(57)【要約】【課題】オートフォーカス機構を設けることなく、深い焦点深度を得ることができる露光ヘッドを提供する。【解決手段】許容されるビーム径太り量αの範囲において所望の焦点深度ｔを得るために、出射ビーム幅ＤとＤＭＤ配置位置でのビーム幅Ｗとの比Ｄ／Ｗが、下記の関係式（Ａ）を満たすように露光ヘッドを設計する。【数１】2004046146.tif 000026上記の式において各パラメータは以下のように定義される。λ：レーザ光の波長θ：光ファイバの開口数（ＮＡ）から下記式に従い導出される照明光源からのビーム出射角度θ＝ｓｉｎ−１（ＮＡ）Ｄ：照明光源からの出射ビーム幅Ｗ：ＤＭＤ配置位置（照射面）でのビーム幅ａ：ＤＭＤ上での１画素のサイズＫ：ビーム特性で決まる係数。Ｋ＝１Ｍ：結像光学系の倍率【選択図】図７
2004046146.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
露光面に対して所定方向と交差する方向に相対移動される露光ヘッドであって、
光ファイバの入射端から入射されたレーザ光をその出射端から出射するファイバ光源を複数備え、該複数のファイバ光源の光ファイバの出射端における発光点の各々が配列されたレーザ装置と、
２次元状に配列された画素毎に制御信号に応じてレーザ光の変調状態を変更可能な変調手段と、
前記レーザ装置から出射され前記変調手段の各画素部で変調されたレーザ光を露光面上に結像させる光学系と、
を備え、
以下に定義される各パラメータが、下記式を満たすことを特徴とする露光ヘッド。
【数１】
2004046146.tif 000021
λ：レーザ光の波長
θ：光ファイバの開口数（ＮＡ）から下記式に従い導出される光ファイバからのビーム出射角度
θ＝ｓｉｎ−１（ＮＡ）
Ｄ：レーザ装置の出射ビーム幅
Ｗ：変調手段位置（照射面）でのビーム幅
ａ：変調手段上の１画素のサイズ
Ｋ：ビーム特性で決まる係数。Ｋ＝１
Ｍ：結像光学系の倍率
ｔ：必要な焦点深度
α：許容されるビーム径の太り量
【請求項２】
前記変調手段は、各々制御信号に応じて反射面の角度が変更可能な多数のマイクロミラーが基板上に２次元状に配列されて構成されたマイクロミラーデバイスであり、
以下に定義される各パラメータが、下記式を満たすことを特徴とする請求項１に記載の露光ヘッド。
【数２】
2004046146.tif 000022
λ：レーザ光の波長
θ：光ファイバの開口数（ＮＡ）から下記式に従い導出される光ファイバからのビーム出射角度
θ＝ｓｉｎ−１（ＮＡ）
Ｄ：レーザ装置の出射ビーム幅
Ｗ：ＤＭＤ位置（照射面）でのビーム幅
ａ：ＤＭＤ上の１画素のサイズ
Ｋ：ビーム特性で決まる係数。Ｋ＝１
Ｍ：結像光学系の倍率
ｔ：必要な焦点深度
α：許容されるビーム径の太り量
【請求項３】
前記光ファイバとして、コア径が均一で出射端のクラッド径が入射端のクラッド径より小さい光ファイバを用いた請求項１または請求項２に記載の露光ヘッド。
【請求項４】
前記ファイバ光源は、複数のレーザ光を合波して前記光ファイバの各々に入射させる請求項１乃至請求項３の何れか１項に記載の露光ヘッド。
【請求項５】
前記所定方向と前記所定方向と交差する方向とで下記式で表される値が略等しくなるようにした請求項１乃至請求項４の何れか１項に記載の露光ヘッド。
【数３】
2004046146.tif 000023
【請求項６】
露光面に対して所定方向と交差する方向に相対移動される露光ヘッドであって、
複数の発光点が所定方向に所定間隔で配列されたレーザ装置と、
２次元状に配列された画素毎に制御信号に応じてレーザ光の変調状態を変更可能な変調手段と、
前記レーザ装置から出射され前記変調手段の各画素部で変調されたレーザ光を露光面上に結像させる光学系と、
を備え、
以下に定義される各パラメータが、下記式を満たすことを特徴とする露光ヘッド。
【数４】
2004046146.tif 000024
λ：レーザ光の波長
θＡ：発光点からビーム出射角度
ＤＡ：全発光点からの全出射ビーム幅
Ｗ：変調手段位置（照射面）でのビーム幅
ａ：変調手段上の１画素のサイズ
Ｋ：ビーム特性で決まる係数。Ｋ＝１
Ｍ：結像光学系の倍率
ｔ：必要な焦点深度
α：許容されるビーム径の太り量
【請求項７】
前記変調手段は、各々制御信号に応じて反射面の角度が変更可能な多数のマイクロミラーが基板上に２次元状に配列されて構成されたマイクロミラーデバイスであり、
前記レーザ装置から出射され前記マイクロミラーデバイスの各画素部で変調されたレーザ光を露光面上に結像させる光学系と、
を備え、
以下に定義される各パラメータが、下記式を満たすことを特徴とする請求項６に記載の露光ヘッド。
【数５】
2004046146.tif 000025
λ：レーザ光の波長
θＡ：発光点からビーム出射角度
ＤＡ：全発光点からの全出射ビーム幅
Ｗ：ＤＭＤ位置（照射面）でのビーム幅
ａ：ＤＭＤ上の１画素のサイズ
Ｋ：ビーム特性で決まる係数。Ｋ＝１
Ｍ：結像光学系の倍率
ｔ：必要な焦点深度
α：許容されるビーム径の太り量
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、露光ヘッドに関し、特に、画像データに応じてデジタル・マイクロミラー・デバイス（ＤＭＤ）により変調された光ビームで感光材料を露光する露光ヘッドに関する。
【０００２】
【従来の技術】
制御信号に応じて反射面の角度が変化する多数のマイクロミラーが、シリコン等の半導体基板上に２次元状に配列されたミラーデバイスであるＤＭＤを用いた露光装置が種々提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
