(57)【要約】【課題】コネクタによるケーブル接続箇所を削減した基板処理装置を提供することを提供する。【解決手段】基板処理装置を、複数の処理ユニット（第１薬液処理ユニット８ａ〜８ｃ、第２薬液処理ユニット１５ａ〜１５ｃ、現像処理ユニット３０ａ〜３０ｃなど）と搬送機構とこれらを統括制御するサブコントローラ（サブコントローラＳＣ２〜ＳＣ４など）とを備える複数のブロック（ＢＡＲＣブロック２、ＳＣブロック３、ＳＤブロック４など）から構成する。サブコントローラは、各制御対象の制御に際し、該制御対象に設けられたセンサ（漏液センサＳ８、Ｓ１５、Ｓ３０など）からの信号を受けとり、対応するコントローラ（薬液コントローラＣＣなど）に伝達する役割を果たす。これにより、各センサとコントローラとを個別に結線するための配線やコネクタが削減される。【選択図】        図４
2004214290.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に所定の処理を行う装置であって、
少なくとも１つの処理ユニットと、
前記少なくとも１つの処理ユニットに基板を搬送する搬送手段と、
前記少なくとも１つの処理ユニットに設けられ、当該処理ユニットの状態を検知する少なくとも１つのセンサと、
前記少なくとも１つの処理ユニットと前記搬送手段とを制御する部分制御手段と、
をそれぞれが備える複数の部分制御単位と、
前記複数の部分制御手段を制御する主制御手段と、
前記少なくとも１つのセンサからの信号に応答して、当該センサの検知対象と対応した特定の制御対象について制御を行う少なくとも１つの特定制御手段と、を備え、
それぞれの前記部分制御手段と、前記主制御手段と、前記少なくとも１つの特定制御手段とがネットワーク接続されており、
かつ、
前記少なくとも１つのセンサは、同一の前記部分制御単位に備わる前記部分制御手段と電気的に接続されている、
ことを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載の基板処理装置であって、
前記部分制御単位がそれぞれ、所定の配置関係にて隣接配置可能な収容部に収容されていることを特徴とする基板処理装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の基板処理装置であって、
前記複数の部分制御単位の少なくとも１つが、前記少なくとも１つの処理ユニットとして、基板に対し薬液を用いた処理を行う処理ユニットまたは基板を加熱または冷却する熱処理ユニットのいずれかを少なくとも１つ含むことを特徴とする基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体基板や液晶デバイス等に用いるガラス基板などに対し所定の処理を行う処理ユニットを複数備える基板処理装置における配線構成に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体デバイス、液晶デバイス等の製造工程において、半導体基板やガラス基板などに種々の処理を行う基板処理装置においては、１つの処理工程を担う処理ユニットを複数備える多ユニット化、および、一の装置において異なる処理工程を連続的に行うべく異種の処理ユニットを複数備える複合化によって、スループットの向上という製造メーカーの要求に応えている。いきおい、装置自体が大型化する傾向にある。
【０００３】
そうした大型化した基板処理装置を製造しこれを納入する場合、輸送手段の収容容積に限界がある関係から、装置をあらかじめいくつかの構成体に分割可能に製造して分割した状態で輸送し、納入先で組み立てることが一般的である。そうした場合の組み立て作業を効率化することを目的として、同一の処理を行う複数の処理ユニットに対する水、電力等の供給ラインの接続が容易となるように、それぞれの供給管やケーブルの接続口の集約化を図る技術がすでに開示されている。（例えば、特許文献１参照。）。
【０００４】
【特許文献１】
