(57)【要約】【課題】ステンレス樹脂積層体において、ステンレス箔のエッチング加工を行なう際、エッチングレジストとステンレス箔の密着強度を確保するために必須となっている、塩酸処理に代表されるハロゲンアニオンを含む水溶液中におけるステンレス箔の孔食を防ぎ、ステンレスの高精度加工が可能となるステンレス樹脂積層体を提供すること。【解決手段】ステンレスと絶縁層となる樹脂が接合されたステンレス樹脂積層体において、樹脂と接していないステンレスの表面に存在する酸化皮膜厚みが、０．０１Å〜５０Åであることを特徴とするステンレス樹脂積層体およびその製造方法。【選択図】          なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
ステンレスと絶縁層となる樹脂が接合されたステンレス樹脂積層体において、樹脂と接していないステンレスの表面に存在する酸化皮膜厚みが、０．０１Å〜５０Åであることを特徴とするステンレス樹脂積層体。
【請求項２】
絶縁層となる樹脂が、熱可塑性ポリイミドである請求項１記載のステンレス樹脂積層体。
【請求項３】
硫酸水溶液、過塩素酸水溶液、酢酸水溶液、硝酸水溶液、亜硝酸水溶液の内から選ばれた少なくとも１種類を含むｐＨ６未満の酸性水溶液に、浸漬させたステンレスを使用するか、及び／またはステンレスと絶縁層となる樹脂が接合されたステンレス樹脂積層体を硫酸水溶液、過塩素酸水溶液、酢酸水溶液、硝酸水溶液、亜硝酸水溶液の内から選ばれた少なくとも１種類を含むｐＨ６未満の酸性水溶液に、浸漬することを特徴とするステンレス樹脂積層体の製造方法。
【請求項４】
請求項１又は２に記載されたステンレス樹脂積層体から製造されるハードディスクドライブ用サスペンション。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ハードディスク用サスペンション等に広く使用されている、ステンレス樹脂積層体およびその製造方法に関するものである。
詳しくは、エッチング加工の前処理に使用される塩酸処理において、耐孔食性に優れるステンレス樹脂積層体及びその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、ハードディスク用サスペンションには、ステンレス鋼及びステンレス樹脂積層体が使用されている。近年、ハードディスクの高記録密度化、小型化への要求が顕著であり、かかる観点より、ハードディスク用サスペンションに対し、より一層の高精度加工が求められている。ハードディスク用サスペンションを高精度に加工する方法として、例えば、ステンレス樹脂積層体を用い、サスペンションの一部品となるロードビームを製造する方法が開示されている（特許文献１参照）。当該発明を用いれば、ステンレス樹脂積層体の樹脂層をステンレスのエッチングストップ層として用いるため、従来の部分エッチング法、ハーフエッチング法と呼ばれるステンレスの一部を薄膜加工する方法に比べ、エッチング加工の厚み精度をステンレス箔自体の厚み精度と同じにすることができ、ロードビームの高精度加工が可能となる。
【０００３】
しかし、当該発明において、使用するステンレス箔によっては、ステンレス箔のエッチング加工の前処理として、エッチングレジストとステンレスの密着強度を確保するために必須である、例えば塩酸処理のようなハロゲンアニオンを含む水溶液による処理を行なった際に、ステンレス箔の表面に孔食が発生する場合があることがわかった。塩酸処理により孔食が発生すると、エッチングレジストとステンレス箔との間に空間が発生し、その後のエッチング加工が精度よく行なうことが出来ないという問題点があり、孔食が発生しないものの開発が望まれていた。
【０００４】
一方、工業上量産されているステンレス箔は酸化皮膜の欠陥を減ずる種々の方策がとられている。しかしながら、現状存在するもので孔食抑制を達成できるレベルのものはあまりなく、塩酸処理方法による工夫が必要となっている。
【０００５】
かかる処理方法としては、塩酸処理の温度を上昇させること及び塩酸処理の濃度を上げる方法が、公知の技術として知られている。この方法は、塩酸処理液の酸化皮膜除去能力を上げ、ステンレスの酸化皮膜の欠陥が存在したとしても、この欠陥を起点として孔食を発生させる前に、酸化皮膜を完全に除去することにより孔食を抑制することができるものである。しかし、この方法をステンレスとエッチングレジストとの密着性を向上させるために行なう前処理として適用すると、塩酸処理温度を上げ、濃度を上げるとステンレス内部のステンレス鋼の腐食が進行し、厚さが所望の厚みより薄くなるという問題が発生する。よって、かかる方法により孔食を防ぐことには制約があり、ハードディスク用サスペンションの加工ラインに適用することは、実質、不可能であった。
【０００６】
【特許文献１】
特開２００１―４３６４８号公報
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、前記の問題点に鑑み、ステンレス樹脂積層体において、ステンレス箔のエッチング加工を行なう際、エッチングレジストとステンレス箔の密着強度を確保するために必須となっている、塩酸処理に代表されるハロゲンアニオンを含む水溶液中におけるステンレス箔の孔食を防ぎ、ステンレスの高精度加工が可能となるステンレス樹脂積層体を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、鋭意検討の結果、ステンレスと樹脂が接合されたステンレス樹脂積層体において、樹脂と接していないステンレスの表面に存在する酸化皮膜厚みが上記問題点に影響していることを見出した。そこで、樹脂と接していないステンレスの表面に存在する酸化皮膜厚みを規定することにより、塩酸処理に代表されるハロゲンアニオンを含む水溶液中におけるステンレスの孔食を抑制できること、また特定ｐＨの酸水溶液により、ステンレス及び／又はステンレス樹脂積層板を、酸洗処理することにより、この規定する酸化皮膜厚みになることを見出し、そのためステンレス樹脂積層体を高精度に加工できることを見出し、本発明を完成した。
【０００９】
すなわち、本発明は以下に関するものである。
