(57)【要約】【課題】この発明は、有機平坦化膜により反射面の角度を制御している反射型または半透過型液晶表示装置において、フィルムキャリアの引き剥がしや、液晶表示パネルのフィルムキャリア等のリペアを行った場合にも、有機平坦化膜の剥離を防ぎ、端子部の接続強度を確保することを目的とするものである。【解決手段】液晶表示装置において、ＴＦＴアレイ基板の端子領域１４とフィルムキャリア１３との重なり部分のうち、基板周縁部１６から画像表示部１２側にかけて有機平坦化膜を除去した、有機平坦化除去部１５ａを設けている。【選択図】　図２
2004145024.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明絶縁性基板上に複数本形成されたゲート電極を備えたゲート配線と、
前記ゲート配線と交差する複数本のソース電極を備えたソース配線と、
前記ゲート電極上にゲート絶縁膜を介して設けられた半導体層と、
前記半導体層に接続された前記ソース電極およびドレイン電極よりなるＴＦＴと、
前記透明絶縁性基板上に設けられ、前記ＴＦＴに起因する段差を無くすと共に、表面に凹凸が形成された有機平坦化膜と、
前記有機平坦化膜上に設けられ、前記有機平坦化膜に形成されたコンタクトホールにより前記ドレイン電極とに接続された画素電極と、
前記有機平坦化膜上に設けられ、前記有機平坦化膜に形成されたコンタクトホールにより前記ゲート配線又は前記ソース配線と電気的に接続された端子が前記透明絶縁性基板の画像表示部周辺に配列され、前記各端子と外部端子との接続が行われる端子領域を備えたＴＦＴアレイ基板において、
前記有機平坦化膜は、前記端子領域における基板周縁部から前記画像表示部側にかけての領域で除去されていることを特徴とするＴＦＴアレイ基板。
【請求項２】
透明絶縁性基板上に複数本形成されたゲート電極を備えたゲート配線と、
前記ゲート配線と交差する複数本のソース電極を備えたソース配線と、
前記ゲート電極上にゲート絶縁膜を介して設けられた半導体層と、
前記半導体層に接続された前記ソース電極およびドレイン電極よりなるＴＦＴと、前記透明絶縁性基板上に設けられ、前記ＴＦＴに起因する段差を無くすと共に、表面に凹凸が形成された有機平坦化膜と、
前記有機平坦化膜上に設けられ、前記有機平坦化膜に形成されたコンタクトホールにより前記ドレイン電極とに接続された画素電極と、
前記有機平坦化膜上に設けられ、前記有機平坦化膜に形成されたコンタクトホールにより前記ゲート配線又は前記ソース配線と電気的に接続された端子が前記透明絶縁性基板の画像表示部周辺に配列され、前記各端子と外部端子との接続が行われる端子領域を備えたＴＦＴアレイ基板において、
前記有機平坦化膜は、第１の有機平坦化膜と、前記第１の有機平坦化膜上に形成された第２の有機平坦化膜からなり、前記第２の有機平坦化膜が、前記端子領域における基板周縁部から前記画像表示部側にかけての領域で除去されていることを特徴とするＴＦＴアレイ基板。
【請求項３】
前記第１の有機平坦化膜が、前記端子領域における基板周縁部から前記画像表示部側にかけての領域で除去されていることを特徴とする請求項２記載のＴＦＴアレイ基板。
【請求項４】
前記画素電極が透明画素電極であり、反射膜が１画素内において透過表示領域を除く、前記有機平坦化膜または前記透明画素電極上に形成されていることを特徴とする請求項１乃至３いずれかに記載のＴＦＴアレイ基板。
【請求項５】
前記画素電極が反射膜であることを特徴とする請求項１乃至３いずれかに記載のＴＦＴアレイ基板。
【請求項６】
前記有機平坦化膜は、前記端子領域における基板周縁部から画像表示部側にかけて少なくとも５０μｍの領域で除去されていることを特徴とする請求項１乃至３いずれかに記載のＴＦＴアレイ基板。
【請求項７】
前記有機平坦化膜は、基板周縁部から画像表示部側にかけてフィルムキャリアが形成される部分を含む領域で除去されていることを特徴とする請求項１乃至３いずれかに記載のＴＦＴアレイ基板。
【請求項８】
前記有機平坦化膜は、フィルムキャリアと端子領域との重なり部分のうち、基板周縁部から画像表示部側にかけて除去されていることを特徴とする請求項１、２、３または７記載のＴＦＴアレイ基板。
【請求項９】
請求項４記載のＴＦＴアレイ基板と、透明電極を有する対向電極基板との間隙に液晶が配置されていることを特徴とする半透過型液晶表示装置。
【請求項１０】
請求項５記載のＴＦＴアレイ基板と、透明電極を有する対向基板との間隙に液晶が挟持されていることを特徴とする反射型液晶表示装置。
【請求項１１】
絶縁性基板上に第１の導電性膜を成膜したのちに、フォトリソグラフィ法で前記第１の導電性膜をパターニングしてゲート配線、前記ゲート配線の一部である第１の表示引き出し配線およびＴＦＴのゲート電極を形成する工程と、
第１の絶縁膜と半導体層とオーミックコンタクト層とを成膜したのちに、フォトリソグラフィ法で前記半導体層と前記オーミックコンタクト層とを、島状にパターニングする工程と、
第２の導電性膜を成膜したのちにフォトリソグラフィ法で前記第２の導電性膜をパターニングしてソース配線、前記ソース電極の一部である第２の表示引き出し配線、前記ＴＦＴのソース電極およびドレイン電極を形成し、さらに、前記ソース電極および前記ドレイン電極に覆われていない前記オーミックコンタクト層をエッチング除去する工程と、
第２の絶縁膜を成膜したのちに、感光性有機物を塗布し、露光処理、現像処理および焼成処理で有機平坦化膜を、反射表示領域における前記有機平坦化膜の表面には凹凸を形成し、前記絶縁性基板表面にまで貫通する透過表示領域、前記ドレイン電極表面にまで貫通するコンタクト領域、前記第１の表示引き出し配線表面にまで貫通するゲート端子領域、前記第２の表示引き出し配線表面にまで貫通するソース端子領域、および端子領域における有機平坦化膜除去部を形成し、前記有機平坦化膜をマスクとして、前記コンタクト領域の前記第２の絶縁膜、前記透過表示領域の前記第１の絶縁膜および前記第２の絶縁膜、前記ゲート端子領域の前記第１の絶縁膜および前記第２の絶縁膜、前記ソース端子領域の前記第２の絶縁膜、並びに前記有機平坦化膜除去部の前記第１の絶縁膜および前記第２の絶縁膜をエッチング除去する工程と、
透明導電性膜を成膜したのちにフォトリソグラフィ法で前記透明導電性薄膜をパターニングして、少なくとも透過表示領域に透明画素電極を形成する工程と、金属膜を成膜したのちにフォトリソグラフィ法で前記金属膜をパターニングして、一画素内における透過表示領域以外に反射膜を形成する工程と、
を少なくとも含むことを特徴とするＴＦＴアレイ基板の製造方法。
【請求項１２】
絶縁性基板上に第１の導電性膜を成膜したのちに、フォトリソグラフィ法で前記第１の導電性膜をパターニングしてゲート配線、前記ゲート配線の一部である第１の表示引き出し配線およびＴＦＴのゲート電極を形成する工程と、
