(57)【要約】【課題】ソルダーレジスト層におけるハローイング現象を防止することができる配線基板の製造方法を提供すること。【解決手段】配線基板１０１の製造方法は、第２絶縁層１１４及び第３導体層１２３上に、開口１１５ｋを有する所定パターンの半硬化のソルダーレジスト層１１５ｈを形成する工程と、この半硬化のソルダーレジスト層１１５ｈを、１２０℃以上１５０℃以下でキュアする低温キュア工程と、開口１１５ｋ内に露出する第３導体層１２３上に、メッキ層１４３を形成する工程と、半硬化のソルダーレジスト層１１５ｈを、１７０℃以上２００℃以下でキュアし、ソルダーレジスト層１１５を形成する高温キュア工程とを備える。【選択図】        図７
2004186231.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁層と、
上記絶縁層の表面に形成された所定パターンの導体層と、
上記絶縁層及び導体層上に積層されたソルダーレジスト層であって、上記導体層の一部が露出する開口を有する所定パターンのソルダーレジスト層と、
上記開口内に露出する導体層上に被着されたメッキ層と、
を備える配線基板の製造方法であって、
上記絶縁層及び導体層上に、上記開口を有する所定パターンの半硬化のソルダーレジスト層を形成する半硬化レジスト形成工程と、
上記半硬化のソルダーレジスト層を、１２０℃以上１５０℃以下でキュアする低温キュア工程と、
上記開口内に露出する導体層上に、上記メッキ層を形成するメッキ層形成工程と、
上記半硬化のソルダーレジスト層を、１７０℃以上２００℃以下でキュアし、上記ソルダーレジスト層を形成する高温キュア工程と、
を備える配線基板の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の配線基板の製造方法であって、
前記低温キュア工程後、前記メッキ層形成工程前に、前記半硬化のソルダーレジスト層の表面を粗化する表面粗化工程を備える
配線基板の製造方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の配線基板の製造方法であって、
前記高温キュア工程は、不活性ガス雰囲気中で行う
配線基板の製造方法。
【請求項４】
請求項１〜請求項３のいずれか一項に記載の配線基板の製造方法であって、
前記ソルダーレジスト層は、カルド型ポリマーからなる
配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ソルダーレジスト層を有する配線基板の製造方法に関し、特に、開口を有する所定パターンのソルダーレジスト層を備える配線基板の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、絶縁層と、その表面に形成された所定パターンの導体層と、これらの上に積層された所定パターンのソルダーレジスト層とを備える配線基板が広く知られている。そして、このような配線基板には、ソルダーレジスト層に形成された開口内に導体層の一部（パッド等）が位置し、その表面にメッキ層が被着されたものがある。
【０００３】
このような配線基板は、次のようにして製造される。即ち、絶縁層と導体層を備える基板本体を形成する。その後、絶縁層及び導体層上に、フォトリソグラフィー法等により、開口を有する半硬化のソルダーレジスト層を形成する。続いて、半硬化のソルダーレジスト層をキュアしてソルダーレジスト層を形成する。その後、メッキを施して、開口内に露出する導体層上にメッキ層を形成する。
なお、このような技術に関連する文献として、例えば、特許文献１〜３が挙げられる。
【０００４】
【特許文献１】
特開平６−３４２９６９号公報
【特許文献２】
特開平７−１７６８５５号公報
【特許文献３】
特開２０００−２３６０３７号公報
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記のような方法で配線基板を製造すると、メッキ層を形成したときに、ハローイング現象（ソルダーレジスト層の開口の周りが白く変色する現象。）が生じやすく、外観上好ましくなく、また、信頼性にも劣る。
