(57)【要約】【課題】ＥＬ素子のクロストーク発光を防止するために、各素子に対して最適な値の逆バイアス電圧を供給することができる発光表示パネルの駆動装置を提供すること。【解決手段】陽極線Ａ１  〜Ａｎ  と、陰極線Ｂ１  〜Ｂｍ  の各交点に有機ＥＬ素子Ｅ１１〜Ｅｎｍが接続され、陰極線を所定の周期で走査しながら所望の陽極線に定電流源ＩＣ１〜ＩＣｎを接続することにより、前記各ＥＬ素子を選択的に発光させるように構成されている。そして、陽極線ドライブ回路２には、その値が重み付けされた抵抗体ＲＸ１〜ＲＸｎが配置されている。この抵抗体ＲＸ１〜ＲＸｎにより、陰極線Ｂ１  〜Ｂｍ  に分布する配線抵抗ｒによる電圧降下量を補償し、逆バイアス電圧ＶＭ  として、各ＥＬ素子に対してダメージを与えることがなく、且つ各ＥＬ素子に対してクロストーク発光が十分に抑えることができる電位を設定することができる。【選択図】      図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のデータ線と複数の走査線の各交点に発光素子が接続され、前記走査線の各一端部をそれぞれ走査基準電位点に対して選択的に接続する走査を実行しながら所望のデータ線に駆動電源を接続することにより、前記各発光素子を選択的に発光駆動させるように構成した発光表示パネルの駆動装置であって、
前記駆動電源と前記発光素子とを接続する各データ線にそれぞれ抵抗体が介在され、当該抵抗体の抵抗値が前記各データ線が隣接する方向において、重み付けされていることを特徴とする発光表示パネルの駆動装置。
【請求項２】
前記各走査線が表示パネルの中央部付近においてそれぞれ二分され、各走査線の左右の各一端部をそれぞれ走査基準電位点に対して選択的に接続する走査が実行されるように構成したことを特徴とする請求項１に記載の発光表示パネルの駆動装置。
【請求項３】
前記走査基準電位点に接続される走査線の一端部に近い位置で交差するデータ線に介在される前記抵抗体の抵抗値が、前記走査線の他端部に近い位置で交差するデータ線に介在される前記抵抗体の抵抗値よりも大きな値となるように重み付けされていることを特徴とする請求項１に記載の発光表示パネルの駆動装置。
【請求項４】
前記駆動電源が、定電流源により構成されていることを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の発光表示パネルの駆動装置。
【請求項５】
前記駆動電源が、定電圧源により構成されていることを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の発光表示パネルの駆動装置。
【請求項６】
前記走査基準電位点に接続される走査線の一端部と、前記走査基準電位点との間にそれぞれ抵抗体が介在され、当該抵抗体の抵抗値が前記各走査線が隣接する方向において、重み付けされていることを特徴とする請求項１ないし請求項５のいずれかに記載の発光表示パネルの駆動装置。
【請求項７】
前記駆動電源が接続されるデータ線の一端部に近い位置で交差する走査線に介在される前記抵抗体の抵抗値が、前記データ線の他端部に近い位置で交差する走査線に介在される前記抵抗体の抵抗値よりも大きな値となるように重み付けされていることを特徴とする請求項６に記載の発光表示パネルの駆動装置。
【請求項８】
前記発光素子は、有機化合物を発光層に用いた有機ＥＬ素子により構成したことを特徴とする請求項１ないし請求項７のいずれかに記載の発光表示パネルの駆動装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、例えば有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子等の発光素子を配列したパッシブマトリクス型発光表示パネルの駆動装置に関し、特に前記発光素子のクロストーク発光を防止するために、各素子に対して最適な値の逆バイアス電圧をそれぞれ供給することができる発光表示パネルの駆動装置を提供することを目的とするものである。
