(57)【要約】【課題】プリント配線板の電気めっきに際して、ビアホールやレジスト等が存在する基板に対しても良好な膜質とビアホール充填性を再現性良く保証する電気銅めっき法を提供する。【解決手段】プリント配線板の電気めっきに際して用いるめっき液に、Ｎ−アルキル、Ｎ−アラルキル、又はＮ−アリル基を付加してオニウムとした、ピリジニウム、ビピリジニウム、フェナンスロリニウム、キノリニウム、フェナジニウムの塩を添加する。【選択図】  図１
2004346381.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気銅めっきによりめっきされたビアホールを有するプリント配線板において、前記ビアホールが、Ｎ−アルキル、Ｎ−アラルキル、又はＮ−アリル基を付加してオニウムとした、ピリジニウム、ビピリジニウム、フェナンスロリニウム、キノリニウム、フェナジニウムの塩から選ばれる物質の少なくとも１種を含有する電気銅めっき液を使用した電気銅めっきによってほぼ充填されていることを特徴とするプリント配線板。
【請求項２】
電気銅めっきによりめっきされたビアホールを有するプリント配線板を製造する方法において、前記電気銅めっきを施すに際して用いるめっき液が、Ｎ−アルキル基、Ｎ−アラルキル基、又はＮ−アリル基を付加してオニウムとした、ピリジニウム、ビピリジニウム、フェナンスロリニウム、キノリニウム、フェナジニウムの塩から選ばれる物質の少なくとも１種を含有することを特徴とするプリント配線板の製造方法。
【請求項３】
電気めっき方法において、前記電気めっきを施すに際して用いるめっき液が、Ｎ−アルキル、Ｎ−アラルキル、又はＮ−アリル基を付加してオニウムとした、ピリジニウム、ビピリジニウム、フェナンスロリニウム、キノリニウム、フェナジニウムの塩から選ばれる物質の少なくとも１種を含有する電気銅めっき液を使用して電気銅めっきを施すことを特徴とする電気めっき方法。
【請求項４】
前記Ｎ−アルキル基、Ｎ−アラルキル基、Ｎ−アリル基が、スルホン酸基を有していることを特徴とする請求項３に記載の電気めっき方法。
【請求項５】
前記カチオンの塩が、波長４００ｎｍないし７００ｎｍの間で５０００Ｍ−１ｃｍ−１（Ｍはｍｏｌｅ／ｌｉｔｔｅｒ）以下のモル吸光係数しか有さないことを特徴とする請求項３に記載の電気めっき方法。
【請求項６】
電気銅めっきを施すに際して用いられるめっき液において、Ｎ−アルキル、Ｎ−アラルキル、又はＮ−アリル基を付加してオニウムとした、ピリジニウム、ビピリジニウム、フェナンスロリニウム、キノリニウム、フェナジニウムの塩から選ばれる物質の少なくとも１種を含有することを特徴とする電気銅めっき液。
【請求項７】
前記Ｎ−アルキル基、Ｎ−フェニル基、Ｎ−アラルキル基が、スルホン酸基を有していることを特徴とする請求項６に記載の電気銅めっき液。
【請求項８】
前記カチオンの塩が、波長４００ｎｍないし７００ｎｍの間で５０００Ｍ−１ｃｍ−１（Ｍはｍｏｌｅ／ｌｉｔｔｅｒ）以下のモル吸光係数しか有さないことを特徴とする請求項６に記載の電気銅めっき液。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、回路基板に電気銅めっきを施して、所望の電気回路を形成したプリント配線基板、特に、ブラインドビアホールを有するプリント配線板のビアホールが電気銅めっきにより充填されたプリント配線基板及びその製造方法に関する。又、ブラインドビアホールを有するプリント配線板のビアホールを電気銅めっきする電気銅めっき方法に関する。更に、各種基板に対して電気銅めっきを行うための電気銅めっき液に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、電子機器の小型化・高性能化に対する要求はますます大きくなっており、このような動向に対応して、種々の電子デバイスを実装するプリント配線板に対しても、配線の高密度化・高集積化と高接続信頼性に対する要求が一段と強くなっている。このような要求に応えるべく、ベース基板上にフルアディティブプロセスもしくはセミアディティブプロセスを経て導体層と絶縁層を交互に積層して３次元の微細回路を形成する、いわゆるビルドアップと呼ばれる工法が広く用いられるようになっている。