【０００６】
本発明は、かかる現状に鑑みてなされたものであって、ソルダーレジスト層におけるハローイング現象を防止することができる配線基板の製造方法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段、作用及び効果】
その解決手段は、絶縁層と、上記絶縁層の表面に形成された所定パターンの導体層と、上記絶縁層及び導体層上に積層されたソルダーレジスト層であって、上記導体層の一部が露出する開口を有する所定パターンのソルダーレジスト層と、上記開口内に露出する導体層上に被着されたメッキ層と、を備える配線基板の製造方法であって、上記絶縁層及び導体層上に、上記開口を有する所定パターンの半硬化のソルダーレジスト層を形成する半硬化レジスト形成工程と、上記半硬化のソルダーレジスト層を、１２０℃以上１５０℃以下でキュアする低温キュア工程と、上記開口内に露出する導体層上に、上記メッキ層を形成するメッキ層形成工程と、上記半硬化のソルダーレジスト層を、１７０℃以上２００℃以下でキュアし、上記ソルダーレジスト層を形成する高温キュア工程と、を備える配線基板の製造方法である。
【０００８】
本発明に係る配線基板は、絶縁層と、この表面に形成された所定パターンの導体層と、これらの上に積層されたソルダーレジスト層とを備える。そして、ソルダーレジスト層は、導体層の一部が露出する開口を有し、その開口内に露出する導体層上には、メッキ層が被着されている。
本発明では、半硬化レジスト形成工程において、絶縁層及び導体層上に、開口を有する所定パターンの半硬化のソルダーレジスト層を形成する。そしてその後、まず、低温キュア工程において、この半硬化のソルダーレジスト層を、１２０℃以上１５０℃以下でキュアする。その後、メッキ層形成工程において、開口内に露出する導体層上に、上記メッキ層を形成する。それから、高温キュア工程において、半硬化のソルダーレジスト層を、１７０℃以上２００℃以下でキュアし、ソルダーレジスト層を形成する。
このような方法により配線基板を製造すれば、ソルダーレジスト層の開口の周りが白くなるハローイング現象を防止または抑制することができる。
【０００９】
なお、半硬化レジスト形成工程では、液状のソルダーレジストを、カーテンコータ法、ロールコータ法、通常の印刷機等を用いて塗布して、それを半硬化させることにより、半硬化のソルダーレジスト層を形成してもよいし、あるいは、フィルム状の半硬化のソルダーレジストを貼り付けることにより、半硬化のソルダーレジスト層を形成してもよい。
また、ソルダーレジスト層の開口は、フォトリソグラフィー法により、即ち、半硬化のソルダーレジスト上にフォトエッチング用マスクを載置した後、露光・現像処理を施すことにより形成することができる。また、開口は、レーザ等を利用して形成してもよい。
【００１０】
さらに、上記の配線基板の製造方法であって、前記低温キュア工程後、前記メッキ層形成工程前に、前記半硬化のソルダーレジスト層の表面を粗化する表面粗化工程を備える配線基板の製造方法とすると良い。
【００１１】
従来より、配線基板に搭載するＩＣチップ等の電子部品をアンダーフィルなどで封止する際に、アンダーフィルとソルダーレジスト層との密着性を向上させるため、ソルダーレジスト層の表面を粗化することが行われていた。しかし、ソルダーレジスト層を完全に硬化させた後に、その表面を粗化するのは、ソルダーレジスト層の表面が硬いために困難である場合があった。一方、キュアしていない半硬化の状態のソルダーレジスト層ならば、表面が軟らかいので、容易に表面を荒らすことができるが、所望の表面粗さに調製することが困難であった。
【００１２】
これらに対し、本発明では、半硬化のソルダーレジスト層を低温でキュアした後であって、半硬化のソルダレジスト層を完全に硬化する前に、半硬化のソルダーレジスト層の表面を粗化する。このため、ソルダーレジスト層の表面を、アンダーフィルとの密着に適当な表面粗さに荒らすことができる。
さらに、メッキ層形成工程前に、ソルダーレジスト層の表面を粗化するので、開口内に存在するデスミアも除去することができる。このため、開口内に位置する導体層とメッキ層との接続信頼性を向上させることができる。
