(57)【要約】【課題】小型化が可能であり、さらに外部端子の位置の自由度を向上させた圧電部品およびその製造方法を提供する。【解決手段】圧電基板に形成されたＩＤＴ２および該ＩＤＴ２と接続されている導通パッド３を有するＳＡＷ素子６と、導通パッド用貫通孔１８を有する接合基板２０とが、上記ＩＤＴ２と対向するように、接着層２１により接着されている弾性表面波装置である。上記ＩＤＴ２などの弾性表面波の励振部分を保護する励振部分保護用中空構造１６により保護空間を形成している。また、上記導通パッド用貫通孔１８を介して上記導通パッド３と接続されている外部端子２２が導通パッド用貫通孔１８からずれた位置にある。【選択図】　図３
2004129222.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成された少なくとも一つの振動部および該振動部に接続されている素子配線を有する圧電素子と、貫通孔を有する接合基板とが、上記振動部と対向するように、接着層により接着されている圧電部品であって、
上記振動部の保護空間を有し、
上記貫通孔に形成された外部端子接続部材を介して上記素子配線に接続されている外部端子が貫通孔からずれた位置にあることを特徴とする圧電部品。
【請求項２】
基板上に形成された少なくとも一つの振動部および該振動部に接続されている素子配線を有する圧電素子と、貫通孔を有する接合基板とが、上記振動部と対向するように、接着層により接着されている圧電部品であって、
上記振動部の保護空間を有し、
上記接着層と接合基板との間に上記素子配線に接続されている第一配線を有し、上記貫通孔に形成された外部端子接続部材を介して該第一配線と外部端子とが接続されていることを特徴とする圧電部品。
【請求項３】
上記第一配線は、キャパシタンスまたはインダクタのいずれかを備えることを特徴とする請求項２に記載の圧電部品。
【請求項４】
基板上に形成された少なくとも一つの振動部および該振動部に接続されている素子配線を有する圧電素子と、貫通孔を有する接合基板とが、上記振動部と対向するように、接着層により接着されている圧電部品であって、
上記振動部の保護空間を有し、
上記接合基板上に上記素子配線に接続されている第二配線を有し、接合基板上には第二配線の一部が露出するように設けられた絶縁層開口部を有する上部絶縁層を有し、
上記絶縁層開口部に形成された外部端子接続部材を介して第二配線と上部絶縁層上に形成された外部端子とが接続されていることを特徴とする圧電部品。
【請求項５】
上記第二配線は、キャパシタンスまたはインダクタのいずれかを備えることを特徴とする請求項４に記載の圧電部品。
【請求項６】
上記保護空間は、接着層の厚さにより確保されていることを特徴とする請求項１ないし５のいずれかに記載の圧電部品。
【請求項７】
上記保護空間は、上記接合基板の振動部と対向する面に形成されている凹部であることを特徴とする請求項１ないし５のいずれかに記載の圧電部品。
【請求項８】
上記接着層は、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、紫外線硬化性樹脂のいずれかからなることを特徴とする請求項１ないし７のいずれか１項に記載の圧電部品。
【請求項９】
上記接着層は、接着剤からなり、さらに該接着剤からなる接着層と圧電素子との間に、樹脂層を有することを特徴とする請求項１ないし７のいずれか１項に記載の圧電部品。
【請求項１０】
上記接合基板は、ガラス、水晶、溶融石英などのウェットエッチング可能な材料からなることを特徴とする請求項１ないし９のいずれか１項に記載の圧電部品。
【請求項１１】
上記圧電素子は、基板に形成されたくし型電極部からなる振動部を有する弾性表面波素子であることを特徴とする、請求項１ないし１０のいずれか１項に記載の圧電部品。
【請求項１２】
上記圧電素子は、開口部または凹部を有する基板の該開口部又は凹部上に形成されている、少なくとも１層以上の圧電薄膜を有する薄膜部の上下面を少なくとも一対の上部電極および下部電極を対向させて挟む構造の振動部を有する圧電薄膜素子であることを特徴とする、請求項１ないし１０のいずれか１項に記載の圧電部品。
【請求項１３】
上記圧電素子は、基板上に形成されている少なくとも１層以上の圧電薄膜を有する薄膜部の上下面を少なくとも一対の上部電極および下部電極を対向させて挟む構造の振動部を有し、且つ、基板と振動部における下部電極の間には空間を有する圧電薄膜素子であることを特徴とする請求項１ないし１０のいずれか１項に記載の圧電部品。
【請求項１４】
基板上に形成された少なくとも一つの振動部および該振動部に接続されている素子配線を有する圧電素子と、貫通孔を有する接合基板とが、上記振動部と対向するように、接着層により接着されている圧電部品の製造方法であって、
上記基板に少なくとも一つの振動部および該振動部に接続されている素子配線を形成して圧電素子を作製する工程と、
上記接合基板に貫通孔を形成する工程と、
上記圧電素子と上記接合基板とを、接着層により上記振動部の保護空間を確保するように接着する工程と、
上記貫通孔を介して上記素子配線に接続される外部端子接続部材を形成する工程と、
上記外部端子接続部材に接続される外部端子を形成する工程とを含むことを特徴とする圧電部品の製造方法。
【請求項１５】
上記圧電素子と上記接合基板とを、接着層により上記振動部の保護空間を確保するように接着する工程において、上記素子配線と上記貫通孔との位置合わせを行なうことを特徴とする請求項１４に記載の圧電部品。
【請求項１６】
基板上に形成された少なくとも一つの振動部および該振動部に接続されている素子配線を有する圧電素子と、貫通孔を有する接合基板とが、上記振動部と対向するように、接着層により接着されている圧電部品の製造方法であって、
基板に少なくとも一つの振動部及び該振動部に接続されている素子配線を形成して圧電素子を作製する工程と、
上記圧電素子と上記接合基板とを、接着層により上記振動部の保護空間を確保するように接着する工程と、
上記接合基板に貫通孔を形成する工程と、
上記貫通孔を介して上記素子配線に接続させるように外部端子接続部材を形成する工程と、
上記外部端子接続部材に接続させるように外部端子を形成する工程とを含むことを特徴とする圧電部品の製造方法。
【請求項１７】
上記振動部の保護空間を上記接合基板に凹部を形成することにより確保することを特徴とする請求項１４ないし１６のいずれか１項に記載の圧電部品の製造方法。
【請求項１８】
上記貫通孔を、レジストパターンを用いてウェットエッチングにより形成することを特徴とする請求項１４ないし１７のいずれか１項に記載の圧電部品の製造方法。
【請求項１９】
上記貫通孔をレーザーエッチングまたはサンドブラスト処理により形成することを特徴とする請求項１４ないし１８のいずれか１項に記載の圧電部品の製造方法。
【請求項２０】
金属の蒸着により上記外部端子接続部材および／または外部端子を形成することを特徴とする請求項１４ないし１９のいずれか１項に記載の圧電部品の製造方法。
【請求項２１】
導電性ペーストを印刷した後、焼結することにより上記外部端子接続部材および／または外部端子を形成することを特徴とする請求項１４ないし１９のいずれか１項に記載の圧電部品の製造方法。
【請求項２２】
貫通孔に導電性ペーストを印刷した後に、導電性ペーストにより配線を形成して上記外部端子を形成することを特徴とする請求項１４ないし１９のいずれか１項に記載の圧電部品の製造方法。
【請求項２３】
複数の上記圧電素子を備える集合基板を形成し、上記接合基板を集合基板に接着した後にダイシングすることを特徴とする請求項１４ないし２２のいずれか１項に記載の圧電部品の製造方法。
【請求項２４】
上記接合基板が上記集合基板よりも小さいことを特徴とする請求項２３に記載の圧電部品の製造方法。
【請求項２５】
上記圧電素子は、基板に形成されたくし型電極部からなる振動部を有する弾性表面波素子であることを特徴とする、請求項１４ないし２４のいずれか１項に記載の圧電部品の製造方法。
【請求項２６】
上記圧電素子は、開口部または凹部を有する基板の該開口部又は凹部上に形成されている、少なくとも１層以上の圧電薄膜を有する薄膜部の上下面を少なくとも一対の上部電極および下部電極を対向させて挟む構造の振動部を有する圧電薄膜素子であることを特徴とする、請求項１４ないし２４のいずれか１項に記載の圧電部品の製造方法。
【請求項２７】
上記圧電素子は、基板上に形成されている少なくとも１層以上の圧電薄膜を有する薄膜部の上下面を少なくとも一対の上部電極および下部電極を対向させて挟む構造の振動部を有し、且つ、基板と振動部における下部電極の間には空間を有する圧電薄膜素子であることを特徴とする、請求項１４ないし２４のいずれか１項に記載の圧電部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば、遅延線、フィルタ等に用いられる弾性表面波装置および圧電薄膜フィルタ等の圧電部品およびその製造方法に関し、特に、チップサイズにパッケージングされた圧電部品およびその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年の電子機器の小型化、軽量化により、電子部品に対しても多機能化が要求されている。このような背景の中、携帯電話機等の通信装置に使用される弾性表面波装置としての弾性表面波フィルタ（以下ＳＡＷフィルタという）および圧電薄膜共振子を利用した圧電フィルタ等の圧電部品に対しても同様に小型化、軽量化が求められている。
【０００３】
圧電フィルタは、開口部若しくは凹部を有するＳｉ基板と、該開口部若しくは凹部上に形成されている少なくとも１層以上の圧電薄膜（例えば、ＺｎＯやＡｌＮからなる）を有する薄膜部の上下面を少なくとも一対の上部電極および下部電極を対向させて挟む構造の振動部とを有する圧電共振子、またはＳｉ基板に開口部や凹部を設けることなく、下部電極とＳｉ基板との間に空間を形成してなる圧電共振子を梯子型またはラティス型に構成してなっている。このような圧電フィルタにおいては、振動部で発生する厚み縦振動を利用するため、振動空間を確保すると共に、振動部を水分や埃などから保護する必要がある。
【０００４】
また、弾性表面波フィルタは、水晶やＬｉＴａＯ３、ＬｉＮｂＯ３等の圧電基板上にＡｌなどの金属からなる１対のくし型電極部（インターデジタルトランスデューサ、以下、ＩＤＴと略記する）を配置してなっている。このような弾性表面波フィルタにおいては、くし型電極部や圧電基板の弾性表面波の伝搬部分などの振動空間を確保すると共に、くし型電極部を水分や埃などから保護する必要がある。
【０００５】
上記の圧電フィルタおよび弾性表面波フィルタでは、アルミナなどのセラミックからなるパッケージの底面にダイボンド剤を塗布し、圧電フィルタおよび弾性表面波フィルタの素子をダイボンドでパッケージに搭載し、パッケージ内部の端子と素子の電極とをワイヤボンディングにより接続した後、パッケージをリッドによって封止されていた。また、上記の圧電フィルタおよび弾性表面波フィルタは、小型化のために、アルミナなどからなるパッケージの底面に電極ランドを形成し、圧電フィルタおよび弾性表面波フィルタの素子をダイボンドでパッケージにフリップチップボンディングで搭載し、パッケージをリッドによって封止することも行われていた。
【０００６】
しかし、上記のような構造では、圧電フィルタおよび弾性表面波フィルタの素子を小型化したところで、パッケージが小型化されない限り、圧電フィルタおよび弾性表面波フィルタの小型化・低背化ができないという問題があった。また、小型のパッケージにかかるコストが高いという問題もあった。またさらに、特に圧電フィルタでは、振動部が基板の開口部若しくは凹部に形成されているため、素子のダイシング、実装時の素子のピックアップ、ダイボンドなどの工程における衝撃によって、振動部の破壊が発生するという問題があった。
【０００７】
これに対し、例えば、特許文献１、特許文献２および特許文献３では、バンプによる実装が行われている。これらの公報によれば、ベース基板に形成したバンプをＳＡＷ素子とを接着するフリップチップ実装で、ワイヤボンディングに必要な空間をなくすことによりＳＡＷフィルタの小型化が図られている。しかしながら、ＳＡＷ素子にはバンプに対する導通パッドを形成する必要があり、ＳＡＷ素子の有効面積が小さくなるため、小型化が困難である。また、バンプ形成のコストがかかる。
【０００８】
