(57)【要約】【課題】カーボンナノチューブをより微細な間隔で規則正しく配列させることができる筒状炭素分子の製造方法を提供する。【解決手段】シリコン（Ｓｉ）などの半導体からなり、触媒として鉄（Ｆｅ）を含む素材基板１０に対して、変調された熱分布に応じた溶融を利用して、熱分布に応じた位置に鉄を析出させて基板１５を形成する。基板１５に析出した鉄を触媒としてカーボンナノチューブ１６を成長させる。更に、カーボンナノチューブ１６の周囲の空間に固定層１８を形成し、固定層１８と共にカーボンナノチューブ１６を研磨してカーボンナノチューブ１６の先端を所定の平面内に形成すると共に開放端１６Ａを形成する。固定層１８の上に鉄よりなる薄膜１９を形成し、薄膜１９を研磨することにより、カーボンナノチューブ１６の先端部に鉄よりなる磁性層１９Ａを挿入して、記録装置２０として用いることができる。【選択図】        図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
変調された熱分布による溶融を利用して、筒状炭素分子の触媒機能を有する金属を配置する触媒配置工程と、
筒状炭素分子を成長させる成長工程と
を含むことを特徴とする筒状炭素分子の製造方法。
【請求項２】
前記熱分布はエネルギービームを一次元または二次元方向に回折させることにより与える
ことを特徴とする請求項１記載の筒状炭素分子の製造方法。
【請求項３】
前記筒状炭素分子の先端を所定の平面内に形成すると共に前記先端を開放端とする高さ均一化工程を更に含む
ことを特徴とする請求項１記載の筒状炭素分子の製造方法。
【請求項４】
前記高さ均一化工程において、少なくとも前記筒状炭素分子の周囲に固定層を形成して前記筒状炭素分子を固定したのち、前記固定層と共に前記筒状炭素分子を研磨する
ことを特徴とする請求項３記載の筒状炭素分子の製造方法。
【請求項５】
前記研磨を、化学機械研磨により行う
ことを特徴とする請求項４記載の筒状炭素分子の製造方法。
【請求項６】
前記成長工程において、前記筒状炭素分子の先端に所望の物質を内包させる
ことを特徴とする請求項１記載の筒状炭素分子の製造方法。
【請求項７】
前記所望の物質は、誘電体材料または導電体材料からなる
ことを特徴とする請求項６記載の筒状炭素分子の製造方法。
【請求項８】
前記所望の物質は、触媒機能を有する金属からなる
ことを特徴とする請求項６記載の筒状炭素分子の製造方法。
【請求項９】
前記複数の筒状炭素分子の開放端から前記筒状炭素分子の少なくとも先端部に磁気材料を挿入させる挿入工程を更に含む
ことを特徴とする請求項３記載の筒状炭素分子の製造方法。
【請求項１０】
前記高さ均一化工程において、少なくとも前記筒状炭素分子の周囲に固定層を形成して前記筒状炭素分子を固定したのち、前記固定層と共に前記筒状炭素分子を研磨し、
前記挿入工程において、前記固定層の上に前記開放端を塞ぐように前記磁気材料よりなる薄膜を形成したのち、前記薄膜を研磨する
ことを特徴とする請求項９記載の筒状炭素分子の製造方法。
【請求項１１】
前記研磨を、化学機械研磨により行う
ことを特徴とする請求項１０記載の筒状炭素分子の製造方法。
【請求項１２】
前記触媒配置工程は、
第１の物質中に第２の物質を添加材として含む素材基板の表面に対して変調された熱分布を与え、前記素材基板の表面を溶融させる溶融工程と、
前記素材基板の表面を放熱させることにより、前記熱分布に応じた位置に前記第２の物質を析出させる析出工程と
を含むことを特徴とする請求項１記載の筒状炭素分子の製造方法。
【請求項１３】
前記第２の物質は、添加により前記第１の物質の融点を低下させる物質である
ことを特徴とする請求項１２記載の筒状炭素分子の製造方法。
【請求項１４】
前記析出工程において、前記素材基板の表面を放熱させることにより前記第２の物質を前記素材基板の表面に平面状に析出させる
ことを特徴とする請求項１２記載の筒状炭素分子の製造方法。
【請求項１５】
前記析出工程において、前記素材基板の表面を放熱させることにより前記素材基板の表面に突起を形成し、前記第２の物質を前記突起の少なくとも先端部に析出させる
ことを特徴とする請求項１２記載の筒状炭素分子の製造方法。
【請求項１６】
前記第１の物質は半導体または金属であり、前記第２の物質は触媒機能を有する金属である
ことを特徴とする請求項１２記載の筒状炭素分子の製造方法。
【請求項１７】
前記触媒配置工程は、
素材基板の表面に対して所望のパターンに応じて変調された熱分布を与え、前記素材基板の表面を溶融させる溶融工程と、
前記素材基板の表面を放熱させることにより、前記素材基板の前記熱分布に応じた位置に少なくとも先端部が転写物質からなる突起を形成して、表面に突起のパターンを有する転写用原盤を作製する原盤作製工程と、
前記転写用原盤のパターンを被転写基板に転写させて基板を作製する転写工程とを含み、
前記基板上に前記筒状炭素分子を成長させる
ことを特徴とする請求項１記載の筒状炭素分子の製造方法。
【請求項１８】
前記転写工程において、前記転写用原盤と前記被転写基板との相対位置をずらして、前記転写用原盤のパターンを前記被転写基板に複数回転写させる
ことを特徴とする請求項１７記載の筒状炭素分子の製造方法。
【請求項１９】
前記転写工程において加熱処理を行う
ことを特徴とする請求項１７記載の筒状炭素分子の製造方法。
【請求項２０】
前記触媒配置工程は、
素材基板の表面に対して所望のパターンに応じて変調された熱分布を与え、前記素材基板の表面を溶融させる溶融工程と、
前記素材基板の表面を放熱させることにより、前記熱分布に応じた位置に突起のパターンを形成する突起形成工程と、
前記突起に筒状炭素分子の触媒機能を有する金属よりなる金属基板を押し当てることにより、前記突起の先端部に触媒金属を付着させる付着工程と
を含むことを特徴とする請求項１記載の筒状炭素分子の製造方法。
【請求項２１】
前記触媒配置工程は、
素材基板の表面に対して所望のパターンに応じて変調された熱分布を与え、前記素材基板の表面を溶融させる溶融工程と、
前記素材基板の表面を放熱させることにより、前記熱分布に応じた位置に突起のパターンを形成する突起形成工程と、
前記突起の上面を平坦化する平坦化工程と
を含むことを特徴とする請求項１記載の筒状炭素分子の製造方法。
【請求項２２】
前記突起の平坦化された上面を被転写基板に転写する上面転写工程を更に含む
ことを特徴とする請求項２１記載の筒状炭素分子の製造方法。
【請求項２３】
前記触媒配置工程は、
素材基板の表面に対して所望のパターンに応じて変調された熱分布を与え、前記素材基板の表面を溶融させる溶融工程と、
前記素材基板の表面を放熱させることにより、前記熱分布に応じた位置に突起のパターンを形成する突起形成工程と、
前記突起の最先端部分以外の表面に、筒状炭素分子の成長を抑制する抑制層を形成する抑制層形成工程と
を含むことを特徴とする請求項１記載の筒状炭素分子の製造方法。
【請求項２４】
基板上に所望のパターンで配置されると共に、先端が所定の平面内に形成され、かつ前記先端が開放端となっている
ことを特徴とする筒状炭素分子。
【請求項２５】
前記筒状炭素分子の周囲に固定層が形成され、前記固定層によって前記筒状炭素分子が固定されている
ことを特徴とする請求項２４記載の筒状炭素分子。
【請求項２６】
前記筒状炭素分子は、少なくとも先端部に所望の物質が挿入されている
ことを特徴とする請求項２４記載の筒状炭素分子。
【請求項２７】
変調された熱分布による溶融を利用して、筒状炭素分子の触媒機能を有する金属を配置し、その触媒機能を有する金属を利用して筒状炭素分子を成長させることにより形成された
ことを特徴とする筒状炭素分子。
【請求項２８】
変調された熱分布による溶融を利用して、筒状炭素分子の触媒機能を有する金属を配置する触媒配置工程と、
筒状炭素分子を成長させる成長工程と、
前記筒状炭素分子の先端を所定の平面内に形成すると共に前記先端を開放端とする高さ均一化工程と、
前記開放端から前記筒状炭素分子の少なくとも先端部に磁気材料を挿入する挿入工程と
を含むことを特徴とする記録装置の製造方法。
【請求項２９】
前記高さ均一化工程において、少なくとも前記筒状炭素分子の周囲に固定層を形成して前記筒状炭素分子を固定し、前記固定層と共に前記筒状炭素分子を研磨し、
前記挿入工程において、前記固定層の上に前記開放端を塞ぐように前記磁気材料よりなる薄膜を形成し、前記薄膜を研磨する
ことを特徴とする請求項２８記載の記録装置の製造方法。
【請求項３０】
前記研磨を、化学機械研磨により行う
ことを特徴とする請求項２９記載の記録装置の製造方法。
【請求項３１】
所望のパターンで配置された筒状炭素分子と、前記筒状炭素分子の少なくとも先端部に挿入された磁気材料からなる磁性層とを備えた
ことを特徴とする記録装置。
【請求項３２】
前記筒状炭素分子の先端が所定の平面内に形成され、かつ前記先端が開放端となっている
ことを特徴とする請求項３１記載の記録装置。
【請求項３３】
前記筒状炭素分子は、一次元または二次元に配置されている
ことを特徴とする請求項３１記載の記録装置。
【請求項３４】
前記筒状炭素分子の周囲に固定層が形成され、前記固定層により前記筒状炭素分子が固定されている
ことを特徴とする請求項３１記載の記録装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、カーボンナノチューブ等の筒状炭素分子を微細なパターンで配列形成可能な筒状炭素分子の製造方法およびその方法により得られた筒状炭素分子に関する。また、本発明は、この筒状炭素分子を用いた記録装置の製造方法および記録装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年のナノテクノロジーの進歩は著しく，なかでもカーボンナノチューブ等の分子構造体は、熱伝導性，電気伝導性，機械的強度などで優れた特性を持つ安定した材料であることから、トランジスタ，メモリ，電界電子放出素子など幅広い用途への応用が期待されている。
【０００３】
例えば、カーボンナノチューブの用途の１つとして、冷陰極電界電子放出（以下、「電界電子放出」という）を実現するのに好適であることが知られている（例えば、非特許文献１参照。）。電界電子放出とは、真空中に置かれた金属または半導体に所定のしきい値以上の大きさの電界を与えると、金属または半導体の表面近傍のエネルギー障壁を電子が量子トンネル効果により通過し、常温においても真空中に電子が放出されるようになる現象である。
【０００４】
このような応用分野においては、カーボンナノチューブは、単独ではなく、複数のカーボンナノチューブを含むカーボンナノチューブ構造体として利用される。例えば、カーボンナノチューブを所定の配列で形成したカーボンナノチューブ構造体を、ＦＥＤ（Ｆｉｅｌｄ  Ｅｍｉｓｓｉｏｎ  Ｄｉｓｐｌａｙ）に利用した例が報告されている（例えば、特許文献１ないし７、および非特許文献１ないし４参照。）。この場合、カーボンナノチューブ構造体の製造方法として、フォトリソグラフィあるいはＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ  ；化学気相成長）などの従来の半導体技術が用いられている。また、カーボンナノチューブに異物質を内包させる技術についても開示されている（例えば、非特許文献５ないし７参照。）。
【０００５】
また、本発明に関連する他の技術として、磁気記録素子および磁気記録装置がある。これらの原理は、磁気材料に着磁して、その保磁力により着磁方向を１あるいは０、または着磁における磁化の度合いを記録する信号のアナログ量に対応させるものである。ここで、着磁は記録面に水平方向の面内着磁と、記録面に垂直な垂直着磁のいずれもが実用に供されている。近年では、記録密度の更なる向上が要求されているが、従来では、着磁の長さをより小さくすることにより対応してきた。このような磁気記録技術においてカーボンナノチューブを応用する試みは、本発明者の知り得るところでは開示されていない。
【０００６】
【特許文献１】
特開２００２−２０３４７３号公報
【特許文献２】
特開２００２−１９７９６５号公報
【特許文献３】
特開２００２−１５０９２２号公報
【特許文献４】
特開２００１−２３５０６号公報
【特許文献５】
特開２０００−２８５７９５号公報
【特許文献６】
特開２０００−１２３７１３号公報
【特許文献７】
特開２０００−６７７３６号公報
【非特許文献１】
斎藤弥八，表面化学，１９９８年，第１９巻，第１０号，ｐ．６８０−６８６
【非特許文献２】
Ｃ．Ａ．スピント（Ｃ．  Ａ．  Ｓｐｉｎｄｔ）、外３名，ジャーナル・オブ・アプライド・フィジクス（Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ａｐｐｌｉｅｄ  Ｐｈｙｓｉｃｓ），（米国），１９７６年，第４７巻，ｐ５２４８−５２６３
【非特許文献３】
第４９回応用物理学関係連合講演会，講演予稿集，２９ｐ−Ｋ−７
【非特許文献４】
日刊工業新聞，平成１４年４月１１日付記事，「ＣＮＴのフィールドエミッター４ボルト低電圧で電子放出」
【非特許文献５】
阿多誠文（Ｍ．  Ａｔａ）、外３名，ジャパニーズ・ジャーナル・オブ・アプライド・フィジクス（Ｊｐｎ．  Ｊ．  Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．），１９９５年，第３４巻，ｐ４２０７−４２１２