また、このＤＭＤを用いた露光装置として、図１５に示すような露光装置も考えられている。図１５に示す露光装置は、レーザ光を照射する光源１、光源１から照射されたレーザ光をコリメートするレンズ系２、レンズ系２の略焦点位置に配置されたＤＭＤ３、ＤＭＤ３で反射されたレーザ光を走査面５上に結像するレンズ系４、６から構成されている。この露光装置では、画像データ等に応じて生成した制御信号によって、ＤＭＤ３のマイクロミラーの各々を図示しない制御装置でオンオフ制御してレーザ光を変調し、変調されたレーザ光で画像露光を行っている。
【０００４】
上記光源１は、図１６に示すように、単一の半導体レーザ７、単一のマルチモード光ファイバ８、及び半導体レーザ７から照射されたレーザ光をコリメートしてマルチモード光ファイバ８の端面に結合させる１対のコリメートレンズ９を備えた構成単位を複数個配置し、このマルチモード光ファイバ８を複数本バンドル（束ねる）したバンドル状のファイバ光源で構成されている。
【０００５】
通常、半導体レーザ７としては、出力３０ｍＷ（ミリワット）程度のレーザが使用され、マルチモード光ファイバ８としては、コア径５０μｍ、クラッド径１２５μｍ、ＮＡ（開口数）０．２の光ファイバが使用されている。従って、約１Ｗ（ワット）の出力を得ようとすれば、上記構成単位のマルチモード光ファイバ８を、８本×６本の合計４８本、束ねなければならず、発光点の径は約１ｍｍとなる。
【０００６】
【特許文献１】
特開２００１−３０５６６３号公報
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来の光源では、バンドル化した際の発光点の径が大きくなり、その結果、高解像度の露光ヘッドを構成する場合に、充分な焦点深度が得られない、という問題がある。特に、ＤＭＤの一部の領域だけを使用する場合には、狭い領域にレーザ光を照射するために集光させなければならず、充分な焦点深度が得られない。
【０００８】
また、結像レンズを移動させてオートフォーカスを実施することにより、焦点深度を調節する方法もあるが、オートフォーカス機構を設けると、コストアップ、耐振動特性が悪化する等のデメリットが生じる。
【０００９】
本発明は、上記問題を解決すべく成されたものであり、本発明の目的は、オートフォーカス機構を設けることなく、深い焦点深度を得ることができる露光ヘッドを提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために本発明は、露光面に対して所定方向と交差する方向に相対移動される露光ヘッドであって、光ファイバの入射端から入射されたレーザ光をその出射端から出射するファイバ光源を複数備え、該複数のファイバ光源の光ファイバの出射端における発光点の各々が配列されたレーザ装置と、２次元状に配列された画素毎に制御信号に応じてレーザ光の変調状態を変更可能な変調手段と、前記レーザ装置から出射され前記変調手段の各画素部で変調されたレーザ光を露光面上に結像させる光学系と、を備え、以下に定義される各パラメータが、下記式を満たすことを特徴とする。
【００１１】
【数６】
2004046146.tif 000003
【００１２】
λ：レーザ光の波長
θ：光ファイバの開口数（ＮＡ）から下記式に従い導出される光ファイバからのビーム出射角度
θ＝ｓｉｎ−１（ＮＡ）
Ｄ：レーザ装置からの出射ビーム幅
Ｗ：変調手段の配置位置（照射面）でのビーム幅
ａ：変調手段上の１画素のサイズ
Ｋ：ビーム特性で決まる係数。Ｋ＝１
Ｍ：結像光学系の倍率
ｔ：必要な焦点深度
α：許容されるビーム径の太り量
本発明の露光ヘッドでは、出射ビーム幅Ｄと変調手段の配置位置でのビーム幅Ｗとの比Ｄ／Ｗが、必要とされる焦点深度ｔ、許容されるビーム径太り量α、ビーム出射角度θ、結像光学系の結像倍率Ｍ、レーザ光の波長λ、特性係数Ｋ、及び変調手段（空間光変調素子）の１画素サイズａの各パラメータとの関係で所定の関係式を満たすように露光ヘッドを設計することにより、許容されるビーム径太り量αの範囲において、所望の焦点深度ｔを有する露光ヘッドを実現することができる。即ち、オートフォーカス機構を設けることなく、深い焦点深度を得ることができる。
【００１３】
上記の露光ヘッドにおいて、変調手段としてＤＭＤ（デジタル・マイクロミラー・デバイス）を用いることができる。また、上記の露光ヘッドにおいて、レーザ装置の高輝度化を図るために、ファイバ光源に使用される光ファイバを、コア径が均一で出射端のクラッド径が入射端のクラッド径より小さい光ファイバとすることが好ましい。また、複数のレーザ光を合波して前記光ファイバの各々に入射させるファイバ光源（合波レーザ光源）を用いることが好ましい。合波レーザ光源を用いることで、レーザ装置を構成する各ファイバ光源の高出力化を図ることができ、少ないファイバ本数で高出力を得ることができる。これにより一層の高輝度化と低コスト化とが図られる。
【００１４】
また、上記の露光ヘッドにおいて、前記所定方向と前記所定方向と交差する方向とで下記式で表される値が略等しくなるように構成することが好ましい。
【００１５】
【数７】
2004046146.tif 000004
【００１６】
上記の式は、例えば、変調手段がＤＭＤの場合、ＤＭＤによる反射光の拡がり角を表しているが、この値がＤＭＤの長辺方向と短辺方向とで略等しくなるようにすることで、ＤＭＤの長辺方向と短辺方向とで略等しい焦点深度を得ることができる。これにより高精細な露光が可能となる。
【００１７】
また、複数の発光点が所定間隔で配列されたレーザ装置を備えていてもよい。即ち、本発明の露光ヘッドは、露光面に対して所定方向と交差する方向に相対移動される露光ヘッドであって、複数の発光点が所定方向に所定間隔で配列されたレーザ装置と、２次元状に配列された画素毎に制御信号に応じてレーザ光の変調状態を変更可能な変調手段と、前記レーザ装置から出射され前記変調手段の各画素部で変調されたレーザ光を露光面上に結像させる光学系と、を備え、以下に定義される各パラメータが、下記式を満たすことを特徴とする。
【００１８】
【数８】
