(57)【要約】【課題】スライダとディスクの接触は防ぎつつ記録再生素子の浮上量を大幅に縮めるため、ヘッド個体毎に、または使用環境に応じて熱膨張変形させて浮上量を調整する加熱機能を設けたスライダが求められている。この熱膨張式浮上量調整スライダには、再生素子への熱負荷を小さくすること、および通電によって浮上量を大きくする方向の調整方法を開発すること、という二点の課題がある。【解決手段】第一に加熱装置である薄膜抵抗体４を記録再生素子２，３から十分離すこと、第二に抵抗体４への通電にともなう浮上面一部の突出によって浮上面で発生する空気圧力が増加するように浮上面設計すること、この二点により解決される。【選択図】  図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
回転する磁気ディスク面から一定間隔で近接浮上するための空気軸受面と、磁気ディスクに情報を記録および再生する記録再生素子と、前記記録再生素子と磁気ディスク面との距離を熱膨張によって調整するための一つ以上の加熱装置とを有する磁気ヘッドスライダにおいて、
前記空気軸受面が実質的に平行な３つ以上の面すなわち、稼動時に磁気ディスクに最も接近し、かつ、記録再生素子が設置された第一の面と、第一の面から所定の深さを有する２つ以上の面とから構成され、
前記加熱装置の位置を空気軸受面に投影した位置が、第一の面以外の深さの面内にあること、あるいは前記加熱装置の位置を空気軸受面に投影した位置が第一の面内にあり、記録再生素子が設置された部分とは第一の面以外の面で隔てられていることを特徴とする磁気ヘッドスライダ。
【請求項２】
回転する磁気ディスク面から一定間隔で近接浮上するための空気軸受面と、磁気ディスクに情報を記録および再生する記録再生素子と、前記記録再生素子と磁気ディスク面との距離を熱膨張によって調整するための一つ以上の加熱装置とを有する磁気ヘッドスライダにおいて、
前記空気軸受面が実質的に平行な４つの面すなわち、稼動時に磁気ディスクに最も接近し、かつ、記録再生素子が設置された第一の面と、第一の面から約５ｎｍ乃至５０ｎｍの深さを有する第二の面と、第二の面から所定の深さを有する第三の面と、第三の面より更に深くに位置する第四の面とから構成され、
前記加熱装置の位置を空気軸受面に投影した位置が第二の面内あるいはその近傍０．０５ｍｍ以内にあることを特徴とする磁気ヘッドスライダ。
【請求項３】
前記第二の面の一部分の、前記第一の面からの深さが、前記加熱装置の作用によって縮まることを特徴とする請求項２に記載の磁気ヘッドスライダ。
【請求項４】
前記第一の面内にある記録再生素子が設置されたパッドが、第二の面とも第三の面とも接していないこと、あるいは前記第一の面内にある記録再生素子が設置されたパッドの面積が０．００５平方ｍｍ以下であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の磁気ヘッドスライダ。
【請求項５】
請求項１乃至４記載の磁気ヘッドスライダを備えた磁気ディスク装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、磁気ディスク装置の高記録密度化を実現するための磁気ヘッドスライダ構造に係わり、特に磁気ディスクと磁気ヘッドの距離を調整する機能を持った浮上量調整スライダに関する。
【０００２】
【従来の技術】
磁気ディスク装置は、回転する磁気ディスクと、記録再生素子を搭載しロードビームによって支持および径方向位置決めされた磁気ヘッドスライダ（単にスライダとも呼ぶ）を有し、スライダが相対的に磁気ディスク上を走行して磁気ディスク上に記録された磁気情報を読み書きする。前記スライダは空気潤滑軸受として空気のくさび膜効果によって浮上し、磁気ディスクとスライダが直接は固体接触しないようになっている。磁気ディスク装置の高記録密度化と、それによる装置の大容量化あるいは小型化を実現するためには、スライダと磁気ディスクの距離、すなわちスライダ浮上量を縮め、線記録密度を上げることが有効である。
【０００３】
