(57)【要約】【課題】半導体チップを回路基板にバンプ接続して成る半導体装置に関し，半導体チップの厚さが１５０μｍ  ないしそれ以下の範囲においても、所定の部位以外に対するアンダーフィル樹脂の好ましくない付着を回避可能とすると共に、好ましい形状のフィレットを容易に形成可能とし、工程の能率並びに信頼性を向上可能とすることを目的とする。【解決手段】回路基板上における半導体チップが搭載される領域を囲むようにして回路基板表面に絶縁膜のパターンを設け、この絶縁膜のパターンに、半導体チップが搭載される領域に近接する辺縁から外方に向かって延在する複数の溝を形成しておくように構成する。【選択図】      図１
2004186213.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップを搭載する回路基板であって、
該回路基板および該半導体チップのそれぞれの互いに対向する表面の何れか一方に設けられ且つ該半導体チップと回路基板とを電気的に接続するための複数の突起電極のそれぞれを介して接続される複数の導体パターンと、
該回路基板の前記表面における該半導体チップが搭載されるべき領域を囲むように設けられ、該領域に近接する辺縁を有し且つ該辺縁から外方に向かって延在する複数の溝が形成されている絶縁膜のパターン
とから成ることを特徴とする回路基板。
【請求項２】
前記半導体チップは長方形であり且つ前記絶縁膜のパターンに形成されている溝は該半導体チップの長辺に対向する該絶縁膜のパターンの部分において該半導体チップの短辺に対向する部分に比べてより長く形成されていることを特徴とする請求項１記載の回路基板。
【請求項３】
前記絶縁膜のパターンを構成する絶縁膜の厚さは前記回路基板に搭載されるべき前記半導体チップおよび該回路基板のそれぞれの前記互いに対向する表面間の距離と等しいかまたはより大きく且つ該回路基板表面と該半導体チップの上表面との間の距離より小さいことを特徴とする請求項１又は２記載の回路基板。
【請求項４】
請求項１乃至３の何れかに記載の回路基板から成り且つ前記半導体チップおよび該回路基板のそれぞれの前記互いに対向する表面間に接着剤が充填されており且つ該半導体チップの側面が該接着剤によって覆われていることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
前記回路基板における前記半導体チップが搭載されるべき前記領域に接着剤を供給する工程と、
該接着剤が供給された該領域に該半導体チップを載置したのち該半導体チップに荷重を印加して前記突起電極を介して該半導体装置と該回路基板とを電気的に接続すると共に該接着剤の一部を該領域から前記絶縁膜のパターンに形成されている前記溝まで流動させる工程
とを含むことを特徴とする請求項４記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体装置に係り、特に回路基板に半導体チップがバンプ接続され、半導体チップと回路基板との間にアンダーフィルが充填された構造を有する半導体装置に関する。
【０００１】
【従来の技術】
半導体装置の小型化、薄型化、高密度化の要求から、半導体チップまたはこれを搭載する回路基板の何れか一方に形成した突起状の電極（バンプ）によって半導体チップと回路基板とを電気的に接続するフリップチップ実装が採用されている。
【０００２】
低コストのフリップチップ実装法として、回路基板上の半導体チップが搭載される領域にあらかじめアンダーフィル樹脂を供給しておき、回路基板に載置した半導体チップに荷重と、必要に応じて熱または超音波あるいはこれらの双方を印加して、バンプを介して半導体チップを回路基板に電気的に接続すると共に、アンダーフィル樹脂によって半導体チップと回路基板を相互に接着する方法（アンダーフィル樹脂先入れ法）ある。
【０００３】