【０００２】
【従来の技術】
発光素子をマトリクス状に配列して構成した表示パネルを用いたディスプレイの開発が広く進められている。このような表示パネルに用いられる発光素子として、有機材料を発光層に用いた有機ＥＬ素子が注目されている。これはＥＬ素子の発光層に、良好な発光特性を期待することができる有機化合物を使用することによって、実用に耐え得る高効率化および長寿命化が進んだことも背景にある。
【０００３】
かかる有機ＥＬ素子を用いた表示パネルとして、有機ＥＬ素子をマトリックス状に配列したパッシブマトリクス型表示パネルが、すでに一部において実用化されている。図１にはパッシブマトリクス型表示パネルと、その駆動装置の一例が示されている。このパッシブマトリクス型駆動方式における有機ＥＬ素子のドライブ方法には、陰極線走査・陽極線ドライブ、および陽極線走査・陰極線ドライブの２つの方法があるが、図１に示す例は前者の陰極線走査・陽極線ドライブの形態を示している。
【０００４】
すなわち、ｎ本のデータ線としての陽極線Ａ１  〜Ａｎ  が縦方向に配列され、ｍ本の走査線としての陰極線Ｂ１  〜Ｂｍ  が横方向に配列され、各々の交差した部分（計ｎ×ｍ箇所）に、ダイオードのシンボルマークで示した有機ＥＬ素子Ｅ１１〜Ｅｎｍが配置され、表示パネル１を構成している。
【０００５】
そして、画素を構成する各ＥＬ素子Ｅ１１〜Ｅｎｍは、垂直方向に沿う陽極線Ａ１  〜Ａｎ  と水平方向に沿う陰極線Ｂ１  〜Ｂｍ  との各交点位置に対応して一端（ＥＬ素子の等価ダイオードにおけるアノード端子）が陽極線に、他端（ＥＬ素子の等価ダイオードにおけるカソード端子）が陰極線に接続されている。さらに、各陽極線Ａ１  〜Ａｎ  は各一端で陽極線ドライブ回路２に接続され、各陰極線Ｂ１  〜Ｂｍ  は各一端で陰極線走査回路３に接続されてそれぞれ駆動される。
【０００６】
前記陽極線ドライブ回路２は、図示せぬＤＣ−ＤＣコンバータ等からの供給電源ＶＨ  を利用して動作するようになされており、この陽極線ドライブ回路２には、各陽極線Ａ１  〜Ａｎ  を通じて駆動電流を個々のＥＬ素子に供給する駆動電源としての定電流源ＩＣ１〜ＩＣｎおよびドライブスイッチＳＸ１〜ＳＸｎが備えられている。そして、ドライブスイッチがオン制御されることにより、駆動電源ＩＣ１〜ＩＣｎからの電流が、陰極線に対応して配置された個々のＥＬ素子に対して供給されるように作用する。
【０００７】
また、前記陰極線走査回路３には、各陰極線Ｂ１  〜Ｂｍ  に対応して走査スイッチＳＹ１〜ＳＹｍが備えられ、例えば前記したＤＣ−ＤＣコンバータ等からの供給電源を分圧して得られた逆バイアス電圧ＶＭ  または走査基準電位点としてのアース電位のうちのいずれか一方を、対応する陰極線に接続するように作用する。
【０００８】
これにより、陰極線を所定の周期で走査基準電位点（アース電位）に設定しながら所望の陽極線Ａ１  〜Ａｎ  に駆動電源ＩＣ１〜ＩＣｎを接続することにより、前記各発光素子を選択的に発光させるように作用する。なお、前記駆動電源は定電圧回路等の電圧源を用いることも可能であるが、ＥＬ素子の電流・輝度特性が温度変化に対して安定しているのに対し、電圧・輝度特性が温度変化に対して不安定であること等の理由により、駆動電源としては図１に示すように定電流源を用いるのが一般的である。
【０００９】
また、前記陽極線ドライブ回路２および陰極線走査回路３は、図１には示されていないが発光制御回路より指令を受け、発光制御回路に供給される画像データに応じて当該画像データに対応した画像を表示させるように作用する。この場合、陰極線走査回路３は、発光制御回路からの指令により画像データの水平走査期間に対応する陰極線のいずれかを選択してアース電位に設定し、その他の陰極線には逆バイアス電圧ＶＭ  が印加されるように走査スイッチＳＹ１〜ＳＹｍを切り換える制御がなされる。なお、図１に示した状態は、第２の陰極線Ｂ２  が走査されている状態を示しており、他の陰極線には逆バイアス電圧ＶＭ  が印加されている。
