(57)【要約】【課題】チップ型半導体発光装置の製造工程におけるダイシングに起因する形状異常を容易に発見できるようにする。【解決手段】複数の半導体発光装置が連続一体となった中間体Ｍからダイシングによって個々の半導体発光装置に分断するときにダイシング刃２１が通過する基板１上の部分に印９を付けておき、分断された半導体発光装置の基板１上に印９が残存しているかどうかで半導体発光装置の良否を判定する。ここで、判定を精度をより上げるためには、印としてダイシング刃２１の厚さＤ以下の太さの線を用いるのが好ましい。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
電極部が形成された基板上に半導体発光素子が実装されたチップ型半導体発光装置の検査方法であって、
前記半導体発光装置の製造工程において、複数の半導体発光装置が連続一体となった中間体からダイシングによって個々の半導体発光装置に分断するときに、ダイシング刃が通過する基板上の部分に印を付けておき、分断された半導体発光装置の基板上に前記印が残存しているかどうかで半導体発光装置の良否を判定することを特徴とするチップ型半導体発光装置の検査方法。
【請求項２】
前記印がダイシング刃の厚さ以下の太さの線である請求項１記載の検査方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はチップ型半導体発光装置の検査方法に関し、より詳細には複数の半導体発光装置（以下、単に「発光装置」と記すことがある）が連続一体となっている状態から個々の発光装置に分断されるときに、所定の位置で分断されたかどうかを検査する方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年の電子機器の小型・軽量化傾向に伴って、回路基板へ表面実装が可能な電子部品、即ちチップ型発光装置の需要が急速に増加している。チップ型発光装置は直方体ブロックに近い形を通常はしており、その両端部には電極被膜（電極部）が形成されている。この電極被膜と回路基板上の配線パターンとが接触するように発光装置を回路基板上に配設し、クリーム半田などの導電性接着剤を用いて発光装置を基板上に固着している。
【０００３】
従来の代表的なチップ型発光装置の形態を図４に示す。平面視長矩形状をしたチップ基板１の上面長手方向両端部にはそれぞれ電極被膜（電極部）２，２’が形成されている。そして基板１の表面には、電極被膜２に導通する第１の導電パターン３が電極被膜２と一体に形成され、同様に電極被膜２’に導通する第２の導電パターン４が電極被膜２’と一体に形成されている。第１の導電パターン３には半導体発光素子（以下、「発光素子」と記すことがある）５が導電性接着剤８で固着され、また第２の導電パターン４にはワイヤボンディング部（不図示）が形成され、発光素子５の上面電極（不図示）とボンディングワイヤ６によって結線されている。そして、発光素子５およびボンディングワイヤ６、第１及び第２の導電パターン３，４は透光性樹脂からなる封止体７で封止されている。
【０００４】
このような従来の発光装置は、効率的な製造を行うために一般的には次のようにして製造される。図５に示すように、平板状の材料基板に複数本のスリット１１を設けて複数本の桟１２を形成し、この桟１２に電極被膜２，２’よび導体パターン３，４を形成した後、導体パターン３上に発光素子５をボンディングし、発光素子５の上面電極と導電パターン４とをボンディングワイヤ６で接続する。そして桟１２の上面をその長手方向に一連に覆うように熱硬化性の透光性樹脂で封止体７を成形して、複数の発光装置が連続して繋がった中間体Ｍを製造する。この中間体Ｍの具体例を図６に示す。そして図６の破線で示す位置をダイシング刃２１で切断して、図４に示した従来の発光装置を得ていた。
【０００５】
【特許文献１】
特開２００１−１６０３０号公報（図５）
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
封止工程において透光性樹脂を硬化させるために百数十℃にまで中間体Ｍは加熱される。このとき、図７に示すような熱による歪みが中間体Ｍに生じることがある。なお、この図では、材料基板における桟１２とスリット１１のみを示し、封止体や電極は省略している。図の破線はダイシング刃２１の通過経路である。
【０００７】
また、ダイシング工程において切断制御の基準となる位置決めが誤って入力されることもある。これら状態でダイシングを行った発光装置はその形状が異常となるが、一辺がわずか数ｍｍのチップ型発光装置におけるこのような形状の異常を製品出荷前の検査で発見することは非常に骨の折れる作業であった。
【０００８】
本発明はこのような従来の問題に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは発光装置の形状異常を容易に発見し得る検査方法を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明によれば、電極部が形成された基板上に半導体発光素子が実装されたチップ型半導体発光装置の検査方法であって、前記半導体発光装置の製造工程において、複数の半導体発光装置が連続一体となった中間体からダイシングによって個々の半導体発光装置に分断するときに、ダイシング刃が通過する基板上の部分に印を付けておき、分断された半導体発光装置の基板上に前記印が残存しているかどうかで半導体発光装置の良否を判定することを特徴とするチップ型半導体発光装置の検査方法が提供される。
