(57)【要約】【課題】記録マークの形成不良にともなう記録雑音の増加を抑えること。また磁気再生時に再生分解能の低下を抑えた記録マークの形成を行うこと。【解決手段】記録ヘッドを、光源と、光源から光を照射することにより近接場光を発生させて磁区配列を記録媒体上に形成して情報を記録する散乱体を有し、散乱体の外縁部分は、少なくとも２点以上の近接した頂点から構成され、かつ、頂点間の距離は、記録媒体上における記録トラック幅よりも短い構成とする。【効果】記録密度を向上させることが可能となり、情報記録再生装置の容量あたりのコスト低減，高い信頼性を実現することが可能となる。【選択図】　図１
2004005858.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光源と、
前記光源から光を照射することにより近接場光を発生させて磁区配列を記録媒体上に形成して情報を記録する散乱体とを有し、
前記散乱体の外縁部分は少なくとも２点以上の近接した頂点から構成されており、かつ、前記頂点間の距離は前記記録媒体上における記録トラック幅よりも短いことを特徴とする情報記録再生ヘッド。
【請求項２】
請求項１記載の情報記録再生ヘッドにおいて、さらに前記記録媒体表面からの漏洩磁束を検出する磁束検出素子とを有していることを特徴とする情報記録再生ヘッド。
【請求項３】
請求項１記載の情報記録ヘッドにおいて、前記散乱体を少なくとも２個備え、前記頂点部分が対向して配置されていることを特徴とする記録ヘッド。
【請求項４】
請求項１記載の情報記録再生ヘッドにおいて、前記散乱体の前記２点以上の近接した頂点の配列方向は、記録トラック方向と略直交していることを特徴とする情報記録再生ヘッド。
【請求項５】
請求項１記載の情報記録再生ヘッドにおいて、前記散乱体は、Ａｕで形成されていることを特徴とする情報記録再生ヘッド。
【請求項６】
請求項１記載の情報記録再生ヘッドにおいて、前記頂点部分近傍に磁界を発生させる記録コイルが形成されていることを特徴とする情報記録再生ヘッド。
【請求項７】
光源と、
前記光源から光を照射することにより近接場光を発生させて磁区配列を記録媒体上に形成して情報を記録する散乱体と、
前記散乱体の外縁部分は少なくとも２点以上の近接した頂点から構成されており、かつ、前記頂点間の距離は前記記録媒体上における記録トラック幅よりも短く、
前記記録媒体表面からの漏洩磁束を検出する磁束検出素子と、
前記情報を変換する符号器と、
前記変換結果に基づいて前記光源を駆動し、前記記録媒体上に前記情報に対応した磁区配列を形成する記録信号処理手段と、
前記磁束検出手段からの信号に前記変換の逆変換をして前記情報を復元する再生信号処理手段とを有することを特徴とする情報記録再生装置。
【請求項８】
請求項７記載の情報記録再生装置において、さらに前記散乱体を積載したスライダと、前記スライダを前記記録媒体の任意の位置に位置づける走査機構とを有することを特徴とする情報記録再生装置。
【請求項９】
情報記録媒体に対して光源から光を散乱体に照射して近接場光を発生させ、空豆型又は略矩形の記録磁区を形成することにより情報を記録することを特徴とする情報記録方法。
【請求項１０】
請求項９記載の記録方法において、前記空豆型の記録磁区は、トラック方向よりもトラック方向に垂直な方向の方が長い形状を有していることを特徴とする情報記録方法。
【請求項１１】
請求項９記載の記録方法において、前記空豆型の記録磁区のトラック中央付近とトラック端付近の磁壁を結んだ線がトラック方向に対して略直交していることを特徴とする情報記録方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、記録媒体に対して光的あるいは熱的な励起を行い該記録媒体の局所的な物理的性質を変化せしめて情報を記録する記録方法、その情報を再生する再生方法、または、記録機能を有する情報記録ヘッド，記録再生機能を有する情報記録再生ヘッド、またはそれらを用いた情報記録再生装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
