(57)【要約】【課題】ダイシング時の半導体ウェーハの位置ずれが生じ難く、ダイシング後に半導体チップを取り出すに際し、半導体チップを容易に剥離することができる、半導体チップの製造方法を提供する。【解決手段】半導体ウェーハ１にレーザー光の照射によりガスを発生させるガス発生剤が含有されている粘着剤層４が片面に形成されているダイシング用粘着テープ２を貼り合わせ、レーザー光の照射により、半導体チップ１Ａ間に溝１ｃを形成し、該溝１ｃの下方の粘着剤層部分４ａの該レーザー光のエネルギーを付与することにより、粘着剤層部分４ａにおいてガスを発生させ、照射を続けることにより、溝１ｃを半導体ウェーハ１の下面１ｂに至らせると共に、半導体チップ１Ａの下面の外周縁から下面中央側に粘着剤層が後退するようにガス発生量を増加させ、次に半導体チップ１Ａをダイシング用粘着テープ２から剥離する、半導体チップの製造方法。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウェーハから多数の半導体チップを製造方法する方法であって、
半導体ウェーハを用意する工程と、
前記半導体ウェーハに、片面に光の照射によりガスを発生させるガス発生剤を含む粘着剤層を有するダイシング用粘着テープを貼付する工程と、
前記ダイシング用粘着テープに貼付された半導体ウェーハにレーザー光を照射し、個々の半導体チップとなる部分間に溝を形成すると共に、該溝の下方の粘着剤層部分において気泡を発生させる工程と、
レーザー光の照射を続けて溝が半導体ウェーハの下面に至るように個々の半導体チップに分割すると共に、半導体チップの下面の外周縁から粘着剤層を半導体チップの下面中央側に後退させる工程と、
前記半導体チップを前記ダイシング用粘着テープから剥離する工程とを備える半導体チップの製造方法。
【請求項２】
前記粘着剤が、刺激の付与により硬化し粘着力が低下する硬化型粘着剤により構成されている、請求項１に記載の半導体チップの製造方法。
【請求項３】
前記刺激が光であり、前記レーザー光の照射中または照射後に、ダイシング用粘着テープの下面側からもレーザー光が照射され、前記粘着剤の粘着力が低下される、請求項２に記載の半導体チップの製造方法。
【請求項４】
前記刺激が熱であり、前記硬化型粘着剤が熱硬化型粘着剤である、請求項２に記載の半導体チップの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体ウェーハをダイシングすることにより多数の半導体チップを製造する方法に関し、より詳細には、ダイシング用粘着テープに半導体ウェーハが貼付された状態でダイシングが行われ、次に半導体チップが取り出される半導体チップの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ＩＣやＬＳＩなどの半導体チップの製造に際しては、表面に多数の半導体チップ用回路が形成された半導体ウェーハが用意される。次に、半導体ウェーハの裏面が研磨されて所定の厚みとされた後に、半導体ウェーハがダイシング用粘着テープに貼付される。次に、ダイシング用粘着テープに貼付された半導体ウェーハが縦方向及び横方向にダイシングされ、多数の半導体チップに分割される。しかる後、ダイシング用粘着テープから半導体チップが剥離され、取り出される。このような半導体チップ製造方法の一例は、例えば下記の特許文献１に開示されている。この先行技術に記載の製造方法では、ダイシングに際して半導体ウェーハの位置ずれを防止するために、ダイシング用粘着テープに半導体ウェーハがダイシング用粘着テープの粘着力により粘着されており、かつダイシング後に光を照射することによりダイシング用粘着テープの粘着剤層の粘着力が低められ、それによって、半導体チップがダイシング用粘着テープから容易に剥離される。
【０００３】
【特許文献１】
特開平７−７８７９３号公報
