(57)【要約】【課題】半導体ウェハが厚み２００μｍ以下に薄層化された場合であっても、その破損を防止し得る半導体ウェハの保護方法を提供する。【解決手段】半導体ウェハの回路形成面に対して、ＡＳＴＭ−Ｄ２９７９−７１（７７）に基づき測定した値が、１ｇ／φ５以上１００ｇ／φ５未満のタック性能を発現するポリイミドフィルムを介して半導体ウェハを支持する基板に加熱貼り付けする第一工程、半導体ウェハの回路非形成面を研削する加工する第二工程、及び研削後の半導体ウェハの回路非形成面にダイボンティング用接着フィルムを貼り付ける工程、或いはメタルスパッタ及びメタルアロイといった高温諸条件下を含む第三工程における半導体ウェハの保護方法。【選択図】  なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＡＳＴＭ−Ｄ２９７９−７１（７７）に基づき測定した値が１ｇ／φ５以上１００ｇ／φ５未満の範囲にあるポリイミドフィルムを介して半導体ウェハを支持する基板と半導体ウェハの回路形成面とを加熱貼り付けにより固定する第一工程、半導体ウェハの回路非形成面を研削する第二工程、及び、研削後の半導体ウェハの回路非形成面を加工する第三工程を含む半導体ウェハの製造方法。
【請求項２】
第二工程が、半導体ウェハの回路非形成面に対して砥石による機械的研削、ウェットエッチング工程、プラズマエッチング工程及びポリッシング工程から選ばれた少なくとも一工程を含むことを特徴とする請求項１記載の半導体ウェハの製造方法。
【請求項３】
第二工程を実施した後の半導体ウェハの厚みが２００μｍ以下であることを特徴とする請求項１記載の半導体ウェハの製造方法。
【請求項４】
第三工程が、ダイボンドフィルムを貼り付ける工程、或いはメタルスパッタする工程及びメタルスパッタ後にメタルアロイする高温加工工程から選ばれた少なくとも一工程を含むことを特徴とする請求項１記載の半導体ウェハの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体ウェハの製造方法に関する。詳しくは、半導体ウェハの回路非形成面の研削及び研削後の回路非形成面に対する加工処理における半導体ウェハの破損防止に有用で、生産性向上を図り得る半導体ウェハの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体ウェハを加工する工程は、半導体ウェハの回路形成面に半導体ウェハ表面保護用粘着フィルムを貼り付ける工程、半導体ウェハの回路非形成面を加工する工程、半導体ウェハ表面保護用粘着フィルムを剥離する工程、半導体ウェハを分割切断するダイシング工程、分割された半導体チップをリードフレームへ接合するダイボンディング工程を経た後、半導体チップを外部保護の為に樹脂で封止するモールド工程、等により構成されている。
【０００３】
従来の半導体ウェハ表面保護フィルムとしては、樹脂フィルムの片表面に粘着剤層を塗布した粘着フィルムが主流であるが、近年のウェハ薄層化技術に伴い、半導体ウェハ破損防止などの観点から、半導体ウェハの回路非形成面に対する研削及び加工処理の際も粘着フィルムを剥離することなく、半導体ウェハを粘着フィルムによりサポートするプロセスが提案されている（特開２００１−３７２２３２、特開２００２−０１２３４４）。しかしながら、樹脂フィルムを用いた半導体ウェハ表面保護用粘着フィルムでは、サポート性不良や加熱プロセス時のフィルムの収縮に起因した半導体ウェハの破損及びテープ剥離不良、更に、加熱プロセス時の発生ガスなどの問題点が指摘されている。
【０００４】
近年益々、半導体チップの薄層化の要求が高まっており、厚みが２０〜１００μｍ程度のチップも望まれている。従って、このように薄層化された半導体ウェハであっても破損することなく、半導体ウェハ表面を保護した形態で高温プロセスが可能な半導体ウェハの製造方法の提案が望まれている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、上記問題に鑑み、半導体ウェハが厚み２００μｍ以下程度に薄層化された場合であっても、半導体ウェハの破損を防止し得る半導体ウェハの製造方法を提案することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは鋭意検討した結果、ＡＳＴＭ−Ｄ２９７９−７１（７７）に基づき測定した値が１ｇ／φ５以上１００ｇ／φ５未満の範囲にあるポリイミドフィルムを介して、半導体ウェハを支持する基板と半導体ウエハの回路形成面とを加熱貼り付けることにより、半導体ウェハの回路非形成面を研削及び高温加工ができることを見出し本発明を完成した。
