(57)【要約】 【課題】  従来、駆動手段は、電荷等値化またはリセット動作、次いでアドレス動作、次いで維持動作を生成するために適応する。【解決方法】  本発明は、準安定空間電荷生成段階Ｐ１と、少なくともアドレッシングのための役割を果たす電極Ｅ１、Ｅ２間で弱い放電を伴うモードにおいてシステムが動作する間の加速電荷生成終了段階Ｐ２との２つの段階にリセット動作を分割することに関する。この分割により、リセット動作を短縮化することができ、パネルの輝度性能および／またはプラズマパネルの製造歩留まりを改善することができる。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
メモリ効果をもつＡＣプラズマであって、２つの基板であってそれらの間に放電気体を含む空間を開けた２つの基板と、２つの基板の間の空間において光放電領域が規定される交点において少なくともアドレッシングのための役割を果たす交差する電極（Ｅ２、Ｅ１）とから構成される、ＡＣプラズマ；並びに
前記放電領域をリセットするかまたは電荷を等値化することを意図された動作を実行するために適切である電圧信号を前記電極に加えるために適切である駆動手段；
から構成される表示装置であって、
前記駆動手段は、放電領域の群をリセットする特定動作の間に、
パネルの各々の放電領域が前記領域を少なくともアドレッシングし且つ交差するための役割を果たす電極の間において外部マトリクス点弧閾値電圧（ＶＥＴ＿Ｅ２Ｅ１）を有する場合、並びにＭｉｎ［ＶＥＴ＿Ｅ２Ｅ１］およびＭａｘ［ＶＥＴ＿Ｅ２Ｅ１］それぞれが前記群の領域のマトリクス点弧電圧（ＶＥＴ＿Ｅ２Ｅ１）の最小値および最大値である場合、
ＶＥ２Ｅ１がＭｉｎ［ＶＥＴ＿Ｅ２Ｅ１］とＭａｘ［ＶＥＴ＿Ｅ２Ｅ１］との間にある瞬時の間にＶＥ２Ｅ１の増加の最大勾配より大きい勾配である動作勾配の終わりと呼ばれるものにより、前記リセット動作の間にＶＥ２Ｅ１が値１．１ｘＭａｘ［ＶＥＴ＿Ｅ２Ｅ１］より大きくなるとすぐ、この群の前記領域を少なくとも交差し且つアドレッシングするための役割を果たす電極の間に加えられる電位差ＶＥ２Ｅ１が増加する、
ようにデザインされていることを特徴とする表示装置。
【請求項２】
請求項１に記載の表示装置であって、少なくともアドレッシングのための役割を果たす電極の間の電位差を増加させるための前記動作勾配の終わりは５Ｖ／μｓより大きい、ことを特徴とする表示装置。
【請求項３】
請求項２に記載の表示装置であって、少なくともアドレッシングのための役割を果たす電極の間の電位差を増加させるための前記動作勾配の終わりは１０Ｖ／μｓより大きい、ことを特徴とする表示装置。
【請求項４】
請求項１に記載の表示装置であって、前記各々の特定のリセット動作の間に、少なくともアドレッシングのための役割を果たす電極の間に加えられる前記電位差（ＶＥ２Ｅ１）は、Ｍｉｎ［ＶＥＴ＿Ｅ２Ｅ１］＜ＶＥ２Ｅ１＜Ｍａｘ［ＶＥＴ＿Ｅ２Ｅ１］のとき一様且つ厳密に増加する、ことを特徴とする表示装置。
【請求項５】
メモリ効果をもつＡＣプラズマであって、２つの基板であってそれらの間に放電気体を含む空間を開けた２つの基板と、２つの基板の間の空間において光放電領域が規定される交点において少なくともアドレッシングのための役割を果たす交差する電極（Ｅ２、Ｅ１）と、少なくとも２つの電極（ＥＡ２、ＥＡ１）のアレイであって少なくとも維持のための役割を果たし且つこれらのアレイの各々の電極（ＥＳ２、ＥＳ１）の１つが各々の放電領域を横切るように備えられた少なくとも２つの電極（ＥＳ２、ＥＳ１）のアレイと、から構成される、ＡＣプラズマ；並びに
前記放電領域をリセットするかまたは電荷を等値化することを意図されたリセット動作を実行するために適切である電圧信号を前記電極（ＥＡ２、ＥＡ１、ＥＳ２、ＥＳ１）に加えるために適切である駆動手段；
から構成される表示装置であって、
前記駆動手段は、放電領域の群をリセットする特定動作の間に、
パネルの各々の放電領域が前記領域を少なくともアドレッシングし且つ交差する役割を果たす電極（ＥＡ２、ＥＡ１）の間において外部マトリクス点弧閾値電圧（ＶＥＴ＿ＥＡ２ＥＡ１）を有する場合、Ｍｉｎ［ＶＥＴ＿ＥＡ２ＥＡ１］およびＭａｘ［ＶＥＴ＿ＥＡ２ＥＡ１］それぞれが前記群の領域のマトリクス点弧電圧の最小値および最大値である場合、パネルの各々の放電領域が前記領域を横切り且つ少なくとも維持のための役割を果たす電極（ＥＳ２、ＥＳ１）の間において外部コプレーナ点弧閾値電圧を有する場合、並びに、Ｍｉｎ［ＶＥＴ＿ＥＳ２ＥＳ１］およびＭａｘ［ＶＥＴ＿ＥＳ２ＥＳ１］それぞれは前記群の領域のコプレーナ点弧電圧（ＶＥＴ＿ＥＳ２ＥＳ１）の最小値および最大値である場合、
少なくともこの群の前記領域を横切り且つ維持するための役割を果たす電極（ＥＳ２、ＥＳ１）の間に加えられる電位差ＶＥＳ２ＥＳ１が値Ｍａｘ［ＶＥＴ＿ＥＳ２ＥＳ１］より大きくならず且つ少なくとも維持の役割を果たすこれらの電極（ＥＳ２、ＥＳ１）の間に加えられる電位差ＶＥＳ２ＥＳ１が値Ｍａｘ［ＶＥＴ＿ＥＳ２ＥＳ１］より大きくなるとすぐ動作勾配の終わりと呼ばれるものにより増加する一方、少なくともこの群の前記領域を交差し且つアドレッシングするための役割を果たす電極（ＥＡ２、ＥＡ１）の間に加えられる電位差ＶＥＡ２ＥＡ１は値Ｍｉｎ［ＶＥＴ＿ＥＡ２ＥＡ１］より大きくならないかまたは、
ＶＥＳ２ＥＳ１がＭｉｎ［ＶＥＴ＿ＥＳ２ＥＳ１］とＭａｘ［ＶＥＴ＿ＥＳ２ＥＳ１］との間にある瞬時の間にＶＥＡ２ＥＡ１の増加についての最大勾配より大きい勾配である正の動作勾配の終わりと呼ばれるものにより、前記領域を少なくとも横切り且つ維持する役割を果たす電極（ＥＳ２、ＥＳ１）の間に加えられる電位差ＶＥＳ２ＥＳ１が値Ｍａｘ［ＶＥＴ＿ＥＳ２ＥＳ１］より大きくなるとすぐ、この群の前記領域を少なくとも交差し且つアドレッシングする役割を果たす電極（ＥＡ２、ＥＡ１）の間に加えられる電位差ＶＥＳ２ＥＳ１は増加するかどちらかである、
ようにデザインされていることを特徴とする表示装置。
【請求項６】
請求項５に記載の表示装置であって、少なくともアドレッシングのための役割を果たす電極の間の電位差を増加させるための前記動作勾配の終わりは５Ｖ／μｓより大きい、ことを特徴とする表示装置。
【請求項７】
請求項６に記載の表示装置であって、少なくともアドレッシングのための役割を果たす電極の間の電位差を増加させるための前記動作勾配の終わりは１０Ｖ／μｓより大きい、ことを特徴とする表示装置。
【請求項８】
請求項５に記載の表示装置であって、ＶＥＳ２ＥＳ１がＭｉｎ［ＶＥＴ＿ＥＳ２ＥＳ１］とＭａｘ［ＶＥＴ＿ＥＳ２ＥＳ１］との間にあるとき、少なくとも維持のための役割を果たす電極の間に加えられる電位差ＶＥＳ２ＥＳ１は、５Ｖ／μｓより大きい動作勾配の始まりと呼ばれるものにより増加する、ことを特徴とする表示装置。
【請求項９】
請求項８に記載の表示装置であって、少なくともアドレッシングのための役割を果たす電極の間の電位差を増加させるための前記動作勾配の始まりは１０Ｖ／μｓより大きい、ことを特徴とする表示装置。
