(57)【要約】【課題】温度変化による微小電流の変動を抑えて安定なる微小電流を発生させることができる微小電流発生回路を提供する。【解決手段】内部基準定電圧・グランド間において抵抗１０とｎｐｎトランジスタ１１が直列に接続され、トランジスタ１１のベース端子とコレクタ端子とが接続されている。電源・グランド間においてｐｎｐトランジスタ１２と抵抗１３とｎｐｎトランジスタ１４と抵抗１５が直列に接続され、かつ、トランジスタ１２のベース端子がトランジスタ１４のコレクタ端子と接続されるとともに、トランジスタ１４のベース端子がｎｐｎトランジスタ１１のコレクタ端子と接続され、負の温度特性の定電流ｉ２が流れる。電源・グランド間において抵抗１６とｐｎｐトランジスタ１７が直列に接続され、微小電流ｉ３が流れる。【選択図】　　　　図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
一定電圧が加わる端子間において第１の抵抗（１０）と、当該第１の抵抗（１０）にコレクタ端子が接続された第１のｎｐｎトランジスタ（１１）とが直列に接続され、かつ、当該第１のｎｐｎトランジスタ（１１）のベース端子とコレクタ端子が接続され、第１の定電流（ｉ１）が流れる第１の電流経路と、
一定電圧が加わる端子間において第１のｐｎｐトランジスタ（１２）と、当該第１のｐｎｐトランジスタ（１２）のコレクタ端子に接続された第２の抵抗（１３）と、当該第２の抵抗（１３）にコレクタ端子が接続された第２のｎｐｎトランジスタ（１４）と、当該第２のｎｐｎトランジスタ（１４）のエミッタ端子に接続された第３の抵抗（１５）とが直列に接続され、かつ、前記第１のｐｎｐトランジスタ（１２）のベース端子が第２のｎｐｎトランジスタ（１４）のコレクタ端子と接続されるとともに、第２のｎｐｎトランジスタ（１４）のベース端子が前記第１のｎｐｎトランジスタ（１１）のコレクタ端子と接続され、前記第１の定電流（ｉ１）に比例した負の温度特性の第２の定電流（ｉ２）が流れる第２の電流経路と、
一定電圧が加わる端子間において第２のｐｎｐトランジスタ（１７）が設けられ、かつ、当該第２のｐｎｐトランジスタ（１７）のベース端子が前記第１のｐｎｐトランジスタ（１２）のコレクタ端子と接続され、前記第２の定電流（ｉ２）に比例した出力用の微小な定電流（ｉ３）が流れる第３の電流経路と、
を備えたことを特徴とする微小電流発生回路。
【請求項２】
一定電圧が加わる端子間において第１の抵抗（１０）と、当該第１の抵抗（１０）にコレクタ端子が接続された第１のｎｐｎトランジスタ（１１）とが直列に接続され、かつ、当該第１のｎｐｎトランジスタ（１１）のベース端子とコレクタ端子が接続され、第１の定電流（ｉ１）が流れる第１の電流経路と、
一定電圧が加わる端子間において第１のｐｎｐトランジスタ（１２）と、当該第１のｐｎｐトランジスタ（１２）のコレクタ端子に接続された第２の抵抗（１３）と、当該第２の抵抗（１３）にコレクタ端子が接続された第２のｎｐｎトランジスタ（１４）と、当該第２のｎｐｎトランジスタ（１４）のエミッタ端子に接続された第３の抵抗（１５）とが直列に接続され、かつ、前記第１のｐｎｐトランジスタ（１２）のベース端子が第２のｎｐｎトランジスタ（１４）のコレクタ端子と接続されるとともに、第２のｎｐｎトランジスタ（１４）のベース端子が前記第１のｎｐｎトランジスタ（１１）のコレクタ端子と接続され、前記第１の定電流（ｉ１）に比例した負の温度特性の第２の定電流（ｉ２）が流れる第２の電流経路と、
一定電圧が加わる端子間において第４の抵抗（１６）と、当該第４の抵抗（１６）にエミッタ端子が接続された第２のｐｎｐトランジスタ（１７）とが直列に接続され、かつ、当該第２のｐｎｐトランジスタ（１７）のベース端子が前記第１のｐｎｐトランジスタ（１２）のコレクタ端子と接続され、前記第２の定電流（ｉ２）に比例した出力用の微小な定電流（ｉ３）が流れる第３の電流経路と、を備えたことを特徴とする微小電流発生回路。
