(57)【要約】【課題】高い接合信頼性が得られる半導体チップの実装方法、信頼性の高い半導体実装基板、電子デバイスおよびこれを備える電子機器を提供すること。【解決手段】本発明の半導体チップの実装方法は、半導体チップ１の端子３の端部に、端子３および配線基板４の端子６より硬度が低い低硬度層７を形成する低硬度層形成工程［Ａ１］と、導電性粒子９１を含み、粘着性または接着性を有する充填物９を半導体チップ１と配線基板４との間に供給する充填物供給工程［Ａ２］と、接合すべき端子３と端子６とを、低硬度層７および導電性粒子９１を介して接触するよう位置決めする位置決め工程［Ａ３］と、加熱により低硬度層７を溶融または軟化して、対応する端子３、６同士を接合する接合工程［Ａ４］とを有している。また、低硬度層７は、導電性粒子９１より硬度が低いものであるのが好ましい。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップが有する端子の端部および／または配線基板が有する端子の端部に、主として金属材料で構成され、前記端子より硬度が低い低硬度層を形成する低硬度層形成工程と、
前記半導体チップの端子と、これに対応する配線基板の端子とを、前記低硬度層および導電性粒子を介して接触するよう位置決めする位置決め工程と、
加熱により前記低硬度層を溶融または軟化して、対応する前記端子同士を接合する接合工程とを有することを特徴とする半導体チップの実装方法。
【請求項２】
前記低硬度層および前記導電性粒子は、前記半導体チップの基板と前記配線基板の基板との距離の差を吸収する請求項１に記載の半導体チップの実装方法。
【請求項３】
前記位置決め工程に先立って、前記導電性粒子を、該導電性粒子を含み、粘着性または接着性を有する充填物として、前記半導体チップと前記配線基板との間に供給する工程を有する請求項１または２に記載の半導体チップの実装方法。
【請求項４】
前記低硬度層は、前記導電性粒子より硬度が低いものである請求項１ないし３のいずれかに記載の半導体チップの実装方法。
【請求項５】
前記接合工程における加熱は、前記金属材料の融点未満の温度で行われる請求項１ないし４のいずれかに記載の半導体チップの実装方法。
【請求項６】
前記金属材料は、ろう材である請求項１ないし５のいずれかに記載の半導体チップの実装方法。
【請求項７】
前記ろう材は、半田である請求項６に記載の半導体チップの実装方法。
【請求項８】
半導体チップが有する端子の端部および／または配線基板が有する端子の端部に、主として導電性接着剤または導電性樹脂で構成され、前記端子より硬度が低い低硬度層を形成する低硬度層形成工程と、
前記半導体チップの端子と、これに対応する配線基板の端子とを、前記低硬度層を介して接触するよう位置決めする位置決め工程と、
加熱により前記低硬度層を溶融または軟化して、対応する前記端子同士を接合する接合工程とを有することを特徴とする半導体チップの実装方法。
【請求項９】
前記低硬度層は、前記半導体チップの基板と前記配線基板の基板との距離の差を吸収する請求項８に記載の半導体チップの実装方法。
【請求項１０】
前記位置決め工程に先立って、粘着性または接着性を有する充填物を前記半導体チップと前記配線基板との間に供給する工程を有する請求項８または９に記載の半導体チップの実装方法。
【請求項１１】
前記充填物は、導電性粒子を含むものである請求項１０に記載の半導体チップの実装方法。
【請求項１２】
前記低硬度層は、前記導電性粒子より硬度が低いものである請求項１１に記載の半導体チップの実装方法。
【請求項１３】
前記半導体チップの端子は、無電解メッキ法により形成されたものである請求項１ないし１２のいずれかに記載の半導体チップの実装方法。
【請求項１４】
前記半導体チップの端子は、Ｎｉ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｓｎまたはこれらを含む合金で構成されている請求項１ないし１３のいずれかに記載の半導体チップの実装方法。
【請求項１５】
前記低硬度層は、ディッピング法または印刷法により形成される請求項１ないし１４のいずれかに記載の半導体チップの実装方法。
【請求項１６】
請求項１ないし１５のいずれかに記載の半導体チップの実装方法により、配線基板に半導体チップが実装されてなることを特徴とする半導体実装基板。
【請求項１７】
請求項１６に記載の半導体実装基板を備えることを特徴とする電子デバイス。
【請求項１８】
請求項１７に記載の電子デバイスを備えることを特徴とする電子機器。
【請求項１９】
表示部を備える請求項１８に記載の電子機器。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体チップの実装方法、半導体実装基板、電子デバイスおよび電子機器に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、半導体チップを配線基板に実装する際には、半導体チップの端子と、これに対応する配線基板の端子とを位置決めして、この状態で、加熱または加熱・加圧を行うことにより、対応する端子同士を接合することが行われている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００３】
ところが、半導体チップの中には、その用途（例えば、各種表示装置の駆動用ＩＣ）等により、細長い形状のものがある。このような半導体チップでは、反りが生じる場合がある。
この場合、半導体チップの端子と、これに対応する回路基板の端子とを確実に接触させることができず、その結果、対応する端子同士の接合を十分に行えず、半導体チップと配線基板との接合信頼性（接続信頼性）が低下することがある。
