(57)【要約】【課題】挿入損失が小さく、アイソレーションの帯域幅が広い非可逆回路素子及びこの非可逆回路素子を備えた通信機装置を提供する。【解決手段】板状磁性体５と、板状磁性体５の一面側に配置された共通電極と、共通電極の外周部から板状磁性体５を包むように３方向に延出形成されて板状磁性体５の他面側に折曲されるとともに該他面側で相互に所定の角度でもって交差された第１、第２、第３中心導体６ｂ、７ｂ、８ｂと、板状磁性体５に対向して配置されたバイアス用の磁石４とを具備してなり、第１、第２中心導体６ｂ、７ｂの少なくとも一部の導体幅Ｗ１、Ｗ２が１５０μｍ未満であることを特徴とする非可逆回路素子１を採用する。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
板状磁性体と、該板状磁性体の一面側に配置された共通電極と、該共通電極の外周部から前記板状磁性体を包むように３方向に延出形成されて板状磁性体の他面側に折曲されるとともに該他面側で相互に所定の角度でもって交差された第１、第２、第３中心導体と、前記板状磁性体に対向して配置されたバイアス用の磁石とを具備してなり、
前記第１、第２中心導体の少なくとも一部の導体幅が１５０μｍ未満であることを特徴とする非可逆回路素子。
【請求項２】
前記第１、第２中心導体の少なくとも一部の導体幅が９０μｍ以上１３０μｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載の非可逆回路素子。
【請求項３】
前記第１、第２中心導体の交差部における両中心導体の重複部分の長さが、前記板状磁性体の他面側における各中心導体の長さの１０％以上であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の非可逆回路素子。
【請求項４】
前記第１、第２中心導体の交差部における両中心導体の重複部分の長さが、前記板状磁性体の他面側における各中心導体の長さの２０％以上であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の非可逆回路素子。
【請求項５】
前記第１、第２中心導体の交差部における交差角度が３０度以下であることを特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれかに記載の非可逆回路素子。
【請求項６】
前記第１、第２中心導体の交差部における交差角度が１５度以下であることを特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれかに記載の非可逆回路素子。
【請求項７】
前記重複部分における前記第１、第２中心導体が略平行に配置されていることを特徴とする請求項１ないし請求項６のいずれかに記載の非可逆回路素子。
【請求項８】
前記第１、第２中心導体の幅方向中央部に各中心導体の長さ方向に沿うスリット部が各々設けられ、該スリット部によって前記各中心導体に２本の分割導体が各々設けられたことを特徴とする請求項１ないし請求項７のいずれかに記載の非可逆回路素子。
【請求項９】
前記第１、第２中心導体に整合用コンデンサが各々接続され、前記第３中心導体に整合用コンデンサ及び終端抵抗が接続された構成を備えることを特徴とする請求項１ないし請求項８のいずれかに記載の非可逆回路素子。
【請求項１０】
請求項１ないし請求項９のいずれかに記載の非可逆回路素子と、該非可逆回路素子の前記第１または第２中心導体に接続された送信回路部と、前記第２または第１中心導体に接続されたアンテナとを具備してなることを特徴とする通信機装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、非可逆回路素子及び通信機装置に関するものであり、特に、挿入損失が小さく、アイソレーションの帯域幅が広い非可逆回路素子に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
集中定数型のアイソレータは、信号を伝送方向に損失なく通過させ、逆方向への信号の通過を阻止する機能を備えた高周波部品であり、携帯電話等の移動通信装置の送信回路部とアンテナとの間に配置されて使用されている。
【０００３】
このアイソレータは、板状磁性体と、該板状磁性体に巻掛けられた３つの中心導体と、各中心導体に各々接続された整合用コンデンサと、収束用の中心導体に接続された終端抵抗と、板状磁性体にバイアス磁界を印加する磁石とを主体として構成されている。アイソレーションや挿入損失などの特性は、下記特許文献１に記載されているように、中心導体の導体幅に依存する傾向がある。
【０００４】
【特許文献１】
特開２００１−２０３５０７号公報
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
上記特許文献１においては、終端抵抗が接続される中心導体の導体幅を、他の２つの中心導体の導体幅より広くしたことによって、損失を低減できたとされている。しかし上記特許文献１の図５に示されるように、従来のアイソレータでは、損失が低減する一方でアイソレーションの帯域幅が大幅に狭くなり、動作周波数が変動した場合に損失が大きく増大するおそれがあった。このため、従来から、損失が低く、かつアイソレーションの帯域幅の広いアイソレータが望まれていた。
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであって、挿入損失が小さく、アイソレーションの帯域幅が広い非可逆回路素子及びこの非可逆回路素子を備えた通信機装置を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために、本発明は以下の構成を採用した。
本発明の非可逆回路素子は、板状磁性体と、該板状磁性体の一面側に配置された共通電極と、該共通電極の外周部から前記板状磁性体を包むように３方向に延出形成されて板状磁性体の他面側に折曲されるとともに該他面側で相互に所定の角度でもって交差された第１、第２、第３中心導体と、前記板状磁性体に対向して配置されたバイアス用の磁石とを具備してなり、前記第１、第２中心導体の少なくとも一部の導体幅が１５０μｍ未満であることを特徴とする。
【０００７】
