(57)【要約】【課題】より短いスイッチング速度で動作が可能な光スイッチ及びその製造方法を実現する。【解決手段】キャリア注入による屈折率変化により光信号の伝送経路を切り換える光スイッチにおいて、光信号が伝播する光導波路が形成される光導波路層の再結合準位を増加させる。【選択図】　　　　　　　　　　図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
キャリア注入による屈折率変化により光信号の伝送経路を切り換える光スイッチにおいて、
前記光信号が伝播する光導波路が形成される光導波路層の再結合準位を増加させたことを特徴とする光スイッチ。
【請求項２】
半導体基板と、
この半導体基板上であって前記光信号が伝播する光導波路が形成される再結合準位を増加させた光導波路層と、
この光導波路層上に形成されたコンタクト層と、
前記半導体基板の裏面及び前記コンタクト層上にそれぞれ形成されキャリアを注入して前記光導波路の屈折率を制御して前記光信号の伝播経路を切り換える電極とを備えたことを特徴とする
請求項１記載の光スイッチ。
【請求項３】
前記半導体基板の裏面に第２のコンタクト層を設け、この第２のコンタクト層に前記電極を形成したことを特徴とする
請求項２記載の光スイッチ。
【請求項４】
半導体基板と、
この半導体基板上であって前記光信号が伝播する光導波路が形成される再結合準位を増加させた光導波路層と、
この光導波路層上に形成された１対のコンタクト層と、
このコンタクト層上にそれぞれ形成されキャリアを注入して前記光導波路の屈折率を制御して前記光信号の伝播経路を切り換える電極と、
前記光導波路層上であって前記コンタクト層上以外の部分に形成された絶縁膜とを備えたことを特徴とする
請求項１記載の光スイッチ。
【請求項５】
前記光導波路層が、
ＩｎＧａＡｓＰ系の半導体材料で形成されたことを特徴とする
請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の光スイッチ。
【請求項６】
前記光導波路層が、
ＳｉＧｅ系の半導体材料で形成されたことを特徴とする
請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の光スイッチ。
【請求項７】
前記光導波路層が、
ＧａＡｓ系の半導体材料で形成されたことを特徴とする
請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の光スイッチ。
【請求項８】
前記光導波路層が、
ＩｎＰ系の半導体材料で形成されたことを特徴とする
請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の光スイッチ。
【請求項９】
キャリア注入による屈折率変化により光信号の伝送経路を切り換える光スイッチの製造方法であって、
半導体基板上にエピタキシャル成長温度を下げて光導波路層を形成する工程と、
前記光導波路層上にコンタクト層を形成する工程と、
前記半導体基板の裏面及び前記コンタクト層上にそれぞれ電極を形成する工程と
から成ることを特徴とする光スイッチの製造方法。
【請求項１０】
キャリア注入による屈折率変化により光信号の伝送経路を切り換える光スイッチの製造方法であって、
半導体基板上にエピタキシャル成長温度を下げて光導波路層を形成する工程と、
前記光導波路層上にコンタクト層を形成する工程と、
前記半導体基板の裏面に第２のコンタクト層を形成する工程と、
前記第２のコンタクト層の裏面及び前記コンタクト層上にそれぞれ電極を形成する工程と
から成ることを特徴とする光スイッチの製造方法。
【請求項１１】
キャリア注入による屈折率変化により光信号の伝送経路を切り換える光スイッチの製造方法であって、
半導体基板上に再結合準位を形成する不純物をドーピングして光導波路層を形成する工程と、
前記光導波路層上にコンタクト層を形成する工程と、
前記半導体基板の裏面及び前記コンタクト層上にそれぞれ電極を形成する工程と
から成ることを特徴とする光スイッチの製造方法。
【請求項１２】
キャリア注入による屈折率変化により光信号の伝送経路を切り換える光スイッチの製造方法であって、
