(57)【要約】【課題】　絶縁性基板やその他の外部からのナトリウムなどの可動イオンの侵入を阻止して半導体装置の信頼性向上を図る。【解決手段】　絶縁性基板上に形成された第１の窒化珪素膜と、前記第１の窒化珪素膜上に形成された第１の酸化珪素膜と、前記第１の酸化珪素膜上に形成された半導体膜と、前記半導体膜上に形成された第２の酸化珪素膜と、前記第２の酸化珪素膜上に形成された第２の窒化珪素膜とを有することを特徴とする半導体装置。【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁性基板上に形成された第１の窒化珪素膜と、
　前記第１の窒化珪素膜上に形成された第１の酸化珪素膜と、
　前記第１の酸化珪素膜上に形成された半導体膜と、
　前記半導体膜上に形成された第２の酸化珪素膜と、
　前記第２の酸化珪素膜上に形成された第２の窒化珪素膜とを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
絶縁性基板上に形成された第１の窒化珪素膜と、
　前記第１の窒化珪素膜上に形成された第１の酸化珪素膜と、
　前記第１の酸化珪素膜上に形成されたソース領域、ドレイン領域、チャネル形成領域を有する半導体膜と、
　前記半導体膜上に形成された第２の酸化珪素膜と、
　前記第２の酸化珪素膜上に形成された第２の窒化珪素膜とを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
絶縁性基板上に形成された第１の窒化珪素膜と、
　前記第１の窒化珪素膜上に形成された第１の酸化珪素膜と、
　前記第１の酸化珪素膜上に形成されたソース領域、ドレイン領域、ＬＤＤ領域、チャネル形成領域を有する半導体膜と、
　前記半導体膜上に形成された第２の酸化珪素膜と、
　前記第２の酸化珪素膜上に形成された第２の窒化珪素膜とを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１から３のいずれか一項において、
　前記第２の酸化珪素膜上に形成されたゲート電極と、
　前記ゲート電極にはサイドウォールが形成され、
　前記ゲート電極上には前記第２の窒化珪素膜が形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１から４のいずれか一項において、
　前記第１の酸化珪素膜又は前記第２の酸化珪素膜にはハロゲンが含まれていることを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
　本発明は、信頼性および量産性に優れ、歩留りの高い、薄膜トランジスタ等の薄膜状半導体装置およびその製造方法に関する。本発明は、その応用分野として、例えば、液晶ディスプレーや薄膜イメージセンサー等の駆動回路あるいは３次元集積回路等を構成せんとするものである。
【背景技術】
【０００２】
　従来、半導体集積回路は、シリコン等の半導体基板上に形成されたモノリシック型が中心であったが、近年、ガラスやサファイヤ等の絶縁基板上に形成することが試みられている。その理由としては、基板と配線間の寄生容量が低下して動作速度が向上することと、特に石英その等のガラス材料は、シリコンウェファーのような大きさの制限がなく、安価であること、素子間の分離が容易で、特にＣＭＯＳのモノリシック集積回路で問題となるようなラッチアップ現象がおこらないこと等のためである。また、以上のような理由とは別に液晶ディスプレーや密着型イメージセンサーにおいては、半導体素子と液晶素子あるいは光検出素子とを一体化して構成する必要から、透明な基板上に薄膜トラジスター（ＴＦＴ）等を形成する必要がある。
【０００３】
