(57)【要約】【課題】  精度が高く、生産性に優れたダイオードベースの製造方法を提供することにある。【解決手段】  金型でＣｕ−Ｍｏ複合材からなるブランクの周囲と、加工面の一方を拘束して、前記加工面のいずれか一方に加工パンチもしくはカウンタパンチで加工圧を与えて、カップ状の形状体を得る方法であって、前記ブランクは、加工面を前記ブランクの全表面積の５０％以下に設定して、プレス加工することを特徴とするダイオードベースの製造方法。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
銅を含む複合材で構成されるブランクを拘束して、塑性加工により内部に空間を形成するように外周部を成形することを特徴とする銅を含む複合材の加工方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記複合材は、銅とモリブデンまたはタングステンとの複合材であることを特徴とする銅を含む複合材の加工方法。
【請求項３】
請求項１において、
前記塑性加工によりカップ形状に成形することを特徴とする銅を含む複合材の加工方法。
【請求項４】
請求項１において、
前記塑性加工により内部に空間を形成するように少なくとも１つ以上の外周部を形成することを特徴とする銅を含む複合材の加工方法。
【請求項５】
放熱板に装着されたカップ状のダイオードベースと、前記ダイオードベースの内底面に接合部材を介して固着される半導体チップと、前記半導体チップに接続され外部装置と接続されるリード線とを備えた半導体装置であって、前記ダイオードベースの熱膨張係数αが７［１０-6／Ｋ］以上１３［１０-6／Ｋ］以下で、該熱伝導率λが１５０［Ｗ／（ｍ・Ｋ）］以上３００［Ｗ／（ｍ・Ｋ）］以下からなるＣｕ−Ｍｏ複合材またはＣｕ−Ｗ複合材を冷間押出しによりカップ状に塑性加工されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項５において、
前記冷間押出しは、後方押出しであることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項５において、
前記冷間押出しは、前方押出しであることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項５記載において、
前記半導体チップは前記ダイオードベースにハンダを介して接合されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項５において、
前記ダイオードベースはＣｕ−Ｍｏ焼結圧延材から成形されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項９記載において、
前記Ｃｕ−Ｍｏ焼結圧延材は、Ｃｕの重量含有率が約３５％であり、その他に含まれるものはＭｏの合金材であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
請求項５において、
前記半導体装置は、車両用交流発電機の全波整流器を構成することを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
金型でＣｕ−Ｍｏ焼結圧延材からなるブランクの周囲及び加工面の一方を拘束し、前記加工面の一方に加工パンチもしくはカウンタパンチで加工圧を与えて、カップ状の形状体に成形する金属材料の加工方法であって、前記加工圧を加える前記加工面は、前記ブランクの全表面積の５０％以下の面積にプレス加工されることを特徴とする金属材料の加工方法。
【請求項１３】
請求項１２記載において、
前記加工パンチの周囲に材料を流動させてカップ状の形状を成形することを特徴とする金属材料の加工方法。
【請求項１４】
請求項１２において、
前記加工面の他方を加工パンチで押圧して、カップ状形状に成形したダイオードベースを成形することを特徴とした金属材料の加工方法。
【請求項１５】
請求項１２記載において、
