(57)【要約】【課題】サーマルアスペリティ障害を防止し、特にＬＵＬ方式用に好適な磁気ディスクを提供する。【解決手段】ディスク基板１上に少なくとも磁性層３を形成した後、該磁性層３を形成したディスク基板１の温度が２００℃を超える温度の下で、炭化水素系ガスと窒素ガスの混合ガスを用いて、プラズマＣＶＤ法により炭素系保護層４を形成する。【選択図】    図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ディスク基板上に少なくとも磁性層を形成した後、該磁性層を形成したディスク基板の温度が２００℃を超える温度の下で、不活性ガスを含まない炭化水素系ガスと窒素ガスの混合ガスを用いてプラズマＣＶＤ法により炭素系保護層を形成することを特徴とする磁気ディスクの製造方法。
【請求項２】
前記混合ガスは、低級直鎖炭化水素系ガスと窒素ガスの混合ガスであることを特徴とする請求項１記載の磁気ディスクの製造方法。
【請求項３】
前記炭素系保護層の形成後に、前記炭素系保護層を窒素プラズマに曝すことを特徴とする請求項１又は２記載の磁気ディスクの製造方法。
【請求項４】
前記炭素系保護層を窒素プラズマに曝した後、潤滑層を形成することを特徴とする請求項３記載の磁気ディスクの製造方法。
【請求項５】
ＬＵＬ（ロードアンロード）方式の磁気ディスク装置に用いることを特徴とする請求項１乃至４の何れかに記載の磁気ディスクの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ＨＤＤ（ハードディスクドライブ）等の情報を記録するための磁気ディスク装置に搭載する磁気ディスクの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
今日、情報記録技術、特に磁気記録技術はＩＴ産業の発達に伴い飛躍的な技術革新が要請されている。たとえば、ＨＤＤ等の磁気ディスク装置に搭載する磁気ディスクでは、４０Ｇｂｉｔ／ｉｎｃｈ２〜１００Ｇｂｉｔ／ｉｎｃｈ２、更にはそれ以上の情報記録密度を達成できる技術が求められている。
従来、磁気ディスク装置においては、停止時には磁気ディスク上の接触摺動用の内周領域面に磁気ヘッドを接触させておき、起動時には磁気ヘッドをこの内周領域面に接触摺動させながら僅かに浮上させ、接触摺動用の内周領域面の外側に位置する記録再生用の領域面で記録再生を開始するＣＳＳ（Ｃｏｎｔａｃｔ  Ｓｔａｒｔ  ａｎｄ  Ｓｔｏｐ）方式が採用されてきた。このＣＳＳ方式では、磁気ディスク上に、記録再生用領域とは別に接触摺動用領域を確保しておく必要がある。
また、ＣＳＳ方式では、磁気ヘッドの接触摺動から磁気ディスクを保護するために、磁気ディスクの表面を保護層で被覆する等されてきた。
【０００３】
近年の高記録密度化の要請の中で、４０Ｇｂｉｔ／ｉｎｃｈ２以上の情報記録密度を達成するために様々なアプローチが為されている。その一つとして、スペーシングロスを改善してＳ／Ｎ比を向上させるために、磁気ディスクの磁性層と、磁気ヘッドの記録再生素子との間隙（磁気的スペーシング）を２０ｎｍ以下にまで狭めることが求められている。
この磁気的スペーシングを達成する観点から、磁気ディスクの保護層膜厚は６ｎｍ以下の薄膜化が求められている。また、磁気ヘッドの浮上量は１２ｎｍ以下に低浮上量化することが求められている。さらに、磁気ディスク装置の起動停止機構として、従来のＣＳＳ方式に替わって高記録容量化の可能なＬＵＬ（Ｌｏａｄ  Ｕｎｌｏａｄ、ランプロード）方式とすることが求められている。ＬＵＬ方式では、磁気ディスク装置の停止時には、磁気ヘッドを磁気ディスクの外に位置するランプと称される傾斜台に退避させておき、起動時には、磁気ディスクが回転開始した後に、磁気ヘッドをランプから磁気ディスク面上のＬＵＬ領域に浮上状態で滑動させてから記録再生を行う。このＬＵＬ方式では、従来のＣＳＳ方式のように磁気ディスク面上に磁気ヘッドの接触摺動用領域を設ける必要がないため、ＣＳＳ方式に比べて記録再生用領域の面積を広く確保でき、磁気ディスクの高記録容量化が可能となる。
【０００４】
ところで、磁気ディスクの保護層を上述の程度まで薄膜化しても耐磨耗性、摺動特性を確保するため、例えば特開２００１−１２６２３３号公報には、プラズマＣＶＤ法で炭素水素系保護膜を形成し、膜表面から窒素イオンを侵入させて表面改質する方法が開示されている。プラズマＣＶＤ法により成膜を行うと、通常、ダイヤモンドライク炭素を多く含む緻密で高硬度の膜が形成できる。
