(57)【要約】      （修正有）【課題】ろう材の使用量を低減できるとともに、蓋体に所望する形状のろう材層を形成する。【解決手段】帯状の蓋部材３０を準備し、ガイド穴３０ａを連続プレス加工にて穿設する。次に、蓋部材３０にＮｉメッキ３１を施し、続いて、ろう材層３４を形成する下地としてＡｕメッキ３２を施す。次に、ろう材をＡｕメッキ３２上にスクリーン印刷し（（ｈ）ろう材ペースト印刷工程）、続いて、これをリフローしてＡｕメッキ３２上にろう材を被着させ（（ｉ）ろう材リフロー工程）、ろう材層３４を形成する。次に、プレス加工により蓋体３の外形を打ち抜き、最後に、アニール／梱包を行う。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
メタライズ層を有する基板からなる電子デバイス用パッケージの蓋体の製造方法であって、
蓋部材に、前記メタライズ層に対応する形状のろう材層を形成するろう材層形成工程を有することを特徴とする電子デバイス用パッケージの蓋体の製造方法。
【請求項２】
前記蓋部材にろう材層を形成する前に、前記蓋部材の溶着面側に、前記メタライズ層に対応する形状の成形用メッキを形成する成形用メッキ工程を有することを特徴とする請求項１記載の電子デバイス用パッケージの蓋体の製造方法。
【請求項３】
前記蓋部材に、ろう材ペーストを付着させてリフローすることにより、又は、ろう材をめっき・リフローすることにより、前記ろう材層を形成することを特徴とする請求項１又は２記載の電子デバイス用パッケージの蓋体の製造方法。
【請求項４】
前記ろう材層形成工程の後に、前記ろう材層の形成された前記蓋部材からろう材層付き蓋体を分割する分割工程を有することを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の電子デバイス用パッケージの蓋体の製造方法。
【請求項５】
前記蓋部材に絞り加工を施す絞り加工工程を有することを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の電子デバイス用パッケージの蓋体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、各種の電子部品を収納する電子デバイス用パッケージの蓋体の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、電子デバイス用パッケージは、電子装置の回路基板への高密度実装に適するように、小型チップ化され回路基板の片面だけで半田付けできる表面実装型（ＳＭＤ）のものが多数開発されている。
また、電子デバイス用パッケージを取り巻く環境としては、携帯用通信機器等の普及に伴い、電子デバイスの小型化、軽量化、及びコストダウンの要求がますます強くなっている。
【０００３】
次に、上記電子デバイス用パッケージの蓋体の一般的な製造方法について、図面を参照して説明する。なお、理解しやすいように、まず電子デバイス用パッケージの構造について説明する。
図５は、従来の電子デバイス用パッケージの製造方法で製造された電子デバイスの概略拡大断面図を示している。
同図において、７０は表面実装型の水晶振動子であり、６２は水晶振動子７０のパッケージを構成するセラミック基板である。６３は平板状の蓋体であり、水晶振動子７０のパッケージを構成するセラミック基板６２を覆ったコバール（鉄（Ｆｅ）／ニッケル（Ｎｉ）／コバルト（Ｃｏ）合金）製となっている。
また、６１は水晶振動体であり、セラミック基板６２と蓋体６３により規定されるキャビティ（内部空間）７２に実装されている。
【０００４】
８１は配線層であり、セラミック基板６２の上面に、蓋体６３と導通しないように形成されている。８２はセラミック基板６２の下面に形成された端子電極としての配線層である。また、８３は両配線層８１、８２を接続する電気的導通部としての内部配線である。
８４は導電ペーストであり、水晶振動体６１の一端は導電ペースト８４を介して配線層８１の上に接合されている。８６はメタライズ層（配線層）であり、蓋体６３の接合のために、セラミック基板６２の最上面に形成されている。８５は接合層であり、メタライズ層８６上に形成された低温金属ろう材からなっている。
セラミック基板６２と蓋体６３は、接合層８５を介して溶着される。
【０００５】
次に、従来例にかかる電子デバイス用パッケージの蓋体の製造方法について、図面を参照して説明する。
図６ａ〜図６ｈは、従来例にかかる電子デバイス用パッケージの蓋体の製造方法を説明するための概略工程図を示している。理解しやすいように、メッキ等に対してハッチングを付して図示してある。
