(57)【要約】【課題】追記型の光記録媒体に対し、記録線速度を非常に高く設定して情報を記録する場合に好適な情報記録方法を提供する。【解決手段】基板上に設けられた記録層を有する追記型の光記録媒体の記録層に対し、少なくとも記録パワー及び基底パワーに強度変調されたレーザビームを照射することによって記録層を物理的及び／又は化学的に変化させ、これによって記録層の所定の領域に記録マークを形成する情報記録方法であって、少なくとも一つの長さの記録マークの形成において、記録線速度が高いほど前記記録パワーからなるパルス数を少なく設定する。これにより、記録線速度が比較的低い場合にはクロストークを抑制することができるとともに、記録線速度が比較的高い場合には必要な記録パワーのレベルを抑制することが可能となる。このため、低出力の半導体レーザを使用することが可能となる。【選択図】　　　　　図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に設けられた記録層を有する追記型の光記録媒体の前記記録層に対し、少なくとも記録パワー及び基底パワーに強度変調されたレーザビームを照射することによって前記記録層を物理的及び／又は化学的に変化させ、これによって前記記録層の所定の領域に記録マークを形成する情報記録方法であって、少なくとも一つの長さの記録マークの形成において、記録線速度が高いほど前記記録パワーからなるパルス数を少なく設定することを特徴とする情報記録方法。
【請求項２】
記録線速度ＶＨで記録を行う場合、全ての記録マークの形成において前記パルス数を１に設定することを特徴とする請求項１に記載の情報記録方法。
【請求項３】
前記記録線速度ＶＨよりも低い記録線速度ＶＭで記録を行う場合、最短記録マークを含む第１の群に属する記録マークの形成においては前記パルス数を１に設定し、最長記録マークを含む第２の群に属する記録マークの形成においては前記パルス数を２以上に設定することを特徴とする請求項２に記載の情報記録方法。
【請求項４】
前記第１の群に属する記録マークのうち最も長い記録マークが、前記第２の群に属する記録マークのうち最も短い記録マークよりも短いことを特徴とする請求項３に記載の情報記録方法。
【請求項５】
記録線速度が高いほど、前記第１の群に属する記録マークのうち最も長い記録マークを前記最長記録マーク側に設定することを特徴とする請求項３または４に記載の情報記録方法。
【請求項６】
前記記録線速度ＶＭよりも低い記録線速度ＶＬで記録を行う場合、全ての記録マークの形成において、前記記録マークの長さを表す数と前記パルス数との差を一定に設定することを特徴とする請求項３乃至５のいずれか１項に記載の情報記録方法。
【請求項７】
前記記録線速度ＶＨが１０ｍ／ｓ以上であることを特徴とする請求項２乃至６のいずれか１項に記載の情報記録方法。
【請求項８】
記録線速度が高いほど前記基底パワーを高く設定することを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の情報記録方法。
【請求項９】
記録線速度が高いほど、前記基底パワーと前記記録パワーとの比（基底パワー／記録パワー）を高く設定することを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の情報記録方法。
【請求項１０】
前記レーザビームの波長をλとし、前記レーザビームを集光するための対物レンズの開口数をＮＡとした場合に
λ／ＮＡ　≦　６４０ｎｍ
の条件を満たすことを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載の情報記録方法。
【請求項１１】
前記レーザビームの波長λが４５０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１０に記載の情報記録方法。
【請求項１２】
前記記録層が複数の反応層の積層体からなり、前記記録層から見て前記基板とは反対側に設けられた光透過層を介して前記レーザビームを照射し、これによって前記複数の反応層に含まれる元素を混合させて前記記録マークを形成することを特徴とする請求項１乃至１１のいずれか１項に記載の情報記録方法。
【請求項１３】
基板上に設けられた記録層を有する追記型の光記録媒体の前記記録層に対し、少なくとも記録パワー及び基底パワーに強度変調されたレーザビームを照射することによって前記記録層を物理的及び／又は化学的に変化させ、これによって前記記録層の所定の領域に記録マークを形成する情報記録方法であって、記録線速度を１０ｍ／ｓ以上に設定して記録マークの形成を行う場合、全ての記録マークの形成において前記記録パワーからなるパルス数を１に設定することを特徴とする情報記録方法。
【請求項１４】
基板上に設けられた記録層を有する追記型の光記録媒体の前記記録層に対し、少なくとも記録パワー及び基底パワーに強度変調されたレーザビームを照射することによって前記記録層を物理的及び／又は化学的に変化させ、これによって前記記録層の所定の領域に記録マークを形成する情報記録方法であって、少なくとも一つの長さの記録マークの形成において、前記光記録媒体のトラックピッチＴＰと前記レーザビームのスポット径Ｄとの比（ＴＰ／Ｄ）が大きいほど、前記記録パワーからなるパルス数を少なく設定することを特徴とする情報記録方法。
【請求項１５】
基板上に設けられた記録層を有する追記型の光記録媒体の前記記録層に対し、少なくとも記録パワー及び基底パワーに強度変調されたレーザビームを照射することによって前記記録層を物理的及び／又は化学的に変化させ、これによって前記記録層の所定の領域に記録マークを形成する情報記録装置であって、少なくとも一つの長さの記録マークの形成において、記録線速度が高いほど前記記録パワーからなるパルス数を少なく設定することを特徴とする情報記録装置。
【請求項１６】
基板上に設けられた記録層を有する追記型の光記録媒体の前記記録層に対し、少なくとも記録パワー及び基底パワーに強度変調されたレーザビームを照射することによって前記記録層を物理的及び／又は化学的に変化させ、これによって前記記録層の所定の領域に記録マークを形成する情報記録装置であって、記録線速度を１０ｍ／ｓ以上に設定して記録マークの形成を行う場合、全ての記録マークの形成において前記記録パワーからなるパルス数を１に設定することを特徴とする情報記録装置。
【請求項１７】
基板と、前記基板上に設けられた記録層とを有し、前記記録層に対して少なくとも記録パワー及び第１の基底パワーに強度変調されたレーザビームを照射することによって前記記録層を物理的及び／又は化学的に変化させ、これによって前記記録層の所定の領域に記録マークを形成可能な追記型の光記録媒体であって、少なくとも一つの長さの記録マークの形成において、記録線速度が高いほど前記記録パワーからなるパルス数を少なく設定して前記記録マークを形成するために必要な設定情報を有していることを特徴とする光記録媒体。
【請求項１８】
基板と、前記基板上に設けられた記録層とを有し、前記記録層に対して少なくとも記録パワー及び第１の基底パワーに強度変調されたレーザビームを照射することによって前記記録層を物理的及び／又は化学的に変化させ、これによって前記記録層の所定の領域に記録マークを形成可能な追記型の光記録媒体であって、記録線速度を１０ｍ／ｓ以上に設定し、且つ、全ての記録マークの形成において前記記録パワーからなるパルス数を１に設定して前記記録マークを形成するために必要な設定情報を有していることを特徴とする光記録媒体。
【請求項１９】
前記記録層から見て前記基板とは反対側に設けられた光透過層をさらに有するとともに、前記記録層が複数の反応層の積層体からなり、前記光透過層側から照射されるレーザビームによって前記複数の反応層に含まれる元素の混合が可能であることを特徴とする請求項１７または１８に記載の光記録媒体。
【請求項２０】
前記光透過層の厚さが１０〜３００μｍであることを特徴とする請求項１９に記載の光記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光記録媒体への情報記録方法に関し、特に、追記型の光記録媒体への情報記録方法に関する。また、本発明は、光記録媒体に情報を記録するための情報記録装置に関し、特に、追記型の光記録媒体に情報を記録するための情報記録装置に関する。さらに、本発明は、光記録媒体に関し、特に、追記型の光記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、デジタルデータを記録するための記録媒体として、ＣＤやＤＶＤに代表される光記録媒体が広く利用されている。これらの光記録媒体は、ＣＤ−ＲＯＭやＤＶＤ−ＲＯＭのようにデータの追記や書き換えができないタイプの光記録媒体（ＲＯＭ型光記録媒体）と、ＣＤ−ＲやＤＶＤ−Ｒのようにデータの追記はできるがデータの書き換えができないタイプの光記録媒体（追記型光記録媒体）と、ＣＤ−ＲＷやＤＶＤ−ＲＷのようにデータの書き換えが可能なタイプの光記録媒体（書き換え型光記録媒体）とに大別することができる。
