(57)【要約】【課題】書き換え可能な不揮発性メモリに書き込まれているデータの漏洩防止技術において、従来のパスワード入力方式ではセキュリティ性が低い。パスワードの入力強制という方式を離れ、まったく新しい観点からのアプローチにより、不揮発性半導体記憶装置におけるセキュリティ性を向上させる。【解決手段】アドレス入力イネーブル信号Ｓｃをアクティブにして読出し禁止アドレスＳｄを読出し禁止アドレス登録メモリ１５０に格納しておく。不揮発性メモリ１３０に対するデータ外部読み出しのアクセスがあったとき、読出しアドレスＳｂが読出し禁止制御回路１６０にも入力され、読出し禁止制御回路１６０において読出し禁止アドレス登録メモリ１５０からの読出し禁止アドレスＳｄと読出しアドレスＳｂとが比較され、一致するときはデータ入出力回路１４０に対して出力禁止を指示する。【選択図】　図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
書き換え可能な不揮発性メモリと、前記不揮発性メモリのアドレス空間内のアドレスを読出し禁止アドレスとして登録可能な読出し禁止アドレス登録メモリと、前記不揮発性メモリに対する読出しアドレスと前記読出し禁止アドレス登録メモリからの読出し禁止アドレスとを比較し一致するときは前記不揮発性メモリからのデータ外部読み出しを禁止する読出し禁止制御回路とを備える不揮発性半導体記憶装置。
【請求項２】
さらに、前記読出し禁止制御回路が前記不揮発性メモリからのデータ外部読み出し禁止を指示したときに、この不揮発性メモリに対するデータ外部読み出し禁止の指示を記憶する読出し禁止状態格納不揮発性メモリ回路を備える請求項１に記載の不揮発性半導体記憶装置。
【請求項３】
さらに、前記読出し禁止制御回路が前記不揮発性メモリからのデータ外部読み出し禁止を指示したときに、前記不揮発性メモリからのデータ出力に代えて擬似データを出力する擬似データ出力回路を備える請求項１または請求項２に記載の不揮発性半導体記憶装置。
【請求項４】
さらに、前記不揮発性メモリに対して与えられるアドレスが所定の読出し禁止解除アドレスに一致するときに、前記読出し禁止制御回路からの前記不揮発性メモリに対するデータ外部読み出しの禁止の指示を解除する読出し禁止解除制御回路を備える請求項１から請求項３までのいずれかに記載の不揮発性半導体記憶装置。
【請求項５】
さらに、前記所定の読出し禁止解除アドレスを前記読出し禁止アドレスとともに格納する読出し禁止アドレス・読出し禁止解除アドレス登録メモリが設けられている請求項４に記載の不揮発性半導体記憶装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、書き換え可能な不揮発性メモリが搭載されている不揮発性半導体記憶装置にかかわり、特には、不揮発性メモリに書き込まれているデータが不正に読み出されることを防止するデータ漏洩防止技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、不揮発性半導体記憶装置におけるデータ漏洩防止技術として、データ外部読み出しに先立って、保護コード（パスワード、暗証番号）の入力を強制し、入力された保護コードとあらかじめ登録されている製品固有の正規の保護コードとの比較認証を行い、一致した場合には不揮発性メモリからのデータ外部読み出しを許可するが、不一致の場合にはデータ外部読み出しを禁止するようにしたものが知られている。
【０００３】
図６に従来技術の不揮発性半導体記憶装置の概略構成を示す。図６において、６１０はアドレスラッチ、６２０はアドレスデコーダ、６３０は書き換え可能な不揮発性メモリ、６４０はデータ入出力回路、６５０は保護コード用メモリ、６６０は保護コード比較回路、６７０は保護制御回路である。
【０００４】
