(57)【要約】【課題】フード装置による電子源基板の製造において、プロセス終了後、基板ステージからの基板剥離を容易かつ安全に行い、製造の歩留まりを向上させる。【解決手段】フード装置で、基板を保持する手段（真空吸着など）を容器に設ける。基板を載せている支持体から基板を剥離するために、容器のこの吸着保持手段を用いて行う。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電体が形成された基板を支持する支持体と、気体の導入口及び気体の排気口を有し、前記基板面の一部の領域を覆い、かつ、前記基板の吸着保持可能な容器と、気体の導入口に接続された、前記容器内に気体を導入する手段と、前記気体の排気口に接続された、前記容器内を排気する手段と、前記導電体に電圧を印加する手段と、を備えることを特徴とする電子源の製造装置。
【請求項２】
前記容器が、容器で覆われた基板面領域の１部分を真空排気する手段を有することを特徴とする請求項１記載の電子源の製造装置。
【請求項３】
真空排気する領域は、連続した１領域であることを特徴とする請求項２記載の電子源の製造装置。
【請求項４】
真空排気する領域は、容器で覆われた基板面領域のうち、１つの閉曲線で囲まれた領域以外の領域であることを特徴とする請求項３記載の電子源の製造装置。
【請求項５】
支持体に基板を固定する手段を有することを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項に記載の電子源の製造装置。
【請求項６】
支持体に基板を固定する手段が静電チャックであることを特徴とする請求項１ないし５のいずれか１項に記載の電子源の製造装置。
【請求項７】
支持体と基板間にシール材を設け、前記シール材の内側に気体を導入する手段を有することを特徴とする請求項１ないし６のいずれか１項に記載の電子源の製造装置。
【請求項８】
前記支持体と基板間のシール材と基板を介して対向する位置に、前記容器による支持体の吸着保持手段が配置されていることを特徴とする請求項１ないし７のいずれか１項に記載の電子源の製造装置。
【請求項９】
複数の電子放出素子からなる電子源の製造方法であって、第１の主面と該第１の主面に対向する第２の主面とを有し、前記第１の主面上には、一対の電極と該一対の電極間に配置された導電性膜とを備える複数のユニットと、該複数のユニットを接続する配線とが配置されている基板を支持体上に固定する工程と、
前記基板の第１の主面の一部を容器で覆うことで、前記基板の第１の主面と前記容器とで形成された空間内に前記複数のユニットを配置し、前記空間外に前記配線の一部分を配置する工程と、
前記空間内を所望の雰囲気とした状態で、前記空間外の配線の一部分を通じて前記複数のユニットに電圧を印加する工程と、前記基板の第１の主面の一部を容器によって吸着保持して、前記基板を支持体から剥離する工程を有することを特徴とする電子源の製造方法。
【請求項１０】
前記空間内を所望の雰囲気とする工程は、当該空間内を排気する工程を含むことを特徴とする請求項９に記載の電子源の製造方法。
【請求項１１】
前記空間内を所望の雰囲気とする工程は、前記空間内に気体を導入する工程を含むことを特徴とする請求項９又は１０に記載の電子源の製造方法。
【請求項１２】
前記支持体上に前記基板を固定する工程は、更に前記基板と前記支持体とを真空吸着させる工程を含むことを特徴とする請求項９ないし１１のいずれか１項に記載の電子源の製造方法。
【請求項１３】
前記支持体上に前記基板を固定する工程は、更に前記基板と前記支持体とを静電吸着させる工程を含むことを特徴とする請求項９ないし１２のいずれか１項に記載の電子源の製造方法。
【請求項１４】
前記基板の第１の主面の一部を容器によって吸着保持して、前記基板を支持体から剥離する工程は、前記支持体上に前記基板を固定するための力を除去した後に行うことを特徴とする請求項９ないし１３のいずれか１項に記載の電子源の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電子源の製造装置及び製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
自発光型画像表示装置として、プラズマディスプレイ、ＥＬ表示装置、電子線を用いた画像表示装置等が知られている。近時においては画像表示装置の大画面化、高精細化の要求が増大し、ますます自発光型画像表示装置のニーズが高まりつつある。
【０００３】
例えば、電子線を用いた自発光型画像表示装置として、フェースプレートとリアプレート、及び外枠に挟まれた真空維持が可能な外囲器内に電子ビームを発生する電子源を用いた画像表示装置であって、電子源として表面伝導型電子放出素子をマトリクス上に配設し、この電子源から放射される電子ビームを加速して、フェースプレートに設けられた蛍光体に照射して発光させることにより画像を表示させる薄型の画像表示装置が本出願人より出願されている（例えば、特許文献１、特許文献２、特許文献３、特許文献４、特許文献５、特許文献６参照）。
【０００４】
表面伝導型電子放出素子は、基板上に、対向する一対の電極と、該一対の電極に接続されその一部に間隙を有する導電性膜とを有してなることを特徴とするものである。また、前記間隙には、炭素又は炭素化合物の少なくとも一方を主成分とするカーボン膜が配置される。
【０００５】
このような電子放出素子を基板上に複数個配置し、各電子放出素子を配線で結ぶことにより、複数個の表面伝導型電子放出素子を備える電子源を作製することができる。また、前記電子源と蛍光体とを組み合わせることにより、画像表示装置を形成することができる。
【０００６】
従来、このような電子源及び画像表示装置の製造は、以下のように行われていた。まず、導電性膜及び該導電性膜に接続された一対の電極からなるユニットを複数と、該複数のユニットのそれぞれ構成する電極に接続した配線とを基板上に作製する。
【０００７】
次に、真空装置を用いて基板を真空排気された雰囲気下で、外部端子を通じて前記各ユニットに電圧を印加し、各ユニットを構成する導電性膜に間隙を形成する（フォーミング工程）。
【０００８】