【請求項１０】
請求項５に記載の表示装置であって、各々の前記特定のリセット動作の間に、少なくともアドレッシングのための役割を果たす電極の間に加えられる前記電位差（ＶＥＡ２ＥＡ１）はＭｉｎ［ＶＥＴ＿ＥＡ２ＥＡ１］＜ＶＥＡ２ＥＡ１＜Ｍａｘ［ＶＥＴ＿ＥＡ２ＥＡ１］のとき厳密に増加する、ことを特徴とする表示装置。  
【請求項１１】
請求項５に記載の表示装置であって、各々の前記特定の電荷等値化動作またはリセット動作の間に、少なくとも維持のための役割を果たす電極の間に加えられる前記電位差（ＶＥＳ２ＥＳ１）はＭｉｎ［ＶＥＴ＿ＥＳ２ＥＳ１］＜ＶＥＳ２ＥＳ１＜Ｍａｘ［ＶＥＴ＿ＥＳ２ＥＳ１］のとき厳密に増加する、ことを特徴とする表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、少なくともアドレッシングのための役割を果たすメモリ効果をもつＡＣ型プラズマパネルから構成される装置であって、少なくとも維持するための役割を果たすコプレーナ電極と、プラズマパネルの放電領域における電荷等値化（またはリセット）動作、アドレス動作および維持動作を実行するために適するパネルを駆動するための手段とをオプションとして備える装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
メモリ効果をもつＡＣ型プラズマ表示パネル（ＰＤＰ）は、一般に、２つの平行な基板であって、それらの間に放電ガスを含む空間を開けた基板から構成される。このようなパネルは、これらの基板の間であってこれらの基板の内側の面に、一般に、次のような幾つかの電極のアレイを有している。
【０００３】
−  異なる基板上に、それ故、非コプレーナの状態で各々設けられ、それら基板間の空間であって、光を伴う放電領域が規定される電極の交点における放電のアドレッシングのために機能する一般的な２つの交差する電極のアレイ；並びに
−  同一基板上に設けられ且つ放電を持続するための役割を果たす少なくとも２つの平行なコプレーナ電極であって、これらのアレイは、特に、メモリ効果を提供するために誘電体層により覆われ、この誘電体層そのものは、一般に酸化マグネシウムに基づく保護層であって第２電子放出層により覆われる、コプレーナ電極。
【０００４】
各々の維持アレイ電極は、他の維持アレイ電極と共に、パネルの放電領域の行に沿って一般に分布される一連の光放電領域を規定する一対の電極を形成する。
【０００５】
光放電領域は、パネルにおける２次元マトリクスを形成し、各々の領域は光を放電することができ、それ故、そのマトリクスは表示されるべき画像を表示する。
【０００６】
一般に、コプレーナ電極のアレイの１つは、アドレッシングと維持との両方のための役割を果たす。この特別の場合、その電極アレイを、今後、Ｙと呼び、子プレーなの第２アレイをＸと呼び、ＹおよびＸに直交し、他の基板に位置付けられたアドレス電極のアレイはＡと呼ばれる。電極ＸおよびＹのアレイは、それ故、放電領域の行を供給し、アドレッシングのみのための役割を果たす電極アレイＡは放電領域の列を提供する。
【０００７】
異なるカラーを放射する少なくとも隣接する放電領域において、その隣接する放電領域は、一般に、バリアリブにより境界をつくられ、これらのリブは、一般に、基板間のスペーサとしての役割を果たす。
【０００８】
光放電領域の壁は、一般に、光放電から由来する紫外線放射に対して敏感である蛍光体で部分的に覆われている。隣接放電領域は、３つの隣接領域の組み合わせが画像要素すなわち画素を形成するようにして、異なる三原色を放射する蛍光体層を備えている。
【０００９】
実際には、これらの蛍光体は、一般に、アドレッシングのみのための役割を果たす電極アレイを支持する基板であるこれらのリブを支持する基板およびバリアリブの傾斜壁を覆っており、アドレス電極は、それ故、蛍光体により覆われている。
【００１０】
プラズマパネルが動作状態にあるとき、画像を表示するために、一連の表示または一連の動作が放電領域のマトリクスを用いて実行され、一般に、各々のサブ表示動作は次の段階から構成される。
【００１１】
−  第１は、選択的アドレス段階であり、その目的は、放電領域における対象のアドレス電極の間において少なくとも１つの電圧パルスを加えることにより、アクティブになる各々の放電領域における誘電体層において電気的放電を修正することである。
【００１２】
−  第２は、予めアクティブになっている放電領域のみにおいて一連の光放電を生じさせるために維持の対を成す電極の間に一連の電圧パルスを加える非選択的維持段階。
【００１３】
サブ表示動作の後、放電領域は、特に、放電領域がサブ表示動作の間にアクティブにされるか否かに依存して、非常に異なる内部電圧状態になり得、他の因子は、放電領域に対応する蛍光体の性質、これらの放電領域の寸法特性における不可避の変動およびパネルの製造プロセスに関連するこれらの領域の壁の表面組成のような、このような内部電圧状態のばらつきをもたらす。
【００１４】
内部電圧状態がアドレスされるべき放電領域全てに対して同じになるように、アドレス段階の殆どは、これらの領域を同一にする段階により先行され、その目的は、特に、先行するサブ表示動作の間に放電領域がアクティブにされるかそうでない、同じ内部電圧状態にアドレスされるべき全ての放電領域をリセットすることである。このリセット段階は、従来、電荷調整動作が後に続く電荷形成またはプレイミング動作から構成され、その後、理想的には、各々の放電領域内の内部電圧はアドレス電極間および維持電極間において略イグニション閾値であることである。
【００１５】
放電領域の各々の対のアドレス電極または維持電極のために、これらの電極を覆う材料を分離する気体空間における内部電圧とこれらの電極間に加えられる外部電圧とを関連付けることが可能である。一般に、内部電圧は、放電領域における気体とこれらの誘電体材料間の界面において、電極を覆う絶縁体材料の表面上にある表面電荷のために、外部電圧とは異なる。
【００１６】
他方、これらの表面電荷は、放電領域を規定する材料の誘電体特性による容量効果からもたらされ、他方、これらの放電領域の気体における前の放電により生成された“メモリ”電荷と呼ばれるものの累積からもたらされる。
【００１７】
所定方向における放電領域の内部のイグニション閾値は、この方向に沿った内部電圧限界値に対応し、それより大きい値においては、気体はこの領域においてイオン化される。この値は、この領域における気体の特性、この領域における気体と接触する材料の特性、およびこの領域の外側にこの領域を横切る電極の幾何学的性質に依存する。
【００１８】
上記の３つの電極アレイＸ、Ｙ、Ａの特別な場合には、一般に、次のような６つの内部の閾値が各々の放電領域に関連している。
●  陽極Ｘと陰極Ｙとの間の点弧に対する内部閾値ＶＩＴ＿ＸＹ
●  陰極Ｘと陽極Ｙとの間の点弧に対する内部閾値ＶＩＴ＿ＹＸ
●  陽極Ｘと陰極Ａとの間の点弧に対する内部閾値ＶＩＴ＿ＸＡ
