(57)【要約】　　　（修正有）【課題】耐食性と入出力特性に優れると共に基材割れを減ずることが出来る磁気ヘッド、磁気ヘッドの製造方法、磁気ヘッドを用いたビデオおよび磁気ヘッドを用いたムービーを提供する。【解決手段】磁気ヘッド１００は、一対の磁気コア半体ＭＣ１、ＭＣ２と、前記一対の磁気コア半体の間に形成され前記一対の磁気コア半体を接合する非磁性材料とを備え、前記一対の磁気コア半体のそれぞれは、酸化物磁性体Ｆ３Ａ、Ｆ３Ｂと、前記酸化物磁性体のそれぞれの上に形成される少なくとも１層の下地膜と、前記下地膜のそれぞれと前記非磁性材料との間に形成される金属磁性薄膜ＦＭ３とを備え、前記磁気コア半体の少なくとも一方には巻き線窓２１Ａが形成され、前記金属磁性薄膜は、前記金属磁性薄膜内に発生する好ましくない内部応力により前記酸化物磁性体が割れないように形成される。【選択図】　図１Ｂ
2004005970.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の磁気コア半体と、
前記一対の磁気コア半体の間に形成され前記一対の磁気コア半体を接合する非磁性材料とを備え、
前記一対の磁気コア半体のそれぞれは、酸化物磁性体と、前記酸化物磁性体のそれぞれの上に形成される少なくとも１層の下地膜と、
前記下地膜のそれぞれと前記非磁性材料との間に形成される金属磁性薄膜とを備え、
前記金属磁性薄膜は、平均体積Ｖａと平均表面積Ｓａとが、
Ｓａ＞４．８４Ｖａ２／３
を満たす磁性結晶粒を母相とする磁性膜を含む磁性薄膜であり、
前記磁気コア半体の少なくとも一方には巻き線窓が形成され、
前記金属磁性薄膜は、前記金属磁性薄膜内に発生する好ましくない内部応力により前記酸化物磁性体が割れないように形成される磁気ヘッド。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、耐食性と入出力特性に優れるとともに基材割れを減ずることが出来る構造を有する磁気ヘッド、磁気ヘッドの製造方法、磁気ヘッドを用いたビデオおよび磁気ヘッドを用いたムービーに関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、ＶＴＲ用などの磁気ヘッドとしては、一対のフェライトを接合して磁気コアを形成したフェライトヘッドが用いられてきた。近年の磁気記録の高密度化に伴って、記録／再生ギャップ周辺に、フェライトより高飽和磁束密度な金属磁性材料を形成したメタルインギャップヘッド（ＭＩＧヘッド）が用いられるようになっている。
【０００３】
従来のフェライトヘッド、ＭＩＧヘッドの例の模式図をそれぞれ図８、図９Ａ〜図９Ｄに示す。
【０００４】
図８を参照して、フェライトヘッド３００は、一対のフェライトＦ１Ａ、Ｆ１Ｂと、一対のフェライトＦ１Ａ、Ｆ１Ｂの間に形成され一対のフェライトＦ１Ａ、Ｆ１Ｂを接合する非磁性材料Ｎ１と接合ガラスＧ１とを備える。
【０００５】
図９Ａ〜図９Ｄを参照して、ＭＩＧヘッド４００は、一対の磁気コア半体ＭＣＡ、ＭＣＢと、一対の磁気コア半体ＭＣＡ、ＭＣＢの間に形成され一対の磁気コア半体ＭＣＡ、ＭＣＢを接合する非磁性材料Ｎ２と接合ガラスＧ２とを備える。一対の磁気コア半体ＭＣＡ、ＭＣＢのそれぞれは、フェライトＦ２Ａ、Ｆ２Ｂと、フェライトＦ２Ａ、Ｆ２Ｂとのそれぞれの上に形成される少なくとも１層の下地膜（図示せず）と、下地膜のそれぞれと非磁性材料Ｎ２との間に形成される金属磁性薄膜ＦＭ２とを備える。
【０００６】
金属磁性薄膜としては、非晶質材料（例えば特開昭６３−１２０６５３号公報）や、Ｆｅを主体とする非晶質膜から熱処理を施し５〜２０ｎｍ程度の微結晶を析出させた、Ｆｅ−Ｎ系、Ｆｅ−Ｃ系材料（例えば、長谷川：日本応用磁気学会誌、１４、３１９−３２２（１９９０）、Ｎａｇｏ　ＩＥＥＥ，Ｔｒａｎｓ．，ｍａｇｎ．，ｖｏｌ．２８，Ｎｏ．５（１９９２））などが開発されている。
【０００７】
これら金属磁性薄膜の内、特に、磁性金属組成の微結晶粒子を析出または粒成長させることにより、１．２Ｔ以上の高飽和磁束密度と軟磁気特性を持たせている材料では、耐食性の改善が必要である。
【０００８】
そのために、不動態を形成する軽元素をこれらの材料に添加することが試みられているが、このような軽元素は、酸素、窒素などと反応しやすいために、非晶質化もしくは微結晶化のために用いられる酸素などと反応してしまい、磁性金属微結晶粒中に残りにくい。
【０００９】
そこで、不動態を形成する軽元素を添加すると共に、磁性結晶粒を比較的大きくかつ表面積が大きい形状に組織制御し、磁気特性や高飽和磁束密度と同時に耐食性を満たす金属磁性薄膜（例えば、特開平１０−２２３４３５号公報）が開発されている。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、ＭＩＧヘッドは、酸化物であるフェライトと金属磁性薄膜との複合デバイスであるために、ヘッドの構造や金属磁性薄膜の材料特性に起因して、金属磁性薄膜に生じる内部応力による基材（フェライト）の割れ、界面での反応による磁気特性の劣化などが生じるという課題がある。
【００１１】
また、金属磁性薄膜の材料特性に応じて、最適なヘッド構造は変化する。磁気ヘッドとしての特性を向上するためには、材料設計のみならず、これら内部応力による基材（フェライト）の割れ、界面での反応による磁気特性の劣化の課題を解決しなければならない。
【００１２】
本発明の目的は、耐食性と入出力特性に優れると共に基材割れを減ずることが出来る磁気ヘッド、磁気ヘッドの製造方法、磁気ヘッドを用いたビデオおよび磁気ヘッドを用いたムービーを提供することにある。
【００１３】
本発明の他の目的は、金属磁性薄膜の材料特性とＭＩＧヘッドの構造とを互いに最適な物にすることにある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る磁気ヘッドは、一対の磁気コア半体と、前記一対の磁気コア半体の間に形成され前記一対の磁気コア半体を接合する非磁性材料とを備え、前記一対の磁気コア半体のそれぞれは、酸化物磁性体と、前記酸化物磁性体のそれぞれの上に形成される少なくとも１層の下地膜と、前記下地膜のそれぞれと前記非磁性材料との間に形成される金属磁性薄膜とを備え、前記金属磁性薄膜は、平均体積Ｖａと平均表面積Ｓａとが、Ｓａ＞４．８４Ｖａ２／３を満たす磁性結晶粒を母相とする磁性膜を含む磁性薄膜であり、前記磁気コア半体の少なくとも一方には巻き線窓が形成され、前記金属磁性薄膜は、前記金属磁性薄膜内に発生する好ましくない内部応力により前記酸化物磁性体が割れないように形成され、そのことにより上記目的が達成される。
