(57)【要約】【課題】透明導電性膜の光学特性および電気抵抗値を安定させることができる位相調整液晶デバイスを提供する。【解決手段】位相調整液晶デバイスは、記録媒体に記録されるデータの記録あるいは再生を、レーザ光を記録媒体に集光することにより行う光記録再生装置に用いるものであって、液晶材料の屈折率を部分的に調整することが可能となっている液晶デバイスにレーザ光を透過させることにより、集光するレーザ光の位相分布を調整するようにした位相調整液晶デバイスにおいて、液晶材料に電圧を加えるための導電性材料は、酸化錫材料を主成分とする材料２，６よりなるものである。【選択図】　図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
記録媒体に記録されるデータの記録あるいは再生を、レーザ光を記録媒体に集光することにより行う光記録再生装置に用いるものであって、液晶材料の屈折率を部分的に調整することが可能となっている液晶デバイスにレーザ光を透過させることにより、集光するレーザ光の位相分布を調整するようにした位相調整液晶デバイスにおいて、
液晶材料に電圧を加えるための導電性材料は、酸化錫材料を主成分とする材料よりなることを特徴とする位相調整液晶デバイス。
【請求項２】
上記請求項１において、液晶材料に電圧を加えるための導電性材料は、酸化錫材料を主成分とし、酸化アンチモンが添加された材料であることを特徴とする位相調整液晶デバイス。
【請求項３】
上記請求項１、２において、レーザ光の波長は４５０ｎｍ以下であることを特徴とする位相調整液晶デバイス。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は光学的にデータの記録および／または再生を行うことのできる光記録再生装置に収差補正デバイスとして使用される位相調整液晶デバイスに関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来の液晶デバイスは、液晶ディスプレイと同様に透明導電性膜にＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｔｉｎ　Ｏｘｉｄｅ）　が使用されていた。液晶ディスプレイにおいては、照明波長を決定するカラーフィルターの波長範囲の最短が約４６０ｎｍ程度であることもあり、ＩＴＯ材料の４００ｎｍ付近の波長特性はあまり問題とされていなかった。
【０００３】
【特許文献１】
特開平３−１６６５１８号公報
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら光学的にデータの記録および／または再生を行うことのできる光記録再生装置の光源は、記録密度を高めるための短波長化がすすみ、４００ｎｍ付近の波長を発光するＧａＮ系材料も採用されつつある状態となった。
【０００５】
そのため、カラーフィルターの波長範囲においては、ＩＴＯを導電性膜として用いても問題は発生しなかったが、ＩＴＯ材料は４００ｎｍ付近の波長に対しては吸収率がばらつくことが多いために、結果的に液晶デバイスの透過率が１０％以上もばらついてしまうという不都合があった。
【０００６】
また、液晶デバイスにおいて、液晶材料に印加する電圧を部分的に変化させることのできる液晶デバイスにおいては、透明導電性材料は、消費電力を低減させるという理由から、抵抗値が高いことが望ましい。しかしながら、ＩＴＯ材料は液晶ディスプレイにおいて、長配線部分の電気抵抗値を低めることを目的としても開発がなされてきた材料であるので、ＩＴＯ材料を用いて高抵抗の透明導電性膜を形成することは難しいという不都合があった。
【０００７】
また液晶デバイスに印加する電圧としてＤＣ電圧ではなく高周波の電圧波形を印加する場合においては、電圧を供給する側と電圧を受けるデバイス側（本発明における液晶デバイス）とのインピーダンスのマッチングが必要となるが、透明導電性薄膜の抵抗値が低い抵抗値におけるばらつきはインピーダンスのマッチングを難しくしてしまい、電圧供給回路の設計を複雑としてしまうという不都合があった。
【０００８】
