(57)【要約】【課題】  本発明の目的は、半導体チップとフレキシブル基板との間に良好な状態で樹脂を注入しやすいフィルムキャリアテープ及び半導体装置、これらの製造方法並びに回路基板を提供することにある。【解決手段】  フィルムキャリアテープを用いて製造され、パッケージサイズがチップサイズに近い半導体装置であって、封止用の樹脂を良好な状態で注入できる半導体装置及びその製造方法である。フィルムキャリアテープ３２は、複数の接続リード２４と、接続リード２４のうちのいくつかが接続されてなる接続部及び交差部が打ち抜かれてなる穴２９、３１と、矩形穴１１〜１５と、を有し、矩形穴１１、１５を介して樹脂が注入され、矩形穴１２、１４は樹脂の広がり止めとなり、穴２９、３１は樹脂からの空気抜きとなる。【選択図】      図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の接続リード及び複数の穴を有するフレキシブル基板を、ギャップを形成して、半導体チップの上方に配置する工程と、
前記穴のうちの少なくとも一つから前記ギャップに樹脂を注入しつつ、残りの穴のうちの少なくとも一つから空気を抜く工程と、
を含む半導体装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
前記穴は、前記半導体チップのほぼ中央に位置する中央穴を含み、
前記中央穴から前記樹脂が注入される半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項２記載の半導体装置の製造方法において、
前記フレキシブル基板は、前記半導体チップよりも大きく、
前記穴は、前記半導体チップの電極の上方に形成されるボンディング穴を含み、
前記ボンディング穴を介して、前記接続リードと前記電極とを接合する工程と、
前記ボンディング穴から、前記接合された電極を含む前記半導体チップの能動面上に前記樹脂を注入する工程と、
を含む半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項３記載の半導体装置の製造方法において、
前記中央穴からの前記樹脂の注入と、前記ボンディング穴からの前記樹脂の注入とは時間的にずれて行われる半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項２記載の半導体装置の製造方法において、
前記穴は、前記半導体チップの端部の上方に形成される樹脂止め穴を含み、
前記樹脂止め穴は、前記ギャップに注入された樹脂の拡がりを止める半導体装置の製造
方法。
【請求項６】
請求項５記載の半導体装置の製造方法において、
前記樹脂止め穴は、矩形をなし、内周端の一辺が前記半導体チップの外周端よりも外側に位置し、前記一辺に対向する他の辺が前記半導体チップの前記外周端よりも内側に位置する半導体装置の製造方法。
【請求項７】
請求項６記載の半導体装置の製造方法において、
前記樹脂止め穴は、前記半導体チップの電極の上方に形成され、該樹脂止め穴を介して前記接続リードと前記電極とが接合される半導体装置の製造方法。
【請求項８】
請求項１から請求項７のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
フィルムキャリアテープの一部が前記フレキシブル基板として使用され、
前記樹脂の注入後に、前記フィルムキャリアテープから個片に切り離す工程を含む半導体装置の製造方法。
【請求項９】
請求項８記載の半導体装置の製造方法において、
前記フィルムキャリアテープを形成する工程を含む半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項９記載の半導体装置の製造方法において、
前記フィルムキャリアテープを形成する工程は、
樹脂封止されるべき領域内に形成されて複数の接続部にて接続される前記接続リードと、前記樹脂封止の領域外に形成されるメッキリードと、該メッキリードから延設されていずれかの前記接続リードに交差部にて接続される代表リードと、の全てを電気的に導通させた状態の導電パターンをフィルムに形成する工程と、
前記メッキリードを通じて前記導電パターンに電気メッキを施す工程と、
前記接続部及び前記交差部を打ち抜く工程と、
を含む半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項１０記載の半導体装置の製造方法において、
前記接続部及び前記交差部は一括して打ち抜かれる半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項１０記載の半導体装置の製造方法において、
前記接続部及び前記交差部は、１箇所ごとに打ち抜かれる半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
樹脂封止されるべき領域内に形成されて複数の接続部にて接続される接続リードと、前記樹脂封止の領域外に形成されるメッキリードと、該メッキリードから延設されていずれかの前記接続リードに交差部にて接続される代表リードと、の全てを電気的に導通させた状態の導電パターンをフィルムに形成する工程と、
