形として、ランド部と矩形溝部を同一幅に構成し、ランドと矩形溝の両方を情報トラックに用いる方法（いわゆるランド・グルーブ記録法）が考えられる。これらの方法はすべて隣接する情報トラック同士を物理的形状、物性変化を伴う方法によって分断して、磁壁面積を増加させることなく記録マークを拡大させようとするものである。
【００１０】
本発明の光磁気記録媒体は、上記第２の方法のアニール処理を施して磁気的分断を行うものである。
【００１１】
ここで、アニール処理を施して磁性層の磁気的結合を分断するのは、必ずしも第１、第２、第３の磁性層すべてである必要はない。分断を必要とするのは、磁壁が移動する第１の磁性層である。第１の磁性層が分断されていれば、第２、第３の磁性層が分断されていなくても、磁区の磁壁は閉じずに形成されるので安定した磁壁移動動作が行われる。
【００１２】
【特許文献１】
特開平６−２９０４９６号公報
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】
上述したアニール処理方法には、基板側からレーザーを照射する方法と、膜面側からレーザーを照射する方法とがある。先程述べたように、分断を必要とするのは磁壁が移動する第１の磁性層であり、第１の磁性層を確実に分断するという意味では、基板側からアニール処理した方が良い。しかし、基板側からレーザーを照射する方法は、基板の内外周での厚みムラやチルト差の影響を著しく受けてしまうため特性が安定せず、実際の製造工程には適していない。それに対して、膜面側からアニール処理する場合は、高ＮＡの対物レンズを使用できるので、基板の内外周での厚みムラやチルト差による収差を小さくすることができ、これらの影響をあまり受けずにアニールすることが可能である。従って、膜面側からアニール処理する方法は、製造工程に適したアニール処理方法だと言える。本発明の光磁気記録媒体は、膜面側からアニール処理を施して磁気的分断を行うものである。
【００１４】
膜面側からアニール処理を施す場合、理想的には膜厚方向に直線的にアニール領域が形成されることが求められる。しかし、従来のアニール処理を施した場合、レーザー照射領域は膜厚方向で温度分布を持っているので、レーザー光源に近く位置する磁性層ほどアニールされ易く、離れて位置する磁性層ほどアニールされにくくなる。つまり、各磁性層間でのアニールされ方にムラが生じることになる。例えば、第３の磁性層はアニールされているが、第１の磁性層は十分にアニールされていない領域が存在して、信号特性を悪化させる原因となる。上記温度分布は、アニール処理時の線速などによりある程度変化させることができるが、膜厚方向に直線的に形成されるよう制御するのは、多層構造とトータル膜厚を考慮すると非常に困難である。
【００１５】
本発明の目的は、上記のようなアニール処理ムラが発生しない光磁気記録媒体を提供することにある。
【００１６】
【課題を解決するための手段】
本発明の光磁気記録媒体は、記録トラック間に形成されたアニール領域を有する磁壁移動検出方式の光磁気記録媒体において、磁壁が移動可能な第１の磁性層と、記録磁区を保持し、第１の磁性層より磁壁抗磁力が大きな第３の磁性層と、第１の磁性層及び第３の磁性層よりもキュリー温度の低い、第１の磁性層と第３の磁性層との間に配設された第２の磁性層とから構成されて、アニール領域として第１の磁性層のみアニール処理されている。
【００１７】
本発明によれば、アニール処理される層が第１の磁性層のみなので、膜厚方向への温度分布の影響を受けずに、膜厚方向にかなり直線的に近い状態でアニール領域を形成することができる。したがって、従来のような磁性層間のアニールムラを生じずに、磁気的分断を図ることができる。また、アニールパワーを大幅に低減できるので、アニールの高線速化が可能である。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。
【００１９】