【００１０】
前記逆バイアス電圧ＶＭ  は、走査選択がなされた陰極線との交点に接続されたドライブされているＥＬ素子の寄生容量を充電すると共に、ドライブされている陽極線と走査選択がなされていない陰極線との交点に接続されたＥＬ素子がリーク電流によりクロストーク発光することを防止するように作用する。この逆バイアス電圧ＶＭ  の電圧値は、前記したクロストーク発光を防止するためには、発光駆動されるＥＬ素子の順方向電圧Ｖｆ  よりも十分に大きな値に設定されるのが一般的である。そして、走査スイッチＳＹ１〜ＳＹｍが水平走査期間毎に、順次アース電位に切り換えられるので、アース電位に設定された陰極線は、その陰極線に接続されたＥＬ素子を発光可能な状態に設定する。
【００１１】
一方、陽極線ドライブ回路２には、前記した発光制御回路より、画像データが示す画素情報に基づいて陽極線に接続されているＥＬ素子のいずれかを、どのタイミングでどの程度の時間にわたって発光させるかについて制御するドライブ制御信号が供給される。前記陽極線ドライブ回路２は、このドライブ制御信号に応じて、ドライブスイッチＳＸ１〜ＳＸｎのいくつかをオン制御し、陽極線Ａ１  〜Ａｎ  を通じて画素情報に応じた該当ＥＬ素子に対して駆動電流を供給するように作用する。
【００１２】
斯くして、駆動電流の供給されたＥＬ素子は、当該画素情報に応じて発光駆動される。なお、図１に示した状態は、前記したとおり第２の陰極線Ｂ２  が走査されている状態であり、かつすべてのドライブスイッチＳＸ１〜ＳＸｎがオン状態となされているので、第２の陰極線Ｂ２  に対応するＥＬ素子のすべてが発光駆動されることになる。なお、以上説明したパッシブマトリクス型表示パネルとその駆動装置については、次に示す例えば特許文献１に開示されている。
【００１３】
【特許文献１】
特開平９−２３２０７４号公報（段落０００２、図１３）
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、前記した構成の発光表示パネルにおける走査線として機能する各陰極線Ｂ１  〜Ｂｍ  には、図１に等価的に示したように陰極線方向に沿って配線抵抗ｒが一様に分布している。そして、各陰極線Ｂ１  〜Ｂｍ  は、図１に示したようにそれぞれの一端部において陰極線走査回路３に接続されているのが一般的であり、この陰極線走査回路３において、非走査状態の陰極線に対して前記した逆バイアス電圧ＶＭ  が印加される。
【００１５】
一方、陽極線ドライブ回路２における前記した定電流源による駆動電源ＩＣ１〜ＩＣｎは、陽極線Ａ１  〜Ａｎ  を介して常に一定の電流を流すように作用するため、表示パネル１内の走査側配線引出し部（陰極線走査回路３側）から遠いＥＬ素子ほど、配線抵抗ｒによってＥＬ素子のカソード側の電位が持ち上がり、これに伴ってＥＬ素子のアノード側の電位（＝順方向電圧Ｖｆ  ）も持ち上げられる。すなわち、図１に示す各陽極線Ａ１  〜Ａｎ  に対応するそれぞれの電位は、Ｖｆ１＜Ｖｆ２＜Ｖｆ３＜……＜Ｖｆｎの関係となる電位傾斜が発生する。
【００１６】
すでに説明したとおり、前記した逆バイアス電圧ＶＭ  は各ＥＬ素子のクロストーク発光を防止させるために、発光駆動されるＥＬ素子の順方向電圧Ｖｆ  よりも十分に大きな値に設定される必要がある。したがって、クロストーク発光を防止させるという観点においては、前記最大レベルのＶｆｎを対象として逆バイアス電圧ＶＭ  を設定すればよいことになる。しかしながら、前記した様な観点による逆バイアス電圧ＶＭ  の設定によると、最低レベルのＶｆ１に対しては、その逆バイアス電圧値が過剰に大きくなり、ＥＬ素子にダメージを与え、最悪の場合にはこのＥＬ素子を破壊するなどの問題も招来させることになる。