半導体基板上にエピタキシャル成長温度を下げて光導波路層を形成する工程と、
前記光導波路層上に不純物拡散若しくはイオン注入によって１対のコンタクト層を形成する工程と、
前記光導波路層上であって前記コンタクト層上以外の部分に絶縁膜を形成する工程と、
前記コンタクト層上にそれぞれ１対の電極を形成する工程とから成ることを特徴とする光スイッチの製造方法。
【請求項１３】
キャリア注入による屈折率変化により光信号の伝送経路を切り換える光スイッチの製造方法であって、
半導体基板上に再結合準位を形成する不純物をドーピングして光導波路層を形成する工程と、
前記光導波路層上に不純物拡散若しくはイオン注入によって１対のコンタクト層を形成する工程と、
前記光導波路層上であって前記コンタクト層上以外の部分に絶縁膜を形成する工程と、
前記コンタクト層上にそれぞれ１対の電極を形成する工程とから成ることを特徴とする光スイッチの製造方法。
【請求項１４】
前記不純物が、
前記光導波路層を形成する半導体材料がＳｉＧｅ系の場合にＡｕであることを特徴とする
請求項１１若しくは請求項１３記載の光スイッチの製造方法。
【請求項１５】
前記不純物が、
前記光導波路層を形成する半導体材料がＧａＡｓ系の場合にＣｒであることを特徴とする
請求項１１若しくは請求項１３記載の光スイッチの製造方法。
【請求項１６】
前記不純物が、
前記光導波路層を形成する半導体材料がＩｎＧａＡｓＰ系若しくはＩｎＰ系の場合にＦｅであることを特徴とする
請求項１１若しくは請求項１３記載の光スイッチの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
本発明は、キャリア注入による屈折率変化により光信号の伝送経路を切り換える光スイッチに関し、特により短いスイッチング速度で動作が可能な光スイッチ及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
現在の通信ネットワークであるＬＡＮ（Ｌｏｃａｌ　Ａｒｅａ　Ｎｅｔｗｏｒｋ）やＷＡＮ（ＷｉｄｅＡｒｅａ　Ｎｅｔｗｏｒ）等では、通常電気信号をもって情報を伝送する通信方式となっている。
【０００３】
光信号をもって情報を伝送する通信方法は大量のデータを伝送する基幹ネットワークやその他一部のネットワークで用いられているだけである。また、これらのネットワークは”ｐｏｉｎｔ　ｔｏ　ｐｏｉｎｔ”の通信であり、”フォトニックネットワーク”と言える通信網までは発達していないのが現状である。
【０００４】
このような”フォトニックネットワーク”を実現するためには、電気信号の送信先を切り換えるルータやスイッチングハブ等といった装置と同様の機能を有する”光ルータ”や”光スイッチングハブ”等が必要になる。
【０００５】
また、このような装置では高速に伝送経路を切り換える光スイッチが必要になり、ニオブ酸リチウムやＰＬＺＴ（Ｌｅａｄ　Ｌａｎｔｈａｎｕｍ　Ｚｉｒｃｏｎａｔｅ　Ｔｉｔａｎａｔｅ）等の強誘電体を用いたものや、半導体に光路導波路を形成し半導体中にキャリアを注入して屈折率を変化させ光信号の伝送経路を切り換えるものが存在する。
【０００６】
「Ｋ．Ｉｓｈｉｄａ，　Ｈ．Ｎａｋａｍｕｒａ，　Ｈ．ｍａｔｓｕｍｕｒａ，　Ｔ．Ｋａｄｏｉ，　Ｈ．Ｉｎｏｕｅ：ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ　ｏｐｔｉｃａｌ　ｓｗｉｔｃｈｅｓ　ｕｓｉｎｇ　ｃａｒｒｉｅｒ　ｉｎｄｕｃｅｄ　ｒｅｆｒａｃｔｉｖｅ　ｉｎｄｅｘ　ｃｈａｎｇｅ：Ａｐｐｌｉｅｄ　Ｐｈｙｓｉｃｓ　Ｌｅｔｔｅｒｓ　５０（３），　１９　Ｊａｎｕａｒｙ　１９８７，　ｐ１４１−ｐ１４２」には、後者の光スイッチの一例が記載されている。
【０００７】
図５及び図６は上記文献に記載されている従来の光スイッチの一例を示す平面図及び断面図であり、図５において１は半導体の基板、２は”Ｘ字状”の光導波路、３は電極である。基板１上には”Ｘ字状”の光導波路２が形成され、”Ｘ字状”の光導波路２の交差部分には電極３が形成される。
【０００８】
一方、図６は図５中”Ａ−Ａ’”における断面図であり、４及び１０は電極、５はＩｎＰ基板、６は光導波路層、７はクラッド層であるＩｎＰ層、８はキャップ層であるＩｎＧａＡｓＰ層、９はＳｉＯ２　等の酸化膜である。
