(57)【要約】【課題】保存安定性に優れた半導体封止用樹脂組成物を提供し、それを用いた信頼性に優れた半導体装置を低コストで実現する。【解決手段】エポキシ樹脂，硬化剤，硬化促進剤，無機フィラから構成される樹脂組成物において、該硬化促進剤がフェノール類ノボラックで被覆及び／またはフェノール類ノボラック中に分散させたフォスフィン化合物を用いることを特徴とする半導体封止用樹脂組成物。【効果】本発明のフェノール類ノボラックで被覆及び／またはフェノール類ノボラック中に分散させたフォスフィン化合物を硬化促進剤に用いた半導体封止用エポキシ樹脂組成物は保存安定性に優れており、長期保管後も成形時の流動性，熱時硬化性の変化を極めて小さくできる。【選択図】　なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
エポキシ樹脂，硬化剤，硬化促進剤，無機フィラから構成される樹脂組成物において、該硬化促進剤がフェノール類ノボラックで被覆及び／またはフェノール類ノボラック中に分散させたフォスフィン化合物を用いることを特徴とする半導体封止用樹脂組成物。
【請求項２】
請求項１において、フォスフィン化合物の融点が５０℃以上であることを特徴とする半導体封止用樹脂組成物。
【請求項３】
請求項１において、フェノール類ノボラックの軟化点が１１０℃以上１７０℃以下であることを特徴とする半導体封止用樹脂組成物。
【請求項４】
請求項１において、フェノール類ノボラックとフォスフィン化合物の重量比が１０／９０〜６０／４０であることを特徴とする半導体封止用樹脂組成物。
【請求項５】
請求項１において、フェノール及び／またはクレゾールとアルデヒド類からなるフェノール類ノボラックであることを特徴とする半導体封止用樹脂組成物。
【請求項６】
樹脂封止型半導体装置において、封止樹脂がエポキシ樹脂，硬化剤，硬化促進剤，無機フィラから構成される樹脂組成物であり、該硬化促進剤がフェノール類ノボラックで被覆及び／またはフェノール類ノボラック中に分散させたフォスフィン化合物を用いていることを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はエポキシ樹脂組成物において、保存安定性に優れた特性を有し、半導体封止用に好適な樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
エポキシ樹脂は電気，力学的特性に優れるため種々の分野で使用されている。その中でもフォスフィン化合物を硬化促進剤として用いたエポキシ樹脂硬化物は耐湿性等に優れているため、電気・電子用、例えば半導体封止分野に多く用いられている。しかしフォスフィン化合物を硬化促進剤として用いたエポキシ樹脂組成物は湿度の高い雰囲気中で保存すると、反応性が変化する等の問題が生じる。この問題を解決するために特開昭６１−１９０５２３号で示されるような特定のフォスフィン化学構造が提案されているが、未だ充分満足できる化合物は得られていない。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は湿度の高い雰囲気中でも保存安定性に優れた半導体封止用に好適な樹脂組成物を提供することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】
本発明者は上記課題を解決するため種々検討した結果、フェノール性水酸基を有するため比較的吸湿率が高いと考えられるフェノール類ノボラックで被覆及び／またはフェノール類ノボラック中に分散させたフォスフィン化合物を硬化促進剤に用いることにより、湿度の高い雰囲気中でも保存安定性の極めて高い樹脂組成物を見出すことができ、本発明に至った。
【０００５】
即ち、本発明はエポキシ樹脂，硬化剤，硬化促進剤，無機フィラから構成される樹脂組成物において、該硬化促進剤がフェノール類ノボラックで被覆及び／またはフェノール類ノボラック中に分散させたフォスフィン化合物を用いることを特徴とする半導体封止用樹脂組成物により達成できる。