【非特許文献６】
阿多誠文（Ｍ．  Ａｔａ）、外４名，ジャパニーズ・ジャーナル・オブ・アプライド・フィジクス（Ｊｐｎ．  Ｊ．  Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．），１９９４年，第３３巻，ｐ４０３２−４０３８
【非特許文献７】
阿多誠文（Ｍ．  Ａｔａ）、外２名，アドバンスト・マテリアルズ（Ａｄｖａｎｃｅｄ  Ｍａｔｅｒｉａｌｓ），（独国），１９９５年，第７巻，ｐ２８６−２８９）
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
カーボンナノチューブ構造体を用いたＦＥＤ等を実現するには、遷移金属等からなる触媒の微細なパターンを形成し、それを用いてカーボンナノチューブを微細な間隔で規則正しく整列させる技術が必須とされる。しかしながら、従来では、ある程度の量産性を達成できる技術としてはフォトリソグラフィしかなかった。フォトリソグラフィは、本質的に二次元構造の形成に適した技術であり、カーボンナノチューブ構造体のような三次元構造を形成するには不向きである。
【０００８】
更に、フォトリソグラフィにより金属触媒の微細なパターンを形成するには、エネルギービームの波長を短くするしか方法がなく、現在の技術ではこれ以上の短波長化は困難である。そのため、フォトリソグラフィにより遷移金属等のパターンを形成する場合には、遷移金属パターンの寸法およびその間隔は、エネルギービームの波長で定まり、現在の技術では０．０５μｍ（５０ｎｍ）以下にすることができず、また、パターンの間隔（ピッチ）は１００ｎｍ以下にすることができない。すなわち、従来の手法では、金属触媒等のより微細なパターンを形成するには限界があるという問題があった。
【０００９】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その第１の目的は、筒状炭素分子をより微細な間隔で規則正しく配列させることのできる筒状炭素分子の製造方法を提供することにある。
【００１０】
本発明の第２の目的は、より微細な間隔で規則正しく配列され、ＦＥＤ，記録装置等の製造に好適な筒状炭素分子を提供することにある。
【００１１】
本発明の第３の目的は、より微細な間隔で規則正しく配列された筒状炭素分子を用いて記録密度を更に向上させることのできる記録装置の製造方法および記録装置を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本発明による筒状炭素分子の製造方法は、変調された熱分布による溶融を利用して、筒状炭素分子の触媒機能を有する金属を配置する触媒配置工程と、筒状炭素分子を成長させる成長工程とを含むものである。
【００１３】
本発明による第１の筒状炭素分子は、基板上に所望のパターンで配置されると共に、先端が所定の平面内に形成され、かつ先端が開放端となっているものである。
【００１４】
本発明による第２の筒状炭素分子は、変調された熱分布による溶融を利用して、筒状炭素分子の触媒機能を有する金属を配置し、筒状炭素分子を成長させることにより形成されたものである。
【００１５】
本発明による記録装置の製造方法は、変調された熱分布による溶融を利用して、筒状炭素分子の触媒機能を有する金属を配置する触媒配置工程と、筒状炭素分子を成長させる成長工程と、筒状炭素分子の先端を所定の平面内に形成すると共に先端を開放端とする高さ均一化工程と、開放端から筒状炭素分子の先端部に磁気材料を挿入する挿入工程とを含むものである。
【００１６】
本発明による記録装置は、所望のパターンで配置された筒状炭素分子と、筒状炭素分子の少なくとも先端部に挿入された磁気材料からなる磁性層とを備えたものである。
【００１７】
本発明による筒状炭素分子の製造方法および本発明による第２の筒状炭素分子では、変調された熱分布による溶融を利用して、筒状炭素分子を形成するための触媒機能を有する金属よりなるパターンが形成される。そののち、形成されたパターンを用いて筒状炭素分子が形成される。
【００１８】
本発明による第１の筒状炭素分子では、筒状炭素分子の先端（開放端）が所定の平面内に形成されていることから、筒状炭素分子の先端の位置すなわち高さが均一化される。
【００１９】
本発明による記録装置の製造方法では、変調された熱分布による溶融を利用して、筒状炭素分子を形成するための触媒機能を有する金属が所望のパターンで配置される。そののち、この触媒機能を有する金属を利用して筒状炭素分子が成長し、更に、筒状炭素分子の先端が所定の平面に形成されると共に先端が開放端となる。次いで、開放端から筒状炭素分子の先端部に磁気材料が挿入され磁性層となる。
【００２０】
本発明による記録装置では、各々の筒状炭素分子に挿入された磁性層は、隣接する他の筒状炭素分子内の磁性層から隔離されるので、各々の筒状炭素分子内の磁性層に対しての情報の書き込みまたは読み出しが確実に行われる。
【００２１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。
【００２２】
《筒状炭素分子の製造方法》
〔第１の実施の形態〕
まず、図１ないし図３を参照して、本発明の第１の実施の形態に係る筒状炭素分子の製造方法について説明する。本実施の形態の方法は、一方向に配向された複数のカーボンナノチューブを含むカーボンナノチューブ構造体を形成するものであり、変調された熱分布による溶融を利用して、カーボンナノチューブの触媒機能を有する金属を配置する「触媒配置工程」と、触媒機能を有する金属を利用してカーボンナノチューブを成長させる「成長工程」とを含むものである。得られたカーボンナノチューブ構造体は、例えばＦＥＤのカソードあるいは記録装置として利用される。
【００２３】
ここで、カーボンナノチューブ構造体には、例えば、複数のカーボンナノチューブを微細なパターンで配列形成したもの、カーボンナノチューブに異物質を内包させたもの、あるいは複数のカーボンナノチューブを微細なパターンで配列形成すると共に異物質を内包させたものなど、種々の形態のものが含まれる。本実施の形態では、複数のカーボンナノチューブを微細なパターンで配列形成したカーボンナノチューブ構造体について扱う。
【００２４】
更に、本実施の形態では、触媒配置工程は、素材基板１０の表面に変調された熱分布１１を与え、素材基板１０の表面を溶融させる「溶融工程」と、素材基板１０の表面を放熱させることにより、熱分布１１に応じた位置に、すなわち所望のパターンで第２の物質を析出させる「析出工程」とを含んでいる。
【００２５】
（溶融工程）
まず、図１を参照して溶融工程を説明する。ここで、素材基板１０は第１の物質により構成され、この第１の物質中に析出材料として第２の物質が添加されたものである。なお、第２の物質は、偏析係数が正のもの、すなわち、第１の物質中に添加されることにより第１の物質の融点を低下させるもので、加熱により溶融されたのち冷却過程において凝固する際に溶融領域に残る性質を有するものである。本実施の形態では、第１の物質からなる素材基板１０はシリコン（Ｓｉ）基板であり、第２の物質として金属触媒としての鉄（Ｆｅ）を用いるものとする。
【００２６】
素材基板１０は、厚さが例えば４０ｎｍであり、例えばシリコンにより構成された支持体１０Ａにより保持されている。なお、素材基板１０が十分な厚さを有している場合には、支持体１０Ａは不要である。
【００２７】
第１の物質としては、上述のシリコンに限らず、その他の半導体材料、例えばゲルマニウム（Ｇｅ）などが挙げられるが、その他、金属材料でもよく、例えば、タンタル（Ｔａ），タングステン（Ｗ）または白金（Ｐｔ）などの高融点金属や、それらの合金を用いてもよい。
【００２８】
第２の物質は、カーボンナノチューブを形成するための金属触媒としては、上述の鉄（Ｆｅ）の他、バナジウム（Ｖ），マンガン（Ｍｎ），コバルト（Ｃｏ），ニッケル（Ｎｉ），モリブデン（Ｍｏ），タンタル（Ｔａ），タングステン（Ｗ）または白金（Ｐｔ）が挙げられる。また、イットリウム（Ｙ），ルテチウム（Ｌｕ），ホウ素（Ｂ），銅（Ｃｕ），リチウム（Ｌｉ），シリコン（Ｓｉ），クロム（Ｃｒ），亜鉛（Ｚｎ），パラジウム（Ｐｄ），銀（Ａｇ），ルテニウム（Ｒｕ），チタン（Ｔｉ），ランタン（Ｌａ），セリウム（Ｃｅ），プラセオジム（Ｐｒ），ネオジム（Ｎｄ），テルビウム（Ｔｂ），ジスプロシウム（Ｄｙ），ホルミウム（Ｈｏ）またはエルビウム（Ｅｒ）を用いてもよい。なお、以上の物質は２種以上同時に使用してもよく、また、これら物質の２種以上からなる化合物を用いてもよい。また、金属フタロシアン化合物，メタセロン、金属塩を用いることも可能である。更に、酸化物あるいはシリサイドであってもよい。
【００２９】
加えて、用途によっては、第２の物質は、アルミニウム（Ａｌ），シリコン（Ｓｉ），タンタル（Ｔａ），チタン（Ｔｉ），ジルコニウム（Ｚｒ），ニオブ（Ｎｂ），マグネシウム（Ｍｇ），ホウ素（Ｂ），亜鉛（Ｚｎ），鉛（Ｐｂ），カルシウム（Ｃａ），ランタン（Ｌａ），ゲルマニウム（Ｇｅ）などの金属および半金属などの元素の、窒化物，酸化物，炭化物，フッ化物，硫化物，窒酸化物，窒炭化物，または酸炭化物などからなる誘電体材料を用いることが可能である。具体的には、ＡｌＮ，Ａｌ２  Ｏ３  ，Ｓｉ３  Ｎ４  ，ＳｉＯ２  ，ＭｇＯ，Ｙ２  Ｏ３  ，ＭｇＡｌ２  Ｏ４  ，ＴｉＯ２  ，ＢａＴｉＯ３  ，ＳｒＴｉＯ３  ，Ｔａ２  Ｏ５  ，ＳｉＣ，ＺｎＳ，ＰｂＳ，Ｇｅ−Ｎ，Ｇｅ−Ｎ−Ｏ，Ｓｉ−Ｎ−Ｏ，ＣａＦ２  ，ＬａＦ，ＭｇＦ２  ，ＮａＦ，ＴｉＦ４  などである。更にまた、これらの材料を主成分とする材料や、これらの材料の混合物、例えばＡｌＮ−ＳｉＯ２  を用いることも可能である。加えてまた、鉄（Ｆｅ），コバルト（Ｃｏ），ニッケル（Ｎｉ），ガドリニウム（Ｇｄ）等の磁性体材料を用いることもできる。
【００３０】
熱分布１１は、素材基板１０の表面温度がエネルギービーム１２の照射により空間的に変調されて、高温領域１１Ｈと低温領域１１Ｌとが周期的に形成されたものである。エネルギービーム１２は、波長および位相の揃った平行光であり、本実施の形態では、高出力を得るため、例えばＸｅＣｌエキシマレーザを用いる。
【００３１】
本実施の形態では、熱分布１１は、エネルギービーム１２を回折格子１３で回折させることにより与えられる。回折格子１３は、エネルギービーム１２を回折させてエネルギー量を空間的に変調するものであり、例えば、光学ガラス板に、直線状の平行な溝１３Ａが一定の周期間隔Ｐで一次元方向に配列されたものである。本実施の形態では、例えば、石英材料よりなる板に直線状の平行な溝１３Ａが例えば１μｍの周期間隔Ｐで一次元方向に配列され、エネルギービーム１２のエネルギー量を、溝１３Ａが配列されている方向に沿って一次元方向に変調するようになっている。なお、回折格子１３は必ずしも溝などの凹凸を形成したものに限られず、例えば、エネルギービーム１２の透過部分と非透過部分とが印刷により形成されたものであってもよい。
【００３２】
このような回折格子１３を用いることにより、高温領域１１Ｈは、溝１３Ａの延長方向に沿った直線状に形成されると共に、溝１３Ａの配列されている方向に沿って一次元方向に配列される。熱分布１１の空間的周期Ｔ、すなわち高温領域１１Ｈの間隔（ピッチ）は、回折格子１３の周期間隔Ｐおよびエネルギービーム１２の波長λに応じて定まる。波長λを小さくするほど、または、周期間隔Ｐを微細にするほど熱分布１１の空間的周期Ｔを微細化することができる。
【００３３】
エネルギービーム１２のエネルギー量は、低温領域１１Ｌにおいて素材基板１０の表面が溶融する温度となるように設定される。これにより、素材基板１０の表面の全体を溶融させることができる。このとき、エネルギービーム１２としてエキシマレーザを用いると、パルス発光の照射回数によりエネルギー量の制御を行うことができる。本実施の形態では、例えば、エネルギービーム１２のエネルギー量を３５０ｍＪ／ｃｍ２  、パルス照射回数を１０回とする。
【００３４】
（析出工程）
次に、図２を参照して析出工程を説明する。すなわち、溶融工程において素材基板１０の表面を溶融させたのち、エネルギービーム１２の照射を止めると、素材基板１０の表面の温度は徐々に低下して凝固するが、このとき、第２の物質（Ｆｅ）は、高温領域１１Ｈに移動し、更に高温領域１１Ｈの中で最後に凝固する部分に析出する。こうして、高温領域１１Ｈに対応する位置に第２の物質が析出し、ほぼ平面状の析出領域１４が形成される。以上により、析出領域１４のパターンを有する基板１５が得られる。
【００３５】
ここで、「平面状」とは、その基板１５の表面からの高さが、表面のラフネス程度、例えば１ｎｍ未満であり実質的に平坦な場合をいう。
【００３６】
析出領域１４は、高温領域１１Ｈが溝１３Ａに対応して一次元方向に配列された直線状であるので、これに対応して、一次元方向に配列された直線状のパターンとして形成される。析出領域１４の幅（線幅）Ｗ、すなわち熱分布１１の変調方向における析出領域１４の寸法は、素材基板１０における第２の物質（鉄）の含有量により定まり、第２の物質の含有量が多いほど、析出領域１４の幅Ｗは大きくなる。析出領域１４の幅Ｗは、原理的には第２の物質の原子の大きさより大きい任意の値をとり得るものであり、素材基板１０における第２の物質の含有量を制御することにより従来のフォトリソグラフィ技術では不可能であった５０ｎｍ未満を実現することができる。
