(57)【要約】【課題】アンロード室内における基板搬送台車の不純ガス吸着を防止することができる真空処理装置の提供を目的とする。【解決手段】真空雰囲気下の処理室と真空と大気圧を繰り返すアンロード室２０との間を移動して基板Ｇを搬送する基板搬送台車１Ｃ，１Ｄが用いられる真空処理装置において、アンロード室２０内に、基板搬送台車１Ｃ，１Ｄを加熱する赤外線ランプユニット９０を設けた。【選択図】　図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空雰囲気下の処理室と真空と大気圧を繰り返すアンロード室との間を移動して基板を搬送する基板搬送台車が用いられる真空処理装置であって、
前記アンロード室内に前記基板搬送台車を昇温させる加熱手段を設けたことを特徴とする真空処理装置。
【請求項２】
中央に位置する共通搬送室と、この共通搬送室の周囲に配置され、共通搬送室に対し開閉手段を介してそれぞれ連通可能に設けられ、基板を真空雰囲気下でそれぞれ処理する複数の真空処理室と、前記共通搬送室に対し開閉手段を介して連通可能に設けられ、未処理の基板が搬入されるロード室と、前記共通搬送室に対し開閉手段を介して連通可能に設けられ、処理済みの基板が搬出されるアンロード室と、前記真空処理室、前記共通搬送室、前記ロード室、前記アンロード室の相互間で基板を搬送する基板搬送台車とを具備してなるクラスタ型の真空処理装置であって、
前記アンロード室内に前記基板搬送台車を昇温させる加熱手段を設けたことを特徴とする真空処理装置。
【請求項３】
前記加熱手段は、基板搬出後に作動して空荷となった基板搬送台車の加熱を行うことを特徴とする請求項１または２記載の真空処理装置。
【請求項４】
通常は処理済基板を搬出するアンロード室においてロード室と同様な機能を併用して基板を搬入、搬出し、ロード室の故障時にも装置全体を完全停止しないことを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の真空処理装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば、プラズマＣＶＤ装置、スパッタリング装置、ドライエッチング装置などの製膜装置に適用される真空処理装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、母材に製膜を施す装置としては、プラズマＣＶＤ装置、スパッタリング装置、ドライエッチング装置などを有する製膜装置が知られている。
この種の製膜装置としては、主として、複数の処理室を直列に並べたインライン型（例えば、特許文献１参照）と、中央の基板搬送共通室の周辺に複数の基板処理室（製膜室）を並列に並べたクラスタ型（例えば、特許文献２参照）とがあり、いずれの場合も真空環境下において製膜処理を行うように構成された真空処理装置となっている。
【０００３】
例えばクラスタ型の真空処理装置では、トレイレスの基板搬送台車を使用し、ロード室→各製膜室→アンロード室の順に、それぞれ共通搬送室を経由して基板が搬送される。そして、アンロード室においては、真空環境下の処理室、すなわち共通搬送室や基板処理室（製膜室）との間を開閉手段により分離し、製膜処理した基板を大気圧下に取り出しすことができるようになっている。この時、アンロード室内またはアンロード室に隣接して設けた冷却装置においては、高温の基板を冷却して後工程の搬送等取扱いを容易にしている。
【０００４】
【特許文献１】
特開２０００−１７７８４２号公報（段落番号００４０〜００４８及び図５）
【特許文献２】
特開２００１−１２７１３３号公報（段落番号００１４〜００２５及び図１）
