(57)【要約】【課題】積層体と基板とを接合する際の接着力を増大させる。【解決手段】絶縁層１２−ｎ（ｎは自然数）を積層した後に、導体層形成領域２２−ｎを取り囲む溝部１６−ｎと、溝部１６−ｎと絶縁層１２−ｎの外周とを連通する複数の連通部１８−ｎと、をフォトリソグラフィ工法を用いて絶縁層１２−ｎに形成する。積層体２８周囲を減圧させた状態で積層体２８上面と磁性体基板３０下面とを接合する際に、積層体２８上面の空気を溝部１６−１〜１６−５及び連通部１８−１〜１８−５から成る空気の抜け道を通じて積層体２８外部へ抜くことができるので、積層体２８上面と磁性体基板３０下面との間の接着力を増大させることができる。【選択図】　　　　図４
2004104033.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板上に、絶縁層と導体層とを交互に積層して積層体を形成する積層工程と、
該積層体周囲を減圧させた状態で、該積層体上面と第２の基板下面とを接合する接合工程と、
を含む電子部品の製造方法であって、
前記積層工程は、導体層形成領域を略取り囲む溝部と、該溝部と絶縁層外周とを連通する連通部と、を少なくとも１つの絶縁層に形成する工程を含むことを特徴とする電子部品の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の電子部品の製造方法であって、
前記溝部及び前記連通部は、フォトリソグラフィ工法を用いて形成されることを特徴とする電子部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は電子部品の製造方法に関し、特に、絶縁層と導体層とが交互に積層された積層体が基板によって上下から挟み込まれている構成の電子部品を製造する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
絶縁層と導体層とが交互に積層された積層体が基板によって上下から挟み込まれている構成の電子部品の一例としては、コモンモードチョークコイルが挙げられる。このコモンモードチョークコイルは以下の方法によって製造される。まず磁性体基板上に絶縁層と導体層とを交互に積層させて積層体を形成する。次に、積層体上面及び別の磁性体基板下面に接着剤を塗布し、これら２つの磁性体基板によって積層体を挟み込むように接合する。その後、接合した基板をダイシングによってチップ単位に分割し、各チップ外面に内部の導体と導通する外部電極端子を形成する。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
絶縁層の形成にはスピンコートやスクリーン印刷等の手法が用いられるが、絶縁層の形成の際は基板の外周部において絶縁層厚みが中央部より厚くなる。したがって、積層された積層体の高さは一定ではなく、外周部の高さが中央部の高さより高くなる。そして、接合のために積層体上面に接着剤を塗布するが、積層体に生じた高さの差は緩和されずに残る。一方、別の磁性体基板下面にも接着剤を塗布するが、こちらは高さの差はほとんどない。したがって、積層体上面と別の磁性体基板下面とを接合する際に、積層体上面に空気が残ってしまい、接着力が低下してしまうという課題があった。
【０００４】
本発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、積層体と基板とを接合する際に、接着力を増大させることができる電子部品の製造方法を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
このような目的を達成するために、第１の本発明に係る電子部品の製造方法は、第１の基板上に、絶縁層と導体層とを交互に積層して積層体を形成する積層工程と、該積層体周囲を減圧させた状態で、該積層体上面と第２の基板下面とを接合する接合工程と、を含む電子部品の製造方法であって、前記積層工程は、導体層形成領域を略取り囲む溝部と、該溝部と絶縁層外周とを連通する連通部と、を少なくとも１つの絶縁層に形成する工程を含むことを特徴とする。
【０００６】
このように、積層体を形成する工程において、導体層形成領域を略取り囲む溝部と、該溝部と絶縁層外周とを連通する連通部と、を少なくとも１つの絶縁層に形成することにより、積層体周囲を減圧させた状態で積層体上面と第２の基板下面とを接合する際に、溝部及び連通部から成る流路が空気の抜け道として機能し、積層体上面の空気をこの抜け道を通じて積層体外部へ抜くことができる。したがって、積層体上面と第２の基板下面との間の接着力を増大させることができる。
【０００７】
第２の本発明に係る電子部品の製造方法は、第１の本発明に記載の方法であって、前記溝部及び前記連通部は、フォトリソグラフィ工法を用いて形成されることを特徴とする。