通常、アンダーフィル樹脂は、その一部が半導体チップの周囲にはみ出し、半導体チップの側面を覆ういわゆるフィレットが形成されるように、その供給量が制御される。フィレットは、半導体装置に温度サイクルが印加された場合、半導体チップと回路基板との熱膨張率の差に起因する熱応力を緩和し、半導体チップと回路基板との剥離、特にバンプ接続部の破断を防止し、半導体装置の信頼性を向上するために必要とされている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
半導体装置の小型化、薄型化等をさらに進めるために、半導体チップの厚さを小さくすることが有効であるが、半導体チップを薄くすると、フィレットのアンダーフィル樹脂が半導体チップの上面に這い上がりやすくなり、種々の問題を生じる。
【０００５】
すなわち、フリップチップ実装工程において、半導体チップの上面に付着したアンダーフィル樹脂が、半導体チップを真空吸引し保持するボンディングツールに転写され、ボンディングツールの吸引孔に達して目詰りを生じ、吸引不良を引き起こす。このため、転写されたアンダーフィル樹脂を除去する必要がある。このため、生産性が低下する結果となる。また、ボンディングツールに付着したアンダーフィル樹脂が、次に真空吸引した半導体チップに転写され、これが固化すると、この半導体チップは以後の工程において寸法不良となったり、表面が平坦でないことから、ボンディングツールによる真空吸引ができなくなる。
【０００６】
一方、回路基板上に搭載した半導体チップの上に第２の半導体チップを積載した半導体装置が開示されている。（例えば、特許文献１および２）
【０００７】
【特許文献１】
特開平５─４７９９８号公報
【０００８】
【特許文献２】
特開平７─２３６７１０号公報
このような構造の半導体装置の場合には、最初の半導体の上表面にアンダーフィル樹脂が付着し固化すると、その上に第２の半導体を積載する工程で障害となる。
【０００９】
上記の問題は、半導体チップの厚さが１５０μｍ  ないしそれ以下になると顕著になる。半導体チップの周囲にはみ出すアンダーフィル樹脂の量を少なくすれば解決できるはずであるが、アンダーフィル樹脂の供給をそのように制御することは実際上困難である。アンダーフィル樹脂の供給が不足すると、望ましい形状のフィレットが形成されず、温度サイクルに対する半導体装置の信頼性を保証できなくなるおそれがある。したがって、上表面にアンダーフィル樹脂を付着させることなく、１５０μｍ  ないしそれ以下の厚さの半導体チップの側面にアンダーフィル樹脂のフィレットを形成する方法が要望されていた。
【００１０】
ところで、図１０に示すように、回路基板１における半導体チップ２が搭載される領域の周囲にソルダーレジストから成るダム（堰状の構造物）３を形成する半導体実装方法が提案されている。（例えば特許文献３）
【００１１】
【特許文献３】
特開平１０─９８０７５号公報
上記の方法は、回路基板に搭載された半導体チップの周囲にデヘスペンサから供給したアンダーフィル樹脂が、ソルダーレジストから成るダムによって堰止められ、周囲に流れるのを防止することを目的とするものである。
【００１２】
しかし、半導体チップの厚さが小さくなると、ソルダーレジストのダムによって堰止められたアンダーフィル樹脂が半導体チップの周囲に盛り上がり、むしろ半導体チップの上表面に流れやすく、前述の問題を生じやすくなる。
一方、信頼性試験等における温度サイクルにより、回路基板にバンプ接続された半導体チップの角部分の近傍に、回路基板との熱膨張率の差による応力が集中し、接合不良が生じやすい問題がある。これを解決するために、半導体チップの四隅に、アンダーフィル樹脂から成るフィレットを大きく形成する方法が開示されている。（例えば、特許文献４）
【００１３】
【特許文献４】
特許公報２８２８０２１号
開示された方法によれば、回路基板にフリップチップ実装したのちに、半導体チップの四隅にアンダーフィル樹脂をポッティングして、半導体チップと回路基板間に充填することになるため、前述のアンダーフィル先入れ法に比べて時間がかかり、生産性向上を制約することが避けられない。
【００１４】
本発明は、上記従来の方法における問題点を解決することを目的とする。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