この不揮発性半導体記憶装置におけるアドレスラッチ６１０、アドレスデコーダ６２０、不揮発性メモリ６３０およびデータ入出力回路６４０の動作は次のとおりである。不揮発性メモリ６３０に対するデータ外部読み出しモードにおいて、入力されてきたアドレス信号がアドレスラッチ６１０にラッチされ、さらにアドレスデコーダ６２０に入力され、デコードされる。デコードされたアドレス信号に対応する不揮発性メモリ６３０のアドレスからデータが読み出され、データ入出力回路６４０にラッチされた上で、データ入出力端子６４５を介して外部に出力される。
【０００５】
不正アクセスに対するプロテクトは次のように行われる。正規の使用者はあらかじめ保護コード用メモリ６５０に製品固有の保護コード（正規の保護コード）を書き込んでおく。不揮発性メモリ６３０からのデータ外部読み出しに当たっては、必ず前もって外部より保護コードの入力を行わせるようになっている。入力された保護コードは保護コード比較回路６６０に入力される。保護コード比較回路６６０は、入力されてきた保護コードを保護コード用メモリ６５０にあらかじめ格納されている正規の保護コードと比較し、その比較結果を保護制御回路６７０に出力する。比較結果が一致を示すときは、保護制御回路６７０はデータ入出力回路６４０をデータ出力許可状態に設定し、比較結果が不一致を示すときは、保護制御回路６７０はデータ入出力回路６４０をデータ出力禁止状態に設定する。したがって、外部から入力された保護コードが正規のものでないときは、不揮発性メモリ６３０からデータ入出力回路６４０を介してのデータ外部読み出しは禁止され、外部から正しい保護コードが入力されたときに限り不揮発性メモリ６３０からデータ入出力回路６４０を介してのデータ外部読み出しが許可される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記従来技術の不揮発性半導体記憶装置には次のような課題がある。すなわち、データ外部読み出し時に保護コードの入力を強いる方式は、不正使用者に対して保護コードの入力をうまくすれば防壁突破が可能であることを知らせてしまう。あらかじめ登録されている正規の保護コードと同じ保護コードを見つけ出して、その保護コードを入力しさえすれば、不揮発性メモリにアクセスすることができると知らせる結果となる。一致するまで保護コードの繰り返し入力が行われ、一致を確認の上でデータ外部読み出しの操作が行われれば、不正読み出しを許してしまうことになる。
【０００７】
不揮発性メモリからのデータ外部読み出しを行うたびに、保護コードを入力する操作を行われなければならず、操作上の負担が大きい。
【０００８】
本発明は、このような事情に鑑みて創案されたものであり、パスワードの入力強制という方式を離れ、まったく新しい観点からのアプローチにより、不揮発性半導体記憶装置におけるセキュリティ性を向上させることを目的としている。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記の課題を解決するために次のような手段を講じる。
【００１０】
すなわち、本発明による不揮発性半導体記憶装置は、書き換え可能な不揮発性メモリと、前記不揮発性メモリのアドレス空間内のアドレスを読出し禁止アドレスとして登録可能な読出し禁止アドレス登録メモリと、前記不揮発性メモリに対する読出しアドレスと前記読出し禁止アドレス登録メモリからの読出し禁止アドレスとを比較し一致するときは前記不揮発性メモリからのデータ外部読み出しを禁止する読出し禁止制御回路とを備えた構成としている。
【００１１】
従来方式と本発明方式との違いは次のとおりである。不揮発性メモリに対するデータ外部読み出しの要求があったときに、従来方式では、まずパスワード入力を要求するのに対して、本発明方式では、パスワード入力の要求は行わない。パスワード入力要求方式であると、第三者が不正アクセスを行おうとする場合に、登録されている正規のパスワードを知らなくても、パスワード入力要求があることから、パスワード入力がセキュリティを破る条件であることは知ることはできる。そこで、試行錯誤的に何らかのパスワードを入力することを正規のパスワードに一致するまで繰り返せば、セキュリティを破る状態へたどり着く可能性がある。
