(57)【要約】      （修正有）【課題】燃料電池用の燃料ガスを製造するための、原料物質加熱用抵抗体及び当該抵抗体の製造方法を提供する。【解決手段】当該抵抗ヒータアセンブリ１０は、原料物質収容チャンバ１００、開口部１１０に橋絡され原料物質に浸されるように配置される細い抵抗加熱素子４０、及び該抵抗加熱素子に電気的に接続される導電トレース５０を備える。当該アセンブリの製造方法には、第１の基材層２０を設けるステップ、抵抗加熱素子及び導電トレースを支持する第２の基材層３０に第１の基材層を接合するステップ、必要に応じて任意選択の疎水性層６０を第２の基材層に接合するステップ、及び先行層に最上層７０を接合するステップが含まれる。少なくとも１つの層に、ガス用マニホールド８０を備え付けることができ、当該製造法の全てあるいは一部をリール・ツー・リール処理として実施できる。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガス生成用ヒータアセンブリを製造する方法であって、
ａ）適切な第１の基材層を設けるステップと、
ｂ）前記第１の基材層に、抵抗発熱体及び該抵抗発熱体に電気的に接続されている導電トレースを支持している第２の基材層を接合するステップと、
ｃ）必要に応じて、前記第２の基材層に疎水性層を接合するステップと、 
ｄ）前記任意の疎水性層がある場合には前記疎水性層上に、ない場合には前記第２の基材層上に、前記ガス用のマニホールドを有する最上層を接合し、それによって抵抗ヒータアセンブリを完成させるステップと、
からなる方法。
【請求項２】
前記第１の基材層及び前記第２の基材層の少なくとも１つが、加熱によってガスを発生することができる物質を収容するためのチャンバを備えている請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第２の基材層を前記第１の基材層に接合するステップが、前記第２の基材層と前記第１の基材層との間に第１の接合層を積層することによって実施され、任意の疎水性層がある場合に前記疎水性層に前記最上層を接合するステップが、前記最上層と前記疎水性層との間に第２の接合層を積層することによって実施される請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記第１の基材層、前記第１の接合層、前記第２の基材層、前記疎水性層、前記第２の接合層、及び前記最上層をそれぞれの送りリールから送り出すステップと、完成した前記抵抗ヒータアセンブリを巻取リールによって巻き取るステップとをさらに包含する請求項３に記載の方法。
【請求項５】
原料物質からガスを生成させるために前記原料物質を加熱する抵抗ヒータアセンブリであって、 
ａ）開口部を備えている前記原料物質を収容するためのチャンバと、 
ｂ）前記原料物質に浸されるように配置され、且つ前記開口部に橋絡されている細い抵抗発熱体と、
ｃ）前記細い抵抗発熱体に電気的に接続されている導電体トレースと、  
からなる抵抗ヒータアセンブリ。
【請求項６】
原料物質からガスを生成させるために前記原料物質を加熱する抵抗ヒータアセンブリであって、
ａ）前記原料物質を収容する手段と、
ｂ）前記原料物質に浸されるように配置され、且つ前記原料物質を収容する前記手段に橋絡されている、前記原料物質を加熱する手段と、
ｃ）前記加熱する手段に通電する手段と、
を組み合わせてなる抵抗ヒータアセンブリ。
【請求項７】
原料物質からガスを生成させるために前記原料物質を加熱する抵抗ヒータアセンブリであって、
ａ）第１の基材層と、
ｂ）抵抗発熱体及び該抵抗発熱体に電気的に接続されている導電トレースとを支持しており、且つ前記第１の基材層に接合されている第２の基材層と、
ｃ）前記第２の基材層に接合されている任意の疎水性層と、
ｄ）前記任意の疎水性層がある場合には前記疎水性層上に、ない場合には前記第２の基材層上に接合されている最上層と、
からなり、少なくとも１つの層が前記ガス用のマニホールドを備えている抵抗ヒータアセンブリ。