　このような理由から絶縁性基板上に薄膜状の半導体素子が形成されるようになった。従来の薄膜状半導体素子の例として、ＴＦＴを図５に示す。図に示されるように、絶縁性基板５０１上に、パッシベーション膜として、酸化珪素等の被膜５０３が形成され、その上にＴＦＴが他のＴＦＴとは独立して形成される。ＴＦＴは、モノリシック集積回路のＭＯＳＦＥＴと同様に、ソース（ドレイン）領域５０７とドレイン（ソース）領域５０９、それらに挟まれたチャネル形成領域（単にチャネル領域ともいう）５０８、ゲイト絶縁膜５０４、ゲイト電極５１０、そして、ソース（ドレイン）電極５１１とドレイン（ソース）電極５１２を有している。また、多層配線が可能なようにＰＳＧ等の層間絶縁物５０６が設けられる。
【０００４】
　図５の例は、順コプラナー型と呼ばれるものであるが、ＴＦＴでは、ゲイト電極とチャネル領域の配置の様子によって、これ以外に逆コプラナー型、順スタガー型、逆スタガー型とよばれる形態があるが、その詳細については他の文献に任せるとして、ここではこれ以上、言及しない。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
　モノリシック集積回路においても、ナトリウムやカリウムのようなアルカリイオン、あるいは鉄、銅、ニッケル等の遷移金属イオンによる汚染は深刻な問題であり、これらのイオンの侵入を食い止めるために、非常な注意が払われてきた。ＴＦＴでも、それらのイオンの問題は同様に重大なもので、極力、汚染がないように生産工程の清浄化には注意が向けられている。また、素子にもこれらの汚染が及ばないように対策が講じられている。
【０００６】
　薄膜状半導体素子がモノリシック集積回路と異なることは、基板中の汚染イオンの濃度が比較的高いということである。すなわち、モノリシック集積回路に使用される単結晶シリコンは、長年の技術の蓄積によって、これらの有害な汚染元素を排除するようにして生産されており、現在市販されているものでは、これらの汚染元素は１０１０ｃｍ−３以下である。
【０００７】
　しかしながら、一般に薄膜状半導体素子用の絶縁性基板の汚染元素濃度は低くない。もちろん、スピネル基板やサファイヤ基板のような単結晶基板では、上記汚染源となる異元素の濃度を低減することが理論的には可能であるが、採算面から現実的ではない。また、石英基板は、高純度シランガスと酸素を原料として、気相反応で製造すれば、理想的には異元素の侵入を食い止めることが可能であるが、構造がアモルファスであるので、いったん異元素が取り込まれた場合にこれを外部に吐き出すことが困難である。また、液晶ディスプレーに使用される基板は特にコストの問題が優先するため、価格の低いものを用いる必要があり、そのようなものでは製造・加工を容易にするため、最初から、各種の異元素を含有している。これらの異元素自体が半導体素子にとって好ましくないものもあるし、これらの異元素を添加する過程で、外部から混入し、あるいは添加材料に不純物として含まれる場合がある。
【０００８】
　例えば、ＴＮガラスは安価なガラス基板で耐熱性がよく、熱膨張率等がシリコンに近いため、液晶ディスプレー用の基板として好ましいものであるが、リチウムを５％程度含有している。このリチウムの一部はイオン化し、可動イオンとして半導体素子に侵入し、素子の劣化をもたらす。また、このリチウムは９９％以上の高純度のものを製造することが難しく、通常、０．７％程度のナトリウムが含まれている。ナトリウムのイオン化率は１０％程度で、極めて大きく、このナトリウムイオンは素子の特性に極めて深刻な影響をもたらす。
【０００９】
　従来の薄膜状半導体素子では、図５に示すように、この可動イオンの侵入に対しては、酸化珪素等をパッシベーション膜として使用し、また、層間絶縁物をＰＳＧやＢＰＳＧとすることによってこれらの可動イオンをゲッタリングすることによって対処されてきた。しかしながら、これらの方法では汚染を十分に防ぐことは困難であった。本発明は、これらの汚染元素・イオンを侵入によって素子が劣化することを抑制することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