上記の目的は、半導体チップを搭載する回路基板であって、該回路基板または半導体チップのそれぞれの互いに対向する表面の何れか一方に設けられ且つ該半導体チップと回路基板とを電気的に接続する複数の突起電極と、該回路基板の前記表面における該半導体チップが搭載されるべき領域を囲むように設けられ、該領域に近接する辺縁を有し且つ該辺縁から外方に向かって延在する複数の溝が形成されている絶縁膜のパターンとから成ることを特徴とする本発明の回路基板、または、半導体チップと、該半導体チップを搭載する回路基板と、該半導体チップおよび回路基板のそれぞれの互いに対向する表面の何れか一方に設けられ且つ該半導体チップと該回路基板とを電気的に接続する複数の突起電極と、該回路基板の該表面における該半導体チップが搭載された領域を囲むように設けられ、該領域に近接する辺縁を有し且つ該辺縁から外方に向かって延在する複数の溝が形成されている絶縁膜のパターンとから成ることを特徴とする本発明の半導体装置によって達成される。
【００１６】
【作用】
回路基板における半導体チップが搭載される領域の周囲に、絶縁膜から成るパターンで、半導体チップ搭載領域側から外方向に延在する複数の溝が形成された、櫛形のパターンを設ける。アンダーフィル樹脂先入れ法によって半導体チップを回路基板にフリップチップ実装する場合、半導体チップの周囲に流出したアンダーフィル樹脂が溝に吸収されるため、過剰なアンダーフィル樹脂が盛り上がって半導体チップの上表面に這い上がることを容易に防止できる。したがって、薄い半導体チップのフリップチップ実装においても、生産性を低下させることなく、アンダーフィル樹脂から成る好ましい形状のフィレットを半導体チップの側面に形成できる。
【００１７】
【発明の実施の形態】
以下本発明の実施例を図面を参照して説明する。以下の図面において同一個所には同一の符号を付してある。
図１（ａ）および（ｂ）はそれぞれ本発明の第１の実施例を説明するための平面図および拡大要部断面図である。
【００１８】
セラミックまたは樹脂から成る回路基板１０の１主面における半導体チップ１１１（図１（ｂ）に点線で示した構造物）が搭載される領域１１（図１（ａ）における点線内の領域）の周囲には、絶縁膜から成るパターン１３が形成されている。絶縁膜としては、ソルダーレジストまたはポリイミド等の耐熱性有機絶縁膜を用いることができ、厚さは、絶縁膜パターン１３の上表面が、半導体チップ１１１の下表面と同じ高さと等しいかより高く、かつ、半導体チップ１１１の上表面より低くなるように選ぶのが望ましく、例えば４０μｍ  ないし１００μｍ  とする。
【００１９】
絶縁膜パターン１３には、半導体チップ搭載領域１１側から外方向に延在する複数の溝１３１が形成されている。溝１３１の幅および配列ピッチの例は、それぞれ、３０±５μｍ  および６０±５μｍ  である。また、溝１３１の長さは、例えば３５０μｍ  であるが、あまり短いと効果が得られないことは言うまでもない。絶縁膜パターン１３の幅はとくに制約はなく、半導体チップ搭載領域１１と回路基板１０の端縁との間に納まる範囲で適宜決めることができる。
【００２０】
図１の構造により、回路基板１０上にアンダーフィル樹脂を供給したのち、半導体チップ１１１をバンプ１７を介して回路基板１０の表面に形成されているボンディングパッド１５に接続する工程において、半導体チップ１１１に荷重を印加することによりチップ搭載領域１１の周囲に流出したアンダーフィル樹脂は、絶縁膜パターン１３に達すると、毛細管現象により溝１３１中に流れ込む。一方、半導体チップ１１１の側面にアンダーフィル樹脂が這い上がり、フィレットを形成する。溝１３１中のアンダーフィル樹脂とフィレットを形成するアンダーフィル樹脂とには表面張力が働く。したがって、溝１３１中にアンダーフィル樹脂が満たされない限り、半導体チップ１１１の周囲にアンダーフィル樹脂が盛り上がることがない。
【００２１】
また、この際に、回路基板１０と半導体チップ１１１のいずれか一方または双方を加熱しておくことにより、アンダーフィル樹脂の粘度が低下し、流動性が増すため、より短時間で溝１３１内へのアンダーフィル樹脂の流れ込みとフィレットの形成を行うことができる。なお、バンプ１７は、半導体チップ１１１側または回路基板１０のボンディングパッド１５側のいずれに形成してもよい。