【００１２】
しかしながら、本発明はパスワード入力方式ではない。正規の使用者は、セキュリティ確保を行うに際して、読出し禁止アドレス登録メモリに対して一度だけ読出し禁止アドレスを登録しておく。そうすると、これ以降は、不正使用者による不揮発性メモリに対するデータ外部読み出しの要求があっても、そのときに不揮発性メモリに与えられる読出しアドレスは必ず読出し禁止アドレスに一致することになる。すなわち、不揮発性メモリへの読出しアドレスは読出し禁止制御回路にも入力される。読出し禁止制御回路は、読出し禁止アドレス登録メモリからの読出し禁止アドレスと入力されてきた読出しアドレスとを比較する。そして、通常は両者が必ず一致することになり、読出し禁止制御回路は不揮発性メモリからのデータ外部読み出しを禁止する。データ外部読み出しができないことから、不正使用者は、パスワード入力とは別の何らかの鍵手段がある予想することはできる。しかし、予想できても、それが、不揮発性メモリのアドレス空間内のアドレスに相当する読出し禁止アドレスの、読出し禁止アドレス登録メモリにおける登録解除であることには、なかなか思い至らない。また、その操作の具体的手順も分からない。したがって、不正アクセスを行おうとする第三者の意図を挫くことができる。つまり、第三者による不正アクセスに対する防御機能が向上し、不揮発性メモリに格納されているデータに対する高いセキュリティ性を確保することができる。
【００１３】
なお、正規の使用者が不揮発性メモリからのデータ外部読み出しを行おうとするときは、読出し禁止アドレス登録メモリにおいて読出し禁止アドレスの登録を行わないことにより、データ外部読み出しを行うことができる。データ外部読み出しに際しては、いちいちのパスワード入力は必要ではない。読出し禁止アドレスを登録しない操作を一度だけ行いさえすれば、それ以降、不揮発性メモリからのデータ外部読み出しを継続して行うことができ、操作性も改善されている。
【００１４】
上記の発明においてさらに展開した態様として、次のような構成を挙げることができる。
【００１５】
第１の態様は、上記構成において、さらに、前記読出し禁止制御回路の後段に読出し禁止状態格納不揮発性メモリ回路を備えることである。この読出し禁止状態格納不揮発性メモリ回路は、前記読出し禁止制御回路が前記不揮発性メモリからのデータ外部読み出し禁止を指示したときに、この不揮発性メモリに対するデータ外部読み出し禁止の指示を記憶するものとして構成されている。
【００１６】
この構成による作用は次のとおりである。不正アクセスを行った第三者が読出し禁止アドレスの存在を認識するに至り、読出し禁止アドレス登録メモリへの読出し禁止アドレスの登録を解除する処理まで行き着いたとする。しかし、一度でも不正アクセスが行われ、読出し禁止制御回路が不揮発性メモリに対してデータ外部読み出しを禁止したときは、これに伴って読出し禁止状態格納不揮発性メモリ回路が活性化される。すなわち、この読出し禁止状態格納不揮発性メモリ回路に、不揮発性メモリに対するデータ外部読み出し禁止の指示が記憶される。この読出し禁止状態格納不揮発性メモリ回路は、読出し禁止制御回路の後段に存在している。読出し禁止アドレス登録メモリは読出し禁止制御回路の前段に存在しているものである。前段の読出し禁止アドレス登録メモリにおいてセキュリティが破られても、最早、後段の読出し禁止状態格納不揮発性メモリ回路において、不正アクセスがすでに行われたことが記憶されている。そして、この記憶に基づいて、不揮発性メモリからのデータ外部読み出しの禁止状態を保持する。この記憶は、不揮発性半導体記憶装置の電源を切っても残っている。また、読出し禁止アドレス登録メモリでの解錠が行われるか否かに関係なく残っている。すなわち、一度でも不正アクセスが行われると、それ以降の不正なデータ外部読み出しは、これをすべて禁止することができる。これにより、より高レベルのセキュリティ性を確保することができる。