2004046146.tif 000005
【００１９】
λ：レーザ光の波長
θＡ：発光点からビーム出射角度
ＤＡ：全発光点からの全出射ビーム幅
Ｗ：変調手段位置（照射面）でのビーム幅
ａ：変調手段上の１画素のサイズ
Ｋ：ビーム特性で決まる係数。Ｋ＝１
Ｍ：結像光学系の倍率
ｔ：必要な焦点深度
α：許容されるビーム径の太り量
なお、上記の露光ヘッドにおいて、変調手段としてＤＭＤ（デジタル・マイクロミラー・デバイス）を用いることができる。
【００２０】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の露光ヘッドの実施の形態を詳細に説明する。
（第１の実施の形態）
［露光ヘッドの構成］
本実施の形態に係る露光ヘッドは、図１に示すように、入射された光ビームを画像データに応じて各画素毎に変調する変調手段（空間光変調素子）として、デジタル・マイクロミラー・デバイス（ＤＭＤ）５０を備えている。このＤＭＤ５０は、データ処理部とミラー駆動制御部とを備えた図示しないコントローラに接続されている。このコントローラのデータ処理部では、入力された画像データに基づいて、露光ヘッドにＤＭＤ５０の制御すべき領域内の各マイクロミラーを駆動制御する制御信号を生成する。なお、制御すべき領域については後述する。また、ミラー駆動制御部では、画像データ処理部で生成した制御信号に基づいて、各露光ヘッドにＤＭＤ５０の各マイクロミラーの反射面の角度を制御する。なお、反射面の角度の制御については後述する。
【００２１】
ＤＭＤ５０の光入射側には、光ファイバの出射端部（発光点）がＤＭＤ５０の長辺方向と対応する方向に沿って２列で配列されたレーザ出射部を備えた照明光源６６、照明光源６６から出射されたレーザ光を補正してＤＭＤ上に集光させるレンズ系６７、レンズ系６７を透過したレーザ光をＤＭＤ５０に向けて反射するミラー６９がこの順に配置されている。
【００２２】
レンズ系６７は、照明光源６６から出射されたレーザ光を平行光化するレンズ系、平行光化されたレーザ光の光量分布が均一になるように補正するレンズ系、及び光量分布が補正されたレーザ光をＤＭＤ上に集光する集光レンズ系等で構成されている。また、ＤＭＤ５０の光反射側には、ＤＭＤ５０で反射されたレーザ光を走査面（被露光面）５６上に結像するレンズ系５４、５８が配置されている。レンズ系５４及び５８は、ＤＭＤ５０と走査面５６とが共役な関係となるように配置されている。
【００２３】
ＤＭＤ５０は、図２に示すように、ＳＲＡＭセル（メモリセル）６０上に、微小ミラー（マイクロミラー）６２が支柱により支持されて配置されたものであり、画素（ピクセル）を構成する多数の（例えば、６００個×８００個）の微小ミラーを格子状に配列して構成されたミラーデバイスである。ＤＭＤ５０のＳＲＡＭセル６０にデジタル信号が書き込まれると、支柱に支えられたマイクロミラー６２が、対角線を中心としてＤＭＤ５０が配置された基板側に対して±α度（例えば±１０度）の範囲で傾けられる。各マイクロミラー６２のオンオフ制御は、ＤＭＤ５０に接続された図示しないコントローラによって行われる。
【００２４】
図３（Ａ）は、マイクロミラー６２がオン状態である＋α度に傾いた状態を示し、図３（Ｂ）は、マイクロミラー６２がオフ状態である−α度に傾いた状態を示す。従って、画像信号に応じて、ＤＭＤ５０の各ピクセルにおけるマイクロミラー６２の傾きを、図２に示すように制御することによって、ＤＭＤ５０に入射された光はそれぞれのマイクロミラー６２の傾き方向へ反射される。
【００２５】
照明光源６６は、図４に示すように、複数（この例では６個）のレーザモジュール６４を備えており、各レーザモジュール６４には、マルチモード光ファイバ３０の一端が結合されている。マルチモード光ファイバ３０の他端はレーザモジュール６４のパッケージから引き出され、６個の発光点がＤＭＤ５０の長辺方向に３個、短辺方向に２個並ぶように配列されたレーザ出射部６８が構成されている。照明光源６６の各発光点での出力を１８０ｍＷ（ミリワット）とすると、６個の発光点が配列されたレーザ出射部６８での出力は約１Ｗ（＝１８０ｍＷ×６）である。
［露光ヘッドの動作］
次に、上記露光ヘッドの動作について説明する。
【００２６】
照明光源６６からＤＭＤ５０にレーザ光が照射されると、ＤＭＤ５０のマイクロミラーの各々は図示しないコントローラによりオンオフ制御され、ＤＭＤ５０のマイクロミラーがオン状態のときに反射されたレーザ光は、レンズ系５４、５８により感光材料の走査面５６上に結像される。このようにして、照明光源６６から出射されたレーザ光が画素毎にオンオフされて、感光材料がＤＭＤ５０の使用画素数と略同数の画素単位（露光エリア１６８）で露光される。また、感光材料が図示しない移動手段により一定速度で移動されることにより、露光ヘッドによって移動方向と反対の方向に副走査され帯状の露光済み領域１７０が形成される。
【００２７】
ＤＭＤ５０には、主走査方向にマイクロミラーが８００個配列されたマイクロミラー列が、副走査方向に６００組配列されているが、コントローラにより一部のマイクロミラー列（例えば、８００個×５０列）だけが駆動されるように制御することができる。図５（Ａ）に示すように、ＤＭＤ５０の中央部に配置されたマイクロミラー列を使用してもよく、図５（Ｂ）に示すように、ＤＭＤ５０の端部に配置されたマイクロミラー列を使用してもよい。また、一部のマイクロミラーに欠陥が発生した場合は、欠陥が発生していないマイクロミラー列を使用するなど、状況に応じて使用するマイクロミラー列を適宜変更してもよい。
【００２８】
ＤＭＤ５０のデータ処理速度には限界があり、使用する画素数に比例して１ライン当りの変調速度が決定されるので、一部のマイクロミラー列だけを使用することで１ライン当りの変調速度が速くなる。一方、連続的に露光ヘッドを露光面に対して相対移動させる露光方式の場合には、副走査方向の画素を全部使用する必要はない。
