(57)【要約】【課題】ビルドアップ層非形成面側へのレーザー孔明け加工が省略可能なため、信頼性に優れた片面積層配線基板を低コストかつ高い歩留まりで効率よく安定的に製造できる片面積層配線基板の製造方法を提供すること。【解決手段】２枚のコア基板１２の第２主面１４上に導体層２２と導通する導電性の突起８８を形成する。次に、コア基板１２の第２主面１４同士を対向配置し、第２主面１４間に導電性金属箔８３及びこれを挟む一対の樹脂層８４を介在させて厚さ方向に加熱プレスする。この加熱プレスにより、コア基板１２を貼り合わせるとともに、突起８８の先端を樹脂層３３を貫通させて導電性金属箔８３に接触させる。次に、第１主面１３側にのみビルドアップ層１８を形成する。次に、貼り合わされたコア基板１２を導電性金属箔８３の箇所で剥離して２分割する。この後、２分割によって露出する導電性金属箔８３をパターニングして接続端子３７を形成する。【選択図】  図８
2004214272.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１主面、第２主面及び導体層を有する２枚のコア基板の前記第２主面上に、前記導体層と導通する導電性の突起を形成する工程と、
前記コア基板の前記第２主面同士を対向配置し、前記第２主面間に導電性金属箔及びこの導電性金属箔を挟む一対の樹脂層を介在させて厚さ方向に加熱プレスすることにより、前記コア基板を貼り合わせるとともに、前記突起の先端を前記樹脂層を貫通させて前記導電性金属箔に接触させる工程と、
前記第１主面側にのみビルドアップ層を形成する工程と、
貼り合わされた前記コア基板を前記導電性金属箔の箇所で剥離して２分割する工程と、
前記２分割によって露出する前記導電性金属箔をパターニングして接続端子を形成する工程と
を含むことを特徴とする片面積層配線基板の製造方法。
【請求項２】
前記突起を導電性ペーストの印刷によって形成することを特徴とする請求項１に記載の片面積層配線基板の製造方法。
【請求項３】
前記加熱プレスを含む工程の前に前記突起を半硬化状態にすることを特徴とする請求項１または２に記載の片面積層配線基板の製造方法。
【請求項４】
前記導電性金属箔は銅箔であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の片面積層配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、片面にのみビルドアップ層を有する片面積層配線基板の製造方法に係り、特にはいったんコア基板同士を貼り合わせた状態でビルドアップ層を形成した後にこれらを剥離して２分割する片面積層配線基板の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、電気機器、電子機器等の小型化に伴い、これらの機器に搭載される配線基板等にも小型化や高密度化が要求されている。かかる市場の要求に応えるべく、配線基板の多層化技術が検討されている。多層化の方法としては、樹脂絶縁層と導体層とを交互に積層してなるビルドアップ層をコア基板の両方の主面に積層形成する方法（いわゆるビルドアップ法）が採用されることが多い。また最近では、ビルドアップ層を片方の主面にのみ備える片面積層配線基板も提案されている（例えば、特許文献１参照）。このような片面積層配線基板は、例えば以下の工程を経て製造される。
【０００３】
あらかじめ導体層及びスルーホール導体がパターニングされているコア基板を２枚用意する。これら２枚のコア基板を積層配置するとともに、それらのビルドアップ層非形成面同士の間にプリプレグ及び離型シートを介在させておく。この状態で加熱プレスを行い、２枚のコア基板を貼り合わせる。ここで、貼り合わされた２枚のコア基板におけるビルドアップ層形成面に樹脂絶縁層及び導体層を交互に積層することでビルドアップ層を形成する。次に、貼り合わされた２枚のコア基板を離型シートの箇所で剥離して２分割し、ビルドアップ層非形成面側に配置されたプリプレグ（樹脂絶縁層）を露出させる。次に、ビルドアップ層非形成面側の樹脂絶縁層を例えば炭酸ガスレーザー孔明け加工により部分的に開口して、端子ピン等を設置するための開口部を形成する。そして、その開口部にて露出する導体層部分に端子ピン等をはんだ付けし、それぞれ配線基板とする。
【０００４】
【特許文献１】
特開２００１−３６２３７号公報（図６等）
