(57)【要約】【課題】半導体チップの高集積化に伴う電極パッドの狭ピッチ化、高密度化により、電極パッドに対する接触および半導体チップの検査が困難となった。加えてウェハサイズの大径化に伴い、ウェハ１枚あたりの検査時間が飛躍的に増加した。そのため、多数の接続端子を検査用配線基板上に並設した電気的特性評価のための接続装置が必須となった。【解決手段】半導体チップの高集積化に伴う狭ピッチかつ高密度な電極パッドへの接触および半導体チップの検査を行うための接続装置を、尖った先端を有し電極パッドと同程度に高密度化および狭ピッチ化した微細接触端子と高密度なスルーホール配線により多層配線化することなく高密度化した検査用配線基板の配線とを金属接合を介して電気的に接続して製造する。また、接触端子を並設した領域部の検査用配線基板のたるみをなくすと共に平行出しした。【選択図】　図４
2004132699.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
検査対象の電極と電気的に接続される接触端子を有する接続装置の製造方法であって、
異方性エッチングによりシリコンウエハに角錐形状の穴を形成する工程と、
前記穴とその周辺に金属を施し、接触端子を形成する工程と、
前記接触端子の露出部分を被覆する絶縁層を形成する工程と、
前記絶縁層にスルーホールを設け、前記接触端子の一部を露出させる工程と、
前記スルーホール側壁を含む前記絶縁層上に配線を形成する工程と、
前記シリコンウエハを分離する工程
を有することを特徴とする接続装置の製造方法。
【請求項２】
検査対象の電極と電気的に接続される接触端子を有する接続装置の製造方法であって、
シリコンウエハ、ガラス、又はセラミックスの面上に絶縁層を形成する工程と、前記絶縁層にスルーホールを形成する工程と、
前記スルーホール側壁を含む絶縁層上に配線を形成する工程と、
前記シリコンウエハとは異なるシリコンウエハに対し、異方性エッチングにより角錐形状の穴を形成する工程と、
前記穴とその周辺に金属を施し、接触端子を形成する工程と、
前記配線と前記接触端子を電気的に接続する工程と、
前記穴を形成したシリコンウエハを分離する工程
を有することを特徴とする接続装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１又は２記載の接続装置の製造方法であって、
前記スルーホールの形成方法では、前記絶縁層に密着させた金属膜をマスクとし、紫外光レーザを照射して形成することを特徴とする接続装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１又は２記載の接続装置の製造方法であって、
前記スルーホールの形成方法では、前記絶縁層に密着させた金属膜をマスクとし、反応性ガスによるドライエッチングにより形成することを特徴とする接続装置の製造方法。
【請求項５】
請求項１から４のいずれかに記載の接続装置の製造方法であって、
前記穴とその周辺に金属を施し、接触端子を形成する工程の前に、前記穴を形成したシリコンウエハ上に、金、白金、銀、ロジウム、パラジウム、イリジウム、ルテニウム、タングステン、クロム、銅又は錫の少なくとも一種の金属またはその合金からなる膜を形成しておくことを特徴とする接続装置の製造方法。
【請求項６】
請求項１から５のいずれかに記載の接続装置の製造方法であって、
前記絶縁層にスルーホールを形成する工程では、
前記スルーホールの開口部のうち、前記接触端子に近い開口部の面積が、前記接触端子の突起部分の底面積よりも小さくなるようにスルーホールを形成したことを特徴とする接続装置の製造方法。
【請求項７】
請求項１から６のいずれかに記載の接続装置の製造方法であって、
前記絶縁層上に形成した配線を多層構造にしたことを特徴とする接続装置の製造方法。
【請求項８】
検査対象の電極と電気的に接続される角錐形状の突起を有する接触端子と、
前記接触端子のうち、突起を有する面の裏面及び側面を被覆する絶縁層と、
前記絶縁層上に形成された配線を有する接続装置であって、
前記接触端子と前記配線とは、前記絶縁層に設けられたスルーホールを介して電気的に接続されていることを特徴とする接続装置。
【請求項９】
検査対象の電極と電気的に接続される角錐形状の突起を有する接触端子と、
前記接触端子のうち、突起を有する面の裏面と接触する絶縁層と、
前記絶縁層上に形成された配線を有する接続装置であって、
前記接触端子と前記配線とは、前記絶縁層に設けられたスルーホールを介して電気的に接続されており、前記接触端子は個々に取り外し可能であることを特徴とする接続装置。
【請求項１０】
請求項８又は９記載の接続装置であって、
前記スルーホールの開口部のうち、前記接触端子に近い開口部の面積は、前記接触端子の突起部分の底面積よりも小さくしたことを特徴とする接続装置。
【請求項１１】
請求項８から１０のいずれかに記載の接続装置であって、
前記スルーホールのピッチは、前記接触端子のピッチとほぼ等しくしたことを特徴とする接続装置。
【請求項１２】
ウェハを載せる試料台と、前記ウェハに形成された半導体チップの電極と接触する接触端子を有する接続装置と、前記接続装置と電気的に接続される配線基板を有する半導体検査装置であって、
前記接続装置は、前記接触端子と、前記接触端子のうち、少なくとも前記半導体チップの電極と接触する部分を残して被覆する絶縁層と、前記絶縁層上に形成された配線を有し、
前記接触端子と前記配線基板とは、前記絶縁層に設けられたスルーホールと前記配線とを介して電気的に接続されていることを特徴とする半導体検査装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体チップの検査に用いる接続装置、または半導体チップ検査装置、または半導体チップ製造装置、またはこれを用いて製造された半導体チップに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年の半導体モジュールは、ＬＳＩやメモリなどの半導体チップを集積したマルチチップモジュール化が非常に盛んである。これは、ベアチップ化により半導体チップの集積度が飛躍的に向上したことに依るところが大きい。
