(57)【要約】【課題】共振特性或いは反共振特性を有する共振器を梯子型に構成した弾性表面波フィルタにおいて、入力側初段の並列腕の共振器は流入電流が大きくその薄膜配線の抵抗による発熱によって寿命が低下する。【解決手段】該共振器を構成する複数の櫛歯電極の１端を接続する接続電極上、或いは当接続電極の長さ方向に延長した引出し導体上、ボンディングワイヤを、前記複数の櫛歯電極の群の中心線の両側に振り分けられた位置に接合される。ボンディングワイヤは更に上記中心線の実質的に上にも接合されていてもよい。上記ボンディングワイヤは上記中心線に関し対称に接合されるのが好ましい。また、好ましくは櫛歯電極の長さ方向の幅が前記櫛歯電極の幅より大きく設定する。【選択図】　図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の共振特性を有する第１の共振器の複数の並列腕と、前記第１の共振特性の反共振周波数に共振周波数がほぼ一致する第２の共振特性を有する第２の共振器の直列腕とが梯子型に構成された、弾性表面波フィルタであって、
入力側初段の前記並列腕の第１の共振器においては、前記第１の共振器を構成する互いに平行な１対の櫛歯電極群のそれぞれの１端を接続する接続電極の内の接地側の接続電極に対するボンディングワイヤが前記１対の櫛歯電極群の中心線の両側に振り分けられて接続されるとともに、上記ボンディングワイヤは実質的に上記中心線の上にも接続されていることを特徴とする弾性表面波フィルタ。
【請求項２】
上記中心線の両側に配分されたボンディングワイヤは上記中心線に関し実質的に対称の位置に接続されていることを特徴とする請求項１記載の弾性表面波フィルタ。
【請求項３】
上記接続電極の長さ方向に延長した引き出し導体上に上記ボンディングワイヤが接続されていることを特徴とする請求項１乃至２記載の弾性表面波フィルタ。
【請求項４】
上記接続電極に、櫛歯電極と反対方向に複数の突出した部分を設け、該突き出し部分のそれぞれにボンディングワイヤを接合することを特徴とする請求項１乃至３記載の弾性表面波フィルタ。
【請求項５】
上記複数の突出した部分の間の部分が電気的導体によって埋められていることを特徴とする請求項４記載の弾性表面波フィルタ。
【請求項６】
さらに、前記入力側初段の並列腕の第１の共振器の入力側の前記接続電極に対するボンディングワイヤが前記１対の櫛歯電極群の中心線の両側に振り分けられて接続されるとともに、前記入力側の接続電極の幅が前記櫛歯電極の幅よりも広く形成されてなることを特徴とする請求項１乃至５記載の弾性表面波フィルタ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【技術分野】
本発明は、梯子型の弾性表面波フィルタに関し、特にその耐電力特性の向上に関する。
【０００２】
【背景技術】
近年、携帯電話に代表される移動通信機器の市場が急速に膨らみつつあり、それら機器に使用する部品の小型・高性能化の要求が強まっている。
【０００３】
移動通信端末の高周波回路のフロントエンドに位置するアンテナ分岐器は、高耐電力性が要求されるので、従来より誘電体フィルタが用いられて来た。しかし、機器の更なる小型化のためには弾性表面波（今後ＳＡＷとよぶ）フィルタに置き換える必要がある。また一方使用周波数の上昇とともにＳＡＷフィルタの電極幅が微細になり、この故に益々の耐電力性が要求されてきている。
【０００４】
梯子型のＳＡＷフィルタは、並列腕と直列腕とに互いに共振特性の異なるＳＡＷ共振器（１端子対共振器）を配置したフィルタであり、これを用いることにより、櫛形電極対を多段に接続したトランスバーサル型のＳＡＷフィルタを用いる場合と比べて、挿入損失を大幅に減少させることができる。ＳＡＷ共振器の詳細は後程説明する。
【０００５】
