(57)【要約】【課題】多探針を持つ走査型プローブ顕微鏡において、複数の探針間の相対位置の補正を簡便に実現する多探針の位置の構成技術を提供する。【解決手段】多探針走査型顕微鏡のＸ−Ｙ走査領域（１）上に、複数の校正パターン（２）が、一定間隔を持って２次元マトリックス状に配列されており、それぞれの校正パターン（２）には、校正パターンの座標を特定するインデックスナンバーが割り当てられており、これらの校正パターン（２）が探針により読取り可能である。【選択図】　　　　図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
多探針走査型顕微鏡のＸ−Ｙ走査領域上に、複数の校正パターンが、一定間隔を持って２次元マトリックス状に配列されており、それぞれの校正パターンには、校正パターンの座標を特定するインデックスナンバーが割り当てられており、これらの校正パターンが探針により読取り可能であることを特徴とする多探針走査型顕微鏡の探針相対位置校正テンプレート。
【請求項２】
校正パターンが２次元マトリックス状に配列されたドット要素からなるマトリックスパターンであり、マトリックスのドット要素の値が２値により選択されることを特徴とする請求項１記載の多探針走査型顕微鏡の探針相対位置校正テンプレート。
【請求項３】
マトリックスパターンにおける少なくとも１つ以上のドット要素が、校正パターンのＸ−Ｙ走査領域における方向性に関する情報を有することを特徴とする請求項２記載の多探針走査型顕微鏡の探針相対位置校正テンプレート。
【請求項４】
多探針走査型顕微鏡のＸ−Ｙ走査領域上に複数の校正ラインが等間隔に配列されており、これらの校正ラインが探針により読取り可能であることを特徴とする請求項１ないし３のいずれかの多探針走査型顕微鏡の探針相対位置校正テンプレート
【請求項５】
酸化薄膜が形成されたシリコン基板上に、ポジ型レジストを塗布し、校正パターンを電子ビーム露光法により感光し、現像後、レジストの開口部分から酸化薄膜を反応性イオンエッチングによりエッチングすることにより作製されることを特徴とする請求項１ないし４のいずれかの多探針走査型顕微鏡の探針相対位置校正テンプレート
【請求項６】
校正ラインが光の干渉効果により形成されることを特徴とする請求項４または５の多探針走査型顕微鏡の探針相対位置校正テンプレート。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この出願の発明は、多探針走査型顕微鏡の探針相対位置校正テンプレートに関するものである。さらに詳しくは、この出願の発明は、複数の探針間の相対位置を校正するための多探針走査型顕微鏡の探針相対位置校正テンプレートに関するものである。
【０００２】
【従来の技術と発明の課題】
単一多探針走査型顕微鏡による計測技術は成熟期にあり、最近では、単一探針の替わりに多探針を用いた多探針走査型顕微鏡の研究開発が進められている。多探針を用いることで、電気伝導度の測定、近接場光誘起による電気的ポテンシャルの変化の付加、多々振動時測定による効率的な測定、および、効率的な磁性情報の読み書き等の従来の単一探針走査型顕微鏡では実施不可能であった機能が新たに与えられることから、技術の確立を目的とした様々な研究開発が進められている。
【０００３】
多探針を用いた測定においては、それぞれの探針の相対位置を正確に把握することが重要である。例えば、多探針走査型顕微鏡の応用例である微細金属構造の電気伝導度測定においては、図１２に示すように、試料（１２１）表面に形成された金属細線（１２２）上に探針１（１２３）と探針２（１２４）をナノスケールで位置制御して、探針１（１２３）と探針２（１２４）との間の抵抗値を測定し、この抵抗値から電気伝導度を算出するものである（たとえば文献１および２が参照される）。この際、探針１（１２３）と探針２（１２４）との間の相対距離の測定精度が、電気伝導度算出の精度となることから、各探針の正確な位置制御は極めて重要である。
