(57)【要約】【課題】ＮＲＤガイドを用いて、簡単な構造で高性能な送受両用ミリ波フロントエンドを開発し、新方式の時分割ミリ波トランシーバ及びミリ波周波数変換器を提供する。【解決手段】３ｄＢ結合器３のポート▲１▼にアンテナ４、ポート対▲２▼、▲３▼に上記図９のＳＢＤ２個でなるＳＢＤ対５、ポート▲４▼に上記図８のガンダイオード６搭載のガン発振器を接続してミリ波フロントエンドを構成する。そして、ガン発振器の発振出力は３ｄＢ結合器３で等分されてＳＢＤ対５に入る。ＳＢＤ対５には信号パルス列が印加されていて、パルスがＯＮのときミリ波はダイオード（図示せず）で整流され外部抵抗で吸収される。一方、パルスがＯＦＦのときＳＢＤ対５は反応せず、ミリ波は反射され、再び３ｄＢ結合器３を通って合成された後、ポート▲４▼のアンテナ４から送信される。【選択図】　　　　　図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
分離型構造を有する非放射性誘電体線路（ＮＲＤガイド）３ｄＢ結合器のポート▲１▼にアンテナ、ポート対▲２▼、▲３▼にショットキーバリアーダイオード（ＳＢＤ）対、ポート▲４▼にミリ波発振器を接続して構成されるミリ波フロントエンド。
【請求項２】
一体構造を有する非放射性誘電体線路（ＮＲＤガイド）３ｄＢ結合器のポート▲１▼にアンテナ、ポート対▲２▼、▲３▼にショットキーバリアーダイオード（ＳＢＤ）対、ポート▲４▼にミリ波発振器を接続して構成されるミリ波フロントエンド。
【請求項３】
分離型構造を有する非放射性誘電体線路（ＮＲＤガイド）３ｄＢ結合器のポート▲１▼にアンテナ、ポート対▲２▼、▲３▼にショットキーバリアーダイオード（ＳＢＤ）対、ポート▲４▼にミリ波発振器を接続して構成されるミリ波フロントエンドにおいて、前記ＳＢＤ対を変調器・ミキサ両用とし、かつその端子にスイッチを介して送信低周波回路と受信低周波回路を並列に接続することにより、手動または電子的に送信モードと受信モードの切換えを可能にすることを特徴とするミリ波トランシーバ。
【請求項４】
前記非放射性誘電体線路（ＮＲＤガイド）３ｄＢ結合器として、一体構造を有する非放射性誘電体線路（ＮＲＤガイド）３ｄＢ結合器を用いることを特徴とする請求項３記載のミリ波トランシーバ。
【請求項５】
分離型構造を有する非放射性誘電体線路（ＮＲＤガイド）３ｄＢ結合器のポート▲１▼にアンテナ、ポート対▲２▼、▲３▼にショットキーバリアーダイオード（ＳＢＤ）対、ポート▲４▼にミリ波発振器を接続して構成されるミリ波フロントエンドにおいて、前記ＳＢＤ対に外部低周波回路から中間周波信号、同時にポート▲４▼のミリ波発振器から局発波を印加すると共に、ポート▲１▼に装荷された帯域通過フィルタにより上下両側波帯信号の一方を選別して取り出すことを特徴とするミリ波周波数変換器。
【請求項６】
前記非放射性誘電体線路（ＮＲＤガイド）３ｄＢ結合器として、一体構造を有する非放射性誘電体線路（ＮＲＤガイド）３ｄＢ結合器を用いることを特徴とする請求項５記載のミリ波周波数変換器。
【請求項７】
前記非放射性誘電体線路（ＮＲＤガイド）３ｄＢ結合器に替えて、中空導波管による３ｄＢ結合器を用いることを特徴とする請求項２記載のミリ波フロントエンド。
【請求項８】
前記非放射性誘電体線路（ＮＲＤガイド）３ｄＢ結合器に替えて、誘電体導波管による３ｄＢ結合器を用いることを特徴とする請求項２記載のミリ波フロントエンド。
【請求項９】
前記請求項７又は請求項８に記載のミリ波フロントエンドで構成されるミリ波トランシーバ。
【請求項１０】
前記請求項７又は請求項８に記載のミリ波フロントエンドで構成されるミリ波周波数変換器。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は構造が簡単で、量産性に優れた誘電体回路でなるミリ波フロントエンドとその応用に関し、特に、超高速・双方向ミリ波トランシーバ及びミリ波周波数変換器に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来のミリ波回路技術としてはモノリシックマイクロ波集積回路（ＭＭＩＣ）があるが、４０ＧＨｚ以上の超高周波帯では開発が遅々として進まず実用に至っていない。特に、銅をエッチングして作られるマイクロストリップ線路は、金属の表面抵抗や表面のランダムな凹凸により、６０ＧＨｚ帯における伝送損は６０ｄＢ／ｍにも達し、実用的でなかった。
