(57)【要約】【課題】電磁変換特性を犠牲にすることなしに優れた熱安定性を有する、反強磁性結合を利用した磁気記録媒体を提供すること。【解決手段】少なくとも記録層、安定化層およびそれらの間に位置するスペーサ層を有する磁気記録媒体において、記録層とスペーサ層との間、スペーサ層と安定化層との間、または記録層とスペーサ層およびスペーサ層と安定化層との間に接合層を有する磁気記録媒体とする。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも記録層、安定化層およびそれらの間に位置するスペーサ層を有する磁気記録媒体において、記録層とスペーサ層との間、スペーサ層と安定化層との間およびそれらの両方からなる群から選択される位置に接合層を有する磁気記録媒体。
【請求項２】
前記接合層材料が、Ｃｏ単体もしくはＣｏを主成分としＣｒ、Ｔａ、Ｂ、Ｐｔ、Ｃｕのうち少なくとも１種類以上が添加された合金であることを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体。
【請求項３】
前記接合層の飽和磁化ＭＳが、記録層のＭＳよりも大きいことを特徴とする請求項１または２に記載の磁気記録媒体。
【請求項４】
前記接合層の飽和磁化ＭＳが、安定化層のＭＳよりも大きいことを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の磁気記録媒体。
【請求項５】
前記接合層の膜厚が、最大で１．０ｎｍを有することを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の磁気記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、情報処理機器のデータ記録装置等に使用される磁気記録媒体に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
磁気記録媒体の記録密度は、年率約１００％という驚異的な伸びで増加しており、この流れが弱まる傾向は見えない。高記録密度達成にはいつくかの課題があるが、大きな課題として信号対雑音比（ＳＮＲ：Ｓｉｇｎａｌ  ｔｏ  Ｎｏｉｓｅ  Ｒａｔｉｏ）の向上および熱安定性の向上が挙げられる。
【０００３】
ＳＮＲ向上のためには、磁性粒子の孤立・微細化による媒体の低ノイズ化が有効である。その手法として従来より下地層および磁性層の組成選定、各層における成膜条件制御、下地・磁性層の多層・薄膜化が提案されてきた。
【０００４】
前述手法の１つである下地層の薄膜化では、下地層の薄膜化により下地層粒子サイズが微細化し、その上に積層される磁性粒子サイズも小さくなり、その結果ＳＮＲが向上する。しかし、この磁性粒子の微細化に伴い、磁気記録媒体の保磁力が減少する現象が生じる。これは磁化の熱揺らぎによるものと考えられている。この熱揺らぎの影響が大きくなると、記録信号の減衰が顕著になり、磁気記録媒体の高度化において望ましくない。
【０００５】
磁化の熱揺らぎすなわち熱安定性はＫｕＶ／ｋＢＴという指標により評価される。ここで、Ｋｕは異方性定数、Ｖは磁性粒子体積、ｋＢはボルツマン定数、Ｔは温度である。前述のようにＳＮＲを向上させて記録密度を高めるためには磁性粒子体積Ｖを減少させる必要があるが、このことはＫｕＶ／ｋＢＴをも減少させるため熱安定性が減少するのである。一方、異方性定数Ｋｕを増加させると熱安定性が向上し、同時に残留保磁力Ｈｃｒも増加するためノイズの減少に有利である。しかし通常、Ｈｃｒが高いと動的保磁力（ｄｙｎａｍｉｃ  ｃｏｅｒｃｉｖｉｔｙ）Ｈ０も高い値を示すため、磁気ヘッドによるデータの書き込みが困難になる、すなわちオーバーライト（Ｏ／Ｗ）特性が劣化するという問題が生ずるため、磁気異方性定数を増加させるのにも限界がある。
【０００６】
上述のとおり、磁気記録媒体の高記録密度化と優れた熱安定性の確保を両立させることは、これまで困難であった。
【０００７】