【００１７】
この発明は、前記した問題点に着目してなされたものであり、各陰極線に一様に存在する配線抵抗ｒにより生ずるＥＬ素子のアノード側の電位傾斜の発生を効果的に抑制し、各素子に対して最適な値の逆バイアス電圧ＶＭ  をそれぞれ供給することができる発光表示パネルの駆動装置を提供することを目的とするものである。
【００１８】
【課題を解決するための手段】
前記した目的を達成するためになされたこの発明にかかる発光表示パネルの駆動装置は、請求項１に記載のとおり、複数のデータ線と複数の走査線の各交点に発光素子が接続され、前記走査線の各一端部をそれぞれ走査基準電位点に対して選択的に接続する走査を実行しながら所望のデータ線に駆動電源を接続することにより、前記各発光素子を選択的に発光駆動させるように構成した発光表示パネルの駆動装置であって、前記駆動電源と前記発光素子とを接続する各データ線にそれぞれ抵抗体が介在され、当該抵抗体の抵抗値が前記各データ線が隣接する方向において、重み付けされている点に特徴を有する。
【００１９】
【発明の実施の形態】
以下、この発明にかかる発光表示パネルの駆動装置について、その実施の形態を図面に基づいて説明する。図２はその第１の実施の形態を示したものであり、すでに説明した図１に示す各部に相当する部分を同一符号で示している。したがって、個々の説明は省略する。
【００２０】
この図２に示す第１の実施の形態においては、定電流源からなる駆動電源ＩＣ１〜ＩＣｎと各ＥＬ素子とを接続するデータ線としての陽極線Ａ１  〜Ａｎ  には、それぞれ抵抗体ＲＸ１〜ＲＸｎが介在されている。これらの抵抗体ＲＸ１〜ＲＸｎは、この実施の形態においては陽極線ドライブ回路２内において、各ドライブスイッチＳＸ１〜ＳＸｎと陽極線Ａ１  〜Ａｎ  との間にそれぞれ介在されている。そして、前記抵抗体ＲＸ１〜ＲＸｎの各抵抗値は、各陽極線Ａ１  〜Ａｎ  が隣接する方向において重み付けされている。
【００２１】
この場合、走査基準電位点としてのアースに接続される陰極線の一端部側、すなわち各陰極線Ｂ１  〜Ｂｍ  が接続される陰極線走査回路３に近い位置で交差する陽極線に介在される抵抗体の抵抗値が、前記走査線の他端部に近い位置、すなわち陰極線走査回路３に遠い位置で交差するデータ線に介在される前記抵抗体の抵抗値よりも大きな値となるように重み付けされている。
【００２２】
すなわち、図２に示す各抵抗体の抵抗値の関係は、ＲＸ１＞ＲＸ２＞ＲＸ３＞……＞ＲＸｎのようになされている。このような抵抗値の関係になされているので、陰極線走査回路３に近い位置で交差する陽極線おける前記抵抗体による電位の低下量（ドロップ量）は大きく、逆に陰極線走査回路３から遠い位置で交差する陽極線おける前記抵抗体による電位の低下量（ドロップ量）は小さくなされる。
【００２３】
換言すれば、前記した各抵抗体ＲＸ１〜ＲＸｎによる電位の低下量（ドロップ量）に重み付けがなされることになり、結果として図１に示す場合に生ずるＶｆ１＜Ｖｆ２＜Ｖｆ３＜……＜Ｖｆｎの電位傾斜が是正されて、図２に示す定電流源ＩＣ１〜ＩＣｎの出力端の各電位は、Ｖｆ１≒Ｖｆ２≒Ｖｆ３≒……≒Ｖｆｎの関係になされる。
【００２４】
このように、定電流源ＩＣ１〜ＩＣｎの出力端の電位（Ｖｆ１〜Ｖｆｎ）がほぼ等しくなされる場合には、各ＥＬ素子に対する適切な逆バイアス電圧ＶＭ  を一義的に決定することができる。すなわち、前記逆バイアス電圧ＶＭ  として、各ＥＬ素子に対してダメージを与えることがなく、且つ各ＥＬ素子に対してクロストーク発光が十分に抑えることができる電位を設定することができる。
【００２５】