【００１３】
さらに、上記のいずれかに記載の配線基板の製造方法であって、前記高温キュア工程は、不活性ガス雰囲気中で行う配線基板の製造方法とすると良い。
【００１４】
大気中で高温キュア工程と行うと、導体層が酸化するなどが原因で、ソルダーレジスト層の密着力が損なわれることがある。
これに対し、本発明では、不活性ガス雰囲気中でソルダーレジスト層を高温キュアしている。従って、導体層の酸化等が防止され、ソルダーレジスト層の密着力を向上させることができる。
【００１５】
さらに、上記のいずれかに記載の配線基板の製造方法であって、前記ソルダーレジスト層は、カルド型ポリマーからなる配線基板の製造方法とすると良い。
【００１６】
本発明によれば、絶縁層及び導体層上に積層するソルダーレジスト層は、カルド型ポリマーからなる。
感光性カルド型ポリマーの硬化物は、化学的な構造が剛直であり、架橋密度が高いため形状保持性や膜厚保持性など信頼性に優れると共に、耐熱性にも優れる。また、比較的低い硬化温度で形成することができるため、絶縁層や導体層など基板本体に悪影響を与えにくい。また、カルド型ポリマーは解像度が良好であり、開口形成時の形状保持性や膜厚保持性に優れ、露光・現像処理後に開口底部に樹脂残りが発生しにくいため、開口部における電気接続性や信頼性に優れる。
【００１７】
なお、感光性カルド型ポリマーは、熱硬化時に黒くなるなどの変色を生じやすい。そこで、前述したように、不活性ガス雰囲気下で高温キュアを行うのがより好ましい。このようにすれば、カルド型ポリマーの持つ様々な良好な特性を損なうことなく、熱硬化時の変色を抑えることができるようになる。
【００１８】
ここで、カルド型ポリマーとは、環状の基が高分子主鎖に直接結合した構造をもつポリマーの総称である。カルド型ポリマーは、その構造、即ち、主鎖に直角にかさ高い置換基が存在することに起因して、ポリマー主鎖の回転束縛、主鎖及び側鎖のコンフォメーション規制、分子間パッキングの阻害、側鎖の芳香族置換基導入による芳香族性の増加等の現象が生じ、そのため、硬化後のガラス転移温度が高いものとなる。また、このような構造をもつカルド型ポリマーは、そのかさ高い置換基のために主鎖の運動性が抑制され、比較的低温で硬化されたものであっても架橋密度が高く、優れた耐熱性を有する。さらに、かさ高い置換基は、分子鎖の近接を阻害するため、優れた溶剤溶解性を有する。
【００１９】
カルド型ポリマーは、カルボニル基（ケトン、エステル、酸無水物、イミド等）をもつ環状化合物とフェノール、アニリン等の芳香族化合物やその誘導体とを縮合反応により共重合させることにより得ることができる。
【００２０】
感光性カルド型ポリマーは、上記のような構造を有するカルド型ポリマーのなかで感光性を有するものであり、具体例としては、例えば、下記化学式（１）で表される化合物と、
【化１】
2004186231.tif 000003
【００２１】
下記一般式（２）で表される化合物と、
【化２】
2004186231.tif 000004
（式中、Ｒ１  は、酸素、カルボニル基、テトラフルオロエチレン基、または、単結合を表す。）
【００２２】
ピロメリト酸無水物、及び、テレフタル酸やその酸塩化物から選択される少なくとも１種とを共重合させることにより得られる感光性カルド型ポリエステルが挙げられる。
【００２３】
また、上記一般式（１）で表される化合物と、下記一般式（３）で表される化合物と、
【化３】
2004186231.tif 000005
（式中、Ｒ２  、Ｒ３  、Ｒ４  、Ｒ５  は、それぞれ同一または異なって、水素または炭素数１〜５の炭化水素基を表し、Ｒ６  は、水素、カルボキシル基または炭素数２〜８のアルコキシカルボニル基を表す。）
【００２４】
上記一般式（２）で表される化合物、ピロメリト酸無水物、及び、テレフタル酸やその酸塩化物から選択される少なくとも１種とを共重合させることにより得られる感光性カルド型ポリイミド等も挙げられる。
【００２５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を、図を参照しつつ説明する。
