(57)【要約】【課題】パッケージ内の圧電振動片に、有害なガス成分を付着させないで蓋体のパッケージに対する封止を行うことができ、これにより、振動性能を損なうことがない圧電デバイスとその製造方法、及び圧電デバイスのパッケージを提供すること。【解決手段】パッケージ内に圧電振動片３２を収容した圧電デバイスであって、絶縁材料でなる基体を有し、この基体３６の一面に圧電振動片３２を接続するための電極部が形成され、この一面側に蓋体が接合されることにより、前記一面側に前記圧電振動片を気密に収容する収容空間を形成するようにした前記パッケージを備えており、前記蓋体７０には、前記収容空間と、外部とを連通させる貫通孔８０を備えていて、この貫通孔８０に封止材２０が充填されている。【選択図】　　図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
パッケージ内に圧電振動片を収容した圧電デバイスであって、
絶縁材料でなる基体を有し、この基体の一面に圧電振動片を接続するための電極部が形成され、この一面側に蓋体が接合されることにより、前記一面側に前記圧電振動片を気密に収容する収容空間を形成するようにした前記パッケージを備えており、
前記蓋体には、前記収容空間と、外部とを連通させる貫通孔を備えていて、
この貫通孔に封止材が充填されている
ことを特徴とする、圧電デバイス。
【請求項２】
前記蓋体が前記基体と線膨張係数が近似した光透過性の材料により形成されていることを特徴とする、請求項１に記載の圧電デバイス。
【請求項３】
前記蓋体が前記基体と線膨張係数が近似した金属材料により形成されていることを特徴とする、請求項１に記載の圧電デバイス。
【請求項４】
前記蓋体に設けた前記貫通孔は、外部に向かって徐々に拡径されたテーパ部を備えることを特徴とする、請求項１ないし３のいずれかに記載の圧電デバイス。
【請求項５】
絶縁材料でなる基体を有し、この基体の一面に圧電振動片を接続するための電極部が形成され、この一面側に蓋体が接合されることにより、前記一面側に前記圧電振動片を気密に収容する収容空間を形成するようにしたパッケージであって、
前記蓋体には、前記収容空間と、外部とを連通させる貫通孔を備えている
ことを特徴とする、圧電デバイス用パッケージ。
【請求項６】
前記蓋体が前記基体と線膨張係数が近似した光透過性の材料により形成されていることを特徴とする、請求項５に記載の圧電デバイス用パッケージ。
【請求項７】
前記蓋体が前記基体と線膨張係数が近似した金属材料により形成されていることを特徴とする、請求項５に記載の圧電デバイス用パッケージ。
【請求項８】
前記蓋体に設けた前記貫通孔は、外部に向かって徐々に拡径されたテーパ部を備えることを特徴とする、請求項５ないし７のいずれかに記載の圧電デバイス用パッケージ。
【請求項９】
絶縁材料でなる基体を有し、この基体の一面に圧電振動片を接続するための電極部が形成され、この一面側に蓋体が接合されることにより、前記一面側に前記圧電振動片を気密に収容する収容空間を形成するようにしたパッケージであって、前記蓋体には、前記収容空間と、外部とを連通させる貫通孔を備えている圧電デバイス用パッケージを用意し、
前記パッケージの前記電極部に、前記圧電振動片を接合する工程と、
前記パッケージに前記蓋体を接合する封止工程と、
前記蓋体の前記貫通孔に封止材を配置し、この封止材に対して加熱用ビームを照射して溶融することにより、前記貫通孔に封止材を充填する蓋体の孔封止工程と
を備えることを特徴とする、圧電デバイスの製造方法。
【請求項１０】
前記蓋体として、光を透過しない材料で形成された蓋体を用いる場合には、蓋体の接合を行う封止工程に先立って、圧電振動片の周波数調整を行うことを特徴とする、請求項９に記載の圧電デバイスの製造方法。
【請求項１１】
前記蓋体として、光を透過する材料で形成された蓋体を用いる場合には、前記蓋体の孔封止工程の後で、圧電振動片の周波数調整を行うことを特徴とする、請求項９に記載の圧電デバイスの製造方法。
【請求項１２】
パッケージ内に圧電振動片を収容した圧電デバイスを利用した携帯電話装置であって、
絶縁材料でなる基体を有し、この基体の一面に圧電振動片を接続するための電極部が形成され、この一面側に蓋体が接合されることにより、前記一面側に前記圧電振動片を気密に収容する収容空間を形成するようにしたパッケージを備え、
前記蓋体には、前記収容空間と、外部とを連通させる貫通孔を備えていて、
この貫通孔に封止材が充填されている圧電デバイスにより、制御用のクロック信号を得るようにした
ことを特徴とする、携帯電話装置。
【請求項１３】
パッケージ内に圧電振動片を収容した圧電デバイスを利用した電子機器であって、
絶縁材料でなる基体を有し、この基体の一面に圧電振動片を接続するための電極部が形成され、この一面側に蓋体が接合されることにより、前記一面側に前記圧電振動片を気密に収容する収容空間を形成するようにしたパッケージを備え、
前記蓋体には、前記収容空間と、外部とを連通させる貫通孔を備えていて、
この貫通孔に封止材が充填されている圧電デバイスにより、制御用のクロック信号を得るようにした
ことを特徴とする、電子機器。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、圧電振動片をパッケージに収容した圧電デバイスと製造方法ならびに、圧電デバイスのパッケージの改良に係り、また、このような圧電デバイスを利用した携帯電話と電子機器に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ＨＤＤ（ハード・ディスク・ドライブ）、モバイルコンピュータ、あるいはＩＣカード等の小型の情報機器や、携帯電話、自動車電話、またはページングシステム等の移動体通信機器において、パッケージ内に圧電振動片を収容した圧電振動子や圧電発振器等の圧電デバイスが広く使用されている。
図２４は、このような圧電デバイスの構成例を示す概略断面図である。
図において、圧電デバイス１は、パッケージ２の内部に、圧電振動片３を収容している。この圧電振動片３は、例えば水晶基板を利用して形成されている。この圧電振動片３は、パッケージ２の内側底部に形成された電極部６に対して、導電性接着剤６ａを用いて、その基部３ａが接合されている。