第１の絶縁膜と半導体層とオーミックコンタクト層とを成膜したのちに、フォトリソグラフィ法で前記半導体層と前記オーミックコンタクト層とを、島状にパターニングする工程と、
第２の導電性膜を成膜したのちにフォトリソグラフィ法で前記第２の導電性膜をパターニングしてソース配線、前記ソース電極の一部である第２の表示引き出し配線、前記ＴＦＴのソース電極およびドレイン電極を形成し、さらに、前記ソース電極および前記ドレイン電極に覆われていない前記オーミックコンタクト層をエッチング除去する工程と、
第２の絶縁膜を成膜したのちに、感光性有機物を塗布し、露光処理、現像処理および焼成処理で有機平坦化膜を、反射表示領域における前記有機平坦化膜の表面には凹凸を形成し、前記ドレイン電極表面にまで貫通するコンタクト領域、前記第１の表示引き出し配線表面にまで貫通するゲート端子領域、前記第２の表示引き出し配線表面にまで貫通するソース端子領域、および端子領域における有機平坦化膜除去部を形成し、前記有機平坦化膜をマスクとして、前記コンタクト領域の前記第２の絶縁膜、前記ゲート端子領域の前記第１の絶縁膜および前記第２の絶縁膜、前記ソース端子領域の前記第２の絶縁膜、並びに前記有機平坦化膜除去部の前記第１の絶縁膜および前記第２の絶縁膜をエッチング除去する工程と、金属膜を成膜したのちにフォトリソグラフィ法で前記金属膜をパターニングして、反射膜を形成する工程と、
を少なくとも含むことを特徴とするＴＦＴアレイ基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴと称す）アレイ基板およびこれを用いた反射型または半透過型液晶表示装置並びにＴＦＴアレイ基板の製造方法に係り、更に詳しくは、有機平坦化膜を積層し、反射面の角度を制御している反射型または半透過型液晶表示装置およびその製造方法に関するものである。
【０００２】
ＰＤＡと呼ばれる携帯情報端末や、携帯電話などの携帯通信端末に用いられる表示装置には、薄型、軽量、低消費電力であることが求められるとともに、様々な環境下で高い視認性を有することが求められている。この様な携帯端末の表示装置には、薄型、軽量、低消費電力という特長を有する液晶表示装置が広く普及している。
【０００３】
液晶表示装置の場合、ＣＲＴ、ＰＤＰ等とは異なり、画像情報を出力する液晶表示パネル自身は発光していない。このため、液晶表示装置は大きく分けて、バックライトと呼ばれる光源からの光を透過させる透過型と、反射膜により外来光を反射させる反射型とに分類される。
【０００４】
反射型は、明るい場所では視認性が高いが、暗い場所では視認性が著しく低下する。一方、透過型の場合、明るい場所では視認性が低下し、また、液晶表示装置全体に占めるバックライトの消費電流の割合が大きいため、反射型に比べて消費電流が大きくなるという問題があった。
【０００５】
このため、表示領域の一部を透過表示領域とするとともに、他の一部を反射表示領域とし、透過表示領域ではバックライトからの光を透過させ、反射表示領域では外来光を反射させる半透過型の液晶表示装置が知られている。透過型および反射型の特徴を併せ持つこの様な液晶表示装置は、様々な環境下で高い視認性を確保することができる点で優れている。
【０００６】
一般に、液晶表示パネルは、ガラスなどからなる透明絶縁性基板上に多数のＴＦＴがマトリクス状に形成されたＴＦＴアレイ基板と、透明絶縁性基板上に透明電極が形成された対向電極基板とを貼り合わせるとともに、ＴＦＴアレイ基板、対向電極基板間に液晶を封入して構成され、液晶表示装置は、封入された液晶の配向を制御することによって画像表示を行っている。
【０００７】
従来の反射型の液晶表示装置においては、無アルカリガラスを用いた反射基板（透明絶縁性基板）上の一部にＴＦＴを形成し、ＴＦＴの上面とＴＦＴが形成されない反射基板の上面に無機の層間絶縁膜を形成している。また、層間絶縁膜の上部全面に曲面形状を有する有機の層間絶縁膜（有機平坦化膜）を形成し、有機の層間絶縁膜上に光学的に反射率の高い反射電極（反射膜）を形成している（例えば、特許文献１参照）。
【０００８】
【特許文献１】
特開２０００−８９２１７号公報　（第５頁、第１図）
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
有機平坦化膜を積層し、反射面の角度を制御している従来の半透過型または反射型の液晶表示パネルにおいては、有機平坦化膜の積層範囲は、ゲート配線およびソース配線からの引き出し配線と外部接続を取るためにコンタクトホールを形成したゲート端子領域およびソース端子領域、並びにＴＦＴのドレイン電極と画素電極との接続を取るためのコンタクト領域を除いて、透明絶縁性基板の全面、すなわち基板周縁部まで積層されていた。
【００１０】
これにより、例えば、液晶表示パネルと制御基板との接続をＦＰＣ等のフィルムキャリアとＡＣＦ等を介して接続する場合に、この接続の信頼性評価の１つに、ゲートまたはソース端子部からＦＰＣを引き剥がし密着力の測定するという評価方法がある。また、液晶表示パネルのリペアを行う場合に、ゲートまたはソース端子部からＦＰＣ等のフィルムキャリアを引き剥がし、端子部に残留したＡＣＦ等を除去し、新たなフィルムキャリアを接続しリペアを行うのであるが、この引き剥がしの際に基板周縁部から有機平坦化膜と層間絶縁膜との間に剥離がおきるため、端子部が十分な接続強度を得ることが出来ないという問題点があった。
【００１１】
本発明は、上述のような課題を解決するためになされたもので、液晶表示パネルと制御基板との接続をＦＰＣ等のフィルムキャリアとＡＣＦ等を介して接続する場合に、外部と接続するＦＰＣ等の引き剥がし、液晶表示パネルのフィルムキャリア等のリペアを行った場合にも、有機平坦化膜の剥離を防ぎ、端子部の接続強度を確保することを目的とするものである。
また、液晶表示パネルのフィルムキャリア等のリペアをスムースかつ確実に行うことでき、液晶表示装置の歩留を向上させ、安価な液晶表示装置を得ることを目的とするものである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本発明にかかるＴＦＴアレイ基板においては、絶縁性基板上に複数本形成されたゲート電極を備えたゲート配線と、ゲート配線と交差する複数本のソース電極を備えたソース配線と、ゲート電極上にゲート絶縁膜を介して設けられた半導体層と、この半導体層に接続されたソース電極およびドレイン電極よりなるＴＦＴと、絶縁性基板上に設けられ、ＴＦＴに起因する段差を無くすと共に、表面に凹凸が形成された有機平坦化膜と、有機平坦化膜上に設けられ、有機平坦化膜に形成されたコンタクトホールによりドレイン電極とに接続された画素電極と、有機平坦化膜上に設けられ、有機平坦化膜に形成されたコンタクトホールによりゲート配線又はソース配線と電気的に接続された端子が透明絶縁性基板の画像表示部周辺に配列され、各端子と外部端子との接続が行われる端子領域を備えたＴＦＴアレイ基板において、有機平坦化膜は、端子領域における基板周縁部から画像表示部側にかけての領域で除去されているものである。
