(57)【要約】【課題】信号配線導体および信号用貫通導体に高周波信号を正確に伝播させることができず、搭載される電子部品を正常に動作させることができない。【解決の手段】第１および第２の接地用導体層８・９の信号用貫通導体７と対向する領域に信号用貫通導体７の断面積以上の面積の開口８ａ・９ａが形成されているとともに、第１と第２の絶縁層１・２の間に開口８ａ・９ａよりも面積が広い開口１０ａを有し、この開口１０ａを介して信号用貫通導体７を取り囲む第３の接地用導体層１０が配設されている。【選択図】  図１
2004241426.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の絶縁層および該第１の絶縁層の下面に積層された第２の絶縁層と、前記第１の絶縁層の上面に配設された第１の信号用配線導体および前記第２の絶縁層の下面に配設された第２の信号用配線導体と、前記第１の絶縁層および第２の絶縁層を貫通して前記第１の信号用配線導体と前記第２の信号用配線導体とを接続する信号用貫通導体と、前記第１の絶縁層の上面に積層された第３の絶縁層および第２の絶縁層の下面に積層された第４の絶縁層と、前記第３の絶縁層の上面に配設された第１の接地用導体層および前記第４の絶縁層の下面に配設された第２の接地用導体層と、前記信号用貫通導体に隣接して配置され、前記第１から第４の絶縁層を貫通して前記第１および第２の接地用導体層に接続された接地用貫通導体とを具備して成り、前記第１および第２の接地用導体層の前記信号用貫通導体と対向する領域に前記信号用貫通導体の断面積以上の面積の開口が形成されているとともに、前記第１と第２の絶縁層の間に前記開口よりも面積が広い開口を有し、該開口を介して前記信号用貫通導体を取り囲む第３の接地用導体層が配設されていることを特徴とする配線基板。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、高速作動の半導体素子等の電子部品を搭載するための配線基板に関するものである。
【０００２】
【従来技術】従来、半導体素子等の電子部品を搭載するための配線基板は、上面および／または下面に配線導体が配設された酸化アルミニウム質焼結体等の電気絶縁材料から成る多数の絶縁層を上下に積層することにより形成されている。そして、各絶縁層を挟んで上下に位置する配線導体同士にて絶縁層を貫通する貫通導体を介して接続することにより３次元配線を可能とし、これにより小型で高密度の配線基板を得るようになっている。
【０００３】
このような多層配線基板の例を図２（ａ）に部分断面図で、図２（ｂ）に部分上面図または下面図で示す。
【０００４】
この例においては、中央の絶縁層２１の上下面にそれぞれ絶縁層２２・２３が積層されている。そして、中央の絶縁層２１の上下面には帯状の信号用配線導体２４・２５がそれぞれ互いの一端部を対向させるようにして配設されている。これらの信号配線導体２４・２５は、絶縁層２１を貫通して設けられた信号用貫通導体２６により互いに電気的に接続されている。また、絶縁層２２の上面および絶縁層２３の下面にはそれぞれ広面積の接地用導体層２７・２８が配設されている。これらの接地用導体層２７・２８は絶縁層２１・２２・２３を貫通して信号用貫通導体２６に隣接するような配置で設けられた接地用貫通導体２９でもって互いに接続されている。
【０００５】
このような配線基板において、信号用配線導体２４・２５は、接地用導体層２７および２８との間の電磁カップリングにより、例えば５０Ωの特性インピーダンスとなるように設計されている。また、信号用貫通導体２６は、接地用貫通導体２９との間の電磁カップリングにより５０Ωの特性インピーダンスとなるように設計されている。
【０００６】
【特許文献１】
特開２０００−７７８０８号公報
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、信号用配線導体２４と信号用貫通導体２６との接続部では、この接続部と接地用貫通導体２９との間の電磁カップリングおよび接地用導体層２７との間の電磁カップリングによる作用が重畳しまうこととなる。また信号用配線導体２５と信号用貫通導体２６との接続部では、この接続部と接地用貫通導体２９との間の電磁カップリングおよび接地用導体層２８との間の電磁カップリングによる作用が重畳してしまうこととなる。その結果、これらの接続部分における電磁カップリングが大きくなり過ぎて過多となり、これらの接続部において局部的に特性インピーダンスが小さなものとなってしまうために、特性インピーダンスの不整合が発生するという問題点があった。