係る非可逆回路素子によれば、第１、第２中心導体の少なくとも一部の導体幅を１５０μｍ未満にすることにより、挿入損失を低減することができる。
【０００８】
本発明の非可逆回路素子においては、前記第１、第２中心導体の少なくとも一部の導体幅が９０μｍ以上１３０μｍ以下であることが好ましい。
係る非可逆回路素子によれば、第１、第２中心導体の少なくとも一部の導体幅を９０μｍ以上１３０μｍ以下にすることにより、挿入損失をより低減することができる。
【０００９】
また本発明の非可逆回路素子は、先に記載の非可逆回路素子であり、前記第１、第２中心導体の交差部における両中心導体の重複部分の長さが、前記板状磁性体の他面側における各中心導体の長さの１０％以上であることを特徴とする。
【００１０】
本発明の非可逆回路素子においては、第１、第２中心導体の交差部における両中心導体の重複部分の長さが長くなるにしたがい、第１、第２中心導体の重複部分で確保される容量値が大きくなる。このため、各中心導体に接続するコンデンサの容量値が小さくなり、アイソレーションの帯域幅を拡大することができる。
また、上述したように、中心導体の導体幅を１５０μｍ未満にすることで、挿入損失の低減と、アイソレーションの帯域幅の拡大を同時に行うことができる。
【００１１】
また本発明の非可逆回路素子は、先に記載の非可逆回路素子であり、前記第１、第２中心導体の交差部における両中心導体の重複部分の長さが、前記板状磁性体の他面側における各中心導体の長さの２０％以上であることを特徴とする。
【００１２】
上記と同様に、本発明の非可逆回路素子においては、第１、第２中心導体の交差部における両中心導体の重複部分の長さが長くなるにしたがい、第１、第２中心導体の重複部分で確保される容量値が更に大きくなる。このため、各中心導体に接続するコンデンサの容量値が小さくなり、アイソレーションの帯域をより広げることができる。
【００１３】
また本発明の非可逆回路素子においては、前記第１、第２中心導体の交差部における交差角度が３０度以下であることが好ましく、１５度以下であることがより好ましい。
【００１４】
また、本発明の非可逆回路素子においては、前記重複部分における前記第１、第２中心導体が略平行に配置されていることが好ましく、あるいは、平行である部分（平行部）以外に非平行部分があってもよい。上記両中心導体の重複部分における第１、第２中心導体の平行部の長さが長くなるほど、非可逆回路素子の挿入損失の低減効果を増大できる。
また、上記両中心導体の重複部分における第１、第２中心導体の非平行部があると、アイソレーションの帯域幅をより拡大することができる。従って、上記両中心導体の重複部分に上記平行部以外に上記非平行部があると、非可逆回路素子の挿入損失の低減効果とアイソレーションの向上効果がある。
【００１５】
また本発明の非可逆回路素子は、先に記載の非可逆回路素子であり、前記第１、第２中心導体の幅方向中央部に各中心導体の長さ方向に沿うスリット部が各々設けられ、該スリット部によって前記各中心導体に２本の分割導体が各々設けられたことを特徴とする。
【００１６】
係る非可逆回路素子によれば、中心導体に２本の分割導体が各々設けられているので、中心導体のインダクタンスをより高めることが可能になり、中心導体のインピーダンスマッチングが広範囲で改善でき、挿入損失をより低減することができる。
【００１７】
また本発明の非可逆回路素子は、先に記載の非可逆回路素子であり、前記第１、第２中心導体に整合用コンデンサが各々接続され、前記第３中心導体に整合用コンデンサ及び終端抵抗が接続された構成を備えることを特徴とする。
【００１８】
係る非可逆回路素子によれば、入力側から出力側に信号に損失なく通過させ、逆方向には信号を通過させないので、携帯電話等の移動通信装置に好適に用いることができる。
【００１９】
次に本発明の通信機装置は、先のいずれかに記載の非可逆回路素子と、該非可逆回路素子の前記第１または第２中心導体に接続された送信回路部と、前記第２または第１中心導体に接続されたアンテナとを具備してなることを特徴とする。
【００２０】
係る通信機装置によれば、挿入損失が小さく、アイソレーションの帯域幅が広い上記の非可逆回路素子を備えているので、インピーダンスマッチングを容易に行うことができ、安定した通信を行うことができる。
【００２１】
【発明の実施の形態】
以下に本発明を更に詳細に説明する。
（非可逆回路素子の第１の実施形態）
図１〜図３は本発明に係る非可逆回路素子をアイソレータとして適用した第１の実施の形態を示すものである。
本実施形態のアイソレータ１（非可逆回路素子）は、上ヨーク２ａ及び下ヨーク２ｂからなる中空ヨーク３内に、フェライトなどからなる磁石４と板状磁性体５と線路導体６、７、８とこれら線路導体６、７、８を接続した共通電極１０と板状磁性体５の周囲に配置された整合用コンデンサ１１、１２と終端抵抗１３とを備えて構成されている。
【００２２】
上ヨーク２ａ及び下ヨーク２ｂは軟鉄などの強磁性体からなり、これらが組み合わされて直方体状の中空ヨーク３が形成される。なお、上下ヨーク２ａ、２ｂの表裏面にはＡｇメッキなどの導電層が被覆形成されることが好ましい。また、側面コ字型の上ヨーク２ａは側面コ字型の下ヨーク２ｂに嵌め込み自在の大きさとされており、上ヨーク２ａと下ヨーク２ｂの互いの開口部分を嵌め合わせることで両者を一体として箱型の磁気閉回路を構成することができるように構成されている。
なお、これらのヨーク２ａ、２ｂの形状はこの実施形態の如くコ字型に限るものではなく、複数のヨークで箱型の閉磁器回路を構成するものであれば、任意の形状で差し支えない。
嵌め合わされた上下ヨーク２ａ、２ｂが区画する空間には、換言すると中空ヨーク３の内部には、先の板状磁性体５と３本の線路導体６、７、８とこれら線路導体６、７、８を接続した共通電極１０とからなる磁性組立体１５が収納されている。このように本実施形態のアイソレータは、磁性組立体１５を有している。
【００２３】
板状磁性体５は、例えば、Ｙ３Ｆｅ５Ｏ１２を基本組成とするガーネットフェライトが好ましく、またＹの一部をＧｄに置換するとともにＦｅの一部をＩｎ及びＡｌに置換したものであっても良く、円形、角形等、必要に応じて様々な形状にすることができるが、本実施形態においては、図２に示すように平面視横長の略長方形板状とされている。より詳細には、相対向する横長の２つの長辺５ａ、５ａと、これらの長辺５ａ、５ａに直角向きの短辺５ｂ、５ｂと、長辺５ａ、５ａの両端部側に位置して各長辺５ａに対して１５０゜の角度で傾斜し（長辺５ａの延長線に対しては３０°の傾斜角度で傾斜し）、個々に先の短辺５ｂに接続する４つの傾斜辺５ｄとから構成される平面視横長の略長方形状とされている。従って板状磁性体５の平面視４つのコーナ部には、それぞれ長辺５ａに対する１５０°傾斜（短辺５ｂに対して１３０°傾斜）の傾斜面（受面）５ｄが形成されている。