【００３７】
析出領域１４の幅Ｗの具体的な値は、第２の物質の材料および析出領域１４の用途によって定められるが、例えば後述する図３に示したように析出領域１４に析出した鉄を触媒として、複数のカーボンナノチューブ１６が直線状に配列されたカーボンナノチューブ構造体１７を形成する場合には、析出領域１４の幅Ｗは、０．４ｎｍ以上５０ｎｍ未満であることが好ましい。その理由は、カーボンナノチューブ１６の直径が、最小で０．４ｎｍであるからである。
【００３８】
析出領域１４の幅Ｗは、０．４ｎｍ以上３０ｎｍ以下であればより好ましい。カーボンナノチューブ１６は、直径が０．４ｎｍ以上３０ｎｍ以下の範囲にあるものが多いからである。
【００３９】
更に、析出領域１４の幅Ｗは、０．４ｎｍ以上１０ｎｍ以下であれば更に好ましい。なぜなら、析出領域１４の幅方向に多数のカーボンナノチューブ１６が接近して屹立する可能性が小さくなるので、カーボンナノチューブ構造体１７を例えば電界電子放出素子（エミッタ）として使用する場合に、カーボンナノチューブ１６の各々の表面における電界強度の低下を防止し、電界放出に必要な印加電圧を小さくすることができるからである。また、例えばカーボンナノチューブ構造体１７を記録装置（メモリ）として利用する場合には、一本の析出領域１４には幅方向に１本のみのカーボンナノチューブ１６を形成することが必要となる場合があるので、カーボンナノチューブ１６の直径と析出領域１４の幅Ｗとを一致させることが好ましいからである。
【００４０】
また、析出領域１４の間隔Ｌ、すなわち熱分布１１の変調方向における析出領域１４の間隔（ピッチ）は、熱分布１１の空間的周期Ｔに応じて、すなわち回折格子１３の周期間隔Ｐおよびエネルギービーム１２の波長λに応じて定まる。波長λを小さくするほど、または、周期間隔Ｐを微細にするほど析出領域１４の間隔Ｌを微細化することができ、従来のフォトリソグラフィでは不可能な微細な間隔Ｌで析出領域１４を形成することが可能である。
【００４１】
析出領域１４の間隔Ｌは、例えば１００ｎｍ以下であることが好ましい。従来のフォトリソグラフィでは解像限界が５０ｎｍであるため、従来のフォトリソグラフィで形成可能な最小のパターンは、例えば山５０ｎｍ、谷５０ｎｍ、および山５０ｎｍで、その間隔は解像限界の２倍すなわち１００ｎｍとなるからである。更に、析出領域１４の間隔Ｌは、５０ｎｍ以下とすればより好ましい。従来の電子ビームリソグラフィの解像限界が２５ｎｍ程度であるため、従来の電子ビームリソグラフィで形成可能な最小のパターンの間隔は、同様に解像限界の２倍すなわち５０ｎｍとなるからである。
【００４２】
以上により、触媒配置工程が完了し、素材基板１０に析出領域１４を有する基板１５が形成される。
【００４３】
（成長工程）
続いて、図３を参照して成長工程を説明する。基板１５の上に、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ  ；化学気相成長）法によりカーボンナノチューブ１６を成長させる。成長条件としては、例えば、カーボンナノチューブ１６の原料となる炭素化合物としてメタン（ＣＨ４  ）を用い、析出領域１４に析出した鉄を触媒として、９００℃、１５分とすることができる。カーボンナノチューブ１６は析出領域１４にのみ成長するので、基板１５の上に析出領域１４のパターン通りに複数のカーボンナノチューブ１６が直線状に配列されたカーボンナノチューブ構造体１７が形成される。カーボンナノチューブ１６の直径は、原料となる炭素化合物の種類と、成長条件の設定により定めることが可能である。
【００４４】
このように本実施の形態では、カーボンナノチューブ１６を形成するための触媒機能を有する鉄よりなる析出領域１４のパターンを、変調された熱分布１１による溶融を利用して配置形成し、この析出領域１４のパターンを用いてカーボンナノチューブ１６を成長させるようにしたので、熱分布１１を制御することにより、従来のフォトリソグラフィでは不可能であった微細な幅Ｗおよび間隔Ｌを有する析出領域１４のパターンを形成し、基板１５の上に析出領域１４のパターン通りにカーボンナノチューブ１６が規則正しく配列されたカーボンナノチューブ構造体１７を得ることができる。
【００４５】
また、析出領域１４のパターンを有する基板１５をドライプロセスにより形成することができるので、従来のフォトリソグラフィを利用したプロセスに比べて生産が容易であり、再現性が良く、低コスト化が可能である等の利点を得ることができる。
【００４６】
更に、本実施の形態では、添加材として鉄を含むシリコンからなる素材基板１０の表面に対して熱分布１１を与え、素材基板１０の表面を溶融させたのち、素材基板１０の表面を放熱させるようにしたので、熱分布１１に応じた位置に選択的に鉄を析出させ、ほぼ平面状の析出領域１４からなるパターンを形成することができる。
【００４７】
加えて、本実施の形態では、エネルギービーム１２を回折させることにより熱分布１１を与えるようにしたので、回折格子１３の周期間隔Ｐを微細化することにより熱分布１１の空間的周期Ｔを容易に制御し、析出領域１４の間隔Ｌを精度よく微細化することができる。
【００４８】
〔第２の実施の形態〕
次に、本発明の第２の実施の形態について説明する。本実施の形態は、上記第１の実施の形態によってカーボンナノチューブ構造体１７を形成した後、カーボンナノチューブ１６の先端を所定の平面内に形成すると共にその先端を開放端（オープンエンド）とする高さ均一化工程を更に含むようにしたものである。
【００４９】
なお、ここで、「高さ」とは、カーボンナノチューブ１６の先端の位置、すなわち素材基板１０の表面とカーボンナノチューブ１６の先端との距離をいう。よって、カーボンナノチューブ１６の高さは、カーボンナノチューブ１６の長さすなわち延長方向における実際の寸法とは異なる場合もありうる。
【００５０】
（高さ均一化工程）
以下、図４を参照して、高さ均一化工程を説明する。まず、図４（Ａ）に示したように、カーボンナノチューブ１６の周囲に固定層１８を充填し、カーボンナノチューブ１６を固定層１８により固定する。固定層１８の材料としては、例えば、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２  ），窒化ケイ素（ＳｉＮ），ポリイミド，ポリメチルメタクリレート（Ｐｏｌｙ  Ｍｅｔｈｙｌ  Ｍｅｔｈａｃｒｙｌａｔｅ；ＰＭＭＡ），金属酸化膜などの絶縁体材料、あるいはシリコン，ゲルマニウムなどの半導体材料などが用いられる。固定層１８の形成方法としては、例えば、プラズマ増速ＣＶＤ（Ｐｌａｓｍａ  Ｅｎｈａｎｃｅｄ  ＣＶＤ；ＰＥＣＶＤ）法、ＰＶＤ（Ｐｈｙｓｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ  ）法、ＳＯＧ（Ｓｐｉｎ  Ｏｎ  Ｇｌａｓｓ  ）などが挙げられる。固定層１８の厚さは、特に限定されない。
【００５１】
次に、図４（Ｂ）に示したように、例えばＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ  ；化学機械研磨）により、固定層１８と共にカーボンナノチューブ１６を研磨する。これにより、カーボンナノチューブ１６の先端が所定の同一平面ＰＬ内に揃えられると共に、研磨により先端が開放されて開放端１６Ａとなる。よって、カーボンナノチューブ構造体１７のカーボンナノチューブ１６の高さを均一化することができる。
【００５２】
この場合、素材基板１０の表面に対して傾いた角度で成長したカーボンナノチューブ１６があっても、すべてのカーボンナノチューブ１６の先端が同一平面ＰＬ内に揃うので、すべてのカーボンナノチューブ１６からの電界放射を行うことが可能となる。
【００５３】
このように本実施の形態では、カーボンナノチューブ１６の高さが均一化されるので、例えばＦＥＤとして用いる際に均一な放射特性が得られる。また、先端は開放端１６Ａとなっているので電界放出特性が良好となり、低い電圧で電界放射を行うことができる。
【００５４】
なお、本実施の形態においては、固定層１８を、図４（Ｂ）に示した研磨の際の平坦化層として用いた場合について説明したが、研磨せずに図４（Ａ）に示した状態で、例えばＦＥＤなどに利用することも可能である。この場合には、固定層１８によってカーボンナノチューブ１６が固定されるのでカーボンナノチューブ１６を堅牢化することができると共に、カーボンナノチューブ構造体１７の取扱いを容易にすることができる。
【００５５】
〔第３の実施の形態〕
次に、本発明の第３の実施の形態に係るカーボンナノチューブの製造方法について説明する。本実施の形態の方法は、上記第１の実施の形態の成長工程において、カーボンナノチューブ１６の先端部に所望の物質を内包させるようにしたものである。得られたカーボンナノチューブ構造体１７は、例えば内包させた物質に応じて種々の用途に用いることができ、例えば本実施の形態では磁気材料，例えば鉄を内包させることにより記録装置として利用することができる。
【００５６】
カーボンナノチューブ１６を成長させる際に所望の物質を内包させる方法としては、ＣＶＤ法の一種であるＶＬＳ（Ｖａｐｏｒ−Ｌｉｑｕｉｄ−Ｓｏｌｉｄ）法を用いることができる。ＶＬＳ法は、カーボンを含むガスを分解してカーボンと触媒機能を有する金属との合金滴を形成し、この合金滴の上でカーボンナノチューブ１６の成長が一方向に生じることを利用したものである。ＶＬＳ法では、カーボンナノチューブ１６が成長するに従い、触媒である鉄がカーボンナノチューブ１６の先端に移動するので、カーボンナノチューブ１６の先端に鉄を内包させることができる。よって、先端に鉄を内包したカーボンナノチューブ１６が所望のパターンで整列されたカーボンナノチューブ構造体１７を得ることができる。なお、カーボンナノチューブ１６の先端に鉄が内包される現象については前述の非特許文献５に記載されている。
【００５７】
本実施の形態では、例えば析出領域１４に鉄を析出させ、この鉄を触媒としてカーボンナノチューブ１６を成長させながらその先端に鉄を内包させるようにしている。したがって、析出領域１４に析出させる物質を変えることにより、カーボンナノチューブ１６の先端に所望の物質を内包させることができる。よって、カーボンナノチューブ１６に内包させる所望の物質としては、カーボンナノチューブを形成するための金属触媒としての機能を有するものであればよく、その具体例は、上記第１の実施の形態において第２の物質として例示したものと同様である。
【００５８】
更に、用途によっては、カーボンナノチューブ１６に内包させる所望の物質としては、第１の実施の形態において第２の物質として例示したような誘電体材料、あるいは導電体材料を用いても良い。
【００５９】
このように本実施の形態では、カーボンナノチューブ１６を成長させる際に、カーボンナノチューブ１６の先端に鉄を内包させるようにしたので、先端に鉄を内包したカーボンナノチューブ１６が所望のパターンで整列されたカーボンナノチューブ構造体１７を得ることができる。
【００６０】
《記録装置の製造方法》
〔第４の実施の形態〕
次に、本発明の第４の実施の形態に係る記録装置の製造方法について説明する。本実施の形態の方法は、上記第２の実施の形態で得られた高さが均一なカーボンナノチューブ１６の開放端１６Ａからカーボンナノチューブ１６の先端部に磁気材料を挿入する挿入工程を更に含むものである。得られたカーボンナノチューブ構造体１７は、例えば記録装置に利用される。
【００６１】
（挿入工程）
以下、図５を参照して挿入工程を説明する。まず、図５（Ａ）に示したように、例えばスピンコート法、蒸着法またはＰＶＤ法などにより、固定層１８の上に、開放端１６Ａを塞ぐように例えば鉄などの磁気材料よりなる薄膜１９を形成する。このとき、薄膜１９は開放端１６Ａからカーボンナノチューブ１６の内部に入り込む。
【００６２】
続いて、図５（Ｂ）に示したように、例えばＣＭＰにより、固定層１８が露出するまで薄膜１９を研磨し、カーボンナノチューブ１６の内部に入り込んだ部分を除いて薄膜１９を除去する。これにより、カーボンナノチューブ１６の先端付近に鉄よりなる磁性層１９Ａが挿入される。各々のカーボンナノチューブ１６に挿入された磁性層１９Ａは、隣接する他のカーボンナノチューブ１６内の磁性層１９Ａとは隔離されているため、各磁性層１９Ａに対する情報の書き込みまたは読み出しを確実に行うことができる。
【００６３】
このようにして本実施の形態の記録装置２０が形成される。この記録装置２０は、カーボンナノチューブ１６が所望の微細なパターンで配列されたカーボンナノチューブ構造体１７を備え、各カーボンナノチューブ１６内に鉄よりなる磁性層１９Ａが挿入されているので、着磁の長さを従来のフォトリソグラフィでは不可能な小さな寸法とすることができ、極めて記録密度が高くなる。
【００６４】
図６は、この記録装置２０における記録状態の一例を表すものである。この記録装置２０では、図６の矢印で示したように磁性層１９Ａの磁化方向を制御することにより信号の記録（書き込み）および再生（読み出し）を行うことができる。信号の書き込みおよび読み出しは、例えば図示しない微細なコイルにより所定の方向の磁束を発生させて書き込み、ＧＭＲヘッドで信号を読み出すようにしてもよく、あるいはいわゆる光磁気方式により行っても良い。