前記カップ状の形状体は、ダイオードベースであることを特徴とする金属材料の加工方法。
【請求項１６】
請求項１２において、前記加工パンチもしくは前記カウンタパンチの少なくとも一方の断面の一部は波型断面を有することを特徴とする金属材料の加工方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は金属材料の加工方法及びそれを用いた半導体装置に関する。特に、車両用交流発電機，整流器のダイオードベースとその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
特開平８−１１５９９２号公報には、Ｃｕ−Ｍｏ焼結圧延材をカップ状の形状体に成形する技術が開示されている。また、絞り加工により成形する方法が記載されている。
【０００３】
特開平８−１１２６３４号公報には、板材を半抜きにより成形する方法が記載されている。
【０００４】
【特許文献１】特開平８−１１５９９２号公報
【特許文献２】特開平８−１１２６３４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１によれば、Ｃｕ−Ｍｏ焼結圧延材をカップ状の形状体に成形する際、絞り加工により成形することは記載されている。しかしながら、材料の割れに関しては何ら考慮されていない。
【０００６】
また、特許文献２によれば、板材を半抜きにより成形することは記載されている。しかしながら、カップ状の形状体にするために凸部切断の工程が増えること、材料歩留まり、切断後の寸法精度に関しては何ら考慮されていない。
【０００７】
本発明の目的は、焼結圧延材を含む複合材をより自由度が高く加工する金属材料の加工方法及びそれを用いた半導体装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するために、本発明の一つは、銅を含む複合材で構成されるブランクを拘束して、塑性加工により内部に空間を形成するように外周部を成形することを特徴とする。
【０００９】
また、本発明は、その複合材の特性が少なくとも熱膨張係数αが７［１０-6／Ｋ］以上１３［１０-6／Ｋ］以下で、該熱伝導率λが１５０［Ｗ／（ｍ・Ｋ）］以上３００［Ｗ／（ｍ・Ｋ）］以下であることを特徴とする。
【００１０】
さらに、複合材は、Ｃｕ−Ｍｏ複合材またはＣｕ−Ｗ複合材であり、これらの複合材は、冷間押出しにより塑性加工されていることを特徴とする。
【００１１】
また、本発明では、加工圧が加えられる加工面は、複合材からなるブランクの全表面積の５０％以下の面積を有する領域であることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、複合材をより自由度が高く加工する金属材料の加工方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、実施例を図に従って説明する。
【００１４】
以下の実施例は、車両用交流発電機の整流器部についての説明であるが、本発明はこの実施例に限定されることなく、本発明の上述したような課題である銅を含む複合材料の加工によって生じる割れや寸法精度のばらつきを抑える等のために塑性加工によって形状を成形するものであり、そのような用途の電機・電気・電子機器や装置等に適用できる。特にカップ形状の成形に有効である。
【００１５】
図１は車両用交流発電機を示す断面図、図２は図１の車両用交流発電機の整流器部の説明図である。
【００１６】
回転子１は、回転軸４に固着されており、励磁コイル３により励磁され、回転子爪２により極数に応じて回転子周方向にＮ極およびＳ極を発生する。励磁コイル３にはスリップリングにより直流電流が供給される。スリップリングは、ブラシホルダに保持されたカーボンが主体のブラシ７と、回転軸４に固着されたブラシリング２２とにより構成される。なお、スリップリングと励磁コイル３間には接続ターミナル５を置き、スリップリングからのリード線および励磁コイル３の導線をここで接続することにより組立性を向上させるようになっている。励磁コイル３は図示していないが電気絶縁性を有するボビンに絶縁被覆を施した導線を多数回巻回したものである。ボビンは励磁コイル３で発生した熱を回転子に伝えやすくするために熱抵抗の小さな素材、例えば、酸化アルミニウム粉を分散混入させた熱伝導率を向上させたエポキシなどの有機系樹脂や鉄などの金属の表面に絶縁性の塗料または樹脂をコーティングした複合素材などが好ましい。