そこで、ＩＴＯ材料を用いて高抵抗の膜とするためには、膜厚を薄くする方法があるが、膜厚を薄くしてしまうとアイランド状の膜となり、抵抗値を安定させることが難しくなる。さらには、ＩＴＯ材料は４００ｎｍの波長に対して吸収率を安定させることが容易でないので、液晶デバイスとしての光学特性のばらつきを大きくしてしまい。光学的に吸収率が高いことはレーザパワーを無駄にしてしまうことに加え、液晶デバイスの温度を上昇させてしまうこととなるので、液晶デバイスの動作特性に問題を生じる可能性が高くなるという不都合がある。
【０００９】
また、ＩＴＯ材料がそもそも低抵抗であることは、液晶デバイスの駆動電圧に高周波の電圧波形を用いる場合においてインピーダンスマッチングを複雑にしてしまうという不都合がある。
【００１０】
そこで、本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、透明導電性膜の光学特性および電気抵抗値を安定させることができる位相調整液晶デバイスを提供することを課題とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明の位相調整液晶デバイスは、記録媒体に記録されるデータの記録あるいは再生を、レーザ光を記録媒体に集光することにより行う光記録再生装置に用いるものであって、液晶材料の屈折率を部分的に調整することが可能となっている液晶デバイスにレーザ光を透過させることにより、集光するレーザ光の位相分布を調整するようにした位相調整液晶デバイスにおいて、液晶材料に電圧を加えるための導電性材料は、酸化錫材料を主成分とする材料よりなるものである。
【００１２】
従って本発明によれば、以下の作用をする。
本発明の位相調整液晶デバイスは、記録媒体に対してデータの記録・再生を行う４００ｎｍの波長のレーザ光に対する透過性が高いために、吸収率を低くすることができるとともに、吸収率のばらつきを抑えることができる。
【００１３】
また本発明の位相調整液晶デバイスは、透明導電性膜の抵抗値が高いことから、液晶デバイスに印加する電圧としてＤＣ電圧ではなく高周波の電圧波形を印加する場合においても、電圧を供給する側と電圧を受けるデバイス側（本発明における液晶デバイス）とのインピーダンスのマッチングをハイインピーダンスの状態にできるので、電圧供給回路の設計を容易にすることができる。
【００１４】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の形態について以下に適宜図面を参照しながら説明する。
【００１５】
本発明の位相調整液晶デバイスは、従来の液晶ディスプレイの製法において、ＩＴＯ製の透明導電性材料を酸化錫を主成分とし、酸化インジウム（ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｚｉｎｃ　Ｏｘｉｄｅ））を含まない透明導電性材料とすることにより、薄膜の光学特性を安定させるとともに、薄膜の電気抵抗値を安定させる構成であるので、以下の実施の形態の説明においては、酸化錫を主成分とする透明導電性薄膜の製法について説明を行う。
【００１６】
まず、真空蒸着法による透明導電性薄膜の製法を用いた場合について説明する。
図１Ａに示すように、透明電極の形成工程（後述するＳ２、Ｓ４）において、真空蒸着法を用いて、酸化錫を主成分とする透明導電性薄膜を作製する場合においては、１００％の酸化錫材料よりなるペレット（塊）２をそのソースとして用い、真空中において電子線（Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ　Ｂｅａｍ）３を照射することにより酸化錫材料が蒸気となるまで加熱してサンプルであるガラス基板１に付着させることができる。
【００１７】
ここで、薄膜の内部の酸素が抜けることを防止するための工夫としては、真空チャンバー５中に酸素４を導入することが望ましい。
【００１８】
つぎに、スパッタリング法による透明導電性薄膜の製法を用いた場合について説明する。
図１Ｂに示すように、透明電極の形成工程（後述するＳ２、Ｓ４）において、スパッタリングを用いた場合には、一定の濃度のアルゴンガス−　酸素混合ガス８を導入してこの混合ガス８による正イオンを用いてスパッタリングを行うことができるので、真空蒸着法に比較して薄膜の内部の酸素のぬけの状況を比較的精度高く制御することができる。