【０００３】
広く知られているように、ＲＯＭ型光記録媒体においては、製造段階において基板に形成されるプリピットによりデータが記録されることが一般的であり、書き換え型光記録媒体においては、例えば、記録層の材料として相変化材料が用られ、その相状態の変化に基づく光学特性の変化を利用してデータが記録されることが一般的である。
【０００４】
これに対し、追記型光記録媒体においては、記録層の材料としてシアニン系色素、フタロシアニン系色素、アゾ色素等の有機色素が用いられ、その不可逆的な化学的変化（場合によっては化学的変化に加えて物理的変形を伴うことがある）に基づく光学特性の変化を利用してデータが記録されることが一般的である。また、記録層として複数の反応層を積層したタイプの追記型光記録媒体も知られており（特開昭６２−２０４４４２号公報参照）、このようなタイプの光記録媒体に対してデータを記録する場合、記録層の所定の領域にレーザビームを照射することによってこれら複数の反応層を構成する元素を混合させる。かかる混合部分は、未混合部分とは異なる光学特性が得られることから、これを記録マークとして用いることが可能となる。ここで、記録マークを形成するために照射するレーザビームの最適な強度変調方法は、一般的に「パルス列パターン」或いは「記録ストラテジ」等と呼ばれるが、本明細書においては「パルス列パターン」と称する。
【０００５】
図８は、有機色素を用いたＣＤ−Ｒに対してデータを記録する場合の代表的なパルス列パターンを示す図であり、ＥＦＭ変調方式における３Ｔ信号〜１１Ｔ信号を記録する場合のパルス列パターンを示している。
【０００６】
図８に示すように、ＣＤ−Ｒに対してデータを記録する場合、形成すべき記録マーク（ピット）Ｍの長さに相当する幅の記録パルスが用いられることが一般的である（特開２０００−１８７８４２号公報参照）。すなわち、レーザビームの強度は、記録マークＭを形成しない領域（ブランク領域）において基底パワー（Ｐｂ）に固定され、記録マークＭを形成すべき領域において記録パワー（Ｐｗ）に固定される。これにより、記録マークＭを形成すべき領域においては、記録層に含まれる有機色素が分解・変質し、場合によっては記録層の当該領域が変形することによって記録マークＭが形成される。本明細書においては、このようなパルス列パターンを「単パルスパターン」と称する。
【０００７】
図９は、有機色素を用いたＤＶＤ−Ｒに対してデータを記録する場合の代表的なパルス列パターンを示す図であり、８／１６変調方式における７Ｔ信号を記録する場合のパルス列パターンを示している。
【０００８】
ＤＶＤ−Ｒに対してはＣＤ−Ｒと比べて高い記録線速度でデータの記録が行われることから、ＣＤ−Ｒに対してデータを記録する場合のように記録マーク（ピット）Ｍの長さに相当する幅の記録パルスを用いると、形成される記録マーク（ピット）Ｍの形状を良好とすることが困難である。このため、ＤＶＤ−Ｒに対してデータを記録する場合には、図９に示すように、形成すべき一つの記録マークに対し、その長さに応じた数に分割されたパルス列を用いた記録が行われる。具体的には、ｎＴ（ｎは、８／１６変調方式においては３〜１１及び１４の整数である）信号を形成するためにｎ−２個の分割パルスを用い、レーザビームの強度を分割パルスのピークにおいて記録パワー（Ｐｗ）、その他は基底パワー（Ｐｂ）に設定される。本明細書においては、このようなパルス列パターンを「基本パルス列パターン」と称する。
【０００９】
また、図９に示すように、基本パルス列パターンにおいては、基底パワー（Ｐｂ）のレベルは、データ再生に用いられる再生パワー（Ｐｒ）と等しいかこれに近いレベルに設定されている。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
一方、近年、データの記録密度が高められ、且つ、非常に高いデータ転送レートを実現可能な次世代型の光記録媒体が提案されている。このような次世代型の光記録媒体においては、高データ転送レートを実現するため記録線速度が従来の光記録媒体に比べて非常に高く設定されるが、一般に、追記型の光記録媒体において記録マークの形成に必要な記録パワー（Ｐｗ）は記録線速度の平方根に略比例することから、次世代型の光記録媒体に対するデータの記録においては、高出力の半導体レーザが必要とされる。また、次世代型の光記録媒体に対するデータの記録においては、レーザビームのビームスポット径を非常に小さく絞らなければならず、ビームスポット径を小さく絞るためには、レーザビームの波長（λ）とレーザビームを集束するための対物レンズの開口数（ＮＡ）との比（λ／ＮＡ）を６４０ｎｍ以下、例えば、開口数（ＮＡ）を０．７以上、特に、０．８５程度まで大きくするとともに、レーザビームの波長λを４５０ｎｍ以下、特に４０５ｎｍ程度まで短くする必要がある。
【００１１】
しかしながら、現状では、このような短波長のレーザビームを生成する半導体レーザは、波長λ＝７８０ｎｍ或いは６５０ｎｍのレーザビームを生成するＣＤ用或いはＤＶＤ用の半導体レーザと比べて高出力化が困難であり、また、高出力型の半導体レーザは比較的高価である。このため、上記基本パルス列パターンを用いた場合、データ転送レートを高めるために高価な半導体レーザを使用する必要が生じるとともに、場合によっては、目的とするデータ転送レートを実現できないおそれがあることが明らかとなった。
【００１２】
このような問題を解決するためには、図８に示した単パルスパターンを用いることによって、記録マーク形成時に投入する総熱量を高めることが有効であると考えられるが、この場合、記録線速度によっては投入する総熱量が過剰となり、記録マークの幅（トラックに対して垂直な方向における長さ）が広がってクロストークが増大してしまう。単パルスパターンの使用による記録マークの幅の広がりは、長い記録マークほど顕著である。
【００１３】
以上のような問題は、記録層が複数の反応層の積層体からなるタイプの追記型光記録媒体において特に顕著である。
【００１４】
したがって、本発明の目的は、追記型の光記録媒体に対し、記録線速度を非常に高く設定して情報を記録する場合に好適な情報記録方法を提供することである。
【００１５】
また、本発明の他の目的は、記録層が積層された複数の反応層からなるタイプの光記録媒体に適した情報記録方法を提供することである。
【００１６】
また、本発明のさらに他の目的は、追記型の光記録媒体に情報を記録するための情報記録装置であって、記録線速度を非常に高く設定して情報を記録することが可能な情報記録装置を提供することである。
【００１７】
また、本発明のさらに他の目的は、記録層が積層された複数の反応層からなるタイプの光記録媒体に情報を記録するための情報記録装置であって、良好な形状の記録マークを形成することが可能な情報記録装置を提供することである。
【００１８】
また、本発明のさらに他の目的は、追記型の光記録媒体であって、記録線速度を非常に高く設定して情報を記録することが可能な光記録媒体を提供することである。
【００１９】
また、本発明のさらに他の目的は、記録層が積層された複数の反応層からなる光記録媒体であって、良好な形状の記録マークを形成することが可能な光記録媒体を提供することである。
【００２０】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、追記型の光記録媒体、特に、記録層が積層された複数の反応層からなるタイプの光記録媒体に対して、より低い記録パワー（Ｐｗ）を用いた記録マークの形成が可能であり、且つ、クロストークを抑制可能な情報記録方法について研究を重ねた結果、記録線速度に応じて記録パワー（Ｐｗ）のパルス数を適宜変化させることより、クロストークが大きくなりやすい記録線速度においてはこれが抑制され、高い記録パワー（Ｐｗ）が必要な記録線速度においてはこれが低減されることを見いだした。
【００２１】
本発明は、このような技術的知見に基づきなされたものであって、基板上に設けられた記録層を有する追記型の光記録媒体の前記記録層に対し、少なくとも記録パワー及び基底パワーに強度変調されたレーザビームを照射することによって前記記録層を物理的及び／又は化学的に変化させ、これによって前記記録層の所定の領域に記録マークを形成する情報記録方法であって、少なくとも一つの長さの記録マークの形成において、記録線速度が高いほど前記記録パワーからなるパルス数を少なく設定することを特徴とする。
【００２２】
本発明によれば、少なくとも一つの長さの記録マークの形成において、記録線速度が高いほど記録パワーからなるパルスの数を少なく設定していることから、記録線速度が比較的低い場合にはクロストークを抑制することができるとともに、記録線速度が比較的高い場合には必要な記録パワーのレベルを抑制することが可能となる。このため、クロストークを抑制しつつ、高い記録線速度で記録を行う場合と低い記録線速度で記録を行う場合とで、記録パワーを同じレベル或いは近いレベルに設定することが可能となるので、比較的安価な低出力である半導体レーザを使用することが可能となる。
