(57)【要約】【課題】基板上に有機樹脂から成る絶縁層と配線導体層とを多層に積層して成る多層配線基板において、最表面の配線導体層の上面の凹凸によってプローブの接触面積にばらつきが生じ接触抵抗が変動しやすいという問題点を解消すること。【解決手段】絶縁層３が絶縁フィルム層４と絶縁性接着剤層５とから成り、上下に位置する配線導体層２を貫通孔６の内部に配線導体層２を延在させて接続した多層配線基板であって、多層に積層された絶縁フィルム層４の内層に位置するものの貫通孔６の内部の配線導体層２（貫通導体７）の内側に絶縁性接着剤層５が埋め込まれており、かつ貫通孔６の直上の絶縁フィルム層４の上面が略平坦面とされている。最表面に形成される配線導体層２の上面に凹凸がなくなり、プローブの接触面積のばらつきを抑制することができ、安定した接触抵抗を得ることができる多層配線基板となる。【選択図】  図１
2004214586.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に有機樹脂から成る複数の絶縁層と配線導体層とを多層に積層するとともに、上下に位置する前記配線導体層同士をその間の前記絶縁層に設けた貫通孔の内部にその配線導体層を延在させて電気的に接続して成る多層配線基板であって、前記絶縁層が絶縁フィルム層と絶縁性接着剤層とから成り、多層に積層された前記絶縁フィルム層の内層に位置するものの前記貫通孔の内部の前記配線導体層の内側に前記絶縁性接着剤層が埋め込まれており、かつ前記貫通孔の直上の前記絶縁フィルム層の上面が略平坦面とされていることを特徴とする多層配線基板。
【請求項２】
前記絶縁接着剤層の弾性率が前記絶縁フィルム層の弾性率より低いことを特徴とする請求項１記載の多層配線基板。
【請求項３】
前記貫通孔の開口の最大径が前記絶縁性接着剤層の厚みの０．５倍以上５倍以下であることを特徴とする請求項１または２記載の多層配線基板。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は多層配線基板に関し、より詳細には半導体集積回路等の電気的な検査をするためのプローブカード等に使用される多層配線基板に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、半導体集積回路は半導体素子の高集積化と処理信号数の増加によって、半導体基板上に形成される端子数が増加するとともに端子の狭ピッチ化が進んでいる。このため、その端子にプローブを接触させて半導体集積回路の電気的な検査を行なうプローブカードは、従来から使用されているカンチレバー方式のものからニードル状のプローブを細密に格子状に配置したものに移り変わってきている。
【０００３】
また、これに対応してプローブカード等に使用される多層配線基板としては、ガラス繊維から成る基材に有機樹脂を含浸硬化させた絶縁層に銅箔をパターン加工した配線導体層を形成して成るプリント配線板から、配線導体層の狭ピッチ化に優れプローブを受ける配線導体層を細密な格子状に配置することが可能な、基板の上面に薄膜の絶縁層と配線導体層とから成る多層配線部を形成したビルドアップ方式の多層配線基板が採用されてきている。
【０００４】
かかる多層配線基板は、基板の上面に、エポキシ樹脂やポリイミド樹脂等から成り、スピンコート法等によって樹脂の前駆体を塗布し加熱硬化させることによって形成される絶縁層と、銅やアルミニウム等の金属から成り、めっき法や蒸着法等の薄膜形成技術およびフォトリソグラフィー技術を採用することによって形成される配線導体層とを交互に多層に積層させた構造となっている。
【０００５】
このような多層配線基板の最表面に形成された配線導体層と半導体集積回路の表面の端子との双方にプローブが接触することによって電気的な接続をとることで、半導体集積回路の電気的な検査を行っている。
【０００６】
また、このような多層配線基板は、配線導体層の一部をＴａＳｉＯ２やＴａ２Ｎ等の薄膜抵抗体で形成し、伝送線路の終端抵抗等の役割とさせるものもある。
【０００７】