【００１３】
また、透明絶縁性基板上に複数本形成されたゲート電極を備えたゲート配線と、ゲート配線と交差する複数本のソース電極を備えたソース配線と、ゲート電極上にゲート絶縁膜を介して設けられた半導体層と、半導体層に接続されたソース電極およびドレイン電極よりなるＴＦＴと、透明絶縁性基板上に設けられ、ＴＦＴに起因する段差を無くすと共に、表面に凹凸が形成された有機平坦化膜と、有機平坦化膜上に設けられ、有機平坦化膜に形成されたコンタクトホールによりドレイン電極とに接続された画素電極と、有機平坦化膜上に設けられ、有機平坦化膜に形成されたコンタクトホールによりゲート配線又はソース配線と電気的に接続された端子が透明絶縁性基板の画像表示部周辺に配列され、各端子と外部端子との接続が行われる端子領域を備えたＴＦＴアレイ基板において、有機平坦化膜は、第１の有機平坦化膜と、第１の有機平坦化膜上に形成された第２の有機平坦化膜からなり、第２の有機平坦化膜が、端子領域における基板周縁部から画像表示部側にかけての領域で除去されているものである。
【００１４】
また、第１の有機平坦化膜が、端子領域における基板周縁部から画像表示部側にかけての領域で除去されているものである。
【００１５】
また、画素電極が透明画素電極であり、反射膜が１画素内において透過表示領域を除く、有機平坦化膜または透明画素電極上に形成されているものである。
【００１６】
また、画素電極が反射膜であるものである。
【００１７】
さらに、有機平坦化膜は、端子領域における基板周縁部から画像表示部側にかけて少なくとも５０μｍの領域で除去されているものである。
【００１８】
また、有機平坦化膜は、基板周縁部から画像表示部側にかけてフィルムキャリアが形成される部分を含む領域で除去されているものである。
【００１９】
また、有機平坦化膜は、フィルムキャリアと端子領域との重なり部分のうち、基板周縁部から画像表示部側にかけて除去されているものである。
【００２０】
この発明に係る半透過型液晶表示装置においては、ＴＦＴアレイ基板と、透明電極を有する対向電極基板との間隙に液晶が配置されているものである。
【００２１】
この発明に係る反射型液晶表示装置においては、ＴＦＴアレイ基板と、透明電極を有する対向基板との間隙に液晶が挟持されているものである。
【００２２】
この発明に係るＴＦＴアレイ基板の製造方法においては、絶縁性基板上に第１の導電性膜を成膜したのちに、フォトリソグラフィ法で第１の導電性膜をパターニングしてゲート配線、ゲート配線の一部である第１の表示引き出し配線およびＴＦＴのゲート電極を形成する工程と、第１の絶縁膜と半導体層とオーミックコンタクト層とを成膜したのちに、フォトリソグラフィ法で半導体層とオーミックコンタクト層とを、島状にパターニングする工程と、第２の導電性膜を成膜したのちにフォトリソグラフィ法で第２の導電性膜をパターニングしてソース配線、ソース電極の一部である第２の表示引き出し配線、ＴＦＴのソース電極およびドレイン電極を形成し、さらに、ソース電極およびドレイン電極に覆われていないオーミックコンタクト層をエッチング除去する工程と、第２の絶縁膜を成膜したのちに、感光性有機物を塗布し、露光処理、現像処理および焼成処理で有機平坦化膜を、反射表示領域における有機平坦化膜の表面には凹凸を形成し、絶縁性基板表面にまで貫通する透過表示領域、ドレイン電極表面にまで貫通するコンタクト領域、第１の表示引き出し配線表面にまで貫通するゲート端子領域、第２の表示引き出し配線表面にまで貫通するソース端子領域、および端子領域における有機平坦化膜除去部を形成し、有機平坦化膜をマスクとして、コンタクト領域の第２の絶縁膜、透過表示領域の第１の絶縁膜および第２の絶縁膜、ゲート端子領域の第１の絶縁膜および第２の絶縁膜、ソース端子領域の第２の絶縁膜、並びに有機平坦化膜除去部の第１の絶縁膜および第２の絶縁膜をエッチング除去する工程と、透明導電性膜を成膜したのちにフォトリソグラフィ法で透明導電性薄膜をパターニングして、少なくとも透過表示領域に透明画素電極を形成する工程と、金属膜を成膜したのちにフォトリソグラフィ法で金属膜をパターニングして、一画素内における透過表示領域以外に反射膜を形成する工程と、を少なくとも含むものである。
【００２３】
また、絶縁性基板上に第１の導電性膜を成膜したのちに、フォトリソグラフィ法で第１の導電性膜をパターニングしてゲート配線、ゲート配線の一部である第１の表示引き出し配線およびＴＦＴのゲート電極を形成する工程と、第１の絶縁膜と半導体層とオーミックコンタクト層とを成膜したのちに、フォトリソグラフィ法で半導体層とオーミックコンタクト層とを、島状にパターニングする工程と、第２の導電性膜を成膜したのちにフォトリソグラフィ法で第２の導電性膜をパターニングしてソース配線、ソース電極の一部である第２の表示引き出し配線、ＴＦＴのソース電極およびドレイン電極を形成し、さらに、ソース電極およびドレイン電極に覆われていないオーミックコンタクト層をエッチング除去する工程と、第２の絶縁膜を成膜したのちに、感光性有機物を塗布し、露光処理、現像処理および焼成処理で有機平坦化膜を、反射表示領域における有機平坦化膜の表面には凹凸を形成し、ドレイン電極表面にまで貫通するコンタクト領域、第１の表示引き出し配線表面にまで貫通するゲート端子領域、第２の表示引き出し配線表面にまで貫通するソース端子領域、および端子領域における有機平坦化膜除去部を形成し、有機平坦化膜をマスクとして、コンタクト領域の第２の絶縁膜、ゲート端子領域の第１の絶縁膜および第２の絶縁膜、ソース端子領域の第２の絶縁膜、並びに有機平坦化膜除去部の第１の絶縁膜および第２の絶縁膜をエッチング除去する工程と、金属膜を成膜したのちにフォトリソグラフィ法で金属膜をパターニングして、反射膜を形成する工程と、を少なくとも含むものである。
【００２４】
【発明の実施の形態】
発明の実施の形態１．