この相反する特性の両立のために反強磁性結合を利用した磁気記録媒体構造が提案されている（特許文献１参照）。この発明における磁気記録媒体は、非磁性基板と、該基板上に形成される単層あるいは複数の下地膜と、少なくとも一対の安定化層およびスペーサ層の対と、単層あるいは複数の記録層と、保護層とを含む構造からなる。該磁気記録媒体において、安定化層・磁性層間に反強磁性結合が生じ、微細磁性粒子にもかかわらず耐熱揺らぎ性に優れた媒体の作成が可能となる。
【０００８】
【特許文献１】
特開２００２−１８３９２６号公報
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
ところで前述の反強磁性結合を利用した磁気記録媒体構造では、外部磁場がない状態において、一定の交換結合磁界の下、記録層と安定化層との磁化の向きが反平行となる。この結果、電磁変換特性を犠牲にすることなしに反強磁性結合を生じさせることができる。また熱安定性も交換結合磁界の大きさに依存し、交換結合磁界が大きいほど優れた熱安定性を示す。しかし交換結合磁界の大きさは、種々の条件により大きく左右されるため、常に所望の大きさを維持しておくことが望まれていた。
【００１０】
本発明は、反強磁性結合を利用した磁気記録媒体において、交換結合磁界を強めることにより優れた熱安定性と電磁変換特性を両立させ、これにより更なる高記録密度を達成することを目的とする。すなわち本発明は、ＳＮＲおよびＯ／Ｗなどの電磁変換特性を犠牲にすることなしに優れた熱安定性を有する、反強磁性結合を利用した磁気記録媒体を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上記目的は、少なくとも記録層、安定化層およびそれらの間に位置するスペーサ層を有する磁気記録媒体において、記録層とスペーサ層との間、スペーサ層と安定化層の間およびそれらの両方からなる群から選択される位置に接合層を有する磁気記録媒体により達成される。
【００１２】
本発明の一実施形態において、前記接合層材料は、Ｃｏ単体よりなることが好ましい。
【００１３】
また本発明の別の実施形態において、前記接合層材料は、Ｃｏを主成分としＣｒ、Ｔａ、Ｂ、Ｐｔ、Ｃｕのうち少なくとも１種類以上が添加された合金であることが好ましい。
【００１４】
上記本発明の磁気記録媒体において、前記接合層の飽和磁化ＭＳが、記録層のＭＳ、安定化層のＭＳまたは記録層および安定化層のＭＳよりも大きいことが好ましい。
【００１５】
上記本発明の磁気記録媒体において、前記接合層の膜厚は、好ましくは最大で１．０ｎｍであり、特には０．５ｎｍ以下であることが好ましい。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の好ましい形態について説明する。図１は、本発明の磁気記録媒体の断面模式図である。図１に示される本発明の磁気記録媒体は、基板１上に下地層２、安定化層３、接合層４−ａ、スペーサ層５、接合層４−ｂ、記録層６、保護層７および潤滑層８が順に形成された構造を有する。しかし該磁気記録媒体は例示として示しているのであって、本発明の記録媒体をこの構成に限定するものではない。また、少なくとも記録層、安定化層およびそれらの間に位置するスペーサ層を有する磁気記録媒体構造において、本発明に係る接合層は、図１のようにスペーサ層の上下に設けてもよいし、記録層とスペーサ層との間にのみ接合層を有してもよいし、あるいはスペーサ層と安定化層との間にのみ接合層を有してもよい。
【００１７】
基板１としては、通常の磁気記録媒体用に用いられるアルミやガラス等を用いることができる。
【００１８】
下地層２としては、通常の磁気記録媒体用に用いられるＣｒ合金等を用いることができる。一般には５．０ｎｍ以上１０．０ｎｍ以下の厚さの下地層を用いることが望ましいが、種々の条件により上記範囲を超えて適宜膜厚を変えることができる。また下地層は、単層であっても、あるいは複層であってもよい。
【００１９】
下地層と以下に述べる安定化層との間に結晶学的な整合性を高めるためにＣｏＣｒ系合金などの中間層を挿入することも可能である。該中間層は、単層であっても、あるいは複層であってもよい。