【請求項８】
原料物質からガスを生成させるために前記原料物質を加熱する抵抗ヒータアセンブリであって、
ａ）第１の基材層と、
ｂ）抵抗発熱体及び該抵抗発熱体に電気的に接続されている導電トレースとを支持しており、且つ前記第１の基材層に接合されている第２の基材層と、
ｃ）前記第２の基材層に接合されている任意の疎水性層と、
ｄ）前記先行層に接合されている最上層と、
からなり、前記加熱アセンブリの少なくとも１つの層が前記ガス用のマニホールドを備え、前記第２の基材層に支持されている前記抵抗発熱体が前記抵抗ヒータアセンブリ内の実質的に中心に配置されている抵抗ヒータアセンブリ。
【請求項９】
前記先行層が、前記任意の疎水性層からなる請求項７及び８に記載の抵抗ヒータアセンブリ。
【請求項１０】
原料物質からガスを生成させるために抵抗ヒータアセンブリを使用する方法であって、
ａ）開口部を有するチャンバを設けるステップと、
ｂ）導電トレースが電気的に接続されており、且つ前記チャンバの前記開口部に橋絡されている抵抗発熱体を設けるステップと、
ｃ）前記チャンバ内に多量の原料物質を導入し、前記原料物質を前記抵抗発熱体と熱的に接触した状態で配置するステップと、
ｄ）前記導電トレースを介して前記抵抗発熱体に電流を加えて、所望のガスを生成するのに十分な温度にまで前記原料物質を加熱するステップと、
からなる方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、抵抗ヒータの製造に関する。より詳細には、本発明は、燃料電池用の水素や他のガスを生成するために原料物質を加熱するのに使用される抵抗体の製造方法に関する。本発明は又、そのような方法によって製造される装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ラップトップコンピュータ、携帯情報端末（ＰＤＡ）、携帯型ディジタルカメラ及びビデオカメラ、携帯型音楽再生装置、携帯型電子ゲーム機、携帯電話、あるいはその他の無線装置などの様々な携帯型装置には、携帯型の電源が必要である。使い捨て電池及び充電式電池は、重く不便なため、それら携帯用電源を他と置き換える取り組みがなされてきた。即ち、そのような用途並びに他の多くの用途において、軽量で、再使用でき、効率が高く、信頼性の高い電源の需要が高くなっている。そのような需要を満たすべく、セラミックベース固体酸化物形燃料電池、直接メタノール形燃料電池（ＤＭＦＣ）システム、改質メタノール由来水素燃料電池（ＲＭＨＦＣ）システム、固体高分子形（ＰＥＭ）燃料電池システムなどの様々な携帯型燃料電池が開発されてきた。燃料として水素などのガスを使用する燃料電池の場合は、ガスのオンサイト製造が望ましく、大量のガスを貯蔵するよりも著しく安全なものとすることができる。例えば、原料物質を加熱して燃料電池の燃料ガスを発生させることは、効率的なガスのオンサイト製造法である。そのような装置の効率は、熱損失をいかに最小にできるかで決まる。起動時間が短く、効率の高い、より良い実用的な小型燃料電池は、継続的な需要があり且つ予想される市場が大きい。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
燃料電池用の燃料ガスを製造するために、原料物質を加熱するのに使用する抵抗体及び当該抵抗体の製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
本発明の一実施形態においては、本発明は、燃料ガスを生成させるために原料物質を加熱するための抵抗ヒータアセンブリを提供する。当該抵抗ヒータアセンブリは、原料物質を収容するチャンバ、開口部に橋絡され且つ原料物質に浸されるように配置されている細い抵抗加熱素子、及び該抵抗加熱素子に電気的に接続されている導電トレースから構成される。
【０００５】
