(57)【要約】【課題】高強度で低誘電率な絶縁膜を形成可能な低誘電率絶縁膜及びその製造方法、並びに該低誘電率絶縁膜を用いた半導体装置の提供。【解決手段】シロキサン樹脂を含有する低誘電率絶縁膜形成材料を基板上に塗布してシロキサン樹脂被膜を形成するシロキサン樹脂被膜形成工程と、該シロキサン樹脂被膜の表面を表面処理液で親水性化する表面処理工程と、該表面処理されたシロキサン樹脂被膜を焼成する焼成工程とを含む低誘電率絶縁膜の製造方法である。表面処理液が水酸基を有する有機溶剤及びｐＨ１〜１０の水溶液から選ばれる態様、表面処理工程の前に、シロキサン樹脂被膜を熱処理して表面処理液に対し不溶化する不溶化処理を行う態様、などが好ましい。【選択図】        なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
シロキサン樹脂を含有する低誘電率絶縁膜形成材料を基板上に塗布してシロキサン樹脂被膜を形成するシロキサン樹脂被膜形成工程と、該シロキサン樹脂被膜の表面を表面処理液で親水性化する表面処理工程と、該表面処理されたシロキサン樹脂被膜を焼成する焼成工程とを含むことを特徴とする低誘電率絶縁膜の製造方法。
【請求項２】
シロキサン樹脂が、下記一般式（１）及び（２）の少なくともいずれかで表される請求項１に記載の低誘電率絶縁膜の製造方法。
【化１】
一般式（１）
2004186593.tif 000007
前記一般式（１）において、Ｒ１〜Ｒ３は、互いに同一であってもよいし、異なっていてもよい、水素原子、フッ素原子、−Ｏ−、又は置換基を表す。ｍは、５〜２００の整数を表す。
【化２】
一般式（２）
2004186593.tif 000008
前記一般式（２）において、Ｒ４〜Ｒ７の内、少なくとも１つは水素原子であり、その他は互いに同一であってもよいし、異なっていてもよい、水素原子、フッ素原子、又は置換基を表す。ｎは、５〜２００の整数を表す。
【請求項３】
表面処理液が、水酸基を有する有機溶剤及びｐＨ１〜１０の水溶液から選ばれる請求項１又は２に記載の低誘電率絶縁膜の製造方法。
【請求項４】
表面処理工程の前に、シロキサン樹脂被膜を熱処理して表面処理液に対し不溶化する不溶化処理を行う請求項１から３のいずれかに記載の低誘電率絶縁膜の製造方法。
【請求項５】
シロキサン樹脂被膜形成工程におけるシロキサン樹脂被膜の形成、及び不溶化処理が、熱処理により同時に行われる請求項４に記載の低誘電率絶縁膜の製造方法。
【請求項６】
熱処理が、酸素を１％以上含む雰囲気中で、１００〜４００℃で行われる請求項４又は５に記載の低誘電率絶縁膜の製造方法。
【請求項７】
焼成が、不活性雰囲気、真空雰囲気、及び酸素を１０ｐｐｍ以上含む雰囲気から選ばれる雰囲気中で、２００〜５００℃で行われる請求項１から６のいずれかに記載の低誘電率絶縁膜の製造方法。
【請求項８】
請求項１から７のいずれかに記載の低誘電率絶縁膜の製造方法により製造されることを特徴とする低誘電率絶縁膜。
【請求項９】
誘電率が３．０以下であり、かつナノインデンターで測定した弾性率が５．５ＧＰａ以上である請求項８に記載の低誘電率絶縁膜。
【請求項１０】
請求項８又は９に記載の低誘電率絶縁膜を層間絶縁膜として有することを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、応答速度の高速化の要求が高い半導体集積回路における多層配線に好適な低誘電率絶縁膜及びその製造方法、並びに該低誘電率絶縁膜を用いた半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、半導体集積回路の集積度の増加及び素子密度の向上に伴い、特に半導体素子の多層化への要求が高まっている。この半導体集積回路の高集積化に伴い、配線間隔は更に狭くなることから、配線間の容量増大による配線遅延が問題となっている。ここで、前記配線遅延（Ｔ）は、次の式（１）、Ｔ∝ＣＲ・・・式（１）、で表され、配線抵抗（Ｒ）及び配線間の容量（Ｃ）に影響を受ける。そして、前記誘電率（ε）と前記配線間の容量（Ｃ）との関係は、次の式（２）、Ｃ＝ε０εｒ・Ｓ／ｄ・・・式（２）、で表される。なお、前記式（２）において、Ｓは電極面積、ε０は真空の誘電率、εｒは絶縁膜の誘電率、ｄは配線間隔をそれぞれ表す。
【０００３】
前記配線間の容量（Ｃ）は、配線厚を薄くし配線面積を小さくすることで低減できるものの、配線厚を薄くすると、更に前記配線抵抗（Ｒ）の上昇を招くために高速化を達成し得ない。したがって、前記配線遅延（Ｔ）を小さくし、高速化を図るためには、絶縁膜の低誘電率化が有効な手段となる。
【０００４】
従来、前記絶縁膜としては、一般的に、二酸化珪素（ＳｉＯ２）、窒化珪素（ＳｉＮ）、燐珪酸ガラス（ＰＳＧ）等の無機膜や、ポリイミド等の有機系高分子等が用いられてきた。
【０００５】
しかし、半導体デバイスで多用されているＣＶＤ−ＳｉＯ２膜でも、その誘電率は４程度と高く、また、低誘電率ＣＶＤ膜として検討されているＳｉＯＦ膜では、誘電率は約３．３〜３．５であるものの、吸湿性が高く、誘電率が上昇してしまうという問題があった。
【０００６】
更に、低誘電率絶縁膜としては、加熱により蒸発又は分解する有機樹脂等を、絶縁膜形成用材料に添加することにより、成膜時の加熱により多孔質化する多孔質膜が提案されている。しかし、これらの多孔質膜における空孔サイズは、１０ｎｍ以上と大きいことから、誘電率を低減するために空隙率を高くすると、吸湿性が高くなり、吸湿による誘電率の上昇や膜強度の低下が生じてしまうという問題があった。
一方、耐湿性の優れた膜として、有機高分子膜が挙げられるが、ガラス転移点が２００〜３５０℃と低く、熱膨張率も高いことから、配線へのダメージが問題であった。
