(57)【要約】【課題】本発明は原料ガスの排気に要する時間を短縮して原料ガスの切り替え時間を短縮することができ、且つ処理中の基板表面の温度を一定に維持することのできる処理装置及び処理方法を提供することを課題とする。【解決手段】原料ガス（ＴｉＣｌ４，ＮＨ３）と不活性ガス（Ｎ２）とを含む処理ガスを処理容器２内へ供給する。圧力計６により処理容器２内の圧力を検出し、検出結果に基づいて処理容器２内に供給される処理ガスの流量を制御する。原料ガスのパージを不活性ガスで行う。処理原料ガスの流量は一定とし、不活性ガスの流量を制御することにより、処理ガス全体としての流量を制御して、処理容器２内の圧力を一定に維持する。【選択図】　　　　図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
原料ガスと不活性ガスとを含む処理ガスを供給しながら基板に処理を施す処理装置であって、
該基板が収容される処理容器と
該処理容器内へ処理ガスを供給する処理ガス供給手段と、
排気手段と、
前記処理容器内の圧力を検出する圧力検出手段と、
該圧力検出手段の検出結果に基づいて、前記処理容器に供給される処理ガスの流量を制御する制御手段と
よりなることを特徴とする処理装置。
【請求項２】
請求項１記載の処理装置であって、
前記処理ガス供給手段は、原料ガスを供給する原料ガス供給手段と、不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段とを含み、前記制御手段は不活性ガス供給手段を制御して不活性ガスの流量を制御することにより、前記処理容器へ供給する処理ガスの流量を制御することを特徴とする処理装置。
【請求項３】
請求項２記載の処理装置であって、
前記原料ガス供給手段は複数種類の原料ガスを交互に処理容器に供給し、前記不活性ガス供給手段は常に不活性ガスを処理容器に供給することを特徴とする処理装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のうちいずれか一項記載の処理装置であって、
前記制御手段は、前記処理容器内の圧力が略一定となるように前記処理ガスの流量を制御することを特徴とする処理装置。
【請求項５】
請求項４記載の処理装置であって、
前記制御手段は、前記処理容器内の圧力が所定の圧力に対して±１０％の範囲内となるように処理ガスの流量を制御することを特徴とする処理装置。
【請求項６】
原料ガスと不活性ガスとを含む処理ガスを供給しながら基板に処理を施す処理方法であって、
第１の原料ガスを第１の所定流量で処理容器に供給し、且つ不活性ガスを同時に処理容器に供給して前記処理容器内を所定の処理圧力に維持する第１の工程と、
第１の原料ガスの供給を停止し、不活性ガスのみを供給しながら前記処理容器内を前記所定の処理圧力に維持する第２の工程と、
第２の原料ガスを第２の所定流量で前記処理容器に供給し、且つ不活性ガスを同時に前記処理容器に供給して前記処理容器内を前記所定の処理圧力に維持する第３の工程と、
第２の原料ガスの供給を停止し、不活性ガスのみを供給しながら前記処理容器内を前記所定の処理圧力に維持する第４の工程と、
を有し、前記第１乃至第４の工程を繰り返し行って前記基板に処理を施すことを特徴とする処理方法。
【請求項７】
請求項６記載の処理方法であって、
前記第１の原料はＴｉＣｌ４であり、前記第２の原料はＮＨ３であり、前記不活性ガスはＮ２であることを特徴とする処理方法。
【請求項８】
請求項７記載の処理方法であって、
前記第１の所定流量は１〜５０ｓｃｃｍであり、前記第２の所定流量は１０〜１０００ｓｃｃｍであり、前記所定の処理圧力は１〜４００Ｐａであることを特徴とする処理方法。
