(57)【要約】【課題】高記録密度においても書込まれた信号のシフトや消滅がなく、かつ生産性に優れた垂直磁気記録媒体を提供する。【解決手段】磁気記録媒体は、非磁性基体１上に少なくとも中間層５、磁気記録層６及び保護層８が順に形成された構造を有しており、さらにその上に液体潤滑剤層９が形成されている。磁気記録層６は、希土類−遷移金属合金の非晶質膜からなる。希土類−遷移金属合金の非晶質膜としては、ＴｂＣｏ，ＴｂＦｅＣｏ等が挙げられるが、これらに限定されない。Ａｇを添加することにより、記録されたビットとビットとの間に存在する磁壁は、ビットが書込まれたときの位置に固定される。これにより、高記録密度での信号記録時において、記録された信号がシフトしたり、あるいは消失したりすることが抑制される。【選択図】　　　　図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
非磁性基体上に少なくとも中間層、磁気記録層、保護層及び液体潤滑剤層が順次積層されてなる垂直磁気記録媒体において、前記磁気記録層は、Ａｇが添加された希土類−遷移金属合金の非晶質膜からなることを特徴とする垂直磁気記録媒体。
【請求項２】
前記希土類−遷移金属合金の非晶質膜に添加されたＡｇの濃度は、１ａｔ％以上１５ａｔ％以下であることを特徴とする請求項１記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項３】
前記非磁性基体と前記中間層との間に、軟磁性材料からなる裏打ち層を設けたことを特徴とする請求項１または２に記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項４】
前記非磁性基体と前記裏打ち層との間に、１層または複数層の下地層及び前記裏打ち層の磁区を制御するための磁区制御層が順次積層されてなることを特徴とする請求項３に記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項５】
前記磁気記録層と前記保護層との間に，Ａｇを含む非磁性層を設けたことを特徴とする請求項１〜４記載の垂直磁気記録媒体．
【請求項６】
前記Ａｇを含む非磁性層の膜厚が０．２ｎｍ以上２ｎｍ以下であることを特徴とする請求項５に記載の垂直磁気記録媒体．
【請求項７】
非磁性基体上に少なくとも中間層、磁気記録層、保護層及び液体潤滑剤層が順次積層されてなる垂直磁気記録媒体の製造方法において、前記中間層の上に、Ａｇが添加された希土類−遷移金属合金の非晶質膜からなる磁気記録層を積層する行程を備えたことを特徴とする垂直磁気記録媒体の製造方法。
【請求項８】
前記磁気記録層を積層する際のガス圧は１０ｍＴｏｒｒ以上１００ｍＴｏｒｒ以下であることを特徴とする請求項７に記載の垂直磁気記録媒体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は垂直磁気記録媒体及びその製造方法に関し、より詳細には、種々の磁気記録装置に搭載され、記録媒体の膜厚方向に記録磁化を形成する垂直磁気記録媒体及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、コンピュータの外部記憶装置等の各種磁気ディスク記録装置の大容量化に伴い、磁気記録媒体の高記録密度化が求められている。従来の磁気記録方式では、長手磁気記録方式が主流であるが、最近、磁気記録の高記録密度化を実現する技術として、垂直磁気記録方式が注目されつつある。
垂直磁気記録方式による記録媒体（以下、「垂直磁気記録媒体」という）は、硬質磁性材料の磁気記録層と、この磁気記録層への記録に用いられる磁気ヘッドが発生する磁束を集中させる役割を担う軟磁性材料で形成された裏打ち層とを構成要素に含んでいる。垂直磁気記録媒体用の磁気記録層の材料としては、現在主にＣｏＣｒ系合金結晶質膜が使用されている。（例えば特許文献１参照）