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記先行技術に記載の方法のように、ダイシング後に光を照射した場合、全ての半導体チップの粘着力が一様に低下し、１つの半導体チップを吸着パッドなどにより取り出す際の振動や衝撃等により、隣接する半導体チップの位置ずれを生じることがあった。また、半導体チップの取り出し不良が生じることがあった。
【０００５】
他方、上記ダイシング用粘着テープに半導体ウェーハを貼付し、ダイシングを行う場合、ダイシング用粘着テープの粘着力がある程度高いことが必要である。粘着力が十分に高くなければ、ダイシングに際して半導体ウェーハの位置ずれが生じ、半導体ウェーハを高精度にダイシングすることができなくなる。
【０００６】
しかしながら、光の照射により粘着力が低下する粘着剤を用いた上記先行技術に記載の方法では、上記粘着力を高めた場合、ダイシング後に光を照射しても、粘着力が十分低くならないことがあった。そのため、半導体チップをダイシング用粘着テープから剥離するために、突き上げピンや、吸着パッドを用いて半導体チップを取り出す際に、半導体チップの割れや欠けが生じることがあった。
【０００７】
本発明の目的は、上述した従来技術の欠点を解消し、ダイシング後に半導体チップを取り出すに際して、ダイシング用粘着テープによる粘着力が十分に低められ、半導体チップを容易に取り出すことができ、かつダイシング後の半導体チップの位置ずれ及びダイシングの際の半導体ウェーハの位置ずれが生じ難い、半導体チップの製造方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明は、半導体ウェーハから多数の半導体チップを製造方法する方法であって、半導体ウェーハを用意する工程と、前記半導体ウェーハに、片面に光の照射によりガスを発生させるガス発生剤を含む粘着剤層を有するダイシング用粘着テープを貼付する工程と、前記ダイシング用粘着テープに貼付された半導体ウェーハにレーザー光を照射し、個々の半導体チップとなる部分間に溝を形成すると共に、該溝の下方の粘着剤層部分において気泡を発生させる工程と、レーザー光の照射を続けて溝が半導体ウェーハの下面に至るように個々の半導体チップに分割すると共に、半導体チップの下面の外周縁から粘着剤層を半導体チップの下面中央側に後退させる工程と、前記半導体チップを前記ダイシング用粘着テープから剥離する工程とを備えることを特徴とする。
【０００９】
本発明のある特定の局面では、前記粘着剤が刺激の付与により硬化し粘着力が低下する硬化型粘着剤により構成されている。
好ましくは、上記刺激として光が用いられ、上記レーザー光を照射中または照射後において、ダイシング用粘着テープの下面からもレーザー光が粘着剤に照射される。
【００１０】
硬化収縮により第１，第２の領域が構成される場合の刺激については、特に限定されず、例えば光や熱が用いられる。
【００１１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発明を明らかにする。
【００１２】
本発明の第１の実施形態では、図２に示す半導体ウェーハ１が用いられる。半導体ウェーハ１では、上面１ａ上に、ストリートによって区画された各領域に個々の半導体チップを構成するための回路が形成されている。なお、図２では、具体的な回路の図示は省略していることを指摘しておく。
【００１３】
半導体ウェーハ１は、略円盤状の形状を有する。半導体ウェーハ１では、上面１ａに上記回路を構成した後に、下面１ｂ側が研磨され、半導体ウェーハ１が所定の厚みとされる。
【００１４】
本実施形態では、このようにして所定の厚みとされた半導体ウェーハ１が先ず用意される。上記半導体ウェーハ１は、例えばシリコンなどの半導体材料により構成されており、厚みは、通常、研磨後の状態で数十μｍ〜１５０μｍ程度である。次に、半導体ウェーハ１の下面１ｂに、図２に示すようにダイシング用粘着テープ２が貼付される。
