(57)【要約】【課題】積層セラミック電子部品における外部電極の形成を、配線層と外部電極との適切な導通状態を確保しながら効率よく行なうことを目的とする。【解決手段】積層セラミックコンデンサ１０の外部電極２８は、複数のセラミックシート２０を積層してなる積層体の異なる複数の位置に貫通孔２６を形成しておき、この貫通孔２６に導電材料を充填することにより形成される。上記貫通孔２６は、各孔形成位置に順次にレーザビーム５０を照射する工程ＣＹを何回か繰り返し、各孔形成位置における穴の深さを徐々に深めながら形成される。【選択図】        図５
2004158571.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
内部電極として機能する配線層をセラミック層上に備えたセラミックシートを複数枚積層することにより形成される積層セラミック電子部品を製造する方法であって、
（ａ）前記セラミックシートを複数枚積層する工程と、
（ｂ）該積層されたセラミックシートにレーザを照射して前記の積層された複数枚のセラミックシートを貫通する貫通孔を複数個形成する工程と、
（ｃ）該貫通孔に導電材料を配置することにより、前記セラミックシートの配線層に導通されるビア電極を形成する工程と
を備え、
前記工程（ｂ）は、前記レーザを、前記複数個の貫通孔に対応する孔形成位置に順次サイクリックに照射して、前記複数の貫通孔を形成する工程である
積層セラミック電子部品の製造方法。
【請求項２】
前記工程（ａ）において積層されるセラミックシートは、シート１枚当たりのセラミック層の厚みが２０μｍ（マイクロメートル）以下である請求項１に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。
【請求項３】
請求項１または２に記載の積層セラミック電子部品の製造方法であって、
積層されたセラミックシートを焼成する工程を備え、
前記工程（ｂ）は、該セラミックシートを焼成する前に行なわれる工程である
積層セラミック電子部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、積層セラミック電子部品を製造するための技術に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、各種電子機器の回路等には、積層セラミックコンデンサや積層セラミックインダクタ等の積層セラミック電子部品が用いられている。この積層セラミック電子部品は、一般に、セラミック層の表面に内部電極としての配線層を備えたセラミックシートが何層にも重ねられた構造（以下、多層構造という）を有する。上記のような多層構造を採用することにより、例えば、積層セラミックコンデンサでは、誘電体としてのセラミックに挟まれた内部電極が数多く積層され、これにより、高い静電容量を確保している。
【０００３】
このような積層セラミック電子部品は、しばしば、各層の内部電極間を電気的に導通するためのビア電極を備えている。このビア電極は、従来、セラミックシート１枚ごとに形成されていた。即ち、まず、１枚のセラミックシートにビアホールとしての貫通孔を形成し、この貫通孔にＡｇ等の導電材料を充填する（この導電材料が充填された部位のことを、以下、充填部という）。こうした貫通孔の形成ないし導電材料の充填を、積層される枚数分の各セラミックシートについて行なった後、各セラミックシートの充填部同士が重なるようにセラミックシートを積層する。これにより、積層された各セラミックシートは充填部において導通され、この充填部が積層セラミック電子部品のビア電極として機能する。
【０００４】
他方、プリント基板の分野では、ベース基板としての樹脂層と導電パターンとしての銅箔層からなる１枚の基板に対して、樹脂層のみを穿設してなる非貫通状態の穴をレーザビームを用いて形成する手法が提案されていた（例えば、特許文献１，特許文献２参照。）。
【０００５】
【特許文献１】
特開平１１−１４５５８１号公報
【特許文献２】
特開２００１−２７４５５７号公報
