(57)【要約】【課題】複数の相補マスクを使用した等倍露光方式において、相補マスク間の接続精度を確保する。【解決手段】１のマスクパターンに対し２以上の相補分割マスクを使用して、マスクパターンの転写を行う荷電粒子露光方法。相補分割されたマスクＡとマスクＢとのパターン接続部において、マスクＡのマスクパターンとマスクＢのマスクパターンとの間に幅ｗのギャップが形成されるようにマスクＡとマスクＢとを形成するとともに、ギャップを覆うように幅ｗより広い幅Ｗのマスクパターンが形成されたマスクＣを設け、マスクＡ、マスクＢ及びマスクＣを用いて順次マスクパターンの転写を行う。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
１のマスクパターンに対し２以上の相補分割マスクを使用して、前記マスクパターンの転写を行う荷電粒子露光方法において、
相補分割されたマスクＡとマスクＢとのパターン接続部において、前記マスクＡのマスクパターンと前記マスクＢのマスクパターンとの間に幅ｗのギャップが形成されるようにマスクＡとマスクＢとを形成するとともに、
前記ギャップを覆うように幅ｗより広い幅Ｗのマスクパターンが形成されたマスクＣを設け、
前記マスクＡ、マスクＢ及びマスクＣを用いて順次前記マスクパターンの転写を行うことを特徴とする荷電粒子露光方法。
【請求項２】
前記マスクＣのパターン線太さｔを、前記マスクＡ及びマスクＢのパターン線太さＴの５０〜１００％の太さとする請求項１に記載の荷電粒子露光方法。
【請求項３】
１のマスクパターンに対し４種の相補分割マスクを使用して、前記マスクパターンの転写を行う荷電粒子露光方法において、
前記相補分割マスクのそれぞれは、いずれも前記マスクパターン幅の略２／３の幅のパターンを有するように形成するとともに、
前記各マスクのマスクパターン位置を、パターンの幅方向に前記マスクパターン幅の略１／９毎にずらして各マスクパターンを形成し、
前記４種のマスクを用いて順次前記マスクパターンの転写を行うことを特徴とする荷電粒子露光方法。
【請求項４】
１のマスクパターンに対し相補分割されたマスクＡとマスクＢとのパターン接続部において、前記マスクＡのマスクパターンと前記マスクＢのマスクパターンとの間に幅ｗのギャップが形成されているマスクＡ及びマスクＢとの組み合わせである一対のステンシルマスクと、
前記ギャップを覆うように幅ｗより広い幅Ｗのマスクパターンが形成されているステンシルマスクＣと、の組み合わせからなることを特徴とする相補分割マスク。
【請求項５】
前記マスクＣのパターン線太さｔが、前記マスクＡ及びマスクＢのパターン線太さＴの５０〜１００％の太さである請求項４に記載の相補分割マスク。
【請求項６】
１のマスクパターンに対し相補分割された４種のステンシルマスクよりなる相補分割マスクであって、
前記４種のマスクのそれぞれは、いずれも前記マスクパターン幅の略２／３の幅のパターンを有するように形成されており、
前記各マスクのマスクパターン位置が、パターンの幅方向に前記マスクパターン幅の略１／９毎にずらして各マスクパターンとして形成されていることを特徴とする相補分割マスク。
【請求項７】
請求項１〜３のいずれか１項に記載の荷電粒子露光方法を使用して製造した半導体デバイス。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体デバイスの製造に用いられる荷電粒子露光方法、これに使用する相補分割マスク及び該方法を使用して製造した半導体デバイスに係り、特に照射された電子ビームで露光してウェーハ上のレジスト層を所定形状にパターン形成する荷電粒子露光方法、これに使用する相補分割マスク及び該方法を使用して製造した半導体デバイスに関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、半導体集積回路の集積度を向上させるべく荷電粒子（電子ビーム）描画法が多用されている。このような電子ビーム描画法に使用される電子ビーム近接露光装置の例が開示されている（特許文献１）。