前記メッキリードを通じて前記導電パターンに電気メッキを施す工程と、
前記接続部及び前記交差部を打ち抜く工程と、
を含むフィルムキャリアテープの製造方法。
【請求項１４】
請求項１３記載のフィルムキャリアテープの製造方法において、
前記フィルムに、半導体チップのほぼ中央に位置する中央穴を形成する工程を含むフィルムキャリアテープの製造方法。
【請求項１５】
請求項１４記載のフィルムキャリアテープの製造方法において、
前記フィルムに、前記半導体チップの電極の上方に位置するボンディング穴を形成する工程を含むフィルムキャリアテープの製造方法。
【請求項１６】
請求項１５記載のフィルムキャリアテープの製造方法において、
前記フィルムに、前記半導体チップの端部の上方に位置する樹脂止め穴を形成する工程を含むフィルムキャリアテープの製造方法。
【請求項１７】
請求項１３から請求項１６のいずれかに記載のフィルムキャリアテープの製造方法において、
前記接続部及び前記交差部は、一括して打ち抜かれるフィルムキャリアテープの製造方法。
【請求項１８】
請求項１３から請求項１６のいずれかに記載のフィルムキャリアテープの製造方法において、
前記接続部及び前記交差部は、１箇所ごとに打ち抜かれるフィルムキャリアテープの製造方法。
【請求項１９】
複数の電極を有する半導体チップと、前記半導体チップ上において前記半導体チップと所定距離を隔てて且つ相重なるように位置するフレキシブル基板と、前記フレキシブル基板に形成され前記電極に接続されるパッド部と、前記半導体チップと前記フレキシブル基板との間に位置し前記半導体チップの前記電極を有する面を封止する樹脂と、を有し、
前記フレキシブル基板には、複数の穴が形成されている半導体装置。
【請求項２０】
請求項１９記載の半導体装置が、該半導体装置の前記パッド部を介して電気的に接続されて搭載された回路基板。
【請求項２１】
樹脂封止型の半導体装置に用いられるフィルムキャリアテープにおいて、
樹脂封止されるべき領域内で外部電極が形成されたパッド部と、
樹脂封止されるべき領域内に配置され、各々の前記外部電極と半導体チップの各電極とを接続する複数の接続リードと、
樹脂封止の領域外に形成される少なくとも一つのメッキリードと、
前記メッキリードから前記樹脂封止されるべき領域内に向けて形成される代表リードと、
を有し、
いずれかの前記接続リード同士の接続部と、前記代表リードといずれかの前記接続リードとの交差部と、が打ち抜かれて穴が形成されているフィルムキャリアテープ。
【請求項２２】
請求項２１記載のフィルムキャリアテープにおいて、
半導体チップのほぼ中央に対応する領域に形成される中央穴を有するフィルムキャリアテープ。
【請求項２３】
請求項２２記載のフィルムキャリアテープにおいて、
前記半導体チップの電極の上方に対応する領域に形成されるボンディング穴を有するフィルムキャリアテープ。
【請求項２４】
請求項２３記載のフィルムキャリアテープにおいて、
前記半導体チップの端部の上方に対応する領域に形成される樹脂止め穴を有するフィルムキャリアテープ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置及びその製造方法、回路基板並びにフィルムキャリアテープに関し、特に、パッケージサイズがチップサイズに近いフィルムキャリアテープ及び半導体装置、これらの製造方法並びに回路基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の高密度実装を追求すると、ベアチップ実装が理想的である。しかしながら、ベアチップの状態では、品質の保証及び取り扱いが難しい。そこで、ベアチップをパッケージ化するもののパッケージサイズがチップサイズに近いパッケージとして、ＣＳＰ（chip scale/size package）が開発されている。そして各種形態にて開発されているＣＳＰ型の半導体装置において、１つの形態として、半導体チップの能動面側にフレキシブル基板が設けられており、このフレキシブル基板上に複数の外部電極が形成されているものがある。この半導体装置では、外部電極が半導体チップのエリア内に設けられるので、例えばＱＦＰ（Quad Flat Package）やＴＣＰ（Tape Carrier Package）等、パッケージ本体の側面からリードが張りだしたいわゆる「アウタリード」を有していない。
【０００３】
また、フレキシブル基板を用いたＣＳＰ型の半導体装置において、例えば、国際公開ＷＯ９５／０８８５６号公報に記載されるように、半導体チップの能動面とフレキシブル基板との間に樹脂を注入して、熱ストレスの吸収を図ることも知られている。
【０００４】
しかしながら、樹脂を注入するときには種々の困難があった。例えば、樹脂は、半導体チップとフレキシブル基板との間、すなわち他の部材間の狭い領域に注入されるので、空気（気泡）が残ったままとなりやすい。そうすると、高温多湿下で、空気（気泡）が膨張してクラックが生じる場合があった。あるいは、樹脂が、半導体チップとフレキシブル基板との間から流れ出すのを止めることも難しかった。