【０００４】
すなわち、各探針に連結されている走査素子においては、その特性にばらつきが存在することから、それらのばらつきを補正して、正確な走査距離を知ることが重要である。また、それぞれの探針は、走査における相対位置がベクトル的であり、各探針の走査軸が走査領域を構成するＸ軸、Ｙ軸に対して相対的に傾斜角度を持つ可能性がある。それを考慮した上で、各探針の相対位置を補正する校正技術は、いままで実現されておらず、多探針を用いた走査型プローブ顕微鏡の実用化を進める上での重要な課題となっていた。
【０００５】
多探針を用いた走査型プローブ顕微鏡を、大型の走査電子顕微鏡の内部へ導入することで、探針端の相対位置を知ることはもちろん可能であるが、極めて大がかりであることから、試験的なケースに対してのみ適用可能であって、汎用的に実施するのは現実的ではない。
【０００６】
【文献１】
Ｒｅｖｉｅｗ　ｏｆ　Ｓｃｉｅｎｔｉｆｉｃ　Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ　−−　Ｊｕｌｙ　１９９１　−−　Ｖｏｌｕｍｅ　６２，　Ｉｓｓｕｅ　７，　ｐｐ．１７６７−１７７１
Ｔｗｉｎ−ｐｒｏｂｅ　ｓｃａｎｎｉｎｇ　ｔｕｎｎｅｌｉｎｇ　ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅＳｈｉｇｅｍｉ　Ｔｓｕｋａｍｏｔｏ，　Ｂｙｒｏｎ　Ｓｉｕ，　ａｎｄ　Ｎｏｂｕｙｕｋｉ　Ｎａｋａｇｉｒｉ
【文献２】
青野正和他、応用物理１９、ｐ６９８（１９９８）
【０００７】
そこで、この出願の発明は、以上の通りの事情に鑑みてなされたものであり、多探針を持つ走査型プローブ顕微鏡において、複数の探針間の相対位置の補正を簡便に実現する多探針の位置校正技術を提供することを課題としている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
この出願の発明は、上記の課題を解決するものとして、第１に、多探針走査型顕微鏡のＸ−Ｙ走査領域上に、複数の校正パターンが、一定間隔を持って２次元マトリックス状に配列されており、それぞれの校正パターンには、校正パターンの座標を特定するインデックスナンバーが割り当てられており、これらの校正パターンが探針により読取り可能であることを特徴とする多探針走査型顕微鏡の探針相対位置校正テンプレートを提供する。
【０００９】
また、この出願の発明は、第２に、校正パターンが２次元マトリックス状に配列されたドット要素からなるマトリックスパターンであり、マトリックスのドット要素の値が２値により選択されることを特徴とする多探針走査型顕微鏡の探針相対位置校正テンプレートを、また、第３に、マトリックスパターンにおける少なくとも１つ以上のドット要素が、校正パターンのＸ−Ｙ走査領域における方向性に関する情報を有することを特徴とする多探針走査型顕微鏡の探針相対位置校正テンプレートを提供する。
【００１０】
また、以上の多探針走査型顕微鏡の探針相対位置校正テンプレートにおいては、第４の発明の態様として、多探針走査型顕微鏡のＸ−Ｙ走査領域上に複数の校正ラインが等間隔に配列されており、これらの校正ラインが探針により読取り可能であることを、第５の発明の態様として、酸化薄膜が形成されたシリコン基板上に、ポジ型レジストを塗布し、校正パターンを電子ビーム露光法により感光し、現像後、レジストの開口部分から酸化薄膜を反応性イオンエッチングによりエッチングすることにより作製されることを、また、第６の発明の態様として、校正ラインが光の干渉効果により形成されることを、それぞれ特徴とするものである。
