(57)【要約】【課題】陽極化成装置等の処理装置の電極の交換の容易性を高める。【解決手段】陽極化成槽１１０の底部に処理対象の基板１０１が配置される。基板１０１の上方には、陰極１２０が配置される。陽極化成槽１１０の下方には、導電液槽１３０を配置する。導電液槽１３０の側部分には、開口１３２が設けられており、この部分に陽極１６０が配置される。陽極１６０は、その面が鉛直方向に沿うように配置される。【選択図】図１
2004214238.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理する処理装置であって、
第１電極と、
第２電極と、
前記第１電極と前記第２電極との間に形成される電流経路内に基板を保持する保持機構と、
を備え、前記第１電極は、その面が前記保持機構によって保持される基板の面に対して平行でないことを特徴とする処理装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば陽極化成装置として好適な処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
第１基板（シード基板）と第２基板（ハンドル基板）とを貼り合わせて中間基板として貼り合わせ基板（結合基板）を作製し、これを分割等することによりSOI(Silicon On Insulator 又は Semiconductor On Insulator)基板を製造する方法が、特開平５−２１３３８号公報、特開平７−３０２８８９号公報に開示されている。このようなSOI基板の製造工程において、第１基板を陽極化成することによってその表面に多孔質層を形成する陽極化成装置が使用されうる。
【０００３】
陽極化成装置は、陰極、陽極及び処理対象の基板の配置に着目すると、陰極、陽極及び基板を水平に保持し、基板及び電解液（薬液）を通して陰極と陽極との間に電流を流す方式（以下、平置き方式）と、陰極、陽極及び基板を鉛直方向に保持し、基板及び電解液を通して陰極と陽極との間に電流を流す方式（以下、縦置き方式）とに大別されうる。このような陽極化成装置が、特開平１０−２７５７９８号公報、特開平１１−１９５６３９号公報、特開平１１−１９５６４０号公報、特開平１１−２１４３５３号公報、特開２０００−２７３６９９号公報、特開２０００−２７７４７８号公報、特開２０００−２７７４８４号公報、特開２０００−３３６４９９号公報に開示されている。
【０００４】
【特許文献１】
特開平５−２１３３８号公報
【特許文献２】
特開平７−３０２８８９号公報
【特許文献３】
特開平１０−２７５７９８号公報
【特許文献４】
特開平１１−１９５６３９号公報
【特許文献５】
特開平１１−１９５６４０号公報
【特許文献６】
特開平１１−２１４３５３号公報
【特許文献７】
特開２０００−２７３６９９号公報
【特許文献８】
特開２０００−２７７４７８号公報
【特許文献９】
特開２０００−２７７４８４号公報
【特許文献１０】
特開２０００−３３６４９９号公報
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
従来の陽極化成装置は、上記の２つの方式のいずれにも、陰極、陽極及び基板が平行に配置される。しかしながら、例えば、平置き方式においては、陽極化成装置の下部に配置される電極（典型的には、陽極）を交換する作業が煩雑である。このような煩雑さは、特に、陽極化成装置が処理台の上に固定して設置される場合に一層顕著となり、このような場合に陽極化成装置の下部に配置される電極を交換するためには、陽極化成装置を処理台から取り外す必要がある。また、例えば、縦置き方式では、典型的には、２つの電極が陽極化成槽内の２つの対向する壁面にそれぞれ配置されうるので、平置き方式よりは電極の交換が容易である場合が多い。しかしながら、縦置き方式においても、基板の向きに応じて電極の向きが決定されるために、設計の自由度が極めて低く、これによって電極交換の作業性が阻害される場合がありうる。
