(57)【要約】【課題】小型化が可能であり、さらに特性の低下が抑制された圧電部品およびその製造方法を提供する。【解決手段】圧電基板１に形成されたＩＤＴ２および該ＩＤＴ２と接続されている導通パッド３を有する弾性表面波素子１６と、外部端子１２とを備える弾性表面波装置２１であって、上記ＩＤＴ２の弾性表面波の励振部分を保護する空間となる励振部分保護開口部９、および導通開口部８を備える絶縁層７を備え、上記外部端子１２は、上記導通開口部８を介する配線１１によって、導通パッド３と接続されている。【選択図】　図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成された少なくとも一つの振動部及び該振動部に接続されている素子配線を有する圧電素子と、外部端子とを備える圧電部品であって、
上記振動部を保護する空間となる開口部、および導通開口部を備える絶縁層を備え、
上記外部端子は、上記導通開口部に形成された外部端子接続部材を介して素子配線と接続されていることを特徴とする圧電部品。
【請求項２】
上記開口部に、保護膜が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の圧電部品。
【請求項３】
上記開口部が、フタ材で覆われていることを特徴とする請求項１に記載の圧電部品。
【請求項４】
基板上に形成された少なくとも一つの振動部及び該振動部に接続されている素子配線を有する圧電素子と、外部端子とを備える圧電部品であって、
上記振動部を保護する空間となる開口部、および導通開口部を有し、該導通開口部を介して素子配線と接続されている配線が形成されている絶縁層を備え、
上記絶縁層上に、上記配線を保護し、開口部上に位置する第二開口部、および第二導通開口部を有する第二の絶縁層を備え、
上記外部端子は、上記第二導通開口部に形成された外部端子接続部材を介して上記配線に接続されていることを特徴とする圧電部品。
【請求項５】
上記配線は、キャパシタンスまたはインダクタのいずれかを備えることを特徴とする請求項４に記載の圧電部品。
【請求項６】
上記第二開口部に、保護膜が形成されていることを特徴とする請求項４または５に記載の圧電部品。
【請求項７】
上記第二開口部が、フタ材で覆われていることを特徴とする請求項４または５に記載の圧電部品。
【請求項８】
上記圧電素子は、基板に形成されたくし型電極部からなる振動部を有する弾性表面波素子であることを特徴とする、請求項１ないし７のいずれか１項に記載の圧電部品。
【請求項９】
上記圧電素子は、開口部または凹部を有する基板の該開口部又は凹部上に形成されている、少なくとも１層以上の圧電薄膜を有する薄膜部の上下面を少なくとも一対の上部電極および下部電極を対向させて挟む構造の振動部を有する圧電薄膜素子であることを特徴とする、請求項１、３、４、５または７のいずれか１項に記載の圧電部品。
【請求項１０】
上記圧電素子は、基板上に形成されている少なくとも１層以上の圧電薄膜を有する薄膜部の上下面を少なくとも一対の上部電極および下部電極を対向させて挟む構造の振動部を有し、且つ、基板と振動部における下部電極の間には空間を有する圧電薄膜素子であることを特徴とする請求項１、３、４、５または７いずれか１項に記載の圧電部品。
【請求項１１】
基板上に形成された少なくとも一つの振動部及び該振動部に接続されている素子配線を有する圧電素子と、外部端子とを備える圧電部品の製造方法であって、
上記基板に少なくとも一つの振動部および該振動部に接続されている素子配線を形成して圧電素子を作製する工程と、
振動部を保護する空間となる開口部、および導通開口部を備える絶縁層を形成する工程と、
上記導通開口部を介して上記素子配線に接続させるように第一配線を形成する工程と、
上記第一配線に接続させるように外部端子を形成する工程とを含むことを特徴とする圧電部品の製造方法。
【請求項１２】
基板上に形成された少なくとも一つの振動部及び該振動部に接続されている素子配線を有する圧電素子と、外部端子とを備える圧電部品の製造方法であって、
上記基板に少なくとも一つの振動部および該振動部に接続されている素子配線を形成して圧電素子を作製する工程と、
上記圧電素子における上記振動部を保護する保護層を形成する工程と、
振動部を保護する空間となる開口部、および導通開口部を備える絶縁層を形成する工程と、
上記導通開口部を介して上記素子配線に接続させるように第一配線を形成する工程と、
上記第一配線に接続させるように外部端子を形成する工程とを含むことを特徴とする圧電部品の製造方法。
【請求項１３】
上記圧電素子は、基板に形成されたくし型電極部からなる振動部を有する弾性表面波素子であることを特徴とする、請求項１１または１２に記載の圧電部品の製造方法。
【請求項１４】
上記圧電素子は、開口部または凹部を有する基板の該開口部又は凹部上に形成されている、少なくとも１層以上の圧電薄膜を有する薄膜部の上下面を少なくとも一対の上部電極および下部電極を対向させて挟む構造の振動部を有する圧電薄膜素子であることを特徴とする、請求項１２に記載の圧電部品の製造方法。
【請求項１５】
上記圧電素子は、開口部または凹部を有する基板の該開口部又は凹部上に形成されている、少なくとも１層以上の圧電薄膜を有する薄膜部の上下面を少なくとも一対の上部電極および下部電極を対向させて挟む構造の振動部を有する圧電薄膜素子であることを特徴とする、請求項１２に記載の圧電部品の製造方法。
【請求項１６】
基板上に形成された少なくとも一つの振動部及び該振動部に接続されている素子配線を有する圧電素子と、外部端子とを備える圧電部品の製造方法であって、
上記基板に少なくとも一つの振動部および該振動部に接続されている素子配線を形成して圧電素子を作製する工程と、
振動部を保護する空間となる開口部、および導通開口部を備える絶縁層を形成する工程と、
上記導通開口部を介して上記素子配線に接続させるように第一配線を形成する工程と、
上記絶縁層に、第二導通開口部を有する第二の絶縁層を形成する工程と、
第二導通開口部を介して第一配線に接続させるように、第二配線を形成する工程と、
第二配線を介して上記第一配線に接続させるように外部端子を形成する工程とを含むことを特徴とする圧電部品の製造方法。
【請求項１７】
