(57)【要約】【課題】発光表示装置における上部電極引き出し線の成膜用マスクを安定したパターン形状で構成し、マスクパターンの変形を無くすことで精度の高い上部電極引き出し線を形成する。【解決手段】基板１上に下部電極２が形成され、下部電極２上に発光機能層１０が形成され、発光機能層１０上に上部電極６が形成されることによって、基板１上に発光素子領域Ｅが形成されると共に、基板１上に上部電極６から引き出される上部電極引き出し線７が形成される。発光素子領域Ｅに開口する上部電極形成用マスクパターン２０ａを有する成膜用マスク２０Ａを用いて上部電極６を成膜し、上部電極形成用マスクパターン側で互いに連通しない複数の開口からなる上部電極引き出し線用マスクパターン２０ｂを有する成膜用マスク２０Ｂを用いて上部電極引き出し線７の少なくとも一部を成膜する。【選択図】        図３
2004241165.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に下部電極を形成し、該下部電極上に発光機能層を形成し、該発光機能層上に上部電極を形成することによって、前記基板上に発光素子領域を形成すると共に、前記基板上に前記上部電極から引き出される上部電極引き出し線を形成する発光表示装置の形成方法であって、
前記発光素子領域に開口する上部電極形成用マスクパターンを用いて前記上部電極を成膜する第１工程と、
前記上部電極形成用マスクパターン側で互いに連通しない複数の開口を有する上部電極引き出し線用マスクパターンを用いて前記上部電極引き出し線の少なくとも一部を成膜する第２工程とを有することを特徴とする発光表示装置の形成方法。
【請求項２】
基板上に下部電極を形成し、該下部電極上に発光機能層を形成し、該発光機能層上に上部電極を形成することによって、前記基板上に発光素子領域を形成すると共に、前記基板上に前記上部電極から引き出される上部電極引き出し線を形成する発光表示装置の形成方法であって、
前記発光素子領域に開口する上部電極形成用マスクパターンと該上部電極形成用マスクパターンに連通しない複数の開口を有する上部電極引き出し線用マスクパターンとを用いて、前記上部電極及び前記上部電極引き出し線の一部を成膜する第１工程と、
互いに連通しない複数の開口を有するマスクパターンを用いて、前記上部電極引き出し線の残りの部分を成膜する第２工程とを有することを特徴とする発光表示装置の形成方法。
【請求項３】
前記上部電極形成用マスクパターンは、前記発光素子領域以外に各上部電極引き出し線毎に突出した接合凸部を形成する突出開口部を有し、前記上部電極引き出し線の接続端部が前記接合凸部に重ねて形成されることを特徴とする請求項１又は２に記載の発光表示装置の形成方法。
【請求項４】
前記接合凸部は前記発光素子領域から少なくとも成膜工程のボケ量，成膜マスクの操作ずれ量，マスクパターンの形成精度による誤差量を考慮した量を離し突出して形成されることを特徴とする請求項３に記載の発光表示装置の形成方法。
【請求項５】
前記第１工程と前記第２工程は、異なる成膜材料が用いられることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の発光表示装置の形成方法。
【請求項６】
基板上に形成される下部電極と該下部電極上に形成される発光機能層と該発光機能層上に形成される上部電極とからなる発光素子領域を備え、前記上部電極から引き出される上部電極引き出し線を前記基板上に備える発光表示装置の前記上部電極と前記上部電極引き出し線の成膜に用いられる成膜用マスクであって、
前記発光素子領域に開口する上部電極形成用マスクパターンを有する第１マスクと、
前記上部電極形成用マスクパターン側で互いに連通しない複数の開口を有し、上部電極引き出し線の少なくとも一部を形成する上部電極引き出し線用マスクパターンを有する第２マスクとからなることを特徴とする成膜用マスク。
【請求項７】
前記第１マスクの上部電極形成用マスクパターンは、前記発光素子領域以外に各上部電極引き出し線毎に突出した接合凸部を形成する突出開口部を有することを特徴とする請求項６に記載の成膜用マスク。
【請求項８】
前記接合凸部は前記発光素子領域から少なくとも成膜工程のボケ量，成膜マスクの操作ずれ量，マスクパターンの形成精度による誤差量を考慮した量を離し突出して形成されることを特徴とする請求項７に記載の成膜用マスク。
【請求項９】