図１を参照すると、本発明で用いる光磁気記録媒体の層構成を示した模式的断面図が示されている。即ち、基板２６上に少なくとも誘電体層２５、第１の磁性層２１（再生層）、第２の磁性層２２（調整層）、第３の磁性層２３（記録層）、誘電体層２４が順次積層されている。
【００２０】
基板２６としては、例えば、ポリカーボネイト、アクリル、ガラス等を用いることができる。誘電体層２４や誘電体層２５としては、例えば、ＳｉＮ、ＡｉＮ、ＳｉＯ、ＺｉＳ、ＭｇＦ、ＴａＯなどの誘電体材料が使用できる。磁壁の移動を光学的に検出するのでなければ、必ずしも透光性材料である必要はない。磁性層以外の層は必須のものではない。磁性層の積層順序を逆にしても良い。また、この構成に、さらにＡｌ、ＡｌＴａ、ＡｌＴｉ、ＡｌＣｒ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ａｕなどからなる金属層を付加して、熱的な特性を調整しても良い。また、高分子樹脂からなる保護コートを付与しても良い。
【００２１】
これら各層は、例えばマグネトロンスパッタ装置による連続スパッタリング、または連続蒸着などによって被着形成できる。特に各磁性層は、真空を破ることなく連続成膜されることで交換結合をしている。
【００２２】
上記の光磁気記録媒体は、第１の磁性層のキュリー温度をＴｃ１、第２の磁性層のキュリー温度をＴｃ２、第３の磁性層のキュリー温度をＴｃ３としたとき、これら磁性層のキュリー温度が次式Ｔｃ１＞Ｔｃ２、Ｔｃ３＞Ｔｃ２の条件を満足するものである。
【００２３】
光磁気記録材料としては様々考えられるが、例えばＰｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏなどの希土類金属元素の１種類あるいは２種類以上が１０〜５０原子％と、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉなどの鉄族元素の１種類あるいは２種類以上が９０〜５０原子％で構成される希土類−鉄族非晶質合金によって構成し得る。また、耐食性向上などのために、これにＣｒ、Ｍｎ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｐｔ、Ｉｎなどの元素を少量添加しても良い。
【００２４】
飽和磁化は、希土類元素と鉄族元素の組成比により制御することが可能である。保磁力は、飽和磁化の調整によって制御できるが、本質的には材料元素の選択により、垂直磁気異方性を調整する。一般に、Ｔｂ、Ｄｙなどの系の材料は垂直磁気異方性が大きく保磁力も大きいのに対し、Ｇｄ系の材料は異方性が小さく保磁力も小さい。また、非磁性元素の添加により垂直磁気異方性は低下する。キュリー温度も、組成比により制御することが可能であるが、飽和磁化と独立に制御するためには、鉄族元素として、Ｆｅの一部をＣｏで置き換えた材料を用い、置換量を制御する方法がより好ましく利用できる。即ち、Ｆｅ１原子％をＣｏで置換することにより、６℃程度のキュリー温度上昇が見込めるので、この関係を用いて所望のキュリー温度となるようにＣｏの添加量を調整する。また、Ｃｒ、Ｔｉなどの非磁性元素を微量添加することにより、逆にキュリー温度を低下させることも可能である。あるいは、２種類以上の希土類元素を用いてそれらの組成比を調整することでもキュリー温度を制御できる。
【００２５】
本発明の実施の形態に係る光磁気記録媒体の第１の磁性層１１の磁壁抗磁力は、第２の磁性層１２のキュリー温度Ｔｃ２以上の温度において第３の磁性層１３の磁壁抗磁力より小さいものである。第１の磁性層すなわち再生層は、調整層の働きとレーザースポットによる温度勾配を利用して記録層に記録されている磁区を拡大して再生するものである。
【００２６】
