(57)【要約】【課題】漏洩磁界等の影響に関わらずタイミングずれのない再生データを得る【解決手段】漏洩磁界等の影響での磁壁移動タイミングのずれによってエッジ検出信号に生じるタイミングのずれに応じた直流信号を、再生レーザパワーに応じたレベルで出力する。そしてその直流信号によってエッジ検出信号生成の際にタイミング誤差を解消させる。例えば二次微分信号に対して直流信号をオフセットとして与え、もしくは二次微分信号を比較する基準レベルとして直流信号を与えることで、エッジ検出信号の生成の際のタイミングずれが補正されるようにする。【選択図】        図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
記録媒体にレーザ光を照射し、上記記録媒体からの反射レーザ光の偏光面角度情報あるいは強度情報を電気信号に変換して再生信号を得る再生ヘッド手段と、
上記再生信号の立ち上がりエッジ及び立ち下がりエッジに対応してエッジ検出信号を生成し、このエッジ検出信号に基づいたデータ信号を出力するデータ信号検出手段と、
上記エッジ検出信号のタイミング誤差を解消するための直流信号を、上記データ信号検出手段に対して供給する直流信号発生手段と、
上記再生ヘッド手段が出力する再生レーザパワーに応じて、上記直流信号発生手段からの直流信号のレベルを、上記タイミング誤差の解消に最適なレベルに制御する制御手段と、
を備えたことを特徴とするデータ再生装置。
【請求項２】
上記データ信号検出手段は、
上記再生信号を２回微分した二次微分信号に、上記直流信号発生手段からの直流信号を加算し、該加算信号をゼロレベルと比較した比較結果信号を得ると共に、
上記再生信号を１回微分した一次微分信号からゲート信号を得、
上記ゲート信号と上記比較結果信号の論理演算により、上記エッジ検出信号を得る構成とされていることを特徴とする請求項１に記載のデータ再生装置。
【請求項３】
上記データ信号検出手段は、
上記再生信号を２回微分した二次微分信号を、上記直流信号発生手段からの直流信号を用いた基準レベルと比較することで比較結果信号を得ると共に、
上記再生信号を１回微分した一次微分信号からゲート信号を得、
上記ゲート信号と上記比較結果信号の論理演算により、上記エッジ検出信号を得る構成とされていることを特徴とする請求項１に記載のデータ再生装置。
【請求項４】
上記制御手段は、上記再生レーザパワーとしての最適値を検出し、上記再生手段において上記最適値としての再生レーザパワー出力が行われるように制御すると共に、
上記最適値としての再生レーザパワーに応じて、最適なレベルの直流信号を上記直流信号発生手段から発生させるように制御することを特徴とする請求項１に記載のデータ再生装置。
【請求項５】
上記制御手段は、各再生レーザパワー毎に、それぞれ上記直流信号のレベルを変化させながらテスト再生を実行させることで、上記再生レーザパワーの最適値の検出、及び、上記最適値としての再生レーザパワーに応じた最適な直流信号のレベルの検出を行うことを特徴とする請求項４に記載のデータ再生装置。
【請求項６】
上記記録媒体は、少なくとも移動層、切断層、記録層がこの順に積層されてなり、上記移動層は上記記録層に比べて相対的に磁壁抗磁力が小さく磁壁移動度が大きな垂直磁化膜からなり、上記切断層は上記移動層及び記録層よりもキュリー温度の低い磁性層からなる光磁気情報記録媒体であることを特徴とする請求項１に記載のデータ再生装置。
【請求項７】
記録媒体に対するテスト再生を行って最適な再生レーザパワーを検出するとともに、該最適なレーザパワーに応じたレベルとして、データ検出処理の際にタイミング誤差を解消するために用いる直流信号の最適なレベルを検出する最適値検出手順と、
記録媒体に対して上記最適な再生レーザパワーのレーザ光を照射し、上記記録媒体からの反射レーザ光の偏光面角度情報あるいは強度情報を電気信号に変換して再生信号を得る信号再生手順と、
上記再生信号の立ち上がりエッジ及び立ち下がりエッジに対応するエッジ検出信号を、上記最適なレベルとされた直流信号を用いて生成し、このエッジ検出信号に基づいたデータ信号を出力するデータ検出手順と、
が行われることを特徴とするデータ再生方法。
【請求項８】
上記データ検出手順では、
上記再生信号を２回微分した二次微分信号に、上記直流信号を加算し、該加算信号をゼロレベルと比較した比較結果信号を得ると共に、
上記再生信号を１回微分した一次微分信号からゲート信号を得、
上記ゲート信号と上記比較結果信号の論理演算により、上記エッジ検出信号を得ることを特徴とする請求項７に記載のデータ再生方法。
【請求項９】
上記データ検出手順では、
上記再生信号を２回微分した二次微分信号を、上記直流信号を用いた基準レベルと比較することで比較結果信号を得ると共に、
上記再生信号を１回微分した一次微分信号からゲート信号を得、
上記ゲート信号と上記比較結果信号の論理演算により、上記エッジ検出信号を得ることを特徴とする請求項７に記載のデータ再生方法。
【請求項１０】
上記最適値検出手順では、
各再生レーザパワー毎に、それぞれ上記直流信号のレベルを変化させながらテスト再生を実行させることで、上記再生レーザパワーの最適値の検出、及び、上記最適値としての再生レーザパワーに応じた最適な直流信号のレベルの検出を行うことを特徴とする請求項７に記載のデータ再生方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、記録媒体に記録された情報をレーザ光によって再生するデータ再生装置及びデータ再生方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
【特許文献１】特開平６−２９０４９６号
【特許文献２】特開２０００−３０６２８１
【特許文献３】特開２００１−１４３３３８
【０００３】
近年、書き換え可能な高密度記録媒体として光磁気ディスクが注目されており、その中で、上記特許文献１に開示されているように、少なくとも移動層、切断層、記録層の磁性３層膜からなり、信号の再生時に、磁性膜温度が切断層のキュリー温度以上となった領域で移動層の磁壁移動を利用することにより、実効的に記録された磁区の大きさを拡大し、再生キャリア信号を大きくする光磁気再生方式が注目されている。
ＤＷＤＤ（Ｄｏｍａｉｎ  Ｗａｌｌ  Ｄｉｓｐｌａｃｅｍｅｎｔ  Ｄｅｔｅｃｔｉｏｎ）  と呼ばれるこの再生方式では、再生光の光学的な限界分解能以下の周期の微小記録磁区からも非常に大きな信号を再生することが可能であり、光の波長、対物レンズの開口数（ＮＡ）等を変更することなく高密度化が行える有力な方式の１つである。
【０００４】
ＤＷＤＤ再生における磁壁移動の駆動力は、温度勾配による磁壁エネルギーの変化の割合である。これを図９により簡単に説明する。
図９（ａ）はＤＷＤＤ再生に用いられる光磁気記録媒体の断面図であり、図示するように移動層１１、切断層１２、記録層１３が形成される。