【０００８】
このように信号用配線導体２４・２５と信号用貫通導体２６との接続部において局部的に発生する特性インピーダンスの不整合は、この信号用配線導体２４・２５および信号用貫通導体２６を伝播する信号の周波数がそれほど高くない場合にはほとんど問題となることはないが、信号用配線導体２４・２５および信号用貫通導体２６を伝播する信号の周波数が例えば１ＧＨｚ以上の高周波になると、これらの特性インピーダンスとの不整合箇所において信号が大きく反射するようになって問題となる。そのため、信号用配線導体２４・２５および信号用貫通導体２６に所定の高周波信号を正確に伝播させることができず、配線基板に搭載される半導体素子等の電子部品を正常に作動させることができなくなるという問題を誘発していた。
【０００９】
そこで、本願出願人は、先に特開２０００−７７８０８において、第１の絶縁層と、該第１の絶縁層の上面に配設された第１の信号用導体および下面に配設された第２の信号用導体と、前記第１の絶縁層を貫通して前記第１の信号用導体と前記第２の信号用導体とを接続する信号用貫通導体と、前記第１の絶縁層の上面に積層された第２の絶縁層および下面に積層された第３の絶縁層と、前記第２の絶縁層の上面に配設された第１の接地用導体層および前記第３の絶縁層の下面に配設された第２の接地用導体層と、前記信号用貫通導体に隣接して配置され、前記第１乃至第３の絶縁層を貫通して前記第１および第２の接地用導体層に接続された接地用貫通導体とを具備して成り、前記第１および第２の接地用導体層の前記信号用貫通導体と対向する領域に前記信号用貫通導体の断面積以上の面積の開口が形成されていることを特徴とする配線基板を提案した。この特開２０００−７７８０８において提案した配線基板によると、第１の接地用導体層および第２の接地用導体層の信号用貫通導体と対向する部位に、その面積が信号用貫通導体の断面積以上の開口が形成されていることから、信号用貫通導体と第１および第２の信号用配線導体との接続部においては接地用導体層との電磁カップリングが小さいものとなって接地用貫通導体のみとの間で強い電磁カップリングを生じるので、この部分における電磁カップリングが過多となることはなくなり、この部分において特性インピーダンスの大きな不整合が発生することを有効に防止することができる。
【００１０】
しかしながら、この特開２０００−７７８０８で提案した配線基板においても、信号用配線導体および信号用貫通導体に例えば１０ＧＨｚ以上の信号を伝播させると、第１の信号用配線導体と第２の信号用配線導体とが第１の絶縁層を挟んで上下に位置するため、第１の信号用配線導体および第２の信号用配線導体に信号が伝播する際に発生するノイズが互いに干渉してしまい、伝播する信号にノイズが加わることにより配線基板に搭載される半導体素子等の電子部品を正常に作動させることができなくなるという問題があった。
【００１１】
本発明はかかる従来技術の問題点に鑑み案出されたものであり、その目的は、信号用配線導体との信号用貫通導体との接続部における特性インピーダンスの不整合を緩和し、さらに信号用配線導体の間でのノイズ干渉を防止することにより、信号用配線導体および信号用貫通導体を伝播する信号が例えば１０ＧＨｚ以上の高周波信号であったとしても信号用配線導体および信号用貫通導体を伝播する信号に大きな反射を起すことがなく、信号用配線導体および信号用貫通導体に所定の信号を正確に伝播させ、搭載される半導体素子等の電子部品を正常に作動させることが可能な配線基板を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本発明の多層配線基板は、第１の絶縁層および該第１の絶縁層の下面に積層された第２の絶縁層と、前記第１の絶縁層の上面に配設された第１の信号用配線導体および第２の絶縁層の下面に配設された第２の信号用配線導体と、前記第１の絶縁層および