特開２００２−１９８２７６号公報
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
図５は、従来の基板処理装置１０００の制御系の一部を模式的に示す図である。図５の基板処理装置１０００には、例えば、基板に対し所定の薬液処理を行ういくつかの（図５においては２つの）処理ユニットＵＮを備えるものなど、基板処理に係る処理ユニット等をそれぞれに備える、いくつかの（図５においては４つの）処理ブロックＢＬＫが備わっているものとする。また、基板処理装置１０００全体の制御を担うメインコントローラＭＣ０と、各処理ブロックＢＬＫごとに備わり、該処理ブロックＢＬＫに備わる処理ユニットの制御を担うユニットコントローラＵＣ０と、各処理ユニットに備わり例えば薬液の漏洩を検知する漏液センサＳ０からの情報に応じて薬液供給を制御する薬液コントローラＣＣ０とが備わっている。これらのコントローラはネットワークＮに接続されている。また、センサＳ０と薬液コントローラＣＣ０とは信号線ＳＬ０で接続され、処理ブロックＢＬＫの境界ではコネクタＣＮで接続されている。なお、説明の簡略化のために図示は省略しているが、熱処理ユニット等とこれに対応して必要なコントローラ、センサ類が備わっていてもよい。
【０００６】
従来の基板処理装置１０００においては、それぞれのユニットコントローラＵＣ０および薬液コントローラＣＣ０は、制御対象となる処理ユニット等に関する制御処理のみを行い、メインコントローラＭＣ０がそれを統括する態様であったので、それぞれのコントローラごとに、個別に、それぞれの制御対象との間で情報伝達を行う必要があった。
【０００７】
そのため、特許文献１に記載された技術を用いたとしても、それぞれのブロック（基板処理装置の構成体）間を渡って設置する必要がある配線ケーブルについては、それぞれの本数分のコネクタをケーブルが通過する各ブロックに設ける必要があった。また、全てのケーブルを個別に接続する場合よりは取り外しが容易とはいえ、装置の複合化が進むにつれ、接続を要するケーブルの本数が増加し、必要なコネクタの数および種類も必然的に増加するため、特許文献１に開示された技術のみでは、組み立て作業効率の向上や接続の信頼性の維持に限界が生じることになった。
【０００８】
ケーブル長の増大は、製造コストの増加を招くことにもなった。リモートＩ／Ｏや省配線システムと呼ばれる配線本数を削減するシステム用いることで、信頼性の向上は可能であるが、コスト面では不利である。
【０００９】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、コネクタによるケーブル接続箇所を削減した、基板処理装置を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、請求項１の発明は、基板に所定の処理を行う装置であって、少なくとも１つの処理ユニットと、前記少なくとも１つの処理ユニットに基板を搬送する搬送手段と、前記少なくとも１つの処理ユニットに設けられ、当該処理ユニットの状態を検知する少なくとも１つのセンサと、前記少なくとも１つの処理ユニットと前記搬送手段とを制御する部分制御手段と、をそれぞれが備える複数の部分制御単位と、前記複数の部分制御手段を制御する主制御手段と、前記少なくとも１つのセンサからの信号に応答して、当該センサの検知対象と対応した特定の制御対象について制御を行う少なくとも１つの特定制御手段と、を備え、それぞれの前記部分制御手段と、前記主制御手段と、前記少なくとも１つの特定制御手段とがネットワーク接続されており、かつ、前記少なくとも１つのセンサは、同一の前記部分制御単位に備わる前記部分制御手段と電気的に接続されている、ことを特徴とする。
【００１１】
また、請求項２の発明は、請求項１に記載の基板処理装置であって、前記部分制御単位がそれぞれ、所定の配置関係にて隣接配置可能な収容部に収容されていることを特徴とする。
【００１２】