日本国公開特許公報，特開平１０−２１５９８号公報に見られる「光磁気再生および磁気再生の両方が可能な従来の情報記録媒体およびその記録再生装置」（第１の従来技術）においては、記録媒体上に形成された光磁気記録膜に対して光源からの記録光を基板越しに照射，加熱して反転磁区を形成することにより記録を行っていた。また情報の再生は、前述の光磁気記録膜に対して光源からの再生光を基板越しに照射して反射光の偏光面の回転を検出すること、および光磁気記録膜上に第２の磁性層を形成し、この第２の磁性層から漏洩磁束再生を行うことによって行われていた。
【０００３】
また日本国特許公報，特許２６６５０２２号公報に見られる「磁気ヘッド及びその製造方法」（第２の従来技術）においては、光パルス磁界変調記録等によって形成された略三日月状の記録磁区に対応するために、記録感度分布が湾曲した磁気抵抗効果素子を利用する方法が開示されていた。
【０００４】
また日本国公開特許公報，特開２０００−３５３３０１号公報に見られる「情報記録再生装置」（第３の従来技術）においては、表面に凹凸構造を有する基体表面に製膜された垂直磁気記録膜上の記録磁区によって情報を保持する記録媒体を用いる情報記録再生装置において、ランド上にトラック中心を置きトラック直交方向の幅がランド幅以上である前記記録磁区を形成し、記録密度を向上させる方法が開示されていた。
【０００５】
さらに日本国公開特許公報、特開平１１−１２６３８５号公報に見られる「光磁気記録媒体、その製造方法、および光磁気記録再生装置」（第４の従来技術）においては、磁界変調記録方式により、磁性層に形成される磁壁は、磁性材料のキュリー温度の等温線の後部に沿って円弧状に形成され、磁化領域の形状は三日月型となることが記載されている。
図７は例えばレンズによって回折限界まで絞り込まれた光スポットのように従来の単一ピークの光スポットによる記録再生ヘッドを用い、垂直記録膜に対して光パルス磁界変調記録を実施した場合の記録過程の例を詳細に説明した従来技術における光パルス磁界変調記録方式による記録過程の例を詳細に説明した図である。光パルス磁界変調記録方式は、熱磁気記録の一種である光パルス磁界変調記録として広く知られた記録方式である。以下に説明する通り光パルス磁界変調記録では記録磁区のサイズ（走査方向の磁壁間隔）が光スポットによる記録媒体の励起領域サイズに律則されにくいため、特に微小な記録磁区の形成において有利な方法である。なお本明細書中の説明においては光パルス磁界変調記録方式による記録磁区形状を例にとって説明を行っているが、これは記録方式を光パルス磁界変調記録方式に限定する意図のものではなく、他の熱磁気記録方式であるＤＣ光磁界変調記録方式または光変調記録方式等に対しても有効である。
【０００６】
今、記録時に記録データ７００が与えられたものとする。記録データ７００は記録膜上における光スポットによる加熱位置近傍に記録バイアス磁界７０２を発生する。この記録バイアス磁界７０２は記録膜に垂直に印加される。同時にレーザ発光強度７０１で示す通り、記録トラックに沿った記録磁区長の最小変化単位（検出窓幅）に同期したパルス状に光源が駆動され、記録膜に照射される。光照射によって加熱された領域では記録膜の保磁力が低下して記録バイアス磁界７０２の絶対値を下回り、その領域の磁化が記録バイアス磁界７０２の方向にならって、記録磁区７０３に示される通り１回の光パルスの照射では略円形の領域の磁化方向が決定される。記録膜は光スポットの走査にともない加熱領域の中心を一定間隔で移しながら間欠的に加熱，冷却を繰り返されるので、光パルスの照射間隔を短縮してゆくと前記の略円形の領域がたがいに重なり合い、光パルスの照射ごとにあたかも三日月状の記録磁区が形成されるかのようになる。図７中の記録磁区７０３はこの記録磁区形状を模式的に表したもので、レーザ発光強度７０１および記録バイアス磁界７０２に示された通りの記録動作を行った場合に形成される記録膜上の記録磁区形状を記録膜真上から見たものである。図７中において光スポットは左から右に向かって走査し、記録バイアス磁界が正の場合には紙面上向き方向の磁区（メッシュを施した領域）が、記録バイアス磁界が負の場合には紙面下向きの磁区（無色の領域）が形成される。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