【請求項３】
前記一定電圧が加わる端子間は、第１の電流経路においては電源からの電力供給を受けて生成される内部基準定電圧を用いて形成したものであり、第２および第３の電流経路においては電源電圧を用いて形成したものであることを特徴とする請求項１または２に記載の微小電流発生回路。
【請求項４】
前記第２の抵抗（１３）を、温度係数の異なる複数の素子（３０，３１）を組み合わせて構成したことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の微小電流発生回路。
【請求項５】
前記出力用の微小な定電流の経路に設けられ、カレントミラー回路を構成するトランジスタ（２９）と、
前記カレントミラー回路を構成するトランジスタ（２８，２９）のうち、出力側トランジスタ（２８）に接続された充放電用コンデンサ（２６）と、
前記充放電用コンデンサ（２６）にスイッチ（２５）を介して接続された充電回路（２４）と、
を備えたことを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の微小電流発生回路。
【請求項６】
負荷（２１）の通電電流が所定値より大きくなった時に前記スイッチ（２５）を閉じる過電流検出回路（２３）と、
前記充放電用コンデンサ（２６）の電位と比較値を比較してその大小関係により前記負荷（２１）と直列接続されたパワートランジスタ（２０）をオフするための信号を出力するコンパレータ（２７）と、
を備えたことを特徴とする請求項５に記載の微小電流発生回路。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は微小電流発生回路に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
ＣＲ発振回路や過電流保護機能付き負荷駆動回路には、微小電流に基づいてコンデンサの放電時間を決めているものがある。そのための微小電流発生回路の一例を図７に示す。図７において、電源・グランド間においてｐｎｐトランジスタ１００と抵抗１０１と定電流回路１０２とが直列に接続され、ｐｎｐトランジスタ１００のベース端子が抵抗１０１と定電流回路１０２の間に接続されている。この直列回路に定電流Ｉ１が流れる。また、電源・グランド間においてｐｎｐトランジスタ１０３が設けられ、ｐｎｐトランジスタ１０３のベース端子がｐｎｐトランジスタ１００のコレクタ端子と接続されている。そして、ｐｎｐトランジスタ１０３には定電流Ｉ１に比例した微小電流Ｉｃが流れる。
【０００３】
図７の回路を用いて図８に示すＣＲ発振の放電回路を構成することができる。つまり、微小電流Ｉｃの経路にカレントミラー回路を構成するトランジスタ１０４を設け、カレントミラー回路を構成するトランジスタ１０５に対しコンデンサ１０６を接続するとともにコンデンサ１０６にスイッチ１０７を介して充電回路１０８を接続している。そして、微小電流Ｉｃによりコンデンサ１０６の放電電流が決定される。
【０００４】
ここで、微小電流Ｉｃは、トランジスタ１００，１０３が同じ特性であった場合に、抵抗１０１の抵抗値をＲ１とした時に、
Ｉｃ＝Ｉ１／ｅｘｐ｛（Ｉ１・Ｒ１・ｑ）／（ｋＴ）｝
となる。ただし、ｑは電子の単位電荷、ｋはボルツマン定数、Ｔは絶対温度である。
【０００５】
この式から、微小電流（コンデンサの放電電流）Ｉｃは温度に大きく依存してしまい、全温度範囲での安定した動作が難しいという問題がある。
そのため、図８に示す回路構成とした場合、室温時と高温時の比較において高温時の放電時間が室温時に比べて非常に短くなり、高温時に合わせて設計すると、室温で放電が遅くなってしまうという問題が発生する。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
本発明はこのような背景の下になされたものであり、その目的は、温度変化による微小電流の変動を抑えて安定なる微小電流を発生させることができる微小電流発生回路を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