本発明によれば、厚みが２００μｍ以下に薄層化された半導体ウェハであっても、上記一連の工程における半導体ウェハの破損などを防止できる効果を奏する。
【０００７】
【発明の実施の形態】
以下、本発明について詳細に説明する。
本発明の半導体ウェハの製造方法を適用した半導体ウェハの製造方法は、先ず、半導体ウェハの回路形成面（以下、表面）にＡＳＴＭ−Ｄ２９７９−７１（７７）に基づき測定した値が１ｇ／φ５以上１００ｇ／φ５未満の範囲にあるタック性能を発現するポリイミドフィルムを介して半導体ウェハを支持する基板（以下、支持基板）に加熱貼り付けする第一工程、及び半導体ウェハの回路非形成面（以下、裏面という）を研削する第二工程を順次実施し、引き続き、支持基板を剥離することなしに半導体ウェハの裏面に対して、ダイボンディング用接着フィルムを貼り付ける工程、或いはメタルスパッタ及びメタルアロイといった高温諸条件を課す第三工程を実施する。以降の工程には特に制限はないが、例えば、半導体ウェハ表面保護フィルムを剥離する工程、半導体ウェハを分割切断するダイシング工程、半導体チップを外部保護の為に樹脂で封止するモールド工程が挙げられる。
【０００８】
更に詳細には、第二工程は、半導体ウェハの裏面を機械的に研削する工程、ウェットエッチング工程、プラズマエッチング工程及びポリッシング工程が挙げられる。２００μｍ以下まで薄くする場合は、半導体ウェハの裏面を機械的に研削する工程に引き続いて、ウェットエッチング工程、プラズマエッチング工程及びポリッシング工程を実施することもできる。主に砥石により機械的な研削のみの第二工程も実施されているが、近年の半導体ウェハの薄層化に伴い、機械的に研削した後、エッチングやポリッシングによりウェハ裏面に生じた破砕層を除去する工程と組み合わせる場合もある。本発明においては、機械的な研削のみでも、機械的な研削とエッチング或いはポリッシングの組み合わせでも、第二工程の組み合わせに関する制限はない。次いで、半導体ウェハの裏面を加工する工程に搬送される（第三工程）。第三工程では、支持基板を剥離することなしに、ダイボンディング用接着フィルムの貼り付ける工程、或いは、半導体ウェハの裏面にメタルをスパッタし、その後メタルをアロイ化するといった高温条件下での工程が実施される。その後、半導体ウェハ表面より支持基板は剥離される。また、必要に応じて保護フィルムを剥離した後に、半導体ウェハ表面に対して、水洗、プラズマ洗浄等の処理が施される。
【０００９】
半導体ウェハの加工前の厚みは、半導体ウェハの直径、種類等により適宜決められ、半導体ウェハ裏面加工後の半導体ウェハの厚みは、得られるチップのサイズ、回路の種類等により適宜決められる。
【００１０】
半導体ウェハの機械的な裏面研削方式としては、スルーフィード方式、インフィード方式等の公知の研削方式が採用される。通常、いずれの方法においても、半導体ウェハと砥石に水を供給して冷却しながら研削が行われる。研削終了後、必要に応じて、ウェットエッチング、プラズマエッチング及びポリッシングが行われる。ウェットエッチング工程及びポリッシング工程は、半導体ウェハ裏面に生じた歪の除去、半導体ウェハのさらなる薄層化、酸化膜等の除去、電極を裏面に形成する際の前処理等を目的として行われる。エッチング液は、上記の目的に応じて適宜選択される。
【００１１】
ダイボンディング用接着フィルムを貼り付ける工程で用いる装置としては、例えば、タカトリ（株）製、形式：ＡＴＭ−８２００、同ＤＭ−８００等が挙げられる。ダイボンディング用接着フィルムとしては、ポリエステル系、ポリプロピレン系フィルムの表面に、ポリイミド樹脂と熱硬化性樹脂の混合物からなるワニスを塗布して、接着剤層を形成したダイボンディング用接着フィルムが挙げられる。この時、必要に応じてポリイミド樹脂と熱硬化性樹脂の混合物に添加剤を混合することもある。ロールを用いて、ダイボンディング用接着フィルムを半導体ウェハ裏面に加熱貼り付けすることにより、接着剤付半導体ウェハとされる。