【０００３】
このような微細な配線を形成する方法の一例としては、電気絶縁性樹脂層の表面にスパッタリング等によって銅の薄膜を析出させ、次いでこの上に所望のレジストパターンを形成した後、電気銅めっきを施す方法がよく用いられる。この工法においては、絶縁性層の下部に存在する導体層と、この上部に設ける導体層の間の電気的接続を確保する手段として、ビアホールと呼ばれる連絡孔を設けた後、この孔の壁面に導体めっきを施すかあるいは該孔全体を導体で満たす方法が採られるのが一般的である。
【０００４】
すなわち、該絶縁性層の連絡路あるいは導通路となるべき部位に炭酸ガスレーザービームを照射したり、あるいはドリルによる機械的手段などによって該絶縁性層を穿孔し、次いで、該穿孔部の壁面に銅などの導体めっきを施すことによって導体層と導体層の間の電気的接続をとることが可能であり、当業者において広く採られている手段である。
【０００５】
しかしながら、最も好ましくは、該ビアホールの壁面のみに導体めっきを施すのではなく、該ビアホール全体を電気めっきにより導体で充填することであり、こうすることによって電気的接続の信頼性が飛躍的に向上する。
【０００６】
電気メッキによるビアホールの充填のさらなる利点は、絶縁性層を介して３層以上の導体層を利用する際に、第１の導体層と第２の導体層の間のビアホールを、第２の導体層と第３の導体層の間のビアホールの直上に配置することが可能になることである。
【０００７】
その結果、ビアホールを設けるために割かれるスペースが全体として減少し、これによってより高密度な実装が可能になるわけである。このようなビアホールの寸法としては、配線の微細化を反映して通常数十μｍ程度の直径のものが多く用いられる。
【０００８】
ビアホールを充填する電気めっきに際しては、予め電気導体めっきを施すべき部分の表面に無電解銅めっきなどにより薄く導体の膜を形成しておく必要がある。また、これに引き続いて行われる銅の厚付け電気めっきで、ビアホール内をめっきにより導体で充填するためには、特別な工夫が必要である。
【０００９】
すなわち、導体回路を形成すべき表面には、ビアホール以外の平坦な上部表面とビアホールの凹部とが共存することになり、その結果ビアホールを完全に電気めっきにより導体で充填しようとすれば上記上部表面に過度の導体めっき膜が形成されてしまう恐れが生じる。逆に、該上部表面上に適度の厚さの導体膜を電気めっきにより形成しようとすれば、ビアホールの充填が不充分になってしまうことになる。
【００１０】
このような困難を回避して、ビアホール部を電気めっきにより導体を充填しつつ上部表面にも適度の厚さの導体膜を電気銅めっきなどにより形成する目的で、数種の添加剤を添加した電気めっき浴が広く用いられている。
【００１１】
このようなビアホールを好適に充填するために調合された電気銅めっき液にはポリマー成分、レベリング成分、ブライトナー成分の３種の物質が添加剤として用いられており、このような３種の添加剤によるビアホール充填の手法はすでに広く認識されているところである。
【００１２】
これら３種の添加剤の内、レベラー成分としては通常有機色素が用いられる。電気銅めっきによるビア充填に際して、これら３種の添加剤成分が作用する機構については未だ十分には理解されていないが、これら３種の添加剤の内、レベラー成分がビア内外の銅析出速度を制御する働きを持つとの考えが広く受け入れられており、これについては以下のような説明がなされている。
【００１３】
すなわち、レベラー成分を構成する分子は、電気銅めっきされる基板表面に吸着して電気銅めっきを阻害するが、電極（めっきされる基板表面）において電気化学的に分解されるかあるいはめっき膜中に取り込まれて消費される。
【００１４】