【特許文献１】特開平７−３２６６４４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、上述したような課題を解決するものであり、その目的は、半導体チップとフレキシブル基板との間に良好な状態で樹脂を注入しやすいフィルムキャリアテープ及び半導体装置、これらの製造方法並びに回路基板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
（１）本発明に係る半導体装置の製造方法は、複数の接続リード及び複数の穴を有するフレキシブル基板を、ギャップを形成して、半導体チップの上方に配置する工程と、
前記穴のうちの少なくとも一つから前記ギャップに樹脂を注入しつつ、残りの穴のうちの少なくとも一つから空気を抜く工程と、
を含む。本発明によれば、半導体チップとフレキシブル基板との間に樹脂を注入して樹脂封止をすると、穴が空気抜きとなって、樹脂に空気が残りにくくなる。こうして、高温多湿下での信頼性の向上した半導体装置を得ることができる。
（２）上記製造方法において、
前記穴は、前記半導体チップのほぼ中央に位置する中央穴を含み、
前記中央穴から前記樹脂が注入されるようにしてもよい。
（３）上記製造方法において、
前記フレキシブル基板は、前記半導体チップよりも大きく、
前記穴は、前記半導体チップの電極の上方に形成されるボンディング穴を含み、
前記ボンディング穴を介して、前記接続リードと前記電極とを接合する工程と、
前記ボンディング穴から、前記接合された電極を含む前記半導体チップの能動面上に前記樹脂を注入する工程と、
を含んでもよい。
（４）上記製造方法において、
前記中央穴からの前記樹脂の注入と、前記ボンディング穴からの前記樹脂の注入とは時間的にずれて行われてもよい。
（５）上記製造方法において、
前記穴は、前記半導体チップの端部の上方に形成される樹脂止め穴を含み、
前記樹脂止め穴は、前記ギャップに注入された樹脂の拡がりを止めるものであってもよい。
（６）上記製造方法において、
前記樹脂止め穴は、矩形をなし、内周端の一辺が前記半導体チップの外周端よりも外側に位置し、前記一辺に対向する他の辺が前記半導体チップの前記外周端よりも内側に位置してもよい。
（７）上記製造方法において、
前記樹脂止め穴は、前記半導体チップの電極の上方に形成され、該樹脂止め穴を介して前記接続リードと前記電極とが接合されてもよい。
（８）上記製造方法において、
フィルムキャリアテープの一部が前記フレキシブル基板として使用され、
前記樹脂の注入後に、前記フィルムキャリアテープから個片に切り離す工程を含んでもよい。
（９）上記製造方法は、
前記フィルムキャリアテープを形成する工程を含んでもよい。
（１０）上記製造方法において、
前記フィルムキャリアテープを形成する工程は、
樹脂封止されるべき領域内に形成されて複数の接続部にて接続される前記接続リードと、前記樹脂封止の領域外に形成されるメッキリードと、該メッキリードから延設されていずれかの前記接続リードに交差部にて接続される代表リードと、の全てを電気的に導通させた状態の導電パターンをフィルムに形成する工程と、
前記メッキリードを通じて前記導電パターンに電気メッキを施す工程と、
前記接続部及び前記交差部を打ち抜く工程と、
を含んでもよい。
（１１）上記製造方法において、
前記接続部及び前記交差部は一括して打ち抜かれてもよい。
（１２）上記製造方法において、
前記接続部及び前記交差部は、１箇所ごとに打ち抜かれてもよい。
（１３）本発明に係るフィルムキャリアテープの製造方法は、樹脂封止されるべき領域内に形成されて複数の接続部にて接続される接続リードと、前記樹脂封止の領域外に形成されるメッキリードと、該メッキリードから延設されていずれかの前記接続リードに交差部にて接続される代表リードと、の全てを電気的に導通させた状態の導電パターンをフィルムに形成する工程と、
前記メッキリードを通じて前記導電パターンに電気メッキを施す工程と、
前記接続部及び前記交差部を打ち抜く工程と、
を含む。本発明によれば、半導体チップとフィルムキャリアテープとの間に樹脂を注入して樹脂封止をすると、穴が空気抜きとなって、樹脂に空気が残りにくくなる。こうして、高温多湿下での信頼性が向上する半導体装置を製造することができる。
（１４）上記製造方法は、
前記フィルムに、半導体チップのほぼ中央に位置する中央穴を形成する工程を含んでもよい。
（１５）上記製造方法は、
前記フィルムに、前記半導体チップの電極の上方に位置するボンディング穴を形成する工程を含んでもよい。
（１６）上記製造方法は、
前記フィルムに、前記半導体チップの端部の上方に位置する樹脂止め穴を形成する工程を含んでもよい。
（１７）上記製造方法において、
前記接続部及び前記交差部は、一括して打ち抜かれてもよい。
（１８）上記製造方法において、
前記接続部及び前記交差部は、１箇所ごとに打ち抜かれてもよい。
（１９）本発明に係る半導体装置は、複数の電極を有する半導体チップと、前記半導体チップ上において前記半導体チップと所定距離を隔てて且つ相重なるように位置するフレキシブル基板と、前記フレキシブル基板に形成され前記電極に接続されるパッド部と、前記半導体チップと前記フレキシブル基板との間に位置し前記半導体チップの前記電極を有する面を封止する樹脂と、を有し、
