(57)【要約】【課題】スタック型フラッシュメモリ等で使用されるような薄型半導体装置の信頼性を向上し、歩留まりを向上する。【解決手段】粘着シート５上で半導体ウエハをダイシングした半導体チップ２（半導体装置）の各々を、超音波振動が印加された突き上げ治具１１で粘着シート５を介して裏面側から粘着シート５を突き破らないように押し上げ、ピックアップする。【選択図】  図３
2004186352.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
粘着シートが貼り付けられた半導体ウエハを個別の半導体チップにダイシングし、各々の半導体チップを吸着治具にて吸着保持し、前記粘着シートから採取するピックアップ工程を含む半導体装置の製造方法において、
前記ピックアップ工程では、前記粘着シートを介して前記半導体チップに超音波振動を印加することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
前記超音波振動は、前記粘着シートと前記半導体チップの接着面に交差する方向、または前記接着面に平行な方向に加振されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
前記半導体チップ、粘着シート、又は前記超音波振動を印加する治具の温度を計測し、その温度を制御する手段を設けたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
粘着シートの張力を計測し、粘着シートの張力を制御することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
粘着シートからの分離に失敗したチップに対し、再度同様の分離動作を行う機能を設け、再度分離できない場合は、再々度分離動作を行わないことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
前記半導体ウェハを上下反転した構成にすることで、チップの回路パターン面を下向きの供給することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
前記超音波振動を印加する当接治具を、超音波振動を印加させながら半導体チップの水平面内を移動させることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
複数の半導体チップを積層したスタックタイプの半導体装置において、
前記半導体チップとして、半導体チップの機能面の裏面に付された粘着シートを超音波の振動を印加することにより剥離させた半導体チップを用いることを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置の製造技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体ウエハを粘着シートに貼り付けた状態で半導体装置単位に切断し、該切断された半導体装置を粘着シートから剥がしてピックアップする従来技術として、特許文献１（従来技術２）、同文献記載の従来技術の例（従来技術１）及び特許文献２（従来技術３）が知られている。
【０００３】
従来技術１は、剥離すべき半導体装置（半導体チップ）を接着している粘着シートの裏面を針状ピン突き破り、半導体チップを押し上げることで、半導体チップ持ち上げることによって、半導体チップを粘着シートから剥離する技術である。この方式では直接半導体チップを押し上げることができるため、剥離が迅速かつ確実に行われるため多用されてきた。
【０００４】
また従来技術２は、粘着シートを棒状ピンで押し上げつつ超音波振動を加え、半導体チップと粘着シートの粘着力を弱め、半導体チップを粘着シートから剥離する技術である。超音波振動を加えることで剥離の時間を短縮できることを特徴とした技術ではある。
【０００５】
また従来技術３は剥離すべき半導体チップを突き上げニードルにより押し上げて、粘着テープを破って半導体チップを直接押し上げる点で、従来技術１と同様の技術であるが、突き上げニードルを複数使用し振動を加えることで剥離を容易にする技術である。
【０００６】
【特許文献１】特開平２−２３０７５４号公報
【特許文献２】特開平５−１０９８６９号公報
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
従来、剥離が迅速かつ確実に行われるため上記従来技術１が多用されてきた。
【０００８】
しかし、この従来技術１では剥離すべき半導体チップに接着されている粘着シートの裏面を針状ピン突き破って、半導体チップを押し上げているので、素子の非機能面（端子面の反対面）に針状突き上げピンの圧痕に起因する微細な傷が生じやすかった。
【０００９】
近年、薄形の半導体チップの積層型（スタックタイプ）をすることにより、半導体装置の高機能化を推進する動きがある。
【００１０】
特に、携帯電話等のモバイル端末で利用される大容量の記憶素子を多数積層しさらに中央演算素子とも積層するようなスタック型フラッシュメモリでは、半導体チップの厚みを１００μｍ以下にする必要が生じてきた。
【００１１】
このような１００μｍ以下の薄型半導体チップを搭載した半導体装置の製造に従来技術１を採用した場合、上記理由による不良が著しく発生した。本発明者らの実験によれば、従来技術１を量産条件で用いて剥離を行った場合、圧痕に起因する半導体チップ裏面の傷は深さ３０μｍに及ぶ場合があった。この程度の傷は従来の厚さ２００μｍ以上の半導体チップでは端子が形成された機能面までの絶縁層の厚みが大きいので問題にならないが、スタック型フラッシュメモリに使用されるような１００μｍ以下の薄型半導体チップに於いては機能面に非常に近い場所まで傷が及んでしまい、被搭載基板やリードフレームに搭載する際に必要な半導体チップの強度を確保できなかったり、割れたりしてしまっていた。
【００１２】
また、半導体装置（半導体パッケージ）の構造により、この問題が大きく異なることが知られていなかった。
【００１３】
