(57)【要約】【課題】表示装置に用いたときに優れた解像度と高い輝度とを得ることができる蛍光体薄膜およびこの蛍光体薄膜を発光層として用いた発光素子を提供する。【解決手段】蛍光体薄膜１２は、基板１０に設ける。基板１０と蛍光体薄膜１２との間に、または、蛍光体薄膜１２の表面に、それぞれ電極１４ａ、１４ｂが形成される。蛍光体薄膜１２は、無数の細孔１６を有する多孔質膜１８の、その無数の細孔１６中に蛍光体粒子２０が含まれた構造を有する。細孔１６は、多孔質膜１８を貫通する貫通孔である。【選択図】　　　図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
多孔質薄膜の細孔中に蛍光体粒子を含んでなることを特徴とする蛍光体薄膜。
【請求項２】
前記蛍光体粒子の平均粒径が１μｍ以下であることを特徴とする請求項１記載の蛍光体薄膜。
【請求項３】
前記多孔質薄膜の屈折率が前記蛍光体粒子の屈折率よりも小さいことを特徴とする請求項１または２に記載の蛍光体薄膜。
【請求項４】
前記多孔質薄膜は陽極酸化法により細孔が形成されてなることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の蛍光体薄膜。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１項に記載の蛍光体薄膜を発光層として有することを特徴とする発光素子。
【請求項６】
基板および透明電極を含み、
前記蛍光体薄膜と該基板との間に該透明電極を有することを特徴とする請求項５記載の発光素子。
【請求項７】
基板および金属電極を含み、
前記蛍光体薄膜を挟んでその両側に該基板および該金属電極を有することを特徴とする請求項５記載の発光素子。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、蛍光体薄膜および発光素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】
次世代の画像表示装置として、薄型で自発光型である、電界放出型表示装置（Ｆｉｅｌｄ　Ｅｍｉｓｓｉｏｎ　Ｄｉｓｐｌａｙ）や薄膜エレクトロルミネッセンス表示装置（Ｔｈｉｎ　Ｆｉｌｍ　Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ　　Ｄｉｓｐｌａｙ）等が注目を集めている。
【０００３】
従来、これらの表示装置の発光層として、前者の電界放出型表示装置では蛍光体粒子が、また後者の薄膜エレクトロルミネッセンス表示装置では蛍光体薄膜が、それぞれ検討されている。
【０００４】
発光層として前者の蛍光体粒子を用いる場合、蛍光体粒子を樹脂バインダおよび溶剤とともに混錬してペースト化し、このペーストをスクリーン印刷法やスピンコート法等の方法を用いて基板等の上に塗布した後、焼成することにより、発光層が作製される。このとき、発光層として所定の厚みを確保して蛍光体粒子のネットワークを確実に形成し、基板に蛍光体粒子を確実に付着させるために、蛍光体粒子を数層〜数十層積重ねた形態とする。
【０００５】
一方、発光層として後者の蛍光体薄膜を用いる場合、ＰＶＤ法やＣＶＤ法等の成膜法を用いて材料を基板等の上に堆積させて薄膜を形成することにより、発光層が作製される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、前者の蛍光体粒子を用いて発光層を作製する方法の場合、例えば図１に模式的に示すように、電子からの励起エネルギによって蛍光体粒子１から発光した光は、発光層２を構成する積重ねられた蛍光体粒子１間を通って基板３を通じて外部に出るまでの間に多方向に拡散してしまうおそれがある。この場合、この発光層２および基板３を用いた表示素子（発光素子）は、発光点がにじむため、解像度を大きくすることが難しい。
【０００７】