そこで、特許文献４では、ＳＡＷ素子を、ＳＡＷ素子の引き出し電極に対向する貫通孔を形成したベース基板に搭載し、貫通孔に導電剤を充填して、外部回路接続部を形成している。これにより、ＳＡＷフィルタの小型化が行われている。
【０００９】
【特許文献１】
特開２００１−９４３９０号公報
【００１０】
【特許文献２】
特開平１１−１５０４４１号公報
【００１１】
【特許文献３】
特開２００１−６０６４２号公報
【００１２】
【特許文献４】
特開２００１−２４４７８５号公報
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、特許文献４に記載の構成ではＳＡＷ素子の引き出し電極と、ベース基板の貫通孔とは必ず対向する位置にあるため、その貫通孔に形成される外部端子の位置が固定されている。そのため、外部端子の位置を変更することができないという問題がある。
【００１４】
本発明は、上記従来の問題に鑑みなされたものであり、その目的は、小型化が可能であり、さらに外部端子の位置の自由度を向上させた弾性表面波装置およびその製造方法を提供することにある。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
本発明の圧電部品は、上記の課題を解決するために、基板上に形成された少なくとも一つの振動部および該振動部に接続されている素子配線を有する圧電素子と、貫通孔を有する接合基板とが、上記振動部と対向するように、接着層により接着されている圧電部品であって、上記振動部の保護空間を有し、上記貫通孔に形成された外部端子接続部材を介して上記素子配線に接続されている外部端子が貫通孔からずれた位置にあることを特徴としている。
【００１６】
上記の構成によれば、上記振動部を保護する保護空間を有しているため、バンプ、ワイヤ等の圧電部品を大型化する要素が不要であり、その分の空間を排除でき、小型化された圧電部品を容易に提供することができる。また、上記外部端子の位置は、貫通孔からずれている、つまり、素子配線の位置からずれている。すなわち、上記外部端子の位置は、任意の位置に形成することができ、位置の自由度を向上させることができる。従って、外部回路への接続を容易に行うことができる圧電部品を提供することができる。
【００１７】
さらに、本発明の圧電部品は、上記の課題を解決するために、基板上に形成された少なくとも一つの振動部および該振動部に接続されている素子配線を有する圧電素子と、貫通孔を有する接合基板とが、上記振動部と対向するように、接着層により接着されている圧電部品であって、上記振動部の保護空間を有し、上記接着層と接合基板との間に上記素子配線に接続されている第一配線を有し、上記貫通孔に形成された外部端子接続部材を介して該第一配線と外部端子とが接続されていることを特徴としている。
【００１８】
上記の構成によれば、上記素子配線と上記外部端子とが上記第一配線および外部端子接続部材を介して接続されているので、上記外部端子の位置は、上記第一配線および外部端子接続部材の位置に応じて任意の位置に形成することができ、位置の自由度を向上させることができる。従って、外部回路に接続を容易に行うことができる。
【００１９】
本発明の圧電部品は、上記の構成に加えて、上記第一配線は、キャパシタンスまたはインダクタのいずれかを備えることが好ましい。これにより、別にキャパシタンスまたはインダクタを設ける必要がなく、圧電部品の小型化を図ることができる。
【００２０】
さらに、本発明の圧電部品は、上記の課題を解決するために、基板上に形成された少なくとも一つの振動部および該振動部に接続されている素子配線を有する圧電素子と、貫通孔を有する接合基板とが、上記振動部と対向するように、接着層により接着されている圧電部品であって、上記振動部の保護空間を有し、上記接合基板上に上記素子配線に接続されている第二配線を有し、接合基板上には第二配線の一部が露出するように設けられた絶縁層開口部を有する上部絶縁層を有し、上記絶縁層開口部に形成された外部端子接続部材を介して第二配線と上部絶縁層上に形成された外部端子とが接続されていることを特徴としている。
【００２１】
上記の構成によれば、上記素子配線と上記外部端子とが上記第二配線および外部端子接続部材を介して接続されているので、上記外部端子の位置は、上記第二配線および外部端子接続部材の位置に応じて任意の位置に形成することができ、位置の自由度を向上させることができる。従って、外部回路に接続を容易に行うことができる。
【００２２】
本発明の圧電部品は、上記の構成に加えて、上記第二配線は、キャパシタンスまたはインダクタのいずれかを備えることが好ましい。これにより、別にキャパシタンスまたはインダクタを設ける必要がなく、圧電部品の小型化を図れることができる。
【００２３】
本発明の圧電部品は、上記の構成に加えて、上記保護空間は、接着層の厚さにより確保されていることが好ましい。
【００２４】
本発明の圧電部品は、上記の構成に加えて、上記保護空間は、上記接合基板の振動部と対向する面に形成されている凹部であることが好ましい。
【００２５】
また、本発明の圧電部品は、上記の構成に加えて、上記接着層は、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、紫外線硬化性樹脂のいずれかからなることが好ましい。
【００２６】
また、上記接着層は、接着剤からなり、さらに該接着剤からなる接着層と弾性表面波素子との間に、樹脂若しくは金属層を有することが好ましい。
【００２７】
また、上記接合基板は、ガラス、水晶、溶融石英などのウェットエッチング可能な材料からなることが好ましい。
【００２８】
また、上記圧電素子は、基板に形成されたくし型電極部からなる振動部を有する弾性表面波素子であってよい。
【００２９】
また、上記圧電素子は、開口部または凹部を有する基板の該開口部又は凹部上に形成されている、少なくとも１層以上の圧電薄膜を有する薄膜部の上下面を少なくとも一対の上部電極および下部電極を対向させて挟む構造の振動部を有する圧電薄膜素子であってよい。
【００３０】
また、上記圧電素子は、基板上に形成されている少なくとも１層以上の圧電薄膜を有する薄膜部の上下面を少なくとも一対の上部電極および下部電極を対向させて挟む構造の振動部を有し、且つ、基板と振動部における下部電極の間には空間を有する圧電薄膜素子であってもよい。
【００３１】
本発明の圧電部品の製造方法は、上記課題を解決するために、基板上に形成された少なくとも一つの振動部および該振動部に接続されている素子配線を有する圧電素子と、貫通孔を有する接合基板とが、上記振動部と対向するように、接着層により接着されている圧電部品の製造方法であって、上記基板に少なくとも一つの振動部および該振動部に接続されている素子配線を形成して圧電素子を作製する工程と、上記接合基板に貫通孔を形成する工程と、上記圧電素子と上記接合基板とを、接着層により上記振動部の保護空間を確保するように接着する工程と、上記貫通孔を介して上記素子配線に接続される外部端子接続部材を形成する工程と、上記外部端子接続部材に接続される外部端子を形成する工程とを含むことを特徴としている。
【００３２】
また、上記の方法に加えて、上記圧電素子と上記接合基板とを、接着層により上記くし型電極部の保護空間を確保するように接着する工程において、上記素子配線と上記貫通孔との位置合わせを行なうことが好ましい。
【００３３】
さらに、本発明の圧電部品の製造方法は、上記課題を解決するために、基板上に形成された少なくとも一つの振動部および該振動部に接続されている素子配線を有する圧電素子と、貫通孔を有する接合基板とが、上記振動部と対向するように、接着層により接着されている圧電部品の製造方法であって、基板に少なくとも一つの振動部及び該振動部に接続されている素子配線を形成して圧電素子を作製する工程と、上記圧電素子と上記接合基板とを、接着層により上記振動部の保護空間を確保するように接着する工程と、上記接合基板に貫通孔を形成する工程と、上記貫通孔を介して上記素子配線に接続させるように外部端子接続部材を形成する工程と、上記外部端子接続部材に接続させるように外部端子を形成する工程とを含むことを特徴としている。
【００３４】
上記の方法によれば、上記の保護空間を有しているため、バンプ、ワイヤ等の部品を大型化する要素が不要であり、その分の空間を排除でき、小型化された圧電部品を容易に提供することができる。さらに、バンプの形成、それに対する導通パッド、ワイヤボンディング等の工程がなく工程の簡略化ができる。また、上記外部端子の位置は、任意の位置に形成することができ、位置の自由度を向上させることができる。従って、外部回路への接続を容易に行うことができる。
【００３５】
本発明の圧電部品の製造方法は、上記の方法に加えて、上記振動部の保護空間を上記接合基板に凹部を形成することにより確保することが好ましい。これにより、容易に振動部を保護する空間を形成することができる。
【００３６】
また、本発明の圧電部品の製造方法は、上記の方法に加えて、上記貫通孔を、レジストパターンを用いてウェットエッチングにより形成することが好ましい。これにより、容易に貫通孔を形成することができる。
【００３７】
また、本発明の圧電部品の製造方法は、上記の方法に加えて、上記貫通孔をレーザーエッチングまたはサンドブラスト処理により形成してもよい。これにより、容易に貫通孔を形成することができる。
【００３８】
また、本発明の圧電部品の製造方法は、上記の方法に加えて、金属の蒸着により上記外部端子接続部材および／または外部端子を形成してもよい。
【００３９】
また、本発明の圧電部品の製造方法は、上記の方法に加えて、導電性ペーストを印刷した後、焼結することにより上記外部端子接続部材および／または外部端子を形成してもよい。
【００４０】
また、本発明の圧電部品の製造方法は、上記の方法に加えて、貫通孔に導電性ペーストを印刷した後に、導電性ペーストにより配線を形成して上記外部端子を形成してもよい。
【００４１】
また、本発明の圧電部品の製造方法は、上記の方法に加えて、複数の上記圧電素子を備える集合基板を形成し、上記接合基板を集合基板に接着した後にダイシングすることが好ましい。
【００４２】
上記の構成によれば、上記接合基板と圧電素子とのと位置合せのずれがほぼなく、品質のよい圧電部品を容易に大量に製造することができる。
【００４３】
上記接合基板が上記集合基板よりも小さいことが好ましい。これにより、ＳＡＷ素子と、接合基板との熱膨張の差による、接合時のズレをより一層小さくすることができ、品質のよい圧電部品を製造することができる。
【００４４】
また、上記圧電素子は、基板に形成されたくし型電極部からなる振動部を有する弾性表面波素子であってよい。
【００４５】
また、上記圧電素子は、開口部または凹部を有する基板の該開口部又は凹部上に形成されている、少なくとも１層以上の圧電薄膜を有する薄膜部の上下面を少なくとも一対の上部電極および下部電極を対向させて挟む構造の振動部を有する圧電薄膜素子であってよい。
【００４６】
また、上記圧電素子は、基板上に形成されている少なくとも１層以上の圧電薄膜を有する薄膜部の上下面を少なくとも一対の上部電極および下部電極を対向させて挟む構造の振動部を有し、且つ、基板と振動部における下部電極の間には空間を有する圧電薄膜素子であってよい。
【００４７】
【発明の実施の形態】
〔実施の形態１〕
本発明の実施の一形態について、図１ないし図３、並びに図１３ないし図１７に基づいて説明すれば、以下の通りである、
本実施の形態では、図３に示すように、ＳＡＷ素子（圧電素子）６と、接合基板２０とが接着層２１で貼り合わされているチップサイズにパッケージングされたＳＡＷフィルタ５１について説明する。上記ＳＡＷ素子６は、上記接合基板２０と対向する面に、少なくともＩＤＴ（振動部）２と導通パッド（素子配線）３とを備えている。上記接合基板２０は、ＳＡＷ素子６と接合された時にＩＤＴ２などの弾性表面波の励振部分を保護する（ＩＤＴと接合基板が接触しないようにする）ための励振部分保護用中空構造（凹部）１６を、ＳＡＷ素子６と対向する面に備えている。上記の励振部分保護用中空構造１６と接着層２１の厚さによりＳＡＷ素子６のＩＤＴ２などの弾性表面波の励振部分を保護するための空間が確保されている。また、この励振部分保護用中空構造１６により、ＳＡＷフィルタの低背化が可能である。さらに、接合基板２０には、ＳＡＷ素子６の導通パッド３を外部接続するための導通パッド用貫通孔１８が形成されており、この導通パッド用貫通孔１８を介して外部端子２２ｂと接続されている外部端子接続部材（取り出し用配線）２２ａが形成されている。この外部端子接続部材２２ａは、接合基板の凹部が形成されている面と別の面において導通パッド用貫通孔１８を介して導通パッド３と接続されており、外部に接続する回路等に合わせて任意に変更した外部端子２２ｂの位置に応じて形成することができる。つまり、外部端子２２ｂの位置の自由度を向上させることができる。また、外部端子２２ｂの形成は、上記外部端子接続部材２２ａの形成の前でも後でもまたは同時でもよい。