（１）ステンレスと樹脂が接合されたステンレス樹脂積層体において、樹脂と接していないステンレスの表面に存在する酸化皮膜厚みが、０．０１Å〜５０Åであることを特徴とするステンレス樹脂積層体。
（２）絶縁層となる樹脂が、熱可塑性ポリイミドである（１）記載のステンレス樹脂積層体。
【００１０】
（３）  硫酸水溶液、過塩素酸水溶液、酢酸水溶液、硝酸水溶液、亜硝酸水溶液の内から選ばれた少なくとも１種類を含むｐＨ６未満の酸性水溶液に、浸漬させたステンレスを使用するか、及び／またはステンレスと絶縁層となる樹脂が接合されたステンレス樹脂積層体を硫酸水溶液、過塩素酸水溶液、酢酸水溶液、硝酸水溶液、亜硝酸水溶液の内から選ばれた少なくとも１種類を含むｐＨ６未満の酸性水溶液に、浸漬することを特徴とするステンレス樹脂積層体の製造方法。
（４）（１）又は（２）に記載されたステンレス樹脂積層体から製造されるハードディスクドライブ用サスペンション。
【００１１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を詳細に説明する。
【００１２】
本発明のステンレス樹脂積層体において、塩酸処理における孔食を発生させないためには、ステンレスの樹脂と接していない表面の酸化皮膜の厚みを規定することが重要である。ステンレスの酸化皮膜厚みと酸化皮膜の組成はＡＥＳ（オージェ電子分光法）により測定することができる。
【００１３】
ＡＥＳとは、オージェ電子分光法のことであり、電子線を照射する際に発生するオージェ電子を測定して、固体表面に存在する元素の種類と量を測定できるものである。
【００１４】
本発明において酸化皮膜の厚みとは、ＡＥＳにてステンレスの最表面の元素Ｏの量を測定し、ついで、深さ方向のＡＥＳ分析を行ない、検出される元素Ｏの量が、最表面の元素Ｏの量の半分になる厚さのことをいう。すなわち、まず、ステンレス箔をそのままの状態でＡＥＳを測定し、元素Ｏの元素比率を算出する。ここで元素比率とは、ＡＥＳにて検出される全元素量の合計を１００％とし、元素Ｏの検出量を検出される全元素量で割った値のことである。次いで、ステンレス箔をアルゴンイオンのスパッタリングによりをエッチングし、深さ方向の元素分析を行なう。その際、ステンレスの最表面に存在する元素Ｏの元素比率に対し、元素比率が半分になった時、ＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）で金属の表面酸化膜の厚さを測定し、エッチング前の酸化皮膜の厚みからの差のことをいう。
【００１５】
また、酸化皮膜の組成は、ステンレス箔をそのままの状態でＡＥＳ測定を行なった際に測定される元素比率のことをいう。
【００１６】
本発明のステンレス樹脂積層体において、樹脂に接してないステンレスの酸化皮膜の前記ＡＥＳにより測定される厚みが、０．０１〜５０Åであることが、塩酸処理に代表されるハロゲンアニオンを含む水溶液による処理における孔食を防ぐために必要であることを本出願人は見出した。ステンレスの酸化皮膜が５０Åより大きい場合、酸化皮膜の塩酸による腐食速度がステンレス内部のステンレス鋼の腐食速度に比べ著しく遅いため、酸化皮膜が局部的に薄くなっている部分や酸化皮膜内部に不純物が存在することにより酸化皮膜が局部的に消失している部分（以下、酸化皮膜の欠陥と記す）が存在すると、かかる酸化皮膜の欠陥からステンレス内部のステンレス鋼に腐食が進行し、孔食が発生する。一方、酸化皮膜が薄い場合は、塩酸による酸化皮膜の除去が容易なため、孔食の発生頻度は、酸化皮膜が薄くなると共に低下する。よって、孔食を防ぐためには、ステンレスの酸化皮膜は５０Å以下であることが重要である。しかし、ステンレスの酸化皮膜は、ステンレスの大気中での腐食を防止するために必須であり、腐食を防止し、変色、変形を起こさないためには、０．０１Å以上であることが必要である。すなわち、ステンレスの酸化皮膜の厚みとしては、０．０１〜５０Åが好ましく、より好ましくは、０．１〜３０Åである。
【００１７】
また、ステンレスの酸化皮膜の厚さに加え、ステンレスの酸化皮膜の組成も孔食の発生を抑えるためには重要である。ステンレスの酸化皮膜は一般的に鉄、クロム、ニッケル、シリコン元素を多く含む。酸化皮膜の深さ方向の元素組成は、ステンレスの最表面から、鉄、クロムの順に最も多く含まれる元素が変わる。孔食を防ぐためには、酸化皮膜が薄いことが好ましく、かかる酸化皮膜の最表面には鉄及びクロムが同等に含まれることとなる。したがって、孔食を防ぐためには、酸化皮膜中の鉄成分が２０〜４０％、クロム成分が２０〜４０％であることが好ましい。より好ましくは鉄成分及びクロム成分が３０〜３５％である。
【００１８】
本発明のステンレス樹脂積層体に用いる樹脂層としては、該積層体はハードディスク用サスペンションとして好適に使用されるため、磁気ヘッド及び磁気ディスクを汚染しない樹脂であることが必要である。具体的には、高温下でのアウトガスの発生が無く、イオン性の不純物を含まない樹脂を用いることが必要である。このような樹脂としては、ポリイミド、ポリアミド、ポリアミドイミド等が挙げられる。高温下でのアウトガスの発生が最も少ないことから、ポリイミドがより好ましい。
【００１９】
本発明で使用する樹脂層のうち、ステンレスに接する樹脂層としては、熱可塑性ポリイミドが好ましく使用できる。熱可塑性ポリイミド用いることによりステンレスとの密着性を向上させることができ、接着力の強化が図られるため好ましい。
【００２０】
使用できる熱可塑性ポリイミドとしては、ジアミンと酸二無水物とを反応させて得られるものであり、ジアミンと酸二無水物は任意のものを使用することができる。その中でも好ましいジアミンとしては、１，３−ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼン、４，４’−ビス（３−アミノフェノキシ）ビフェニル及び、３，３’−ジアミノベンゾフェノン、１，３−ビス（３−（３−アミノフェノキシ）フェノキシ）ベンゼン等から選ばれた少なくとも一種のジアミンが例として挙げられ、熱可塑性ポリイミドの特性を損なわない範囲内で（通常は、５０モル％未満の範囲で）その他の任意のジアミンを添加することもできる。
【００２１】