【００２３】
本発明の好ましい実施態様においては、記録線速度ＶＨで記録を行う場合、全ての記録マークの形成において前記パルス数を１に設定する。
【００２４】
本発明のさらに好ましい実施態様においては、前記記録線速度ＶＨよりも低い記録線速度ＶＭで記録を行う場合、最短記録マークを含む第１の群に属する記録マークの形成においては前記パルス数を１に設定し、最長記録マークを含む第２の群に属する記録マークの形成においては前記パルス数を２以上に設定する。この場合、前記第１の群に属する記録マークのうち最も長い記録マークが、前記第２の群に属する記録マークのうち最も短い記録マークよりも短いことが好ましく、記録線速度が高いほど、前記第１の群に属する記録マークのうち最も長い記録マークを前記最長記録マーク側に設定することがより好ましい。
【００２５】
本発明のさらに好ましい実施態様においては、前記記録線速度ＶＭよりも低い記録線速度ＶＬで記録を行う場合、全ての記録マークの形成において、前記記録マークの長さを表す数と前記パルス数との差を一定に設定する。
【００２６】
本発明のさらに好ましい実施態様においては、前記記録線速度ＶＨが１０ｍ／ｓ以上である。
【００２７】
本発明のさらに好ましい実施態様においては、記録線速度が高いほど前記基底パワーを高く設定する。これによれば、記録線速度が高い場合において、必要な記録パワーのレベルをさらに抑制することが可能となる。
【００２８】
本発明のさらに好ましい実施態様においては、記録線速度が高いほど、前記基底パワーと前記記録パワーとの比（基底パワー／記録パワー）を高く設定する。これによれば、記録線速度が高い場合において、必要な記録パワーのレベルをさらに抑制することが可能となる。
【００２９】
本発明のさらに好ましい実施態様においては、前記レーザビームの波長をλとし、前記レーザビームを集光するための対物レンズの開口数をＮＡとした場合にλ／ＮＡ　≦　６４０ｎｍ
の条件を満たす。
【００３０】
本発明のさらに好ましい実施態様においては、前記レーザビームの波長λが４５０ｎｍ以下である。
【００３１】
本発明のさらに好ましい実施態様においては、前記記録層が複数の反応層の積層体からなり、前記記録層から見て前記基板とは反対側に設けられた光透過層を介して前記レーザビームを照射し、これによって前記複数の反応層に含まれる元素を混合させて前記記録マークを形成する。
【００３２】
本発明の前記目的はまた、基板上に設けられた記録層を有する追記型の光記録媒体の前記記録層に対し、少なくとも記録パワー及び基底パワーに強度変調されたレーザビームを照射することによって前記記録層を物理的及び／又は化学的に変化させ、これによって前記記録層の所定の領域に記録マークを形成する情報記録方法であって、記録線速度を１０ｍ／ｓ以上に設定して記録マークの形成を行う場合、全ての記録マークの形成において前記記録パワーからなるパルス数を１に設定することを特徴とする情報記録方法によって達成される。
【００３３】
本発明によれば、記録線速度を１０ｍ／ｓ以上に設定して記録マークの形成を行う場合であっても、必要な記録パワーのレベルを十分に抑制することが可能となる。
【００３４】
本発明の前記目的はまた、基板上に設けられた記録層を有する追記型の光記録媒体の前記記録層に対し、少なくとも記録パワー及び基底パワーに強度変調されたレーザビームを照射することによって前記記録層を物理的及び／又は化学的に変化させ、これによって前記記録層の所定の領域に記録マークを形成する情報記録方法であって、少なくとも一つの長さの記録マークの形成において、前記光記録媒体のトラックピッチＴＰと前記レーザビームのスポット径Ｄとの比（ＴＰ／Ｄ）が大きいほど、前記記録パワーからなるパルス数を少なく設定することを特徴とする情報記録方法によって達成される。
【００３５】
本発明によれば、トラックピッチＴＰとレーザビームのスポット径Ｄとの比（ＴＰ／Ｄ）が小さいためにクロストークが生じやすい場合にはこれを抑制することができるとともに、トラックピッチＴＰと前記レーザビームのスポット径Ｄとの比（ＴＰ／Ｄ）が大きいためにクロストークが生じにくい場合には、必要な記録パワーのレベルを抑制することが可能となる。
【００３６】
本発明の前記目的はまた、基板上に設けられた記録層を有する追記型の光記録媒体の前記記録層に対し、少なくとも記録パワー及び基底パワーに強度変調されたレーザビームを照射することによって前記記録層を物理的及び／又は化学的に変化させ、これによって前記記録層の所定の領域に記録マークを形成する情報記録装置であって、少なくとも一つの長さの記録マークの形成において、記録線速度が高いほど前記記録パワーからなるパルス数を少なく設定することを特徴とする情報記録装置によって達成される。
【００３７】
本発明の前記目的はまた、基板上に設けられた記録層を有する追記型の光記録媒体の前記記録層に対し、少なくとも記録パワー及び基底パワーに強度変調されたレーザビームを照射することによって前記記録層を物理的及び／又は化学的に変化させ、これによって前記記録層の所定の領域に記録マークを形成する情報記録装置であって、記録線速度を１０ｍ／ｓ以上に設定して記録マークの形成を行う場合、全ての記録マークの形成において前記記録パワーからなるパルス数を１に設定することを特徴とする情報記録装置によって達成される。
【００３８】
本発明の前記目的はまた、基板と、前記基板上に設けられた記録層とを有し、前記記録層に対して少なくとも記録パワー及び第１の基底パワーに強度変調されたレーザビームを照射することによって前記記録層を物理的及び／又は化学的に変化させ、これによって前記記録層の所定の領域に記録マークを形成可能な追記型の光記録媒体であって、少なくとも一つの長さの記録マークの形成において、記録線速度が高いほど前記記録パワーからなるパルス数を少なく設定して前記記録マークを形成するために必要な設定情報を有していることを特徴とする光記録媒体によって達成される。
【００３９】
本発明の前記目的はまた、基板と、前記基板上に設けられた記録層とを有し、前記記録層に対して少なくとも記録パワー及び第１の基底パワーに強度変調されたレーザビームを照射することによって前記記録層を物理的及び／又は化学的に変化させ、これによって前記記録層の所定の領域に記録マークを形成可能な追記型の光記録媒体であって、記録線速度を１０ｍ／ｓ以上に設定し、且つ、全ての記録マークの形成において前記記録パワーからなるパルス数を１に設定して前記記録マークを形成するために必要な設定情報を有していることを特徴とする光記録媒体によって達成される。
【００４０】
本発明の好ましい実施態様においては、前記記録層から見て前記基板とは反対側に設けられた光透過層をさらに有するとともに、前記記録層が複数の反応層の積層体からなり、前記光透過層側から照射されるレーザビームによって前記複数の反応層に含まれる元素の混合が可能である。
【００４１】
本発明のさらに好ましい実施態様においては、前記光透過層の厚さが１０〜３００μｍである。
【００４２】
【発明の実施の形態】
以下、添付図面を参照しながら、本発明の好ましい実施態様について詳細に説明する。
【００４３】
図１は、本発明の好ましい実施態様にかかる光記録媒体１０の構造を概略的に示す断面図である。
【００４４】
図１に示すように、本実施態様にかかる光記録媒体１０は追記型の光記録媒体であり、基板１１と、基板１１上に設けられた反射層１２と、反射層１２上に設けられた第２の誘電体層１３と、第２の誘電体層１３上に設けられた記録層１４と、記録層１４上に設けられた第１の誘電体層１５と、第１の誘電体層１５上に設けられた光透過層１６によって構成され、光記録媒体１０の中央部分には孔１７が設けられている。このような構造を有する光記録媒体１０に対しては、光透過層１６側からレーザビームを照射することによってデータの記録／再生が行われる。
【００４５】
基板１１は、光記録媒体１０に求められる機械的強度を確保するための基体としての役割を果たし、その表面にはグルーブ１１ａ及びランド１１ｂが設けられている。これらグルーブ１１ａ及び／又はランド１１ｂは、データの記録及び再生を行う場合におけるレーザビームのガイドトラックとしての役割を果たす。基板１１の厚さは約１．１ｍｍに設定され、その材料としては種々の材料を用いることが可能であり、例えば、ガラス、セラミックス、あるいは樹脂を用いることができる。これらのうち、成形の容易性の観点から樹脂が好ましい。このような樹脂としてはポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、シリコーン樹脂、フッ素系樹脂、ＡＢＳ樹脂、ウレタン樹脂等が挙げられる。中でも、加工性などの点からポリカーボネート樹脂が特に好ましい。
【００４６】