基板上に形成される下部電極と該下部電極上に形成される発光機能層と該発光機能層上に形成される上部電極とからなる発光素子領域を備え、前記上部電極から引き出される上部電極引き出し線を前記基板上に備える発光表示装置であって、
前記発光素子領域に開口する上部電極形成用マスクパターンによって前記上部電極が形成され、
前記上部電極形成用マスクパターン側で互いに連通しない複数の開口を有する上部電極引き出し線用マスクパターンによって前記上部電極引き出し線の少なくとも一部が形成されることを特徴とする発光表示装置。
【請求項１０】
基板上に形成される下部電極と該下部電極上に形成される発光機能層と該発光機能層上に形成される上部電極とからなる発光素子領域を備え、前記上部電極から引き出される上部電極引き出し線を前記基板上に備える発光表示装置であって、
前記発光素子領域に開口する上部電極形成用マスクパターンと該上部電極形成用マスクパターンに連通しない複数の開口を有する上部電極引き出し線用マスクパターンとによって、前記上部電極及び前記上部電極引き出し線の一部が形成され、
互いに連通しない複数の開口を有するマスクパターンによって、前記上部電極引き出し線の残りの部分が形成されることを特徴とする発光表示装置。
【請求項１１】
前記上部電極の形成領域には、前記発光素子領域以外に各上部電極引き出し線毎に突出した接合凸部が形成され、前記上部電極引き出し線の接続端部が前記接合凸部に重ねて形成されることを特徴とする請求項９又は１０に記載の発光表示装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、発光表示装置の形成方法、発光表示装置の形成に用いられる成膜用マスク、及びこれによって形成される発光表示装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
基板上にストライプ状の下部電極を形成し、その上に発光機能層を形成し、更にその上に下部電極と直交する方向にストライプ状の上部電極を形成して、下部電極と上部電極とが交差する領域を発光素子とすることで、基板上にドットマトリクス状の発光素子領域を形成する発光表示装置が知られており、その一例として、発光機能層を有機化合物からなる発光層を含む有機発光機能層で形成した有機ＥＬ表示装置が知られている。このような発光表示装置においては、ストライプ状の下部電極と上部電極とをその延長線上の端部に引き出して引き出し線を形成しており、各引き出し線に駆動信号を供給することでドットマトリクス表示を可能にしている。
【０００３】
このような発光表示装置の形成方法としては、下部電極及び上部電極をマスク蒸着法によって形成し、同一マスクで引き出し線を同時形成することが考えられていたが、ファインピッチ化に伴い隣接する電極間の絶縁性が問題になり、例えば下記特許文献１に示すような電極形成方法が提案されるに至った。この従来技術は、図１に示すように、基板１上にストライプ状の下部電極２を形成した後、その上に下部電極２と直交する方向に沿って逆台形断面形状の絶縁隔壁３をストライプ状に形成し（同図（ａ）参照）、絶縁隔壁３間の下部電極２上にマスク４を介して有機発光機能層５を形成し（同図（ｂ）参照）、その後、発光素子領域全面に上部電極材料を成膜し、有機発光機能層５上に絶縁隔壁３に沿ったストライプ状の上部電極６を形成するものである（同図（ｃ）参照）。これによると、絶縁隔壁３のオーバーハング構造によって絶縁隔壁３の上面に積層される上部電極材料６ａと有機発光機能層５上に形成される上部電極６とが完全に分離するので、上部電極６の形成においてフォトリソ工程等のパターニングを行うことなく、隣接する各上部電極６間の絶縁性を確保することが可能になる。
【０００４】
【特許文献１】
特開平８−３１５９８１号公報
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
このような、絶縁隔壁を採用した上部電極の形成においては、基板上に形成する発光素子領域の全域に対応した開口を有するマスクパターンを用いた蒸着が行われるが、この上部電極の形成と同時にマスク蒸着によって上部電極の引き出し線を形成しようとすると、図２に示すようなマスクパターンを有する成膜用マスクを用いることになり、以下に示すような問題が生じる。
【０００６】