【００１７】
回転子１の両端面には遠心ファン１１，１２が設けられている。前ブラケット８および後ブラケット９にはファン１１，１２の吸込側および吐出側に連通する箇所に開口部８ａ，８ｂ，９ａ，９ｂが開けられている。ファン１１は、冷却空気を開口部８ａより吸い込んで前ブラケット内を通風した後に、開口部８ｂより吐出する。また、ファン１２は、冷却空気を開口部９ａより吸い込んで後ブラケット内を通風した後に、開口部９ｂより吐出する。後ブラケット９側においては、ファン１２の吸込側と吐出側がファンガイド２１にて構造的に分割され、そのファンガイド２１の両側に開口部９ａ，９ｂが位置している。両ブラケット８，９およびファンガイド２１とで形成される通風面積はできるだけ大きくしてファンの通風抵抗とならないようにすることが望ましい。
【００１８】
固定子２４は、積層鋼板によって構成された固定子鉄心６に設けたスロットに固定子コイル１９を埋設したものである。スロットの数は、３相交流を発生させるので極数の３倍である。固定子コイル１９は、絶縁被覆導線を多数巻回したものであり、スロット内では固定子鉄心６との間に絶縁シートを挟みこみ導体の絶縁の保護を兼ねた絶縁が施されている。絶縁被覆導線は、スロットの導体線占率を大きくするためには角線が望ましい。しかしながら、丸線の方が製作および巻線が容易である。いずれにしろスロット内の空隙はワニスや樹脂などを含浸して導体同士を固定すると共にコイルで発生した熱を固定子鉄心６に伝えやすくする。固定子鉄心６は、前ブラケット８と後ブラケット９で挟み、通しボルト（図示せず）で強固に固定されている。
【００１９】
回転軸４は、その両側部分がベアリング１３を介して前ブラケット８及び後ブラケット９に回転自在に支持されている。回転軸４の前ブラケット側端部にはエンジンからの動力を伝達させるためのプーリ１０が設けられている。前ブラケット８および後ブラケット９には、エンジンに車両用交流発電機本体を固定するための支持脚８ｃ，９ｄが設けられている。後ブラケット９には励磁コイル３への電流を調整し、発電電圧を回転数に関らず一定にするための電圧調整器１８と、固定子コイル１９で発生した交流を直流に変換する整流器２３が固定されている。
【００２０】
整流器２３は、ダイオード２０と、このダイオード２０が取り付けられたダイオードマイナス冷却板１４及びダイオードプラス冷却板１５と、この両冷却板１４，１５の間に配置された絶縁シート（図示せず）と、モールド端子１６と、これらを後ブラケット９に固定するための固定部材１７とを有している。具体的には、後ブラケット９の内側面からダイオードマイナス冷却板１４，絶縁シート，ダイオードプラス冷却板１５，モールド端子１６の順にこれらが重ねられた状態で配置され、これらに連通する貫通孔を設けて固定部材１７をモールド端子１６側から貫通させ、固定部材１７の一端側をモールド端子１６に当接すると共にその先端部を後ブラケット９に固定し、モールド端子１６を後ブラケット９側に押圧することにより、整流器２３が後ブラケット９に固定されるものである。
【００２１】
ダイオードマイナス冷却板１４は、熱伝導の良好な部材で構成され、後ブラケット９側の面に複数のダイオード２０を取り付けており、後ブラケット９との間に熱伝導性のグリースなどを塗って両者間の熱抵抗を小さくして後ブラケット９に熱的に接続されている。これにより、ダイオード２０で発生する熱は、後ブラケット９に伝えられ、後ブラケット９より放熱される。
【００２２】
ダイオードプラス冷却板１５は、熱伝導の良好な部材で構成され、後ブラケット９の反対側の面に複数のダイオード２０を取り付けており、ダイオードマイナス冷却板１４との間に絶縁部材を構成する絶縁シートを介すると共にモールド端子１６を介して配置され、これらに電気的に絶縁されると共に熱的に接続されている。
