(57)【要約】【課題】局部電池効果に起因する櫛形電極の電極腐食を抑制を通じて小型化低背化とコストダウンを図る。【解決手段】本発明の弾性表面波装置は弾性表面波素子１１とパッケージ９，１０とを有する。弾性表面波素子１１は、圧電単結晶基板１と圧電単結晶基板１の一主面１ａに設けられた櫛形電極２と、圧電単結晶基板１の他主面に設けられた裏面電極３とを備える。そして、櫛形電極２が設けられる一主面１ａを、圧電単結晶基板１の自発分極のマイナス面にする。パッケージ９，１０は、弾性表面波素子１を覆うとともにパッケージ内外で水分が往来可能な封止構造を有するものとする。【選択図】図１
2004186938.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電単結晶基板と、前記圧電単結晶基板の一主面に設けられた櫛形電極と、前記圧電単結晶基板の他主面に設けられた裏面電極とを備え、
前記櫛形電極が設けられる前記一主面を、前記圧電単結晶基板の自発分極のマイナス面にする、
ことを特徴とする弾性表面波素子。
【請求項２】
弾性表面波素子と、前記弾性表面波素子を収納するパッケージとを有し、
前記弾性表面波素子は、圧電単結晶基板と、前記圧電単結晶基板の一主面に設けられた櫛形電極と、前記圧電単結晶基板の他主面に設けられた裏面電極とを備え、
前記櫛形電極が設けられる前記一主面を、前記圧電単結晶基板の自発分極のマイナス面にする、
ことを特徴とする弾性表面波装置。
【請求項３】
請求項２に記載の弾性表面波装置において、
前記パッケージは、前記弾性表面波素子を覆うとともにパッケージ内外で水分が往来可能な封止構造を有するものである、
ことを特徴とする弾性表面波装置。
【請求項４】
請求項３に記載の弾性表面波装置において、
前記パッケージは、前記弾性表面波素子が実装される配線基板と、前記配線基板の弾性表面波素子配置面を、前記弾性表面波素子とともに覆う蓋体とを有するものである、
ことを特徴とする弾性表面波装置。
【請求項５】
請求項４に記載の弾性表面波装置において、
前記配線基板に回路素子が混載実装されている、
ことを特徴とする弾性表面波装置。
【請求項６】
請求項４または５に記載の弾性表面波装置において、
前記蓋体はハロゲンイオンを含んだ樹脂から構成されたものである、
ことを特徴とする弾性表面波装置。
【請求項７】
請求項２ないし６のいずれかに記載の弾性表面波装置において、
前記圧電単結晶基板の前記一主面には導通電極が設けられており、
前記導通電極は、前記櫛形電極と電気的に分離されるとともに、前記裏面電極と電気的に導通が取られたものである、
ことを特徴とする弾性表面波装置。
【請求項８】
請求項２ないし７のいずれかに記載の弾性表面波装置において、
前記圧電単結晶基板は、ニオブ酸リチウムまたはタンタル酸リチウムを主成分とするものである、
ことを特徴とする弾性表面波装置。
【請求項９】
請求項２ないし８のいずれかに記載の弾性表面波装置において、
前記裏面電極は、その主材料を構成する元素の標準電極電位が前記櫛形電極の主材料を構成する標準電極電位と同等かそれ以下の値である材料から構成されたものである、
ことを特徴とする弾性表面波装置。
【請求項１０】
請求項２ないし９のいずれかに記載の弾性表面波装置において、
前記裏面電極は、その主材料が前記櫛形電極の主材料と同じであり、
前記裏面電極は、その添加金属の標準電極電位が前記櫛形電極の添加金属の標準電極以下であり、
前記裏面電極は、その添加金属の重量比が前記櫛形電極の添加金属の重量比より小さい材料から構成されたものである、
ことを特徴とする弾性表面波装置。
【請求項１１】
請求項２ないし１０のいずれかに記載の弾性表面波装置において、
前記櫛形電極は、その主材料がアルミニウムである、
ことを特徴とする弾性表面波装置。
【請求項１２】
請求項２ないし１１のいずれかに記載の弾性表面波装置において、
前記櫛形電極を被覆する絶縁膜をさらに有しており、前記絶縁膜は酸化ケイ素、或いは、窒化ケイ素を主成分とするとともにその厚みが５〜１０ｎｍである、
ことを特徴とする弾性表面波装置。
【請求項１３】
圧電単結晶基板の自発分極のマイナス面である一主面に全面電極を設ける工程１と、
前記圧電単結晶基板の自発分極のプラス面である他主面に裏面電極を設ける工程２と、
前記全面電極をフォトリソグラフィ処理により櫛形電極に加工する工程３と、
を含むことを特徴とする弾性表面波素子の製造方法。
【請求項１４】
請求項１３に記載の弾性表面波素子の製造方法において、
前記工程３では、アルカリ系の液体を含む液を作業液として用いる、
ことを特徴とする弾性表面波素子の製造方法。
【請求項１５】
請求項１３に記載の弾性表面波素子の製造方法において、
前記工程３では、含水比率が重量比で０．５％〜２．５％である有機溶剤を主成分とする液を作業液として用いる、
ことを特徴とする弾性表面波素子の製造方法。
【請求項１６】
請求項１３に記載の弾性表面波素子の製造方法において、
前記工程３では、ｐＨが５．５〜８．０の水を作業液として用いる、
ことを特徴とする弾性表面波素子の製造方法。
【請求項１７】
圧電単結晶基板の自発分極のマイナス面である一主面に全面電極を設ける工程１と、
前記圧電単結晶基板の自発分極のプラス面である他主面に裏面電極を設ける工程２と、
前記全面電極をフォトリソグラフィ処理により櫛形電極に加工する工程３と、前記圧電単結晶基板を切断して個々の弾性表面波素子を切り出す工程４と、
前記弾性表面波素子を、パッケージ内外で水分が往来可能な構造を有するパッケージ内に封入する工程５と、
を含むことを特徴とする弾性表面波装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば、携帯電話、キーレスエントリー等の通信機器に搭載される周波数フィルタや共振器として用いられる弾性表面波素子、弾性表面波装置、弾性表面波素子の製造方法、および弾性表面波装置の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
図１１に従来の弾性表面波装置の断面図を示す。図１１において、符号１０１は圧電単結晶基板である。符号１０２は圧電単結晶基板１０１の櫛型電極形成面である。櫛型電極形成面１０２には弾性表面波を励振する櫛形電極（図示省略）が設けられている。符号１０３は櫛型電極形成面１０２に設けられた突起電極である。突起電極１０３は、図示はしないが櫛型電極に電気接続されている。符号１０４は圧電基板１０１を収納するセラミックパッケージである。符号１０５はセラミックパッケージ１０４を構成する蓋部である。蓋部１０５は金属等から構成される。１０６は蓋部１０５に設けられた電極である。電極１０６は外部との間で電気信号の入出力を行う。電極１０６は突起電極１０２に電気接続されている。
