(57)【要約】      （修正有）【課題】自動車用各種電子回路基板は、エンジンルーム更にはオンエンジンと移行し取付け制約を抑制して特に熱ストレス・耐振性に対し接続信頼性の優れた厚膜多層配線基板を提供する。【解決手段】セラミック絶縁基板上にＡｇ系導体３，６，厚膜抵抗体９，絶縁層７から成る厚膜多層配線基板において、チップ電子部品１２との接続部の導体膜厚を厚くする構造にて熱影響による接続強度低下を抑制可能とする。一つに、絶縁層に貫通穴を形成しその中に表層導体を形成する。また、クサビ導体５を絶縁層の貫通穴より大きく形成し端部を絶縁層で覆う構造とすることにより導体と絶縁層の接する面積を大きくし接続強度の確保が可能になる。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
セラミック絶縁基板上にＡｇ系導体，厚膜抵抗体及び絶縁層から成る厚膜多層配線基板上に、チップ電子部品及び半導体パッケージ（ＭＣＭ等を含む）を搭載した厚膜多層配線基板において、搭載する電子部品等と厚膜多層配線基板の接続部厚膜導体の厚さを１０μｍから２５μｍであることを特徴とする厚膜多層配線基板。
【請求項２】
厚膜多層配線基板の最上層絶縁層の貫通穴中に導体を形成し該導体を表層導体として用いる構造を特徴とする請求項第１項に記載の厚膜多層配線基板。
【請求項３】
表層の接続導体の直下にクサビ導体を形成しそのクサビ導体の端部を絶縁層で覆う構造を特徴とする請求項第１項に記載の厚膜多層配線基板。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、セラミック絶縁基板上にＡｇ系導体，厚膜抵抗体，絶縁層から成る厚膜多層配線基板上に、チップ電子部品等を搭載した厚膜多層配線基板において、電子部品と厚膜多層配線基板の接続部の構造に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
特開２０００−２８６５３９号公報，実開平５−６９９７７号公報には、最上層の絶縁層の上に表層導体（Ａｇ系）にて接続パッドを形成する構造が示されている。
【０００３】
【特許文献１】
特開２０００−２８６５３９号公報
【特許文献２】
実開平５−６９９７７号公報
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
上記した従来技術は、表層導体（Ａｇ系）の膜厚を厚くするには限界があり、はんだリフロー及び製品の熱影響によるはんだ接続部のＳｎ等の拡散により脆い金属間化合物が形成するためチップ電子部品等の接続強度を低下させ接続信頼性の確保が難しい構造であった。
【０００５】
本発明の目的は、金属間化合物形成による接続強度低下を抑制した接続信頼性に優れた厚膜多層配線基板を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上記の課題を解決するために、チップ電子部品等の接続表層導体の膜厚を厚くする構造及びクサビ構造とすることにより金属間化合物の影響による接続強度低下を抑制する。また、表層導体の膜厚を確保すると同時にクサビ構造とする。
【０００７】
一つに、接続表層導体直下の絶縁層（１層）に貫通穴を形成し表層導体を埋め込むことにより導体の膜厚を確保する。また、表層導体直下に絶縁層貫通穴より大きいクサビ導体を形成しその端部を絶縁層で覆う構造を形成し接続信頼性を確保する。
【０００８】
【発明の実施の形態】
関係する技術例として今回発明者らは、以下のことを検討した。図３（ａ）
（ｂ）（ｃ）に示す様に最上層の絶縁層７ｆの上に上層導体（Ａｇ系）６にて接続パッドを形成する構造となっており、上層導体（Ａｇ系）６の膜厚は１０数μｍが限界である。また、この種に関連するものには特許文献に示されている。
【０００９】
以下、実施例を図により説明する。
【００１０】
