(57)【要約】【課題】信号光の振幅及び振幅の中心値を制御できる発光装置を提供する。【解決手段】発光装置１では、非線形光学素子５は、半導体発光素子３からの光ＬＢを受ける。受光部７は、非線形光学素子５からの光ＬＢ１を受ける受光素子１９を含んでおり、受光素子１９が受けた光ＬＢ１に応答してモニタ信号ＶＭＯＮ１を生成する。駆動部９は、消光比の関する参照値ＶＲＥＦ１とモニタ信号ＶＭＯＮ１と伝送信号ＳＴとを用いて生成される駆動信号ＶＤＲＶを生成する。キャパシタ１１は、駆動部９と半導体発光素子３との間に接続される。受光部１３は、半導体発光素子３からの光ＬＢ２を受ける受光素子２１を含む。受光部１３は、受光素子２１が受けた光ＬＢ２に応答してモニタ信号ＶＭＯＮ２を生成する。電流生成部１５は、半導体発光素子３に流れる中心電流の関する第２の参照値ＶＲＥＦ２と第２のモニタ信号ＶＭＯＮ２とを用いて電流ＩＣを生成する。電子素子１７は、電流生成部１５の電流端子１５ｂと半導体発光素子３との間に接続されている。【選択図】  図１
2004214340.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一端及び他端を有する半導体発光素子と、
前記半導体発光素子からの光を受ける非線形光学素子と、
前記非線形光学素子からの光を受ける受光素子を含んでおり第１のモニタ信号を提供する第１の受光部と、
前記第１のモニタ信号を受けるモニタ信号入力と、伝送信号を受ける伝送信号入力と、消光比を所定値に近づけるように前記第１のモニタ信号及び前記伝送信号に応答して生成された駆動信号を提供する出力とを有する駆動部と、
前記駆動部の前記出力と前記半導体発光素子の前記一端との間に結合されたキャパシタと、
前記半導体発光素子からの光を受ける受光素子を含んでおり第２のモニタ信号を提供する第２の受光部と、
前記第２のモニタ信号を受ける信号入力と、前記半導体発光素子のための中心電流を所定値に近づけるように前記第２のモニタ信号に応答して生成された電流が流れる電流端子とを有する電流生成部と、
前記電流生成部の前記電流端子と前記半導体発光素子の前記一端との間に結合された電子素子と
を備え、
前記電子素子はインダクタ及び抵抗の少なくともいずれかを含む、発光装置。
【請求項２】
前記駆動部は、消光比の関する第１の参照値と前記第１のモニタ信号とを用いて前記駆動信号を生成する、請求項１に記載の発光装置。
【請求項３】
前記電流生成部は、前記電流を、前記半導体発光素子に流れる中心電流の関する第２の参照値と前記第２のモニタ信号とを用いて生成する、請求項１又は請求項２に記載の発光装置。
【請求項４】
前記非線形光学素子は、前記非線形光学素子の入射光のパワーが単調増加するにつれて前記非線形光学素子の透過光パワーの変化率が実質的に単調に変化する光学特性を有する、請求項１〜請求項３のいずれかに記載の発光装置。
【請求項５】
非線形光学素子を介して半導体発光素子から信号光を受ける受光素子からの電気信号を受ける第１の入力端子と、
前記第１の入力端子からの電気信号を受ける入力と、前記電気信号と消光比の関する第１の参照値とに応答して生成された第１の制御信号を提供する出力とを有する第１の信号処理回路と、
前記第１の制御信号を受ける制御入力、伝送信号を受ける伝送信号入力、及び前記第１の制御信号と前記伝送信号とに応答して生成された駆動信号を提供する出力とを有する駆動回路と、
前記半導体発光素子から信号光を受ける受光素子からの電気信号を受ける第２の入力端子と、
前記第２の入力端子からの電気信号を受ける入力と、前記電気信号と前記半導体発光素子の中心電流の関する第２の参照値とに応答して生成された第２の制御信号を提供する出力とを有する第２の信号処理回路と、
前記第２の制御信号を受ける制御入力と、前記第２の制御信号に応答して生成され前記半導体発光素子のための電流が流れる端子とを有する電流回路と、
前記半導体発光素子を駆動するための駆動端子と、
前記駆動回路の前記端子と前記駆動端子との間に結合されたキャパシタと、
前記電流回路の前記出力と前記駆動端子との間に結合された電子素子と
を備え、
前記電子素子はインダクタ及び抵抗の少なくともいずれかを含む、発光素子制御回路。
【請求項６】
一端面及び他端面を有しており駆動信号に応答して光信号を発生する半導体発光素子と、
前記半導体発光素子の前記一端面からの光を受けて光電流を発生する第１の受光素子と、
前記半導体発光素子の前記一端面からの光を受ける非線形光学素子と、
前記非線形光学素子からの光を受けて光電流を発生する第２の受光素子と
を備える光モジュール。
【請求項７】
一端面及び他端面を有しており駆動信号に応答して光信号を発生する半導体発光素子と、
前記半導体発光素子の前記一端面からの光を受けて光電流を発生する第１の受光素子と、
前記半導体発光素子の前記一端面からの光を受ける受光部品と
を備え、
前記受光部品は、前記半導体発光素子からの光を受ける非線形光学素子と、前記非線形光学素子を搭載する第２の受光素子とを有する、光モジュール。
【請求項８】
半導体発光素子を駆動する方法であって、
非線形光学素子を介して半導体発光素子から受けた光の光量を示す第１の光電流信号を生成する工程と、
前記半導体発光素子から受けた光の光量を示す第２の光電流信号を生成する工程と、
中心電流の関する第２の参照値及び前記第２の光電流信号に応答する電流を電子素子を介して前記半導体発光素子に加える工程と、
消光比の関する第１の参照信号、前記第１の光電流信号及び伝送信号に応答する駆動信号をキャパシタを介して前記半導体発光素子に加える工程と
を備え、
前記電子素子はインダクタ及び抵抗の少なくともいずれかを含む、方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光モジュール、発光装置、発光素子制御回路、及び発光素子を駆動する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
特開平２００１−９４２０２号公報には、レーザダイオードの消光比を制御する方法が記載されている。この方法では、パワー／電流特性曲線の動作部分の勾配を表す値を、予め決められた対応する基準勾配値と比較するステップと、基準勾配値に適切に対応しない勾配値に応じてレーザダイオードに対する変調電流を変化させるステップとを有している。パワー／電流特性曲線はレーザダイオードによって規定されている（特許文献１参照）。
【０００３】