【０００３】
図１２は上記電子ビーム近接露光装置の基本構成を示す図である。この電子ビーム近接露光装置１０は、主として電子ビーム１５を発生する電子ビーム源１４と、電子ビーム１５を平行ビームにするレンズ１６及び整形アパーチャ１８を含む電子銃１２と、主偏向器２２、２４及び副偏向器２６、２８を含み、電子ビームを光軸に平行に走査する走査手段２０と、マスク３０とから構成されている。
【０００４】
マスク３０は、表面にレジスト層４２が形成されたウエハ４０に近接するように（たとえば、隙間が５０μｍとなるように）配置される。この状態で、マスク３０に垂直に電子ビームを照射すると、マスク３０のマスクパターンを通過した電子ビームがウエハ４０上のレジスト層４２に照射される。
【０００５】
また、走査手段２０は、図１３に示されるように電子ビーム１５がマスク３０の全面を走査するように電子ビームを偏向制御する。これにより、マスク３０のマスクパターンがウエハ４０上のレジスト層４２に等倍転写される。
【０００６】
この電子ビーム近接露光装置１０は、図１４に示されるように真空チャンバ４４内に設けられている。また、真空チャンバ４４内には、ウエハ４０を吸着するために静電チャック４６と、この静電チャック４６に吸着されたウエハ４０を水平の直交２軸方向に移動させるとともに、水平面内で回転させるためのウエハステージであるθＸＹステージ４８が設けられている。なお、図２２上で、ウエハ４０の導通をとるために、ウエハ４０の上面に押し当てられた導通ピン４９が設けられる。
【０００７】
上記の電子ビーム描画法の一例として、マスク３０としてデバイスパターンを開口形成したステンシルマスクをウエハ４０に近接させてマスク３０上を低加速電子ビームで走査することにより、パターンを等倍でウエハ４０に転写する方式が採用されつつある。この方式は、以下に列挙される特徴を創出している。
・構造がシンプルで安価な装置を提供できる。
・低加速ビームを用いるため、レジスト感度が向上し、高スループットが得られる。
・低加速ビームを用いるため、ステンシルマスクの薄膜化が可能で、微細化に対応できる。
・低加速ビームを用いるため、ウエハやマスクに与える損傷が小さい。
・低加速ビームを用いるため、電子ビーム露光に特有の近接効果を無視できる。
【０００８】
上記の電子ビーム描画法に使用される荷電粒子露光用マスクとしてはステンシルマスクなどが挙げられる。図１０に一例としてステンシルマスクを示す。
【０００９】
ステンシルマスク８０はシリコン８１、シリコン８１に形成された透過孔８４、前記透過孔８４から露呈された電子遮蔽膜（ダイヤモンド、ＳｉＣ、シリコンなどの薄膜。以下これをメンブレンと呼ぶ）８６、８６…などから構成されている。図１１にはこのステンシルマスク８０の側断面図を示す。
【００１０】
シリコン８１の下面には酸化シリコン層８２を介してメンブレン８６、８６…が成膜されている。シリコン８１および酸化シリコン層８２の当該領域（以下、マスクパターン形成領域８３）には透過孔８４、８４…が形成されており、メンブレン８６、８６…が当該透過孔８４、８４…から露呈されている。また、メンブレン８６の露呈部分には目的のパターンに応じた開口部（マスクパターン）８７、８７…がパターニングされている。なお、符号８８は後述するバックエッチング処理において残されたシリコン８１の一部（梁）であり、メンブレン８６はこの梁８８によって支持される。
【００１１】