一般にレンズを用いて回折限界まで絞り込まれた光スポットを用いて熱磁気記録を行う場合には、光パルス磁界変調記録による方法が、記録パワー・マージンを大きく確保できて有利とされている。この光パルス磁界変調記録においては、レンズを用いて回折限界まで絞り込まれた単一ピークの略円形光スポットを用いた場合、１回の光パルス照射ごとに略円形領域の磁化方向が決定されるため、結果的に記録磁区が三日月状となる。しかし三日月状磁区を直線状の感度分布を有する通常の磁束検出手段（例えばＧＭＲ素子）を用いて再生を行う場合には、再生分解能が低下する問題が存在する。これは磁束検出手段が磁壁上を通過するタイミングがトラック中心からの距離によって異なり、記録磁区からの応答波形が時間軸方向に広がるためである。また第４の従来技術の第１１図およびこれに対応する説明部分に記載されているように、三日月状の記録磁区の先端では磁壁が非常に接近するため、磁区形成が不安定となって予期せぬ磁区形状を発生しやすい。この部分からの応答は本来記録されたユーザ・データとは異なる雑音（記録雑音）であるので、正常なユーザ・データ再生の妨げとなる。このように第１あるいは第４の従来技術では再生信号の分解能および雑音の問題から記録密度を十分に向上させることができず、情報記録再生装置のサイズおよび情報記録再生装置の製造コスト，信頼性等の点で不利であった。
【０００８】
また第２の従来技術では、磁気抵抗効果素子の中心と記録磁区列の中心（記録トラック）がオフセットした場合に大幅な分解能低下が生じるため、記録時と再生時との間でのトラック・オフセット量を極めて小さく抑える必要が生じていた。また湾曲した感度分布を有する磁気抵抗効果素子を形成することが難しく、結果的に情報記録再生装置の製造コストの点できわめて不利であった。
【０００９】
さらに第３の従来技術では、記録媒体の基体表面に凹凸構造を形成するため媒体製造のプロセスが複雑となり、情報記録媒体のコストの点で不利であった。また動圧力を用いた記録再生ヘッド・スライダを記録媒体表面から極めて近い位置に浮上させる場合には記録媒体とヘッド・スライダ間の空気膜剛性が低下してスライダのクラッシュが生じやすく、情報記録再生装置の信頼性の点で不利であった。
【００１０】
図７を用いて説明する。三日月状磁区の先端付近では磁壁同士が非常に接近し不安定となって、記録時の熱分布を反映しない予期せぬ磁区形状を発生しやすい。記録磁区からの情報再生を行う場合、そのような予期せぬ磁区形状部分からの応答は本来記録された情報とは異なる雑音（記録雑音）となるので、正常なユーザ・データ再生の妨げとなる。さらに記録磁区７０３を通常のＧＭＲ素子を用いて磁気再生した場合の再生信号波形を、ＧＭＲ再生信号７０４に示す。記録磁区７０３のような記録磁区を磁気再生する場合には全体的に磁壁が湾曲しているためにトラック中央付近とトラック両端付近では再生信号に寄与する位相が異なり、再生信号の分解能低下を生ずる問題がある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
以上の問題を解決する目的で、情報の記録を行う記録ヘッドを、記録媒体表面を走査するスライダと、前記スライダに積載され記録エネルギーを供給する光源と、前記スライダの表面近傍に前記記録媒体に対向して形成され前記光源から光照射を受け前記記録媒体を光的もしくは熱的に励起して局所的な物理的性質を変化せしめて情報を記録する散乱体とを有し、前記記録媒体に物理的性質の変化を生じせしめる強い近接場光が発生する前記散乱体の外縁部分は少なくとも２箇所以上の近接した頂点から構成されており、なおかつ前記頂点間の距離は前記記録媒体上における記録トラック幅よりも短い構成とする。
【００１２】
また前述の目的を解決する目的で、情報の記録および再生を行う記録再生ヘッドを、記録媒体表面を走査するスライダと、前記スライダに積載され記録エネルギーを供給する光源と、前記スライダの表面近傍に前記記録媒体に対向して形成され前記光源から光照射を受け前記記録媒体を光的もしくは熱的に励起して局所的な磁気的性質を変化せしめて情報を記録する散乱体と、前記スライダに積載され前記記録媒体表面からの漏洩磁束を局所的に検出する磁束検出素子とを有し、前記記録媒体に物理的性質の変化を生じせしめる強い近接場光が発生する前記散乱体の外縁部分は少なくとも２箇所以上の近接した頂点から構成されており、なおかつ前記頂点間の距離は前記記録媒体上における記録トラック幅よりも短い構成とする。