【０００５】
【特許文献１】
特開２００１−１２６２３３号公報
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、特にプラズマＣＶＤ法で形成した保護層を備える磁気ディスクを搭載した磁気ディスク装置において、最近サーマルアスペリティ障害を発生しやすいことが問題となってきている。本発明者らの検討によると、保護層をプラズマＣＶＤ法で形成した場合、プラズマ放電時の炭化水素の分解が不十分であると、高分子の炭化水素系有機物がパーティクルとして保護層表面に付着し、これが原因でサーマルアスペリティ障害が発生することが判明した。なお、サーマルアスペリティとは、磁気抵抗効果型再生素子（ＭＲ，ＧＭＲ，ＴＭＲ素子等）を備えた磁気ヘッドが磁気ディスク上の突起物に衝突した際に発生するスパイク状のノイズを言う。衝突によって生じた熱により磁気抵抗効果型再生素子の抵抗値が一瞬変化することが原因であり、データの誤検出を引き起こし、修復不可能な重大なエラーとなる。
【０００７】
また、本発明者らの検討によると、プラズマ放電時の炭化水素の分解が不十分な為、形成される保護層中に、高分子成分を多く含む有機物が取り込まれ、その結果、保護層強度が十分に得られないという問題が発生することも判明した。保護層の強度が不十分であると、特にＬＵＬ方式の磁気ディスク装置では、磁気ヘッドから加わる撃力で、磁気ディスク表面に微小な傷等が発生し、再生信号が低下する問題が起こる。さらに、磁気ヘッドの再生素子部を汚染し、記録再生が不能となる重大な問題が発生する。
本発明は、上述の問題に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、第一に、サーマルアスペリティ障害を防止し、ＬＵＬ方式に好適な優れたＬＵＬ耐久性を備える磁気ディスクの製造方法を提供することにある。第二に、サーマルアスペリティ障害を防止し、保護層の薄膜化を可能とする磁気ディスクの製造方法を提供することにある。第三に、サーマルアスペリティ障害を防止し、磁気ヘッドの低浮上量化に好適な磁気ディスクの製造方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、上記課題を解決するべく、プラズマＣＶＤ法に用いる材料ガス及び成膜条件等に着目し、鋭意研究を行った結果、得られた知見に基づいて本発明を完成するに到った。
従来、プラズマＣＶＤ法により炭素保護層を形成する場合の材料ガスとしては、前記特許文献１にも記載されているように、Ａｒ等の不活性ガスと炭化水素系ガスの混合ガスが用いられている。また、炭化水素系ガスのみを材料ガスとして用いる方法や、炭化水素系ガスと水素ガスの混合ガスを材料ガスとして用いる方法が知られている。このような従来の材料ガスを用いてプラズマＣＶＤ法による成膜を行った場合、プラズマ中で分解された炭化水素が、炭素−炭素結合や炭素−水素結合を形成し、ディスク基板上に炭素保護膜を形成する。しかし、この過程で分解されなかった或いは分解が不十分な炭化水素が集合、融合して高分子状態のパーティクルを形成し、その一部は保護層の一部として取り込まれたり、取り込まれなかったものはチャンバー内壁等に付着し、ある頻度、確率をもって壁から脱落して保護層表面にパーティクルとして付着するものと考えられる。保護層表面に付着したパーティクルは突起物となり、サーマルアスペリティの原因となる。また、高分子のパーティクルが保護層に取り込まれた部位では、膜強度が著しく低下し、ＬＵＬ方式の磁気ディスク装置に要求されるＬＵＬ耐久性が得られない。
【０００９】
本発明者らの研究によると、プラズマＣＶＤ法により保護層を形成する場合の材料ガスとして、Ａｒ等の不活性ガスは使用せず、炭化水素系ガスと窒素ガスの混合ガスを用いて、水素と窒素を含む炭素系保護層を成膜することにより、高分子の炭化水素系有機物がパーティクルとして保護層表面に付着するのを抑制できることが判明した。これは、不活性ガスを含まない炭化水素系ガスと窒素ガスの混合ガスを材料ガスとして用いることにより、パーティクルの原因となっている高分子有機化合物の発生が抑制されるものと考えられる。つまり、プラズマ中で分解した炭化水素分子が化学的に活性な炭素−窒素結合を形成し、その分子がそのまま保護層を形成し、またこの過程で分解されなかった或いは分解が不十分な炭化水素も同じく化学的に活性で、高分子状態となる前に、保護層成膜分子として取り込まれて保護層を形成すると考えられ、その結果、パーティクルの発生を抑制できる。