任意のジアミンとしては、例えば、ｍ−フェニレンジアミン、ｏ−フェニレンジアミン、ｐ−フェニレンジアミン、ｍ−アミノベンジルアミン、ｐ−アミノベンジルアミン、ビス（３−アミノフェニル）スルフィド、（３−アミノフェニル）（４−アミノフェニル）スルフィド、ビス（４−アミノフェニル）スルフィド、ビス（３−アミノフェニル）スルホキシド、（３−アミノフェニル）（４−アミノフェニル）スルホキシド、ビス（３−アミノフェニル）スルホン、（３−アミノフェニル）（４−アミノフェニル）スルホン、ビス（４−アミノフェニル）スルホン、３，３’−ジアミノベンゾフェノン、３，４’−ジアミノベンゾフェノン、４，４’−ジアミノベンゾフェノン、３，３’−ジアミノジフェニルメタン、３，４’−ジアミノジフェニルメタン、４，４’−ジアミノジフェニルメタン、４，４’−ジアミノジフェニルエーテル、３，３’−ジアミノジフェニルエーテル、３，４’−ジアミノジフェニルエーテル、ビス［４−（３−アミノフェノキシ）フェニル］メタン、ビス［４−（４−アミノフェニキシ）フェニル］メタン、１，１−ビス［４−（３−アミノフェノキシ）フェニル］エタン、１，１−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］エタン、１，２−ビス［４−（３−アミノフェノキシ）フェニル］エタン、１，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］エタン、
【００２２】
２，２−ビス［４−（３−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン、２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン、２，２−ビス［４−（３−アミノフェノキシ）フェニル］ブタン、２，２−ビス［３−（３−アミノフェノキシ）フェニル］−１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］−１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロプロパン、１，３−ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，４−ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，４’−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、４，４’−ビス（３−アミノフェノキシ）ビフェニル、４，４’−ビス（４−アミノフェノキシ）ビフェニル、ビス［４−（３−アミノフェノキシ）フェニル］ケトン、ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］ケトン、ビス［４−（３−アミノフェノキシ）フェニル］スルフィド、ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］スルフィド、ビス［４−（３−アミノフェノキシ）フェニル］スルホキシド、ビス［４−（アミノフェノキシ）フェニル］スルホキシド、ビス［４−（３−アミノフェノキシ）フェニル］スルホン、ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］スルホン、ビス［４−（３−アミノフェノキシ）フェニル］エーテル、ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］エーテル、１，４−ビス［４−（３−アミノフェノキシ）ベンゾイル］ベンゼン、１，３−ビス［４−（３−アミノフェノキシ）ベンゾイル］ベンゼン、４，４’−ビス［３−（４−アミノフェノキシ）ベンゾイル］ジフェニルエーテル、４，４’−ビス［３−（３−アミノフェノキシ）ベンゾイル］ジフェニルエーテル、４，４’−ビス［４−（４−アミノ−α，α−ジメチルベンジル）フェノキシ］ベンゾフェノン、
【００２３】
４，４’−ビス［４−（４−アミノ−α，α−ジメチルベンジル）フェノキシ］ジフェニルスルホン、ビス［４−｛４−（４−アミノフェノキシ）フェノキシ｝フェニル］スルホン、１，４−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）−α，α−ジメチルベンジル］ベンゼン、１，３−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）−α，α−ジメチルベンジル］ベンゼン、１，３−ビス（３−（４−アミノフェノキシ）フェノキシ）ベンゼン、１，３−ビス（３−（２−アミノフェノキシ）フェノキシ）ベンゼン、１，３−ビス（４−（２−アミノフェノキシ）フェノキシ）ベンゼン、１，３−ビス（２−（２−アミノフェノキシ）フェノキシ）ベンゼン、１，３−ビス（２−（３−アミノフェノキシ）フェノキシ）ベンゼン、１，３−ビス（２−（４−アミノフェノキシ）フェノキシ）ベンゼン、１，４−ビス（３−（３−アミノフェノキシ）フェノキシ）ベンゼン、１，４−ビス（３−（４−アミノフェノキシ）フェノキシ）ベンゼン、１，４−ビス（３−（２−アミノフェノキシ）フェノキシ）ベンゼン、１，４−ビス（４−（２−アミノフェノキシ）フェノキシ）ベンゼン、１，４−ビス（２−（２−アミノフェノキシ）フェノキシ）ベンゼン、１，４−ビス（２−（３−アミノフェノキシ）フェノキシ）ベンゼン、１，４−ビス（２−（４−アミノフェノキシ）フェノキシ）ベンゼン、
【００２４】