【００２０】
安定化層３および記録層６の材料には、それぞれＣｏを主成分として、Ｃｒ、Ｔａ、Ｂ、Ｐｔ、Ｃｕのうちの少なくとも１種類以上が添加された合金が用いることができる。安定化層３および記録層６の材料は、同じであってもよいし、異なるものであってもよい。安定化層および記録層の膜厚は、それぞれに用いられる材料、組成および／または求められる特性により適宜決定することができる。
【００２１】
安定化層３および記録層６はともに磁性層であり、一定の保磁力を有する。本発明の磁気記録媒体は、安定化層と記録層との間に反強磁性結合を有する磁気記録媒体であり、記録層の保磁力が安定化層の保磁力より大きいことが特徴である。また記録層は、単層であっても、あるいは複層であってもよい。
【００２２】
接合層４−ａは安定化層３と、接合層４−ｂは記録層６と同方向の磁化を有することが必要である。そのためには、上記安定化層および記録層の材料系と同じ、あるいは近しい材料系が適している。尚、本箇所でいう「同じ材料系」とは、用いられる合金の構成元素が同じであることを意味し、その組成比まで等しいことを意味するものではない。また、安定化層３および記録層６間の結晶学的な整合性を維持するという観点からは、接合層４−ａまたは４−ｂの材料は、安定化層３および記録層６と同等の結晶格子間隔を持つ六方晶構造の材料が適しているが、これに限定されるものではない。接合層４−ａおよび接合層４−ｂの材料には、Ｃｏ単体もしくはＣｏを主成分として、Ｃｒ、Ｔａ、Ｂ、Ｐｔ、Ｃｕのうちの少なくとも１種類以上が添加された合金が用いられる。なお接合層がスペーサ層の上下に位置する場合、これら２層の接合層は必ずしも同じ材料・組成である必要はなく、所望の特性により変えることができる。
【００２３】
接合層４−ａ、接合層４−ｂの膜厚は、極めて薄い膜厚でさえ交換結合磁界に大きく寄与し、厚くなるに従いその効果は増大する。しかし、ノイズの増減の関係から、適度な接合層の膜厚を設けることにより良好なＳＮＲを維持することができるため、所望の熱安定性およびＳＮＲ等の特性が得られる範囲において接合層の膜厚を設定することが望ましい。すなわち接合層の膜厚は、好ましくは最大で１．０ｎｍであり、特には０．５ｎｍ以下であることが好ましい。尚、接合層がスペーサ層の上下に位置する場合、これら２層の接合層は必ずしも同じ膜厚である必要はなく、所望の特性により変えることができる。
【００２４】
また安定化層３および記録層６間の結晶学的な整合性を維持するため、スペーサ層５の材料には、安定化層３および記録層６と同等の結晶格子間隔を持つ六方晶構造の材料が適している。従って本発明の磁気記録媒体においては、上記スペーサ層が、Ｃｏ、Ｒｕ、Ｒｅ、Ｏｓまたはこれらの少なくとも１種類を含む六方晶構造の合金から形成されることが好ましい。
【００２５】
スペーサ層の膜厚は、一般的には０．５ｎｍ以上１．２ｎｍ以下、特には０．７ｎｍ以上０．９ｎｍ以下であることが好ましい。
【００２６】
保護層７としては、カーボンを主体とする薄膜、その他、磁気記録媒体の保護層として一般的に用いられる様々な薄膜材料を用いることができる。保護層の膜厚は、２．０ｎｍ以上６．０ｎｍ以下、好ましくは３．０ｎｍ以上４．０ｎｍ以下であることが望ましい。
【００２７】
潤滑層８としては、パーフルオロポリエーテル系の潤滑剤、その他、磁気記録媒体の一般的な潤滑層材料を用いることができる。潤滑層の膜厚は、一般的には１０．０Å以上３０．０Å以下、好ましくは１２．０Å以上１８．０Å以下であることが好ましい。
【００２８】
基板上に積層される各層は、磁気記録媒体の分野で通常用いられる様々な成膜技術によって形成することが可能である。潤滑層を除く各層の形成には、例えば、ＤＣマグネトロンスパッタ法、ＲＦマグネトロンスパッタ法、真空蒸着法を用いることができる。また、潤滑層の形成には、例えば、ディップ法やスピンコート法を用いることができる。しかし、各層の形成方法は、これらに限定されるものではない。
【００２９】