つまり、図２は、この際に使用される成膜用マスクを模式的に示したものであるが、この成膜マスクＭは、ステンレス等の金属板からなり、発光素子領域の全域に対応して開口する上部電極用開口部Ｍ１と上部電極引き出し線用開口部Ｍ２とを有し、両開口部が連通した状態でマスクパターンが形成されている（通常、上部電極引き出し線開口部Ｍ２は数十μｍピッチでパネルサイズと画素数に応じた本数で形成される。）。ここで、金属板に形成される複数本の上部電極引き出し線を区分する部位ａは、成膜マスクＭの端辺側では支持されているが上部電極用開口部Ｍ１に臨む端部は自由端になっており、片持ち状態になるので、形状的に不安定な状態になり、マスクパターンが変形しやすく、精度の高い上部電極引き出し線を形成することができないという問題が生じる。
【０００７】
本発明は、このような問題に対処することを課題の一例とするものである。すなわち、発光表示装置における上部電極引き出し線の成膜用マスクを安定したパターン形状で構成し、マスクパターンの変形を無くすことで精度の高い上部電極引き出し線を形成すること、また、これによって良好な発光表示装置の表示性能を確保することを目的とするものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
このような目的を達成するために、本発明による発光表示装置の形成方法，成膜用マスク，発光表示装置は、以下の各独立請求項に係る構成を少なくとも具備するものである。
【０００９】
発光表示装置の形成方法としては、第１に、基板上に下部電極を形成し、該下部電極上に発光機能層を形成し、該発光機能層上に上部電極を形成することによって、前記基板上に発光素子領域を形成すると共に、前記基板上に前記上部電極から引き出される上部電極引き出し線を形成する発光表示装置の形成方法であって、前記発光素子領域に開口する上部電極形成用マスクパターンを用いて前記上部電極を成膜する第１工程と、前記上部電極形成用マスクパターン側で互いに連通しない複数の開口を有する上部電極引き出し線用マスクパターンを用いて前記上部電極引き出し線の少なくとも一部を成膜する第２工程とを有することを特徴とする。
【００１０】
第２に、基板上に下部電極を形成し、該下部電極上に発光機能層を形成し、該発光機能層上に上部電極を形成することによって、前記基板上に発光素子領域を形成すると共に、前記基板上に前記上部電極から引き出される上部電極引き出し線を形成する発光表示装置の形成方法であって、前記発光素子領域に開口する上部電極形成用マスクパターンと該上部電極形成用マスクパターンに連通しない複数の開口を有する上部電極引き出し線用マスクパターンとを用いて、前記上部電極及び前記上部電極引き出し線の一部を成膜する第１工程と、互いに連通しない複数の開口を有するマスクパターンを用いて、前記上部電極引き出し線の残りの部分を成膜する第２工程とを有することを特徴とする。
【００１１】
成膜用マスクとしては、基板上に形成される下部電極と該下部電極上に形成される発光機能層と該発光機能層上に形成される上部電極とからなる発光素子領域を備え、前記上部電極から引き出される上部電極引き出し線を前記基板上に備える発光表示装置の前記上部電極と前記上部電極引き出し線の成膜に用いられる成膜用マスクであって、前記発光素子領域に開口する上部電極形成用マスクパターンを有する第１マスクと、前記上部電極形成用マスクパターン側で互いに連通しない複数の開口を有し、上部電極引き出し線の少なくとも一部を形成する上部電極引き出し線用マスクパターンを有する第２マスクとからなることを特徴とする。
【００１２】
発光表示装置としては、第１に、基板上に形成される下部電極と該下部電極上に形成される発光機能層と該発光機能層上に形成される上部電極とからなる発光素子領域を備え、前記上部電極から引き出される上部電極引き出し線を前記基板上に備える発光表示装置であって、前記発光素子領域に開口する上部電極形成用マスクパターンによって前記上部電極が形成され、前記上部電極形成用マスクパターン側で互いに連通しない複数の開口を有する上部電極引き出し線用マスクパターンによって前記上部電極引き出し線の少なくとも一部が形成されることを特徴とする。
【００１３】
第２には、基板上に形成される下部電極と該下部電極上に形成される発光機能層と該発光機能層上に形成される上部電極とからなる発光素子領域を備え、前記上部電極から引き出される上部電極引き出し線を前記基板上に備える発光表示装置であって、前記発光素子領域に開口する上部電極形成用マスクパターンと該上部電極形成用マスクパターンに連通しない複数の開口を有する上部電極引き出し線用マスクパターンとによって、前記上部電極及び前記上部電極引き出し線の一部が形成され、互いに連通しない複数の開口を有するマスクパターンによって、前記上部電極引き出し線の残りの部分が形成されることを特徴とする。
