(57)【要約】【課題】　任意の大きさに拡張可能であり、供給源に対して固定され、面積の大きな少なくとも１つの基板において、均質な被覆厚分布の経済的実現を保証する、マグネトロンスパッタ供給源を提供する。【解決手段】　マグネトロンスパッタ供給源は、互いに電気絶縁された少なくとも２つの長手ターゲット配置（３）が、ターゲット配置（３）の幅（Ｂ）よりも遥かに小さい間隔（ｄ）で長手側に相並んで配置された、マグネトロンスパッタ供給源であって、前記ターゲット配置の各々の下側に磁石配置が設けられ、前記磁石配置が、割当てられたターゲット配置のスパッタ表面上に、時間的に変化する磁場の模様を発生させることを特徴とする。【選択図】　　　　図４
2004091927.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
　互いに電気絶縁された少なくとも２つの長手ターゲット配置（３）が、ターゲット配置（３）の幅（Ｂ）よりも遥かに小さい間隔（ｄ）で長手側に相並んで配置された、マグネトロンスパッタ供給源であって、前記ターゲット配置の各々の下側に磁石配置が設けられ、前記磁石配置が、割当てられたターゲット配置のスパッタ表面上に、時間的に変化する磁場の模様を発生させることを特徴とする、マグネトロンスパッタ供給源。
【請求項２】
　磁場の時間的な変化が、ターゲット配置の幅方向におけるトンネル形状のマグネトロン磁場の変化を含み、前記トンネル形状のマグネトロン磁場が本質的にターゲット配置の長手方向に延びることを特徴とする、請求項１に記載のマグネトロンスパッタ供給源。
【請求項３】
　前記磁石配置が、移動する永久磁石を有することを特徴とする、請求項１または請求項２に記載のマグネトロンスパッタ供給源。
【請求項４】
　それぞれのターゲット配置にある磁石配置を用いて、前記磁場が、ターゲット配置の幅方向で側方に往復して変えられることを特徴とする、請求項３に記載のマグネトロンスパッタ供給源。
【請求項５】
　前記ターゲット配置が、それぞれの電気接続部を介して、それぞれ割当てられたＤＣ供給ユニットに接続されることを特徴とする、請求項１に記載のマグネトロンスパッタ供給源。
【請求項６】
　前記ターゲット配置が、互いに対し独立に制御可能でＤＣ供給されることを特徴とする、請求項５に記載のマグネトロンスパッタ供給源。
【請求項７】
　互いに絶縁された長手ターゲット配置の少なくとも３個が設けられることを特徴とする、請求項１に記載のマグネトロンスパッタ供給源。
【請求項８】
　前記ターゲット配置の長さ（Ｌ）が、
４００ｍｍ≦Ｌ≦２０００ｍｍ
で選択されることを特徴とする、請求項１に記載のマグネトロンスパッタ供給源。
【請求項９】
　前記ターゲット配置の間隔（ｄ）が、
１ｍｍ≦ｄ≦２３０ｍｍ
であることを特徴とする、請求項８に記載のマグネトロンスパッタ供給源。
【請求項１０】
　前記ターゲット配置の幅（Ｂ）が、
６０ｍｍ≦Ｂ≦３５０ｍｍ
であることを特徴とする、請求項９に記載のマグネトロンスパッタ供給源。
【請求項１１】
　前記磁石配置が永久磁石および／または電磁石を有することを特徴とする、請求項１に記載のマグネトロンスパッタ供給源。
【請求項１２】
　時間的に変化する磁場の模様が制御可能であることを特徴とする、請求項１に記載のマグネトロンスパッタ供給源。
【請求項１３】
　時間的に変化する磁場の模様が、別の磁場の模様に対し独立に制御可能であることを特徴とする、請求項１に記載のマグネトロンスパッタ供給源。
【請求項１４】
　長手ターゲット配置が独自の電気接続部を有することを特徴とする、請求項１に記載のマグネトロンスパッタ供給源。
【請求項１５】
　長手ターゲット配置が各々独自の電気接続部を有し、かつ互いに対し独立に電気供給されることを特徴とする、請求項１に記載のマグネトロンスパッタ供給源。
【請求項１６】
　好ましくは請求項１から請求項１６のいずれかに記載のマグネトロンスパッタ供給源と、スパッタ被覆されるべき少なくとも１つの基板のために、前記マグネトロンスパッタ供給源に対して距離をおいて配置される基板担体（６６）とを備えるスパッタ被覆室であって、前記マグネトロンスパッタ供給源は、互いに電気絶縁された少なくとも２個の長手ターゲット配置を有し、前記長手ターゲット配置は、前記ターゲット配置の幅（Ｂ）よりも遥かに小さい間隔（ｄ）で長手側に相並んで配置され、前記スパッタ被覆室は、被覆されるべき基板表面（ＦS）に対する前記少なくとも２個のターゲット配置のスパッタ供給源
表面（ＦQ）の比率（ＶQS）が、
ＶQS≦３
　好ましくは、
ＶQS≒２であることを特徴とする、スパッタ被覆室。
【請求項１７】
　マグネトロンスパッタ供給源の新表面と基板との間の距離（Ｄ）が本質的に長手ターゲット配置（３）のうち１個の幅と同じであり、好ましくは、
６０ｍｍ≦Ｄ≦２５０ｍｍ
　好ましくは、
８０ｍｍ≦Ｄ≦１６０ｍｍ
であることを特徴とする、請求項１６に記載のスパッタ被覆室。
【請求項１８】
　前記基板担体が、マグネトロンスパッタ供給源に対して前記少なくとも１つの基板を固定に保つことを特徴とする、請求項１６に記載のスパッタ被覆室。
【請求項１９】
　平面状の被覆された基板の製造方法であって、
　・或る間隔で長手側に相並ぶように、互いに絶縁された少なくとも２個の長手ターゲット配置をマグネトロンスパッタ供給源に設ける工程を含み、前記間隔は、前記ターゲット配置の幅よりも遥かに小さく、前記方法はさらに、
　・処理されるべき基板を、前記マグネトロンスパッタ供給源に対し間隔をあけて固定して配置する工程と、
　・前記マグネトロンスパッタ供給源に向いた基板表面が均一に分布して被覆されるように、長手ターゲット配置に対して与えられる電圧、および／またはターゲット配置上に発生され時間的に変化する磁場の模様を形成する工程と、
　・前記基板表面をスパッタ被覆する工程とを含む、方法。
【請求項２０】
　平面ディスプレイパネル、特にＴＦＴまたはＰＤＰパネルを製造する、請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
　それぞれのターゲット配置の下側における永久磁石配置の動きによって、ターゲット配置の各々で、ターゲット配置の幅方向で時間的に変化する磁場が発生されることを特徴とする、請求項１９に記載の方法。
