(57)【要約】【課題】トラックピッチが０．４μｍ以下であるような光ディスクを製造するためのスタンパーの製造歩留まりを向上させるような溝形状を有する光ディスクを提供する。【解決手段】（ａ）において、中心部に凹凸が形成されていない部分Ａが形成されており、その外側に、光ディスクにおいて情報の記録や、トラッキング等の制御に使用されるランドやグルーブとなる通常の凹凸部が形成されている部分Ｂが形成されている。Ｂの部分の外側に、光ディスクのダミーグルーブとなる部分に対応する凹凸が形成されている部分Ｃが設けられている。Ｂの部分においては、トラックピッチに対応する凸部と凹部の幅の合計値は０．４μｍ以下となっているが、Ｃの部分ではこの値はＢの部分より大きくされている。Ｃ部を設けることにより、スタンパー形成工程における電鋳時の歩留を向上させることができる。【選択図】　図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
グルーブとランドが形成された光ディスクであって、信号の記録、再生に使用される領域のトラックピッチが０．４μｍ以下であるものにおいて、信号記録用、制御用の少なくとも一方に使用されるグルーブが形成されている領域の内側、外側の少なくとも一方に、ダミーグルーブが、前記信号の記録、再生に使用される領域のトラックピッチより広いトラックピッチで設けられていることを特徴とする光ディスク。
【請求項２】
請求項１に記載の光ディスクであって、前記ダミーグルーブのトラックピッチが、０．７μｍ以上とされていることを特徴とする光ディスク。
【請求項３】
グルーブとランドが形成された光ディスクであって、信号の記録、再生に使用される領域のトラックピッチが０．４μｍ以下であるものにおいて、信号記録用、制御用の少なくとも一方に使用されるグルーブが形成されている領域の内側、外側の少なくとも一方に、ダミーグルーブが、前記信号の記録、再生に使用される領域のグルーブの深さより深い深さで設けられていることを特徴とする光ディスク。
【請求項４】
請求項３に記載の光ディスクであって、前記ダミーグルーブの深さが６０ｎｍ以上とされていることを特徴とする光ディスク。
【請求項５】
グルーブとランドが形成された光ディスクであって、信号の記録、再生に使用される領域のトラックピッチが０．４μｍ以下であるものにおいて、グルーブの深さが９０ｎｍ以上とされていることを特徴とする光ディスク。
【請求項６】
請求項１から請求項５のうちいずれか１項に記載の光ディスクを製造するために用いられるスタンパーであって、それぞれの請求項に記載の光ディスクに形成されたパターンの凹凸と逆の凹凸が表面に形成されたことを特徴とするスタンパー。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光ディスク及びその製造に使用されるスタンパーに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
光ディスク、ハードディスク等の情報記録媒体は、大きな容量の情報を記録することができ、かつ、高速でアクセス、再生、記録、及び、場合により消去することができる。このため、これらの媒体は、ＣＤ（ｃｏｍｐａｃｔ　ｄｉｓｃ）、ＬＤ（ｌａｓｅｒ　ｄｉｓｃ）、ＤＶＤ（ｄｉｇｉｔａｌ　ｖｉｄｅｏ　ｄｉｓｃ，　ｄｉｇｉｔａｌ　ｖｅｒｓａｔｉｌｅ　ｄｉｓｃ）等と呼ばれ、音楽や映像ソフト、ゲームソフト等を収納する媒体として使われると共に、コンピュータのメモリーとしても使用され、その需要が増大している。光ディスクやハードディスクは、マルチメディア時代のメインメモリーとして大きく発展すると期待されている。
【０００３】
光ディスクは、記録層の有無及びその種類により、
