(57)【要約】【課題】複数の微小開口部の形状（角度、高さ、先端の開口）を任意に調整可能な平面型プローブの形成方法を実現し、高効率の近接場光を発生する平面型プローブを得ること。【解決手段】複数の微小開口列を有し、当該微小開口の近傍に近接場光を発生させて光記録媒体に記録・再生を行なうための平面型のプローブを形成する平面型プローブの形成方法において、基板上に感光性樹脂膜を形成する工程（Ｓ１１）と、少なくとも、リング形状パターンを有するフォトマスクと、拡散光成分を有する露光手段とを用い、基板上に円錐形感光性樹脂パターンの潜像を形成する工程（Ｓ１２）と、円錐形感光性樹脂パターンの潜像を現像する工程（Ｓ１３）と、円錐形感光性樹脂パターンをドライエッチングにより基板に転写する工程（Ｓ１４）と、を含む。【選択図】　　　図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の微小開口列を有し、当該微小開口の近傍に近接場光を発生させて光記録媒体に記録・再生を行なうための平面型のプローブを形成する平面型プローブの形成方法において、
基板上に感光性樹脂膜を形成する第１の工程と、
少なくとも、リング形状パターンを有するフォトマスクと、拡散光成分を有する露光手段とを用い、前記基板上に円錐形感光性樹脂パターンの潜像を形成する第２の工程と、
前記円錐形感光性樹脂パターンの潜像を現像する第３の工程と、
前記円錐形感光性樹脂パターンをドライエッチングにより前記基板に転写する第４の工程と、
を含むことを特徴とする平面型プローブの形成方法。
【請求項２】
複数の微小開口列を有し、当該微小開口の近傍に近接場光を発生させて光記録媒体に記録・再生を行なうための平面型のプローブを形成する平面型プローブの形成方法において、
基板上に感光性樹脂膜を形成する第１の工程と、
少なくとも、リング形状パターンを有するフォトマスクと、前記リング形状パターンが解像限界以下となる露光手段とを用い、前記基板上に円錐形感光性樹脂パターンの潜像を形成する第２の工程と、
前記円錐形感光性樹脂パターンの潜像を現像する第３の工程と、
前記円錐形感光性樹脂パターンをドライエッチングにより前記基板に転写する第４の工程と、
を含むことを特徴とする平面型プローブの形成方法。
【請求項３】
前記第４の工程において、エッチング処理を途中で停止し、先端部分に円錐形の感光性樹脂パターンの一部を残し、円錐台形状を形成することを特徴とする請求項１または２に記載の平面型プローブの形成方法。
【請求項４】
前記基板と前記感光性樹脂膜との間に、前記第２の工程による露光により感光しない樹脂膜を設けることを特徴とする請求項１または３に記載の平面型プローブの形成方法。
【請求項５】
前記第４の工程のエッチングにおいて、前記円錐形感光性樹脂パターンと前記基板のエッチングの選択比を調整し、前記円錐形感光性樹脂パターンを拡大または縮小し前記基板に転写することを特徴とする請求項１〜４のいずれか一つに記載の平面型プローブの形成方法。
【請求項６】
さらに、前記第４の工程の基板を母型として金型を製作し、当該金型を用いて樹脂成形によりプローブを形成する第５の工程を含むことを特徴とする請求項１に記載の平面型プローブの形成方法。
【請求項７】
前記リング形状パターンは、中心の円と、当該円の外側に形成されたリング形状とを透光／遮光を交互に配したパターンからなることを特徴とする請求項１〜６のいずれか一つに記載の平面型プローブの形成方法。
【請求項８】
前記基板は、透光性材料で構成されることを特徴とする請求項１〜７のいずれか一つに記載の平面型プローブの形成方法。
【請求項９】
前記基板は、石英または光学ガラスよりなることを特徴とする請求項１〜５、７、８のいずれか一つに記載の平面型プローブの形成方法。
【請求項１０】
前記基板は、プローブ材料と支持材料の複合構造を有することを特徴とする請求項１〜５、７のいずれか一つに記載の平面型プローブの形成方法。
【請求項１１】
前記プローブ材料は、前記支持材料に対して屈折率を高く設定されることを特徴とする請求項１０に記載の平面型プローブの形成方法。
【請求項１２】
前記プローブ材料は、単結晶Ｓｉ、ＳｉＯ２、Ｇｅ、ガラス、結晶石英、Ｃ（ダイヤモンド）、アモルファスＳｉ、マイクロクリスタル（微小結晶）Ｓｉ、多結晶Ｓｉ、ＳｉｘＮｙ（ｘ、ｙは任意）、ＴｉＯ２、ＺｎＯ、ＴｅＯ２、Ａｌ２Ｏ３、Ｙ２Ｏ３、Ｌａ２Ｏ２Ｓ、ＬｉＧａＯ２、ＢａＴｉＯ３、ＳｒＴｉＯ３、ＰｂＴｉＯ３、ＫＮＮＯ３、Ｋ（Ｔａ、Ｎｂ）Ｏ３（ＫＴＮ）、ＬｉＴａＯ３、ＬｉｔＴａＯ３、Ｐｂ（Ｍｇ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３、（Ｐｂ，Ｌａ）（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ２、（Ｐｂ，Ｌａ）（Ｈｆ，Ｔｉ）Ｏ３、ＰｂＧｅＯ３、Ｌｉ２ＧｅＯ３、ＭｇＡｌ２Ｏ４、ＣｏＦｅ２Ｏ４、（Ｓｒ，Ｂａ）Ｎｂ２Ｏ６、Ｌａ２Ｔｉ２Ｏ７、Ｎｄ２Ｔｉ２Ｏ７、Ｂａ２ＴｉＳｉ１２Ｏ８、Ｐｂ５Ｇｅ３Ｏ１１、Ｂｉ４Ｇｅ３Ｏ１２、Ｂｉ４Ｓｉ３Ｏ１２、Ｙ３Ａｌ５Ｏ１２、Ｇｄ３Ｆｅ５Ｏ１２、（Ｇｄ，Ｂｉ）３Ｆｅ５Ｏ１２、Ｂａ２ＮａＮｂＯ１５、Ｂｉ１２ＧｅＯ２Ｏ、Ｂｉ１２ＳｉＯ２、Ｇａ１２Ａｌ１４Ｏ３３、ＬｉＦ、ＮａＦ、ＫＦ、ＲｂＦ、ＣｓＦ、ＮａＣｌ、ＫＣｌ、ＲｂＣｌ、ＣｓＣｌ、ＡｇＣｌ、ＴｌＣｌ、ＣｕＣｌ、ＬｉＢｒ、ＮａＢｒ、ＫＢｒ、ＣｓＢｒ、ＡｇＢｒ、ＴｌＢｒ、ＬｉＩ、ＮａＩ、ＫＩ、ＣｓＩ、Ｔｌ（Ｂｒ，Ｉ）、ＴＩ（Ｃｌ，Ｂｒ）、ＭｇＦ２、ＣａＦ２、ＳｒＦ２、ＣａＦ２、ＰｂＦ２、Ｈｇ２ＣＩ２、ＦｅＦ３、ＣｓＰｂＣｌ３、ＢａＭｇＦ４、ＢａＺｎＦ４、Ｎａ２ＳｂＦ５、ＬｉＣｌＯ４・３Ｈ２Ｏ、ＣｄＨｇ（ＳＣＮ）４、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ、α‐ＨｇＳ、ＰｂＳ、ＰｂＳｅ、ＥｕＳ、ＥｕＳｅ、ＧａＳｅ、ＬｉＩｎＳ２、ＡｇＧａＳ２、ＡｇＧａＳ２、ＡｇＧａＳｅ２、ＴｉＩｎＳ２、ＴｉＩｎＳｅ２、ＴｌＧａＳｅ２、ＴｌＧａＳ２、Ａｓ２Ｓ３、Ａｓ２Ｓｅ３、Ａｇ３ＡｓＳ３、Ａｇ３ＳｂＳ３、ＣｄＧａＳ４、ＣｄＣｒ２Ｓ４、ＴｌＴａ３Ｓ４、Ｔｌ３ＴａＳｅ４、Ｔｌ３ＶＳ４、Ｔｌ３ＡｓＳ４、Ｔｌ３ＰＳｅ４、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＮ、（Ｇａ，Ａｌ）Ａｓ、Ｇａ（Ａｓ，Ｐ）、（ＩｎＧａ）Ｐ、（ＩｎＧａ）Ａｓ、（Ｇａ，Ａｌ）Ｓｂ、Ｇａ（ＡｓＳｂ）、（ＩｎＧａ）（ＡｓＰ）、（ＧａＡＩ）（ＡｓＳｂ）、ＺｎＧｅＰ２、ＣａＣＯ３、ＮａＮｏ３、α‐ＨＩＯ３、α‐ＬｉＯ３、ＫＩＯ２Ｆ２、ＦｅＢＯ３、ＦｅＢＯ３、Ｆｅ３ＢＯ６、ＫＢ５Ｏ８・４Ｈ２Ｏ、ＢｅＳＯ４・２Ｈ２Ｏ、ＣｕＳＯ４・５Ｈ２Ｏ、Ｌｉ２ＳＯ４・Ｈ２Ｏ、ＫＨ２ＰＯ４、ＫＤ２ＰＯ４、ＮＨ４Ｈ２ＰＯ４、ＫＨ２ＡｓＯ４、ＫＤ２ＡｓＯ４、ＣＳＨ２ＡｓＯ４、ＣｓＤ２ＡｓＯ４、ＫＴｉＯＰＯ４、ＲｂＴｉＯＰＯ４、（Ｋ，Ｒｂ）ＴｉＯＰＯ４、ＰｂＭｏＯ４、β‐Ｇｄ４（ＭｏＯ４）３、β‐Ｔｂ２（ＭｏＯ４）３、Ｐｂ２ＭｏＯ５、Ｂｉ２ＷＯ６、Ｋ２ＭｏＯＳ３・ＫＣＬ、ＹＶＯ４Ｃａ３（ＶＯ４）２、Ｐｂ５（ＧｅＯ４）（ＶＯ４）２、ＣＯ（ＮＨ２）２、Ｌｉ（ＣＯＯＨ）・Ｈ２Ｏ、Ｓｒ（ＣＯＯＨ）２、（ＮＨ４ＣＨ２ＣＯＯＨ）３Ｈ２ＳＯ４、（ＮＤ４ＣＤ２ＣＯＯＤ）３Ｄ２ＳＯ４、（ＮＨ４ＣＨ２ＣＯＯＨ）３Ｈ２ＢｅＦ、（ＮＨ４）２Ｃ２Ｏ４・Ｈ２Ｏ、Ｃ４Ｈ３Ｎ３Ｏ４、Ｃ６Ｈ９ＮＯ３、Ｃ６Ｈ４（ＮＯ２）、Ｃ６Ｈ４ＮＯ２Ｂｒ、Ｃ６Ｈ４ＮＯ２ＣＩ、Ｃ６Ｈ４ＮＯ２ＮＨ２、Ｃ６Ｈ４（ＮＨ��）ＯＨ、Ｃ６Ｈ４（ＣＯ２）２ＨＣｓ、Ｃ６Ｈ４（ＣＯ２）２ＨＲｂ、Ｃ６Ｈ３ＮＯ２ＣＨ３ＮＨ２、Ｃ６Ｈ３ＣＨ３（ＮＨ２）２、Ｃ６Ｈ１２Ｏ５・Ｈ２ＯＫＨ（Ｃ８Ｈ４Ｏ４）、Ｃ１ＯＨ１１Ｎ３Ｏ６、［ＣＨ２・ＣＦ２］ｎのいずれかによりなることを特徴とする請求項１０または１１に記載の平面型プローブの形成方法。