基板上に形成された少なくとも一つの振動部及び該振動部に接続されている素子配線を有する圧電素子と、外部端子とを備える圧電部品の製造方法であって、上記基板に少なくとも一つの振動部および該振動部に接続されている素子配線を形成して圧電素子を作製する工程と、
上記圧電素子における上記振動部を保護する保護層を形成する工程と、
振動部を保護する空間となる開口部、および導通開口部を備える絶縁層を形成する工程と、
上記導通開口部を介して上記素子配線に接続させるように第一配線を形成する工程と、
上記絶縁層に、第二導通開口部を有する第二の絶縁層を形成する工程と、
第二導通開口部を介して第一配線に接続させるように、第二配線を形成する工程と、
第二配線を介して上記第一配線に接続させるように外部端子を形成する工程とを含むことを特徴とする圧電部品の製造方法。
【請求項１８】
さらに、上記基板を研磨する工程を含むことを特徴とする請求項１１ないし１７のいずれか１項に記載の圧電部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば、遅延線、フィルタ等に用いられる弾性表面波装置および圧電薄膜フィルタ等の圧電部品およびその製造方法に関し、特に、チップサイズにパッケージングされた圧電部品およびその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年の電子機器の小型化、軽量化により、電子部品に対しても多機能化が要求されている。このような背景の中、携帯電話機等の通信装置に使用される弾性表面波装置としての弾性表面波フィルタ（以下ＳＡＷフィルタという）および圧電薄膜共振子を利用した圧電フィルタ等の圧電部品に対しても同様に小型化、軽量化が求められている。
【０００３】
圧電フィルタは、開口部若しくは凹部を有するＳｉ基板と、該開口部若しくは凹部上に形成されている少なくとも１層以上の圧電薄膜（例えば、ＺｎＯやＡｌＮからなる）を有する薄膜部の上下面を少なくとも一対の上部電極および下部電極を対向させて挟む構造の振動部とを有する圧電共振子、またはＳｉ基板に開口部や凹部を設けることなく、下部電極とＳｉ基板との間に空間を形成してなる圧電共振子を梯子型またはラティス型に構成してなっている。このような圧電フィルタにおいては、振動部で発生する厚み縦振動を利用するため、振動空間を確保すると共に、振動部を水分や埃などから保護する必要がある。
【０００４】
また、弾性表面波フィルタは、水晶やＬｉＴａＯ３、ＬｉＮｂＯ３等の圧電基板上にＡｌなどの金属からなる１対のくし型電極部（インターデジタルトランスデューサ、以下、ＩＤＴと略記する）を配置してなっている。このような弾性表面波フィルタにおいては、くし型電極部や圧電基板の弾性表面波の伝搬部分などの振動空間を確保すると共に、くし型電極部を水分や埃などから保護する必要がある。
【０００５】
上記の圧電フィルタおよび弾性表面波フィルタでは、アルミナなどのセラミックからなるパッケージの底面にダイボンド剤を塗布し、圧電フィルタおよび弾性表面波フィルタの素子をダイボンドでパッケージに搭載し、パッケージ内部の端子と素子の電極とをワイヤボンディングにより接続した後、パッケージをリッドによって封止されていた。また、上記の圧電フィルタおよび弾性表面波フィルタは、小型化のために、アルミナなどからなるパッケージの底面に電極ランドを形成し、圧電フィルタおよび弾性表面波フィルタの素子をパッケージにフリップチップボンディングで搭載し、パッケージをリッドによって封止することも行われていた。
【０００６】
しかし、上記のような構造では、圧電フィルタおよび弾性表面波フィルタの素子を小型化したところで、パッケージが小型化されない限り、圧電フィルタおよび弾性表面波フィルタの小型化・低背化ができないという問題があった。また、小型のパッケージにかかるコストが高いという問題もあった。またさらに、特に圧電フィルタでは、振動部が基板の開口部若しくは凹部に形成されているため、素子のダイシング、実装時の素子のピックアップ、ダイボンドなどの工程における衝撃によって、振動部の破壊が発生するという問題があった。
【０００７】
これに対し、例えば、特許文献１、特許文献２および特許文献３では、バンプによる実装が行われている。これらの公報によれば、ベース基板に形成したバンプによってＳＡＷ素子とベース基板とを接着するフリップチップ実装で、ワイヤボンディングに必要な空間をなくすことによりＳＡＷフィルタの小型化が図られている。しかしながら、ＳＡＷ素子にはバンプに対する導通パッドを形成する必要があり、ＳＡＷ素子の有効面積が小さくなるため、小型化が困難である。また、バンプ形成のコストがかかる。
【０００８】
そこで、特許文献４では、ＳＡＷ素子を、ＳＡＷ素子の引き出し電極に対向する貫通孔を形成したベース基板に搭載し、貫通孔に導電剤を充填して、外部回路接続部を形成している。これにより、ＳＡＷフィルタの小型化が行われている。
【０００９】
【特許文献１】
特開２００１−９４３９０号公報
【００１０】
【特許文献２】
特開平１１−１５０４４１号公報
【００１１】
【特許文献３】
特開２００１−６０６４２号公報
【００１２】
【特許文献４】
特開２００１−２４４７８５号公報
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、特許文献４に記載の構成ではＳＡＷ素子にベース基板を接合することによりＳＡＷフィルタを構成している。従って、ベース基板によりＳＡＷフィルタ自体の厚さが増加してしまうという問題があった。
【００１４】
本発明は、上記従来の問題に鑑みなされたものであり、その目的は、小型化が可能な圧電部品およびその製造方法を提供することにある。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
本発明の圧電部品は、上記の課題を解決するために、基板上に形成された少なくとも一つの振動部及び該振動部に接続されている素子配線を有する圧電素子と、外部端子とを備える圧電部品であって、上記振動部を保護する空間となる開口部、および導通開口部を備える絶縁層を備え、上記外部端子は、上記導通開口部に形成された外部端子接続部材を介して素子配線と接続されていることを特徴としている。
【００１６】