【００１５】
前記金属磁性薄膜は、磁性結晶粒を含み、前記磁性結晶粒は、５０ｎｍを超える平均最大長を有してもよい。
【００１６】
前記磁性結晶粒は、略針状体、略柱状体またはこれらの組み合わせからなる多枝形状体を含み、前記略針状体または前記略柱状体の短手方向の平均結晶サイズは、５ｎｍよりも大きく、６０ｎｍよりも小さくてもよい。
【００１７】
前記磁性結晶粒の短手方向の結晶サイズの平均ｄＳおよび長手方向の結晶サイズの平均ｄＬが５ｎｍ＜ｄＳ＜６０ｎｍ、６０ｎｍ＜ｄＬ＜５０００ｎｍを満たしてもよい。
【００１８】
前記金属磁性薄膜は、（ＭａＸｂＺｃ）１００−ｄＡｄで示される組成を有し、ＭはＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉから選ばれる少なくとも１種の磁性金属元素を含み、ＸはＳｉ、Ａｌ、Ｇａ及びＧｅから選ばれる少なくとも１種の元素を含み、ＺはＩＶａ族、Ｖａ族、Ａｌ、Ｇａ及びＣｒから選ばれる少なくとも１種の元素を含み、ＡはＯおよびＮの少なくとも１種の元素を含み、ａ、ｂ、ｃおよびｄは、０．１≦ｂ≦２６、０．１≦ｃ≦５、ａ＋ｂ＋ｃ＝１００および１≦ｄ≦１０　なる関係式を満たす数値であってもよい。
【００１９】
前記一対の磁気コア半体のそれぞれは、他方の磁気コア半体と前記非磁性材料を介して接合する接合面と、被記録媒体と摺動する摺動面と、前記接合面と前記摺動面とに連続する側面とを有し、前記金属磁性薄膜は、前記側面には形成されてもよい。
【００２０】
前記金属磁性薄膜は、（ＦｅａＳｉｂＡｌｃＴｄ）１００−ｅＮｅで示される組成を有し、ＴはＴｉおよびＴａから選ばれる少なくとも１種の元素を含み、ａ、ｂ、ｃ、ｄおよびｅは、１０≦ｂ≦２３、０．１≦ｄ≦５、０．１≦ｃ＋ｄ≦８、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００および１≦ｅ≦１０
なる関係式を満たす数値であってもよい。
【００２１】
ＺはＩＶａ族、Ｖａ族及びＣｒから選ばれる少なくとも１種の元素を含んでもよい。
【００２２】
ＸはＳｉ及びＧｅから選ばれる少なくとも１種の元素を含み、ａ、ｂ、ｃおよびｄは、０．１≦ｂ≦２３、０．１≦ｃ≦８、ａ＋ｂ＋ｃ＝１００および１≦ｄ≦１０　なる関係式を満たす数値であってもよい。
【００２３】
前記金属磁性薄膜は、（ＦｅａＳｉｂＡｌｃＴｉｄ）１００−ｅ−ｆＮｅＯｆで示される組成を有し、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅおよびｆは、
１０≦ｂ≦２３、０．１≦ｄ≦５、０．１≦ｃ＋ｄ≦８、
ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００、１≦ｅ＋ｆ≦１０および０．１≦ｆ≦５
なる関係式を満たす数値であってもよい。
【００２４】
前記下地膜は、Ａｌ、Ｓｉの酸化物、窒化物およびその混合物のいずれかを含んでもよい。
【００２５】
前記下地膜は、前記磁気コア半体に接する下地層Ａと、前記金属磁性薄膜に接する下地層Ｂとを含み、前記下地層Ａは、Ａｌ、Ｓｉの酸化物、窒化物およびその混合物のいずれかを含み、前記下地層Ｂは、前記金属磁性薄膜の主構成元素と、前記金属磁性薄膜より多くの酸素または窒素を含み、前記下地層Ｂは、結晶粒を含み、前記結晶粒の平均粒径は、少なくとも前記下地層Ｂが前記下地層Ａに接する界面近傍において、５ｎｍ以下であってもよい。
【００２６】
前記下地層Ａは、Ａｌ酸化物を含み、前記下地層Ａの厚みは、０．５ｎｍ以上４ｎｍ以下であり、前記下地層Ｂの厚みは、０．５ｎｍ以上２００ｎｍ以下であってもよい。
【００２７】
前記酸化物磁性体は、単結晶フェライトを含み、前記単結晶フェライトは、前記一対の磁気コア半体が前記非磁性材料を介して接合する面に対応する接合面と前記一対の磁気コア半体が被記録媒体と摺動する面に対応する摺動面とを有してもよい。
【００２８】
前記単結晶フェライトは、Ａｍｏｌ％のＦｅ２Ｏ３と、Ｂｍｏｌ％のＭｎＯと、Ｃｍｏｌ％のＺｎＯとから構成されるＭｎＺｎ単結晶フェライトを含み、Ａ、ＢおよびＣは、
５２≦Ａ≦５７、５≦Ｂ≦２９、１６≦Ｃ≦２１
なる関係式を満たす数値であってもよい。
【００２９】
前記磁気コア半体は、前記一対の磁気コア半体が前記非磁性材料を介して接合する面に対応する接合面と前記一対の磁気コア半体が被記録媒体と摺動する面に対応する摺動面とを有し、前記少なくとも１つの磁気コア半体は、前記巻き線窓を形成する底面と前記巻き線窓を形成する第１側面とを有し、前記第１側面は、前記底面から前記接合面に向かって形成され、前記第１側面は、前記底面に対して前記摺動面側に形成され、前記第１側面と前記接合面とのなす角度は、２２．５゜以上７０゜以下であってもよい。
【００３０】
前記巻き線窓は、前記磁気コア半体の一方にのみ形成され、前記第１側面と前記接合面とのなす角度は、４５゜以上７０゜以下であってもよい。
【００３１】
前記巻き線窓は、前記磁気コア半体の双方に形成され、前記第１側面と前記接合面とのなす角度は、２２．５゜以上５０゜以下であってもよい。
【００３２】
前記第１側面は、前記接合面に隣接して形成される第２側面と前記底面に隣接して形成される第３側面とを有し、前記第２側面と前記接合面とのなす角度は、２２．５゜以上７０゜以下であり、前記第３側面と前記底面とのなす角度は、実質的に９０°であってもよい。
【００３３】
前記巻き線窓は、前記磁気コア半体の一方にのみ形成され、前記第２側面と前記接合面とのなす角度は、４５゜以上７０゜以下であってもよい。
【００３４】
前記巻き線窓は、前記磁気コア半体の双方に形成され、前記第２側面と前記接合面とのなす角度は、２２．５゜以上５０゜以下であってもよい。