図１は、本発明の実施の形態１による半透過型液晶表示装置の液晶表示パネルを構成するＴＦＴアレイ基板のＴＦＴ部の断面図である。図２は、本発明の実施の形態１による半透過型液晶表示装置の液晶表示パネルの平面図である。図３は、図２に示す液晶表示パネルの矢視ＩＩＩ−ＩＩＩからみた断面図である。図４は、図２に示す液晶表示パネルの矢視ＩＶ−ＩＶからみた断面図である。図１、図２、図３および図４において、１はガラスなどからなる透明絶縁性基板、２は透明絶縁性基板１上に複数本形成されたゲート配線で、一部がゲート電極２ａおよび第１の表示引き出し配線２ｂとなる。３はゲート配線２とゲート絶縁膜４を介して交差するソース配線で、一部がソース電極３ａおよび第２の表示引き出し配線３ｂとなる。５は半導体層で、ゲート電極２ａ上にゲート絶縁膜４を介して設けられ、ソース電極３ａおよびドレイン電極３ｃに接続されている。６は層間絶縁膜、７は有機平坦化膜で、ＴＦＴに起因する段差を無くすと共に、表面に凹凸が形成されている。８は透明画素電極で、有機平坦化膜７上に設けられ、有機平坦化膜７に形成されたコンタクトホールによりドレイン電極３ｃに接続されている。９は反射膜で、１画素内において透過表示領域１０を除く有機平坦化膜７または透明画素電極８上に形成されている。
【００２５】
１１ａ、１１ｂは端子で、有機平坦化膜７上に設けられ、有機平坦化膜７に形成されたコンタクトホールによりゲート配線２またはソース配線３と電気的にそれぞれ接続されている。なお、端子１１ａはゲート配線２に接続されたゲート端子である。一方、端子１１ｂはソース配線３に接続されたソース端子で、透明画素電極８および反射層９からなる。１２は画像表示部、１３はフィルムキャリアで、外部端子をＡＣＦ等によってゲート端子１１ａ、ソース端子１１ｂに接続している。１４は端子領域で、画像表示部１２周辺でゲート端子１１ａ、ソース端子１１ｂを配列し、各端子１１ａ，１１ｂとフィルムキャリア１３の外部端子との接続が行われる領域である。
【００２６】
１４ａはゲート端子領域で、第１の引き出し配線２ｂと透明画素電極８とを接続するコンタクホールが形成された領域である。１４ｂはソース端子領域で、第２の引き出し配線３ｂと透明画素電極８とを接続するコンタクホールが形成された領域である。１５ａは有機平坦化膜除去部で、フィルムキャリア１３と端子領域１４との重なり部分のうち、基板周縁部１６から画像表示部１２側にかけて有機平坦化膜を除去した部分である。１７はコンタクト領域で、透明画素電極８とドレイン電極３ｃとを接続するコンタタクトホールが形成された領域である。
【００２７】
つぎに、この実施の形態１におけるＴＦＴアレイ基板の製造工程を説明する。透明絶縁性基板１は、ＴＦＴ、透過型画素電極および反射型画素電極が形成されるガラス、プラスチック等からなる光透過性の絶縁性基板である。この透明絶縁性基板１上にスパッタ法等を用いて、Ａｌ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ，Ｃｕ，Ｔａ，Ｔｉ等からなる導電性膜を形成した後、フォトリソグラフィ法により形成したレジストを用いて導電性膜を所定形状にパターニングすることにより、ゲート配線２、ゲート配線２の一部である第１の表示引き出し配線２ｂおよびゲート電極２ａが形成される。
【００２８】
次に、プラズマＣＶＤ法等を用いて、ゲート絶縁膜４としてのシリコン窒化膜またはシリコン酸化膜、半導体層５としてのアモルファスシリコン膜、不純物がドープされた低抵抗アモルファスシリコン膜を順に成膜した後、フォトリソグラフィ法により形成したレジストを用いて、アモルファスシリコン膜および低抵抗アモルファスシリコン膜をパターニングし、島状に半導体層５および図示しないオーミックコンタクト層が形成される。
【００２９】
次に、スパッタ法等によりＡｌ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ，Ｃｕ，Ｔａ，Ｔｉ等からなる導電性膜を成膜した後、フォトリソグラフィ法によるパターニングを行って、ソース配線３、ソース配線３の一部である第２の表示引き出し配線３ｂ、ソース電極３ａおよびドレイン電極３ｃを形成するとともに、ソース電極３ａおよびドレイン電極３ｃに覆われていないオーミックコンタクト層をエッチングして、ＴＦＴが形成される。
【００３０】
その後、プラズマＣＶＤ法等により層間絶縁膜６（パッシベーション膜）としてのシリコン窒化膜を形成した後、有機平坦化膜７が形成される。有機平坦化膜７は、透明絶縁性基板１上に感光性を有するアクリル系樹脂等からなるポジ型の感光性有機物を塗布し、露光処理、現像処理、焼成処理を順に行って形成される絶縁性膜である。
【００３１】
有機平坦化膜７が、ＴＦＴ、電極配線（ゲート配線２、ソース配線３等）によって生じた透明絶縁性基板１上の段差を吸収することにより、透明絶縁性基板１の表面を平坦化させることができる。一方、反射表示領域における有機平坦化膜７の表面には凹凸を形成し、有機平坦化膜７上に形成される反射膜９に凹凸を設けることにより、反射表示領域において外来光を散乱させている。
【００３２】
また、図１に示すように透過表示領域１０およびコンタクト領域１７において有機平坦化膜７を貫通させコンタクトホールを形成している。これらのコンタクトホールを介して、バックライトからの光を透過させ、あるいは、有機平坦化膜７上に形成される透明画素電極８および反射膜９をドレイン電極３ｃに導通させている。
【００３３】
また、図２、図３および図４に示すように、ゲート端子領域１４ａおよびソース端子領域１４ｂにおいて有機平坦化膜７を貫通させ、これらのコンタクトホールを形成している。このコンタクトホールを介して、有機平坦化膜７上に形成される透明画素電極８および反射膜９を第１の表示引き出し配線２ｂおよび第２の表示引き出し配線３ｂに導通させている。
【００３４】
さらに、画像表示部１２外の端子領域１４では、端子領域１４における有機平坦化膜除去部１５ａで、有機平坦化膜７を除去している。
なお、本願発明者は、基板周縁部１６から画像表示部１２側にかけて少なくとも５０μｍの領域で有機平坦化膜７を除去しておくことにより、フィルムキャリア１３をＴＦＴアレイ基板から引き剥がす際に、層間絶縁膜６から有機平坦化膜７の剥離がないことを、実験から明らかにした。
【００３５】
次に、ドライエッチングにより、コンタクト領域１７の層間絶縁膜６を除去してドレイン電極３ｃを露出させ、コンタクトホールを形成する。このとき、有機平坦化膜７がマスクとして用いられ、コンタクト領域１７の層間絶縁膜６をエッチングする際、透過表示領域１０の層間絶縁膜６およびゲート絶縁膜４も同時にエッチングされる。このため、透過表示領域１０は、透明絶縁性基板１のみからなる光透過の可能な領域となる。また、有機平坦化膜７がマスクとして用いられ、ゲート端子領域１４ａの層間絶縁膜６およびゲート絶縁膜４も同時にエッチングされる。また、有機平坦化膜７がマスクとして用いられ、ソース端子領域１４ｂの層間絶縁膜６も同時にエッチングされる。さらに、有機平坦化膜除去部１５ａの層間絶縁膜６およびゲート絶縁膜４も同時にエッチングされる。
【００３６】