更に、炭素化合物の気体を導入し、その雰囲気下で前記各ユニットに再び外部端子を通じて電圧を印加する。この電圧印加により、前記間隙近傍に炭素或いは炭素化合物の少なくとも一方を主成分とするカーボン膜を配置させる（活性化工程）。その結果、各々のユニットを電子放出素子にせしめ、複数の電子放出素子からなる電子源を作成する。その後、電子源が形成された基板と、蛍光体が配置された基板とを数ミリメータの間隔を置いて接合して画像表示装置のパネルを作製する。
【０００９】
より具体的には、フォーミング工程及び活性化工程とそれらを行うための製造装置として、特許文献７に開示されている方法と装置が挙げられる、これを以下に説明する。
【００１０】
図１は、支持体と容器からなる電子源製造装置を示す図である。容器には、容器内部を排気するための排気装置と有機物質をガスとして容器内部に導入するためのガス導入装置が接続されている。一方、支持体は、静電力で基板を吸着させるために、その内部に静電チャックを有する。
【００１１】
静電チャックを有する支持体上に基板を配置し、基板上のユニットを含む１部の領域を排気するための容器で基板面上を覆う。これにより、基板上の各ユニットを有する領域面を真空に排気したり、有機物質が、所望の圧力、分圧となる雰囲気に暴露させる事ができる。さらに、各ユニットに接続されるように形成された夫々の配線の一部が露出されるため、信号発生器（電源）１１７から所望の電気信号（電位）を、各ユニットを構成する一対の電極に接続手段１１６を介して供給する。
【００１２】
活性化工程終了後、基板面から容器を取り除き、さらに支持体上から基板を剥離して得られた基板１０１は電子源基板となる。
【００１３】
次に、蛍光体を内側に有するフェースプレートと、ガラス管からなる排気管及びＢａを主成分とするゲッタを備えた支持枠を、フリットガラスを挟み、合い対向して仮固定し、不活性ガス雰囲気の加熱炉内で焼成し、真空気密である外囲器を作製する。
【００１４】
次に、真空排気装置に排気管を接続し、外囲器内部を真空排気する。その後、排気管をバーナ等でチップオフし、更に、高周波加熱によってゲッタをフラッシュさせ、Ｂａ膜を形成し、チップオフ後の外囲器内の真空を維持する。この様にして、外囲器からなる画像表示装置を作製する。
【００１５】
【特許文献１】
特開平７−２３５２５５号公報
【特許文献２】
特開平１１−３１２４６１号公報
【特許文献３】
特開平８−１７１８４９号公報
【特許文献４】
特開２０００−３１１５９４号公報
【特許文献５】
特開平１１−１９５３７４号公報
【特許文献６】
ＥＰ−Ａ−０９０８９１６号公報
【特許文献７】
特開２００１−３２５８８０号公報
【００１６】
【発明が解決しようとする課題】
前述したフォーミング工程、及び、活性化工程においては、配線を流れる電流によって、基板７１の表面上ではジュール熱が発生し、基板表面が加熱される。そのため、フォーミング工程や活性化工程を行う前記ユニットの数が増加すると、基板の温度の上昇度合いが増して基板が変形する場合がある。そこで、静電力を用いて、基板が変形しないように支持体上に吸着させたうえに、生じた熱を支持体に伝導させて、基板の温度上昇を抑制させることが行われている。
【００１７】
特に、支持体と基板裏面の間の熱伝導性を向上させるために、Ｈｅ等のガスを充填させることが必要とされ、基板外周部に沿った形状でシール材（例えば、Ｏリングなど）を配置して、この雰囲気を維持することが行われえる。
【００１８】
この支持体の作用によって基板の変形が抑えられるため、電圧印加手段と、各ユニットに接続する配線との電気的接続が安定に行われ、更には、基板表面内での温度差が大きくなると基板が破損することもない。
【００１９】
しかしながら、支持体が基板を吸着する力は、基板面積に比例するために、静電チャックの面積が大きい場合、残留吸着力も大きくなる。
【００２０】
また、前述したように、基板裏面と支持体の間にシール材が存在する場合、活性化工程での基板の発熱による温度上昇と支持体が基板を吸着する力が大きいため、活性化工程終了も、シール材が接着層のようになって基板を支持体上に貼り付けてしまう。
【００２１】
従って、活性化工程後に支持体から基板を剥離するのにかなりの時間と力を必要とし、また、支持体から基板を剥離するために基板に局所的な力を加える場合があり、基板が破損するという問題もあった。
【００２２】
本発明は、以上の点に着目して成されたもので、フード装置による電子源基板の製造において、プロセス終了後、基板ステージからの基板剥離を容易かつ安全に行い、製造の歩留まりを向上させる電子源の製造装置および製造方法を提供することを目的とする。
【００２３】
【課題を解決するための手段】
本発明の電子源製造装置は、導電体が形成された基板を支持する支持体と、気体の導入口及び気体の排気口を有し、前記基板面の一部の領域を覆い、かつ、前記基板の吸着保持可能な容器と、気体の導入口に接続された、前記容器内に気体を導入する手段と、前記気体の排気口に接続された、前記容器内を排気する手段と、前記導電体に電圧を印加する手段とを備えた点に特徴を有する。
【００２４】
また、本発明の電子源の製造方法は、複数の電子放出素子からなる電子源の製造方法であって、
第１の主面と該第１の主面に対向する第２の主面とを有し、前記第１の主面上には、一対の電極と該一対の電極間に配置された導電性膜とを備える複数のユニットと、該複数のユニットを接続する配線とが配置されている基板を支持体上に固定する工程と、
前記基板の第１の主面の一部を容器で覆うことで、前記基板の第１の主面と前記容器とで形成された空間内に前記複数のユニットを配置し、前記空間外に前記配線の一部分を配置する工程と、
前記空間内を所望の雰囲気とした状態で、前記空間外の配線の一部分を通じて前記複数のユニットに電圧を印加する工程と、前記基板の第１の主面の一部を容器によって吸着保持して、前記基板を支持体から剥離する工程を有することを特徴とする。
【００２５】
本発明によれば、基板の第１の主面の一部を容器で覆うようにすることによって、電気的処理（フォーミングや活性化）における電源と配線との電気的接続を大気中で容易に行うことができる。また、前記容器の大きさや形状等の設計の自由度が増すので、容器内への気体の導入、容器外への気体の排出を短時間で行うことができ、製造スピードが向上する他、製造される電子源の電子放出特性の再現性、均一性を向上することができる。その結果、前記電子源を用いた画像表示装置においても、均一性の高い優れた表示画像を得ることができる。