上記の構成によれば、上記振動部は、絶縁層の振動部を保護する空間となる開口部により保護されている。そのため、実装等により圧電部品の特性が低下することを防止することができる。また、上記圧電部品では、振動部を保護するために接合する基板等の圧電部品の厚さを増加させる要素が必要ないので、小型化、低背化、低コスト化が可能である。また、上記導通開口部を介する外部端子の位置を外部に接続する回路等に合わせて上記絶縁層上で任意に位置を変更することができる。つまり、外部端子の位置の自由度を向上させることができる。
【００１７】
また、上記開口部に、保護膜が形成されていることが好ましい。これにより、より一層振動部を保護することができる。
【００１８】
また、上記開口部が、フタ材で覆われていることが好ましい。これにより、より一層振動部を保護することができる。
【００１９】
さらに、本発明の圧電部品は、上記の課題を解決するために、基板上に形成された少なくとも一つの振動部及び該振動部に接続されている素子配線を有する圧電素子と、外部端子とを備える圧電部品であって、上記振動部を保護する空間となる開口部、および導通開口部を有し、該導通開口部を介して素子配線と接続されている配線が形成されている絶縁層を備え、上記絶縁層上に、上記配線を保護し、開口部上に位置する第二開口部、および第二導通開口部を有する第二の絶縁層を備え、上記外部端子は、上記第二導通開口部に形成された外部端子接続部材を介して上記配線に接続されていることを特徴としている。
【００２０】
上記の構成によれば、配線が第二の絶縁層により保護されているので、弾性表面波装置の実装時等に、上記配線に接触してショート等の不具合を起こすことを防止することができる。
【００２１】
本発明の圧電部品は、上記の構成に加えて、上記配線は、キャパシタンスまたはインダクタのいずれかを備えることが好ましい。これにより、別にキャパシタンスまたはインダクタを設ける必要がなく、圧電部品の小型化を図れることができる。
【００２２】
また、上記第二開口部に、保護膜が形成されていることが好ましい。これにより、より一層振動部を保護することができる。
【００２３】
また、上記第二開口部が、フタ材で覆われていることが好ましい。これにより、より一層振動部を保護することができる。
【００２４】
また、上記圧電素子は、基板に形成されたくし型電極部からなる振動部を有する弾性表面波素子であってよい。
【００２５】
また、上記圧電素子は、開口部または凹部を有する基板の該開口部又は凹部上に形成されている、少なくとも１層以上の圧電薄膜を有する薄膜部の上下面を少なくとも一対の上部電極および下部電極を対向させて挟む構造の振動部を有する圧電薄膜素子であってよい。
【００２６】
また、上記圧電素子は、基板上に形成されている少なくとも１層以上の圧電薄膜を有する薄膜部の上下面を少なくとも一対の上部電極および下部電極を対向させて挟む構造の振動部を有し、且つ、基板と振動部における下部電極の間には空間を有する圧電薄膜素子であってよい。
【００２７】
本発明の圧電部品の製造方法は、上記の課題を解決するために、基板上に形成された少なくとも一つの振動部及び該振動部に接続されている素子配線を有する圧電素子と、外部端子とを備える圧電部品の製造方法であって、上記基板に少なくとも一つの振動部および該振動部に接続されている素子配線を形成して圧電素子を作製する工程と、振動部を保護する空間となる開口部、および導通開口部を備える絶縁層を形成する工程と、上記導通開口部を介して上記素子配線に接続させるように第一配線を形成する工程と、上記第一配線に接続させるように外部端子を形成する工程とを含むことを特徴としている。
【００２８】
上記圧電素子は、基板に形成されたくし型電極部からなる振動部を有する弾性表面波素子であってよい。
【００２９】
上記の方法によれば、上記振動部は、絶縁層の上記振動部を保護する空間となる開口部により保護することができる。そのため、実装等により圧電部品の特性が低下することを防止することができる。また、振動部を保護するために接合する基板等の圧電部品の厚さを増加させる要素が必要ないので、小型化、低背化、低コスト化が可能である。また、上記導通開口部を介する外部端子の位置を外部に接続する回路等に合わせて上記絶縁層上で任意に位置を変更することができる。つまり、外部端子の位置の自由度を向上させることができる。
【００３０】
また、本発明の圧電部品の製造方法は、上記の課題を解決するために、基板上に形成された少なくとも一つの振動部及び該振動部に接続されている素子配線を有する圧電素子と、外部端子とを備える圧電部品の製造方法であって、上記基板に少なくとも一つの振動部および該振動部に接続されている素子配線を形成して圧電素子を作製する工程と、上記圧電素子における上記振動部を保護する保護層を形成する工程と、振動部を保護する空間となる開口部、および導通開口部を備える絶縁層を形成する工程と、上記導通開口部を介して上記素子配線に接続させるように第一配線を形成する工程と、上記第一配線に接続させるように外部端子を形成する工程とを含むことを特徴としている。
【００３１】
上記圧電素子は、基板に形成されたくし型電極部からなる振動部を有する弾性表面波素子であってよい。
【００３２】
また、上記圧電素子は、開口部または凹部を有する基板の該開口部又は凹部上に形成されている、少なくとも１層以上の圧電薄膜を有する薄膜部の上下面を少なくとも一対の上部電極および下部電極を対向させて挟む構造の振動部を有する圧電薄膜素子であってよい。
【００３３】
また、上記圧電素子は、基板上に形成されている少なくとも１層以上の圧電薄膜を有する薄膜部の上下面を少なくとも一対の上部電極および下部電極を対向させて挟む構造の振動部を有し、且つ、基板と振動部における下部電極の間には空間を有する圧電薄膜素子であってよい。
【００３４】
上記の方法によれば、振動部は、保護膜により保護することができる。さらに、上記振動部は、絶縁層の上記振動部を保護する空間となる開口部により保護することができる。そのため、実装等により圧電フィルタの特性が低下することを防止することができる。また、振動部を保護するための、振動部に対向する基板等の圧電部品の厚さを増加させる要素が必要ないので、小型化、低背化、低コスト化が可能である。また、上記導通開口部を介する外部端子の位置を外部に接続する回路等に合わせて上記絶縁層上で任意に位置を変更することができる。つまり、外部端子の位置の自由度を向上させることができる。
【００３５】