【０００３】
この弾性表面波装置は携帯電話等で用いられる。弾性表面波装置を含む電子部品においては、高温高湿環境下でも特性劣化が生じないという保証を行う必要がある。このような保証を行うために電子部品に高温高湿試験下での放置試験が実施される。
【０００４】
このような放置試験に対する耐久性を高めるために、弾性表面波装置では、蓋部１０５とセラミックパッケージ１０４とがハーメッチックシール等によって気密封止されている。これにより、湿気等を完全に遮断することができ、上記放置試験を実施しても、電極の腐食、特に、櫛形電極の腐食は発生しない。
【０００５】
図１２は、弾性表面波装置の櫛形電極周辺部分を示す。この構成においては、タンタル酸リチウムなどの圧電単結晶基板１１１と、圧電単結晶基板１１１の表面に形成された櫛形電極１１５とを備える。櫛形電極１１５は、３層構造を有する。櫛型電極１１５は、圧電基板１１１に近い側より、第１層１１２と、第２層１１３と、第３層１１４とを備える。第１層１１２と第３層１４とが電気信号の伝送に大きく寄与する主電極である。第２層はＡｌ合金結晶粒の成長を阻止するための中間層である。主電極である第１層１１２，第３層１１４はＡｌ合金から構成される。ここで、Ａｌに対する添加金属として、Ｃｕ，Ｔｉ，Ｐｄ，Ｍｇ，Ｃｒ，Ｎｉ，Ｔａが用いられる。また、中間層である第２層１１３は、Ａｌ合金とは異なり、局部電池効果に起因する腐食を抑制できる材料である主に半導体、絶縁体から構成される。
【０００６】
図１２の構造を用いることで、水分に接触する工程（ダイシング処理等）において、局部電池効果に起因する櫛形電極の腐食劣化を軽減することができる。（例えば、特許文献１参照）
【０００７】
【特許文献１】
特開平１１−１６３６６１号公報（全文）
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、図１１に示すハーメチックシールによる従来の構造では、素子の小型化が阻害される、コストが高くなる等の課題がある。また、工程中の櫛形電極の腐食を防ぐため、工程中に水との接触を避けたり、接触させる場合でも特殊な操作を行う必要がある。例えば、ダイシング処理等において用いる水は腐食が発生しないように正確なｐＨ調整を必要とする。従って、工程管理が複雑になる、使用する薬液等が制限されるなどの制約があり、コストアップにつながる。
【０００９】
図１２に示した構成は、第２層１１３を設けることにより局部電池効果に起因する腐食を抑制することができる。そのため、上述した工程中の不具合はある程度回避される。しかしながら、櫛形電極１１５の電極指抵抗が上昇するといった不具合が発生する。電極指抵抗の上昇は、例えば、弾性表面波装置でフィルタを構成する際の挿入損失の劣化要因や、弾性表面波装置で振動子を構成する際のＱ値の低下要因となる。
【００１０】
電極指抵抗が上昇する第１の要因として第２層１０３の抵抗率が高いことが挙げられる。ここで、櫛型電極１１５においては、その重量を下げることで抵抗を下げることができる。しかしながら、櫛形電極１１５の重さは、弾性表面装置の性能を決定する因子であり、抵抗を下げたいという理由で、自由に変更することは困難である。そのため、櫛形電極１１５の重量は、所望する特性に基づいた一定の制約を受けざるを得ない。このような理由により、抵抗率の高い材料から構成される第２層１０３を設けることで、実質的に櫛形電極１１５の電極指抵抗が上昇する。
【００１１】
電極指抵抗が上昇する第２の要因として、櫛形電極１１５の多層化が挙げられる。金属薄膜は、薄くなるにつれてその抵抗がバルク金属本来の抵抗率より大きくなる特性を有している。これに対して櫛形電極１１５を多層化することにより、各層１１２〜１１４の膜厚は薄くなる。そのため、多層された櫛形電極１１５全体の抵抗は、一層あたりの厚みが薄くなるに連れて上昇する。櫛形電極１１５を構成する各層を形成が難しいうえに高価である金属製のエピ膜から構成しない限り、この傾向は存在する。
【００１２】
電極指抵抗が上昇する第３の要因は、第１層１１２，第３層１１４を構成する合金層に添加する添加金属の制限が挙げられる。第１層１１２，第３層１１４は、その特性を維持するために、合金層の抵抗率を上昇させる要因となる金属を添加せざるを得ず、これにより、電極指抵抗が上昇する。
【００１３】
さらには、添加金属は、第１層１１２，第３層１１４内部で生じる局部電池効果を抑制するためにも制限を受ける。以下、説明する。局部電池効果に起因する電極層の腐食劣化は、第２層１０３と他の層（第１層１１２，第３層１１４）との間だけでなく、第１層１１２と第３層１１４との内部においても発生する。具体的にいえば、第１層１１２，第３層１１４の主材料であるＡｌと、それに添加する添加金属との間においても局部電池効果が発生する。このような層内部で生じる局部電池効果を抑制するために、添加金属は層の主材料（Ａｌ）に対して標準電極電位の近いもの、或いは、主材料（Ａｌ）の標準電極電位よりも小さい標準電極電位を有する金属が選択される。
【００１４】
標準電極電位からみて上記添加金属に最適な金属としては、Ｔｉ，Ｌｉ，Ｍｇなどが挙げられる。しかしながら、これらの金属は共に、少量の添加で抵抗率を大幅に上昇させる特性を有している。例えば、Ｔｉでは、１重量％の添加により２倍以上の抵抗率の上昇を引き起こす。
【００１５】
一方、第１層１１２，第３層１１４の抵抗率をあまり上昇させない金属としてはＣｕ等が挙げられる。しかしながら、Ｃｕ等の金属は、前記した第１層１１２，第３層１１４内部での局部電池腐食効果に起因する腐食劣化を引き起こしやすいという特性を有している。
【００１６】
以上が、図１２に示す多層電極指構造の主たる不都合である。図１２に示す多層電極指構造は、さらには、次のような不都合を有している。すなわち、この電極指構造は、電極指の厚み制御が困難であってそのために周波数の合わせ込みが困難となっている。これは、多層膜とすること、つまり、成膜回数が増えることに起因する。更に、図１２の多層電極指構造は、多層膜とすることで製造工程が複雑となってコストが上昇する、という不都合も有している。
【００１７】
このように、従来の弾性表面波装置の構成においては、完全な封止構造にすれば小型化やコストダウンを阻害し、電極指の構造を改良して耐水特性（耐腐食特性）を上げれば、櫛形電極の抵抗率を上昇させるといった不都合が生じる。そのため、このような不都合を生じさせることなく、電極指の耐水特性（耐腐食特性）を向上させることが望まれている。
【００１８】
【課題を解決する手段】
