(57)【要約】【課題】  基板上の選択された領域に配線金属層を形成する方法および配線金属層を提供すること。【解決手段】  配線金属層の形成方法は、基板（１０）上の選択された領域に配線金属層（３０）を形成する方法であって、前記基板上の前記領域（１６）を親水性とし他の領域を疎水性にする工程と、少なくとも前記親水性の領域に、親水性基を有する有機物（２８）により保護された金属または金属酸化物の微粒子（２６）を含む分散溶液を付着した後乾燥させる工程と、前記金属または金属酸化物の微粒子を結合させる工程とを含む。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上の選択された領域に配線金属層を形成する方法であって、前記基板上の前記領域を親水性とし他の領域を疎水性にする工程と、少なくとも前記親水性の領域に、親水性基を有する有機物により保護された金属または金属酸化物の微粒子を含む分散溶液を付着した後乾燥させる工程と、前記金属または金属酸化物の微粒子を結合させる工程とを含む、配線金属層の形成方法。
【請求項２】
前記選択された領域を親水性にする工程は、前記基板上の前記他の領域に疎水性の層を設け、前記選択された領域に対応して疎水性の層に開口部を形成する工程か、もしくは前記基板上に疎水性表面を親水性化する工程とを含む、請求項１に記載の配線金属層の形成方法。
【請求項３】
前記選択された領域を親水性にする工程は、所望のパターンを有するマスクを介してエキシマレーザ光、真空紫外線領域の光または紫外線領域の光を照射して形成する工程である、請求項１又は２に記載の配線金属層の形成方法。
【請求項４】
前記微粒子を結合させる工程は、不活性ガスまたは還元性ガスの雰囲気中で行う、請求項１に記載の配線金属層の形成方法。
【請求項５】
前記分散液を付着し、乾燥させる工程と、前記微粒子を結合させる工程とを含む工程を複数回行う、請求項１に記載の配線金属層の形成方法。
【請求項６】
さらに、前記結合された金属上に無電解めっき法もしくは電解めっき法により金属層を形成する工程を含む、請求項１に記載の配線金属層の形成方法。
【請求項７】
前記微粒子は、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｃｕ，ＳｎおよびＲｕのいずれか、もしくは前記金属を含む合金、Ｃｕ２Ｏを含む金属酸化物からなる、請求項１に記載の配線金属層の形成方法。
【請求項８】
前記親水性基は、カルボキシル基または水酸基を含む極性官能基である、請求項１に記載の配線金属層の形成方法。
【請求項９】
基板上の選択された領域に金属もしくは金属酸化物からなる微粒子の結合層を含む、配線金属層。
【請求項１０】
前記結合層上には金属めっき層が設けられていることを特徴とする、請求項９に記載の配線金属層。
【請求項１１】
前記配線金属層が拡散防止層で周囲が囲まれている、請求項１０に記載の配線金属層。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体集積回路装置のような半導体装置や液晶表示装置（ＬＣＤ）のような表示装置などに用いられる成膜方法、配線金属層の形成方法及び配線金属層に関し、特に電気配線用の金属配線を選択された領域に形成する配線金属層の形成方法及び配線金属層に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体集積回路装置、例えばＬＳＩ、ＵＬＳＩ等では、高い素子集積度や高い動作速度の実現のために行う回路内の信号伝達の高速化を図るべく、低い比抵抗を有する配線材料が要求される。
【０００３】
また、液晶表示装置では、大画面化による配線長の増加、高精細化のための微細化、多機能化のための周辺回路の付加、メモリ機能を付加するためのモノリシック化等に応じて、これまでのＡｌ、Ｔａ、Ｍｏ等よりも低い比抵抗を有する配線材料が要求される。
【０００４】
配線金属層の形成方法として、基板上の全面に金属層を形成し、レジストパターニング後に所望の領域以外の金属層をエッチングする方法や、所望の領域以外の金属層を、ＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）を含むダマシン法により研磨除去する方法がある（例えば、特許文献１および２を参照。）。
【特許文献１】特開平２００２−３５３２２２号公報（第４頁、図１）