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記した従来のビア電極の形成手法では、貫通孔を形成する作業回数が多くなり、また、積層時においても、各セラミックシートが積層される位置を充填部同士が重なるように厳密に管理しなければならず、製造上煩雑であった。
【０００７】
また、多数のセラミックシートが積層された積層体に対してレーザを照射することにより積層体を貫通する貫通孔を形成する手法については、従来において何ら提案されていなかった。このように多数積層されたセラミックシートを貫通するためには、通常、樹脂よりも融点の高い材料（例えば、Ａｇ）が用いられる配線層や、この配線層よりも更に融点の高いセラミック層を何層にも亘って溶融しなければならず、このような溶融は、特許文献１や特許文献２に記載された技術（１枚分の樹脂層のみを溶かすプリント基板の穴明け技術）の適用によっては到底実現することはできなかった。加えて、溶融後の配線層とビア電極との適切な導通状態を確保する点についても、導電パターンとしての銅箔層が溶融されないことを前提とする特許文献１や特許文献２では、当然に提案されていない。
【０００８】
そこで本発明は、上記の課題を解決し、積層セラミック電子部品におけるビア電極の形成を、配線層とビア電極との適切な導通状態を確保しながら効率よく行なうことを目的として、以下の構成を採った。
【０００９】
【課題を解決するための手段およびその作用・効果】
本発明の積層セラミック電子部品の製造方法は、
内部電極として機能する配線層をセラミック層上に備えたセラミックシートを複数枚積層することにより形成される積層セラミック電子部品を製造する方法であって、
（ａ）前記セラミックシートを複数枚積層する工程と、
（ｂ）該積層されたセラミックシートにレーザを照射して前記の積層された複数枚のセラミックシートを貫通する貫通孔を複数個形成する工程と、
（ｃ）該貫通孔に導電材料を配置することにより、前記セラミックシートの配線層に導通されるビア電極を形成する工程と
を備え、
前記工程（ｂ）は、前記レーザを、前記複数個の貫通孔に対応する孔形成位置に順次サイクリックに照射して、前記複数の貫通孔を形成する工程であること
を要旨とする。
【００１０】
上記発明の積層セラミック電子部品の製造方法では、積層された複数枚のセラミックシートにレーザを照射することにより該複数枚のセラミックシートを貫通する貫通孔を複数個形成し、この貫通孔に導電材料を配置してセラミックシートの配線層に導通されるビア電極を形成する。従って、積層セラミック電子部品におけるビア電極の形成を効率よく行なうことができる。
【００１１】
加えて、上記の貫通孔を形成する工程では、レーザを、複数個の貫通孔に対応する孔形成位置に順次サイクリックに照射して、複数の貫通孔を形成する。こうすれば、レーザの照射によって形成途中の穴内に局所的な蓄熱が生じることが抑制されるので、局所的な蓄熱によって配線層やセラミック層が過熱され、広がった形状の貫通孔が形成されてしまうことが防止される。従って、複数枚のセラミックシートからなる積層体においても、微細でストレート性の高い貫通孔を形成できるので、貫通孔に導電材料を充填することにより形成されるビア電極に対して絶縁されるべき配線パターンを接近して配置することが可能となり、その結果、電子部品の小型化や高性能化が図れる。
【００１２】
工程（ａ）において積層されるセラミックシートを、シート１枚当たりのセラミック層の厚みが２０μｍ以下のものとすることも好適である。このようにセラミック層の厚さを薄くすることで、積層セラミック電子部品の基本性能を高めることができる。
【００１３】
積層されたセラミックシートを焼成する工程を備え、該セラミックシートが焼成される前に前記工程（ｂ）を行なうこととしてもよい。こうすれば、未焼結のセラミック層に対してレーザが照射されるので、少ない照射量で貫通孔を形成することができる。
【００１４】
【発明の実施の形態】
以上説明した本発明の構成および作用を一層明らかにするために、以下本発明の実施の形態を、以下の順序で説明する。
Ａ．実施例
Ａ−１．積層セラミックコンデンサ１０の全体構成
Ａ−２．積層セラミックコンデンサ１０の製造工程