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、炭酸ガスレーザー孔明け加工による開口部の形成を行う従来のプロセスは、工数がかかるため、コスト高の原因となる。また、端子ピン等を設置するための開口部はある程度大きく（直径数百μｍ以上に）形成する必要があるため、レーザー照射に多大な時間を要し、生産性の低下を伴いやすい。しかも、長時間にわたりレーザー照射を行うと、銅等からなる導体層に熱が溜まることでデラミネーションを引き起こし、歩留まりや信頼性を低下させてしまう。
【０００６】
さらに、この場合の炭酸ガスレーザー孔明け加工において仮に照射エネルギーを大きく設定しすぎると、樹脂絶縁層の下層にある導体層にダメージを与えてしまう。一方、照射エネルギーを小さく設定しすぎると、プリプレグに含まれるガラスの溶融成分が開口部に残ってしまう。ゆえに、これらの不具合を解消するためには、照射エネルギーの条件をシビアに設定する必要がある。従って、このように技術的難度の高い炭酸ガスレーザー孔明け加工を省略できれば、現状に比べて片面積層配線基板の安定的な生産が可能になるものと考えられている。
【０００７】
本発明は上記の課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、ビルドアップ層非形成面側へのレーザー孔明け加工が省略可能なため、信頼性に優れた片面積層配線基板を低コストかつ高い歩留まりで効率よく安定的に製造することができる片面積層配線基板の製造方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段、作用及び効果】
そして上記課題を解決するための手段としては、第１主面、第２主面及び導体層を有する２枚のコア基板の前記第２主面上に、前記導体層と導通する導電性の突起を形成する工程と、前記コア基板の前記第２主面同士を対向配置し、前記第２主面間に導電性金属箔及びこの導電性金属箔を挟む一対の樹脂層を介在させて厚さ方向に加熱プレスすることにより、前記コア基板を貼り合わせるとともに、前記突起の先端を前記樹脂層を貫通させて前記導電性金属箔に接触させる工程と、前記第１主面側にのみビルドアップ層を形成する工程と、貼り合わされた前記コア基板を前記導電性金属箔の箇所で剥離して２分割する工程と、前記２分割によって露出する前記導電性金属箔をパターニングして接続端子を形成する工程とを含むことを特徴とする片面積層配線基板の製造方法がある。
【０００９】
そして、上記製造方法によれば、加熱プレスによってコア基板を貼り合わせる際に、同時に導電性の突起の先端が樹脂層を貫通して導電性金属箔に接触する。即ち、かかる導電性の突起が、コア基板の導体層と導電性金属箔とを接続導通するビアホール導体となる。従って、後工程においてビルドアップ層非形成面側の樹脂層に開口部を形成する必要がなくなり、それゆえビルドアップ層非形成面側へのレーザー孔明け加工を省略することが可能となる。よって、この製造方法によれば、信頼性に優れた片面積層配線基板を低コストかつ高い歩留まりで、しかも効率よく安定的に製造することができる。
【００１０】
また、導電性金属箔は、貼り合わされたコア基板を剥離して２分割する工程ではいわゆる離型シートとして機能するばかりでなく、パターニングを経て最終的には接続端子（即ち片側積層配線基板の一部）となる。ゆえに、材料の無駄が少なく、低コスト化を図るうえでも有利である。
【００１１】
以下、上記片面積層配線基板の製造方法について詳細に説明する。
【００１２】
この製造方法では、第１主面及び第２主面を有する２枚のコア基板を用いる。
【００１３】
コア基板としては、例えば、樹脂板、セラミック板、金属板などが使用可能である。これらの板材は、コスト性、孔加工の容易性、導電性などを考慮して適宜選択される。樹脂板の具体例としては、ＥＰ樹脂（エポキシ樹脂）、ＰＩ樹脂（ポリイミド樹脂）、ＢＴ樹脂（ビスマレイミド−トリアジン樹脂）、ＰＰＥ樹脂（ポリフェニレンエーテル樹脂）等からなる板材が挙げられる。前記セラミック板の具体例としては、例えば、アルミナ、ベリリア、窒化アルミニウム、窒化ほう素、炭化珪素、ガラスセラミック、結晶化ガラス等の低温焼成材料等からなる板材等がある。前記金属板の具体例としては、例えば、銅板や銅合金板、銅以外の金属単体や、銅以外の金属の合金（例えばＦｅ−Ｎｉ系合金など）からなる板材などが挙げられる。
