(57)【要約】【課題】外周部における腐食の発生を防止し、かつ、外周部における記録不良領域の大きさを抑制できるようにする。【解決手段】光記録媒体１では、基板２の外周部に少なくともマスクを施し、マスクが施された基板２の一主面に反射層３を形成し、反射層３が形成された基板２に施されているマスクを除去し、下層誘電体層４、記録層５、上層誘電体層６を順次形成し、上層誘電体層６上に保護層７を形成する。これにより、外周部において反射層３が大気に触れることを防止することができるとともに、外周マスクによりスパッタリング粒子が遮られることなく下層誘電体層４、記録層５、上層誘電体層６を反射層３上に形成することができる。【選択図】  図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の一主面に少なくとも、反射層、下層誘電体層、記録層、上層誘電体層、保護層が順次積層された光ディスクにおいて、
下層誘電体層、記録層、上層誘電体層が、反射層の外周部を覆うように、積層されていることを特徴とする光記録媒体。
【請求項２】
上記保護層が、情報信号を記録および再生に用いられる光を透過可能に構成され、
４００ｎｍ以上４１０ｎｍ以下の範囲の波長にある光を、０．８４以上０．８６以下の範囲の開口数を有する光学系により集光し、上記保護層側から上記記録層に照射することにより、情報信号の記録および再生を行うことを特徴とする請求項１記載の光記録媒体。
【請求項３】
上記反射層が、金属または半金属であることを特徴とする請求項１記載の光記録媒体。
【請求項４】
上記反射層が、Ａｇ系合金からなることを特徴とする請求項１記載の光記録媒体。
【請求項５】
上記下層誘電体層および上記上層誘電体層が、硫化亜鉛と酸化シリコンとの混合体からなる誘電体層、窒化シリコンからなる誘電体層を順次積層した構成を有することを特徴とする請求項１記載の光記録媒体。
【請求項６】
上記光透過層が、光透過性シートと、上記光透過性シートを基板に貼り合わせるための接着層とからなることを特徴とする請求項１記載の光記録媒体。
【請求項７】
上記接着層が感圧性粘着剤からなることを特徴とする請求項６記載の光記録媒体。
【請求項８】
上記接着層が紫外線硬化樹脂からなることを特徴とする請求項６記載の光記録媒体。
【請求項９】
基板の外周部に少なくともマスクを施す工程と、
上記マスクが施された基板の一主面に反射層を形成する工程と、
上記反射層が形成された基板に施されているマスクを除去し、下層誘電体層、記録層、上層誘電体層を順次形成する工程と、
上記上層誘電体層上に保護層を形成する工程と
を備える光記録媒体の製造方法。
【請求項１０】
上記保護層が、情報信号を記録および再生に用いられるレーザ光を透過可能に構成され、
４００ｎｍ以上４１０ｎｍ以下の範囲の波長にある光を、０．８４以上０．８６以下の範囲の開口数を有する光学系により集光し、上記保護層側から上記情報信号部に照射することにより、情報信号の記録および再生を行うことを特徴とする請求項９記載の光記録媒体の製造方法。
【請求項１１】
上記反射層が、金属または半金属であることを特徴とする請求項９記載の光記録媒体の製造方法。
【請求項１２】
上記反射層が、Ａｇ系合金からなることを特徴とする請求項９記載の光記録媒体の製造方法。
【請求項１３】
上記下層誘電体層および上記上層誘電体層が、硫化亜鉛と酸化シリコンとの混合体からなる誘電体層、窒化シリコンからなる誘電体層を順次積層することにより構成されることを特徴とする請求項９記載の光記録媒体の製造方法。
【請求項１４】
上記光透過層が、接着層により光透過性シートを上記上層誘電体層に貼り合わせることにより形成されることを特徴とする請求項９記載の光記録媒体の製造方法。
【請求項１５】
上記接着層が感圧性粘着剤からなることを特徴とする請求項１４記載の光記録媒体の製造方法。
【請求項１６】
上記接着層が紫外線硬化樹脂からなることを特徴とする請求項１４記載の光記録媒体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、光記録媒体およびその製造方法に関し、特に、情報信号部を保護する保護層が設けられた側からレーザ光を照射することにより、情報信号の記録および再生が行われる光記録媒体に適用して好適なものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、ＤＶＤ（Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ  Ｄｉｓｃ）などの貼り合わせ型の光ディスクは、広く普及している。この貼り合わせ型の光ディスクは、ＣＤ（Ｃｏｍｐａｃｔ  Ｄｉｓｃ）などの単板型の光ディスクに比べ、記録密度の高密度化を達成できるという利点を有している。
【０００３】
図１０に、貼り合わせ型光ディスクの実用例として、ＤＶＤ−ＲＷ（Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ  Ｄｉｓｃ−ＲｅＷｒｉｔａｂｌｅ）の構成の一例を示す。このＤＶＤ−ＲＷは、図１０に示すように、誘電体層１０２、記録層１０３、誘電体層１０４、反射層１０５が一主面に順次積層された基板１０１と、反射層１１２が一主面に形成された基板１１１とを、接着層１２０により貼り合わせることにより形成される。そして、記録／再生時に用いられるレーザ光は、基板１０１側から記録層１０３に照射される。
【０００４】
以下に、ＤＶＤ−ＲＷの仕様を示す。
線速度３．４９ｍ／ｓｅｃ
記録ビット長０．２６７μｍ／ｂｉｔ
トラックピッチ０．７４μｍ
レーザ光の波長６５０ｎｍ
データ転送レート１１Ｍｂｐｓ
記憶容量４．７ＧＢ
【０００５】
近年では、上述したＤＶＤをさらに上回る大容量、高転送レートを実現することが待望されている。この要求に応えるために、記録レーザのスポットサイズを小さくし、記録線速度を上げることが必要となる。
【０００６】