１，２−ビス（３−（３−アミノフェノキシ）フェノキシ）ベンゼン、１，２−ビス（３−（４−アミノフェノキシ）フェノキシ）ベンゼン、１、２−ビス（３−（２−アミノフェノキシ）フェノキシ）ベンゼン、１，２−ビス（４−（４−アミノフェノキシ）フェノキシ）ベンゼン、１，２−ビス（４−（３−アミノフェノキシ）フェノキシ）ベンゼン、１，２−ビス（４−（２−アミノフェノキシ）フェノキシ）ベンゼン、１，２−ビス（２−（２−アミノフェノキシ）フェノキシ）ベンゼン、１，２−ビス（２−（３−アミノフェノキシ）フェノキシ）ベンゼン、１，２−ビス（２−（４−アミノフェノキシ）フェノキシ）ベンゼン、１，３−ビス（３−（３−アミノフェノキシ）フェノキシ）−２−メチルベンゼン、１，３−ビス（３−（４−アミノフェノキシ）フェノキシ）−４−メチルベンゼン、１，３−ビス（４−（３−アミノフェノキシ）フェノキシ）−２−エチルベンゼン、１，３−ビス（３−（２−アミノフェノキシ）フェノキシ）−５−ｓｅｃ−ブチルベンゼン、１，３−ビス（４−（３−アミノフェノキシ）フェノキシ）−２，５−ジメチルベンゼン、１，３−ビス（４−（２−アミノ−６−メチルフェノキシ）フェノキシ）ベンゼン、１，３−ビス（２−（２−アミノ−６−エチルフェノキシ）フェノキシ）ベンゼン、１，３−ビス（２−（３−アミノフェノキシ）−４−メチルフェノキシ）ベンゼン、１，３−ビス（２−（４−アミノフェノキシ）−４−ｔｅｒｔ−ブチルフェノキシ）ベンゼン、１，４−ビス（３−（３−アミノフェノキシ）フェノキシ）−２，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルベンゼン、１，４−ビス（３−（４−アミノフェノキシ）フェノキシ）−２，３−ジメチルベンゼン、１，４−ビス（３−（２−アミノ−３−プロピルフェノキシ）フェノキシ）ベンゼン、１，２−ビス（３−（３−アミノフェノキシ）フェノキシ）−４−メチルベンゼン、１，２−ビス（３−（４−アミノフェノキシ）フェノキシ）−３−ｎ−ブチルベンゼン、１，２−ビス（３−（２−アミノ−３−プロピルフェノキシ）フェノキシ）ベンゼンビス（３−アミノプロピル）テトラメチルジシロキサン、ビス（１０−アミノデカメチレン）テトラメチルジシロキサン、ビス（３−アミノフェノキシメチル）テトラメチルジシロキサン等が挙げられる。これらは単独あるいは２種以上混合して、用いることができる。
【００２５】
使用できるテトラカルボン酸二無水物としては、特に限定されないが、好ましい例として、ピロメリット酸二無水物、ｐ−フェニレンビス（トリメリット酸モノエステル無水物）、３，３’，４，４’−エチレングリコールジベンゾエートテトラカルボン酸二無水物、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン−３，３’，４，４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物から選ばれた少なくとも一種以上のテトラカルボン酸二無水物を挙げることができ、熱可塑性ポリイミドの特性を損なわない範囲内（通常は、これらのテトラカルボン酸二無水物に対して５０モル％未満）で任意の酸二無水物を添加することができる。
【００２６】
任意の酸二無水物の例としては、３−フルオロピロメリット酸二無水物、３，６−ジフルオロピロメリット酸二無水物、３，６−ビス（トリフルオロメチル）ピロメリット酸二無水物、１，２，３，４−ベンゼンテトラカルボン酸二無水物、２，２’，３，３’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、３，３’’，４，４’’−テルフェニルテトラカルボン酸二無水物、３，３’’’  ，４，４’’’−クァテルフェニルテトラカルボン酸二無水物、３，３’’’’  ，４，４’’’’−キンクフェニルテトラカルボン酸二無水物、２，２’，３，３’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、メチレン−４，４’−ジフタル酸二無水物、１，１−エチニリデン−４，４’−ジフタル酸二無水物、２，２−プロピリデン−４，４’−ジフタル酸二無水物、１，２−エチレン−４，４’−ジフタル酸二無水物、１，３−トリメチレン−４，４’−ジフタル酸二無水物、１，４−テトラメチレン−４，４’−ジフタル酸二無水物、１，５−ペンタメチレン−４，４’−ジフタル酸二無水物、２，２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）−１，１，１，３，３，３−へキサフルオロプロパン二無水物、ジフルオロメチレン−４，４’−ジフタル酸二無水物、１，１，２，２−テトラフルオロ−１，２−エチレン−４，４’−ジフタル酸二無水物、１，１，２，２，３，３−ヘキサフルオロ−１，３−トリメチレン−４，４’−ジフタル酸二無水物、１，１，２，２，３，３，４，４−オクタフルオロ−１，４−テトラメチレン−４，４’−ジフタル酸二無水物、
【００２７】
１，１，２，２，３，３，４，４，５，５−デカフルオロ−１，５−ペンタメチレン−４，４’−ジフタル酸二無水物、オキシ−４，４’−ジフタル酸二無水物、チオ−４，４’−ジフタル酸二無水物、スルホニル−４，４’−ジフタル酸二無水物、１，３−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）−１，１，３，３−テトラメチルシロキサン二無水物、１，３−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）ベンゼン二無水物、１，４−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）ベンゼン二無水物、１，３−ビス（３，４−ジカルボキシフェノキシ）ベンゼン二無水物、１，４−ビス（３，４−ジカルボキシフェノキシ）ベンゼン二無水物、１，３−ビス〔２−（３，４−ジカルボキシフェニル）−２−プロピル〕ベンゼン二無水物、１，４−ビス〔２−（３，４−ジカルボキシフェニル）−２−プロピル〕ベンゼン二無水物、ビス〔３−（３，４−ジカルボキシフェノキシ）フェニル〕メタン二無水物、ビス〔４−（３，４−ジカルボキシフェノキシ）フェニル〕メタンニ無水物、２，２−ビス〔３−（３，４−ジカルボキシフェノキシ）フェニル〕プロパン二無水物、２，２−ビス〔４−（３，４−ジカルボキシフェノキシ）フェニル〕プロパン二無水物、２，２−ビス〔３−（３，４−ジカルボキシフェノキシ）フェニル〕−１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロプロパン二無水物、２，２−ビス〔４−（３，４−ジカルボキシフェノキシ）フェニル〕プロパン二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェノキシ）ジメチルシラン二無水物、１，３−ビス（３，４−ジカルボキシフェノキシ）−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン二無水物、２，３，６，７−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、１，２，５，６−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、３，４，９，１０−ペリレンテトラカルボン酸二無水物、２，３，６，７−アントラセンテトラカルボン酸二無水物、１，２，７，８−フェナントレンテトラカルボン酸二無水物、１，２，３，４−ブタンテトラカルボン酸二無水物、１，２，３，４−シクロブタンテトラカルボン酸二無水物、シクロペンタンテトラカルボン酸二無水物、シクロヘキサン−１，２，３，４−テトラカルボン酸二無水物、シクロヘキサン−１，２，４，５−テトラカルボン酸二無水物、