【０００６】
本発明は、上記の課題認識を契機としてなされたものであり、例えば、陽極化成装置等の処理装置の電極の交換の容易性を高めることを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る基板を処理する処理装置は、第１電極と、第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間に形成される電流経路内に基板を保持する保持機構とを備え、前記第１電極が、その面が前記保持機構によって保持される基板の面に対して平行でないことを特徴とする。
【０００８】
本発明の好適な実施の形態によれば、本発明の処理装置は、薬液を収容する薬液槽と、前記第１電極を前記薬液槽に取り外し可能に取り付ける着脱機構とを更に備えることが好ましい。
【０００９】
本発明の好適な実施の形態によれば、前記保持機構は、基板をその面が実質的に水平になるように保持し、前記第１電極は、その面が実質的に鉛直方向に沿うように配置されることが好ましい。
【００１０】
本発明の好適な実施の形態によれば、前記薬液槽は、底部及び側部を有し、前記側部に開口が設けられており、前記着脱機構は、前記第１電極を前記開口に取り付けるように構成されていることが好ましい。
【００１１】
本発明の好適な実施の形態によれば、前記第１電極は、シールド板と、前記シールド電極に電気的に接続される電極板とを有し、前記着脱機構は、前記シールド板が前記第１薬液槽の内側に面するように、前記第１電極を前記開口に取り付けるように構成されていることが好ましい。ここで、前記シールド板は、例えば、実質的に処理対象の基板と同材料で構成されること、又は、該基板を汚染しない材料で構成されることが好ましい。
【００１２】
本発明の好適な実施の形態によれば、本発明の処理装置は、前記第１電極を保持する電極ホルダを更に備え、前記着脱機構は、前記電極ホルダを前記開口に取り付けることによって前記第１電極が前記開口に取り付けられるように構成されていることが好ましい。
【００１３】
本発明の好適な実施の形態によれば、前記第１電極は、その面が前記保持機構によって保持される基板の面に対して略垂直になるように配置されることが好ましい。
【００１４】
本発明の好適な実施の形態によれば、本発明の処理装置は、前記保持機構によって保持される基板の近傍に薬液の流れを形成する機構を更に備えることが好ましい。
【００１５】
本発明の処理装置は、陽極化成装置として好適である。
【００１６】
本発明に係る基板を処理する処理方法は、第１電極と第２電極との間に形成されるべき電流経路内に基板を保持する工程と、前記第１電極と前記第２電極との間に前記基板及び薬液を通して電流を流す工程とを含み、前記第１電極及び前記第２電極の少なくとも一方を、その面が前記基板の面に対して平行でないように配置することを特徴とする。
【００１７】
本発明に係る陽極化成方法は、基板を陽極化成して多孔質層を形成する方法に係り、第１電極と第２電極との間に形成されるべき電流経路内に基板を保持する工程と、前記第１電極と前記第２電極との間に前記基板及び薬液を通して電流を流す工程とを含み、前記第１電極及び前記第２電極の少なくとも一方を、その面が前記基板の面に対して平行でないように配置することを特徴とする。
【００１８】
本発明に係る半導体基板の製造方法は、上記の陽極化成方法に従って第１基板を陽極化成することにより多孔質層を形成する工程と、前記多孔質層の上に非多孔質層を形成する工程と、前記非多孔質層が形成された前記第１基板を絶縁層を介して第２基板に貼り合わせて貼り合わせ基板を作製する工程と、前記貼り合わせ基板を処理又は加工して前記第２基板の上に前記多孔質層の少なくとも一部が残留した状態とする工程とを含むことを特徴とする。
