(57)【要約】【課題】透磁率の低下を抑制しつつ、限界周波数およびＱを高めて高周波化に対応できるようにする。【解決手段】接着剤樹脂組成物４を用いて閉磁路構造が形成されたチップ型コイル部品１において、接着剤樹脂組成物４が、ベース樹脂と、少なくとも第１のフェライト粉末および第２のフェライト粉末の少なくとも一方を含み、第１のフェライト粉末が、ＮｉＯ）１−ｘ−ｙ−ｚ（ＣｏＯ）ｘ（ＺｎＯ）ｙ（Ｆｅ２Ｏ３）ｚで表される組成を有し、ｘ、ｙおよびｚが、０．０２≦ｘ≦０．１０、０≦ｙ／ｘ≦１．０、０．３０≦ｚ≦０．５５の条件を満足し、第２のフェライト粉末が、０．１０＜ｘ≦０．５５、０．２５≦ｙ／ｘ≦１．０、０．３０≦ｚ≦０．５５の条件を満足するスピネル型フェライト粉末である。【選択図】        図１
2004224826.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ベース樹脂とフェライト粉末とを含む接着剤樹脂組成物であって、
前記フェライト粉末が、第１のフェライト粉末および第２のフェライト粉末の少なくとも一方を含み、
前記第１のフェライト粉末が、（ＮｉＯ）１−ｘ−ｙ−ｚ（ＣｏＯ）ｘ（ＺｎＯ）ｙ（Ｆｅ２Ｏ３）ｚで表される組成を有し、ｘ、ｙおよびｚが、
０．０２≦ｘ≦０．１０
０≦ｙ／ｘ≦１．０
０．３０≦ｚ≦０．５５
の条件を満足するスピネル型フェライト粉末であり、
前記第２のフェライト粉末が、（ＮｉＯ）１−ｘ−ｙ−ｚ（ＣｏＯ）ｘ（ＺｎＯ）ｙ（Ｆｅ２Ｏ３）ｚで表される組成を有し、ｘ、ｙおよびｚが、
０．１０＜ｘ≦０．５５
０．２５≦ｙ／ｘ≦１．０
０．３０≦ｚ≦０．５５
の条件を満足するスピネル型フェライト粉末であることを特徴とする接着剤樹脂組成物。
【請求項２】
コイル導体パターンを有するコイル部と、前記コイル部の上下に配置される磁性体基板と、前記コイル導体パターンと電気的に接続する外部電極とを備えるチップ型コイル部品であって、
前記コイル部と前記磁性体基板とが接着剤樹脂組成物を介して接着され、前記磁性体基板と前記接着剤樹脂組成物とによって閉磁路構造が形成され、
前記接着剤樹脂組成物が、ベース樹脂と、第１のフェライト粉末および第２のフェライト粉末の少なくとも一方を含み、
前記第１のフェライト粉末が、（ＮｉＯ）１−ｘ−ｙ−ｚ（ＣｏＯ）ｘ（ＺｎＯ）ｙ（Ｆｅ２Ｏ３）ｚで表される組成を有し、ｘ、ｙおよびｚが、
０．０２≦ｘ≦０．１０
０≦ｙ／ｘ≦１．０
０．３０≦ｚ≦０．５５
の条件を満足するスピネル型フェライト粉末であり、
前記第２のフェライト粉末が、（ＮｉＯ）１−ｘ−ｙ−ｚ（ＣｏＯ）ｘ（ＺｎＯ）ｙ（Ｆｅ２Ｏ３）ｚで表される組成を有し、ｘ、ｙおよびｚが、
０．１０＜ｘ≦０．５５
０．２５≦ｙ／ｘ≦１．０
０．３０≦ｚ≦０．５５
の条件を満足するスピネル型フェライト粉末であることを特徴とするチップ型コイル部品。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、高周波帯で使用されるチョークコイルやインダクタ等のチップ型コイル部品およびそれらに好適に用いられる接着剤樹脂組成物に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、チョークコイルやインダクタ等のチップ部品としては、以下のようなものがある。すなわち、絶縁体シートにコイル導体パターンを形成して積層し、その上下からフェライト基板を接着剤によって接着して封止した後、コイル導体パターンと電気的に接続するように外部電極を形成したものがある。
【０００３】
しかしながら、上記のような構成のチップ型コイル部品の場合、上下面は、フェライト基板によって封止されるものの、側面は接着剤のみによって封止されることになり、磁気的に開放されていることになる。したがって、外部磁界によって影響されてインダクタンスやＱ（利得）が変化したり、コイル導体パターンを流れる電流によって雑音障害が発生する虞れが生じるといった問題がある。