【０００６】
さらに上記フォスフィン化合物の融点が５０℃以上であることにより、次の利点を有する。即ち、融点が低く、室温で液状の場合はフェノール類ノボラックで被覆及び／またはフェノール類ノボラック中に分散させたフォスフィン化合物が、保存中に表面にマイグレートする可能性がある。これに対して融点が５０℃以上の室温で固体のフォスフィン化合物は保存中においても、表面に移動してくる可能性は極めて低い。フォスフィン化合物の融点は好ましくは７０℃以上、さらに好ましくは１００℃以上、より好ましくは１５０℃以上であることが望ましい。
【０００７】
さらに上記フェノール類ノボラックの軟化点が１１０℃以上１７０℃以下であることにより、次の利点を有する。好ましくは１２０℃以上１５０℃以下であることが望ましい。半導体封止用エポキシ樹脂組成物を得るためには、エポキシ樹脂，硬化剤，硬化促進剤，無機フィラ等を混合する必要があるため、一般的にはロール，ニーダ等を用いる。このロール，ニーダ等による混合過程は通常９０〜１１０℃で行われる。そのためフェノール類ノボラックの軟化点が１１０℃より低いと、本発明に用いられるフェノール類ノボラックの一部あるいは全体が溶融する可能性があり、被覆あるいは分散状態が混合前後で変化する恐れがある。またフェノール類ノボラックの軟化点が１７０℃より高いと、半導体装置を封止して、硬化物得るときに被覆あるいは分散媒体であるフェノール類ノボラックからフォスフィン化合物の飛び出しが少なくなり、エポキシ樹脂，硬化剤との接触頻度が減じて、硬化反応が遅延する恐れがある。
【０００８】
さらに上記フェノール類ノボラックとフォスフィン化合物の重量比が１０／
９０〜６０／４０であることにより、以下の利点を有する。フェノール類ノボラックとフォスフィン化合物の重量比が１０／９０よりフェノール類ノボラックが少ないとフォスフィン化合物を充分に被覆あるいは分散固定できず、組成物において湿度の高い雰囲気中での保存安定性が低下する可能性がある。またフェノール類ノボラックとフォスフィン化合物の重量比が６０／４０よりフェノール類ノボラックが多くなると組成物中へのフェノール類ノボラックの添加量が多くなり硬化反応時の溶融粘度が高くなり、半導体封止工程での成形性が低下する恐れがある。この場合もより好ましくは２０／８０〜５０／５０が望ましい。
【０００９】
また上記フェノール類ノボラックがフェノール及び／またはクレゾールとアルデヒド類からなるフェノール類ノボラックであることにより、コスト，反応性
（合成の容易さ），溶剤に対する溶解性等の利点を有する。
【００１０】
樹脂封止型半導体装置において、封止樹脂がエポキシ樹脂，硬化剤，硬化促進剤，無機フィラから構成される樹脂組成物であり、該硬化促進剤がフェノール類ノボラックで被覆及び／またはフェノール類ノボラック中に分散させたフォスフィン化合物を用いていることを特徴とする半導体装置は次の利点を有する。保存安定性に優れた封止用樹脂組成物を用いて半導体を封止することにより、品質の安定した半導体装置を低コストで得ることができる。即ち、樹脂組成物をあらゆる環境下でも一定特性を保持して、長時間使用できるため、特性劣化による廃棄等をなくすことができ、低コスト化に大きな貢献をすることになる。さらに樹脂組成物の特性が安定しているため、得られる半導体装置の品質も非常に安定した信頼性に優れた製品を提供することができる。
【００１１】
【発明の実施の形態】
通常、フェノール類ノボラックはフェノール類とホルムアルデヒドとをパラトルエンスルフォン酸，シュウ酸，塩酸等の酸性触媒下で縮合して得られた樹脂を言うが、本発明で用いられるフェノール類ノボラックはフェノール類とアルデヒド類とを酸性触媒下で縮合させて得られる縮合物を言う。
【００１２】