また、本発明の圧電部品の製造方法は、上記の課題を解決するために、基板上に形成された少なくとも一つの振動部及び該振動部に接続されている素子配線を有する圧電素子と、外部端子とを備える圧電部品の製造方法であって、上記基板に少なくとも一つの振動部および該振動部に接続されている素子配線を形成して圧電素子を作製する工程と、振動部を保護する空間となる開口部、および導通開口部を備える絶縁層を形成する工程と、上記導通開口部を介して上記素子配線に接続させるように第一配線を形成する工程と、上記絶縁層に、第二導通開口部を有する第二の絶縁層を形成する工程と、第二導通開口部を介して第一配線に接続させるように、第二配線を形成する工程と、第二配線を介して上記第一配線に接続させるように外部端子を形成する工程とを含むことを特徴としている。
【００３６】
また、本発明の圧電部品の製造方法は、上記の課題を解決するために、基板上に形成された少なくとも一つの振動部及び該振動部に接続されている素子配線を有する圧電素子と、外部端子とを備える圧電部品の製造方法であって、上記基板に少なくとも一つの振動部および該振動部に接続されている素子配線を形成して圧電素子を作製する工程と、上記圧電素子における上記振動部を保護する保護層を形成する工程と、振動部を保護する空間となる開口部、および導通開口部を備える絶縁層を形成する工程と、上記導通開口部を介して上記素子配線に接続させるように第一配線を形成する工程と、上記絶縁層に、第二導通開口部を有する第二の絶縁層を形成する工程と、第二導通開口部を介して第一配線に接続させるように、第二配線を形成する工程と、第二配線を介して上記第一配線に接続させるように外部端子を形成する工程とを含むことを特徴としている。
【００３７】
上記の方法によれば、第一配線が第二の絶縁層により保護されているので、圧電部品の実装時等に、上記第一配線に接触してショート等の不具合を起こすことを防止することができる。
【００３８】
さらに、上記圧電基板を研磨する工程を含むことが好ましい。
【００３９】
上記の方法によれば、圧電基板を研磨して薄くすることができる。この工程は、例えば、絶縁層等を形成した後の圧電基板が補強された状態で行われることが好ましい。上記の研磨により、弾性表面波装置のさらなる低背化が可能となる。
【００４０】
【発明の実施の形態】
〔実施の形態１〕
本発明の実施の一形態について、図１、および図４ないし図１２に基づいて説明すれば、以下の通りである。
【００４１】
本実施の形態にかかるＳＡＷフィルタは、図１に示すように、ＬｉＴａＯ３の圧電基板１上に少なくとも一つのＩＤＴ（振動部）２と該ＩＤＴ２と接続されている導通パッド（素子配線）３とを備えているＳＡＷ素子（圧電素子）１６と、上記導通パッド３に接続されている外部端子１２を備えている。上記外部端子１２は、上記導通パッド３上に積層されている樹脂からなる絶縁層７の導通開口部８を介する配線（外部端子接続部材、第一配線）１１により導通パッド３に接続されている。この導通開口部８は、上記導通パッド３上に絶縁層が形成されていない部分である。また、上記絶縁層７には、ＩＤＴ２などの弾性表面波の励振部分を保護するための空間となる励振部分保護開口部９が形成されている。この励振部分保護開口部９は、ＬｉＴａＯ３の圧電基板１におけるＩＤＴ２などの弾性表面波の励振部分に対して絶縁層が形成されていない部分、つまり、保護膜（保護層）５が形成されている部分である。
【００４２】
上記の構成によれば、上記ＩＤＴ２などの弾性表面波の励振部分は、保護膜５により保護されている。さらに、上記ＩＤＴ２は、絶縁層７の励振部分保護開口部９により保護されている。そのため、実装等によりＳＡＷフィルタの特性が低下することはない。また、上記ＳＡＷフィルタでは、ＩＤＴ２などの弾性表面波の励振部分を保護するために接合する基板等のように、ＳＡＷフィルタの厚さを増加させる要素が必要ないので、小型化、低背化、低コスト化が可能である。つまり、ＳＡＷ素子１６の大きさ、チップサイズにパッケージングすることが可能である。
【００４３】
また、上記導通開口部８を介する配線１１は任意に形成することができるので、この配線１１に接続される外部端子１２の位置を外部に接続する回路等に合わせて任意に位置を変更することができる。つまり、外部端子１２の位置の自由度を向上させることができる。
【００４４】
上記ＩＤＴ２、導通パッド３は、例えばＡｌからなり、必要に応じて、Ｔｉ、Ｎｉ、Ａｕ等を積層してもよい。特に、最上層にＡｕを用いると、腐食されにくく好ましい。
【００４５】
上記保護膜５の材料としては、例えば、ＳｉＮやＳｉＯ２が挙げられる。
【００４６】
なお、保護膜５がなくとも、ある程度の信頼性は確保できる。
【００４７】
上記絶縁層７は、例えば、感光性ポリイミド、ノボラック樹脂等からなる通常のフォトレジスト、感光性ベンゾシクロブテン等の絶縁体からなる。また、絶縁層７として、これ以外に好適な材料はベンゾシクロブテン、環オレフィン系樹脂、エポキシ系樹脂を用いることができる。
【００４８】
上記ＬｉＴａＯ３の圧電基板１のＩＤＴ２等が形成されていない面には、保護金属膜６を備えていてもよい。この保護金属膜６により、ＳＡＷフィルタに対する外界からの電磁波の影響を防止することができる。この保護金属膜６は、電磁波を遮断する材料からなればよく、例えば、Ｔｉ、Ａｌ、ＮｉＣｒからなる。
【００４９】
また、上記保護金属膜６上には、緩衝層１０を備えていてもよい。上記保護金属膜がない場合には、上記ＬｉＴａＯ３の圧電基板１上に直接緩衝層１０を形成してもよい。この緩衝層１０により、ＳＡＷフィルタの実装時の衝撃を緩和することができる。この緩衝層１０は、例えば、導電性のある樹脂やない樹脂を使用することができる。中でも導電性のあるものが好ましく、例えば、Ａｇ粒子を含有したエポキシ樹脂が挙げられる。このように、電導性を付与することにより、外界の電磁波の影響を防止することができる。加えて、ＬｉＴａＯ３などの焦電性を有する基板におけるＩＤＴの焦電破壊をなくすことができる。
【００５０】
また、上記ＳＡＷフィルタは、ＬｉＴａＯ３の圧電基板１のＩＤＴ２を形成していない面側に、例えばアルミナ基板等の補強基板を備えていてもよい。この補強基板は、ＬｉＴａＯ３の圧電基板１のＩＤＴ２を形成していない面側に、例えば接着剤により接着することができる。この補強基板により、ＳＡＷフィルタの強度を向上させることができる。
