(57)【要約】【課題】樹脂モールドを行なう際、金線が変形することを防止することのできる樹脂封止装置を提供する。【解決手段】上金型１には突起２を設けるとともに、下金型３にはこの突起２と対向する位置に溝４を設け、上金型１と下金型３により構成されたキャビティ５内に、半導体チップ６と金線７を有するフレーム８を設置し、突起２及び溝４によりフレーム８を引っ張った状態でキャビティ５内にモールド樹脂を充填することにより、パッケージングを行なう。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
上金型及び下金型によりキャビティを構成し、このキャビティ内に半導体装置を設置するとともに、上記キャビティ内に樹脂を充填することによりパッケージングを行う半導体装置の樹脂封止装置において、上記一方の金型に突起を設けるとともに、上記片方の金型には上記突起と対向する位置に溝を設けたことを特徴とする半導体装置の樹脂封止装置。
【請求項２】
上金型及び下金型によりキャビティを構成し、このキャビティ内に半導体装置を設置するとともに、上記キャビティ内に樹脂を充填することによりパッケージングを行う半導体装置の樹脂封止装置において、上記下金型に湾曲状に形成された凸部を設けたことを特徴とする半導体装置の樹脂封止装置。
【請求項３】
上金型及び下金型によりキャビティを構成し、このキャビティ内に半導体装置を設置するとともに、上記キャビティ内に樹脂を充填することによりパッケージングを行う半導体装置の樹脂封止装置において、上記半導体装置を構成するフレームの裏面に突起を設けたことを特徴とする半導体装置の樹脂封止装置。
【請求項４】
上金型及び下金型によりキャビティを構成し、このキャビティ内に半導体装置を設置するとともに、上記キャビティ内に樹脂を充填することによりパッケージングを行う半導体装置の樹脂封止装置において、上記半導体装置を構成するフレームの表面に突起を設けたことを特徴とする半導体装置の樹脂封止装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、半導体装置の樹脂封止装置に関するものであり、特に一括モールドタイプのパッケージ封止技術に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来の半導体装置の樹脂封止装置は、平らな下金型と掘り込みを設けた上金型によりキャビティを構成し、このキャビティ内に半導体チップと金線を有するほぼ平らなフレームを上下金型によりはさんで設置して、キャビティ内にモールド樹脂を充填することにより、パッケージングを行うものであった。
【０００３】
また、フレームの変形を防止することにより、金線の変形を防止する手段として、リードフレームの一部に突起を設け、金型の圧力によってわずかにリードフレームを変形させる方法がある（例えば、特許文献１参照）。
更にモールド金型に突起を設け、リードフレームの一部を支える方法もある（例えば、特許文献２参照）。
又、金型の凹部の深さよりも大きくダウンセットすることにより、金型にダイパッドを押しつける方法もある（例えば、特許文献３参照）。
【０００４】
【特許文献１】
特開昭５５‐１０７２５２号公報
【特許文献２】
特開平０７‐１６１７４７号公報
【特許文献３】
特開２００２−２６０４４号公報
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
従来の半導体装置の樹脂封止装置は以上のように構成されているので、金型にフレームを搭載した後、フレームが熱膨張などによって変形した場合、金線が金型に接触して変形してしまうというような問題点があった。
【０００６】
この発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、金線変形を防止することのできる半導体装置の樹脂封止装置を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
この発明の請求項１に係る半導体装置の樹脂封止装置は、上金型及び下金型によりキャビティを構成し、このキャビティ内に半導体装置を設置するとともに、キャビティ内に樹脂を充填することによりパッケージングを行うものであって、一方の金型に突起を設けるとともに、片方の金型には突起と対向する位置に溝を設けたものである。
【０００８】
【発明の実施の形態】
実施の形態１．
以下、この発明の一実施形態を図に基づいて説明する。
図１はこの発明の実施の形態１による半導体装置の樹脂封止装置を示す断面図であり、図において、上金型１には突起２が設けられるとともに、下金型３には突起２と対向する位置に溝４が設けられている。
そして上金型１と下金型３により構成されたキャビティ５内に、半導体チップ６と金線７を有するフレーム８を設置し、キャビティ５内にモールド樹脂を充填することにより、パッケージングを行う。
【０００９】
フレーム８を上金型１及び下金型３で挟み込む際、突起２及び溝４によりフレーム８は矢印Ａに示すように引き延ばされる。
本発明によれば、フレーム８には引っ張る力が働いているために、熱膨張によってフレーム８が下金型３から浮き上がることはない。