【００２４】
また、この板状磁性体５においては、その横方向、即ち長手方向の幅と、その縦方向、即ち長手方向に直交する方向の幅との比、即ち縦横比が２５％（１：４）以上、８０％（４：５）以下の範囲、即ち平面視横長であることが好ましい。
なお、ここで、図１に示すものは平面視横長の板状磁性体５であるが、図１を９０゜回転させた横方向から見ると、板状磁性体５は縦長形状となる。よって本発明では、板状磁性体５は横長形状でも縦長形状でも全く等価のものと考える。
【００２５】
次に、先の３本の線路導体６、７、８と共通電極１０は、図３の展開図に示すように一体化されてなり、３本の線路導体６、７、８と共通電極１０とを主体として電極部１６が構成されている。この共通電極１０は、平面視先の板状磁性体５とほぼ相似形状の金属板からなる本体部１０Ａから構成されている。即ち、本体部１０Ａは相対向する２つの長辺部１０ａ、１０ａと、これらの長辺部１０ａ、１０ａに直角向きの短辺部１０ｂ、１０ｂと、長辺部１０ａ、１０ａの両端部側に位置して各長辺部１０ａに対して１５０°の角度で傾斜し、先の短辺部１０ｂに対しては１３０°の傾斜角度で接続する傾斜部１０ｄとから構成される平面視略長方形（矩形状）とされている。
【００２６】
そして、共通電極１０から第１線路導体６と第２線路導体７とが延出形成されている。まず、共通電極１０の一方の長辺部１０ａの一端側から第１基部導体６ａと第１中心導体６ｂ（中心導体）と第１先端部導体６ｃからなる第１線路導体６が延出形成される一方、長辺部１０ａの他端側から第２基部導体７ａと第２中心導体７ｂ（中心導体）と第２先端部導体７ｃとからなる第２線路導体７が延出形成されている。
基部導体６ａ、７ａはそれらの中心軸線Ａ、Ａ同士のなす角度θ１が図３に示すように６０°程度とされている。
また、第１中心導体６ｂが入力側の中心導体とされ、第２中心導体７ｂが出力側の中心導体とされている。
【００２７】
第１中心導体６ｂは、平面視波形あるいはジクザグ状のものであり、基部導体側端部６Ｄと、先端部導体側端部６Ｆと、これらの間の中央部６Ｅの３つの部分からなる。第２中心導体７ｂも第１中心導体６ｂと同様の形状であり、基部導体側端部７Ｄと、先端部導体側端部７Ｆと、これらの間の中央部７Ｅの３つの部分からなる。第１、第２中心導体６ｂ、７ｂを上記のような形状とすることで、各中心導体６ｂ、７ｂの導体長を長くしてインダクタンスを大きくし、非可逆回路素子としての低周波化と小型化を両立させることができる。
【００２８】
基部導体側端部６Ｄ、７Ｄは、図３に示すようにそれらの中心軸線Ｂ、Ｂ同士のなす角度θ３が上記角度θ１と同程度の角度以上とされており、即ち、基部導体側端部６Ｄ、７Ｄが徐々に外側に広がるような角度とされている。
中央部６Ｅ、７Ｅは、図３に示すようにそれらの中心軸線Ｂ、Ｂ同士が徐々に近接するように形成されている。
先端部導体側端部６Ｆ、７Ｆは、図３に示すようにそれらの中心軸線Ｂ、Ｂ同士のなす角度θ３が上記角度θ１より大きい角度とされており、即ち、先端部導体側端部６Ｆ、７Ｆが徐々に外側に広がるような角度とされている。
更に先端部導体６ｃ、７ｃは、図３に示すようにそれらの中心軸線Ｃ、Ｃ同士のなす角度θ２が１５０゜程度の角度以上とされており、即ち、先端部導体側端部６Ｃ、７Ｃが徐々に外側に広がるような角度とされている。
【００２９】
次に、第１線路導体６の幅方向中央部には、共通電極１０の外周部から基部導体６ａと中心導体６ｂを通過し先端部導体６ｃの基端部まで到達するスリット部１８が形成され、このスリット部１８を形成することにより第１中心導体６ｂが２本の分割導体６ｂ１、６ｂ２に分割され、基部導体６ａも２本の分割導体６ａ１、６ａ２に分割されている。
第２線路導体７の幅方向中央部にも上記スリット部１８と同様のスリット部１９が形成され、このスリット部１９を形成することにより第２中心導体７ｂが２本の分割導体７ｂ１、７ｂ２に分割され、基部導体７ａも２本の分割導体７ａ１、７ａ２に分割されている。
スリット部１８の共通電極１０側の端部は、接続導体６ａを通過して共通電極１０の外周部から若干深い位置まで到達することで凹部１８ａを形成し、第１線路導体６の線路長を若干長くしているとともに、スリット部１９の共通電極１０側の端部も接続導体７ａを通過して共通電極１０の外周部まで到達することで凹部１９ａを形成し、第２線路導体７の線路長を若干長くしている。なお、凹部１８ａ、凹部１９ａは必要に応じて設ければ良く、なくても良い。
【００３０】
そして、図１及び図３に示すように、第１中心導体を構成する分割導体６ｂ１、６ｂ２の導体幅Ｗ１（第１中心導体の導体幅）は、１５０μｍ未満が好ましく、９０μｍ以上１３０μｍ以下の範囲がより好ましい。同様に、第２中心導体を構成する分割導体７ｂ１、７ｂ２の導体幅Ｗ２（第２中心導体の導体幅）についても、１５０μｍ未満が好ましく、９０μｍ以上１３０μｍ以下の範囲がより好ましい。
第１、第２中心導体６ｂ、７ｂの導体幅が上記の範囲に設定されることにより、挿入損失をより低減することができる。第１、第２中心導体６ｂ、７ｂの導体幅が１５０μｍ以上だと、挿入損失が高くなってしまうので好ましくない。また、挿入損失は、中心導体６ｂ、７ｂの導体幅を狭くするほど小さくなるが、導体幅が狭くなると中心導体６ｂ、７ｂ自体の強度が低下し、加工性が悪くなって磁性組立体１５の製造が困難になるので好ましくない。従って、加工性の面から中心導体６ｂ、７ｂの導体幅の下限値を９０μｍとしたが、下限値はこの数値に限定されるものではなく、製造技術の向上に伴って導体幅を更に狭めることが可能であれば、下限値をより狭くすることができる。
【００３１】
一方、共通電極１０の他方の長辺部１０ａ側の中央部に第３線路導体８が延設されている。この第３線路導体８は共通電極１０から突出形成された第３基部導体８ａと第３中心導体８ｂ（中心導体）と第３先端部導体８ｃとから構成されている。第３基部導体８ａは、共通電極１０の長辺側中央部からほぼ直角に延出形成された２本の短冊状の分割導体８ａ１、８ａ２からなり、２本の分割導体８ａ１、８ａ２の間にはスリット２０が形成されている。