本実施形態の配線基板１０１について、図１に主面１０２側から見た簡略化した平面図を、図２に主面１０２側の簡略化した部分断面図を示す。
この配線基板１０１は、図１に示すように、主面１０２と裏面（図示しない）を有する平面視略矩形の略板形状をなす。主面１０２の中央部には、ＩＣチップ（図示しない）を搭載しその端子を接続するため、平面視円形状のパッド１２３ｐが略格子状に多数配置されている。一方、裏面の略全面には、この配線基板１０１をマザーボードに搭載し接続するため、平面視円形状のパッド（図示しない）が略格子状に多数配置されている。
【００２６】
配線基板１０１の内部についてみると、図２に示すように、この配線基板１０１は、その中心にガラス−エポキシ樹脂からなるコア基板１１１を備える。コア基板１１１の主面１０２側には、エポキシ樹脂等からなる所定パターンの第１絶縁層１１３と第２絶縁層１１４が積層され、さらにその上には、所定パターンのソルダーレジスト層１１５が積層されている。一方、図示しない裏面側にも、エポキシ樹脂等からなる所定パターンの第１絶縁層と第２絶縁層が積層され、さらにその上には、所定パターンのソルダーレジスト層が積層されている。
【００２７】
そして、コア基板１１１の主面１０２側の表面には、Ｃｕからなり、複数の配線やパッドを有する所定パターンの第１導体層１２１が形成され、また、主面側の第１絶縁層１１３の表面には、Ｃｕからなり、複数の配線やパッドを有する所定パターンの第２導体層１２２が形成され、さらに、主面側の第２絶縁層１１４の表面にも、Ｃｕからなり、複数の配線やパッドを有する所定パターンの第３導体層１２３が形成されている。同様に、コア基板１１１の図示しない裏面側の表面には、Ｃｕからなり、複数の配線やパッドを有する所定パターンの第１導体層が形成され、また、裏面側の第１絶縁層の表面には、Ｃｕからなり、複数の配線やパッドを有する所定パターンの第２導体層が形成され、さらに、裏面側の第２絶縁層の表面にも、Ｃｕからなり、複数の配線やパッドを有する所定パターンの第３導体層が形成されている。
【００２８】
また、コア基板１１１には、層間接続のため、これを貫通するＣｕからなる略筒状のスルーホール導体１３１が形成されている。また、主面１０２側の第１絶縁層１１３には、層間接続のため、これを貫通するＣｕからなる第１ビア導体１３２が形成され、さらに、主面１０２側の第２絶縁層１１４には、層間接続のため、これを貫通するＣｕからなる第２ビア導体１３３が形成されている。また、主面１０２側のソルダーレジスト層１１５には、底面に第３導体層１２３のパッド１２３ｐが露出する開口１１５ｋが形成されている。同様に、図示しない裏面側の第１絶縁層には、これを貫通するＣｕからなる第１ビア導体が形成され、さらに、裏面側の第２絶縁層には、これを貫通するＣｕからなる第２ビア導体が形成されている。また、裏面側のソルダーレジスト層には、底面に第３導体層のパッドが露出する開口が形成されている。
【００２９】
これらのうち、ソルダーレジスト層１１５等について説明すると、ソルダーレジスト層１１５等は、感光性カルド型ポリマーからなる。具体的には、ソルダーレジスト層１１５等は、新日鉄化学社製のＰＤＦ−３００からなる。ソルダーレジスト層１１５等の厚さは、約２０μｍである。この厚みは、１５μｍ〜３５μｍであるのが好ましく、さらには、１５μｍ〜２５μｍであるのがより好ましい。第３導体層１２３等の絶縁性を充分に確保することができるとともに、所望の形状の開口１１５ｋ等を形成することができるため、開口１１５ｋ等における接続信頼性が優れたものとなるからである。
【００３０】
このようなソルダーレジスト層１１５等は、感光性カルド型ポリマーからなるため、化学的な構造が剛直であり、架橋密度が高いため形状保持性や膜厚保持性など信頼性に優れると共に、耐熱性にも優れる。また、比較的低い硬化温度で形成することができるため、内部の絶縁層や導体層など基板本体に悪影響を与えにくい。また、カルド型ポリマーは解像度が良好であり、開口形成時の形状保持性や膜厚保持性に優れ、露光・現像処理後に開口底部に樹脂残りが発生しにくいため、開口１１５ｋ等における電気接続性や信頼性に優れる。