【請求項１３】
複数の微小開口列を有し、当該微小開口の近傍に近接場光を発生させるための平面型プローブを、請求項１に記載の平面型プローブの形成方法にしたがって形成することを特徴とする平面型プローブ。
【請求項１４】
複数の微小開口列を有し、当該微小開口の近傍に近接場光を発生させるための平面型プローブを、請求項２に記載の平面型プローブの形成方法にしたがって形成することを特徴とする平面型プローブ。
【請求項１５】
少なくともプローブの斜面に遮光膜または光反射膜を形成することを特徴とする請求項１３に記載の平面型プローブ。
【請求項１６】
前記プローブが形成される基板の裏面に、光源からの光を前記プローブの根元に集光させる集光手段を一体的に設けたことを特徴とする請求項１４、１５または１６に記載の平面型プローブ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ＣＤやＤＶＤなどの光ディスクストレージ（光記録媒体）に情報を記録する際などに利用され、複数の微小開口の近傍に近接場光を発生させる平面型プローブの形成方法および平面型プローブに関する。
【０００２】
【従来の技術】
昨今の情報技術の普及により、様々な情報メディアを記録するための情報ストレージとして、ＣＤ（Ｃｏｍｐａｃｔ　Ｄｉｓｃ）やＤＶＤ（Ｄｉｇｉｔａｌ　Ｖｉｄｅｏ　Ｄｉｓｃ）に代表される光記録媒体は、光記録の高密度化に加え、デジタル画像圧縮技術の進歩に伴い進展している。この高密度化には、記録ビットの微小化が必要であり、入射する光の短波長化およびレンズの高ＮＡ（開口率）化が図られている。しかし、光の屈折限界により、記録に関しては記録ビットを微小化することが困難になる。また、再生に関しては、微小化した記録ビットをクロストーク（外乱）なしで読むことができなくなる。そこで、このような、光の屈折限界による記録、再生の限界に対する解決策の１つとして、近接場光（Ｎｅａｒ　Ｆｉｅｌｄ　Ｏｐｔｉｃｓ）を用いた光方式が提案されている。
【０００３】
近接場とは、屈折率の異なる２つの媒体の一方から全反射条件以上で入射した光は、境界面にすべて反射されるが、一部境界面を越え非伝播の電場成分のみが染み出した領域として形成され、この非伝播の電場成分が染み出した領域（漏れ光）のことを意味する。また、このような領域は、近接場顕微鏡の光ファイバープローブのように、導入される光の波長よりも微細な開口を有する光ファイバーでも形成される。このような微小開口による近接場は、開口寸法とほぼ同じくらいしか横方向の広がりを持たず、開口から離れるにしたがって指数関数的に強度が減少し、開口と同程度以上に染み出すことがない。この近接場領域に、微小な散乱体を挿入することにより、近接場が散乱され伝播光の近接場光として変換される。このように、近接場光を用いれば、光の屈折限界を超えた解像度が得られるが、一般に伝播光に比べ近接場光は、非常に強度が弱いため、効果的に近接場光を発生させたり、検出する方法が模索されている。
【０００４】
また、高速記録・再生方法も、高密度記録と同様に、その方法が検討されている。その一つとして、碁盤目状の複数の開口を有する平面プローブが提案されている。この平面プローブを用いることにより、走査速度は、（目標とする記録・再生の走査速度）／（開口数）で済むため、走査速度は低速でも、記録・再生は高速に行なうことが可能である。このように、高密度記録と高速記録・再生を行なう際は、平面プローブの近接場光を用いることが有効となる。
【０００５】
このような平面型プローブの形成（製造）方法が、下記のごとく開示されている（たとえば特許文献１、特許文献２参照。）。特許文献１の特開２００１−２０８６７２号公報では、ＳＯＩ（ＳｉｌｉｃｏｎＯｎ　Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板のシリコン結晶面を利用した異方性エッチングにより開口を形成している。また、特許文献２の特開２０００−１８２２６４号公報では、電子ビームを用いて円形の感光性樹脂パターンを形成し、ドライエッチングにより円錐状プローブを形成している。この従来における平面型プローブの形成工程について図１５を用いて説明する。
【０００６】
図１５において、符号１０は窒化珪素膜、符号１１はガラス基板、符号１２は感光性樹脂パターン、符号１３はプローブ、符号１４は光反射膜、符号１５は先端開口である。まず、図１２（ａ）に示すように、ガラス基板１１に窒化珪素膜１０を成膜する。そして、同図の（ｂ）に示すように、窒化珪素膜１０が成膜されたガラス基板１１に、化学増幅型レジストエキシマーステッパーを用いて円形のレジストパターン（感光性樹脂パターン）１２を形成する。そして、（ｃ）に示すように、円形のレジストパターン１２をマスクとし、ドライエッチングで円錐状にエッチングを行なう。つぎに、（ｄ）に示すように、レジストパターン１２を残したまま、金属膜（光反射膜）１４を成膜する。最後に、（ｅ）に示すように、ウェットエッチングにより、レジストパターン１２を除去することにより、先端開口１５を有する平面型プローブを形成する。
【０００７】
【特許文献１】
特開２００１−２０８６７２号公報
【特許文献２】
特開２０００−１８２２６４号公報
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記に示されるような従来の平面型プローブ、およびその製造方法にあっては、下記のような問題点があった。平面型プローブは、開口寸法のばらつきが大きな問題になる。すなわち、近接場光は、開口寸法とほぼ同じくらいしか伝播することができず（染み出すことができず）、強度は指数関数的に減少するため、平面型プローブを形成する各開口が大きくばらつくと、平面型プローブと一定間隔を置いた光記録媒体への近接場光強度が大きく異なり、記録・再生ができないところが生じる。
【０００９】
また、特許文献１に開示されている技術にあっては、基板の酸化膜に形成されているシリコン膜厚のばらつきや写真製版時のレジストパターンのばらつきなど、上述したように、最も重要となる開口径寸法に関して多くのばらつきの要因が存在する。さらに、近接場光の発生効率に関係する開口の断面形状は、結晶の方位である四角錘状にしか形成することができない。さらに、特許文献２に開示されている技術にあっては、プローブの形状がドライエッチング能力に依存するため、角度の調整が困難であり、任意の形状のプローブを製造することができなかった。