【００１４】
コア基板における第１主面及び第２主面のうちの少なくとも一方には、所定のパターンを有する導体層があらかじめ形成される。また、前記コア基板にはスルーホール導体があらかじめ形成されていてもよい。
【００１５】
次に、２枚のコア基板の第２主面上に、前記導体層と導通する導電性の突起を形成する工程を行う。
【００１６】
前記導電性の突起は、第２主面上における導体層（例えばスルーホール導体のランドなど）の上に形成される。また、前記突起は、上記のようにコア基板の導体層と導電性金属箔とを接続導通するビアホール導体として機能するものであるため、導電性を有している必要がある。従って、前記突起は導電性金属を含む材料を用いて形成されることがよい。
【００１７】
導電性の突起の形状は特に限定されないが、先端が平坦であるものに比べて、先端が凸状になっている（いわゆるバンプ状の）もののほうが好ましい。先端が凸状になっているものであると、加熱プレスによってコア基板を貼り合わせる際、突起の先端が樹脂層を貫通しやすくなり、導電性金属箔と確実に接触しやすいからである。
【００１８】
導電性の突起の形成方法についても特に限定されず、周知の方法（例えばめっき法、スパッタ法、転写法、印刷法など）を採用することが可能であるが、中でも印刷法を採用することが好ましい。印刷法によれば、ある程度高い突起（数十μｍ以上の突起）を比較的簡単にかつ比較的低コストで形成することが可能だからである。なお、印刷法においては導電性ペーストを使用することがよく、好ましくは熱硬化性樹脂中に導電性粒子を含む導電性ペーストを使用することがよい。このような組成の導電性ペーストであれば、加熱プレス前の段階で完全に硬化していなくても、加熱プレス時の熱に遭遇して完全に硬化するからである。また、前記導電性ペーストの印刷時にはメタルマスクを用いることがよい。その理由は、メタルマスクを使用すれば、高さや形状の揃った突起を比較的簡単に印刷形成することが可能だからである。
【００１９】
前記導電性ペーストとしては、例えば、熱硬化性樹脂中に銅、銅合金、金、銀、銀合金、ニッケル、ニッケル合金、スズ合金、鉛または鉛合金などの導電性金属粒子を含む金属ペーストを挙げることができる。それらの中でも、熱硬化性樹脂中に銅粒子を含む銅ペーストを選択することが特に好ましい。銅ペーストは比較的安価であることに加え、銅ペーストの使用は突起の低抵抗化に対しても有利に作用するからである。
【００２０】
前記突起の高さは、加熱プレス前の段階において、加熱プレス後の樹脂層の厚さ以上に設定されることがよい。そうでないと、たとえ加熱プレスの際に圧力が加わったとしても、突起の先端と導電性金属箔との接触が不十分になるおそれがあるからである。
【００２１】
次に、コア基板の第２主面同士を対向配置し、第２主面間に導電性金属箔及びこの導電性金属箔を挟む一対の樹脂層を介在させて厚さ方向に加熱プレスすることにより、コア基板を貼り合わせるとともに、突起の先端を樹脂層を貫通させて導電性金属箔に接触させる工程を行う。
【００２２】
なお、貼り合わされる２枚のコア基板は同じもの（同じ材料を用いて構成されたもの）であることがよい。例えば、コア基板の熱膨張係数差が大きい場合には、ビルドアップ層の形成時に反りの原因となる応力が発生するおそれがある。これに対し、同じ材料を用いて構成されたコア基板同士であれば基本的に熱膨張係数もほぼ等しいため、貼り合わせた状態で加熱したとしてもそれほど大きな応力は発生しないからである。
【００２３】
前記２枚のコア基板同士を貼り合わせる場合、対向配置されたコア基板のビルドアップ層非形成面（第２主面）間には、離型シートとして機能する導電性金属箔が２枚以上重ね合わせて配置される。
【００２４】
２枚のコア基板同士を貼り合わせる際、導電性金属箔とコア基板のビルドアップ層非形成面（第２主面）との間には、さらに樹脂層が配置される（言い換えると、導電性金属箔は一対の樹脂層によって挟まれる）必要がある。かかる樹脂層は、導電性金属箔とビルドアップ層非形成面（第２主面）とを接合する役割を果たすとともに、配線基板となった段階で樹脂絶縁層として機能する。その具体例を挙げると、無機または有機繊維材料製のシート材に熱硬化性樹脂を含浸させてなるプリプレグや、特にシート材を含まず熱硬化性樹脂を主成分とする接着剤などがある。片面積層配線基板における全体の反りの低減という観点からすると、シート材を含んで構成されるプリプレグを選択することが好ましい。