また、近時、各種の低誘電率膜材料が提案されているが（例えば、特許文献１及び２参照）、機械的強度にも優れる低誘電率絶縁膜及びその効率的な製造方法等に関する技術は、未だ提供されていないのが現状である。
【０００７】
【特許文献１】
特開２００２−２８４９９８号公報
【特許文献２】
特開２００２−２３１７１４号公報
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、かかる現状に鑑みてなされたものであり、従来における前記問題を解決し、以下の目的を達成することを課題とする。即ち、本発明は、機械的強度の高い低誘電率絶縁膜及びその製造方法、並びに、該低誘電率絶縁膜を用いた高速で信頼性の高い半導体装置を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
前記課題を解決するための手段としては、後述する（付記１）から（付記２０）に記載した通りである。
本発明の低誘電率絶縁膜の製造方法は、シロキサン樹脂被膜形成工程と、表面処理工程と、焼成工程とを含む。該低誘電率絶縁膜の製造方法においては、低誘電率絶縁膜を形成する過程でシロキサン樹脂被膜に対し、表面処理液を用いて表面を親水性化し、焼成を行うことにより、コアとなるシロキサン樹脂が緻密化して低誘電率絶縁膜の機械的強度が大幅に向上する。このため、低誘電率絶縁膜の機械的強度が低いという従来の多孔質被膜における問題を解消することができ、低誘電率で、かつ耐熱性、耐湿性、機械的強度に優れた低誘電率絶縁被膜膜が得られる。
【００１０】
本発明の低誘電率絶縁膜は、前記本発明の低誘電率絶縁膜の製造方法により製造される。このため、本発明の低誘電率絶縁膜は、低誘電率で、かつ耐熱性、耐湿性、機械的強度に優れているので、高速で信頼性の高い半導体装置における層間絶縁膜等として好適である。
【００１１】
本発明の半導体装置は、前記本発明の低誘電率絶縁膜を層間絶縁膜として有する。このため、応答速度の高速化が要求される半導体集積回路に有効である。即ち、半導体集積回路の多層配線において、信号伝播速度の低下は配線抵抗と配線間の寄生容量によって決定される。デバイスの高集積化により配線幅、配線間隔が狭くなり、配線抵抗の上昇と配線間の寄生容量が増大している。絶縁膜の容量は配線厚を薄くして断面積を小さくすることで低減できるが、配線厚を薄くすると更に配線抵抗の上昇を招くために高速化に繋がらない。高速化を図るためには、配線の低抵抗化と絶縁膜の低誘電率化が必須であり、デバイスの性能を支配する大きな要素となる。本発明の半導体装置は、低誘電率でかつ耐熱性、耐湿性、機械的強度に優れた本発明の低誘電率絶縁膜を層間絶縁膜として有しているので、高速で信頼性の高いフラッシュメモリ、ＤＲＡＭ、ＦＲＡＭ、ＭＯＳトランジスタ、などとして使用することができる。
【００１２】
【発明の実施の形態】
（低誘電率絶縁膜形成方法）
本発明の低誘電率絶縁膜の製造方法は、シロキサン樹脂被膜形成工程と、表面処理工程と、焼成工程とを含み、更に必要に応じてその他の工程を含む。
【００１３】
＜シロキサン樹脂被膜形成工程＞
前記シロキサン樹脂被膜形成工程では、シロキサン樹脂を含有する低誘電率絶縁膜形成材料を基板上に塗布してシロキサン樹脂被膜を形成する。
前記低誘電率絶縁膜形成材料は、シロキサン樹脂を含有し、必要に応じてその他の成分を含有する。
【００１４】
−シロキサン樹脂−
前記シロキサン樹脂は、一分子中にシロキサン結合を少なくとも有し、好ましくは熱分解性基を側鎖に有する。
前記熱分解性基は、１５０〜３５０℃で熱分解する基であることが好ましい。前記熱分解性基における熱分解の温度が、１５０℃未満であると、多孔質の低誘電率絶縁膜を形成することができず、一方、３５０℃を超えると、低誘電率絶縁膜の形成の際に、膜が固まり過ぎるため、空孔が形成され難く、またシロキサン樹脂のポリマー骨格が変性したり、高熱によりゲル化してしまう点で、いずれの場合も好ましくない。
【００１５】
なお、本発明において、前記熱分解温度は、公知の熱重量分析計を用いた通常の熱重量分析法により測定することができる。このとき、該熱重量分析計に質量分析計を装備させておくと、熱分解により発生した分解ガスも分析できる点で有利である。
【００１６】
前記熱分解性基としては、１５０〜３５０℃で熱分解する基であれば特に制限はないが、この温度範囲における熱分解性に優れる点で、エステル結合及びエーテル結合の少なくともいずれかを含むのが好ましい。
【００１７】
前記シロキサン樹脂としては、下記一般式（１）及び（２）の少なくともいずれかが好ましい。
【００１８】
【化３】
一般式（１）
2004186593.tif 000002
【００１９】
前記一般式（１）において、Ｒ１〜Ｒ３は、互いに同一であってもよいし、異なっていてもよい、水素原子、フッ素原子、−Ｏ−、又は置換基を表す。ｍは、５〜２００の整数を表し、好ましくは１０〜１００の整数を表す。
【００２０】
【化４】
一般式（２）
2004186593.tif 000003
【００２１】
前記一般式（２）において、Ｒ４〜Ｒ７の内、少なくとも１つは水素原子であり、その他は互いに同一であってもよいし、異なっていてもよい、水素原子、フッ素原子、又は置換基を表す。ｎは、５〜２００の整数を表し、好ましくは１０〜１００の整数を表す。
【００２２】