また、本発明者らの更なる研究によると、プラズマＣＶＤ法による保護層成膜時のディスク基板（即ち少なくとも磁性層が形成されているディスク基板）温度が、パーティクルの抑制にも関与していることが判明した。
本発明者らは、上記知見に基づいて、特にサーマルアスペリティ障害を解決し、磁気的スペーシングを改善して、高記録密度化を達成するために、以下の構成を有する発明を完成した。
【００１０】
（構成１）ディスク基板上に少なくとも磁性層を形成した後、該磁性層を形成したディスク基板の温度が２００℃を超える温度の下で、不活性ガスを含まない炭化水素系ガスと窒素ガスの混合ガスを用いてプラズマＣＶＤ法により炭素系保護層を形成することを特徴とする磁気ディスクの製造方法。
（構成２）前記混合ガスは、低級直鎖炭化水素系ガスと窒素ガスの混合ガスであることを特徴とする構成１記載の磁気ディスクの製造方法。
（構成３）前記炭素系保護層の形成後に、前記炭素系保護層を窒素プラズマに曝すことを特徴とする構成１又は２記載の磁気ディスクの製造方法。
（構成４）前記炭素系保護層を窒素プラズマに曝した後、潤滑層を形成することを特徴とする構成３記載の磁気ディスクの製造方法。
（構成５）ＬＵＬ（ロードアンロード）方式の磁気ディスク装置に用いることを特徴とする構成１乃至４の何れかに記載の磁気ディスクの製造方法。
【００１１】
本発明の磁気ディスクは、構成１にあるように、ディスク基板上に少なくとも磁性層を形成した後、該磁性層を形成したディスク基板の温度が２００℃を超える温度の下で、炭化水素系ガスと窒素ガスの混合ガスを用いて、プラズマＣＶＤ（以下、Ｐ−ＣＶＤと記す）法により、炭素系保護層を形成することにより製造される。
ディスク基板上に少なくとも磁性層を形成した後、該磁性層を形成したディスク基板の温度が２００℃を超える温度の下で、Ｐ−ＣＶＤ法による保護層成膜を行うと、保護層成膜時におけるパーティクルの発生を抑制することができる。これは、上記保護層成膜時のディスク基板の温度が高いと、プラズマ中で分解した炭化水素分子がディスク基板上に積層されるときの状態が活性となりやすく、高分子のパーティクルを形成するよりも優先的に保護層成膜分子として取り込まれて保護層を形成するものと考えられ、その結果、パーティクルの発生を抑制できると考えられる。
このように保護層成膜時のディスク基板温度がパーティクルの抑制に関与し、本発明者らの検討によると、ディスク基板を２００℃を超える温度に加熱することが好ましく、特に２３０℃以上の温度に加熱することがさらに好ましい。
【００１２】
本発明における炭素系保護層は、アモルファス炭素からなる保護層であり、Ｐ−ＣＶＤ法で形成されたアモルファスのダイヤモンドライク炭素を含む保護層である。ダイヤモンドライク炭素を含むことにより、保護層として好適な硬度と耐久性が得られる。
本発明においては、プラズマを用いて原子を励起させる、Ｐ−ＣＶＤ法により炭素系保護層を形成するが、Ｐ−ＣＶＤ法で形成された炭素系保護層は、緻密性と硬度が高く、たとえば磁性層の金属イオンが磁気ディスク表面にマイグレートするのを防止できるので、保護層の薄膜化にとって特に好ましい。
本発明では、Ｐ−ＣＶＤ法で炭素系保護層を形成する場合の材料ガスとして、炭化水素系ガスと窒素ガスの混合ガスを用いる。この混合ガスを用いてダイヤモンドライク炭素を形成することが好ましい。
【００１３】
この場合、炭素水素系ガスに対する窒素ガスの含有量は、０．５％〜６％の範囲とすることが好ましい。この範囲内で窒素ガスを含有することにより、特にサーマルアスペリティの原因となるパーティクルの発生を抑制し、ＬＵＬ耐久性の優れた炭素系保護層を形成することができる。なお、炭化水素系ガスに対する窒素ガスの含有量が６％を超えると、パーティクル抑制効果は得られるが、形成される保護層中のグラファイト成分が増大し、ＬＵＬ耐久性が悪化する場合がある。また、炭化水素系ガスに対する窒素ガスの含有量が０．５％より少ないと、パーティクル抑制効果が十分に得られない場合がある。
本発明では、上記材料ガスは、特に低級直鎖炭化水素系ガスと窒素ガスの混合ガスであることが好ましい。低級直鎖炭化水素を用いることが好ましい理由は、炭素数が増えるにしたがって、ガスとして気化させて成膜装置に供給することが困難となることに加え、プラズマ放電時の分解が困難となり、分解されない或いは分解不十分な高分子の炭化水素成分が多く生じ易いからである。また、環式炭化水素の場合、プラズマ放電時の分解が直鎖炭化水素に比べて困難であるため好ましくない。