【００２２】
このように、溝１３１がアンダーフィル樹脂を引き込む作用を示すため、アンダーフィル樹脂の供給量やフィレットの形状の制御が容易になり、前述のような従来の問題点を解消することができる。その結果、製造歩留りおよび生産性の向上、半導体装置の温度サイクルに対する信頼性の向上が可能となる。このような効果は、半導体チップ１１１の厚さが薄くなった場合に顕著であり、半導体装置の薄型化、高密度化に対する寄与が大である。
【００２３】
図２は本発明の第２の実施例を説明するための平面図であり、回路基板１０に搭載される半導体チップ（図示省略）が長方形の場合である。したがって、回路基板１０もこれに合わせて長方形であり、半導体チップ搭載領域１１も長方形である。本実施例においては、半導体チップ搭載領域１１の周囲に形成される絶縁膜パターン１３における溝は、半導体チップの長辺、すなわち、半導体チップ搭載領域１１の長辺に対向する部分における溝１３２が、短辺に対向する部分における溝１３３に比べて、より長いかまたはより密にあるいはより幅が狭く形成されている。例えば、溝１３３の長さが２００μｍ  であるのに対して、溝１３２の長さは３５０μｍ  である。または、溝１３３の配列ピッチが９０μｍ  であるのに対して、溝１３２の配列ピッチは６０μｍ  である。あるいは、溝１３３の幅が２５±５μｍ  であるのに対して、溝１３２の幅は１５±５μｍ  である。これらの値は半導体チップの長辺と短辺の長さの比率およびアンダーフィル樹脂の物性に応じて適宜設定される。
【００２４】
このように、長辺側の溝１３２をより長くするかまたはより密になるように、あるいはより長くかつより密になるように、もしくはより幅が狭くなるように形成しておくことにより、長方形の半導体チップをアンダーフィル先入れ法によるフリップチップ実装する際に、長辺側でより発生しやすかったアンダーフィル樹脂の盛り上がりに起因する不具合を容易に抑制できる。
【００２５】
図３は本発明の第３の実施例を説明するための平面図であり、回路基板１０の表面に設けられる絶縁膜パターン１３には、半導体チップ搭載領域１１の隅部近傍に、半導体チップ搭載領域１１の中心から隅部に向かう方向に沿って外部に膨出する部分１３５が設けられている。そして、膨出部分１３５には、絶縁膜パターン１３のその他の部分、すなわち半導体チップ搭載領域１１に対向する直線部分、に形成されている溝１３１に比べて、より長いかまたはより密になるように、あるいはより長くかつより密になるように、もしくはより幅が狭くかつより密になるように形成された溝１３６が設けられている。
【００２６】
絶縁膜パターン１３の隅部により長いかまたは密な溝１３６を有する膨出部分１３５を設けることにより、回路基板１０上に半導体チップ（図示省略）をアンダーフィル樹脂先入れ法によってフリップチップ実装する際に、半導体チップの周囲に流出し、毛細管現象によって膨出部分１３５の溝１３６に流れ込むアンダーフィル樹脂の量が多くなる。その結果、半導体チップの角部分により大きなフィレットが形成される。その結果、温度サイクルに対する半導体装置の信頼性を向上できる。また、従来技術で述べたように、フリップチップ実装後に、半導体チップの角部分にアンダーフィル樹脂をポッティングして大きなフィレットを形成する方法に比べて生産性を向上できる。
【００２７】
図４は本発明の第４の実施例を説明するための部分平面図であり、前記各実施例における絶縁膜パターン１３に、溝１３１、１３２、１３３に交差する第２の溝を形成した例を示す。図４（ａ）は第２の溝を形成する前の絶縁膜パターン１３の部分を示し、例えば第１の溝１３１のみが形成されている。図４（ｂ）は、絶縁膜パターン１３における各溝１３１の、半導体チップ搭載領域（図示省略）側とは反対の、溝１３１の最奥部において交差する第２の溝１３７が形成されている例を示す。図４（ｃ）は、図４（ｂ）における第２の溝１３７の他に２本の第２の溝１３７が形成されている例を示す。
