(57)【要約】【課題】比透磁率１０以下でかつ比誘電率５〜１００の所望の低透磁率―低誘電率特性、気孔率１０％未満、比抵抗１×１０１０Ωｃｍ以上という性質を同時に有する。【解決手段】磁性材料と、誘電材料と、ガラス材料からなる。【選択図】  図３
2004262704.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁性材料と、誘電材料と、ガラス材料からなり、
比誘電率の値が１０以下、比透磁率の値が２〜１９であり、比抵抗が１×１０１０Ωｃｍ以上、気孔率が１０％未満であることを特徴とする複合磁器材料。
【請求項２】
前記磁性材料と前記誘電材料と前記ガラス材料との組成比が合計で１００重量％とされ、
これら磁性材料の組成比と、誘電材料の組成比と、ガラス材料の組成比とが、三元系の三角組成図において、添付図面図１に各点（磁性材料：誘電材料：ガラス材料）で示すように、
点Ｅ（７２．７：１８．２：９．１）、
点Ｆ（４０．０：１０．０：５０．０）、
点Ｇ（５９．４：３９．６：１．０）、
点Ｊ（３０．０：２０．０：５０．０）、
で囲まれる領域内の値に設定されることを特徴とする請求項１記載の複合磁器材料。
【請求項３】
各材料組成を混合して６００〜９５０℃で焼成したことを特徴とする請求項１または２記載の複合磁器材料。
【請求項４】
前記ガラス材料は、ＳｉＯ２  とＢ２Ｏ３とＲＯまたはＲＯ２  （但し、ＲはＣａ、Ｂａ、ａｌ、Ｐｂ、Ｚｎの群から選択された少なくとも１種）の３種の組成比が合計で１００重量％とされ、これら、ＳｉＯ２  の組成比と、Ｂ２Ｏ３の組成比と、ＲＯまたはＲＯ２  の組成比とが、三元系の三角組成図において、添付図面図３に各点（ＳｉＯ２  ：Ｂ２Ｏ３：ＲＯまたはＲＯ２  ）で示すように、
点Ａ（５５：５：４０）、
点Ｂ（１５：０：８５）、
点Ｃ（２：５：９３）、
で囲まれる領域内の値に設定されることを特徴とする請求項１から３のいずれか記載の複合磁器材料。
【請求項５】
前記誘電材料が、少なくともＢａＴｉＯ３  、ＴｉＯ２  、または、リラクサー系材料から選択される１種とされてなることを特徴とする請求項１から４のいずれか記載の複合磁器材料。
【請求項６】
前記リラクサー系材料としては、その組成が
（ＰｂＯｘ・Ｌａ２Ｏ３ｙ／２）・（ＺｒＯｕ・ＴｉＯｖ）
ｘ＋ｙ＝１（ｘ＝０．８０〜０．９９）
ｕ＋ｖ＝１（ｕ＝０．５０〜０．８５）
で表されることを特徴とする請求項１から５のいずれか記載の複合磁器材料。
【請求項７】
前記磁性材料が、Ｎｉ―Ｚｎ系フェライトまたはＮｉ−Ｚｎ―Ｃｕ系フェライトから選択された１種であることを特徴とする請求項１から６のいずれか記載の複合磁器材料。
【請求項８】
前記Ｎｉ−Ｚｎ―Ｃｕ系フェライトとしては、その組成が
（ＮｉＯｘ・ＺｎＯｙ・ＣｕＯｚ）ａ・（Ｆｅ２Ｏ３）ｂ
ｘ＋ｙ＋ｚ＝ａ
ｘ＝０．１０〜０．３５
ｙ＝０．１０〜０．３５
ｚ＝０．００〜０．２０
ａ＝０．５０５〜０．５３０
ｂ＝０．４９５〜０．４７０
ａ＋ｂ＝１
で表されることを特徴とする請求項１から７のいずれか記載の複合磁器材料。
【請求項９】
請求項１から８のいずれかに記載の複合磁器材料を用いたことを特徴とするＬＣ複合部品。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、複合磁器材料およびＬＣ複合部品に係り、特に、低透磁率で、かつ、低誘電率での制御性を兼ね備えた緻密なＬＣ複合部品、一例としてらせん状、渦巻き状の電極構造を持つ積層チップ部品であるチップインダクタ、フェライトビーズ、およびインダクタ部とコンデンサ部を有するＬＣ複合部品等のアレイ型電子部品に用いて好適な技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】
電子部品の分野において、誘電材料及び磁性材料の占める役割は大きく、前者は主にコンデンサ用材料として、後者は主にインダクタ用材料として広く用いられており、それぞれの材料によりコンデンサとインダクタが製造されている。
従来キャパシタンス分とインダクタンス分を兼備する電子部品としては、誘電材料と磁性材料とを混合、焼結してなる複合磁器材料を用いている。
【０００３】
【特許文献１】
特開昭６２−１４７７０３号公報