【請求項９】
請求項８記載の処理方法であって、
前記所定の処理圧力の変動許容範囲は±１０％であることを特徴とする処理方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は処理装置に係り、特に処理容器にガスを供給しながら処理容器内の基板に対して処理を行う処理装置及び処理方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体装置の基板を処理する方法として、所定の真空度に維持された処理容器内に原料ガスやパージガスを供給して基板の処理を行う方法が一般的である。例えば加熱した基板に減圧下で処理気体を供給して基板上に高品質な薄膜を形成する方法として、ＡＬＤ（Ａｔｏｍｉｃ　Ｌａｙｅｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）が近年注目されている。
【０００３】
ＡＬＤでは複数種類の原料ガスを２００Ｐａ程度の圧力において交互に基板に対して供給し、４００℃〜５００℃に加熱した基板上で反応させて反応生成物の非常に薄い膜を形成する。この際、原料ガスが基板上に到達する前に反応してしまわないように、複数種の原料ガスを切り替えながら一種類毎に供給する必要がある。すなわち、一つの種類のガスだけを基板に供給したら、そのガスを完全に排気し、次に異なる種類の原料ガスを供給する。この処理を繰り返してある程度の厚さの薄膜に成長させる。
【０００４】
このような原料ガスを切り替えて供給する処理方法では、原料ガスの切り替えを高速に行うことがスループット向上のために不可欠である。原料ガスの切り替えには、供給した一種類の原料ガスを反応容器から完全に排出してから次の種類の原料ガスを供給するという工程が行なわれる。したがって、原料ガスを反応容器から排出するには、原料ガスの供給を停止した際に反応容器内に残留する原料ガスの量を少なくすることが排出の高速化を達成する上で効果的である。すなわち、反応容器内で原料ガスが残留できる容積を低減することが、処理の高速化にとって有効である。
【０００５】
具体的には、残留した原料ガスを反応容器内から排出するには、反応容器内の残留原料ガスを真空ポンプ等により排気して、反応容器内の圧力を所定の真空度まで低減することにより達成される。ここで、反応容器内の到達圧力をＰ、初期圧力をＰ０、反応容器の容積をＶ、排気速度をＳ、時間をｔとすると、反応容器内の到達圧力Ｐは以下の式により求められる。
【０００６】
Ｐ＝Ｐ０ｅｘｐ｛−（Ｓ／Ｖ）ｔ｝
上式から、初期圧力と到達圧力が一定であれば、排気速度Ｓを大きくするか、容積Ｖを小さくすることにより、時間ｔを小さくできることがわかる。ここで、排気速度Ｓを大きくするには、高速大容量の真空ポンプが必要となり、製造コストに大きく影響する。したがって、反応容器の容積Ｖを低減することが望ましいい。
【０００７】
ここで、処理時の処理容器内の圧力は２００Ｐａ程度であり、この程度の圧力では気体は粘性流の領域であるため、ドライポンプを用いて処理容器内の処理ガスの排気を行うことが効率的である。ところが、原料ガスの切り替え時の排気では、原料ガスをほぼ完全に排気する必要があるため、処理容器内の圧力を１Ｐａよりも低く、例えば１０−２〜１０−３Ｐａにする必要がある。このような高真空度では、気体の流れは分子流の領域となり、ドライポンプによる排気では非効率的であるか、あるいはドライポンプだけではそのような高真空度を達成できない。したがって、原料ガスの切り替え時の排気には、ドライポンプに加えてターボモレキュラポンプを併用する必要がある。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