Ａ−３．作用効果
Ｂ．変形例
【００１５】
Ａ．実施例：
Ａ−１．積層セラミックコンデンサ１０の全体構成：
図１は本発明の一実施例である積層セラミックコンデンサ１０の縦断面を示す説明図であり、図２は図１におけるＲ−２部の拡大断面を示す説明図である。
【００１６】
図１に示すように、積層セラミックコンデンサ１０は、内部電極として機能する配線層２４と誘電体としてのセラミック層２２とを備え、このセラミック層２２と配線層２４とが交互に多数積層された構造（以下、多層構造という）を有する。このため、各セラミック層２２は二つの配線層２４の間に挟まれた状態とされている。また、各配線層２４は、一層おきに、外部の電源や回路等に接続されるビア電極２８に導通されている。
【００１７】
ビア電極２８から各配線層２４に電圧を加えると、セラミック層２２の分極作用が生じる。これにより、配線層２４における正の電荷，負の電荷はセラミック層２２側に誘起される。電圧の印加を止めてもセラミック層２２は分極したままの状態に保持される。これにより、図２に示すように、二つの配線層２４の間に電荷を蓄えることができる。
【００１８】
多層構造の積層セラミックコンデンサ１０では、上記のように電荷が蓄積される部位が階層的に多数形成される。従って、この積層セラミックコンデンサ１０によれば、小型で大きな静電容量を実現することができる。
【００１９】
Ａ−２．積層セラミックコンデンサ１０の製造工程：
積層セラミックコンデンサ１０は、図３に示すステップＳ１００〜Ｓ１８０の各工程を経て製造される。各工程の内容につき、以下、工程順に説明する。
【００２０】
Ａ−２−１．キャリアフィルム上へのセラミック層の形成（図３のステップＳ１００）：
まず、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）フィルム等の長尺状のキャリアフィルムにチタン酸バリウムなどから成るセラミックスラリを均一に薄く塗布して乾燥させる。これにより、キャリアフィルム上にセラミック層２２が形成される。
【００２１】
Ａ−２−２．セラミック層上への配線層の形成（図３のステップＳ１１０）：次に、乾燥後のセラミックスラリ上に、スクリーン印刷などによってＡｇ製の電極パターンを印刷する。こうしたセラミック層２２の表面に電極パターンが印刷された部分のことを、以下、配線層２４という。また、セラミック層２２の表面には、電極パターンが印刷されていない部分もあり、この配線層２４を有しない部分のことを窓部２５という（図４を参照）。
【００２２】
Ａ−２−３．積層用セラミックシートの切り出しおよびキャリアフィルムの剥離（図３のステップＳ１２０、Ｓ１３０）：
次に、上記のセラミック層２２が形成された長尺状のキャリアフィルムを搬送させながら一定形状に、セラミック層２２およびキャリアフィルムを切り出し、キャリアフィルムを剥離する。こうした切り出しおよび剥離により、図４に示すような、セラミック層２２，配線層２４から構成された１枚のセラミックシート２０が形成される。この図４はセラミックシート２０の断面を模式的に表わしている。図４（Ａ），図４（Ｂ）にそれぞれ示したように、本実施例では、配線層２４および窓部２５のレイアウトが異なる二種類のセラミックシート２０が準備される。
【００２３】
なお、模式図である図４では、説明の便宜上、１枚のセラミックシート２０の２箇所に窓部２５が設けられた状態を表わしているが、実際には、窓部２５は、１枚のセラミックシート２０の２５００箇所に設けられる。
【００２４】
図４（Ｃ）は図４（Ａ）の一部拡大断面を示している。図４（Ｃ）に示すように、本実施例では、セラミック層２２の厚みｄ１，配線層２４の厚みｄ２は、それぞれ５μｍ（マイクロメートル  以下、同じ），２μｍとされていることから、１枚のセラミックシート２０の厚みｄ３は７μｍとされている。
【００２５】
Ａ−２−４．セラミックシートの積層（図３のステップＳ１４０）：