そこで、記録レーザのスポットサイズを小さくする具体的手法として、レーザ波長を短くする方法や、対物レンズの開口数を大きくする方法が提案されている。特にレーザ波長を短くする方法と対物レンズの開口数を大きくする方法の二つを併用すると、スポットサイズはそれぞれを単独に用いた場合よりも小さくすることができる。例えば、光源として波長４００ｎｍ付近の青紫色レーザ、対物レンズとして０．８５の高開口数ＮＡを有する対物レンズを用いると、さらなる高密度記録が理論上可能となる。
【０００７】
このように、光記録媒体の記録密度を上げるためにはＮＡ／λの値を上げることが不可欠となる。例えば、記憶容量として８ＧＢを達成させるためには、少なくとも開口数ＮＡを０．７以上、レーザの波長λを０．６８μｍ以下にすることが必要となる。
【０００８】
ところが、対物レンズの高ＮＡ化を進めていくと、ディスクの傾きによって生じる光の収差が大きくなり、光学ピックアップの光軸に対する、ディスク面の傾き（チルト）の許容量が小さくなるという問題が生じてしまう。
【０００９】
そこで、基板上の一主面に形成された情報信号部上に、レーザ光を透過可能な光透過層を形成した次世代の光記録媒体が提案されている。この次世代の光記録媒体では、基板側からではなく、情報信号部上に形成された光透過層側から光を照射することにより、情報信号の記録および／あるいは再生が行われる。
【００１０】
図１１に、次世代の光記録媒体の構成を示す。図１２に、次世代の光記録媒体の各エリアの大きさを示す。図１１を参照しながら、この次世代の光記録媒体の製造方法について説明する。まず、基板２０１に対して内周マスクおよび外周マスクを施し、スパッタリング法により、反射層２０２を基板の一主面に形成する。そして、反射層２０２を形成した場合と同様にして、反射層２０２上に、下層誘電体層２０３、記録層２０４、上層誘電体層２０５を順次形成する。その後、光透過性シートを接着剤により誘電体層２０５上に貼り合わせることにより、光透過層２０６を形成する。
【００１１】
上述したように、基板の一主面に各膜をスパッタリング法に形成する際に、基板の内周および外周にそれぞれマスキングを行うことにより、光ディスクの内周および外周において反射層および記録層が大気中に露出し、腐食することを防止することができる。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、上述のように、基板２０１にマスクを施して光記録媒体を製造すると、マスクエッジ近傍では、膜厚を所望の値ほど得ることができなくなってしまう。これは、マスクによりスパッタ粒子がさえぎられ膜厚減少が起きるためである。
【００１３】
このような膜厚の減少によって、波長４００ｎｍのレーザ光により情報信号の記録／再生を行う次世代の光記録媒体では、波長６５０ｎｍなどのレーザ光により情報信号の記録／再生を行う従来の光ディスクよりも、さらに外周部において記録不良領域が増加してしまうという問題が生じる（図１２参照）。これは、次世代の光記録媒体では、従来の光記録媒体に比して、膜厚の変動により信号特性などが大きく変化してしまうためである。
【００１４】
したがって、この発明の目的は、基板上の一主面に形成された情報信号部上に、レーザ光を透過可能な光透過層を形成した次世代の光記録媒体において、外周部における腐食の発生が防止され、かつ、外周部における記録不良領域の大きさが抑制された光記録媒体およびその製造方法を提供することにある。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本願第１の発明は、基板の一主面に少なくとも、反射層、下層誘電体層、記録層、上層誘電体層、保護層が順次積層された光ディスクにおいて、
下層誘電体層、記録層、上層誘電体層が、反射層の外周部を覆うように、積層されていることを特徴とする光記録媒体である。
【００１６】
本願第２の発明は、基板の外周部に少なくともマスクを施す工程と、
マスクが施された基板の一主面に反射層を形成する工程と、
反射層が形成された基板に施されているマスクを除去し、下層誘電体層、記録層、上層誘電体層を順次形成する工程と、
上層誘電体層上に保護層を形成する工程と
を備える光記録媒体の製造方法である。
【００１７】
上述のように構成された光記録媒体では、基板の外周部に少なくともマスクを施し、マスクが施された基板の一主面に反射層を形成し、反射層が形成された基板に施されているマスクを除去し、下層誘電体層、記録層、上層誘電体層を順次形成し、上層誘電体層上に保護層を形成するため、外周部において反射層が大気に触れることを防止することができるとともに、外周マスクによりスパッタリング粒子が遮られることなく下層誘電体層、記録層、上層誘電体層を反射層上に形成することができる。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下、この発明の一実施形態について図面を参照しながら説明する。図１に、この発明の一実施形態による光ディスクの構成の一例を示す。
【００１９】
図１に示すように、この一実施形態による光ディスクは、基板２上に、反射層３、下層誘電体層４、記録層５、上層誘電体層６、光透過層７を順次積層した構成を有する。なお、この一実施形態による光ディスクは、光透過層７の側からレーザ光を記録層５に照射することにより、情報信号の記録および再生が行われる光ディスク（例えば、Ｂｌｕ−ｒａｙ  Ｄｉｓｃ）である。
【００２０】
なお、この一実施形態による光ディスクでは、案内溝のトラックピッチＰ、基板２のスキューΘ、情報信号の再生および／または記録に用いられる光学ピックアップの開口数ＮＡ、情報信号の再生および／または記録に用いられるレーザ光の波長λ、光透過層７の厚さｔが、以下の関係式（１）〜（４）を満たすようにすることにより、８ＧＢ以上の記録容量を実現可能となる。
Ｐ≦０．６４（μｍ）・・・（１）
Θ≦±８４．１１５（λ／ＮＡ３／ｔ）・・・（２）
λ≦０．６４（μｍ）・・・（３）
ＮＡ／λ≧１．２０・・・（４）
【００２１】
ここで、波長λが４００ｎｍ以上４１０ｎｍ以下、開口数ＮＡが０．８４以上０．８６以下、データビット長（ｄａｔａ  ｂｉｔ  ｌｅｎｇｔｈ）が０．１０３５μｍ以上０．１２μｍ以下から選ばれる。例えば、波長λが４０５ｎｍ、開口数ＮＡが０．８５、データビット長が０．１２μｍ、トラックピッチが０．３２μｍに選ばれる。
