(57)【要約】      （修正有）【課題】スルーホールの精度を高めることができると共に、製作が簡単で製作時間の短縮が図れ、また、各層間の接着力を高めることができる多層基板の製造方法を提供する。【解決手段】以下の第７の工程により多層基板を製造する。１．樹脂基板１の表面に銅２／ニッケル３／銅４の３層構造の金属箔を積層し、バンプ以外の領域にエッチングレジスト５を形成する。２．エッチングを行う。３．レジスト除去後にバンプ部に半田ヘッキ６を行う。４．半田メッキ下層に位置する銅箔４をエッチングする。５．樹脂基板の裏面に接着性樹脂膜７を形成する。６．接着性樹脂および樹脂基板に下層のバンプが嵌合される孔をレーザ加工によって形成する。７．各層を一括加熱プレス加工によって一体化する。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラスエポキシ等の樹脂基板の表面に銅箔、ニッケル箔および銅、ニッケル（半田と錫との合金でも可）銅の３層メタライズ構造の銅箔を積層すると共にバンプおよび下層のバンプとの接続部分を残してエッチングレジストを形成する第１の工程と、前記エッチングレジストを施した部分を除いてエッチングを行う第２の工程と、前記エッチングレジストを除去した後にバンプとなる部分に半田メッキを行う第３の工程と、該半田メッキの下層部分に位置する前記３層メタライズ構造の銅箔をエッチングする第４の工程と、前記樹脂基板の裏面にプリプレブ等の接着性樹脂膜を形成する第５の工程と、該接着性樹脂および前記樹脂基板に下層のバンプが嵌合される孔をレーザ加工によって形成する第６の工程と、前記第１の工程から第６の工程によって製作した各層を一括加熱プレス加工によって一体化する第７の工程からなる多層基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はガラスエポキシ樹脂等のコア材の両面に、導電パターンを絶縁層を介在させて複数層形成し、前記コア材を挟んだ各面の所望の導電パターンを絶縁層に形成したスルーホールで接続し多層基板の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来におけるビルドアップ法によって製作される積層基板としては、コア材の片面あにいは両面にエキシマレーザ等によって溶解する絶縁層を形成し、その後、該絶縁層にマキシマレーザを照射することによってスルーホールを形成し、次いで、メッキを行って前記絶縁層の上に導電パターンを形成すると共に、前記スルーホールの内周面にもメッキを施して所望の上部導電パターンと下部導電パターンとを接続するものであった。
【０００３】
【特許文献】特開２００１−３５８４６４
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、前記した従来におけるビルドアップ法によって形成された多層基板にあっては、マキシマレーザの照射径によりスルーホールの孔径が決定されるために、小さなスルーホールを形成することは困難であり、また、スルーホールを希望する部分に正確に製作するためには、位置決めのために時間が掛かるといった問題があった。
【０００５】
本発明は前記した問題点を解決せんとするもので、その目的とするところは、スルーホールの精度を高めることができると共に、製作が簡単で製作時間の短縮が図れ、また、各層間の接着力を高めることができる多層基板の製造方法を提供せんとするにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明の積層基板の製造方法は前記した目的を達成せんとするもので、その手段は、ガラスエポキシ等の樹脂基板の表面に銅箔、ニッケル箔および銅、ニッケル（半田と錫との合金でも可）銅の３層メタライズ構造の銅箔を積層すると共にバンプおよび下層のバンプとの接続部分を残してエッチングレジストを形成する第１の工程と、前記エッチングレジストを施した部分を除いてエッチングを行う第２の工程と、前記エッチングレジストを除去した後にバンプとなる部分に半田メッキを行う第３の工程と、該半田メッキの下層部分に位置する前記３層メタライズ構造の銅箔をエッチングする第４の工程と、前記樹脂基板の裏面にプリプレブ等の接着性樹脂膜を形成する第５の工程と、該接着性樹脂および前記樹脂基板に下層のバンプが嵌合される孔をレーザ加工によって形成する第６の工程と、前記第１の工程から第６の工程によって製作した各層を一括加熱プレス加工によって一体化する第７の工程からなるものである。