【００１９】
しかし、酸化錫１００％の場合においては、高密度の材料を作製することができないので、ターゲット材料を形成することは容易でない。
【００２０】
そのため、酸化錫に対して酸化アンチモン（Ｓｂ２Ｏ３）を数％程度混ぜた酸化錫主成分酸化アンチモン数％混合材料ペレット６によりスパッタリング工程に耐えうるターゲットを作製して、酸化錫を主成分とする薄膜をガラス基板１に蒸着させることでスパッタリング工程により透明導電性薄膜を作製する。
【００２１】
このとき、本願発明の発明者は、酸化錫（ＳｎＯ２）に対して３％の酸化アンチモン（　Ｓｂ２Ｏ３）　が混合されたターゲット材料を用い、酸素分圧が１０％のアルゴン酸素混合ガス中において成膜を行うことにより酸化錫を主成分とする薄膜を作製することができた。
【００２２】
上記液晶デバイスの製造方法を図２から図８を参照しながら説明する。
図２において、まず、ステップＳ１で、ガラス基板１への無反射コーティング１１を行う。
【００２３】
ステップＳ２で、ＩＴＯ１２による透明電極の形成工程（　第１面）　を実施する。
ここで透明電極材料としてＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｔｉｎ　Ｏｘｉｄｅ）材料１２を用いる。この際、真空蒸着法を用いる場合には、上述したように酸素導入を行う。また、例えば、スパッタリング法をその形成方法とした場合には、スパッタリング工程中に、ＩＴＯ薄膜に水分が含まれるようにしてアモルファス状態となるように成膜した後、専用のエッチング溶液を用いたウエットエッチング（ｗｅｔ　ｅｔｃｈｉｎｇ）によりパターニングを行う。
【００２４】
ステップＳ３で、ＩＴＯ１２に対して正負のＩＴＯ電極１３のパターニング工程（　第１面）　を実施する。
【００２５】
ステップＳ４で、ＩＴＯ１４による透明電極の形成工程（　第２面）　を実施する。
【００２６】
ステップＳ５で、ＩＴＯ１４に対して正負のＩＴＯ電極１５のパターニング工程（　第２面）　を実施する。
この工程時には、第１面の透明電極材料の保護を行う必要がある。
【００２７】
ステップＳ６で、ＩＴＯ電極材料の焼成工程（　第１面，　第２面）　を実施する。
基板の両面の電気特性を揃えるためには、第１面および第２面の透明電極の焼成工程を同時に行うことが望ましい。例えば、ＩＴＯ材料をアモルファス状態として成膜した場合には、ＩＴＯ膜を光学的に低吸収率とさせるためおよび電気導電率を安定化させるために熱処理を行う必要がある。そしてその熱処理の条件は空気雰囲気において、３５０度Ｃ、３０分程度が一般的である。
【００２８】
ステップＳ＊で、エッチング工程によるガラス基板１の第１面に対する溝１６の形成を実施する。
ここで、溝１６は、ＩＴＯ電極１３の端面に沿って形成する。
ここで、エッチングは、例えば、イオンミリング・ＦＩＢ（Ｆ（フッ素）ＩｏｎＢｅａｍ）・ＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ　Ｉｏｎ　Ｅｔｃｈｉｎｇ）工程などによる。
【００２９】
図３において、ステップＳ７で、配向膜１７の形成（　第１面）　を実施する。
液晶材料を所定の方向に配向させるためには、電気的あるいは機械的さらには磁気的な異方性を有する構造が必要である。一般的には電気的に異方性を与えることが容易であるので分極性の高い膜（配向膜１７）を形成する。液晶ディスプレイの製造方法においては配向膜１７の形成方法は基板が大きいために例えばフレキソ印刷が一般的であるが、基板の大きさが小さい場合においてはスピンコート法も可能である。
【００３０】
例えば、配向膜１７として液晶ディスプレイにおいては一般的であるポリイミド系の材料を用いた場合においては、印刷あるいはスピンコート法により形成した後焼成が必要である。そしてその焼成工程は脱水反応が基本であるために、２００度Ｃ以上の処理温度となることが一般的である。また、９０度の乾燥処理の後に２２０度Ｃの焼成処理が必要となる場合もある。
【００３１】
ステップＳ８で、配向膜１８の形成（　第２面）　を実施する。
ここでは配向膜１７、１８の焼成工程に含まれる熱処理工程のうち、高温の熱処理工程は共通にできる可能性もある。