【００１１】
【発明の実施の形態】
この出願の発明は、上記のとおりの特徴をもつものであるが、以下に、その実施の形態について説明する。
【００１２】
この出願の発明である多探針走査型顕微鏡の探針相対位置校正テンプレートにおいては、図１に示すとおり、多探針走査型顕微鏡のＸ−Ｙ走査領域（１）上に複数の校正パターン（２）が一定間隔（列方向：ｄｘ，行方向ｄｙ）を持って２次元マトリックス状に配列されている。これらの校正パターン（２）には、それぞれ、校正パターン（２）の座標を特定するインデックスナンバーが割り当てられており、また、これらの校正パターン（２）は探針により読取り可能である。
【００１３】
そして、これらの校正パターン（２）は、２次元マトリックス状に配列されたドット要素（３）からなるマトリックスパターンであり、ドット要素（３）に格納される値は、「０」および「１」の２値から選択される。
【００１４】
校正パターン（２）のサイズ（列方向：Ｉｘ，行方向Ｉｙ）は、多探針走査型顕微鏡による測定の分解能に応じて適宜に選択されるものである。また、校正パターン（２）を構成するドット要素（３）のサイズ（列方向：Ｕｘ，行方向Ｕｙ）は、探針が接続される走査素子の走査分解能および校正に必要な座標数に応じて適宜に選択される。校正に必要な座標数は、校正が行なわれるＸ−Ｙ走査領域における校正パターンの総数である。また、それぞれのドット要素は一定の間隔（列方向：ｄＵｘ，行方向ｄＵｙ）を有して配列されている。
【００１５】
１個当たりの校正パターンにおけるドット要素数がＮである場合、最大で２Ｎ／２通りの座標をそれぞれの校正パターンに割り当てることができる。一方で、この出願の発明においては、マトリックスパターンにおける少なくとも１つ以上のドット要素が校正パターンのＸ−Ｙ走査領域における方向性に関する情報を有するよう設定することが好適である。すなわち、図２に示すように、Ｘ−Ｙ走査領域（２１）上の全ての校正パターン（２２）において値が固定されている要素ドット（２３）を用意することで、校正パターン（２２）がＸ−Ｙ走査領域においてどちらの方向を向いているかを特定する。この場合、校正パターンの座標に関するインデックスナンバーを格納するための要素ドット（２４）の数Ｎは、値が固定されている要素ドット（２３）の数Ｍの分だけ減ることから、それぞれの校正パターン（２２）に割り当てられる座標の数は、最大で２（Ｎ−Ｍ）／２通りとなる。もしくは、Ｉｘ≠Ｉｙ、Ｕｘ≠Ｕｙ、ｄｘ≠ｄｙ、または、ｄＵｘ≠ｄＵｙのいずれかのように設定して、校正パターンあるいは要素ドットを長方形とすることで、校正パターンの方向性を特定してもよい。
【００１６】
この出願の発明である多探針走査型顕微鏡の探針相対位置校正テンプレートは、例えば、酸化薄膜を形成したシリコン基板上に、ポジ型レジストを塗布し、校正パターンを電子ビーム露光法により感光し、現像後、レジストの開口部分から、酸化薄膜を反応性イオンエッチングによりエッチングすることで製造される。
【００１７】
また、この出願の発明である多探針走査型顕微鏡の探針相対位置校正テンプレートにおいては、上記の校正パターンに加えて、多探針走査型顕微鏡のＸ−Ｙ走査領域上に複数の校正ラインが等間隔に配列されていてもよい。これらの校正ラインは、探針により読取り可能である。この校正ラインを絶対距離の指標として用いることで絶対距離補正を行い、複数の探針の相対位置の校正精度を高めることが可能となる。
【００１８】