一方、この消費に対応して、濃度が一定と考えられるめっき液バルクからレベラー成分の分子がめっき基板表面まで拡散することになる。このレベラー成分の拡散速度がめっき速度に影響を与えることになるわけであるが、レベラー成分として用いられる物質は一般に比較的大きい分子量を有するため、ある程度以上早いめっき速度を採用すると、めっき液バルクから基板表面に到る経路（拡散層）にレベラー成分の濃度勾配が生じることになる。ところが、ビアホール凹部では、そうでない平坦な部分に比較してより長い拡散距離を必要とするため、ビアホール底部にはビアホールを含まない平坦な上部表面に比較してレベラー成分の拡散量が少なくなる。このような効果によって、ビアホール底部表面では、平坦部表面に比較して定常的により小さい濃度のレベラー成分しか存在しないこととなり、結果としてビアホール底部の銅めっき膜の成長が、平坦部表面に比較して早くなることになる。このようなメカニズムにより、ビアホールの電気銅めっきによる充填が行われるものと理解されている。
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】
上記したようなレベラー成分の特徴から、もし、レベラー成分の濃度が基板の各部位において偏りを生じると、めっき膜厚の不均一性として望ましくない結果を招きかねないことになる。
【００１６】
このようなレベラー成分の濃度の偏りは、前記したようなビアホール内外における場合とは別に、めっきレジスト壁の近傍など、成分拡散が一様でなくなる部位や、めっき液の流動が不均一になり易い部位において顕著である。
【００１７】
従って、ビアホールを電気めっきによって充填しようとする場合には、レベラー成分を全く用いないか又は低い濃度のレベラー成分によりビアホールを充填しうる方法が必要となる。本発明の目的は、上記したようなレベラー成分が示す弊害を実質的に除き、ビアホール部の充填とともに、それ以外の部位においても膜厚均一性の良好なめっき膜を与えるめっき方法を提供することである。
【００１８】
レベラーとして用いる有機色素物質は一般に高価であることから、レベラー成分を全く使用しないか、あるいは限られた小さい量しか使用しないことによって、ビアホールを充填する電気銅めっきをより低コストで実施し得るという別の利点もある。
【００１９】
なお、レベラーを用いることによる問題点をプリント配線板を例にして述べてきたが、同様の問題はより微細なビアホールを有する半導体基板についても生じている。
【００２０】
そこで、本発明は、回路基板に電気銅めっきを施して、所望の電気回路を形成したプリント配線基板のビアホールが電気銅めっきにより充填されたプリント配線基板を提供することを目的とする。又、ブラインドビアホールを有するプリント配線板のビアホールを電気銅めっきする電気銅めっき方法を提供することを目的とする。更に、各種基板に対して電気銅めっきを行うための電気銅めっき液を提供することを目的とする。
【００２１】
【課題を解決するための手段】
上記課題の解決法を鋭意検討した結果、めっきによるビアホールの充填をレベラー成分に依存しないで行う方法を見出すことが必要であるとの結論に到った。
【００２２】
レベラー成分を全く含まないか、極微量しか含まないビアホール充填性めっき液を探索するにあたり、本発明者は前記した各種添加剤の機能について鋭意検討を加えた。その結果、レベラー成分には２つの機能があることを見出した。
【００２３】
その１つは、多くの有機色素一般の属性として発揮される性質で、界面において各分子がスタッキングして会合体を形成する性質によるものである。このような会合体の形成は、銅原子の付加が最も活発に進行しているディスロケーションやステップなどの欠陥部で起こり易いため、結果的にカソード界面でのめっき反応の進行を阻害することになる。
【００２４】
レベラー成分の有するもう一つの機能は、レベラー成分の電荷が高度に非局在化した有機イオン性化合物の属性として発揮されるもので、ポリエチレングリコールなどのポリマー成分によって被覆され、ブロックされた電極界面でポリマー吸着膜を破り、銅イオンやブライトナー成分の基板表面へのアクセスを助けることである。
【００２５】
