(57)【要約】【課題】検体に設けられた電極に対するプローブピンの位置精度を向上させるプローブユニットの製造方法を提供する。【解決手段】リソグラフィ技術を用いてプローブピンに対して位置決めされた位置決め部をマスクとして基板をエッチングすることにより、プローブピンを基準とした寸法精度が高い縁部を基板に形成することができる。縁部がプローブ装置に対して基板を位置決めするための部材に当接することにより、プローブピンはプローブ装置に対して精度良く位置決めされる。したがって、検体に設けられた電極に対するプローブピンの位置精度を向上させることができる。【選択図】　なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
プローブ装置に取り付けることにより検体の電極に接触するプローブピン及び前記プローブピンに対して位置決めされた位置決め部をリソグラフィ技術を用いて基板上に形成する第一工程と、
少なくとも前記位置決め部をマスクとして前記基板をエッチングし、前記プローブ装置に対して前記基板を位置決めするための部材に当接する縁部を前記基板に形成する第二工程と、
を含むことを特徴とするプローブユニットの製造方法。
【請求項２】
前記第二工程において、前記位置決め部をマスクとしてＲＩＥにより前記基板をエッチングして前記基板上に溝を形成し、前記溝に沿って前記基板を劈開することにより前記縁部を形成することを特徴とする請求項１に記載のプローブユニットの製造方法。
【請求項３】
前記第二工程において、前記位置決め部をマスクとしてＲＩＥにより前記基板をエッチングして前記基板上に凹部を形成し、前記凹部の裏側から前記基板を研削又は研磨することにより前記縁部を形成することを特徴とする請求項１に記載のプローブユニットの製造方法。
【請求項４】
前記第二工程において、前記位置決め部をマスクとしてシリコンからなる前記基板を結晶異方性エッチングすることにより前記縁部を前記位置決め部より外側に突出させることを特徴とする請求項１に記載のプローブユニットの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体集積回路や液晶パネル等の検体を導通試験するためのプローブ装置に取り付けられるプローブユニットに関する。
【０００２】
【従来の技術】
一般に、半導体集積回路、液晶パネル、プリント基板、およびフレキシブルプリント基板に対しては、それらの検体が仕様書通りに動作するか否かの導通試験が実施される。この導通試験で検体の各電極に押し当てられる一本一本のプローブピンは、検体の電極のピッチに応じて配列され基板から突出している。半導体集積回路や液晶パネルでは電極のピッチが狭小化する傾向にあり、これに伴ってプローブピンのピッチも狭小化している。検体の電極及びプローブピンのピッチの狭小化に伴って検体の電極とプローブピンの位置合わせは困難になってきている。
【０００３】
従来、プローブピンが基板（フィルム）上に形成されたプローブユニット（コンタクトプローブ）をプローブ装置に位置決めして固定する方法が知られている（例えば特許文献１参照）。
【００００】
【特許文献１】
特開平１０−３３９７４０号公報
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、特許文献１に開示の方法においてプローブユニットをプローブ装置に位置決め固定するために基板に設けられる固定穴は、リソグラフィ技術により形成されるプローブピンとは別の工程で形成される。そのため、プローブピンと固定穴とを高精度に位置合わせすることが困難であり、プローブ装置に対するプローブピンの位置精度を向上させることが困難であり、ひいてはプローブ装置に保持される検体の電極に対するプローブピンの位置精度を向上させることが困難である。
【０００５】