【００４８】
以下、上記のＳＡＷフィルタの製造方法について、図１ないし３に基づいてより詳細に説明する。
【００４９】
まず、図１に示すように、工程１において、ＳＡＷ素子６を作製する。例えば、厚さ０．３５ｍｍの１００ｍｍφＬｉＴａＯ３の圧電基板１上に、ＩＤＴ２、導通パッド３、リフレクタ（図示せず）および配線（図示せず）等を形成する。つまり、ＩＤＴ２、導通パッド３、リフレクタおよび引き回し配線等を、ＬｉＴａＯ３の圧電基板１上に、蒸着によるリフトオフ法等により、例えばＡｌで形成する。これにより、ＳＡＷ素子６が作製される。また、蒸着によるリフトオフの際、同時に、ＳＡＷチップの外周部（ダイシングライン）に沿って枠を形成し、後述の接合基板と貼り合わせたときに気密封止用外枠４の下地とすることが好ましい。また、ダイシングラインを太くして、気密封止用外枠と兼ねてもよい。さらに、後述の接合基板との貼り合わせ時の位置合わせ用のアライメントマーク５も形成することができる。このアライメントマーク５は、その形状および大きさを特に限定されるわけではないが、ここでは１０μｍφの円形とする。なお、図１ではＳＡＷ素子６は１つしか図示されていないが、圧電基板１に複数のＳＡＷ素子６を備えている集合基板となっていてよい。
【００５０】
続いて、図２に示すように、工程２〜工程５において接合基板２０を作製する。
【００５１】
工程２において、例えば、厚さ０．１０ｍｍの１００ｍｍφガラス基板１０の一方の面（上記ＬｉＴａＯ３の圧電基板１のＩＤＴ２を形成した面と対向させる面（以下、面Ａとする））に上記ＩＤＴ２などの弾性表面波の励振部分の保護を目的とした中空構造を形成するため開口部１３を有するレジストパターン１１を施す。
【００５２】
さらに、ガラス基板１０の他方の面（以下、面Ｂとする）に導通パッド３を外部接続することを目的とした貫通孔を形成するための開口部１４およびアライメントマーク用の開口部１５を有するレジストパターン１２を形成する。ここでは、アライメントマーク用の開口部１５は、上記アライメントマーク５に合わせて円形とし、さらに、アライメントマーク５の中心と一致させる。
【００５３】
次に、工程３において、上記ガラス基板１０の両面を、フッ酸等で例えば３０μｍハーフエッチングする。これにより、励振部分保護用中空構造１６を形成する。
【００５４】
次に、工程４において、ガラス基板１０の面Ａの全面に、レジストパターン１７を塗布して上記励振部分保護用中空構造１６を保護する。さらに、ガラス基板１０の面Ｂのレジストパターン１２に従ってフッ酸等で貫通エッチングして、導通パッド用貫通孔１８およびアライメントマーク用貫通孔１９を形成する。このとき、片側からの貫通エッチングであるので、導通パッド用貫通孔１８およびアライメントマーク用貫通孔１９は、順テーパー形状で形成される。その後、レジストパターン１１・１２・１７を剥離する。これにより、接合基板２０を作製する。なお、図２では接合基板２０は１つしか図示されていないが、ガラス基板１０に複数形成されていてよい。
【００５５】
次いで、工程５において、接合基板（ガラス基板１０）２０の面Ａに接着剤からなる接着層２１を転写する。このとき、励振部分保護用中空構造１６、導通パッド用貫通孔１８およびアライメントマーク用貫通孔１９の部分には接着剤が付着することがない。この接着層２１は、接合基板２０に形成することにより、接着剤のＩＤＴ２等への付着を防止するおそれを回避することができる。
【００５６】
次いで、図３に示すように、工程６において、工程１で作製したＳＡＷ素子６と工程２〜５で作製した接着層２１を有する接合基板２０とを貼り合わせる。このとき、ＳＡＷ素子６のアライメントマーク５と接合基板２０のアライメントマーク用貫通孔１９とを位置合わせする。これにより、ＳＡＷ素子６の導通パッド３と接合基板２０の導通パッド用貫通孔１８とも位置が合わせを行ってから、貼り合わせる。また、ガラス基板およびＬｉＴａＯ３の圧電基板は、平坦度が高いので、その両方を貼り合わせる際に行う仮固定が容易である。また、透明なガラス基板を用いているので、位置合わせが容易となる。なお、図３では、貼り合わされたＳＡＷ素子６と接合基板２０との組は、一組しか図示していないが、複数組が形成されている。
【００５７】
次いで、工程７において、接合基板２０の面Ｂに所定の配線パターンを開口部とするリフトオフ用レジスト（図示せず）を施す。このとき、接合基板２０（ガラス基板１０）の導通パッド用貫通孔１８には、ＳＡＷ素子６の導通パッド３に接続される外部端子が形成することができるように、レジストの開口部を形成する。この配線パターンは、例えば、接合基板２０の面ＢにＬ成分やＣ成分をもたせるようにすることもできる。そして、上記リフトオフ用レジスト上から、例えば、Ａｕ（２００ｎｍ）／Ｐｄ（１００ｎｍ）／Ｔｉ（１００ｎｍ）の多層構造の配線となる金属を蒸着し、上記レジストをリフトオフする。これにより、接合基板２０にＳＡＷ素子６の導通パッド３と接続するように外部端子接続部材２２ａを形成することができる。また、外部端子接続部材２２ａと外部端子２２ｂとを一括して形成してもよい。さらに、外部端子２２ｂの形成は、上記外部端子接続部材２２ａを形成する前でも後でもよい。
【００５８】
次いで、工程８において、実装時の衝撃を緩和するために、ＳＡＷ素子６の全面に緩衝用の緩衝樹脂層２３を形成する。最後に、所定の位置でダイシングすることによりＳＡＷフィルタ５１が完成する。
【００５９】
上記の方法では、接合基板２０にガラス基板を用いているが、これに限らず、例えば、単結晶ＳｉＯ２（水晶）基板、溶融石英基板を用いることができる。上記の基板によれば、ウェットエッチングすることができるため、容易にかつ安価に貫通孔、励振部分保護用中空構造等を形成することができる。特に、上記接合基板２０は、位置合わせを容易にするため、透明であることが好ましい。また、接合基板としては、ポリイミドなどからなる樹脂フィルムを用いることも可能である。つまり、つまり、接合基板は、絶縁物であって、ＳＡＷ素子の圧電基板よりも比誘電率が低い（圧電基板であるＬｉＴａＯ３やＬｉＮｂＯ３は比誘電率が２０以上であるため、比誘電率が４以下が好ましい）ことが好ましい。
【００６０】
また、上記ガラス基板１０を予め圧電基板１より小さいサイズ（小片）にしておくことが好ましい。これにより、ＳＡＷ素子の圧電基板と、ガラス基板との熱膨張の差による、接合時のズレを小さくすることができる。そして、最後にダイシングすることにより、各ＳＡＷフィルタに分断すればよい。
【００６１】
また、上記圧電基板１のＩＤＴ２を形成していない面には、外界からの電磁波の影響を防止するためのシールドとして、例えばＴｉ等の金属膜を形成していてもよい。
【００６２】
また、上記接着層２１は、例えば、エポキシ系、シリコーン系、フェノール系、ポリイミド系、ポリウレタン系等の熱硬化性樹脂、ポリフェニレンサルファイド系等の熱可塑性樹脂、紫外線硬化性樹脂などで形成され、熱、紫外線等により硬化することによりＳＡＷ素子６と接合基板２０とを接着することができるものがよい。しかしながら、腐食性ガス等を発生するものを避けることが好ましい。
【００６３】
また、上記接着層２１は、ポリイミド、ノボラック樹脂、感光性ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）等の樹脂層、はんだ等の金属層、またはＡｌ、Ａｇ、Ａｕ等の金属層とエポキシ系、シリコーン系、ポリイミド系等の接着層とからなっていてもよい。このとき、上記金属層を接合基板２０の励振部分保護用中空構造１６にも形成しておけば、外界の電磁波の影響を防止することができる。さらに、上記の方法では、接着層２１を接合基板２０側に形成したが、ＳＡＷ素子６側に形成してもよい。また、接着層２１のみではなく、接合基板２０側に図示しない樹脂層（絶縁層）を設け、さらに該樹脂層上に接着層２１を設ける構成であってもよい。またさらに、接合基板２０側ではなく、ＳＡＷ素子６側に上記樹脂層を設け、さらに該樹脂層上に接着層２１を設ける構成であってもよい。
【００６４】
また、上記緩衝樹脂層２３には、例えば、導電性のある樹脂やない樹脂を使用することができる。中でも導電性のあるものが好ましく、例えば、Ａｇ粒子を含有したエポキシ樹脂が挙げられる。このように、電導性を付与することにより、外界の電磁波の影響を防止することができる。
【００６５】
また、外部端子接続部材２２ａの形成方法は、上記の方法に限らない。例えば、接合基板２０の導通パッド用貫通孔１８に導電性ペーストを充填、または充分な厚さで印刷後、焼成することにより外部端子接続部材（ビアホール）２２ａを形成してもよい。この方法によっても、外部端子接続部材２２ａと外部端子２２ｂとを一括して形成することができる。上記導電性ペーストには、例えば、樹脂系Ａｇペースト、はんだペースト、低温焼結可能なＳｎペースト、Ｚｎペーストが挙げられる。また、接合基板２０上への配線形成を同時に行うことができ、製造工程の簡略化が可能である。
【００６６】
また、接着層２１に用いる樹脂は安価であるので、コストを低減することができる。
【００６７】
また、接合基板２０の面Ｂ全面に金属を蒸着した後、エッチングすることにより外部端子接続部材２２ａ、または外部端子接続部材２２ａと外部端子２２ｂとの両方を形成してもよい。また、密着層としてＴｉ、ＮｉＣｒ層を形成したのち、はんだ濡れ性確保のために、Ａｕ層またはＡｇ層を形成する多層構造としてもよい。また、密着層とＡｕまたはＡｇ層の間に拡散防止層としてＰｄ層またはＮｉ層を形成してもよい。
【００６８】
さらに、本実施の形態のより具体的な例の弾性表面波フィルタついて、図１３ないし図１７に基づいて説明する。なお、この具体的な例では、ＳＡＷ素子側に上記樹脂層（絶縁層）を設け、さらに該樹脂層上に接着層を設けて接合した場合について説明する。
【００６９】
図１３に、上記具体的な例の弾性表面波フィルタ１００の回路図を示す。上記弾性表面波フィルタ１００は、ＩＤＴ（振動部）を有する弾性表面波共振子１０１〜１０５をラダー型に備えている構成である。なお、弾性表面波共振子１０１〜１０３を直列共振子、弾性表面波共振子１０４・１０５を並列共振子としている。
【００７０】
以下、上記具体的な例の弾性表面波フィルタ１００について、図１４ないし図１７に基づいて、本実施の形態の弾性表面波フィルタの製造方法に従って説明する。
【００７１】
まず、図１４に示すように、圧電基板１上に弾性表面波共振子１０１〜１０５、導通パッド（素子配線）１０６〜１０９および引き回し配線（素子配線）１１０〜１１５を形成し、ＳＡＷ素子１５０を作製する。
【００７２】
なお、導通パッド１０６は入力端子に、導通パッド１０７は出力端子に、導通パッド１０８・１０９は、ＧＮＤ端子にそれぞれ接続される。
【００７３】
次いで、図１５に示すように、上記ＳＡＷ素子１５０上に、上記弾性表面波共振子１０１〜１０５が露出する樹脂層開口部１１７〜１１９、および導通パッド１０６〜１０９が露出する樹脂層開口部１２０〜１２３を有する樹脂層１２４が形成される。この樹脂層１２４は、上記圧電基板１を全て覆っていてもよい。また、上記樹脂層１２４上には、図示しない接着層が形成される。
【００７４】
次いで、図１６に示すように、上記ＳＡＷ素子１５０上に、導通パッド１０６〜１０９が露出するように貫通孔１２５〜１２８が形成された接合基板１２９を位置あわせして貼り合わせ、ＳＡＷ素子１５０と接合基板１２９とを接着する。そして、樹脂層開口部１２０〜１２３および上記貫通孔１２５〜１２８を介して、導通パッド１０６〜１０９にそれぞれ接続される外部端子接続部材１３０〜１３３、および外部端子接続部材１３０〜１３３に接続している外部端子１３４〜１３７を形成することにより、弾性表面波フィルタ１００が完成する。
【００７５】
なお、完成した弾性表面波フィルタ１００の図１４ないし図１６において示したＡ−Ａ’線における断面図を図１７に示す。
【００７６】