【００６５】
以下、例えば光磁気方式による記録装置２０への書き込みおよび読み出しについて説明する。記録装置２０への書き込みは、例えば次のように行われる。鉄よりなる磁性層１９Ａの温度をキュリー温度まで上昇させて、バイアス磁界により磁性層１９Ａの磁化方向を一定方向にする（消去モード）。そののち、バイアス磁界を消去モードとは逆方向の磁化方向としておいて、図示しない光学レンズによりスポット径を小さくしたレーザビームにより特定のカーボンナノチューブ１６の磁性層１９Ａのみの温度を上昇させ、レーザビームの照射を停止することにより磁性層１９Ａの磁化方向を消去時とは逆方向にする。また、記録装置２０からの読み出しは、例えば次のように行われる。カーボンナノチューブ１６内の磁性層１９Ａに対してレーザビームを照射し、レーザビームの反射光のカー回転角を検出することにより各々の磁性層１９Ａの磁化方向を再生信号として得ることができる。このとき、本実施の形態では、磁性層１９Ａがカーボンナノチューブ１６により隔離されているので、隣り合うカーボンナノチューブ１６内の磁性層１９Ａの影響を受けることなく、所定の磁化方向が長期間安定して保持される。
【００６６】
このように本実施の形態では、カーボンナノチューブ１６が所望の微細なパターンで配列されたカーボンナノチューブ構造体１７を備え、各カーボンナノチューブ１６内に鉄よりなる磁性層１９Ａを挿入するようにしたので、極めて記録密度の高い記録装置２０を実現することができる。また、磁性層１９Ａはカーボンナノチューブ１６により隔離されているので、隣り合うカーボンナノチューブ１６内の磁性層１９Ａの影響を受けることなく、所定の磁化方向を長期間安定して保持することができる。よって、記録装置２０の信頼性を向上させることができる。
【００６７】
以下、上記第１の実施の形態に係るカーボンナノチューブの製造方法の変形例（１〜１１）について説明する。
【００６８】
〔変形例１〕
まず、図７ないし図１３を参照して変形例１について説明する。本変形例は、溶融工程において、エネルギービームのエネルギー量を、二次元方向すなわちＸ方向およびＹ方向に変調させ、素材基板１０の表面に対して、Ｘ方向熱分布３１ＸおよびＹ方向熱分布３１Ｙを与えるようにしたものである。
【００６９】
（溶融工程）
まず、図７を参照して溶融工程を説明する。Ｘ方向熱分布３１Ｘは、素材基板１０の表面温度がＸ方向に変調されて、Ｘ方向高温領域３１ＸＨとＸ方向低温領域３１ＸＬとが周期的に形成されたものである。また、Ｙ方向温度分布３１Ｙは、素材基板１０の表面温度がＹ方向に変調されて、Ｙ方向高温領域３１ＹＨとＹ方向低温領域３１ＹＬとが周期的に形成されたものである。
【００７０】
Ｘ方向熱分布３１ＸおよびＹ方向熱分布３１Ｙは、例えば、エネルギービーム１２を、非透過部分３２Ａおよび透過部分３２Ｂが二次元方向に配列された回折格子３２で回折させることにより与えられる。回折格子３２としては、例えば、非透過部分３２Ａにエネルギービーム１２を透過させないマスクが印刷されたものなどを用いることができる。
【００７１】
図８は、素材基板１０の表面においてＸ方向温度分布３１ＸとＹ方向温度分布３１Ｙとが重畳されることにより、熱分布３３が形成された状態を表している。図８に示したように、素材基板１０の表面には、Ｘ方向高温領域３１ＸＨとＹ方向高温領域３１ＹＨとの重複する位置に高温領域３３Ｈを有し、Ｘ方向低温領域３１ＸＬとＹ方向低温領域３１ＹＬとの重複する位置に低温領域３３Ｌを有するような熱分布３３が形成される。これにより、高温領域３３Ｈは、非透過部分３２Ａおよび透過部分３２Ｂの配列されている方向に沿って二次元方向に配列される。
【００７２】
熱分布３３のＸ方向における空間的周期ＴＸ、すなわち高温領域３３ＨのＸ方向における間隔（ピッチ）は、回折格子３２のＸ方向における周期間隔ＰＸおよびエネルギービーム１２の波長λに応じて定まる。また、熱分布３３のＹ方向における空間的周期ＴＹ、すなわち高温領域３３ＨのＹ方向における間隔（ピッチ）は、回折格子３２のＹ方向における周期間隔ＰＹおよびエネルギービーム１２の波長λに応じて定まる。波長λを小さくするほど、または周期間隔ＰＸ，ＰＹを微細にするほど熱分布３３の空間的周期ＴＸ，ＴＹを微細化することができる。ここで、本実施の形態では、回折格子３２のＸ方向における周期間隔ＰＸとは、一つの非透過部分３２ＡのＸ方向における寸法と一つの透過部分３２ＢのＸ方向における寸法との和をいい、回折格子３２のＹ方向における周期間隔ＰＹとは、一つの非透過部分３２ＡのＹ方向における寸法と一つの透過部分３２ＢのＹ方向における寸法との和をいう。
【００７３】
回折格子３２のＸ方向における周期間隔ＰＸとＹ方向における周期間隔ＰＹとは、互いに独立に設定することができる。したがって、図９に示したように、熱分布３３のＸ方向における空間的周期ＴＸとＹ方向における空間的周期ＴＹとを、互いに独立に設定することも可能である。
【００７４】
なお、回折格子３２としては、マスク印刷により非透過部分３２Ａおよび透過部分３２Ｂが形成されたものではなく、凹部または凸部が形成されたものを用いることも可能である。凹凸が形成された回折格子３２の場合には、回折格子３２のＸ方向における周期間隔ＰＸとは、凹部（または凸部）のＸ方向における間隔（ピッチ）をいい、回折格子３１のＹ方向における周期間隔ＰＹとは、凹部（または凸部）のＹ方向における間隔（ピッチ）をいう。
【００７５】
エネルギービーム１２のエネルギー量は、低温領域３３Ｌにおいて素材基板１０の表面が溶融する温度となるように設定される。これにより、素材基板１０の表面の全体を溶融させることができる。このとき、エネルギービーム１２としてエキシマレーザを用いると、パルス発光の照射回数によりエネルギー量の制御を行うことができる。
【００７６】
（析出工程）
次に、図１０および図１１を参照して、析出工程を説明する。溶融工程において素材基板１０の表面の全体を溶融させたのち、エネルギービーム１２の照射を止めて素材基板１０の表面を放熱させ、熱分布３３に応じた位置すなわち高温領域３３Ｈに対応する位置に第２の物質を析出させ、ほぼ平面状の析出領域３４を形成する。これにより、析出領域３４のパターンを有する基板３５が得られる。
【００７７】
析出領域３４は、高温領域３３Ｈが素材基板１０の表面に二次元方向に配列されているので、これに対応して、素材基板１０の表面に二次元方向に配列された点状のパターンとして形成される。析出領域３４のＸ方向における寸法（直径）ＤＸおよびＹ方向における寸法（直径）ＤＹは、素材基板１０における第２の物質の含有量により定まり、第２の物質の含有量が大きいほど、析出領域３４の寸法ＤＸ，ＤＹは大きくなる。析出領域３４の寸法ＤＸ，ＤＹは、原理的には第２の物質の原子の大きさより大きい任意の値をとり得るものであり、素材基板１０における第２の物質の含有量を制御することにより従来のフォトリソグラフィ技術では不可能であった５０ｎｍ未満を実現することができる。
【００７８】
析出領域３４の寸法ＤＸ，ＤＹの具体的な値は、第２の物質の材料および析出領域３４の用途によって定められるが、例えば図１２に示したように析出領域３４に析出した鉄を触媒として、複数のカーボンナノチューブ３６が二次元に配列されたカーボンナノチューブ構造体３７を形成する場合には、析出領域３４の寸法ＤＸ，ＤＹはそれぞれ、０．４ｎｍ以上５０ｎｍ未満であることが好ましい。カーボンナノチューブ３６の直径が、最小で０．４ｎｍであるからである。
【００７９】
析出領域３４の寸法ＤＸ，ＤＹはそれぞれ、０．４ｎｍ以上３０ｎｍ以下であればより好ましい。カーボンナノチューブ３６は、直径が０．４ｎｍ以上３０ｎｍ以下の範囲にあるものが多いからである。
【００８０】
更に、析出領域３４の寸法ＤＸ，ＤＹは、０．４ｎｍ以上１０ｎｍ以下であれば更に好ましい。析出領域３４のＸ方向またはＹ方向に多数のカーボンナノチューブ３６が接近して屹立する可能性が小さくなるので、カーボンナノチューブ構造体３７を例えば電界電子放出素子として使用する場合に、カーボンナノチューブ３６の各々の表面における電界強度の低下を防止し、電界放出に必要な印加電圧を小さくすることができるからである。また、例えばカーボンナノチューブ構造体３７を記録装置（メモリ）として利用する場合には、一箇所の析出領域３４にはＸ方向およびＹ方向に１本のみのカーボンナノチューブ３６を形成することが必要となる場合があるので、カーボンナノチューブ３６の直径と析出領域３４の寸法ＤＸ，ＤＹとを一致させることが好ましいからである。
【００８１】
また、析出領域３４のＸ方向における間隔ＬＸ、およびＹ方向における間隔ＬＹは、熱分布３３の空間的周期ＴＸ，ＴＹに応じて、すなわち回折格子３２の周期間隔ＰＸ，ＰＹおよびエネルギービーム１２の波長λに応じて定まる。波長λを小さくするほど、または、回折格子３２の周期間隔ＰＸ，ＰＹを微細にするほど析出領域３４の間隔ＬＸ，ＬＹを微細化することができ、従来のフォトリソグラフィでは不可能な微細な間隔ＬＸ，ＬＹで析出領域３４を形成することも可能である。
【００８２】
析出領域３４の間隔ＬＸ，ＬＹは、例えば１００ｎｍ以下であることが好ましい。前述のように、従来のフォトリソグラフィでは解像限界が５０ｎｍであるため、従来のフォトリソグラフィで形成可能な最小のパターンは、例えば山５０ｎｍ、谷５０ｎｍ、および山５０ｎｍで、その間隔は解像限界の２倍すなわち１００ｎｍとなるからである。更に、析出領域３４の間隔ＬＸ，ＬＹは、５０ｎｍ以下であればより好ましい。従来の電子ビームリソグラフィの解像限界が２５ｎｍ程度であるため、従来の電子ビームリソグラフィで形成可能な最小のパターンの間隔は、同様に解像限界の２倍すなわち５０ｎｍとなるからである。
【００８３】
以上により、触媒配置工程が完了し、素材基板１０に析出領域３４を有する基板３５が形成される。
【００８４】
なお、図９に示したように熱分布３３のＸ方向における空間的周期ＴＸとＹ方向における空間的周期ＴＹとを、互いに独立に設定した場合には、これに対応して、図１３に示したように析出領域３４が楕円形に形成される。
【００８５】
（成長工程）
続いて、図１２を参照して成長工程を説明する。基板３５の上に、ＣＶＤ法により複数のカーボンナノチューブ３６を成長させる。成長条件としては、例えば、第１の実施の形態と同様とすることができる。カーボンナノチューブ３６は析出領域３４にのみ成長するので、基板３５の上に析出領域３４のパターン通りにカーボンナノチューブ３６が二次元方向に配列されたカーボンナノチューブ構造体３７が形成される。
【００８６】
このように本変形例では、エネルギービーム１２のエネルギー量を二次元方向に変調させることにより熱分布３３を形成するようにしたので、素材基板１０の表面に二次元方向に配列された析出領域３４のパターンを形成することが可能となる。
【００８７】
また、回折格子３２を用いてエネルギービーム１２を回折させることにより熱分布３３を形成するようにしたので、回折格子３２の周期間隔ＰＸ，ＰＹを微細化することにより熱分布３３の空間的周期ＴＸ，ＴＹを容易に制御し、析出領域３４の間隔ＬＸ，ＬＹを微細化することができる。
【００８８】
〔変形例２〕
次に、図１４ないし図１７を参照して変形例２を説明する。本変形例では、素材基板１０の表面を放熱させることにより素材基板１０の表面に突起を形成し、第２の物質を突起の先端部に析出させるようにしたものである。
【００８９】
（溶融工程）
まず、例えば、上記第１の実施の形態における図１と同様にして溶融工程を行うが、そのときに、エネルギービーム１２のエネルギー量を一定値を超えるように制御する。例えば、エネルギービーム１２として、前述の第１の実施の形態と同様にエキシマレーザを用いる場合には、パルス発光の照射回数によりエネルギー量の制御を行うことができるが、本変形例では、例えばパルス照射回数を１００回とする。
【００９０】
（析出工程）
溶融工程において素材基板１０の表面を溶融させたのち、エネルギービーム１２の照射を止めると、溶融工程において照射されたエネルギービーム１２のエネルギー量が一定値を超えている場合には、図１４に示したように、高温領域１１Ｈに対応する素材基板１０の表面が隆起して、突起４１が形成される。
【００９１】
突起４１は、高温領域１１Ｈが溝１３Ａに対応して一次元方向に配列された直線状であるので、これに対応して、一次元方向に配列された直線状のリブ（突条）のパターンとして形成される。この突起４１は、素材基板１０の表面に近い部分から凝固していくので、最後に凝固する先端付近に第２の物質（鉄）が析出して、析出領域４２が形成される。したがって、析出領域４２は、突起４１の先端部に形成される。ここで、先端部とは、突起４１を素材基板１０の表面に平行な水平面Ｈ（図１５および図１６参照）で切断した場合に、突起４１の先端を含む部分をいう。例えば、析出領域４２は、図１４に示したように突起４１の先端にのみ形成されていてもよいし、図１５に示したように突起４１全体が析出領域４２となっていてもよい。あるいは図１６に示したように突起４１の先端および中腹にかけての部分に形成されていてもよい。
【００９２】
