(57)【要約】【課題】ＵＶ光を用いることなく、短時間かつ高精度に露光を行うと共に、当該露光によって形成されたパターンに所望の膜を形成する成膜方法を提供し、更に、当該成膜方法を用いた電気光学装置の製造方法、カラーフィルタの製造方法、電気光学装置、カラーフィルタ、表示装置、並びに電子機器を提供すること。【解決手段】基板１０の被処理面に撥液膜１１を形成する撥液膜形成工程と、撥液膜１１の一部を除去して親液部１２を形成するパターニング工程と、親液部１２に液状材料２２を充填して所望の膜１４を形成する膜形成工程とを具備し、パターニング工程においては、撥液膜１１に電子線露光を施すことを特徴とする。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の被処理面に撥液膜を形成する撥液膜形成工程と、
該撥液膜の一部を除去して親液部を形成するパターニング工程と、
前記親液部に液状材料を充填して所望の膜を形成する膜形成工程と、
を具備し、
前記パターニング工程においては、前記撥液膜に電子線露光を施すことを特徴とする成膜方法。
【請求項２】
前記電子線露光の際には、大気圧雰囲気下において、前記基板に対向配置されたマスクのパターンを前記基板に転写することを特徴とする請求項１に記載の成膜方法。
【請求項３】
前記電子線露光の際には、大気圧より低い圧力雰囲気下において、電子線を走査して前記撥液膜にパターンを直接描画することを特徴とする請求項１に記載の成膜方法。
【請求項４】
前記親液部を形成した後に、前記基板を洗浄する洗浄工程を具備することを特徴とする請求項１から請求項３のうちいずれかに記載の成膜方法。
【請求項５】
前記膜形成工程は、液相法を用いて前記液状材料を充填した後に、熱処理により前記所望の膜を形成することを特徴とする請求項１から請求項４のうちいずれかに記載の成膜方法。
【請求項６】
対向する電極間に発光素子を備えた電気光学装置の製造方法において、
請求項１から請求項５のうちいずれかに記載の成膜方法を用いて、前記対向する電極のうちいずれか一方の電極を形成することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項７】
基板上に複数種類の着色部が配置されたカラーフィルタの製造方法において、
請求項１から請求項５のうちいずれかに記載の成膜方法を用いて、前記着色部を形成することを特徴とするカラーフィルタの製造方法。
【請求項８】
対向する電極間に発光素子を備えた電気光学装置において、
請求項６に記載の製造方法を用いて製造されることを特徴とする電気光学装置。
【請求項９】
基板上に複数種類の着色部が配置されたカラーフィルタにおいて、
請求項７に記載の製造方法を用いて製造されることを特徴とするカラーフィルタ。
【請求項１０】
請求項８に記載の電気光学装置を備えたことを特徴とする電子機器。
【請求項１１】
請求項９に記載のカラーフィルタを備えたことを特徴とする表示装置。
【請求項１２】
請求項１１に記載の表示装置を備えたことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、成膜方法、電気光学装置の製造方法、カラーフィルタの製造方法、電気光学装置、カラーフィルタ、表示装置、並びに電子機器に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、有機分子膜のパターン形成方法として、マスクを通したＵＶ光を有機分子膜に照射し、所望のパターンを形成する方法が知られている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００３】
この方法によれば、オクタデシルトリメトキシシラン（ＯＤＳ）等の有機分子膜を化学的気相成長法（ＣＶＤ）によって基板全面に形成し、当該基板に対してマスクを通したＵＶ光を照射する。ＵＶ光としては、低波長光であるＸｅ２エキシマランプ光（発光波長１７２ｎｍ）が用いられる。このようなＵＶ光により、ＯＤＳ膜とマスクとの間の空気中の酸素が励起され、酸素原子ラジカルが生成し、有機分子の炭素及び水素と反応し、ＯＤＳ膜はＣＯ２、Ｈ２Ｏに分解される。このような分解作用を用いることによって、ＯＤＳ膜に所望のパターンが形成される。
【０００４】
【特許文献１】
特開２００１−３２４８１６号公報
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記パターン形成方法を行う際に、有機分子膜の種類によっては、その有機分子膜の分解に必要な光エネルギーが高い場合があり、この場合、上記ＵＶ光ではエネルギーが不足し、露光に長時間を要してしまう。例えば、プラズマ重合テフロン（登録商標）膜、有機シラン膜等の撥液膜をパターニングするには、３０分程度の露光時間が必要であり、パターニング工程を短時間に効率的に行うことができないという問題がある。
【０００６】
更に、上記ＵＶ光においては、その光源は点光源ではないために、露光の際に散乱光となり、マスクの影の部分にＵＶ光が回り込み、即ち、パターニング精度が劣るという問題がある。また、点光源のＵＶ光として、低圧水銀ランプ光（１８５ｎｍ、２５４ｎｍ）が挙げられるが、いずれも、上記撥液膜を分解するためには、光エネルギーが不足する。
【０００７】
本発明は、上述する事情に鑑みてなされたものであり、ＵＶ光を用いることなく、短時間かつ高精度に露光を行うと共に、当該露光によって形成されたパターンに所望の膜を形成する成膜方法を提供し、更に、当該成膜方法を用いた電気光学装置の製造方法、カラーフィルタの製造方法、電気光学装置、カラーフィルタ、表示装置、並びに電子機器を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために、本発明は以下の手段を採用した。
即ち、本発明の成膜方法は、基板の被処理面に撥液膜を形成する撥液膜形成工程と、撥液膜の一部を除去して親液部を形成するパターニング工程と、親液部に液状材料を充填して所望の膜を形成する膜形成工程とを具備し、パターニング工程においては、撥液膜に電子線露光を施すことを特徴とする。
本発明によれば、撥液膜の一部に電子線を照射することによって、撥液膜の有機分子は、分解し、気化し、基板から除去される。当該撥液膜の除去によって親液部が露出し、親液部のパターンが形成される。なお、ここで言う「親液部」とは撥液膜が存在する部位に比べて相対的に親液性が高い部位のことであり、必ずしも積極的に親液処理を行った部位であるとは限らない。
ここで、電子線は、ＵＶ光よりも高いエネルギーを有しているので、ＵＶ光による露光よりも、短時間で撥液膜は除去される。
従って、電子線露光を用いてパターニング工程が行われるので、親液部を短時間で形成することができる。
【０００９】
また、本発明の成膜方法は、先に記載の成膜方法であり、電子線露光の際には、大気圧雰囲気下において、基板に対向配置されたマスクのパターンを基板に転写することを特徴とする。
従って、本発明によれば、比較的大型の基板に対してパターニングを行う場合に、当該大型基板に対応する真空装置が不要になるので、低製造コストでパターニング工程を行うことができる。
ここで、大気圧露光においては、電子線照射装置が好適に用いられ、当該電子線照射装置は、線状に電子線を発生する電子線加速部と基板とを相対移動させながら基板に電子線を照射する装置である。なお、電子線の加速電圧及び線量を調整することで、好適に撥液膜を分解することができる。
【００１０】
また、本発明の成膜方法は、先に記載の成膜方法であり、電子線露光の際には、大気圧より低い圧力雰囲気下において、電子線を走査して撥液膜にパターンを直接描画することを特徴とする。
従って、本発明によれば、電子の直進性を向上させることができるので、パターンの微細化を容易に行うことができる。