●  陰極Ｘと陽極Ｙとの間の点弧に対する内部閾値ＶＩＴ＿ＡＸ
●  陰極Ｙと陽極Ａとの間の点弧に対する内部閾値ＶＩＴ＿ＹＡ
●  陰極Ｙと陽極Ａとの間の点弧に対する内部閾値ＶＩＴ＿ＡＹ
用語“陽極”および“陰極”は、この領域を横切る電極の近くの放電領域の気体における内部電位に関係している。電極の近くの気体における電位が他の電極の近くの電位に比べて大きい場合、電極はもう１つの電極に関連して陰極であると言われ、それ故、他の電極は陽極となる。
【００１９】
次の２つの内部閾値は、同じ基板により支持される電極により生成され且つ他の電極に関連して一般に対称的に一の電極を備える、コプレーナモードにおける放電を特徴付けるため、同じ値を有する。
ＶＩＴ＿ＸＹ＝ＶＩＴ＿ＹＸであり、ＶＩＴ＿Ｓと表される。
しかしながら、マトリクスモードにおける放電を特徴付け、それ故、２つの異なる基板の間にある次の２つの内部閾値は、対象の電極が陰極として機能するかまたは陽極として機能するかに依存し、次のようになる。
ＶＩＴ＿ＸＡ＝ＶＩＴ＿ＹＡであり、ＶＩＴ＿Ａ＿ｃａ
ＶＩＴ＿ＡＸ＝ＶＩＴ＿ＡＹであり、ＶＩＴ＿Ａ＿ａｃ
これは、列のアドレス電極Ａが陰極として機能するとき、それを支持する蛍光体からの２次放射は電極ＸまたはＹを覆う誘電体の表面における酸化マグネシウムからの２次放射より小さいため、放電はそれが陽極として機能するときより大きい電圧を生成することによる。
【００２０】
一般に、次のようである。
−  電荷形成またはプライミング動作の間に、アドレッシングおよび維持両方のための役割を果たす各々の電極Ｙは他の２つの電極ＸおよびＡに関して陽極である。
−  電荷調整動作または消去動作の間に、アドレッシングおよび維持両方のための役割を果たす各々の電極Ｙは他の２つの電極ＸおよびＡに関して陰極である。
【００２１】
これらの動作は、一般に、一方で、２つのコプラナ電極の間に、そして他方で、アドレスされるべき群の放電領域全てをアドレスするための２つのマトリクス電極の間に、ゆっくり増加する電位差を加えることにより実行される。参考文献、仏国特許第２，４１７，８４８号明細書（ＴＨＯＭＳＯＮ−１９７８）（特許文献１）および米国特許第５，７４５，０８６号明細書（ＰＬＡＳＭＡＣＯ−１９９８）（特許文献２）は、このようにして、他のアドレス電極または維持電極のみに一定の電圧信号を加える間にアドレッシングまたは維持両方の役割を果たす電極にランプ電圧信号を適用することについて説明している。
【００２２】
特許文献米国特許第５，７４５，０８６号明細書は、加えられるランプ信号の勾配が２０Ｖ／μｓを超えないとき、電極間の一連の所謂“弱い”放電を伴うが強い放電は伴わないで、パネルの放電領域に対するリセット動作が、各々の領域において、有利に実行される。これらの“弱い”放電は、これらの電極により提供される領域の壁になされる表面放電により電極に加えられる外部電圧における増加を補償し、そして、“強い”放電が存在しないために、これらの領域の気体における内部電圧は、上記のように規定された内部点弧閾値に等しいかまたはその値より小さいまま保たれる。
【００２３】
弱い放電によるリセットであって、また“正抵抗”リセットとも呼ばれるリセットについての既知の利点は、弱い光放射を生成することにより放電領域内において内部電圧の正確な調整を可能にすることである。正確な調整は、次のアドレス動作の性能および効率性に関して、重要である。この光放射の制限は表示装置のコントラスト性能に不可欠である。
【００２４】
放電領域において弱い放電を生成するランプ信号の最大勾配は、特に、この領域の陰極を覆う材料の特性、これらの材料の２次電子放出係数およびこの領域の気体の準安定成分および空間電荷の特性に依存する。一般に用いられる勾配の値は、Ｙ電極がＸ電極およびＡ電極に関して陽極として機能するプライミング動作に対しては、５Ｖ／μｓより大きくない。一般に、ランプ電圧の全振幅は２００Ｖに及ぶため、プライミング動作の期間は数十μｓに達する。この期間は、動作またはサブ動作の間に実行されるべき他の動作、すなわち、アドレス動作および維持動作に関して、無駄な時間を意味し、それにより、表示装置の性能であって、特に、その放射の最大値に関して制限する。さらに、特定のパネルは、標準的なランプ電圧の値を用いるプライミングランプの間に現れる強い放電に関連してそれらが動作不良になるため、製造ラインの最終工程において不合格品となる可能性があり、さらには、パネルの製造コストを増加させる。
【特許文献１】仏国特許第２，４１７，８４８号明細書
【特許文献２】米国特許第５，７４５，０８６号明細書
【発明の開示】
【課題を解決するための手段】
【００２５】
本発明の目的は上記の問題点を抑えることである。本発明の目的はまた、効率を減少させることなく、すなわち、種々の放電領域の等値化のレベルを維持したまま、放電領域のリセット動作の機関を短くすることである。
【００２６】
この目的を達成するために、本発明のテーマは、
−  メモリ効果をもつＡＣプラズマであって、２つの基板であってそれらの間に放電気体を含む空間を開けた２つの基板と、２つの基板の間の空間において光放電領域が規定される交点において少なくともアドレッシングのための役割を果たす交差する電極（Ｅ２、Ｅ１）とから構成される、ＡＣプラズマ；並びに
−  前記放電領域をリセットするかまたは電荷を等値化することを意図された動作を実行するために適切である電圧信号を前記電極に加えるために適切である駆動手段；
から構成される表示装置であって、
前記駆動手段は、放電領域の群をリセットする特定動作の間に、
パネルの各々の放電領域が前記領域を少なくともアドレッシングし且つ交差するための役割を果たす電極の間において外部マトリクス点弧閾値電圧（ＶＥＴ＿Ｅ２Ｅ１）を有する場合、並びにＭｉｎ［ＶＥＴ＿Ｅ２Ｅ１］およびＭａｘ［ＶＥＴ＿Ｅ２Ｅ１］それぞれが前記群の領域のマトリクス点弧電圧（ＶＥＴ＿Ｅ２Ｅ１）の最小値および最大値である場合、
ＶＥ２Ｅ１がＭｉｎ［ＶＥＴ＿Ｅ２Ｅ１］とＭａｘ［ＶＥＴ＿Ｅ２Ｅ１］との間にある瞬時の間にＶＥ２Ｅ１の増加の最大勾配より大きい勾配である動作勾配の終わりと呼ばれるものにより、前記リセット動作の間にＶＥ２Ｅ１が値１．１ｘＭａｘ［ＶＥＴ＿Ｅ２Ｅ１］より大きくなるとすぐ、この群の前記領域を少なくとも交差し且つアドレッシングするための役割を果たす電極の間に加えられる電位差ＶＥ２Ｅ１が増加する、
ようにデザインされている表示装置を提供することである。
【００２７】
この発明は、それ故、以下にさらに詳述するケース１または第１実施形態に対応している。
【００２８】
本発明のテーマはまた、同じ原則に従って、
メモリ効果をもつＡＣプラズマであって、２つの基板であってそれらの間に放電気体を含む空間を開けた２つの基板と、２つの基板の間の空間において光放電領域が規定される交点において少なくともアドレッシングのための役割を果たす交差する電極と、少なくとも２つの電極のアレイであって少なくとも維持のための役割を果たし且つこれらのアレイの各々の電極の１つが各々の放電領域を横切るように備えられた少なくとも２つの電極のアレイと、から構成される、ＡＣプラズマ；並びに