本発明の弾性表面波素子は、圧電単結晶基板と、前記圧電単結晶基板の一主面に設けられた櫛形電極と、前記圧電単結晶基板の他主面に設けられた裏面電極とを備え、前記櫛形電極が設けられる前記一主面を、前記圧電単結晶基板の自発分極のマイナス面にすることに特徴がある。
【００１９】
本発明の弾性表面波装置は、弾性表面波素子と、前記弾性表面波素子を収納するパッケージとを有し、前記弾性表面波素子は、圧電単結晶基板と、前記圧電単結晶基板の一主面に設けられた櫛形電極と、前記圧電単結晶基板の他主面に設けられた裏面電極とを備え、前記櫛形電極が設けられる前記一主面を、前記圧電単結晶基板の自発分極のマイナス面にすることに特徴がある。
【００２０】
このような本発明の弾性表面波素子や弾性表面波装置の構成によれば、櫛形電極と裏面電極との間で局部電池効果が生じることが抑制される結果、櫛形電極の電極腐食が抑えられる。
【００２１】
なお、本発明は、前記パッケージは、前記弾性表面波素子を覆うとともにパッケージ内外で水分が往来可能な封止構造を有するものとするのが好ましい。そうすれば、小型化と低背化とが可能となるうえに安価となる。これは、本発明の電極腐食抑制効果を発揮させれば、弾性表面波素子を覆うとともにパッケージ内外で水分が往来可能な封止構造を有するパッケージであってもなんら問題なく用いることが可能となるためである。このようなパッケージは、弾性表面波装置に、小型化と低背化とコストダウンとをもたらす。
【００２２】
上記パッケージとしては、前記弾性表面波素子が実装される配線基板と、前記配線基板の弾性表面波素子配置面を弾性表面波素子とともに覆う蓋体とを有するものが好適に挙げられる。
【００２３】
なお、本発明は、前記配線基板に回路素子が混載実装されている弾性表面波装置においてさらに好適に実施することができる。そうすれば、小型低背化やコストダウンの恩恵を十分に享受することができる。
【００２４】
本発明の構成を備えれば、耐湿性が向上するために、蓋体としてハロゲンイオン（塩素等）の濃度を十分に小さく抑制した樹脂でなくても電極腐食が発生しない。そのため、ハロゲンイオン（塩素等）の濃度を十分に小さく抑制していないすなわち、ハロゲンイオンを含んだ樹脂から蓋体を構成することが可能となり、その分、さらにコストダウンを図ることができる。
【００２５】
なお、本発明は、前記圧電単結晶基板の前記一主面には導通電極が設けられており、前記導通電極は前記櫛形電極とは電気的に分離されるととに、前記裏面電極とは電気的に導通が取られたものである構成とするのが好ましい。それは、次のような理由によっている。すなわち、このような構成では構造的に局部電池効果が生じやすい。そのため、このような構成において本発明を実施すれば顕著な効果を得ることができる。
【００２６】
なお、本発明は、前記圧電単結晶基板として、ニオブ酸リチウムまたはタンタル酸リチウムを主成分とするもの場合に顕著な効果を奏する。これは、ニオブ酸リチウムまたはタンタル酸リチウムを主成分とする圧電単結晶基板は、分極ベクトルが大きい故に局部電池効果が生じやいためである。
【００２７】
また、本発明は、前記裏面電極として、その主材料を構成する元素の標準電極電位が前記櫛形電極の主材料を構成する標準電極電位と同等かそれ以下の値である材料から構成するのが好ましい。そうすれば、櫛形電極がカノードとなる逆の局部電池効果が発生して、本発明の効果をさらに助長させることができる。
【００２８】
また、本発明は、前記裏面電極は、その主材料が前記櫛形電極の主材料と同じであり、前記裏面電極は、その添加金属の標準電極電位が前記櫛形電極の添加金属の標準電極以下であり、前記裏面電極は、その添加金属の重量比が前記櫛形電極の添加金属の重量比より小さい材料から構成されたものであるのが好ましい。そうすれば、本発明の局部電池効果抑制をさらに大きくすることができる。
【００２９】
本発明は、前記櫛形電極として主材料がアルミニウムであるものを用いるのが好ましい。これは、櫛形電極としてアルミニウムを主成分とするものが最もよく用いられていることと、アルミニウムを主成分とする櫛形電極は、局部電池効果に起因する電極腐食を起こしやすいことによっている。
【００３０】
また、本発明は、酸化ケイ素、或いは、窒化ケイ素を主成分として前記櫛形電極を被覆する絶縁膜をさらに有しており、この絶縁膜の厚みを５〜１０ｎｍにするのが好ましい。これは、次のような理由によっている。耐湿性を高めるためには、上記した絶縁膜を設けるのが好ましいものの、電極重みを抑えて弾性表面波装置の特性を維持するためには、絶縁膜の厚みを５〜１０ｎｍ程度にする必要がある。しかしながら、そうすると、絶縁膜にピンホール等の形状不良が生じて耐湿性の維持が困難となる。これに対して、絶縁膜を設けたうえに、本発明を実施すれば、５〜１０ｎｍ程度の絶縁膜厚みであっても、１０ｎｍ以上の比較的厚みの厚い絶縁膜を設けた場合と同等の耐湿性が得られる。
【００３１】
また、本発明は、圧電単結晶基板の自発分極のマイナス面である一主面に全面電極を設ける工程１と、前記圧電単結晶基板の自発分極のプラス面である他主面に裏面電極を設ける工程２と、前記全面電極をフォトリソグラフィ処理により櫛形電極に加工する工程３とを含んだ弾性表面波素子の製造方法として構成される。
【００３２】
そうすれば、製造途中における電極腐食対策を厳密に行う必要がなくなり、その分、製造コストの低減を図ることができる。
【００３３】
例えば、前記工程３において、アルカリ系の液体を含む液を作業液として用いても、櫛形電極に電極腐食が生じる可能性は十分に低くなる。
【００３４】
また、前記工程３において、含水比率が重量比で０．５％〜２．５％である有機溶剤を主成分とする液を作業液として用いても、櫛形電極に電極腐食が生じる可能性は十分に低くなる。
【００３５】
また、前記工程３では、ｐＨが５．５〜８．０の水を作業液として用いても、櫛形電極に電極腐食が生じる可能性は十分に低くなる。
【００３６】
さらには、弾性表面波素子を封止して弾性表面波装置を製造する工程において、弾性表面波素子をパッケージ内外で水分が往来可能な構造を有するパッケージ内に封入してもよく、そうしても、櫛形電極に電極腐食が生じる可能性は十分に低くなる。
【００３７】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。
【００３８】
（実施の形態１）
本発明の実施の形態１における弾性表面波装置の実施の形態１について、図面を参照しながら説明する。図１は本発明の実施の形態１である弾性表面波装置の断面図である。
【００３９】
図１において、符号１は圧電単結晶基板を示す。圧電単結晶基板１は、例えば、タンタル酸リチウム，ニオブ酸リチウム，ニオブ酸カリウム，ランガサイト等の強誘電体の圧電材料から構成される。本実施の形態では、圧電単結晶基板１は３６°Ｙカットのタンタル酸リチウムから構成される。