【００３１】
また、本実施形態のソルダーレジスト層１１５等は、後述するように、不活性ガス雰囲気中で硬化させてなるので、感光性カルド型ポリマーの持つ様々な良好な特性を損なうことなく、熱硬化時の変色を抑えることができる。従って、外観も良好なソルダーレジスト層１１５等とすることができる。
【００３２】
次いで、上記配線基板１０１の製造方法について図３〜図７を参照しつつ説明する。
まず、コア基板１１１の両面に銅箔を張り付けた両面銅張コア基板を用意する。そして、ドリルやレーザ等によって、スルーホール導体１３１を形成するためのスルーホールを所定の位置に形成する。
次に、コア基板１１１にＣｕ無電解メッキを施し、銅箔上及びスルーホールの内周面に無電解メッキ層を形成する。さらに、Ｃｕ電解メッキを施して、無電解メッキ層上に電解メッキ層を形成する。これにより、銅箔上にベタ状のメッキ層が形成され、スルーホールの内周面に略筒状のスルーホール導体１３１が形成される。
【００３３】
その後、スルーホール導体１３１内に樹脂ペーストを印刷充填し、加熱して半硬化させる。そして、コア基板１１１から膨出した余分な樹脂を研磨除去し、さらに、加熱硬化させて、樹脂充填体を形成する。
その後、コア基板１１１の両面に所定パターンのエッチングレジスト層を形成し、このレジスト層から露出するメッキ層及び銅箔をエッチング除去する。これにより、コア基板１１１上に主面１０２側の所定パターンの第１導体層１２１と裏面側の所定パターンの第１導体層が形成される。
【００３４】
次に、コア基板１１１及び第１導体層１２１上に、エポキシ樹脂等からなる半硬化の主面１０２側の第１絶縁層を形成し、第１ビア導体１３２を形成するためのビアホールに対応した所定パターンを有するマスクを用いて露光しさらに現像する。その後、さらに加熱処理し硬化させて、ビアホールを有する所定パターンの第１絶縁層１１３を形成する。またこれと共に、裏面側にも第１ビア導体を形成するためのビアホールを有する所定パターンの第１絶縁層を形成する。
【００３５】
次に、Ｃｕ無電解メッキを施して、主面１０２側の第１絶縁層１１３上及びそのビアホール内並びに裏面側の第１絶縁層上及びそのビアホール内に無電解メッキ層を形成する。その後、両面の無電解メッキ層上に所定パターンのメッキレジスト層をそれぞれ形成する。そして、Ｃｕ電解メッキを施して、メッキレジスト層から露出した無電解メッキ層上に電解メッキを形成する。その後、メッキレジスト層を除去し、さらに、これにより露出した無電解メッキ層をソフトエッチングにより除去する。これにより、主面１０２側の第１ビア導体１３２及び裏面側の第１ビア導体が形成されると共に、所定パターンの主面側の第２導体層１２２及び裏面側の第２導体層が形成される。
【００３６】
次に、主面１０２側の第１絶縁層１１３及び第２導体層１２２上に、エポキシ樹脂等からなる半硬化の主面１０２側の第２絶縁層を形成し、第２ビア導体１３３を形成するためのビアホールに対応した所定パターンを有するマスクを用いて露光しさらに現像する。その後、さらに加熱処理し硬化させて、ビアホールを有する所定パターンの第２絶縁層１１４を形成する。またこれと共に、裏面側にも第２ビア導体を形成するためのビアホールを有する所定パターンの第２絶縁層を形成する。
【００３７】
次に、Ｃｕ無電解メッキを施して、主面１０２側の第２絶縁層１１４上及びそのビアホール内並びに裏面側の第２絶縁層上及びそのビアホール内に無電解メッキ層を形成する。その後、両面の無電解メッキ層上に所定パターンのメッキレジスト層をそれぞれ形成する。そして、Ｃｕ電解メッキを施して、メッキレジスト層から露出した無電解メッキ層上に電解メッキを形成する。その後、メッキレジスト層を除去し、さらに、これにより露出した無電解メッキ層をソフトエッチングにより除去する。これにより、主面１０２側の第２ビア導体１３３及び裏面側の第２ビア導体が形成されると共に、所定パターンの主面１０２側の第３導体層１２３及び裏面側の第３導体層が形成される。
このようにして、図３に部分断面図を示す基板本体が形成される。
【００３８】