【０００３】
パッケージ２は、積層基板２ａ，２ｂを積層して形成され、積層基板２ｂの内側の材料を除去することによって、内部に圧電振動片３を収容するための内部空間Ｓ１を有し、その上端には、ロウ材４ａを介して、蓋体４が接合されている。電極部６はパッケージ２の外部に引き回されて、パッケージ２の底面において、実装基板（図示せず）に固定される実装用端子６ｂ，６ｂとされている。
【０００４】
このような圧電デバイス１は、実装基板から、実装用端子６ｂ，６ｂを介して、電極部６に駆動電圧が印加されることにより、圧電振動片３が所定の振動周波数で振動するようになっており、この振動周波数を取り出して、基本クロック等の種々の信号に利用できる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、このような圧電デバイス１では、例えば、パッケージ２の内部空間Ｓ１に圧電振動片３を収容固定した後に、蓋体４がパッケージ２に対して接合される必要がある。
この場合、パッケージ２の上端と蓋体４との間にロウ材４ａを介在させて、例えば、ベルト炉等を利用して加熱することにより、ロウ材４ａを溶融させて、蓋体４の封止が行われている。
【０００６】
このため、蓋体４の加熱の際に、パッケージ２内が同時に加熱されることからパッケージ２内の導電性接着剤６ａから有害なガスが発生し、このガス成分が圧電振動片３に付着した状態で、蓋体４がパッケージ２を気密に封止してしまうことがある。
これにより、圧電振動片３の振動性能に悪影響が及ぶ場合があった。
【０００７】
本発明は、パッケージ内の圧電振動片に、有害なガス成分を付着させないで蓋体のパッケージに対する封止を行うことができ、これにより、振動性能を損なうことがない圧電デバイスとその製造方法、及び圧電デバイスのパッケージ、ならびに圧電デバイスを利用した携帯電話装置及び電子機器を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上述の目的は、請求項１の発明によれば、パッケージ内に圧電振動片を収容した圧電デバイスであって、絶縁材料でなる基体を有し、この基体の一面に圧電振動片を接続するための電極部が形成され、この一面側に蓋体が接合されることにより、前記一面側に前記圧電振動片を気密に収容する収容空間を形成するようにした前記パッケージを備えており、前記蓋体には、前記収容空間と、外部とを連通させる貫通孔を備えていて、この貫通孔に封止材が充填されている、圧電デバイスにより、達成される。
【０００９】
請求項１の構成によれば、蓋体に設けた貫通孔を利用することにより、パッケージ内に圧電振動片を収容し、蓋体によってパッケージを封止した後で、パッケージ内の気体を排出してから、それ以前の工程でパッケージ内で発生している有害なガスを排出して、蓋体側を気密に封止することが可能となる。このため、封止後に有害なガス成分が圧電振動片に付着して、その振動性能を損なう等の事態を有効に防止することができる。
また、外部とパッケージ内を連通する貫通孔をパッケージの基体側ではなく、蓋体側に設けているので、圧電振動片を固定するための電極を形成する等の複雑な構造に、このような貫通孔を付加する必要がなく、基体側の構造は、従来のものをそのまま利用できる利点がある。
【００１０】
請求項２の発明は請求項１の構成において、前記蓋体が前記基体と線膨張係数が近似した光透過性の材料により形成されていることを特徴とする。
請求項２の構成によれば、蓋体の封止後に、環境温度が変化してもパッケージ基体と蓋体との接合が破壊されにくい。また、蓋体を封止後において、外部からレーザ光等を内部の圧電振動片に照射して、質量削減方式による周波数調整を行うことができる。
【００１１】
請求項３の発明は、請求項１の構成において、前記蓋体が前記基体と線膨張係数が近似した金属材料により形成されていることを特徴とする。
請求項３の構成によれば、蓋体の封止後に、環境温度が変化してもパッケージ基体と蓋体との接合が破壊されにくい。また、蓋体が金属により形成されているので、蓋体の接合に際しては、シーム溶接や電子ビーム等の種々の方法を採用できる。
【００１２】
請求項４の発明は、請求項１ないし３のいずれかの構成において、前記蓋体に設けた前記貫通孔は、外部に向かって徐々に拡径されたテーパ部を備えることを特徴とする。
請求項４の構成によれば、前記貫通孔が外側に向かって開くテーパ状であるため、外側に封止材を配置して支持しやすい。
【００１３】
また、上述の目的は、請求項５の発明によれば、絶縁材料でなる基体を有し、この基体の一面に圧電振動片を接続するための電極部が形成され、この一面側に蓋体が接合されることにより、前記一面側に前記圧電振動片を気密に収容する収容空間を形成するようにしたパッケージであって、前記蓋体には、前記収容空間と、外部とを連通させる貫通孔を備えている、圧電デバイス用パッケージにより、達成される。
【００１４】
請求項５の構成によれば、蓋体の貫通孔を利用することにより、パッケージ内に圧電振動片を収容し、蓋体によってパッケージを封止した後で、パッケージ内の気体を排出してから、蓋体側を封止することで、それ以前の工程でパッケージ内で発生している有害なガスを排出して、気密に封止することが可能となる。このため、封止後に有害なガス成分が圧電振動片に付着して、その振動性能を損なう等の事態を有効に防止することができる。
さらに、このようなパッケージは、外部とパッケージ内を連通する貫通孔を蓋体側に設けているので、圧電振動片を固定するための電極を形成する等の複雑な構造を有する基体側に、このような貫通孔を付加する必要がなく、基体側の構造は、従来のものをそのまま利用できる利点がある。
尚、この発明において、パッケージとは、その販売の形態において蓋体を含む場合には、圧電振動片を収容する内部空間を形成するために必要とされる蓋体まで含むものである。
【００１５】
請求項６の発明は、請求項５の構成において、前記蓋体が前記基体と線膨張係数が近似した光透過性の材料により形成されていることを特徴とする。
【００１６】
請求項７の発明は、請求項５の構成において、前記蓋体が前記基体と線膨張係数が近似した金属材料により形成されていることを特徴とする。
【００１７】