【特許文献２】特開２００１−１８９２９５号公報（第２頁、図１）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、従来の配線金属層の形成方法では、配線の総面積が基板の面積に比べて数パーセントと非常に小さい。このため、基板上の全面に形成された金属層の大部分は除去される。その結果、原料的に高価な金属材料の使用効率が非常に低くなり、半導体装置や液晶表示装置の価格が高騰するという問題がある。
【０００６】
また、大型で、かつ、薄いガラス基板を用いる液晶表示装置の製造工程において、ガラス基板の全面に配線用金属層を形成するときに、該金属層の応力によりガラス基板に大きな反りが発生するという問題も生じる。
【０００７】
本発明の目的は、配線材料の省資源化を達成することができる配線金属層の形成方法および配線金属層を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明に係る配線金属層の形成方法は、基板上の選択された領域に配線金属層を形成する方法であって、前記領域を親水性とし他の領域を疎水性にする工程と、少なくとも前記親水性の領域に、親水性基を有する有機物により保護された金属または金属酸化物の微粒子を含む分散溶液を付着した後乾燥させる工程と、前記金属または金属酸化物の微粒子同士を結合させる工程とを含む。
【０００９】
好ましくは、前記親水性領域を形成する工程は、前記基板上の前記選択された領域に対応して表面が疎水性の層に親水性の開口部を形成するか、もしくは疎水性表面を親水性にすることを含む。
【００１０】
前記親水性領域を形成する工程は、所望のパターンを有するマスクを介してエキシマレーザ光、真空紫外線領域の光または紫外線領域の光とを用いることができる。
【００１１】
好ましくは、前記有機物を分離させ、前記金属または金属酸化物の微粒子を構成する金属同士を該金属の融点より低い温度で結合させる工程は、不活性ガスまたは還元性ガスの雰囲気中で加熱処理を行う。もしくは、紫外線照射を行うことで有機物を分解する工程を用いることが望ましい。もちろん、紫外線照射後に加熱処理したり、加熱処理しながら紫外線照射を行うようにしてもよい。
【００１２】
本発明に係る金属配線の形成方法は、前記分散液を付着した後乾燥させる工程と、前記金属同士を結合させる工程とを含む工程を複数回を行うことができる。
【００１３】
本発明に係る金属配線の形成方法は、さらに、前記結合された金属上に無電解めっき法により金属層を形成する工程を含むことができる。
【００１４】
前記微粒子は、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｃｕ、ＳｎおよびＲｕのいずれか、もしくは前記金属を含む合金、Ｃｕ２Ｏを含む金属酸化物からなるものとすることができる。
【００１５】
前記親水基は、カルボキシル基または水酸基を含む極性官能基とすることができる。
【００１６】
本発明に係る配線金属層は、基板上または積層板上の選択された領域に金属微粒子の結合層を含む。
【００１７】
本発明に係る配線金属層は、さらに、前記結合層上に形成された金属めっき層を有することができる。さらに、本発明に係る配線金属層は前記配線金属層の周囲を囲む拡散防止層を有することができる。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、配線材料を省資源化することができる。
【００１９】
また、前記配線金属層は、サブミクロンのような微細パターンも形成することができ、量産性にも優れる。また、配線材料の省資源化が図られ、従来の真空成膜法と比べて配線形成のための装置が安価で、生産性もよいという利点がある。
【００２０】
さらに、金属または金属酸化物の微粒子として約１ｎｍから約１００ｎｍの平均粒径を有する金属粒子を用いることができ、これによれば、金属粒子の径が小さくなるにつれて金属粒子の表面エネルギーが指数関数的に増大する特性に起因して、金属本来の融点よりもはるかに低い温度で金属粒子が結合（焼結）するので、半導体装置や液晶表示装置の製造工程の低温化に寄与するという利点がある。
【００２１】