【００２２】
開口数ＮＡが０．８４以下であり、波長λが４１０ｎｍ以上である場合には、スポット径ｄ（ｄ∝λ／ＮＡ）の大きさが所望とする径より大きくなり、８ＧＢ以上の記録容量を可能とする高記録密度を実現することができなくなってしまう。一方、開口数ＮＡが０．８６以上であり、波長λが４００ｎｍ以下である場合には、記録面と光軸の傾きの許容量（チルト・マージン）を確保するために光透過層７をさらに薄くすることが必要となるため、光透過層７の厚み誤差を許容範囲に収めることが困難となってしまう。すなわち、信号品質を維持することが困難になってしまう。
【００２３】
図２に、この一実施形態による光ディスクの断面図を示す。図２に示すように、この一実施形態による光ディスクは、反射層３の外周部を覆うように、反射層３上に、下層誘電体層４、記録層５、上層誘電体層６、光透過層７が順次積層されている。
【００２４】
基板２は、中央にセンターホール（図示せず）が形成された円環形状を有する。この基板２の反射層３が形成される側の一主面には、情報の記録再生を行う際に光学スポットを導くための案内溝となる凹凸部（図示せず）が形成されている。この溝を案内としてレーザービームがディスク上の任意の位置へと移動できる。この溝の形状は、スパイラル状、同心円状、ピット列等、各種の形状が適用可能である。基板２の直径は、例えば１２０ｍｍに選ばれる。基板２の厚さは、剛性を考慮して選ばれ、好ましくは０．３ｍｍ〜１．３ｍｍから選ばれ、より好ましくは０．６ｍｍ〜１．３ｍｍ、例えば１．１ｍｍに選ばれる。なお、ＣＤ等の製造設備を流用することを考慮すると、基板２の厚さは、１．２ｍｍ程度であることが好ましい。
【００２５】
基板２の厚さが０．３ｍｍより薄いと光ディスク１の強度が下がったり反りやすくなったりしてしまう。逆に、１．３ｍｍより厚いと光ディスク１の厚みがＣＤやＤＶＤの１．２ｍｍより厚くなるので、これら全てに対応する駆動装置を商品化するときに同じディスクトレイを共用できなくなる可能性が生じる。
【００２６】
基板２の材料としては、例えばポリカーボネート系樹脂、ポリオレフィン系樹脂、またはアクリル系樹脂などのプラスチック材料や、ガラスなどが用いられる。ポリカーボネート樹脂およびポリオレフィン系樹脂などは、溶融成形時に耐熱性を有し成形し易いこと、変質が少ないこと、機械的特性が優れているなどの利点を有するため、これらの樹脂材料を基板の材料として用いることが好ましい。また、コストを考慮した場合には、基板２の材料として、プラスチック材料を用いることが好ましい。作製には射出成型法（インジェクション法）や紫外線硬化樹脂を使うフォトポリマー（２Ｐ法：Ｐｈｏｔｏ  Ｐｏｌｙｍｅｒｉｚａｔｉｏｎ）を用いることができる。これ以外にも所望の形状（例えば、厚さ１．１ｍｍ、直径１２０ｍｍのディスク形状）と光学的に十分な基板表面の平滑性が得られる方法であれば用いることが可能である。また、この一実施形態による光ディスクでは、記録再生のためのレーザを光透過層７から入射するため、基板２の材料として金属等の非透明材料を用いることも可能である。
【００２７】
反射層３の材料は、例えば、反射層３の反射機能および熱伝導を考慮して選ばれる。すなわち、記録再生用に用いられるレーザ光の波長に対して反射機能を有するとともに、熱伝導率が例えば４．０×１０−２〜４．５×１０２Ｊ／ｍ・Ｋ・ｓ（４．０×１０−４〜４．５Ｊ／ｃｍ・Ｋ・ｓ）の範囲内の値を有する金属元素、半金属元素、およびこれらの化合物または混合物から選ばれる。具体的には、反射層３の材料として、Ａｌ、Ａｇ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｐｄ、Ｃｏ、Ｓｉ、Ｔａ、Ｗ、Ｍｏ、Ｇｅなどの単体、またはこれらの単体を主成分とする合金を挙げることができる。そして、実用性の面を考慮すると、これらのうちのＡｌ系、Ａｇ系、Ａｕ系、Ｓｉ系またはＧｅ系の材料が好ましい。なお、反射層３の材料として合金を用いる場合には、例えば、ＡｌＣｕ、ＡｌＴｉ、ＡｌＣｒ、ＡｌＣｏ、ＡｌＭｇＳｉ、ＡｇＰｄＣｕ、ＡｇＰｄＴｉ、ＡｇＣｕＴｉ、ＡｇＰｄＣａ、ＡｇＰｄＭｇ、ＡｇＰｄＦｅ、ＡｇまたはＳｉＢなどが好ましい。
【００２８】
また、反射層３の厚さは、８０ｎｍ以上１４０ｎｍ以下に選ばれることが好ましく、例えば１００ｎｍに選ばれる。反射層３の厚さを８０ｎｍ未満にすると、記録層５において生じる熱の拡散が十分にできず、熱冷却が不十分になってしまい、再生時に再生パワーによりジッター特性が低下してしまう。他方、反射層３の厚さを１４０ｎｍより大きくすると、熱特性や光学的な特性に影響が生じることはないが、反射層３に生じる応力により、スキューなどの機械的特性に影響を与えてしまい、所望の特性を得ることができなくなってしまう。
【００２９】
上層誘電体層６の厚さは、例えば４０〜１４０ｎｍ程度に選ばれる。この範囲に上層誘電体層６の厚さを選ぶことにより、波長４００ｎｍのレーザ光を用いて記録および再生を行う場合に良好な記録再生特性を確保することができる。なお、上層誘電体層６を２チャンバーあるいは３チャンバーで成膜することが好ましい。このようにして上層誘電体層６を形成することにより、成膜時のタクトタイムを向上させることができる。
【００３０】
下層誘電体層４および上層誘電体層６の材料としては、記録再生用レーザの波長に対して吸収能のないものが望ましく、具体的には消衰係数ｋの値が０＜ｋ≦０．３を満たす材料であることが好ましい。かかる材料としては、例えばＺｎＳ−ＳｉＯ２混合体（特にモル比約４：１）を挙げることが出来る。ただし、ＺｎＳ−ＳｉＯ２混合体以外にも従来より光記録媒体に用いられている材料を、下層誘電体層４および上層誘電体層６の材料として用いることが可能である。
【００３１】