【特許文献１】
特開平２００１−９４２０２号公報
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記の方法では、パワー／電流特性曲線の動作部分の勾配を表す値を基準勾配値と比較している。特性曲線の勾配を処理する電気回路は、どちらかといえば煩雑である。つまり、特性曲線の勾配を示す信号を処理すること無く、半導体発光素子の発光を制御することが求められている。
【０００５】
そこで、本発明の目的は、半導体発光素子からの信号光の振幅及び該振幅の中心値を制御できる発光装置および発光素子制御回路、並びに発光素子を駆動する方法を提供することであり、また、これらのために光モジュールを提供することとする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明の一側面によれば、発光装置は、（ａ）一端及び他端を有する半導体発光素子と、（ｂ）半導体発光素子からの光を受ける非線形光学素子と、（ｃ）非線形光学素子からの光を受ける受光素子を含んでおり第１のモニタ信号を提供する第１の受光部と、（ｄ）第１のモニタ信号を受けるモニタ信号入力と、伝送信号を受ける伝送信号入力と、消光比を所定値に近づけるように第１のモニタ信号及び前記伝送信号に応答して生成された駆動信号を提供する出力とを有する駆動部と、（ｅ）駆動部の出力と半導体発光素子の一端との間に結合されたキャパシタと、（ｆ）半導体発光素子からの光を受ける受光素子を含んでおり第２のモニタ信号を提供する第２の受光部と、（ｇ）第２のモニタ信号を受ける信号入力と、半導体発光素子のための中心電流を所定値に近づけるように第２のモニタ信号に応答して生成された電流が流れる電流端子とを有する電流生成部と、（ｈ）電流生成部の電流端子と半導体発光素子の一端との間に結合された電子素子とを備える。電子素子はインダクタ及び抵抗の少なくともいずれかを含む。
【０００７】
この発光装置では、半導体発光素子からの光の消光比が変化するとき、第１のモニタ信号は、第２のモニタ信号と異なる変化を示す。第１のモニタ信号は、半導体発光素子からの光の振幅の変化に関連している。第２のモニタ信号は、半導体発光素子からの光の振幅の中心値に関連している。駆動部は、第１のモニタ信号に応答して、半導体発光素子からの光の振幅に関連する駆動信号を生成している。電流生成部は、第２のモニタ信号に応答して、半導体発光素子からの光の振幅の中心に関連する電流を生成している。
【０００８】
本発明の発光装置では、駆動部は、消光比の関する第１の参照値と前記第１のモニタ信号とを用いて前記駆動信号を生成するようにしてもよい。本発明の発光装置では、駆動部は、消光比の関する第１の参照値を受ける参照入力を更に有することができる。駆動部は、第１のモニタ信号及び第１の参照値に応答して駆動信号を生成する。この発光装置では、参照入力に受ける第１の参照値に応じて、信号光の振幅値が変更される。
【０００９】
本発明の発光装置では、電流生成部は、半導体発光素子に流れる中心電流の関する第２の参照値と第２のモニタ信号とを用いて該電流を生成するようにしてもよい。本発明の発光装置では、電流生成部は、半導体発光素子に流れる中心電流の関する第２の参照値を受ける参照入力を更に有することができる。電流生成部は、第２のモニタ信号及び第２の参照値に応じた値を有する電流を生成する。この発光装置では、参照入力に受ける第２の参照値に応じて、信号光の振幅の中心値が変更される。
【００１０】
本発明の発光装置では、非線形光学素子は、非線形光学素子の入射光のパワーが単調増加するにつれて非線形光学素子の透過光パワーの変化率が実質的に単調に変化する光学特性を有することが好ましい。半導体発光素子からの光のパワーの変化に対する第１のモニタ信号の値の変化率は、第２のモニタ信号の変化率と異なるものになる。
【００１１】
本発明の別の側面によれば、発光素子制御回路は、（ａ）非線形光学素子を介して半導体発光素子から信号光を受ける受光素子からの電気信号を受ける第１の入力端子と、（ｂ）第１の入力端子からの電気信号を受ける入力と、該電気信号と消光比の関する第１の参照値とに応答して生成された第１の制御信号を提供する出力とを有する第１の信号処理回路と、（ｃ）第１の制御信号を受ける制御入力、伝送信号を受ける伝送信号入力、及び第１の制御信号と伝送信号とに応答して生成された駆動信号を提供する出力とを有する駆動回路と、（ｄ）半導体発光素子から信号光を受ける受光素子からの電気信号を受ける第２の入力端子と、（ｅ）第２の入力端子からの電気信号を受ける入力と、該電気信号と半導体発光素子の中心電流の関する第２の参照値とに応答して生成された第２の制御信号を提供する出力とを有する第２の信号処理回路と、（ｆ）第２の制御信号を受ける制御入力と、第２の制御信号に応答して生成され半導体発光素子のための電流が流れる端子とを有する電流回路と、（ｇ）半導体発光素子を駆動するための駆動端子と、（ｈ）駆動回路の出力と駆動端子との間に結合されたキャパシタと、（ｉ）電流回路の出力と駆動端子との間に結合された電子素子とを備える。電子素子はインダクタ及び抵抗の少なくともいずれかを含む。
【００１２】
この発光素子制御回路では、半導体発光素子が発生する信号光の振幅は、第１の制御信号から生成された駆動信号により調整される。半導体発光素子が発生する光信号の振幅の中心は、第２の制御信号から生成された電流の値により調整される。
【００１３】
本発明の発光素子制御回路では、第１の信号処理回路は、第１の参照値を規定する電圧を生成する電圧源に電気的に接続されている。本発明の発光素子制御回路では、第１の信号処理回路は、消光比の関する第１の参照値を受ける参照入力を更に有することができる。この発光素子制御回路では、参照入力に受ける第１の参照値に応じて、消光比が変更される。
【００１４】
本発明の発光素子制御回路では、第２の信号処理回路は、第２の参照値を規定する電圧を生成する電圧源に電気的に接続されている。本発明の発光素子制御回路では、第２の信号処理回路は、半導体発光素子に流れる中心電流の関する第２の参照値を受ける参照入力を更に有することができる。第２の信号処理回路は、第２のモニタ信号及び第２の参照値に応じた値を有する第２の制御信号を生成する。この発光素子制御回路では、参照入力に受ける第２の参照値に応じて、信号光の振幅の中心値が変更される。
【００１５】