【特許文献２】
特開平１−２９１４０６号公報
【特許文献３】
特開平７−２２３８６０号公報
【特許文献４】
特開平１２−１６４４１７号公報
【特許文献５】
特開平１０−２７０２５６号公報
【特許文献６】
特開平１１−０１６７３８号公報
【０００４】
たとえば複合磁器材料としては、特許文献１、特許文献２、特許文献３、特許文献４に記載されるような技術が知られている。
また、電子部品のライン間におけるクロストークを低減するために、特許文献５，特許文献６に記載されるように各素子の内部電極パターンおよび配置等に工夫を凝らしたものが知られている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、上記の特許文献４に記載されたように、内部電極構造の変更のみでは、製品寸法の制約等があり、クロストークを所望のレベルまで低減することが困難であり、特許文献５に記載されたようにシールド電極等による対策も製品構造が複雑になり、構造欠陥増加やコストアップの原因になっていた。
【０００６】
本発明は、上記の事情に鑑みてなされたもので、電子部品のライン間におけるクロストークを低減可能でかつ製品構造を複雑にしないでコストアップを必要としない磁性体誘電体複合材料およびこれを用いたＬＣ複合部品を提供するという目的を達成しようとするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明の複合磁器材料は、磁性材料（フェライト）と、誘電材料と、ガラス材料からなり、
比誘電率の値が１０以下、比透磁率の値が２〜１９であり、比抵抗が１×１０１０Ωｃｍ以上、気孔率が１０％未満であることにより上記課題を解決した。
本発明において、前記磁性材料と前記誘電材料と前記ガラス材料との組成比が合計で１００重量％とされ、
これら磁性材料の組成比と、誘電材料の組成比と、ガラス材料の組成比とが、三元系の三角組成図において、添付図面図１に各点（磁性材料：誘電材料：ガラス材料）で示すように、
点Ｅ（７２．７：１８．２：９．１）、
点Ｆ（４０．０：１０．０：５０．０）、
点Ｇ（５９．４：３９．６：１．０）、
点Ｊ（３０．０：２０．０：５０．０）、
で囲まれる領域内の値に設定されることが望ましい。
また、本発明において、各材料組成を混合して６００〜９５０℃で焼成した手段を採用することもできる。
本発明における前記ガラス材料は、ＳｉＯ２  とＢ２Ｏ３とＲＯまたはＲＯ２  （但し、ＲはＣａ、Ｂａ、Ａｌ、Ｐｂ、Ｚｎの群から選択された少なくとも１種）の３種の組成比が合計で１００重量％とされ、これら、ＳｉＯ２  の組成比と、Ｂ２Ｏ３の組成比と、ＲＯまたはＲＯ２  の組成比とが、三元系の三角組成図において、添付図面図３に各点（ＳｉＯ２  ：Ｂ２Ｏ３：ＲＯまたはＲＯ２  ）で示すように、
点Ａ（５５：５：４０）、
点Ｂ（１５：０：８５）、
点Ｃ（２：５：９３）、
で囲まれる領域内の値に設定されることが可能である。
また、前記誘電材料が、少なくともＢａＴｉＯ３  、ＴｉＯ２  、または、リラクサー系材料から選択される１種とされてなることができる。
本発明は、前記リラクサー系材料としては、その組成が
（ＰｂＯｘ・Ｌａ２Ｏ３ｙ／２）・（ＺｒＯｕ・ＴｉＯｖ）
ｘ＋ｙ＝１（ｘ＝０．８０〜０．９９）
ｕ＋ｖ＝１（ｕ＝０．５０〜０．８５）
で表されることが可能である。
本発明の前記磁性材料が、Ｎｉ―Ｚｎ系フェライトまたはＮｉ−Ｚｎ―Ｃｕ系フェライトから選択された１種であることがある。
本発明では、前記Ｎｉ−Ｚｎ―Ｃｕ系フェライトとしては、その組成が
（ＮｉＯｘ・ＺｎＯｙ・ＣｕＯｚ）ａ・（Ｆｅ２Ｏ３）ｂ
ｘ＋ｙ＋ｚ＝ａ
ｘ＝０．１０〜０．３５
ｙ＝０．１０〜０．３５
ｚ＝０．００〜０．２０
ａ＝０．５０５〜０．５３０
ｂ＝０．４９５〜０．４７０
ａ＋ｂ＝１
で表される手段が可能である。
本発明のＬＣ複合部品は、上記の複合磁器材料を用いたことにより上記課題を解決した。
【０００８】