【００１４】
上記低級直鎖炭化水素としては、低級直鎖飽和炭化水素、低級直鎖不飽和炭化水素を用いることができる。低級直鎖飽和炭化水素としては、メタン、エタン、プロパン、ブタン、オクタン等を用いることができる。また、低級直鎖不飽和炭化水素としては、エチレン、プロピレン、ブチレン、アセチレン等を用いることができる。なおここで言う低級とは、１分子当たりの炭素数が１〜１０の炭化水素のことである。
これら低級直鎖炭化水素の中でも、アセチレンを用いると、緻密且つ高硬度の炭素系保護層を形成できるので本発明では特に好ましい。
また、本発明において、Ｐ−ＣＶＤ法で形成される炭素系保護層中の水素含有量を調整するために、上記炭化水素系ガスと窒素ガスの混合ガス中に更に水素ガスを適宜添加してもよい。Ｐ−ＣＶＤ法で形成される炭素系保護層は、水素を含むダイヤモンドライク炭素（水素化ダイヤモンドライク炭素）の保護層とすることで、保護層の緻密性が向上し、硬度も向上させることができるので好ましい。
なお、本発明の効果を損わない限りにおいて、上記炭化水素系ガスと窒素ガスの混合ガスに他のガス成分が含まれていてもよい。
【００１５】
本発明では、炭化水素系ガスと窒素ガスの混合ガスを用いてＰ−ＣＶＤ法で、水素と窒素を含む炭素系保護層を形成した後に、該炭素系保護層を窒素プラズマに曝すことにより、保護層表面を特に高濃度に窒素化してもよい。本発明者らの研究によると、炭化水素系ガスと窒素ガスの混合ガスを用いて、Ｐ−ＣＶＤ法で水素と窒素を含む炭素系保護層を形成した後に、該炭素系保護層を窒素プラズマに曝すことにより、更なるパーティクル抑制効果も得られることが判明した。また、このようにして保護層表面の窒素濃度を高めることにより、保護層上に潤滑層を形成した場合における保護層と潤滑層との密着性を高めることが出来る。なお、保護層表面を高濃度に窒素化する場合、保護層表面の窒素濃度について特に限定する必要はないが、保護層表面の窒素濃度が高過ぎると、保護層全体の窒素含有量が増加するため、ＬＵＬ耐久性を悪化させるおそれがあるので、たとえば１０ａｔ％以下であることが望ましい。
【００１６】
また、このようなＰ−ＣＶＤ法で形成される炭素系保護層のラマンスペクトルのＢ／Ａは、１．２〜１．５の範囲内であることが更に好ましい。炭素系保護層のラマンスペクトルは、ラマン分光分析により測定することができる。ラマンスペクトルのＢ／Ａとは、測定したラマンスペクトルの最大ピーク強度（Ｂ）と、フォトルミネッセンスによるバックグランドを減じる処理を行った後のラマンスペクトルの最大ピーク強度（Ａ）との比のことである。Ｂ／Ａが１．２未満の場合、炭素系保護層の緻密性が損なわれる場合があり、またＢ／Ａが１．５を超えると炭素系保護層の硬度が低下する場合があるので好ましくない。従って、Ｂ／Ａを１．２〜１．５の範囲内とすることにより、Ｐ−ＣＶＤ法で形成される炭素系保護層の緻密性と硬度を更に好適なものとすることができる。
また、本発明において、Ｐ−ＣＶＤ法により形成される炭素系保護層の膜厚は、１ｎｍ以上であることが好ましい。膜厚が１ｎｍ未満では、磁性層の金属イオンのマイグレートを防止するのに十分でない場合がある。なお、炭素系保護層の膜厚には特に上限を設ける必要はないが、磁気的スペーシングの改善を阻害しないよう、実用上は５ｎｍ以下とするのが好ましい。
【００１７】
本発明の磁気ディスクは、前記保護層上に潤滑層を備えてもよい。潤滑層の素材は特に限定されないが、炭素系保護層との密着性が良好なものが好ましく、具体的には、末端基に水酸基を有するパーフルオロポリエーテル化合物が好適である。パーフルオロポリエーテル化合物は、直鎖構造を備え、磁気ディスク用に適度な潤滑性能を発揮するとともに、末端基に水酸基（ＯＨ）を有することで、炭素系保護層に対して高い密着性能を発揮することができる。特に、前記保護層表面に窒素を含有する場合にあっては、該保護層表面のＮ＋と潤滑層のＯＨ−とが高い親和性を示すので、高い潤滑層密着率を得ることができる。
【００１８】