【００１７】
第２の態様は、上記構成において、さらに、擬似データ出力回路を備えていることである。この擬似データ出力回路は、前記読出し禁止制御回路が前記不揮発性メモリからのデータ外部読み出し禁止を指示したときに、前記不揮発性メモリからのデータ出力に代えて擬似データを出力するものとして構成されている。この第２の態様は、上記第１の態様に組み合わせてもよい。
【００１８】
この構成による作用は次のとおりである。第三者が不正アクセスを行うと、上記と同様にして不揮発性メモリからのデータ外部読み出しが禁止されるが、同時に、擬似データ出力回路が活性化され、不揮発性メモリの正規のデータとは別の擬似データが外部出力される。第三者は、これを正規のデータであると認識する。しかし、実体は擬似データであり、偽データであるので、実質上の被害はない。不正アクセスした第三者は偽データを正規のデータであると認識している。不正使用者は、実質上のデータ出力禁止状態であるとは分からない。全面的なデータ出力禁止の場合には、不正使用者は別の手立てで、さらにセキュリティを破ろうとする可能性がある。本構成によれば、不正使用者に不正読み出しが成功したものと思い込ませる作用がある。すなわち、不揮発性メモリから正規のデータが外部読み出しされるのを防止した上で、さらに、不正使用者を欺くことができ、より高レベルのセキュリティをもたせることができる。
【００１９】
第３の態様は、上記構成において、さらに、読出し禁止解除制御回路を備えていることである。この読出し禁止解除制御回路は、前記不揮発性メモリに対して与えられるアドレスが所定の読出し禁止解除アドレスに一致するときに、前記読出し禁止制御回路からの前記不揮発性メモリに対するデータ外部読み出しの禁止の指示を解除するものとして構成されている。この第３の態様は、上記第１の態様または第２の態様または第１および第２の態様に組み合わせてもよい。
【００２０】
この構成による作用は次のとおりである。不正アクセスに伴って読出し禁止制御回路が不揮発性メモリからのデータ外部読み出しを禁止したことがあった後において、正規の使用者が不揮発性メモリからのデータ外部読み出しを行う場合に、正規の使用者はある操作を行って、不揮発性メモリに特定のアドレスを入力する。すると、読出し禁止解除制御回路は、特定のアドレスを入力し、所定の読出し禁止解除アドレスとの比較を行う。両者が一致していると、読出し禁止解除制御回路は読出し禁止制御回路によるデータ外部読み出し禁止の指示を解除するので、不揮発性メモリからのデータ外部読み出しが可能となる。以上により、不揮発性メモリからのデータ外部読み出しが一度禁止がされた場合でも、読出し禁止解除アドレスが設定された場合には、不揮発性メモリからの再度のデータ外部読み出しが可能となる。
【００２１】
なお、前記の所定の読出し禁止解除アドレスを格納しておくメモリを設けておくことが好ましい。この場合に、上記の読出し禁止アドレス登録メモリとまとめたメモリ、すなわち、読出し禁止アドレス・読出し禁止解除アドレス登録メモリとして構成しておくことが好ましい。
【００２２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明にかかわる不揮発性半導体記憶装置の実施の形態について図面を参照しながら説明する。
【００２３】
（実施の形態１）
図１は本発明の実施の形態１における不揮発性半導体記憶装置の構成を示すブロック図である。図１において、１１０は外部から入力される読出しアドレスＳａをラッチした上で出力するアドレスラッチ、１２０はアドレスラッチ１１０によってラッチされた読出しアドレスＳｂを受け取り、デコードするアドレスデコーダ、１３０は書き換え可能な不揮発性メモリ、１４０は不揮発性メモリ１３０に対してデータをラッチした上で入出力を行うデータ入出力回路、１４５はデータ入出力端子である。新たな構成要素としての１５０は読出し禁止アドレス登録メモリ、１６０は読出し禁止制御回路である。