加えて、配線用銅層の形成においては、通常バリアメタル上に無電解めっきを行う場合に必要とされているめっき触媒、例えばパラジウムイオンを含有するコロイドまたは有機錯体を付与および活性化する工程が不要になり、さらに、パラジウムイオンが不純物として混入することによる比抵抗の増加という問題も生じないという利点がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
実施例１
まず、有機物で保護された金属微粒子（以下「保護微粒子」という。）および保護微粒子を含む分散溶液（以下「微粒子分散溶液」という。）の製法について説明する。ここで、「微粒子」とは、約１〜約１００ｎｍの平均粒径を有する粒子、好ましくは、約２〜約３０ｎｍの平均粒径を有する粒子を意味し、いわゆる「ナノ粒子」である。
【００２３】
１１−メルカプトウンデカン酸（分子式  Ｃ１２Ｈ２４Ｏ２Ｓ  ）を含む溶液中で、塩化金（ＩＩＩ）酸を水素化ホウ酸ナトリウムで還元した後、クロロホルムで再沈殿精製して、２ｎｍの平均粒径を有する有機物保護金属微粒子を固体化する。このようにして固体化された有機物で保護された金属微粒子は、チオール（ＳＨ）基が金の微粒子と吸着し、もう一方の末端基としてカルボキシル基を有する。
【００２４】
保護微粒子は、末端基としてのカルボキシル基の存在により、各種アルコール、Ｎ，Ｎ′−ジメチルホルムアミド（以下「ＤＭＦ」という。）、テトラハイドロフラン（以下「ＴＨＦ」という。）等の極性溶媒に溶解するため微粒子分散溶液が容易に得られる。
【００２５】
基板とは、金属または金属酸化物の微粒子を含む分散液が付着される少なくとも親水性の表面を有するものをいう。
【００２６】
ガラスからなる基板１０上に配線金属層を形成する方法について、図１を参照して説明する。
【００２７】
まず、基板１０上に選択的に配線パターンを形成するために次のようにして疎水性領域に親水性の開口部を形成する。すなわち、図１（ａ）に示すように、親水性を有する基板１０例えばガラス基板上に疎水性表面を形成するためにシランカップリング剤の膜１２を、例えば蒸気吸着法または塗布法により形成する。次に、図１（ｂ）に示すように、配線パターン状に形成された開口を有するメタルフォトマスク１４を介して、膜１２の領域１６に１９３ｎｍの波長を有するＡｒＦレーザーによる光１８を照射する。膜１２にはメタルフォトマスク１４に形成された配線パターン状に光１８が入射する。領域１６は、メタルフォトマスク１４の配線パターン状に形成された開口に対応する領域である。
【００２８】
光１８により照射された膜１２の領域１６は、図１（ｂ）に示すように光分解・除去され、親水性を有するガラス基板の表面、即ち親水基である水酸基を有する親水性部分２０（図１（ｃ）を参照。）が露出される。これにより、基板１０の領域１６に対応する部分の表面は親水性を有するようになり、膜１２の領域１６以外の表面は疎水性領域のままである。
【００２９】
前記シランカップリング剤としては、例えばヘキサメチルジシラザン、ビニルトリクロロシラン、ビニルトリメトキシシラン等のシランカップリング剤を用いることができる。また、フッ素シランカップリング剤を用いることもできる。
【００３０】
前記シランカップリング剤は、真空紫外線光もしくは紫外線光照射により光分解・親水化する観点から、分子の大きさ程度の厚さにすることが望ましい。
【００３１】
次に、図１（ｃ）に示すように、保護微粒子２２をエタノール２４中に分散させた微粒子分散溶液をディスペンサーにて基板１０上に設ける。分散媒としては、揮発性の溶媒が望ましいが、極性溶媒であればよい。
【００３２】
前記微粒子分散溶液を基板１０上に設ける方法として、種々の方法を用いることができるが、材料効率の観点からディスペンサー塗布、インクジェット塗布、噴射、吹き付け等の局所的な塗布方法を用いることが望ましい。
【００３３】
図１（ｄ）に示すように、親水性部分２０の親水性基である水酸基に、保護微粒子２２がその金属微粒子２６を保護している１１−メルカプトウンデカン酸のカルボキシル基を介しての水素結合等の力が作用することと、溶媒として用いている極性溶媒の効果で、少なくとも一部の保護微粒子２２が親水性部分２０に引き寄せられる。
【００３４】
親水性基は、カルボキシル基または水酸基を含む極性官能基である。
【００３５】
次に、分散液の乾燥工程を行い保護微粒子２２を基板１０の親水性部分２０に固定する。固定方法として、極性溶媒（図１に示す例では、エタノール２４である。）の沸点にもよるが、室温から５０℃程度の温度範囲で極性溶媒を気化させることにより、保護微粒子２２を基板１０上の親水性部分２０への安定した固定化を行うことができる。