前記放電領域をリセットするかまたは電荷を等値化することを意図されたリセット動作を実行するために適切である電圧信号を前記電極（ＥＡ２、ＥＡ１、ＥＳ２、ＥＳ１）に加えるために適切である駆動手段；
から構成される表示装置であって、
前記駆動手段は、放電領域の群をリセットする特定動作の間に、
パネルの各々の放電領域が前記領域を少なくともアドレッシングし且つ交差する役割を果たす電極（ＥＡ２、ＥＡ１）の間において外部マトリクス点弧閾値電圧（ＶＥＴ＿ＥＡ２ＥＡ１）を有する場合、Ｍｉｎ［ＶＥＴ＿ＥＡ２ＥＡ１］およびＭａｘ［ＶＥＴ＿ＥＡ２ＥＡ１］それぞれが前記群の領域のマトリクス点弧電圧の最小値および最大値である場合、パネルの各々の放電領域が前記領域を横切り且つ少なくとも維持のための役割を果たす電極（ＥＳ２、ＥＳ１）の間において外部コプレーナ点弧閾値電圧を有する場合、並びに、Ｍｉｎ［ＶＥＴ＿ＥＳ２ＥＳ１］およびＭａｘ［ＶＥＴ＿ＥＳ２ＥＳ１］それぞれは前記群の領域のコプレーナ点弧電圧（ＶＥＴ＿ＥＳ２ＥＳ１）の最小値および最大値である場合、
少なくともこの群の前記領域を横切り且つ維持するための役割を果たす電極（ＥＳ２、ＥＳ１）の間に加えられる電位差ＶＥＳ２ＥＳ１が値Ｍａｘ［ＶＥＴ＿ＥＳ２ＥＳ１］より大きくならず且つ少なくとも維持の役割を果たすこれらの電極（ＥＳ２、ＥＳ１）の間に加えられる電位差ＶＥＳ２ＥＳ１が値Ｍａｘ［ＶＥＴ＿ＥＳ２ＥＳ１］より大きくなるとすぐ動作勾配の終わりと呼ばれるものにより増加する一方、少なくともこの群の前記領域を交差し且つアドレッシングするための役割を果たす電極（ＥＡ２、ＥＡ１）の間に加えられる電位差ＶＥＡ２ＥＡ１は値Ｍｉｎ［ＶＥＴ＿ＥＡ２ＥＡ１］より大きくならないかまたは、
ＶＥＳ２ＥＳ１がＭｉｎ［ＶＥＴ＿ＥＳ２ＥＳ１］とＭａｘ［ＶＥＴ＿ＥＳ２ＥＳ１］との間にある瞬時の間にＶＥＡ２ＥＡ１の増加についての最大勾配より大きい勾配である正の動作勾配の終わりと呼ばれるものにより、前記領域を少なくとも横切り且つ維持する役割を果たす電極（ＥＳ２、ＥＳ１）の間に加えられる電位差ＶＥＳ２ＥＳ１が値Ｍａｘ［ＶＥＴ＿ＥＳ２ＥＳ１］より大きくなるとすぐ、この群の前記領域を少なくとも交差し且つアドレッシングする役割を果たす電極
（ＥＡ２、ＥＡ１）の間に加えられる電位差ＶＥＳ２ＥＳ１は増加するかどちらかである、
ようにデザインされている表示装置を提供することである。
【００２９】
この発明は、それ故、下で非常に詳細に説明するケース２または第２実施形態かまたはケース３または第３実施形態のどちらかに対応している。
【００３０】
一般に、駆動手段は、さらに次のような動作を実行するために適切である。
−  放電領域を選択的にアクティブまたは非アクティブにするための選択的アドレス動作であって、それらの動作は少なくともアドレッシングのための役割を果たす電極の間に電圧パルスを加えることにより実行される、アドレス動作；
−  パネルのプレアクティブにされた（ｐｒｅａｃｔｉｖａｔｅｄ）放電領域のみにおいて放電を開始するための非選択維持動作であって、それらの動作は少なくとも維持する役割を果たす電極の間に電圧パルスを加えることにより実行される、非選択維持動作
そのようなパネルは、維持期間の間に、予めアクティブにされた領域のみにおいて放電が生成されるため、“メモリ効果”を有すると言われる。この目的を達成するために、各々の放電領域において、少なくとも維持の役割を果たす少なくとも１つの電極は保護層であって第２電子放出層でそれ自身を覆われた誘電体層によりコーティングされている。
【００３１】
誘電体層は、維持動作の間に、アクティブにされた領域のみにおいて放電を開始することを可能にするメモリ効果を提供する。保護層は、一般に、酸化マグネシウムに基づいており、大きい２次電子放出係数であって、各々の放電領域において、少なくともアドレッシングのための役割を果たす電極の１つをコーティングされる材料の２次電子放出係数より大きい２次電子放出係数をもち、この材料は一般に蛍光体である。
【００３２】
好適には、前記特定の電荷等値化動作またはリセット動作の間に、前記群の放電領域の各々において、保護層により覆われた電極は陽極としての役割を果たすように、駆動手段はデザインされる。特定のリセット動作は、このとき、電荷形成動作またはプライミング動作である。この場合、それ故、電荷調整または消去動作はなく、それとは対照的に、保護層で覆われたこの電極は陰極として機能する。
【００３３】
各々のリセット動作は、一般に、パネルの放電領域の行の群または全ての行に関連する。これらの動作は、一般に、選択的アドレス動作の前に開始される。
【００３４】
用語“マトリクス点弧”は、少なくともアドレッシングのための役割を果たす電極の間の放電の開始を意味すると理解され、用語“コプレーナ点弧”は、少なくとも維持のための役割を果たす電極の間の放電の開始を意味すると理解される。
【００３５】
パネルが同じ基板により支持されるコプレーナ電極のアレイから構成される場合、これらの電極は少なくとも維持の役割を果たす。他の基板は、それ故、一般に、維持放電を開始することを加えることもあるが、主にアドレッシングのための役割を果たす電極のアレイを支持する。この場合、少なくともアドレッシングのための役割を果たす電極のアレイの１つは、好適には、少なくとも維持するための役割を果たす電極のアレイの１つと統合される。それ故、プライミング動作の間に陽極として機能するのはこの電極のアレイである。先行技術における従来のコプレーナプラズマ基板を、それ故用いる。
【００３６】
パネルがコプレーナ電極を有しない場合、維持動作は、一般に、アドレッシングのための役割もまた果たす電極の間に電圧パルスを加えることにより実行される。それ故、一般に、パネルは２つの電極アレイを有し、それぞれの電極アレイは各々の基板上にある。変形として、維持動作は、放電領域に高周波を適用することにより実行され、この場合、電極アレイはアドレッシングのみのための役割を果たす。
【００３７】
本発明に従って、リセット動作のために必要とされる期間を短くし、維持動作に追加時間を充て、それ故、パネルの輝度性能を改善することが可能である。
【００３８】
好適には、少なくともアドレッシングのための役割を果たす電極の間の電位差を増加させるための動作勾配の終わりを５Ｖ／μｓより大きくする。
【００３９】
従って、ケース１におけるマトリクス点弧閾値がそれより大きくなるとすぐ、およびケース２およびケース３におけるコプレーナ点弧閾値全てがそれより大きくなるとすぐ、これらの動作全ての質を落とすことなく、且つコントラストを損なう強い放電のいずれかのリスクを伴うことなく、リセット動作は先行技術に比べて著しく速く実行できる。それ故、より多くの時間を他の駆動動作であって、特に維持動作に充てることが可能であり、これにより、表示性能であって、特にビデオ画像表示において改善することが可能になる。