例えば、Ａｌ、Ｓｉ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｇ、Ｂ、Ｚｎ、Ｐｂ、Ｃａ、Ｌａ、Ｇｅ等の金属および半金属等の元素の窒化物、酸化物、炭化物、フッ化物、硫化物、窒酸化物、窒炭化物、酸炭化物等からなる層およびこれらを主成分とする材料をいることができる。具体的にはＡｌＮＸ（０．５≦ｘ≦１）、特にＡｌＮ、Ａｌ２Ｏ３−Ｘ（０≦ｘ≦１）、特にＡｌ２Ｏ３、Ｓｉ３Ｎ４−Ｘ（０≦ｘ≦１）特にＳｉ３Ｎ４、ＳｉＯＸ（１≦ｘ≦２）、特にＳｉＯ２、ＳｉＯ、ＭｇＯ、Ｙ２Ｏ３、ＭｇＡｌ２Ｏ４、ＴｉＯＸ（１≦ｘ≦２）、特にＴｉＯ２、ＢａＴｉＯ３、ＳｔＴｉＯ３、Ｔａ２Ｏ５−Ｘ（０≦ｘ≦１）、特にＴａ２Ｏ５、ＧｅＯＸ（１≦ｘ≦２）、ＳｉＣ、ＺｎＳ、ＰｂＳ、Ｇｅ−Ｎ、Ｇｅ−Ｎ−Ｏ、Ｓｉ−Ｎ−Ｏ、ＣａＦ２、ＬａＦ、ＭｇＦ２、ＮａＦ、ＴｈＦ４等を用いることができる。また、これらの材料を主成分とする材料を用いてもよい。あるいは、これらの材料の混合物、例えばＡｌＮ−ＳｉＯ２などを用いてもよい。
【００３２】
また、下層誘電体層４および上層誘電体層６は、２層以上の誘電体層を積層することにより構成してもよい。図３に、２層の誘電体を積層することにより形成された下層誘電体層４および上層誘電体層６の構成の一例を示す。下層誘電体層４は、第２の下層誘電体層１１、第１の下層誘電体層１２を反射層３上に順次積層した構成を有する。上層誘電体層６は、第１の上層誘電体層１３、第２の上層誘電体層１４を記録層５上に順次積層した構成を有する。第２の下層誘電体層１１および第２の上層誘電体層１４は、Ｓｉ３Ｎ４からなる。第１の下層誘電体層１２および第１の上層誘電体層は、ＺｎＳ−ＳｉＯ２混合体、好ましくは、モル比率が約４：１のＺｎＳ−ＳｉＯ２混合体からなる
【００３３】
第２の下層誘電体層１１の厚さは、８ｎｍ以上１４ｎｍ以下から選ばれることが好ましく、例えば１０ｎｍに選ばれる。第２の下層誘電体層４の厚さを８ｎｍ未満にすると、第１の下層誘電体層１２の材料の硫黄（Ｓ）が拡散することにより、反射層３が腐食してしまう。これに対し、第２の下層誘電体層１１の厚さを１４ｎｍより大きくすると、反射率が減少して所望の信号特性が得られなくなってしまう。
【００３４】
第１の下層誘電体層１２の厚さは、４ｎｍ以上１０ｎｍ以下から選ばれることが好ましく、例えば６ｎｍに選ばれる。第１の下層誘電体層１２の厚さを４ｎｍ未満とすると、均一な厚さを有する第１の下層誘電体層１２を形成することが困難となってしまう。これに対し、１０ｎｍより大きくすると、反射率が減少して所望の信号特性が得られなくなってしまう。
【００３５】
第１の上層誘電体層１３の厚さは、４ｎｍ以上１２ｎｍ以下から選ばれることが好ましく、例えば６ｎｍに選ばれる。第１の上層誘電体層１３の厚さを４ｎｍ未満とすると、均一な厚さを有する第１の上層誘電体層１３を形成することが困難となってしまう。これに対し、第１の上層誘電体層１３の厚さを１２ｎｍより大きくすると、熱が記録層５内に蓄熱されやすくなり、再生安定性を劣化を招いてしまう。
【００３６】
第２の上層誘電体層１４の厚さは、３６ｎｍ以上４６ｎｍ以下から選ばれることが好ましく、例えば４２ｎｍに選ばれる。第２の上層誘電体層１４の厚さを３６ｎｍ未満に選ぶと、反射率が増加し、４６ｎｍより大きく選ぶと、反射率が減少してしまう。
【００３７】
記録層５は、レーザービームの照射を受けて可逆的な状態変化を生じる相変化材料により形成される。この相変化材料として、アモルファス状態と結晶状態の可逆的相変化を生じるものが好ましく、カルコゲン化合物あるいは単体のカルコゲン等、公知のものがいずれも使用可能である。例示するならば、Ｔｅ、Ｓｅ、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ、Ｇｅ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ、Ｇｅ−Ｔｅ、Ｓｂ−Ｔｅ、Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ、Ａｇ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ、Ａｕ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ−Ｐｄ、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ−Ｓｅ、Ｉｎ−Ｓｂ−Ｓｅ、Ｂｉ−Ｔｅ、Ｂｉ−Ｓｅ、Ｓｂ−Ｓｅ、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ−Ｂｉ、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ−Ｃｏ、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ−Ａｕを含む系、あるいはこれらの系に窒素、酸素などのガス添加物を導入した系等を挙げることができる。これらのうち、特に好適なのはＳｂ−Ｔｅ系を主成分とするものである。これに任意の元素例えばＳｅやＰｄ、あるいはＧｅやＩｎを添加したものも好適である。
【００３８】
また、記録層５の材料は、相変化材料に限られるものではなく、Ｔｂ−Ｆｅ系、Ｔｅ−ＦｅＣｏ系、Ｇｄ−Ｆｅ系あるいはＧｄ−ＦｅＣｏ系などの光磁気記録材料や、有機色素などを用いてもよい。
【００３９】
記録層５として相変化記録層を用いた場合は、レーザービームの強弱により、アモルファス状態と結晶状態の間を可逆的に相変化させることができ、この状態変化による反射率等の光学的変化を利用して、記録、再生、消去、オーバーライト等の動作を行うことが可能になる。一般的には、成膜後、一旦結晶化（一般に初期化と呼ぶ）し、記録再生等を行う。なお、記録層５を連続する２層以上の異なる層（材料、組成、複素屈折率のいずれかが異なる）で構成してもよい。
【００４０】
記録層５の厚さは、６ｎｍ以上１６ｎｍ以下から選ばれることが好ましく、例えば１０ｎｍに選ばれる。記録層５の厚さを、６ｎｍ以下に選ぶと、十分な再生耐久性を得ることが困難となってしまう。これに対し、１６ｎｍより大きいと、記録感度が悪くなるため、情報信号を記録することが困難となってしまう。
【００４１】