【００２８】
本実施例のように第２の溝１３７を設けることにより、毛細管現象によって溝１３１内におけるアンダーフィル樹脂の流動が促進され、生産性の向上、歩留りの向上に対する効果がより大きくなる。
図５は本発明の第５の実施例を説明するための平面図であり、第２および第３の半導体チップ（図示省略）との電気的接続を行うためのボンディングパッドが形成された回路基板の例を示す。すなわち、回路基板１０には、これまでの各実施例と同様に、半導体チップ搭載領域１１の内側に、第１の半導体チップ（図示省略）をバンプ接続するためのボンディングパッド１５が形成されている。
【００２９】
本実施例では、半導体チップ搭載領域１１の周囲に形成されている絶縁膜パターン１３のさらに外側に、回路基板１０の例えば長辺に沿って、第２の半導体チップ（図示省略）との電気的接続を行うためのボンディングパッド１５２が配列されており、また、回路基板１０の例えば短辺に沿って、第３の半導体チップ（図示省略）との電気的接続を行うためのボンディングパッド１５３が配列されている。第２および第３の半導体チップは、第１の半導体チップ上に順次積載され互いに固定されるが、詳細は後の実施例において説明する。
【００３０】
図６は本発明の第６の実施例を説明するための要部断面図である。回路基板１０と、その表面にボンディングパッド１５およびバンプ１７を介してフリップチップ実装された半導体チップ１１１との間の隙間には、例えばエポキシ樹脂から成り、低熱膨張率のフィラーを混合分散されたアンダーフィル樹脂１２が充填されている。半導体チップ１１１の側面には、フリップチップ実装工程における荷重の印加によって周囲に流出したアンダーフィル樹脂から成るフィレット１２１が形成されている。
【００３１】
図６においてフィレット１２１は絶縁膜パターン１３上に延在している状態が示されているが、絶縁膜パターン１３には前述の各実施例で示したような溝（図示省略）が形成されており、フィレット１２１を構成するアンダーフィル樹脂はこの溝内に流入しているので、絶縁膜パターン１３上に延在するような形状や供給量に制御することは必須ではない。なお、符号１６は、回路基板１０に搭載された半導体チップ１１１から成る半導体装置と外部回路との接続を行うための、例えば半田ボールから成る外部接続端子、符号１８は半導体装置を封止する樹脂モールドである。
【００３２】
図６に示す半導体装置においては、絶縁膜パターン１３を設けたことにより、半導体チップ１１１の厚さが小さくなった場合に生じる従来の問題点を回避可能となり、半導体装置の薄型化が容易となり、かつ、生産性も向上される。
図７（ａ）および（ｂ）はそれぞれ本発明の第７の実施例を説明するための平面図および要部断面図であり、図５を参照して説明した回路基板に複数の半導体チップを積載して成る半導体装置を示す。図７（ａ）および（ｂ）に示すように、回路基板１０にフリップチップ実装された第１の半導体チップ１１１の上に、第２の半導体チップ１１２および第３の半導体チップ１１３が、ボンディングパッド１５４を形成された表面を上にして、順次積載されている。半導体チップ１１１、１１２、１１３は互いに隣接するものどうしが接着剤１４により固定されている。
【００３３】
第１の半導体チップ１１１と回路基板１０との間の隙間に充填されたアンダーフィル樹脂１２の一部は、半導体チップ搭載領域（図示省略）の周囲に形成されている絶縁膜パターン１３に設けられている溝（図示省略）に流入すると共に、第１の半導体チップ１１１の側面にフィレット１２１を形成している。
第１の半導体チップ１１１はバンプ１７を介して回路基板１０に電気的に接続されており、また、第２の半導体チップ１１２および第３の半導体チップ１１３のボンディングパッド１５４は、回路基板１０に形成されているボンディングパッド１５２および１５３に、ボンディングワイヤ１９によって、それぞれ電気的な接続が行われいる。
【００３４】