上述のように、原料ガスの切り替え時の排気用にターボモレキュラポンプを用いた場合、排気速度をある程度に維持するためには、処理容器に接続された排気口の開口を大きくしなければならない。しかし、排気口の開口を大きくすることは処理容器の容積を実質的に大きくすることとなり、排気に要する時間が長くなるという問題がある。
【０００９】
また、処理容器内を高真空にして原料ガスを排気する場合、排気が終了した後に、処理容器内の圧力が処理圧力に達するまで処理を待たなければならない。処理圧力が比較的低真空であるような場合は、圧力調整のための待ち時間が処理時間に大きく影響し、全体の処理時間が長くなってしまう。
【００１０】
また、処理容器内を高真空度となるまで排気する場合、処理容器の内壁に吸着していた原料ガスが離脱してくるため、離脱してくる原料ガスの量により排気速度が律速してしまうという問題もある。
【００１１】
さらに、処理中の基板表面は一定の温度として原料ガスの吸着量を制御する必要があるが、原料ガス切り替え時に処理容器内の圧力が変化すると、基板の表面温度が変動してしまう。すなわち、基板の加熱は、基板を支持する支持部材と基板との間に存在する処理容器内の処理ガスを介して基板に伝達する熱の量に依存する。処理容器内の圧力が高い場合は処理ガスの熱伝導率が大きく、基板の加熱量が大きくなって基板温度は高くなる。一方、処理容器内の圧力が低くなると処理ガスの熱伝導率が小さくなり、基板の温度は低くなる。したがって、基板の処理中に処理容器内の圧力が処理圧力から排気圧力の間で大きく変化すると、基板表面の温度が変動し、基板に吸着される原料ガスの量を精度よく制御できないという問題がある。
【００１２】
本発明は上記の点に鑑みてなされたものであり、原料ガスの排気に要する時間を短縮して原料ガスの切り替え時間を短縮することができ、且つ原料ガスの供給と排気とを一定の圧力の下で行うことにより処理中の基板表面の温度を一定に維持することのできる処理装置及び処理方法を提供することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
上記の課題を解決するために本発明では、次に述べる各手段を講じたことを特徴とするものである。
【００１４】
請求項１記載の発明は、原料ガスと不活性ガスとを含む処理ガスを供給しながら基板に処理を施す処理装置であって、該基板が収容される処理容器と
該処理容器内へ処理ガスを供給する処理ガス供給手段と、排気手段と、前記処理容器内の圧力を検出する圧力検出手段と、該圧力検出手段の検出結果に基づいて、前記処理容器に供給される処理ガスの流量を制御する制御手段とよりなることを特徴とするものである。
【００１５】
請求項２記載の発明は、請求項１記載の処理装置であって、前記処理ガス供給手段は、原料ガスを供給する原料ガス供給手段と、不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段とを含み、前記制御手段は不活性ガス供給手段を制御して不活性ガスの流量を制御することにより、前記処理容器へ供給する処理ガスの流量を制御することを特徴とするものである。
【００１６】
請求項３記載の発明は、請求項２記載の処理装置であって、前記原料ガス供給手段は複数種類の原料ガスを交互に処理容器に供給し、前記不活性ガス供給手段は常に不活性ガスを処理容器に供給することを特徴とするものである。
【００１７】