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、上述したように大気圧下のアンロード室内と真空環境下の処理室との間を往来する基板搬送台車は、真空環境下よりも昇華温度が高くなる大気圧下のアンロード室内において、水蒸気やその他の不純ガスが凝縮または凝固しやすくなる。このため、不純ガスを吸着（付着または固着）した状態の基板搬送台車が真空環境下へ移動することにより、吸着した不純ガスが真空環境下にある処理室へ持ち込まれることが懸念される。特に、クラスタ型の真空処理装置では、アンローダ室から共通搬送室へ不純ガスが持ち込まれると、各製膜室へ搬送される基板は必ず共通搬送室を経由するため、各製膜室への持ち込みが避けられない状況にある。
【０００６】
このようにして真空環境下の処理室に持ち込まれた不純ガスは、基板加熱の熱や昇華温度の低下によりガス化しやすい状況にある。このような不純ガスの存在は、特に積層途中の膜表面に不純物が吸着される原因となるので、良好な膜性能や積層膜界面性能を維持する上で傷害となる。従って、できるだけ不良品の発生を低減して歩留まりを向上させるためには、アンロード室における基板搬送台車の不純ガス吸着を防止することが望まれる。
【０００７】
この発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、アンロード室内における基板搬送台車の不純ガス吸着を防止することができる真空処理装置の提供を目的としている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、請求項１記載の真空処理装置は、真空雰囲気下の処理室と真空と大気圧を繰り返すアンロード室との間を移動して基板を搬送する基板搬送台車が用いられる真空処理装置であって、前記アンロード室内に前記基板搬送台車を昇温させる加熱手段を設けたことを特徴としている。
【０００９】
このような真空処理装置とすれば、アンロード室内に基板搬送台車の加熱手段を設けて加熱できるようにしたので、大気圧下のアンロード室内で不純ガス等のガス成分が凝縮または凝固して基板搬送台車に吸着されるのを防止することができる。
【００１０】
請求項２記載の真空処理装置は、中央に位置する共通搬送室と、この共通搬送室の周囲に配置され、共通搬送室に対し開閉手段を介してそれぞれ連通可能に設けられ、基板を真空雰囲気下でそれぞれ処理する複数の真空処理室と、前記共通搬送室に対し開閉手段を介して連通可能に設けられ、未処理の基板が搬入されるロード室と、前記共通搬送室に対し開閉手段を介して連通可能に設けられ、処理済みの基板が搬出されるアンロード室と、前記真空処理室、前記共通搬送室、前記ロード室、前記アンロード室の相互間で基板を搬送する基板搬送台車とを具備してなるクラスタ型の真空処理装置であって、前記アンロード室内に前記基板搬送台車を昇温させる加熱手段を設けたことを特徴としている。
【００１１】
このような真空処理装置とすれば、アンロード室内に基板搬送台車の加熱手段を設けて加熱できるようにしたので、大気圧下のアンロード室内で不純ガス等のガス成分が凝縮または凝固して基板搬送台車に吸着されるのを防止することができる。
【００１２】
また、請求項１または２記載の真空処理装置において、前記加熱手段は、基板搬出後に作動して空荷となった基板搬送台車の加熱を行うことが好ましく、これにより、加熱手段の作動時間を最小限に抑えることができる。
そして、請求項１から３のいずれかに記載の真空処理装置においては、通常は処理済基板を搬出するアンロード室においてロード室と同様な機能を併用して基板を搬入、搬出し、ロード室の故障時にも装置全体を完全停止しないことが好ましく、これにより、万が一の場合であっても生産を継続することができる。
【００１３】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に係る真空処理装置の一実施形態として、クラスタ型の真空処理装置を図面に基づいて説明する。