また、請求項３の発明は、請求項１または請求項２に記載の基板処理装置であって、前記複数の部分制御単位の少なくとも１つが、前記少なくとも１つの処理ユニットとして、基板に対し薬液を用いた処理を行う処理ユニットまたは基板を加熱または冷却する熱処理ユニットのいずれかを少なくとも１つ含むことを特徴とする。
【００１３】
【発明の実施の形態】
＜全体構成＞
図１は、本発明の実施の形態に係る基板処理装置１００の平面図である。基板処理装置１００は、半導体基板（以下、単に「基板」という）に対し、所定の回路パターンを形成するためのフォトリソグラフィー工程に係る、レジスト塗布処理、現像処理やそれらに伴う所定の熱処理、薬液処理等を担う装置である。なお、図１には、基板処理装置１００の長手方向をｘ軸方向とする水平面をｘｙ平面とし、鉛直上向きをｚ軸とする三次元座標系を付している。
【００１４】
図１に示すように、本実施の形態に係る基板処理装置１００は、インデクサブロック（ＩＤブロック）１と、反射防止膜処理ブロック（ＢＡＲＣブロック）２と、レジスト膜処理ブロック（ＳＣブロック）３と、現像処理ブロック（ＳＤブロック）４と、インタフェイスブロック（ＩＦＢブロック）５とから主に構成される。各ブロックには、それぞれ、目的とする処理を行うための処理ユニット等が収容されている。基板処理装置１００においては、これらの５つのブロックが上記の順に隣接配置されている。また、ＩＦＢブロック５の側方には、レジスト膜に対し所定の回路パターンを露光する処理を担う露光装置（ステッパ）ＳＴＰが、隣接して配置されている。各ブロックは、個別にフレーム（枠体）に組み付けられ、各ブロックのフレームを上記の順に連結することにより、基板処理装置１００が構成されている。なお、基板処理装置１００においては、図示しない所定の供給手段によって各ブロック内に清浄空気がダウンフローの状態で供給されている。これにより、各ブロック内おいて、パーティクルの巻き上がりや気流によるプロセスへの悪影響が回避される。また、各ブロック内は外部に対して若干陽圧に保たれており、パーティクルや汚染物質の侵入などを防いでいる。特に、ＢＡＲＣブロック２内の気圧はＩＤブロック１内の気圧よりも高くなるように設定されている。これにより、ＩＤブロック１内の雰囲気がＢＡＲＣブロック２に流入しないので、外部の雰囲気の影響を受けずに各処理ブロックで処理を行うことができる。
【００１５】
＜ＩＤブロック＞
ＩＤブロック１は、基板処理装置１００の外部からの未処理の基板Ｗの受け入れや、逆に処理済の基板Ｗの外部への払い出しを担う部位である。ＩＤブロック１には、所定枚数の基板Ｗを多段に収納可能なカセットＣを複数個（図１においては４個）並べて載置するカセット載置台６と、カセットＣから未処理の基板Ｗを順に取り出して後段の処理へと供するとともに、処理済の基板Ｗ受け取って再びカセットＣへと順に収納するインデクサ用搬送機構７とを備えている。
【００１６】
インデクサ用搬送機構７は、カセット載置台６にＹ軸方向に水平移動可能な可動台７ａと、可動台７ａ上にあって基板Ｗを水平姿勢で保持する保持アーム７ｂと、保持アーム７ｂの先端部分の内側に突出する複数本のピン１０ｃ（図１には３個の場合を図示）とを備えている（図２参照）。保持アーム７ｂは、Ｚ軸方向への上下移動、水平面内の旋回移動、および旋回半径方向への進退移動がそれぞれ可能に設けられている。基板Ｗは、ピン１０ｃによって水平姿勢で保持される。
【００１７】
ＩＤブロック１における基板Ｗの受け渡しについて概説する。まず、インデクサ用搬送機構７が、所定のカセットＣに対向する位置にまで水平移動する。続いて、保持アーム７ｂが昇降および進退移動することにより、そのカセットＣに収納されている未処理の基板Ｗを取り出す。保持アーム７ｂに基板Ｗを保持した状態で、インデクサ用搬送機構７が、後述する基板載置部ＰＡＳＳ１、ＰＡＳＳ２に対向する位置にまで水平移動する。そして、保持アーム７ｂ上の基板Ｗを基板払出し用の上側の基板載置部ＰＡＳＳ１に載置する。基板戻し用の下側の基板載置部ＰＡＳＳ２に処理済みの基板Ｗが載置されている場合、インデクサ用搬送機構７は、その処理済みの基板Ｗを保持アーム７ｂ上に受け取って、所定のカセットＣに処理済みの基板Ｗを収納する。以下、同様にカセットＣから未処理基板Ｗを取り出して基板載置部ＰＡＳＳ１に搬送するとともに、処理済み基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ２から受け取ってカセットＣに収納するという動作を繰り返し行う。