図１は厚膜多層配線基板の一例（４層構造）を示す断面図である。
【００１１】
厚膜多層配線基板１は、セラミック絶縁基板２上に内層導体（Ａｇ系）３ａを印刷・焼成しその上に絶縁層７ａ，７ｂ及びコンタクト導体４を印刷・焼成し形成する。
【００１２】
同様に内層導体（Ａｇ系）３ｂ，絶縁層７ｃ，７ｄ及びコンタクト導体４を形成する。
【００１３】
同様に内層導体（Ａｇ系）３ｃ，内層抵抗体９，絶縁層７ｅ，７ｆ，コンタクト導体４，クサビ導体５、及びを形成する。更にその上に上層導体（Ａｇ系）６及びオーバーコートガラス８を形成した多層厚膜配線基板の部品搭載部にはんだペーストを印刷しチップ電子部品１２，ＭＣＭ（マルチ  チップ  モジュール）１１，ボンディングパッド１３等を搭載しはんだリフロー・接続ワイヤー１４にて電気的接続する構造の厚膜多層配線基板である。
【００１４】
この構造によれば、チップ電子部品等の接続部に特徴を有し、一実施例を図２，図３で説明すると、図２（ａ）は、ＭＣＭ１１部のはんだと厚膜多層配線基板１の接続部構造を示す。この図は、厚膜多層配線基板の内層との接続が無い構造部である。図２（ｂ）は、ＭＣＭ１１部のはんだと厚膜多層配線基板１の接続部構造で、厚膜多層配線基板の内層との接続が有る構造を示す。また、図２（ｃ）はチップ電子部品１２と厚膜多層配線基板１の接続部構造を示す。
【００１５】
図３（ａ）（ｂ）（ｃ）は上記図２（ａ）（ｂ）（ｃ）で示した従来構造を示す。
【００１６】
本実施例の特徴は、図２で示す最上層の絶縁層７ｆに貫通穴を設けその中に上層導体６を埋め込み形成するもので、上層導体６の膜厚を厚くできることにある。
【００１７】
ここで、接続部の導体膜厚を厚くする必要性について図４で説明すると、はんだリフロー及び製品に加わる熱により上層導体６中にはんだのＳｎが拡散し金属間化合物１５が形成される。この金属間化合物は脆い物で熱により成長し、熱や振動のストレスにより上層導体６と絶縁層７ｆ間にクラック１６が発生し接続強度が低下してしまう。その抑制方法の一手段として膜厚を厚くする必要がある。はんだリフロー１回で約３μｍのＳｎの拡散があり１５０℃の高温放置試験では１０００時間で約８μｍの拡散が確認できている。従って、従来技術での上層導体形成では１０数μｍが限界であり熱影響により拡散が進むと導体の殆どが金属間化合物で占められ接続強度が著しく低下する。
【００１８】
また、図２及び図５に示すクサビ導体５を絶縁層の貫通穴より大きく形成し端部を絶縁層で覆う構造とすることにより導体と絶縁層の接する面積を大きくし更なる接続強度の確保が可能になる。
【００１９】
以上の構造により、厚膜多層配線基板とチップ電子部品の接続部の熱による金属間化合物形成に対応できる接続信頼性の優れた厚膜多層配線基板が提供できる。
【００２０】
【発明の効果】
本発明によれば、金属間化合物形成による接続強度低下を抑制した接続信頼性に優れた厚膜多層配線基板を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】一実施例の断面図である。
【図２】（ａ）〜（ｃ）は一実施例の局部断面図である。
【図３】（ａ）〜（ｃ）は局部断面図である。
【図４】金属間化合物成長を示す図である。
【図５】金属間化合物成長を示す図である。
【符号の説明】
１…厚膜多層配線基板、２…セラミック絶縁基板、３ａ〜ｃ…内層導体（Ａｇ系）、４…コンタクト導体（Ａｇ系）、５…クサビ導体（Ａｇ系）、６…上層導体（Ａｇ系）、７ａ〜ｆ…絶縁層、８…オーバーコートガラス、９…内層抵抗体、１０…はんだ、１１…ＭＣＭ（マルチ  チップ  モジュール）、１２…チップ電子部品、１５…Ｓｎ拡散層（金属間化合物）、１６…クラック。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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