【００３５】
前記金属磁性薄膜は、（ＦｅａＳｉｂＡｌｃＴｉｄ）１００−ｅ−ｆＮｅＯｆで示される組成を有し、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅおよびｆは、
１０≦ｂ≦１３、１≦ｃ≦３、１≦ｄ≦３、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００、４≦ｅ＋ｆ≦１０、０．１≦ｆ≦２
なる関係式を満たす数値であってもよい。
【００３６】
前記酸化物磁性体は、前記一対の磁気コア半体が前記非磁性材料を介して接合する面に対応する接合面と前記接合面に連続した側面とを有し、前記接合面と前記側面とがなす角度が７０゜以上９０゜以下であり、前記金属磁性薄膜は、前記接合面と前記側面とのうち前記接合面にのみ形成されてもよい。
【００３７】
本発明に係る磁気ヘッドの製造方法は、一対の磁気コア半体と、前記一対の磁気コア半体の間に形成され前記一対の磁気コア半体を接合する非磁性材料とを備え、前記一対の磁気コア半体のそれぞれは、酸化物磁性体と、前記酸化物磁性体のそれぞれの上に形成される少なくとも１層の下地膜と、前記下地膜のそれぞれと前記非磁性材料との間に形成される金属磁性薄膜とを備え、前記金属磁性薄膜は、平均体積Ｖａと平均表面積Ｓａとが、Ｓａ＞４．８４Ｖａ２／３を満たす磁性結晶粒を母相とする磁性膜を含む磁性薄膜であり、前記磁気コア半体の少なくとも一方には巻き線窓が形成され、前記金属磁性薄膜は、前記金属磁性薄膜内に発生する好ましくない内部応力により前記酸化物磁性体が割れないように形成され、前記金属磁性薄膜は、（ＭａＸ１ｂＺ１ｃ）１００−ｄＡｄで示される組成を有し、前記金属磁性薄膜は、磁性結晶粒を含み、前記磁性結晶粒は、略針状体、略柱状体またはこれらの組み合わせからなる多枝形状体を含み、前記磁性結晶粒の短手方向の結晶サイズの平均ｄＳおよび長手方向の結晶サイズの平均ｄＬが５ｎｍ＜ｄＳ＜６０ｎｍ、６０ｎｍ＜ｄＬ＜５０００ｎｍを満たし、ＭはＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉから選ばれる少なくとも１種の磁性金属元素を含み、Ｘ１はＳｉ、Ａｌ、Ｇａ及びＧｅから選ばれる少なくとも１種の元素を含み、Ｚ１はＩＶａ族、Ｖａ族、Ａｌ、Ｇａ及びＣｒから選ばれる少なくとも１種の元素を含み、ＡはＯおよびＮの少なくとも１種の元素を含み、ａ、ｂ、ｃおよびｄは、０．１≦ｂ≦２６、０．１≦ｃ≦５、ａ＋ｂ＋ｃ＝１００および１≦ｄ≦１０なる関係式を満たす数値である磁気ヘッドの製造方法であって、一対の略平板形状の前記酸化物磁性体の少なくとも一方に巻き線窓を形成する巻き線窓形成工程と、前記酸化物磁性体上に少なくとも１層の下地膜を形成する下地膜形成工程と、前記下地膜上に、前記金属磁性薄膜の主構成元素からなる固体原料を用いて、酸素、窒素の少なくとも一方を含む雰囲気下において前記金属磁性薄膜を気相法で形成する金属磁性薄膜形成工程と、前記金属磁性薄膜の幅がトラック幅に対応するように、前記金属磁性薄膜が形成された前記酸化物磁性体に溝を形成するトラック加工工程と、前記非磁性材料を介して、前記一対の酸化物磁性体を突き合わせて接合する接合工程とを包含し、そのことにより上記目的が達成される。
【００３８】
前記工程のそれぞれは、前記巻き線窓形成工程、前記下地膜形成工程、前記金属磁性薄膜形成工程、前記トラック加工工程、前記接合工程の順番に実行されてもよい。
【００３９】
前記工程のそれぞれは、前記下地膜形成工程、前記金属磁性薄膜形成工程、前記巻き線窓形成工程、前記トラック加工工程、前記接合工程の順番に実行されてもよい。
【００４０】
本発明に係るビデオは、本発明に係る磁気ヘッドを搭載したシリンダと、前記シリンダに磁気テープを巻き付けるヘッドテープインターフェース機構と、前記シリンダを駆動するシリンダ駆動部と、前記シリンダに巻き付けられた前記磁気テープを駆動する磁気テープ駆動部とを備え、そのことにより上記目的が達成される。
【００４１】
本発明に係るムービーは、本発明に係る磁気ヘッドを搭載したシリンダと、前記シリンダに磁気テープを巻き付けるヘッドテープインターフェース機構と、前記シリンダを駆動するシリンダ駆動部と、前記シリンダに巻き付けられた前記磁気テープを駆動する磁気テープ駆動部と、映像信号を電気信号に変換する光学系と、前記光学系により変換された前記電気信号を前記磁気ヘッドへ出力する信号処理回路とを備え、そのことにより上記目的が達成される。
【００４２】
磁気ヘッドの構成をこのような構成にすることにより、一つの磁性結晶粒の体積に対する表面積の割合が大きくなるため、粒間で及ぼしあう交換結合の影響が大きくなり、従来の微結晶系材料より大きな粒サイズにおいても軟磁気特性が向上する。また、結晶粒が大きいために、熱処理による粒成長が抑制され、組成中の耐食性元素が金属磁性結晶内に固溶したまま残存する比率が高くなり、高い飽和磁束密度と耐食性の両立が可能になる。また、被記録媒体と摺動する面では、磁気コア半体の接合面に連続した面に金属磁性薄膜が形成されていないため、前記接合面の端、いわゆるトラックエッジへの応力集中による破壊を防ぐことが出来、磁気ヘッド特性の劣化を防ぐことが出来る。
【００４３】
このように本発明によれば、（ＭａＸｂＺｃ）１００−ｄＡｄで示される組成を有し、かつ、その母相をなす磁性結晶粒が略針状体、略柱状体またはこれらの組み合わせからなる多枝形状体からなり、結晶粒の短手方向の結晶サイズの平均ｄＳおよび長手方向の結晶サイズの平均ｄＬが５ｎｍ＜ｄＳ＜６０ｎｍ、６０ｎｍ＜ｄＬ＜５０００ｎｍを満たす金属磁性薄膜、ただし、ＭはＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉから選ばれる少なくとも１種の磁性金属元素であり、ＸはＳｉ、Ａｌ、Ｇａ及びＧｅから選ばれる少なくとも１種の元素を含み、ＺはＩＶａ族、Ｖａ族、Ａｌ、Ｇａ及びＣｒから選ばれる少なくとも１種の元素を含み、ＡはＯおよびＮの少なくとも１種の元素であり、ａ、ｂ、ｃ、ｄは、
０．１≦ｂ≦２６　０．１≦ｃ≦５　ａ＋ｂ＋ｃ＝１００　１≦ｄ≦１０