その後、透過表示領域１０、コンタクト領域１７、ゲート端子領域１４ａ、ソース端子領域１４ｂおよび有機平坦化膜７上にＩＴＯ等からなる光透過性を有する透明導電性膜を成膜し、フォトリソグラフィ法によるパターニングを行って、透明画素電極８が形成される。透明画素電極８は、コンタクト領域１７においてドレイン電極３ｃと導通し、透過表示領域１０では画素電極として機能するとともに、反射表示領域において透明画素電極８上に形成される反射膜９とも導通される。
【００３７】
最後に、有機平坦化膜７上、コンタクト領域１７内、ゲート端子領域１４ａおよびソース端子領域１４ｂ内にＡｌ等の高反射率の金属膜を成膜し、フォトリソグラフィ法によるパターニングを行って、反射膜９が形成される。反射膜９は、透明画素電極８を介してドレイン電極３ｃに導通し、反射表示領域の画素電極として機能する。また、反射膜９はゲート端子領域１４ａおよびソース端子領域１４ｂにおいて透明画素電極８を介して第１の表示引き出し配線２ｂおよび第２の表示引き出し配線３ｂに導通し、ＦＰＣ等のフィルムキャリア１３の外部端子との接続端子となる。
【００３８】
ＴＦＴは、ゲート電極２ａ、ゲート絶縁膜４、半導体層５、ソース電極３ａおよびドレイン電極３ｃからなる。また、反射表示領域には画素電極としての反射膜９が形成され、透過表示領域には画素電極としての透明画素電極８が形成されている。これらの画素電極はいずれもドレイン電極３ｃに電気的に接続されている。
【００３９】
ゲート電極２ａは、透明絶縁性基板１上に形成され、ゲート配線２に電気的に接続されている。ゲート絶縁膜４は、ゲート電極２ａ上を含み、透過表示領域１０およびゲート端子領域１４ａ内を除く透明絶縁性基板１上に形成される。半導体層５はＴＦＴのチャネル層であり、ゲート絶縁膜４を介してゲート電極２ａ上に形成される。
【００４０】
ソース電極３ａおよびドレイン電極３ｃはともに図示しないオーミックコンタクト層を介して半導体層５上に形成され、ソース電極３ａはソース配線２に電気的に接続され、ドレイン電極３ｃは透明画素電極８に接続される。また、ＴＦＴ上には層間絶縁膜６が形成されており、この層間絶縁膜６は、透明絶縁性基板１上の透過表示領域１０、ゲート端子領域１４ａおよびソース端子領域１４ｂ内を除く領域に形成されている。
【００４１】
有機平坦化膜７は、有機平坦化膜除去部１５ａ、コンタクトホールが設けられた透過表示領域１０、コンタクト領域１７、ゲート端子領域１４ａおよびソース端子領域１４ｂ内を除く領域に形成され、透明絶縁性基板１上の凹凸を平坦化するとともに、外来光を乱反射するためのより細かな凹凸が形成されている。
【００４２】
透明画素電極８は、少なくとも透過表示領域１０に形成される。この透明画素電極８はドレイン電極３ｃと導通させることにより、透過型表示装置における画素電極として機能する。反射膜９は、透過表示領域１０を除く表示領域内であって、少なくとも透明画素電極８および有機平坦化膜７上に形成される。この反射膜９はドレイン電極３ｃと導通されることにより、反射型表示装置における画素電極（反射電極）として機能する。つまり、反射膜９が形成された領域が反射表示領域となる。
【００４３】
以上の工程により、反射型液晶表示装置のＴＦＴアレイ基板を作製する。
また、ＴＦＴアレイ基板と、他の絶縁性基板上に透明電極とカラーフィルタ等が形成された対向電極基板とを対向配置して、液晶をシール材および封止材により挟持することで液晶表示パネルを作製する。
また、ゲート端子１１ａおよびソート端子１１ｂに、図示しない制御回路との接続をＦＰＣ等のフィルムキャリア１３と図示しないＡＣＦ等を介して接続され、バックライトユニットを備えることで半透過型液晶表示装置を完成する。
【００４４】
なお、この実施の形態１では、図２に示すように、ゲート端子１１ａおよびソース端子１１ｂがＴＦＴアレイ基板の直交する二辺の周縁部に設けられた場合を示したが、この構成に限られるものではなく、例えば、ゲート端子１１ａを形成した辺にゲート端子１１ａおよびソース端子１１ｂを設けることにより、ソース端子１１ｂが形成されていた辺の狭額縁化を図ることが可能である。
【００４５】
また、この実施の形態１では、１層の有機平坦化膜７の表面に凹凸を形成している。しかし、１層の有機平坦化膜７では表面の凹凸の差が大きくなる場合があり、有機平坦化膜７上の反射膜９で有効な外来光の散乱が得られない。この場合、有機平坦化膜を２層で形成することで、１層目で生じた有機平坦化膜表面の凹凸の大きな差を、２層目の有機平坦化膜で緩和できる。従って、反射膜９で有効な外来光の散乱が得ることが可能である。図５は、本発明の２層の有機平坦化膜からなる半透過型液晶表示装置の液晶表示パネルを構成するＴＦＴアレイ基板のＴＦＴ部の断面図である。図６は、本発明の２層の有機平坦化膜からなる半透過型液晶表示装置の液晶表示パネルを構成するＴＦＴアレイ基板のゲート端子部の断面図である。図７は、本発明の２層の有機平坦化膜からなる半透過型液晶表示装置の液晶表示パネルを構成するＴＦＴアレイ基板のソース端子部の断面図である。図５、図６および図７において、図１〜図４と同じ符号は、同一または相当を示し、その説明を省略する。７ａは第１の有機平坦化膜、７ｂは第２の有機平坦化膜で、第１の有機平坦化膜７ａ上に形成され、第１の有機平坦化膜７ａ表面の凹凸の差を緩和する。
【００４６】
２層の有機平坦化膜からなる半透過型液晶表示装置の製造方法は、前述した１層の有機平坦化膜からなる半透過型液晶表示装置の製造方法において以下に示すように第２の有機平坦化膜を形成する工程を追加したものである。前述のようにプラズマＣＶＤ法等により層間絶縁膜６としてのシリコン窒化膜を形成した後に、透明絶縁性基板１上に感光性を有するアクリル系樹脂等からなるポジ型の感光性有機物を塗布し、露光処理、現像処理、焼成処理を順に行って第１の有機平坦化膜７ａを形成する。さらに、感光性を有するアクリル系樹脂等からなるポジ型の感光性有機物を塗布し、露光処理、現像処理、焼成処理を順に行って第２の有機平坦化膜７ｂを形成する製造工程を加える。これにより、２層の有機平坦化膜からなる半透過型液晶表示装置を得ることができる。
【００４７】
このように、有機平坦化膜を２層で形成することで、１層目で生じた有機平坦化膜表面の凹凸の大きな差を、２層目の有機平坦化膜で緩和でき、反射膜９で有効な外来光の散乱を得ることが可能である。しかしながら、第１の有機平坦化膜７ａと第２の有機平坦化膜７ｂとは密着性がそれほど高くなく、フィルムキャリア１３をＴＦＴアレイ基板から引き剥がす際に、第１の有機平坦化膜７ａから第２の有機平坦化膜７ｂの剥離が生じてしまう。このため、図６および図７に示すように、有機平坦化膜除去部１５ａで第２の有機平坦化膜７ｂを除去することで、フィルムキャリア１３をＴＦＴアレイ基板から引き剥がす際に、第１の有機平坦化膜７ａから第２の有機平坦化膜７ｂの剥離が生じない。