同図において、蓋体６３を製造するには、まず、コバール等の帯状の蓋部材３０が準備され（（図６ａ）コバール材準備工程）、続いて、蓋部材３０に搬送位置決め用のガイド穴３０ａを連続プレス加工にて穿設する（（図６ｂ）ガイド穴あけ工程）。
なお、蓋部材３０は、帯状に限定されるものではなく、たとえば、シート状であってもよい。
【０００６】
次に、蓋部材３０両面に防錆用メッキとしてＮｉメッキ３１を行う（（図６ｃ）Ｎｉメッキ工程）。
続いて、溶着面側のガイド穴３０ａの配設された領域を除いたニッケル（Ｎｉ）下地の上に、接合の際、接合層８５との濡れ性を向上させるためにＡｕメッキ３２を行う（（図６ｄ）Ａｕメッキ工程）。
【０００７】
次に、枠状のメタライズ層８６に対応する矩形環状のレジスト３３を、ガイド穴３０ａを基準にしてＡｕメッキ３２上に印刷塗布し（（図６ｅ）レジスト塗布工程）、レジスト３３を塗布した部分を除いてＡｕメッキ３２だけを剥離する（（図６ｆ）Ａｕメッキ剥離工程）。
続いて、レジスト３３を剥離し（（図６ｇ）レジスト剥離工程）、下のＡｕメッキ３２を露出させる。
その後、プレス加工により蓋体６３の外形を打ち抜き（（ｈ）プレス抜き工程）、最後に、蓋体６３をアニールしてから、部品の配送に備えて梱包する（アニール／梱包工程：図示せず）。
【０００８】
次に、蓋体６３の接合方法について、図面を参照して説明する。
図７は、従来例にかかる電子デバイス用パッケージの蓋体の接合方法を説明するための概略工程図を示している。
まず、図７（ａ）に示すように、周波数調整後のセラミック基板６２は、封止工程のためにカーボン治具１１３に移し替えられる（（ａ）カーボン治具への装填工程）。
【０００９】
続いて、図７（ｂ）に示すように、セラミック基板６２のメタライズ層８６上に、箔状態の矩形環状ろう材（ここでは、Ａｕ／Ｓｎ合金からなる低温金属ろう材を使用する。）を載せて溶融被着させ、メタライズ層８６上にろう材層８５を形成する（（ｂ）ろう材層形成工程）。
次に、図７（ｃ）に示すように、セラミック基板６２と蓋体６３とを重ね合わせ、専用のカーボン治具１１３に収納した状態で、封止炉に入れ真空雰囲気内で加熱すると、セラミック基板６２と蓋体６３は、接合層８５を介してろう付けされ気密封止される（（ｃ）封止工程）。
【００１０】
このように、上記電子デバイス用パッケージの蓋体の製造方法によれば、蓋体の製造工程としては、簡素化され生産性等に優れているものの、箔状のろう材を小さな矩形環状の形状にプレス抜きするには限界があり、さらなる小型化への要求に対応することができなかった。
【００１１】
なお、上記問題点を解決する技術として、電子部品を収納するセラミックケースに金属製の蓋体を被せ、セラミックケースの上面外周にメタライズ層を介して前記蓋体を封着する電子部品用パッケージの製造方法において、金属板と金属ろう材とを同時に圧延することによってクラッド化された蓋体を構成し、該蓋体の金属ろう材面を封着側にして上記メタライズ層の上に直接蓋体を載せ、前記セラミックケースの外周に沿って蓋体の上から電子ビームを照射し、該照射部分の金属ろう材を溶融させてメタライズ層に封着した電子部品用パッケージの製造方法の技術が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
【００１２】
【特許文献１】
特許第３２４８８４２号公報  （第１項、特許請求の範囲）
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述した特許文献１に記載された電子部品用パッケージの製造方法では、蓋体の封着側の全面に金属ろう材を設けているために、金属ろう材の使用量を低減できないといった問題があった。
また、蓋体の封着側の全面に金属ろう材を設けているために、蓋体を封着する際、封着面上の金属ろう材以外の金属ろう材をも溶融させてしまい、その分多くの照射熱を必要としセラミック基板に悪影響を及ぼすといった問題があった。
さらに、箔状の金属ろう材を使用しているため、ろう材層の厚さを薄くするのには限界があるといった問題もあった。
【００１４】
本発明は、以上のような従来の問題を解決するためになされたものであり、ろう材の使用量を低減できるとともに、蓋体に所望する形状のろう材層を形成することのできる電子デバイス用パッケージの蓋体の製造方法を提供することを目的とする。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