図４に従来の薄膜抵抗体を内蔵した多層配線基板の断面図を示す。１８は薄膜抵抗体、１２ａ，１２ｂ，１２ｃは配線導体層、１３ａ，１３ｂは絶縁層、１１は基板である。配線導体層１２ａ，１２ｂ，１２ｃはＣｕ等、絶縁層１３ａ，１３ｂはポリイミド等で構成され、セラミックス等からなる基板１１上に配線導体層１２ｃ、絶縁層１３ｂ、配線導体層１２ｂ、絶縁層１３ａ、配線導体層１２ａを順次積層する。また、各配線導体層間の接続は貫通孔１６の内部に形成された貫通導体１７によって接続される。ＴａＳｉＯ２やＴａ２Ｎ等で構成される薄膜抵抗体１２ａは最表層の配線導体層１２ａを絶縁層１３ａに接着させる作用も兼ねており、配線導体層１８は薄膜抵抗体１８の上面に形成した配線導体層１２ａの一部をエッチング除去することにより所望のパターンに形成される。
【０００８】
［特許文献１］
特開平１１−１６３５２０号公報
［特許文献２］
特開平１１−３８０４４号公報
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記のような樹脂の前駆体を塗布し熱硬化させることによって形成される絶縁層を有する多層配線基板においては、樹脂から成る絶縁層の厚みがその樹脂の前駆体を塗布する面の凹凸にほぼ均一に追従するため、絶縁層に形成した貫通孔による凹部や配線導体層による凸部によって、その上に形成される絶縁層の表面には段差が発生しやすい。また、絶縁層を多層化していくと、各層での凹凸を反映して、多層配線基板の最上面では複雑な凹凸形状になることもある。
【００１０】
このような凹凸形状のある多層配線基板の最表面に形成された配線導体層の上面にプローブを接触させる場合には、配線導体層の上面の凹凸によってプローブの接触面積にばらつきが生じてしまい、接触抵抗が変動しやすいという問題点があった。また、配線導体層の上面の凹凸によって配線導体層の上面の一部にしかプローブが接触しないため、半導体集積回路の検査の際にプローブにかかる荷重が配線導体層の上面の一部に集中してしまい、配線導体層の一部が磨耗しやすくなり、多層配線基板の寿命が短くなりやすいという問題点があった。
【００１１】
また、このような凹凸形状のある多層配線基板の最表面に終端抵抗としての役割を担う薄膜抵抗体を形成する場合、所望の厚み、幅、長さを有する薄膜抵抗体の形成が困難となるため、形成した薄膜抵抗体の抵抗値が安定しないという問題点もあった。
【００１２】
例えば、図４に示すように、薄膜抵抗体１８直下に貫通孔１６が存在すると、貫通孔１６によって高さにばらつきのある凹部状の段差９が発生し、凹凸形状の原因となる。一般に薄膜抵抗体１８は、絶縁層１３ａ上に全面に形成した薄膜抵抗体１８上にフォトレジストをパターン状に形成し、それをマスクとして露出した薄膜抵抗体１８をエッチング除去することによりパターン状に加工されるが、その加工面に上記に示すような段差９があり平坦化されていない場合、その段差９部分のフォトレジストのパターン加工性が悪くなり、所望とするパターンが得られ難くなる。従って、薄膜抵抗体１８の抵抗値はそのパターンの厚み、幅、長さの要素で決まることから、図４のような形状の薄膜抵抗体１８は抵抗値が安定しないという問題点があった。
【００１３】
本発明は上記従来技術における問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、配線導体層の狭ピッチ化に対応する多層配線基板において、プローブとの接触抵抗を長期にわたり安定なものとすることができる電気的な接続性に優れた多層配線基板を提供することにある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
本発明の多層配線基板は、基板上に有機樹脂から成る複数の絶縁層と配線導体層とを多層に積層するとともに、上下に位置する前記配線導体層同士をその間の前記絶縁層に設けた貫通孔の内部にその配線導体層を延在させて貫通導体層として電気的に接続して成る多層配線基板であって、前記絶縁層が絶縁フィルム層と絶縁性接着剤層とから成り、多層に積層された前記絶縁フィルム層の内層に位置するものの前記貫通孔の内部の前記配線導体層の内側に前記絶縁性接着剤層が埋め込まれており、かつ前記貫通孔の直上の前記絶縁フィルム層の上面が略平坦面とされていることを特徴とするものである。