本発明の光磁気記録媒体のような多層磁性膜では、隣接する磁性層間の同じ種類の副格子磁化の方向を同じ方向に揃えようとするような交換力が働く。この隣接層間の磁気的な結合を交換結合と呼ぶが、本発明の実施の形態に係る光磁気記録媒体においては、第３の磁性層から第２の磁性層を介して第１の磁性層に及ぼされる交換結合力が第１の磁性層の保磁力エネルギーを上回る温度が、周囲温度からＴｃ２の間の温度範囲内に存在する。そのため、昇温・降温動作中にこの温度を経由することにより、周囲温度または周囲温度からＴｃ２の間の温度において、第１の磁性層１１及び第２の磁性層１２の磁化方向を第３の磁性層１３の磁化方向に揃えることができる。
【００２７】
また、第３の磁性層１３は、磁区として記録された記録情報を安定に保持するために垂直磁気異方性が大きな垂直磁化膜が望ましい。第３の磁性層のキュリー温度Ｔｃ３は第２の磁性層のキュリー温度Ｔｃ２より高いことが必要であり、かつ、実用的な記録感度を有し、安定な再生動作を行うためには１２０℃以上３６０℃以下が望ましい。
【００２８】
次に、図２を用いて本発明の光磁気記録媒体の製造工程について説明する。
【００２９】
直流マグネトロンスパッタリング装置に、上述した各材料のターゲットを取り付け、トラッキング用の案内溝（案内帯）が形成されたポリカーボネイト基板を基板ホルダーに固定した（Ｓ１）後、１×１０−５Ｐａ以下の高真空になるまでチャンバー内をクライオポンプで真空排気する。真空排気をしたままＡｒガスをチャンバー内に導入し、基板を回転させながら、ターゲットをスパッタして各層を成膜する。
【００３０】
まず最初に、下地層として誘電体層２５を成膜する（Ｓ２）。引き続き、第１の磁性層を成膜する。
【００３１】
第１の磁性層を成膜した（Ｓ３）後、光磁気記録媒体をスパッタリング装置から取り出し、アニール処理を行う（Ｓ４）。
【００３２】
図３は本発明の光磁気記録媒体のアニール処理装置の構成を示すものである。図３に示すように、アニール処理装置はスピンドルモーター３１、スピンドルサーボ回路３２、光ピックアップ部３３、サーボ回路３４、レーザーパワーコントロール回路３５、コントローラー３６から構成されている。
【００３３】
図４はアニール処理時の光磁気記録媒体の一部を拡大して示す図である。ここで、図４における光磁気記録媒体は、グルーブ部５４すなわちグルーブトラックに主データが記録されるグルーブ記録のものとして説明する。
【００３４】
光磁気記録媒体５１は、スピンドルサーボ回路３２により規定の線速度を保つように制御されるスピンドルモータ３１によって、矢印の方向５６に回転しているものとする。
【００３５】
光ピックアップ部３３は、サーボ回路３４により、フォーカスサーボやトラッキングサーボ、あるいは、半径方向への移動制御などの各種制御がされる。また、光ピックアップ部３３から出射されるレーザービームは、レーザーパワーコントロール回路３５によって所定のアニールパワーとなるように制御される。
【００３６】
コントローラー３６は、ＣＰＵ、ＲＯＭ、ＲＡＭなどを備えたマイクロコンピュータであり、この実施の形態のアニール処理装置の各部を制御するものである。ＣＰＵは、再生アドレスデータにより、走査している光磁気記録媒体５１上の位置を知り、この再生アドレスデータを基準として、光磁気記録媒体５１上の目的とするトラックを走査することができるように、サーボ回路３４、スピンドルサーボ回路３２などに供給する制御信号を形成し、これを各部に供給する。
【００３７】
サーボ回路３４には、光ピックアップ部３３からのフォーカスエラー信号やトラッキングエラー信号などが供給されるとともに、コントローラー３６から、例えば、光磁気記録媒体５１上の位置を指示する情報などが供給される。また、スピンドルサーボ回路３２、レーザーパワーコントロール回路３５にも、光ピックアップ部３３からの情報や、コントローラー３６からの制御信号が供給され、目的の制御を行うことができるようにされている。
【００３８】
また、光ピックアップ部３３は、光磁気記録媒体５１に照射したレーザービームの反射光を受光するフォトディテクタを備えており、このフォトディテクタの分割された各ディテクタによって受光された反射光の光量から、プッシュプル信号を形成する。このプッシュプル信号はサーボ回路３４に供給され、コントローラー３６からの制御信号に基づいて目的のトラックを走査することができる。