【０００３】
また、金属に代わるものとして、誘電体で線路を構成することが研究され、例えば、セラミックで作った誘電体線路の伝送損は６０ＧＨｚ帯で３ｄＢ／ｍとマイクロストリップ線路の伝送損とは比較にならないほど小さいものとなる。しかし、これも直線部分でのことであり、曲げたり、不連続であったりすると電波が放射され、損失が急増する。
【０００４】
これに対し、非放射性誘電体線路（以下、ＮＲＤガイドという。）は使用電磁波の半波長以下の間隔で対向した２枚の金属板の間に誘電体線路を構成するもので、この技術に関しては本発明者は既に種々の回路について提案している（特許文献１参照。）。そして、ＮＲＤガイドはこれまで不可避とされていた不要放射波の発生を完全に抑制できる優れたミリ波線路であることを、本発明者は見出すことができた。
【０００５】
通常、ＮＲＤガイド送信フロントエンドはサーキュレータを中心にしてガン発振器（ミリ波発振器）とショットキーバリアーダイオード（ＳＢＤ）変調器を配して構成される。サーキュレータの構成部品はモードサプレサ付誘電体線路３本、フェライトディスク２個、ディスク型磁石２個、磁石保持用円孔２個からなり、これらを精度よく加工し、組み立てなければならず、サーキュレータは製造工程上最も時間と労力を要する部品である。
【０００６】
【特許文献１】
特開平９−８３２１６号公報
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、このように不要放射波の発生を完全に抑制できるＮＲＤガイド集積回路は量産性に問題があった。特に、送信機フロントエンドの主要ディバイスであるサーキュレータは、部品点数と調整個所が多く、製造工程も複雑になり、大量生産、低コストという製造技術上の要求に応え得るものではなかった。そこで、本発明はＮＲＤガイドを用いて、大量生産に適した簡単な構造ながら、高性能な送受両用ミリ波フロントエンドを開発し、ミリ波無線通信機の大幅なコストダウンを可能にすると共に、新方式の時分割ミリ波トランシーバ及びミリ波周波数変換器を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明の請求項１に係るミリ波フロントエンドは、分離型構造を有する非放射性誘電体線路（ＮＲＤガイド）３ｄＢ結合器のポート▲１▼にアンテナ、ポート対▲２▼、▲３▼にショットキーバリアーダイオード（ＳＢＤ）対、ポート▲４▼にミリ波発振器を接続して構成した。
【０００９】
本発明の請求項２に係るミリ波フロントエンドは、一体構造を有する非放射性誘電体線路（ＮＲＤガイド）３ｄＢ結合器のポート▲１▼にアンテナ、ポート対▲２▼、▲３▼にショットキーバリアーダイオード（ＳＢＤ）対、ポート▲４▼にミリ波発振器を接続して構成した。
【００１０】
こうして、ＮＲＤガイドを用いて、大量生産に適した簡単な構造ながら、高性能なミリ波フロントエンドを開発できるので、大幅なコストダウンを可能にすると共に、新方式の時分割ミリ波トランシーバ及びミリ波周波数変換器等の分野に応用できる。
【００１１】
本発明の請求項３に係るミリ波トランシーバは、分離型構造を有する非放射性誘電体線路（ＮＲＤガイド）３ｄＢ結合器のポート▲１▼にアンテナ、ポート対▲２▼、▲３▼にショットキーバリアーダイオード（ＳＢＤ）対、ポート▲４▼にミリ波発振器を接続して構成されるミリ波フロントエンドにおいて、前記ＳＢＤ対を変調器・ミキサ両用とし、かつその端子にスイッチを介して送信低周波回路と受信低周波回路を並列に接続することにより、手動または電子的に送信モードと受信モードの切換えを可能にするような構成とした。
【００１２】