【００１８】
＜ＢＡＲＣブロック、ＳＣブロック、ＳＤブロック＞
図２は、基板処理装置１００の正面図である。図３は、図２と同じ方向からみた場合の、熱処理部ＴＰの配置構成を示す図である。以下、図１ないし図３に基づいて、ＢＡＲＣブロック２、ＳＣブロック３、ＳＤブロック４について説明する。
【００１９】
ＢＡＲＣブロック２は、フォトレジスト膜の下部に、ステッパＳＴＰにおける露光時に発生する定在波やハレーションを減少させるための反射防止膜を形成する処理を担う。ＢＡＲＣブロック２は、基板Ｗの表面に反射防止膜を塗布する処理を担う第１塗布処理部８と、塗布に際し必要な熱処理を行う第１熱処理部９と、第１塗布処理部８および第１熱処理部９に対して基板Ｗの受け渡しをする第１主搬送機構１０Ａとを備える。
【００２０】
ＳＣブロック３は、反射防止膜が形成された基板Ｗ上にフォトレジスト膜を形成する処理を担う。なお、本実施の形態では、フォトレジストとして化学増幅型レジストを用いる。ＳＣブロック３は、フォトレジスト膜を塗布する処理を担う第２塗布処理部１５と、塗布に際し必要な熱処理を行う第２熱処理部１６と、第２塗布処理部１５およぴ第２熱処理部１６に対して基板Ｗの受け渡しをする第２主搬送機構１０Ｂとを備える。
【００２１】
ＳＤブロック４は、ステッパＳＴＰにおいて所定の回路パターンが露光された基板Ｗに対して現像処理をする機構である。ＳＤブロック４は、現像液により現像処理を行う現像処理部３０と、現像処理に際し必要な熱処理を行う第３熱処理部３１と、現像処理部３０および第３熱処理部３１に対して基板Ｗの受け渡しをする第３主搬送機構１０Ｃとを備える。
【００２２】
以上のＢＡＲＣブロック２、ＳＣブロック３、およびＳＤブロック５においては、それぞれ、第１主搬送機構１０Ａ、第２主搬送機構１０Ｂ、および第３主搬送機構１０Ｃ（以下、これらを「主搬送機構１０」と総称する）を間に挟み、第１塗布処理部８、第２塗布処理部１５、および現像処理部３０（以下、これらを「薬液処理部ＬＰ」と総称する）が装置正面側に位置するように、そして、第１熱処理部９、第２熱処理部１６、および第３熱処理部３１（以下、これらを「熱処理部ＴＰ」と総称する）が装置背面側に位置するように配置されている。すなわち、各部においてそれぞれに所定の薬液を用いた処理を行う薬液処理部ＬＰと、各部においてそれぞれに熱処理を担う熱処理部ＴＰとが、主搬送機構１０を介在させて離間して備わるので、熱処理部ＴＰから薬液処理部ＬＰへの熱的影響が抑制される。また、本発明に係る基板処理装置１００においては、熱処理部ＴＰの正面側（主搬送機構１０側）に図示しない熱隔壁が設けられており、この熱隔壁によっても、薬液処理部ＬＰへの熱的影響が回避される態様となっている。
【００２３】
図２に示すように、薬液処理部ＬＰを構成する第１塗布処理部８、第２塗布処理部１５、および現像処理部３０においては、いずれも、複数の処理ユニットが積層配置されている。
【００２４】
第１塗布処理部８においては、３つの第１塗布処理ユニット８ａ〜８ｃが積層配置されている。第１塗布処理ユニット８ａ〜８ｃはそれぞれ、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック１１、スピンチャック１１上に保持された基板Ｗ上に反射防止膜用の塗布液を供給するノズル１２などを備えている。
【００２５】