このようなステンシルマスク８０において、そのままではマスクに形成できないパターンがある。図５の左に示したドーナツパターン、中央に示したリーフ（  又はタンパターン）、右に示したＬ字パターンである。ドーナツパターンは中央部パターンに何の支えもないため消失してしまうものである。リーフ又はタンパターンはどちらもほぼ同じ形状で、パターンの３辺が基板から離れており、１辺のみで支えられている。形状が植物の葉、又は舌に似ておりこの名前が付いている。支えが小さいとパターンがたわむという問題がある。Ｌ字パターンはコーナー部で応力による亀裂が入るという問題がある。寸法によっては２辺で支えられたリーフパターンとも言える。
【００１２】
これらのパターンに対してはパターンを２枚のマスクに分割形成し、露光時に２枚のマスクで２重露光を行うことにより元のパターン形状を確保する方法が採用されている。場合によっては３枚に分割し、３重露光することもあり得る。パターンを２枚又は３枚以上のマスクに分割することを相補（  コンプリメンタリー）  分割と、分割された２枚以上のマスクを相補（  コンプリメンタリー）  マスクと呼んでいる。図６は、図５のパターンを、相補マスクＡと相補マスクＢとに分割したものである。
【００１３】
図７は、ドーナツ状のパターンを、相補マスクＡ、相補マスクＢ、相補マスクＣ及び相補マスクＤとに分割し、これらを使用して４重露光することによりドーナツ状のパターンを転写した状態を説明するものである。
【００１４】
なお、相補分割時には上記の問題パターンだけでなく、その他のパターンも分割することが多い。両マスクの開口率をほぼ等しくすることによって、クーロン効果の影響をマスク間で同程度にし、パターン精度を維持するためである。
【００１５】
相補マスク用のマスクステージは２枚（３枚、４枚）のマスクを同時に搭載可能になっており、まずマスクＡでウェーハの全面を露光した後、マスクＢで同ウェーハ上に重ね合わせ露光を行う。このため、相補マスク間の接続精度確保は非常に重要であり、マスク上で分割部のパターンが高精度に形成されていなければならない。パターンの相補分割はＬＳＩパターン（ＧＤＳＩＩ）からマスク作成用データのデータ変換時に行われる。
【００１６】
このような相補マスク間の接続精度が確保されないと、以下に説明するような不具合を生じる。図８は、直線状のパターンを相補マスクＡと相補マスクＢとに分割し、これらを使用して２重露光することにより直線状のパターンを転写した状態を説明するものである。このうち、（ａ）及び（ｂ）は、相補マスクＡと相補マスクＢとの左右方向の接続精度不良となった例である。（ａ）のように相補マスク相互が離れ過ぎ、断線状態となっていたり、（ｂ）のように相補マスク相互が接近し過ぎ、線幅が増加し短絡状態となっていたりする。
【００１７】
（ｃ）及び（ｄ）は、相補マスクＡと相補マスクＢとの上下方向の接続精度不良となった例である。いずれも部分的に短絡状態を生じている。（ｅ）及び（ｆ）は、相補マスクＡと相補マスクＢとの平行状態が不良となった例である。いずれも部分的に断線状態を生じ易くなっている。
【００１８】
このような相補マスク間の接続精度不良の対処方法として、各種の提案がなされている（たとえば、特許文献２参照）。図９は、このような相補マスク間の接続精度不良の対処方法の一例であり、相補マスク間の接続部分の端部形状に工夫をこらすことにより（図では、３種の端部形状が採用されている）、上記の課題に対処すべくなされている。
【００１９】
すなわち、図９は、図８と同様に、直線状のパターンを相補マスクＡと相補マスクＢとに分割し、これらを使用して２重露光することにより直線状のパターンを転写した状態を説明するものである。このうち、（ａ）及び（ｂ）は、相補マスクＡと相補マスクＢとの左右方向の接続精度不良となった例であり、（ｃ）及び（ｄ）は、相補マスクＡと相補マスクＢとの上下方向の接続精度不良となった例であり、（ｅ）及び（ｆ）は、相補マスクＡと相補マスクＢとの平行状態が不良となった例である。いずれも多少の改善効果が確認できる。
【００２０】
【特許文献１】
米国特許第５，８３１，２７２号（日本特許第２９５１９４７号に対応）
【００２１】
【特許文献２】
特開平９−２６６１５３号公報