【００４０】
ここで、カット角度について図２を参照して説明する。図２（ａ）は圧電単結晶をウエハに切断する前の状態であって、ｘ，ｙ，ｚ軸が図に示した状態だとする。この場合、圧電単結晶はｃ軸方向、つまり、ｚ軸方向に自発分極していることになる。
【００４１】
このような圧電単結晶の構造を踏まえれば、例えば、３６°ｙカットタンタル酸リチウムは、図２（ｂ）に示すように、ｘ軸を回転軸としてｙ軸を３６°回転させて新たにｙ’軸とし、同時にｚ軸も３６°回転させてｚ’軸とした時、ｙ’軸が法線方向となるように切断されたウエハであると規定できる。
【００４２】
このようなカット角度は、所望のデバイス特性を得るために選ばれ、例えば、高周波フィルタでは、３６°付近のｙカットタンタル酸リチウム基板が用いられることが多い。
【００４３】
図１の説明に戻る。図１において符号２は圧電単結晶基板１において弾性表面波を励振する櫛形電極である。櫛形電極２は圧電単結晶基板１の一主面１ａに設けられている。本実施形態において、櫛形電極２は、Ａｌを主たる材料とするＡｌ−Ｃｕ合金から構成される。櫛形電極２においてＣｕは重量比で０．５％含まれている。
【００４４】
符号３は裏面電極３である。裏面電極３は圧電単結晶基板１の他主面１ｂの全面に渡って設けられている。本実施の形態では、裏面電極３はＡｌから構成される。
【００４５】
符号４はパッド電極である。パッド電極４は圧電単結晶基板１の一主面１ａに設けられている。パッド電極４は図示はしないが櫛形電極２と電気的に導通が取られている。符号５は突起電極である。突起電極５はパッド電極４上に設けられている。
【００４６】
符号９は電気配線（図示省略）を有する配線基板である。符号６は配線基板９上に設けられた上部電極である。パッド電極４は突起電極５を介して上部電極６に接続されている。なお、図１において突起電極５は２つ図示されているが、実際は少なくとも信号の引き出し分に応じて多数設けられている。符号８は配線基板９に設けられた外部端子電極である。外部端子電極８は、上部電極６の形成面の裏面に設けられている。符号７は配線基板９に設けられたビア電極である。ビア電極７は、上部電極６と外部端子電極８とを層間接続している。
【００４７】
本実施の形態では、配線基板９はアルミナ等のセラミック絶縁基板から構成されている。セラミック絶縁基板から配線基板９を構成するのは、圧電単結晶基板１上に形成された櫛形電極２等の電極パターンと配線基板９との電気的接続を行って、櫛形電極２等で生じる電気信号を外部端子電極８に引き出すためである。
【００４８】
符号１０は、圧電単結晶基板１を実装した配線基板９を覆う蓋部である。本実施の形態では、蓋部１０として金属キャップが用いられている。
【００４９】
符号１１は、櫛形電極２，裏面電極３，パッド電極４等を有する圧電単結晶基板１からなる弾性表面波素子である。
【００５０】
本実施形態では、配線基板９と蓋部１０とによりパッケージが構成されている。さらには、後述する本発明の他の実施形態においても、配線基板と蓋部とによりパッケージが構成されている。
【００５１】
なお、図示はしていないが、配線基板９には窪みが設けられており、蓋部１０（金属キャップ）には爪が設けられている。そして、蓋部１０の爪を配線基板９の窪みに引っ掛けることで、弾性表面波素子１１は蓋部１０と配線基板９とにより封止されている。但し、本実施形態でいう封止構造とは、気密封止のような、気体、液体を含むほぼ全ての物質の混入を防ぐ封止構造ではなく、パッケージ内に、少なくとも水蒸気等の水分が往来可能な程度のあまり封止強度の高くない封止構造（パッケージング構造）である。気密封止構造にすれば、パッケージ内に結露は発生しないが、気密封止構造にしない本実施形態の構造では、パッケージ内に結露が発生する可能性がある。しかしながら、本実施形態の構成では、構造が簡単なために、コストダウンを図ることができるうえに、小型化や低背化を図ることができる。
【００５２】
次に、本実施の形態の特徴となる構成について説明する。本実施形態では、まず第１に、上述したように、弾性表面波素子１１が水分の往来が可能なパッケージ内に収納されている。このような封止構造にすることで、弾性表面波装置の使用中、或いは、信頼性試験中に弾性表面波素子１１表面に結露が発生する可能性がある。
【００５３】
第２に、櫛形電極２が設けられた圧電単結晶基板１の一主面１ａが、圧電単結晶基板１における自発分極のマイナス面側に設定されており、裏面電極３が設けられた圧電単結晶基板１の他主面１ｂが、圧電単結晶基板１における自発分極のプラス面側に設定されていることである。なお、自発分極のマイナス面とは、図３に示すように、圧電単結晶基板１中の分極成分１２を構成するマイナスが向いている方向にある面をいい、自発分極のプラス面とは、圧電単結晶基板１中の分極成分１２を構成するプラスが向いている方向にある面をいう。
【００５４】
本実施形態の第１の特徴構成を備えることで、弾性表面波装置は、蓋部１０の隙間から水分が侵入やすくなっており、そのため、侵入した水分（水蒸気等）によって圧電単結晶基板１上に結露が生じる可能性が高い。しかしながら、本実施形態の構成では、第２の特徴構成を備えることで、たとえ結露が生じたとしても、結露に起因する局部電池効果の発生は十分に抑制されるために、櫛形電極２等に局部電池効果に起因する電極腐食が発生することはほとんどない。以下、説明する。
【００５５】
本実施形態の弾性表面波装置を評価するため、本実施形態や比較例に対して温度８５℃、湿度８５％ＲＨの条件で放置試験を行った。測定対象として、中心周波数９４２．５ＭＨｚの周波数フィルタであって、櫛形電極２を自発分極のマイナス面に設けた本発明の実施例品と、同様の構成を有するフィルタであるものの櫛形電極２を自発分極のプラス面に設けた比較例品とを各々１００個用意した。
【００５６】
そして、実施例品と比較例品とからなる測定対象の挿入損失を連続的に測定して、挿入損失の劣化が０．２ｄＢに達する時間を計測した。ここで、挿入損失の劣化の閾値を０．２ｄＢとしたのは、上記特性を発揮する周波数フィルタ（測定対象）は、その挿入損失が０．２ｄＢ劣化すると寿命が尽きるといわれていることに基づいている。
【００５７】
上記比較実験を行った結果、圧電単結晶基板１の自発分極のマイナス面に櫛形電極２が設けられた本発明の実施例品の寿命は、比較例品の寿命より倍以上長いことが確認された。
【００５８】
以上説明したように、従来、櫛形電極２の形成面を規定していなかった構成に比べて、櫛形電極２の形成面を、圧電単結晶基板１の自発分極のマイナス面に限定した本実施形態の構成にすることにより、弾性表面波装置の耐湿性が向上して寿命が延びた。以下、その理由が図４を参照して説明される。
