(57)【要約】【課題】５０ｐＦ程度までの比較的広い容量値範囲のコンデンサ素子を小型かつ高精度で効率的に内蔵した積層セラミック部品を提供することを目的とする。【解決手段】主セラミック材の比誘電率を５〜１０の範囲内とし、第一の副セラミック材の比誘電率を、主セラミック材の比誘電率の２．３〜３．３倍の範囲内とし、第二の副セラミック材の比誘電率を、主セラミック材の比誘電率の７．０〜１０．０倍の範囲内である積層セラミック部品およびその製造方法である。【選択図】  図１
2004186381.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
主セラミック材よりなる主セラミック層と、主セラミック材とは本質的に組成が異なり主セラミック材よりも大きい誘電率を有する二種類の副セラミック材よりなる第一および第二の副セラミック層の少なくともいずれかが積層され、それぞれのセラミック層には、銀を主成分とする厚みが４μｍ以上の内部電極層と、内部電極層間の厚みが９μｍ以上のそれぞれのセラミック層によってコンデンサ素子が形成されている積層セラミック部品において、主セラミック材の比誘電率を５〜１０の範囲内とし、第一の副セラミック材の比誘電率を、主セラミック材の比誘電率の２．３〜３．３倍の範囲内とし、第二の副セラミック材の比誘電率を、主セラミック材の比誘電率の７．０〜１０．０倍の範囲内であることを特徴とする積層セラミック部品。
【請求項２】
主セラミック材がＡｌ２Ｏ３、ＭｇＯおよびＲＯａ（ＲはＬａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、ＳｍおよびＧｄから選ばれる少なくとも一種の元素であり、ａは前記Ｒの価数に応じて化学量論的に定まる数値）を少なくとも含有する誘電体セラミック成分とアルカリ土類ケイ酸塩系ガラスのガラスセラミック混合物であり、第一の副セラミック材がＺｒＯ２、ＴｉＯ２を少なくとも含有する誘電体セラミック成分と、アルカリ土類ケイ酸塩系ガラスのガラスセラミック混合物であり、第二の副セラミック材がＢｉ２Ｏ３、Ｍｂ２Ｏ５を少なくとも含有する誘電体セラミックであることを特徴とする請求項１記載の積層セラミック部品。
【請求項３】
主セラミック材及び第一の副セラミック材を構成するアルカリ土類ケイ酸塩系ガラスは、ＳｉＯ２が４０〜５０重量％、Ｂ２Ｏ３が０〜１０重量％、ＭＯ（ＭはＢａ、Ｃａ、Ｓｒから選ばれる少なくとも一種以上）が２５〜５０重量％の範囲内で含まれていることを特徴とする請求項２記載の積層セラミック部品。
【請求項４】
主セラミック材、第一及び第二の副セラミック材の焼成温度では実質的に焼結しない無機組成物からなる拘束シート層を、主セラミック層、第一及び第二の副セラミック層と内部電極層とからなる積層体の両主面に積層し、主セラミック材および、第一、第二の副セラミック材の焼成温度で焼成した後、両主面に残存した拘束シート層を構成する無機組成物を除去する工程を少なくとも含むことを特徴とする請求項１〜３のいずれか一つに記載の積層セラミック部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は特に高周波用途の積層セラミック部品およびその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
積層セラミック部品は、内部電極とインナービアホール電極による三次元立体電子回路の形成が容易にできるため、回路基板または電子部品、電子回路モジュールとして広く使用されている。特に近年、低温焼結のガラスセラミック混合物と高導電率の銀や銅を内部電極として用いた多層基板または電子部品は、小型で高周波特性に優れているために携帯電話などの高周波モジュールとして需要が急激に伸びており、今後さらなる小型、複合化、高機能化に対する要望が強くなっている。
【０００３】
こういった要望を満足するための一方策として、異なる特性を有するセラミック材料を積層セラミック部品内の一部分に形成する方法が提案されている。
【０００４】
なお、この出願の発明に関連する先行技術文献情報としては、例えば、特許文献１が知られている。