次に、上記のように形成された複数枚のセラミックシート２０を順次に積層する。図５はセラミックシート２０の積層が完了したときの状態を模式的に示している。この積層に際しては、まず、第１ベースセラミック層３２が形成されたベースシート３４を準備し、予め敷設しておく。この第１ベースセラミック層３２を備えたベースシート３４は、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）製のベースシート３４上にセラミックスラリを厚めに塗布して乾燥させることにより形成される。
【００２６】
続いて、敷設されたベースシート３４の第１ベースセラミック層３２上に、セラミックシート２０を第１層から第ｉ層まで積層して積層体ＣＳを形成する。この積層の際には、図４（Ａ），図４（Ｂ）に示した二種類のセラミックシート２０が交互に積層される。図５では、図４（Ａ）に示したセラミックシート２０は偶数番目の層に、図４（Ｂ）に示したセラミックシート２０は奇数番目の層に、それぞれ配置されている。なお、図５に示す積層体ＣＳでは、セラミックシート２０が１０層に積層されているが、実際には、セラミックシート２０は１００層に積層され、ベースシート３４を含む積層体ＣＳ全体の厚みｄａは９００μｍとされている。
【００２７】
Ａ−２−５．レーザ照射による貫通孔の形成（図３のステップＳ１５０）：
次に、レーザ加工機を用いて、上記の積層体ＣＳに導電材料充填用の貫通孔２６を形成する。この貫通孔２６の形成に用いられるレーザ加工機４０の概略構成を図６に示した。
【００２８】
レーザ加工機４０は、周知のＣＯ２レーザを用いた加工機であり、パルス発振によってレーザビーム５０を出力する発振器４２と、出力されたレーザビーム５０を反射ないし集束する光学系ＬＭ（具体的にはミラー４４，４６およびレンズ４８）と、集束後のレーザビーム５０が照射される位置に配置されたテーブル５６と、上記の発振器４２，光学系ＬＭ，テーブル５６の動作を制御する制御装置５２とを備える。制御装置５２は、光学系ＬＭに対して制御信号を発することによりレーザビーム５０の照射位置を制御する。また、制御装置５２の入力側には、発振器４２，光学系ＬＭ，テーブル５６の動作内容を設定する設定部５４が接続されている。発振器４２から出力されたレーザビーム５０は、ミラー４４によって水平方向に反射され、更にミラー４６によって垂直方向に反射された後、レンズ４８を通過し、テーブル５６上に配置された積層体ＣＳに照射される。
【００２９】
なお、本実施例では、制御装置５２からの制御信号に基づいてミラー４４の角度の変更やテーブル５６の移動により、積層体ＣＳ上の異なる位置にレーザビーム５０を照射することを可能としているが、勿論、制御装置５２からの制御信号に基づいて光学系ＬＭを移動させることにより、レーザビーム５０の積層体ＣＳへの照射位置を変更することとしても差し支えない。なお、積層体ＣＳへのレーザビーム５０の照射条件（例えば、後述するパルスエネルギＥやパルス周期Ｇ等）は、設定部５４における設定内容に応じて適宜変更することができる。
【００３０】
図５に示したように、上記の積層体ＣＳでは、セラミックシート２０に設けられた窓部２５が、一層おきに同じ水平位置に配置されている。上記のレーザ加工機４０は、この同じ水平位置に配置された窓部２５の中心を結ぶ軸線（図５における一点鎖線）に沿ってレーザビーム５０を照射する。これにより、上記軸線上に位置するセラミック層２２，配線層２４，第１ベースセラミック層３２およびベースシート３４が溶融され、上記軸線の周囲に、積層体ＣＳを上下に貫通する貫通孔２６が形成される。この貫通孔２６は、窓部２５におけるビア電極２８と配線層２４との導通を回避するために、窓部２５よりも小さな幅で形成される（図８を参照）。
【００３１】
なお、模式図である図５では、積層体ＣＳの４箇所にレーザビーム５０が照射される様子を表わしているが、実際には、レーザビーム５０の照射は、１枚のセラミックシート２０の２５００箇所に設けられた全ての窓部２５について行なわれる。従って、貫通孔２６は積層体ＣＳの５０００箇所に形成される。
【００３２】
このように積層体ＣＳの異なる複数の位置に貫通孔２６を形成する手法として、本実施例では、いわゆるサイクル加工法を採用している。サイクル加工法は、図５に示すように、各孔形成位置に順次にレーザビーム５０を照射する工程ＣＹを何回か繰り返し、各孔形成位置における穴の深さを徐々に深めながら、最終的に全ての孔形成位置に貫通孔を形成する手法である。