【請求項２２】
　前記基板上にＩＴＯ層が堆積されることを特徴とする、請求項１９に記載の方法。
【請求項２３】
　前記マグネトロンスパッタ供給源が、
１Ｗ／ｃｍ2≦ｐ≦５Ｗ／ｃｍ2
の出力密度で動作させられることを特徴とする、請求項１９に記載の方法。
【請求項２４】
　前記ターゲット配置が、互いに対し独立に制御可能でＤＣ動作させられることを特徴とする、請求項１９に記載の方法。
【請求項２５】
　基板の大きさが少なくとも９００ｃｍ2であることを特徴とする、請求項１９に記載の
方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
　この発明は、マグネトロンスパッタ供給源、そのような供給源を備えるスパッタ被覆に関するものであり、さらに、関連する方法に関するものである。
【０００２】
　この発明は基本的に、大きな表面の、特に少なくとも９００ｃｍ2の被覆さるべき表面
を有する長方形の基板を、均質な層厚分布を備えるようスパッタ被覆する、特にまた反応性スパッタ被覆する必要性を前提とする。そのような基板は特に、一般に１ｍｍより薄いガラス基板を土台とする、平らな受像スクリーン、特にＴＦＴパネルまたはプラズマ・ディスプレイ・パネル（ＰＤＰ）の製造に利用される。
【背景技術】
【０００３】
　比較的大きな表面をマグネトロンスパッタ被覆する際には通常、スパッタ供給源と基板とが互いに相対運動するとしても、さらに大きなスパッタ表面およびターゲットが必要である。その際、以下の点について問題が生じる。
（ａ）　反応性スパッタ被覆においてその状況が極めて顕著な、表面の大きなターゲットにおけるプロセス条件の均一化
（ｂ）　浸食断面
（ｃ）　冷却
（ｄ）　基本的に大気圧、および大きなターゲットの冷却剤の圧力による、負荷。
【０００４】
　機械的負荷の問題（ｄ）を解決するには、比較的厚みのあるターゲットプレートを使用しなければならないが、これは磁場の支配率を下げ、したがって所与の供給電力において、の電子降下の効果を低下させる。しかしながら電力を上げると、冷却の問題（ｃ）が生じる。これは特に、大きな表面のターゲットを冷却媒体と十分に接触させ得るには大きなコストがかかり、またターゲットには、裏面に組み込まれた部材が磁石の妨げとなるからである。さらに、マグネトロンスパッタにおいては、通常、スパッタされるべき材料からなり、スパッタ表面を規定するターゲットプレートと、その上に接着された担体プレートとからなるターゲット配置が、いわゆる「レーストラック（ｒａｃｅ　ｔｒａｃｋｓ）」に沿ってスパッタ浸食されることが知られている。スパッタ表面にはターゲットに、所与の経路に沿ってトンネル形状で発生し、プラズマ密度の高い複数の環状区域を形成する磁場によって規定される、単数または複数の環状浸食溝が生じる。これらの溝は、トンネル形状で環状に延びるマグネトロン磁場の領域における電子密度が高いために生じる（電子降下）。これらの「レーストラック」によって、比較的小さな表面であっても、マグネトロンスパッタ供給源の前に配置される、被覆さるべき基板に、不均質な層厚分布が生じる。さらに、「レーストラック」に沿ったスパッタ浸食によると、これらのトラックの外側のターゲット領域はあまりスパッタされず、ターゲット材料が上手く利用されないため、波形状または溝形状の浸食断面が生じる。これらの「レーストラック」のために、表面が大きいターゲットであっても、実際にスパッタする表面は基板表面に対して依然として小さい。
【０００５】
　被覆における、前記「レーストラック」の影響を除去するためには、スパッタ供給源と被覆されるべき基板とを、上述のように相互に動かすことも可能であろうが、これでは単位時間あたりの被覆率が下がる。また、相対運動システムを採用しながら、局所的に比較的高いスパッタ率で操作するには、冷却の問題がその妨げとなる。
【０００６】
　したがって、上記の課題を達成するには基本的に、四種類の問題領域（ａ）、（ｂ）および（ｃ）、（ｄ）があり、これらの諸問題を個々に解決しようとすると、それぞれ他の
問題をより先鋭化させることになり、互いに相容れない。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
　この発明の課題は、上記の諸問題を除去し、かつ実際に任意の大きさに拡張可能であり、特に、供給源に対して固定され、面積の大きな少なくとも一つの基板において、均質な被覆厚分布の経済的実現を保証する、マグネトロンスパッタ供給源を提供することである。この供給源はさらに、きわめて均一なプロセス条件において、それらの諸条件に敏感な反応プロセスを、高析出率ないし被覆率で可能にするものであるべきである。不均質な「レーストラック」効果は、周知のようにプラズマ密度の変化度が大きいため、反応性プロセスにおいて際立った問題となる。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
　この課題は、少なくとも二つ、好ましくは二つより多くの、互いに電気絶縁された縦長のターゲット配置が、ターゲット配置の幅よりもはるかに小さい間隔をおいて長手側に相並んで配置され、かつ個々のターゲット配置が専用の電気接続部を有し、さらに陽極配置が設けられる、この発明のマグネトロンスパッタ供給源によって達成される。ターゲット配置のターゲットの角は、「レーストラック」の経路にしたがって、丸く落とされるのが好ましい。
【０００９】
　この発明による、そのようなマグネトロンスパッタ供給源においては、個々のターゲット配置の、それぞれ互いに独立して調整される電力供給装置によって、その上の基板に敷設される層厚の分布がほぼ大幅に改善され得る。さらに、この発明による供給源は、被覆さるべき基板の任意の大きさにモジュールごとに合わせることが可能である。
【００１０】
　陽極配置は、一時的にターゲット配置そのものによって形成されない場合、図２または図３の操作と比較して、全配置の外側に設けられ得るが、さらに好ましくは、ターゲット配置の長手側の間に、かつ／またはターゲット配置の正面側に、好ましくは特に長手側に、陽極を含む。
【００１１】