（１）再生専用タイプ（ＣＤ、ＬＤ、ＣＤ−ＲＯＭ、ｐｈｏｔｏ−ＣＤ、ＤＶＤ−ＲＯＭ、再生専用型ＭＤ等）
（２）一度だけ記録可能なライトワンスタイプ（ｗｒｉｔｅ−ｏｎｃｅ　ｔｙｐｅ：ＣＤ−Ｒ、ＤＶＤ−Ｒ、ＤＶＤ−ＷＯ等）
（３）記録した後、消去することができ、何度でも書き替え可能な（ｒｅ−ｗｒｉｔａｂｌｅ）タイプ（光磁気ディスク　ｍａｇｎｅｔｏ−ｏｐｔｉｃａｌ　ｄｉｓｋ　、相変化（ｐｈａｓｅ−ｃｈａｎｇｅ）型ディスク、ＭＤ、ＣＤ−Ｅ、ＤＶＤ−ＲＡＭ、ＤＶＤ−ＲＷ等）
に分類される。さらに、将来使用される媒体として、高密度のＨＤ−ＤＶＤ、Ｂｌｕ−ｒａｙ　Ｄｉｓｃ等も提唱されている。
【０００４】
これらの光ディスクを製造する工程は、まず、成形基板を原料樹脂で成形するところから始まる。最初にスタンパーと呼ばれる成形型が用意される。この成形型に原料樹脂（例えば、ポリカーボネート、アクリル樹脂、ポリスチレン等）を加熱流動化した後、押し付けることにより、成形基板が成形（製造）される。成形方法は、加圧成形の他、ほとんどは射出成形方法である。
【０００５】
成形基板を製造する理由は、基板表面に細かな凹凸が必要であるからである。凹凸のある基板を大量に短時間で製造するには、樹脂成形が最も適している。凹凸の種類には、情報単位を表すピット（ｐｉｔ）や記録ヘッド（ピックアップ）のトラッキングのためのガイド溝（ｇｕｉｄｅ　ｇｒｏｏｖｅ）がある。ピットや溝は、円形の基板上に同心円状または渦巻き状に設けられる。成形基板を半径方向に見たとき、溝と溝との間はランド（ｌａｎｄ）と呼ばれる。当初は、ランドをトラックとして、そこに記録するランド記録方式が主流であったが、逆に溝に記録するグルーブ記録方式も使用されていた。
【０００６】
その後、記録密度を向上させるために、溝とランドの双方に記録するランド／グルーブ記録方式が開発された。この場合、両者がトラックであり、溝の幅とランドの幅はほぼ等しい。ただし、理由があって一方を他方に対して意図的に広くする場合もある。光は裏面（平滑な面）から基板に入射する。この場合には基板裏面側から見て奥にある方をランドと呼び、手前にある方を溝と呼ぶ。
【０００７】
また、最近では、基板の凹凸パターンが形成された表面側に、０．１ｍｍ程度のカバー層を設け、基板の表面側へ光ピックアップからの再生光を照射して、使用する方法が提案されている。
【０００８】
溝、ランドおよびピットの幅は、密度記録の向上に伴い、例えば、１μｍ以下、０．８μｍ以下、０．７μｍ以下、０．６μｍ以下、０．５μｍ以下、０．４μｍ以下、０．３μｍ以下と段々狭くなってきている。
【０００９】
幅が狭くなると、つまり、高精度になると、成形基板の成形はますます難しくなり、良品の歩留りは低下する。
なお、成形された成形基板の上には、最終の製品仕様に応じて、反射層や記録層、保護層等が形成される。
【００１０】
従来、スタンパーは一般に以下のようなプロセスで製造されている。まず、光学的面精度にまで研磨されたガラス基板（基板）を用意する。この基板を洗浄したあと、密着性を向上させるプライマー（例えば、シランカップリング剤）を塗布する。それからフォトレジストを　スピンコートし、プリベ−クする。フォトレジストはポジ型（光が照射された部分が現像で除去されるタイプ）が多く使用されている。次にレ−ザービ−ムレコ−ダまたはレーザーカッティング装置を使って、ピットや溝のパタ−ンに従ってフォトレジストを露光する。一般に、ピットや溝の幅はレーザービームの径により決まり、また、ピットや溝の深さはフォトレジスト膜の厚さによって決定される。
【００１１】