再生レーザ光が照射されていない状態では、各層は交換結合力が働いており、移動層１１および切断層１２の原子スピンの向き（矢印で示す）は記録層１３のそれに倣っている。
【０００５】
再生用光ビームスポット１６を、この光磁気記録媒体に照射すると、例えば図９（ｂ）に示すような磁性層の温度Ｔの分布が得られる。Ｔｓは切断層１２のキュリー温度である。
このような温度分布に伴って、磁壁エネルギー密度σ１の分布が図９（ｃ）に示したように形成される。磁壁エネルギー密度σは一般的に温度が上昇するほど低下するので、最大温度の位置で磁壁エネルギー密度σが最も低くなるような分布になる。この結果、磁壁１５を磁壁エネルギー密度σの低い高温側へ移動させようとする磁壁駆動力Ｆ（ｘ）が図９（ｄ）に示すように発生する。
このように図中ｘ方向に磁壁エネルギー密度σ１の勾配があると、各層の磁壁１５に対して、次の（式１）で表される磁壁駆動力Ｆ１が作用する。
Ｆ１＝−∂σ１／∂ｘ        ・・・（式１）
となる。
この磁壁駆動力Ｆ１が、磁壁エネルギーの低いほうへ磁壁１５を移動させるように作用する。
【０００６】
即ち媒体温度が切断層１２のキュリー温度Ｔｓよりも低い場所では、各磁性層は互いに交換結合しているため、上述の温度勾配による磁壁駆動力Ｆ（ｘ）が作用しても、記録層１３の大きな磁壁抗磁力に阻止されて磁壁１５の移動はおこらない。ところが、記録媒体の温度がキュリー温度Ｔｓよりも高い場所では移動層１１と記録層１３との間の交換結合が切断されるため、磁壁抗磁力の小さな移動層１１の磁壁は、温度勾配による磁壁駆動力Ｆ（ｘ）で移動可能になる。そのため、光ビーム１６による記録媒体への走査に伴って、磁壁がキュリー温度Ｔｓの位置を越えて結合切断領域に侵入した瞬間に、移動層１２の磁壁１５の高温側への移動が起こる。
このような原理により、記録媒体に記録信号に対応した間隔で形成されている磁壁１５が光ビーム１６による媒体の走査に伴ってキュリー温度Ｔｓの位置を通過するたびに、移動層１１の磁壁１５の移動が発生する。
そしてこの駆動力により、実効的に記録された磁区の大きさを再生層において拡大し、再生キャリア信号を大きくでき、光学限界を超えた再生が可能となる。この結果、図９（ｅ）に示すような再生波形が得られる。
【０００７】
ところで、このＤＷＤＤ再生において、図９（ａ）における網掛け部分▲１▼は、磁壁移動、あるいは交換結合力のどちらからも大きな作用を受けない状態となっている。このため、網掛け部分の磁化方向は不安定な状態である。このことから、フォーカシングやトラッキングを行うための対物レンズアクチュエータからの漏洩磁界や、隣接トラックからの漏洩磁界、その他により、再生信号の直流レベルが突発的に変動を起こすことがある。
【０００８】
その結果、図９（ｆ）のようなレベル変動▲２▼を含む再生信号となる場合が頻発する。
この場合、通常の２値化回路を用いると、２値化のための閾値レベルが追従しきれず、ビット誤りとして検出されてしまう恐れがある。これを解決するために、本出願人は、上記特許文献２として挙げた特開２０００−３０６２８１において、再生信号を微分することにより直流レベル変動を抑制してデータ検出する方法を提案した。
【０００９】
このデータ検出方式について、図１０，図１１で説明する。
図１０は、再生装置に搭載される磁壁移動検出回路の構成例であり、図１１は、図１０に示した回路の各ブロックにおいて処理された信号を、タイミングチャートで表したものである。
【００１０】
図示しない光ピックアップによって得られた再生信号ＳＭＯは、等化回路１５６により周波数特性が補償された信号ＳＭＯ’となり、微分回路１７１により、一次微分信号Ｓ１１とされる。
この微分処理を経ることによって、例えば図１１（ａ）（ｂ）の再生信号ＳＭＯ’、微分信号Ｓ１１からわかるように、等化処理した再生信号ＳＭＯ’の直流レベルの変動が抑制される。
【００１１】
一次微分信号Ｓ１１は、遅延回路１７３により所定時間遅延され信号Ｓ１１’とされた後、比較器１７４，１７５において夫々閾値＋Ｖ及び−Ｖと比較され、絶対値が大きい場合にハイレベルと成る信号Ｓ１３及びＳ１４が出力される（図１１（ｄ）（ｅ）参照）。
なお、遅延回路１７３は、信号Ｓ１３及びＳ１４と、後述する信号Ｓ１５との論理積を取る際に、タイミングを調整するためのものであり、必ずしも遅延は必要ではない。
【００１２】
一方、信号Ｓ１１はもう一つの微分回路１７２により微分処理され、図１１（ｃ）に示す二次微分信号Ｓ１２と成る。
この二次微分信号Ｓ１２は比較器１７６においてゼロレベルと比較され、図１１（ｆ）の信号Ｓ１５が出力される。なお、この図１１（ｆ）において、網掛けの部分は信号Ｓ１２がゼロレベル付近にあるために、不定となる領域である。
信号Ｓ１５は、論理積回路１７７及び１７８において信号Ｓ１３及びＳ１４との論理積をとられ、図１１（ｇ）（ｈ）の信号Ｓ１６及びＳ１７となる。
信号Ｓ１６及びＳ１７は夫々、再生信号ＳＭＯ’の立ちあがり及び立下りエッジにおいてパルスを発生する信号となる。即ち、これら信号Ｓ１６及びＳ１７の論理和を、論理和回路１７９においてとることにより、再生信号ＳＭＯ’の立ちあがり及び立下りエッジに対応するパルス信号ＰＤＳ（図１１（ｉ））が得られる。
【００１３】
このようにして得られた信号ＰＤＳを、データ検出回路１５９において、クロック同期回路（ＰＬＬ）１５９により出力された再生クロック（図１１（ｊ））に従って検出することにより、再生信号ＳＭＯからデータを検出することができる。
なお、同種の信号処理方法が、上記特許文献３として挙げた特開２００１−１４３３８にも開示されている。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、ＤＷＤＤ再生においては、上述の突発的な直流レベル変動という問題のほかに、再生クロックに対して、図９（ａ）に示す上向き矢印の磁区の磁壁が移動するタイミングと下向き矢印の磁区の磁壁が移動するタイミングがずれてしまうという問題が生ずる場合がある。
以下は、この問題の原因の一考察である。ＤＷＤＤ再生における磁壁駆動力を示す上記（式１）は、本来は以下に示す（式２）から導かれている。
Ｆ１＝２Ｍ（ｘ）・Ｈｄ（ｘ）  ＋２Ｍ（ｘ）・Ｈａ  −σ（ｘ）／ｘ−∂σ／∂ｘ  ・・（式２）
ここで、Ｍ（ｘ）は移動層の磁化、Ｈｄ（ｘ）は減磁界、Ｈａは記録層からの漏洩磁界等の外部磁界、σ（ｘ）は単位面積あたりの磁壁エネルギーである。
【００１５】
例えば、Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ｍａｇｎｅｔｉｃ  Ｓｏｃｉｅｔｙ  ｏｆ  Ｊａｐａｎ，  Ｖｏｌ．  ２２  Ｓｕｐｐｌｅｍｅｎｔ  Ｎｏ．  Ｓ２（１９９８）ｐｐ．  ４７−５０  に記載してあるように、移動層の磁化を非常に小さくすることにより（式２）の右辺の第一項「２Ｍ（ｘ）・Ｈｄ（ｘ）」及び第二項（２Ｍ（ｘ）・Ｈａ）を無視できるようにし、さらに、例えば記録トラックの両サイドを熱処理して磁性を無くし、閉磁区ができないようにすることにより（式２）の右辺の第三項（−σ（ｘ）／ｘ）を無視できるようにすることで、（式２）から上記（式１）を得ることができる。