校正ラインは、光の干渉効果により形成されるものである。具体的には、校正ラインは、前記の校正パターンを電子ビーム露光法により感光する工程において、光の干渉効果により生成される干渉縞を重ね書きすることで形成される。あるいは、光フォトグラフィに準じた形で干渉縞を刻印する工程を先に行い、独立に電子ビーム露光を用いた工程を行うこともできる。
【００１９】
以上は、この出願の発明における形態の一例であり、以上で示した形態に限定されることはなく、その細部について、様々な形態をとりうることが考慮されるべきであるとは言うまでもない。
【００２０】
この出願の発明は、以上の特徴を持つものであるが、以下に実施例を示し、さらに具体的に説明する。
【００２１】
【実施例】
実施例１
まず、簡単のため、校正パターンが１次元アレイ状に配列されている探針相対位置校正テンプレートについて考える。図３に示すように、校正パターン（３１）において、行方向および列方向に対して５個ずつ、すなわち合計２５個のドット要素（３２）が設けられている。ここでは、限定して１０個のドット要素を用いる。その内の９個のドット要素Ｘ０〜Ｘ８を、校正パターン（３１）のＸ座標を特定するインデックスナンバーを格納するために用い、また、残りの１個のドット要素Ｘ９を校正パターン（３１）の方向性を表すために用いる。このとき、Ｘ０〜Ｘ８の値は、校正パターンのＸ座標ＡＸに対応するように、例えば、次式が成り立つように設定されるものである。
Ｘ０・２０＋Ｘ１・２１＋Ｘ２・２２＋Ｘ３・２３＋Ｘ４・２４＋Ｘ５・２５＋Ｘ６・２６＋Ｘ７・２７＋Ｘ８・２８＝ＡＸ　　　　　　　　　　　……（Ｉ）
ただし、ドット要素Ｘ０〜Ｘ８に格納される値は０または１のいずれかである。このときＡＸの値は、０〜５１１となることから、５１２通りのインデックスナンバーを割り当てることが可能となる。
【００２２】
図４に、校正パターンが１次元に配列されている探針相対位置校正テンプレートを用いた相対位置校正の原理について示す。Ｘ−Ｙ走査領域（４１）において列方向に一定の間隔ｄｘを設け、列方向の幅がＩｘであるＮ個の校正パターン（４２）が形成される。校正パターンの座標を特定するためのインデックスナンバーとして、左から順に０〜Ｎ−１の値が割り当てられている。２本の探針（４３、４４）によって読みとられた校正パターン（４５、４６）のインデックスナンバーがｉおよびｊであれば、２本の探針間には｜ｉ−ｊ｜個の校正パターン分の間隔（一定間隔ｄｘ分を含む）が存在することになり、実際の距離は、（Ｉｘ＋ｄｘ）×｜ｉ−ｊ｜で与えられる。
【００２３】
全ての校正パターン（３１）においてドット要素Ｘ９は同じ値を有することから、これらの連続性を調べることで、構成パターン（３１）の方向を知ることが可能となり、Ｘ−Ｙ走査領域を校正するＸ軸およびＹ軸に対する傾斜角を調べることができ、この傾斜角分を補正して走査距離の校正を行うことが可能となる。実施例２
次いで、校正パターンが２次元マトリック状に配列されている探針相対位置校正テンプレートについて考える。図５に示すように、校正パターン（５１）において、行方向および列方向に対して５個ずつ、すなわち合計２５個のドット要素（５２）が設けられている。ここでは、限定して２０個のドット要素を用いる。その内の９個のドット要素Ｘ０〜Ｘ８を、校正パターン（５１）のＸ座標を特定するインデックスナンバーを格納するために、他の９個のドット要素Ｙ０〜Ｙ８を、校正パターン（５１）のＹ座標を特定するインデックスナンバーを格納するために、また、残りの２個のドット要素Ｘ９およびＹ９を校正パターン（５１）の方向性を表すために用いる。このとき、Ｘ０〜Ｘ８およびＹ０〜Ｙ８の値は、校正パターンのＸ座標ＡＸおよびＹ座標ＡＹに対応するように、例えば、次式が成り立つように設定されるものである。