【００２６】
また、本発明によれば、フォーミング工程及び活性化工程で、配線に流れる電流によって、基板表面上で発生するジュール熱を効率良く制御できる。したがって、処理が実施される前記ユニットの数が多くなっても、前記基板の温度上昇及び温度分布が抑えられて、熱による基板変形を減少でき、良好に電気信号の接続ができ、基板の破損を防止することができる。これにより、不良品の発生が減少し、歩留まりが向上し、安全に工程を流すことができる。また、基板サイズが大きくなっても、各々の固定手段（静電チャック）毎に、独立した温度制御を行うようにすることによって、被処理基板の温度を所望の温度に制御できる。これにより、基板上で均一性高く温度制御ができるため、表面伝導型電子放出素子を均一性高く形成することができる。その結果、電子源及び画像表示装置の性能を向上させることができる。
【００２７】
本発明では、活性化工程の終了後、支持体上に吸着された基板を支持体から剥離する際に、フォーミング、活性化工程で使用した容器で基板を吸着させることを特徴とする。
【００２８】
容器による基板吸着の手段としては、真空排気による吸着が挙げられる。
【００２９】
容器自身には、基板面の一部を覆い、真空排気する機能を有しているため、基板吸着に用いることも可能である。ただし、基板のサイズが大きくなると、吸着面積も増えるため、吸着面の裏面からの大気圧による多大な応力によって基板が破損してしまう。
【００３０】
本発明では、容器によって基板を真空吸着する領域を限定することによって大面積の基板であっても破損させること無く基板を支持体から剥離することが可能となった。
【００３１】
特に、本発明の製造装置の場合、前述した支持体と基板裏面間のシール材による接着力に抗して、基板を支持体から剥離するために、基板を介してシール材の位置と対向する位置のみで真空吸着を行うことにより、効率的、しかも安全に基板を支持体から剥離することが可能となる。
【００３２】
なお、さらに詳細に説明すれば、本発明は下記の構成によって前記課題を解決できた。
【００３３】
（１）導電体が形成された基板を支持する支持体と、気体の導入口及び気体の排気口を有し、前記基板面の一部の領域を覆い、かつ、前記基板の吸着保持可能な容器と、気体の導入口に接続された、前記容器内に気体を導入する手段と、前記気体の排気口に接続された、前記容器内を排気する手段と、前記導電体に電圧を印加する手段と、を備えることを特徴とする電子源の製造装置。
【００３４】
（２）前記容器が、容器で覆われた基板面領域の１部分を真空排気する手段を有することを特徴とする前記（１）記載の電子源の製造装置。
【００３５】
（３）真空排気する領域は、連続した１領域であることを特徴とする前記（２）記載の電子源の製造装置。
【００３６】
（４）真空排気する領域は、容器で覆われた基板面領域のうち、１つの閉曲線で囲まれた領域以外の領域であることを特徴とする前記（３）記載の電子源の製造装置。
【００３７】
（５）支持体に基板を固定する手段を有することを特徴とする前記（１）ないし（４）のいずれか１項に記載の電子源の製造装置。
【００３８】
（６）支持体に基板を固定する手段が静電チャックであることを特徴とする前記（１）ないし（５）のいずれか１項に記載の電子源の製造装置。
【００３９】
（７）支持体と基板間にシール材を設け、前記シール材の内側に気体を導入する手段を有することを特徴とする前記（１）ないし（６）のいずれか１項に記載の電子源の製造装置。
【００４０】
（８）前記支持体と基板間のシール材と基板を介して対向する位置に、前記容器による支持体の吸着保持手段が配置されていることを特徴とする前記（１）ないし（７）のいずれか１項に記載の電子源の製造装置。
【００４１】
（９）複数の電子放出素子からなる電子源の製造方法であって、第１の主面と該第１の主面に対向する第２の主面とを有し、前記第１の主面上には、一対の電極と該一対の電極間に配置された導電性膜とを備える複数のユニットと、該複数のユニットを接続する配線とが配置されている基板を支持体上に固定する工程と、前記基板の第１の主面の一部を容器で覆うことで、前記基板の第１の主面と前記容器とで形成された空間内に前記複数のユニットを配置し、前記空間外に前記配線の一部分を配置する工程と、前記空間内を所望の雰囲気とした状態で、前記空間外の配線の一部分を通じて前記複数のユニットに電圧を印加する工程と、前記基板の第１の主面の一部を容器によって吸着保持して、前記基板を支持体から剥離する工程を有することを特徴とする電子源の製造方法。
【００４２】
（１０）前記空間内を所望の雰囲気とする工程は、当該空間内を排気する工程を含むことを特徴とする前記（９）に記載の電子源の製造方法。
【００４３】
（１１）前記空間内を所望の雰囲気とする工程は、前記空間内に気体を導入する工程を含むことを特徴とする前記（９）又は（１０）に記載の電子源の製造方法。
【００４４】
（１２）前記支持体上に前記基板を固定する工程は、更に前記基板と前記支持体とを真空吸着させる工程を含むことを特徴とする前記（９）ないし（１１）のいずれか１項に記載の電子源の製造方法。
【００４５】
（１３）前記支持体上に前記基板を固定する工程は、更に前記基板と前記支持体とを静電吸着させる工程を含むことを特徴とする前記（９）ないし（１２）のいずれか１項に記載の電子源の製造方法。
【００４６】
（１４）前記基板の第１の主面の一部を容器によって吸着保持して、前記基板を支持体から剥離する工程は、前記支持体上に前記基板を固定するための力を除去した後に行うことを特徴とする前記（９）ないし（１３）のいずれか１項に記載の電子源の製造方法。
【００４７】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照しながら、本発明の実施の形態について詳細に説明する。
【００４８】
図１は、本発明に係る電子源の製造装置の一例を示す模式図である。同図において、１０１は素子形成基板（或いは、単に“基板”という）である。１０２は容器である。１０３、１２１はＯリング等の密閉部材であり、容器１０２と基板１０１とを気密に接合するための部材である。
