(57)【要約】【課題】ウェハテストによる多段階選別方式で効率的に半導体素子を製造できるようにする。【解決手段】ダイボンドにおいて、マッピングデータを基に、半導体ウェハの個々の半導体素子のうち第１の品質ランクの半導体素子をリードフレームにダイボンドし、また、第２の品質レベルの半導体チップをチップストッカに位置決め移送する。そして、第１の品質ランクの半導体素子をダイボンドする工程の合間に、チップストッカにある第２の品質ランクの半導体素子を別のリードフレームにダイボンドする。【選択図】図２
2004214453.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
保持具に保持されている、半導体ウェハの個々の分離された半導体チップについて、半導体ウェハの識別記号と、測定により得られた個々の半導体チップの品質ランクと、前記ウェハにおける個々の半導体チップのマッピングデータとを前記電子データとして保存するサーバから、前記半導体ウェハに付された識別記号に対応する電子データを読み出す工程と、
前記保持具に保持されている前記半導体ウェハの個々の半導体チップのうち第１の品質ランクの半導体チップをリードフレームにダイボンドする工程と、
前記保持具に保持されている前記半導体ウェハの個々の半導体チップのうち第２の品質レベルの半導体チップをチップストッカに位置決め移送する工程とからなり、
第１の品質ランクの半導体チップのダイボンドと、チップストッカへの第２の品質ランクの半導体チップ移送とを順次連続的に行うことを特徴とする半導体素子のダイボンド方法。
【請求項２】
第１の品質ランクの半導体チップをダイボンドする工程の合間に、チップストッカにある第２の品質ランクの半導体チップを別のリードフレームにダイボンドする工程を行うことを特徴とする請求項１に記載された半導体素子のダイボンド方法。
【請求項３】
さらに、第１の品質ランクの半導体チップをリードフレームにダイボンドする工程に続いて、第１の品質ランクの半導体チップをダイボンドしたリードフレームを、そのまま次工程に搬送する工程と、第２の品質ランクの半導体チップをリードフレームにダイボンドする工程に続いて、第２の品質ランクの半導体チップをダイボンドしたリードフレームをマガジンに格納する工程とを備えることを特徴とする請求項２に記載された半導体素子のダイボンド方法。
【請求項４】
さらに、リードフレームを識別管理して、マガジンにストックしたリードフレームを、第１の品質ランクの半導体チップをダイボンドしたリードフレームの、ダイボンド装置に連結された次工程の装置による加工の合間に、前記次工程の装置に搬送することを特徴とする請求項３に記載した半導体素子のダイボンド方法。
【請求項５】
個々の半導体素子単位に分割された多数の半導体チップからなり、識別記号を付された半導体ウェハを載置するウェハテーブルと、
ウェハテーブルから移送された半導体チップを保持するチップストッカと、
ウェハテーブルまたはチップストッカから移送された半導体チップを並べるプリアライメントテーブルと、
リードフレームを搬送するリードフレーム搬送装置と、
プリアライメントテーブル上の半導体チップを、リードフレーム上に接合する接合装置と、
第１の品質ランクの半導体チップをダイボンドする合間に、チップストッカにある第２の品質ランクの半導体チップを別のリードフレームにダイボンドする制御装置と
からなるダイボンド装置。
【請求項６】
さらに、リードフレーム搬送装置の搬送経路に配置され、半導体チップが接合されたリードフレームを保管するマガジンを備えることを特徴とする請求項５に記載されたダイボンド装置。
【請求項７】
前記のチップストッカは、チップを一時収納するポケットの接触高さがチップ厚みより低いことを特徴とする請求項５または６に記載されたダイボンド装置。
【請求項８】
前記のプリアライメントテーブルは、チップを位置決めする爪の接触可能高さがチップの厚みより低いことを特徴とする請求項５〜７のいずれかに記載されたダイボンド装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置の製造方法とその製造装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