【００３６】
次に、金属微粒子２６同士を結合させる結合層を形成する工程を実行する。即ち、非酸化性雰囲気、例えば窒素からなる不活性ガス雰囲気中で保護している有機物２８が分解および気化する、例えば１８０℃以上の温度で、金属微粒子２６の金属同士を結合させる。これにより、図１（ｅ）に示すように、配線金属層３０が形成される。前記１８０℃は、金属微粒子２６を構成する金の融点より低い温度であるがナノサイズの微粒子では金属表面の表面エネルギーが増大するため結合が達成できる。この結果、金属からなる結合層が形成される。ここで、結合層を形成する工程としては、紫外線照射を行うことで有機物を分解する工程を用いてもよい。もちろん、紫外線照射後に加熱処理したり、加熱処理しながら紫外線照射を行うようにしてもよい。
【００３７】
配線金属層３０の厚さは、保護微粒子２２の濃度の調整により約２ｎｍから約５０ｎｍ程度の範囲で調整が可能である。膜１２の一部は前記１８０℃程度の温度下で気化されるが、配線金属層３０の形成後に、洗浄により膜１２のすべてを除去することが望ましい。
【００３８】
次に、図１（ｆ）に示すように、配線金属層３０を無電解めっきのシード層として無電解めっき法により、４００ｎｍの厚さを有する層厚増大用の金属層３２を形成する。例えば、配線金属層の低抵抗化のために金からなる配線金属層を形成し、この配線金属層をシード層として無電解めっき法で金よりも比抵抗の小さい銀または金−銀、金−銅等の合金からなる層厚増大用の金属層を形成する。
【００３９】
図１に示す例では、金属微粒子２６を保護する有機物２８としてカルボキシル基を有する１１−メルカプトウンデカン酸を用いるとした。これに代えて、親水性表面（親水性部分２０）への選択的な固定が可能な極性官能基を末端基に有するもの、例えば水酸基を有する１１−メルカプト−１−ウンデカノール（分子式  Ｃ１１Ｈ２４ＯＳ  ）を用いることもできる。
【００４０】
さらに、チオール基から極性官能基までの炭素鎖の長さも自由に選定することができる。低結合温度や低抵抗化の観点から、炭素鎖は短いことが望ましい。最も炭素鎖が短いメルカプト酢酸やメルカプトエタノールを用いてもよく、炭素鎖の短いものを用いることで１５０℃程度の温度下での結合も可能である。
【００４１】
また、金属微粒子２６として、図１に示す例では、金（Ａｕ）の微粒子を用いるとしたが、Ａｇ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｓｎ、Ｒｕ等の単体金属、それらの合金、またはＣｕ２Ｏ等の金属酸化物の微粒子を用いることもできる。
【００４２】
図１に示す例では、配線金属層３０の形成後、該配線金属層３０をシード層として用いて無電解めっき法により金属層３２を形成して層厚を増大させることを説明したが、図１の（ｃ）〜（ｅ）の工程を繰り返すことにより層厚を増大させてもよい。
【００４３】
図１に示す例では、親水性部分２０を形成するための光源として、ＡｒＦレーザーを用いるとしたが、Ｆ２、ＫｒＦ、ＸｅＣｌ等のエキシマーレーザー、紫外線領域および真空紫外線領域の光源を用いてもよい。
【００４４】
実施例２
図２に、多層配線についての適用例を示す。この例では、親水性の領域形成手段として、図２（ａ）に示すように、絶縁板１１例えばガラス板上に親水性の第１の配線金属層３４例えばアルミニウムからなる金属層を、例えば膜厚３００ｎｍ乃至４００ｎｍ形成し、これをパターニングする。この後、親水性の酸化シリコンからなる層間絶縁層３６を形成し、この層間絶縁層３６に配線金属層３０との電気的接触を形成するためのコンタクトホール３８を形成する。この実施例においては、基板は親水性の第１の配線金属層３４、親水性の層間絶縁層３６およびコンタクトホール３８を有するものである。
【００４５】
その後、図１（ａ）〜（ｆ）と同様の工程である図２（ａ）〜（ｆ）の工程を実施して、第１の配線金属層３４を含む層間絶縁層３６のコンタクトホール３８周辺に形成された親水性部分２０に保護微粒子２２を固定し、微粒子分散溶液を気化させ、有機物２８を分解および気化させ、金属微粒子２６の金属同士を結合させ、また無電解めっきにより層厚を増大化することにより、コンタクトホール３８を介して第１の配線金属層３４との間の電気的接続および配線金属層３０を形成することができる。