【００４９】
１０４は容器１０２内に導入するための物質であり、本装置を活性化工程において使用する場合には、炭素化合物が用いられる。一方、本装置をフォーミング工程において使用する場合には、必ずしも物質１０４は用いなくてもよいが、好ましくは後述する基板１０１のユニットを構成する導電性膜に対して還元性を有する物質が用いられる。当該ユニットを構成する導電性膜として、例えばＰｄＯ等の酸化物を用いる場合には、還元性を有する物質として水素が好ましく用いられる。
【００５０】
１０５は真空計である電離真空計である。１０６は真空排気系である。１０７は複数の固定部材（以下、“静電チャック”と呼ぶ）である。１０８は静電チャック１０７に埋め込まれた導電性部材（電極）である。１０９は静電チャック１０７の表面に刻まれた溝である。この溝１０９は、必ずしも必要とはしないが、１つの静電チャック１０７の大きさが大きい場合や、詳しくは後述するが、気体を熱伝導体として静電チャック１０７表面と基板１０１との間に用いる場合等には好ましく用いられる。
【００５１】
１１０は電極１０８に直流高電圧を印加するための電源である。１１１は加熱ユニットである。１１２は冷却ユニットである。１１３は加熱ユニット１１１及び冷却ユニット１１２を搭載した温度制御手段である。温度制御手段１１３は本例では必ずしも必要としないが、基板１０１が大きい場合には好ましく用いられる。また、ここで説明する例においては、温度制御手段１１３は単一のものからなるが、温度制御手段が複数の温度制御手段から構成される場合がある。温度制御手段が複数の温度制御手段から構成される場合には、温度制御手段と静電チャック１０７の数を同じにし、１つの温度制御手段と１つの静電チャックとで単位ユニットを構成することが好ましい。
【００５２】
１１４は支持体であり、ここでは、温度制御手段１１３と、この温度制御手段１１３上に複数搭載された静電チャック１０７を有する例を示している。１１５は吸着用排気系である。１１６は接続手段（端子）である。１１７は信号発生器である。Ｖ１〜Ｖ４はバルブである。なお、容器１０２は、支持体１１４に対して上下方向に移動可能とされている。
【００５３】
以上の構成において、基板１０１は、第１の主面と第２の主面を有する基板からなる。基板１０１は、主にガラス基板で構成され、その第２の主面には、静電チャック１０７による静電力を形成するために、電極として導電体が形成されている。基板１０１の第２の主面に配置される導電体は、好ましくは膜状に配置される。この導電体の材質としては、金属、半導体、金属酸化物等が使用できる。そして導電体の抵抗率は、１×１０９［Ωｃｍ］以下であることが好ましい。更に、この基板１０１の第１の主面には、一対の電極と該電極間を接続する導電性膜からなるユニットの複数と、該ユニットの各々と接続された複数の配線とが形成されている。
【００５４】
温度制御手段１１３の一態様として、ここでは、温度制御のための加熱ユニット１１１と冷却ユニット１１２とが内包された例を示した。なお、この加熱ユニット１１１として、電気ヒータが最も使いやすいが、高温媒体を導入しても良く、加熱できればその手段には限定されない。また、冷却ユニット１１２として、水を冷媒として使うのが良好であるが、ペルチェ素子による冷却も可能であり、冷却できればその手段には限定されない。また、高温媒体と冷媒を同一にし、加熱と冷却を単一の手段で行っても良い。更に、加熱ユニット１１１及び冷却ユニット１１２はパソコン等のコントローラ（不図示）によって制御することができ、これにより温度制御手段１１３の温度を所望の値に制御できる。
【００５５】
ここで説明する装置の例では、温度制御手段１１３には複数の静電チャック１０７が搭載されている。一般に、ガラス基板の表面に薄膜を形成すると、残留応力や熱膨張率の違いによって、材質やプロセス条件によって支配される特有の「反り」が発生する。また、ガラス基板等には、作成した時点で「うねり」（短い周期の波状の表面）等も存在する場合が多い。このように素子形成基板１０１に「反り」や「うねり」があると、静電チャック１０７による静電吸着力が減少し、基板１０１の反りが大きすぎると吸着できない。この反りは、素子形成基板１０１の面積が大きくなるほど大きくなる。そこで、複数の静電チャック１０７を用いて、素子形成基板１０１と各々の静電チャック１０７表面の間隔が開いてしまわないようにしている。
【００５６】
更に、素子形成基板１０１と静電チャック１０７間の熱的な接触を向上させるために、静電チャック１０７表面に溝１０９を設け、当該溝（素子形成基板１０１と静電チャック１０７の間）に気体（ガス２）を導入することが有効である。素子形成基板１０１と静電チャック１０７は微視的に見ると点接触であり、気体が存在せず、温度が２００℃以下の場合には、点接触の部位を通しての熱伝導しか熱的な接触がなく熱が移動し難い。
【００５７】
これに対して、前述のように、素子形成基板１０１と静電チャック１０７間にガス２を導入することで対流による熱的な接触も加わるため、熱的な接触が向上する。ガス２の圧力は、実験の結果５００Ｐａ以上であれば十分効果があることが確認できた。なお、気密を保持するため、静電チャック１０７と素子形成基板１０１の間にＯリング１２０などの気密部材（シール部材）を入れても良い。また、ガス２の種類は特に限定されるものではないが、熱伝導率が大きく、安全で、環境に影響が少なく、取り扱いやすいガスが好適であり、特にヘリウム（Ｈｅ）がこの条件に適合する。
【００５８】
ガス２は、図１、２において、静電チャック１０７にガス導入路を設けて導入したが、静電チャック１０７表面に形成した溝１０９を通して導入しても良い。その場合には、静電チャック１０７に穴を開ける必要がないため、全面に導電性部材（電極）を大きな面積で敷設でき、静電チャック１０７による吸着力の低減を抑制することができる。また、静電チャック１０７の製造工程も簡略化することができるため、製造コストを減少させることができる。
【００５９】