【０００９】
ＩｎＰ基板５上であって図６中”ＤＲ１１”及び”ＤＲ１２”に示す部分にはｐ型不純物であるＺｎが拡散され、その後、ＩｎＰ基板５上には光導波路層６，ＩｎＰ層７及びＩｎＧａＡｓＰ層８が順次形成される。
【００１０】
また、図６中”ＤＲ１３”に示す部分にはｐ型不純物であるＺｎが拡散され、図６中”ＤＲ１３”に示す拡散領域以外の部分には酸化膜９が形成され、酸化膜９及び図６中”ＤＲ１３”に示す拡散領域上には電極１０が形成され、ＩｎＰ基板５の裏面には電極４が形成される。また、図６中”ＩＲ１１”は屈折率が変化する領域である。
【００１１】
ここで、図５に示す従来例の動作を図６を参照しながら説明する。光スイッチが”ＯＦＦ”の場合、電極３及び図示しない基板１裏面の電極（図６中の電極４に相当する。）には電流が供給されない。
【００１２】
このため、”Ｘ字状”の光導波路２の交差部分の屈折率の変化は生じないため、例えば、図５中”ＰＩ０１”から入射した光信号は交差部分を直進して図５中”ＰＯ０１”に示す部分から出射される。
【００１３】
一方、光スイッチが”ＯＮ”の場合、電極３及び図示しない基板１裏面の電極（図６中の電極４に相当する。）に電流が供給され前記交差部分にキャリア（電子、正孔）が注入される。
【００１４】
このため、プラズマ効果によって”Ｘ字状”の光導波路２の交差部分の電極３直下の屈折率が低くなるように変化するため、例えば、図５中”ＰＩ０１”から入射した光信号は交差部分に生じた低屈折率部分で全反射されて図５中”ＰＯ０２”に示す部分から出射される。
【００１５】
この結果、電極に電流を供給して”Ｘ字状”の光導波路２の交差部分にキャリア（電子、正孔）を注入して交差部分の屈折率を制御することにより、光信号の出射される位置を制御、言い換えれば、光信号の伝播経路を切り換えることが可能になる。
【００１６】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、図５及び図６に示す従来例では、スイッチング速度を決定する一要因としては、スイッチを”ＯＮ”から”ＯＦＦ”にした時の光導波路２の交差部分に注入されたキャリアが消滅する速度、言い換えれば、キャリア寿命である。
【００１７】
このようなキャリア寿命は使用する半導体材料やそのキャリア濃度等の多くのパラメータに依存するが、通常ＧａＡｓやＩｎＰでのキャリア寿命は”１０−９〜１０−１０秒”程度と言われている。
【００１８】
すなわち、例えば、キャリア寿命が”１０−９秒”の材料を用いた場合には、その光スイッチのスイッチング速度を”１ｎｓ（１０−９秒）”より短くすることは理論上困難であると言った問題点があった。
従って本発明が解決しようとする課題は、より短いスイッチング速度で動作が可能な光スイッチ及びその製造方法を実現することにある。
【００１９】
【課題を解決するための手段】
このような課題を達成するために、本発明のうち請求項１記載の発明は、
キャリア注入による屈折率変化により光信号の伝送経路を切り換える光スイッチにおいて、
前記光信号が伝播する光導波路が形成される光導波路層の再結合準位を増加させたことにより、キャリアの寿命が短縮されるので、より短いスイッチング速度で動作が可能になる。
【００２０】
請求項２記載の発明は、
請求項１記載の発明である光スイッチにおいて、
半導体基板と、この半導体基板上であって前記光信号が伝播する光導波路が形成される再結合準位を増加させた光導波路層と、この光導波路層上に形成されたコンタクト層と、前記半導体基板の裏面及び前記コンタクト層上にそれぞれ形成されキャリアを注入して前記光導波路の屈折率を制御して前記光信号の伝播経路を切り換える電極とを備えたことにより、キャリアの寿命が短縮されるので、より短いスイッチング速度で動作が可能になる。
【００２１】
請求項３記載の発明は、
請求項２記載の発明である光スイッチにおいて、
前記半導体基板の裏面に第２のコンタクト層を設け、この第２のコンタクト層に前記電極を形成したことにより、キャリアの寿命が短縮されるので、より短いスイッチング速度で動作が可能になる。
【００２２】
請求項４記載の発明は、
請求項１記載の発明である光スイッチにおいて、
