(57)【要約】【課題】光半導体素子に関し、凸領域直下の下側ＭＱＷ層の利得を低下させることなく、短波長側の発振モードを抑制することで、短波長側のモードと長波長側のモードとの利得差を大きくし、ＭＱＷ回折格子構造を用いる利得結合型ＤＦＢレーザに於ける単一波長性を向上させようとする。【解決手段】基板側に在って平坦な下側ＭＱＷ層２２Ａ及び下側ＭＱＷ層２２Ａ上に在って光の伝播方向に媒質内での伝播光波長の整数倍の周期で分割された上側ＭＱＷ層２２Ｂと、上側ＭＱＷ層２２Ｂに於いて分割した領域である凹領域Ｂに対向する下側ＭＱＷ層２２Ａに於ける深さ方向の少なくとも一部或いは全部に形成された高抵抗領域２７とを備える。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に障壁層を介して井戸層が積層され電流注入に依って光を増幅する多重量子井戸構造をもつ光半導体素子であって、
基板側に在って平坦な第１の多重量子井戸層及び第１の多重量子井戸層上に在って光の伝播方向に媒質内での伝播光波長の整数倍の周期で分割された第２の多重量子井戸層と、
第２の多重量子井戸層に於いて分割した領域である凹領域に対向する第１の多重量子井戸層に於ける深さ方向の少なくとも一部或いは全部に形成された高抵抗領域と
を備えてなることを特徴とする光半導体素子。
【請求項２】
第２の多重量子井戸層に於ける凹凸は光の伝播方向に沿って周期的に利得及び屈折率を同時に変調するものであって、且つ、前記利得変調及び屈折率変調の双方が伝播光に対して分布帰還を生成するものであること
を特徴とする請求項１記載の光半導体素子。
【請求項３】
高抵抗領域は不純物の注入に依って形成されたものであること
を特徴とする請求項１記載の光半導体素子。
【請求項４】
不純物イオンがプロトン、酸素イオン、ヘリウム・イオン、ホウ素イオンから選択されたものであること
を特徴とする請求項３記載の光半導体素子。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、分布帰還型半導体レーザ、とりわけ利得結合型の分布帰還型半導体レーザとして有用な構造をもつ光半導体素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】
光通信ネットワークの大容量伝送化に伴い、モード安定性が良好な単一波長の光通信用半導体レーザが必要とされていて、このような特性を実現する光半導体素子として分布帰還型（ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄ  ｆｅｅｄｂａｃｋ：ＤＦＢ）半導体レーザ、特に、レーザ共振器方向に周期的な利得分布を設けた利得結合型のＤＦＢレーザが期待されている。尚、本明細書で云う利得結合型ＤＦＢレーザは、屈折率結合及び利得結合を併せ実現する複素結合ＤＦＢレーザを含むものと定義する。
【０００３】
利得結合型ＤＦＢレーザに於ける利得分布を実現する方法としては、活性層に隣接して周期的な電流阻止層若しくは光吸収層を設ける方法、或いは、活性層厚やガイド層厚を周期的に変調する方法などが知られている。
【０００４】
前記変調する方法のうち、特に活性層として多重量子井戸（ｍｕｌｔｉｐｌｅｑｕａｎｔｕｍ  ｗｅｌｌｓ：ＭＱＷ）構造の層数を周期的に変えた構造（以下、ＭＱＷ回折格子構造と呼ぶ。）は、比較的大きな利得結合係数を確保できること、利得結合と屈折率結合の位相が合致すること、余計な吸収が発生しないこと等の利点をもっている。
【０００５】
従来例１
図６は従来例１を説明する為のＭＱＷ回折格子構造を用いた利得結合型ＤＦＢレーザを表す要部説明図であり、（Ａ）は要部切断正面、（Ｂ）は要部切断側面をそれぞれ示し、また、（Ｂ）は（Ａ）に見られる線Ｙ−Ｙに沿い、且つ、光の導波方向に沿うように切断して提示してある。
【０００６】