【００１５】
図２は、上記のようにしてダイシング用粘着テープ２に半導体ウェーハ１が貼り合わされた構造が斜視図で示されている。ダイシング用粘着テープ２は、図示のように、基材３の片面に粘着剤層４を形成することにより構成されている。
【００１６】
基材３としては特に限定されないが、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレン、エチレンビニルアセテート、ポリプロピレンなどの合成樹脂フィルムが好適に用いられる。特に、後述する刺激が光の場合には、透光性の樹脂フィルムが基材として好ましく用いられる。
【００１７】
上記粘着剤層４は、本実施形態では、光の照射により弾性率が上昇し、粘着力が低下する光硬化型粘着剤により構成されている。このような粘着剤としては、例えば、分子内にラジカル重合性の不飽和結合を有してなるアクリル酸アルキルエステル系及び／またはメタクリル酸アルキルエステル系の重合性ポリマーと、ラジカル重合性の多官能オリゴマーまたはモノマーとを主成分とし、必要に応じて光重合開始剤を含んでなる光硬化型粘着剤が挙げられる。
【００１８】
このような光硬化型粘着剤は、光の照射により粘着剤層の全体が均一にかつ速やかに重合架橋して一体化するため、重合硬化による弾性率の上昇が著しくなり、粘着力が大きく低下する。
【００１９】
上記重合性ポリマーは、例えば、分子内に官能基を持った（メタ）アクリル系ポリマー（以下、官能基含有（メタ）アクリル系ポリマーという）を予め合成し、分子内に上記の官能基と反応する官能基とラジカル重合性の不飽和結合とを有する化合物（以下、官能基含有不飽和化合物）と反応させることにより得ることができる。なお、本明細書において、（メタ）アクリルとは、アクリルまたはメタクリルを意味するものとする。
【００２０】
上記官能基含有（メタ）アクリル系ポリマーは、常温で粘着性を有するポリマーとして、一般の（メタ）アクリル系ポリマーの場合と同様に、アルキル基の炭素数が通常２〜１８の範囲にあるアクリル酸アルキルエステル及び／またはメタクリル酸アルキルエステルを主モノマーとし、これと官能基含有モノマーと、さらに必要に応じてこれらと共重合可能な他の改質用モノマーとを常法により共重合させることにより得られるものである。上記官能基含有（メタ）アクリル系ポリマーの重量平均分子量は通常２０〜２００万程度である。
【００２１】
官能基含有モノマーとしては、例えば、アクリル酸、メタクリル酸等のカルボキシル基含有モノマー；アクリル酸ヒドロキシエチル、メタクリル酸ヒドロキシエチル等のヒドロキシル基含有モノマー；アクリル酸グリシジル、メタクリル酸グリシジル等のエポキシ基含有モノマー；アクリル酸イソシアネートエチル、メタクリル酸イソシアネートエチル等のイソシアネート基含有モノマー；アクリル酸アミノエチル、メタクリル酸アミノエチル等のアミノ基含有モノマー等が挙げられる。
【００２２】
上記共重合可能な他の改質用モノマーとしては、例えば、酢酸ビニル、アクリロニトリル、スチレン等の一般の（メタ）アクリル系ポリマーに用いられている各種のモノマーが挙げられる。
【００２３】
上記官能基含有（メタ）アクリル系ポリマーに反応させる官能基含有不飽和化合物としては、官能基含有（メタ）アクリルポリマーの官能基に応じて上述した官能基含有モノマーと同様のものを使用できる。例えば、官能基含有（メタ）アクリル系ポリマーの官能基がカルボキシル基の場合はエポキシ基含有モノマーやイソシアネート基含有モノマーが用いられ、同官能基がヒドロキシル基の場合はイソシアネート基含有モノマーが用いられ、同官能基がエポキシ基の場合はカルボキシル基含有モノマーやアクリルアミド等のアミド基含有モノマーが用いられ、同官能基がアミノ基の場合はエポキシ基含有モノマーが用いられる。
【００２４】