請求項８の発明は、請求項５ないし７のいずれかの構成において、前記蓋体に設けた前記貫通孔は、外部に向かって徐々に拡径されたテーパ部を備えることを特徴とする。
【００１８】
また、上述の目的は、請求項９の発明によれば、絶縁材料でなる基体を有し、この基体の一面に圧電振動片を接続するための電極部が形成され、この一面側に蓋体が接合されることにより、前記一面側に前記圧電振動片を気密に収容する収容空間を形成するようにしたパッケージであって、前記蓋体には、前記収容空間と、外部とを連通させる貫通孔を備えている圧電デバイス用パッケージを用意し、前記パッケージの前記電極部に、前記圧電振動片を接合する工程と、前記パッケージに前記蓋体を接合する封止工程と、前記蓋体の前記貫通孔に封止材を配置し、この封止材に対して加熱用ビームを照射して溶融することにより、前記貫通孔に封止材を充填する蓋体の孔封止工程とを備える、圧電デバイスの製造方法により、達成される。
【００１９】
請求項９の構成によれば、圧電デバイスの製造工程において、蓋体の孔封止工程よりも前に、パッケージを加熱する工程を含んでいても、蓋体の孔封止工程において、このようなガス成分を排出することができるから、封止後に有害なガス成分が圧電振動片に付着して、その振動性能を損なう等の事態を有効に防止することができる。
【００２０】
請求項１０の発明は、請求項９の構成において、前記蓋体として、光を透過しない材料で形成された蓋体を用いる場合には、蓋体の接合を行う封止工程に先立って、圧電振動片の周波数調整を行うことを特徴とする。
請求項１０の構成によれば、蓋体が光を透過しないので、蓋体を封止する前に、圧電振動片に直接レーザ光や電子ビームを当てて、質量削減方式による周波数調整を行い、その後、蓋体を封止するようにする。
【００２１】
請求項１１の発明は、請求項９の構成において、前記蓋体として、光を透過する材料で形成された蓋体を用いる場合には、前記蓋体の孔封止工程の後で、圧電振動片の周波数調整を行うことを特徴とする。
請求項１１の構成によれば、蓋体が光を透過できるので、蓋体を封止した後においても、蓋体を透過するビーム、例えば、レーザ光や、ハロゲンランプによる光ビーム等を蓋体を介して圧電振動片に照射し、質量削減方式による周波数調整を行い。その後、蓋体を封止するようにする。
【００２２】
また、上述の目的は、請求項１２の発明によれば、パッケージ内に圧電振動片を収容した圧電デバイスを利用した携帯電話装置であって、絶縁材料でなる基体を有し、この基体の一面に圧電振動片を接続するための電極部が形成され、この一面側に蓋体が接合されることにより、前記一面側に前記圧電振動片を気密に収容する収容空間を形成するようにしたパッケージを備え、前記蓋体には、前記収容空間と、外部とを連通させる貫通孔を備えていて、この貫通孔に封止材が充填されている圧電デバイスにより、制御用のクロック信号を得るようにした、携帯電話装置により、達成される。
【００２３】
また、上述の目的は、請求項１３の発明によれば、パッケージ内に圧電振動片を収容した圧電デバイスを利用した電子機器であって、絶縁材料でなる基体を有し、この基体の一面に圧電振動片を接続するための電極部が形成され、この一面側に蓋体が接合されることにより、前記一面側に前記圧電振動片を気密に収容する収容空間を形成するようにしたパッケージを備え、前記蓋体には、前記収容空間と、外部とを連通させる貫通孔を備えていて、この貫通孔に封止材が充填されている圧電デバイスにより、制御用のクロック信号を得るようにした、電子機器により、達成される。
【００２４】
【発明の実施の形態】
図１及び図２は、本発明の圧電デバイスの第１の実施の形態を示しており、図１はその概略平面図、図２は図１のＡ−Ａ線概略断面図である。
これらの図において、圧電デバイス３０は、圧電振動子を構成した例を示しており、圧電デバイス３０は、パッケージの基体３６内に圧電振動片３２を収容している。パッケージの基体３６は、例えば、絶縁材料として、例えば、酸化アルミニウム質のセラミックグリーンシートを成形して形成される複数の基板を積層した後、焼結して形成されている。複数の各基板は、その内側に所定の孔を形成することで、積層した場合に内側に所定の内部空間Ｓ２を形成するようにされている。
【００２５】
すなわち、図２に示されているように、この実施形態では、パッケージの基体３６は、下から第１の基板である積層基板６１、第２の基板である積層基板６２、第３の基板である積層基板６３を重ねて形成されている。
この内部空間Ｓ２が圧電振動片を収容するための収容空間である。
ここで、基体は、ひとつの基板で形成されてもよく、この実施形態のように複数の積層基板で構成してもよい。
また、内部空間Ｓ２は、各積層基板の内側に形成した所定の孔もしくは材料の除去部であるが、これに限らず、後述するように、蓋体７０がその周縁部に垂直な枠部を有していて、平坦な基板と、この枠部を備えた蓋体７０とで形成される内部空間を圧電振動片の収容空間としてもよい。
【００２６】
パッケージの基体３６の内部空間Ｓ２内の図において左端部付近において、内部空間Ｓ２に露出して内側底部を構成する第２の積層基板６２には、例えば、タングステンメタライズ上にＮｉメッキ及び金メッキで形成した電極部３１，３１が設けられている。
この電極部３１，３１は、外部と接続されて、駆動電圧を供給するものである。この各電極部３１，３１の上に導電性接着剤４３，４３が塗布され、この導電性接着剤４３，４３の上に圧電振動片３２の基部５１が載置されて、導電性接着剤４３，４３が硬化されるようになっている。この圧電振動片３２の接合工程については、後述する。尚、導電性接着剤４３，４３としては、接合力を発揮する接着剤成分としての合成樹脂剤に、銀製の細粒等の導電性の粒子を含有させたものが使用でき、例えば、シリコーン系、エポキシ系またはポリイミド系導電性接着剤等を利用することができる。
【００２７】
圧電振動片３２は、例えば水晶で形成されており、水晶以外にもタンタル酸リチウム，ニオブ酸リチウム等の圧電材料を利用することができる。本実施形態の場合、圧電振動片３２は、小型に形成して、必要な性能を得るために、特に図示する形状とされている。