反射層１２は、光透過層１６側から入射されるレーザビームを反射し、再び光透過層１６から出射させる役割を果たし、その厚さとしては１０〜３００ｎｍに設定することが好ましく、２０〜２００ｎｍに設定することが特に好ましい。反射層１２の材料はレーザビームを反射可能である限り特に制限されず、例えば、Ｍｇ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ａｇ、Ｐｔ、Ａｕ等を用いることができる。これらのうち、高い反射率を有することから、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ又はこれらの合金（ＡｌとＴｉとの合金等）などの金属材料を用いることが好ましい。本発明において、光記録媒体に反射層１２を設けることは必須でないが、これを設ければ、光記録後において多重干渉効果により高い再生信号（Ｃ／Ｎ比）が得られやすくなる。
【００４７】
第１の誘電体層１５及び第２の誘電体層１３は、これらの間に設けられる記録層１４を保護する役割を果たし、記録層１４はこれら第１の誘電体層１５及び第２の誘電体層１３に挟持されることにより、光記録後、長期間にわたって記録情報の劣化が効果的に防止される。また、第２の誘電体層１３は、基板１１等の熱変形を防止する効果があり、これによってジッター等の特性が良好となる。
【００４８】
第１の誘電体層１５及び第２の誘電体層１３の構成材料は、透明な誘電体であれば特に限定されず、例えば、酸化物、硫化物、窒化物又はこれらの組み合わせを主成分として用いることができる。より具体的には、基板１１等の熱変形防止、並びに、記録層１４の保護の観点から、第１の誘電体層１５及び第２の誘電体層１３が、Ａｌ２Ｏ３、ＡｌＮ、ＺｎＯ、ＺｎＳ、ＧｅＮ、ＧｅＣｒＮ、ＣｅＯ、ＳｉＯ、ＳｉＯ２、ＳｉＮ及びＳｉＣからなる群より選択される少なくとも１種の誘電体を主成分とすることが好ましく、ＺｎＳ・ＳｉＯ２からなる誘電体を主成分とすることがより好ましい。第１の誘電体層１５と第２の誘電体層１３は、互いに同じ構成材料で構成されてもよいが、異なる構成材料で構成されてもよい。さらに、第１の誘電体層１５及び第２の誘電体層１３の少なくとも一方が、複数の誘電体膜からなる多層構造であっても構わない。
【００４９】
なお、「誘電体を主成分とする」とは、第１の誘電体層１５及び第２の誘電体層１３中において、上記誘電体の含有率が最も大きいことを言う。また、「ＺｎＳ・ＳｉＯ２」とは、ＺｎＳとＳｉＯ２との混合物を意味する。
【００５０】
また、第１の誘電体層１５及び第２の誘電体層１３の層厚は特に限定されないが、３〜２００ｎｍであることが好ましい。この層厚が３ｎｍ未満であると、上述した効果が得られにくくなる。一方、層厚が２００ｎｍを超えると、成膜時間が長くなり生産性が低下するおそれがあり、さらに、第１の誘電体層１５及び第２の誘電体層１３のもつ応力によってクラックが発生するおそれがある。
【００５１】
記録層１４は記録マークが形成される層であり、第１の反応層３１及びこれに隣接して設けられた第２の反応層３２からなる。第２の反応層３２は基板１１側に配置され、第１の反応層３１は光透過層１６側に配置されている。記録層１４のうち未記録状態である領域は、図２（ａ）に示すように第１の反応層３１と第２の反応層３２が積層された状態となっているが、所定以上のパワーを持つレーザビームが照射されると、その熱によって、図２（ｂ）に示すように第１の反応層３１を構成する元素及び第２の反応層３２を構成する元素がそれぞれ部分的又は全体的に拡散し、混合されて記録マークＭとなる。このとき、記録層において記録マークＭの形成された混合部分とそれ以外の部分とでは再生光に対する反射率が大きく異なるため、これを利用してデータの記録・再生を行うことができる。
【００５２】
ここで、第１の反応層３１及び第２の反応層３２は、Ａｌ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｃ、Ｓｎ、Ａｕ、Ｚｎ、Ｃｕ、Ｂ、Ｍｇ、Ｔｉ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｇａ、Ｚｒ、Ａｇ及びＰｔからなる群より選ばれた互いに異なる元素を主成分とする。第１の反応層３１及び第２の反応層３２の材料としてこのような元素を主成分とする材料を用いることにより、環境負荷を抑制することができるとともに、長期間の保存に対する信頼性を高めることが可能となる。
【００５３】
また、第１の反応層３１及び第２の反応層３２には、再生信号のノイズレベルをより低く抑えるために、主成分となる元素に加えて他の元素を添加することが好ましい。このような添加元素を加えれば、第１の反応層３１及び第２の反応層３２の平坦性が向上することから再生信号のノイズレベルが低下するのみならず、長期間の保存に対する信頼性が高められるという効果を得ることもできる。添加する元素としては、１種類に限られず、２種類以上の元素を添加しても構わない。
【００５４】
記録層１４の層厚としては、特に限定されるものではないが、２〜４０ｎｍに設定することが好ましく、２〜２０ｎｍに設定することがより好ましく、２〜１０ｎｍに設定することが特に好ましい。記録層１４の層厚をこのように設定すれば、第１の反応層３１及び第２の反応層３２の平坦性が向上することから再生信号のノイズレベルを抑制しつつ、充分に高いレベルの再生信号（Ｃ／Ｎ比）を得ることができる。また、高い記録感度を得ることも可能となる。
【００５５】
第１の反応層３１及び第２の反応層３２それぞれの層厚は特に限定されないが、再生信号のノイズレベルを充分に抑制し、充分な記録感度を確保し、さらに、記録前後の反射率の変化を充分に大きくするためには、いずれも１〜３０ｎｍであることが好ましく、第１の反応層３１の層厚と第２の反応層３２の層厚との比（第１の反応層３１の層厚／第２の反応層３２の層厚）は、０．２〜５．０であることが好ましい。
【００５６】
光透過層１６は、レーザビームの入射面を構成するとともにレーザビームの光路となる層であり、その厚さとしては１０〜３００μｍに設定することが好ましく、５０〜１５０μｍに設定することが特に好ましい。光透過層１６の材料としては特に限定されないが、紫外線硬化性のアクリル樹脂やエポキシ樹脂を用いることが好ましい。また、紫外線硬化性のアクリル樹脂やエポキシ樹脂を硬化させてなる膜のかわりに、光透過性樹脂からなる光透過性シートと各種接着剤や粘着剤を用いて光透過層１６を形成してもよい。
【００５７】
次に、上記光記録媒体１０の製造方法の一例について説明する。
【００５８】
先ずグルーブ１１ａ及びランド１１ｂが形成された基板１１上に第２の誘電体層１２を形成する。第２の誘電体層１２の形成には、例えば第２の誘電体層１２の構成元素を含む化学種を用いた気相成長法を用いることができる。このような気相成長法としては、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法等が挙げられる。
【００５９】
次に、第２の誘電体層１２上に記録層１４を構成する第２の反応層３２を形成する。この第２の反応層３２も、第２の誘電体層１２と同様にして、第２の反応層３２の構成元素を含む化学種を用いた気相成長法を用いて形成することができる。更に、第２の反応層３２上に第１の反応層３１を形成する。第１の反応層３１も、第１の反応層３１の構成元素を含む化学種を用いた気相成長法を用いて形成することができる。
【００６０】
その後、第１の反応層３１上に第１の誘電体層１５を形成する。この第１の誘電体層１５も、第１の誘電体層１５の構成元素を含む化学種を用いた気相成長法を用いて形成することができる。
【００６１】
最後に、第１の誘電体層１５上に光透過層１６を形成する。光透過層１６は、例えば、粘度調整されたアクリル系又はエポキシ系の紫外線硬化性樹脂をスピンコート法等により皮膜させ、紫外線を照射して硬化する等の方法により形成することができる。以上により、光記録媒体１０の製造が完了する。
【００６２】
なお、上記光記録媒体１０の製造方法は、上記製造方法に特に限定されるものではなく、公知の光記録媒体の製造に採用される製造技術を用いることができる。
【００６３】
次に、上記光記録媒体１０への情報記録方法について説明する。
【００６４】
まず、光記録媒体１０への情報記録原理について説明する。
【００６５】
上記光記録媒体１０に対して情報を記録する場合、図１に示すように、光記録媒体１０に対して所定の出力を有するレーザビームＬ１０を光透過層１６側から入射し記録層１４に照射する。このとき、レーザビームＬ１０を集束するための対物レンズの開口数（ＮＡ）は０．７以上、特に０．８５程度であることが好ましく、レーザビームＬ１０の波長λは４５０ｎｍ以下、特に４０５ｎｍ程度であることが好ましい。このようにして、λ／ＮＡ≦６４０ｎｍとすることが好ましい。これにより、第１の反応層３１の表面３１ｂ上におけるビームスポット径は０．６５μｍ以下、特に０．４３μｍ程度にまで絞られる。
【００６６】