【０００７】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に係る多層基板の製造方法を図面と共に説明する。
図１（ａ）〜（ｅ）は第１基板層Ａを製作する工程を示し、（ａ）は第１工程であるガラスエポキシ等による樹脂基板１、該樹脂基板１の表面に形成した銅箔２、該銅箔２の表面に形成したニッケル箔３、銅（５０μ）、ニッケルまたは半田と錫の合金（３μ）、銅（１８μ）の３層メタライズ構造の銅箔４、前記樹脂基板１のみを溶融することのないエッチングレジスト５を積層したものであり、該エッチングレジスト５は図１（ｇ）に示す下層の第２層のバンプｂの位置までされている。
【０００８】
（ｂ）は第２の工程である塩銅エッチング液によってエッチングを行う工程を示し、このエッチング工程によって前記エッチングレジスト５の下部を残して露出している銅箔４、ニッケル箔３および銅箔２が除去される。
【０００９】
（ｃ）は第３の工程を示し、前記エッチング工程が終了した後のエッチングレジスト５を除去し、次いで、バンプａを形成する部分のみに半田メッキ６を施した工程を示している。
【００１０】
（ｄ）は第４の工程である塩化アンモニューム銅液によってエッチングを行う工程を示し、このエッチング工程によって前記半田メッキ６の下部を残して露出している銅箔４が除去される。
【００１１】
（ｅ）は第５の工程を示し、樹脂基板１の裏面にプリプレグ等の接着性樹脂膜７を形成する工程である。（ｆ）は第６の工程を示し、前記接着性樹脂膜７側からレーザ光を照射して前記バンプｂが嵌合される孔ａ１  を形成する工程である。
【００１２】
（ｆ）は前記した第１の工程から第５の工程を経て製作したと同様な工程によって第２基板層Ｂおよび第３基板層Ｃを製作する。この時、第２基板層Ｂの孔ｂ１  に第３基板層Ｃのバンプｃが嵌合するように製作する。また、前記第１基板層Ａのバンプａが嵌合される孔ｄ１  を有するガラスエポキシ樹脂等の樹脂基板８の裏面側にプリプレグ等の接着性樹脂膜９を形成し、かつ、上面に銅箔１０を形成した第４基板層Ｄを形成し、さらに、第３基板層Ｃの孔ｃ１  と嵌合されるバンプｅを有する銅板１１からなる第５基板層Ｅを形成する。なお、前記バンプｅの上面には半田メッキ１２が形成されている。
【００１３】
このように啓作した第１基板層Ａ〜第５基板層Ｅを図２（ｇ）のように配列積層すると共に加熱プレスすることにより、各基板層間は接着性樹脂膜によって一体化されると共に各バンプは半田メッキが溶解して上面の銅箔に電気的に接続される（図２（ｆ）参照）。
【００１４】
そして、第４基板層Ｄと第５基板層Ｅの銅箔１０，１１をエッチング処理によってバンプａとバンプｅとが表面に露出するパターンｄ，ｅ１  となり、残された銅箔１０と１１とはバンプａ〜ｅを介して電気的に接続されることとなる。
【００１５】
【発明の効果】
本発明は前記したように、下層のバンプと接続される導電パターンと上層の導電パターンに接続されるバンプを形成した各基板層を重ねた状態で加熱プレスことにより積層基板を製造することができるので、スルーホールの精度を高めることができると共に、製作が簡単で製作時間の短縮が図れ、また、各層間の接着力を高めることができる等の効果を有するものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）〜（ｆ）は本発明の積層基板の製造方法に係る実施の形態を示す製造工程の説明図である。
【図２】（ｇ）〜（ｉ）は同上の製造工程に続く工程である。
【符号の説明】
１                  樹脂基板
２                  銅箔
３                  ニッケル箔
４                  銅箔
５                  エッチングレジスト
６                  半田メッキ
７                  接着性樹脂膜
【図１】
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【図２】
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