【００４０】
好適には、少なくともアドレッシングのための役割を果たす電極の間の電位差を増加させるための動作勾配の終わりは１０Ｖ／μｓより大きい。この発明の優位性と装置性能はさらに改善される。
【００４１】
好適には、ケース２またはケース３において、前記リセット動作の間にＶＥＳ２ＥＳ１がＭｉｎ［ＶＥＴ＿ＥＳ２ＥＳ１］とＭａｘ［ＶＥＴ＿ＥＳ２ＥＳ１］との間にあり、少なくとも維持する役割を果たす電極の間に加えられる電位差ＶＥＳ２ＥＳ１は、５Ｖ／μｓより大きく、好適には１０Ｖ／μｓより大きい動作勾配の開始と呼ばれるものにより増加する。の発明の優位性と装置性能はさらに改善される。
【００４２】
好適には、各々の前記特定のリセット動作の間に、少なくともアドレッシングのための役割を果たす電極の間に加えられる電位差（ＶＥ２Ｅ１；ＶＥＡ２ＥＡ１）は、Ｍｉｎ［ＶＥＴ＿Ｅ２Ｅ１］＜ＶＥ２Ｅ１＜Ｍａｘ［ＶＥＴ＿Ｅ２Ｅ１］のとき、またはＭｉｎ［ＶＥＴ＿ＥＡ２ＥＡ１］＜ＶＥＡ２ＥＡ１＜Ｍａｘ［ＶＥＴ＿ＥＡ２ＥＡ１］のとき一様且つ厳密に増加する。表現“一様且つ厳密に増加する”は、非ゼロ増加を意味するとして理解される。好適には、この増加は時間と共に線形に増加する。それ故、これは、電極のアレイの１つに加えられる線形電圧ランプを用いて達成され、これは実行することが比較的容易である。
【００４３】
好適には、ケース２または３において、各々の前記特定のリセット動作の間に、少なくとも維持のための役割を果たす電極の間に加えられる電位差は、Ｍｉｎ［ＶＥＴ＿ＥＡ２ＥＡ１］＜ＶＥＡ２ＥＡ１＜Ｍａｘ［ＶＥＴ＿ＥＡ２ＥＡ１］のとき一様且つ厳密に増加する。
【００４４】
表現“一様且つ厳密に増加する”は、非ゼロ増加を意味するとして理解される。好適には、この増加は時間と共に線形に増加する。それ故、これは、電極のアレイの１つに加えられる線形電圧ランプを用いて達成され、これは実行することが比較的容易である。
【００４５】
プライミング動作に適用される本発明が基づく原則の要約は次のようなものである。
●  アドレッシングのための役割を果たす２つの電極、Ｅ１とＥ２またはＥＡ１とＥＡ２の間の最も大きい可能な勾配値をもつ弱い放電モードであって、Ｅ１またはＥＡ１が陰極として機能する放電モードを得るために、放電領域をコンディショニングするための開始レベルは、大きい勾配の信号がこれらの電極の間に加えられる前に、上昇する。
●  本発明は、それ故、１つであって同じリセット動作における２つの連続する段階に関連し、それらの段階は次のようなものである。
○  放電により得られる準安定空間電荷を生成する段階Ｐ１
○  最も大きい可能な勾配であって、一般に１０Ｖ／μｓより大きい勾配をもつ、少なくともアドレッシングのための役割を果たす電極、Ｅ１とＥ２またはＥＡ１とＥＡ２の間に弱い放電があるモードにおいてシステムが動作する間に、これらの放電全てを同じにすることに対応する加速された電荷生成の終了段階Ｐ２
●  本発明は、種々のセルまたは放電領域構造であって、例えば、“ＡＣＭ”、“ＡＣＣ”または“ＡＣＣ３Ｅ”型の構造を有するプラズマパネルに適用することが可能である。
●  セル毎に２つの電極Ｅ１、Ｅ２をもつ“ＡＣＭ”型マトリクスパネルまたはセル毎に３つまたはそれ以上の電極を持つＡＣＣパネルのいずれかの型に適用可能であるケース１においては、段階Ｐ１は、セルの前の段階がどのようなものであろうと、２つの電極Ｅ１およびＥ２（または、それに代えて、ＥＡ１およびＥＡ２）の間の放電を生成するために十分長い時間の間、緩やかな勾配のランプを適用することである。この緩やかな勾配値は、実際には、先行技術において通常用いられる勾配、すなわち、１０Ｖ／μｓより小さい値に一致する。このようにして生成されるＥ１−Ｅ２（または、それに代えてＥＡ１−ＥＡ２）放電は、電極Ｅ１とＥ２との（またはそれに代えてＥＡ１とＥＡ２との）間において、セルに対する内部電圧の一部の等値化とセルのコンディショニングの両方のための役割を果たす。
●  セル毎に少なくとも３つの電極ＥＡ１、ＥＡ２＝ＥＳ２、ＥＳ１から構成される“ＡＣＣ”型コプレーナパネルに適用可能であるケース２および３においては、段階Ｐ１は、セルのコプレーナ電極であって、ＥＡ２（標準的“ＡＣＣ”の場合：ＥＡ１列、ＥＡ２＝ＥＳ２＝“走査／維持”行、ＥＳ１＝“コモン”行）であることが可能であるＥＳ２と、ＥＡ１を覆う材料より大きい２次電子放出係数を有する材料で覆われる陰極として機能するＥＳ１との間に、一般に１０Ｖ／μｓより大きい、先行技術におけるより大きい勾配のランプを適用することである。このようにして生成されるＥＳ１−ＥＳ２個プレーナ放電は、ＥＳ１とＥＳ２との間の内部電圧の等値化の一部およびセルのコンディショニングの両方のための役割を果たす。ケース２および３は次のように区別される。
○  ケース２：  段階Ｐ１の間に、ＥＡ１とＥＡ２との間で放電は生じることはなく、点弧電圧をこれらの電極の間で内部的に上回ることはない。これは、点弧閾値を上回ることなく与えられるＥＡ１およびＥＡ２の間の種々の信号（一定信号、ランプ信号または他の信号）を伴って実行されることが可能である。この段階Ｐ１の間に、弱いコプレーナ放電が開始され、且つ弱いマトリクス放電は起こらないようにされ、マトリクスのように加えられるランプ信号の振幅はいずれかの瞬時においてマトリクス閾値電圧より大きくなることはない。
○  ケース３：  段階Ｐ１の間に、ＥＳ１とＥＳ２との間のコプレーナ放電と同時に、ＥＡ１とＥＡ２との間にマトリクス放電が形成される。この場合、セルのコンディショニングの十分大きいレベルに達するまで、弱い放電モードにおける動作を可能にするために、ＥＡ１とＥＡ２との間の信号の勾配は小さいことが必要である。この場合、ＥＡ１とＥＡ２との間の信号の勾配はＥＳ１とＥＳ２との間のそれに比べて小さい。
●  段階Ｐ２は、ＥＡ１とＥＡ２との間で、先行技術におけるより大きい勾配であって、一般に１０Ｖ／μｓより大きいランプ信号の適用により特徴付けられる。この段階においては、他の電極の間で生じることは殆んど重要ではない。
●  段階Ｐ１およびＰ２は、セルにおいていずれかの放電を伴わない期間により任意に分離されることが可能である（例えば、加えられた電圧が一時的に増加することを停止する場合）。この期間は、Ｐ１の間に生成されたコンディショニングの効果がＰ２において尚もアクティブであるためには２０μｓより大きくなる必要はない。
●  説明した実施形態は、次の事項に関連するため、放電がパネルの各々のセルに特有の電極の間で生成される状態からおよびこれらの一般原則から導かれる。
○  セルにより変化する点弧閾値
○  セルの過程に依存する表面メモリ電荷の状態（予め、放電したか放電しないか）
本発明は、同時提出の図面を参照して限定されない実施形態により提供する、次のような詳細説明を読むことによりさらに明確に理解されるであろう。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４６】