半導体素子の製造において、ウェハに多数の半導体回路（ＤＲＡＭ回路など）を形成した後に、ダイシングにより個々の半導体チップに分割する。そして、ダイボンド工程で、個々のチップをリードフレームに固定する。ここで、ダイボンドの前に、あらかじめ、ウェハごとに個々のチップの特性を評価し、ウェハマップデータとして記憶しておく。次に、ダイボンド工程において、ダイシングにより各チップに分割されたウェハにおいて、ウェハマップを参照して、良品のみを選別して、リードフレームに接着する。
【０００３】
また、半導体チップをウェハテスト結果により、良否だけでなく、複数の特性に区分して、特性に応じて使用することもある。たとえば、特開平４−２６２５４３号公報に記載されたダイボンド装置では、半導体チップを半導体特性で区分し、特定の特性データを有するチップのみを選別して搭載する。また、特開平７−１９３０９３号公報に記載されたダイボンド装置では、複数の搬送レールにそれぞれリードフレームを搬送し、複数種のチップや複数の品質に分類されたチップを、チップ情報に基いて異なるリードフレームに搭載する。
【０００４】
半導体素子のウェハテスト結果に応じてランク分け選別をしてアセンブリする製造方法において、チップソータによりチップをウェハリングまたはチップトレイに移し替える方式が主流である。しかし、この方式では、移し替えに用いるチップソータ設備の導入が新たに必要である。また、アセンブリ工程が増えることによる工期延長が起こる。また、ウェハシートまたはチップトレイの費用も新たに必要となる。これに対して、特開平９−８０６８号公報に記載されたダイボンド装置では、半導体特性で区分した半導体チップを、特性区分ごとのリードフレームに接着するとき、製造の際にリードフレームに搭載できなかった端数の半導体チップを特性区分ごとに仮置き位置に置いておくことにより、端数の半導体チップを効率的に処理している。
【０００５】
【特許文献１】
特開平４−２６２５４３号公報
【特許文献２】
特開平７−１９３０９３号公報
【特許文献３】
特開平９−８０６８号公報
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
半導体装置の製造において、ダイボンドの際にウェハテスト結果に応じて半導体チップのランク分け選別をしてアセンブリできる。ここで、ダイボンド工程において適切な運転モードを設定できることが望ましい。ダイボンド装置において、たとえば、チップを満載していないリードフレームを最小とする制御、処理能力を最大とする制御などが必要と考えられる。また、ダイボンド装置において、厚さの薄い薄チップを破損せずに処理する必要もある。また、既存のダイボンド装置を少ない費用で改造してこれらの課題に対応できることが望ましい。
【０００７】
この発明の目的は、ウェハテストによる多段階選別方式で効率的に半導体素子を製造できるようにすることである。
この発明の他の目的は、ダイボンド装置を薄チップに対応可能とすることである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る半導体素子のダイボンド方法は、保持具に保持されている、半導体ウェハの個々に分離された半導体チップについて、前記半導体ウェハに付された識別記号に対応する電子データを、半導体ウェハの識別記号と、測定により得られた個々の半導体チップの品質ランクと、前記ウェハにおける個々の半導体チップのマッピングデータとを前記電子データとして保存するサーバから読み出す工程と、前記保持具に保持されている前記半導体ウェハの個々の半導体チップのうち第１の品質ランクの半導体チップをリードフレームにダイボンドする工程と、前記保持具に保持されている前記半導体ウェハの個々の半導体チップのうち第２の品質レベルの半導体チップをチップストッカに位置決め移送する工程とからなり、第１の品質ランクの半導体チップのダイボンドと、チップストッカへの第２の品質ランクの半導体チップ移送とを順次連続的に行う。好ましくは、さらに、第１の品質ランクの半導体チップをダイボンドする工程の合間に、チップストッカにある第２の品質ランクの半導体チップを別のリードフレームにダイボンドする工程を備える。
【０００９】
【発明の実施の形態】