前述した目的を達成するための本発明の電子デバイス用パッケージの蓋体の製造方法は、メタライズ層を有する基板からなる電子デバイス用パッケージの蓋体の製造方法であって、蓋部材に、前記メタライズ層に対応する形状のろう材層を形成するろう材層形成工程を有する方法としてある。
このようにすると、メタライズ層に対応する形状のろう材層を形成することができ、ろう材の使用量を低減することができる。
【００１６】
また、本発明の電子デバイス用パッケージの蓋体の製造方法は、前記蓋部材にろう材層を形成する前に、前記蓋部材の溶着面側に、前記メタライズ層に対応する形状の成形用メッキを形成する成形用メッキ工程を有する方法としてある。
このようにすると、ろう材層が成形用メッキの上面にほぼ均一に形成されるので、ろう材層の小型化を可能とし、また、ろう材層の形状の精度を向上させることができる。
【００１７】
また、本発明の電子デバイス用パッケージの蓋体の製造方法は、前記蓋部材に、ろう材ペーストを付着させてリフローすることにより、又は、ろう材をめっき・リフローすることにより、前記ろう材層を形成する方法としてある。
このようにすると、所望する厚さのろう材層を形成することができ、ろう材の使用量を低減することができる。
【００１８】
また、本発明の電子デバイス用パッケージの蓋体の製造方法は、前記ろう材層形成工程の後に、前記ろう材層の形成された前記蓋部材からろう材層付き蓋体を分割する分割工程を有する方法としてある。
このようにすると、ろう材層形成工程まで蓋部材の状態で取り扱うことができるので、生産性を向上させることができる。
【００１９】
また、本発明の電子デバイス用パッケージの蓋体の製造方法は、前記蓋部材に絞り加工を施す絞り加工工程を有する方法としてある。
このようにすると、絞り加工した空間に電子部品を収納することができ、セラミック基板の形状を単純化することができる。
【００２０】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の各実施形態にかかる電子デバイス用パッケージの蓋体の製造方法について、図面を参照して説明する。
まず、理解しやすいように、第一実施形態にかかる電子デバイス用パッケージの蓋体の製造方法について説明する前に、本実施形態の蓋体の構造について説明する。
【００２１】
図１は、本発明の第一実施形態にかかる電子デバイス用パッケージの蓋体の製造方法で製造される蓋体の概略拡大図であり、（ａ）は平面図を、（ｂ）はＡ−Ａ線における断面図を示している。なお、理解しやすいように、Ａ−Ａ線における断面図は、上下を反転させて図示してある。
同図において、電子デバイスの蓋体３は、電子デバイス用パッケージを構成する、角部が面取りされたほぼ矩形平板状の形状としてあり、基本的な構造は、従来技術で説明したものとほぼ同様としてある。したがって、従来と同じ構成要素には同じ名称を用いて、詳細な説明は省略する。
【００２２】
蓋体３は、ほぼ矩形平板状に打ち抜き加工された蓋部材３０からなり、蓋部材３０の材料としては、線膨張係数がセラミック基板の線膨張係数とほぼ等しく、かつ、ろう付け温度に耐えられるコバール、４２合金等の鉄（Ｆｅ）系合金が使用される。
なお、蓋部材３０の材料は、上記Ｆｅ系合金に限定されるものではなく、たとえば、セラミックなどを使用してもよく、線膨張係数がセラミック基板の線膨張係数とほぼ等しく、かつ、ろう付け温度に耐えられる材料であればよい。
【００２３】
また、３４はろう材層であり、後述する製造方法により、蓋体３に予め形成されているＡｕ／Ｓｎ合金（溶融点が約２８０℃）等の低い溶融温度を有する金属からなっている。
なお、ろう材層３４の材料は、上記Ａｕ／Ｓｎ合金に限定されるものではなく、たとえば、高温半田や、銀（Ａｇ）系ろう材、アルミニウム（Ａｌ）系ろう材などを使用してもよい。
【００２４】
ろう材層３４は、セラミック基板に形成されたメタライズ層２６と同一の平面形状としてあるが、この平面形状に限定されるものではなく、蓋体３とセラミック基板を封着できるようにメタライズ層に対応した形状であればよい。たとえば、ろう材層３４の矩形環状の外形を、メタライズ層の外形より内側に形成してもよく、このようにすると、ろう付け状態をフィレットで確認することができる。
【００２５】
次に、本実施形態である電子デバイス用パッケージの蓋体の製造方法について、図面を参照して説明する。
図２ａ〜図２ｊは、従来例にかかる電子デバイス用パッケージの蓋体の製造方法を説明するための概略工程図を示している。理解しやすいように、メッキ等に対してハッチングを付して図示してある。
