(57)【要約】【課題】コア基板の裏面側に開口する凹部に電子部品を実装または内蔵し且つ内部の電気的特性が安定する配線基板を提供する。【解決手段】セラミックからなり表面４および裏面９を有するコア基板２と、かかるコア基板２においてその裏面９側に開口する凹部２９と、かかる凹部２９の底面に成形した電子部品接続配線３１に表面４側に突出する電極３７を接続して実装されるチップコンデンサ（電子部品）３５と、上記コア基板２の裏面９に形成した接続端子２１と、を備え、上記チップコンデンサ３５の裏面９側に突出する電極３８と上記裏面９側の接続端子２１とが配線基板１の厚み方向においてほぼ同じ高さにある、配線基板１。【選択図】  図１
2004241583.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
セラミックからなり表面および裏面を有するコア基板と、
上記コア基板においてその裏面側に開口する凹部と、
上記コア基板の凹部にかかる凹部の底面に成形した電子部品接続配線に表面側に突出する電極を接続して実装または内蔵される電子部品と、
上記コア基板の裏面またはかかる裏面側に形成した接続端子と、を備え、
上記電子部品の裏面側に突出する電極と上記裏面側の接続端子とが配線基板の厚み方向においてほぼ同じ高さにある、ことを特徴とする配線基板。
【請求項２】
前記コア基板の表面上方および裏面下方の少なくとも一方に、複数の配線層および複数の絶縁層を交互に積層したビルドアップ層が形成されていると共に、前記コア基板の裏面側における接続端子は上記裏面側のビルドアップ層の下方に形成されている、ことを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
【請求項３】
前記コア基板の裏面またはかかる裏面側に形成した接続端子および前記電子部品の裏面側に突出する電極には、先端の位置がほぼ同じとなる導体ピンがそれぞれ接続されている、
ことを特徴とする請求項１または２に記載の配線基板。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、セラミックからなるコア基板の裏面側に開口する凹部に電子部品を実装または内蔵する配線基板に関する。
【０００２】
【従来の技術】
コア基板の裏面側に開口する凹部に電子部品を実装する配線基板５０が提案されている（例えば、特許文献１参照）。かかる配線基板５０は、図５に示すように、表面５３および裏面５８を有し且つセラミック層５２，５５，５６を積層したコア基板５１と、かかるコア基板５１の表面５３上方に形成したビルドアップ層ＢＵ１と、コア基板５１の裏面５８下方に形成したビルドアップ層ＢＵ２と、を含む。コア基板５１は、セラミック層５２，５５，５６間に配線層６１，６２を有し且つ、その裏面５８側に開口する凹部８８内にチップコンデンサ（電子部品）９０を実装している。
【０００３】
【特許文献１】
特開２００３−８２１９号公報  （図５）
【０００４】
図５中の左右に示すように、コア基板５１を形成している最上層のセラミック層５２の表面５３と最下層のセラミック層５６の裏面５８との間には、スルーホール５９が貫通し、その内側にはスルーホール導体６０が形成されている。かかるスルーホール導体６０は、その中間で配線層６１，６２と接続されている。
また、図５の中央に示すように、凹部８８の真上に位置するセラミック層５２には、その表面５３と裏面５４との間を貫通する複数のスルーホール６３と、それらの内側に形成したスルーホール導体６４とが位置している。かかるスルーホール導体６４の下端に接続し且つ凹部８８の底面（天井面）に位置する電子部品接続配線６５には、ハンダ８９を介して上記コンデンサ９０上端の図示しない電極が接続され、これにより当該コンデンサ９０を凹部８８内に実装している。
【０００５】
図５に示すように、コア基板５１の表面５３には、上記スルーホール導体６０，６４の上端と接続する所定パターンの配線層６６が形成され、これらの上方に絶縁層６８，７４，８０と配線層７２，７８とが交互に積層されている。このうち絶縁層６８，７４および配線層７２，７８は、ビルドアップ層ＢＵ１を形成する。配線層６８，７４，８０間には、これらを接続するビア導体７０，７６が配置される。また、最上層の絶縁層（ソルダーレジスト層）８０には、第１主面８２に開口する複数の開口部８４が形成され、それらの底面に露出する配線層７８から延びた配線（パッド）上には、複数のハンダボール８６が個別に配置される。かかるハンダボール８６は、図５に示すように、配線基板５０の第１主面８２上に実装される半導体素子９２底面の図示しない接続端子と個別に接続される。