【０００５】
【特許文献１】
特許第３１９０１１１号公報
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
一方、通常の積層セラミック高周波モジュールは、内部電極、ビアホール電極によって結合されたコンデンサ素子、インダクタ素子がセラミック積層体の内部に複数個内蔵されているため、製造後の特性調整は実質的に不可能である。したがって、特にコンデンサ素子を内蔵する積層セラミック高周波モジュールを小型かつ高精度に製造するためには、内蔵するコンデンサ素子の容量値に対して、セラミック材料の比誘電率、セラミック層の厚みとその精度、内部電極パターンの精度を考慮した最適な条件を設定することが重要である。なお高周波モジュールに内蔵されるコンデンサ素子の容量値は５０ｐＦまでの範囲内が大部分であり、製造歩留りを考慮すると容量値の精度は±１％以内が望ましい。
【０００７】
上記のように、誘電率の高いセラミック材料を部分的に形成する方法では、同じ容量値のコンデンサ素子を内蔵する場合、誘電率が高くなった分だけコンデンサ素子の対向面積を減少させることができるので、高周波モジュールの小型化が可能となる。
【０００８】
しかし、所望の容量値に対して高すぎる誘電率のセラミック材料を用いた場合、電極パターンが小さくなりすぎてその形成精度が低下し、コンデンサ素子の容量値ばらつき、すなわち製造歩留りの低下を引き起こす。このような課題の対策として、コンデンサ素子を形成するセラミック層の厚みを厚くし、電極パターンを広くする方法が考えられるが、その分だけ部品厚みが厚くなり、本来の目的である小型化に逆行する。
【０００９】
所望の容量値に対して低すぎる誘電率のセラミック材料を用いた場合、コンデンサ素子を形成するセラミック層の厚みを薄くする方法が考えられるが、薄くしすぎた場合、欠陥の発生など信頼性を確保する観点から、内部電極を薄くする必要が生じる。しかし内部電極を薄くすると、高周波特性を劣化させる原因となり好ましくない。
【００１０】
従来例では、高周波モジュールとして需要の高い５０ｐＦ程度までの比較的広い容量値範囲のコンデンサ素子を、積層セラミック部品内に小型かつ高精度で効率的に内蔵する方法については提案されていない。
【００１１】
本発明は上記のような従来の課題を解決し、５０ｐＦ程度までの比較的広い容量値範囲のコンデンサ素子を小型、高精度で効率的に内蔵した高信頼性、高性能の積層セラミック部品、特に積層セラミック高周波モジュールを提供することを目的としている。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために本発明の請求項１に記載の発明は、主セラミック材よりなる主セラミック層と、主セラミック材とは本質的に組成が異なり、主セラミック材よりも大きい誘電率を有する二種類の副セラミック材よりなる第一および第二の副セラミック層の少なくともいずれかが積層され、それぞれのセラミック層には銀を主成分とする厚みが４μｍ以上の内部電極層と、内部電極層間の厚みが９μｍ以上のセラミック層によってコンデンサ素子が形成されている積層セラミック部品において、主セラミック材の比誘電率を５〜１０の範囲内とし、第一の副セラミック材の比誘電率を、主セラミック材の比誘電率の２．３〜３．３倍の範囲内とし、第二の副セラミック材の比誘電率を、主セラミック材の比誘電率の７．０〜１０．０倍の範囲内であることを特徴とする積層セラミック部品であり、５０ｐＦ程度までの容量値範囲のコンデンサ素子を小型かつ高精度で効率的に内蔵した積層セラミック部品が得られるという作用を有する。
【００１３】
請求項２に記載の発明は、主セラミック材がＡｌ２Ｏ３、ＭｇＯおよびＲＯａ（ＲはＬａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、ＳｍおよびＧｄから選ばれる少なくとも一種の元素であり、ａは前記Ｒの価数に応じて化学量論的に定まる数値）を少なくとも含有する誘電体セラミック成分とアルカリ土類ケイ酸塩系ガラスのガラスセラミック混合物であり、第一の副セラミック材がＺｒＯ２、ＴｉＯ２を少なくとも含有する誘電体セラミック成分と、アルカリ土類ケイ酸塩系ガラスのガラスセラミック混合物であり、第二の副セラミック材がＢｉ２Ｏ３、Ｍｂ２Ｏ５を少なくとも含有する誘電体セラミックであることを特徴とする請求項１記載の積層セラミック部品であり、小型かつ高精度のコンデンサ素子を内蔵した高性能の積層セラミック部品を高い信頼性で得られるという作用を有する。