言い換えれば、有機色素に代表されるレベラー成分は、めっき反応を阻害する作用と、促進する作用の相矛盾する二つの側面を有していることが分かった。レベラー成分の性質の内、後者については会合性の色素であることを必要としないばかりか、ビアホールの充填性を主としてブライトナー成分の機能に依存しようとする場合には、比較的小さい分子量を有する有機イオン性物質でも機能を発揮しうることを意味している。
【００２６】
一旦、ブライトナーの電極面へのアクセスが行われると、めっき反応の進行によってビアホール内の表面積が小さくなるため、ブライトナー成分が表面で濃縮されることとなり、その結果、ビアホール内でのめっき反応が、外部に比較して加速されることとなる。このようなブライトナーの表面濃縮によるビアホール充填プロセスは、めっき反応によってブライトナー成分が消費される度合いが小さいという性質に基づいている。
【００２７】
上記したような考えに基づき、本発明者は従来レベラー成分として用いられてきた化合物に比較して低分子量で、少なくともめっき電位付近で会合性を示さず、且つ水溶性と界面活性を兼ね備えた物質を、従来のレベラー成分に替わるビアホール充填用添加剤の候補として検討した。
【００２８】
従来のレベラー成分の会合性は、有機色素物質であることと密接に関連している。従って、従来のレベラー成分にとって替わるべき添加剤成分は、実質的に可視域に強い光吸収を示さないことが重要な条件の一つである。
このような新しい添加剤成分は、前記したように、ブライトナー成分とともに用いることによって、  大きいビアホール充填性を発揮する。本発明によるこのような添加剤を使用することによって、ビアホールを充填しうるばかりでなく、ビアホール以外の部位においてもめっき均一性の高いめっき膜が得られることが明らかとなった。
【００２９】
さらに、めっきレジストのパターンを有する基板の場合には、壁の近傍においても平坦性が高く、極めて優れためっき膜が得られることが分かった。従来から用いられているレベラーを使用すると、めっきレジスト壁の近傍で、しばしばめっき膜の平坦性が著しく損なわれることは、広く知られた事実である。
【００３０】
本発明の方法によるこのような良好な結果は、従来のレベラー成分のごとき拡散性の極めて小さい分子にビアホール充填性を依存していないことによっている。
【００３１】
上記したように本発明による方法では拡散性の小さい成分を使用しないため、これまでレベラー成分の強い作用により隠されてきた銅イオン自身の拡散性の問題が現れやすくなる。
【００３２】
このような様子は、例えばレジスト壁近傍において見られることがある。すなわち、レジスト壁を隔てた方向からの銅イオンの拡散が、阻害されることによるものである。このような銅イオンの拡散の対称性を阻むことによる影響は、レベラーの場合に比較して極めて小さいが、その方向はレベラー成分の場合とちょうど逆になる。
【００３３】
言い換えると、銅イオンの場合、レベラー成分の拡散の場合とは異なり、拡散量が多い程めっきされる量が多くなることである。溶質の拡散性を制限する同一の幾何学的条件のもとで起こる、このような両者の逆方向性を利用すると、めっき膜の膜厚均一性をさらに高度に達成することが可能となる。
【００３４】
このようなことを実施するには、前記ポリマー成分、ブライトナー成分、有機イオン性化合物のほか、極微量のレベラー成分をめっき液に含ませるだけで良い。この際のレベラー成分の添加は、銅イオンの拡散の非対称性による小さい膜厚のバラツキを相殺するに十分なだけの量で良い。
【００３５】
以上のような要件を満足する銅めっき促進補助剤として、本発明者は特定の４級化窒素含有複素環化合物に着目し、本発明に到達した。
【００３６】
即ち、第１に本発明はプリント配線基板の発明であり、第２にプリント配線基板の製造方法の発明であり、第３に電気めっき方法の発明であり、第４に電気銅めっき液の発明であって、いずれも電気銅めっき液に銅めっき促進補助剤として、Ｎ−アルキル、Ｎ−アラルキル、又はＮ−アリル基を付加してオニウムとした、ピリジニウム、ビピリジニウム、フェナンスロリニウム、キノリニウム、フェナジニウムの塩から選ばれる物質の少なくとも１種を含有することを特徴とする。
