(57)【要約】【課題】分子磁性材料からなる光記録媒体へ光照射し、微粒子に高速で相変化を生起させることができる光記録媒体及びその記録方法を提供する。【解決手段】基板４と、基板４上に形成される光記録材料薄膜２とを備えた光記録媒体１において、光記録材料薄膜２は、低温相から高温相に相転位を示すアルカリ金属を含むコバルト鉄シアノ錯体の微粒子からなり、光記録材料薄膜２の低温相となる温度で、光照射を行うことにより高温相結晶粒が形成され、光照射による高温相結晶粒とそれ以外の光照射されない低温相結晶粒を光記録のビットとする。光照射により高温相結晶粒が形成される温度以上で、かつ、相転位温度以下の温度にすることで、光照射による高温相結晶粒を消滅させ、低温相結晶粒にすることで光記録を消去できる。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、該基板上に形成される光記録材料薄膜とを備えた光記録媒体において、
上記光記録材料薄膜は、低温相から高温相に相転位を示すアルカリ金属を含むコバルト鉄シアノ錯体の微粒子からなり、
上記光記録材料薄膜の低温相となる温度で、光照射を行うことにより高温相結晶粒が形成され、
上記光照射による高温相結晶粒とそれ以外の光照射されない低温相結晶粒を光記録のビットとすることを特徴とする、光記録媒体。
【請求項２】
前記基板と、前記光記録材料薄膜との間に反射層が挿入されていることを特徴とする、請求項１に記載の光記録媒体。
【請求項３】
前記光記録材料薄膜の表面に、保護層が被覆されていることを特徴とする、請求項１または２に記載の光記録媒体。
【請求項４】
基板と、該基板上に形成される光記録材料薄膜とを備えた光記録媒体の記録方法において、
上記光記録材料薄膜は、低温相から高温相に相転位を示すアルカリ金属を含むコバルト鉄シアノ錯体の微粒子からなり、
上記光記録材料薄膜の低温相となる温度で、光照射を行うことにより高温相結晶粒を形成して光書き込みを行い、
上記光照射された高温相とそれ以外の低温相へ照射する再生光の反射光の違いを光学的に読み出すことにより光読み出しを行うことを特徴とする、光記録媒体の記録方法。
【請求項５】
前記光記録材料薄膜を、光書き込みを行なう温度以上で相転位温度以下の範囲の温度にすることで、前記光記録材料薄膜に光書き込みされた高温相結晶粒を消滅させ、低温相結晶粒にすることにより消去を行うことを特徴とする、請求項４に記載の光記録媒体の記録方法。
【請求項６】
前記再生光の波長は、４００ｎｍ〜１０００ｎｍであることを特徴とする、請求項４に記載の光記録媒体の記録方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は、光記録媒体及びその光記録媒体への記録方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
光磁気記録では、レーザ光を記録媒体である磁性膜に照射し、磁性膜の温度特性を利用して熱を用いて書き込みを行い、記録したデータの読み出しは磁性膜へ照射する再生光からの反射光のカー効果などを用いて光学的に行っている。
【０００３】
ところで、温度または光照射によって磁化率が変化する分子磁性材料と呼ばれる物質がある。このような特性を有する分子磁性材料は、例えば、光メモリ、温度センサ等のデバイス材料として使用することができ、また分子設計によって特性を種々調整できるため、今後の機能性材料として注目されている。
温度又は光照射によって磁化率が変化する分子磁性材料として、アルカリ金属を含有したコバルト−鉄シアノ錯体化合物が知られている（特許文献１参照）。この物質の結晶構造は図９に示すように、ＦｅとＣｏがＣＮを媒介として結合した面心立方格子を形成しており、アルカリ金属は格子間位置に存在している（例えば、非特許文献１参照）。