上記多官能オリゴマーまたはモノマーとしては、分子量が１万以下であるものが好ましく、より好ましくは加熱または光の照射による粘着剤層の三次元網状化が効率よくなされるように、その分子量が５０００以下であり、かつ、その分子内のラジカル重合性の不飽和結合の数の下限が２個、上限が２０個である。このようなより好ましい多官能オリゴマーまたはモノマーとしては、例えば、トリメチロールプロパントリアクリレート、テトラメチロールメタンテトラアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、１，４−ブチレングリコールジアクリレート、１，６−ヘキサンジオールジアクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレート、市販のオリゴエステルアクリレートまたは上記同様のメタクリレート類等が挙げられる。これらの多官能オリゴマーまたはモノマーは、単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【００２５】
上記光重合開始剤としては、例えば、２５０〜８００ｎｍの波長の光を照射することにより活性化されるものが挙げられ、このような光重合開始剤としては、例えば、メトキシアセトフェノン等のアセトフェノン誘導体化合物；ベンゾインプロピルエーテル、べンゾインイソブチルエーテル等のベンゾインエーテル系化合物；ベンジルジメチルケタール、アセトフェノンジエチルケタール等のケタール誘導体化合物；フォスフィンオキシド誘導体化合物；ビス（η５−シクロペンタジエニル）チタノセン誘導体化合物、ベンゾフェノン、ミヒラーケトン、クロロチオキサントン、トデシルチオキサントン、ジメチルチオキサントン、ジエチルチオキサントン、α−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、２−ヒドロキシメチルフェニルプロパン等の光ラジカル重合開始剤が挙げられる。これらの光重合開始剤は、単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【００２６】
上記硬化型粘着剤には、以上の成分の他、粘着剤としての凝集力の調節を図る目的で、所望によりイソシアネート化合物、メラミン化合物、エポキシ化合物等の一般の粘着剤に配合される各種の多官能性化合物を適宜配合してもよい。また、可塑性、樹脂、界面活性剤、ワックス、微粒子充填剤等の公知の添加剤を配合してもよい。
【００２７】
また、上記粘着剤層４を構成する粘着剤として、後でダイシングのために照射されるレーザー光の照射によりガスを発生させるガス発生剤が含有されているものが用いられる。
【００２８】
上記ガス発生剤としては特に限定はされないが、例えばアゾ化合物、アジド化合物が好適に用いられる。アゾ化合物としては、例えば、２，２′−アゾビス−（Ｎ−ブチル−２−メチルプロピオンアミド）、２，２′−アゾビス［２−メチル−Ｎ−［１，１−ビス（ヒドロキシメチル）−２−ヒドロキシエチル］プロピオンアミド］、２，２′−アゾビス［２−メチル−Ｎ−［２−（１−ヒドロキシブチル）］プロピオンアミド］、２，２′−アゾビス［２−メチル−Ｎ−（２−ヒドロキシエチル）プロピオンアミド］、２，２′−アゾビス［Ｎ−（２−プロペニル）−２−メチルプロピオンアミド］、２，２′−アゾビス（Ｎ−ブチル−２−メチルプロピオンアミド）、２，２′−アゾビス（Ｎ−シクロヘキシル−２−メチルプロピオンアミド）、２，２′−アゾビス［２−（５−メチル−２−イミダゾイリン−２−イル）プロパン］ジハイドロクロライド、２，２′−アゾビス［２−（２−イミダゾイリン−２−イル）プロパン］ジハイドロクロライド、２，２′−アゾビス［２−（２−イミダゾイリン−２−イル）プロパン］ジサルフェイトジハイドロレート、２，２′−アゾビス［２−（３，４，５，６−テトラハイドロピリミジン−２−イル）プロパン］ジハイドロクロライド、２，２′−アゾビス［２−［１−（２−ヒドロキシエチル