第３中心導体８ｂは、平面視Ｌ字型に湾曲して形成されており、先の分割導体８ａ１に接続する平面視Ｌ字状の分割導体８ｂ１と先の分割導体８ａ２に接続する平面視Ｌ字状の分割導体８ｂ２とからなり、第３中心導体８ｂをこのように湾曲して形成することにより線路導体の実質的な導体長を長くしてインダクタンスを大きくし、非可逆回路素子としての低周波化と小型化を両立させることができる。
【００３２】
更に、これらの分割導体８ｂ１、８ｂ２の先端側はＬ字型の第３先端部導体８ｃに一体化されている。この第３先端部導体８ｃは、先の分割導体８ｂ１、８ｂ２を一体化して先の分割導体８ａ１、８ａ２と同じ方向に向けて延出形成された接続部８ｃ１とこの接続部８ｃ１に対してほぼ直角方向に延出形成された接続部８ｃ２とから構成されている。
次に、共通電極１０の一方の長辺部１０ａ側において、第３線路導体８の分割導体８ａ１、８ａ２の間の部分には、共通電極１０の長辺部１０ａを一部切り欠く形で凹部１０ｅが形成され、この凹部１０ｅを形成することで第３線路導体８の線路長が若干長くされている。なお、この凹部１０ｅも、先の凹部１８ａ、１９ａと同じく、必要に応じて設ければ良い。
【００３３】
前記の如く構成された電極部１６は、その共通電極１０の本体部１０Ａを板状磁性体５の裏面側（一面側）に添わせ、第１線路導体６と第２線路導体７と第３線路導体８とを板状磁性体５の表面側（他面側）に折り曲げて板状磁性体５に装着され、板状磁性体５とともに磁性組立体１５を構成している。
即ち、第１線路導体６の分割導体６ａ１、６ａ２を板状磁性体５の１つの傾斜面５ｄの縁に沿って折り曲げ、第２線路導体７の分割導体７ａ１、７ａ２を板状磁性体５の他の１つの傾斜面５ｄの縁に沿って折り曲げ、第３線路導体８の分割導体８ａ１、８ａ２を板状磁性体５の長辺５ａの縁に沿って折り曲げ、第１線路導体６の中心導体６ａを板状磁性体５の表面（他面）に沿って添わせ、第２線路導体７の中心導体７ｂを板状磁性体５の表面（他面）に沿って添わせ、更に第３線路導体８の中心導体８ｂを板状磁性体５の表面部の中央部分に沿って添わせることで電極部１６が板状磁性体５に装着されて磁性組立体１５とされている。
【００３４】
第１、第２中心導体６ｂ、７ｂが上記構成とされているので、上記のように板状磁性体５の表面（他面）に沿って添わせると、該板状磁性体５の表面上で第１、第２中心導体６ｂ、７ｂが交差する。図１には、中央部６Ｅ、７Ｅが重複している場合を図示した。
第１、第２中心導体６ｂ、７ｂの交差部３５における両中心導体の重複部分の長さＬ３は、磁性体基板５の表面（他面）に重なる中心導体部分の長さＬ４の１０％以上、好ましくは２０％以上とされている。図１には、交差部３５の両中心導体の重複部分の長さＬ３が板状磁性体５の表面に重なる中心導体部分の長さＬ４の約７５％である場合を図示した。
第１、第２中心導体６ｂ、７ｂの重複部分の長さＬ３が長くなるにしたがい、係る重複部分において確保される容量値が大きくなる。このため、各中心導体６ｂ、７ｂに接続するコンデンサの容量値が小さくなり、アイソレーションの帯域幅を拡大できる。特に、中心導体６ｂ、７ｂの導体幅を１５０μｍ未満にすることで、挿入損失の低減と、アイソレーションの帯域幅の拡大を同時に行うことができる。
なお、第１、第２中心導体６ｂ、７ｂの重複部分の長さＬ３の上限としては、第１、第２線路導体６、７の形状等を変更、例えば、第１、第２基部導体６ａ、７ａの中心軸線Ａ、Ａどうしがなす角度θ１や第１、第２中心導体６ｂ、７ｂの各部分の中心軸線Ｂ、Ｂどうしがなす角度θ３を変更することにより、板状磁性体５の表面に重なる中心導体部分の長さＬ４の１００％まで可能である。
【００３５】
また、第１、第２中心導体６ｂ、７ｂの重複部分が交差する場合、その交差角度が３０°以下であることが好ましく、さらに好ましくは１５°以下である。
また、第１、第２中心導体６ｂ、７ｂの重複部分の第１、第２中心導体６ｂ、７ｂは交差せず、略平行であることがさらに好ましい。
図１には、中央部６Ｅ、７Ｅの中心軸線Ｂ、Ｂが平行である場合を図示した。
なお、図１（Ａ）では略したが、板状磁性体５と第１線路導体６と第２線路導体７と第３線路導体８との間には各々に絶縁シートＺが介在されて各線路導体６、７、８は個々に電気的に絶縁されている。
【００３６】
なお、第１、第２線路導体６、７が上記のようにそれぞれ２本の分割導体に分割されている場合における、第１、第２中心導体６ｂ、７ｂの交差部３５の両中心導体の重複部分の長さとは、図４に示すように第１中心導体の一方の分割導体６ｂ１と第２中心導体の一方の分割導体７ｂ１の重複部分の長さＬ５あるいは第１中心導体の他方の分割導体６ｂ２と第２中心導体の他方の分割導体７ｂ２の重複部分の長さＬ６としてもよい。この場合、両分割導体の重複部分の長さＬ５、Ｌ６は、それぞれ板状磁性体５の表面（他面）に重なる中心導体部分の長さＬ４の１０％以上とすることが先に述べた理由により好ましい。
【００３７】
また、第１、第２線路導体６、７が上記のようにそれぞれ２本の分割導体に分割されている場合における、第１、第２中心導体６ｂ、７ｂの交差部３５の両中心導体の重複部分の交差角度とは、第１中心導体の一方の分割導体６ｂ１と第２中心導体の一方の分割導体７ｂ１の重複部分の交差角度であってもよいし、第１中心導体の他方の分割導体６ｂ２と第２中心導体の他方の分割導体７ｂ２の重複部分の交差角度であってもよい。この場合の交差角度は３０度以下であることが先に述べた理由により好ましい。
【００３８】
次に、磁性組立体１５は下ヨーク２ｂの底部中央側に配置され、下ヨーク２ｂの底部側の磁性組立体１５の両側部分には平面視細長で先の板状磁性体５の半分程度の厚さの板状の整合用コンデンサ１１、１２が収納され、整合用コンデンサ１２の一側部側には終端抵抗１３が収納されている。
そして、第１線路導体６の先端部導体６ｃを整合用コンデンサ１１の一側端部に形成されている電極部１１ａに電気的に接続し、第２線路導体７の先端部導体７ｃを整合用コンデンサ１１の他側端部に形成されている電極部１１ｂに電気的に接続し、第３線路導体８の先端部導体８ｃを整合用コンデンサ１２と終端抵抗１３に電気的に接続して磁性組立体１５に整合用コンデンサ１１、１２と終端抵抗１３とが接続されている。なお、終端抵抗１３を接続しなければ、サーキュレータとして作用する。