以下、添付の図面を参照して本発明の実施の形態を説明する。
【００１０】
発明の実施の形態１
図１は、ウェハテスト後のＤＲＡＭなどの半導体装置についてのダイボンドまでの製造ラインを図式的に示す。ウェハ工場で製造されたウェハは、多数の半導体素子が形成されており、その端部にウェハ識別番号が書き込まれている。各ウェハに作り込まれた多数の半導体素子は、ウェハテスト工程で品質がテストされる。テスト結果の電子データとして、半導体ウェハの識別記号（ＩＤ）と、半導体素子個々のマッピングレベル（ＸＹ位置）と、半導体素子個々の品質レベル（Ａ，Ｓ）とが、ウェハテストサーバ２６に電子データとして記憶される。この実施の形態では、半導体素子の品質は、優良（Ｓ）、良（Ａ）および不可の３ランクに分けられ、半導体素子（チップ）は２段階の品質レベル（Ａ，Ｓ）で選別する。選別結果は、たとえば、Ｓランク品が８０％、Ａランク品が５％、不良品が１５％である。
【００１１】
ウェハ工場で製造されたウェハ１２は、ウェハテスト後に、通常２５枚の半導体ウェハが収納されたウェハカセット１０に収容して、アセンブリ工場に運ばれる。アセンブリ工場では、ウェハ１２はウェハリング１４（保持具）に保持される。ウェハリング１４にはウェハリング識別番号などの製造情報が書き込まれたバーコード１６が付されている。ここで、ウェハテストデータの確認のため、バーコードリーダー（ＢＣＲ）１８で、ウェハリングのバーコード１６を読み取り、その読み取り結果をウェハテストサーバ２６に送り、マップデータを要求する。
【００１２】
当該ロットの生産を開始すると、まずウェハマウント工程で、ウェハカセット１０から１枚のウェハ１２を取り出し、前記のウェハリング１４に保持（マウント）する。そして、そのウェハリング１４のバーコード１６をバーコードリーダー２０で読み取り、かつ、ウェハ１２自体に書き込まれたウェハ識別番号２２を光学的文字認識装置（ＯＣＲ）２４により読み取って、ウェハ識別番号／ウェハリング番号とマップデータとの対応づけを行い、その結果をウェハテストデータシステムのサーバ２８に送る。これにより、ウェハテストデータシステムのサーバ２８が該当マップの転送をウェハテストサーバ２６に依頼すると、これに応じて、ウェハテストサーバ２６は該当マップデータをウェハテストデータシステムのサーバ２８に送る。続いて、サーバ２８は、受け取ったマップデータをダイボンド装置を制御するコンピュータ３０に送る。こうして、コンピュータ３０は、ウェハマップデータを入手する。
【００１３】
ダイボンド装置のコンピュータ３０では、操作者は、操作画面において、（１）非ウェハテストデータ、（２）通常ウェハテストデータ（良否のみ）、（３）ｎ段階（ここでは２段階とする）テストデータが設定でき、コンピュータ３０は、その設定条件により、（１）問い合わせ無し、（２）１ランクのみの情報問い合わせ、（３）２段階データ問い合わせを行う。たとえば、ＳランクとＡランクの２段階ランクの選別方法の１例では、前述の２段階を設定した時に、コンピュータ３０から、まずＳ＋Ａの情報を受け取り、次いでＡのみの情報を受け取る。これにより、当該ウェハ上のＳランク品（優良品）、Ａランク品（良品）、不良品の３つの品質ランクが判別できる。
【００１４】
次に、ダイシング装置では、ウェハリング１４に保持されたウェハ１２は個々の半導体チップに分割される。半導体素子の単位で分割されたものを半導体チップ（ダイ）という。
【００１５】
次に、ダイボンド装置では、ウェハリング１４に保持されたウェハ１２について、ウェハリング１４のバーコードをＢＣＲ３２で読み取り、コンピュータ３０に送ると、コンピュータ３０から該当マップデータが送られる。次に、ウェハ１２の中の個々の半導体チップ３４を、マップデータ（ウェハテスト結果）に応じてランク分け選別をして、リードフレーム３６にボンドする。リードフレーム３６には１６個のチップがボンド可能である。ボンド後のリードフレーム３６は、次工程（たとえば溶接機）に送られる。
【００１６】