上記弾性表面波フィルタ１００では、図１７に示すように、樹脂層１２４と接合基板１２９との間に接着層１２４ａが形成されている。また、ＳＡＷ素子１５０の弾性表面波共振子１０４・１０５に対向する箇所には、凹部１３８・１３９が設けられている。同様に、接合基板１２９の弾性表面波共振子１０１〜１０３に対向する箇所にも、凹部が設けられている。
【００７７】
上記では、樹脂層、接着層および各凹部により、ＩＤＴ（振動部）を有する弾性表面波共振子の保護空間が確保されているが、これら樹脂層、接着層および各凹部の少なくともいずれかで保護空間が確保されていればよい。
【００７８】
〔実施の形態２〕
本発明の実施の他の形態について、図４ないし図６、ならびに図１８ないし２２に基づいて説明すれば、以下の通りである。なお、説明の便宜上、前記の実施の形態１にて示した部材と同一の機能を有する部材には、同一の符号を付記し、その説明を省略する。
【００７９】
本実施の形態では、図６に示すように、ＳＡＷ素子２６と、接合基板３０とが接着層３２で貼り合わされているＳＡＷフィルタ５２について説明する。本実施の形態では、前記実施の形態１における励振部分保護用中空構造を形成せず、樹脂層８の厚さによりＩＤＴを保護する空間が確保されている構成である。
【００８０】
以下、上記のＳＡＷフィルタの製造方法について、図４ないし図６に基づいてより詳細に説明する。
【００８１】
まず、図４に示すように、工程１において、ＳＡＷ素子２６を作製する。例えば、厚さ０．３５ｍｍの１００ｍｍφＬｉＴａＯ３の圧電基板１上に、ＩＤＴ２、導通パッド３、リフレクタ（図示せず）および引き回し配線（図示せず）等を形成する。つまり、ＩＤＴ２、導通パッド３、リフレクタおよび引き回し配線等を、ＬｉＴａＯ３の圧電基板１上に、蒸着によるリフトオフ法等により、例えばＡｌで形成する。また、上記ＬｉＴａＯ３の圧電基板１のＩＤＴ２を形成していない面にはＴｉ等の保護膜７を形成する。また、蒸着によるリフトオフの際、同時に、後述の接合基板との貼り合わせ時の位置合わせ用のアライメントマーク５も形成する。なお、図４ではＳＡＷ素子２６は１つしか図示されていないが、圧電基板１に複数のＳＡＷ素子２６を備えている集合基板となっていてよい。
【００８２】
次いで、工程２において、ＬｉＴａＯ３の圧電基板１のＩＤＴ２を形成している面に感光性ポリイミド等の有機現像タイプの感光性樹脂を塗布し、乾燥させる。この感光性樹脂を所定のパターンに従って露光し、現像することにより樹脂層８を形成する。このとき、ＩＤＴ２およびリフレクタ等を露出させる励振部分保護開口部２７、ならびに外部と接続するための導通パッド３の一部を露出させる導通パッド開口部２８を形成するようにする。この樹脂層８の厚さは、後に接着する接合基板３０の接着層３２の厚さと合わせて上記ＩＤＴ２に接合基板３０が接触しない厚さにする。この厚さは、例えば２０μｍ程度が好ましい。また、励振部分保護開口部２７の形成と同時に、樹脂プール、樹脂止めを形成することもできる。さらに、後述の接合基板３０に励振部分保護空間構造等の形成に必要なハーフエッチングが不要であり、工程を削減することができる。
【００８３】
これにより、ＳＡＷ素子２６が作製される。
【００８４】
次いで、図５に示すように、工程３〜工程５において、前記実施の形態１の工程２、４、５と同様にして、接合基板３０を作製する。
【００８５】
つまり、工程３において、例えば、厚さ０．２０ｍｍの１００ｍｍφガラス基板１０の一方の面（上記ＬｉＴａＯ３の圧電基板１のＩＤＴ２を形成した面と対向させる面（以下、面Ａとする））全面にレジスト３１を施す。
【００８６】
さらに、ガラス基板１０の他方の面（以下、面Ｂとする）に導通パッド３と導通するための導通パッド開口部２８に合わせた導通パッド用開口部２４およびアライメントマーク用の開口部１５を有するレジストパターン１２を形成する。
【００８７】
次に、工程４において、ガラス基板１０の面Ｂのレジストパターン１２に従ってフッ酸等で貫通エッチングして、導通パッド用貫通孔３８およびアライメントマーク用貫通孔１９を形成する。このとき、片側からの貫通エッチングであるので、導通パッド用貫通孔３８およびアライメントマーク用貫通孔１９は、順テーパー形状で形成される。その後、レジストパターン１２・３１を剥離する。これにより、接合基板３０を作製する。なお、図５では接合基板３０は１つしか図示されていないが、ガラス基板１０に複数形成されていてよい。
【００８８】
次いで、工程５において、接合基板（ガラス基板１０）３０の面Ａに接着剤からなる接着層３２を転写する。この場合、厚さ２０μｍの樹脂層８が圧電基板側に形成してあるので、接合基板の全面に接着剤を形成してもよい。このとき、導通パッド用貫通孔３８およびアライメントマーク用貫通孔１９の部分には接着剤が付着することがない。この接着層３２は、ＳＡＷ基板２６の樹脂層８に形成してもよいが、接合基板３０に形成することにより、接着剤のＩＤＴ２等への付着を防止するため、接合基板３０に設けるほうが好ましい。
【００８９】
次いで、図６に示すように、工程６において、工程１〜２で作製したＳＡＷ素子２６と工程３〜５で作製した接着層３２を有する接合基板３０とを貼り合わせる。このとき、ＳＡＷ素子２６のアライメントマーク５と接合基板３０のアライメントマーク用貫通孔１９とを位置合わせする。これにより、ＳＡＷ素子２６の導通パッド３および導通パッド開口部２８と接合基板３０の導通パッド用貫通孔３８とも位置が合わせられる。また、樹脂層８が充分な厚さを有しているので、ＩＤＴ２や導通パッド３等に接着剤が付着することを防止することができる。
【００９０】
次いで、工程７において、上記導通パッド用貫通孔３８およびアライメントマーク用貫通孔１９に、例えば、樹脂系Ａｇペーストを印刷して充填し、焼結することにより、金属充填部３３を形成する。このとき、接着層３２も同時に硬化させることができる。また、例えば樹脂層８に感光性樹脂を用いた場合には、この感光性樹脂を硬化させることができる。さらに、金属充填部３３の不要な部分は例えば研磨することにより除去する。
【００９１】
次いで、工程８において、例えば樹脂系Ａｇペーストを所定のパターンに従って印刷して、焼結することにより金属充填部（外部端子接続部材）３３に接続している外部端子３５を形成する。この印刷の際、接合基板３０には、Ｌ成分やＣ成分をもたせた配線を形成してもよい。また、上記金属充填部３３、外部端子３５を同時に印刷して形成してもよい。
【００９２】
次いで、工程９において、実装時の衝撃を緩和するために、ＳＡＷ素子６に形成している保護膜７全面に緩衝用の緩衝樹脂層３６を形成する。最後に、所定の位置でダイシングすることによりＳＡＷフィルタ５２が完成する。
【００９３】
上記のように、完成したＳＡＷフィルタでは、樹脂層８に形成されている励振部分保護開口部２７および接着層３２によって形成されている空間によりＩＤＴ２などの弾性表面波の励振部分（振動部）を保護することができる。
【００９４】
また、外部端子３５は、接合基板において金属充填部３３から延びており、外部に接続する回路等に合わせて任意の位置に変更することができるつまり、外部端子３５の位置の自由度を向上させることができる。
【００９５】
さらに、本実施の形態のより具体的な例の弾性表面波フィルタついて、図１８ないし図２２に基づいて説明する。
【００９６】
図１８に、上記具体的な例の弾性表面波フィルタ２００の回路図を示す。上記弾性表面波フィルタ２００は、ＩＤＴ（振動部）を有する弾性表面波共振子２０１〜２０５をラダー型に備えている構成である。なお、弾性表面波共振子２０１〜２０３を直列共振子、弾性表面波共振子２０４・２０５を並列共振子としている。
【００９７】
以下、上記具体的な例の弾性表面波フィルタ２００について、図１９ないし図２２に基づいて説明する。
【００９８】
まず、図１９に示すように、圧電基板１上に弾性表面波共振子２０１〜２０５、引き回し配線（素子配線）２０６〜２１１を形成し、ＳＡＷ素子２５０を作製する。
【００９９】
次いで、図２０に示すように、上記ＳＡＷ素子２５０上に、上記弾性表面波共振子２０１〜２０５が露出する樹脂層開口部２１７〜２１９、および引き回し配線２０６〜２１１の一部が露出する樹脂層開口部２２０〜２２３を有する樹脂層２２４が形成される。この樹脂層２２４は、上記圧電基板１を全て覆っていてもよい。
【０１００】
次いで、図２１に示すように、上記ＳＡＷ素子２５０上に、引き回し配線２０６〜２０９が露出するように貫通孔２２５〜２２８が形成された接合基板２２９を位置あわせして貼り合わせ、ＳＡＷ素子２５０と接合基板２２９とを接着する。このとき、接合基板２２９には、図示しない接着層が形成される。そして、上記樹脂層開口部２２０〜２２３および貫通孔２２５〜２２８を介して、引き回し配線２０６〜２０９にそれぞれ接続される外部端子接続部材２３０〜２３３、および外部端子接続部材２３０〜２３３に接続している外部端子２３４〜２３７を形成することにより、弾性表面波フィルタ２００が完成する。
【０１０１】
なお、完成した弾性表面波フィルタ２００の図１９ないし図２１において示したＡ−Ａ’線における断面図を図２２に示す。
【０１０２】
上記弾性表面波フィルタ２００では、図２２に示すように、樹脂層２２４と接合基板２２９との間に接着層２２４ａが形成されている。また、ＳＡＷ素子２５０の弾性表面波共振子２０４・２０５は、樹脂層２２４の厚さにより弾性表面波共振子のＩＤＴの保護空間が確保されている。同様に、弾性表面波共振子２０１〜２０３についても、樹脂層の厚さにより弾性表面波共振子のＩＤＴの保護空間が確保されている。
【０１０３】
上記では、樹脂層、接着層および各凹部により、ＩＤＴ（振動部）を有する弾性表面波共振子の保護空間が確保されているが、これら樹脂層、接着層および各凹部の少なくともいずれかで保護空間が確保されていればよい。
【０１０４】
〔実施の形態３〕
本発明のさらに他の実施の形態について図７に基づいて説明すれば、以下の通りである。なお、説明の便宜上、前記実施の形態１および２にて示した各部材と同一の機能を有する部材には、同一の符号を付記し、その説明を省略する。
【０１０５】
本実施の形態では、前記実施の形態２における、接合基板２０の導通パッド用貫通孔３８およびアライメントマーク用貫通孔１９をレーザーによって形成するものである。
【０１０６】
つまり、実施の形態２における工程３および工程４を、図７に示すように、工程１〜工程３に代えて接合基板３０を作製している。つまり、実施の形態２における工程３において、レジストパターン１２をフォトリソにより形成することなく全面に形成する（工程１）。そして工程４におけるエッチングをレーザーで行い、導通パッド用貫通孔３８およびアライメントマーク用貫通孔１９を形成する（工程２）。上記のように、フォトリソの工程を省略することができコストダウンとなる。また、レーザーのパワーをコントロールすることで、順テーパー加工を行うこともできる。レーザーにより、ドロス４０と呼ばれる溶融物が導通パッド用貫通孔３８およびアライメントマーク用貫通孔１９の周囲に付着するが、工程３においてレジストパターン１２と同時に容易に除去することができるため、工程が増加することはない。なお、工程２の状態で軽くエッチングすることにより、ドロスを除去してもよい。なお、図７では接合基板３０は１つしか図示されていないが、ガラス基板１０に複数形成されていてよい。
【０１０７】
その後、実施の形態２の工程５に従ってＳＡＷフィルタを製造することができる。
【０１０８】
このように、レーザーによりエッチングする場合、ガラス基板１０に代えて、サファイア（Ａｌ２Ｏ３の単結晶）基板、ＭｇＦ基板、ＭｇＯ基板、ＬｉＦ基板、ＣａＦ２基板、ＢａＦ基板等を用いることができる。
【０１０９】
なお、レーザーによるエッチングに代えて、サンドブラスト処理を行うことで、導通パッド用貫通孔３８およびアライメントマーク用貫通孔１９を形成してもよい。
【０１１０】
〔実施の形態４〕
本発明の他の実施の形態について図８に基づいて説明すれば、以下の通りである。なお、説明の便宜上、前記実施の形態１ないし３にて示した各部材と同一の機能を有する部材には、同一の符号を付記し、その説明を省略する。
【０１１１】
本実施の形態では、図８に示すように、実施の形態２において、接合基板３０の導通パッド用貫通孔３８およびアライメントマーク用貫通孔１９をＳＡＷ素子２６に接着した後にレーザーで形成する例である。
【０１１２】