【００２４】
読出し禁止アドレス登録メモリ１５０は、不揮発性メモリ１３０のアドレス空間内の任意のアドレスを読出し禁止アドレスとして格納しておくものであり、アドレス入力イネーブル信号Ｓｃがアクティブにされたときに、読出し禁止アドレスＳｄの格納が行われる。この読出し禁止アドレス登録メモリ１５０は不揮発性メモリで構成されている。読出し禁止制御回路１６０は、アドレスラッチ１１０からのラッチされた読出しアドレスＳｂと読出し禁止アドレス登録メモリ１５０からの読出し禁止アドレスＳｄとを入力して両者を比較し、データ入出力回路１４０に対する制御信号Ｓｅとして、両者が一致するときは禁止の制御信号Ｓｅを出力する一方、両者が不一致のときは許可の制御信号Ｓｅを出力するように構成されている。データ入出力回路１４０は、不揮発性メモリ１３０から読み出されたデータをラッチし、読出し禁止制御回路１６０からの制御信号Ｓｅが許可を示しているときはラッチしたデータを出力し、制御信号Ｓｅが禁止を示しているときはデータの出力を禁止するように構成されている。なお、データ入出力回路１４０から出力されたデータはデータ入出力端子１４５を介して外部へ出力される。
【００２５】
次に、以上のように構成された実施の形態１の不揮発性半導体記憶装置の動作を図２に基づいて説明する。図２は動作を示すタイミングチャートである。
【００２６】
タイミングＴ１において、読出しアドレスＳａがアドレスラッチ１１０に入力され、ラッチされる。アドレスラッチ１１０によってラッチされた読出しアドレスＳｂはアドレスデコーダ１２０に出力されるとともに、読出し禁止制御回路１６０にも出力される。
【００２７】
タイミングＴ２において、ラッチされた読出しアドレスＳｂが読出し禁止制御回路１６０に取り込まれる。タイミングＴ３において、読出し禁止アドレス登録メモリ１５０に格納されている読出し禁止アドレスＳｄが読出し禁止制御回路１６０に取り込まれる。
【００２８】
次いで、読出し禁止制御回路１６０において、ラッチされた読出しアドレスＳｂと読出し禁止アドレスＳｄとの比較を行い、タイミングＴ４において、その比較結果を制御信号Ｓｅとしてデータ入出力回路１４０に出力する。
【００２９】
この間、アドレスデコーダ１２０はラッチされた読出しアドレスＳｂをデコードし、不揮発性メモリ１３０において対応するアドレスを指定する。不揮発性メモリ１３０において、指定されたアドレスのデータが読み出され、データ入出力回路１４０においてラッチされる。
【００３０】
読出し禁止制御回路１６０において読出しアドレスＳｂが読出し禁止アドレスＳｄと異なるときは、制御信号Ｓｅとして許可を示す“Ｌ”レベルが出力され、その結果、タイミングＴ５において、データ入出力回路１４０からのデータ出力が許容される。一方、読出しアドレスＳｂが読出し禁止アドレスＳｄと一致するときは、制御信号Ｓｅとして禁止を示す“Ｈ”レベルが出力され、その結果、タイミングＴ５において、データ入出力回路１４０からのデータ出力は禁止される。
【００３１】
図６に示した従来技術の場合、不揮発性メモリ６３０からのデータ外部読み出しを行うたびに、使用者は外部から保護コード（パスワード）を入力しなければならなかったのに対して、本実施の形態においては、そのようないちいちの保護コード入力は必要でない。本実施の形態の場合には、読出し禁止アドレス登録メモリ１５０に対して一度だけ読出し禁止アドレスＳｄを登録しておきさえすれば、それ以降、不揮発性メモリ１３０からのデータ外部読み出しに際しては、パスワード入力は必要ではない。したがって、操作性が改善されている。
【００３２】
読出し禁止アドレス登録メモリ１５０に読出し禁止アドレスＳｄを登録するに当たっては、アドレス入力イネーブル信号Ｓｃを読出し禁止アドレス登録メモリ１５０に与える必要があるが、それには特別の操作を要する。また、登録すべき読出し禁止アドレスＳｄは、不揮発性メモリ１３０のアドレス空間におけるアドレス範囲内のものである必要があるが、そのことを知っていることが必要である。