従来からスライダ浮上量の設計においては、加工ばらつきや使用環境気圧差、使用環境温度差などによる浮上量低下を見込み、最悪条件でもスライダとディスクが接触しないように、浮上量マージンを設けてきた。ヘッド個体毎に、または使用環境に応じて浮上量を調整する機能を設けたスライダを実現すれば上記マージンを廃することができ、スライダとディスクの接触は防ぎつつ記録再生素子の浮上量を大幅に縮めることができる。例えば、薄膜抵抗体から成る加熱装置を記録再生素子近傍に設け、スライダの一部を必要に応じて加熱して熱膨張、突出させ、記録再生素子の浮上量を調整するスライダ構造が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】
特開平５−２０６３５号公報（第３頁）。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
第一に、再生素子寿命の課題がある。現在主流となっている磁気抵抗効果（ＭＲ効果）を利用した再生素子は熱負荷に弱く、高温に晒される時間が長いと寿命が短くなるという特徴がある。特開平５−２０６３５号公報によって示された方法は有効な浮上量調整方法であるが、現在の記録再生素子に適用しようとすると、加熱装置である薄膜抵抗体が記録再生素子のごく近くに位置するため、加熱によって再生素子の寿命を低減してしまう恐れがある。
【０００５】
第二に、浮上量調整方向の課題がある。同公報によって示された方式は記録再生素子部を熱膨張によって突出させる方式なので、通電によって浮上量は小さくなる。環境気圧（使用高度）に関しては、空気軸受がうける圧力が大きい高圧（低地）では浮上量が大きく、低圧（高地）になるに従って浮上量が小さくなる傾向がある。従って、高地でも接触しない浮上面設計をし、低地では常に通電して浮上量を下げる必要があるが、低地で使われる方が高地で使われるよりも頻度が高いので、同公報によって示された浮上量調整方向は逆の方向に比べて要する電力が大きくなる。
【０００６】
以上まとめると、再生素子への熱負荷を小さくすること、および通電によって浮上量を大きくする方向の調整方法を開発すること、この二点が本発明によって解決しようとする課題である。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記課題は、第一に加熱装置である薄膜抵抗体を記録再生素子から十分離すこと、第二に抵抗体への通電にともなう浮上面一部の突出によって浮上面で発生する空気圧力が増加するように浮上面設計すること、この二点により解決される。
第一の点に関し、薄膜抵抗体が前記記録再生素子から０．１ｍｍ以上離れている必要がある。記録再生素子が空気流出端中央にある場合、流出端付近で記録再生素子の両側にそれぞれ少なくとも０．１ｍｍ以上離して薄膜抵抗体を設置すると良い。
第二の点に関し、現在産業界で広く使われている２段ステップ軸受スライダの浮上面は、実質的に平行な３つの面、すなわち（１）記録再生素子が設置されたレール面、（２）ステップ軸受である浅溝面、（３）負圧ポケットである深溝面、から構成されているが、近年、レール面を記録再生素子が設置された最上面（素子設置面と呼称）と、約５ｎｍ乃至５０ｎｍのごく浅いステップ軸受面（超浅溝面と呼称）の２つの面に分割し、浮上面が合計４つの平行な面から構成される３段ステップ軸受スライダが新たに提案されている。３段ステップスライダは素子設置面を小さく幅狭にして、周囲には素子設置面よりわずかに低い超浅溝面を設けたことにより、スライダのロール方向傾斜にかかわらず素子設置面が最もディスクに近くなることを保証でき、記録再生素子の低浮上化に寄与する。また、素子設置面を小さくしても超浅溝面が空気圧力を発生し荷重を支えているので、ディスク微小うねりへの追従性を損なうことはないという特徴がある。
前記の薄膜抵抗体は浮上面表面に露出して、あるいは浮上面から法線方向内部にある程度の距離を持った位置に形成される。薄膜抵抗体を浮上面に投影した位置が、前記超浅溝面領域内あるいはその近傍にあると、薄膜抵抗体に通電加熱して周囲を熱膨張変形させた時に、超浅溝面がディスク側に変位し、超浅溝面で発生する空気圧力が増加することによって、スライダ全体の浮上量および記録再生素子の浮上量が増加する。すなわち通電によって浮上量が増加する方向の浮上量調整である。