本発明の発光素子制御回路の好適な形態では、第１のモニタ信号は、受光量の変化に伴って実質的に単調に変化する第１の特性線を示すものであり、第２のモニタ信号は、受光量の変化に伴って実質的に単調に変化する第２の特性線を示すものであり、第１の特性線の二次微係数の絶対値は第２の特性線の二次微係数の絶対値より大きい。この発光素子制御回路によれば、信号光の振幅の中心点と信号光の振幅とが変化する信号光に対して、消光比が所定値に近づく向きに半導体発光素子の駆動を調整できる。
【００１６】
本発明の光モジュールは、（ａ）一端面及び他端面を有しており、駆動信号に応答して光信号を発生する半導体発光素子と、（ｂ）半導体発光素子の一端面からの光を受けて光電流を発生する第１の受光素子と、（ｃ）半導体発光素子の一端面からの光を受ける非線形光学素子と、（ｄ）非線形光学素子からの光を受けて光電流を発生する第２の受光素子とを備える。
【００１７】
本発明の光モジュールは、（ａ）一端面及び他端面を有しており、駆動信号に応答して光信号を発生する半導体発光素子と、（ｂ）半導体発光素子の一端面からの光を受けて光電流を発生する第１の受光素子と、（ｃ）半導体発光素子の一端面からの光を受ける受光部品とを備える。受光部品は、半導体発光素子からの光を受ける非線形光学素子と、非線形光学素子を搭載する第２の受光素子とを有することができる。
【００１８】
これらの光モジュールでは、半導体発光素子からの光の消光比が変化するとき、第１の受光素子からの第１の電気信号は、第２の受光素子からの第２の電気信号と異なる変化を示す。第１の電気信号は、半導体発光素子からの光の振幅の中心値に関連している。第２の電気信号は、半導体発光素子からの光の振幅の変化に関連している。第１の電気信号は、半導体発光素子の信号光の振幅の中心を調整する信号を生成するために利用される。第２の電気信号は、半導体発光素子の信号光の振幅を調整する信号を生成するために利用される。
【００１９】
本発明の更なる側面は、半導体発光素子を駆動する方法である。この方法は、（ａ）非線形光学素子を介して半導体発光素子から受けた光の光量を示す第１の光電流信号を生成する工程と、（ｂ）半導体発光素子から受けた光の光量を示す第２の光電流信号を生成する工程と、（ｃ）中心電流の関する第２の参照値及び第２の光電流信号に応答する電流を電子素子を介して半導体発光素子に加える工程と、（ｄ）消光比の関する第１の参照信号、第１の光電流信号及び伝送信号に応答する駆動信号をキャパシタを介して半導体発光素子に加える工程とを備える。電子素子はインダクタ及び抵抗の少なくともいずれかを含む。
【００２０】
この方法では、半導体発光素子からの光の消光比が変化するとき、第１の光電流信号は、第２の光電流信号と異なる変化を示す。第１の光電流信号は、半導体発光素子からの光の振幅の中心値に関連している。第２の光電流信号は、半導体発光素子からの光の振幅の変化に関連している。第１の光電流信号に応答して、半導体発光素子の信号光の振幅の中心に関連する電流が生成される。第２のモニタ信号に応答して、半導体発光素子からの光の振幅に関連する駆動信号が生成される。
【００２１】
本発明の上記の目的および他の目的、特徴、並びに利点は、添付図面を参照して進められる本発明の好適な実施の形態の以下の詳細な記述から、より容易に明らかになる。
【００２２】
【発明の実施の形態】
本発明の知見は、例示として示された添付図面を参照して以下の詳細な記述を考慮することによって容易に理解できる。引き続いて、本発明の実施の形態の光モジュールを図面を参照しながら説明する。可能な場合には、同一及び類似の部分には同一の符号を付する。
（第１の実施の形態）
図１は、本実施の形態に係る発光装置の構成を示す図面である。図１を参照すると、発光装置１は、半導体発光素子３と、非線形光学素子５と、第１の受光部７と、駆動部９と、キャパシタ１１と、第２の受光部１３と、電流生成部１５と、電子素子１７とを備える。半導体発光素子３は、一端面３ｃ及び他端面３ｄを有する。非線形光学素子５は、半導体発光素子３の一端面からの光ＬＢを受ける。第１の受光部７は、非線形光学素子５からの光ＬＢ１を受ける受光素子１９を含む。第１の受光部７は、受光素子１９が受けた光ＬＢ１に応答して第１のモニタ信号ＶＭＯＮ１を生成する。第１の受光部７は、第１のモニタ信号ＶＭＯＮ１を提供する出力７ａを有する。駆動部９は、消光比の関する第１の参照値ＶＲＥＦ１と第１のモニタ信号ＶＭＯＮ１と伝送信号ＳＴとに応答して生成されており半導体発光素子３を駆動するための駆動信号ＶＤＲＶを生成する。駆動部９は、モニタ信号入力９ａと、伝送信号入力９ｂと、出力９ｃとを有する。モニタ信号入力９ａは、第１のモニタ信号ＶＭＯＮ１を受ける。伝送信号入力９ｂは、伝送信号ＳＴを受ける。出力９ｃは、半導体発光素子を駆動するための駆動信号ＶＤＲＶを提供する。キャパシタ１１は、駆動部９の出力９ｃと半導体発光素子３の一端３ａとの間に電気的に接続されている。第２の受光部１３は、半導体発光素子３の一端面３ｃからの光ＬＢ２を受ける受光素子２１を含む。第２の受光部１３は、受光素子２１が受けた光ＬＢ２に応答して第２のモニタ信号ＶＭＯＮ２を生成する。第２の受光部１３は、第２のモニタ信号ＶＭＯＮ２を提供する出力１３ａを有する。電流生成部１５は、第２のモニタ信号ＶＭＯＮ２を受ける信号入力１５ａを有する。電流生成部１５は、半導体発光素子３に流れる中心電流の関する第２の参照値ＶＲＥＦ２と第２のモニタ信号ＶＭＯＮ２とを用いて電流ＩＣを生成する。電流生成部１５は、電流ＩＣが流れる電流端子１５ｂを有する。電子素子１７は、電流生成部１５の出力１５ｂと半導体発光素子３の一端３ａとの間に電気的に接続されている。電子素子１７はインダクタ及び抵抗の少なくともいずれかを含む。例示的に示せば、キャパシタ１１のキャパシタンスは、０．０１〜１０マイクロファラッド程度であり、電子素子１７のインダクタンスは、０．０１〜１０マイクロヘンリ程度であり、電子素子１７の抵抗値は、１００〜１０００キロオーム程度である。
【００２３】
この発光装置１では、半導体発光素子３からの光ＬＢの消光比が変化するとき、第１のモニタ信号ＶＭＯＮ１は、第２のモニタ信号ＶＭＯＮ２と異なる変化を示す。第１のモニタ信号ＶＭＯＮ１は、半導体発光素子３からの光ＬＢの振幅の変化に関連している。第２のモニタ信号ＶＭＯＮ２は、半導体発光素子３からの光ＬＢの振幅の中心値に関連している。駆動部９は、第１のモニタ信号ＶＭＯＮ１に応答して、半導体発光素子３の信号光の振幅に関連する駆動信号ＶＤＲＶを生成している。電流生成部１５は、第２のモニタ信号ＶＭＯＮ２に応答して、半導体発光素子３からの光ＬＢの振幅の中心に関連する電流ＩＣを生成している。