【００１４】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態を図面を参照して説明する（なお、従来と同一の部分には同一の番号を付して重複した説明は省略する。）。図３は、本発明の実施形態に係る発光表示装置の形成方法及びそれによって形成される発光表示装置を示す説明図である。
【００１５】
実施形態の形成方法又は発光表示装置は、基板１上に下部電極２が形成され、下部電極２上に発光機能層１０が形成され、発光機能層１０上に上部電極６が形成されることによって、基板１上に発光素子領域Ｅが形成されると共に、基板１上に上部電極６から引き出される上部電極引き出し線７が形成される工程及び構造を前提としている。
【００１６】
そして、第１には、発光素子領域Ｅに開口する上部電極形成用マスクパターン２０ａを有する成膜用マスク２０Ａを用いて上部電極６を成膜する第１工程（同図（ａ））、上部電極形成用マスクパターン側で互いに連通しない複数の開口からなる上部電極引き出し線用マスクパターン２０ｂを有する成膜用マスク２０Ｂを用いて上部電極引き出し線７の少なくとも一部を成膜する第２工程（同図（ｂ））、これらの工程によって形成される上部電極６及び上部電極引き出し線７を有することを特徴としている。
【００１７】
これによると、少なくとも成膜用マスク２０Ｂは、片持ち状態となる形状的に不安定なマスクパターンを有さないので、マスクパターンが変形して上部電極引き出し線７の形成精度が低下することが無く、良好な表示性能を確保した発光表示装置を得ることができる。
【００１８】
第２には、前述した前提となる形成方法又は発光表示装置において、発光素子領域Ｅに開口する上部電極形成用マスクパターン２０ａと上部電極形成用マスクパターン２０ａに連通しない複数の開口からなる上部電極引き出し線用マスクパターン２０ｂ０とを有する成膜用マスク２０Ａを用いて、上部電極６及び上部電極引き出し線７の一部（７ａ）を成膜する第１工程（同図（ａ））、互いに連通しない複数の開口からなるマスクパターン２０ｂを有する成膜用マスク２０Ｂを用いて、上部電極引き出し線７の残りの部分（７ｂ）を成膜する第２工程（同図（ｂ））、これらの工程によって形成される上部電極６及び上部電極引き出し線７を有することを特徴とする。
【００１９】
これによっても、上部電極引き出し線用マスクパターン２０ｂ０，２０ｂを有する成膜用マスク２０Ａ，２０Ｂは伴に片持ち状態となる形状的に不安定なマスクパターンを有さないので、マスクパターンが変形して上部電極引き出し線７の形成精度が低下することが無く、良好な表示性能を確保した発光表示装置を得ることができる。
【００２０】
第３には、前述した形成方法又は発光表示装置を前提として、上部電極形成用マスクパターン２０ａは、発光素子領域Ｅ以外に各上部電極引き出し線７毎に突出した接合凸部６Ｔを形成する突出開口部２０ａ０を有し、図４に示すように、上部電極引き出し線７の接続端部が接合凸部６Ｔに重ねて形成されることを特徴とする。
【００２１】
これによると、上部電極引き出し線７の接続端部を上部電極６と接続する際に、上部電極引き出し線７の接続端部が下部電極２上に形成される発光素子部Ｅ０に重なり合うことが無い。
【００２２】
仮に発光素子部Ｅ０上に上部電極引き出し線７の接続端部が重なり合って成膜された場合には、その部分だけ発光素子を形成する上部電極６の膜厚が厚くなり、その厚くなった部分で抵抗値が他の部分と比べて低下することになる。発光素子の上部電極６で抵抗の不均一な部分あると、発光表示面上の輝度にバラツキが生じる不具合が起こる。
【００２３】
これに対して、上部電極６の形成領域を接続端部側に広げることでこの問題は解決できるが、単に上部電極６の形成領域を広げただけでは上部電極の材料が無駄になり不経済である。本発明の実施形態では、上部電極形成用マスクパターン２０ａに形成される突出開口部２０ａ０よって各上部電極引き出し線７毎に接合凸部６Ｔを形成しているので、無駄に上部電極材料を使うことなく、発光表示面における輝度のバラツキを解消できる。
【００２４】
第４には、前述した形成方法又は発光表示装置を前提として、図４に示すように、接合凸部６Ｔの突出幅Ｓは発光素子領域Ｅから少なくとも成膜工程のボケ量，成膜マスクの操作ずれ量，マスクパターンの形成精度による誤差量を考慮した量を離し突出して形成されることを特徴とする。
【００２５】
