(57)【要約】【課題】電気抵抗が小さく、設計の自由度が高く、かつ任意のデバイスを設計通りに作製することができるナノ構造の電子デバイスを提供すること。【解決手段】既知であるかもしくは予測できる立体構造を有し、かつ修飾官能基が三次元的に配置された高分子からなる機能素子を含んでなるように構成する。【選択図】      なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
既知であるかもしくは予測できる立体構造を有し、かつ修飾官能基が三次元的に配置された高分子からなる機能素子を含み、
前記高分子が、生体高分子、人工高分子又はその組み合わせであり、かつ
前記修飾官能基が、正孔輸送性官能基、電子輸送性官能基もしくはその組み合わせであることを特徴とする電子デバイス。
【請求項２】
前記機能素子が、電導性ワイヤーであることを特徴とする請求項１に記載の電子デバイス。
【請求項３】
前記機能素子が、生体高分子及び（又は）人工高分子に正孔輸送性官能基及び（又は）電子輸送性官能基を周期的に導入することによって形成された電導性ワイヤーであることを特徴とする請求項１又は２に記載の電子デバイス。
【請求項４】
前記電導性ワイヤーが配線として組み込まれていることを特徴とする請求項３に記載の電子デバイス。
【請求項５】
前記電導性ワイヤーが抵抗として組み込まれており、かつその抵抗値は、前記修飾官能基の密度を変化させることによって調整されたものであることを特徴とする請求項３に記載の電子デバイス。
【請求項６】
前記電導性ワイヤーがダイオードとして組み込まれており、複数本の前記電導性ワイヤーを直列に繋いだブロックポリマーの形をしていることを特徴とする請求項３に記載の電子デバイス。
【請求項７】
前記電導性ワイヤーがコンデンサーとして組み込まれており、その電導性ワイヤーの一部のセグメントにおいて絶縁配列を導入し、かつこの絶縁配列の近傍において帯電し易い状態にしたブロックポリマーの形をしていることを特徴とする請求項３に記載の電子デバイス。
【請求項８】
前記電導性ワイヤーがバイポーラトランジスターとして組み込まれており、３本の特性を異にする前記電導性ワイヤーを交互に直列に繋げて形成したＰＮＰ又はＮＰＮ接合及び中心のセグメントから分岐した前記生体高分子及び（又は）人工高分子を有するブロックポリマーの形をしていることを特徴とする請求項３に記載の電子デバイス。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電子デバイスに関し、さらに詳しく述べると、ナノメートル・スケールの電子デバイス、いわゆるナノ構造の電子デバイス（ナノデバイスとも呼ばれている）に関する。本発明は、特に、ＤＮＡ（デオキシリボ核酸）等の高分子の立体構造を利用して機能素子を作り込んだナノ構造の電子デバイスに関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、電導性有機分子を用いて分子エレクロニクスを作るという試みがなされている（非特許文献１）。しかし、電導性有機分子は、その分子の大きさに比例し、また、分子運動により、分子の配向性及び重なりが不十分になり、電流の増幅量が小さくなること及びスイッチング速度が遅くなることなどの問題があった。これらの問題は、分子の大きさが比較的に小さい小分子を用いることにより解決できるが、その小分子により作られる構造に問題がある。すなわち、小分子の場合、得られる分子エレクトロニクスの構造に制限があり、また、小分子を固定する電極の製造にも高度なテクニックが必要であり、それ以上の発展性は乏しいのが実情である。
【０００３】