【００１４】
本発明の請求項３に記載の発明は、主セラミック材、第一の副セラミック材を構成するアルカリ土類ケイ酸塩系ガラスは、ＳｉＯ２が４０〜５０重量％、Ｂ２Ｏ３が０〜１０重量％、ＭＯ（ＭはＢａ、Ｃａ、Ｓｒから選ばれる少なくとも一種以上）が２５〜５０重量％含まれていることを特徴とする請求項２記載の積層セラミック部品であり、小型かつ高精度のコンデンサ素子を内蔵した極めて高性能の積層セラミック部品を極めて高い信頼性で得られるという作用を有する。
【００１５】
本発明の請求項４に記載の発明は、主セラミック材、第一及び第二の副セラミック材の焼成温度では実質的に焼結しない無機組成物からなる拘束シート層を、主セラミック層、第一及び第二の副セラミック層と内部電極層とからなる積層体の両主面に積層し、主セラミック材および、第一、第二の副セラミック材の焼成温度で焼成した後、両主面に残存した拘束シート層を構成する無機組成物を除去する工程を少なくとも含むことを特徴とする請求項１〜３のいずれか一つに記載の積層セラミック部品の製造方法であり、小型かつ高精度のコンデンサ素子を内蔵した高性能の積層セラミック部品を、反りが小さくかつ寸法精度の優れた基板として得られるという作用を有する。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の積層セラミック部品およびその製造方法について実施の形態および図面を用いて説明する。
【００１７】
（実施の形態１）
本発明の実施の形態１について図１を用いて説明する。
【００１８】
図１は本発明の実施の形態１における積層セラミック部品の断面図である。図１において１１は主セラミック材による主セラミック層、１２は第一の副セラミック材による第一の副セラミック層、１３は第二の副セラミック材による第二の副セラミック層、１４は内部電極層、１５はビア電極、１６は表層電極である。各セラミック層１１，１２，１３には２層の内部電極層１４で各セラミック層１１，１２，１３を挟む対向電極構造によって、各セラミック層１１，１２，１３にコンデンサ素子が形成されており、これらは内部電極層１４とビア電極１５によって表層電極１６に接続されている。この表層電極１６を介してＬＣＲメータにより積層セラミック部品１７の内部に形成したコンデンサ素子の容量値を測定した。
【００１９】
主セラミック材にはＡｌ２Ｏ３、ＭｇＯ、Ｇｄ２Ｏ３（以下ＡＭＧ）による複合酸化物とＳｉＯ２、およびＳｉＯ２、Ｂ２Ｏ３、ＭＯ（ＭはＢａ、Ｃａ、Ｓｒ）を主成分とするアルカリ土類ケイ酸塩系ガラスから構成される材料（以下ＡＭＳＧ）を用いた。
【００２０】
また第一の副セラミック材には、ＺｒＯ２、ＴｉＯ２（以下ＺＴ）による複合酸化物とＳｉＯ２、およびＳｉＯ２、Ｂ２Ｏ３、ＭＯ（ＭはＢａ、Ｃａ、Ｓｒ）を主成分とするアルカリ土類ケイ酸塩系ガラスから構成される材料（以下ＺＴＧ）を用いた。
【００２１】
さらに第二の副セラミック材には、Ｂｉ２Ｏ３、ＣａＯ、ＺｎＯ、Ｎｂ２Ｏ５を主成分とする誘電体材料（以下ＢＣＺＮ）を用いた。
【００２２】
主セラミック材および第一の副セラミック材に使用するアルカリ土類ケイ酸塩系ガラスは下記の理由からＳｉＯ２は４０〜５０重量％、Ｂ２Ｏ３は０〜１０重量％、ＭＯ（ＭはＢａ、Ｃａ、Ｓｒから選ばれる少なくとも一種以上）は２５〜５０重量％の範囲内で含むことが好ましい。
【００２３】
ＳｉＯ２はガラスの主形成酸化物であるが、５０重量％を超えるとガラスの溶融温度が高くなりすぎるためにガラス作製時のコストが高くなり、４０重量％未満ではガラスの化学的安定性が悪くなる。通常積層セラミック部品の表面端子電極には、半田濡れ性を確保する目的で金メッキや半田メッキなどが施される場合が多いが、化学的安定性が悪いとメッキ処理時にガラスセラミック混合材料がメッキ液に侵されてしまうといった不具合が生じる。