パッケージ構造と半導体チップ厚さにより強度上許容できる半導体チップ裏面の傷の深さは異なる。フリップチップ実装（ＦＣ）の場合はユーザの回路基板に直接半導体チップを搭載するため、半導体チップが露出しており、半導体チップが外力を受けやすい。このような使用形態の半導体チップに於いては、半導体チップの厚さに比べて無視できない深さの圧痕や傷などの損傷があると半導体チップの機械的強度が低下し、このため半導体メーカーでの製造時や出荷からユーザの回路基板への搭載に至る工程での搬送や移載・実装に伴う歪みや外力、最終製品の使用中の温度変化や衝撃に伴う歪みや外力により容易に破壊に至る。
【００１４】
チップオンボード実装（ＣＯＢ）においては、ユーザの回路基板に半導体チップを回路実装後、半導体チップ全体を覆うようにレジンなどによりカバーされる。この場合、半導体チップに圧痕や傷などがあり機械的強度が低下していても、回路実装後の半導体チップはレジンモールドにより保護されるため、最終製品の使用状態での温度変化や衝撃による歪みや外力には軽減され、破壊の可能性は少なくなる。しかし、半導体チップはユーザの回路基板に実装されるまでは保護されておらず、半導体メーカーでの製造時や、出荷からユーザの回路基板への搭載に至る工程での、搬送や移載・実装に伴う歪みや外力により破壊の可能性は軽減されない。製造段階での破壊に関しては、最終製品に比較し工程管理が容易であるため、トレーなどへの移載時の衝撃低減や、梱包材の改良による搬送時の衝撃緩和、回路実装工程でのプロセス管理により有る程度危険性が低減可能であるが、管理上の問題を生じやすい。
【００１５】
モールドによるパッケージされた半導体の場合は、半導体メーカーから出荷される時点で既にレジンなどのモールド材で半導体チップが覆われているため、薄い半導体チップでも傷が問題になりにくい。この場合でも、当然ながら半導体チップをパッケージするまでの工程では傷により半導体チップが破損する可能性があるが、製造工程は一貫して半導体メーカーの管理下にあるためプロセスの管理を厳重にすることも容易である。このため、モールドによるパッケージされた半導体に於いては、同程度の傷を有する場合でも薄い半導体チップを用いることができる場合がある。
【００１６】
また、これらの実装形態の他に、最終製品の使用形態によっても従来技術で使用できる半導体チップの厚さの制限が変わる。例えば、一般的な産業用途などで用いる半導体に比べ、玩具では性能保証の温湿度範囲や、対衝撃性能、保証寿命などが軽く、強度・信頼性の要求が厳しくない。このため産業用の素子に比べ軽微な保護状態で使用しても問題を生じない場合がある。同様に、携帯電話やモバイル機器などの小形軽量を重視した電子情報機器の場合、軽量化のために信頼性上の要求を軽減している場合がある。
【００１７】
図１９にこのような従来技術により半導体チップの裏面に圧痕や傷を生じる可能性のあるプロセスで製造する場合の、各種実装形態と用途に応じた適用可能な半導体チップ厚さの限界値を示した。既に論じたように、ＦＣでは半導体チップの保護が軽微なため厚い半導体チップを使用する必要があり、モールドタイプではモールドによる保護の効果で薄い半導体チップを用いても破損や故障を生じにくい。ただし、従来の剥離技術を用いる場合は半導体チップ裏面に圧痕や、これに起因する傷を生じる可能性があり、一般的には１００μｍ以下の薄い半導体チップを用いることは困難である。製造工程を厳重に管理し、実装構造を改良しても、半導体チップ裏面に傷を生じる従来の剥離技術ではこの図に示した適用限界から大きく改良することは困難である。
【００１８】
この問題を避けるため、従来技術１を用いたチップの剥離方法として、針状の突き上げピンの上昇速度を低く抑えることで、剥離に要する力を軽減することも行なったが、剥離に要する時間が延びるため生産性が低下してしまった。
【００１９】
従来技術３は、従来技術１と同様に、剥離に際して針状の突き上げピンを用いるため、粘着シートは破られ、針状の突き上げピン先端は半導体チップの裏面に直接接触する。このため、針状の突き上げピンに振動を与えると剥離を容易せしめると同時に、半導体チップ裏面の圧痕の生成をも推進してしまい、従来の厚い半導体チップでは問題を生じなくても、薄い半導体チップを用いる場合は致命的な強度低下の問題を生じる可能性が大きかった。
【００２０】
従来技術２は半導体チップ裏面の粘着シートを先端が平坦な振動子に押し当て、剥離することが記載されている。
【００２１】
しかし、従来技術２で剥離の対象とした半導体チップは厚さが５７５μｍの厚いものに適用しており、５７５μｍの半導体チップに付された粘着シートの剥離に適用した場合、従来技術１に比べてメリットが小さいものであった。
【００２２】
また、他にも剥離技術は多数あるが、従来技術１や従来技術３のように、針状の突き上げピン先端で粘着シートを突き破る方法が実用上最も好ましい形態であるとされてきた。
【００２３】
また、上述したようなスタックタイプの半導体装置で使用されるような１００μｍ以下の厚さの半導体装置の粘着シートの剥離に、どのような方法が適しているのかは検討されていなかった。
【００２４】
本発明の目的は、不良の少ない半導体装置を高速に製造することにある。
【００２５】
【課題を解決するための手段】
本願には、上記課題を解決することができる発明が複数を含まれている。
【００２６】
その内、代表的なものは次の通りである。
【００２７】
一つは、粘着シートが貼り付けられた半導体ウエハを個別の半導体チップにダイシングし、各々の半導体チップを吸着治具にて吸着保持し、粘着シートから採取するピックアップ工程を含む半導体装置の製造方法において、粘着シートを介して半導体チップに超音波振動を印加するものである。
【００２８】
また、他には、半導体チップが縦に搭載されているスタック型の半導体装置であって、バックグラインド工程及びダイシング工程を経た半導体チップに付された粘着シートに対して、超音波振動により剥離した半導体チップを用いたものがある。
【００２９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を、図面を参照しながら詳細に説明する。図１は半導体装置の製造方法の全体工程の一例を示すフローチャート、図２  （ａ）〜（ｅ）は、一実施の形態である半導体装置の製造方法において、半導体ウエハを薄形加工し、半導体装置単位に切断するウエハ裏面研削工程およびダイシング工程の一例を工程順に例示した断面図である。
【００３０】