図３に示す構成例において、クラスタ型の真空処理装置は、中央に台車回転室としての共通搬送室３０を備え、その周囲を取り囲むようにロード室１０、アンロード室２０、５つの製膜室（真空処理室）７０Ａ〜７０Ｅ及び予備室８０が配置されている。これら各室１０，２０，７０Ａ〜７０Ｅ，８０は、開閉手段として設けた図示省略のゲート弁機構を介して台車移動接続室４０Ａ〜４０Ｈの一端にそれぞれ連通し、さらに、各台車移動接続室４０Ａ〜４０Ｈの他端は共通搬送室３０にそれぞれ連通している。
【００１４】
ロード室１０には２台の基板搬送台車１Ａ，１Ｂが、アンロード室２０には２台の基板搬送台車１Ｃ，１Ｄが、さらに、共通搬送室３０にも２台の基板搬送台車１Ｅ，１Ｆがそれぞれ設けられ、システム全体では少なくとも合計６台の基板搬送台車１Ａ〜１Ｆが各所に配置されている。
【００１５】
台車移動接続室４０Ａ〜４０Ｈは、ロード室１０、アンロード室２０、製膜室７０Ａ〜７０Ｅ、予備室８０より断面積が狭くなっている。すなわち、台車移動接続室４０Ａ〜４０Ｈの内部通路は、基板搬送台車１Ａ〜１Ｆが基板Ｇを保持した状態で通過できるぎりぎりの広さに形成されている。これらの台車移動接続室４０Ａ〜４０Ｈを製膜室７０Ａ〜７０Ｅ、予備室８０、ロード室１０、アンロード室２０の各々と共通搬送室３０との間に設けることにより、共通搬送室３０の容積を限界近くまで小さくすることができるので、真空排気装置（図示せず）の負担が大幅に軽減されるようになる。
また、中央の共通搬送室３０は、隣り合うゲート弁機構の相互干渉を生じない範囲で、かつ、基板搬送台車１Ｅ，１Ｆが回転できる最小のスペースとすることが望ましい。
【００１６】
次に、ロード室１０及びアンロード室２０について説明する。なお、ロード室１０及びアンロード室２０は実質的に同じであり、また、それぞれに隣接するローダ室１０Ａ及びアンローダ室２０Ａに設置されたローラ式ローダ２Ａ及びローラ式アンローダ２Ｂも実質的に同じであるので、ここでは一方のロード室１０及びローラ式ローダ２Ａについて説明する。
【００１７】
ローラ式ローダ２Ａはロード室１０の前方側、すなわち基板搬送方向における上流側に設けられている。このローラ式ローダ２Ａは、２台の基板搬送台車１Ａ，１Ｂが走行するためのレール３Ａ，３Ｂを有する搬送部４を中央に備え、この搬送部４の両側に１対のローラテーブル５Ａ，５Ｂを備えている。各基板搬送台車１Ａ，１Ｂは、それぞれ独立に基板Ｇを１枚ずつ保持して搬送するようになっている。各レール３Ａ，３Ｂの延長線上となるロード室１０内には図示省略のレールが一対設置され、各基板搬送台車１Ａ，１Ｂはレール３Ａ，３Ｂから乗り移れるようになっている。
【００１８】
左右一対のローラテーブル５Ａ，５Ｂは搬送部４を間に挟むように設けられている。各ローラテーブル５Ａ，５Ｂ上には複数の送りローラ６がそれぞれ並べられ、この上に水平に載置されたガラス基板Ｇがレール３Ａ，３Ｂと平行に送られるようになっている。
【００１９】
ロード室１０の前面には左右一対の搬入出入口１１Ａ，１１Ｂが形成され、左右の搬入出入口１１Ａ，１１Ｂはシリンダ機構を備えた図示しないゲート弁機構により開閉されるようになっている。同様に、ロード室１０の後面にも左右一対の搬入出入口（図示せず）が形成され、シリンダを備えたゲート弁機構（開閉手段）によりそれぞれ開閉されるようになっている。そして、ロード室１０の内部には、図示しない赤外線ランプ等の加熱手段が設けられ、基板Ｇを加熱することにより予熱できるようになっている。
【００２０】
また、アンロード室２０側の搬入出入口は符号２１Ａ，２１Ｂで示され、基板Ｇの搬送方向はアンロード室２０の搬入出入口２１Ａ，２１Ｂからローラ式アンローダ２Ｂ側へ向かうこととなる。そして、このアンロード室２０には、例えば図２に示すように、アンロード室２０内またはアンロード室２０に隣接して、冷却風により高温の基板Ｇを冷却するように構成した冷却装置２２等の冷却手段が設けられている。なお、図２において、図中の符号２３はファン、２４は空気清浄フィルタ、２５は分流板である。
【００２１】