Ｘ０・２０＋Ｘ１・２１＋Ｘ２・２２＋Ｘ３・２３＋Ｘ４・２４＋Ｘ５・２５＋６Ｘ・２６＋Ｘ７・２７＋Ｘ８・２８＝ＡＸ　　　　　　　　　　　……（ＩＩ）
Ｙ０・２０＋Ｙ１・２１＋Ｙ２・２２＋Ｙ３・２３＋Ｙ４・２４＋Ｙ５・２５＋６Ｙ・２６＋Ｙ７・２７＋Ｙ８・２８＝ＡＹ　　　　　　　　　　　……（ＩＩＩ）
ただし、ドット要素Ｘ０〜Ｘ８およびＹ０〜Ｙ８に格納される値は０または１のいずれかである。このときＡＸおよびＡＹの値は、０〜５１１となることから、５１２×５１２通りのインデックスナンバーを割り当てることが可能となる。
【００２４】
図６に、校正パターンが２次元に配列されている探針相対位置校正テンプレートを用いた相対位置校正に関する概要図を示す。Ｘ−Ｙ走査領域（６１）において、列方向および行方向に一定の間隔ｄｘ、ｄｙをそれぞれ設け、列方向の長さがＩｘ、行方向の長さがＩｙであるＮ×Ｎ個の校正パターン（６２）が形成される。校正パターンの座標を特定するためのインデックスナンバーとして、左から順に（０，０）〜（Ｎ−１，Ｎ−１）の値が割り当てられている。２本の探針（６３および６４）によって読みとられた校正パターン（６５および６６）にそれぞれ割り振られている値が（ｉｘ，ｉｙ）および（ｊｘ，ｊｙ）であれば、２本の探針間には、行方向に｜ｉｘ−ｉｙ｜個，列方向に｜ｊｘ−ｊｙ｜個の校正パターン分の間隔（一定間隔ｄｘ、ｄｙ分を含む）が存在することになり、実際の距離は、行方向：（Ｉｘ＋ｄｘ）Ｘ｜ｉｘ−ｉｙ｜，列方向（ｊｘ−ｊｙ）×｜ｉｘ−ｉｙ｜で与えられる。
【００２５】
全ての校正パターン（５１）においてドット要素Ｘ９およびＹ９は同じ値を有することから、これらの連続性を調べることで、校正パターン（５１）の方向を知ることが可能となり、Ｘ−Ｙ走査領域を構成するＸ軸およびＹ軸に対する傾斜角を調べることができ、この傾斜角分を補正して走査距離の校正を行うことが可能となる。
実施例３
次いで、校正パターンが２次元マトリック状に配列されている探針相対位置校正テンプレートについて考える。図７に示すように、校正パターン（７１）において、行方向および列方向に対して５個ずつ、すなわち合計２５個のドット要素（７２）が設けられている。ここでは、限定して２５個のドット要素を用いる。その内の９個のドット要素Ｘ０〜Ｘ８を、校正パターン（７１）のＸ座標を特定するインデックスナンバーを格納するために、他の９個のドット要素Ｙ０〜Ｙ８を、校正パターン（７１）のＹ座標を特定するインデックスナンバーを格納するために、また、残りの７個のドット要素Ｘ９、Ｙ９およびＤ０〜Ｄ４を校正パターン（７１）の方向性を表すために用いる。
【００２６】
このとき、Ｘ０〜Ｘ８およびＹ０〜Ｙ８の値は、校正パターンのＸ座標ＡＸおよびＹ座標ＡＹに対応するように、例えば、前記の式（Ｉ）および（ＩＩ）　が成り立つように設定されるものである。
【００２７】
全ての校正パターン（７１）においてドット要素Ｘ９、Ｙ９およびＤ０〜Ｄ４は同じ値を有することから、これらの連続性を調べることで、校正パターン（７１）の方向を知ることが可能となり、Ｘ−Ｙ走査領域を構成するＸ軸およびＹ軸に対する傾斜角を調べることができ、この傾斜角を補正して走査距離の校正を行うことが可能となる。一般に、走査型顕微鏡の観察像は探針の状態により明瞭性が異なり、場合によっては非常に不明瞭となることもあるため、校正パターン（７１）の方向性を知るために用いられる要素ドット（７２）の数を、例えば上記の通りに１列分以上とすることで、その出現の周期性をより正確に把握することが可能となり、精度の高い傾斜角の算出が可能となる。校正パターン（７１）の方向性を知るために用いられる要素ドット（７２）の形成するパターンは、適宜に設定可能であることはいうまでもない。