同様に、第２塗布処理部１５においては、３つの第２塗布処理ユニット１５ａ〜１５ｃが積層配置されている。第１塗布処理ユニット１５ａ〜１５ｃはそれぞれ、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック１７、スピンチャック１７上に保持された基板Ｗ上にレジスト膜用の塗布液を供給するノズル１８などを備えている。
【００２６】
さらに、現像処理部３０においては、５つの現像処理ユニット３０ａ〜３０ｅが積層配置されている。現像処理ユニット３０ａ〜３０ｅはそれぞれ、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック３２、スピンチャック３２上に保持された基板Ｗ上に現像液を供給するノズル３３などを備えている。
【００２７】
図３に示すように、熱処理部ＴＰを構成する第１熱処理部９、第２熱処理部１６、および第３熱処理部３１においては、それぞれに、複数の処理ユニットが２列に積層配置されている。
【００２８】
第１熱処理部９においては、基板Ｗを所定の温度にまで加熟し、当該温度に保持可能な複数の加熱プレートＨＰ、基板Ｗを所定の温度にまで冷却し当該温度に保持可能な複数の冷却プレートＣＰ、基板Ｗに対するレジスト膜の密着力強化のために、ＨＭＤＳ（へキサメチルジシラザン）の蒸気雰囲気で基板Ｗを熱処理する複数のアドヒージョン処理ユニットＡＨＬが処理ユニットとして備わり、それぞれが所定の位置に積層配置されている。また、下部には、熱処理部ＴＰの各部を制御するヒータコントローラＣＯＮＴが配置されている。なお、図３中において「×」印で示した箇所は、配管配線部が備わっていたり、処理ユニットを追加するための空きスペースとして確保されている箇所であるとする。
【００２９】
同様に、第２熱処理部１６および第３熱処理部３１においても、複数の加熱プレートＨＰ、複数の冷却プレートＣＰなどが処理ユニットとして備わる。各処理ユニットが２列に積層配置されている点は、第１熱処理部９と同様である。なお、第３熱処理部３１には、後述する基板載置部ＰＡＳＳ７、ＰＡＳＳ８も備わっている。
【００３０】
なお、加熱プレートＨＰの一部は、加熱後の基板を一時的に載置するための基板仮置部１９に設けられた仮置部付加熱プレートであることが好ましい。この場合、主搬送機構１０は、加熱された基板Ｗはいったん基板仮置部１９に載置され、主搬送機構１０Ｂないし１０Ｃは、基板仮置部にアクセスして基板を受け取ることができる。加熱プレートＨＰに対して直接に基板の受け渡しをしないので、主搬送機構１０Ｂおよび１０Ｃに対する熱的影響が最小限に抑制されるという利点がある。図１には、第２熱処理部１６および第３熱処理部３１に基板仮置部１９が備わる態様を例示的に示している。
【００３１】
次に、主搬送機構１０（１０Ａ〜１０Ｃ）について説明する。なお、後述するＩＦＢブロック５に備わる第４主搬送機構１０Ｄも同様に構成されている。
【００３２】
主搬送機構１０においては、基台１０ｄ上に２個の保持アーム１０ａ、１０ｂが上下に備わっている（ただし、図１には１個のみ図示）。保持アーム１０ａ、１０ｂは、略Ｃ字状の先端部分を有しており、この先端部分の内側に突出する複数本のピン１０ｃ（図１には３個の場合を図示）によって基板Ｗを水平姿勢で保持することができる。保持アーム１０ａ、１０ｂは、図示しない駆動機構によって、水平面内の旋回移動、Ｚ軸方向の昇降移動、および旋回半径方向の進退移動が可能に構成されている。
【００３３】
＜ＩＦＢブロック＞
ＩＦＢブロック５は、基板処理装置１００と、隣接して備わるステッパＳＴＰとの間の基板Ｗの受け渡しを担う。ＩＦＢブロック５は、ステッパＳＴＰとの間で基板Ｗの受け渡しをするインタフェイス用搬送機構３５と、フォトレジストが塗布された基板Ｗの周縁部を前もって露光する２つのエッジ露光ユニットＥＥＷと、ステッパＳＴＰが基板Ｗの受け入れが出来ない場合に、一時的に基板Ｗを収納する送り用バッファＳＢＦと、露光後の基板Ｗを後段の処理部が処理できない場合に基板Ｗを収納する戻し用バッファＲＢＦと、第４主搬送機構１０Ｄとインタフェイス用搬送機構３５との間で基板Ｗの受け渡しを行う後述する基板載置部ＰＡＳＳ９、ＰＡＳＳ１０と、該エッジ露光ユニットＥＥＷとＳＤブロック４に備わる加熱プレートＨＰとに隣接し、これらに対して基板Ｗを受け渡しする第４主搬送機構１０Ｄと、を主として備えている。このうち、２つのＥＥＷ、戻し用ＲＢＦ、基板載置部ＰＡＳＳ９、ＰＡＳＳ１０は、上からこの順に積層配置されている。また、基板載置用送り用バッファＳＢＦおよび戻し用バッファＲＢＦはいずれも、複数枚の基板Ｗを多段に収納できる収納棚から構成されている。