請求項４記載の発明は、請求項１乃至３のうちいずれか一項記載の処理装置であって、前記制御手段は、前記処理容器内の圧力が略一定となるように前記処理ガスの流量を制御することを特徴とするものである。
【００１８】
請求項５記載の発明は、請求項４記載の処理装置であって、前記制御手段は、前記処理容器内の圧力が所定の圧力に対して±１０％の範囲内となるように処理ガスの流量を制御することを特徴とするものである。
【００１９】
請求項６記載の発明は、原料ガスと不活性ガスとを含む処理ガスを供給しながら基板に処理を施す処理方法であって、第１の原料ガスを第１の所定流量で処理容器に供給し、且つ不活性ガスを同時に処理容器に供給して前記処理容器内を所定の処理圧力に維持する第１の工程と、第１の原料ガスの供給を停止し、不活性ガスのみを供給しながら前記処理容器内を前記所定の処理圧力に維持する第２の工程と、第２の原料ガスを第２の所定流量で前記処理容器に供給し、且つ不活性ガスを同時に前記処理容器に供給して前記処理容器内を前記所定の処理圧力に維持する第３の工程と、第２の原料ガスの供給を停止し、不活性ガスのみを供給しながら前記処理容器内を前記所定の処理圧力に維持する第４の工程と、を有し、前記第１乃至第４の工程を繰り返し行って前記基板に処理を施すことを特徴とするものである。
【００２０】
請求項７記載の発明は、請求項６記載の処理方法であって、前記第１の原料はＴｉＣｌ４であり、前記第２の原料はＮＨ３であり、前記不活性ガスはＮ２であることを特徴とするものである。
【００２１】
請求項８記載の発明は、請求項７記載の処理方法であって、前記第１の所定流量は１〜５０ｓｃｃｍであり、前記第２の所定流量は１０〜１０００ｓｃｃｍであり、前記所定の処理圧力は１〜４００Ｐａであることを特徴とするものである。
【００２２】
請求項９記載の発明は、請求項８記載の処理方法であって、前記所定の処理圧力の変動許容範囲は±１０％であることを特徴とするものである。
【００２３】
上述の本発明によれば、不活性ガスのパージにより原料ガスの排気を行うため、高真空を得るために必要な大口径の排気口を処理容器に設ける必要はなく、処理容器２の容積を小さくすることができる。したがって、処理容器内に残留する原料ガスの量を低減することができ、短時間で排気を行うことができる。
【００２４】
また、原料ガスの供給時に不活性ガスも供給することにより、処理容器内の圧力を常に一定に維持するため、処理容器中の処理ガスの熱伝導率が一定に維持される。したがって、基板の加熱が一定となり、基板の表面温度を一定に維持することができる。これにより、原料ガスの基板表面への吸着量を制御することができ、均一な処理を施すことができる。
【００２５】
また、原料ガスの切り替えの際の排気工程において、不活性ガスのパージを用いて且つ不活性ガスの流量を調整することにより処理容器内の圧力を略一定に維持するため、原料ガス供給と不活性ガスパージとを迅速に切り替えることができる。すなわち、原料ガス供給と不活性ガスパージとの間で処理容器内の圧力を調整する期間が不要となり、その分処理全体の時間を短縮できる
また、処理中の処理容器内の圧力は、比較的低い真空度であるため、処理容器の内壁に吸着した原料ガスが排気時に離脱して排気速度に影響を及ぼすことはない。
【発明の実施の形態】
次に、本発明の実施の形態について図面と共に説明する。
【００２６】
図１は本発明の一実施例による処理装置の全体構成を示す概略構成図である。図１に示す処理装置１は、減圧下において原料ガスとしてＴｉＣｌ４とＮＨ３とを交互に基板被処理基板に対して減圧下で供給し、被処理基板の表面にＴｉＮ膜を形成するための処理装置である。被処理基板に原料ガスを供給する際は、原料ガスの反応を促進するために被処理基板を加熱する。