【０００４】
また、コイル導体パターンを同一部品内に配置するチョークコイルアレイやインダクタアレイ等の場合は、コイル導体パターン同士が磁気的に結合して相互干渉が生じるといった問題がある。
【０００５】
そこで、このような問題を解決するチップ型コイル部品として、液状マトリクス樹脂中にフェライト粉末を添加混合してなることを特徴とする接着剤樹脂組成物を用いて閉磁路構造を形成したチップ型コイル部品が提案されている（例えば、特許文献１参照）。また、接着剤樹脂組成物に使用できるフェライトとして、Ｎｉ−Ｚｎ系フェライト、Ｍｎ−Ｚｎ系フェライト、Ｍｇ−Ｚｎ系フェライト等が開示されている。
【０００６】
【特許文献１】
特開２００１−３２３２４５号公報
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来の接着剤樹脂組成物を用いたチップ型コイル部品では、接着剤樹脂組成物のμ’（複素透磁率の実数部）が低下し始める限界周波数が、例えば、０．５ＧＨｚ以下であるため、近年の回路の電送信号の高周波化に対応できないという問題があった。
【０００８】
本発明は、上述の点に鑑みて為されたものであって、透磁率の低下を抑制しつつ、限界周波数およびＱを高めて高周波化に対応できるようにすることを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明では、上記目的を達成するために、次のように構成している。
【００１０】
すなわち、本発明の接着剤樹脂組成物は、ベース樹脂とフェライト粉末とを含む接着剤樹脂組成物であって、
前記フェライト粉末が、第１のフェライト粉末および第２のフェライト粉末の少なくとも一方を含み、
前記第１のフェライト粉末が、（ＮｉＯ）１−ｘ−ｙ−ｚ（ＣｏＯ）ｘ（ＺｎＯ）ｙ（Ｆｅ２Ｏ３）ｚで表される組成を有し、ｘ、ｙおよびｚが、
０．０２≦ｘ≦０．１０
０≦ｙ／ｘ≦１．０
０．３０≦ｚ≦０．５５
の条件を満足するスピネル型フェライト粉末であり、
前記第２のフェライト粉末が、（ＮｉＯ）１−ｘ−ｙ−ｚ（ＣｏＯ）ｘ（ＺｎＯ）ｙ（Ｆｅ２Ｏ３）ｚで表される組成を有し、ｘ、ｙおよびｚが、
０．１０＜ｘ≦０．５５
０．２５≦ｙ／ｘ≦１．０
０．３０≦ｚ≦０．５５
の条件を満足するスピネル型フェライト粉末である。
【００１１】
また、本発明のチップ型コイル部品は、コイル導体パターンを有するコイル部と、前記コイル部の上下に配置される磁性体基板と、前記コイル導体パターンと電気的に接続する外部電極とを備えるチップ型コイル部品であって、
前記コイル部と前記磁性体基板とが接着剤樹脂組成物を介して接着され、前記磁性体基板と前記接着剤樹脂組成物とによって閉磁路構造が形成され、
前記接着剤樹脂組成物が、ベース樹脂と、第１のフェライト粉末および第２のフェライト粉末の少なくとも一方を含み、
前記第１のフェライト粉末が、（ＮｉＯ）１−ｘ−ｙ−ｚ（ＣｏＯ）ｘ（ＺｎＯ）ｙ（Ｆｅ２Ｏ３）ｚで表される組成を有し、ｘ、ｙおよびｚが、
０．０２≦ｘ≦０．１０
０≦ｙ／ｘ≦１．０
０．３０≦ｚ≦０．５５
の条件を満足するスピネル型フェライト粉末であり、
前記第２のフェライト粉末が、（ＮｉＯ）１−ｘ−ｙ−ｚ（ＣｏＯ）ｘ（ＺｎＯ）ｙ（Ｆｅ２Ｏ３）ｚで表される組成を有し、ｘ、ｙおよびｚが、
０．１０＜ｘ≦０．５５
０．２５≦ｙ／ｘ≦１．０
０．３０≦ｚ≦０．５５
の条件を満足するスピネル型フェライト粉末である。
【００１２】
本発明の接着剤樹脂組成物によると、限界周波数を高めることができ、高周波帯まで比較的良好な磁気特性、すなわち、透磁率およびＱを得ることができる。
【００１３】
また、本発明のチップ型コイル部品は、高周波帯まで比較的良好に磁気特性を有する本発明の接着剤樹脂組成物を用いて閉磁路構造が形成されるので、高周波帯でも十分な閉磁効果を奏することができ、高周波帯における外部磁界やコイル内部での相互干渉による悪影響からコイル部を保護することができる。