共振器のインピーダンスは、共振周波数ｆｒで零であり、反共振周波数ｆａで最大である。逆にアドミタンスは共振周波数ｆｒで最大であり、反共振周波数ｆａで零である。つまり、共振器は２重共振特性をもつ。
【０００６】
このような共振器をＬ形に接続して２端子対共振器を構成し、その際に並列腕の共振器Ｒｐの反共振周波数ｆａｐが直列腕の共振器Ｒｓの共振周波数ｆｒｓとほぼ一致するように、並列腕の共振器Ｒｐ及び直列腕の共振器Ｒｓのそれぞれについて設定することにより、直列腕の共振器Ｒｓの共振周波数ｆｒｓを中心周波数とするバンドパスフィルタが形成される。そして、２端子対共振器を、図３Ａの等価回路図に示す如く多段に接続して梯子型とすることにより、携帯電話などの仕様を満たすバンドパスフィルタ特性が得られる。
【０００７】
ＳＡＷフィルタを携帯電話機などの高周波回路に組み込む場合には、その機器の最大送信出力に見合った耐電力性が要求される。特に出力増幅段を経た送信電力が加わるアンテナデュプレクサ（送受分波器）に用いる場合には、ジュール熱に対する配慮が厳しく求められる。アンテナデュプレクサは、送信周波数と受信周波数とが異なることを利用して送受信でアンテナを共用するためのデバイスであり、送信周波数帯域を通過域とする送信用バンドパスフィルタと受信周波数帯域を通過域とする受信用バンドパスフィルタとからなる。
【０００８】
従来のＳＡＷフィルタでは、フィルタ特性（バンドパス特性）における低周波側の減衰域（阻止域）の信号が入力されたときに、共振器を形成しているフィルタチップの温度が上昇して特性の劣化が進みやすいという問題があった。つまり、低周波側の減衰域における耐電力性が他の周波数帯域における耐電力性に比べて低かった。
【０００９】
このため、例えば北米及び南米で採用されているアナログ携帯電話方式であるＡＭＰＳ（Ａｕｔｏｍａｔｉｃ　Ｍｅｓｓａｇｅ　Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ　Ｓｙｓｔｅｍ）に適合するアンテナデュプレクサを従来のＳＡＷフィルタで構成した場合には、送信周波数（８２４〜８４９ＭＨｚ）が受信周波数（８６９〜８９４ＭＨｚ）より低周波であることから、耐電力性の低い周波数帯域の信号（送信信号）が入力される受信用フィルタが、送信用フィルタよりも早期に劣化した。
【００１０】
一方、ＳＡＷフィルタでは、フィルタ特性と電流経路との関係を模式的に示す図２のように、入力信号の周波数によって電流経路に違いが生じる。すなわち、原理的には、周波数が通過域Ａの信号電流は直列腕を流れ、周波数が低周波側の減衰域Ｂ１の信号電流は主に並列腕を流れる。なお、高周波側減衰域Ｂ２の信号はフィルタ内部のいずれの共振器にもほとんど流れ込まない。
【００１１】
また、梯子形のフィルタにおいて、各段の電流を比較すると、入力側初段から後段へ向かう順に小さくなる。すなわち、図３Ａのように各共振器Ｒｓ１，Ｒｓ２，Ｒｐ１，Ｒｐ２，Ｒｐ３をそれぞれ流れる電流をＩｓ１，Ｉｓ２，Ｉｐ１，Ｉｐ２，Ｉｐ３とすると、式（１），（２）の関係が成り立つ。
【００１２】
Ｉｓ１＞Ｉｓ２　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　…（１）
Ｉｐ１＞Ｉｐ２＞Ｉｐ３　　　　　　　　　　　　　　　　　　…（２）
したがって、特に入力側初段の並列腕の共振器Ｒｐ１を流れる電流Ｉｐ１によるジュール熱を低減することが、低周波側の減衰域Ｂ１の耐電力性を高める上で有効であると考えられる。
【００１３】
ここで、共振器Ｒｐ１のインピーダンスＺは、図３（Ｂ）に基づいて（４）式で表される。
【００１４】
Ｚ＝Ｚ１・Ｚ２／（Ｚ１＋Ｚ２）　　　　　　　　　　　　　　…（４）
ここで　Ｚ１：−ｊ／ωＣ０
Ｚ２：Ｒ＋ｊωＬ−ｊ／ωＣ１である。