【００１０】
本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、複数の微小開口部の形状（角度、高さ、先端の開口）を任意に調整可能な平面型プローブの形成方法を実現し、高効率の近接場光を発生する平面型プローブを得ることを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために、請求項１にかかる平面型プローブの形成方法にあっては、複数の微小開口列を有し、当該微小開口の近傍に近接場光を発生させて光記録媒体に記録・再生を行なうための平面型のプローブを形成する平面型プローブの形成方法において、基板上に感光性樹脂膜を形成する第１の工程と、少なくとも、リング形状パターンを有するフォトマスクと、拡散光成分を有する露光手段とを用い、前記基板上に円錐形感光性樹脂パターンの潜像を形成する第２の工程と、前記円錐形感光性樹脂パターンの潜像を現像する第３の工程と、前記円錐形感光性樹脂パターンをドライエッチングにより前記基板に転写する第４の工程と、を含むものである。
【００１２】
この発明によれば、基板上に感光性樹脂膜を形成し、リング形状パターンを有するフォトマスクと拡散光成分を有する露光手段とを用いて基板上に円錐形感光性樹脂パターンの潜像を形成し、さらにその潜像パターンを現像して円錐形感光性樹脂パターンを形成し、当該パターンをドライエッチングして基板に転写する際に、ドライエッチングの条件により、感光性樹脂と基板のエッチングレート比を変化させることにより、円錐形状の感光性樹脂パターンの底面の大きさ、角度を任意に調整することが可能になる。
【００１３】
また、請求項２にかかる平面型プローブの形成方法にあっては、複数の微小開口列を有し、当該微小開口の近傍に近接場光を発生させて光記録媒体に記録・再生を行なうための平面型のプローブを形成する平面型プローブの形成方法において、基板上に感光性樹脂膜を形成する第１の工程と、少なくとも、リング形状パターンを有するフォトマスクと、前記リング形状パターンが解像限界以下となる露光手段とを用い、前記基板上に円錐形感光性樹脂パターンの潜像を形成する第２の工程と、前記円錐形感光性樹脂パターンの潜像を現像する第３の工程と、前記円錐形感光性樹脂パターンをドライエッチングにより前記基板に転写する第４の工程と、を含むものである。
【００１４】
この発明によれば、基板上に感光性樹脂膜を形成し、リング形状パターンを有するフォトマスクとリング形状パターンが、解像限界以下となる露光手段とを用いて基板上に円錐形感光性樹脂パターンの潜像を形成し、さらにその潜像パターンを現像して円錐形感光性樹脂パターンを形成し、当該パターンをドライエッチングして基板に転写する際に、ドライエッチングの条件により、感光性樹脂と基板のエッチングレート比を変化させることにより、円錐形状の感光性樹脂パターンの底面の大きさ、角度を任意に調整することが可能になる。
【００１５】
また、請求項３にかかる平面型プローブの形成方法にあっては、前記第４の工程において、エッチング処理を途中で停止し、先端部分に円錐形の感光性樹脂パターンの一部を残し、円錐台形状を形成するものである。
【００１６】
この発明によれば、請求項１または２の第４の工程におけるドライエッチングにおいて、先端部分に円錐形の感光性樹脂パターンの一部を残した状態でエッチングを中止することにより、底面の大きさや角度の調整に加え、プローブ先端の大きさを任意に調整することが可能になる。
【００１７】
また、請求項４にかかる平面型プローブの形成方法にあっては、前記基板と前記感光性樹脂膜との間に、前記第２の工程による露光により感光しない樹脂膜を設けるものである。
【００１８】
この発明によれば、請求項１または３において、前基板と感光性樹脂膜との間に、第２の工程による露光により感光しない樹脂膜を設けることにより、ドライエッチングの条件によってプローブ根元にえぐれが発生することを防止することが可能になる。
【００１９】
また、請求項５にかかる平面型プローブの形成方法にあっては、前記第４の工程のエッチングにおいて、前記円錐形感光性樹脂パターンと前記基板のエッチングの選択比を調整し、前記円錐形感光性樹脂パターンを拡大または縮小し前記基板に転写するものである。
【００２０】
この発明によれば、請求項１〜４のいずれか一つにおいて、第４の工程のエッチングでは、円錐形感光性樹脂パターンと基板のエッチングの選択比を調整し、円錐形感光性樹脂パターンを拡大または縮小して基板に転写することにより、プローブの形状の調整範囲をより広げることが可能になる。
【００２１】
また、請求項６にかかる平面型プローブの形成方法にあっては、さらに前記第４の工程の基板を母型として金型を製作し、当該金型を用いて樹脂成形によりプローブを形成する第５の工程と、を含むものである。
【００２２】
この発明によれば、請求項１において、第４の工程までの工程で得られた基板を母型として金型を製作し、当該金型を用いて樹脂成形によりプローブを形成することにより、プローブを樹脂成形により製造することが可能になる。
【００２３】
また、請求項７にかかる平面型プローブの形成方法にあっては、前記リング形状パターンは、中心の円と、当該円の外側に形成されたリング形状とを透光／遮光を交互に配したパターンからなるものである。
【００２４】
この発明によれば、請求項１〜６のいずれか一つにおいて、中心の円と、当該円の外側に形成されたリング形状のパターンとからなるパターンを用いて露光処理を行なうことにより、円錐形状の感光性樹脂パターンを形成することが可能になる。
【００２５】
また、請求項８にかかる平面型プローブの形成方法にあっては、前記基板は、透光性材料で構成されるものである。
【００２６】
この発明によれば、請求項１〜７のいずれか一つにおいて、所定の波長の光を透過する透光成材料の基板を用いることにより、近接場光によるプローブを形成することができる。
【００２７】
また、請求項９にかかる平面型プローブの形成方法にあっては、前記基板は、石英または光学ガラスよりなるものである。
【００２８】
この発明によれば、請求項１〜５、７、８のいずれか一つにおいて、石英または光学ガラスの基板を用いることにより、屈折率、透過率に優れたプローブの形成が可能になる。
【００２９】
また、請求項１０にかかる平面型プローブの形成方法にあっては、前記基板は、プローブ材料と支持材料の複合構造を有するものである。
【００３０】
この発明によれば、請求項１〜５、７のいずれか一つにおいて、プローブ材料と支持材料の複合構造を有する基板とすることにより、プローブ材料として、基板に成形できない、または成形が困難な材料、または透過率が低く薄くして用いることが必要な材料を用いることが可能になる。
【００３１】
また、請求項１１にかかる平面型プローブの形成方法にあっては、前記プローブ材料は、前記支持材料に対して屈折率を高くするものである。
【００３２】