【００２８】
３，３’，４，４’−ビシクロヘキシルテトラカルボン酸二無水物、カルボニル−４，４’−ビス（シクロヘキサン−１，２−ジカルボン酸）二無水物、メチレン−４，４’−ビス（シクロヘキサン−１，２−ジカルボン酸）二無水物、１，２−エチレン−４，４’−ビス（シクロヘキサン−１，２−ジカルボン酸）二無水物、１，１−エチニリデン−４，４’−ビス（シクロヘキサン−１，２−ジカルボン酸）二無水物、２，２−プロピリデン−４，４’−ビス（シクロヘキサン−１，２−ジカルボン酸）二無水物、１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロ−２，２−プロピリデン−４，４’−ビス（シクロヘキサン−１，２−ジカルボン酸）二無水物、オキシ−４，４’−ビス（シクロヘキサン−１，２−ジカルボン酸）二無水物、チオ−４，４’−ビス（シクロヘキサン−１，２−ジカルボン酸）二無水物、スルホニル−４，４’−ビス（シクロヘキサン−１，２−ジカルボン酸）二無水物、２，２’−ジフルオロ−３，３’  ，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、５，５’−ジフルオロ−３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、６，６’−ジフルオロ−３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２，２’，５，５’，６，６’−ヘキサフルオロ−３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２，２’−ビス（トリフルオロメチル）−３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、５，５’−ビス（トリフルオロメチル）−３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、６，６’−ビス（トリフルオロメチル）−３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２，２’，５，５’−テトラキス（トリフルオロメチル）−３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２，２’，６，６’−テトラキス（トリフルオロメチル）−３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、５，５’，６，６’−テトラキス（トリフルオロメチル）−３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２，２’，５，５’，６，６’−ヘキサキス（トリフルオロメチル）−３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、３，３’−ジフルオロオキシ−４，４’−ジフタル酸二無水物、５，５’−ジフルオロオキシ−４，４’−ジフタル酸二無水物、６，６’−ジフルオロオキシ−４，４’−ジフタル酸二無水物、３，３’，５，５’，６，６’−ヘキサフルオロオキシ−４，４’−ジフタル酸二無水物、３，３’−ビス（トリフルオロメチル）オキシ−４，４’−ジフタル酸二無水物、５，５’−ビス（トリフルオロメチル）オキシ−４，４’−ジフタル酸二無水物、６，６’−ビス（トリフルオロメチル）オキシ−４，４’−ジフタル酸二無水物、
【００２９】
３，３’，５，５’−テトラキス（トリフルオロメチル）オキシ−４，４’−ジフタル酸二無水物、３，３’，６，６’−テトラキス（トリフルオロメチル）オキシ−４，４’−ジフタル酸二無水物、５，５’，６，６’−テトラキス（トリフルオロメチル）オキシ−４，４’−ジフタル酸二無水物、３，３’，５，５’，６，６’−ヘキサキス（トリフルオロメチル）オキシ−４，４’−ジフタル酸二無水物、３，３’−ジフルオロスルホニル−４，４’−ジフタル酸二無水物、５，５’−ジフルオロスルホニル−４，４’−ジフタル酸二無水物、６，６’−ジフルオロスルホニル−４，４’−ジフタル酸二無水物、３，３’，５，５’，６，６’−ヘキサフルオロスルホニル−４，４’−ジフタル酸二無水物、３，３’−ビス（トリフルオロメチル）スルホニル−４，４’−ジフタル酸二無水物、５，５’−ビス（トリフルオロメチル）スルホニル−４，４’−ジフタル酸二無水物、６，６’−ビス（トリフルオロメチル）スルホニル−４，４’−ジフタル酸二無水物、３，３’，５，５’−テトラキス（トリフルオロメチル）スルホニル−４，４’−ジフタル酸二無水物、３，３’，６，６’−テトラキス（トリフルオロメチル）スルホニル−４，４’−ジフタル酸二無水物、５，５’，６，６’−テトラキス（トリフルオロメチル）スルホニル−４，４’−ジフタル酸二無水物、３，３’，５，５’，６，６’−ヘキサキス（トリフルオロメチル）スルホニル−４，４’−ジフタル酸二無水物、３，３’−ジフルオロ−２，２−パーフルオロプロピリデン−４，４’−ジフタル酸二無水物、５，５’−ジフルオロ−２，２−パーフルオロプロピリデン−４，４’−ジフタル酸二無水物、６，６’−ジフルオロ−２，２−パーフルオロプロピリデン−４，４’−ジフタル酸二無水物、３，３’，５，５’，６，６’−ヘキサフルオロ−２，２−パーフルオロプロピリデン−４，４’−ジフタル酸二無水物、３，３’−ビス（トリフルオロメチル）−２，２−パーフルオロプロピリデン−４，４’−ジフタル酸二無水物、