前記フレキシブル基板には、複数の穴が形成されている。本発明によれば、フレキシブル基板に穴が形成されているので、樹脂に空気が含まれていても、リフロー工程で水蒸気を穴から抜くことができる。
（２０）本発明に係る回路基板は、上記半導体装置が、該半導体装置の前記パッド部を介して電気的に接続されて搭載されてなる。
（２１）本発明は、樹脂封止型の半導体装置に用いられるフィルムキャリアテープにおいて、
樹脂封止されるべき領域内で外部電極が形成されたパッド部と、
樹脂封止されるべき領域内に配置され、各々の前記外部電極と半導体チップの各電極とを接続する複数の接続リードと、
樹脂封止の領域外に形成される少なくとも一つのメッキリードと、
前記メッキリードから前記樹脂封止されるべき領域内に向けて形成される代表リードと、
を有し、
いずれかの前記接続リード同士の接続部と、前記代表リードといずれかの前記接続リードとの交差部と、が打ち抜かれて穴が形成されている。
（２２）上記フィルムキャリアテープは、
半導体チップのほぼ中央に対応する領域に形成される中央穴を有してもよい。
（２３）上記フィルムキャリアテープは、
前記半導体チップの電極の上方に対応する領域に形成されるボンディング穴を有してもよい。
（２４）上記フィルムキャリアテープは、
前記半導体チップの端部の上方に対応する領域に形成される樹脂止め穴を有してもよい。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００７】
以下、本発明の好適な実施の形態について図面を参照して説明する。
【０００８】
図１〜図４（Ｂ）は、本実施形態に係る半導体装置の製造工程を示す図である。詳しくは、図１はフィルムに所定の導電パターンが形成された工程、図２は導電パターンの一部を打ち抜いて所望の回路、すなわち配線パターンが形成された工程、図３は半導体チップ上にフィルムが配置され樹脂封止が行われる工程を示す図である。そして、図４（Ａ）及び図４（Ｂ）は、樹脂封止後の状態を示す図である。なお、図１〜図３においては、１つの回路部（最終的に１つの配線パターンに相当する箇所）のみを取り上げて示しており、本来は長尺状のフィルムに同じ回路が連続して形成されている。
【０００９】
図１に示すように、フィルム１０には、５箇所の矩形穴１１〜１５が形成され、導電パターン２０が形成されている。ここで、フィルム１０は例えばポリイミドやポリエステル、ガラスエポキシ、ＢＴレジン等の樹脂からなるテープ材料が用いられる。このフィルム１０は電気的に絶縁性を有するとともに、可撓性（フレキシブル性）を有する材料が用いられる。導電パターン２０は、パッド部２２、接続リード２４及びメッキリード２６を含む。なお、ここで導電パターン２０は、パッド部２２、接続リード２４及びメッキリード２６の全てが電気的に導通したものをいう。一方、詳細は後述するが、配線パターン３４とは、導電パターン２０の状態（電気的に全て導通の図られた状態）から所定の処理を行って回路が形成された状態をいい、導電パターン２０とはその意味を区別している。ここで、導電パターン２０は銅等からなる導体箔を例えばエッチング等によって形成したものである。パッド部２２は、実装基板等の外部との接続に用いられる所であり、例えば接合部材としてハンダを球状にしたものがパッド部上に設けられる。接続リード２４は、パッド部２２と半導体チップ３６の電極３８（図３参照）とを電気的に接続するためのものであり、半導体チップ３６と接続する前においては、その一端は自由端となっている。勿論、半導体チップ３６の電極３８との接続後には、自由端であった接続リード２４は半導体チップ３６の電極３８に固定され自由端という意味合いからはずれる。また、接続リード２４は、メッキリード２６に接続されている。メッキリード２６は、導電パターン２０に電気メッキ処理を行うためのものであり、一つのメッキリード２６と他のメッキリード２６とが、接続リード２４及びパッド部２２を介して電気的に接続されている。本例では、複数の接続リード２４が１箇所で電気的に接続されて収束した状態で１つのメッキリード２６に接続されている。より詳しくいうと、複数の接続リード２４を束ねて電気的に接続し、最終的に１つのメッキリード２６には１つの代表リード２５が接続されているのみである。従って、メッキリード２６の総数は、それぞれ電気的に独立したときの接続リード２４の総数よりも少ない。この本形態のようにメッキリード２６に接続させるリードを１本の代表リード２５のみにすれば、それぞれの接続リード２４をそれぞれメッキリード２６に接続させる場合に比べて、各信号線がそれぞれ半導体装置（半導体パッケージ）の外端に露出しない構造になるため、汚れやすい半導体パッケージ外端に起因するコンタミネーションを防止することができる。従って、半導体装置の耐湿信頼性低下を防ぐことができ、半導体パッケージの信頼性を向上できる、といった利点がある。また接続リード２４を束ねる場合に、最も効率的な束ね方を考える必要がある。本例のようにパッド部２２がマトリックス状に配置された場合には、接続リード２４が束ねられた点（交差している点）となる接続部２８は、できるだけパッド部２２からみたときに等距離になるように位置させることが好ましい。理由は、隣接する信号間の距離（切断された接続部２８と、隣のパッド部２２との距離）を大きくすることができることから、耐湿信頼性を向上させることができるためである。