　好ましくはさらに、供給源に固定磁石配置が設けられる。この配置は好ましくは、ターゲット配置の周りをともに囲む一つの磁石枠によって、あるいは特に好ましくは、それぞれにターゲット配置の周りを囲む複数の枠によって形成される。この単数または複数の枠、ないし固定磁石配置を少なくとも部分的に、制御可能な電磁石によって実現することは全く可能であり、有意義であるが、この配置ないし、単数または複数の枠の磁石は、好ましくは永久磁石で実現される。
【００１２】
　さらに前記固定磁石配置、好ましくは永久磁石枠によって、それに直接隣接するターゲット配置に生じる磁場に関する限り、基板における前記層厚分布と、さらに前記長手ターゲットの利用率が、「レーストラック」の適切な形成によって、前記配置のそれぞれの設計の影響を受けて、改善され得る。
【００１３】
　さらに、好ましくは少なくとも二つのターゲット配置の個々の下側に磁石配置が設けられる。これらの配置は全て、それぞれのターゲット配置にトンネル形状の磁場を形成するために、局所的に固定され、かつ時間的に固定されて形成され得る。さらに好ましくは、それらの磁石配置は、ターゲット配置における磁場の模様を時間とともに変化させるよう、配置される。この発明の、それぞれのターゲット配置における、磁場模様の形成および生成については、同じ出願人によるＥＰ−Ａ−０　６０３　５８７ないしＵＳ−Ａ−５　３９９　２５３が参考となるが、これらのうち上記についての開示内容は、この明細書の一部を構成するものである。
【００１４】
　ＥＰ−Ａ−０　６０３　５８７の図２によると、磁場の模様の位置、したがってよりプラズマ密度の高い区域の位置全体を変えることは可能であろうが、はるかに好ましくはこれは変更されないか、あるいは瑣末な変更のみで、反対に、前記文献の図２および図３によると、頂点の位置、すなわちプラズマ密度の最も高い箇所が変えられる。
【００１５】
　いずれにせよ、それぞれのターゲット配置の下側の磁石配置における区域ないし頂点の位置を変更するためには、選択制御される電磁石が、局所的に固定されて、または移動するように設けられ得るが、さらに好ましくは、この磁石配置は駆動運動する永久磁石によって実現される。
【００１６】
　好ましい移動磁石配置は、個々のターゲットについてＥＰ−Ａ−０　６０３　５８７の図３および図４が示すように、ターゲット配置の下で長手方向に延びる少なくとも二つの、駆動され、かつ回転載置される、好ましくはここでも永久磁石を備える、磁石ローラによって実現される。
【００１７】
　磁石ローラは、この場合振り子操作で駆動され、振り子の振幅は好ましくはτ／４以下である。この技術およびその効果についてはまた、全面的に前記ＥＰ　０　６０３　５８７ないしＵＳ−Ａ−５　３９９　２５３が参考となるが、この件に関しても、これらの文献がこの出願明細書の一部を成すものである。
【００１８】
　したがって、好ましくはそれぞれ、ターゲット配置の長手方向に沿って延び、駆動され、かつ回転載置される永久磁石ローラが少なくとも二つ設けられる。
【００１９】
　好ましい形態および方法にでは、
　―　ターゲット配置の電力供給と、
　―　前記固定磁石配置、特に前記枠の磁場と、
　―　それぞれターゲット配置の下にある、時間とともに磁場を変化させる磁石配置、好ましくは磁石ローラと、
について、布設される層厚分布のでき得る限りの最適化、特にその均質化を、組み合わせによって可能にする、一連の干渉数値が定められる。さらに、ターゲット材料のより高い利用率が達成される。極めて有利なことには、好ましくは、ターゲット配置における磁場の頂点の変位によって、走査されるプラズマ区域は変位されず、それらの区域内におけるプラズマ密度分布が不規則に揺らぎながら変化することである。
【００２０】
　さらに、できるだけ高いスパッタ出力を与え得るためには、ターゲット配置がキャリヤ土台に配置され、このキャリヤ土台には、前記配置の土台側表面の大部分を覆いながら、この表面に対しては箔によって密封される、冷却媒体管が配置されることによって、ターゲット配置が最もよく冷却される。こうして、冷却媒体の圧力に規定されながら、冷却されるべきターゲット配置に向けて前記箔が、圧力によって十分かつ平面的にぴったりと張り付けられることによって、大きな面積の熱を除去することが可能となる。
【００２１】
　この発明の磁石スパッタ源には、好ましくは少なくとも部分的に電気絶縁材料から、好ましくは合成樹脂から成る、キャリヤ土台が設けられるのが好ましく、そこには、前記ターゲット配置の他に陽極ならびに、それがある場合には固定磁石配置、好ましくは永久磁石枠と、ターゲット配置の下の磁石配置、好ましくは可動性永久磁石配置、特に前記ローラと、さらに冷却媒体管が収容される。その際、キャリヤ土台は、真空雰囲気と外部の大気とを分離するよう、形成かつ装着される。これによって、圧力によって規定される機械的負荷に関して、ターゲット配置をより柔軟に設計することができる。
【００２２】
　上述の、大きな面積における被覆厚分布のための、さらなる最適化量ないし調整量は、ガス分配システムと連絡するガス流出開口部が、ターゲット配置の長手側沿いに分散して設けられることによって、得られる。これによって、反応ガスおよび／または処理ガスを、この発明による供給源の上に設けられる、この発明の真空処理室ないし装置のプロセス空間内に、適切に調整分配して注入することが可能となる。
【００２３】
　長方形配置は互いに、それらの幅の好ましくは最大１５％、好ましくは最大１０％、さらに好ましくは最大７％の間隔を置かれる。
【００２４】
　好ましい一実施形態においては、個々のターゲット配置間の側面側の間隔ｄは、以下のとおりである。
【００２５】
１ｍｍ　≦　ｄ　≦　２３０ｍｍ、好ましくは
７ｍｍ　≦　ｄ　≦　２０ｍｍ
　個々のターゲット配置の幅Ｂは好ましくは、
６０ｍｍ　≦　Ｂ　≦　３５０ｍｍ、好ましくは
８０ｍｍ　≦　Ｂ　≦　２００ｍｍ
　また、その長さＬは好ましくは、
４００ｍｍ　≦　Ｌ　≦　２０００ｍｍ
　ここで、個々のターゲット配置の長手方向の大きさは、その幅と少なくとも同じか、好ましくははるかに大きい。個々の長手ターゲット配置のスパッタ表面は、それ自体平らに、またはあらかじめプロフィールを与えられ、好ましくは一平面に沿って配置されるが、被覆厚分布への周縁部の影響を相殺するために、さらに必要な場合には、特に側面側のスパッタ表面を中央表面よりも、被覆されるべき基板により近く、場合によっては傾斜をつけて配置することも、全く可能である。