前記一般式（１）及び（２）において、置換基は、アルキル基、エーテル結合又はエステル結合を有する基を示す。アルキル基としては、炭素数１〜１０のものが好ましく、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｎ−ヘキシル基、イソヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、イソオクチル基、ｎ−デシル基、イソデシル基等が挙げられる。
前記エーテル結合又はエステル結合を有する基は、炭素数１〜１０、特に１〜５のものが好ましい。前記エーテル結合（Ｃ−Ｏ−Ｃ）を有する基において、エーテル結合は１又は２以上を有していてもよい。前記エステル結合（ＣＯＯ）を有する基において、エステル結合は１又は２以上を有していてもよい。
【００２３】
前記シロキサン樹脂としては、具体的には、シラン化合物をゾルゲル法により製造したシロキサン樹脂（例えば、テトラアルコキシシランのゾルゲルポリマー、トリアルコキシシランのゾルゲルポリマー、メチルトリアルコキシシランのゾルゲルポリマー、テトラアルコキシシラン及びトリアルコキシシランのゾルゲルポリマー、テトラアルコキシシラン及びメチルトリアルコキシシランのゾルゲルポリマー、メチルトリアルコキシシラン及びトリアルコキシシランのゾルゲルポリマー、テトラアルコキシシラン及びジメチルアルコキシシランのゾルゲルポリマーなど）、メチルシルセスキオキサン樹脂、水素シルセスキオキサン樹脂、フッ素シルセスキオキサン樹脂、フッ素含有水素シルセスキオキサン樹脂、フッ素含有メチルシルセスキオキサン樹脂、などが挙げられる。
【００２４】
前記シラン化合物としては、例えば、テトラアルコキシシラン、トリアルコキキシシラン、メチルトリアルコキシシラン、エチルトリアルコキシシラン、プロピルトリアルコキシシラン、フェニルトリアルコキシシラン、ビニルトリアルコキシシラン、アリルトリアルコキシシラン、グリシジルトリアルコキシシラン、ジアルコキキシシラン、ジメチルジアルコキシシラン、ジエチルジアルコキシシラン、ジプロピルジアルコキシシラン、ジフェニルジアルコキシシラン、ジビニルジアルコキシシラン、ジアリルジアルコキシシラン、ジグリシジルジアルコキシシラン、フェニルメチルジアルコキシシラン、フェニルエチルジアルコキシシラン、フェニルプロピルトリアルコキシシラン、フェニルビニルジアルコキシシラン、フェニルアリルジアルコキシシラン、フェニルグリシジルジアルコキシシラン、メチルビニルジアルコキシシラン、エチルビニルジアルコキシシラン、プロピルビニルジアルコキシシラン、などが挙げられ、これらは、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
【００２５】
−その他の成分−
前記その他の成分としては、前記シロキサン樹脂が溶解可能な希釈溶剤、熱分解性樹脂、等が挙げられる。
前記希釈溶剤としてはシロキサン樹脂及びポリカルボシランが溶解すれば特に限定されず、例えば、シクロヘキサノン、メチルイソブチルケトン、メチルエチルケトン、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、オクタン、デカン、プロピレングリコール、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、等が挙げられ、これらは、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
【００２６】
前記熱分解性樹脂としては、１５０〜３５０℃の熱分解温度を有するものが好ましく、例えば、ポリスチレン、アクリル系重合体、スチレンーアクリル共重合体、塩素化ポリエチレン、ポリプロピレン、アイオノマー等のオレフィン系重合体、ポリ塩化ビニル、ポリエステル、ポリアミド、ポリウレタン、エポキシ樹脂、ジアリルフタレート樹脂、シリコーン樹脂、ケトン樹脂、ポリビニルブチラール樹脂等のポリビニルアセタール樹脂、フェノール樹脂、ロジン変性フェノール樹脂、キシレン樹脂、ロジン変性マレイン酸樹脂、ロジンエステル、石油樹脂など各種重合体が挙げられる。
【００２７】
前記シロキサン樹脂の重量平均分子量（Ｍｗ）としては、５００〜５０，０００，０００が好ましく、７，０００〜４８，０００，０００がより好ましい。
前記重量平均分子量（Ｍｗ）が、５００未満であると、沸点が低く、熱処理時に、熱分解性基と共に分解・脱離してしまうことがある一方、５０，０００，０００を超えると、希釈溶剤への溶解性が悪いことがある。
【００２８】
前記シロキサン樹脂の前記低誘電率絶縁膜形成材料における含有量としては、２０〜８０質量％が好ましく、３０〜７０質量％がより好ましい。
【００２９】
前記低誘電率絶縁膜形成材料の製法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、前記シラン化合物等を前記希釈溶剤に溶解させた後、該シラン化合物を重合する高分子化触媒を添加する方法、等が挙げられる。
【００３０】
前記高分子化触媒としては、例えば、１分子中に脂肪族、脂環族及び芳香族の少なくともいずれかの炭化水素を含んでいる化合物が好ましく、具体的には、マレイン酸、酢酸、スルホン酸、トルエンスルホン酸等の有機酸化合物、ピリジン、トリエチルアミン等の有機アルカリ化合物、などが挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよく、２種以上を併用してもよい。
前記高分子化触媒として、前記有機酸化合物や前記有機アルカリ化合物を用いることにより、低誘電率絶縁膜を形成する際に、シリカ分子の構造欠陥の発生が更に抑制されるため好ましい。また、前記高分子化触媒として、前記有機アルカリ化合物を用いることにより、低誘電率絶縁膜の形成の際、高密度シリカが形成されるため、膜強度低下が効果的に抑制される。
【００３１】