【００１５】
また、本発明の多層配線基板は、上記構成において、前記絶縁性接着剤層の弾性率が前記絶縁フィルム層の弾性率より低いことを特徴とするものである。
【００１６】
また、本発明の多層配線基板は、上記各構成において、前記貫通孔の開口の最大径が前記絶縁性接着剤層の厚みの０．５倍以上５倍以下であることを特徴とするものである。
【００１７】
本発明の多層配線基板によれば、積層された絶縁フィルム層の内層に位置するものの貫通孔の内部の配線導体層の内側に絶縁性接着剤層が埋め込まれており、かつその貫通孔の直上の絶縁フィルム層の上面が略平坦面とされていることから、その上面に形成される配線導体層の上面も同様に平坦面とすることができ、また、さらに絶縁層を形成して得られた多層配線基板の最表面に形成される配線導体層を平坦な状態に形成することができ、プローブとの接触に対してより良好な平坦性をもつものとすることができる。
【００１８】
また、絶縁性接着剤層の弾性率が絶縁フィルム層の弾性率より低いものとしておくと、絶縁層を形成する際のプレス加工時に絶縁フィルム層の弾性により、貫通孔の内部の配線導体層の内側に、より柔らかな絶縁性接着剤層が良好に押し込まれることとなり、貫通孔の直上に位置する絶縁フィルム層の上面を平坦面とすることが簡単にかつ安定してできるようになる。
【００１９】
さらに、貫通孔の開口の最大径を絶縁性接着剤層の厚みの０．５倍以上５倍以下としておくと、貫通孔の開口が適度に小さいために、この内部に配線導体層を延在させ、その上に絶縁層を形成する際のプレス加工時の絶縁性接着剤層の流動方向が貫通孔の底部の方向に向いて一定となり、絶縁性接着剤層が貫通孔の内部の配線導体の内側に埋め込まれやすくなり、絶縁性接着剤層の上面を良好な平坦面とすることができる。これにより、貫通孔の直上に絶縁性接着剤層を介して積層される絶縁フィルム層の上面を平坦面とすることがより簡単に、かつ安定してできるものとなる。
【００２０】
これらのことにより、多層配線基板の最表面に形成される配線導体層の上面を内部の貫通孔の直上に位置するものであっても平坦にすることができるようになり、配線導体層とプローブとの接触面積を一定にすることができ接触抵抗がより安定するとともに、半導体集積回路の検査の際にプローブにかかる荷重が配線導体層の上面の一部に集中することがなくなり、配線導体層の磨耗による多層配線基板の寿命が短くなることもなくなる。これにより、プローブとの接触抵抗を長期にわたり安定なものとすることができる電気的な接続性に優れた多層配線基板となる。
【００２１】
また、多層配線基板の最表面に終端抵抗としての役割を担う薄膜抵抗体を形成する場合、薄膜抵抗体を形成する絶縁フィルム層の上面が平坦化されているために段差を生じることはなく、その結果、薄膜抵抗体は貫通孔の直上であっても所望の厚み、幅、長さのものが得られ、安定した抵抗値を有するものとなる。
【００２２】
【発明の実施の形態】
以下、図面に基づいて本発明の多層配線基板を詳細に説明する。
【００２３】
図１は本発明の多層配線基板の実施の形態の一例を示す断面図であり、図２は図１に示す多層配線基板における貫通孔の周辺の状態を示す要部拡大断面図である。これらの図において、１は基板、２は配線導体層、３は絶縁層、４は絶縁層３の一部としての絶縁フィルム層、５は絶縁層３の一部としての絶縁性接着剤層、６は貫通孔、７は貫通孔６の内部に配線導体層２を延在させて形成された貫通導体である。
【００２４】
基板１は、その上面に複数の絶縁フィルム層４を間に絶縁性接着剤層５を介して積層した絶縁層３と配線導体層２とを多層に積層した多層配線部が配設されており、この多層配線部を支持する支持部材として機能する。
【００２５】
基板１は、酸化アルミニウム質焼結体，ムライト質焼結体等の酸化物系セラミックス、あるいは表面に酸化物膜を有する窒化アルミニウム質焼結体，炭化珪素質焼結体等の非酸化物系セラミックス、さらにはガラス繊維から成る基材にエポキシ樹脂を含浸させたガラスエポキシ樹脂やガラス繊維から成る基材にビスマレイミドトリアジン樹脂を含浸させたもの等の電気絶縁材料で形成されている。