すなわち、圧電振動片３２は、パッケージの基体３６側と後述するようにして固定される基部５１と、この基部５１を基端として、図において右方に向けて、二股に別れて平行に延びる一対の振動腕３４，３５を備えており、全体が音叉のような形状とされた、所謂、音叉型圧電振動片が利用されている。
【００２８】
ここで、図１において、圧電振動片３２の基部５１において、一対の振動腕３４，３５の基端部側に寄った位置には、基部５１の幅方向に縮幅して設けた切り欠き部もしくはくびれ部５２，５２を設けるようにしてもよい。
これにより、基部５１に圧電振動片３２の振動の漏れ込みを防止して、ＣＩ（クリスタルインピーダンス）値を低減することができる。
また、一対の振動腕３４，３５には、それぞれ、長手方向に延びる長溝３４ａ，３５ａを形成してもよい。この場合、各長溝は、図２の長溝３４ａ，３４ａとして示されているように、各振動腕３４，３５の上面と下面に同様の態様でそれぞれ形成される。
このように、一対の振動腕３４，３５に、それぞれ長手方向に延びる長溝３４ａ，３５ａを形成することによって、振動腕３４，３５における電界効率が向上する利点がある。
【００２９】
圧電振動片３２の基部５１の導電性接着剤４３，４３と触れる部分には、駆動電圧を伝えるための引出電極（図示せず）が形成されており、これにより、圧電振動片３２は、駆動用電極がパッケージの基体３６側の電極部３１，３１と導電性接着剤４３，４３を介して、電気的に接続されている。
この引出し電極は、圧電振動片３２の表面に形成された励振電極（図示せず）と一体に形成されて、励振電極に駆動電圧を伝えるためのものである。
また、電極部３１は、図示しない経路により、図２に示すように、パッケージの基体３６の下面（底面）に形成された実装用端子３１ａ，３１ａに接続されている。
【００３０】
また、第２の基板６２には、図２において右端部付近の内側の材料を除去して第２の孔４２ａが形成されている。第２の孔４２ａは、パッケージの基体３６の内部空間Ｓ２に開口することで、積層基板６２の厚みに対応した凹部４２とされている。この凹部４２は、圧電振動片３２の自由端である先端部の下方に位置している。これにより、本実施形態では、パッケージの基体３６に外部から衝撃が加わった場合に、圧電振動片３２の自由端が、矢印Ｄ方向に変位して振れた場合においても、パッケージの基体３６の内側底面と当接されることを有効に防止されるようになっている。
【００３１】
パッケージの基体３６の開放された上端には、例えば、低融点ガラス等のロウ材３３を介して、蓋体７０が接合されることにより、封止されている。蓋体７０は、図１の例では、好ましくは、後述する周波数調整を行うために、光を透過する材料，例えば、ガラスで形成されている。
さらに、蓋体７０には、図２に示されているように、パッケージの基体３６の内部空間Ｓ２と、パッケージの基体３６の外部とを連通する貫通孔８０が形成されている。この貫通孔８０は、好ましくは、図示のように外側に向かって徐々に拡径するテーパ状に形成されている。この貫通孔８０には、封止材２０が充填されている。
【００３２】
本実施形態の圧電デバイス３０は、以上のように構成されており、次に、図３を参照して、本実施形態の圧電デバイスの製造方法の第１の実施形態について説明しながら、パッケージの基体３６や蓋体の各構成をさらに詳しく説明する。この製造方法は、主として、光透過性の材料でなる蓋体７０を利用した場合の製造方法である。
この製造方法においては、先ず、パッケージの基体３６を構成するためのセラミックグリーンシートから形成される基板と、圧電振動片３２と、蓋体７０とを別々に形成してから、これを完成させて、接合固定する。
【００３３】
ここで、パッケージの基体３６に関しては、上述したパッケージの基体３６の構造を所定の工程により形成して、完成させる（ＳＴ１１−１）。したがって、パッケージの基体３６に関する本発明の構造は、以下で説明する製造方法に先立ってＳＴ１１−１において完成される。あるいは、圧電振動片３２と蓋体７０を除く、上述した構造のパッケージの基体が、販売等により提供されて、さらに、以下で説明する製造方法が実施されることになる。
【００３４】
図４及び図５は、光透過性の蓋体と組み合わせて使用されるのに好適なパッケージの基体を示している。
図４に示すパッケージの基体（以下、「基体」という）３６は、図１及び図２で説明したように、例えば、絶縁材料として、セラミックグリーンシートを成形して焼結した酸化アルミニウム質焼結体である。この基体３６は、上部に開口３６ａを有し、内側に収容空間を形成するための内部空間Ｓ１を備えるように、箱型に形成されている。また、基体３６は、特に、光透過性の材料、例えば、ガラス製の蓋体７０と接合されるために、基体３６の上端に、低融点ガラスでなるロウ材３３が配置されている。このような構成を形成することで、パッケージの基体の形成が行われる（ＳＴ１１−１）。
【００３５】
また、ガラス製の蓋体を接合するための基体としては、図５に示すように、平板状の基体５５を用いることもできる。
この基体５５は、図４の基体３６と同様にセラミック材料で形成することができ、箱型ではなく、平らな板状に形成されて、必要な電極部３１，３１や実装用端子３１ａ，３１ａ等を基体３６と同様に形成したものである。このような形態の基体５５と組み合わされる蓋体に関しては、後で詳しく説明する。
【００３６】
また、蓋体７０と、圧電振動片３２は、すでに説明したとおりの構成を、それぞれ別々の工程で完成させるが、圧電振動片３２を形成するためには、所定形状とした圧電材料とする工程と、電極（励振電極、引出し電極等）を形成する工程が行われる（ＳＴ１１−２）。
そして、本実施形態においては、蓋体の形成工程（ＳＴ１１−３）において、特に貫通孔を形成するための次のような工程が実施される。
【００３７】
図６は、図１及び図２で説明したガラス製の平板状の蓋体７０に貫通孔を設ける様子を示す説明図である。また、図７は、図６の手法により形成した蓋体７０を示しており、図７（ａ）は、蓋体７０の概略平面図、図７（ｂ）は、図７（ａ）のＢ−Ｂ線切断端面図である。
図６の方法では、蓋体７０として形成するために、これに適合したサイズ、例えば、縦横３ｍｍ×１．３ｍｍ、厚み０．１４５ｍｍ程度のきわめて小さいガラス製基板３９ａを用意する。ガラス製基板３９ａとしては、例えばホウ珪酸ガラスのガラスウエハを用いることができる。