なお、ここでは、第２の有機平坦化膜７ｂのみを有機平坦化膜除去部１５ａで除去しているが、第１の有機平坦化膜７ａおよび第２の有機平坦化膜７ｂを有機平坦化膜除去部１５ａで除去しても同様の作用効果を奏する。
【００４８】
また、この実施の形態１では、半透過型の液晶表示装置について説明してきたが、有機平坦化膜を用いる反射型の液晶表示装置においても、同様の作用効果を奏する。図８は、本発明の反射型液晶表示装置の液晶表示パネルを構成するＴＦＴアレイ基板のＴＦＴ部の断面図、図９は、本発明の反射型液晶表示装置の液晶表示パネルを構成するＴＦＴアレイ基板のゲート端子部の断面図、図１０は、本発明の反射型液晶表示装置の液晶表示パネルを構成するＴＦＴアレイ基板のソース端子部の断面図である。図８、図９および図１０において、図１〜図４と同じ符号は、同一または相当を示し、その説明を省略する。
【００４９】
反射型液晶表示装置の製造方法を以下に説明する。前述した半透過型の液晶表示装置の製造方法における製造工程である透過表示領域１０、コンタクト領域１７、ゲート端子領域１４ａ、ソース端子領域１４ｂおよび有機平坦化膜７上にＩＴＯ等からなる光透過性を有する導電性膜を成膜し、フォトリソグラフィ法によるパターニングを行って透明画素電極８を形成する製造工程を省いている。本製造方法では有機平坦化膜７上、コンタクト領域１７内、ゲート端子領域１４ａおよびソース端子領域１４ｂ内にＡｌ等の高反射率の金属膜を成膜し、フォトリソグラフィ法によるパターニングを行って、反射膜９を形成することで、反射型液晶表示装置を得ることができる。
なお、前述した半透過型液晶表示装置における透過表示領域１０は、反射型液晶表示装置においては形成しない。
【００５０】
以上のように、この実施の形態１によれば、半透過型液晶表示装置を構成するＴＦＴアレイ基板において、基板周縁部１６から画像表示部１２側にかけて有機平坦化膜７を除去する。好ましくは、基板周縁部１６から画像表示部１２側にかけて少なくとも５０μｍの領域で有機平坦化膜７を除去しておくことにより、フィルムキャリア１３をＴＦＴアレイ基板から引き剥がす場合に、層間絶縁膜６から有機平坦化膜７の剥離をなくすことができ、液晶表示パネルのフィルムキャリア１３等のリペアをスムースかつ確実に行うことできる。このことは液晶表示装置の歩留を向上させ、安価な液晶表示装置を得ることができる。また、端子部の接続強度を確保することができる。
【００５１】
発明の実施の形態２．
本実施の形態にかかる半透過型液晶表示装置について図１１から図１３を用いて説明する。図１１は、本発明の実施の形態２による半透過型液晶表示装置の液晶表示パネルの平面図である。図１２は、図１１に示す液晶表示パネルの矢視ＸＩＩ−ＸＩＩからみた断面図である。図１３は、図１１に示す液晶表示パネルの矢視ＸＩＩＩ−ＸＩＩＩからみた断面図である。図１１、図１２および図１３において、図１〜図１０と同じ符号は、同一または相当を示し、その説明を省略する。１５ｂは有機平坦化膜が除去されている有機平坦化膜除去部で、フィルムキャリア１３と端子領域１４との重なり部分である。
【００５２】
この実施の形態２と実施の形態１との差異は、フィルムキャリア１３と端子領域１４との重なり部分で有機平坦化膜を除去しているところのみであり、後述する有機平坦化膜除去部による作用効果以外は、実施の形態１と同様の作用効果を奏する。
【００５３】
この実施の形態２においては、図１２および図１３に示すように、ゲート端子１１ａおよびソース端子１１ｂである透明画素電極８および反射膜９の下層に、有機平坦化膜７が存在しない。そのため、反射膜９表面と透明絶縁性基板１表面とで実施の形態１に比べて段差が小さい。これにより、ＴＦＴアレイ基板とフィルムキャリア１３との密着性を高め、反射膜９または有機平坦化膜７からフィルムキャリア１３が剥離することを防ぎ、端子部の接続強度を確保することが可能である。
【００５４】
発明の実施の形態３．
図１４は、本発明の実施の形態３による半透過型液晶表示装置の液晶表示パネルの平面図である。図１４おいて、図１〜１３と同じ符号は、同一または相当を示し、その説明を省略する。１５ｃは有機平坦化膜が除去されている有機平坦化膜除去部で、基板周縁部１６から画像表示部１２側にかけての領域で除去されている。
【００５５】
この実施の形態３と実施の形態１および実施の形態２との差異は、フィルムキャリア１３と端子領域１４との重なり部分に関係無く、基板周縁部１６に沿って有機平坦化膜を除去しているところのみである。後述する有機平坦化膜除去部による作用効果以外は、実施の形態１および実施の形態２と同様の作用効果を奏する。
【００５６】
この実施の形態３においては、図１４に示すように、基板周縁部１６に沿って有機平坦化膜７を除去している。これにより、フィルムキャリア１３とＴＦＴアレイ基板との位置ずれが生じた場合においても、フィルムキャリア１３はＴＦＴアレイ基板の基板周縁部１６で有機平坦化膜を除去した有機平坦化膜除去部１５ｃに常に位置することとなる。よって、リペア等のフィルムキャリア１３のＴＦＴアレイ基板からの引き剥がしを行った場合に、層間絶縁膜６から有機平坦化膜７の剥離は起こらず、液晶表示パネルのフィルムキャリア等のリペアをスムースかつ確実に行うことできる。これにより、液晶表示装置の歩留を向上させ、安価な液晶表示装置を得ることができる。
【００５７】
なお、この実施の形態３におけるＴＦＴアレイ基板においては、基板周縁部１６に沿って有機平坦化膜７を除去しているが、基板周縁部１６から画像表示部１２側にかけて少なくとも５０μｍの領域で有機平坦化膜７を除去しておくことにより、フィルムキャリア１３をＴＦＴアレイ基板から引き剥がす際に、層間絶縁膜６から有機平坦化膜７の剥離が生じないので好ましい。
【００５８】
発明の実施の形態４．
図１５は、この実施の形態４による半透過型液晶表示装置の液晶表示パネルの平面図である。図１５おいて、図１〜１４と同じ符号は、同一または相当を示し、その説明を省略する。１５ｄは有機平坦化膜７が除去されている有機平坦化膜除去部で、基板周縁部１６から画像表示部１２側にかけてフィルムキャリア１３が形成される部分を含む領域で除去されている。
【００５９】
この実施の形態４と実施の形態１、実施の形態２および実施の形態３との差異は、基板周縁部１６から画像表示部１２側にかけてフィルムキャリア１３が形成される部分を含む領域で有機平坦化膜７を除去しているところのみである。後述する有機平坦化膜除去部による作用効果以外は、実施の形態１、実施の形態２および３と同様の作用効果を奏する。
【００６０】