本発明の別の実施形態においては、本発明は、前記抵抗ヒータアセンブリを製造する方法を提供する。前記抵抗ヒータアセンブリは、特別に適合された方法によって製造することができ、当該方法には、第１の基材層を設けるステップ、抵抗加熱素子及び導電トレースを支持している第２の基材層に前記第１の基材層を接合するステップ、必要に応じて任意選択の疎水性層を前記第２の基材層に接合するステップ、及び前記先行層に最上層を接合するステップが含まれる。少なくとも１つの層に、ガス用マニホールドを備え付けることができる。当該製造法の全てあるいは一部を、リール・ツー・リール（reel-to-reel）処理として実施できる。
【発明の効果】
【０００６】
本発明によれば、寄生熱損失の少ない原料物質加熱用加熱ヒータアセンブリを提供することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００７】
本開示の特徴及び利点は、関連する図面と共に以下の詳細な説明を読むことで、当業者には容易に理解されよう。
【０００８】
本明細書並びに併記の特許請求の範囲において、用語「マニホールド」とは、ガスが生成される場所に関して所望の場所にガスを導くために設けられている経路を意味する。
【０００９】
以下に、抵抗ヒータアセンブリの様々な実施形態を説明する。分かりやすくするために、ヒータアセンブリの実施形態は、燃料電池に使用される水素などのガスを生成する原料物質を加熱することに関連して説明する。水素を製造する場合、原料物質に水素化ホウ素ナトリウムを用いて、例えば適切な温度（約８０℃以上）まで加熱する。
【００１０】
以下に説明するそれぞれのヒータアセンブリの実施形態は、原料物質を収容するチャンバ、開口部に橋絡され且つ原料物質に浸るように配置されている（又は原料物質と少なくともよく熱的に接触している）細い抵抗発熱体、及びその細い抵抗発熱体に通電するために電気的に接続されている導電トレースを有している。
【００１１】
図１のフローチャートによって様々な実施形態が示されている特別に適合された製造方法によって、抵抗ヒータアセンブリ１０を製造することができる。図１には、使用する材料の特性及び装置の特定の用途に応じて、ある実施形態においては実施されるが、別の実施形態においては実施されない、いくつかの「任意選択」のステップが含まれている。抵抗ヒータアセンブリの製造方法に関する実施形態の様々なステップを、参照数字Ｓ１０、Ｓ２０、．．．などで示している。図１に示すように、当該方法には、第１の基材層２０を設けるステップ（ステップＳ１０）と、第１の基材層２０に第２の基材層３０を接合するステップ（ステップＳ２０）とが含まれる。第２の基材層３０は、抵抗発熱体４０及び導電トレース５０を支持している。第２の基材層３０を第１の基材層２０に接合するステップＳ２０は、第１の基材層２０と第２の基材層３０との間に第１の接合層２５を積層することによって実施することができる（ステップＳ２５）。ステップＳ３０において、任意の疎水性層６０が必要かどうかが決定される。疎水性層６０が必要な場合は、ステップＳ４０で、任意の疎水性層６０を第２の基材層３０に接合する。非水物質、例えば水素ガス、だけを収容すべき領域と、水あるいは水溶液とを遮断するために、必要に応じて疎水性層６０を使用する。
【００１２】
ステップＳ５０において、先行層、例えば任意の疎水性層、に、最上層７０を接合する。接合ステップＳ５０は、第２の基材層３０と任意の疎水性層６０との間に第２の接合層５５（ステップＳ４５）を積層することによって実施することができる。任意の疎水性層６０を省く場合は、先行層は第２の基材層３０であり、この層に、ステップＳ５０において最上層７０を接合する。抵抗発熱体４０よりも上にある層のうちの少なくとも１つ、例えば最上層７０、に、ガス用のマニホールド８０を備えさせることができる。
【００１３】
