(57)【要約】【課題】上部電極の上に、画素を覆うように保護膜が設けられてなる有機ＥＬ表示装置において、上下電極の短絡部を適切に自己修復できるようにする。【解決手段】下部電極２０、発光層３３を含む有機層３０、上部電極４０が順次積層されてなる画素５０が配置され、上部電極４０の上に画素５０を覆うように樹脂からなる樹脂保護膜７０が設けられてなる有機ＥＬ表示装置において、樹脂保護膜７０はシリコン系樹脂等の構成元素として酸素を含むものであり、使用時の電圧印加条件における有機層３０の耐圧以下の逆バイアス電圧を印加することで上下電極２０、４０が短絡したときに、樹脂保護膜７０が分解して酸素を含む低分子物質を放出するようになっている。【選択図】        図１
2004214084.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下部電極（２０）、発光層（３３）を含む有機層（３０）、上部電極（４０）が順次積層されてなる画素（５０）が配置され、
前記上部電極の上に、前記画素を覆うように樹脂からなる樹脂保護膜（７０）が設けられてなる有機ＥＬ表示装置において、
前記樹脂保護膜は、構成元素として酸素を含むものであり、
使用時の電圧印加条件における前記有機層の耐圧以下の逆バイアス電圧を印加することで前記下部電極と前記上部電極とが短絡したときに、前記樹脂保護膜は分解して酸素を含む低分子物質を放出するようになっていることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項２】
前記樹脂保護膜（７０）がシリコン系樹脂からなることを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項３】
前記樹脂保護膜（７０）がフッ素系樹脂からなることを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項４】
前記樹脂保護膜（７０）と前記上部電極（４０）との間には、無機物からなる無機保護膜（６０）が介在されており、
前記無機保護膜は原子層成長法で成膜されたものであって、その膜厚が２００ｎｍ以下のものであることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか一つに記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項５】
前記上部電極（４０）と前記樹脂保護膜（７０）の間に、ガストラップ用ゲッター材（１００）が挿入されていることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか一つに記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項６】
前記樹脂保護膜（７０）の上には、金属箔もしくは金属と樹脂との積層シートからなるラミネートフィルム（１１０）が設けられており、
前記ラミネートフィルムによって前記画素（５０）および前記樹脂保護膜が外気から遮断されていることを特徴とする請求項１ないし５のいずれか一つに記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項７】
前記樹脂保護膜（７０）に乾燥剤が混入されていることを特徴とする請求項１ないし６のいずれか一つに記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項８】
前記有機層（３０）の耐圧は、使用時の電圧印加条件にて１分以下、駆動させたときの耐圧であることを特徴とする請求項１ないし７のいずれか一つに記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項９】
前記逆バイアス電圧は、前記有機層（３０）の耐圧の１／２以下であることを特徴とする請求項１ないし８のいずれか一つに記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項１０】
前記有機層（３０）の耐圧を前記有機層の単位厚さ当たりの電界強度で表したとき、当該電界強度は３×１０６Ｖ／ｃｍ以上であることを特徴とする請求項１ないし９のいずれか一つに記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項１１】
前記有機層（３０）の耐圧を前記有機層の単位厚さ当たりの電界強度で表したとき、当該電界強度を計算する場合に前記有機層から導電性の有機膜を除外し、当該電界強度は３．４×１０６Ｖ／ｃｍ以上であることを特徴とする請求項１ないし９のいずれか一つに記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項１２】
前記逆バイアス電圧をＶｒとし、前記上部電極（４０）の厚さをＤａとし、これらＶｒとＤａとの比Ｖｒ／ＤａをＸａとしたとき、前記Ｘａが２．２×１０６Ｖ／ｃｍ以上であることを特徴とする請求項１ないし１１のいずれか一つに記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項１３】
前記上部電極（４０）の厚さＤａが１００ｎｍ以下に薄くなっていることにより、前記Ｘａが２．２×１０６Ｖ／ｃｍ以上であることが確保されていることを特徴とする請求項１２に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項１４】
前記逆バイアス電圧をＶｒとし、前記有機層（３０）の厚さをＤｙとし、これらＶｒとＤｙとの比Ｖｒ／ＤｙをＹａとしたとき、前記Ｙａが１．２×１０６Ｖ／ｃｍ以上２．２×１０６Ｖ／ｃｍ以下であることを特徴とする請求項１ないし１３のいずれか一つに記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項１５】
前記逆バイアス電圧をＶｒとし、導電性の有機膜を除外した前記有機層（３０）の厚さをＤｙ’とし、これらＶｒとＤｙ’との比Ｖｒ／Ｄｙ’をＹａ’としたとき、前記Ｙａ’が１．４×１０６Ｖ／ｃｍ以上２．４×１０６Ｖ／ｃｍ以下であることを特徴とする請求項１ないし１３のいずれか一つに記載の有機ＥＬ表示装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）表示装置に関し、特に、使用時に上下電極の短絡による画素欠陥およびラインなどの表示不良を抑制した発光安定性に優れた有機ＥＬ表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