本発明の複合磁器材料は、磁性材料と、誘電材料と、ガラス材料からなる複合磁器材料であることにより、比誘電率１０以下でかつ比透磁率２〜１９の所望の低透磁率―低誘電率特性を有し、かつ気孔率１０％未満の高焼結性、比抵抗１×１０１０Ωｃｍ以上の高絶縁性を有することができる。特に、比誘電率１０以下の範囲において、比透磁率が２〜１９と従来にはできなかった広い範囲で設定可能なため、より多くの電子部品等の特性に合わせて比誘電率を制御して複合磁器材料を製造することが可能になる。これにより、素子間の容量結合が低減され、複雑な内部電極構造を用いることなく素子間のクロストークを低減することができる。なお、比誘電率を１０以下としたのは、通常、磁性材料の比誘電率は１０〜２０程度であり、ほとんど一定であった。
【０００９】
ここで、比誘電率１０以下でかつ比透磁率２〜１９の所望の低透磁率―低誘電率特性を有するとともに、比抵抗１×１０１０Ωｃｍ以上の高絶縁性を有することにより、従来からある低透磁率で比抵抗の高い複合磁器材料においてなしえなかった、比誘電率を所望の値に設定することが可能となる。同時に、気孔率１０％未満の高焼結性を有することにより、高密度の複合磁器材料として、所望の低透磁率―低誘電率特性を有する電子部品に適応することが可能となる。
【００１０】
本発明の複合磁器材料は、上記のような、比誘電率１０以下でかつ比透磁率２〜１９の所望の低透磁率―低誘電率特性を有し、かつ気孔率１０％未満の高焼結性、比抵抗１×１０１０Ωｃｍ以上の高絶縁性を有することにより、これを用いたＬＣ複合部品は、高周波用のノイズ部品を提供することができ、性能においては、高耐圧、高強度で、環境に対して高信頼性の高周波用ノイズ部品を提供することができる。
【００１１】
本発明において、前記磁性材料と前記誘電材料と前記ガラス材料との組成比が添付図面図１に示すように、点Ｅ、点Ｆ、点Ｇ、点Ｊ、で囲まれる領域内の値に設定されることにより、比誘電率１０以下でかつ比透磁率２〜１９の所望の低透磁率―低誘電率特性と、気孔率１０％未満の高焼結性と、比抵抗１×１０１０Ωｃｍ以上の高絶縁性とを同時に実現することが可能となる。
ここで、ガラス材料は微量添加により低透磁率化及び低誘電率化の効果が大きく、多すぎると比透磁率及び比誘電率はガラス材料とほぼ同程度の比透磁率１でかつ比誘電率５を有するため、上記領域が好ましい。
【００１２】
また、本発明において、各材料組成を混合して７００〜９５０℃で焼成した手段を採用することにより、低温焼成でも上記の高焼結性（気孔率）を達成することが可能となる。
【００１３】
本発明における前記ガラス材料における、ＳｉＯ２  の組成比と、Ｂ２Ｏ３の組成比と、ＲＯまたはＲＯ２  の組成比とが、添付図面図３に示すように、点Ａ、点Ｂ、点Ｃ、で囲まれる領域内の値に設定されることにより、前述の磁性材料と誘電材料とガラス材料との配合比（組成比）として、所望の誘電特性を有するとともに、比誘電率１０以下でかつ比透磁率２〜１９の所望の低透磁率―低誘電率特性と、気孔率１０％未満の高焼結性と、比抵抗１×１０１０Ωｃｍ以上の高絶縁性とを同時に実現することが可能となる複合磁器材料を得ることが可能となる。
ここで、前記ガラス材料としては、上記範囲の組成比で混合し、５００〜１０００℃で溶解後急冷したものが好ましい。
【００１４】
また、前記誘電材料が、少なくともＢａＴｉＯ３  、ＴｉＯ２  、または、組成が上述した（ＰｂＯｘ・Ｌａ２Ｏ３ｙ／２）・（ＺｒＯｕ・ＴｉＯｖ）で表されるペロブスカイト型リラクサー系材料から選択される１種とされてなることにより、前述の磁性材料と誘電材料とガラス材料との配合比（組成比）として、所望の誘電特性を有するとともに、比誘電率１０以下でかつ比透磁率２〜１９の所望の低透磁率―低誘電率特性と、気孔率１０％未満の高焼結性と、比抵抗１×１０１０Ωｃｍ以上の高絶縁性とを同時に実現することが可能となる複合磁器材料を得ることが可能である。
【００１５】
本発明の前記磁性材料が、Ｎｉ―Ｚｎ系フェライトまたはＮｉ−Ｚｎ―Ｃｕ系フェライトから選択された１種であることにより、前述の磁性材料と誘電材料とガラス材料との配合比（組成比）として、所望の誘電特性を有するとともに、比誘電率１０以下でかつ比透磁率２〜１９の所望の低透磁率―低誘電率特性と、気孔率１０％未満の高焼結性と、比抵抗１×１０１０Ωｃｍ以上の高絶縁性とを同時に実現することが可能となる複合磁器材料を得ることが可能である。
ここで、具体的な磁性材料としては（ＮｉＯｘ・ＺｎＯｙ・ＣｕＯｚ）ａ・（Ｆｅ２Ｏ３）ｂ表されるＮｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系フェライトが好ましい。