当該プロセスの様々な接合ステップ（Ｓ２０、Ｓ４０及びＳ５０）は、例えば超音波接合、高周波接合、熱溶接、あるいは適切な接着剤の使用など、従来の接合方法によって実施することができる。当業者には、開口部が必要な場所に、パンチング、エッチング、あるいは他の従来法によって開口部を形成できることが理解されよう。同様に、当業者には、リザーバあるいは収集スペース用の凹部、即ちくぼみが必要な場合は、エンボス加工、モールド加工、エッチング、あるいはその他の従来法によって、必要な場所に凹部、即ちくぼみを形成できることが理解されよう。
【００１４】
従って、本実施形態の一態様は、ガス生成用ヒータアセンブリ１０の全体的な製造方法であり、それは概略的に、適切な第１の基材層２０を設けるステップ、該第１の基材層に第２の基材層３０（第２の基材層は、抵抗発熱体４０と、該抵抗発熱体に電気的に接続されている導電トレース５０とを支持している）を接合するステップ、必要に応じて前記第２の基材層に疎水性層６０を接合するステップ、及び先行層に最上層７０を接合するステップを包含する（これらの層のうちの１つがガス用マニホールド８０を備える）。先行層は、例えば、疎水性層６０や第２の基材層３０である。適宜、接合層２５及び５５を使用する。従って、疎水性層６０を省く場合は、最上層７０を直に又は接合層５５を介して第２の基材層３０に接合することができることが容易に理解されよう。
【００１５】
当該製造方法の全て又は一部は、従来の送りリールと巻取りリールを用い、スプロケット孔並びに他のアライメントマークなどの従来の位置決め方法を用いて位置決めすることによって、リール・ツー・リール処理として実施することができる。従って、第１の基材層を送りリールから送り出し、完成した抵抗ヒータアセンブリを巻取りリールを用いて巻き取ることが、リール・ツー・リール法を部分的に実施している方法の簡単な例である。第２の基材層、疎水性層（使用する場合）、最上層、及び第１及び第２の接合層（使用する場合）の一方又は両方など、他の個別の層の各々を、送りリールから送り出すことができる。接合層を用いない場合の完全なリール・ツー・リール処理においては、第１の基材層、第２の基材層、疎水性層及び最上層をそれぞれ、各々の送りリールから送り出し、完成した抵抗ヒータアセンブリを巻取りリールを用いて巻き取る。接合層の両方を有する場合の完全なリール・ツー・リール処理においては、第１及び第２の接合層を、各々の送りリールから適切な順序で送り出し、積層ステップＳ２５及びＳ３５を実施して、いくつかの構造的実施形態（後で説明する）の積層薄膜スタックを形成させる。
【００１６】
構造的実施形態 
以下の詳細な説明には、図２〜図７に示すいくつかの異なる構造的実施形態が含まれる。ガスを生成させるために原料物質を加熱する抵抗ヒータアセンブリ１０の第１の実施形態は、原料物質を収容するチャンバ１００、開口部１１０に橋絡され且つ原料物質に浸るように配置されている細い抵抗発熱体４０、該細い抵抗発熱体に電気的に接続されている導電トレース５０を備えている。開口部に細い抵抗発熱体４０（原料物質に包囲されており且つ実質的に原料物質内の中心位置に存在する）を橋絡させることによって、プリント回路基板材料に取り付けられたヒータのような他の構造の場合に生じる寄生熱損失が大幅に減少する。細い抵抗発熱体４０からの熱は、該発熱体と接触している原料物質に直接伝わる。導電トレース５０を介した伝導によってある程度熱が失われるが、それは、他の構造の場合に生じる熱損失に比べてわずかな量である。さらに、抵抗発熱体４０を、抵抗ヒータアセンブリ１０内の実質的に中心に配置することができ、これによって、寄生熱損失がさらに減少することが理解されよう。燃料電池システムの場合、寄生熱損失は寄生電力損失に直接的に関係しており、正味の電力出力を高めるためには、それを最小にすることが主要な目標となる。
【００１７】
図２及び図３は、本発明によって製造された抵抗ヒータアセンブリの一実施形態の断面図及び平面図をそれぞれ示している。
【００１８】