【００２２】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、このような相補マスク間の接続部分の端部形状に工夫をこらす対処方法は、既述の等倍露光方式には適用できないといった問題がある。すなわち、縮小投影露光方式であれば、マスクパターンが比較的大きいので、このような端部形状の工夫が可能であるが、等倍露光方式ではマスクパターンが微小であり、端部形状の工夫が実質的に不可能である。
【００２３】
本発明はこのような事情に鑑みてなされたもので、複数の相補マスクを使用した等倍露光方式において、相補マスク間の接続精度が確保された荷電粒子露光方法及びこれに使用する相補分割マスクを提供することを目的とする。
【００２４】
【課題を解決するための手段】
前記目的を達成するために、本発明は、１のマスクパターンに対し２以上の相補分割マスクを使用して、前記マスクパターンの転写を行う荷電粒子露光方法において、相補分割されたマスクＡとマスクＢとのパターン接続部において、前記マスクＡのマスクパターンと前記マスクＢのマスクパターンとの間に幅ｗのギャップが形成されるようにマスクＡとマスクＢとを形成するとともに、前記ギャップを覆うように幅ｗより広い幅Ｗのマスクパターンが形成されたマスクＣを設け、前記マスクＡ、マスクＢ及びマスクＣを用いて順次前記マスクパターンの転写を行うことを特徴とする荷電粒子露光方法を提供する。
【００２５】
また、本発明は、１のマスクパターンに対し相補分割されたマスクＡとマスクＢとのパターン接続部において、前記マスクＡのマスクパターンと前記マスクＢのマスクパターンとの間に幅ｗのギャップが形成されているマスクＡ及びマスクＢとの組み合わせである一対のステンシルマスクと、前記ギャップを覆うように幅ｗより広い幅Ｗのマスクパターンが形成されているステンシルマスクＣと、の組み合わせからなることを特徴とする相補分割マスクを提供する。
【００２６】
本発明によれば、マスクＡとマスクＢのマスクパターンの間に幅ｗのギャップが形成され、かつ、このギャップを覆うように幅ｗより広い幅ＷのマスクパターンのマスクＣが設けられる。これにより、マスクＡとマスクＢとの間の接続精度が多少劣っても、マスクＣのマスクパターンによって両者が接続されるので、従来例のように、短絡状態を生じたり、断線状態を生じたりする不具合は低減できる。また、接続部分の端部形状に工夫を施さなくとも、等倍露光方式に適用できる。
【００２７】
なお、ステンシルマスク（図１１に示される）において、１のマスクパターンは、原則として梁８８で囲まれた１の透過孔８４のメンブレン８６に形成されるものとする。マスクパターン８７が他の透過孔８４まで連続するとしても、途中で梁８８により開口部であるマスクパターン８７が遮られるからである。
【００２８】
本発明において、前記マスクＣのパターン線太さｔを、前記マスクＡ及びマスクＢのパターン線太さＴの５０〜１００％の太さとすることが好ましい。各マスクのパターン線太さをこのような関係にすれば、短絡状態を低減させたり、断線状態を低減させたりする効果が確認されたからである。
【００２９】
また、本発明は、１のマスクパターンに対し４種の相補分割マスクを使用して、前記マスクパターンの転写を行う荷電粒子露光方法において、前記相補分割マスクのそれぞれは、いずれも前記マスクパターン幅の略２／３の幅のパターンを有するように形成するとともに、前記各マスクのマスクパターン位置を、パターンの幅方向に前記マスクパターン幅の略１／９毎にずらして各マスクパターンを形成し、前記４種のマスクを用いて順次前記マスクパターンの転写を行うことを特徴とする荷電粒子露光方法を提供する。
【００３０】