【００１６】
本発明のＬＣ複合部品は、上記の比誘電率１０以下でかつ比透磁率２〜１９の所望の低透磁率―低誘電率特性と、気孔率１０％未満の高焼結性と、比抵抗１×１０１０Ωｃｍ以上の高絶縁性とを同時に実現することが可能となる複合磁器材料を用いたことにより、高焼結性、絶縁性の高い高周波用ノイズ部品を得ることが可能となる。
【００１７】
上記のように比誘電率が低い複合磁器材料を用いることにより、素子間の容量結合が低減され、複雑な内部電極構造を用いることなく素子間のクロストークを低減できる。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に係る複合磁器材料およびＬＣ複合部品の一実施形態を図面に基づいて説明する。
図１は本発明における複合磁器材料の材料配合組成比を示す三角組成図、図２は実施例における複合磁器材料の透磁率―誘電率特性を示すグラフ、図３は本発明におけるガラス材料の組成比を示す三角組成図である。
【００１９】
本発明に用いる磁性材料（フェライト）及び誘電材料及びガラス材料は、それらの複合磁器材料により比誘電率１０以下でかつ比透磁率２〜１９の所望の低透磁率―低誘電率特性を有し、かつ気孔率１０％未満の高焼結性、１×１０１０Ωｃｍ以上の高絶縁性を有するものであれば良く、用いる磁性材料とペロブスカイト型を有する誘電材料とガラス材料の複合比やそれぞれの種類（組成）は、複合比と各材料組成の組み合わせや作製条件によって多少異なるが、好ましくは、次のようなものが挙げられる。
【００２０】
具体的には、磁性材料と誘電材料とガラス材料の混合割合は、目的の透磁率・誘電率に合わせ、下記範囲内の複合比で混合したものを、各複合比と各材料組成の組み合わせにより７００〜９５０℃で焼成して得られる複合磁器材料が好ましい。
【００２１】
好ましい複合磁器材料として、磁性材料と誘電材料とガラス材料の３種を合計１００ｗｔ％（１００重量％）含み、図１に示すように、この複合磁器材料は磁性材料と誘電材料とガラス材料の三元系の組成をギブスの組成三角形で表し、この三角形内において複合比をそれぞれ
磁性材料：誘電材料：ガラス材料＝７２．７：１８．２：９．１を点Ｅ、
磁性材料：誘電材料：ガラス材料＝４０．０：１０．０：５０．０を点Ｆ、
磁性材料：誘電材料：ガラス材料＝５９．４：３９．６：１．０を点Ｇ、
磁性材料：誘電材料：ガラス材料＝３０．０：２０．０：５０．０を点Ｊ、
とするとき、前記３種の複合比が線分ＥＦと線分ＦＧと線分ＧＨと線分ＨＩと線分ＩＪと線分ＪＥとで囲まれた六角形ＥＦＧＨＩＪ内にあることが好ましい。
【００２２】
ガラス材料は微量添加により低透磁率化及び低誘電率化の効果が大きく、多すぎると比透磁率及び比誘電率はガラス材料とほぼ同程度の比透磁率１でかつ比誘電率５を有するため、上記領域が好ましい。
【００２３】
具体的なガラス材料としては、下記範囲内の組成比で混合し、５００〜１０００℃で溶解後急冷したガラス材料が好ましい。
ガラス組成として、ＳｉＯ２  とＢ２Ｏ３とＲＯまたはＲＯ２  （但し、ＲはＣａ、Ｂａ、Ａｌ、Ｐｂ、Ｚｎ、Ｔｉの群から選択された少なくとも１種）の３種の組成比が合計で１００ｗｔ％（重量パーセント）含み、図３に示すように、このガラス材料は、ＳｉＯ２  とＢ２Ｏ３とＲＯまたはＲＯ２  との三元系の組成をギブスの組成三角形で表し、この三角形内において組成比をそれぞれ
ＳｉＯ２  ：Ａｌ２Ｏ３：ＲＯまたはＲＯ２  ＝５５：５：４０  を点Ａ、
ＳｉＯ２  ：Ａｌ２Ｏ３：ＲＯまたはＲＯ２  ＝１５：０：８５  を点Ｂ、
ＳｉＯ２  ：Ａｌ２Ｏ３：ＲＯまたはＲＯ２  ＝２：５：９３  を点Ｃ、
とするとき、前記３種の組成比が線分ＡＢと線分ＢＣと線分ＣＡとで囲まれた３角形ＡＢＣ内にあることが好ましい。
【００２４】
誘電材料としては、少なくともＢａＴｉＯ３  、ＴｉＯ２  、または、リラクサー系材料から選択される１種とされてなることが好ましい。
具体的な誘電材料としては下記のペロブスカイト型のリラクサー系が好ましい。（ＰｂＯｘ・Ｌａ２Ｏ３ｙ／２）・（ＺｒＯｕ・ＴｉＯｖ）
ｘ＋ｙ＝１（ｘ＝０．８０〜０．９９）
ｕ＋ｖ＝１（ｕ＝０．５０〜０．８５）
【００２５】