本発明は、かかる事情に鑑みて創作されたものであって、検体に設けられた電極に対するプローブピンの位置精度を向上させるプローブユニットの製造方法を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明に係るプローブユニットの製造方法は、プローブ装置に取り付けることにより検体の電極に接触するプローブピン及び前記プローブピンに対して位置決めされた位置決め部をリソグラフィ技術を用いて基板上に形成する第一工程と、少なくとも前記位置決め部をマスクとして前記基板をエッチングし、前記プローブ装置に対して前記基板を位置決めするための部材に当接する縁部を前記基板に形成する第二工程と、を含むことを特徴とする。リソグラフィ技術を用いてプローブピンに対して位置決めされた位置決め部をマスクとして基板をエッチングすることにより、プローブピンを基準とした寸法精度が高い縁部を基板に形成することができる。縁部がプローブ装置に対して基板を位置決めするための部材に当接することにより、プローブピンはプローブ装置に対して精度良く位置決めされる。したがって、本発明に係るプローブ装置の製造方法によると、検体に設けられた電極に対するプローブピンの位置精度を向上させることができる。尚、プローブピンと位置決め部とは、１つの成膜工程で同時に形成してもよいし、同一のアライメントマークを基準にして別々の成膜工程で形成してもよいし、プローブピンの成膜工程で形成されるアライメントマークを基準にして位置決め部を形成してもよいし、位置決め部の成膜工程で形成されるアライメントマークを基準にしてプローブピンを形成してもよい。これらの方法のいずれによっても、プローブピンに対して位置決め部を位置決めすることができる。また、第二工程では、エッチングのみで基板を厚さ方向に完全に切除してもよいし、エッチングと他の加工方法を併用して基板を厚さ方向に完全に切除してもよい。
【０００７】
さらに本発明に係るプローブユニットの製造方法は、前記第二工程において、前記位置決め部をマスクとしてＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ　Ｉｏｎ　Ｅｔｃｈｉｎｇ）により前記基板をエッチングして前記基板上に溝を形成し、前記溝に沿って前記基板を劈開することにより前記縁部を形成することを特徴とする。ＲＩＥと劈開とを併用することにより、ＲＩＥだけで縁部を形成する場合に比べてプローブユニットの生産性を向上させることができる。
【０００８】
さらに本発明に係るプローブユニットの製造方法は、前記第二工程において、前記位置決め部をマスクとしてＲＩＥにより前記基板をエッチングして前記基板上に凹部を形成し、前記凹部の裏側から前記基板を研削又は研磨することにより前記縁部を形成することを特徴とする。ＲＩＥと研磨とを併用することにより、ＲＩＥだけで縁部を形成する場合に比べてプローブユニットの生産性を向上させることができる
【０００９】
さらに本発明に係るプローブユニットの製造方法は、前記第二工程において、前記位置決め部をマスクとしてシリコンからなる前記基板を結晶異方性エッチングすることにより前記縁部を前記位置決め部より外側に突出させることを特徴とする。結晶異方性エッチングにより縁部を形成することにより、ＲＩＥにより縁部を形成する場合に比べてプローブユニットの生産性を向上させることができる。
【００１０】
【発明の実施の形態】
以下、図面に基づいて本発明の複数の実施例を説明する。
【００１１】
（第一実施例）
本発明の第一実施例に係るプローブユニットは、半導体集積回路、液晶パネル、プリント基板、およびフレキシブルプリント基板の導通を検査するためのプローブ装置に装着されるものであって、半導体集積回路、液晶パネル、プリント基板、およびフレキシブルプリント基板の電極に接触するプローブピンとそれを支持する基板を備えるものである。
【００１２】
図１〜図３は、本発明の第一実施例による製造方法を示す模式的な断面図である。図４（Ａ）は、本発明の第一実施例による製造方法を用いて製造されたプローブユニット１を示す平面図である。図１〜図３の（Ａ１）〜（Ａ１３）は図４（Ａ）のＡ−Ａ線断面図に対応し、図１〜図３の（Ｂ１）〜（Ｂ１３）は図４のＢ−Ｂ線断面図に対応する。
【００１３】
はじめに図１（Ａ１）及び図１（Ｂ１）に示すように、熱酸化、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、スパッタリング等により基板１４の表面上に絶縁膜１２を形成する。基板１４には例えばＳｉを用いる。絶縁膜１２には例えばＳｉＯ２　、ＳｉＮｘなどを用いる。絶縁膜１２の膜厚は例えば１μｍとする。続いて、絶縁膜１２の表面上にＮｉ又はＮｉＦｅ合金をスパッタリングし、後続工程でめっきを成長させるためのシード層１０を形成する。シード層１０の膜厚は例えば０．１μｍとする。尚、絶縁膜１２の表面上にＴｉをスパッタリングし、絶縁膜１２とシード層１０との間に３０ｎｍの図示しない密着層を形成してもよい。