一方、光磁気記録材料として使用されている、希土類−遷移金属合金を用いた非晶質膜は、大きな垂直磁気異方性定数Ｋｕを有しており、垂直磁気記録媒体における磁気記録層の材料として非常に有望である。ところで、光磁気記録の場合、非晶質膜には補償点近傍の組成のものが使用されている。このような組成域の保磁力Ｈｃは、垂直磁気記録用の材料として要求されるＨｃよりもかなり大きく、そのままでは垂直磁気記録媒体として使用することは困難である。
【０００３】
【特許文献１】
特開２００１−２９１２２４号公報
【特許文献２】
特開平７−２９６３５７号公報
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
現在、垂直記録媒体に主に使用されているＣｏＣｒ系合金結晶質の磁気記録材料について、今後の記録の高密度化に対応すべく、磁気記録媒体の低ノイズ化の検討が行なわれている。磁気記録媒体のノイズを低減させる方法としては、磁気記録層の薄膜化、ＣｏＣｒ系結晶粒径の微細化及び粒界偏析の促進等がある。しかしながら、これらの方法は、記録された信号の熱安定性を劣化させ、場合によっては記録された信号が消えてしまうという、いわゆる熱揺らぎが生じてしまう。
【０００５】
また、例えば特許文献２には、垂直磁気記録媒体において、Ｒ−Ｆｅ−Ｂ（Ｒは希土類元素のうちＮｄおよび／またはＰｒを表す）からなる高保磁力層を設けることにより、高い磁気特性を得ることが記載されている。しかし、このように磁気記録層に粒界を有する垂直磁気記録媒体の高密度化には限界があり、現実には低密度でのリード／ライトしか行うことができない。
一方、希土類−遷移金属合金の非晶質膜を使用した場合、非晶質であるためにＣｏＣｒ系結晶質膜に見られるような、いわゆる結晶粒界というものが存在しない。このため、書込まれた信号をその場所にとどめておくための核となるものが存在せず、信号がシフトしたり、あるいは消えたりしてしまうことがある。特に、この現象は高い周波数での信号記録時に発生し易い。このため、高記録密度化を目指す垂直磁気記録材料として、希土類−遷移金属合金の非晶質膜をそのまま用いることができないという問題があった。
【０００６】
本発明はこのような問題に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、高記録密度においても書込まれた信号のシフトや消滅がなく、かつ生産性に優れた垂直磁気記録媒体及びその製造方法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために鋭意検討した結果、希土類−遷移金属合金の非晶質膜中にＡｇを析出させることで、磁壁を固定させ、良好な特性が得られることが分かった。
具体的には本発明における垂直磁気記録媒体は、非磁性基体上に少なくとも中間層、磁気記録層、保護層及び液体潤滑剤層が順次積層されてなる垂直磁気記録媒体において、前記磁気記録層は、Ａｇが添加された希土類−遷移金属合金の非晶質膜からなる。
【０００８】
ここで、前記希土類−遷移金属合金の非晶質膜に添加されたＡｇの濃度は、１ａｔ％以上１５ａｔ％以下であることが好ましい。
また、前記非磁性基体と前記中間層との間に、軟磁性材料からなる裏打ち層を設けることが好ましい。
また、前記非磁性基体と前記裏打ち層との間に、１層または複数層の下地層及び前記裏打ち層の磁区を制御するための磁区制御層が順次積層されてなることが好ましい。
更に、前記磁気記録層と前記保護層の間に、Ａｇを含む非磁性層を設けることが好ましい。
【０００９】
ここで、前記Ａｇを含む非磁性層の膜厚は、０．２ｎｍ以上２ｎｍ以下であることが好ましい。
また、本発明における磁気記録媒体の製造方法は、非磁性基体上に少なくとも中間層、磁気記録層、保護層及び液体潤滑剤層が順次積層されてなる垂直磁気記録媒体の製造方法において、前記中間層の上に、Ａｇが添加された希土類−遷移金属合金の非晶質膜からなる磁気記録層を積層する行程を備える。