次に、半硬化レジスト形成工程において、図４に示すように、主面１０２側の第２絶縁層１１４及び第３導体層１２３上に、感光性カルド型ポリマーからなる半硬化のフィルムを貼り付け、半硬化のソルダーレジスト層１１５ｈを形成する。本実施形態では、上記のフィルムとして、新日鉄化学社製のＰＤＦ−３００を使用した。
続いて、この半硬化のソルダーレジスト層１１５ｈを、開口１１５ｋに対応した所定パターンを有するフォトエッチング用マスクを用いて露光しさらに現像して、半硬化のソルダーレジスト層１１５ｈに開口１１５ｋを形成する。なお、開口１１５ｋは、レーザを用いて形成することもできる。
【００３９】
次に、低温キュア工程において、半硬化のソルダーレジスト層１１５ｈを大気中でキュアする。これにより、開口１１５ｋを有する半硬化のソルダーレジスト層１１５ｈが形成される。なお、本実施形態では、低温キュアは、約１４０℃で約１２０分間行った。
なお、このキュアは、各温度区間で一定時間保った後、温度を上昇させるステップキュアにより行ってもよい。これにより、感光性カルド型ポリマーの半硬化層内に残留する溶剤分や水分を完全に除去しやすくなるからである。
【００４０】
次に、表面粗化工程において、図５に示すように、半硬化のソルダーレジスト層１１５ｈを粗化すると共に、開口１１５ｋ内のデスミアを除去する。具体的には、ソルダーレジスト層１１５を過マンガン酸カリウム液により処理し、表面粗さが最終的にＲａ＝約０．５μｍとなるように粗化する。
【００４１】
次に、メッキ層形成工程において、図６に示すように、Ｎｉメッキを施し、主面１０２側の半硬化のソルダーレジスト層１１５ｈの開口１１５ｋ内に露出する主面１０２側の第３導体層１２３（パッド１２３ｐ）上、及び、裏面側の半硬化のソルダーレジスト層の開口内に露出する裏面側の第３導体層（パッド）上に、Ｎｉメッキ層１４１を形成する。続いて、Ａｕメッキを施し、Ｎｉメッキ層１４１上にＡｕメッキ層１４２を形成する。これにより、開口１１５ｋ等内に露出する第３導体層１２３等上には、Ｎｉメッキ層１４１とＡｕメッキ層１４２とからなるメッキ層１４３が形成される。
【００４２】
次に、高温キュア工程において、図７に示すように、半硬化のソルダーレジスト層１１５ｈを不活性ガス雰囲気中でキュアする。これにより、開口１１５ｋを有する所定パターンのソルダーレジスト層１１５が形成される。なお、本実施形態では、高温キュアは、約１８０℃で約９０分間行った。また、このキュアは、窒素雰囲気中で行った。その際、開口１１５ｋの周りが白くなるハローイング現象は抑制された。
なお、このキュアは、各温度区間で一定時間保った後、温度を上昇させるステップキュアにより行ってもよい。これにより、感光性カルド型ポリマーの半硬化層内に残留する溶剤分や水分を完全に除去することができるからである。このような工程を経ることにより、形状保持性、耐熱性に優れるソルダーレジスト層１１５を形成することができる。
なお、裏面側のソルダーレジスト層等についても主面側と同時に形成する。
【００４３】
以上のようにして、配線基板１０１が完成する。
なお、ソルダーレジスト層１１５等の各開口１１５ｋ等に、さらにハンダバンプを形成してもよい。ハンダバンプは、所定パターンのマスクを用いてハンダペーストを印刷し、それをリフローすることにより形成すればよい。
【００４４】
以上で説明したように、本実施形態では、半硬化レジスト形成工程において、第２絶縁層１１４等及び第３導体層１２３等上に、開口１１５ｋ等を有する所定パターンの半硬化のソルダーレジスト層１５ｈ等を形成する。そしてその後、まず、低温キュア工程において、この半硬化のソルダーレジスト層１１５ｈ等を、１２０℃以上１５０℃以下である１４０℃でキュアする。その後、メッキ層形成工程において、開口１１５ｋ等内に露出する第３導体層１２３等上に、Ｎｉメッキ層１４１等とＡｕメッキ層１４２等とからなるメッキ層１４３等を形成する。それから、高温キュア工程において、半硬化のソルダーレジスト層１１５ｈ等を、１７０℃以上２００℃以下である１８０℃でキュアし、ソルダーレジスト層１１５等を形成する。
このような方法により配線基板１０１を製造すれば、開口１１５ｋ等の周りが白くなるハローイング現象を防止することができる。