第２の絶縁層を貫通して前記第１の信号用配線導体と前記第２の信号用配線導体とを接続する信号用貫通導体と、前記第１の絶縁層の上面に積層された第３の絶縁層および第２の絶縁層の下面に積層された第４の絶縁層と、前記第３の絶縁層の上面に配設された第１の接地用導体層および前記第４の絶縁層の下面に配設された第２の接地用導体層と、前記信号用貫通導体に隣接して配置され、前記第１から第４の絶縁層を貫通して前記第１および第２の接地用導体層に接続された接地用貫通導体層の前記信号用貫通導体と対向する領域に前記信号用貫通導体の断面積以上の面積の開口が形成されるとともに、前記第１と第２の絶縁層の間に前記開口よりも面積が広い開口を融資、該開口を介して前記信号用貫通導体を取り囲む第３の接地用導体層が配設されていることを特徴とするものである。
【００１３】
本発明の配線基板によると、第１の接地用導体層および第２の接地用導体層の信号用貫通導体と対向する部位に、その面積が信号用貫通導体の断面積以上の開口が形成されていることから、信号用貫通導体と第１および第２の信号用配線導体との接続部においては接地用導体層との電磁カップリングが小さいものとなって接地用貫通導体のみとの間で強い電磁カップリングを生じるので、この部分における電磁カップリングが過多となることはなくなり、この部分において特性インピーダンスの大きな不整合が発生することを有効に防止することができる。また、第１の絶縁層と第二の絶縁層との間に設けられた第３の接地用導体層により第１の信号用導体と第２の信号用導体との間のノイズ干渉を有効に防止することができる。さらに第３の接地用導体層に設けられた開口の面積を前記第１および第２の接地用導体層に形成された開口の面積より広いものとすることにより、信号用貫通導体が第３の接地用導体層を貫通する部分においても特性インピーダンスの大きな不整合が発生することを有効に防止することができる。
【００１４】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の多層配線基板について添付図面に基づき詳細に説明する。
【００１５】
図１（ａ）は本発明の配線基板の実施の形態の一例を示す部分断面図、図１（ｂ）は図１（ａ）に対応した部分上面図または部分下面図である。
【００１６】
図１（ａ）および（ｂ）に示す実施の形態の一例においては、第１の絶縁層１の下面に第２の絶縁層２を、第１の絶縁層の上面に第３の絶縁層３を、第２の絶縁層２の下面に第４の絶縁層４をそれぞれ積層一体化している。
【００１７】
第１の絶縁層１および第２の絶縁層２・第３の絶縁層３・第４の絶縁層４は、例えば酸化アルミニウム質焼結体・ガラスセラミックス等の無機材料またはエポキシ樹脂・ポリフェニレンエーテル（ＰＰＥ）・ビスマレイドトリアジン（ＢＴ）樹脂等の有機材料等の電気絶縁材料から形成されている。これら第１〜第４の絶縁層１〜４は、酸化アルミニウム質焼結体から成る場合であれば、酸化アルミニウム質焼結体等のセラミックスとなる原料粉末に適当なバインダおよび溶剤を添加混合して泥漿状となすとともに、これを従来周知のドクターブレード法を採用してシート状に形成してそれぞれ第１の絶縁層１および第２の絶縁層２・第３の絶縁層３・第４の絶縁層４となるセラミックグリーンシートを得て、しかる後に、これらのセラミックグリーンシートに適当な打ち抜き加工を施すとともに所定の順に積層してセラミックグリーンシート積層体となし、最後にこのセラミックグリーンシート積層体を高温で焼成することによって上下積層一体化される。
【００１８】
また、第１の絶縁層１の上面と第２の絶縁層２の下面にそれぞれ帯状の第１の信号用配線導体５および第２の信号用配線導体６が互いの一端部同士を対向させるようにして配設されている。
【００１９】
そして、これらの第１の信号用配線導体５と第２の信号用配線導体６とは、互いに対向する一端部間において第１の絶縁層１と第２の絶縁層２を貫通する信号用貫通導体７により互いに電気的に接続されている。
【００２０】
第１および第２の信号用配線導体５・６ならびに信号用貫通導体７は、配線基板に搭載される半導体素子等の電子部品に信号を入出力するための伝送路として機能し、これらにより例えば１ＧＨｚ以上の高周波信号が伝達される。