）−２イミダゾイリン−２−イル］プロパン］ジハイドロクロライド、２，２′−アゾビス［２−（２−イミダゾイリン−２−イル）プロパン］、２，２′−アゾビス（２−メチルプロピオンアミダイン）ハイドロクロライド、２，２′−アゾビス（２−アミノプロパン）ジハイドロクロライド、２，２′−アゾビス［Ｎ−（２−カルボキシアシル）−２−メチル−プロピオンアミダイン、２，２′−アゾビス［２−［Ｎ−（２−カルボキシエチル）アミダイン］プロパン］、２，２′−アゾビス（２−メチルプロピオンアミドオキシム）、ジメチル２，２′−アゾビス（２−メチルプロピオネート）、ジメチル２，２′−アゾビスイソブチレート、４，４′−アゾビス（４−シアンカルボニックアシッド）、４，４′−アゾビス（４−シアノペンタノイックアシッド）、２，２′−アゾビス（２，４，４−トリメチルペンタン）等が挙げられる。
【００２９】
これらのアゾ化合物は、光、熱等による刺激により窒素ガスを発生する。
また、アジド化合物としては、例えば３−アジドメチル−３−メチルオキセタン、テレフタルアジド、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルベンズアジド；３−アジドメチル−３−メチルオキセタンを開環重合することにより得られるグリシジルアジドポリマー等のアジド基を有するポリマー等が挙げられる。これらのアジド化合物は、光、熱及び衝撃等による刺激により窒素ガスを発生する。
【００３０】
上記ガス発生剤のうち、アジド化合物は、衝撃を与えることによっても容易に分解して窒素ガスを放出する。従って、取扱いが困難であるという難点がある。さらにアジド化合物は、一端分解が始まると連鎖反応を起こし、爆発的に窒素ガスを放出し、その制御が容易でない。従って、爆発的に発生した窒素ガスにより半導体ウェーハが損傷するおそれがある。従って、アジド化合物を用いる場合、その使用量を少なくすることが望ましい。
【００３１】
これに対して、アゾ化合物は、アジド化合物とは異なり、衝撃によって気体を発生しない。従って、取扱いが極めて容易である。また、アゾ化合物は連鎖反応を起こして爆発的に気体を発生することもない。従って、半導体ウェーハの損傷が生じ難い。加えて、光の照射を中断した場合には、気体の発生も中断させることがある。従って、アゾ化合物を用いた場合には、用途に応じて接着性の制御が容易に行われ得る。よって、ガス発生剤としては、アゾ化合物を用いることが好ましい。
【００３２】
上記ガス発生剤は、粘着剤層４に含有されている。従って、後述のダイシング工程に際し、レーザー光が粘着剤層に到達すると、レーザー光が到達した粘着剤層部分においてガスが発生する。
【００３３】
本実施形態では、ダイシング用粘着テープ２に半導体ウェーハ１が貼付されているため、該粘着層４により半導体ウェーハ１の下面１ｂの全体が強く貼り合わされる。従って、その状態で、公知の半導体ウェーハ１を高精度にダイシングすることができる。
【００３４】
本実施形態では、図１（ａ）に示すように、ダイシングに際してレーザー光が照射される。
すなわち、半導体ウェーハ１の上面１ａ側からダイシングのためにレーザー光が照射され、最終的に得られる半導体チップ間に溝１ｃが形成される。レーザー光の照射を続けることにより、溝１ｃの深さが徐々に深くなる。その結果、図１（ｂ）に示すように、溝１ｃの下方の半導体ウェーハ部分の厚みが薄くなる。半導体ウェーハ１の厚みが薄くなると、レーザー光エネルギーの一部が半導体ウェーハ１の薄い部分を通過し、溝１ｃの下方の粘着剤層部分４ａに至る。
【００３５】
粘着剤層４の粘着剤層部分４ａにレーザー光が照射されると、前述したガス発生剤がガスを発生する。その結果、図１（ａ）に示すように、気泡Ａが多数発生する。
【００３６】