本発明においては、磁性層を構成する元素は特に限定されないが、コバルト（Ｃｏ）合金系磁性層であることが好ましい。Ｃｏ合金系磁性層は保磁力が高く耐食性があるため高記録密度化にとって好適であるが、Ｃｏイオンが保護層内に浸出し、磁気ディスク表面にマイグレートし易いという欠点があった。従って、スペーシングロスを低減させるために保護層膜厚を低減させると腐食障害が発生し易い場合があるが、本発明では、Ｐ−ＣＶＤ法により形成される炭素系保護層の緻密性と硬度が高く、保護層を薄膜化しても、磁性層の金属イオンが磁気ディスク表面にマイグレートするのを防止できるので、上記欠点を十分に抑えられるので好適である。
本発明に好適なＣｏ系合金として具体的には、ＣｏＰｔ系合金、ＣｏＣｒ系合金、ＣｏＣｒＰｔ系合金等が挙げられる。中でも、ＣｏＣｒＰｔ系合金からなる磁性層は、磁性グレインを微細化でき、かつグレインの磁気異方性定数を向上させることができるので、高記録密度化に特に好適である。
【００１９】
本発明において、基板としてはガラス基板を使用するのが好ましい。ガラス基板は、平滑性が高く高剛性が得られるので、高記録密度化に伴う磁気ヘッドの低浮上量化の要求を満たすことが可能である。ガラス基板の材質としては、例えば、アルミノシリケートガラス、ソーダライムガラス、ソーダアルミノシリケートガラス、アルミノボロシリケートガラス、ボロシリケートガラス、石英ガラス、チェーンシリケートガラス、又は結晶化ガラス等のガラスセラミックス等が挙げられる。中でも、アルミノシリケートガラスは、耐衝撃性や耐振動性に優れるため特に好ましい。
このようなアルミノシリケートガラスは、化学強化することによって、ガラス基板表面に圧縮応力層を設けることができ、抗折強度や、剛性、耐衝撃性、耐振動性、耐熱性に優れ、高温環境下にあってもＮａの析出がないとともに、平坦性を維持し、ヌープ硬度にも優れる。
また、ガラス基板の厚さは、０．１ｍｍ〜１．５ｍｍ程度が好ましい。
【００２０】
基板上に、少なくとも上述の磁性層と炭素系保護層を形成することにより、本発明の磁気ディスクが得られる。具体的な実施形態としては、基板上に、シード層、下地層、磁性層、炭素系保護層、潤滑層を設けた磁気ディスクとするのが好適である。
シード層としては、例えば、Ａｌ系合金、Ｃｒ系合金、ＮｉＡｌ系合金、ＮｉＡｌＢ系合金、ＡｌＲｕ系合金、ＡｌＲｕＢ系合金、ＡｌＣｏ系合金、ＦｅＡｌ系合金等のｂｃｃまたはＢ２結晶構造型合金等を用いることにより、磁性粒子の微細化を図ることができる。特に、ＡｌＲｕ系合金、中でもＡｌ：３０〜７０ａｔ％、残部がＲｕの配合量の合金であれば、磁性粒子の微細化作用に優れているので好ましい。
下地層としては、Ｃｒ系合金、ＣｒＭｏ系合金、ＣｒＶ系合金、ＣｒＷ系合金、ＣｒＴｉ系合金、Ｔｉ系合金等の磁性層の配向性を調整する層を設けることができる。特に、ＣｒＷ系合金、中でも、Ｗ：５〜４０ａｔ％、残部がＣｒの配合量の合金は、磁性粒子の配向を整える作用に優れているので好ましい。
その他の、磁性層、炭素系保護層及び潤滑層についての詳細はすでに説明したとおりである。
【００２１】
本発明において、炭素系保護層の形成方法はすでに詳しく説明したとおりであるが、その他の各層を成膜する方法については、公知の技術を用いることができ、たとえばスパッタリング法（ＤＣマグネトロンスパッタ、ＲＦスパッタ等）、プラズマＣＶＤ法等を採用できる。また、前記潤滑層の形成は、ディップ法、スプレイ法、スピンコート法等、公知の方法を用いることが出来る。
なお、前記炭素系保護層形成後に、例えば超純水及びイソプロピルアルコールでディスク表面を洗浄することで、ディスクの表面品位を更に向上できる。
本発明において、磁気ディスク表面の表面粗さは、Ｒｍａｘで６ｎｍ以下であることが好ましい。６ｎｍを超えると、磁気的スペーシング低減を阻害する場合があるので好ましくない。なお、ここで言う表面粗さとは、日本工業規格（ＪＩＳ）Ｂ０６０１に定めるものである。
本発明の磁気ディスクは、ＬＵＬ耐久性に優れ、ＬＵＬ方式の磁気ディスク装置に搭載する磁気ディスクに好適である。
【００２２】
【発明の実施の形態】
以下に実施例を挙げて、本発明の実施の形態についてさらに具体的に説明する。なお、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
（実施例１）
本実施例の磁気ディスク１０は、図１に示すように、ガラス基板１上に、シード層２ａと下地層２ｂとからなる非磁性金属層２、磁性層３、炭素系保護層４、潤滑層５を順次積層してなる。
次に、本実施例の磁気ディスク１０の製造方法を説明する。