【００１５】
そして、ジュール熱に係わる抵抗成分（インピーダンスＺの実数部）Ｚｒは、（５）式で表される。
【００１６】
Ｚｒ＝Ｒ／（ωＣ０）２〔Ｒ２＋（ωＬ−１／ωＣ０　　　　　−１／ωＣ１）２〕　　　　　　　　　　　　　　　　　…（５）
この抵抗成分Ｚｒの内、抵抗Ｒは、図１に示す櫛歯電極１１１の開口長ｘと対の数とを適切に選定することによって低減することができる（特開平６−２９７７９号）。
【００１７】
しかし、本発明者らによって、フィルタチップの発熱に、薄膜で形成された配線導体の抵抗が大きく関与していることが後述の実験によって確かめられた。入力側初段の並列腕において、フィルタチップの発熱に係わる実際の抵抗成分ＺＲ１は、（６）式で表される。（６）式のＲ１は、上記配線導体の内の、共振器とボンディングワイヤとの間の部分の抵抗である。
【００１８】
ＺＲ１＝Ｚｒ＋Ｒ１　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　…（６）
【００１９】
【発明の開示】
本発明は、以上の考察を踏まえてなされたもので、共振器とボンディングワイヤとの間の薄膜導体の、特に入力側初段の並列腕の共振器の発熱を低減して共振器の温度上昇を抑え、耐電力性の向上、その結果として当ＳＡＷフィルタの信頼性の向上を図ることを目的としている。
【００２０】
共振特性或いは反共振特性を有する共振器を梯子型に構成した弾性表面波フィルタにおいて、特に入力側初段の並列腕の共振器Ｒｐ１を構成する複数の櫛歯電極１１１の１端を接続する一対の接続電極の内の接地側の接続電極上或いは当該接続電極の長さ方向に延長した引き出し導体１３０−１上にボンディングワイヤ３３，３１が前記複数の櫛歯電極の群の中心線Ｃ１の両側に振り分けられた位置に接合されている。上記ボンディングワイヤは更に上記中心線Ｃ１のほぼ上にも接合されていてもよい。上記ボンディングワイヤは上記中心線Ｃ１に関し対称の位置にあるのが好ましい。
【００２１】
また、上記接続電極１３０上或いは当接続電極の長さ方向に延長した引き出し導体１３０−１上、前記中心線Ｃ１の両側に振り分けられた位置に、上記接続電極から櫛歯電極と反対方向に複数の突出した部分１３０−３を設け、該突出した部分１３０−３のそれぞれにボンディングワイヤ３３’’を接合する。上記複数の突出した部分１３０−３の間の部分１３０−４が電気的導体によって埋められていてもよい。上記ボンディングワイヤ接続構造はＳＡＷ共振器のみに適用できる。
【００２２】
特に入力側初段の並列腕の共振器Ｒｐ１について、その接地側の接続電極それ自体の電気抵抗と共にボンディングワイヤに到る迄の電気抵抗を減少しジュール熱の発生が低減されて共振器の温度上昇が抑えられる。
【００２３】
【発明を実施する為の最良の形態】
梯子型構成の並列腕と直列腕に用いられるＳＡＷ共振器Ｒｐ，Ｒｓ共通の電極構造の一例の平面図を図１で示す。
【００２４】
ＳＡＷ共振器（以下、単に「共振器」という）は、複数の櫛歯電極１１１を対向する複数の櫛歯電極の間に対をなして挿入し、その開放端を接続電極１３０で接続している励振部と、上記櫛歯電極対の弾性表面波伝播方向両側に配置された反射器１２０とで形成されている。上記励振部は励振及び受信のための入出力端子となる。図１の例の反射器は先端が互いに短絡された複数の櫛歯電極で形成されている。しかし、開放型の櫛形電極又はストリップアレイ状電極を反射器として用いることも出来る。反射器は引き出し導体１３０−１によって励振部と電気的に接続されて描かれているが、フィルタの特性設計の要求により接続されないで構成されることもある。
【００２５】