図２及び図３に示すように、原料物質を加熱する抵抗ヒータアセンブリ１０は、原料物質を収容するチャンバ１００を備えている。チャンバ１００は、開口部１１０を有する。細い抵抗発熱体４０の少なくとも一部分を開口部１１０に橋絡させ、原料物質に浸らせるようにする。抵抗発熱体４０に通電する電流を供給するために、導電トレース５０を細い抵抗発熱体４０に電気的に接続する。図２及び図３においては、細い抵抗発熱体４０の実質的に全てを、開口部１１０に橋絡させている。開口部１１０は、第２の基材層３０を完全に貫通している。従って、図２及び図３の実施形態においては、開口部１１０とチャンバ１００は本質的に同一であり、即ち開口部１１０がチャンバ１００を形成し画定している。本実施形態においては、細い抵抗発熱体４０を、チャンバ１００に橋絡させている。第２の基材層５５、あるいは最上層７０、あるいは個々の層に部分的に、ガスを収集し且つ／又はガスをマニホールド８０内に導く経路をもたらす第２のチャンバ１２０を設けることができる。ガス用マニホールド８０は、用途の要請に応じて、図３に示すように極めて単純にすることも、より複雑にすることもできる。
【００１９】
図４は本発明に従って製造した抵抗ヒータアセンブリの別の実施形態の分解斜視図であり、図５は図４記載の細部を拡大した斜視図であり、図６は図５記載の細部の断面図である。
【００２０】
図４〜図６に示すように、抵抗ヒータアセンブリ１０は、第１の基材層、第１の接合層２５を介して前記第１の基材層２０に接合されている第２の基材層３０、該第２の基材層に接合されている任意の疎水性層６０、及び第２の接合層５５を介して前記任意の疎水性層に接合されている最上層７０とが積層された比較的薄い層のスタックとして形成することができる。第２の基材層３０によって、抵抗発熱体４０と、抵抗発熱体４０に電気的に接続されている導電トレース５０とが支持されている。図４〜図６の実施形態においては、最上層７０が、ガス用マニホールド８０を備えている。
【００２１】
最上層７０は、例えばポリエステル、ポリイミド、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、及びポリ（エーテルイミド）（ＰＥＩ）などの、適切な物質からなる単一の薄膜から構成されており、その底面に、マニホールド８０がエンボス加工あるいはモールド加工されている。あるいは又、最上層７０は、マニホールド８０を形成するために従来のフォトリソグラフィを使用してエッチングされた複数の副層、例えば１つの副層としてポリイミドのような適切な物質の薄層と第２の副層としてその表面上に付着している銅層、から形成することができる。最上層７０をそのような多層の実施形態として形成するために、当業者に既知の他の従来法を使用することができる（図示せず）。
【００２２】
疎水性層６０は、燃料電池の構造に従来使用されている疎水性ポリマーからなる。疎水性層６０は、他の全ての層と同様に、原料物質が所望のガスを発生する際の温度に耐えなければならない。疎水性層６０に適する材料の代表的な例は、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、特に発泡ＰＴＦＥ、繊維状ＰＴＦＥあるいは微孔性ＰＴＦＥである。
【００２３】
前述のように、抵抗ヒータアセンブリ１０は、第２の基材層と第１の基材層２０との間に積層された第１の接合層２５、及び／又は任意の疎水性層６０と最上層７０との間に積層された第２の接合層５５を含むことができる。そのような接合層は、フェノール熱硬化性樹脂やエポキシ材料などの熱硬化性樹脂から形成することができる。接合層には、他の適切な接着剤を使用することもできる。
【００２４】