有機ＥＬ表示装置は、一対の電極すなわち下部電極と上部電極との間に有機ＥＬ材料からなる発光層を含む有機層を備えた画素を有するものである。その駆動は、当該画素に対して、発光時には順バイアス電圧が印加され、非発光時には逆バイアス電圧が印加されるようなパルス電圧を加えることで行う。
【０００３】
このような有機ＥＬ表示装置は、自己発光のため、視認性に優れ、かつ数Ｖ〜数十Ｖの低電圧駆動が可能なため駆動回路を含めた軽量化が可能である。そこで薄膜型ディスプレイ、照明、バックライトとしての活用が期待できる。
【０００４】
しかしながら、この有機ＥＬ表示装置では、電界や熱による有機材料の変質や材料相互の拡散あるいは異物等の介在により、上下電極間の耐圧が局部的に低下した欠陥部が発生しやすく、その結果として、当該欠陥部において上下電極の短絡が発生することがある。
【０００５】
この不具合の対策として、従来では、逆方向のパルス電圧（逆バイアス電圧）を加えることで電子注入電極である上部電極を陽極酸化させて自己修復させる方法（特許文献１参照）や、上部電極を飛散させて自己修復させる方法（特許文献２参照）が知られている。
【０００６】
また、従来の有機ＥＬ表示装置では、下部電極、発光層を含む有機層、上部電極が順次積層されてなる画素を覆うように、上部電極の上に無機膜、樹脂膜を順に積層してなる保護膜が設けられてなるものが提案されている（例えば、特許文献３参照）。それによれば、保護膜によって有機層を外部の水や酸素等から保護している。
【０００７】
【特許文献１】
特開平１１−４０３４６号公報
【０００８】
【特許文献２】
特開平１１−１６２６３７号公報（第３−６頁、第２−３図）
【０００９】
【特許文献３】
特開２０００−２２３２６４号公報
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、従来では、上述した従来の自己修復方法を、上記特許文献３に記載されているような保護膜を有した有機ＥＬ表示装置に適用した例は無い。しかしながら、本発明者らの検討によれば、このような保護膜を有する有機ＥＬ表示装置においても、上記した欠陥部における上下電極の短絡が生じることがある。
【００１１】
ここで、従来の自己修復方法を単純に適用したとしても、画素の上部に無機保護膜や樹脂保護膜がある場合、酸素が入り込めないため、上部電極の酸化はされない。また、上部に無機保護膜や樹脂保護膜があるため、上部電極を飛散させることもできない。そのため、上下電極の短絡部を確実に自己修復することは困難であった。
【００１２】
そこで、本発明は上記問題に鑑み、上部電極の上に、画素を覆うように保護膜が設けられてなる有機ＥＬ表示装置において、上下電極の短絡部を適切に自己修復できるようにすることを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、鋭意研究した結果、自己修復を行う目的で逆バイアス電圧を印加するにあたって有機層の耐圧に着目し且つ樹脂保護膜の構成を工夫することで、自己修復作用を有効に発現できることがわかった。
【００１４】
有機層の耐圧は、次のように定義した。基本的には、使用時の電圧印加条件における有機層の耐圧とした。有機層の耐圧は、有機ＥＬ表示装置の原理から、逆バイアス電圧印加時の耐圧である。そして、その有機層の耐圧は逆バイアス電圧の印加方法に依存する。
【００１５】
そこで、その耐圧の評価においては、実際に駆動する場合のデューティ比、周波数などによって規定されるパルス幅と同一の状態で測定した電圧に基づいて、逆バイアス電圧の設定を行うべきである。
【００１６】
このようなことから、有機層の耐圧の評価は、所定のデューティ比やパルス幅を持つパルス電圧を画素に印加し、順方向に電流を流すことで発光させつつ、非発光時には逆バイアス電圧を印加するという使用時の電圧印加条件にて行った（図３参照）。
【００１７】
この操作において、順方向の電流は一定（つまり発光輝度はほぼ一定）のままで、逆バイアスの電圧を増加ながら、発光しなくなる逆バイアス電圧を耐圧とする。逆バイアス電圧の変え方は、各電圧毎に５秒以上１分以下の保持をしながら、数Ｖづつ上げていく方法とした（図４参照）。
【００１８】
このようにして、逆バイアス電圧を上昇させていくと、保護膜が無い場合には、画素中の上部電極の一部もしくは全部が飛散する。このときの逆バイアス電圧の値を有機層の耐圧として定義する。この方法によれば、使用時の電圧印加条件における有機層の耐圧としてほぼ一定の値が得られる。
【００１９】
本発明は、上記したような有機層の耐圧を有機ＥＬ表示装置において求め、それを利用することで創出されたものである。
【００２０】
すなわち、請求項１に記載の発明では、下部電極（２０）、発光層（３３）を含む有機層（３０）、上部電極（４０）が順次積層されてなる画素（５０）が配置され、上部電極の上に、画素を覆うように樹脂からなる樹脂保護膜（７０）が設けられてなる有機ＥＬ表示装置において、樹脂保護膜は、構成元素として酸素を含むものであり、使用時の電圧印加条件における有機層の耐圧以下の逆バイアス電圧を印加することで下部電極と上部電極とが短絡したときに、樹脂保護膜は分解して酸素を含む低分子物質を放出するようになっていることを特徴とする。
【００２１】
画素の欠陥部では、耐圧が低下しているため、有機層の耐圧以下の逆バイアス電圧によって上下電極が短絡する。このとき、短絡により生じる熱等によって樹脂保護膜が分解するので、その下に位置する上部電極や有機層も飛散することができる。
【００２２】
そして、飛散によって破断した部分の上部電極は、分解した樹脂保護膜から放出される酸素を含む低分子物質によって被覆されたり酸化されたりすることにより、さらに樹脂の一部が上部電極の中に入り込み、電気的絶縁状態となる。
【００２３】
その結果、上部電極が飛散した欠陥部において上下電極間が電気的にオープンになるため、それ以上、欠陥が拡がらなくなる。つまり、画素として一部欠陥は残るものの、画素の耐圧は回復し、発光可能となる。こうして自己修復が実現される。
【００２４】
したがって、本発明によれば、上部電極の上に、画素を覆うように保護膜が設けられてなる有機ＥＬ表示装置において、上下電極の短絡部を適切に自己修復できる。
【００２５】
ここで、このような樹脂保護膜（７０）としては、シリコン系樹脂やフッ素系樹脂等を採用することができる。
【００２６】
請求項４に記載の発明では、樹脂保護膜（７０）と上部電極（４０）との間には、無機物からなる無機保護膜（６０）が介在されており、無機保護膜は原子層成長法で成膜されたものであって、その膜厚が２００ｎｍ以下のものであることを特徴とする。
【００２７】
樹脂保護膜の成膜時において、樹脂保護膜から、溶剤や低分子有機物、水分、さらには酸素等が出てきて、これらが下地の有機層にダメージを与える場合がある。