光透過層７は、平面円環形状を有する光透過性シート（フィルム）と、この光透過性シートを上層誘電体層６に貼り合わせるための接着層（共に図示せず）とから構成される。接着層は、例えば紫外線硬化樹脂あるいは感圧性粘着剤（ＰＳＡ：Ｐｒｅｓｓｕｒｅ  Ｓｅｎｓｉｔｉｖｅ  Ａｄｈｅｓｉｖｅ）からなる。
【００４２】
光透過層７の厚さは、現状の赤色レーザーから将来普及が見込まれる青色レーザーまで対応することを考慮すると、１０μｍ〜１７７μｍに設定するのが好ましい。一般的にディスクスキューマージンΘと記録再生用光学ピックアップの光源波長λと、その開口数ＮＡ、並びにディスクの光透過保護層厚みｔとは相関関係にあり、実用上十分そのプレイヤビリティが実証されているコンパクトディスク（ＣＤ）の例を基準にこれらのパラメータとΘとの関係が、特開平３−２２５６５０号公報に示されている。これによると、Θ≦±８４．１１５（λ／ＮＡ３／ｔ）であればよい。ここで、ディスクを実際に量産する場合のスキューマージンΘの具体的な限界値を考えると、０．４°とするのが妥当である。これは、量産を考えた場合、これより小さくすると歩留まりが低下し、コストが上がるからである。例えば、ＣＤでは０．６°、ＤＶＤでは０．４°である。従って、Θ＝０．４°としてレーザの短波長化、高Ｎ．Ａ．化により光透過層７の厚みをどの程度に設定すべきかを計算すると、まずλ＝０．６５μｍとするとＮＡは０．７８以上が要求される。また、将来短波長化が進みλ＝０．４μｍとするとｔ＝１７７μｍになる。また、光透過層７の厚さの下限は記録層５を保護する光透過層７の保護機能によって決まり、信頼性や、２群レンズの衝突の影響を考慮すると１０μｍ以上が望ましい。
【００４３】
光透過性シートは、記録／再生に用いられるレーザ光に対して、吸収能が低い材料からなることが好ましく、具体的には透過率は９０パーセント以上の材料からなることが好ましい。具体的には、光透過性シートは、例えばポリカーボネート樹脂材料やポリオレフィン系樹脂からなる。
【００４４】
例えば、光透過性シートの材料として、ポリカーボネート（ＰＣ）を用いる場合、熱膨張係数が７．０×１０−５程度、曲げ弾性率が２．４×１０４程度の材料が用いられる。また、光透過性シートの材料として、ポリオレフィン系樹脂（例えばゼオネックス（登録商標））を用いる場合、熱膨張係数が６．０×１０−５程度、曲げ弾性率が２．３×１０４程度の材料が用いられる。
【００４５】
また、この光透過性シートの厚さは、好ましくは０．３ｍｍ以下に選ばれ、より好ましくは３〜１７７μｍの範囲内から選ばれる。例えば、接着層との合計の厚さが例えば１００μｍになるように選ばれる。このような薄い光透過層７と、０．８５程度の高ＮＡ化された対物レンズとを組み合わせることによって、高密度記録を実現することができる。
【００４６】
この一実施形態による光透過性シートは、例えば、ポリカーボネート樹脂などの材料を押出機に投入し、ヒータ（図示せず）を用いて２５０〜３００℃の温度で溶融させ、複数個の冷却ロールを用いてシート状に成形し、基板２に合わせた形状に裁断することにより形成される。
【００４７】
また、光透過保護層の表面上にゴミが付着したり、キズがついたりすることを防止する目的で、有機系あるいは無機系の材料からなる保護層をさらに形成してもよい。この場合にも記録再生を行うレーザの波長に対して吸収能を殆ど有しない材料を用いることが好ましい。
【００４８】
例えば、光透過層の厚さｔを１０μｍ≡１７７μｍとし、光透過層の厚さのばらつきをΔｔとしたときに、光記録媒体に対し情報の再生及び／又は記録を行う光学系のＮＡ、波長λの間に下記式に示すような関係が成り立てば、記憶容量を８ＧＢとすることが可能であり、従来の記録再生装置と同様の記録再生装置を使用して高記録容量化を図ることが可能である。
Δｔ＝±５．２６（λ／ＮＡ４）
【００４９】
次に、この発明の一実施形態による光ディスクの製造方法について説明する。
【００５０】
ここで、この一実施形態による光ディスク１の製造に用いられるスパッタリング装置について説明する。このスパッタリング装置は、基板自転可能な枚葉式の静止対向型スパッタリング装置である。
【００５１】
図４に、光ディスク１を製造するために用いられるスパッタリング装置を示す。図４に示すように、このスパッタリング装置は、成層室となる真空チャンバ２１、この真空チャンバ２１内の真空状態を制御する真空制御部２２、プラズマ放電用ＤＣ高圧電源２３、このプラズマ放電用ＤＣ高圧電源２３と電源ライン２４を通じて接続されているスパッタリングカソード部２５、このスパッタリングカソード部２５と所定の距離を持って対向配置されているパレット２６、およびＡｒなどの不活性ガスや反応ガスといったスパッタガスを真空チャンバ２１内に供給するためのスパッタガス供給部２７を有して構成されている。
【００５２】
スパッタリングカソード部２５は、負電極として機能するターゲット２８、このターゲット２８を固着するように構成されたバッキングプレート２９および、このバッキングプレート２９のターゲット２８が固着される面とは反対側の面に設けられた磁石系３０を備える。
【００５３】
また、正電極として機能するパレット２６と、負電極として機能するターゲット２８とから、一対の電極が構成されている。パレット２６上には、スパッタリングカソード部２５と対向するように、被成層体である基板２がディスクベース３３を間にはさんで取り付けられる。この際、内周マスク３１および外周マスク３２とにより、基板２の内周部および外周部が覆われる。
【００５４】
また、パレット２６のディスクベース３３が取り付けられる面とは反対側の面に、パレット２６を、基板２の面内方向に回転させ、これによって基板２を自転させるための基板自転駆動部３４が連動可能に設けられている。
【００５５】
また、スパッタリング装置２０においては、図５Ａに示すような平面円環状を有する被成層体としての基板２と、図５Ｂに示すような円板形状を有する成層材料からなるターゲット２８とは、図５Ｃに示すように、それらの平面的な位置関係において、基板２の中心Ｏと、ターゲット２８の中心Ｏ′とがほぼ一致するように配置される。また、基板２は、図４に示す基板自転駆動部３４により、その中心Ｏの周りで自転させることができるように構成されている。