まず、溶融ガラスから上型、下型、胴型を用いたダイレクトプレスにより円盤状のアルミノシリケートガラスからなるガラス基板を得、これに研削、精密研磨、端面研磨、精密洗浄、化学強化の各工程を施すことにより、磁気ディスク用ガラス基板１を製造した。得られたガラス基板１は、外径は６５ｍｍ、内径は２０ｍｍ、板厚は０．６３５ｍｍの２．５インチ型磁気ディスク用基板であった。
上記工程を経て得られたガラス基板１の表面粗さを原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）にて測定したところ、Ｒｍａｘ＝４．４８ｎｍ、Ｒａ＝０．４０ｎｍと平滑な表面を持つ磁気ディスク用ガラス基板であることを確認した。なお、ここで言う表面粗さＲａ、Ｒｍａｘとは、日本工業規格（ＪＩＳ）Ｂ０６０１に定めるものである。
【００２３】
次に、静止対向型成膜装置を用いて、上記ガラス基板１上に、ＤＣマグネトロンスパッタリングにより、シード層２ａ、下地層２ｂ、及び磁性層３を順次形成した。
即ち、まずスパッタリングターゲットとしてＡｌＲｕ（Ａｌ：５０ａｔ％、Ｒｕ：５０ａｔ％）合金を用い、ガラス基板１上に、膜厚３０ｎｍのＡｌＲｕ合金からなるシード層２ａを成膜した。次に、スパッタリングターゲットとしてＣｒＭｏ（Ｃｒ：８０ａｔ％、Ｍｏ：２０ａｔ％）合金を用い、シード層２ａ上に、膜厚２０ｎｍのＣｒＭｏ合金からなる下地層２ｂを成膜した。次いで、スパッタリングターゲットとしてＣｏＣｒＰｔＢ（Ｃｒ：２０ａｔ％、Ｐｔ：１２ａｔ％、Ｂ：５ａｔ％、残部Ｃｏ）合金を用い、下地層２ｂ上に、膜厚１５ｎｍのＣｏＣｒＰｔＢ合金からなる磁性層３を成膜した。
【００２４】
次に、上記磁性層３上に、Ｐ−ＣＶＤ法を用いて炭素系保護層４を形成した。具体的には、上記磁性層３までを成膜したガラス基板１温度が保護層形成時に２５０℃となるようにヒータ加熱方式を用いて上記基板を加熱しておいた。基板温度は、保護層を形成する直前にチャンバーの窓より放射温度計を用いて確認した。なお、例えば、前記下地層２ｂを成膜する前などの時点で上記基板を加熱しておいてもよい。
そして、材料ガスとしてアセチレンと窒素を９７％：３％の割合で混合したガスを用いて、Ｐ−ＣＶＤ法により、前記磁性層３上に、膜厚３．５ｎｍの水素と窒素を含むアモルファス状のダイヤモンドライク炭素からなる保護層が形成されるように成膜を行った。
この際、高周波電力（周波数２７ＭＨｚ）を電極に印加してプラズマを発生させ、成膜時の真空度は、５×１０−７〜５×１０−８ｍｂであった。なお、このときプラズマに電圧を印加するなどして、ＩＢＤ（Ｉｏｎ  Ｂｅａｍ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）としてＰ−ＣＶＤ成膜を行ってもよい。
Ｐ−ＣＶＤ法で炭素系保護層４を形成した後、プラズマ中に窒素ガスのみを導入して、上記保護層を窒素プラズマに曝す処理を行った。こうして窒素プラズマ処理された保護層表面の膜厚は、透過型電子顕微鏡観察による測定の結果、０．５ｎｍであった。
【００２５】
こうして炭素系保護層４まで形成後、ラマン分光分析を行ったところ、Ｂ／Ａは１．３６であった。このラマン分光分析の測定は次のとおりに行った。
まず、上記炭素系保護層４の表面に、波長５１４．５ｎｍのＡｒイオンレーザーを照射し、９００ｃｍ−１〜１８００ｃｍ−１の波数帯に現れるラマン散乱によるラマンスペクトルを観察した。ここで、９００ｃｍ−１〜１８００ｃｍ−１の波数帯に現れる最大ピークのピーク強度をＢとした。次に、このラマンスペクトルに現れているフォトルミネッセンスと考えられるバックグランドを除去した。具体的には、９００ｃｍ−１付近の検出強度及び１８００ｃｍ−１付近の検出強度を基に、フォトルミネッセンスの強度を算出し、ラマンスペクトルから差し引いた。このバックグランド除去を行った後の前記最大ピークのピーク強度をＡとし、強度Ａに対する強度Ｂの比をＢ／Ａとして求めた。
また、Ｘ線光電子分光分析法（ＸＰＳ）により上記炭素系保護層４を分析したところ、炭素に対する窒素の濃度は８．５ａｔ％であった。
次に、上記炭素系保護層４までを形成したディスクを、７０℃の純水中で４００秒浸漬洗浄した後、更にイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）にて４００秒洗浄し、仕上げ乾燥としてＩＰＡ蒸気による乾燥を行った。
【００２６】