フェノール類としてはフェノール，クレゾール，キシレノール，ブチルフェノール，アミルフェノール，ノニルフェノール，カテコール，レゾルシノール，メチルレゾルシノール，ハイドロキノン，フェニルフェノール，ビスフェノールＡ，ビスフェノールＦ，ビスフェノールＫ，ビスフェノールＳ，ビフェノール，テトラメチルビフェノール等が挙げられる。
【００１３】
アルデヒド類としてはホルムアルデヒド，アセトアルデヒド，プロピルアルデヒド，ブチルアルデヒド，バレルアルデヒド，カプロンアルデヒド，ベンズアルデヒド，クロルベンズアルデヒド，ブロムベンズアルデヒド，グリオキサザール，マロンアルデヒド，スクシンアルデヒド，グルタルアルデヒド，アジピンアルデヒド，ピメリンアルデヒド，セバシンアルデヒド，アクロレイン，クロトンアルデヒド，サリチルアルデヒド，フタルアルデヒド，ヒドロキシベンズアルデヒド等が挙げられる。
【００１４】
本発明に用いるフェノール類ノボラックは例示したフェノール類とアルデヒド類から公知の方法より得ることができる。用いるフェノール類としてはコスト，反応性，溶剤溶解性等の点からフェノール及び／またはクレゾールが好ましい。また用いるアルデヒド類としては反応性の観点からホルムアルデヒドが好ましい。
【００１５】
本発明に用いられるフォスフィン化合物はエポキシ樹脂の硬化促進剤に用いられる物であればよく、例えばトリブチルフォスフィン等のアルキルフォスフィン，トリフェニルフォスフィン，トリパラトリルフォスフィン，トリス−４−メトキシフェニルフォスフィン，ジシクロヘキシルフェニルフォスフィン等のアリールフォスフィン，アルキルアリールフォスフィン，アルコキシアリールフォスフィン，アルキルアルコキシアリールフォスフィン、及びこれらのフォスフィン類に無水マレイン酸、１，４−ベンゾキノン等のキノン化合物，ジアゾフェニルメタン，フェノール樹脂等のπ結合をもつ化合物を付加してなる分子内分極を有するフォスフィン化合物等が挙げられる。その他のフォスフィン類としてはテトラブチルフォスフォニウム・ブロマイド，テトラフェニルフォスフォニウム・テトラフェニルボレート，トリフェニルフォスフィン・トリフェニルボラン等が挙げられる。
【００１６】
好ましいフォスフィン化合物としては保存安定性の観点からはフォスフィン類とキノン化合物との付加物が好ましい。
【００１７】
フェノール類ノボラックで被覆またはフェノール類ノボラック中にフォスフィン化合物を分散させる方法としては、フェノール類ノボラックとフォスフィン化合物の両方を溶解させる溶剤に均一に溶解させるか、あるいは溶解はしないが、均一に混合させた後、加熱及び／または減圧下で溶剤を分離させ、得られた固形物を粉砕することにより得られる。または両者を溶解しない溶剤（例えば水等）に攪拌下，滴下析出させた後、濾過，乾燥，粉砕することにより得ることもできる。
【００１８】
さらにフォスフィン化合物は溶解せず、フェノール類ノボラックのみ溶解する溶剤中にフェノール類ノボラックを溶解させた後、フォスフィン化合物を添加混合して溶剤を分離，乾燥，粉砕することにより得ることができる。上記の方法はフォスフィン化合物の粒度，結晶性，溶剤溶解性及びフェノール類ノボラックの溶剤溶解性等により最適な方法が選ばれる。また必要によりアルコキシチタン等の架橋剤で一部フェノール類ノボラックを架橋させてもよい。
【００１９】
本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物としては、エポキシ樹脂，硬化剤，硬化促進剤，無機フィラから構成される。その他必要に応じてカップリング剤，離型剤，着色剤，難燃剤等が添加される。
【００２０】
本発明のエポキシ樹脂は通常使用されているエポキシ樹脂であればよく、特に限定されない。例えばフェノール化合物，ナフトール化合物をエピハロヒドリンでグルシジル化したエポキシ樹脂、即ち、ノボラック型エポキシ樹脂，ビフェニル型エポキシ樹脂，ビフェニルフェノール型エポキシ樹脂，ビスフェノール型エポキシ樹脂，ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂，スチルベン型エポキシ樹脂，ハイドロキノン型エポキシ樹脂，硫黄原子含有エポキシ樹脂，ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂，トリフェノールメタン型エポキシ樹脂等が挙げられる。これらは単独あるいは二種類以上の併用で用いられる。