請求項１，２に記載のように、第１の定電流（ｉ１）が流れる第１の電流経路として、一定電圧が加わる端子間において第１の抵抗と、当該第１の抵抗にコレクタ端子が接続された第１のｎｐｎトランジスタとが直列に接続され、かつ、当該第１のｎｐｎトランジスタのベース端子とコレクタ端子が接続されたものとする。また、第２の定電流（ｉ２）が流れる第２の電流経路は、一定電圧が加わる端子間において第１のｐｎｐトランジスタと、当該第１のｐｎｐトランジスタのコレクタ端子に接続された第２の抵抗と、当該第２の抵抗にコレクタ端子が接続された第２のｎｐｎトランジスタと、当該第２のｎｐｎトランジスタのエミッタ端子に接続された第３の抵抗とが直列に接続され、かつ、前記第１のｐｎｐトランジスタのベース端子が第２のｎｐｎトランジスタのコレクタ端子と接続されるとともに、第２のｎｐｎトランジスタのベース端子が前記第１のｎｐｎトランジスタのコレクタ端子と接続されている。よって、第２の電流経路において流れる第２の定電流（ｉ２）は、第１の定電流（ｉ１）に比例し、かつ、負の温度特性を持つことになる。その結果、第３の電流経路において流れる出力用の微小な定電流（ｉ３）は、第２の定電流（ｉ２）に比例し、かつ、温度が変化しても変動しにくい特性を持つ。
【０００８】
このようにして、温度変化による微小電流の変動を抑えて安定なる微小電流を発生させることができる。
ここで、請求項２に記載の発明においては、第３の電流経路での第４の抵抗の抵抗値を調整することにより、流れる電流（ｉ３）の温度特性を調整することができる。
【０００９】
請求項１または２に記載の構成に対し、請求項３に記載のように、一定電圧が加わる端子間は、第１の電流経路においては電源からの電力供給を受けて生成される内部基準定電圧を用いて形成したものであり、第２および第３の電流経路においては電源電圧を用いて形成したものとすると、より安定した微小電流（ｉ３）とすることができる。
【００１０】
請求項１〜３のいずれか１項に記載の構成において、請求項４に記載のように、第２の抵抗を、温度係数の異なる複数の素子を組み合わせて構成することにより、温度変化による微小電流の変動を更に抑制して更に安定なる微小電流を発生させることが可能となる。
【００１１】
請求項１〜４のいずれか１項に記載の構成に対し、請求項５に記載のように、前記出力用の微小な定電流の経路に設けられ、カレントミラー回路を構成するトランジスタと、前記カレントミラー回路を構成するトランジスタのうち、出力側トランジスタに接続された充放電用コンデンサと、前記充放電用コンデンサにスイッチを介して接続された充電回路と、を備えているようにすると、ＣＲ発振の放電回路を構成することができる。
【００１２】
さらには、請求項５に記載の構成に対し、請求項６に記載のように、負荷の通電電流が所定値より大きくなった時にスイッチを閉じる過電流検出回路と、充放電用コンデンサの電位と比較値を比較してその大小関係により負荷と直列接続されたパワートランジスタをオフするための信号を出力するコンパレータと、を備えたものとすると、過電流保護機能付き負荷駆動回路を構成することができる。
【００１３】
【発明の実施の形態】
以下、この発明を具体化した一実施の形態を図面に従って説明する。
図１には、本実施形態における微小電流発生回路１の構成を示す。
【００１４】
図１において、微小電流発生回路１は定電圧回路２を具備している。この定電圧回路２は外部電源と接続されている。そして、同回路２は外部の電源からの電力の供給を受けて５ボルトの電源電圧から内部基準定電圧として１．２ボルトを生成する。この内部基準定電圧（１．２ボルト）は微小電流発生回路１での各回路において動作電圧として用いられることになる。
【００１５】