【００２３】
ダイオードマイナス冷却板１４とダイオードプラス冷却板１５の間に挟み込まれた絶縁シートは、双方の冷却板１４，１５より外方に突出させて正負極の絶縁距離を保つことが望ましい。この絶縁シートは、ダイオードマイナス冷却板１４からダイオードプラス冷却板１５への熱抵抗を小さくするため、熱伝導率が大きいものが用いられている。これにより、ダイオードプラス冷却板１５に取り付けられたダイオード２０で発生する熱の一部は、ダイオードプラス冷却板１５から絶縁シートを介してダイオードマイナス冷却板１４に伝えられ、さらには、後ブラケット９に伝えられて後ブラケット９から放熱される。
【００２４】
モールド端子１６は、ダイオード端子と固定子コイル口出し部を固定するものであり、電気的に絶縁性を有する部材で構成されている。熱伝導が良好な部材が望ましい。これにより、固定部材１７はダイオードプラス冷却板１５に対して電気的に絶縁されている。
【００２５】
固定部材１７は、熱伝導が良好な部材で構成され、側端部が後ブラケット９に熱的に接続して取り付けられる。
【００２６】
すなわち、固定部材１７をダイオードプラス冷却板１５に電気的絶縁を保ちながら熱的に接続させ、固定部材１７を熱伝導性の良好な部材とする。それと共に後ブラケット９に熱的に接続して固定している。これにより、ダイオードプラス冷却板１５に取り付けられたダイオード２０で発生する熱を固定部材１７に伝えることができる。さらに、固定部材１７から後ブラケット９に熱を伝えて後ブラケット９から放熱することができる。これにより、部品を増加することなく、ダイオード２０の冷却を行うことができる。
【００２７】
本発明は、例えば、以下のようなものが含まれる。放熱板に装着されたカップ状のダイオードベースと、該ダイオードベースの内底面に接合部材を介して固着される半導体チップと該半導体チップに接続され外部装置と接続されるリード線とを備えた半導体装置において、前記ダイオードベースは合金材からなり熱膨張係数αが７〜１３［１０-6／Ｋ］で熱伝導率λが１５０［Ｗ／（ｍ・Ｋ）］以上の半導体装置である。
【００２８】
好ましくは、半導体チップはダイオードベースに直接接合されていることを特徴とする。また、好ましくは、ダイオードベースはＣｕ−Ｍｏ焼結圧延材からなる。さらに、好ましくは、Ｃｕは約３５％、Ｍｏは残り約６５％の合金材である。そして、これらの半導体装置又はダイオードは、車両用交流発電機の全波整流器に適用されている。
【００２９】
また、金型でＣｕ−Ｍｏ焼結圧延材からなるブランクの周囲と、加工面の一方を拘束して、加工面のいずれか一方に加工パンチもしくはカウンタパンチで加工圧を与えて、カップ状の形状体を成形する場合に、ブランクは、加工面をブランクの全表面積の５０％以下に設定して、プレス加工することを特徴とする。
【００３０】
好ましくは、加工パンチの周囲に、材料を流動させてカップ状製品を得ることにある。また、好ましくは、加工面の他方を加工パンチで押圧して、カップ状の素子，部材，部品などの製品とする。好ましくは、カップ状の形状体は、ダイオードベースである。
【００３１】
整流器のダイオードベースは、Ｃｕ−Ｍｏ焼結圧延材からなるブランクの周囲及び加工面の一方を拘束し、加工パンチもしくはカウンタパンチによって、ブランクの全表面積の５０％以下の面積を有する加工面が加圧され、カップ状の形状体に成形されるものであり、この形状体は、例えば、ダイオードベースであり、このダイオードベースを含むダイオードである。
【００３２】
金型でＣｕ−Ｍｏ焼結圧延材からなるブランクの周囲及び加工面の一方を拘束し、加工面をブランクの全表面積の５０％以下に設定して、加工面のいずれか一方に加工パンチもしくはカウンタパンチで加工圧を与えて、カップ状の形状体を成形し、加工パンチもしくはカウンタパンチの少なくともいずれか一方の断面の一部は波型断面を有し、それらの金属材料の加工方法で加工した波型断面を有する金属材料を、半導体から熱が伝達されるように配置した冷却フィンである。この冷却フィンは、半導体用でもある。