【００２７】
処理装置１は処理容器２を有し、被処理基板としてのウェハ３が載置される載置台としてサセプタ４が処理容器２の中に配置される。処理容器２は例えばステンレススチールやアルミニウム等により形成され、内部に処理空間が形成される。処理容器２をアルミニウムで形成した場合は、その表面に陽極酸化被膜処理（アルマイト処理）が施されてもよい。
【００２８】
サセプタ４はタングステン等の電気ヒータ５を内蔵しており、サセプタ４上に載置されたウェハ３を電気ヒータ５の熱により加熱する。サセプタ４は、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）やアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）等のセラミック材料により形成される。
【００２９】
処理容器２には、ダイヤフラム真空計等の圧力計６が接続され、処理容器２内の圧力を検出する。圧力計６が検出した結果は電気信号として制御器７に送られる。
【００３０】
処理容器２の側壁には供給口２ａが設けられ、供給口２ａから原料ガス及びパージガスが処理容器内に供給される。また、供給口２ａの反対側には排気口２ｂが設けられ、排気口２ｂから処理容器２内の原料ガス及びパージガスが排気される。本実施例では、原料ガスとしてＴｉＣｌ４及びＮＨ３が用いられ、パージガスとして不活性ガスであるＮ２が用いられる。処理容器の供給口２ａには、ＴｉＣｌ４の供給ラインと、ＮＨ３の供給ラインとＮ２の供給ラインとが接続される。原料ガスとパージガスとを総称して処理ガスということもある。
【００３１】
原料ガスとしてのＴｉＣｌ４の供給ラインは、ＴｉＣｌ４の供給源１１Ａと、開閉弁１２Ａと、マスフローコントローラ（ＭＦＣ）１３Ａとを有しており、ＴｉＣｌ４の供給源１１ＡからのＴｉＣｌ４は、ＭＦＣ１３Ａにより流量制御されて供給口２ａから処理容器２内に供給される。開閉弁１２Ａを開くことによりＴｉＣｌ４はＭＦＣ１３Ａを通じて供給口２ａに流入する。開閉弁１２Ａ及びＭＦＣ１３Ａの動作は、制御器７により制御される。
【００３２】
原料ガスとしてのＮＨ３の供給ラインは、ＮＨ３の供給源１１Ｂと、開閉弁１２Ｂと、マスフローコントローラ（ＭＦＣ）１３Ｂとを有しており、ＮＨ３の供給源１１ＢからのＮＨ３は、ＭＦＣ１３Ｂにより流量制御されて供給口２ａから処理容器２内に供給される。開閉弁１２Ｂを開くことによりＮＨ３はＭＦＣ１３Ｂを通じて供給口２ａに流入する。開閉弁１２Ｂ及びＭＦＣ１３Ｂの動作は、制御器７により制御される。
【００３３】
パージガスとしてのＮ２の供給ラインは、Ｎ２の供給源１１Ｃと、開閉弁１２Ｃと、マスフローコントローラ（ＭＦＣ）１３Ｃとを有しており、Ｎ２の供給源１１ＣからのＮ２は、ＭＦＣ１３Ｃにより流量制御されて供給口２ａから処理容器２内に供給される。開閉弁１２Ｃを開くことによりＮ２はＭＦＣ１３Ｃを通じて供給口２ａに流入する。開閉弁１２Ｃ及びＭＦＣ１３Ｃの動作は、制御器７により制御される。
【００３４】
本実施例による処理装置１は以上のような構成であり、原料ガスであるＴｉＣｌ４とＮＨ３とを交互に繰り返して処理容器２に供給することにより、処理容器２内の加熱されたウェハ３上にＴｉＮ膜を形成する。原料ガスを供給する際には、パージガスとしてＮ２も同時に処理容器２内に供給される。
【００３５】