以上説明したとおり、本発明の接合層を有する磁気記録媒体では、該接合層の存在により記録層と安定化層の反強磁性結合が強められ、交換結合磁界が増大する。この結果、反強磁性結合を利用した磁気記録媒体において、記録層および安定化層の磁化の向きが反平行に維持され、ＳＮＲやＯ／Ｗなどの電磁変換特性を犠牲にすることなしに優れた熱安定性を得ることが可能となる。
【００３０】
【実施例】
以下に本発明の実施例を記す。
【００３１】
（実施例１）
表面に平均粗さ約０．９ｎｍのテクスチャ処理を施した外径９５ｍｍのＮｉＰメッキ付アルミ基板を、Ａｒ雰囲気５ｍＴｏｒｒ（約０．６７Ｐａ）に調整したスパッタ装置内に導入し、Ｃｒを５．０ｎｍ積層しさらにその上にＣｒＭｏ２０（ａｔ％）を２．０ｎｍ積層して下地層を７．０ｎｍ形成し、次いでＣｏＣｒ１８Ｔａ７（ａｔ％）合金から成る安定化層を４．０ｎｍ形成した。その上にＣｏから成る接合層を０．５ｎｍ、Ｒｕスペーサ層を０．８ｎｍ、Ｃｏから成る接合層を０．５ｎｍを順次形成した。次いでＣｏＣｒ１８Ｐｔ１０Ｂ６（ａｔ％）合金から成る記録層を１２．４ｎｍ形成し、カーボン保護層３．５ｎｍを積層した後真空中から取り出た。さらに該保護層上に液体潤滑剤１５．０Åを塗付して潤滑層を形成し、図１に示すような磁気記録媒体を作製した。なおＣｒ合金下地層成膜直前の基板温度が約２２０℃になるように、成膜前に加熱処理を施している。
【００３２】
（実施例２）
実施例１で作製した磁気記録媒体から接合層４−ｂを除いた以外は同一である、接合層が１層の磁気記録媒体を作製した。
【００３３】
（実施例３）
実施例１で作製した磁気記録媒体から接合層４−ａを除いた以外は同一である、接合層が１層の磁気記録媒体を作製した。
【００３４】
（比較例）
比較として実施例１で作製した磁気記録媒体から接合層を除いた以外は同一である、接合層を有しない磁気記録媒体を作製した。
【００３５】
（評価１）
実施例１〜３および比較例において作製した磁気記録媒体を用いて、Ｍ−Ｈ特性を測定した。Ｍ−Ｈ特性は振動試料型磁力計（ＶＳＭ）を用いて測定した。比較例で作製した接合層を有しない記録媒体のＭ−Ｈ特性を図２（ａ）に、実施例１で作製した接合層４−ａ及び４−ｂの２層の接合層を有する記録媒体のＭ−Ｈ特性を図２（ｂ）に、実施例２で作製した接合層４−ａのみを有する記録媒体のＭ−Ｈ特性を図２（ｃ）に、実施例３で作製した接合層４−ｂのみを有する記録媒体のＭ−Ｈ特性を図２（ｄ）に、それぞれ示した。
【００３６】
図２（ａ）に示す接合層を有しない記録媒体では、Ｍ−Ｈ特性の第一象現における磁化の落ち込みがＨ＝９５０Ｏｅ（約７５．６ｋＡ／ｍ）付近で見られるが、図２（ｂ）に示す接合層４−ａ及び４−ｂを有する記録媒体では、該磁化の落ち込みがＨ＝３７００Ｏｅ（約２９５ｋＡ／ｍ）付近、図２（ｃ）に示す接合層４−ａのみを有する記録媒体では、該磁化の落ち込みがＨ＝１２００Ｏｅ（約９５．５ｋＡ／ｍ）付近、および図２（ｄ）に示す接合層４−ｂのみを有する記録媒体では、該磁化の落ち込みがＨ＝３２００Ｏｅ（約２５５ｋＡ／ｍ）付近で見られる。
【００３７】
これらの磁化の落ち込みは、一般的な記録媒体のヒステルシスループには見られず、スペーサ層を用いた記録媒体のヒステルシスループの特徴である。この磁化の落ち込みは反強磁性結合の存在を示すものである。高外部磁場では記録層と安定化層は同じ磁化の向きを示しているが、外部磁場が弱まると交換結合磁界により安定化層の磁化が反転し、反強磁性結合が生じる。これにより記録層の磁化の一部が打ち消されるため、図２のような急激な落ち込みが観察されるのである。したがって、交換結合磁界が大きいときには、より高磁場で磁化の落ち込みが観察される。該落ち込みは、できる限り高磁場で起こることが望ましい。
【００３８】
接合層を有しない記録媒体に比べて、本発明の接合層を有する記録媒体では、より高磁場で磁化の落ち込みが観察されたことから、接合層が交換結合磁界を強めていることがわかる。
【００３９】
（評価２）
実施例１で作製した記録媒体の安定化層、記録層および接合層の飽和磁化ＭｓをＶＳＭで測定したところ、安定化層Ｍｓ＝約３６０（ｅｍｕ／ｃｃ）、記録層Ｍｓ＝約３４０（ｅｍｕ／ｃｃ）、接合層Ｍｓ＝約１０００（ｅｍｕ／ｃｃ）であった。接合層Ｍｓは、安定化層および記録層のＭｓより大きい値を示している。