この分子磁性材料は、温度または光励起をトリガーとして格子の再配列が起こり、ＣｏイオンとＦｅイオン間で電荷移動が生じ、磁化状態が変化すると考えられている（例えば、非特許文献２参照）。
【０００４】
【特許文献１】
特開平９−２４６０４４号公報（第２〜３頁、図２）
【非特許文献１】
Ｏ．  Ｓａｔｏ  他４名，”  Ｐｈｏｔｏｉｎｄｕｃｅｄ  Ｌｏｎｇ−Ｒａｎｇｅ  Ｍａｇｎｅｔｉｃ  Ｏｒｄｅｒｉｎｇ  ｏｆ  ａ  Ｃｏｂａｌｔ−Ｉｒｏｎ  Ｃｙｎａｉｄｅ”，  Ｉｎｏｒｇａｎｉｃ  Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ，  Ａｍｅｒｉｃａｎ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｓｏｃｉｅｔｙ，  Ｓｅｐｔ．／１４／１９９９，  Ｖｏｌ．  ３８，  Ｎｏ．２０，  ｐｐ．  ４４０５−４４１２
【非特許文献２】
Ｎ．  Ｓｈｉｍａｍｏｔｏ他３名    ”Ｃｏｎｔｒｏｌ  ｏｆ  Ｃｈａｒｇｅ−Ｔｒａｎｓｆｅｒ−ｉｎｄｕｃｅｄ  ＳｐｉｎＴｒａｎｓｉｔｉｏｎ  Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ  ｏｎ  Ｃｏｂａｌｔ−Ｉｒｏｎ  Ｐｒｕｓｓｉａｎ  Ｂｌｕｅ  Ａｎａｌｏｇｕｅｓ”，ＩｎｏｒｇａｎｉｃＣｈｅｍｉｓｔｒｙ，  Ａｍｅｒｉｃａｎ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｓｏｃｉｅｔｙ，  Ｐｕｂｌｉｓｈｅｄ  ｏｎ  Ｗｅｂ，  ０２／０１／２００２，  Ｖｏｌ．４１，  Ｎｏ．４，  ｐｐ．  ６７８−６８４
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
従来の光磁気記録では、磁性膜へレーザ光照射の熱を用いて書き込みを行っているので、応答速度が遅いということや、読み出し時に磁性膜への光照射前後の反射率が小さいので感度が悪いという課題がある。
一方、従来の分子磁性材料では、光励起をトリガーとして格子の再配列による相変化が起こることは知られているが、光記録媒体への応用は知られていない。
【０００６】
本発明は、以上の点に鑑み、分子磁性材料からなる光記録媒体へ光照射し、微粒子に高速で相変化を生起させることができる光記録媒体及びその記録方法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために、本発明の光記録媒体は、基板と、基板上に形成される光記録材料薄膜とを備えた光記録媒体において、光記録材料薄膜が、低温相から高温相に相転位を示すアルカリ金属を含むコバルト鉄シアノ錯体の微粒子からなり、光記録材料薄膜の低温相となる温度で、光照射を行うことにより高温相結晶粒が形成され、光照射による高温相結晶粒とそれ以外の光照射されない低温相結晶粒を光記録のビットとすることを特徴とする。この場合、基板と、光録材料薄膜との間に反射層が挿入されていれば好ましい。また、光記録材料薄膜の表面に、保護層が被覆されていてもよい。
【０００８】
本発明の光記録媒体の記録方法は、基板と、基板上に形成される光記録材料薄膜とを備えた光記録媒体の記録方法において、光記録材料薄膜が、低温相から高温相に相転位を示すアルカリ金属を含むコバルト鉄シアノ錯体の微粒子からなり、光記録材料薄膜の低温相となる温度で、光照射を行うことにより高温相結晶粒を形成して光書き込みを行い、光照射された高温相とそれ以外の低温相へ照射する再生光の反射光の違いを光学的に読み出すことにより光読み出しを行うことを特徴とする。