上記技術文献３においては、ダウンセット量という、バラツキの大きなもので制御するのに対し、本実施形態においては、より寸法精度の高い金型構造を利用しているため、変形を制御しやすいという利点を有する。
又、上記特許文献３では、リ一ドにつながっているダイパッド縁部は確実に金型に押し当てることができる反面、ダイパッド中央部が浮き上がる可能性があるという問題点を有していたが、本実施形態においては、ダイパッド部を直接引っ張る力が作用しているため、ダイパッド中央部が浮き上がることはない。
【００１０】
実施の形態２．
図２はこの発明の実施の形態２による半導体装置の樹脂封止装置を示す断面図であり、図において、上金型１にはドーム状に湾曲された掘り込み１ａが設けられるとともに、下金型３にも同様にドーム状に湾曲された凸部３ａが設けられている。
そしてフレーム８を凸部３ａに沿わせる形で設置することにより、フレーム８を引き延ばし、この状態でモールドを行うものである。
これによりフレーム８には矢印Ａに示すような引っ張る力が働くので、熱膨張によってフレーム８が下金型３から浮き上がることはない。
【００１１】
実施の形態３．
上記実施の形態１、２においては、金型の形状を工夫することによってフレームを引き延ばす例を示したが、フレームの形状を工夫することによっても同様の効果を奏することができる。
図３はこの発明の実施の形態３による半導体装置の樹脂封止装置を示す断面図であり、図において、フレーム８の裏面に突起８ａを設けたものである。そしてこのフレーム８を平らな下金型３上に搭載することで、上金型１によりフレーム８が引き延ばされる。
これによりフレーム８には矢印Ａに示すような引っ張る力が働くので、熱膨張によってフレーム８が下金型３から浮き上がることはなくなる。
【００１２】
上記文献１においては、モールド金型へのセット前後において、ダイパッドが移動するために、金線が多少変形する欠点があったが、本実施形態では、フレームに張力が発生する程度なので変形が小さくなる。
又、特許文献１においては、リードフレームの一部を折り曲げているのに対し、本実施形態ではフレーム８に所望の突起８ａを追加しているにすぎないので、モールド以前でのフレームのひずみは本実施形態の方が少ない。
【００１３】
実施の形態４．
図４はこの発明の実施の形態４による半導体装置の樹脂封止装置を示す断面図であり、図において、フレーム８の表面に突起８ｂを設けたものである。
そして上金型１及び下金型３で挟んだときに、突起８ｂがフレーム８に押し込まれることによってフレーム８自体が引き延ばされる。
これによりフレーム８には矢印Ａに示すような引っ張る力が働くので、熱膨張によってフレーム８が下金型３から浮き上がることはなくなる。
【００１４】
上記特許文献２においては、突起を動作させる仕組みを装置又は金型に設ける必要があるが、本実施形態では不要となる。
又、特許文献２においては、最終製品に突起形状が残るが、本実施形態では一括してモールドするため、製品外部に突起８ａを設けることで、最終製品の形状は変更されない。
【００１５】
又、上記特許文献１においては、モールド金型へのセット前後において、ダイパッドが移動するために、金線が多少変形する欠点があったが、本実施形態では、フレームに張力が発生する程度なので変形が小さくなる。
更に特許文献１においては、リードフレームの一部を折り曲げているのに対し、本実施形態ではフレーム８上に所望の突起８ｂを追加しているにすぎないので、モールド以前でのフレームのひずみは本実施形態の方が少ない。
【００１６】
なお、上記の実施の形態１〜４では、上金型１を彫り込み型、下金型３をフラット型に組合せた場合を示したが、逆に上金型１をフラット型、下金型３を彫り込み型に構成してもよい。
【００１７】
【発明の効果】
この発明の請求項１に係る半導体装置の樹脂封止装置によれば、上金型及び下金型によりキャビティを構成し、このキャビティ内に半導体装置を設置するとともに、キャビティ内に樹脂を充填することによりパッケージングを行うものであって、一方の金型に突起を設けるとともに、片方の金型には突起と対向する位置に溝を設けたので、フレームを両金型により挟み込む際、フレームには引っ張る力が働くため、熱膨張によってフレームが金型から浮き上がることがない。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の実施の形態１による半導体装置の樹脂封止装置を示す断面図である。
【図２】この発明の実施の形態２による半導体装置の樹脂封止装置を示す断面図である。
【図３】この発明の実施の形態３による半導体装置の樹脂封止装置を示す断面図である。
【図４】この発明の実施の形態４による半導体装置の樹脂封止装置を示す断面図である。
【符号の説明】
１  上金型、２  突起、３  下金型、３ａ  凸部、４  溝、５  キャビティ、８  フレーム、８ａ，８ｂ  突起。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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