また、量子サイズ効果による発光効率の向上を目的として、通常用いられるミクロンオーダーの粒径を有する蛍光体粒子に変えて、例えば数〜数十ｎｍ程度のナノオーダーの蛍光体超微粒子を用いることも検討されている。ところが、この場合、発光層を形成するための焼成工程において不可避的に超微粒子の凝集作用を生じるため、蛍光体超微粒子を用いた発光層の作製は実際には非常に困難である。
【０００８】
一方、後者の蛍光体薄膜を発光層として用いる場合、発光層と、例えばこの発光層に接して設けられる基板との屈折率の違いにより、図２に示すように大きな入射角で発光層２ａから基板３ａに照射された光は基板３ａとの界面で全反射して発光層２ａ内で拡散してしまうため、光の取り出し効率、すなわち、蛍光体粒子から発光した光と、最終的に外部に出た光の強度比が小さくなり、高い発光効率を得ることが難しく、高い輝度を有する画像を得ることができない。
【０００９】
例えば、硫化亜鉛を母体材料とする発光層を石英ガラス製の基板上に設けた場合、硫化亜鉛の屈折率が２．４程度であるのに対して石英ガラスの屈折率が１．５程度と硫化亜鉛に比べて小さく、このときの臨界角は約３９°と比較的小さい。このため、臨界角以上の角度で基板に入射する、かなりの比率の光は全反射して、発光層あるいは基板の面の延出方向に沿って横方向に拡散してしまうことになる。
【００１０】
本発明は、上記の課題に鑑みてなされたものであり、表示装置に用いたときに優れた解像度と高い輝度とを得ることができる蛍光体薄膜およびこの蛍光体薄膜を発光層として用いた発光素子を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る蛍光体薄膜は、多孔質薄膜の細孔中に蛍光体粒子を含んでなることを特徴とする。ここで、細孔は、多孔質薄膜を貫通するものであってもよく、また、一端を閉塞されたものであってもよい。
【００１２】
これにより、蛍光体薄膜を例えば表示装置の発光素子（発光スクリーン）の発光層として用いたとき、蛍光体粒子が凝集した場合においてもその凝集状態における最大径は多孔質薄膜の細孔径を超えることがないため、量子サイズ効果による発光効率の向上を図ることができる。また、蛍光体粒子のみを積重ねた構造ではなく、蛍光体粒子が多孔質薄膜の細孔に閉じ込められた構造を有するため、発光点のにじみが軽減される。したがって、表示装置に用いたときに優れた解像度と高い輝度とを得ることができる。
【００１３】
この場合、前記蛍光体粒子の平均粒径（算術平均直径）が１μｍ以下であると、画像のより高い解像度を得るうえで好適である。また、この場合、蛍光体粒子の平均粒径がさらに微細なナノオーダーの超微粒子であると、量子サイズ効果による発光効率の向上を図りより高い輝度を得るうえで、より好適である。
【００１４】
また、この場合、前記多孔質薄膜の屈折率が前記蛍光体粒子の屈折率よりも小さいと、蛍光体粒子からの発光が細孔壁に入射したときに全反射して細孔内に止まり、拡散することなく細孔端から略そのまま外部に発光されるため、高い光の取り出し効率を確保することができ、高い輝度を有する画像を得ることができる。
【００１５】
また、この場合、前記多孔質薄膜は陽極酸化法により細孔が形成されてなると、細孔の形態を容易に制御することができて好適である。
【００１６】
また、本発明に係る発光素子（発光スクリーン）は、上記の蛍光体薄膜を発光層として有することを特徴とする。
【００１７】
これにより、表示装置に用いたときに優れた解像度と高い輝度とを有する発光素子を得ることができる。
【００１８】
この場合、基板および透明電極を含み、前記蛍光体薄膜と該基板との間に該透明電極を有し、または、基板および金属電極を含み、前記蛍光体薄膜を挟んでその両側に該基板および該金属電極を有すると、基板側から外部に発光する発光素子を好適に得ることができる。表示装置に用いた場合、前者は、例えば１ｋＶ程度の比較的低い加速電圧を印加するときに、蛍光体として酸化亜鉛のような低速電子線励起型蛍光体を用いる必要があるため、蛍光体中を通過した電子を陽極に集めるのに好ましく、後者は、例えば１０ｋＶ程度の比較的高い加速電圧を印加するときに、電子は金属膜を通過することが可能で、この場合蛍光体から金属膜方向に発せられた光を基板方向に反射させることができ、光のロスを防ぐことができるため好ましい。