ここまで述べた手段により再生素子の寿命に影響せず、要する消費電力が小さい浮上量調整が実現できる。その結果、ヘッド個体毎に、または使用環境に応じて浮上量を調整することによって浮上量マージンを廃することができ、スライダとディスクの接触は防ぎつつ記録再生素子の浮上量を大幅に縮め、磁気ディスク面記録密度の増大、更には装置の大容量化あるいは小型化に寄与する。
【０００８】
【発明の実施の形態】
本発明の実施形態に係わる磁気ヘッドスライダおよびこれを用いた磁気ディスク装置について、図面を用いて以下説明する。
【０００９】
本発明の一実施例による磁気ディスク装置の概略構成を図１に示す。磁気ヘッドスライダ１には、磁気情報を記録再生する記録再生素子が搭載されている。磁気ディスク１０は磁気情報が格納され、スピンドルモータによって回転される。磁気ヘッドスライダ１は、板ばね状のロードビームに取り付けられており、ロードビームによって磁気ディスク面への押し付け荷重を与えられ、ロードビームとともにボイスコイルモータによって磁気ディスク１０の径方向にシーク動作し、磁気ディスク面全体で記録再生を行う。磁気ヘッドスライダ１は、装置の停止時あるいは読み書き命令が一定時間無い時に、磁気ディスク１０上からランプ１４上に待避する。
なお、ここではロード・アンロード機構を備えた装置を示したが、装置停止中は磁気ヘッドスライダ１が磁気ディスク１０のある特定の領域で待機するコンタクト・スタート・ストップ方式の磁気ディスク装置でも本発明の効果は同様に得られる。
【００１０】
図２は本発明の第一の実施形態を示すスライダ斜視図である。スライダ１は、アルミナとチタンカーバイドの焼結体に代表される材料の基板（ウエハ）部分１ａと、基板上に薄膜プロセスで記録再生素子や配線パターンが形成され、アルミナなどの硬質保護膜で覆われた薄膜ヘッド部分１ｂから成る。
【００１１】
スライダ１は長さ１．２５ｍｍ、幅１．０ｍｍ、厚さ０．３ｍｍのほぼ直方体形状をしており、浮上面９、空気流入端面１２、空気流出端面１３、両側の側面、背面の計６面から構成される。浮上面９にはイオンミリングやエッチングなどのプロセスによって微細な段差が設けられており、図示されていないディスク１０と対向して空気圧力を発生し、背面に負荷される荷重を支える空気軸受の役目を果たしている。
【００１２】
浮上面９には前記のように段差が設けられ、実質的に平行な４種類の面に分類される。最もディスクに近い素子設置面５、素子設置面より約５ｎｍ深い超浅溝面６、素子設置面より約１５０ｎｍ深いステップ軸受面である浅溝面７、素子設置面より約１μｍ深くなっている深溝面８の４種類である。なお、図示するように素子設置面５、超浅溝面６、浅溝面７はそれぞれ複数の構成要素５ａ、５ｂ、５ｃ、構成要素６ａ、６ｂ、構成要素７ａ、７ｂに分割されている。浮上面の流出端側中央付近拡大図を図３に示す。また、空気流出端側から見た図を図４に示す。図４のＤ１、Ｄ２、Ｄ３はそれぞれ約５ｎｍ、約１５０ｎｍ、１μｍである。
【００１３】
磁気ディスク１０が回転することで生じる空気流が、ステップ軸受である浅溝面７からレール面である素子設置面５、超浅溝面６へ進入する際に、先すぼまりの流路によって圧縮され、正の空気圧力を生じる。一方、レール面や浅溝面から深溝面８へ空気流が進入する際には流路の拡大によって、負の空気圧力が生じる。
【００１４】
磁気ヘッドスライダ１は空気流入端１２側の浮上量が空気流出端側１３の浮上量より大きくなるような姿勢で浮上するように設計されている。従って流出端近傍の浮上面がディスク１０に最も接近する。流出端近傍では、素子設置面５ａが周囲の超浅溝面６ａ、６ｂ、浅溝面７ａ、深溝面８に対して突出しているので、スライダピッチ姿勢およびロール姿勢が一定限度を超えて傾かない限り、素子設置面５ａが最も磁気ディスク１０に近づくことになる。磁気ヘッド（記録素子２および再生素子３から構成される）は、素子設置面５ａの、薄膜ヘッド部分に形成されている。また少なくとも素子設置面５ａは、記録再生素子の腐食を防ぐためにカーボン等の保護膜で被膜されている。
【００１５】
素子設置面５と超浅溝面６の間の約５ｎｍの段差形成方法は、約５ｎｍの前記カーボン膜を酸素アッシング等の手段で除去することによって得るのが容易な方法である。
【００１６】