次に、上記洗浄後の炭素系保護層４の上に、ディップ法を用いて、ＰＦＰＥ（パーフルオロポリエーテル）化合物からなる潤滑層５を形成した。具体的には、アウジモント社製のアルコール変性フォンプリンゼット誘導体を用いた。この化合物は、ＰＦＰＥの主鎖の両末端にそれぞれ１〜２個、即ち一分子当たり２〜４個の水酸基を有している。潤滑層５の膜厚は１ｎｍとした。
以上のようにして本実施例の磁気ディスク１０を製造した。
得られた磁気ディスク１０の表面粗さを原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）にて測定したところ、Ｒｍａｘ＝４．６１ｎｍ、Ｒａ＝０．４１ｎｍの平滑な表面であることを確認した。
また、得られた磁気ディスク１０のグライドハイトを測定したところ、４．７ｎｍであった。磁気ヘッドの浮上量を安定的に１２ｎｍ以下とする場合、磁気ディスクのグライドハイトは６ｎｍ以下とすることが望ましい。
【００２７】
得られた磁気ディスク１０について、さらに以下の各種性能試験を行った。
〔パーティクルカウント試験〕
上記磁気ディスクを光散乱式のパーティクルカウント測定装置に設置し、磁気ディスク表面のパーティクル数を測定した。パーティクルカウント数は、通常５０個／ｄｉｓｋ以下であることが必要である。これより多いパーティクルが磁気ディスク上に存在した場合、磁気ディスク装置に組み込んだ際の初期エラー登録時にエラーとなる。本実施例の磁気ディスクでは、パーティクルカウント数は、３０個／ｄｉｓｋであった。
〔サーマルアスペリティ試験〕
サーマルアスペリティ試験は、磁気記録装置に、上記磁気ディスクと、巨大磁気抵抗効果型再生素子（ＧＭＲ素子）を備えた磁気ヘッドとを装着して行った。磁気ディスクの回転数は５４００ｒｐｍとし、磁気ヘッドのスライダーはＮＰＡＢ（負圧型）スライダーを用い、磁気ヘッド浮上時の浮上量を１２ｎｍとして、磁気ヘッドによる記録再生を行った。そして、サーマルアスペリティの生じた箇所を磁気ディスク面に対してカウントする（ＴＡ個数）。通常、ＴＡ個数は磁気ディスク面当り５個以下であることが必要とされる。本実施例の磁気ディスクでは、ＴＡ個数は０個／ｄｉｓｋであった。
【００２８】
〔ＬＵＬ耐久性試験〕
ＬＵＬ耐久性試験は、磁気記録装置に、上記磁気ディスクと、巨大磁気抵抗効果型再生素子（ＧＭＲ素子）を備えた磁気ヘッドとを装着して行った。磁気ディスクの回転数は５４００ｒｐｍとし、磁気ヘッドのスライダーはＮＰＡＢ（負圧型）スライダーを用い、磁気ヘッド浮上時の浮上量を１２ｎｍとし、磁気記録装置内の環境を７０℃、８０％ＲＨの高温高湿環境下で、磁気ヘッドのロード・アンロード動作を連続繰り返し行った。磁気記録装置が故障することなく耐久したＬＵＬ回数を測定することにより、ＬＵＬ耐久性を評価した。
本実施例の磁気ディスクでは、ＬＵＬ回数は故障なく１００万回を超えることができた。通常、ＬＵＬ耐久性試験では、ＬＵＬ回数が故障なく連続して４０万回を超えることが必要とされる。通常のＨＤＤの使用環境では、ＬＵＬ回数が４０万回を超えるには１０年程度の使用が必要であると言われている。
なお、本実施例の磁気ディスクについての以上各種性能試験結果は纏めて後記表１にも示した。
【００２９】
（実施例２）
本実施例の磁気ディスクは、実施例１の磁気ディスクにおいて、炭素系保護層４を形成するときに、アセチレンガスと窒素ガスの混合比率を９４％：６％とし、該保護層成膜後の窒素プラズマ処理を行わなかった点以外は、実施例１の磁気ディスクと同様に製造した。
本実施例の磁気ディスクについて実施例１と同様に各種性能評価試験を行ない、その結果を後記表１に示した。
（実施例３）
本実施例の磁気ディスクは、実施例１の磁気ディスクにおいて、炭素系保護層４成膜後の窒素プラズマ処理を行わなかった点以外は、実施例１の磁気ディスクと同様に製造した。
本実施例の磁気ディスクについて実施例１と同様に各種性能評価試験を行ない、その結果を後記表１に示した。
（実施例４〜７）
実施例１の磁気ディスクにおいて、炭素系保護層４成膜時の基板温度を、２９０℃（実施例４）、２３０℃（実施例５）、２２０℃（実施例６）、２１０℃（実施例７）にそれぞれ変更した点以外は、実施例１の磁気ディスクと同様に製造した。
これらの実施例の磁気ディスクについて実施例１と同様に各種性能評価試験を行ない、その結果を後記表１に示した。
【００３０】
（比較例１）
本比較例の磁気ディスクは、実施例１の磁気ディスクにおいて、炭素系保護層４を形成するときの材料ガスとして、アセチレンガスのみを用い、該保護層成膜後の窒素プラズマ処理を行わなかった点以外は、実施例１の磁気ディスクと同様に製造した。