第２の基材層３０によって支持されている抵抗発熱体４０は、任意の適切な抵抗性物質から構成することができ、薄膜状態で付着させ、且つ細長い細片を形成するようにパターニングする。抵抗発熱体４０のパターンは、図５に示すように蛇行したものとすることができる。材料の固有抵抗を考慮し適切に幾何学的設計を行うことで、所望の抵抗を得る。特定の適切な材料には、タンタルアルミニウム合金、ニッケルクロム合金、及びタングステンシリコン窒化物がある。他の適切な物質として、銅、アルミニウム、銅アルミニウム、バナジウム、ニオブ、タンタル、クロム、モリブデン、タングステン、ニッケル、パラジウム、白金、銀、金、シリコン、及びこれらの合金あるいは混合物が挙げられる。第１の基材層２０及び／又は第２の基材層３０は、ポリエステル、ポリイミド、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、及びポリ（エーテルイミド）（ＰＥＩ）などの適切な物質の薄膜から構成することができる。疎水性層６０及び最上層７０の組成については前述の通りである。
【００２５】
種々の層２０、３０、６０及び７０の厚さは、概してあまり重要ではないが、特定の燃料電池用の水素化ホウ素ナトリウムなどの原料物質を所望の量収容するために必要なチャンバ１００の体積によって、第２の基材層３０の厚さの最低要件が課される。
【００２６】
図４の例示的な実施形態において、チャンバ１００は、第１の接合層２５及び第２の基材層３０を貫通する穴によって形成されている。第２の接合層５５に示す穴１２０は、チャンバ１００からマニホールド８０に通じる経路をもたらす。従って、本実施形態においては、チャンバ１００は、一部が第２の基材層３０内に配置され、一部が接合層２５内に配置されている。チャンバ１００に原料物質を収容させるが、一般に、チャンバ１００を原料物質で満たす必要はないことを理解されたい。ガスが原料物質から生成するとき、そのガスは、チャンバ１００の体積の一部を占有することができる。水素化ホウ素ナトリウムの原溶液から水素を生成させる事例では、例えば、水素ガスはチャンバ１００の上部に上昇するであろう。
【００２７】
図７に、抵抗ヒータアセンブリ１０のもう１つの実施形態の断面図を示している。図７に示すように、第２の基材層３０は、一方の側に抵抗発熱体４０を、他方の側に導電トレース５０を有する中間層１２０と、中間層１２０を貫通している経路孔１３０とから構成することができる。導電トレース５０は、中間層１２０を貫通する経路孔１３０内に配置されている導電材料１４０を介して抵抗発熱体４０に電気的に接続されている。図示する実施形態においては、抵抗素子４０は、チャンバ１００の下端によって形成された開口部に橋絡されている。
【００２８】
図７の単純な例示的実施形態においては、チャンバ１００は、第２の基材層３０を貫通する穴からなる。また図７においては、チャンバ１００は、抵抗発熱体４０上の第２の基材層３０内にその全体があるように図示されている。しかしながら、凹部、即ちくぼみ１５０（図７において点線で示す）を、第１の基材層２０内に抵抗発熱体４０と位置決めして形成することもでき、それによってチャンバ１００の有効体積が増大する。そのような凹部、即ちくぼみは、例えばモールド加工並びにエンボス加工によって第１の基材層２０内に形成することができる。同様に、様々な他の実施形態（図示せず）においては、第１及び／又は第２の接合層２５及び５５、疎水性層６０、又は最上層７０内に、適切な形のくぼみを形成することができる。
【００２９】
図７の実施形態では、抵抗発熱体４０を支持している第２の基材層３０の中間層１２０の下側が第１の基材層２０に接合されており、導電トレース５０を支持している中間層１２０の上側が疎水性層６０に接合されている。他の実施形態（図示せず）においては、第２の基材層３０の中間層１２０の導電トレース５０を支持している側を基材層２０に接合することもでき、中間層１２０の抵抗発熱体４０を支持している側を疎水性層６０に接合することもできる。後者の場合、チャンバ１００の上端によって形成される開口部に抵抗素子４０を橋絡させる。種々の層を適切な厚さにすることで、また開口部１１０を適切な位置に配置することで、第２の基材層３０によって支持されている抵抗発熱体４０を、抵抗ヒータアセンブリ１０内の実質的に中心に（垂直方向あるいは水平方向において、又は垂直方向及び水平方向の両方において）配置できることが理解されよう。
【００３０】