図に於いて、１はｎ型ＩｎＰ基板、２はＩｎＧａＡｓＰ光ガイド層、３は量子井戸層及びその量子井戸層に比較してエネルギ・バンド・ギャップが大きい障壁層で構成されたＭＱＷ回折格子構造、４はＩｎＧａＡｓＰ光ガイド層、５はｐ型ＩｎＰ埋め込みブロック層、６はｎ型ＩｎＰブロック層、７はｐ型ＩｎＰクラッド層、８はｐ型ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層、９はＳｉＯ2 からなるパッシベーション膜、１０はｐ側電極、１１はｎ側電極をそれぞれ示している。
【０００７】
図７は従来例１を説明する為のＭＱＷ回折格子構造を用いた利得結合型ＤＦＢレーザを表す要部説明図であり、（Ａ）は図６（Ｂ）に見られる楕円で囲んだ領域の拡大要部切断側面、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は（Ａ）に示したＭＱＷ回折格子構造に対応する利得、屈折率、光電界強度の光導波方向の分布を示す。
【０００８】
図から明らかなように、ＭＱＷ回折格子構造は、平坦なＭＱＷ層、即ち、下側ＭＱＷ層３Ａと、その上に在る周期的に分割されて凹凸形状を成すＭＱＷ層、即ち、上側ＭＱＷ層３Ｂとからなっている。尚、Ａは上側ＭＱＷ層３Ｂの凸領域、Ｂは凹領域をそれぞれ示している。
【０００９】
このＭＱＷ回折格子構造を作製するには、通常の二光束干渉露光法に依って形成した周期的なレジスト・パターンをマスクとして、反応性イオン・エッチング（ｒｅａｃｔｉｖｅ  ｉｏｎ  ｅｔｃｈｉｎｇ：ＲＩＥ）法を適用して加工するのが普通である。
【００１０】
図７（Ａ）に見られるように、活性層が厚い領域、即ち、上側ＭＱＷ層３Ｂが凸領域Ａになっている部分では、活性層が薄い部分、即ち、上側ＭＱＷ層３Ｂが凹領域Ｂになっている部分に比較し、図７（Ｂ）に見られるように、大きな利得が発生することになり、利得分布が生成されて利得結合型のＤＦＢレーザとして動作することになる。
【００１１】
図示の構造では、屈折率が高い活性層で回折格子構造を形成してある為、図７（Ｂ）及び（Ｃ）に見られるように、共振器方向の利得変調と屈折率変調との位相は同相となり、その結果、図７（Ｄ）に見られるように、光電界強度が大きい箇所が活性層の凸領域Ａに略固定され、従来の屈折率結合型ＤＦＢレーザと比較して安定な単一モードの発振が可能である。
【００１２】
このような利得結合型ＤＦＢレーザでは、ブラッグ（Ｂｒａｇｇ）波長に対して長波長側のモードでの発振となる。
【００１３】
更に、利得結合型ＤＦＢレーザは、外部からの反射戻り光に対しても大きな耐性をもつことが実験的に確認されている（例えば、非特許文献１参照。）。
【００１４】
従来例２
図６及び図７について説明した利得結合型ＤＦＢレーザとは異なる手段を採って利得結合型ＤＦＢレーザを実現することも知られている（例えば、特許文献１参照。）。
【００１５】
従来例２では、ＭＱＷ回折格子構造を用いることなく、光ガイド層とクラッド層との間に回折格子を作製し、通常の均一なＭＱＷ活性層に対して周期的にプロトンを注入して高抵抗領域を形成して利得結合型ＤＦＢレーザを作製している。
【００１６】
図８は従来例２を説明する為の利得結合型ＤＦＢレーザを表す要部説明図であり、（Ａ）は光の導波方向に沿った方向の拡大要部切断側面、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は（Ａ）に示した利得結合型ＤＦＢレーザに対応する利得、屈折率、光電界強度の光導波方向の分布を示す。
【００１７】
図に於いて、２１は光ガイド層、２２はＭＱＷ活性層、２３は光ガイド層、２４は回折格子、２５はクラッド層、２７は不純物注入領域（高抵抗領域）をそれぞれ示している。
【００１８】
図８に見られる利得結合型ＤＦＢレーザでは、ＭＱＷ活性層２２内の電流密度分布は高抵抗領域２６で低下し、それに起因して図８（Ｂ）に見られるように周期的に利得が変調され、図８（Ｃ）に見られるようにＭＱＷ活性層２２の上方に作製した回折格子２４に依る屈折率の変調が同位相となることから、長波長側のモードで発振する利得結合型ＤＦＢレーザとして動作することになる。
【００１９】