【００１９】
【発明の実施の形態】
以下、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施の形態を説明する。
【００２０】
図１は、本発明の好適な実施の形態の陽極化成装置（処理装置）の概略構成を示す図である。図１に示す陽極化成装置１００は、処理対象の基板１０１をその面が水平になるように保持して処理する方式を採用している。しかしながら、本発明は、基板１０１をその面が鉛直方向に沿うように保持して処理する方式に適用することもできるし、基板１０１の面を他の方向に沿うように保持して処理する方式に適用することもできる。ただし、一般的には、基板は、水平な状態で処理され搬送されうるので、陽極化成装置における基板の向きを他の処理装置又は搬送装置に一致させるように、陽極化成装置は、基板を水平に保持して処理することが好ましい。
【００２１】
陽極化成装置１００は、陽極化成用の薬液、すなわち化成液１６０を収容する陽極化成槽（薬液槽）１１０を備えている。陽極化成槽１１０の底部には、基板保持機構１１１として、例えば環状の基板吸着機構（吸着溝）が設けられている。基板１０１は、その表面を上向きにして陽極化成槽１１０の底部に置かれ、基板保持機構１１１によって吸着保持（例えば、真空吸着）される。これにより、同時に陽極化成装置１１０の底部がシールされる。陽極化成装置１１０の底部には、基板１０１の裏面を導電液１７０に接触させるための開口１１２が設けられている。
【００２２】
陽極化成槽１１０内には、基板１０１の上方に平面状（例えば、円盤状）の陰極（第２電極）１２０が実質的に水平に配置される。基板１０１を陽極化成槽１１０の底部に設置する際及び処理が完了した基板１０１を陽極化成槽１１０の底部から取り出す際は、陰極１２０は、不図示の電極駆動機構により待避される。
【００２３】
化成液１６０としては、例えば、フッ化水素を含む溶液が使用されうる。したがって、陰極１２０の材料としては、例えば、フッ化水素酸に強い耐食性を有する白金等が好適である。或いは、陰極１２０は、処理対象の基板（典型的には、シリコン基板）１０１と同質の材料（典型的には、シリコン）で構成されてもよい。この場合、陰極１２０による基板１０１の汚染を低減することができる。
【００２４】
陽極化成槽１１０の下方には、導電液（例えば、電解液）１７０を収容するための導電液槽（薬液槽）１３０が配置されている。導電液１７０は、陽極（第１電極）１６０と陰極１２０との間、より正確には、陽極１６０と基板１０１との間に電流経路を形成することができる薬液であれば如何なる薬液でもよいが、典型的には、フッ化水素を含む薬液が使用されうる。なお、薬液１６０と薬液１７０は、同一の薬液であってもよいし、異なる組成、濃度、特性等を有する薬液であってもよい。
【００２５】
この実施の形態では、導電液槽１３０は、オーバーフロー式の槽で構成されている。具体的には、導電液槽１３０は、本体槽１３０ａとその外側に設けられたオーバーフロー槽１３０ｂとで構成されている。ただし、導電液槽１３０は、単一の槽で構成されてもよい。
【００２６】
本体槽１３０ａは、導電液１７０が基板１０１の裏面に完全に接触するように、その高さ、或いは、基板１０１の裏面と本体槽の上端との間隔が決定されている。本体槽１３０ｂから溢れた導電液１７０は、その外側のオーバーフロー槽１３０ｂで回収され、その後、ポンプ１５０によって本体槽１３０ａに戻される。このような構造は、導電液１７０中に気泡が生じた場合においてもその気泡を基板１０１の裏面周辺に滞留させないという優位性を有する。すなわち、基板１０１の裏面に導電液１７０の連続的な流れを形成することによって、導電液１７０中に気泡が生じた場合においても、その気泡を導電液１７０の流れによりオーバーフロー槽１３０ｂに移動させ、基板１０１の裏面周辺から速やかに除去することができる。なお、基板１０１の裏面周辺に気泡が生じると、その部分では電流経路が遮断されるため、不均一な電流分布、更には不均一な膜厚の多孔質層をもたらしうる。