−塗布方法−
前記塗布の方法としては、特に制限はなく、公知の塗布方法、例えば、スピンコート法、ディップコート法、ニーダーコート法、カーテンコート法、ブレードコート法、スキャン塗布法、等が挙げられる。これらの中でも、塗布効率等の点で、スピンコート法、ディップコート法、等が好ましい。
前記塗布の後、必要に応じて溶媒等を乾燥させることができ、該乾燥の温度としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、１００〜２５０℃程度が好ましい。なお、後述するように、シロキサン樹脂被膜の不溶化を熱処理で行う場合には、前記乾燥の熱処理と同時に行うことができる。
【００３２】
＜表面処理工程＞
前記表面処理工程は、該シロキサン樹脂被膜に対し、水酸基を有する有機溶剤及びｐＨ１〜１０の水溶液から選ばれる表面処理液でその表面を親水性化する。
【００３３】
−水酸基を有する有機溶剤−
前記水酸基を有する有機溶剤としては、特に制限はされないが、好ましくは一分子中に１個以上の水酸基を有するメチルアルコール、エチルアルコール、プロピルアルコール、イソプロピルアルコール、ブチルアルコール、イソブチルアルコール、ｔｅｒｔ−ブチルアルコール等のアルコール系、フェノール、クレゾール、ジエチルフェノール、トリエチルフェノール、プロピルフェノール、ノニルフェノール、ビニルフェノール、アリルフェノール、ノニルフェノール等のフェノール系などが挙げられる。なお、前記水酸基を有する有機溶剤には水を添加しても構わない。
【００３４】
−ｐＨ１〜１０の水溶液−
前記ｐＨ１〜１０の水溶液としては、特に制限されないが、例えば、塩酸水溶液，硝酸水溶液，硫酸水溶液等の酸性水溶液；マレイン酸水溶液、蟻酸水溶液、酢酸水溶液、トルエンスルホン酸水溶液等の有機酸水溶液；アンモニア水溶液等のアルカリ水溶液；ジメチルアミン、プロピルアミン、ヘキサメチルアミン、シクロヘキシルアミン、ジシクロヘキシルアミン、テトラメチルアンモニウムハイドロキサイト等の有機アルカリ系水溶液、などが挙げられる。なお、ｐＨが１０を超える水溶液により表面処理を行うとシロキサン樹脂が分解する場合があり、好ましくない。
【００３５】
前記表面処理液で表面処理する方法としては、特に制限はなく、例えば、シロキサン樹脂被膜をスピンコートした後にピペット又はスピンコータのノズルから被膜上に滴下する方法、などが挙げられる。
【００３６】
前記シロキサン樹脂被膜に表面処理を行う際、シロキサン樹脂被膜が表面処理液に溶解してしまう場合は、表面処理工程の前に、シロキサン樹脂被膜を表面処理液に対し不溶化する不溶化処理を行うことが好ましい。
前記不溶化処理としては、熱処理、光照射、電子線照射、が挙げられ、これらの中でも、熱処理が簡便かつ低コストである点で好ましい。
前記不溶化処理として熱処理を行う場合、酸素１％以上含む雰囲気で、かつ、１００〜４００℃、好ましくは１００〜３００℃で行うとよい。これは、１００℃未満では不溶化しづらく、一方、４００℃を超えると酸化により低誘電率絶縁膜にダメージを与えるためである。
前記シロキサン樹脂被膜形成工程におけるシロキサン樹脂被膜の乾燥、及びシロキサン樹脂被膜の不溶化が、熱処理により同時に行うことが製造効率を高める点で好ましい。
【００３７】
＜焼成工程＞
前記焼成工程は、表面処理されたシロキサン樹脂被膜を焼成する。
前記焼成は、不活性雰囲気、真空雰囲気及び酸素を１０ｐｐｍ以上含む雰囲気から選ばれる雰囲気中で、２００〜５００℃で行われることが好ましい。特に、酸素１０ｐｐｍ以上の雰囲気中で、５００℃以上で行うと、低誘電率絶縁膜が酸化して誘電率上昇を図ることができる。
【００３８】
（低誘電率絶縁膜）
前記低誘電率絶縁膜は、前記本発明の低誘電率絶縁膜の製造方法により製造される。
前記低誘電率絶縁膜は、誘電率が３．０以下であり、２．８以下が好ましい。ここで、前記誘電率は、低誘電率絶縁膜上に金電極を作製し、誘電率測定器により測定することができる。
前記低誘電率絶縁膜は、弾性率が５．５ＧＰａ以上であり、７．０ＧＰａ以上が好ましく、８．０ＧＰａ以上がより好ましい。
ここで、前記弾性率は、ナノインデンターを用いて測定することができる。
前記低誘電率絶縁膜に形成された孔（空隙）の径（平均径）としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、低誘電率特性に優れる点で、１０ｎｍ以下が好ましく、８ｎｍ以下がより好ましい。
なお、前記孔の径（平均径）は、透過型顕微鏡（ＴＥＭ）により観察し測定することができる。
前記低誘電率絶縁膜の厚みとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、５０〜３０００ｎｍ程度が好ましい。
【００３９】
本発明では、特にシロキサン樹脂に熱分解樹脂や熱分解性官能基を含む多孔質膜を形成する場合に高密度なシリカを形成できることから、低誘電率でかつ耐湿性、機械的強度の高い低誘電率絶縁膜を形成できる。したがって、本発明により形成された被膜は半導体装置の低誘電率層間絶縁膜として有効であり、この絶縁膜を用いればデバイスの応答速度の速い半導体集積回路が得られる。
【００４０】
（半導体装置）
本発明の半導体装置は、本発明の低誘電率絶縁膜を層間絶縁膜として有すること以外には特に制限はなく、目的に応じて適宜選択した部材等を有してなる。本発明の半導体装置の具体例としては、フラッシュメモリ、ＤＲＡＭ、ＦＲＡＭ、ＭＯＳトランジスタ、などが好適に挙げられる。
本発明の半導体装置は、本発明の低誘電率絶縁膜を層間絶縁膜として有するため、各層の層間の絶縁性に優れ、高速で信頼性が高い。