図２は、ダイボンド装置の概略構成を示す。ウェハリング１４にマウントされたウェハ１２を、ウェハテーブル３８の上に置く。前述の２段階選別の場合、識別記号に対応する電子データ（マップデータ）をコンピュータ３０から受けとって、個々の半導体チップ３４のうち第１の品質レベルの優良品（Ｓランク品）のみをリードフレーム３６にダイボンドする。ここで、ウェハテーブル３８の上のチップを吸着／パフする機能を持つコベットを備えるアーム（図示しない）が、ダイボンド装置の中央に、図２に示した部分の上方に設置され、上下方向及びθ方向（すなわち回転方向）に移動できる。このアームを矢印方向に移動して、ウェハ１２から順にＳランク品のチップ３４をピックアップしプリアライメントテーブル４０ヘ移送する。プリアライメントテーブル４０では、その円周付近に配置している設置部にチップ３４を順次受け取り、保持する。一方、半導体チップ３４のうち第２の品質レベルの良品（Ａランク品）を同様にアームでピックアップして、チップストッカ４２に移送して、その円周付近に配置しているポケットに一時的にストックする。（なお、このチップストッカ４２は回転型であり、チップストッカの外周近傍にチップ３４が収容されるが、回転型には限定されない。）チップストッカ４２において、チップ３４の一時収納数は、１フレーム当りのチップ搭載数より多くしている。プリアライメントテーブル４０の上のチップを吸着／パフする機能を持つコベットを備えるアーム（図示しない）が、前述のアームと同様に、図２に示した部分の上方に設置され、上下方向及びθ方向（すなわち回転方向）に移動できる。このアームを用いて、リードフレーム３６が搬送路上を矢印方向に移動してくると、プリアライメントテーブル４０上のＳランク品を、リードフレーム上に運び、搬送路上の位置４４でチップ３４をリードフレーム３６にボンドする。こうして、Ｓランク品を順にリードフレーム３６上にボンドする。ボンドされたＳランク品フレームは、そのままバッファ部４６を通過して、次工程（図ではフレーム溶接機であるが、一般的にはワイヤボンダ）ヘ搬送される。Ｓランク品のボンドが完了した後、いいかえれば、Ｓランク品をダイボンドする工程の合間に、Ａランク品をチップストッカ４２からプリアライメントテーブル４０に移送し、別のリードフレーム３６にボンドする。
【００１７】
搬送路には、複数のリードフレームを収納可能なマガジン４８が配置されていて、Ａランク品のリードフレーム３６が搬送されてくると、マガジン４８内に収納する。なお、Ｓランク品はそのままスルーして、次工程に提供する。このように、チップストッカ４２からのＡランク品を、Ｓランク品ロットの合間に別のリードフレーム３６にボンドし、ボンドしたフレームは、バッファ部のマガジン４８（治工具）内に収納する。これにより、異なる品質の半導体チップの混入を避けられる。好ましくは、ボンド後の搬送中のリードフレーム３６に対して、ランクの表示を行う。なお、別の専用ラインを設けて、Ａランク品は、専用ラインを搬送されるリードフレームに投入するようにしてもよい。
【００１８】
このダイボンド装置の各部は、コンピュータ３０により制御される。コンピュータ３０は通常の構成のコンピュータであり、図３に示すように、ＣＰＵ５０により全体が制御される。キーボードなどの入力装置５２、ディスプレイ装置５４、ハードディスクなどのメモリ５６、ダイボンド装置の各部との入出力を行う入出力部５８、外部と通信するための通信装置６０を備える。メモリ５６に記憶したダイボンド制御プログラムは、メモリ５６に記憶したマップデータをもとにダイボンド装置の各部の動作を制御する。
【００１９】
チップボンド装置の操業について説明すると、ウェハリング１４に保持されている、半導体ウェハ１２の個々に分離された半導体チップ３４について、半導体ウェハの識別記号と、測定により得られた個々の半導体チップ３４の品質ランクと、当該ウェハにおける個々の半導体チップ３４のマッピングデータとを、半導体ウェハに付された識別記号に対応して、サーバから読み出す。そして、ウェハリング１４に保持されている半導体ウェハ１２の個々の半導体チップ３４のうち第１の品質ランクの半導体チップをリードフレーム３６にダイボンドする。また、個々の半導体チップ３４のうち第２の品質レベルの半導体チップをチップストッカ４２に位置決め移送する。ここで、第１の品質ランクの半導体チップのダイボンドと、チップストッカへの第２の品質ランクの半導体チップ移送とを順次連続的に行う。これにより、処理時間が無駄なく処理時間の合理化を図ることができる。また、第２の品質レベルの半導体チップについては、ダイボンドに際し、ことさら位置決めをする必要がなく、そのままピックアップするので、ダイボンド処理時間を短縮できる。