図１（ａ）は半導体チップ２が多数並列されたウェハ１を示す斜視図であり、図１（ｂ）は１個の半導体チップ２を拡大して示した斜視図である。半導体チップ２は、ウェハ１に多数並設されて形成され、その後切り離されて使用に供される。半導体チップ２の表面には、周辺に沿って多数の電極パッド３が配列されている。半導体チップの高集積化に沿って、上記電極パッド３の狭ピッチ化および高密度化がさらに進む状況にある。電極パッドの狭ピッチ化としては、２００μｍ程度以下で、例えば、１３０μｍ、１００μｍ、それ以下となってきており、４０μｍに迫る製品も開発されている。電極パッドの高密度化としては、周辺に沿って、１列から２列へ、さらに全面に配列される傾向である。
このような半導体チップやこれを内蔵するマルチチップモジュールを歩留まりよく製造するためにも、半導体チップの製造工程末期で、電気的特性を効率的に検査する技術が要求されている。
【０００３】
これに対し、高密度な配線が形成された検査用配線基板に、微小な接触端子が高密度に接続された機構を有する接続装置が開発されてきた。
【０００４】
従来では検査用配線基板と、検査用配線基板から斜めに突出したタングステン針とからなる接続装置が、一般的に使用されてきた。
【０００５】
さらに微細な接触端子を得ることを目的とし、特許文献１が提案されている。
【０００６】
一般的な高密度配線基板の製造方法として、特許文献２に記載の製造方法もその一つであり、ここではスルーホールの最適形状に関する検討も行われている。
【０００７】
【特許文献１】
特開平７−２８３２８０（特願平７−２６８９５）
【特許文献２】
特開平８−７８８４６（特願平６−２１２４４９）
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
狭ピッチに配置された微細な電極パッドに対する接続装置を製造するには、電極パッドに相当する微細かつ狭ピッチな接触端子の形成と、狭ピッチな配線を有する検査用配線基板と、両者を接続する狭ピッチ接続技術とを、適切に集約する必要がある。
【０００９】
タングステン針を用いた接続装置によると、検査対象である半導体チップの電極パッドにタングステン針を接触させ、さらに接触圧を印加してスクライブ動作をさせることで、空気中の酸素などにより電極パッド上に自然に形成された酸化膜を除去し、電気的に接続させ、半導体チップの電気的特性を検査している。
しかし上記のとおり、半導体チップの電極パッドの高密度化と、配線密度向上による狭ピッチ化が飛躍的に進む一方で、タングステン針の細線化が限界に達しつつある。また、細線化は針の寿命を短くし、頻繁なメンテナンスを必要とするため、これらに要するコストを急激に増加させている。また、スクライブ動作による圧痕や電極材料のくずが発生するため、再検査を難しくし、製品不良の原因となりかねない。加えて、タングステン針と検査用配線基板とを別途に作製し、両者を狭ピッチで接続することから、位置合わせ精度や微細接続に関する課題も顕在化してきた。従って、微細かつ狭ピッチかつ高密度に配置された電極パッドに対し、タングステン針を用いた接続装置では、検査が困難となっている。
【００１０】
特許文献１には、接触端子を形成するための型となる穴を、シリコンウェハの（１００）面の異方性エッチングにより形成して、この型に金属を充填して接触端子を形成する。ポリイミド膜よりなる絶縁フィルムおよび引き出し用配線を、別途形成する。さらに、該絶縁フィルムと配線基板との間に、緩衝層および基板となるシリコンウェハを挟み込んで一体とし、型を除去する。その後、配線基板の電極パッドに、引き出し用配線をはんだで接続することが記載されている。接触端子の形状は、シリコンウェハに形成した穴を反映した四角錐形状である。穴の大きさは、ホトリソグラフィにより二酸化シリコンに設けた開口部のサイズとエッチング条件に依存する。穴のピッチは、二酸化シリコンの開口部のピッチで決定される。結果、接触端子は、底辺１０μｍ、高さ６μｍ、ピッチ１５μｍ程度にまで微細化することができる。個々の接触端子の形状、サイズや位置も良好な精度で形成でき、半導体チップとの接続における圧痕が小さく、接触抵抗値が安定した検査が可能である。
【００１１】
しかし、配線基板のスルーホール微細化、狭ピッチ化に関する構造や製造方法について、触れられていない。
【００１２】
特許文献２は、基板上に第一層配線を設け、前記配線に絶縁膜を形成し、これに層間接続を行うためのスルーホールを形成する第一の工程と、前記絶縁膜の表面および前記スルーホールの側壁に導体膜を形成する第二の工程と、めっきガイドパターン樹脂膜を前記絶縁膜上に形成する第三の工程と、めっきを用いてスルーホール配線内および前記樹脂膜内に金属を充填する第四の工程と、前記第三の工程で形成した樹脂膜の剥離と、第二の工程で形成した導体膜の不要部分とをエッチングする第五の工程とからなる配線形成方法により、配線基板の製造方法を提供するものである。これによると、めっき金属中にめっき未充填部分を残すことなく高密度配線基板を製造できる。
【００１３】
しかし、スルーホールの微細化や狭ピッチ化の限界や、半導体チップの電極パッドとの接続装置については触れられてはいない。
チップの小型化とウェハの大径化により、ウェハ１枚で製造される半導体チップ数は増加し、これらの検査に要する時間は飛躍的に増大している。
【００１４】
将来、半導体チップの電極パッドがさらに微細化し、狭ピッチ化し、高密度化すると、接触端子と接続する検査用配線基板の配線収容能力を向上させるため、配線構造を多層化せざるを得なくなる。結果、配線基板の製造が困難となるばかりでなく、高周波信号による検査の場合、配線間のクロストークの課題も顕在化する。
【００１５】
以上の課題に鑑み、発明は上記の利点を確保しつつ、電極パッドのサイズと同程度の微細かつ均一形状な接触端子が電極パッドのピッチと同程度にまで狭ピッチかつ高密度かつ高い位置精度に配置された検査用配線基板であり、接触端子と検査用配線基板が電気的に良好な接続がなされた接続装置であって、多数の電極パッドや複数のチップの電極パッドに対する同時接続にも対応可能な接続装置、半導体チップ検査装置及びその検査装置を用いた半導体チップの製造方法を提供することを目的とする。