すなわち、工程１において、実施の形態２の工程１と同様に、ＩＤＴ２、導通パッド３、リフレクタ（図示せず）および引き回し配線（図示せず）等をＬｉＴａＯ３の圧電基板１上備えるＳＡＷ素子２６を作製する。ただし、本実施の形態では、アライメントマークを形成する必要はない。なお、図８ではＳＡＷ素子２６は１つしか図示されていないが、圧電基板１に複数のＳＡＷ素子２６を備えている集合基板となっていてよい。
【０１１３】
次いで、工程２において、実施の形態２の工程２と同様にＳＡＷ素子２６に樹脂層８を形成する。この樹脂層８は、例えば感光性ポリイミド等の感光性樹脂を塗布し、乾燥させた後、露光して現像することにより形成すればよい。このとき、ＩＤＴ２などの弾性表面波の励振部分を保護する空間（励振部分保護開口部４３）を確保するようにする。この樹脂層８の厚さは、例えば２０μｍの厚さで形成すればよい。
【０１１４】
次いで、工程３において、上記ＳＡＷ素子２６の樹脂層８と、全面に接着層４２を有するガラス基板１０とを接着する。ここで、ガラス基板１０を位置合わせする必要はない。
【０１１５】
次いで、工程４において、レーザーによりガラス基板１０と接着層４２とをエッチングし、導通パッド用貫通孔３８を形成する。これにより、導通パッド３が露出する。このとき、レーザーエッチングによるドロス（図示せず）が生じるが、除去が必要であればフッ酸等によるハーフエッチングを行うことにより除去することができる。
【０１１６】
次いで、工程５において、前記の実施の形態１で示したのと同様に、導通パッド用貫通孔３８を介して、導通パッド３と接続される外部端子接続部材（取り出し用配線）３５ａを形成し、該外部端子接続部材３５ａと接続するように外部端子３５を形成する。
【０１１７】
最後に、所定の位置でダイシングすることによりＳＡＷフィルタが完成する。
【０１１８】
以上のように、上記の方法によれば、工程３においてガラス基板１０の位置合わせが不要であり、製造が容易となる。
【０１１９】
〔実施の形態５〕
本発明の実施の他の形態について、図９および図１０に基づいて説明すれば、以下の通りである。なお、説明の便宜上、前記の実施の形態１ないし４にて示した部材と同一の機能を有する部材には、同一の符号を付記し、その説明を省略する。
【０１２０】
本実施の形態では、図１０に示すように、実施の形態２において、ＳＡＷ素子２６に接着層３２を設け、ガラス基板１０を貼りあわせた後に、上記ガラス基板１０に導通パッド用貫通孔３８を形成する例である。
【０１２１】
すなわち、図９に示すように、工程１において、実施の形態１の工程１と同様に、例えばＡｌで、ＩＤＴ２、導通パッド３、リフレクタ（図示せず）、アライメントマーク５および引き回し配線（図示せず）等をＬｉＴａＯ３の圧電基板１上に備えるＳＡＷ素子２６を作製する。この後、導通パッド３上には、リフトオフ法により、例えばＴｉ（２０ｎｍ）およびＡｕ（１００ｎｍ）を積層する（図示せず）。本実施の形態ではＬｉＴａＯ３の圧電基板１にＴｉ等の保護膜７を形成している。なお、図９ではＳＡＷ素子２６は１つしか図示されていないが、圧電基板１に複数のＳＡＷ素子２６を備えている集合基板となっていてよい。
【０１２２】
次に、工程２において、感光性ポリイミド等の感光性樹脂を例えば１５μｍの厚さで塗布し、乾燥させる。さらに、この感光性樹脂を露光し、現像することによりＩＤＴ２およびリフレクタを保護するための励振部分保護開口部２７、導通パッド開口部２８、およびダイシングライン開口部４９を有する樹脂層４８を形成する。このとき、露光条件を適正化し、上記各開口部を順テーパー形状にする。上記のように、ダイシングライン開口部４９を形成することにより、ダイシング時の目詰まりを抑制することができる。また、ダイシングライン開口部４９はダイシングに使用するためのダイシングブレードの幅に同等にすることが好ましい。これにより、ダイシング後における、ガラスの突出部が破損しにくくなる。次いで、上記樹脂層４８に接着層３２を転写する。
【０１２３】
次いで、図１０に示すように、工程３において、ガラス基板１０を上記接着層３２に貼り合わせ、接着層３２を硬化させる。この貼り合わせは、ガラス基板１０にパターンが形成されていないので、位置あわせが不要である。このガラス基板１０は、例えば、１５０μｍの１００ｍｍφガラス基板である。さらに、上記ガラス基板１０に、上記導通パッド３を露出させる貫通孔を形成するためのレジストパターン１２を施す。このレジストパターン１２には、導通パッド３を露出させるための開口部１４を形成する。この開口部１４は、導通パッド開口部２８よりも大きく形成する。これにより、後に形成される貫通孔と、導通パッド開口部２８との間でオーバーハング形状（キノコの形、すなわち、導通パッド開口部２８よりもガラス基板１０側の貫通孔の部分が小さい形状）となるのを防止することができる。これにより、後の外部端子の形成が容易となる。特に蒸着により外部端子を形成する場合、外部端子の断線を防止することができる。
【０１２４】
次いで、工程４において、フッ酸等によるウェットエッチングにより、順テーパー形状の導通パッド用貫通孔３８を形成する。このとき、導通パッド３は、Ａｕが積層されているので、フッ酸による腐食を防止することができる。また、Ａｕに代えてＰｔ層を形成していても同様にフッ酸による腐食を防止することができる。また、保護膜７は、上記導通パッド用貫通孔３８等を形成する際のエッチングにおける保護膜としても機能する。
【０１２５】
次いで、工程５において、ガラス基板１０上に例えばネガ型フォトレジストを、塗布し、乾燥し、さらに露光して現像することにより、導通パッド用貫通孔３８と外部端子形成部に開口部を有するリフトオフ用の逆テーパー形状レジストパターン（図示せず）を形成する。このように、ネガ型のフォトレジストを用いているので、導通パッド用貫通孔３８におけるレジスト残渣が生じることがなく、さらに逆テーパーにすることができる。そして、例えば、Ａｕ（１００ｎｍ）／Ｔｉ（２０ｎｍ）／Ｎｉ（５００ｎｍ）／Ｔｉ（２０ｎｍ）の順に蒸着してなる外部端子接続部材２２ａと外部端子２２ｂとを一括して形成し、レジストパターンを除去する。
【０１２６】
次いで、工程６において、実装時の衝撃を緩和するために、ＬｉＴａＯ３の圧電基板１に形成している金属からなる保護膜７の全面に緩衝用の緩衝樹脂層２３を形成する。最後に、所定の位置でダイシングすることによりＳＡＷフィルタ５３が完成する。
【０１２７】
〔実施の形態６〕
本発明の実施の他の形態について、図１１および図１２、ならびに図２３ないし図３４に基づいて説明すれば、以下の通りである。なお、説明の便宜上、前記の実施の形態１ないし５にて示した部材と同一の機能を有する部材には、同一の符号を付記し、その説明を省略する。
【０１２８】
本実施の形態では、図１２に示すように、実施の形態５において、樹脂層４８上に第一配線（取り出し用配線）５０を形成した構成である。
【０１２９】
すなわち、図１１に示すように、工程１において、実施の形態５の工程１と同様に、例えばＡｌで、ＩＤＴ２、導通パッド３、リフレクタ（図示せず）、アライメントマーク５および引き回し配線（図示せず）等をＬｉＴａＯ３の圧電基板１上に備えるＳＡＷ素子６を作製する。この後、導通パッド３上には、リフトオフ法により、例えばＴｉ（２０ｎｍ）およびＡｕ（１００ｎｍ）を積層する。また、ＬｉＴａＯ３の圧電基板１にＴｉ等の金属からなる保護膜７を形成している。なお、図１１ではＳＡＷ素子６は１つしか図示されていないが、圧電基板１に複数のＳＡＷ素子６を備えている集合基板となっていてよい。
【０１３０】
次に、工程２において、感光性ポリイミド等の感光性樹脂を例えば１５μｍの厚さで塗布し、乾燥させる。さらに、この感光性樹脂を露光し、現像することによりＩＤＴ２およびリフレクタを保護するための励振部分保護開口部２７、導通パッド開口部２８、およびダイシングライン開口部４９を有する樹脂層４８を形成する。このとき、露光条件を適正化し、上記各開口部を順テーパー形状にする。上記のように、ダイシングライン開口部４９を形成することにより、ダイシング時の目詰まりを抑制することができる。また、ダイシングライン開口部４９はダイシングに使用するためのダイシングブレードの幅に同等にすることが好ましい。これにより、ダイシング後における、ガラスの突出部が破損しにくくなる。
【０１３１】
次いで、工程３において、樹脂層４８上に上記導通パッド３に接続している第一配線５０を導通パッドと同様にリフトオフ法により形成する。また、この第一配線５０により、Ｌ成分やＣ成分を入れてもよい。また、この第一配線５０により、導通パッド３との接続部が延長される。これにより、後に形成する貫通孔をこの第一配線５０が露出するように形成すればよく、外部端子の位置を自由に配置することができる。
【０１３２】
次いで、図１２に示すように、工程４において、ガラス基板１０に接着層３２を形成し、上記ＳＡＷ素子６と貼り合わせ硬化させる。この貼り合わせは、ガラス基板１０にパターンが形成されていないので、位置あわせが不要である。このガラス基板１０は、例えば、１５０μｍの１００ｍｍφガラス基板である。
【０１３３】
次いで、工程５において、上記ガラス基板１０に、上記第一配線５０を露出させる貫通孔を形成するためのレジストパターン１２を施す。このレジストパターン１２には、上記第一配線５０を露出させるための開口部を形成する。そして、フッ酸等によるウェットエッチングにより、順テーパー形状の導通パッド用貫通孔３８を形成する。このとき、ガラス基板１０の全面に接着層３２を形成しているので、この接着層３２はエッチングされずに残る。
【０１３４】
次いで、工程６において、上記接着層３２を発煙硝酸、有機溶剤等でエッチングする。このとき、導通パッド３および第一配線５０は、Ａｕが積層されているので、フッ酸等による腐食を防止することができる。また、Ａｕに代えてＰｔ層を形成していても同様にフッ酸等による腐食を防止することができる。また、保護膜７は、上記導通パッド用貫通孔３８等を形成する際のエッチングにおける保護膜としても機能する。
【０１３５】
また、これら工程５および６の代わりに、レーザーでエッチングしたり、サンドブラスト処理をしてもよい。レーザーでエッチングする場合、ガラス基板１０の全面にレジストを塗布した後、レーザーでエッチングする。これにより、レジストのパターン形成をする必要がなく、さらに、接着層３２のエッチングを同時に行うことができる。そして、フッ酸処理を行う。このフッ酸処理は、ドロスと呼ばれる溶融物の除去のためである。
【０１３６】
次いで、工程７において、導通パッド用貫通孔３８を介して例えばＡｕ−Ｓｎはんだを印刷し、熱処理することにより外部端子接続部材２２ａおよび外部端子２２ｂを形成することができる。次いで、実装時の衝撃を緩和するために、ＬｉＴａＯ３の圧電基板１に形成している金属からなる保護膜７の全面に緩衝用の緩衝樹脂層２３を形成する。最後に、所定の位置でダイシングすることによりＳＡＷフィルタ５４が完成する。
【０１３７】
さらに、本実施の形態のより具体的な例の弾性表面波フィルタついて、図２３ないし図２８に基づいて説明する。
【０１３８】
図２３に、上記具体的な例の弾性表面波フィルタ３００の回路図を示す。上記弾性表面波フィルタ３００は、ＩＤＴ（振動部）を有する弾性表面波共振子３０１〜３０５をラダー型に備えている。なお、弾性表面波共振子３０１〜３０３を直列共振子、弾性表面波共振子３０４・３０５を並列共振子とし、インダクタ３５１・３５２を弾性表面波共振子３０４・３０５に直列に接続している構成である。
【０１３９】
以下、上記具体的な例の弾性表面波フィルタ３００について、図２４ないし図２８に基づいて、説明する。
【０１４０】
まず、図２４に示すように、圧電基板１上に弾性表面波共振子３０１〜３０５、導通パッド（素子配線）３０６〜３０９、引き回し配線（素子配線）３１０〜３１５を形成し、ＳＡＷ素子３５０を作製する。
【０１４１】
次いで、図２５に示すように、上記ＳＡＷ素子３５０上に、上記弾性表面波共振子３０１〜３０５が露出する樹脂層開口部３１７〜３１９、および導通パッド３０６〜３０９が露出する樹脂層開口部３２０〜３２３を有する樹脂層３２４が形成される。この樹脂層３２４は、上記圧電基板１を全て覆っていてもよい。
【０１４２】
次いで、図２６に示すように、樹脂開口部３２０〜３２３を介して、導通パッド３０６〜３０９に接続されている第一配線３６１〜３６４を形成する。なお、第一配線３６３・３６４については、インダクタＬを持たせて形成している。第一配線３６３・３６４のインダクタＬは、上記インダクタ３５１・３５２に相当する。上記ではインダクタＬを第一配線に持たせているが、くし歯状に電極を形成するなどして第一配線にキャパシタンスＣを持たせることも可能である。
