(57)【要約】【課題】動作モードの設定数を増やすことができるとともに、複数の機能ブロックの入出力用配線が同一のパッドにアサインされる場合でも機能ブロックのテストに要する時間を短縮することが可能な半導体集積回路装置を得ること。【解決手段】少なくとも２つのパッド２２が隣接して形成された半導体チップ２を、パッド２２と電気的に接続するためのインナリード３１を有するフレーム３に搭載し、パッド２２とインナリード３１との間をワイヤボンディングして構成される半導体集積回路装置１において、隣接して形成されたパッド２２ａ，２２ｂは、ワイヤボンディングによってパッド２２に配置されるボールバンプ５の径よりも小さく、互いに接触しない間隔で配置される。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも２つのパッドが隣接して形成された半導体チップを、前記パッドと電気的に接続するためのインナリードを有するフレームに搭載し、前記パッドと前記インナリードとの間をワイヤボンディングして構成される半導体集積回路装置において、
前記隣接して形成されたパッドは、前記ワイヤボンディングによって前記パッドに配置されるボールバンプの径よりも小さく、互いに接触しない間隔で配置され、前記隣接して形成された少なくとも２つの前記パッドにまたがるように前記ボールバンプを配置して、このボールバンプと前記インナリードとの間をワイヤボンディングすることを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項２】
機能ごとに回路素子がまとめて配置された複数の機能ブロックと、前記それぞれの機能ブロックの入出力用配線と接続される複数のパッドとを有する半導体チップと、
前記パッドとワイヤボンディングされるインナリードを有し、前記半導体チップを搭載するフレームと、
を備える半導体集積回路装置であって、
前記複数の機能ブロックの入出力用配線と接続されるパッドは、互いに接触しない間隔で、前記ワイヤボンディング時に配置されるボールバンプによってアセンブリ時に互いに電気的に接続されることが可能なように配置され、前記複数の機能ブロックの入出力用配線と接続されるパッド間に、前記ボールバンプを配置して、このボールバンプと前記インナリードとの間をワイヤボンディングすることを特徴とする半導体集積回路装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、複数のパッドを有する半導体集積回路装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
半導体集積回路装置は、一般的に、半導体チップがフレームに搭載される構造を有している。半導体チップの内部には、機能ごとに回路素子がまとまって形成される機能ブロックが１つまたは複数存在しており、また半導体チップの周辺部には、機能ブロックと半導体集積回路装置の外部との間で電気信号の入出力を行うための中継点となるパッドが配置されている。また、フレームには、半導体チップと半導体集積回路装置の外部との間で電気的なやりとりが行われるようにするためのインナリードが配されている。半導体チップとフレームとの電気的な接続は、半導体チップの各機能ブロックを検査するための検査装置の検針をパッドに配置して検査を行った後に、半導体チップのパッドとフレームのインナリードとの間を金属細線でワイヤボンディングすることによって行われる。
【０００３】
このように半導体集積回路装置におけるパッドは、フレームのインナリードと半導体チップ内部の機能ブロックとの間の電気的な接続を中継する重要な点となっている。図１０は、従来の半導体集積回路装置の構成を模式的に示す図である。上述したように、フレーム１０３上に半導体チップ１０２が搭載され、半導体チップ１０２のパッド１２２とフレーム１０３のインナリード１３１とが金属細線１０４でワイヤボンディングされている。また、半導体チップ１０２内部には、複数の機能ブロック１２１，１２３，１２４が存在している。機能ブロック１２１の入出力用配線はパッド１２２ａ，１２２ｂと接続されるようにアサインされ、機能ブロック１２３，１２４の入出力用配線は共通のパッド１２２ｃ，１２２ｄと接続されるようにアサインされている。