半導体基板と、
この半導体基板上であって前記光信号が伝播する光導波路が形成される再結合準位を増加させた光導波路層と、この光導波路層上に形成された１対のコンタクト層と、このコンタクト層上にそれぞれ形成されキャリアを注入して前記光導波路の屈折率を制御して前記光信号の伝播経路を切り換える電極と、前記光導波路層上であって前記コンタクト層上以外の部分に形成された絶縁膜とを備えたことにより、キャリアの寿命が短縮されるので、より短いスイッチング速度で動作が可能になる。
【００２３】
請求項５記載の発明は、
請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の発明である光スイッチにおいて、
前記光導波路層が、
ＩｎＧａＡｓＰ系の半導体材料で形成されたことにより、キャリアの寿命が短縮されるので、より短いスイッチング速度で動作が可能になる。
【００２４】
請求項６記載の発明は、
請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の発明である光スイッチにおいて、
前記光導波路層が、
ＳｉＧｅ系の半導体材料で形成されたことにより、キャリアの寿命が短縮されるので、より短いスイッチング速度で動作が可能になる。
【００２５】
請求項７記載の発明は、
請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の発明である光スイッチにおいて、
前記光導波路層が、
ＧａＡｓ系の半導体材料で形成されたことにより、キャリアの寿命が短縮されるので、より短いスイッチング速度で動作が可能になる。
【００２６】
請求項８記載の発明は、
請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の発明である光スイッチにおいて、
前記光導波路層が、
ＩｎＰ系の半導体材料で形成されたことにより、キャリアの寿命が短縮されるので、より短いスイッチング速度で動作が可能になる。
【００２７】
請求項９記載の発明は、
キャリア注入による屈折率変化により光信号の伝送経路を切り換える光スイッチの製造方法であって、
半導体基板上にエピタキシャル成長温度を下げて光導波路層を形成する工程と、前記光導波路層上にコンタクト層を形成する工程と、前記半導体基板の裏面及び前記コンタクト層上にそれぞれ電極を形成する工程とから成ることにより、キャリアの寿命が短縮されるので、より短いスイッチング速度で動作が可能になる。
【００２８】
請求項１０記載の発明は、
キャリア注入による屈折率変化により光信号の伝送経路を切り換える光スイッチの製造方法であって、
半導体基板上にエピタキシャル成長温度を下げて光導波路層を形成する工程と、前記光導波路層上にコンタクト層を形成する工程と、前記半導体基板の裏面に第２のコンタクト層を形成する工程と、前記第２のコンタクト層の裏面及び前記コンタクト層上にそれぞれ電極を形成する工程とから成ることにより、キャリアの寿命が短縮されるので、より短いスイッチング速度で動作が可能になる。
【００２９】
請求項１１記載の発明は、
キャリア注入による屈折率変化により光信号の伝送経路を切り換える光スイッチの製造方法であって、
半導体基板上に再結合準位を形成する不純物をドーピングして光導波路層を形成する工程と、前記光導波路層上にコンタクト層を形成する工程と、前記半導体基板の裏面及び前記コンタクト層上にそれぞれ電極を形成する工程とから成ることにより、キャリアの寿命が短縮されるので、より短いスイッチング速度で動作が可能になる。
【００３０】
請求項１２記載の発明は、
キャリア注入による屈折率変化により光信号の伝送経路を切り換える光スイッチの製造方法であって、
半導体基板上にエピタキシャル成長温度を下げて光導波路層を形成する工程と、前記光導波路層上に不純物拡散若しくはイオン注入によって１対のコンタクト層を形成する工程と、前記光導波路層上であって前記コンタクト層上以外の部分に絶縁膜を形成する工程と、前記コンタクト層上にそれぞれ１対の電極を形成する工程とから成ることにより、キャリアの寿命が短縮されるので、より短いスイッチング速度で動作が可能になる。
【００３１】