【００４６】
実施例３
この実施例は、親水性の領域形成手段として、図３（ａ）および図３（ｂ）に示すように、前記表面処理工程は、基板１０上に、シランカップリング剤の膜を形成する代わりに、表面が疎水性となるフォトレジスト、ポリイミド、フッ素樹脂等の感光性樹脂からなる層４０を形成し、通常の薄膜製造プロセスを用いて層４０に開口４２を形成し、親水性部分２０を形成する例である。親水性の開口４２の形成にあたってはネガ型、ポジ型のいずれを用いてもよく、また工程の簡素化のために感光性の樹脂層を用いることが望ましい。また、樹脂層の除去が不十分な場合は必要に応じてアッシングや洗浄等の処理を追加することが望ましい。
【００４７】
図３（ｃ）〜（ｆ）の微粒子分散液を付着させる工程および乾燥工程、金属同士を結合する工程、無電解めっきによる層厚増大化する工程は、図１（ｃ）〜（ｆ）と同様に行う。図１（ｇ）に示す工程は、感光性樹脂からなる層４０を剥離する工程である。
【００４８】
図３に示す例のように、例えばフォトレジスト樹脂層のように比較的層厚が大きい層４０を用いる場合、無電解めっき工程でのパターン幅は、層４０の開口４２で規定され、変化しないという利点がある。このため、前記した実施例２のような多層配線の場合でも疎水性領域に厚い樹脂層を用いても良いことは言うまでもない。
【００４９】
感光性樹脂にフォトレジストを用いた場合は、結合温度が高いとフォトレジストの剥離が難しくなるという問題が生じるため、金属微粒子を保護する有機物として炭素鎖が短いメルカプト酢酸やメルカプトエタノールを用いて、結合温度を１５０℃程度に下げることが望ましい。もしくは、紫外線照射を行うことで有機物の分解を促進することが望ましい。ポリイミドやフッ素樹脂からなる感光性樹脂層を層間絶縁層として用いる場合は、必ずしも剥離しなくてもよい。
【００５０】
実施例４
図４（ａ）に示すように、ガラスからなる基板１０上に、Ｃｕの不純物拡散に対するバリア性を有する窒化シリコン層４４及びＴｉＮからなる第１のバリアメタル層４８を形成する。金属微粒子としてＣｕ２Ｏを用いる。図４（ｃ）〜（ｆ）の微粒子分散液を付着、乾燥させ、金属同士を結合させ、無電解めっきによる層厚増大化する工程は、図１（ｃ）〜（ｆ）と同様に行う。疎水性樹脂層（層４０）にはフォトレジストを用いた。また、この実施例においては、基板は窒化シリコン層４４及び親水性のＴｉＮからなる第１のバリアメタル層４８を有するものである。
【００５１】
ベンゾチアゾールとポリエチレングリコールとを用いてＣｕについての保護微粒子を作する場合、Ｃｕの表面は非常に活性なため酸化されやすく、Ｃｕ２Ｏのように金属酸化物の微粒子になる。１０％の水素添加の窒素雰囲気中で加熱処理を施してＣｕ２Ｏを還元することにより、容易に銅からなる配線金属層を形成することができる。
【００５２】
銅からなる配線金属層をシード層として用いて、その後の銅の無電解めっき法もしくは電解めっき法による層厚増大化も同様に行うことができる。また、Ｃｕを配線材料として用いた場合は、Ｃｕの不純物拡散の問題や表面酸化の問題に対応するためにＣｕ配線を第２のバリアメタル層４６で覆うことが望ましい。
【００５３】
図４に示す配線金属層をボトムゲート型薄膜トランジスタのゲート電極として用いる場合、図４（ｇ）のようにＣｕの金属配線を形成した後に、この配線を囲むようにＣｏ−Ｗ−Ｂ等のバリアメタルをＣｕ金属配線の周囲に無電解めっき法で連続的に形成して拡散防止層（キャッピング層）を形成することが、不純物拡散およびゲート絶縁膜の形成プロセス時のダメージや酸化を防止する観点から望ましい。そして、銅配線及び周囲を覆った第２のバリアメタル層４６をマスクとして第１のバリアメタル層４８をエッチングして配線金属層を形成することで銅の不純物拡散を完全に防止することが望ましい。
【００５４】
さらに、配線金属層をゲート電極として用い、通常の方法により、ゲート絶縁層の形成、半導体層となるアモルファスシリコン層またはポリシリコン層の形成、ソースおよびドレイン電極の形成、また液晶表示装置用のアレイ基板の場合は画素電極の形成を行うことができる。ゲート電極配線のみならず、更にソースおよびドレイン電極に本発明に係る配線金属層の形成法および配線金属層を適用することもできる。
【００５５】