【００２４】
発光装置１では、駆動部９は、消光比の関する第１の参照値ＶＲＥＦ１を受ける参照入力９ｄを更に有することができる。駆動部９は、第１のモニタ信号ＶＭＯＮ１及び第１の参照値ＶＲＥＦ１に応答して駆動信号ＶＤＲＶを生成する。この発光装置１では、第１の参照値ＶＲＥＦ１に応じて信号光の振幅値が変更される。また、駆動部９の参照入力９ｄは、第１の参照値ＶＲＥＦ１を生成する参照信号回路２５に電気的に接続されることができる。
【００２５】
発光装置１では、電流生成部１５は、半導体発光素子３に流れる中心電流の関する第２の参照値ＶＲＥＦ２を受ける参照入力１５ｃを更に有することができる。電流部１５は、第２のモニタ信号ＶＭＯＮ２及び第２の参照値ＶＲＥＦ２に応じた値を有する電流ＩＣを生成する。この発光装置１では、第２の参照値ＶＲＥＦ２に応じて、信号光の振幅の中心値が変更される。また、電流部１５の参照入力１５ｃは、第２の参照値ＶＲＥＦ２を生成する参照信号回路２７に電気的に接続されることができる。
【００２６】
発光装置１では、半導体発光素子からの光のパワーの変化に対する第１のモニタ信号の値の変化率は、第２のモニタ信号の変化率と異なるものになる。
【００２７】
図２（Ａ）は、非線形光学素子を介すること無く光を受ける受光素子の特性を示すグラフである。図２（Ｂ）は、非線形光学素子を介して光を受ける受光素子の特性を示すグラフである。図２（Ａ）及び図２（Ｂ）において、横軸は半導体発光素子からの入力光のパワーを示しており、縦軸は受光素子の出力特性を示す。図２（Ａ）を参照すると、受光素子は、実質的に線形な入力出力特性を示す。結果的に、受光素子の出力は、半導体発光素子３の出力光のパワーにほぼ正比例している。図２（Ｂ）を参照すると、非線形光学素子と受光素子との組合せ系は、非線形な入力出力特性を示す。図２（Ｂ）に示される系では、非線形光学素子５は、非線形光学素子５の入射光（光ＬＢの一部）のパワーが単調に変化するときに、非線形光学素子５の透過光パワーの変化率が実質的に単調に変化する光学特性を有する。具体的に言及すれば、図２（Ｂ）に示される系では、非線形光学素子５の入射光（光ＬＢの一部）のパワーが単調に増加するときに、非線形光学素子５の透過光パワーは単調に増加している。
【００２８】
図１を参照すると、第１の受光部７は、Ｉ−Ｖ変換部２９を更に備える。Ｉ−Ｖ変換部２９は、受光素子１９の出力１９ａからの光電流ＩＰ１を受ける入力２９ａと、第１のモニタ信号ＶＭＯＮ１を提供する出力２９ｂとを有する。Ｉ−Ｖ変換部２９は、光電流ＩＰ１を電圧信号ＶＰ１に変換すると共に、増幅された電圧信号ＶＭＯＮ１を出力２９ｂに提供する。
【００２９】
駆動部９は、比較部３１を更に備えることができる。比較部３１は、第１の入力３１ａ、第２の入力３１ｂ及び比較出力３１ｃを有する。第１の入力３１ａは、第１のモニタ信号ＶＭＯＮ１を受ける。第２の入力３１ｂは、第１の参照値ＶＲＥＦ１を受ける。比較部３１は、第１のモニタ信号ＶＭＯＮ１を第１の参照値ＶＲＥＦ１と比較して、第１のモニタ信号ＶＭＯＮ１と第１の参照値ＶＲＥＦ１との差を示す比較信号ＶＣＯＭＰ１を生成する。この比較信号ＶＣＯＭＰ１は、第１のモニタ信号ＶＭＯＮ１と第１の参照値ＶＲＥＦ１とのいずれが大きいかに関する情報及びその差の大きさに関する情報を含んでいる。比較信号ＶＣＯＭＰ１は、出力３１ｃに提供される。
【００３０】
駆動部９は、電流源部３３を更に備えることができる。電流源部３３は、入力３３ａ及び電流端子３３ｂを有する。入力３３ａは、比較信号ＶＣＯＭＰ１を受ける。電流源部３３は、比較信号ＶＣＯＭＰ１に応答して変調部３５に流れる変調信号ＩＭを生成する。変調信号ＩＭは、電流端子３３ｂを介して出力される。
【００３１】
駆動部９は、変調部３５を更に備えることができる。変調部３５は、電流端子３５ａ、入力３５ｂ及び出力３５ｃを有する。入力３５ｂは、伝送信号ＳＴを受ける。出力３５ｃは、駆動信号ＶＤＲＶを提供する。変調部３５は、変調信号ＩＭ及び伝送信号ＳＴに応答して駆動信号ＶＤＲＶを生成する。
【００３２】
図１を参照すると、電流生成部１５は、比較部３７を備えることができる。比較部３７は、第１の入力３７ａ、第２の入力３７ｂ及び比較出力３７ｃを有する。第１の入力３７ａは、第２のモニタ信号ＶＭＯＮ２を受ける。第２の入力３７ｂは、第２の参照値ＶＲＥＦ２を受ける。比較部３７は、第２のモニタ信号ＶＭＯＮ２を第２の参照値ＶＲＥＦ２と比較して、第２のモニタ信号ＶＭＯＮ２と第２の参照値ＶＲＥＦ２との差を示す比較信号ＶＣＯＭＰ２を生成する。この比較信号ＶＣＯＭＰ２は、第２のモニタ信号ＶＭＯＮ２と第２の参照値ＶＲＥＦ２とのいずれが大きいかに関する情報及びその差の大きさに関する情報を含んでいる。比較信号ＶＣＯＭＰ２は、出力３７ｃに提供される。
【００３３】
電流生成部１５は、電流源３９を備えることができる。電流源部３９は、入力３９ａ及び電流端子３９ｂを有する。入力３９ａは、比較信号ＶＣＯＭＰ１を受ける。電流源部３９は、比較信号ＶＣＯＭＰ１に応答して半導体発光素子３に流れる電流ＩＣを生成する。電流ＩＣは、電流端子３９ｂを介して流れる。
【００３４】
半導体発光素子３は、受光素子１９及び２１と光学的に結合している一端面３ｃと、光導波路４１と光学的に結合される他端面３ｄとを有する。他端面３ｄからの光ＬＦは、光モジュール４３の光学系を介して光導波路４１に入力する。
【００３５】
本実施の形態の発光装置によれば、半導体発光素子からの信号光の振幅及び振幅の中心値を制御できる。
（第２の実施の形態）
図３は、本実施の形態に係る発光素子制御回路を示す図面である。図３を参照すると、発光素子制御回路５１は、第１の入力端子５３と、第１の信号処理回路５５と、駆動回路５７と、第２の入力端子５９と、第２の信号処理回路６１と、電流回路６３と、駆動端子６５と、キャパシタ６７と、電子素子６９とを備える。電子素子６９はインダクタ及び抵抗の少なくともいずれかを含む。
【００３６】