【００１９】
【発明の実施の形態】
本発明に係る蛍光体薄膜および発光素子の好適な実施の形態（以下、本実施の形態例という。）について、図を参照して、以下に説明する。
【００２０】
まず、本実施の形態例に係る蛍光体薄膜について、図３を参照して説明する。
【００２１】
本実施の形態例に係る蛍光体薄膜１２は、図３に示すように、基板に設けたものである。図３（ａ）では基板１０と蛍光体薄膜１２との間に、図３（ｂ）では蛍光体薄膜１２の下面（表面）に、言い換えれば、蛍光体薄膜１２を挟んで基板１０を設けたのとは反対側の面に、それぞれ電極１４ａ、１４ｂが形成されている。
【００２２】
蛍光体薄膜１２は、無数の細孔１６を有する多孔質膜（多孔質薄膜）１８の、その無数の細孔１６中に蛍光体粒子（以下、単に粒子ということがある。）２０が含まれた構造を有する。なお、細孔１６は、多孔質膜１８を貫通する貫通孔である。
【００２３】
蛍光体薄膜１２の好ましい厚みは、発光素子の発光層として用いるときの具体的な用途によって異なる。例えば、発光素子に印加する電圧との関係では、１ｋＶ程度の比較的低い加速電圧を用いる場合には図３（ａ）の構造を採用し、蛍光体薄膜の厚みを例えば０．５μｍ程度とする。一方、１０ｋＶ程度の比較的高い加速電圧を用いる場合には図３（ｂ）の構造を採用し、蛍光体薄膜の厚みを例えば３μｍ程度とする。これらの蛍光体薄膜１２の厚みは、それぞれの電圧で加速された電子がちょうど通過することができる程度に調製することが可能であり、これにより、電子の過大な加速によるエネルギのロスを省くことができるという利点がある。
【００２４】
多孔質膜１８の材料は、例えば、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）等の屈折率の小さい材料を用いると、詳細を後述する理由により好適である。なお、これらの材料以外にも、チタン（Ｔｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ニオブ（Ｎｂ）、ハフニウム（Ｈｆ）、タンタル（Ｔａ）等のバルブ金属を陽極酸化して用いてもよい。ここで、バルブ金属とは、陽極酸化により多孔質を作り易い性質をもつ金属をいう。
【００２５】
多孔質膜１８の細孔１６の径は特に限定するものではない。但し、少なくとも粒子２０の径よりも大きいことが当然に必要であり、一方、粒子２０の径の例えば数倍以下の大きさであると、粒子２０として超微粒子を用いた場合に、充填された粒子２０が凝集したとしても、凝集後の粒子２０の径が細孔１６の径によって規制されるため、好適である。
【００２６】
粒子２０は、一般的に発光層に用いられる蛍光体の中から適宜選択して用いることができ、例えば、Ｙ２Ｏ３：Ｅｕ（母体材料としての酸化イットリウムに発光中心としてのユーロビウムを含む意。）等を使用することができる。
【００２７】
粒子２０の径は、表示装置に用いたときに高い解像度を得る観点からは、すなわち画像の高精細化を図る観点からは、１μｍ以下であることが好ましく、さらに、量子サイズ効果を発現させて画像の高輝度化を図る観点からは、１０ｎｍ以下、特に５ｎｍ以下であることがより好ましい。粒子２０の径の下限値は特に限定するものではないが、実用上は、数ｎｍ程度である。例えば、粒子２０の径が５〜１０ｎｍ程度の場合、上記した多孔質膜１８の細孔１６の径は望ましくは５〜３０ｎｍ程度に調製することになる。
【００２８】
基板１０の材料は特に限定するものではなく、例えば、無機材料、ガラス、樹脂等の中から適宜選択して用いることができる。但し、図３（ａ）、（ｂ）のように基板１０の側から外部に向けて発光させるためには、基板１０の材料は透明性を有することが必要である。ガラス材料を用いる場合、基板の厚みは例えば３ｍｍ程度である。一方、基板１０に可撓性を付与し、また、発光素子の小型化を図る観点からは、基板１０として例えば厚みが数百μｍ程度の薄い樹脂シート等を用いることが好適である。