　本発明では、以上のような汚染を抑制するために薄膜半導体素子の下部と上部にそれぞれ窒化珪素や酸化アルミニウム、酸化タンタル等の可動イオンに対してブロッキング作用を有する膜（ブロッキング膜）を形成したことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１１】
　本発明によって、ナトリウム等の可動イオンの影響の少ないＴＦＴ等の薄膜状半導体素子を作製することができる。従来、可動イオンが存在するため素子が形成できなかった基板においても、ＴＦＴを形成することが可能となった。本発明を実施するには、図１ないし図４のようにコプラナ型であっても、また、逆コプラナ型やスタガ型、逆スタガ型のＴＦＴを用いても構わない。また、本発明は、薄膜状半導体素子の動作について制約を加えるものではないので、トランジスタのシリコンはアモルファスであっても、多結晶であっても、微結晶であっても、またそれらの中間状態のものであっても、さらには単結晶であっても構わないことは明らかであろう。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
　本発明の典型的な例は図１に示される。図１では本発明を用いたＴＦＴが示されている。すなわち、絶縁性基板１０１上に第１のブロッキング膜１０２として第１の窒化珪素膜が形成されている。第１の窒化珪素皮膜は基板からの汚染を防ぐ効果を有する。そして、第１の窒化珪素膜上に、例えば酸化珪素のようなシリコン材料と密着性のよい皮膜１０３を形成する。この皮膜１０３を形成せずして、直接、半導体皮膜を第１の窒化珪素上に形成し、ＴＦＴを作製すると、窒化珪素と半導体材料の界面に生ずるトラップ準位によってチャネル領域が導通化し、ＴＦＴが動作しなくなる。したがって、このような緩衝体を設けることは重要である。
【００１３】
　皮膜１０３上にはＴＦＴが形成される。ＴＦＴは、ソース（ドレイン）領域１０７とドレイン（ソース）領域１０９、それらに挟まれたチャネル領域１０８、ゲイト絶縁膜１０４、ゲイト電極１１０を有する。ＴＦＴのソース、ドレイン、チャネル各領域は単結晶もしくは多結晶、あるいはアモルファスの半導体材料で形成される。半導体材料としては、例えば、シリコン、ゲルマニウム、炭化珪素、およびこれらの合金が使用されうる。
【００１４】
　そして、このＴＦＴを覆って、第２のブロッキング膜１０５として第２の窒化珪素皮膜が形成される。ここで、第２の窒化珪素皮膜が、ＴＦＴの作製の後で、かつ、ソースおよび／またはドレインに電極が形成される前に形成されることが本発明の特徴とするところである。従来の技術では、電極形成後にファイナルパッシベーション膜としての窒化珪素膜が形成されたが、本発明はそのような意味で形成される窒化珪素膜とは目的が異なる。すなわち、本発明における第２の窒化珪素膜は、第１の窒化珪素膜とともにＴＦＴを包み込んでしまうために形成されるのであり、ＴＦＴ形成後の電極形成の工程での汚染をも防ぐことを意図するものである。したがって、本発明によってＴＦＴとそれに付随する電極や配線を形成した後、従来のようにファイナルパッシベーション膜として窒化珪素膜を形成してもよい。
【００１５】
　さて、第２の窒化珪素膜形成後に、層間背絶縁材料、例えばＰＳＧ等によって、層間絶縁膜１０６を形成し、ソース（ドレイン）電極１１１とドレイン（ソース）電極１１２を形成する。
【００１６】