本発明の請求項４に係るミリ波トランシーバは、一体構造を有する非放射性誘電体線路（ＮＲＤガイド）３ｄＢ結合器のポート▲１▼にアンテナ、ポート対▲２▼、▲３▼にショットキーバリアーダイオード（ＳＢＤ）対、ポート▲４▼にミリ波発振器を接続して構成されるミリ波フロントエンドにおいて、前記ＳＢＤ対を変調器・ミキサ両用とし、かつその端子にスイッチを介して送信低周波回路と受信低周波回路を並列に接続することにより、手動または電子的に送信モードと受信モードの切換えを可能にするような構成とした。
【００１３】
こうして、ＮＲＤガイドミリ波フロントエンドは送受信両用であるので、通信機製造上大きなメリットであり、送信フロントエンドから製造工程が複雑なサーキュレータを排除できたばかりでなく、単に低周波回路部を入れ替えるだけで送信機、受信機の作り分けができる。これはミリ波無線通信機の量産性の向上につながり、大幅なコストダウンを可能にする。また、スイッチとして電子的スイッチを用いて送信モードと受信モードを所定時間間隔で切換えると超高速・双方向時分割のミリ波トランシーバになり、双方向ミリ波無線通信が実現できる。
【００１４】
本発明の請求項５に係るミリ波周波数変換器は、分離型構造を有する非放射性誘電体線路（ＮＲＤガイド）３ｄＢ結合器のポート▲１▼にアンテナ、ポート対▲２▼、▲３▼にショットキーバリアーダイオード（ＳＢＤ）対、ポート▲４▼にミリ波発振器を接続して構成されるミリ波フロントエンドにおいて、前記ＳＢＤ対に外部低周波回路から中間周波信号、同時にポート▲４▼のミリ波発振器から局発波を印加すると共に、ポート▲１▼に装荷された帯域通過フィルタにより上下両側波帯信号の一方を選別して取り出す構成とした。
【００１５】
本発明の請求項６に係るミリ波周波数変換器は、一体構造を有する非放射性誘電体線路（ＮＲＤガイド）３ｄＢ結合器のポート▲１▼にアンテナ、ポート対▲２▼、▲３▼にショットキーバリアーダイオード（ＳＢＤ）対、ポート▲４▼にミリ波発振器を接続して構成されるミリ波フロントエンドにおいて、前記ＳＢＤ対に外部低周波回路から中間周波信号、同時にポート▲４▼のミリ波発振器から局発波を印加すると共に、ポート▲１▼に装荷された帯域通過フィルタにより上下両側波帯信号の一方を選別して取り出す構成とした。
【００１６】
こうして、ＮＲＤガイドミリ波フロントエンドを用いることにより、ポート▲１▼に周波数が上方および下方にシフトした高周波が出力し、上下両側波帯信号が得られるので、ポート▲１▼に帯域通過フィルタを装荷して、上下両側波帯信号の一方を選別すると、選別された周波数信号が得られるミリ波周波数変換器が実現できる。
【００１７】
本発明の請求項７に係るミリ波フロントエンドは、請求項２記載の前記非放射性誘電体線路（ＮＲＤガイド）３ｄＢ結合器に替えて、中空導波管による結合器を用いる構成とした。
【００１８】
本発明の請求項８に係るミリ波フロントエンドは、請求項２記載の前記非放射性誘電体線路（ＮＲＤガイド）３ｄＢ結合器に替えて、誘電体導波管による結合器を用いる構成とした。
【００１９】
こうして、特に伝送損の小さい中空導波管や誘電体導波管でなる結合器を用いることにより、良好な特性のミリ波フロントエンドが実現できる。
【００２０】
本発明の請求項９に係るミリ波トランシーバは、前記請求項７又は請求項８に記載のミリ波フロントエンドを用いた構成とした。
【００２１】
本発明の請求項１０に係るミリ波周波数変換器は、前記請求項７又は請求項８に記載のミリ波フロントエンドを用いた構成とした。
【００２２】
【発明の実施の形態】
本発明では放射性誘電体線路（ＮＲＤガイド）集積回路の量産性を改善するため、ＮＲＤガイド３ｄＢ結合器を用いる。ここで、ＮＲＤガイドについてその動作原理を説明する。放射を抑えるには、誘電体線路を電波を全く通さない空間、例えば、遮断導波管の内部空間に置けばよいことになる。
【００２３】
図１（Ａ）は方形導波管の断面であり、導波管の横幅が電波の半波長より小さい場合、導波管は遮断状態となり電波を通さない。導波管の横幅をそのままにして、高さを高くしても遮断状態は変わらない。即ち、高さを十分高くした極限が図１（Ｂ）の平行板導波管である。この導波管も横幅が半波長以下で，電界が金属板に平行である限り遮断状態となる。このようにして、電波を通さない空間ができる。