ここで、前記磁気記録層を積層する際のガス圧は１０ｍＴｏｒｒ以上１００ｍＴｏｒｒ以下であることが好ましい。
【００１０】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照し、本発明の実施の形態について詳細に説明する。
（第１実施形態）
図１は、本発明の第１実施形態に係る垂直磁気記録媒体の断面模式図である。本実施形態に係る磁気記録媒体は、非磁性基体１上に少なくとも中間層５、磁気記録層６及び保護層８が順に形成された構造を有しており、さらにその上に液体潤滑剤層９が形成されている。
非磁性基体１は磁性膜を積層するための円板状の担体である。この非磁性基体１としては、通常の磁気記録媒体用に用いられる、ＮｉＰメッキを施したＡｌ合金や、強化ガラス、結晶化ガラス等を用いることができる。
【００１１】
中間層５は、磁気記録層６の特性を制御するために用いられ、非磁性元素あるいは非磁性合金が適宜用いられる。膜厚は、好ましくは５ｎｍ以上３０ｎｍ以下である。
磁気記録層６は、希土類−遷移金属合金の非晶質膜からなる。希土類−遷移金属合金の非晶質膜としては、ＴｂＣｏ，ＴｂＦｅＣｏ等が挙げられるが、これらに限定されない。この希土類−遷移金属合金の非晶質膜中にＡｇが含まれていることが、本発明の大きな特徴である。Ａｇを添加することにより、記録されたビットとビットとの間に存在する磁壁が、ビットが書込まれた時の位置に固定される。したがって、高記録密度での信号記録時において、磁壁の移動により記録されたビットがシフトしたり、あるいは消失したりすることが抑制される。
【００１２】
希土類−遷移金属合金の非晶質膜中へのＡｇの添加方法としては、Ａｇを入れたターゲットを作製して希土類−遷移金属合金と共に成膜する方法や、希土類−遷移金属合金の非晶ターゲット上にＡｇのチップを置いて成膜する方法等が使用できる。
ここで、薄膜中におけるＡｇの濃度が１ａｔ％未満の場合、添加物の量が少なすぎるために十分に磁壁を固定することができない。一方、Ａｇの濃度が１５ａｔ％より多い場合には、十分な垂直磁気異方性が得られないために、垂直磁気記録媒体として機能しなくなってしまう。したがって、垂直磁気記録媒体として十分な特性を得るためには、Ａｇの濃度は１ａｔ％以上１５ａｔ％以下であることが望ましい。
【００１３】
また、磁気記録層６を成膜する際に使用するガスの圧力が１０ｍＴｏｒｒよりも低い場合には、磁気的な相互作用が強すぎるために信号を書込むことが困難となる。一方、１００ｍＴｏｒｒよりも高い場合には、垂直磁気異方性が低下するために磁気記録層としての使用には適さなくなる。したがって、磁気記録層６を成膜する行程において、成膜時に使用するガスの圧力を１０ｍＴｏｒｒ以上１００ｍＴｏｒｒ以下にすることが望ましい。
保護層８としては、例えばカーボンを主体とする保護膜等の、従来より使用されている保護膜を用いることができる。保護層８の膜厚等の条件は、通常の磁気記録媒体で用いられる諸条件をそのまま用いることができる。また、液体潤滑剤層９も従来より使用されている材料を用いることができ、例えば、パーフルオロポリエーテル系の潤滑剤を用いることができる。液体潤滑剤層９の膜厚等の条件は、通常の磁気記録媒体で用いられる諸条件をそのまま用いることができる。
【００１４】
（第２実施形態）
本実施形態では、非磁性基体と中間層との間に、磁気記録層への記録に用いられる磁気ヘッドが発生する磁束を集中させるための軟磁性裏打ち層が設けられる。図２は、本実施形態に係る垂直磁気記録媒体の断面模式図である。磁気記録媒体は、非磁性基体１上に少なくとも軟磁性裏打ち層４、中間層５、磁気記録層６及び保護層８が順に形成された構造を有しており、さらにその上に液体潤滑剤層９が形成されている。これらのうち、非磁性基体１、中間層５、磁気記録層６、保護層８、及び液体潤滑剤層９は、上述した第１実施形態と同様の構成とすることができる。