【００２１】
成形性の観点からはクレゾールノボラック型エポキシ樹脂が、耐リフロー性の観点からはビフェニル型エポキシ樹脂がそれぞれ好ましい。
【００２２】
硬化剤としてはフェノールノボラック，アラルキルフェノール樹脂，ビフェニルフェノール樹脂等の多官能フェノール，トリフェノールメタン型フェノール樹脂，ナフトールノボラック樹脂，ナフトール類／フェノール類／アルデヒド類の共縮重合体，ナフトールアラルキル樹脂，ジシクロペンタジエン型フェノール樹脂，各種ジアミン化合物，イミダゾール化合物，テトラヒドロ無水フタル酸，無水フタル酸，無水トリメリット酸等の酸無水化合物が挙げられる。
【００２３】
成形性の観点からはフェノールノボラック樹脂が、耐リフロー性の観点からはアラルキルフェノール樹脂が好ましい。
【００２４】
硬化剤はエポキシ当量１に対して、水酸基，アミン，酸無水物当量として０．５〜２．０　の範囲で混合される。硬化促進剤はフォスフィン化合物としてエポキシ樹脂に対して、０．５〜５．０重量％添加される。
【００２５】
無機フィラは溶融シリカ，結晶性シリカ，アルミナ，ジルコン，窒化アルミニウム，炭酸カルシウム，珪酸ジルコニウム，珪酸カルシウム，チタン酸カリウム，炭化珪素，窒化珪素，窒化アルミニウム，窒化硼素，ベリリア，ジルコニア，フォステライト，ステアタイト，スピネル，ムライト，チタニア，タルク，クレー，マイカ，チタン酸バリウム，チタン酸ストロンチウム等が用いられる。これらの形状としては粉体、またはこれらを球形化したビーズ，ガラス繊維等の形状が挙げられる。添加量は全体の５０〜９５容量％が望ましい。これらの無機フィラは硬化物の熱膨張率や熱伝導率，弾性率の改良を目的に添加するものであり、配合量が５０容量％未満ではこれらの特性を充分に改良することができない可能性があり、９５容量％を超えると樹脂組成物の粘度が著しく上昇して流動性が低下するため、安定した半導体装置が得られなくなる。
【００２６】
このうち線膨張係数低減の観点からは溶融シリカが、高熱伝導性の観点からはアルミナが、高誘電性の観点からはチタン酸バリウムが好ましく、無機充填剤の形状は成形時の流動性，金型磨耗性の観点から球状が望ましい。
【００２７】
その他の添加成分としてカップリング剤，着色剤，離型剤及び難燃剤等を必要に応じて添加することができる。樹脂成分と無機充填剤との接着性を高めるために、必要に応じて、エポキシシラン，メルカプトシラン，アミノシラン，アルキルシラン，ウレイドシラン，ビニルシラン等の各種シラン系化合物，チタン系化合物，アルミニウムキレート類，アルミニウム／ジルコニウム系化合物等の公知のカップリング剤を添加することができる。これらを例示するとビニルトリクロロシラン，ビニルトリエトキシシラン，ビニルトリス（β−メトキシエトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、β−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルメトキシシラン，ビニルトリアセトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−アニリノプロピルトリメトキシシラン、γ−アニリノプロピルメチルジメトキシシラン、γ−［ビス（β−ヒドロキシエチル）］アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−β−（アミノエチル）−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−（β―アミノエチル）アミノプロピルジメトキシメチルシラン、Ｎ−（トリメトキシシリルプロピル）エチレンジアミン、Ｎ−（ジメトキシメチルシリルイソプロピル）エチレンジアミン，メチルトリメトキシシラン，ジメチルジメトキシシラン，メチルトリエトキシシラン、Ｎ−β−（Ｎ−ビニルベンジルアミノエチル）−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−クロロプロピルトリメトキシシラン，ヘキサメチルジシラン，ビニルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン等のシラン系カップリング剤，イソプロピルトリイソステアロイルチタネート，イソプロピルトリス（ジオクチルパイロホスフェート）チタネート，イソプロピルトリス（Ｎ−アミノエチル−アミノエチル）チタネート，テトラオクチルビス（ジトリドデシルホスファイト）チタネート、テトラ（２，２−ジアリルオキシメチル−１−ブチル）ビス（ジトリデシル）ホスファイトチタネート，ビス（ジオクチルパイロホスフェート）オキシアセテートチタネート，ビス（ジオクチルパイロホスフェート）エチレンチタネート，イソプロピルトリオクタノイルチタネート，イソプロピルジメタクリルイソステアロイルチタネート，イソプロピルトリドデシルベンゼンスルホニルチタネート，イソプロピルイソステアロイルジアクリルチタネート，イソプロピル（ジオクチルホスフェート）チタネート，イソプロピルトリクミルフェニルチタネート，テトライソプロピルビス（ジオクチルホスファイト）チタネート等のチタネート系カップリング剤が挙げられる。これらを単独で用いても二種類以上を組み合わせて用いてもよい。
【００２８】
上記カップリング剤の配合量は無機充填剤に対して、０．０５　〜５重量％であることが好ましく、より好ましくは０．１〜２．５重量％が望ましい。０．０５　重量％未満ではリードフレームとの接着性が低下する傾向にあり、５重量％を超えるとパッケージの成形性が低下する可能性がある。
【００２９】
難燃剤としてはブロム化エポキシ樹脂，三酸化アンチモン，りん酸エステル，赤りん等のりん化合物，メラミン，メラミンシアヌレート，メラミン変性フェノール樹脂，グアナミン変性フェノール樹脂等の含窒素化合物，シクロホスファゼン等のりん／窒素含有化合物，水酸化アルミニウム，水酸化マグネシウム，酸化亜鉛，酸化鉄，酸化モリブデン，フェロセン等の金属化合物等、従来公知の難燃剤を必要に応じて添加することができる。
【００３０】
また半導体素子の耐湿性，高温放置特性を向上させる観点から陰イオン交換体を添加することもできる。陰イオン交換体としては、特に制限はないが、従来公知のものとしては、例えばハイドロタルサイト類やマグネシウム，アルミニウム，チタン，ジルコニウム，ビスマスから選ばれる元素の含水酸化物等が挙げられ、これらを単独または二種類以上組み合わせて用いることができる。中でも下記一般式（Ｉ）で示されるハイドロタルサイトが好ましい。
【００３１】
Ｍｇ１−ｘＡｌｘ（ＯＨ）２（ＣＯ３）ｘ／２・ｍＨ２Ｏ　　　　　　　　　　　　（Ｉ）
（０＜ｘ≦０．５、ｍは正の整数）
さらに離型剤としては高級脂肪酸，高級脂肪酸金属，エステル系ワックス，ポリオレフィン系ワックス，ポリエチレン，酸化ポリエチレン等が挙げられる。着色剤としてはカーボンブラック，各種顔料，染料等が挙げられる。その他必要に応じて、シリコーンオイルやシリコーンゴム粉末等の応力緩和剤等を添加することができる。
【００３２】
上記エポキシ樹脂，硬化剤，硬化促進剤，無機フィラ、その他添加剤を所定量配合して、ロールあるいはニーダ等を用いて、５０〜１３０℃の温度で均一混合することにより本発明の半導体封止用樹脂組成物を得ることができる。さらにトランスファプレス等を用いて成形することにより、半導体装置を得ることができる。このとき一般的には金型温度１５０〜２００℃，成形圧力３〜２０ＭＰａ，成形時間６０〜１８０秒で硬化物を得ることができる。さらに必要に応じて、アフタキュアとして、１５０〜２００℃の高温槽中で４〜８時間追加加熱をすることにより、硬化反応を進めることもある。