【００２６】
例えば、酸化アルミニウム質焼結体で形成されている場合には、アルミナ，シリカ，カルシア，マグネシア等の原料粉末に適当な有機溶剤，溶媒を添加混合して泥漿状となすとともにこれをドクターブレード法やカレンダーロール法を採用することによってセラミックグリーンシート（セラミック生シート）を形成し、しかる後、このセラミックグリーンシートに適当な打ち抜き加工を施し、所定形状となすとともに高温（約１６００℃）で焼成することによって製作される。あるいは、アルミナ等の原料粉末に適当な有機溶剤，溶媒を添加混合して原料粉末を調製するとともにこの原料粉末をプレス成形機によって所定形状に成形し、最後にこの成形体を高温（約１６００℃）で焼成することによって製作される。また、ガラスエポキシ樹脂から成る場合は、例えばガラス繊維から成る基材にエポキシ樹脂の前駆体を含浸させ、このエポキシ樹脂前駆体を所定の温度で熱硬化させることによって製作される。
【００２７】
また、基板１には、その上面に複数の絶縁フィルム層４を間に絶縁性接着剤層５を介して積層した絶縁層３と配線導体層２とを多層に積層した多層配線部が配設されている。この多層配線部を構成する絶縁層３の絶縁フィルム層４は上下に位置する配線導体層２を電気的に絶縁し、配線導体層２は電気信号を伝達するための伝達路として機能する。
【００２８】
多層配線部の絶縁層３は絶縁フィルム層４と絶縁性接着剤層５とから構成されており、絶縁フィルム層４はポリイミド樹脂，ポリフェニレンサルファイド樹脂，全芳香族ポリエステル樹脂，フッ素樹脂等から成る。また、絶縁性接着剤層５はポリアミドイミド樹脂，シロキサン変性ポリイミド樹脂，シロキサン変性ポリアミドイミド，ビスマレイミドトリアジン樹脂，エポキシ樹脂等から成る。
【００２９】
絶縁層３は、例えば、まず１２．５〜５０μｍ程度の絶縁フィルムに絶縁性接着剤をドクターブレード法等を用いて乾燥厚みで５〜２０μｍ程度に塗布し乾燥させたものを準備し、この絶縁フィルム層４を基板１や下層の絶縁層３の上面に間に絶縁性接着剤層５が配されるように積み重ね、これを加熱プレス装置を用いて加熱加圧し接着することによって形成される。
【００３０】
このとき、本発明の多層配線基板においては、貫通孔６の内部に延在された配線導体層２の内側に絶縁性接着剤層５が埋め込まれるようにしておく。その際、貫通孔６の内部の配線導体層２の内側に形成される凹部の深さの７０％以上を埋め込んでおくと、その直上に形成される絶縁フィルム層４の上面の平坦性が顕著に改善される。また、同じく凹部の深さの９０％以上を埋め込んでおくと、その直上に形成される絶縁フィルム層４の上面を安定して略平坦面とすることができる。
【００３１】
なお、略平坦とは、絶縁フィルム層４の上面の貫通孔６の直上の部位とその周囲との段差、即ち絶縁フィルム層４の上面の貫通孔６の直上の部位のその周囲に対する凹んでいる深さが、貫通孔６の開口の最大径の１０％以下であるとともに絶縁層３の厚みの１０％以下であるような状態をいう。
【００３２】
特に、絶縁フィルム層４の上面の貫通孔６の直上の部位の最大深さを１μｍ以下としておくと、この上にさらに絶縁層３および配線導体層２が積層された多層配線基板の最表面に形成される配線導体層２の上面を、プローブとの接触に対してより良好な平坦性を有する平坦面に確実にすることができるものとなる。この絶縁フィルム層４の上面の最大深さが１μｍより深くなると、その上に形成された最表面の配線導体層２とプローブとの接触の際の接触抵抗にばらつきが生じてくるようになるため、貫通孔６の直上の絶縁フィルム層４の上面の最大深さは１μｍ以下としておくのがよい。
【００３３】
また、絶縁性接着剤層５の弾性率を絶縁フィルム層４の弾性率より低いものとしておくと、絶縁層３を形成する際のプレス加工時に、絶縁フィルム層４の弾性により貫通孔６の内部に延在された配線導体層２の内側の凹部に、絶縁フィルム層４より柔らかな絶縁性接着剤層５が良好に押し込まれることとなり、貫通孔６の直上に位置する絶縁フィルム層４の上面を平坦面とすることが簡単にかつ安定してできるようになる。このため、絶縁性接着剤層５の弾性率を絶縁フィルム層４の弾性率より低いものとしておくのがよい。