【００３３】
本実施例におけるレーザビーム５０の照射条件を図７に示す。図７（Ａ）に示すように、本実施例では、５０００箇所の孔形成位置に対して、パルスエネルギＥが８ｍＪ（ミリジュール  以下、同じ），パルス幅Ｂが３６μｓ（マイクロ秒以下、同じ）のレーザビーム５０を、１ｍｓ（ミリ秒  以下、同じ）のパルス周期Ｇで照射する。従って、一箇所の孔形成位置における照射終了から再照射開始までの期間Ｄは、「パルス周期Ｇ×孔形成箇所数Ｈ−パルス幅Ｂ」で表わされるので、約５ｓ（秒  以下、同じ）となる（図７（Ｂ）を参照）。
【００３４】
こうした条件で、厚みｄａが９００μｍの積層体ＣＳに貫通孔２６を形成するためには、１孔当たり２５回のショット数Ｎが必要となる。
【００３５】
つまり、一の孔形成位置にレーザビーム５０のｎ回目のショットがなされると、該孔形成位置におけるセラミック層２２や配線層２４がパルスエネルギＥの大きさに応じて溶融され、これにより該孔形成位置に未だ貫通されていない状態の穴（以下、途中穴という）が形成される。このように、照射されたレーザビーム５０が直接的に当たることにより溶融された配線層２４のことを、以下、導通配線層２４Ａという。これに対して、窓部２５に臨んでいるために、レーザビーム５０が直接的に当たらない配線層２４のことを、以下、非導通配線層２４Ｂという。例えば、図５に示した孔形成位置Ｐ１においては、奇数番目の層の配線層２４が非導通配線層２４Ｂとなり、偶数番目の層の配線層２４が導通配線層２４Ａとなっている（後述する図８（Ａ）を参照）。
【００３６】
この後、レーザビーム５０の照射位置は、一つの孔形成位置での照射が終わると、他の孔形成位置に変更され、他の孔形成位置に対してｎ回目のショットがなされる。一の孔形成位置に対する（ｎ＋１）回目のショットは、該一の孔形成位置に対するｎ回目のショット終了時から期間Ｄを経過した後になされる。このため、ｎ回目のショットがなされることによって途中穴内に生じた熱の一部は、期間Ｄの間に未加工の積層体ＣＳ中に拡散することにより放熱される。
【００３７】
こうしたインターバルをおいたレーザビーム５０の照射が各孔形成位置に対して繰り返し行なわれることにより、各孔形成位置に形成される途中穴の深さが徐々に深くなっていく。このようなレーザビーム５０の照射がショット数Ｎ回分繰り返されたときに、各孔形成位置に貫通孔２６が形成される。
【００３８】
積層体ＣＳの各孔形成位置に貫通孔２６が形成されたときの様子を図８（Ａ）に示した。図８（Ａ）に示すように、貫通孔２６は窓部２５よりも小さな幅で形成されている。また、貫通孔２６の幅は、始端部２６ａ（１回目のショットによるセラミック層２２の溶融に伴って形成された部分）から終端部２６ｂ（最終回目のショットによるセラミック層２２の溶融に伴って形成された部分）に至るまで、略同幅とされている。このような貫通孔２６の形状のことを、以下、「ストレート形状」という。
【００３９】
図８（Ａ）に示すＲ−８Ｂ部を拡大した様子を図８（Ｂ）に示した。図８（Ｂ）に示すように、導通配線層２４Ａの端部２４Ａｔは、セラミック層２２の端部よりも引き下がった位置に配置されている。これは、Ａｇ製の配線層２４はセラミック層２２よりも融点が低いことから、導通配線層２４Ａの端部２４Ａｔが、レーザビーム５０の照射に伴って途中穴内に蓄積された熱に触れ、セラミック層２２よりも激しく溶融されたことによるものである。本実施例では、上記のようなサイクル加工法の採用によって途中穴内に蓄積される熱量が低減されているので、端部２４Ａｔの引き下がり量は長さｆ１という少量に抑えられている。これにより、次工程の導電材料充填において、導通配線層２４Ａとビア電極２８との十分な接続性を得ることができる。
【００４０】
Ａ−２−６．貫通孔への導電材料の充填（図３のステップＳ１６０）：
次に、積層体ＣＳの各貫通孔２６に導電材料を充填する。充填された導電材料は、やがて、導通配線層２４Ａに接触した状態で固化する。このように固化した導電材料が、導通配線層２４Ａに電圧を供給するビア電極２８として機能する。