各共振器Ｒｓ１，Ｒｓ２，Ｒｐ１，〜Ｒｐ３の導体パターン（櫛形電極及び反射器）とその他の配線導体は、Ａ１−２％Ｃｕ（１２５ｎｍ）／Ｃｕ（４５ｎｍ）／Ａ１−２％Ｃｕ（１２５ｎｍ）の三層構造の薄膜導体からなる。また、共振器Ｒｓ１，Ｒｓ２，Ｒｐ１，〜Ｒｐ３はＡＭＰＳの受信用フィルタ（ＡＭＰＳ−Ｒｘ：受信帯域８６９〜８９４ＭＨｚ）の仕様を満たすように設計されている。
【００２６】
ＳＡＷフィルタ１は、図４に示すように数ミリ角程度の大きさのセラミック製パッケージ１０、パッケージ１０の底面部１０Ａの内面にボンディングされたフィルタチップ２０、及び例えば２５μｍφのＡｕ線又はＡ１線からなるボンディングワイヤ３１〜３５などから構成されている。
【００２７】
パッケージ１０には、枠状の側壁部１０Ｂにおける対向する２辺に沿ったボンディング台部１０Ｃが設けられている。ボンディング台部１０Ｃの上面には、例えばＡｕ膜からなる外部接続用の端子Ｔ１〜３が設けられている。
【００２８】
フィルタチップ２０は、３６°回転Ｙカット−Ｘ伝播ＬｉＴａＯ３（タンタル酸リチウム）の単結晶基板上に、別途詳述の所定パターンの薄膜導体を設けたものであり、従来より広く知られたプロセスによって作製される。
【００２９】
フィルタチップ２０には、梯子型フィルタにおける直列腕の構成要素である２つの共振器Ｒｓ１，Ｒｓ２、並列腕の構成要素である３つの共振器Ｒｐ１，Ｒｐ２，Ｒｐ３、及びボンディングパッドを含む所定の配線導体が形成されている。合計５つの共振器Ｒｓ１，Ｒｓ２，Ｒｐ１，〜Ｒｐ３はそれぞれの弾性表面波の伝播路が互いに干渉しないように図４の縦方向に互いにずらせて配置されている。
【００３０】
図１に示す共振器は、本発明によって励振部の櫛歯電極の幅ｗは例えば約１．２μｍ、長さは例えば約８１μｍであり、櫛歯の数は例えば５８対である。櫛歯電極を接続する接続電極１３０は励振の櫛歯電極の全部を接続する幅、即ちＳＡＷ伝播方向の長さ、Ｌ（Ｌ’）を有し、それに直角方向、即ち櫛歯長さ方向の幅ｂを有する。長さＬ（Ｌ’）は約２７８μｍ、その幅ｂは約８０μｍ、その厚みは上記の如く約３００ｎｍである。この幅ｂの値は櫛歯の幅ｗに較べて充分に大きい。
【００３１】
入力側の並列腕の共振器Ｒｐ１は図１に示す構成で、その接続電極１３０の長さ方向、即ち櫛歯電極１１１の群の配列方向、にそれぞれ接続された引き出し導体１３０−１の開放端に図４に示す如くパッド１３０−２を設け、それぞれに１本づつボンディングワイヤ３３を超音波など広く用いられている方法によって接合し、接地端子Ｔ３に接続している。即ち励振部の中心線Ｃ１によって割り振られた２か所に接合されている。並列腕の共振器Ｒｐ１の入力励振側にも接続導体１３１が接続導体１３０同様に接続されているが、その長さ全体を励振部の幅を幅とする引き出し導体１３１−１が直列腕の入力段の共振器Ｒｓ１の接続電極１３１−２に伸びている。この引き出し導体１３１−１上、共振器の中心線Ｃ１によって振り分けられた位置に２本のボンディングワイヤ３１が接合されて、信号入力端子Ｔ１に接続している。
【００３２】
直列腕の入力段の共振器Ｒｓ１の出力側と、第２段の直列腕の共振器Ｒｓ２の入力側と、第２段の並列腕の共振器Ｒｐ２の入力側は薄膜配線１３２で互いに接続されている。薄膜配線１３２と各共振器との接続には接続電極１３０と同様に接続電極がそれぞれの共振器に設けられているが、特に図示してない。第２段の並列腕の共振器Ｒｐ２の接地側は接続電極１３０と同様に接続電極１３３が設けられ、接続電極１３０と同様に接続電極の中心線によって振り分けられた位置に２本のボンディングワイヤ３４が溶接されて、接地用端子Ｔ３に接続されている。第３段の並列腕の共振器Ｒｐ３の接地側は接続電極１３０、その引き出し導体１３０−１とパッド１３０−２と同様に２本のボンディングワイヤ３５によって接地用端子Ｔ３と接続されている。
【００３３】