【００３４】
その組み合わせとしては、例えば、絶縁フィルム層４をポリイミド樹脂とし、絶縁性接着剤層５をシロキサン変性ポリアミドイミド樹脂とする組み合わせがある。この組み合わせによれば、シロキサン変性ポリアミドイミド樹脂が絶縁フィルム層４のポリイミド樹脂との接着性も良好であり、かつ耐熱性が高いものであるため、プリント基板等に実装する際の耐半田耐熱性等が良好なものとなる。
【００３５】
さらに、絶縁層３には所定位置に絶縁フィルム層４および絶縁性接着剤層５を貫通する貫通孔６が形成されており、この貫通孔６の内部にはその絶縁層３の上下に配置された配線導体層２、通常は上側の配線導体層２を延在させることにより貫通導体７が形成され、この貫通導体７は絶縁層３を挟んで上下に位置する配線導体層２の各々を電気的に接続する接続路となる。
【００３６】
貫通孔６は、例えばレーザを使い、絶縁層３の所定位置の絶縁フィルム層４および絶縁性接着剤層５を除去することにより形成される。特に、貫通孔６の開口の径が小さな場合は、貫通孔６の内壁面の角度をコントロールすることが容易で貫通孔６の内壁面が滑らかに加工される紫外線レーザ等で形成することが望ましい。
【００３７】
このとき、本発明の多層配線基板においては、貫通孔６の開口の最大径を絶縁性接着剤層５の厚みの０．５倍より小さくした場合には、貫通孔６の内部に延在させた配線導体層２の内側の凹部に絶縁性接着剤層５を隙間なく埋め込ませるのが難しくなる傾向がある。また一方、５倍より大きくした場合には、絶縁性接着剤層５が貫通孔６の内部に延在させた配線導体層２の内側の凹部に十分付き回るものの、絶縁性接着剤層５に流動する力を与えて貫通孔６のその凹部の上に位置する絶縁性接着剤層５を上面が平坦になるように形成することが難しくなる傾向がある。このため、貫通孔６の開口の最大径を絶縁性接着剤層５の厚みの０．５倍以上５倍以下としておくのがよい。また、貫通孔６の開口の加工性および凹部への絶縁性接着剤層５の埋め込み性を考慮すると、貫通孔６の開口の最大径を絶縁性接着剤層５の厚みの１倍以上２倍以下としておくのがより好ましい。
【００３８】
各絶縁フィルム層４の上面に配設される配線導体層２および貫通孔６の内部に配線導体層２を延在させることによって配設される貫通導体７は、銅，金，アルミニウム，ニッケル，クロム，モリブデン，チタンおよびそれらの合金等の金属材料をスパッタリング法，蒸着法，めっき法等の薄膜形成技術を採用することによって形成することができる。
【００３９】
貫通導体７は配線導体層２と別々に形成してもよいが、これらは同時に形成した方が工程数を少なくできるとともに両者の電気的な接続信頼性の点でも良好である。また、配線導体層２と貫通導体７とを一体形成する場合には、それぞれに所望の厚みに調整してめっき膜を形成することができるように、主として電解めっき法を用いて形成しておくのがよい。
【００４０】
配線導体層２および貫通導体７の形成方法は、例えば、まず絶縁フィルム層４の表面に広面積に、銅層を主体としこの銅層の少なくとも一方の主面に拡散防止層（バリア層）としてのクロム，モリブデン，チタン等を被着させて下地導体層を形成する。次に、この上に所望のパターンにフォトレジストを形成し、このフォトレジストをマスクにして主導体層の部分をめっき法にて所望の厚みまで形成する。その後、フォトレジストを剥離し、不要部分の下地導体層をエッチングにて除去することにより、所望のパターンに加工することができる。
【００４１】
なお、多層配線基板の最上層となる絶縁フィルム層４の表面に形成される配線導体層２の主導体層には、プローブの電気的な接続信頼性および耐環境性の観点から、主導体層が銅層から成るものとすることがよく、また、その場合にはその主導体層の上にニッケル層や金層を形成するとよい。
【００４２】