図９は導電材料の充填によりビア電極２８が設けられた状態の積層体ＣＳを示している。
【００４１】
なお、本実施例では、適度に粘度の高いペースト状のＡｇを導電材料として用いている。これにより、充填された導電材料の窓部２５への不要な流れ込みが抑制され、この結果、導電材料は、非導通配線層２４Ｂに接触することなく固化される。これにより、図９に示すように、各貫通孔２６内における配線層２４は、ビア電極２８と１層おきに導通される。
【００４２】
Ａ−２−７．本圧着・表面電極の形成（図３のステップＳ１７０）：
次に、こうして得られた積層体ＣＳを、天地を逆にして、予め敷設された第２ベースセラミック層３６上に載せ、高温・高圧プレスによって圧着する。こうした圧着後の積層体ＣＳの様子を図１０に示した。図１０に示すように、積層体ＣＳの圧着により、上下のセラミック層２２は互いに密接された状態となる。
【００４３】
続いて、積層体ＣＳの表面のベースシート３４を剥離する。こうした剥離により、図１０に示すように、積層体ＣＳは、ベースシート３４が貼付されていた側の表面に、ビア電極２８が、ベースシート３４の厚み分だけ突出した状態となる。ビア電極２８の突出した部分が、電池等の供給電源に接続される外部電極として機能する。なお、この導電材料の充填をベースシート３４を除去してから行なった場合には、上記突出部は形成されないが、この場合には、表装印刷などにより、別途、外部電極を設けることも可能である。
【００４４】
Ａ−２−８．溝入れ・脱脂・焼成・ブレーク（図３のステップＳ１８０）：
次に、積層体ＣＳに、使用される積層セラミックコンデンサ１０の大きさに合わせて溝を入れ、溝入れ後の積層体ＣＳを脱脂した後に焼成する。こうした焼成の後に、図１に示したようなセラミックコンデンサ１０が形成される。なお、焼成後の積層体ＣＳを、溝入れ工程において入れられた溝（図示せず）に沿ってブレークすれば、より小型のセラミックコンデンサ１０を形成することができる。
【００４５】
Ａ−３．作用効果：
以上説明したように、上記実施例の積層セラミックコンデンサ１０の製造方法では、セラミック層２２上に配線層２４を備えたセラミックシート２０の積層体ＣＳにレーザビーム５０を照射することにより、セラミック層２２および導通配線層２４Ａを溶融させて貫通孔２６を形成し、この貫通孔２６に導電材料を充填して導通配線層２４Ａに導通されるビア電極２８を形成する。従って、積層セラミックコンデンサ１０におけるビア電極２８の形成を効率よく行なうことができる。例えば、従来の製法のように、１枚のセラミックシート２０ごとにビアホールの形成やビアホールへの導電材料の充填を行なう必要がなく、加えて、セラミックシート２０の積層の際に、導電材料が充填された部分同士が接続されるようにセラミックシート２０の位置決めを厳密に行なう必要がない。
【００４６】
加えて、上記の貫通孔２６を形成する工程では、積層体ＣＳ上の異なる複数の孔形成位置にレーザビーム５０をサイクル加工法により照射し、この照射によりセラミック層２２および導通配線層２４Ａを溶融させて複数の貫通孔２６を形成する。このため、レーザビーム５０の照射によって形成途中の穴内に局所的な蓄熱が生じることが抑制され、局所的な蓄熱によってセラミック層２２や導通配線層２４Ａが過度に溶融され、広がった形状の貫通孔２６が形成されてしまうことが防止され、微細でストレート性の高い貫通孔２６が形成される。従って、貫通孔２６への導電材料の充填によりアスペクト比の高いビア電極２８を形成することが可能となり、ビア電極２８と導通配線層２４Ａとの導通状態を好適な状態に確保することができる。また、貫通孔２６の広がりを防止できるので、窓部２５の大きさを過度に大きくする必要もなく、電子部品の小型化、ビアの狭間隔化など、高性能を図ることができる。
【００４７】
上記の作用効果を、上記の積層体ＣＳにバースト加工法によりレーザを照射して複数の貫通孔を形成した場合と比較して具体的に説明する。このバースト加工法は、異なる複数の位置に貫通孔を形成する場合に、一の孔形成位置に必要な形状の貫通孔が形成されるまで連続してレーザビームを照射し、貫通孔が形成された後に、他の孔形成位置に上記一の孔形成位置と同様の手法でレーザビームを照射して貫通孔を形成する手法である。