入力側初段の共振器Ｒｐ１の接地側２本のボンディングワイヤ３３の溶接位置は、接続電極１３０の長さＬ方向の中心線ｃ１に対して両側に振り分けられていると説明したが、更に、この溶接位置は、共振器Ｒｐ１の接続電極１３０の中心線ｃ１を挟んで対称の位置、即ち互いに反対方向にほぼ等しい距離だけ離れた位置であることが、電気抵抗の減少に望ましい。
【００３４】
上記従来技術の問題点を確認し、発明の構成の効果を確認するために、入力段の並列腕の共振器Ｒｐ１の接地側の接続電極とそれに接続する引き出し導体と、それらに接続するボンディングワイヤの数とその位置を変化させて、図６Ａ〜図６Ｆに示すようにボンディング位置の異なる６種の試料１Ａ〜Ｆを作製した。なお、全ての試料１Ａ〜Ｆにおいて、初段の接地側を除く他の共振器Ｒｐ２，Ｒｐ３のボンディング位置はいずれも同じである。いずれの試料も、接続電極とその引き出し導体の厚さは約３００ｎｍ、その幅は約８０μｍである。それぞれの温度と耐電力性を測定した。
【００３５】
試料１Ａと１Ｂは従来技術による構成である。試料１Ａと１Ｂでは、共振器Ｒｐ１の接続電極の一端から延長された引き出し導体３０の先端部にボンディングワイヤが接合されている。試料１Ａではボンディングワイヤが１本であって、試料１Ｂでは３本である。
【００３６】
試料１Ｃ〜１Ｆは本発明に適用できる構成である。試料１Ｃでは、共振器Ｒｐ１の接続電極の中心線ｃ１上、即ち中央部に、１本のボンディングワイヤが接合されている。試料１Ｄでは、共振器Ｒｐ１の両端部にそれぞれ１本ずつボンディングワイヤが接合されており、ボンディング位置は中心線ｃ１に対して対称である。試料１Ｅは図４にほぼ近い構成であって、接続電極１３０の長さ方向両側に延長する形で引出し導体１３０−１が設けられている。２本のボンディングワイヤ接合位置はそれぞれ櫛歯電極の群の端からほぼ１５０μｍ外側の引出し導体１３０−１上である。
【００３７】
試料１Ｆでは、共振器Ｒｐ１の中央部と両端部とにそれぞれ１本ずつ計３本のボンディングワイヤが接合されており、ボンディング位置は中心線ｃ１に対して対称である。
【００３８】
これらの試料１Ａ〜Ｆを恒温槽内に配置して環境温度を８５℃に保ち、８４０〜９３０ＭＨｚの範囲内で周波数を１ＭＨｚずつ変化させながら一定（例えば初期値１Ｗ）の電力を印加し、その後に電力の印加を停止してからフィルタ特性を測定した。特性劣化がなければ、さらに印加電力を０．１Ｗずつ増加させていって同様の測定を行った。そして、フィルタ特性の後述の様に劣化が顕著になったときの印加電力を耐電力値とした。即ち、通過域の帯域幅の減少分が２ＭＨｚに達したとき、又は低周波側の減衰極の劣化分が５ｄＢに達したときの印加電力を耐電力値と定義した。
【００３９】
なお、フィルタ特性の測定と並行して、共振器Ｒｐ１の近傍に設けたミアンダ状の導体パターンの抵抗値を測定して温度に換算することにより、フィルタチップ２０の温度（チップ温度）を測定した。
【００４０】
表１に各試料１Ａ〜Ｆの耐電力値、低周波側の減衰極の周波数における並列腕のインピーダンスの実数部ＺＲ１、チップ温度（１．３Ｗ入力時）をまとめて示す。
【００４１】
【表１】
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【００４２】
表１から明らかなように、ボンディング位置を、共振器Ｒｐ１の中心線ｃ１上の位置、中心線ｃ１の両側の位置、又は、中心線ｃ１上及びその両側の位置に設定した場合（試料１Ｃ〜Ｆの場合）は、ジュール熱に係わるインピーダンスの実数部が小さく、チップ温度の上昇が抑えられている。そのため、耐電力性が高まっている。また、図示しないスミスチャートによる分析の結果、減衰域における反射係数が増大し、アンテナデュプレクサに用いたときに送信用と受信用との間のフィルタ特性の干渉が軽減されることが確かめられた。
【００４３】