【０００４】
【特許文献１】
特開２００２−１５８２４８号公報
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、高い接合信頼性が得られる半導体チップの実装方法、信頼性の高い半導体実装基板、電子デバイスおよびこれを備える電子機器を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
このような目的は、下記の本発明により達成される。
本発明の半導体チップの実装方法は、半導体チップが有する端子の端部および／または配線基板が有する端子の端部に、主として金属材料で構成され、前記端子より硬度が低い低硬度層を形成する低硬度層形成工程と、
前記半導体チップの端子と、これに対応する配線基板の端子とを、前記低硬度層および導電性粒子を介して接触するよう位置決めする位置決め工程と、
加熱により前記低硬度層を溶融または軟化して、対応する前記端子同士を接合する接合工程とを有することを特徴とする。
これにより、半導体チップと配線基板との高い接合信頼性が得られる。
【０００７】
本発明の半導体チップの実装方法では、前記低硬度層および前記導電性粒子は、前記半導体チップの基板と前記配線基板の基板との距離の差を吸収することが好ましい。
これにより、半導体チップと配線基板との接合信頼性がより向上する。
【０００８】
本発明の半導体チップの実装方法では、前記位置決め工程に先立って、前記導電性粒子を、該導電性粒子を含み、粘着性または接着性を有する充填物として、前記半導体チップと前記配線基板との間に供給する工程を有することが好ましい。
これにより、対応する端子同士の位置決めをより容易かつ確実に行うことができるとともに、位置決めした後においては、半導体チップと配線基板とのズレを防止して、対応する端子同士の位置ズレを確実に防止することができる。
【０００９】
本発明の半導体チップの実装方法では、前記低硬度層は、前記導電性粒子より硬度が低いものであることが好ましい。
これにより、半導体チップと配線基板との接合信頼性がより向上する。
【００１０】
本発明の半導体チップの実装方法では、前記接合工程における加熱は、前記金属材料の融点未満の温度で行われることが好ましい。
これにより、半導体チップと配線基板との接合信頼性がより向上する。
【００１１】
本発明の半導体チップの実装方法では、前記金属材料は、ろう材であることが好ましい。
ろう材は、導電性に優れ、入手も容易である。
【００１２】
本発明の半導体チップの実装方法では、前記ろう材は、半田であることが好ましい。
半田は、比較的低温で溶融するので、対応する端子同士の接合における加熱温度を低くすることができる。
【００１３】
本発明の半導体チップの実装方法は、半導体チップが有する端子の端部および／または配線基板が有する端子の端部に、主として導電性接着剤または導電性樹脂で構成され、前記端子より硬度が低い低硬度層を形成する低硬度層形成工程と、
前記半導体チップの端子と、これに対応する配線基板の端子とを、前記低硬度層を介して接触するよう位置決めする位置決め工程と、
加熱により前記低硬度層を溶融または軟化して、対応する前記端子同士を接合する接合工程とを有することを特徴とする。
これにより、半導体チップと配線基板との高い接合信頼性が得られる。
【００１４】
本発明の半導体チップの実装方法では、前記低硬度層は、前記半導体チップの基板と前記配線基板の基板との距離の差を吸収することが好ましい。
これにより、半導体チップと配線基板との接合信頼性がより向上する。
【００１５】
本発明の半導体チップの実装方法では、前記位置決め工程に先立って、粘着性または接着性を有する充填物を前記半導体チップと前記配線基板との間に供給する工程を有することが好ましい。
これにより、対応する端子同士の位置決めをより容易かつ確実に行うことができるとともに、位置決めした後においては、半導体チップと配線基板とのズレを防止して、対応する端子同士の位置ズレを確実に防止することができる。
【００１６】
本発明の半導体チップの実装方法では、前記充填物は、導電性粒子を含むものであることが好ましい。
これにより、半導体チップと配線基板との接合信頼性がより向上する。
【００１７】
本発明の半導体チップの実装方法では、前記低硬度層は、前記導電性粒子より硬度が低いものであることが好ましい。
これにより、半導体チップと配線基板との接合信頼性がより向上する。
【００１８】
本発明の半導体チップの実装方法では、前記半導体チップの端子は、無電解メッキ法により形成されたものであることが好ましい。
これにより、端子同士の間隔（ピッチ）をより小さくすることができる。
【００１９】
本発明の半導体チップの実装方法では、前記半導体チップの端子は、Ｎｉ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｓｎまたはこれらを含む合金で構成されていることが好ましい。
これらのものは、導電性に優れ、また、配線パターンの構成材料との密着性も高い。
【００２０】
本発明の半導体チップの実装方法では、前記低硬度層は、ディッピング法または印刷法により形成されることが好ましい。
かかる方法によれば、低硬度層を容易かつ確実に形成することができる。
【００２１】
本発明の半導体実装基板は、本発明の半導体チップの実装方法により、配線基板に半導体チップが実装されてなることを特徴とする。
これにより、信頼性の高い半導体実装基板が得られる。
【００２２】