【００５１】
続いて、上記ＳＡＷフィルタの製造方法について、図１に基づいてより詳細に説明する。
【００５２】
まず、工程１において、例えば、厚さ０．３５ｍｍの１００ｍｍφＬｉＴａＯ３基板（圧電基板）１上に、ＩＤＴ２、導通パッド３、リフレクタ（図示せず）および引き回し配線（素子配線）（図示せず）等を形成する。つまり、ＩＤＴ２、導通パッド３、リフレクタおよび引き回し配線等を、ＬｉＴａＯ３の圧電基板１上に、蒸着によるリフトオフ法等により、例えばＡｌで形成する。さらに、位置合わせ用のアライメントマーク４も形成することができる。このアライメントマーク４は、その形状および大きさを特に限定されるわけではないが、ここでは１０μｍφの円形とする。さらに、上記ＩＤＴ２、リフレクタを形成した部分、つまりＩＤＴ２などの弾性表面波の励振部分には、スパッタ法等により、ＳｉＮ、ＳｉＯ２等からなる保護膜５を例えば５ｎｍの厚さで形成する。また、上記ＬｉＴａＯ３の圧電基板１のＩＤＴ２を形成していない面にはＴｉ等の保護金属膜６を形成する。この保護金属膜６の形成は必要に応じて任意に行えばよい。
【００５３】
次いで、工程２において、ＬｉＴａＯ３の圧電基板１のＩＤＴ２を形成した面に、導通開口部８および励振部分保護開口部９を有する絶縁層７を形成する。この絶縁層７は、例えば、感光性ポリイミドを例えば１５μｍの厚さで塗布し、所定のパターンに従って上記導通開口部８および励振部分保護開口部９を有するように、露光し、現像することにより形成することができる。
【００５４】
次いで、工程３において、配線１１および外部端子１２を形成する。これら配線１１および外部端子１２は、例えば、リフトオフ用レジストパターンを形成し、例えば、Ａｕ（２００ｎｍ）／Ｐｄ（１００ｎｍ）／Ｔｉ（１００ｎｍ）の順に積層してなる金属膜を蒸着により形成し、上記レジストをリフトオフすることにより形成することができる。また、例えば、導通開口部８に導電性ペーストを充填、または充分な厚さで印刷後、焼成することにより配線１１および外部端子１２を形成してもよい。上記導電性ペーストには、例えば、樹脂系Ａｇペースト、はんだペースト、低温焼結可能なＳｎペースト、Ｚｎペーストが挙げられる。また、配線１１および外部端子１２を、金属を成膜した後、エッチングすることにより形成してもよい。上記の形成方法によれば、配線１１と外部端子１２とを同時に形成することができるので、製造工程の簡略化が可能である。また、導通開口部８に導電性ペーストを充填し焼結した後、この焼結した導電性ペーストに接続するように、蒸着、導電性ペーストの印刷等により配線１１および外部端子１２を形成してもよい。
【００５５】
次いで、工程４において、実装時の衝撃を緩和するために、保護金属膜６上に緩衝層１０を形成する。この緩衝層１０は、形成してもしなくてもよい。また、導電性樹脂を用いて緩衝層１０を形成した場合には、保護金属膜６を形成する必要はない。さらに、この工程において、補強基板を接合することによりＳＡＷフィルタの強度を向上させてもよい。最後に、所定の位置でダイシングすることによりＳＡＷフィルタ２１が完成する。なお、図１では、ＳＡＷ素子１６は、１つしか図示していないが、複数が形成されていてよい。
【００５６】
上記の方法によれば、上記ＩＤＴ２などの弾性表面波の励振部分は、保護膜５により保護することができる。さらに、上記ＩＤＴ２は、絶縁層７の励振部分保護開口部９からなる空間により保護することができる。そのため、実装等によるＳＡＷフィルタの特性の低下を防止することができる。また、上記ＳＡＷフィルタでは、ＩＤＴ２に対向する基板等のＳＡＷフィルタの厚さを増加させる要素を使用してＩＤＴ２などの弾性表面波の励振部分を保護する必要がなく、小型化、低背化、低コスト化が可能である。さらに、対向する基板等の貼り合わせ、該基板におけるエッチング等の工程が減少するため、時間を短縮して、ＳＡＷフィルタを容易に製造することができる。
【００５７】
また、上記導通開口部８は、露光条件を適正化することにより、順テーパー形状にすることが好ましい。これにより、上記導通開口部８における配線１１の形成がより容易となるため、ＳＡＷフィルタをより容易に製造することができる。
【００５８】
また、上記保護金属膜６を形成しなかった場合には、工程２以降において、ＬｉＴａＯ３の圧電基板１を研磨して薄くしてもよい。この研磨は、絶縁層７等を形成することによりＬｉＴａＯ３の圧電基板１を補強しているため行うことができる。これにより、ＳＡＷフィルタのさらなる低背化が可能となる。
【００５９】
また、上記各レジストパターンには、ネガ型レジストを使用することが好ましい。ネガ型のレジストを使用することにより、開口部におけるレジスト残りの懸念をなくすことができる。
【００６０】
また、上記絶縁層７において、ＳＡＷフィルタのダイシング部分にダイシング開口部を形成してもよい。このダイシング開口部により、ダイシングにおける位置合わせが容易となり、さらにダイシングにおける目詰まりを防止することができる。また、このダイシング開口部の幅は、ダイシングに使用する例えばダイシングブレードの幅と同等にすることが好ましい。これによりダイシング後の製品において、飛び出る部分が破損しにくくなる。
【００６１】
さらに、本実施の形態にかかる変形例の弾性表面波フィルタについて、図４ないし図８に基づいて説明する。
【００６２】
図４に、上記変形例の弾性表面波フィルタ１００の回路図を示す。上記弾性表面波フィルタ１００は、ＩＤＴ（振動部）を有する弾性表面波共振子１０１〜１０５をラダー型に備えている構成である。なお、弾性表面波共振子１０１〜１０３を直列共振子、弾性表面波共振子１０４・１０５を並列共振子としている。
【００６３】
以下、上記弾性表面波フィルタ１００について、図５ないし図８に基づいて説明する。
【００６４】
まず、図５に示すように、圧電基板１上に弾性表面波共振子１０１〜１０５、導通パッド（素子配線）１０６〜１０９、および引き回し配線（素子配線）１１０〜１１５を形成し、ＳＡＷ素子１１６を作製する。また、弾性表面波共振子１０１〜１０５を保護する保護膜（図示せず）を形成する。
【００６５】