【００４１】
以下に、本発明の半導体装置の一例について、図１を参照しながら説明する。本発明の半導体装置は、例えば以下のようにして得られる。即ち、図１に示すように、先ず素子間分離膜２で分離され、ソース拡散層５ａ、ドレイン拡散層５ｂ、及び、サイドウォール絶縁膜３を有するゲート電極４を形成したトランンジスタ層が形成されたシリコンウエハ１上に、層間絶縁膜（リンガラス）６及びストッパー膜７を形成し、電極取り出し用のコンタクトホールを形成する。このコンタクトホールに、スパッタ法でバリア膜８（ＴｉＮ；５０ｎｍ）を形成した後、ＷＦ６及び水素を混合し還元することで導体プラグ（Ｗ）９を埋め込み、化学的機械研磨法（ＣＭＰ）によりビア以外の部分を除去する。
【００４２】
続いて、ストッパー膜７上に、本発明の低誘電率絶縁膜の製造方法により低誘電率絶縁膜１０（厚み：４５０ｎｍ）を形成した後、ＴＥＯＳ−ＳｉＯ２（キャップ膜１２）を５０ｎｍ積層させる。このキャップ膜１２を、１層目配線パターンを施したレジスト層をマスクとして、ＣＦ４／ＣＨＦ３ガスを原料としたＦプラズマによって加工する。
【００４３】
この配線溝に、Ｃｕの絶縁層への拡散バリアとして働くバリア膜８（ＴｉＮ）（５０ｎｍ）と、電解メッキの際に電極として働くシード層Ｃｕ（５０ｎｍ）とを、スパッタにより形成する。更に、電解メッキにより銅（６００ｎｍ）を積層した後、化学的機械研磨法（ＣＭＰ）により配線パターン部以外のメタルを除去し、銅配線１４の層を形成する。
【００４４】
次に、ビア層及び配線層を同時に形成するデュアルダマシン法について説明する。第１層目配線層上に、Ｃｕ拡散防止を目的として、シラン及びアンモニアガスを用い、プラズマＣＶＤにより、拡散防止膜１３としてＳｉＮ膜（５０ｎｍ）を形成し、本発明の低誘電率絶縁膜の製造方法により低誘電率絶縁膜１０（５０ｎｍ）を積層する。配線層部分に、シラン及びアンモニアガスを用い、プラズマＣＶＤにより、ストッパー膜７としてＳｉＮ膜（５０ｎｍ）を成膜し、更に、本発明の低誘電率絶縁膜の製造方法により低誘電率絶縁膜１０（４００ｎｍ）を形成する。キャップ膜１２（５０ｎｍ）として、ＴＥＯＳ−ＳｉＯ２膜を積層する。この低誘電率絶縁膜１０に、ビアパターンを形成したレジスト層をマスクとして、ＣＦ４／ＣＨＦ３ガスを原料としたＦプラズマにより、ガス組成を変えることでＳｉＯ２／低誘電率絶縁膜／ＳｉＮ／低誘電率絶縁膜／ＳｉＮの順に加工する。続いて、第２層目目配線パターンを施したレジスト層をマスクとして、ＣＦ４／ＣＨＦ３ガスを原料としたＦプラズマにより加工する。このビアと配線溝に、Ｃｕの絶縁層への拡散バリアとして働くバリア膜８（ＴｉＮ；５０ｎｍ）、及び、電解メッキの際に電極として働くシード層Ｃｕ（５０ｎｍ）をスパッタにより形成する。更に、電解メッキにより銅（１４００ｎｍ）を積層した後、ＣＭＰにより配線パターン部以外のメタルを除去し、銅配線１４を形成した化学的機械研磨法（ＣＭＰ）によりビア以外の部分を除去しビア層を形成する。これにより、前記工程を繰り返して、３層配線を形成することができる。このようにして、得られる多層配線において、１００万個の連続ビアの歩留まりを９０％以上とすることができる。
【００４５】
【実施例】
以下、本発明の実施例を説明するが、本発明は、これらの実施例に何ら限定されるものではない。
【００４６】
（製造例１）
−低誘電率絶縁膜形成材料の作製−
テトラエトキシシラン  ２０．８ｇ（０．１ｍｏｌ）、メチルトリエトキシシラン  １７．８ｇ（０．１ｍｏｌ）、グリシドキシプロピルトリメトキシシラン２３．６ｇ（０．１ｍｏｌ）、及びメチルイソブチルケトン３９．６ｇを、２００ｍｌの反応容器に仕込み、１質量％のテトラメチルアンモニウムハイドロキサイド水溶液を１６．２ｇ（０．９ｍｏｌ）を１０分間で滴下し、滴下終了後２時間の熟成反応を行った。
次に、硫酸マグネシウム５ｇを添加し、過剰の水分を除去した後、ロータリーエバポレータにて熟成反応により生成したエタノールを反応溶液が５０ｍｌになるまで除去した。得られた反応溶液にメチルイソブチルケトンを２０ｍｌ添加し、２００℃のオーブンによりメチルイソブチルケトンを除去した。
得られた製造例１の低誘電率絶縁膜形成材料の固形分濃度は１８．２質量％（シロキサン樹脂の重量平均分子量；１７２，０００）であった。
【００４７】
（製造例２）
−低誘電率絶縁膜形成材料の作製−
テトラエトキシシラン２０．８ｇ（０．１ｍｏｌ）、トリエトキシシラン１６．１ｇ（０．１ｍｏｌ）、グリシドキシプロピルトリメトキシシラン２３．６ｇ（０．１ｍｏｌ）、及びメチルイソブチルケトン３９．６ｇを、２００ｍｌの反応容器に仕込み、１質量％のテトラメチルアンモニウムハイドロキサイド水溶液１６．２ｇ（０．９ｍｏｌ）を１０分間で滴下し、滴下終了後２時間の熟成反応を行った。
次に、硫酸マグネシウム５ｇを添加し、過剰の水分を除去した後、ロータリーエバポレータにて熟成反応により生成したエタノールを反応溶液が５０ｍｌになるまで除去した。得られた反応溶液にメチルイソブチルケトンを２０ｍｌ添加し、２００℃のオーブンによりメチルイソブチルケトンを除去した。
得られた製造例２の低誘電率絶縁膜形成材料の固形分濃度は１５．４質量％（シロキサン樹脂の重量平均分子量；２６０，０００）であった。
【００４８】
（製造例３）
−低誘電率絶縁膜形成材料の作製−
窒素ガス導入管、液体用定量ポンプを装備した反応容器に硫酸８８ｇ（０．９ｍｏｌ）、発煙硫酸（６０％ＳＯ４）３３ｇを仕込み、トルエン８７ｇ（０．９５ｍｏｌ）を定量ポンプにて２ｍｌ／ｍｉｎの条件で滴下し、滴下終了後１時間の熟成反応を行った。