同図において、蓋体３を製造するには、まず、コバール等の帯状の蓋部材３０が準備され（（図２ａ）コバール材準備工程）、続いて、蓋部材３０に搬送位置決め用のガイド穴３０ａを連続プレス加工にて穿設する（（図２ｂ）ガイド穴あけ工程）。
【００２６】
次に、蓋部材３０両面にＮｉメッキ３１を施し（（図２ｃ）Ｎｉメッキ工程）、続いて、片面のガイド穴３０ａの配設された領域を除いたＮｉ下地の上にＡｕメッキ３２を施す（（図２ｄ）Ａｕメッキ工程）。
続いて、枠状の配線層２６に対応する枠形状のレジスト３３を、ガイド穴３０ａを基準にしてＡｕメッキ３２上に印刷塗布し（（図２ｅ）レジスト塗布工程）、続いて、レジスト３３を塗布した部分を除いてＡｕメッキ３２だけを剥離する（（図２ｆ）Ａｕメッキ剥離工程）。
次に、レジスト３３を剥離し（（図２ｇ）レジスト剥離工程）、下のＡｕメッキ３２を露出させる。このようにすると、成形用メッキであるＡｕメッキ３２がろう材に対して濡れ性が優れていることから、ろう材層３４がＡｕメッキ３２の上面にほぼ均一に形成され、ろう材層３４の成形精度を向上させることができ、蓋体３のさらなる小型化にも対応することができる。
【００２７】
次に、バインダを含むろう材ペースト３４ａ（一般的に、低温金属ろう材からなるペースト状のろう材が使用される。）をＡｕメッキ３２上にスクリーン印刷し（（図２ｈ）ろう材ペースト印刷工程）、続いて、これをリフローしてＡｕメッキ３２上にろう材を被着させ（（図２ｉ）ろう材リフロー工程）、ろう材層３４を形成する。
なお、スクリーン印刷において、マスク（図示せず）の開口寸法や厚さを調整することにより、ろう材の塗布量を調整することができ、ろう材層の厚さを所望する厚さとすることができる。
また、ろう材ペースト３４ａの塗布は、スクリーン印刷に限定されるものではなく、たとえば、ディスペンサなどを利用してもよい。
【００２８】
次に、プレス加工により蓋体３の外形を打ち抜き（（図２ｊ）プレス抜き工程）、最後に、蓋体３をアニールしてから、部品の配送に備えて梱包する（アニール／梱包工程：図示せず）。このようにすると、ろう材層形成工程までを蓋部材を一単位として取り扱うことができるので、生産性を向上させることができる。なお、Ａｕメッキ３２の代わりに、金（Ａｕ）／すず（Ｓｎ）のろう材と濡れやすい金属であるＳｎ又は銀（Ａｇ）等のメッキを行ってもよい。
また、ろう材は、Ａｕ／Ｓｎ合金（溶融点が約２８０℃）に限定されるものではなく、半田等の溶融温度のより低い金属を使用することもできる。
なお、その他の製造方法は、従来例とほぼ同様としてある。
【００２９】
このように、本実施形態によれば、メタライズ層に対応する形状で、かつ、所望する厚さのろう材層３４を形成することができ、ろう材の使用量を低減することができる。
また、本実施形態によれば、従来使用してきた蓋部材を使用することができるので、その分工程変更を容易に行うことができる。
また、成形用メッキとしてＡｕメッキ３２を使用することにより、ろう材との濡れ性を向上させることができるので、ろう材の濡れ不良を防止するとともに、ろう材層３４の厚さがほぼ均一となり、ろう材層３４の厚さ精度を向上させることができる。
【００３０】
なお、プレス抜きしたろう材箔を蓋体に貼り付ける等の方法も想定されるが、この方法では、ろう材層の厚さを約２０μｍ以下にすることは困難である。
これに対し、本実施形態の製造方法によれば、ろう材の塗布量を調整することにより、ろう材層３４の厚さを約２０μｍより薄くすることができ、蓋体３に電子ビームを照射した際、電子ビームの熱がろう材層３４に伝わりやすく、迅速にして確実な気密封止を行うことができる。
【００３１】
次に、本発明の第二実施形態にかかる電子デバイス用パッケージの蓋体の製造方法について、図面を参照して説明する。
まず、理解しやすいように、第二実施形態にかかる電子デバイス用パッケージの蓋体の製造方法について説明する前に、本実施形態の蓋体の構造について説明する。
図３は、本発明の第二実施形態にかかる電子デバイス用パッケージの蓋体の製造方法で製造される蓋体の概略拡大図であり、（ａ）は平面図を、（ｂ）は溶着後の断面図を示している。
同図において、蓋体１３は、電子デバイス用パッケージを構成する蓋体であり、Ｎｉメッキ３１の施された蓋部材３０を箱型に絞り加工し、環状の鍔部１３ａを残すように打ち抜き加工された形状としてある。また、この鍔部１３ａの溶着面には、Ａｕメッキ３２とろう材層３４を被着させてある。
なお、その他の構造は、第一実施形態により製造した蓋体３とほぼ同様としてある。
【００３２】
次に、本実施形態である電子デバイス用パッケージの蓋体の製造方法について、図面を参照して説明する。