一定電圧が加わる端子間としての内部基準定電圧端子とグランド端子との間において、第１の抵抗１０と第１のｎｐｎトランジスタ１１とが直列に接続されている。第１のｎｐｎトランジスタ１１のコレクタ端子は第１の抵抗１０と接続されているとともに、第１のｎｐｎトランジスタ１１のベース端子とコレクタ端子とが接続されている。この直列回路によって第１の電流経路が構成され、第１の定電流ｉ１が流れる。第１の定電流ｉ１は、１００μＡである。
【００１６】
また、一定電圧が加わる端子間としての電源端子とグランド端子との間において、第１のｐｎｐトランジスタ１２と第２の抵抗１３と第２のｎｐｎトランジスタ１４と第３の抵抗１５とが直列に接続されている。第２の抵抗１３は第１のｐｎｐトランジスタ１２のコレクタ端子と接続されている。第２のｎｐｎトランジスタ１４のコレクタ端子は第２の抵抗１３と接続されている。第３の抵抗１５は第２のｎｐｎトランジスタ１４のエミッタ端子と接続されている。また、第１のｐｎｐトランジスタ１２のベース端子が第２のｎｐｎトランジスタ１４のコレクタ端子と接続されている。さらに、第２のｎｐｎトランジスタ１４のベース端子が前述の第１のｎｐｎトランジスタ１１のコレクタ端子と接続されている。この直列回路によって第２の電流経路が構成され、第２の定電流ｉ２が流れる。第２の定電流ｉ２は、前述の第１の定電流ｉ１に比例し、かつ、負の温度特性を有する。
【００１７】
ここで、ｎｐｎトランジスタ１１，１４に関して、トランジスタ１４のエミッタ面積はトランジスタ１１のエミッタ面積の１／８になっており、トランジスタ１４にはトランジスタ１１に流れる電流の１／８の電流が流れる。また、抵抗１０，１５に関して、抵抗１０，１５は温度が変化しても抵抗値が変化しにくい特性を有する素子が用いられている。そして、ｎｐｎトランジスタ１１，１４のエミッタ面積の比と抵抗１０，１５の抵抗値を調整することにより、第２の定電流ｉ２を１０μＡにしている。
【００１８】
さらに、一定電圧が加わる端子間としての電源端子とグランド端子との間において、第４の抵抗１６と第２のｐｎｐトランジスタ１７とが直列に接続されている。第２のｐｎｐトランジスタ１７はエミッタ端子が第４の抵抗１６と接続されている。また、第２のｐｎｐトランジスタ１７のベース端子が前述の第１のｐｎｐトランジスタ１２のコレクタ端子と接続されている。この直列回路によって第３の電流経路が構成され、出力用の微小な定電流ｉ３（＝Ｉｃ）が流れる。微小な定電流ｉ３（＝Ｉｃ）は、前述の第２の定電流ｉ２に比例し、かつ、温度が変化しても電流値が変化しにくい特性を有する。第３の定電流ｉ３（＝Ｉｃ）は５〜１０ｎＡである。このようにして温度変化による微小電流ｉ３（＝Ｉｃ）の変動を抑えて安定なるｎＡオーダーの微小電流ｉ３（＝Ｉｃ）を発生させることができる。
【００１９】
図１に示した微小電流発生回路１が図２に示すように、過電流保護機能付き負荷駆動回路に組み込まれている。この回路は、負荷駆動用パワーＭＯＳトランジスタ２０を備え、通電電流を制限して過電流から保護する機能を有する。
【００２０】
図２において、電源・グランド間においてパワーＭＯＳトランジスタ２０と負荷２１とが直列に接続されている。パワーＭＯＳトランジスタ２０のゲート端子にはアンドゲート２２を介して駆動信号が入力されるようになっている。そして、パワーＭＯＳトランジスタ２０がオンすると負荷２１に電流が流れて負荷２１が駆動されることになる。過電流検出回路２３は負荷２１（パワーＭＯＳトランジスタ２０）に流れる電流を検出するためのものである。充電回路（具体的には電源端子）２４とグランド間において、スイッチ２５と充放電用コンデンサ２６とが直列に接続されている。スイッチ２５は、過電流検出回路２３により、負荷２１の通電電流が所定値より大きくなった時に閉じられる。コンデンサ２６にはコンパレータ２７の一方の入力端子が接続されている。コンパレータ２７のもう一方の入力端子には閾値電圧（比較電圧）が印加されており、この閾値電圧には最大閾値ＶＴＨと最小閾値ＶＴＬを有する。コンパレータ２７は、充放電用コンデンサ２６の電位Ｖ１と比較値（閾値）を比較してその大小関係により負荷２１と直列接続されたパワーＭＯＳトランジスタ２０をオフするための信号を出力する。