【００３３】
これらのことを知らない第三者は、不揮発性メモリ１３０からデータ外部読み出しを行おうとしたときに、パスワード（保護コード）の入力要求がないので、不正読み出しが可能かと思い、読み出し操作を行うと、データ外部読み出しができないことに遭遇することになる。もし、従来方式のようにパスワードを入力するのであれば、登録されている正規のパスワードに一致するまで試行錯誤的に何らかのパスワードを入力することを繰り返せば、防壁を破ることができるかも知れない。しかしながら、本実施の形態はそのようなパスワード入力方式ではないため、不正アクセスを行おうとする第三者の意図を挫くことができる。パスワード入力とは別の何らかの鍵手段があることは予想できても、それが読出し禁止アドレスであることには、なかなか思い至らないはずである。したがって、第三者による不正アクセスを大幅に抑制することができ、不揮発性メモリ１３０に格納されているデータのセキュリティ性を著しく向上させることができる。
【００３４】
一方、正規の使用者であって、不揮発性メモリ１３０のデータ外部読み出しを行おうとする者は、読出し禁止アドレス登録メモリ１５０において読出し禁止アドレスＳｄの登録を行わないことにより、あるいは、不揮発性メモリ１３０のアドレス空間におけるアドレス範囲内でのアドレスとは別のアドレス登録を行うことにより、入力されラッチされる読出しアドレスＳｂとの一致を避け、常に不一致となるように設定しておくことにより、自由にデータ外部読み出しを継続して行うことができる。
【００３５】
なお、上記の読出し禁止アドレスＳｄの登録は、不揮発性メモリ毎に個別に行うことができる。
【００３６】
（実施の形態２）
図３は本発明の実施の形態２における不揮発性半導体記憶装置の構成を示すブロック図である。図３において、実施の形態１の図１におけるのと同じ符号は同一構成要素を指しているので、詳しい説明は省略する。本実施の形態に特有の構成要素として、１７０は読出し禁止状態格納不揮発性メモリ回路である。この読出し禁止状態格納不揮発性メモリ回路１７０は、読出し禁止制御回路１６０とデータ入出力回路１４０との間に介在され、読出し禁止制御回路１６０からの制御信号Ｓｅが許可を示す“Ｌ”レベルから禁止を示す“Ｈ”レベルに切り換わったときに、読出し禁止状態を記憶し、データ入出力回路１４０に対して禁止を示す“Ｈ”レベルの制御信号Ｓｅ′を出力し続けるように構成されている。この読出し禁止状態格納不揮発性メモリ回路１７０における読出し禁止状態の記憶は、当該の不揮発性半導体記憶装置の電源をオフした後にも保持されている。
【００３７】
第三者が不正アクセスして、一旦、読出し禁止制御回路１６０が禁止を示す“Ｈ”レベルの制御信号Ｓｅを出力したときは、読出し禁止状態格納不揮発性メモリ回路１７０において読出し禁止状態が保持される。制御信号Ｓｅが禁止を示す“Ｈ”レベルのときは、実施の形態１で説明したように、不揮発性メモリ１３０からのデータ外部読み出しは不可能となる。しかし、実施の形態１の場合、読出し禁止アドレス登録メモリ１５０での設定を正規の読出し禁止アドレスＳｄ以外とすれば、セキュリティが破られる可能性が残っている。これに対して、本実施の形態の場合には、一度でも制御信号Ｓｅが禁止を示す“Ｈ”レベルになったときは、それ以降は、読出し禁止アドレス登録メモリ１５０の状態とは無関係に、読出し禁止状態格納不揮発性メモリ回路１７０から禁止を示す“Ｈ”レベルの制御信号Ｓｅ′がデータ入出力回路１４０に与えられる。したがって、第三者が読出し禁止アドレス登録メモリ１５０でのセキュリティを破っても、読出し禁止状態格納不揮発性メモリ回路１７０でのセキュリティが残り、不揮発性メモリ１３０からの不正なデータ外部読み出しは禁止される。この禁止作用は、不揮発性半導体記憶装置の電源を切っても維持される。すなわち、本実施の形態によれば、実施の形態１よりも高いセキュリティ性をもつことができる。
