(57)【要約】【課題】工業的規模で安価且つ簡便に、粒径の揃ったナノスケールの金属微粒子を製造する。【解決手段】一又は二以上の金属元素からなる原料金属粉末に、磨砕及び／又はせん断が加わる第１粉砕工程と、衝撃応力が加わる第２粉砕工程とを施す。【選択図】　　　図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
一又は二以上の金属元素からなる原料金属粉末に、磨砕及び／又はせん断が加わる第１粉砕工程と、衝撃応力が加わる第２粉砕工程とを施すことを特徴とする、金属微粒子の製造方法。
【請求項２】
該第１粉砕工程を、１０Ｇ以上、５００Ｇ以下の圧縮・せん断応力（Ｇ：重力加速度）が加わる条件で行なうことを特徴とする、請求項１記載の金属微粒子の製造方法。
【請求項３】
該第２粉砕工程を、１００ｒｐｍ以上、２００００ｒｐｍ以下の回転速度の下で行なうことを特徴とする、請求項１又は請求項２に記載の金属微粒子の製造方法。
【請求項４】
前記原料金属粉末の平均粒径が、０．２μｍ以上、１００μｍ以下であることを特徴とする、請求項１〜３の何れか一項に記載の金属微粒子の製造方法。
【請求項５】
前記原料金属粉末が、Ｉａ族、ＩＩａ族、遷移金属（ＩＩＩａ族〜ＶＩＩＩａ族）、Ｉｂ族、ＩＩｂ族、ＩＩＩｂ族、ＩＶｂ族、Ｖｂ族に属する元素からなる群より選ばれる一種の金属元素単体の粉末、又は、二種以上の金属元素の混合粉末であることを特徴とする、請求項１〜４の何れか一項に記載の金属微粒子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、金属粉末の微細化の技術に係り、特に、機械的な粉砕処理によりナノサイズの金属微粒子を大量に製造する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、金属の微粒子を得る手法としては、気相法（ＣＶＤ、スパッタリング、レーザーアブレーション）、メカノケミカル法、溶液法（ゾルゲル法、共沈法、無電解めっき法）、機械的粉砕による方法等が挙げられる。
【０００３】
これらの中でも、機械的な粉砕により金属粉末を微細化する技術は、大量の金属微粒子を安価且つ簡便に製造できることから、工業的に広く用いられている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、従来の機械的粉砕による金属微粒子の製造法では、粉砕で一時的に生じた微細な金属粒子（ナノ一次粒子）が、静電引力により互いに引き付けられて凝集するため、種々の大きさの塊（凝集塊）を形成してしまう。このため、最終的に得られる金属微粒子は、平均粒径や粒度分布がナノ一次粒子よりも大きくなってしまい、その微細化・均質化には限界があった。従って、（粉砕時間や粉砕時の力の強さなど）粉砕の条件を調整した場合でも、平均粒径や粒度分布が一定値以下の、十分に微細且つ均質な金属微粒子を得ることは困難である。
【０００５】
例えば、Ｔ．　Ｄ．　Ｓｈｅｎ，　ｅｔ　ａｌ．，　Ｊ．　Ｍａｔｅｒ．　Ｒｅｓ．　１０　［１］　１３９−１４８　（１９９５）　では、Ｓｉ粒子を高エネルギーミルで粉砕することによりＳｉ微粒子を製造する方法が報告されているが、得られるＳｉ粒子の平均粒径は略０．５μｍ（略５００ｎｍ）が限界であり、その粒度分布も非常に大きい。
【０００６】
一方、上述の気相法、メカノケミカル法、溶液法等の手法を用いれば、より微細で粒径の揃った金属微粒子を得ることは可能であるが、これらの方法ではコストがかかる上に大量生産も困難であり、工業的生産には不向きであった。
【０００７】
以上の背景から、工業的規模で安価且つ簡便に、粒径の揃ったナノスケールの金属微粒子を製造できる技術が強く望まれてきた。
【０００８】