本発明の光記録媒体の記録方法において、好ましくは、光記録材料薄膜を、光書き込みを行なう温度以上で相転位温度以下の範囲の温度にすることで、光記録材料薄膜に光書き込みされた高温相結晶粒を消滅させ、低温相結晶粒にすることにより消去を行う。また、再生光の波長は、４００ｎｍ〜１０００ｎｍであれば好ましい。
【０００９】
上記構成によれば、光記録材料薄膜として相転位を示すアルカリ金属を含むコバルト鉄シアノ錯体微粒子を用いた光記録媒体へ、光照射を行うことにより高温相を形成することで光書き込みを行い、光照射により形成された高温相とそれ以外の低温相へ照射する再生光の反射光の違いを光学的に読み出すことにより光読み出しを行うことができる。また、光照射により高温相結晶粒が形成される温度以上で、かつ、相転位温度以下の温度にすることで、光照射による高温相結晶粒を消滅させることにより、光記録媒体への光書き込みを消去することができる。
ここで、光照射により形成される高温相とそれ以外の低温相のそれぞれの粒径が、１００ｎｍ〜３００ｎｍ、１００ｎｍ〜２００ｎｍと非常に微細であるので、光記録を高密度で行うことができる。また、光照射による相転位を用いるので、光書き込み速度が速い。さらに、光照射により形成された高温相とそれ以外の低温相の反射率の差が大きいので、再生を高感度で行うことができる。
【００１０】
【発明の実施の形態】
以下、本発明による光記録媒体及びその記録方法の実施の形態を図面に基づき詳細に説明する。
図１〜図８は、本発明の光記録媒体及びその記録方法を説明する図である。
図１は、本発明の光記録媒体の構造を模式的に示す図であり、図１（Ａ）は平面図を示し、図１（Ｂ）はＡ−Ａに沿う断面図である。本発明の光記録媒体１の光記録材料薄膜２は、円板形状の基板４上に形成された反射膜３上に形成されている。光記録材料薄膜２は、低温相（以下、ＬＴ相と呼ぶ）から高温相（以下、ＨＴ相と呼ぶ）、またはこの逆に相転位を示すアルカリ金属を含むコバルト鉄シアノ錯体の微粒子からなっている。
光記録材料薄膜２は、化学組成式Ｍｘ  Ｃｏｙ  ［Ｆｅ（ＣＮ）６  ］・ｚＨ２  Ｏ（ここで、Ｍはアルカリ金属である。）で表わされ、かつ、相転位が生じるように適度なアルカリ金属を組成ｘとして含み、アルカリ金属は、Ｎａ，Ｋ，Ｃｓ，Ｒｂなどでよい。
【００１１】
光記録材料薄膜２の、後述する光照射される最外表面には、表面保護のために、光透過性のある透明樹脂や絶縁膜をさらに被覆してもよい。
ここで、基板４としては、非磁性材料で、かつ、表面が平滑なガラス、アルミニウム（Ａｌ）、樹脂などを用いることができる。反射膜３はＡｌ膜などを使用できる。基板がＡｌで、表面を鏡面加工して反射膜３を兼ねる場合などには、この反射膜３を省略してもよい。  光記録材料薄膜２は、光記録材料の微粒子を主成分とし微量なバインダーと有機溶媒を混合した液を、スプレー法で基板４または、基板４上に配設した反射膜３上に塗布し、有機溶媒を蒸発させることなどで形成することができる。
【００１２】
ここで、相転位が生じるアルカリ金属を含有したコバルト鉄シアノ錯体のＬＴ相とＨＴ相について説明する。
アルカリ金属としてＮａを含有したコバルト−鉄シアノ錯体化合物においては、温度によってスピン状態が異なる２つの相が存在している。相変化は、光照射によっても生じ、電荷遷移により誘起されるスピン遷移効果（ＣＴＩＳＴ効果：Ｃｈａｒｇｅ−Ｔｒａｎｓｆｅｒ−Ｉｎｄｕｃｅｄ  Ｓｐｉｎ  Ｔｒａｎｓｉｔｉｏｎ）として知られている（非特許文献２参照）。すなわち、低温側のＬＴ相は、二価のＦｅイオンと三価のＣｏイオンからなるスピンが小さい相（ＬＳ相とも呼ばれる）で、格子定数が小さい。一方、高温側のＨＴ相は、三価のＦｅイオンと二価のＣｏイオンからなるスピンが大きい相（ＨＳ相とも呼ばれる）であり、格子定数が大きい。
【００１３】
次に、本発明の光記録媒体の記録方法について説明する。