【００２４】
また、Ｂ２Ｏ３はガラスの軟化点を下げるが、１０重量％を超えると軟化点が下がりすぎ、内部電極層１４に用いる銀導体層との反応が激しくなり、焼成時におけるガラス成分と銀導体層との相互拡散が起こり、銀導体層の導電率の低下やガラスセラミック層の絶縁抵抗の低下を引き起こす。
【００２５】
次に、ＭＯは焼成時におけるガラスの結晶性に関係する。ガラスセラミック混合材料中のガラス成分の結晶性は機械的強度、高周波特性に影響し、２５〜５０重量％が最適である。
【００２６】
なお、上記のガラスの組成範囲は好ましい例であって、必ずしも限定されるものではない。またその他の成分についても、特性を大きく損なわない限り添加することができる。添加可能な成分としてＡｌ２Ｏ３、Ｌａ２Ｏ３、ＳｎＯ２、Ｐ２Ｏ５、Ｋ２Ｏなどを挙げることができる。
【００２７】
本実施の形態１において主セラミック材および第一の副セラミック材に使用したガラスは、ＳｉＯ２を４５重量％、Ｂ２Ｏ３を５重量％、ＢａＯを１５重量％、ＣａＯを２０重量％、ＳｒＯを５重量％（ＭＯとして４０重量％）、その他を１０重量％含むものを用いた。このガラスの溶融温度は１４５０℃、軟化点は８２０℃であった。
【００２８】
（表１）は本実施の形態１で用いた主セラミック材および第一、第二の副セラミック材の組成とその特性についてまとめたものである。いずれの材料系も９００℃前後の焼成が可能なため、銀を主成分とする内部電極層１４との同時焼成が可能である。また組成を調整することによって、比誘電率をある程度変化させることが可能である。
【００２９】
【表１】
2004186381.tif 000003
【００３０】
次に、これらの材料にバインダ成分、可塑剤、溶剤を添加し、混合してスラリー化し、ドクターブレード法、ダイコータ法などの方法により任意厚みのグリーンシートを成形する。
【００３１】
各グリーンシートには所望の位置にビア電極１５、内部電極層１４、表層電極１６をいずれも銀を主成分とする電極ペーストにより形成し、図１に示す積層構造となるように積層し熱圧着した。この積層体を５００℃で熱処理することによりバインダなどの樹脂成分を焼却し、続いて９００℃で３０分間焼成することによって図１に示す積層セラミック部品１７を得た。各セラミック層１１，１２，１３には、焼成後の対向電極面積が０．１、０．３、０．５、０．８、１．０ｍｍ２となるコンデンサ素子が形成されており、表層電極１６を介してそれぞれの容量値を個別に測定することができる。これを複数個評価し、平均の容量値を算出した。
【００３２】
また、焼成後の内部電極層１４の厚みは、高周波特性を確保できる最低限の４〜５μｍとなるように電極ペーストの銀含有率を調整した。これよりも薄くなると高周波における導体損失が明らかに大きくなり、１〜２ＧＨｚにおけるコンデンサ素子のＱ値に対して、悪影響を及ぼすことを確認している。
【００３３】
また内部電極層１４に挟まれる各セラミック層１１，１２，１３の焼成後の厚みは、９〜１３μｍの範囲となるよう各セラミック材のグリーンシート厚みを調整した。各セラミック層１１，１２，１３の厚みが薄すぎると、電極近傍に欠陥を発生する原因となるが、内部電極層１４の倍以上である９μｍ以上あれば問題ないことを確認している。
【００３４】
得られた積層セラミック部品１７の内蔵コンデンサ素子の評価結果を（表２）に示す。なおいずれの試料も、異種のセラミック層間における剥離や、クラックなどの大きな欠陥は外観上認められなかった。
【００３５】
【表２】
2004186381.tif 000004
【００３６】
（表２）の結果より、主セラミック材の比誘電率Ｋ１と第一の副セラミック材の比誘電率Ｋ２、第二の副セラミック材の比誘電率Ｋ３の関係が、
Ｋ２／Ｋ１＝２．３〜３．３
Ｋ３／Ｋ１＝７．０〜１０．０