次に所定の現像処理を施すとガラス板表面にピットやグルーブのパターンを持ったレジストパターンが得られる。現像の後、場合により、レジストパターンは、８０〜１２０℃で２０〜６０分間ポストベークされる。ポストベークをした場合には、レジストパターンが室温まで冷えるのを待つ。
【００１２】
レジストパターンが形成された基板は、原盤（ＭＡＳＴＥＲ　ＳＵＢＳＴＲＡＴＥ又はＭＡＳＴＥＲ）と呼ばれる。以上の方法においては、基板の上にレジストを残したものを原盤としたが、このレジストをマスクとして基板をエッチングし、基板そのものが凹凸を持つようにして、その後レジストを洗浄して除去し、残された基板を原盤とするようにすることも行われている。
【００１３】
次に原盤は導電化処理される。導電化処理は、一般にスパッタリング（乾式）で、場合により、無電解メッキ（湿式）で行われる。導電化処理された原盤の上に電鋳によりメッキ層が厚く形成される。メッキ層は一般にニッケル（Ｎｉ）である。導電層とＮｉメッキ層の２層構造体が目的とする成形型、すなわちスタンパーである。この成形型はファザー（ＦＡＴＨＥＲ）と呼ばれる。実際には、ファザーを原盤から剥がすことで、自由なファザーが得られる。
【００１４】
ファザーは一般に２００〜３００μｍと薄いので、剥がすときに注意する。剥がしたとき、レジストの一部がファザー上に残るのでアセトン等の溶剤で溶解除去する。また、フォトレジストはアッシング等により除去してもよい。仮にレジストが残っていると、凹凸を崩すので、レジストは確実に除去する。剥がしたとき、レジストパターンは破損するので、１枚の原盤から１枚のファザーのみが得られる。
【００１５】
レジストを除去した後、ファザーの凹凸面を保護コートで覆う。そして、裏面を研磨する。ファザーの中心穴を打ち抜き、また、外径の外の不要な部分を打ち落とす。これによりドーナツ状のファザーが完成する。こうして完成したファザーは、極めて正確な凹凸パターンを有する。
【００１６】
ファザーは、そのまま光ディスクを樹脂成形のための成形型（スタンパー）に使用することができる。特に、ＤＶＤ、ＨＤ−ＤＶＤその他の高密度記録媒体（溝幅０．８μｍ以下）の場合には、極めて高精度な凹凸パターンが要求されるので、ファザーがそのまま射出成形に使用される。
【００１７】
しかし、この方法では、前述のように１枚の原盤から１枚のファザーしか得られないので経済的に不利である。よって、基板そのものを原盤として用いる場合には、１枚の原盤から複数の第１のレプリカをとり、さらにこの第１のレプリカのレプリカ（第２のレプリカ）を作成し、この第２のレプリカに対して前述のような電鋳処理を行ってスタンパーを製造することも行われている。
【００１８】
この第１のレプリカのことをマザー、第２のレプリカのことをサンと呼ぶこともある。第１のレプリカは、一般に、原盤に樹脂を押し付けて型取りをした後、樹脂を硬化することによって製造される。第２のレプリカは、一般に、第１のレプリカに樹脂を押し付けて型取りをした後、樹脂を硬化することによって製造される。このようにすれば、１個の原盤から複数のスタンパーを製造することが可能になる。
【００１９】
また、基板上に塗布するレジストにネガ型レジストを使用した場合には、ポジ型レジストを使用した場合と凹凸が逆になる。この場合には、前述のような方法によって第１のレプリカを作成し、これを原盤とみなして、上述と同じ処理を行えばよい。
【００２０】
【発明が解決しようとする課題】
前述のように、光ディスクには、情報の記録を行ったり、トラッキング等の制御を行ったりするためにグルーブとランドが形成されている。従って、その成形型となるスタンパーにも、凹凸が反転されたグルーブとランドが形成されている。
【００２１】