【００１０】
ここで前記判定の精度をより上げる観点から、前記印としてダイシング刃の厚さ以下の太さの線としてもよい。
【００１１】
【発明の実施の形態】
本発明者は、チップ型発光装置の形状の異常を容易に判定できないか鋭意検討を続けた結果、ダイシング刃によって切断されるときに削り取られる基板上の部分に印を付けておき、この印の有無によって製品としての発光装置の良否を判定すればよいことを見出した。つまり、中間体が正常な位置で切断された場合には、ダイシング刃によって印は削り取られるので、最終形態としての発光装置に印は残らない。一方、正常な位置以外で切断された場合には、ダイシング刃によって印は削り取られないので、最終形態としての発光装置に印が残る。したがって基板上に付けられた印の有無によって発光装置の良否がわかるのである。
【００１２】
図１に、本発明の検査方法に用いる基板の部分拡大図を示す。この図は、封止体の形成された中間体Ｍの部分拡大平面図であって、発明を理解しやすくするために封止体は略している。複数の発光装置が連続一体となっている中間体Ｍにおけるダイシング刃２１が通過する領域に、印としての太線９が付けられている。この太線９の幅ｄはダイシング刃２１の幅Ｄよりも狭くしてある。この実施形態では、太線９を基板部分にのみ付けているが、太線９の両端を電極被膜２，２’まで延ばし、桟１２の幅全体に渡って太線９を付けても構わない。また、反対に電極被膜２，２’にのみ太線９を付けても構わない。
【００１３】
またこの図では、印として太線９を用いたが、ダイシング刃２１が通過する領域に付けられる印であれば特に限定はなく、点や記号、文字等どのようなものであってもよい。ただし、発光装置の形状の異常をより容易に発見するには印として、ダイシング刃２１の厚さ以下の太線を用いるのが好ましい。またその連続した長さは桟１２の幅の半分以上であることが望ましい。印の幅は、ダイシング刃２１の幅によって適宜その上限が決定されるが、一般に０．１〜０．２ｍｍ程度である。
【００１４】
このような印９を基板１や電極被膜２，２’に付けるには、例えば次のようにすればよい。まず、基板１にのみ印を付ける場合には、エッジングなどにより表面・裏面の電極被膜２，２’および導電パターン３，４となる部分が形成された後、エッジングなどにより露出した基板１の表面に、スクリーン印刷などによりインクで印を付ける。もちろん、インクの塗布方法はこれに限定されるものではなく従来公知の方法を使用できる。用いるインクとしては、ダイシング工程まで取れることなく基板表面に付いていることが重要であり、例えばエポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂に着色剤や蛍光剤を分散混合したインクの使用が推奨される。インクの色としては特に限定はないが、目視によって発見しやすい色が好ましく、例えば赤色あるいは蛍光色が好ましい。
【００１５】
一方、電極被膜２，２’を含む部分に印を付ける場合には、材料基板上の電極被膜２，２’および導電パターン３，４となる部分、さらには側面の電極被膜となる部分に、Ｃｕ，Ｎｉ，Ａｕなどの金属薄層が電気めっきにより積層形成され、電極被膜２，２’および導電パターン３，４が形成された後、前記と同様にスクリーン印刷などによりインクで電極被膜２，２’を含む部分に印を付ける。インクとしては前記と同様のものがここでも使用できる。
【００１６】
図１に示した中間体Ｍをダイシング刃で切断して、最終形態とした発光装置の平面図を図２に示す。一方、所定位置からズレた位置で切断された発光装置の平面図を図３に示す。これらの図を比較すれば明らかなように、正常な発光装置の場合には、太線９の跡はまったく見られないのに対し、形状の異常な発光装置の場合には太線９の一部が残存し、目視によって発光装置の良否は容易に判定できる。もちろん、基板上の太線９の有無を機械を用いて自動的に判定しても構わない。
【００１７】
【発明の効果】
本発明の検査方法では、複数の半導体発光装置が連続一体となった中間体からダイシングによって個々の半導体発光装置に分断するときにダイシング刃が通過する基板上の部分に印を付けておき、分断された半導体発光装置の基板上に前記印が残存しているかどうかで半導体発光装置の良否を判定するので、半導体発光装置の形状異常を目視によっても容易に発見できる。
【００１８】
また印を、ダイシング刃の厚さ以下の太さの線とすると、半導体発光装置の形状異常をより精度よく発見できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の検査方法を説明するための概説図である。
【図２】正常な発光装置の一例を示す平面図である。
【図３】異常な発光装置の一例を示す平面図である。
【図４】チップ型発光装置の一例を示す斜視図である。
【図５】発光装置の製造中間体の平面図である。
【図６】ダイシング前の中間体の斜視図である。
【図７】中間体に歪みが生じた場合の一例を示す平面図である。
【符号の説明】
１  基板
２，２’  電極被膜（電極部）
３  第１の導電パターン
４  第２の導電パターン
５  発光素子
６  ボンディングワイヤ
７  封止体
９  太線（印）
２１  ダイシング刃
Ｍ  中間体
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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