【００３３】
次に本実施例に係るダイオード２０を図３に従って説明する。
【００３４】
図３に示すようにダイオード２０は半導体チップ２５を備え、一方の面をリード線２６にはんだ（図示せず）により接続し、他方の面をカップ状部材からなるダイオードベース２７にはんだ（図示せず）により接続している。そしてダイオードベース２７の凹部にシリコン等によるシール材２８を充填し、半導体チップ２５，半導体チップ２５とリード及びダイオードベース２７との接合部を保護している。
【００３５】
従来、複合材では加工割れが生じていたのでＣｕでしか形成していなかったダイオードベースであるが、本発明ではそのダイオードベース２７を加工割れの生じないようにＣｕ−Ｍｏ複合材またはＣｕ−Ｗ複合材で構成した。ダイオードベース２７とＣｕ−Ｍｏ複合材で構成することにより、半導体チップ２５とダイオードベース２７との熱膨張率αの差が、ダイオードベースをＣｕで構成する場合よりも小さくすることができる。従来は、チップとダイオードベースとの間に熱膨張率の差を抑えるために、両者の熱膨張率の間の熱膨張率を有する部材を緩衝材として入れていた。即ち、チップの熱膨張率α１，ダイオードベースの熱膨張率α２，緩衝材の熱膨張率α３とすると、α１＜α３＜α２もしくは、α２＜α３＜α１となるように設定していた。しかし、本実施例においては、α１とα２の差を従来よりもより小さくすることができる。これにより、チップとダイオードをハンダで直接接合することができる。さらには、チップとダイオードをハンダで直接接合することにより、間に別部材を配置する場合に比べ熱伝達率を向上させることができる。これにより、ダイオードの放熱性を向上させることができる。また、チップとダイオードをハンダで直接接合することにより、間に別部材を配置するよりもハンダ付け工数を低減することができる。これにより、生産性をより向上することができる。
【００３６】
より具体的には、ダイオードベースは合金材からなり熱膨張係数αが７〜１３［１０-6／Ｋ］、熱伝導率λが１５０〜３００［Ｗ／（ｍ・Ｋ）］であることが望ましい。この数値範囲にすることで、チップとの熱膨張差による割れを防ぐことを発明者らが種々検討の結果、見出したからである。また、この数値範囲であれば、冷却に必要な熱伝達率を確保できることを発明者らが種々検討の結果、見出したからである。
【００３７】
ここで、ダイオードベースをＣｕ−Ｍｏ複合材で構成する方法について説明する。本実施例では、Ｃｕ−Ｍｏ複合材を後方押出し加工によって成形する。従来、Ｃｕ−Ｍｏ複合材の絞り加工は割れが生じることで不可能とされていた。
【００３８】
今回、発明者らは、Ｃｕ−Ｍｏ複合材をはじめとする複合材の加工方法について種々検討した。その結果、Ｃｕ−Ｍｏ複合材は絞り加工を行うと、いとも簡単に割れが発生することが判明した。また、その割れが生じる面は、引張りを受けている面であること、絞り加工においては、それら引張りは多くの面に生じてしまうことが明らかになった。例えば、図１２によれば、絞り加工を複合材に施したところ、３つに分かれるようなわれを生じている。
【００３９】
発明者らは、割れの生じにくいＣｕ−Ｍｏ複合材をはじめとする焼結圧延材の加工方法を検討した。その結果見出した加工方法について以下説明する。
【００４０】
カップ状部材は断面が凹字状で、その内面もしくは外面に複数の段付き面を形成し、底面に電子部品等の発熱体を配置しても良い。図１３にダイオードベースの製品図を示す。これ以外の形状としては、例えば、図９（ｉ）に示すように、カップ状部材の内面形状は複数段から構成されている。図９（ii）に示すように、カップ状部材の内面形状はテーパ状になっている。図９(iii) に示すように、カップ状部材に円柱又は角柱の台座がついている。また、それらの内面形状は円筒や楕円などを（iv），（ｖ），（vi）に示す。このような形状だけでなく、半導体チップ２５，リード線２６，シリコン等によるシール材