【００１３】
さらに前述の目的を解決する目的で、光的あるいは熱的な励起を受けることによって引き起こされる局所的な磁気的性質の変化によって情報を保持する記録媒体を用いる情報記録再生装置において、前記記録再生ヘッドと、ユーザ・データに所定の変換を施した変換結果に基づいて前記光源を駆動して前記記録媒体上にユーザ・データに対応した磁区配列を形成する記録信号処理手段と、前記磁束検出手段からの信号に前記変換の逆変換を施しユーザ・データを復元する再生信号処理手段と、前記スライダを前記記録媒体の任意の位置に位置づける走査機構とを備える。
【００１４】
情報の記録方法について説明する。ユーザ・データを符号器で変換し、記録データを得る。得られた記録データは、記録は計発生回路を介して記録コイル駆動回路に伝えられ、記録膜上の強い近接場光による加熱位置近傍に記録バイアス磁界を発生する。記録バイアス磁界は記録膜に垂直に印可される。同時に、レーザ駆動回路は、記録トラックに沿った記録磁区庁の最小変化単位に同期したパルス状に半導体レーザを駆動する。近接場光によって加熱された領域では記録膜の保持力が低下して記録バイアス磁界の絶対値を下回り、その領域の磁化が記録バイアス磁界の方向にならって、１回の光パルスの照射では空豆型又は略矩形の領域の磁化方向が決定される。記録膜は、金属散乱体の走査にともない加熱領域の中心を一定間隔で移しながら間欠的に加熱、冷却を繰り返し、光パルスの照射間隔を短縮していくと、略矩型の領域が互いに重なり合い、光パルスの照射毎により細長い略矩型の記録磁区が形成されて記録が行われる。
【００１５】
情報の再生時には、上記の方法で情報が記録された媒体上を、ＧＭＲ素子で走査し、再生信号を得る。再生信号は、ユーザ・データが符号器において変換された結果である記録データを反映しており、必要に応じて増幅、等化、２値化、複合等の処理をされてユーザ・データに復元される。
【００１６】
以上により、特に高線密度記録に有利である光パルス磁界変調記録を用いた場合でも、微細な磁区構造の形成不良にともなう記録雑音の増加が抑えられる。また記録トラック中央付近での記録磁区の磁壁の湾曲が減少し、これに起因する磁気再生時の再生分解能の低下が抑えられる。このため製造が難しい磁束検出手段等を用いたり、記録時と再生時との間で許容されるトラック・オフセット量を極めて小さく抑える必要がなくなるにもかかわらず記録密度を向上させることが可能となり、情報記録再生装置のサイズおよび情報記録再生装置の製造コスト，信頼性等の点できわめて有利となる。
【００１７】
【発明の実施の形態】
以下、図面を用いて本発明の具体的な実施形態について詳細に説明する。
【００１８】
図１は本発明による記録再生ヘッドの構成例を示した図である。基板１０６と基板１０６上に製膜された記録膜１０７からなる記録媒体の表面を所定の距離を隔てながら走査するスライダ１０１の背面（記録媒体に対向する面とは反対の面）には記録用光源である半導体レーザ１００が積載されている。半導体レーザ１００の発振光波長は７８５ｎｍである。この半導体レーザから放出されたレーザ光１０９はスライダ底面（記録膜に対向する面）に形成された金属散乱体１０２上に照射される。金属散乱体１０２は光の照射を受けるとその内部にプラズモンが励起され、その結果として金属散乱体１０２の近傍に強い近接場光１０８が生じる。金属散乱体１０２は厚さ２０ｎｍのＡｕ薄膜であり、その形状は半導体レーザ１００側から見て凸頂点，凹頂点からなる略五角形となっている。半導体レーザ側から見て、金属散乱体１０２外縁の長さの等しい２辺の成す角は３０°、２辺の長さは２００ｎｍとした。記録膜１０７を光的もしくは熱的に励起するための強い近接場光１０８が発生する部分は金属散乱体１０２外縁の内の近接した３つの頂点からなっており、凹頂点が凸頂点に挟まれる配置となっている。これらの頂点部分の曲率半径は凸頂点，凹頂点ともに約２０ｎｍとした。