【００２５】
前記導電性金属箔としては、銅、銅合金、金、銀、銀合金、ニッケル、ニッケル合金、スズ合金、鉛または鉛合金などの箔を使用することができ、中でも銅箔を選択することが好ましい。銅箔は安価であって導電性に優れるからである。また、銅からなる突起と銅箔との組合せにすれば両者の熱膨張係数が整合するため、突起と銅箔との界面の接続信頼性が向上するからである。
【００２６】
上記のような加熱プレスを含む工程を行う場合、前記導電性の突起を、前もって半硬化状態にしておくことが好ましい。より具体的にいうと、例えば熱硬化性樹脂に導電性粒子を含む導電性ペーストの印刷により突起を形成した場合には、乾燥や加熱を行って突起を半硬化状態にしておくことがよい。
【００２７】
前記突起を完全硬化状態にした場合には、突起が硬くなりすぎるため、加熱プレスを経ても突起の先端が殆ど潰れず、導電性金属箔において突起の先端に対応した箇所が変形したり破れたりしてしまう。よって、導電性金属箔の表面に凹凸が生じる結果、導電性金属箔の離型性が損なわれるおそれがある。しかも、この場合にはビルドアップ層非形成面側（第２主面側）にて発生した凹凸が、ビルドアップ層形成面側（第１主面側）にまで波及して、ビルドアップ層の形成精度を低下させるおそれがある。
【００２８】
これに対して、前記突起の硬化度が低すぎると、加熱プレスを行ったときに突起が大きく潰れてしまい、樹脂層を突き破ることができなくなる。よって、突起の先端が導電性金属箔にまで到達せず、コア基板の導体層と導電性金属箔とが接続導通しなくなる可能性がある。
【００２９】
次に、貼り合わされた両コア基板のビルドアップ層形成面（第１主面）上にのみビルドアップ層を形成する工程を行う。ここでビルドアップ層とは、樹脂絶縁層と導体層とを交互に積層してなるものを意味する。形成されるビルドアップ層の厚さ及び層数は極力同じに設定することがよい。その理由は、上記設定によれば前記積層体の表裏面にて同程度の応力が発生するため、表裏面で応力がバランスするからである。
【００３０】
ビルドアップ層を構成する樹脂絶縁層としては熱硬化性樹脂が好適であり、その具体例を挙げると、ＥＰ樹脂（エポキシ樹脂）、ＰＩ樹脂（ポリイミド樹脂）、ＢＴ樹脂（ビスマレイミド−トリアジン樹脂）などがある。
【００３１】
一方、ビルドアップ層を構成する導体層は、例えば、銅、銅合金、ニッケル、ニッケル合金、スズ、スズ合金などといった導電性金属材料からなる。かかる導体層は、例えば、フォトリソグラフィ技術によりパターニングされる。
【００３２】
また、ビルドアップ層を構成する導体層は、サブトラクティブ法、セミアディティブ法、フルアディティブ法などといった公知の手法によって形成可能である。具体的にいうと、例えば、銅箔のエッチング、無電解銅めっきあるいは電解銅めっき、無電解ニッケルめっきあるいは電解ニッケルめっきなどの手法を用いることができる。なお、スパッタやＣＶＤ等の手法により金属層を形成した後にエッチングを行うことで導体層をパターン形成したり、導電性ペースト等の印刷により導体層をパターン形成したりすることも可能である。
【００３３】
そして、貼り合わされた前記コア基板を前記導電性金属箔の箇所（即ち導電性金属箔同士の界面の箇所）で剥離して２分割する工程を行い、隠れていたビルドアップ層非形成面側（第２主面側）の導電性金属箔をそれぞれ露出させる。
【００３４】
次に、前記２分割によって露出する前記導電性金属箔をパターニングして接続端子を形成する工程を行う。この場合、導電性金属箔をパターニングする手法としては、例えば、エッチングレジストを設けた状態での湿式または乾式のエッチングが好適である。具体例を挙げると、導電性の突起に対応した領域を覆うようにして導電性金属箔上にエッチングレジストを設け、この状態でエッチャントを作用させて、導電性金属箔を部分的に溶解除去する。その結果、導電性の突起を介してコア基板側の導体層に接続導通する接続端子が形成される。
【００３５】
この後、必要に応じてビルドアップ層非形成面側（第２主面側）の樹脂層上にソルダーレジストを設けたり、必要に応じて接続端子上にバンプや端子ピン等を設けたりすることで、最終的に２つの片面積層配線基板を得ることができる。