前述のように、スタンパーは、その元となる成形型に電鋳処理を施すことによって製造される。従来は、光ディスクに要求される記録密度が小さく、従ってトラックピッチが大きかったので、このような光ディスクに対応するスタンパーを製造する工程において電鋳を行うとき、特に問題となる事項は無かった。
【００２２】
しかしながら、トラックピッチが０．４μｍ以下であるような光ディスクに対応するスタンパーを製造するために電鋳を行おうとすると、メッキがうまく進行せず、スタンパーの製造歩留まりが著しく低下（２割以下）となる現象が発生している。
【００２３】
本発明はこのような事情に鑑みてなされたもので、トラックピッチが０．４μｍ以下であるような光ディスクを製造するためのスタンパーの製造歩留まりを向上させるような溝形状を有する光ディスク、及びこの光ディスクを製造するために使用されるスタンパーを提供することを課題とする。
【００２４】
【課題を解決するための手段】
前記課題を解決するための第１の手段は、グルーブとランドが形成された光ディスクであって、信号の記録、再生に使用される領域のトラックピッチが０．４μｍ以下であるものにおいて、信号記録用、制御用の少なくとも一方に使用されるグルーブが形成されている領域の内側、外側の少なくとも一方に、ダミーグルーブが、前記信号の記録、再生に使用される領域のトラックピッチより広いトラックピッチで設けられていることを特徴とする光ディスク（請求項１）である。
【００２５】
前述のように、信号の記録、再生に使用される領域のトラックピッチが０．４μｍ以下となると、スタンパーを製造する際の電鋳工程において歩留が大幅に低下するが、本手段においては、この問題を解決するために、信号記録用、制御用の少なくとも一方に使用されるグルーブが形成されている領域の内側、外側の少なくとも一方にダミーグルーブを設け、このダミーグルーブのトラックピッチを、信号の記録、再生に使用される領域のトラックピッチより広くしている。
【００２６】
このようにすることにより、前記電鋳工程におけるスタンパーの製造歩留を向上させることができる。「ダミーグルーブ」とは、信号の記録、再生やトラッキグ等の制御に用いられないグルーブのことである。このようにすることにより電鋳工程における歩留が向上する原因は明らかではないが、電鋳の型の一部に、従来と同じようなトラックピッチを有する凹凸部が形成されることにより、この部分が核となってメッキが進むためと推定される。なお、ダミーグルーブが形成される領域の幅は、０．９ｍｍ以上あることが好ましい。
【００２７】
前記課題を解決するための第２の手段は、前記第１の手段であって、前記ダミーグルーブのトラックピッチが、０．７μｍ以上とされていることを特徴とするものである。
【００２８】
本手段においては、対応するスタンパー製造の際の電鋳工程における製品歩留を５０％以上にすることができる。
【００２９】
前記課題を解決するための第３の手段は、グルーブとランドが形成された光ディスクであって、信号の記録、再生に使用される領域のトラックピッチが０．４μｍ以下であるものにおいて、信号記録用、制御用の少なくとも一方に使用されるグルーブが形成されている領域の内側、外側の少なくとも一方に、ダミーグルーブが、前記信号の記録、再生に使用される領域のグルーブの深さより深い深さで設けられていることを特徴とする光ディスク（請求項３）である。
【００３０】
スタンパー製造の際の電鋳工程における製品歩留は、ダミーグルーブの深さを、信号の記録、再生に使用される領域のグルーブの深さより深くすることによっても向上させることができる。
【００３１】
前記課題を解決するための第４の手段は、前記第３の手段であって、前記ダミーグルーブの深さが６０ｎｍ以上とされていることを特徴とするもの（請求項４）である。
【００３２】