したがって、図２に示す実施の形態によると、駆動電源とＥＬ素子とを接続する各陽極線にそれぞれ抵抗体を介在させた簡単な構成によって、各ＥＬ素子に対してダメージを与えることがなく、且つ各ＥＬ素子に対してクロストーク発光を十分に抑えることができる最適な値の逆バイアス電圧ＶＭ  を設定することが可能となる。
【００２６】
図６〜図８は、図２に示した各抵抗体ＲＸ１〜ＲＸｎにおける抵抗値の重み付けの態様を示したものである。すなわち、図６〜図８における横軸は、各陽極線に介在された各抵抗体ＲＸ１〜ＲＸｎを示しており、縦軸は当該抵抗体の抵抗値を示している。そして、図６に示す態様は各陽極線が隣接する方向において、各抵抗体ＲＸ１〜ＲＸｎの抵抗値が、ほぼリニアに変化するように重み付けされている状態を示している。
【００２７】
また、陰極線Ｂ１  〜Ｂｍ  に生ずる配線抵抗ｒの分布特性の如何によっては、各抵抗体ＲＸ１〜ＲＸｎの抵抗値が、図７に示すように若干中だるみとなるようにそれぞれ重み付けされる場合もある。さらに、各抵抗体ＲＸ１〜ＲＸｎの抵抗値が、図８に示すように段階的に変化するように重み付けされていてもよい。
【００２８】
次に図３は、この発明にかかる駆動装置の第２の実施の形態を示したものである。なお、図３においてはすでに説明した図２に示す各部に相当する部分を同一符号で示しており、したがって個々の説明は省略する。この図３に示す実施の形態においては、図２に示す駆動電源としての定電流源ＩＣ１〜ＩＣｎに代えて、定電圧源ＶＣ１〜ＶＣｎが採用されている。そして、定電圧源ＶＣ１〜ＶＣｎにそれぞれ直列に介在された各抵抗体ＲＸ１〜ＲＸｎを介して、各ＥＬ素子Ｅ１１〜Ｅｎｍに点灯駆動電流を供給するように構成されている。この場合においても、前記各抵抗体ＲＸ１〜ＲＸｎの値は、図６〜図８に示したような重み付けがなされている。
【００２９】
この図３に示す構成によると、定電圧源ＶＣ１〜ＶＣｎに各抵抗体ＲＸ１〜ＲＸｎが直列に介在されているので、各抵抗体ＲＸ１〜ＲＸｎの存在により各ＥＬ素子Ｅ１１〜Ｅｎｍを実質的に定電流駆動させることができる。したがって、図２に示した定電流源ＩＣ１〜ＩＣｎを備えた構成に比較すると、陽極線ドライブ回路２における駆動電源を構成する回路の簡略化が図れると同時に、定電流源を構成したために発生する定電流源内の電力損失量を大幅に低減させることが可能であり、これに伴う発熱量も低減させることに寄与できる。
【００３０】
しかも、前記各抵抗体ＲＸ１〜ＲＸｎの値を適性に選定することで、図２に示す実施の形態と同様に各ＥＬ素子に対してダメージを与えることがなく、且つ各ＥＬ素子に対してクロストーク発光が十分に抑えることができる最適な値の逆バイアス電圧ＶＭ  を設定することが可能となる。
【００３１】
図４は、この発明にかかる駆動装置の第３の実施の形態を示したものであり、すでに説明した図３に示す各部に相当する部分を同一符号で示している。したがって個々の説明は省略する。なお、この図４においては、各陰極線Ｂ１  〜Ｂｍ  に分布する配線抵抗は“ｒ”に代えて“ｒＸ  ”で示している。また、この図４に示す実施の形態においては、走査基準電位点（アース）に接続される走査線の一端部側、すなわち陰極線走査回路３と各陰極線Ｂ１  〜Ｂｍ  との間には、それぞれ抵抗体ＲＹ１〜ＲＹｍが介在されている。これらの抵抗体ＲＹ１〜ＲＹｍは、この実施の形態においては陰極線走査回路３内において、各走査スイッチＳＹ１〜ＳＹｍと各陰極線Ｂ１  〜Ｂｍ  との間にそれぞれ介在されている。
【００３２】
そして、前記各抵抗体ＲＹ１〜ＲＹｍの抵抗値は、前記各陰極線Ｂ１  〜Ｂｍ  が隣接する方向において重み付けされた構成になされている。この重み付けは、前記した駆動電源ＩＣ１〜ＩＣｎが接続される陽極線の一端部側に近い位置で交差する陰極線に介在される前記抵抗体の抵抗値が、前記陽極線の他端部に近い位置で交差する陰極線に介在される前記抵抗体の抵抗値よりも大きな値となるようになされている。すなわち、図４に示す陰極線走査回路３内に配置された各抵抗体ＲＹ１〜ＲＹｍの抵抗値は、ＲＹ１＞ＲＹ２＞ＲＹ３＞……＞ＲＹｎのようになされている。