【００１２】
支持基板を剥離した後の半導体ウェハ表面は、必要に応じて洗浄される。洗浄方法としては、水洗浄、溶剤洗浄等の湿式洗浄、プラズマ洗浄等の乾式洗浄等が挙げられる。湿式洗浄の場合、超音波洗浄を併用してもよい。これらの洗浄方法は、半導体ウェハ表面の汚染状況により適宜選択される。
【００１３】
本発明の半導体ウェハ表面保護フィルムは、ＡＳＴＭ−Ｄ２９７９−７１（７７）に基づき測定した値が１ｇ／φ５以上、１００ｇ／φ５未満、好ましくは３０以上１００ｇ／φ５未満の範囲のタック性能を発現するように、ポリイミド層の種類或いは厚みを調整することにより、プロセスに適したタック性能を付与することができる。すなわちポリイミドフィルムのタック性は、半導体ウェハの加工条件、半導体ウェハの直径、裏面研削後の半導体ウェハの厚み、第三工程での加温諸条件等を勘案して適宜調整できる。タック性が低すぎると、半導体ウェハ支持基板と半導体ウェハとの貼り付けが困難となったり、保護性能が不十分となり、半導体ウェハが破損したり、半導体ウェハ表面に研削屑等による汚染が生じることがある。また、タック性が高すぎると、半導体ウェハの裏面加工を実施した後、支持基板を半導体ウェハ表面から剥離する際に、剥離トラブルが発生する等、剥離作業性が低下したり、半導体ウェハを破損したりすることがある。
【００１４】
ポリイミド層としては単層、異なる成分のポリイミドからなる多層構造でも良いが、ウエハに接する面のポリイミドは、ガラス転位点温度が１５０℃以上、好ましくは２００℃以上、更に好ましくは２５０℃以上、最も好ましくは３００℃以上あることが望まれる。ポリイミド層は、適したタック性能を発現する厚みであることが望ましく、３〜１００μｍ程度であれば十分であるが、より好ましくは、１０〜５０μｍである。
ウエハに接する面のポリイミドとしては、以下に挙げる芳香族テトラカルボン酸二無水物と芳香族ジアミンからなるポリイミドが例示できる。
【００１５】
芳香族テトラカルボン酸二無水物としては、ピロメリット酸二無水物、１，２，３，４−ベンゼンテトラカルボン酸二無水物、２，３，６，７−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、１，４，５，８−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、１，２，５，６−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、３，４，９，１０−ペリレンテトラカルボン酸二無水物、２，３，６，７−アントラセンテトラカルボン酸二無水物、１，２，７，８−フェナントレンテトラカルボン酸二無水物、３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２，２’，３，３’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、３，３’，４，４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、２，２’，３，３’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、２，２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）プロパン二無水物、２，２−ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）プロパン二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）エーテル二無水物、ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）エーテル二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）スルホン二無水物、ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）スルホン二無水物、２，２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