前記した従来例１、即ち、ＭＱＷ回折格子構造を用いた利得結合型ＤＦＢレーザに於ける問題の一つは、短波長側の発振モードの抑制である。即ち、このレーザでは、上側ＭＱＷ層３Ｂの凹領域Ｂにも下側ＭＱＷ層３Ａである活性層が存在する為、その凹領域Ｂに於いても利得をもつことになる。
【００２０】
そこで、レーザの単一波長性を改善する為には、回折格子の光電界強度が凹領域Ｂで大きくなる短波長側のモードと、凸領域Ａで大きくなる長波長側のモードとの利得差を大きくすることが必要があり、その為には、ＲＩＥ（ｒｅａｃｔｉｖｅ  ｉｏｎ  ｅｔｃｈｉｎｇ）法でエッチングして形成する凹領域Ｂを深くしなければならない。
【００２１】
ところが、回折格子を加工する場合のように、領域の幅と深さとが同程度になると、深さの制御性や底面の平坦性が損なわれることが多くなるので、加工深さには限界がある旨の問題を抱えている。
【００２２】
このＭＱＷ回折格子構造について、長波長側のモードと短波長側のモードとの利得差を大きくするように工夫された公知例が知られていて、その一つは、外部から注入される電流の大部分が活性層の凸領域Ａに選択的に注入されるようにする為、ＭＱＷ回折格子構造周辺に電流狭窄構造を作り付ける例（例えば、特許文献２参照。）、また、下側ＭＱＷ層全体の利得を低下させることで、相対的に凹領域Ｂと凸領域Ａとの利得差を大きくする例（例えば、特許文献３参照。）が知られている。
【００２３】
図９はＭＱＷ回折格子構造を用いた利得結合型ＤＦＢレーザの公知例を表す要部切断側面図であり、図に於いて、２２Ａは下側ＭＱＷ層、２２Ｂは上側ＭＱＷ層、２６は絶縁層をそれぞれ示し、また、図７に於いて用いた記号と同記号は同部分を表すか或いは同じ意味を持つものとする。
【００２４】
ＭＱＷ回折格子構造に電流を注入した場合、単一波長性を高める為には、電流が上側ＭＱＷ層に集中して流れる必要がある為、特許文献２に開示された発明では、図９（Ａ）に見られるように、下側ＭＱＷ層２２Ａ及び上側ＭＱＷ層２２Ｂで構成される回折格子に於ける凹領域Ｂに選択的に絶縁層２６を形成し、キャリヤ注入を阻止する構造になっている。尚、矢印は電流の流れを示している。
【００２５】
また、同じ目的をもって、特許文献３に開示された発明では、凹領域Ｂに電流ブロック層をもつ埋め込み層を形成するようにしてあり、これを図９（Ｂ）並びに（Ｃ）を参照しつつ説明する。尚、図に見られる矢印は電流の流れを示し、線の太さは電流密度の大きさに比例している。
【００２６】
従来のＭＱＷ回折格子構造では、ＭＱＷ層厚に対して井戸層内の電子の拡散長が長いことから、電子が均一に拡がってしまい、その結果、図９（Ｂ）に見られるように、上側ＭＱＷ層２２Ｂを通過した電流は、上側ＭＱＷ層２２Ｂと下側ＭＱＷ層２２Ａとの間のバリアである中間層２２Ｃで一様に拡散し、下側ＭＱＷ層２２Ａに均一に流れてしまう。
【００２７】
この為、凹領域Ｂに於ける井戸層も大きな利得をもち、本来、凸領域Ａと凹領域Ｂとの利得差で得られる筈の利得変調効果が低減されて、単一波長性が原因となって製造歩留りが低下する旨の問題がある。
【００２８】
この問題について、特願２００２−０７６９０８の発明では、図９（Ｃ）に見られるように、中間層２２ＣをＭＱＷ層に於けるバリア層よりも短波長の組成で構成することに依って、下側ＭＱＷ層２２Ａに於ける井戸層への正孔の注入効率を低減し、上側ＭＱＷ層２２Ｂに於ける井戸層の利得を相対的に大きくすることで、凸領域Ａと凹領域Ｂとの利得差を大きくする旨を開示している。
【００２９】
然しながら、図９（Ｂ）及び（Ｃ）について説明した発明では、長波長側のモードに寄与する凸領域Ａ直下に在る下側ＭＱＷ層２２Ａに於いても利得が低くなってしまうこと、及び、正孔の注入が不均一であることに依る高速動作性の悪化などの問題が起こる。
【００３０】
また、従来例２に於いては、ＭＱＷ層の層数が多くなると、プロトン注入に依る高抵抗化の際に問題を生ずる。即ち、厚いＭＱＷ層に高抵抗領域を作製する場合、プロトンの横方向拡がりが無視できない状態となり、高抵抗領域の制御が困難になる。
【００３１】