【００３３】
本発明で得られる半導体封止用樹脂組成物により半導体素子を封止して得られる半導体装置としてはリードフレーム，配線済みのテープキャリア，配線板，ガラス，シリコンウエハ等の支持部材に、半導体素子，トランジスタ，ダイオード，サイリスタ等の能動素子，コンデンサ，抵抗体，コイル等の受動素子等の素子を搭載し、必要な部分を本発明の封止用樹脂組成物により封止して得られる。例えばリードフレーム上に半導体素子を固定して、ボンディングパッド等の素子端子部とリード部をワイヤボンディングやバンプで接続した後、本発明の封止用樹脂組成物を用いてトランスファ成形等により封止してなる、ＤＩＰ（Ｄｕａｌ　ＩｎｌｉｎｅＰａｃｋａｇｅ），ＰＬＣＣ（Ｐｌａｓｔｉｃ　Ｌｅａｄｅｄ　Ｃｈｉｐ　Ｃａｒｒｉｅｒ），ＱＦＰ（Ｑｕａｄ　Ｆｌａｔ　Ｐａｃｋａｇｅ），ＳＯＰ（Ｓｍａｌｌ　Ｏｕｔｌｉｎｅ　Ｐａｃｋａｇｅ），ＳＯＪ（Ｓｍａｌｌ　Ｏｕｔｌｉｎｅ　Ｊ−ｌｅａｄＰａｃｋａｇｅ），ＴＳＯＰ（Ｔｈｉｎ　Ｓｍａｌｌ　Ｏｕｔｌｉｎｅ　Ｐａｃｋａｇｅ），ＴＱＦＰ（Ｔｈｉｎ　Ｑｕａｄ　Ｆｌａｔ　Ｐａｃｋａｇｅ）等の一般的な樹脂封止型ＩＣ，ＬＳＩ，テープキャリアにバンプで接続した半導体素子を、本発明の封止用樹脂組成物で封止したＴＣＰ（Ｔａｐｅ　Ｃａｒｒｉｅｒ　Ｐａｃｋａｇｅ），配線板やガラス上に形成した配線に、ワイヤボンディング，フリップチップボンディング，はんだ等で接続した半導体素子，トランジスタ，ダイオード，サイリスタ等の能動素子及び／またはコンデンサ，抵抗，コイル等の受動素子を本発明の封止用樹脂組成物で封止したＣＯＢ（Ｃｈｏｐ　Ｏｎ　Ｂｏａｒｄ）モジュール，ハイブリッドＩＣ，マルチチップモジュール、裏面に配線板接続用の端子を形成した有機基板に形成された配線を接続した後、本発明の封止用樹脂組成物で素子を封止したＢＧＡ（Ｂａｌｌ　Ｇｒｉｄ　Ａｒｒａｙ），ＣＳＰ（Ｃｈｉｐ　Ｓｃａｌｅ　Ｐａｃｋａｇｅ）等が挙げられる。また本発明の封止用樹脂組成物を用いて素子を封止する方法としては低圧トランスファ成形法が最も一般的であるが、インジェクション成形法，圧縮成形法等を用いることもできる。
【００３４】
以下、本発明を実施例に基づき具体的に説明する。
【００３５】
［実施例１］
（フェノール類ノボラックで被覆及び／またはフェノール類ノボラック中に分散させたフォスフィン化合物の合成）
トリフェニルフォスフィン（ＴＰＰ：融点８０℃）５ｇ，フェノールとサチルアルデヒドのノボラック（軟化点１３０℃）５ｇをアセトン５ｇに溶解させた。ついで７５℃，１０時間でアセトンを蒸発させ、固形物を得た。この固形物を乳鉢で粉砕してＴＰＰ含有量５０重量％の黄褐色粉末１０ｇを得た。
【００３６】
（半導体封止用樹脂組成物の合成）
ビフェニル型エポキシ樹脂（エポキシ当量：１９０ｇ／ｅｑ，ジャパンエポキシレジン株式会社製商品名エピコートＹＸ−４０００Ｈ）９０ｇ，臭素化エポキシ樹脂（エポキシ当量：３７５ｇ／ｅｑ，住友化学工業株式会社商品名ＥＳＢ−４００Ｔ）１０ｇ，アラルキルフェノール樹脂（水酸基当量：１７１ｇ／ｅｑ，三井化学株式会社製商品名ミレックスＸＬ−２２５）８６ｇ、上記硬化促進剤３ｇ，三酸化アンチモン１０ｇ，カップリング剤（γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン）５ｇ，カーボンブラック２ｇ，離型剤（カルナバワックス）
１．５ｇ，溶融シリカ（平均粒径１７．５μｍ，比表面積３．８ｍ２／ｇの球状溶融シリカ）１１００ｇを１１０℃の二軸ミキシングロールで混練，粉砕してエポキシ樹脂組成物を得た。
【００３７】