【００５９】
図４（ａ），（ｂ）は、圧電単結晶基板１の自発分極のプラス面にＡｌからなる電極３６が設けられ、マイナス面にＡｌ−Ｃｕ合金膜（Ｃｕは重量比１％）からなる電極３７が設けられた構成を示す。この場合、自発分極のプラス面，マイナス面ともに電気的に開放状態になると、自発分極ベクトルＰは、自発分極成分の方向に応じて図４（ａ）に示す状態になる。この状態において電極３６と電極３７とを跨いで結露が発生すると、図４（ｂ）に示すような局部電池が生じる可能性がある。なお、図４（ａ），（ｂ）において、符号３８は分極成分である。
【００６０】
しかしながら、自発分極ベクトルＰのベクトル成分のうち圧電単結晶基板１の厚み方向のベクトル成分について考えた場合、厚み方向の電気変位ベクトルＤｖは一定であるため、Ｄｖ＝Ｐｖ＋Ｅｖの式を満たす電界ベクトルＥｖが、圧電単結晶基板１の厚み方向に沿って現れる。そのため、この電荷Ｅｖが電流として流れるために、電極３６と電極３７とを跨いで結露が発生したとしても、局部電池は生じなくなって、電極酸化による電子の放出は軽減される。これにより、電極腐食は抑制される。
【００６１】
また、本発明の効果は自発分極ベクトルＰが大きいほど大きくなる。そのため、前記したニオブ酸リチウム、タンタル酸リチウム、ニオブ酸カリウム、ランガサイト等の強誘電特性を有する圧電単結晶材料に対して、非常に有効となる。
【００６２】
なお、本実施形態では、フリップチップ構造の弾性表面波装置に関して、説明を行ったが、図５に示すような、配線基板９上に、弾性表面波素子１１をダイボンドし、ワイヤボンディングにより配線する構造においても同等の効果がある。なお、図５において、符号１３はＡｌワイヤである。符号１４は配線基板９の弾性表面波素子実装面に設けられた電極である。さらには、図５において図１と同様の部分には同一の符号を付している。図５に示すワイヤボンディング構造においては、配線基板９の電極１４に裏面電極３を密着させて電気接続することで、弾性表面波素子１１を配線基板９にダイボンディングされる。そして、パッド電極４と上部電極６とをＡｌワイヤ１３により接続している。
【００６３】
図５に示すワイヤボンディング構造においても、電極１４と櫛形電極２とを跨いで結露が発生しても本実施の形態で説明した効果（局部電極効果の抑制）が得られる。なお、図５の構成においては、配線基板９として、アルミナのセラミック基板の他、他のセラミック基板、ガラスエポキシ基板等の基板を用いて同様の効果が得られる。また、封止は、金属キャップ１０を用いて行ったが、樹脂モールドによる構造でも同等の効果がある。
【００６４】
要は、構造が簡単で安価かつ小型化できるものの気密封止がされていないために弾性表面波素子１１に結露が生じる可能性がある封止構造であっても、本発明の構成を設ければ、局部電極効果に起因する腐食を抑制できる。
【００６５】
本発明においては、裏面電極３を構成する元素として、その標準電極電位が、櫛形電極２の主たる電極材料の標準電極電位と同等か、それ以下の値である材料を用いるのが好ましい。これは、裏面電極３の材料に、櫛形電極２よりも標準電極電位の大きい材料を選ぶと、裏面電極３と櫛形電極２との間の標準電極電位差により櫛形電極２がアノードとなるような局部電池効果が発生し、本発明の効果を小さくしまう可能性があるからである。逆に、裏面電極３の材料として、櫛形電極２よりも標準電極電位の小さい材料を選ぶと、櫛形電極２がカソードとなるような局部電池効果が発生し、本実施の効果を大きくする。
【００６６】
例えば、櫛形電極２の材料としてＡｌ−Ｃｕ合金を用いる場合において、裏面電極３の材料としてＮｉを用いるときと、裏面電極３の材料としてＡｌを用いるときとを比較すると、前者の方が、本発明の効果は小さくなる。
【００６７】
反対に、櫛形電極２の材料としてＡｌ−Ｃｕ合金を用いる場合において、裏面電極３の材料としてＡｌ−Ｍｇ合金（Ｍｇの重量比１０％）を用いるときと、裏面電極３の材料としてＡｌを用いたときとを比較すると、前者の方が本発明の効果が大きくなる。
【００６８】
また、櫛形電極２としてＡｌ−Ｃｕ合金（重量比Ｃｕ：１％）を用いた場合において、裏面電極３の材料としてＡｌ−Ｃｕ（重量比Ｃｕ：０．５％）を用いるときと、裏面電極３の材料としてＡｌを用いる場合とを比較すると、本発明の効果は両者で殆ど変わらなかった。
【００６９】
このように、同一の添加金属を加える場合でも、添加金属の添加率（重量比）を小さくすることで、殆ど変わらない効果が得られる。
【００７０】
なお、裏面電極３を構成する元素の標準電極電位が、櫛形電極２の主たる電極材料の標準電極電位よりも大きい値である材料を用いる場合でも、その金属の添加量を小さくすることで、本発明の効果を問題なく享受するすることができる。
【００７１】
例えば、櫛形電極２としてＡｌ−Ｔｉ合金（重量比Ｔｉ：１％）を用いる場合において、裏面電極３としてＡｌ−Ｃｕ（重量比Ｃｕ：０．３％）を用いるときと、裏面電極３の材料としてＡｌを用いるときとを比較すると、前者におけるＣｕの重量比が小さいため、本発明の効果は両者で殆ど変わらなかった。
【００７２】
また、本発明の構成には次に示す第１，第２の利点もある。まず、第１の利点を説明する。弾性表面波素子１１においては、櫛形電極２上に、窒化ケイ素、酸化ケイ素等の保護膜を設けて、装置の耐湿性を向上させるという構造がある。しかしながら、この構造は、保護膜の厚みが１０ｎｍ以下になると、ピンホール等の影響で、耐湿性の確保が困難になるという不具合がある。これに対して、上記保護膜構造と本発明の構成とを併用すれば、上記した保護膜の厚みが５〜１０ｎｍの範囲内であっても、１０ｎｍ以上の保護膜を形成した場合と同等の耐湿性が得られる。
【００７３】
次に第２の利点を説明する。弾性表面波素子１１のパッケージ材料として樹脂を用いる場合がある。この場合、従来では、パッケージ材料として、塩素イオン濃度を数十ｐｐｍ以下にするなどの厳密に管理、製造された樹脂を用いる必要があった。これに対して、本発明の構成を採用すれば、１００ｐｐｍ程度の塩素イオン濃度の樹脂をパッケージ材料に用いた場合でも、大きく信頼性を損なうことはない。
【００７４】
次に、本実施の形態の弾性表面波装置の製造方法を、図６を参照して説明する。まず、第１の工程で、圧電単結晶基板１の自発分極のマイナス面である一主面１ａに全面電極１５が形成される。全面電極１５は、スパッタリング法，真空蒸着法，イオンプレーティング法等の製法を用いて形成することができる。本実施形態では、スパッタリング法により作製される。
【００７５】