【００１０】
接続リード２４及びパッド部２２は、図３に示すように、樹脂封止の領域２７内に位置するように形成され、メッキリード２６は、樹脂封止の領域２７外（更にいうと、半導体装置の領域外）に位置するように形成されている。なお、パッド部２２上には、外部電極が形成される。外部電極には、例えば図４（Ｂ）に示すハンダボール４４を用いる。また、接続リード２４は、矩形穴１１、１５の内側の開口領域にまで突出して形成されている。そしてその先端は、開口部内において自由端になっている。なお本例では接続リード２４が自由端となっているが、必ずしも自由端にする必要はなく、そのまま伸びて矩形穴１１、１５を超えてフィルム１０上にまで位置させることも可能である。
【００１１】
そして、メッキリード２６に接続されるメッキ電極（図示せず）を介して、導電パターン２０に金メッキを施す。なお、メッキ処理としては金メッキの他にスズやハンダ等によるメッキ処理を行っても良い。
【００１２】
この導電パターン２０は、複数の接続リード２４同士を接続する接続部（束ねた点、もしくは交差している点）２８と、接続リード２４とメッキリード２６から引き廻された１本の代表リード２５とを接続する交差部３０と、を有する。１本の代表リード２５に束ねる目的で設けられたものが交差部３０で、交差部３０に束ねられるようにまとめたのが各々の接続部２８である。また、接続部２８及び交差部３０は、図３に示すように、樹脂封止の領域内に位置する。そして、図２に示すように、接続部２８及び交差部３０はメッキ処理が行われた後に、打ち抜かれて、配線パターン３４を有するフィルムキャリアテープ３２を得る。接続部２８及び交差部３０が打ち抜かれて形成された穴２９、３１の総数は、接続リード２４の総数よりも少ない。これは、接続リード２４を束ねたことによるものである。打ち抜き位置としては、この接続部２８並びに交差部３０を利用して、その部分を打ち抜けば一度に複数の接続リード２４が形成され好ましい。
【００１３】
また、全てのパッド部２２に対して各々電気的に機能するように形成するか、それとも図２に示す如く、特定の領域はダミーのパッド部２３ａ、２３ｂとして用いても良い。この場合、中央領域に近いパッド部２３ａは、その配線の引き回しの困難さからダミーにし易い。また、一方で、隅部に位置するパッド部２３ｂは、積極的にダミーのパッドに利用すれば、最も応力のかかりやすい隅部をフリーにできるので、応力緩和を助ける構造となる。
【００１４】
次に、図３に示すように、半導体チップ３６の上方において、半導体チップ３６に重なるように且つ、所定のギャップをあけて、フィルムキャリアテープ３２を配置する。本形態の場合に詳しくは、半導体チップ３６の短手辺が矩形穴１１、１５の中に位置し、長手辺が矩形穴１２、１４よりも内側に隠れるように、フィルムキャリアテープ３２を配置する。ここで矩形穴１１、１５は、半導体チップ３６と接続リード２４との接続用に用いられる穴であり、同穴内には半導体チップ３６の電極３８を位置させる。また、これらの穴を利用すれば、たとえ半導体チップ３６がフィルムキャリアテープ３２に覆い被されてしまっても半導体チップ３６の位置決めを容易に行えるという利点がある。
【００１５】
また、半導体チップ３６の能動面３６ａとフィルムキャリアテープ３２との間において所定ギャップを維持するために、図４（Ｂ）に示すように、半導体チップ３６の能動面３６ａとフィルムキャリアテープ３２との間に、ギャップ保持材４０を介在させてもよい。
【００１６】
半導体チップ３６の複数の電極３８と、複数の接続リード２４とは、一括または各々の電極３８毎にボンディングすればよい。
【００１７】
さらに、図４（Ａ）及び図４（Ｂ）に示すように、半導体チップ３６とフィルムキャリアテープ３２との間のギャップに樹脂４２を注入する。詳しくは、矩形穴１１、１５から樹脂４２を注入して電極３８の周囲を封止する。また、中央の矩形穴１３からも樹脂４２を注入して、半導体チップ３６とフィルムキャリアテープ３２との間に樹脂層を形成する。樹脂を注入する工程において、電極３８の周囲からの注入と中央からの注入との時間制約（同時にするか、ずらして行うか等）に関しては、各種形態がとれる。同時に注入を行う場合には、注入時間の減少による製造時間の短縮が図られるという利点がある。一方、注入時間を部位によりずらして行う場合には、周囲を先に行う場合と、中央を先に行う場合とがある。特に、中央を先に行う場合には、半導体チップ３６とフィルムキャリアテープ３２との間において確実に樹脂が充填されてから周囲を充填することで、例えばフリップチップ実装において信頼性を確保する上で必要となるアンダーフィルを注入する工程を確実に行うことができるという利点がある。
【００１８】
この樹脂４２にて形成された層は、半導体チップ３６とフィルムキャリアテープ３２との、熱膨張率の差による熱ストレスを吸収するためのものであると同時に、半導体チップ３６の電極３８を含む能動面３６ａの保護も兼ねている。