【０１４３】
次いで、図２７に示すように、上記樹脂層３２４上に、第一配線３６１〜３６４の端部が露出するように貫通孔３２５〜３２８が形成された接合基板３２９を位置合わせして貼り合わせて、ＳＡＷ素子３５０と接合基板３２９とを図示しない接着層により接着する。そして、貫通孔３２５〜３２８を介して、導通パッド３０６〜３０９と接続される外部端子３４０〜３４３を形成することにより弾性表面波フィルタ３００が完成する。なお、上記外部端子３４０〜３４３における上記貫通孔３２５〜３２８に形成されている部分については、外部端子接続部材とみなすことができる。つまり、上記外部端子３４０〜３４３は、外部端子接続部材と外部端子とを一体に形成した構成となっている。
【０１４４】
なお、完成した弾性表面波フィルタ３００の図２４ないし図２７において示したＡ−Ａ’線における断面図を図２８に示す。
【０１４５】
上記弾性表面波フィルタ３００では、図２８に示すように、樹脂層３２４と接合基板３２９との間に接着層３２４ａが形成されている。また、ＳＡＷ素子３５０の弾性表面波共振子３０４・３０５は、樹脂層３２４の厚さにより弾性表面波共振子のＩＤＴの保護空間が確保されている。同様に、弾性表面波共振子３０１〜３０３についても、樹脂層の厚さにより弾性表面波共振子のＩＤＴの保護空間が確保されている。
【０１４６】
さらに、上記弾性表面波フィルタ３００の変形例の弾性表面波フィルタ３８０について、図２９に基づいて説明する。この弾性表面波フィルタ３８０は、上記弾性表面波フィルタ３００において、接合基板３２９における弾性表面波共振子３０４・３０５と対向する箇所に凹部３７０・３７１を設けたものである。またさらに、接合基板３２９における他の弾性表面波共振子に対向する箇所にも凹部が設けられている。
【０１４７】
また、さらに他の具体的な例の弾性表面波フィルタついて、図３０ないし図３４に基づいて説明する。
【０１４８】
図３０に、上記他の具体的な例の弾性表面波フィルタ４００の回路図を示す。上記弾性表面波フィルタ４００は、ＩＤＴ（振動部）を有する弾性表面波共振子４０１〜４０５をラダー型に備えている。なお、弾性表面波共振子４０１〜４０３を直列共振子、弾性表面波共振子４０４・４０５を並列共振子とし、インダクタ４５１・４５２を弾性表面波共振子４０４・４０５に直列に接続している構成である。
【０１４９】
以下、上記他の具体的な例の弾性表面波フィルタ４００について、図３１ないし図３４に基づいて、説明する。
【０１５０】
まず、図３１に示すように、圧電基板１上に弾性表面波共振子４０１〜４０５、引き回し配線（素子配線）４０８〜４１５を形成し、ＳＡＷ素子４５０を作製する。
【０１５１】
次いで、図３２に示すように、上記ＳＡＷ素子４５０上に、上記引き回し配線４０８〜４１５の一部が露出する樹脂層開口部４１６〜４２３、および上記弾性表面波共振子４０１〜４０５が露出する樹脂層開口部４２５〜４２７を有する樹脂層４２４が形成される。また、この樹脂層４２４は、上記圧電基板１を全て覆っていてもよい。
【０１５２】
次いで、図３３に示すように、樹脂開口部４１８・４２１・４２２・４２３を介して引き回し配線４１０・４１３・４１４・４１５に接続されている第一配線４６１〜４６４を形成する。なお、第一配線４６３・４６４については、インダクタＬを一体に形成している。第一配線４６３・４６４のインダクタＬは、上記インダクタ４５１・４５２に相当する。上記ではインダクタＬを第一配線に持たせているが、第一配線にキャパシタンスＣを持たせることも可能である。さらに、樹脂開口部４１７・４１９を介して引き回し配線４０９・４１１を接続する第一配線４６５、および樹脂開口部４１６・４２０を介して引き回し配線４０８・４１２を接続する第一配線４６６を形成する。また、場合によっては、引き回し配線４０８〜４１５を太くしたり、弾性表面波共振子４０１〜４０５のバスバーの一部を太くして形成してもよく、これにより、引き回し配線４０８〜４１５、バスバーと、第一配線４６１〜４６６のそれぞれとの接続性を高めることができる。
【０１５３】
次いで、図３４に示すように、上記樹脂層４２４上に、第一配線４６１〜４６４の端部が露出するように貫通孔４２８〜４３１が形成された接合基板４３２を位置合わせして貼り合わせて、樹脂層４２４と接合基板４３２とを図示しない接着層により接着する。そして、貫通孔４２８〜４３１を介して第一配線４６１〜４６４と接続する外部端子４３３〜４３６を形成することにより弾性表面波フィルタ４００が完成する。なお、上記外部端子４３３〜４３６における上記貫通孔４２８〜４３１に形成されている部分については、外部端子接続部材とみなすことができる。つまり、上記外部端子４３３〜４３６は、外部端子接続部材と外部端子とを一体に形成した構成となっている。上記外部端子接続部材および外部端子４３３〜４３６は、例えば、印刷技術をつかって、貫通孔４２８〜４３１にＡｕ−Ｓｎはんだを充填し、熱処理することにより形成することができる。また、外部端子は、リフトオフにより形成された薄膜であってもよい。また、外部端子接続部材と外部端子とを分離して、異なる方法で形成してもよい。
【０１５４】
上記弾性表面波フィルタ４００では、ＳＡＷ素子４５０の弾性表面波共振子４０４・４０５は、樹脂層４２４の厚さにより弾性表面波共振子のＩＤＴの保護空間が確保されている。同様に、弾性表面波共振子４０１〜４０３についても、樹脂層の厚さにより弾性表面波共振子のＩＤＴの保護空間が確保されている。また、接合基板４３２における弾性表面波共振子４０１〜４０５に対向する箇所に凹部を設けることにより、保護空間を確保してもよい。
【０１５５】
〔実施の形態７〕
本発明の実施の他の形態について、図３５ないし図４８に基づいて説明すれば、以下の通りである。なお、説明の便宜上、前記の実施の形態１ないし６にて示した部材と同一の機能を有する部材には、同一の符号を付記し、その説明を省略する。
【０１５６】
本実施の形態にかかる弾性表面波フィルタついて、図３５ないし図４８に基づいて説明する。
【０１５７】
図３５に、本実施の形態にかかる弾性表面波フィルタ５００の回路図を示す。上記弾性表面波フィルタ５００は、ＩＤＴ（振動部）を有する弾性表面波共振子５０１〜５０５をラダー型に備えている。なお、弾性表面波共振子５０１〜５０３を直列共振子、弾性表面波共振子５０４・５０５を並列共振子とし、インダクタ５５１・５５２を弾性表面波共振子５０４・５０５に直列に接続している構成である。
【０１５８】
まず、図３６に示すように、圧電基板１上に弾性表面波共振子５０１〜５０５、導通パッド（素子配線）５０６〜５０９、引き回し配線（素子配線）５１０〜５１５を形成し、ＳＡＷ素子５５０を作製する。
【０１５９】
本実施の形態では、上記圧電基板１としては、例えば、厚さ０．３５ｍｍのＬｉＴａＯ３からなる圧電基板を用いることができる。また、弾性表面波共振子５０１〜５０５は、Ａｌなどの金属からなるくし型電極部、リフレクタからなっている。さらに、導通パッド（素子配線）５０６〜５０９、引き回し配線（素子配線）５１０〜５１５についてもＡｌなどの金属から形成する。これら、弾性表面波共振子５０１〜５０５、導通パッド（素子配線）５０６〜５０９、引き回し配線（素子配線）５１０〜５１５は、蒸着によるリフトオフ法により形成することができる。また、圧電基板１には、弾性表面波共振子５０１〜５０５、導通パッド（素子配線）５０６〜５０９、引き回し配線（素子配線）５１０〜５１５の組み合わせを、複数形成し、複数のＳＡＷ素子の集合基板を形成することができる。このように、ＳＡＷ素子の集合基板を形成した場合には、圧電基板１上にアライメントマークも形成する。これら弾性表面波共振子５０１〜５０５、導通パッド（素子配線）５０６〜５０９、引き回し配線（素子配線）５１０〜５１５、アライメントマークの形成は、同一プロセスで行うことができる。その後、弾性表面波共振子５０１〜５０５のくし型電極と反射器の部分にＳｉＮやＳｉＯ２などの保護膜を例えば５ｎｍ成膜することが好ましい。
【０１６０】
次いで、図３７に示すように、上記ＳＡＷ素子５５０上に、上記弾性表面波共振子５０１〜５０５が露出する樹脂層開口部５１７〜５１９、および導通パッド５０６〜５０９が露出する樹脂層開口部５２０〜５２３を有する樹脂層５２４が形成される。この樹脂層５２４は、上記圧電基板１を全て覆っていてもよい。
【０１６１】
上記樹脂層５２４は、感光性ポリイミドを例えば１０μｍの厚さで塗布し、上記樹脂層開口部５１７〜５２３を形成できるように、露光・現像することにより形成することができる。また、樹脂開口部５１７〜５２３では、弾性表面波共振子５０１〜５０５だけでなく、各弾性表面波共振子５０１〜５０５に接続されている引き回し配線５１０〜５１５の直近部が露出するように形成してもよい。
【０１６２】
また、露光条件を適正化し、上記樹脂開口部５２０〜５２３を順テーパー形状とすることが好ましい。これにより、後に該樹脂開口部５２０〜５２３に金属の蒸着あるいは導電ペーストにより配線等を形成することが容易となる。
【０１６３】
また、ＳＡＷ素子の集合基板とした場合には、ダイシングライン部を開口部とすることが好ましい。ダイシングライン部に樹脂がないので、ダイシング時に目詰まりが起こりにくくすることができる。なお、ダイシングライン部の開口幅は、ダイシングブレード幅と同等とすればよい。
【０１６４】
次いで、図３８に示すように、樹脂開口部５２０〜５２３を介して導通パッド５０６〜５０９が露出する貫通孔５２５〜５２８が形成された接合基板５２９を、位置合わせして、ＳＡＷ素子５５０に貼りつける。
【０１６５】
このとき、上記接合基板５２９としては、ガラス基板が挙げられる。このガラス基板としては、例えば厚さ１００μｍのものを使用すればよい。上記貼り付けの際には、接合基板５２９の全面に接着剤を塗布して接着層（図示せず）を形成し、上記樹脂層５２４に貼り付け、接着剤を硬化させる。
【０１６６】
また、接合基板５２９にガラス基板を使用して、樹脂層５２４に貼り付けた後に貫通孔５２５〜５２８を形成してもよい。この場合、接合基板５２９（ガラス基板）に貫通孔等のパタニングがされていないので、位置合わせが不要である。また、貫通孔５２５〜５２８を形成する場合には、圧電基板１上のアライメントマークを使って、圧電基板１上の導通パッド５０６〜５０９に対するガラス基板における貫通孔５２５〜５２８をレーザーで順テーパー状であければよい。このとき、レーザーにより接着剤も除去される。ただし、この場合、ガラス基板面に全面にレジストを塗布し、レーザー加工後にフッ酸処理することが好ましい。レーザー加工するとドロスと呼ばれる溶融物が付着するので、フッ酸でそれを除去するためである。
【０１６７】
次いで、図３９に示すように、上記接合基板５２９上に、樹脂開口部５２０〜５２３および貫通孔５２５〜５２８を介して導通パッド５０６〜５０９と接続するように、第二配線５３０〜５３３を形成する。なお、第二配線５３２・５３３については、インダクタＬを持たせて形成している。第二配線５３２・５３３のインダクタＬは、上記インダクタ５５１・５５２に相当する。上記ではインダクタＬを第二配線に持たせているが、第二配線にキャパシタンスＣを持たせることも可能である。
【０１６８】
上記第二配線５３０〜５３３は、接合基板５２９上に、例えばリフトオフで形成することができる。第二配線５３０〜５３３の構造は、例えば、Ａｕ（１００ｎｍ）／Ｔｉ（２０ｎｍ）／Ａｌ電極（１μｍ）／Ｔｉ（１００ｎｍ）とすることが好ましい。
【０１６９】
次いで、図４０に示すように、上記接合基板５２９上に、第二配線５３０〜５３３の端部が露出するように上部樹脂層開口部５３４〜５３７が形成された上部樹脂層（上部絶縁層、絶縁パターン）５３８を形成する。上部樹脂層に使用される材料としては、感光性ポリイミド、ベンゾシクロブテン、環オレフィン系樹脂、エポキシ系樹脂等が挙げられる。そして、上部樹脂層開口部５３４〜５３７を介して第二配線５３０〜５３３の端部に接続するように外部端子５３８〜５４１を形成することにより弾性表面波フィルタ５００が完成する。なお、上記外部端子５３８〜５４１における上部樹脂層開口部５３４〜５３７に形成されている部分については、外部端子接続部材とみなすことができる。つまり、上記外部端子５３８〜５４１は、外部端子接続部材と外部端子とを一体に形成した構成となっている。上記外部端子接続部材および外部端子は、例えば、印刷技術をつかって、上部樹脂層開口部５３４〜５３７にＡｕ−Ｓｎはんだを充填し、熱処理することにより形成することができる。また、外部端子は、リフトオフにより形成された薄膜であってもよい。また、外部端子接続部材と外部端子とを分離して、異なる方法で形成してもよい。