図２は、本発明の光記録媒体の記録方法における光記録を模式的に示す断面図である。図示するように、光記録は、光記録媒体１を光記録材料薄膜２のＨＴ相が生じている温度からＬＴ相だけになる温度Ｔ１  まで徐冷した状態で行う。
ＬＴ相に光記録用レーザー光源１１から光照射されると、光照射されたＬＴ相だけがＨＴ相に相変化する（以下、光照射により誘起されるＨＴ相を、Ｐ−ＨＴ相２ｂと呼ぶ）。ＬＴ相の微粒子毎に光照射しＰ−ＨＴ相２ｂに相変化させるか、または、光照射しないでＬＴ相２ａとしておくかにより、０か１のビットに対応させることで、所謂、２値のデジタル光記録をさせることができる。ここで、光記録用レーザー光源１１は、半導体レーザダイオードなどでよい。
【００１４】
次に、本発明に用いる光記録材料の光照射特性について説明する。
図３と図４は、本発明の光記録媒体に用いる光記録材料へ光照射を行なったときの粉末Ｘ線回折結果を示す図である。図の横軸は、２θ（°）の回折角度であり、縦軸は粉末Ｘ線回折強度（任意目盛り）である。
図３の光記録材料は、Ｎａ０．６９Ｃｏ１．６４［Ｆｅ（ＣＮ）６  ］・５．９４Ｈ２  Ｏである。このＨＴ相は、光照射なしの３００Ｋにおいて、約１８．３°の角度で粉末Ｘ線回折強度のピークが生じている（図３▲１▼参照）。３００Ｋから９１Ｋまで徐冷されたときには、ＨＴ相が消滅して、新たに約１８．９°にＬＴ相のピークが生じている（図３▲２▼参照）。これは、高温から低温に徐冷されることで、ＨＴ相からＬＴ相に相転位が生じることを示している。この際、ＨＴ相の格子定数は、約１０．２Å台であり、ＬＴ相の格子定数は、約９．９Å台である。
【００１５】
次に、９１ＫにおいてＬＴ相へ、波長が５３２ｎｍで５０ｍＷの連続波レーザを用いて所定時間光照射を行った。これにより、光照射により誘起されたＰ−ＨＴ相からの粉末Ｘ線回折強度のピークが観測される（図３▲３▼参照）。図において、ＬＴ相が同時に見えているのは、粉末Ｘ線回折測定を行っているために、ＬＴ相とＰ−ＨＴ相を同時に測定しているからである。
【００１６】
なお、光照射なしで３００Ｋから９１Ｋまで急冷されたときには、２θとして約１８．５°のＨＴ相と、粉末Ｘ線回折強度分布が広い約１８．９°近辺のＬＴ相が生じるが、殆んどがＨＴ相で、ＬＴ相が極く僅かしか形成されていないので、光記録の初期状態としては適さない（図３▲４▼参照）。
【００１７】
図４は光記録材料が下記の化学組成式、
Ｋ０．４４Ｃｏ１．２１［Ｆｅ（ＣＮ）６  ］・５．５４Ｈ２  Ｏ、
Ｋ０．５２Ｃｏ１．１５［Ｆｅ（ＣＮ）６  ］・５．５２Ｈ２  Ｏ、
Ｋ０．５３Ｃｏ１．１８［Ｆｅ（ＣＮ）６  ］・４．４５Ｈ２  Ｏ、
Ｋ０．５８Ｃｏ１．２４［Ｆｅ（ＣＮ）６  ］・４．１７Ｈ２  Ｏ、
へ、それぞれ９１Ｋで光照射をしたときの粉末Ｘ線回折結果を示す図である。
各組成において、下側の波形が室温から９１Ｋまで徐冷したときで、上側の波形が図３と同じ条件で光照射したときのデータである。光照射をすることにより、図３の光記録材料と同様に、Ｐ−ＨＴ相が誘起されることが分かる（図中の上向矢印（↑）参照）。この際、格子定数は図３の光記録材料と同程度である。
【００１８】
本発明の特徴は、光記録材料のＬＴ相２ａとＰ−ＨＴ相２ｂの粒径が十分小さく光記録密度の向上を図れることと、光書き込み速度が高速なことにある。