ここで、パターンの形成には、電子線描画装置が好適に用いられ、当該電子線描画装置は、所定の太さに絞られた点状の電子線を所望の位置に走査する装置である。当該装置によれば、例えば、数ｎｍの太さに電子線を絞ることができるので、容易に微細パターンを形成することができる。
【００１１】
また、本発明の成膜方法は、先に記載の成膜方法であり、親液部を形成した後に、基板を洗浄する洗浄工程を具備することを特徴とする。
本発明によれば、上述のパターニング工程によって、分解された撥液膜が気化せずに基板上に残留してしまった場合に、撥液膜の除去を促進することができる。
【００１２】
また、本発明の成膜方法は、先に記載の成膜方法であり、膜形成工程は、液相法を用いて液状材料を充填した後に、熱処理により所望の膜を形成することを特徴とする。
ここで、液相法とは、基板と液体材料とを接触状態にする方法であって、スピンコート法、スリットコート法、ディップコート法、スプレー成膜法、印刷法、液体吐出法等を意味するものである。特に、スリットコート法は、毛細管現象を利用した方法であって、液体材料の使用効率を容易に９５％以上にすることができるため、製造コストの低減が可能になる。また、液体吐出法は、液体材料の使用効率を向上することができると共に、所望のパターンに液体材料を基板上に配置することができる。
【００１３】
また、本発明の電気光学装置の製造方法は、対向する電極間に発光素子を備えた電気光学装置の製造方法において、先に記載の成膜方法を用いて、対向する電極のうちいずれか一方の電極を形成することを特徴とする。
従って、本発明によれば、先に記載の成膜方法を用いて電極を形成するので、先に記載の成膜方法と同様の効果を奏する。
【００１４】
また、本発明のカラーフィルタの製造方法は、基板上に複数種類の着色部が配置されたカラーフィルタの製造方法において、先に記載の成膜方法を用いて、着色部を形成することを特徴とする。
従って、本発明によれば、先に記載の成膜方法を用いて着色部を形成するので、先に記載の成膜方法と同様の効果を奏する。
【００１５】
また、本発明の電気光学装置は、対向する電極間に発光素子を備えた電気光学装置において、先に記載の製造方法を用いて製造されることを特徴とする。
従って、本発明によれば、先に記載の製造方法によって電気光学装置が形成されるので、製造コストが低い電気光学装置を提供することが可能となる。
【００１６】
また、本発明のカラーフィルタは、基板上に複数種類の着色部が配置されたカラーフィルタにおいて、先に記載の製造方法を用いて製造されることを特徴とする。
従って、本発明によれば、先に記載の製造方法によってカラーフィルタが形成されるので、製造コストが低いカラーフィルタを提供することが可能となる。
【００１７】
また、本発明の表示装置は、先に記載のカラーフィルタを備えたことを特徴とする。
従って、本発明によれば、先に記載のカラーフィルタを備えているので、製造コストが低い表示装置を提供することが可能となる。
【００１８】
次に、本発明の電子機器は、本発明の電気光学装置又は表示装置を備えたことを特徴とするものである。
このような電子機器としては、例えば、携帯電話機、移動体情報端末、時計、ワープロ、パソコンなどの情報処理装置などを例示することができる。このように電子機器の表示部に、本発明の表示装置を採用することによって、製造コストが低い電子機器を提供することが可能となる。
【００１９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に係る成膜方法、電気光学装置の製造方法、カラーフィルタの製造方法、電気光学装置、カラーフィルタ、表示装置、並びに電子機器について、図面を参照して説明する。
なお、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材の縮尺は実際のものとは異なるように表している。
【００２０】
（第１実施形態）
以下、本発明に係る成膜方法について説明する。
図１は、本実施形態の成膜方法の主要工程における基板の模式断面図である。
図１（ａ）に示すように、基板１０は、本実施形態の成膜対象物であり、その材料は種種の目的に応じて選択される。例えば、光透過性が求められる場合にはガラス等の透明性材料が選択され、可撓性が求められる場合には樹脂材料等が選択される。なお、基板１０は、予め複数の導電膜と絶縁膜が積層された多層配線基板であってもよい。
【００２１】
本実施形態の成膜方法においては、先ず、図１（ａ）に示す撥液膜形成工程が行われ、基板１０に対して撥液膜１１が形成される。当該撥液膜形成工程においてはスリットコート法が行われる。
図２はスリットコート法を示す模式断面図である。スリットコート法には、大きく分けて、図２（ａ）に示す方式と、図２（ｂ）に示す方式との２種類の方式がある。
図２（ａ）に示す方式は、液体材料２２を下向きに吐出する方式である。このスリットコート方式においては、スリット状の開口部を持つスリット部２３が基板１０の上方に配置されており、基板１０の被処理面１０ａが上方を向いている。ここで、スリット部２３から液体材料２２を吐出しながら、基板１０とスリット部２３とを相対移動することにより、被処理面１０ａ全体に一定量の液体材料２２を高速に充填することができる。
図２（ｂ）に示す方式は、毛細管現象を利用したスリットコート方式である。このスリットコート方式において、毛細管を備えるスリット部２４が基板１０の下方に配置されており、被処理面１０ａが下方を向いている。ここで、スリット部２４の開口と被処理面１０ａとの間隔を所望の間隔に保ちながら、基板１０とスリット部２４とを相対移動することにより、毛細管現象によって液体材料２２が被処理面１０ａに吸引され、被処理面１０ａ全体に一定量の液体材料２２を高速に充填することができる。
また、毛細管現象を利用したスリットコート方式では、被吐出材料である液体材料の使用効率を容易に９５％以上にすることができるため、製造コストの低減が可能になる。
【００２２】
なお、撥液膜１１の形成方法としては、スリットコート法に限ることなく、種種の液相法が採用され、スピンコート法、スリットコート法、ディップコート法、スプレー成膜法、印刷法、液体吐出法等が挙げられる。液相法は、高価な真空装置によらないので、設備コストの低減が可能になる。
また、撥液膜１１を形成するための液体材料２２としては、撥液原料を溶剤に溶かしたものが用いられ、本実施形態においては、オプツールＤＳＸ（ダイキン工業社製）をフッ素系溶剤に希釈した液体材料が好適に採用される。
【００２３】
このようにスリットコート法によって液体材料２２を被処理面１０ａに充填した後に、乾燥工程を施して上記溶剤を除去し、撥液原料からなる撥液膜１１が形成される。
【００２４】
次に、図１（ｂ）に示すパターニング工程が行われる。ここでは、撥液膜１１に対して、大気圧雰囲気下におけるＥＢ露光（電子線露光）が行われ、図１（ｃ）に示す親液部１２が形成される。
【００２５】
図３は、ＥＢ露光を行う電子線照射装置の斜視図である。電子線照射装置５０は、高圧電源部５１と、電子線加速部５２と、搬送装置５３とから構成されている。高圧電源部５１は、電子線加速部５２に直流電力を供給するものである。電子線加速部５２は、長手方向に配列したフィラメント５５を備え、処理領域５６に対して線状の電子線５７を照射するものである。搬送装置５３は、マスク１３と共に基板１０を矢印Ａに示す方向に搬送するものであり、マスク１３及び基板１０は処理領域５６を通過するようになっている。
【００２６】
このように構成された電子線照射装置５０においては、電子線加速部５２に電力が供給され、フィラメント５５から電子線５７が処理領域５６に照射される。ここで、マスク１３及び基板１０は搬送装置５３により、処理領域５６を通過し、電子線５７がマスク１３のパターンに従って基板１０に照射される。