また、本発明は、１のマスクパターンに対し相補分割された４種のステンシルマスクよりなる相補分割マスクであって、前記４種のマスクのそれぞれは、いずれも前記マスクパターン幅の略２／３の幅のパターンを有するように形成されており、前記各マスクのマスクパターン位置が、パターンの幅方向に前記マスクパターン幅の略１／９毎にずらして各マスクパターンとして形成されていることを特徴とする相補分割マスクを提供する。
【００３１】
本発明によれば、１のマスクパターンに対し４種の相補分割マスクを使用し、相補分割マスク相互の接続箇所を複数箇所に設けた。これにより、相補分割マスク同士の間の接続精度が多少劣っても、複数箇所に分散して接続箇所が設けられるので、従来例のように、短絡状態を生じたり、断線状態を生じたりする不具合は低減できる。また、接続部分の端部形状に工夫を施さなくとも、等倍露光方式に適用できる。
【００３２】
また、本発明は、前記荷電粒子露光方法を使用して製造した半導体デバイスを提供する。本発明によれば、従来に増して高集積化が求められるデザインルールに対応できる半導体デバイスが得られるからである。なお、半導体デバイスの製造は、公知のフローによれば良く、たとえば、ウエハ製造工程、ウエハ処理工程（前工程とも称され、これには基板工程、配線工程が含まれる）、組立工程（後工程とも称される）、検査工程の順でなされる。荷電粒子露光方法は、このうち前工程で適用される。
【００３３】
【発明の実施の形態】
以下、添付図面に従って、本発明に係る荷電粒子露光方法及びこれに使用する相補分割マスクの好ましい実施の形態について説明する。図１は第１の実施態様の相補分割マスクにおけるマスクパターンの配置を示す概略平面図である。なお、説明の便宜のため、３本の平行線からなるマスクパターンとしたが、実際にはこれより遥かに微小かつ複雑なパターンとなる。
【００３４】
同図において、所望のマスクパターンは左右方向の全幅Ｌの３本の平行線である。相補分割マスクのうち、マスクＡのマスクパターンは、このうち略左半分であり、マスクＢのマスクパターンは、このうち略右半分であり、マスクＣのマスクパターンは、このうち中央部の所定幅Ｗである。そして、マスクＡのマスクパターンとマスクＢのマスクパターンとを重ね合わせた際に生じるギャップは幅ｗである。
【００３５】
そして、マスクＣのパターン幅Ｗは、ギャップ幅ｗより大きく設計されている。また、マスクＣのパターン線太さｔを、マスクＡ及びマスクＢのパターン線太さＴの５０〜１００％の太さとすることが好ましい。図１では、パターン線太さｔはパターン線太さＴの９０％に設計されている。
【００３６】
この３種の相補分割マスクを３重露光することにより、図１に示されるような直線状のパターンが転写される。この３重露光時の各相補分割マスクの位置合せ精度は良好であったことより、上下方向、左右方向、θ方向の接続精度は良好となっており、短絡状態及び断線状態は生じていない。
【００３７】
図２は第２の実施態様の相補分割マスクにおけるマスクパターンの配置を示す概略平面図である。なお、図１と同様に、説明の便宜のため、３本の平行線からなるマスクパターンとしたが、実際にはこれより遥かに微小かつ複雑なパターンとなる。
【００３８】
同図において、所望のマスクパターンは左右方向の全幅Ｌの３本の平行線である。相補分割マスクのうち、マスクＡのマスクパターンは、このうち左端部より右方に向かって２／３・Ｌの幅の部分であり、マスクＢのマスクパターンは、このうち左端部より右方に向かって１／９・Ｌの位置より生じて、２／３・Ｌの幅の部分であり、マスクＣのマスクパターンは、このうち左端部より右方に向かって２／９・Ｌの位置より生じて、２／３・Ｌの幅の部分であり、マスクＤのマスクパターンは、このうち左端部より右方に向かって１／３・Ｌの位置より生じて、右端まで達する２／３・Ｌの幅の部分である。
【００３９】
この構成では、相補分割マスク相互の接続箇所が複数箇所設けられている。具体的には、マスクＡのパターンとマスクＢのパターン、マスクＢのパターンとマスクＣのパターン、マスクＣのパターンとマスクＤのパターン、更に、マスクＡのパターンとマスクＣのパターン、マスクＡのパターンとマスクＤのパターン、マスクＢのパターンとマスクＤのパターンの接続箇所である。
