(57)【要約】【課題】大幅に基板の厚みを厚くすることなく、導通やショートの発生を防止することができる金属基板及び多層基板を得ることを目的とする。【解決手段】基板２を覆っているレジスト液４の上面に水分浸透防止膜５を被覆するように構成した。即ち、レジスト液４の上面にシルク印刷を施して水分浸透防止膜５を被覆するように構成した。これにより、大幅に基板２の厚みを厚くすることなく、また、金属基板の製造工程を大幅に変更したり、金属基板が搭載される各種装置の機能に制約を与えることなく、導通やショートの発生を防止することができる効果を奏する。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属材料を用いて構成された基材と、この基材の上面に積層され、絶縁材料を用いて構成された基板と、この基板の上面に形成され、レジスト液に覆われているパターンとを備えた金属基板において、上記レジスト液の上面に水分浸透防止膜が被覆されていることを特徴とする金属基板。
【請求項２】
レジスト液の上面に水分浸透防止膜として、レジスト液の上面にシルク印刷を施していることを特徴とする請求項１記載の金属基板。
【請求項３】
絶縁材料を用いて構成された基板と、この基板の上面に形成され、レジスト液に覆われているパターンとから基板層が形成され、その基板層が複数積層されている多層基板において、最上位の基板層におけるレジスト液の上面に水分浸透防止膜が被覆されていることを特徴とする多層基板。
【請求項４】
レジスト液の上面に水分浸透防止膜として、レジスト液の上面にシルク印刷を施していることを特徴とする請求項３記載の多層基板。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、金属腐食対策が施されている金属基板及び多層基板に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来の金属基板は、例えば、鉄などの金属材料を用いて構成された基材の上面に、例えば、ガラスエポキシなどの絶縁材料を用いて構成された基板が積層され、その基板の上面には、銅パターンが形成されている。なお、基板と銅パターンの上面にはレジスト液が塗布されている。
ただし、従来の金属基板の場合、湿度環境下において、レジスト液の表面に水分が付着すると、その水分がレジスト液を透過して銅パターンに到達する。水分が銅パターンに到達すると、銅パターンを構成する銅がイオン化して溶け出し、そのイオン化した水分が基板を構成するガラスフィラメントの隙間に拡散する。
その結果、イオン化した水分は、金属材料を用いて構成された基材に到達し、導通やショートが発生することがある。
【０００３】
なお、導通やショートの発生を防止するため、表面を銀粉とジルコニウム粉の複合粒子で被覆したセラミック粉を含む導電ペーストに関する発明が以下の特許文献１に開示されているが、このような導電ペーストを従来の金属基板に適用する場合、基板の厚みや構造などを変更する必要が生じる。基板の厚みや構造などを変更する場合、金属基板の製造工程を大幅に変更したり、金属基板が搭載される各種装置の機能に制約を与えてしまうことがある。
【０００４】
【特許文献１】
特開平７−２８８０２９号公報（段落番号［００１１］から［００１６］、図１）
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
従来の金属基板は以上のように構成されているので、レジスト液の表面に水分が付着すると、その水分がレジスト液を透過して銅パターンに到達して、銅パターンを構成する銅がイオン化して溶け出し、そのイオン化した水分が基板を構成するガラスフィラメントの隙間に拡散する。その結果、イオン化した水分が金属材料を用いて構成された基材に到達し、導通やショートが発生することがあるなどの課題があった。
【０００６】
この発明は上記のような課題を解決するためになされたもので、大幅に基板の厚みを厚くすることなく、また、金属基板の製造工程を大幅に変更したり、金属基板が搭載される各種装置の機能に制約を与えることなく、導通やショートの発生を防止することができる金属基板及び多層基板を得ることを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
この発明に係る金属基板は、基板を覆っているレジスト液の上面に水分浸透防止膜を被覆するようにしたものである。
【０００８】
【発明の実施の形態】
以下、この発明の実施の一形態を説明する。
実施の形態１．