【００３９】
前記先端部導体７ｃの部分が接続された整合用コンデンサ１１の端部側に非可逆回路素子１としての第１ポートＰ１が形成され、先端部導体６ｃの部分が接続された整合用コンデンサ１１の端部側に非可逆回路素子１としての第２ポートＰ２が形成され、先端部導体８ｃの部分が接続された終端抵抗１３の端部側がアイソレータ１としての第３ポートＰ３とされている。
【００４０】
また、下ヨーク２ｂと上ヨーク２ａとの間の空間部において磁性組立体１５はその空間部の厚さの半分程を占有する厚さに形成されており、磁性組立体１５よりも上ヨーク２ａ側の空間部分には、図１Ｂに示すスペーサ部材３０が収納され、該スペーサ部材３０に磁石部材４が設置されている。
先のスペーサ部材３０は、上ヨーク２ａの内部に収納可能な大きさの平面視矩形板状の基板部３１と、この基板部３１の底部側の４隅の各コーナ部分に形成された脚部３１ａとからなり、基板部３１において脚部３１ａ…が形成されていない側の面（上面）に円型の収納凹部３１ｂが形成され、該収納凹部３１ｂの底面側には基板部３１を貫通する矩形型の透孔（図示略）が形成されている。
【００４１】
そして、先の収納凹部３１ｂに円盤状の磁石４が嵌め込まれ、この磁石４を備えた状態のスペーサ部材３０がそれらの４つの脚部３０ａで先の整合用コンデンサ１１、１２とこれらに接続されている第１先端部導体６ｃ、７ｃ、並びに、終端抵抗１３とこれに接続されている先端部導体８ｃの先端部を下ヨーク２ｂの底部側に押さえ付け、スペーサ部材３０の底部により磁性組立体１５を下ヨーク２ｂの底面側に押さえ付けた状態でヨーク２ａ、２ｂの間に収納されている。
【００４２】
上述のアイソレータ１によれば、第１、第２中心導体６ｂ、７ｂの導体幅を１５０μｍ未満、より好ましくは９０μｍ以上１３０μｍ以下とし、第１、第２中心導体６ｂ、７ｂの交差部３５における両中心導体の重複部分の長さＬ３を、前記板状磁性体の他面側における各中心導体の長さＬ４の１０％以上とすることにより、挿入損失の低減と、アイソレーションの帯域幅の拡大を同時に達成することができる。
【００４３】
また、第１線路導体６と第２線路導体７がいずれも板状磁性体５の表面側に折り畳まれたので、入力側の線路導体から板状磁性体５に入力された信号を出力側に効果的に伝搬させることができ、低損失でしかも広帯域な通過特性を発揮できる。従って磁性組立体１５の磁気特性として好適なものが確実に得られるようになる。
また本実施形態のアイソレータ１を０．８ＧＨｚ〜０．９ＧＨｚ程度の比較的低周波で使用する携帯電話に備えられる場合、インダクタンスを大きくする必要があるが、本実施形態では各線路導体にスリット部を形成することによりそれぞれ２本の分割導体に分割することにより、相互インダクタンスが発生し、線路導体として同じ導体長でも、分割した構成の方がより大きなインダクタンスが得られるようにしており、また、各スリット部の共通電極１０側の端部に凹部を形成することにより、各線路導体の線路長を若干長くすることにより、大きなインダクタンスが得られるようにしている。
このように０．８ＧＨｚ〜０．９ＧＨｚ程度の比較的低周波で使用するアイソレータ１では、コンデンサとして容量値が大きいものが必要となるが、上記ような磁性組立体１５が備えられているので、上記交差部３５の第１と第２の中心導体６ｂ、７ｂの重複部分で確保される容量値が大きくなるので、その分、各線路導体に接続するコンデンサの容量値が小さくでき、同じインダクタンスを確保するならば線路導体に接続されたコンデンサ基板の占有面積が小さくできる結果、小型化されたアイソレータとすることができる。
【００４４】
図５Ｂは図１から図４に示した構成のアイソレータ１の動作原理を示すものである。図５Ｂに示す回路に組み込まれているアイソレータ１は、符号▲１▼で示す第１ポートＰ１側から符号▲２▼で示す第２ポートＰ２方向への信号は伝えるが、符号▲２▼の第２ポートＰ２側から符号▲３▼の第３ポートＰ３側への信号は終端抵抗１３により減衰させて吸収し、終端抵抗１３側の符号▲３▼で示す第３ポートＰ３側から符号▲１▼で示す第１ポートＰ１側への信号は遮断する。
従って図５Ａに示す回路に組み込んだ場合に先に説明した効果を奏することができる。
【００４５】
なお、上記実施形態のアイソレータにおいては、磁性組立体１５に備える電極部１６の第３線路導体８が図３に示すような形状である場合について説明したが図６又は図７に示すような形状であってもよい。
図６の第３線路導体８０が図３の第３線路導体８と異なるところは、分割導体８０ａ１、８０ａ２が非平行であり、詳しくは、互いの中央部を離間するようにして分割導体８０ａ１、８０ａ２から延設され、分割導体８０ｂ１と８０ｂ２とから菱形の中心導体８０ｂが構成されている。
【００４６】
図７の第３線路導体１８０が図３の第３線路導体８と異なるところは、分割導体１８０ａ１、１８０ａ２が平面視直線状であり、これら分割導体１８０ｂ１と１８０ｂ２とから中心導体１８０ｂが構成されている。この場合、第３線路導体１８０の板状磁性体５への折り曲げ加工がし易くなる。
【００４７】
（第２の実施形態）
図８は本発明に係る非可逆回路素子をアイソレータとして適用した第２の実施形態を示すもので、この実施形態のアイソレータ７０は、上ヨーク７１ａと下ヨーク７１ｂとからなる中空ヨーク７２の内部に、換言すると、上ヨーク７１ａと下ヨーク７１ｂの間に、４角板状の永久磁石からなる磁石部材７５とスペーサ部材７６と磁性組立体９５と整合用コンデンサ５８、５９、６０と終端抵抗６１とこれらを収容する樹脂ケース６２とを収容して構成されている。
磁性組立体９５は先の第１の実施の形態と同等の電極部１６が平面視略長方形状の板状磁性体６５に巻き付けられて構成されている。この板状磁性体６５は先の形態の横長の板状磁性体５とほぼ同じ形状であるが若干正方形状に近い長方形板状とされている。
板状磁性体６５に巻き付けられた電極部１６は、第１線路導体６の先端部導体を先の整合用コンデンサ５９の一側端部に形成されている電極部（図示略）に電気的に接続し、第２線路導体７の先端部導体を先の整合用コンデンサ５８の他側端部に形成されている電極部（図示略）に電気的に接続し、第３中心導体８の先端部導体を整合用コンデンサ６０と終端抵抗６１に電気的に接続して磁性組立体６５に整合用コンデンサ５８、５９、６０と終端抵抗６１とが接続されている。