なる関係式を満たす数値である金属磁性薄膜を用いたメタル−イン−ギャップ（Ｍｅｔａｌ　Ｉｎ　Ｇａｐ）タイプの磁気ヘッドにおいて、ヘッドの構造を、磁気ヘッドの被記録媒体と摺動する面において、磁気コアの接合面に連続した面に金属磁性薄膜が形成されていない形状にすることにより、ヘッド特性と耐食性を向上し、かつフェライト割れによるヘッドの不良率を低減することができる。
【００４４】
【発明の実施の形態】
（実施の形態１）
図１Ａ〜図１Ｅに実施の形態１に係る磁気ヘッド１００の模式図を示す。図１Ａは磁気ヘッド１００をヘッド先端すなわち、テープ摺動面側から見た図である。図１Ｂは、図１Ａ中に矢印Ａ１で示した方向から見た断面図である。実施の形態１に係る磁気ヘッド１００の加工工程の内、特に実施の形態１に関わる部分の工程を図２Ａ〜図２Ｄに示す。
【００４５】
図１Ａ〜図１Ｂを参照して、磁気ヘッド１００は、一対の磁気コア半体ＭＣ１、ＭＣ２と、一対の磁気コア半体ＭＣ１、ＭＣ２の間に形成され一対の磁気コア半体ＭＣ１、ＭＣ２を接合する非磁性材料Ｎ３と接合ガラスＧ３とを備える。一対の磁気コア半体ＭＣ１、ＭＣ２のそれぞれは、フェライトＦ３Ａ、Ｆ３Ｂと、フェライトＦ３Ａ、Ｆ３Ｂのそれぞれの上に形成される下地膜（図示せず）と、下地膜（図示せず）のそれぞれと非磁性材料Ｎ３との間に形成される金属磁性薄膜ＦＭ３とを備える。磁気コア半体ＭＣ１には巻き線窓２１Ａが形成される。
【００４６】
図１Ａを参照して、フェライトＦ３Ａ、Ｆ３Ｂのそれぞれは、非磁性材料Ｎ３に対応する接合面Ｓ１と接合面Ｓ１に連続した側面Ｓ２、Ｓ３とを有する。金属磁性薄膜ＦＭ３は、接合面Ｓ１にのみ形成され、側面Ｓ２、Ｓ３には形成されない。接合面Ｓ１と側面Ｓ２とのなす角度および接合面Ｓ１と側面Ｓ３とのなす角度は、７０°以上９０°以下である。
【００４７】
側面Ｓ２、Ｓ３に金属磁性薄膜ＦＭ３が形成されると、側面Ｓ２、Ｓ３に形成された金属磁性薄膜ＦＭ３内に好ましくない内部応力が発生する。金属磁性薄膜ＦＭ３内に内部応力が発生すると、フェライトＦ３Ａ、Ｆ３Ｂが割れる原因となる。このように金属磁性薄膜ＦＭ３は、金属磁性薄膜ＦＭ３内に発生する好ましくない内部応力によりフェライトＦ３Ａ、Ｆ３Ｂが割れないように形成される。フェライトＦ３Ａ、Ｆ３Ｂのそれぞれは、単結晶フェライトを含む。単結晶フェライトは、Ａｍｏｌ％のＦｅ２Ｏ３と、Ｂｍｏｌ％のＭｎＯと、Ｃｍｏｌ％のＺｎＯとから構成されるＭｎＺｎ単結晶フェライトを含み、Ａ、ＢおよびＣは、
５２≦Ａ≦５７、５≦Ｂ≦２９、１６≦Ｃ≦２１
なる関係式を満たす数値である。単結晶フェライトは、Ｃａ酸化物、Ｎｉ酸化物またはＣｕ酸化物をさらに含み得る。
【００４８】
図１Ｃおよび図１Ｄは、実施の形態１に係る磁気ヘッドの変形例の断面図を示す。図１Ｃに示す磁気ヘッド１００Ａでは、一対の磁気コア半体ＭＣ１の双方に巻き線窓が形成される。図１Ｄに示す磁気ヘッド１００Ｂでは、一対の磁気コア半体ＭＣ３の双方に巻き線窓が形成される。
【００４９】
図２Ａ〜図２Ｄおよび図３Ｃを参照して、実施の形態１の磁気ヘッド１００、１００Ａ、１００Ｂの製造方法を説明する。磁気ヘッド１００Ｂの製造方法を例に挙げて説明する。磁気ヘッド１００、１００Ａは、同様の製造方法に適切な変更を加えることにより得られる。
【００５０】
図２Ａに示す各面Ｓ２１、Ｓ２２およびＳ２３の結晶方位が略（１００）面である直方体のＭｎＺｎフェライトの単結晶を図２Ｂに示す形状に加工する。面Ｓ２１を研磨した後、加工変質層を除去し、巻き線窓２１を形成する（Ｓ１０１）。なお図１Ｂに示す磁気コア半体ＭＣ２を製造するときは、巻き線窓２１は形成されない。
【００５１】
ヘッド特性上、面Ｓ２１は（１００）面、面Ｓ２２および面Ｓ２３は（１００）面もしくは（１１０）面である時、好ましい結果が得られる。使用時の磁気テープとの摩耗特性の点から、面Ｓ２３は（１００）面の時より好ましい結果が得られる。面Ｓ２１および面Ｓ２３が（１００）面だと面Ｓ２２は必然的に（１００）面になる。
【００５２】
実用上の観点から、各面Ｓ２１、Ｓ２２およびＳ２３を厳密に（１００）面、（１１０）面とすることは困難であるが、各結晶方位に対して±４゜以内にすると実質上同等の効果が得られる。
【００５３】
図２Ｂに示す巻き線窓２１の形状を拡大した断面図を図３Ａに示す。一般的な巻き線窓２１Ａの形状としては図３Ｂに示した物がある。接合面付近に傾斜をつけ磁束を絞り込むことで磁気ヘッドの特性は向上する。
【００５４】
図３Ｂに示す形状では接合面Ｓ１と第１側面Ｓ１Ａとのなす角θ１と、底面Ｓ１Ｂと第１側面Ｓ１Ａとのなす角θ２とは等しく、θ１＝θ２である。図１Ｂに示した片窓形状の場合には、θ１は４５゜〜７０゜の時、絞り込みの好ましい効果が得られる。図１Ｃに示したような両窓形状の場合には、θ１は２２．５゜〜５０゜の時、絞り込みの好ましい効果が得られる。
【００５５】
巻き線窓２１Ａの大きさは必要な巻き線数を巻くことが出来るように決められる。同じ巻き線数が可能な大きさで比較した時、ヘッド摺動面からみた磁路長が短い方が磁気ヘッドの再生感度は向上する。
【００５６】
絞り込みの効果を持たせながら磁路長を短くするためには、図３Ａに示すように、接合面Ｓ１と第２側面Ｓ１Ｃとのなす角度θ１１と、第３側面Ｓ１Ｄと底面Ｓ１Ｂとのなす角度θ１２とが異なるような形状にすると好ましい効果が得られる。
【００５７】
角度θ１１の範囲は磁束の絞り込みのためであるので図３Ｂの例と同様の範囲の時、好ましい結果が得られる。すなわち、図１Ｂに示した片窓形状の場合には、θ１１は４５゜〜７０゜の時、絞り込みの好ましい効果が得られる。図１Ｃに示したような両窓形状の場合には、θ１１は２２．５゜〜５０゜の時、絞り込みの好ましい効果が得られる。角度θ１２は、図３Ａに示すように、実質的に９０゜の時、巻き線のための大きさを確保しつつ、磁路長を短くできるため、より好ましい効果が得られる。
【００５８】