現在、半導体材料として最もよく使用されているのはシリコンであり、シリコンウエハの基になるインゴット状の単結晶シリコンを、外周研削、スライス、研磨し、シリコンウエハをつくる（ステップ１０１）。次にシリコンウエハにウエハプロセス等の通常の半導体製造方法によって、半導体回路がチップ単位で作り込む（ステップ１０２）。半導体回路が作り込まれた半導体ウエハ１は、ウエハを所定の厚さにするため、回路面側に研削用の粘着テープ４０を貼り、研削装置４１でウエハ裏面１ａを研削加工し、２００μｍ程度まで薄くする（図２（ａ））。研削加工によって荒くなり、反ったウエハ裏面１ａを、ケミカルエッチング装置４２やポリッシング装置などで、所定の厚さに仕上げる（図２（ｂ）、ステップ１０３）。
【００３１】
薄形化した半導体ウエハ１は、ダイシング用の粘着シート５に半導体回路パターンが上面になるように貼り付ける。この粘着シート５は例えばＰＶＣ（ポリ塩化ビニール）、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）等の伸縮性を有する樹脂のシート基材４と、このシート基材片面の粘着剤層３からなる。この粘着剤層３は、紫外線（ＵＶ）の照射により硬化して粘着力が低下する性質のものなどがある。半導体ウエハが貼り付けられた粘着シート５は、フレーム７に外周部を弛みのないように引き伸ばされて接着固定されている（図２（ｃ））。
【００３２】
フレーム７に固定した粘着シート５上に貼り付けられた半導体ウエハ１は、ダイシング工程において、ダイシングソー４３と呼ばれるダイヤモンド微粒を貼り付けた極薄の円形刃を用い、半導体ウエハ１を半導体装置２（半導体チップ）の周囲四辺にある約１００μｍほどの切り代（スクライブ線）に沿って、縦、横にダイシングし、半導体チップ毎に切断する（図２（ｄ）、ステップ１０４）。
【００３３】
切断した半導体チップ２の粘着シート５の裏側よりＵＶを照射して、粘着シート５の粘着剤層３を硬化して粘着力を低下させ、半導体チップ２が粘着シート５より分離しやすいようにする（図２（ｅ））。次に顕微鏡などで外観検査を行い、欠けや傷などをチェックし、不良チップは除去もしくはマーキングする。
【００３４】
ダイシング工程の後、以下に例示する本発明の各実施の形態のチップ分離及びピックアップを設けたボンディング装置により、リードフレーム等の被搭載基板にボンディングする（ステップ１０５）。被搭載基板との接合方法は、たとえばボンディング前にあらかじめ被搭載基板に銀ペーストなどの接着樹脂を塗布し、この上にチップを軽く押し付け接合する方法、もしくはチップの裏面に金薄膜を形成したチップを銀メッキした被搭載基板に、高温で金とシリコンの共晶をつくり接合する方法がある。
【００３５】
次に、半導体チップの外部電極パッドと実装した基板側のリード電極を、金ワイヤ等で結線するワイヤーボンディングを行う（ステップ１０６）。その他の方式として、チップの外部電極パッド上に、あらかじめはんだバンプや金バンプを形成し、このバンプとリード電極とを位置あわせし、熱によるはんだリフローや、加圧した状態で超音波振動を加え接合するフリップチップボンディング、チップの外部電極パッド上、もしくはテープフィルム上にバンプを形成し、加圧加熱し接合するＴＡＢ方式等がある。
【００３６】
さらに半導体チップ、金ワイヤおよびその接合部を電気的、機械的に外部環境から保護する目的で樹脂封止する（ステップ１０７）。
【００３７】
さらにリードフレームなどの場合、リード先端を切断後、ローラでリードを曲げ成型し、完成となる（ステップ１０８）。
【００３８】
さらに出荷前の良品選別工程を経て（ステップ１０９）、良品の半導体装置のみを出荷する（ステップ１１０）。
上記実装方法の他に、ダイシング工程の後、以下に例示する本発明の各実施の形態のチップ分離及びピックアップを設けたボンディング装置により、チップをチップ形状より一回り大きいくぼみが格子状に配列されたチップ搭載容器（トレイ）や粘着力の弱いフィルム上に搭載し、出荷する場合もある。
【００３９】
図３は、本実施の形態１である半導体装置の製造方法にて用いられる、チップ分離装置の構成の一例を示した断面図、図４（ａ）および（ｂ）は、本実施の形態１のチップ分離装置における突き上げ動作の一例を工程順に例示した断面図、図５は、本実施の形態１のチップ分離装置における突き上げ時の粘着剤層の状態の一例を例示した拡大断面図である。
【００４０】
本実施の形態１のチップ分離装置は、ダイシング工程を経た半導体チップ２が貼り付けられた粘着シート５およびフレーム７を支持し、水平方向の移動、位置決め動作を行うピックアップステージ８と、このピックアップステージ８の下方に位置し、粘着シート５裏面を吸着する吸着ステージ１５と、この吸着ステージ中央の突き上げ穴１３を昇降可能に配置され、粘着シート５および半導体チップ２を突き上げる突き上げ治具１１と、この突き上げ治具１１の下方には、突き上げ治具１１に超音波振動を発生させる圧電素子１８を内蔵した超音波振動子１７と、ピックアップステージ８の上方には、分離した半導体チップ２を吸着保持し、基板等に実装する吸着コレット１６を備えている。
【００４１】
図４（ａ）に例示したように、分離対象の半導体チップ２は、吸着ステージ１５でシート裏面を真空吸引し、シート５を保持した状態で突き上げ治具１１を上昇し、突き上げ治具１１の先端で粘着シート５を介して半導体チップ２を押し上げる。このとき粘着シート５が引き伸ばされ、張力が発生させる。突き上げ治具１１の押し上げ量は、吸着ステージ１５上面を基準に０〜０．５ｍｍ程度とし、粘着シート５を破ることのない押し上げ量とする。ただし突き上げ治具の押し上げ量は、使用する粘着シート５、半導体チップ２のサイズに応じて変化するものであり、前記押し上げ量以外に限定されるものではない。
【００４２】
突き上げ治具１１を所定量上昇した後、突き上げ治具１１先端が周波数１０〜１００ｋＨｚ、振幅５〜１００μｍになるような、チップ２に対し垂直方向の超音波の振動を与え、粘着シート５を介して半導体チップ２に超音波の振動を与えることにより、粘着シート５より半導体チップ２を分離する。よって、超音波の周波数および振幅は、周波数２０〜８０ｋＨｚ、振幅２０〜８０μｍが実用的な数値である。
【００４３】
ここで本発明者らの実験によれば、図２１に例示されるように、周波数および振幅が大きいと、分離所要時間は短いが突き上げ治具１１の超音波振動による熱も高くなり、粘着シートを溶かす。逆に周波数および振幅が小さいと、粘着シートは溶けないが、分離所要時間が長くなり、実用的ではない。