【０１７０】
さらに、実施の形態１に示したように、緩衝用の導電性樹脂を圧電基板の裏面に塗布し硬化させてもよい。または、予め圧電基板の裏面に金属を成膜し、その上から緩衝用樹脂を塗布しても良い。上記導電性樹脂あるいは金属により電磁波のシールド効果を発揮する。
【０１７１】
また、複数のＳＡＷ素子の集合基板を形成した場合には、ダイシングにより、個々の弾性表面波装置を得ることができる。
【０１７２】
上記のように、導通パッドと、外部端子との位置をずらすことが容易にできるため、弾性表面波フィルタの設計の自由度を高めることができる。
【０１７３】
なお、完成した弾性表面波フィルタ５００の図３６ないし図４０において示したＡ−Ａ’線における断面図を図４１に示す。
【０１７４】
上記弾性表面波フィルタ５００では、図４１に示すように、樹脂層５２４と接合基板５２９との間に接着層３２４ａが形成されている。また、ＳＡＷ素子５５０の弾性表面波共振子５０４・５０５は、樹脂層５２４の厚さにより弾性表面波共振子のＩＤＴの保護空間が確保されている。同様に、弾性表面波共振子５０１〜５０３についても、樹脂層の厚さにより弾性表面波共振子のＩＤＴの保護空間が確保されている。
【０１７５】
さらに、上記弾性表面波フィルタ５００の変形例の弾性表面波フィルタ５８０について、図４２に基づいて説明する。この弾性表面波フィルタ５８０は、上記弾性表面波フィルタ５００において、接合基板５２９における弾性表面波共振子５０４・５０５のＩＤＴと対向する箇所に凹部５７０・５７１を設けたものである。またさらに、接合基板５２９における他の弾性表面波共振子のＩＤＴに対向する箇所にも凹部が設けられている。
【０１７６】
さらに、本実施の形態にかかる他の弾性表面波フィルタついて、図４３ないし図４８に基づいて、説明する。
【０１７７】
図４３に、本実施の形態にかかる他の弾性表面波フィルタ６００の回路図を示す。上記弾性表面波フィルタ６００は、ＩＤＴ（振動部）を有する弾性表面波共振子６０１〜６０５をラダー型に備えている。なお、弾性表面波共振子６０１〜６０３を直列共振子、弾性表面波共振子６０４・６０５を並列共振子とし、インダクタ６５１・６５２を弾性表面波共振子６０４・６０５に直列に接続している構成である。
【０１７８】
まず、図４４に示すように、圧電基板１上に弾性表面波共振子６０１〜６０５、引き回し配線（素子配線）６０６〜６１３を形成し、ＳＡＷ素子６５０を作製する。
【０１７９】
次いで、図４５に示すように、上記ＳＡＷ素子６５０上に、上記弾性表面波共振子６０１〜６０５が露出する樹脂層開口部６１４〜６１６、および引き回し配線６０６〜６１３が露出する樹脂層開口部６１７〜６２４を有する樹脂層６２５が形成される。この樹脂層６２５は、上記圧電基板１を全て覆っていてもよい。
【０１８０】
次いで、図４６に示すように、上記樹脂層６２５上に、樹脂開口部６１７〜６２４を介して引き回し配線６０６〜６１３が露出するように貫通孔６２６〜６３３が形成された接合基板６３４を位置あわせして貼り合わせ、樹脂層６２５と接合基板６３４とを接着する。このとき、樹脂層６２５には、図示しない接着層が形成される。そして、上記樹脂開口部６１７・６２０・６２１・６２４および貫通孔６２６・６２９・６３０・６３３を介して引き回し配線６０６・６０９・６１０・６１３に接続するように第二配線６３５〜６３８を形成する。例えば、導電ペーストで上記樹脂開口部６１７・６２０・６２１・６２４および貫通孔６２６・６２９・６３０・６３３を埋めるとともに、導電ペーストで配線を形成することにより第二配線６３５〜６３８を形成することができる。なお、第二配線６３７・６３８については、インダクタＬを持たせて形成している。第二配線６３７・６３８のインダクタＬは、上記インダクタ６５１・６５２に相当する。上記ではインダクタＬを第二配線に持たせているが、第二配線にキャパシタンスＣを持たせることも可能である。さらに、樹脂開口部６１８・６２２および貫通孔６２７・６３１を介して引き回し配線６０７・６１１を接続する第二配線６３９、および樹脂開口部６１９・６２３および貫通孔６２８・６３２を介して引き回し配線６０８・６１２を接続する第二配線６４０を形成する。
【０１８１】
次いで、図４７に示すように、上記接合基板６２５上に、第二配線６３５〜６３８の端部が露出するように上部樹脂層開口部６４１〜６４４が形成された上部樹脂層（上部絶縁層）６４５を形成する。そして、上部樹脂層開口部６４１〜６４４を介して第二配線６３５〜６３８の端部に接続するように外部端子６４６〜６４９を形成することにより弾性表面波フィルタ６００が完成する。
また、場合によっては、引き回し配線６０６〜６１３を太くしたり、弾性表面波共振子６０１〜６０５のバスバーの一部を太くして形成してもよく、これにより、引き回し配線６０６〜６１３、バスバーと、第二配線６３５〜６４０との接続性を高めることができる。
【０１８２】
なお、上記外部端子６４６〜６４９における上記上部樹脂層開口部６４１〜６４４に形成されている部分については、外部端子接続部材とみなすことができる。つまり、上記外部端子６４６〜６４９は、外部端子接続部材と外部端子とを一体に形成した構成となっている。上記外部端子接続部材および外部端子は、例えば、印刷技術をつかって、上部樹脂層開口部６４１〜６４４にＡｕ−Ｓｎはんだを充填し、熱処理することにより形成することができる。また、外部端子は、リフトオフにより形成された薄膜であってもよい。また、外部端子接続部材と外部端子とを分離して、異なる方法で形成してもよい。
【０１８３】
また、完成した弾性表面波フィルタ６００の図４４ないし図４７において示したＡ−Ａ’線における断面図を図４８に示す。
【０１８４】
上記弾性表面波フィルタ６００では、図４８に示すように、樹脂層６２５と接合基板６３４との間に接着層６２５ａが形成されている。また、ＳＡＷ素子６５０の弾性表面波共振子６０４・６０５は、樹脂層６２５の厚さにより弾性表面波共振子のＩＤＴの保護空間が確保されている。同様に、弾性表面波共振子６０１〜６０３についても、樹脂層の厚さにより弾性表面波共振子のＩＤＴの保護空間が確保されている。また、接合基板６３４における弾性表面波共振子６０１〜６０５に対向する箇所に凹部を設けることにより、保護空間を確保してもよい。また、上記凹部は、接合基板６３４に貫通孔６２６〜６３３を形成するのと同時に形成することができる。
【０１８５】
また、上記実施の形態１ないし７では、上記弾性表面波フィルタは、圧電基板上に、ＩＤＴ、リフレクタ、引き回し配線、および導通パッドを形成したが、圧電基板１上には、ＩＤＴおよびリフレクタのみを形成してもよい。この場合、樹脂層には、上記ＩＤＴのバスバーが露出する樹脂開口部を設け、配線は樹脂層上または接合基板上に形成すればよい。これにより、一部の配線をなくすことができ、弾性表面波フィルタを小型化することができる。
【０１８６】
また、上記実施の形態１ないし７では、樹脂開口部、貫通孔および上部樹脂開口部の位置をずらして形成しているが、これら樹脂開口部、貫通孔および上部樹脂開口部の位置を一致させて形成してもよい。これにより、導通パッドや一部の配線をなくすことができ、弾性表面波フィルタを小型化することができる。
【０１８７】
〔実施の形態８〕
上記実施の形態１〜７では、圧電素子としてのＳＡＷ素子について説明したが、上記実施の形態１〜７における上記圧電素子としてＳＡＷ素子に代えて圧電薄膜素子を用いることができる。
【０１８８】
この圧電薄膜素子を用いた圧電薄膜フィルタ（圧電部品）の一例について図４９ないし図５６に基づいて説明する。
【０１８９】
図４９に本実施の形態にかかる圧電薄膜フィルタ７００の回路図を示す。上記圧電薄膜フィルタ７００は、圧電薄膜共振子（振動部）７０１〜７０４をラダー型に備えている。なお、上記圧電薄膜フィルタ７００では、圧電薄膜共振子７０１・７０３を並列共振子、圧電薄膜共振子７０２・７０４を直列共振子となっている。
【０１９０】
上記圧電薄膜フィルタ７００の製造方法について図５０ないし図５５に基づいて説明する。この製造方法は、実施の形態７に記載の製造方法において、弾性表面波素子に代えて圧電薄膜素子を用いた構成である。
【０１９１】
まず、図５０、図５１に示すように、圧電薄膜共振子７０１〜７０４を備える圧電薄膜素子（圧電素子）７０５を作製する。上記圧電薄膜素子７０５は、シリコンからなる支持基板７０６、その支持基板上に形成されているＳｉＯ２、ＳｉＯ２とＡｌ２Ｏ３とからなる層あるいはＡｌ２Ｏ３とＳｉＯ２とからなる層等である絶縁膜７０７を備えている。さらに、支持基板７０６は、支持基板７０５の厚さ方向に貫通し、絶縁膜７０７まで達する開口部（空洞部）７０８を備えている。また、この絶縁膜７０７上には、順に、Ａｌ等からなる下部電極（電極）７０９・７１０、ＺｎＯあるいはＡｌＮ等からなる圧電薄膜７１１、およびＡｌ等からなる上部電極（電極）７１２・７１３・７１４を備えている。上記絶縁膜７０７はダイヤフラムを形成している。このダイヤフラムは、上記開口部（空洞部）７０８に面している。各圧電薄膜共振子７０１〜７０４は、ダイヤフラム上にて、少なくとも１層以上の圧電薄膜を有する薄膜部の上下面を一対の下部電極および上部電極を対向させて挟む構造となっている。本実施の形態の構成では、圧電薄膜共振子７０１・７０２の上部電極が一体化されて上部電極７１２となっている。圧電薄膜共振子７０１の下部電極７１０はＧＮＤとなっている。圧電薄膜共振子７０２・７０４および圧電薄膜共振子７０３の下部電極が一体化されて下部電極７０９となっている。圧電薄膜共振子７０３の上部電極７１４はＧＮＤとなっている。圧電薄膜共振子７０４の上部電極は上部電極７１３となっている。また、破線部７１５は、この圧電薄膜素子７０５のダイヤフラムを示している。なお、図５０では、圧電薄膜７１１は省略されている。
【０１９２】
次いで、図５２に示すように、上記圧電薄膜素子７０５上に、上部電極７１２・７１３・７１４が露出する樹脂開口部７１９・７１７・７１８、下部電極７１０が露出する樹脂開口部７１６、および圧電薄膜共振子７０１〜７０４が露出する樹脂開口部７２０を有する樹脂層７２１を形成する。
【０１９３】
次いで、図５３に示すように、上記樹脂層７２１上に、樹脂開口部７１９・７１７・７１８を介して上部電極７１２・７１３・７１４が露出する貫通孔７２５・７２３・７２４、樹脂開口部７１６を介して下部電極７１０が露出する貫通孔７２２を備える接合基板７２６を位置合わせして、図示しない接着層により貼り付ける。そして、上記接合基板７２６上に、樹脂開口部７１６〜７１９および貫通孔７２２〜７２５を介して、上部電極７１０、下部電極７１２、上部電極７１３・７１４と接続するように、第二配線７２７〜７３０を形成する。なお、この第二配線７２７〜７３０に、インダクタＬまたはキャパシタンスＣを持たせることも可能である。また、上記接合基板７２６としては、支持基板７０６と線膨張係数が近い基板であることが好ましく、例えば、硬質ガラス基板が好ましい。支持基板７０６と接合基板７２６との線膨張係数が近いことにより、応力、たわみ、ひずみの発生を抑制することができる。これにより、製造される圧電薄膜フィルタへの影響を抑えることができ、特性の変化、接合強度の信頼性を向上させることができる。
【０１９４】
次いで、図５４に示すように、上記接合基板７２６上に、第二配線７２７〜７３０の端部が露出するように、上部樹脂層開口部７３１〜７３４を有する上部樹脂層７３５を形成する。そして、上記上部樹脂層開口部７３１〜７３４を介して第二配線７２７〜７３０に接続するように、外部端子７３６〜７３９を形成する。なお、上記外部端子７３６〜７３９における上記上部樹脂層開口部７３１〜７３４に形成されている部分については、外部端子接続部材とみなすことができる。つまり、上記外部端子７３６〜７３９は、外部端子接続部材と外部端子とを一体に形成した構成となっている。また、上記外部端子接続部材および外部端子７３６〜７３９は、例えば、印刷技術をつかって、上部樹脂層開口部７３１〜７３４にＡｕ−Ｓｎはんだを充填し、熱処理することにより形成することができる。また、外部端子接続部材および外部端子７３６〜７３９は、リフトオフにより形成された薄膜であってもよい。また、外部端子接続部材と外部端子７３６〜７３９とを分離して、異なる方法で形成してもよい。