本発明は、上記の実情に鑑みてなされたものであり、その目的は、工業的規模で安価且つ簡便に、粒径の揃ったナノスケールの金属微粒子を製造できる方法を提供することに存する。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、上記の課題を解決するため鋭意検討した結果、原料となる金属粉末に対して特定の条件を満たす二種類の粉砕処理を施すことにより、工業的規模で安価且つ簡便に、平均粒径が略１５０ｎｍ以下で、且つ粒径が揃ったナノスケールの金属微粒子を製造できることを見出し、本発明を完成させた。
【００１０】
即ち、本発明の要旨は、一又は二以上の金属元素からなる原料金属粉末に、磨砕及び／又はせん断が加わる第１粉砕工程と、衝撃応力が加わる第２粉砕工程とを施すことを特徴とする、金属微粒子の製造方法に存する。
【００１１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明につき、更に詳細に説明する。
本発明は、一又は二以上の金属元素からなる原料金属粉末に、磨砕及び／又はせん断が加わる第１粉砕工程と、衝撃応力が加わる第２粉砕工程という二種類の工程から成る粉砕処理を施して、金属微粒子を製造するものである。
【００１２】
・原料金属粉末：
原料金属粉末は、一種又は二種以上の金属元素からなる粉末である。金属元素の種類に特に制限は無いが、Ｉａ族、ＩＩａ族、遷移金属（ＩＩＩａ族〜ＶＩＩＩａ族）、Ｉｂ族、ＩＩｂ族、ＩＩＩｂ族、ＩＶｂ族、Ｖｂ族に属する元素からなる群より選ばれる元素が好ましく、中でも、遷移金属、Ｉｂ族、ＩＩｂ族、ＩＩＩｂ族、ＩＶｂ族、Ｖｂ族に属する元素がより好ましい。具体的には、Ｃａ，Ｋ，Ｍｇ，Ｔｉ，Ｖ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｓｉ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ａｌ，Ｇａ，Ｇｅ，Ｓｂ，Ｓｎ，Ｂｉ，Ｐｂ，Ａｇ，Ａｕ，Ｉｎがより好ましく、Ｍｇ，Ｔｉ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｆｅ，Ｓｉ，Ａｌ，Ｇｅ，Ｓｂ，Ｓｎ，Ａｇが更に好ましく、Ｓｉ，Ｃｕが特に好ましい。また、金属元素の種類の数及び組み合わせについても特に制限は無く、上記元素群より任意に選ばれた一の金属元素単体の粉末でも、上記元素群より任意の組み合わせで選ばれた二以上の金属元素の混合粉末（各々の金属元素単体の粉末の混合物）でもよい。原料金属粉末の平均粒径は、通常１００μｍ以下、好ましくは５０μｍ以下、更に好ましくは２０μｍ以下である。下限は特に制限されないが、通常０．２μｍ以上、好ましくは０．４μｍ以上である。
【００１３】
・粉砕処理：
従来の機械的粉砕による金属微粒子の製造法では、上述の様に、粉砕で一時的に生じた微細な金属粒子（ナノ一次粒子）が、静電引力により互いに引き付けられて凝集するため、実際に得られる生成物はナノ一次粒子の凝集塊（複数のナノ一次粒子の集合体。ナノ一次粒子凝集体）を含む粉体となってしまう。よって、（粉砕の時間や粉砕時に加える力の強さ等の）粉砕条件を調整した場合でも、一定値以下の平均粒径及び粒度分布を有する、極めて微細且つ均一な金属微粒子を得ることは困難であった。
【００１４】
そこで、本発明では、磨砕及び／又はせん断が加わる第１粉砕工程（従来の機械的粉砕と同様の工程）に加えて、更に、第１粉砕工程とは条件の異なる、衝撃応力が加わる第２粉砕工程を施す。原料金属粉末を第１粉砕工程によってナノ一次粒子まで粉砕した後、その生成物に含まれるナノ一次粒子の凝集塊を第２粉砕工程によって解砕することにより、均一に近い粒度分布を持つナノサイズの金属微粒子を得ることができる。従って、第１粉砕工程は原料金属粉末をナノ一次粒子まで至らしめる程度の強い粉砕処理である必要があるのに対して、第２粉砕工程は凝集したナノ一次粒子をバラバラに解砕するのに足りる程度の弱い粉砕処理が望ましい。