超浅溝面６ａおよび６ｂの、薄膜ヘッド部分には、薄膜抵抗体による加熱装置４ａ、４ｂが薄膜プロセスを用いて形成されている。加熱装置４ａ、４ｂは浮上面表面に露出している様子を示したが、浮上面表面から内部に一定の距離だけ離れていてもよい。薄膜抵抗体として本実施例では、材質がパーマロイ、厚さが０．５ｍｍ、幅が３μｍの細線を、奥行き６０μｍ、幅６０μｍの領域に蛇行させ、間隙はアルミナで埋めて発熱体を形成した。
【００１７】
従来の技術に対する本実施例の特徴は、再生素子３から加熱装置４ａまたは４ｂまでの距離Ｄが、０．１ｍｍ以上となっていることである。また、加熱装置４ａ、４ｂの位置（あるいは浮上面に投影した位置）が素子設置面５ａではなく、超浅溝面６ａ、６ｂであることである。
【００１８】
加熱装置の目的は、熱膨張変形によって記録再生素子と磁気ディスク間のスペーシングを調整し、前記浮上量マージンを無用化することである。近年、浮上量マージンは１０ｎｍ以下で設計されているため、浮上量の変化量は最大１０ｎｍあれば十分である。熱膨張変形量と浮上量変化量との関係が１対１であると仮定すれば、熱膨張変形量も１０ｎｍあれば十分である。薄膜抵抗体からの発熱によるヘッド伝熱解析およびヘッド変形解析結果によれば、１０ｎｍ熱膨張変形させるためには５０ｍＷの熱を薄膜抵抗体が発すればよい。その場合、１０℃以上の温度上昇をするのは薄膜抵抗体の近傍だけであり、０．１ｍｍ離れた位置では温度上昇は限定されている。すなわち、加熱装置４を再生素子３から０．１ｍｍ以上離せば、再生素子の寿命に与える影響はごく限定され、信頼性の高い磁気ヘッドスライダを提供できる。なお、熱膨張変形量と浮上量変化量との関係は厳密には１対１ではないが、後で述べる浮上面設計の工夫によって、１対１に近づけることができる。
【００１９】
次に図５を用い、使用環境の気圧差に起因する浮上量変動を補償する場合を例にとって、浮上量の調整原理を示す。図５のＡ図は低地条件におけるディスク１０と記録再生素子２、３との位置関係を模式的に示したものである。低地条件での素子浮上量をＨ０とする。
【００２０】
図５のＢ図は高地条件における位置関係を示す。高地で気圧が低い場合、同じ浮上量で比べると素子設置面５ａ等の浮上面で発生する空気圧力が小さくなり、同じ荷重で比べると浮上量は小さくなる。すなわち素子浮上量Ｈ１はＨ０より小さくなり、その差は現在の設計浮上量に比べて無視できない量である。低地でぎりぎり接触しない設計にすると高地ではディスクとスライダの接触が起こり、スライダ振動による記録再生エラー、サーマルアスペリティによる読み取りエラー、摩耗による素子ダメージなどを引き起こす。逆に高地でも接触しない設計をすると低地では高い浮上量で使わざるを得なくなり、記録密度を上げることができない。
【００２１】
図５のＣ図は高地条件において本発明の磁気ヘッドスライダ構造によって加熱装置４ａ、４ｂに通電して超浅溝面６ａ、６ｂを熱膨張変形させた様子を示す。超浅溝面６ａ、６ｂで発生する空気圧力が増加することにより、高地で気圧が低くなった分を補償し、素子浮上量Ｈ２を元の素子浮上量Ｈ０と同等にすることができる。
【００２２】
以上、気圧差起因の浮上量変動を補償する方法について説明したが、温度差起因の浮上量変動を補償する場合についても、記録素子の発熱による素子突出分をキャンセルする場合についても、またヘッド個体差による浮上量変動を調整する場合についても、同様である。
【００２３】
従来の浮上量調整方法は、記録再生素子の近傍に加熱装置を置き、記録再生素子近傍だけ突出させて、通電によって浮上量を下げるやり方である。この方法の場合、高地で接触しないよう設計し、低地では浮上量が増える分、通電して突出させて浮上量を小さくすることになる。磁気ディスク装置の使用場所を考慮すると高地より低地の頻度が大きいため、通電する時間、あるいは大きな入力電力を要する時間が長くなり、消費電力が大きい。一方本発明の浮上量調整方法は、加熱装置付近の浮上面をディスクに近づけて浮上面面積を増やし、通電によって浮上量を上げるやり方である。この方法の場合、低地で接触しないよう設計し、高地では浮上量が減る分、通電して浮上量を大きくすることになる。高地で使用される頻度は（装置個別で見れば高地で使用される頻度の方が大きいものもあるが、機種全体で見れば）小さいため、要する消費電力は小さくて済む。