また、図３は本発明の多層配線基板の実施の形態の他の例を示す断面図であり、貫通孔６の直上の絶縁フィルム層４の上面が略平坦面となっているとともに絶縁フィルム層４の上面に薄膜抵抗体８が形成されたものを示す。１は基板、４は絶縁フィルム層、５は絶縁性接着剤層、８は薄膜抵抗体、２ａ，２ｂ，２ｃは配線導体層、３ａ，３ｂは絶縁層、６は貫通孔である。
【００４３】
薄膜抵抗体８は、ＴａＳｉＯ２やＴａ２Ｎ等で構成され、図３に示すように、配線導体層２ａを絶縁層３ａに接着するための役割も果たす。配線導体層２ａの形成方法は、最表層の絶縁層３ａ上にＴａＳｉＯ２やＴａ２Ｎ等をスパッタリング法等を用いて成膜し、その上に配線導体層２ａを形成した後、配線導体層２ａを部分的に除去することによって行なわれる。即ち、配線導体層２ａ上にフォトレジストをパターン状にコートし、それをマスクとすることで、配線導体層２ａの不要な箇所を薄膜抵抗体８のみを残しエッチングで除去すれば所望のパターンが形成できる。
【００４４】
絶縁層３ａ，３ｂは、絶縁フィルム層４と絶縁性接着剤層５とから構成されており、積層された絶縁フィルム層４の内層に位置する貫通孔６の内部の貫通導体７の内側に絶縁性接着剤層が埋め込まれており、かつその貫通孔６の直上の絶縁フィルム層４の上面が略平坦面とされていることから、その上面に形成される薄膜抵抗体を平坦化することができる。従って薄膜抵抗体８は、貫通孔６の直上であっても所望の厚み、幅、長さのものが得られ、安定した抵抗値を有するものとなる。
【００４５】
かくして、本発明の多層配線基板によれば、基板１の上面に形成された多層配線部の上に配線導体層２と接触させてプローブを配置するとともに、多層配線基板を外部電気回路に電気的および機械的に接続することによって、半導体集積回路等の電気的な検査をするためのプローブカードとなる。
【００４６】
なお、本発明は以上の実施の形態の例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば種々の変更は可能である。例えば、上述の例においては基板１をセラミック基板やガラスクロスに樹脂を含浸させたものとしていたが、例えば絶縁層３の一部を厚く形成したものを基板１として用いてもよい。
【００４７】
【実施例】
絶縁フィルムとしてポリイミドフィルム（宇部興産株式会社製ポリイミドフィルム「ユーピレックスＳ」）の１２．５μｍ厚みのものに絶縁性接着剤としてシロキサン変性ポリアミドイミドを１０μｍ厚みに塗布し、絶縁性接着剤層付きの絶縁フィルム層を準備した。次に、配線導体層（第１導体層）を形成したアルミナ基板（１００ｍｍ角）に圧力３ＭＰａ，２６０℃，６０分間の加熱加圧条件で先の絶縁フィルム層を絶縁性接着剤層を間にして積層し絶縁層（第１絶縁層）を形成した。その後、エキシマレーザおよびプラズマエッチング法にてφ３，５，７，１０，３０，５０，７０，１００μｍの開口径の貫通孔の加工を行ない、次いで、スパッタリング法およびめっき法にて銅から成る配線導体層（第２導体層）を絶縁フィルム層の上面および貫通孔の内部に形成した。次に、その上面に上記絶縁性接着剤層付きの絶縁フィルム層と同様の方法で積層し第２絶縁層を形成した。
【００４８】
上記方法で形成されたサンプルの断面を観察し、貫通孔の内部の配線導体層の内側への絶縁性接着剤層の埋め込み状態および貫通孔の直上の絶縁フィルム層の上面の平坦性を確認した。なお、貫通孔の直上の絶縁フィルム層の上面の平坦性は、貫通孔の開口径に対する評価および絶縁層の厚み（絶縁フィルム層と絶縁性接着剤層との厚みの合計である２２．５μｍ）に対する評価の両方を行なった。貫通孔の開口径に対する評価は、貫通孔の直上の絶縁フィルム層の上面と貫通孔の周囲の絶縁フィルム層の上面との高さの差（段差）が貫通孔の開口径の１０％以下であるものを良とした。また、絶縁層の厚みに対する評価は、段差が絶縁層の厚みの１０％以下であるものを良とした。結果のまとめを表１に示す。
【００４９】
【表１】
2004214586.tif 000003
【００５０】
