(57)【要約】【課題】触媒の劣化促進物質を触媒に到達しにくくした触媒を提供する。【解決手段】触媒本体（１）の表面に多孔質材料（２）が被覆され、多孔質材料が撥水性を有する。【選択図】          図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
触媒本体の表面に多孔質材料が被覆され、多孔質材料が撥水性を有することを特徴とする触媒。
【請求項２】
触媒本体の表面に多孔質材料が被覆され、多孔質材料の孔径が、処理対象物質のみを選択的に通過させる範囲内にあることを特徴とする触媒。
【請求項３】
触媒本体の表面に多孔質材料が被覆され、多孔質材料が、触媒被毒物質を吸着する物質から形成されていることを特徴とする触媒。
【請求項４】
多孔質材料に吸着した吸着物を洗浄により除去可能とした請求項３記載の触媒。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この出願の発明は、触媒に関するものである。さらに詳しくは、この出願の発明は、触媒の劣化促進物質を触媒に到達しにくくした触媒に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
光半導体（光触媒）の劣化を防止するために、光半導体を高耐久性の多孔性被覆部により被覆する技術が知られている（たとえば、特許文献１参照）。
【０００３】
【特許文献１】
特開平１１−１９７５１５号公報
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記特許文献に記載された技術によっても、光半導体を劣化させる劣化促進物質が光半導体に到達すると、光半導体の劣化を抑制することは難しい。
【０００５】
この出願の発明は、このような事情に鑑みてなされたものであり、触媒の劣化促進物質を触媒に到達しにくくした触媒を提供することを解決すべき課題としている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
この出願の発明は、上記の課題を解決するものとして、触媒本体の表面に多孔質材料が被覆され、多孔質材料が撥水性を有することを特徴とする触媒（請求項１）を提供する。
【０００７】
また、この出願の発明は、触媒本体の表面に多孔質材料が被覆され、多孔質材料の孔径が、処理対象物質のみを選択的に通過させる範囲内にあることを特徴とする触媒（請求項２）を提供する。
【０００８】
さらに、この出願の発明は、触媒本体の表面に多孔質材料が被覆され、多孔質材料が、触媒被毒物質を吸着する物質から形成されていることを特徴とする触媒（請求項３）を提供する。
【０００９】
さらにまた、この出願の発明は、請求項３に記載の触媒に関して、多孔質材料に吸着した吸着物を洗浄により除去可能としたこと（請求項４）を一態様として提供する。
【００１０】
以下、図面に沿ってこの出願の発明の触媒についてさらに詳しく説明する。
【００１１】
【発明の実施の形態】
図１は、この出願の請求項１に係る発明の触媒の一実施形態を概略的に示した断面図である。
【００１２】
この出願の請求項１に係る発明の触媒では、触媒本体（１）の表面に多孔質材料（２）が被覆され、多孔質材料（２）が撥水性を有している。したがって、水蒸気（Ｈ２Ｏ）は、多孔質材料（２）に邪魔され、触媒本体（１）とは接触しにくくなっている。このため、水蒸気（Ｈ２Ｏ）との接触による触媒本体（１）の機能劣化が抑制される。
【００１３】
たとえば、この実施形態では、触媒本体（１）は、アンモニア（ＮＨ３）及び酢酸（ＣＨ３ＣＯＯＨ）と接触し、両物質を分解させることができる。この場合、多孔質材料（２）には疎水性のゼオライトが例示される。
【００１４】
図２は、この出願の請求項２に係る発明の触媒の一実施形態を概略的に示した断面図である。
【００１５】
この出願の請求項２に係る発明の触媒では、触媒本体（１）の表面に多孔質材料（２）が被覆され、多孔質材料（２）の孔径が、処理対象物質のみを選択的に通過させる範囲内にある。したがって、処理対象物質のみが多孔質材料（２）を通過し、触媒本体（１）と接触して反応が生起され、処理対象外物質は多孔質材料（２）を通過することができず、触媒本体（１）との接触は起こりにくくなっている。このため、処理対象外物質との接触による触媒本体（１）の機能劣化が抑制される。
【００１６】
たとえば、この実施形態では、触媒本体（１）は、アンモニア（ＮＨ３）のみと接触し、分解させ、水蒸気（Ｈ２Ｏ）及び酢酸（ＣＨ３ＣＯＯＨ）とは接触しにくくなっている。この場合、多孔質材料（２）には疎水性ゼオライトが例示される。
【００１７】