【００２０】
ここで、Ｓランク品をダイボンドする工程の合間に、チップストッカにあるＡランク品を別のリードフレームにダイボンドする工程を行う場合、操業者は、タクト優先モードと端数管理モードの２つのモードのいずれかを設定できる。１ウェハ処理完了後のウェハ交換動作中に、チップストッカ４２に一時的に収納したＡランク品を処理するのが、サイクルタイムが短縮され、タクト最小（処理能力最大）となる。すなわち、そこで、タクト優先モードでは以下の動作を行う。１枚目ウェハの最後のチップをピックアップすると、ウェハ交換動作に入るが、この最終チップがＳランク品であれば、プリアライメント４０を介してリードフレーム３６へのボンドを行い、またＡランク品であれば、チップストッカ４２へ収納する。Ｓランク品のリードフレームのボンドが完了した時点で、このリードフレーム３６（たとえば１６ケ取りフレームであれば、１〜１５個をボンドした端数フレーム（すなわち、チップを満載していないリードフレーム）、または１６ケをボンドした満載の場合もある）を次工程に払い出し、次いでチップストッカ４２内のＡランク品をリードフレームにボンドする。このため、このモードでの運転を選択した場合は、通常Ｓ／Ａランクともに端数フレーム１枚／ウェハとなる（端数フレーム：Ｓランク品＝２５枚／ロット、Ａランク品＝２５枚／ロット）。ただし、Ｓ／Ａランク品がいずれも１６ケ満載となる場合も１／１６の確率で発生するため、その場合は端数フレームが削減されることになる。
【００２１】
一方、端数管理モードは、タクト（処理能力）は落ちるが、端数フレームを削減するための運転モードであり、Ｓ／Ａとも１枚／ロット以下とする。チップストッカ４２に収納されたＡランクチップが設定個数に達すると、仕掛け中のＳランク品を１６ケ満載となるまでリードフレーム３６へのボンドを行い、その後、次工程へ搬送させる。その後、チップストッカ４２のＡランク品を整数フレーム分ボンドし、バッファ部のマガジン４８内に収納する。これを繰り返すことにより、端数フレームはロットの最後のＳランク品で１枚、Ａランク品で１枚に削減される。（なお、ロットの最終チップで１６ケ満載となる場合もあり、０枚／ロットのケースもある。）
【００２２】
図４と図５は、コンピュータ３０のダイボンド制御のフローチャートである。なお、操作者が２段階選別を設定しているものとする。まず、操業モード設定の画面でタクト優先モードと端数管理モードのいずれかの指示を待つ（Ｓ１０）。タクト優先モードの指示があると、タクト優先モードを設定する（Ｓ１２）。次に、ウェハテーブル３８上のウェハの半導体チップのマップデータを受け取る（Ｓ１４）。そして、マップデータを参照して順に半導体チップを処理していく。Ｓランク品であれば（Ｓ１６でＹＥＳ）、プリアラインメントテーブル４０に移動し、リードフレーム３６にダイボンドする処理を行う（Ｓ１８）。一方、Ａランク品であれば（Ｓ１６でＮＯ）、チップストッカ４２に移送する（Ｓ２０）。そのチップが最終チップでなければ（Ｓ２２でＮＯ）、ステップＳ１６に戻って同様の処理を続ける。そのチップが最終チップであれば（Ｓ２２でＹＥＳ）、リードフレーム３６を次工程に送るとともに、チップストッカ４２にあるＡランク品をプリアライメントテーブル４０に移動して、別のリードフレーム３６にダイボンドを行う（Ｓ２４）。そして、Ａランク品をダイボンドしたリードフレーム３６をマガジンに収容する（Ｓ２６）。そして、ダイボンドを終了する。
【００２３】
端数優先モードの指示があると、端数優先モードを設定する（Ｓ４０）。次に、ウェハテーブル３８上のウェハの半導体チップのマップデータを受け取る（Ｓ４２）。そして、マップデータを参照して順に処理していく。Ｓランク品であれば（Ｓ４４でＹＥＳ）、プリアラインメントテーブル４０に移動し、リードフレーム３６にダイボンドする処理を行う（Ｓ４６）。一方、Ａランク品であれば（Ｓ４４でＮＯ）、チップストッカ４２に移送する（Ｓ４８）。そして、チップストッカ４２のＡランク品の数が設定個数に達していれば（Ｓ５０でＹＥＳ）、Ｓランク品が１６ケ満載となるまで仕掛け中のリードフレーム３６へのボンドを行って、そのリードフレームを次工程へ搬送させた後、チップストッカ４２のＡランク品をアライメントテーブル４０に移送し別のリードフレーム３６にダイボンドし（Ｓ５２）、そのリードフレーム３６をマガジンに収容する（Ｓ５４）。次に、そのチップが最終チップでないと判断すると（Ｓ５６でＮＯ）、ステップＳ４４に戻って同様の処理を続ける。そのチップが最終チップであれば（Ｓ５６でＹＥＳ）、最終のウェハでなければ（Ｓ５８でＮＯ）、ステップＳ４２に戻り、次のウェハを処理する。最終のウェハであれば（Ｓ５８でＹＥＳ）、ダイボンドを終了する。