例えば、非特許文献２に依れば、ＧａＡｓにプロトンを注入した場合、注入深さ方向に沿った濃度分布の標準偏差ΔＲｐに比較し、横方向に沿った濃度分布Δ⊥の拡がり方が大きいことを報告している。
【００３２】
つまり、厚いＭＱＷ層を深さ方向で均一に高抵抗化する為にプロトン注入を行った場合、横方向にも深さ方向と同程度以上に拡がってしまい、また、より深い位置に不純物を注入しようとすると散乱の作用も大きくなり、横方向への拡がりが大きくなる。
【００３３】
従って、横方向への拡がりを考えれば、不純物の注入に依って利得を変調できるＭＱＷ層の厚さは回折格子の周期に依って制限されることになる。
【００３４】
前記したところから、不純物を注入して高抵抗化する場合、対象となるＭＱＷ層の層数は、なるべく少ない方が望ましい。
【００３５】
同様な公知例として、一様な厚さのＭＱＷ活性層に対し、マスクを使用して水素やイオンを注入することで周期的に高抵抗化させ、周期的に利得を変調させる旨の発明が開示（例えば、特許文献４参照。）されているのであるが、この方法に於いても、前記した注入イオンの横方向拡がりに起因し、高抵抗化できるＭＱＷ層の層厚には制限が生じることは云うまでもない。
【００３６】
【特許文献１】
特開２００１−２３７４９３号公報
【特許文献２】
特開２００２−２１７４８９号公報
【特許文献３】
特開２００２−１１１１２５号公報
【特許文献４】
特開平５−１３６５２２号公報
【非特許文献１】
Ｙ．Ｎａｋａｎｏ，Ｙ．Ｌｕｏ，ａｎｄ  Ｋ．Ｔａｄａ，Ａｐｐｌｉｅｄ  Ｐｈｙｓｉｃｓ  Ｌｅｔｔｅｒｓ．ｖｏｌ．５５，Ｎｏ．１６，ｐｐ．１６０６−１６０８（１９８９）
【非特許文献２】
Ｒ．Ｇ．Ｗｉｌｓｏｎ  ｅｔ  ａｌ．，Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ａｐｐｌｉｅｄ  Ｐｈｙｓｉｃｓ  Ｖｏｌ．５７，Ｎｏ．１１，ｐｐ．５００６−５０１０（１９８５）
【００３７】
【発明が解決しようとする課題】
本発明では、凸領域直下の下側ＭＱＷ層の利得を低下させることなく、短波長側の発振モードを抑制することで、短波長側のモードと長波長側のモードとの利得差を大きくし、ＭＱＷ回折格子構造を用いる利得結合型ＤＦＢレーザに於ける単一波長性を向上させようとする。
【００３８】
【課題を解決するための手段】
本発明に依る光半導体素子に於いては、基板上に障壁層を介して井戸層が積層され電流注入に依って光を増幅する多重量子井戸構造をもつ光半導体素子であって、基板側に在って平坦な第１の多重量子井戸層（例えば下側ＭＱＷ層２２Ａ：図１参照、以下同様。）及び第１の多重量子井戸層上に在って光の伝播方向に媒質内での伝播光波長の整数倍の周期で分割された第２の多重量子井戸層（例えば上側ＭＱＷ層２２Ｂ）と、第２の多重量子井戸層に於いて分割した領域である凹領域（例えば凹領域Ｂ）に対向する第１の多重量子井戸層に於ける深さ方向の少なくとも一部或いは全部に形成された高抵抗領域（例えば高抵抗領域２７）とを備える。
【００３９】
前記手段を採ることに依り、ＭＱＷ回折格子構造に於ける凹領域に流れる電流は低減され、凹領域と凸領域との利得差は大きくなるので、利得変調を大きくすることが可能となり、利得結合型ＤＦＢレーザの単一波長性を改善することができる。また、不純物注入領域は、中間層で止めたり、下側ＭＱＷ層の中間で止めたりすることで、屈折率変調に対する利得変調の大きさを調整することが可能であり、従って、設計の自由度は増大する。
【００４０】
【発明の実施の形態】
図１は本発明に依る光半導体素子である利得結合型ＤＦＢレーザを説明する為の拡大要部切断側面図であり、図６乃至図９に於いて用いた記号と同記号は同部分を表すか或いは同じ意味を持つものとする。
【００４１】
図に於いて、２７は下側ＭＱＷ層２２Ａの一部、即ち、凹領域Ｂに位置する下側ＭＱＷ層２２Ａに不純物を注入して形成した高抵抗領域であり、このような構造になっていることから、注入された電流は矢印で示してあるように、凸領域Ａに於ける上側ＭＱＷ層２２Ｂ及び下側ＭＱＷ層２２Ａを通過することになる。
【００４２】