【００３６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を具体化した一実施形態の片面積層配線基板１１及びその製造方法を図１〜図１１に基づき詳細に説明する。
【００３７】
図１１に示されるように、本実施形態の片面積層配線基板１１はその中心部に樹脂製のコア基板１２を備えている。コア基板１２のビルドアップ層形成面１３（第１主面）側には、図示しない半導体集積回路チップが搭載可能となっている。一方、コア基板１２のビルドアップ層非形成面１４（第２主面）側には、図示しないマザーボードが接続可能となっている。
【００３８】
コア基板１２のビルドアップ層形成面１３及びビルドアップ層非形成面１４には、厚さ約２０μｍの銅からなる導体層２１，２２がそれぞれ所定パターンで形成されている。また、コア基板１２における複数箇所には、コア基板１２のビルドアップ層形成面１３及びビルドアップ層非形成面１４を連通させるようにしてスルーホール導体１５が形成されている。かかるスルーホール導体１５は、コア基板１２のビルドアップ層形成面１３側の導体層２１と、ビルドアップ層非形成面１４側の導体層２２とを接続導通している。なお、スルーホール導体１５内にできる空洞部には、導電性を有する閉塞体１６が充填されている。
【００３９】
図１１に示されるように、コア基板１２のビルドアップ層形成面１３側にはビルドアップ層１８が形成されている。前記ビルドアップ層１８は、樹脂絶縁層３１，５１，７１と導体層４１，６１とを交互に積層した構造を有している。
【００４０】
第１層めの樹脂絶縁層３１はコア基板１２のビルドアップ層形成面１３の表面上に形成されている。前記第１層めの樹脂絶縁層３１は、その厚さが約３０μｍに設定されていて、無機フィラー入りのエポキシ樹脂からなる。第１層めの導体層４１は銅からなり、第１層めの樹脂絶縁層３１の表面上に所定のパターンで形成されている。第２層めの樹脂絶縁層５１は、第１層めの樹脂絶縁層３１の表面上に形成されている。前記第２層めの樹脂絶縁層５１は、その厚さが約３０μｍに設定されていて、無機フィラー入りのエポキシ樹脂からなる。第２層めの導体層６１は銅からなり、第２層めの樹脂絶縁層５１の表面上に所定のパターンで形成されている。第３層めの樹脂絶縁層７１は、感光性エポキシ樹脂を用いて第２層めの樹脂絶縁層５１の表面上に形成されている。かかる第３層めの樹脂絶縁層７１は、第２層めの導体層６１を保護するいわゆるソルダーレジストとしての役割を果たしている。
【００４１】
第１層めの樹脂絶縁層３１には、無電解銅めっきによってブラインドビアホール導体３２が形成されている。かかるブラインドビアホール導体３２は、コア基板１２のビルドアップ層形成面１３に直接パターン形成された導体層２１と、第１層めの導体層４１とを接続導通している。また、第２層めの樹脂絶縁層５１には、無電解銅めっきによってブラインドビアホール導体５２が形成されている。かかるブラインドビアホール導体５２は、第１層めの導体層４１と、第２層めの導体層６１とを接続導通している。
【００４２】
ソルダーレジストとして機能する第３層めの樹脂絶縁層７１には、複数の開口部７２が設けられている。これらの開口部７２は、第３層めの導体層６１の一部（即ちパッド部）を露出させている。前記パッド部の表面上にはニッケル−金めっきが施されている。このようなパッド部上には、さらに突起電極であるはんだバンプ７３が設けられている。はんだバンプ７３の頂点は、第３層めの樹脂絶縁層７１の表面よりも突出している。これらのはんだバンプ７３には、上記半導体集積回路チップ側のバンプが接合されるようになっている。
【００４３】
一方、図１１に示されるように、コア基板１２のビルドアップ層非形成面１４側にはビルドアップ層１８は形成されておらず、その代わりに導体層２２を保護する樹脂絶縁層３３が形成されている。樹脂絶縁層３３における複数の箇所（即ち複数のスルーホール導体１５のランドに対応した位置）には、マザーボード側との接続のためのＬＧＡランド３７（接続端子）が形成されている。また、樹脂絶縁層３３において複数のスルーホール導体１５の端面に対応した位置には、ビアホール導体８７が形成されている。かかるビアホール導体８７は、銅ペーストを用いて形成された導電性の突起８８に由来するものであって、ＬＧＡランド３７とスルーホール導体１５のランドとを接続導通している。
【００４４】
次に、この片面積層配線基板１１を製造する方法について順に説明する。