【００２８】
このような場合、本発明によれば、画素と樹脂保護膜との間に介在する無機保護膜によって、上記のダメージ物質を有機層から遮断することができる。もちろん、樹脂保護膜の成膜時に有機層にダメージが与えられることが無い場合には、無機保護膜は不要として良い。
【００２９】
また、この無機保護膜は、あまり厚いと、上述した上部電極の飛散や樹脂保護膜の分解を阻害するものとなる。そのため、本発明者らの検討によれば、無機保護膜の膜厚は２００ｎｍ以下に薄いものが好ましい。また、このような薄い無機保護膜を適切に成膜するには、スパッタや蒸着に比べてカバレッジ性の良い公知の原子層成長法が好ましい。
【００３０】
また、請求項５に記載の発明では、上部電極（４０）と樹脂保護膜（７０）の間に、ガストラップ用ゲッター材（１００）が挿入されていることを特徴とする。
【００３１】
それによれば、外部から樹脂保護膜を透過してくる酸素を、ガストラップ用ゲッター材によってトラップすることができるので、有機層に与えるダメージをより低減でき、好ましい。
【００３２】
また、請求項６に記載の発明では、樹脂保護膜（７０）の上には、金属箔もしくは金属と樹脂との積層シートからなるラミネートフィルム（１１０）が設けられており、ラミネートフィルムによって画素（５０）および樹脂保護膜が外気から遮断されていることを特徴とする。
【００３３】
また、請求項７に記載の発明では、樹脂保護膜（７０）に乾燥剤が混入されていることを特徴とする。
【００３４】
これら請求項６、請求項７に記載の発明によれば、有機層を外部の水や酸素等から、より確実に保護することができ、好ましい。
【００３５】
ところで、上記請求項１〜請求項７に記載の発明では、使用時の電圧印加条件における有機層の耐圧を指標として、自己修復するための逆バイアス電圧の値を適度な大きさに決定することができる。
【００３６】
つまり、使用時において画素に印加する電圧において、非発光時に印加する逆バイアス電圧を有機層の耐圧以下の大きさにすることで、上部電極の全部が飛散してしまうような過大な逆バイアス電圧の設定を防止できる。
【００３７】
また、有機層の耐圧を指標とするため、逆バイアス電圧の大きさは、その耐圧以下の大きさまでは許容される。そのため、逆バイアス電圧が小さすぎて自己修復が不十分になることも防止できる。
【００３８】
ここで、有機層（３０）の耐圧は、請求項８に記載の発明のように、使用時の電圧印加条件にて１分以下、駆動させたときの耐圧にすることができる。
【００３９】
有機層の耐圧は、使用時間の経過に伴い低下していくが、使用時全般に渡って効果を発揮させるには、使用初期の耐圧を採用するのが良い。そのような初期的な耐圧として、使用時の電圧印加条件にて１分以下、有機ＥＬ表示装置を駆動させたときの耐圧とすることができる。
【００４０】
また、請求項９に記載の発明では、逆バイアス電圧は、有機層（３０）の耐圧の１／２以下であることを特徴とする。
【００４１】
上記請求項１〜請求項８に記載の逆バイアス電圧においても、素子構造によっては、画素全体の上部電極（４０）を飛散させる場合がある。そこで、好ましくは、逆バイアス電圧を有機層（３０）の耐圧の１／２以下とすれば、素子構造にかかわらず自己修復させたい部位のみの上部電極の飛散に確実に止め得ることが実験的にわかった。
【００４２】
請求項１０に記載の発明では、有機層（３０）の耐圧を有機層の単位厚さ当たりの電界強度で表したとき、当該電界強度は３×１０６Ｖ／ｃｍ以上であることを特徴とする。
【００４３】
有機ＥＬ表示装置においては、有機材料の種類にかかわらず有機層の耐圧は、そのトータル厚さで定義できることがわかった。そして、本発明の有機ＥＬ表示装置としては、上記電界強度が３×１０６Ｖ／ｃｍ以上であるものにできる。それによれば、上記手段の効果を有効に発揮することができる。
【００４４】
請求項１１に記載の発明では、有機層（３０）の耐圧を有機層の単位厚さ当たりの電界強度で表したとき、当該電界強度を計算する場合に有機層から導電性の有機膜を除外し、当該電界強度は３．４×１０６Ｖ／ｃｍ以上であることを特徴とする。
【００４５】
有機ＥＬ表示装置においては、銅フタロシアニンに代表されるポルフィリン系の導電性材料を用いた層の厚さが、比較するパネルで異なる場合は、特にその厚さが３０ｎｍ程度以上と厚くなるほど、上記電界強度が一定にならない場合がある。
【００４６】
電界強度をより正確に比較する場合には、有機層から導電性の有機膜を除外した方がより好ましいことがわかった。その場合、上記請求項１０に記載の電界強度を見直すと、３．４×１０６Ｖ／ｃｍ以上であるものにできる。
【００４７】
それによれば、上記手段の効果を有効に発揮することができる。ここで重要な概念は、銅フタロシアニンに代表されるポルフィリン系の導電性材料は、抵抗体として寄与し、耐圧を有する半導体（絶縁体）ではないことである。
【００４８】
請求項１２に記載の発明では、逆バイアス電圧をＶｒとし、上部電極（４０）の厚さをＤａとし、これらＶｒとＤａとの比Ｖｒ／ＤａをＸａとしたとき、Ｘａが２．２×１０６Ｖ／ｃｍ以上であることを特徴とする。
【００４９】
逆バイアス電圧が小さすぎたり、上部電極が厚すぎると、上部電極が飛散しにくく、自己修復しにくい。その点、逆バイアス電圧Ｖｒと上部電極の厚さＤａとの比Ｖｒ／Ｄａ＝Ｘａを２．２×１０６Ｖ／ｃｍ以上とすれば、より適切に自己修復を行うことができるため（図７参照）、好ましい。
【００５０】
請求項１３に記載の発明では、上部電極（４０）の厚さＤａが１００ｎｍ以下に薄くなっていることにより、Ｘａが２．２×１０６Ｖ／ｃｍ以上であることが確保されていることを特徴とする。
【００５１】
上記請求項１２に記載のＸａの値を実現する手法として、逆バイアス電圧Ｖｒを高くしすぎないほうが良い。つまり、上記請求項９に記載の発明のように、有機層の耐圧の１／２以下程度が好ましい。
【００５２】
そのため、逆バイアス電圧を低めに設定し、上部電極の厚さＤａを１００ｎｍ以下に薄くすることで、上記Ｘａの値を実現することが好ましい。この厚さＤａを１００ｎｍ以下としたことは、自己修復時の上部電極の飛散形状をレーザ照射などで測定し、当該飛散形状が小さく且つ効果的に電気的にオープンになる形状となる厚さＤａを調べることで決めたものである。
【００５３】
請求項１４に記載の発明では、逆バイアス電圧をＶｒとし、有機層（３０）の厚さをＤｙとし、これらＶｒとＤｙとの比Ｖｒ／ＤｙをＹａとしたとき、Ｙａが１．２×１０６Ｖ／ｃｍ以上２．２×１０６Ｖ／ｃｍ以下であることを特徴とする。
【００５４】
この比Ｙａの値が小さいとは、同じ逆バイアス電圧で考えると有機層の厚さＤｙが厚い場合を示し、比Ｙａの値が大きいとは有機層の厚さＤｙが薄い場合を示す。有機層が厚すぎると、有機層が飛散しにくいため自己修復が起きにくい。