【００１５】
軟磁性裏打ち層４は、磁気記録層６への記録に用いられる磁気ヘッドが発生する磁束を集中させる役割を担う。この軟磁性裏打ち層４としては、ＮｉＦｅ合金、センダスト（ＦｅＳｉＡｌ）合金等を用いることができるが、例えばＣｏＮｂＺｒ，ＣｏＴａＺｒなどの非晶質のＣｏ合金を用いると、良好な電磁変換特性を得ることができる。軟磁性裏打ち層４の膜厚は、記録に使用する磁気ヘッドの構造や特性によって最適値が変化するが、１０ｎｍ以上３００ｎｍ以下であることが、生産性との兼ね合いから望ましい。
本実施形態において、中間層５は、磁気記録層６の特性を制御すると共に、軟磁性裏打ち層４と磁気記録層６を磁気的に分離する役割を担う。
【００１６】
（第３実施形態）
本実施形態では、非磁性基体と、第２実施形態において説明した軟磁性裏打ち層との間に、１層または複数層の下地層及び軟磁性裏打ち層の磁区制御を目的とした反強磁性層（磁区制御層）が更に順次積層される。図３は、本実施形態に係る垂直磁気記録媒体の断面模式図である。磁気記録媒体は、非磁性基体１上に少なくとも、１層または複数層の下地層２、磁区制御層３、軟磁性裏打ち層４、中間層５、磁気記録層６及び保護層８が順に形成された構造を有しており、更にその上に液体潤滑剤層９が形成されている。これらのうち、非磁性基体１、軟磁性裏打ち層４、中間層５、磁気記録層６、保護層８、及び液体潤滑剤層９は、上述した第２実施形態と同様の構成とすることができる。
【００１７】
磁区制御層３としては、Ｍｎを含む合金系からなる反強磁性膜、あるいは非磁性基体１の円板の半径方向に磁化を配向させた硬質磁性膜を用いることができる。磁区制御層３の膜厚は、５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であることが望ましい。
下地層２は、少なくとも磁区制御層３における磁化の配向を制御するための配向制御層を含んでいる。磁区制御層３としてＭｎ合金系の反強磁性膜を用いる場合、この下地層２としては、面心立方構造を有する単金属あるいは合金等を用いることが望ましい。その場合、下地層２は、非磁性基体１側に、単金属あるいは合金等からなる層の微細構造を制御するためのさらなる下地層を含むことができる。また、磁区制御層３として硬質磁性膜を用いた場合には、下地層２としてＣｒ合金等を用いることができる。この場合にも、下地層２は、非磁性基体１側に、Ｃｒ合金等からなる層の微細構造を制御するためのさらなる複数層の下地層を含むことができる。
【００１８】
（第４実施形態）
本実施形態では、磁気記録層と保護層との間に，Ａｇを含む非磁性層が設けられる。図４は、本実施形態に係る垂直磁気記録媒体の断面模式図である。磁気記録媒体は、非磁性基体１上に少なくとも、１層または複数層の下地層２、磁区制御層３、軟磁性裏打ち層４、中間層５、磁気記録層６，Ａｇを含む非磁性層７及び保護層８が順に形成された構造を有しており、更にその上に液体潤滑剤層９が形成されている。これらのうち、非磁性基体１、下地層２，磁区制御層３，軟磁性裏打ち層４、中間層５、磁気記録層６、保護層８、及び液体潤滑剤層９は、上述した第３実施形態と同様の構成とすることができる。
【００１９】
Ａｇを含む非磁性層７としては、Ａｇ単層あるいはＡｇを主成分とする合金層により構成されている。Ａｇを含む非磁性層７を挿入することにより，記録された信号がより安定化されるため，さらに高密度記録が可能となる。Ａｇを含む非磁性層７の膜厚は，０．５ｎｍ以上２ｎｍ以下であることが好ましい。膜厚が０．２ｎｍよりも薄い場合には，膜厚が薄すぎて挿入した効果が十分に得られない。逆に，２ｎｍよりも厚い場合には，磁気記録ヘッドと磁性層の間の距離が
離れ過ぎてしまうために十分な電磁変換特性が実現できない。
以下に、本発明の実施例について説明する。なお、以下の実施例は、本発明の好適な代表例について説明するに過ぎず、本発明を何ら限定するものではない。