本発明の電子デバイスは、本発明の半導体実装基板を備えることを特徴とする。
これにより、信頼性の高い電子デバイスが得られる。
【００２３】
本発明の電子機器は、本発明の電子デバイスを備えることを特徴とする。
これにより、信頼性の高い電子機器が得られる。
【００２４】
本発明の電子機器では、表示部を備えることが好ましい。
本発明の電子機器は、特に、各種の表示機能を有する電子機器へ適用するのが好ましい。
【００２５】
【発明の実施の形態】
本発明における半導体チップには、ベアチップ（個別のチップおよびウェハの双方）および半導体パッケージのいずれのものをも含む。
以下、本発明の半導体チップの実装方法、半導体実装基板、電子デバイスおよび電子機器の好適な実施形態について説明する。
【００２６】
まず、本発明で用いられる半導体チップおよび配線基板の一例について、図１に基づいて説明する。
図１は、本発明で用いられる半導体チップおよび配線基板の一例を示す断面図である。なお、以下の説明では、図１中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
図１に示す半導体チップ１は、基板２と、基板２の一方の面（下面）２１に設けられた複数の端子（バンプ）３とを有している。
【００２７】
基板２は、例えば、Ｓｉ等の半導体材料で構成されている。基板２の厚さ（平均）は、特に限定されないが、好ましくは、５０〜６００μｍ程度とされる。
また、基板２は、単層で構成されたもののみならず、複数の層の積層体で構成されたものでもよい。
この基板２の一方の面２１側には、集積回路（図示せず）が形成され、この集積回路の配線パターン２１１の一部に接触するように端子３が配設されている。
【００２８】
配線パターン２１１は、例えば、Ａｌ、Ｃｕ、Ｗ、Ｍｏまたはこれらを含む合金等で構成されている。
また、この配線パターン２１１上には、例えば電解メッキ法等により、Ｎｉメッキ、Ａｕメッキ等が施されている。
なお、集積回路は、基板２の他方の面２２側に形成されていてもよく、面２１側および面２２側の双方に形成されていてもよい。また、基板２が複数の層の積層体で構成される場合には、集積回路は、基板２の内部に形成されていてもよい。
【００２９】
端子３は、メッキ法（電解メッキ法または無電解メッキ法）により形成されたもの等が挙げられるが、これらの中でも、特に、無電解メッキ法により形成されたものであるのが好ましい。無電解メッキ法を用いて端子３を形成することにより、端子３同士の間隔（ピッチ）をより小さく（例えば、２０〜５０μｍ程度）することができる。これにより、電子機器の高性能化、小型化に伴って要求される、狭ピッチ化（端子の配線密度の高密度化）に対応することができる。
【００３０】
端子３の構成材料としては、例えば、Ｎｉ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｓｎまたはこれらを含む合金等が挙げられるが、これらの中でも、特に、Ｎｉ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｓｎまたはこれらを含む合金であるのが好ましい。これらのものは、導電性に優れ、また、前述したような配線パターン２１１の構成材料との密着性も高い。
【００３１】
端子３は、それぞれ、ほぼ等しい厚さ（高さ）に設定されており、その厚さ（平均）は、特に限定されないが、好ましくは、５〜２０μｍ程度とされる。また、端子３の横断面積も、特に限定されず、好ましくは、５×１０−５〜５×１０−３ｍｍ２程度とされる。
端子３を無電解メッキ法により形成する場合、例えば、基板２の面２１上に、フォトリソグラフィー法により、所望のレジストパターンを形成し、このレジストパターンをマスクとして無電解メッキ法を行うことにより形成することができる。
【００３２】
一方、図１に示す配線基板４は、基板５と、基板５の一方の面（上面）５１側に設けられた複数の端子６とを有している。
基板５は、例えば、各種ガラス、各種セラミックス、Ｓｉ等の半導体材料、各種樹脂材料、またはこれらを任意に組み合わせたもの等で構成されている。
基板５の厚さ（平均）は、特に限定されないが、好ましくは、０．１〜３ｍｍ程度とされる。
また、基板５は、単層で構成されたもののみならず、複数の層の積層体で構成されたものでもよい。
【００３３】
この基板５の一方の面５１側には、例えば、Ａｕ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｓｎまたはこれらを含む合金等で構成される配線パターン６０が形成されている。そして、この配線パターン（リード）６０の端部が各端子６を構成している。
なお、配線パターン６０は、基板２が複数の層の積層体で構成される場合には、基板５の内部に形成されていてもよい。
【００３４】
次に、本発明の半導体チップの実装方法について説明する。
＜第１実施形態＞
まず、本発明の半導体チップの実装方法の第１実施形態について説明する。
図２は、本発明の半導体チップの実装方法の第１実施形態を示す工程図（断面図）である。なお、以下の説明では、図２中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
第１実施形態の半導体チップの実装方法は、低硬度層を形成する低硬度層形成工程と、導電性粒子を含む充填物を供給する充填物供給工程と、対応する端子同士を位置決めする位置決め工程と、対応する端子同士を接合する接合工程とを有している。以下、各工程について、順次説明する。
【００３５】
［Ａ１］  低硬度層形成工程