【００１６】
ところが、記録媒体上にレーザ光を照射する場合、記録媒体上に温度分布が生じるので、そのすべての温度範囲で移動層の磁化を無視できるようにするには厳密な媒体設計が必要であり、実際には（式２）の右辺の第一項及び第二項は、無視できるほど小さくするのが難しい。
この場合、例えば記録層からの漏洩磁界や、レンズアクチュエータからの漏洩磁界等が媒体に加わると（式２）の右辺の第２項の影響により、磁壁移動タイミングのずれが生じてしまう。この現象は、いわゆるジッタの悪化と等価であり、再生クロックＣＬＫに対するパルスデータ信号ＰＤＳを検出する時間の余裕が少なくなり、ビット誤りの原因となる。
【００１７】
このことを図１２により説明する。例えばアクチュエータ等からの漏洩磁界が存在し、これが光磁気記録媒体の磁壁移動層の動きに影響する場合を考える。
図１２（ａ）は記録媒体上に記録された記録マークパターンを模式的に示している。
また図１２（ｂ）は波形等化後の再生パターン即ち信号ＳＭＯ’を、図１２（ｃ）はその一次微分信号Ｓ１１を、図１２（ｄ）は二次微分信号Ｓ１２を、それぞれ模式的に示すものである。
【００１８】
漏洩磁界は上向き矢印磁区と同じ方向とし、これに再生信号が影響される場合、得られる再生信号Ｓ１１’及びＳ１２は、図１２（ｂ）（ｃ）に点線で示すような波形が期待されるところ、実際には、各図に実線で示されるような波形になる。
すなわち、実際に得られる再生信号の波形は、図１２（ｇ）のように上向き矢印のマーク長が大きい場合に得られる再生信号波形のようになる。
このため、二次微分信号Ｓ１２を比較器１７６にそのまま入力してゼロレベルと比較した場合、信号Ｓ１５としては、本来図１２（ｅ）の破線のようになるべきところ、実線のようになり、結局、パルスデータ信号ＰＤＳについては、本来図１２（ｆ）の破線のようになるべきところ、実線のようになってしまう。つまり、実際の記録マークエッジ位置とのずれが生じる。
このようなマークエッジ位置とずれたパルスデータ信号ＰＤＳは、即ち時間軸方向の検出ずれであるため、ジッタ悪化と等価となり、再生マージンの低下やビット誤りの原因となる。
【００１９】
【課題を解決するための手段】
本発明は、このような問題に鑑みて、漏洩磁界の影響に関わらず、適切なデータ信号検出が実現できるようにすることを目的とする。
【００２０】
このため本発明のデータ再生装置は、記録媒体にレーザ光を照射し、上記記録媒体からの反射レーザ光の偏光面角度情報あるいは強度情報を電気信号に変換して再生信号を得る再生ヘッド手段と、上記再生信号の立ち上がりエッジ及び立ち下がりエッジに対応してエッジ検出信号を生成し、このエッジ検出信号に基づいたデータ信号を出力するデータ信号検出手段と、上記エッジ検出信号のタイミング誤差を解消するための直流信号を、上記データ信号検出手段に対して供給する直流信号発生手段と、上記再生ヘッド手段が出力する再生レーザパワーに応じて、上記直流信号発生手段からの直流信号のレベルを、上記タイミング誤差の解消に最適なレベルに制御する制御手段とを備えるようにする。
【００２１】
この場合、上記データ信号検出手段は、上記再生信号を２回微分した二次微分信号に、上記直流信号発生手段からの直流信号を加算し、該加算信号をゼロレベルと比較した比較結果信号を得ると共に、上記再生信号を１回微分した一次微分信号からゲート信号を得、上記ゲート信号と上記比較結果信号の論理演算により、上記エッジ検出信号を得る構成とする。
或いは上記データ信号検出手段は、上記再生信号を２回微分した二次微分信号を、上記直流信号発生手段からの直流信号を用いた基準レベルと比較することで比較結果信号を得ると共に、上記再生信号を１回微分した一次微分信号からゲート信号を得、上記ゲート信号と上記比較結果信号の論理演算により、上記エッジ検出信号を得る構成とする。
【００２２】
また上記制御手段は、上記再生レーザパワーとしての最適値を検出し、上記再生手段において上記最適値としての再生レーザパワー出力が行われるように制御すると共に、上記最適値としての再生レーザパワーに応じて、最適なレベルの直流信号を上記直流信号発生手段から発生させるように制御する。
この場合、上記制御手段は、各再生レーザパワー毎に、それぞれ上記直流信号のレベルを変化させながらテスト再生を実行させることで、上記再生レーザパワーの最適値の検出、及び、上記最適値としての再生レーザパワーに応じた最適な直流信号のレベルの検出を行う。
また、上記記録媒体は、少なくとも移動層、切断層、記録層がこの順に積層されてなり、上記移動層は上記記録層に比べて相対的に磁壁抗磁力が小さく磁壁移動度が大きな垂直磁化膜からなり、上記切断層は上記移動層及び記録層よりもキュリー温度の低い磁性層からなる光磁気情報記録媒体であるとする。
【００２３】
本発明のデータ再生方法は、記録媒体に対するテスト再生を行って最適な再生レーザパワーを検出するとともに、該最適なレーザパワーに応じたレベルとして、データ検出処理の際にタイミング誤差を解消するために用いる直流信号の最適なレベルを検出する最適値検出手順と、記録媒体に対して上記最適な再生レーザパワーのレーザ光を照射し、上記記録媒体からの反射レーザ光の偏光面角度情報あるいは強度情報を電気信号に変換して再生信号を得る信号再生手順と、上記再生信号の立ち上がりエッジ及び立ち下がりエッジに対応するエッジ検出信号を、上記最適なレベルとされた直流信号を用いて生成し、このエッジ検出信号に基づいたデータ信号を出力するデータ検出手順とが行われる。
【００２４】
この場合、上記データ検出手順では、上記再生信号を２回微分した二次微分信号に、上記直流信号を加算し、該加算信号をゼロレベルと比較した比較結果信号を得ると共に、上記再生信号を１回微分した一次微分信号からゲート信号を得、上記ゲート信号と上記比較結果信号の論理演算により、上記エッジ検出信号を得る。
或いは、上記データ検出手順では、上記再生信号を２回微分した二次微分信号を、上記直流信号を用いた基準レベルと比較することで比較結果信号を得ると共に、上記再生信号を１回微分した一次微分信号からゲート信号を得、上記ゲート信号と上記比較結果信号の論理演算により、上記エッジ検出信号を得る。
【００２５】
また上記最適値検出手順では、各再生レーザパワー毎に、それぞれ上記直流信号のレベルを変化させながらテスト再生を実行させることで、上記再生レーザパワーの最適値の検出、及び、上記最適値としての再生レーザパワーに応じた最適な直流信号のレベルの検出を行う。
【００２６】
このような本発明によれば、漏洩磁界等の影響での磁壁移動タイミングのずれによって、エッジ検出信号に生じるタイミングのずれに応じた直流信号が生成される。そしてその直流信号が二次微分信号に対してオフセットとして与えられ、もしくは二次微分信号を比較する基準レベルとして与えられることで、エッジ検出信号の生成の際の上記ずれが補正される。