発光素子制御回路５１では、第１の入力端子５３は、非線形光学素子５を介して半導体発光素子３から信号光ＬＢ１を受ける受光素子１９からの電流信号ＩＰ１を受ける。第１の信号処理回路５５は、入力５５ａ及び出力５５ｂを有する。入力５５ａは、第１の入力端子５３からの電気信号を受ける。出力５５ｂは、第１の制御信号ＶＣＯＮ１を提供する。第１の信号処理回路５５は、消光比の関する第１の参照値と電流信号ＩＰ１とに応答して第１の制御信号ＶＣＯＮ１を生成する。駆動回路５７は、制御入力５７ａ、伝送信号入力５７ｂ及び出力５７ｃを有する。制御入力５７ａは、第１の制御信号ＶＣＯＮ１を受ける。伝送信号入力５７ｂは、伝送信号ＳＴを受ける。駆動回路５７は、第１の制御信号ＶＣＯＮ１と伝送信号ＳＴとに応答して生成された駆動信号ＶＤＲＶを生成する。出力５７ｃは、駆動信号ＶＤＲＶを提供する。
【００３７】
第２の入力端子５９は、半導体発光素子３から信号光ＬＢ２を受ける受光素子２１からの電流信号ＩＰ２を受ける。第２の信号処理回路６１は、入力６１ａと出力６１ｂとを有する。入力６１ａは、第２の入力端子５９からの電流信号ＩＰ２を受ける。第２の信号処理回路６１は、電流信号ＩＰ２に応答して生成された第２のモニタ信号ＶＭＯＮ２と半導体発光素子３に流れる中心電流の関する第２の参照値ＶＲＥＦ２とに応答して生成された第２の制御信号ＶＣＯＮ２を生成する。出力６１ｂは第２の制御信号ＶＣＯＮ２を提供する。電流回路６３は、制御入力６３ａ及び電流端子６３ｂを有する。制御入力６３ａは第２の制御信号ＶＣＯＮ２を受ける。電流回路６３は、第２の制御信号ＶＣＯＮ２に応答して生成されており半導体発光素子３に流れる電流ＩＣを生成する。電流端子６３ｂには電流ＩＣが流れる。
【００３８】
駆動端子６５を、半導体発光素子３を駆動する信号が通過する。キャパシタ６７は、駆動回路５７の出力５７ｃと駆動端子６５との間に結合されている。電子素子６９は、電流回路６３の出力６３ｂと駆動端子６５との間に結合されている。電子素子６９は、インダクタ及び抵抗の少なくともいずれかを含む。
【００３９】
この発光素子制御回路５１は、半導体発光素子３が発生する信号光ＬＢの振幅を、第１の制御信号ＶＣＯＮ１から生成された駆動信号ＶＤＲＶにより調整できる。半導体発光素子３が発生する光信号の振幅の中心を、第２の制御信号ＶＣＯＮ２から生成された電流の値により調整できる。
【００４０】
発光素子制御回路５１は、第１の参照値ＶＲＥＦ１を規定する電圧を生成する電圧源７３を更に備えることができる。電圧源７３の出力は、第１の信号処理回路５５に電気的に接続されている。一実施例では、電圧源７３は、直列に接続された２つの抵抗７３ａ及び７３ｂを含む。電圧源７３では、第１の参照値ＶＲＥＦ１の電圧は、２つの抵抗７３ａ及び７３ｂの接続点７３ｃに生成される。また、発光素子制御回路５１では、第１の信号処理回路５５は、消光比の関する第１の参照値ＶＲＥＦ１を受ける参照入力５５ｃを有することができる。この発光素子制御回路５１では、参照入力５５ｃに受ける第１の参照値ＶＲＥＦ１及び第１のモニタ信号ＶＭＯＮ１に応じて、消光比が調整される。発光素子制御回路５１は端子７７を備えており、端子７７は、第１の信号処理回路５５の参照入力５５ｃ及び電圧源７３に接続されている。
【００４１】
発光素子制御回路５１は、第２の参照値ＶＲＥＦ２を規定する電圧を生成する電圧源７５を更に備えることができる。電圧源７５の出力は、第２の信号処理回路６１に電気的に接続されている。一実施例では、電圧源７５は、直列に接続された２つの抵抗７５ａ及び７５ｂを含む。電圧源７５では、第２の参照値ＶＲＥＦ２の電圧は、２つの抵抗７５ａ及び７５ｂの接続点７５ｃに生成される。また、発光素子制御回路５１では、第２の信号処理回路６１は、振幅中央値の関する第２の参照値ＶＲＥＦ２を受ける参照入力６１ｃを有することができる。この発光素子制御回路５１では、参照入力６１ｃに受ける第２の参照値ＶＲＥＦ２及び第２のモニタ信号ＶＭＯＮ２に応じて、振幅中央値が調整される。発光素子制御回路５１は端子７９を備えており、端子７９は、第２の信号処理回路６１の参照入力６１ｃ及び電圧源７３に接続されている。
【００４２】
好適な実施例では、受光素子１９は、アノード及びカソードを有するフォトダイオードといった半導体受光素子であり、半導体発光素子３は、アノード及びカソードを有するファブリペロー半導体レーザ及びＤＦＢ半導体レーザといった半導体レーザ素子及び半導体光増幅器であり、受光素子２１は、フォトダイオードといった半導体受光素子である。受光素子１９の一端１９ｂは、電源線に接続されている。受光素子２１の一端２１ｂは、電源線に接続されている。半導体発光素子３の一端３ｂは、電源線に接続されている。
【００４３】
図２（Ａ）及び図２（Ｂ）に示されるように、発光素子制御回路５１の好適な形態では、受光素子１９からの電気信号（例えば、光電流）は、受光量の変化に伴って実質的に単調に変化する第１の特性線Ｃ１９を示すものであり、受光素子２１からの電気信号（例えば、光電流）は、受光量の変化に伴って実質的に単調に変化する第２の特性線Ｃ２１を示すものである。図２（Ａ）及び図２（Ｂ）に示されるように、第１の特性線の変化率の二次微係数は第２の特性線の二次微係数の絶対値より大きい。発光素子制御回路５１によれば、信号光の振幅の中心点を変化すること無く信号光の振幅が変化する信号光の変化に対しても、消光比が所定値に近づく向きに、半導体発光素子３の駆動を調整できる。
【００４４】
本実施の形態の発光素子制御回路によれば、半導体発光素子からの信号光の振幅及び振幅の中心値を制御できる。
【００４５】
発光素子制御回路５１について詳述すれば、第１の信号処理回路５５は、電流電圧変換器５５ｄ、増幅器５５ｅ、バイアス源５５ｆ、及び比較器５５ｇを有する。電流電圧変換器５５ｄは、オペアンプと、オペアンプの負入力と出力との間に接続されたキャパシタ及び抵抗とを備える。オペアンプの正入力には、バイアス源５５ｆが接続されている。増幅器５５ｅは、オペアンプと、オペアンプの負入力と出力との間に接続された抵抗と、オペアンプの負入力に接続された抵抗とを有する。オペアンプの正入力には、バイアス源５５ｆが接続されている。比較器５５ｇは、オペアンプと、オペアンプの負入力と出力との間に接続された抵抗と、オペアンプの負入力に接続された抵抗とを有する。オペアンプの正入力は、バイアスノード７３ｃに接続されている。
【００４６】
第２の信号処理回路６１は、電流電圧変換器６１ｄ、増幅器６１ｅ、バイアス源６１ｆ、及び比較器６１ｇを有する。電流電圧変換器６１ｄは、オペアンプと、オペアンプの負入力と出力との間に接続されたキャパシタ及び抵抗とを備える。オペアンプの正入力には、バイアス源６１ｆが接続されている。増幅器６１ｅは、オペアンプと、オペアンプの負入力と出力との間に接続された抵抗と、オペアンプの負入力に接続された抵抗とを有する。オペアンプの正入力には、バイアス源６１ｆが接続されている。比較器６１ｇは、オペアンプと、オペアンプの負入力と出力との間に接続された抵抗と、オペアンプの負入力に接続された抵抗とを有する。オペアンプの正入力は、バイアスノード７５ｃに接続されている。