この発明によれば、請求項１０において、プローブ材料を、支持材料に対して屈折率を高くすることにより、プローブ媒体中で、屈折率に応じて入射光に対する波長が短かくなり、微小近接場光を得ることが可能になる。
【００３３】
また、請求項１２にかかる平面型プローブの形成方法にあっては、前記プローブ材料は、当該請求項１２に記載のいずれかによりなるものである。
【００３４】
この発明によれば、請求項１０または１１において、プローブ材料として、基板に成形できない、あるいは成形が困難な材料、あるいは透過率が低く、薄くして用いることが必要な材料を用いることが可能になる。
【００３５】
また、請求項１３にかかる平面型プローブにあっては、複数の微小開口列を有し、当該微小開口の近傍に近接場光を発生させるための平面型プローブを、請求項１に記載の平面型プローブの形成方法にしたがって形成するものである。
【００３６】
この発明によれば、平面型プローブを、請求項１に記載の平面型プローブの形成方法にしたがって形成することにより、任意の形状のプローブが形成可能になる。
【００３７】
また、請求項１４にかかる平面型プローブにあっては、複数の微小開口列を有し、当該微小開口の近傍に近接場光を発生させるための平面型プローブを、請求項２に記載の平面型プローブの形成方法にしたがって形成するものである。
【００３８】
この発明によれば、平面型プローブを、請求項２に記載の平面型プローブの形成方法にしたがって形成することにより、任意の形状のプローブが形成可能になる。
【００３９】
また、請求項１５にかかる平面型プローブにあっては、少なくともプローブの斜面に遮光膜または光反射膜を形成するものである。
【００４０】
この発明によれば、請求項１３において、少なくともプローブの斜面に遮光膜または光反射膜を形成することにより、記録・再生時におけるレーザ出力を決定する上で重要な光利用効率を高めることが可能になる。
【００４１】
また、請求項１５にかかる平面型プローブにあっては、前記プローブが形成される基板の裏面に、光源からの光を前記プローブの根元に集光させる集光手段を一体的に設けたものである。
【００４２】
この発明によれば、請求項１４、１５または１６において、プローブが形成される基板の裏面に、光源からの光をプローブの根元に集光させる集光手段（レンズ機能）を一体的に設けることにより、従来におけるレンズが不要になると共に、光源との光軸合わせが容易になる。
【００４３】
【発明の実施の形態】
以下、本発明にかかる平面型プローブの形成方法および平面型プローブの好適な実施の形態について添付図面を参照し、詳細に説明する。なお、本発明はこの実施の形態に限定されるものではない。
【００４４】
本発明は、角度、高さ、先端の開口を任意の形状に形成する平面型プローブの形成方法および平面型プローブを提供し、高効率の近接場光を発生させるプローブを製造するものである。以下、具体的に実施の形態１，２，３にわけて説明する。
【００４５】
［実施の形態１］
本発明の実施の形態１にかかる平面型プローブの形成方法の一連の製造工程について図１を用いて説明する。まず、基板上に感光性樹脂を塗布する（Ｓ１１）。この場合の感光性樹脂は、市販のフォトレジストを用いる。続いて、リング状パターンを有するフォトマスクを用い、拡散光成分を有する露光手段により、上記感光性樹脂を露光し、円錐形パターンの潜像を形成する（Ｓ１２）。
【００４６】
さらに、上記潜像化された円錐形パターンを現像し、円錐形状の感光性樹脂パターンを形成する（Ｓ１３）。続いて、上記感光性樹脂パターンが形成された基板に対し、エッチングがほぼ垂直方向のみに進行する異方性ドライエッチング（ａｎ−ｉｓｏｔｒｏｐｉｃ　ｅｔｃｈｉｎｇ）を行ない、当該円錐形状の感光性樹脂パターンを基板に転写する（Ｓ１４）。
【００４７】
さらに、上述した図１のそれぞれの工程について説明する。上記Ｓ１２における露光工程では、たとえば図２あるいは図３に示すリング状パターンのフォトマスクを用いる。図２に示すフォトマスクでは、石英ガラス１００に、中央部分に黒丸のＣｒ（クロム）パターン１０１、その隣接する部分を透明部分１０２とし、その外側をリング状のＣｒ（クロム）パターン１０１が形成されている。他方、図３に示すフォトマスクでは、図２とは反対に、中央を透明部分１０２とし、その隣接するリング部分をＣｒパターン１０１とする。なお、図２および図３のフォトマスクでは１つのパターンで示しているが、複数のリングで構成したパターンであってもよい。
【００４８】
ここで、このリング状パターンを有するフォトマスクを用いた露光状況を図４を参照して説明する。図において、符号１１０は感光性樹脂、符号１２０は基板、符号１０ａは拡散光、符号１０ｂは平行光である。上記フォトマスクを用い、拡散光成分を有する露光手段により感光性樹脂１１０を露光すると、図４に示すように、拡散光１０ａが干渉を起こし、リング状パターンの下に円錐形の潜像が形成される。
【００４９】
さらに、上記潜像に対して現像を行なう。この現像の状態を図５に示す。図４における円錐形の潜像パターンに対して現像処理を行なうと、現像後の感光性樹脂パターン１３０が基板１２０上に形成される。なお、符号１１０ａは元の感光性樹脂の厚さである。
【００５０】
なお、この実施の形態１で用いる拡散光成分を有する露光手段とは、用いる露光装置が拡散光を持つものであってもよいし、平行光のみの露光装置を用いる場合には光路中に拡散板などの拡散光成分を発生させる手段を挿入する構成であってもよい。
【００５１】
このとき、形成される円錐形状の感光性樹脂パターンは、リング状パターンの形状、感光性樹脂の厚さ、露光手段、現像条件などを変化させることにより、その形状を調整することが可能である。
【００５２】
続いて、上記現像後の感光性樹脂パターン１３０が形成された基板１２０に対し、異方性ドライエッチングを行なう。このときの、ドライエッチングは図６に示すように、現像後の感光性樹脂パターン１３０と基板１２０の双方に作用し、円錐形状の感光性樹脂パターンが基板１２０に転写される。すなわち、符号１４０で示されるように、レジスト形状を縦方向に転写した状態となる。このとき、ドライエッチングの条件により、感光性樹脂と基板のエッチングレート比を変化させることにより、円錐形状の感光性樹脂パターン形状を、縦方向（高さ方向）に拡大あるいは縮小させて転写することが可能となるので、プローブ形状を調整することができる。
【００５３】
つぎに、上述した平面型プローブの具体的な形成例について説明する。なお、この形成例は、本発明者らによって上記平面型プローブの製造プロセスを確立する上で、様々な材料、形成条件などを組み合わせ、良好な平面型プローブが形成されることを検証したものである。
【００５４】
（形成例１−１）
石英基板に、まず、プライマー（東京応化製、ＯＡＰ）を塗布した後、感光性樹脂（東京応化製、ＯＦＰＲ８００）を５μｍの厚さに塗布する。続いて、図２に示したリング状パターン（中央の円０．６μｍφ、スペース０．６μｍ、リング幅０．６μｍ）を用い、拡散光成分を有する密着型露光装置で露光を行なう。さらに、現像液（東京応化製、ＮＭＤ−Ｗ）により現像処理を行ない、底辺２μｍ、高さ１．５μｍの円錐形パターンを得る。