【００１４】
次に図１（Ａ２）及び図１（Ｂ２）に示すように、シード層１０の表面上に任意のパターンを開口したレジスト膜１６を形成する。具体的には例えば、基板１４の表面上にレジストを塗布し、レチクル像を基準としてステッパ又はアライナによりレジストを露光し、現像及びリンス工程を経て所望のレジスト膜１６を形成する。また、Ｉ線ステッパによる高解像微細加工によりレジストを露光することが望ましい。パターンに含まれるリード２０の形状は、プローブユニット１で検査しようとするＩＣチップ等の電極の配置に応じて決められるものであって、例えば幅を２５μｍ、ピンのスペースを２５μｍ、ピッチを５０μｍとする。パターンに含まれる位置決め部１８の形状は、プローブユニットが装着されるプローブ装置の治具等の構成に応じて決められる。
【００１５】
次に図１（Ａ３）及び図１（Ｂ３）に示すように、シード層１０の表面上に電気めっき法によりＮｉＦｅを析出させ、リード２０及び位置決め部１８を含むパターンをシード層１０の表面上に形成する。図４（Ｂ）は、シード層１０の表面上に形成されるパターンを示す平面図である。後続工程で基板１４の一部が除去されることによりリード２０の端部は基板１４から突出し、プローブピン３０となる。リード２０及び位置決め部１８を含むパターンの膜厚は例えば２０μｍとする。
【００１６】
次に図１（Ａ４）及び図１（Ｂ４）に示すように、ＮＭＰ（Ｎ−メチル−２−ピロリドン）、アセトン等を用いてレジスト膜１６を除去する。尚、Ｏ２　プラズマやアミン系有機剥離液を用いてレジスト膜１６を除去してもよい。
【００１７】
次に図２（Ａ５）及び図２（Ｂ５）に示すように、レジスト膜１６が除去されることにより露出したシード層１０をイオンミリングにより除去する。
【００１８】
次に図２（Ａ６）及び図２（Ｂ６）に示すように、全てのリード２０のそれぞれの一部及び全ての位置決め部１８のそれぞれの一部を覆う範囲にレジスト膜２４を形成する。レジスト膜２４の膜厚は例えば５０μｍとする。レジスト膜２４は位置決め部１８とともに基板１４の外形を形成するためのマスクとして機能する。
【００１９】
次に図２（Ａ７）及び図２（Ｂ７）に示すように、レジスト膜２４、位置決め部１８及びリード２０をマスクとして絶縁膜１２をＲＩＥにより除去する。具体的には例えば、マグネトロンＲＩＥエッチャーを用い、ＣＨＦ３　、ＣＯ２　、Ａｒ及びＨｅの混合ガスをエッチングガスとして用い、ガス圧力を５０ｍＴｏｒｒに設定する。
【００２０】
次に図２（Ａ８）及び図２（Ｂ８）に示すように、レジスト膜２４、位置決め部１８及びリード２０をマスクとして結晶異方性エッチング、例えばＲＩＥにより基板１４を貫通するまで除去する。具体的には、誘導結合型プラズマ（ＩＣＰ：Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅ　Ｃｏｕｐｌｅｄ　Ｐｌａｓｍａ）エッチャーを用い、ＳＦ６　とＣ４Ｆ８のガスを交互に導入することによりエッチングと側壁保護を繰り返す。この方法によれば、基板１４をほぼ垂直にかつ高速にエッチングできる。また、ＤｅｅｐＲＩＥによる垂直エッチングにより位置決め部１８と同じ外形寸法の縁部２６を基板１４に形成することができる。位置決め部１８はフォトリソグラフィ技術を用いて高い寸法精度で形成することができるため、縁部２６も高い寸法精度で形成することができる。
【００２１】
次に図３（Ａ９）及び図３（Ｂ９）に示すように、ＮＭＰ（Ｎ−メチル−２−ピロリドン）、アセトン等を用いてレジスト膜２４を除去する。尚、Ｏ２　プラズマやアミン系有機剥離液を用いてレジスト膜２４を除去してもよい。
【００２２】
次に図３（Ａ１０）及び図３（Ｂ１０）に示すように、基板１４の裏面上に、リード２０の端部に重なっている部分を露出させるレジスト膜２８を形成する。尚、ここでいう基板１４の裏面とは、リード２０を形成する側の反対側の面を示している。レジスト膜２８は、全ての位置決め部１８のそれぞれの一部及び全てのリード２０のそれぞれの一部に基板１４などを間に挟んで重なる範囲に形成する。具体的には例えば、基板１４の裏面上にレジストを塗布し、レチクル像を基準としてステッパ又はアライナによりレジストを露光し、現像及びリンス工程を経て所望のレジスト膜２８を形成する。レジスト膜２８の膜厚は例えば３０μｍとする。