【００２０】
【実施例】
（実施例１）
非磁性基体として、表面が平滑な化学強化ガラス基板（ＨＯＹＡ社製Ｎ−５ガラス基板）を用い、これを洗浄後スパッタ装置内に導入し、Ｔｉ中間層を１５ｎｍ成膜した。次いで、ＴｂＣｏターゲット上にＡｇチップを載せた複合ターゲットを用いて磁気記録層の成膜を行なった。Ａｇを添加する割合は、ターゲット上に載せるチップの数を変更することにより調整した。磁気記録層の形成に際して、成膜時に使用する成膜ガスの全流量、及び真空装置と真空ポンプとの間に設けられたバルブの開度を調整することにより、真空装置内のガス圧を５ｍＴｏｒｒ〜１５０ｍＴｏｒｒの範囲で変化させた。磁気記録層の膜厚は３０ｎｍで一定とした。
【００２１】
最後にカーボンからなる保護層を５ｎｍ成膜後、真空装置から取り出した。磁気記録層以外の成膜は、すべてガス圧５ｍＴｏｒｒ下でＤＣマグネトロンスパッタリング法により行なった。その後、パーフルオロポリエーテルからなる液体潤滑剤層２ｎｍをディップ法により形成し、垂直磁気記録媒体とした。
磁気特性は、磁化曲線を振動試料型磁力計にて測定し算出した。垂直磁気異方性定数Ｋｕは、基板面の法線方向を含む面内で測定した磁気トルク曲線より算出した。
図５は、Ａｇの添加量を変化させて作製した媒体の保磁力Ｈｃ及び角型比Ｓの変化を示す。希土類−遷移金属合金の非晶質膜に１ａｔ％以上のＡｇを添加することによりＨｃは急激に増加し、５ａｔ％程度の添加量において、５０００Ｏｅ以上の高い値が得られている。更にＡｇを添加することにより、Ｈｃは徐々に低下していき、２０ａｔ％以上の添加により、３０００Ｏｅ以下の小さな値となってしまう。一方、角型比Ｓは、Ａｇの添加量が１５ａｔ％まではほぼ１の良好な値を示しているが、それ以上添加すると急激に低下してしまうことが分かる。
【００２２】
図６は、同じ媒体の垂直磁気異方性定数ＫｕのＡｇ添加量依存性を示したものである。Ａｇを添加しない場合には２×１０６ｅｒｇ／ｃｃ程度であるが、Ａｇを添加することにより、Ｋｕは急激に増加し、Ｈｃが極大値を示すＡｇの添加量が５ａｔ％程度のときに、５×１０６ｅｒｇ／ｃｃ以上のかなり大きな値を示す。更に、Ａｇの添加量が増えることにより、Ｋｕは単調に減少し、２０ａｔ％添加した場合には、１．５×１０６ｅｒｇ／ｃｃ以下の垂直媒体としては小さな値となってしまう。図５に示したＡｇの添加量に対するＨｃの変化の傾向はＫｕの変化を反映したものであることが分かる。
【００２３】
このように、希土類−遷移金属合金の非晶質膜中にＡｇを添加し、その添加量を１５ａｔ％以下とすることにより、良好な磁気特性が得られることが分かる。図７は、ガス圧に対する保磁力Ｈｃと角型比Ｓの変化を示す。ガス圧が１００ｍＴｏｒｒ以下の領域では、Ｈｃが３０００Ｏｅ以上の高い値が得られている。角型比Ｓも１００ｍＴｏｒｒ以下のガス圧領域においてほぼ１の良好な特性を示している。
同じ媒体の垂直磁気異方性定数Ｋｕのガス圧依存性を図８に示す。ガス圧５ｍＴｏｒｒにおいては、５．７×１０６ｅｒｇ／ｃｃという高い値を示しているが、ガス圧の増加に伴い、Ｋｕは単調に減少し、１００ｍＴｏｒｒでは２．７×１０６ｅｒｇ／ｃｃとなる。ガス圧が１５０ｍＴｏｒｒとなると、Ｋｕは１×１０６ｅｒｇ／ｃｃ以下の小さい値となってしまう。
【００２４】
（実施例２）
実施例１と同じ非磁性基体を用い、洗浄後スパッタ装置内に導入し、まず、ＣｏＺｒＮｂターゲットを用いて軟磁性裏打ち層２００ｎｍ成膜した。その後、実施例１と同様に中間層、磁気記録層、保護層及び液体潤滑剤層を形成して、図２に示すような構成の垂直磁気記録媒体を作製した。垂直磁気記録媒体の電磁変換特性は、スピンスタンドテスターを用いＧＭＲヘッドにより測定を行なった。