このようなレーザビームＬ１０の照射により、第１の反応層３１を構成する元素及び第２の反応層３２を構成する元素がレーザビームにより加熱され、これら元素が移動して混合される。かかる混合部分は、図２（ｂ）に示すように、記録マークＭとなる。記録マークＭの形成された混合部分の反射率は、それ以外の記録層１４の部分（未記録領域）の反射率と十分に異なった値となることから、これを利用してデータの記録・再生を行うことが可能となる。
【００６７】
以上が光記録媒体１０への情報記録原理であり、以下、本実施態様にかかる具体的なパルス列パターンについて説明する。
【００６８】
上述の通り、記録線速度が高くなると記録マークの形成に必要な記録パワー（Ｐｗ）も高くなることから、これを抑制することによって比較的安価な半導体レーザの使用を可能とするためには、基本パルス列パターンを用いるよりも単パルスパターンを用いることが有効である。しかしながら、単パルスパターンを用いると、記録線速度によっては投入する総熱量が過剰となり、長い記録マークほどその幅（トラックに対して垂直な方向における長さ）が広がってクロストークが増大してしまう。
【００６９】
以上を考慮して、本実施態様においては、記録線速度がＶＬである場合には基本パルス列パターンを用いる一方で、記録線速度がＶＨ（＞ＶＬ）である場合には単パルスパターンを用い、さらに、記録線速度がＶＬからＶＨの間である場合には、基本パルス列パターンと単パルスパターンを併用する。基本パルス列パターンと単パルスパターンを併用する場合、短い記録マークの形成については単パルスパターン、長い記録マークの形成については基本パルス列パターンを用い、その境界（単パルスパターンを用いて形成する最も長い記録マークと基本パルス列パターンを用いて形成する最も短い記録マークとの境界）については、記録線速度が低くなるほど最短記録マーク側に設定し、記録線速度が高くなるほど最長記録マーク側に設定する。ここで、基本パルス列パターンとしては、図９に示したようにｎ−２個の分割パルスを用いる場合のみならず、ｎ個またはｎ−１個の分割パルスを用いる場合も含まれ、８／１６変調方式においてはｎ−２個の分割パルス、１，７ＲＬＬ変調方式においてはｎ−１個の分割パルスを用いることが好ましい。
【００７０】
これにより、記録線速度が比較的低い場合には、基本パルス列パターンの使用により記録マークの幅方向の広がりを抑えることができるとともに、記録線速度が高い場合には、単パルスパターンの使用により投入する総熱量が向上することから、記録マークの形成に必要な記録パワー（Ｐｗ）を抑制することが可能となる。
【００７１】
ここで、記録線速度ＶＬとＶＨとの関係は、
２ＶＬ≦ＶＨ
であることが好ましく、
４ＶＬ≦ＶＨ
であることがさらに好ましい。
【００７２】
また、記録線速度ＶＨとしては、
ＶＨ≧１０ｍ／ｓ
であることが好ましく、
ＶＨ≧２０ｍ／ｓ
であることがさらに好ましい。
【００７３】
図３は、１，７ＲＬＬ変調方式を用いた場合の各記録マークの形成に用いるレーザビームのパルス数を示す図である。
【００７４】
図３に示す例では、記録線速度がＶＬである場合には、ｎＴ（ｎは、１，７ＲＬＬ変調方式においては２〜８の整数である）信号を形成するためにｎ−１個の分割パルスからなる基本パルス列パターンが用いられ、記録線速度が高くなるほどより長い記録マークについて単パルスパターンが用いられている。尚、図３において、網掛けが施されている部分は、単パルスパターンを用いてマーク形成が行われる記録マークを示している（記録線速度がＶＬである場合には、全ての記録マークについてｎ−１個の分割パルスからなる基本パルス列パターンが用いられるが、２Ｔ信号の形成については、結果として単パルスパターンと同じパルスパターンとなる）。一例として、図３に示すように、記録線速度がＶＭ（ＶＬ＜ＶＭ＜ＶＨ）である場合、２Ｔ〜５Ｔ信号を形成する場合には単パルスパターンが用いられ、６Ｔ〜８Ｔ信号を形成する場合にはｎ−４個、ｎ−５個またはｎ−６個の分割パルスからなる基本パルス列パターンが用いられる。そして、記録線速度がＶＨである場合には、全ての記録マークの形成において単パルスパターンが用いられている。
【００７５】
次に、１，７ＲＬＬ変調方式を用いた場合における、各パルス列パターンの具体的な波形図について説明する。
【００７６】
図４は、記録線速度がＶＬである場合のパルス列パターンを示す図であり、（ａ）は２Ｔ信号を形成する場合のパルス列パターンを示し、（ｂ）は３Ｔ信号〜８Ｔ信号を形成する場合のパルス列パターンを示している。
【００７７】
図４（ａ）及び（ｂ）に示すように、記録線速度がＶＬである場合には、記録マークＭを形成するための記録パルスがｎ−１個に分割され、レーザビームのパワーは、各分割パルスのピークにおいて記録パワー（ＰｗＬ）、その他の期間において基底パワー（ＰｂＬ）に設定される。これにより、投入される総熱量が過剰となることがないため、記録マークＭの幅が広がってクロストークが増大するという現象を抑制することができる。
【００７８】
記録パワー（ＰｗＬ）の強度としては、照射によって第１の反応層３１を構成する元素及び第２の反応層３２を構成する元素が加熱され、これら元素が移動して混合されるような高いレベルに設定され、基底パワー（ＰｂＬ）の強度としては、照射されても、第１の反応層３１を構成する元素及び第２の反応層３２を構成する元素が実質的に移動しないようなレベルに設定される。
【００７９】
ここで、基底パワー（ＰｂＬ）の強度としては、特に限定されるものではないが、データ再生に用いられる再生パワー（Ｐｒ）と等しいかこれに近いレベルに設定すればよい。但し、記録マークＭの幅の広がりを十分に抑制可能である限り、図４（ａ）及び（ｂ）に示すように、基底パワー（ＰｂＬ）の強度を再生パワー（Ｐｒ）よりも高く設定することが好ましい。基底パワー（ＰｂＬ）の強度を再生パワー（Ｐｒ）よりも高く設定すれば、基底パワー（ＰｂＬ）によって記録パワー（ＰｗＬ）による加熱が補助されることから、記録マークＭの形成に必要な記録パワー（ＰｗＬ）のレベルを抑制することが可能となる。
【００８０】
以上のように、記録線速度がＶＬである場合には、図４に示すパルス列パターンを用いることにより、記録マークＭの幅が広がってクロストークが増大するという現象を抑制することが可能となる。さらに、基底パワー（ＰｂＬ）の強度を再生パワー（Ｐｒ）よりも高く設定すれば、記録パワー（ＰｗＬ）による加熱が補助されることから、記録マークＭの形成に必要な記録パワー（ＰｗＬ）のレベルを抑制することが可能となる。
【００８１】
図５は、記録線速度がＶＨである場合のパルス列パターンを示す図である。
【００８２】
図５に示すように、記録線速度がＶＨである場合には記録マークＭを形成するために単パルスパターンが用いられ、レーザビームのパワーは、記録マークＭを形成すべき領域において記録パワー（ＰｗＨ）、その他の期間において基底パワー（ＰｂＨ）に設定される。これにより、投入される総熱量が十分となることから、記録マークＭの形成に必要な記録パワー（ＰｗＨ）のレベルを抑制することが可能となる。
【００８３】
記録パワー（ＰｗＨ）の強度としては、照射によって第１の反応層３１を構成する元素及び第２の反応層３２を構成する元素が加熱され、これら元素が移動して混合されるような高いレベルに設定され、基底パワー（ＰｂＨ）の強度としては、照射されても、第１の反応層３１を構成する元素及び第２の反応層３２を構成する元素が実質的に移動しないようなレベルに設定される。
【００８４】
基底パワー（ＰｂＨ）の強度としては、再生パワー（Ｐｒ）よりも高く設定することが好ましい。基底パワー（ＰｂＨ）の強度を再生パワー（Ｐｒ）よりも高く設定すれば、トラック全体の温度が高められることから、記録パワー（ＰｗＨ）による加熱が補助され、これにより、記録マークの形成に必要な記録パワー（ＰｗＨ）のレベルをさらに抑制することが可能となる。
【００８５】
以上のように、記録線速度がＶＨである場合には、図５に示すパルス列パターンを用いることにより、記録マークＭの形成に必要な記録パワー（ＰｗＨ）のレベルを低減することができることから、比較的安価な半導体レーザを使用することが可能となる。さらに、基底パワー（ＰｂＨ）の強度を再生パワー（Ｐｒ）よりも高く設定すれば、記録パワー（ＰｗＨ）による加熱が補助されることから、記録マークＭの形成に必要な記録パワー（ＰｗＨ）のレベルをさらに抑制することが可能となる。
【００８６】
図６は、記録線速度がＶＭである場合のパルス列パターンを示す図であり、（ａ）は２Ｔ〜５Ｔ信号を形成する場合のパルス列パターンを示し、（ｂ）は６Ｔ信号〜８Ｔ信号を形成する場合のパルス列パターンを示している。
【００８７】