【００３０】
５，５’−ビス（トリフルオロメチル）−２，２−パーフルオロプロピリデン−４，４’−ジフタル酸二無水物、６，６’−ジフルオロ−２，２−パーフルオロプロピリデン−４，４’−ジフタル酸二無水物、３，３’，５，５’−テトラキス（トリフルオロメチル）−２，２−パーフルオロプロピリデン−４，４’−ジフタル酸二無水物、３，３’，６，６’−テトラキス（トリフルオロメチル）−２，２−パーフルオロプロピリデン−４，４’−ジフタル酸二無水物、５，５’，６，６’−テトラキス（トリフルオロメチル）−２，２−パーフルオロプロピリデン−４，４’−ジフタル酸二無水物、３，３’，５，５’，６，６’−ヘキサキス（トリフルオロメチル）−２，２−パーフルオロプロピリデン−４，４’−ジフタル酸二無水物、９−フェニル−９−（トリフルオロメチル）キサンテン−２，３，６，７−テトラカルボン酸二無水物、９，９−ビス（トリフルオロメチル）キサンテン−２，３，６，７−テトラカルボン酸二無水物、ビシクロ〔２，２，２〕オクト−７−エン−２，３，５，６−テトラカルボン酸二無水物、９，９−ビス〔４−（３，４−ジカルボキシ）フェニル〕フルオレン二無水物、９，９−ビス〔４−（２，３−ジカルボキシ）フェニル〕フルオレン二無水物等が挙げられる。これらは単独あるいは２種以上混合して、使用することができる。
【００３１】
本発明のステンレス樹脂積層体において絶縁層となる樹脂層は、単一層であっても、多層であっても良い。単一層の場合、樹脂層の熱膨張係数をステンレスの熱膨張係数と同等のものを用いることが好ましい。ステンレス樹脂積層体の反りを防止できるからである。しかし、熱可塑性ポリイミドは、一般的に熱膨張係数がステンレスに比べ大きいため、この場合には、熱膨張係数がステンレス箔よりも小さいポリイミドを熱可塑性ポリイミドのステンレス箔に接していない面に接合し、多層構造とすることにより、ポリイミド層とステンレス箔の熱膨張係数を合わせることが好ましい。
【００３２】
熱可塑性ポリイミドに接合する、多層構造とする場合用いるポリイミドとしては、熱膨張係数が本発明に用いるステンレス箔よりも小さければよく、化学構造に特に制限は無い。ポリイミドはワニス状態のもの、フィルム状態のもの形態を問わず使用することができる。また、市販のポリイミドフィルムを用いることもでき、宇部興産株式会社製：ユーピレックスＳ（登録商標）、鐘淵化学株式会社製：アピカルＨＰ（登録商標）が熱膨張係数が小さいことから好ましく用いることができる。
【００３３】
本発明のステンレス樹脂積層体において絶縁層となる樹脂層の厚みは、特に限定はないが、単一層の場合、好ましくは５μｍ〜１５０μｍ、より好ましくは１０〜１０５μｍであり、多層とする場合、全体として好ましくは１５μｍ〜１１０μｍ、より好ましくは１５〜８０μｍである。多層とする場合、より好ましくは熱可塑性ポリイミド層を１〜１０μｍ、非熱可塑性ポリイミド層を１２．５〜１００μｍ使用するのが好ましい。
【００３４】
本発明に用いるステンレス箔としては、従来よりハードディスクドライブ用サスペンションに用いられているステンレス３０４Ｈ（ＳＵＳ３０４Ｈ）が好ましい。また、ステンレス箔の熱収縮率を小さくするために、ＳＵＳ３０４Ｈにテンションアニール処理を施すことが、ステンレス樹脂積層体の寸法安定性を向上する観点から、好ましく用いることができる。テンションアニール処理の好ましい例としては、温度１０００〜１２００℃程度、約１０分〜２０分である。
【００３５】
本発明のステンレス樹脂積層体に用いるステンレス箔の厚みとしては、好ましくは１０μｍ〜１０５μｍ、より好ましくは１８μｍ〜６３．５μｍである。ハードディスク用サスペンションとしては、ステンレスの剛性がバネ特性を確保するために重要であり、上記範囲のものが、剛性が不足せず、また剛性は十分あるものの、剛性が高すぎるために、バネとしての役割を果たさなくなるようなことがないため好ましい。
【００３６】
本発明のステンレス樹脂積層体及びステンレスは、ハロゲンアニオンを含まない、酸性水溶液中に浸漬することにより、酸化皮膜厚みを所望の厚みにすることができる。具体的には、硫酸水溶液、過塩酸素酸水溶液、酢酸水溶液、硝酸水溶液、亜硝酸水溶液から選ばれる、少なくとも１つの水溶液を含むｐＨ６未満の酸性水溶液中にステンレス箔及びステンレス樹脂積層体を浸漬する酸洗方法により、酸化皮膜の厚みを０．０１Å〜５０Åにすることが可能となる。前記の酸性水溶液のうち、取り扱いのし易さ、特に廃液処理のし易さから硫酸水溶液がより好ましく使用される。
【００３７】
酸性水溶液の濃度にはｐＨ６未満であれば特に制限はないが、安全性の観点より、濃度が低いもの、例えば０．０１Ｎ〜１．５Ｎの濃度が好ましく用いることができる。また、濃度が低い場合には、所望の酸化皮膜厚みにするためには、浸漬時間を長くする必要が生じ、生産性が著しく悪くなる。そのため、０．５Ｎ〜１．５Ｎの濃度がさらに好ましい。処理時間は、酸化皮膜が除去できる程度の時間が確保できれば、特に制限はないが、生産性の観点からは処理時間は短い方が好ましく、所望の酸化皮膜の厚みが得られる最短の時間を確保することが好ましい。例えば０．５Ｎ〜１．５Ｎの酸性水溶液を使用する場合、３分〜５分程度が好ましい。
酸性水溶液に浸漬する方法としては、特に制限はなく、公知の方法を使用することができる。例を挙げると、スプレーノズルを備えた処理槽を使用し、酸性水溶液を噴霧しながら処理する方法、酸性水溶液を攪拌することができる装置を有した処理槽を使用し、酸性水溶液中に浸漬して処理する方法等を使用することができる。
【００３８】
本発明のステンレス樹脂積層体の製造方法としては、樹脂層として用いる熱可塑性ポリイミドとステンレス箔を熱処理にて接合する方法が挙げられる。該熱処理により、ステンレス箔の酸化皮膜の厚みと組成が変化することがあり、熱処理の温度が２３０℃以上の温度である場合、ステンレス箔の酸化皮膜の厚みと組成が変化することが避けられなくなる。この場合においてステンレス樹脂積層体は前記の酸性水溶中の浸漬による酸洗方法が必要となり、この操作をおこなうことにより、目的のステンレス樹脂積層体を製造することができる。
【００３９】