【００４８】
図１１ないし図１３は、上記実施例の図５に示した積層体ＣＳにバースト加工法によってレーザを照射したときに形成される貫通孔９２６，９２６Ｋの形状を、貫通孔９２６，９２６Ｋの周囲の様子と共に示す説明図である。図１３では、図１１に示すＲ−１３部における導通配線層９２４Ａ周辺の様子を拡大して示している。なお、図１１ないし図１３では、上記実施例と共通する各部につき、符号の十の位以下を上記実施例と同じ数字ないし英字を用いて表わしている。
【００４９】
図１１は、上記実施例における終端部２６ｂの径を狙い径としてレーザを照射した場合を表わしている。このようにレーザが照射されると、積層体ＣＳには、始端部９２６ａから終端部９２６ｂに至るまでの幅が不均一で、始端部９２６ａ付近が広がった形状の貫通孔９２６が形成される。これは、途中穴に何回も連続してレーザが当たることにより、レーザが連続して当たった箇所の周辺に熱が蓄積され、蓄熱度合いの高い部分の配線層９２４やセラミック層９２２が、蓄熱度合いの低い部分よりも激しく溶融されてしまうからである。このような形状の貫通孔９２６に導電材料が充填されると、始端部９２６ａ付近では、導電材料が非導通配線層９２４Ｂに接触した状態で固化するため（図１１に示すＪ１部を参照）、本来導通されないはずの非導通配線層９２４Ｂがビア電極９２８に導通されてしまい、絶縁不良となってしまう。一方、非導通配線層９２４Ｂとビア電極９２８とを確実に絶縁するためには、非導通配線層９２４Ｂが臨む窓部９２５の径を大きくしなければならず、これにより積層セラミックコンデンサの容量低下など性能の低下を招いてしまう。
【００５０】
図１２は、上記の絶縁不良やコンデンサの大型化という問題を回避するために、上記実施例における始端部２６ｂの径を狙い径としてレーザを照射した場合を表わしている。このようにレーザを照射すると、図１２に示すように、積層体ＣＳに形成される貫通孔９２６Ｋの孔径が終端部９２６ｂ付近において小さくなり過ぎてしまう。このような形状の貫通孔９２６Ｋに導電材料が充填されると、導電材料の充填性が悪くなり（図１２に示すＪ２部を参照）、ビア電極９２８と導通配線層９２４Ａとの接続性が悪くなってしまう。こうした充填性の悪化は、充填される導電材料が高粘度のペースト状のものである場合にはより顕著となる。
【００５１】
これに対し、上記実施例のようなストレート形状の貫通孔２６に導電材料を充填した場合には、窓部２５の径を小径としつつ、非導通配線層２４Ｂとビア電極２８との導通を防止することが可能となり、好適な絶縁性を有する小型のコンデンサを実現することができる。加えて、貫通穴２６への導電材料の充填性が良好となり、ビア電極２８と導通配線層２４Ａとの確実な導通を簡単な充填工程で実現することができる。
【００５２】
また、上記実施例の積層セラミックコンデンサ１０の製造工程では、焼成前の積層体ＣＳに対して貫通孔２６が形成される。これにより、未焼結のセラミック層２２に対してレーザビーム５０が照射されるので、少ない照射量で貫通孔を形成することができる。加えて、レーザビーム５０はサイクル加工法によって照射されるので、図８（Ｂ）に示したように、導通配線層２４Ａの端部２４Ａｔの引き下がり量は長さｆ１という少量に抑えられる。従って、導電材料の充填において、導通配線層９２４Ａとビア電極９２８との接続を容易に得ることができる。
なお、上記の長さｆ１の値は、１０μｍ以下が好ましく、５μｍ以下とすれば更に好適である。
【００５３】
これに対し、バースト加工法によってレーザを照射して貫通孔９２６を形成した場合には、途中穴内に蓄積される熱量が大きくなるため、導通配線層９２４Ａの端部９２４Ａｔの引き下がり量は、上記実施例における長さｆ１よりも多い長さｆ２という値となる（図１３を参照）。このような導通配線層９２４Ａの大きな引き下がりにより、焼成前のセラミック層９２２が導通配線層９２４Ａに接する範囲が減少して、図１３に示すように、セラミック層９２２の先端部９２２ａが宙吊り状態となり、先端部９２２ａが折損し易い状態となってしまう。