これにより、少なくとも先端部に鉄よりなる析出領域４２が形成された突起４１のパターンを有する基板４３が得られる。
【００９３】
ここで、「突起」とは、基板４３の表面から隆起し、その高さが第１の実施の形態における平面状の析出領域１４の場合より高い１ｎｍ以上の場合をいう。
【００９４】
析出領域４２の幅（線幅）Ｗ、すなわち熱分布１１の変調方向における析出領域４２の寸法は、第１の実施の形態と同様に、素材基板１０における第２の物質（鉄）の含有量により定まり、第２の物質（鉄）の含有量が大きいほど、析出領域４２の幅Ｗは大きくなる。析出領域４２の幅Ｗは、原理的には第２の物質の原子の大きさより大きい任意の値をとり得るものであり、素材基板１０における第２の物質の含有量を制御することにより従来のフォトリソグラフィ技術では不可能であった５０ｎｍ未満を実現することができる。
【００９５】
本変形例では、第１の実施の形態と異なり、析出領域４２が突起４１であり、先端になるに従って断面積が小さくなっているので、析出領域４２の幅の微細化が容易である。
【００９６】
析出領域４２の幅Ｗの具体的な値については、第１の実施の形態において析出領域１４の幅Ｗについて説明したのと同様に、第２の物質の材料および析出領域４２の用途によって定められるが、例えば図１７に示したように析出領域４２に析出した鉄を触媒として、複数のカーボンナノチューブ４４が直線状に配列されたカーボンナノチューブ構造体４５を形成する場合には、析出領域４２の幅Ｗは、０．４ｎｍ以上５０ｎｍ未満であることが好ましく、０．４ｎｍ以上３０ｎｍ以下であればより好ましく、０．４ｎｍ以上１０ｎｍ以下であれば更に好ましい。理由は第１の実施の形態において説明したのと同様である。
【００９７】
また、突起４１の間隔Ｌ、すなわち熱分布１１の変調方向における析出領域４２の間隔（ピッチ）は、熱分布１１の空間的周期Ｔに応じて、すなわち回折格子１３の周期間隔Ｐおよびエネルギービーム１２の波長λに応じて定まる。波長λを小さくするほど、または、周期間隔Ｐを微細にするほど突起４１の間隔Ｌを微細化することができ、従来のフォトリソグラフィでは不可能な微細な間隔Ｌで突起４１および析出領域４２を形成することが可能である。突起４１の間隔Ｌは、例えば１００ｎｍ以下であることが好ましく、更に、５０ｎｍ以下とすればより好ましい。理由は第１の実施の形態において説明したのと同様である。
【００９８】
以上により、触媒配置工程が完了し、素材基板１０に形成された突起４１の先端部に析出領域４２を有する基板４３が形成される。
【００９９】
（成長工程）
続いて、図１７に示したように、基板４３の上に、ＣＶＤ法により複数のカーボンナノチューブ４４を成長させる。成長条件としては、例えば、第１の実施の形態と同様とすることができる。カーボンナノチューブ４４は析出領域４２にのみ成長するので、複数のカーボンナノチューブ４４が基板４３の突起４１の最先端部分に直線状に配列したカーボンナノチューブ構造体４５が形成される。
【０１００】
このように本変形例では、素材基板１０の所定の位置に、少なくとも先端部が第２の物質（鉄）により構成された突起４１を形成するようにしたので、パターンを平面状にする場合に比べて析出領域４２の幅をより微細にすることができ、第１の実施の形態および変形例１に比べてより微細なパターンを形成することができる。
【０１０１】
〔変形例３〕
次に、図１８ないし図２０を参照して変形例３を説明する。本変形例は、素材基板１０の表面に二次元方向に配置された突起を形成し、この突起の先端部に第２の物質を析出させるようにしたものである。
【０１０２】
（溶融工程）
まず、例えば、変形例１の図７および図８と同様にして溶融工程を行うが、そのときに、変形例２と同様に、エネルギービーム１２のエネルギー量を一定値を超えるように制御する。
【０１０３】
（析出工程）
溶融工程において素材基板１０の表面を溶融させたのち、エネルギービーム１２の照射を止めると、溶融工程において照射されたエネルギービーム１２のエネルギー量が一定値を超えている場合には、図１８および図１９に示したように、高温領域３３Ｈに対応する素材基板１０の表面が隆起して、突起５１が形成される。
【０１０４】
突起５１は、高温領域３３Ｈが素材基板１０の表面に二次元方向に配列されているので、これに対応して、素材基板１０の表面に二次元方向に配列された錘体のパターンとして形成される。突起５１は、素材基板１０の表面に近い部分から凝固していくので、最後に凝固する先端付近に第２の物質が析出して、析出領域５２が形成される。したがって、析出領域５２は、突起５１の先端部に形成される。ここで、先端部の意味およびその具体例については、変形例２において図１５および図１６を参照して説明したのと同様である。
【０１０５】
これにより、少なくとも先端部に鉄よりなる析出領域５２が形成された突起５１のパターンを有する基板５３が得られる。
【０１０６】
析出領域５２のＸ方向における寸法（直径）ＤＸおよびＹ方向における寸法（直径）ＤＹは、素材基板１０における第２の物質（鉄）の含有量により定まり、第２の物質（鉄）の含有量が大きいほど、析出領域５２の寸法ＤＸ，ＤＹは大きくなる。析出領域５２の寸法ＤＸ，ＤＹは、原理的には第２の物質の原子の大きさより大きい任意の値をとり得るものであり、素材基板１０における第２の物質の含有量を制御することにより従来のフォトリソグラフィ技術では不可能であった５０ｎｍ未満を実現することができる。
【０１０７】
析出領域５２の寸法ＤＸ，ＤＹの具体的な値については、変形例２において析出領域３４の寸法ＤＸ，ＤＹについて説明したのと同様に、第２の物質の材料および析出領域５２の用途によって定められるが、例えば図２０に示したように析出領域５２に析出した鉄を触媒として、複数のカーボンナノチューブ５４が二次元方向に配列されたカーボンナノチューブ構造体５５を形成する場合には、析出領域５２の寸法ＤＸ，ＤＹはそれぞれ、０．４ｎｍ以上５０ｎｍ未満であることが好ましく、０．４ｎｍ以上３０ｎｍ以下であればより好ましく、０．４ｎｍ以上１０ｎｍ以下であれば更に好ましい。理由は、変形例２において説明したのと同様である。
【０１０８】
また、突起５１および析出領域５２のＸ方向における間隔ＬＸ、およびＹ方向における間隔ＬＹは、熱分布３３の空間的周期ＴＸ，ＴＹに応じて、すなわち回折格子３２の周期間隔ＰＸ，ＰＹおよびエネルギービーム１２の波長λに応じて定まる。波長λを小さくするほど、または、回折格子３２の周期間隔ＰＸ，ＰＹを微細にするほど突起５１および析出領域５２の間隔ＬＸ，ＬＹを微細化することができ、従来のフォトリソグラフィでは不可能な微細な間隔ＬＸ，ＬＹで突起５１および析出領域５２を形成することも可能である。突起５１および析出領域５２の間隔ＬＸ，ＬＹは、１００ｎｍ以下であることが好ましく、更に、５０ｎｍ以下であればより好ましい。理由は、変形例２において説明したのと同様である。
【０１０９】
以上により、触媒配置工程が完了し、突起５１の先端部に析出領域５２を有する基板５３が形成される。
【０１１０】
（成長工程）
続いて、図２０に示したように、基板５３の上に、ＣＶＤ法により複数のカーボンナノチューブ５４を成長させる。成長条件としては、例えば、第１の実施の形態と同様とすることができる。カーボンナノチューブ５４は析出領域５３にのみ成長するので、カーボンナノチューブ５４が基板５３の突起５１の最先端部分に二次元方向に配列されたカーボンナノチューブ構造体５５が形成される。
【０１１１】
このように本変形例では、素材基板１０の所定の位置に、少なくとも先端部が第２の物質により構成された突起５１のパターンを二次元方向に配列するようにしたので、第１の実施の形態および変形例１の平面状の析出領域に比べてより微細な寸法の析出領域５２を形成することができる。
【０１１２】
〔変形例４〕
次に、図２１ないし図２５を参照して変形例４を説明する。本変形例は、転写物質（ここでは、触媒金属）からなる素材基板１０の表面に、転写物質の突起のパターンを形成し、これを転写用原盤として、この転写用原盤のパターンを被転写基板に転写させて基板を得、この基板にカーボンナノチューブを成長させるものである。
【０１１３】
具体的には、本変形例は、触媒配置工程として、素材基板１０の表面に所望のパターンに応じて変調された熱分布１１を与え、素材基板１０の表面を溶融させる「溶融工程」と、素材基板１０の表面を放熱させることにより、熱分布１１に応じた位置に、すなわち、所望のパターンで突起を形成する「突起形成工程」と、転写用原盤のパターンを被転写基板に転写させて基板を作製する「転写工程」とを含むものである。
【０１１４】
（溶融工程）
まず、変形例２と同様にして溶融工程を行う。このとき、素材基板１０は、本実施の形態では金属触媒としての鉄により構成されている。
【０１１５】
素材基板１０の材料は、例えばカーボンナノチューブを形成するための金属触媒としての機能を有するものであればよく、その具体例は、上記第１の実施の形態において第２の物質として例示したものと同様である。
【０１１６】
（突起形成工程，原盤作製工程）
次に、図２１を参照して突起形成工程を説明する。すなわち、溶融工程において素材基板１０の表面を溶融させたのち、エネルギービーム１２の照射を止めると、素材基板１０の表面の温度は徐々に低下して凝固するが、このとき、溶融工程において照射されたエネルギービーム１２のエネルギー量が一定値を超えている場合には、高温領域１１Ｈに対応する位置に、素材基板１０の表面から隆起した突起６４が形成され、素材基板１０の表面に突起６４を有する転写用原盤（以下，原盤という）６５が形成される。
【０１１７】
突起６４は、高温領域１１Ｈが溝１３Ａに対応して一次元方向に配列された直線状であるので、これに対応して、一次元方向に配列された直線状のリブ（突条）のパターンとして形成される。突起６４の幅（線幅）Ｗ、すなわち熱分布１１の変調方向における突起６４の下端部の寸法は、溶融温度および冷却速度により定まる。溶融温度は、エネルギービーム１２のエネルギー量、すなわちエキシマレーザの場合にはパルス照射回数によって制御することができ、溶融温度が高いほど、突起６４の幅Ｗは大きくなる。冷却速度は、素材基板１０または素材基板１０のホルダーを真空中またはガス雰囲気中に配置する方法、ガスフローによる方法、水または液体窒素中で冷却する方法、あるいは加熱しながらゆっくり冷却する方法などによって制御することができ、冷却速度が速いほど突起６４の幅Ｗは大きくなる。突起６４の幅Ｗは、原理的には素材基板１０の構成物質の原子の大きさより大きい任意の値をとり得るものであり、溶融温度および冷却速度を制御することにより従来のフォトリソグラフィ技術では不可能であった５０ｎｍ未満を実現することができる。
【０１１８】
突起６４の幅Ｗの具体的な値は、後述する基板の用途によって定められるが、例えばカーボンナノチューブ構造体を形成する場合には、突起６４の幅Ｗは、０．４ｎｍ以上５０ｎｍ未満であることが好ましく、０．４ｎｍ以上３０ｎｍ以下であればより好ましく、０．４ｎｍ以上１０ｎｍ以下であれば更に好ましい。理由は第１の実施の形態において説明したのと同様である。
【０１１９】
また、突起６４の間隔Ｌ、すなわち熱分布１１の変調方向における突起６４の間隔（ピッチ）は、熱分布１１の空間的周期Ｔに応じて、すなわち回折格子１３の周期間隔Ｐおよびエネルギービーム１２の波長λに応じて定まる。波長λを小さくするほど、または、周期間隔Ｐを微細にするほど突起６４の間隔Ｌを微細化することができ、従来のフォトリソグラフィでは不可能な微細な間隔Ｌで突起６４を形成することが可能である。突起６４の間隔Ｌは、例えば１００ｎｍ以下であることが好ましく、更に、５０ｎｍ以下とすればより好ましい。理由は第１の実施の形態において説明したのと同様である。
【０１２０】
（転写工程）
次に、図２２を参照して転写工程を説明する。まず、図２２（Ａ）に示したように、例えば、導電性膜７２の配線パターンが予め形成された被転写基板７１を用意する。
【０１２１】
続いて、図２２（Ｂ）に示したように、原盤６５の突起６４と被転写基板７１の導電性膜７２とを対向させて密接させる。このとき、転写特性向上のため、必要に応じて加圧することが好ましい。更に、加熱処理を行うようにすれば、転写特性をいっそう良好にすることができるので、より好ましい。
【０１２２】
そののち、原盤６５を被転写基板７１から引き離すと、図２２（Ｃ）に示したように、突起６４の先端部が、被転写基板７１に転写される。こうして、被転写基板７１の上に、触媒金属（鉄）よりなる転写パターン７３が形成された基板７４が形成される。よって、一枚の原盤６５から多数の被転写基板７１に突起６４のパターンを転写して基板７４を大量に製造することができる。なお、転写を繰り返すことにより突起６４が磨耗した場合には、再び溶融工程および突起形成工程を繰り返して突起６４の形状を回復させることなどが可能である。
【０１２３】
ここで、「突起６４の先端部」とは、突起６４を素材基板１０の表面に平行な水平面Ｈ（図２３および図２４参照）で切断した場合に、突起６４の先端を含む部分をいう。したがって、例えば、図２２（Ｃ）に示したように突起６４の先端のみを被転写基板７１に転写してもよいし、図２３に示したように突起６４全体を被転写基板７１に転写するようにしてもよい。あるいは図２４に示したように突起６４の先端および中腹にかけての部分を被転写基板７１に転写するようにしてもよい。