従来、これらの粒径寸法は知られておらず、本発明者らが、上記光記録材料の微粒子をシンクロトロン放射光を用いた粉末Ｘ線回折で解析を行い、粒径寸法を計算したところ、Ｐ−ＨＴ相２ｂとＬＴ相の粒径は、それぞれ、１００ｎｍ〜３００ｎｍ、１００ｎｍ〜２００ｎｍであることを見出した（測定方法は、Ｐ．Ｓｃｈｅｒｒｅｒ，Ｎａｃｈ．Ｇｏｔｔ．２，ｐ．９８，１９１８年など参照）。上記の粒径は、現状の光記録用波長の６００ｎｍに比べて十分に小さく、波長をさらに短くして、ＬＴ相２ａやＰ−ＨＴ層２ｂの粒径とほぼ同程度までにすれば、さらに高密度で光記録させることができる。この際、ＬＴ相へ光照射をしてＰ−ＨＴ相へ変化させる相変化速度、即ち、光書き込み速度は、光照射により光記録材料に生じる電子によりＦｅとＣｏの荷電状態の変化により誘起される、所謂ＣＴＩＳＴ効果であるので、非常に高速に行うことができる。
【００１９】
これにより、本発明の光記録媒体を用いた光記録方法によれば、光記録媒体の粒径が、現状の光記録用波長の６００ｎｍに比べて十分に小さいので、光記録密度に関しては、他の光記録媒体と同等か、従来以上の光記録密度が得られる。さらに、光書き込み速度は、従来の熱変化を用いた光磁気記録に比較して、高速である。
【００２０】
次に再生方法について説明する。
図５は本発明の光記録媒体に光記録したデータの再生方法を模式的に示す断面図である。図示するように、光記録と同じ温度Ｔ１  で、光記録媒体１へ再生用レーザー光源１２を、光照射したＰ−ＨＴ相２ｂとそれ以外の光照射されないＬＴ相２ａに照射する。再生用レーザー光源１２の照射により、ＬＴ相２ａから生じる反射光１３と、光照射したＰ−ＨＴ相２ｂから生じる反射光１４との光強度や位相などの違いを光学的方法により検出することで、再生を行うことができる。再生用レーザー光源１４と光記録用レーザー光源１１は、兼用してもよい。
【００２１】
次に、本発明の光記録媒体に用いる光記録材料の反射率について説明する。
図６は本発明の光記録材料の光学密度の波長依存性を示す図である。図の縦軸は光学密度であり、横軸は波長（ｎｍ）である。光学密度をＯＤ、光吸収率をＡとした場合に、ＯＤ＝−ｌｏｇ１０（Ａ）の関係がある。
光学密度は、光記録材料であるＮａ０．６９Ｃｏ１．６４［Ｆｅ（ＣＮ）６  ］・５．９４Ｈ２  Ｏの粒をＫＢｒペレットに混ぜ込んだ試料により測定を行った。
図において、実線と点線は、それぞれＨＴ相が生じる３００ＫとＬＴ相が生じる７７Ｋの光学密度を示す。３００ＫのＨＴ相と７７ＫのＬＴ相の光学密度から光吸収率を計算すると、光吸収率、ひいては光反射率は、波長として４００ｎｍから１０００ｎｍの範囲において大きな差があることが分かる。このように、適度にアルカリ金属を含むコバルト鉄シアノ錯体のＨＴ相とＬＴ相の光反射率は、ＨＴ相とＬＴ相のＦｅとＣｏの荷電状態が異なるので大きく変化する（例えば、非特許文献２参照）。
【００２２】
これから、本発明の光記録媒体を用いた記録方法においては、波長として、４００ｎｍから１０００ｎｍの再生用レーザー光源を、光照射に誘起されるＰ−ＨＴ相とそれ以外のＬＴ相へ照射したときに、これらの相からの反射率の差が大きく、ｐｉｎフォトダイオードなどを使用して容易に検出し、判別することで再生を行うことができる。
これにより、本発明の光記録媒体を用いた光記録方法によれば、再生が従来の光磁気記録に用いる磁性膜のカー効果などによる再生よりも、高感度で行うことができる。
【００２３】
次に、本発明の光記録されたデータの消去方法について説明する。
図７は、本発明の光記録媒体の記録方法における消去を模式的に示す断面図である。図示するように、本発明の光記録媒体１の温度Ｔ１  から温度Ｔ２  まで上げることで、光照射により形成されたＰ−ＨＴ相２ｂを、再びＬＴ相２ａに相転位させることにより、Ｐ−ＨＴ相２ｂを消去することができる。
ここで、消去温度Ｔ２  は、光記録と再生を行う温度Ｔ１  よりも高いが、低温のＬＴ相から高温のＨＴ相へ転位する、所謂、相転位温度以下とする必要がある。このように、温度上昇によりＰ−ＨＴ相がＬＴ相に相変化し消去できるのは、Ｐ−ＨＴ相２ｂが温度上昇によりエネルギーを得て、Ｐ−ＨＴ相２ｂが、温度Ｔ２  で本来安定であるＬＴ相へ相転位し易いことによると推定される。