【００５４】
本実施例によれば、このような事態の発生を防止することができる。また、導通配線層２４Ａの端部２４Ａｔの引き下がり量が少量に抑えられることで、セラミック層２２の厚みを更に薄くした場合においても、焼成前のセラミック層２２の先端部の折損を防止することができる。
【００５５】
Ｂ．変形例：
以上、本発明の実施の形態を実施例を用いて説明したが、本発明は上記実施例に限られるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々の態様において実施することが可能である。
【００５６】
上記実施例におけるサイクル加工法によるレーザビーム５０の照射条件は、ストレート形状の貫通孔２６を形成するための好適な一例に過ぎず、孔形成箇所数ＨやパルスエネルギＥ，１孔当たりのショット数Ｎ，パルス周期Ｇ，照射終了から再照射開始までの期間Ｄ等については、適宜変更することができる。
【００５７】
また、積層される１枚のセラミックシート２０におけるセラミック層２２の厚みｄ１を５μｍとしたが、この厚みｄ１の値は２０μｍ以下とすることが好ましい。このようにセラミック層２２の厚さを薄くすることで、セラミック層２２を挟む一対の配線層２４に生じる静電容量が大きくなる。しかも、単位厚（積層体ＣＳの全体の厚みｄａ）当たりのセラミックシート２０の積層数を増加させることが可能となり、このように積層数を増加すれば、コンデンサ全体としての静電容量も大きくなる。従って、積層セラミックコンデンサ１０の基本性能を高めることができる。
【００５８】
また、上記実施例では、積層セラミックコンデンサを例としてその製造工程について説明したが、上記の製造工程を積層セラミックコンデンサ以外の他の積層セラミック電子部品に適用することも可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例である積層セラミックコンデンサ１０の縦断面を示す説明図である。
【図２】図１におけるＲ−２部の拡大断面を示す説明図である。
【図３】積層セラミックコンデンサ１０の製造工程を示す説明図である。
【図４】セラミックシート２０の断面を表わす説明図である。
【図５】セラミックシート２０の積層が完了したときの状態を模式的に示す説明図である。
【図６】レーザ加工機４０の概略構成を示す説明図である。
【図７】レーザビーム５０の照射条件を示す説明図である。
【図８】積層体ＣＳの各孔形成位置に貫通孔２６が形成されたときの様子を示す説明図である。
【図９】導電材料の充填によりビア電極２８が設けられた状態の積層体ＣＳを示す説明図である。
【図１０】圧着後の積層体ＣＳの様子を示す説明図である。
【図１１】上記実施例における終端部２６ｂの径を狙い径としてバースト加工法によりレーザを照射した場合に形成される貫通孔９２６の形状を、貫通孔９２６の周囲の様子と共に示す説明図である。
【図１２】照射されるレーザのパルスエネルギＥを増大した場合に形成される貫通孔９２６Ｋの形状を、貫通孔９２６Ｋの周囲の様子と共に示す説明図である。
【図１３】図１１に示すＲ−１３部における導通配線層９２４Ａ周辺の様子を拡大して示す説明図である。
【符号の説明】
１０…積層セラミックコンデンサ
２０…セラミックシート
２２，９２２…セラミック層
２４，９２４…配線層
２４Ａ，９２４Ａ…導通配線層
２４Ｂ，９２４Ｂ…非導通配線層
２４Ｂｔ，９２４Ｂｔ…端部
２５，９２５…窓部
２６，９２６，９２６Ｋ…貫通孔
２６ａ，９２６ａ…始端部
２６ｂ，９２６ｂ…終端部
２８，９２８…ビア電極
３２，９３２…第１ベースセラミック層
３４，９３４…ベースシート
３６…第２ベースセラミック層
４０…レーザ加工機
４２…発振器
４４…ミラー
４６…ミラー
４８…レンズ
５０…レーザビーム
５２…制御装置
５４…設定部
５６…テーブル
９２２ａ…先端部
ＣＳ…積層体
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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