実施例４
図８に、実際に作製した多探針走査型顕微鏡の探針相対位置校正テンプレートのレーザー顕微鏡像を示す。この探針相対位置校正テンプレートにおいて、校正パターン１個当たりのサイズは、列方向：Ｉｘ＝７５０ｎｍ、行方向：Ｉｙ＝７５０ｎｍであり、また、校正パターン間の間隔は、列方向：ｄｘ＝１５０ｎｍ、行方向：ｄｙ＝１５０ｎｍである。要素ドット１個当たりのサイズは、列方向：Ｕｘ＝１５０ｎｍ、行方向：Ｕｙ＝１５０ｎｍであり、また、要素ドット間の間隔は、列方向：ｄＵｘ＝０ｎｍ、行方向：ｄＵｙ＝０ｎｍである。
【００２８】
厚さ２００ｎｍの酸化薄膜が形成されたシリコン基板上に、厚さ３００ｎｍのポジ型レジストを塗布し、校正パターンを電子ビーム露光法により感光し、現像後、レジストの開口部分から酸化薄膜を反応性イオンエッチングにより３００ｎｍ分エッチングすることにより、探針相対位置校正テンプレートを作製した。
【００２９】
独立した走査素子を有する２本の原子間力顕微鏡用探針により、それぞれの位置における校正パターンを読みとった顕微鏡像を図９に示す。図９に示したとおり、探針１の座標はＸ：４２４、Ｙ：４４０であり、一方、探針２の座標はＸ：４２３、Ｙ：２２３であった。したがって、インデックスナンバーの差はＸ：１、Ｙ：２１７であり、これに９００ｎｍ（＝Ｉｘ＋ｄｘ＝Ｉｙ＋ｄｙ）を掛けた値が、Ｘ方向およびＹ方向における相対座標差となる。このとき、各探針で観察した像内における校正パターンの相対位置が、Ｘ：−４８６ｎｍ、Ｙ：１４３ｎｍであったことから、相対位置補正のために必要な相対距離は、Ｘ：４１４ｎｍ、Ｙ：１９５４４３ｎｍと分かる。また、探針１および探針２の走査方向の傾斜は、図８に示した校正パターンの方向より計測誤差内で０と考えられることから、傾斜に関する走査方向の補正を行う必要はない。また、探針１および探針２は、それぞれ２μｍの走査距離を持つことになっている。
【００３０】
図９に示された校正パターン像が正方形となっていないことから、走査距離の補正が必要であると考えられるが、具体的には、探針１のＹ軸においては、校正パターンの行方向の距離が９１３ｎｍと計測されることから−１．４％の補正が必要となる。また、探針１のＹ軸方向の走査素子における走査距離を基準とすると、探針１のＸ軸方向の走査素子における走査距離は＋６％、探針２のＸ軸方向の走査素子における走査距離は＋１２％、探針２のＹ軸方向の走査素子における走査距離は−６％となる。
実施例５
この出願の発明である多探針走査型顕微鏡の探針相対位置校正テンプレートにおいては、図１０に示すように、校正パターン（１０１）に加えて、一定間隔Ｒ１で規則的に並んだ複数の校正ライン（１０２）が重ね書きされていてもよい。この校正ライン（１０２）は、光の干渉による干渉縞パターンであり、具体的には、校正ライン（１０２）は、校正パターン（１０１）を電子ビーム露光法により感光する工程において、光の干渉効果により生成される干渉縞を重ね書きすることで形成される。あるいは、光フォトグラフィに準じた形で干渉縞を刻印する工程を先に行い、独立して電子ビーム露光を用いた工程を行うこともできる。
【００３１】
こられの校正ラインは、探針により読取り可能であり、校正ラインを絶対距離の指標として用いることで絶対距離補正を行い、複数の探針の相対位置の校正精度を高めることが可能となる。また、図１０に示したように１方向に対して校正ライン（１０２）を配列させるだけでなく、図１１に示したようにお互いが直交する２種類の校正ライン（１１２、１１３）を、それぞれ一定間隔Ｒ１，Ｒ２で配列することで、２次元的な絶対距離補正を行ってもよい。
【００３２】