図７に示す構造のアイソレータ７０においても先の実施の形態のアイソレータ１と同等の効果を得ることができる。
【００４８】
（第３の実施形態）
図９は本発明に係る非可逆回路素子をアイソレータとして適用した第３の実施形態を示す平面図である。
第３の実施形態のアイソレータ１０１が図１〜図４に示した第１の実施形態のアイソレータ１と特に異なるところは、磁性組立体に備える電極部の形状と、第１、第２線路導体が異なるコンデンサ基板に接続されている点である。
図１０は、本実施形態のアイソレータ１０１に備えられる磁性組立体１５ａの電極部１１６の展開図である。
この電極部１１６は、３本の線路導体１０６、１０７、１０８と、共通電極１１０が一体化されてなるものである。
【００４９】
共通電極１１０は、平面視先の板状磁性体５とほぼ相似形状の金属板からなる本体部１１０Ａから構成されている。即ち、本体部１１０Ａは、相対向する２つの長辺部１１０ａ、１１０ａと、これらの長辺部１１０ａ、１１０ａに直角向きの短辺部１１０ｂ、１１０ｂと、長辺部１１０ａ、１１０ａの両端部側に位置して各長辺部１１０ａに対して１５０°の角度で傾斜し、先の短辺部１１０ｂに対しては１３０°の傾斜角度で接続する４つの傾斜部１１０ｄとから構成される平面視略長方形とされている。
【００５０】
そして、共通電極１１０の４つのコーナ部の傾斜部１１０ｄのうち、一方の長辺部側の２つの傾斜部１１０ｄから第１線路導体１０６と第２線路導体１０７が延出形成されている。
まず、先の２つの傾斜部１１０ｄの一方から、第１基部導体１０６ａと第１中心導体１０６ｂと第１先端部導体１０６ｃからなる第１線路導体１０６が延出形成される一方、先の傾斜部１１０ｄの他方から、第２基部導体１０７ａと第２中心導体１０７ｂと第２先端部導体１０７ｃとからなる第２線路導体１０７が延出形成されている。
【００５１】
第１中心導体１０６ｂは、平面視波形あるいはジクザグ状のものであり、基部導体側端部１０６Ｄと、先端部導体側端部１０６Ｆと、これらの間の中央部１０６Ｅの３つの部分からなる。この第１中心導体１０６ｂが第１の実施形態の第１中心導体６ｂと特に異なるところは、中央部１０６Ｅの形状が平面視略く字状である点である。
第２中心導体１０７ｂも第１中心導体１０６ｂと同様の形状であり、基部導体側端部１０７Ｄと、先端部導体側端部１０７Ｆと、これらの間の平面視略く字状の中央部１０７Ｅの３つの部分からなる。
【００５２】
次に、第１線路導体１０６の幅方向中央部には、第１の実施形態と同様にスリット部１１８が形成され、このスリット部１１８を形成することにより中央部導体１０６ｂが２本の分割導体１０６ｂ１、１０６ｂ２に分割され、基部導体１０６ａも２本の分割導体１０６ａ１、１０６ａ２に分割されている。
第２線路導体１０７の幅方向中央部にも上記スリット部１１８と同様のスリット部１１９が形成され、このスリット部１１９を形成することにより中央部導体１０７ｂが２本の分割導体１０７ｂ１、１０７ｂ２に分割され、基部導体１０７ａも２本の分割導体１０７ａ１、１０７ａ２に分割されている。
【００５３】
スリット部１１８，１１９の幅は、第１、第２の中心導体１０６ｂ、１０７ｂの基部導体側端部１０６Ｄ、１０７Ｄにおける幅よりも中央部１０６Ｅ、１０７Ｅ、先端部導体側端部１０６Ｆ、１０７Ｆにおける幅の方が大きく形成される。即ち、第１，第２の中心導体１０６ｂ、１０７ｂの交差部分のスリット１１８、１１９の幅が交差部分以外の同幅よりも広く形成されている。このようなスリット幅の大小関係とすることで、アイソレータの特性を損なうことなく、パワーアンプ４５とのインピーダンスのマッチングを適切に設定することが可能になる。
また、第１の中心導体１０６ｂの分割導体１０６ｂ１、１０６ｂ２の幅は、第２の中心導体１０７ｂの分割導体１０７ｂ１、１０７ｂ２の幅よりも狭く形成されている。このようにすることで第１の中心導体１０６ｂが第２の中心導体１０７ｂよりも磁性体基板５に近接して巻き付けられることによるパワーアンプ４５とのインピーダンスのマッチング不良を防止し、適切なインピーダンスのマッチングを取ることが可能になる。
【００５４】
そして、図９及び図１０に示すように、第１中心導体を構成する分割導体１０６ｂ１、１０６ｂ２の導体幅Ｗ３（第１中心導体の導体幅）は、１５０μｍ未満が好ましく、９０μｍ以上１３０μｍ以下の範囲がより好ましい。同様に、第２中心導体を構成する分割導体１０７ｂ１、１０７ｂ２の導体幅Ｗ４（第２中心導体の導体幅）についても、１５０μｍ未満が好ましく、９０μｍ以上１３０μｍ以下の範囲がより好ましい。
第１の実施形態の場合と同様に、第１、第２中心導体１０６ｂ、１０７ｂの導体幅が上記の範囲に設定されることにより、挿入損失をより低減することができる。第１、第２中心導体１０６ｂ、１０７ｂの導体幅が１５０μｍ以上だと、挿入損失が高くなってしまうので好ましくない。また、挿入損失は、中心導体１０６ｂ、１０７ｂの導体幅を狭くするほど小さくなるが、導体幅が狭くなると中心導体１０６ｂ、１０７ｂ自体の強度が低下し、加工性が悪くなって磁性組立体１５ａの製造が困難になるので好ましくない。従って、加工性の面から中心導体１０６ｂ、１０７ｂの導体幅の下限値を９０μｍとしたが、下限値はこの数値に限定されるものではなく、製造技術の向上に伴って導体幅を更に狭めることが可能であれば、下限値をより狭くすることができる。
【００５５】
一方、共通電極１１０の他方の長辺部１１０ａ側の中央部には第３線路導体１０８が延設されている。この第３線路導体１０８は共通電極１１０から突出形成された第３基部導体１０８ａと第３中心導体１０８ｂと第３先端部導体１０８ｃとから構成されている。第３基部導体１０８ａは、共通電極１１０の長辺側中央部からほぼ直角に延出形成された２本の短冊状の分割導体１０８ａ１、１０８ａ２からなり、２本の分割導体１０８ａ１、１０８ａ２の間にはスリット１２０が形成されている。一方の分割導体１０８ａ２は他方の分割導体１０８ａ１より幅広に形成されている。
【００５６】
第３中心導体１０８ｂが第１の実施形態の第３中心導体８ｂと特に異なるところは、先の分割導体１０８ａ１に接続する平面視略直線状の分割導体１０８ｂ１と先の分割導体１０８ａ２に接続する平面視略直線状の分割導体１０８ｂ２とから第３中心導体１０８ｂから構成されており、これら分割導体１０８ｂ１、１０８ｂ２の間にはスリット１２０が形成されている。また、一方の分割導体１０８ｂ２は他方の分割導体１０８ｂ１より幅広に形成されている。