【００２３】
次に図３（Ａ１１）及び図３（Ｂ１１）に示すように、レジスト膜２８をマスクとしてリード２０の端部を支持する基板１４の一部をＲＩＥにより除去してリード２０の端部を基板１４から突出させる。リード２０の基板１４から突出した部分はプローブピン３０となる。具体的には例えば、ＩＣＰエッチャーを用い、ＳＦ６　とＣ４Ｆ８のガスを交互に導入することによりエッチングと側壁保護を繰り返す。この方法によれば、基板１４をほぼ垂直にかつ高速にエッチングできる。
【００２４】
次に図３（Ａ１２）及び図３（Ｂ１２）に示すように、レジスト膜２８、基板１４の少なくとも一方をマスクにして絶縁膜１２をＲＩＥにより除去する。具体的には例えば、マグネトロンＲＩＥエッチャーを用い、ＣＨＦ３　、ＣＯ２　、Ａｒ及びＨｅの混合ガスをエッチングガスとして用い、ガス圧力を５０ｍＴｏｒｒに設定する。
【００２５】
次に図３（Ａ１３）及び図３（Ｂ１３）に示すように、ＮＭＰ（Ｎ−メチル−２−ピロリドン）、アセトン等を用いてレジスト膜２８を除去し、プローブユニット１を得る。尚、Ｏ２　プラズマやアミン系有機剥離液を用いてレジスト膜２８を除去してもよい。
【００２６】
以上説明した第一実施例によると、プローブ装置に対してプローブユニット１の基板１４を位置決めするための治具等に当接する基板１４の縁部２６は、ＲＩＥにより図４（Ａ）に示すように位置決め部１８と同じ外形寸法に形成される。位置決め部１８は、フォトリソグラフィ技術によりリード２０と同時に形成されるためリード２０の一部であるプローブピン３０に対して正確に位置決めされている。また位置決め部１８は、フォトリソグラフィ技術により形成されるため寸法精度が高い。したがって、プローブピン３０を基準として高い寸法精度で基板１４の縁部２６を形成することができる。すなわち第一実施例によると、プローブユニット１が治具などでプローブ装置に位置決めされると、プローブ装置に対して位置決めされる検体の電極に対してプローブピン３０が正確に位置決めされる。
【００２７】
（第二実施例）
本発明の第二実施例は、第一実施例において図２（Ａ８）及び図２（Ｂ８）に示した工程に代えて次に述べる工程を実施する。図５は本発明の第二実施例による製造方法を示す模式的な断面図である。図５の（Ａ１）及び（Ａ２）は、図４（Ａ）のＡ−Ａ線断面図に対応し、図５の（Ｂ１）及び（Ｂ２）は図４のＢ−Ｂ線断面図に対応する。
【００２８】
図２（Ａ７）及び図２（Ｂ７）に示した工程の次に、図５（Ａ１）及び図５（Ｂ１）に示すように、レジスト膜２４、位置決め部１８及びリード２０をマスクとしてＲＩＥにより基板１４を貫通させることなく除去し基板１４に凹部３２を形成する。具体的には例えば、誘導結合型プラズマ（ＩＣＰ：Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅ　Ｃｏｕｐｌｅｄ　Ｐｌａｓｍａ）エッチャーを用い、ＳＦ６　とＣ４Ｆ８のガスを交互に導入することによりエッチングと側壁保護を繰り返す。凹部３２の深さは例えば３５０μｍとする。この方法によれば、基板１４をほぼ垂直にかつ高速にエッチングできる。また、ＤｅｅｐＲＩＥによる垂直エッチングにより凹部３２の側壁３４は位置決め部１８と同じ形状になる。
【００２９】
次に図５（Ａ２）及び図５（Ｂ２）に示すように、基板１４の裏面を研削し、基板１４を凹部３２の側壁３４に沿って分離する。具体的には例えば、基板１４を３００μｍの厚さになるまで研削する。尚、研磨又は化学機械的研磨（ＣＭＰ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ　Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）により基板１４を薄く加工してもよいし、研削、研磨、ＣＭＰのうち２つ以上を組み合わせて加工してもよい。この結果、凹部３２の側壁３４が基板１４の縁部２６となるため、位置決め部１８と同じ外形寸法の縁部２６を基板１４に形成することができる。位置決め部１８はフォトリソグラフィ技術を用いて高い寸法精度で形成することができるため、縁部２６も高い寸法精度で形成することができる。