【００３７】
本発明において、Ｎ−アルキル、Ｎ−アラルキル、又はＮ−アリル基を付加してオニウムとした、ピリジニウム、ビピリジニウム、フェナンスロリニウム、キノリニウム、フェナジニウムの塩とは、下記一般式
【化１】
2004346381.tif 000003
で示される有機ピリジニウムカチオン（式中Ｒ１はアルキル基、フェニル基、アラルキル基から選ばれる有機基を示す）、
【００３８】
【化２】
2004346381.tif 000004
で示される有機ビピリジニウムカチオン（式中Ｒ２、Ｒ３は、それぞれ独立してアルキル基、フェニル基、アラルキル基から選ばれる有機基を示す）、
【００３９】
【化３】
2004346381.tif 000005
で示される有機フェナンスロリニウムカチオン（式中Ｒ４はアルキレン基、アラルキレン基から選ばれる有機基を示す）、
【００４０】
【化４】
2004346381.tif 000006
で示される有機キノリニウムカチオン（式中Ｒ５はアルキル基、フェニル基、アラルキル基から選ばれる有機基を示す）
【００４１】
【化５】
2004346381.tif 000007
で示される有機フェナジニウムカチオン（式中Ｒ６はアルキル基、フェニル基、アラルキル基から選ばれる有機基を示す）
の塩を言う。
【００４２】
これら５種類のカチオンの塩の中でも、有機ビピリジニウムカチオンの塩が、ビアホール充填性に優れていることと市場で容易に入手できることから特に好ましい。
【００４３】
ここで、前記Ｒ１〜Ｒ５で示されるＮ−アルキル基、Ｎ−フェニル基、Ｎ−アラルキル基は、無置換であっても各種置換基で置換されていても良い。置換基としてはスルホン酸基が好ましく、銅めっき液中に通常含まれるスルホン酸アニオンとの馴染みが良くなる。
【００４４】
又、上記Ｎ−アルキル、Ｎ−アラルキル、又はＮ−アリル基を付加してオニウムとした、ピリジニウム、ビピリジニウム、フェナンスロリニウム、キノリニウム、フェナジニウムの塩は、従来レベラー成分として用いられてきた有機色素とは明確に区別されるものであって、これらカチオンの塩は、波長４００ｎｍないし７００ｎｍの間で５０００Ｍ−１ｃｍ−１（Ｍはｍｏｌｅ／ｌｉｔｔｅｒ）以下のモル吸光係数しか有さないことで特徴付けられる。
【００４５】
【発明の実施の形態】
本発明で対象とするビアホールの一般的なサイズは、プリント配線板の場合、深さ１０〜６００ｍｍ、径５〜８００ｍｍである。このようなビアホールは、二つの導通層の間に介在する絶縁性樹脂層をレーザー光の照射などで穿孔することによって形成することができる。なお、本発明の銅めっきを半導体基板に適用する場合には、上記ビアホールのサイズはより微細なものとなることは言うまでもない。
【００４６】
次いで底部と側面に無電解めっき法やスパッタリング法などで導電化処理を施すことにより、これに引き続いて電気めっき法によりビアホール部に電気めっきを施すことが可能となる。この他、ビアホールの外部についても、所望の部位を同様の手段で導電化処理して電気めっきできるようにしておくことも可能である。
【００４７】
本発明の方法による電気銅めっき法を用いてビアホールを充填する際に用いる電気銅めっき液の代表的な組成は、硫酸銅五水和物を５５ｇ／Ｌ〜２４０ｇ／Ｌ、濃硫酸を６０ｇ／Ｌ〜２６０ｇ／Ｌ、塩素イオン濃度６０〜１００ｐｐｍである。しかしながら、この範囲をもし逸脱したとしても、直ちに本発明の実施が困難になるわけではない。
【００４８】
こうして調製した電気銅めっき液のベース組成に対して、ポリマー成分としてポリエチレングリコールを２０〜３００ｍｇ／Ｌ、ブライトナー成分として、式（ＮａＯ３Ｓ−ＣＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓ−）２で示されるビス−（３−スルフォプロピル）ジスルフィド  ナトリウム塩（以下ＳＰＳと略する）を１〜３０ｍｇ／Ｌを加える。このめっき液に、さらに上記５種類のカチオンの塩、即ちＮ−アルキル、Ｎ−アラルキル、又はＮ−アリル基を付加してオニウムとした、ピリジニウム、ビピリジニウム、フェナンスロリニウム、キノリニウム、フェナジニウムの塩の群から選ばれる化合物のうち、少なくとも１種類を２μｍｏｌ／Ｌ〜２０００μｍｏｌ／Ｌ含ませてめっきに供する。