の範囲内にある試料番号１〜６の場合、主セラミック層１１に形成した対向電極面積１ｍｍ２のコンデンサ素子の容量値は、第一の副セラミック層１２に形成した対向電極面積０．３〜０．５ｍｍ２の範囲内のコンデンサ容量値と、第一の副セラミック層１２に形成した対向電極面積１ｍｍ２のコンデンサ素子の容量値は、第二の副セラミック層１３に形成した対向電極面積０．３〜０．５ｍｍ２の範囲内のコンデンサ容量値と等価であることがわかる。
【００３７】
内部電極層１４の形成精度、グリーンシートの積層精度の問題から、対向電極面積が０．３ｍｍ２未満となると、コンデンサ素子の容量値ばらつきが大きくなることを確認している。具体的にばらつき度を、
（容量値ばらつきの座標偏差）／（平均容量値）×１００（％）
で評価すると、対向面積０．３ｍｍ２以上では０．５〜１．０％の範囲内でほとんど変化がないが、０．２ｍｍ２では１．０〜１．５％、０．１ｍｍ２では２．０〜３．０％と急激に大きくなる。ばらつきが小さく、製造歩留りの高いコンデンサ内蔵の積層セラミック部品１７を得るためには、コンデンサ素子の対向電極面積は０．３ｍｍ２以上であることが好ましい。一方積層セラミック部品１７の小型化の観点からは、１．０ｍｍ２以下であることが望ましい。
【００３８】
したがって試料番号１〜６の場合、主セラミック層１１および第一の副セラミック層１２に形成した対向電極面積１ｍｍ２のコンデンサ容量値と、第一の副セラミック層１２および第二の副セラミック層１３に形成した対向電極面積０．３〜０．５ｍｍ２の範囲内のコンデンサ容量値とそれぞれ等価であることから、５０ｐＦまでの比較的広い容量値範囲を有するコンデンサ素子を、小型かつ高精度で効率的に内蔵した積層セラミック部品１７が得られる。
【００３９】
一方、試料番号７のようにＫ３／Ｋ１が６．０と小さい場合、第一の副セラミック層１２に形成した対向電極面積１ｍｍ２のコンデンサ容量値と等価の第二の副セラミック層１３に形成したコンデンサ素子は、対向電極面積が０．５ｍｍ２以上と大きくなり、第二の副セラミック層１３を積層する効果が小さくなり好ましくない。また、試料番号９のようにＫ２／Ｋ１が２．０と小さい場合も同様の理由で、第一の副セラミック層１２を積層する効果が小さく好ましくない。
【００４０】
また、試料番号８のようにＫ２／Ｋ１が３．７と大きい場合、主セラミック層１１に形成した対向電極面積１ｍｍ２のコンデンサ容量値と等価の第一の副セラミック層１２に形成したコンデンサ素子は、対向電極面積が０．３ｍｍ２未満と小さくなり、容量値６ｐＦ〜８ｐＦの容量値範囲を小型、高精度に内蔵できるセラミック層が存在せず好ましくない。また、試料番号１０のようにＫ３／Ｋ１が１０．４と大きい場合も同様の理由で、容量値１７ｐＦ〜２０ｐＦの容量値範囲を小型、高精度に内蔵できるセラミック層が存在せず好ましくない。
【００４１】
以上のように主セラミック材の比誘電率Ｋ１と第一の副セラミック材の比誘電率Ｋ２、第二の副セラミック材の比誘電率Ｋ３の関係が、Ｋ２／Ｋ１＝２．３〜３．３かつＫ３／Ｋ１＝７．０〜１０．０の範囲内にある三種類の材料を積層し、それぞれにコンデンサ素子を形成した積層セラミック部品１７は、５０ｐＦ程度までの比較的広い容量値範囲を有するコンデンサ素子を、効率的に小型かつ高精度に内蔵することができる。
【００４２】
また、本実施の形態１に示した各セラミック層１１，１２，１３を構成する材料組成の好ましい例であれば、低温焼結性、耐メッキ性、絶縁性、機械的強度、高周波特性に優れ、かつ焼成後の異種材料間の剥離やクラックのない信頼性に優れたコンデンサ内蔵の積層セラミック部品１７を得ることができるが、特性、信頼性に問題なければ必ずしも限定されるものではない。例えば主セラミック材にはアルミナ、フォルステライト、コーディエライトとガラスの混合物、第一の副セラミック材にはチタニア、チタン酸マグネシウムとガラスの混合物、第二の副セラミック材にはチタン酸バリウムネオジウムとガラスの混合物などが挙げられる。
【００４３】
また、積層セラミック部品１７に内蔵する容量値範囲によっては、第一の副セラミック層１２、第二の副セラミック層１３の両者をともに積層する必要はない。容量値範囲によっていずれかの副セラミック層を適宜選択することができる。
【００４４】
（実施の形態２）
本発明の実施の形態２について図２、図３により、請求項４に記載の発明について説明する。