【０００６】
図５に示すように、コア基板５１の裏面５８には、前記スルーホール導体６０の下端と接続する所定パターンの配線層６７が形成され、その下方に絶縁層６９，７５，８１と配線層７３，７９とが交互に積層されている。これらのうち、絶縁層６９，７５および配線層７３，７９は、ビルドアップ層ＢＵ２を形成する。配線層６７，７３，７９間には、これらを接続するビア導体７１，７７が配置される。また、最下層の絶縁層（ソルダーレジスト層）８１には、第２主面８３に開口する開口部８５が複数形成され、それらの底面に露出する配線層７９から延びた配線（パッド）上には、ハンダボール８７が個別に配置される。かかるハンダボール８７は、当該配線基板５０自体を搭載する図示しないマザーボードなどのプリント基板との導通に活用される。
以上のような配線基板５０では、凹部８８に実装したチップコンデンサ９０と第１主面８２の上に実装した半導体素子９２との距離が短くできるため、かかる導通経路における電気的特性が安定し且つ半導体素子９２の同時スイッチングノイズを低減できる利点を有する。
【０００７】
【発明が解決すべき課題】
しかしながら、配線基板５０では、チップコンデンサ９０は、図５に示すように、前記配線６５、スルーホール導体６４、配線層６６、スルーホール導体６０、配線層６７，７３，７９、ビア導体７１，７７、およびハンダボール８７などを経るように長く迂回する経路を介して、前記マザーボードなどと導通される。このため、前記チップコンデンサ９０に給電する際には、上記のような長い導通経路を経るので、かかる経路における抵抗やインダクタンスが高くなるなど電気的特性が不安定になる、という問題点があった。
本発明は、以上に説明した従来の技術における問題点を解決し、コア基板の裏面側に開口する凹部に電子部品を実装または内蔵し且つ内部の電気的特性が安定する配線基板を提供する、ことを課題とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記課題を解決するため、コア基板の裏面側に開口する凹部に電子部品を実装または内蔵する電子部品の電極を、マザーボードなどと直に接続可能とする、ことに着想して成されたものである。
即ち、本発明の配線基板（請求項１）は、セラミックからなり表面および裏面を有するコア基板と、上記コア基板においてその裏面側に開口する凹部と、上記コア基板の凹部にかかる凹部の底面に成形した電子部品接続配線に表面側に突出する電極を接続して実装または内蔵される電子部品と、上記コア基板の裏面またはかかる裏面側に形成した接続端子と、を備え、上記電子部品の裏面側に突出する電極と上記裏面側の接続端子とが配線基板の厚み方向においてほぼ同じ高さにある、ことを特徴とする。
【０００９】
これによれば、コア基板の凹部に実装または内蔵された電子部品の裏面側に突出する電極とコア基板の裏面などに形成した接続端子とが配線基板の厚み方向においてほぼ同じ高さに位置する。この結果、上記電子部品は、当該配線基板自体を搭載するマザーボード側の接続端子と直に接続したり、ハンダバンプやハンダボールなどのみを介する極めて短い距離で導通することができる。従って、上記電子部品に必要な電力をマザーボードなどから直接的に給電できるため、かかる導通経路の電気抵抗やインダクタンスを低減できるなどの電気的特性を安定させることができると共に、上記電子部品を確実に動作させることも可能となる。
尚、本発明のコア基板には、複数のセラミック層とこれらの間に位置する配線層とを積層した多層基板の形態のほか、単一のセラミック層からなる形態も含まれる。また、上記セラミックには、アルミナ、シリカ、ガラスセラミック、窒化アルミニウム、ムライト、あるいは約１０００℃以下の比較的低温で焼成可能な低温焼成セラミックなどが含まれる。
更に、前記電子部品には、チップコンデンサ、チップ状のインダクタ、抵抗、フィルタなどの受動部品や、トランジスタ、半導体素子、ＦＥＴ、ローノイズアンプ（ＬＮＡ）などの能動部品も含まれ、あるいはＳＡＷフィルタ、ＬＣフィルタ、アンテナスイッチモジュール、カプラ、ダイプレクサなどが含まれる。