【００２７】
陽極１６０は、平面形状（例えば、円盤形状）を有し、この実施の形態では、その面が鉛直方向に沿うように、換言すると、基板１０１に対して垂直になるように配置されている。ただし、陽極１６０は、導電液槽１３０の底部に配置されない限り、その面が鉛直方向以外の方向に沿うように配置されてもよい。
【００２８】
この実施の形態では、導電液槽１３０は、底部分（例えば、円盤形状）と側部分（例えば、円筒形状）を有し、側部分に開口１３２が設けられている。側部分の開口１３２には、陽極１６０が取り外し可能に取り付けられる。このように、導電液槽１３０の側部分に陽極１６０を配置することにより、陽極１６０の交換を容易に行なうことができる。一方、導電液槽１３０の底部分に陽極を配置する構造では、陽極の交換作業が極めて煩雑になる。特に、陽極化成装置が処理台等の上に固定されている場合には、陽極の交換に先立って陽極化成装置を処理台から取り外す必要があるかもしれない。
【００２９】
陽極１６０は、好ましくは、シールド基板（シールド板）１６１とそれに電気的に接続される電極基板（電極板）１６２を含んで構成される。シールド基板１６１は、導電液槽１３０内の導電液１７０が電極基板１６２に接しないように、導電液槽１３０の内側に面するように配置される。シールド基板１６１は、処理対象の基板１０１を汚染しないように、基板（例えば、シリコン基板）１０１と同質の材料で構成されることが好ましい。シールド基板１６１を設けることにより、電極基板１６２の構成材料が導電液１７０中に溶け出して基板１０１を汚染することを防止することができる。
【００３０】
ただし、導電液１７０としてフッ化水素を含む薬液を使用し、シールド基板１６１をシリコンのようなフッ化水素を含む薬液によって陽極化成されるような材料で構成した場合、処理対象の基板１０１の陽極化成とともにシールド基板１６１も陽極化成されうる。そこで、シールド基板１６１を例えば定期的に交換する必要がある。
【００３１】
この実施の形態では、シールド基板１６１及び電極基板１６２は、電極ホルダ１４０によって保持されて導電液槽１３０の開口１３２の部分に取り付けられる。電極ホルダ１４０は、例えば、環状の構造体１４５を有し、構造体１４５がボルト等の固定部材１４６によって導電液槽１３０の側部分に固定される。導電液槽１３０の側部分には、シール材１３１が設けられており、シール材１３１に電極ホルダ１４０が押しつけられることにより、導電液槽１３０がシールされる。このように、基板ホルダ１４０によって電極１６０（シールド基板１６１、電極基板１６２）を導電液槽１３０に取り付けることにより、極めて簡単にシールド基板１６１及び／又は電極基板１６２を交換することができる。
【００３２】
基板１０１の陽極化成は、陽極１６０と陰極１２０との間に電流を流す（電流経路を形成する）ことによってなされ、これにより基板１０１の表面（陰極側）に多孔質層が形成されうる。
【００３３】
陽極１６０の個数は、１つのみならず、２つ以上であってもよく、陽極１６０の個数を増やすことによって基板１２０に流れる電流の分布を均一化することができる。すなわち、陽極１６０を導電液槽１３０の側部に配置する構成は、基板１０１に流れる電流の分布の均一化には不利な一面があるが、陽極１６０の個数を増やすことにより、電流の分布の不均一性を解消することができる。これは、均一な膜厚の多孔質層を形成に寄与する。図２は、２つ（左右）又は４つ（左右並びに紙面の奥及び手前）の陽極１６０を設けた一例である。
【００３４】
以上の説明では、陰極１２０に関しては、基板１０１と実質的に平行に配置しているが、陰極１２０に関しても、基板１０１に対して平行でない向きに配置することもできる。例えば、陰極１２０は、陽極化成槽１１０の内壁に、陽極化成槽１１０の内側に面するように垂直に配置されてもよい。