【００４５】
図２（ａ）〜図２（ｄ）は実施の形態２における積層セラミック部品の製造工程の説明図である。
【００４６】
実施の形態１の場合と同様に主セラミックグリーンシート２１、第一の副セラミックグリーンシート２２、第二の副セラミックグリーンシート２３を用意し、所望の位置にビア電極２４、内部電極層２５、表層電極２６を銀電極ペーストにより形成する。さらに拘束用シート２７を用意し、図２（ａ），（ｂ）に示した積層構造となるように積層し熱圧着する。拘束用シート２７を構成する材料は、主セラミック材、第一および第二の副セラミック材の焼成温度で実質的に焼結しない無機材料であればよく、アルミナ、マグネシア、ジルコニアなどが良く用いられるが、特に限定されるものではない。
【００４７】
熱圧着した積層体を５００℃で熱処理することによりバインダなどの樹脂成分を焼却し、続いて９００℃で３０分間焼成すると、拘束用シート２７の効果で面方向へはほとんど収縮しないで、厚み方向に収縮し、図２（ｃ）となる。そして拘束用シート２７の残存分を機械的方法などで除去すると、図２（ｄ）のようなコンデンサ内蔵の積層セラミック部品２８が得られる。これは図１のコンデンサ内蔵の積層セラミック部品１７と基本構造は同等である。
【００４８】
この製造方法と、拘束用シート２７を用いない方法で、図３（ａ）〜図３（ｃ）に示した構造の積層セラミック部品２８を多数個、マトリックス状に多数個配置した積層セラミック基板を３枚ずつ作製し、６０ｍｍ角基板の反り量と焼成前後の面方向の収縮率を評価した。その結果を（表３）に示す。
【００４９】
【表３】
2004186381.tif 000005
【００５０】
拘束用シート２７を用いる方法では、拘束用シート２７の効果で面方向への収縮が起こらないため、積層セラミック部品２８の寸法ばらつきが小さく、かつ積層体の上下方向を拘束用シート２７で抑え込んでいるため、反りも小さい。特に図３（ａ）、図３（ｃ）のように主セラミック層２１と第一、第二の副セラミック層２２，２３の積層構造が上下方向で非対称的な場合に、拘束用シート２７の効果が大きい。
【００５１】
以上のように、拘束用シート２７を用いた製造方法によれば、上下方向で非対称的な構造をもつ積層構造でも、小さい反り、かつ高い寸法精度で焼成することができるため、例えば積層セラミック部品２８の上にＬＣＲ部品や半導体ベアチップ部品を高密度で高速実装し、積層セラミック部品２８の内部に形成したコンデンサ素子と複合化した高周波モジュールを安価に製造できるなどの効果が得られる。
【００５２】
【発明の効果】
以上説明したように本発明によれば、５０ｐＦ程度までの比較的広い容量値範囲のコンデンサ素子を小型かつ高精度で効率的に内蔵することにより、高周波特性、信頼性に優れた積層セラミック部品を得ることができる。また拘束用シートを用いた工法によれば、このような積層セラミック部品を反りが小さく、かつ寸法精度の高い基板形状で得ることができる。これらの発明は小型、高集積され、高周波特性と信頼性に優れた高周波積層セラミックモジュールを歩留り高く製造できるなどの効果を有する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施の形態を示す積層セラミック部品の断面図
【図２】（ａ）〜（ｄ）本発明の一実施の形態を示す積層セラミック部品の製造方法を工程順に示した断面図
【図３】（ａ）〜（ｃ）本発明の一実施の形態を示す積層セラミック部品の断面図
【符号の説明】
１１  主セラミック層
１２  第一の副セラミック層
１３  第二の副セラミック層
１４  内部電極層
１５  ビア電極
１６  表層電極
１７  積層セラミック部品
２１  主セラミックグリーンシート
２２  第一の副セラミックグリーンシート
２３  第二の副セラミックグリーンシート
２４  ビア電極
２５  内部電極層
２６  表層電極
２７  拘束用シート
２８  積層セラミック部品
【図１】
2004186381.tif 000006
【図２】
2004186381.tif 000007
【図３】
2004186381.tif 000008