【００１６】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するための本発明の接続装置の一様態によれば、
検査対象の電極と電気的に接続される接触端子を有する接続装置の製造方法であって、
異方性エッチングによりシリコンウエハに角錐形状の穴を形成する工程と、
前記穴とその周辺に金属を施し、接触端子を形成する工程と、
前記接触端子の露出部分を被覆する絶縁層を形成する工程と、
前記絶縁層にスルーホールを設け、前記接触端子の一部を露出させる工程と、
前記スルーホール側壁を含む前記絶縁層上に配線を形成する工程と、
前記シリコンウエハを分離する工程
を有することを特徴とする接続装置の製造方法が提供される。
また、この接続装置を用いた半導体チップ検査装置、および半導体チップ製造装置、およびこれらを用いて製造された半導体チップが提供される。
【００１７】
本発明に係るスルーホールを形成する工程は、絶縁層に密着させた金属膜をマスクとし、レーザまたは反応性ガスによるドライエッチングを用いてスルーホールを形成する方法、または光学部品により位置決めされたレーザを照射する方法のいずれでもよい。
【００１８】
前者の方法では、ホトリソグラフィにより金属膜のマスクを形成するため、高度な位置精度を有するマスクを形成できる。
レーザの種類としては、紫外光レーザが望ましく、エキシマレーザが例示される。加工面でのエネルギ密度により、レーザ光軸１１の垂直面１２とスルーホールの側壁とのなす角度、すなわち図２に示すテーパ角１６を制御できることが知られている。例えば、エネルギ密度０．２５Ｊ／ｃｍ２のエキシマレーザによるポリイミド加工では６５度程度、０．２０Ｊ／ｃｍ２では５５度程度である。これより、厚さ１４μｍのポリイミド膜に対するスルーホール加工は、０．２５Ｊ／ｃｍ２の場合１２μｍ程度、０．２０Ｊ／ｃｍ２の場合２０μｍ程度まで小径化できる。エネルギ密度を高めるとテーパ角は拡大するが、エキシマレーザによる加工はいわゆるアブレーション現象が支配的なため、テーパ角が９０度を越えて拡大することはない。さらにアブレーション加工では、樹脂の炭化作用が小さく、残渣の発生を抑制できるため、残渣のクリーニング処理が不要もしくは軽減できる。
ドライエッチングとして、酸素ガスを主反応性ガスとする反応性イオンエッチングが例示される。これによると、酸素のイオン衝撃あるいは酸化作用が加工を支配する。この場合にもテーパ角は定義されるが、９０度を越えたテーパ角、いわゆる逆テーパ角のスルーホールを形成できる。ガス圧力、加工時間などの加工条件により、極度なテーパ角とならないようスルーホールの形状を制御できる。従って、ドライエッチングは小径化に効果的なスルーホール形成法である。
【００１９】
後者の方法では、ガルバノミラーに代表される光学部品により位置決めしたレーザを用いるため、マスクが不要となり、コストが低減する。樹脂の炭化作用による残渣発生を制御しつつ、より微小径なスルーホールを加工するには、アブレーション加工である紫外光レーザが望ましく、高調波ＹＡＧレーザなどが例示される。また、炭酸ガスレーザを用いても、反応性ガスのドライエッチングにより残渣を除去すれば、小径スルーホールの形成は可能である。このようにして形成したスルーホールは、極度な逆テーパとならない。
【００２０】
スルーホール部の配線形成の際、テーパ角が９０度以上だと、以下のような障害が発生する。すなわち、スパッタなどドライプロセスで金属膜を形成する場合、図３（ａ）のように、陰となりスパッタ膜が形成しない部分２４ができ均一な膜が形成できない。めっきなどのウェットプロセスを行うと、図３（ｂ）のようにスルーホール上部がはじめに塞がり、スルーホール中にめっき未充填部分２６が残ることがある。レーザはこのような障害の防止に有利な加工法である。
【００２１】
本発明に係るシリコンウェハの二酸化シリコン上に形成する下地膜として、金、白金、銀、ロジウム、パラジウム、イリジウム、ルテニウム、タングステン、クロム、銅および錫からなる群から選択された少なくとも１種の金属またはその合金が挙げられる。
金膜は、シリコンウェハ上の二酸化シリコン膜と接触端子およびポリイミドとの密着力が強くないため、二酸化シリコン膜と接触端子およびポリイミドの分離が特に優れて容易となる。
【００２２】
金とタングステンをこの順で形成した膜は、シリコンウェハ上の二酸化シリコン膜と金膜、タングステン膜と接触端子およびポリイミドと間で密着力が良好なため、接続装置を安定して製造できる。また、工程中の熱処理により金はタングステン膜中に拡散し、製造工程の末期で、金は接触端子およびポリイミドとの界面にまで拡散するため、二酸化シリコン膜と接触端子およびポリイミドの分離が容易となる。
【００２３】
クロムと銅をこの順で形成した膜は、シリコンウェハ上の二酸化シリコン膜とクロム膜、胴膜と接触端子およびポリイミドと間で密着力が良好なため、接続装置を安定して製造できる。
【００２４】
本発明に係る接続装置は、ウェハの状態において、微細な電極パッドが狭ピッチに、高密度に配列した半導体チップが多数並設された中の１個または多数個の半導体チップについて、同時に、小さな接触圧（１ピン当たり３〜５０ｍＮ程度）で、表面に酸化物が形成されたアルミニウムまたははんだ等の電極パッド３と、０．０５〜０．１Ω程度の安定した低抵抗値で確実に接続させて、テスタにより各半導体チップの高密度化および狭ピッチ化に対応でき、しかも多数個チップ同時接続による検査を可能にし、高速電気信号（１００Ｍｈｚ〜数１０ＧＨｚ程度の高周波数）による電気的特性評価を可能にするものである。
【００２５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について、図を用いて説明する。なお、本発明は、これらの実施例に限定されるものではない。
本実施例における接続装置の製造工程（実施例１）を図４に示す。