まず、半導体チップ１の端子３の端部（基板２と反対側の端部）に、低硬度層（クッション層）７を形成する（図２（ａ）参照）。
本実施形態の低硬度層７は、主として金属材料で構成され、半導体チップ１の端子３および配線基板４の端子６より硬度が低いものである。
【００３６】
低硬度層７の形成方法としては、特に限定されないが、例えば、ディッピング法、印刷法、電解メッキ、浸漬メッキ、無電解メッキ等の湿式メッキ法、熱ＣＶＤ、プラズマＣＶＤ、レーザーＣＶＤ等の化学蒸着法（ＣＶＤ）、真空蒸着、スパッタリング、イオンプレーティング等の乾式メッキ法、溶射、金属箔の接合等が挙げられるが、これらの中でも、特に、ディッピング法または印刷法が好ましい。かかる方法によれば、低硬度層７を容易かつ確実に形成することができる。なお、図２（ａ）には、印刷法を用いる場合について示した。
【００３７】
ディッピング法を用いる場合、低硬度層７は、例えば、溶融状態の低硬度層７の構成材料中に、端子３の端部を浸漬させることにより形成することができる。
また、印刷法を用いる場合、低硬度層７は、例えば、図２（ａ）に示すように、端子３の横断面形状に対応した貫通孔を有するマスクＭを用いて、スキージＳで溶融状態の低硬度層７の構成材料を掃くことにより、貫通孔を介して端子３の端面（図２（ａ）中、上面）に供給して形成することができる。
なお、前述したように、端子３の形成にレジストパターンを用いる場合、マスクＭには、かかるレジストパターンをそのまま用いることもできる。
【００３８】
低硬度層７の主材料である金属材料としては、各種のものを用いることができるが、特に、ろう材を用いるのが好ましい。ろう材は、導電性に優れ、また、入手も容易である。
また、ろう材としては、例えば、半田、銀ろう、銅ろう、燐銅ろう、黄銅ろう、アルミろう、ニッケルろう等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。これらの中でも、ろう材としては、特に、半田が好適である。半田は、特に硬度が低い。また、半田は、比較的低温で溶融するので、後述する工程［Ａ４］での加熱の温度を低くすることができる。これにより、半導体チップ１が高温に曝されるのを防止して、半導体チップ１が劣化（故障）することを好適に防止することができる。
【００３９】
形成された低硬度層７には、必要に応じて、例えば、加熱処理、フラックスによる洗浄処理、プラズマ処理等の後処理を施すようにしてもよい。
なお、図示の構成では、低硬度層７は、加熱処理およびフラックスによる洗浄処理が施され、全体的に丸みを帯びた形状をなしている。このような処理を施すことにより、端子３と低硬度層７とを密着性よく接続することができるという効果が得られる。
【００４０】
［Ａ２］  充填物供給工程
次に、配線基板４の上面側に、導電性粒子９１を含み、粘着性または接着性を有する充填物９を供給する（図２（ｂ）参照）。
導電性粒子９１としては、例えば、Ｎｉ、Ｓｎ、Ａｇ、Ａｕまたはこれらを含む合金等の各種金属材料で構成される粒子、各種樹脂材料で構成された粒子の表面を前記の金属材料で被覆したもの等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００４１】
粘着性または接着性を有する充填物９を用いることにより、次工程［Ａ３］において、端子３とこれに対応する端子６との位置決めをより容易かつ確実に行うことができるとともに、位置決めした後においては、半導体チップ１と配線基板４とのズレを防止して、接合すべき端子３と端子６とが位置ズレするのを確実に防止することができる。
【００４２】
充填物９には、ペースト状をなすもの（異方性導電性ペースト）、シート状をなすもの（異方性導電性膜）等のいかなるものを用いてもよい。ペースト状の充填物９を用いる場合、充填物９は、例えば、テーブル（基台）上に均一に塗布された充填物９に、配線基板４の上面側を接触させる方法や、ディスペンサーにより配線基板４の上面側に塗布する方法等により供給することができる。また、これらの方法は、併用することもできる。
なお、充填物９は、半導体チップ１と配線基板４との間に供給するようにすればよく、半導体チップ１の下面（基板２の一方の面２１）側に供給するようにしてもよいし、配線基板４の上面側および半導体チップ１の下面側の双方に供給するようにしてもよい。
【００４３】
また、充填物９は、比較的高い粘度を有するものであれば、各種のものが使用可能であるが、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、ケトン樹脂等の熱硬化性樹脂の前駆体（未硬化または半硬化の熱硬化性樹脂）を主材料とするものが好適に使用される。
熱硬化性樹脂の前駆体を主材料とする充填物９を用いることにより、後述する工程［Ａ４］において、端子３とこれに対応する端子６とを接合する際の加熱により、充填物９が熱硬化して、半導体チップ１と配線基板４との間隙１０が封止される。このため、一般的に行われる、半導体チップを配線基板に実装した後、これらの間隙を封止（モールド）する工程を省略することができるという利点がある。
【００４４】
間隙１０を封止することにより、例えば、間隙１０への水分（湿気）の侵入防止、半導体チップ１と配線基板４との密着性（接合強度）の向上、半導体チップ１および配線基板４の保護等の効果が発揮される。
なお、充填物９中には、カップリング剤、着色剤、難燃剤、低応力成分、離型剤、酸化防止剤、無機フィラー等の各種添加剤を配合（混合）するようにしてもよい。
【００４５】
［Ａ３］  位置決め工程