ある場合においては、所望量のガスを発生させるのに加熱だけでは有効ではないことがあり、所望の反応に触媒が必要となることがある。そのような場合、抵抗発熱体４０を、ガス生成反応に触媒作用を及ぼす触媒層及び該触媒層を被覆する熱的に除去可能なコーティングから構成することができる。触媒層は、例えばルテニウム、白金、ニッケルなどの金属から構成することができる。熱的に除去可能なコーティングには、昇華物質を用いることも、パリマーを用いることもできる。いくつかの用途においては、熱的に除去可能な被膜としてパラフィンが適している。
【００３１】
このように、本発明に従って製造した抵抗ヒータアセンブリを使用して、燃料電池用のガスを生成することができる。加熱により所望のガスを生成できる原料物質を、チャンバ１００の少なくとも一部に導入し、抵抗発熱体４０と熱的に接触させる。これは、抵抗発熱体４０を原料物質に浸すことによって、例えば、少なくとも抵抗発熱体４０を浸すのに十分なレベルまでチャンバに原料物質を充填することによって達成することができる。導電トレース５０に電流を流して抵抗発熱体４０に通電することにより、原料物質から所望のガスを生成させるための熱が与えられる。このように生成されたガスは、抵抗ヒータアセンブリ１０と関連付けられている燃料電池アセンブリ、例えばマニホールド８０を介してガスを受容するというように関連付けられている燃料電池アセンブリ内、にて使用することができる。導電トレース５０を介して抵抗発熱体４０に送られる電流は、抵抗ヒータアセンブリ１０が関連付けられている燃料電池アセンブリの電力条件に応じて調節することができる。その結果、燃料電池アセンブリ、抵抗ヒータアセンブリにかけられる電気負荷から電力条件を決定することができる。
【００３２】
抵抗ヒータアセンブリ１０は、燃料カートリッジ、燃料電池アセンブリ及び／又は電子機器に組み込むことができる。集積回路に、例えば制御信号入力に応じて抵抗ヒータアセンブリによるガスの生成を制御する制御回路のような他の装置と一体化された抵抗ヒータアセンブリ１０を備え付けることができる。制御信号入力は、抵抗ヒータアセンブリ１０によって生成された燃料ガスを使用する燃料電池の電気負荷に応答させることができる。このような集積回路は、本明細書に開示した方法と共に、従来の集積回路製造法を用いて製造することができる。
【産業上の利用可能性】
【００３３】
以上、本発明の特定の実施形態を説明し例示したが、当業者は、併記の特許請求の範囲によって定義するような本発明の範囲及び趣旨から逸脱することなく、これらの実施形態に様々な修正及び変更を行うことができる。例えば、様々な時間に使用するために、又は様々なレベルの熱を提供するために複数の抵抗発熱体を同一のヒータアセンブリに接続することができ、それらの抵抗発熱体に通電するために使用される導電トレースは組み合わせて用いることも、単独で用いることもできる。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１】本発明の製造方法の一実施形態を示すフローチャート
【図２】本発明に従って製造した抵抗ヒータアセンブリの一実施形態の断面図
【図３】図２記載の実施形態の平面図
【図４】本発明に従って製造した抵抗ヒータアセンブリの一実施形態の分解斜視図
【図５】図４記載の細部を示す拡大斜視図
【図６】図５記載の細部の断面図
【図７】本発明に従って製造した抵抗ヒータアセンブリの別の実施形態の断面図
【符号の説明】
【００３５】
１０  抵抗ヒータアセンブリ
２０  第１の基材層
２５  第１の接合層
３０  第２の基材層
４０  抵抗加熱素子
５０  導電トレース
５５  第２の接合層
６０  任意の疎水性層
７０  最上層
８０  マニホールド
１００  チャンバ
１１０  開口部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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