次に、トリクロロシラン４１ｇ（０．３ｍｏｌ）をトルエンに２０質量％に稀釈した原料溶液を定量ポンプにて２ｍｌ／ｍｉｎで滴下し、滴下終了後に２時間熟成反応を行った。反応終了後、５０質量％硫酸水溶液を１００ｍｌ添加し、沈殿したトルエンスルホン酸をろ過した後、分液ロートにて過剰の硫酸水を除去した。
この溶液に炭酸カルシウム２ｇで残留した硫酸を中和し、硫酸マグネシウム５ｇで脱水した後、ロータリーエバポレータを用いてトルエンを完全に除去することで水素シルセスキオキサン樹脂の固形物を１５ｇ得た（重量平均分子量；４８００）。
得られた水素シルセスキオキサン樹脂をメチルイソブチルケトン７０ｇに溶解させ、固形分濃度１７．５％の溶液（製造例３の低誘電率絶縁膜形成材料）を作製した。
【００４９】
（製造例４）
−低誘電率絶縁膜形成材料の作製−
窒素ガス導入管、液体用定量ポンプを装備した反応容器に硫酸８８ｇ（０．９ｍｏｌ）、発煙硫酸（６０％ＳＯ４）３３ｇを仕込み、トルエン８７ｇ（０．９５ｍｏｌ）を定量ポンプにて２ｍｌ／ｍｉｎの条件で滴下し、滴下終了後１時間の熟成反応を行った。
次に、トリクロロシラン３６ｇ（０．２７ｍｏｌ）、及びフルオロトリクロロシラン４．６ｇを、トルエンに２０質量％に稀釈した原料溶液を定量ポンプにて２ｍｌ／ｍｉｎで滴下し、滴下終了後に２時間熟成反応を行った。反応終了後、５０質量％硫酸水溶液を１００ｍｌ添加し、沈殿したトルエンスルホン酸をろ過した後、分液ロートにて過剰の硫酸水を除去した。
この溶液に炭酸カルシウム２ｇで残留した硫酸を中和し、硫酸マグネシウム５ｇで脱水した後、ロータリーエバポレータを用いてトルエンを完全に除去することで水素シルセスキオキサン樹脂の固形物を１５ｇ得た（重量平均分子量；３９００）。
得られた水素シルセスキオキサン樹脂をメチルイソブチルケトン７０ｇに溶解させ、固形分濃度１７．５％の溶液（製造例４の低誘電率絶縁膜形成材料）を作製した。
【００５０】
（実施例１）
−低誘電率絶縁膜の形成−
製造例１より作製した低誘電率絶縁膜形成材料をＳｉウェハ上に３０００回転、２０秒でスピンコートした後、大気中２００℃で溶剤乾燥を行った。
次いで、イソプロピルアルコールにて表面処理を行った。その後、酸素濃度１００ｐｐｍ以下の窒素雰囲気で４００℃、３０分アニールを行うことで実施例１の低誘電率絶縁膜を形成した。
得られた低誘電率絶縁膜上に１ｍｍφの金電極を作製し、誘電率を測定したところ、誘電率は１．９７であった。また、ナノインデンターにて弾性率を測定したところ、７．２ＧＰａであった。結果を表１に示す。更に、透過型顕微鏡（ＴＥＭ）により平均孔径を測定したところ、６．３ｎｍであった。
【００５１】
（実施例２）
−低誘電率絶縁膜の形成−
実施例１において、表面処理を行う溶液としてｐＨ８のアンモニア水溶液を用いた以外は同様の手法で実施例２の低誘電率絶縁膜を形成した。
得られた低誘電率絶縁膜上に１ｍｍφの金電極を作製し、誘電率を測定したところ、誘電率は２．０１であった。また、ナノインデンターにて弾性率を測定したところ、７．８ＧＰａであった。結果を表１に示す。更に、透過型顕微鏡（ＴＥＭ）により平均孔径を測定したところ、７．２ｎｍであった。
【００５２】
（比較例１）
−低誘電率絶縁膜の形成−
実施例１において、表面処理を行わない以外は同様の手法で比較例１の低誘電率絶縁膜を形成した。
得られた低誘電率絶縁膜上に１ｍｍφの金電極を作製し、誘電率を測定したところ、誘電率は１．９８であった。また、ナノインデンターにて弾性率を測定したところ、４．４ＧＰａであった。結果を表１に示す。更に、透過型顕微鏡（ＴＥＭ）により平均孔径を測定したところ、８．９ｎｍであった。
【００５３】
（実施例３）
−低誘電率絶縁膜の形成−
製造例２より作製した低誘電率絶縁膜形成材料をＳｉウェハ上に３０００回転、２０秒でスピンコートした後、大気中２００℃で溶剤乾燥を行った。
次いで、イソプロピルアルコールにて表面処理を行った。その後、酸素濃度１００ｐｐｍ以下の窒素雰囲気で４００℃、３０分アニールを行うことで実施例３の低誘電率絶縁膜を形成した。
得られた低誘電率絶縁膜上に１ｍｍφの金電極を作製し、誘電率を測定したところ、誘電率は１．９５であった。また、ナノインデンターにて弾性率を測定したところ、８．０ＧＰａであった。結果を表１に示す。更に、透過型顕微鏡（ＴＥＭ）により平均孔径を測定したところ、７．８ｎｍであった。
【００５４】
（実施例４）
−低誘電率絶縁膜の形成−
実施例３において、表面処理を行う溶液としてｐＨ８のアンモニア水溶液を用いた以外は同様の手法で実施例４の低誘電率絶縁膜を形成した。
得られた低誘電率絶縁膜上に１ｍｍφの金電極を作製し、誘電率を測定したところ、誘電率は１．９８であった。また、ナノインデンターにて弾性率を測定したところ、８．２ＧＰａであった。結果を表１に示す。更に、透過型顕微鏡（ＴＥＭ）により平均孔径を測定したところ、７．６ｎｍであった。
【００５５】
（比較例２）
−低誘電率絶縁膜の形成−
実施例３において、表面処理を行わない以外は同様の手法で比較例２の低誘電率絶縁膜を形成した。
得られた低誘電率絶縁膜上に１ｍｍφの金電極を作製し、誘電率を測定したところ、誘電率は１．９９であった。また、ナノインデンターにて弾性率を測定したところ、４．９ＧＰａであった。結果を表１に示す。更に、透過型顕微鏡（ＴＥＭ）により平均孔径を測定したところ、８．２ｎｍであった。
【００５６】
（実施例５）
−低誘電率絶縁膜の形成−
製造例３により作製した低誘電率絶縁膜形成材料をＳｉウェハ上に３０００回転、２０秒でスピンコートした後、大気中２００℃で溶剤乾燥を行った。
次いで、イソプロピルアルコールにて表面処理を行った。その後、酸素濃度１００ｐｐｍ以下の窒素雰囲気で４００℃、３０分アニールを行うことで実施例５の低誘電率絶縁膜を形成した。