　図１の例では、しかしながら、ゲイト絶縁膜が遠方に延びており、その端部からＴＦＴ内部に侵入する可能性がある。これを改良したものが、図２に示される例で、ゲイト絶縁膜はＴＦＴ上にしかないため、図１のような問題はない。しかしながら、この場合はチャネル領域に隣接した部分のソース領域およびドレイン領域が窒化珪素膜に接触しているため、この部分の窒化珪素がゲイト電圧によって分極し、あるいは電子をトラップして、ＴＦＴの動作を妨げることがある。
【００１７】
　その問題を克服した例が図３に示される。ここでは、チャネル領域に隣接したソース領域およびドレイン領域は窒化珪素膜に隣接していない。したがって、窒化珪素の分極や電子トラップという困難は解決される。しかしながら、ソースおよびドレイン領域の形成にあたって、ゲイト電極をマスクとするセルフアラインプロセスを採用する場合には、この例では図１の例と同様に、ゲイト絶縁膜を通して、アクセプターあるいはドナー元素を注入しなければならず、そのためイオン注入法を採用するのであれば、イオンの加速エネルギーを高める必要がある。その際、高速イオンが注入される結果、その２次散乱によってソースおよびドレイン領域が広がることがある。
【００１８】
　図２において、２０１は絶縁性基板、２０２は第１の窒化珪素膜、２０３は酸化珪素等の緩衝用絶縁膜、２０４はゲイト絶縁膜、２０５は第２の窒化珪素膜、２０６は層間絶縁膜、２０７はソース（ドレイン）領域、２０８はチャネル領域、２０９はドレイン（ソース）領域、２１０はゲイト電極、２１１はソース（ドレイン）電極、２１２はドレイン（ソース）電極である。また、図３において、３０１は絶縁性基板、３０２は第１の窒化珪素膜、３０３は酸化珪素等の緩衝用絶縁膜、３０４はゲイト絶縁膜、３０５は第２の窒化珪素膜、３０６は層間絶縁膜、３０７はソース（ドレイン）領域、３０８はチャネル領域、３０９はドレイン（ソース）領域、３１０はゲイト電極、３１１はソース（ドレイン）電極、３１２はドレイン（ソース）電極である。
【００１９】
　本発明において、ブロッキング膜として窒化珪素膜を用いる場合には、化学式でＳｉＮｘで表したとき、ｘ＝１．０からｘ＝１．７が適し、特に、ｘ＝１．３からｘ＝１．３５の化学量論的組成（ｘ＝１．３３）のもの、あるいはそれに近いのものでよい結果が得られた。したがって、本発明では、窒化珪素は減圧ＣＶＤ法によって形成する方が良かった。しかしながら、プラズマＣＶＤ法や光ＣＶＤ法で形成された窒化珪素皮膜であっても、本発明を使用しない場合に比べて素子の信頼性が向上することは言うまでもない。
【００２０】
　減圧ＣＶＤ法によって、窒化珪素膜を形成しようとすれば、原料ガスとしてジクロールシラン（ＳｉＣｌ２Ｈ２）とアンモニア（ＮＨ３）を用い、圧力１０〜１０００Ｐａで５００〜８００℃、好ましくは５５０〜７５０℃で反応させればよい。もちろん、シラン（ＳｉＨ４）やテトラクロロシラン（ＳｉＣｌ４）を用いてもよい。
【００２１】
　さらに、窒化珪素以外に酸化アルミニウムや酸化タンタルがブロッキング膜として用いられることは先に述べた通りである。これらの被膜を形成するには、ＣＶＤ法やスパッタ法を用いればよい。例えば、酸化アルミニウム膜の形成には、トリメチルアルミニウムＡｌ（ＣＨ３）３を酸化窒素（Ｎ２Ｏ、ＮＯ、ＮＯ２）等と酸化反応させればよい。
【００２２】
　図４には、本発明を使用して、公知の技術である低不純物濃度ドレイン（ＬＤＤ）を形成する例を示した。まず、石英あるいはＡＮガラス等の絶縁性基板４０１上に減圧ＣＶＤ法によって窒化珪素膜４０２を厚さ５０〜１０００ｎｍ形成する。このとき、基板の表面だけでなく、裏面をも窒化珪素膜で被覆してしまうと本発明をより確実に効果的に実施できる。すなわち、製造工程においては裏面から発生した可動イオン（それらは基板に含まれているのだが）が、さまざまな理由によって表面に到達することがよくあり、その結果、例えば、ゲイト酸化膜作製中に膜中に可動イオンが侵入する。