【００１９】
本実施形態においては、フィルムキャリアテープ３２における樹脂４２の充填領域に、複数の穴２９、３１が形成されているので、これらが空気抜きとなる。そして、樹脂４２にて形成される樹脂層、つまり半導体チップ３６の能動面３６ａとフィルムキャリアテープ３２との間には、空気（気泡）が残りにくくなり、高温多湿下においても信頼性が得られる。また、複数の穴２９、３１は、空気抜き用の用途以外に、穴のうちのいくつかを前述の矩形穴と同様に樹脂４２注入用の穴として用いることもできる。さらに、完成品としての半導体装置においては、プリント基板等の外部基板への実装時に行われるリフロー工程で高温にさらされたときに、穴２９、３１から水蒸気を抜くことができる。
【００２０】
また、矩形穴１１、１５内に露出する接続リード２４も、樹脂４２によって覆われるので、絶縁信頼性が得られる。また特に電極３８と接続リード２４とが接続された部分は、穴から露出した状態で樹脂４２が注入されるため、樹脂層の形成状態を視認することもでき、信頼性を高めることができる。
【００２１】
さらに、矩形穴１２、１４は、樹脂４２の拡がりを止める機能を果たす。つまり、矩形穴１２、１４の内側に半導体チップ３６の長手辺の側端が位置し、その上方で、矩形穴１２、１４の内周端が位置する。そうすると、表面張力によって、樹脂４２は、半導体チップ３６の側端と矩形穴１２、１４の内周端とで拡がりが止められるようになる。
【００２２】
こうして、樹脂封止が終わると、所定の位置で最終的な打ち抜きが行われて半導体装置を得ることができる。
【００２３】
また、上記実施形態の変形例として、以下の形態が考えられる。上記の形態において電極３８の位置する側の矩形穴１１、１５は、半導体チップ３６と接続リード２４とのボンディングを考慮して半導体チップ３６の電極３８を含むように、即ち電極３８を跨ぐように設けられている。しかし、樹脂の拡がり止めを果たす目的のみであれば、半導体チップ３６の電極３８の外側（半導体チップ３６の外周側）に矩形穴があればよい。またその場合に、半導体チップ３６領域内に矩形穴の両辺を完全に位置させる（すなわち、矩形穴の相対向する両辺が完全に半導体チップ３６領域の内側に位置する）か、させない（すなわち、矩形穴の相対向する２辺のうちの１辺は半導体チップ３６領域内に、他の１辺が半導体チップ３６外周の更に外側に位置する）かは問わない。但し、樹脂の流れ拡がり防止の効果を最大限得るとすれば、矩形穴の一方の辺（外側の辺）は半導体チップ３６領域よりも更に外側に位置させておいた方がより好ましい。なお、矩形穴がボンディングの用途として使われない構造であるため、その状態においてボンディングが可能な接合（ボンディング）方法、例えば異方性導電接着剤を用いて接合する等の方法を行う必要がある。
【００２４】
また、半導体チップ３６の長手辺側（電極３８の存在しない側）において、半導体チップ３６の外周辺が矩形穴１２、１４よりも内側に位置するように配置したが、同じく必ずしもそうしなければならないわけではない。すなわち、半導体チップ３６の領域内に矩形穴１２、１４を設けても良い。特に、この方向においてはボンディングを考慮する必要はないため、その設定においてはより自由度がある。いずれにしても、樹脂はその粘性及び張力によりフィルムキャリアテープ３２からみたときにフィレット状に形成されているので、フィルムキャリアテープ３２と樹脂４２との密着性は得られる。
【００２５】
次に、図５（Ａ）及び図５（Ｂ）は、上記実施形態の変形例を示す図であり、それぞれ図４（Ａ）及び図４（Ｂ）に対応する。
【００２６】
図５（Ａ）及び図５（Ｂ）において、フィルムキャリアテープ５０には、半導体チップ５２の能動面５２ａ側に接続リード５４が形成されている。そして、接続リード５４をギャップ保持材として、フィルムキャリアテープ５０と能動面５２ａとの間にギャップが形成されている。なお、接続リード５４は、１５〜３５μｍ程度の厚みに形成されている。また、接続リード５４との絶縁を図るために、能動面５２ａにはパッシベーション膜として例えばシリコン酸化膜５６が形成されている。そして、フィルムキャリアテープ５０と能動面５２ａとの間には、樹脂５８が注入されて、半導体チップ５２が樹脂封止されている。また、フィルムキャリアテープ５０には、接続リード５４上に複数の孔５０ａが形成されており、各孔５０ａを介して、ハンダボール６０が設けられるようになっている。
【００２７】
その他の構成については、例えば矩形穴１１〜１５、穴２９、３１については、上記実施形態と同様であるので説明を省略する。
【００２８】
この変形例によっても、上記実施形態と同様の効果を達成することができる。さらにこの形態のフィルムキャリアテープ５０を用いれば、フィルムの下に接続リード５４が配設されるので、いいかえるとフィルムが最も外側に位置するので、新たに接続リード５４の表面にソルダレジストを塗布する工程を省略できる。
【００２９】
なお、上記各実施形態においては、電極が２辺に形成されたチップを用いたが、４辺に電極が設けられた場合も同様に適用可能である。その際にはテープの４方向に矩形穴が設けられることになる。