【００５６】
以上のようにして、この一実施形態における光ディスクの製造に用いられるスパッタリング装置２０が構成されている。
【００５７】
なお、以下の製造プロセスにおいて、各層の成層にそれぞれ用いられるスパッタリン装置は同一の構成を有するため、上述したＤＣスパッタリング装置２０におけると同様の符号を用いる。
【００５８】
まず、基板２を、例えばＡｇＭ（Ｍ：添加物）からなるターゲット２８が設置された第１のスパッタリング装置２０に対して搬入し、パレット２６に固定する。この際、内周マスク３１および外周マスク３２のうち、少なくとも外周マスク３２を基板２に施す。次に、真空チャンバ２１内が所定の圧力（例えば１．０×１０−５Ｐａ）になるまで真空引きする。次に、例えばＡｒガスを真空チャンバ２１内に導入し、所定の雰囲気（例えば１．０〜３．０×１００Ｐａ）にし、印加電圧を１〜３ｋＷｈに適宜設定しスパッタリングを行うことにより、基板２の一主面に、例えばＡｇ系合金からなる反射層３を形成する。
【００５９】
次に、基板２を、例えばＳｉからなるターゲットが設置された第２のスパッタリング装置２０に搬入し、パレット２６に固定する。この際、内周マスク３１および外周マスク３２のうち、少なくとも外周マスク３２を基板２に施さないようにする。そして、真空チャンバ２１内が所定の圧力（例えば１．０×１０−５Ｐａ）になるまで真空引きする。次に、例えばＡｒガスおよび窒素ガスを適宜真空チャンバ２１内に導入し、所定の雰囲気（例えば１．０〜３．０×１００Ｐａ）にし、印加電圧を１〜３ｋＷｈに適宜設定しスパッタリングを行うことにより、例えばＳｉ３Ｎ４からなる第２の下層誘電体層１１を反射層３上に形成する。
【００６０】
次に、基板２を、例えばＺｎＳ−ＳｉＯ２混合体からなるターゲット２８が設置された第３のスパッタリング装置２０に搬入し、パレット２６に固定する。この際、内周マスク３１および外周マスク３２のうち、少なくとも外周マスク３２を基板２に施さないようにする。次に、真空チャンバ２１内を所定の圧力（例えば１．０×１０−５Ｐａ）になるまで真空引きする。その後、例えばＡｒガスを適宜真空チャンバ２１内に導入し、所定の雰囲気（例えば１．０〜３．０×１００Ｐａ）にし、印加電圧を１〜３ｋＷｈに適宜設定しスパッタリングを行うことにより、例えばＺｎＳ−ＳｉＯ２混合体からなる第１の下層誘電体層１２を第２の下層誘電体層１１上に形成する。
【００６１】
次に、基板２を、例えばＳｂＴｅ系合金からなるターゲット２８が設置された第４のスパッタリング装置２０に搬入し、パレット２６に固定する。この際、内周マスク３１および外周マスク３２のうち、少なくとも外周マスク３２を基板２に施さないようにする。次に、真空チャンバ２１内を所定の圧力（例えば１．０×１０−５Ｐａ）になるまで真空引きする。その後、例えばＡｒガスを適宜真空チャンバ２１内に導入し、所定の雰囲気（例えば１．０〜３．０×１００Ｐａ）にし、印加電圧を１〜３ｋＷｈに適宜設定しスパッタリングを行うことにより、例えばＳｂＴｅ系合金からなる記録層５を第１の下層誘電体層１２上に形成する。
【００６２】
次に、基板２を、例えばＺｎＳ−ＳｉＯ２混合体からなるターゲット２８が設置された第４のスパッタリング装置２０に搬入し、パレット２６に固定する。この際、内周マスク３１および外周マスク３２のうち、少なくとも外周マスク３２を基板２に施さないようにする。次に、真空チャンバ２１内の所定の圧力（例えば１．０×１０−５Ｐａ）になるまで真空引きする。その後、例えばＡｒガスを適宜真空チャンバ２１内に導入し、所定の雰囲気（例えば１．０〜３．０×１００Ｐａ）にし、印加電圧を１〜３ｋＷｈに適宜設定しスパッタリングを行うことにより、例えばＺｎＳ−ＳｉＯ２混合体からなる第１の上層誘電体層１３を記録層５上に形成する。
【００６３】
次に、基板２を、例えばＳｉからなるターゲットが設置された第６のスパッタリング装置に搬入し、パレット２６に固定する。この際、内周マスク３１および外周マスク３２のうち、少なくとも外周マスク３２を基板２に施さないようにする。そして、真空チャンバ２１内が所定の圧力（例えば１．０×１０−５Ｐａ）になるまで真空引きする。次に、例えばＡｒガスおよび窒素ガスを適宜真空チャンバ２１内に導入し、所定の雰囲気（例えば１．０〜３．０×１００Ｐａ）にし、印加電圧を１〜３ｋＷｈに適宜設定しスパッタリングを行うことにより、例えばＳｉ３Ｎ４からなる第２の上層誘電体層１４を第１の上層誘電体層１３上に形成する。
【００６４】
その後、基板２を、貼り合わせ装置（図示省略）の所定位置に搬入する。そして、平面円環形状の光透過性シートを、このシート一主面に予め均一に塗布された感圧性粘着剤（ＰＳＡ）を用いて、基板２上の各層が形成された側に貼り合わせる。これにより、基板２上に形成された各層を覆うように、光透過層７が形成される。このようにして光透過層７を形成することにより、歩留まりを向上し、かつ、光ディスクの信頼性を保持することができる。
【００６５】
以上により、図１に示す光ディスク１が製造される。
【００６６】
この発明の一実施形態によれば、以下の効果を得ることができる。
基板２の一主面に形成された反射層３上に、下層誘電体層４、記録層５、上層誘電体層６が、反射層３の外周部を覆うように積層されているため、外周部において反射層３が大気に触れることが防止することができるとともに、外周マスク３２によりスパッタリング粒子が遮られることなく下層誘電体層４、記録層５、上層誘電体層６を反射層３上に形成することができる。よって、外周部における腐食の発生が防止し、かつ、外周部における記録不良領域の大きさを抑制することができる。
【００６７】
【実施例】
次に、光ディスクの実施例について説明する。
実施例１
まず、基板２を、ＡｇＭ（Ｍ：添加物）からなるターゲット２８が設置された第１のスパッタリング装置２０に対して搬入し、パレット２６に固定する。この際、内周マスク３１および外周マスク３２を基板２に施す。なお、外周マスク３２の内口径は１１８ｍｍである。次に、スパッタリングを行うことにより、基板２の一主面上に、厚さ１００ｎｍを有する、Ａｇ系合金からなる反射層３を形成する。