【００２６】
　マグネトロン磁石プラズマの電子は、ターゲット表面領域内の磁場および電場によって確定される方向に、「レーストラック」に沿って循環する。したがって、電子の経路ないしその影響、したがってターゲット表面に生じる浸食溝の影響は、ターゲット配置の長手方向に沿って設けられる磁場が、すなわち時間とともに変化するのみならず、局所的にも異なるよう形成されることによって、適切に最適化され得ることが、認識された。これは、好ましくはそれぞれ一つの、さらに好ましくはそれぞれ一つの永久磁石枠として、好ましくは前記磁石枠においては、枠に設けられる磁石の位置決め、および／または強度の選択によっていずれにせよ実現可能であり、かつ／または磁石配置、好ましくは前記永久磁石ローラが、それぞれターゲット配置の下側に設けられる場合は、磁石配置の磁石の強度に相応の変化をつけることによって、かつ／またはそれらの相対的位置によって、実現可能である。電子は磁場の極性にしたがって、所与の循環方向に移動するので、電子は明らかにドリフト力によって、ターゲット配置の短辺領域に向けて押しやられ、かつそれらの運動方向にしたがって、対角線状に向かい合うコーナ部分の領域において外側へ向けて押しやられることが観察された。したがって、特に好ましくは、磁石枠が設けられる場合、その枠磁石によって生じる場強度を、ターゲットの「長方形」の対角線に対して左右対称に、局所的に異なるよう形成することが、提案される。
【００２７】
　この発明の供給源の好ましい一実施形態においては、ターゲット配置が直線状の差込継ぎ手によって固定されるが、これは特に、圧力衝撃を受ける上述のような箔を介する前記冷却装置と組み合わされる。したがって、冷却媒体管の圧力が解除された後、これらの配置は極めて容易に交換可能であり、ターゲット配置の背面の大部分は自由に冷却され、かつターゲット配置のための固定機構は、プロセス空間に対して一切露出しない。
【００２８】
　この発明の好ましい供給源は、二つより多くの、好ましくは５つ以上のターゲット配置
を有する。
【００２９】
　スパッタ被覆されるべき、好ましくは平らな少なくとも一つの基板のための基板担体が、供給源からは距離をおいて設けられるスパッタ被覆室において、この発明によるマグネトロンスパッタ供給源が使用されると、スパッタされる供給源表面ＦQと、被覆されるべ
き基板表面ＦSとの間の比ＶQSを、最適の小さな値として実現することが可能となる。す
なわち、
ＶQS　≦　３、好ましくは
ＶQS　≦　２、特に好ましくは、
１．５　≦　ＶQS　≦　２
　これによって、供給源の利用効率は大きく引き上げられる。これは、前記供給源を備える、この発明によるスパッタ被覆室においてさらに、マグネトロンスパッタ供給源の新表面と基板との間の距離Ｄが、基本的に長手ターゲット配置の一つの幅と同じとなるよう選択されることによって、すなわち好ましくは、
６０ｍｍ　≦　Ｄ　≦　２５０ｍｍ、好ましくは
８０ｍｍ　≦　Ｄ　≦　１６０ｍｍ
が選択されることによって、さらに大きく引き上げられる。
【００３０】
　この発明による前記スパッタ被覆室を備え、したがってこの発明によるマグネトロンスパッタ供給源を備える、この発明による真空被覆装置では、ターゲット配置はそれぞれ、互いに別個に制御可能な発生器ないし電流源と接続される。
【００３１】
　さらなる実施形態では、あるいは場合によっては、上述の発生器配置と組み合わされて複数のターゲット配置が設けられる場合、前記ターゲット配置のうちの少なくとも二つが、共通するひとつのＡＣ発生器の出力と接続され得る。
【００３２】
　ターゲット配置に、それぞれ個別に電力供給するための発生器は、「純血種の」ＤＣ発生器、ＡＣ発生器、ヘテロダインＤＣおよびＡＣ信号、またはパルスＤＣ信号を出力する発生器であり得るが、特にＤＣ発生器の場合、発生器とそれぞれのターゲット配置との間にはチョッパーユニットが設けられ得、それによってターゲット配置は、サイクルごとに発生器出力に、またはより低抵抗の、発生器の基準電位におかれる。この技術に関しては全面的に、同出願人によるＥＰ−Ａ−０　５６４　７８９ないしＵＳ出願番号０８／８８７　０９１を参照されたい。
【００３３】
　さらに、ターゲット配置の長手側には、アルゴンのような反応ガスタンクおよび／または処理ガスタンクと接続されるガス流出開口部が設けられ、異なるターゲット配置の長手側に沿ったガス出口からのガス流は、好ましくは個別に調整可能である。
【００３４】
　少なくとも三つの長手ターゲット配置を備えるこの発明のスパッタ被覆装置は好ましくは、外側のターゲット配置が、内側にあるターゲット配置よりも、５から３５％、好ましくは１０から２０％高いスパッタ出力で作動するよう、操作される。ターゲット配置のプラズマ区域の位置、特に好ましくはトンネル磁場の頂点位置の「ゆらぎ」、したがってプラズマ密度の分布に関する上述の「走査」は、特に好ましくは前記磁石ローラの振り子操作で実現されるが、好ましくは１から４Ｈｚ、好ましくは約２Ｈｚの周波数で行われる。その際のローラ−振り子の振幅は、好ましくはψ≦π／４である。前記位置の変位について経路／時間のプロフィールを適切に設計することによって、基板における被覆厚分布がさらに一層最適化される。
【００３５】
　ここで強調されるべきは、このためにまた、時間とともに相互に依存して変調される出力信号を提供するための、ターゲット配置に接続される発生器も制御可能である、という
点である。
【００３６】
　さらに、ターゲット配置の電力供給、および／または分散するガス入力、および／または磁場分布が、基板において所望の、好ましくは均質な層厚分布が得られるように、制御され、あるいは時間とともに調整される。
【００３７】
　マグネトロンスパッタ供給源の出力密度ｐは、好ましくは、
１Ｗ／ｃｍ2　≦　ｐ　≦　３０Ｗ／ｃｍ2
であり、特に好ましくは金属製ターゲットから層を、特にＩＴＯ層を、反応性布設するには、
１Ｗ／ｃｍ2　≦　ｐ　≦　５Ｗ／ｃｍ2
　さらに、金属層をスパッタ被覆するには、好ましくは、
１５Ｗ／ｃｍ2　≦　ｐ　≦　３０Ｗ／ｃｍ2
で、操作される。
【００３８】