【００１０】
また、本発明には、前記コア基板の表面上方および裏面下方の少なくとも一方に、複数の配線層および複数の絶縁層を交互に積層したビルドアップ層が形成されていると共に、前記コア基板の裏面側における接続端子は上記裏面側のビルドアップ層の下方に形成されている、配線基板（請求項２）も含まれる。
これによれば、前記凹部に実装または内蔵された電子部品は、その表面側の電極から前記電子部品接続配線を介して、コア基板の表面上方のビルドアップ層と導通され、且つ上記電子部品接続配線およびコア基板の表面に形成した配線層などを介して裏面下方のビルドアップ層と導通される。しかも、当該電子部品への給電は前述したように、その裏面側の電極を通じて直に行われるため、電子部品と各ビルドアップ層内の配線層との導通を一層安定して取ることが可能となる。
【００１１】
更に、本発明には、前記コア基板の裏面またはかかる裏面側に形成した接続端子および前記電子部品の裏面側に突出する電極には、先端の位置がほぼ同じとなる導体ピンがそれぞれ接続されている、配線基板（請求項３）も含まれる。
これによれば、導体ピンを介してマザーボードのようなプリント配線基板の他、これらとの間を中継するインターポーザとも容易に接続して確実に導通を取ることができる。尚、上記各導体ピンの先端の位置は、配線基板の厚み方向においてほぼ同じ高さの位置させることが望ましい。また、かかる導体ピンは、銅系または鉄系合金からなり、上記接続端子や電極の表面とハンダなどの低融点合金を介して接続される。
【００１２】
付言すれば、本発明には、前記電子部品は、埋込樹脂を介して前記コア基板の凹部に内蔵されている、配線基板を含むことも可能である。
これによる場合、凹部に実装した電子部品を更に埋込樹脂に埋設して強固に内蔵できるため、当該電子部品の動作を一層確実に成さしめることが可能となる。
尚、埋込樹脂は、その表面に電子部品における裏面側の電極が突出するようにして、凹部に充填される。また、かかる埋込樹脂の表面下方には、コア基板の裏面側に形成するソルダーレジスト層が位置し、電子部品における裏面側の電極は、上記ソルダーレジスト層を貫通する開口部の底面に露出するよう接続される。
【００１３】
加えて、本発明には、前記コア基板は、平坦なセラミック層になるグリーンシートと予め凹部となる貫通孔を有するセラミック層になるグリーンシートとを積層して焼成したものである、配線基板を含むことも可能である。これによる場合、電子部品における表面側の電極と接続する前記電子部品接続配線を平坦なセラミック層の裏面に容易に形成でき、且つ追って凹部となる貫通孔を穿孔したセラミック層と積層することにより、裏面側に開口する凹部を有するコア基板を形成することが可能となる。また、上記複数のセラミック層の間に配線層を配置して積層することにより、内部配線の密度も高めることが可能となる。
【００１４】
【発明の実施の形態】
以下において、本発明の実施に好適な形態を図面と共に説明する。
図１は、本発明の１形態である配線基板１における主要部の断面を示す。
配線基板１は、図１に示すように、セラミックからなるコア基板２と、その表面４および裏面９に形成した配線層１４，１５と、コア基板２の表面４上方に形成したビルドアップ層ＢＵと、コア基板２において、その裏面９側に開口する凹部２９内に実装したチップコンデンサ（電子部品）３５と、を備えている。
上記コア基板２は、全体の厚みが約８００μｍで且つアルミナを主成分とするセラミック層３，５，７の積層体からなり、その裏面９の中央部には、図１に示すように、平面視でほぼ正方形を呈し且つ縦１４ｍｍ×横１４ｍｍで且つ深さ約５００μｍの凹部２９を裏面９側に開口している。また、セラミック層３，５，７の間には、焼成したＡｇ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｍｏ、またはＷなど（本実施形態ではＷ）からなる所定パターンの配線層１２，１３が形成されている。
【００１５】
図１の左右に示すように、コア基板２における凹部２９の周辺部には、その表面４と裏面９と間に直径約１５０μｍのスルーホール１１が複数貫通し、その内側にＷなどからなる長いスルーホール導体１０が形成され、係るスルーホール導体１０は、その中間で上記配線層１２，１３と個別に接続されている。