【００４０】
これにより、相補分割マスク同士の間の接続精度が多少劣っても、複数箇所に分散して接続箇所が設けられるので、従来例のように、短絡状態を生じたり、断線状態を生じたりする不具合は低減できる。また、接続部分の端部形状に工夫を施さなくとも、等倍露光方式に適用できる。
【００４１】
この４種の相補分割マスクを４重露光することにより、図２に示されるような直線状のパターンが転写される。この４重露光時の各相補分割マスクの位置合せ精度は良好であったことより、上下方向、左右方向、θ方向の接続精度は良好となっており、短絡状態及び断線状態は生じていない。
【００４２】
次に、本発明に係る相補分割マスクとして使用されるステンシルマスクの製造方法について説明する。図３及び図４に、パターニング先行法による作製フローを示す。以下、図に従って説明する。
【００４３】
図３（ａ）において、ブランクス５２としてＳＯＩウェーハを用いる。Ｓｉウェーハ５２ｃの片面側に形成された活性層５２ａのＳｉの厚さは０．３〜２μｍ、中間層５２ｂのＳｉＯ２  （ＢＯＸ）の厚さは２μｍ以下である。活性層５２ａのＳｉは非常に薄く、中間層５２ｂのＳｉＯ２  との応力によって皺になることがあるので、活性層５２ａのＳｉ中にＢを拡散したり、中間層５２ｂのＳｉＯ２  の厚さを調整し応力を制御している。また、ＳｉＯ２  に代えて、ＳｉＮｘ  、多結晶Ｓｉ、ＣｒＮ等、他の材料が用いられることもある。
【００４４】
ＳＯＩウェーハ５２には張り合わせ、エルトラン、ＳＩＭＯＸ等様々なものがあるだけでなく、ユーザによって導電性、結晶方位、フラットネス、両面研磨／表面研磨等仕様が異なっている。作製はまず活性層５２ａのＳｉ上にＨＭＤＳ処理を施し、レジスト５４を塗布する。場合によっては、ハードマスクとしてＳｉＯ２  を被着し、その後レジスト５４を塗布することもある。
【００４５】
図３（ｂ）において、ＥＢ露光・  現像を行う。パターンにはＬＳＩパターンだけでなく、マスクアライメントマークやマスク名等、種々アクセサリーも含めることができる。この段階で外観検査、寸法測定、欠陥検査等が行われることもある。
【００４６】
図３（ｃ）において、レジストパターンをマスクとして活性層５２ａのＳｉを垂直にドライエッチングする。中間層５２ｂのＳｉＯ２  はドライエッチングのストッパ層となる。図３（ｄ）において、レジスト５４を剥離し、外観検査、寸法測定、欠陥検査等を行う。
【００４７】
図３（ｅ）において、裏面（下面）側に開口を設ける前に、形成したパターンを保護するための保護膜５６を形成する。保護膜５６にはＳｉＮ、Ｃｒ等が使われる。更に、パターン部に保護用の樹脂を埋め込むこともある。この時、パターン保護が完全でないと、以降の工程で表面側のパターンが欠陥だらけになるので細心の注意が必要である。そして、図３（ｆ）において、裏面にレジスト５８を塗布する。なお、この図以降では、ブランクス５２の上下が反転されて表示される。
【００４８】
図４（ｇ）において、表面（下面）側パターンとアライメントを取り、開口パターンを露光する。表面側パターンとアライメントを取るために、あらかじめ両面にマークに入ったウェーハ（ブランクス）を用いたり、両面のアライメントが可能な両面アライナが使用される。露光後、レジスト５８を現像する。
【００４９】
図４（ｈ）において、レジスト５８をマスクに保護膜５６をドライ又はウェットエッチングする。保護膜がハードマスクを兼ねることもある。次いで、図４（ｉ）において、ウェーハ５２ｃのＳｉをドライエッチングする。ここで、垂直に近い形状に掘らないとリブがパターン部に及ぶことがある。ドライエッチングだけで仕上げる場合と、ドライエッチングで中間層５２ｂ直前までエッチングしてからウェットエッチングで仕上げる場合がある。
【００５０】