上記のような小分子に代えて、問題を引き起こさないような電導性高分子を使用することも考えられる。ここで使用する電導性高分子は、分子エレクトロニクスの設計やその他の面から、その構造がすでに明らかであるかもしくは推測できるものが好ましい。高分子で立体構造が明らかなものとしては、例えば、蛋白質などの構造が決まった生体高分子が挙げられ、この中でも特にＤＮＡは、相補的二重螺旋構造及び電気伝導性など興味深い点が多くで盛んに研究が行われている（非特許文献２）。しかし、ＤＮＡ等の生体高分子は一般的にその電気抵抗が大きいので、そのまま分子エレクトロニクスに組み込んで使用した場合、通電により酸化的損傷を受ける傾向にあり、とても実用に耐えるものではない。
【０００４】
【非特許文献１】
Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，Ｖｏｌ．１２４，Ｎｏ．１６，Ｐ４２００〜４２０１（２００２）
【非特許文献２】
Ｎａｔｕｒｅ  ｂｉｏｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，Ｖｏｌ．１８，Ｐ１０９６〜１１００（２０００）
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上記のような従来の技術の問題点を解決することを目的とする。
【０００６】
本発明の目的は、したがって、分子エレクトロニクスの範疇に属するものであり、ナノメートル・スケールであり、構造が単純であり、作製が容易であり、電気抵抗が小さく、そして特性が安定な電子デバイスを提供することにある。
【０００７】
また、本発明の目的は、設計の自由度が高く、かつ任意のデバイスを設計通りに作製することができる電子デバイスを提供することにある。
【０００８】
さらに、本発明の目的は、ＤＮＡ等の生体高分子を機能素子の形成に利用できる電子デバイスを提供することにある。
【０００９】
本発明の上記したような目的やその他の目的は、以下の詳細な説明から容易に理解することができるであろう。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、このたび、機能素子の形成に、既知であるかもしくは予測できる立体構造（三次元構造）を有する高分子を使用するとともに、その鋳型としての立体構造中に適当な修飾官能基を三次元的に配置することによって、従来の技術の問題点を解決したナノ構造の電子デバイスを提供できることを発見し、本発明を完成した。ここで、高分子は、好ましくは、生体高分子や人工高分子、あるいはその組み合わせなどである。
【００１１】
本発明の電子デバイスでは、機能素子に使用する高分子自体が情報をもつために、任意のデバイスを設計通りに接続することができ、究極的には、ナノ構造の自己組織的な集積回路を作ることが可能である。
【００１２】
また、高分子を特に正孔輸送性もしくは電子輸送性の官能基で修飾することによって、電気抵抗を小さくし、その官能基間を通電させることにより、安定性の向上を図ることができる。
【００１３】
【発明の実施の形態】
本発明の電子デバイスは、ナノ構造を有している。すなわち、その大きさは、ＤＮＡ等の高分子のサイズに由来して、通常、数ナノメートル（ｎｍ）のオーダーである。電子デバイスの大きさは、使用する高分子の種類やサイズに応じて変化し得るというものの、通常、約３００ｎｍ以下であり、好ましくは、約１００〜３ｎｍの範囲である。電子デバイスは、一般的には、小型であればあるほど有利である。
【００１４】
また、本発明の電子デバイスは、一般的には従来の半導体デバイスに取って代わり得るものとして説明することができる。電子デバイスは、一般的に、基板とそれの上に任意のパターンで作り込まれた機能素子とからなることができる。基板は、例えばシリコン基板等の半導体基板でもよく、その他の材料の基板でもよい。機能素子は、いろいろな形態をとることができるけれども、好ましくは、電導性ワイヤーである。適当な機能素子の例は、以下に列挙するものに限定されるわけではないけれども、配線、抵抗、ダイオード、例えばフォトダイオード、発光ダイオード等、コンデンサー、トランジスター、例えばバイポーラトランジスター、電界効果トランジスター（ＦＥＴ）等を包含する。これらの機能素子は、基板の上部及び（又は）内部に単独で作り込まれていてもよく、さもなければ、２種類以上の機能素子が組み合わさって作り込まれていてもよい。