【０００８】
このように、フォトリソグラフィ工法を用いて溝部及び連通部を形成することにより、溝部及び連通部を精度よく形成することができ、積層体上面の空気をさらに容易に積層体外部へ抜くことができる。
【０００９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態（以下実施形態という）を、図面に従って説明する。
【００１０】
図１は、本発明の実施形態に係る電子部品の製造方法の工程順を示すフローチャートである。本実施形態においては、コモンモードチョークコイルを製造する場合について示し、積層工程Ｓ１０１→接合工程Ｓ１０２→ダイシング工程Ｓ１０３→外部端子形成工程Ｓ１０４の順に従ってコモンモードチョークコイルが製造される。
【００１１】
積層工程Ｓ１０１においては、以下に示す工程によって、磁性体基板上に、絶縁層と導体層とを交互に積層した積層体を形成する。ここでの絶縁層の材料としては、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、ベンゾシクロブテン樹脂等の樹脂材料、あるいはＳｉＯ２等のガラス、ガラスセラミクス、誘電体等が用いられる。そして、後述するフォトリソグラフィ工法を用いる場合は、これらの材料に感光剤を付加した材料が用いられる。また、導電層の材料としては、Ａｇ、Ｐｄ、Ｃｕ、Ａｌ等の金属、あるいはそれらの合金が用いられる。そして、磁性体基板１０については、表面粗さが０．５μｍ以下となるような表面が研磨されたものを用いるのが好ましい。
【００１２】
まず図２に示すように、磁性体基板１０上に絶縁層１２−１を積層する。次に、導体層形成領域２２−１を取り囲む溝部１６−１と、溝部１６−１と絶縁層１２−１の外周とを連通する複数の連通部１８−１と、を絶縁層１２−１に形成する。ここで、図２（Ａ）は溝部１６−１及び連通部１８−１を形成した後の部品の平面図を示し、図２（Ｂ）は図２（Ａ）でのＡ−Ａ断面図を示す。図２においては、一例として８箇所の連通部１８−１を形成した場合を示している。ここで、溝部１６−１及び連通部１８−１については、フォトリソグラフィ工法を用いて以下のようにして形成する。
【００１３】
まず図３（Ａ）の断面図に示すように、絶縁層１２−１における溝部１６−１及び連通部１８−１を形成する部分の上にマスクパターン２４を形成する。ここで、図３（Ａ）の切断面は図２（Ｂ）と同じ位置である。次に、マスクパターン２４でマスキングされていない絶縁層１２−１の部分を露光する。次に、現像液を絶縁層１２−１にかけて露光していない部分が除去されることで、図３（Ｂ）の断面図に示すように、溝部１６−１及び連通部１８−１が形成される。ここで、図３（Ｂ）の切断面も図２（Ｂ）と同じ位置である。その後、熱処理により絶縁層１２−１を硬化させる。
【００１４】
溝部１６−１及び連通部１８−１を絶縁層１２−１に形成した後は、図４に示すように、コイル用の導体層１４−１を絶縁層１２−１上の導体層形成領域２２−１内に形成する。ここで、図４は後述する接合工程Ｓ１０２後の部品を示す斜視図である。ただし、図４においては、部品の構成をわかりやすくするために、各構成を分けて図示している。導体層１４−１については以下のようにして形成する。まずスパッタ法や蒸着法等の薄膜形成法、あるいはスクリーン印刷等の厚膜形成法を用いて導体膜を絶縁層１２−１上に積層する。そして、レジスト塗布→露光→現像→エッチング等の一連のフォトリソグラフィ工法を用いることで、導体層形成領域２２−１内の各チップ領域ごとにコイル用の導体層１４−１が形成される。図４においては、１枚の基板内に４つのチップ領域があり、４つの導体層１４−１を形成した場合を示しているが、１枚の基板から製造するチップ数については任意に設定できる。
【００１５】
そして、図４に示すように、同様の手法を用いて、絶縁層１２−ｎ（ｎは自然数）の積層→導体層形成領域２２−ｎを取り囲む溝部１６−ｎと、溝部１６−ｎと絶縁層１２−ｎの外周とを連通する連通部１８−ｎと、の形成（フォトリソグラフィ工法を用いる）→導体層１４−ｎの形成、の工程を繰り返す。ただし、絶縁層１２−ｎに形成する溝部１６−ｎ及び連通部１８−ｎについては、図４に示すように、別の絶縁層にすでに形成されている溝部及び連通部と積層方向から見て重なり合う位置に形成する。また、２つの導体層間を接続する場合は、その間の絶縁層を積層した後に、フォトリソグラフィ工法を用いてビアホールの加工を行い、このビアホールを介して２つの導体層間を接続する。図４においては、一例として導体層１４−１と導体層１４−２とを絶縁層１２−２に形成したビアホールを介して接続し、導体層１４−３と導体層１４−４とを絶縁層１２−４に形成したビアホールを介して接続することで、２つのコイル導体を形成する場合を示している。