図４ａ〜図４ｉは、従来例にかかる電子デバイス用パッケージの蓋体の製造方法を説明するための概略工程図を示している。理解しやすいように、メッキ等に対してハッチングを付して図示してある。
同図において、まず、コバール等の帯状の蓋部材３０が準備され（（図４ａ）コバール材準備工程）、続いて、蓋部材３０に搬送位置決め用のガイド穴３０ａを連続プレス加工にて穿設する（（図４ｂ）ガイド穴あけ加工工程）。
なお、本実施形態では、箱型に絞り加工してあるが、箱型に限定するものではなく、搭載される電子部品の形状等に応じた型とすることができる。
【００３３】
次に、蓋部材３０両面にＮｉメッキ３１を施し（（図４ｃ）Ｎｉメッキ工程）、続いて、溶着面側のガイド穴３０ａの配設された領域を除いたＮｉ下地の上にＡｕメッキ３２を施す（（図４ｄ）Ａｕメッキ工程）。
続いて、枠状のメタライズ層２６に対応する矩形環状のレジスト３３を、ガイド穴３０ａを基準にしてＡｕメッキ３２上に印刷塗布し（（図４ｅ）レジスト塗布工程）、続いて、レジスト３３を塗布した部分を除いてＡｕメッキ３２だけを剥離する（（図４ｆ）Ａｕメッキ剥離工程）。
次に、レジスト３３を剥離し（（図４ｇ）レジスト剥離工程）、下のＡｕメッキ３２を露出させる。
【００３４】
次に、ろう材をＡｕメッキ３２上にめっき・リフローし、続いて、箱型に絞り加工し（（図４ｈ）ろう材メッキ及び絞り加工工程）、ろう材層３４を形成する。
なお、「ろう材をめっきする」とは、金属の表面にろう材の薄い層を付着させることをいう。
また、リフローすることにより、表面に付着した溶媒等を気化させたり、ボイドを除去することができる。
【００３５】
次に、プレス加工により蓋体１３の外形を打ち抜き（（図４ｉ）プレス抜き工程）、最後に、蓋体１３をアニールしてから、部品の配送に備えて梱包する（アニール／梱包工程：図示せず）。
このように、プレス抜き工程において蓋体１３の外形を打ち抜くことにより、蓋体１３の周縁部に平坦度に優れた鍔部１３ａが形成される。これにより、蓋体１３とセラミック基板１２を接合する際、ろう材層３４の厚さを薄くしても、鍔部１３ａに形成されたロー材層３４がメタライズ層２６と隙間なく当接する。したがって、蓋体１３の接合時における熱による悪影響を低減した状態で、迅速にして確実な気密封止を行うことができる。
なお、その他の製造方法は、第一実施形態とほぼ同様としてある。
【００３６】
このように、本実施形態によれば、蓋体１３に絞り加工を施し、さらにろう材層３４をめっき処理により形成しても、平坦な鍔部１３ａに形成されたろう材層３４によって、蓋体１３とセラミック基板１２を良好に接合することができる。
なお、本実施形態では、蓋部材３０としてＦｅ系合金を使用し、防錆処理としてＮｉメッキ３１を行っているため、Ｎｉメッキ３１を行う前に絞り加工を行っているが、蓋部材３０として防錆処理を行う必要のない金属を使用する場合には、プレス抜き加工とともに絞り加工を行ってもよい。
また、鍔部１３ａの形状は、上記形状に限定されるものではなく、必要な機械的強度を確保し密封性を維持できる形状であればよい。
【００３７】
以上、本発明の好適な実施形態について説明してきたが、本発明は上記の実施形態によりなんら限定されるものではなく、本発明の適用範囲内で種々に変更することが可能である。
たとえば、実施形態として水晶振動子用パッケージの蓋体の製造方法を説明しているが、本発明の技術思想は、他の電子デバイス一般に広く適用できるものである。
【００３８】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の製造方法によれば、メタライズ層に対応する形状で、かつ、所望する厚さのろう材層を形成することができ、ろう材の使用量を低減することができる。
また、本発明の電子デバイス用パッケージの蓋体の製造方法によれば、ろう材層が成形用メッキの上面に形成されるので、ろう材層の形状の精度を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は、本発明の第一実施形態にかかる電子デバイス用パッケージの蓋体の製造方法で製造される蓋体の概略拡大図であり、（ａ）は平面図を、（ｂ）はＡ−Ａ線における断面図を示している。
【図２ａ】図２ａは、本発明の第一実施形態にかかる電子デバイス用パッケージの蓋体の製造方法を説明するための、コバール材準備工程における概略平面図を示している。
【図２ｂ】図２ｂは、本発明の第一実施形態にかかる電子デバイス用パッケージの蓋体の製造方法を説明するための、ガイド穴あけ工程における概略平面図を示している。