【００２９】
例えば、６００組のマイクロミラー列の内、３００組だけ使用する場合には、６００組全部使用する場合と比較すると１ライン当り２倍速く変調することができる。また、６００組のマイクロミラー列の内、２００組だけ使用する場合には、６００組全部使用する場合と比較すると１ライン当り３倍速く変調することができる。即ち、副走査方向に５００ｍｍの領域を１７秒で露光できる。更に、１００組だけ使用する場合には、１ライン当り６倍速く変調することができる。即ち、副走査方向に５００ｍｍの領域を９秒で露光できる。
【００３０】
使用するマイクロミラー列の数、即ち、副走査方向に配列されたマイクロミラーの個数は、１０以上で且つ２００以下が好ましく、１０以上で且つ１００以下がより好ましい。１画素に相当するマイクロミラー１個当りの面積は１５μｍ×１５μｍであるから、ＤＭＤ５０の使用領域に換算すると、１２ｍｍ×１５０μｍ以上で且つ１２ｍｍ×３ｍｍ以下の領域が好ましく、１２ｍｍ×１５０μｍ以上で且つ１２ｍｍ×１．５ｍｍ以下の領域がより好ましい。
【００３１】
使用するマイクロミラー列の数が上記範囲にあれば、図６（Ａ）及び（Ｂ）に示すように、照明光源６６から出射されたレーザ光をレンズ系６７で略平行光化して、ＤＭＤ５０に照射することができる。ＤＭＤ５０によりレーザ光を照射する照射領域は、ＤＭＤ５０の使用領域と一致することが好ましい。照射領域が使用領域よりも広いとレーザ光の利用効率が低下する。一方、ＤＭＤ５０上に集光させる光ビームの副走査方向の径を、レンズ系６７により副走査方向に配列されたマイクロミラーの個数に応じて小さくする必要があるが、使用するマイクロミラー列の数が１０未満であると、ＤＭＤ５０に入射する光束の角度が大きくなり、走査面５６における光ビームの焦点深度が浅くなるので好ましくない。また、使用するマイクロミラー列の数が２００以下が変調速度の観点から好ましい。なお、ＤＭＤは反射型の空間変調素子（変調手段）であるが、図６（Ａ）及び（Ｂ）は、光学的な関係を説明するために展開図とした。
［関係式の導出］
本実施の形態に係る露光ヘッドでは、図７に示す通りパラメータθ、Ｄ、φ、ψ、Ｗ、Δｙ及びΔｚが定義される。即ち、θは照明光源６６のビーム出射部に配列された各々の光ファイバからのビーム出射角度を表し、Ｄは照明光源６６からの出射ビーム幅を表す。また、φは照明光源６６の所定方向に配列された複数の発光点のうち中央に配置された発光点から出射された光線と末端に配置された発光点から出射された光線とが成す角度であり、ψはＤＭＤ５０で反射された光の回折による拡がり角である。また、ＷはＤＭＤ５０の配置位置（照射面）でのビーム幅を表す。Δｚは焦点深度方向の誤差を表し、Δｙは焦点深度方向の誤差がΔｚとなる場合のビーム径の太り量（片側）を表す。
【００３２】
本実施の形態では、許容されるビーム径太り量αの範囲において所望の焦点深度ｔを得るために、出射ビーム幅ＤとＤＭＤ配置位置でのビーム幅Ｗとの比Ｄ／Ｗが、下記の関係式（Ａ）を満たすように露光ヘッドを設計する。
【００３３】
【数９】
2004046146.tif 000006
【００３４】
上記の式において各パラメータは以下のように定義される。
λ：レーザ光の波長
θ：光ファイバの開口数（ＮＡ）から下記式に従い導出される照明光源からのビーム出射角度
θ＝ｓｉｎ−１（ＮＡ）
Ｄ：照明光源からの出射ビーム幅
Ｗ：ＤＭＤ配置位置（照射面）でのビーム幅
ａ：ＤＭＤ上での１画素のサイズ
Ｋ：ビーム特性で決まる係数。Ｋ＝１
Ｍ：結像光学系の倍率
以下、図７を参照して上記関係式の導出方法を説明する。レンズ系６７は、照明光源６６からの光を略平行な光にすると共に、照明光源６６の発光点の各々がＤＭＤ５０の使用領域全体をほぼ等しく照明するように配置されている。この通り、各発光点から出射された光束がＤＭＤ５０の使用領域全体を照明するので、照明光源６６を構成する一部のレーザモジュールが故障しても、ＤＭＤ５０に照射されるレーザ光の光量分布が不均一になることはない。この条件下では、所定方向に配列された複数の発光点のうち中央に配置された発光点から出射された光線と末端に配置された発光点から出射された光線との成す角度φ（ｒａｄ）は、ビーム出射角度θ（ｒａｄ）、出射ビーム幅Ｄ（ｍｍ）、及びＤＭＤ配置位置でのビーム幅Ｗ（ｍｍ）を用いて下記式で表される。
【００３５】
【数１０】
2004046146.tif 000007
【００３６】
即ち、ＤＭＤ５０へ照射されるビームは略平行なビームであるが、±φ（ｒａｄ）だけ角度を持っていることになる。ＤＭＤ５０で反射した光は、さらにＤＭＤ５０の画素サイズの影響による回折効果で拡がり角ψ（ｒａｄ）だけ拡がる。従って、ＤＭＤ５０による反射光の拡がり角は、下記式で与えられる。
【００３７】
【数１１】
2004046146.tif 000008
【００３８】
回折格子のピッチ（ＤＭＤ５０の１画素サイズ）がａ（μｍ）、入射するレーザ光の波長がλ（μｍ）である場合の回折拡がり角ψ（ｒａｄ）は、下記式で与えられる。なお、Ｋはビーム特性で決まる係数であり、一般的にＫ＝１である。
【００３９】
【数１２】
2004046146.tif 000009
【００４０】
レンズ系５４、５８の結像倍率をＭとすると、走査面５６を照明するビームの拡がり角度は、下記式で与えられる。
【００４１】
【数１３】
2004046146.tif 000010
【００４２】
焦点深度方向の誤差をΔｚとすると、その場合のビーム径の太り量（片側）Δｙと誤差Δｚとの関係は、走査面５６を照明するビームの拡がり角度を用いて下記式で与えられる。
【００４３】
【数１４】
2004046146.tif 000011
【００４４】
ここで、必要とされる焦点深度をｔ（μｍ）、許容されるビーム径太り量をα（μｍ）とすると、下記式を満たす場合に、許容されるビーム径太り量αの範囲において、必要とされる焦点深度ｔを得ることができる。なお、α＝２×Δｙである。