【００２４】
そして、遮断平行板導波管の中に、図１（Ｃ）に示すように、方形断面の誘電体ストリップ（ひも）を挿入すると、誘電体中で電波の波長は短縮する。その結果、誘電体が存在する部分では平行板の間隔は半波長以上になり、遮断状態が解除される。従って、誘電体ストリップに沿って電波は自由に伝搬できるが、その外部の空間では電波は存在できない。即ち、遮断平行板導波管の内部に誘電体ストリップで回路を構成すると、例えストリップが曲がったり、切断されても放射が全く発生しないことになる。これがＮＲＤガイドの動作原理である。
【００２５】
図１（Ｃ）では、説明の都合上ＮＲＤガイドを縦に配置してあるが、実際の構成では、図２に示すように、上下２枚の金属板１の間に誘電体線路２を配置した構成で横向きにして使用する。ミリ波の電界を金属板に平行に印加し、金属板間隔をミリ波の半波長以下に設定すると不要放射波が全く発生しない、優れたミリ波線路になる。
【００２６】
本発明の３ｄＢ結合器は、図３に示すように、上下２枚の金属板１の間に近接した２本の分離した誘電体線路２で構成されるのが基本形であるが、図４に示すような、２本の誘電体線路２を一体化した構成の一体型結合器はさらに有効である。元来、ＮＲＤガイドは結合度の大きな線路で、一体構造にすればその傾向は増大される。しかし、線路間を往復する多重結合を積極的に利用すれば一体型結合器が可能になる。この形式の結合器は射出成形法などで一気に製造できるので、量産性が著しく向上する。そして、図３、図４の誘電体線路２には▲１▼〜▲４▼の４つのポートがそれぞれ設けられる。
【００２７】
ところで、サーキュレータは３ポート回路であり、任意のポートの入力は隣のポートで反射された後、第３のポートから出力される。これと同じ動作は、図３あるいは図４に示した、より簡単な構造の３ｄＢ結合器でも見られる。即ち、３ｄＢ結合器ではポート▲４▼の入力がポート対▲２▼、▲３▼で反射後、ポート▲１▼から出力される。図４に示した一体型結合器のポート▲１▼、▲４▼間の伝送特性の測定結果を図１０に示す。６０ＧＨｚを中心に４ＧＨｚ以上の帯域に亘り平坦な伝送特性が得られる。
【００２８】
ミリ波フロントエンドは誘電体線路２にガンダイオード２６搭載のガン発振器（ミリ波発振器）やショットキーバリアーダイオード（以下、ＳＢＤという。）を装荷して構成される。図８にＮＲＤガイドガン発振器の立体図を示す。ガンダイオード２６はλ／４チョーク構造のバイアスチョーク１２を施した真鍮製直方体ブロックでなるガンダイオードマウント６中に捻じ込まれ、バイアス電圧はブロック表面のλ／４チョークパターンを備えたマイクロストリップ線路を介して印加される。
【００２９】
発振出力はテフロン基板上に形成されたストリップ線路１３を経て、一端にモードサプレサを備えた誘電体線路２に導かれる。なお、周波数の安定化のため、誘電体線路２の側の適当な位置にセラミック共振器１４を配置することもできる。
【００３０】
これに対しビームリードＳＢＤ２５は、図９に示すように、幅が金属板間隔２．２５ｍｍに等しいテフロン基板２１上の電極２２中に作られた幅０．１ｍｍのスリットを横切ってボンディングされ、バイアス電圧は電極２２の両端に設けられたλ／４チョークパターン２０を介して印加される。低インピーダンスのＳＢＤと高インピーダンスの誘電体線路の整合をとるため、電極２２の裏面に厚さ０．２ｍｍのセラミック膜の高誘電率膜２４を貼り付け、マウントはミリ波の入射方向に高誘電率膜２４を向けて、誘電体線路の横断面内に装荷される。
【００３１】
次に、上記の一体型のＮＲＤガイド３ｄＢ結合器を用いたミリ波フロントエンドを図５の実施形態で説明する。３ｄＢ結合器３のポート▲１▼にアンテナ４、ポート対▲２▼、▲３▼に上記図９のＳＢＤ２個でなるＳＢＤ対５、ポート▲４▼に上記図８のガンダイオード６搭載のガン発振器を接続してミリ波フロントエンドを構成する。
【００３２】