【０００４】
ここで、半導体集積回路装置１０１は、通常、複数の動作モードを有するように設計されており、これらの動作モードの選択は、アセンブリ時にパッド１２２とインナリード１３１との間の接続の仕方によって行われる。すなわち、１つのインナリード１３１と、半導体チップ１０２上の複数のパッド１２２のうちいずれのパッド１２２とを１本の金属細線１０４で接続するかによって、モードを選択するようにしている。たとえば、図１０に示される半導体集積回路装置１０１の場合、機能ブロック１２１のパッド１２２ａ，１２２ｂとインナリード１３１ａの接続の仕方で動作モードが設定されるものとすると、インナリード１３１ａとパッド１２２ａまたはパッド１２２ｂとの接続の方法によってモードを選択することができる。このとき、インナリード１３１ａとワイヤボンディングされなかったいずれかのパッドは、半導体チップ１０２内部でプルアップした状態、すなわちハイレベルの信号Ｈが入力された場合と等しい状態になり、またインナリード１３１ａとワイヤボンディングされたいずれかのパッドに入力する信号をハイレベルＨかローレベルＬかに設定することによって、３種類のモードを選択することが可能となる。
【０００５】
アセンブリ時にインナリード１３１ａとパッド１２２ａとを接続した状態で、ローレベルの信号Ｌをパッド１２２ａに入力した場合には（パッド１２２ａ，パッド１２２ｂ）の信号の組合せが（Ｌ，Ｈ）となるモード１になり、ハイレベルの信号Ｈをパッド１２２ａに入力した場合には（パッド１２２ａ，パッド１２２ｂ）の信号の組合せが（Ｈ，Ｈ）となるモード３になる。逆に、アセンブリ時にインナリード１３１ａとパッド１２２ｂとを接続した状態で、ローレベルの信号Ｌをパッド１２２ｂに入力した場合には（パッド１２２ａ，パッド１２２ｂ）の信号の組合せが（Ｈ，Ｌ）となるモード２になり、ハイレベルの信号Ｈをパッド１２２ｂに入力した場合には（パッド１２２ａ，パッド１２２ｂ）の信号の組合せが（Ｈ，Ｈ）となるモード３になる。すなわち、図１１に示されるように、インナリード１３１ａとパッド１２２ａ，１２２ｂとのワイヤボンディングの仕方と、ワイヤボンディングされたパッドへの信号入力の切り換えによって、３つのモードを選択することができる。
【０００６】
この半導体集積回路装置の動作モードの選択に関する従来技術として、特許文献１に、半導体集積回路の全体の機能動作である第１の動作モードと、半導体集積回路内の特定の回路機能の確認を行う第２の動作モードとを切り換えて動作させる動作モード制御手段を備えた半導体集積回路において、第１の動作モード時に使用する第１のボンディングパッドと、第２の動作モード時に使用する第２のボンディングパッドとを含み、さらに第１のボンディングパッドと第２のボンディングパッドとが半導体集積回路を収容するパッケージの同一ステッチに接続される構成を有する半導体集積回路装置が開示されている。そして、この特許文献１では、第２の動作モードでの半導体集積回路内の特定の回路機能の確認を行った後に、第２のボンディングパッドとステッチとの接続を切断手段によって切断している。
【０００７】
また、図１０の例では、半導体チップ１０２内の機能ブロック１２３，１２４の入出力用配線は共通のパッド１２２ｃ，１２２ｄと接続されるようにアサイン（ダブルファンクションという）されている。このパッド１２２ｃ，１２２ｄのように、パッド１２２と機能ブロック１２３，１２４の入出力用配線との間の数の制限などによって、１つのパッド１２２に複数の機能ブロック１２３，１２４の入出力用配線が接続されるようにアサインされるような場合も存在する。なお、１つのパッド１２２に複数の機能ブロック１２３，１２４の入出力用配線が接続されるようにアサインされる場合には、検査装置が半導体チップ２の各機能ブロック１２３，１２４を別々に検査することができるように、機能ブロック１２３と機能ブロック１２４との間で信号の入出力を切り換えることができる切り換え制御回路が備えられている。