基板１０においては、電子線５７が照射された部分の撥液膜１１の有機分子が分解され、気化され、除去され、親液部１２が形成される。即ち、マスク１３のパターンに従って親液部１２が形成される。
電子線５７は、ＵＶ光よりも高いエネルギーを有しているので、ＵＶ光による露光よりも、短時間で撥液膜１１の除去を行うことができる。従って、パターニング工程によって、親液部１２を短時間で形成することができる。
また、大気圧雰囲気下におけるＥＢ露光は、比較的大型の基板に対するパターニングが容易に行うことができ、また、真空装置が不要になるので、低製造コストでパターニング工程を行うことができる。
【００２７】
続いて、図１（ｄ）に示す膜形成工程が行われる。ここでは、上記の液相法を用いて親液部１２に目的の液体材料を充填した後に、液体の濃度差を一定に保ちつつ加熱処理を施し、所望の膜１４を形成する。液相法としては、種種の方法が採用されるが、本実施形態においては液体吐出法を用いる。
【００２８】
図１（ｄ）に示すように、液体吐出法においては、吐出ノズル２５と基板１０とを相対移動させながら、吐出ノズル２５が液体材料２２を親液部１２に吐出し、液体材料２２は、親液部１２内に充填される。ここで、吐出位置の誤差によって親液部１２周辺の撥液膜１１に液体材料２２が吐出された場合であっても、撥液膜１１の上面に液体材料が留まることがなく、親液部１２に流れる。
次に、飽和蒸気圧雰囲気に基板１０を曝すなどして、親液部１２に充填した液体材料２２が乾燥しないように所定時間維持し、液体材料２２の濃度分布が十分に均一化される。更に、基板１０をベーク炉等に配置し、乾燥又は焼成する熱処理を施すことによって、図１（ｅ）に示すように親液部１２に所望の膜１４が形成される。
【００２９】
なお、本実施形態においては、パターン形成工程の後に、膜形成工程を行ったが、当該両工程の間に、洗浄工程を行ってもよい。この場合、上述のＥＢ露光によって、分解された撥液膜１１が気化せず、基板１０上に残留してしまった場合に、撥液膜１１の除去を促進することができる。
【００３０】
（第２実施形態）
次に、本発明に係る成膜方法の第２の実施形態について説明する。
本実施形態と第１実施形態との相違点は、図１（ｂ）のパターニング工程のみが異なっている。第１実施形態においては、大気圧雰囲気下で図３の電子線照射装置を用いてＥＢ露光が行われたが、本実施形態においては、減圧雰囲気下（大気圧より低い圧力雰囲気下）で電子線描画装置を用いてＥＢ露光が行われる。
本実施形態においては、異なる部分のみを説明し、同一部分には同一符号を付し、説明を省略する。
【００３１】
図４は、ＥＢ露光を行う電子線描画装置の模式断面図である。電子線描画装置６０は、処理室６１と、電子線形成部６２と、真空制御部６３と、ステージ装置６４とから構成されている。電子線形成部６２は、電子源６５と、複数の偏向器６６と、レンズ６７とを備えており、電子線５７の太さが所望に調整される。真空制御装置６３は、処理室６１内を真空状態に制御するものであり、処理室６１内は所定の圧力に設定される。ステージ装置６４は、ステージ６８とＸＹ位置制御装置６９とから構成されており、基板１０と電子線５７の焦点とを２次元で相対移動するようになっている。
【００３２】
このように構成された電子線描画装置６０を駆動するにあたり、まず、描画パターンとなるＣＡＤ（ｃｏｍｐｕｔｅｒ  ａｉｄｅｄ  ｄｅｓｉｇｎ）等の電子データを作成する必要がある。本実施形態においては、予め描画パターンが作成され、当該描画パターンに従って動作する場合について説明する。
まず、真空制御装置６３が処理室６１内を真空状態に維持した状態において、電子源６５によって電子線５７が生成され、偏向器６６及びレンズ６７によって、電子線５７の太さが調整される。ここで、減圧雰囲気下で電子線５７が生成されるので、電子線５７の直進性が向上すると共に、偏向器６６及びレンズ６７を所望に調整することによって、例えば、数ｎｍの太さに電子線を絞ることができる。このように調整された電子線５７は、ステージ６８に載置された基板１０を照射し、ＸＹ位置制御装置６９が基板１０を描画パターンに基づいて移動する。
【００３３】
基板に形成された撥液膜１１の有機分子は、電子線５７が描画された部分において分解され、気化され、除去されるので、描画パターンに従って親液部１２が形成される。
減圧雰囲気下におけるＥＢ露光は、電子の直進性が向上させることができるので、親液部１２のパターンの微細化を容易に行うことができる。
また、電子線描画装置６０を用いることから、作成したＣＡＤデータに従って、親液部１２のパターンを形成することができる。また、マスクを用いることなく多様なパターンを容易に形成することが可能になる。
【００３４】
（第３実施形態）
次に、上記第１実施形態の成膜方法を用いた電気光学装置の製造方法及び電気光学装置について、図５から図９を参照して説明する。図５、図６は有機ＥＬ表示装置（電気光学装置）の一例の概略構成を説明するための図であり、これらの図において符号７０は有機ＥＬ表示装置である。
この有機ＥＬ表示装置７０は、図５の回路図に示すように透明基板（基板）上に、複数の走査線１３１と、これら走査線１３１に対して交差する方向に延びる複数の信号線１３２と、これら信号線１３２に並列に延びる複数の共通給電線１３３とがそれぞれ配線されたもので、走査線１３１及び信号線１３２の各交点毎に、画素７１が設けられて構成されたものである。
【００３５】
信号線１３２に対しては、シフトレジスタ、レベルシフタ、ビデオライン、アナログスイッチを備えるデータ側駆動回路７２が設けられている。
一方、走査線１３１に対しては、シフトレジスタ及びレベルシフタを備える走査側駆動回路７３が設けられている。また、画素領域７１の各々には、走査線１３１を介して走査信号がゲート電極に供給されるスイッチング薄膜トランジスタ１４２と、このスイッチング薄膜トランジスタ１４２を介して信号線１３２から供給される画像信号を保持する保持容量ｃａｐと、保持容量ｃａｐによって保持された画像信号がゲート電極に供給されるカレント薄膜トランジスタ１４３と、このカレント薄膜トランジスタ１４３を介して共通給電線１３３に電気的に接続したときに共通給電線１３３から駆動電流が流れ込む画素電極（一方の電極）１４１と、この画素電極１４１と陰極１５４との間に挟み込まれる発光部１４０と、が設けられている。
【００３６】
このような構成のもとに、走査線１３１が駆動されてスイッチング薄膜トランジスタ１４２がオンとなると、そのときの信号線１３２の電位が保持容量ｃａｐに保持され、該保持容量ｃａｐの状態に応じて、カレント薄膜トランジスタ１４３のオン・オフ状態が決まる。そして、カレント薄膜トランジスタ１４３のチャネルを介して共通給電線１３３から画素電極１４１に電流が流れ、更に、発光部１４０を通じて陰極１５４に電流が流れることにより、発光部１４０は、これを流れる電流量に応じて発光するようになる。
ここで、各画素７１の平面構造は、陰極１５４や発光部１４０を取り除いた状態での拡大平面図である図６に示すように、平面形状が長方形の画素電極１４１の四辺が、信号線１３２、共通給電線１３３、走査線１３１及び図示しない他の画素電極用の走査線によって囲まれた配置となっている。
【００３７】
次に、このような有機ＥＬ表示装置７０の製造方法について、図７〜図９を用いて説明する。なお、図７〜図９では、説明を簡略化するべく、単一の画素７１についてのみ図示する。
ここで、有機ＥＬ表示装置７０では後述する発光層による発光光を基板側から取り出すことも可能であり、また基板と反対側から取り出す構成とすることも可能である。発光光を基板側から取り出す構成とする場合、基板材料としてはガラスや石英、樹脂等の透明ないし半透明なものが用いられるが、特に安価なガラスが好適に用いられる。
【００３８】