【００１５】
第１粉砕工程は、磨砕及び／又はせん断が加わる粉砕工程であれば、その種類は特に制限されない。ここで、磨砕とは、機械的処理により物体を磨り潰して細かくする操作であり、せん断とは、機械的処理により物体を物体に対して水平方向に切断する操作である。磨砕及び／又はせん断によって、原料金属粉末には圧縮・せん断応力が加わり、確実にナノ一次粒子まで粉砕されることになる。なお、この圧縮・せん断応力に伴うものであれば、後述の衝撃応力が同時に加わっても良い。
【００１６】
本工程の磨砕及び／又はせん断は、原料金属粉末が確実にナノ一次粒子まで粉砕される様に、原料金属粉末に対してある程度強い力が加わる条件の下で実施することが好ましい。具体的には、原料金属粉末に加わる圧縮・せん断応力（圧縮・せん断力）が、好ましくは１Ｇ〜５００Ｇ、より好ましくは１０Ｇ〜５００Ｇ（Ｇ：重力加速度）となるような条件で実施する。
【００１７】
本工程で使用する装置は、磨砕及び／又はせん断を実施できる粉砕機であれば特に制限されないが、上記範囲の強さの圧縮・せん断応力が原料金属粉末に加わる様な条件で磨砕及び／又はせん断を実施できる粉砕機であることが好ましい。使用可能な粉砕機としては、ロール式粉砕機、媒体式粉砕機、気流式粉砕機、せん断・磨砕式粉砕機等が例示される。ロール式粉砕機の具体例としては、ロール回転型、ローラー転動型が挙げられる。媒体式粉砕機は、容器駆動型と媒体攪拌型とに大別され、前者の具体例としては転動ミル、振動ミル、遊星ミル、遠心流動層型ミルが、後者の具体例としては塔型、攪拌層型、流通管型、アニュラー型が挙げられる。気流式粉砕機の具体例としては、衝突型、粒子磨砕型が挙げられる。せん断・磨砕式粉砕機の具体例としては、圧縮せん断型、高速回転せん断型、高速回転磨砕型が挙げられる。上記例示の中でも、せん断・磨砕式粉砕機が好ましく、圧縮せん断型のものが特に好ましい。
【００１８】
なお、回転運動によって粉砕を行なう粉砕機を用いる場合、原料金属粉末に加わる圧縮・せん断応力を上記範囲内とするためには、通常１００ｒｐｍ以上、好ましくは１０００ｒｐｍ以上、また、通常２００００ｒｐｍ以下、好ましくは３０００ｒｐｍ以下の回転速度で粉砕を行なうのが良い。
【００１９】
本工程は、通常１０分以上、好ましくは３０分以上、更に好ましくは１時間以上、また、通常５時間以下、好ましくは３時間以下、更に好ましくは２時間以下の範囲で実施する。
【００２０】
第２粉砕工程は、衝撃応力が加わる粉砕工程であれば、その種類は特に制限されない。ここで、衝撃応力とは、固体に高速回転するハンマーなどの衝突によって与えられる力である。本工程では、比較的弱い力の衝撃応力を選択的に加えることにより、ナノ一次粒子の凝集塊を解砕することを趣旨とする。従って、前述の圧縮・せん断応力を伴うことは可能な限り避けることが好ましい。本工程において加える衝撃応力の強さは特に制限されないが、ナノ一次粒子の凝集塊を解砕できる程度の強さであることが好ましい。
【００２１】
本工程で使用する装置は、原料金属粉末に衝撃応力を加えることができる粉砕機であれば特に制限されないが、上記範囲の強さの衝撃応力を加えることができる粉砕機であることが好ましい。使用可能な粉砕機としては、高速回転衝撃式粉砕機が例示され、その具体例としては、ハンマー型、回転円盤型、軸流型、アニュラー型が挙げられる。
【００２２】
本工程を実現するためには、通常１００ｒｐｍ以上、好ましくは５０００ｒｐｍ以上、また、通常２００００ｒｐｍ以下の回転速度で粉砕を行なうのが良い。
【００２３】
本工程は、通常５秒以上、好ましくは１０秒以上、更に好ましくは１５秒以上、また、通常１時間以下、好ましくは３０分以下、更に好ましくは１０分以下の範囲で実施する。