【０００８】
【特許文献１】
特開平６−１４０５０９公報（第２頁、第１図）
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、たとえば１つのインナリード１３１ａと２つのパッド１２２ａ，１２２ｂとの間における従来の半導体集積回路装置１０１のアセンブリ時における動作モードの切り換えでは、図１１に示されるように３種類までしか動作モードの設定を行うことができなかった。
【００１０】
また、複数の機能ブロック１２３，１２４の入出力用配線が同一のパッド１２２ｃ，１２２ｄを共用するようにアサインされた従来の半導体集積回路装置１０１では、検査装置によって同時にそれぞれの機能ブロック１２３，１２４のテストを行うことはできず、たとえば図１０に示される半導体集積回路装置１０１の場合には、機能ブロック１２３のテストが終了した後に切り換え制御回路を切り換えて機能ブロック１２４のテストを行うというように、それぞれ別々に実施しなければならなかった。すなわち、半導体チップ１０２内にダブルファンクションされているパッド１２２ｃ，１２２ｄがあると、そのパッド１２２ｃ，１２２ｄに接続されている機能ブロック１２３，１２４の数だけ別々にテストを行わなければならず、多くの時間を費やしてしまうという問題点があった。
【００１１】
上述した特許文献１に記載の半導体集積回路は、これらの問題点を解決するものではなかった。
【００１２】
この発明は、上記に鑑みてなされたもので、動作モードの設定数を増やすことができるとともに、複数の機能ブロックの入出力用配線が同一のパッドにアサインされる場合でも機能ブロックのテストに要する時間を短縮することが可能な半導体集積回路装置を得ることを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、この発明にかかる半導体集積回路装置は、少なくとも２つのパッドが隣接して形成された半導体チップを、前記パッドと電気的に接続するためのインナリードを有するフレームに搭載し、前記パッドと前記インナリードとの間をワイヤボンディングして構成される半導体集積回路装置において、前記隣接して形成されたパッドは、前記ワイヤボンディングによって前記パッドに配置されるボールバンプの径よりも小さく、互いに接触しない間隔で配置され、前記隣接して形成された少なくとも２つの前記パッドにまたがるように前記ボールバンプを配置して、このボールバンプと前記インナリードとの間をワイヤボンディングすることを特徴とする。
【００１４】
【発明の実施の形態】
以下に添付図面を参照して、この発明にかかる半導体集積回路装置の好適な実施の形態を詳細に説明する。
【００１５】
実施の形態１．
図１は、この発明にかかる半導体集積回路装置の実施の形態１の構成を模式的に示す平面図である。半導体集積回路装置１は、所定の１つ以上の機能を実行するために設計された半導体を含む回路素子から構成される半導体チップ２と、この半導体チップ２を搭載して、半導体チップ２と外部の装置との間で電気的な接続をとるためのフレーム３とを有する。半導体チップ２は、機能ごとに回路素子がまとまって形成される機能ブロック２１を内部に有しており、また、機能ブロック２１と半導体集積回路装置１の外部との間で電気信号の入出力を行うための中継点となるパッド２２を表面周辺部に配置している。この図１では、機能ブロック２１の入出力用配線２１ａ，２１ｂはパッド２２ａ，２２ｂに配線されている。フレーム３は、搭載された半導体チップ２を外部の装置と電気的に接続するためのインナリード３１を備えている。アセンブリ時に半導体チップ２のパッド２２とフレーム３のインナリード３１とが、金属細線４を用いてワイヤボンディングされる。