なお、第２の半導体チップ１１２を第３の半導体チップ１１３の上に積載しても差し支えない。また、第１の半導体チップ１１１を回路基板１０にフリップチップ実装したのち、第２および第３の半導体チップ１１２および１１３を個別に順次積載してもよく、または、第１ないし第３の半導体チップ１１１ないし１１３を、接着剤１４によりあらかじめ相互に固定したのち、第１の半導体チップ１１１を回路基板１０にバンプ接続するようにしてもよい。
【００３５】
図８（ａ）および（ｂ）はそれぞれ本発明の第８の実施例を説明するための平面図および要部断面図であり、図７の実施例と同様に、図５を参照して説明した回路基板に複数の半導体チップを積載して成る半導体装置を示す。図８（ａ）および（ｂ）に示すように、バンプ１７を介して回路基板１０にフリップチップ実装された第１の半導体チップ１１１の上に、第２の半導体チップ１１２および第３の半導体チップ１１３が順次積載されている。
【００３６】
本実施例の場合には、第２の半導体チップ１１２は、バンプ１７１を介して、回路基板１０に形成されているボンディングパッド１５２に電気的に接続されている。第３の半導体チップ１１３は、ボンディングパッド１５４を形成された表面を上にして配置されており、ボンディングワイヤ１９によって、回路基板１０に形成されているボンディングパッド１５３に電気的接続が行われている。
【００３７】
第２の半導体チップ１１２と第３の半導体チップ１１３とは互いに接着剤１４により固定されている。第１の半導体チップ１１１と第２の半導体チップ１１２の間の間隙には、アンダーフィル充填２２が充填されており、その一部が周囲に流出して第２の半導体チップ１１２の側面にフィレット２２１を形成している。
第１の半導体チップ１１１と回路基板１０との間の隙間にはアンダーフィル樹脂１２が充填されており、その一部が、半導体チップ搭載領域（図示省略）の周囲に形成されている絶縁膜パターン１３に設けられている溝（図示省略）に流入すると共に、第１の半導体チップ１１１の側面にフィレット１２１を形成していることは図７の実施例と同様である。
【００３８】
なお、第２および第３の半導体チップ１１２および１１３を、接着剤１４によりあらかじめ相互に固定したのち、回路基板１０にフリップチップ実装された第１の半導体チップ１１１上に積載すると共に、第２の半導体チップ１１２を回路基板１０にバンプ接続するようにしてもよいし、または、第１の半導体チップ１１１を回路基板１０にフリップチップ実装したのち、第２および第３の半導体チップ１１２および１１３を個別に順次積載してもよい。
【００３９】
図７および図８の実施例に示した構造の半導体装置によれば、半導体チップの厚さを小さくすることによる薄型化に加え、さらに複数の半導体チップを積載することによる高密度化が可能となる。とくに、図８の実施例におけるように、第２の半導体チップ１１２も回路基板１０にバンプ接続することにより、高速のデバイスを搭載可能となり、薄型で高密度かつ高速の半導体装置を提供できる。バンプ接続とワイヤボンディングを適宜用いることにより、その他にも種々の寸法の半導体チップの組合せが可能であり、積載する半導体チップ数も３に限定されるものではない。
【００４０】
図９（ａ）および（ｂ）はそれぞれ本発明の第９の実施例を説明するための平面図および要部断面図であり、図３を参照して説明した回路基板から成る半導体装置を示す。回路基板１０には半導体チップ１１１が、バンプ１７を介してフリップチップ接続されている。前述の通り、回路基板１０の表面における半導体チップ搭載領域の周囲に設けられた絶縁膜パターン１３には、膨出部分１３５が設けられており、絶縁膜パターン１３におけるそれ以外の部分に形成されている溝に比べて、より長いかまたはより密に形成された溝（図３における符号１３６）が形成されている。
【００４１】
このため、回路基板１０と半導体チップ１１１との間の隙間に供給され、フリップチップ実装工程における荷重印加によって周囲に流出したアンダーフィル樹脂１２が、毛細管現象によってより多く膨出部分１３５の溝に流れ込み、その結果、半導体チップ１１１の角部の側面に大きく広がったフィレット１２１を形成する。したがって、温度サイクル等において半導体チップ１１１の角部に集中する熱応力が緩和され、半導体装置のバンプ接合部に対する信頼性が向上される。
【００４２】