【００２４】
なお、上記の第１及び第２の各粉砕工程は、それぞれ一種の粉砕方式や粉砕機を用いて実施しても良く、二種以上の粉砕方式や粉砕機を任意に組み合わせて実施してもよい。また、各粉砕工程をそれぞれ一段で実施してもよく、複数段に分けて実施しても良い。後者の場合、同一の粉砕条件の下で複数段の実施を行なっても良いが、上に規定した条件を満たすのであれば、各段毎に異なる粉砕条件を設定して実施しても良い。また、何れの粉砕工程も、粉砕機のみならず、混練機、整粒機等を適用して実施することも可能である。
【００２５】
・前処理、後処理、中間処理：
なお、上記の第１粉砕工程及び第２粉砕工程の各々において、その前処理、中間処理、後処理として、必要に応じて各種の処理を実施しても良い。この様な処理の例としては、熱処理、冷却処理、材料添加処理、凝集抑制剤添加処理、乾燥処理、分級処理、整粒処理等が挙げられる。また、上述の第１粉砕工程の趣旨より、第１粉砕工程の前処理、中間処理、後処理として、第２粉砕工程の条件に該当する様な衝撃応力を伴う軽い粉砕処理を施しても良い。
【００２６】
上記凝集抑制剤としては、特に制限はないが、金属塩や金属ハロゲン化物が挙げられる。
金属塩としては、硫酸塩、硝酸塩、アンモニウム塩、酢酸塩等が挙げられるが、中でも溶媒除去又は熱処理により容易に除去できるものが好ましい。
金属ハロゲン化物としては、塩素化物、臭素化物、ヨウ素化物等が挙げられるが、より入手が容易で扱い易い点で、塩素化物が好ましい。
【００２７】
中でも、
Ｉ．２５℃で固体であるもの、及び、
ＩＩ．▲１▼気体若しくは昇華温度が４００Ｋ以上、２５００Ｋ以下、又は、
▲２▼水溶性で、且つ、２５℃の水に対する溶解度ｗ［飽和水溶液１００ｇ中の質量（ｇ）の割合］が１０重量％以上１００重量％以下であるものが好ましい。
【００２８】
具体的には、ＮａＣｌ、ＬｉＣｌ、ＫＣｌ、ＮａＢｒ、ＬｉＢｒ、ＫＢｒ、ＭｇＣｌ、ＭｇＢｒ、ＢａＣｌ２、ＢａＢｒ２、ＡｇＣｌ、ＺｎＣｌ２、ＡｌＣｌ３、ＣｕＣｌ２、ＳｎＣｌ、ＭｎＣｌ、ＦｅＣｌ３、ＮｉＣｌ２、ＦｅＢｒ２、ＣｕＢｒ、ＳｎＢｒ２等が挙げられる。
【００２９】
これらの中でも好ましいのは、水で容易に除去可能という点で、ＮａＣｌ、ＬｉＣｌである。凝集抑制剤は、処理後、溶媒洗浄、熱処理等で除去することができる。
【００３０】
・得られる金属粉末：
本発明により得られるナノ一次粒子は、その平均粒径が通常１０ｎｍ以上、好ましくは５０ｎｍ以上、また、通常２００ｎｍ以下、好ましくは１５０ｎｍ以下と極めて小さい上に、その粒度分布が狭く、粒径が揃っている。なお、本明細書において粒度分布が狭いとは、例えば、全粒子に対する割合が２５％、５０％、７５％に当たる粒径をそれぞれＤ２５、Ｄ５０、Ｄ７５として、Ｗ＝（Ｄ７５−Ｄ２５）／Ｄ５０を計算した場合に、Ｗが通常０．１以上、好ましくは、０．１以上、また、通常１．６以下、好ましくは１．０以下の範囲にあることを指す。
【００３１】
【実施例】
以下、本発明を実施例により更に具体的に説明するが、本発明はその要旨を超えない限り、以下の実施例に限定されるものではない。
【００３２】
［実施例−１］
原料金属粉末として平均粒径６μｍのＳｉ粉末４０ｇを用い、第１粉砕工程として、マルチリング媒体型超微粉砕機（株式会社奈良機械製作所製：マイクロスＭＩＣ−０）により、２０００回転で３時間にわたって乾式粉砕（窒素流量１００ｃｃ／ｍｉｎ．）を行なった。その結果、平均粒径０．３５μｍのＳｉ粒子（ナノ一次粒子）を得た。
【００３３】
続いて、このＳｉ粒子に対し、第２粉砕工程として、サンプルミル（株式会社奈良機械製作所製）により約１０秒間、連続粉砕（回転速度：１６０００ｒｐｍ）を行なった。更に２５０μｍの仕切り網を通して、Ｓｉ微粒子を得た。
【００３４】
