(57)【要約】【課題】絶縁物１０６と金属箔１０７の複合材料をフルカットによって切削する場合、少なくとも２００μｍの幅を設けることが必要となり、半導体ウェハ１０１一枚あたりの取れ数を増やすことが難しい。【解決手段】少なくとも一主面に金属層が形成された電子部品集合体の金属層形成面にダイシングテープを貼り付ける工程と、前記電子部品集合体の非ダイシングテープ貼り付け面側を切り口としセミフルカットダイシングする工程と、前記セミフルカットダイシングにより前記ダイシングテープ側に金属層の一部を突出する工程と、突出した金属層を除去するものである。【選択図】  図１
2004186644.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも一主面に金属層が形成された電子部品集合体の金属層形成面にダイシングテープを貼り付ける工程と、前記電子部品集合体の非ダイシングテープ貼り付け面側を切り口としセミフルカットダイシングする工程と、前記セミフルカットダイシングにより、前記ダイシングテープ側に金属層の一部を突出する工程と、突出した金属層を除去する工程とを有することを特徴とする電子部品の個別分割方法。
【請求項２】
突出した金属層をエッチングにより除去する工程を有することを特徴とする請求項１記載の電子部品の個別分割方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は電子部品を個片に分割する方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、電子部品として例えば、半導体装置の個片分割方法では、導電物を介して金属箔と半導体ウェハとをダイシングテープに貼着した後、所定の幅を有する切りしろを設けて縦横にダイシングを施し複数の半導体素子を形成した後、複数の半導体の半導体素子間に絶縁物を注入し効果させ、半導体素子及び絶縁物の金属箔との接続面と反対側面に、別の導電物を介して別の金属箔を設置した後、絶縁物のうち左右を複数の半導体素子で挟まれた部分を切断し、第１金属及び第２金属を含む個々の半導体装置を形成しているものがあった（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
図２において、図２（ａ）から図２（  ｉ  ）は、製造工程を示す図であり、図２（  ｊ  ）は、半導体装置の製造工程により得られる半導体装置を示す斜視図である。
【０００４】
図２（ａ）に示されるような半導体ウェハ１０１から形成される。図２（ｂ）は図２（ａ）のＡ−Ａ’断面図である。なお、後述する図２（ｂ）〜（ｉ）はすべてＡ−Ａ’における断面図である。まず、半導体ウェハ１０１と金属箔１０７とを導電物１０８を介して加圧及び加熱して貼り付けたものをダイシングテープ１０２に貼り付ける（図２（ｃ）参照）。金属箔１０７は一般にＡｌ、Ｃｕ、Ａｕ、若しくはこれらを含む合金を含む材料等からなり、導電物１０８としては、Ａｇペースト・Ｃｕペースト等の導電性樹脂若しくはＳｎ・Ｐｂ・Ａｇ等からなる高融点半田等を用いる。続いて、半導体ウェハ１０１を所定の幅を有する切りしろを設けて縦、横に所望の素子サイズにフルダイシングし、各半導体素子１０３を形成する（図２（ｄ）参照）。ここで、切りしろの幅としては、ダイシング後の工程において半導体素子１０３の側面部１０４に前記半導体素子１０３を保護するために十分な厚さの絶縁物１０６を形成することができる程度に前記半導体素子１０３の間隔を設けることができるような幅であることが望ましい。現状のところ、金属箔１０７と同時に半導体ウェハ１０１をダイシングする際に用いるダイシングブレードの制限により、ダイシング時に半導体ウェハ１０１が少なくとも約２００μｍ切削される。しかしながら、半導体素子１０３を保護するために半導体素子１０３の側面部１０４上に前記絶縁物１０６を形成するために、前記半導体素子１０３の両側にさらに約５０μｍずつの隙間が形成されることが必要であるため、切りしろの幅は少なくとも約３００μｍ設けられていることが望ましい（図２（ｅ）参照：図２（ｅ）は図２（ｄ）の破線部分の拡大図）。また、ダイシングによりダイシングテープ１０２に切り込みが入ることがないため（図２（ｅ）参照）、切り込みが原因により半導体素子１０３の配列が乱れることがない。
【０００５】
次に、各半導体素子１０３間に、エポキシ樹脂やＳｉＯ２等からなる絶縁物１０６を充填し硬化させることにより側面部１０４を保護する（図２（ｆ）参照）。半導体素子１０３の導電物１０８との接続面と反対側に設けられた電極部１０５が絶縁物１０６に埋没されず露出した状態となるように絶縁物１０６を充填する。続いて、前記絶縁物１０６及び半導体素子１０３上に、一主面に導電物１０８が形成された別の金属箔１０７を設置する。この場合、金属箔１０７の導電物１０８が形成された面が前記絶縁物１０６及び半導体素子１０３と接するように金属箔１０７を設置し、導電物１０８を介して前記絶縁物１０６及び半導体素子１０３と前記金属箔１０７を接着する（図２（ｇ）参照）。前記金属箔１０７及び導電物１０８は、前記金属箔１０７、導電物１０８と同様の材料を用いる。しかる後に、前記金属箔１０７の表面にめっき被膜１０９を施す（図２（ｈ）参照）。最後に、金属箔１０７で挟まれ硬化された絶縁物１０６でモールドされた半導体素子１０３を、金属箔１０７及び絶縁物１０６の部分を縦横にフルダイシングした後（図２（ｉ）参照）、ダイシングテープ１０２を剥がし半導体装置１１０を得る（図２（ｊ）参照：図２（ｉ）の拡大図）。
【０００６】
【特許文献１】
特開２０００−２５２２３５号公報