【００２１】
また、コンデンサ２６は放電用ｎｐｎトランジスタ２８を介して接地されている。前述の微小電流発生回路１での微小電流Ｉｃの経路にはｎｐｎトランジスタ２９が配置されている。ｎｐｎトランジスタ２９のベース端子とｎｐｎトランジスタ２８のベース端子とが接続されるとともに同ベース端子はｎｐｎトランジスタ２９のコレクタ端子と接続され、カレントミラー回路を構成している。つまり、微小電流発生回路１における出力用の微小な定電流Ｉｃの経路にカレントミラー回路を構成するトランジスタ２９が設けられ、カレントミラー回路を構成するトランジスタ２８，２９のうち、出力側トランジスタ２８に充放電用コンデンサ２６が接続されている。
【００２２】
このように、コンデンサ２６にはスイッチ２５を介して充電のための充電回路２４が接続されるとともに、その電荷を放電させるために微小電流発生回路１が用いられている。
【００２３】
前述のアンドゲート２２は、外部からの駆動信号と、コンパレータ２７の出力信号を反転した信号を入力してパワーＭＯＳトランジスタ２０のゲート端子に出力する。つまり、パワーＭＯＳトランジスタ２０は外部からの駆動信号の他にコンパレータ２７からの信号を反転した信号によってオン／オフする。
【００２４】
次に、図２の回路における作用を、図３を用いて説明する。
図３においては、駆動信号、コンパレータ２７の出力信号、パワーＭＯＳトランジスタ２０のオン・オフ状態、パワーＭＯＳトランジスタ２０（負荷２１）の通電電流Ｉｐ、スイッチ２５の切り換え状態、コンデンサ２６の電圧レベルＶ１を示す。
【００２５】
図２の過電流検出回路２３はパワーＭＯＳトランジスタ２０（負荷２１）に流れる電流Ｉｐが一定値Ｉｍａｘ以上になると（図３のｔ１のタイミング）、充電回路２４に接続されているスイッチ２５を閉じる。これにより、コンデンサ２６が充電される。ここで、充電電流と放電電流を比較した場合に充電電流が放電電流よりも充分に大きく設定されており、充電中の放電はほとんど無視できる。
【００２６】
その後、コンデンサ２６の電圧レベルＶ１がコンパレータ２７での閾値ＶＴＨ以上になると（図３のｔ２のタイミング）、コンパレータ２７の出力は反転してＨレベルになる。これにより、パワーＭＯＳトランジスタ２０はオフとなり、設定された以上の電流は流れないことになる。
【００２７】
そして、パワーＭＯＳトランジスタ２０がオフとなると負荷通電電流Ｉｐは低下し、過電流検出回路２３において負荷通電電流Ｉｐが所定電流値Ｉｍａｘ以下になると（図３のｔ３のタイミング）、スイッチ２５はオフされる（開路される）。これにより、コンデンサ２６は放電のみが行われ、コンデンサ電圧レベルＶ１が下がる。コンパレータ２７においてコンデンサ電圧レベルＶ１が閾値ＶＴＬ以下になると（図３のｔ４のタイミング）、コンパレータ２７の出力は反転してＬレベルとなる。これによりパワーＭＯＳトランジスタ２０はオンする。
【００２８】
以上の動作を繰り返すことにより、負荷２１に流れる電流は、ある一定の範囲で制御されることになる。つまり、温度変化による微小電流の変動を抑えて制御部分の動作を保証する全温度範囲において安定化させることができる。
【００２９】
ここで、図７，８に示した回路を用いた場合を考える。
トランジスタ１０３のベース・エミッタ電圧ＶＢＥ１は、
ＶＢＥ１＝（ｋＴ／ｑ）・ｌｎ（Ｉ１／Ｉｓ１）
で表される。ただし、ｑは電子の単位電荷、ｋはボルツマン定数、Ｔは絶対温度、Ｉｓ１は逆方向コレクタ飽和電流である。
【００３０】
トランジスタ１００のベース・エミッタ電圧ＶＢＥ２は、
ＶＢＥ２＝（ｋＴ／ｑ）・ｌｎ（Ｉ１／Ｉｓ２）
で表される。ただし、ｑは電子の単位電荷、ｋはボルツマン定数、Ｔは絶対温度、Ｉｓ２は逆方向コレクタ飽和電流である。
【００３１】