また、基板に色フィルター膜や蛍光性物質を含む色変換膜、あるいは誘電体反射膜を配置して、発光色を制御するようにしてもよい。
また、基板と反対側から発光光を取り出す構成の場合、基板は不透明であってもよく、その場合、アルミナ等のセラミックス、ステンレス等の金属シートに表面酸化などの絶縁処理を施したもの、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂などを用いることができる。
本例では、基板として図７（ａ）に示すようにガラス等からなる透明基板１２１を用意する。そして、これに対し、必要に応じてＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン）や酸素ガスなどを原料としてプラズマＣＶＤ法により厚さ約２００〜５００ｎｍのシリコン酸化膜からなる下地保護膜（図示せず）を形成する。
【００３９】
次に、透明基板１２１の温度を約３５０℃に設定して、下地保護膜の表面にプラズマＣＶＤ法により厚さ約３０〜７０ｎｍのアモルファスシリコン膜からなる半導体膜２００を形成する。次いで、この半導体膜２００に対してレーザアニールまたは固相成長法などの結晶化工程を行い、半導体膜２００をポリシリコン膜に結晶化する。レーザアニール法では、例えばエキシマレーザでビームの長寸が４００ｍｍのラインビームを用い、その出力強度は例えば２００ｍＪ／ｃｍ２とする。ラインビームについては、その短寸方向におけるレーザ強度のピーク値の９０％に相当する部分が各領域毎に重なるようにラインビームを走査する。
【００４０】
次いで、図７（ｂ）に示すように、半導体膜（ポリシリコン膜）２００をパターニングして島状の半導体膜２１０とし、その表面に対して、ＴＥＯＳや酸素ガスなどを原料としてプラズマＣＶＤ法により厚さ約６０〜１５０ｎｍのシリコン酸化膜または窒化膜からなるゲート絶縁膜２２０を形成する。なお、半導体膜２１０は、図６に示したカレント薄膜トランジスタ１４３のチャネル領域及びソース・ドレイン領域となるものであるが、異なる断面位置においてはスイッチング薄膜トランジスタ１４２のチャネル領域及びソース・ドレイン領域となる半導体膜も形成されている。つまり、図７〜図９に示す製造工程では二種類のトランジスタ１４２、１４３が同時に作られるのであるが、同じ手順で作られるため、以下の説明ではトランジスタに関しては、カレント薄膜トランジスタ１４３についてのみ説明し、スイッチング薄膜トランジスタ１４２についてはその説明を省略する。
【００４１】
次いで、図７（ｃ）に示すように、アルミニウム、タンタル、モリブデン、チタン、タングステンなどの金属膜からなる導電膜をスパッタ法により形成した後、これをパターニングし、ゲート電極１４３Ａを形成する。
次いで、この状態で高濃度のリンイオンを打ち込み、半導体膜２１０に、ゲート電極１４３Ａに対して自己整合的にソース・ドレイン領域１４３ａ、１４３ｂを形成する。なお、不純物が導入されなかった部分がチャネル領域１４３ｃとなる。
【００４２】
次いで、図７（ｄ）に示すように、層間絶縁膜２３０を形成した後、コンタクトホール２３２、２３４を形成し、これらコンタクトホール２３２、２３４内に中継電極２３６、２３８を埋め込む。
次いで、図７（ｅ）に示すように、層間絶縁膜２３０上に、信号線１３２、共通給電線１３３及び走査線（図７に示さず）を形成する。ここで、中継電極２３８と各配線とは、同一工程で形成されていてもよい。このとき、中継電極２３６は、後述するＩＴＯ膜により形成されることになる。
【００４３】
そして、各配線の上面をも覆うように層間絶縁膜２４０を形成し、中継電極２３６に対応する位置にコンタクトホール（図示せず）を形成し、そのコンタクトホール内にも埋め込まれるようにＩＴＯ膜を形成し、更に、そのＩＴＯ膜をパターニングして、信号線１３２、共通給電線１３３及び走査線（図示せず）に囲まれた所定位置に、ソース・ドレイン領域１４３ａに電気的に接続する画素電極１４１を形成する。ここで、信号線１３２及び共通給電線１３３、更に、は走査線（図示せず）に挟まれた部分が、後述するように正孔注入層や発光層の形成場所となっている。
【００４４】
ここで、画素電極１４１は、第１実施形態の成膜方法によって形成される。先ず、スリットコート法を用いて、液体材料を層間絶縁膜２４０の表面に成膜し、乾燥工程を施して液体材料に含まれる溶剤を除去し、撥液原料からなる撥液膜１１を形成する。液体材料としては、オプツールＤＳＸ（ダイキン工業社製）をフッ素系溶剤に０．１ｍａｓｓ％に希釈した溶液が採用される。
次に、撥液膜１１に対して大気圧雰囲気においてＥＢ露光が施される。ＥＢ露光においては、図３に示した電子線照射装置が用いられ、電子線をマスクパターンを介して照射することにより、当該マスクパターンに従って撥液膜１１が除去され、親液部が形成される。
続いて、親液部に対して画素電極１４１の材料を含有した液体材料が充填される。ここでは、液体材料の溶質としてインディウムアセチルアセトナート及びジ−ｎ−ブチルチンジアセタートを採用し、エタノールの０．１ｍｏｌ／Ｌ溶液を作成した。更に、スリットコート法を用いて液体材料を成膜する。
更に、続いて、４００℃雰囲気下において１０分間の熱処理を施し、画素電極１４１が形成される。
【００４５】
次いで、図８（ａ）に示すように、前記の形成場所を囲むように隔壁１５０を形成する。この隔壁１５０は仕切部材として機能するものであり、例えばポリイミド等の絶縁性有機材料で形成するのが好ましい。隔壁１５０の膜厚については、例えば１〜２μｍの高さとなるように形成する。また、隔壁１５０は、液滴吐出ヘッド部３４から吐出される液状体に対して非親和性（撥液性）を示すものが好ましい。隔壁１５０に非親和性を発現させるためには、例えば隔壁１５０の表面をフッ素系化合物などで表面処理するといった方法が採用される。フッ素化合物としては、例えばＣＦ４  、ＳＦ５  、ＣＨＦ３  などがあり、表面処理としては、例えばプラズマ処理、ＵＶ照射処理などが挙げられる。
そして、このような構成のもとに、正孔注入層や発光層の形成場所、すなわちこれらの形成材料の塗布位置とその周囲の隔壁１５０との間には、十分な高さの段差１１１が形成されているのである。
【００４６】
次いで、図８（ｂ）に示すように、透明基板１２１の上面を上に向けた状態で、正孔注入層の形成材料（液状材料）を液滴吐出ヘッド部３４より、皮膜（図示せず）が形成された隔壁１５０に囲まれた塗布位置、即ち、隔壁１５０内に選択的に塗布する。
【００４７】
なお、正孔注入層の形成材料としては、ポリマー前駆体がポリテトラヒドロチオフェニルフェニレンであるポリフェニレンビニレン、１，１−ビス−（４−Ｎ，Ｎ−ジトリルアミノフェニル）シクロヘキサン、トリス（８−ヒドロキシキノリノール）アルミニウム等が挙げられる。
このとき、液状の形成材料１１４Ａは、皮膜によって流動性が高められて水平方向に広がろうとするが、塗布された位置を囲んで隔壁１５０が形成されているので、形成材料１１４Ａは隔壁１５０を越えてその外側に広がることが防止されている。
【００４８】
次いで、図８（ｃ）に示すように加熱あるいは光照射により液状の前駆体１１４Ａの溶媒を蒸発させて、画素電極１４１上に、固形の正孔注入層１４０Ａを形成する。
次いで、図９（ａ）に示すように、透明基板１２１の上面を上に向けた状態で、隔壁１５０に囲まれた正孔注入層１４０Ａの上に、発光層の形成材料の溶媒からなる皮膜（図示せず）を形成しておき、その皮膜上に、液滴吐出ヘッド部３４よりインクとして発光層の形成材料（発光材料）１１４Ｂを選択的に塗布する。
これにより、皮膜が「呼び水」的な作用を発揮して、隔壁１５０内の正孔注入層１４０Ａの上面全体にくまなく発光材料１１４Ｂが濡れ広がる。
【００４９】
発光層の形成材料としては、例えば共役系高分子有機化合物の前駆体と、得られる発光層の発光特性を変化させるための蛍光色素とを含んでなるものが好適に用いられる。