また、裏面が可動イオンの発生源であると、成膜装置等の製造装置は絶えず、可動イオンによって汚染されているので、製造装置の清浄度を保つうえでも、基板の裏面に窒化珪素膜を設けることは必要なことである。窒化珪素膜の上に緩衝用の酸化珪素皮膜４０３を同じく減圧ＣＶＤ法によって、厚さ５０〜１０００ｎｍ形成する。この際、原料ガス中に体積比で３％から６％、例えば５％ほどの塩化水素等のハロゲンを含むガスを混入させておくと、得られる酸化珪素膜中にハロゲン元素が取り込まれる。このハロゲンはナトリウム等のアルカリイオンと結合して、ナトリウムを固定するので、ナトリウム汚染を防ぐうえでより大きな効果が得られる。しかし、過剰なハロゲンの添加は膜を粗にし、密着性や表面の平坦性を損なうので好ましくない。
【００２３】
　次にドナーもアクセプターも添加されない非晶質シリコン膜を減圧ＣＶＤ法、あるいはプラズマＣＶＤ法、あるいはスパッタ法によって厚さ２０〜５００ｎｍだけ形成する。そして、これを島上にエッチングする。その上にゲイト絶縁膜として、厚さ１０〜１００ｎｍの酸化珪素膜を減圧ＣＶＤ法、あるいはスパッタ法によって形成する。この際も、先のように、原料ガス中、あるいはスパッタガス中にハロゲン材料ガスを混入させておくとよい。
【００２４】
　そして、その上に減圧ＣＶＤ法、あるいはプラズマＣＶＤ法によって、リンが１０２１ｃｍ−３程度にドープされた多結晶あるいは微結晶シリコン膜を形成する。そして、このシリコン膜およびその下のゲイト絶縁膜（酸化珪素）をパターニングし、ゲイト電極４１０とゲイト絶縁膜４０４を形成する。
【００２５】
　さらに、このゲイト電極をマスクとしてセルフアライン的にイオン注入をおこない、比較的不純物濃度の小さい（１０１７〜１０１９ｃｍ−３程度）ソース（ドレイン）領域４０７、ドレイン（ソース）領域４０８を形成する。不純物の注入されなかった部分がチャネル領域４０８として残る。こうして、図４（Ａ）が得られる。
【００２６】
　次に、図４（Ｂ）に示すように減圧ＣＶＤ法によって、全体にＰＳＧ膜４１３が形成される。そして、これを公知の方向性エッチングによってエッチングし、ゲイト電極の横に側壁４１４を形成する。その後、再び、イオン注入をおこない、不純物濃度の高いソース（ドレイン）領域４０７ａとドレイン（ソース）領域４０９ａを形成する。不純物濃度の低い領域はソース（ドレイン）領域４０７ｂとドレイン（ソース）領域４０９ｂとなって、ＬＤＤを形成する。こうして、図４（Ｃ）を得る。
【００２７】
　その後、図４（Ｄ）に示すように、減圧ＣＶＤ法によって、全体に窒化珪素膜４０５を、厚さ５０〜１０００ｎｍ形成する。その後、例えば、６００℃程度の低温アニールによってシリコン膜の結晶化をおこない、ソース、ドレイン領域の活性化をおこなう。この工程はレーザーアニールでおこなってもよい。このようにして、ＴＦＴの中間体が得られる。
【００２８】
　図４の例は、本発明の例を示したに過ぎず、本発明が、上記の工程に制約されないことは明らかであろう。図４の例では、図３の例と同様に、窒化珪素膜とゲイト電極とソースあるいはドレイン領域が隣接する部分がない。すなわち、図２の場合とは違って、側壁４１４が存在するため、図２で懸念されたような問題はない。さらに、図３とは異なって、ドナーやアクセプターの添加は容易におこなえるという特徴を有する。
【実施例】
【００２９】