本発明の種々の一般的な実施形態について、以下に説明する。第１実施形態は、各々の基板に１つ形成された２つの電極アレイＥ１、Ｅ２のみであって、放電をアドレスすることと維持することの両方のための役割を果たす電極アレイを有するマトリクス型プラズマパネルに対して適用される。他の実施形態は、コプレーナ基板上にＥＡ２と、コプレーナ基板に対向するアドレス基板と呼ばれる同じ基板上に維持電極の２つのアレイＥＳ１、ＥＳ２とを有するコプレーナ型プラズマパネルに適用される。これらの他の実施形態は、コプレーナ電極のアレイがアドレッシングと維持の両方のための役割を果たす、すなわち、ＥＡ２がＥＳ２と併せてまとめられることを意味する、従来のコプレーナ型パネルに適用される。
【００４７】
維持電極、Ｅ２またはＥＳ１およびＥＳ２は、大きい２次電子放出係数であって、全ての場合においてアドレス基板の電極Ｅ１またはＥＡ１を覆う材料より大きい２次電子放出係数を有する酸化マグネシウムのような材料によりそれ自体を覆われる誘電体層により覆わる。電極Ｅ１またはＥＡ１を覆う材料は、一般に、蛍光体であり、その意味が拡大解釈されると、これらの電極を支える基板であり、酸化マグネシウム層は維持基板、またはコプレーナ型パネルの場合はコプレーナ基板と呼ばれる。
【００４８】
マトリクスパネルは非常に多くの放電領域から構成される。画像の走査又はサブ走査の後、パネルの各々の領域は、Ｅ２が維持基板上で陽極として機能する電荷生成動作の場合に、外部点弧閾値電圧ＶＥＴ＿Ｅ２Ｅ１を有する。パネルの全ての領域の点弧電圧の最小値はＭｉｎ［ＶＥＴ＿Ｅ２Ｅ１］で表され、パネルの全ての領域の点弧電圧の最大値はＭａｘ［ＶＥＴ＿Ｅ２Ｅ１］で表される。
【００４９】
コプレーナパネルは非常に多くの放電領域から構成される。画像の走査またはサブ走査の後、パネルの各々の領域は外部の最大点弧閾値電圧ＶＥＴ＿ＥＡ２ＥＡ１および外部コプレーナ点弧閾値弾圧ＶＥＴ＿ＥＳ２ＥＳ１を有し、コプレーナ基板におけるＥＡ２およびＥＳ２が陽極として機能する電荷生成動作における場合にそのようになる。パネルの全ての領域のマトリクス点弧電圧およびコプレーナ点弧電圧の最小電圧は、それぞれＭｉｎ［ＶＥＴ＿ＥＡ２ＥＡ１］およびＭｉｎ［ＶＥＴ＿ＥＳ２ＥＳ１］で表され、パネルの全ての領域のマトリクス点弧電圧およびコプレーナ点弧電圧の最大電圧は、それぞれＭａｘ［ＶＥＴ＿ＥＡ２ＥＡ１］およびＭａｘ［ＶＥＴ＿ＥＳ２ＥＳ１］で表される。
【００５０】
下に示す本発明の全ての実施形態は、電荷生成またはプライミング動作に関連する。本発明の本質的な特徴に従って、これら動作の各々は、期間τ１の電荷生成およびコンディショニング開始段階と呼ばれる段階Ｐ１と、それに続く、期間τ２の加速電荷生成終了段階と呼ばれる段階Ｐ２から構成され、第２段階Ｐ２における放電領域のコンディショニングから十分な恩恵を引き出すことを所望する場合、第１段階の終点と第２段階の始点とを分離する時間は必ずしも２０μｓより大きい必要はない。
【００５１】
マトリクスパネルの電荷生成またはプライミング動作について示す図１においては、電極Ｅ２（陽極）およびＥ１（陰極）との間の外部電圧は、次のように連続的に区別されることが可能である。
−  段階Ｐ１の開始においてＶＥ２Ｅ１＿Ｐ１＿ＳＴ 
−  段階Ｐ１の終了においてＶＥ２Ｅ１＿Ｐ１＿ＮＤ
−  段階Ｐ２の開始においてＶＥ２Ｅ１＿Ｐ２＿ＳＴ
−  段階Ｐ１の終了においてＶＥ２Ｅ１＿Ｐ２＿ＮＤ
コプレーナパネルの電荷生成またはプライミング動作について示す図２および３において、一方でアドレス電極ＥＡ“（陽極）とＥＡ１（陰極）との間の外部電圧および他方で維持電極ＥＳ２（陽極）とＥＳ１（陰極）との間の外部電圧は、次のように連続的に区別されることが可能である。
−  段階Ｐ１の開始においてＶＥＡ２ＥＡ１＿Ｐ１＿ＳＴおよびＶＥＳ２ＥＳ１＿Ｐ１＿ＳＴ
−  段階Ｐ１の終了においてＶＥＡ２ＥＡ１＿Ｐ１＿ＮＤおよびＶＥＳ２ＥＳ１＿Ｐ１＿ＮＤ
−  段階Ｐ２の開始においてＶＥＡ２ＥＡ１＿Ｐ２＿ＳＴおよびＶＥＳ２ＥＳ１＿Ｐ２＿ＳＴ
−  段階Ｐ１の終了においてＶＥＡ２ＥＡ１＿Ｐ２＿ＮＤおよびＶＥＳ２ＥＳ１＿Ｐ２＿ＮＤ
説明を単純にするために、同じ機能を実現する要素に対する種々の実施形態において同じ参照番号を用いている。
【００５２】
第１実施形態：マトリクスパネルまたはコプレーナパネルの場合
図１を参照するに、２つの段階Ｐ１およびＰ２は次のように規定される。
−  ＶＥ２Ｅ１＿Ｐ１＿ＳＴ＜Ｍｉｎ［ＶＥＴ＿Ｅ２Ｅ１］である。それ故、段階Ｐ１の開始においては、前の走査またはサブ走査の間の動作からどのような電荷状態がもたらされようと、パネルのあらゆるセルにおいては放電点弧閾値より大きくなることはない。好適には、ＶＥ２Ｅ１＿Ｐ１＿ＳＴ≧０．９ｘＭｉｎ［ＶＥＴ＿Ｅ２Ｅ１］であり、それ故、弱い放電が、コンディショニング段階Ｐ１の最初からパネルの領域において生じ始める。
−  ＶＥ２Ｅ１＿Ｐ１＿ＮＤ＜Ｍａｘ［ＶＥＴ＿Ｅ２Ｅ１］である。それ故、最初のコンディショニング状態を生成するために、前の動作からどのような電荷状態がもたらされようと、コンディショニング段階Ｐ１の後、パネルの各々のセルにおいては放電点弧閾値より大きい。好適には、ゆっくりした電位の増加の期間Ｐ１を不必要に上回ることがないように且つ速い電位の増加の期間Ｐ２をできるだけ速く実行するように、ＶＥ２Ｅ１＿Ｐ１＿ＮＤ≦１．１ｘＭｉｎ［ＶＥＴ＿Ｅ２Ｅ１］である。
−  ＶＥ２Ｅ１＿Ｐ２＿ＳＴ＝ＶＥ２Ｅ１＿Ｐ１＿ＮＤであり、それ故、２つの段階Ｐ１とＰ２は、遷移を伴わずに互いにリンクされる。並びに
−  ＶＥ２Ｅ１＿Ｐ２＿ＮＤは、先行技術における場合と同じ方法で、すなわち、段階Ｐ２の終点において、パネルの放電領域全てで所望のプライミングレベルを得るために、規定される。
【００５３】
段階Ｐ１の間に、電極間の電位ＶＥ２Ｅ１の増加速度または勾配ｄＶＥ２Ｅ１／μτの瞬時値は、先行技術に従っており、すなわち、この段階の持続期間τ１を通して５Ｖ／μｓより小さい。それとは対照的に、本発明に従って、段階Ｐ２の間に、電極間の電位ＶＥ２Ｅ１の増加速度または勾配ｄＶＥ２Ｅ１／μτの瞬時値は、この段階の持続期間τ２を通して先行技術におけるより実質的に大きく、好適には、１０Ｖ／μｓより大きい。
【００５４】
一般には、本発明に従って、それ故、電極間電位は、段階Ｐ１中のこの期間の開始におけるより、段階Ｐ２中の電荷生成期間の終点において非常に急速に増加する。プライミング動作のための時間は、従って、これらの動作のいずれかの品質を損なうことなく、非常に著しく減少される。
【００５５】
第２実施形態：コプレーナパネルの場合
図２を参照するに、２つの段階Ｐ１およびＰ２は、次のように規定される。
−  ＶＥ２Ｅ１＿Ｐ１＿ＳＴ＜Ｍｉｎ［ＶＥＴ＿Ｅ２Ｅ１］である。それ故、段階Ｐ１の開始においては、前の動作からどのような電荷状態がもたらされようと、パネルのあらゆるセルにおいては放電点弧閾値より大きくなることはない。好適には、ＶＥ２Ｅ１＿Ｐ１＿ＳＴ＜０．９ｘＭｉｎ［ＶＥＴ＿Ｅ２Ｅ１］であり、それ故、弱い放電が、段階Ｐ１の最初からパネルの領域において生じ始める。