また、抵抗１０１の抵抗値をＲ１とすると、
ＶＢＥ２＝ＶＢＥ１−Ｒ１・Ｉ１
が成り立ち、トランジスタ１０３とトランジスタ１００が同じ特性であった場合を考えると、Ｉｓ１＝Ｉｓ２であるので、これから
2004046787.tif 000003
となる。
【００３２】
この式から、電流Ｉ１が一定の場合には、電流Ｉｃは温度に大きく依存することになり、温度が上昇するとその指数関数で電流Ｉｃが増加する。電流Ｉｃは放電電流であるので、温度が上昇したときに充電・放電のデューティ比が大きく変わってしまう。つまり、図３においてコンデンサ電圧レベルＶ１の推移を示す線において破線で示すように、高温時にはスイッチ２５のオン／オフ動作での一周期Ｔ１においてのオン時間ＴＯＮの比率（デューティ比）ＴＯＮ／Ｔ１が増加することになり、消費電力・発熱の点で不具合が生じる。
【００３３】
これに対し本回路（図１）では、動作電圧や温度にほとんど依存しない内部基準定電圧とｎｐｎトランジスタ１１，１４、抵抗１６，１５，１０によって電流Ｉｃの温度特性を緩和するような温度特性を持つ電流ｉ２（＝Ｉ１）とすることで、充電・放電のデューティ比の変化を抑えることが可能である。より詳しくは、ｎｐｎトランジスタ１１，１４のエミッタ面積比を調整する。例えば、エミッタ面積比を８対１とすることにより電流比を８対１にするといったように調整する。また、抵抗１０，１５についてはなるべく温度が変化しても抵抗値が変化しない材料を選択するとよい。また、抵抗１６，１５，１０の抵抗値についても選択（最適化）する。特に、抵抗１６の抵抗値を調整することによって、微小電流ｉ３（＝Ｉｃ）の温度特性の傾き（後記する図４での温度特性線の傾き）を微調整できる。
【００３４】
このようにして、電流ｉ２に負の温度特性を持たせることにより温度変化に伴なう微小電流ｉ３（＝Ｉｃ）の変動を抑えることにより、安定した放電時間を確保できる。
【００３５】
つまり、図２のコンデンサ２６の放電時間ｔはコンデンサ２６に充電された電荷をＱとしたとき
ｔ＝Ｑ／Ｉｃ
であるので、図１の回路により作られる微小電流ｉ３（＝Ｉｃ）によって、保証する動作温度での放電時間の変動を抑えることが可能となる。
【００３６】
即ち、ＣＲ発振回路や過電流保護機能付き負荷駆動回路には、微小電流に基づいてコンデンサの放電時間を決めているものがあるが、その回路において、温度変化による微小電流Ｉｃの変動を抑えて制御部分の動作を保証する全温度において安定化させることができる。
【００３７】
図４には、従来の回路（図７）と本実施形態の回路（図１）での温度に対するＩｃ値の測定結果を示す。この図４から、本実施形態の回路（図１）の方が温度が変化しても電流Ｉｃの変動が小さいことが分かる。
【００３８】
以上説明してきたように、図１において第１の定電流ｉ１が流れる第１の電流経路として、一定電圧が加わる端子間（内部基準定電圧・グランド間）において第１の抵抗１０と第１のｎｐｎトランジスタ１１とが直列に接続され、かつ、当該第１のｎｐｎトランジスタ１１のベース端子とコレクタ端子が接続されたものとする。また、第２の電流経路は、一定電圧が加わる端子間（電源・グランド間）において第１のｐｎｐトランジスタ１２と第２の抵抗１３と第２のｎｐｎトランジスタ１４と第３の抵抗１５とが直列に接続され、かつ、第１のｐｎｐトランジスタ１２のベース端子が第２のｎｐｎトランジスタ１４のコレクタ端子と接続されるとともに、第２のｎｐｎトランジスタ１４のベース端子が第１のｎｐｎトランジスタ１１のコレクタ端子と接続されている。よって、第２の電流経路において流れる第２の定電流ｉ２は、第１の定電流ｉ１に比例し、かつ、負の温度特性を持つことになる。その結果、第３の電流経路において流れる出力用の微小な定電流ｉ３（＝Ｉｃ）は、第２の定電流ｉ２に比例し、かつ、温度が変化しても変動しにくい特性を持つ。このようにして、温度変化による微小電流ｉ３（＝Ｉｃ）の変動を抑えて安定なる微小電流ｉ３（＝Ｉｃ）を発生させることができる。
【００３９】