　本発明を用いたＴＦＴの特性について記述する。本実施例で使用したＴＦＴは石英ガラス基板上に図４のプロセスに従って作製したＬＤＤ型ＴＦＴである。まず、石英ガラス基板４０１上およびその裏面と側面（すなわち、基板全体）に減圧ＣＶＤ法によって窒化珪素膜４０２を厚さ１００ｎｍ形成し、さらに、連続的に減圧ＣＶＤ法によって酸化珪素膜（低温酸化膜（ＬＴＯ膜）ともいう）４０３を厚さ２００ｎｍ形成し、最後に、やはり減圧ＣＶＤ法によって非晶質シリコン膜を厚さ３０ｎｍ形成した。このときの最高プロセス温度は６００℃であった。次に、非晶質シリコン膜を島状にパターニングした。そして、その非晶質シリコン膜の表面のごく薄い部分、厚さ２〜１０ｎｍを陽極酸化法によって酸化した。その後、スパッタ法によって酸化珪素膜を１００ｎｍ形成した。ここで、スパッタ雰囲気は酸素とアルゴンもしくは他の希ガスの混合気体とし、かつ、酸素の分圧を８０％以上とした。このとき、スパッタ衝撃によって、下地の膜に欠陥が生じる。例えば、下地がシリコン膜であった場合には、シリコン中に酸素原子が打ち込まれ、酸素の濃度が増加する。このような状態ではシリコンは極在準位の多いものとなってしまう。すなわち、シリコンと酸化珪素の境界がはっきりしないものとなってしまう。しかし、本実施例のように予め薄い陽極酸化膜を形成しておけば、スパッタの際には既に酸化珪素が存在しているため、上記のような原子の混合が避けられ、シリコン膜と酸化珪素膜の境界は保たれる。
【００３０】
　この酸化珪素膜の形成後、減圧ＣＶＤ法によって、リンを１０２１ｃｍ−３程度含んだｎ＋型の微結晶珪素膜を厚さ３００ｎｍ形成した。以上の被膜形成の最高プロセス温度は６５０℃であった。その後、ゲイト電極のパターニングをおこないゲイト電極４１０とゲイト絶縁膜４０４を形成した。さらに、イオン打ち込みによって砒素イオンを２×１０１８ｃｍ−３だけ注入し、ソースおよびドレイン領域４０７、４０９を形成した。こうして、図４（Ａ）を得た。
【００３１】
　次いで、図４（Ｂ）のように減圧ＣＶＤ法によってＰＳＧ膜４１３を形成し、方向性エッチングによって、図４（Ｃ）に示される側壁４１４を形成した。さらに、イオン打ち込み法によって砒素イオンを領域４０７ａおよび４０９ａに５×１０２０ｃｍ−３注入した。
【００３２】
　その後、全体に窒化珪素膜４０５を減圧ＣＶＤ法によって形成した。こうして、図４（Ｄ）を得た。その後、真空中６２０℃で４８時間アニールして、領域４０７ａ、４０７ｂ、４０８、４０９ａ、４０９ｂを活性化させた。そして、減圧ＣＶＤ法によって層間絶縁物として、全体にＰＳＧ膜を形成し、電極用の穴を開け、アルミ電極をソース領域およびドレイン領域に形成した。そして、最後に、パッシベーションの目的で全体に再び、減圧ＣＶＤ法によって窒化珪素膜を形成した。
【００３３】
　このようにして形成されたＴＦＴは極めて信頼性の高いものであった。いわゆるバイアス−温度処理（ＢＴ処理）によっても素子の動作特性が変化しないことが示された。その例を図６に示す。ＢＴ処理は図６中に示された回路図のように配線して、加温中でゲイト（Ｇ）とソース（Ｓ）、ドレイン（Ｄ）間にバイアス電圧ＶＢを加えることによっておこなった。具体的には、作製後直ちに室温でＴＦＴのゲイト電圧−ドレイン電流特性を測定し（ＶＢ＝０）、その後、１５０℃で１時間、ゲイト電極に＋２０Ｖの電圧を加え、室温でＴＦＴのゲイト電圧−ドレイン電流特性を測定し（ＶＢ＝＋２０Ｖ）、次に、再び、１５０℃で１時間、ゲイト電極に今度は−２０Ｖの電圧を加え、その後、室温でＴＦＴのゲイト電圧−ドレイン電流特性を測定し（ＶＢ＝−２０Ｖ）、ＴＦＴのしきい値電圧の変動を調べた。
【００３４】
　図６（Ｂ）が以上に記載した方法によって作製したＴＦＴの特性である。このように、バイアス電圧ＶＢに全く特性が影響されず、精密な測定の結果、しきい値電圧の変動は０．２Ｖ以下であった。
【００３５】