【００４９】
さらに、このめっき液組成に対して、極微量の有機色素物質等をレベラーとして含ませることは、場合によってはめっき膜の平坦化をより向上させる目的から好ましい。前記した有機カチオンの対イオンとなるべきアニオンとしては、塩素などのハロゲンイオンの他に、スルホニウムイオンなども好適に用いることができる。これらイオン性化合物の添加は、母体のめっき液成分に比較して通常極めて微量であるため、対イオンがめっき液のイオン濃度に大きく影響を及ぼすことはない。元々、めっき液のベース成分中に含まれる塩素イオンやスルホン酸イオンを対イオンとして用いるならば、本来の好適なイオン濃度を逸脱しない限り障害とならない。
【００５０】
電気めっきに際して行う陰極と陽極との間の通電は、定電位法、また定電流法のいずれも本発明の目的にかなっている。このうち、定電流法による電気銅めっきに際しては、印加する電流密度は好ましくは２．５Ａ  ｄｍ−２であるが、０．５〜６．０Ａ／ｄｍ−２の範囲でも本発明の効果を発現せしめることが可能である。
【００５１】
【実施例】
以下、本発明の実施例に従い説明する。
［実施例１］
表面に銅箔を有するベース基板に、通常ビルドアップ工法に用いられる公知のエポキシ樹脂絶縁層を１５μｍの厚さでコートし、次いでこの表面に炭酸ガスレーザを照射することによって、開口部６０μｍΦ、底部５０μｍΦ、深さ１５μｍのビアホールを形成した。この基板を過マンガン酸溶液に浸すことによってデスミヤ処理を施したのち、公知の触媒付与処理を行って厚さ０．６μｍの無電解銅めっき膜を形成した。この基板を、ビアホール部を含むように６０ｍｍ  ×  ６０ｍｍに裁断したのち、下記表１に示す組成のめっき液に垂直に浸して、電流密度２．５Ａ  ｄｍ−２で２６分間通電し、電気めっきを施した。該電気めっきに供しためっき槽の内寸法は、幅２５０ｍｍ、奥行き２００ｍｍ、高さ２００ｍｍであり、電気めっきに際してはエアリングによりめっき液の撹拌を行った。
【００５２】
電気めっきにより得たビアホール部を含む基板を切断し、研磨することによってビアホール部の断面を観察した。図１に本実施例に基づいて電気銅めっきを施した基板の断面顕微鏡写真の模式図を掲げる。同図より、ビアホールが銅めっきにより充填されていることが分かる。また、レジスト近傍においても±２μｍ程度の凹凸しかなく、平坦性が良好であった。
【００５３】
【表１】
2004346381.tif 000008
【００５４】
［比較例１］
表１に示すめっき液組成のうち、ベンジルビオローゲンクロライドを用いなかった他は、実施例１と同様の操作で電気めっきを実施した。電気めっきにより得られたビアホール部を含む基板を切断し、研磨することによってビアホール部の断面を観察した。図２に本比較例に基づいて電気銅めっきを施した基板の断面顕微鏡写真の模式図を掲げた。同図に示したように、ビアホールは銅めっきにより十分には充填されておらず、めっき膜は±５μｍ以上の凹凸を有していた。
【００５５】
［実施例２］
実施例１で用いためっき液組成に替えて、表２に示すめっき液組成を用いた点を除けば、実施例１と同様の操作で電気めっきを実施した。電気めっきにより得られたビアホール部を含む基板を切断し、研磨することによってビアホール部の断面を顕微鏡により観察した。その結果、ビアホールが銅めっきにより充填されているばかりでなく、レジスト近傍における銅めっき膜の平坦性も良好であることが分かった。
【００５６】
【表２】
2004346381.tif 000009
【００５７】
［比較例２］
表２に示すめっき液組成のうち、ヘキシルピリジニウムクロライドを用いなかった他は、実施例２と同様の操作で電気銅めっきを実施した。電気めっきを施したビアホール部を含む基板を切断し、研磨することによってビアホール部の断面を顕微鏡により観察した。その結果、ビアホールが銅めっきによって十分には充填されておらず、めっき膜の凹凸が±５μｍ以上あった。