得られたＳｉ微粒子を水に分散し、レーザー回折粒度分布計（ｍｏｄｅｌ　ＳＡＬＤ−２０００Ｊ　島津製作所製）を使用して、１０分間にわたって超音波処理を行なった後、超音波処理しながらレーザー照射時間１０秒の条件で粒度測定を行なった。得られた実施例−１のＳｉ微粒子の粒度分布図を図１に示す（横軸：Ｐａｒｔｉｃｌｅ　ｓｉｚｅ（粒径）、棒グラフ縦軸：Ｖｏｌｕｍｅ　ｆｒａｃｔｉｏｎ（体積分率）、折れ線グラフ縦軸：Ｃｕｍｕｌａｔｉｖｅ　ｖｏｌｕｍｅ　ｐｅｒｃｅｎｔ（累積体積率））。Ｓｉ微粒子の平均粒径は１３０ｎｍで、狭い粒度分布を有していた。また、走査型電子顕微鏡（ＦＥ−ＳＥＭ；Ｍｏｄｅｌ　Ｓ−４７００、日立製）を用いて撮影した、実施例−１のＳｉ微粒子の電子顕微鏡写真を図２に示す。観察の結果、ナノ一次粒子の凝集体は見られなかった。
【００３５】
［実施例−２］
実施例−１と同様の原料金属粉末に、実施例−１と同様の第１粉砕工程を施して得られたＳｉ粒子（ナノ一次粒子）に対して、更に第２粉砕工程として、実施例−１と同様のサンプルミルを使用して、バッチ式で３０分にわたって乾式粉砕を行ない、Ｓｉ微粒子を得た。
【００３６】
実施例−１と同様の条件で測定した、実施例−２のＳｉ微粒子の粒度分布図を図３に示す（横軸：Ｐａｒｔｉｃｌｅ　ｓｉｚｅ（粒径）、棒グラフ縦軸：Ｖｏｌｕｍｅ　ｆｒａｃｔｉｏｎ（体積分率）、折れ線グラフ縦軸：Ｃｕｍｕｌａｔｉｖｅ　ｖｏｌｕｍｅ　ｐｅｒｃｅｎｔ（累積体積率））。Ｓｉ微粒子の平均粒径は１４０ｎｍで、狭い粒度分布を有していた。また、実施例−１と同様の条件で撮影した、実施例−２のＳｉ微粒子の電子顕微鏡写真を図４に示す。観察の結果、ナノ一次粒子の凝集体は見られなかった。
【００３７】
［実施例−３］
実施例−１と同様の原料金属粉末に、処理時間を１時間とした他は実施例−１と同様の第１粉砕工程を施して得られたＳｉ粒子（ナノ一次粒子）に対して、更に第２粉砕工程として、実施例−１と同様のサンプルミルを使用して、連続式で１０秒にわたって乾式粉砕を行ない、Ｓｉ微粒子を得た。
【００３８】
実施例−１と同様の条件で、実施例−３のＳｉ微粒子の粒度分布を測定したところ、Ｓｉ微粒子の平均粒径は１３０ｎｍであった。また、実施例−１と同様の条件で、実施例−３のＳｉ微粒子の電子顕微鏡写真を撮影したところ、ナノ一次粒子の凝集体は観察されなかった。
【００３９】
［実施例−４］
実施例−１と同様の原料金属粉末に、処理時間を６時間とした他は実施例−１と同様の第１粉砕工程を施して得られたＳｉ粒子（ナノ一次粒子）に対して、更に実施例−３と同様の第２粉砕工程を施し、Ｓｉ微粒子を得た。
【００４０】
実施例−１と同様の条件で、実施例−４のＳｉ微粒子の粒度分布を測定したところ、Ｓｉ微粒子の平均粒径は１１５ｎｍであった。また、実施例−１と同様の条件で、実施例−４のＳｉ微粒子の電子顕微鏡写真を撮影したところ、ナノ一次粒子の凝集体は観察されなかった。
【００４１】
［比較例−１］
実施例−１と同様の原料金属粉末に、実施例−１と同様の第１粉砕工程を施して得られたＳｉ粒子を用いた。
【００４２】
実施例−１と同様の条件で測定した、比較例−１のＳｉ粒子の粒度分布図を図５に示す（横軸：Ｐａｒｔｉｃｌｅ　ｓｉｚｅ（粒径）、棒グラフ縦軸：Ｖｏｌｕｍｅ　ｆｒａｃｔｉｏｎ（体積分率）、折れ線グラフ縦軸：Ｃｕｍｕｌａｔｉｖｅ　ｖｏｌｕｍｅ　ｐｅｒｃｅｎｔ（累積体積率））
。Ｓｉ微粒子の平均粒径は３５０ｎｍであった。また、実施例−１と同様の条件で撮影した、比較例−１のＳｉ微粒子の電子顕微鏡写真を図６に示す。観察の結果、凝集粒子が見られた。
【００４３】
［比較例−２］
原料金属粉末として平均粒径６μｍのＳｉ粉末５０ｇを用い、第１粉砕工程として、実施例−１と同様のマルチリング媒体型超微粉砕機を用いて、２０００回転で３時間にわたって湿式粉砕（エチルアルコール：２００ｍｌ）を行ない、Ｓｉ粒子を得た。