このスパッタリングプロセスにおける成膜条件を以下に示す。
真空到達度：１．０×１０−５Ｐａ
雰囲気：３．０×１００Ｐａ
投入電力：３ｋＷｈ
ガス種：Ａｒガス
【００６８】
次に、基板２を、Ｓｉターゲットが設置された第２のスパッタリング装置２０に搬入し、パレット２６に固定する。この際、内周マスク３１のみを基板２に施す。そして、スパッタリングを行うことにより、厚さ５ｎｍを有する、Ｓｉ３Ｎ４からなる第２の下層誘電体層１１を形成する。
このスパッタリングプロセスにおける成膜条件を以下に示す。
真空到達度：１．０×１０−５Ｐａ
雰囲気：３．０×１００Ｐａ
投入電力：３ｋＷｈ
ガス種：Ａｒガス及び窒素ガス
窒素ガス量：３０ｓｃｃｍ
【００６９】
次に、基板２を、ＺｎＳ−ＳｉＯ２からなるターゲット２８が設置された第３のスパッタリング装置２０に搬入し、パレット２６に固定する。この際、内周マスク３１のみを基板２に施す。次に、スパッタリングを行うことにより、厚さ５ｎｍを有する、ＺｎＳ−ＳｉＯ２からなる第１の下層誘電体層１２を形成する。
このスパッタリングプロセスにおける成膜条件を以下に示す。
真空到達度：１．０×１０−５Ｐａ
雰囲気：３．０×１００Ｐａ
投入電力：３ｋＷｈ
ガス種：Ａｒガス
【００７０】
次に、基板２を、ＳｂＴｅ合金からなるターゲット２８が設置された第４のスパッタリング装置２０に搬入し、パレット２６に固定する。この際、内周マスク３１のみを基板２に施す。次に、スパッタリングを行うことにより、厚さ１０ｎｍを有するＳｂＴｅ合金からなる記録層５を第２の下層誘電体層１２上に形成する。
このスパッタリングプロセスにおける成膜条件を以下に示す。
真空到達度：１．０×１０−５Ｐａ
雰囲気：３．０×１００Ｐａ
投入電力：３ｋＷｈ
ガス種：Ａｒガス
【００７１】
次に、基板２を、ＺｎＳ−ＳｉＯ２からなるターゲット２８が設置された第５のスパッタリング装置２０に搬入し、パレット２６に固定する。この際、内周マスク３１のみを基板２に施す。次に、スパッタリングを行うことにより、厚さ１０ｎｍを有する、ＺｎＳ−ＳｉＯ２からなる第１の上層誘電体層１３を記録層５上に形成する。
このスパッタリングプロセスにおける成膜条件を以下に示す。
真空到達度：１．０×１０−５Ｐａ
雰囲気：３．０×１００Ｐａ
投入電力：３ｋＷｈ
ガス種：Ａｒガス
【００７２】
次に、基板２を、Ｓｉターゲットからなるターゲット２８が設置された第６のスパッタリング装置に搬入し、パレット２６に固定する。この際、内周マスク３１のみを基板２に施す。次に、スパッタリングを行うことにより、厚さ４０ｎｍを有する、Ｓｉ３Ｎ４からなる第２の上層誘電体層１４を第１の上層誘電体層１３上に形成する。
このスパッタリングプロセスにおける成膜条件を以下に示す。
真空到達度：１．０×１０−５Ｐａ
雰囲気：３．０×１００Ｐａ
投入電力：３ｋＷｈ
ガス種：Ａｒガス及び窒素ガス
窒素ガス量：３０ｓｃｃｍ
【００７３】
その後、基板２を、貼り合わせ装置（図示省略）の所定位置に搬入する。そして、ポリカーボネートからなる光透過性シートを、このシート一主面に予め均一に塗布された感圧性粘着剤（ＰＳＡ）を用いて、基板２上の各層が形成された側に貼り合わせる。これにより、基板２上に形成された各層を覆うように、外径１１９ｍｍ、厚さ０．１ｍｍを有する光透過層７が形成される。
【００７４】
実施例２
実施例１と同様にして、基板２の一主面に、反射層３、第２の下層誘電体層１１、第１の下層誘電体層１２、記録層５、第１の上層誘電体層１３、第２の上層誘電体層１４を順次積層する。
【００７５】
その後、スピンコート法により、紫外線硬化樹脂を第２の上層誘電体層１４上に滴下し、所定の回転数で振るきり１０μｍの膜になるように均一に塗布する。そして、均一に塗布された紫外線硬化樹脂上に光透過性シートを貼り合わせ、紫外線を照射して紫外線硬化樹脂を硬化させる。これにより、光透過層７が形成される。
【００７６】
比較例１
まず、実施例１と同様にして、基板２の一主面に、Ａｇ合金からなる反射層３を形成する。そして、基板２に対して内周マスク３１および外周マスク３２を施す以外は、実施例１と同様にして、基板２の一主面に、第２の下層誘電体層１１、第１の下層誘電体層１２、記録層５、第１の上層誘電体層１３、第２の上層誘電体層１４を順次積層する。
【００７７】
比較例２
まず、基板２に対して内周マスク３１のみを施す以外は、実施例１と同様にして、反射層３を積層する。そして、実施例１と同様にして、基板２に対して内周マスク３１のみを施して、基板２の一主面に、第２の下層誘電体層１１、第１の下層誘電体層１２、記録層５、第１の上層誘電体層１３、第２の上層誘電体層１４を順次積層する。
【００７８】
本発明者は、以上のようにして作成された実施例１、実施例２、比較例１、比較例２に対して、図６に示す記録発光パターンを有する信号を記録した。なお、記録に用いたレーザ光の波長は４０５ｎｍ、レンズのＮＡは０．８５、記録ビット長０．１３μｍ／ｂｉｔである。そして、実施例１、実施例２、比較例１、比較例２において、外周付近のジッター値を測定した。
【００７９】
図７は、ジッター値の測定結果を示す。図７において、横軸が半径位置を示し、縦軸が半径５７ｍｍでのジッター値を基準とした時の各位置におけるジッター値との差（ΔＪｉｔｔｅｒ＝各位置でのＪｉｔｔｅｒ―半径５７ｍｍでのＪｉｔｔｅｒ）を表している。
【００８０】
図７より、比較例１では、外周マスク３２を施した位置の近傍においてジッター値の劣化が大きいのに対し、実施例１、２および比較例２では、外周マスク３２を施した位置の近傍においてジッター値に劣化が無いことが分かる。
【００８１】
また、これらサンプルを温度８０℃、湿度８５％の高温高湿の環境下に４００時間維持した後、外周部に腐食が生じたか否かを観察した。その結果、実施例１および２には、外周部に腐食は見られなかった。また、比較例１にも外周部に腐食は見られなかった。しかし、比較例２では外周部に腐食が発生していた。