【００４０】
（評価３）
実施例１〜３で作製した磁気記録媒体について、信号対雑音比ＳＮＲとオーバーライトＯ／Ｗの接合層膜依存性を測定し、図３に示した。ＳＮＲおよびＯ／Ｗは、スピンスタンドにて測定した。尚、Ｏ／Ｗは、以下の定義により測定した。
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図３より、膜厚が増加しても接合層を有する磁気記録媒体のＳＮＲおよびＯ／Ｗ、すなわち電磁変換特性は、良好な範囲で維持されることが示された。
【００４１】
以上より、本発明の接合層を有する磁気記録媒体では、電磁変換特性を犠牲にすることなしに、交換結合磁界を強めることが可能であることがわかる。
【００４２】
（実施例４）
接合層の膜厚を変更したこと以外、実施例１と同様に磁気記録媒体を成膜した。接合層の膜厚は、それぞれ０、０．１、０．２、０．３、０．４および０．５ｎｍに変えたものを調製した。
【００４３】
（実施例５）
接合層材料にＣｏＣｒ６（ａｔ％）を用いたこと以外、実施例４と同様に磁気記録媒体を作製した。
【００４４】
（実施例６）
接合層材料にＣｏＣｒ１２（ａｔ％）を用いたこと以外、実施例４と同様に磁気記録媒体を作製した。
【００４５】
（実施例７）
接合層材料にＣｏＣｒ１８（ａｔ％）を用いたこと以外、実施例４と同様に磁気記録媒体を作製した。
【００４６】
（評価４）
実施例４〜７において作製した磁気記録媒体に関して、接合層材料の飽和磁化Ｍｓおよび各接合層膜厚における記録媒体の交換結合磁界Ｈｅｘを測定し、その結果を図４に示した。ＨｅｘおよびＭｓはＶＳＭで測定した。図４より、接合層膜厚の増加にしたがってＨｅｘはリニアに増加しており、Ｈｅｘが接合層膜厚に依存していることがわかる。また、接合層のＭｓが高いほどＨｅｘの増加の割合が高いことがわかる。以上から、より強い交換結合磁界を得るためには、接合層の膜厚がより厚いことが望ましく、および／または接合層のＭｓがより大きいことが望ましい。接合層のＭｓは、少なくとも記録層および安定化層のＭｓ（評価２参照）より大きいことが必要である。
【００４７】
（評価５）
実施例４で作製した記録媒体を用いて、残留保磁力Ｈｃｒ、動的保磁力Ｈ０および熱安定性指数ＫｕＶ／ｋＢＴを測定した。そしてＨｃｒおよびＨ０と接合層膜厚との関係、およびＫｕＶ／ｋＢＴと接合層膜厚との関係をそれぞれ図５および図６に示した。
【００４８】
まずＨｃｒとＨ０の接合層膜厚依存性を測定し、図５に示した。ＨｃｒおよびＨ０はＯＲＭ（非破壊磁気特性測定装置）を用いて測定した。図５より、Ｈｃｒは接合層膜厚増加に伴い、ほぼリニアに増加することがわかる。一方Ｈ０は、接合層膜厚が０．２ｎｍ程度までは、増加して７８００Ｏｅ（約６２０ｋＡ／ｍ）程度となり、それ以上の膜厚では、Ｈ０は減少している。
【００４９】
通常、熱安定性を向上させるためにＨｃｒを高くすると、同時にＨ０もまた高い値を示すため、磁気ヘッドによるデータの書き込みが困難になる。しかし図５より、本発明の記録媒体を用いて測定した場合には、Ｈｃｒが増加しても、現在の磁気ヘッドの書き込み能力に対して、書き込みをし難くするほどのＨ０の増加は見られなかった。したがって本発明の記録媒体では、Ｏ／Ｗ特性の劣化なしに高い熱安定性を得ることができる。
【００５０】
次ぎにＫｕＶ／ｋＢＴの接合層膜厚依存性を測定し、図６に示した。ＫｕＶ／ｋＢＴはＯＲＭを用いて測定した。図６より、ＫｕＶ／ｋＢＴは、接合層膜厚に伴い増加傾向にあることわかる。したがって本発明の記録媒体の接合層膜厚は、厚いほど優れた熱安定性を得ることが可能である。
【００５１】
（評価６）
実施例４〜７で作製した記録媒体のうち、膜厚が０．３ｎｍのものを用いて、ＫｕＶ／ｋＢＴ、ＳＮＲおよびＯ／Ｗを測定し、組成の異なる接合層を有する記録媒体の熱安定性および電磁変換特性を比較した。ＫｕＶ／ｋＢＴはＯＲＭ、ＳＮＲおよびＯ／Ｗはスピンスタンドにて測定した。ＫｕＶ／ｋＢＴの測定結果を図７に、ＳＮＲおよびＯ／Ｗの測定結果を図８に示した。尚、熱安定性については、比較例で作製した接合層を有しない記録媒体のＫｕＶ／ｋＢＴについても測定し、その結果をあわせて図７に示した。