【００１４】
本発明の接着剤樹脂組成物に含まれるフェライト粉末としては、上述の組成の第１のフェライト粉末また第２のフェライト粉末のいずれか一方を用いるのが好ましいが、第１および第２のフェライト粉末の両者を用いてもよい。
【００１５】
上述したフェライト組成において、Ｎｉの一部を、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ等に置換したり、Ｆｅの一部を、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ等に置換したりしてもよい。この場合、例えば、Ｎｉの一部をＭｇで置換したとすると、置換した残りのＮｉと置換したＭｇとを合せて置換前のＮｉの組成を満足するようにすればよい。
【００１６】
フェライト粉末を作製するときの仮焼温度は、８００〜１２００℃であることが好ましく、さらに好ましいのは、９００〜１１００℃である。これは、仮焼温度が８００℃より低い場合には、スピネル相が十分に生成しないために、透磁率が低下するからである。一方、仮焼温度が１２００℃より高い場合には、粒径調整するための粉砕工程において、粉砕効率が低下するからである。
【００１７】
また、Ｃｕを添加した場合、燒結性が向上し、その結果、粒度調整のため粉砕する際に、粉砕効率が低下するため、好ましくない。
【００１８】
フェライト粉末の平均粒径は、０．０１〜１０μｍとするのが好ましい。これは、フェライト粉末の平均粒径が０．０１μｍよりも小さい場合には、ベース樹脂と混合したときの粘度が高くなり、接着剤としてのハンドリング性が悪化するうえ、経時的にフェライト粉末が凝集して結果的にフェライト粉末の粒径が不均一になり、透磁率がばらつくからである。一方、フェライト粉末の平均粒径が、１０μｍよりも大きい場合には、フェライト粉末が沈殿しやすく分散状態が不均一になるうえ、スパッタリングや薄膜によって形成されたコイル導電パターンの封止に用いると、印刷時の圧力によってコイル導電パターンを破損する虞れがあるからである。
【００１９】
接着剤樹脂組成物の基本となる樹脂であるベース（マトリクス）樹脂については、熱硬化性樹脂が好ましいが、熱可塑性樹脂でもよく、また、両者を同時に用いてもよい。熱硬化性樹脂としては、例えば、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、メラミン樹脂、フラン樹脂、ポリブタジエン樹脂、ビスアリルナジイミド、ＢＴレジン、アクリル樹脂、ベンゾオキサジンおよび硬化後ポリイミド樹脂となるポリアミック酸等が挙げられ、また、熱可塑性樹脂としては、例えば、ＰＰＳ、ＬＣＰ、ＰＥＥＫ、シンジオタクチックポリスチレン、ポリアミド、ポリイミド、不飽和ポリエステル樹脂等が挙げられるが、特にこれらに限定されるものではない。
【００２０】
また、ベース樹脂成分とフェライト粉末との混合においては、フェライト粉末を高密度に充填する必要があるため、液状でないベース樹脂を使用する場合、ベース樹脂成分を液状にする必要がある。液状でないベース樹脂成分を液状にするための方法としては、ベース樹脂を加熱溶融させるか、有機溶剤に溶解させる方法が挙げられるが、そのいずれの方法を用いても構わない。
【００２１】
なお、本発明に用いる接着剤樹脂組成物においては、ベース樹脂とフェライト粉末の他に、フェライト粉末の表面を改質してベース樹脂成分との濡れ性を向上させる分散剤等の添加剤を別途添加してもよい。分散剤としては、例えば、ポリオキシエチレンモノアリルメチルエーテル無水マレイン酸スチレン共重合物、ポリオキシエチレンラウリルアミン、ナフタレンスルホン酸等が挙げられるが、特にこれらに限定されるものではない。
【００２２】