【図２ｃ】図２ｃは、本発明の第一実施形態にかかる電子デバイス用パッケージの蓋体の製造方法を説明するための、Ｎｉメッキ工程における概略平面図を示している。
【図２ｄ】図２ｄは、本発明の第一実施形態にかかる電子デバイス用パッケージの蓋体の製造方法を説明するための、Ａｕメッキ工程における概略平面図を示している。
【図２ｅ】図２ｅは、本発明の第一実施形態にかかる電子デバイス用パッケージの蓋体の製造方法を説明するための、レジスト塗布工程における概略平面図を示している。
【図２ｆ】図２ｆは、本発明の第一実施形態にかかる電子デバイス用パッケージの蓋体の製造方法を説明するための、Ａｕメッキ剥離工程における概略平面図を示している。
【図２ｇ】図２ｇは、本発明の第一実施形態にかかる電子デバイス用パッケージの蓋体の製造方法を説明するための、レジスト剥離工程における概略平面図を示している。
【図２ｈ】図２ｈは、本発明の第一実施形態にかかる電子デバイス用パッケージの蓋体の製造方法を説明するための、ろう材ペースト印刷工程における概略平面図を示している。
【図２ｉ】図２ｉは、本発明の第一実施形態にかかる電子デバイス用パッケージの蓋体の製造方法を説明するための、ろう材リフロー工程における概略平面図を示している。
【図２ｊ】図２ｊは、本発明の第一実施形態にかかる電子デバイス用パッケージの蓋体の製造方法を説明するための、プレス抜き工程における概略平面図を示している。
【図３】図３は、本発明の第二実施形態にかかる電子デバイス用パッケージの蓋体の製造方法で製造される蓋体の概略拡大図であり、（ａ）は平面図を、（ｂ）は溶着後の断面図を示している。
【図４ａ】図４ａは、本発明の第二実施形態にかかる電子デバイス用パッケージの蓋体の製造方法を説明するための、コバール材準備工程における概略平面図を示している。
【図４ｂ】図４ｂは、本発明の第二実施形態にかかる電子デバイス用パッケージの蓋体の製造方法を説明するための、ガイド穴あけ及び絞り加工工程における概略平面図を示している。
【図４ｃ】図４ｃは、本発明の第二実施形態にかかる電子デバイス用パッケージの蓋体の製造方法を説明するための、Ｎｉメッキ工程における概略平面図を示している。
【図４ｄ】図４ｄは、本発明の第二実施形態にかかる電子デバイス用パッケージの蓋体の製造方法を説明するための、Ａｕメッキ工程における概略平面図を示している。
【図４ｅ】図４ｅは、本発明の第二実施形態にかかる電子デバイス用パッケージの蓋体の製造方法を説明するための、レジスト塗布工程における概略平面図を示している。
【図４ｆ】図４ｆは、本発明の第二実施形態にかかる電子デバイス用パッケージの蓋体の製造方法を説明するための、Ａｕメッキ剥離工程における概略平面図を示している。
【図４ｇ】図４ｇは、本発明の第二実施形態にかかる電子デバイス用パッケージの蓋体の製造方法を説明するための、レジスト剥離工程における概略平面図を示している。
【図４ｈ】図４ｈは、本発明の第二実施形態にかかる電子デバイス用パッケージの蓋体の製造方法を説明するための、ろう材めっき工程における概略平面図を示している。
【図４ｉ】図４ｉは、本発明の第二実施形態にかかる電子デバイス用パッケージの蓋体の製造方法を説明するための、プレス抜き工程における概略平面図を示している。
【図５】図５は、従来の電子デバイス用パッケージの製造方法で製造された電子デバイスの概略拡大断面図を示している。
【図６ａ】図６ａは、従来例にかかる電子デバイス用パッケージの蓋体の製造方法を説明するための、コバール材準備工程における概略平面図を示している。
【図６ｂ】図６ｂは、従来例にかかる電子デバイス用パッケージの蓋体の製造方法を説明するための、ガイド穴あけ工程における概略平面図を示している。
【図６ｃ】図６ｃは、従来例にかかる電子デバイス用パッケージの蓋体の製造方法を説明するための、Ｎｉメッキ工程における概略平面図を示している。
【図６ｄ】図６ｄは、従来例にかかる電子デバイス用パッケージの蓋体の製造方法を説明するための、Ａｕメッキ工程における概略平面図を示している。
【図６ｅ】図６ｅは、従来例にかかる電子デバイス用パッケージの蓋体の製造方法を説明するための、レジスト塗布工程における概略平面図を示している。
【図６ｆ】図６ｆは、従来例にかかる電子デバイス用パッケージの蓋体の製造方法を説明するための、Ａｕメッキ剥離工程における概略平面図を示している。
【図６ｇ】図６ｇは、従来例にかかる電子デバイス用パッケージの蓋体の製造方法を説明するための、レジスト剥離工程における概略平面図を示している。