また、図１、２において、温度制御手段１１３を設ける場合には、温度制御手段１１３と静電チャック１０７の熱膨張率は同程度に設定することが好ましい。これは、温度制御手段１１３と静電チャック１０７の温度が上昇すると、熱膨張の差によって、温度制御手段１１３と静電チャック１０７内部に応力を抑制するためである。温度制御手段１１３が金属、或いは金属を含む複合材料で、静電チャック１０７がセラミックス製の場合、セラミックスの許容応力が小さいため、静電チャック１０７が破損する場合がある。なお、静電チャック１０７の大きさが、概ね０．１ｍ２程度以下で、温度制御手段１１３と静電チャック１０７の熱膨張率の差が３０％以内であれば、静電チャック１０７が破損しないことを実験で確認した。したがって、温度制御手段１１３と静電チャック１０７との熱膨張率の差を３０％以内とすることが好ましい。
【００６０】
容器１０２と、基板１０１の第１の主面とで囲まれた空間内には、前記基板１０１の各ユニットが全て配置される。しかし、前記空間の外側に露出した第１の主面上には、基板１０１上に、各ユニットに接続されるように形成された夫々の配線の一部が露出される。その露出した各々の配線の一部に、接続手段（端子）１１６を電気的に接触させる。そして、信号発生器（電源）１１７から所望の電気信号（電位）を、各ユニットを構成する一対の電極に接続手段１１６を介して供給する。この接続手段（端子）１１６としては、プローブピンによる手段、フレキシブルケーブルによる手段等があるが、電気的に接続できれば、特にその手段に限定されるものではない。
【００６１】
容器１０２の内部には、基板１０１を吸着するための手段が設けられている。
【００６２】
吸着手段としては、静電吸着、真空吸着が挙げられる。
【００６３】
静電吸着を用いる場合、容器側の装置構成が複雑になる上に、吸着の際に、誘導電流が、配線を介して活性化工程後の素子に流れる可能性があり素子を破壊する場合がある。
【００６４】
一方、真空吸着を用いる場合、基板の第１主面側を真空排気すると基板の第２主面側に大気圧が作用しているため、容器で真空排気される面積が大きい場合には基板が破壊される。
【００６５】
従って、支持体から基板を剥離し、基板を持ち上げるに最低限必要な吸着力を基板に与えることが好ましい。
【００６６】
特に、活性化工程終了後、前述したシール材によって基板の第２種主面と支持体との間に接着性が残っている場合には、その領域に対向する位置で基板の第１主面を真空吸着することが好ましい。
【００６７】
容器による真空吸着の領域は、Ｏリングなどのシール材を基板の第１主面に押し当てて形成される。
【００６８】
容器の吸着手段によって、支持体から剥離ざれた基板は、その後製造装置から搬出される。この際のシール材と基板の第１主面との接触面積が大きすぎたり、粘着性の大きいシール材を用いると、容器に基板が張り付き、基板を製造装置から回収できなくなる可能性がるため、容器の吸着手段に用いられるシール材は、基板（主に硝子）との粘着性が小さく、しかも、基板面との接触面積が小さい形状であることが好ましい。
【００６９】
たとえば、シリコーン系、などの材料で形成された、２〜３ｍｍ径のＯリングが用いられる。
【００７０】
次に、図１に示した本実施の形態の製造装置を用いて、電子源及び画像表示装置を製造する方法の一例について説明する。まず、容器１０２と支持体１１４との間隔を十分に空けた状態で、基板１０１を支持体１１４上に載せる。次に、バルブＶ３を閉じ、バルブＶ４を開け、吸着排気系１１５によって溝１０９内を１００Ｐａ以下に真空排気し、基板１０１を静電チャック１０７表面に真空吸着させる。このとき、基板１０１の第２の主面上に配置された導電体は、電気的にグランドに接地される。
【００７１】
次に、電源１１０より、１００Ｖ以上１０ｋＶ以下、好ましくは、５００Ｖ以上２ｋＶ以下の電圧をグランドと電極１０８間に供給する。これにより、電極（導電性部材）と基板１０１の第２の主面（導電体）と間に静電力を発生させ、基板１０１を支持体１１４に固定することができる。そして、バルブＶ４を閉じてバルブＶ３を開け、Ｈｅ等のガス２を供給し、溝１０９内の圧力を基板１０１が外れない圧力に保つ。
【００７２】
このとき、静電チャックを囲む支持体上にはＯリング１２０を配置した溝が形成されており、支持体と基板の第２主面との間に供給されたガスの雰囲気が外気に影響だれることなく安定に保たれる。
【００７３】
次に、容器１０２を支持体１１４に向けて移動し、気密部材であるＯリング１０３を介して基板１０１の第１の主面と容器１０２とを気密に接合させる。
【００７４】
また、容器１０２の内部は、Ｏリング１０３の内側で、これに同心状に別のＯリング１２１が設けられている。
【００７５】
このとき、容器１０２は、基板１０１の第１の主面の一部を覆っており、前記基板１０１の全てのユニットは、Ｏリング１２１の内側の容器１０２と第１の主面とで形成される空間内に閉じ込められる。
【００７６】
ただし、各ユニットに接続する配線の一部（端部）は、容器１０２と第１の主面とで形成される空間内には配置されない。即ち、前記各ユニットに接続する各々の配線の一部（端部）は、大気中に露出することになる。
【００７７】
また、Ｏリング１２１とＯリング１０３の間の空間は、主真空排気系１０６とは別の副真空排気系１２２で排気する事ができる。
【００７８】
このとき、基板第１主面側と接するＯリング１０３とＯリング１２１の間の位置に対向する第２の主面側にＯリング１２０を配置される。
【００７９】
次に、基板１０１の第１の主面及び容器１０２によってできた真空気密である空間を主真空排気系１０６により所望の雰囲気（例えば、圧力が１×１０−４Ｐａ以下）になるまで真空排気する。
【００８０】
また、副真空排気系１２２で、Ｏリング１０３とＯリング１２１の間を所望の雰囲気になるまで真空排気する。
【００８１】
また、必要に応じて、冷却ユニット１１２に冷却水を流し、及び／又は、加熱ユニット１１１によって加熱し、温度制御手段１１３によって基板１０１の温度を所望の温度に均一性高く制御する。
【００８２】
次に、フォーミング工程を行う。フォーミング工程は、接続手段（端子）１１６を、大気中に露出した前記配線の一部（端部）に電気的に接続し、信号発生器（電源）１１７よりフォーミング工程に必要な電圧を各ユニットに供給することにより行われる。これにより、各ユニットを構成する導電性膜に電流が流れ、導電性膜の一部に間隙が形成される。
【００８３】