【００３５】
また、以上の説明は、本発明を陽極化成装置として構成した具体例に関するが、本発明は、例えば、めっき処理等の他の処理にも適用されうる。
【００３６】
［実施例］
以下、本発明のより具体的な適用例としての実施例を説明する。
【００３７】
図１に示す陽極化成装置１００の陽極化成槽１１０の底部に処理対象の基板１０１として8インチのp+型のSi(100)ウェハをその表面が上になるように設置し、基板保持機構１１１によって真空吸着して保持した。なお、これによって、同時に陽極化成槽１１０の底部がシールされる。
【００３８】
化成液１６０として、49%HFとエタノールとを2:1の割合で混合した薬液を用いた。ポンプを用いて化成液１６０を陽極化成槽１１０に注入して、不図示の循環機構（例えば、オーバーフロー槽、フィルタ、ポンプ）によって化成液１６０を循環させた。なお、陽極化成槽１１０の直径は202mmの筒型とし、その外側にオーバーフロー槽を設置した。
【００３９】
陽極化成槽１１０の材質としては、耐フッ化水素酸性に優れた四フッ化エチレン樹脂(PTFE)を用いた。陽極化成槽１１０には、陰極１２０として、直径200mmの白金板を基板１０１と実質的に平行に、基板１０１と30mmの距離を隔てて設置した。陽極化成槽１１０には、その底部に直径174mmの開口１１２を設けた。
【００４０】
導電液槽１７０は、内径154mmの筒状をしており、オーバーフロー槽（外槽）を有している。8インチのp+型のSi(100)ウェハをシールド基板１６１として使用した。シールド基板１６１と電極基板１６２を基板ホルダ１６０に設置した後、基板ホルダ１６０を導電液槽１３０の側部に導電液１７０が漏れないように固定部材１４６により固定した。導電液１７０としては、1％HF水溶液を用いた。
【００４１】
導電液１７０の循環中にその液面が基板１０１の裏面に接触するようにポンプ１５０の流量及び陽極化成槽１１０と導電液槽１３０との間隔等を調整した。
【００４２】
このような状態を保ちつつ、陽極１６０と陰極１２０との間に電流を流して基板１０１の表面を陽極化成し、その表面に多孔質シリコン層を形成した。具体的には、陽極１６０と陰極１２０との間に電流3.14A(ウェハ表面側の電流密度10mAcm-2)の電流を8分間流した。その後、基板１０１を陽極化成槽１１０から取り出して洗浄し乾燥させた。
【００４３】
基板１０１の表面に形成された多孔質層の厚さを測定したところ、基板の全面に渡って、ほぼ10μｍであり、ほぼ均一であった。このような実験を多数の基板について繰り返して実施したところ、これらの多数の基板について同様の結果が得られ、基板間での再現性の良さが確認された。
【００４４】
このように、陽極１６０が処理対象の基板１０１に対して垂直に設置された陽極化成装置においても、基板１０１の全面に渡って良質な多孔質層を形成することができた。
【００４５】
(実施例２)
図２に示す陽極化成装置２００を使用し、他の条件を実施例１と同一にして基板１０１の表面に多孔質層を形成した。多孔質層の厚さの分布は、実施例１よりも改善された。
【００４６】
［応用例］
次いで、上記の陽極化成による多孔質層の形成の応用例としての半導体基板の製造方法を説明する。
【００４７】
図３は、本発明の好適な実施の形態に係る半導体基板の製造方法を説明する図である。
【００４８】
まず、図３（ａ）に示す工程では、第１の基板（seed wafer）１０を形成するための単結晶Ｓｉ基板１１を用意して、上記の陽極化成装置１００又は２００を利用して、その主表面上に分離層としての多孔質Ｓｉ層１２を形成する。ここで、電解液としては、例えば、弗化水素を含む溶液、弗化水素及びエタノールを含む溶液、弗化水素及びイソプロピルアルコールを含む溶液等が好適である。より具体的な例を挙げると、電解液としては、例えば、ＨＦ水溶液（ＨＦ濃度＝４９ｗｔ％）とエタノールを体積比２：１で混合した混合液が好適である。