共役系高分子有機化合物の前駆体は、蛍光色素等とともに液滴吐出ヘッド部３４から吐出されて薄膜に成形された後、加熱硬化されることによって共役系高分子有機ＥＬ層となる発光層を生成し得るものをいい、例えば前駆体のスルホニウム塩の場合、加熱処理されることによりスルホニウム基が脱離し、共役系高分子有機化合物となるもの等である。
【００５０】
このような共役系高分子有機化合物は固体で強い蛍光を持ち、均質な固体超薄膜を形成することができる。しかも形成能に富みＩＴＯ電極との密着性も高い。更に、このような化合物の前駆体は、硬化した後は強固な共役系高分子膜を形成することから、加熱硬化前においては前駆体溶液を後述するインクジェットパターニングに適用可能な所望の粘度に調整することができ、簡便かつ短時間で最適条件の膜形成を行うことができる。
【００５１】
このような前駆体としては、例えばＰＰＶ（ポリ（パラ−フェニレンビニレン））またはその誘導体の前駆体が好ましい。ＰＰＶまたはその誘導体の前駆体は、水あるいは有機溶媒に可溶であり、また、ポリマー化が可能であるため光学的にも高品質の薄膜を得ることができる。更に、ＰＰＶは強い蛍光を持ち、また二重結合のπ電子がポリマー鎖上で非極在化している導電性高分子でもあるため、高性能の発光層を得ることができる。
【００５２】
このようなＰＰＶまたはＰＰＶ誘導体の前駆体として、例えば、ＰＰＶ（ポリ（パラ−フェニレンビニレン））前駆体、ＭＯ−ＰＰＶ（ポリ（２，５−ジメトキシ−１，４−フェニレンビニレン））前駆体、ＣＮ−ＰＰＶ（ポリ（２，５−ビスヘキシルオキシ−１，４−フェニレン−（１−シアノビニレン）））前駆体、ＭＥＨ−ＰＰＶ（ポリ［２−メトキシ−５−（２’−エチルヘキシルオキシ）］−パラ−フェニレンビニレン）前駆体等が挙げられる。
【００５３】
ＰＰＶまたはＰＰＶ誘導体の前駆体は、前述したように水に可溶であり、製膜後の加熱により高分子化してＰＰＶ層を形成する。前記ＰＰＶ前駆体に代表される前駆体の含有量は、組成物全体に対して０．０１〜１０．０ｗｔ％が好ましく、０．１〜５．０ｗｔ％がより好ましい。前駆体の添加量が少な過ぎると共役系高分子膜を形成するのに不十分であり、多過ぎると組成物の粘度が高くなり、インクジェット法による精度の高いパターニングに適さない場合がある。
【００５４】
更に、発光層の形成材料としては、少なくとも１種の蛍光色素を含むのが好ましい。これにより、発光層の発光特性を変化させることができ、例えば、発光層の発光効率の向上、または光吸収極大波長（発光色）を変えるための手段としても有効である。すなわち、蛍光色素は単に発光層材料としてではなく、発光機能そのものを担う色素材料として利用することができる。例えば、共役系高分子有機化合物分子上のキャリア再結合で生成したエキシトンのエネルギーをほとんど蛍光色素分子上に移すことができる。この場合、発光は蛍光量子効率が高い蛍光色素分子からのみ起こるため、発光層の電流量子効率も増加する。したがって、発光層の形成材料中に蛍光色素を加えることにより、同時に発光層の発光スペクトルも蛍光分子のものとなるので、発光色を変えるための手段としても有効となる。
【００５５】
なお、ここでいう電流量子効率とは、発光機能に基づいて発光性能を考察するための尺度（ηＥ  ＝放出されるフォトンのエネルギー／入力電気エネルギー）である。そして、蛍光色素のドープによる光吸収極大波長の変換によって、例えば赤、青、緑の３原色を発光させることができ、その結果フルカラー表示体を得ることが可能となる。
更に、蛍光色素をドーピングすることにより、発光効率を大幅に向上させることができる。
【００５６】
蛍光色素としては、赤色の発色光を発光する発光層を形成する場合、赤色の発色光を有するローダミンまたはローダミン誘導体を用いるのが好ましい。これらの蛍光色素は、低分子であるため水溶液に可溶であり、またＰＰＶと相溶性がよく、均一で安定した発光層の形成が容易である。このような蛍光色素として具体的には、ローダミンＢ、ローダミンＢベース、ローダミン６Ｇ、ローダミン１０１過塩素酸塩等が挙げられ、これらを２種以上混合したものであってもよい。
【００５７】
また、緑色の発色光を発光する発光層を形成する場合、緑色の発色光を有するキナクリドンおよびその誘導体を用いるのが好ましい。これらの蛍光色素は前記赤色蛍光色素と同様、低分子であるため水溶液に可溶であり、またＰＰＶと相溶性がよく発光層の形成が容易である。
【００５８】
更に、青色の発色光を発光する発光層を形成する場合、青色の発色光を有するジスチリルビフェニルおよびその誘導体を用いるのが好ましい。これらの蛍光色素は前記赤色蛍光色素と同様、低分子であるため水・アルコール混合溶液に可溶であり、またＰＰＶと相溶性がよく発光層の形成が容易である。
【００５９】
また、青色の発色光を有する他の蛍光色素としては、クマリンおよびその誘導体を挙げることができる。これらの蛍光色素は、前記赤色蛍光色素と同様、低分子であるため水溶液に可溶であり、またＰＰＶと相溶性がよく発光層の形成が容易である。このような蛍光色素として具体的には、クマリン、クマリン−１、クマリン−６、クマリン−７、クマリン１２０、クマリン１３８、クマリン１５２、クマリン１５３、クマリン３１１、クマリン３１４、クマリン３３４、クマリン３３７、クマリン３４３等が挙げられる。
【００６０】
更に、別の青色の発色光を有する蛍光色素としては、テトラフェニルブタジエン（ＴＰＢ）またはＴＰＢ誘導体を挙げることができる。これらの蛍光色素は、前記赤色蛍光色素等と同様、低分子であるため水溶液に可溶であり、またＰＰＶと相溶性がよく発光層の形成が容易である。
以上の蛍光色素については、各色ともに１種のみを用いてもよく、また２種以上を混合して用いてもよい。
【００６１】
これらの蛍光色素については、前記共役系高分子有機化合物の前駆体固型分に対し、０．５〜１０ｗｔ％添加するのが好ましく、１．０〜５．０ｗｔ％添加するのがより好ましい。蛍光色素の添加量が多過ぎると発光層の耐候性および耐久性の維持が困難となり、一方、添加量が少な過ぎると、前述したような蛍光色素を加えることによる効果が十分に得られないからである。
【００６２】
また、前記前駆体および蛍光色素については、極性溶媒に溶解または分散させてインクとし、このインクを液滴吐出ヘッド部３４から吐出するのが好ましい。極性溶媒は、前記前駆体、蛍光色素等を容易に溶解または均一に分散させることができるため、液滴吐出ヘッド部３４のノズル孔での発光層形成材料中の固型分が付着したり目詰りを起こすのを防止することができる。
【００６３】
このような極性溶媒として具体的には、水、メタノール、エタノール等の水と相溶性のあるアルコール、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、Ｎ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）、ジメチルイミダゾリン（ＤＭＩ）、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）等の有機溶媒または無機溶媒が挙げられ、これらの溶媒を２種以上適宜混合したものであってもよい。
【００６４】
更に、前記形成材料中に湿潤剤を添加しておくのが好ましい。これにより、形成材料が液滴吐出ヘッド部３４のノズル孔で乾燥・凝固することを有効に防止することができる。かかる湿潤剤としては、例えばグリセリン、ジエチレングリコール等の多価アルコールが挙げられ、これらを２種以上混合したものであってもよい。この湿潤剤の添加量としては、形成材料の全体量に対し、５〜２０ｗｔ％程度とするのが好ましい。
なお、その他の添加剤、被膜安定化材料を添加してもよく、例えば、安定剤、粘度調整剤、老化防止剤、ｐＨ調整剤、防腐剤、樹脂エマルジョン、レベリング剤等を用いることができる。