【００５５】
一方、有機層が薄すぎると、下部電極の凹凸などの影響から均一な有機層の厚さが実現できないため、有機層が飛散しすぎてしまい、表示品質の著しい低下を引き起こし、好ましくない。
【００５６】
その点、逆バイアス電圧Ｖｒと有機層の厚さＤｙとの比Ｖｒ／Ｄｙ＝Ｙａを１．２×１０６Ｖ／ｃｍ以上２．２×１０６Ｖ／ｃｍ以下の範囲とすれば、より適切に自己修復を行うことができるため（図８参照）、好ましい。
【００５７】
請求項１５に記載の発明では、逆バイアス電圧をＶｒとし、導電性の有機膜を除外した有機層（３０）の厚さをＤｙ’とし、これらＶｒとＤｙ’との比Ｖｒ／Ｄｙ’をＹａ’としたとき、Ｙａ’が１．４×１０６Ｖ／ｃｍ以上２．４×１０６Ｖ／ｃｍ以下であることを特徴とする。
【００５８】
導電性の有機膜を除外した有機層（３０）の厚さＤｙ’を用いて、上記請求項１４に記載の比Ｖｒ／Ｄｙを換算すると、本発明のような範囲となる。
【００５９】
なお、上記各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示す一例である。
【００６０】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を図に示す実施形態について説明する。なお、以下の各実施形態相互において、同一部分には図中、同一符号を付してある。
【００６１】
（第１実施形態）
図１は、本発明の第１実施形態に係る有機ＥＬ表示装置Ｓ１の概略断面構成を示す図である。この有機ＥＬ表示装置Ｓ１は、ガラスや樹脂等の絶縁性の基板１０の上に、下部電極２０、発光層３３を含む有機層３０、および上部電極４０が順次積層形成されている。
【００６２】
ここで、下部電極２０および上部電極４０が重なっている領域５０における上下電極２０、４０および有機層３０が、画素５０として形成されている。ここで、図２は、図１に示す有機ＥＬ表示装置Ｓ１の概略平面構成の一例を示す図である。
【００６３】
本例では、図２に示すように、これら両電極２０、４０は互いに直交するストライプ形状をなし、両ストライプ状電極２０、４０の交差する部分が画素５０となっている。そして、この画素５０は、一つが０．３ｍｍ角のサイズであり、２５６×６４のドットマトリクスを構成したものとしている。
【００６４】
下部電極２０は、光学的に透明なＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）膜等からなる。また、本実施形態では、有機層３０は、正孔注入性有機材料等からなる正孔注入層３１、正孔輸送性有機材料等からなる正孔輸送層３２、正孔輸送性または電子輸送性の有機材料に発光色素を含有した材料等からなる発光層３３、電子輸送性有機材料からなる電子輸送層３４が順次積層されてなる。
【００６５】
また、上部電極４０はＡｌ等の金属膜等からなる。これら画素５０を構成する各層には、通常の有機ＥＬ表示装置に採用される材料もしくは採用の可能性のある材料を適用することができる。
【００６６】
このような画素構成を有する本有機ＥＬ表示装置Ｓ１においては、下部電極２０を陽極、上部電極４０を陰極として上下電極２０、４０間に電圧を印加することにより、駆動がなされる。このとき、画素５０に対して発光時には順バイアス電圧が印加されて発光し、非発光時にはクロストーク等による発光を抑えるため逆バイアス電圧が印加される。
【００６７】
具体的に、本例のドットマトリクスタイプの有機ＥＬ表示装置Ｓ１においては、一つの画素５０に対して、図３に示すような所定のデューティ比やパルス幅を有する駆動波形のパルス電圧が印加される。順バイアス電圧（順方向パルス）の印加時には、発光層３３が発光し、逆バイアス電圧（逆バイアスパルス）の印加時には、非発光状態となる。
【００６８】
さらに、図１に示すように、本有機ＥＬ表示装置Ｓ１では、上部電極４０の上に、画素５０を覆うように無機保護膜６０、樹脂保護膜７０が順次積層されている。これら保護膜６０、７０は、上部電極４０の上部及び上部電極４０が形成されていない有機層３０の上部において、有機層３０の成膜領域よりも広い範囲を被覆しており、下地である有機層４０を保護している。
【００６９】
無機保護膜６０は、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＮ、ＳｉＮＯ、ＺｎＳ−ＳｉＯ２、ＳｉＯ２およびＬｉＯから選択されたものからなり、特開２０００１−２８４０４２号公報に記載された原子層成長法（ＡＬＥ法）やスパッタリング法、蒸着法等にて形成される。
【００７０】
この無機保護膜６０の膜厚は２００ｎｍ以下、好ましくは数十ｎｍであり、従来の無機保護膜が数μｍであるのに対して大幅に薄いものとしている。このような薄い無機保護膜６０としては、カバレッジ性の良い原子層成長法を用いて成膜されたＡｌ２Ｏ３等を採用することが好ましい。
【００７１】
樹脂保護膜７０は構成元素として酸素を含むものであり、上記図３に示したような使用時の電圧印加条件における有機層３０の耐圧以下の逆バイアス電圧を印加することで下部電極２０と上部電極４０とが短絡したときに、樹脂保護膜７０が分解して酸素を含む低分子物質を放出するようになっている。
【００７２】
このような樹脂保護膜７０としては、シリコン系樹脂やフッ素系樹脂等を採用することができ、塗布して硬化させる方法等にて形成することができる。その膜厚は０．数ｍｍ、例えば０．０１ｍｍ〜０．５ｍｍとすることができる。
【００７３】
樹脂保護膜７０としてシリコン系樹脂を用いる場合には、シリコンゴム、シリコンゲル、シリコンオイル等を使用することができる。また、フッ素系樹脂を用いる場合には、フッ素ゴム、フッ素ゲル、フッ素オイル等を使用することができる。
【００７４】
例えば、上記したシリコン系樹脂においては、樹脂中にシロキサンを含んでおり、上下電極２０、４０の短絡時の熱により分解して、酸素を含む低分子物質としてのシロキサンを発生する。
【００７５】
なお、樹脂保護膜７０の下の無機保護膜６０は、樹脂保護膜７０の成膜時において発生する溶剤や低分子有機物、水分、さらには酸素等の有機層３０にダメージを与える物質から、有機層３０を保護するためのものである。
【００７６】
つまり、画素５０と樹脂保護膜７０との間に介在する無機保護膜６０によって、上記のダメージ物質を有機層３０から遮断することができる。もちろん、樹脂保護膜７０の成膜時に有機層３０にダメージを与える物質が発生しなかったり、発生しても有機層３０のダメージが問題にならないような場合には、無機保護膜６０は無くても良い。
【００７７】