【００２９】
電極１４ａ、１４ｂの材料は、通常発光素子に用いられる電極材料の中から適宜選択して用いることができる。電極材料は良好な導電性を有することが必要であるとともに、図３（ａ）のように電極１４ａを介して基板１０の側から外部に向けて発光させる場合は、電極材料が透明性を有することが必要であり、例えばＩＴＯ等を好適に用いることができる。一方、図３（ｂ）の場合は、電極１４ｂに透明性は必要でないため、Ａｌ（アルミニウム）等の導電性に優れる不透明な金属を用いることができる。電極１４ａ、１４ｂの厚みは、例えば１００ｎｍ程度である。
【００３０】
ここで、本実施の形態例に係る蛍光体薄膜の作製方法について、図４〜図７を参照して説明する。
（多孔質膜の作製）
まず、図４に示すように、スパッタリング法により、ガラス基板２２にＩＴＯ電極２４を成膜し、さらにＩＴＯ電極２４に例えば０．５μｍの厚みのＡｌ薄膜２６を成膜する。この場合、成膜法として、スパッタリング法に変えて、めっき法、抵抗加熱蒸着法、電子ビーム蒸着法、スクリーン印刷法等を用いてもよい。なお、フルカラーの発光素子を作製する場合は、フォトリソグラフィ法によりＩＴＯ電極２４をパターン化しておく。
【００３１】
ついで、図５に示すように、成膜したガラス基板２２をシュウ酸濃度が１０質量％の電解液２８中に浸漬し、ＩＴＯ電極２４を陽極とするとともに、別に電解液中に配置した白金板３２を陰極として電圧を印加し、Ａｌ薄膜２６を陽極酸化する。
【００３２】
このとき、電解液２８は室温とする。また、陽極酸化の条件として、１〜２０ｍＡ／ｃｍ２の電流密度で５〜６０分程度処理する。処理過程で電解液２８の温度が局部的に上昇することを防ぐために、マグネットスターラ３０で電解液２８を攪拌する。
【００３３】
陽極酸化処理により、Ａｌ薄膜２６は酸化されるとともに無数の細孔が形成され、Ａｌ２Ｏ３（酸化アルミニウム）からなる多孔質膜３４が得られる。
【００３４】
ここで、Ａｌ薄膜２６あるいはＡｌに変えてＴｉ等のバルブ金属を材料として用いた薄膜は、陽極酸化処理中に無数の細孔を容易に形成することができて好適である。また、これらの金属材料に変えて、Ｓｉ等を薄膜材料として用いフッ素酸中で陽極酸化処理してもよい。
【００３５】
また、電解液として、シュウ酸に変えて、硫酸、リン酸、クロム酸等を用いてもよい。電解液の種類やその濃度を適宜選択することにより、多孔質膜３４の色や形成される細孔の形状、数等を制御することができる。例えば、シュウ酸の場合は、多孔質膜３４の色を黄〜無色半透明に調整することができる。また、多孔質膜３４の細孔の径を５〜１０００ｎｍの範囲内で制御できるとともにこれらの細孔を例えば多孔質膜３４の表面積に対する細孔の累積面積の比率として８０％程度に、緻密に細孔を形成することができる。
【００３６】
また、電流密度、通電時間、電流波形等を変えることにより、多孔質膜３４の細孔の径の大きさや細孔の分布の緻密さを制御することができる。
【００３７】
陽極酸化処理を行った後、さらに、電解液に多孔質膜３４を１０〜６０分程度浸漬して、細孔の底部に残存するＡｌ２Ｏ３を除去し、ＩＴＯ電極２４を露出させる。
【００３８】
最後に、多孔質膜３４を十分に水洗した後、不活性ガス雰囲気中で乾燥することにより、図６に示すように、無数の細孔３６が形成された多孔質膜３４が積層されたガラス基板２２が得られる。
（細孔中への粒子の形成：蛍光体薄膜の作製）
まず、蛍光体粒子の原料となる薬品を含む電析溶液を調製する。ここでは、電子線励起により赤色に発光する蛍光体粒子であるＹ２Ｏ３：Ｅｕを例にとって以下説明する。この場合、ＹＣｌ３とＥｕＣｌ３とを５：１のモル比でＮ−Ｎ´ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）を溶媒として溶解する。
【００３９】