得られた低誘電率絶縁膜上に１ｍｍφの金電極を作製し、誘電率を測定したところ、誘電率は２．７２であった。また、ナノインデンターにて弾性率を測定したところ、８．６ＧＰａであった。結果を表１に示す。更に、透過型顕微鏡（ＴＥＭ）により平均孔径を測定したところ、７．４ｎｍであった。
【００５７】
（実施例６）
−低誘電率絶縁膜の形成−
実施例５において、表面処理を行う溶液としてｐＨ８のアンモニア水溶液を用いた以外は同様の方法で実施例６の低誘電率絶縁膜を形成した。
得られた低誘電率絶縁膜上に１ｍｍφの金電極を作製し、誘電率を測定したところ、誘電率は２．６６であった。また、ナノインデンターにて弾性率を測定したところ、１０ＧＰａであった。結果を表１に示す。更に、透過型顕微鏡（ＴＥＭ）により平均孔径を測定したところ、７．５ｎｍであった。
【００５８】
（比較例３）
−低誘電率絶縁膜の形成−
実施例５において、表面処理を行わない以外は同様の方法で比較例３の低誘電率絶縁膜を形成した。
得られた低誘電率絶縁膜上に１ｍｍφの金電極を作製し、誘電率を測定したところ、誘電率は２．８５であった。また、ナノインデンターにて弾性率を測定したところ、５．４ＧＰａであった。結果を表１に示す。更に、透過型顕微鏡（ＴＥＭ）により平均孔径を測定したところ、７．６ｎｍであった。
【００５９】
（実施例７）
−低誘電率絶縁膜の形成−
製造例４より作製した低誘電率絶縁膜形成材料をＳｉウェハ上に３０００回転、２０秒でスピンコートした後、大気中２００℃で溶剤乾燥を行った。
次いで、イソプロピルアルコールにて表面処理を行った。その後、酸素濃度１００ｐｐｍ以下の窒素雰囲気で４００℃、３０分アニールを行うことで実施例７の低誘電率絶縁膜を形成した。
得られた低誘電率絶縁膜上に１ｍｍφの金電極を作製し、誘電率を測定したところ、誘電率は２．４６であった。また、ナノインデンターにて弾性率を測定したところ、７．８ＧＰａであった。結果を表１に示す。更に、透過型顕微鏡（ＴＥＭ）により平均孔径を測定したところ、７．４ｎｍであった。
【００６０】
（実施例８）
−低誘電率絶縁膜の形成−
実施例７において、表面処理を行う溶液としてｐＨ８のアンモニア水溶液を用いた以外は、同様の方法で実施例８の低誘電率絶縁膜を形成した。
得られた低誘電率絶縁膜上に１ｍｍφの金電極を作製し、誘電率を測定したところ、誘電率は２．４５であった。また、ナノインデンターにて弾性率を測定したところ、９．５ＧＰａであった。結果を表１に示す。更に、透過型顕微鏡（ＴＥＭ）により平均孔径を測定したところ、８．６ｎｍであった。
【００６１】
（比較例４）
−低誘電率絶縁膜の形成−
実施例７において、表面処理を行わない以外は、同様の方法で比較例４の低誘電率絶縁膜を形成した。
得られた低誘電率絶縁膜上に１ｍｍφの金電極を作製し、誘電率を測定したところ、誘電率は２．４９であった。また、ナノインデンターにて弾性率を測定したところ、５．１ＧＰａであった。結果を表１に示す。更に、透過型顕微鏡（ＴＥＭ）により平均孔径を測定したところ、８．３ｎｍであった。
【００６２】
【表１】
2004186593.tif 000004
【００６３】
（実施例９）
−半導体装置の作製−
本発明の低誘電率絶縁膜の製造方法により製造された本発明の低誘電率絶縁膜を備えた本発明の半導体装置を以下のようにして得た。
即ち、図１に示すように、まず、素子間分離膜２で分離され、ソース拡散層５ａとドレイン拡散層５ｂ、サイドウォール絶縁膜３を有するゲート電極を形成したトランンジスタ層が形成されたＳｉウェハ１に層間絶縁膜６、ストッパー膜７を形成し、電極取り出し用のコンタクトホールを形成した。このコンタクトホールにスパッタ法でＴｉＮ  ８を５０ｎｍ形成した後、ＷＦ６及び水素を混合し、還元することで導体プラグ（Ｗ）９を埋め込み、化学的機械研磨法（ＣＭＰ）によりビア以外の部分を除去した。
【００６４】
続いて、実施例１と同様の方法で本発明による低誘電率絶縁膜１０をＳｉ平板上４５０ｎｍとなる条件での成膜を行った後にキャップ膜としてＴＥＯＳ−ＳｉＯ２  １２を５０ｎｍ積層させた。このキャップ膜１２に１層目配線パターンを施したレジスト層をマスクにＣＦ４／ＣＨＦ３ガスを原料としたＦプラズマにより加工した。
【００６５】
この配線溝に、Ｃｕの絶縁層への拡散バリアとして働くＴｉＮ  ８を５０ｎｍと電解メッキの際に電極として働くシード層Ｃｕ（５０ｎｍ）をスパッタにより形成した。更に、電解メッキによりＣｕ１４を６００ｎｍ積層した後、化学的機械研磨法（ＣＭＰ）により配線パターン部以外のメタルを除去し、配線層を形成した。
【００６６】
次に、ビア層と配線層を同時に形成するデュアルダマシン法について説明する。第１層目配線層上にＣｕ拡散防止を目的としてシランとアンンモニアガスを用いてプラズマＣＶＤにより拡散防止膜としてＳｉＮ膜  １３を５０ｎｍ、実施例１と同様の方法で低誘電率絶縁膜１０を６５０ｎｍ積層する。配線層部分に、シランとアンンモニアガスを用いてプラズマＣＶＤによりストッパ膜としてＳｉＮ膜７を５０ｎｍと実施例１と同様の方法で低誘電率絶縁膜１０をＳｉ平板上４０ｎｍなる条件で成膜を行った後にキャップ膜としてＴＥＯＳ−ＳｉＯ２（１２）を５０ｎｍ積層した。この絶縁層にビアパターンを形成したレジスト層をマスクにＣＦ４／ＣＨＦ３ガスを原料としたＦプラズマによりガス組成を変えることでＳｉＯ２／低誘電率絶縁膜／ＳｉＮ／低誘電率絶縁膜／ＳｉＮの順に加工した。つづいて、第２層目配線パターンを施したレジスト層をマスクにＣＦ４／ＣＨＦ３ガスを原料としたＦプラズマにより加工した。このビアと配線溝に、Ｃｕの絶縁層への拡散バリアとして働くＴｉＮ８を５０ｎｍと電解メッキの際に電極として働くシード層Ｃｕを５０ｎｍスパッタにより形成した。更に、電解メッキによりＣｕ  １４を１４００ｎｍ積層した後、ＣＭＰにより配線パターン部以外のメタルを除去し、配線層を形成した化学的機械研磨法（ＣＭＰ）によりビア以外の部分を除去しビア層を形成した。以下、上記工程を繰り返し、３層配線を形成した。