【００３３】
以上の構成による図４に示す形態は、データ線としての陽極線Ａ１  〜Ａｎ  に分布する配線抵抗ｒＹ  による影響も低減しようとするものである。すなわち、陽極線Ａ１  〜Ａｎ  に分布する配線抵抗ｒＹ  の影響により、陽極線ドライブ回路２に近い位置で陰極線に交差するＥＬ素子のアノード端子部分における抵抗ｒＹ  による電圧ドロップ量は比較的小さくなされる。一方、陽極線ドライブ回路２から遠い位置で陰極線に交差するＥＬ素子のアノード端子部分における抵抗ｒＹ  による電圧ドロップ量は大きくなる。
【００３４】
そこで、前記したように陰極線走査回路３内に配置された各抵抗体ＲＹ１〜ＲＹｍの抵抗値を、ＲＹ１＞ＲＹ２＞ＲＹ３＞……＞ＲＹｎのように重み付けすることで、図４に示す定電流源ＩＣ１〜ＩＣｎの出力端の各電位を、Ｖｆ１≒Ｖｆ２≒Ｖｆ３≒……≒Ｖｆｎの関係となるように是正することができる。したがって、図４に示す実施の形態によると、抵抗体ＲＹ１〜ＲＹｎの値を適切に選定することで、陽極線Ａ１  〜Ａｎ  に分布する配線抵抗ｒＹ  の存在にかかわらず、定電流源ＩＣ１〜ＩＣｎの出力端の電位（Ｖｆ１〜Ｖｆｎ）をほぼ等しくすることができる。
【００３５】
それ故、この図４に示す実施の形態によると、陰極線Ｂ１  〜Ｂｍ  に分布する配線抵抗ｒＸ  、並びに陽極線Ａ１  〜Ａｎ  に分布する配線抵抗ｒＹ  の影響を受けずに、各ＥＬ素子に対する適切な逆バイアス電圧ＶＭ  を一義的に決定することができる。すなわち、前記逆バイアス電圧ＶＭ  として、各ＥＬ素子に対してダメージを与えることがなく、且つ各ＥＬ素子に対してクロストーク発光が十分に抑えることができる電位を設定することができる。
【００３６】
なお、以上説明した図４に示す実施の形態においては、駆動電源として定電流源ＩＣ１〜ＩＣｎを備えた構成にしているが、この駆動電源としては、図３に示したような定電圧源ＶＣ１〜ＶＣｎを採用することもできる。この場合には、定電圧源を採用したことによる前記したメリットを定電流源の場合より大きく享受することができる。
【００３７】
次に図５は、この発明にかかる駆動装置の第４の実施の形態を示したものである。なお、図５においてはすでに説明した図２に示す各部に相当する部分を同一符号で示しており、したがって個々の説明は省略する。この図５に示す実施の形態においては、表示パネルの中央部付近において各走査線が左右に二分されて、各走査線の左右の各一端部側において、それぞれ走査基準電位点（アース）に選択的に接続されるように構成されている。
【００３８】
すなわち、この実施の形態においては、二分された各陰極線Ｂ１  〜Ｂｍ  の左右端部が表示パネル１の左右において、各陰極線走査回路３Ｌ  ，３Ｒ  対してそれぞれ接続されている。これは、各陰極線Ｂ１  〜Ｂｍ  に分布する配線抵抗ｒの影響を受ける度合いを低減するためになされている。したがって、前記した左右の陰極線走査回路３Ｌ  ，３Ｒ  は、一般的に走査タイミングが同期して駆動される。
【００３９】
この図５に示す実施の形態においても、その基本原理は図２に示した構成と同様であり、陰極線走査回路３Ｌ  ，３Ｒ  に近い陰極線の一端部付近で交差する陽極線に介在される抵抗体の抵抗値は、陰極線の他端部、すなわち二分された表示パネルの中央部に近い位置で交差する陽極線に介在される抵抗体の抵抗値よりも大きな値となるように重み付けされている。すなわち、図５に示す実施の形態においては、（ＲＸ１＝ＲＸｎ）＞（ＲＸ２＝ＲＸｎ−１）＞（ＲＸ３＝ＲＸｎ−２）＞……のように重み付けされている。
【００４０】