突き上げ治具１１で粘着シート５を介して半導体チップ２を押し上げたとき、粘着シート５の基材４に張力が発生するとともに、シート基材４と半導体チップ２の境界面にある粘着剤層３も拡張され、半導体チップ２外周の粘着剤層３ａが最も拡張される（図５）。この状態で、突き上げ治具１１を高速で垂直方向に振動させると、粘着剤層３が高速で伸縮を繰り返し、粘着剤層３に疲労破壊が生じ、破壊が進行し、半導体チップ２と接着剤層３が分離する。
【００４４】
また、突き上げ治具１１に超音波を与えることで、突き上げ治具１１が数十度に加熱するが、加熱した突き上げ治具１１先端を分離する半導体チップの貼り付けられた粘着シート５に押しつけることにより、粘着シート５が膨張、収縮し、半導体チップ２が剥がれやすくなる。
【００４５】
図４（ｂ）に例示したように、半導体チップ２のピックアップに際し、分離した半導体チップ２は、吸着コレット１６をあらかじめ分離する半導体チップ２の直上部の所定の高さに移動、下降、位置決めし、真空吸引ＯＮした状態の吸着コレット１６によって、半導体チップ２を吸着保持し、基板等に実装する。
【００４６】
なお、吸着コレット１６の高さは、突き上げ治具１１によって半導体チップ２を突き上げた状態における半導体チップ２上面に接触することなく、近接する高さ、たとえば半導体チップ上面より０〜０．１ｍｍ程度まで下降する。
【００４７】
このように超音波振動を付加したチップ分離装置を用いることにより、粘着シートを破ることなく、半導体チップの裏面に傷のない薄形の半導体装置を得ることができる。
【００４８】
フレーム７に固定した粘着シート５上に貼り付けられた半導体チップ２は、ピックアップステージ８に固定される。ピックアップステージ８は、２軸水平移動機構（図示しない）に支持され、分離する半導体チップ２が、突き上げ治具１１の直上部にくるように、移動可能となっている。
【００４９】
また、単一の突き上げ治具１１で半導体チップ２を押し上げる際、図３および図４で例示されるように、一般に半導体チップ２の中央を突き上げ治具１１先端で押し上げるが、先に述べたチップの分離原理から、半導体チップ２の角近傍を突き上げ治具１１で突き上げるように、ピックアップステージを移動、位置決めしてもよい。
【００５０】
粘着シート５の裏面に対向する吸着ステージ１５の上面には、真空ポンプ（図示しない）など外部の吸引機構に連通する複数の吸引溝１４および穴２４が施されており、吸引溝１４および穴２４の周辺部で粘着シート５の吸着保持および吸着解除動作が可能となっている。
【００５１】
吸着ステージの吸引溝１４および穴２４の内側には、突き上げ治具１１が昇降可能な突き上げ穴１３が開口している。突き上げ穴１３の大きさ、形状は、突き上げ治具１１の先端の口径寸法、形状、分離する半導体チップ２のサイズに応じて変化するが、チップサイズを基準とした場合、たとえば正方形の半導体チップ２を分離する場合、突き上げ穴１３にチップが落ちないように、半導体チップ２の対角長以下の円穴とし、長方形の半導体チップ２を分離する場合、チップサイズより一回り小さい長穴が望ましい。
【００５２】
突き上げ穴１３の外側に施された吸引溝１４および吸引穴２４は、分離対象以外の半導体チップ２の貼り付いた粘着シート５を、たとえば突き上げ治具１１でシートを押し上げた時に真空が漏れない、または粘着シートを吸着時にチップに割れ、亀裂など大きな付加がかからないような形状、配置とする。また、突き上げ穴１３の外側に、無数の吸引穴を施した粘着シート５の吸着方法でもよい。
【００５３】
図６は、本実施の形態１のチップ分離装置の突き上げ治具先端形状の一例を示した断面図、図７は、本実施の形態１のチップ分離装置の突き上げ治具先端の大きさの一例を示した図である。
【００５４】
突き上げ治具１１を取り付けた超音波振動子１７は、上下移動機構部２１に支持されている。また吸着ステージ１５とは独立した構造になっており、突き上げ治具１１および超音波振動子１７を昇降動作することにより、突き上げ穴１３上の半導体チップ２の粘着シート裏面５を突き上げる動作が可能となっている。また超音波振動子１７には振動を発生させる圧電素子１８を内蔵され、その圧電素子１８に超音波発振器（図示しない）が接続されており、発振器のＯＮ／ＯＦＦ動作で突き上げ治具１１が超音波振動する。突き上げ治具１１と超音波振動子１７の取り付けは、たとえばねじで固定される構造になっており、分離するチップの大きさ、粘着シート特性に応じて、治具先端の形、大きさ、超音波振動の振幅条件等を変える場合、突き上げ治具１１を容易に交換ができる構造となっている。
【００５５】
粘着シート５裏面に接する突き上げ治具１１先端の形状は、０．５ｍｍ角程度の微小な半導体チップの場合、粘着シートを破ることのないように、先端を球面（図６（ａ））とする。球面のＲ寸法および治具形状は、分離するチップサイズ、粘着シートの特性等に応じて変化させてもよい。
【００５６】
大面積の半導体チップ、たとえば１ｍｍ角以上のチップの場合、超音波の振動及び超音波振動による粘着シートの内部摩擦熱による加熱を半導体チップが貼り付いている粘着面全体に、効率よく、短時間に伝わるようにチップ形状と同様の平形とする（図６（ｂ））。この先端のエッジ部１１ａで粘着シートが破る可能性があるので、エッジ部１１ａはＣ面取り（図６（ｃ））またはＲ面取り（図６（ｄ））を施すとよい。また球面でもよい。面取り寸法および治具形状は、分離するチップサイズ、粘着シートの特性等に応じて変化させてもよい。また突き上げ治具の口径寸法は、四角形の場合、図５で例示したチップの分離原理より、チップ外周の接着剤層が拡張され、チップ外周に超音波振動が伝わるように、半導体チップのチップサイズＷ１より一回り小さい四角形Ｗ２がよい（図７（ａ））。また円形の場合は、四角形と同様の考え方から、チップ対角長Ｗ３より一回り小さい直径Ｗ４がよい（図７（ｂ））。
【００５７】
本実施の形態１の場合、単一の突き上げ治具１１の昇降動作による超音波振動を付加したチップの分離が行われるので、たとえば、突き上げ治具１１の形状、口径寸法等を半導体チップ２のサイズに応じて変化させるだけで、比較的大きいサイズの半導体チップ２から一辺が数ｍｍ以下の微小な半導体チップ２まで、あらゆる半導体チップ２のピックアップに適用でき、チップ裏面に傷のないあらゆるサイズの半導体チップ２からなる半導体装置を得ることができる。また、本実施例では単一の突き上げ治具で分離していたが、大きいサイズの半導体チップ、あるいは長方形の半導体チップ等の場合、複数の突き上げ治具を用いて、半導体チップ２を分離するチップ分離装置でもよい。