単結晶シリコンウェハ２０の（１００）面に対し、例えば酸化温度を１０００度とした酸素雰囲気中に９０分保持することにより、厚さ０．２μｍの二酸化シリコン膜３０を形成する。二酸化シリコン膜３０の表面に厚さ３μｍの感光性レジストを塗布し、後工程において接触端子を形成する領域のレジストをホトリソグラフィにより除去する。これにより、一辺２０μｍの正方形の開口部が３０μｍ間隔に複数個並んだレジストを形成する。フッ化水素酸とフッ化アンモニウムの混合液に浸漬し、開口部の二酸化シリコン膜をエッチングする。次に感光性レジストを除去し、二酸化シリコンをマスクとして、露出したシリコン面を９０度に加熱した水酸化カリウム水溶液により異方性エッチングし、底面が一辺２０μｍの正方形である四角錐形状の穴３１を形成する。ここで、角錐形状の穴は、四角錘形状に限定されるものではなく、三角錘形状であっても、角錐台形状であってもよい。この後、再度、熱酸化処理することで０．２μｍ厚の二酸化シリコン膜２１を形成する。
【００２６】
スパッタによりクロム（０．５μｍ厚）、銅（１μｍ厚）の順に積層して下地膜２２とし、感光性レジストを厚さ１０μｍ塗布し、四角錐状の穴を含む接触端子の形成箇所のレジストをホトリソグラフィにより除去する。
レジスト開口部にニッケルめっきを充填し接触端子４７とし、レジストを除去した後、絶縁層となる１５μｍ厚のポリイミド膜３２を形成する。
アルミニウムをポリイミド上にスパッタし、以後、感光性レジストのホトリソグラフィとリン酸を主成分とした混酸によるアルミニウム膜３３のエッチングにより、接触端子の一部を開口させる。ニッケル製接触端子が露出するまでエキシマレーザを照射し、ポリイミド膜にスルーホール３４を形成する。水酸化ナトリウム水溶液に浸漬してアルミニウム膜を除去する。ここで、スルーホール３４は、その開口部のうち、接触端子４７に接している側の開口部の面積を、接触端子４７の突起部分の底面積よりも小さくするとよい。これにより、検査対象である半導体チップの電極のさらなる狭ピッチ化にも対応しうる。
スルーホール側壁を含むポリイミド膜上に、クロムと銅の膜をスパッタにより逐次積層し、これを種膜として、いわゆるセミアディティブ法により、レジストパターニング、銅めっき、パターン分離を施し配線４８を形成して接触端子４７付き検査用配線基板４４を得る。
接触端子４７付き検査用配線基板２２とシリコンウェハを分離するため、９０度の水酸化カリウム水溶液中に投入し、シリコンウェハをエッチングする。フッ化水素酸とフッ化アンモニウムの混合液、過マンガン酸カリウム溶液、銅エッチング液に順次浸漬して、二酸化シリコン膜および下地膜であるクロム膜、銅膜を除去する。
こうして作製された接続装置３５は、高さ１５μｍ、底面が一辺２０μｍ程度の正方形の微細接触端子が３０μｍ間隔で配列され、接触端子４７と検査用配線基板４４とは微細スルーホールを介して電気的に接続されていた。またクロム、銅の下地膜によりポリイミドとシリコンウェハとの密着力を高めることができ、工程中での両者の剥がれ、ポリイミド膜の膨れを抑制することができた。
本実施例における接続装置の製造工程（実施例２）を図５に示す。
単結晶シリコンウェハ２０の（１００）面に対し、熱酸化処理により厚さ０．２μｍの二酸化シリコン膜３０を形成する。二酸化シリコン膜３０の表面に感光性レジストを塗布し、後工程において接触端子を形成する領域のレジストをホトリソグラフィにより除去する。フッ化水素酸とフッ化アンモニウムの混合液に浸漬し、レジストをマスクとして二酸化シリコン膜をエッチングする。次に感光性レジストを除去し、露出したシリコン面に異方性エッチングを施し、四角錐形状の穴３１を形成する。再度、熱酸化処理により０．２μｍ厚の二酸化シリコン膜２１を形成する。以上は、実施例１と同様である。
スパッタによりクロム（０．５μｍ厚）、銅（１μｍ厚）の順に積層して、下地膜２２とする。感光性レジストを厚さ１０μｍ塗布し、接触端子形成箇所のレジストをホトリソグラフィにより除去する。
四角錐形状の穴およびレジスト開口部にニッケルめっきを充填し接触端子４７とし、レジストを除去して、接触端子４７付きシリコンウェハ２０を作製する。
別途、ガラス基板３６（シリコンウエハ、セラミックス等でも可能）に絶縁層となる１５μ厚のポリイミド膜３２を形成し、ポリイミド上にアルミニウム膜３３を形成し、後工程で接触端子４７と接続させるためのスルーホールの箇所を開口させる。これをマスクとして、エキシマレーザによりポリイミドにスルーホール３４を形成した後、水酸化ナトリウム水溶液に浸漬してアルミニウム膜を除去する。
スルーホール側壁を含むポリイミド膜上に、スパッタによりクロムと銅の膜を逐次積層し、これを種膜として、いわゆるセミアディティブ法により、レジストパターニング、銅めっき、パターン分離を施し配線４８を形成する。このようにして得られた検査用配線基板４４をガラス基板３６から分離するため、フッ化水素酸とフッ化アンモニウムの混合液に浸漬する。スルーホールの底面の銅配線部分に、３μｍ厚のはんだ３７をめっきにより形成する。
上記ニッケル製接触端子４７とスルーホールの底面のはんだ３７箇所とを接触させ、加熱してはんだ固着させる。二酸化シリコン膜２１と下地膜２２の界面で両者を剥離し、検査用配線基板面の金を除去する。
こうして作製された接続装置３５は、実施例１と同様の微細かつ狭ピッチ接触端子４７を有し、接触端子４７と検査用配線基板４４とは微細スルーホール３４を介して電気的に接続されていた。また金膜による下地膜２２としたことで、二酸化シリコン膜２１と検査用配線基板４４との分離が容易となる。シリコンウェハ２０をクリーニングし、上記金による下地膜２２形成から繰り返すことで、第二の接触端子形成の型材として使用することもできる。また、接触端子４７を検査用配線基板４４と別個に製造する本工程では、検査用配線基板４４との接続の前に、良好な接触端子４７を選別できるため、接続装置としての歩留り向上が望める。さらに、接続後に不良になった接触端子４７を個別に取り外し、交換可能であり、検査用配線基板４４を使いまわすことも可能である。
【００２７】
本実施例３では、四角錐形状の穴３１を形成し、二酸化シリコン膜２１を作製した後、金とタングステンの膜をこの順でスパッタし下地膜２２を形成したこと以外は、実施例１乃至２と同様にして接続装置３５を作成した。