【００２１】
また、第３の絶縁層３の上面及び第４の絶縁層４の下面には、それぞれ広面積の第１の接地用導体層８および第２の接地用導体層９が配設されており、さらに第１の絶縁層１と第２の絶縁層２との間には第３の接地用導体層１０が配設されている。
【００２２】
これら第１の接地用導体層８と第２の接地用導体層９と第３の接地用導体層１０は、第１の絶縁層１および第２の絶縁層２・第３の絶縁層３・第４の絶縁層４を貫通して信号用貫通導体７に隣接するような配置で設けられた接地用貫通導体１１でもって互いに電気的に接続されている。
【００２３】
第１および第２および第３の接地用導体層８・９・１０ならびに接地用貫通導体１１は、配線基板に搭載される半導体素子等の電子部品に接地電位を提供するための導電路として機能し、外部の接地電位に電気的に接続される。
【００２４】
これら第１の信号配線導体５および第２の信号用配線導体６・信号用貫通導体７・第１の接地用導体層８・第２の接地用導体層９・第３の接地用導体１０・接地用貫通導体１１は、例えばタングステン粉末やモリブデン粉末・銀粉末・銅粉末・半田粉末等の金属粉末から成る。信号用配線導体５・６あるいは接地用導体層８・９・１０を形成する場合であれば、タングステン粉末や銅粉末等の金属粉末に適当な有機バインダおよび溶剤を添加混合して得た導体ペーストを各絶縁層１〜４となるセラミックグリーンシートの上面および／または下面に必要に応じて所定のパターンに印刷塗布される。また、信号用貫通導体７や接地用貫通導体１１を形成する場合であれば、各絶縁層１〜４となるセラミックグリーンシートの所定位置に予め貫通孔を設けておくとともに、この貫通孔内に前出の導体ペーストを充填し、これらの導体ペーストを各絶縁層１〜４となるセラミックグリーンシートとともに焼成することによって所定の位置に所定のパターンに形成される。
【００２５】
そして、第１の信号用配線導体５および第２の信号用配線導体６は、第１の接地用導体層８および第２の接地用導体層９および第３の接地用導体層１０との間の電磁カップリングによりその特性インピーダンスが例えば５０Ωとなるように設計されている。このような第１の信号用配線導体５および第２の信号用配線導体６の特性インピーダンスは、第１〜４の絶縁層１〜４の厚みおよび誘電率、さらには第１および第２の信号用配線導体５・６の線路幅等により決定される。
【００２６】
また、信号用貫通導体７は、接地用貫通導体１１との間の電磁カップリングによりその特性インピーダンスが例えば５０Ωとなるように設計されている。このような信号用貫通導体７の特性インピーダンスは、第１〜４の絶縁層１〜４の誘電率や信号用貫通導体７および接地用貫通導体１１の直径、ならびに信号用貫通導体７と接地用貫通導体１１との距離・接地用貫通導体１１の数等により決定される。
【００２７】
さらに、本発明においては、第１の接地用導体層８および第２の接地用導体層９に対して、信号用貫通導体７と対向する領域に、信号用貫通導体７の断面積以上の面積の開口８ａ・９ａが形成されているとともに接地用導体層１０に設けられた信号用貫通導体７との絶縁を保つための開口１０ａが第１の接地用導体層８および第２の接地用導体層９に設けられた開口８ａ・９ａより大きい面積で形成されていることが重要である。
【００２８】
開口８ａ・９ａ・１０ａは、例えば円柱状の信号用貫通導体７に対してその中心が信号用貫通導体７の中心軸と一致した円形である。これら開口８ａ・９ａ・１０ａは、第１または第２の絶縁層１・２や第３の絶縁層３および第４の絶縁層４となるセラミックグリーンシートに第１の接地用導体層８や第２の接地用導体層９や第３の接地用導体層１０となる導体ペーストを印刷しておくことによって所定の大きさ・形状に形成される。
【００２９】
第１の接地用導体層８および第２の接地用導体層９には、信号用貫通導体７と対向する領域に開口８ａ・９ａが形成されていることから、第１の信号用配線導体５と信号用貫通導体７との接続部においては、第１の接地用導体層８との間の電磁カップリングが大きく減少する。おなじく、第２の信号用配線導体６と信号用貫通導体７との接続部においては、第２の接地導体層９との間の電磁カップリングが大きく減少する。従って、これらの接続部においてはほとんどが接地用貫通導体７のみとの電磁カップリングとなり、電磁カップリングが大きくなり過ぎて過多となることがないので、特性インピーダンスの不整合が大きく低減される。