また、図１の中央に示すように、コア基板２における凹部２９の真上に位置するセラミック層３には、その表面４と裏面６との間に直径約１００μｍのスルーホール２５が複数貫通し、その内側にＷなどからなる上記同様のスルーホール導体２７が形成されている。かかるスルーホール導体２７の下端には、凹部２９の底面（天井面）に位置する電子部品接続配線３１が形成されている。
【００１６】
更に、図１に示すように、コア基板２の表面４には、スルーホール導体１０，２７の上端と接続する所定パターンの配線層１４が形成され、これらの上方に絶縁層１６，２２，３０および銅メッキ製で所定パターンの配線層２４，２８が交互に積層されている。このうち、絶縁層１６，２２および配線層２４，２８は、ビルドアップ層ＢＵを形成する。配線層１４，２４，２８間には、これらを接続する銅メッキ製のフィルドビア導体２０，２６が形成されている。
尚、絶縁層１６，２２は、厚みが約３０μｍでエポキシ系樹脂にシリカフィラを含有した絶縁材で、最上層の絶縁層（ソルダーレジスト層）３０は厚みが約２５μｍの上記同様の素材からなる絶縁材である。また、配線層１４などの厚みは、約１５μｍである。
【００１７】
また、図１に示すように、最上層の配線層２８には、最上層の絶縁層３０の表面（第１主面）３２に開口する複数の開口部が形成され、それらの底面に露出する配線（パッド）上には、複数のハンダバンプ３４が第１主面３２よりも高く突出して個別に形成される。かかるバンプ３４は、図１に示すように、配線基板１の第１主面３２の上に実装されるＩＣチップ（半導体素子）４０の底面４２に形成される複数の接続端子４４と個別に接続される。尚、ハンダバンプ３４は、Ｓｎ−Ａｇ系、Ｐｂ−Ｓｎ系、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系、Ｓｎ−Ｃｕ系、Ｓｎ−Ｚｎ系などの低融点合金からなる。また、複数のハンダバンプ３４とＩＣチップ４０の接続端子４４とは、図示しないアンダーフィル材により埋設され且つ保護される。
【００１８】
更に、凹部２９には、複数のチップコンデンサ（電子部品）３５が挿入され、且つハンダ３３を介して前記電子部品接続配線３１に接続して実装される。
かかるコンデンサ３５は、両側面の上端（表面４側）に突出する電極３７と下端（裏面９側）に突出する電極３８を図１の前後方向に沿って複数有し、例えばチタン酸バリウムを主成分とする誘電体層および内部電極となるＮｉ層を交互に積層したセラミックスコンデンサで、その寸法は３．２ｍｍ×１．６ｍｍ×０．７ｍｍである。
かかるコンデンサ３５における下端の電極３８は、コア基板２の裏面９に形成される配線層１５と厚み方向においてほぼ同じ高さの位置になるように、当該コンデンサ３５がハンダ３３を介して電子部品接続配線３１と接続される。かかる裏面９側の電極３８の表面には、図１に示すように、ハンダバンプ３９が個別に形成される。尚、ハンダ３９も低融点の合金（Ｓｎ−Ｓｂ系ハンダ）からなる。
【００１９】
また、図１に示すように、コア基板２の裏面９で凹部２９を除いた位置には、前記スルーホール導体１０の下端と接続し且つ所定パターンを有するＷの焼成体たる配線層１５が形成されている。かかる配線層１５の表面は、前記チップコンデンサ３５の裏面側の電極３８の表面と厚み方向でほぼ同じ高さの位置にある。配線層１５および裏面９の下側には、凹部２９の真下を除き、前記同様の厚みを有する絶縁層（ソルダーレジスト）１７が形成され、且つ所定の位置には第２主面１９側に開口する開口部１８が形成されている。かかる開口部１８の底面には、配線層１５から延びた接続端子（配線）２１が露出する。
【００２０】
接続端子２１は、表面にＮｉおよびＡｕメッキが被覆され、当該配線基板１自体を搭載する図示しないマザーボードなどのプリント基板との接続に活用される。更に、かかる接続端子２１の表面には、図１に示すように、ハンダバンプ２３が形成される。かかるハンダバンプ２３は、前記ハンダバンプ３９と、配線基板１の厚み方向において、ほぼ同じ高さになり且つ第２主面１９よりも下側に突出して形成される。尚、接続端子２１やチップコンデンサ３５の電極３８の表面には、後述する銅系または鉄系合金からなる導体ピンを接合しても良い。また、ハンダバンプ２３，３９も前記同様の低融点合金からなる。