Ａｇの添加量を変えて作製した垂直磁気記録媒体の線記録密度３５０ｋＦＣＩにおけるＳＮＲ（電磁変換特性のノイズと信号の比）を図９に示す。Ａｇを添加しない場合、ＳＮＲは１２ｄＢ程度の低い値である。これは、書込まれた信号をその場に留めておくための核が存在しないため、信号がシフトしたりするためである。これに対し、Ａｇを１ａｔ％以上添加することにより核が生成され、ＳＮＲは急激に増加し、１５ｄＢ以上の良好な値を示す。しかしながら、添加量が１５ａｔ％よりも多い場合にはＳＮＲは急激に低下してしまう。これはＡｇの添加量が多すぎることにより、垂直磁気異方性が低下してしまったためである。したがって、Ａｇの添加量は１ａｔ％以上１５ａｔ％以下にするのが望ましいことが分かる。
【００２５】
次に、ガス圧を変化させて作製した垂直磁気記録媒体の線記録密度３５０ｋＦＣＩにおけるＳＮＲを図１０に示す。成膜ガス圧が１０ｍＴｏｒｒ以上１００ｍＴｏｒｒ以下の範囲において、１５ｄＢ以上の良好なＳＮＲが得られている。ガス圧が１０ｍＴｏｒｒより低い場合には、磁気記録層内部の交換相互作用が強すぎるために、特に高記録密度において、信号が書込めず、あるいはシフト等が発生し、ＳＮＲが悪くなっている。一方、ガス圧が１００ｍＴｏｒｒより高い場合には、垂直磁気異方性が低下するために、ＳＮＲが劣化してしまう。
これらの結果より、希土類−遷移金属合金の非晶質膜中へのＡｇの添加量は１ａｔ％以上１５ａｔ％以下、ガス圧は１０ｍＴｏｒｒ以上１００ｍＴｏｒｒ以下にするのが望ましいことが分かる。
【００２６】
（実施例３）
実施例２と同じ非磁性基体を用い、洗浄後スパッタ装置内に導入した。そして、軟磁性裏打ち層を成膜する前に、非磁性基体上に、第１下地層としてＴａ膜を５ｎｍ成膜した。次いで、第１下地層の上に、第２下地層としてＮｉＦｅＣｒを５ｎｍを成膜した。次いで、第２下地層の上に、磁区制御層としてＩｒＭｎを１０ｎｍ成膜した。以降は、実施例２と同様にして、軟磁性裏打ち層、中間層、磁気記録層、保護層及び液体潤滑剤層を形成し、図３に示すような構成の垂直磁気記録媒体を作製した。
【００２７】
図１１は、垂直磁気記録媒体のスピンスタンドテスターによる１周分の出力波形を示す。このうち、波形１００２は、本実施例による垂直磁気記録媒体のスピンスタンドテスターによる１周分の出力波形を示す。比較例として、下地層及び磁区制御層を付与していない実施例２による垂直磁気記録媒体の出力波形１００４も図中に示した。下地層及び磁区制御層がない場合には、全周に渡り不均一にスパイクノイズが発生している。これに対し、下地層及び磁区制御層を付与することにより、スパイクノイズが全く発生していないことが分かる。これは、本実施例の場合、下地層及び磁区制御層を付与することにより、軟磁性裏打ち層に磁壁が形成されないためである。
【００２８】
（実施例４）
実施例３と同じ非磁性基体を用い、洗浄後スパッタ装置内に導入後，第１下地層、第２下地層、磁区制御層、軟磁性裏打ち層、中間層、磁気記録層を成膜後、Ａｇターゲットを用いてＡｇ層を成膜した。以降は、実施例３と同様にして、保護層及び液体潤滑剤層を形成し、図４に示すような構成の垂直磁気記録媒体を作製した。Ａｇ層の膜厚は，０〜５ｎｍまで変化させた。
Ａｇ層の膜厚を変えて作製した垂直磁気記録媒体の線記録密度３５０ｋＦＣＩにおけるＳＮＲを図１２に示す。Ａｇ膜厚が０．２ｎｍよりも薄い場合には，Ａｇ膜を挿入しない場合と同程度のＳＮＲしか得られていない。これは，膜厚が薄すぎるために，Ａｇ膜を挿入した効果が得られていないためである。膜厚が０．２ｎｍ以上になるとＳＮＲは急激に増加し，０．５ｎｍにおいて２２ｄＢ程度の最大値を示す。これはＡｇ層を挿入しない場合に比較して１．５ｄＢ程度増加していることになる。さらにＡｇの膜厚を増加させると，ＳＮＲは単調に減少し，２ｎｍよりも厚くなるとＡｇ膜を挿入しない場合よりもＳＮＲが小さな値となってしまう。これは，Ａｇ層を挿入することにより，磁性層とヘッドとの距離が離れてしまうためである。したがって，Ａｇ層を設ける場合，その膜厚は０．２ｎｍ以上２ｎｍ以下とする必要があることがわかる。