【００３２】
ステップＳ９で、配向処理（ラビング処理）（　第１面）　を実施する。
例えば、配向膜材料としてポリイミド系配向膜などの有機系材料を採用した場合には一般的に皮膜形成直後は高分子材料の配向方向はランダムであるので、電気的な異方性を有していない。そのため電気的な異方性を生じさせるための処理として、配向方向を揃えるための配向処理が必要となる。そしてその配向処理方法として一般的な方法は、ラビング布を用いたラビング処理と、光を用いた光配向方法の２方法が存在するが、現状液晶ディスプレイの製造方法についてはラビング布を用いたラビング法が一般的に用いられている。
【００３３】
ステップＳ１０で、配向処理（ラビング処理）（　第２面）　を実施する。
【００３４】
ステップＳ１１で、スペーサー混合導電性接着剤１９の形成工程（　第１面）　を実施する。
液晶材料に電圧を印加するためには、液晶材料が封入されている部分の両側のガラス基板に電圧が供給される必要がある。そして多くの種類の液晶素子においては、一方の基板に外部からの電気信号を加えられるようになっていることが構造を単純化することができるので、液晶材料を封入するための壁を構成する材質に導電性を持たせることにより液晶材料をはさむ両側の基板を部分的に電気接続する方法を用いている。そしてその電気的な接続を行う具体的な方法は、ガラス基板間の間隔を規定するスペーサーの径よりも若干大きな径を有する導電性粒子を採用することにより、スペーサーにより規定される間隔になった際に、導電性の粒子はガラス基板によりつぶされるようになり、電気的な接続が得られることとなる。なお、スペーサーは、ガラスなどの硬い材質により形成され、導電性粒子はプラスチック材料に金メッキなどがなされたものなど、柔らかい材質により構成される。
【００３５】
ステップＳ１２で、スペーサー混合導電性接着剤の仮焼成工程（第１面）　を実施する。
ガラス基板を貼り合わせる際には、面接着であることから接着剤内部より空気が出てきてはならないので、本硬化前に接着剤内部の泡が脱泡されていることに加えて、溶剤も除去されていることが望ましい。接着剤の形成方法としてスクリーン印刷法を用いた場合においては、スクリーンのメッシュを通過する際に塗布媒体内部の泡は除去されることが多いので、この場合には、接着剤の内部の溶剤を接着剤の硬化剤が反応しない温度の加熱処理により溶剤の除去を行う。
【００３６】
ここで、ガラス基板１の第１面側の液晶材料に対向するガラス基板の工程説明を行う。
図４において、ステップＳ１−１で、ガラス基板（２−１）２−１に無反射コーティング２１を行う。これは、上記ステップＳ１の工程と同内容である。
【００３７】
ステップＳ１−２で、ＩＴＯ２２による透明電極を形成する。
カバーガラス側のガラス基板（２−１）２−１に高精度の電極パターンを形成する場合においては、上記ステップＳ２，　ステップＳ３と同じ工程を行う必要があるが、高いパターン精度が要求されない場合（０．１ｍｍ程度）においては、例えば、シャドースパッタリングなどの方法によりパターニングを行うことができる。
【００３８】
ステップＳ１−３で、ＩＴＯ電極材料の焼成を実施する。
このステップは、上記ステップＳ６の工程と同内容である。
【００３９】
ステップＳ１−４で、配向膜２３の形成を実施する。
このステップは、上記ステップＳ７、ステップＳ８の工程と同内容である。
【００４０】
ステップＳ１−５で、配向処理（ラビング処理）を実施する。
このステップは、上記ステップＳ９、ステップＳ１０の工程と同内容である。
【００４１】
ステップＳ１−６で、基板分割工程（スクライビング処理可能）を実施する。
貼り合わせ工程に適した基板サイズとするために、基板をバー（ｂａｒ）状に加工する。ここで、基板の分割方法は精度が得られるならばスクライビング処理を用いた分割方法の適用が可能であるし、ダイシング法の適用も可能である。
【００４２】
図５において、ステップＳ１３で、ガラス基板の貼り合わせ工程（　第１面）　を実施する。
配向膜の形成工程ステップＳ７、ステップＳ９において加わる温度が高い場合には、ステップＳ１３の工程時において、両面の配向膜が形成されている必要があるため、このステップＳ１３において第２面の配向膜はプレスジグ２４に押し当てられることとなる。