表１に示すように、貫通孔の開口の最大径が絶縁性接着剤層の厚みの０．５倍より小さい場合（φ３μｍの貫通孔）貫通孔の内部の配線導体層の内側に空洞が生じ絶縁性接着剤層が十分に埋め込まれない状態になった。また、５倍より大きい場合（φ７０，１００μｍの貫通孔）には貫通孔の内側に絶縁性接着剤層は十分埋め込まれるものの、貫通孔の直上の段差の平均が貫通孔の開口径の１０％以上および絶縁層の厚みの１０％以上となり平坦性が低下した。それらに対して、貫通孔の開口の最大径が絶縁性接着剤層の厚みの０．５倍以上５倍以下の範囲において貫通孔の内部の配線導体層の内側への絶縁性接着剤層の埋め込み状態および貫通孔の直上の絶縁フィルム層の上面の平坦性は良好であった。
【００５１】
【発明の効果】
以上のように、本発明の多層配線基板によれば、積層された絶縁フィルム層の内層に位置するものの貫通孔の内部に延在させた配線導体層の内側に絶縁性接着剤層が埋め込まれており、かつその貫通孔の直上の絶縁フィルム層の上面が略平坦面とされていることから、その上面に形成される配線導体層の上面も同様に平坦面とすることができ、また、さらに絶縁層を形成して得られた多層配線基板の最表面に形成される配線導体層を平坦な状態に形成することができ、プローブとの接触に対してより良好な平坦性をもつものとすることができる。
【００５２】
また、絶縁性接着剤層の弾性率が絶縁フィルム層の弾性率より低いものとしておくと、絶縁層を形成する際のプレス加工時に絶縁フィルム層の弾性により、貫通孔の内部の配線導体層の内側に、より柔らかな絶縁性接着剤層が良好に押し込まれることとなり、貫通孔の直上に位置する絶縁フィルム層の上面を平坦面とすることが簡単にかつ安定してできるようになる。
【００５３】
さらに、貫通孔の開口の最大径を絶縁性接着剤層の厚みの０．５倍以上５倍以下としておくと、貫通孔の開口が適度に小さいために、この内部に配線導体層を延在させ、その上に絶縁層を形成する際のプレス加工時の絶縁性接着剤層の流動方向が貫通孔の底部の方向に向いて一定となり、絶縁性接着剤層が貫通孔の内部の配線導体の内側に埋め込まれやすくなり、絶縁性接着剤層の上面を良好な平坦面とすることができる。これにより、貫通孔の直上に絶縁性接着剤層を介して積層される絶縁フィルム層の上面を平坦面とすることがより簡単に、かつ安定してできるものとなる。
【００５４】
これらのことにより、多層配線基板の最表面に形成される配線導体層の上面を内部の貫通孔の直上に位置するものであっても平坦にすることができるようになり、配線導体層とプローブとの接触面積を一定にすることができ接触抵抗がより安定するとともに、半導体集積回路の検査の際にプローブにかかる荷重が配線導体層の上面の一部に集中することがなくなり、配線導体層の磨耗による多層配線基板の寿命が短くなることもなくなる。これにより、プローブとの接触抵抗を長期にわたり安定なものとすることができる電気的な接続性に優れた多層配線基板となる。
【００５５】
また、多層配線基板の最表面に終端抵抗としての役割を担う薄膜抵抗体を形成する場合、薄膜抵抗体を形成する絶縁フィルム層の上面が平坦化されているために段差を生じることはなく、その結果、薄膜抵抗体は貫通孔の直上であっても所望の厚み、幅、長さのものが得られ、安定した抵抗値を有するものとなる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の多層配線基板の実施の形態の一例を示す断面図である。
【図２】本発明の多層配線基板の実施の形態の一例における貫通孔の周辺の状態を示す要部拡大断面図である。
【図３】本発明の多層配線基板の実施の形態の他の例を示す断面図である。
【図４】従来の多層配線基板の例を示す断面図である。
【符号の説明】
１・・・・・・・・・・・・・基板
２，２ａ，２ｂ，２ｃ・・・・配線導体層
３，３ａ，３ｂ・・・・・・・絶縁層
４・・・・・・・・・・・・・絶縁フィルム層
５・・・・・・・・・・・・・絶縁性接着剤層
６・・・・・・・・・・・・・貫通孔
７・・・・・・・・・・・・・貫通導体
８・・・・・・・・・・・・・薄膜抵抗体
９・・・・・・・・・・・・・貫通孔によって発生した段差
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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