【００３４】
エッジ露光ユニットＥＥＷは、図２に示すように、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック３６、スピンチャック３６上に保持された基板Ｗの周縁を露光する光照射器３７などを備えている。２つのエッジ露光ユニットＥＥＷは、ＩＦＢブロック５の中央部分に積層配置されている。
【００３５】
図１、図２に示すように、インタフェイス用搬送機構３５は、矢印ＡＲ２に示すように水平方向（Ｙ軸方向）に移動可能な可動台３５ａと、この可動台３５ａ上にあって基板Ｗを保持する保持アーム３５ｂとを備えている。保持アーム３５ｂは、図示しない駆動手段によって、昇降・旋回および旋回半径方向に進退移動とされている。インタフェイス用搬送機構３５の水平方向に一定の可動範囲を有しており、それぞれ所定の位置で、ステッパＳＴＰ、基板載置部ＰＡＳＳ９、ＰＡＳＳ１０、および送り用バッファＳＢＦに対する基板Ｗの受け渡しを行えるようになっている。
【００３６】
＜基板の受け渡し＞
次に、基板処理装置１００における基板Ｗの受け渡しについて、隣接するブロック間における受け渡しを中心に説明する。図１に示すように、基板処理装置１００においては、隣接するブロック同士の境界部に、互いの雰囲気を遮断することを目的とする隔壁１３がそれぞれ設けられている。そして、それぞれの隔壁１３には、基板Ｗを載置するための基板載置部ＰＡＳＳ１〜ＰＡＳＳ６が、当該隔壁１３を部分的に貫通させて、上下に２個ずつ設けられている。
【００３７】
いま、ＩＤブロック１とＢＡＲＣブロック２との間には上段側から順に基板載置部ＰＡＳＳ１、ＰＡＳＳ２が、ＢＡＲＣブロック２とＳＣブロック３との間には同様に基板載置部ＰＡＳＳ３、ＰＡＳＳ４が、ＳＣブロック３とＳＤブロック４との間には、同様にＰＡＳＳ５、ＰＡＳＳ６、それぞれ設けられている。
【００３８】
また、ＳＤブロック４とＩＦＢブロック５との間で基板Ｗを受け渡すための基板載置部ＰＡＳＳ７およびＰＡＳＳ８は、ＳＤブロック４の第３熱処理部３１に設けられている（図３参照）。さらに、上述したように、ＩＦＢブロック５には基板載置部ＰＡＳＳ９およびＰＡＳＳ１０が備わっている。これらを総称して基板載置部ＰＡＳＳと称するものとする。なお、１０個の基板載置部ＰＡＳＳ１〜ＰＡＳＳ１０は、５カ所に上下２段に設けられている。
【００３９】
＜基板処理装置の制御＞
次に基板処理装置１００の制御系と、その制御方法について説明する。図４は、基板処理装置１００の、特に薬液処理部ＬＰを構成する各部についての制御系を模式的に示す図である。
【００４０】
薬液処理部ＬＰを構成する第１塗布処理部８、第２塗布処理部１５、および現像処理部３０がそれぞれ備わる、ＢＡＲＣブロック２、ＳＣブロック３、およびＳＤブロック４には、それぞれに対応して、サブコントローラＳＣ２〜ＳＣ４が備わっている。さらに、基板処理装置１００には、各サブコントローラを統括制御するメインコントローラＭＣも備わっている。メインコントローラＭＣと各サブコントローラＳＣ２〜ＳＣ４は、ネットワークＮにより互いに接続されている。また、このネットワークＮには、所定の供給源から対象となる処理ユニットヘの薬液供給を制御する薬液コントローラＣＣも接続されている。なお、ＩＤブロック１およびＩＦＢブロック５においても、同様にサブコントローラが存在し、それぞれにネットワークＮと接続されているが、議論の簡単のためここでは省略する。