なお本明細書中における「頂点」とは、「光源からの光の進行方向に垂直な面に散乱体の形状を射影した時に、射影図形において隣接部分に比して曲率半径が小さい狭い領域に対応する部分」のことを指し、「辺」とは「光源からの光の進行方向に垂直な面に散乱体の形状を射影した時に、射影図形において隣接部分に比して曲率半径が大きい連続的な領域に対応する部分」のことを指すものとする。なお第１〜４図においては、記録再生ヘッドの内部構造をより明確に示すため、スライダ背面手前側の辺の描写を一部省略している。スライダ１０１の底面には金属散乱体１０２を取り囲むようにＣｕ配線による記録コイル１０４が形成されている。この記録コイル１０４は、記録媒体に熱磁気記録を行う上で必要な記録バイアス磁界を記録媒体面に対して垂直方向に発生させるために用いられる。記録コイル電極１０５は記録コイル１０４に駆動電流を流すための引き出し端子である。さらにスライダ１０１側面には磁束検出素子であるＧＭＲ素子１０３が設けられている。
【００１９】
図２は本発明による記録再生ヘッドの構成例のうち、金属散乱体２０２が他の形状を取る場合の例を示した図である。ここでは金属散乱体２０２は厚さ２０ｎｍのＡｕ薄膜で半導体レーザ２００側から見て略七角形の形状をしており、記録膜２０７を光的もしくは熱的に励起するための強い近接場光２０８が発生する部分は金属散乱体２０２外縁の内の近接した５つの頂点からなっており、３点の凸頂点と２点の凹頂点が交互に配置されている。これらの頂点部分の曲率半径は凸部，凹部ともに約２０ｎｍとした。
【００２０】
図３および図４は本発明による記録再生ヘッドの構成例のうち、金属散乱体がさらに他の配置，形状を取る場合の例を示した図である。図３は図１と同一の金属散乱体を２個備え、近接場光３０８を発生させる頂点部分を対向させて配置しており、図４は図２と同一の金属散乱体を２個備え、近接場光４０８を発生させる頂点部分を対向させて配置させた構成となっている。各金属散乱体間の距離は３０ｎｍである。
なお本明細書中では金属散乱体の形状が略五角形ないしは略七角形の例をあげて説明を行っているが、散乱体の形状は所望の記録マーク（記録磁区）形状，すなわち記録媒体を光的もしくは熱的に励起して局所的な物理的性質を変化せしめる近接場光の発生領域の形状に応じて適宜調整されるべき物であり、必ずしも多角形に限定されるものではない。また光源である半導体レーザから励起光の照射を受けて内部にプラズモンが励起され得る条件であれば、金属散乱体の材質，大きさ，厚み等は限定されるものではない。同様に半導体レーザは一般的な単一縦モード型の素子であるが、金属散乱体内部にプラズモンを励起し、金属散乱体近傍に強力な近接場光を発生可能であれば、その光出力，発振波長，内部構造等が特別に限定されるものではない。さらに本発明による記録ヘッドは、磁束検出手段等を同一スライダに積載すること等による磁気再生方式との組み合わせにおいてより良好な効果を得ることができるものであるが、記録コイル１０４，記録コイル電極１０５およびＧＭＲ素子１０３は、熱磁気記録媒体を例にあげて今後説明を行うために必要な素子であり、本発明の金属散乱体を用いた近接場光による低雑音記録動作に直接関係するものではない。
【００２１】
図５は本発明による記録再生ヘッドにおいて、金属散乱体によって発生される近接場光および記録媒体の加熱の様子を説明する図である。図５（ａ）は金属散乱体の形状をｚ軸正方向（紙面鉛直上方向）から見た図である。金属散乱体はｚ軸方向に厚さ３０ｎｍを持つＡｕ薄膜であり、その外周部は曲率半径１５ｎｍの凹頂点，およびそれを挟んで隣接する曲率半径２５ｎｍの２カ所の凸頂点，さらにこの凸頂点に連続する直線部分，曲率半径２５ｎｍの凸部および曲率半径１５０ｎｍの円弧の組み合わせから構成されている。図中の数字は金属散乱体外縁形状の曲率半径を表している。直線部分の成す角は６０°であり、散乱体のｘ方向への長さは１５０ｎｍである。なお第１〜４図による実施形態の説明例では金属散乱体の形状は略多角形としていたが、例えば図５（ａ）に示す通り、外周部が厳密に多角形で構成されていることは必ずしも本発明における金属散乱体の必須条件ではない。
【００２２】