図６（ａ）に示すように、記録線速度がＶＭである場合には、２Ｔ〜５Ｔ信号の形成においては単パルスパターンが用いられ、６Ｔ〜８Ｔ信号の形成においては２個〜４個の分割パルスからなる基本パルス列パターンが用いられる。この場合、レーザビームのパワーは、単パルス及び分割パルスのピークにおいて記録パワー（ＰｗＭ）、その他の期間において基底パワー（ＰｂＭ）に設定される。これにより、２Ｔ〜５Ｔ信号の形成においては投入される総熱量が十分となることから、記録マークＭの形成に必要な記録パワー（ＰｗＭ）のレベルを抑制することが可能になるとともに、長い記録マーク（６Ｔ〜８Ｔ信号）の幅が広がってクロストークが増大するという現象を抑制することができる。
【００８８】
記録パワー（ＰｗＭ）の強度としては、照射によって第１の反応層３１を構成する元素及び第２の反応層３２を構成する元素が加熱され、これら元素が移動して混合されるような高いレベルに設定され、基底パワー（ＰｂＭ）の強度としては、照射されても、第１の反応層３１を構成する元素及び第２の反応層３２を構成する元素が実質的に移動しないようなレベルに設定される。
【００８９】
基底パワー（ＰｂＭ）の強度としては、再生パワー（Ｐｒ）よりも高く設定することが好ましい。基底パワー（ＰｂＭ）の強度を再生パワー（Ｐｒ）よりも高く設定すれば、上述の通り、トラック全体の温度が高められることから、記録パワー（ＰｗＭ）による加熱が補助され、これにより、記録マークの形成に必要な記録パワー（ＰｗＭ）のレベルをさらに抑制することが可能となる。
【００９０】
以上のように、記録線速度がＶＭである場合には、図６に示すパルス列パターンを用いることにより、長い記録マークの幅が広がってクロストークが増大するという現象を抑制することができるばかりでなく、記録マークＭの形成に必要な記録パワー（ＰｗＭ）のレベルを低減することができる。さらに、基底パワー（ＰｂＭ）の強度を再生パワー（Ｐｒ）よりも高く設定すれば、記録パワー（ＰｗＭ）による加熱が補助されることから、記録マークＭの形成に必要な記録パワー（ＰｗＭ）のレベルをさらに抑制することが可能となる。
【００９１】
ここで、記録線速度がＶＬである場合（図４）の基底パワー（ＰｂＬ）、記録線速度がＶＨである場合（図５）の基底パワー（ＰｂＨ）、並びに、記録線速度がＶＭである場合（図６）の基底パワー（ＰｂＭ）の関係は、
ＰｂＬ＜ＰｂＭ≦ＰｂＨ
となるようにレーザビームのパワーを設定することが好ましく、
３ＰｂＬ≦ＰｂＭ≦ＰｂＨ
となるようにレーザビームのパワーを設定することがより好ましく、
５ＰｂＬ≦ＰｂＭ＜ＰｂＨ
となるようにレーザビームのパワーを設定することが特に好ましい。
【００９２】
さらに、記録線速度がＶＬである場合（図４）の基底パワー（ＰｂＬ）と記録パワー（ＰｗＬ）との比（ＰｂＬ／ＰｗＬ）をＲＬとし、記録線速度がＶＨである場合（図５）の基底パワー（ＰｂＨ）と記録パワー（ＰｗＨ）との比（ＰｂＨ／ＰｗＨ）をＲＨとし、さらに、記録線速度がＶＭである場合（図６）の基底パワー（ＰｂＭ）と記録パワー（ＰｗＭ）との比（ＰｂＭ／ＰｗＭ）をＲＭとした場合、
ＲＬ＜ＲＭ≦ＲＨ
となるようにレーザビームのパワーを設定することが好ましく、
３ＲＬ≦ＲＭ≦ＲＨ
となるようにレーザビームのパワーを設定することがより好ましく、
５ＲＬ≦ＲＭ＜ＲＨ
となるようにレーザビームのパワーを設定することが特に好ましい。
【００９３】
レーザビームのパワーをこのように設定すれば、複数の記録線速度の中から所望の記録線速度を選択可能なシステム（マルチスピード記録）において、高い記録線速度（ＶＨ）で記録を行う場合、低い記録線速度（ＶＬ）で記録を行う場合、さらにはその間の記録線速度（ＶＭ）で記録を行う場合において、記録パワー（Ｐｗ）を互いに同じレベル或いは近いレベルに設定することが可能となる。これにより、比較的安価な低出力である半導体レーザを使用することが可能となる。
【００９４】
以上が、本実施態様にかかる具体的なパルス列パターンである。
【００９５】
以上説明した本実施態様にかかるパルス列パターンを特定するための情報は、「記録条件設定情報」として当該光記録媒体１０内に保存しておくことが好ましい。このような記録条件設定情報を光記録媒体１０内に保存しておけば、ユーザが実際にデータの記録を行う際に、情報記録装置によってかかる記録条件設定情報が読み出され、これに基づいてパルス列パターンを決定することが可能となる。
【００９６】
記録条件設定情報としては、パルス列パターンのみならず、光記録媒体１０に対してデータの記録を行う場合に必要な各種条件（記録線速度等）を特定するために必要な情報を含んでいることがより好ましい。記録条件設定情報は、ウォブルやプレピットとして記録されたものでもよく、記録層１４にデータとして記録されたものでもよい。また、データの記録に必要な各条件を直接的に示すもののみならず、情報記録装置内にあらかじめ格納されている各種条件のいずれかを指定することによりパルス列パターンの特定を間接的に行うものであっても構わない。
【００９７】
図７は、光記録媒体１０に対してデータの記録を行うための情報記録装置５０の主要部を概略的に示す図である。
【００９８】
情報記録装置５０は、図７に示すように光記録媒体１０を回転させるためのスピンドルモータ５２と、光記録媒体１０にレーザビームを照射するとともにその反射光を受光するヘッド５３と、スピンドルモータ５２及びヘッド５３の動作を制御するコントローラ５４と、ヘッド５３にレーザ駆動信号を供給するレーザ駆動回路５５と、ヘッド５３にレンズ駆動信号を供給するレンズ駆動回路５６とを備えている。
【００９９】
さらに、図７に示すように、コントローラ５４にはフォーカスサーボ追従回路５７、トラッキングサーボ追従回路５８及びレーザコントロール回路５９が含まれている。フォーカスサーボ追従回路５７が活性化すると、回転している光記録媒体１０の記録面にフォーカスがかかった状態となり、トラッキングサーボ追従回路５８が活性化すると、光記録媒体１０の偏芯している信号トラックに対して、レーザビームのスポットが自動追従状態となる。フォーカスサーボ追従回路５７及びトラッキングサーボ追従回路５８には、フォーカスゲインを自動調整するためのオートゲインコントロール機能及びトラッキングゲインを自動調整するためのオートゲインコントロール機能がそれぞれ備えられている。また、レーザコントロール回路５９は、レーザ駆動回路５５により供給されるレーザ駆動信号を生成する回路であり、光記録媒体１０に記録されている記録条件設定情報に基づいて、適切なレーザ駆動信号の生成を行う。
【０１００】
尚、これらフォーカスサーボ追従回路５７、トラッキングサーボ追従回路５８及びレーザコントロール回路５９については、コントローラ５４内に組み込まれた回路である必要はなく、コントローラ５４と別個の部品であっても構わない。さらに、これらは物理的な回路である必要はなく、コントローラ５４内で実行されるソフトウェアであっても構わない。
【０１０１】
このような構成からなる情報記録装置５０を用いて本実施態様にかかる光記録媒体１０に対するデータの記録を行う場合、上述のとおり、光記録媒体１０に記録されている記録条件設定情報が読み出され、これに基づいてパルス列パターンが決定される。
【０１０２】
以上説明したように、本実施態様においては、記録線速度がＶＬである場合には基本パルス列パターンを用いる一方で、記録線速度がＶＨである場合には単パルスパターンを用い、さらに、記録線速度がＶＬからＶＨの間である場合には、基本パルス列パターンと単パルスパターンを併用していることから、記録マークの幅方向の広がりを抑えることができるとともに、記録マークの形成に必要な記録パワー（Ｐｗ）を抑制することが可能となる。したがって、本実施態様によれば、マルチスピード記録における各記録線速度での記録において、記録パワー（Ｐｗ）を互いに同じレベル或いは近いレベルに設定することが可能となるので、比較的安価な低出力である半導体レーザを使用することが可能となる。
【０１０３】
また、本実施態様においては、短い記録マークの形成については単パルスパターン、長い記録マークの形成については基本パルス列パターンを用い、その境界を記録線速度が低くなるほど最短記録マーク側に設定し、記録線速度が高くなるほど最長記録マーク側に設定していることから、長い記録マークほど顕著であるマーク幅の広がりを抑制しつつ、記録マークの形成に必要な記録パワー（Ｐｗ）を抑制することが可能となる。したがって、記録マーク幅の広がりに起因するクロストークを効果的に抑制することが可能となる。
【０１０４】
尚、上記実施態様においては、記録線速度が低くなるほど結果的にマーク幅の広がりが生じやくなることを考慮して、上記境界を記録線速度に基づいて設定しているが、マーク幅の広がりによるクロストークの増大は、トラックピッチが狭いほど、さらには、ビームスポット径が大きいほど顕著となることから、上記境界の設定に用いるパラメータとしては、記録線速度に代えて或いは記録線速度とともに、トラックピッチＴＰとビームスポット径Ｄとの比（ＴＰ／Ｄ）を用いても構わない。
【０１０５】