次に、配線基板４に半導体チップ１を、充填物９を介在させた状態で積層して、半導体チップ１の端子３と、これに対応する配線基板４の端子６とを位置決めする。このとき、端子３と端子６とは、低硬度層７および導電性粒子９１を介して接触するように位置決めされる（図２（ｃ）参照）。
【００４６】
図２に示すように、例えば、半導体チップ１（基板２）に生じた反り等が原因で、各端子３に高さのバラツキがある場合、半導体チップ１を配線基板４に積層した際には、接合すべき端子同士毎に、それらの間に形成される隙間（キャップ）の寸法（幅）が異なってくる。なお、図２には、半導体チップ１の右側の端子３が左側の端子３に対して、若干上方にズレている状態を示した。
【００４７】
本発明では、この接合すべき端子同士毎の隙間の寸法差（半導体チップ１の基板２と配線基板４の基板５との距離の差）を、低硬度層７および導電性粒子９１が補う（吸収する）ことができる。このため、端子３とこれに対応する端子６とを確実に接触させることができ、これらを確実に接合して、導通させることができる。
【００４８】
さらに、低硬度層７は、導電性粒子９１より硬度が低いものであるのが好ましい。このような構成により、低硬度層７に導電性粒子９１が埋入する（めり込む）ようにして保持される（図２（ｃ）参照）ことになるため、接合すべき端子３と端子６とをより確実に接触させることができる。また、低硬度層７と配線基板４の端子６との密着性（濡れ性）が比較的低い場合でも、対応する端子同士を確実に導通させることができるという利点もある。
【００４９】
［Ａ４］  接合工程
次に、加熱により低硬度層７を溶融または軟化して、半導体チップ１の端子３と、これに対応する配線基板４の端子６とを接合する（図２（ｄ）参照）。
具体的には、半導体チップ１と配線基板４との一方または双方を加熱して低硬度層７を溶融または軟化した後、固化（硬化）することにより、半導体チップ１の端子３と、これに対応する配線基板４の端子６とを接合する。
また、この加熱により、充填物９も熱硬化（固化）して、半導体チップ１と配線基板４との間隙１０が封止される。
【００５０】
この加熱は、例えば、ボンディングツールによる加熱、リフロー（熱風、赤外線等による加熱）等により行うことができる。
加熱の温度（加熱温度）は、低硬度層７が溶融する温度、すなわち、低硬度層７の主材料である金属材料の融点以上の温度としてもよいが、低硬度層７が軟化する程度の温度、すなわち、低硬度層７の主材料である金属材料の融点未満の温度（例えば、金属材料の融点−１００℃〜金属材料の融点−５０℃程度）とするのが好ましい。換言すれば、本発明では、低硬度層７を設けることにより、かかる比較的低温での、端子３と端子６との接合が可能となる。
このように、比較的低温で端子３と端子６との接合を行うことにより、半導体チップ１と配線基板４との熱膨張係数の違いに起因して生じる、接合すべき端子３と端子６との位置ズレをより確実に防止することができる。その結果、端子３とこれに対応する端子６とを、より確実に接合することができる。
【００５１】
ここで、配線基板４の基板５が各種樹脂材料で構成されたもの、すなわち、樹脂製の基板（基材）５に配線パターン６０が設けられた可撓性配線基板（プレキシブル配線基板）である場合には、特に、配線基板４の熱膨張係数は、半導体チップ１のそれと大きく異なるため、端子３と端子６との接合に際し、加熱温度が高温になるのを避けたいが、本発明を用いることにより、高温での加熱を回避することができ、接合すべき端子３と端子６との位置ズレを防止して、これらのより確実な接合が可能となる。このようなことから、本発明は、半導体チップ１を可撓性配線基板へ実装する際に、特に有効である。
【００５２】
また、この加熱の時間（加熱時間）も、特に限定されないが、好ましくは、５秒〜６０秒程度とされる。
さらに、この加熱の際には、必要に応じて、例えば、加圧や、高周波、超音波等の付与等を併用するようにしてもよい。
以上のような工程を経て、本発明の半導体実装基板１００が得られる。
なお、半導体実装基板１００には、必要に応じて、例えば、半導体チップ１全体の樹脂材料（モールド樹脂）による封止、充填物９のアフターキュア等の後処理を施すようにしてもよい。
【００５３】
＜第２実施形態＞
次に、本発明の半導体チップの実装方法の第２実施形態について説明する。
図３は、本発明の半導体チップの実装方法の第２実施形態を示す工程図（断面図）である。なお、以下の説明では、図３中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
【００５４】
以下、第２実施形態の半導体チップの実装方法について説明するが、前記第１実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
第２実施形態の半導体チップの実装方法は、低硬度層７の構成が異なる点、および、充填物９が導電性粒子９１を含まない点以外は、前記第１実施形態と同様である。
【００５５】
［Ｂ１］  低硬度層形成工程
まず、前記工程［Ａ１］と同様の工程を行う。これにより、半導体チップ１の端子３の端部（基板２と反対側の端部）に、低硬度層（クッション層）７を形成する（図３（ａ）参照）。
本実施形態の低硬度層７は、主として導電性接着剤または導電性樹脂で構成され、半導体チップ１の端子３および配線基板４の端子６より硬度が低いものである。
【００５６】
このような低硬度層７は、第１実施形態の低硬度層７（主として金属材料で構成された低硬度層７）に比較して、その端面（図３（ｂ）の下面）をより平坦な面に形成することが容易である。これにより、低硬度層７と配線基板４の端子６との接触面積をより増大させることができるので、次工程［Ｂ３］において、低硬度層７と配線基板４の端子６とをより確実に接触させることができる。その結果、後述する工程［Ｂ４］において、端子３とこれに対応する端子６との接合をより確実に行うことができる。