図５（ｂ）は図５（ａ）の金属散乱体を厚さ１５ｎｍのＴｂＦｅＣｏ記録膜表面から１０ｎｍの距離に配置し、波長７８５ｎｍのｘｙ面に平行な平面波を照射した場合の、ＴｂＦｅＣｏ記録媒体表面における近接場光分布のシミュレーション結果である。図中の実線は近接場光の等強度線，破線は金属散乱体の外縁形状であり、数字は入射光に対する近接場光の強度比を示す。光源からの励起光照射による金属散乱体内におけるプラズモンの励起により、ｘ軸正方向（図中右側）の凸頂点２カ所に入射光の２００倍を上回る強力な近接場光が生じている。
【００２３】
図５（ｃ）は前述の条件におけるＴｂＦｅＣｏ記録膜の表面温度分布のシミュレーション結果である。金属散乱体はＴｂＦｅＣｏ記録膜に対して相対速度１ｍ／ｓでｘ軸正方向に移動しており、照射時間１００ナノ秒の光パルスが照射されたものとした。実線は等温度線，破線は金属散乱体の外縁形状であり、数字は室温からの上昇温度を示す。熱磁気記録によってＴｂＦｅＣｏ記録膜に形成される記録磁区形状は、記録膜組成で決定される所定の記録温度の等温線にほぼ一致する。そこでこの記録温度を室温＋１５０℃とすれば、光パルスの照射によって室温＋１５０℃の等温線と同じ形状の空豆型又は略矩形の記録磁区（記録マーク）が形成できることになる。
【００２４】
図６は図１で示された本発明による記録再生ヘッドを用いた情報記録再生装置の構成例を示した図である。まず記録または再生動作に並行して行われる記録，再生位置情報の取得について説明する。すなわち基板６１６上および基板６１６上に製膜された記録膜６１５からなる記録媒体６２０上にはあらかじめその製造時に、記録媒体６２０上における物理的位置を示す情報（アドレス情報）が一定の変換規則に従って表された磁区配列として記録されている。このため磁束検出手段であるＧＭＲ素子６１３が記録媒体６２０の表面を走査すると、その表面における磁区配列を反映した信号，すなわちアドレス情報を示す信号がＧＭＲ素子６１３より出力される。ＧＭＲ素子６１３のこの出力信号は増幅器６１０によって必要なレベルまで増幅された後に、復号器６０６，アクチュエータ駆動回路６０９およびアドレス認識回路６０５に入力される。アドレス認識回路６０５はＧＭＲ素子６１３からの信号からスライダ６１４の走査位置を解析し、システム・コントローラ６０４に伝達する。システム・コントローラ６０４はＧＭＲ素子６１３の位置情報および外部機器からの記録再生要求に従って、アクチュエータ駆動回路６０９，記録コイル駆動回路６０７，レーザ駆動回路６０８の制御を適宜行う。アクチュエータ駆動回路６０９はシステム・コントローラ６０４からの指示およびＧＭＲ素子６１３からの信号に従って、記録媒体６２０上の所望の位置を金属散乱体６１７およびＧＭＲ素子６１３が走査するようにＶＣＭ（Ｖｏｉｃｅ　Ｃｏｉｌ　Ｍｏｔｏｒ）６１１の駆動を行う。ＶＣＭ６１１はこの駆動信号に従いジンバル・アーム６１９の先に固定されたスライダ６１４を移動させ、記録媒体６２０上の任意位置に位置づける。スライダ６１４上には、半導体レーザ６１２，金属散乱体６１７，ＧＭＲ素子６１３，記録コイル６１８が積載されていることは前述した通りである。
【００２５】
情報の記録時においては、記録すべきユーザ・データ６００が外部機器とのインタフェース回路６０１を介してシステム・コントローラ６０４に送り込まれ、必要に応じてエラー検出，訂正情報等の付加後、符号器６０３に伝えられる。符号器６０３はユーザ・データ６００を（１，７）変調後ＮＲＺＩ変換を施し、記録媒体６２０上の記録磁区の配列を反映した信号を生成する。記録波形発生回路６０２はこの信号を参照し、記録バイアス磁界の制御信号およびレーザ発光強度の制御信号を発生する。磁気コイル駆動回路６０７はシステム・コントローラ６０４からの指示を受け、記録バイアス磁界の制御信号に従って記録コイル６１８を駆動し、金属散乱体６１７によって強い近接場光が発生される部分に記録バイアス磁界を発生する。またレーザ駆動回路６０８もシステム・コントローラ６０４からの指示を受け、レーザ発光強度の制御信号に従って記録エネルギー源である半導体レーザ６１２を駆動する。半導体レーザ６１２から出射されたレーザ光６２１は金属散乱体上６１７に照射され、金属散乱体６１７はその形状で決まる近傍領域に強い近接場光を発生させ、記録膜６１５を加熱する。ここで近接場光による加熱領域は記録コイル６１８による記録バイアス磁界の印加領域に比べて広いものとする。記録膜６１５は膜面垂直方向に磁化容易軸を有する垂直磁気記録膜（例えばＴｂＦｅＣｏアモルファス合金膜やＰｔ／Ｃｏ多層膜等）であり、常温での保磁力は外部から印加される記録バイアス磁界よりも高く、記録時のレーザ光による加熱時の保磁力は記録バイアス磁界よりも低い。この構成を取ることにより、後述する通りレーザ光による加熱および記録バイアス磁界を制御することにより、記録膜上に所望の記録磁区を形成することができる。