【００１６】
ここで、半導体チップ２に配置されているパッド２２は、非常に近接して互いに配置されることを特徴とする。図２は、パッドの配置条件を示す模式図である。パッド２２ａ，２２ｂとインナリード３１とは金属細線４によって接続されるが、金属細線４とパッド２２ａ，２２ｂとの間を接続するために、ボールバンプ５が形成されている。このとき、隣り合うパッド２２ａとパッド２２ｂの間隔Ｄは、２つのパッド２２ａ，２２ｂが接触しない範囲で、ボールバンプ５の径ｄよりも小さくする必要がある。すなわち、隣り合うパッド２２ａ，２２ｂの間隔Ｄが０＜Ｄ＜ｄとなるように２つのパッド２２ａ，２２ｂを配置する必要がある。このように、隣り合うパッド２２ａ，２２ｂを配置することによって、そのままの状態では隣接する２つのパッド２２ａ，２２ｂは電気的に分離した状態であるが、アセンブリ時に２つのパッド２２ａ，２２ｂの中間点Ｍ付近でワイヤボンディングを行ったときに、２つのパッド２２ａ，２２ｂがショートした状態を作り出すことができる。
【００１７】
つぎに、このようなパッド２２の配置構成を有する半導体集積回路装置１におけるアセンブリ方法について説明する。なお、以下の説明では、機能ブロック２１の入出力用配線２１ａ，２１ｂに接続されるパッド２２ａ，２２ｂとインナリード３１ａとの配線の仕方によって、半導体集積回路装置１の動作モードが選択されるものとし、インナリード３１ａとワイヤボンディングされない方のパッドは内部でプルアップ状態にあるものとする。
【００１８】
まず、インナリード３１ａとパッド２２ａとをワイヤボンディングした場合は、パッド２２ｂはプルアップした状態、すなわち、常にハイレベルの信号Ｈが入力されている場合と等しい状態にあるので、インナリード３１ａからパッド２２ａに入力される信号レベルによって２つの状態を取り得る。１つは、パッド２２ａにローレベルの信号Ｌが入力された場合のモード１の状態であり、もう１つは、パッド２２ａにハイレベルの信号Ｈが入力された場合のモード３の状態である。
【００１９】
つぎに、インナリード３１ａとパッド２２ｂとをワイヤボンディングした場合は、パッド２２ａはプルアップした状態、すなわち、常にハイレベルの信号Ｈが入力されている場合と等しい状態にあるので、インナリード３１ａからパッド２２ｂに入力される信号レベルによって２つの状態を取り得る。１つは、パッド２２ｂにローレベルの信号Ｌが入力された場合のモード２の状態であり、もう１つは、パッド２２ｂにハイレベルの信号Ｈが入力された場合のモード３の状態である。
【００２０】
そして、インナリード３１ａとパッド２２ａ，２２ｂとを図３に示すようにパッド２２ａとパッド２２ｂとが互いに隣接して配置される部分の中間点付近にワイヤボンディングをした場合は、インナリード３１ａからパッド２２ａ，２２ｂに入力される信号レベルによって２つの状態を取り得る。１つは、パッド２２ａ，２２ｂにローレベルＬの信号が入力された場合のモード０の状態であり、もう１つは、インナリード３１ａからパッド２２ａ，２２ｂにハイレベルＨの信号が入力された場合のモード３の状態である。
【００２１】
図４は、これらのパッド２２ａ，２２ｂに入力される信号レベルの組合せによるモードの種類を示したものである。この図４に示されるように、ワイヤボンディングによって、インナリード３１ａと２つのパッド２２ａ，２２ｂとを同時に接続できるようにパッド２２を配置するように構成したので、従来の図１１の場合と比較して、半導体集積回路装置１に持たせることができる動作モードの数を多くすることができる。
【００２２】