【００４３】
前工程により形成された接着剤によりガラス基板の貼り合わせを行う。ガラス基板の貼り合わせ条件は、接着剤メーカーの指示条件を中心にすることが望ましい。
【００４４】
ステップＳ１４で、スペーサー混合導電性接着剤２５の形成工程（　第２面）　を実施する。
【００４５】
ステップＳ１５で、スペーサー混合導電性接着剤の仮焼成工程（　第２面）　を実施する。
【００４６】
ここで、ガラス基板１の第２面側の液晶材料に対向するガラス基板の工程説明を行う。
図６において、ステップＳ２−１で、ガラス基板（２−２）２−２に無反射コーティング３１を行う。これは、上記ステップＳ１の工程と同内容である。
【００４７】
ステップＳ２−２で、ＩＴＯ３２による透明電極を形成する。
カバーガラス側のガラス基板（２−２）２−２に高精度の電極パターンを形成する場合においては、上記ステップＳ２，　ステップＳ３と同じ工程を行う必要があるが、高いパターン精度が要求されない場合（０．１ｍｍ程度）においては、例えば、シャドースパッタリングなどの方法によりパターニングを行うことができる。
【００４８】
ステップＳ２−３で、ＩＴＯ電極材料の焼成を実施する。
このステップは、上記ステップＳ６の工程と同内容である。
【００４９】
ステップＳ２−４で、配向膜３３の形成を実施する。
このステップは、上記ステップＳ７、ステップＳ８の工程と同内容である。
【００５０】
ステップＳ２―５で、配向処理（ラビング処理）を実施する。
このステップは、上記ステップＳ９、ステップＳ１０の工程と同内容である。
【００５１】
ステップＳ２−６で、基板分割工程（スクライビング処理可能）を実施する。
貼り合わせ工程に適した基板サイズとするために、基板をバー（ｂａｒ）状に加工する。ここで、基板の分割方法は精度が得られるならばスクライビング処理を用いた分割方法の適用が可能であるし、ダイシング法の適用も可能である。
【００５２】
図７において、ステップＳ１６で、ガラス基板の貼り合わせ工程（　第２面）　を実施する。
【００５３】
ステップＳ１７で、Ｂａｒ状サイズへの分割を実施する。
この工程においては、ダイヤモンドを配置するスペースがないことからスクライビング処理を用いることは容易でないので、ダイシング工程を用いなければならなかったが、本実施の形態においてはエッチング法により形成した溝を起点とした破壊による分割が可能である。
【００５４】
ガラス基板に液晶材料を充填するために、液晶の注入口が端にくるように基板の分割を行う。この工程においては、スクライビング処理を用いた分割方法およびダイシング法の双方の適用が可能であるが、ダイシング工程を用いて分割を行う場合には切削液としての純水あるいはダイシングの刃物の粉などが液晶材料が注入されるべき空間内に混入してしまう危険性が高くなるので分割後に洗浄工程を必要とする。
【００５５】
ステップＳ１８で、真空引き工程を実施する。
液晶材料３５を充填するために、液晶材料３５が浸してある容器とともに真空引き３６を行う。なお、真空度を高めるために乾燥のためのベーク（ｂａｋｅ）工程を事前に行うことが望ましい。到達真空度としては、ロータリーポンプなどの粗挽き用真空ポンプ程度でよい。
【００５６】
ステップＳ１９で、液晶材料の充填を実施する。
真空が維持された状態において、サンプルの液晶注入口が液晶材料に触れるように位置し、その後真空容器内に３７で示すように窒素Ｎ２を導入する。そして大気圧に戻すことにより液晶材料を充填する。ここで窒素Ｎ２を導入する理由は液晶材料の保存性を高めるためである。
【００５７】
ステップＳ２０で、液晶素子の注入口部分に相当する液晶材料３８の押し出しを実施する。
液晶素子において液晶材料３８が充填されている部分に外部より荷重を与え、液晶素子の液晶材料３８の注入口部分に充填されている体積に相当する液晶材料３８が注入口より押し出されるようにする。
【００５８】
ステップＳ２１で、液晶材料３８とＵＶ（Ｕｌｔｒａ　Ｖｉｏｌｅｔ　ｒａｙｓ）硬化接着剤３９との置換を実施する。
ステップＳ２０の工程により押し出された液晶材料３８をふき取り、その部分に液晶材料３８を封止するＵＶ硬化接着剤３９を塗布する。そして加えられていた荷重を開放することにより液晶素子の液晶材料注入口の部分にＵＶ硬化接着剤３９が充填されるようにする。