上記本発明の実施例において示した絶縁膜パターン１３の溝１３１，１３２，１３３はいずれも、半導体チップ搭載領域１１に対向する絶縁膜パターン１３の辺縁に直角に延在する必要はなく、前記辺縁に平行でない任意の角度をなすように、例えば、放射状に延在する等、異なる角度で延在するものが混在するように形成して差し支えない。同様に、各々の膨出部分１３５に形成される溝１３６は互いに平行である必要がないことももちろんである。また、絶縁膜パターン１３の形成は特定の方法や技術あるいは材料に限定される必要はなく、感光性樹脂の回転塗布、絶縁材料ペーストのスクリーン印刷、ＣＶＤ、蒸着その他の周知の絶縁膜形成方法およびリソグラフ技術を適宜利用すればよいことは言うまでもない。
【００４３】
本発明は以下の態様を含むものとする。
（付記１）  半導体チップを搭載する回路基板であって、
該回路基板または半導体チップのそれぞれの互いに対向する表面の何れか一方に設けられ且つ該半導体チップと回路基板とを電気的に接続するための複数の突起電極のそれぞれを介して接続される複数の導体パターンと、
該回路基板の前記表面における該半導体チップが搭載されるべき領域を囲むように設けられ、該領域に近接する辺縁を有し且つ該辺縁から外方に向かって延在する複数の溝が形成されている絶縁膜のパターン
とから成ることを特徴とする回路基板。
【００４４】
（付記２）  前記半導体チップは長方形であり、前記絶縁膜のパターンに形成されている溝は該半導体チップの長辺に対向する該絶縁膜のパターンの部分において該半導体チップの短辺に対向する部分に比べてより長く形成されていることを特徴とする付記１記載の回路基板。
（付記３）  前記半導体チップは長方形であり、前記絶縁膜のパターンに形成されている溝は該絶縁膜のパターンの該半導体チップの長辺に対向する部分において該半導体チップの短辺に対向する部分に比べてより密に形成されていることを特徴とする付記１又は２記載の回路基板。
【００４５】
（付記４）  前記絶縁膜のパターンは前記回路基板における前記半導体チップが搭載されるべき領域の隅近傍において該領域の中心から隅に向かう方向に沿って外方に膨出する部分を有し且つ該絶縁膜のパターンに形成されている前記溝は該膨出部分において他の部分に比べてより長く形成されていることを特徴とする付記１乃至３の何れかに記載の回路基板。
【００４６】
（付記５）  前記絶縁膜のパターンは前記回路基板における前記半導体チップが搭載されるべき領域の隅近傍において該領域の中心から隅に向かう方向に沿って外方に膨出する部分を有し且つ該絶縁膜のパターンに形成されている前記溝は該膨出部分において他の部分に比べてより密に形成されていることを特徴とする付記１乃至４の何れかに記載の回路基板。
【００４７】
（付記６）  前記絶縁膜のパターンを構成する絶縁膜の厚さは前記回路基板に搭載されるべき前記半導体チップおよび該回路基板のそれぞれの前記互いに対向する表面間の距離と等しいかまたはより大きく且つ該回路基板表面と該半導体チップの上表面との間の距離より小さいことを特徴とする付記１乃至５の何れかに記載の回路基板。
【００４８】
（付記７）  前記絶縁膜のパターンに形成される前記複数の溝の配列ピッチは前記半導体チップまたは前記回路基板の何れかに形成されている前記複数の突起電極の配列ピッチより小さいことを特徴とする付記１乃至６の何れかに記載の回路基板。
（付記８）  前記絶縁膜のパターンには、前記回路基板における前記半導体チップが搭載されるべき領域に近接する辺縁から外方に向かって延在する複数の溝に交差する少なくとも１本の第２の溝が形成されていることを特徴とする付記１乃至７の何れかに記載の回路基板。
【００４９】
（付記９）  前記半導体チップ上に積載されるべき第２の半導体チップとの電気的接続のための複数の導体パターンが前記回路基板の前記表面に形成されていることを特徴とする付記１乃至７の何れかに記載の回路基板。
（付記１０）  付記１乃至８の何れかに記載の回路基板から成り且つ前記半導体チップおよび該回路基板のそれぞれの前記互いに対向する表面間に接着剤が充填されており且つ該半導体チップの側面が該接着剤によって覆われていることを特徴とする半導体装置。