このガラス製基板３９ａの貫通孔をもうける箇所、例えば、中央付近に対して、レーザ光の照射手段９１から、レーザ光ＬＢを照射する。この場合、貫通孔を設ける箇所は、種々選択することができる。
例えば、パッケージ内の圧電振動片３２をさける領域とすると、後述する蓋体の孔封止工程で、封止材を溶融する際に、溶融に用いる光ビームが圧電振動片３２に当たって、損傷を与えることを防止することができる。あるいは、圧電振動片３２と重なる領域であっても、その振動性能に大きな影響をあたえないように、圧電振動片３２の先端部をよけた領域等に貫通孔を設けてもよい。
【００３８】
図６で使用するレーザ光ＬＢとしては、ガラス製基板３９ａに対して、吸熱率の高いものを選択する。例えば、ガラス製基板３９ａにホウ珪酸ガラスを用いた場合には、波長３００ｎｍ以下のものが吸熱率が高く適している。このため、本実施形態では、レーザ光ＬＢとして、例えば、ＹＡＧレーザの第４次高調波（波長２６６ｎｍ）が適している。また、ガラス製基板３９ａにホウ珪酸ガラスを用いた場合には、波長４μｍ以上のものが吸熱率が高く適している。このため、本実施形態では、レーザ光ＬＢとして、例えば、波長１０．５ないし１０．７μｍ程度のＣＯ２レーザを用いることができる。
また、レーザ光ＬＢのビーム径は、形成する貫通孔の孔径に対応しており、蓋体に形成する貫通孔は、製造工程において、パッケージ内の気体を排気する機能を満たせば、小さい程よい。レーザ光ＬＢを使用すると、貫通孔８０の孔径を０．０３ｍｍ程度ときわめて小さくすることができる。これにより、後述する蓋体の孔封止工程で使用する封止材の量を少なくすることができ、高真空下での封止が可能であるという利点がある。
【００３９】
図８は、図１及び図２で説明したガラス製の平板状の蓋体７０に貫通孔を設ける別の手法を説明する図であり、図９は、図８の手法により形成した蓋体７０を示し、図９（ａ）は、蓋体７０の概略平面図、図９（ｂ）は、図９（ａ）のＣ−Ｃ線切断端面図である。
図８で示すように、この手法では、ガラス製基板３９ａに対して、照射手段９２から、サンドブラストＳＢを照射することで、貫通孔を形成している。
【００４０】
具体的には、ガラス製基板３９ａの図において上面全体に、サンドブラスト加工に適したレジスト９３を印刷等の手法で塗布する。レジスト９３としては、例えば、サンドブラスト用のＵＶ（紫外線効果）マスキングインキ（十条化学、商品名　ＪＥＬＣＯＮ　ＧＥＣ／６Ｓ）が好適である。
次に、レジスト９３の上にマスク（図示せず）を配置し、露光して、貫通孔に対応した感光部を除去して、マスクを取り去る。
続いて、微細な砂やビーズでなるサンドブラストＳＢを照射して、エッチングを行い、図９に示すような貫通孔８０を形成する。貫通孔８０の形成後においては、レジスト９３を除去することで、蓋体７０に貫通孔８０を形成することができる。
このように、サンドブラストＳＢを用いて貫通孔８０を形成することで、貫通孔の孔径を０．１ｍｍ程度に形成できるので、貫通孔の性能としては、十分な小さな孔径とすることができる。
【００４１】
図１０は、図１及び図２で説明したガラス製の平板状の蓋体７０とは別の形態の貫通孔を備えるガラス製蓋体を形成するための成形用型を示す図であり、図１１は、図１０の型を用いて形成した蓋体７１を示し、図１１（ａ）は、蓋体７１の概略平面図、図１１（ｂ）は、図１１（ａ）のＤ−Ｄ線切断端面図である。
図１０は、ガラス成形用の型の概略断面図であり、この型９４は、内側に、蓋体に設けるべき貫通孔に対応した凸部９４ａと、蓋体の周縁部に設けられる枠部もしくは壁部に対応した凹部９４ｂを備えている。
【００４２】
このような型９４に、例えば、ガラス製蓋体用の材料である溶融したホウ珪酸ガラスを流し込み、固化させて型抜きすることで、図１１に示すように、蓋体７１が形成される。この蓋体７１は、周縁部に厚み方向に延びる枠部７１ａが一体に形成されるので、その内側が圧電振動片３２の収容空間となる。
【００４３】
（接合工程）
基体３６に、圧電振動片３２を接合する（マウント）。この場合、図１及び図２で説明した電極部３１，３１に、導電性接着剤４３，４３を塗布し、その上から、圧電振動片３２の基部５１を載せて、僅かに荷重をかけることで、導電性接着剤４３，４３を、基部５１と各電極部３１，３１との間で好適に介在させ、導電性接着剤４３，４３を乾燥固化させることにより、接合工程が完了する（ＳＴ１２）。
【００４４】
（封止工程）
基体３６に圧電振動片３２を接合したら、例えば、基体３６と蓋体７０との間に低融点ガラスでなるロウ材３３を介在させ、加熱してロウ材３３を溶融することによって、蓋体７０を基体３６に対して接合する（ＳＴ１３）。
具体的には、例えば基体３６の接合端面である上端面にロウ材３３を予め形成しておき、その上に蓋体７０を配置する。そして、例えば、ベルト炉において摂氏３２０度以上で、約１０分程度加熱することで、低融点ガラスのロウ材３３を溶融して、パッケージを封止することができる。
【００４５】
図１２は、図１０及び図１１で説明した枠部７１ａを備える蓋体７１と平板状の基体５５とを封止する様子を示す図である。
このように、基体５５に蓋体７１を封止することで、枠部７１ａにより、パッケージ内部に圧電振動片３２の収容空間が形成される。封止方法は、上述の場合と同じ加熱工程を用いることができる。
これにより、基体側に収容空間を形成しなくて済むので、圧電デバイス全体を薄く形成でき、低背化を図ることができる。また、セラミック材料の基板を積層していないので、基体を形成するコストを低減することができる。
【００４６】
（アニール工程）
次に、図３では示していないが、封止工程の後で、好ましくは、パッケージの熱処理を行うアニール工程を実施してもよい。この工程は、蓋体７０が接合された基体３６を加熱する工程である。例えば、図示しないチャンバー内に移して、ひき続き加熱してもよいし、蓋体７０が光透過性の材料で形成されている場合には、基体３６を介して、ハロゲンランプまたはレーザ照射手段等により、蓋体７０を透過させて基体３６内に、ハロゲン光またはレーザ光を照射してもよい。