）−１，１，１，３，３，３−ヘキサフロロプロパン二無水物、２，２−ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）−１，１，１，３，３，３−ヘキサクロロプロパン二無水物、１，１−ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）エタン二無水物、１，１−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）エタン二無水物、ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）メタン二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）メタン二無水物、４，４’−（ｐ−フェニレンジオキシ）ジフタル酸二無水物、４，４−（ｍ−フェニレンジオキシ）ジフタル酸二無水物、４，４’−ジフェニルスルフィドジオキシビス（４−フタル酸）二無水物、４，４’−ジフェニルスルホンジオキシビス（４−フタル酸）二無水物、メチレンビス−（４−フエニレンオキシ−４−フタル酸）二酸無水物、エチリデンビス−（４−フエニレンオキシ−４−フタル酸）二酸無水物、イソプロピリデンビス−（４−フエニレンオキシ−４−フタル酸）二酸無水物、ヘキサフルオロイソプロピリデンビス−（４−フエニレンオキシ−４−フタル酸）二無水物等が挙げられる。
【００１６】
上記芳香族テトラカルボン酸二無水物は、単独で用いてもよいし、またそれらの混合物を用いてもよい。これらの内、好ましい芳香族テトラカルボン酸二無水物として、ピロメリット酸二無水物、３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２，２’，３，３’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物等のビフェニルテトラカルボン酸二無水物、３，３’，４，４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、２，２’，３，３’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物等のベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）エーテル二無水物、ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）エーテル二無水物等のオキシジフタル酸二無水物、および４，４’−（ｐ−フェニレンジオキシ）ジフタル酸二無水物、４，４’−（ｍ−フェニレンジオキシ）ジフタル酸二無水物、３，３’−（ｐ−フェニレンジオキシ）ジフタル酸二無水物、３，３’−（ｍ−フェニレンジオキシ）ジフタル酸二無水物等のフェニレンジオキシジフタル酸二無水物が挙げられる。さらに、これらの好ましい芳香族テトラカルボン酸二無水物の内、得られるポリイミドの耐熱性、ウエハとの接着性等の点でピロメリット酸二無水物１０〜９０モル％、好ましくは２０〜９０モル％、および、ビフェニルテトラカルボン酸二無水物１０〜９０モル％、好ましくは１０〜８０モル％の混合物がさらに好ましい。
【００１７】
また、ポリイミド層を形成するために用いる芳香族ジアミンは、４，４’−ビス（３−アミノフェノキシ）ビフェニル、４，４’−ビス（４−アミノフェノキシ）ビフェニル、４，４’−ビス（３−アミノフェノキシフェニル）エーテル、４，４’−ビス（４−アミノフェノキシフェニル）エーテル、ビス〔４−（３−アミノフェノキシ）フェニル〕スルフィド、ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕スルフィド、ビス〔４−（３−アミノフェノキシ）フェニル〕スルホン、ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕スルホン、ビス〔４−（３−アミノフェノキシ）フェニル〕ケトン、ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕ケトン、２，２−ビス〔４−（３−アミノフェノキシ）フェニル