【００２４】
以上に説明したように、複数の品質レベルのうちＳランク品の半導体チップのダイボンドと、Ａランク品の半導体チップのチップストッカ４２への位置決め移送とを同一のダイボンド装置で行う。これにより、ダイボンド装置を総体的に小型で低価格にすることができる。また、ダイボンドと位置決め移送とを順次連続的に行うことで、処理時間にむだがなく、処理時間の合理化を図ることができる。また、Ａランクの品質レベルの半導体チップをチップストッカ４２へ位置決め移送するので、第２の品質レベルの半導体チップのダイボンドに際し、ことさら位置決めをする必要がなく、そのままでピックアップできる。このため、ダイボンド時間の短縮を図ることができる。
【００２５】
このように、第１の品質レベルの半導体チップ（Ｓランク品）のダイボンドの合間に、第２の品質の半導体チップ（Ａランク品）を別のリードフレームにダイボンドする。このように複数の品質の半導体チップのダイボンドを単一のダイボンド装置で行うので、ダイボンド装置を総体的に小型で低価格に製造できる。また、第２の品質レベルの半導体チップのダイボンドを別のダイボンド装置で行うものに比べ、相対的ダイボンド時間の無駄がなく、生産性を高めることができ、コンピュータによる生産管理が容易である。
【００２６】
品質レベルの異なるダイボンド完了リードフレームについて、ダイボンド装置に連結された共用の次工程の装置による加工を行う。第１の品質レベルの半導体チップ（Ｓランク）をダイボンドした第１のリードフレームに対し、次工程の装置で連続的に追加加工を行うが、これに対して、第２の品質レベルの半導体チップ（Ａランク）をダイボンドした第２のリードフレームは、ダイボンド完了品を収納するためのマガジン４８にストックする。そして、Ｓランク品をダイボンドしたリードフレームの次工程の装置による加工の合間に、第２のリードフレームを次工程の装置で加工する。共用の次工程の装置による加工を行うので、装置を小型化できる。Ｓランク品をダイボンドしたリードフレームとＡランク品をダイボンドしたリードフレームとは識別して管理する。コンピュータ３０は、Ｓランク品のダイボンドを行っていないときに、次工程の装置から、Ｓランク品をダイボンドしたリードフレームの加工を行っていないことが通知されると、マガジン４８内のリードフレームを、次工程の装置に送る。
【００２７】
第２の品質レベルの半導体チップのダイボンド完了品をマガジン４８から選択的に取り出せるので、以降のたとえば加工条件の変更など品質レベルに応じた取扱いが容易である。また、品質レベルの異なる半導体素子の混在する危険性を低減できる。また、品質レベルの異なるダイボンド完了リードフレームについて、共用の次工程の装置による加工を行うことができるので、ダイボンド装置を総体的に小型で低価格で製造できる。
【００２８】
なお、３段階以上の品質ランクを扱う場合、チップストッカ４２に複数ランクの品質の半導体チップが移送されることになるが、ソフトウェアで移送位置を分割管理）する。この場合、バッファマガジン４８も、品質ランク別に（ｎ−１）個を設置する。ボンド後のリードフレームは、品質ランク別にそれぞれのマガジンに収納する。
【００２９】
発明の実施の形態２
次に、ダイボンド装置における薄チップの取扱いについて説明する。チップは、表面側に作り込まれた半導体回路（能動部）がもろい。このため、ダイボンド工程において、チップの保持、移送などの取扱いの際にチップが欠けることがないようにする必要がある。これは、マルチチップパッケージに用いられる、厚さが９０〜１５０μｍ程度の薄いチップでは特に考慮するべき点である。そこで、発明の実施の形態２のダイボンド装置は、発明の実施の形態１の装置と同様の構成であるが、以下に説明するように、チップストッカ４２とプリアライメント４０を薄チップ対応とする。