【００３９】
上記構成にて、光磁気記録媒体５１に対してアニール処理を行う（Ｓ４）。光磁気記録媒体５１は、最内周あるいは最外周にレーザースポット５３が照射されるように、コントローラー３６によって制御される。そして、光磁気記録媒体５１は、スピンドルサーボ回路３２によりアニール用の線速度を保つように制御され、光ピックアップ部３３から出射されるレーザービームは、レーザーパワーコントロール回路３５によって所定のアニールパワーとなるように制御されることによって、各種アニール条件が設定される。
【００４０】
そして、不図示の機構によって、フォーカスエラー信号及びトラッキングエラー信号を検出し、アニール処理を行うトラックの中心を走査するように制御される。
【００４１】
図４において、対物レンズ５２によって光磁気記録媒体５１の磁性層上にレーザースポット５３が集光される。この実施の形態の光磁気記録媒体５１は、スパイラルの基板を用いたものである。この例においては、光磁気記録媒体５１には、スパイラル状にグルーブ（溝）を形成することにより、グルーブ部５４とランド部５５が形成される。このランド部５５は、グルーブ部５４とグルーブ部５４に挟まれるようにして形成された凸部分である。
【００４２】
アニール処理（Ｓ４）は、図４に示すように光磁気記録媒体５１のランド部上５５ａ、５５ｂ、５５ｃをこの順に走査していき、最内周から最外周に向かって、一定パワーで連続的にアニール処理を行っていく。
【００４３】
ここで、本発明はグルーブ記録の光磁気記録媒体に限定されるものではなく、アニール処理を行うすべての光磁気記録媒体に適用することができる。
【００４４】
次に、アニール処理が施された光磁気記録媒体をスパッタリング装置内に入れた後、基板側に電力を投入して、第１の磁性層表面を逆スパッタする（Ｓ５）。
【００４５】
第１の磁性層の構成成分である希土類元素やＦｅは非常に酸化され易く、空気中の酸素とも容易に結合して酸化物を形成する性質がある。このため、アニール処理中は、このような酸化の進行により腐食や孔食が発生する。本発明では逆スパッタすることによって、酸化、腐食した第１の磁性層表面を除去することができる。
【００４６】
続いて、第２、第３の磁性層を順次成膜する（Ｓ６）。最後に、保護層として誘電体層２６を成膜する（Ｓ７、Ｓ８）。
【００４７】
以上のような工程をもって、図５に示すような本発明の光磁気記録媒体を製造することができる。図５は、本発明の光磁気記録媒体における第１、第２、第３の磁性層６１、６２、６３のアニール領域の様子を横から見た模式的断面図である。
【００４８】
即ち、第１の磁性層を成膜後に情報記録トラック間の領域に高出力のレーザービームを照射してアニール処理を施し、さらに、酸化、腐食した第１の磁性層表面を逆スパッタによって除去し、第２、第３の磁性層を順次透明基板上に成膜するものである。これによって、基板の厚みムラやチルト差の影響が少ない膜面からアニール処理する方法を用いて、なお且つ第１の磁性層のみを確実に分断することが可能となる。
【００４９】
以上、本発明の実施の形態が示され説明されたが、当業者であれば、本発明の趣旨と範囲は本明細書内特定の説明と図に限定されるのではなく、本特許請求の範囲に全て述べられた様々の修正と変更に及ぶことが理解されるであろう。
【００５０】
本発明の実施態様の例を以下に列挙する。
【００５１】
本発明の実施態様は、記録トラック間に形成されたアニール領域を有する磁壁移動検出方式の光磁気記録媒体において、磁壁が移動可能な第１の磁性層と、記録磁区を保持し、第１の磁性層より磁壁抗磁力が大きな第３の磁性層と、第１の磁性層及び第３の磁性層よりもキュリー温度の低い、第１の磁性層と第３の磁性層との間に配設された第２の磁性層とから構成されて、アニール領域として第１の磁性層のみアニール処理されている光磁気記録媒体である。
【００５２】