請求項１３記載の発明は、
キャリア注入による屈折率変化により光信号の伝送経路を切り換える光スイッチの製造方法であって、
半導体基板上に再結合準位を形成する不純物をドーピングして光導波路層を形成する工程と、前記光導波路層上に不純物拡散若しくはイオン注入によって１対のコンタクト層を形成する工程と、前記光導波路層上であって前記コンタクト層上以外の部分に絶縁膜を形成する工程と、前記コンタクト層上にそれぞれ１対の電極を形成する工程とから成ることにより、キャリアの寿命が短縮されるので、より短いスイッチング速度で動作が可能になる。
【００３２】
請求項１４記載の発明は、
請求項１１若しくは請求項１３記載の発明である光スイッチの製造方法において、
前記不純物が、
前記光導波路層を形成する半導体材料がＳｉＧｅ系の場合にＡｕであることにより、キャリアの寿命が短縮されるので、より短いスイッチング速度で動作が可能になる。
【００３３】
請求項１５記載の発明は、
請求項１１若しくは請求項１３記載の発明である光スイッチの製造方法において、
前記不純物が、
前記光導波路層を形成する半導体材料がＧａＡｓ系の場合にＣｒであることにより、キャリアの寿命が短縮されるので、より短いスイッチング速度で動作が可能になる。
【００３４】
請求項１６記載の発明は、
請求項１１若しくは請求項１３記載の発明である光スイッチの製造方法において、
前記不純物が、
前記光導波路層を形成する半導体材料がＩｎＧａＡｓＰ系若しくはＩｎＰ系の場合にＦｅであることにより、キャリアの寿命が短縮されるので、より短いスイッチング速度で動作が可能になる。
【００３５】
【発明の実施の形態】
以下本発明を図面を用いて詳細に説明する。図１及び図２は本発明に係る光スイッチの一実施例を示す平面図及び断面図である。
【００３６】
図１において１及び３は図５と同一符号を付してあり、１１は再結合準位を増加させた”Ｘ字状”の光導波路である。基板１上には”Ｘ字状”の光導波路１１が形成され、”Ｘ字状”の光導波路１１の交差部分には電極３が形成される。
【００３７】
一方、図２は図１中”Ｂ−Ｂ’”における断面図であり、４，５，７，８，９及び１０は図６と同一符号を付してあり、１２は再結合準位を増加させた光導波路層である。
【００３８】
ＩｎＰ基板５上であって図２中”ＤＲ２１”及び”ＤＲ２２”に示す部分にはｐ型不純物であるＺｎが拡散され、その後、ＩｎＰ基板５上には再結合準位を増加させた光導波路層１２，ＩｎＰ層７及びＩｎＧａＡｓＰ層８が順次形成される。
【００３９】
また、図２中”ＤＲ２３”に示す部分にはｐ型不純物であるＺｎが拡散され、図２中”ＤＲ２３”に示す拡散領域以外の部分には酸化膜９が形成され、酸化膜９及び図２中”ＤＲ２３”に示す拡散領域上には電極１０が形成され、ＩｎＰ基板５の裏面には電極４が形成される。
【００４０】
ここで、図１に示す実施例の動作を説明する。特に再結合準位を増加させた光導波路層１２の形成方法を中心に説明する。
【００４１】
第１の再結合準位を増加させる方法としては、光導波路層１２を形成するエピタキシャル成長の工程において、エピタキシャル成長温度を下げて当該光導波路層１２内の再結合準位を増加させる。
【００４２】
第２の再結合準位を増加させる方法としては、光導波路層１２を形成するエピタキシャル成長の工程において、当該光導波路層１２の成長に際して再結合準位を形成する不純物をドーピングして再結合準位を増加させる。
【００４３】
但し、後者の再結合準位を増加させる方法では、光導波路層１２に使用する材料の系列によってドーピングする不純物が異なる。
【００４４】
例えば、”ＳｉＧｅ系”の材料では不純物は”Ａｕ”、”ＧａＡｓ系”の材料では不純物は”Ｃｒ”、”ＩｎＰ系”の材料では不純物は”Ｆｅ”となる。
【００４５】
すなわち、上述の両者の再結合準位を増加させる方法が行われた光導波路層１２では、無処理の光導波路層と比較して増加した再結合準位によりキャリアの消滅が促進され、言い換えれば、キャリアの寿命が短縮されるので、より短いスイッチング速度で動作が可能になる。
【００４６】
この結果、光導波路層１２の再結合準位を増加させることにより、キャリアの寿命が短縮されるので、より短いスイッチング速度で動作が可能になる。