図２及び図３は本発明に依る光半導体素子の実施例である１．３〔μｍ〕帯で用いる利得結合型ＤＦＢレーザの製造について説明する為の工程要所に於けるレーザを表す要部切断側面図であり、以下、これ等の図を参照しつつ説明するが、ここでは、ＭＱＷ回折格子構造の説明を主体とし、他の部分の説明は省略する。
【００４３】
図２（Ａ）参照
（１）
ＭＯＶＰＥ（ｍｅｔａｌｏｒｇａｎｉｃ  ｖａｐｏｒ  ｐｈａｓｅ  ｅｐｉｔａｘｙ）法を適用することに依り、ｎ型ＩｎＰ基板上に１．３〔μｍ〕帯の下側ＭＱＷ層２２Ａを成膜する。具体的には、井戸層厚４〔ｎｍ〕、井戸層数６層、無歪、バリア層厚１０〔ｎｍ〕、バリア層組成１．１〔μｍ〕である。
【００４４】
引き続き、厚さ５０〔ｎｍ〕、組成が１．０〔μｍ〕のノンドープＩｎＧａＡｓＰ中間層２２Ｃを成膜する。
【００４５】
更に、１．３〔μｍ〕帯の上側ＭＱＷ層２２Ｂを成膜する。具体的には、井戸層厚４〔ｎｍ〕、井戸層数４層、無歪、バリア層厚１０〔ｎｍ〕、バリア層組成１．１〔μｍ〕である。
【００４６】
（２）
スピン・コート法、二光束干渉露光法、通常の現像法を適用することに依って、前記工程（１）で作製したＤＨ（ｄｏｕｂｌｅ  ｈｅｔｅｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）ウエハ上に回折格子の周期のレジスト・パターン２８を形成する。
【００４７】
図２（Ｂ）参照
（３）
メタン系反応性イオン・エッチング（ｒｅａｃｔｉｖｅ  ｉｏｎ  ｅｔｃｈｉｎｇ：ＲＩＥ）法を適用することに依り、レジスト・パターン２８をマスクとして、上側ＭＱＷ層２２Ｂのエッチングを行って中間層２２Ｃの半ばに達する凹所を形成する。
【００４８】
図３（Ａ）参照
（４）
イオン注入法を適用することに依り、レジスト・パターン２８をマスクとしてプロトンの打ち込みを行って、凹領域Ｂに表出されている下側ＭＱＷ層２２Ａに選択的に高抵抗領域２７を形成する。
【００４９】
図３（Ｂ）参照
（５）
レジスト・パターン２８を除去してから、ＭＯＶＰＥ法を適用することに依り、ノンドープＩｎＰからなる光ガイド層２３及びｐ−ＩｎＰからなるクラッド層２５を成長させてから表面を平坦化する。
【００５０】
この後、通常の技法を適用して利得結合型ＤＦＢレーザを完成させれば良いのであるが、以下、工程要所に於けるレーザを表す要部切断正面図である図４及び図５を参照しつつ説明する。
【００５１】
図４（Ａ）参照
（１）
ｎ型ＩｎＰ基板３１上に光ガイド層３２、ＭＱＷ回折格子構造３３、光ガイド層３４を形成する。
【００５２】
ここで、ＭＱＷ回折格子構造３３は、図２及び図３を参照して説明した工程で作製されたＭＱＷ回折格子構造であることは云うまでもない。
【００５３】
（２）
回折格子に垂直な方向にストライプのＳｉＯ2 膜３５を形成する。
【００５４】
図４（Ｂ）参照
（３）
メタン系ＲＩＥ法を適用することに依り、ＳｉＯ2 膜３５をマスクとして光ガイド層３４の表面からｎ型ＩｎＰ基板３１内に達するエッチングを行ってメサを形成する。
【００５５】
この場合、ＭＱＷ回折格子構造３３は、その幅が１．５〔μｍ〕となるようにエッチングすることが必要である。
【００５６】
図５参照
（４）
不純物濃度を３×１０17〔cm-3〕としたｐ型電流ブロック層３６、不純物濃度を２×１０18〔cm-3〕としたｎ型電流ブロック層３７を成長して前記メサの埋め込みを行う。
【００５７】
（５）
ＳｉＯ2 膜３５を除去してから、不純物濃度を２×１０18〔cm-3〕としたｐ型クラッド層３８、ｐ型ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層３９を成膜する。
【００５８】
（６）
ｐ型ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層３９上にメサに対応する開口を持ったストライプのＳｉＯ2 からなる絶縁膜４０を形成し、その後、蒸着法を適用することに依って、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕからなるｐ側電極４１及びＡｕＧｅからなるｎ側電極４２を形成して完成する。