磁性材料としてはＮｉ―Ｚｎ系フェライトまたはＮｉ−Ｚｎ―Ｃｕ系フェライトが好ましい。具体的な磁性材料としては下記のＮｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系フェライトが好ましい。
（ＮｉＯｘ・ＺｎＯｙ・ＣｕＯｚ）ａ・（Ｆｅ２Ｏ３）ｂ
ｘ＋ｙ＋ｚ＝ａ
ｘ＝０．１０〜０．３５
ｙ＝０．１０〜０．３５
ｚ＝０．００〜０．２０
ａ＝０．５０５〜０．５３０
ｂ＝０．４９５〜０．４７０
ａ＋ｂ＝１
【００２６】
本発明の複合磁器材料は、混合に用いるガラス材料粉を磁性材料粉及び誘電材料粉と同程度の粒径にすることが好ましく、具体的には、ガラス材料粉の平均粒径を０．５〜１．５μｍ、磁性材料の平均粒径を０．５〜１．５μｍ、誘電材料の平均粒径を０．５〜１．５μｍにすることが好ましい。
【００２７】
このような本発明の複合磁器材料は、前述した磁性材料、誘電材料、ガラス材料を、所定の割合で混合し、常法に従って成形した後６００〜９５０℃で焼成することにより容易に製造することができる。
【００２８】
本発明の複合磁器材料は、磁性材料と、誘電材料と、ガラス材料からなる複合磁器材料であることにより、比誘電率１０以下でかつ比透磁率２〜１９の所望の低透磁率―低誘電率特性を有し、かつ気孔率１０％未満の高焼結性、比抵抗１×１０１０Ωｃｍ以上の高絶縁性を有することができる。
ここで、比誘電率１０以下でかつ比透磁率２〜１９の所望の低透磁率―低誘電率特性を有するとともに、比抵抗１×１０１０Ωｃｍ以上の高絶縁性を有することにより、素子間の容量結合が低減され、複雑な内部電極構造を用いることなく素子間のクロストークを低減することができる。例えば特許文献５，６に記載されたように、平行状態かそれに近い状態に配置された内部電極構造において、素子どうしの配置位置を水平方向にずらす、あるいは、素子間にシールド電極等を配置することなく、クロストークの低減を図ることが可能となる。
【００２９】
本発明において、前記磁性材料と前記誘電材料と前記ガラス材料との組成比が添付図面図１に示すように、点Ｅ、点Ｆ、点Ｇ、点Ｊ、で囲まれる領域内の値に設定されることにより、比誘電率１０以下でかつ比透磁率２〜１９の所望の低透磁率―低誘電率特性と、気孔率１０％未満の高焼結性と、比抵抗１×１０１０Ωｃｍ以上の高絶縁性とを同時に実現することが可能となる。
ここで、ガラス材料は微量添加により低透磁率化及び低誘電率化の効果が大きく、多すぎると比透磁率及び比誘電率はガラス材料とほぼ同程度の比透磁率１でかつ比誘電率５を有するため、上記領域が好ましい。
【００３０】
本発明における前記ガラス材料における、ＳｉＯ２  の組成比と、Ｂ２Ｏ３の組成比と、ＲＯまたはＲＯ２  の組成比とが、添付図面図３に示すように、点Ａ、点Ｂ、点Ｃ、で囲まれる領域内の値に設定されることにより、前述の磁性材料と誘電材料とガラス材料との配合比（組成比）として、所望の誘電特性を有するとともに、比誘電率１０以下でかつ比透磁率２〜１９の所望の低透磁率―低誘電率特性と、気孔率１０％未満の高焼結性と、比抵抗１×１０１０Ωｃｍ以上の高絶縁性とを同時に実現することが可能となる複合磁器材料を得ることが可能となる。
【００３１】
また、前記誘電材料が、少なくともＢａＴｉＯ３  、ＴｉＯ２  、または、組成が上述した（ＰｂＯｘ・Ｌａ２Ｏ３ｙ／２）・（ＺｒＯｕ・ＴｉＯｖ）で表されるペロブスカイト型リラクサー系材料から選択される１種とされてなることにより、前述の磁性材料と誘電材料とガラス材料との配合比（組成比）として、所望の誘電特性を有するとともに、比誘電率１０以下でかつ比透磁率２〜１９の所望の低透磁率―低誘電率特性と、気孔率１０％未満の高焼結性と、比抵抗１×１０１０Ωｃｍ以上の高絶縁性とを同時に実現することが可能となる複合磁器材料を得ることが可能である。
【００３２】
本発明の前記磁性材料が、Ｎｉ―Ｚｎ系フェライトまたはＮｉ−Ｚｎ―Ｃｕ系フェライトから選択された１種であることにより、前述の磁性材料と誘電材料とガラス材料との配合比（組成比）として、所望の誘電特性を有するとともに、比誘電率１０以下でかつ比透磁率２〜１９の所望の低透磁率―低誘電率特性と、気孔率１０％未満の高焼結性と、比抵抗１×１０１０Ωｃｍ以上の高絶縁性とを同時に実現することが可能となる複合磁器材料を得ることが可能である。