【００５８】
半導体チップ２を貼り付ける粘着シート５には多くの種類があり、用途の応じて選定される。図３及び図４で例示した本発明の実施の形態１のチップ分離装置に適した粘着シート５、すなわちシート基材４はチップサイズによって異なる。
【００５９】
本発明者らの実験によれば、０．５ｍｍ角以下程度の微小チップは、伸びやすい基材、たとえばＰＯ（ポリオレフィン）等が安定して分離することができる。これはシート基材が伸びにくい材料、たとえばＰＥＴおよびＰＶＣ等は、硬質プラスチックなので振動を伝えやすく、超音波の影響が広くなるため、隣接チップも一緒に分離する。逆に基材がＰＯの場合はエラストマであり、振動を伝えにくいので、隣接チップに影響を与えにくい。また１ｍｍ角以上の大面積チップの場合、伸びにくいシート基材の方が安定して分離することができる。先に述べたように、シート基材が伸びにくい材料、たとえばＰＥＴおよびＰＶＣ等は振動を伝えやすく、また大面積チップの場合は粘着面積が大きいので、隣接チップも一緒に分離することはない。
【００６０】
さらに粘着シートがたるんでいると分離しにくい、伸びやすい粘着シートもシートにテンションをかけると分離しやすくなるので、図２で例示したチップ分離装置のピックアップステージに、粘着シート５を均一に引き伸ばすエキスパンド機構（図示しない）を設けてもよい。
【００６１】
このように、チップサイズに合った粘着シートのシート基材を選定することで、分離ミスのないチップ分離装置を得ることができる。
【００６２】
図８（ａ）（ｂ）は、吸着コレットの先端形状の一例を示した断面図、図９に吸着コレットの吸着穴の配列の一例を示した断面図である。
【００６３】
図３に例示したチップ分離装置の吸着コレット１６は、２軸移動機構部２２、２３に支持され、フレーム７に支持された粘着シート５に貼り付けられた半導体チップ２の直上部への移動および位置決め、吸着保持した半導体チップ２の外部への搬送動作等が可能となっている。
【００６４】
吸着コレット１６は、真空ポンプ（図示しない）などの外部の吸引機構に連通する吸着穴１６ａが開口しており、分離した半導体チップ２の吸着保持および保持解除動作が可能となっている。
【００６５】
半導体チップ２を吸着保持する吸着コレット１６の形状は、図８に例示したように、一般的に半導体チップの上面に接触させ真空吸着する平型コレット（図８（ａ））、あるいは半導体チップの上面（回路パターン面）にコレットを接触させたくない場合、チップの外周で位置決めし吸着する角錐型コレット（図８（ｂ））などがあるが、分離する半導体チップなどによって選定する。
【００６６】
半導体チップ２を吸着コレット１６で吸着保持する際、チップ上面に接し吸着する吸着穴１６ａが大きい場合、穴の部分でチップが反り、最悪の場合、チップを破壊する可能性がある。吸着コレット１６のチップ２に接する吸着穴１６ａの直径は、チップ吸着時にチップが変形しない直径、たとえば穴径ｄを０．２ｍｍ程度とする。０．５ｍｍ角程度の微小チップの場合、図１３（ａ）に例示したように、吸着穴は１個でよい。また１ｍｍ角以上の大面積チップを吸着する場合は、図１４に例示したように、チップに接する吸着穴の直径ｄは、先に述べたように０．２ｍｍ程度とし、またチップ面積に適した吸着穴の数とし、格子状（図９（ａ））、千鳥状（図９（ｂ））もしくはランダムな配列で吸着穴を設けるとよい。
【００６７】
また、半導体チップの吸着する吸着コレットの先端寸法Ｄは、分離するチップのサイズと同等程度のサイズとする。
【００６８】
吸着コレット１６のチップに接触する先端の材質は、耐摩耗性の樹脂材料、たとえばベスペル材、または耐静電性の樹脂材料、たとえばアセタールコポリマー、またはクッション性のあるゴム材、あるいは金属材料などがあるが、これらは分離する半導体チップ２、分離条件などによって選定する。
【００６９】
図１０に本実施の形態１におけるチップ分離装置の各部の連携動作の一例を示すタイミングチャートを示す。
【００７０】
図１０において、グラフ４１は吸着コレットの吸引タイミング、グラフ４２はコレットの高さ位置、グラフ４３はチップ上面位置、グラフ４４は突き上げ治具の位置、グラフ４５は超音波印加タイミングである。
【００７１】
突き上げ治具に超音波振動を印加するタイミングや印加時間Ｔは、図１０のグラフに例示されるように、一例として、たとえば０．０５秒〜５秒程度である。発明者らの実験によれば、分離するチップの大きさ別でみると、０．５ｍｍ角以下程度の微小な半導体チップの場合、粘着面積が小さいので印加する時間も短く、０．１秒程度で十分分離可能である。また１ｍｍ角以上の大面積の半導体チップの場合、粘着面積が大きいので０．１秒〜２秒程度で分離し、チップ面積が大きいほど印加時間も長くなる。印加開始のタイミングとしては、グラフ４５及び４５ａのように、突き上げ治具の突き上げ前または突き上げ後に印加が開始されるように設定することができる。
【００７２】
図２０は、半導体チップ２のサイズ毎の超音波の印加時間と突き上げ治具の押し上げ量の実験結果を示したグラフである。この実験結果の数値は、使用する粘着シート５の特性、突き上げ治具１１の先端の口径寸法、形状等に応じて変化する。
【００７３】
また図１０に例示していないが、分離する半導体チップ２および粘着シート５を、突き上げ治具１１を上昇し、吸着コレットを下降することで挟み込んで、突き上げ治具１１と吸着コレット１６の上昇動作を同期させながら、突き上げ治具１１に超音波振動を印加する動作シーケンスで、半導体チップ２を分離してもよい。
【００７４】
このような超音波振動を付加したチップ分離装置を用いることにより、粘着シートを破ることなく、半導体チップの裏面に傷のない薄形の半導体装置を得ることができる。
【００７５】
以上、実施例１の実施形態に基づき具体的に説明したが、本発明の実施例１は上記実施形態に限定されるものではなく、その主旨を逸脱しない範囲で変更できる。
【００７６】
図１１に本実施の形態１のチップ分離装置において、チップ分離不良対策手段の形態１を例示した断面図である。
【００７７】
本実施の形態１のチップ分離装置を用いて、半導体チップ２を分離する際、突き上げ治具１１に超音波振動を加えたときに生じる発熱温度を計測し、その温度を制御する手段を設けてもよい。
【００７８】