【図６ｈ】図６ｈは、従来例にかかる電子デバイス用パッケージの蓋体の製造方法を説明するための、プレス抜き工程における概略平面図を示している。
【図７】図７は、従来例にかかる電子デバイス用パッケージの蓋体の接合方法を説明するための概略工程図を示している。
【符号の説明】
１  水晶振動体
１２  セラミック基板
１２ａ  キャビティ
３、１３  蓋体
２０  水晶振動子
１３ａ  鍔部
２１、２２  配線層
２３  内部配線
２４  導電ペースト
２６  メタライズ層
３０  蓋部材
３０ａ  ガイド穴
３１  Ｎｉメッキ
３２  Ａｕメッキ
３３  レジスト
３４  ろう材層
３４ａ  ろう材ペースト
６１  水晶振動体
６２  セラミック基板
６３  蓋体
７０  水晶振動子
７２  キャビティ
８１  配線層
８２  配線層
８３  内部配線
８４  導電ペースト
８５  接合層
８６  メタライズ層
１１３  カーボン治具
【図１】
2004186428.tif 000003
【図２ａ】
2004186428.tif 000004
【図２ｂ】
2004186428.tif 000005
【図２ｃ】
2004186428.tif 000006
【図２ｄ】
2004186428.tif 000007
【図２ｅ】
2004186428.tif 000008
【図２ｆ】
2004186428.tif 000009
【図２ｇ】
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【図２ｈ】
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【図２ｉ】
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【図２ｊ】
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【図３】
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【図４ａ】
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【図４ｂ】
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【図４ｃ】
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【図４ｄ】
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【図４ｅ】
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【図４ｆ】
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【図４ｇ】
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【図４ｈ】
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【図４ｉ】
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【図５】
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【図６ａ】
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【図６ｂ】
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【図６ｃ】
2004186428.tif 000027
【図６ｄ】
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【図６ｅ】
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【図６ｆ】
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【図６ｇ】
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【図６ｈ】
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【図７】
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