そして、ガンダイオード２６搭載のガン発振器の発振出力は３ｄＢ結合器３で等分されてＳＢＤ対５に入る。ＳＢＤ対５には信号パルス列が印加されていて、パルスがＯＮのときミリ波はダイオード（図示せず）で整流され外部抵抗で吸収される。一方、パルスがＯＦＦのときＳＢＤ対５は反応せず、ミリ波は反射され、再び３ｄＢ結合器３を通って合成された後、ポート▲４▼のアンテナ４から送信される。即ち、このミリ波フロントエンドは信号パルス列のＯＮ・ＯＦＦに対応しＯＦＦ・ＯＮと反転するミリ波パルス列を発生し、ミリ波送信機として動作する。
【００３３】
上記説明では送信機の機能を説明したが、元来、このミリ波フロントエンドはミリ波受信機として使用されていたものであり、ポート▲４▼からの局発波とポート▲１▼のアンテナ４からの受信波を３ｄＢ結合器３で混合し、ＳＢＤ対５に入力すると中間周波信号が得られ受信機として動作する。即ち、このミリ波フロントエンドは送受信両用として動作可能である。
【００３４】
図５に示したＮＲＤガイドミリ波フロントエンドにおいて、ポート▲４▼のガンダイオード２６搭載のガン発振器から６０ＧＨｚのミリ波を入力しながら、ポート対▲２▼、▲３▼のＳＢＤ対５に伝送速度２０Ｍｂｐｓのパルス列を印加し、ポート▲１▼の出力パルス列を観測した結果を図１１に示す。図において、上の波形は入力波形の印加パルス列であり、下の波形は出力波形の出力パルス列を示し、出力波形は入力波形の逆相関係であるが、印加パルス列と出力パルス列の間に全く差異が認められず、予想通り高速パルス変調が行われ、送信機として動作することが確認された。
【００３５】
次に、このフロントエンドの受信特性を観測した。ポート▲１▼からミリ波を、ポート▲４▼のガンダイオード２６搭載のガン発振器から局発波をＳＢＤ対５に入力して変換損を測定したところ、図１２の結果が得られた。このように低い変換損を示し、良好な変換損特性が得られ、優れたミリ波受信機として動作することが確認された。
【００３６】
要するに、図５のＮＲＤガイドミリ波フロントエンドは送受信両用であり、送信機にも受信機にもなり得る。このことは通信機製造上大きなメリットである。送信フロントエンドから製造工程が複雑なサーキュレータを排除できたばかりでなく、ミリ波フロントエンドが送受信両用であるため、単に低周波回路部を入れ替えるだけで送信機、受信機の作り分けができる。
【００３７】
従って、このミリ波フロントエンドのＳＢＤ対を変調器・ミキサ両用とし、ＳＢＤ対の端子に送信低周波回路または受信低周波回路を接続すると、ミリ波送信機またはミリ波受信機になる。そこで、図６に示すように、ガン発振器８を１つのポートに接続し、他のポートのＳＢＤ対５にスイッチ９を介して送信低周波回路１０と受信低周波回路１１を並列に接続すると、スイッチ９を手動あるいは電子的に切換えるだけで、ミリ波送信機にもミリ波受信機にもなる。
【００３８】
これはミリ波無線通信機の量産性の向上につながり、大幅なコストダウンを可能にする。また、スイッチ９として電子的スイッチを用いて送信モードと受信モードを所定時間間隔で切換えると超高速・双方向時分割のミリ波トランシーバになり、双方向ミリ波無線通信が実現できる。
【００３９】
次に、ＮＲＤガイドミリ波フロントエンドを用いて、本発明のミリ波周波数変換器について説明する。このミリ波フロントエンドにおいて、ＳＢＤ対５に外部低周波回路から中間周波信号を供給し、ポート▲４▼のガンダイオード６搭載のガン発振器から局発波を供給すると、ポート▲１▼に周波数が上方および下方にシフトした高周波が出力し、上下両側波帯信号が得られる。そこで図７に示すように、ポート▲１▼に帯域通過フィルタ７を装荷して、上下両側波帯信号の一方を選別すると、アンテナ４からは選別された周波数信号が得られるミリ波周波数変換器が実現できる。
【００４０】
上記した図５のミリ波トランシーバと、図７のミリ波周波数変換器の説明では、図４のような一体構造を有する非放射性誘電体線路（ＮＲＤガイド）を用いた例を示したが、これに限ることなく、図３の分離型構造を有する非放射性誘電体線路（ＮＲＤガイド）を使用できることは勿論のことである。