【００１５】
上記のような機能素子は、本発明によると、既知であるかもしくは推測できる立体構造を有し、かつ修飾官能基が三次元的に配置された高分子から容易に形成することができる。
【００１６】
機能素子の形成に用いられる高分子は、それが立体構造（３次元構造）を有していて、その立体構造が既知であるかもしくは任意の手段で推測でき、かつその立体構造の所定の位置に修飾官能基を三次元的に配置できる限り、特に限定されるものではない。適当な高分子は、生体高分子又は人工高分子である。これらの高分子は、単独で使用してもよく、２種類以上を組み合わせて使用してもよい。
【００１７】
本発明の実施に有用な生体高分子は、以下に列挙するものに限定されないけれども、ＤＮＡ、ＲＮＡ（リボ核酸）、ＤＮＡ−ＲＮＡハイブリッド、蛋白質、糖、それらの錯体などである。これらの生体高分子は、必要ならば、例えばＤＮＡ−ＲＮＡハイブリッドのように、複合体の形で使用してもよい。
【００１８】
本発明の実施では、特にＤＮＡを機能素子の形成に有利に利用することができる。ＤＮＡは、抵抗が大きく電流を流すことができないという大きな欠点があるけれども、本発明では、官能基を導入することによって、特に正孔を輸送できるかもしくは電子を輸送できる特定の官能基を導入することによって、これらの欠点を克服できる。また、ＤＮＡは、その優れた配列選択性のため、非常に小さい部位でもｐｎ接合を形成できるので、デバイスの小型化に大きく貢献でき、また、配線が自動的に組み立てられていくという自己組織化機能も備えているので、電子デバイスを所望とする設計パターンの応じて容易にかつ任意に作製することができる。特にＤＮＡは、三次元構造をもった電子デバイスを自由に設計可能であるという点で注目に値する。
【００１９】
また、本発明の実施に有用な人工高分子は、配列選択的に２本鎖を形成することが可能な人工高分子である。かかる人工高分子の適当な例は、以下に列挙するものに限定されないけれども、ペプチドＤＮＡ、グアニジンＤＮＡなどである。これらの人工高分子も、必要ならば、複合体の形で使用してもよい。
【００２０】
本発明の電子デバイスでは、そのデバイスにナノ構造を付与するため、ＤＮＡ等の高分子の構造を鋳型として用い、修飾官能基を三次元的に導入し、配置することが必要である。官能基としては、正孔を輸送しやすい官能基（正孔輸送性官能基）や電子を輸送しやすい官能基（電子輸送性官能基）を使用するのが有利である。例えば、これらの官能基の導入によって、電気抵抗を小さくし、かつそれらの官能基間を通電させることにより、安定性の向上を図ることができるからである。正孔輸送性官能基及び電子輸送性官能基は、それぞれ、単独で使用してもよく、２種類以上の官能基を任意に組み合わせて使用してもよい。
【００２１】
本発明の実施に有用な正孔輸送性官能基は、以下に列挙するものに限定されるわけではないけれども、例えば、ＴＰＡＣや、次式により表されるＴＰＤ：
【００２２】
【化１】
2004241431.tif 000002
【００２３】
次式により表されるフェノチアジン：
【００２４】
【化２】
2004241431.tif 000003
【００２５】
などを包含する。その他の有用な正孔輸送性官能基は、例えば、次式により表されるＴＴＦ（テトラチアフルバレン）：
【００２６】
【化３】
2004241431.tif 000004
【００２７】
や、フラーレン（例えば、フラーレンＣ６０）などである。
【００２８】
これらの正孔輸送性官能基は、ＤＮＡ等の高分子にいろいろな濃度及び分布で導入することができる。所望とするデバイスの構造や機能、特性などに応じて、最適な正孔輸送性官能基を選択し、配置することができる。
【００２９】
また、本発明の実施に有用な電子輸送性官能基は、以下に列挙するものに限定されるわけではないけれども、例えば、ＢＮＤや、次式により表されるＰＢＤ：