そして、レーザー光の照射を続けると、図１（ｂ）に示すように、溝１ｃが半導体ウェーハ１の下面１ｂに至る。すなわち、隣り合う半導体チップ同士が分割される。そして、粘着剤４の前述した粘着剤層部分４ａに照射され、より多くのガスが発生する。その結果、図１（ｂ）に示すように、半導体チップ１Ａの下面１ｂの外周縁よりも半導体チップ１の下面１ｂ中央側に粘着剤層４が後退する。言い換えれば、気泡が集まって、半導体チップ１Ａの下面１ｂの外周縁よりも内側に粘着剤層４を押しのけるように作用する。
【００３７】
また、上記レーザー光の照射により、粘着剤層部分４ａにおいて、熱も生じる。従って、この熱も利用されてガス発生剤の分解によるガスの発生が促進される。
【００３８】
そのため、図１（ｂ）に示されているように、半導体チップ１Ａの下面１ｂにおける粘着剤層と接着されている部分の面積が半導体チップ１の下面１ｂよりも小さくなる。
【００３９】
よって、半導体チップ１Ａの下面のダイシング用粘着テープ２に貼り合わされている部分の面積が小さくなるため、例えば吸着パッド１１などを用いて半導体チップ１Ａを容易に剥離することができる。すなわち、半導体チップ１Ａの取り出しに際し、半導体チップ１Ａの割れや欠けが生じ難い。
【００４０】
加えて、本実施形態では、上記粘着剤層４を構成している粘着剤が、光の照射により粘着力が低下する粘着剤により構成されている。よって、好ましくは、ダイシング用粘着テープ２の基材３を透光性の材料により構成し、上記レーザー光照射中または照射後に、ダイシング用粘着剤テープ２の下面側から粘着剤層４の粘着力を低下させる光を照射することが望ましい。それによって、半導体チップ１Ａの取り出しがより一層容易となる。
【００４１】
より好ましくは、上記粘着剤層４の粘着力を低下させるための光として、ダイシングに用いられるレーザー光と同一のレーザー光が用いられる。その場合には、レーザー光照射装置の種類を増加させることなく、上記ガス発生剤によるガスの発生と、粘着剤層４の粘着力の低下とを果たすことができる。
【００４２】
また、上記のようにダイシング用粘着テープ２の下面側から光を照射した場合、この光によっても粘着剤層４に含まれているガス発生剤の分解が進み、粘着剤層の半導体チップ１Ａの下面の外周縁からの後退が促進される。このように、ガス発生剤の分解によるガスの発生を促進するためにダイシング用粘着テープ２の下面側から光を照射してもよく、その場合には、上記粘着剤層部分４ａにのみダイシング用粘着テープ２の下面側から光を照射してもよい。
【００４３】
なお、本発明においては、上記粘着剤層４の粘着力を低下させるための刺激については、上記のような光に限定されるものではなく、熱などを用いてもよい。すなわち、ダイシング工程中に、あるいはダイシング工程後に熱を付与することにより、粘着剤層４の粘着力を低下させてもよい。この場合、さらに、本実施形態では、ガス発生剤からガスを発生させるためにレーザー光が用いられていたが、ガス発生剤の種類によっては、レーザー光だけでなく、熱を併用してもよい。すなわち、レーザー光のエネルギーと、熱エネルギーの双方を利用して発生させてもよく、それによって、粘着剤層４を半導体チップ１Ａの下面の外周縁から中央側により一層容易にかつ速やかに後退させることができる。
【００４４】
粘着剤層４の全体に下面側から光を照射した場合は、粘着剤層４に均一に含有されている場合には、粘着剤層部分４ａだけでなく、他の部分においてもガスが発生する。従って、粘着剤層部分４ａ以外の粘着剤層部分において発生したガスが、粘着剤層４と半導体チップ１Ａの下面との界面に移行する。そのため、粘着剤層４と半導体チップ１Ａとの界面における粘着力が低められる。従って、粘着剤層と半導体チップ１Ａの下面との接着面積を小さくするだけでなく、接着している領域において、両者の界面にガスが移行することによって、より一層半導体チップ１Ａをダイシング用粘着テープ２から容易に剥離することができる。
【００４５】