図９は、図５に示す実施の形態において採用される各抵抗体ＲＸ１〜ＲＸｎにおける抵抗値の重み付けの態様を示したものである。すなわち、図６〜図８に基づいて説明した例と同様に、横軸は各陽極線に介在された各抵抗体ＲＸ１〜ＲＸｎを示しており、縦軸は当該抵抗体の抵抗値を示している。なお、この図９においては、各抵抗体ＲＸ１〜ＲＸｎの抵抗値が、その両端に向かって順次高くなるように設定されているが、これは図８に示した例と同様に、その両端に向かって段階的に高くなるように設定されていてもよい。
【００４１】
図５に示した実施の形態によると、陰極線をパネルのほぼ中央部で二分したことで、陰極線Ｂ１  〜Ｂｍ  に分布する配線抵抗ｒの影響を受ける度合いを低減させることができる。これに加えて、前記各抵抗体ＲＸ１〜ＲＸｎの値を適性に選定することで、前記逆バイアス電圧ＶＭ  として、各ＥＬ素子に対してダメージを与えることがなく、且つ各ＥＬ素子に対してクロストーク発光が十分に抑えることができる電位を設定することができる。
【００４２】
なお、以上説明した図５に示す実施の形態においては、駆動電源として定電流源ＩＣ１〜ＩＣｎを備えた構成にされているが、この駆動電源としては、図３に示したような定電圧源ＶＣ１〜ＶＣｎを採用することもできる。さらに図４に示すように、陽極線に分布する配線抵抗ｒＸ  による影響を低減するために、抵抗体ＲＹ１〜ＲＹｍをそれぞれの陰極線走査回路３Ｌ  ，３Ｒ  において、介在させる手段も併用することができる。この場合には、それぞれの実施の形態において説明した各メリットをそのまま享受することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】パッシブマトリクス型表示パネルとその駆動装置の例を示した結線図である。
【図２】この発明にかかる駆動装置の第１の実施の形態を示した結線図である。
【図３】同じく第２の実施の形態を示した結線図である。
【図４】同じく第３の実施の形態を示した結線図である。
【図５】同じく第４の実施の形態を示した結線図である。
【図６】図２〜図４に示す実施の形態において採用される各抵抗体の値の重み付けの態様を示した特性図である。
【図７】同じく図２〜図４に示す実施の形態において採用される各抵抗体の値の重み付けの他の態様を示した特性図である。
【図８】同じく図２〜図４に示す実施の形態において採用される各抵抗体の値の重み付けのさらに他の態様を示した特性図である。
【図９】図５に示す実施の形態において採用される各抵抗体の値の重み付けの態様を示した特性図である。
【符号の説明】
１              発光表示パネル
２              陽極線ドライブ回路
３，３Ｌ  ，３Ｒ    陰極線走査回路
Ａ１  〜Ａｎ        陽極（データ）線
Ｂ１  〜Ｂｍ        陰極（走査）線
Ｅ１１〜Ｅｎｍ      有機ＥＬ素子（発光素子）
ＩＣ１〜ＩＣｎ      駆動電源（定電流源）
ＲＸ１〜ＲＸｎ      抵抗体
ＲＹ１〜ＲＹｎ      抵抗体
ＳＸ１〜ＳＸｎ      ドライブスイッチ
ＳＹ１〜ＳＹｍ      走査スイッチ
ＶＣ１〜ＶＣｎ      駆動電源（定電圧源）
ＶＨ              供給電源
ＶＭ              逆バイアス電圧
ｒ，ｒＸ  ，ｒＹ    配線抵抗
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
2004240156.tif 000006
【図５】
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【図６】
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【図７】
2004240156.tif 000009
【図８】
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【図９】
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