処理容器２内に供給された原料ガス及びパージガスは、排気口２ｂから排気される。ここで、本実施例では、原料ガスの供給をＴｉＣｌ４とＮＨ３との間で切り替える際、処理容器２からの原料ガスの排気をＮ２パージにより行う。したがって、排気口２ｂには、排気用の真空ポンプとしてドライポンプ８が接続されており、従来のようにターボモレキュラポンプは使用しない。本実施例では、基板の処理中は処理容器２内の圧力後述のように常に２００Ｐａ程度に維持されるため、ドライポンプによる排気で十分である。
【００３６】
ここで、処理装置１における原料ガス及びパージガスの供給動作について、図２を参照しながら説明する。図２において、（ａ）は処理容器２に供給される容器ＴｉＣｌ４の流量を示し、（ｂ）は処理容器２に供給されるＮＨ３の流量を示し、（ｃ）は処理容器２に供給されるＮ２の流量を示し、（ｄ）は処理容器２内の圧力を示す。
【００３７】
図２（ａ）及び（ｂ）に示すように、原料ガスとしてのＴｉＣｌ４及びＮＨ３は間欠的に且つ交互に処理容器２内に供給される。ＴｉＣｌ４の供給とＮＨ３の供給との間には、Ｎ２のみが供給されて原料ガスのパージが行われる。また、本実施例では、ウェハ３の処理中に処理容器２内の圧力が常に一定となるようにＮ２の流量が制御される。すなわち、本実施例では、ＴｉＣｌ４及びＮＨ３が供給される期間も、圧力制御のためにＮ２が供給される。
【００３８】
ＴｉＣｌ４が供給される際の流量は３０ｓｃｃｍであり、ＮＨ３が供給される際の流量は１００ｓｃｃｍである。ここで、Ｎ２の流量は、図２（ｃ）に示すように、ＴｉＣｌ４とＮＨ３の流量を補うように制御され、これにより処理容器２内の圧力が常に一定に維持される。
【００３９】
より具体的には、まず原料ガスとして３０ｓｃｃｍのＴｉＣｌ４が処理容器２内に一秒間だけ供給する。この際、ある程度の流量でＮ２を処理容器２内に供給して処理容器２内の圧力を２００Ｐａに維持する。次に、ＴｉＣｌ４の供給を停止し、Ｎ２のみを処理容器２に１秒間だけ供給して、処理容器２内のＴｉＣｌ４をＮ２によりパージする。このＮ２パージのときも処理容器２内の圧力が２００ＰａとなるようにＮ２の流量を制御する。Ｎ２の流量の制御は、処理容器２内の圧力を圧力計６で検出し、検出結果をＮ２供給ラインのマスフローコントローラ１３Ｃにフィードバックすることにより行われる。
【００４０】
その後、原料ガスとして１００ｓｃｃｍのＮＨ３が処理容器２内に１秒間だけ供給する。この際、ある程度の流量でＮ２を処理容器２内に供給して処理容器２内の圧力を２００Ｐａに維持する。次に、ＮＨ３の供給を停止し、Ｎ２のみを処理容器２に１秒間だけ供給して、処理容器２内のＮＨ３をＮ２によりパージする。このときのＮ２パージも処理容器２内の圧力が２００ＰａとなるようにＮ２の流量を制御する。Ｎ２の流量の制御は、処理容器２内の圧力を圧力計６で検出し、検出結果をＮ２供給ラインのマスフローコントローラ１３Ｃにフィードバックすることにより行われる。
【００４１】
以上のようなサイクルを繰り返すことにより、４００℃程度に加熱したウェハ３上にＴｉＮ膜を形成する。Ｎ２によりＴｉＣｌ４及びＮＨ３の流量を補うことにより、処理容器２内を常に２００Ｐａに維持することができる。ここで、処理容器２内の圧力変動の許容範囲は、処理の均一性や熱伝導率の変動を考慮すると、±１０％程度であることが好ましい。
【００４２】
上述の実施例によれば、真空排気ではなくＮ２パージにより原料ガスの排気を行うため、高真空を得るために必要な大口径の排気口を処理容器２に設ける必要はなく、処理容器２の容積を小さくすることができる。したがって、処理容器２内に残留する原料ガス（ＴｉＣｌ４，ＮＨ３）の量を低減することができ、短時間で排気を行うことができる。
【００４３】