このように、接着剤層と半導体チップ１Ａの界面にガスを移行させるには、粘着剤層部分４ａ以外においては、ガス発生剤を粘着剤層４の上面の表層に偏在させておくことが望ましい。ガス発生剤を粘着剤層４の上面側に偏在させることにより、発生したガスが粘着剤層と半導体チップ１Ａとの界面に確実に移行する。
【００４６】
なお、上記表層部分にガス発生剤を含有させた態様とは、粘着剤の表面にガス発生剤が均一に付着している態様や、粘着剤の表面に付着したガス発生剤が粘着剤と相溶し、粘着剤に吸収されている態様も含むものとする。
【００４７】
表層部分にのみガス発生剤を含有させる方法としては、例えば、粘着剤層上に１〜２０μｍ程度の厚みでガス発生剤を含有する粘着剤を塗工する方法や、予め作製された粘着剤層表面にガス発生剤を含有する揮発性液体を塗布あるいはスプレーなどにより形成する方法などが挙げられる。
【００４８】
上記表層部分の厚みは、粘着剤層全体の厚みによっても異なるが、粘着剤の表面から２０μｍまでの深さ部分であることが好ましい。
なお、本発明において用いられるダイシングのためのレーザー光は、半導体ウェーハをダイシングし、上記のような溝１ｃを形成することができ、かつ粘着剤層中に含まれているガスを分解し得るものであれば特に限定されない。
【００４９】
このようなレーザー光としては、例えば、特開２００２−１９２３６７号公報に開示されている６００〜１２００ｎｍのレーザー波長の半導体レーザーに紫外線レーザー光を重ねた複合レーザー光などを用いることができる。もっとも、上記先行技術に開示されているレーザー装置だけでなく、半導体ウェーハの材質、粘着剤層４及び上記ガス発生剤の種類等に応じて、適宜のレーザー装置を用いることができる。
【００５０】
特に、出力の高いこのようなレーザーは、アゾ化合物やアジト化合物などの３００〜４００ｎｍ程度の紫外線領域に吸収ピークを有する化合物であっても量子収率が高く二光子吸収に基づく吸収を起こさせることができ、効率よく窒素ガスを発生させることができる。
【００５１】
さらに、フェムト秒間隔でパルス状のレーザーを照射することにより、より効率よくレーザー光が吸収され、効率よく窒素ガスを発生させることができる。
【００５２】
【発明の効果】
上記のように、本発明に係る半導体チップの製造方法によれば、半導体ウェーハの上面からレーザー光が照射されて、半導体ウェーハに溝が形成される。この溝の深さが深くなるにつれて、溝の下方の半導体ウェーハ部分の厚みが薄くなる。従って、レーザー光のエネルギーが溝の下方に位置している粘着剤層部分に到達し、粘着剤層部分に含まれているガス発生剤によってガスが発生する。レーザー光の照射が進むにつれて、発生ガス量が増加し、上述したように粘着剤層が、半導体チップの下面の外周縁から下面の中央側に後退される。従って、粘着剤層と半導体チップとの接着面積が小さくなる。よって、半導体チップを、半導体チップの割れや欠けを生じることなく、ダイシング用粘着テープから容易に剥離することができる。
【００５３】
また、上記のように、取り出しに際しての半導体チップと粘着剤層との接着面積が低められて取り出しが容易とされるため、上記粘着テープによるダイシング前の粘着力を高めるように構成することができる。従って、ダイシングに際しては、半導体ウェーハをダイシング用粘着テープに十分な接着強度で貼り合わせ、高精度にダイシングを行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）及び（ｂ）は、本発明の一実施形態における半導体チップの製造方法を説明するための各模式的部分切欠正面断面図。
【図２】本発明の一実施形態で用いられる半導体ウェーハがダイシング用粘着テープに積層されている状態を示す斜視図。
【符号の説明】
１…半導体ウェーハ
１ａ…上面
１ｂ…下面
１ｃ…溝
２…ダイシング用粘着テープ
３…基材
４…粘着剤層
４ａ…粘着剤層部分
【図１】
2004186200.tif 000003
【図２】
2004186200.tif 000004