次に、共通搬送室３０について説明する。この共通搬送室３０の床部にはターンテーブル３１が設けられており、ターンテーブル３１上に固定設置された一対の可動レール３２Ａ，３２Ｂ上の基板搬送台車１Ｅ，１Ｆが水平面内で回転可能となっている。この結果、基板搬送台車１Ｅ，１Ｆの向きは、３６０°の回転範囲においてどの方位にも変えられるようになっている。
【００２２】
また、製膜室７０Ａ〜７０Ｅは、それぞれに１バッチ当たり２枚の基板Ｇの製膜処理を行う図示省略の製膜ユニット及び基板加熱ヒータを備えている。
そして、各製膜室内では、プラズマＣＶＤ装置の場合、内部を減圧させた状態にしてシランガス（ＳｉＨ４　）等からなる原料ガスを含む製膜ガスを送り込み、基板加熱ヒータにより基板Ｇを加熱しながら、非接地電極として設けられたラダー電極（図示省略）に高周波電力を供給することによりプラズマを発生させる。この結果、原料ガスが分解され、基板加熱ヒータによって加熱された基板Ｇの表面にシリコン系製膜が施されるようになっている。
【００２３】
また、予備室８０は、製膜室として使用可能なことは勿論のこと、基板搬送台車１Ａ〜１Ｆを一時的に待機（待避）させる待機室として用いたり、あるいは、製膜処理前の基板Ｇを予備的に加熱または冷却する予備加熱室や予備冷却室としての使用も可能である。
なお、上述したクラスタ型の真空処理装置では、少なくとも６台以上の基板搬送装置１Ａ〜１Ｆを用いて１バッチ当たり２枚の基板Ｇを同時に処理するように構成されているが、例えば３台の基板搬送装置を用いて１バッチ当たり１枚の基板Ｇを処理するように構成するなど、これに限定されることなく適宜変更可能である。
【００２４】
このように構成されたクラスタ型の真空処理装置では、以下に説明する手順で製膜処理が行われる。
最初の工程では、大気圧下のローラ式ローダ２Ａにおいて、基板搬送台車１Ａ，１Ｂにそれぞれ未処理の基板Ｇを載せて保持し、ゲート弁機構を開いて搬入出入口１１Ａ，１１Ｂからロード室１０内へ搬送移動する。
ロード室１０内に搬送された基板搬送台車１Ａ，１Ｂは、共通搬送室３０内への搬送順序にしたがって待機するが、この時、基板Ｇ及び基板搬送台車１Ａ，１Ｂは赤外線ランプ等の加熱手段により加熱される。そして、共通搬送室３０内が所定の順番で空室になると、ロード室１０の後面側に設けられたゲート弁機構を開き、基板搬送台車１Ａ，１Ｂが台車移動接続室４０Ｆを通って真空環境にある共通搬送室３０へ搬入される。
【００２５】
こうして共通搬送室３０内へ搬送された基板搬送台車１Ａ，１Ｂは、ここで方向転換を行った後、台車移動接続室４０Ａを通って最初の製膜処理を行う製膜室７０Ａに搬入される。ここで基板Ｇを処理装置へ受け渡した後、基板搬送台車１Ａ，１Ｂは退出して共通搬送室３０及びロード室１０を通ってローラ式ローダ２Ａへ戻る。
製膜室７０Ａでの製膜処理が終了した後には、基板搬送台車１Ｅ，１Ｆが基板Ｇを受け取っていったん空室状態の共通搬送室３０へ戻り、再度方向転換した後に第２の製膜処理を行う製膜室７０Ｂへと搬送する。製膜室７０Ｂでは、基板搬送台車１Ｅ，１Ｆが基板Ｇを処理装置側へ受け渡してから共通搬送室３０へ退出する。こうして第２の製膜処理が終了した後には、基板搬送台車１Ｅ，１Ｆが製膜室７０Ｂへ入って基板Ｇを受け取り、再度共通搬送室３０内へ戻って方向変換する。そして、以後同様にして、第３の製膜処理を行う製膜室７０Ｃ、第４の製膜処理を行う製膜室７０Ｄ及び第５の製膜処理を行う製膜室７Ｅの順に、その都度共通搬送室３０における方向転換をして搬送移動される。なお、図示の装置では、製膜室７０Ｅにおける製膜処理が最終処理となって製膜工程が完了する。
【００２６】
製膜室７Ｅでの製膜処理完了後は、基板搬送台車１Ｃ，１Ｄが製膜処理済みの基板Ｇを受け取って共通搬送室３０に戻り、方向転換してから台車移動接続室４０Ｇを通ってゲート弁機構を開としたアンロード室２０内へ搬送移動する。