【００２９】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、非磁性基体上に少なくとも中間層、磁気記録層、保護層及び液体潤滑剤層が順次積層されてなる垂直磁気記録媒体において、磁気記録層は、Ａｇが添加された希土類−遷移金属合金の非晶質膜からなる。また、希土類−遷移金属合金の非晶質膜に添加されたＡｇの濃度は、１ａｔ％以上１５ａｔ％以下である。このため、良好な特性を示す垂直磁気記録媒体を提供することができる。
また、非磁性基体と中間層との間に軟磁性裏打ち層を設けたので、磁気ヘッドが発生する磁束を集中させることができ、磁気記録層に急峻な磁場勾配を形成することができる。これにより、更に良好な特性を得ることが可能である。
【００３０】
また、非磁性基体と前記軟磁性裏打ち層との間に、１層または複数層の下地層及び磁区制御層が順次積層されてなるので、軟磁性層の磁壁形成に起因するスパイクノイズを完全に抑制することができ、垂直磁気記録媒体の実用化にあたって非常に好ましい。
また、磁気記録層を積層する際のガス圧は１０ｍＴｏｒｒ以上１００ｍＴｏｒｒ以下であるので、良好な特性を示す垂直磁気記録媒体を作製することができる。
更に、磁気記録層と保護層との間に，Ａｇを含む非磁性層を挿入することにより，より良好な電磁変換特性を得ることが可能である．
更に、本発明による垂直磁気記録媒体の製造方法は、既存の製造装置を用いて行なうことができるため、大容量磁気記録媒体の大量生産にも適する方法である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施形態による磁気記録媒体の構成を示す断面模式図である。
【図２】本発明の第２実施形態による磁気記録媒体の構成を示す断面模式図である。
【図３】本発明の第３実施形態による磁気記録媒体の構成を示す断面模式図である。
【図４】本発明の第４実施形態による磁気記録媒体の構成を示す断面模式図である。
【図５】本発明の実施例１による垂直磁気記録媒体の磁気特性のＡｇ濃度依存性を示すグラフである。
【図６】本発明の実施例１による垂直磁気記録媒体の垂直磁気異方性定数のＡｇ濃度依存性を示すグラフである。
【図７】本発明の実施例１による垂直磁気記録媒体の磁気特性の成膜ガス圧依存性を示すグラフである。
【図８】本発明の実施例１による垂直磁気記録媒体の垂直磁気異方性定数の成膜ガス圧依存性を示すグラフである。
【図９】本発明の実施例２による垂直磁気記録媒体のＳＮＲのＡｇ濃度依存性を示すグラフである。
【図１０】本発明の実施例２による垂直磁気記録媒体のＳＮＲの成膜ガス圧依存性を示すグラフである。
【図１１】本発明の実施例３による垂直磁気記録媒体と実施例２による垂直磁気記録媒体のスピンスタンドテスターによる１周分の出力波形を示す図である。
【図１２】本発明の実施例４による垂直磁気記録媒体のＳＮＲのＡｇ層膜厚依存性を示すグラフである。
【符号の説明】
１　非磁性基体
２　下地層
３　磁区制御層
４　軟磁性裏打ち層　５　中間層
６　磁気記録層
７　Ａｇを含む非磁性層
８　保護層
９　液体潤滑剤層
１００２、１００４　出力波形
【図１】
2004005935.tif 000003
【図２】
2004005935.tif 000004
【図３】
2004005935.tif 000005
【図４】
2004005935.tif 000006
【図５】
2004005935.tif 000007
【図６】
2004005935.tif 000008
【図７】
2004005935.tif 000009
【図８】
2004005935.tif 000010
【図９】
2004005935.tif 000011
【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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