これにより、基体３６が加熱されると、例えば、導電性接着剤４３等から有害なガスが発生する。そして、チャンバー内が真空とされていれば、蓋体７０の貫通孔８０から、有害なガスが外部に排出される。このため、続く蓋体の孔封止が行われた後で、基体３６内の有害なガスが、圧電振動片３２に付着して、振動性能に悪影響を与えたり、基体３６内の吸着水が、付着して酸化させたりすることが、未然に防止される。
【００４７】
（蓋体の孔封止工程）
基体３６と蓋体７０を接合する封止工程、あるいは、上述のアニール工程に続いて、基体３６を所定のチャンバー内に配置して、蓋体の孔封止工程を行う（ＳＴ１４）。
この場合、チャンバー（図示せず）内を真空にして、図１３に示すように、蓋体７０の貫通孔８０のテーパ形状を利用して、貫通孔８０の外側に封止材２０を載せて、例えば、レーザ光ＬＢや、ハロゲンランプ（図示せず）の光ビーム等を照射することにより、封止材２０を照射して、図２に示すように、貫通孔８０に溶融した封止材２０を充填する。
【００４８】
蓋体の孔封止工程を真空中で行うのは、ＳＴ１３の封止工程による加熱や、上述のアニール工程による加熱で、上述したように、有害なガスが発生していても、貫通孔８０から外部に排出できるからである。
このように、有害なガスを排出した後においては、貫通孔８０を溶融した封止材２０で完全に塞いで、パッケージを気密に封止する。
【００４９】
ここで、封止材２０は、貫通孔８０の形状に適合させたものが好ましい。貫通孔８０は、一般的には、円形の孔であるから、例えば、図示のような球形のものや、偏平な円柱状のものやペレット状のもの、立方体状のもの等が好適である。また、図１３のように、貫通孔８０がテーパ形状とされていると、これに球形の封止材２０を載せれば、転動しないように支持することができる。
【００５０】
また、封止材２０は、蓋体７０の材質にあわせて、その材質が決定されている。この場合、蓋体７０は、上述したようにガラス製であるから、封止材２０の材質としては、低融点ガラスのものが適している。これにより、封止材２０として、高価な貴金属材料等を含まないことから、その分、コストを低く抑えることができる。
【００５１】
この蓋体の孔封止工程において、封止材２０の溶融にレーザ光ＬＢを使用する場合には、低融点ガラスに対して、熱吸収率の高いものを使用する。例えば、波長１０６４ｎｍのものが好適である。そして、貫通孔８０の孔径を最小の０．０３ｍｍとして、封止材２０の直径が０．０５ｍｍ程度のものを使用した場合、例えば、レーザ光ＬＢを例えば、約５秒程度照射することにより、好適に封止することができる。
この蓋体の孔封止工程において、封止材２０を溶融させるには、レーザ光だけではなく、ハロゲンランプ（図示せず）を光源とした光ビームを用いることができる。ハロゲンランプは、フィラメントの太さと、バルブ内に封入するガス量等により、必要な熱量を得るように調整することができる。この場合、波長０．８μｍないし１．５μｍ程度の近赤外線領域を利用するのが好適である。
ハロゲンランプは、１００Ｖ（ボルト）の家庭用交流電源を利用して、加熱装置を構成することができ、設備を安価に、しかも環境の制約なく用意することができる利点がある。また、必要な温度への温度上昇時間が短時間で実現でき、しかも、レーザ光に比べると、光ビームの広い照射範囲を形成することが容易で、バッジ処理に適している。
【００５２】
図１４は、貫通孔の別の形成例を示している。
図示の場合、貫通孔８１は、蓋体７０の外側に開口した第１の孔８１ａと、この第１の孔８１ａと、第１の孔８１ａと連通して、蓋体７０の内側に開口した第２の孔８１ｂを有している。そして、第１の孔８１ａは、球形の封止材２０の少なくとも下部が受容できる内径を有し、第２の孔８１ｂは、第１の孔８１ａの内径よりも小さな内径を有している。このため、第１の孔８１ａと第２の孔８１ｂの接続部には、上向きの段部８１ｃが形成されている。
これにより、封止材２０は、その下部が第１の孔８１ａに受容された状態で、段部８１ｃの上に載置されるので、一層転動しにくく、安定的に保持される。
【００５３】
図１５は、貫通孔のさらに異なる構成例を示している。
図示の貫通孔８２は、上向きの段部により底部８２ａを形成しており、孔の周縁部に貫通部８２ｂが設けられている。これにより、底部８２ａは、封止材２０を載置するための保持部として機能すると共に、レーザ光ＬＢ等の加熱ビームが封止材２０に照射された際に、貫通したビームを受ける遮蔽部として機能する。これにより、貫通孔８２においては、貫通部８２ｂが上述したガスの排出機能を発揮すると共に、底部８２ａが加熱用のビームがパッケージ内に進入して、圧電振動片３２等に直接照射されて、損傷することが防止される。
また、溶融した封止材２０が、底部８２ａにより支持されて貫通孔８２内に止まりやすく、この点においてもパッケージ内に滴下されにくく、貫通孔８２内に適切に充填される。
【００５４】
（周波数調整工程）
次に、図２に符号ＬＢで示すように、レーザ照射手段（図示せず）により、蓋体７０を透過させて基体３６内の圧電振動片３２の金属被膜（例えば、励振電極の一部もしくは、その圧電振動片３２の先端近傍に設けた周波数調整用の金属被膜）に対して、レーザ光を照射し、金属の一部を蒸散させることによって、質量削減方式による周波数調整を行う（ＳＴ１５）。
次いで、所定の検査を行い、圧電デバイス３０を完成させる（ＳＴ１６）。
【００５５】
このように、本発明の実施形態にかかる製造方法によれば、蓋体７０に設けた貫通孔８０，８１，８２を利用することにより、基体内に圧電振動片３２を収容し、蓋体７０によって基体を封止した後で、パッケージ内の気体を排出できる。このため、封止工程等の、それ以前の工程でパッケージ内で発生している有害なガスを排出して、気密に封止することが可能となる。このため、封止後に有害なガス成分が圧電振動片３２に付着して、その振動性能を損なう等の事態を有効に防止することができる。
また、外部とパッケージ内を連通する貫通孔８０等をパッケージの基体３６側ではなく、蓋体７０側に設けているので、圧電振動片３２を固定するための電極を形成する等の複雑な構造に、このような貫通孔８０を付加する必要がなく、基体３６側の構造は、従来のものをそのまま利用できる利点がある。
【００５６】