【００４７】
駆動回路５７は差動回路を備える。差動回路は、電流源トランジスタ５７ｄと、差動対トランジスタ５７ｅと、差動対トランジスタ５７ｅの各々に接続された負荷５７ｆとを備える。差動対トランジスタ５７ｅの制御端子は、伝送信号ＳＴを受ける。電流源トランジスタ５７ｄの制御端子は制御信号ＶＣＯＮ１を受ける。
【００４８】
電流回路６３は、電流源トランジスタ６３ｃを備える。電流源トランジスタ６３ｃの制御入力は、制御信号ＶＣＯＮ２を受ける。
【００４９】
本実施の形態の回路は、トランジスタ、オペアンプ及び差動回路といった能動素子と、インダクタ、抵抗及びキャパシタといった受動部品とを用いるアナログ回路で構成されている。故に、回路構成が簡素である。
（第３の実施の形態）
図１に示された発光装置１及び図２に示された発光素子制御回路５１において、半導体発光素子の発光を制御する過程を説明する。
【００５０】
まず、非線形光学素子５は、非線形光学素子５の入射光（光ＬＢの一部）を受ける入力部５ａと、透過光ＬＢ１を提供する出力部５ｂとを有する。非線形光学素子５は、例えば、非線形光学材料から構成された変換デバイス５ｃを含む。非線形光学材料としては、周期分極反転（ＰＰ：Ｐｅｒｉｏｄｉｃａｌｌｙ  Ｐｏｌｅｄ）非線形光学材料が好適であり、例えば、チタン・リン酸カリウム（ＫＴＰ）、バリウムホウ素酸化物（ＢＢＯ）、リチウム・ホウ素酸化物（ＬＢＯ）又はニオブ酸リチウム（ＬＮ：Ｌｉｔｈｉｕｍ  Ｎｉｏｂａｔｅ）等の無機系非線形光学材料や、ポリジアセチレン等の有機性非線形光学材料等を用いることができる。
【００５１】
図４は、非線形光学結晶を含む非線形光学素子５の光学特性を示すグラフである。横軸は非線形光学素子への入力光のパワーを示しており、縦軸は非線形光学素子の出力光のパワーを示している。一実施例では、半導体発光素子からの入力光の波長成分（λ１）は、非線形光学素子の出力光の波長成分（λ２）とは異なっている。一実施例では、入力光の波長（λ１）は、出力光の波長（λ２）より長い。半導体発光素子においては、必要に応じて、モニタ光を提供する端面の光透過率を変更することができる。
【００５２】
図５は、半導体発光素子が発生する光信号Ｌを示す図面である。縦軸は光パワーを示しており、横軸は時間を示している。光信号Ｌは、信号の振幅Ａｍ及び振幅の中心値Ａｃを有しており、ディジタル値を有する信号である。図６（Ａ）及び図６（Ｂ）、図７（Ａ）及び図７（Ｂ）、図８（Ａ）及び図８（Ｂ）は、それぞれ、光信号の消光比が異なる信号光を受けた受光素子からの出力を示している。
【００５３】
図６（Ａ）は、信号光Ｌの振幅が通常値であるときの受光素子２１の出力特性を示す図面である。図６（Ｂ）は、信号光Ｌの振幅が通常値であるときの受光素子１９の出力特性を示す図面である。光信号Ｌは、振幅Ａｍ１及び振幅の中心値Ａｃを有している。受光素子２１は、光パワーＰ１に対応する電気信号を出力する。受光素子１９は、光パワーＱ１に対応する電気信号を出力する。出力全振幅は△Ｑ１の２倍である。
【００５４】
図７（Ａ）は、信号光Ｌの振幅が通常値よりも大きい振幅であるときの受光素子２１の出力特性を示す図面である。図７（Ｂ）は、信号光Ｌの振幅が通常値よりも大きい振幅であるときの受光素子１９の出力特性を示す図面である。光信号Ｌは、振幅Ａｍ２及び振幅の中心値Ａｃを有している。受光素子２１は、光パワーＰ２に対応する電気信号を出力する。受光素子１９は、光パワーＱ２に対応する電気信号を出力する。出力全振幅は△Ｑ２の２倍である。
【００５５】
図８（Ａ）は、信号光Ｌの振幅が通常値よりも小さい振幅であるときの受光素子２１の出力特性を示す図面である。図８（Ｂ）は、信号光Ｌの振幅が通常値よりも小さい振幅であるときの受光素子１９の出力特性を示す図面である。光信号Ｌは、振幅Ａｍ３及び振幅の中心値Ａｃを有している。受光素子２１は、光パワーＰ３に対応する電気信号を出力する。受光素子１９は、光パワーＱ３に対応する電気信号を出力する。出力全振幅は△Ｑ３の２倍である。
【００５６】
図６（Ａ）〜図８（Ｂ）を参照すると、振幅値が変化するとき、受光素子１９に関する値Ｑ１、Ｑ２、Ｑ３の変化は、受光素子２１に関する値Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３の変化と異なる。この違いは、非線形光学素子の非線形性のために生じている。また、受光素子１９に関する値Ｑ１、Ｑ２、Ｑ３は、振幅の変化に応答して変化している。故に、受光素子１９からの信号は、光信号の振幅の変化に関する情報を含む。したがって、受光素子１９からの信号を利用して光信号の振幅を制御できる。
【００５７】
一方、受光素子２１に関する値Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３は、振幅の中心値の変化に応答して変化する。図６（Ａ）、図７（Ａ）及び図８（Ａ）に示されるように、振幅の中心値が変化しないときには値Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３も変化しないが、振幅の中心値が変化するときには値Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３が変化する。故に、受光素子２１からの信号は、光信号の振幅の中心値の変化に関する情報を含んでいる。したがって、受光素子２１からの信号を利用して光信号の振幅の中心値を制御できる。
（第４の実施の形態）
図９は、光モジュールの主要な構成部品を示す図面である。図１０は、光モジュールを示す図面である。
【００５８】
図９及び図１０を参照すると、光モジュールは、半導体発光素子３と、第１の受光素子１９と、非線形光学素子５と、第２の受光素子２１とを備える。半導体発光素子３は、一端面３ｃ及び他端面３ｄを有している。半導体発光素子３は、駆動信号に応答して光信号ＬＦ及びＬＢを発生する。受光素子２１は、半導体発光素子３の一端面３ｃからの光を受けて光電流ＩＰ２を発生する。非線形光学素子５は、半導体発光素子３の一端面３ｃからの光を受ける。受光素子１９は、非線形光学素子からの光を受けて光電流ＩＰ１を発生する。
【００５９】