【００３８】
その他の構成および動作については、実施の形態１の場合と同様であるので説明を省略する。
【００３９】
（実施の形態３）
図４は本発明の実施の形態３における不揮発性半導体記憶装置の構成を示すブロック図である。図４において、実施の形態１の図１におけるのと同じ符号は同一構成要素を指しているので、詳しい説明は省略する。本実施の形態に特有の構成要素として、１８０は擬似データ出力回路である。この擬似データ出力回路１８０は、読出し禁止制御回路１６０とデータ入出力回路１４０との間に介在され、読出し禁止制御回路１６０からの制御信号Ｓｅが許可を示す“Ｌ”レベルから禁止を示す“Ｈ”レベルに切り換わったときにアクティブにされ、データ入出力端子１４５へ擬似データとしてランダムデータＤｒｍを出力するように構成されている。すなわち、データ入出力回路１４０がラッチした不揮発性メモリ１３０からの読み出しデータの出力に代わって、ランダムデータＤｒｍをデータ入出力端子１４５に出力する。
【００４０】
第三者が不正アクセスを行って読出し禁止制御回路１６０から禁止を示す“Ｈ”レベルの制御信号Ｓｅが出力されたとき、実施の形態１の場合と同様に、不揮発性メモリ１３０から読み出され、データ入出力回路１４０でラッチされた読み出しデータは、データ入出力回路１４０からの出力が禁止される。同時に、禁止を示す“Ｈ”レベルの制御信号Ｓｅが擬似データ出力回路１８０をアクティブにし、擬似データ出力回路１８０はデータ入出力端子１４５へランダムデータＤｒｍを出力する。この場合、データ入出力端子１４５から出力されるデータが不揮発性メモリ１３０からの読み出しデータとは全く異なるランダムデータＤｒｍであるにもかかわらず、第三者は、これを正規のデータであると認識する。しかし、実体はランダムデータＤｒｍであり、偽データであるので、実質上の被害はない。不正アクセスした第三者は偽データを正規のデータであると認識している。不正使用者は、実質上のデータ出力禁止状態であるとは分からない。実施の形態１の場合には、全面的なデータ出力禁止であるので、場合によっては、第三者は別の手立てで、さらにセキュリティを破ろうとする可能性がある。本実施の形態では、不正使用者を欺くことができ、より高いセキュリティをもたせることができる。
【００４１】
その他の構成および動作については、実施の形態１の場合と同様であるので説明を省略する。
【００４２】
（実施の形態４）
図５は本発明の実施の形態４における不揮発性半導体記憶装置の構成を示すブロック図である。図５において、実施の形態１の図１におけるのと同じ符号は同一構成要素を指しているので、詳しい説明は省略する。本実施の形態に特有の構成要素として、１５５は読出し禁止アドレス・読出し禁止解除アドレス登録メモリ、１９０は読出し禁止解除制御回路である。
【００４３】
読出し禁止アドレス・読出し禁止解除アドレス登録メモリ１５５は、実施の形態１における読出し禁止アドレス登録メモリ１５０に、次の機能を付加したものに相当している。それは、読出し禁止を解除するためのアドレスすなわち読出し禁止解除アドレスＳｄ′を記憶するという機能である。読出し禁止アドレス・読出し禁止解除アドレス登録メモリ１５５は、不揮発性メモリで構成され、アドレス入力イネーブル信号Ｓｃがアクティブにされたときに、読出し禁止アドレスＳｄまたは読出し禁止解除アドレスＳｄ′の格納が行われる。
【００４４】
読出し禁止解除制御回路１９０は、アドレスラッチ１１０からのラッチされた読出しアドレスＳｂと読出し禁止アドレス・読出し禁止解除アドレス登録メモリ１５５からの読出し禁止解除アドレスＳｄ′とを入力して両者を比較し、読出し禁止制御回路１６０に対する制御信号Ｓｆとして、両者が一致するときは禁止解除の制御信号Ｓｆを出力する一方、両者が不一致のときは禁止継続の制御信号Ｓｆを出力するように構成されている。
【００４５】