【００４１】
また、以上の実施形態では、非放射性誘電体線路（ＮＲＤガイド）を使用するものについて述べたが、これに限らずＮＲＤガイド以外の伝送線路を用いても実現できる。例えば図４に示す伝送線路２のように、通常の中空導波管を一面同志で接し、隔壁に孔を幾つかあけた構造を持つ３ｄＢ方向性結合器を用いても良好な特性のミリ波フロントエンドを得ることができる。
【００４２】
更に、図４に示す誘電体線路の全表面に、例えば銅メッキを施して構成される誘電体導波管でなる３ｄＢ方向性結合器を用いても良好な特性のミリ波フロントエンドを得ることができる。このことにより、これまで利用できなかった４０ＧＨｚ以上のミリ波帯で送受信ができるミリ波フロントエンドを可能にする。
【００４３】
【発明の効果】
以上のように本発明は、ＮＲＤガイドを用いて、大量生産に適した簡単な構造ながら、高性能なミリ波フロントエンドを開発できるので、大幅なコストダウンを可能にすると共に、新方式の時分割ミリ波トランシーバ及びミリ波周波数変換器等の分野に応用でき、情報通信技術ＩＴの進展に貢献できる。
【００４４】
また、ＮＲＤガイドミリ波フロントエンドは送受信両用であるので、通信機製造上大きなメリットであり、送信フロントエンドから製造工程が複雑なサーキュレータを排除できたばかりでなく、スイッチを用いて単に低周波回路部を入れ替えるだけで送信機、受信機の作り分けができ、ミリ波無線通信機の量産性の向上につながり、大幅なコストダウンを可能にする。
【００４５】
更に、ＮＲＤガイドミリ波フロントエンドを用いることにより、ポート▲１▼に周波数が上方および下方にシフトした高周波が出力し、上下両側波帯信号が得られるので、ポート▲１▼に帯域通過フィルタを装荷して、上下両側波帯信号の一方を選別することにより、選別された周波数信号が得られるミリ波周波数変換器が実現できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】ＮＲＤガイドの動作原理の説明図。
【図２】ＮＲＤガイドの部分断面図。
【図３】分離型ＮＲＤガイド３ｄＢ結合器の部分断面図。
【図４】一体型ＮＲＤガイド３ｄＢ結合器の部分断面図。
【図５】一体型３ｄＢ結合器を用いたＮＲＤガイドミリ波フロントエンド。
【図６】ＮＲＤガイド時分割ミリ波トランシーバの概念図。
【図７】一体型３ｄＢ結合器を用いたＮＲＤガイドミリ波周波数変換器。
【図８】ＮＲＤガイドガン発振器。
【図９】ＮＲＤガイドダイオードマウント。
【図１０】一体型３ｄＢ結合器の伝送特性。
【図１１】ＮＲＤガイドミリ波フロントエンドの変調動作。
【図１２】ＮＲＤガイドミリ波フロントエンドの変換損特性。
【符号の説明】
１　　　　　　　　　　　　　　　金属板
２　　　　　　　　　　　　　　　誘電体線路
３　　　　　　　　　　　　　　　３ｄＢ結合器
４　　　　　　　　　　　　　　　アンテナ
５　　　　　　　　　　　　　　　ＳＢＤ対
６　　　　　　　　　　　　　　　ガンダイオードマウント
７　　　　　　　　　　　　　　　帯域通過フィルタ
８　　　　　　　　　　　　　　　ガン発振器
９　　　　　　　　　　　　　　　スイッチ
１０　　　　　　　　　　　　　送信低周波回路
１１　　　　　　　　　　　　　受信低周波回路
１２　　　　　　　　　　　　　バイアスチョーク
１３　　　　　　　　　　　　　ストリップ線路
１４　　　　　　　　　　　　　セラミック共振器
２０　　　　　　　　　　　　　λ／４チョークパターン
２１　　　　　　　　　　　　　テフロン基板
２２　　　　　　　　　　　　　電極
２３　　　　　　　　　　　　　リード線
２４　　　　　　　　　　　　　高誘電率膜
２５　　　　　　　　　　　　　ビームリードダイオード
２６　　　　　　　　　　　　　ガンダイオード
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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