【００３０】
以上説明した第二実施例によると、ドライエッチングと研削又は研磨とを併用して基板１４の縁部２６を形成するため、ドライエッチングのみで縁部２６を形成する場合に比べて短時間に縁部を形成することができる。
【００３１】
（第三実施例）
図６及び図７は本発明の第三実施例による製造方法を示す模式的な断面図である。図８は本発明の第三実施例による製造方法を用いて製造されたプローブユニットを示す平面図である。図６及び図７の（Ａ１）〜（Ａ１０）は図８のＡ−Ａ線断面図に対応し、図６及び図７の（Ｂ１）〜（Ｂ１０）は図８のＢ−Ｂ線断面図に対応し、図７（Ｃ）は図８のＣ−Ｃ線断面図に対応する。
【００３２】
はじめに第一実施例と同様にして基板１４の表面上に絶縁膜１２、シード層１０、並びに位置決め部１８及びリード２０を含むパターンを形成する。シード層１０の表面上に形成するパターンには、図６（Ａ１）及び図６（Ｂ１）に示すように、位置決め部１８及びリード２０の他に、溝を隔てて位置決め部１８及びリード２０を囲むマスク部３６を形成する。
【００３３】
次に図６（Ａ２）及び図６（Ｂ２）に示すように、全てのリード２０のそれぞれの一部及び全ての位置決め部１８のそれぞれの一部を覆う範囲にレジスト膜３８を形成する。レジスト膜３８の膜厚は例えば５０μｍとする。レジスト膜３８は位置決め部１８とともに基板１４の外形を画定するマスクとして機能する。
【００３４】
次に図６（Ａ３）及び図６（Ｂ３）に示すように、レジスト膜３８、位置決め部１８、リード２０及びマスク部３６をマスクとして絶縁膜１２をＲＩＥにより除去する。具体的には例えば、マグネトロンＲＩＥエッチャーを用い、ＣＨＦ３　、ＣＯ２　、Ａｒ及びＨｅの混合ガスをエッチングガスとして用い、ガス圧力を５０ｍＴｏｒｒに設定する。
【００３５】
次に図６（Ａ４）及び図６（Ｂ４）に示すように、レジスト膜３８、位置決め部１８、リード２０及びマスク部３６をマスクとしてＤｅｅｐＲＩＥにより基板１４を貫通させることなく除去し基板１４に溝４０、４２を形成する。具体的には例えば、ＩＣＰエッチャーを用い、ＳＦ６　とＣ４Ｆ８のガスを交互に導入することによりエッチングと側壁保護を繰り返す。この方法によれば、基板１４をほぼ垂直にかつ高速にエッチングできる。
【００３６】
次にレジスト膜３８を除去し、図６（Ａ５）及び図６（Ｂ５）に示すように、新たにレジスト膜４４を形成する。このレジスト膜４４は、全てのリード２０のそれぞれの一部、全ての位置決め部１８のそれぞれの一部、位置決め部１８の外縁に沿って形成された溝４０を覆い、リード２０の反位置決め部側の端部（プローブピン側の端部）２１を露出させる範囲に形成する。レジスト膜４４の膜厚は例えば５０μｍとする。
【００３７】
次に図７（Ａ６）及び図７（Ｂ６）に示すように、レジスト膜４４、位置決め部１８、リード２０及びマスク部３６をマスクとして基板１４を等方性エッチングする。具体的には例えば、ＩＣＰエッチャーを用いてＸｅＦ２　ガスを導入することにより基板１４をほぼ垂直に等方性エッチングする。これによりリード２０の端部は、基板１４の縁部から突出し、プローブピン３０となる。
【００３８】
次に図７（Ａ７）及び図７（Ｂ７）に示すように、レジスト膜４４を除去する。
【００３９】
次に図７（Ａ８）及び図７（Ｂ８）に示すように、基板１４をマスクとしてリードの反位置決め部側の端部（プローブピン側の端部）２１に形成された絶縁膜１２をＲＩＥにより除去する。具体的には例えば、マグネトロンＲＩＥエッチャーを用い、ＣＨＦ３　、ＣＯ２、Ａｒ及びＨｅの混合ガスをエッチングガスとして用い、ガス圧力を５０ｍＴｏｒｒに設定する。
【００４０】
次に図７（Ａ９）及び図７（Ｂ９）に示すように、位置決め部１８の外縁に沿って形成された溝４０に沿って基板１４を劈開すると溝４０に沿って基板１４の縁部２６が形成される。これにより所望の形状の基板１４を有するプローブユニット２を得る。
【００４１】
溝４０に沿って劈開する工程に代えて、基板１４の裏面を研削し、基板１４を溝４０の側壁に沿って分離し、溝４０の側壁を基板１４の縁部２６としてもよい。具体的には例えば基板１４を１２５μｍの厚さになるまで研削する。この結果、図７（Ａ１０）及び図７（Ｂ１０）に示すプローブユニット３を得ることができる。尚、研磨又は化学機械的研磨（ＣＭＰ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ　Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）により基板１４を薄く加工してもよいし、研削、研磨、ＣＭＰのうち２つ以上を組み合わせて加工してもよい。
【００４２】
（第四実施例）
図９及び図１０は本発明の第四実施例による製造方法を示す模式的な断面図である。図９及び図１０の（Ａ１）〜（Ａ１０）は図４（Ａ）のＡ−Ａ線断面図に対応し、図９及び図１０の（Ｂ１）〜（Ｂ１０）は図４（Ａ）のＢ−Ｂ線断面図に対応する。
【００４３】
はじめにシリコンの基板１４の全面に熱酸化により絶縁膜１２を形成する。基板１４の厚さは例えば６２５μｍとする。絶縁膜１２の膜厚は例えば１μｍとする。尚、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、スパッタリング等によりＳｉＮの絶縁膜１２を基板１４の全面に形成してもよいし、ＳｉＯ２　とＳｉＮｘを積層させた絶縁膜１２を基板１４の全面に形成してもよい。次に図１（Ａ２）〜図１（Ａ５）及び図１（Ｂ２）〜図１（Ｂ５）に示した工程を実施し、図９（Ａ１）及び図９（Ｂ１）に示すように、絶縁膜１２の表面上にリード２０及び位置決め部１８を含むパターンを形成する。
【００４４】
次に図９（Ａ２）及び図９（Ｂ２）に示すように、全てのリード２０のそれぞれの一部及び全ての位置決め部１８のそれぞれの一部を覆う範囲にレジスト膜４６を形成する。
【００４５】
次に図９（Ａ３）及び図９（Ｂ３）に示すように、レジスト膜４６、位置決め部１８及びリード２０をマスクとして絶縁膜１２をＲＩＥにより除去する。具体的には例えば、マグネトロンＲＩＥエッチャーを用い、ＣＨＦ３　、ＣＯ２、Ａｒ及びＨｅの混合ガスをエッチングガスとして用い、ガス圧力を５０ｍＴｏｒｒに設定する。
【００４６】
次に図９（Ａ４）及び図９（Ｂ４）に示すように、レジスト膜４６を除去する。
【００４７】
次に図９（Ａ５）及び図９（Ｂ５）に示すように、基板１４の裏面上に、リード２０の端部に重なっている部分を露出させるレジスト膜４８を形成する。レジスト膜４８は、全ての位置決め部１８のそれぞれの一部及び全てのリード２０のそれぞれの一部に基板１４などを間に挟んで重なる範囲に形成する。
【００４８】
次に図１０（Ａ６）及び図１０（Ｂ６）に示すように、レジスト膜４８をマスクにして絶縁膜１２をＲＩＥにより除去する。具体的には例えば、マグネトロンＲＩＥエッチャーを用い、ＣＨＦ３　、ＣＯ２　、Ａｒ及びＨｅの混合ガスをエッチングガスとして用い、ガス圧力を５０ｍＴｏｒｒに設定する。
【００４９】
次に図１０（Ａ７）及び図１０（Ｂ７）に示すように、レジスト膜４８を除去する。
【００５０】
次に図１０（Ａ８）及び図１０（Ｂ８）に示すように、絶縁膜１２をマスクとしてシリコンの基板１４を異方性エッチングする。具体的には例えば、エッチング液としてＴＭＡＨ（テトラ・メチル・アンモニウム・ハイドロオキサイド）の２０〜２５％水溶液を８０〜９０℃に加熱し、基板１４を厚さ方向に３５０μｍエッチングする。また、基板１４を厚さ方向に６２５μｍ、すなわち、厚さ方向に基板１４を貫通するまで異方性エッチングしてもよい。尚、図９（Ａ５）〜図１０（Ａ７）及び図９（Ｂ５）〜図１０（Ｂ７）に示した一連の工程は省略することもできる。
【００５１】
次に図１０（Ａ９）及び図１０（Ｂ９）に示すように、基板１４をマスクとしてリードの反位置決め部側の端部（プローブピン側の端部）に形成された絶縁膜１２をＲＩＥにより除去する。具体的には例えば、マグネトロンＲＩＥエッチャーを用い、ＣＨＦ３　、ＣＯ２　、Ａｒ及びＨｅの混合ガスをエッチングガスとして用い、ガス圧力を５０ｍＴｏｒｒに設定する。
【００５２】