【００４５】
【数１５】
2004046146.tif 000012
【００４６】
上記の式を変形すると、上記の関係式（Ａ）を得ることができる。
【００４７】
即ち、出射ビーム幅ＤとＤＭＤ配置位置でのビーム幅Ｗとの比Ｄ／Ｗが、必要とされる焦点深度ｔ、許容されるビーム径太り量α、ビーム出射角度θ、結像光学系の結像倍率Ｍ、レーザ光の波長λ、特性係数Ｋ、及びＤＭＤの１画素サイズａの各パラメータとの関係で上記関係式（Ａ）を満たすように露光ヘッドを設計することにより、許容されるビーム径太り量αの範囲において、所望の焦点深度ｔを有する露光ヘッドを実現することができる。
【００４８】
上記で説明した露光ヘッドにおいて、レーザ光の波長λを０．４μｍ、ＤＭＤ５０の１画素のサイズａを２０μｍ、結像光学系の倍率Ｍを１、特性係数Ｋを１、及び許容されるビーム径太り量αを２μｍとする。また、ＤＭＤ５０の駆動領域を１６ｍｍ×１ｍｍ（８００画素×５０画素）の範囲とする。即ち、ＤＭＤ長辺方向には８００画素のマイクロミラーを使用し、ＤＭＤ短辺方向には５０画素のマイクロミラーを使用する。これに応じてＤＭＤ５０の配置位置でのＤＭＤ長辺方向のビーム幅Ｗを１７．６ｍｍ、ＤＭＤ短辺方向のビーム幅Ｗを１．１ｍｍとする。
【００４９】
この条件下では、上記の関係式を満たすように、マルチモード光ファイバ３０のクラッド径を６０μｍ、コア径を２５μｍ、ＮＡを０．２とし、図８（Ａ）に示すように、発光点がＤＭＤ長辺方向に３個、ＤＭＤ短辺方向に２個並ぶように配列された照明光源６６のＤＭＤ長辺方向の出射ビーム幅Ｄを０．１４５ｍｍ、ＤＭＤ短辺方向の出射ビーム幅Ｄを０．０８５ｍｍ、ビーム出射角度θを０．２ｒａｄとすることにより、下記表１に示す通り、ＤＭＤ長辺方向で４７μｍ、ＤＭＤ短辺方向で３０μｍの長焦点深度を実現できる。
【００５０】
【表１】
2004046146.tif 000013
【００５１】
一方、出力３０ｍＷ程度の半導体レーザの出射光を、コア径５０μｍ、クラッド径１２５μｍ、ＮＡ０．２のマルチモード光ファイバに結合したファイバ光源を使用する場合は、約１Ｗ（ワット）の出力を得ようとすれば、図８（Ｂ）に示すように、マルチモード光ファイバを８本×６本の合計４８本、束ねなければならず、ＤＭＤ長辺方向の出射ビーム幅Ｄは０．９２５ｍｍ、ＤＭＤ短辺方向の出射ビーム幅Ｄは０．６７５ｍｍとなる。ＤＭＤ５０の配置位置でのＤＭＤ長辺方向のビーム幅Ｗを１７．６ｍｍ、ＤＭＤ短辺方向のビーム幅Ｗを１．１ｍｍにしようとすると、下記表２に示す通り、ＤＭＤ長辺方向での焦点深度は３２μｍであるが、ＤＭＤ短辺方向では上記の関係式を満たさず、焦点深度が７μｍとなり、オートフォーカス機構が必要となる。
【００５２】
【表２】
2004046146.tif 000014
【００５３】
以上説明した通り、本実施の形態では、出射ビーム幅ＤとＤＭＤ配置位置でのビーム幅Ｗとの比Ｄ／Ｗが、必要とされる焦点深度ｔ、許容されるビーム径太り量α、ビーム出射角度θ、結像光学系の結像倍率Ｍ、レーザ光の波長λ、特性係数Ｋ、及びＤＭＤの１画素サイズａの各パラメータとの関係で所定の関係式を満たすように露光ヘッドを設計することにより、許容されるビーム径太り量αの範囲において、所望の焦点深度ｔを有する露光ヘッドを実現することができる。即ち、オートフォーカス機構を設けることなく、深い焦点深度を得ることができる。
【００５４】
また、本実施の形態では、ＤＭＤを照明する光源に、合波レーザ光源の光ファイバの出射端部における発光点をバンドル状に配列した高輝度の照明光源を用いているので、高出力で且つ深い焦点深度を備えた露光ヘッドを実現することができる。更に、各発光点での出力が大きくなることで、所望の出力を得るために必要なファイバ本数が少なくなり、露光ヘッド低コスト化が図られる。
（第２の実施の形態）
第２の実施の形態に係る露光ヘッドでは、下記式で表されるＤＭＤによる反射光の拡がり角がＤＭＤの長辺方向と短辺方向とで略等しくなるように、照明光源の発光点の配列を変更した。この点以外は第１の実施の形態と同じ構成であるため説明を省略する。
【００５５】
【数１６】
2004046146.tif 000015
【００５６】
ＤＭＤ５０の駆動領域は１６ｍｍ×１ｍｍ（８００画素×５０画素）である。第１の実施の形態と同様に、ＤＭＤ５０の駆動領域の長辺方向と短辺方向の比１６：１に応じて、ＤＭＤ５０の配置位置でのＤＭＤ長辺方向のビーム幅Ｗを１７．６ｍｍ、ＤＭＤ短辺方向のビーム幅Ｗを１．１ｍｍとした場合に、照明光源６６の出射ビーム幅Ｄの長辺方向と短辺方向との比を１６：１とすることにより、レンズ系６７による集光比率が長辺方向と短辺方向とで略等しくなり、ＤＭＤによる反射光の拡がり角がＤＭＤの長辺方向と短辺方向とで略等しくなる。
【００５７】
例えば、照明光源６６を各発光点での出力が３０ｍＷの低輝度ファイバ光源で構成した場合には、約１Ｗの出力を得るために４８本のマルチモード光ファイバ３０を束ねなければならない。バンドルする本数を４８本とすると、照明光源６６のレーザ出射部における４８個の発光点をＤＭＤ長辺方向に４８個、短辺方向に１個並ぶように配列することにより、或いは、４８個の発光点をＤＭＤ長辺方向に２４個、短辺方向に２個並ぶように配列することにより、出射ビーム幅Ｄの長辺方向と短辺方向との比を１６：１に近付けることができる。
【００５８】
マルチモード光ファイバ３０のクラッド径を１２５μｍ、コア径を５０μｍ、ＮＡを０．２とすると、図９に示すように、４８個の発光点をＤＭＤ長辺方向に２列に配列した照明光源６６のＤＭＤ長辺方向の出射ビーム幅Ｄは２．９ｍｍ、ＤＭＤ短辺方向の出射ビーム幅Ｄは０．１７５ｍｍとなる。ビーム出射角度θを０．２ｒａｄとすると、下記表３に示す通り、ＤＭＤ長辺方向で２０μｍ、ＤＭＤ短辺方向で２０μｍの長焦点深度を実現できる。