次に、図１６を参照して、本実施形態の圧電デバイスの製造方法の第２の実施形態について説明する。この製造方法は、主として、金属材料でなる蓋体７０を利用した場合の製造方法である。
この製造方法においても、先ず、パッケージの基体３６を構成するためのセラミックグリーンシートからなる基板の形成（ＳＴ２１−１）と、圧電振動片３２の形成（ＳＴ２１−２）と、蓋体７０の形成（ＳＴ２１−３）とが別々に行われ、これらを完成させてから、互いに接合される点は、第１の実施形態と同じであるから、これらのうち、特に異なる蓋体７０の形成（ＳＴ２１−３）と、パッケージの基体３６の形成（ＳＴ２１−１）について、先ず説明する。
【００５７】
図１７は、図１及び図２で説明した蓋体として、金属製の蓋体を使用する場合に、この蓋体７２に貫通孔を設ける様子を示す説明図である。また、図１８は、図１７の手法により形成した蓋体７２を示しており、図１８（ａ）は、蓋体７２の概略平面図、図１８（ｂ）は、図１８（ａ）のＥ−Ｅ線切断端面図である。
図１７の方法では、蓋体７２として形成するために、第１の実施形態で説明したガラス製基板３９ａとほぼ同様の金属の板体を用意する。この金属板７２ａは、パッケージ基体３６を構成する圧電材料と、線膨張係数が近いものから選ばれることが好ましく、例えば、金属材料として、コバールや４２アロイ等で形成することができる。
図１７に示すように、例えばコバール製の金属板７２ａの貫通孔を形成すべき領域に、金属ピン９５を、矢印で示す方向に移動させて、図１８に示すように穿孔することで、貫通孔８０を形成する。
【００５８】
図１９は、ＳＴ２１−１で形成されたパッケージ基体３６を示しており、この基体３６は、図１及び図２、図４で説明したものと基本的には同じである。この製造方法では、蓋体との接合面となる基体３６の上端３６ａに、封止方法の種類に応じて、異なる金属被覆部を設ける。
【００５９】
（接合工程）
続く接合工程は、第１の実施形態のＳＴ１２と同じである。
圧電振動片３２を接合した後で、この実施形態では、周波数調整を行う（ＳＴ２３）。
（周波数調整工程）
この工程では、図２０に示すように、蓋体を封止する前に、大気中で、符号ＬＢで示すように、レーザ照射手段（図示せず）により、圧電振動片３２の先端付近の金属被膜（例えば、励振電極の一部もしくは、その圧電振動片３２の先端近傍に設けた周波数調整用の金属被膜）に対して、レーザ光を照射し、金属の一部を蒸散させることによって、質量削減方式による周波数調整を行う。この場合、以降の工程において、加熱が行われたり、圧電振動片３２が真空状態に封止されることを考慮して、これらにより振動周波数がズレることを予め見込んで、最終的に目標となる周波数になるように周波数調整を行う。
【００６０】
（封止工程）
基体３６に圧電振動片３２を接合したら、ＳＴ２４において、例えば、図２０に示すように、基体３６と蓋体７２とを接合する封止工程を行う。
ここで、金属製の蓋体７２を利用した場合の封止方法には、シーム溶接による場合、電子ビームを利用して封止する場合、蓋体を加熱して封止する場合の３種類の方法を選択することができる。
先ず、図２０を参照して、シーム溶接による場合を説明する。
蓋体７２の金属材料は、コバールが好適である。基体３６の上端３６ａには、符号３６ｂの箇所に下から順次、Ｗ（タングステン）の被覆の上にＮｉ（ニッケル）メッキし、その上にＡｕメッキを施した金属被覆部を形成し、その上にロウ材となるコバールリングを配置する。
そして、これらの上に、図示するようにコバール製の蓋体７２を載置して、ローラをかけながら電流を印加し、コバールリングを溶融させて接合する。この工程は真空中で行ってもよい。
【００６１】
図２１は、電子ビームを利用する場合を示している。
図において、コバール製の蓋体７２の接合側の面には、Ｎｉメッキと、Ａｇロウでなるロウ材７２ｂが被覆されている。基体３６の上端３６ａには、符号３６ｃの箇所に下から順次、Ｗ（タングステン）被覆の上にＮｉ（ニッケル）メッキを施した金属被覆部を形成しておく。
そして、真空中において、蓋体７２を矢印に示すように、基体３６の上に配置し、符号ＥＢで示すように、接合面に対応する蓋体７２の上から、局所的に電子ビームを照射して加熱する。これにより、主としてＡｇロウを溶融させて、基体３６に蓋体７２を接合する。
【００６２】
図２２は、蓋体を加熱することにより接合する方法を示している。
図において、コバール製の蓋体７２の接合部には、Ａｕ／Ｓｎでなるロウ材７２ｃが被覆されている。基体３６の上端３６ａには、符号３６ｄの箇所に下から順次、Ｗ（タングステン）被覆の上にＮｉ（ニッケル）メッキを施した金属被覆部を形成しておく。
そして、チャンバー（図示せず）内において、蓋体７２を矢印の方向に合わせて、基体３６の開口を塞ぐようにし、チャンバー内の、例えば、加熱台の上に、図２２の状態とは上下を逆にして、蓋体７２側を下にして、その上に基体３６を配置する。そして、チャンバー内を真空排気した後で、不活性ガス、例えば、窒素（Ｎ２）を導入する。これにより、蓋体７２を介してロウ材が加熱溶融されることにより、基体３６に蓋体７２を接合する。
【００６３】
（蓋体の孔封止工程）
基体３６と蓋体７２を接合する封止工程に続いて、基体３６を所定のチャンバー内に配置して、蓋体の孔封止工程を行う（ＳＴ２５）。
この孔封止工程は、図１３、図１４、図１５で説明したものとほぼ同様の形態であるから、これらを再び参照する。
この実施形態においては、蓋体７２が、金属製、特にコバールである点が相違する。このため、封止材２０の材質も、蓋体の材質に合わせて変更される。
すなわち、封止材２０としては、好ましくは、鉛を含まない金属封止材が好適であり、比較的高い融点の金属材料である。例えば、封止材２０として、Ａｕ／Ｓｎ、銀（Ａｇ）ロウ、Ａｕ／Ｇｅの合金が使用できる。封止材２０の形状も第１の実施形態と同様である。
【００６４】
蓋体７２に形成される貫通孔としては、図１３ないし図１５の全ての形態が採用できる。封止材２０を溶融させる手段としては、真空中で、図１３ないし図１５の矢印ＬＢで示すように、レーザ光もしくはハロゲンランプによる光ビームにより加熱溶融させることにより、第１の実施形態と同様に蓋体の孔封止を行うことができる。
【００６５】