また、樹脂保護膜７０の上には、樹脂保護膜７０およびその下部の層２０〜６０を収納し外気から遮断するケース８０が設けられている。このケース８０は金属やセラミック等からなるもので、基板１０の周辺部に接着等にて固定されている。
【００７８】
そして、本実施形態では、ケース８０内に乾燥剤９０が設けられている。この乾燥剤９０は、ケース８０と基板１０との接着部から侵入する水分を吸収するためのものであり、例えば、酸化バリウム（ＢａＯ）や酸化カルシウム（ＣａＯ）等を用いることができる。
【００７９】
また、ケース８０内には、封入ガスとして窒素ガスまたは不活性ガスが充填されている。こうして、ケース８０内は乾燥雰囲気となっており、有機層３０に水分が侵入するのを防止できるようになっている。
【００８０】
このような有機ＥＬ表示装置Ｓ１は、次のようにして製造できる。まず、スパッタリング法や真空蒸着法等を用いて、基板１０の上に各層２０〜４０を順次形成する。次に、原子層成長法（ＡＬＥ法）やスパッタリング法、蒸着法等を用いて無機保護膜６０を成膜する。
【００８１】
この無機保護膜６０の形成においては、石英ガラス製のマスク等を用いて成膜することにより、無機保護膜６０の成膜領域を、下部電極（陽極）２０と上部電極（陰極）４０における外部回路との接続端子部が露出されるように設定する。
【００８２】
次に、無機保護膜６０の上にディスペンサ等にて樹脂保護膜７０を塗布し、過熱乾燥等にて硬化させる。この樹脂保護膜７０の形成は、水分や酸素の雰囲気を制御した環境下にて行い、外部から樹脂保護膜７０中への水分や酸素の侵入を極力抑制するようにする。
【００８３】
そして、乾燥剤９０が固定されたケース８０を、乾燥窒素雰囲気や不活性ガス雰囲気にて、基板１０に接着し、基板１０上の画素５０や保護膜６０、７０をケース８０によって気密に封止する。こうして、図１に示す有機ＥＬ表示装置Ｓ１ができあがる。
【００８４】
［自己修復作用］
上記図３に示すような駆動波形が、有機ＥＬ表示装置Ｓ１における使用時の電圧印加条件であり、本実施形態では、この使用時の電圧印加条件における有機層３０の耐圧以下の逆バイアス電圧を印加したときに、画素５０が自己修復できるようになっている。
【００８５】
有機層３０の耐圧は、実際に駆動する場合のデューティ比、周波数などによって規定されるパルス幅と同一の状態で測定した電圧に基づいて決められる。つまり、図３に示す駆動波形において、順方向の電流は一定（つまり発光輝度はほぼ一定）のままで、逆バイアス電圧の大きさを増加ながら、発光しなくなる逆バイアス電圧を耐圧とする。
【００８６】
ここで、逆バイアス電圧の変え方は、図４に示すように、各電圧毎の保持時間を５秒以上１分以下としながら、数Ｖづつ上げていく方法とする。また、このとき、上記図１において保護膜６０、７０が設けられていない素子構成のものを用いる。
【００８７】
このようにして、逆バイアス電圧を上昇させていくと、画素５０中の上部電極４０の一部もしくは全部が飛散する。この飛散が発生したときの逆バイアス電圧の値が有機層３０の耐圧として定義される。
【００８８】
この方法によれば、使用時の電圧印加条件における有機層３０の耐圧としてほぼ一定の値が得られる。限定するものではないが、本例では、順バイアス電圧を１０Ｖに一定とし、各逆バイアス電圧において保持時間を５秒としながら、２０Ｖから１Ｖづつ上昇させていくことにより、有機層３０の耐圧を求めることができる。
【００８９】
さらに、本例の有機ＥＬ表示装置Ｓ１では、上記図２に示したように、複数個の画素５０を有するため、各画素５０における有機層３０の耐圧は、ある一定の分布を持っている。
【００９０】
具体的には、本例において、複数個の画素５０について有機層３０の耐圧を調べた結果、図５に示すような分布を有するものとなった。そして、本例における有機層３０の耐圧は、その平均値すなわち平均耐圧（図５では５０Ｖ）としている。
【００９１】
このようにして、使用時の電圧印加条件における有機層３０の耐圧が定義された有機ＥＬ表示装置Ｓ１において、本実施形態では、当該有機層３０の耐圧以下の逆バイアス電圧を印加することで上下電極２０、４０が短絡したときに、樹脂保護膜７０が分解して酸素を含む低分子物質を放出する独自の構成を採用している。
【００９２】
このような独自の構成を採用することにより、本実施形態では、画素５０の欠陥部の自己修復が可能となっている。この自己修復の様子について、図６を参照して述べる。
【００９３】
図６は、本実施形態による自己修復の一例を模式的に示す断面図である。図６において（ａ）は自己修復前の画素５０の状態を示し、（ｂ）は自己修復後の画素５０の状態を示す。なお、無機保護膜６０は省略してある。
【００９４】
画素５０の欠陥部では、耐圧が低下している。そのため、上記の有機層３０の耐圧以下の逆バイアス電圧によって上下電極２０、４０が短絡する。このとき、図６（ｂ）に示すように、この短絡により生じる熱等によって、樹脂保護膜７０が分解するので、その下に位置する薄い無機保護膜６０や上部電極４０、有機層３０も飛散することができる。
【００９５】
そして、飛散が発生し破断した部分の上部電極４０は、分解した樹脂保護膜７０から放出される酸素を含む低分子物質７１によって被覆されたり酸化されたりすることにより、電気的絶縁状態となる。また、有機層３０が飛散した部分には、分解した樹脂保護膜７０の一部が充填される。このような様子は、断面顕微鏡観察等で確認されたものである。
【００９６】
このような現象が起こる結果、上部電極４０が飛散した欠陥部において上下電極２０、４０間が電気的にオープンになるため、それ以上、欠陥が拡がらなくなる。つまり、画素５０として一部欠陥は残るものの、画素５０の耐圧は回復し、発光可能となる。こうして自己修復が実現される。
【００９７】
したがって、本実施形態によれば、上部電極４０の上に画素５０を覆うように樹脂保護膜が設けられてなる有機ＥＬ表示装置において、上下電極２０、４０の短絡部を適切に自己修復することができる。
【００９８】
このような樹脂保護膜７０の作用は、例えば、樹脂保護膜７０として上述したシリコン系樹脂を用いた場合には、酸素を含む低分子物質７１としてのシロキサンにより、効果的に実現される。つまり、短絡時の熱によって、飛散により破断した部分の上部電極４０がシロキサン中の酸素により酸化され、さらに樹脂の一部が上部電極の中に入り込み、上下電極２０、４０の短絡が防止される。
【００９９】
ここで、上述したように、樹脂保護膜７０と上部電極４０との間に介在する無機保護膜６０は、必要に応じて設けられるものであるが、無機保護膜６０を介在させる場合には、無機保護膜６０の膜厚は２００ｎｍ以下、好ましくは数十ｎｍであることが好ましい。
【０１００】