特に、上述したように、上記（式２）の右辺の第一項「２Ｍ（ｘ）・Ｈｄ（ｘ）」及び第二項（２Ｍ（ｘ）・Ｈａ）は無視できるほど小さくするのが難しい。これは、記録媒体上の温度分布を考えると、そのすべての温度範囲で移動層の磁化を無視できるようにすることは困難であるためである。そしてその場合、（式２）の右辺の第二項の影響により、磁壁移動タイミングのずれが生じる。
そしてこのことは、記録媒体に照射される再生レーザパワーによっては、右辺の第一項及び第二項の影響の大きさが変化することを意味する。つまりエッジ検出信号の生成の際の上記タイミングずれの量は、再生レーザパワーのレベルによって変化する。
そこで本発明では、再生レーザパワーに応じて、直流信号のレベルを、上記タイミング誤差の解消に最適なレベルに制御することで、適切な補正が行われるようにする。
【００２７】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について説明していく。
図１は、本発明を適用した光磁気ディスク記録再生装置１００の概要を示すブロック図である。この記録再生装置１００で取り扱う光磁気ディスク１１１は、ガラスやプラスチック等からなる透明基板上に、図９（ａ）に示したような光磁気記録膜を成膜し、さらに保護膜を形成してなるものであり、記録再生装置１００はＤＷＤＤ方式で再生を行う。
【００２８】
記録再生装置１００は、光磁気ディスク１１１を回転駆動するためのスピンドルモータ１１３を有している。光磁気ディスク１１１は、記録時および再生時には角速度一定、あるいは線速度一定で回転駆動される。スピンドルモータ１１３の回転軸には、その回転速度を検出するための周波数発電機１１４が取り付けられている。
【００２９】
また、記録再生装置１００は、外部磁界発生用の磁気ヘッド１１５と、この磁気ヘッド１１５の磁界発生を制御する磁気ヘッドドライバ１１６と、半導体レーザ、対物レンズ、光検出器（フォトディテクタ）等から構成される光学ヘッド１１７と、この光学ヘッド１１７の半導体レーザの発光駆動を行うレーザドライバ１１８と、レーザドライバ１１８に対してレーザ発光駆動レベルの制御を行うレーザパワー制御部１１９を備えている。
磁気ヘッド１１５と光学ヘッド１１７は光磁気ディスク１１１を挟むように対向して配設される。
レーザドライバ１１８は、光学ヘッド１１７内の半導体レーザに対して駆動信号を印加する。これによって半導体レーザからレーザ光が出力される。レーザパワー制御部１１９は、システムコントローラ１５１からの制御信号に基づいて、レーザドライバ１１８によるレーザ駆動が、記録時には記録パワーとなり、再生時には記録パワーより低い再生パワーとなるように制御する。また、記録パワー及び再生パワーとしてのレーザパワーレベルは、システムコントローラ１５１によって設定される。
またレーザパワー制御部１１９は、光学ヘッド１１７内のモニタ用ディテクタによってレーザ出力レベルを監視し、レーザ出力が設定されたレーザパワーとして一定となるように、いわゆるＡＰＣ制御を行う。
【００３０】
データ書き込み時（記録時）には、後述するように磁気ヘッドドライバ１１６にＮＲＺＩデータとしての記録データＤｒが供給され、磁気ヘッド１１５よりその記録データＤｒに対応した磁界が発生され、光学ヘッド１１７からの光ビーム（レーザビーム）との共働により光磁気ディスク１１１に記録データＤｒが記録される。
【００３１】
また、記録再生装置１００は、例えばＤＳＰ等によるサーボコントローラ１４１を有している。このサーボコントローラ１４１には、光学ヘッド１１７で生成されるフォーカスエラー信号ＳＦＥおよびトラッキングエラー信号ＳＴＥ、さらに上述した周波数発電機１１４より出力される周波数信号ＳＦＧが供給される。
サーボコントローラ１４１の動作は、後述するシステムコントローラ１５１によって制御される。このサーボコントローラ１４１によって、トラッキングコイルやフォーカスコイル、さらには光学ヘッド１７をラジアル方向に移動させるためのリニアモータを含むアクチュエータ１４５が制御され、トラッキングやフォーカスのサーボが行われ、また光学ヘッド１１７の半径方向（ラジアル方向）への移動が制御される。
また、サーボコントローラ１４１によってスピンドルモータ１１３が制御され、上述したように記録時や再生時に光磁気ディスク１１１が角速度一定、あるいは線速度一定で回転するように制御される。
【００３２】
また記録再生装置１００は、ＣＰＵを備えるシステムコントローラ１５１と、データバッファ１５２と、ホストコンピュータとの間でデータやコマンドの送受を行うためのインターフェース１５３と、メモリ１６３を備える。
システムコントローラ１５１はシステム全体を制御する。
メモリ１６３は、システムコントローラ１５１のワーク領域としてのＲＡＭ、動作プログラム等を記憶するＲＯＭ、或いは設定係数その他を記憶するフラッシュメモリなどを包括的に示しており、システムコントローラ１５１によって利用される。
ホストコンピュータ等との間でデータ等の通信を行うインターフェース１５３は、例えばＳＣＳＩ（Ｓｍａｌｌ  Ｃｏｍｐｕｔｅｒ  Ｓｙｓｔｅｍ  Ｉｎｔｅｒｆａｃｅ）、ＩＥＥＥ１３９４、ＵＳＢ（Ｕｎｉｖｅｒｓａｌ  Ｓｅｒｉａｌ  Ｂｕｓ）等の規格によるインターフェース回路として実現される。
【００３３】
また、記録再生装置１００は、ホストコンピュータからインターフェース１５３を通じて供給される書き込みデータに対して誤り訂正符号の付加を行うと共に、後述するデータ復調器１５９の出力データに対して誤り訂正を行うためのＥＣＣ（ｅｒｒｏｒ  ｃｏｒｒｅｃｔｉｏｎ  ｃｏｄｅ）回路１５４と、このＥＣＣ回路１５４で誤り訂正符号が付加された書き込みデータのデータビット列を例えばＲＬＬ変調ビットに変換し、その後にＮＲＺＩデータに変換して記録データＤｒを得るデータ変調器１５５とを有している。
【００３４】
また、記録再生装置１００は、光学ヘッド１１７より得られる再生信号ＳＭＯの周波数特性を補償するための等価回路１５６と、この等価回路１５６で周波数特性が補償された再生信号ＳＭＯ′より磁壁移動の発生を検出する磁壁移動検出回路１５７と、この磁壁移動検出回路１５７より出力される磁壁移動の発生の検出信号（パルスデータ信号）ＰＤＳの立ち上がりエッジに同期したクロック信号ＣＬＫを得るためのクロック同期回路（ＰＬＬ回路）１５８と、このクロック信号ＣＬＫを使用して、検出信号ＰＤＳより再生データ（ＮＲＺデータ）Ｄｐを得るデータ検出回路１５９と、この再生データＤｐ（例えば、ＲＬＬ変調データ）に対して復調処理をして読み出しデータを得るデータ復調器１６０とを有している。
【００３５】
また、後述するが再生時には、それに先だって再生準備処理として、ディスク１１１に記録されたテストパターンの再生を行い、再生レーザパワーとしての最適値の検出及び設定、さらには後述するオフセット信号ＶＯＦとしての最適値の検出及び設定が行われるが、その際にテストパターンの再生信号を検出するテストデータ検出回路１６１が設けられる。