【００２１】
以上のような配線基板１によれば、凹部２９に実装された複数のチップコンデンサ３５は、その裏面９側に突出する電極３８が、コア基板２の裏面９に位置する接続端子２１と、厚み方向でほぼ同じ高さにあるため、これらの表面に形成するハンダバンプ２３，３９の高さがほぼ同じになる。このため、配線基板１を図示しないマザーボード上に搭載して実装した際、各チップコンデンサ３５は、電極３８およびハンダバンプ３９を介した極めて短い距離で、かかるマザーボードと導通できる。この結果、かかる導通経路における抵抗やインダクタンスを低減できるため、各チップコンデンサ３５への給電を確実に行うことができる。
【００２２】
また、第１主面３２側のハンダバンプ３４は、チップコンデンサ３５を経る導通経路およびスルーホール導体１０を経る導通経路を介して、マザーボードなどと接続できるため、そのピッチ（軸心間の距離）を小さくでき、接続端子４４を多数有するＩＣチップ４０も容易に実装することができる。しかも、チップコンデンサ３５は、配線層１４，２４，２８、ハンダバンプ３４などを介して、ＩＣチップ４０とも比較的短い距離で導通することができる。
従って、チップコンデンサ３５の動作を確実に成さしめ、且つ内部の電気的特性が安定した配線基板１とすることができる。
【００２３】
図２は、前記配線基板１におけるコア基板２の製造方法を模式的に示す。尚、以下においてグリーンシートの符合は、セラミック層３，５，７と共通とする。
図２（Ａ）に示すように、焼成による縮み代を含めた所要の厚みを有し且つアルミナを主成分とする３つのグリーンシート３，５，７を予め用意する。
次いで、図２（Ｂ）に示すように、グリーンシート３における所定の位置に、細径のドリル加工またはパンチング加工によって表面４と裏面６との間を貫通するスルーホール１１，２５を穿孔する。また、グリーンシート５，７の中央には、パンチングにより平面視が正方形の貫通孔２９ａ，２９ｂを穿設し、且つその周囲にスルーホール１１を穿孔する。かかるグリーンシート３，５，７に設けた各スルーホール１１は、平面視で同じ位置にある。
【００２４】
次に、図２（Ｃ）に示すように、グリーンシート３，５，７のスルーホール１１，２５内に、スクリーン印刷により図示しないスキージを用いて、Ａｇ、Ａｕ、Ｍｏ、またはＷなど（本実施形態ではＷ）の金属粉末を含むメタライズインクを充填してスルーホール導体１０，２７を形成する。更に、グリーンシート３の表面４および裏面６に、スクリーン印刷により上記メタライズインクからなる所定パターンの配線層１４，１２、電子部品接続配線３１を、グリーンシート７の表面８および裏面９に同様の配線層１３，１５を個別に形成する。
そして、図２（Ｄ）に示すように、グリーンシート３，５，７をプレスしつつ積層した後、図示しない焼成炉中で約１５００℃に数１０分間に焼成することにより、アルミナ製のセラミック層３，５，７、配線層１２〜１５、電子部品接続配線３１、およびスルーホール導体１０，２７を備えたコア基板２を形成する。
【００２５】
尚、かかるコア基板２の表面４上方には、公知のビルドアップ技術（セミアディティブ法、フルアディティブ法、サブトラクティブ法、フィルム状樹脂材料のラミネートによる絶縁層の形成、フォトリソグラフィ技術など）によって前記ビルドアップ層ＢＵを形成する。この際、セラミックと樹脂との密着性を得るため、コア基板２の表面４および裏面９に予めカップラー剤を塗布しておく。
また、コア基板２の裏面９および配線層１２の下方には、前記絶縁層１７、開口部１８、およびかかる開口部１８の底面に露出する接続端子２１にハンダバンプ２３を形成する。更に、凹部２９内に複数のチップコンデンサ（電子部品）３５を挿入し、且つハンダ３３を介して前記電子部品接続配線３１に接続して実装することによって、前記図１に示した配線基板１が得られる。
【００２６】
図３は、配線基板１の応用形態である配線基板１ａの主要部の断面を示す。
配線基板１ａは、図３に示すように、前記同様のセラミックからなるコア基板２と、その表面４および裏面９に形成した配線層１４，１５と、コア基板２の表面４上方に形成したビルドアップ層ＢＵと、コア基板２の裏面９側に開口する凹部２９内に実装したチップコンデンサ（電子部品）３５と、を備えている。