【００４５】
まず、コア基板１２を下記の要領で作製する。
【００４６】
絶縁基材８５の両面に銅箔８６を貼着してなる図１のような銅張積層板８１（厚さ０．８ｍｍ、４１０ｍｍ角）を出発材料として用意する。そして、この銅張積層板８１にＹＡＧレーザーまたは炭酸ガスレーザーを用いてレーザー加工を行うことにより、表裏を貫通する貫通孔８２を形成する（図２参照）。次に、前記貫通孔８２の内面に無電解銅めっきを施してスルーホール導体１５を形成する（図３参照）。ここでスルーホール導体１５の空隙を閉塞体１６で閉塞した後、前記銅張積層板８１の表面のほぼ全体（銅箔８６の表面及び閉塞体１６の端面）に電解銅めっきを施す（図４参照）。次に、ビルドアップ層形成面１３及びビルドアップ層非形成面１４の銅箔８６のエッチングによって導体層２１，２２をパターニングする（図５参照）。
【００４７】
なお、本実施形態ではいわゆる多数個取りの手法を採用しているため、１枚のパネル内にはコア基板１２に相当するピースが複数個連結した状態で存在している。説明の便宜上、コア基板１２が複数個連結した状態のものについても「コア基板１２」と呼ぶことにする。
【００４８】
上記のようなコア基板１２を２枚用意し、ビルドアップ層非形成面１４に図示しないメタルマスクを配置する。かかるメタルマスクには、スルーホール導体１５のランドがある箇所に対応して開口部が設けられている。そして、このようなマスク配置状態で銅ペーストを印刷した後、メタルマスクを剥離することにより、先端が凸状である導電性の突起８８を形成する（図６参照）。なお、本実施形態では、エポキシ樹脂中に銅粒子を含む銅ペーストを用い、高さ約１５０μｍかつ直径約３００μｍの突起８８を形成している。
【００４９】
ここで、コア基板１２に対する加熱処理を行うことにより、導電性の突起８８を半硬化状態（いわゆるＢステージの状態）にする。
【００５０】
次に、上記２枚のコア基板１２のビルドアップ層非形成面１４を対向配置する。このとき、ビルドアップ層非形成面１４間に、離型シートとして機能する銅箔８３（導電性金属箔）を２枚介在させる。それとともに、各々の銅箔８３とビルドアップ層非形成面１４との間に、プリプレグ８４を配置する（図７参照）。本実施形態では、厚さ３０μｍ程度の銅箔８３を用いている。また、ガラス布基材にエポキシ樹脂を含浸させた、厚さ約１２０μｍのプリプレグ８４を用いている。
【００５１】
そして、２枚のコア基板１２と、２枚の銅箔８３と、２枚のプリプレグ８４とからなる積層体を、図示しないラミネート装置の熱板間にセットする。そして、前記積層体の厚さ方向に所定の圧力を付加して加熱下でプレスする。その結果、プリプレグ８４から滲出する樹脂の接着作用によって、各層が一体化する（図８参照）。また同時に、突起８８の先端がプリプレグ８４（樹脂絶縁層３３）を貫通するとともに、若干潰れた状態となって銅箔８３に接触する（図８参照）。つまり、加熱プレス工程を経ることでビアホール導体８７が形成される。
【００５２】
次に、ビルドアップ層１８を下記の要領で形成する。
【００５３】
まず、コア基板１２のビルドアップ層形成面１３（第１主面）の表面上にエポキシ樹脂を塗布した後、１８０℃〜２００℃程度の温度に所定時間加熱してキュアする。これによりエポキシ樹脂を硬化させ、第１層めの樹脂絶縁層３１とする。次に、炭酸ガスレーザーを用いたレーザー孔明け加工を実施することにより、第１層めの樹脂絶縁層３１における所定箇所に盲孔を穿孔する。そして、盲孔内に無電解銅めっきを施すことにより、ブラインドビアホール導体３２を形成する。なお、本実施形態ではいわゆるフィルドビアを形成している。
【００５４】
また、従来公知の手法によって、第１層めの樹脂絶縁層３１の表面上に第１層めの導体層４１をパターン形成する。具体的には、第１層めの樹脂絶縁層３１の表面全体に所定厚みの無電解銅めっきを施す。次に、前記無電解銅めっき層を覆う感光性樹脂からなるドライフィルムを貼着するとともに、そのドライフィルム上にガラスマスクを密着させ、この状態で露光処理を行う。続いて現像処理を行って不要部分を溶解除去し、所定パターンのめっきレジストを形成する。この状態で無電解銅めっき層を共通電極として電解銅めっきを施した後、前記めっきレジストを溶解除去し、さらに不要な無電解銅めっき層をエッチングで除去する。その結果、所定パターンの第１層めの導体層４１を得ることができる。