【００２６】
情報の再生時においては、記録膜６１５表面をＧＭＲ素子６１３によって走査し、記録磁区の配列を反映した信号を検出する。記録磁区の配列を反映したＧＭＲ素子６１３の出力信号は増幅器６１０によって必要なレベルまで増幅された後に、アクチュエータ駆動回路６０９，復号器６０６およびアドレス認識回路６０５に入力される。復号器６０６は符号器６０３の逆変換を施すことにより記録されていたデータを復元し、復元結果をシステム・コントローラ６０４に伝える。システム・コントローラ６０４は必要に応じてエラー検出，訂正等の処理を行い、インタフェース回路６０１を介して再生されたユーザ・データ６００を外部機器に送り出す。
【００２７】
なおここでは図２〜図４で示された本発明による記録再生ヘッドを用いた情報記録再生装置の構成例を特別には示さないが、それらに対する構成例は図２の記録再生ヘッド部分を適宜置換したものとして差し支えない。
【００２８】
図８は図６で示された本発明による情報記録再生装置の動作例を詳細に説明した図である。今、記録時にユーザ・データ６００が符号器６０３で変換され、記録データ８００が得られたものとする。記録データ８００は記録波形発生回路６０２を介して記録コイル駆動回路６０７に伝えられ、記録膜６１５上の強い近接場光による加熱位置近傍に記録バイアス磁界８０２を発生する。この記録バイアス磁界８０２は記録膜６１５に垂直に印加される。同時にレーザ駆動回路６０８はレーザ発光強度８０１で示す通り、記録トラックに沿った記録磁区長の最小変化単位（検出窓幅）に同期したパルス状に半導体レーザ６１２を駆動する。強い近接場光によって加熱された領域では記録膜６１５の保磁力が低下して記録バイアス磁界の絶対値を下回り、その領域の磁化が記録バイアス磁界の方向にならって、記録磁区８０３に示される通り１回の光パルスの照射では空豆型又は略矩形の領域の磁化方向が決定される。記録膜６１５は金属散乱体の走査にともない加熱領域の中心を一定間隔で移しながら間欠的に加熱，冷却を繰り返されるので、光パルスの照射間隔を短縮してゆくと前記の空豆型又は略矩形の領域がたがいに重なり合い、光パルスの照射ごとにより細長い空豆型又は略矩形の記録磁区が形成されるかのように記録が行われる。図８中の記録磁区８０３はこの記録磁区形状を模式的に表したもので、レーザ発光強度８０１および記録バイアス磁界８０２に示された通りの記録動作を行った場合に形成される記録膜６１５上の記録磁区形状を記録膜６１５真上から見たものである。図８に示されているように、空豆型又は略矩形の記録磁区８０３は、トラック方向よりもトラック方向に垂直な方向の方が長い形状を有している。ここにおいて、空豆型の記録磁区８０３トラック中央付近とトラック端付近の磁壁を結んだ線がトラック方向に対して略直交している。図８中において近接場発生領域（スライダ）は左から右に向かって走査し、記録バイアス磁界が正の場合には紙面上向き方向の磁区（メッシュを施した領域）が、記録バイアス磁界が負の場合には紙面下向きの磁区（無色の領域）が形成される。本発明による記録再生ヘッドを用いた記録では、強い近接場光の発生領域が複数の近接場光源の連なった物であるため、前述した単一ピークの光スポットによる記録再生ヘッドを用いた場合に比べ、トラック中央部付近の記録膜における記録時等温線の曲率を小さく（平均的な曲率半径を大きく）することができる。情報の再生時には記録媒体６２０上をＧＭＲ素子６１３で走査し、再生信号を得る。再生信号はユーザ・データ６００が符号器６０３において変換された結果である記録データ８００を反映しており、必要に応じて増幅，等化，２値化，復号等の処理を施されてユーザ・データ６００に復元される。記録磁区８０３をＧＭＲ素子８１３を用いて磁気再生した場合の再生信号波形をＧＭＲ再生信号８０４に示す。