【００３０】
【化４】
2004241431.tif 000005
【００３１】
次式により表されるアントラキノン：
【００３２】
【化５】
2004241431.tif 000006
【００３３】
などを包含する。その他の有用な電子輸送性官能基は、例えば、次式により表されるＴＣＮＱ（テトラシアノキノジメタン）：
【００３４】
【化６】
2004241431.tif 000007
【００３５】
ポルフィリン、例えば次式により表される２１Ｈ，２３Ｈ−ポルフィリン：
【００３６】
【化７】
2004241431.tif 000008
【００３７】
、金属錯体などである。
【００３８】
これらの電子輸送性官能基は、前記した正孔輸送性官能基と同様に、ＤＮＡ等の高分子にいろいろな濃度及び分布で導入することができる。所望とするデバイスの構造や機能、特性などに応じて、最適な電子輸送性官能基を選択し、配置することができる。また、別の効果を得るため、この電子輸送性官能基を正孔輸送性官能基と組み合わせて使用することもできる。
【００３９】
本発明の電子デバイスにおいて、それに組み込まれる機能素子は、それが特定の構造をもった高分子からなることに由来して、好ましくは、電導性ワイヤーである。
【００４０】
電導性ワイヤーは、いろいろな方法で作製することができるけれども、好ましくは、選ばれた生体高分子、人工高分子又はその混合物、例えばＤＮＡに、正孔輸送性官能基、例えばＴＰＡＣ、ＴＰＤ等、及び（又は）電子輸送性官能基、例えばＢＮＤ、ＰＢＤ等、を周期的（例えば、３残基ごと）に導入することによって作製することができる。官能基の導入は、常用の技法で実施することができる。
【００４１】
上記のようにして得られる電導性ワイヤーは、そのまま配線として利用することができる。また、上記のようにして電導性ワイヤーを作製する際、修飾官能基の導入密度を変化させると、その変化に応じて抵抗値が変化するので、得られた電導性ワイヤーを抵抗として利用することができる。
【００４２】
また、電導性ワイヤーを、単独で使用しないで、２本以上を組み合わせて使用することもできる。例えば、複数本の特性の異なる電導性ワイヤーを直列に繋いでブロックポリマーの形とした場合、得られた電導性ワイヤーをダイオードとして利用することができる。
【００４３】
さらに、作製のプロセスを変更することで、異なるタイプのダイオードを容易に作製することができる。
【００４４】
１つの好ましい形態によると、ダイオードの接合部分に、光応答により電子の放出もしくは電子の取り込みを制御できる官能基（例えば、ＺｎＰＢＯなど）を導入してブロックポリマーを作製した場合、このダイオードをフォトダイオードとして利用することができる。
【００４５】
また、もう１つの好ましい形態によると、ダイオードの接合部分に、起電力により発光を生じることができる官能基（例えば、以下に示すトリス（８−キノリノラト）アルミニウム錯体やビス（ベンゾキノリノラト）ベリリウム錯体など）を導入してブロックポリマーを作製した場合、このダイオードを発光ダイオードとして利用することができる。
【００４６】
【化８】
2004241431.tif 000009
【００４７】
電導性ワイヤーをコンデンサーとしても利用することができる。例えば、作製した電導性ワイヤーにおいて、その一部のセグメントを電導性官能基修飾のないＤＮＡ２本鎖、１本鎖又はミスマッチ配列に変化させて絶縁を行う。このとき、その構造を補強するために、得られた絶縁配列に特異的に結合可能な蛋白質を加えてもよい。次いで、絶縁配列の近傍において、帯電し易い状態に変化したブロックポリマーを形成する。この処理は、例えば、絶縁配列の近傍にある１種類もしくはそれ以上の修飾官能基（例えば、極性の異なる官能基）において密度を変化させることで、容易に行うことができる。このような一連の処理を経て作製した電導性ワイヤーを、コンデンサーとして利用することができる。
【００４８】