この場合、トラックピッチＴＰとビームスポット径Ｄとの比（ＴＰ／Ｄ）が相対的に小さい場合には、図４に示す基本パルス列パターンを用いる一方で、トラックピッチＴＰとビームスポット径Ｄとの比（ＴＰ／Ｄ）が相対的に大きい場合には、図５に示す単パルスパターンを用い、さらに、トラックピッチＴＰとビームスポット径Ｄとの比（ＴＰ／Ｄ）が上記の間である場合には、基本パルス列パターンと単パルスパターンを併用すればよい。基本パルス列パターンと単パルスパターンを併用する場合、単パルスパターンを用いて形成する記録マークと基本パルス列パターンを用いて形成する記録マークの境界を、トラックピッチＴＰとビームスポット径Ｄとの比（ＴＰ／Ｄ）が小さいほど最短記録マーク側に設定し、トラックピッチＴＰとビームスポット径Ｄとの比（ＴＰ／Ｄ）が相対的に大きいほど最長記録マーク側に設定すればよい。
【０１０６】
このように記録線速度に代えて或いは記録線速度とともに、トラックピッチＴＰとビームスポット径Ｄとの比（ＴＰ／Ｄ）をパラメータとして用いた場合であっても、記録マークの幅方向の広がりを抑えることができるとともに、記録マークの形成に必要な記録パワー（Ｐｗ）を抑制することが可能となる。
【０１０７】
本発明は、以上の実施態様に限定されることなく、特許請求の範囲に記載された発明の範囲内で種々の変更が可能であり、それらも本発明の範囲内に包含されるものであることはいうまでもない。
【０１０８】
例えば、上記実施態様にかかる光記録媒体１０においては、記録層１４が第１及び第２の誘電体層１５，１３間に挟持されているが、これらの一方又は両方を省略しても構わない。
【０１０９】
また、上記実施態様にかかる光記録媒体１０においては、記録層１４が積層された２つの反応層によって構成されているが、本発明の光記録媒体はこれに限定されるものではなく、少なくとも１つの第１の反応層とこれに隣接する少なくとも１つの第２の反応層を有するものであれば、３層以上の層から構成された記録層を有するものであってもよい。例えば、２つの第１の反応層と、これら２つの第１の反応層の間に配置された第２の反応層とからなる３層構造の記録層を有するものであってもよい。
【０１１０】
さらに、上記実施態様にかかる光記録媒体１０においては、基板１１上に設けられた反射層１２が備えられているが、記録マークＭが形成された領域における反射光のレベルと未記録領域における反射光のレベルが充分大きい場合には、これを省略しても構わない。
【０１１１】
また、上記実施態様においては、光透過層１６が非常に薄い次世代型の光記録媒体を例に説明したが、本発明の適用対象がこれに限定されるものではない。しかしながら、次世代型の光記録媒体においては、半導体レーザと比べて高出力化が困難な短波長のレーザビームを生成する半導体レーザが用いられることから、これを考慮すれば、本発明は、この種の光記録媒体に適用することが特に効果的である。
【０１１２】
【実施例】
以下、実施例を用いて本発明について更に具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に何ら限定されるものではない。
【０１１３】
［光記録媒体の準備］
以下に示す手順により、図１に示す構成と同じ構造を有する光記録媒体を作製した。
【０１１４】
即ち、まず、厚さ：１．１ｍｍ、直径：１２０ｍｍのポリカーボネート基板をスパッタリング装置にセットし、このポリカーボネート基板上に、、Ａｇ、Ｐｄ及びＣｕの混合物からなる反射層（層厚：１００ｎｍ）、ＺｎＳとＳｉＯ２の混合物からなる第２の誘電体層（層厚：３０ｎｍ）、Ｃｕからなる第２の反応層（層厚：５ｎｍ）、Ｓｉからなる第１の反応層（層厚：５ｎｍ）、ＺｎＳとＳｉＯ２の混合物からなる第１の誘電体層（層厚：２５ｎｍ）を順次スパッタ法により形成した。
【０１１５】
次に、第１の誘電体層上に、アクリル系紫外線硬化性樹脂をスピンコート法によりコーティングし、これに紫外線を照射して光透過層（層厚：１００μｍ）を形成した。
【０１１６】
なお、第１の誘電体層及び第２の誘電体層においてＺｎＳとＳｉＯ２のモル比率は、ＺｎＳ：ＳｉＯ２＝８０：２０となるようにした。
【０１１７】
［特性比較試験１］
特性比較試験１では、各記録線速度及び各パルス列パターンごとに、基底パワー（Ｐｂ）を固定した場合における最適な記録パワー（Ｐｗ）を測定した。
【０１１８】
即ち、まず作製した光記録媒体を光ディスク評価装置（商品名：ＤＤＵ１０００、パルステック社製）にセットし、記録に用いるレーザビームの波長を青色波長域（４０５ｎｍ）、対物レンズのＮＡ（開口数）を０．８５とし、このレーザビームを記録ヘッド内の集光レンズで光透過層側から光記録媒体に集光して光記録を行った。記録信号は２Ｔ〜８Ｔの混合信号とし、基底パワー（Ｐｂ）を０．５ｍＷに固定しつつ種々の記録パワー（Ｐｗ）を用いて記録を行い、最も低いジッタが得られた記録パワー（Ｐｗ）を探した。ここでいうジッタとはクロックジッタを指し、タイムインターバルアナライザにより再生信号の「ゆらぎ（σ）」を求め、σ／Ｔｗ（Ｔｗ：クロックの１周期）により算出した。
【０１１９】
測定を行った記録線速度は次の３種類である。すなわち、第１の記録線速度（ＶＬ）は、５．３ｍ／ｓ、チャンネルクロック：６６ＭＨｚであり、第２の記録線速度（ＶＭ）は、１０．６ｍ／ｓ、チャンネルクロック：１３２ＭＨｚであり、第３の記録線速度（ＶＨ）は、２１．２ｍ／ｓ、チャンネルクロック：２６３ＭＨｚである。第１の記録線速度（ＶＬ）においてはフォーマット効率を８０％とした場合のデータ転送レートは約３５Ｍｂｐｓであり、最短ブランク間隔と記録線速度との比（最短ブランク間隔／記録線速度）は、３０．４ｎｓである。また、第２記録線速度（ＶＭ）においてはフォーマット効率を８０％とした場合のデータ転送レートは約７０Ｍｂｐｓであり、最短ブランク間隔と記録線速度との比（最短ブランク間隔／記録線速度）は、１５．２ｎｓである。さらに、第３記録線速度（ＶＨ）においてはフォーマット効率を８０％とした場合のデータ転送レートは約１４０Ｍｂｐｓであり、最短ブランク間隔と記録線速度との比（最短ブランク間隔／記録線速度）は、７．６ｎｓである。
【０１２０】
また、測定に用いたパルス列パターンは次の３種類である。すなわち、第１のパルス列パターンは、全ての記録マーク（２Ｔ〜８Ｔ）についてｎ−１個の分割パルスを用いた基本パルス列パターンであり（図４参照）、第２のパルス列パターンは、２Ｔ〜５Ｔ信号については単パルスパターン、６Ｔ〜８Ｔ信号についてはｎ−４個の分割パルスを用いた基本パルス列パターンであり（図６参照）、第３のパルス列パターンは、全ての記録マーク（２Ｔ〜８Ｔ）について一つのパルスを用いた単パルスパターンである（図５参照）。
【０１２１】
測定の結果を表１に示す。
【０１２２】
【表１】
2004005835.tif 000003
表１に示すように、基底パワーを０．５ｍＷに固定した場合、記録線速度が高いほど、最適な記録パワー（Ｐｗ）の値も高くなるという傾向が観測された。また、いずれの記録線速度においても、第１のパルス列パターン、第２のパルス列パターン、第３のパルス列パターンの順に、最適な記録パワー（Ｐｗ）の値が低くなるという傾向が観測された。尚、使用した光ディスク評価装置におけるレーザビームの強度変調速度の限界から、第３の記録線速度（ＶＨ）において第１のパルス列パターンを用いた記録を行うことはできなかった。
【０１２３】
［特性比較試験２］
特性比較試験２では、各記録線速度における基底パワー（Ｐｂ）の値を特性比較試験１において用いた値よりも高く設定し、これによって必要な記録パワー（Ｐｗ）がどの程度低減されるかを測定した。
【０１２４】
すなわち、第１の記録線速度（ＶＬ）における基底パワーを１．５ｍＷに設定し、第２の記録線速度（ＶＭ）における基底パワーを２．０ｍＷに設定し、第３の記録線速度（ＶＨ）における基底パワーを２．５ｍＷに設定した以外は、上記特性比較試験１と同様の方法を用いて、最も低いジッタが得られた記録パワー（Ｐｗ）を探した。ここで、上記各基底パワーの値（１．５ｍＷ、２．０ｍＷ、２．５ｍＷ）は、いずれも、記録線速度ごとに特性比較試験１において得られた３つの最適記録パワー（Ｐｗ）の平均値の約０．４倍に相当する。これにより、それぞれ対応する記録線速度において、記録パワー（Ｐｗ）による加熱を同程度に補助することができる。
【０１２５】
測定の結果を表２に示す。尚、表２においてカッコ内に示されている値は、特性比較試験１において得られた記録パワー（Ｐｗ）との差である。
【０１２６】
【表２】
2004005835.tif 000004
表２に示すように、第１の記録線速度（ＶＬ）における基底パワーを１．５ｍＷに設定し、第２の記録線速度（ＶＭ）における基底パワーを２．０ｍＷに設定し、第３の記録線速度（ＶＨ）における基底パワーを２．５ｍＷに設定した場合、最適な記録パワー（Ｐｗ）の値は、基底パワーを０．５ｍＷに設定した場合よりも低い値となった。ここで、最適な記録パワー（Ｐｗ）の低減量（表２においてカッコ内に示されている値）は、第１の記録線速度（ＶＬ）、第２の記録線速度（ＶＭ）、第３の記録線速度（ＶＨ）の順に大きくなった。これは、記録線速度が高いほど熱干渉が起きやすく、このため、基底パワー（Ｐｂ）を高めることによる最適な記録パワー（Ｐｗ）の低減効果も記録線速度が高いほど高くなるものと考えられる。