【０１２４】
以上により、触媒配置工程が完了する。
【０１２５】
（成長工程）
被転写基板７１に転写パターン７３を形成して基板７４を作製したのち、例えば、図２５に示したように、この転写パターン７３を触媒として基板７４上にカーボンナノチューブ７５を成長させ、複数のカーボンナノチューブ７５が直線状に配列されたカーボンナノチューブ構造体７６を形成することができる。このように導電性膜７２上に形成されたカーボンナノチューブ構造体７６は、電界電子放出素子として利用することができる。
【０１２６】
このように本変形例では、触媒金属からなる素材基板１０の表面に対して熱分布１１を与え、素材基板１０の表面を溶融させたのち、素材基板１０の表面を放熱させるようにしたので、所望の位置に触媒金属からなる微細な突起６４のパターンを有する原盤６５を作製することができる。突起６４の幅Ｗは、溶融温度および冷却速度を制御することによって従来のフォトリソグラフィ技術では不可能であった５０ｎｍ未満とすることが可能である。また、熱分布１１の空間的周期Ｔを制御することにより突起６４を従来のフォトリソグラフィ技術では不可能であった微細な間隔Ｌで形成することが可能になる。
【０１２７】
また、突起６４のパターンを有する原盤６５をドライプロセスにより形成することができるので、従来のフォトリソグラフィを利用したプロセスに比べて生産が容易であり、再現性が良く、低コスト化が可能である等の利点を得ることができる。
【０１２８】
また、エネルギービーム１２を回折させることにより熱分布１１を与えるようにしたので、回折格子１３の周期間隔Ｐを微細化することにより熱分布１１の空間的周期Ｔを容易に制御し、突起６４の間隔Ｌを微細化することができる。
【０１２９】
更に、本変形例では、突起６４の少なくとも先端部を被転写基板７１に転写することにより、一枚の原盤６５から多数の被転写基板７１に突起６４を転写して基板７４を大量に作製することが可能になる。
【０１３０】
〔変形例５〕
次に、図２６ないし図３１を参照して変形例５を説明する。本変形例は、溶融工程において、エネルギービームのエネルギー量を二次元方向すなわちＸ方向およびＹ方向に変調させ、素材基板１０の表面に対してＸ方向熱分布３１ＸおよびＹ方向熱分布３１Ｙを与えるようにしたことを除いては、変形例４と同様である。したがって、以下の説明を簡略化する。
【０１３１】
（溶融工程）
まず、変形例３と同様にして溶融工程を行う。ここで、素材基板１０は、本変形例では金属触媒としての鉄（Ｆｅ）により構成されている。
【０１３２】
素材基板１０の材料は、カーボンナノチューブを形成するための金属触媒としての機能を有するものであればよく、その具体例は、第１の実施の形態において第２の物質として例示したものと同様である。
【０１３３】
（突起形成工程，原盤作製工程）
次に、変形例４と同様にして突起形成工程および原盤作製工程を行う。これにより、図２６に示したように、素材基板１０の表面に二次元方向に配列された突起８１のパターンを有する原盤８２を形成する。
【０１３４】
（転写工程）
続いて、変形例４と同様にして転写工程を行い、図２７に示したように、被転写基板７１の上に、触媒金属（鉄）よりなる転写パターン８３が二次元方向に配列された基板８４を形成する。以上により、触媒配置工程が終了する。
【０１３５】
（成長工程）
次に、変形例４と同様にして成長工程を行い、図２８に示したように、転写パターン８３を触媒として、基板８４上にカーボンナノチューブ８５を成長させ、複数のカーボンナノチューブ８５が二次元方向に配列されたカーボンナノチューブ構造体８６を形成する。
【０１３６】
図２９は、このようにして基板８４上に形成されたカーボンナノチューブ構造体８６を表す顕微鏡写真（３７．５倍）であり、二次元に分布する点状の白い部分は、原盤８２の突起８１から転写された転写パターン８３を触媒として、基板８４上に成長したカーボンナノチューブ８５に対応している。
【０１３７】
図３０は、図２９の白い部分の中央付近を拡大して表すＳＥＭ（Ｓｃａｎｎｉｎｇ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ；走査型電子顕微鏡）写真（５万倍）である。図３０から分かるように、白い部分にはカーボンナノチューブが成長していることが確認できる。また、図３１は、図２９において白く見える部分と周囲の黒く見える部分との境界付近を拡大して表すＳＥＭ写真（５万倍）である。図３１から分かるように、白い部分にはカーボンナノチューブが成長していることが確認できるが、黒い部分にはカーボンナノチューブの存在は認められない。
【０１３８】
このように本変形例では、エネルギービーム１２のエネルギー量を二次元方向に変調させることにより熱分布３３を形成するようにしたので、二次元方向に配列された突起８１のパターンを有する原盤８２を作製することができる。
【０１３９】
更に、本変形例においても、突起８１の先端部を被転写基板７１に転写するようにすれば、一枚の原盤８２から多数の被転写基板７１に突起８１を転写して基板８４を大量に作製することが可能になる。
【０１４０】
〔変形例６〕
次に、図３２ないし図３４を参照して変形例６を説明する。本変形例は、任意の材質により構成された基板に対して変形例４と同様の方法で形成した突起の表面に、触媒金属等の転写物質からなる被膜を形成する被膜形成工程を更に含むようにしたものである。
【０１４１】
（溶融工程および突起形成工程）
まず、例えばシリコンよりなる素材基板９０を用意し、上記変形例４と同様にして溶融工程および突起形成工程を行い、図３２（Ａ）に示したように、素材基板９０の表面に突起９１のパターンを有する原盤９２を作製する。
【０１４２】
（被膜形成工程）
続いて、図３２（Ｂ）に示したように、突起９１の表面に被膜９３を形成する。被膜９３は、本変形例では金属触媒としての鉄（Ｆｅ）により形成され、突起９１を含む素材基板９０の表面全体に亘ってほぼ均一な厚さで形成されるが、必ずしも均一な厚さである必要はない。被膜９３の厚さは、突起９１の高さおよび寸法に応じて定めることができ、本実施の形態では例えば５ｎｍである。被膜９３は例えば真空蒸着により形成することができる。
【０１４３】
被膜９３の材料である転写物質は、カーボンナノチューブを形成するための金属触媒としての機能を有するものであればよく、その具体例は、上記第１の実施の形態において第２の物質として例示したものと同様である。
【０１４４】
（転写工程）
次に、図３３（Ａ）に示したように、原盤９２の突起９１と被転写基板７１の導電性膜７２とを対向させて密接させる。このとき、転写特性向上のため、加圧あるいは加熱処理を行うことが好ましいことは、前述の変形例４と同様である。
【０１４５】
そののち、原盤９２を被転写基板７１から引き離すと、図３３（Ｂ）に示したように、例えば突起９１の先端部を覆う被膜９３を構成する金属触媒としての鉄（Ｆｅ）が、被転写基板７１に転写される。こうして、被膜９３と同一の材料よりなる転写パターン９４を有する基板９５が形成される。よって、一枚の原盤９２から多数の被転写基板７１に被膜９３を転写して基板９５を大量に製造することができる。また、転写を繰り返すことにより被膜９３が磨耗した場合には、再び被膜形成工程を繰り返して突起９１の表面に新たな被膜を形成することなどが可能である。その際、残存する被膜９３は、除去してから新たな被膜を形成してもよいし、残存する被膜９３の上に新たな被膜を重ねて形成してもよい。
【０１４６】
ここで、「先端部」の意味およびその具体例については、変形例４において図２３および図２４を参照して説明したのと同様である。
【０１４７】
以上により、触媒配置工程が完了する。
【０１４８】
（成長工程）
被転写基板７１に転写パターン９４を形成したのち、例えば、図３４に示したように、この転写パターン９４を触媒として、基板９５上にカーボンナノチューブ９６を成長させ、複数のカーボンナノチューブ９６が直線状に配列されたカーボンナノチューブ構造体９７を形成することができる。
【０１４９】
このように本変形例では、突起９１の表面に被膜９３を形成するようにしたので、被膜９３のみを金属触媒などの転写物質により構成すればよい。よって、素材基板９０の材料は任意であり、用途に応じて選択の範囲を広げることができる。
【０１５０】
更に、本変形例でも、被膜９３で覆われた突起９１の先端部を被転写基板７１に転写すれば、一枚の原盤９２から多数の被転写基板９１に被膜９３を転写して基板９５を大量に製造することができる。
【０１５１】
〔変形例７〕
続いて、図３５を参照して変形例７を説明する。本変形例は、変形例４の「転写工程」において、原盤６５と被転写基板７１との相対的位置をずらして原盤６５のパターンを被転写基板７１に複数回転写させるようにしたものである。
【０１５２】
まず、図３５（Ａ）に示したように、変形例４において図２２を参照して説明したようにして１回目の転写を行い、被転写基板７１に第１の転写パターン１０１Ａを形成する。
【０１５３】
次に、図３５（Ｂ）に示したように、原盤６５と被転写基板７１との相対的位置を、例えば突起６４の間隔Ｌの２分の１だけずらして、２回目の転写を行う。そののち、原盤６５を被転写基板７１から引き離すと、図３５（Ｃ）に示したように、第１の転写パターン１０１Ａの中間の位置に第２の転写パターン１０１Ｂが形成される。このようにして、第１の転写パターン１０１Ａと第２の転写パターン１０１Ｂとからなる転写パターン１０１を有する基板１０２が得られる。
【０１５４】
本変形例では、原盤６５と被転写基板７１との相対的位置をずらして原盤６５のパターンを被転写基板７１に複数回転写させるようにしたので、第１の実施の形態よりも更に微細な転写パターン１０１を有する基板１０２を大量に製造することができる。
【０１５５】
なお、本変形例では、転写を２回行うようにしたが、転写回数は更に増やしてもよい。また、その場合には、原盤６５と被転写基板７１との相対的位置を、転写回数に応じて調整することが好ましい。
【０１５６】
また、本変形例では、原盤６５と被転写基板７１との相対的位置を、例えば突起６４の間隔Ｌの２分の１だけずらして、２回目の転写を行い、第１の転写パターン１０１Ａと第２の転写パターン１０１Ｂとが全体として等間隔に形成されるようにしたが、第１の転写パターン１０１Ａと第２の転写パターン１０１Ｂとの間隔は必ずしも均等である必要はない。
【０１５７】
〔変形例８〕
次に、図３６および図３７を参照して変形例８を説明する。本変形例は、任意の材質により構成された素材基板に対して変形例４と同様の方法で形成した突起に、触媒金属等からなる金属基板を押し当てて、突起の先端に触媒金属を付着させるようにしたものである。
【０１５８】
（溶融工程および突起形成工程）
まず、例えばシリコンよりなる素材基板１１０を用意し、上記変形例４と同様にして溶融工程および突起形成工程を行い、図３６（Ａ）に示したように、素材基板１１０の表面に突起１１１のパターンを形成する。
【０１５９】
（付着工程）
続いて、図３６（Ｂ）に示したように、素材基板１１０の突起１１１と、金属触媒としての鉄により形成された金属基板１２０とを対向させて密接させる。これにより、図３６（Ｃ）に示したように、金属基板１２０を構成する鉄が、突起１１１の先端部に付着し、金属基板１２０と同一の材料よりなる付着パターン１１２を有する基板１１３が形成される。このとき、付着特性向上のため、加圧あるいは加熱処理を行うことが好ましいことは、前述の変形例４と同様である。
【０１６０】
金属基板１２０の材料は、カーボンナノチューブを形成するための金属触媒としての機能を有するものであればよく、その具体例は、上記第１の実施の形態において第２の物質として例示したものと同様である。
【０１６１】
以上により、触媒配置工程が完了する。
【０１６２】
（成長工程）
付着パターン１１２を有する基板１１３を形成したのち、例えば、図３７に示したように、この付着パターン１１２を触媒として、基板１１３上にカーボンナノチューブ１１４を成長させ、複数のカーボンナノチューブ１１４が直線状に配列されたカーボンナノチューブ構造体１１５を形成することができる。
【０１６３】
このように本変形例では、突起１１１と金属基板１２０とを対向させて密接させ、突起１１１の先端部に金属基板１２０と同一の材料よりなる付着パターン１１２を形成するようにしたので、金属触媒からなる付着パターン１１２を容易に形成することができる。また、素材基板１１０の材料は任意であり、用途に応じて選択の範囲を広げることができる。
【０１６４】
更に、本変形例でも、付着パターン１１２が形成された基板１１３を原盤として、突起１１１の先端部に付着した付着パターン１１２を被転写基板７１に転写することにより、一枚の原盤から多数の被転写基板７１に付着パターン１１２を転写して基板を大量に製造することができる。
【０１６５】
〔変形例９〕
次に、図３８ないし図４０を参照して変形例９を説明する。本変形例は、触媒配置工程として、素材基板１０の表面に所望のパターンに応じて変調された熱分布１１を与え、素材基板１０の表面を溶融させる「溶融工程」と、素材基板１０の表面を放熱させることにより、熱分布１１に応じた位置に、すなわち所望のパターンで突起を形成する「突起形成工程」と、突起の表面を平坦化する「平坦化工程」とを含むものである。そののち、平坦化された突起の上面にカーボンナノチューブを成長させる「成長工程」を行う。