次いで、図６に示すように、上記ＳＡＷ素子１１６上に、上記弾性表面波共振子１０１〜１０５が露出する励振部分保護開口部１１７〜１１９、および導通パッド１０６〜１０９が露出する導通開口部１２０〜１２３を有する絶縁層１２４が形成される。この絶縁層１２４は、上記圧電基板１を全て覆っていてもよい。
【００６６】
次いで、図７に示すように、上記絶縁層１２４上に、導通開口部１２０〜１２３を介して導通パッド１０６〜１０９に接続される外部端子接続部材（第一配線）１２５〜１２８、および外部端子接続部材１２５〜１２８に接続している外部端子１２９〜１３２を形成することにより、弾性表面波フィルタ１００が完成する。
【００６７】
なお、完成した弾性表面波フィルタ１００の図５ないし図７において示したＡ−Ａ’線における断面図を図８に示す。
【００６８】
上記弾性表面波フィルタ１００では、図８に示すように、励振部分保護開口部１１７・１１９により弾性表面波共振子のＩＤＴからなる励振部分が確保されている。また、保護膜１３３・１３４により弾性表面波共振子のＩＤＴが保護されている。また、上記励振部分保護開口部１１７・１１９をフタ材で覆うことにより導電性のパーティクルがＩＤＴに接触することを防止してもよい。これにより、弾性表面波フィルタの特性の劣化を防止することができる。
【００６９】
さらに、本実施の形態にかかる他の変形例の弾性表面波フィルタについて、図９ないし図１２に基づいて説明する。
【００７０】
図９に、本実施の形態にかかる弾性表面波フィルタ２００の回路図を示す。上記弾性表面波フィルタ２００は、ＩＤＴ（振動部）を有する弾性表面波共振子２０１〜２０５をラダー型に備えている構成である。なお、弾性表面波共振子２０１〜２０３を直列共振子、弾性表面波共振子２０４・２０５を並列共振子としている。
【００７１】
以下、上記弾性表面波フィルタ２００の製造方法について、図１０ないし図１２に基づいて説明する。
【００７２】
まず、図１０に示すように、圧電基板１上に弾性表面波共振子２０１〜２０５、引き回し配線（素子配線）２０６〜２１１を形成し、ＳＡＷ素子２１２を作製する。
【００７３】
次いで、図１１に示すように、ＳＡＷ素子２１２上に、弾性表面波共振子２０１〜２０５が露出する励振部分保護開口部２１３〜２１５および配線２０６〜２１１の端部が露出する導通開口部２１６〜２１９を有する絶縁層２２０を形成する。
【００７４】
次いで、図１２に示すように、上記絶縁層２２０上に、導通開口部２１６〜２１９を介して引き回し配線２０６・２０９・２１０・２１１に接続される外部端子接続部材（第一配線）２２１〜２２４、および外部端子接続部材２２１〜２２４に接続している外部端子２２５〜２２８を形成する。さらに、励振部分保護開口部２１３〜２１５に、保護膜を形成することにより、弾性表面波フィルタ２００が完成する。
【００７５】
上記各弾性表面波フィルタでは、圧電基板上において各ＩＤＴに素子配線を接続しているが、この素子配線の一部を省略することもできる。この場合、絶縁層に形成する導通開口部をＩＤＴのバスバーが露出するように形成すればよい。これにより、圧電基板上での引き回し配線や導通パッドを形成するスペースを省略することができ、ＳＡＷフィルタを小型化することができる。
【００７６】
〔実施の形態２〕
本発明の実施の他の形態について、図２および図３、ならびに図１３ないし図２４に基づいて説明すれば、以下の通りである。なお、説明の便宜上、前記の実施の形態１にて示した部材と同一の機能を有する部材には、同一の符号を付記し、その説明を省略する。
【００７７】
本実施の形態にかかるＳＡＷフィルタは、図２および図３に示すように、実施の形態１において、外部端子１２に接続するための配線１１を保護する配線保護層（第二の絶縁層）１３を備えているものである。そして、外部端子１２は、上記配線保護層１３に備えられている導通開口部（第二の導通開口部）１４を介して上記配線１１に接続されている。
【００７８】
以下、上記ＳＡＷフィルタの製造方法について、図２および図３に基づいてより詳細に説明する。
【００７９】
本実施の形態において、工程１〜工程２までは、実施の形態１と同様である。
【００８０】
続いて、工程３において、実施の形態１では配線１１と外部端子１２とを形成しているが、本実施の形態では配線１１のみを形成する。
【００８１】
続いて、工程４において、導通開口部１４および第二開口部を有する配線保護層１３を形成する。なお、この配線保護層１３は、励振部分保護開口部９の部分が第二開口部（第二励振部分保護開口部）となっている。この配線保護層１３は、絶縁層７を形成したのと同様の方法で形成することができる。例えば、上記配線保護層１３は、感光性ポリイミドを塗布し、所定のパターンに従って上記導通開口部１４を有し、励振部分保護開口部９の部分が第二開口部となるように、露光し、現像することにより形成することができる。
【００８２】
続いて、工程５において、上記導通開口部１４に外部端子１２を形成する。この外部端子１２は、実施の形態１で記載したのと同様の方法で形成すればよい。
【００８３】
続いて、工程６において、実施の形態１で記載した工程４と同様に、緩衝層１０等を形成し、所定の位置でダイシングすることによりＳＡＷフィルタ２２が完成する。
【００８４】
上記の方法により、配線１１上に配線保護層１３を形成しているので、ＳＡＷフィルタの実装時等に、外部端子１２が上記配線１１に接触してショート等の不具合を起こすことを防止することができるＳＡＷフィルタを製造することができる。
【００８５】
上記では配線保護層１３において、励振部分保護開口部９の部分が第二開口部となっているが、この第二開口部はあってもなくてもよい。上記開口部がない場合には、上記絶縁層７における励振部分保護開口部９が中空になり、ＩＤＴ２などの弾性表面波の励振部分を空間とすることにより、実装等によるＳＡＷフィルタの特性低下を防止することができる。また、上記励振部分保護開口部９をフタ材により覆ってもよい。
【００８６】
なお、上記外部端子１２における導通開口部１４に形成されている部分については、外部端子接続部材（第二配線）とみなすことができる。つまり、上記外部端子１２は、外部端子接続部材と外部端子とを一体に形成した構成となっている。また、外部端子接続部材と外部端子とを分離して、異なる方法で形成してもよい。
【００８７】
さらに、本実施の形態にかかる変形例の弾性表面波フィルタについて、図１３ないし図１８に基づいて説明する。
【００８８】