【００４１】
各サブコントローラＳＣ２〜ＳＣ４は、各ブロックに備わる処理ユニットと信号線で接続されており、この信号線を介して、各処理ユニットはサブコントローラＳＣ〜ＳＣ４に制御される。例えば、ＢＡＲＣブロック２においては、第１塗布処理部８に備わる３つの第１塗布処理ユニット８ａ〜８ｃとサブコントローラＳＣ２とが信号線ＳＬ８ａにて接続されている。ＳＣブロック３、ＳＤブロック４においても、同様に、各処理ユニットとサブコントローラＳＣ３ないしＳＣ４とが、信号線ＳＬ１５ａないしＳＬ３０ａと接続されている。なお、図２においてはＳＤユニットが５つ備わる場合を示しているが、図４においては図示の都合上３つのみ示している。また、図４においては図示しない搬送機構とサブコントローラとの間も、所定の信号線にて電気的に接続され、この信号線を介して搬送機構の制御が行われる。
【００４２】
メインコントローラＭＣは、本実施の形態に係る基板処理装置１００が設置される半導体製造行程の全体を管理する図示しないホストコンピュータとの間で通信可能に構成されている。基板処理装置１００は、あらかじめ設定されたレシピデータに従って、メインコントローラＭＣおよび各サブコントローラが各部を制御することにより動作する。各ブロック内の基板処理状況は各サブコントローラを介してメインコントローラＭＣに集められ、さらにホストコンピュータに伝達される。これにより、各ブロックの稼働状態をホストコンピュータにおいて容易に把握できるようになっている。
【００４３】
各ブロックにおいては、各サブコントローラＳＣ２〜ＳＣ４が、レシピデータの設定に従って、搬送機構と各処理ユニットの動作を制御する。すなわち、基板処理装置１００において各ブロックは、サブコントローラを部分制御手段とする部分制御単位を構成しているといえる。各サブコントローラＳＣ２〜ＳＣ４は、それぞれに対応する基板載置部ＰＡＳＳにて基板Ｗを受け取り、所定の処理ユニットヘ順次に搬送し、所定の処理がなされた基板Ｗを出口となる基板載置部ＰＡＳＳに載置することによって完結する一連の制御を、各々独立して行うようになっている。これは、各ブロックについてそれぞれ、処理ユニットあるいは基板載置部ＰＡＳＳから受け取った基板Ｗを搬送機構によってどこに搬送させるか、その際にどのようなタイミングと優先順位で搬送を実行するか、およびそれぞれの処理ユニットでどのような条件で基板Ｗを処理するか、についての情報をレシピデータとして与えることで実現される。基板Ｗの出入り口となるせいぜい４つの基板載置部ＰＡＳＳにおける基板Ｗの載置状況を参照することを除くと、隣接するブロック間における基板Ｗの受け渡しそのものを直接には制御対象としないので、あるブロックにおける動作が他のブロックに与える影響を小さくすることができる。よって、装置全体として制御が単純化されるとともに、レシピデータにおいて容易かつ柔軟な動作設定も可能である。
【００４４】
さらに、薬液処理部ＬＰを構成する各処理ユニットには、それぞれ、ユニット内の薬液の漏洩を検知するための漏液センサが設けられている。例えば、第１塗布処理ユニット８ａ〜８ｃには、図４に示すように、漏液センサＳ８がそれぞれに設けられている。同様に、第２塗布処理ユニット１５ａ〜１５ｃ、現像処理ユニット３０ａ〜３０ｅにも、それぞれ、漏液センサＳ１５、Ｓ３０が設けられている。これらの漏液センサＳ８、Ｓ１５、およびＳ３０も、それぞれが備わるブロックに対応するサブコントローラＳＣ２ないしＳＣ４と、信号線ＳＬ８ｂ、ＳＬ１５ｂ、およびＳＬ３０ｂにてそれぞれ電気的に接続されている。
【００４５】
例えば、いずれかのブロックに備わるいずれかの処理ユニットの内部にて、処理液の漏出があった場合、該処理ユニットに備わる漏液センサにてこれ検知されると、該処理ユニットが属するサブコントローラに、漏液検知信号が伝達される。該サブコントローラは、これに応答して、例えば該処理ユニットにおける処理動作の中止、他の処理ユニットヘの処理の振り替えなどの動作を制御するともに、該検知信号をネットワークＮを通じて薬液コントローラＣＣに転送する。薬液コントローラＣＣは、これに応答して、該処理ユニットヘの薬液供給の中止や全体の供給量の制限などの動作を制御する。