−  ＶＥ２Ｅ１＿Ｐ１＿ＮＤ＜Ｍａｘ［ＶＥＴ＿Ｅ２Ｅ１］である。それ故、最初のコンディショニング状態を生成するために、前の動作からどのような電荷状態がもたらされようと、コンディショニング段階Ｐ１の後、パネルの各々のセルにおいては放電点弧閾値より大きい。好適には、期間Ｐ１を不必要に上回ることがないように且つ期間Ｐ２をできるだけ速く実行するように、ＶＥ２Ｅ１＿Ｐ１＿ＮＤ＜１．１ｘＭｉｎ［ＶＥＴ＿Ｅ２Ｅ１］である。
−  ＶＥ２Ｅ１＿Ｐ１＜Ｍｉｎ［ＶＥＴ＿ＥＡ２ＥＡ１］であり、これは、コンディショニング段階Ｐ１の各々の瞬時τにおいて、アドレス電極間の電位差ＶＥ２Ｅ１＿Ｐ１がＭｉｎ［ＶＥＴ＿ＥＡ２ＥＡ１］より小さく保たれ、それ故、マトリクス放電はこの段階の間に、パネルにおいて生成しない。電極の近くで生成される電荷に依存してＰ１の間にＶＥＴ＿ＥＡ２ＥＡ１が変化することにより、この不等号がＰ１のあらゆる瞬時に満足することに留意されたい。
−  ＶＥＡ２ＥＡ１＿Ｐ１＜Ｍｉｎ［ＶＥＴ＿ＥＡ２ＥＡ１］である。それ故、段階Ｐ２の開始において、
前の動作からどのような電荷状態がもたらされようと、パネルのあらゆるセルにおいてマトリクス放電点弧閾値より大きくなることはない。好適には、ＶＥＡ２ＥＡ１＿Ｐ２＿ＳＴ＜０．９ｘＭｉｎ［ＶＥＴ＿ＥＡ２ＥＡ１］であり、それ故、弱いマトリクス放電が、段階Ｐ２の最初からパネルの領域において生じ始める。
−  ＶＥＡ２ＥＡ１＿Ｐ２＿ＮＤは、先行技術における場合と同じ方法で、すなわち、パネルの放電領域全てで所望のプライミングレベルを得るために、規定される。
【００５６】
段階Ｐ１の間に、維持電極間の電位ＶＥＡ２ＥＡ１の増加速度または勾配ｄＶＥ２Ｅ１／μτの瞬時値は先行技術におけるより実質的に大きく、好適には、１０Ｖ／μｓより大きい。段階Ｐ１の間に、電位ＶＥＡ２ＥＡ１の増加速度は、この電位がＭｉｎ［ＶＥＴ＿ＥＡ２ＥＡ１］より小さく保たれる場合、０、０より小さくまたは０より大きくなることが可能である。
【００５７】
段階Ｐ２の間に、維持電極間の電位ＶＥＡ２ＥＡ１の増加速度または勾配ｄＶＥ２Ｅ１／μτの瞬時値は先行技術におけるより実質的に大きく、好適には、１０Ｖ／μｓより大きい。段階Ｐ１の間に、電位ＶＥＳ２ＥＳ１の増加速度は、０、０より小さくまたは０より大きくなることが可能である。
【００５８】
一般に、本発明に従って、マトリクス放電が開始される前に気体が調整されるような方法において、電荷生成動作は、第１マトリクス放電閾値より大きくなり始める前に、全てのコプレーナ放電閾値より大きくすることにより実行される。これは、コプレーナ基板の電極にコーティングされる高い２次電子放出係数を有する材料においてコプレーナ放電が生じるため、優位であり、これにより、段階Ｐ１の間に急勾配をもつ弱い子プレーナ放電ＥＳ１−ＥＳ２を生成することを可能にする。それ故、一般に、アドレス基板の電極にコーティングされる蛍光体である材料であって、個の材料はここでは陰極として用いられる材料のごく一般的な２次電子放出特性にも拘わらず、段階Ｐ１の間に達成されるコンディショニングは、次いで、段階Ｐ２の間に、先行技術におけるより大きい勾配をもつ弱いマトリクス放電ＥＡ１−ＥＡ２を生成することを可能にする。本発明に従って、プライミング動作のために時間は、それ故、非常に著しく減少されることができ、補正動作が、これらの動作の質を決して損なうことなく、蛍光体の弱い２次電子放出特性を有するパネルを用いて達成されることができる。
【００５９】
第３実施形態：コプレーナパネルの場合
この実施形態は、制限されたマトリクス放電がコプレーナコンディショニングの期間の間に許容される点で、上記の実施形態とは異なっている。
【００６０】
図３を参照するに、２つの段階Ｐ１およびＰ２は次のように規定される。
−  ＶＥＳ２ＥＳ１＿Ｐ１＿ＳＴ＜Ｍｉｎ［ＶＥＴ＿ＥＳ２ＥＳ１］およびＶＥＡ２ＥＡ１＿Ｐ１＿ＳＴ＜Ｍｉｎ［ＶＥＴ＿ＥＡ２ＥＡ１］である。それ故、段階Ｐ１の開始においては、前の動作からどのような電荷状態がもたらされようと、パネルのあらゆるセルにおいて、コプレーナ放電点弧閾値またはマトリクス放電点弧閾値より大きくなることはない。好適には、ＶＥＳ２ＥＳ１＿Ｐ１＿ＳＴ≧Ｍｉｎ［ＶＥＴ＿ＥＳ２ＥＳ１］およびＶＥＡ２ＥＡ１＿Ｐ１＿ＳＴ≧Ｍｉｎ［ＶＥＴ＿ＥＡ２ＥＡ１］である。それ故、最初のコンディショニング状態を生成するために、段階Ｐ１の終了においては、前の動作からどのような電荷状態がもたらされようと、各々のパネルのセルにおいてコプレーナ放電点弧閾値より大きくなり、また、これらのセルの全てまたは一部においてマトリクス放電点弧閾値より大きくなる。
−    ＶＥＡ２ＥＡ１＿Ｐ２＿ＮＤは、先行技術における場合と同じ方法で、すなわち、パネルの放電領域全てで所望のプライミングレベルを得るために、規定される。
【００６１】
段階Ｐ１の間に、維持電極間の電位ＶＥＳ２ＥＳ１の増加速度または勾配ｄＶＥ２Ｅ１／μτの瞬時値は先行技術におけるより実質的に大きく、好適には、１０Ｖ／μｓより大きい。段階Ｐ１の間に、電位ＶＥＳ２ＥＳ１の増加速度は、先行技術に従っており、すなわち５Ｖ／μｓより小さい。
【００６２】
段階Ｐ２の間に、維持電極間の電位ＶＥＡ２ＥＡ１の増加速度または勾配ｄＶＥ２Ｅ１／μτの瞬時値は先行技術におけるより実質的に大きく、好適には、１０Ｖ／μｓより大きい。段階Ｐ１の間に、電位ＶＥＳ２ＥＳ１の増加速度は、０、０より小さくまたは０より大きくなることが可能である。
【００６３】
本発明に従って、プライミング動作のために時間は、それ故、非常に著しく減少されることができ、補正動作が、これらの動作の質を決して損なうことなく、蛍光体の弱い２次電子放出特性を有するパネルを用いて達成されることができる。
【００６４】
第４実施形態：コプレーナまたはマトリクスパネルの場合
この実施形態は、強い放電によりセルの全てまたは一部において、および弱い放電により他のセルにおいて実行されるべきＰ１の間に生成されるコンディショニングを提供する。これは、強い放電が維持放電である場合、好適な実施形態ではない。
【００６５】
第５実施形態：コプレーナまたはマトリクスパネルの場合
第５実施形態は、上記の４つの実施形態に、Ｐ１のコンディショニング効果がＰ２の間の放電の開始において尚もアクティブであるように、２０μｓより長くない期間であって、セルの全部または一部においていずれの放電も伴うことのない期間を、段階Ｐ１とＰ２との間に含む可能性を追加する。放電を伴わない期間を実際に用いることは、先行技術において周知であり、ここではその詳細について説明しない。内部電圧は点弧閾値より小さく保たれる必要がある。
【００６６】
本発明の限定されない図を用いて上で説明した種々の実施形態は、パネルのリセット動作の間に、電極間に加えられる電位の増加速度が、先行技術に比較して増加されることを可能にする。それ故、本発明は、次の事項のいずれかを可能にする。