金とタングステンをこの順で形成した膜２２は、シリコンウェハ上の二酸化シリコン膜２１と金膜、タングステン膜と接触端子４７およびポリイミド膜３２と間の密着力が良好なため、接続装置３５を安定して製造できる。また、工程中の熱処理により金はタングステン膜中に拡散し、製造工程の末期で、金は接触端子４７およびポリイミド膜３２との界面にまで拡散するため、二酸化シリコン膜と接触端子４７およびポリイミド膜３２の分離が容易となるため、接続装置の製造工程中の不良発生を減少させることができた。
【００２８】
本実施例４では、四角錐形状の穴３１を形成し二酸化シリコン膜２１を作製した後、スパッタにより１μｍ厚の金膜を積層して下地膜２２を形成したこと以外は、実施例１乃至２と同様にして接続装置３５を作成した。
金膜は、シリコンウェハ上の二酸化シリコン膜と接触端子およびポリイミドとの密着力が強くないため、二酸化シリコン膜と接触端子およびポリイミドの分離が特に優れて容易となる。
【００２９】
本実施例５では、スルーホールの形成において、エキシマレーザの代わりに、酸素を主反応ガスとした反応性イオンエッチングにより加工したこと以外は、実施例１乃至４と同様にして接続装置３５を作成した。
反応性ガスを用いると、テーパ角９０度程度のスルーホール３４を加工できる。そのため、ポリイミド膜３２に形成するスルーホール３４を、１０μｍ角程度まで微細化できた。さらに、スルーホール微細化に伴い、接触端子４７の間隔をさらに近接させた接続装置３５を得た。
【００３０】
本実施例６では、アルミニウム膜３３を形成せず、高調波ＹＡＧレーザによりスルーホール３４を形成したこと以外は、実施例１乃至３と同様にして接続装置３５を作成した。
これによると、アルミニウム膜３３のマスクが不要となるため、上記実施例１乃至４と同様の接続装置３５を低コストで製作できた。
【００３１】
本実施例７では、上記実施例１乃至６により作製した接続装置の配線構造を多層化した接続装置に関するものである。
図６（ａ）は、実施例１により得た接触端子４７付き検査用配線基板４４に、さらに絶縁層となるポリイミドの塗布工程よりセミアディティブ法による配線めっきパターニングまでを実施例１と同様に実施して接触端子４７付き検査用多層配線基板４９とし、引き続き実施例１と同様に、接触端子４７付き検査用多層配線基板４９をシリコンウェハから分離し二酸化シリコン膜および下地膜を除去し、接続装置を作成した。
図６（ｂ）は、実施例２により得られた検査用配線基板に、さらに絶縁層となるポリイミドの塗布工程よりセミアディティブ法による配線めっきパターニングまでを実施例２と同様に実施して接触端子４７付き検査用多層配線基板４９とし、引き続き実施例２と同様に、接触端子４７付き検査用多層配線基板４９をガラス基板から分離し、はんだめっき膜３７を形成し、上記ニッケル製接触端子とスルーホールの底面のはんだ箇所とを接触させ、加熱してはんだ固着させる。二酸化シリコン膜と下地膜の界面で両者を剥離し、検査用配線基板面の金を除去し、接続装置を作成した。
【００３２】
このようにして作成した接続装置は、微細スルーホールにより層間接続された多層配線を有する検査用配線基板で構成されており、さらに高い配線収容能力をもつ。従って、接触端子の密度をさらに高めた接続装置を作成することが可能となった。
【００３３】
本実施例８では、上記実施例１乃至７により作製した接続装置を用いた半導体チップ検査装置または半導体チップ製造装置に関するものである。
【００３４】
接続装置における接触端子の配置および検査用配線基板の配線は、被検査対象物、例えば、半導体チップの電極パッドの配置に対応して種々構成される。図７および図８に、これら第１および第２の例を示す。図７（ａ）は第１の実施例を示す平面図であり、図７（ｂ）はその配線が設けられている検査用配線基板４４を折り曲げた状態を示す斜視図である。図８（ａ）は、第２の例を示す平面図であり、図８（ｂ）は検査用配線基板４４を折り曲げた状態を示す斜視図である。なお、これらの図において、接触端子および配線は、図示および説明の簡単のため数を少なくし、また密度を低くして表示してある。実際には、さらに多数の接触端子を設け、また、高密度で配置できる。
【００３５】
図７（ａ）、（ｂ）、および図８（ａ）、（ｂ）に示すように、接続装置には、例えば、ポリイミド膜を基材とする検査用配線基板４４上に、被検査対象の電極パッド３に対応する位置に配置された接触端子４７が一端に接続され、他端は検査用配線基板４４の周縁部に設けられた電極５１であり、それらを結線する配線４８が形成されている。配線４８は、種々の態様で配線できる。例えば、各配線を一方向に引き出して配線したり、放射状に配線したりすることができる。具体的には、図７（ａ）および（ｂ）に示す第１の実施例は、検査用配線基板４４を長方形状に形成し、両端部に電極５１を配置してある。図８（ａ）および（ｂ）に示す第２の実施例は、検査用配線基板４４を四角形状に形成し、四角形の各辺に設けられる電極５１まで配線４８が設けられる。
【００３６】
検査装置本体へ電気信号を伝送するための接続装置は、例えば、被検査対象がウェハに形成された半導体チップ表面の電極パッドである場合は、図７（ａ）または図８（ａ）に示したように、半導体チップを形成したウェハの領域１０１よりもひと回り大きなシリコンウェハなどの接触端子形成用型材１０２を用いて、実施例１乃至７に記載の方法で製造される。なお、図７（ｂ）あるいは図８（ｂ）は、接触端子４７を形成した領域１０１を多角形で囲うように折り曲げたものである。
【００３７】
なお、本実施例では被検査対象がウェハに形成された全部の半導体チップの電極パッドを一括して接触する場合を示したが、本発明は、これに限られない。例えば、半導体チップを個別に、あるいは任意の個数の半導体チップを同時に検査するための接続装置として、検査用配線基板をウェハサイズよりも小さな領域で製造してもよい。
【００３８】