【００３０】
また、本例では半導体チップ領域内に外部電極を引き込む形態のいわゆるファンインタイプを説明したが、ファンインタイプとその逆のファンアウトタイプを融合させての適用も可能である。この場合にはファンインタイプは本例を用いてファンアウトタイプは従前の技術を用いて行えば可能である。
【００３１】
上記実施形態において、メッキ処理を行うときには、電解メッキの他に多少製造コストは高くなるが周知の無電解メッキ法を用いてもよい。またフィルムキャリアテープ自体も本例のように導電パターン、接着剤、フィルムの３層からなるテープに限られるものでなく、例えば前述の構成から接着剤の除かれた２層のテープを用いてもよい。
【００３２】
そして、図６は、上記実施形態を適用して製造された半導体装置１１０を実装した回路基板１００を示す図である。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】図１は、本実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明する図である。
【図２】図２は、本実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明する図である。
【図３】図３は、本実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明する図である。
【図４】図４（Ａ）及び図４（Ｂ）は、本実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明する図でありる。
【図５】図５（Ａ）及び図５（Ｂ）は、本実施形態の変形例を示す図である。
【図６】図６は、本実施形態を適用して製造された半導体装置を実装した回路基板を示す図である。
【符号の説明】
【００３４】
１０…フィルム  １３…矩形穴  ２０…導電パターン  ２２…パッド部  ２４…接続リード  ２５…代表リード  ２６…メッキリード  ２８…接続部  ３０…交差部  ３２…フィルムキャリアテープ  ３４…配線パターン  ３６…半導体チップ  ３８…電極  ４０…ギャップ保持材  ４２…樹脂  ４４…ハンダボール  ５０…フィルムキャリアテープ  ５２…半導体チップ  ５４…接続リード  ５６…シリコン酸化膜  ５８…樹脂  ６０…ハンダボール  １００…回路基板  １１０…半導体装置
【図１】
2004241791.tif 000003
【図２】
2004241791.tif 000004
【図３】
2004241791.tif 000005
【図４】
2004241791.tif 000006
【図５】
2004241791.tif 000007
【図６】
2004241791.tif 000008
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月25日(2004.6.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の接続部にて接続される複数の接続リードがメッキリードに電気的に導通した状態の導体パターンを前記フィルムに形成し、前記メッキリードを通じて前記導体パターンに電気メッキを施すことを含む工程によって、複数の穴を有するフィルムキャリアテープを形成する工程と、
前記フィルムキャリアテープを、ギャップを形成して、半導体チップの上方に配置する工程と、
前記複数の穴のうちの少なくとも一つから前記ギャップに樹脂を注入する工程と、
前記樹脂の注入後に、前記フィルムキャリアテープを個片に切り離す工程と、
を含み、
前記複数の穴は前記接続部に対応した位置に形成された穴を含み、
前記フィルムキャリアテープを前記半導体チップの上方に配置する工程では、前記接続部に対応した位置に形成された穴と前記半導体チップがオーバーラップするように、前記フィルムキャリアテープが配置され、
前記樹脂は前記接続部に対応した位置に形成された穴から注入されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
前記複数の穴は、前記半導体チップのほぼ中央に位置する中央穴を含み、
前記中央穴から前記樹脂を注入することをさらに含む半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項２記載の半導体装置の製造方法において、
前記フレキシブル基板は、前記半導体チップよりも大きく、
前記複数の穴は、前記半導体チップの電極の上方に形成されるボンディング穴を含み、
前記ボンディング穴を介して、前記接続リードと前記電極とを接合する工程と、
前記ボンディング穴から、前記接合された電極を含む前記半導体チップの能動面上に前記樹脂を注入する工程と、
をさらに含む半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項３記載の半導体装置の製造方法において、
前記中央穴からの前記樹脂の注入と、前記ボンディング穴からの前記樹脂の注入とは時間的にずれて行われる半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項２記載の半導体装置の製造方法において、