本発明のステンレス樹脂積層体は、熱可塑性ポリイミドとステンレス箔とを加熱圧着することにより製造することができる。熱可塑性ポリイミドとステンレス箔とを加熱圧着する方法について述べる。加熱圧着する方法について制限はないが、例えば、代表的方法として、加熱プレス法及び／又は熱ラミネート法が挙げられる。加熱プレス法としては、例えば、ポリイミド系樹脂と金属箔をプレス機の所定のサイズに切りだし、重ね合わせを行ない加熱プレスにより加熱圧着することにより製造できる。加熱温度としては、１５０〜６００℃の温度範囲が望ましい。加圧力としては、制限は無いが、好ましくは０．１〜５００ｋＮ／ｍで製造できる。加圧時間としては、特に制限はない。
【００４０】
熱ラミネート方法としては、特に制限は無いが、ロールとロール間に挟み込み、張り合わせを行なう方法が好ましい。ロールは金属ロール、ゴムロール等が利用できる。材質に制限はないが、金属ロールとしては、鋼材やステンレス材料が使用される。表面にクロムメッキ等が処理されたロールを使用することが好ましい。ゴムロールとしては、金属ロールの表面に耐熱性のあるシリコンゴム、フッ素系のゴムを使用することが好ましい。ラミネート温度としては、１００〜３００℃の温度範囲が好ましい。加熱方式は、伝導加熱方式の他、遠赤外等の輻射加熱方式、誘導加熱方式等も利用できる。
【００４１】
熱ラミネート後、加熱アニールすることも好ましい。加熱装置として、通常の加熱炉、オートクレーブ等が利用できる。加熱雰囲気として、空気、イナートガス（窒素、アルゴン）等が利用できる。加熱方法としては、フィルムを連続的に加熱する方法またはフィルムをコアに巻いた状態で加熱炉に放置する方法のどちらの方法も好ましい。加熱方式としては、伝導加熱方式、輻射加熱方式、及び、これらの併用方式等が好ましい。加熱温度は、２００〜６００℃の温度範囲が好ましい。加熱時間は、０．０５〜５０００分の時間範囲が好ましい。
【００４２】
また、本発明のステンレス樹脂積層体は、熱可塑性ポリイミドの前駆体ワニスをステンレス箔に塗布した後、乾燥することにより製造することができる。ステンレス箔上に熱可塑性ポリイミドの溶液、または、該熱可塑性ポリイミドの前駆体であるポリアミック酸溶液（以下、これらを総称してワニスという）を直接塗布・乾燥することにより製造することが出来る。ワニスは、前記の特定のジアミンとテトラカルボン酸二無水物を溶媒中で重合して得られた溶液である。
【００４３】
金属箔上に直接塗布する方法としては、ダイコーター、コンマコーター、ロールコーター、グラビアコーター、カーテンコーター、スプレーコーター等の公知の方法が採用できる。塗布する厚み、ワニスの粘度等に応じて適宜利用できる。
【００４４】
塗布したワニスを乾燥・キュアする方法は、通常の加熱乾燥炉が利用できる。乾燥炉の雰囲気としては、空気、イナートガス（窒素、アルゴン）等が利用できる。乾燥の温度としては、溶媒の沸点により適宜選択するが、６０〜６００℃の温度範囲が好適に利用される。乾燥の時間は、厚み、濃度、溶媒の種類により適宜選択するが０．０５〜５００分程度で行なうのが望ましい。
【００４５】
本発明によれば、耐孔食性に優れるステンレス樹脂積層体が得られる。そのため、本発明のステンレス樹脂積層体は、特にハードディスク用サスペンションとして好適に使用される。
【００４６】
ハードディスク用サスペンションの作成方法としては、一般的に以下の方法により行なうことができる。
【００４７】
まず、本発明のステンレス樹脂積層体のステンレス表面を１．５Ｎ程度の塩酸水溶液にて約２０℃の液温にて１２０秒間程度浸漬し、ステンレス表面の異物を除去するとともに、ステンレス表面をあらし、感光性樹脂とステンレス箔の密着強度を上げる処理を行なう。次いで、ステンレス表面に感光性樹脂を塗布または、張り合せにより形成する。そこに、所望のパターンの像が描かれたマスクを密着させ、感光性樹脂が感度を持つ波長の電磁波を照射する。所定の現像液にて未露光部を溶出させ、所望の回路の像をステンレス上に形成する。その状態のものを塩化第二鉄等のステンレス箔を溶解することができる溶液に浸漬または、溶液を基板上に噴霧することにより露出しているステンレス箔を溶解させた後に、所定の剥離液で感光性樹脂を剥離し、回路とする。
【００４８】
次いで、該ステンレス表面に形成した回路上に同様にして所望のパターン像が描かれたマスクを密着させウェットエッチングプロセスまたはプラズマエッチングプロセスにて樹脂層をパターニングする。
パターニングを行なった後、レーザー溶接等により、ロードビームと呼ばれるステンレス加工品と接合することにより、サスペンションが作成できる。
【００４９】
【実施例】
以下、本発明を実施例により更に詳細に説明する。なお実施例における特性値としては以下の方法により測定した。
（１）表面酸化皮膜厚み測定方法
ＡＥＳ（オージェ電子分光法）はＶＧ社、ＭＩＣＲＯＬＡＢ３１０Ｆの装置を用い、加速電圧５．００ＫＶ、電流９．０１×１０−７Ａ、圧力２．１×１０−６Ｐａにて、まず、ステンレスの最表面の元素Ｏの量を測定し、最表面の元素Ｏの元素比率を算出した。ついで、ステンレスを最表面から所定の時間アルゴンイオンによりスパッタリングを行ない、深さ方向のＡＥＳ分析を行なった。検出される元素Ｏの量が、最表面の元素Ｏの量の半分になる厚さにて、アルゴンイオンスパッタリングを止め、ＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）でステンレスの表面酸化膜の厚さを測定した。また、イオンスパッタリングを施していないステンレスの表面酸化膜の厚さをＴＥＭにて同様に測定し、イオンスパッタリング前の表面酸化膜の厚さとイオンスパッタリング後の表面酸化膜の厚さの差を、表面酸化膜の厚さとした。
【００５０】
（２）孔食観察方法
ステンレス樹脂積層体を５０ｍｍ×５０ｍｍの正方形に切りだし、２０℃の１．５ＮのＨＣｌ溶液中に１２０秒間浸漬し、その後、イオン交換水にてＨＣｌ溶液を十分に洗い流し、８０℃に設定したオーブンにてステンレス樹脂積層体表面に残っているイオン交換水を乾燥し、孔食観察用サンプルとした。このサンプルのステンレス表面を１０倍の光学顕微鏡にて観察し、孔食の有無を確認する。さらに孔食が有った場合、光学顕微鏡の倍率を５００倍まで拡大し、孔食の大きさを測定する。この場合、直線にて測定することができる孔食の最大径の長さを孔食の大きさとする。