　一方、図６（Ａ）に示されるものは、窒化珪素膜４０２と４０５を設けなかった以外は本実施例に示した方法と全く同じプロセスで作製したものであるが、図から明らかなように特性がＶＢに大きく依存してしまっている。このような特性の変動（しきい値電圧の変動）は、ゲイト絶縁膜中のナトリウム等の可動イオンによるものと説明され、変動が大きいほど可動イオンが多く、また、図６（Ｂ）のように変動が少ないものは可動イオンの量がすくないと説明されている。しきい値電圧の変動幅から本実施例で作製したＴＦＴのゲイト電極中の可動イオンの量は８×１０１０ｃｍ−３程度であると推定される。すなわち、本発明のように窒化珪素膜を設けることによって、ＴＦＴの特性を著しく改善し、信頼性を向上せしめることが可能であることが示された。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】本発明によるＴＦＴの例を示す。
【図２】本発明によるＴＦＴの例を示す。
【図３】本発明によるＴＦＴの例を示す。
【図４】本発明によるＴＦＴの作製例を示す。
【図５】従来のＴＦＴの例を示す。
【図６】本発明を利用したＴＦＴと利用しないＴＦＴの特性を示す。
【符号の説明】
【００３７】
１０１　　　　　絶縁性基板
１０２　　　　　第１のブロッキング膜
１０３　　　　　緩衝絶縁膜
１０４　　　　　ゲイト絶縁膜
１０５　　　　　第２のブロッキング膜
１０６　　　　　層間絶縁膜
１０７　　　　　ソース（ドレイン）領域
１０８　　　　　チャネル領域
１０９　　　　　ドレイン（ソース）領域
１１０　　　　　ゲイト電極
１１１　　　　　ソース（ドレイン）電極
１１２　　　　　ドレイン（ソース）電極
【図１】
2004007004.tif 000002
【図２】
2004007004.tif 000003
【図３】
2004007004.tif 000004
【図４】
2004007004.tif 000005
【図５】
2004007004.tif 000006
【図６】
2004007004.tif 000007
【手続補正書】
【提出日】平成15年9月26日(2003.9.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁性基板上に形成された第１の窒化珪素膜と、
　前記第１の窒化珪素膜上に形成された第１の酸化珪素膜と、
　前記第１の酸化珪素膜上に形成された半導体膜と、
　前記半導体膜上に形成された第２の酸化珪素膜と、
　前記第２の酸化珪素膜上に形成された第２の窒化珪素膜とを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
絶縁性基板上に形成された第１の窒化珪素膜と、
　前記第１の窒化珪素膜上に形成された第１の酸化珪素膜と、
　前記第１の酸化珪素膜上に形成された、ソース領域、ドレイン領域、チャネル形成領域を有する半導体膜と、
　前記半導体膜上に形成された第２の酸化珪素膜と、
　前記第２の酸化珪素膜上に形成された第２の窒化珪素膜とを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
絶縁性基板上に形成された第１の窒化珪素膜と、
　前記第１の窒化珪素膜上に形成された第１の酸化珪素膜と、
　前記第１の酸化珪素膜上に形成された、ソース領域、ドレイン領域、ＬＤＤ領域、チャネル形成領域を有する半導体膜と、
　前記半導体膜上に形成された第２の酸化珪素膜と、
　前記第２の酸化珪素膜上に形成された第２の窒化珪素膜とを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１から３のいずれか一項において、
　前記第２の酸化珪素膜上にはゲート電極が形成され、
　前記ゲート電極にはサイドウォールが形成され、
　前記ゲート電極上には前記第２の窒化珪素膜が形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１から４のいずれか一項において、
　前記第１の酸化珪素膜又は前記第２の酸化珪素膜にはハロゲンが含まれていることを特徴とする半導体装置。