次に第２の工程で、圧電単結晶基板１の自発分極プラス面である他主面１ｂに裏面電極３が形成される。裏面電極３は全面電極１５と同様の方法により製造されるが、本実施形態では、真空蒸着法により作製される。これは、裏面電極３は全面電極１５とは異なり、素子特性への影響が小さいため、安価な真空蒸着法による方法を用いることができるためである（以上、図６（ａ）参照）。
【００７６】
次に、第３の工程で、全面電極１５の上にレジスト１６が塗布される。レジスト１６はスピンコートにより塗布される。本実施形態では、レジスト１６として、ポジ型のレジストが用いられるが、所望の形状が得られるなら、ネガ型のレジストが用いられても良い（以上、図６（ｂ）参照）。
【００７７】
次に、第４の工程で、レジスト１６のうち後工程で全面電極１５が除去される部分が露光される。露光はステッパ装置が用いられる。次に、第５の工程で、レジスト１６の現像が行われたうえで、露光部のレジストが除去される。現像に用いる現像液としては、水系の現像液、溶剤系の現像液があるが、本実施の形態では、溶剤系の現像液が用いられる（以上、図６（ｃ）参照）。
【００７８】
次に、第６の工程で、全面電極１５がドライエッチングによりパターニングされる。この段階で、櫛形電極２とパッド電極４とが形成される。次に、第７の工程で、残ったレジスト１６が除去される。レジストの除去には、水系の剥離液が用いられる（以上、図６（ｄ）参照）。
【００７９】
次に、第８の工程で、パッド電極４上に突起電極５が形成される。さらに、第９の工程で、ダイシングにて各々の弾性表面波素子１１に切り出される（以上、図６（ｅ）参照）。
【００８０】
次に、第１０の工程で、配線基板９上に弾性表面波素子１１が実装され、蓋部（金属キャップ）１０によって弾性表面波素子１１の封止が行われる。封止は次のように行われる。配線基板９には図示しない窪みが設けられており、蓋部１０（金属キャップ）には図示しない爪が設けられている。そして、蓋部１０の爪を配線基板９の窪みに引っ掛けることで、弾性表面波素子１１は蓋部１０と配線基板９とにより封止される。但し、ここでいう封止構造とは、気密封止のような、気体、液体を含むほぼ全ての物質の混入を防ぐ封止構造ではなく、パッケージ内外で少なくとも水蒸気等の水分の往来が可能となる程度のあまり封止強度の高くない封止構造（パッケージング構造）である。気密封止構造にすれば、パッケージ内に結露は発生しないが、気密封止構造にしないこの構造では、パッケージ内に結露が発生する可能性がある。
【００８１】
本実施形態では、第１の工程から本発明の請求項における工程１が構成され、第２の工程から工程２が構成され、第３〜第７の工程から工程３が構成され、第９の工程から工程４が構成され、第１０の工程から工程５が構成されている。
【００８２】
以上のようにして弾性表面波装置を作製した。上記したように、気密封止構造にしないこの弾性表面波装置の構造では、パッケージ内に結露が発生する可能性があるものの、櫛形電極２の腐食は全く見られなかった。さらには、蓋部１０は簡単な封止構造により圧電単結晶基板１に取り付けられるために、その構造が簡単で安価かつ小型（低背化を含む）になる。
【００８３】
本実施形態の製造方法の効果をより明確に調べるために以下のことを行った。全面電極１５を自発分極のマイナス面（一主面１ａ）に、裏面電極３を自発分極のプラス面（他主面１ｂ）にそれぞれ作製する本発明の実施形態例とともに、全面電極１５を自発分極のプラス面（他主面１ｂ）に、裏面電極３を自発分極のマイナス面（一主面１ａ）にそれぞれ作製する比較例とにより弾性表面波装置を作製する。比較例は、全面電極１５や裏面電極３の配置位置を本発明の実施形態と異ならせる以外は、全て同じ工程を経るものとする。このような条件で作製した実施形態品と比較例品とを比較作製する。その際、以下の検討を行った。
【００８４】
まず、１番目の検討として、第５の工程において、現像液を水を主成分とするアルカリ現像液として現像を行った。なお、現像液には、ＴＭＡＨ（水酸化テトラメチルアンモニウム）が数％程度含まれており、アルカリ性となっている。
【００８５】
新規の現像液を用いて作製した場合、本発明の実施形態品、比較例品ともに、腐食等の不具合は生じなかった。これに対して、同一の現像液を複数回使用すると、本発明の実施形態品と比較例品とにおいて、共に櫛形電極２に腐食が発生する。このような腐食は次のような要因により生じる。すなわち、現像を繰り返すことにより、腐食を助長する不純物、例えば、塩素イオン等が現像液に浸入する。そして、現像を繰り返すうちに腐食助長不純物の侵入量が増えすぎて腐食が始まる。
【００８６】
本発明の実施形態の製造方法と比較例の製造方法とにおいて、櫛形電極２に腐食が発生する現像液の使用回数（以下、限界使用回数という）を比較すると、明らかに、本発明の実施形態の方が限界使用回数が多くなった。具体的には、本発明の実施の形態における限界使用回数は、比較例におけるそれの２倍程度となった。
【００８７】
なお、剥離液に関しても、同様の検討を行ったが、現像液の場合とほぼ同等の結果となった。
【００８８】
以上説明した第１の検討により、水系の現像液や剥離液を用いるという条件の基で、本発明の実施形態の製造方法により弾性表面波装置を製造する場合、比較例の製造方法により製造する場合に比べて、現像液や剥離液の使用限界回数を２倍以上に延ばすことが可能となり、その分だけ製造コストが低く抑えられる。
【００８９】
次に、２番目の検討として、現像液として有機溶剤を主成分とする溶剤系現像液を用いて上述したのと同様の製造実験を行った。この製造実験においても、新規の現像液を用いる場合には、本発明の実施形態，比較例ともに、腐食等の不具合は生じなかった。これに対して、同一の現像液を長時間使用すると、本発明の実施形態と比較例とは、共に櫛形電極２に腐食が発生する。
【００９０】
このように、有機溶剤を主成分とする現像液で現像する場合に発生する腐食は、現像液の使用回数（現像回数）よりもむしろ、現像液を使用し始めてからの経過時間に依存する。その理由は、有機溶剤中に大気中の水蒸気等が混入して有機溶媒中の水の比率が上昇するためである。
【００９１】
本発明の実施形態の製造方法と比較例の製造方法とにおいて、櫛形電極２に腐食が発生する現像液の使用時間（以下、限界使用時間という）を比較すると、明らかに、本発明の実施形態の方が限界使用時間が長くなる。具体的には、本発明の実施形態における限界使用時間は、比較例のそれの３倍程度となる。
【００９２】
このとき、比較例において櫛形電極２に腐食が発生し始める現像液中の水分濃度を調べると、重量比で０．５％であった。これに対して、本発明の実施形態において櫛形電極２に腐食が発生し始める現像液中の水分濃度を調べると、重量比で２．５％であった。現像液の水分濃度を２．５％以下に抑えるためには、それ程厳密な品質管理や保存管理を必要としないが、０．５％以下に抑えるためには、かなり厳密な品質管理や保存管理を必要とする。このように、本発明の製造方法では、現像液等の品質管理や保存管理にそれほど厳密さを要求されないので、その分でも製造コストダウンを図ることができる。