【００６５】
このような発光層の形成材料１１４Ｂを液滴吐出ヘッド部３４のノズル孔から吐出すると、形成材料１１４Ｂは隔壁１５０内の正孔注入層１４０Ａ上に塗布される。
ここで、形成材料１１４Ｂの吐出による発光層の形成は、赤色の発色光を発光する発光層の形成材料、緑色の発色光を発光する発光層の形成材料、青色の発色光を発光する発光層の形成材料を、それぞれ対応する画素７１に吐出し塗布することによって行う。なお、各色に対応する画素７１は、これらが規則的な配置となるように予め決められている。
【００６６】
このようにして各色の発光層形成材料を吐出し塗布した後に、発光層形成材料１１４Ｂ中の溶媒を蒸発させることにより、図９（ｂ）に示すように正孔層注入層１４０Ａ上に固形の発光層１４０Ｂを形成し、これにより正孔層注入層１４０Ａと発光層１４０Ｂとからなる発光部１４０を得る。ここで、発光層形成材料１１４Ｂ中の溶媒の蒸発については、必要に応じて加熱あるいは減圧等の処理を行うが、発光層の形成材料は通常乾燥性が良好で速乾性であることから、特にこのような処理を行うことなく、したがって各色の発光層形成材料を順次吐出塗布することにより、その塗布順に各色の発光層１４０Ｂを形成することができる。
その後、図９（ｃ）に示すように、透明基板１２１の表面全体に、あるいはストライプ状に陰極１５４を形成し、有機ＥＬ表示装置７０を得る。
【００６７】
上述したように、有機ＥＬ表示装置の製造方法によれば、画素電極１４１を、図１から図３に示す上記実施形態の成膜方法によって形成されているので、製造コストが低い有機ＥＬ表示装置を提供することが可能となる。
【００６８】
（第４実施形態）
次に、上記第１実施形態の成膜方法を用いたカラーフィルタの製造方法及びカラーフィルタについて、図１０から図１４を参照して説明する。図１０はカラーフィルタの一例を示す断面図である。図１１は、カラーフィルタの一例を示す平面図である。
【００６９】
図１０に示すように、本実施形態のカラーフィルタ３００は、基板３０２と、基板の一面３０２ａ上に形成された遮光膜３３８と、着色層３０６…と、遮光膜３０８と、着色層（着色部）３０６…を覆うオーバーコート層３０７とを主体として構成されたものである。
【００７０】
基板３０２は、ガラス又はプラスチックフィルム等からなる光透過性基板である。
遮光膜３３８としては、例えば、金属クロム膜や、金属クロム膜と酸化クロム膜との積層膜などを用いることができる。遮光膜３３８は、着色層３０６…に対応する複数の開口部（孔）３３８ｃ…が所定のパターンで設けられ、各開口部３３８ｃの形成位置は着色層３０６と対応する位置、即ち平面視重なるように対応させて形成されている。各孔３３８ｃ内には基板３０２面が露出している。遮光膜３３８は、コントラストの向上、色材の混合防止などの機能を有しており、いわゆるブラックマトリクスとしての機能を有している。また、遮光膜３３８の開口部（孔）３３８ｃと、遮光膜３３８の内壁３３９ｂと、基板３０２面とにより区画されて着色層形成領域（親液部）３４５…が形成されている。
【００７１】
遮光膜３３８の一部は図１１に示すように各着色層３０６の一部を覆うようにはみ出してアクティブ素子のチャネル領域用遮光部３３８ｂが設けられてもよい。このようなチャネル領域用遮光部３３８ｂが設けられていると、カラーフィルタ３００をアクティブマトリクス式の液晶装置に備えた場合に、素子基板のアクティブ素子に光が入射して光リーク電流が生じるのを防止する機能がある。
遮光膜３３８の膜厚は０．３μｍ以下とされており、好ましくは０．１μｍ〜０．３μｍの範囲が好ましい。
【００７２】
着色層形成領域３４５…には、着色層３０６…が形成されている。この着色層３０６…は、着色層形成領域３０５…内に着色インクを吐出させて乾燥させることにより形成したものである。
着色層３０６…は、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の３原色にそれぞれ対応する赤色の着色層３０６Ｒ…、緑色の着色層３０６Ｇ…、青色の着色層３０６Ｂ…を具備してなるものである。着色層３０６…は、例えば、無機顔料により着色したアクリル樹脂やポリウレタン樹脂等からなる。
【００７３】
オーバーコート層３０７は、着色層３０６…を保護するとともにカラーフィルタ３００の表面を平坦化するものであり、アクリル樹脂、エポキシ樹脂等の透明樹脂からなるものである。オーバーコート層３０７の厚さは、例えば１．０μｍ〜４．０μｍの範囲にすることができる。なお、カラーフィルタ３００のオーバーコート層３０７の上に、ＩＴＯ膜（インジウム−酸化スズ膜）からなる透明電極膜や、配向膜を設けてもよい。
【００７４】
次に、本実施形態のカラーフィルタの製造方法を、図１０に示すカラーフィルタ３００を例にして、図１２から図１３を参照して説明する。
本実施形態のカラーフィルタの製造方法は、遮光膜３３８を形成した後に、上記第１実施形態の成膜方法によって着色層３０６…を形成するものである。
【００７５】
まず、図１２（ａ）に示すように、光透過性基板３０２を用意し、次に図１２（ｂ）に示すように、基板３０２の一面３０２ａの全面に遮光層３３８ｄを層厚が０．３μｍ以下になるように形成する。この遮光層３３８ｄは金属クロム膜、または金属クロム膜と酸化クロム膜との積層膜などからなり、例えばスパッタリング法等により形成される。
次に図１２（ｃ）に示すように、遮光層３３８ｄ上に透明感光性樹脂膜からなるフォトレジスト層３４０を形成し、このフォトレジスト層３４０上にフォトマスクフィルムＭ１を配置して露光を行い、フォトレジスト層３４０の露光部分を硬化させる。
次に、基板３０２をアルカリ性の現像液に浸漬してフォトレジスト層３４０の未露光部分を除去することによりフォトレジスト層３４０に複数の孔を形成し、各孔内に遮光層３３８ｄが露出するようにする。
【００７６】
次に、基板３０２を塩酸等のエッチング液に浸漬し遮光層３３８ｄの露出部分を除去することにより、遮光層３３８ｄに図１２（ｄ）に示すような開口部（孔）３３８ｃ…を形成し、遮光膜３３８及び着色層形成領域３４５…を得る。遮光膜３３８の各孔３３８ｃ内には基板３０２の面３０２ａが露出している。ここで遮光膜３３８を形成する際には、上記遮光層３３８ｄのうち各着色層形成領域３４５を覆う部分の一部を残存させて、図１１に示すようなアクティブ素子のチャネル領域用遮光部３３８ｂを設けてもよい。遮光層３３８ｄのエッチング液には塩酸の他、遮光層３３８ｄを選択的に溶解できるものであればいずれのものも使用可能である。
【００７７】
続いて、遮光層３３８ｄ及び着色層形成領域３４５…に対して、上記第１実施形態に記載したように、撥液膜形成工程が施される。本実施形態の撥液膜形成工程に用いられる液体材料としては、ユニダインＴＧ６５６（ダイキン工業社製）をアセトンに０．５％に希釈した溶液が採用され、更に、種種の液相法の中からディップコート法が採用される。このような撥液膜形成工程によって、遮光層３３８ｄ及び着色層形成領域３４５…に液体材料が成膜された後に、２００℃雰囲気下において１０分間の乾燥処理を施し、液体材料に含まれる溶剤を除去し、撥液膜１１が形成される。
次に、撥液膜１１に対して大気圧雰囲気においてＥＢ露光が施される。ＥＢ露光においては、図３に示した電子線照射装置が用いられ、図１２（ｅ）に示すように、電子線が照射されなかった部分に撥液膜１１が残留し、電子線が照射された部分に着色層形成領域３４５…が形成される。
【００７８】
更に、図１３（ａ）に示すように、インクジェット法（液体吐出法）を用いて膜形成工程が施され、着色層形成領域３４５…に着色層３０６…が形成される。ここで、インクジェットヘッド３６０に、赤色の顔料をアクリル樹脂と共に有機溶剤に溶解して調製した赤色の着色インクを充填し、インクジェットヘッド３６０の吐出ノズル３６１を着色層形成領域３４５…対向させて、インクジェットヘッド３６０と基板３０２とを相対移動させながら、吐出ノズル３６１から赤色の着色インクを、１滴当たりの液量が制御された着色インク滴として吐出し、この着色インク滴を着色層形成領域３４５に吐出する。