この実施の形態４においては、実施の形態２と同様に、ゲート端子１１ａおよびソース端子１１ｂである透明画素電極８および反射膜９の下層に、有機平坦化膜７が存在しないために、反射膜９表面と透明絶縁性基板１表面とで実施の形態１および実施の形態３に比べて段差が小さい。これにより、ＴＦＴアレイ基板とフィルムキャリア１３との密着性を高め、反射膜９または有機平坦化膜７からフィルムキャリア１３が剥離することを防ぎ、端子部の接続強度を確保することが可能である。
【００６１】
また、実施の形態３と同様に、基板周縁部１６に沿って有機平坦化膜７を除去している。これにより、フィルムキャリア１３とＴＦＴアレイ基板との位置ずれが生じた場合においても、フィルムキャリア１３はＴＦＴアレイ基板の基板周縁部１６で有機平坦化膜を除去した有機平坦化膜除去部１５ｄに常に位置することとなる。よって、リペア等のフィルムキャリア１３のＴＦＴアレイ基板からの引き剥がしを行った場合に、層間絶縁膜６から有機平坦化膜７の剥離は起こらず、液晶表示パネルのフィルムキャリア等のリペアをスムースかつ確実に行うことできる。従って、液晶表示装置の歩留を向上させ、安価な液晶表示装置を得ることができる。
【発明の効果】
【００６２】
この発明は、以上説明したように構成されているので、以下に示すような効果を奏する。
【００６３】
この発明に係るＴＦＴアレイ基板においては、絶縁性基板上に複数本形成されたゲート電極を備えたゲート配線と、ゲート配線と交差する複数本のソース電極を備えたソース配線と、ゲート電極上にゲート絶縁膜を介して設けられた半導体層と、この半導体層に接続されたソース電極およびドレイン電極よりなるＴＦＴと、透明絶縁性基板上に設けられ、ＴＦＴに起因する段差を無くすと共に、表面に凹凸が形成された有機平坦化膜と、有機平坦化膜上に設けられ、有機平坦化膜に形成されたコンタクトホールによりドレイン電極とに接続された画素電極と、有機平坦化膜上に設けられ、有機平坦化膜に形成されたコンタクトホールによりゲート配線又はソース配線と電気的に接続された端子が透明絶縁性基板の画像表示部周辺に配列され、各端子と外部端子との接続が行われる端子領域を備えたＴＦＴアレイ基板において、有機平坦化膜は、端子領域における基板周縁部から画像表示部側にかけての領域で除去されていることにより、フィルムキャリアをＴＦＴアレイ基板から引き剥がす場合に、有機平坦化膜の剥離をなくすことができ、ＴＦＴアレイ基板のリペアをスムースかつ確実に行うこと可能である。
【００６４】
また、透明絶縁性基板上に複数本形成されたゲート電極を備えたゲート配線と、ゲート配線と交差する複数本のソース電極を備えたソース配線と、ゲート電極上にゲート絶縁膜を介して設けられた半導体層と、半導体層に接続されたソース電極およびドレイン電極よりなるＴＦＴと、透明絶縁性基板上に設けられ、ＴＦＴに起因する段差を無くすと共に、表面に凹凸が形成された有機平坦化膜と、有機平坦化膜上に設けられ、有機平坦化膜に形成されたコンタクトホールによりドレイン電極とに接続された画素電極と、有機平坦化膜上に設けられ、有機平坦化膜に形成されたコンタクトホールによりゲート配線又はソース配線と電気的に接続された端子が透明絶縁性基板の画像表示部周辺に配列され、各端子と外部端子との接続が行われる端子領域を備えたＴＦＴアレイ基板において、有機平坦化膜は、第１の有機平坦化膜と、第１の有機平坦化膜上に形成された第２の有機平坦化膜からなり、第２の有機平坦化膜が、端子領域における基板周縁部から画像表示部側にかけての領域で除去されていることにより、１層目で生じた有機平坦化膜表面の凹凸の差を、２層目の有機平坦化膜で緩和でき、有効な外来光の散乱を得ることが可能である。また、フィルムキャリアをＴＦＴアレイ基板から引き剥がす場合に、有機平坦化膜の剥離をなくすことができ、ＴＦＴアレイ基板のリペアをスムースかつ確実に行うこと可能である。
【００６５】
また、第１の有機平坦化膜が、端子領域における基板周縁部から画像表示部側にかけての領域で除去されていることにより、１層目で生じた有機平坦化膜表面の凹凸の差を、２層目の有機平坦化膜で緩和でき、有効な外来光の散乱を得ることが可能である。また、フィルムキャリアをＴＦＴアレイ基板から引き剥がす場合に、有機平坦化膜の剥離をなくすことができ、ＴＦＴアレイ基板のリペアをスムースかつ確実に行うこと可能である。
【００６６】
また、画素電極が透明画素電極であり、反射膜が１画素内において透過表示領域を除く、有機平坦化膜または透明画素電極上に形成されていることにより、フィルムキャリアをＴＦＴアレイ基板から引き剥がす場合に、有機平坦化膜の剥離をなくすことができ、ＴＦＴアレイ基板のリペアをスムースかつ確実に行うこと可能である。
【００６７】
また、画素電極が反射膜であることにより、フィルムキャリアをＴＦＴアレイ基板から引き剥がす場合に、有機平坦化膜の剥離をなくすことができ、ＴＦＴアレイ基板のリペアをスムースかつ確実に行うこと可能である。
【００６８】
さらに、有機平坦化膜は、端子領域における基板周縁部から画像表示部側にかけて少なくとも５０μｍの領域で除去されていることにより、フィルムキャリアをＴＦＴアレイ基板から引き剥がす場合に、有機平坦化膜の剥離をなくすことができ、ＴＦＴアレイ基板のリペアをスムースかつ確実に行うこと可能である。
【００６９】
また、有機平坦化膜は、基板周縁部から画像表示部側にかけてフィルムキャリアが形成される部分を含む領域で除去されていることにより、ＴＦＴアレイ基板とフィルムキャリアとの密着性を高め、端子部の接続強度を確保することが可能である。
【００７０】
また、有機平坦化膜は、フィルムキャリアと端子領域との重なり部分のうち、基板周縁部から画像表示部側にかけて除去されていることにより、フィルムキャリアをＴＦＴアレイ基板から引き剥がす場合に、有機平坦化膜の剥離をなくすことができ、ＴＦＴアレイ基板のリペアをスムースかつ確実に行うこと可能である。また、ＴＦＴアレイ基板とフィルムキャリアとの密着性を高め、端子部の接続強度を確保することが可能である。
【００７１】
この発明に係る半透過型液晶表示装置においては、ＴＦＴアレイ基板と、透明電極を有する対向電極基板との間隙に液晶が配置されていることにより、フィルムキャリアをＴＦＴアレイ基板から引き剥がす場合に、有機平坦化膜の剥離をなくすことができ、液晶表示装置のリペアをスムースかつ確実に行うこと可能であり、液晶表示装置の歩留を向上させ、安価な液晶表示装置を得ることが可能である。
【００７２】
この発明に係る反射型液晶表示装置においては、ＴＦＴアレイ基板と、透明電極を有する対向基板との間隙に液晶が挟持されていることにより、フィルムキャリアをＴＦＴアレイ基板から引き剥がす場合に、有機平坦化膜の剥離をなくすことができ、液晶表示装置のリペアをスムースかつ確実に行うこと可能であり、液晶表示装置の歩留を向上させ、安価な液晶表示装置を得ることが可能である。
【００７３】