電導性ワイヤーを、トランジスター、例えばバイポーラトランジスター、電界効果トランジスター（ＦＥＴ）などとして利用することもできる。例えば、バイポーラトランジスターは、電導性ワイヤーを作製した後、３本の特性の異なる電導性ワイヤーを交互に直列に繋げてＰＮＰ又はＮＰＮ接合を形成する。次いで、ＰＮＰ又はＮＰＮ接合の中心のセグメントから生体高分子及び（又は）人工高分子、例えばＤＮＡを分岐させる。このようにして得られる、電導性ワイヤーが繋がったブロックポリマーを、バイポーラトランジスターとして利用することができる。
【００４９】
ＦＥＴも、同様にして作製することができる。ＦＥＴは、例えば、外部から電界を加えることにより出力電気量を制御できるように電導性ワイヤーを構成すればよい。
【００５０】
【実施例】
引き続いて、本発明をその実施例を参照して説明する。なお、本発明は、これらの実施例によって限定されるものでないことは言うまでもない。
実施例１
本例では、図１に模式的に示すようなバイポーラトランジスターを製造した。図示のトランジスターでは、約１５ｎｍ間隔の電極１、２及び３を用意した。電極１はソース、電極２はドレイン、電極３はゲートである。各々の電極番号１〜３と同じ番号のＤＮＡ１〜３を選択的に固定した。ここで固定したＤＮＡ１〜３は、下記の３種類のＤＮＡ４８量体である。
【００５１】
【化９】
2004241431.tif 000010
【００５２】
このバイポーラトランジスターにおいて、Ｔ１  及びＴ２  として本文中で説明した極性の異なる修飾核酸を導入したところ、トランジスターの効果が確認できた。
実施例２
本例では、図２に模式的に示すようなフォトダイオードを製造した。図示のフォトダイオードでは、約８ｎｍ間隔の電極１及び２を用意した。各々の電極番号１及び２と同じ番号の、次のようなＤＮＡ１及び２を選択的に固定した。
【００５３】
【化１０】
2004241431.tif 000011
【００５４】
このフォトダイオードにおいて、Ｔ１  及びＴ３  に本文中で説明した極性の異なる修飾核酸を導入し、かつＴ２  に、起電力により発光する官能基で修飾された核酸を導入したところ、フォトダイオードの効果が確認できた。
実施例３
本例では、立体構造をもった高分子を特定の官能基で修飾する場合の効果を確認した。なお、本例では、供試高分子として、生体高分子の典型例であるＤＮＡを使用した。
【００５５】
下記の５種類のＤＮＡを市販のＤＮＡ合成機（アプライド社製）を使用して合成した。
ＤＮＡ３２量体：
５’−ＨＳ（ＣＨ２）６ｐＧＡＴＣＡＣＴＡＧＡＡＡＧＡＣＴＡＣＧＡＴＧＡＴＴＡＣＧＡＣＴＡ−３’（以下、ＨＳ３２と記す）
ＤＮＡ８量体：
５’−Ｔ＊ＡＧＴ＊ＣＧＴ＊Ａ−３’（以下、５’−１と記す）
ＤＮＡ１２量体：
５’−ＡＴ＊ＣＡＴ＊ＣＧＴ＊ＡＧＴ＊Ｃ−３’（以下、５’−２と記す）
５’−ＴＴ＊ＴＣＴ＊ＡＧＴ＊ＧＡＴ＊Ｃ−３’（以下、５’−３と記す）
なお、これらのＤＮＡにおいて、式中のＴ＊は、次式によって表される。
【００５６】
【化１１】
2004241431.tif 000012
【００５７】
また、本例では使用しないが、式中のＴ＊は、次式によって表されるものであってもよい。
【００５８】
【化１２】
2004241431.tif 000013
【００５９】
次いで、上記のＤＮＡ５’−１をフェロセンイソシアネートと水溶液中で反応させることにより、Ｆｅ−５’−１を合成し、精製した。
【００６０】
また、上記のＤＮＡ５’−２を次式により表されるＴＰＤイソシアネート：
【００６１】
【化１３】
2004241431.tif 000014
【００６２】
と水溶液中で反応させることにより、ＴＰＤ−５’−２を合成し、精製した。
【００６３】
さらに、上記のＤＮＡ５’−３をＴＰＤイソシアネートと水溶液中で反応させることにより、ＴＰＤ−５’−３を合成し、精製した。
【００６４】
さらに、上記のＤＮＡ５’−２を次式により表されるＰＢＤイソシアネート：
【００６５】
【化１４】
2004241431.tif 000015