ベース樹脂成分に対するフェライト粉末の添加量は、ベース樹脂成分１００重量部に対して、２００〜１５００重量部であることが好ましく、さらに好ましいのは、４００〜１２００重量部である。これは、フェライト粉末のベース樹脂成分１００重量部に対する添加量が２００重量部より少ない場合は、透磁率が低下するからである。一方、フェライト粉末のベース樹脂成分１００重量部に対する添加量が１５００重量部より多い場合には、接着剤の粘度が高くなってハンドリング性が低下するとともに、接着剤の接着強度が低下するからである。
【００２３】
また、ベース樹脂とフェライト粉末との混合に使用する装置については、特に制約はないが、フェライト粉末の粉砕と、ベース樹脂とフェライト粉末との混合とを同時に行なうことができる粉砕メディアを用いる強制攪拌型粉砕機を使用することができる。粉砕メディアを用いる強制攪拌粉砕機としては、例えば、サンドミル、アトライター等が挙げられる。
【００２４】
【発明の実施の形態】
以下、図面によって本発明の実施の形態について、詳細に説明する。
【００２５】
図１は、本発明の実施の形態に係るチップ型コイル部品の分解斜視図、図２はその概略斜視図、図３はその断面図である。
【００２６】
この実施の形態のチップ型コイル部品１は、コイル部２と、本発明に係る接着剤樹脂組成物（接着剤）４を介してコイル部２の上下に配置されるフェライト基板（磁性体基板）３と、外部電極５とからなる。このうち、コイル部２は、コイル導体パターン２ａが形成された絶縁性シート２ｂを複数枚積層し、かつ各コイル導体パターン２ａを絶縁性シート２ｂに設けられたビアホール２ｃによって電気的に接続するこによって構成されている。
【００２７】
また、フェライト基板３は、接着剤樹脂組成物４を介してコイル部２の上下から挟み込むように圧着され、接着剤樹脂組成物４によって固定されている。また、図３に示すように、接着剤樹脂組成物４は、フェライト基板３により圧着される際に、コイル部２の側面から下面を覆うように形成される。
【００２８】
ここで、図１に示すように、コイル部２の絶縁シート２ｂには、コイル導体パターン２ａが形成されている周囲に、貫通孔２ｄが設けられており、この貫通孔２ｄに接着剤樹脂組成物４が注入されるようになっている。なお、絶縁シート２ｂは、その周囲に接着剤樹脂組成物４が形成されるようにフェライト基板３より小さくするのが好ましい。
【００２９】
また、外部電極５は、コイル導体パターン２ａに電気的に接続するように、フェライト基板３の外側にスパッタリングによって形成されている。
【００３０】
このような接着剤樹脂組成物４を、コイル導体パターン２ａを有するコイル部２と、前記コイル部２の上下に配置されるフェライト基板３との接着に用いることによって、コイル部２がフェライト基板３と接着剤樹脂組成物４によって覆われるとともに、閉磁路構造が形成される。接着剤樹脂組成物４は、上述の組成を有するものであって、高周波帯まで比較的良好な磁気特性、すなわち、透磁率および利得Ｑを得ることができるので、閉磁路構造を有するチップ型コイル部品１は、外部磁界やコイル内部での相互干渉による悪影響からコイル部２を保護することができる。
【００３１】
図４は、本発明の他の実施の形態のチップ型コイル部品１０の分解斜視図、図５はその概略斜視図、図６はその断面図であり、図１〜図３のチップ型コイル部品１に対応する部分には、同一の参照符号を付す。
【００３２】
この実施の形態のチップ型コイル部品１０は、コイル部２を複数形成したものであり、この場合、各コイル導体パターン２ａ毎に、絶縁性シート２ｂを用意してもよいし、一枚の絶縁性シート２ｂに複数のコイル導体パターン２ａを形成してもよい。その他の構成は、上述の実施の形態のチップ型コイル部品１と同様である。
【００３３】
本発明のチップ型コイル部品１，１０に用いる接着剤樹脂組成物４は、前述した組成を有するものであるが、その詳細を、実施例に基づいて以下に説明する。