なお、図１においては電源・グランド間において第４の抵抗１６と第２のｐｎｐトランジスタ１７を直列に接続したが、抵抗１６を無くしてもよい。
また、図２において微小電流発生回路１とトランジスタ２９，２８と充電回路２４とスイッチ２５とコンデンサ２６により、ＣＲ発振の放電回路を構成してもよい。さらに、微小電流を保証する動作温度において微小電流Ｉｃを安定的に作ることができるため、タイマー回路やフィルター回路などに応用が可能である。
【００４０】
図５には、図１に代わる応用例を示す。
図４において、図１に示す回路構成とした場合には微小電流Ｉｃは温度が上昇すると僅かながら増加する。そこで、図５では改良を加えている。
【００４１】
図１での第２の抵抗１３を、図５においては温度係数の異なる複数の素子３０，３１を組み合わせて構成している。詳しくは、図１においてはｐｎｐトランジスタ１２とｎｐｎトランジスタ１４の間に抵抗１３を配置した構成となっている。これに対し、図５においては、ｐｎｐトランジスタ１２とｎｐｎトランジスタ１４の間に、抵抗素子３０と抵抗素子３１とを直列に接続している。抵抗素子３０と抵抗素子３１とは温度係数が異なっている。図５の抵抗素子３０と抵抗素子３１は、材料が異なることにより温度係数が異なる抵抗素子を用いる（例えば、拡散抵抗とポリシリコン抵抗）、あるいは、材料が同じであっても温度係数が異なる抵抗素子を用いる。
【００４２】
抵抗素子３０，３１の温度係数に関して、例えば、図１の抵抗１３の温度係数を「１０」としたならば、図５での抵抗素子３０の温度係数を「１０」とするとともに抵抗素子３１の温度係数を「２０」とする。
【００４３】
このように、抵抗素子３０と抵抗素子３１としてその温度係数を選択して使用することにより、微小電流ｉ３（＝Ｉｃ）の温度特性を任意に設定でき、図１に比べ改善することができる。
【００４４】
図６には、比較例（図７）と図１の回路構成と図５の回路構成での温度に対するＩｃ値の測定結果を示す。この図６により、図５の回路構成とした場合には抵抗素子３０，３１としてその温度特性を組み合わせて使用することにより微小電流Ｉｃについての温度特性を任意に設定できることが分かる。そして、図５の回路構成とすることにより温度が変化しても電流Ｉｃの変動を小さくすることが可能となる。
【００４５】
以上のように、図１に比べ図５のようにすることにより、微小電流Ｉｃの温度特性を改善することができる。つまり、図１での第２の抵抗１３を、温度係数の異なる複数の素子３０，３１を組み合わせて構成することにより、図１に比べ温度変化による微小電流の変動を更に抑制して更に安定なる微小電流を発生させることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施形態における微小電流発生回路の構成図。
【図２】過電流保護機能付き負荷駆動回路の構成図。
【図３】作用を説明するためのタイムチャート。
【図４】温度特性を示す図。
【図５】応用例における微小電流発生回路の構成図。
【図６】温度特性を示す図。
【図７】従来技術を説明するための微小電流発生回路の構成図。
【図８】ＣＲ発振の放電回路を示す構成図。
【符号の説明】
１…微小電流発生回路、２…定電圧回路、１０…第１の抵抗、１１…第１のｎｐｎトランジスタ、１２…第１のｐｎｐトランジスタ、１３…第２の抵抗、１４…第２のｎｐｎトランジスタ、１５…第３の抵抗、１６…第４の抵抗、１７…第２のｐｎｐトランジスタ、２０…パワーＭＯＳトランジスタ、２１…負荷、２２…アンドゲート、２３…過電流検出回路、２４…充電回路、２５…スイッチ、２６…充放電用コンデンサ、２７…コンパレータ、２８，２９…ｎｐｎトランジスタ、３０…抵抗素子、３１…抵抗素子。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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