つまり、接合凸部６Ｔは、最も上部電極引き出し線７に近い最外の発光素子部Ｅ０の外端から少なくとも突出幅Ｓを設けるように形成される。この突出幅Ｓは、誤差ファクタとして、成膜用マスク２０Ａ，２０Ｂと基板１との隙間により生じる成膜工程のボケ量（蒸着流の到達誤差等）、成膜用マスクを基板上に設置する際に生じる操作ずれ量、マスクパターンの形成精度による誤差量を考慮した量を離して突出して形成されるものであり、これらの誤差ファクタはそれぞれ独立に生じることから、発光素子部Ｅ０上に上部引き出し線４の接続端部が重ならないようにするためには、発光素子領域Ｅの端部から少なくとも突出量Ｓだけ離して接合凸部６Ｔを形成する必要がある。
【００２６】
実用的には、マスクパターン２０ｂのスリット幅が５０μｍ程度の場合には、各誤差ファクタによる量を５μｍに設定して、前述の突出量Ｓ＝１５μｍに設定することができるが、各誤差ファクタの精度向上に伴ってこれを更に短くすることも可能である。また、接合凸部６Ｔは発光素子領域Ｅから少なくとも突出量Ｓだけ離れていれば特に形状は問わない。
【００２７】
第５には、前述した形成方法又は発光表示装置を前提として、前記第１工程と前記第２工程は、異なる成膜材料が用いられることを特徴とする。これによると、第１工程で安価な材料、例えばＡｌを成膜し、第２工程にはそれとは異なる材料、例えば高価であるが低抵抗なＣｒ，Ｃｕ，Ａｇ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｉｎ，Ｐｄ，Ｎｉ等の金属材料又はこれらの合金材料を成膜することが可能であり、大量に使用する上部電極材料と比較的使用量が少ない上部電極引き出し線材料を異なる材料として、経済性を考慮しながら、上部電極引き出し線の機能向上を図ることができる。
【００２８】
次に、図５〜図７を参照して、本発明の実施形態に係る成膜用マスクの特徴を説明すると、第１には、前述した発光表示装置（図３参照）の上部電極６と上部電極引き出し線７の成膜に用いられる成膜用マスクであって、発光素子領域Ｅに開口する上部電極形成用マスクパターン２１ａ，２２ａ，２３ａを有する第１マスク２１Ａ，２２Ａ，２３Ａと、上部電極形成用マスクパターン側で互いに連通しない複数の開口を有し、上部電極引き出し線の少なくとも一部を形成する上部電極引き出し線用マスクパターン２１ｂ，２２ｂ，２３ｂを有する第２マスク２１Ｂ，２２Ｂ，２３Ｂとからなることを特徴とする。
【００２９】
図５に示す実施形態の成膜用マスクは、発光素子領域Ｅの側面から直線的に引き出す上部電極引き出し線７を形成する際に使用され、図６に示す実施形態の成膜用マスクは、発光素子領域Ｅの一側面から屈曲して他の側面に引き出す上部電極引き出し線７を形成する際に使用される。
【００３０】
また、図７に示す成膜用マスクは、第１マスク２３Ａに上部電極形成用パターン２３ａと上部電極引き出し線の一部を形成するマスクパターン２３ｂ０が形成されており、第２マスク２３Ｂには、第１マスク２３Ａで成膜された上部電極と上部電極引き出し線とを接続する上部電極引き出し線の残り部分を形成するマスクパターン２３ｂが形成されている。
【００３１】
このような成膜用マスクによると、第１マスク２１Ａ，２２Ａ，２３Ａと第２マスク２１Ｂ，２２Ｂ，２３Ｂは、形状が不安定な片持ち状態のマスクパターンを有さないので、マスクパターンが変形することはなく、精度の高いマスク成膜を行うことが可能にある。
【００３２】
また、第２には、前述した成膜用マスクを前提として、第１マスク２１Ａ，２２Ａ，２３Ａの上部電極形成用マスクパターン２１ａ，２２ａ，２３ａは、発光素子領域Ｅ以外に各上部電極引き出し線７毎に突出した接合凸部６Ｔを形成する突出開口部２１ａ０，２２ａ０，２３ａ０を有することを特徴とする。このような成膜用マスクを用いた発光表示装置の形成によると、前述したように、上部電極引き出し線７毎に接合凸部６Ｔを形成することで、無駄に上部電極材料を使うことなく、発光表示面における輝度のバラツキを解消できる。そして、この突出開口部２１ａ０，２２ａ０，２３ａ０は、前述したように接合凸部６Ｔを発光素子領域Ｅから少なくとも１５μｍ突出して形成するように突出開口幅が設定される。
【００３３】
【実施例】