【００８２】
このようなことから、比較例２のようなマスク無しでは信号特性が良好なものの腐食が発生し、比較例１のようなマスク有りでは腐食は無くなるものの外周近傍での信号特性が劣化していることが分かる。
【００８３】
以上、この発明の実施形態について具体的に説明したが、この発明は、上述の実施形態に限定されるものではなく、この発明の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。
【００８４】
例えば、上述の実施形態において挙げた数値はあくまでも例に過ぎず、必要に応じてこれと異なる数値を用いてもよい。
【００８５】
上述の一実施形態においては、単層の記録層を有する光ディスクに対してこの発明を適用した例について示したが、複数層の記録層（例えば２層の記録層）を有する光ディスクに対してこの発明を適用してもよい。
【００８６】
図８に、２層の記録層を有する光ディスクに対して、この発明の適用した例を示す。以下、図８を参照しながら、この光ディスクの製造方法の一例について説明する。まず、上述の一実施形態と同様にして、反射層４２、下層誘電体層４３、記録層４４、上層誘電体層４５、光透過層４６を基板４１上に順次積層する。そして、上述の一実施形態と同様にして、反射層４７、下層誘電体層４８、記録層４９、上層誘電体層５０、光透過層５１を光透過層４６上に積層する。なお、光透過層４６の一主面に形成されるランドおよびグルーブなどの凹凸は、例えば、スタンパを光透過層４６に対して押圧することにより形成される。
【００８７】
また、上述の一実施形態による光ディスクの製造方法では、基板２上に、各層を順次積層することにより光ディスク１を形成することにより、光ディスク１を製造する例について示したが、光ディスクの製造方法はこれに限られるものではない。
【００８８】
例えば、案内溝が形成された光透過保護層上に多層膜を積層し、最後に平滑な支持基板を形成するようにしてもよい。光透過層に凹凸の溝トラックを形成する方法として、例えば、射出成型（インジェクション）法、フォトポリマー法（２Ｐ法）、圧着・加圧により凹凸の転写する方法等を用いることができる。ただし、光透過層７上に凹凸を形成する工程あるいは多層層を成層する工程は必ずしも容易ではないので、量産等を考えた場合には、上述の一実施形態による光ディスクの製造方法を用いるほうが好ましい。
【００８９】
また、上述した一実施形態では、光透過性シートを、この光透過性シートの一主面に予め均一に塗布された感圧性粘着剤を介して、基板２に貼り合わせることにより、光透過層７を形成する場合を例として示したが、光透過層７の形成方法はこれに限られるものではない。
【００９０】
例えば、光透過性シートの一主面と第２の上層誘電体層６との間に紫外線硬化樹脂を塗布し、紫外線を照射することにより、光透過層７を形成するようにしてもよい。
【００９１】
また、例えば上述の一実施形態においては、ＤＣスパッタリング装置として、１枚のディスク基板に対して１つのターゲットとを対向させた、静止対向型枚葉式スパッタリング装置を用い、それらの平面的な位置関係を図５に示すようにしているが、この発明は、必ずしも静止対向型枚葉式スパッタリング装置に限定されるものではなく、図９Ａに示すようにパレット２６に複数枚（図９Ａ中、８枚）の基板２を固定するとともに、図９Ｂに示すように真空チャンバ２１に複数のターゲット２８を固定し、図９Ｃに示す位置関係で矢印ｂ方向にパレット２６を回転させつつ複数枚の基板２に対して成膜を行うようにした、スパッタリング装置に適用することも可能である。
【００９２】
また、上述の一実施形態では、単板型の光ディスクに対して、この発明の適用した場合を説明したが、ＤＶＤなどの貼り合わせ型の光ディスクに対しても、適用可能であることはいうまでもない。なお、貼り合わせ型の光ディスクの基板の厚さは、剛性を考慮した場合、０．３ｍｍ以上であることが好ましい。
【００９３】
【発明の効果】
以上説明したように、この発明によれば、外周部において反射層が大気に触れることが防止することができるとともに、外周マスクによりスパッタリング粒子が遮られることなく下層誘電体層、記録層、上層誘電体層を反射層３上に形成することができる。よって、外周部における腐食の発生が防止し、かつ、外周部における記録不良領域の大きさを抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の一実施形態による光ディスクの構成の一例を示す断面図である。
【図２】この発明の一実施形態による光ディスクを示す断面図である。
【図３】この発明の一実施形態による光ディスクの上層誘電体層および下層誘電体層の構成の一例を示す断面図である。
【図４】この発明の一実施形態による光ディスクの製造に用いられるＤＣスパッタリング装置の一例を示す。
【図５】この発明の一実施形態による基板と、ターゲットと、これらの平面的な位置関係とを示す平面図である。
【図６】実施例および比較例に記録される情報信号の波形を示す略線図である。
【図７】実施例および比較例におけるジッター値の測定結果を示すグラフである
【図８】この発明の変形例による光ディスクの構成の一例を示す断面図である。
【図９】この発明の一実施形態による光ディスクの製造に用いられるＤＣスパッタリング装置の他の例を示す。
【図１０】ＤＶＤ−ＲＷの構成を示す断面図である。
【図１１】次世代の光記録媒体の構成を示す断面図である。
【図１２】次世代の光記録媒体の各エリアの大きさを示す。
【符号の説明】
１・・・光ディスク、２・・・基板、３・・・反射層、４・・・下層誘電体層、５・・・記録層、６・・・上層誘電体層、７・・・光透過層、１１・・・第２の下層誘電体層、１２・・・第１の下層誘電体層、１３・・・第１の上層誘電体層、１４・・・第２の上層誘電体層
【図１】
2004241055.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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