本発明による記録では、図７を用いて前述した従来技術による記録に比してトラック中心部分における記録磁区の湾曲が小さく、その結果ＧＭＲ再生信号８０４のエッジ部分はＧＭＲ再生信号７０４のエッジ部分に比して急峻な立ち上がりおよび立ち下がりを示している。すなわちＧＭＲ再生信号８０４はＧＭＲ再生信号７０４に比して分解能が高く、情報記録再生装置のサイズおよび情報記録再生装置の信頼性等の点できわめて有利となる。またＧＭＲ素子の中心と記録トラックの中心がオフセットした場合でも大きな分解能低下が生じないため、記録時と再生時との間で許容されるトラック・オフセット量が緩和され、さらにトラック両端部分においても磁壁同士が必要以上に接近しないため高密度記録時でも雑音の発生が少なく、情報記録再生装置のサイズ，製造コスト，信頼性の点できわめて有利となる。
【００２９】
なお本発明では記録膜のトラック中央部付近における記録時等温線の曲率をなるべく小さくすることが目的であるから、必然的に記録媒体に対する記録再生ヘッドの走査方向，すなわち記録トラックの方向は、図８中の記録磁区８０３における金属散乱体の模式図に示されているごとく、前記記録媒体に物理的性質の変化を生じせしめる強い近接場光が発生する頂点の配列方向に対しておおむね直交していることが望ましい。またさらにこの場合には記録トラックの幅は１回の光パルス照射ごとに擬似的に形成される磁区の幅に等しいので、前記記録媒体に物理的性質の変化を生じせしめる強い近接場光が発生する頂点間の距離は、必然的にこの記録トラックの幅よりも短くなる。
【００３０】
【発明の効果】
本発明によれば、光的あるいは熱的な励起を受けることによって引き起こされる局所的な物理的性質の変化によって情報を保持する記録媒体を用いる記録ヘッド，記録再生ヘッドおよび情報記録再生装置において、微細な記録マーク構造の形成不良にともなう記録雑音の増加が抑えられる。また記録トラック中央付近における記録マークの形状を再生信号検出素子の再生特性に合わせて制御することが出来るので、記録媒体からの再生能力を高めることも可能となる。以上により製造がきわめて困難な再生信号検出素子等を用いることなく記録密度を向上させることが可能となり、情報記録再生装置のサイズおよび情報記録再生装置の製造コスト上昇を抑え、同時に高い信頼性を実現することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による記録再生ヘッドの構成例を示した図。
【図２】本発明による記録再生ヘッドの構成例のうち、金属散乱体２０２が他の形状を取る場合の例を示した図。
【図３】本発明による記録再生ヘッドの構成例のうち、金属散乱体がさらに他の配置，形状を取る場合の例を示した図。
【図４】本発明による記録再生ヘッドの構成例のうち、金属散乱体がさらに他の配置，形状を取る場合の例を示した図。
【図５】本発明による記録再生ヘッド内において、金属散乱体によって発生される近接場光および記録媒体の加熱の様子を説明する図。
【図６】図１で示された本発明による記録再生ヘッドを用いた情報記録再生装置の構成例を示した図。
【図７】従来の単一ピークの光スポットによる記録再生ヘッドを用い、垂直記録膜に対して光パルス磁界変調記録を実施した場合の記録過程の例を詳細に説明した図。
【図８】図６で示された本発明による情報記録再生装置の動作例を詳細に説明した図。
【符号の説明】
１００，２００，３００，４００，６１２…半導体レーザ
１０１，２０１，３０１，４０１，６１４…スライダ
１０２，２０２，３０２，４０２，６１７…金属散乱体
１０３，２０３，３０３，４０３，６１３…ＧＭＲ素子
１０４，２０４，３０４，４０４，６１８…記録コイル
１０８，２０８，３０８，４０８…近接場光
１０９，２０９，３０９，４０９，６２１…レーザ光
６００…ユーザ・データ
６０４…システム・コントローラ
６０７…記録コイル駆動回路
６０８…レーザ駆動回路
６０９…アクチュエータ駆動回路
６２１…レーザ光
７００，８００…記録データ
７０１，８０１…レーザ発光強度
７０２，８０２…記録バイアス磁界
７０３，８０３…記録磁区
７０４，８０４…ＧＭＲ素子再生信号。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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