【００２４】
次に浮上量の検知方法について述べる。気圧や温度を測るセンサを別途設ける方法もあるが、気圧、温度、個体差など全ての影響が入った状態で、接触が起こる（近すぎる）ことなく、かつ磁気情報の再生にエラーが起こる（遠すぎる）こともない、という２つの条件が満足されれば問題ないため、接触や再生エラーを監視してそれらが起こった時だけ加熱装置への入力電力を調整するフィードバック制御をするのが最も簡単な制御方法である。なお、ロードによる衝撃で素子が傷つくのを防ぐため、スライダをディスクにロードする時、特に装置起動時は、加熱装置に通電して浮上量を高くしておくのが有効である。
【００２５】
装置起動時からの制御アルゴリズムを図９に示す。接触の検知方法については後述する。気圧差起因の浮上量変動およびヘッド個体差による浮上量変動を補償する方法については図示したように起動時のみでよいが、温度差起因の浮上量変動に関しては、規定の時間間隔毎に、あるいは使用中常に、接触および再生エラーを監視する必要がある。
【００２６】
接触を検知する方法は、（１）アコースティックエミッション（ＡＥ）センサを用いる方法、（２）接触発熱によって再生信号に表れるノイズであるサーマルアスペリティを監視する方法、（３）接触摩擦力によってスライダがピボット回りに微小回転しオフトラックが起こるオフトラック信号を監視する方法、などがある。
【００２７】
一方、磁気情報の再生エラーについてはいわゆるビットエラーレートを監視すればよい。再生エラーと違って記録エラーは監視するのが難しいが、記録時は記録素子のコイル発熱によって素子部が膨張して再生時より浮上量が低いのが一般的であるため、再生エラーが起こらない条件ならば記録エラーが起こる可能性も低い。
【００２８】
また、浮上量調整に関わる別の方法としては、再生信号の振幅を用いて再生素子と媒体間の距離をその場観測する方法があり、これを応用することもできる。
【００２９】
加熱装置４ａ、４ｂの位置（あるいは浮上面に投影した位置）が素子設置面５ａではなく、超浅溝面６ａ、６ｂとなっている利点は、加熱装置４を加熱しない場合に、多少のロール姿勢があったとしても、浮上面の中で記録再生素子に極近い部分が最下点（ディスクに最も近い点）になることが保証できる点である。言い換えれば、最小浮上量位置における浮上量と記録再生素子位置における浮上量の差異が少なく、浮上量のロスが少ないということである。逆に素子設置面の流出端側エッジの幅が広い場合、最小浮上量位置と記録再生素子位置の距離が大きく、浮上量のロスが大きくなる。
【００３０】
素子設置面の流出端側エッジの幅を狭く、３０μｍから６０μｍ程度にすると、ディスクへの接近性能が良くなることが知られており、本実施例の構造はディスクへの接近性能向上の点からも有利である。
【００３１】
図２乃至図５において超浅溝面６ａ、６ｂとした部分の高さを、素子設置面５ａと同じにした場合、上記のように浮上量のロスが本実施例に比べて大きく、またディスクへの接近性能も向上しないものの、本発明の効果は同様に得られる。すなわち、再生素子３と加熱装置４の位置が０．１ｍｍ以上あるので再生素子寿命への影響は小さく、また通電によって浮上量が大きくなる方向の調整であるので、要する消費電力も小さい。
【００３２】
前述した熱膨張変形量と浮上量変化量との関係は厳密には１対１ではないが、素子設置面の流出端側の幅をできるだけ小さくし、一方超浅溝面の幅をできるだけ大きくすると良い。言い換えれば、素子設置面で受け持つ荷重と超浅溝面で受け持つ荷重の比を調整し、素子設置面で受け持つ荷重の比率をできるだけ小さくすると、前記熱膨張変形量と浮上量変化量の関係を１対１に近づけることができる。図６に、素子設置面５ａで受け持つ荷重の比率をできるだけ小さくした例を本発明の第二の実施例として図示する。素子設置面の面積をパラメータにして発生する圧力変化を解析した結果、素子設置面５ａの面積は０．００５平方ｍｍ以下にすると好適である。
【００３３】