【００４９】
また、多孔質Ｓｉ層１２を互いに多孔度の異なる２層以上の層からなる多層構造としてもよい。ここで、多層構造の多孔質Ｓｉ層１２は、表面側に第１の多孔度を有する第１の多孔質Ｓｉ層、その下に、第１の多孔度より大きい第２の多孔度を有する第２の多孔質Ｓｉ層を含むことが好ましい。このような多層構造を採用することにより、後の非多孔質層１３の形成工程において、第１の多孔質Ｓｉ層上に、欠陥等の少ない非多孔質層１３を形成することができると共に、後の分離工程において、所望の位置で貼り合わせ基板（結合基板）を分離することができる。ここで、第１の多孔度としては、１０％〜３０％が好ましく、１５％〜２５％が更に好ましい。また、第２の多孔度としては、３５％〜７０％が好ましく、４０％〜６０％が更に好ましい。
【００５０】
電解質溶液として上記の混合液（ＨＦ濃度が４９ｗｔ％の弗化水素酸：エタノール＝２：１）を利用する場合は、例えば、電流密度８ｍＡ／ｃｍ２、処理時間５〜１１ｍｉｎの条件で第１層（表面側）を生成し、次いで、電流密度２３〜３３ｍＡ／ｃｍ２、処理時間８０ｓｅｃ〜２ｍｉｎの条件で第２層（内部側）を生成することが好ましい。
【００５１】
次いで、次の（１）〜（４）の少なくとも１つの工程を実施することが好ましい。ここで、（１）、（２）を順に実施することが好ましく、（１）、（２）、（３）を順に実施すること、或いは、（１）、（２）、（４）を順に実施することが更に好ましく、（１）、（２）、（３）、（４）を順に実施することが最も好ましい。
【００５２】
（１）多孔質Ｓｉ層の孔壁に保護膜を形成する工程（プリ酸化工程）
この工程では、多孔質Ｓｉ層１２の孔壁に酸化膜や窒化膜等の保護膜を形成し、これにより、後の熱処理による孔の粗大化を防止する。保護膜は、例えば、酸素雰囲気中で熱処理（例えば、２００℃〜７００℃が好ましく、３００℃〜５００℃が更に好ましい）を実施することにより形成され得る。その後、多孔質Ｓｉ層１２の表面に形成された酸化膜等を除去することが好ましい。これは、例えば、弗化水素を含む溶液に多孔質Ｓｉ層１２の表面を晒すことによって実施され得る。
【００５３】
（２）水素ベ−キング工程（プリベーキング工程）
この工程では、水素を含む還元性雰囲気中において８００℃〜１２００℃で、多孔質Ｓｉ層１２が形成された第１の基板１に熱処理を実施する。この熱処理により、多孔質Ｓｉ層１２の表面の孔をある程度封止することができると共に、多孔質Ｓｉ層１２の表面に自然酸化膜が存在する場合には、それを除去することができる。
【００５４】
（３）微量原料供給工程（プリインジェクション工程）
多孔質Ｓｉ層１２上に非多孔質層１３を成長させる場合は、成長の初期段階で非多孔質層１３の原料物質の供給を微少量として、低速度で非多孔質膜１３を成長させることが好ましい。このような成長方法により、多孔質Ｓｉ層１２の表面の原子のマイグレーションが促進され、多孔質Ｓｉ層１２の表面の孔を封止することができる。具体的には、成長速度が２０ｎｍ／ｍｉｎ以下、好ましくは１０ｎｍ／ｍｉｎ以下、より好ましくは２ｎｍ／ｍｉｎ以下になるように原料の供給を制御する。
【００５５】
（４）高温ベーキング工程（中間ベーキング工程）
上記の水素ベーキング工程及び／又は微量原料供給工程における処理温度よりも高い温度で、水素を含む還元性雰囲気中で熱処理を実施することにより、多孔質Ｓｉ層１２の更なる封止及び平坦化が実現することができる。
【００５６】
次いで、図３（ｂ）に示す工程の第１段階では、多孔質Ｓｉ層１２上に第１の非多孔質層１３を形成する。第１の非多孔質層１３としては、単結晶Ｓｉ層、多結晶Ｓｉ層、非晶質Ｓｉ層等のＳｉ層、Ｇｅ層、ＳｉＧｅ層、ＳｉＣ層、Ｃ層、ＧａＡｓ層、ＧａＮ層、ＡｌＧａＡｓ層、ＩｎＧａＡｓ層、ＩｎＰ層、ＩｎＡｓ層等が好適である。
【００５７】