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
上記で説明したように、絶縁物１０６と金属箔１０７の複合材料をフルカットによって切削する場合、少なくとも２００μｍの幅を設けることが必要となり、半導体ウェハ１０１一枚あたりの取れ数を増やすことが難しい。また、半導体装置１１２の高さとダイシンングピッチの寸法比で半導体装置１１２＞ダイシングピッチの条件が成立した場合、半導体装置１１２飛散が発生する。金属箔１０７に切削バリが発生し、切削バリを除去する工程が必要になるという課題を有していた。
【０００８】
本発明は、前記従来の課題を解決するもので、半導体ウェハ１０１一枚あたりの取れ数を増やし、且つダイシング工程での半導体装置１１２の飛散の発生を防止した電子部品の個別分割方法を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
前記従来の課題を解決するために、少なくとも一主面に金属層が形成された電子部品集合体の金属層形成面にダイシングテープを貼り付ける工程と、前記電子部品集合体の非ダイシングテープ貼り付け面側を切り口としセミフルカットダイシングする工程と、前記セミフルカットダイシングにより前記ダイシングテープ側に金属層の一部を突出する工程と、突出した金属層を除去するものである。
【００１０】
本構成によって、電子部品集合体の単位面積当たりでの取れ数を増やし、且つダイシング工程での電子部品の飛散の発生を防止した電子部品の個別分割方法を提供することができる。
【００１１】
【発明の実施の形態】
以下本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。
【００１２】
（実施の形態１）
図１は、本発明の実施の形態における半導体装置の個別分け方法の工程フローに沿った断面図である。図１において、１は電子部品として例えば半導体素子、２は樹脂、３は銅層、４は溝、５は切削部、６はダイシングテープ、７は半導体装置である。詳細を下記に説明する。半導体素子１はＰＮ接合が形成された半導体ウェハ（図示せず）の第１主面および第２主面に複数の電極（図示せず）を形成したものである。樹脂２はダイシングブレード（図示せず）によりセミフルカットした半導体素子１の各々の隙間に充填したものである。銅層３は半導体素子１の第２主面に導電ペーストを用いて銅板を貼り付け形成したものである。銅層の厚さは例えば４０μｍである（図１（ａ）参照）。
【００１３】
ダイシングテープ６は銅層３と接着している（図１（ｂ）参照）。
【００１４】
切削部５は樹脂２と銅層３とをダイシングブレードの切削により形成される。この時用いるダイシングブレードの厚さは８０μｍ〜１００μｍ程度の比較的薄い物を使用する事ができる。切削部５はダイシングブレード（図示せず）の切削の際に生じる銅層３のバリを積極的に利用し、銅層３のバリを切断せぬようダイシングテープにあまり深く切り込みを入れない。例えば、ダイシングテープに４０μｍ程度の深さの切り込みを入れたものである。この程度の切り込み深さであれば、ダイシングテープに銅のバリが食い込み、バリが切断することなく銅層３に突出部８が形成される。現在の技術では、ダイシングブレードの厚さが８０〜１００μｍ程度の物を用いるとバリが発生し完全に切削する事は難しい（図１（ｃ）参照）。その後、ダイシングテープをＵＶ照射や熱により銅から剥離する（図１（ｄ）参照）。
【００１５】
かかる構成によれば、半導体装置７を個片に分割するダイシングブレード（図示せず）によるセミフルカットで第２主面に形成した銅層３の突出したバリを積極的に利用し、突出部８を形成することにより、銅層３の切削部５は１０μｍ程度の厚さになる。半導体装置７を塩化第二鉄水溶液などの銅が可溶な液に入れ銅層３を１０μｍ程度化学的に除去する事により、個片に分割することができ、且つ、半導体装置７の銅層３は厚さ３０μｍが残る（図１（ｅ）参照）。
【００１６】
さらに、銅層３はニッケルや金など他の金属材料でもよい。また、半導体素子１に銅板を貼り付けているが、めっきによって銅またはその他の金属を成長させることも可能である。樹脂と金属をセミフルカットしているが、あらかじめ、樹脂層のみダイシングし、その後、銅などの金属層をセミフルカットしてもよい。また、銅などの金属材料の板に半導体素子をダイボンディングし、樹脂封止した後、樹脂層と金属層のダイシングにこの方法を用いても良い。
【００１７】
なお、本実施の形態において、電子部品としてＰＮ接合を有する半導体素子で説明したが、チップ抵抗、チップコンデンサなど、その他の電子部品でもよい。
【００１８】
【発明の効果】
以上のように、本発明の電子部品の個別分割方法によれば、比較的薄いダイシングブレードを用いる事によって、電子部品集合体の単位面積当たりの取れ数を増やし、且つダイシング工程での半導体装置７の飛散の発生を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態における半導体装置の個別分け方法のフローに沿った断面図
【図２】従来の製造工程を示す図
【符号の説明】
１  半導体素子
２  樹脂
３  銅層
４  溝
５  切削部
６  ダイシングテープ
７  半導体装置
８  突出部
１０１  半導体ウェハ
１０２    ダイシングテープ
１０３    半導体素子
１０４  側面部
１０５  電極部
１０６  絶縁物
１０７  金属箔
１０８  導電物
１０９  めっき被膜
１１０  半導体装置
【図１】
2004186644.tif 000003
【図２】
2004186644.tif 000004