更に、これらの分割導体１０８ｂ１、１０８ｂ２の先端側はＬ字型の第３先端部導体１０８ｃに一体化されている。この第３先端部導体１０８ｃは、先の分割導体１０８ｂ１、１０８ｂ２を一体化して先の分割導体１０８ａ１、１０８ａ２と同じ方向に向けて延出形成された接続部１０８ｃ１とこの接続部１０８ｃ１に対してほぼ直角方向に延出形成された接続部１０８ｃ２とから構成されている。
【００５７】
上記のように第３中心導体１０８ｂの２本の分割導体がそれぞれ平面視略直線状であれば、第３線路導体１０８を板状磁性体５に巻き付けて磁性組立体１５ａを組み立てる際に第３線路導体１０８の位置ずれが起こりにくい。
また、上記のように第３中心導体１０８ｂが２本の分割導体に分割されている場合、これら分割導体１０８ｂ１、１０８ｂ２の間隔Ｗ５は広い方がアイソレーションの帯域を広くすることができる。
また、本実施形態では第３中心導体１０８ｂの２本の分割導体１０８ｂ１、１０８ｂ２のうち一方を他方より幅広にして剛性を高めているので、第３線路導体１０８を板状磁性体５に巻き付けて磁性組立体１５ａを組み立てる際に、第３線路導体１０８の変形を防止できる。また、分割導体１０８ｂ１、１０８ｂ２のうち、一方を幅狭とすることにより、挿入損失を低く維持できる。従って本実施形態のように、一方の分割導体１０８ｂ２の幅を広くし、他方の分割導体１０８ｂ１の幅を狭くすることで、第３の中心導体１０８ｂの剛性を高め、かつ、挿入損失を低くすることが可能になる。
【００５８】
前記の如く構成された電極部１１６は、その共通電極１１０の本体部１１０Ａを板状磁性体５の裏面側（一面側）に添わせ、第１線路導体１０６と第２線路導体１０７と第３線路導体１０８とを板状磁性体５の表面側（他面側）に折り曲げて（巻き付けて）板状磁性体５に装着され、板状磁性体５とともに磁性組立体１５ａを構成している。
【００５９】
第１、第２中心導体１０６ｂ、１０７ｂは上記構成とされているので、上記のように板状磁性体５の表面（他面）に沿って添わせると、板状磁性体５の表面上で第１、第２中心導体１０６ｂ、１０７ｂが交差している。図９には、中央部１０６Ｅ、１０７Ｅが重複している場合を図示した。
【００６０】
本実施形態で第１、第２中心導体１０６ｂ、１０７ｂの交差部３５ａの両中心導体の重複部分の長さとは、図９に示すように中央部１０６Ｅの一方の分割導体１０６ｂ１と中央部１０７Ｅの一方の分割導体１０７ｂ１の重複部分の長さＬ７あるいは中央部１０６Ｅの他方の分割導体１０６ｂ２と中央部１０７Ｅの他方の分割導体１０７ｂ２の重複部分の長さＬ８であり、その場合、両分割導体の重複部分の長さＬ７、Ｌ８は、それぞれ板状磁性体５の表面（他面）に重なる中心導体部分の長さＬ４の１０％以上とすることが先に述べた理由により好ましい。また、上記重複部分の長さＬ７、Ｌ８は、それぞれ板状磁性体５の表面（他面）に重なる中心導体部分の長さＬ４の２０％以上とされていることが先に述べた理由によりさらに好ましい。
分割導体１０６ｂ１と分割導体１０７ｂ１の重複部分は平行である部分（平行部３６ａ）以外に非平行部分を有しており、また、分割導体１０６ｂ２と分割導体１０７ｂ２の重複部分も平行である部分（平行部３６ｂ）以外に非平行部分を有している。平行部３６ａの長さは、分割導体の重複部分の長さＬ７の２０％程度〜１００％程度であることが好ましく、平行部３６ｂの長さは、分割導体の重複部分の長さＬ８の２０％程度〜１００％程度であることが好ましい。
平行部３６ａの長さが分割導体の重複部分の長さＬ７の２０％未満であると（Ｌ７と平行部３６ａの長さの比が２０％未満であると）、挿入損失が増大し、好ましくない。また平行部３６ａの長さが分割導体の重複部分の長さＬ８の２０％未満であると（Ｌ８と平行部３６ｂの長さの比が２０％未満であると）、挿入損失が増大し、好ましくない。
【００６１】
本実施形態での第１、第２中心導体１０６ｂ、１０７ｂの交差部３５ａの両中心導体の重複部分の交差角度とは、中央部１０６Ｅの一方の分割導体１０６ｂ１と中央部１０７Ｅの一方の分割導体１０７ｂ１の重複部分の交差角度あるいは中央部１０６Ｅの他方の分割導体１０６ｂ２と中央部１０７Ｅの他方の分割導体１０７ｂ２の重複部分の交差角度であり、その場合の交差角度は３０度以下であることが好ましく、さらに好ましくは１５度以下である。本実施形態のように両分割導体の重複部分が平行部３６ａを有している場合、この平行部３６ａでの両分割導体の交差角度は０度あるいは略０度であり、非平行部での両分割導体の交差角度は３０°以下であることが好ましい。非平行部での両分割導体の交差角度が３０°より大きいと、挿入損失が増大して好ましくない。
【００６２】
次に、磁性組立体１５ａは下ヨーク３の底部中央側に配置され、下ヨーク３の底部側の磁性組立体１５ａの一方の側にコンデンサ基板１２、他方の側にコンデンサ基板１１１ａ、１１１ｂが収納され、コンデンサ基板１２の一側部側には終端抵抗１３が収納されている。
そして、先の第１線路導体１０６の先端部導体１０６ｃを先のコンデンサ基板１１１ａに形成されている電極部に電気的に接続し、先の第２線路導体１０７の先端部導体１０７ｃを先のコンデンサ基板１１１ｂに形成されている電極部に電気的に接続し、先の第３中心導体１０８の先端部導体１０８ｃをコンデンサ基板１２と終端抵抗１３に電気的に接続して磁性組立体１５ａにコンデンサ基板１１１ａ、１１１ｂ、１２と終端抵抗１３とが接続されている。なお、終端抵抗１３を接続しなければ、サーキュレータとして作用する。
【００６３】
前記先端部導体１０７ｃの部分が接続されたコンデンサ基板１１１ｂの端部側に非可逆回路素子１０１としての第１ポートＰ１が形成され、先端部導体１０６ｃの部分が接続されたコンデンサ基板１１１ａの端部側に非可逆回路素子１０１としての第２ポートＰ２が形成され、先端部導体１０８ｃの部分が接続された終端抵抗１３の端部側がアイソレータ１０１としての第３ポートＰ３とされている。
【００６４】