【０１２７】
［特性比較試験３］
特性比較試験３では、特性比較試験２において各記録線速度及び各パルス列パターンごとに得られた最適な記録パワー（Ｐｗ）及び基底パワー（Ｐｂ）により記録を行った場合のクロストークの影響を測定した。
【０１２８】
まず、特性比較試験２において各記録線速度及び各パルス列パターンごとに得られた最適な記録パワー（Ｐｗ）及び基底パワー（Ｐｂ）を用いて１本のトラックに２Ｔ〜８Ｔの混合信号を形成し、そのクロックジッタ（以下、「シングルジッタ」という）を測定した。さらに、同じ条件の下、連続する３本のトラックに２Ｔ〜８Ｔの混合信号を形成し、中央のトラックのクロックジッタ（以下、「クロスジッタ」という）を測定した。ここで、シングルジッタとは、隣接するトラックからの影響（クロストーク）がない状態でのジッタを表し、クロスジッタとは、クロストークが存在する状態でのジッタを表している。したがって、シングルジッタは、クロストークによる影響が排除されている分、クロスジッタよりも一般に良好な値となる。
【０１２９】
そして、各記録線速度及び各パルス列パターンごとに、シングルジッタとクロスジッタとの差（クロスジッタ−シングルジッタ）を算出し、これによってクロストークの影響を抽出した。
【０１３０】
測定の結果を表３に示す。
【０１３１】
【表３】
2004005835.tif 000005
表３に示すように、第１の記録線速度（ＶＬ）及び第２の記録線速度（ＶＭ）においては、第１のパルス列パターン、第２のパルス列パターン、第３のパルス列パターンの順に、シングルジッタとクロスジッタとの差（クロスジッタ−シングルジッタ）が大きくなる（悪化する）という傾向が観測された。これは、形成された記録マークの幅方向における広がりが、第１のパルス列パターン、第２のパルス列パターン、第３のパルス列パターンの順に大きくなりやすいことに対応しているものと考えられる。また、第２の記録線速度（ＶＭ）よりも第１の記録線速度（ＶＬ）の方が上記の傾向が顕著なのは、上述の通り、記録線速度が低いと基底パワー（Ｐｂ）を高めることによる最適な記録パワー（Ｐｗ）の低減効果が小さいことから、記録線速度を考慮した相対的な記録パワー（Ｐｗ）を高く設定する必要があり、このため、記録マークの幅方向における広がりが大きくなったものと考えられる。
【０１３２】
一方、第３の記録線速度（ＶＨ）においては、第２のパルス列パターンを用いた場合と第３のパルス列パターンを用いた場合との間で、得られたシングルジッタとクロスジッタとの差（クロスジッタ−シングルジッタ）に違いは実質的な観測されなかった。
【０１３３】
以上の結果を総合すれば、第１の記録線速度（ＶＬ）で記録を行う場合にあっては、第１のパルス列パターンを用いるのが最も好ましいと言える。なぜなら、第１の記録線速度（ＶＬ）で記録を行う場合、第２のパルス列パターンまたは第３のパルス列パターンを用いるとクロストークの影響が非常に大きくなる一方で、第１の記録線速度（ＶＬ）で記録を行う場合には、第２の記録線速度（ＶＭ）や第３の記録線速度（ＶＨ）で記録を行う場合と比べて必要な記録パワー（Ｐｗ）がもともと低く、このため、必要な記録パワー（Ｐｗ）の低減よりもクロストークの低減を重視する必要があるからである。
【０１３４】
また、第２の記録線速度（ＶＭ）で記録を行う場合にあっては、第２のパルス列パターンを用いるのが最も好ましいと言える。なぜなら、第２の記録線速度（ＶＭ）で記録を行う場合、第１の記録線速度（ＶＬ）で記録を行う場合と同様、第１のパルス列パターン、第２のパルス列パターン、第３のパルス列パターンの順に、必要な記録パワー（Ｐｗ）が低減する一方で、クロストークが増大するという傾向があるが、必要な記録パワー（Ｐｗ）を低減させる意義は第１の記録線速度（ＶＬ）で記録を行う場合に比べて相対的に大きいため、必要な記録パワー（Ｐｗ）の低減とクロストークの低減については、これらをバランスさせる必要があり、いずれか一方を無視することはできないからである。
【０１３５】
さらに、第３の記録線速度（ＶＨ）で記録を行う場合にあっては、第３のパルス列パターンを用いるのが最も好ましいと言える。なぜなら、第３の記録線速度（ＶＨ）で記録を行う場合、第２のパルス列パターンを用いるよりも第３のパルス列パターンを用いた方が必要な記録パワー（Ｐｗ）が低減される一方で、これらパルス列パターンを用いた場合におけるクロストークのレベルに実質的な差がないからであり、さらに、レーザビームの強度変調速度を考慮すれば、第３の記録線速度（ＶＨ）において第１のパルス列パターンを用いることは不可能乃至は困難だからである。
【０１３６】
したがって、本実施例に則して言えば、複数の記録線速度の中から所望の記録線速度を選択可能な情報記録装置（マルチスピード記録装置）を用い、３５Ｍｂｐｓで記録する場合においては第１のパルス列パターンを用いるとともに、基底パワー（ＰｂＬ）及び記録パワー（ＰｗＬ）をそれぞれ０．５ｍＷ、４．５ｍＷに設定し、７０Ｍｂｐｓで記録する場合においては第２のパルス列パターンを用いるとともに、基底パワー（ＰｂＭ）及び記録パワー（ＰｗＭ）をそれぞれ２．０ｍＷ、３．９ｍＷに設定し、さらに、１４０Ｍｂｐｓで記録する場合においては第３のパルス列パターンを用いるとともに、基底パワー（ＰｂＨ）及び記録パワー（ＰｗＨ）をそれぞれ２．５ｍＷ、４．３ｍＷに設定することができる。この場合、使用する半導体レーザとしては、最高出力が４．５ｍＷである比較的安価な半導体レーザを用いることが可能となる。
【０１３７】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明においては、主に記録線速度に基づいて、使用するパルス列パターンのタイプを決定していることから、長い記録マークにおいて顕著となるマーク幅の広がりを抑えることができるとともに、記録マークの形成に必要な記録パワー（Ｐｗ）を抑制することが可能となる。
【０１３８】
このため、本発明は、使用するレーザビームの波長（λ）とレーザビームを集束するための対物レンズの開口数（ＮＡ）との比（λ／ＮＡ）が６４０ｎｍ以下、例えば、ＮＡが０．７以上（特に０．８５程度）であり、レーザビームの波長λが２００〜４５０ｎｍ程度である場合に特に効果的である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の好ましい実施態様にかかる光記録媒体１０の構造を概略的に示す断面図である。
【図２】（ａ）は未記録状態である領域を拡大して示す略断面図であり、（ｂ）は記録マークＭが形成された領域を拡大して示す略断面図である。
【図３】１，７ＲＬＬ変調方式を用いた場合の各記録マークの形成に用いるレーザビームのパルス数を示す図である。
【図４】記録線速度がＶＬである場合のパルス列パターンを示す図であり、（ａ）は２Ｔ信号を形成する場合のパルス列パターンを示し、（ｂ）は３Ｔ信号〜８Ｔ信号を形成する場合のパルス列パターンを示している。
【図５】記録線速度がＶＨである場合のパルス列パターンを示す図である。
【図６】記録線速度がＶＭである場合のパルス列パターンを示す図であり、（ａ）は２Ｔ〜５Ｔ信号を形成する場合のパルス列パターンを示し、（ｂ）は６Ｔ信号〜８Ｔ信号を形成する場合のパルス列パターンを示している。
【図７】光記録媒体１０に対してデータの記録を行うための情報記録装置５０の主要部を概略的に示す図である。
【図８】有機色素を用いたＣＤ−Ｒに対してデータを記録する場合の代表的なパルス列パターン（単パルスパターン）を示す図である。
【図９】有機色素を用いたＤＶＤ−Ｒに対してデータを記録する場合の代表的なパルス列パターン（基本パルス列パターン）を示す図である。
【符号の説明】
１０　光記録媒体
１１　基板
１１ａ　ランド
１１ｂ　グルーブ
１２　反射層
１３　第２の誘電体層
１４　記録層
１５　第１の誘電体層
１６　光透過層
１７　孔
３１　第１の反応層
３１ｂ　表面
３２　第２の反応層
５０　情報記録装置
５２　スピンドルモータ
５３　ヘッド
５４　コントローラ
５５　レーザ駆動回路
５６　レンズ駆動回路
５７　フォーカスサーボ追従回路
５８　トラッキングサーボ追従回路
５９　レーザコントロール回路
Ｌ１０　レーザビーム
Ｍ　記録マーク
【図１】
2004005835.tif 000006
【図２】
2004005835.tif 000007
【図３】
2004005835.tif 000008
【図４】
2004005835.tif 000009
【図５】
2004005835.tif 000010
【図６】
2004005835.tif 000011
【図７】
2004005835.tif 000012
【図８】
2004005835.tif 000013
【図９】
2004005835.tif 000014