無機保護膜６０が、あまり厚いと、上述した上部電極４０の飛散や樹脂保護膜の分解を阻害するためである。そして、このような薄い無機保護膜６０としては、カバレッジ性の良い原子層成長法を用いて成膜されたＡｌ２Ｏ３等を採用することが好ましい。
【０１０１】
ちなみに、上記特許文献３に示したような従来の有機ＥＬ表示装置における保護膜では、無機保護膜が数μｍ程度と厚いため、上部電極の飛散が十分に行われず、自己修復が困難であった。
【０１０２】
また、本実施形態によれば、使用時の電圧印加条件における有機層３０の耐圧を指標として、自己修復するための逆バイアス電圧の値を適度な大きさに決定することができる。
【０１０３】
つまり、使用時において画素５０に印加する電圧において、非発光時に印加する逆バイアス電圧を有機層３０の耐圧以下の大きさにすることで、上部電極４０の全部が飛散してしまうような過大な逆バイアス電圧の設定を防止できる。
【０１０４】
また、有機層３０の耐圧を指標とするため、逆バイアス電圧の大きさは、その耐圧以下の大きさまでは許容される。そのため、逆バイアス電圧が小さすぎて自己修復が不十分になることも防止できる。
【０１０５】
また、図４を参照して上述したが、本実施形態において、有機層３０の耐圧とは、使用時の電圧印加条件にて１分以下、駆動させたときの耐圧である。つまり、上記図４における保持時間を１分以下として、有機層３０の耐圧を求めたことを意味している。
【０１０６】
有機層３０の耐圧は、使用時間の経過に伴い低下していくため、使用の初期から長期の間すなわち使用時全般に渡って効果を発揮させるには、使用初期の耐圧を採用するのが良いことは明らかである。そのような初期的な耐圧として、使用時の電圧印加条件にて１分以下、有機ＥＬ表示装置を駆動させたときの耐圧とすることができる。
【０１０７】
［好適手段］
次に、本実施形態における好ましい手段を挙げておく。本実施形態の有機ＥＬ表示装置Ｓ１においては、使用時の電圧印加条件における逆バイアス電圧が有機層３０の耐圧の１／２以下である関係を有することが好ましい。
【０１０８】
有機層３０の耐圧以下の逆バイアス電圧であっても、素子構造によっては、画素５０全体の上部電極４０を飛散させる場合がある。その点、逆バイアス電圧を有機層３０の耐圧の１／２以下とすれば、素子構造にかかわらず自己修復させたい部位のみの上部電極４０の飛散にとどめ得ることが確実にできる。
【０１０９】
さらに、上述したように、複数個の画素５０間の製造ばらつきや製造ロット毎のばらつき等により、有機層３０の耐圧は分布を持っているため、実際には、複数個の画素５０について有機層３０の耐圧を調べ、その平均耐圧を採用している。
【０１１０】
それに対して、逆バイアス電圧を有機層３０の耐圧の１／２以下に低く抑えれば、平均値から外れた画素５０において上部電極４０が飛散しすぎるのを防止しやすいという利点がある。
【０１１１】
また、本実施形態の有機ＥＬ表示装置Ｓ１においては、有機層３０の耐圧を有機層３０の単位厚さ当たりの電界強度で表したとき、当該電界強度が３×１０６Ｖ／ｃｍ以上であるようにすることが好ましい。
【０１１２】
本発明者らの検討によれば、有機ＥＬ表示装置においては、有機材料の種類にかかわらず有機層３０の耐圧は、そのトータル厚さで定義できることがわかった（後述の図９参照）。そして、有機ＥＬ表示装置Ｓ１としては、上記電界強度が３×１０６Ｖ／ｃｍ以上であるものにすることができ、それによれば、上記した本実施形態の効果を有効に発揮することができる。
【０１１３】
さらに好ましくは、電界強度を計算する場合に有機層３０から導電性の有機膜を除外し、当該電界強度は３．４×１０６Ｖ／ｃｍ以上であることを特徴とする。有機層３０においては、例えば正孔注入層３１が銅フタロシアニン等からなる場合、この正孔注入層３１が導電性の有機膜となる。
【０１１４】
そして、有機ＥＬ表示装置においては、銅フタロシアニンに代表されるポルフィリン系の導電性材料を用いた有機膜の厚さが、比較するパネルで異なる場合は、特にその厚さが３０ｎｍ程度以上と厚くなるほど、上記電界強度が一定にならない場合がある。
【０１１５】
これは、導電性の有機膜が、有機層３０における他の有機膜に比べて十分に抵抗値が小さく、電界がさほど加わらないためである。そのため、電界強度をより正確に比較する場合には、有機層から導電性の有機膜を除外した方がより好ましい。
【０１１６】
こうして導電性の有機膜を除外した場合、上記有機層３０の耐圧を定義する電界強度を見直すと、３．４×１０６Ｖ／ｃｍ以上となる。そして、この電界強度によっても、上記した本実施形態の効果を有効に発揮することができる。
【０１１７】
また、本実施形態の有機ＥＬ表示装置Ｓ１においては、逆バイアス電圧をＶｒとし、上部電極４０の厚さをＤａとし、これらＶｒとＤａとの比Ｖｒ／ＤａをＸａとしたとき、Ｘａ（＝Ｖｒ／Ｄａ）の値が２．２×１０６Ｖ／ｃｍ以上であることが好ましい。
【０１１８】
逆バイアス電圧が小さすぎたり、上部電極４０が厚すぎると、上部電極４０が飛散しにくく、自己修復しにくい。つまり、Ｘａ（＝Ｖｒ／Ｄａ）の値が小さすぎると自己修復しにくい。
【０１１９】
そこで、本発明者らは、有機ＥＬ表示装置Ｓ１において、上記比Ｖｒ／Ｄａ＝Ｘａと上下電極２０、４０の短絡率との関係を調べた。その結果を図７に示す。
【０１２０】
図７では、上下電極の短絡率は、使用時間としての耐久時間が１０００時間後すなわち有機ＥＬ表示装置Ｓ１を１０００時間駆動させた後において、上下電極２０、４０の短絡部が自己修復されなかった部分（例えばライン欠陥等）の発生率を表している。
【０１２１】
図７に示すように、上記比Ｖｒ／Ｄａ＝Ｘａが２．２×１０６Ｖ／ｃｍ未満の場合では、上部電極４０が厚すぎたり、逆バイアス電圧が小さすぎたりして上部電極４０の飛散が不十分であって自己修復しにくい。しかし、上記比Ｖｒ／Ｄａ＝Ｘａを２．２×１０６Ｖ／ｃｍ以上とすれば、適切に自己修復できる。
【０１２２】
さらに、この比Ｘａ（＝Ｖｒ／Ｄａ）を２．２×１０６Ｖ／ｃｍ以上に確保することは、上部電極４０の厚さＤａを１００ｎｍ以下に薄くすることにより実現することが好ましい。
【０１２３】
これは、上記比Ｘａの値を実現する手法として、逆バイアス電圧Ｖｒを高くしすぎないほうが良いためである。つまり、上述したように、なるべく有機層３０の耐圧の１／２以下程度に逆バイアス電圧Ｖｒを抑えることが好ましいためである。
【０１２４】
そのため、逆バイアス電圧を低めに設定し、上部電極４０の厚さＤａを１００ｎｍ以下に薄くすることで、上記Ｘａの値を実現することが好ましい。この厚さＤａを１００ｎｍ以下としたことは、自己修復時の上部電極４０の飛散形状をレーザ照射などで測定し、当該飛散形状が小さく且つ効果的に電気的にオープンになる形状となる厚さＤａを調べることで決めた。
【０１２５】