　前述の、この発明によるマグネトロン供給源の開発に関連して認識されたように、幅よりも長さがはるかに大きいターゲットプレート配置においては特に、ターゲット配置の長手方向において観察した場合、特にその側面領域においてマグネトロンの場の磁場強度が局所的に異なるよう形成するのが、基本的に有利である。
【００３９】
　この認識はしかしながら、長手マグネトロンに基本的には適用可能である。
　したがって、時間の経過とともに変化し得る、好ましくは可動式磁石システム、好ましくは永久磁石システムをその下に含む、この発明による長手マグネトロン供給源について、ターゲット配置に磁石枠を、好ましくは永久磁石枠を配備し、所与の空間方向において測定した場合、前記枠磁石の場強度が、ターゲット配置の長手側面に沿って局所的に異なって形成されるよう、提案される。前記の循環する電子に作用するドリフト力を相殺するために、これらの場強度が基本的にターゲットの対角線に対して左右対称に、局所的に異なって形成されるよう、提案される。
【００４０】
　この発明は、その全ての局面を鑑みると、基板、特に大きな表面を有する、さらに好ましくは平らな基板を、好ましくは金属ターゲットからの反応性プロセスによって、好ましくはＩＴＯ（インジウム亜鉛酸化物）層でスパッタ被覆するのに、特に適している。この発明はさらに、基板、特にガラス基板を、平らなパネルディスプレイの製造、特にＴＦＴまたはＰＤＰパネルの製造のために被覆するのに適しており、その場合基本的に、例えばまた半導体基板のような、大きな基板を極めて合理的に、かつわずかな粗悪率で、反応性または非反応性被覆する可能性が、特に反応性被覆する可能性が開かれる。
【００４１】
　まさしく反応性スパッタ被覆プロセスにおいて、特にＩＴＯ被覆において、高品質の層を得るためには、より低い放電電圧が、特に低い層抵抗が、焼き戻し段階がなくとも、重要である。これは、この発明の供給源によって得られる。
【００４２】
　その際にはまた、アーク放電の効果的な抑制も実現する。
　次に、例として図面を参考に、この発明の説明がなされる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４３】
　図１には、この発明のマグネトロンスパッタ供給源１の基本形状が概略的に示される。この供給源１は、少なくとも二つの、図においては例えば三つの、長手ターゲット配置３ａから３ｃを含む。磁場供給源、冷却装置等の、マグネトロンスパッタ供給源に当然設けられるべきその他の連結装置は、図１には示されない。供給源１は、ターゲット配置３のそれぞれに、独自の電気接続部５を有する。好ましくは長手側において互いに間隔をおい
て設置されるターゲット配置３の間に、例えば押縁形状の陽極７ａ、７ｂが設けられる。
【００４４】
　ターゲット配置３が電気的に互いに絶縁されており、かつそれぞれに電気接続部５を有することによって、次に図２および図３との関連で説明されるように、それらを個別に電気接続することが可能となる。
【００４５】
　図１によると、ターゲット配置３はそれぞれ、互いに独立して制御可能であり、かつ必ずしも同じ部類に属する必要のない発生器９に接続される。概略的に示されたように、発生器は全て、または場合によっては混種されて、ＤＣ発生器、ＡＣ発生器、ＡＣおよびＤＣ発生器、パルスＤＣ信号を出力するための発生器、または、発生器の出力とそれぞれのターゲット配置との間に設けられるチョッパユニットを備えるＤＣ発生器として、形成され得るが、それらの構造および作動方式については全面的に、前記ＥＰ−Ａ−０　５６４
　７８９ないしＵＳ出願番号０８／８８７　０９１を参照されたい。
【００４６】
　陽極７も、自由に選択されて電気操作され得る。すなわち、発生器１２で示されたように、陽極７は例えばＤＣ電圧、ＡＣ電圧、またはＤＣ電圧とヘテロダインＡＣ、またはパルスＤＣ電圧で、場合によってはまた、前記チョッパユニットの一つを介して操作されるか、あるいは１２ａで示されたように、基準電気におかれる。陰極、すなわちターゲット配置の操作、場合によってはさらに、ターゲット配置によって形成される供給源表面上に分散される陽極の操作の変化によって、スパッタされる材料の配分、したがって供給源上に配置される基板（図示されず）における分布が適切に調整され得る。
【００４７】
　この場合、変調入力ＭＯＤを備えて図示されたように、互いに依存する発生器９は、時間の経過とともに変調されて、ターゲット配置上の電気的操作条件を適切にサージ状に、時間とともに変調する。
【００４８】
　図２および図３には、既に説明された供給源の部材の位置表示はそのままで、この発明の供給源１のさらなる電気接続の可能性が示されるが、陽極配置（図示されず）については放棄され得る。
【００４９】
　図２および図３によると、ターゲット配置３はそれぞれ対となって、ＡＣ発生器１５ａ、１５ｂないし１７ａ、１７ｂの入力と接続されるが、発生器１５ないし１７はここでも、場合によってはＡＣヘテロダインＤＣ信号またはパルスＤＣ信号を出力し得る。発生器１５、１７はまた、場合によっては変調され、例えば増幅変調されたＡＣ出力信号を、実際にキャリヤ信号として出力する。
【００５０】
　図２によると、それぞれターゲット配置の一つ（３ｂ）がそれぞれ発生器１５ａおよび１５ｂの入力と接続される一方、図３のターゲット配置３は、発生器１７を介して対をなすように接続されるが、１９に破線で示されたように、図２の実施例においても図３のそれにおいても「共通モード」信号という意味で、個々のターゲット配置グループを一括して、他と異なる電位におくことは、全く可能である。図２または図３の接続技術が選択された場合、好ましい実施形態では、発生器は１２から４５ｋＨｚの周波数で操作される。「共通モード」電位としては、例えば図２には質量電位が示されているが、一つの発生器にそれぞれ対をなして接続されるターゲット配置は、交互に正および負の電位におかれる。
【００５１】
　図１から図３の図において認識されるように、この発明によるマグネトロン供給源によると、極めて高い柔軟性をもって、個々のターゲット配置３を電機操作し、したがってプロセス空間１０においてスパッタされる材料の配分、および基板上に布設される材料の分布を適切に指定することが可能となる。
【００５２】