また、このフォーミング工程において、前記各ユニットを構成する導電性膜として導電性酸化物を用いた場合には、フォーミングに必要な電力を下げるために、バルブＶ４を開け、ガス１として還元性の気体、例えば水素を含むガスを前記空間内に導入して、フォーミング工程を実施することが好ましい。
【００８４】
前述したように温度制御手段１１３を用いれば、このフォーミング時に各ユニットを接続する配線を流れる電流によって発生する熱は、効率よく静電チャック１０７を介して温度制御手段１１３によって制御されるため、基板１０１は所望の温度に均一性高く保たれ、良好なフォーミングを実施することができる。
【００８５】
そして、バルブＶ４を閉じ、素子形成基板１０１及び真空チャンバ１０２で形成された空間内を、主真空排気系１０６により圧力が１×１０−４Ｐａ以下になるまで真空排気する。
【００８６】
次に、活性化工程を行う。温度制御手段１１３を用いる場合には、活性化工程の前に、温度制御手段１１３によって基板１０１の温度を活性化に好適な温度（例えば、室温から１２０℃程度の間）に制御する。そして、バルブＶ１を開けて容器１０２と基板１０１とで形成された空間内に、炭素化合物のガスを導入する。なお、このガスの導入は、必要であれば、電離真空計１０５で圧力を測定しながら行う。導入される炭素化合物ガスの圧力は、導入する炭素化合物にもよるが、好ましくは１×１０−３〜１×１０−５Ｐａで行われる。炭素化合物としては、例えばベンゾニトリル、トリニトリル、アセトン等の有機物を用いる。
【００８７】
そして、空間内の圧力が所望の圧力になった状態で、前記フォーミング工程と同様にして、活性化工程を行う。具体的には、活性化工程は、接続手段（端子）１１６を、大気中に露出した前記配線の一部（端部）に電気的に接続し、信号発生器（電源）１１７より活性化工程に必要な電圧を各ユニットに供給することにより行われる。この活性化工程により、前記フォーミング工程によって形成した間隙内にカーボン膜が形成され、前記各ユニットが電子放出素子となる。
【００８８】
また、温度制御手段１１３を用いた場合には、この活性化工程においてもフォーミング工程と同様に、活性化工程時に配線に流れる電流によって発生する熱は、温度制御手段１１３によって制御することができる。そのため、基板１０１の第１の主面は所望の温度に均一性高く保たれ、良好な特性を有する電子放出素子を均一性高く形成することができる。
【００８９】
以上の各工程により、複数の電子放出素子と、該電子放出素子に接続された配線とを有する電子源が形成される。なお、本実施の形態では、同一の製造装置により、フォーミング工程と、活性化工程とを実施するようにしているが、本構成の装置をそれぞれの工程専用として用いても良い。
【００９０】
活性化工程の終了後、主真空排気系１０６によって有機物を充分排気した後、容器のＯリング１２１の内部と基板の第１主面で形成される空間のみ、Ｎ２ガス等の不活性ガスを大気圧まで導入する。
【００９１】
次に、電源１１０を０Ｖにして、静電チャックによる静電吸着を開放した後、適当なガスを導入して支持体と基板の第２主面間の圧力を大気圧にする。
【００９２】
これにより、容器のＯリング１０３とＯリング１２１の間の空間のみ真空排気された状態になり、基板には、この空間対応した位置で容器への吸着力がのこる。
【００９３】
この状態で、容器１０２を支持体から離す方向に移動させることにより、基板を支持体から剥離する。
【００９４】
２つのＯリングで挟まれた領域は、基板が吸着力で破壊されず、しかも、基板を支持体から剥離保持できる領域が設定される。
【００９５】
その後、Ｏリング１０３とＯリング１２１の間の真空排気を中断し、Ｎ２ガス等の不活性ガスを大気圧まで導入して、容器の吸着力を開放し、基板を製造装置から搬出する。
【００９６】
次に、蛍光体を内側に塗布したフェースプレートと、ガラス管からなる排気管及びＢａを主成分とするゲッタを備えた支持枠と、前記電子源が形成された基板とを、各接合部にフリットガラスを挟むように対向して仮固定し、不活性ガス雰囲気の加熱炉内で４００℃〜４８０℃の範囲内で焼成し、真空気密である外囲器を作製する。
【００９７】
次に、オイルフリーである真空排気装置に上述のガラス管からなる排気管を接続し、外囲器内を８０℃〜２５０℃程度の温度に保持しながら、外囲器の内部を真空排気する。その後、排気管をバーナ等でチップオフし、更に、高周波加熱によって、ゲッタをフラッシュさせ、Ｂａ膜を形成し、チップオフ後の外囲器内の真空を維持する。これにより、画像表示装置の製造が成される。
【００９８】
本発明の製造装置では、容器に基板を吸着保持するための手段を有するので、この手段を支持体からの剥離だけでなく、電子源の製造装置に基板を投入／搬出する際の受け渡し手段としても使用することが可能である。
たとえば、電子源の製造装置に基板を投入／搬出するための基板運搬装置によって新たな基板を投入する際に、活性化工程終了後の基板を容器に吸着保持させて一時退避させる手段としても使用できる。このような機構があると、基板運搬装置の動作が少なくなり、工程時間の短縮が可能である。
【００９９】
以下、本発明をより具体的に説明する。
【０１００】
（実施例１）
本実施例では、表面伝導型電子放出素子を基板上に多数配列した電子源を作成するために、該素子の各々を構成する一対の電極を基板上に多数配列形成した例を説明する。
【０１０１】
まず、基板として、８５０ｍｍ×５３０ｍｍ×厚さ２．８ｍｍのソーダ石灰ガラス基板７０１を用いた。電子ビーム蒸着法により、ガラス基板７０１の裏面全面に厚さ８０ｎｍのＩＴＯ膜を成膜した。この膜は、静電吸着用の電極用である。このガラス基板７０１の表面には、最終的に、図３及び図４（Ａ）、（Ｂ）で示す表面伝導型電子放出素子及び配線を形成する。また、図４（Ａ）、（Ｂ）は、表面伝導型電子放出素子６００の構造をより詳細に示す図である。図４（Ｂ）は、図４（Ａ）のＢ−Ｂ′断面図である。
【０１０２】
図３及び図４（Ａ）、（Ｂ）において、６００は表面伝導型電子放出素子、６０１は下配線、６０２は上配線、６０３は下配線６０１と上配線６０２電気的に絶縁する層間絶縁膜、７０５、７０６は素子電極、７０７は導電性膜、７０８は電子放出部、７０９は導電体からなる膜である。その他これまでの図で示した部材と同一の符号を持つ部材は、同一の部材を示す。
【０１０３】