●  プライミング動作に割り当てられる時間を減少させ且つアドレッシングまたはスイッチングのためにそれを用いることであって、これにより、パネルのピーク輝度または忠実度を改善することを可能にすること。
●  または、標準的な勾配をもつプライミングの間に強い放電を有するパネルを不合格にしないことによりパネル製造の効率を高めること。
【００６７】
最終的に、同時提出の請求項の範囲から逸脱することなく、プラズマパネルを駆動するためにランプ信号を用いる他の事例に本発明を適用することが可能であることは、当業者には明らかに理解される。
【００６８】
本発明の実施例および比較例
前面板における２つのコプレーナ電極ＸおよびＹとアドレッシングのための背面板における電極Ａとから構成される３つの電極アレイを有する同じコプレーナ型プラズマパネルを用いて、種々のタイプの電荷等値化またはリセット信号が適用され、これらの信号の適用の間に放電の際のそれらの衝撃が評価される。
【００６９】
そのようなコプレーナパネルについては、先行技術から既知であり、電極に対して同じ参照符号Ｘ、ＹおよびＡを用いて、本明細書の序節において説明している。
【００７０】
図４は、プライミング動作の間のパネルの種々の電極Ｘ、ＹおよびＡに加えられる電圧信号についてのタイミング図である。ランプピークレベルＶｐＹにより特徴付けられる線形電圧ランプは、ここでは４００Ｖであるが、維持およびアドレス電極Ｙ（上記の一般的実施形態のＥＳ２と一致するここにおける電極ＥＡ２に対応する）に加えられる。これが過ぎれば、一定信号ＶｐＸが維持のみのために機能するＸ電極に加えられ、一定信号ＶＡ＝０が他の基板に設けられたアドレス電極Ａに加えられる。本発明を用いておよび用いないで過度の急勾配なランプに対するパネルの応答を示すために、これらの信号を用いている。
【００７１】
各々のプライミング動作の間に、偶然に生じる可能性があり通常使用において損なわれる強い放電ＤＳの強度は、スクリーンの放電領域の群の前に設けられる光に敏感なセンサを用いて記録される。
【００７２】
得られた記録は図５乃至７に対応している。これらの記録全ては、コプレーナ電極Ｘの一定のバイアス信号ＶｐＸの値を除いて、同じプライミング動作状況下であって、特に線形ランプ信号の適用下で、得られる。
【００７３】
−  図５について説明する。ＶｐＸ＝＋１００Ｖである。少なくとも維持のために機能する電極ＹおよびＸの間の内部点弧閾値には、アドレス電極間の内部点弧閾値より遅く達する。マトリクス放電は、それ故、マトリクス放電が優先される。セルの予めのコンディショニングがない場合、過度に急な勾配値のための多くの強い放電ＤＳが観察される。
【００７４】
−  図８について説明する。ＶｐＸ＝−１２０Ｖである。アドレス電極ＹおよびＡの間の内部点弧閾値は、少なくとも維持のために機能する電極ＹおよびＸの間の内部点弧閾値より遅い。それ故、コプレーナ放電の開始が優先される。図８は、弱いコプレーナ放電によりセルの予めのコンディショニングによる強い放電ＤＳが生じていないことを示している。そのような設定により本発明が説明される。
【００７５】
図６および７は中間的状態に対応しており、ＶｐＸはそれぞれ０Ｖおよび−８０Ｖであり、強い放電ＤＳの許容できない残留が観察される。
【００７６】
各々のプライミング動作の間に、少なくとも維持のために機能する電極ＹおよびＸの間の電位差、並びにアドレス電極ＹおよびＡの間の電位差は、それ故、同じ線形勾配と共に増加し、上記の本発明の第２の一般的な実施形態に対応しており、図２に示したケースの１つに類似する状況が生じる。それ故、図８により示したような本発明の実施形態に従って、アドレス電極Ａに関してコプレーナ電極Ｘを十分負にバイアスすることにより、コプレーナ放電が十分優先される第１段階Ｐ１からプライミング動作は開始する。アドレス電極ＹおよびＡの間の特定の電圧レベルより大きい場合、放電領域がコプレーナ放電により予め“コンディショニング”されるためにこのとき強い放電を生成することなく、マトリクス放電はマトリクス点弧閾値より大きくなるために必然的に生成される。それ故、ＸおよびＡにおけるそれぞれのバイアス電圧は、各々のセルの最初のコンディショニング状態を生成する子プレーナ放電のみにより特徴付けられる段階Ｐ１を決定する。図６および７に示す中間状態は、特定のセルにおけるコプレーナ放電およびマトリクス放電が同時にアクティブであることに対応している。ＹおよびＡの間に適用される勾配は、ＹおよびＸの間に適用される勾配と同じであるため、不十分なコンディショニングは強い放電をもたらす。強い放電ＤＳを回避するために、本発明に従った解決方法は、上記の本発明の第３の一般的な実施形態のように、電極ＹおよびＡの間の緩やかな初期勾配を適用する。
【図面の簡単な説明】
【００７７】
【図１】本発明の第１実施形態に従って、電荷生成動作の間にマトリクスパネルの電極の間に電位差を加えるためのタイミング図である。
【図２】本発明の第２実施形態に従って、電荷生成動作の間にコプレーナパネルの維持電極の間およびアドレス電極の間に電位差を加えるためのタイミング図である。
【図３】本発明の第３実施形態に従って、電荷生成動作の間にコプレーナパネルの維持電極の間およびアドレス電極の間に電位差を加えるためのタイミング図である。
【図４】上記説明において示した詳細な実施例に従って、先行技術のタイミング図と比較して本発明の利点を明らかにするために、電荷生成動作の間に従来のコプレーナパネルの３つの電極アレイに電圧を加えるための一般的なタイミング図であり、
【図５】速いタイミング図に従って３つの電極アレイに電圧を加えるとき、残念ながら現れる強い放電であって、本発明により規定する範囲外にある強い放電を示す図である。
【図６】速いタイミング図に従って３つの電極アレイに電圧を加えるとき、残念ながら現れる強い放電であって、本発明により規定する範囲外にある強い放電を示す図である。
【図７】速いタイミング図に従って３つの電極アレイに電圧を加えるとき、残念ながら現れる強い放電であって、本発明により規定する範囲外にある強い放電を示す図である。
【図８】本発明が提供する優位性について示す図であり、すなわち、速いタイミング図に従って３つの電極アレイに電圧を加えるときの強い放電のない状態を示す図である。
【図１】
2004240430.tif 000003
【図２】
2004240430.tif 000004
【図３】
2004240430.tif 000005
【図４】
2004240430.tif 000006
【図５】
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【図６】
2004240430.tif 000008
【図７】
2004240430.tif 000009
【図８】
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