なお、上述した説明では、アセンブリ時に行われる動作モードの設定に関与するパッド２２が２つの場合を例示したが、３つ以上の場合であってもよい。ただし、この場合には、アセンブリ時に行うワイヤボンディングのボールバンプ５によって同時に２つ以上のパッド２２をショートすることができるような配置とする必要がある。たとえば、アセンブリ時に行われる動作モードの設定に関与するパッドが３つの場合には、図５に示されるように、三角形の各頂点に互いに接しないように、そしてボールバンプ５の径よりも小さい距離をおいてパッド２２ａ〜２２ｃを配置する。この場合、位置Ｒ１にボールバンプ５を配置してワイヤボンディングした場合には、パッド２２ａ〜２２ｃを同時にショートすることができ、位置Ｒ２〜Ｒ４にボールバンプ５を配置してワイヤボンディングした場合には、パッド２２ａ〜２２ｃのいずれか２つのパッドを同時にショートすることができる。
【００２３】
また、アセンブリ時に行われる動作モードの設定に関与するパッド２２が４つの場合には、図６に示されるように、四角形の各頂点に互いに接しないように、そしてボールバンプ５の径よりも小さい距離をおいてパッド２２ａ〜２２ｄを配置する。この場合、位置Ｒ１にボールバンプ５を配置してワイヤボンディングした場合には、パッド２２ａ〜２２ｄを同時にショートすることができ、位置Ｒ２〜Ｒ５にボールバンプ５を配置してワイヤボンディングした場合には、パッド２２ａ〜２２ｄの互いに隣り合う２つのパッドを同時にショートすることができる。
【００２４】
また、上述した説明では、インナリード３１ａと接続されていない方のパッドは、内部でプルアップされている場合を示したが、インナリード３１ａと接続されていない方のパッドが内部でプルダウンされているようにしてもよい。
【００２５】
さらに、図１では、すべての隣り合う２つのパッド２２間の距離がボールバンプ５の径よりも狭い場合を示したが、上述したパッドの配置構成を、半導体集積回路装置１の動作設定を行うパッド部分のみに適用するようにしてもよい。
【００２６】
この実施の形態１によれば、アセンブリ時に行われる動作モードの設定に関与する２つ以上のパッド２２を、ワイヤボンディング時に配置されるボールバンプ５の径よりも小さく、互いに接触しないように配置したので、１つのインナリード３１と複数のパッド２２とを１本の金属細線４で配線する場合の配線パターンを増やすことができ、結果として、半導体集積回路装置１に設定できる動作モードの数を増やすことができるという効果を有する。
【００２７】
実施の形態２．
図７は、この発明にかかる半導体集積回路装置の実施の形態２の構成を模式的に示す平面図である。この図７において、アセンブリ時に半導体チップ２内の複数の機能ブロック２３，２４と接続されるパッド２２が、機能ブロック２３，２４の数のパッド２２ａ，２２ｂに分割され、かつ分割されて配置されたパッド２２ａ，２２ｂがワイヤボンディング時に配置されるボールバンプ５の径よりも狭い間隔を隔てて配置されることを特徴とする。この図７では、機能ブロック２３の入出力用配線２３ａ，２３ｂがそれぞれパッド２２ｂ１，２２ａ２に接続され、機能ブロック２４の入出力用配線２４ａ，２４ｂがそれぞれパッド２２ａ１，２２ｂ２に接続されている。そして、パッド２２ａ１とパッド２２ｂ１とは互いに接触しないようにそしてボールバンプ５の径よりも狭い間隔を隔てて配置され、アセンブリ時にボールバンプ５によって１つのパッド２２１として機能し、パッド２２ａ２とパッド２２ｂ２も同様に互いに接触しないようにそしてボールバンプ５の径よりも狭い間隔を隔てて配置され、アセンブリ時にボールバンプ５によって１つのパッド２２２として機能する。以下の説明では、実施の形態１の図１と同一の構成要素には同一の符号を付して、その説明を省略している。
【００２８】
つぎに、このようなパッドの配置構成を有する半導体集積回路装置１におけるウェハテスト方法とアセンブリ方法について説明する。最初に、半導体集積回路装置１におけるウェハテスト方法についてであるが、検査装置に載せられた半導体集積回路装置１の半導体チップ２上のパッド２２（２２ａ，２２ｂ）位置に、検査装置の検針が当てられ所定のテストが実施される。図８は、ウェハテスト時の機能ブロックとパッドと検査装置の検針との関係を模式的に示す図である。このとき、機能ブロック２３の入出力用配線２３ａ，２３ｂが接続されるパッド２２ｂ１，２２ａ２と、機能ブロック２４の入出力用配線２４ａ，２４ｂが接続されるパッド２２ａ１，２２ｂ２とは、電気的に絶縁されている状態にあるので、それぞれのパッド２２ａ１〜２２ｂ２上に検査装置の検針６を配置することによって、機能ブロック２３のテストと機能ブロック２４のテストとを同時に実行することができる。