【００５９】
【表３】
2004046146.tif 000016
【００６０】
以上説明した通り、第２の実施の形態では、第１の実施の形態と同様に、オートフォーカス機構を設けることなく、深い焦点深度を得ることができる。加えて、ＤＭＤの長辺方向と短辺方向とで得られる焦点深度が略等しく、高精細な露光を行うことができる。
（第３の実施の形態）
第３の実施の形態に係る露光ヘッドでは、第２の実施の形態と同様にＤＭＤによる反射光の拡がり角がＤＭＤの長辺方向と短辺方向とでなるべく等しくなるように、照明光源の発光点の配列を変更すると共に、照明光源を高輝度ファイバ光源で構成した以外は第１の実施の形態と同じ構成であるため説明を省略する。
【００６１】
例えば、照明光源６６を各発光点での出力が１８０ｍＷの高輝度ファイバ光源で構成した場合には、約１Ｗの出力を得るために６本のマルチモード光ファイバ３０を配列すればよい。配列する本数を６本とすると、図１０に示すように、照明光源６６のレーザ出射部における６個の発光点をＤＭＤ長辺方向に６個、短辺方向に１個並ぶように配列することにより、出射ビーム幅Ｄの長辺方向と短辺方向との比を１６：１に近付けることができる。
【００６２】
マルチモード光ファイバ３０のクラッド径を６０μｍ、コア径を２５μｍ、ＮＡを０．２とすると、６個の発光点をＤＭＤ長辺方向に６個、短辺方向に１個並ぶように配列された照明光源６６のＤＭＤ長辺方向の出射ビーム幅Ｄは０．３２５ｍｍ、ＤＭＤ短辺方向の出射ビーム幅Ｄは０．０２５ｍｍとなる。ビーム出射角度θを０．２ｒａｄとすると、下記表４に示す通り、ＤＭＤ長辺方向で４４μｍ、ＤＭＤ短辺方向で４１μｍの長焦点深度を実現できる。
【００６３】
【表４】
2004046146.tif 000017
【００６４】
以上説明した通り、第３の実施の形態では、第１の実施の形態と同様に、オートフォーカス機構を設けることなく、深い焦点深度を得ることができる。特に、本実施の形態では、ＤＭＤを照明する光源に、合波レーザ光源の光ファイバの出射端部における発光点をバンドル状に配列した高輝度の照明光源を用いているので、高出力で且つ深い焦点深度を備えた露光ヘッドを実現することができる。
【００６５】
加えて、ＤＭＤの長辺方向と短辺方向とで得られる焦点深度が略等しく、高精細な露光を行うことができる。
［レーザモジュールの構成］
なお、高輝度ファイバ光源で構成されたレーザモジュール６４は、たとえば図１１に示す合波レーザ光源によって構成されている。この合波レーザ光源は、ヒートブロック１０上に配列固定された複数（例えば、７個）のチップ状の横マルチモード又はシングルモードのＧａＮ系半導体レーザＬＤ１，ＬＤ２，ＬＤ３，ＬＤ４，ＬＤ５，ＬＤ６，及びＬＤ７と、ＧａＮ系半導体レーザＬＤ１〜ＬＤ７の各々に対応して設けられたコリメータレンズ１１，１２，１３，１４，１５，１６，及び１７と、１つの集光レンズ２０と、１本のマルチモード光ファイバ３０と、から構成されている。なお、半導体レーザの個数は７個には限定されない。
【００６６】
ＧａＮ系半導体レーザＬＤ１〜ＬＤ７は、発振波長が総て共通（例えば、４０５ｎｍ）であり、最大出力も総て共通（例えば、マルチモードレーザでは１００ｍＷ、シングルモードレーザでは３０ｍＷ）である。なお、ＧａＮ系半導体レーザＬＤ１〜ＬＤ７としては、３５０ｎｍ〜４５０ｎｍの波長範囲で、上記の４０５ｎｍ以外の発振波長を備えるレーザを用いてもよい。
【００６７】
上記の合波レーザ光源は、図１２及び図１３に示すように、他の光学要素と共に、上方が開口した箱状のパッケージ４０内に収納されている。パッケージ４０は、その開口を閉じるように作成されたパッケージ蓋４１を備えており、脱気処理後に封止ガスを導入し、パッケージ４０の開口をパッケージ蓋４１で閉じることにより、パッケージ４０とパッケージ蓋４１とにより形成される閉空間（封止空間）内に上記合波レーザ光源が気密封止されている。
【００６８】
パッケージ４０の底面にはベース板４２が固定されており、このベース板４２の上面には、前記ヒートブロック１０と、集光レンズ２０を保持する集光レンズホルダー４５と、マルチモード光ファイバ３０の入射端部を保持するファイバホルダー４６とが取り付けられている。マルチモード光ファイバ３０の出射端部は、パッケージ４０の壁面に形成された開口からパッケージ外に引き出されている。
【００６９】
また、ヒートブロック１０の側面にはコリメータレンズホルダー４４が取り付けられており、コリメータレンズ１１〜１７が保持されている。パッケージ４０の横壁面には開口が形成され、この開口を通してＧａＮ系半導体レーザＬＤ１〜ＬＤ７に駆動電流を供給する配線４７がパッケージ外に引き出されている。
【００７０】
なお、図１３においては、図の煩雑化を避けるために、複数のＧａＮ系半導体レーザのうちＧａＮ系半導体レーザＬＤ７にのみ番号を付し、複数のコリメータレンズのうちコリメータレンズ１７にのみ番号を付している。
【００７１】
図１４は、上記コリメータレンズ１１〜１７の取り付け部分の正面形状を示すものである。コリメータレンズ１１〜１７の各々は、非球面を備えた円形レンズの光軸を含む領域を平行な平面で細長く切り取った形状に形成されている。この細長形状のコリメータレンズは、例えば、樹脂又は光学ガラスをモールド成形することによって形成することができる。コリメータレンズ１１〜１７は、長さ方向がＧａＮ系半導体レーザＬＤ１〜ＬＤ７の発光点の配列方向（図１４の左右方向）と直交するように、上記発光点の配列方向に密接配置されている。
【００７２】
一方、ＧａＮ系半導体レーザＬＤ１〜ＬＤ７としては、発光幅が２μｍの活性層を備え、活性層と平行な方向、直角な方向の拡がり角が各々例えば１０°、３０°の状態で各々レーザビームＢ１〜Ｂ７を発するレーザが用いられている。これらＧａＮ系半導体レーザＬＤ１〜ＬＤ７は、活性層と平行な方向に発光点が１列に並ぶように配設されている。