読出し禁止制御回路１６０は、実施の形態１の場合と同様に、アドレスラッチ１１０からのラッチされた読出しアドレスＳｂと読出し禁止アドレス・読出し禁止解除アドレス登録メモリ１５５からの読出し禁止アドレスＳｄとを入力して両者を比較し、データ入出力回路１４０に対する制御信号Ｓｅとして、両者が一致するときは禁止の制御信号Ｓｅを出力する一方、両者が不一致のときは許可の制御信号Ｓｅを出力するように構成されている。併せて、読出し禁止制御回路１６０は、禁止を示す制御信号Ｓｅをデータ入出力回路１４０に出力している状態で、読出し禁止解除制御回路１９０から禁止継続の制御信号Ｓｆを入力するときは、データ入出力回路１４０に対して引き続き禁止を示す制御信号Ｓｅを出力し、逆に、読出し禁止解除制御回路１９０から禁止解除の制御信号Ｓｆを入力するときは、データ入出力回路１４０に対して、禁止を示す制御信号Ｓｅに代えて許可を示す制御信号Ｓｅを出力する状態に切り換える。
【００４６】
以上により、不揮発性メモリ１３０からのデータ外部読み出しが一度禁止がされた場合でも、読出し禁止解除アドレスＳｄ′が設定された場合には、不揮発性メモリ１３０からの再度のデータ外部読み出しが可能となる。
【００４７】
その他の構成および動作については、実施の形態１の場合と同様であるので説明を省略する。
【００４８】
なお、以上で４つの実施の形態について説明してきたが、実施の形態２と実施の形態３との組み合わせ、実施の形態２と実施の形態４との組み合わせ、実施の形態３と実施の形態４との組み合わせ、実施の形態２と実施の形態３と実施の形態４との組み合わせも、本発明は有効な実施の形態として含むものである。
【００４９】
【発明の効果】
以上のように本発明によれば、パスワード入力方式ではなく、セキュリティを破る鍵手段も分かりにくいものにしているいことから、不正アクセスを行おうとする第三者の意図を挫き、不正アクセスを諦念させる効果が大きく、不揮発性メモリに格納されているデータに対するセキュリティ性の向上を図ることができる。
【００５０】
また、不正アクセスが一度でもあると、それ以降のデータ外部読み出しは、原則すべて禁止することにより、セキュリティ性をさらに向上させることができる。
【００５１】
また、不正アクセス時に不揮発性メモリの正規のデータとは別の擬似データを外部出力させることにより、不正使用者を欺くことができ、より高レベルのセキュリティをもたせることができる。
【００５２】
また、データ外部読み出しが一度禁止がされた場合でも、正規の使用者は解除を行ってデータ外部読み出しすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態１における不揮発性半導体記憶装置の構成を示すブロック図
【図２】実施の形態１の不揮発性半導体メモリ装置の動作を示すフローチャート
【図３】本発明の実施の形態２における不揮発性半導体記憶装置の構成を示すブロック図
【図４】本発明の実施の形態３における不揮発性半導体記憶装置の構成を示すブロック図
【図５】本発明の実施の形態４における不揮発性半導体記憶装置の構成を示すブロック図
【図６】従来技術における不揮発性半導体記憶装置の構成を示すブロック図
【符号の説明】
１１０　アドレスラッチ
１２０　アドレスデコーダ
１３０　不揮発性メモリ
１４０　データ入出力回路
１４５　データ入出力端子
１５０　読出し禁止アドレス登録メモリ
１５５　読出し禁止アドレス・読出し禁止解除アドレス登録メモリ
１６０　読出し禁止制御回路
１７０　読出し禁止状態格納不揮発性メモリ回路
１８０　擬似データ出力回路
１９０　読出し禁止解除制御回路
Ｓａ　入力された読出しアドレス
Ｓｂ　ラッチされた読出しアドレス
Ｓｃ　アドレス入力イネーブル信号
Ｓｄ　読出し禁止アドレス
Ｓｅ　制御信号
Ｄｒｍ　ランダムデータ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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