酸化物であるフェライトＦ３Ａ、Ｆ３Ｂ上に直に金属磁性膜ＦＭ３を作成すると、熱処理の際に酸素の拡散が生じる。このため、面Ｓ１上に下地層ＵＬ１（図１Ａ）としてアルミナを成膜する（Ｓ１０２）。酸素拡散防止のための下地層ＵＬ１としては他に、珪素酸化物、アルミ窒化物、珪素窒化物もしくはその混合物を用いたとき好ましい結果が得られる。下地層ＵＬ１の厚みは０．５ｎｍ以上で酸素拡散防止効果が得られる。厚ければ厚いほど酸素拡散の防止効果が得られるが、上記の物質は非磁性であり、厚すぎると磁束が漏れる効果により磁気ヘッドの特性は劣化するため４ｎｍ以下にすると好ましい結果が得られる。
【００５９】
下地層ＵＬ１上に金属磁性膜ＦＭ３を形成する（Ｓ１０３）。成膜初期に窒素、酸素の量を増やし、下地層ＵＬ１との界面近傍の平均粒径を５ｎｍ以下とした第２の下地層ＵＬ２（図１Ｅ）を０．５ｎｍ〜２００ｎｍ（好ましくは０．５ｎｍ〜２０ｎｍ）作成した後に、金属磁性膜ＦＭ３を形成するとより好ましい効果が得られる。金属磁性膜ＦＭ３を金属磁性薄膜の主構成元素からなる固体原料を用いて成膜した後の状態を図２Ｃに示す。
【００６０】
金属磁性膜ＦＭ３上に非磁性のギャップ材（図示せず）を作成した後、トラック幅規制のための溝２２を加工する（Ｓ１０４）。溝２２を加工した後の状態を図２Ｄに示す。非磁性材料Ｎ３を形成し、もう一方の磁気コア半体と突き合わせ、不活性ガス中での熱処理で接合ガラスＧ３を流し込み、一対の磁気コア半体を接合する（Ｓ１０５）。所望の形状に切断、研削して外形を加工し（Ｓ１０６）、図１Ａ〜図１Ｅに示す形状を有する磁気ヘッド１００、１００Ａまたは１００Ｂの製造が完了する。
【００６１】
本発明の磁気ヘッドを形成するには、通常の加工手段を用いることが出来る。例えば切断、切削手段としてはレジンボンドダイアモンドブレードや、メタルレジンボンドダイアモンドブレードを用いたダイシングソー、スライシングソー等、研磨手段としてはグリーンカーボン（ＳｉＣ）砥粒や、ダイアモンド砥粒と、鋳鉄や錫製の定盤を用いた回転ラッピング等、あるいは、アルミナやダイアモンド砥粒を、有機樹脂テープ上に分散したラッピングテープを用いた研磨を用いることが出来る。
【００６２】
また必要に応じて、フェライトの加工変質層を除去する手段を用いることが出来る。例えば、リン酸などを用いた酸による表面エッチングや、低加重錫定盤とｐＨを弱酸性に調整したコロイダルシリカ砥粒を用いたメカノケミカルラッピング等を用いることが出来る。
【００６３】
本発明の下地層、及び磁気コア半体を接合する非磁性材料は、通常の気相成膜法で形成することが出来る。例えば、高周波マグネトロンスパッタリング、対向ターゲットスパッタリング、イオンビームスパッタリング、ＥＣＲスパッタリング等に代表されるスパッタリング法や、ＣＶＤ等で成膜する事が出来る。
【００６４】
本発明の構造組成を有する金属磁性薄膜は、低ガス圧雰囲気で形成することができ、例えば高周波マグネトロンスパッタリング、直流スパッタリング、対向ターゲットスパッタリング、イオンビームスパッタリング、ＥＣＲスパッタリング等に代表されるスパッタリング法で成膜する事が出来る。
【００６５】
具体的には、本発明の金属磁性薄膜の組成からの組成ずれを考慮して組成を決定した合金ターゲットを、アルゴン等の不活性ガスを用いてスパッタし基板上に成膜する。あるいは添加物の一部をペレットとして、合金ターゲット上に配置して同時にスパッタする、もしくは添加物の一部をガス状態で装置内に導入し、反応性スパッタにより成膜すればよい。
【００６６】
本発明の一組の磁気コア半体を突き合わせて接合する手段としては、通常のフェライトヘッドやＭＩＧヘッドで用いられる、接合ガラスを用いたガラスボンディングを用いることが出来る。例えば、軟化点が４６０℃から５６０℃の範囲から選ばれる接合ガラスを、不活性ガス雰囲気中、軟化点〜軟化点＋４０℃の範囲から選ばれる温度で熱処理し、接合したい磁気コアの周り、少なくとも２カ所に溶かし込み、固めることにより接合することが出来る。
【００６７】
以上のように実施の形態１によれば、金属磁性薄膜ＦＭ３は接合面Ｓ１にのみ形成され側面Ｓ２、Ｓ３には形成されないので、金属磁性薄膜ＦＭ３内に発生する好ましくない内部応力によりフェライトＦ３Ａ、Ｆ３Ｂが割れる事を防止することができる。
【００６８】
このため、耐食性と入出力特性に優れると共に基材割れを減ずることが出来る磁気ヘッド、磁気ヘッドの製造方法を提供することができる。
【００６９】
（実施の形態２）
実施の形態２に係る磁気ヘッド２００を説明する。
【００７０】
図４Ａ〜図４Ｂは、実施の形態２に係る磁気ヘッド２００の模式図である。図４Ａは、実施の形態２に係る磁気ヘッド２００をヘッド先端、テープと摺動する側から見た図である。図４Ｂは、図４Ａに示した矢印Ａ２の方向から見た磁気ヘッド２００の断面図である。図４Ｃおよび図４Ｄは、実施の形態２に係る磁気ヘッドの変形例の断面図を示す。図４Ｃに示す磁気ヘッド２００Ａでは、一対の磁気コア半体ＭＣ４の双方に巻き線窓２１が形成される。図４Ｄに示す磁気ヘッド２００Ｂでは、一対の磁気コア半体ＭＣ５、ＭＣ６のうち磁気コア半体ＭＣ６に巻き線窓２１が形成される。
【００７１】
実施の形態２に係る磁気ヘッド２００の加工工程のうち、特に実施の形態２に関わる部分の工程を図５Ａ〜図５Ｄに示す。図５Ｅは、実施の形態２の磁気ヘッド２００の製造方法を示すフローチャートである。
【００７２】
実施の形態１と同様のＭｎＺｎフェライトの単結晶を図５Ｂに示す形状に加工し、面Ｓ２１を研磨した後、加工変質層を除去する。酸素拡散防止の下地層ＵＬ１としてアルミナを成膜する（Ｓ２０１）。下地層ＵＬ１として他に実施の形態１で前述したと同様に珪素酸化物、アルミ窒化物、珪素窒化物もしくはその混合物を用いることが出来る。
【００７３】
図５Ｃに示すように、下地層ＵＬ１（図４Ａ）上に金属磁性薄膜ＦＭ３を作成する（Ｓ２０２）。成膜初期に窒素、酸素の量を増やし、下地層ＵＬ１との界面近傍の平均粒径を５ｎｍ以下とした第２の下地層ＵＬ２（図４Ｅ）を０．５ｎｍ〜２０ｎｍ（好ましくは０．５ｎｍ〜２００ｎｍ）作成した後に、金属磁性膜ＦＭ３を作成するとより好ましい効果が得られる。
【００７４】
金属磁性薄膜ＦＭ３上に非磁性のギャップ材（図示せず）を作成した後、図５Ｄに示すように、巻き線窓２１とトラック幅規制のための溝２２とを加工する（Ｓ２０３、Ｓ２０４）。なお図４Ｂ、図４Ｄに示すように、磁気コア半体ＭＣ５を製造するときは、巻き線窓２１は形成されない。