ついで、図７に示すように、上記の電析溶液３８中に多孔質膜３４が積層されたガラス基板２２を浸漬し、ＩＴＯ電極２４を陰極とするとともに、別に電析溶液中に浸漬したカーボン板４０を陽極として通電する。このとき、例えば、１ｍＡ／ｄｍ２の電流密度で１〜２時間程度通電することにより、多孔質膜３４の無数の細孔３６内に蛍光体粒子（Ｙ２Ｏ３：Ｅｕ）４２が析出する。
【００４０】
さらに、電析溶液３８で多孔質膜３４が積層されたガラス基板２２を洗浄して、余分な蛍光体粒子４２を除去した後、不活性ガス雰囲気中で乾燥させることにより、蛍光体薄膜４４が作製される。
【００４１】
ここで、上記した細孔中へ粒子を形成する工程、すなわち、蛍光体薄膜の作製方法の他の例について説明する。
【００４２】
第１の例は、粉砕法、ガス中蒸発法、ゾルゲル法、逆ミセル法、共沈法等の方法を用いて数〜数百ｎｍ程度の径の超微粒の蛍光体粒子（蛍光体微粒子）を作製し、この蛍光体粒子に樹脂バインダや溶剤等の適当な材料を加えてペースト化する。ついで、スクリーン印刷法、スピンコート法等の方法を用いて、このペーストを多孔質膜の細孔内に埋め込む。その後、多孔質膜を焼成して樹脂バインダや溶剤を除去することにより、蛍光体薄膜を得ることができる。
【００４３】
第２の例は、斜め蒸着法等の周知の方法により、基板に成膜した多孔質膜の細孔を除いた表面部分にさらに金属薄膜を成膜する。ついで、ＥＢ蒸着法、スパッタリング法、ＭＯＣＶＤ法等の周知の方法により、蛍光体粒子を成膜する。その後、リフトオフ法により、多孔質膜の上に形成された金属薄膜および金属薄膜上に成膜された蛍光体粒子の部分をエッチング除去することにより、多孔質膜の細孔内のみに蛍光体粒子が残った蛍光体薄膜を得ることができる。
【００４４】
以上説明した本実施の形態例に係る蛍光体薄膜は、例えば表示素子（発光素子）の発光層として用いたとき、蛍光体粒子が凝集した場合においてもその最大径は多孔質膜の細孔径を超えることがないため、量子サイズ効果による発光効率の向上を図ることができる。また、蛍光体粒子のみを積重ねた構造ではなく、多孔質薄膜を有するため、発光点のにじみが軽減される。したがって、表示素子に用いたときに優れた解像度と高い輝度とを得ることができる。
【００４５】
また、蛍光体薄膜は、多孔質薄膜の材料であるＡｌ２Ｏ３の屈折率が１．７〜１．８程度であり、蛍光体粒子のＹ２Ｏ３：Ｅｕの屈折率の１．９よりも小さいため、蛍光体粒子からの発光が細孔壁に入射したときに全反射して細孔内に止まり、蛍光体薄膜の横方向から拡散することなく細孔端から略そのまま外部に発光されるため、高い輝度を得ることができる。
【００４６】
本実施の形態例に係る蛍光体薄膜は、発光層として用いることができるが、このような発光層を用いた発光素子あるいは表示装置として、例えば、熱陰極電子銃と組み合わせてブラウン管（ＣＲＴ）に、冷陰極と組み合わせて平面薄型のフィールドエミッションディスプレイ（ＦＥＤ）に、電子線回折現象を利用して物質構造解析を行うための測定装置（ＬＥＥＤ）に、ガス放電により紫外線を発する素子と組み合わせてプラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）に、あるいは陰陽電極と組み合わせて薄膜エレクトロルミネッセンス表示装置（Ｔｈｉｎ　Ｆｉｌｍ　Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ　　Ｄｉｓｐｌａｙ）に応用することができる。
【００４７】
本実施の形態例に係る蛍光体薄膜を用いた表示装置の一例として、フィールドエミッションディスプレイについて図８を参照して説明する。
【００４８】
電子源として、陰極母線４６、冷陰極４８、絶縁層５０およびゲート電極５２が形成された背面板５４を用意する。冷陰極４８には、比較的仕事関数の低い金属材料を円錐状に形成したいわゆるスピント型冷陰極やカーボンナノチューブ等を用いることができる。
【００４９】
スペーサ５６を介して、上記の電子源と対向して蛍光スクリーンを設ける。蛍光スクリーンは、ＩＴＯ電極（陽極）２４および本実施の形態例に係る蛍光体薄膜４４が形成された基板２２である。