信号の記録、再生に使用される領域のグルーブの深さは、通常、２５ｎｍ程度である。これに対し、深さが６０ｎｍ以上のダミーグルーブを設けることにより、スタンパー製造の際の電鋳工程における製品歩留を５０％以上とすることができる。なお、ダミーグルーブの深さを１００ｎｍ以上とすれば、この歩留を９０％以上とすることができる。
【００３３】
前記課題を解決するための第５の手段は、グルーブとランドが形成された光ディスクであって、信号の記録、再生に使用される領域のトラックピッチが０．４μｍ以下であるものにおいて、グルーブの深さが９０ｎｍ以上とされていることを特徴とする光ディスク（請求項５）である。
【００３４】
本手段においては、前記第１の手段から第４の手段と異なり、必ずしもダミーグルーブを設けず、設けられているグルーブの深さを９０ｎｍ以上としている。このようにしても、スタンパー製造の際の電鋳工程における製品歩留を５０％以上とすることができる。
【００３５】
前記課題を解決するための第６の手段は、前記第１の手段から第５の手段のうちいずれかの光ディスクを製造するために用いられるスタンパーであって、それぞれの請求項に記載の光ディスクに形成されたパターンの凹凸と逆の凹凸が表面に形成されたことを特徴とするもの（請求項６）である。
【００３６】
本手段によれば、前記各手段で述べたように、スタンパーを歩留良く製造することができる。
【００３７】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態の例を、図を用いて説明する。図１は、本発明の実施の形態の例であるスタンパーの断面を示す概要図である。なお、この図面は本発明の内容を示す概念図であるので、実際のスタンパーの実寸法に対応する形状を示しているものではない。これらのスタンパーは中心部に穴部Ｈを有するドーナツ状のもので、図１では半分の断面を図示している。
【００３８】
図１（ａ）は、第１の実施の形態に関するもので、中心部に凹凸が形成されていない部分Ａが形成されており、その外側に、光ディスクにおいて情報の記録や、トラッキング等の制御に使用されるランドやグルーブとなる通常の凹凸部が形成されている部分Ｂが形成されている。従来のスタンパーでは、Ｂの部分の外側に、凹凸が形成されていない部分Ｄが形成されて外周に至っていたが、この実施の形態においては、Ｂの部分の外側に、光ディスクのダミーグルーブとなる部分に対応する凹凸が形成されている部分Ｃが設けられている。
【００３９】
Ｂの部分においては、トラックピッチに対応する凸部と凹部の幅の合計値は０．４μｍ以下となっているが、Ｃの部分ではこの値はＢの部分より大きく、例えば、０．９μｍとされている。Ｃの部分の幅は狭くてよいが、０．９ｍｍ以上あることが好ましい。Ｃの部分の外側に、凹凸が形成されていない部分Ｄが形成されて外周に至っている。
【００４０】
なお、Ｂの部分の外周側に、一旦Ｄのような凹凸が形成されていない部分を設け、その外周側にＣに対応する部分を設けるようにしてもよい。さらにその外周側に、再びＤのような凹凸が形成されていない部分を設けるようにしてもよい。また、Ｃの部分の外周にＤの部分を設けず、Ｃの部分を外周縁まで設けるようにしてもよい。
【００４１】
図１（ｂ）は、第２の実施の形態に対応するもので、図１（ａ）に示す実施の形態においてはＢの部分の外周側に設けられていたダミーグルーブに対応する部分Ｃが、Ｂの部分の内周側に設けられている。この例においても、トラックピッチに対応する凸部と凹部の幅の合計値は０．４μｍ以下となっているが、Ｃの部分ではこの値はＢの部分より大きく、例えば、０．９μｍとされている。Ｃの部分の幅は狭くてよいが、０．９ｍｍ以上あることが好ましい。
【００４２】