図９は、本発明に係る接続装置を検査接続系に組み込む形態の要部を示す図である。上部固定板４０と、それに固定され、下部に球面４１ａを有する支持軸であるセンターピボット４１並びにセンターピボット４１を中心に左右および前後に対称に設置され、上下の変位に対して常に一定の押付け力を付与する押付け力付与手段であるスプリングプローブ４２と、上記センターピボット４１に対して傾き４３ｃにより傾動可能に保持されながら上記スプリングプローブ４２により低荷重（１ピン当たり３〜５０ｍＮ程度）の押付け力が付与される押さえ部材４３と、検査用配線基板４４と、該検査用配線基板４４に固着した枠４５と、該検査用配線基板４４と押さえ部材４３の間に設けられた緩衝層４６と、検査用配線基板４４上に設けられた接触端子４７とを有する。上記押さえ部材４３に対する押付け力をスプリングプローブ４２で付与するように構成したのは、スプリングプローブ４２の先端の変位に対してほぼ一定の低荷重の押付け力が得られるようにしたためであり、必ずしもスプリングプローブ４２を用いる必要はない。
【００３９】
上部固定板４０は、配線基板５０に搭載される。配線基板５０は、例えば、ポリイミド樹脂やガラスエポキシ樹脂等の樹脂材からなり、内部配線５０ｂおよび接続端子５０ｃを有している。前記電極５０ａは、例えば、内部配線５０ｂの一部に接続されるビア５０ｄで構成される。配線基板５０と検査用配線基板４４とは、例えば、配線基板５０と検査用配線基板４４とを押さえ部材５３と挟み込んで、ねじ５４等を用いて固定される。検査用配線基板４４は、その周縁部が枠４５より外側に延長するように形成され、この延長部を、枠４５の外側で滑らかに折り曲げて配線基板５０上に固定する。その際、検査用配線基板の配線４８は、配線基板５０に設けられている電極５０ａに電気的に接続される。この接続は、例えば、電極５１と電極５０ａに直接圧力をかけて接触させるか、異方性導電シート５２、あるいははんだなどを用いて接続する。
【００４０】
緩衝層４６としては、弾性を有する物質が望ましく、ゴム状弾性を有する高分子材料の例として、シリコンゴム等が挙げられる。また緩衝層４６としては、押さえ部材４３を枠４５に対して移動可能にシールして、このシールされた空間に気体を供給するように構成しても良い。また、接触端子４７の高さを均一にできれば、緩衝層４６を省略した構成にしてもよい。なお、図９では説明の簡単のため、接触端子４７および配線４８は２つの接触端子分のみ示すが、実際には、複数個が配置される。
【００４１】
本発明に係る接続装置は、ウェハの状態において、多数並設された半導体チップの中の１個または多数個の半導体チップについて、同時にかつ低荷重（１ピン当たり３〜５０ｍＮ程度）で表面に酸化物が形成されたアルミニウムまたははんだ等の電極パッド３と、０．０５〜０．１Ω程度の安定した低抵抗値で確実に接続させることにある。これによって、従来技術のようにスクライブ動作をさせる必要がなく、スクライブ動作による圧痕や電極材料のくずの発生を防止することができる。即ち、検査用配線基板４４において、電極パッド３の配列に対応するように並設された接触端子４７の先端を尖せると共に、枠４５で支持された周辺部４４ｂに対して、この周辺部４４ｂ内の上記接触端子４７を並設した領域部４４ａを、押さえ部材４３の下側に形成された突出部４３ａにおける高精度の平坦度が確保された下面４３ｂに倣って緩衝層４６を挾んで張り出させて検査用配線基板自身のたるみをなくし、この張り出された領域部４４ａに並設された接触端子４７の尖った先端を、アルミニウムまたははんだ等の電極パッド３に垂直に低荷重で押圧することによって、電極パッド３の表面に形成された酸化物を容易につき破り、その下面の電極の金属導体材料に接触させ、安定した低抵抗値で良好な接触を確保することができる。特に、枠４５で支持された周辺部４４ｂに対して、この周辺部４４ｂ内の多数の接触端子４７を並設した領域部４４ａを、押さえ部材４３の下側に形成された突出部４３ａにおける高精度の平坦度が確保された下面４３ｂに倣って緩衝層４６を挾んで張り出させることによって検査用配線基板自身のたるみをなくし、多数の接触端子４７の先端の平坦度を突出部４３ａの下面４３ｂの平坦度に合わせて高精度を確保することにある。なお、領域部４４ａにおける張り出し量は、押さえ部材４３にセンターピボット４１を中心に左右および前後に締着されて調整可能なねじ５７の押さえ部材４３の下面からの突出し量によって定まることになる。即ち、センターピボット４１を中心に左右および前後に設けられて押さえ部材に形成された穴に挿入されたねじ５６を、枠４５に対して締め付け、押さえ部材４３の突出部４３ａを下降させることによって、押さえ部材４３に突出し量を定めて取り付けられたねじ５７の下端を、検査用配線基板４４における領域部４４ａの周辺部４４ｂの接着固定した枠４５の上面に接触させる。これにより、緩衝層４６を介して多数の接触端子４７が並設された領域部４４ａを張り出させ、検査用配線基板自身のたるみがなくなることになる。以上より、多数の接触端子４７に亘った接触端子の尖った先端の平坦度を±２μｍ程度以下の高精度に確保することができる。なお、特開２００２−１３９５５４には、このほかにもいくつかの検査接続系が記載されており、これらいずれの方式でもよい。
【００４２】
本発明に係る接続装置を用いて、検査対象である半導体チップに対する電気的特性検査について、図１０を用いて説明する。図１０は、本発明に係る検査装置の全体構成を示す図である。検査装置は、半導体装置の製造におけるウェハ接続装置として構成されている。この検査装置は、半導体ウェハ１を支持する試料支持系１６０と、被検査対象１の電極パッド３に接触して電気信号の授受を行う検査接続系１２０と、試料支持系１６０の動作を制御する駆動制御系１５０と、被検査対象１の温度制御を行う温度制御系１４０と、半導体チップ２の電気的特性の検査を行うテスタ１７０とで構成される。半導体ウェハ１には多数の半導体チップ２が配列され、各半導体チップ２の表面には外部と接続するための微細電極パッド３が複数、かつ狭ピッチで配列されている。試料支持系１６０は、半導体ウェハ１を載置するためのほぼ水平に設けられた試料台１６２と、この試料台１６２を支持するように垂直に配置される昇降軸１６４と、この昇降軸１６４を昇降駆動する昇降駆動部１６５と、この昇降駆動部１６５を支持するＸ−Ｙステージ１６７とで構成される。Ｘ−Ｙステージ１６７は、筐体１６６の上に固定される。昇降駆動部１６５は、例えば、ステッピングモータなどから構成される。試料台１６２には回動機構が設けられており、水平面内における試料台１６２の回動変位が可能にされている。試料台１６２の位置決め動作は、Ｘ−Ｙステージ１６７と昇降駆動部１６５と回転機構による動作を組み合わせて行われる。