【００９３】
なお、剥離液に関しても、同様の検討を行ったが、現像液の場合とほぼ同等の結果となった。
【００９４】
以上説明した第２の検討により、溶剤系の現像液や剥離液を用いるという条件の基で、本発明の実施形態の製造方法により弾性表面波装置を製造する場合、現像液や剥離液の使用限界時間を３倍以上に延ばすことが可能となり、その分だけ製造コストが低く抑えられる。さらには、現像液や剥離液の厳格な管理、例えば、水分量をモニターする、密閉状態で工程を行う等の管理処理を行う必要がなくなり、その分でも、製造コストを低く抑えることができる。
【００９５】
次に、３番目の検討として、第９の工程におけるダイシングの際に噴射する水のｐＨを５〜７の範囲で変えて上述したのと同様の製造実験を行った。通常、局部電池効果による櫛形電極２の腐食を防止するために、ダイシング処理の際に圧電単結晶基板１に噴射する水のｐＨを酸性側に調整している。そこで、本発明の実施形態の製造方法と比較例の製造方法とにおいて、櫛形電極２に腐食が生じないダイシング処理時の噴射水のｐＨ範囲を測定した。測定結果は、比較例におけるｐＨ範囲は５．０〜５．５であるのに対して、本発明の実施形態のｐＨ範囲は５．０〜６．５であった。
【００９６】
以上説明した第３の検討により、本発明の実施形態の製造方法により弾性表面波装置を製造する場合、ダイシング処理時に噴射する水のｐＨの範囲が広くなり、その分だけ、工程管理が容易になって製造コストが低く抑えられる。
【００９７】
（実施の形態２）
本発明の実施の形態２における弾性表面波装置について、図７を参照しながら説明する。本実施形態の弾性表面波装置においては、図７に示すように、導通電極１７が設けられたことと、金属製の蓋部１０の裏面が裏面電極３に当接していることに特徴がある。
【００９８】
導通電極１７は圧電単結晶基板１の一主面１ａ上に設けられている。導通電極１７は、引き出し電極（図示はないが、パッド電極４と導通電極と電気的に接続している電極）と、パッド電極４と、突起電極５と、上部電極６と、ビア電極７と、蓋部１０とを介して裏面電極３に電気的に導通が取られている。他の構造に関しては、概略実施の形態１と同様である。
【００９９】
図８は、本実施形態の別の例であり、電気接続構造をワイヤーボンディングとして構造である。基本的に構成は図５及び図７と同様であるので、図８の符号に関しては、図５及び図７と同様である。
【０１００】
本実施形態では、導通電極１７を圧電単結晶基板１の自発分極のマイナス面（一主面１ａ）に設けている。この場合、導通電極１７と櫛形電極２との間に跨って結露が生じると、そこに局部電池効果が生じる可能性がある。しかしながら、そのような場合であっても、実施の形態１で説明したのと同様に局部電池効果が抑制される結果、櫛形電極２等に電極腐食が生じることはない。
【０１０１】
本実施形態により、結露が比較的小さい面積内で起こっている場合や、裏面電極３の大部分が図７のように、露出していない場合であっても、実施の形態１と同様の効果を得ることが可能となる。
【０１０２】
（実施の形態３）
本発明の実施の形態３における電子回路装置（本発明の弾性表面波装置を組み込んでいる）について、図９を参照しながら説明する。図９において、図５と同一の符号を付与している部分は、概略実施の形態１と同じものであるため、それらについての説明は省略する。この電子回路装置は、実施の形態１の弾性表面波装置に電子部品を組み込んだものと見なすことができる。
【０１０３】
図９において符号１８は蓋部である。蓋部１８は、電子回路装置全体を封止している。符号１９は電子部品である。回路素子１９は、抵抗、コンデンサ、コイル、半導体装置等の電子部品から構成されており、図では一つしか示していないが、通常、複数個搭載される。本実施の形態でも、複数個の電子部品が搭載されている。回路素子１９は半田リフローにより搭載されている。２０は回路基板である。回路基板２０は、図示しないコイル，コンデンサ等の受動部品が内蔵されている。蓋部１８は、実施の形態１と同様に、回路基板２０の側面に窪みを設け、蓋部（金属キャップ）１８の爪を引っ掛けることにより固定されて、回路基板２０を封止している。符号２１は回路基板２０内に設けられた内蔵電極である。符号２２は、内蔵電極２１を接続するビア電極である。符号２３は回路基板２０の裏面に設けられた端子電極である。弾性表面波素子１１は実施の形態１で説明した図５の弾性表面波素子と概略同等の構成を有している。
【０１０４】
一般に、本実施形態の電子回路装置は、搭載した弾性表面波装置を気密封止するために、電子回路装置の大きさ、特に、高さが非常に大きくなる。例えば、一般的な電子部品が０．７ｍｍ以下の高さでおさまるのに対し、弾性表面波装置を搭載した一般的な電子回路装置の高さは１．２〜１．５ｍｍ程度まで高くなる。
【０１０５】
これに対して本実施形態における弾性表面波素子１１の高さは０．７ｍｍ程度で、電子部品１９とほぼ同等となり、電子回路装置の高さを従来の０．５〜０．８ｍｍ程度低くすることが可能となっている。これは、本発明の構成（櫛形電極２を自発分極のマイナス面に設ける）を採ることで、蓋部１８を厳密な気密封止状態で回路基板２０に取り付ける必要がなくなるためである。
【０１０６】
なお、図７で説明した弾性表面素子１１を搭載することで、電子回路装置の高さを更に、０．２〜０．３ｍｍ程度低くすることができる。また、言うまでもなく、本実施の形態３では、実施の形態１で説明した効果と同様の効果が得られる。
【０１０７】
また、導通電極１７を圧電単結晶基板１の自発分極のマイナス面に設けたとしても、本実施の形態の効果と実施の形態２で説明した効果とが得られる。
【０１０８】
（実施の形態４）
本発明の実施の形態４における弾性表面波装置の製造方法について説明する。本実施の形態では、実施の形態１で説明した製造方法に、第７の工程であるレジストの剥離の後、塩素、或いは、塩素化合物等の残留不純物を除去するための洗浄工程を付加したものである。
【０１０９】
本実施形態の製造方法では、洗浄液として水系の界面活性剤を用い、２０分間、窒素バブリングすることで洗浄した。自発分極のプラス面に櫛形電極２を設ける比較例では、一部で電極腐食が見られたが、本実施形態の製造方法では、電極腐食は発生しなかった。また、洗浄液に数百ｋＨｚから１ＭＨｚ程度の超音波を印加しながら洗浄を行うメガソニックも洗浄を２０分間行った場合でも、同様に、比較例では、電極腐食が生じるものの、本実施形態の製造方法では電極の腐食は発生しなかった。