【００５８】
［実施例３］
実施例１で用いためっき液組成に替えて、表３に示すめっき液組成を用いた点を除けば、実施例１と同様の操作で電気めっきを実施した。電気めっきにより得られたビアホール部を含む基板を切断し、研磨することによってビアホール部の断面を顕微鏡により観察した。その結果、ビアホールが銅めっきにより充填されているばかりでなく、レジスト近傍において銅めっき膜厚が大きくなる現象もなく、平坦性の高いことが分かった。
【００５９】
【表３】
2004346381.tif 000010
【００６０】
［比較例３］
表３に示すめっき液組成のうち、ヘキシルキノリニウムクロライドを用いなかった他は、実施例２と同様の操作で電気銅めっきを実施した。電気めっきを施したビアホール部を含む基板を切断し、研磨することによってビアホール部の断面を顕微鏡により観察した。その結果、銅めっきによって十分には充填されておらず、めっき膜の凹凸が±５μｍ以上あった。
【００６１】
［実施例４］
実施例１で用いためっき液組成に替えて、表４に示すめっき液組成を用いた点を除けば、実施例１と同様の操作で電気めっきを実施した。電気めっきにより得られたビアホール部を含む基板を切断し、研磨することによってビアホール部の断面を顕微鏡により観察した。その結果、ビアホールが銅めっきにより充填されているばかりでなく、レジスト近傍において銅めっき膜厚が大きくなる現象もなく、平坦性の高いことが分かった。
【００６２】
【表４】
2004346381.tif 000011
【００６３】
［比較例４］
表４に示すめっき液組成のうち、エチルフェナジニウムクロライドを用いなかった他は、実施例４と同様の操作で電気銅めっきを実施した。電気めっきを施したビアホール部を含む基板を切断し、研磨することによってビアホール部、及びビアホール周辺のレジスト壁と接する部分の断面を顕微鏡により観察した。その結果、ビアホールが銅めっきによって十分には充填されておらず、めっき膜の凹凸が±５μｍ以上あった。
【００６４】
［比較例５］
表５に示すように、本発明による方法を用いず、替わりにレベラーであるヤヌス  グリーンＢを含むめっき液組成を用いた他は、実施例１と同様の操作で電気銅めっきを実施した。電気めっきを施したビアホール部を含む基板を切断し、研磨することによってビアホール部、及びビアホール周辺のレジスト壁と接する部分の断面を顕微鏡により観察した。図３に本実施形態に基づいて電気銅めっきを施した基板の断面顕微鏡写真の模式図を掲げる。同図より、ビアホールが銅めっきによってある程度は充填されているものの、めっきレジスト壁に接する部分でめっき膜の厚みが５μｍ以上大きくなり、本発明の目的とするめっき膜の平坦性を確保できていないことが判明した。
【００６５】
【表５】
2004346381.tif 000012
【００６６】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の方法を採用することにより、ビアホールを有する基板に電気銅めっきを施す際、良好なビア充填性やめっき膜の高い平坦性を実現することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施例１における、電気銅めっきを施したプリント配線基板のビアホール部を含む部位の断面顕微鏡写真に基づいて作成した図である。
【図２】比較例１における、電気銅めっきを施したプリント配線基板のビアホール部を含む部位の断面顕微鏡写真に基づいて作成した図である。
【図３】比較例５における、電気銅めっきを施したプリント配線基板のビアホール部を含む部位の断面顕微鏡写真に基づいて作成した図である。
【符号の説明】
１：基体、２：銅箔層、３：レジスト、４：エポキシ樹脂層、５：銅めっき膜。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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