【００３３】
次に、本発明のＬＣ複合部品として、上記磁性材料、上記誘電材料、ガラス材料をバインダーと混合して混練して、複合磁器材料のグリーンシートを作製した。
この複合磁器材料のグリーンシートをそれぞれ２０枚積層し、その途中で市販のＡｇ／Ｐｄペーストを用いて内部電極としてコイルとコンデンサを印刷形成し（コイルはスルーホールを介して接続）、熱間圧着後、焼成後に焼結体寸法が３．２×１．６ｍｍとなるように切断し、ＬＣ複合ＥＭＩフィルタチップをそれぞれ得た。このチップを４００℃で脱脂処理した後、大気中で６００〜９５０℃で４時間焼成した。尚、各チップは、各複合磁器材料が６００〜９５０℃内の高焼結化する最適温度で焼成した。
【００３４】
本発明のＬＣ複合部品は、上記の比誘電率１０以下でかつ比透磁率２〜１９の所望の低透磁率―低誘電率特性と、気孔率１０％未満の高焼結性と、比抵抗１×１０１０Ωｃｍ以上の高絶縁性とを同時に実現することが可能となる複合磁器材料を用いたことにより、素子間の容量結合が低減され、複雑な内部電極構造を用いることなく素子間のクロストークを低減することができる。例えば特許文献５，６に記載されたように、平行状態かそれに近い状態に配置された内部電極構造において、素子どうしの配置位置を水平方向にずらす、あるいは、素子間にシールド電極等を配置することなく、クロストークの低減を図ることが可能となる。これにより、部品そのものの小型化に対応することが可能となる。
【００３５】
なお、本発明においては、比誘電率１０以下でかつ比透磁率２〜１９の所望の低透磁率―低誘電率特性を有し、かつ気孔率１０％未満の高焼結性、比抵抗１×１０１０Ωｃｍ以上の高絶縁性を有するものであれば、他の材料を適応することも可能である。
【００３６】
【実施例】
以下、本発明の実施例について説明する。
（１）  磁性材料（フェライト）：ＮｉＯ，ＺｎＯ，ＣｕＯ，Ｆｅ２Ｏ３を出発原料としこれらを各々１５：２５：１２：４８（モル比）の割合で湿式混合後、９５０℃で仮焼し、Ｎｉ０．１５Ｚｎ０．２５Ｃｕ０．１２Ｆｅ０．９６Ｏ１．９６の磁性材料を得た。得られた磁性材料は、湿式にて４８時間粉砕し平均粒径約１μｍのスピネル構造の磁性材料を得た。
【００３７】
（２）  誘電材料：ＰｂＯ，Ｌａ２Ｏ３，ＺｒＯ２，ＴｉＯ２を出発原料としこれらを各々８８：６：７０：３０（モル比）の割合で湿式混合後、１０５０℃で仮焼し、Ｐｂ０．８８Ｌａ０．１２Ｚｒ０．７Ｔｉ０．３Ｏ３．０６の誘電材料を得た。得られた誘電材料は、乾式にて２４時間粉砕し平均粒径約１μｍのペロブスカイト型の誘電材料を得た。
【００３８】
（３）  表１に示したガラス材料を得るために、各成分の酸化物、炭酸塩、または水酸化物を混合し、５００〜１０００℃で溶解後急冷した。得られたガラス材料はエタノールにて４８時間粉砕し、平均粒径０．５〜１．５μｍのガラス材料を得た。
【００３９】
【表１】
2004262704.tif 000003
【００４０】
（４）  次に、表２に示すように上記磁性材料、上記誘電材料及び表１のガラス材料の各材料を磁性材料：誘電材料：ガラス材料＝５４．５：３６．４：９．１ｗｔ％比で混合後、比透磁率、比誘電率、比抵抗、密度及び気孔率等の焼結性を評価できるよう成形・プレスし、大気中で９５０℃で４時間焼成し、複合磁器材料を得た。
【００４１】
（５）  次に得られた複合磁器材料の各焼結体試料について、比透磁率、比誘電率、比抵抗、密度及び気孔率等の焼結性を評価した。尚、比抵抗については、得られた焼結体試料にＡｇ／Ｐｄペーストを塗布して７００℃で焼き付けて電極を形成した後、評価した。その結果を表２に示す。表中の焼結性は気孔率１０％未満を高焼結として○、１０％以上を焼結不足として×と記載した。
【００４２】
【表２】
2004262704.tif 000004
【００４３】
（６）  その結果、比較例（磁性材料：誘電材料＝６０：４０ｗｔ％）と比べて、比透磁率は６〜２０と低透磁率化、比誘電率は１４〜４９と低誘電率化した。また、比抵抗は、試料番号Ｃ１〜Ｃ４の結果より、Ｋ２Ｏ  のアルカリ成分が５ｗｔ％以上含まれると１０７〜１０９Ωｃｍと低抵抗化する。また、試料番号Ｃ５、Ｃ７の結果より、Ｂ２Ｏ３組成比が１０ｗｔ％以上含まれると、１０７〜１０９Ωｃｍと低抵抗化する。前記以外の試料では１０１０Ωｃｍ以上の高絶縁性を示した。