【００７５】
巻き線窓２１は、実施の形態１と同様の形状にする事が出来る。非磁性材料Ｎ３を形成し、もう一方の磁気コア半体と突き合わせ、不活性ガス中での熱処理で接合ガラスＧ３を流し込み、接合する（Ｓ２０５）。所望の形状に切断、研削し（Ｓ２０６）、図４Ａ〜図４Ｄに示す形状を有する磁気ヘッド２００、２００Ａまたは２００Ｂの製造が完了する。
【００７６】
以上のように実施の形態２によれば、金属磁性薄膜ＦＭ３は接合面Ｓ１にのみ形成され側面Ｓ２、Ｓ３には形成されないので、金属磁性薄膜ＦＭ３内に発生する好ましくない内部応力によりフェライトＦ３Ａ、Ｆ３Ｂが割れる事を防止することができる。このため、耐食性と入出力特性に優れると共に基材割れを減ずることが出来る磁気ヘッド、磁気ヘッドの製造方法を提供することができる。
【００７７】
（実施の形態３）
図６は、本発明に係る磁気ヘッド１００を用いたビデオ８００のブロック図である。本発明に係る磁気ヘッド１００は、シリンダ８０１に固定される。映像音声信号の記録再生時には、シリンダ駆動部８０２は、シリンダ８０１を一定速度で回転させる。磁気テープ駆動部８０３は、磁気テープ８０４を一方のリールから他方のリールへ一定の速度で送り出しかつ巻き取る。ヘッドテープインターフェース機構８０５は、磁気テープ８０４をシリンダ８０１に対して斜めに巻き付ける。
【００７８】
シリンダ８０１が回転すると、磁気ヘッド１００は磁気テープ８０４上を一定周期で走査する。記録時には、磁気ヘッド１００は入力された電気信号を磁束に変換し、磁気テープ８０４上の磁性体の磁化状態を変化させて記録する。再生時には、磁気ヘッド１００は磁気テープ８０４から漏れる磁束を電気信号に変換する。
【００７９】
（実施の形態４）
図７は、本発明に係る磁気ヘッド１００を用いたムービー９００のブロック図である。映像音声信号を磁気ヘッド１００により磁気テープ８０４上に記録再生する機構は、実施の形態３と同様である。実施の形態４に係るムービー９００は、映像を電気信号に変換する光学系９０１と、音声を電気信号に変換するマイク９０２と、映像を表示する液晶モニタ９０３とを備える。
【００８０】
記録時には、映像音声信号は磁気ヘッド１００により磁気テープ８０４上に記録され、同時に映像信号は液晶モニタ９０３上に表示される。磁気ヘッド１００により再生された再生信号は、信号処理回路９０４を介して液晶モニタ９０３上に表示され、インターフェース部９０５を介して外部機器（図示せず）に出力される。
【００８１】
以上のように実施の形態４によれば、耐食性と入出力特性に優れると共に基材割れを減ずることが出来る磁気ヘッドを用いたムービーを提供することができる。
【００８２】
（実施例）
以下に実施例を用いて本発明を詳しく説明する。
【００８３】
（実施例１）
比較のための図９Ａ〜図９Ｄに示した従来のヘッド形状（側面膜ＦＭ２Ｂ有）を有する磁気ヘッドと実施の形態１に示す磁気ヘッド（側面膜無し）とを、後述する共通仕様と、表１に示す条件で試作し、録再出力、耐食性、フェライト割れ率を評価した。
【００８４】
表１中、金属磁性薄膜は符号ａａ〜ａｇ、ｂａ〜ｂｇで示した。各符号で示す金属磁性薄膜の組成の詳細は表２にまとめる。耐食性は、作成した磁気ヘッドを塩水噴霧試験にかける前後の録再出力を比較し、劣化の程度により評価した。フェライト割れ率は、作成した磁気ヘッドの内フェライト割れにより、不良になった率により評価した。
【００８５】
【表１】
2004005970.tif 000003
【００８６】
【表２】
2004005970.tif 000004
評価は、Ｎｏ．１で示される従来の磁気ヘッドよりも劣るときは×で示し、Ｎｏ．１で示される従来の磁気ヘッドと同等の時は△で示し、Ｎｏ．１で示される従来の磁気ヘッドよりも改善されているときは○で示し、Ｎｏ．１で示される従来の磁気ヘッドよりも顕著に改善されているときは二重丸で示す。割れ率に関する評価は、数値で示す。録再出力および耐食性に関しては、改善されているとは０〜＋２ｄＢの改善を意味するものとし、顕著に改善されているとは＋２ｄＢ以上の改善を意味するものとする。
【００８７】
金属磁性薄膜は、磁性結晶粒を含み、磁性結晶粒は、略針状体、略柱状体またはこれらの組み合わせからなる多枝形状体を含む。表２におけるｄＳおよびｄＬは、磁性結晶粒の短手方向の結晶サイズの平均ｄＳおよび長手方向の結晶サイズの平均ｄＬを示す。
【００８８】
表２に示すように、長手方向の結晶サイズの平均ｄＬは、５０ｎｍを超える。好ましくは長手方向の結晶サイズの平均ｄＬは、６０ｎｍよりも大きく、５０００ｎｍよりも小さい。磁性結晶粒の短手方向の結晶サイズの平均ｄＳは、５ｎｍよりも大きく、６０ｎｍよりも小さい。
【００８９】
金属磁性薄膜ａａ〜ａｇは、（ＭａＸｂＺｃ）１００−ｄＡｄで示される組成を有する。ＭはＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉから選ばれる少なくとも１種の磁性金属元素を含み、ＸはＳｉ、Ａｌ、Ｇａ及びＧｅから選ばれる少なくとも１種の元素を含み、ＺはＩＶａ族、Ｖａ族、Ａｌ、Ｇａ及びＣｒから選ばれる少なくとも１種の元素を含み、ＡはＯおよびＮの少なくとも１種の元素を含む。
【００９０】
ａ、ｂ、ｃおよびｄは、
０．１≦ｂ≦２６、０．１≦ｃ≦５、ａ＋ｂ＋ｃ＝１００および１≦ｄ≦１０
なる関係式を満たす数値である。
【００９１】
金属磁性膜ａｃ〜ａｇは、（ＦｅａＳｉｂＡｌｃＴｄ）１００−ｅＮｅで示される組成を有し、ＴはＴｉおよびＴａから選ばれる少なくとも１種の元素を含む。
【００９２】
ａ、ｂ、ｃ、ｄおよびｅは、
１０≦ｂ≦２３、０．１≦ｄ≦５、０．１≦ｃ＋ｄ≦８、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００および１≦ｅ≦１０
なる関係式を満たす数値である。
【００９３】
前述した共通仕様の内容を以下に示す。
・ヘッド仕様
トラック幅：１７μｍ
ギャップデプス：１２．５μｍ
ギャップレングス：０．２μｍ
巻き線数：１６
磁性膜厚：４．５μｍ
下地膜：アルミナ２ｎｍ
Ｃ／Ｎ特性：
テープ相対速度＝１０．２ｍ／ｓ
録再周波数＝２０．９ＭＨｚ
テープ：ＭＰテープ