得られたエポキシ樹脂組成物の保存安定性を２５℃／２０％ＲＨに７２時間保管したときの流動性変化から求めた。流動性は規格（ＥＭＭＩ−１−６６）に準拠したスパイラルフロー測定用金型でエポキシ樹脂組成物を成形して流動長を調べた。流動性変化率は初期値を１００として、７２時間保管後の変化を調べた。また吸湿環境下での保存安定性は２５℃／９０％ＲＨに７２時間保管したときの熱時硬度の変化から求めた。熱時硬度は成形直後の試験片の硬さをバーコル硬度計で測定した。こちらも初期値を１００として、７２時間保管後の変化で調べた。流動性及び熱時硬度の測定におけるエポキシ樹脂組成物の成形にはトランスファプレス（金型温度：１８０℃，圧力：７ＭＰａ，成形時間９０秒）を用いた。
【００３８】
［実施例２］
実施例１と同じ手法でＴＰＰ含有量７０重量％の粉末を合成し、それを硬化促進剤として用いた。添加量は２ｇとした。そのほかの樹脂組成物の組成は実施例１と同じである。
【００３９】
［実施例３］
実施例１と同じ手法でＴＰＰ含有量９０重量％の粉末を合成し、それを硬化促進剤として用いた。添加量は１．８ｇ　とした。そのほかの樹脂組成物の組成は実施例１と同じである。
【００４０】
［実施例４］
（フェノール類ノボラックで被覆及び／またはフェノール類ノボラック中に分散させたフォスフィン化合物の合成）
トリフェニルフォスフィンと１，４−ベンゾキノンとの付加物（ＴＰＰＢＱ：融点＞１５０℃）５ｇ，フェノールとサチルアルデヒドのノボラック（軟化点１３０℃）１．２５ｇ　をアセトン５ｇに溶解させた。ついで７５℃，１０時間でアセトンを蒸発させ、固形物を得た。この固形物を乳鉢で粉砕してＴＰＰＢＱ含有量８０重量％の黄褐色粉末６．２５ｇ　を得た。
【００４１】
得られた硬化促進剤を用いて添加量を１．９ｇ　として、実施例１と同様に樹脂組成物を作成して、特性を評価した。
【００４２】
［比較例１］
硬化促進剤としてトリフェニルフォスフィン（ＴＰＰ）を用いて実施例１と同じ樹脂組成物の組成で作成した。ＴＰＰの添加量は１．５ｇ　とした。
【００４３】
［実施例５〜８］
実施例１〜４で得られた半導体封止用樹脂組成物を用いて、半導体装置を成形した。耐はんだリフロー試験は表面にアルミニウムのジグザグ配線を形成したシリコンチップ（６×６ｍｍ）を４２アロイのリードフレームに搭載後、チップ表面のアルミニウム電極とリードフレーム間を金線（直径２３μｍ）でボンディングした半導体装置（外形：２０ｍｍ×１４ｍｍ×厚さ２ｍｍ）を樹脂封止した。トランスファプレス条件は実施例１と同様の条件で実施し、アフターキュアとして、１７５℃，５時間恒温槽中で処理した。
【００４４】
耐リフロー性の試験は得られた半導体装置を８５℃／８５％ＲＨ下で１６８時間放置後、２４０℃の赤外線リフロー炉中で９０秒加熱して、半導体装置のクラックの発生の有無を確認した。
【００４５】
耐湿性試験は成形して得られた半導体装置を６５℃，９５％ＲＨの恒温，恒湿下で７２時間放置後、２１５℃，９０秒間ベーパーリフローの前処理を行い、さらに６５℃，９５％ＲＨの条件で５００時間放置して、内部のアルミニウム電極の腐食の有無を調べた。
【００４６】
高温放置試験は半導体措置を１７５℃の恒温槽に１０００時間放置し、金ワイヤとアルミニウム電極の接合界面の変化を調べた。
【００４７】
［比較例２］
比較例１の樹脂組成物を用いて実施例５〜８と同様に半導体装置を作製して、実施例５〜８と同じ試験をした。
2004091551.tif 000002
【００４８】
各種試験における不良率（測定数：各１０個）
2004091551.tif 000003
【００４９】
【発明の効果】
本発明のフェノール類ノボラックで被覆及び／またはフェノール類ノボラック中に分散させたフォスフィン化合物を硬化促進剤に用いた半導体封止用エポキシ樹脂組成物は保存安定性に優れており、長期保管後も成形時の流動性，熱時硬化性の変化を極めて小さくできることが特徴である。これにより、半導体封止用樹脂をして長期間使用することができ、特性劣化による廃棄等をなくすことができ、低コスト化に大きな貢献をすることになる。さらに樹脂組成物の特性が安定しているため、得られる半導体装置の品質も非常に安定した信頼性に優れた製品を提供することができる。