また、本実施形態の有機ＥＬ表示装置Ｓ１においては、逆バイアス電圧をＶｒとし、有機層３０の厚さをＤｙとし、これらＶｒとＤｙとの比Ｖｒ／ＤｙをＹａとしたとき、この比Ｙａが１．２×１０６Ｖ／ｃｍ以上２．２×１０６Ｖ／ｃｍ以下であることが好ましい。
【０１２６】
この比Ｙａの値が小さいとは、同じ逆バイアス電圧で考えると有機層３０の厚さＤｙが厚い場合を示し、比Ｙａの値が大きいとは有機層３０の厚さＤｙが薄い場合を示す。
【０１２７】
有機層３０が厚すぎると、有機層３０が飛散しにくいため自己修復が起きにくい。一方、有機層３０が薄すぎると、下部電極２０の凹凸などの影響から均一な有機層３０の厚さが実現できない。そのため、有機層３０が飛散しすぎてしまい、表示品質の著しい低下を引き起こし、好ましくない。
【０１２８】
そこで、本発明者らは、本有機ＥＬ表示装置Ｓ１において、上記比Ｖｒ／Ｄａ＝Ｙａと上下電極２０、４０の短絡率との関係を調べた。その結果を図８に示す。
【０１２９】
図８では、上下電極の短絡率は、上記図７と同じ定義としている。図８から、上記比Ｖｒ／Ｄａ＝Ｙａが１．２×１０６Ｖ／ｃｍ未満の場合では、有機層３０が厚すぎたり、逆バイアス電圧が小さすぎたりして有機層３０や上部電極４０の飛散が不十分であり、自己修復しにくいことがわかる。
【０１３０】
一方、上記比Ｖｒ／Ｄａ＝Ｙａが２．２×１０６Ｖ／ｃｍよりも大きい場合では、短絡は防止されるが、有機層３０が薄すぎて有機層３０が飛散しすぎてしまい、表示品質の著しい低下を引き起こし、好ましくない。
【０１３１】
このような検討結果から、上記比Ｖｒ／Ｄａ＝Ｙａを１．２×１０６Ｖ／ｃｍ以上２．２×１０６Ｖ／ｃｍ以下とすれば、適切に自己修復できることがわかった。
【０１３２】
また、本実施形態の有機ＥＬ表示装置Ｓ１においては、逆バイアス電圧をＶｒとし、導電性の有機膜を除外した有機層３０の厚さをＤｙ’とし、これらＶｒとＤｙ’との比Ｖｒ／Ｄｙ’をＹａ’としたとき、このＹａ’が１．４×１０６Ｖ／ｃｍ以上２．４×１０６Ｖ／ｃｍ以下であることが好ましい。
【０１３３】
これは、上述したように、導電性の有機膜を除外した有機層３０の厚さを用いることで、電界強度をより正確に比較できるためである。そして、この比Ｖｒ／Ｄｙ’＝Ｙａ’は上記比Ｖｒ／Ｄａ＝Ｙａを換算することで容易に導出できるものである。
【０１３４】
次に、限定するものではないが、本実施形態について、以下の具体例を参照して、より具体的に説明することとする。
【０１３５】
なお、以下の具体例では、有機ＥＬ表示装置Ｓ１の特性値として、下部電極表面粗さＲａ（ｎｍ）、有機層厚さＤｙ（ｎｍ）、上部電極厚さＤａ、逆バイアス電圧Ｖｒ（Ｖ）、有機層の耐圧Ｖｄ（Ｖ）、有機層の耐圧の電界強度Ｖｄ／Ｄｙ（Ｖ／ｃｍ）およびＶｄ／Ｄｙ’、上記比Ｘａ、比Ｙａ、比Ｙａ’を示している。
【０１３６】
［自己修復の具体例］
本例では、基板１０はガラス基板、下部電極（陽極）２０はスパッタリング法にて形成された膜厚１５０ｎｍ程度のＩＴＯ膜であり、正孔注入性電極すなわち陽極として構成されたものとした。また、下部電極２０の表面は、研磨することにより平均表面粗さＲａ＝１．２ｎｍにした。
【０１３７】
本例の有機層３０は、ＵＶオゾンによるＩＴＯ表面の前処理をした後、真空チャンバーに入れ、真空蒸着法にて形成した。
【０１３８】
まず、正孔注入層３１として、銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）を１５ｎｍ成膜し、その上に正孔輸送層３２として、α−ナフチル・フェニル・ベンゼンを５０ｎｍ成膜した。
【０１３９】
その上に、発光層３３として、クマリンを１％ドープしたアルミキノリノールを４０ｎｍ成膜し、電子輸送層３４として、アルミキノリノールを３０ｎｍ程度成膜した。さらに、上部電極（陰極）４０として、ＬｉＦを０．５ｎｍ、Ａｌを８０ｎｍ積層蒸着した。上部電極厚さＤａは８０ｎｍとした。この場合、発光色は緑色である。
【０１４０】
その上に、無機保護膜６０として、特開２０００１−２８４０４２号公報の段落００２８〜００３１に記載された原子層成長法（ＡＬＥ法）を用いて約６０ｎｍの厚さのＡｌ２Ｏ３膜を形成した。これにより、後工程の樹脂保護膜７０の塗布・乾燥時に樹脂からの溶剤、低分子有機物や外部からの水分の侵入を遮断するようにした。
【０１４１】
次に、無機保護膜６０の上部にシリコン樹脂からなる樹脂保護膜７０を形成した。ここでは、シリコン樹脂として信越化学工業製のＫＥ−１０３１（商品名）を採用した。このシリコン樹脂は硬化剤と主剤からなる２液タイプのもので、樹脂中の水分除去のため、それぞれの液を８０℃で加熱脱泡し、混合した後、塗布した。
【０１４２】
この塗布は、水分、酸素雰囲気を制御した環境下にて、ディスペンサを用いて自動滴下する方法で行った。塗布した後、真空中で２時間加熱乾燥した。これによりできあがった樹脂保護膜の膜厚は０．０１ｍｍから０．５ｍｍであった。
【０１４３】
そして、ここまでのワークを露点が−７０℃である乾燥窒素雰囲気に入れ、支燃性ガスとして１％の酸素を導入した後、乾燥剤９０付きのケース８０を用いて封止した。こうして、本具体例の有機ＥＬ表示装置Ｓ１を作製した。
【０１４４】
この有機ＥＬ表示装置Ｓ１を、１２０Ｈｚにて、１／６４のデューティ比で駆動する場合の有機層３０の耐圧Ｖｄは、５０Ｖであった。この有機層３０の耐圧Ｖｄは保護膜６０、７０を形成しない状態で求めた。
【０１４５】
なお、本例の有機層３０の耐圧５０Ｖは、上記図５に示す平均耐圧に相当する。この有機層３０の耐圧は、有機層３０の単位厚さ当たりの電界強度Ｖｄ／Ｄｙでは３．７×１０６Ｖ／ｃｍである。また、導電性の有機膜である正孔注入層３１の銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）の厚さ１５ｎｍを除外した場合、当該電界強度Ｖｄ／Ｄｙ’は４．２×１０６Ｖ／ｃｍである。
【０１４６】
駆動としては、１／６４のデューティ比となるように、順方向パルス（順バイアス電圧）は定電流駆動で、初期輝度が２００ｃｄ／ｍ２となるように調整した。そのときの順方向パルスの電圧は１０Ｖ程度であった。順方向パルス以外の時は、逆バイアス電圧Ｖｒとして２０Ｖの逆バイアスパルスを印加した。
【０１４７】
このとき、上記比Ｘａ（＝Ｖｒ／Ｄａ）は２．５×１０６Ｖ／ｃｍであり、Ｙａ（＝Ｖｒ／Ｄｙ）は１．４８×１０６Ｖ／ｃｍである。また、Ｙａ’（＝Ｖｒ／Ｄｙ’）は１．７×１０６Ｖ／ｃｍである。
【０１４８】
この有機ＥＬ表示装置Ｓ１を耐久評価したところ、８０℃の高温作動でも１０００時間以上、ライン欠陥等の上下電極２０、４０の短絡に至る不具合はまったく発生せず、自己修復が適切になされたことが確認された。また、顕微鏡観察により、上記図６に示したような樹脂保護膜７０による上部電極４０の不導体化等の作用が確認された。