図１３に、上記変形例の弾性表面波フィルタ３００の回路図を示す。上記弾性表面波フィルタ３００は、ＩＤＴ（振動部）を有する弾性表面波共振子３０１〜３０５をラダー型に備えている構成である。なお、弾性表面波共振子３０１〜３０３を直列共振子、弾性表面波共振子３０４・３０５を並列共振子とし、インダクタ３０６・３０７を弾性表面波共振子３０４・３０５に直列に接続している構成である。
【００８９】
以下、上記弾性表面波フィルタ３００について、図１４ないし図１７に基づいて説明する。
【００９０】
まず、図１４に示すように、圧電基板１上に弾性表面波共振子３０１〜３０５、導通パッド（素子配線）３０８〜３１１、および引き回し配線（素子配線）３１２〜３１７を形成し、ＳＡＷ素子３１８を作製する。
【００９１】
次いで、図１５に示すように、上記ＳＡＷ素子３１８上に、上記弾性表面波共振子３０１〜３０５が露出する励振部分保護開口部３１８〜３２０、および導通パッド３０８〜３１１が露出する導通開口部３１８〜３２１を有する絶縁層３２２が形成される。この絶縁層３２２は、上記圧電基板１を全て覆っていてもよい。
【００９２】
次いで、図１６に示すように、上記絶縁層３２２上に、導通開口部３１８〜３２１を介して導通パッド３０８〜３１１に接続される配線（第一配線）３２３〜３２６を形成する。上記では配線３２５・３２６にインダクタＬを持たせているが、該配線にキャパシタンスＣを持たせることも可能である。配線３２５・３２６のインダクタＬは、上記インダクタ３０６・３０７に相当する。
【００９３】
さらに、図１７に示すように、上記絶縁層３２２上に、上記励振部分保護開口部３１８〜３２０を介して弾性表面波共振子３０１〜３０５が露出する第二励振部分保護開口部３２７〜３２９および配線３２３〜３２６の端部が露出する第二導通開口部３３０〜３３３を有する第二絶縁層３３４を形成する。そして、第二絶縁層３３４上に、第二導通開口部３３０〜３３３を介して配線３２３〜３２６に接続する外部端子３３５〜３３８を形成することにより、弾性表面波フィルタ３００が完成する。なお、上記外部端子３３５〜３３８における第二導通開口部３３０〜３３３に形成されている部分については、外部端子接続部材（第二配線）とみなすことができる。つまり、上記外部端子３３５〜３３８は、外部端子接続部材と外部端子とを一体に形成した構成となっている。また、外部端子接続部材と外部端子とを分離して、異なる方法で形成してもよい。
【００９４】
なお、完成した弾性表面波フィルタ３００の図１５ないし図１７において示したＡ−Ａ’線における断面図を図１８に示す。
【００９５】
上記弾性表面波フィルタ３００では、図１８に示すように、励振部分保護開口部３１８・３２０および第二励振部分保護開口部３２７・３２９により弾性表面波共振子３０４・３０５の振動空間が確保されている。
【００９６】
また、弾性表面波共振子のＩＤＴ上に保護膜を形成してＩＤＴを保護してもよい。さらに、上記第二励振部分保護開口部をフタ材で覆うことにより、ＩＤＴを保護することも可能である。
【００９７】
また、導通パッド３０８〜３１１を形成せず、引き回し配線３１２・３１５・３１６・３１７と配線３２３〜３２６とを接続してもよい。
【００９８】
さらに、本実施の形態にかかる他の変形例の弾性表面波フィルタについて、図１９ないし図２４に基づいて説明する。
【００９９】
図１９に、上記変形例の弾性表面波フィルタ４００の回路図を示す。上記弾性表面波フィルタ４００は、ＩＤＴ（振動部）を有する弾性表面波共振子４０１〜４０５をラダー型に備えている構成である。なお、弾性表面波共振子４０１〜４０３を直列共振子、弾性表面波共振子４０４・４０５を並列共振子とし、インダクタ４０６・４０７を弾性表面波共振子４０４・４０５に直列に接続している構成である。
【０１００】
以下、上記弾性表面波フィルタ４００について、図２０ないし図２４に基づいて説明する。
【０１０１】
まず、図２０に示すように、圧電基板１上に弾性表面波共振子４０１〜４０５、引き回し配線（素子配線）４０８〜４１５を形成し、ＳＡＷ素子４１６を作製する。
【０１０２】
次いで、図２１に示すように、上記ＳＡＷ素子４１６上に、上記弾性表面波共振子４０１〜４０５が露出する励振部分保護開口部４１７〜４１９、および配線４０８〜４１５が露出する導通開口部４２０〜４２７を有する絶縁層４２８が形成される。この絶縁層４２８は、上記圧電基板１を全て覆っていてもよい。
【０１０３】
次いで、図２２に示すように、上記絶縁層４２８上に、導通開口部４２０・４２３・４２４・４２７を介して引き回し配線４０８・４１１・４１２・４１５に接続する配線（第一配線）４２９〜４３２を形成する。また、引き回し配線４０９・４１３を接続する接続配線（第一配線）４３３、引き回し配線４１０・４１４を接続する接続配線（第一配線）４３４も形成する。上記では配線４３１・４３２にインダクタＬを持たせているが、配線にキャパシタンスＣを持たせることも可能である。配線４３１・４３２のインダクタＬは、上記インダクタ４０６・４０７に相当する。
【０１０４】
さらに、図２３に示すように、上記絶縁層４２８上に、上記励振部分保護開口部４１７〜４１９を介して弾性表面波共振子４０１〜４０５が露出する第二励振部分保護開口部４３５〜４３７および配線４２９〜４３２の端部が露出する第二導通開口部４３８〜４４１を有する第二絶縁層４４２を形成する。そして、第二絶縁層４４２上に、第二導通開口部４３８〜４４１を介して配線４２９・４３０・４３１・４３２に接続する外部端子４４３〜４４６を形成する。なお、上記外部端子４４３〜４４６における第二導通開口部４３８〜４４１に形成されている部分については、外部端子接続部材（第二配線）とみなすことができる。つまり、上記外部端子４４３〜４４６は、外部端子接続部材と外部端子とを一体に形成した構成となっている。また、外部端子接続部材と外部端子とを分離して、異なる方法で形成してもよい。
【０１０５】
さらに、上記第二励振部分保護開口部４３５〜４３７を覆うフタ材を、例えば熱圧着により形成する。これにより、弾性表面波フィルタ４００が完成する。なお、フタ材としては、例えば、感光性ポリイミド、ポリエチレンナフタレート、液晶ポリマー、ガラス、シリコン、アルミナからなる板状のものが好適である。このフタ材により、弾性表面波共振子のＩＤＴを保護することができる。また、例えば導電性のパーティクルがＩＤＴ等に接触し、ショートすることを防止することができる。つまり、ＳＡＷフィルタの特性劣化を防止することができる。