まず、ガラス基板７０１の表面上に素子電極７０５、７０６用に電子ビーム蒸着法によりＰｔを厚さ５０ｎｍに成膜した。更に、白金上にレジストを塗布し、該レジストを露光機によって露光し、現像することで、図４（Ａ）に示すＷ＝０．２ｍｍ、Ｌ＝８μｍの素子電極７０５、７０６のパターンと同様のパターンのレジスト対を２３４０×４８０組形成した。
【０１０４】
次に、Ａｒガスのプラズマでエッチング処理を行なった後に、レジストを除去し、Ｐｔからなる素子電極７０５，７０６パターンを形成した。
【０１０５】
素子電極対７０５、７０６を作成したガラス基板７０１に、下配線６０１として、スクリーン印刷法によりＡｇペーストインキを印刷焼成（焼成温度５５０℃）し、２２３０本作製した。次に、層間絶縁膜６０３と、ゲッタ材であるＢａが付着する下配線６０１の一部に保護膜として絶縁性のガラスペーストを印刷、焼成（焼成温度５５０℃）する。更に、上配線６０２としてＡｇペーストインキを印刷し、焼成（焼成温度５５０℃）し、４８０本形成した。なお、下配線６０１と上配線６０２は、ガラス基板７０１の外周から３ｍｍの距離まで、その端部が形成されており、接続手段（端子）１１６が容器１０２の外部（大気中）で接続できるようにした。
【０１０６】
次に、素子電極７０５、７０６間を繋ぐように、バブルジェット（登録商標）方式の液滴吐出装置を用いて、パラジウム錯体溶液を付与した。そして、大気中で加熱焼成して酸化パラジウムのからなる導電性膜を形成した。以上のようにして、電子放出部形成前の一対の電極と導電性膜とから構成される複数のユニットと、該ユニットの各々に接続する配線が形成された基板１０１を作製した。このとき時、基板１０１は、測定したところ中心に対して周辺部で０．５ｍｍ程、凹に反っていた。
【０１０７】
図１に示した製造装置において、静電チャック１０７として大きさ２００ｍｍ×３００ｍｍ×厚さ１０ｍｍ、電極１０８として銀からなる印刷電極を埋め込んだ、アルミナ製の静電チャック１０７を６台用いた。また、各々の静電チャック１０７は基板１０１との隙間が狭くなるように、温度制御手段１１３に固定した。この温度制御手段１１３は、銅タングステン合金製で、大きさが９００ｍｍ×６００ｍｍ×厚さ８０ｍｍ、加熱ユニット５１１として、２０ｋＷの電気ヒータを搭載し、冷却ユニット５１２として冷却水路を搭載している。更に、基板１０１の裏面（第２の主面）の導電体からなる膜７０９を、電気的にグランドに接地するため不図示の接触ピンによって、グランドに電気的に接地できる機構を設けた。支持体１１４の上面は、６枚の静電チャックと６枚の静電チャックを囲むように、Ｔｉ製の枠状の金属板で構成され、さらに、それらの上面が同一面上になるように高さを調整した。
【０１０８】
また、Ｔｉ製の金属板上面には、６枚の静電チャックを囲む形で、Ｏリングを埋め込む溝があり、この中にＯリング１２０を配置した。
【０１０９】
また、接続手段（端子）１１６として、複数のプローブピンによって構成されるプローブユニットを用いた。
【０１１０】
容器１０２の内部は、内側と外側の容器からなる２重構造を有し、それぞれの境界に同心上の２本のＯリング１０３，１２１を配置した。
【０１１１】
図１に示した製造装置において、容器１０２を上昇させ、基板１０１を支持体１１４に載せる。次に、バルブＶ３を閉じ、バルブＶ４を開け、吸着排気系１１５によって溝１０９内を１００Ｐａ以下に真空排気して、基板１０１を静電チャック１０７に真空吸着させた。このとき、基板１０１の裏面（第２の主面）は、接触ピン（不図示）により電気的にグランドに接地した。
【０１１２】
次に、電源１１０より、１．２ｋＶの直流電圧をグランドと電極１０８間に供給して静電力を発生させ、基板１０１を静電チャック１０７に静電吸着させ、支持体１１４に固定した。次に、バルブＶ４を閉じ、バルブＶ３を開け、ガス２としてＨｅを溝１０８に供給し、同溝内の圧力を３０００Ｐａに維持した。
【０１１３】
次に、容器１０２を下げ、基板１０１とＯリング１２０を介して接触させ、基板１０１の第１の主面の一部を覆った。内側の容器は、基板１０１上の一対の電極と導電性膜とから構成される複数のユニットをすべて覆う配置にした。続いて、内側の容器と基板１０１の第１の主面とで形成された空間（以降、内部空間と呼ぶ）内を主真空排気系１０６で圧力が１×１０−４Ｐａ以下になるまで真空排気した。また、外側と内側の容器と基板１０１の第１の主面とで形成された空間（以降、外部空間と呼ぶ）内を副真空排気系１２２で圧力が１×１０−２Ｐａ以下になるまで真空排気した。
【０１１４】
一方、冷却ユニット１１２に２０℃の冷却水を流し、加熱ユニット１１１によって加熱し、温度制御手段によって基板１０１の温度を５０℃で均一性高く制御／保持した。
【０１１５】
次に、フォーミング工程を実施した。接続手段（端子）１１６であるプローブユニットを、大気中に露出した配線６０１、６０２の端部に電気的に接続し、信号発生器（電源）１１７より、波高値１１Ｖの矩形波であるパルス電圧を各ユニットに供給した。このパルス電圧の印加と同時にバルブＶ２を開け、主真空排気系１０６による排気を停止し、ガス１として窒素と水素の混合ガスを、内部空間に導入した。この工程により、各ユニットを構成する導電性膜の一部に間隙が形成された。また、同時に導電性膜が酸化パラジウムからパラジウムに還元された。
【０１１６】
その後、前記パルス電圧の印加を終了して、フォーミング工程を終了した。このフォーミング工程時に、配線を流れる電流によって発生する熱は、効率よく静電チャック１０７を通して温度制御手段によって制御された。これにより、基板１０１は所望の温度に均一性高く保たれ、良好なフォーミングが実施できた。また基板１０１にクラックが発生することもなかった。次に、バルブＶ４を閉じ、内部空間内を主真空排気系１０６により、圧力が１×１０−４Ｐａ以下になるまで真空排気した。
【０１１７】
次に活性化工程を行った。この活性化に際して、温度制御手段によって基板１０１の温度を６０℃に一定に制御した。次に、バルブＶ１を開けて内部空間に炭素化合物１０４としてトルニトリルを導入し、電離真空計１０５で圧力を測定しながら、圧力が２×１０−４ＰａになるようにバルブＶ１を調節した。次に、信号発生器（電源）１１７からパルス電圧を、上配線６０２に１０ライン毎に同時に供給し、各ユニットに電圧を印加した。従来では、基板１０１の表面は、配線を流れる電流によるジュール熱によって、活性化工程による炭素膜の堆積にバラツキが生じたのに対し、本実施例の電子源では、炭素膜の堆積が均一性高く行われ、その結果、電子放出特性の均一性に優れていた。