導電性接着剤としては、例えば、Ａｇ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｕまたはこれらを含む合金等で構成される導電性粒子を、各種樹脂材料（またはその未硬化物）に分散させたものを用いることができる。
【００５７】
導電性粒子を分散させる樹脂材料としては、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン−酢酸ビニル共重合体等のポリオレフィン、変性ポリオレフィン、ポリアミド、熱可塑性ポリイミド、芳香族ポリエステル等の液晶ポリマー、ポリフェニレンオキシド、ポリフェニレンサルファイド、ポリカーボネート、ポリメチルメタクリレート、ポリエーテル、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルイミド、ポリアセタール、スチレン系、ポリオレフィン系、ポリ塩化ビニル系、ポリウレタン系、ポリエステル系、ポリアミド系、ポリブタジエン系、トランスポリイソプレン系、フッ素ゴム系、塩素化ポリエチレン系等の各種熱可塑性エラストマーのような各種熱可塑性樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、ケトン樹脂のような各種熱硬化性樹脂等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００５８】
一方、導電性樹脂としては、例えば、ポリアニリン、ポリフェニレンスルフィド、ポリピロール、ポリチオフェン、ポリアルキルチオフェン、ポリアセチレン、ポリビニルカルバゾール、ポリトリフェニルアミン、ポリピリジン、ポリピリミジン、ポリキノキサリン、ポリフェニルキノキサリン、ポリイソチアナフテン、ポリピリジンジイル、ポリチエニレン、ポリチエニレンビニレン、ポリパラフェニレン、ポリパラフェニレンビニレン、ポリフルラン、ポリアセン、ポリペリナフタレン、ポリフラン、ポリアズレン、ポリインドール、ポリジアミノアントラキノン等が挙げられ、これのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
また、導電性樹脂中には、Ｉ２、Ｂｒ２、ＡｓＦ５、ＺｒＣｌ４、Ｈ２ＳＯ４、ＨＣｌＯ４、テトラシアノキノジメタン（ＴＣＮＱ）、クロラニル、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ等の各種ドーパントを配合（混合）するようにしてもよい。これにより、導電性樹脂（低硬度層７）の導電性をより向上させることができる。
【００５９】
［Ｂ２］  充填物供給工程
次に、前記工程［Ａ２］と同様の工程を行う（図３（ｂ）参照）。
本実施形態の充填物９は、導電性粒子９１を含まない以外は、前記第１実施形態の充填物９と同様の構成とすることができる。
なお、本実施形態においても、充填物９として、前記第１実施形態の充填物９と同様のもの、すなわち、導電性粒子９１を含む充填物９を用いるようにしてもよい。これにより、接合すべき端子３と端子６とをより確実に接合して、導通させることができる。
この場合、前記第１実施形態と同様に、低硬度層７は、導電性粒子より硬度が低いものであるのが好ましい。これにより、前記効果がより向上する。
また、本実施形態では、本工程［Ｂ２］を省略することもできる。
【００６０】
［Ｂ３］  位置決め工程
次に、前記工程［Ａ３］と同様の工程を行う（図３（ｃ）参照）。
なお、図３には、半導体チップ１の右側の端子３が左側の端子３に対して、若干上方にズレている状態を示した。
本実施形態では、低硬度層７が、半導体チップ１の基板２と配線基板４の基板５との距離の差を吸収することができる。これにより、端子３とこれに対応する端子６とを確実に接触させることができ、これらを確実に接合して、導通させることができる。
【００６１】
［Ｂ４］  接合工程
次に、前記工程［Ａ４］と同様の工程を行う。これにより、対応する端子同士を接合する（図３（ｄ）参照）。
具体的には、半導体チップ１と配線基板４との一方または双方を加熱して低硬度層７を溶融または軟化した後、固化（硬化）することにより、半導体チップ１の端子３と、これに対応する配線基板４の端子６とを接合する。
【００６２】
また、この加熱により、充填物９も熱硬化（固化）して、半導体チップ１と配線基板４との間隙１０が封止される。
以上のような工程を経て、本発明の半導体実装基板１００’が得られる。
このような第２実施形態の半導体チップの実装方法によっても、前記第１実施形態と同様の作用・効果が得られる。
【００６３】
次に、このような半導体実装基板１００（または１００’）を備える電子デバイス、すなわち、本発明の電子デバイスについて説明する。
以下では、本発明の電子デバイスを表示装置に適用した場合を一例に説明する。
図４は、本発明の電子デバイスを表示装置に適用した場合の実施形態を示す断面図である。なお、以下の説明では、図４中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
【００６４】
図４に示す表示装置（電気光学装置）３００は、透過型の液晶表示装置であり、表示パネル（表示部）２００と、本発明の半導体実装基板１００（または１００’）と、図示しないバックライトとを有している。