試料台１６２の上方には、検査接続系１２０が配置される。すなわち、図９に示す接続装置３５および配線基板５０は、当該試料台１６２に平行に対向する姿勢で設けられる。なお、本実施の形態では、端子５０ｃは同軸コネクタで構成される。端子５０ｃに接続されるケーブル１７１を介して、テスタ１７０と接続される。
駆動制御系１５０は、ケーブル１７２を介してテスタ１７０と接続される。また、駆動制御系１５０は、試料支持系１６０の各駆動部に制御信号を送って、その動作を制御する。すなわち、駆動制御系１５０は内部にコンピュータを備え、ケーブル１７２を介して伝達されるテスタ１７０のテスト動作の進行情報に合わせて、試料支持系１６０の動作を制御する。また、駆動制御系１５０は操作部１５１を備え、駆動制御に関する各種指示の入力の受付、例えば、手動操作の指示を受け付ける。
試料台１６２には、半導体チップ２についてバーイン試験を行うために、加熱させるための温度調節器１４１が備えられている。温度制御系１４０は、試料台１６２の温度調節器１４１を制御することにより、試料台１６２に搭載された半導体ウェハ１の温度を制御する。また、温度制御系１４０は操作部１５１を備え、温度制御に関する手動操作の指示を受け付ける。
【００４３】
以下、検査装置の動作について説明する。検査対象である半導体ウェハ１は、試料台１６２の上に位置決めして載置される。半導体ウェハ１上に離して形成された複数の基準マークの光学像を、イメージセンサまたはＴＶカメラ等の撮像装置で撮像し、得られる画像信号から複数の基準マークの位置を検出する。上記検出された基準マークの位置情報から、半導体ウェハ１の品種に応じて半導体チップ２の配列情報および半導体チップ２上の電極パッド３の配列情報を認識し、電極パッド群全体としての２次元の位置情報を算出する。
さらに検査用配線基板４４上に形成された多数の接触端子４７の中で特定の接触端子の光学像、または検査用配線基板４４上に離して形成された複数の基準マークの光学像を、イメージセンサまたはＴＶカメラ等の撮像装置で撮像し、特定の接触端子または複数の基準マークの位置を検出する。これらの情報に基づいて、接触端子群全体としての２次元の位置情報を算出する。
駆動制御系１５０は、上記接触端子群全体としての２次元の位置情報に対する上記電極パッド群全体としての２次元の位置情報のずれ量を算出し、ずれ量に基づいてＸ−Ｙステージ１６７および回動機構を駆動制御し、半導体ウェハ１上に配列された複数個の半導体チップ上に形成された電極パッド３の群を、接続装置３５に並設された多数の接触端子４７の群の直下に位置決めする。その後、駆動制御系１５０は、例えば、試料台１６２上に設置されたギャップセンサによって測定された検査用配線基板４４における領域部４４ａの面と半導体ウェハ１との距離に基づいて、昇降駆動部１６５を作動させて、多数の電極パッド３の全体の面３ａが接触端子の先端に接触した時点から数μｍ程度押し上げる状態になるまで試料台１６２を上昇させる。図１１は、半導体チップ検査装置による電極パッドが並設された半導体チップに対する検査の外観を示す。
【００４４】
これにより、多数の接触端子４７の全体が多数の電極パッド３の全体の面３ａに追従して平行出しされると共に、個々の接触端子の高さのバラツキを緩衝層４６によって吸収し、低荷重（１ピン当たり３〜５０ｍＮ程度）に基づく食い込みによる接触が行われ、各接触端子４７と各電極パッド３とは低抵抗（０．０１Ω〜０．１Ω）で接続されることになる。
この状態で、半導体チップ２についてバーイン試験を行うときには、試料台１６２に搭載された半導体ウェハ１の温度を制御すべく、温度制御系１４０によって試料台１６２の温度調節器１４１を制御することにより実行される。そのため検査用配線基板４４は可撓性があり、好ましくは耐熱性がある樹脂を主体に形成する。本実施例では、ポリイミド樹脂を用いた。
ケーブル１７１、配線基板５０、検査用配線基板４４、および接触端子４７を介して、半導体ウェハ１に形成された半導体チップとテスタ１７０との間で、動作電力や動作試験信号などの授受を行い、半導体チップの電気的特性の可否などを判別する。上記の一連の動作が、半導体ウェハ１に形成された複数の半導体チップの各々について実施され、電気的特性の可否などが判別される。
【００４５】
以上、上記実施例において開示した観点の代表的なものは次の通りである。
（１）検査対象の電極と電気的に接続される接触端子を有する接続装置の製造方法であって、
異方性エッチングによりシリコンウエハに角錐形状の穴を形成する工程と、
前記穴とその周辺に金属を施し、接触端子を形成する工程と、
前記接触端子の露出部分を被覆する絶縁層を形成する工程と、
前記絶縁層にスルーホールを設け、前記接触端子の一部を露出させる工程と、
前記スルーホール側壁を含む前記絶縁層上に配線を形成する工程と、
前記シリコンウエハを分離する工程
を有することを特徴とする接続装置の製造方法。
（２）検査対象の電極と電気的に接続される接触端子を有する接続装置の製造方法であって、
シリコンウエハ、ガラス、又はセラミックスの面上に絶縁層を形成する工程と、前記絶縁層にスルーホールを形成する工程と、
前記スルーホール側壁を含む絶縁層上に配線を形成する工程と、
前記シリコンウエハとは異なるシリコンウエハに対し、異方性エッチングにより角錐形状の穴を形成する工程と、
前記穴とその周辺に金属を施し、接触端子を形成する工程と、
前記配線と前記接触端子を電気的に接続する工程と、
前記穴を形成したシリコンウエハを分離する工程
を有することを特徴とする接続装置の製造方法。
（３）（１）又は（２）記載の接続装置の製造方法であって、
前記スルーホールの形成方法では、前記絶縁層に密着させた金属膜をマスクとし、紫外光レーザを照射して形成することを特徴とする接続装置の製造方法。
（４）（１）又は（２）記載の接続装置の製造方法であって、
前記スルーホールの形成方法では、前記絶縁層に密着させた金属膜をマスクとし、反応性ガスによるドライエッチングにより形成することを特徴とする接続装置の製造方法。
（５）（１）から（４）のいずれかに記載の接続装置の製造方法であって、