図１はこの発明の実施の形態１による金属基板を示す断面図であり、図において、基材１は例えば鉄などの金属材料を用いて構成され、基板２は例えばガラスエポキシなどの絶縁材料を用いて構成され、基材１の上面に積層されている。銅パターン３は基板２の上面に形成され、基板２と銅パターン３にはレジスト液４が塗布されている。水分浸透防止膜５はレジスト液４の上面を被覆している。
【０００９】
次に動作について説明する。
図２に示すように、レジスト液４の上面が水分浸透防止膜５により被覆されていない金属基板の場合、上述したように、湿度環境下において、レジスト液４の表面に水分６が付着すると、その水分６が矢印Ａに示すようにレジスト液４を透過して銅パターン３に到達する。
水分６が銅パターン３に到達すると、銅パターン３を構成する銅がイオン化して溶け出し、そのイオン化した水分が矢印Ｂに示すように基板２を構成するガラスフィラメントの隙間に拡散する。
その結果、イオン化した水分が金属材料を用いて構成された基材１に到達すると、導通やショートが発生することがある。
【００１０】
しかし、この実施の形態１の金属基板は、レジスト液４の上面にシルク印刷を施すことにより、レジスト液４の上面に水分浸透防止膜５を被覆しているので、湿度環境下において、レジスト液４の表面に水分６が付着しても、図３に示すように、その水分６がレジスト液４を透過して銅パターン３に到達することはない。したがって、導通やショートの発生を防止することができる。
【００１１】
以上で明らかなように、この実施の形態１によれば、基板２を覆っているレジスト液４の上面に水分浸透防止膜５を被覆するように構成したので、導通やショートの発生を防止することができる効果を奏する。
なお、この実施の形態１によれば、レジスト液４の上面に水分浸透防止膜５としてシルク印刷を施すようにしているので、大幅に基板２の厚みを厚くすることなく、導通やショートの発生を防止することができる効果を奏する。
【００１２】
なお、この実施の形態１では、レジスト液４の上面に水分浸透防止膜５としてシルク印刷を施しているが、疎水性や撥水性を有する材料を用いてレジスト液４の上面を被覆するようにしてもよい。
【００１３】
実施の形態２．
図４はこの発明の実施の形態２による多層基板を示す断面図であり、図において、図１と同一符号は同一または相当部分を示すので説明を省略する。
図４の多層基板では、水分浸透防止膜５が最上位の基板層である第１層の基板層におけるレジスト液４の上面に被覆されている。
【００１４】
多層基板の場合でも、金属基板と同様に、第１層の基板層におけるレジスト液４の上面が水分浸透防止膜５により被覆されていない場合、レジスト液４の表面に水分６が付着すると、その水分６がレジスト液４を透過して銅パターン３に到達する。
水分６が銅パターン３に到達すると、銅パターン３を構成する銅がイオン化して溶け出し、そのイオン化した水分が基板２を構成するガラスフィラメントの隙間に拡散する。
その結果、イオン化した水分が第２層の基板層の導パターン３に到達すると、導通やショートが発生することがある。
【００１５】
しかし、この実施の形態２の多層基板は、第１層の基板層におけるレジスト液４の上面にシルク印刷を施して水分浸透防止膜５としているので、湿度環境下において、レジスト液４の表面に水分６が付着しても、その水分６がレジスト液４を透過して銅パターン３に到達することはない。したがって、導通やショートの発生を防止することができる。
なお、この実施の形態２では、レジスト液４の上面にシルク印刷を施して水分浸透防止膜５としているものについて示したが、疎水性や撥水性を有する材料を用いてレジスト液４の上面を被覆するようにしてもよい。
【００１６】
【発明の効果】
以上のように、この発明によれば、基板を覆っているレジスト液の上面に水分浸透防止膜を被覆するように構成したので、大幅に基板の厚みを厚くすることなく、導通やショートの発生を防止することができる効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の実施の形態１による金属基板を示す断面図である。
【図２】水分浸透防止膜が被覆されていない場合の水分の浸透を示す説明図である。
【図３】水分浸透防止膜が被覆されている場合の水分浸透の防止を示す説明図である。
【図４】この発明の実施の形態２による多層基板を示す断面図である。
【符号の説明】
１  基材、２  基板、３  銅パターン、４  レジスト液、５  水分浸透防止膜、６  水分。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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