【００５０】
電子源および蛍光スクリーン間の空間部分は、１×１０−３〜１×１０−７Ｐａ程度の真空度に排気され、封止される。
【００５１】
上記のように構成したフィールドエミッションディスプレイは、冷陰極４８とゲート電極５２との間に冷陰極４８から電子の放出が起こるのに十分な電圧Ｖｇを印加するとともに、冷陰極４８とＩＴＯ電極２４との間に加速電圧Ｖａを印加することにより、駆動される。これにより、冷陰極４８から放出された電子が真空中を加速して蛍光体薄膜４４の蛍光体粒子に衝突し、励起して発光し、画像を表示させることができる。
【００５２】
上記のように構成されるフィールドエミッションディスプレイは、画像の高い解像度と高い輝度とを得ることができる。
【００５３】
【発明の効果】
本発明に係る蛍光体薄膜によれば、多孔質薄膜の細孔中に蛍光体粒子を含んでなるため、表示装置に用いたときに優れた解像度と高い輝度とを得ることができる。
【００５４】
また、本発明に係る蛍光体薄膜によれば、蛍光体粒子の平均粒径が１μｍ以下であると、画像のより高い解像度を得ることができる。
【００５５】
また、本発明に係る蛍光体薄膜によれば、多孔質薄膜は陽極酸化法により細孔が形成されてなるため、細孔の形態を容易に制御することができる。
【００５６】
また、本発明に係る発光素子によれば、基板および透明電極を含み、前記蛍光体薄膜と基板との間に透明電極を有し、または、基板および金属電極を含み、蛍光体薄膜を挟んでその両側に基板および金属電極を有するため、これらの蛍光体薄膜の厚みは、それぞれの電圧で加速された電子がちょうど通過することができる程度に調製することが可能であり、これにより、過大な電子の加速によるエネルギのロスを省くことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来の発光層の一例であり、発光層が蛍光体粒子を積重ねた構造を有するものを説明するための図である。
【図２】従来の発光層の他の一例であり、発光層が蛍光体薄膜構造を有するものを説明するための図である。
【図３】本実施の形態例に係る蛍光体薄膜であって、（ａ）は基板と蛍光体薄膜との間に電極を設けた構造を有するものを、（ｂ）は蛍光体薄膜の表面に電極を設けた構造を有するものを、それぞれ説明するための図である。
【図４】本実施の形態例に係る蛍光体薄膜を作製する方法を説明するためのものであり、基板上にＡｌ薄膜を形成した状態を示す図である。
【図５】本実施の形態例に係る蛍光体薄膜を作製する方法を説明するためのものであり、陽極酸化法による処理状態を示す図である。
【図６】本実施の形態例に係る蛍光体薄膜を作製する方法を説明するためのものであり、多孔質のＡｌ２Ｏ３薄膜を形成した状態を示す図である。
【図７】本実施の形態例に係る蛍光体薄膜を作製する方法を説明するためのものであり、蛍光体薄膜を形成した状態を示す図である。
【図８】本実施の形態例に係る蛍光体薄膜を発光層に用いたフィールドエミッションディスプレイの概略構成を示す図である。
【符号の説明】
１０　基板
１２、４４　蛍光体薄膜
１４ａ、１４ｂ　電極
１８、３４　多孔質膜
２０、４２　蛍光体粒子
２２　ガラス基板
２４　ＩＴＯ電極
２６　Ａｌ薄膜
２８　電解液
３２　白金板
３８　電析溶液
４０　カーボン板
【図１】
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【図２】
2004091670.tif 000004
【図３】
2004091670.tif 000005
【図４】
2004091670.tif 000006
【図５】
2004091670.tif 000007
【図６】
2004091670.tif 000008
【図７】
2004091670.tif 000009
【図８】
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