システムコントローラ１５１はテストデータ検出回路１６１からの再生データに基づいて再生レーザパワーの最適値、及びオフセット信号ＶＯＦの最適値を検出し、その最適再生レーザパワーをレーザパワー制御部１１９に指示する。また、制御信号ＳＯＦにより、磁壁移動検出回路１５７において最適なオフセット信号ＶＯＦが発生されるように制御する。
【００３６】
このような記録再生装置１００の再生手順は、以下のようになる。
光磁気ディスク１１１が装着されると、システムコントローラ１５１からサーボコントローラ１４１に所定の回転数が伝達される。サーボコントローラ１４１内のスピンドルサーボ制御回路は該所定の回転数で光磁気ディスク１１１が回転するようスピンドルモータ１１３を制御する。
次に、システムコントローラ１４１からリニアアクチュエータ１４５に情報が伝達され、光学ヘッド１１７を所定の位置に移動させる。
【００３７】
次に、システムコントローラ１４１からレーザーパワー制御部１１９に情報が伝達され、所定のパワーで半導体レーザが発光するようにレーザードライバを制御させる。
半導体レーザから発せられた光は、光学ヘッド１１７に搭載されている図示せぬパワー監視用光検出器（モニタ用ディテクタ）においてパワーを検出され、レーザーパワー制御部１１９において所望のパワーとのずれ量を検出し補正制御されることにより所望のパワーに制御される。
【００３８】
また光学ヘッド１１７において、半導体レーザから発せられた光は、図示せぬ対物レンズにより、光磁気ディスク１１１の膜面に集光される。
このときレーザ光は、焦点が膜面に合うように、また、光磁気ディスクに形成されているトラックをトレースするように、サーボコントローラ１４１によりフォーカス制御、及びトラッキング制御される。
光磁気ディスク１の膜面で反射されたレーザ光は、記録されている磁区の方向によりそれぞれ偏光面が回転され、光学ヘッド１１７に搭載されている検光子により偏光面の回転情報が強度情報に変換され、光検出器（フォトディテクタ）において電気信号に変換される。この変換された電気信号から再生信号ＳＭＯが生成され、出力される。
【００３９】
再生信号ＳＭＯは、等価回路１５６により波形整形され、後述するように磁壁移動検出回路１５７において２値化信号、即ちパルスデータ信号ＰＤＳとされる。そして、クロック同期回路１５８においてパルスデータ信号ＰＤＳに同期した再生クロックＣＬＫが生成され、このクロックＣＬＫを使用して、データ検出回路１５９において再生データ（ＮＲＺデータ）Ｄｐを得る。この再生データＤｐは、例えば、ＲＬＬ変調データであり、これがデータ復調器１６０でデコード処理されることで、読出データを得ることができる。
読出データは、データバッファ１６２に格納され、ＥＣＣ回路１５４で誤り訂正された後、インターフェース１６３を介してホストコンピュータ等に出力される。
【００４０】
記録動作は次のようになる。
光磁気ディスク１１１が装着され、レーザ光が光磁気ディスクの所定の位置にトレースされるまでの手順は、上述の再生手順と同様である。
記録時にはシステムコントローラ１５１の制御に基づいて、次の動作が行われる。即ち、インターフェース１５３を介してホストコンピュータ等から供給されたデータがデータバッファ１６２に格納される。そしてエラー訂正符号化、データ変調等の必要な処理が施されてから記録データＤｒが磁気ヘッドドライバに供給され、磁気ヘッドからデータに応じた磁界が発生される。
同時に再生時のパワーよりも大きいパワーで半導体レーザが発光するように、レーザドライバ１１８およびレーザーパワー制御部１１９が動作する。
レーザ光により昇温された光磁気ディスク１１１の記録用磁性膜は、磁気ヘッドから発せられるデータに応じた磁界に、磁区の方向がそろう。これにより記録が行われる。
なお、記録動作におけるレーザ光は、一定強度でも良いし、記録クロックに同期したパルス状に強度変調してもよい。
【００４１】
このような本例の記録再生装置１００では、上述した漏洩磁界等の影響によるパルスデータ信号ＰＤＳのタイミングずれを補正し、パルスデータ信号ＰＤＳを適切に検出できるようにするため、磁壁移動検出回路１５７を図２に示すように構成するものである。
この磁壁移動検出回路１５７は、基本的には上述した図１０と同様の動作でパルスデータ信号ＰＤＳを得るものであるが、図１０の構成にゼロクロスタイミングの補正機能を付加したものといえる。
【００４２】
まず図２の磁壁移動検出回路１５７の基本的な動作を、上述した図１１の動作波形を参照しながら説明する。
上述のように光学ヘッド１１７から出力される再生信号ＳＭＯは、等化回路１５６により周波数特性が補償された再生信号ＳＭＯ’（図１１（ａ））となり、磁壁移動検出回路１５７に入力される。
【００４３】
磁壁移動検出回路１５７においては、まず微分回路７１により再生信号ＳＭＯ’の微分を行い、一次微分信号Ｓ１１（図１１（ｂ））を生成する。この微分処理を経ることによって、等化処理した再生信号ＳＭＯ’における直流レベルの変動が抑制される。
一次微分信号Ｓ１１は、遅延回路７３により所定時間遅延した信号Ｓ１１’とされた後、比較器７４及び７５において、夫々閾値＋Ｖ及び−Ｖと比較され、絶対値が大きい場合にハイレベルと成る信号Ｓ１３及びＳ１４が出力される（図１１（ｄ）（ｅ））。
なお、遅延回路７３は、信号Ｓ１３及びＳ１４と、後述する信号Ｓ１５との論理積を取る際のためにタイミングを調整するためのものであり、必ずしも遅延は必要ではない。
【００４４】
一方、信号Ｓ１１はもう一つの微分回路７２により微分処理され、二次微分信号Ｓ１２とされる（図１１（ｃ））。
二次微分信号Ｓ１２には、加算器８２で後述する電圧付加回路８１からの直流信号であるオフセット信号ＶＯＦが加算されて信号Ｓ１２’とされる。
信号Ｓ１２’は比較器７６においてゼロレベルと比較され、信号Ｓ１５が出力される（図１１（ｆ））。なお、図１１（ｆ）において、網掛けの部分は、信号Ｓ１２がゼロレベル付近にあるために、不定となる領域である。
【００４５】
信号Ｓ１５は、論理積回路７７及び７８において信号Ｓ１３及びＳ１４との論理積をとられ、信号Ｓ１６及びＳ１７となる（図１１（ｇ）（ｈ））。
この信号Ｓ１６及びＳ１７は夫々、再生信号の立ちあがり及び立下りエッジにおいてパルスを発生するエッジ検出信号となる。このパルス信号Ｓ１６とＳ１７は、論理和回路７９において、信号の立ちあがり及び立下りエッジの両方に対応するエッジ検出信号、すなわちパルスデータ信号ＰＤＳ（図１１（ｉ））とされて、磁壁移動検出回路１５７から出力される。
そして、上述したように、クロック同期回路１５８によりパルスデータ信号ＰＤＳに同期した再生クロックＣＬＫ（図１１（ｊ））が生成され、データ検出回路１５９によって、再生クロックＣＬＫを用いた検出処理が行われて再生データＤＦが出力される。
【００４６】
この磁壁移動検出回路１５７では、さらに電圧付加回路８１が設けられている。