図３に示すように、コア基板２の表面４上方は、前記配線基板１と同様に、配線層１４、ビルドアップ層ＢＵを形成する絶縁層１６，２２，３０、配線層２４，２８、およびビア導体２０，２６が形成され、且つ第１主面３２よりも高く突出する複数のハンダバンプ３４によりＩＣチップ４０が実装可能である。
【００２７】
また、コア基板２の裏面９には、前記同様の凹部２９が穿設され、その底面に位置する電子部品接続配線３１にハンダ３３を介してチップコンデンサ３５が前記同様に実装される。かかるチップコンデンサ３５は、下端側の電極３８およびハンダバンプ３９を除き、エポキシ系の埋込樹脂４５によってモールドされつつ凹部２９に内蔵される。尚、埋込樹脂４５は、溶けた樹脂を凹部２９に充填し且つ加熱して固化した後、その表面を研磨されている。
上記凹部２９の真上におけるセラミック層３には、前記同様のスルーホール導体２７などが形成され、凹部２９を除いた周辺部のセラミック層３，５，７には、前記同様のスルーホール導体１０および配線層１２，１３が形成されている。
【００２８】
更に、図３に示すように、コア基板２の裏面９には、前記同様の配線層１５およびチップコンデンサ３５の電極３８と同じ高さに位置する接続端子２１が形成され、かかる端子２１は、前記同様に絶縁層１７に形成した開口部１８の底部に露出する。接続端子２１とチップコンデンサ３５の電極３８の表面には、同じ高さのハンダバンプ２３，３９が第２主面１９よりも突出して個別に形成される。以上のような配線基板１ａによれば、チップコンデンサ３５は、埋込樹脂４５により凹部２９に強固にして内蔵されるため、前記に加えて、チップコンデンサ３５の動作が確実に行え且つ内部の電気的特性が安定した配線基板１ａとなる。
【００２９】
図４は、配線基板１の応用形態である配線基板１ｂの主要部の断面を示す。
配線基板１ｂも、図４に示すように、前記同様のセラミックからなるコア基板２と、その表面４および裏面９に形成した配線層１４，１５と、コア基板２の表面４上方に形成したビルドアップ層ＢＵと、コア基板２において裏面９側に開口する凹部２９内に実装したチップコンデンサ（電子部品）３５と、を備えている。また、図４に示すように、絶縁層１７の開口部１８の底部に露出する接続端子２１の表面には、銅合金（Ｃｕ−２．３ｗｔ％Ｆｅ−０．０３ｗｔ％Ｐ）からなる導体ピン４６の基端部４７が、前記同様の低融点合金からなるハンダ４８を介して厚み方向に沿って接続されている。更に、各チップコンデンサ３５の下端（裏面９側）の電極３８の表面にも、ハンダ４８を介して導体ピン４６が同様に接続される。これらの導体ピン４６は、先端を配線基板１ｂの厚み方向において、ほぼ同じ位置に揃えられている。
【００３０】
以上のような配線基板１ｂによれば、前記配線基板１の利点に加え、チップコンデンサ３５の電極３８や接続端子２１の表面に導体ピン４６を接続しているため、これらを介してマザーボードのようなプリント基板の他、かかるマザーボードとの間を中継するインターポーザとも容易に接続して確実に導通を取ることができる。尚、かかる配線基板１ｂの凹部２９にも、上記と同様に埋込樹脂４５を充填してチップコンデンサ３５を内蔵させることもできる。
【００３１】
本発明は、以上において説明した各形態に限定されるものではない。
前記コア基板２のセラミック層３，５，７は、アルミナの他、シリカ、窒化アルミニウム、ガラスセラミック、ムライト、あるいは約１０００℃以下の比較的低温で焼成可能な低温焼成セラミックを用いても良い。あるいは、前記コア基板２を単一のセラミック層で形成しても良く、凹部２９を切削で形成しても良い。また、前記スルーホール導体１０，２７や配線層１２〜１５は、前記Ｗなどの他、Ａｇ、Ｃｕ系などを用いても良く、配線層２４，２８などは、導電性樹脂を塗布するなどの方法により形成しても良い。
【００３２】
更に、前記絶縁層１６，２２などの材質は、前記エポキシ樹脂を主成分とするもののほか、同様の耐熱性、パターン成形性などを有するポリイミド樹脂、ＢＴ樹脂、ＰＰＥ樹脂、あるいは、連続気孔を有するＰＴＦＥなど３次元網目構造のフッ素系樹脂にエポキシ樹脂などの樹脂を含浸させた樹脂−樹脂系の複合材料などを用いることもできる。尚、絶縁層の形成には、絶縁性の樹脂フィルムを熱圧着する方法のほか、液状の樹脂をロールコータにより塗布する方法を用いることもできる。また、絶縁層に混入するガラス布またはガラスフィラの組成は、Ｅガラス、Ｄガラス、Ｑガラス、Ｓガラスの何れか、またはこれらのうちの２種類以上を併用したものとしても良い。