図４に示す第１の実施例では信号の入出力端子が、それぞれ２本のボンディングワイヤ３１，３２を介して信号入力端子Ｔ１又は信号出力端子Ｔ２と接続されているが、ここにそれぞれ１本のボンディングワイヤを接続し、さらに接続電極の幅ｂが１０μｍ、引き出し導体１３１−１の幅が７０−８０μｍの図示しない従来の構成の試料と実際に比較試験を行ったところ、各入出力端子に対して１本ずつボンディングワイヤ３１，３２を張った場合の耐電力値は１．４Ｗであった。それに対して、２本ずつ張った場合の耐電力値は１．６Ｗであった。
【００４４】
第２の実施例を、第１の実施例の薄膜配線導体とボンディングワイヤを部分的に変更して図５に示す。この実施例では入力端子Ｔ１から１本のボンディングワイヤ３１’で共振器入力側の引き出し導体１３１−１のほぼ中央に接続されている。引き出し導体１３１−１は並列と直例の共振器Ｒｐ１とＲｓ１それぞれの接続電極１３１と１３１−２に接続している。接続電極１３１の幅は２０μｍと広く、接続電極１３１の長さ方向の、幅は１００μｍであって櫛歯群の幅のほぼ１／３を占める。従って、ボンディングワイヤ接合点から櫛歯電極への電流は充分に分散されている、即ち充分電気抵抗は低い。
【００４５】
図６に示した試料１Ｃ，１Ｄ，１Ｆの構成は特に独立して実施例として説明をしないが、その効果が明白なので、本発明の趣旨と実証データによって、共振器の引出し導体に適用され得ることは言うまでもない。
【００４６】
更に、チップの温度上昇と耐電力特性の確認を行うために、接続電極の幅ｂと厚さｈ、即ち電気抵抗、を変化させたデータを図７Ａと図７Ｂに示す。このデータは上記試料１Ａを用いて測定した。同図に見られるように、接続電極の幅ｂと厚さｈの増加はチップの温度上昇の低下に貢献していることがわかる。
【００４７】
上記第１の実施例のフィルタとその入力側並列共振器の接地側に上記試料１Ｂを用いた従来技術のフィルタの寿命試験の結果を図８のカーブａとｂに示す。同図の横軸は入力信号電力レベルを示す。環境温度を８５℃とし、図示の如く３〜４種類の入力信号電力レベルによってそれぞれ寿命試験を行った。入力信号の周波数はフィルタの低周波側の減衰極の周波数である。寿命の判定は表１の場合と同様の条件を用いた。なお、同図にプロットされた線を延長して入力信号電力レベルを実用レベルである１Ｗの線と交差する点を求めると、従来技術の構成では６．９万時間、本発明の構成では２４００万時間であって、本発明の効果が顕著であることが実証された。上記実施例では接続電極およびその長さ方向に延長した引出し導体上にボンディングワイヤを接合していたが、第３の実施例として接続電極の櫛歯電極と反対の側面を突出させて３個の引出し導体１３０−３をパッド状に設けて、そこにボンディングワイヤをそれぞれ接合している場合を図９に示す。この場合接続電極の幅ｂは必ずしも櫛歯電極の幅ｗより大きくする必要はなく、引出し導体１３０−３の形状と数、更に接続電極の厚さ等によって決定される。図９ではパッドの箇所のみ接続電極から突出させてあるが、点線で示すパッド相互の間の部分１３０−４が埋まっていても良い事は言うまでもない。上記実施例では接続電極の電気抵抗低減の手段としてその面積を大きくし、更に接続電極内で電流を分散させる様にボンディング位置を選定したが、その他に接続電極の厚みを増すことによって対応することも出来る。それを第４の実施例として図１０示す。同図は櫛歯電極沿いの断面図を示し、櫛歯電極の厚さが３００ｎｍであるのに対し、接続電極はその厚さを１２００ｎｍとしている。ボンディングワイヤは接続電極上に接続されるが、その数は上述した実施例に従って選ばれる。この効果については図７Ａと図７Ｂに述べた。なお、接続電極から引き出す引出し導体を導出し、ボンディングワイヤを引き出し導体上に接合してもよい。また接続導体も接続電極と同様の厚さに構成することも出来る。これらの厚さの増加分はリソグラフィ法を用いたパタニングの追加によって行われる。