表１に示す実施の形態１のヘッド形状（側面膜無形状）を実施の形態２のヘッド形状に変えても表１と同様の傾向が得られる。
【００９４】
また、表２中のＳｉをＧｅに変えても表１と同様の傾向が得られる。ＡｌをＧａに変えても表１と同様の傾向が得られる。表２中の実施例に示す金属磁性薄膜ａａ、ａｂのＳｉをＡｌに変えても表１と同様の傾向が得られる。
【００９５】
また、表２中のＴａをＴｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｃｒに変えても表１と同様の傾向が得られる。
【００９６】
ここでいう表１と同様の傾向とは、例えば向上した録再出力の数値自身は完全に同じではないが、向上の程度×〜◎の評価は同様の結果が得られるという意味である。
【００９７】
以上の結果から、Ｎｏ．１１〜Ｎｏ．２１で示される磁気ヘッドで録再出力、耐食性、フェライト割れ率の改善が確認された。また特に、Ｎｏ．１４〜Ｎｏ．２１で示される磁気ヘッドを用いた場合には耐食性でより好ましい結果が得られた。また、θ＝９０°の形状の巻き線窓を有するＮｏ．２０およびＮｏ．２１で示される磁気ヘッドの場合、録再出力でより好ましい結果が得られた。
【００９８】
上記実施例のいずれの磁気ヘッドも金属磁性薄膜の構造を観察すると、略針状体、略柱状体またはこれらの組み合わせからなる多枝形状体を有しており、磁性結晶粒の平均体積Ｖａと平均表面積Ｓａとが、Ｓａ＞４．８４Ｖａ２／３という関係を有していることが確認された。
【００９９】
（実施例２）
実施例１と同様の評価を、以下に示す共通仕様と表３に示す条件で試作した磁気ヘッドに関して行った。表３中、金属磁性薄膜は符号ｃａ〜ｃｇ、ｄａ〜ｄｇで示した。表３中の金属磁性薄膜の詳細を表４に示す。
【０１００】
【表３】
2004005970.tif 000005
【０１０１】
【表４】
2004005970.tif 000006
表１と同様に、評価は、Ｎｏ．１で示される従来の磁気ヘッドよりも劣るときは×で示し、Ｎｏ．１で示される従来の磁気ヘッドと同等の時は△で示し、Ｎｏ．１で示される従来の磁気ヘッドよりも改善されているときは○で示し、Ｎｏ．５１で示される従来の磁気ヘッドよりも顕著に改善されているときは二重丸で示す。割れ率に関する評価は、数値で示す。録再出力および耐食性に関しては、改善されているとは０〜＋２ｄＢの改善を意味するものとし、顕著に改善されているとは＋２ｄＢ以上の改善を意味するものとする。
【０１０２】
金属磁性薄膜ｃａ〜ｃｇは、（ＭａＸ１ｂＺ１ｃ）１００−ｄＡｄで示される組成を有する。ＭはＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉから選ばれる少なくとも１種の磁性金属元素を含み、ＸはＳｉ及びＧｅから選ばれる少なくとも１種の元素を含み、Ｚ１はＩＶａ族、Ｖａ族及びＣｒから選ばれる少なくとも１種の元素を含み、ＡはＯおよびＮの少なくとも１種の元素を含む。
【０１０３】
ａ、ｂ、ｃおよびｄは、
０．１≦ｂ≦２３、０．１≦ｃ≦８、ａ＋ｂ＋ｃ＝１００および１≦ｄ≦１０
なる関係式を満たす数値である
金属磁性薄膜ｃｃ、ｃｅは、（ＦｅａＳｉｂＡｌｃＴｉｄ）１００−ｅ−ｆＮｅＯｆで示される組成を有し、
ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅおよびｆは、
１０≦ｂ≦２３、０．１≦ｄ≦５、０．１≦ｃ＋ｄ≦８、
ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００、１≦ｅ＋ｆ≦１０および０．１≦ｆ≦５
なる関係式を満たす数値である。
【０１０４】
前述した共通仕様の内容を以下に示す。
・ヘッド仕様
トラック幅：１７μｍ
ギャップデプス：１２．５μｍ
ギャップレングス：０．２μｍ
巻き線数：１６
磁性膜厚：４．５μｍ
下地膜：アルミナ２ｎｍ
Ｃ／Ｎ特性：
テープ相対速度＝１０．２ｍ／ｓ
録再周波数＝２０．９ＭＨｚ
テープ：ＭＰテープ
表３に示す実施の形態１のヘッド形状（側面膜無形状）を実施の形態２のヘッド形状に変えても表３と同様の傾向が得られる。
【０１０５】
また、表４中のＳｉをＧｅに変えても表３と同様の傾向が得られる。Ａｌ、ＴｉをＧａ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｃｒから選ばれる元素に変えても表３と同様の傾向が得られる。
【０１０６】
ここでいう同様の傾向とは、実施例１で前述したように、例えば録再出力の向上数値自身は完全に同じではないが、向上の程度×〜◎の評価は同様の結果が得られるという意味である。以上の結果により、本発明の効果が確認された。
【０１０７】
上記実施例のいずれの磁気ヘッドも金属磁性薄膜の構造を観察すると、略針状体、略柱状体またはこれらの組み合わせからなる多枝形状体を有しており、磁性結晶粒の平均体積Ｖａと平均表面積Ｓａとが、Ｓａ＞４．８４Ｖａ２／３という関係を有していることが確認された。
【０１０８】
（実施例３）
以下に本発明の実施例３を示す。
【０１０９】
実施の形態１の磁気ヘッドを、後述する共通仕様と、表５に示す条件とで試作し、録再出力、リップルを評価した。表５中、金属磁性薄膜は符号で示した。各符号は表２、表４に示す金属磁性薄膜に付された符号に対応する。
【表５】
2004005970.tif 000007
【表６】
2004005970.tif 000008
【０１１０】
表５において、下地層１とはフェライトに接する側の下地層を意味するものとし、下地層２とは金属磁性膜に接する側の下地層を意味するものとする。Ｎｏ．７３、Ｎｏ．７５、Ｎｏ．７７、Ｎｏ．７９、Ｎｏ．８１、Ｎｏ．８３、Ｎｏ．８５およびＮｏ．８７で示される金属磁性薄膜ａｃを有する磁気ヘッドの評価に関しては、下地層１および下地層２が形成されないＮｏ．７１で示される磁気ヘッドと比較して、同等の時は△で示し、Ｎｏ．７１で示される磁気ヘッドよりも改善されているときは○で示し、Ｎｏ．７１で示される磁気ヘッドよりも顕著に改善されているときは二重丸で示す。リップルに関する評価は、数値で示す。録再出力および耐食性に関しては、改善されているとは０〜＋３ｄＢの改善を意味するものとし、顕著に改善されているとは＋３ｄＢ以上の改善を意味するものとする。