【０１１０】
なお、残留不純物残渣は、耐湿性等の装置の信頼性に影響することが知られている。特に、本発明のような気密封止をしない弾性表面波装置では顕著となる。特に、Ａｌを櫛形電極２等の電極材料として用いる場合、ドライエッチャントとして塩素系のガスを用いることが多く、塩素の残渣が残りやすい。これに対して、本実施の形態の製造方法を用いれば、残留塩素の除去に有効な洗浄方法により洗浄しても、局部電池効果に起因する電極腐食を効果的に抑制することができる。これにより、信頼性の高い弾性表面波装置の製造が可能となる。
【０１１１】
（実施の形態５）
本発明の実施の形態５における弾性表面波装置の製造方法について、図１０を参照して説明する。まず、第１の工程で、圧電単結晶基板１の自発分極のマイナス面にスパッタリングにより全面電極１５が設けられる。全面電極１５の形成方法に関して、実施の形態１で説明した方法を用いることができる。次に第２の工程で、圧電単結晶基板１の自発分極のプラス面に、真空蒸着により裏面電極３が設けられる。さらには、第３の工程（実施の形態１における第３〜第７の工程と同様の工程）が実施されることで、圧電単結晶基板１の自発電極マイナス面に櫛形電極２が形成される。（図１０（ａ）参照）。
【０１１２】
次に第４の工程で、圧電単結晶基板１の櫛形電極形成面にレジスト２５（図示省略）が塗布される。本実施形態では、レジスト２５としてネガ型のレジストが用いられる。
【０１１３】
次に第５の工程で、パッド電極４以外の部位が露光される。次に第６の工程で、レジスト２５の現像を行われて未露光部であるパッド電極４の部分が除去されることで、レジストパターン２５’が形成される。次に第７の工程で、真空蒸着により圧電単結晶基板１の櫛形電極形成面に全面電極２６が設けらける（図１０（ｂ）参照）。全面電極２６は後で説明する工程により最終的は、パッド補強電極２４となる。
【０１１４】
次に第８の工程で、有機溶剤を主成分とする溶剤系の剥離液によりレジストパターン２５’が除去される。このとき、同時にレジストパターン２５’上に配置された全面電極２６の領域が選択的に剥離され、パッド電極４上に配置された全面電極２６の領域のみが残る。残存する全面電極２６がパッド補強電極２４となる。（図１０（ｃ）参照）。このような工程を通常、リフトオフ工程という。
【０１１５】
次に第９の工程で、ダイシング処理により弾性表面波素子１１に切り出される（図１０（ｄ）参照）。次に第１０の工程で、蓋部１０を用いてにより、弾性表面波素子１１がパッケージングされて（ただし、封止は気密封止構造を採らない）、弾性表面装置が完成する。
【０１１６】
以上説明した本実施形態の製造方法における第４の工程〜第８の工程は、パッド補強電極２４を設けるための工程である。このようにしてパッド補強電極２４を設ければ、突起電極５、或いは、ワイヤ１６との接続信頼性が増す。しかしながら、従来、パッド補強電極形成のために実施されるリフトオフ工程においては、第８の工程に用いる有機溶剤の液管理を厳密に行わないと、櫛形電極２の腐食が発生するといった不具合がある。腐食の発生は、実施の形態１で説明した第２の検討と同様、剥離液への水分の混入が主原因である。これに対して、本実施形態の製造方法では、櫛形電極２を圧電単結晶基板１の自発分極マイナス面に設けることで櫛形電極２の腐食を効果的に抑制することが可能となっている。そのため、第８の工程に用いる有機溶剤の液管理を厳密に行う必要がない分、コストダウンを図ることができる。
【０１１７】
さらには、第８の工程を実施する場合、剥離した全面電極２６の領域が櫛形電極２に再付着することを防ぐためには、剥離液を加温して迅速に全面電極２６の剥離処理を行う必要がある。この場合、剥離液を加温処理することにより、剥離液に対する水分の混入は更に激しくなり、短時間で剥離液の交換が必要となる。詳細には、櫛形電極２に腐食が確実に起こらないようにするには、実施の形態１で説明したのと同様、剥離液中における水の含有率を重量比で０．５％程度に抑える必要がある。しかしながら、そうすると、数時間程度で液の交換を余儀なくされることも考えられる。これに対して本実施形態の製造方法を採用すれば、剥離液の水の含有率を２．５％程度まで上げても，櫛形電極２の電極腐食を起こすことなく第８の工程を行うことが可能となる。したがって、剥離液の寿命が伸びて製造コストが抑えられる。
【０１１８】
なお、本実施の形態では、ネガ型のレジストを用いたが、ポジ型のレジストを用いても、同様の効果が得られるのはいうまでもない。
【０１１９】
【発明の効果】
以上説明した本発明により、簡易な構造で、耐湿性に優れた弾性表面波装置、及び、電子回路装置が実現できる。また、本発明の製造方法により、簡易な方法で、工程の厳格な管理を不要とし、かつ、製造歩留まりを向上させることができる。その結果、製造コストを下げることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態１の弾性表面波装置の断面図である。
【図２】圧電単結晶の切断角度の説明に供する図である。
【図３】圧電単結晶の自発分極の説明に供する図である。
【図４】本発明の原理の説明に供する図である。
【図５】実施の形態１の変形例の断面図である。
【図６】実施の形態１の弾性表面波装置の製造方法の説明に供する図である。
【図７】本発明の実施の形態２の弾性表面波装置の断面図である。
【図８】実施の形態２の変形例の断面図である。
【図９】本発明の実施の形態３の電子回路装置の断面図である。
【図１０】本発明の実施の形態４の弾性表面波装置の製造方法の説明に供する図である。
【図１１】従来例の断面図である。
【図１２】従来例の要部の断面図である。
【符号の説明】
１圧電単結晶基板    １ａ一主面  １ｂ他主面  ２櫛形電極
３裏面電極    ４パッド電極  ５突起電極  ６上部電極
７ビア電極    ８外部端子電極      ９配線基板
１０蓋部    １１弾性表面波素子    １３Ａｌワイヤ
１４電極    １５全面電極  １６レジスト  １７導通電極
１８蓋部    １９電子部品  ２０回路基板  ２１内蔵電極    ２２ビア電極
２３端子電極      ２４パッド補強電極
２５レジスト    ２５’レジストパターン    ２６全面電極
３６電極    ３７電極      ３８分極成分
【図１】
2004186938.tif 000003
【図２】
2004186938.tif 000004
【図３】
2004186938.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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