以上のようにして、得た半導体装置における多層配線では、１００万個の連続ビアの歩留まりを９０％以上とすることができた。
【００６７】
ここで、本発明の好ましい態様を付記すると、以下の通りである。
（付記１）  シロキサン樹脂を含有する低誘電率絶縁膜形成材料を基板上に塗布してシロキサン樹脂被膜を形成するシロキサン樹脂被膜形成工程と、該シロキサン樹脂被膜の表面を表面処理液で親水性化する表面処理工程と、該表面処理されたシロキサン樹脂被膜を焼成する焼成工程とを含むことを特徴とする低誘電率絶縁膜の製造方法。
（付記２）  低誘電率絶縁膜形成材料が、１５０〜３５０℃で熱分解する熱分解性基を側鎖に有するシロキサン樹脂を含む付記１に記載の低誘電率絶縁膜の製造方法。
（付記３）  熱分解性基が、エステル結合及びエーテル結合の少なくともいずれかを含む付記２に記載の低誘電率絶縁膜の製造方法。
（付記４）  低誘電率絶縁膜形成材料が、熱分解性樹脂を含有する付記１から３のいずれかに記載の低誘電率絶縁膜の製造方法。
（付記５）  シロキサン樹脂が、下記一般式（１）及び（２）の少なくともいずれかで表される付記１から４のいずれかに記載の低誘電率絶縁膜の製造方法。
【化５】
一般式（１）
2004186593.tif 000005
前記一般式（１）において、Ｒ１〜Ｒ３は、互いに同一であってもよいし、異なっていてもよい、水素原子、フッ素原子、−Ｏ−、又は置換基を表す。ｍは、５〜２００の整数を表す。
【化６】
一般式（２）
2004186593.tif 000006
前記一般式（２）において、Ｒ４〜Ｒ７の内、少なくとも１つは水素原子であり、その他は互いに同一であってもよいし、異なっていてもよい、水素原子、フッ素原子、又は置換基を表す。ｎは、５〜２００の整数を表す。
（付記６）  前記一般式（１）における置換基が、アルキル基、又はエーテル結合若しくはエステル結合を有する基である付記５に記載の低誘電率絶縁膜の製造方法。
（付記７）  シロキサン樹脂被膜形成工程における低誘電率絶縁膜形成材料の基板上への塗布をスピンコートで行う付記１から６のいずれかに記載の低誘電率絶縁膜の製造方法。
（付記８）  表面処理液が、水酸基を有する有機溶剤及びｐＨ１〜１０の水溶液から選ばれる付記１から７のいずれかに記載の低誘電率絶縁膜の製造方法。
（付記９）  水酸基を有する有機溶剤が、一分子中に１個以上の水酸基を有するアルコール系溶剤及びフェノール系溶剤のいずれかである付記８に記載の低誘電率絶縁膜の製造方法。
（付記１０）ｐＨ１〜１０の水溶液が、無機酸水溶液、有機酸水溶液、アルカリ水溶液及び有機アルカリ水溶液のいずれかである付記８に記載の低誘電率絶縁膜の製造方法。
（付記１１）  表面処理工程の前に、シロキサン樹脂被膜を表面処理液に対し不溶化する不溶化処理を行う付記１から１０のいずれかに記載の低誘電率絶縁膜の製造方法。
（付記１２）  不溶化処理が、熱処理、光照射及び電子線照射のいずれかである付記１１に記載の低誘電率絶縁膜の製造方法。
（付記１３）  表面処理工程の前に、シロキサン樹脂被膜を熱処理して表面処理液に対し不溶化する不溶化処理を行う付記１から１２のいずれかに記載の低誘電率絶縁膜の製造方法。
（付記１４）  シロキサン樹脂被膜形成工程におけるシロキサン樹脂被膜の形成及び不溶化処理が、熱処理により同時に行われる付記１３から１４のいずれかに記載の低誘電率絶縁膜の製造方法。
（付記１５）  熱処理が、酸素を１％以上含む雰囲気中で、１００〜４００℃で行われる付記１２から１４のいずれかに記載の低誘電率絶縁膜の製造方法。
（付記１６）  焼成が、不活性雰囲気、真空雰囲気及び酸素を１０ｐｐｍ以上含む雰囲気から選ばれる雰囲気中で、２００〜５００℃で行われる付記１から１５のいずれかに記載の低誘電率絶縁膜の製造方法。
（付記１７）  付記１から１６のいずれかに記載の低誘電率絶縁膜の製造方法により製造されることを特徴とする低誘電率絶縁膜。
（付記１８）  誘電率が３．０以下であり、かつナノインデンターで測定した弾性率が５．５ＧＰａ以上である付記１７に記載の低誘電率絶縁膜。
（付記１９）  低誘電率絶縁膜に形成された孔の平均径が、１０ｎｍ以下である付記１７又は１８に記載の低誘電率絶縁膜。
（付記２０）  付記１７から１９のいずれかに記載の低誘電率絶縁膜を層間絶縁膜として有することを特徴とする半導体装置。
【００６８】
【発明の効果】
本発明によると、従来における前記問題を解決することができ、機械的強度の高い低誘電率絶縁膜及びその製造方法、並びに、該低誘電率絶縁膜を用いた高速で信頼性の高い半導体装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は、本発明の低誘電率絶縁膜を用いた本発明の半導体装置の一例を示す概略説明図である。
【符号の説明】
１・・・シリコンウエハ
２・・・素子間分離膜
３・・・サイドウォール絶縁膜
４・・・ゲート電極
５ａ・・ソース拡散層
５ｂ・・ドレイン拡散層
６・・・層間絶縁膜（リンガラス）
７・・・ストッパー膜
８・・・バリア膜
９・・・導体プラグ（Ｗ）
１０・・低誘電率絶縁膜
１２・・キャップ膜
１３・・拡散防止膜
１４・・銅配線
【図１】
2004186593.tif 000009