以下に、本発明の実施例を、発光表示装置として有機ＥＬ表示装置を例にして説明する。この有機ＥＬ表示装置は、前述した発光素子部Ｅ０として有機ＥＬ素子が形成され、この有機ＥＬ素子が前述した基板１上にドットマトリクス状に配列されて発光素子領域を形成するものである。有機ＥＬ素子は、前述した下部電極２と上部電極６との間に有機発光機能層が挟まれる構成からなり、基板１を透明基板で形成し、下部電極２を透明電極とすることで、基板１を介して光を取り出す発光素子を形成することができるし、また、上部電極６を透明電極にすることで基板１とは逆側に光を取り出す発光素子とすることもできる。
【００３４】
実施例として適用される有機発光機能層について説明すると、基板上に陽極となる下部電極を形成して、基板側から正孔輸送層／発光層／電子輸送層を形成し、その上に陰極となる上部電極を形成する構造が一般的であるが、正孔輸送層，発光層，電子輸送層はそれぞれ単層で形成しても或いは複数層積層して形成してもよく、正孔輸送層，電子輸送層についてはいずれか一方或いは両方の層を省略してもよい。また、正孔注入層，電子注入層，正孔障壁層，電子障壁層等の有機機能層を用途に応じて挿入してもよい。有機ＥＬ素子の構造を基板側から陰極となる下部電極／有機発光機能層／陽極となる上部電極とした場合には、当然、有機発光機能層の構造は基板側から電子輸送層／発光層／正孔輸送層となり、この場合も用途に応じて各層を適宜設計変更することができる。
【００３５】
また、実施例に適用される有機ＥＬ素子は、単色発光にすることもできるし、多色発光にすることもできる。多色発光にする場合には、ＲＧＢに対応した３種類の発光機能層を形成する方式を含む２色以上の発光機能層を塗り分けて形成する方式（塗り分け方式）、白色や青色等の単色の発光機能層にカラーフィルタや蛍光材料による色変換層を組み合わせた方式（ＣＦ方式，ＣＣＭ方式）、単色の発光機能層の発光エリアに電磁波を照射する等して複数色の発光を実現する方式（フォトブリーチング方式）等によって実現することができる。
【００３６】
或いは、基板上に一対の電極に挟まれた有機発光機能層を前述した１層だけでなく、複数層重ね合わせて多色発光するようにした構成（例えば、特表平１０−５０３８７８号公報参照）でもよいし、基板／下部電極／第１の有機発光機能層／第１の中間電極／第２の有機発光機能層／第２の中間電極／第３の有機発光機能層／上部電極とした積層形の有機ＥＬ素子にすることもできる。
【００３７】
図８によって本発明の実施例に係る有機ＥＬ表示装置の形成方法を説明する。先ずは、従来技術と同様に、基板１上に下部電極２，絶縁隔壁３，有機発光機能層５を形成する。ここでは、隣接する下部電極２間の電気的絶縁を図るために絶縁膜８が設けられ、更に、下部電極２にはそこから引き出された下部電極引き出し線２Ａが一体に形成されている。
【００３８】
基板１としては、図示した平板状以外に、フィルム状、球面上等、形状には特に拘らず、材質としては、ガラス、プラスチック、石英、金属等を用いることができる。透明基板にする場合には、透明ガラス、透明プラスチック等を採用することができる。
【００３９】
下部電極２は、基板１上に電極材料を蒸着，スパッタリング等の方法で薄膜形成し、フォトリソグラフィ等によって所望の形状にパターニングして形成される。本発明の実施例における有機ＥＬ素子は、複数本のストライプ状に形成された下部電極２に対して直交する方向に上部電極６を複数本ストライプ状に形成し、上部電極６と下部電極２の交差部分で有機発光機能層５を挟んで形成される。すなわち、直交する複数本のストライプ状電極の交差部分にドットマトリクス状に有機ＥＬ素子が形成されて発光素子領域を形成することになる。下部電極２と上部電極６の少なくとも一方が透明又は半透明とされ、下部電極２と上部電極６の一方が陽極，他方が陰極として機能するように形成される。
【００４０】
下部電極２を陽極とする場合には、仕事関数の大きい（４ｅＶ以上）金属、合金、電気伝導化合物及びこれらの混合物を電極材料にする。具体的には、Ａｕ，ＩＴＯ，ＺｎＯ等を挙げることができる。また、下部電極２を陰極とする場合には、仕事関数が小さい（４ｅＶ以下）金属、金属酸化物、金属フッ化物、合金等を電極材料にする。具体的には、Ａｌ，Ｉｎ，Ｍｇ等の単層構造，ＬｉＯ２／Ａｌ等の積層構造を挙げることができる。この下部電極２を透明電極とする場合には、５ｎｍ以下では電気抵抗値が上がり電流が流れ難くなること、１μｍ以上の場合には透明性が低くなることを考慮して、膜厚を５ｎｍ〜１μｍとすることが好ましい。
【００４１】