【００４５】
さらに、本実施形態では、半硬化のソルダーレジスト層１１５ｈ等を低温でキュアした後であって、半硬化のソルダレジスト層１１５ｈ等を完全に硬化する前に、半硬化のソルダーレジスト層１１５ｈ等の表面を粗化する。このため、ソルダーレジスト層１１５等の表面を、アンダーフィルとの密着に適当な表面粗さに荒らすことができる。
さらに、メッキ層形成工程前に、半硬化のソルダーレジスト層１１５ｈ等の表面を粗化するので、開口１１５ｋ等内にできたデスミアも除去することができる。このため、開口１１５ｋ等内に位置する第３導体層１２３等とメッキ層１４３等との接続信頼性を向上させることができる。
【００４６】
また、本実施形態では、不活性ガス雰囲気中（窒素ガス雰囲気中）で半硬化のソルダーレジスト層１１５ｈ等を高温キュアしているので、第３導体層１２３等の酸化が防止され、ソルダーレジスト層１１５等の密着力を向上させることができる。
【００４７】
また、本実施形態では、ソルダーレジスト層１１５等は、感光性カルド型ポリマーからなる。
感光性カルド型ポリマーの硬化物は、化学的な構造が剛直であり、架橋密度が高いため形状保持性や膜厚保持性など信頼性に優れると共に、耐熱性にも優れる。また、比較的低い硬化温度で形成することができるため、絶縁層や導体層など基板本体に悪影響を与えにくい。また、カルド型ポリマーは解像度が良好であり、開口形成時の形状保持性や膜厚保持性に優れ、露光・現像処理後に開口底部に樹脂残りが発生しにくいため、開口１１５ｋ等における電気接続性や信頼性に優れる。
なお、感光性カルド型ポリマーは、熱硬化時に黒くなるなどの変色をしやすい。そこで、前述したように、不活性ガス雰囲気下で高温キュアを行うのがより好ましい。このようにすれば、カルド型ポリマーの持つ様々な良好な特性を損なうことなく、熱硬化時の変色を抑えることができるようになる。
【００４８】
以上において、本発明を実施形態に即して説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で、適宜変更して適用できることはいうまでもない。
例えば、上記実施形態では、フィルム状の感光性カルド型ポリマーを利用してソルダーレジスト層１１５等を形成したが、液状の感光性カルド型ポリマーを利用してソルダーレジスト層１１５等を形成してもよい。但し、フィルムを利用した方が、作業性に優れ、簡単に基板上に平滑な表面を形成でき、歩留まりの向上が見込まれる。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施形態に係る配線基板の主面側から見た平面図である。
【図２】実施形態に係る配線基板の主面側の部分断面図である。
【図３】実施形態に係る配線基板の製造方法に関し、基板本体の一部を示す説明図である。
【図４】実施形態に係る配線基板の製造方法に関し、所定パターンの半硬化のソルダーレジスト層を形成した様子を示す説明図である。
【図５】実施形態に係る配線基板の製造方法に関し、半硬化のソルダーレジスト層の表面を粗化した様子を示す説明図である。
【図６】実施形態に係る配線基板の製造方法に関し、開口内に露出する第３導体層上にメッキ層を形成した様子を示す説明図である。
【図７】実施形態に係る配線基板の製造方法に関し、所定パターンのソルダーレジスト層を形成した様子を示す説明図である。
【符号の説明】
１０１      配線基板
１１１      コア基板
１１３      第１絶縁層
１１４      第２絶縁層
１１５      ソルダーレジスト層
１１５ｈ    半硬化のソルダーレジスト層
１１５ｋ    開口
１２１        第１導体層
１２２      第２導体層
１２３      第３導体層
１２３ｐ    パッド
１４１      Ｎｉメッキ層
１４２      Ａｕメッキ層
１４３      メッキ層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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