【００２９】
つぎに、半導体集積回路装置１のアセンブリ方法について説明する。図９は、アセンブリ時の機能ブロックとパッドとの間のワイヤボンディングの様子を模式的に示す図である。機能ブロック２３の入出力用配線２３ａと機能ブロック２４の入出力用配線２４ａ、および機能ブロック２３の入出力用配線２３ｂと機能ブロック２４の入出力用配線２４ｂとを、それぞれ共通する同一のパッド２２１，２２２に接続された状態とするために、たとえば、パッド２２１の場合には、パッド２２ａ１とパッド２２ｂ１とによって挟まれる領域を中心にして、ワイヤボンディングを行うためのボールバンプ５１を形成し、このボールバンプ５１とインナリード３１ａとを金属細線３１１で結ぶ。このボールバンプ５１の径ｄは、パッド２２ａ１とパッド２２ｂ１との間隔Ｄに比べて大きいので、このような位置にボールバンプ５１を形成してワイヤボンディングすることによって、２つのパッド２２ａ１，２２ｂ１をショートすることができる。一方のパッド２２２の場合も同様にして２つのパッド２２ａ２，２２ｂ２の間にボールバンプ５２を配置してワイヤボンディングすることによってショートすることができる。
【００３０】
なお、上述した説明では、アセンブリ時に半導体チップ２内の２つの機能ブロック２３，２４と接続されるパッド２２１，２２２の場合を例に挙げて説明したが、３つ以上の機能ブロックと接続されるパッド２２の場合にも適用することができる。ただし、この場合には、アセンブリ時のワイヤボンディングする際に配置されるボールバンプ５によって同時にすべてのパッド２２をショートすることができるような配置とする必要がある。たとえば、アセンブリ時に半導体チップ内の３つの機能ブロックと接続されるパッドの場合には、図５に示されるように、三角形の各頂点に互いの距離がボールバンプ５の径よりも小さくなるようにパッド２２ａ〜２２ｃを配置する。このようにすることで、ウェハテスト時には、３つのパッド２２ａ〜２２ｃに接続される各機能ブロックを同時に独立して検査することができるとともに、アセンブリ時には、三角形の中心位置Ｒ１付近にボールバンプ５を配置してインナリード３１と接続することによって、３つの機能ブロックの入出力用配線を１つのパッド２２で接続する場合と同じ状態になる。
【００３１】
また、たとえばアセンブリ時に半導体チップ２内の４つのブロックと接続されるパッドの場合には、図６に示されるように、互いのパッド２２ａ〜２２ｄの距離がボールバンプ５の径よりも小さくなるように、四角形の各頂点にパッド２２ａ〜２２ｄを配置する。このようにすることで、ウェハテスト時には、４つのパッド２２ａ〜２２ｄに接続される各機能ブロックを同時に独立して検査することができるとともに、アセンブリ時には、四角形の中心位置Ｒ１付近にボールバンプ５を配置してインナリード３１と接続することによって、４つの機能ブロックの入出力用配線を１つのパッド２２で接続する場合と同じ状態とすることが可能になる。
【００３２】
図７では、すべてのパッド２２が、２つのパッド２２ａ，２２ｂから構成される場合を示したが、アセンブリ時に２つのパッドをショートさせることなくパッド２２ａ，２２ｂをそれぞれ独立したパッドとして扱ってもよい。また、複数の機能ブロックのそれぞれの入出力用配線を１つのパッドと接続する箇所にのみ、分割された複数のパッドの集合体からなるパッド２２を設けるようにしてもよい。
【００３３】