２８を保持できるあらゆる形状が考えられる。
【００４１】
本実施例のＣｕ−Ｍｏ複合材のダイオードベース２７の製造方法を図４及び図５を用いて説明する。
【００４２】
図４（ｉ）〜(iii）はブランク２９からダイオードベース２７までの工程を示すもので、Ｃｕ−Ｍｏ複合材である。ブランク２９は圧延材から切り出した状態である。
【００４３】
図５は図４（ii）の塑性加工工程（冷間鍛造工程）を行っている状態を示す。
【００４４】
以下に、加工の手順を説明する。まず、図４（ｉ）に示す如く、圧延材からブランク
２９を切り出す。次にカウンタパンチ３４を併用して後方押出し成形を行う。この押出しによって図４（ii）に示す如く中央に円筒部（凹部）３０を有するＣｕ−Ｍｏ複合材からなる部品を成形することができる。次に、図４(iii）に示すように外周にローレット加工を行い、ダイオードベース２７が完成する。
【００４５】
ここで、後方押出しについて説明する。まず、中空金型（又はメガタ）３１とカウンタパンチ（又はメピン）３４によりブランク２９を拘束する（図の左側）。次に、ガイド
３２により案内される加工パンチ（又はパンチ）３３により押圧する（図の右側）。この押出しにおいては、加工パンチ３３，中空金型３１，カウンタパンチ３４によって、ブランク２９の外面の殆どの部分を拘束することができる。このように拘束することにより、拘束されている面での引張りによる割れを防ぐことが出来る。即ち、この状態で加工パンチ３３を図５の下方に押し下げると、矢印に示す如く材料が流動する。これにより、Ｃｕ−Ｍｏ複合材を割れを防止しつつ成形することが出来る。
【００４６】
なお、上記実施例の図５において、中空金型３１と加工パンチ３３によりブランク２９を拘束して、カウンタパンチ３４を可動させてブランク２９を押圧し、円筒部３０を前方押出しにより成形しても、同等のカップ状部材を得ることができる。この場合、加工パンチを固定し、各図における加工パンチ側にカウンタパンチを移動させることにより行われる。このような前方押出しは、図１０に示すようになる。まず、中空金型３１とカウンタパンチ３４によりブランク２９を拘束する（図の左側）。次に、ガイド３２により案内される加工パンチ３３により押圧する（図の右側）。この押出しにおいては、加工パンチ
３３，中空金型３１，カウンタパンチ３４によって、ブランク２９の外面の殆どの部分を拘束することができる。このように拘束することにより、拘束されている面での引張りによる割れを防ぐことが出来る。即ち、この状態で加工パンチ３３を図１０の下方に押し下げると、矢印に示す如く材料が流動する。これにより、Ｃｕ−Ｍｏ複合材を割れを防止しつつ成形することが出来る。
【００４７】
従来、Ｃｕ−Ｍｏ複合材の加工は、割れの問題が克服できなかったため素材を切断するなど、極単純な成形しかすることが出来なかった。複雑な形状を成形する場合は、例えば切削を行うなど工数が多い加工方法しか選択することが出来なかった。切削は材料の歩留まりが悪く、生産効率の面からも採用に問題があった。
【００４８】
しかし、今回発明者らが見出した方法であれば、材料の歩留まりを確保しつつＣｕ−
Ｍｏ複合材から複雑な形状を成形することが出来る。ここで複雑な形状とは凹凸を有する形状を指す。即ち、先の実施例の如く凹を有するカップ形状はもとより、例えば半導体の冷却に用いる放熱フィンなどを成形することが出来る。
【００４９】
放熱フィンを成形する実施例について図７を用いて説明する。放熱フィンについては、図５における加工パンチを山形の断面形状を有する加工パンチ１０１にすることで成形することが出来る。加工の手順，各部の名称は図５と同じなので、図５と同じ箇所については、説明を省略する。
【００５０】
フィン加工パンチ１０１は先端が山形断面になっている。これをガイド３２により案内し、ブランク２９に押圧する。この押出しにおいては、フィン加工パンチ１０１，中空金型３１，カウンタパンチ３４によって、ブランク２９の外面の殆どの部分を拘束することができる。このように拘束することにより、拘束されている面での引張りによる割れを防ぐことが出来る。即ち、この状態でフィン加工パンチ１０１を図７の下方に押し下げると、材料がフィン加工パンチ１０１の山形断面の頂部に向かって流動する。これにより、