次に図１０（Ａ１０）及び図１０（Ｂ１０）に示すように、異方性エッチングにより表面側に形成された斜面５０に達するまで基板１４の裏面を研削する。このとき、基板１４の縁部２６が位置決め部１８より外側に突出するように基板１４の厚みを残してもよいし、位置決め部１８が基板１４の縁部２６より外側に突出するように基板１４の厚みを残してもよい。具体的には例えば基板１４を３００μｍの厚さになるまで研削し、基板１４の縁部２６を位置決め部１８より外側に突出させる。尚、研磨又は化学機械的研磨（ＣＭＰ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ　Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）により基板１４を薄く加工してもよいし、研削、研磨、ＣＭＰのうち２つ以上を組み合わせて加工してもよい。
【００５３】
以上説明した第四実施例によると、ウェットエッチングにより基板１４の縁部２６を形成するため、ドライエッチングで縁部を形成する場合に比べて短時間に縁部を形成することができる。
【００５４】
（第五実施例）
図１１は本発明の第五実施例による製造方法を示す模式的な断面図である。図１１の（Ａ１）〜（Ａ３）は図４（Ａ）のＡ−Ａ線断面図に対応し、図１１の（Ｂ１）〜（Ｂ３）は図４（Ａ）のＢ−Ｂ線断面図に対応する。
【００５５】
第五実施例による製造方法は、第四実施例において図１０（Ａ８）〜（Ａ１０）及び図１０（Ｂ８）〜（Ｂ１０）に示した工程に代えて以下に述べる工程を実施する。
【００５６】
図１１（Ａ１）及び図１１（Ｂ１）に示すように、絶縁膜１２をマスクとしてシリコンの基板１４を異方性エッチングする。具体的には例えば、エッチング液としてＴＭＡＨ（テトラ・メチル・アンモニウム・ハイドロオキサイド）の２０〜２５％水溶液を８０〜９０℃に加熱し、基板１４を厚さ方向に６２５μｍ、すなわち、厚さ方向に基板１４を貫通するまで異方性エッチングする。
【００５７】
次に図１１（Ａ２）及び図１１（Ｂ２）に示すように、基板１４をマスクとしてリードの反位置決め部側の端部（プローブピン側の端部）に形成された絶縁膜１２をＲＩＥにより除去する。具体的には例えば、マグネトロンＲＩＥエッチャーを用い、ＣＨＦ３　、ＣＯ２　、Ａｒ及びＨｅの混合ガスをエッチングガスとして用い、ガス圧力を５０ｍＴｏｒｒに設定する。続いてＳｉＯ２　等を除去洗浄すると図１１（Ａ３）及び図１１（Ｂ３）に示すプローブユニット４が得られる。
【００５８】
（第六実施例）
図１２及び図１３は本発明の第六実施例による製造方法を示す模式的な断面図である。図１２及び図１３の（Ａ１）〜（Ａ１２）は図８のＡ−Ａ線断面図に対応し、図１２及び図１３の（Ｂ１）〜（Ｂ１２）は図８のＢ−Ｂ線断面図に対応し、図１３（Ｃ）は、図８のＣ−Ｃ線断面図に対応する。
【００５９】
はじめに第三実施例と同様にして基板１４の表面上に絶縁膜１２、シード層１０、並びに位置決め部１８、リード２０及びマスク部３６を含むパターンを形成する。
【００６０】
次に図１２（Ａ２）及び図１２（Ｂ２）に示すように、全てのリード２０のそれぞれの一部及び全ての位置決め部１８のそれぞれの一部を覆う範囲にレジスト膜５２を形成する。レジスト膜５２の膜厚は例えば５０μｍとする。レジスト膜５２は位置決め部１８とともに基板１４の外形を画定するマスクとして機能する。
【００６１】
次に図１２（Ａ３）及び図１２（Ｂ３）に示すように、レジスト膜５２、位置決め部１８、リード２０及びマスク部３６をマスクとして絶縁膜１２をＲＩＥにより除去する。
【００６２】
次に図１２（Ａ４）及び図１２（Ｂ４）に示すように、レジスト膜５２を除去し、続いて絶縁膜１２をマスクとして基板１４を異方性エッチングし、溝４０、４２を形成する。具体的には例えば、エッチング液としてＴＭＡＨ（テトラ・メチル・アンモニウム・ハイドロオキサイド）の２０〜２５％水溶液を８０〜９０℃に加熱し、基板１４を厚さ方向に３５０μｍエッチングする。
【００６３】
次に図１２（Ａ５）及び図１２（Ｂ５）に示すように、新たにレジスト膜５４を形成する。このレジスト膜５４は、全てのプローブピン３０のそれぞれの一部、全ての位置決め部１８のそれぞれの一部、位置決め部１８の外縁に沿って形成された溝４０を覆い、リード２０の反位置決め部側の端部（プローブピン側の端部）２１を露出させる範囲に形成する。レジスト膜５４の膜厚は例えば５０μｍとする。
【００６４】