【０１０６】
なお、完成した弾性表面波フィルタ４００の図２０ないし図２３において示したＡ−Ａ’線における断面図を図２４に示す。
【０１０７】
上記弾性表面波フィルタ４００では、図２４に示すように、フタ材４４７により、ＩＤＴの励振空間（振動空間）が確保されるとともに、ＩＤＴが保護されている。
【０１０８】
上記弾性表面波フィルタでは、圧電基板１上において各ＩＤＴに素子配線を接続しているが、この素子配線を省略することもできる。この場合、絶縁層に形成する導通開口部をＩＤＴのバスバーが露出するように形成すればよい。これにより、圧電基板上での引き回し配線や導通パッドを形成するスペースを省略することができ、ＳＡＷフィルタを小型化することができる。
【０１０９】
実施の形態２では、圧電フィルタとして弾性表面波フィルタについて説明したが、圧電フィルタとしては圧電薄膜フィルタを挙げることができる。この圧電薄膜フィルタでは、圧電素子として、圧電薄膜素子を用いる。圧電薄膜素子は、開口部若しくは凹部を有するＳｉ基板と、該開口部若しくは凹部上に形成されている少なくとも１層以上の圧電薄膜（例えば、ＺｎＯやＡｌＮからなる）を有する薄膜部の上下面を少なくとも一対の上部電極および下部電極を対向させて挟む構造の圧電薄膜共振子（振動部）を少なくとも一つ有しているもの、または、Ｓｉ基板上に開口部や凹部を設けることなく、下部電極とＳｉ基板との間に空間を形成してなるものである。この圧電薄膜フィルタでは、圧電薄膜共振子の振動空間を、励振部分保護開口部により確保する構成となる。また、励振分保護開口部をフタ材で封止することにより、圧電薄膜共振子を保護することができる。なお、圧電フィルタでは、保護膜を形成しない。
【０１１０】
また、上記実施の形態２では、導通開口部、第二導通開口部の位置をずらして形成しているが、これら導通開口部、第二導通開口部の位置を一致させて形成してもよい。これにより、導通パッドや一部の配線をなくすことができ、圧電部品を小型化することができる。また、導通パッドや一部の配線をなくすることにより、寄生容量を低減することができる。
【０１１１】
さらに、弾性表面波素子には圧電基板を用いているが、この圧電基板に配線を設けた場合には、互いに電位の異なる配線が平面方向視で対向する箇所では、圧電基板の誘電率の高さに起因して寄生容量が発生し、挿入損失が発生する。しかしながら、本発明の弾性表面波フィルタでは、圧電基板上に形成する配線の数が少なくすることができるとともに、圧電基板よりも誘電率の低い材料からなる樹脂層あるいは接合基板上に必要な配線を形成することができる。したがって、互いに電位の異なる配線が平面方向視で対向する箇所においても、寄生容量の発生を抑制することができる。
【０１１２】
本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。
【０１１３】
【発明の効果】
本発明の圧電部品は、上記圧電素子における振動部を保護する保護層あるいは保護空間形成部材により保護している。これにより、実装等により圧電部品の特性が低下することを防止することができる。また、上記圧電部品では、振動部を保護するための、振動部に対向する基板等の圧電部品の厚さを増加させる要素が必要ないので、小型化、低背化、低コスト化が可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態１にかかる弾性表面波装置の製造工程を示す断面図である。
【図２】本発明の実施の形態２にかかる弾性表面波装置の製造工程を示す断面図である。
【図３】本発明の実施の形態２にかかる弾性表面波装置の製造工程を示す断面図である。
【図４】本発明の実施の形態１の変形例の弾性表面波装置における回路図である。
【図５】本発明の実施の形態１の変形例の弾性表面波装置における弾性表面波素子の平面図である。
【図６】図５の弾性表面波素子上に絶縁層を形成した後の平面図である。
【図７】図６の絶縁層上に、外部端子を形成した後の平面図である。
【図８】本発明の実施の形態１の変形例の弾性表面波装置の断面図である。
【図９】本発明の実施の形態１の他の変形例の弾性表面波装置における回路図である。
【図１０】本発明の実施の形態１の他の変形例の弾性表面波装置における弾性表面波素子の平面図である。
【図１１】図１０の弾性表面波素子上に絶縁層を形成した後の平面図である。
【図１２】図１１の絶縁層上に外部端子を形成した後の平面図である。
【図１３】本発明の実施の形態２の変形例の弾性表面波装置における回路図である。
【図１４】本発明の実施の形態２の変形例の弾性表面波装置における弾性表面波素子の平面図である。
【図１５】図１４の弾性表面波素子上に絶縁層を形成した後の平面図である。
【図１６】図１５の絶縁層上に配線を形成した後の平面図である。
【図１７】図１６の絶縁層上に第二絶縁層を形成し、外部端子を形成した後の平面図である。
【図１８】本発明の実施の形態２の変形例の弾性表面波装置の断面図である。
【図１９】本発明の実施の形態２の他の変形例の弾性表面波装置における回路図である。
【図２０】本発明の実施の形態２の他の変形例の弾性表面波装置における弾性表面波素子の平面図である。
【図２１】図２０の弾性表面波素子上に絶縁層を形成した後の平面図である。
【図２２】図２１の絶縁層上に、配線を形成した後の平面図である。
【図２３】図２２の絶縁層上に第二絶縁層を形成し、外部端子を形成した後の平面図である。
【図２４】本発明の実施の形態２の他の変形例の弾性表面波装置における回路図である。
【符号の説明】
１　　圧電基板
２　　ＩＤＴ
３　　導通パッド
４　　アライメントマーク
５　　保護膜
６　　保護金属膜
７　　絶縁層
８　　導通開口部
９　　励振部分保護開口部
１０　　緩衝層
１１　　配線
１２　　外部端子
１３　　配線保護層（第二の絶縁層）
１４　　導通開口部（第二の導通開口部）
１６　　ＳＡＷ素子
２１　　ＳＡＷフィルタ
２２　　ＳＡＷフィルタ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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