ここで用いる着色インクとしては、例えば、ポリウレタンオリゴマーあるいはポリメチルメタクリレートオリゴマーに赤色の無機顔料を分散させた後、低沸点溶剤としてシクロヘキサノン及び酢酸ブチルを、高沸点溶剤としてブチルカルビトールアセテートを加え、更に非イオン系界面活性剤を分散剤として添加し、粘度を所定の範囲に調整したものを用いる。吐出後の着色インクを熱処理等により乾燥させて、図１３（ｂ）に示す赤色の着色層３０６Ｒが形成される。
【００７９】
次に、図１３（ａ）及び図１３（ｂ）と同様に、緑色及び青色の着色インクを着色層形成領域３４５に吐出し、熱処理等により乾燥させて、図１３（ｃ）に示す緑色の着色層３０６Ｇ、青色の着色層３０６Ｂが形成される。
最後に、図１０に示すように、着色層３０６…を覆う樹脂製のオーバーコート層３０７がスピンコート法等により形成される。
【００８０】
上述したように、カラーフィルタの製造方法によれば、着色層を図１から図３に示す上記実施形態の成膜方法によって設けているので、製造コストが製造コストが低いカラーフィルタを提供することが可能となる。
【００８１】
なお、本実施形態に示したカラーフィルタの着色層３０６…の配置は、図１４に示すように各種の配置のパターンを採用することができる。例えば図１４（ａ）に示すようなストライプ配置や、図１４（ｂ）に示すようなモザイク配置や、図１４（ｃ）に示すようなデルタ配置とすることができる。
【００８２】
（第５実施形態）
図１５は、上記第４実施形態のカラーフィルタを用いた半透過反射型のＴＦＤ型（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｄｉｏｄｅ  型）の液晶装置（表示装置）４００の分解斜視図である。
この実施形態の液晶装置４００に、液晶駆動用ＩＣ、電気信号を伝達するための配線類、支持体などの付帯要素を装着することによって、最終製品としての透過型の液晶装置が構成される。
この液晶装置４００は、カラーフィルタとして第４実施形態で説明したカラーフィルタ３００を備えており、カラーフィルタ３００を下側（観測者側と反対側）に配置し、アクティブ素子基板４３８を上側（観測者側）に配置したものである。なお、本実施形態においてはカラーフィルタ３００について簡略的に説明することとする。
【００８３】
図１５に示すように、この液晶装置４００は、アクティブマトリクス式のＴＦＤ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｄｉｏｄｅ）型の液晶装置であり、カラーフィルタ３００とアクティブ素子基板４３８が所定の間隔で対向配置され、その間には図示略の液晶が介在されている。
アクティブ素子基板４３８は、ガラス等からなる透明基板４３０の下面にマトリックス状に例えばＩＴＯ等の透明電極からなる複数の画素電極４３２、及び画素電極４３２を制御するＴＦＤ素子４３６が設けられている。ＴＦＤ素子４３６は画素電極４３２の一隅に配設されている。またＴＦＤ素子４３６は走査線４３４に接続され、操作信号と後述するデータ線（対向電極）４２２に印加された信号に基づき、液晶を表示、非表示状態または中間状態に切り替えることが可能になっている。
【００８４】
カラーフィルタ３００は、図１２に示したものが採用される。オーバーコート層３０７上には、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）から成りデータ線をなす短冊状の電極（対向電極）４２２が形成されている。
また、カラーフィルタ３００の他面（換言すると液晶層側の反対面）には金属膜から成る反射層４０９がほぼ全面にわたって形成されている。さらに、各着着色層３０６…の中心付近における反射層４０９には矩形状の小さな窓４０９ａが形成され、カラーフィルタ３００の外側に配設された光源（バックライト）４７０からの光がアクティブ素子基板４３８側へ透過するようになっている。つまり、この液晶装置４００は、各着着色層３０６…の周縁部近傍では反射層４０９による反射表示を行い、その中心部では窓４０９ａによる透過表示を行うようになっている。
各着色層３０６…は、アクティブ素子基板４３８の画素電極４３２に対向した位置にマトリクス状に形成され、青色の着色層（図示「Ｂ」）３０６Ｂ、緑色の着色層（図示「Ｇ」）３０６Ｇ、赤色の着色層（図示「Ｒ」）３０６Ｒから構成されている。
この液晶装置４００によれば、上記実施形態のカラーフィルタを備えているので、製造コストが低い液晶装置を提供することが可能となる。
【００８５】
（第６実施形態）
図１６は、上記第４実施形態のカラーフィルタを用いた透過型のＴＦＴ型（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ  型）の液晶装置（表示装置）５００の分解斜視図である。
この実施形態の液晶装置５００に、液晶駆動用ＩＣ、電気信号を伝達するための配線類、支持体などの付帯要素を装着することによって、最終製品としての透過型液晶装置が構成される。
この液晶装置５００は、カラーフィルタとして第４実施形態で説明したカラーフィルタ３００を備えており、カラーフィルタ３００を上側（観測者側）に配置し、アクティブ素子基板５０１を下側に配置したものである。
【００８６】
この実施形態の液晶装置５００は、互いに対向するように配置されたカラーフィルタ３００及びアクティブ素子基板５０１と、これらの間に挟持された図示略の液晶層と、カラーフィルタ３００の上面側（観測者側）に付設された偏光板５１６と、アクティブ素子基板５０１の下面側に付設された図示略の偏光板と、アクティブ素子基板５０１の下側に設けられた照明装置（バックライト）５７０を主体として構成されている。
アクティブ素子基板５０１はカラーフィルタ３００の反対側、換言すると裏側に設けられる基板である。
カラーフィルタ３００は、オーバーコート層３０７を備えており、オーバーコート層３０７の下側（液晶層側）にＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）などの透明導電材料からなる液晶駆動用電極５１８がオーバーコート層３０７の略全面にわたって形成されている。
なお、実際の液晶装置においては電極４１８を覆って液晶層側に配向膜が設けられるが、図１６では省略してあるとともに、反対側のアクティブ素子基板５０１側の後述する電極４３２上にも配向膜が設けられるが、図１６では省略し、配向膜の説明も省略する。
【００８７】
アクティブ素子基板５０１は、光透過性基板５１４上に絶縁層５２５が形成され、さらにこの絶縁層５２５の上に、ＴＦＴ型のスイッチング素子としての薄膜トランジスタＴと画素電極５３２が形成されてなるものである。また、絶縁層５２５上には、マトリクス状に走査線５５１…と信号線５５２…とが形成され、これら走査線５５１…と信号線５５２…とに囲まれた領域毎に画素電極５３２が設けられ、各画素電極５３２のコーナ部分と走査線５５１と信号線５５２との間の部分に薄膜トランジスタＴが組み込まれており、走査線５５１と信号線５５２に対する信号の印加によって薄膜トランジスタＴをオン・オフして画素電極５３２への通電制御を行うことができるように構成されている。また、対向側のカラーフィルタ３００側に形成された電極５１８はこの実施形態では画素電極形成領域全体をカバーする全面電極とされている。
この液晶装置５００によれば、上記実施形態のカラーフィルタを備えているので、製造コストが低い液晶装置を提供することが可能となる。
【００８８】