【００３３】
また、ビア導体は、前記フィルドビア導体２０，２６などでなく、完全に導体で埋まってないコンフォーマルビア導体とすることもできる。あるいは、各ビア導体の軸心をずらしつつ積み重ねるスタッガードの形態でも良いし、途中で平面方向に延びる配線層が介在する形態としても良い。
更に、前記凹部２９に実装する電子部品は、１つのみでも良い。あるいは、多数の配線基板（製品単位）１などを含む多数個処理用治具における製品単位１個内に、複数の凹部２９を形成し且つ各凹部２９内に所要数の電子部品を実装しても良い。更に、複数のチップ状電子部品を互いの側面間で予め接着したユニットとし、これを前記凹部２９内に実装などすることもできる。
【００３４】
また、チップ状電子部品には、前記チップコンデンサ３５などの他、チップ状のインダクタ、抵抗、フィルタなどの受動部品や、トランジスタ、半導体素子、ＦＥＴ、ローノイズアンプ（ＬＮＡ）などの能動部品も含まれると共に、互いに異種の電子部品同士を配線基板１などの同じ凹部２９に併せて実装することも可能である。
更に、ビルドアップ層ＢＵは、前記図５に示した形態と同様に、前記コア基板２における裏面９側にも表面４側とほぼ対称にして形成しても良い。
尚、凹部２９に前記埋込樹脂４５を充填して電子部品を内蔵する形態では、当該凹部２９の内壁や底面に、シラン系、チタン系、またはアルミニウム系のカップリング剤を予め塗布しておくことで、上記樹脂４５との密着性を高められる。
【００３５】
【発明の効果】
以上のような本発明の配線基板（請求項１）によれば、セラミックからなるコア基板の凹部に実装または内蔵された電子部品の裏面側に突出する電極とコア基板の裏面などに形成した接続端子とが配線基板の厚み方向においてほぼ同じ高さに位置する。この結果、かかる電子部品は、マザーボード側の接続端子と直に接続したり、短い距離で導通することができる。従って、電子部品に必要な電力をマザーボードなどから直接的に給電できるため、かかる導通経路の電気抵抗やインダクタンスを低減できるなど電気的特性を安定させ得、電子部品を確実に動作させることができる。
【００３６】
また、請求項２の配線基板によれば、前記凹部に実装または内蔵した電子部品は、その表面側の電極からコア基板の表面上方のビルドアップ層と導通され、且つ上記電子部品接続配線およびコア基板の表面に形成した配線層などを介して裏面下方のビルドアップ層とも導通される。しかも、かかる電子部品への給電は前述したように、その裏面側の電極を通じて直に行われるため、当該電子部品とビルドアップ層内の配線層との導通を一層安定して取ることができる。
更に、請求項３の配線基板によれば、導体ピンを介してマザーボードのようなプリント基板の他、これらとの間を中継するインターポーザとも容易に接続して確実に導通を取ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明における１形態の配線基板における主要部を示す断面図。
【図２】（Ａ）〜（Ｄ）は図１の配線基板のコア基板の製造工程を示す模式的断面図。
【図３】図１の配線基板の変形形態である配線基板の主要部を示す断面図。
【図４】図１の配線基板の応用形態である配線基板の主要部を示す断面図。
【図５】従来の配線基板における主要部を示す断面図。
【符号の説明】
１，１ａ，１ｂ…配線基板
２…………………コア基板
４…………………表面
９…………………裏面
１６，２２………絶縁層
２１………………接続端子
２４，２８………配線層
２９………………凹部
３１………………電子部品接続配線
３５………………チップコンデンサ（電子部品）
３７，３８………電極
４６………………導体ピン
ＢＵ………………ビルドアップ層
【図１】
2004241583.tif 000003
【図２】
2004241583.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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