【００５５】
次に、第１層めの樹脂絶縁層３１の表面上にエポキシ樹脂を塗布した後、１８０℃〜２００℃程度の温度に所定時間加熱してキュアする。これによりエポキシ樹脂を硬化させ、第２層めの樹脂絶縁層５１とする。次に、炭酸ガスレーザーを用いたレーザー孔明け加工を実施することにより、第２層めの樹脂絶縁層５１における所定箇所に盲孔を穿孔する。そして、盲孔内に無電解銅めっきを施すことにより、ブラインドビアホール導体５２を形成する。また、上述した従来公知の手法によって、第２層めの樹脂絶縁層５１の表面上に第２層めの導体層６１をパターン形成する。
【００５６】
次に、第２層めの樹脂絶縁層５１の表面上にエポキシ樹脂を塗布した後、１８０℃〜２００℃程度の温度に所定時間加熱してキュアする。これによりエポキシ樹脂を硬化させ、第３層めの樹脂絶縁層７１とする。次に、炭酸ガスレーザーを用いたレーザー孔明け加工を実施することにより、第３層めの樹脂絶縁層７１における所定箇所、即ちパッド部に対応した箇所に開口部７２を形成する。そして、開口部７２から露出するパッド部の表面上に無電解ニッケルめっき及び無電解金めっきを順次施した後、さらにはんだ印刷等によってはんだバンプ７３を形成する。以上の結果、図９に示すような状態の積層体、つまりビルドアップ層形成面１３にそれぞれビルドアップ層１８を有する積層体が得られる。
【００５７】
次に、貼り合わされたコア基板１２を銅箔８３同士の界面の箇所で剥離して２分割する工程を行い、隠れていたビルドアップ層非形成面１４側（第２主面側）の銅箔８３をそれぞれ露出させる（図１０参照）。
【００５８】
次に、２分割によって露出した銅箔８３上に、ビアホール導体８７に対応した領域を覆う図示しないエッチングレジストを設ける。このような状態で銅を溶解しうるエッチャントを作用させて、銅箔８３を部分的に溶解除去する。その結果、ビアホール導体８７を介してスルーホール導体１５のランド（即ち導体層）に接続導通するＬＧＡランド３７（接続端子）が形成される。そして、前記積層体を４５ｍｍ角のピースに切り離せば、図１１の片面積層配線基板１１が完成する。さらに片面積層配線基板１１のはんだバンプ７３と、半導体集積回路チップ側のバンプとを接合すれば、所望のオーガニックパッケージを得ることができる。
【００５９】
従って、本実施形態によれば以下の効果を得ることができる。
【００６０】
（１）本実施形態の片面積層配線基板１１の製造方法によれば、加熱プレスによってコア基板１２を貼り合わせる際に、同時に導電性の突起８８の先端がプリプレグ８４（樹脂絶縁層３３）を貫通して銅箔８３に接触する。即ち、かかる導電性の突起８８が、スルーホール導体１５のランドと、後にＬＧＡランド３７となる銅箔８３とを接続導通するビアホール導体８７となる。従って、後工程においてビルドアップ層非形成面１４側の樹脂絶縁層３３に開口部を形成する必要がなくなり、それゆえビルドアップ層非形成面１４側へのレーザー孔明け加工を省略することが可能となる。よって、この製造方法によれば、信頼性に優れた片面積層配線基板１１を低コストかつ高い歩留まりで、しかも効率よく安定的に製造することができる。
【００６１】
つまり、ビルドアップ層非形成面１４側へのレーザー孔明け加工が省略される結果、確実に工数が減り、製造コストの低減及び生産効率の向上を図ることができる。また、長時間にわたるレーザー照射が不要になるため、デラミネーションを回避でき、高歩留まり化及び高信頼性化を達成することができる。しかも、技術的難度の高い炭酸ガスレーザー孔明け加工を行わない代わりに、技術が確立している既存の手法や設備を利用しているので、現状に比べて片面積層配線基板１１の安定的な製造が可能となる。
【００６２】
（２）また、銅箔８３は、貼り合わされたコア基板１２を剥離して２分割する工程ではいわゆる離型シートとして機能するばかりでなく、パターニングを経て最終的にはＬＧＡランド３７（即ち片側積層配線基板１１の一部）となる。ゆえに、この製造方法によれば、材料の無駄が少なく、低コスト化を図るうえでも有利である。
【００６３】
なお、本発明の実施形態は以下のように変更してもよい。
【００６４】
・ビルドアップ層１８を構成する樹脂絶縁層及び導体層の層数は、任意に増減することが可能である。
【００６５】