【００３０】
また、第１の絶縁層１と第２の絶縁層２との間に第３の接地用導体１０を設けることにより、第１の信号用配線導体５と第２の信号用配線導体６との間でのノイズ干渉を防ぐことができる。しかしながら、この場合に第１の接地用導体層８および第２の接地用導体層９に設けられた開口８ａ・９ａの中には信号用貫通導体７が存在しないのに対し、第３の接地用導体層１０には信号用貫通導体７が貫通することから、開口１０ａが開口８ａ・９ａと同じ大きさであると信号用貫通導体７と接地用導体層１０との間において電磁カップリングが大きくなり過ぎて過多となってしまう。そのため、第３の接地用導体１０に設けられた信号用貫通導体７との絶縁のための開口１０ａを第１の接地用導体層８ならびに第２の接地用導体層９に設けられた開口８ａ・９ａよりも大きくすることで、信号用貫通導体７と接地用導体層１０との間においての電磁カップリングが大きく過多となることを抑え、信号用貫通導体７と第３の接地用導体１０との間の電磁カップリングが大きくなり過ぎて過多となることがないので、特性インピーダンスの不整合が大きく低減される。
【００３１】
その結果、第１の信号用配線導体５および第２の信号用配線導体６ならびに信号用貫通導体７に例えば周波数が１ＧＨｚ以上の高周波信号を伝播させてもこの信号が大きく反射するようなことはなくなり、信号を正確に伝播させ、配線基板に搭載される半導体素子等の電子部品を正常に作動させることが可能となる。
【００３２】
なお、第１の接地用導体層８および第２の接地用導体層９に形成される開口８ａおよび９ａの大きさは、開口８ａ・９ａの直径をそれぞれＤ１・Ｄ２とし、信号用貫通導体７の直径をＤ３・第３の絶縁層３の厚みをＴ１・第４の絶縁層４の厚みをＴ２としたとき、Ｄ１がＤ３より小さいものとなると、第１の信号用配線導体５と信号用貫通導体７との接続部における第１の接地用導体層８との電磁カップリングが大きくなり、これが接地用巻通導体１０との電磁カップリングと重畳してこの部分において特性インピーダンスの不整合が顕著となる傾向にある。また、Ｄ１がＤ３＋０．５Ｔ１より大きなものとなると、第１の信号用配線導体５で信号用貫通導体７との接続部の近傍において第１の接地用導体層８との電磁カップリングが小さいものとなり、この部分で特性インピーダンスが大きくなって特性インピーダンスが大きくなって特性インピーダンスの不整合を引き起こしてしまい易い傾向にある。
【００３３】
また同様に、Ｄ２がＤ３より小さいものとなると、第２の信号用配線導体６と信号用貫通導体７との接続部における第２の接地用導体層９との電磁カップリングが大きくなり、これが接地用貫通導体１０との電磁カップリングが大きくなり、これが接地用貫通導体１０との電磁カップリング重畳してこの部分において特性インピーダンスの不整合が顕著となる傾向にある。また、Ｄ２がＤ３＋０．５Ｔ２より大きなものとなると、第２の信号用配線導体６で信号用貫通導体７との接続部の近傍において第２の接地用導体層９との電磁カップリングが小さいものとなり、この部分で特性インピーダンスが大きくなって特性インピーダンスの不整合を引き起こしてしまい易い傾向にある。
【００３４】
従って、第１の接地用導体層８および第２の接地用導体層９に形成される開口８ａ・９ａの大きさは、開口８ａ・９ａの直径をそれぞれＤ１・Ｄ２とし、信号用貫通導体７の直径をＤ３・第２の絶縁層３の厚みをＴ１・第４の絶縁層の厚みをＴ２としたとき、Ｄ３≦Ｄ１≦Ｄ３＋０．５Ｔ１、Ｄ３≦Ｄ２≦Ｄ３＋０．５Ｔ２の範囲であることが好ましい。また、第３の接地用導体層１０に設けられた１０ａの開口径Ｄ４が信号用貫通導体７の直径Ｄ３よりも１ｍｍを超えて大きい場合、第１の信号用配線導体５と第２の信号用配線導体６との間でのノイズ干渉を防止する効果が低下するとともに第１信号用配線導体５および第２の信号用配線導体６における開口１０ａに対応する領域での特性インピーダンスの不整合が大きくなる。従って、開口１０ａの大きさは、開口８ａ・９ａの直径をそれぞれＤ１・Ｄ２とし、信号用貫通導体７の直径をＤ３・開口１０ａの直径をＤ４としたとき、Ｄ１＜Ｄ４≦Ｄ３＋１ｍｍ、Ｄ２＜Ｄ４≦Ｄ３＋１ｍｍであることが好ましい。