【００４４】
実施例−１と同様の条件で、比較例−２のＳｉ粒子の粒度分布を測定したところ、Ｓｉ粒子の平均粒径は０．８μｍであった。また、実施例−１と同様の条件で、比較例−２のＳｉ微粒子の電子顕微鏡写真を撮影したところ、凝集粒子が観察された。
【００４５】
［比較例−３］
原料金属粉末として平均粒径６μｍのＳｉを用い、第１粉砕工程を実施せず、第２粉砕工程として、サンプルミルを用いて、連続粉砕でＳｉ粉末を乾式粉砕（窒素流量１００ｃｃ／ｍｉｎ．）した。
【００４６】
実施例−１と同様の条件で測定した、比較例−３のＳｉ粒子の粒度分布図を図７に示す（横軸：Ｐａｒｔｉｃｌｅ　ｓｉｚｅ（粒径）、棒グラフ縦軸：Ｖｏｌｕｍｅ　ｆｒａｃｔｉｏｎ（体積分率）、折れ線グラフ縦軸：Ｃｕｍｕｌａｔｉｖｅ　ｖｏｌｕｍｅ　ｐｅｒｃｅｎｔ（累積体積率））
。Ｓｉ粒子の平均粒径は５００ｎｍであった。また、実施例−１と同様の条件で撮影した、比較例−３のＳｉ微粒子の電子顕微鏡写真を図８に示す。観察の結果、凝集粒子が見られた。
【００４７】
［比較例−４］
実施例−１と同様の原料金属粉末に、処理時間を１時間とした他は実施例−１と同様の第１粉砕工程を施して得られたＳｉ粒子を用いた。
【００４８】
実施例−１と同様の条件で、比較例−４のＳｉ粒子の粒度分布を測定したところ、Ｓｉ粒子の平均粒径は０．９μｍであった。また、実施例−１と同様の条件で、比較例−４のＳｉ微粒子の電子顕微鏡写真を撮影したところ、凝集粒子が観察された。この場合、従来の粉砕時間と比べて、より短時間でナノ一次粒子が生成していると思われるが、凝集しているために平均粒径は大きいものになっていた。
【００４９】
［比較例−５］
実施例−１と同様の原料金属粉末に、処理時間を６時間とした他は実施例−１と同様の第１粉砕工程を施して得られたＳｉ粒子を用いた。
【００５０】
実施例−１と同様の条件で、比較例−４のＳｉ粒子の粒度分布を測定したところ、Ｓｉ粒子の平均粒径は１３０ｎｍで、広い粒度分布を有していた。また、実施例−１と同様の条件で、比較例−５のＳｉ微粒子の電子顕微鏡写真を撮影したところ、凝集粒子が観察された。したがって、第１粉砕工程の６時間処理で、十分に小さい粒子が得られるが、粒度分布が広く、かつ処理時間が極めて長いので、工業的実施には適さない。
【００５１】
実施例−１〜実施例−４、及び比較例−１〜比較例−５で得られたＳｉ粒子の平均粒径を以下の表１に示す。
【００５２】
【表１】
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【００５３】
【発明の効果】
本発明によれば、磨砕及び／又はせん断が加わる第１粉砕工程によって原料金属粉末をナノ一次粒子に粉砕した上で、凝集したナノ一次粒子を衝撃応力が加わる第２粉砕工程によって解砕しているので、工業的規模で安価且つ簡便に、平均粒径が略１５０ｎｍ以下の、粒径の揃ったナノスケールの金属微粒子を製造することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施例−１のＳｉ微粒子の粒度分布図である。
【図２】実施例−１のＳｉ微粒子の電子顕微鏡写真である。
【図３】実施例−２のＳｉ微粒子の粒度分布図である。
【図４】実施例−２のＳｉ微粒子の電子顕微鏡写真である。
【図５】比較例−１のＳｉ微粒子の粒度分布図である。
【図６】比較例−１のＳｉ微粒子の電子顕微鏡写真である。
【図７】比較例−３のＳｉ微粒子の粒度分布図である。
【図８】比較例−３のＳｉ微粒子の電子顕微鏡写真である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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