【００５５】
続いて、ＣＦ４を用いたＥＣＲ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ　Ｃｙｃｌｏｔｒｏｎ　Ｒｅｓｏｎａｎｃｅ）エッチング（感光性樹脂と石英基板のエッチング比、およそ１：１）を行なうことにより、底辺２μｍ、高さ１．５μｍのプローブが得られることが確認できた。
【００５６】
図７にエッチングにより形成された感光性樹脂パターン（プローブアレイ）１３０の例を示す。なお、符号１２１は保護膜、符号１２２は保護膜上レジストである。
【００５７】
（形成例１−２）
ここでは、上記形成例１−１と同条件で同形状の円錐形状パターンを形成し、Ｃ４Ｆ８ガスを用い、ＥＣＲエッチング（感光性樹脂と石英基板のエッチング比、およそ１：３）を行ない、底辺２μｍ、高さ４．５μｍのプローブが得られることが確認できた。図８にレジスト除去後の形状を示す。ここでは基板１２０上に円錐台形プローブ１４０ａが形成される。
【００５８】
これにより、先端平面は基板の平面となり、平滑な面を得ることができる。また、複数のプローブアレイを形成した場合、高さを同一にすることができる。さらに、プローブ周辺に保護用壁を設ける場合、プローブ先端と保護用壁上面とを同一の高さとすることができる。
【００５９】
（形成例１−３）
ここでは、上記形成例１−１と同条件で同形状の円錐形状パターンを形成し、Ｃ４Ｆ８ガスを用い、ＥＣＲエッチング（感光性樹脂と石英基板のエッチング比、およそ１：３）を行ない、エッチングを樹脂パターンの一部が残った状態で終了することにより、底辺２μｍ、高さ２μｍ、先端平面１μｍφのプローブが得られることが確認できた。
【００６０】
（形成例１−４）
石英基板に、まず、プライマー（東京応化製、ＯＡＰ）を塗布した後、感光性樹脂（東京応化製、ＯＦＰＲ８００）を０．１μｍの厚さに塗布し、１５０℃で３０分ベークを行なう。その後、さらに感光性樹脂（東京応化製、ＯＦＰＲ８００）を５μｍの厚さに塗布し、９０℃で３０分ベークを行なう。なお、図９に１５０℃でベークしたレジスト膜１５０の状態を示す。
【００６１】
続いて、図２に示したリング状パターン（中央の円０．６μｍφ、スペース０．６μｍ、リング幅０．６μｍ）を用い、拡散光成分を有する密着型露光装置で露光を行なう。さらに、現像液（東京応化製、ＮＭＤ−Ｗ）により現像処理を行ない、図９に示すような、底辺２μｍ、高さ１．５μｍの円錐形パターンを得る。
【００６２】
この形成方法によって得られた感光性樹脂パターンを有する基板を、形成例１−１および１−２の条件でＥＣＲエッチングを行ない、それぞれの形成例に示したプローブを得る。ところで、ドライエッチングの条件によってはプローブ根元にえぐれが発生することがある。このえぐれが発生すると、機械的な強度が低下してプローブが根元から折れることがある。これに対して本実施の形態におけるプローブを評価したところ、すべての素子においてプローブ根元のえぐりは観察されなかった。
【００６３】
なお、上記露光では感光しない樹脂膜としては、円錐形の感光性樹脂パターンを形成するための樹脂を塗布した後、ハードベークして感光性を消失させたもの、あるいは感光性樹脂の感光成分を除去したものが適している。
【００６４】
（形成例１−５）
本形成例を図１０に示す。ガラス基板（支持基板）１６０にプローブ材料としてＳｉウエハ１７０を研磨し、５μｍの厚さに形成する。この後、形成例１−１と同条件にて同形状の円錐形パターンをＳｉウエハ１７０上に形成する。続いて、ＳＦ６ガスを用いたＥＣＲエッチング（感光性樹脂とＳｉのエッチング比、およそ１：２）を行ない、ガラス基板（支持基板）１６０上に、プローブ材料のＳｉ２μｍが全面に覆われ、その上に底辺２μｍ、高さ３μｍのＳｉ突起（円錐台プローブ１８０）を有する平面型プローブが得られることを確認することができた。
【００６５】
上記のプローブ形成方法において、プローブ材料として、基板に成形することができない、あるいは成形が困難な材料、あるいは透過率が低いために薄くして用いることが必要な材料を用いることが可能になり、屈折率、透過率、使用波長といった特性の選択性が向上する。具体的には、支持材料として石英または光学ガラスを用い、プローブ材料として、スパッタまたはＣＶＤ（ｃｈｅｍｉｃａｌｖａｐｏｒ　ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：化学気相成長法）で形成したダイヤモンド膜、Ｓｉ３Ｎ４膜、Ｓｉ膜、あるいは陽極接合したＳｉ単結晶などを用いることが可能になる。
【００６６】
さらに、プローブ材料として、単結晶Ｓｉ、ＳｉＯ２、Ｇｅ、ガラス、結晶石英、Ｃ（ダイヤモンド）、アモルファスＳｉ、マイクロクリスタル（微小結晶）Ｓｉ、多結晶Ｓｉ、ＳｉｘＮｙ（ｘ、ｙは任意）、ＴｉＯ２、ＺｎＯ、ＴｅＯ２、Ａｌ２Ｏ３、Ｙ２Ｏ３、Ｌａ２Ｏ２Ｓ、ＬｉＧａＯ２、ＢａＴｉＯ３、ＳｒＴｉＯ３、ＰｂＴｉＯ３、ＫＮＮＯ３、Ｋ（Ｔａ、Ｎｂ）Ｏ３（ＫＴＮ）、ＬｉＴａＯ３、ＬｉｔＴａＯ３、Ｐｂ（Ｍｇ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３、（Ｐｂ，Ｌａ）（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ２、（Ｐｂ，Ｌａ）（Ｈｆ，Ｔｉ）Ｏ３、ＰｂＧｅＯ３、Ｌｉ２ＧｅＯ３、ＭｇＡｌ２Ｏ４、ＣｏＦｅ２Ｏ４、（Ｓｒ，Ｂａ）Ｎｂ２Ｏ６、Ｌａ２Ｔｉ２Ｏ７、Ｎｄ２Ｔｉ２Ｏ７、Ｂａ２ＴｉＳｉ１２Ｏ８、Ｐｂ５Ｇｅ３Ｏ１１、Ｂｉ４Ｇｅ３Ｏ１２、Ｂｉ４Ｓｉ３Ｏ１２、Ｙ３Ａｌ５Ｏ１２、Ｇｄ３Ｆｅ５Ｏ１２、（Ｇｄ，Ｂｉ）３Ｆｅ５Ｏ１２、Ｂａ２ＮａＮｂＯ１５、Ｂｉ１２ＧｅＯ２Ｏ、Ｂｉ１２ＳｉＯ２、Ｇａ１２Ａｌ１４Ｏ３３、ＬｉＦ、ＮａＦ、ＫＦ、ＲｂＦ、ＣｓＦ、ＮａＣｌ、ＫＣｌ、ＲｂＣｌ、ＣｓＣｌ、ＡｇＣｌ、ＴｌＣｌ、ＣｕＣｌ、ＬｉＢｒ、ＮａＢｒ、ＫＢｒ、ＣｓＢｒ、ＡｇＢｒ、ＴｌＢｒ、ＬｉＩ、ＮａＩ、ＫＩ、ＣｓＩ、Ｔｌ（Ｂｒ，Ｉ）、ＴＩ（Ｃｌ，Ｂｒ）、ＭｇＦ２、ＣａＦ２、ＳｒＦ２、ＣａＦ２、ＰｂＦ２、Ｈｇ２ＣＩ２、ＦｅＦ３、ＣｓＰｂＣｌ３、ＢａＭｇＦ４、ＢａＺｎＦ４、Ｎａ２ＳｂＦ５、ＬｉＣｌＯ４・３Ｈ２Ｏ、ＣｄＨｇ（ＳＣＮ）４、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ、α‐ＨｇＳ、ＰｂＳ、ＰｂＳｅ、ＥｕＳ、ＥｕＳｅ、ＧａＳｅ、ＬｉＩｎＳ２、ＡｇＧａＳ２、ＡｇＧａＳ２、ＡｇＧａＳｅ２、ＴｉＩｎＳ２、ＴｉＩｎＳｅ２、ＴｌＧａＳｅ２、ＴｌＧａＳ２、Ａｓ２Ｓ３、Ａｓ２Ｓｅ３、Ａｇ３ＡｓＳ３、Ａｇ３ＳｂＳ３、ＣｄＧａＳ４、ＣｄＣｒ２Ｓ４、ＴｌＴａ３Ｓ４、Ｔｌ３ＴａＳｅ４、Ｔｌ３ＶＳ４、Ｔｌ３ＡｓＳ４、Ｔｌ３ＰＳｅ４、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＮ、（Ｇａ，Ａｌ）Ａｓ、Ｇａ（Ａｓ，Ｐ）、（ＩｎＧａ）Ｐ、（ＩｎＧａ）Ａｓ、（Ｇａ，Ａｌ）Ｓｂ、Ｇａ（ＡｓＳｂ）、（ＩｎＧａ）（ＡｓＰ）、（ＧａＡＩ）（ＡｓＳｂ）、ＺｎＧｅＰ２、ＣａＣＯ３、ＮａＮｏ３、α‐ＨＩＯ３、α‐ＬｉＯ３、ＫＩＯ２Ｆ２、ＦｅＢＯ３、ＦｅＢＯ３、Ｆｅ３ＢＯ６、ＫＢ５Ｏ８・４Ｈ２Ｏ、ＢｅＳＯ４・２Ｈ２Ｏ、ＣｕＳＯ４・５Ｈ２Ｏ、Ｌｉ２ＳＯ４・Ｈ２Ｏ、ＫＨ２ＰＯ４、ＫＤ２ＰＯ４、ＮＨ４Ｈ２ＰＯ４、ＫＨ２ＡｓＯ４、ＫＤ２ＡｓＯ４、ＣＳＨ２ＡｓＯ４、ＣｓＤ２ＡｓＯ４、ＫＴｉＯＰＯ４、ＲｂＴｉＯＰＯ４、（Ｋ，Ｒｂ）ＴｉＯＰＯ４、ＰｂＭｏＯ４、β‐Ｇｄ４（ＭｏＯ４）３、β‐Ｔｂ２（ＭｏＯ４）３、Ｐｂ２ＭｏＯ５、Ｂｉ２ＷＯ６、Ｋ２ＭｏＯＳ３・ＫＣＬ、ＹＶＯ４Ｃａ３（ＶＯ４）２、Ｐｂ５（ＧｅＯ４）（ＶＯ４）２、ＣＯ（ＮＨ２）２、Ｌｉ（ＣＯＯＨ）・Ｈ２Ｏ、Ｓｒ（ＣＯＯＨ）２、（ＮＨ４ＣＨ２ＣＯＯＨ）３Ｈ２ＳＯ４、（ＮＤ４ＣＤ２ＣＯＯＤ）３Ｄ２ＳＯ４、（ＮＨ４ＣＨ２ＣＯＯＨ）３Ｈ２ＢｅＦ、（ＮＨ４）２Ｃ２Ｏ４・Ｈ２Ｏ、Ｃ４Ｈ３Ｎ３Ｏ４、Ｃ６Ｈ９ＮＯ３、Ｃ６Ｈ４（ＮＯ２）、Ｃ６Ｈ４ＮＯ２Ｂｒ、Ｃ６Ｈ４ＮＯ２ＣＩ、Ｃ６Ｈ４ＮＯ２ＮＨ２、Ｃ６Ｈ��（ＮＨ４）ＯＨ、Ｃ６Ｈ４（ＣＯ２）２ＨＣｓ、Ｃ６Ｈ４（ＣＯ２）２ＨＲｂ、Ｃ６Ｈ３ＮＯ２ＣＨ３ＮＨ２、Ｃ６Ｈ３ＣＨ３（ＮＨ２）２、Ｃ６Ｈ１２Ｏ５・Ｈ２ＯＫＨ（Ｃ８Ｈ４Ｏ４）、Ｃ１ＯＨ１１Ｎ３Ｏ６、［ＣＨ２・ＣＦ２］ｎも使用可能である。
【００６７】
（形成例１−６）
ここでは、上述した形成例１−１〜１−５によって形成した平面型プローブの表面に、スパッタ（ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）によってＡｌ膜を２０００Å形成した後、突起先端のＡｌ膜をＦＩＢ（Ｆｏｃｕｓｅｄ　Ｉｏｎ　Ｂｅａｍ：集束分子線）によって除去し、図１１に示すような、先端開口１９１に遮光膜１９２つきの平面型プローブ１９０を形成する。なお、ＦＩＢは、ビーム径０．１μｍ、あるいはそれ以下の径に絞った極細のイオンビームである。
【００６８】
したがって、この形成例１−６により、記録・再生時のレーザ出力を決定する上で重要な光利用効率を向上させた平面型プローブを得ることができる。なお、この形成例１−６では、Ａｌを用いた例について述べたが、Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕ，Ｔｉ，Ｗなどの金属およびそれらの積層膜を用いることも可能である。
【００６９】
［実施の形態２］
まず、本発明の実施の形態２にかかる平面型プローブの形成方法の一連の製造工程について図１２を用いて説明する。まず、基板上に感光性樹脂を塗布する（Ｓ２１）。この場合の感光性樹脂は、市販のフォトレジストを用いる。続いて、リング状パターンを有するフォトマスクを用い、リング状パターンが解像限界以下になる露光手段により、上記感光性樹脂を露光し、円錐形パターンの潜像を形成する（Ｓ２２）。
【００７０】
さらに、上記潜像化された円錐形パターンを現像し、円錐形状の感光性樹脂パターンを形成する（Ｓ２３）。続いて、上記感光性樹脂パターンが形成された基板に対し、エッチングがほぼ垂直方向のみに進行する異方性ドライエッチング（ａｎ−ｉｓｏｔｒｏｐｉｃ　ｅｔｃｈｉｎｇ）を行ない、当該円錐形状の感光性樹脂パターンを基板に転写する（Ｓ２４）。
【００７１】
さらに、上述した図１２のそれぞれの工程について説明する。上記Ｓ２２における露光工程では、実施の形態１と同様に、たとえば、図２あるいは図３に示すリング状パターンのフォトマスクを用いる。図２に示すフォトマスクでは、石英ガラス１００に、中央部分に黒丸のＣｒ（クロム）パターン１０１、その隣接する部分を透明部分１０２とし、その外側をリング状のＣｒ（クロム）パターン１０１が形成されている。他方、図３に示すフォトマスクでは、図２とは反対に、中央を透明部分１０２とし、その隣接するリング部分をＣｒパターン１０１とする。なお、図２および図３のフォトマスクでは１つのパターンで示しているが、複数のリングで構成したパターンであってもよい。
【００７２】
ここで、このリング状パターンを有するフォトマスクを用いた露光状況を図１３を参照して説明する。図において、符号１１０は感光性樹脂、符号１２０は基板、符号３０ａは入射光、符号３０ｂは回折光である。上記フォトマスクを用い、リング状パターンが解像限界以下となる露光手段により感光性樹脂１１０を露光すると、図１３に示すように、パターンのエッジにより回折された回折光３０ｂと入射光（平行光）３１０ａとの光路差または拡散光成分により干渉を起こし、リング状パターンの下に円錐形の潜像が形成される。このとき、マスク寸法によっては中央部に露光の少ない部分が生じる。
【００７３】
さらに、上記潜像に対して現像を行なう。この現像の状態を図５に示す。図１３における円錐形の潜像パターンに対して現像処理を行なうと、現像後の感光性樹脂パターン１３０が基板１２０上に形成される。なお、符号１１０ａは元の感光性樹脂の厚さである。
【００７４】
なお、ここでは、解像限界以下となる露光手段（露光装置）を用いる。一般に露光装置の能力として解像限界が定められている。解像限界とは、該当露光装置を用いて形成可能な感光性樹脂パターンの最小線幅およびスペース幅として定義されている。この実施の形態２ではこの解像限界以下のパターンを積極的に用いている。
【００７５】
このとき、形成される円錐形状の感光性樹脂パターンは、実施の形態１と同様に、リング状パターンの形状、感光性樹脂の厚さ、露光手段、現像条件などを変化させることにより、その形状を調整することが可能である。
【００７６】
続いて、実施の形態１と同様に、上記現像後の感光性樹脂パターン１３０が形成された基板１２０に対し、異方性ドライエッチングを行なう。このときの、ドライエッチングは図６に示すように、現像後の感光性樹脂パターン１３０と基板１２０の双方に作用し、円錐形状の感光性樹脂パターンが基板１２０に転写される。すなわち、符号１４０で示されるように、レジスト形状を縦方向に転写した状態となる。このとき、ドライエッチングの条件により、感光性樹脂と基板のエッチングレート比を変化させることにより、円錐形状の感光性樹脂パターン形状を、縦方向（高さ方向）に拡大あるいは縮小させて転写することが可能となるので、プローブ形状を調整することができる。
【００７７】
つぎに、上述した実施の形態２における平面型プローブの具体的な形成例について説明する。なお、この形成例は、本発明者らによって上記平面型プローブの製造プロセスを確立する上で、様々な材料、形成条件などを組み合わせ、良好な平面型プローブが形成されることを検証したものである。
【００７８】
（形成例２−１）
石英基板に、まず、プライマー（東京応化製、ＯＡＰ）を塗布した後、ポジタイプ感光性樹脂（東京応化製、ＯＦＰＲ８００）を５μｍの厚さに塗布する。続いて、図２に示したリング状パターン（中央の円０．６μｍφ、スペース０．６μｍ、リング幅０．６μｍ）を用い、拡散光成分を有する密着型露光装置（解像限界３μｍラインアンドスペース）で露光を行なう。さらに、現像液（東京応化製、ＮＭＤ−Ｗ）により現像処理を行ない、図５に示した形状の、底辺２μｍ、高さ１．５μｍの円錐形パターンを得る。
【００７９】