【０１９５】
さらに、図５１に示す支持基板７０６の開口部７０８を覆うように、例えばアルミナ製のフタ材を貼り付けることにより圧電薄膜フィルタ７００が完成する。
【０１９６】
なお、完成した圧電薄膜フィルタ７００の図５０ないし図５４において示したＢ−Ｂ’線における断面図を図５５に示す。
【０１９７】
上記圧電薄膜フィルタ７００では、図５５に示すように、圧電薄膜素子７０５の圧電薄膜共振子７０２・７０４は、樹脂層７２６の厚さにより圧電薄膜共振子の保護空間が確保されている。同様に、圧電薄膜共振子７０１・７０３についても、樹脂層７２６の厚さにより圧電薄膜共振子の保護空間が確保されている。
【０１９８】
本実施の形態では、樹脂層の厚さにより保護空間を確保したが、接合基板に凹部を形成することによって保護空間を確保してもよい。
【０１９９】
また、圧電薄膜フィルタ７００の変形例としては、例えば、図５６に示す圧電薄膜フィルタ７８０がある。図５６に示すように、圧電薄膜フィルタ７８０は、圧電薄膜フィルタ７００において、開口部７０８が設けられている支持基板７０６を、凹部７０８ａが設けられている支持基板７０６ａに代えた構成である。この圧電薄膜フィルタ７８０では、凹部７０８によりダイヤフラムを確保することができる。また、凹部７０８によりダイヤフラムが覆われているため、圧電薄膜フィルタ７００のようにフタ材を用いる必要がなくなる。
【０２００】
また、圧電薄膜フィルタの更なる変形例として、支持基板に開口部や凹部を設けることなく、下部電極と支持基板との間に空間を形成した圧電薄膜共振子を用いてもよい。
【０２０１】
本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。
【０２０２】
【発明の効果】
本発明の圧電部品は、小型化が可能であり、さらに、外部端子の位置は、任意の位置に形成することができ、位置の自由度を向上させることができる。従って、外部回路への接続を容易に行うことができる圧電部品を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態１にかかる弾性表面波装置の製造工程を示す断面図である。
【図２】本発明の実施の形態１にかかる弾性表面波装置の製造工程を示す断面図である。
【図３】本発明の実施の形態１にかかる弾性表面波装置の製造工程を示す断面図である。
【図４】本発明の実施の形態２にかかる弾性表面波装置の製造工程を示す断面図である。
【図５】本発明の実施の形態２にかかる弾性表面波装置の製造工程を示す断面図である。
【図６】本発明の実施の形態２にかかる弾性表面波装置の製造工程を示す断面図である。
【図７】本発明の実施の形態３にかかる弾性表面波装置の製造工程を示す断面図である。
【図８】本発明の実施の形態４にかかる弾性表面波装置の製造工程を示す断面図である。
【図９】本発明の実施の形態５にかかる弾性表面波装置の製造工程を示す断面図である。
【図１０】本発明の実施の形態５にかかる弾性表面波装置の製造工程を示す断面図である。
【図１１】本発明の実施の形態６にかかる弾性表面波装置の製造工程を示す断面図である。
【図１２】本発明の実施の形態６にかかる弾性表面波装置の製造工程を示す断面図である。
【図１３】本発明の実施の形態１の具体的な例の弾性表面波装置における回路図である。
【図１４】本発明の実施の形態１の具体的な例の弾性表面波装置における弾性表面波素子の平面図である。
【図１５】図１４の弾性表面波素子上に樹脂層を形成した後の平面図である。
【図１６】図１５の樹脂層上に接合基板を貼り付け外部端子を形成した後の平面図である。
【図１７】本発明の実施の形態１の具体的な例の弾性表面波装置の断面図である。
【図１８】本発明の実施の形態２の具体的な例の弾性表面波装置における回路図である。
【図１９】本発明の実施の形態２の具体的な例の弾性表面波装置における弾性表面波素子の平面図である。
【図２０】図１９の弾性表面波素子上に樹脂層を形成した後の平面図である。
【図２１】図２０の樹脂層上に接合基板を貼り付け外部端子を形成した後の平面図である。
【図２２】本発明の実施の形態２の具体的な例の弾性表面波装置の断面図である。
【図２３】本発明の実施の形態６の具体的な例の弾性表面波装置における回路図である。
【図２４】本発明の実施の形態６の具体的な例の弾性表面波装置における弾性表面波素子の平面図である。
【図２５】図２４の弾性表面波素子上に樹脂層を形成した後の平面図である。
【図２６】図２５の樹脂層上に第一配線を形成した後の平面図である。
【図２７】図２６の樹脂層上に接合基板を貼り付け外部端子を形成した後の平面図である。
【図２８】本発明の実施の形態６の具体的な例の弾性表面波装置の断面図である。
【図２９】図２８に示す弾性表面波装置の変形例の弾性表面波装置を示す断面図である。
【図３０】本発明の実施の形態６の他の具体的な例の弾性表面波装置における回路図である。
【図３１】本発明の実施の形態６の他の具体的な例の弾性表面波装置における弾性表面波素子の平面図である。
【図３２】図３１の弾性表面波素子上に樹脂層を形成した後の平面図である。
【図３３】図３２の樹脂層上に第一配線および配線を形成した後の平面図である。
【図３４】図３３の樹脂層上に接合基板を貼り付け、外部端子を形成した後の平面図である。
【図３５】本発明の実施の形態７の具体的な例の弾性表面波装置における回路図である。
【図３６】本発明の実施の形態７の具体的な例の弾性表面波装置における弾性表面波素子の平面図である。
【図３７】図３６の弾性表面波素子上に樹脂層を形成した後の平面図である。
【図３８】図３７の樹脂層上に接合基板を貼り付けた後の平面図である。
【図３９】図３８の接合基板上に第二配線を形成した後の平面図である。
【図４０】図３８の接合基板上に上部樹脂層を形成し、外部端子を形成した後の平面図である。
【図４１】本発明の実施の形態７の具体的な例の弾性表面波装置における弾性表面波素子の断面図である。
【図４２】図４１に示す弾性表面波装置の変形例の弾性表面波装置を示す断面図である。
【図４３】本発明の実施の形態７の他の具体的な例の弾性表面波装置における回路図である。
【図４４】本発明の実施の形態７の他の具体的な例の弾性表面波装置における弾性表面波素子の平面図である。
【図４５】図４４の弾性表面波素子上に樹脂層を形成した後の平面図である。
【図４６】図４５の樹脂層上に接合基板を貼り付け、第二配線を形成した後の平面図である。
【図４７】図４６の接合基板上に上部樹脂層を形成し、外部端子を形成した後の平面図である。
【図４８】本発明の実施の形態７の他の具体的な例の弾性表面波装置の断面図である。
【図４９】本発明の実施の形態８の具体的な例の圧電薄膜フィルタにおける回路図である。
【図５０】本発明の実施の形態８の具体的な例の圧電薄膜フィルタにおける圧電薄膜素子の平面図である。
【図５１】図５０の圧電薄膜素子の断面図である。
【図５２】図５０の圧電薄膜素子上に樹脂層を形成した後の平面図である。
【図５３】図５２の樹脂層上に接合基板を貼り付け、第二配線を形成した後の平面図である。
【図５４】図５３の接合基板上に上部樹脂層を形成し、外部端子を形成した後の平面図である。
【図５５】本発明の実施の形態８の具体的な例の圧電薄膜フィルタの断面図である。
【図５６】図５５の圧電薄膜フィルタの変形例の圧電薄膜フィルタの断面図である。
【符号の説明】
１　　圧電基板
２　　ＩＤＴ（振動部）
３　　導通パッド（素子配線）
４　　気密封止用外枠
５　　アライメントマーク
６　　ＳＡＷ素子（弾性表面波素子）
７　　保護膜
８　　樹脂層
１０　　ガラス基板
１１　　レジストパターン
１２　　レジストパターン
１３　　開口部
１４　　開口部
１５　　アライメントマーク用の開口部
１６　　励振部分保護用中空構造
１７　　レジストパターン
１８　　導通パッド用貫通孔
１９　　アライメントマーク用貫通孔
２０　　接合基板
２１　　接着層
２２ａ　外部端子接続部材（取り出し用配線）
２２ｂ　外部端子
２３　　緩衝樹脂層
２４　　導通パッド用開口部
２６　　ＳＡＷ素子（弾性表面波素子、圧電素子）
２７　　励振部分保護開口部
２８　　導通パッド開口部
３０　　接合基板
３１　　レジスト
３２　　接着層
３３　　金属充填部（外部端子接続部材）
３５　　外部端子
３５ａ　外部端子接続部材（取り出し用配線）
３６　　緩衝樹脂層
３８　　導通パッド用貫通孔
４０　　ドロス
４２　　接着層
４３　　励振部分保護開口部
４８　　樹脂層
４９　　ダイシングライン開口部
５０　　第一配線（取り出し用配線）
５１　　ＳＡＷフィルタ（弾性表面波装置）
５２　　ＳＡＷフィルタ（弾性表面波装置）
５３　　ＳＡＷフィルタ（弾性表面波装置）
５４　　ＳＡＷフィルタ（弾性表面波装置）
【図１】
2004129222.tif 000003
【図２】
2004129222.tif 000004
【図３】
2004129222.tif 000005
【図４】
2004129222.tif 000006
【図５】
2004129222.tif 000007
【図６】
2004129222.tif 000008
【図７】
2004129222.tif 000009
【図８】
2004129222.tif 000010
【図９】
2004129222.tif 000011
【図１０】
2004129222.tif 000012
【図１１】
2004129222.tif 000013
【図１２】
2004129222.tif 000014
【図１３】
2004129222.tif 000015
【図１４】
2004129222.tif 000016
【図１５】
2004129222.tif 000017
【図１６】
2004129222.tif 000018
【図１７】
2004129222.tif 000019
【図１８】
2004129222.tif 000020
【図１９】
2004129222.tif 000021
【図２０】
2004129222.tif 000022
【図２１】
2004129222.tif 000023
【図２２】
2004129222.tif 000024
【図２３】
2004129222.tif 000025
【図２４】
2004129222.tif 000026
【図２５】
2004129222.tif 000027
【図２６】
2004129222.tif 000028
【図２７】
2004129222.tif 000029
【図２８】
2004129222.tif 000030
【図２９】
2004129222.tif 000031
【図３０】
2004129222.tif 000032
【図３１】
2004129222.tif 000033
【図３２】
2004129222.tif 000034
【図３３】
2004129222.tif 000035
【図３４】
2004129222.tif 000036
【図３５】
2004129222.tif 000037
【図３６】
2004129222.tif 000038
【図３７】
2004129222.tif 000039
【図３８】
2004129222.tif 000040
【図３９】
2004129222.tif 000041
【図４０】
2004129222.tif 000042
【図４１】
2004129222.tif 000043
【図４２】
2004129222.tif 000044
【図４３】
2004129222.tif 000045
【図４４】
2004129222.tif 000046
【図４５】
2004129222.tif 000047
【図４６】
2004129222.tif 000048
【図４７】
2004129222.tif 000049
【図４８】
2004129222.tif 000050
【図４９】
2004129222.tif 000051
【図５０】
2004129222.tif 000052
【図５１】
2004129222.tif 000053
【図５２】
2004129222.tif 000054
【図５３】
2004129222.tif 000055
【図５４】
2004129222.tif 000056
【図５５】
2004129222.tif 000057
【図５６】
2004129222.tif 000058