【００７３】
従って、各発光点から発せられたレーザビームＢ１〜Ｂ７は、上述のように細長形状の各コリメータレンズ１１〜１７に対して、拡がり角度が大きい方向が長さ方向と一致し、拡がり角度が小さい方向が幅方向（長さ方向と直交する方向）と一致する状態で入射することになる。つまり、各コリメータレンズ１１〜１７の幅が１．１ｍｍ、長さが４．６ｍｍであり、それらに入射するレーザビームＢ１〜Ｂ７の水平方向、垂直方向のビーム径は各々０．９ｍｍ、２．６ｍｍである。また、コリメータレンズ１１〜１７の各々は、焦点距離ｆ１＝３ｍｍ、ＮＡ＝０．６、レンズ配置ピッチ＝１．２５ｍｍである。
【００７４】
集光レンズ２０は、非球面を備えた円形レンズの光軸を含む領域を平行な平面で細長く切り取って、コリメータレンズ１１〜１７の配列方向、つまり水平方向に長く、それと直角な方向に短い形状に形成されている。この集光レンズ２０は、焦点距離ｆ２＝２３ｍｍ、ＮＡ＝０．２である。この集光レンズ２０も、例えば、樹脂又は光学ガラスをモールド成形することにより形成される。
【００７５】
このレーザモジュールでは、照明光源６６の合波レーザ光源を構成するＧａＮ系半導体レーザＬＤ１〜ＬＤ７の各々から発散光状態で出射したレーザビームＢ１，Ｂ２，Ｂ３，Ｂ４，Ｂ５，Ｂ６，及びＢ７の各々は、対応するコリメータレンズ１１〜１７によって平行光化される。平行光化されたレーザビームＢ１〜Ｂ７は、集光レンズ２０によって集光され、マルチモード光ファイバ３０のコア３０ａの入射端面に収束する。
【００７６】
本例では、コリメータレンズ１１〜１７及び集光レンズ２０によって集光光学系が構成され、その集光光学系とマルチモード光ファイバ３０とによって合波光学系が構成されている。即ち、集光レンズ２０によって上述のように集光されたレーザビームＢ１〜Ｂ７が、このマルチモード光ファイバ３０のコア３０ａに入射して光ファイバ内を伝搬し、１本のレーザビームＢに合波されてマルチモード光ファイバ３０の出射端部に結合された光ファイバ３１から出射する。
【００７７】
各レーザモジュールにおいて、レーザビームＢ１〜Ｂ７のマルチモード光ファイバ３０への結合効率が０．８５で、ＧａＮ系半導体レーザＬＤ１〜ＬＤ７の各出力が３０ｍＷの場合には、アレイ状に配列された光ファイバ３１の各々について、出力１８０ｍＷ（＝３０ｍＷ×０．８５×７）の合波レーザビームＢを得ることができる。
【００７８】
なお、ここでは、複数のチップ状の半導体レーザの光をファイバに入射する例について説明したが、ストライプ状の発光領域を持つブロードストライプレーザ１個を用いてファイバに入射することもできる。
【００７９】
以下に、ブロードストライプレーザを用いた例を説明する。
【００８０】
図１９、及び図２０に示すように、本実施形態では、照明光源にブロードストライプレーザ１８０が用いられている。なお、図１９は、装置を側方から見た側面図であり、図２０は装置を上方から見た平面図である。
【００８１】
ブロードストライプレーザ１８０とマルチモード光ファイバ３０の一端との間には、ブロードストライプレーザ１８０側から第１シリンドリカルレンズ１８２、第２シリンドリカルレンズ１８４、第３シリンドリカルレンズ１８６、及び第４シリンドリカルレンズ１８８が順に配置されている。
【００８２】
図１９、及び図２０に示すように、ブロードストライプレーザ１８０は水平方向に長い発光領域（図示せず）を備えている。
【００８３】
本実施形態のブロードストライプレーザ１８０は、発光層の幅（上下方向）が０．５μｍ、発光層の長さ（水平方向）が３０μｍであり、光ビームの波長４００〜４２０ｎｍである。
【００８４】
ここで、第１シリンドリカルレンズ１８２、及び第３シリンドリカルレンズ１８６によって、上下方向のビームのＮＡをマルチモード光ファイバ３０のＮＡ以下に変換している。
【００８５】
また、光ビームを、第２シリンドリカルレンズ１８４、及び第４シリンドリカルレンズ１８８によって、水平方向に対して１倍でマルチモード光ファイバ３０の一端に結像させている（即ち、発光層の水平方向の長さ３０μｍがファイバコア部に結像している。）
本実施形態では、発光点の出力が２００ｍＷのブロードストライプレーザ１８０のビームを集光して１本のマルチモード光ファイバ３０に入射させている。
【００８６】
効率を９０％と仮定すると、１８０ｍＷの光源となる。
【００８７】
ここでは、クラッド径６０μｍのファイバを結合する例について説明したが、ブロードストライプレーザ１８０のビームを直接クラッド径６０μｍ、コア系５０μｍのマルチモード光ファイバ３０に入射させることにより、そのままの径で出射端として使用しても良い。
【００８８】
なお、ブロードストライプレーザ１８０のブロードストライプの幅が５〜２００μｍ、マルチモード光ファイバ３０のＮＡが０．１５〜０．３、ファイバコア径が１０〜８０μｍであれば、ファイバへの結合効率が高くなり好ましい。
【００８９】
また、ここでは、シリンドリカルレンズを用いてビーム整形光学系を構成したが、シリンドリカルレンズ以外の光学部品を用いてビーム整形光学系を構成しても良い。
【００９０】
また、上記実施形態では空間変調素子（変調手段）として、ＤＭＤ５０を用いたが、ＤＭＤ５０の代わりにマトリクス状に複数の画素を有する反射形、または透過型の液晶パネルを用いても良い。透過型の液晶パネルを用いる場合には、レンズ系６７を透過したレーザ光が液晶パネルを透過するように光学系を構成すれば良い。
［複数の発光点を備えた光源］
上記では複数のファイバ光源の光ファイバをバンドルしたファイババンドル光源を照明光源に用いる例について説明したが、例えば、ヒートブロック上に複数のチップ状の半導体レーザを所定方向に所定間隔で配列したレーザアレイや、複数の発光点が所定方向に所定間隔で配列されたチップ状のマルチキャビティレーザを照明光源として用いてもよい。マルチキャビティレーザは、チップ状の半導体レーザを配列する場合と比べ、発光点を位置精度良く配列できる。