【００５０】
（付記１１）  付記９記載の回路基板と該回路基板に搭載された半導体チップと該半導体チップ上に積載された第２の半導体チップとから成り且つ該半導体チップおよび該回路基板のそれぞれの前記互いに対向する表面間に接着剤が充填されており且つ該半導体チップの側面が該接着剤によって覆われており且つ該第２の半導体チップは該回路基板の前記表面に形成されている複数の導体パターンに電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【００５１】
（付記１２）  付記４又は５記載の回路基板から成り且つ前記半導体チップの角部における側面を覆う前記接着剤は前記膨出部分に延在していることを特徴とする半導体装置。
（付記１３）  前記半導体チップの厚さは１５０μｍ  もしくはそれ以下であることを特徴とする付記１０乃至１２の何れかに記載の半導体装置。
【００５２】
（付記１４）  前記回路基板における前記半導体チップが搭載されるべき前記領域に接着剤を供給する工程と、
該接着剤が供給された該領域に該半導体チップを載置したのち該半導体チップに荷重を印加して前記突起電極を介して該半導体装置と該回路基板とを電気的に接続すると共に該接着剤の一部を該領域から前記絶縁膜のパターンに形成されている前記溝まで流動させる工程
とを含むことを特徴とする付記１０又は１２の何れかに記載の半導体装置を製造する方法。
【００５３】
（付記１５）  半導体チップと、
該半導体チップを搭載する回路基板と、
該半導体チップおよび回路基板のそれぞれの一主面であって互いに対向する表面の何れか一方に設けられ且つ該半導体チップと該回路基板とを電気的に接続する複数の突起電極と、
該回路基板の該表面における該半導体チップが搭載された領域を囲むように設けられ、該領域に近接する辺縁を有し且つ該辺縁から外方に向かって延在する複数の溝が形成されている絶縁膜のパターン
とから成ることを特徴とする半導体装置。
【００５４】
【発明の効果】
回路基板上における半導体チップが搭載される領域を囲むようにして回路基板表面に絶縁膜のパターンを設け、この絶縁膜のパターンに、半導体チップが搭載される領域に近接する辺縁から外方に向かって延在する複数の溝を形成しておくことにより，半導体チップの厚さが１５０μｍ  ないしそれ以下の範囲においても、所定の部位以外に対するアンダーフィル樹脂の好ましくない付着を回避可能とと共に、好ましい形状のフィレットを容易に形成可能とし、工程の能率並びに信頼性を向上可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施例を説明するための平面図および拡大要部断面図
【図２】本発明の第２の実施例を説明するための平面図
【図３】本発明の第３の実施例を説明するための平面図
【図４】本発明の第４の実施例を説明するための部分平面図
【図５】本発明の第５の実施例を説明するための平面図
【図６】本発明の第６の実施例を説明するための要部断面図
【図７】本発明の第７の実施例を説明するための平面図および要部断面図
【図８】本発明の第８の実施例を説明するための平面図および要部断面図
【図９】本発明の第９の実施例を説明するための平面図および要部断面図
【図１０】従来のフリップチップ実装による半導体装置の要部断面図
【符号の説明】
１０  回路基板
１１  半導体チップ搭載領域
１２、２２  アンダーフィル樹脂
１３  絶縁膜パターン
１４  接着剤
１５、１５２、１５３、１５４  ボンディングパッド
１６  外部接続端子
１７、１７１  バンプ
１８  樹脂モールド
１９  ボンディングワイヤ
１１１、１１２、１１３  半導体チップ
１２１、２２１  フィレット
１３１、１３２、１３３、１３６  溝
１３５  膨出部分
１３７  第２の溝
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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