【００４７】
なお、図１及び図２に示す実施例では光導波路層１２に従来例と同様の”Ｘ字状”の光導波路を形成しているが、キャリア注入による屈折率変化により光信号の伝送経路を切り換える光スイッチであれば、光導波路の形状を何ら限定するものではない。
【００４８】
また、図１及び図２に示す実施例では、ＩｎＰ基板５の上に光導波路層１２，クラッド層であるＩｎＰ層７及びキャップ層であるＩｎＧａＡｓＰ層８を形成しているが、ＩｎＰ基板５の上に光導波路層１２及びコンタクト層を拡散若しくはイオン注入で形成しても構わない。
【００４９】
また、基板を半絶縁性にして当該基板の裏面に下部のコンタクト層を拡散若しくはイオン注入で形成して、下部のコンタクト層の裏面に電極を形成しても構わない。この場合には、寄生容量が低減できる。
【００５０】
また、図１及び図２に示す実施例では”ＩｎＧａＡｓＰ系”の材料で光導波路層１２を形成しているが、”ＳｉＧｅ系”、”ＧａＡｓ系”若しくは”ＩｎＰ系”の材料で光導波路層１２を形成しても構わない。
【００５１】
また、図１及び図２に示す実施例では図２中”ＤＲ２１”、”ＤＲ２２”及び”ＤＲ２３”に示すようなｐ型不純物であるＺｎを拡散する領域が例示されているが、必須の構成要素ではない。
【００５２】
また、図１及び図２に示す実施例では光導波路層１２上に順次クラッド層及びキャップ層を形成させる構造になっているが、光導波路層上に不純物拡散若しくはイオン注入で１対のコンタクト層を形成し、当該コンタクト層上に１対の電極を形成する構成であっても構わない。
【００５３】
図３及び図４はこのような本発明に係る光スイッチの他の実施例を示す平面図及び断面図である。
【００５４】
図３において１及び１１は図１と同一符号を付してあり、１３及び１４は電極である。基板１上には”Ｘ字状”の光導波路１１が形成され、”Ｘ字状”の光導波路１１の交差部分には電極１３が、電極１３の近傍には電極１４が形成される。
【００５５】
一方、図４は図３中”Ｃ−Ｃ’”における断面図であり、図４において１３及び１４は図３と同一符号を付してあり、１５は半導体の基板、１６は再結合準位を増加させた光導波路層、１７及び１８はコンタクト層、１９はＳｉＯ２　等の絶縁膜である。
【００５６】
半導体の基板１５上には再結合準位を増加させた光導波路層１６が形成され、光導波路層１６上には不純物拡散若しくはイオン注入でコンタクト層１７及び１８を形成する。そして、コンタクト層１７及び１８上以外の部分に絶縁膜１９を形成し、コンタクト層１７及び１８上に電極１３及び１４を形成する。
【００５７】
ここで、図３及び図４に示す実施例の動作や、光導波路層１６の形成方法に関しては図１及び図２に示す実施例と同様であるので説明は省略する。
【００５８】
【発明の効果】
以上説明したことから明らかなように、本発明によれば次のような効果がある。
請求項１，２，３，４，５，６，７，８，９，１０，１１，１２，１３，１４，１５及び請求項１６の発明によれば、光導波路層の再結合準位を増加させることにより、キャリアの寿命が短縮されるので、より短いスイッチング速度で動作が可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る光スイッチの一実施例を示す平面図である。
【図２】本発明に係る光スイッチの一実施例を示す断面図である。
【図３】本発明に係る光スイッチの他の実施例を示す平面図である。
【図４】本発明に係る光スイッチの他の実施例を示す断面図である。
【図５】従来の光スイッチの一例を示す平面図である。
【図６】従来の光スイッチの一例を示す断面図である。
【符号の説明】
１，１５　基板
２，１１　光導波路
３，４，１０，１３，１４　電極
５　ＩｎＰ基板
６，１２，１６　光導波路層
７　ＩｎＰ層
８　ＩｎＧａＡｓＰ層
９，１９　酸化膜
１７，１８　コンタクト層
【図１】
2004029171.tif 000003
【図２】
2004029171.tif 000004
【図３】
2004029171.tif 000005
【図４】
2004029171.tif 000006
【図５】
2004029171.tif 000007
【図６】
2004029171.tif 000008