この発明に係るＴＦＴアレイ基板の製造方法においては、絶縁性基板上に第１の導電性膜を成膜したのちに、フォトリソグラフィ法で第１の導電性膜をパターニングしてゲート配線、ゲート配線の一部である第１の表示引き出し配線およびＴＦＴのゲート電極を形成する工程と、第１の絶縁膜と半導体層とオーミックコンタクト層とを成膜したのちに、フォトリソグラフィ法で半導体層とオーミックコンタクト層とを、島状にパターニングする工程と、第２の導電性膜を成膜したのちにフォトリソグラフィ法で第２の導電性膜をパターニングしてソース配線、ソース電極の一部である第２の表示引き出し配線、ＴＦＴのソース電極およびドレイン電極を形成し、さらに、ソース電極およびドレイン電極に覆われていないオーミックコンタクト層をエッチング除去する工程と、第２の絶縁膜を成膜したのちに、感光性有機物を塗布し、露光処理、現像処理および焼成処理で有機平坦化膜を、反射表示領域における有機平坦化膜の表面には凹凸を形成し、透明絶縁性基板表面にまで貫通する透過表示領域、ドレイン電極表面にまで貫通するコンタクト領域、第１の表示引き出し配線表面にまで貫通するゲート端子領域、第２の表示引き出し配線表面にまで貫通するソース端子領域、および端子領域における有機平坦化膜除去部を形成し、有機平坦化膜をマスクとして、コンタクト領域の第２の絶縁膜、透過表示領域の第１の絶縁膜および第２の絶縁膜、ゲート端子領域の第１の絶縁膜および第２の絶縁膜、ソース端子領域の第２の絶縁膜、並びに有機平坦化膜除去部の第１の絶縁膜および第２の絶縁膜をエッチング除去する工程と、透明導電性膜を成膜したのちにフォトリソグラフィ法で透明導電性薄膜をパターニングして、少なくとも透過表示領域に透明画素電極を形成する工程と、金属膜を成膜したのちにフォトリソグラフィ法で金属膜をパターニングして、一画素内における透過表示領域以外に反射膜を形成する工程と、を少なくとも含むことにより、フィルムキャリアをＴＦＴアレイ基板から引き剥がす場合に、有機平坦化膜の剥離をなくすことができ、ＴＦＴアレイ基板のリペアをスムースかつ確実に行うこと可能である。
【００７４】
この発明に係る反射型液晶表示装置においては、絶縁性基板上に第１の導電性膜を成膜したのちに、フォトリソグラフィ法で第１の導電性膜をパターニングしてゲート配線、ゲート配線の一部である第１の表示引き出し配線およびＴＦＴのゲート電極を形成する工程と、第１の絶縁膜と半導体層とオーミックコンタクト層とを成膜したのちに、フォトリソグラフィ法で半導体層とオーミックコンタクト層とを、島状にパターニングする工程と、第２の導電性膜を成膜したのちにフォトリソグラフィ法で第２の導電性膜をパターニングしてソース配線、ソース電極の一部である第２の表示引き出し配線、ＴＦＴのソース電極およびドレイン電極を形成し、さらに、ソース電極およびドレイン電極に覆われていないオーミックコンタクト層をエッチング除去する工程と、第２の絶縁膜を成膜したのちに、感光性有機物を塗布し、露光処理、現像処理および焼成処理で有機平坦化膜を、反射表示領域における有機平坦化膜の表面には凹凸を形成し、ドレイン電極表面にまで貫通するコンタクト領域、第１の表示引き出し配線表面にまで貫通するゲート端子領域、第２の表示引き出し配線表面にまで貫通するソース端子領域、および端子領域における有機平坦化膜除去部を形成し、有機平坦化膜をマスクとして、コンタクト領域の第２の絶縁膜、ゲート端子領域の第１の絶縁膜および第２の絶縁膜、ソース端子領域の第２の絶縁膜、並びに有機平坦化膜除去部の第１の絶縁膜および第２の絶縁膜をエッチング除去する工程と、金属膜を成膜したのちにフォトリソグラフィ法で金属膜をパターニングして、反射膜を形成する工程と、を少なくとも含むことにより、フィルムキャリアをＴＦＴアレイ基板から引き剥がす場合に、有機平坦化膜の剥離をなくすことができ、ＴＦＴアレイ基板のリペアをスムースかつ確実に行うこと可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態１による半透過型液晶表示装置の液晶表示パネルを構成するＴＦＴアレイ基板のＴＦＴ部の断面図である。
【図２】本発明の実施の形態１による半透過型液晶表示装置の液晶表示パネルの平面図である。
【図３】図２に示す液晶表示パネルの矢視ＩＩＩ−ＩＩＩからみた断面図である。
【図４】図２に示す液晶表示パネルの矢視ＩＶ−ＩＶからみた断面図である。
【図５】本発明の２層の有機平坦化膜からなる半透過型液晶表示装置の液晶表示パネルを構成するＴＦＴアレイ基板のＴＦＴ部の断面図である。
【図６】本発明の２層の有機平坦化膜からなる半透過型液晶表示装置の液晶表示パネルを構成するＴＦＴアレイ基板のゲート端子部の断面図である。
【図７】本発明の２層の有機平坦化膜からなる半透過型液晶表示装置の液晶表示パネルを構成するＴＦＴアレイ基板のソース端子部の断面図である。
【図８】本発明の反射型液晶表示装置の液晶表示パネルを構成するＴＦＴアレイ基板のＴＦＴ部の断面図である。
【図９】本発明の反射型液晶表示装置の液晶表示パネルを構成するＴＦＴアレイ基板のゲート端子部の断面図である。
【図１０】本発明の反射型液晶表示装置の液晶表示パネルを構成するＴＦＴアレイ基板のソース端子部の断面図である。
【図１１】本発明の実施の形態２による半透過型液晶表示装置の液晶表示パネルの平面図である。
【図１２】図１１に示す液晶表示パネルの矢視ＸＩＩ−ＸＩＩからみた断面図である。
【図１３】図１１に示す液晶表示パネルの矢視ＸＩＩＩ−ＸＩＩＩからみた断面図である。
【図１４】本発明の実施の形態３による半透過型液晶表示装置の液晶表示パネルの平面図である。
【図１５】この実施の形態４による半透過型液晶表示装置の液晶表示パネルの平面図である。
【符号の説明】
１　透明絶縁性基板、２　ゲート配線、２ａ　ゲート電極、
２ｂ　第１の表示引き出し配線、
３　ソース配線、３ａ　ソース電極、３ｂ　第２の表示引き出し配線、
３ｃ　ドレイン電極、
４　ゲート絶縁膜、５　半導体層、６　層間絶縁膜
７　有機平坦化膜、　７ａ　第１の有機平坦化膜、７ｂ　第２の有機平坦化膜、
８　透明画素電極、９　反射膜、１０透過表示領域、
１１ａゲート端子、１１ｂ　ソース端子、１２　画像表示部、
１３　フィルムキャリア、
１４　端子領域、１４ａ　ゲート端子領域、　１４ｂ　ソース端子領域、
１５、１５ａ，１５ｂ，１５ｃ，１５ｄ　有機平坦化膜除去部、
１６　基板周縁部、１７　コンタクト領域
【図１】
2004145024.tif 000003
【図２】
2004145024.tif 000004
【図３】
2004145024.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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