表示パネル２００は、枠状のシール材２３０を介して貼りあわされた第１パネル基板２２０と、第１パネル基板２２０に対向する第２パネル基板２４０と、これらで囲まれる空間に封入された液晶を含む液晶層２７０とを有している。
【００６５】
第１パネル基板２２０および第２パネル基板２４０は、それぞれ、例えば、ガラス基板で構成されている。これらのパネル基板２２０、２４０の液晶層２７０側の面には、それぞれ、例えばＩＴＯ等で構成される透明電極２１０、２５０が設けられている。これらの透明電極２１０、２５０を介して、液晶層２７０に電圧が印加される。
【００６６】
また、第１パネル基板２２０の下面および第２パネル基板２４０の上面（いずれも液晶層２７０と反対側の面）には、それぞれ、偏光板２６０、２８０が設けられている。
また、第１パネル基板２２０は、第２パネル基板２４０から張り出した部分（張出領域２０１）を有している。この張出領域２０１にまで、各透明電極２１０、２５０が延在して設けられている。
【００６７】
半導体実装基板（可撓性回路基板）１００は、配線基板４と、この配線基板４に実装された半導体チップ１とを有している。
配線基板４は、可撓性を有する基板５の一方の面（図４中、上面）５１に配線パターン（リード）６０が形成され、その一端部（図４中、左側）において、配線パターン６０が下方を向くように長手方向の途中で折り曲げられている。
そして、この一端部において、配線パターン６０と張出領域２０１に延在する各透明電極２１０、２５０の端部とが、導電性粒子４１０を含む異方性導電性材料（異方性導電性ペースト、異方性導電性膜）４００を介して接続されている。
【００６８】
また、配線パターン６０の面方向の中央部には、配線パターン６０の端部により端子６が形成されており、この端子６に半導体チップ１の端子３が接合（接続）されている。
これにより、各透明電極２１０、２５０と半導体チップ１との電気的導通が得られている。
半導体チップ１は、表示パネル２００の駆動用ＩＣとして設けられており、各透明電極２１０、２５０への電圧の印加量、印加パターン等を制御する。この半導体チップ１の駆動制御により、表示パネル２００では、所望の情報（静止画および動画の双方を含む画像）が表示される。
【００６９】
なお、本発明の電子デバイスは、図示の表示装置３００への適用に限定されず、例えば、有機または無機ＥＬ表示装置、電気泳動表示装置等の他の表示装置、インクジェット記録ヘッド等の液滴吐出用ヘッド等に適用することもできる。
そして、このような電子デバイスを備える本発明の電子機器は、各種の電子機器に適用することができる。
【００７０】
以下、本発明の電子機器について、図５〜図７に示す実施形態に基づき、詳細に説明する。
図５は、本発明の電子機器を適用したモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。
この図において、パーソナルコンピュータ１１００は、キーボード１１０２を備えた本体部１１０４と、表示ユニット１１０６とにより構成され、表示ユニット１１０６は、本体部１１０４に対しヒンジ構造部を介して回動可能に支持されている。
このパーソナルコンピュータ１１００は、表示ユニット１１０６が前述の表示装置３００を備えており、表示パネル（表示部）２００の表示面が表示ユニット１１０６の前面に向くよう配置されている。
【００７１】
図６は、本発明の電子機器を適用した携帯電話機（ＰＨＳも含む）の構成を示す斜視図である。
この図において、携帯電話機１２００は、複数の操作ボタン１２０２、受話口１２０４および送話口１２０６とともに、前述の表示装置３００を備えている。
表示装置３００の表示パネル（表示部）２００は、操作ボタン１２０２と受話口１２０４との間において、その表示面が携帯電話機１２００の前面に向くよう配置されている。
【００７２】
図７は、本発明の電子機器を適用したディジタルスチルカメラの構成を示す斜視図である。なお、この図には、外部機器との接続についても簡易的に示されている。
ここで、通常のカメラは、被写体の光像により銀塩写真フィルムを感光するのに対し、ディジタルスチルカメラ１３００は、被写体の光像をＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ  Ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｄｅｖｉｃｅ）などの撮像素子により光電変換して撮像信号（画像信号）を生成する。
【００７３】
ディジタルスチルカメラ１３００におけるケース（ボディー）１３０２の背面には、前述の表示装置３００の表示パネル（表示部）２００が設けられ、ＣＣＤによる撮像信号に基づいて表示を行う構成になっており、表示パネル２００は、被写体を電子画像として表示するファインダとして機能する。
また、ケース１３０２の正面側（図７においては裏面側）には、光学レンズ（撮像光学系）やＣＣＤなどを含む受光ユニット１３０４が設けられている。
撮影者が表示パネル２００に表示された被写体像を確認し、シャッタボタン１３０６を押下すると、その時点におけるＣＣＤの撮像信号が、メモリ１３０８に転送・格納される。
【００７４】
また、このディジタルスチルカメラ１３００においては、ケース１３０２の側面に、ビデオ信号出力端子１３１２と、データ通信用の入出力端子１３１４とが設けられている。そして、図７に示されるように、ビデオ信号出力端子１３１２にはテレビモニタ１４３０が、デ−タ通信用の入出力端子１３１４にはパーソナルコンピュータ１４４０が、それぞれ必要に応じて接続される。さらに、所定の操作により、メモリ１３０８に格納された撮像信号が、テレビモニタ１４３０や、パーソナルコンピュータ１４４０に出力される構成になっている。