〕プロパン、２，２−ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕プロパン、２，２−ビス〔４−（３−アミノフェノキシ）フェニル〕−１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕−１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロプロパン、ｏ−フェニレンジアミン，ｍ−フェニレンジアミン，ｐ−フェニレンジアミン、４，４’−ジアミノジフェニルスルフィド、３，３’−ジアミノジフェニルスルフィド、４，４’−ジアミノジフェニルエーテル、３，３’−ジアミノジフェニルエーテル、４，４’−ジアミノジフェニルスルホン、３，３’−ジアミノジフェニルスルホン、４，４’−ジアミノジフェニルメタン、３，３’−ジアミノジフェニルメタン、１，１−ジ（ｐ−アミノフェニル）エタン、１，１−ジ（ｍ−アミノフェニル）エタン、２，２−ジ（ｐ−アミノフェニル）プロパン、２，２−ジ（ｍ−アミノフェニル）プロパン、２，２−ジ（ｐ−アミノフェニル）−１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロプロパン、２，２−ジ（ｍ−アミノフェニル）−１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロプロパン、４，４’−ジアミノベンゾフェノン、３，３’−ジアミノベンゾフェノン等を挙げることができる。
上記芳香族ジアミンは、単独で用いてもよいし、またそれらの混合物を用いてもよい。これらの内、４，４’−ジアミノジフェニルエーテル、３，３’−ジアミノジフェニルエーテル等のジアミノジフェニルエーテル、および／または、ｏ−フェニレンジアミン，ｍ−フェニレンジアミン，ｐ−フェニレンジアミン等のフェニレンジアミンを含んでいることが好ましい。
【００１８】
本発明の半導体ウェハの製造方法は、上記の通りであるが、半導体ウェハ表面の汚染防止の観点から、ポリイミド樹脂等全ての原料資材の製造環境、保存、塗布及び乾燥環境は、米国連邦規格２０９ｂに規定されるクラス１，０００以下のクリーン度に維持されていることが好ましい。
本発明の半導体ウェハ製造方法が適用できる半導体ウェハとして、シリコンウェハに限らず、ゲルマニウム、ガリウム−ヒ素、ガリウム−リン、ガリウム−ヒ素−アルミニウム等のウェハが挙げられる。
【００１９】
【実施例】
以下、実施例を示して本発明についてさらに詳細に説明する。本発明はこれら実施例に限定されるものではない。尚、実施例に示した各種特性値は下記の方法で測定した。
【００２０】
１．各種特性の測定方法
１−１．タック性測定（ｇ／φ５）
下記に規定した条件以外は、全てＡＳＴＭ−Ｄ２９７９−７１（７７）に規定される方法に準じて測定する。２３℃の雰囲気下において、試料用の保護フィルムのポリイミド層を２ｃｍ×２ｃｍのサイズに切り取り、ウェイト冶具のプローブ面に保護フィルムのポリイミド層を貼り合わせ、プレス機（ＴＯＹＯＳＥＩＫＩ製、ＭＩＮＩ  ＴＥＳＴ  ＰＲＥＳＳ−１０）を用い、３５０℃１．０〜３．０ＭＰａの加温圧力下で熱圧着し、プローブタック測定装置（ＴＯＹＯＳＥＩＫＩ製、ＰＲＯＢＥ  ＴＡＣＫ  ＴＥＳＴＥＲ）にセットした。設定条件は、保圧時間１０秒、剥離速度１ｃｍ／秒でＮ＝５行った。
【００２１】
１−２．半導体ウェハの破損（枚数）
半導体ウェハの裏面研削工程、ダイボンディング用接着フィルム貼り付け工程、メタルスパッタ、メタルアロイ工程及び保護フィルム剥離工程における半導体ウェハの破損枚数を示す。
【００２２】
２．半導体ウェハ表面と支持基板間の粘着層
２−１．ポリイミドフィルム
２５μｍのポリイミドフィルム（アピカル）とする。また、３５０℃にて加熱貼り付けした場合のタック性は、５ｇ／φ５であった。
【００２３】
２−２．両面テープ
ポリエチレンテレフタレートフィルム５０μｍにアクリル系の粘着剤１０μｍを両面に塗布したフィルムを製造した。タック性は、５０ｇ／φ５であった。
３．半導体ウェハの製造方法
実施例
３−１．ダイボンドフィルム貼り付け