このような下部電極２が形成された基板１上に絶縁膜８及び絶縁隔壁３を形成する。絶縁膜８は、ポリイミド，ＳｉＮ，ＳｉＯ２等の絶縁材料からなり、下部電極２の間に形成されると共に下部電極２のライン上に等間隔で下部電極２に直交して形成される。具体的な形成方法は、下部電極２上にスピンコート法により所定の塗布厚となるように絶縁膜８を形成し、露光マスクを用いて露光処理、現像処理により前述したパターンの絶縁膜が形成される。これにより、下部電極２は絶縁膜８のパターンによって発光エリアが区画された状態になる。
【００４２】
そして、隣接する上部電極のライン間を電気的に絶縁すること、シャドーマスクとして使用すること等の目的で絶縁膜８上に絶縁隔壁３が形成される。絶縁隔壁３の形状は好ましくは従来技術で示したように逆台形断面形状（逆テーパ状）であるが、このような目的を達成できるものであれば特に形状は拘らない。絶縁隔壁の形成方法については、前記の特許文献１に開示されているとおりであるが、感光性樹脂膜を形成して所定パターン開口部を有するフォトマスクを介して紫外線照射による露光を行い、層の厚さ方向の露光量の違いから生じる現像速度の差を利用して逆テーパ状の絶縁隔壁を形成することができる。
【００４３】
有機発光機能層５は、絶縁膜８及び絶縁隔壁３上にメタルマスクを載置し、蒸着法等を用いて形成される。蒸着法の他には、レーザ転写法等のドライプロセス、或いはスピンコーティング法，ディッピング法等の塗布法，インクジェット法，スクリーン印刷法等の印刷法等のウエットプロセスで形成することができる。有機発光機能層５の各層の材料は以下のとおりであるが、有機ＥＬ素子の用途に合わせて適宜選択可能である。
【００４４】
正孔輸送層；正孔移動速度が高い機能を有していればよく、その材料としては、従来公知の化合物の中から任意のものを選択して用いることができる。具体例としては、銅フタロシアニン等のポリフィリン化合物、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］−ビフェニル（ＮＰＢ）等の芳香族第三アミン、４−（ジ−Ｐ−トリルアミノ）−４’−［４−（ジ−Ｐ−トリルアミノ）スチリル］スリルベンゼン等のスチルベン化合物や、トリアゾール誘導体、スチリルアミン化合物等の有機材料が用いられる。また、ポリカーボネート等の高分子中に低分子の正孔輸送用の有機材料を分散させた、高分子分散系の材料も使用できる。
【００４５】
発光層；各色を発光する公知の発光材料が使用可能であり、具体例としては、４，４’−ビス（２，２’−ジフェニルビニル）−ビフェニル（ＤＰＶＢｉ）等の芳香族ジメチリディン化合物、１，４−ビス（２−メチルスチリル）ベンゼン等のスチリルベンゼン化合物、３−（４−ビフェニル）−４−フェニル−５−ｔ−ブチルフェニル−１，２，４−トリアゾール（ＴＡＺ）等のトリアゾール誘導体、アントラキノン誘導体、フルオノレン誘導体等の蛍光性有機材料、（８−ヒドロキシキノリナト）アルミニウム錯体（Ａｌｑ３）等の蛍光性有機金属化合物、ポリパラフィニレンビニレン（ＰＰＶ）系、ポリフルオレン系、ポリビニルカルバゾール（ＰＶＫ）系等の高分子材料、白金錯体やイリジウム錯体等の三重項励起子からのりん光を発光に利用できる有機材料（特表２００１−５２０４５０号公報参照）を使用できる。実施例の発光層は、前述のような発光材料のみから構成してもよいし、正孔輸送材料、電子輸送材料、添加剤（ドナー，アクセプタ等）又は発光性ドーパント等が含有されていてもよい。更には、これらが高分子材料又は無機材料中に分散されていてもよい。
【００４６】
電子輸送層；陰極より注入された電子を発光層に伝達する機能を有していればよく、その材料としては従来公知の化合物の中から任意のものを選択して用いることができる。具体例としては、ニトロ置換フルオレノン誘導体，アントラキノジメタン誘導体等の有機材料，８−キノリノール誘導体の金属錯体，メタルフタロシアニン等が使用できる。
【００４７】
そして、このような有機発光機能層５の上に、図８（ａ），（ｂ）に示すような第１マスク２４Ａと第２マスク２４Ｂを用いて、上部電極６及び上部電極引き出し線７を形成する。
【００４８】
第１マスク２４Ａには、マスク板に発光素子領域全域に開口する上部電極形成用マスクパターン２４ａが形成されており、その１辺に上部電極引き出し線７毎に突出開口部２４ａ０が形成されている。また、上部電極引き出し線７の一部を形成するためのマスクパターン２４ｂ０が形成されている。このマスクパターン２４ｂ０は、上部電極形成用マスクパターン２４ａ側で互いに連通しない複数の開口からなっている。
【００４９】