【００４４】
（７）  表２の結果をまとめると、図３に示すようにＳｉＯ２  とＢ２Ｏ３とＲＯまたはＲＯ２  （但し、ＲはＣａ、Ｂａ、Ｐｂ、Ｚｎ、Ｔｉの群から選択された少なくとも１種）の３種の組成比が合計で１００ｗｔ％（重量パーセント）含み、ＳｉＯ２  とＢ２Ｏ３とＲＯまたはＲＯ２  との三元系の組成をギブスの組成三角形で表し、この三角形内において組成比をそれぞれ
ＳｉＯ２  ：Ａｌ２Ｏ３：ＲＯまたはＲＯ２  ＝５５：５：４０  を点Ａ、
ＳｉＯ２  ：Ａｌ２Ｏ３：ＲＯまたはＲＯ２  ＝１５：０：８５  を点Ｂ、
ＳｉＯ２  ：Ａｌ２Ｏ３：ＲＯまたはＲＯ２  ＝２：５：９３  を点Ｃ、
とするとき、前記３種の組成比が線分ＡＢと線分ＢＣと線分ＣＡで囲まれた３角形ＡＢＣ内のガラス材料を用いた複合磁器材料が、比誘電率１０以下でかつ比透磁率２〜１９の低透磁率―低誘電率特性を有し、気孔率１０％未満の高焼結性かつ１×１０１０Ωｃｍ以上の高絶縁性を達成した。
【００４５】
（８）  次に、上記磁性材料、上記誘電材料及び上記３角形ＡＢＣ内のガラス試料番号１１のＳｉＯ２  ：Ｂ２Ｏ３：ＲＯまたはＲＯ２  ＝１５：３：８２ｗｔ（重量）％のガラス材料を下記に示す複合比で混合後、比透磁率、比誘電率、比抵抗、密度及び気孔率等の焼結性を評価できるよう成形・プレスし、大気中で６００〜９５０℃で４時間焼成し、複合磁器材料を得た。各複合磁器材料は、６００〜９５０℃内の高焼結化する最適温度で作製した。表３に作製した複合磁器材料を示す。尚、表３中の複合比は、下記複合比を３組成含めて１００ｗｔ％になるように表記してある。
Ｃ１７〜Ｃ２４      磁性材料：誘電材料：ガラス材料＝８０：２０：ｘ  ｗｔ％
Ｃ２５〜Ｃ３１，Ｃ１１  磁性材料：誘電材料：ガラス材料＝６０：４０：ｘ  ｗｔ％
Ｃ３２〜Ｃ３９      磁性材料：誘電材料：ガラス材料＝４０：６０：ｘ  ｗｔ％
Ｃ４０〜Ｃ４７      磁性材料：誘電材料：ガラス材料＝２０：８０：ｘ  ｗｔ％
但し、ｘ＝１，２，５，１０，２０，４０，１００，２００
【００４６】
【表３】
2004262704.tif 000005
【００４７】
（９）  次に得られた複合磁器材料の各焼結体試料について、比透磁率、比誘電率、比抵抗、密度及び気孔率等の焼結性を評価した。尚、比抵抗については、得られた焼結体試料にＡｇ／Ｐｄペーストを塗布して７００℃で焼き付けて電極を形成した後、評価した。結果を表３に示す。表中の絶縁性は比抵抗１×１０１０Ωｃｍ以上を高絶縁性として○、比抵抗１×１０１０Ωｃｍ未満を低絶縁性として×、焼結性は気孔率１０％未満を高焼結として○、１０％以上を焼結不足として×と記載した。図２に表３の各複合磁器材料の透磁率―誘電率特性を示した。図中の各点がそれぞれの複合磁器材料を示す。
【００４８】
（１０）その結果、比透磁率は１〜８０、比誘電率は５〜５４０と広範囲な透磁率―誘電率特性を有し、焼結性は気孔率１０％未満の高焼結性でかつ絶縁性は１×１０１０Ωｃｍ以上の高絶縁性を有する複合磁器材料を得た。
【００４９】
（１１）また、上記磁性材料、上記誘電材料及び上記ガラス材料の複合比、例えば磁性材料：誘電材料：ガラス材料＝７０：３０：ｘ  ｗｔ％、あるいは、磁性材料：誘電材料：ガラス材料＝５０：５０：ｘ  ｗｔ％など、様々な複合比の組合せにより、図２中の透磁率２〜４０及び誘電率０〜１００内の所望の透磁率―誘電率特性を有する複合磁器材料を得ることは容易である。
例えば、インダクタ部品は、透磁率１００以上誘電率５程度の高透磁率磁性材料を用い、一方コンデンサ部品は、誘電率５００以上透磁率１の高誘電材料を用いる。
【００５０】
（１２）図１に示すように、磁性材料と誘電材料とガラス材料の３種を合計１００ｗｔ％含み、磁性材料と誘電材料とガラス材料の三元系の組成をギブスの組成三角形で表し、この三角形内において複合比をそれぞれ
磁性材料：誘電材料：ガラス材料＝７２．７：１８．２：９．１を点Ｅ、
磁性材料：誘電材料：ガラス材料＝４０．０：１０．０：５０．０を点Ｆ、
磁性材料：誘電材料：ガラス材料＝５９．４：３９．６：１．０を点Ｇ、
磁性材料：誘電材料：ガラス材料＝３０．０：２０．０：５０．０を点Ｊ、