次に図１３（Ａ６）及び図１３（Ｃ）に示すように、レジスト膜５４、位置決め部１８、リード２０及びマスク部３６をマスクとして基板１４を等方性エッチングする。具体的には例えば、ＩＣＰエッチャーを用いてＸｅＦ２　ガスを導入することにより基板１４をほぼ垂直に等方性エッチングし、凹部５６を形成する。
【００６５】
次に図１３（Ａ７）及び図１３（Ｂ７）に示すように、レジスト膜５４を除去する。
【００６６】
次に図１３（Ａ８）及び図１３（Ｂ８）に示すように、基板１４をマスクとしてリードの反位置決め部側の端部（プローブピン側の端部）２１に形成された絶縁膜１２をＲＩＥにより除去する。具体的には例えば、マグネトロンＲＩＥエッチャーを用い、ＣＨＦ３　、ＣＯ２　、Ａｒ及びＨｅの混合ガスをエッチングガスとして用い、ガス圧力を５０ｍＴｏｒｒに設定する。
【００６７】
次に図１３（Ａ９）及び図１３（Ｂ９）に示すように、位置決め部１８の外縁に沿って形成された溝４０に沿って基板１４を劈開し、溝４０に沿って形成される縁部２６を有する基板１４を得る。尚、研磨又は化学機械的研磨（ＣＭＰ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ　Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）により基板１４を薄く加工してもよいし、研削、研磨、ＣＭＰのうち２つ以上を組み合わせて加工してもよい。この結果、図１３（Ａ１０）及び図１３（Ｂ１０）に示すプローブユニット５を得ることができる。
【００６８】
また、凹部３２に沿って劈開する工程に代えて、基板１４の裏面を研削し、基板１４を凹部３２の側壁３４に沿って分離してもよい。具体的には例えば基板１４を１２５μｍの厚さになるまで研削する。
【００６９】
以上説明した本発明の複数の実施例によると、リソグラフィ技術を用いてプローブピンと同時に形成された位置決め部１８をマスクとして基板１４をエッチングするため、プローブピン３０を基準とした寸法精度が高い縁部２６を基板１４に形成することができる。縁部２６がプローブ装置に対して基板１４を位置決めするための部材に当接することにより、プローブピン３０はプローブ装置に対して精度良く位置決めされる。したがって、以上説明した本発明の複数の実施例によると、検体に設けられた電極に対するプローブピン３０の位置精度を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第一実施例による製造方法を示す模式的な断面図である。
【図２】本発明の第一実施例による製造方法を示す模式的な断面図である。
【図３】本発明の第一実施例による製造方法を示す模式的な断面図である。
【図４】（Ａ）は本発明の第一実施例による製造方法を用いて製造されたプローブユニット１を示す平面図であり、（Ｂ）は本発明の第一実施例によるリード及び位置決め部のパターンを示す平面図である。
【図５】本発明の第二実施例による製造方法を示す模式的な断面図である。
【図６】本発明の第三実施例による製造方法を示す模式的な断面図である。
【図７】本発明の第三実施例による製造方法を示す模式的な断面図である。
【図８】本発明の第三実施例による製造方法を用いて製造されたプローブユニットを示す平面図である。
【図９】本発明の第四実施例による製造方法を示す模式的な断面図である。
【図１０】本発明の第四実施例による製造方法を示す模式的な断面図である。
【図１１】本発明の第五実施例による製造方法を示す模式的な断面図である。
【図１２】本発明の第六実施例による製造方法を示す模式的な断面図である。
【図１３】本発明の第六実施例による製造方法を示す模式的な断面図である。
【符号の説明】
１，２，３，４，５　　プローブユニット
１０　　シード層
１２　　絶縁膜
１４　　基板
１６　　レジスト膜
１８　　位置決め部
２０　　リード
２６　　縁部
３０　　プローブピン
３２　　凹部
３４　　側壁
３６　　マスク部
３８　　レジスト膜
４０　　溝
【図１】
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【図２】
2004132806.tif 000003
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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