また、ボトムゲート型のトランジスタのみならず、トップゲート型のトランジスタにも適用することができる。例えば、基板上にアモルファスシリコン層を形成してレーザーアニールにより結晶化させた後パターニングする。ゲート絶縁層を形成した後、ゲート電極用の配線金属層を形成してパターンニングし、ソース・ドレイン部及びＬＤＤ（Ｌｉｇｈｔｌｙ  Ｄｏｐｅｄ  Ｄｒａｉｎ）部を形成するための不純物イオン注入を行い、その後層間絶縁層の形成後ソースおよびドレイン電極用のコンタクトホール形成する。次に、ソースおよびドレイン電極用の配線金属層を形成しパターニングする。このようなゲート電極用、ソースおよびドレイン電極用等の配線構造及び製造方法にも適用可能である。
【００５６】
実施例４のように銅を含む配線金属層を形成する場合には、まず、基板上またはコンタクトホールを形成した層間絶縁層上に第１のバリアメタルを形成する。次いで、感光性樹脂層を形成して所望の配線形成部分を親水化するための露光および現像を行う。前記Ｃｕ２Ｏの保護微粒子を含む分散液の塗布および乾燥、有機物の分離および金属同士の結合、無電解めっきを行い、感光性樹脂層の除去後に例えばＣｏ−Ｗ−Ｂの第２のバリアメタルを無電解めっき法によりＣｕ配線の周囲にキャッピングし、銅層およびキャッピング層をマスクにして第２のバリアメタルをエッチングする。配線銅層の周囲を完全に第１及び第２のバリアメタルで囲った配線の形成をすることが銅の拡散防止のために望ましい。
【００５７】
前記実施例では、親水性部分の形成を疎水性膜の選択的な排除により行うものとして説明したが、真空紫外線光または紫外線光を照射して親水性表面を形成することが可能な無機層または有機層を基板上に形成して配線金属層を形成するようにしてもよい。また、コロナ放電等の他の表面処理法で親水性部分を選択的に形成してもよい。
【００５８】
無機層としては、ＴｉＯ２等の光照射で親水性化する金属酸化物や有機層として、ポリイミド樹脂、フッ素樹脂等を用いることができる。さらに、基板としてガラス基板を用いたが、ポリイミド樹脂、フッ素樹脂等の有機材料を用いてもよい。
【００５９】
また、前記実施例１では、シランカップリング剤を光分解することにより親水性部分を形成するとしたが、紫外線照射により疎水性末端基が親水性基に変性するシランカップリング剤を用いて末端基に水酸基、カルボキシル基、アミノ基またはアミノカルボニル基の極性基を生じさせて親水性化してもよい。この場合には、図１（ｂ）のメタルフォトマスク１４の開口部に対応した膜１２の領域が親水性部分となるようにするものである。その後の工程は実施例１と同じようにすることで金属配線層を形成することができる。
【００６０】
また、保護微粒子の固定としては、１１−メルカプトウンデカン酸により有機物保護されたＡｕ微粒子のカルボキシル基と、トリフルオロ酢酸無水物とトリエチルアミンとの混合物を用いてＤＭＦ中で酸無水物にしたものを紫外線光照射により末端基にアミノ基を形成した親水性表面とを、例えばＴＨＦ中で反応させてアミド結合を形成させるような化学結合による固定化法を用いてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００６１】
【図１】本発明に係る金属配線層の形成方法の実施例を示す図である。
【図２】本発明に係る金属配線層の形成方法の他の実施例を示す図である。
【図３】本発明に係る金属配線層の形成方法のさらに他の実施例を示す図である。
【図４】本発明に係る金属配線層の形成方法のさらに他の実施例を示す図である。
【符号の説明】
【００６２】
１０  基板
１１  絶縁板
１２  膜
１４  メタルフォトマスク
１６  領域
１８  光
２０  親水性部分
２２  保護微粒子
２４  エタノール
２６  金属微粒子
２８  有機物
３０  配線金属層
３２  金属層
３４  第１の配線金属層
３６  層間絶縁層
３８  コンタクトホール
４０  層
４２  開口
４４  窒化シリコン層
４６  第２のバリアメタル層
４８  第１のバリアメタル層
【図１】
2004241758.tif 000003
【図２】
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【図３】
2004241758.tif 000005
【図４】
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