とするとき、前記３種の複合比が線分ＥＦと線分ＦＧと線分ＧＪと線分ＪＥとで囲まれた４角形ＥＦＧＪ内の複合磁器材料は比誘電率１０以下でかつ比透磁率２〜１９の所望の低透磁率―低誘電率特性を有し、かつ気孔率１０％未満の高焼結性、１×１０１０Ωｃｍ以上の高絶縁性を達成した。
【００５１】
（１３）次に上記磁性材料、上記誘電材料、上記三角形ＡＢＣ内の点Ａ、点Ｂ、点Ｃのガラス材料を上記点Ｅ、点Ｆ、点Ｇ、点Ｊ、の複合比でそれぞれ混合し、比透磁率、比誘電率、比抵抗、密度及び気孔率等の焼結性を評価できるよう成形・プレスし、大気中で６００〜９５０℃で４時間焼成し、１５種類の複合磁器材料を得た。尚、各複合磁器材料は、６００〜９５０℃内の高焼結化する最適温度で作製した。その結果、上記同様、比誘電率１０以下でかつ比透磁率２〜１９の所望の低透磁率―低誘電率特性を有し、かつ気孔率１０％未満の高焼結性、１×１０１０Ωｃｍ以上の高絶縁性を有する複合磁器材料を得た。
【００５２】
また、上記の磁性材料により、グリーンシートを作成した。らせん状の立体構造を作るためにスルーホールが必要なシートにはスルーホールを形成した後Ａｇ電極を印刷し、それぞれのシートを所定枚数積層して加圧プレスをおこない、できた積層体をしょていの大きさにカットしてグリーンチップを得た。このグリーンチップを脱バインダー・焼成後端子電極ペーストを塗付・焼付けし、端子電極を軽視した。
【００５３】
上記の端子電極を形成したフェライト材料のうち、比誘電率が８のものを実施例とし、また、比誘電率１１のものを比較例とした。これらにたいして、１０ＭＨｚにおけるクロストーク発声を比較した。
その結果、実施例では−４８ｄＢだったのに対して、実施例では−４０ｄＢだった。つまり、比誘電率が１０以下であることによりクロストークを所定の値以下に低減することが可能となることがわかる。
ここで、上記のように比誘電率を１０以下にしたのは、磁性体のなかで最も低い比誘電率が１１であるからである。
【００５４】
【発明の効果】
本発明の複合磁器材料およびＬＣ複合部品によれば、以下の効果を奏する。
（１）図３に示すように、ＳｉＯ２  とＢ２Ｏ３とＲＯまたはＲＯ２  （但し、ＲはＣａ、Ｂａ、Ａｌ、Ｐｂ、Ｚｎ、Ｔｉの群から選択された少なくとも１種）の３種の組成比が合計で１００ｗｔ％（重量パーセント）含み、ＳｉＯ２  とＢ２Ｏ３とＲＯまたはＲＯ２  との三元系の組成をギブスの組成三角形で表し、この三角形内において、前記３種の組成比が線分ＡＢと線分ＢＣと線分ＣＡとで囲まれた３角形ＡＢＣ内のガラス材料を用いた複合磁器材料が、比誘電率１０以下でかつ比透磁率２〜１９の低透磁率―低誘電率特性を有し、気孔率１０％未満の高焼結性かつ１×１０１０Ωｃｍ以上の高絶縁性を達成できる。
（２）上記磁性材料、上記誘電材料及び上記ガラス材料の複合比を調整することにより、透磁率２〜４０及び誘電率０〜１００内の所望の透磁率―誘電率特性を有する複合磁器材料を得ることができる。
（３）図１に示すように、磁性材料と誘電材料とガラス材料の３種を合計１００ｗｔ％含み、磁性材料と誘電材料とガラス材料の三元系の組成をギブスの組成三角形で表し、この三角形内において、前記３種の複合比が線分ＥＦと線分ＦＧと線分ＧＪと線分ＪＥで囲まれた４角形ＥＦＧＪ内の複合磁器材料は比誘電率１０以下でかつ比透磁率２〜１９の所望の低透磁率―低誘電率特性を有し、かつ気孔率１０％未満の高焼結性、１×１０１０Ωｃｍ以上の高絶縁性を達成できる。
【００５５】
（４）本発明のＬＣ複合部品は、温度特性のよいＮｉ―Ｚｎ−Ｃｕ系フェライト、リラクサー系誘電体、ガラス材料からなる複合磁器材料を素体として用いているため、温度特性がよいノイズ部品を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る複合磁器材料の一実施形態における材料配合組成比を示す三角組成図である。
【図２】本発明の実施例における複合磁器材料の透磁率―誘電率特性を示すグラフである。
【図３】本発明に係る複合磁器材料の一実施形態におけるガラス材料の組成比を示す三角組成図である。
【図１】
2004262704.tif 000006
【図２】
2004262704.tif 000007
【図３】
2004262704.tif 000008