【００３４】
【実施例】
表１および表２に示すフェライト組成（モル比）となるように、原料である各種金属酸化物を調合し、ボールミルにて２４時間湿式調合した。なお、表１には、試料番号１〜２４、表２には、試料番号２５〜４６の組成を示している。
【００３５】
【表１】
2004224826.tif 000003
【００３６】
【表２】
2004224826.tif 000004
次に、上述の混合粉末を大気中において１０００℃の温度で２時間仮焼した。
【００３７】
このようにして得られたフェライト粉末３００ｇと、分散剤０．２ｇ、Ｎ‐メチルピロリドン１００ｇとを玉石の入った金属容器に投入し、サンドミルを用いて２時間フェライトを粉砕した。なお、このときのフェライト粉末の平均粒径は、０．４μｍであった。
【００３８】
次に、ピロメリット酸無水物とジアミノジフェニルエーテルとをＮ‐メチルピロリドン中で反応させて作製したポリアミック酸（ポリアミック酸２０ｗｔ％溶液）を上記金属容器内に２００ｇ投入し、さらに１時間混合・分散を行なって接着剤樹脂組成物を得た。
【００３９】
圧縮プレスにより円柱状テストピースを作製し、旋盤加工の後、Ｓ‐パラメータ法にて、周波数０．５ＧＨｚ、１ＧＨｚ、２ＧＨｚの磁気特性を評価した。
【００４０】
また、比較例として、Ｎｉ−Ｚｎフェライトを用いて、上述した方法と同様の方法によって接着剤樹脂組成物を作製し、その磁気特性を評価した。
【００４１】
表３，表４には、上述のようにして磁気特性が評価された、表１，表２に示す各試料１〜２４、２５〜４６に係る接着剤樹脂組成物および上述の比較例に係る接着剤樹脂組成物の各々についての、μ’（複素透磁率の実数部）が低下し始める限界周波数、各周波数におけるμ’および利得Ｑが示されている。
【００４２】
【表３】
2004224826.tif 000005
【００４３】
【表４】
2004224826.tif 000006
表１〜表４において、本発明の範囲から外れるものについては、その試料番号に＊が付されている。
【００４４】
試料１，２は、いずれも本発明の範囲から外れている。これら試料１，２は、ＣｏＯを含まないため、限界周波数が低くなっている。試料３〜５において、試料３〜４が本発明の範囲にあり、試料５が本発明の範囲から外れている。これら試料３〜５の間で比較すると、ＣｏＯに対するＺｎＯのモル比が１．０より大きい試料５では、試料３〜４に比べて、限界周波数が低くなっている。
【００４５】
試料６〜９において、試料６〜８が本発明の範囲にあり、試料９が本発明の範囲から外れている。これら試料６〜９の間で比較すると、ＣｏＯに対するＺｎＯのモル比が１．０より大きい試料９では、試料６〜８に比べて、限界周波数は低くなっている。試料１０〜１５において、試料１１〜１４が本発明の範囲にあり、試料１０，１５が本発明の範囲から外れている。これら試料１０〜１５の間で比較すると、ＣｏＯのモル比が０．１０より大きく、ＣｏＯに対するＺｎＯに対するモル比が０．２５より小さい試料１０では、試料１１〜１４に比べてμ’が低くなっており、またＣｏＯに対するＺｎＯのモル比が１．０より大きい試料１５では、試料１１〜１４に比べて、限界周波数が低くなっている。
【００４６】
試料１６〜２２において、試料１７〜２１が本発明の範囲にあり、試料１６，２２が本発明の範囲から外れている。これら試料１６〜２２の間で比較すると、ＣｏＯのモル比が０．１０より大きく、ＣｏＯに対するＺｎＯのモル比が０．２５より小さい試料１６では、試料１７〜２１に比べてμ’が低くなっている。またＣｏＯに対するＺｎＯのモル比が１．０より大きい試料２２では、試料１７〜２１に比べて、限界周波数が低くなっている。
【００４７】
試料２３〜２９において、試料２４〜２８が本発明の範囲にあり、試料２３，２９が本発明の範囲から外れている。これら試料２３〜２９の間で比較すると、ＣｏＯのモル比が０．１０より大きく、ＣｏＯに対するＺｎＯのモル比が０．２５より小さい試料２３では、試料２４〜２８に比べてμ’が、低くなっている。