図３は、この出願の請求項３に係る発明の触媒の一実施形態を概略的に示した断面図である。
【００１８】
この出願の請求項３に係る発明の触媒では、触媒本体（１）の表面に多孔質材料（２）が被覆され、多孔質材料（２）が、触媒被毒物質を吸着する物質から形成されている。したがって、触媒被毒物質は多孔質材料（２）に吸着され、触媒本体（１）との接触は起こりにくくなっている。このため、触媒被毒物質との接触による触媒本体（１）の機能劣化が抑制される。触媒の使用期間を長くすることができ、定期交換の頻度が少なくなる。
【００１９】
たとえば、この実施形態では、多孔質材料（２）は、硫黄系ガス（Ｓ系ガス）を吸着しやすい物質で形成されている。したがって、硫黄系ガス（Ｓ系ガス）は、多孔質材料（２）に吸着され、触媒本体（１）との接触は起こりにくくなっている。この場合、触媒本体（１）を酸化第一銅（ＣｕＯ）と二酸化マンガン（ＭｎＯ２）から形成し、多孔質材料（２）を前述の実施形態と同様に疎水性ゼオライトから形成することができる。これにより、水蒸気（Ｈ２Ｏ）も多孔質材料（２）を通過しにくくすることができ、アンモニア（ＮＨ３）のみが通過し、触媒本体（１）により分解される。
【００２０】
また、この出願の請求項３に係る発明の触媒では、図４に示したように、多孔質材料（２）に吸着した吸着物（３）を洗浄により除去可能とすることができる。
【００２１】
たとえば、この出願の請求項３に係る発明の上記実施形態で示したように、多孔質材料（２）に、硫黄系ガス（Ｓ系ガス）が吸着して形成された吸着物（３）を洗浄により除去可能とする物質を選択し、この物質から多孔質材料（２）を形成することができる。吸着物（３）は洗浄により除去されるため、洗浄後にはそのまま触媒を再利用することができる。触媒の交換が不要となり、廃却する必要性が低減する。
【００２２】
図５は、図４に示した実施形態における多孔質材料（２）の表面付近を拡大して示した拡大断面図である。触媒被毒物質は、多孔質材料（２）の一部と反応して吸着し、吸着物（３）となるが、洗浄により吸着物（３）とともに反応した多孔質材料（２）の一部が剥がれ落ち、除去される。たとえば、多孔質材料（２）をアルミナ及び酸化セリウムから形成すると、硫黄系ガス（Ｓ系ガス）は酸化され、多孔質材料（２）の表面で硫酸アルミニウムや硫酸セリウムとなり、水洗で除去可能となる。
【００２３】
なお、この出願の発明の触媒においては、触媒本体（１）には、金属系では、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｒｕ等を採用することができ、酸化物系では、ＭｎＯ２、ＣｕＯ、ＣｏＯ、ＮｉＯ等を採用することができる。金属系の触媒本体（１）の場合、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２、ゼオライト等に担持させて使用することが多い。また、上述の実施形態では、ガスの浄化の場合を示したが、この出願の発明の触媒は、ガスの浄化に限らず、化学合成にも同様に適用可能である。また、触媒被毒物質に硫黄系ガスを例にあげたが、これについても多孔質材料（２）を形成する物質を適宜選択することにより、他の触媒被毒物質の吸着、また、洗浄除去が可能となる。
【００２４】
もちろん、この出願の発明は、以上の実施形態によって限定されるものではない。触媒本体及び多孔質材料の構造、処理対象物質及び処理対象外物質の種類等の細部については様々な態様が可能であることはいうまでもない。
【００２５】
【発明の効果】
以上詳しく説明したとおり、この出願の発明によって、触媒の劣化促進物質を触媒に到達しにくくした触媒が提供される。性能の低下が抑制されるため、触媒量を少なく、若しくは制御温度を低下させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この出願の請求項１に係る発明の触媒の一実施形態を概略的に示した断面図である。
【図２】この出願の請求項２に係る発明の触媒の一実施形態を概略的に示した断面図である。
【図３】この出願の請求項３に係る発明の触媒の一実施形態を概略的に示した断面図である。
【図４】この出願の請求項３に係る発明の触媒の別の実施形態を示した断面図である。
【図５】図４に示した実施形態における多孔質材料の表面付近を拡大して示した拡大断面図である
【符号の説明】
１    触媒本体
２    多孔質材料
３    吸着物
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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