本比較例の磁気ディスクについて実施例１と同様に各種性能評価試験を行ない、その結果を後記表１に示した。
（比較例２）
本比較例の磁気ディスクは、実施例１の磁気ディスクにおいて、炭素系保護層４成膜時の基板温度を２００℃に変更し、該保護層成膜後の窒素プラズマ処理を行わなかった点以外は、実施例１の磁気ディスクと同様に製造した。
本比較例の磁気ディスクについて実施例１と同様に各種性能評価試験を行ない、その結果を後記表１に示した。
【００３１】
（比較例３）
本比較例の磁気ディスクは、実施例１の磁気ディスクにおいて、炭素系保護層４を形成するときの材料ガスとして、アセチレンガスに不活性ガスであるＡｒガスを混合した混合ガス（Ａｒガスの混合比率はアセチレンガスに対して３％）を用い、該保護層成膜後の窒素プラズマ処理を行わなかった点以外は、実施例１の磁気ディスクと同様に製造した。
本比較例の磁気ディスクについて実施例１と同様に各種性能評価試験を行ない、その結果を後記表１に示した。
（比較例４）
本比較例の磁気ディスクは、実施例１の磁気ディスクにおいて、炭素系保護層４を形成するときの材料ガスとして、アセチレンガスと窒素ガスの混合ガス（両者の混合比率は実施例１と同じ）に更にＡｒガスを混合したガス（Ａｒガスの混合比率は、アセチレンと窒素の混合ガスに対して３％）を用い、該保護層成膜後の窒素プラズマ処理を行わなかった点以外は、実施例１の磁気ディスクと同様に製造した。
本実施例の磁気ディスクについて実施例１と同様に各種性能評価試験を行ない、その結果を後記表１に示した。
（比較例５）
本比較例の磁気ディスクは、上記比較例４の磁気ディスクにおいて、炭素系保護層４成膜後に窒素プラズマ処理を行なった点以外は、上記比較例４の磁気ディスクと同様に製造した。
本比較例の磁気ディスクについて実施例１と同様に各種性能評価試験を行ない、その結果を下記表１に示した。
【００３２】
【表１】
2004246938.tif 000003
【００３３】
上記表１の結果を参照して次のことがわかる。
すなわち、実施例１〜３の結果によると、不活性ガスは含まず、炭化水素系ガスと窒素ガスの混合ガスを用いてＰ−ＣＶＤ法により炭素系保護層を形成することにより、パーティクルの発生を抑制してサーマルアスペリティ障害を防止でき、かつＬＵＬ耐久性に優れた磁気ディスクが得られることが判る。
また、実施例１及び実施例４〜７の結果によると、炭素系保護層成膜時の基板温度が２００℃を超える温度であれば、パーティクル抑制効果が得られ、特に２３０℃以上であれば、その効果が更に大きいことが判る。
これに対し、窒素ガスは含まず、アセチレンガスのみを材料ガスとして用いた比較例１では、パーティクルの発生を抑制できず、サーマルアスペリティ障害を防止できない。また、ＬＵＬ耐久性にも劣っている。
また、炭素系保護層成膜時の基板温度を２００℃とした比較例２では、パーティクル抑制効果が小さい。
また、アセチレンガスにＡｒガスを導入した混合ガスを材料ガスとして用いた比較例３では、パーティクルの発生が非常に多く、サーマルアスペリティ障害を起こしている。しかも、ＬＵＬ耐久性は比較例１と比べても更に悪化している。さらに、アセチレンと窒素の混合ガスにＡｒガスを導入したガスを材料ガスとして用いた比較例４、５では、窒素ガスを導入していても、更にＡｒガスを導入したことで、パーティクルの発生が却って多くなり、サーマルアスペリティ障害を防止できず、ＬＵＬ耐久性にも劣っている。
【００３４】
【発明の効果】
以上詳細に説明したように、本発明の磁気ディスクの製造方法によれば、従来のＰ−ＣＶＤ法による炭素保護層形成時のパーティクルの発生を抑制でき、サーマルアスペリティ障害を防止できる。しかも、ＬＵＬ耐久性が非常に優れた磁気ディスクが得られるので、ＬＵＬ方式の磁気ディスク装置に好適であり、磁気ディスク装置の高容量化を可能とする。また、本発明により得られる磁気ディスクによれば、保護層の薄膜化、磁気ヘッドの低浮上量化に好適で、磁気的スペーシングを向上させて、高記録密度化を実現できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施例の磁気ディスクの層構成を模式的に示す断面図である。
【符号の説明】
１  ガラス基板
２  非磁性金属層
２ａ  シード層
２ｂ  下地層
３  磁性層
４  炭素系保護層
５  潤滑層
１０  磁気ディスク
【図１】
2004246938.tif 000004