【００５１】
合成例１
＜熱可塑性ポリイミド前駆体の合成＞
ジアミン成分として１，３−ビス（３−（３−アミノフェノキシ）フェノキシ）ベンゼンを２０モルとテトラカルボン酸成分として３，３’，４，４’―ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物を１９．４モル秤量し、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド溶媒中で混合した。混合温度及び時間は、２３℃、８時間であった。また、混合時の固形分濃度は１７重量  ％で実施した。得られたポリアミック酸ワニスの粘度は２５℃において４１０ｃｐｓであり塗工に適したものであった。
【００５２】
合成例２
＜熱可塑性ポリイミド前駆体の合成＞
ジアミン成分として１，３−ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼンを２０モルとテトラカルボン酸成分として３，３’，４，４’―ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物を１９．４モル秤量し、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド溶媒中で混合した。混合温度及び時間は、２３℃、８時間であった。また、混合時の固形分濃度は１７重量  ％で実施した。得られたポリアミック酸ワニスの粘度は２５℃において４００ｃｐｓであり塗工に適したものであった。
【００５３】
実施例１
＜両面接着シートの製造＞
非熱可塑性ポリイミド層として、市販のポリイミドフィルム（鐘淵化学工業社製、商品名：アピカル（登録商標）５０ＨＰ、厚み：５０μｍ）の両面に合成例１のポリアミック酸ワニスを塗布・乾燥し、両面接着シートを作製した。合成例１の熱可塑性ポリアミック酸ワニスの塗布には、リバースロールコーターを使用し、塗布・乾燥後のポリイミド層の厚みは５６μｍであった。尚、乾燥条件は１００℃、１５０℃、２００℃、２５０℃、３００℃で各５分間段階的に熱処理を行なった。
【００５４】
＜熱プレスの実施＞
ステンレス箔として、新日鐵社製、商品名：ＳＵＳ３０４Ｈ−ＴＡ、厚み：３０．５μｍ及び、新日鐵社製、商品名：ＳＵＳ３０４Ｈ−ＴＡ、厚み：６３．５μｍを使用した。両面接着シートに厚み３０．５μｍのＳＵＳと厚み６３．５μｍのＳＵＳを各々重ね合わせたものをクッション材（金陽社製、商品名：キンヨーボードＦ２００）ではさみ、加熱プレス機で２００℃、７０ｋｇ／ｃｍ２の条件下で、６０分間加熱圧着して、ＳＵＳ３０４Ｈ−ＴＡ３０．５μｍ厚／熱可塑性ポリイミド／非熱可塑性ポリイミド／熱可塑性ポリイミド／ＳＵＳ３０４Ｈ−ＴＡ６３．５μｍ厚の５層からなるステンレス樹脂積層体を作成した。
【００５５】
＜ステンレス樹脂積層体の評価＞
得られたステンレス樹脂積層体を用いて、ステンレスの酸化皮膜の厚み測定と孔食観察を前述の方法により実施した。結果を表１に示す。孔食の発生はあるものの、大きさが小さくハードディスク用サスペンションとして適したものであった。
【００５６】
実施例２
＜両面接着シートの製造＞
非熱可塑性ポリイミド層として鐘淵化学株式会社製アピカル（登録商標）５０ＮＰＩ（厚み５０μｍ）を用い、熱可塑性ポリイミド層として合成例２のポリアミック酸ワニスを用いた以外、実施例１の両面接着シートと同様な方法にて両面接着シートを作成した。
＜熱プレスの実施＞
加熱プレスの温度を３００℃とした以外は、実施例１と同様な方法にて、ステンレス樹脂積層体を作成した。
【００５７】
＜酸洗の実施＞
得られたステンレス樹脂積層体を、濃度０．５Ｎの硫酸溶液中に１０分間浸漬し、その後、十分にイオン交換水にてステンレス樹脂積層体上に付着した硫酸溶液を洗浄し、洗い流した。
＜ステンレス樹脂積層体の評価＞
得られたステンレス樹脂積層体を用いて、ステンレスの酸化皮膜の厚み測定と孔食観察を前述の方法により実施した。結果を表１に示す。孔食の発生もなく、ハードディスク用サスペンションとして適したものであった。
【００５８】
実施例３
＜ステンレス箔の酸洗の実施＞
新日鐵社製、商品名：ＳＵＳ３０４Ｈ−ＴＡ、厚み：３０．５μｍ及び、新日鐵社製、商品名：ＳＵＳ３０４Ｈ−ＴＡ、厚み：６３．５μｍをそれぞれ、０．５Ｎ硫酸水溶液、０．５Ｎ過塩素酸水溶液を１：１の割合にて混合した酸性水溶液中にて１０分間浸漬し、その後、イオン交換水にて水洗を行ない、さらに０．５Ｎ苛性ソーダ溶液中にて中和処理を実施し、またさらに、イオン交換水にて洗浄を行ない、ステンレスの酸化皮膜を除去した。
＜ステンレス樹脂積層体の製造＞
実施例１と同様な方法にてステンレス樹脂積層体を作成した。
＜ステンレス樹脂積層体の評価＞
得られたステンレス樹脂積層体を用いて、ステンレスの酸化皮膜の厚み測定と孔食観察を前述の方法により実施した。結果を表１に示す。孔食の発生はあるものの、大きさが小さくハードディスク用サスペンションとして適したものであった。
【００５９】
比較例１
＜ステンレス樹脂積層体の製造＞
熱可塑性ポリイミド層として合成例２のポリアミック酸ワニスを用い、加熱プレスの温度を３００℃にした以外、実施例１と同様な方法にてステンレス樹脂積層体を作成した。
＜ステンレス樹脂積層体の評価＞
得られたステンレス樹脂積層体を用いて、ステンレスの酸化皮膜の厚み測定と孔食観察を前述の方法により実施した。結果を表１に示す。孔食の発生があり、孔食の大きさは３０μｍ以上のものがあり、ハードディスク用サスペンションとして適したものではなかった。
【００６０】
【表１】
2004314523.tif 000002
【００６１】
【発明の効果】
本発明によれば、塩酸処理における耐孔食性に優れるステンレス樹脂積層体が得られる。従って、ステンレスとエッチングレジストとの密着強度を向上させるために必要な工程である塩酸処理において孔食発生を低減することができるので、孔食により引き起こされるエッチングレジストとステンレス間の剥離を減らし、ステンレスのエッチング加工精度を高層することができる。よって、特にハードディスクドライブのサスペンション材料として好適に使用される。