【００６６】
と水溶液中で反応させることにより、ＰＢＤ−５’−２を合成し、精製した。
【００６７】
さらにまた、上記の５’−３をＰＢＤイソシアネートと水溶液中で反応させることにより、ＰＢＤ−５’−３を合成し、精製した。
【００６８】
上記のようにして得られたＤＮＡ誘導体において、それぞれの構造の所定の位置に官能基の存在を認めることができた。なお、官能基の導入は、次のような反応式に基づく。
【００６９】
【化１５】
2004241431.tif 000016
【００７０】
〔評価試験〕
上記のＤＮＡ（ＨＳ３２）及びＤＮＡ誘導体（Ｆｅ−５’−１、ＴＰＤ−５’−２、ＴＰＤ−５’−３、ＰＢＤ−５’−２及びＰＢＤ−５’−３）を下記の第１表に記載のように異なる条件で組み合わせて、異なるブロックポリマーを調製した。表中の条件は、○＝あり、×＝なし、である。すなわち、例えば条件１を満足させるブロックポリマーは、…（ＨＳ３２）（Ｆｅ−５’−１）（ＴＰＤ−５’−２）（ＰＢＤ−５’−３）…なる構造を有している。
【００７１】
【表１】
2004241431.tif 000017
【００７２】
次いで、合計して４種類のブロックポリマー（条件１〜４）を、それぞれ、図３に一部を模式的に示すトランジスター１０に配線（電導性ワイヤー）４として組み込んだ。配線４は、表面に絶縁膜（シリコン酸化膜）２を有するシリコン基板１の上に、すでに形成されている金電極（ソース）３−１を繋ぐようにして形成した。参照番号３−２は、金電極（ドレイン）である。金電極の間隔は、約１０ｎｍであった。
【００７３】
それぞれのトランジスターについて、その通電特性を測定したところ、図４にプロットしたような測定結果が得られた。図から理解できるように、本発明に従って電導性ワイヤーを作製した場合には、電気抵抗が小さく、特性に優れたトランジスターを得ることができるばかりでなく、電導性ワイヤーを構成するブロックポリマーの構成ユニットを変更することで、目的の特性を備えたトランジスターを、設計の困難を伴うことなく容易に得ることができる。
【００７４】
以上、本発明の電子デバイスを特にその実施の形態及び実施例に関して詳細に説明した。ここで、本発明の好ましい態様を整理すると、次の通りである。
【００７５】
（付記１）既知であるかもしくは予測できる立体構造を有し、かつ修飾官能基が三次元的に配置された高分子からなる機能素子を含み、
前記高分子が、生体高分子、人工高分子又はその組み合わせであり、かつ
前記修飾官能基が、正孔輸送性官能基、電子輸送性官能基もしくはその組み合わせであることを特徴とする電子デバイス。
【００７６】
（付記２）前記生体高分子が、ＤＮＡ、ＲＮＡ、ＤＮＡ−ＲＮＡハイブリッド、蛋白質、糖もしくはその複合体であることを特徴とする付記１に記載の電子デバイス。
【００７７】
（付記３）前記人工高分子が、ペプチドＤＮＡ、グアニジンＤＮＡもしくはその複合体であることを特徴とする付記１又は２に記載の電子デバイス。
【００７８】
（付記４）前記正孔輸送性官能基が、ＴＰＡＣ、ＴＰＤ、フェノチアジン、ＴＩＦ又はフラーレンであることを特徴とする付記１〜３のいずれか１項に記載の電子デバイス。
【００７９】
（付記５）前記電子輸送性官能基が、ＢＮＤ、ＰＢＤ、アントラキノン、ＴＣＮＱ又はポルフィリンであることを特徴とする付記１〜３のいずれか１項に記載の電子デバイス。
【００８０】
（付記６）前記機能素子が、電導性ワイヤーであることを特徴とする付記１〜５のいずれか１項に記載の電子デバイス。
【００８１】
（付記７）前記機能素子が、電導性ワイヤーからなる配線であることを特徴とする付記１〜６のいずれか１項に記載の電子デバイス。
【００８２】
（付記８）前記機能素子が、電導性ワイヤーからなる抵抗であることを特徴とする付記１〜７のいずれか１項に記載の電子デバイス。
【００８３】
（付記９）前記機能素子が、複数本の電導性ワイヤーからなるダイオードであることを特徴とする付記１〜６のいずれか１項に記載の電子デバイス。
【００８４】