【００３０】
チップストッカ４２は、以下に説明するように、薄チップに対応した構造を備える。チップストッカ４２は、回転型であり、その円周部に、チップ３４を一時収納するポケット１００が設けられる。図６に示すように、ポケット１００には、チップ３４の側部に対応して溝１０２が設けられ、その外側に凸部１０４が設けられる。凸部１０４の上側表面１０６には、逃がし用の縁取部１０８が設けられる。溝１０２の底からの上側表面１０６の高さ（この例では０．５ｍｍ）は、溝の内周側の、チップが載置される上側表面１１０より高い。チップが載置された場合、チップ表面の高さは、凸部１０４の上側表面１０６より低い。逃がし用の縁取部１０８の溝側の端の高さ（チップ端面への接触可能高さ）を、チップ上面より１００μｍ下げた位置とする。さらに、溝１０２の幅は、全周で、ウェハからの移戴精度より大きい０．５ｍｍとする。すなわち、ウェハからの移戴精度＜０．５ｍｍ＜プリアラインメント許容量と設定して、チップ全周で半径方向に０．５ｍｍ逃がしている。これにより、チップを吸着したアームがポケット１００の方に移動してきた場合、チップ３４の周辺との接触がなくなり、チップ欠けが防止できる。また、溝１０２は、深さ方向にも０．５ｍｍの逃げを設けて、ダイシング時に発生するシリコン屑の打ち込み防止を行っている。
【００３１】
また、ＸＹ動作してチップ３４を機械的に位置決めするプリアライメントテーブル４０も薄チップに対応した構造を備える。半導体チップ３４は、プリアライメントテーブル４０の所定のチップ搭載位置に移送されてくると、その位置でＬ字形状のプリアラインメント爪２００によりＸＹ方向に位置決めされる。そして、次のチップを受け取るためにプリアライメントテーブル４０を回転して、次のチップ搭載位置を設ける。こうして、チップを順次プリアライメントテーブル４０に受け入れる。プリアライメントテーブル４０でも、チップストッカ４２と同様に、図７に示すように、プリアライメント爪２００の端部のチップ搭載部でのチップ３４の端面への接触可能高さを、チップ３４の上面より１００μｍ下げた位置とする。チップ３４を位置決めするＬ字形状のプリアラインメント爪２００は、チップ搭載位置の外側からチップに接触してくるので、この構造によりチップ側部との接触がなくなり、チップ欠けが防止できる。同時に、半導体チップ３４を設置するテーブル２０２を、従来はフラットであったものを凸状とする。これにより、プリアラインメント爪２００の移動範囲が広がり、その高さ調整が容易になり、薄チップの対応が可能となる。
【００３２】
【発明の効果】
複数の品質レベルの半導体チップのダイボンドと、チップストッカへの位置決め移送とを同一のダイボンド装置で行うので、ダイボンド装置を総体的に小型で安価なものとすることができる。
また、ダイボンドと位置決め移送とを順次連続的に行うことで、処理時間にむだのない処理時間の合理化を測ることができる。このように実用上きわめて優れた効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】半導体製造の概略を示す図
【図２】ダイボンド装置の概略図
【図３】ダイボンド装置を制御するコンピュータのブロック図
【図４】タクト優先モードのフローチャート
【図５】端数優先モードのフローチャート
【図６】チップストッカのポケットの断面図
【図７】プリアライメントテーブルの部分断面図
【符号の説明】
１２  ウェハ、    １４  ウェハリング、    ３０  ダイボンド装置を制御するコンピュータ、  ３４  半導体チップ、    ３６  リードフレーム、    ３８ウェハテーブル、    ４０  プリアライメントテーブル、    ４２  チップストッカ、    ４８  マガジン。
【図１】
2004214453.tif 000003
【図２】
2004214453.tif 000004
【図３】
2004214453.tif 000005
【図４】
2004214453.tif 000006
【図５】
2004214453.tif 000007
【図６】
2004214453.tif 000008
【図７】
2004214453.tif 000009