本実施態様によれば、アニール処理される層が第１の磁性層のみなので、膜厚方向への温度分布の影響を受けずに、膜厚方向にかなり直線的に近い状態でアニール領域を形成することができる。したがって、従来のような磁性層間のアニールムラを生じずに、磁気的分断を図ることができる。また、アニールパワーを大幅に低減できるので、アニールの高線速化が可能である。
【００５３】
また、本発明においては、第１の磁性層表面は逆スパッタされていることが好ましい。
【００５４】
本実施態様によれば、逆スパッタすることによって、酸化、腐食した第１の磁性層表面を除去することができる。
【００５５】
本発明の実施態様は、記録トラック間に形成されたアニール領域を有する磁壁移動検出方式の光磁気記録媒体の製造方法において、磁壁が移動可能な第１の磁性層を成膜後にアニール処理する工程と、記録磁区を保持し、第１の磁性層より磁壁抗磁力が大きな第３の磁性層と、第１の磁性層及び第３の磁性層よりもキュリー温度の低い、第１の磁性層と第３の磁性層との間に配設された第２の磁性層とを順次透明基板上に成膜する工程とを有する光磁気記録媒体の製造方法である。
【００５６】
本実施態様によれば、基板の厚みムラやチルト差の影響が少ない膜面からアニール処理する方法を用いて、なお且つ第１の磁性層のみを確実に分断することが可能となる。
【００５７】
また、本発明においては、光磁気記録媒体の製造方法において、第１の磁性層表面を逆スパッタする工程を有することが好ましい。
【００５８】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明には以下の効果がある。
【００５９】
即ち、アニール処理される層が第１の磁性層のみなので、膜厚方向への温度分布の影響を受けずに、膜厚方向にかなり直線的に近い状態でアニール領域を形成することができるという効果がある。したがって、従来のような磁性層間のアニールムラを生じずに、磁気的分断を図ることができるという効果がある。また、アニールパワーを大幅に低減できるので、アニールの高線速化が可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明で用いる光磁気記録媒体の層構成を示す模式的断面図である。
【図２】本発明の光磁気記録媒体の製造工程を示す図である。
【図３】本発明の光磁気記録媒体のアニール処理装置の構成を示す図である。
【図４】アニール処理時の光磁気記録媒体の一部を拡大して示す図である。
【図５】本発明の光磁気記録媒体における第１、第２、第３の磁性層のアニール処理の様子を横から見た模式的断面図である。
【図６】磁壁移動再生方式の光磁気記録媒体を模式的に示した図である。
（ａ）再生状態における媒体の断面を示し、各磁性層のスピンの配向状態を模式的に示した図である。
（ｂ）（ａ）に示されている位置における媒体上の温度分布を示した図である。
（ｃ）（ａ）に示されている位置における磁壁エネルギー密度の分布及びそれに伴って磁壁に作用する力の分布を模式的に示した図である。
【符号の説明】
１１、２１、６１    第１の磁性層
１２、２２、６２    第２の磁性層
１３、２３、６３    第３の磁性層
１４    電子スピンの向き
１５    磁壁
１６    再生用のビームスポット
１７    磁壁の移動方向
１８、５６    媒体移動方向
２４、２５    誘電体層
２６    基板
５１    光磁気記録媒体
５２    対物レンズ
５３    レーザースポット
５４ａ、ｂ、ｃ、６５    グルーブ部
５５ａ、ｂ、ｃ、６４    ランド部
６６    アニール処理部
【図１】
2004241005.tif 000003
【図２】
2004241005.tif 000004
【図３】
2004241005.tif 000005
【図４】
2004241005.tif 000006
【図５】
2004241005.tif 000007
【図６】
2004241005.tif 000008