・あらかじめ導電性の突起８８が形成されたコア基板１２と、銅箔８３及びプリプレグ８４をあらかじめ積層一体化したものとを用いて、２枚のコア基板１２を貼り合わせる工程を行うようにしてもよい。
【００６６】
・実施形態では、フォトリソグラフィ技術を利用したセミアディティブ法により、ビルドアップ層１８を構成する導体層４１，６１を形成していた。しかし、かかる導体層４１，６１は、セミアディティブ法以外の従来公知の手法（例えばサブトラクティブ法やフルアディティブ法など）により形成されても勿論よい。また、導体層４１，６１はフォトリソグラフィ技術を用いることなく形成されてもよい。
【００６７】
次に、特許請求の範囲に記載された技術的思想のほかに、前述した実施形態によって把握される技術的思想を以下に列挙する。
【００６８】
（１）前記コア基板には、前記導電性の突起を形成する工程の前にスルーホール導体があらかじめ形成されることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の片面積層配線基板の製造方法。
【００６９】
（２）前記突起は、メタルマスクを使用した導電性ペーストの印刷によって形成されることを特徴とする請求項１に記載の片面積層配線基板の製造方法。
【００７０】
（３）前記突起は、熱硬化性樹脂中に銅粒子を含む銅ペーストによって形成されることを特徴とする請求項１に記載の片面積層配線基板の製造方法。
【００７１】
（４）第１主面、第２主面、導体層及びスルーホール導体を有する２枚のコア基板の前記第２主面上に、前記スルーホール導体のランドと導通する導電性の突起を、熱硬化性樹脂中に銅粒子を含む銅ペーストの印刷によって形成する工程と、前記導電性の突起を加熱して半硬化させる工程と、前記コア基板の前記第２主面同士を対向配置し、前記第２主面間に２枚の銅箔及びこれらの銅箔を挟む一対のプリプレグを介在させて厚さ方向に加熱プレスすることにより、前記コア基板を貼り合わせるとともに、前記突起の先端を前記プリプレグを貫通させて前記銅箔に接触させる工程と、前記第１主面側にのみ、樹脂絶縁層と導体層とを交互に積層してなるビルドアップ層をフォトリソグラフィ技術を用いて形成する工程と、貼り合わされた前記コア基板を前記銅箔の箇所で剥離して２分割する工程と、前記２分割によって露出する前記銅箔をエッチングによりパターニングして接続端子を形成する工程とを含むことを特徴とする片面積層配線基板の製造方法。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明を具体化した一実施形態の片面積層配線基板の製造手順を説明するための部分概略断面図。
【図２】片面積層配線基板の製造手順を説明するための部分概略断面図。
【図３】片面積層配線基板の製造手順を説明するための部分概略断面図。
【図４】片面積層配線基板の製造手順を説明するための部分概略断面図。
【図５】片面積層配線基板の製造手順を説明するための部分概略断面図。
【図６】片面積層配線基板の製造手順を説明するための部分概略断面図。
【図７】片面積層配線基板の製造手順を説明するための部分概略断面図。
【図８】片面積層配線基板の製造手順を説明するための部分概略断面図。
【図９】片面積層配線基板の製造手順を説明するための部分概略断面図。
【図１０】片面積層配線基板の製造手順を説明するための部分概略断面図。
【図１１】片面積層配線基板の製造手順を説明するための部分概略断面図。
【符号の説明】
１１…片面積層配線基板
１２…コア基板
１３…第１主面であるビルドアップ層形成面
１４…第２主面であるビルドアップ層非形成面
１８…ビルドアップ層
２１，２２…導体層
３７…接続端子としてのＬＧＡランド
８３…導電性金属箔としての銅箔
８４…樹脂層としてのプリプレグ
８８…導電性の突起
【図１】
2004214272.tif 000003
【図２】
2004214272.tif 000004
【図３】
2004214272.tif 000005
【図４】
2004214272.tif 000006
【図５】
2004214272.tif 000007
【図６】
2004214272.tif 000008
【図７】
2004214272.tif 000009
【図８】
2004214272.tif 000010
【図９】
2004214272.tif 000011
【図１０】
2004214272.tif 000012
【図１１】
2004214272.tif 000013