【０１１１】
表５中の下地層２の成膜条件を表６にまとめる。ターゲットとしては金属磁性薄膜用の合金ターゲットを用いて成膜した。
【０１１２】
共通仕様を以下に示す
・ヘッド仕様
トラック幅：１７μｍ
ギャップデプス：１２．５μｍ
ギャップレングス：０．２μｍ
巻き線数：１６
磁性膜厚：４．５μｍ
Ｃ／Ｎ特性：
テープ相対速度＝１０．２ｍ／ｓ
録再周波数＝２０．９ＭＨｚ
テープ：ＭＰテープ
表５中のＡｌをＳｉに変えても同様の傾向が得られた。表６中の窒素を酸素に変えても表５と同様の傾向が得られた。表５中の金属磁性薄膜ａｃ、ｃｃをそれぞれ、表２、表４に示す金属磁性薄膜ａａ〜ａｂ、ａｄ〜ａｇ、金属磁性薄膜ｃａ〜ｃｂ、ｃｄ〜ｃｇに変えても同様の傾向が得られた。
【０１１３】
ここでいう同様の傾向とは、実施例１で前述したように、例えば録再出力の向上数値自身は完全に同じではないが、向上の程度×〜◎の評価は同様の結果が得られるという意味である。以上より本発明の効果が確認された。
【０１１４】
上記実施例のいずれの磁気ヘッドも金属磁性薄膜の構造を観察すると、略針状体、略柱状体またはこれらの組み合わせからなる多枝形状体を有しており、磁性結晶粒の平均体積Ｖａと平均表面積Ｓａとが、Ｓａ＞４．８４Ｖａ２／３という関係を有していることが確認された。
【０１１５】
【発明の効果】
以上のように本発明によれば、耐食性と入出力特性に優れると共に基材割れを減ずることが出来る磁気ヘッド、磁気ヘッドの製造方法、磁気ヘッドを用いたビデオおよび磁気ヘッドを用いたムービーを提供することができる。
【０１１６】
また本発明によれば、金属磁性薄膜の材料特性とＭＩＧヘッドの構造とを互いに最適な物にすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１Ａ】本発明の実施の形態１の磁気ヘッドを摺動面からみた模式図。
【図１Ｂ】本発明の実施の形態１の磁気ヘッドの断面模式図。
【図１Ｃ】本発明の実施の形態１の磁気ヘッドの変形例の断面模式図。
【図１Ｄ】本発明の実施の形態１の磁気ヘッドの他の変形例の断面模式図。
【図１Ｅ】本発明の実施の形態１の第２下地層を含む磁気ヘッドを摺動面からみた模式図。
【図２Ａ】本発明の実施の形態１の磁気ヘッド製造過程の模式図。
【図２Ｂ】本発明の実施の形態１の磁気ヘッド製造過程の模式図。
【図２Ｃ】本発明の実施の形態１の磁気ヘッド製造過程の模式図。
【図２Ｄ】本発明の実施の形態１の磁気ヘッド製造過程の模式図。
【図３Ａ】本発明の実施の形態１の磁気ヘッドの巻き線溝形状の拡大図。
【図３Ｂ】本発明の実施の形態１の磁気ヘッドの巻き線溝形状の変形例の拡大図。
【図３Ｃ】本発明の実施の形態１の磁気ヘッドの製造方法を示すフローチャート。
【図４Ａ】本発明の実施の形態２の磁気ヘッドを摺動面からみた模式図。
【図４Ｂ】本発明の実施の形態２の磁気ヘッドの断面模式図。
【図４Ｃ】本発明の実施の形態２の磁気ヘッドの変形例の断面模式図。
【図４Ｄ】本発明の実施の形態２の磁気ヘッドの他の変形例の断面模式図。
【図４Ｅ】本発明の実施の形態２の第２下地層を含む磁気ヘッドを摺動面からみた模式図。
【図５Ａ】本発明の実施の形態２の磁気ヘッド製造過程の模式図。
【図５Ｂ】本発明の実施の形態２の磁気ヘッド製造過程の模式図。
【図５Ｃ】本発明の実施の形態２の磁気ヘッド製造過程の模式図。
【図５Ｄ】本発明の実施の形態２の磁気ヘッド製造過程の模式図
【図５Ｅ】本発明の実施の形態２の磁気ヘッドの製造方法を示すフローチャート。
【図６】本発明に係る磁気ヘッドを用いたビデオのブロック図。
【図７】本発明に係る磁気ヘッドを用いたムービーのブロック図。
【図８】従来のフェライトヘッドの模式図。
【図９Ａ】従来のＭＩＧヘッドの模式図。
【図９Ｂ】従来のＭＩＧヘッドにおける磁気コア半体の平面図。
【図９Ｃ】従来のＭＩＧヘッドにおける磁気コア半体の斜視図。
【図９Ｄ】従来のＭＩＧヘッドにおける磁気コア半体の断面図。
【符号の説明】
Ｇ１、Ｇ２、Ｇ３　接合ガラス
Ｎ１、Ｎ２、Ｎ３　非磁性ギャップ
Ｆ３Ａ、Ｆ３Ｂ、Ｆ３Ｃ　フェライト
ＦＭ２、ＦＭ３　磁性金属薄膜
Ｓ１　接合面
Ｓ１Ａ　第１側面
Ｓ１Ｂ　底面
Ｓ１Ｃ　第２側面
Ｓ１Ｄ　第３側面
【図１Ａ】
2004005970.tif 000009
【図１Ｂ】
2004005970.tif 000010
【図１Ｃ】
2004005970.tif 000011
【図１Ｄ】
2004005970.tif 000012
【図１Ｅ】
2004005970.tif 000013
【図２Ａ】
2004005970.tif 000014
【図２Ｂ】
2004005970.tif 000015
【図２Ｃ】
2004005970.tif 000016
【図２Ｄ】
2004005970.tif 000017
【図３Ａ】
2004005970.tif 000018
【図３Ｂ】
2004005970.tif 000019
【図３Ｃ】
2004005970.tif 000020
【図４Ａ】
2004005970.tif 000021
【図４Ｂ】
2004005970.tif 000022
【図４Ｃ】
2004005970.tif 000023
【図４Ｄ】
2004005970.tif 000024
【図４Ｅ】
2004005970.tif 000025
【図５Ａ】
2004005970.tif 000026
【図５Ｂ】
2004005970.tif 000027
【図５Ｃ】
2004005970.tif 000028
【図５Ｄ】
2004005970.tif 000029
【図５Ｅ】
2004005970.tif 000030
【図６】
2004005970.tif 000031
【図７】
2004005970.tif 000032
【図８】
2004005970.tif 000033
【図９Ａ】
2004005970.tif 000034
【図９Ｂ】
2004005970.tif 000035
【図９Ｃ】
2004005970.tif 000036
【図９Ｄ】
2004005970.tif 000037