　図４には、好ましい一実施形態における、この発明によるマグネトロン供給源の部分横断面図が示される。図４では、ターゲット配置がそれぞれ、スパッタされるべき材料からなり、それぞれ背面プレート３a2ないし３b2上に接着されるターゲットプレート３a1ないし３b1を含む。直線状の差込継ぎ手２０によって、ターゲット配置３の側面周辺部、および／または中心領域が、金属製冷却プレート２３に固定される。
【００５３】
　直線状差込継ぎ手の形態は、図５のとおりである。それによると、ターゲット配置３または冷却プレート２３に、横断面が、内側に湾曲したＵ脚部２７を有するＵ形状であり、凹部が間隔をおいて形成される、中空レール２５が設けられる。両部材の一方の側、好ましくはターゲット配置３には、横断面がＴ形状で、横送り台３３の端部部分が凸部３４を有する直線状のレール３１が設けられる。凸部３４を凹部２９に挿入し、かつＳの方向に直線状にスライドさせることで、両部材は互いにしっかりと固定される。反対に、レール３１の対応する凹部に係合する凸部を中空レールに設けることは、当然可能である。
【００５４】
　ターゲット配置３はまず、冷却プレート２３を通る冷却管３５内の冷却媒体の圧力を受けることによって、しっかりと冷却プレート２３に固定される。これらの管３５は、冷却プレート２３に向かい合うターゲット配置の表面の、大部分の領域に沿って延びる。前述のように圧力がかかった液状冷却媒体によって衝撃を受ける冷却管３５は、例えば同出願人によるＣＨ−Ａ−６８７　４２７において詳細に説明されたように、ターゲット配置３に対して、箔状の薄膜３７によって隙間なく密閉される。箔３７は、冷却媒体の圧力をうけて、背面プレート３a2ないし３b2にぴったりと押し当てられる。この場合ターゲット配置は、まず冷却媒体の圧力をうけて、差込継ぎ手にしっかりと固定されて動かない。ターゲット配置３を除去するには、冷却システム全体、または個々の冷却システムが圧力解除され、その後、ターゲット配置が簡単に押し出され、除去ないし交換され得る。
【００５５】
　ターゲット配置３の長手側には、陽極桟３９が延びる。陽極桟ならびに冷却プレート２３は、好ましくは少なくとも一部が絶縁材料から、好ましくは合成樹脂からなるキャリヤ土台４１に装着される。土台４１は、プロセス空間１０の真空雰囲気を、空間１１内の周囲ないし通常雰囲気から分離する。
【００５６】
　キャリヤ土台４１には、大気圧側に、ターゲット配置の長手方向にわたって延びる、例えば二つの永久磁石ローラ４３が、回転可能なように載置され、かつ（図示されず）駆動モータによって振り子駆動される。これらのローラは、振り子操作において、好ましくは１８０°の回転角度で振り子運動ω４３する。永久磁石ローラ４３には、その長手方向に沿って、好ましくは直径上に永久磁石４５が埋め込まれる。
【００５７】
　キャリヤ土台４１にはさらに、また大気側に、図６からわかるように基本的には、各々のターゲット配置３の下側を周辺領域に沿って延びる、永久磁石枠４７が、それぞれのターゲット配置３につき一つ、埋め込まれる。
【００５８】
　特にターゲット配置の長手側面に沿って、ガス流入管４９が図６のように、また図４に破線で記入されたように、開口するが、これらの管は好ましくはそれぞれ順番に、そのガス流が個別に制御可能である。これは図４において、管４９と、アルゴンのような処理ガス、および／または反応ガスを有するガスタンク配置５３との間に接続される、調整弁５１によって概略的に示される。
【００５９】
　永久磁石ローラ４３の操作および設計については、全面的にまたＥＰ−０　６０３　５８７ないしＵＳ−Ａ−５　３９９　２５３を参照されたい。
【００６０】
　図６には、図４の、この発明によるマグネトロン供給源の、簡略化された部分上面図が示される。図４について既に述べられたように、各ターゲット配置３の下には永久磁石枠４７が設けられる。磁石枠４７は、例えば図４のＨｚで示された空間方向でみると、図６にｘで示されたように、永久磁石枠によって生じる磁場が、ターゲット配置３の長手側に沿って局所的に変化するように、形成されるのが好ましい。好ましい一実施形態においては、枠４７の長手脚部４７１1および４７１2に設けられる磁石は、複数の区域に、図６では例えば四つの区域に分割される。図６のグラフでは質的に、Ｚ1からＺ4の個々の区域に設けられる永久磁石の場強度が座標ｘに示され、したがってｘの方向における場強度の分布が示される。さらに、個々の区域Ｚには永久磁石の双極の方向が記入された。
【００６１】
　好ましくは、脚部４７１1、４７１2に同じ永久磁石区域が設けられるが、長手ターゲット配置３の対角線Ｄiに関して左右対称となる。
【００６２】
　ターゲット配置３の永久磁石枠４７によって生じる局所的磁場分布を適切に設計することによって、循環する電子の経路を最適化し、したがって個々のターゲット配置における浸食溝の位置および形態を最適化することが可能となる。これは特に、ドリフト力によって生じる経路の変形を考慮して行われる。ターゲット枠４７の幅側には、好ましくは区域Ｚ2に相当する永久磁石区域ＺBが設けられる。既に述べられたように、図４、６および７の個々のターゲット供給源もまた、この発明によるものである。
【００６３】
　それぞれのターゲット配置３上のｘ方向において局所的に変化する磁場Ｈは、磁石ローラの振り子運動によって時間的にも変化するが、この磁場Ｈは、区域Ｚ1、Ｚ2、Ｚ4にお
けるような永久磁石の場強度を選択することによって、かつ／または区域Ｚ3におけるよ
うな双極の空間的配向の選択、および／または位置（ターゲット配置からの距離）の選択によって、適切に設計される。
【００６４】
　既に述べられたように、この発明のスパッタ供給源に設けられるターゲット配置３にはそれぞれ、少なくとも二つの永久磁石ローラ４３が設けられる。その一つが図７に示される。
【００６５】
　好ましくは、ローラ４３にも様々な永久磁石の区域、例えばＺ'1からＺ'4、が設けられる。図７には、ローラに沿って局所的に変化する永久磁石の磁場ＨR（ｘ）の好ましい様
態が、質的に示される。
【００６６】