【００５２】
図７より、実施例４〜７で作製した本発明の接合層を有する記録媒体のＫｕＶ／ｋＢＴは全て、接合層を有しない記録媒体のＫｕＶ／ｋＢＴに比べて大きいことがわかる。また本発明の記録媒体同士を比較すると、組成の違いによって得られるＫｕＶ／ｋＢＴの値が異なることがわかる。これより磁気記録媒体に接合層を設けることで高い熱安定性を得ることができ、その熱安定性の増加の割合は、接合層の材料、組成およびその比率で異なるため、接合層には適切な材料等を用いることが望ましいことがわかる。
【００５３】
図８より、実施例４〜７で作製した本発明の接合層を有する記録媒体のＳＮＲおよびＯ／Ｗは、接合層膜厚を厚くしても、測定範囲内においてはＳＮＲおよびＯ／Ｗともに劣化は見られず、良好な電磁変換特性を維持していることがわかる。またＳＮＲおよびＯ／Ｗ特性は接合層材料・組成およびその比率で異なるため、適切な材料を用いることが望ましい。
【００５４】
上述の評価より、本発明の磁気記録媒体は、交換結合磁界が増大し、熱安定性が向上するとともに、電磁変換特性は、最大で１．０ｎｍまで良好に維持することが可能である。
【００５５】
【発明の効果】
以上のように、反強磁性結合を利用した磁気記録媒体において、交換結合磁界を強めるために接合層を適用し、該接合層の材料・組成およびその組成並びに膜厚の最適化を行うことによって、電磁変換特性を損なうことなく優れた熱安定性を得ることができる。これにより、磁気記録媒体の更なる高記録密度を達成することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る磁気記録媒体の断面該略図である。
【図２】（ａ）は接合層を持たない従来構造の磁気記録媒体のＭ−Ｈ特性を示したグラフであり、（ｂ）は本発明に係る接合層４−ａおよび４−ｂを有する磁気記録媒体のＭ−Ｈ特性を示したグラフであり、（ｃ）は本発明に係る接合層４−ａのみを有する磁気記録媒体のＭ−Ｈ特性を示したグラフであり、（ｄ）は本発明に係る接合層４−ｂのみを有する磁気記録媒体のＭ−Ｈ特性を示したグラフである。
【図３】（ａ）は本発明に係る磁気記録媒体の接合層膜厚と信号対雑音比ＳＮＲとの関係を示したグラフであり、（ｂ）は本発明に係る磁気記録媒体の接合層膜厚とオーバーライトＯ／Ｗ特性との関係を示したグラフである。
【図４】本発明に係る磁気記録媒体の接合層材料の飽和磁化Ｍｓおよび各接合層膜厚における記録媒体の交換結合磁界Ｈｅｘの関係を示したグラフである。
【図５】本発明に係る磁気記録媒体の接合層膜厚と残留保磁力Ｈｃｒおよび動的保磁力Ｈ０との関係を示したグラフである。
【図６】本発明に係る磁気記録媒体の接合層膜厚と熱安定性指数ＫｕＶ／ｋＢＴの関係を示したグラフである。
【図７】本発明に係る磁気記録媒体の接合層組成と熱安定性指数ＫｕＶ／ｋＢＴの関係を示したグラフである。
【図８】（ａ）は本発明に係る磁気記録媒体の接合層組成と接合層膜厚と信号対雑音比ＳＮＲとの関係を示したグラフであり、（ｂ）は本発明に係る磁気記録媒体の接合層組成と接合層膜厚とオーバーライトＯ／Ｗ特性との関係を示したグラフである。
【符号の説明】
１        基板
２        下地層
３        安定化層
４−ａ    接合層
５        スペーサ層
４−ｂ    接合層
６        記録層
７        保護層
８        潤滑層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
2004246966.tif 000008
【図６】
2004246966.tif 000009
【図７】
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【図８】
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