【００５９】
ステップＳ２２で、ＵＶ照射工程を実施する。
ステップＳ２１の工程にて充填したＵＶ硬化接着剤３９を硬化させるためにＵＶ光４０を照射する。ここで液晶材料３８はＵＶ光４０に対してあまり耐光性が強くないので、液晶材料３８にＵＶ光４０が照射されないようにＵＶ光４０は注入口側より照射する。そのため、ＵＶ硬化型の接着剤３９の選定は、液晶材料３８との反応性が低いものを選定することに加えて、ＵＶ光４０の透過性の高いものを用いる必要がある。
【００６０】
ステップＳ２３で、各セルへの分割工程を実施する。
図示しないが、バー（ｂａｒ）状につながっている液晶デバイスを使用形態に適した小さいサイズへの分割工程を行う。ここで用いる分割の方法は、ガラス基板１に対して２枚のガラス基板（２−１）、ガラス基板（２−２）が積層された状態であるので、スクライビング処理を用いた方法においては、寸法誤差を発生しやすいので、ダイシング工程が望ましい。そして液晶の注入口はもう塞がれているので、注入口に切削液などが入る心配はない。
【００６１】
次に、上述した液晶デバイス製造方法により製造された液晶デバイスを用いた球面収差補正用液晶デバイスの動作原理および使用方法を説明する。図９は、液晶デバイスを用いた収差補正の動作原理説明図である。
【００６２】
液晶材料に電圧を与えることによる屈折率変化現象を用いた位相変調デバイス（球面収差補正デバイスを含む）の動作原理を図９に示す。この場合液晶デバイス５１において光学的に１軸性の液晶材料を直線配向させて配置することにより、光の偏光面を変化させることなく、また、光の進行方向も変化させることなく、光の位相を変調することができる。
【００６３】
つまり、液晶デバイス５１において屈折率変化「小」領域５８と屈折率変化「大」領域５９とを生成することにより、入射光の位相および進行方向５６は一様であるが、透過光の位相および進行方向は５７に示すように同じ進行方向で位相に変化をもたせることができる。したがって、この位相変調デバイスは液晶デバイス５１の配向膜により定義された方向の偏光成分を有する光に対して有効な位相変調デバイスとなる。
【００６４】
光ディスク装置に球面収差補正デバイスとして適用するためには、光ディスクの記録再生する層の違いによるカバー厚の違いにより発生する球面収差をキャンセルするような位相変化を生じるように液晶デバイス５１の液晶材料に電圧ＶＳ（５２）、ＶＬ（５３）が印加されることが必要となる。液晶デバイス５１の液晶材料に電圧ＶＳ（５２）、ＶＬ（５３）による所定の電圧分布を印加するための低抵抗導電性膜５５−１，５５−２、高抵抗導電性膜５４のパターン電極は入射光に対して固定することが望ましい。したがって、球面収差補正デバイスはアパーチャーおよび対物レンズに対して、ｘｙ方向の位置が固定されていること、すなわち２軸アクチュエーターを用いてトラッキングサーボを行うシステムにおいては、液晶デバイスは２軸アクチュエーターに搭載されていることが望ましいこととなる。
【００６５】
また、上述したように、位相変調デバイスは液晶デバイス５１の配向膜により定義された方向の偏光成分を有する光に対して有効な位相変調デバイスであるので、円偏光光学系にて記録再生を行う光ディスクシステムにおいては、液晶デバイスとともに１／４波長板も２軸アクチュエーターに搭載されていることが望ましいこととなる。
【００６６】
例えば、波長４０５ｎｍのレーザ光を光源とし、ＮＡ（Ｕｕｍｅｒｉｃａｌ　Ａｐｅｒｔｕｒｅ）０．８５の対物レンズにて厚さ約０．１ｍｍのカバーを有する光ディスクシステム（ｂｌｕｅ　ｒａｙ）においては、短波長・高ＮＡであるため、薄膜のカバー層構成を有していても、記録層の多層化を行うためには、球面収差に対する許容度が広くない。そこで、液晶材料に電圧を与えることによる屈折率変化を利用した球面収差補正デバイスを導入することにより、光ディスクに入射する光の球面収差に対する許容度を緩和し、多層のＲＯＭ（Ｒｅａｄ　Ｏｎｌｙ　Ｍｅｍｏｒｙ）ディスクの再生ができる。
【００６７】