また、原料ガス（ＴｉＣｌ４，ＮＨ３）の供給時にパージガス（Ｎ２）も供給することにより、処理容器２内の圧力を常に一定に維持するため、サセプタ４とウェハ３との間の気体の熱伝導率が一定に維持される。したがって、ウェハ３の加熱が一定となり、ウェハ３の表面温度を一定に維持することができる。これにより、原料ガス（ＴｉＣｌ４，ＮＨ３）のウェハ３の表面への吸着量を制御することができ、均一な処理を施すことができる。
【００４４】
また、原料ガスの切り替えの際の排気工程において、Ｎ２パージを用いて且つＮ２の流量を調整することにより処理容器２内の圧力を略一定に維持するため、原料ガス供給とＮ２パージとを迅速に切り替えることができる。すなわち、原料ガス供給とＮ２パージとの間で処理容器２内の圧力を調整する期間が不要となり、その分処理全体の時間を短縮できる。複数の原料ガスを繰り返し交互に供給する場合には、圧力調整に要する時間を短縮することは特に効果的である。
【００４５】
また、処理中の処理容器２内の圧力は、２００Ｐａと比較的低い真空度であるため、処理容器２の内壁に吸着した原料ガスが排気時に離脱して排気速度に影響を及ぼすことはない。
【００４６】
なお上述の実施例では、パージガスとしてＮ２を用いているが、ＡｒあるいはＨｅ等の他の不活性ガスを用いることもできる。
【００４７】
また、上述の例では、ＴｉＣｌ４とＮＨ３によるＴｉＮ膜を生成しているが、他の例として、ＴｉＦ４とＮＨ３によるＴｉＮ膜の生成、ＴｉＢｒ４とＮＨ３によるＴｉＮ膜の生成、ＴｉＩ４とＮＨ３によるＴｉＮ膜の生成、Ｔｉ［Ｎ（Ｃ２Ｈ５ＣＨ３）］４とＮＨ３によるＴｉＮ膜の生成、Ｔｉ［Ｎ（ＣＨ３）２］４とＮＨ３によるＴｉＮ膜の生成、Ｔｉ［Ｎ（Ｃ２Ｈ５）２］４とＮＨ３によるＴｉＮ膜の生成、ＴａＦ５とＮＨ３によるＴａＮ膜の生成、ＴａＣｌ５とＮＨ３によるＴａＮ膜の生成、ＴａＢｒ５とＮＨ３によるＴａＮ膜の生成、ＴａＩ５とＮＨ３によるＴａＮ膜の生成、Ｔａ（ＮＣ（ＣＨ３）３）（Ｎ（Ｃ２Ｈ５）２）３とＮＨ３によるＴａＮ膜の生成、ＷＦ６とＮＨ３によるＷＮ膜の生成、Ａｌ（ＣＨ３）３とＨ２ＯによるＡｌ２Ｏ３膜の生成、Ａｌ（ＣＨ３）３とＨ２Ｏ２によるＡｌ２Ｏ３膜の生成、Ｚｒ（Ｏ−ｔ（Ｃ４Ｈ４））４とＨ２ＯによるＺｒＯ２膜の生成、Ｚｒ（Ｏ−ｔ（Ｃ４Ｈ４））４とＨ２Ｏ２によるＺｒＯ２膜の生成、Ｔａ（ＯＣ２Ｈ５）５とＨ２ＯによるＴａ２Ｏ５膜の生成、Ｔａ（ＯＣ２Ｈ５）５とＨ２Ｏ２によるＴａ２Ｏ５膜の生成、Ｔａ（ＯＣ２Ｈ５）５とＯ２によるＴａ２Ｏ５膜の生成、等本実施例による処理装置１を用いることにより、効率的に成膜処理を行うことができる。
【００４８】
また、上述の実施例における処理方法は、成膜処理の他に、基板の熱酸化処理、アニール、ドライエッチングやプラズマＣＶＤ等のプラズマ処理、熱ＣＶＤ、光ＣＶＤ等に適用することができる。
【発明の効果】
上述の如く本発明によれば、原料ガスの排気に要する時間を短縮して原料ガスの切り替え時間を短縮することができ、且つ原料ガスの供給と排気とを一定の圧力の下で行うことにより処理中の基板表面の温度を一定に維持することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例による処理装置の全体構成を示す概略構成図である。
【図２】図１に示す処理装置における原料ガス及びパージガスの供給動作のタイムチャートである。
【符号の説明】
１　処理装置
２　処理容器
２ａ　供給口
２ｂ　排気口
３　ウェハ
４　サセプタ
５　電気ヒータ
６　圧力計
７　制御器
８　ドライポンプ
１１Ａ，１１Ｂ，１１Ｃ　供給源
１２Ａ，１２Ｂ，１２Ｃ　開閉弁
１３Ａ，１３Ｂ，１３Ｃ　マスフローコントローラ
【図１】
2004091850.tif 000003
【図２】
2004091850.tif 000004