次いで、図３（ｂ）に示す工程の第２段階では、第１の非多孔質層１３の上に第２の非多孔質層としてＳｉＯ２層（絶縁層）１４を形成する。これにより第１の基板１０が得られる。ＳｉＯ２層１４は、例えば、Ｏ２／Ｈ２雰囲気、１１００℃、１０〜３３ｍｉｎの条件で生成され得る。
【００５８】
次いで、図３（ｃ）に示す工程では、第２の基板（handle wafer）２０を準備し、第１の基板１０と第２の基板２０とを、第２の基板２０と絶縁層１４とが面するように室温で密着させて貼り合わせ基板（結合基板）３０を作製する。
【００５９】
なお、絶縁層１４は、上記のように単結晶Ｓｉ層１３側に形成しても良いし、第２の基板２０上に形成しても良く、両者に形成しても良く、結果として、第１の基板と第２の基板を密着させた際に、図３（ｃ）に示す状態になれば良い。しかしながら、上記のように、絶縁層１４を活性層となる第１の非多孔質層（例えば、単結晶Ｓｉ層）１３側に形成することにより、第１の基板１０と第２の基板２０との貼り合せの界面を活性層から遠ざけることができるため、より高品位のＳＯＩ基板等の半導体基板を得ることができる。
【００６０】
基板１０、２０が完全に密着した後、両者の結合を強固にする処理を実施することが好ましい。この処理の一例としては、例えば、１）Ｎ２雰囲気、１１００℃、１０ｍｉｎの条件で熱処理を実施し、２）Ｏ２／Ｈ２雰囲気、１１００℃、５０〜１００ｍｉｎの条件で熱処理（酸化処理）を実施する処理が好適である。この処理に加えて、或いは、この処理に代えて、陽極接合処理及び／又は加圧処理を実施してもよい。
【００６１】
第２の基板２０としては、Ｓｉ基板、Ｓｉ基板上にＳｉＯ２層を形成した基板、石英等の光透過性の基板、サファイヤ等が好適である。しかし、第２の基板２０は、貼り合わせ（結合）に供される面が十分に平坦であれば十分であり、他の種類の基板であってもよい。
【００６２】
次いで、図３（ｄ）に示す工程では、貼り合わせ基板（結合基板）３０を機械的強度が脆弱な多孔質層１２の部分で分離する。この分離方法としては、各種の方法を採用しうるが、例えば、流体を多孔質層１２に打ち込む方法、或いは、流体により多孔質層１２に静圧を印加する方法など、流体を利用する方法が好ましい。
【００６３】
この分離工程により、第１の基板１０の移設層（非多孔質層１３、絶縁層１４）が第２の基板２０上に移設される。なお、第１の基板１０の多孔質層１２上に非多孔質層１３のみを形成する場合の移設層は、非多孔質層１３のみである。
【００６４】
図３（ｅ）に示す工程では、分離後の第２の基板２０上の多孔質層１２”をエッチング等により選択的に除去する。これにより、絶縁層１４上に非多孔質層１３を有する基板が得られる。例えば、非多孔質層１３が半導体層である場合、このような半導体層は、ＳＯＩ層（SemiconductorOn Insulator）と呼ばれ、また、このようなＳＯＩ層を有する基板は、ＳＯＩ基板と呼ばれる。
【００６５】
更に、分離後の第１の基板１０’の単結晶Ｓｉ基板１１上の多孔質層１２’をエッチング等により選択的に除去する。このようにして得られる単結晶Ｓｉ基板１１は、再び第１の基板１０を形成するための基板、又は第２の基板２０として利用され得る。
【００６６】
【発明の効果】
本発明によれば、例えば、例えば、陽極化成装置の電極の交換の容易性を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態の陽極化成装置（処理装置）の概略構成を示す図である。
【図２】本発明の第２の実施の形態の陽極化成装置（処理装置）の概略構成を示す図である。
【図３】本発明の好適な実施の形態の半導体基板の製造方法を説明する図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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