また、本願発明者は、上述した本実施の形態で示したように、液晶面を２面有する液晶デバイスを試作し、相変化記録膜を有する光ディスクに入射する光および光ディスクからの反射光の双方の球面収差を補正する方式により、記録型のメディアにおいても液晶デバイスによる球面収差技術の適用が可能であることを示した。
【００６８】
なお、上述した本実施の形態に限らず、本願発明の特許請求の範囲を逸脱しない範囲で適宜他の構成をとりうることはいうまでもない。
【００６９】
【発明の効果】
また本発明の位相調整液晶デバイスは、記録媒体に記録されるデータの記録あるいは再生を、レーザ光を記録媒体に集光することにより行う光記録再生装置に用いるものであって、液晶材料の屈折率を部分的に調整することが可能となっている液晶デバイスにレーザ光を透過させることにより、集光するレーザ光の位相分布を調整するようにした位相調整液晶デバイスにおいて、液晶材料に電圧を加えるための導電性材料は、酸化錫材料を主成分とする材料よりなるので、透明導電性膜の光学吸収率を低くすることができると共に、透明導電性膜の抵抗値を高くすることができ、これにより、液晶デバイスに印加する電圧としてＤＣ電圧ではなく高周波の電圧波形を印加する場合においても、電圧を供給する側と電圧を受けるデバイス側（本発明における液晶デバイス）とのインピーダンスのマッチングをハイインピーダンスの状態にできるので、電圧供給回路の設計を容易にすることができるという効果を奏する。
【００７０】
また、この発明の位相調整液晶デバイスは、上述において、液晶材料に電圧を加えるための導電性材料は、酸化錫材料を主成分とし、酸化アンチモンが添加された材料であるので、高い抵抗値で透明性のある導電性薄膜を形成することができるという効果を奏する。
【００７１】
また、この発明の位相調整液晶デバイスは、上述において、レーザ光の波長は４５０ｎｍ以下であるので、データの記録・再生を行う４００ｎｍの波長のレーザ光に対する透過性が高いために、レーザ光の吸収率を低くすることができるとともに、吸収率のばらつきを抑えることができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本実施の形態に適用される液晶デバイスの透明導電性材料の形成法を示す図であり、図１Ａは真空蒸着法、図１Ｂはスパッタリング法である。
【図２】本実施の形態に適用される液晶デバイスの製造方法を示す図である。
【図３】本実施の形態に適用される液晶デバイスの製造方法を示す図である。
【図４】本実施の形態に適用される液晶デバイスの製造方法を示す図である。
【図５】本実施の形態に適用される液晶デバイスの製造方法を示す図である。
【図６】本実施の形態に適用される液晶デバイスの製造方法を示す図である。
【図７】本実施の形態に適用される液晶デバイスの製造方法を示す図である。
【図８】本実施の形態に適用される液晶デバイスの製造方法を示す図である。
【図９】本実施の形態に適用される液晶デバイスを用いた収差補正の原理説明を示す図である。
【符号の説明】
１……ガラス基板１、２……１００％酸化錫材料ペレット、３……電子線、４……酸素、５……真空チャンバー、６……酸化錫主成分、酸化アンチモン数％混合材料ペレット、７……正イオン、８……アルゴンガスー酸素混合ガス、１１……無反射コーティング、１２……ＩＴＯ、１３……ＩＴＯ電極、１４……ＩＴＯ、１５……ＩＴＯ、１６……溝、１７、１８……配向膜、１９……粒子混合接着剤、２１……無反射コーティング、２２……ＩＴＯ、２３……配向膜、２４……プレスジグ、２５……粒子混合接着剤、３１……無反射コーティング、３２……ＩＴＯ、３３……配向膜、３４……プレスジグ、３５……液晶材料、３６……真空引き、３７……窒素、３８……液晶材料、３９……ＵＶ硬化接着剤、４０……ＵＶ、５１……液晶デバイス、５２，５３……電圧（ＶＳ、ＶＬ）、５４……高抵抗導電性膜、５５−１，５５−２……低抵抗導電性膜、５６……入射光の位相および進行方向、５７……透過光の位相および進行方向、５８……屈折率「小」領域、５９……屈折率「大」領域
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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