なお、Ｂの部分の内周側に、一旦Ａのような凹凸が形成されていない部分を設け、その内周側にＣに対応する部分を設けるようにしてもよい。さらにその内周側に、再びＡのような凹凸が形成されていない部分を設けるようにしてもよい。また、Ｃの部分の内周にＡの部分を設けず、Ｃの部分を内周縁まで設けるようにしてもよい。さらに、Ｃの部分を、Ｂの部分の外周側と内周側の両側に設けるようにしてもよい。
【００４３】
図１（ｃ）は、第３の実施の形態に関するもので、その全体構成は図１（ａ）に示すものとほぼ同じである。しかし、この実施の形態においては、凹凸のピッチはＣの部分とＢの部分では同一であり、代わりにＣの部分で凹凸の深さがＢの深さより深くなっている。Ｂの部分の凹凸の深さは光ディスクのグルーブの深さに対応するが、通常２５ｎｍ程度である。これに対して、Ｃの部分の凹凸の深さを例えば６０ｎｍとする。Ｃの部分をＢの部分の内周側に設けてよいこと、Ｂの部分とＣの部分の間に、凹凸の形成されていないＤの部分を挟んで設けてよいこと、Ｄの部分やＡの部分を設けなくてもよいことは、図１（ｂ）の説明において説明したのと同様である。
【００４４】
このように、光ディスクにおける情報記録やトラッキング等の制御に使用されるランドやグルーブに比べ、更に深い、又は広い凹凸構造をダミーグルーブとして形成することで、原盤上に電鋳層が形成され易くなる。その理由としては定かではないが、本発明者は、構造が深い、又は広い凹凸構造の部分から、従来のスタンパー製造時と同様に、電鋳の形成及び電鋳層の成長が始まるためと推測している。すなわち、電鋳開始時に、ダミーグループの部分に電鋳層が形成されるために必要な核となる部分ができやすいためと考えられる。
【００４５】
図１はスタンパーを図示したものであるが、光ディスクは、スタンパーの凹凸が反転されて転写された凹凸構造を持つので、これらの実施の形態は、図１に示されるのとほぼ同じ構造を持つ。ただし、光ディスクにおいては、図１に示されるような凹凸構造の表面の上に、透明な保護膜が形成される。
【００４６】
【実施例】
本発明の実施例であるスタンパーを製造した。このスタンパーから製造される光ディスクの径は８０ｍｍであり、トラックピッチが０．３２μｍであるように、凹凸の幅を決定した。まず、厚さ６ｍｍの表面を研磨した円盤状石英基板を用意し、シランカップリング剤をプライマーとしてスピンコートした。そしてその上に、ポジ型レジストをスピンコートにより塗布し、ベーキングを行ってレジスト層を形成した。
【００４７】
そして、ＬＢＲカッティグマシンによりレジスト層を露光し、螺旋状の露光部分を形成した。半径２０ｍｍ〜６０ｍｍの範囲までは通常の記録や制御に使用されるエリア（図１のＢ部分）とし、この部分のトラックピッチが０．３２μｍとなるように露光を行った。半径０〜２０ｍｍ、及び６０〜８０ｍｍの部分には露光を行わなかった。
【００４８】
その後、レジストを現像し、露光された部分を除去した。そして、残ったレジストを保護材として、ＲＩＥプラズマエッチングにより石英基板をエッチングし、前記の露光された部分に対応する溝を形成した。
【００４９】
この石英基板に、再びシランカップリング剤をプライマーとしてスピンコートした。そしてその上に、ポジ型レジストをスピンコートにより塗布し、ベーキングを行ってレジスト層を形成した。
【００５０】
そして、ＬＢＲカッティグマシンによりレジスト層を露光し、螺旋状の露光部分を形成した。半径６５ｍｍ〜８０ｍｍの範囲までをダミーグルーブが形成される部分として、この部分の露光を行った。すなわち、図１のＣの部分が半径６５ｍｍ〜８０ｍｍの部分に形成され、凹凸のないＤの部分が半径６０〜６５ｍｍに形成されることになる。
【００５１】