Ｃｕ−Ｍｏ複合材を割れを防止しつつフィン１０２を成形することが出来る。以上述べた後方により、放熱フィン１０３を成形することが出来る。放熱フィン１０３を図８に示す。本実施例では方形の放熱フィンを作成したが、円盤状のフィンも同様に成形することが出来る。また、フィン加工パンチの山形の形状を鋭利にすること（即ち、頂点の角度を小さくすること）で、より放熱効率の高い冷却用のフィンを作ることができる。
【００５１】
実施例では、ブランク２９は切削加工で行っている。しかし、例えば図６に示すように、Ｃｕ−Ｍｏ複合材を放電加工，打抜きや切断，圧縮といった冷間鍛造により塑性加工してもよい。
【００５２】
絞り加工は引張り応力が主であるため材料に割れ等が発生してしまうが、本実施例である後方押出し成形は圧縮応力が主であるため、材料に割れ等を発生させずに成形することができる。
【００５３】
なお、本発明による複合材の塑性加工、例えば、後方押出しの場合は、ブランク２９をメピン３４とメガタ３１によって拘束し、パンチ３３によって加工すると、複合材はパンチ３３の後方に流れていく。この製品の断面をカットし、その組織を観察すると、図１１の（１）及び（２）に示すような金属の流れを見ることができる。本発明の加工方法では、必ずこのような金属の流れが表れるので、このような流れが複合材で生じていれば塑性加工であることがわかる。
【００５４】
以上述べた各実施例によれば、冷却性能がより高い半導体装置を提供することが出来る。また、ダイオードベースの精度が高く、生産性に優れた製造方法が提供される。
【００５５】
また、塑性加工でＣｕ−Ｍｏ複合材を加工することができるので、切削加工で加工する場合よりも、材料の歩留まりを改善することができる。
【００５６】
また、より冷却性能を向上させた半導体装置を提供することができる。また、精度がより高く生産性に優れたダイオードベースの製造方法を提供することができる。
【産業上の利用可能性】
【００５７】
Ｃｕ−Ｍｏ複合材を含む複合材を塑性加工で成形する部材，部品，素子または製品へ適用することが可能となり、冷却性能が向上し、高い精度の部材，部品，素子または製品を実現でき、さらには、生産性に優れる。
【図面の簡単な説明】
【００５８】
【図１】実施例における車両用交流発電機の断面図。
【図２】実施例に用いる整流器を示す説明図。
【図３】実施例に用いるダイオードの縦断面図。
【図４】（ｉ）〜(iii）はダイオードベースの冷間鍛造工程図。
【図５】実施例のダイオードベースの製造工程の一部を示す要部断面図。
【図６】実施例のダイオードベースの製造工程の一部を示す説明図。
【図７】フィン加工を説明する図。
【図８】フィン加工をしたＣｕ−Ｍｏ複合材を示す図。
【図９】複合材で形成できるカップ形状の例。
【図１０】前方押出し加工の説明図。
【図１１】複合材の塑性加工による表面状態を示す図。
【図１２】絞り成形における割れ発生を示す図。
【図１３】本発明の複合材によるダイオードベースを示す図。
【符号の説明】
【００５９】
２５…半導体チップ、２６…リード線、２７…ダイオードベース、３３…加工パンチ、３４…カウンタパンチ。
【図１】
2004249366.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
2004249366.tif 000008
【図７】
2004249366.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
2004249366.tif 000012
【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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