【００１６】
最後に、積層体２８上面となる絶縁層１２−５を積層し、溝部１６−５及び連通部１８−５をフォトリソグラフィ工法を用いて形成する。以上のようにして積層方向と平行な軸周りに螺旋形状に巻回されたコイル導体を内部に有する積層体２８が形成される。図４においては、一例として５層の絶縁層１２−１〜１２−５と４層の導体層１４−１〜１４−４を交互に積層した場合を示しているが、積層する絶縁層及び導体層の層数については要求される仕様に応じて任意に設定することができる。
【００１７】
次に、接合工程Ｓ１０２においては、積層体２８上面及び別の磁性体基板３０下面に接着剤を塗布し、図４に示すように、積層体２８を２つの磁性体基板１０，３０で挟むように接合する。このときの接合については、真空中または不活性ガス中にて加熱、加圧し、冷却後に圧力を解除して減圧する工程において行われる。
【００１８】
次に、ダイシング工程Ｓ１０３においては、図示は省略するが接合された積層体２８及び磁性体基板１０，３０をダイシングラインに沿ってチップ単位に切断する。最後に、外部端子形成工程Ｓ１０４においては、図示は省略するが積層体２８内部の各コイル導体の両端と導通する外部電極端子をチップ側面に形成する。以上の工程によって、２つの磁性体基板１０，３０によって挟まれた積層体２８内部に２つのコイル導体を有するコモンモードチョークコイルがチップ単位ごとに製造される。
【００１９】
本実施形態においては、導体層形成領域２２−ｎを取り囲む溝部１６−ｎと、溝部１６−ｎと絶縁層１２−ｎの外周とを連通する複数の連通部１８−ｎと、を絶縁層１２−ｎに形成している。図４に示すように、溝部１６−１〜１６−５及び連通部１８−１〜１８−５を形成することで、積層体２８の外周部より低く、積層体２８外部に通じる空気の抜け道を形成することができる。したがって、積層体２８周囲を減圧させた状態で積層体２８上面と磁性体基板３０下面とを接合する際に、積層体２８上面の空気を溝部１６−１〜１６−５及び連通部１８−１〜１８−５から成る空気の抜け道を通じて積層体２８外部へ抜くことができる。したがって、積層体２８上面と磁性体基板３０下面との間の接着力を増大させることができる。
【００２０】
そして、絶縁層１２−ｎに形成する溝部１６−ｎ及び連通部１８−ｎについては、フォトリソグラフィ工法を用いて形成することにより、溝部１６−ｎ及び連通部１８−ｎを所望の形状に精度よく形成することができ、異なる絶縁層間における溝部及び連通部の位置ずれを抑えることができる。したがって、積層体２８上面の空気をさらに容易に積層体２８外部へ抜くことができる。
【００２１】
本実施形態においては、溝部１６−ｎが導体層形成領域２２−ｎの周囲をすべて取り囲んでいる場合について説明したが、溝部１６−ｎは導体層形成領域２２−ｎの周囲を必ずしもすべて取り囲む必要はない。そして、溝部１６−ｎ及び連通部１８−ｎをすべての絶縁層に形成した場合について説明したが、溝部１６−ｎ及び連通部１８−ｎについては、少なくとも１つの絶縁層に形成すれば積層体２８上面の空気を積層体２８外部へ抜くことができる。
【００２２】
また、本発明の適用が可能な電子部品は、コモンモードチョークコイルに限るものではなく、積層体が基板によって上下から挟み込まれている構成の電子部品であるならば本発明の適用が可能である。さらに、本発明における基板は磁性体基板に限るものではなく、電子部品の用途により誘電体基板や絶縁体基板を用いることができる。
【００２３】
【発明の効果】
以上説明したように本発明によれば、導体層の形成領域を略取り囲む溝部と、該溝部と外部とを連通する連通部と、を少なくとも１つの絶縁層に形成することにより、積層体上面の空気を溝部及び連通部から成る抜け道を通じて積層体外部へ抜くことができ、積層体上面と第２の基板下面との間の接着力を増大させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態に係る電子部品の製造方法の工程順を示すフローチャートである。
【図２】本発明の実施形態における積層工程を説明する図である。
【図３】本発明の実施形態に係る電子部品の製造方法に用いるフォトリソグラフィ工法を説明する図である。
【図４】本発明の実施形態における接合工程後の電子部品の構成を示す斜視図である。
【符号の説明】
１０，３０　磁性体基板、１２−１〜１２−５　絶縁層、１４−１〜１４−４導体層、１６−１〜１６−５　溝部、１８−１〜１８−５　連通部、２２−１〜２２−４　導体層形成領域、２８　積層体。
【図１】
2004104033.tif 000003
【図２】
2004104033.tif 000004
【図３】
2004104033.tif 000005
【図４】
2004104033.tif 000006