また図１でも説明したように、データ検出回路１５９からの出力についてテストデータを検出するテストデータ検出回路１６１が設けられる。テストデータ検出回路１６１は、ディスク１１１に記録されたテストパターンの再生時に、その再生データを検出し、システムコントローラ１５１に供給する。
システムコントローラ１５１は、テストパターンの再生データに基づいて、最適な再生レーザパワーの検出及び設定を行うと共に、最適なオフセット電圧ＤＯＦを検出し、磁壁移動検出回路１５７における電圧付加回路８１を制御して最適なオフセット電圧ＤＯＦを発生させる。
【００４７】
上記したように二次微分信号Ｓ１２（Ｓ１２’）は、再生信号ＳＭＯ’の立ち上がりエッジ及び立ち下がりエッジに対応してゼロクロスとなり、二次微分信号Ｓ１２’をゼロレベルと比較して得た信号Ｓ１５は、再生信号ＳＭＯ’の立ち上がりエッジ及び立ち下がりエッジに対応してエッジが生ずる波形の信号となる。
そして、論理積回路７７，７８の出力である信号Ｓ１６、Ｓ１７は、即ち再生信号ＳＭＯ’のエッジ検出信号である。従って、この信号Ｓ１６、Ｓ１７の論理和であるパルスデータ信号ＰＤＳは、再生信号ＳＭＯ’のエッジ検出信号に基づいて生成されたものと言える。
ここで、最適なオフセット電圧ＤＯＦとは、エッジ検出信号Ｓ１６、Ｓ１７のタイミングずれを適正に補正できる電圧である。
この最適なオフセット電圧ＤＯＦが、後述するようにシステムコントローラ１５１によって検出され、電圧付加回路８１から出力される。
【００４８】
電圧付加回路８１は、システムコントローラ１５１からの制御信号ＳＯＦに基づいた電圧の直流信号として、オフセット電圧ＶＯＦを発生させ、加算回路８２に供給する。
誤差信号Ｓ２０は、位相誤差ゼロの時ゼロレベルとなる信号である。従って、電圧付加回路８１では、この誤差信号Ｓ２０がゼロとなるように、オフセット電圧ＶＯＦを調整するものである。
加算回路８２では、上述のように二次微分信号Ｓ１２に対してオフセット電圧ＶＯＦを加算して信号Ｓ１２’とし、比較器７６に供給する。
【００４９】
ここで、図３を用いて、前述のように例えばアクチュエータ等からの漏洩磁界が存在し、これが光磁気ディスク１１１の磁壁移動層の動きに影響する場合を考える。
図３（ａ）（ｂ）（ｃ）（ｄ）は、前述した図１２（ａ）（ｂ）（ｃ）（ｄ）と同様の波形を示している。すなわち、図３（ａ）の記録マークパターンの場合、再生信号ＳＭＯ’、一次微分信号Ｓ１１、二次微分信号Ｓ１２は、それぞれ図３（ｂ）（ｃ）（ｄ）において破線で示す波形が期待されるところ、漏洩磁界の影響によって実線で示すようになるものである。これによってエッジ検出信号であるパルスデータ信号ＰＤＳ（エッジ検出信号Ｓ１６、Ｓ１７）に、本来あるべきタイミングとのずれが生じてしまうことは、図１２の説明において述べた。
【００５０】
これはつまり、図３（ｄ）のように二次微分信号Ｓ１２のゼロクロス点が記録マークのエッジタイミングからずれてしまうことによる。
そこで本例の場合、上記のようにオフセット電圧ＶＯＦを生成し、二次微分信号Ｓ１２に加算する。
加算結果である信号Ｓ１２’は、例えば図３（ｅ）に示すようにオフセット電圧ＶＯＦ分だけレベルシフトされる。すると、レベルシフトされた信号Ｓ１２’は、図からわかるように、ゼロクロス点が、破線で示す本来期待される二次微分信号Ｓ１２のゼロクロス点と一致する。つまり信号Ｓ１２’のゼロクロス点は記録マークのエッジタイミングに一致することになる。
【００５１】
従って、このような信号Ｓ１２’を比較器７６でゼロレベルと比較して生成された信号Ｓ１５（図１１（ｆ）参照）は、記録マークのエッジタイミングに一致する点で立ち下がりエッジまたは立ち上がりエッジが発生するものとなる。
これによって論理積回路７７，７８で得られるエッジ検出信号Ｓ１６、Ｓ１７は、記録マークのエッジを正しく検出した信号に補正されるため、パルスデータ信号ＰＤＳは、漏洩磁界の影響に関わらず、正しい再生情報となる。
【００５２】
このように本実施の形態では、磁壁移動検出回路１５７において、再生信号ＳＭＯ’の立ち上がりエッジ及び立ち下がりエッジに対応してエッジ検出信号Ｓ１６、Ｓ１７を生成し、このエッジ検出信号Ｓ１６、Ｓ１７に基づいたパルスデータ信号ＰＤＳを出力する構成とするが、エッジ検出信号Ｓ１６、Ｓ１７（及びＰＤＳ）のタイミング誤差（位相誤差）をオフセット電圧ＶＯＦにより解消するものである。
具体的には、再生信号ＳＭＯ’の二次微分信号Ｓ１２にオフセット電圧ＶＯＦを加算し、加算信号Ｓ１２’をゼロレベルと比較した比較結果信号Ｓ１５を得ると共に、再生信号ＳＭＯ’の一次微分信号Ｓ１１（Ｓ１１’）からゲート信号Ｓ１３、Ｓ１４を得、ゲート信号Ｓ１３、Ｓ１４と比較結果信号Ｓ１５の論理演算により、エッジ検出信号Ｓ１６、Ｓ１７、ＰＤＳを得る構成とされている。
【００５３】
これによって、パルスデータ信号ＰＤＳは、実際の記録マークエッジ位置を精度良く検出できるものとなる。
また、例えば記録時に形成された記録マークのエッジ位置がずれていたとしても、それを補正することができる。
【００５４】
図６に、上記のようなエッジ補正処理を行う本例の場合と、行わない場合（即ち図１０の回路の場合）についての再生時印加磁界−ビットエラーレートの特性を示した。
記録した信号はＲＬＬ（１，７）−ＮＲＺＩ信号であり、線方向の記録密度は８０ｎｍ／ｂｉｔである。再生に用いた光ピックアップの波長は６６０ｎｍ、対物レンズの開口数は０．６である。図から、本例の場合、ビットエラーレートが改善し、印加磁界についてのマージンが向上していることが理解される。
【００５５】
ところで、このような効果を得るためには、オフセット電圧ＤＯＦが適正な電圧値に制御されていないといけないことは言うまでもない。つまり、図３（ｅ）のように、二次微分信号Ｓ１２のゼロクロス点が記録マークのエッジタイミングに一致するようにレベルシフトさせる電圧値でないといけない。
以下、オフセット電圧ＤＯＦを適正値とするための処理について述べる。
【００５６】
本例で示した磁壁移動検出方式や、いわゆる磁気超解像光磁気ディスクのように、再生時の光スポット照射によって生じる媒体上の温度分布を利用して解像度を向上させるタイプの光磁気ディスクにおいては、適正な再生レーザパワーの範囲が通常の光ディスクに対して小さいことが多い。
このため、これらのタイプの光磁気ディスクを用いる場合、再生レーザパワーの制御が必要となる。
そして本例で示した磁壁移動検出方式の場合、前述の（式２）の右辺第一項および第二項の影響の大きさが、再生レーザパワーによって変化するので、再生レーザパワーによってエッジ検出信号Ｓ１６、Ｓ１７（及びＰＤＳ）のタイミング誤差の量は再生レーザパワーに応じて変化する。つまり再生レーザパワーによって上記二次微分信号Ｓ１２に加えるべきオフセット電圧ＤＯＦの最適値が異なってくる。
【００５７】