前記穴とその周辺に金属を施し、接触端子を形成する工程の前に、前記穴を形成したシリコンウエハ上に、金、白金、銀、ロジウム、パラジウム、イリジウム、ルテニウム、タングステン、クロム、銅又は錫の少なくとも一種の金属またはその合金からなる膜を形成しておくことを特徴とする接続装置の製造方法。
（６）（１）から（５）のいずれかに記載の接続装置の製造方法であって、
前記絶縁層にスルーホールを形成する工程では、
前記スルーホールの開口部のうち、前記接触端子に近い開口部の面積が、前記接触端子の突起部分の底面積よりも小さくなるようにスルーホールを形成したことを特徴とする接続装置の製造方法。
（７）（１）から（６）のいずれかに記載の接続装置の製造方法であって、
前記絶縁層上に形成した配線を多層構造にしたことを特徴とする接続装置の製造方法。
（８）検査対象の電極と電気的に接続される角錐形状の突起を有する接触端子と、
前記接触端子のうち、突起を有する面の裏面及び側面を被覆する絶縁層と、
前記絶縁層上に形成された配線を有する接続装置であって、
前記接触端子と前記配線とは、前記絶縁層に設けられたスルーホールを介して電気的に接続されていることを特徴とする接続装置。
（９）検査対象の電極と電気的に接続される角錐形状の突起を有する接触端子と、
前記接触端子のうち、突起を有する面の裏面と接触する絶縁層と、
前記絶縁層上に形成された配線を有する接続装置であって、
前記接触端子と前記配線とは、前記絶縁層に設けられたスルーホールを介して電気的に接続されており、前記接触端子は個々に取り外し可能であることを特徴とする接続装置。
（１０）（８）又は（９）記載の接続装置であって、
前記スルーホールの開口部のうち、前記接触端子に近い開口部の面積は、前記接触端子の突起部分の底面積よりも小さくしたことで、検査対象である半導体チップの電極の狭ピッチ化にも対応しうる接続装置。
（１１）（８）から（１０）のいずれかに記載の接続装置であって、
前記スルーホールのピッチは、前記接触端子のピッチとほぼ等しくしたことで、検査対象である半導体チップの電極の高密度化にも対応しうる接続装置。
（１２）ウェハを載せる試料台と、前記ウェハに形成された半導体チップの電極と接触する接触端子を有する接続装置と、前記接続装置と電気的に接続される配線基板を有する半導体検査装置であって、
前記接続装置は、前記接触端子と、前記接触端子のうち、少なくとも前記半導体チップの電極と接触する部分を残して被覆する絶縁層と、前記絶縁層上に形成された配線を有し、
前記接触端子と前記配線基板とは、前記絶縁層に設けられたスルーホールと前記配線とを介して電気的に接続されていることを特徴とする半導体検査装置。
【００４６】
【発明の効果】
本願において開示される発明のうち代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
接触端子と検査用配線基板とが電気的に良好な接続がなされた接続装置、半導体チップ検査装置およびその検査装置を用いた半導体チップの製造方法を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】半導体チップが配列された検査対象物であるウェハを示す斜視図および半導体チップを示す斜視図。
【図２】スルーホールにおけるテーパ角を示す説明図。
【図３】（ａ）　は、テーパ角が９０度を越えたスルーホールに対するスパッタ不良の様子、（ｂ）はテーパ角が９０度を越えたスルーホールに対するめっき不良の様子を、それぞれ示す説明図。
【図４】本発明の実施例１における接続装置の製造工程を示す説明図。
【図５】本発明の実施例２における接続装置の製造工程を示す説明図。
【図６】本発明の実施例６における接続装置を示す説明図であり、（ａ）は、本発明の実施例１の配線構造を多層化した断面図、（ｂ）は本発明の実施例２の配線構造を多層化した断面図。
【図７】（ａ）は、本発明に係る接続装置における接触端子を接続させた検査用配線基板の一実施例を示す平面図、（ｂ）はその斜視図。
【図８】（ａ）は、本発明に係る接続装置における接触端子を接続させた検査用配線基板の他の一実施例を示す平面図、（ｂ）はその斜視図。
【図９】本発明の実施例５における接続装置を検査接続系に組み込む形態の要部を示す説明図。
【図１０】本発明の実施例５における接続装置の製造工程を示す説明図。
【図１１】本発明の実施例７における半導体チップ検査装置による、電極パッドが並設された半導体チップに対する検査の外観を示す説明図。
【符号の説明】
１…ウェハ、２…半導体チップ、３…電極パッド、１０…エキシマレーザ光、１１…レーザ光軸、１２…レーザ光軸垂直面、１３…レーザ加工用金属膜マスク、１４…被加工物、１５…配線層、１６…テーパ角、２０…シリコンウェハ、２１…二酸化シリコン膜、２２…下地膜、２３…スパッタ膜、２４…スパッタ膜未形成部分、２５…めっき膜、２６…めっき未充填部分、３０…二酸化シリコン膜、３１…四角錐形状穴、３２…ポリイミド膜、３３…アルミニウム膜、３４…スルーホール、３５…接続装置、３６…ガラス基板、３７…はんだ、４０…上部固定板、４１…センターピボット、４１ａ…下部球面、４２…スプリングプローブ、４３…押さえ部材、４３ａ…突出部、４３ｂ…下面、４３ｃ…傾き、４４…検査用配線基板、４４ａ…領域部、４４ｂ…周辺部、４５…枠、４６…緩衝層、４７…接触端子、４８…配線、４９…検査用多層配線基板、５０…配線基板、５０ａ…電極、５０ｂ…内部配線、５０ｃ…接続端子、５０ｄ…ビア、５１…電極、５２…異方性導電シート、５３…押さえ部材、５４…ねじ、５６…ねじ、５７…ねじ、６６…中間ポリイミド膜、１０１…ウェハにおける半導体チップの並設領域、１０２…接触端子形成用型材、１０３…切れ目、１２０…検査接続系、１４０…温度制御系、１４１…温度調節器、１５０…駆動制御系、１５１…操作部、１６０…試料支持系、１６２…試料台、１６４…昇降軸、１６５…昇降駆動部、１６６…筐体、１６７…Ｘ−Ｙステージ、１７０…テスタ、１７１…ケーブル、１７２…ケーブル
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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