尚、封止材２０として、例えば、金ゲルマニウム合金（Ａｕ／Ｇｅ）を用いるのが好ましい。金ゲルマニウム合金は、融点が高いが、酸化されやすく、表面に酸化膜が形成されやすい。そこで、金ゲルマニウム合金（Ａｕ／Ｇｅ）を球形にして、貫通孔８０に配置し、真空もしくは窒素雰囲気でレーザ光等を照射すると、酸化がしにくいので、容易に溶融される。これにより、封止材の合金成分が、貫通孔８０内に広がり流れて充填されることになる。
次いで、所定の検査を行い、圧電デバイス３０を完成させる（ＳＴ２６）。
【００６６】
このように、各実施形態の製造方法においては、蓋体７０，７２の孔封止工程よりも前に、パッケージを加熱する工程を含んでいても、蓋体の孔封止工程において、このようなガス成分を排出することができるから、封止後に有害なガス成分が圧電振動片３２に付着して、その振動性能を損なう等の事態を有効に防止することができる。
【００６７】
図２３は、本発明の上述した実施形態に係る圧電デバイスを利用した電子機器の一例としてのデジタル式携帯電話装置の概略構成を示す図である。
図において、送信者の音声を受信するマイクロフォン３０８及び受信内容を音声出力とするためのスピーカ３０９を備えており、さらに、送受信信号の変調及び復調部に接続された制御部としての集積回路等でなるコントローラ３０１を備えている。
コントローラ３０１は、送受信信号の変調及び復調の他に画像表示部としてのＬＣＤや情報入力のための操作キー等でなる情報の入出力部３０２や、ＲＡＭ，ＲＯＭ等でなる情報記憶手段３０３の制御を行うようになっている。このため、コントローラ３０１には、圧電デバイス３０が取り付けられて、その出力周波数をコントローラ３０１に内蔵された所定の分周回路（図示せず）等により、制御内容に適合したクロック信号として利用するようにされている。このコントローラ３０１に取付けられる圧電デバイス３０は、圧電デバイス３０単体でなくても、圧電デバイス３０と、所定の分周回路等とを組み合わせた発振器であってもよい。
【００６８】
コントローラ３０１は、さらに、温度補償水晶発振器（ＴＣＸＯ）３０５と接続され、温度補償水晶発振器３０５は、送信部３０７と受信部３０６に接続されている。これにより、コントローラ３０１からの基本クロックが、環境温度が変化した場合に変動しても、温度補償水晶発振器３０５により修正されて、送信部３０７及び受信部３０６に与えられるようになっている。
【００６９】
このように、制御部を備えた携帯電話装置３００のような電子機器に、上述した実施形態に係る圧電デバイスを利用することにより、製造の際の蓋体の孔封止工程において、このようなガス成分を排出することができるから、封止後に有害なガス成分が圧電振動片３２に付着して、その振動性能を損なわれないようにした圧電デバイスを使用していることによって、正確なクロック信号を生成することができる。
【００７０】
本発明は上述の実施形態に限定されない。各実施形態の各構成はこれらを適宜組み合わせたり、省略し、図示しない他の構成と組み合わせることができる。
また、この発明は、パッケージ内に圧電振動片を収容するものであれば、圧電振動子、圧電発振器等の名称にかかわらず、全ての圧電デバイスに適用することができる。
【００７１】
【発明の効果】
以上述べたように、本発明によれば、パッケージ内の圧電振動片に、有害なガス成分を付着させないで蓋体のパッケージに対する封止を行うことができ、これにより、振動性能を損なうことがない圧電デバイスとその製造方法、及び圧電デバイスのパッケージ、ならびに圧電デバイスを利用した携帯電話装置及び電子機器を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の圧電デバイスの第１の実施形態を示す概略平面図。
【図２】図１のＡ−Ａ線概略断面図。
【図３】図１の圧電デバイスを製造する方法の第１の実施形態を示すフローチャート。
【図４】図１の圧電デバイスに使用するパッケージの基体の一例を示す概略断面図。
【図５】図１の圧電デバイスに使用するパッケージの基体の他の例を示す概略断面図。
【図６】図１の圧電デバイスの蓋体に貫通孔を形成する形成方法を示す説明図。
【図７】図６の手法により貫通孔を形成した蓋体を示し、（ａ）は蓋体の概略平面図、（ｂ）は、（ａ）のＢ−Ｂ線切断端面図。
【図８】図１の圧電デバイスの蓋体に貫通孔を形成する形成方法を示す説明図。
【図９】図８の手法により貫通孔を形成した蓋体を示し、（ａ）は蓋体の概略平面図、（ｂ）は、（ａ）のＣ−Ｃ線切断端面図。
【図１０】図１の圧電デバイスの貫通孔を備える蓋体を形成するための型の構造を示す概略断面図。
【図１１】図１０の型により形成された蓋体を示し、（ａ）は蓋体の概略平面図、（ｂ）は、（ａ）のＤ−Ｄ線切断端面図。
【図１２】図５の基体と図１１の蓋体を接合する様子を示す概略断面図。
【図１３】図１の圧電デバイスの蓋体の孔封止の様子を示す拡大図。
【図１４】図１の圧電デバイスの蓋体の孔封止の様子を示す拡大図。
【図１５】図１の圧電デバイスの蓋体の孔封止の様子を示す拡大図。
【図１６】図１の圧電デバイスを製造する方法の第２の実施形態を示すフローチャート。
【図１７】図１の圧電デバイスの金属製の蓋体に貫通孔を形成する形成方法を示す説明図。
【図１８】図１７の手法により貫通孔を形成した蓋体を示し、（ａ）は蓋体の概略平面図、（ｂ）は、（ａ）のＥ−Ｅ線切断端面図。
【図１９】図１の圧電デバイスに使用するパッケージの基体の一例を示す概略断面図。
【図２０】図１６のＳＴ２４の封止工程を説明するための図。
【図２１】図１６のＳＴ２４の封止工程を説明するための図。
【図２２】図１６のＳＴ２４の封止工程を説明するための図。
【図２３】本発明の実施形態に係る圧電デバイスを利用した電子機器の一例としてのデジタル式携帯電話装置の概略構成を示す図。
【図２４】従来の圧電デバイスの一例を示す概略断面図。
【符号の説明】
２０・・・封止材、３０・・・圧電デバイス、３２・・・圧電振動片、３６・・・パッケージ基体、４２・・・凹部、４３・・・導電性接着剤、５１・・・基部、７０・・・蓋体、８０・・・貫通孔。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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