【００４８】
入力段並列共振器の接地側にボンディングワイヤを一本用いた場合を第５の実施例として図１１に示す。ボンディングワイヤ３３’’以外は図５に示す第２の実施例と同じである。ボンディングワイヤ３３’’は接続電極１３０−１のほぼ中央部に接合されている。先に説明した如く接続電極１３０−１の幅ｂは８０μｍと充分に広いので、発熱は少なく、信頼性も充分である。この構成の利点はボンディングワイヤの数が少ないことである。第１の実施例で両側の引き出し電極１３０−１にそれぞれボンディングワイヤを引き出したのは、入力ボンディングワイヤ３３との干渉を避ける目的もある。しかし、第５の実施例ではチップ表面を薄膜電極で覆うことによる特性上の効果もある。
【００４９】
上述の実施例ではボンディングワイヤの数は１〜２本の場合を示したが、本発明の趣旨に基づき３本以上のボンディングワイヤを用いることができるのは言うまでもない。その場合、中央の１本は中心線ｃ１付近に接合するのが好ましい。
【００５０】
ボンディングワイヤの本数及び長さを適当に選定することによって図３Ａに示すインダクタンスＬ１〜３を所望値に調整し、フィルタ特性を改善することを同時に考慮しながら、フィルタチップの構成とボンディングワイヤの数と長さと位置を決定することも出来る。（特開平５−１８３３８０号、特開平６−１６４３０９号）
その他、梯子の段数、各共振器の電極パターン、各共振器の配置関係、配線導体の平面パターン、フィルタチップの薄膜導体の材質及び厚さ、圧電基板の材質、パッケージの構造、フィルタチップ２０と各端子Ｔ１〜３との配置関係、ボンディングワイヤ３１−３５の材質及び寸法などは、種々変更することができる。
【００５１】
先に説明した如く、入力段の並列腕の共振器Ｒｐ１の入出力回路以外は、共振器Ｒｐ１に較べて電流値が低いので、配線形状やボンディングワイヤの溶接位置とその箇所は入力段の並列腕の共振器Ｒｐ１にくらべて、厳しくない。上記実施例のどの形態を選ぶか、即ちボンディングワイヤの位置や数はインダクタンスの調整や、他のボンディングワイヤとの干渉の問題等との総合判断で決定されることが多い。
【００５２】
上述の実施例では本発明をＳＡＷフィルタに適用した場合を示したが、単なるＳＡＷ共振器に本発明を適用できることは言うまでもない。
【００５３】
上述の如く、本発明の構成によれば、共振器のフィルタ特性に大きな影響を与えることなく、共振器とボンディングワイヤとの間の発熱を低減して共振器の温度上昇を抑え、弾性表面波フィルタの耐電力性と寿命の向上を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】ＳＡＷ共振器の構成を示す平面図である。
【図２】フィルタ特性と電流経路との関係を示す模式図である。
【図３】ＳＡＷ共振器の等価回路図である。
【図４】本発明のＳＡＷフィルタの第１の実施例の平面図である。
【図５】本発明のＳＡＷフィルタの第２の実施例の平面図である。
【図６】ボンディングワイヤの接合位置を変化させた試料を示す図である。
【図７】接続電極の幅と厚みを変化させた場合のチップの温度と耐電力値を示す図である。
【図８】信号入力値を変化させた場合の寿命の比較データである。
【図９】本発明のボンディングワイヤの引出し方法の変化例を示す第３の実施例の平面図である。
【図１０】本発明の接続電極の厚さを変えた第４の実施例の平面図である。
【図１１】本発明のボンディングワイヤの数を１本にした第５の実施例の平面図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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