そして、真空雰囲気下のアンロード室２０内に搬送されてゲート弁機構を閉じ、真空雰囲気下の処理室（共通搬送室３０、台車移動接続室４０Ａ〜４０Ｈ及び製膜室７０Ａ〜７０Ｈ全体の総称）から遮断された後には、アンロード室２０内を不活性ガスである窒素などを用いて大気圧にベントする。こうしてベントされた後の基板Ｇは、搬入出入口２１Ａ，２１Ｂのゲート弁機構を開いて、アンロード室２０に隣接するローラ式アンローダ２Ｂへ搬出され、ローラ式アンローダ２Ｂへ搬送されるに際して、冷却装置２２による冷却処理が行われる。この冷却処理は、各製膜室７０Ａ〜７０Ｅで加熱を受けて高温となっている基板Ｇを冷却するもので、同時に基板Ｇを搬送する基板搬送台車１Ｃ，１Ｄも冷却される。
【００２７】
ローラ式アンローダ２Ｂでは、基板Ｇを基板搬送台車１Ｃ，１Ｄから下ろして搬出する。こうして空となった基板搬送台車１Ｃ，１Ｄは、アンロード室２０、台車移動接続室４０Ｇ、共通搬送室３０及び台車移動接続室４０Ｅを通って、製膜室７０Ｅへ次に製膜処理済みとなった基板Ｇを受け取りに行く。
なお、上記の説明では、基板搬送台車１Ａ，１Ｂは、ローラ式ローダ２Ａから製膜室７０Ａへ未処理の基板Ｇを搬送し、基板搬送台車１Ｃ，１Ｄは、製膜室７０Ｅから製膜処理済みの基板Ｇをローラ式アンローダ２Ｂへ搬送し、基板搬送台車１Ｅ，１Ｆは、製膜室７０Ｂから製膜室７０Ｅへ順次基板Ｇを搬送するものとしたが、各基板搬送台車１Ａ〜１Ｆの搬送範囲については、これに限定されることはなく、たとえば１台の基板搬送台車が未処理の基板Ｇを受け取って製膜完了済みの基板Ｇを搬出するなど、適宜設定可能である。
【００２８】
上述した構成の真空処理装置に対し、本発明においてはアンロード室内に基板搬送台車の加熱手段を設けてある。以下、この加熱手段の構成を図１に基づいて説明する。
図１において、アンロード室２０の内部には、加熱手段として赤外線ランプユニット９０が設置されている。この赤外線ランプユニット９０は、上下方向に設置した多数（図示の例では１１本）の赤外線ランプ９１を搬送方向へ等ピッチに配列した構成となっており、対向する一対の基板搬送台車１Ｃ，１Ｄの略中間位置となるように設置されている。
なお、図１においては、赤外線ランプユニット９０はアンロード室２０の中央に設置されているが、アンロード室２０の壁面側である両サイドに設置してもよい。
【００２９】
さて、アンロード室２０及びローラ式アンローダ２Ｂは大気圧下にあり、ここで基板搬送台車１Ｃ，１Ｄに吸着した水蒸気等の不純ガスが真空雰囲気下にある処理室内へ搬入されることは、高温環境の製膜処理中にガス化して膜表面に吸着される原因となるため好ましくない。特に、製膜処理済みの基板Ｇを下ろした空の搬送台車１Ｃ，１Ｄは、基板Ｇと共に冷却されているため温度が低く、不純ガスが凝縮または凝固して吸着しやすい状態にある。
【００３０】
そこで、空の基板搬送台車１Ｃ，１Ｄをアンロード室２０及び共通搬送室３０経由で製膜室７０Ｅへ移動させる前に、具体的には基板搬出後で空となった基板搬送台車１Ｃ，１Ｄが台車移動接続室４０Ｇ内へ移動する前に、アンロード室２０内に設置した赤外線ランプユニット９０へ通電（ＯＮ）して点灯し、所定時間加熱する。なお、赤外線加熱ユニット９０は、基板Ｇの搬出時など、上述した基板搬送台車の加熱時以外は通電をＯＦＦとして消灯する。
【００３１】
ここでは、基板搬送台車１Ｃ，１Ｄが概ね５０℃〜１２０℃となるまで加熱するのが好ましく、これにより、基板搬送台車１Ｃ，１Ｄがベーキングされて大気圧下で吸着した不純ガスを迅速に除去することができる。すなわち、液体または固体の状態で基板搬送台車１Ｃ，１Ｄに付着している不純ガスは、加熱を受けることによりガス化して拡散するので、基板搬送台車１Ｃ，１Ｄと共に処理室内へ持ち込まれることを防止できる。
【００３２】
さて、図１に示した実施形態では多数の赤外線ランプ９１が矩形状に配列された形状の赤外線ランプユニット９０を採用しているが、加熱能力や加熱時間等の諸条件を満足すれば、基板搬送台車１Ｃ，１Ｄの形状に合わせて赤外線ランプ９１を配置することも可能である。