図７は本発明の第三の実施形態を示すスライダ斜視図の、流出端付近拡大図である。第一の実施例で示した番号と同じ番号は同じものを示している。本実施例と第一および第二の実施例との違いは、加熱装置４ａ、４ｂを設置した超浅溝面６ａ、６ｂが、素子設置面５ａから離れ、浅溝面７ａで隔てられている点である。このようにすると、加熱装置４ａ、４ｂから再生素子３までの距離Ｄが第一および第二の実施例と比べて大きくなり、再生素子が加熱されて寿命に影響する危険性が更に小さくなる。また、熱膨張によって変形するのが超浅溝面６ａ、６ｂだけに限定され、浅溝面で隔てられた素子設置面５ａはほとんど動かないので、前述した熱膨張変形量と浮上量変化量の関係が１対１に近づく。素子設置面５ａの面積はできるだけ小さく、０．００５平方ｍｍ以下にすると好適である。
【００３４】
図７において超浅溝面６ａ、６ｂとした部分の高さを、素子設置面５ａと同じにした場合、浮上量のロスが本実施例に比べて大きく、またディスクへの接近性能も向上しないものの、本発明の効果は同様に得られる。
【００３５】
図８は本発明の第四の実施形態を示すスライダ斜視図の、流出端付近拡大図である。第一の実施例で示した番号と同じ番号は同じものを示している。本実施例と第一乃至第三の実施例との違いは、加熱装置４ａ、４ｂを設置した超浅溝面６ａ、６ｂが、素子設置面５ａから離れ、深溝面８で隔てられている点である。このようにすると、加熱装置４ａ、４ｂから再生素子３までの距離Ｄが第一乃至第三の実施例と比べて更に大きくなり、再生素子が加熱されて寿命に影響する危険性が一層小さくなる。また、熱膨張によって変形するのが超浅溝面６ａ、６ｂだけに限定され、浅溝面で隔てられた素子設置面５ａはほとんど動かないので、前述した熱膨張変形量と浮上量変化量の関係が１対１に近づく。素子設置面５ａの面積はできるだけ小さく、０．００５平方ｍｍ以下にすると好適である。
【００３６】
図８において超浅溝面６ａ、６ｂとした部分の高さを、素子設置面５ａと同じにした場合、浮上量のロスが本実施例に比べて大きく、またディスクへの接近性能も向上しないものの、本発明の効果は同様に得られる。
【００３７】
【発明の効果】
本発明の、第一に加熱装置である薄膜抵抗体を記録再生素子から十分離したこと、第二に抵抗体への通電にともなう浮上面一部の突出によって浮上面で発生する空気圧力が増加するように浮上面設計したこと、この二点により、再生素子の寿命に影響せず、要する消費電力が小さい浮上量調整が実現できる。その結果、ヘッド個体毎に、または使用環境に応じて浮上量を調整することによって浮上量マージンを廃することができ、スライダとディスクの接触は防ぎつつ記録再生素子の浮上量を大幅に縮め、磁気ディスク面記録密度の増大、更には装置の大容量化あるいは小型化に寄与する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の磁気ヘッドスライダを搭載する磁気ディスク装置。
【図２】本発明の第１実施例のスライダ。
【図３】第１実施例のスライダ流出端付近拡大図。
【図４】第１実施例のスライダを流出端側から見た図。
【図５】第１実施例の浮上量調整メカニズム説明図。
【図６】第２実施例のスライダ流出端付近拡大図。
【図７】第３実施例のスライダ流出端付近拡大図。
【図８】第４実施例のスライダ流出端付近拡大図。
【図９】本発明の磁気ヘッドスライダ制御方法を示すフロー図。
【符号の説明】
１…磁気ヘッドスライダ、１ａ…スライダ基板部分、１ｂ…スライダ薄膜ヘッド部分、２…記録素子、３…再生素子、４…加熱装置、５…素子設置面、５ａ、５ｂ、５ｃ…素子設置面構成要素、６…超浅溝面、６ａ，６ｂ，６ｃ、…超浅溝面構成要素、７…浅溝面、７ａ，７ｂ…浅溝面構成要素、８…深溝面、９…浮上面、１０…磁気ディスク、１１…磁気ディスク装置、１２…空気流入端面、１３…空気流出端面、１４…ランプ、Ｄ…再生素子と加熱装置の距離、Ｄ１…超浅溝面の素子設置面からの深さ、Ｄ２…浅溝面の素子設置面からの深さ、Ｄ３…深溝面の素子設置面からの深さ、Ｈ０…低地での素子浮上量、Ｈ１…高地で加熱しない場合の素子浮上量、Ｈ２…高地で加熱した場合の浮上量
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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