また、Ｆｅ２Ｏ３のモル比が、０．３０より小さい試料２９では、試料２４〜２８に比べて限界周波数が低くなっている。
【００４８】
試料３０〜３４において、試料３１，３２が本発明の範囲にあり、試料３０，３３，３４が本発明の範囲から外れている。これら試料３０〜３４の間で比較すると、ＣｏＯのモル比が０．１０より大きく、ＣｏＯに対するＺｎＯのモル比が０．２５より小さい試料３０では、試料３１，３２に比べてμ’が、低くなっている。また、Ｆｅ２Ｏ３が、０．３０より小さい試料３３，３４では、試料３１，３２に比べてμ’が低くなっている。
【００４９】
試料３５〜３７においては、試料３６が本発明の範囲にあり、試料３５，３７が本発明の範囲から外れている。ＣｏＯのモル比が０．１０より大きく、ＣｏＯに対するＺｎＯのモル比が０．２５より小さい試料３５では、試料３６に比べてμ’が、低くなっている。また、Ｆｅ２Ｏ３が、０．３０より小さい試料３７では、試料３６に比べてμ’が低くなっている。
【００５０】
本発明の範囲から外れ、ＣｏＯのモル比が０．１０より大きい試料３８，３９は、μ’が、低くなっている。
【００５１】
試料４０〜４６において、試料４１〜４５が本発明の範囲にあり、試料４０，４６が本発明の範囲から外れている。Ｆｅ２Ｏ３が、０．３０より小さい試料４０では、試料４１〜４５に比べてμ’が低くなっている。また、Ｆｅ２Ｏ３が０．５５を超える試料４６では、試料４１〜４５に比べて利得Ｑが低くなっている。また、比較例について本願発明と同様の特性評価をしたところ、μ’は高いが、限界周波数が０．１ＧＨｚと低く、利得Ｑも２以下と非常に低いため、０．５ＧＨｚ以上の高周波帯において電子部品として作動しないことがわかった。
【００５２】
このように、試料１〜４６によれば、本発明の範囲外にある＊を付された試料の一部を除いて、比較例と比較して、大体において、限界周波数が０．５ＧＨｚを超えるため、０．５ＧＨｚ以上の周波数において比較的良好な磁気特性、すなわち、透磁率および利得Ｑを示すことがわかる。
【００５３】
【発明の効果】
以上のように本発明の接着剤樹脂組成物によれば、透磁率が低下し始める限界周波数を、例えば、０．５ＧＨｚ以上に高めることができ、高周波帯まで比較的良好な磁気特性、すなわち、透磁率およびＱを得ることができる。
【００５４】
また、本発明の接着剤樹脂組成物を用いてコイルを封止して閉磁路構造が形成される本発明のチップ型コイル部品は、高周波帯でも十分な閉磁効果を奏することができ、高周波帯における外部磁界やコイル内部での相互干渉による悪影響からコイル部を保護することができ、回路の電送信号の高周波化に対応することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態に係るチップ型コイル部品の分解斜視図である。
【図２】図１の実施の形態の概略斜視図である。
【図３】図１の実施の形態の断面図である。
【図４】本発明の他の実施の形態のチップ型コイル部品の分解斜視図である。
【図５】図４の実施の形態の概略斜視図である。
【図６】図４の実施の形態の断面図である。
【符号の説明】
１，１０      チップ型コイル部品
２            コイル部
３            フェライト基板
４            接着剤樹脂組成物（接着剤）
５            外部電極
【図１】
2004224826.tif 000007
【図２】
2004224826.tif 000008
【図３】
2004224826.tif 000009
【図４】
2004224826.tif 000010
【図５】
2004224826.tif 000011
【図６】
2004224826.tif 000012