図４（ｊ）において、レジスト５８を剥離する。そして、図４（ｋ）において、保護膜５６を剥離し、洗浄する。表面パターン部に樹脂等を埋め込んでいる場合は樹脂も除去する。この後、メタルやバリアメタル／メタルを被着することもある。これにより、ステンシルマスク５０が完成する。
【００５１】
以上の説明は、パターニング先行法による作製フローであるが、これ以外の作製フローとして、裏面の開口を先に形成するバックエッチング先行法も採用できる。但し、基本的な工程は略同様なことより、説明は省略する。
【００５２】
以上、本発明に係る荷電粒子露光方法及びこれに使用する相補分割マスクの実施形態の例について説明したが、本発明は上記実施形態の例に限定されるものではなく、各種の態様が採り得る。
【００５３】
たとえば、本実施形態では、ステンシルマスクを使用した相補分割マスクの例について説明したが、メンブレンマスクを使用した相補分割マスクとする構成も採用できる。
【００５４】
また、本実施形態では、相補分割マスクを等倍露光方式に適用した例について説明したが、相補分割マスクを縮小投影露光方式に適用する構成も採用できる。
【００５５】
更に、本実施形態では、荷電粒子露光方法として電子ビーム露光方法を採用したが、Ｘ線露光方法や極端紫外線（ＥＵＶ）露光方法を採用するのであってもよい。
【００５６】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、マスクＡとマスクＢのマスクパターンの間に幅ｗのギャップが形成され、かつ、このギャップを覆うように幅ｗより広い幅ＷのマスクパターンのマスクＣが設けられる。これにより、マスクＡとマスクＢとの間の接続精度が多少劣っても、マスクＣのマスクパターンによって両者が接続されるので、従来例のように、短絡状態を生じたり、断線状態を生じたりする不具合は低減できる。また、接続部分の端部形状に工夫を施さなくとも、等倍露光方式に適用できる。
【００５７】
また、本発明によれば、１のマスクパターンに対し４種の相補分割マスクを使用し、相補分割マスク相互の接続箇所を複数箇所に設けた。これにより、相補分割マスク同士の間の接続精度が多少劣っても、複数箇所に分散して接続箇所が設けられるので、従来例のように、短絡状態を生じたり、断線状態を生じたりする不具合は低減できる。また、接続部分の端部形状に工夫を施さなくとも、等倍露光方式に適用できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施態様の相補分割マスクにおけるマスクパターンの配置を示す概略平面図
【図２】本発明の他の実施態様の相補分割マスクにおけるマスクパターンの配置を示す概略平面図
【図３】ステンシルマスクの製造フロー
【図４】ステンシルマスクの製造フロー
【図５】ステンシルマスクにおいて、そのままではマスクに形成できないパターンを示す概念図
【図６】図５のパターンを、２つの相補マスクに分割した形態を示す概念図
【図７】ドーナツ状のパターンを、４種の相補マスクに分割した形態を示す概念図
【図８】直線パターンを、２つの相補マスクに分割し転写した状態を示す概念図
【図９】直線パターンを、接続部分の端部形状に工夫をこらした２つの相補マスクに分割し転写した状態を示す概念図
【図１０】ステンシルマスクの一例を示す斜視図
【図１１】ステンシルマスクの側断面図
【図１２】電子ビーム近接露光装置の基本構成図
【図１３】電子ビームによるマスクの走査を説明するために用いた図
【図１４】電子ビーム近接露光装置の全体構成図
【符号の説明】
５０…ステンシルマスク、５２…ブランクス（ＳＯＩウェーハ）、５４、５８…レジスト、５６…保護膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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