　したがってこの発明の供給源では、個々のターゲット配置の電力供給を局所的および／または時間的に適切に配分し、かつ／または個々のターゲット配置におけるマグネトロン磁場を局所的および／または時間的に適切に変化させることによって、さらに／または流入開口部４９におけるガス噴入比率を局所的および時間的に適切に変化させるか、あるいは指定することによって、スパッタ率の局所的および時間的分布が最適化される。図４から図７について説明された好ましい実施形態においては、スパッタ被覆されるべき、特に平らな基板における被覆厚の分布を適切に指定し、特に好ましくは均質に形成するために、好ましくは上記全ての数値が組み合わされて利用される。
【００６７】
　図８には、この発明によるスパッタ被覆室６０を備える、この発明のスパッタ被覆装置５０が概略的に示されるが、その中には、同様に概略的に図示された、この発明によるマグネトロンスパッタ供給源１０が設けられる。概略的に示された供給源１０は、好ましい一実施例において実現されたように、六つのターゲット配置３を有し、さらに好ましくは、図４から図７について説明されたように、形成される。ターゲット配置を備えた、この発明の供給源は、ブロック６２で示されたように、別々の、場合によっては変調可能な電力供給源によって操作される。さらに、ガスタンク５３からの処理ガス、および／または
反応ガスをプロセス空間内に流入させるために、調整弁ブロック６４で示されたように、特にターゲット配置の長手側に沿って、場合によっては変調可能なガス噴入比率が、選択的に調整される。
【００６８】
　駆動ブロック６５で示されるのは、この発明の供給源に設けられる永久磁石ローラのための、場合によっては経路／時間の調整可能な駆動装置であって、そこでは、好ましくは選択的に、所望のローラ振り子運動が調整され得る。
【００６９】
　この発明による室６０内には、特に、被覆さるべき基板を受容するための基板担体６６が設けられる。この発明の供給源によって、供給源１０からスパッタされる材料の時間的および局所的配分を最適に調整することができ、特に時間的に平均化された、均一な分布が、特にまた供給源の縁部領域においても得られることによって、被覆さるべき基板表面ＦSに対する供給源のスパッタ表面ＦQの比率ＶQSを驚くほど小さくすることが可能である。すなわち、好ましくは、
ＶQS　≦　３
　好ましくは、
ＶQS　≦　２
　さらに好ましくは、
１．５　≦　ＶQS　≦　２
　この寸法から、被覆されるべき基板表面に相応に少量のスパッタ材料のみが当たるわけではないことによって、供給源からスパッタされる材料が高い効率で利用されることがはっきりとわかる。これはさらに、供給源の大きな表面全体がプラズマで覆われるため、スパッタ被覆されるべき基板表面と、マグネトロン供給源１０の新表面との間の距離Ｄが小さく、基本的にはターゲット配置３のスパッタ表面の幅Ｂ(図４参照)と同じとなるよう、すなわち、好ましくは
６０ｍｍ　≦　Ｄ　≦　２５０ｍｍ
　好ましくは、
８０ｍｍ　≦　Ｄ　≦　１６０ｍｍ
が選択可能であることによって特に、強化される。
【００７０】
　前記小さな距離Ｄが実現可能であることによって、高い噴霧利用率で高い被覆率が得られ、したがって極めて経済的な被覆が行われる。
【００７１】
　図８に示された装置においては、好ましくは最も外側のターゲット配置が、内側の、その他のターゲット配置よりも、好ましくは５から３５％、特に好ましくは１０から２０％高いスパッタ出力で、発生器６２によって操作される。さらに、好ましくは図４の供給源１０に設けられた永久磁石ローラが、１から４Ｈｚの、好ましくは約２Ｈｚの振り子周波数で振り子運動するよう、操作される。
【００７２】
　この発明のマグネトロンスパッタ供給源、スパッタ室ないし装置は、特に好ましい操作様態において、表面が大きく、特に平らな基板のマグネトロンスパッタ被覆に特に適しており、大変経済的でありながらその被覆は、高品質で、所望の厚さ分布、特に均質な厚さ分布を有する。これを可能にする決定的要因は、この発明の供給源ではプロセス条件が大きな表面にわたって均一に配分されることである。この発明はしたがって、表面の大きな半導体基板の被覆に、むしろ平面ディスプレイパネルや、特にＴＦＴないしＰＤＰパネルの基板被覆に、特に利用され得る。その際、この発明は特に、前記基板を特にＩＴＯ層で反応性被覆するために、または前記基板を非反応性スパッタ被覆によって金属被覆するために、使用される。以下においては、この発明の供給源、ないし室、ないし装置の、好ましい設計数値が例としてまとめられる。
【００７３】
　１．　形状
　１．１　供給源において
　・　図４の側面間隔ｄは、ターゲット配置の幅Ｂの最大１５％、好ましくは最大１０％、さらに好ましくは最大７％、かつ／または
１ｍｍ　≦　ｄ　≦　２３０ｍｍ、好ましくは
７ｍｍ　≦　ｄ　≦　２０ｍｍ
　・　ターゲット配置の新表面は一平面に沿う
　・　ターゲット配置の幅Ｂは、
６０ｍｍ　≦　Ｂ　≦　３５０ｍｍ、好ましくは
８０ｍｍ　≦　Ｂ　≦　２００ｍｍ
　・　ターゲット配置の長さＬは、少なくともＢ、好ましくはそれよりはるかに長く、好ましくは、
４００ｍｍ　≦　Ｌ　≦　２０００ｍｍ
　・　ターゲットの端部領域は、例えば半円形。
【００７４】
　１．２　供給源／基板
　・　被覆されるべき基板表面の大きさＦSに対するスパッタ表面の大きさＦQの比率ＶQS
ＶQS　≦　３、好ましくは
ＶQS　≦　２、さらに好ましくは
１．５　≦　ＶQS　≦　２
　・　供給源の新表面／被覆表面の最小距離Ｄは、
６０ｍｍ　≦　Ｄ　≦　２５０ｍｍ、好ましくは
８０ｍｍ　≦　Ｄ　≦　１６０ｍｍ
　・　基板の大きさは、例えば７５０ｘ６３０ｍｍ2であり、９２０ｘ９００ｍｍ2のスパッタ表面を有する供給源によって被覆されるか、あるいは
　基板表面は、１１００ｘ９００ｍｍ2で、供給源のスパッタ表面は１３００ｘ１２００
ｍｍ2である。
【００７５】
　１．３　冷却
　冷却表面に対するスパッタ表面の比率ＶSKは、
１．２　≦　ＶSK　≦　１．５
　２．操作数値
　・　ターゲット温度Ｔは、
４０℃　≦　Ｔ　≦　１５０℃
　好ましくは、
６０℃　≦　Ｔ　≦　１３０℃
　・　スパッタ表面単位あたりのスパッタ出力：　１０から３０Ｗ／ｃｍ2、
　好ましくは１５から２０Ｗ／ｃｍ2。
【００７６】
　・　最も側面側のターゲット配置の表面単位あたりのスパッタ出力はそれぞれ、好ましくは５から３５％、さらに好ましくは１０から２０％、多い。