このような第１マスク２４を用いて、同一の電極材料（例えば、Ａｌ等）による蒸着によって上部電極６と上部電極引き出し線の一部７ａを成膜した状態を図８（ｂ）に示す。この状態では、発光素子領域においては、全面に電極材料が蒸着されるが、絶縁隔壁３の作用によって下部電極２と直交したストライプ状の電極を形成しており、また、基板１上の下部電極引き出し線２Ａと同じ辺に上部電極引き出し線の一部７ａが形成されている。
【００５０】
そして、このような上部電極７と上部電極引き出し線の一部７ａが形成された基板１上に第１マスク２４Ａに換えて第２マスク２４Ｂを設置して、上部電極引き出し線の残りの部分７ｂを蒸着により成膜する。第２マスク２４Ｂはマスク板にこの残りの部分７ｂに対応するマスクパターン２４ｂが形成されている。このマスクパターン２４ｂは、相互に連通しない複数の開口からなっている。
【００５１】
この工程による蒸着材料は、前述した上部電極６と上部電極引き出し線の一部７ａを成膜した材料（例えば、Ａｌ等）と同じ材料でも良いが、先の材料とは異なる材料を用いることによって、更に経済性を考慮して機能的（低抵抗）な上部電極引き出し線を形成することができる。つまり、後から蒸着する材料は比較的使用量も少ないので、高価であるが低抵抗なＣｒ，Ｃｕ，Ａｇ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｉｎ，Ｐｄ，Ｎｉ等の金属材料又はこれらの合金材料を用いても経済負担は少なく、これらの材料を用いることで引き出し線の機能を向上させることができる。
【００５２】
図９は、前述した各工程を経て形成された有機ＥＬ表示装置の構造を示す説明図である。同図（ａ）は全体斜視図、同図（ｂ）はＸＸ断面図を示している。この実施例の有機ＥＬ表示装置は、前述したようにストライプ状に形成された複数の下部電極２とそれと直交する方向にストライプ状に形成された複数の上部電極６との間に有機発光機能層５を挟んだ構造で、下部電極２と上部電極６との交差部分でドットマトリクス状の有機ＥＬ素子が形成されている。有機ＥＬ素子を形成する有機発光機能層５の各層は、前述したような正孔輸送層５ａ，発光層５ｂ，電子輸送層５ｃからなる。そして、上部電極６には、各上部電極引き出し線７毎に接合凸部６Ｔが形成されて、この係合凸部６Ｔ上に上部電極引き出し線７の端部が重ねて接合されている。
【００５３】
このような有機ＥＬ表示装置によると、上部電極引き出し線７を形成する第１マスク２４Ａ及び第２マスク２４Ｂは、片持ち状態となって形状が不安定なマスクパターンを有さないので、精度の高い上部電極引き出し線７を形成することが可能になり、ドットマトリクス状に配列された有機ＥＬ素子に対して良好な発光制御が可能になる。また、上部電極６と上部電極引き出し線７の接合部分は、発光素子領域以外に突出形成された接合凸部６Ｔ上で行われるので、有機ＥＬ素子部上に上部電極引き出し線７の接合部分が重ねられることがなく、発光素子領域のおける発光輝度のバラツキを回避することが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来技術の説明図である。
【図２】従来技術の説明図である。
【図３】本発明の実施形態に係る発光表示装置の形成方法及びそれによって形成された発光表示装置を示す説明図である。
【図４】実施形態の発光表示装置における接合凸部を示す説明図である、
【図５】本発明の実施形態に係る成膜用マスクの特徴を説明する説明図である。
【図６】本発明の実施形態に係る成膜用マスクの特徴を説明する説明図である。
【図７】本発明の実施形態に係る成膜用マスクの特徴を説明する説明図である。
【図８】本発明の実施例に係る有機ＥＬ表示装置の形成方法を示す説明図である。
【図９】本発明の実施例に係る有機ＥＬ表示装置を示す説明図である。
【符号の説明】
１  基板
２    下部電極
３  絶縁隔壁
４  マスク
５  有機発光機能層
６  上部電極
６Ｔ  接合凸部
７（７ａ，７ｂ）  上部電極引き出し線
８  絶縁膜
１０  発光機能層
２０Ａ，２０Ｂ  成膜用マスク
２１Ａ，２２Ａ，２３Ａ，２４Ａ  第１マスク
２１Ｂ，２２Ｂ，２３Ｂ，２４Ｂ  第２マスク
２１ａ，２２ａ，２３ａ，２４ａ  マスクパターン
２１ｂ，２２ｂ，２３ｂ，２４ｂ  マスクパターン
２１ａ０，２２ａ０，２３ａ０，２４ａ０      突出開口部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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