図１１に例示されるチップ分離装置は、本実施の形態１のチップ分離装置の動作手順で半導体チップ２を分離する。分離対象の半導体チップ２は、吸着ステージ１５でシート裏面を真空吸引し、粘着シート５を保持した状態で突き上げ治具１１を上昇し、粘着シート５を介して半導体チップ２を押し上げる。押し上げた後、突き上げ治具１１に超音波振動を加える。
【００７９】
このとき、超音波振動によって発生する突き上げ治具１１の先端温度を測定する手段３１、分離する半導体チップ２の温度を測定する手段３２、分離するチップが貼り付いている部分の粘着シート５の温度を測定する手段３３を設け、超音波印加時の各部の温度を計測する。半導体チップ２に許容限度以上の熱を加えることにより、半導体チップ２の回路が破壊される。また、粘着シート５に必要以上の熱を加えると、粘着シート５が融け、その融けた粘着シート５、もしくは粘着剤層３が半導体チップ２裏面に付着する可能性がある。また、粘着シート５が融けることで、半導体チップ２裏面が剥き出しになり、突き上げ治具１１が半導体チップ２裏面と接触することで、半導体チップ２裏面に傷をつける。これらのチップ分離不良の対策に際し、突き上げ治具１１先端、分離する半導体チップ２、粘着シート５の温度を、直接的もしくは間接的に計測し、制御装置３０に集約した計測値から、前記各部に所定以上の温度が生じないように、超音波の印加時間、突き上げ治具１１の押し上げ量等を、自動または手動で調整する機能を設置する。必要であれば、突き上げ治具先端に放熱手段を設けたり、冷却ファンなどを設置して、発熱を軽減してもよい。
このように、超音波振動を与えることによって生じる発熱温度を計測し、その温度を制御する機能を設けることにより、剥離不良のない薄形の半導体装置を得ることができる。
【００８０】
図１２に、本実施の形態１のチップ分離装置において、チップ分離不良対策手段の形態２例示した断面図である。
【００８１】
本実施の形態１のチップ分離装置を用いて、半導体チップ２を分離する際、突き上げ治具１１で粘着シート５を介して半導体チップ２を押し上げ、超音波振動を加えたときに生じる粘着シート５の張力を計測し、粘着シートの張力を制御する手段を設けてもよい。
【００８２】
図１２に例示されるチップ分離装置は、本実施の形態１のチップ分離装置の動作手順で半導体チップ２を分離する。分離対象の半導体チップ２は、吸着ステージ１５でシート裏面を真空吸引し、粘着シート５を吸着保持した状態で突き上げ治具１１を上昇し、粘着シート５を介して半導体チップ２を押し上げる。押し上げた後、突き上げ治具１１に超音波振動を加える。このとき、突き上げ治具１１の押し上げおよび超音波振動の振幅によって粘着シート５に張力が生じ、半導体チップ２が撓む。突き上げ治具１１の突き上げ量および超音波振動の振幅が大きいと、半導体チップ２の撓みも大きくなり、最悪の場合、半導体チップ２に亀裂、割れが生じる。また粘着シート５を吸着保持する吸着ステージ１５の吸着圧力１５ａの強弱によっても、半導体チップ２の撓み方が変化する。また突き上げ治具１１で半導体チップ２を押し上げる位置によっても、半導体チップ２の撓み方が変化する。これらのチップ分離不良の対策に際し、分離対象の半導体チップ２周辺の粘着シート５の張力を計測する手段３４を設けて、シート張力を計測し、制御装置３０に集約した計測値から、粘着シート５に所定以上の張力が生じないように、突き上げ治具１１の突き上げ量、吸着ステージの吸着圧力１５ａ、もしくは半導体チップ２と突き上げ治具１１の位置を自動もしくは手動で調整する機能を設置する。
【００８３】
このように突き上げ治具１１の突き上げ、および超音波振動を加えたときに生じる粘着シート５の張力を計測し、その張力を制御する機能を設けることにより、剥離不良のない薄形の半導体装置を得ることができる。
【００８４】
図１３は、実施の形態１のチップ分離装置の突き上げ動作にリトライ手段を設けた一例を示したフローチャートである。
【００８５】
本実施の形態１のチップ分離装置で半導体チップ２を分離、ピックアップする際、１回目の分離動作で、粘着シート５からのチップ分離に失敗した半導体チップ２に対して、再度同様の分離動作を行う機能（リトライ機能）を設ける。さらに、再度分離できない場合は、再々度分離動作を行わない動作シーケンスとする。
【００８６】
図１３に例示されるように、まずピックアップステージ８を移動し、分離対象の半導体チップ２を突き上げ治具１１の直上部へ移動させる（ステップ５１）。分離対象の半導体チップ２は、吸着ステージ１５でシート裏面を真空吸引する（ステップ５２）。吸着コレット１６の真空吸引を動作させ（ステップ５３）、吸着コレット１６を下降する（ステップ５４）。粘着シート５を吸着保持した状態で、突き上げ治具１１を上昇し（ステップ５５）、粘着シート５を介して半導体チップ２を押し上げる。押し上げた後、突き上げピン１１に超音波振動を加え（ステップ５６、ステップ５７）、半導体チップ２にシート５を介して超音波の振動が与えることにより、シートより半導体チップ２が分離し、吸着コレット１６によって吸着保持し、吸着コレット１６を上昇させる（ステップ５８）。チップ分離の可否は、吸着コレット１６の吸着圧力もしくは吸着流量を計測する機能、または吸着コレット１６の吸着穴にセンサを設け、チップの有無を判断する機能等を設けて判定する（ステップ５９）。吸着コレット１６に半導体チップ２が吸着されていない場合、カウンタ等によりリトライ回数をカウントする（ステップ６０）。粘着シート５より分離できなかった半導体チップ２に対して、再度同様の分離動作を行う。再度分離動作を行い、それでも半導体チップ２を分離できない場合、分離できなかった半導体チップ２に対して、再々度の分離動作は行わず、吸着コレットおよび吸着ステージの真空を解除し（ステップ６１、ステップ６２）、他の半導体チップ２を分離する。
【００８７】
ここで再度（２回目）の分離動作で分離できなかった半導体チップ２は、たとえば粘着剤層の粘着力が低下していない、またはダイシング工程における切断不良等の原因により、分離できないチップは特異な状態になっており、再度リトライしても分離できない可能性が高い。また分離動作を複数回繰り返すことにより、繰り返した回数だけ、半導体チップ２や粘着シート５に超音波振動を与えることで、半導体チップ２にダメージを与える機会も増える。よって１チップに対し、３回以上の分離動作を行わない方が望ましい。
【００８８】