【００７７】
　・　磁石ローラの振り子周波数：　１から４Ｈｚ、好ましくは約２Ｈｚ。
　結果：　　以下の被覆率が得られた。
【００７８】
　・　ＩＴＯ：　２０Å／秒
　・　Ａｌ：　１３０から１６０Å／秒
　・　Ｃｒ：　１４０Å／秒
　・　Ｔｉ：　１００Å／秒
　・　Ｔａ：　１０６Å／秒
　図９には、この発明による供給源のターゲット配置の一つの、１５ｃｍ幅のスパッタ表面における浸食断面が示される。ここでは、「レーストラック」ないし浸食溝はもはやほとんど認識されず、極めて均一にならされているのがわかる。
【００７９】
　図１０には、幅Ｂが１５０ｍｍのスパッタ表面をそれぞれ有する、五つのターゲット配置を備える、この発明の供給源において、ＩＴＯスパッタ被覆の際に得られる被覆率分布が示される。この分布では、供給源表面から１２０ｍｍの距離Ｄに配置された基板における層厚の偏差は、わずか±３．８％である。
【００８０】
　図１１には、以下のように被覆された、大きな表面のガラス基板において得られる層厚の分布が示される。
【００８１】
　―　全スパッタ出力　Ｐtot：　２ｋＷ
　―　スパッタ時間：　１００秒
　―　スパッタ率Ｒ：　２６Å／秒、相対値：　１３Å／秒ｋＷ
　―　ターゲット配置を六つ備え、そのうち最も外側の配置は１０ないし１５％高いスパッタ出力で操作される（ｐ1，ｐ6）、供給源
　―　基板の大きさ：　６５０ｘ５５０ｍｍ2
　図１１には、より高い出力で操作されるターゲット配置上にあった、基板の縁部領域が示されている。平均２６７ｎｍの厚さの層をＩＴＯ被覆する場合、得られる層厚の偏差は±６．３％である。
【００８２】
　この発明によると、従来のスパッタ供給源で、特に表面の大きい工作物を被覆する場合、特に以下の欠点が回避される。
【００８３】
　・　この発明によると、高い被覆率および高いスパッタ率利用で、大きなマグネトロンスパッタ表面にわたってプロセス条件を均一に配分することが可能なので、表面の大きい基板、場合によっては同時に多数の基板を被覆する際に、高い経済性が得られる。
【００８４】
　・　この発明の供給源においては、大きな表面が同時にスパッタされるので、基板における層厚の分布がより改善され、かつ干渉放電（アーク）の発生が妨げられる。
【００８５】
　・　反応ガスの配分および／またはターゲット浸食分布の均質化の問題が解決するので、被覆されるべき基板を供給源にはるかに近く位置決めすることができ、かつ供給源表面に対して被覆される表面をはるかに大きくすることができる。これによって、この発明による供給源を用いたスパッタ被覆装置の経済性が大幅に増加する。
【００８６】
　・　表面の大きなターゲットにおいて、ターゲット中央に陽極がないために、ターゲット中央とターゲットの周縁部との間でプラズマ密度に差が生じるという問題が、除去される。
【００８７】
　・　モジュール状のターゲット配置によって、供給源をそれぞれ所望の寸法に柔軟に合わせることが可能である。
【００８８】
　・　表面の大きなターゲットにおける問題、すなわちターゲット中央におけるプロセスの反応ガスが乏しくなる問題は、ガス流入口４９が供給源表面そのものの上に分散配置されるので、解決する。
【００８９】
　・　プロセス真空と大気圧との間にキャリヤ土台（４１）があるので（図４参照）、この負荷をも受容する、厚い冷却プレート（２３）をもはや設ける必要がなく、したがって
、供給源はより低コストとなり、特に、ターゲット配置（３）の下側に設けられる磁石配置（４７，４３）の磁場の支配率が改善される。
【００９０】
　以下の配分、すなわち：
　・　時間的および／または局所的、ターゲット配置の電気操作
　・　時間的および／または局所的、ターゲット配置の磁気操作
　・　時間的および／または局所的、ガス流入
を選択的に制御することによって、表面の大きな基板において得られる、層厚の分布を最適に、特に均一に調整することが可能である。
【００９１】
　・　差込継ぎ手が設けられるとともに、ターゲット配置が冷却媒体の圧力を介してしっかりと固定されることによって、ターゲット配置の極めて容易かつ迅速な交換が可能であり、かつ大きな表面の極めて効率的な冷却が可能である。
【００９２】
　・　スパッタ表面の下側に差込継ぎ手が固定装置として設けられるため、その他の、特にスパッタ材料とは異質の固定機構に、プロセス空間側から接触することは一切ない。
【図面の簡単な説明】
【００９３】
【図１】第一の電気的形態で操作される、この発明によるマグネトロンスパッタ供給源の図である。
【図２】さらなる電気接続形状における、この発明による、図１のスパッタ供給源の概略図である。
【図３】図１と同様の、この発明のスパッタ供給源の、さらなる電気接続形状を示す図である。
【図４】この発明のマグネトロンスパッタ供給源の部分横断面図である。
【図５】好ましくは、図４の供給源において使用されるような、直線状差込継ぎ手の上面図である。
【図６】この発明によるマグネトロン供給源の、簡略化された部分上面図である。
【図７】図４の、この発明によるマグネトロン供給源に好ましくは設けられる、永久磁石ローラの、好ましい一実施形態の上面図である。
【図８】この発明のスパッタ被覆装置の概略図である。
【図９】この発明の供給源のターゲット配置における、浸食断面の図である。
【図１０】ターゲット配置を五つ備えた、この発明の供給源において算出された、供給源からスパッタされた材料の配分を示す図である。
【図１１】この発明の供給源によって被覆された、５３０ｘ６３０ｍｍ2のガラス基板における層厚の起伏を示す図である。
【図１】
2004091927.tif 000003
【図２】
2004091927.tif 000004
【図３】
2004091927.tif 000005
【図４】
2004091927.tif 000006
【図５】
2004091927.tif 000007
【図６】
2004091927.tif 000008
【図７】
2004091927.tif 000009
【図８】
2004091927.tif 000010
【図９】
2004091927.tif 000011
【図１０】
2004091927.tif 000012
【図１１】
2004091927.tif 000013