（付記１０）前記機能素子が、複数本の電導性ワイヤーからなるコンデンサーであることを特徴とする付記１〜６のいずれか１項に記載の電子デバイス。
【００８５】
（付記１１）前記機能素子が、複数本の電導性ワイヤーからなるトランジスターであることを特徴とする付記１〜６のいずれか１項に記載の電子デバイス。
【００８６】
（付記１２）前記機能素子が、生体高分子及び（又は）人工高分子に正孔輸送性官能基及び（又は）電子輸送性官能基を周期的に導入することによって形成された電導性ワイヤーであることを特徴とする付記１〜５のいずれか１項に記載の電子デバイス。
【００８７】
（付記１３）前記電導性ワイヤーが配線として組み込まれていることを特徴とする付記１２に記載の電子デバイス。
【００８８】
（付記１４）前記電導性ワイヤーが抵抗として組み込まれており、かつその抵抗値は、前記修飾官能基の密度を変化させることによって調整されたものであることを特徴とする付記１２に記載の電子デバイス。
【００８９】
（付記１５）前記電導性ワイヤーがダイオードとして組み込まれており、複数本の前記電導性ワイヤーを直列に繋いだブロックポリマーの形をしていることを特徴とする付記１２に記載の電子デバイス。
【００９０】
（付記１６）前記ダイオードがフォトダイオードであり、かつ該フォトダイオードの接合部分に、光応答により電子の放出もしくは取り込みを制御できる官能基が導入されていることを特徴とする付記１５に記載の電子デバイス。
【００９１】
（付記１７）前記ダイオードが発光ダイオードであり、かつ該発光ダイオードの接合部分に、起電力により発光を生じることができる官能基が導入されていることを特徴とする付記１５に記載の電子デバイス。
【００９２】
（付記１８）前記電導性ワイヤーがコンデンサーとして組み込まれており、その電導性ワイヤーの一部のセグメントにおいて絶縁配列を導入し、かつこの絶縁配列の近傍において帯電し易い状態にしたブロックポリマーの形をしていることを特徴とする付記１２に記載の電子デバイス。
【００９３】
（付記１９）前記電導性ワイヤーがバイポーラトランジスターとして組み込まれており、３本の特性を異にする前記電導性ワイヤーを交互に直列に繋げて形成したＰＮＰ又はＮＰＮ接合及び中心のセグメントから分岐した前記生体高分子及び（又は）人工高分子を有するブロックポリマーの形をしていることを特徴とする付記１２に記載の電子デバイス。
【００９４】
（付記２０）前記トランジスターが電界効果トランジスターとして組み込まれており、外部から電界を加えることにより出力電気量を制御できることを特徴とする付記１２に記載の電子デバイス。
【００９５】
【発明の効果】
以上に詳細に説明したように、本発明によれば、ナノメートル・スケールであり、構造が単純であり、作製が容易であり、電気抵抗が小さく、そして特性が安定な電子デバイスを提供することができる。
【００９６】
また、本発明の電子デバイスは、設計の自由度が高く、任意のデバイスを設計通りに作製することができるという効果がある。
【００９７】
さらに、本発明の電子デバイスでは、従来の技術で問題が多かったＤＮＡ等の生体高分子を機能素子の形成に有利に利用できるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施例１で作製したバイポーラトランジスターの模式図である。
【図２】実施例２で作製したフォトダイオードの模式図である。
【図３】実施例３で作製したトランジスター（一部）を模式的に示した断面図である。
【図４】実施例３で金電極を修飾した結果をプロットしたグラフである。
【符号の説明】
１…シリコン基板
２…シリコン酸化膜
３−１…金電極
３−２…金電極
４…配線（電導性ワイヤー）
１０…トランジスター
【図１】
2004241431.tif 000018
【図２】
2004241431.tif 000019
【図３】
2004241431.tif 000020
【図４】
2004241431.tif 000021