【００９１】
次に、図１７（Ａ）及び（Ｂ）を参照して、このマルチキャビティレーザを照明光源として用いた例について説明する。図１７（Ａ）に示すように、このマルチキャビティレーザ１１０には、多数の発光点１１０ａが所定方向に沿って所定間隔で配列されている。このときの照明光源の全発光点からの全出射ビーム幅をＤＡ（ｍｍ）とする。また、図１７（Ｂ）に示すように、発光点からビーム出射角度をθＡ（ｒａｄ）とする。従って、上記関係式（Ａ）において、光ファイバからのビーム出射角度θの代わりにθＡを代入し、レーザ装置の出射ビーム幅Ｄの代わりに上記の全出射ビーム幅ＤＡを代入すると、下記の関係式（Ｂ）が導出される。
【００９２】
【数１７】
2004046146.tif 000018
【００９３】
…（Ｂ）
λ：レーザ光の波長
θＡ：発光点からビーム出射角度
ＤＡ：全発光点からの全出射ビーム幅
Ｗ：ＤＭＤ位置（照射面）でのビーム幅
ａ：ＤＭＤ上の１画素のサイズ
Ｋ：ビーム特性で決まる係数。Ｋ＝１
Ｍ：結像光学系の倍率
ｔ：必要な焦点深度
α：許容されるビーム径の太り量
なお、発光点の間隔をＰ（ｍｍ）、発光点の個数をｍ個とすると、照明光源の全発光点からの全出射ビーム幅ＤＡは、下記式で表される。例えば、発光点の定間隔を０．１（ｍｍ）、発光点の個数を２４個とすることができる。
【００９４】
【数１８】
2004046146.tif 000019
【００９５】
また、図８に示すように、ヒートブロック１００上に、マルチキャビティレーザ１１０を、各チップの発光点１１０ａの配列方向と同じ方向に所定間隔で配列したマルチキャビティレーザアレイを照明装置として用いてもよい。多数の発光点の配列間隔をＰ１（ｍｍ）、相互に隣り合うマルチキャビティレーザ間の発光点の配列間隔をＰ２（ｍｍ）、発光点の個数をｍ個、マルチキャビティレーザの個数をＮ個とすると、照明光源の全発光点からの全出射ビーム幅ＤＡは下記式で表される。
【００９６】
【数１９】
2004046146.tif 000020
【００９７】
【発明の効果】
以上説明したように本発明によれば、オートフォーカス機構を設けることなく、深い焦点深度を得ることができる、という効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１の実施の形態に係る露光ヘッドの概略構成を示す斜視図である。
【図２】デジタルマイクロミラーデバイス（ＤＭＤ）の構成を示す部分拡大図である。
【図３】（Ａ）及び（Ｂ）はＤＭＤの動作を説明するための説明図である。
【図４】照明光源の構成を示す斜視図である。
【図５】（Ａ）及び（Ｂ）は、ＤＭＤの使用領域の例を示す図である。
【図６】（Ａ）はＤＭＤの使用領域が適正である場合の側面図であり、（Ｂ）は（Ａ）の光軸に沿った副走査方向の断面図である。
【図７】パラメータを説明するための説明図である。
【図８】（Ａ）は第１の実施の形態で使用される照明光源の出射端における発光点の配列と出射ビーム幅とを示す平面図であり、（Ｂ）は比較例の照明光源の出射端における発光点の配列と出射ビーム幅とを示す平面図である。
【図９】第２の実施の形態で使用される照明光源の出射端における発光点の配列と出射ビーム幅とを示す平面図である。
【図１０】第３の実施の形態で使用される照明光源の出射端における発光点の配列と出射ビーム幅とを示す平面図である。
【図１１】合波レーザ光源の構成を示す平面図である。
【図１２】レーザモジュールの構成を示す平面図である。
【図１３】図１２に示すレーザモジュールの構成を示す側面図である。
【図１４】図１２に示すレーザモジュールの構成を示す部分側面図である。
【図１５】ＤＭＤを空間光変調素子（変調手段）として用いた露光ヘッドの構成を示す光軸に沿った断面図である。
【図１６】従来のファイバ光源の構成を示す光軸に沿った断面図である。
【図１７】（Ａ）及び（Ｂ）はマルチキャビティレーザを照明光源として用いた場合のパラメータを説明するための説明図である。
【図１８】マルチキャビティレーザアレイを照明光源として用いた場合のパラメータを説明するための説明図である。
【図１９】ブロードストライプレーザを用いた光源の構成を示す側面図である。
【図２０】図１９に示す光源の平面図である。
【符号の説明】
５０　デジタル・マイクロミラー・デバイス（ＤＭＤ。変調手段）
６６　照明光源
６７　レンズ系
６９　ミラー
５６　走査面（被露光面）
５４、５８　レンズ系
【図１】
2004046146.tif 000027
【図２】
2004046146.tif 000028
【図３】
2004046146.tif 000029
【図４】
2004046146.tif 000030
【図５】
2004046146.tif 000031
【図６】
2004046146.tif 000032
【図７】
2004046146.tif 000033
【図８】
2004046146.tif 000034
【図９】
2004046146.tif 000035
【図１０】
2004046146.tif 000036
【図１１】
2004046146.tif 000037
【図１２】
2004046146.tif 000038
【図１３】
2004046146.tif 000039
【図１４】
2004046146.tif 000040
【図１５】
2004046146.tif 000041
【図１６】
2004046146.tif 000042
【図１７】
2004046146.tif 000043
【図１８】
2004046146.tif 000044
【図１９】
2004046146.tif 000045
【図２０】
2004046146.tif 000046