【０１６６】
（溶融工程）
まず、上記変形例２と同様にして溶融工程を行う。ここで、素材基板１０は、本変形例では金属触媒としての鉄（Ｆｅ）により構成されている。
【０１６７】
素材基板１０の材料は、カーボンナノチューブを形成するための金属触媒としての機能を有するものであればよく、その具体例は、第１の実施の形態において第２の物質として例示したものと同様である。
【０１６８】
（突起形成工程）
溶融工程において素材基板１０の表面を溶融させたのち、エネルギービーム１２の照射を止めると、素材基板１０の表面の温度は徐々に低下して凝固するが、このとき、溶融工程において照射されたエネルギービーム１２のエネルギー量が一定値を超えている場合には、図３８に示したように、高温領域１１Ｈに対応する位置に、素材基板１０の表面から隆起した突起１３４が形成される。
【０１６９】
突起１３４は、高温領域１１Ｈが溝１３Ａに対応して一次元方向に配列された直線状であるので、これに対応して、一次元方向に配列された直線状のリブ（突条）のパターンとして形成される。突起１３４の幅（線幅）Ｗ、すなわち熱分布１１の変調方向における突起１３４の下端部の寸法は、溶融温度および冷却速度により定まる。溶融温度は、エネルギービーム１２のエネルギー量、すなわちエキシマレーザの場合にはパルス照射回数によって制御することができ、溶融温度が高いほど、突起１３４の幅Ｗは大きくなる。冷却速度は、前述のように、素材基板１０または素材基板１０のホルダーを真空中またはガス雰囲気中に配置する方法、ガスフローによる方法、水または液体窒素中で冷却する方法、あるいは加熱しながらゆっくり冷却する方法などによって制御することができ、冷却速度が速いほど突起１３４の幅Ｗは大きくなる。突起１３４の幅Ｗは、原理的には原理的には素材基板１０の構成物質の原子の大きさより大きい任意の値をとり得るものであり、溶融温度および冷却速度を制御することにより従来のフォトリソグラフィ技術では不可能であった５０ｎｍ未満を実現することができる。
【０１７０】
突起１３４の幅Ｗの具体的な値は、後述する基板の用途によって定められるが、例えばカーボンナノチューブを形成する場合には、突起１３４の幅Ｗは、０．４ｎｍ以上５０ｎｍ未満であることが好ましく、０．４ｎｍ以上３０ｎｍ以下であればより好ましく、０．４ｎｍ以上１０ｎｍ以下であれば更に好ましい。理由は第１の実施の形態において説明したのと同様である。
【０１７１】
また、突起１３４の間隔Ｌ、すなわち熱分布１１の変調方向における突起１３４の間隔（ピッチ）は、熱分布１１の空間的周期Ｔに応じて、すなわち回折格子１３の周期間隔Ｐおよびエネルギービーム１２の波長λに応じて定まる。波長λを小さくするほど、または、周期間隔Ｐを微細にするほど突起１３４の間隔Ｌを微細化することができ、従来のフォトリソグラフィでは不可能な微細な間隔Ｌで突起１３４を形成することが可能である。突起１３４の間隔Ｌは、例えば１００ｎｍ以下であることが好ましく、更に、５０ｎｍ以下とすればより好ましい。理由は第１の実施の形態において説明したのと同様である。
【０１７２】
（平坦化工程）
次に、図３９（Ａ）に示したように、突起１３４の周囲の凹部１３５に、埋込み層１３６を形成する。この埋込み層１３６は、後述するようにＣＭＰで突起１３４の上面を平坦化する際の平坦化層として用いられるものであり、例えば二酸化ケイ素を、ＳＯＧにより塗布することにより、またはＣＶＤ法などにより形成される。なお、埋込み層１３６の材料は、上述の二酸化ケイ素の他、窒化ケイ素，ポリイミド，ＰＭＭＡ，金属酸化膜などの絶縁体材料、あるいはシリコン，ゲルマニウムなどの半導体材料を用いてもよい。
【０１７３】
なお、埋込み層１３６の厚さは、突起１３４を覆い尽くすように形成してもよく、突起１３４の一部、例えば最先端部分が埋込み層１３６から突出するように形成してもよい。
【０１７４】
続いて、図３９（Ｂ）に示したように、突起１３４および埋込み層１３６を例えばＣＭＰにより研磨し、突起１３４の上面１３４Ａおよび埋込み層１３６の上面１３６Ａを平坦化する。これにより、平坦化された上面１３４Ａを有する突起１３４と、突起１３４の側面を覆うと共に突起１３４の上面１３４Ａを露出させる埋込み層１３６とを有する基板１３７が得られる。
【０１７５】
平坦化された上面１３４Ａの幅Ｗａは、突起１３４の幅Ｗのとりうる値の範囲内で、ＣＭＰによる研磨時間により制御することができる。すなわち、突起１３４は先端になるに従って断面積が小さくなっているので、ＣＭＰによる研磨時間を長くするほど上面１３４Ａの幅Ｗａは大きくなる。なお、突起１３４の間隔Ｌは、平坦化の前後を通じて同一である。
【０１７６】
したがって、突起１３４の上面１３４Ａを平坦化することにより、上面１３４Ａの幅Ｗａを、突起１３４の幅Ｗと同様に、従来のフォトリソグラフィ技術では不可能であった５０ｎｍ未満とすると共に、上面１３４Ａの面積および形状のばらつきを少なくし、高さを均一にすることができる。
【０１７７】
以上により、触媒配置工程が完了する。
【０１７８】
（成長工程）
突起１３４の上面１３４Ａを平坦化したのち、例えば、図４０に示したように、この上面１３４Ａに露出した鉄を触媒として基板１３７上にカーボンナノチューブ１３８を成長させ、複数のカーボンナノチューブ１３８が直線状に配列されたカーボンナノチューブ構造体１３９を形成することができる。
【０１７９】
このように本変形例では、素材基板１０の表面に対して熱分布１１を与え、素材基板１０の表面を溶融させたのち、素材基板１０の表面を放熱させることにより、熱分布１１に応じた位置に突起１３４のパターンを形成し、そののち突起１３４の上面１３４Ａを平坦化するようにしたので、溶融温度および冷却速度を制御することにより、突起１３４の幅Ｗおよび上面１３４Ａの幅Ｗａを、従来のフォトリソグラフィ技術では不可能であった５０ｎｍ未満とすることが可能となる。また、熱分布１１の空間的周期Ｔを制御することにより突起１３４を従来のフォトリソグラフィ技術では不可能であった微細な間隔Ｌで形成することができる。
【０１８０】
また、突起１３４のパターンを有する基板１３７をドライプロセスにより形成することができるので、従来のフォトリソグラフィを利用したプロセスに比べて生産が容易であり、再現性が良く、低コスト化が可能である等の利点を得ることができる。
【０１８１】
また、エネルギービーム１２を回折させることにより熱分布１１を与えるようにしたので、回折格子１３の周期間隔Ｐを微細化することにより熱分布１１の空間的周期Ｔを容易に制御し、突起１３４の間隔Ｌを微細化することができる。
【０１８２】
更に、本変形例では、突起１３４の上面１３４Ａを平坦化するようにしたので、上面１３４Ａの幅Ｗａを、突起１３４の幅Ｗと同様に、従来のフォトリソグラフィ技術では不可能であった５０ｎｍ未満とすると共に、上面１３４Ａの面積および形状のばらつきを少なくし、高さを均一にすることができる。
【０１８３】
〔変形例１０〕
次に、本発明の変形例１０について説明する。本変形例は、上記変形例９で得られた基板１３７を原盤として、その突起のパターンを、別の被転写基板に転写する上面転写工程を更に含むようにしたものである。
【０１８４】
（溶融工程，突起形成工程および平坦化工程）
まず、図４１に示したように、上面が平坦化された突起を有する転写用原盤（以下，原盤という）１４０を作製する。原盤１４０は、上記変形例９の基板１３７と同様に、溶融工程，突起形成工程および平坦化工程を行うことによって形成する。すなわち、素材基板１０に突起１３４および埋込み層１３６を形成し、突起１３４の上面１３４Ａおよび埋込み層１３６の上面１３６Ａを平坦化する。
【０１８５】
（上面転写工程）
次に、図４２（Ａ）に示したように、変形例４と同様の被転写基板７１を用意し、原盤１４０の突起１３４の上面１３４Ａと被転写基板７１の導電性膜７２とを対向させて密接させる。このとき、転写特性向上のため、必要に応じて加圧することが好ましい。更に、加熱処理を行うようにすれば、転写特性をいっそう良好にすることができるので、より好ましい。
【０１８６】
そののち、原盤１４０を被転写基板７１から引き離すと、図４２（Ｂ）に示したように、突起１３４の上面１３４Ａのパターンが、被転写基板７１に転写される。こうして、被転写基板７１の上に鉄よりなる転写パターン１５１を有する基板１５２が形成される。よって、一枚の原盤１４０から多数の被転写基板７１に突起１３４の上面１３４Ａを転写して基板１５２を大量に製造することができる。また、突起１３４Ａの上面１３４Ａは、平坦化工程により面積および形状のばらつきが少なく、高さが均一になっているので、転写パターン１４１の面積および形状のばらつきが少なくなる。よって、微細な転写パターン１５１を高精度に形成することができる。更に、転写を繰り返すことにより突起１３４が磨耗した場合には、再び平坦化工程の研磨を繰り返して突起１３４の上面１３４Ａの形状を回復させることなどが可能である。
【０１８７】
以上により、触媒配置工程が完了する。
【０１８８】
（成長工程）
被転写基板７１に転写パターン１５１を形成して基板１５２を形成したのち、例えば、図４３に示したように、この転写パターン１５１を触媒として基板１５２上にカーボンナノチューブ１５３を成長させ、複数のカーボンナノチューブ１５３が直線状に配列されたカーボンナノチューブ構造体１５４を形成することができる。導電性膜７２上に形成されたカーボンナノチューブ構造体１５４は、電界電子放出素子として利用することができる。
【０１８９】
このように本実施の形態では、突起１３４の上面１３４Ａを被転写基板７１に転写するようにしたので、一枚の原盤１４０から多数の被転写基板７１に突起１３４の上面１３４Ａを転写して基板１５２を大量に製造することができる。また、突起１３４Ａの上面１３４Ａは、平坦化工程により面積および形状のばらつきが少なく、高さが均一になっているので、転写パターン１５１を高精度に形成することができる。
【０１９０】
〔変形例１１〕
次に、変形例１０について説明する。本変形例は、上記変形例９と同様にして素材基板１０の表面に突起のパターンを形成したのち、この突起の最先端部分以外の表面に、カーボンナノチューブの成長を抑制する抑制層を形成するようにしたものである。すなわち、本変形例は、触媒工程として、素材基板１０の表面に所望のパターンに応じて変調された熱分布１１を与え、素材基板１０の表面を溶融させる「溶融工程」と、素材基板１０の表面を放熱させることにより、熱分布１１に応じた位置に、すなわち所望のパターンで突起を形成する「突起形成工程」と、突起の最先端部分以外の表面に、カーボンナノチューブの成長を抑制する抑制層を形成する「抑制層形成工程」とを含むものである。そののち、抑制層で覆われていない突起の最先端部分にカーボンナノチューブを成長させる「成長工程」を行う。
【０１９１】
（溶融工程）
まず、上記変形例９と同様にして溶融工程および突起形成工程を行い、図３８に示したように、素材基板１０の表面に突起１３４のパターンを形成する。
【０１９２】
（抑制層形成工程）
次に、図４４に示したように、突起１３４の最先端部分１３４Ｂ以外の表面に、抑制層１６１を形成する。この抑制層１６１は、後述する成長工程において突起１３４の側面からカーボンナノチューブが成長することを抑制し、カーボンナノチューブの成長する領域を限定するものであり、例えば二酸化ケイ素を、ＳＯＧにより塗布することにより、またはＣＶＤ法などにより形成される。なお、抑制層１６１の材料としては、変形例９の埋込み層１３６と同様に、上述の二酸化ケイ素の他、窒化ケイ素，ポリイミド，ＰＭＭＡ，金属酸化膜などの絶縁体材料、あるいはシリコン，ゲルマニウムなどの半導体材料を用いてもよい。特に、抑制層１６１の材料として絶縁体材料を用いた場合には、突起１３４の最先端部分１３４Ｂの周辺が絶縁体材料よりなる抑制層１６１で満たされるので、カーボンナノチューブの周辺に絶縁物が存在しない場合に比べて、より高い電界をカーボンナノチューブに集中させることができる。
【０１９３】
以上により、触媒配置工程が完了し、突起１３４の最先端部分１３４Ｂ以外の表面に抑制層１６１が形成された基板１６２が形成される。
【０１９４】
（成長工程）
基板１６２を形成したのち、例えば、図４３に示したように、突起１３４の最先端部分１３４Ｂに露出した鉄を触媒としてカーボンナノチューブ１６３を成長させ、複数のカーボンナノチューブ１６３が直線状に配列されたカーボンナノチューブ構造体１６４を形成することができる。
【０１９５】
このように本変形例では、突起１３４の最先端部分１３４Ｂ以外の表面に抑制層１６１を形成するようにしたので、突起１３４の最先端部分１３４Ｂのみにカーボンナノチューブ１６３を成長させることができる。
【０１９６】
以上、実施の形態および変形例を挙げて本発明を説明したが、本発明は上記実施の形態および変形例に限定されるものではなく、種々変形可能である。例えば、上記実施の形態では、パルスの照射回数によりエネルギービーム１２のエネルギー量を調整するようにしたが、パルスの照射回数、照射強度およびパルス幅のそれぞれを調整することが可能である。