光モジュール９１ａでは、半導体発光素子３からの光の消光比が変化するとき、受光素子２１からの光電流ＩＰ２は、受光素子１９からの電気信号ＩＰ１と異なる変化を示す。光電流ＩＰ２は、半導体発光素子３からの光の振幅の中心値に関連している。光電流ＩＰ１は、半導体発光素子３からの信号光ＬＦ及びＬＢの振幅の変化に関連している。光電流ＩＰ２は、半導体発光素子３の信号光ＬＦ及びＬＢの振幅の中心を調整する信号を生成するために利用される。光電流ＩＰ１は、半導体発光素子３の信号光ＬＦ及びＬＢの振幅を調整する信号を生成するために利用される。
【００６０】
図１１（Ａ）は、受光部品のコンポーネントを示す図面である。図１１（Ｂ）は、受光部品を示す図面である。図１１（Ａ）を参照すると、受光部品８９は、受光半導体装置８７と、非線形光学素子５とを備える。受光半導体装置８７は、主面８７ａ上に受光素子１９及び２１を有する。受光半導体装置８７は、非線形光学素子５を主面８７ａに搭載している。非線形光学素子５は受光素子１９に対して位置決めされている。受光部品８９では、非線形光学素子５を通過する光は、受光素子１９に入射する。受光素子２１に入射する光は、非線形光学素子５を通過しない。受光部品８９を用いると、半導体発光素子３と受光部品８９との光学的な位置合わせが容易になる。
【００６１】
再び図９及び図１０を参照すると、光モジュール９１ａは、導電性のステムといった搭載部品９３を備える。搭載部品９３は、所定の軸Ａｘに交差する方向に伸びる搭載面９３ａ及び対向面９３ｂを有する。搭載部品９３は、搭載面９３ａに凹み部９３ｄを有する。凹み部９３ｄは、搭載面９３ａに対して傾斜する底面９３ｅを有する。底面９３ｅ上には、受光部品８９が搭載されている。底面９３ｅが傾斜しているため、受光半導体装置８７及び非線形光学素子５の反射光が、半導体発光素子３に戻ることを防止している。搭載部品９３の搭載面９３ａ上には、支持台９３ｆを有する。支持台９３ｆは、搭載面９３ａに交差する方向に伸びる面に沿って伸びる搭載面９３ｇを有する。搭載面９３ｇ上には、半導体発光素子３が、ヒートシンクといった搭載部材９５を介して搭載されている。搭載部品９３は、搭載面９３ａから対向面９３ｂに伸びるいくつかの貫通孔９３ｃを有している。各貫通孔９３ｃは、所定の軸Ａｘに交差する方向に伸びている。各貫通孔９３ｄには、リード端子９７ａ及び９７ｂが通過している。リード端子９７ａと各貫通孔９３ｄの内壁との間には、ガラスといった絶縁物９９が設けられおり、リード端子９７ａを搭載部品９３から絶縁している。リード端子９７ａは、ボンディングワイヤといった接続部材１００ａ、１００ｂ、１００ｃを介して半導体発光素子３並びに受光素子１９及び２１に電気的に接続されている。残りのリード端子９７ｂは、搭載部品９３に電気的に接続されている。
【００６２】
光モジュール９１ａは、導電性のレンズホルダいった保持部品１０１を備える。第１の保持部品１０１は、側壁部１０１ａ及びレンズ保持部１０１ｂを有する。側壁部１０１ａは、所定の軸Ａｘの方向に伸びている。側壁部１０１ａの一端は、所定の軸Ａｘに交差する面に沿って伸びる支持面１０１ｃを有している。側壁部１０１ａの他端は、所定の軸Ａｘに交差する面に沿って伸びる接合面１０１ｄを有している。保持部品１０１は、搭載部品９３の搭載面９３ａ上に配置されるとき、接合面１０１ｄ上に移動することができる。保持部品１０１は搭載部品９３に対して位置決めされた後に、接合面１０１ｄは搭載面９３ａと接合される。レンズ保持部１０１ｂは、側壁部１０１ａの内壁面より伸び出しており、レンズ１０３を受け入れる開口１０１ｅを規定する側面１０１ｆを有する。
【００６３】
光モジュール９１ａは、フェルールホルダいった第２の保持部品１０５を備える。第２の保持部品１０５は、所定の軸Ａｘに沿って配置された側壁部１０５ａ及びフランジ１０５ｂを有する。フランジ１０５ｂは、所定の軸Ａｘに交差する方向に伸びるスライド面１０５ｃを有する。第２の保持部品１０５は、第１の保持部材１０１の支持面１０１ｃ上に配置される。フランジ１０５ｂが支持面１０１ｃ上を移動することができる。第２の保持部品１０５は第１の保持部材１０１に対して位置決めされた後に、フランジ１０５ｂは支持面１０１ｃと溶接される。側壁部１０５ａは、光学部品１０７を受け入れる領域を規定する内側面１０５ｄを有している。内側面１０５ｄは、所定の軸Ａｘの方向に沿って伸びており、これにより、第２の保持部品１０５の一端から他端まで伸びる貫通孔１０５ｅが提供される。光学部品１０７は貫通孔１０５ｅ内に位置しており、半導体発光素子３からの光を受ける。光学部品１０７は、フェルール１０９と、光ファイバ１１１といいた光導波路とを備える。
【００６４】
この光モジュール９１ａでは、半導体発光素子３の前面光ＬＦは、レンズ１０３及び光ファイバ１０９を介して提供される。受光素子１９及び２１からの電気信号及び半導体発光素子３を駆動するための信号は、リード端子を介して提供される。
【００６５】
この光モジュール９１ａを利用して発光装置を構成することができる。発光装置は、第１の信号処理回路を備える。第１の信号処理回路は、光モジュールからの電気信号を受ける入力と、電気信号と消光比の関する第１の参照値とに応答して生成された第１の制御信号を提供する出力とを有している。駆動回路は、第１の制御信号を受ける制御入力、伝送信号を受ける伝送信号入力、及び第１の制御信号と伝送信号とに応答して生成された駆動信号を提供する出力とを有する。駆動信号は、キャパシタを介して光モジュール９１ａに加えられる。発光装置は、第２の信号処理回路を備える。第２の信号処理回路は、光モジュール９１ａからの電気信号を受ける入力と、電気信号と半導体発光素子に流れる中心電流の関する第２の参照値とに応答して生成された第２の制御信号を提供する出力とを有する。電流回路は、第２の制御信号を受ける制御入力と、第２の制御信号に応答して生成され半導体発光素子に流れる電流を提供する出力とを有する。この電流は、電子素子及び光モジュール９１ａの半導体発光素子３に流れる。
【００６６】
図１０に示されるように、光モジュール９１ａは、以下のようなステップにより駆動される。駆動方法は、非線形光学素子５を介して半導体発光素子３から受ける光ＬＢの光量を示す第１の光電流信号ＩＰ１を生成する工程を備える。駆動方法は、半導体発光素子３から受けた光ＬＢの光量を示す第２の光電流信号ＩＰ２を生成する工程を備える。駆動方法は、中心電流の関する第２の参照値ＶＲＥＦ２及び第２の光電流信号ＩＰ２に応答する電流ＩＣを電子素子を介して半導体発光素子３に加える工程を備える。駆動方法は、消光比の関する第１の参照信号ＶＲＥＦ１、第１の光電流信号ＩＰ１及び伝送信号に応答する駆動信号ＶＤＲＶをキャパシタを介して半導体発光素子３に印加する工程を備える。