【００５９】
ＤＨウエハ内に前記工程を経て作り込まれた利得結合型ＤＦＢレーザのうち、任意の複数個を選択して発振スペクトルを測定したところ、長波長側でのモードに於ける発振歩留りが９５〔％〕であった。因みに、従来例に於ける長波長側でのモードに於ける発振歩留りは８０〔％〕であるから、本発明の有効性は充分に確認できる。
【００６０】
前記説明した実施の形態では、高抵抗領域を形成する為のプロトン注入を実施する際、マスクとしてレジストを用いたが、プロトン注入の照射エネルギが高い場合には、ＳｉＯ2 などに代替して良い。
【００６１】
また、プロトン注入の深さを中間層、或いは、下側ＭＱＷ層の中間などで止めることに依って、利得変調の大きさを調整することが可能である。
【００６２】
更にまた、用いる材料はＩｎＰ系に限られることなく、ＧａＡｓ系についても全く同じ方法を採用し、同様な光半導体素子を作製することができ、その場合、不純物としては、プロトンの他に酸素イオン、ホウ素イオン、ヘリウム・イオンを用いることができる。
【００６３】
【発明の効果】
本発明に依る光半導体素子に於いては、基板側に在って平坦な第１の多重量子井戸層及び第１の多重量子井戸層上に在って光の伝播方向に媒質内での伝播光波長の整数倍の周期で分割された第２の多重量子井戸層と、第２の多重量子井戸層に於いて分割した領域である凹領域に対向する第１の多重量子井戸層に於ける深さ方向の少なくとも一部或いは全部に形成された高抵抗領域とを備える。
【００６４】
前記構成を採ることに依り、ＭＱＷ回折格子構造に於ける凹領域に流れる電流は低減され、凹領域と凸領域との利得差は大きくなるので、利得変調を大きくすることが可能となり、利得結合型ＤＦＢレーザの単一波長性を改善することができる。また、不純物注入領域は、中間層で止めたり、下側ＭＱＷ層の中間で止めたりすることで、屈折率変調に対する利得変調の大きさを調整することが可能であり、従って、設計の自由度は増大する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に依る光半導体素子である利得結合型ＤＦＢレーザを説明する為の拡大要部切断側面図である。
【図２】本発明に依る光半導体素子の実施例である１．３〔μｍ〕帯で用いる利得結合型ＤＦＢレーザの製造について説明する為の工程要所に於けるレーザを表す要部切断側面図である。
【図３】本発明に依る光半導体素子の実施例である１．３〔μｍ〕帯で用いる利得結合型ＤＦＢレーザの製造について説明する為の工程要所に於けるレーザを表す要部切断側面図である。
【図４】工程要所に於ける利得結合型ＤＦＢレーザを表す要部切断正面図である。
【図５】工程要所に於ける利得結合型ＤＦＢレーザを表す要部切断正面図である。
【図６】従来例１を説明する為のＭＱＷ回折格子構造を用いた利得結合型ＤＦＢレーザを表す要部説明図である。
【図７】従来例１を説明する為のＭＱＷ回折格子構造を用いた利得結合型ＤＦＢレーザを表す要部説明図である。
【図８】従来例２を説明する為の利得結合型ＤＦＢレーザを表す要部説明図である。
【図９】ＭＱＷ回折格子構造を用いた利得結合型ＤＦＢレーザの公知例を表す要部切断側面図である。
【符号の説明】
２２Ａ  下側ＭＱＷ層
２２Ｂ  上側ＭＱＷ層
２７  高抵抗領域
Ａ  凸領域
Ｂ  凹領域
【図１】
2004214302.tif 000003
【図２】
2004214302.tif 000004
【図３】
2004214302.tif 000005
【図４】
2004214302.tif 000006
【図５】
2004214302.tif 000007
【図６】
2004214302.tif 000008
【図７】
2004214302.tif 000009
【図８】
2004214302.tif 000010
【図９】
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