本実施形態のアイソレータ１０１によれば、第１の実施形態のアイソレータ１と同等な効果の他に、以下の効果が得られる。即ち本実施形態のアイソレータ１０１によれば、両分割導体の重複部分に上記平行部以外に上記非平行部があるので、アイソレータの挿入損失の低減効果をより高めることができるとともに、アイソレーションの向上効果、即ち、アイソレーションの帯域を更に広げることができる。
【００６５】
【実施例】
以下、実施例により本発明をより詳細に説明する。ただし、以下の実施例は本発明を限定するものではない。
（実験例１）
第１、第２中心導体６ｂ、７ｂの中央部６Ｅ、７Ｅの導体幅Ｗ１、Ｗ２をそれぞれ５０〜２００μｍとし、スリット部１８、１９の幅を１５０〜３００μｍとし、第１、第２中心導体６ｂ、７ｂの交差部３５における両中心導体の重複部分の長さＬ３を板状磁性体５の他面側における各中心導体６ｂ、７ｂの長さの５０％とし、第１、第２中心導体６ｂ、７ｂの交差部における交差角度を０度とし、図１〜図３と同様にして各種のアイソレータを作製した。
得られたアイソレータについて、挿入損失の測定を行った。図１１に、挿入損失と各中心導体の導体幅との関係を示す。
図１１に示すように、導体幅が７０μｍを過ぎた付近から挿入損失が急激に減少し、導体幅が１００μｍの時に挿入損失が最も小さくなり、導体幅が１００μｍを超えてから挿入損失が徐々に増大することが分かる。具体的には、導体幅が１５０μｍ未満の範囲で挿入損失が０．４２ｄＢ以下となり、９０〜１３０μｍの範囲で挿入損失が０．４２ｄＢ未満となり、１００μｍの導体幅で挿入損失が０．４ｄＢになっていることがわかる。
尚、導体幅が９０μｍ未満で挿入損失が高くなったのは、導体幅が小さ過ぎたために中心導体の加工性が低下し、板状磁性体に対する中心導体の組み付け精度が低下したためと思われる。
【００６６】
（実験例２）
第１、第２中心導体６ｂ、７ｂの中央部６Ｅ、７Ｅの導体幅Ｗ１、Ｗ２をそれぞれ１００μｍとし、スリット部１８、１９の幅を１００μｍとし、第１、第２中心導体６ｂ、７ｂの交差部３５における両中心導体の重複部分の長さＬ３を板状磁性体５の他面側における各中心導体６ｂ、７ｂの長さＬ４の５５％とし、第１、第２中心導体６ｂ、７ｂの交差部における交差角度を０度とし、図１〜図３と同様にして実施例１のアイソレータを作製した。
第１、第２中心導体６ｂ、７ｂの中央部６Ｅ、７Ｅの導体幅Ｗ１、Ｗ２をそれぞれ１５０μｍとしたこと以外は実施例１と同様にして比較例１のアイソレータを作成した。
【００６７】
実施例１及び比較例１のアイソレータについて、挿入損失の周波数依存性を測定した。結果を図１２〜図１３に示す。また、挿入損失のピーク近傍における周波数と挿入損失の実測値を表１に示す。尚、図１２〜図１３において示した１〜３の下向き矢印が、表１における測定点１〜３に対応する。
【００６８】
【表１】
2004186964.tif 000003
【００６９】
実施例１及び比較例１の結果を対比すると、図１２、図１３に示すように、実施例１と比較例１では、挿入損失のピーク（矢印１〜３の付近）のピーク幅が同じ程度の広さであり、挿入損失の周波数帯域幅がほぼ同一であることがわかる。これは、重複部分の長さＬ３のＬ４に対する割合が、実施例１と比較例１とでほぼ同じためである。一方、表１に示すように、挿入損失は実施例１の方が全体的に低くなっている。これは、実施例１の第１、第２中心導体の導体幅（１００μｍ）が、比較例１の第１、第２中心導体の導体幅（１５０μｍ）よりも狭いためである。
従って、挿入損失を低くするには、中心導体の導体幅をできるだけ小さくすれば良いことが分かる。
【００７０】
【発明の効果】
以上、詳細に説明したように、本発明の非可逆回路素子によれば、第１、第２中心導体の少なくとも一部の導体幅を１５０μｍ未満にすることにより、挿入損失を低減することができる。
また、本発明の非可逆回路素子においては、第１、第２中心導体の交差部における両中心導体の重複部分の長さが長くなるにしたがい、第１、第２中心導体の重複部分で確保される容量値が大きくなる。このため、各中心導体に接続するコンデンサの容量値が小さくなり、アイソレーションの帯域幅を拡大することができる。
また、中心導体の導体幅を１５０μｍ未満にすることで、挿入損失の低減と、アイソレーションの帯域幅の拡大を同時に行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】Ａは第１実施形態のアイソレータの一部分を取り除いた状態を示す平面図、Ｂは同アイソレータの断面図。
【図２】図１に示すアイソレータに用いられる磁性体基板の一例を示す平面図。
【図３】図１に示すアイソレータに用いられる電極部の展開図。
【図４】本発明の第１実施形態の例のアイソレータの一部分を取り除いた状態を示す平面図。
【図５】Ａはこの種のアイソレータが備えられる電気回路の一例を示す図、Ｂはアイソレータの動作原理を示す図。
【図６】第１の実施形態のアイソレータの電極部の第２の例を示す図。
【図７】第１の実施形態のアイソレータの電極部の第３の例を示す図。
【図８】第２実施形態のアイソレータを示す分解斜視図。
【図９】第３実施形態のアイソレータの一部分を取り除いた状態を示す平面図。
【図１０】図９に示すアイソレータに用いられる電極部の展開図。
【図１１】挿入損失と中心導体の導体幅との関係を示すグラフ。
【図１２】実施例１のアイソレータの挿入損失の周波数依存性を示すグラフ。
【図１３】比較例１のアイソレータの挿入損失の周波数依存性を示すグラフ。
【符号の説明】
１…アイソレータ（非可逆回路素子）、３…中空ヨーク、４…磁石、５…板状磁性体、６ｂ…第１中心導体、７ｂ…第２中心導体、８ｂ…第３中心導体、１０…共通電極、１１，１２…整合用コンデンサ、１３…終端抵抗、４０…アンテナ、４７…送信回路（送信回路部）、Ｌ３…両中心導体の重複部分の長さ、Ｌ４…磁性体基板の他面に重なる中心導体部分の中心導体部分の長さ、Ｗ１、Ｗ３…第１中心導体の導体幅、Ｗ２、Ｗ４…第２中心導体の導体幅
【図１】
2004186964.tif 000004
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2004186964.tif 000010
【図８】
2004186964.tif 000011
【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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