【００４６】
すなわち、本実施の形態の場合、メインコントローラＭＣは主としてブロック間の基板受け渡しタイミング（スケジューリング）の調整を行い、各サブコントローラが、対応する各ブロック内における搬送機構による基板Ｗの受け渡しと、ブロックに含まれる処理ユニットの動作とを、その動作状況をセンサにてモニタしつつ統括して制御していることになる。
【００４７】
これにより、従来のように、センサと薬液コントローラとを直接に結ぶ信号線は不要となるので、配線類およびコネクタ類を削減できるとともに、これらが占有していたスペースも不要となる。
【００４８】
従来の基板処理装置の場合、新たに処理ユニット等が追加されると、制御プログラムを大幅に修正する必要が生じるが、本発明の場合は、新たにブロックを追加しても、該ブロックに係るレシピデータを付加すればよく、隣接する既存のブロックの制御内容に影響を与えることはない。よって、ブロックの追加を容易かつ柔軟に行うことができる。例えば、ＳＣブロック３とＳＤブロック４４との間に、レジスト膜の厚みや線幅を検査する検査処理ユニットやブロック内の搬送を担う搬送機構とを含むブロックを追加する態様などが考えられる。また、ブロックが追加されても、ブロック間の結線作業等が煩雑になることもない。
【００４９】
＜変形例＞
上述の例では、薬液処理部ＬＰにおける漏液センサとサブコントローラとの接続についてのみ説明しているが、熱処理部ＴＰも含め、各処理ユニットにおける制御に際し必要な情報を取得するセンサ類については、同様にサブコントローラとの間で信号線を設ける態様であってよい。具体的には、薬液や純水の供給量をモニタする流量センサ、ユニット内部の温度、湿度、気圧を検知する温度センサ、湿度センサ、圧力センサ、加熱プレートＨＰや冷却プレートＣＰの温度をモニタする温度センサなど、種々のセンサに対して適用が可能である。これらのセンサからの信号は、いったんサブコントローラに送られた後、ネットワークＮを通じて温度コントローラ、圧力コントローラなど対応するコントローラへとさらに伝達されることになる。
【００５０】
【発明の効果】
以上、説明したように、請求項１ないし請求項３の発明によれば、センサからの検知信号は部分制御手段を通じて特定制御手段へと伝達されるので、センサと特定制御手段とを直接に結ぶ信号線を設ける必要がなく、配線およびコネクタの数を削減することができる。
【００５１】
また、請求項２ないし請求項３の発明によれば、結線作業を煩雑化させることなく、基板処理装置の組み立て、あるいは収容部の増設を行うことが出来る。
【図面の簡単な説明】
【図１】基板処理装置１００の平面図である。
【図２】基板処理装置１００の正面図である。
【図３】熱処理部ＴＰの配置構成を示す図である。
【図４】基板処理装置１００の、特に薬液処理部ＬＰを構成する各部についての制御系を模式的に示す図である。
【図５】従来の基板処理装置の制御系を模式的に示す図である。
【符号の説明】
８ａ〜８ｃ  第１塗布処理ユニット
１０（１０Ａ〜１０Ｄ）  （第１〜第４）主搬送機構
１３  隔壁
１５ａ〜１５ｃ  第２塗布処理ユニット
３０ａ〜３０ｅ  現像処理ユニット
１００  基板処理装置
ＡＨＬ  アドヒージョン処理ユニット
Ｃ  カセット
ＣＣ  薬液コントローラ
ＣＰ  冷却プレート
ＥＥＷ  エッジ露光ユニット
ＨＰ  加熱プレート
Ｎ  ネットワーク
ＰＡＳＳ（ＰＡＳＳ１〜ＰＡＳＳ１０）  基板載置部
Ｓ８、Ｓ１５、Ｓ３０  漏液センサ
Ｗ  基板
【図１】
2004214290.tif 000003
【図２】
2004214290.tif 000004
【図３】
2004214290.tif 000005
【図４】
2004214290.tif 000006
【図５】
2004214290.tif 000007