その後、レジストを現像し、露光された部分を除去した。そして、残ったレジストを保護材として、ＲＩＥプラズマエッチングにより石英基板をエッチングし、前記の露光された部分に対応する溝を形成した。
【００５２】
以上の結果、半径０〜２０ｍｍの範囲と半径半径６０〜６５ｍｍの範囲に凹凸が形成されず、半径２０ｍｍ〜６０ｍｍの範囲が通常の記録や制御に使用されるエリア（図１のＢ部分）となり、半径６５ｍｍ〜８０ｍｍの範囲がダミーグルーブ領域（図１のＣの部分）となるようなスタンパーを製造するための原盤が完成した。
【００５３】
次に、この原盤の表面に真空蒸着によりＮｉ皮膜を蒸着し、導電化処理を行った。その後、この原盤をスルファミンＮｉ浴中に入れ、電圧１９Ｖ、温度５１℃で７０分かけて電鋳を行った。
【００５４】
以上のような操作を、ダミーグルーブの形状を変えて行い、各々の条件で、１０枚のスタンパーの電鋳を行い、電鋳が正常に行われたものの枚数を求めた。その結果は以下の通りである。（以下図１に合わせて、情報の書き込みや制御に使用される領域のことをＢ領域、ダミーグルーブが形成される領域のことをＣ領域という。
【００５５】
（ａ）Ｃ領域のトラックピッチを変化させた場合
実施例として、Ｃ領域のトラックピッチを０．７μｍ、０．９μｍに変化させた。凹凸の深さはいずれも３０ｎｍ（Ｂ、Ｃ領域共通）とした。その結果、トラックピッチを０．７μｍとした場合は５枚が、トラックピッチを０．９μｍとした場合は７枚が正常に電鋳できた。
【００５６】
比較例として、Ｃ領域のトラックピッチを０．３２μｍ（Ｂ領域と同じ）、凹凸深さをＢ領域、Ｃ領域とも３０ｎｍとしたものを電鋳した。正常に電鋳できたものは２枚であった。
【００５７】
（ｂ）Ｃ領域の深さを変化させた場合
実施例としてＣ領域の凹凸の深さを６０ｎｍ、１００ｎｍに変化させた。Ｂ領域の凹凸の深さは２５ｎｍとし、トラックピッチはＢ領域、Ｃ領域とも０．３２μｍとした。その結果、凹凸深さが６０ｎｍの場合は５枚が、１００ｎｍの場合は９枚が正常に電鋳できた。
【００５８】
比較例として、Ｃ領域の凹凸の深さを２５ｎｍ（Ｂ領域と同じ）、５０ｎｍとしたものを電鋳した。トラックピッチはＢ領域、Ｃ領域とも０．３２μｍとした。その結果、凹凸深さが２５ｎｍの場合は２枚が、５０ｎｍの場合は４枚が正常に電鋳できた。
【００５９】
（ｃ）Ｃ領域を設けず、Ｂ領域の凹凸深さを深くした場合
この場合はＣ領域を設けず、従ってレジストの形成、露光、エッチングは１回だけ行い、半径２０ｍｍ〜６０ｍｍの範囲にＢ領域を設けるのみとした。そして、Ｂ領域の凹凸の深さを変えて各々の条件について１０枚ずつの電鋳を行った。トラックピッチは各条件に共通で０．３２μｍとした。凹凸の深さを９０ｎｍとした場合、５枚が正常に電鋳できた。
【００６０】
比較例として凹凸の深さを６０ｎｍとして電鋳を行った。その結果、正常に電鋳できたのは３枚であった。
【００６１】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、トラックピッチが０．４μｍ以下であるような光ディスクを製造するためのスタンパーの製造歩留まりを向上させるような溝形状を有する光ディスク、及びこの光ディスクを製造するために使用されるスタンパーを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態の例であるスタンパーを示す概要図である。
【符号の説明】
Ａ：中心部の凹凸が形成されていない部分
Ｂ：通常の凹凸部が形成されている部分
Ｃ：ダミーグルーブが形成されている部分
Ｄ：凹凸の形成されていない部分
Ｈ：穴部
【図１】
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