集積回路が組み込まれた１０枚の半導体シリコンウェハ（直径：８インチ、厚み：６００μｍ、スクライブラインの深さ：８μｍ、スクライブラインの幅：１００μｍ）の回路形成に対してポリイミドフィルムを介して支持基板（直径：８インチ、厚み５００μｍ、無色透明のガラス板）に３５０℃で加熱貼り付けし、半導体ウェハの裏面を研削機（ディスコ製、形式：ＤＦＧ−８６０）にて、ウェハ厚みが１００μｍになるまで研削した後、半導体ウェハに支持基板を貼り付けた形態で、ダイボンディング用接着フィルム（日立化成（株）製、商品名：ハイアタッチ）を１５０℃で半導体ウェハ裏面に貼り付ける（タカトリ（株）製、形式：ＤＭ−８００）。その結果、１０枚全ての半導体ウェハに対して、裏面研削時及びダイボンディング用接着フィルム貼り付け時において半導体ウェハの割れは発生しなかった。支持基板の剥離に際しても半導体ウェハの割れは発生しなかった。得られた結果を表１に示す。
【００２４】
３−２．耐熱及び真空評価
集積回路が組み込まれた１０枚の半導体シリコンウェハ（直径：８インチ、厚み：６００μｍ、スクライブラインの深さ：８μｍ、スクライブラインの幅：１００μｍ）の回路形成に対してポリイミドフィルムを介して支持基板（直径：８インチ、厚み５００μｍ、無色透明のガラス板）に３５０℃で加熱貼り付けし、半導体ウェハの裏面を研削機（ディスコ製、形式：ＤＦＧ−８６０）にて、ウェハ厚みが１００μｍになるまで研削した後、半導体ウェハに支持基板を貼り付けた形態で、真空加温式乾燥機（ＴＯＹＯＳＥＩＳＡＫＵＳＹＯ製、型式：Ｖ−３０）に搬送した。１×１０-5Ｔｏｒｒ以下の真空度に１０分間保ち、半導体ウェハ表面と支持基板との接合部位を確認した。引き続き、１×１０-5Ｔｏｒｒ以下の真空度を保ったまま、温度を２００℃まで上昇させ、半導体ウェハ表面と支持基板との接合部位を確認した。真空及び２００℃の高温条件下において、半導体ウェハの破損は認められなかった。得られた結果を表１に示す。
【００２５】
比較例
３−３．ダイボンドフィルム貼り付け
集積回路が組み込まれた１０枚の半導体シリコンウェハ（直径：８インチ、厚み：６００μｍ、スクライブラインの深さ：８μｍ、スクライブラインの幅：１００μｍ）の回路形成に対して両面テープを介して支持基板（直径：８インチ、厚み５００μｍ、無色透明のガラス板）に貼り付けし、半導体ウェハの裏面を研削機（ディスコ製、形式：ＤＦＧ−８６０）にて、ウェハ厚みが１００μｍになるまで研削した後、半導体ウェハに支持基板を貼り付けた形態で、ダイボンディング用接着フィルム（日立化成（株）製、商品名：ハイアタッチ）を１５０℃で半導体ウェハ裏面に貼り付ける（タカトリ（株）製、形式：ＤＭ−８００）。その結果、裏面研削後及びダイボンディング用接着フィルム貼り付け後の半導体ウェハの破損は認められなかったが、半導体ウェハ表面から支持基板を剥離する際、半導体ウェハが６枚割れた。得られた結果を表１に示す。
【００２６】
３−４．耐熱及び真空評価
集積回路が組み込まれた１０枚の半導体シリコンウェハ（直径：８インチ、厚み：６００μｍ、スクライブラインの深さ：８μｍ、スクライブラインの幅：１００μｍ）の回路形成に対して両面テープを介して支持基板（直径：８インチ、厚み５００μｍ、無色透明のガラス板）に貼り付けし、半導体ウェハの裏面を研削機（ディスコ製、形式：ＤＦＧ−８６０）にて、ウェハ厚みが１００μｍになるまで研削した後、半導体ウェハに支持基板を貼り付けた形態で、真空加温式乾燥機（ＴＯＹＯＳＥＩＳＡＫＵＳＹＯ製、型式：Ｖ−３０）に搬送した。１×１０-5Ｔｏｒｒ以下の真空度に１０分間保ち、半導体ウェハ表面と支持基板との接合部位を確認したところ、支持基板と両面テープの界面にて２枚に関して両面テープ浮きが認められた。引き続き、１×１０-5Ｔｏｒｒ以下の真空度を保ったまま、温度を２００℃まで上昇させ、半導体ウェハ表面と支持基板との接合部位を確認したところ、１００℃以上において１０枚中３枚に関して両面テープの浮きが観測され、２００℃では８枚に関して両面テープの浮きが観測された。得られた結果を表１に示す。
【００２７】
【表１】
2004214309.tif 000002
【００２８】
【発明の効果】
本発明によれば、半導体ウェハの裏面に対する加工後の厚みが２００μｍ以下に薄層化された半導体ウェハであっても、上記一連の工程における半導体ウェハの破損、汚染などを防止することができる。