【０１４９】
また、本具体例では、有機層３０の耐圧として、有機層３０の単位厚さ当たりの電界強度Ｖｄ／Ｄｙが３×１０６Ｖ／ｃｍ以上である。図９は、本発明者らが調べた有機層３０の厚さ（ｎｍ）と有機層３０の平均耐圧（Ｖ）との関係を示す図であり、本具体例の電界強度もプロットしてある。
【０１５０】
この図９に示されるように、本発明者らの検討によれば、有機ＥＬ表示装置においては、有機材料の種類にかかわらず有機層３０の耐圧は、そのトータルの厚さで定義できることがわかった。そして、３×１０６Ｖ／ｃｍ以上の電界強度とした本具体例にて、自己修復の効果が十分に発揮されている。
【０１５１】
（第２実施形態）
図１０は、本発明の第２実施形態に係る有機ＥＬ表示装置Ｓ２の概略断面構成を示す図である。主として、上記実施形態との相違点について述べる。
【０１５２】
本実施形態では、上記図１に示す有機ＥＬ表示装置において、上部電極４０と樹脂保護膜７０との間（本例では上部電極４０と無機保護膜６０との間）に、ガストラップ用ゲッター材１００を挿入して配置させたものである。このゲッター材１００は、金属Ｂａを真空蒸着法にて上部電極４０の上に２０ｎｍ成膜したものにできる。
【０１５３】
それによれば、外部から樹脂保護膜７０を透過してくる酸素を、このガストラップ用ゲッター材１００によってトラップすることができる。そのため、有機層３０に与えるダメージをより低減することができ、輝度低下を防止する効果がある。
【０１５４】
（第３実施形態）
図１１は、本発明の第３実施形態に係る有機ＥＬ表示装置Ｓ３の概略断面構成を示す図である。主として、上記実施形態との相違点について述べる。
【０１５５】
本実施形態では、上記図１に示す有機ＥＬ表示装置に対して、ケース８０に代えて、樹脂保護膜７０の上に、ラミネートフィルム１１０を設けたものである。そして、このラミネートフィルム１１０によって画素５０および樹脂保護膜７０が外気から遮断されている。
【０１５６】
ラミネートフィルム１１０は、金属箔からなるか、もしくは金属フィルムと樹脂フィルムとを貼り合わせた積層シートからなる。具体的には、Ａｌ箔を樹脂フィルムで挟んでなる積層シート等を採用できる。
【０１５７】
このラミネートフィルム１１０は、変形可能であるので、有機ＥＬ表示装置の表面形状に合わせて貼り合わせることができる。そして、ラミネートフィルム１１０は、基板１０に対して例えばＵＶ硬化性の接着剤１２０等にて固定される。
【０１５８】
また、図１１に示す例では、ケース８０に廃止に伴い、上記乾燥剤９０も廃止している。そのため、ここでは、樹脂保護膜７０に乾燥剤（図示せず）が混入されている。このような乾燥剤としては例えばＣａＨ２やＣａＯ等を採用でき、樹脂に混合して塗布することで、乾燥剤入りの樹脂保護膜７０を形成することができる。
【０１５９】
本例によれば、ラミネートフィルム１１０が上記ケース８０の代用を行うことにより、ケース８０を設けた場合と同様に、有機層３０を外部の水や酸素等からより確実に保護することができる。さらに、乾燥剤入りの樹脂保護膜７０とすることで、より効果を高めている。
【０１６０】
図１２は、本実施形態の変形例としての有機ＥＬ表示装置Ｓ３’の概略断面構成を示す図である。この例では、樹脂保護膜７０を乾燥剤入りのものとはせずに、ラミネートフィルム１１０に乾燥剤９０を貼り付けた構成としている。この場合も、本実施形態の効果を同様に発揮することができる。
【０１６１】
（他の実施形態）
なお、例えば上記図１において、樹脂保護膜７０の上にさらに、無機膜、樹脂膜を積層し、これらをケース８０の代用として構成したものでも良い。
【０１６２】
また、ケース８０に代えて、板状のカバープレートを樹脂保護膜７０の上に配置し、このカバープレートと基板１０との間を接着剤で充填した形としても良い。この場合、充填された接着剤が素子を封止するためケース８０を不要にできる。
【０１６３】
なお、本実施形態においては、有機ＥＬ表示装置を市場へ出荷する前の時点で予め耐圧の低い個所における上下電極を短絡させるようにした。しかしながら、市場に出荷後においてユーザーの使用時に上下電極が短絡する状況になったとしても上述のメカニズムにより、その短絡部位の自己修復が可能であることは勿論である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の概略断面図である。
【図２】図１に示す有機ＥＬ表示装置の概略平面構成の一例を示す図である。
【図３】有機ＥＬ表示装置における使用時の電圧印加条件としての駆動波形の一例を示す図である。
【図４】有機層の耐圧を決めるために逆バイアス電圧を上昇させていく方法を示す図である。
【図５】複数個の画素について有機層の耐圧を調べた結果による耐圧分布の一例を示す図である。
【図６】上記第１実施形態による自己修復の一例を模式的に示す断面図である。
【図７】逆バイアス電圧Ｖｒと上部電極厚さＤａとの比Ｖａ／Ｄａと、上下電極の短絡率との関係を調べた結果を示す図である。
【図８】逆バイアス電圧Ｖｒと有機層厚さＤｙとの比Ｖｒ／Ｄｙと、上下電極の短絡率との関係を調べた結果を示す図である。
【図９】本発明者らが調べた有機層の厚さと有機層の平均耐圧との関係を示す図である。
【図１０】本発明の第２実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の概略断面図である。
【図１１】本発明の第３実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の概略断面図である。
【図１２】第３実施形態の変形例としての有機ＥＬ表示装置の概略断面図である。
【符号の説明】
２０…下部電極、３０…有機層、３３…発光層、４０…上部電極、
５０…画素、６０…無機保護膜、７０…樹脂保護膜、
１００…ガストラップ用ゲッター材、１１０…ラミネートフィルム。
【図１】
2004214084.tif 000003
【図２】
2004214084.tif 000004
【図３】
2004214084.tif 000005
【図４】
2004214084.tif 000006
【図５】
2004214084.tif 000007
【図６】
2004214084.tif 000008
【図７】
2004214084.tif 000009
【図８】
2004214084.tif 000010
【図９】
2004214084.tif 000011
【図１０】
2004214084.tif 000012
【図１１】
2004214084.tif 000013
【図１２】
2004214084.tif 000014