なお、第５と第６の実施形態においては、本発明のカラーフィルタを半透過反射型のアクティブマトリクス方式の液晶装置や透過型のアクティブマトリクス方式の液晶装置に備えた場合について説明したが、反射型の液晶装置に備えた場合も同様に本発明の効果が得られる。
【００８９】
（第７実施形態）
図１７は、上記第４実施形態のカラーフィルタを用いたプラズマ型表示装置（表示装置）６００の分解斜視図であり、図１８は、同装置の基本原理構成図である。
この実施形態の表示装置６００は、カラーフィルタとして第３の実施形態で説明したカラーフィルタ３００を備えており、カラーフィルタ３００を観察者側に配置したものである。表示装置６００は、互いに対向して配置されたガラス基板６０１とカラーフィルタ３００と、これらの間に形成された放電表示部６１０とから概略構成される。
【００９０】
放電表示部６１０は、複数の放電室６１６が縦横に整列形成されてなり、複数の放電室６１６のうち、３つの放電室６１６が対になって１画素を構成するように配置されている。従って先のカラーフィルタ３００の各着色層３０６に対応するように各放電室６１６が配置される。
【００９１】
前記ガラス基板６０１の上面には所定の間隔でストライプ状にアドレス電極６１１が形成され、それらアドレス電極６１１と基板６０１の上面とを覆うように誘電体層６１９が形成され、更に誘電体層６１９上においてアドレス電極６１１、６１１間に位置して各アドレス電極６１１に沿うように隔壁６１５が複数形成されている。なお、隔壁６１５においてはその長手方向の所定位置においてアドレス電極６１１と直交する方向にも所定の間隔で仕切られており（図示略）、基本的にはアドレス電極６１１の幅方向左右両側に隣接する隔壁と、アドレス電極６１１と直交する方向に延設された隔壁により仕切られる長方形状の領域が形成され、これら長方形状の領域に対応するように放電室５１６が形成され、これら長方形状の領域が３つ対になって１画素が構成される。また、隔壁６１５で区画される長方形状の領域の内側には蛍光体６１７が形成されている。
【００９２】
次に、前記カラーフィルタ３００側には、先のアドレス電極６１１と直交する方向に複数の表示電極６１２がストライプ状に所定の間隔で形成され、これらを覆って誘電体層６１３が形成され、更にＭｇＯなどからなる保護膜６１４が形成されている。なお、カラーフィルタ３００の構造であるが、先に説明した第３実施形態のカラーフィルタ３００に対して着色層３０６の平面形状や面積については異なっているが、着色層の膜厚の関係や配置関係、隔壁部にて区画された構造など、同等の構造とされているので詳しい説明を省略する。
【００９３】
そして、上記基板６０１とカラーフィルタ３００が、上記アドレス電極６１１・・・と表示電極６１２・・・を互いに直交させるように対向させて相互に貼り合わされ、基板６０１と隔壁６１５とカラーフィルタ３００側に形成されている保護膜６１４とで囲まれる空間部分を排気して希ガスを封入することで放電室６１６が形成されている。なお、カラーフィルタ３００側に形成される表示電極６１２は各放電室６１６に対して２本ずつ配置するように形成されている。また、図１８はプラズマ型表示装置の基本構成原理図であるので、放電室６１６を挟んで対向されるアドレス電極６１１と表示電極６１２を図面で把握し易いように平行に配置しているが、これらの電極は実際の装置では図１７に示すように９０度に交差するように配置されている。
【００９４】
また、アドレス電極６１１と表示電極６１２は図示略の電源に接続され、各電極に通電することで必要な位置の放電表示部６１０において蛍光体を励起発光させて白色発光させ、この発光がカラーフィルタ３００を透過して着色される。この着色光が他の画素からの着色光と混合し、最終的に画像が形成される。
この表示装置６００によれば、上記実施形態のカラーフィルタを備えているので、製造コストが低い表示装置を提供することが可能となる。
【００９５】
（第８実施形態）
上記実施形態の電気光学装置及び表示装置を備えた電子機器の例について説明する。
図１９は、携帯電話の一例を示した斜視図である。図１９において、符号１０００は携帯電話本体を示し、符号１００１は上記カラーフィルタを用いた表示部（表示装置）を示している。
【００９６】
図２０は、腕時計型電子機器の一例を示した斜視図である。図２０において、符号１１００は時計本体を示し、符号１１０１は上記カラーフィルタを用いた表示部（表示装置）を示している。
【００９７】
図２１は、ワープロ、パソコンなどの携帯型情報処理装置の一例を示した斜視図である。図２１において、符号１２００は情報処理装置、符号１２０２はキーボードなどの入力部、符号１２０４は情報処理装置本体、符号１２０６は上記カラーフィルタを用いた表示部（表示装置）を示している。
【００９８】
図１９から図２１に示す電子機器は、上記実施形態の光学素子を備えているので良好に画像表示することができ、製造コストを低減することができると共に、製造期間を短縮することができる。
【００９９】
なお、本発明の技術範囲は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能であり、実施形態で挙げた具体的な材料や層構成などはほんの一例に過ぎず、適宜変更が可能である。
【０１００】
また、上記実施形態では、本発明に係る成膜方法を用いて電気光学装置及びカラーフィルタを製造する方法について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば、本発明に係る成膜方法を用いて半導体素子などを良好に製造することも可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態の成膜方法を説明するための基板の模式断面図。
【図２】スリットコート方式の塗布方法を示す模式断面図。
【図３】ＥＢ露光を行う電子線照射装置の斜視図。
【図４】ＥＢ露光を行う電子線描画装置の模式断面図。
【図５】本発明の実施形態の有機ＥＬ表示装置を説明するための回路図。
【図６】有機ＥＬ表示装置の画素部の平面構造を示す拡大平面図。
【図７】有機ＥＬ表示装置の製造方法を説明するための要部側断面図。
【図８】有機ＥＬ表示装置の製造方法を説明するための要部側断面図。
【図９】有機ＥＬ表示装置の製造方法を説明するための要部側断面図。
【図１０】本発明の実施形態のカラーフィルタを説明するための断面図。
【図１１】本発明の実施形態のカラーフィルタを説明するための平面図。
【図１２】カラーフィルタの製造方法を説明するための要部側断面図。
【図１３】カラーフィルタの製造方法を説明するための要部側断面図。
【図１４】カラーフィルタの着色部の配置を示す平面模式図。
【図１５】本発明の実施形態の半透過反射型液晶装置の斜視図。
【図１６】本発明の実施形態のＴＦＴ型液晶装置の斜視図。
【図１７】本発明の実施形態のプラズマ型表示装置の斜視図。
【図１８】本発明の実施形態のプラズマ型表示装置の基本原理構成図。
【図１９】本実施形態の光学素子を備えた電子機器の一例を示す図。
【図２０】本実施形態の光学素子を備えた電子機器の一例を示す図。
【図２１】本実施形態の光学素子を備えた電子機器の一例を示す図。
【符号の説明】
１０、１２１、３０２  基板、１０ａ  被処理面、１１  撥液膜、１２  親液部、２２  液状材料、１４  膜、５７  電子線、１３  マスク、１４１  画素電極（一方の電極）、７０  有機ＥＬ表示装置（電気光学装置）、３００  カラーフィルタ、３０６  着色部、４００、５００、６００  表示装置、１０００、１１００、１２００  電子機器
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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