【０１１８】
活性化工程終了後、バルブＶ１を閉じて、内部空間内を主真空排気系１０６により、圧力が１×１０−４Ｐａ以下になるまで真空排気した。
【０１１９】
大気中に露出した配線６０１、６０２の端部に電気的に接続していたプローブユニットを基板から退避させた。
【０１２０】
次に、主真空排気系１０６による排気を停止し、内部空間内の圧力が大気圧になるまで窒素ガスを導入した。このとき、外部空間内は、副真空排気系１２２で排気を継続し、圧力は１×１０−１Ｐａ以下であった。
【０１２１】
電源１１０の電圧を０Ｖに下げて、１０分間保持して静電チャックによる静電力を除去した。
【０１２２】
次に、バルブＶ２を閉じ、バルブＶ３を開け、Ｈｅガスを溝１０９に供給し、同溝内の圧力を大気圧に維持した。
【０１２３】
最後に、容器を支持体に対して上方に移動させ、支持体上の基板を支持体から剥離した。
【０１２４】
その後、副真空排気系１２２での排気を停止し、不図示のガス導入系によって外部空間の圧力を大気圧まで上昇させ、容器による基板の吸着保持を中止し、基板を電子源の製造装置から回収した。
【０１２５】
次に、前記フォーミング工程及び活性化工程を経ることにより形成された、電子放出素子が多数配列された電子源を有する基板１０１の上配線６０２上に、耐大気圧構造であるスペーサを複数設置した。一方、フェースプレートには蛍光体を内側に塗布し、ガラス製の排気管が連通して設置した。基板１０１とフェースプレートとを、Ｂａを主成分とするゲッタを備えた支持枠及び、フリットガラスを挟んで、対向して、仮固定し、不活性ガス雰囲気の加熱炉内で４２０℃の範囲内で焼成し、真空気密である外囲器を作製した。
【０１２６】
次に、オイルフリーである真空排気装置に前記排気管を接続し、前記外囲器を３００℃に保持しながら、同内部を真空排気した。その後、排気管をバーナ等でチップオフし、更に、高周波加熱によって、ゲッタをフラッシュさせ、Ｂａ膜を形成し、画像表示装置を製造した。
【０１２７】
このようにして作製した画像表示装置は、従来例に比べ、輝度分布が小さく、高輝度な表示画像を長期に渡って得ることができた。
【０１２８】
（実施例２）
実施例１と同様に、電子放出部形成前の一対の電極と導電性膜とから構成される複数のユニットと、該ユニットの各々に接続する配線が形成された基板１０１を作製した。
【０１２９】
この基板を図２示した構成の電子源の製造装置によって、実施例１と同様にフォーミング工程と活性化工程を行った。
【０１３０】
図２の電子源の製造装置の容器２０１は、容器内部に基板を支持体から剥離するための保持板２０２が内蔵されている。保持板２０２は、容器の内部で、上下することが出来る機構を有している。
【０１３１】
基板１０１を実施例１と同様に支持体上に固定し、容器２０１を支持体方向に移動させて基板１０１の第１の主面の一部を覆った。このとき、容器内部の保持板と基板の第１主面の間は、１００ｍｍの間隔をあけた。
【０１３２】
これ以降、実施例１と同様にフォーミング工程から活性化工程まで行った。
【０１３３】
活性化工程終了後、容器内部を真空に排気した状態で、保持板駆動系２０３を動かして、容器内部の保持板２０２を基板１０１の第１主面上に押し当てた。保持板２０２を押し当てる面積は、容器で覆われる基板の第１主面の約８０％を押し当てた。
【０１３４】
この状態で、静電チャックの静電力を取り除き、支持体と基板間に大気圧になるようにガスを導入した。基板は、容器２０１に真空吸着されるが、保持板で基板が支えられているので、応力で破壊されることは無かった。
【０１３５】
次に、容器２０１を支持体から離す方向に移動させ、基板を支持体から剥離した。
【０１３６】
移動は、容器の外周のＯリングの面と保持板の面が同一面になるように行った。
【０１３７】
その後、容器内にガスを導入して、容器による基板の吸着保持を中止し、基板を電子源の製造装置から回収した。
【０１３８】
以降、実施例１と同様にして、画像表示装置を作成した。
【０１３９】
【発明の効果】
本発明によれば、基板の第１の主面の一部を容器で覆うようにすることによって、電気的処理（フォーミングや活性化）における電源と配線との電気的接続を大気中で容易に行うことができる。また、前記容器の大きさや形状等の設計の自由度が増すので、容器内への気体の導入、容器外への気体の排出を短時間で行うことができ、製造スピードが向上する他、製造される電子源の電子放出特性の再現性、均一性を向上することができる。その結果、前記電子源を用いた画像表示装置においても、均一性の高い優れた表示画像を得ることができる。
【０１４０】
本発明では、活性化工程の終了後、支持体上に吸着された基板を支持体から剥離する際に、支持体と基板に残留する吸着力、接着力があっても、フォーミング、活性化工程で使用した容器で基板を吸着させ、大面積の基板であっても破損させること無く基板を支持体から剥離することが可能となった。
【０１４１】
特に、本発明の製造装置の場合、前述した支持体と基板裏面間のシール材による接着力に抗して、基板を支持体から剥離するために、基板を介してシール材の位置と対向する位置のみで真空吸着を行うことにより、効率的、しかも安全に基板を支持体から剥離することが可能となり、電子源の製造の歩留まりが向上するという効果が得られた。
【図面の簡単な説明】
【図１】製造装置を示す模式図である。
【図２】製造装置を示す模式図である。
【図３】リアプレート上の電子源及び配線を示す模式図である。
【図４】表面伝導型電子放出素子の構造を拡大して示す模式図である。
【符号の説明】
１０１    基板
１０２、２０１    容器
１０７    静電チャック
１１４    支持体
６００    表面伝導型電子放出素子
７０５、７０６    素子電極
【図１】
2004241299.tif 000003
【図２】
2004241299.tif 000004
【図３】
2004241299.tif 000005
【図４】
2004241299.tif 000006