このように分離できない半導体チップに対し、再度分離動作を行うリトライ回数を制限することにより、分離によるダメージのない薄形の半導体装置を得ることができる。
【００８９】
図１４に本実施の形態２の半導体装置の製造方法にて用いられるチップ分離装置を示した断面図である。
【００９０】
本実施の形態１のチップ分離装置では、超音波の振動方向及び振幅方向は、半導体チップ２に対し垂直方向だったが、図１４に例示されるように半導体チップ２に対し、水平方向の超音波振動を加える装置構成でもよい。振動方向を水平方向にした場合も、チップ分離動作自体は、上述した実施の形態１の場合と同様の動作手順である。
【００９１】
分離対象の半導体チップ２は、吸着ステージ１５で粘着シート５裏面を真空吸引し、粘着シート５を保持した状態で突き上げ治具１２を上昇し、シート５を介して半導体チップ２を押し上げる。押し上げた後、突き上げ治具１２に周波数２０〜８０ｋＨｚ、振幅２０〜８０μｍの水平方向の超音波振動を加え、半導体チップ２に粘着シート５を介して、超音波の振動が与えることにより、粘着シート５より半導体チップ２を分離することができる。このとき、図５で例示したように、突き上げ治具１２で粘着シート５を介して半導体チップ２を押し上げたとき、粘着シート５のシート基材４に張力が発生するとともに、基材４、チップ２の境界面にある粘着剤層３を拡張し、半導体チップ２外周の粘着剤層３ａが最も拡張される。この状態で突き上げ治具１２を高速で水平方向に振動させると、粘着剤層３が高速で伸縮を繰り返し、粘着剤層３に疲労破壊が生じ、破壊が進行し、半導体チップ２と粘着剤層３が分離する。また、突き上げ治具１２に超音波振動を与えることで、突き上げ治具１２が数十度に加熱するが、加熱した突き上げ治具１２先端を、分離する半導体チップ２の貼り付けられた粘着シート５に押しつけることにより、粘着シート５が膨張、収縮し、半導体チップ２が剥がれやすくなる。さらに、粘着シート５裏面を高速で擦ることでの摩擦熱の発生により、粘着シート５が膨張、収縮することで、半導体チップ２が剥がれやすくなる。
【００９２】
また上記以外でも、突き上げ治具および超音波発振子の取付け角度を変えて、振動方向に角度をつける振動方法でも同様の効果が得られる。また垂直方向および水平方向の振動が複合された２次元の振動方向でも同様の効果が得られる。
【００９３】
図１５に本実施の形態３の半導体装置の製造方法にて用いられるチップ分離装置を示した断面図である。
【００９４】
本実施の形態１のチップ分離装置では、圧電素子１８を内蔵した超音波発振子１７に突き上げ治具１１を取り付け、分離する半導体チップ２のサイズに応じて、口径寸法、形状を変えられるように、あるいは超音波振動の周波数および振幅を変えられるように、突き上げ治具１１を使用していたが、突き上げ治具１１を介さずに圧電素子１８単体で、半導体チップ２を分離する装置でもよい。
【００９５】
本実施の形態３のチップ分離装置は、本実施の形態１と同様の動作手順でチップを分離する。分離対象の半導体チップ２は、吸着ステージ１５でシート裏面を真空吸引し、粘着シート５を保持した状態で、圧電素子１８を上昇し、圧電素子１８先端で粘着シート５を介して半導体チップ２を押し上げる。押し上げた後、圧電素子１８に電流に流し、半導体チップ２に粘着シート５を介して、超音波の振動が与えることにより、粘着シート５より半導体チップ２が分離される。ここで圧電素子先端が周波数２０〜８０ｋＨｚ、振幅２０〜８０μｍの振動が生じる圧電素子を選定する。
【００９６】
図１６に本実施の形態４の半導体装置の製造方法にて用いられるチップ分離装置を示した断面図である。
【００９７】
本実施の形態１のチップ分離装置では、粘着シート５に貼り付けられた半導体チップ２をシート裏より突き上げ治具１１を上昇し分離したが、構成する装置全体を上下反転した装置構成で、半導体チップ２を分離してもよい。
【００９８】
本実施の形態４のチップ分離装置は、ダイシング工程を経た半導体チップ２が貼り付けられた粘着シート５およびフレーム７を支持し、水平方向の移動、位置決め動作を行うピックアップステージ８と、このピックアップステージ８の上方に位置し、粘着シート５裏面を吸着する吸着ステージ１５と、この吸着ステージ中央の突き上げ穴１３を昇降可能に配置され、粘着シート５および半導体チップ２を突き上げる突き上げ治具１１と、この突き上げ治具１１の下方には、突き上げ治具１１に超音波振動を発生させる圧電素子１８を内蔵した超音波振動子１７と、ピックアップステージ８の下方には、分離した半導体チップ２を吸着保持し、次工程に搬送、実装する吸着コレット１６を備えている。
【００９９】
まず、フレーム７に固定した粘着シート５上に貼り付けられた半導体チップ２を、半導体チップ２の回路パターン面が下向きになるように、ピックアップステージ８に固定する。分離対象の半導体チップ２は、吸着ステージ１５でシート裏面を真空吸引し、シート５を保持した状態で突き上げ治具１１を下降し、突き上げ治具１１の先端で粘着シート５を介して半導体チップ２を押し下げる。突き上げ治具１１を所定量下降した後、突き上げ治具１１先端が、半導体チップ２に対し、周波数２０〜８０ｋＨｚ、振幅２０〜８０μｍの超音波振動を加え、粘着シート５を介して半導体チップ２に超音波の振動を与えることにより、粘着シート５より半導体チップ２を分離することができる。半導体チップ２のピックアップに際し、分離した半導体チップ２は、吸着コレット１６をあらかじめ分離する半導体チップ２の直下部の所定の高さに移動、上昇、位置決めし、真空吸引ＯＮした状態の吸着コレット１６によって、半導体チップ２を回路パターン面を吸着保持する。次に図示しない別の吸着コレットにより、チップ裏面を吸着保持し、チップ整列容器（トレイ）に実装する、またはチップの回路パターン面を下向きになるように被実装基板等に実装する。
【０１００】
また、半導体チップ２の下方に３次元に移動できる機構を設けたチップ整列容器を設置し、容器をチップ近接する高さまで上昇し、超音波振動で分離したチップを回路パターン面が下向きの状態で直接、容器に搭載するチップ分離装置でもよい。
【０１０１】
このように上下反転した装置構成にすることにより、半導体チップの回路パターン面を下向きに供給することが可能な薄形の半導体装置を得ることができる。
【０１０２】
図１７に本実施の形態５の半導体装置の製造方法にて用いられるチップ分離装置を示した断面図、図１８に本実施の形態５での突き上げ治具の移動軌跡の一例を示した図である。