【００２４】
図８は、本発明の光記録媒体に用いる光記録材料の消去の温度依存性を示す図である。図において、横軸は、角度２θ（°）であり、縦軸は粉体Ｘ線回折強度（任意目盛り）である。
光記録材料であるＮａ０．６９Ｃｏ１．６４［Ｆｅ（ＣＮ）６  ］・５．９４Ｈ２  Ｏを、３００Ｋから９１Ｋまで徐冷して、光照射を行いＰ−ＨＴ相を形成し（図８の太線の矢印参照）、光照射を停止した。光照射されない領域は、ＬＴ相である。
Ｐ−ＨＴ相を生じさせた後に、１２０Ｋから１８０Ｋまで温度を上昇させたときに、Ｐ−ＨＴ相は、９１Ｋから１４０Ｋまでは存在しているが、１５０Ｋ以上では粉末Ｘ線回折強度のピークが消滅してＰ−ＨＴ相が消滅し、ＬＴ相だけになることがわかる。光記録材料であるＮａ０．６９Ｃｏ１．６４［Ｆｅ（ＣＮ）６  ］・５．９４Ｈ２  Ｏの場合には、９１Ｋで光記録されたデータの消去は、１５０Ｋ以上の温度で、かつ、ＬＴ相がＨＴ相に変化する相転位温度（おおよそ３００Ｋ）よりも低い温度で実施すればよいことになる。
【００２５】
本発明による光記録媒体及びその記録方法は、以上のように構成されており、上述したように、光記録を高速で高密度で行うことができると共に、再生を高感度で行うことができるとともに、消去もできる。
【００２６】
本発明は、上記実施例に限定されることなく、特許請求の範囲に記載した発明の範囲内で種々の変形が可能であり、それらも本発明の範囲内に含まれることはいうまでもない。例えば、上記実施の形態で説明した光記録材料の組成は、Ｎａ０．６９Ｃｏ１．６４［Ｆｅ（ＣＮ）６  ］・５．９４Ｈ２  Ｏなど以外に適宜に調整できることは勿論である。
【００２７】
【発明の効果】
以上述べたように、本発明によれば、光照射を行うことにより電荷移動に誘起された高温相結晶粒を形成し、光照射による高温相結晶粒とそれ以外の光照射されない低温相結晶との粒径をビットとする光記録媒体を提供することができる。
【００２８】
また、本発明の光記録媒体の光記録方法によれば、光記録を高速で、かつ、高光記録密度とでき、また、再生を容易に行うことができる。また、光記録の温度以上で、かつ、光記録材料の相転位温度以下の温度にすることで消去ができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の光記録媒体の構造を模式的に示すであり、（Ａ）は平面図、（Ｂ）はＡ−Ａに沿う断面図である。
【図２】本発明の光記録媒体の記録方法における光記録を模式的に示す断面図である。
【図３】本発明の光記録媒体に用いる光記録材料へ光照射したときの粉末Ｘ線回折結果を示す図である。
【図４】本発明の光記録媒体に用いる光記録材料へ光照射したときの粉末Ｘ線回折結果を示す図である。
【図５】本発明の光記録媒体により光記録したデータの再生方法を模式的に示す断面図である。
【図６】本発明の光記録材料の光学密度の波長依存性を示す図である。
【図７】本発明による光記録媒体の記録データを消去する場合を模式的に示す断面図である。
【図８】本発明の光記録媒体に用いる光記録材料の消去の温度依存性を示す図である。
【図９】コバルト鉄シアノ錯体化合物の構造を模式的に説明する図である。
【符号の説明】
１    光記録媒体
２    光記録材料薄膜
２ａ    ＬＴ相
２ｂ    Ｐ−ＨＴ相
３    反射膜
４    基板
１１    光記録用レーザー光源
１２    再生用レーザー光源
１３    ＬＴ相から生じる反射光
１４    Ｐ−ＨＴ相から生じる反射光
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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