【００３５】
なお、本発明は上述の実施の形態の一例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば種々の変更は可能である。
【００３６】
例えば、上述の実施の形態の一例では第１の接地導体層８および第２の接地用導体層９に形成された開口８ａ・９ａは円形であったが、開口８ａ・９ａは円形に限らず、例えば正方形、長方形状、菱形状、六角形状または八角形状等の形状などの多角形であってもよい。
【００３７】
また、第１〜第４の絶縁層１〜４は、それぞれ複数の絶縁層により形成されていてもよい。
【００３８】
また、チップ抵抗，薄膜抵抗，コイルインダクタ，クロスインダクタ，チップコンデンサまたは電解コンデンサ等といったものを取着して多層配線基板を構成してもよい。
【００３９】
そして、このような本発明の配線基板は、半導体素子収納用パッケージ等の電子部品収納用パッケージや電子部品搭載用基板、多数の半導体素子が搭載されるいわゆるマルチチップモジュールやマルチチップパッケージ、あるいはマザーボード等として使用される。
【００４０】
【発明の効果】
本発明の配線基板によると、第１の絶縁層および該第１の絶縁層の下面に積層された第２の絶縁層と、前記第１の絶縁層の上面に配設された第１の信号用配線導体および第２の絶縁層の下面に配設された第２の信号用配線導体と、前記第１の絶縁層および第２の絶縁層を貫通して前記第１の信号用配線導体と前記第２の信号用配線導体とを接続する信号用貫通導体と、前記第１の絶縁層の上面に積層された第３の絶縁層および第２の絶縁層の下面に積層された第４の絶縁層と、前記第３の絶縁層の上面に配設された第１の接地用導体層および前記第４の絶縁層の下面に配設された第２の接地用導体層と、前記信号用貫通導体に隣接して配置され、前記第１から第４の絶縁層を貫通して前記第１および第２の接地用導体層に接続された接地用貫通導体層の前記信号用貫通導体と対向する領域に前記信号用貫通導体の断面積以上の面積の開口が形成されているとともに、前記第１と第２の絶縁層の間に前記開口よりも面積が広い開口を有し、該開口を介して前記信号用貫通導体を取り囲む第３の接地用導体層が形成されていることから、信号用貫通導体と第１および第２の信号用配線導体との接続部においては接地用導体層との電磁カップリングが小さいものとなり、接地用貫通導体のみとの間で強い電磁カップリングが生じるものとなる。そのため、この部分における電磁カップリングが過多となることはなく、この部分において特性インピーダンスの大きな不整合が発生することを有効に防止することができる。また、第１の絶縁層と第二の絶縁層との間に設けられた第３の接地用導体層により第１の信号用導体と第２の信号用導体との間のノイズ干渉を有効に防止することができる。さらに第３の接地用導体層に設けられた開口の面積を前記第１および第２の接地用導体層に形成された開口の面積より広いものとすることにより、信号用貫通導体が第３の接地用導体層を貫通する部分においても特性インピーダンスの大きな不整合が発生することを有効に防止することができる。その結果、第１の信号用配線導体および第２の信号用配線導体ならびに信号用貫通導体に例えば周波数が１０ＧＨｚ以上の高周波信号を正確に伝播させることができ、配線基板に搭載される半導体素子等の電子部品を正常に作動させることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）は本発明の配線基板の実施の形態の一例を示す部分断面図であり、（ｂ）は（ａ）に対応する部分上面図または下面図である。
【図２】（ａ）は従来の配線基板を示す部分断面図であり、（ｂ）は対応する部分上面図または下面図である。
【符号の説明】
１：第１の絶縁層
２：第２の絶縁層
３：第３の絶縁層
４：第４の絶縁層
５：第１の信号用配線導体
６：第２の信号用配線導体
７：信号用貫通導体
８：第１の接地用導体層
９：第２の接地用導体層
１０：第３の接地用導体層
１１：接地用貫通導体
８ａ、９ａ、１０ａ：開口
【図１】
2004241426.tif 000003
【図２】
2004241426.tif 000004