前記複数の穴は、前記半導体チップの端部の上方に形成される樹脂止め穴を含み、
前記樹脂止め穴は、前記ギャップに注入された樹脂の拡がりを止める半導体装置の製造方法。
【請求項６】
請求項５記載の半導体装置の製造方法において、
前記樹脂止め穴は、矩形をなし、内周端の一辺が前記半導体チップの外周端よりも外側に位置し、前記一辺に対向する他の辺が前記半導体チップの前記外周端よりも内側に位置する半導体装置の製造方法。
【請求項７】
請求項６記載の半導体装置の製造方法において、
前記樹脂止め穴は、前記半導体チップの電極の上方に形成され、該樹脂止め穴を介して前記接続リードと前記電極とが接合される半導体装置の製造方法。
【請求項８】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
前記導体パターンを前記フィルムに形成する工程では、前記メッキリードから延設されていずれかの前記接続リードに交差部にて接続される代表リードを形成し、
前記電気メッキを施す工程後、前記交差部を打ち抜く工程をさらに含む半導体装置の製造方法。
【請求項９】
請求項８記載の半導体装置の製造方法において、
前記接続部及び前記交差部は一括して打ち抜かれる半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項８記載の半導体装置の製造方法において、
前記接続部及び前記交差部は、１箇所ごとに打ち抜かれる半導体装置の製造方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明は、上述したような課題を解決するものであり、その目的は、半導体チップとフレキシブル基板との間に良好な状態で樹脂を注入しやすい半導体装置の製造方法を提供することにある。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
（１）本発明に係る半導体装置の製造方法は、複数の接続部にて接続される複数の接続リードがメッキリードに電気的に導通した状態の導体パターンを前記フィルムに形成し、前記メッキリードを通じて前記導体パターンに電気メッキを施すことを含む工程によって、複数の穴を有するフィルムキャリアテープを形成する工程と、
前記フィルムキャリアテープを、ギャップを形成して、半導体チップの上方に配置する工程と、
前記複数の穴のうちの少なくとも一つから前記ギャップに樹脂を注入する工程と、
前記樹脂の注入後に、前記フィルムキャリアテープを個片に切り離す工程と、
を含み、
前記複数の穴は前記接続部に対応した位置に形成された穴を含み、
前記フィルムキャリアテープを前記半導体チップの上方に配置する工程では、前記接続部に対応した位置に形成された穴と前記半導体チップがオーバーラップするように、前記フィルムキャリアテープが配置され、
前記樹脂は前記接続部に対応した位置に形成された穴から注入されることを特徴とする。本発明によれば、半導体チップとフレキシブル基板との間に樹脂を注入して樹脂封止をすると、穴が空気抜きとなって、樹脂に空気が残りにくくなる。こうして、高温多湿下での信頼性の向上した半導体装置を得ることができる。
（２）上記製造方法において、
前記複数の穴は、前記半導体チップのほぼ中央に位置する中央穴を含み、
前記中央穴から前記樹脂が注入されるようにしてもよい。
（３）上記製造方法において、
前記フレキシブル基板は、前記半導体チップよりも大きく、
前記複数の穴は、前記半導体チップの電極の上方に形成されるボンディング穴を含み、
前記ボンディング穴を介して、前記接続リードと前記電極とを接合する工程と、
前記ボンディング穴から、前記接合された電極を含む前記半導体チップの能動面上に前記樹脂を注入する工程と、
を含んでもよい。
（４）上記製造方法において、
前記中央穴からの前記樹脂の注入と、前記ボンディング穴からの前記樹脂の注入とは時間的にずれて行われてもよい。
（５）上記製造方法において、
前記複数の穴は、前記半導体チップの端部の上方に形成される樹脂止め穴を含み、
前記樹脂止め穴は、前記ギャップに注入された樹脂の拡がりを止めるものであってもよい。
（６）上記製造方法において、
前記樹脂止め穴は、矩形をなし、内周端の一辺が前記半導体チップの外周端よりも外側に位置し、前記一辺に対向する他の辺が前記半導体チップの前記外周端よりも内側に位置してもよい。
（７）上記製造方法において、
前記樹脂止め穴は、前記半導体チップの電極の上方に形成され、該樹脂止め穴を介して前記接続リードと前記電極とが接合されてもよい。
（８）上記製造方法において、
前記導体パターンを前記フィルムに形成する工程では、前記メッキリードから延設されていずれかの前記接続リードに交差部にて接続される代表リードを形成し、
前記電気メッキを施す工程後、前記交差部を打ち抜く工程をさらに含んでもよい。
（９）上記製造方法において、
前記接続部及び前記交差部は一括して打ち抜かれてもよい。
（１０）上記製造方法において、
前記接続部及び前記交差部は、１箇所ごとに打ち抜かれてもよい。