そこで、本例ではデータ再生の前、例えばディスク装填時などに、以下図４で説明するような再生準備処理を行い、再生レーザパワーの最適値を求めると共に、それに応じて最適なオフセット電圧ＤＯＦを求めるようにする。
【００５８】
なお、ディスク１１１には、データ記録時において所定領域に所定のテストパターンが記録される。再生準備処理では、このテストパターンの再生を行う。
例えば本例の記録再生装置がディスク１１１にデータ記録を行う際には、システムコントローラ１５１は所定のテストパターンの記録を実行させる。例えば記録時には記録動作に先立って記録レーザパワーの調整が行われるが、その際に書き込むデータパターンを、そのまま再生準備処理におけるテストパターンとしても良いし、記録レーザパワーの調整のために書き込むデータとは別に、再生準備処理用のテストパターンを記録させるようにしても良い。
また、他の記録装置でデータ記録が行われたディスク１１１の場合などで、所定のテストパターンが記録されていないディスクが装填された場合は、図４の再生準備処理の最初の処理として、本例の記録再生装置によりテストパターン記録を行うようにしてもよい。
システムコントローラ１５１は、例えばメモリ１６１にテストパターンとしてのデータパターンを記憶している。
【００５９】
図４では、既にディスク１１１にテストパターンが記録されているとして、再生準備処理の手順（システムコントローラ１５１の処理）を示している。
図４の処理は、概略的に述べると、再生レーザパワーを数段階に変化させ、また各再生レーザパワーにおいてオフセット電圧ＤＯＦを数段階に変化させて、それぞれテストパターンの再生を行い、その再生データ品質を検出することで、最適な再生レーザパワー及びオフセット電圧ＤＯＦを求める処理である。
【００６０】
システムコントローラ１５１は、ますステップＦ１０１で変数Ｎを「１」にセットする。変数Ｎは、再生レーザパワーの値を設定する変数である。例えば再生レーザパワーの値をＰＷ１〜ＰＷ（ｎ）まで段階的に変化させるとしたときに、そのＰＷ１〜ＰＷ（ｎ）を指定する変数となる。
ステップＦ１０２では、システムコントローラ１５１はレーザパワー制御部１１９に対してＰＷ（Ｎ）の再生レーザパワーを指示する。従って、最初は再生レーザパワーＰＷ１で再生が行われる状態となる。
【００６１】
次にシステムコントローラ１５１はステップＦ１０３で、変数Ｍを「１」にセットする。変数Ｍは、オフセット電圧ＤＯＦの値を設定する変数である。例えばオフセット電圧ＤＯＦの値をＤＯＦ１〜ＤＯＦ（ｍ）まで段階的に変化させるとしたときに、そのＤＯＦ１〜ＤＯＦ（ｍ）を指定する変数となる。
ＤＯＦ１〜ＤＯＦ（ｍ）は、オフセット電圧ＤＯＦとして、例えば負の値から正の値へ一定の間隔で異なるものとされた値である。
ステップＦ１０４では、システムコントローラ１５１は電圧付加回路８１に対する制御信号ＳＯＦにより、電圧ＤＯＦ（Ｍ）のオフセット電圧ＤＯＦを指示する。従って、最初は電圧付加回路８１からオフセット電圧ＤＯＦ１が発生される状態となる。
【００６２】
この状態でシステムコントローラ１５１はステップＦ１０５に進み、ディスク１１１に記録されたテストパターンの再生を実行させる。即ちテストパターンの記録領域に再生ヘッド１１６をアクセスさせ、読出及び再生処理を実行させる。再生されたテストパターンのデータはテストデータ検出回路１６１によって検出される。この場合、テストパターンとしてのデータパターンはシステムコントローラ１５１が把握しているため、テストパターンデータを同定できる。
【００６３】
ステップＦ１０６では再生されたテストパターンデータのデータ品質をチェックし、その品質の程度を示す検査値を生成する。
データ品質は、ジッターレベル、或いはエラーレートなどとして判定できる。従って、ジッターレベル或いはエラーレートの値を検出して、それを検査値とすればよい。
もちろん品質評価の手法は他にも考えられ、どのような手法が採られても良い。例えばビタビ復号等の最尤復号において正しいパスメトリックと、再生されたパスメトリックの差を数値化したＳＡＭ値が知られているが、このＳＡＭ値を検査値としてもよい。
【００６４】
ジッターレベル或いはエラーレートとしての検査値が生成されたら、システムコントローラ１５１はステップＦ１０７で、当該検査値を、今回の再生レーザパワー及びオフセット電圧ＤＯＦに対応させてメモリ１６３に記憶する。
従って、最初に再生レーザパワーＰＷ１，オフセット電圧ＤＯＦ１の状態で検査値Ｘ１１が得られたとすると、ＰＷ１，ＤＯＦ１に対応して検査値Ｘ１１が記憶される。
【００６５】
次にシステムコントローラ１５１はステップＦ１０８で、変数Ｍがｍに達しているか否かを判断する。つまり、或る再生レーザパワーの状態で、オフセット電圧ＤＯＦ１〜ＤＯＦ（ｍ）のそれぞれについてのテストパターン再生が完了したか否かを判別する。完了していなければ、ステップＦ１０９で変数ＭをインクリメントしてステップＦ１０４に戻り、電圧付加回路８１に対する制御信号ＳＯＦにより、電圧ＤＯＦ（Ｍ）のオフセット電圧ＤＯＦを指示する。
従って次のステップＦ１０５では、再生レーザパワーＰＷ１の状態で、オフセット電圧が電圧ＤＯＦ２に変更されてテストパターン再生が行われる。
そしてステップＦ１０６，Ｆ１０７で上記同様に再生されたデータの品質チェック及び記憶が行われる。
このようにして、あるレーザパワーの状態で、オフセット電圧が電圧ＤＯＦ１〜ＤＯＦ（ｍ）に順次変更されてテストパターン再生が行われ、検査値が記憶されていく。
【００６６】
或る再生レーザパワーの状態でのオフセット電圧ＤＯＦ１〜ＤＯＦ（ｍ）のそれぞれのテストパターン再生が完了したら、ステップＦ１０８でＭ＝ｍとなるためステップＦ１１０に進み、システムコントローラ１５１は変数Ｎがｍに達しているか否かを判断する。つまり、ＰＷ１〜ＰＷ（ｎ）の各再生レーザパワーの状態でのテストパターン再生が完了したか否かを判別する。完了していなければ、ステップＦ１１１で変数ＮをインクリメントしてステップＦ１０２に戻り、再生レーザパワーを変更してステップＦ１０３以降に進む。
従って、例えば再生レーザパワーＰＷ１において、オフセット電圧ＤＯＦ１〜ＤＯＦ（ｍ）のそれぞれ状態でのテストパターン再生を完了したら、次に再生レーザパワーがＰＷ２とされて、同様の処理が行われ、つまり再生レーザパワーＰＷ２において、オフセット電圧ＤＯＦ１〜ＤＯＦ（ｍ）のそれぞれ状態でのテストパターン再生が行われていく。
【００６７】
このような処理が繰り返されて、再生レーザパワーＰＷ１〜ＰＷ（ｎ）の各場合において、それぞれオフセット電圧ＤＯＦ１〜ＤＯＦ（ｍ）の状態でのテストパターン再生が行われて、各検査値Ｘが記憶されていくため、例えばステップＦ１１０で変数Ｎがｎに達したと判断された時点では、メモリ１６３には図５のように検査値Ｘ１１〜Ｘｎｍが記憶されたものとなる。
即ち各検査値が、それぞれその検査値を得た際の再生レーザパワーＰＷ及びオフセット電圧ＤＯＦに対応して記憶されている。
【００６８】