【０１９７】
また、上記実施の形態および変形例では、熱分布１１，３３を回折格子１３，３２を用いて形成するようにしたが、ビームスプリッタおよびミラーを用いて形成してもよい。
【０１９８】
更に、上記第４の実施の形態では、カーボンナノチューブ１６の先端付近に鉄よりなる磁性層１９Ａを挿入するようにしたが、磁性層１９Ａは、カーボンナノチューブ１６の少なくとも先端部に挿入されていればよい。よって、磁性層１９Ａが、例えばカーボンナノチューブ１６の全長にわたって内蔵されていてもよい。
【０１９９】
加えて、上記第４の実施の形態では、カーボンナノチューブ１６の開放端１６Ａを塞ぐように磁気材料よりなる薄膜１９を形成し、この薄膜１９を研磨することにより、カーボンナノチューブ１６の先端に磁性層１９Ａを挿入するようにしたが、磁性層１９Ａの形成方法はこれに限られない。例えば、第３の実施の形態のようにカーボンナノチューブ１６を成長させながらその先端に鉄を内包させ、得られたカーボンナノチューブ１６に対して、第２の実施の形態で説明したような高さ均一化工程を行うことによって形成してもよい。あるいは、カーボンナノチューブの先端を開放端としたのちに鉄を含む雰囲気中に配置し、開放端からカーボンナノチューブ内部に磁気材料を取り込ませる方法なども可能である。
【０２００】
更にまた、変形例９では、溶融工程を第１の実施の形態と同様に行い、リブ状の突起１３４を形成するようにしたが、溶融工程を変形例３と同様に行い、突起を２次元に分布するように形成することも可能である。
【０２０１】
加えてまた、上記実施の形態および変形例では、ＸｅＣｌエキシマレーザを用いてエネルギービーム１２を照射するようにしたが、ＸｅＣｌエキシマレーザ以外のレーザを用いるようにしてもよく、更に、加熱手段として、変調により熱分布を形成できるものであれば、一般的な汎用の電気加熱炉（拡散炉）もしくはランプなどの他の方法により加熱するようにしてもよい。
【０２０２】
更にまた、上記各実施の形態および上記変形例では、析出工程または突起形成工程での放熱を溶融工程を終了したのちの常温による自然冷却としたが、常温未満の温度により強制的に冷却して析出工程または突起形成工程を短縮することも可能である。
【０２０３】
加えてまた、上記各実施の形態および上記変形例では、筒状炭素分子としてカーボンナノチューブを形成する場合について説明したが、本発明は、カーボンナノチューブに限らず、カーボンナノホーンあるいはカーボンナノファイバー等を形成する場合にも適用可能である。
【０２０４】
【発明の効果】
以上説明したように本発明の筒状炭素分子の製造方法によれば、変調された熱分布による溶融を利用して、筒状炭素分子を形成するための触媒機能を有する金属を配置し、筒状炭素分子を成長させるようにしたので、熱分布を制御することにより、従来のフォトリソグラフィでは不可能であった微細な幅および間隔のパターンを形成し、このパターン通りに筒状炭素分子が規則正しく配列された筒状炭素分子構造体を得ることができる。
【０２０５】
また、本発明の筒状炭素分子によれば、筒状炭素分子の先端が所定の平面内に形成され、かつ先端が開放端となっているので、ＦＥＤとして利用する場合に均一かつ優れた電界放出特性を得ることができる。
【０２０６】
本発明の記録装置の製造方法および本発明の記録装置によれば、所望の微細なパターンで配列された筒状炭素分子を備え、各筒状炭素分子内に磁気材料からなる磁性層が導入されているので、着磁の長さを従来のフォトリソグラフィでは不可能な小さな寸法とすることができる。よって、極めて記録密度を高くすることができる。また、磁性層は筒状炭素分子により隔離されているので、隣接する他の筒状炭素分子内の磁性層の影響を受けることなく、所定の磁化方向を長期間安定して保持することができ、記録装置の信頼性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係るカーボンナノチューブの製造方法における溶融工程を模式的に表す斜視図である。
【図２】図１に続く工程（析出工程）を模式的に表す斜視図である。
【図３】図２に続く工程（成長工程）を模式的に表す斜視図である。
【図４】本発明の第２の実施の形態に係るカーボンナノチューブの製造方法における高さ均一化工程を模式的に表す断面図である。
【図５】本発明の第４の実施の形態に係る記録装置の製造方法における挿入工程を模式的に表す断面図である。
【図６】図５に示した記録装置における記録状態の一例を模式的に表す斜視図である。
【図７】本発明の変形例１に係るカーボンナノチューブの製造方法における溶融工程を模式的に表す斜視図である。
【図８】図７に示した素材基板の表面に形成されている熱分布の一例を模式的に表す平面図である。
【図９】図７に示した熱分布の他の例を表す平面図である。
【図１０】図７に続く工程（析出工程）を模式的に表す斜視図である。
【図１１】図１０に示した素材基板の表面の一部を拡大して表す平面図である。
【図１２】図１０に続く工程（成長工程）を模式的に表す斜視図である。
【図１３】図９に示した熱分布を形成したのちに析出工程を行った場合における素材基板の表面の一部を拡大して表す平面図である。
【図１４】本発明の変形例２に係るカーボンナノチューブの製造方法における析出工程を模式的に表す斜視図である。
【図１５】図１４に示した析出領域の変形例を表す断面図である。
【図１６】図１４に示した析出領域の他の変形例を表す断面図である。
【図１７】図１４に続く工程（成長工程）を模式的に表す斜視図である。
【図１８】本発明の変形例３に係るカーボンナノチューブの製造方法における析出工程を模式的に表す斜視図である。
【図１９】図１８に示した素材基板の表面の一部を拡大して表す平面図である。
【図２０】図１８に続く工程（成長工程）を模式的に表す斜視図である。
【図２１】本発明の変形例４に係るカーボンナノチューブの製造方法における突起形成工程を模式的に表す斜視図である。
【図２２】図２１に続く工程（転写工程）を模式的に表す断面図である。
【図２３】図２２に示した転写パターンの変形例を表す断面図である。
【図２４】図２２に示した転写パターンの他の変形例を表す断面図である。
【図２５】図２２に続く工程（成長工程）を模式的に表す断面図である。
【図２６】本発明の変形例５に係るカーボンナノチューブの製造方法における突起形成工程を模式的に表す斜視図である。
【図２７】図２６に続く工程（転写工程）を模式的に表す斜視図である。
【図２８】図２７に続く工程（成長工程）を模式的に表す斜視図である。
【図２９】図２８に示したカーボンナノチューブ構造体の顕微鏡写真である。
【図３０】図２９に示した白い部分の中央付近を拡大して表すＳＥＭ写真である。
【図３１】図２９に示した白い部分と黒い部分との境界付近を拡大して表すＳＥＭ写真である。
【図３２】本発明の変形例６に係るカーボンナノチューブの製造方法における被膜形成工程を模式的に表す断面図である。
【図３３】図３２に続く工程（転写工程）を模式的に表す断面図である。
【図３４】図３３に続く工程（成長工程）を模式的に表す断面図である。
【図３５】本発明の変形例７に係るカーボンナノチューブの製造方法における転写工程を模式的に表す断面図である。
【図３６】本発明の変形例８に係るカーボンナノチューブの製造方法における触媒配置工程を模式的に表す断面図である。
【図３７】図３６に続く工程（成長工程）を模式的に表す断面図である。
【図３８】本発明の変形例９に係るカーボンナノチューブの製造方法における突起形成工程を模式的に表す斜視図である。
【図３９】図３８に続く工程（平坦化工程）を模式的に表す一部切り欠き斜視図である。
【図４０】図３９に続く工程（成長工程）を模式的に表す斜視図である。
【図４１】本発明の変形例１０に係るカーボンナノチューブの製造方法における原盤を模式的に表す断面図である。
【図４２】図４１に続く工程（上面転写工程）を模式的に表す断面図である。
【図４３】図４２に続く工程（成長工程）を模式的に表す断面図である。
【図４４】本発明の変形例１１に係るカーボンナノチューブの製造方法における抑制層形成工程を模式的に表す斜視図である。
【図４５】図４４に続く工程（成長工程）を模式的に表す斜視図である。
【符号の説明】
１０，９０，１１０…素材基板、１１，３３…熱分布、１１Ｈ，３３Ｈ…高温領域、１１Ｌ，３３Ｌ…低温領域、１２…エネルギービーム、１３，３２…回折格子、１３Ａ…溝、１４，３４，４２，５２…析出領域、１５，３５，４３，５３，７４，８４，９５，１０２，１１３，１３７，１５２，１６２…基板、１６，３６，４４，５４，７５，８５，９６，１１４，１３８，１５４，１６３…カーボンナノチューブ、１６Ａ…開放端、１７，３７，４５，５５，７６，８６，９７，１１５，１３９，１５４，１６４…カーボンナノチューブ構造体、１８…固定層、１９…薄膜、１９Ａ…磁性層、２０…記録装置、３１Ｘ…Ｘ方向熱分布、３１ＸＨ…Ｘ方向高温領域、３１ＸＬ…Ｘ方向低温領域、３１Ｙ…Ｙ方向熱分布、３１ＹＨ…Ｙ方向高温領域、３１ＹＬ…Ｙ方向低温領域、３２Ａ…非透過部分、３２Ｂ…透過部分、４１，５１，６４，８１，９１，１１１，１３４…突起、６５，８２，９２，１４０…原盤、７１…被転写基板、７２…導電性膜、７３，８３，９４，１０１，１５１…転写パターン、９３…被膜、１１２…付着パターン、１２０…金属基板、１３４Ａ，１３６Ａ…上面、１３４Ｂ…最先端部分、１３５…凹部、１３６…埋込み層、１６１…抑制層、Ｈ…水平面、Ｌ…間隔（ピッチ）、Ｐ，ＰＸ，ＰＹ…周期間隔、Ｔ…空間的周期、Ｗ…幅
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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【図３９】
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【図４０】
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【図４１】
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【図４２】
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【図４３】
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【図４４】
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【図４５】
2004262666.tif 000047
【手続補正書】
【提出日】平成16年4月21日(2004.4.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３６】
図２９は、このようにして基板８４上に形成されたカーボンナノチューブ構造体８６を表す顕微鏡写真（３７．５倍）であり、二次元方向に配列された点状の白い部分は、原盤８２の突起８１から転写された転写パターン８３を触媒として、基板８４上に成長したカーボンナノチューブ８５に対応している。


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１９０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１９０】
〔変形例１１〕
次に、変形例１０について説明する。本変形例は、上記変形例９と同様にして素材基板１０の表面に突起のパターンを形成したのち、この突起の最先端部分以外の表面に、カーボンナノチューブの成長を抑制する抑制層を形成するようにしたものである。すなわち、本変形例は、触媒配置工程として、素材基板１０の表面に所望のパターンに応じて変調された熱分布１１を与え、素材基板１０の表面を溶融させる「溶融工程」と、素材基板１０の表面を放熱させることにより、熱分布１１に応じた位置に、すなわち所望のパターンで突起を形成する「突起形成工程」と、突起の最先端部分以外の表面に、カーボンナノチューブの成長を抑制する抑制層を形成する「抑制層形成工程」とを含むものである。そののち、抑制層で覆われていない突起の最先端部分にカーボンナノチューブを成長させる「成長工程」を行う。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１９１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１９１】
（溶融工程および突起形成工程）
まず、上記変形例９と同様にして溶融工程および突起形成工程を行い、図３８に示したように、素材基板１０の表面に突起１３４のパターンを形成する。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１９４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１９４】
（成長工程）
基板１６２を形成したのち、例えば、図４５に示したように、突起１３４の最先端部分１３４Ｂに露出した鉄を触媒としてカーボンナノチューブ１６３を成長させ、複数のカーボンナノチューブ１６３が直線状に配列されたカーボンナノチューブ構造体１６４を形成することができる。