【０１０３】
本実施の形態１のチップ分離装置では、突き上げ治具１１を所定量上昇後、突き上げ治具１１に超音波振動を所定時間加え、振動が終了後、突き上げ治具１１を初期位置に下降する１軸だけの昇降動作であったが、突き上げ治具１１を上昇し、突き上げ治具１１に超音波振動を加えた状態で、突き上げ治具１１を半導体チップ２の水平面内に移動する機構を設けてもよい。
【０１０４】
本実施の形態５のチップ分離装置は、図１７に例示されるように、分離対象の半導体チップ２を、吸着ステージ１５でシート裏面を真空吸引し、粘着シート５を吸着保持した状態で、突き上げ治具１１を上昇し、粘着シート５を介して半導体チップ２を押し上げる。押し上げた後、突き上げ治具１１に、周波数２０〜８０ｋＨｚ、振幅２０〜８０μｍの超音波振動を加える。ここで、超音波振動を印加した突き上げ治具１１を、２軸移動機構２５によって、半導体チップ２の水平面内で移動させ、チップを分離する。突き上げ治具１１先端の移動軌跡は、図１８に例示されるように、たとえば半導体チップ２の対角に直線移動（図１８（ａ））、半導体チップ２の中心直線移動（図１８（ｂ））、半導体チップ２の外周および四隅近傍を円移動（図１８（ｃ））もしくは半導体チップ２の水平面内を不規則に移動させる。
【０１０５】
このように、超音波振動を印加した突き上げ治具１１を、半導体チップ２の水平面内を移動することにより、半導体チップ２の大小に関係なく、突き上げ治具１１を変えずに容易に半導体チップ２を分離することができる。
【０１０６】
以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき、具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
【０１０７】
【発明の効果】
本発明によれば、半導体装置の信頼性を向上し、歩留まりを向上することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の半導体装置の製造方法の全体工程の一例を示すフローチャート
【図２】（ａ）〜（ｅ）は、本発明の一実施の形態である半導体装置の製造方法における半導体ウエハ裏面研削工程およびダイシング工程の一例を工程順に例示した断面図
【図３】本実施の形態１である半導体装置の製造方法にて用いられるチップ分離装置の構成の一例を示した断面図
【図４】（ａ）および（ｂ）は、本実施の形態１のチップ分離装置における突き上げ動作の一例を工程順に例示した断面図
【図５】本実施の形態１のチップ分離装置における突き上げ時の粘着剤層の状態の一例を例示した拡大断面図
【図６】本実施の形態１のチップ分離装置の突き上げ治具先端形状の一例を示した断面図
【図７】本実施の形態１のチップ分離装置の突き上げ治具先端の大きさの一例を示した図
【図８】（ａ）および（ｂ）は、吸着コレットの先端形状の一例を示した断面図
【図９】吸着コレットの吸着穴の配列の一例を示した断面図
【図１０】本実施の形態１におけるチップ分離装置の各部の連携動作の一例を示すタイミングチャート
【図１１】本実施の形態１のチップ分離装置において、チップ分離不良対策手段の形態１を例示した断面図
【図１２】本実施の形態１のチップ分離装置において、チップ分離不良対策手段の形態２例示した断面図
【図１３】実施の形態１のチップ分離装置の突き上げ動作にリトライ手段を設けた一例を示したフローチャート
【図１４】本実施の形態２の半導体装置の製造方法にて用いられるチップ分離装置を示した断面図
【図１５】本実施の形態３の半導体装置の製造方法にて用いられるチップ分離装置を示した断面図
【図１６】本実施の形態４の半導体装置の製造方法にて用いられるチップ分離装置を示した断面図
【図１７】本実施の形態５の半導体装置の製造方法にて用いられるチップ分離装置を示した断面図
【図１８】図１８に本実施の形態５での突き上げ治具の移動軌跡の一例を示した図
【図１９】半導体チップの裏面に圧痕や傷を生じる可能性のあるプロセスで製造する場合の各種実装形態と用途に応じた適用可能な半導体チップ厚さの限界値
【図２０】半導体チップのサイズ毎の超音波の印加時間と突き上げ治具の押し上げ量の関係の一例を示した図
【図２１】超音波振動の周波数と振幅の関係の一例を示した図
【符号の説明】
１  …  半導体ウエハ、２  …  半導体チップ（半導体装置）、３  …  粘着剤層
４  …  シート基材、５  …  粘着シート、７  …  フレーム、８  …  ピックアップステージ、１１  …突き上げ治具、１２  …突き上げ治具、１３  …  突き上げ穴、１４  …  吸引穴、１５  …  吸着ステージ、１６  …  吸着コレット、１７…  超音波振動子、１８…  圧電素子、２１  …  上下移動機構部、２２  …  移動機構部、２３…  移動機構部、２４…  吸引穴、２５  …  ２軸移動機構、３０  …  制御装置、４０…  粘着テープ、４１…  研削装置、４２  …  ケミカルエッチング装置、４３…  ダイシングソー
【図１】
2004186352.tif 000003
【図２】
2004186352.tif 000004
【図３】
2004186352.tif 000005
【図４】
2004186352.tif 000006
【図５】
2004186352.tif 000007
【図６】
2004186352.tif 000008
【図７】
2004186352.tif 000009
【図８】
2004186352.tif 000010
【図９】
2004186352.tif 000011
【図１０】
2004186352.tif 000012
【図１１】
2004186352.tif 000013
【図１２】
2004186352.tif 000014
【図１３】
2004186352.tif 000015
【図１４】
2004186352.tif 000016
【図１５】
2004186352.tif 000017
【図１６】
2004186352.tif 000018
【図１７】
2004186352.tif 000019
【図１８】
2004186352.tif 000020
【図１９】
2004186352.tif 000021
【図２０】
2004186352.tif 000022
【図２１】
2004186352.tif 000023