【００７５】
なお、本発明の電子機器は、図５のパーソナルコンピュータ（モバイル型パーソナルコンピュータ）、図６の携帯電話、図７のディジタルスチルカメラの他にも、例えば、インクジェット式吐出装置（例えばインクジェットプリンタ）、ラップトップ型パーソナルコンピュータ、テレビ、ビデオカメラ、ビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳（通信機能付も含む）、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニタ、電子双眼鏡、ＰＯＳ端末、医療機器（例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電図計測装置、超音波診断装置、電子内視鏡）、魚群探知機、各種測定機器、計器類（例えば、車両、航空機、船舶の計器類）、フライトシュミレータ等に適用することができる。
【００７６】
以上述べたように、本発明によれは、半導体チップの端子や配線基板の端子に、高さのバラツキがある場合でも、接合すべき端子同士毎の隙間の寸法差（半導体チップ１の基板２と配線基板４の基板５との距離の差）を、低硬度層７や導電性粒子９１が補う（吸収する）ことができる。このため、端子３とこれに対応する端子６とを確実に接触させることができ、これらを確実に接合して、導通させることができる。その結果、半導体チップ１と配線基板４との高い接合信頼性（接続信頼性）が得られる。
【００７７】
以上、本発明の半導体チップの実装方法、半導体実装基板、電子デバイスおよび電子機器について、図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明は、これらに限定されるものではなく、各構成は、同様の機能を発揮し得る任意のものと置換することができ、あるいは、任意の構成のものを付加することができる。
例えば、本発明の半導体チップの実装方法では、必要に応じて、任意の目的の工程を追加することもできる。
【００７８】
また、本発明の半導体チップの実装方法は、複数の半導体チップを積層するのに用いてもよい。
また、本発明において実装される半導体チップは、予め複数の半導体チップを積層した積層体であってもよい。
なお、各前記本実施形態では、半導体チップの端子の端部に低硬度層を設ける場合を代表して説明したが、本発明では、低硬度層は、配線基板の端子の端部に設けるようにしてもよく、半導体チップの端子の端部および配線基板の端子の端部の双方に設けるようにしてもよい。
【００７９】
また、端子と低硬度層との間には、任意の目的（例えば、端子と低硬度層との密着性の向上等）の層を、１層または２層以上を設けるようにしてもよい。
また、端子の形成を、例えばレジストパターンをマスクとして用いて行う場合には、マスクの一部（例えば、厚さ方向の一部）を残した状態で、本発明の半導体チップの実装方法に供するようにしてもよい。
また、前記各実施形態では、熱硬化性樹脂の前駆体を充填物の主材料として用いる場合について説明したが、充填物の主材料としては、反応硬化性樹脂、光硬化性樹脂、嫌気硬化性樹脂等の各種硬化性樹脂の前駆体（未硬化または半硬化の各種硬化性樹脂）を用いることもできる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明で用いられる半導体チップおよび配線基板の一例を示す断面図である。
【図２】本発明の半導体チップの実装方法の第１実施形態を示す工程図（断面図）である。
【図３】本発明の半導体チップの実装方法の第２実施形態を示す工程図（断面図）である。
【図４】本発明の電子デバイスを表示装置に適用した場合の実施形態を示す断面図である。
【図５】本発明の電子デバイスを備える電子機器（ノート型パーソナルコンピュータ）である。
【図６】本発明の電子デバイスを備える電子機器（携帯電話）である。
【図７】本発明の電子デバイスを備える電子機器（ディジタルスチルカメラ）である。
【符号の説明】
１‥‥半導体チップ  ２‥‥基板  ２１、２２‥‥面  ２１１‥‥配線パターン  ３‥‥端子  ４‥‥配線基板  ５‥‥基板  ５１‥‥面  ６‥‥端子  ６０‥‥配線パターン  ７‥‥低硬度層  ９‥‥充填物  ９１‥‥導電性粒子  １０‥‥間隙  １００、１００’‥‥半導体実装基板  ２００‥‥表示パネル  ２０１‥‥張出領域  ２１０‥‥透明電極  ２２０‥‥第１パネル基板  ２３０‥‥シール材  ２４０‥‥第２パネル基板  ２５０‥‥透明電極  ２６０、２８０‥‥偏光板  ２７０‥‥液晶層  ３００‥‥表示装置  ４００‥‥異方性導電性材料  ４１０‥‥導電性粒子  １１００‥‥パーソナルコンピュータ  １１０２‥‥キーボード  １１０４‥‥本体部  １１０６‥‥表示ユニット  １２００‥‥携帯電話機  １２０２‥‥操作ボタン  １２０４‥‥受話口  １２０６‥‥送話口  １３００‥‥ディジタルスチルカメラ  １３０２‥‥ケース（ボディー）  １３０４‥‥受光ユニット  １３０６‥‥シャッタボタン  １３０８‥‥メモリ１３１２‥‥ビデオ信号出力端子  １３１４‥‥データ通信用の入出力端子  １４３０‥‥テレビモニタ  １４４０‥‥パーソナルコンピュータ  Ｍ‥‥マスク  Ｓ‥‥スキージ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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