【発明の効果】
この出願の発明によって、以上詳しく説明したとおり、多探針を持つ走査型プローブ顕微鏡において、複数の探針間の相対位置の補正を簡便に実現する多探針の位置の校正技術が提供される。
【００３３】
この出願の発明により、多探針走査型顕微鏡の探針の校正精度が大きく向上することから、ナノスケールにおける様々な計測が高い精度で実施可能となり、ナノ材料やナノ電子デバイスの開発に貢献するものと期待される。
【図面の簡単な説明】
【図１】この出願の発明である多探針走査型顕微鏡の探針相対位置校正テンプレートの構成について示した概要図である。
【図２】この出願の発明である多探針走査型顕微鏡の探針相対位置校正テンプレートの構成について示した概要図である。
【図３】この出願の発明の実施例において、校正パターンが１次元アレイ状に配列されている探針相対位置校正テンプレートの構成について示した概要図である。
【図４】この出願の発明の実施例において、校正パターンが１次元アレイ状に配列されている探針相対位置校正テンプレートを用いた相対位置校正の原理について示した概要図である。
【図５】この出願の発明の実施例において、校正パターンが２次元マトリックス状に配列されている探針相対位置校正テンプレートの構成について示した概要図である。
【図６】この出願の発明の実施例において、校正パターンが２次元マトリックス状に配列されている探針相対位置校正テンプレートを用いた相対位置校正の原理について示した概要図である。
【図７】この出願の発明の実施例において、校正パターンが２次元マトリックス状に配列されている探針相対位置校正テンプレートの構成について示した概要図である。
【図８】この出願の発明の実施例において、実際に作製した多探針走査顕微鏡の探針相対位置校正テンプレートのレーザー顕微鏡像である。
【図９】この出願の発明の実施例において、独立した走査素子を有する２本の原子間力顕微鏡用探針により、それぞれの位置における校正パターンを読みとった顕微鏡像である。
【図１０】この出願の発明の実施例において、校正ラインを加えた多探針走査型顕微鏡の探針相対位置校正テンプレートの構成について示した概要図である。
【図１１】この出願の発明の実施例において、校正ラインを加えた多探針走査型顕微鏡の探針相対位置校正テンプレートの構成について示した概要図である。
【図１２】多探針走査型顕微鏡による微細金属構造の電気伝導度測定の測定原理について示した概要図である。
【符号の説明】
１　Ｘ−Ｙ走査領域
２　校正パターン
３　ドット要素
２１　Ｘ−Ｙ走査領域
２２　校正パターン
２３　要素ドット
３１　校正パターン
３２　ドット要素
４１　Ｘ−Ｙ走査領域
４２　校正パターン
４３　探針
４４　探針
４５　探針によって読みとられた校正パターン
４６　探針によって読みとられた校正パターン
５１　校正パターン
５２　ドット要素
６１　Ｘ−Ｙ走査領域
６２　校正パターン
６３　探針
６４　探針
６５　探針によって読みとられた校正パターン
６６　探針によって読みとられた校正パターン
７１　Ｘ−Ｙ走査領域
７２　校正パターン
１０１　校正パターン
１０２　校正ライン
１１１　校正パターン
１１２　校正ライン
１１３　校正ライン
１２１　試料
１２２　金属細線
１２３　探針１
１２４　探針２
【図１】
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【図２】
2004132745.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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