システムコントローラ１５１は、このように各再生レーザパワーＰＷ及び各オフセット電圧ＤＯＦに対応するテストパターン再生を完了したら、ステップＦ１１２に進み、検査値Ｘに基づいて最適なレーザパワー及びオフセット電圧ＤＯＦを判別する。
最適な再生レーザパワーは、例えば最良の検査値Ｘが含まれるレーザパワーＰＷとして決定してもよいし、或いは、図５のように各レーザパワーにおいて収集されたｍ個の検査値の平均値や合計値等を求め、その値が最良となったレーザパワーを最適な再生レーザパワーと決定すればよい。
【００６９】
そして最適な再生レーザパワーＰＷが決定されたら、その再生レーザパワーＰＷにおいて収集されたｍ個の検査値のうちで、値が最良となっている場合のオフセット電圧ＤＯＦを、最適なオフセット電圧ＤＯＦとする。
【００７０】
このようにして最適なレーザパワー及びオフセット電圧ＤＯＦが判別されたら、システムコントローラ１５１はレーザパワー制御部１１９に対して当該最適なレーザパワーの値を設定し、また電圧付加回路８１に対して当該最適なオフセット電圧ＤＯＦを発生するように制御することになる。
以上により再生準備処理を終え、実際のデータ再生処理に移る。或いは再生指示を待機する。
【００７１】
このような再生準備処理によって再生レーザパワーが最適化され、しかもその再生レーザパワーに応じてオフセット電圧ＤＯＦが最適化されるため、上述したエッジタイミング誤差の補正処理が適正に行われ、上記した効果を十分に得ることができるようになる。
【００７２】
また上記図５のように検査値Ｘを記憶しておくことで、再生中にジッターレベル或いはエラーレートの悪化などが生じ、再生レーザパワーを変化させることが生じた場合でも、新たな再生レーザパワーに対応して最適なオフセット電圧ＤＯＦを図５の検査値から決定することができる。つまり再生中にレーザパワーの変更が行われても、即座にオフセット電圧ＤＯＦを適正化でき、上述の補正機能を適切に維持できるものとなる。
【００７３】
なお、図４の再生準備処理についてはあくまで一例であり、その処理手順は多様に考えられる。また、再生レーザパワーＰＷ１〜ＰＷ（ｎ）としての可変範囲や可変段階数、オフセット電圧ＤＯＦ１〜ＤＦＯＦ（ｍ）としての可変範囲や可変段階数は各種考えられる。またこれらの可変範囲や可変段階を、ディスク１５１の種別、個体、或いは過去の最適値の履歴などに応じて変更していくことで、効率的な再生準備処理が行われるようにすることもできる。
また再生レーザパワーの可変範囲、及びオフセット電圧ＤＯＦの可変範囲において、全ての検査値Ｘをサンプルしていくのではなく、所要数のみのサンプルを行って二次曲線近似などの手法で最適ポイントを探すことも考えられる。
【００７４】
また、磁壁移動検出回路１５７の変形例として、例えば次のものが考えられる。
図７は、微分回路７１、７２を、差分回路で代用する場合の例を示している。
即ち、微分回路７１，７２は、実際には、必ずしも数学的に厳密な微分特性を与えるものでなくてもよいため、例えば図７に示すように、遅延回路６６と減算器６７とで構成される差分回路で代用することができるものである。
【００７５】
図８は磁壁移動検出回路１５７としての他の構成例を示す。
図２と同一部分は同一符号を付して説明を省略するが、この図８の場合は、比較器７６の比較基準電圧を、ゼロレベルではなく、電圧付加回路８１からのオフセット電圧ＶＯＦとしている。
そして比較器７６においては二次微分信号Ｓ１２と、比較基準電圧とされたオフセット電圧ＶＯＦが比較される。
つまりこの例では、図２のように二次微分信号Ｓ１２をレベルシフトするのではなく、比較基準をゼロレベルからオフセット電圧ＶＯＦ分レベルシフトすることで、図３（ｅ）に示した場合と同等の作用、即ち二次微分信号Ｓ１２のゼロクロス点を、本来のエッジ位置に補正する作用をなすものである。
いうまでもなく、このような構成によっても、上述した効果を得ることができる。
【００７６】
以上、本発明の実施の形態、及びその変形例を述べてきたが、本発明は更に広く適用できるものである。
特に漏洩磁界による影響は、ＤＷＤＤ方式以外にも、磁気記録再生においてみられるものであるため、記録マークのエッジ検出を行う再生系において、本発明を適用できる。
【００７７】
【発明の効果】
以上の説明からわかるように本発明によれば、漏洩磁界等の影響での磁壁移動タイミングのずれによってエッジ検出信号に生じるタイミングのずれを、エッジ検出信号生成の際に直流信号（オフセット電圧）を利用することによって解消するようにしている。例えば二次微分信号に対して直流信号をオフセットとして与え、もしくは二次微分信号を比較する基準レベルとして直流信号を与えることで、エッジ検出信号の生成の際のタイミングずれが補正されるようにしている。
そして特に直流信号のレベルは、再生レーザパワーに応じて、タイミング誤差の解消に最適なレベルに制御している。
従って、例えば磁壁移動検出タイプの光磁気記録媒体を再生するときに、記録時あるいは再生時のマークエッジずれを適切に補正することができ、的確なデータ再生を実現し、また漏洩磁界等の外乱に対する許容度を大きくできるという効果がある。
また再生レーザパワーとしての最適値を検出し、その最適再生レーザパワーで再生が行われるようにするとともに、それに応じて最適なレベルの直流信号が発生させるようにすることで、よりデータ再生処理の信頼性を向上できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態のデータ再生装置のブロック図である。
【図２】実施の形態のデータ再生装置の磁壁移動検出回路のブロック図である。
【図３】実施の形態の磁壁移動検出回路による補正動作の説明図である。
【図４】実施の形態の再生準備処理のフローチャートである。
【図５】実施の形態の再生準備処理で記憶される情報の説明図である。
【図６】実施の形態の磁壁移動検出回路によるビットエラーレートの説明図である。
【図７】実施の形態の磁壁移動検出回路における微分回路を差分回路とする例のブロック図である。
【図８】実施の形態の磁壁移動検出回路の他の構成例のブロック図である。
【図９】ＤＷＤＤ再生の説明図である。
【図１０】従来の磁壁移動検出回路のブロック図である。
【図１１】従来の磁壁移動検出回路の動作波形の説明図である。
【図１２】磁壁移動タイミングのずれによるゼロクロス検出ずれの説明図である。
【符号の説明】
７１，７２  微分回路、７４，７５，７６  比較器、７７，７８  論理積回路、７９  論理和回路、８１  電圧付加回路、８２  加算器、１５１  システムコントローラ、１５６  等価回路、１５７  磁壁移動検出回路、１５８  クロック同期回路、１５９  データ検出回路、１６１  テストデータ検出回路、１６３  メモリ
【図１】
2004185775.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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