続いて、図６に示すように、ＣＦ４を用いたＥＣＲ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ　Ｃｙｃｌｏｔｒｏｎ　Ｒｅｓｏｎａｎｃｅ）エッチング（感光性樹脂と石英基板のエッチング比、およそ１：１）を行なうことにより、底辺２μｍ、高さ１．５μｍのプローブが得られることが確認できた。
【００８０】
（形成例２−２）
ここでは、上記形成例２−１と同条件で同形状の円錐形状パターンを形成し、Ｃ４Ｆ８ガスを用い、ＥＣＲエッチング（感光性樹脂と石英基板のエッチング比、およそ１：３）を行ない、底辺２μｍ、高さ４．５μｍのプローブが得られることが確認できた。
【００８１】
（形成例２−３）
ここでは、上記形成例２−１と同条件で同形状の円錐形状パターンを形成し、Ｃ４Ｆ８ガスを用い、ＥＣＲエッチング（感光性樹脂と石英基板のエッチング比、およそ１：３）を行ない、エッチングを樹脂パターンの一部が残った状態で終了することにより、底辺２μｍ、高さ２μｍ、先端平面１μｍφのプローブが得られることが確認できた。
【００８２】
（形成例２−４）
本形成例を図１０に示す。ガラス基板（支持基板）１６０にプローブ材料としてＳｉウエハ１７０を陽極接合し、さらにＳｉウエハ１７０を研磨し、５μｍの厚さに成形する。この後、形成例２−１と同条件にて同形状の円錐形パターンをＳｉウエハ１７０上に形成する。続いて、ＳＦ６ガスを用いたＥＣＲエッチング（感光性樹脂とＳｉのエッチング比、およそ１：２）を行ない、ガラス基板（支持基板）１６０上に、プローブ材料のＳｉ２μｍが全面に覆われ、その上に底辺２μｍ、高さ３μｍのＳｉ突起（円錐台プローブ１８０）を有する平面型プローブが得られることを確認することができた。
【００８３】
（形成例２−５）
ガラス基板（支持基板）１６０に、Ｔａ２Ｏ５膜を５μｍの厚さに成形する。この後、形成例２−１と同条件にて同形状の円錐形パターンをＴａ２Ｏ５膜上に形成する。続いて、Ｃ４Ｆ８ガスを用いたＥＣＲエッチング（感光性樹脂とＴａ２Ｏ５膜のエッチング比、およそ１：２）を行なうことにより、ガラス基板（支持基板）１６０上に、プローブ材料のＴａ２Ｏ５膜２μｍが全面を覆い、その上に底辺２μｍ、高さ３μｍのＴａ２Ｏ５突起を有する平面型プローブが形成される。
【００８４】
（形成例２−６）
ここでは、上述した形成例２−１〜２−５によって形成した平面型プローブの表面に、スパッタ（ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）によってＡｌ膜を２０００Å形成した後、突起先端のＡｌ膜をＦＩＢ（Ｆｏｃｕｓｅｄ　Ｉｏｎ　Ｂｅａｍ：集束分子線）によって除去し、図１１に示すような、先端開口１９１に遮光膜１９２つきの平面型プローブ１９０を形成する。
【００８５】
［実施の形態３］
つぎに、上述した平面型プローブによる集光手段および実使用時の構成などについて図１４を参照し、説明する。図１４（ａ）は通常のレンズによる集光、（ｂ）はプローブに集光手段（レンズ機能）を設けた例を示すものである。
【００８６】
図１４（ａ）において、符号１９２は遮光膜、符号１９４は突起、符号１９６はレンズ、符号２００は近接場光、符号２０１はＣＤ、ＤＶＤなどのメディア、符号２０１ａは記録パターンである。また、図１４（ｂ）の符号１９５は集光部である。
【００８７】
図１４（ａ）に示す通常の平面型プローブは、図示するように、実際に使用する場合、光源とレンズ１９６の光軸、プローブの光軸の３つを同軸上に合わせて組立て使用される。
【００８８】
図１４（ｂ）に示す集光部１９５は、プローブの光軸と同軸上の突起１０４の根元に対応する基板裏側に形成される。すなわち、図１４（ａ）のレンズ１９６と同一機能を有し、そのレンズ１９６の代わりに、図１４（ｂ）に示すように基板１２０に一体的にレンズ機能を形成するものである。
【００８９】
集光部１９５の具体的な形成方法は以下のようにして行なわれる。まず、上述した実施の形態による平面型プローブ裏面に感光性樹脂を塗布し、フォトマスク（たとえば、特開２００１−９２１４７合公報に開示されているマスク）を用いて露光する。続いて、プローブ対応部分の裏側にレンズ形状の感光性樹脂潜像を形成した後に現像を行ないレンズ形状の感光性樹脂パターンを得る。さらにこの裏面よりＲＩＥ（ｒｅａｃｔｉｖｅ　ｉｏｎ　ｅｔｃｉｎｇ：反応性イオンエッチング）による異方性ドライエッチングを行ない、レンズ形状の感光性パターンを基板１２０に転写することにより図１４（ｂ）に示すような突起１９４に対応した裏面に集光部１９５が形成される。なお、上記ＲＩＥは、化学的に活性なイオン種を電界に沿って加速し、基板に対して垂直に進むようにエッチングに方向性を持たせるものである。
【００９０】
このように、図１４（ｂ）に示したようなプローブ構成とすることにより、図１４（ａ）における集光用のレンズ１９６が不要になる。さらに通常の平面型プローブ（図１４（ａ）参照）では光源−レンズ−プローブの３箇所の光軸合わせが必要になるのに対し、図１４（ｂ）の構造では、光源−集光部１９５の２箇所の光軸合わせで良くなるため、光軸合わせを含む組立を簡単に行なうことができる。
【００９１】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明にかかる平面型プローブの形成方法（請求項１）によれば、基板上に感光性樹脂膜を形成し、リング形状パターンを有するフォトマスクと拡散光成分を有する露光手段とを用いて基板上に円錐形感光性樹脂パターンの潜像を形成し、さらにその潜像パターンを現像して円錐形感光性樹脂パターンを形成し、当該パターンをドライエッチングして基板に転写する際に、ドライエッチングの条件により、感光性樹脂と基板のエッチングレート比を変化させることにより、円錐形状の感光性樹脂パターンの底面の大きさ、角度を任意に調整することが可能になるため、高効率の近接場光を発生する平面型プローブを製造することができる。
【００９２】
また、本発明にかかる平面型プローブの形成方法（請求項２）によれば、基板上に感光性樹脂膜を形成し、リング形状パターンを有するフォトマスクとリング形状パターンが、解像限界以下となる露光手段とを用いて基板上に円錐形感光性樹脂パターンの潜像を形成し、さらにその潜像パターンを現像して円錐形感光性樹脂パターンを形成し、当該パターンをドライエッチングして基板に転写する際に、ドライエッチングの条件により、感光性樹脂と基板のエッチングレート比を変化させることにより、円錐形状の感光性樹脂パターンの底面の大きさ、角度を任意に調整することが可能になるため、高効率の近接場光を発生する平面型プローブを製造することができる。
【００９３】
また、本発明にかかる平面型プローブの形成方法（請求項３）によれば、請求項１または２の第４の工程におけるドライエッチングにおいて、先端部分に円錐形の感光性樹脂パターンの一部を残した状態でエッチングを中止することにより、底面の大きさや角度の調整に加え、プローブ先端の大きさを任意に調整することが可能になるため、高効率の近接場光を発生する平面型プローブを製造することができる。また、先端平面は基板の平面となり、平滑な面を得ることができ、さらに複数のプローブアレイを形成した場合、高さを同一とすることができる。また、プローブ周辺に保護用壁を設ける場合、プローブ先端と保護用壁上面を同一の高さとすることができる。