【００６７】
この駆動方法では、半導体発光素子３からの光ＬＢの消光比が変化するとき、第１の光電流信号ＩＰ１は、第２の光電流信号ＩＰ２と異なる変化を示す。第１の光電流信号ＩＰ１は、半導体発光素子３からの光の振幅の中心値に関連している。第２の光電流信号ＩＰ２は、半導体発光素子３からの光の振幅の変化に関連している。半導体発光素子３は、第１の光電流信号ＩＰ１に応答して信号光ＬＢの振幅の中心を調整するための電流と、ＩＰ１に応答して信号光ＬＢの振幅に関連する駆動信号とを受ける。
【００６８】
図１２は、光モジュールの一変形例を示す図面である。図１２を参照すると、光モジュール９１ｂでは、受光素子１９を搭載する受光半導体装置１０９ａは、受光素子２１を搭載する受光半導体装置１０９ｂと別個に設けられている。この光モジュール９１ｂによれば、受光素子１９の半導体材料は、受光素子２１の半導体材料と異なるようにできる。或いは、受光素子１９のデバイス構造は、受光素子２１のデバイス構造と異なるようにできる。
【００６９】
図１３は、光モジュールの別の変形例を示す図面である。図１３を参照すると、光モジュール９１ｃでは、非線形光学素子５は、受光半導体装置８７と接触することなく、受光素子１９と離れて配置されている。非線形光学素子５は、半導体発光素子への戻り光を低減するように、半導体発光素子に対して傾斜して配置されている。
【００７０】
以上説明したように、本発明の実施の形態によれば、半導体発光素子の発光パワーの中心値を所定値に近づけるように制御できる。
【００７１】
また、本発明の実施の形態によれば、消光比を所定値に近づけるように制御できる。
【００７２】
好適な実施の形態において本発明の原理を図示し説明してきたが、本発明は、そのような原理から逸脱することなく配置および詳細において変更され得ることことは、当業者によって認識される。本発明は、本実施の形態に開示された特定の構成に限定されるものではない。たとえば、特定のパッケージを有する光モジュールを説明したけれども、本発明の光モジュールにおける技術的な利点は、特定のパッケージにおいてのみ発揮されるものではない。例えば、パッケージとして例示されたＣＡＮ型パッケージだけでなく、バラフライ型パッケージ及びこれに類するパッケージにおいても、本発明の光モジュールの技術的な利点が発揮される。したがって、特許請求の範囲およびその精神の範囲から来る全ての修正および変更に権利を請求する。
【００７３】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、半導体発光素子からの信号光の振幅及び振幅の中心値を制御できる発光装置および発光素子制御回路並びに発光素子を駆動する方法が提供される。また、これらのために光モジュールが提供される。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は、本実施の形態に係る発光装置の構成を示す図面である。
【図２】図２（Ａ）は、非線形光学素子を介すること無く光を受ける受光素子の特性を示すグラフである。図２（Ｂ）は、非線形光学素子を介して光を受ける受光素子の特性を示すグラフである。
【図３】図３は、本実施の形態に係る発光素子制御回路を示す図面である。
【図４】図４は、非線形光学素子の光学特性を示すグラフである。
【図５】図５は、半導体発光素子が発生する光信号を示す図面である。
【図６】図６（Ａ）は、通常値よりも小さい振幅の信号光を非線形光学素子を介さずに受ける受光素子の出力特性を示す図面である。図６（Ｂ）は、通常値よりも大きい振幅の信号光を非線形光学素子を介して受ける受光素子の出力特性を示す図面である。
【図７】図７（Ａ）は、通常値よりも小さい振幅の信号光を非線形光学素子を介さずに受ける受光素子の出力特性を示す図面である。図７（Ｂ）は、通常値よりも大きい振幅の信号光を非線形光学素子を介して受ける受光素子の出力特性を示す図面である。
【図８】図８（Ａ）は、通常値よりも小さい振幅の信号光を非線形光学素子を介さずに受ける受光素子の出力特性を示す図面である。図８（Ｂ）は、通常値よりも小さい振幅の信号光を非線形光学素子を介して受ける受光素子の出力特性を示す図面である。
【図９】図９は、光モジュールの主要な構成部品を示す図面である。
【図１０】図１０は、光モジュールを示す図面である。
【図１１】図１１（Ａ）は、受光部品のコンポーネントを示す図面である。図１１（Ｂ）は、受光部品を示す図面である。
【図１２】図１２は、光モジュールの一変形例を示す図面である。
【図１３】図１３は、光モジュールの別の変形例を示す図面である。
【符号の説明】
１…発光装置、３…半導体発光素子、５…非線形光学素子、７…第１の受光部、９…駆動部、１１…キャパシタ、１３…第２の受光部、１５…電流生成部、１７…電子素子、５１…発光素子制御回路、５３…第１の入力端子、５５…第１の信号処理回路、５７…駆動回路、５９…第２の入力端子、６１…第２の信号処理回路、６３…電流回路、６５…駆動端子、６７…キャパシタ、６９…電子素子、８９…受光部品、８７…受光半導体装置、９１ａ、９１ｂ、９１ｃ…光モジュール、９３…搭載部品、９３ａ…搭載面、９３ｂ…対向面、９３ｃ…貫通孔、９３ｄ…凹み部、９３ｆ…支持台、９７ａ、９７ｂ…リード端子、１０１…保持部品、１０３…レンズ、１０５…第２の保持部品、１０７…光学部品、１０９…フェルール、１１１…光ファイバ
【図１】
2004214340.tif 000003
【図２】
2004214340.tif 000004
【図３】
2004214340.tif 000005
【図４】
2004214340.tif 000006
【図５】
2004214340.tif 000007
【図６】
2004214340.tif 000008
【図７】
2004214340.tif 000009
【図８】
2004214340.tif 000010
【図９】
2004214340.tif 000011
【図１０】
2004214340.tif 000012
【図１１】
2004214340.tif 000013
【図１２】
2004214340.tif 000014
【図１３】
2004214340.tif 000015