この実施の形態２によれば、アセンブリ時に半導体チップ２内の２以上の機能ブロックの入出力用配線を共通する１つのパッド２２で接続するように設計される半導体集積回路装置１において、１つのパッド２２を電気的に絶縁した状態に分割し、分割したパッド２２ａ，２２ｂの距離がワイヤボンディング時に配置されるボールバンプ５の径よりも小さくなるように配置するようにしたので、ウェハテスト時においては、パッド２２ａ，２２ｂに接続されるそれぞれの機能ブロックを同時に独立してテストすることができる。また、アセンブリ時には、分割された各パッド２２ａ，２２ｂを導通させるようにボールバンプ５が配置され、インナリード３１とワイヤボンディングされるので、複数の機能ブロックの入出力用配線を共通する１つのパッド２２で接続するように設計することができるという効果を有する。
【００３４】
【発明の効果】
以上説明したように、この発明によれば、アセンブリ時に行われる動作モードの設定に関与する２つ以上のパッドを、ワイヤボンディング時に配置されるボールバンプの径よりも小さく、互いに接触しないように配置し、隣接して形成された少なくとも２つのパッドにまたがるようにボールバンプを配置して、このボールバンプとインナリードとの間をワイヤボンディングするように構成したので、１つのインナリードと複数のパッドとを１本の金属細線で配線する場合の配線パターンを増やすことができ、結果として、半導体集積回路装置に設定できる動作モードの数を増やすことができるという効果を有する。また、アセンブリ時に半導体チップ内の２以上の機能ブロックの入出力用配線を共通する１つのパッドで接続するように設計される半導体集積回路装置において、パッドを電気的に絶縁した状態に分割し、分割したパッドの距離がワイヤボンディング時に配置されるボールバンプの径よりも小さくなるように配置するようにし、複数の機能ブロックの入出力用配線と接続されるパッド間に、ボールバンプを配置して、このボールバンプとインナリードとの間をワイヤボンディングするように構成したので、ウェハテスト時においては、パッドに接続されるそれぞれの機能ブロックを同時に独立してテストすることができ、また、アセンブリ時には、分割した２つのパッドを導通させる位置にボールバンプを配置するので、複数の機能ブロックの入出力用配線を共通する１つのパッドで接続するように設計することができるという効果を有する。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明による半導体集積回路装置の実施の形態１の構成を模式的に示す平面図である。
【図２】パッドの配置を示す模式図である。
【図３】２つのパッドとインナリードとをワイヤボンディングした状態を示す図である。
【図４】パッドとインナリードとの配線によって得られるモードの種類を示す図である。
【図５】パッドが３つの場合の配置を示す模式図である。
【図６】パッドが４つの場合の配置を示す模式図である。
【図７】この発明による半導体集積回路装置の実施の形態１の構成を模式的に示す平面図である。
【図８】ウェハテスト時の機能ブロックとパッドと検査装置の検針との関係を模式的に示す図である。
【図９】アセンブリ時の機能ブロックとパッドとの間のワイヤボンディングの様子を模式的に示す図である。
【図１０】半導体集積回路装置の従来例を示す平面図である。
【図１１】パッドとインナリードとの配線によって得られる従来のモードの種類を示す図である。
【符号の説明】
１  半導体集積回路装置、２  半導体チップ、３  フレーム、４  金属細線、５，５１，５２  ボールバンプ、２１，２３，２４  機能ブロック、２１ａ，２１ｂ，２３ａ，２３ｂ，２４ａ，２４ｂ  入出力用配線、２２，２２ａ，２２ｂ，２２ａ１，２２ｂ１，２２ａ２，２２ｂ２，２２ｃ，２２ｄ  パッド、３１，３１ａ，３１ｂ，３１１，３１２  インナリード。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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