また、加熱手段としては、通電のＯＮ／ＯＦＦ時間制御によって短時間で加熱状態となる赤外線ランプユニット９０が好適ではあるが、これに限定されることはなく、たとえば基板搬送台車近傍位置に設置した代表熱伝対を用いて温度制御を行った赤外線ランプユニットや活性エネルギーを高めることができる紫外線ランプユニットなどを採用することも可能である。
【００３３】
また、上述した実施形態では、クラスタ型の真空処理装置に適用した例を示したが、インライン型への適用が可能なことは勿論である。
しかし、上述した本発明の構成を、製膜処理の搬送過程で共通搬送室３０を何度も通過するため、不純ガスがアンローダ室２０から共通搬送室３０へ持ち込まれると各製膜室７０Ａ〜７０Ｅへも不純ガスが侵入して不良品発生の原因となりやすいクラスタ型の真空処理装置に適用すると、不良品の発生を低減して歩留まりが向上するので特に有効である。
【００３４】
また、アンロード室２０の加熱手段を備えているので、万が一ロード室１０にトラブルが発生して使用できない場合には、この加熱手段を使用して未処理の基板Ｇを予熱することも可能になり、従って、一時的にアンロード室２０をロード室として併用することも可能になる。すなわち、ロード室１０が故障した場合であっても、生産速度は低下するものの、生産を継続することが可能になる。
【００３５】
なお、本発明の構成は上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において適宜変更することができる。
【００３６】
【発明の効果】
以上、説明したように、本発明の真空処理装置によれば、下記の効果を得ることができる。
請求項１記載の真空処理装置によれば、アンロード室内に基板搬送台車の加熱手段を設けて加熱できるようにしたので、大気圧下のアンロード室内で不純ガス等のガス成分が凝縮または凝固して基板搬送台車に吸着されるのを防止することができるようになる。このため、処理済みの基板を搬出した空の基板搬送台車が処理室内を通過する際、吸着した不純ガスを処理室内に持ち込むのを防止でき、従って、加熱によりガス化した不純ガスが膜表面に付着して発生する不良品を低減して歩留まりを向上させることができる。
【００３７】
請求項２記載の真空処理装置によれば、クラスタ型の真空処理装置において、アンロード室内に基板搬送台車の加熱手段を設けて加熱できるようにしたので、大気圧下のアンロード室内で不純ガス等のガス成分が凝縮または凝固して基板搬送台車に吸着されるのを防止することができる。このため、処理済みの基板を搬出した空の基板搬送台車が処理室内を通過する際、吸着した不純ガスを処理室内に持ち込むのを防止でき、従って、加熱によりガス化した不純ガスが膜表面に付着して発生する不良品を低減して歩留まりを向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態を示す図で、真空処理装置を構成するアンロード室の概略斜視図である。
【図２】真空処理装置を構成するアンロード室が、隣接する冷却装置を備えている構成例を示す概略斜視図である。
【図３】クラスタ型の真空処理装置を示す概略斜視図である。
【符号の説明】
１Ａ〜１Ｆ　　搬送台車
２Ａ　　ローラ式ローダ
２Ｂ　　ローラ式アンローダ
５Ａ，５Ｂ　　ローラテーブル
１０　　ロード室
１０Ａ　　ローダ室
１１Ａ，１１Ｂ，２１Ａ，２１Ｂ　　搬入出入口
２０　　アンロード室
２０Ａ　　アンローダ室
２２　　冷却装置
３０　　共通搬送室
３１　　ターンテーブル
４０Ａ〜４０Ｈ　　台車移動接続室
７０Ａ〜７０Ｅ　　製膜室（真空処理室）
８０　　予備室
９０　　赤外線ランプユニット（加熱手段）
９１　　赤外線ランプ
Ｇ　　ガラス基板（基板）
【図１】
2004106993.tif 000003
【図２】
2004106993.tif 000004
【図３】
2004106993.tif 000005