【００９４】
また、本発明にかかる平面型プローブの形成方法（請求項４）によれば、請求項１または３において、前基板と感光性樹脂膜との間に、第２の工程による露光により感光しない樹脂膜を設けることにより、ドライエッチングの条件によってプローブ根元にえぐれが発生することを防止することができる。
【００９５】
また、本発明にかかる平面型プローブの形成方法（請求項５）によれば、請求項１〜４のいずれか一つにおいて、第４の工程のエッチングでは、円錐形感光性樹脂パターンと基板のエッチングの選択比を調整し、円錐形感光性樹脂パターンを拡大または縮小して基板に転写するので、プローブの形状の調整範囲をさらに広げることができる。
【００９６】
また、本発明にかかる平面型プローブの形成方法（請求項６）によれば、請求項１において、第４の工程までの工程で得られた基板を母型として金型を製作し、当該金型を用いて樹脂成形によりプローブを形成することにより、プローブを樹脂成形により製造することが可能になるので、安価でかつ大量に製造することができる。
【００９７】
また、本発明にかかる平面型プローブの形成方法（請求項７）によれば、請求項１〜６のいずれか一つにおいて、中心の円と、当該円の外側に形成されたリング形状のパターンとからなるリング形状パターンを用いて露光処理を行なうので、円錐形状の感光性樹脂パターンを形成することができる。
【００９８】
また、本発明にかかる平面型プローブの形成方法（請求項８）によれば、請求項１〜７のいずれか一つにおいて、所定の波長の光を透過する透光成材料の基板を用いるため、近接場光を利用した効果的な平面型プローブを形成することができる。
【００９９】
また、本発明にかかる平面型プローブの形成方法（請求項９）によれば、請求項１〜５、７、８のいずれか一つにおいて、石英または光学ガラスの基板を用いるため、屈折率、透過率に優れた平面型プローブを製造することができる。
【０１００】
また、本発明にかかる平面型プローブの形成方法（請求項１０）によれば、請求項１〜５、７のいずれか一つにおいて、プローブ材料と支持材料の複合構造を有する基板とすることにより、プローブ材料として、基板に成形できない、または成形が困難な材料、または透過率が低く薄くして用いることが必要な材料を用いることが可能になるため、屈折率、透過率、使用波長の選択性（自由度）が広がる。
【０１０１】
また、本発明にかかる平面型プローブの形成方法（請求項１１）によれば、請求項１０において、プローブ材料を、支持材料に対して屈折率を高くするので、プローブ媒体中で、屈折率に応じ入射光に比して、波長が短かくなり、微小近接光を得ることができる。
【０１０２】
また、本発明にかかる平面型プローブの形成方法（請求項１２）によれば、請求項１０または１１において、プローブ材料として、基板に成形できない、あるいは成形が困難な材料、あるいは透過率が低く、薄くして用いることが必要な材料を用いることが可能になるため、屈折率、透過率、使用波長とった特性の選択性が広くなる。
【０１０３】
また、本発明にかかる平面型プローブ（請求項１３）によれば、平面型プローブを、請求項１に記載の平面型プローブの形成方法にしたがって形成することにより、任意の形状のプローブが形成可能になるので、記録・再生時のレーザ出力を決定する上で重要な光利用効率の高い、近接場光サイズが調整された平面型プローブが得られる。
【０１０４】
また、本発明にかかる平面型プローブ（請求項１４）によれば、平面型プローブを、請求項２に記載の平面型プローブの形成方法にしたがって形成することにより、任意の形状のプローブが形成可能になるので、記録・再生時のレーザ出力を決定する上で重要な光利用効率の高い、近接場光サイズが調整された平面型プローブが得られる。
【０１０５】
また、本発明にかかる平面型プローブ（請求項１５）によれば、請求項１３において、少なくともプローブの斜面に遮光膜または光反射膜を形成するため、記録・再生時のレーザ出力を決定する上で重要な光利用効率を高めることができる。
【０１０６】
また、本発明にかかる平面型プローブ（請求項１６）によれば、請求項１４、１５または１６において、プローブが形成される基板の裏面に、光源からの光をプローブの根元に集光させる集光手段（レンズ機能）を一体的に設けることにより、従来におけるレンズが不要になると共に、別個のレンズを用いずに、プローブに集光手段（レンズ）を光軸が一致するように形成しているので、光源と集光手段とのと光軸合わせだけで済み、組立てが容易になる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態１にかかる平面化プローブの形成方法における一連の製造工程を示すフローチャートである。
【図２】本発明の実施の形態にかかる露光工程に使用するフォトマスクの第１の構成例を示す説明図である。
【図３】本発明の実施の形態にかかる露光工程に使用するフォトマスクの第２の構成例を示す説明図である。
【図４】本発明の実施の形態１にかかる露光工程における露光状態を示す説明図である。
【図５】本発明の実施の形態にかかる現像工程で形成される円錐形パターンを示す説明図である。
【図６】本発明の実施の形態にかかるエッチング工程を示す説明図である。
【図７】本発明の実施の形態にかかるエッチング工程後のプローブアレイの形成状態を示す説明図である。
【図８】本発明の実施の形態にかかるレジスト除去後の状態（円錐台形プローブ）を示す断面図である。
【図９】本発明の実施の形態における形成例４に対応したレジストの形成状態を示す断面図である。
【図１０】本発明の実施の形態における形成例５に対応したプローブの形成状態を示す断面図である。
【図１１】本発明の実施の形態における形成例６に対応した遮光膜形成後のプローブの構造を示す断面図である。
【図１２】本発明の実施の形態１にかかる平面化プローブの形成方法における一連の製造工程を示すフローチャートである。
【図１３】本発明の実施の形態２にかかる露光工程における露光状態を示す説明図である。
【図１４】平面型プローブによる集光手段および実使用時の構成などを示す説明図であり、（ａ）は通常の平面型プローブの例、（ｂ）は本発明による平面型プローブの例である。
【図１５】従来における平面型プローブの製造工程を示す説明図である。
【符号の説明】
１００　石英ガラス
１０１　Ｃｒパターン
１０２　透明部分
１１０　感光性樹脂
１２０　基板
１３０　感光性樹脂パターン
１５０　レジスト膜
１６０　ガラス基板（支持基板）
１７０　プローブ材料
１４０ａ，１８０　円錐台形プローブ
１９０　平面型プローブ
１９１　先端開口
１９２　遮光膜
１９４　突起
１９５　集光部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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