(57)【要約】【課題】ＬＲ複合部品１の抵抗パターン３の抵抗値ばらつきを抑制する。【解決手段】絶縁体基板２上に、抵抗パターン３とパターン間絶縁層４とインダクタパターン５と保護用絶縁層６を順に積層形成して積層体８を形成する。抵抗パターン３とインダクタパターン５は、それぞれ、積層体８の側面に離間形成された端子電極７ａ，７ｂに個別に接続する。パターン間絶縁層４の端子電極７ａ側の端縁４ａを抵抗パターン３の端子電極７ａ側の端縁３ａよりも積層体８の内側に引っ込んだ位置に配置し、保護用絶縁層６の端子電極７ａ側の端縁６ａをパターン間絶縁層４の端縁４ａよりも内側に配置する。端子電極７ａの一部を抵抗パターン３の端子電極７ａ側の端部上面に形成する。パターン間絶縁層４のスルーホール１０と端縁４ａ間の間隔によって抵抗パターン３の抵抗値が定まる。【選択図】　　　　図１
2004128131.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁体基板上に抵抗成分を持つ抵抗パターンと、パターン間絶縁層と、インダクタンス成分を持つインダクタパターンと、保護用絶縁層とが順に積層形成された積層部を含む積層体を有し、抵抗パターンとインダクタパターンの各一端部同士はパターン間絶縁層に形成されたスルーホールを介して接続され、これら抵抗パターンとインダクタパターンの各他端部は、それぞれ、前記積層体の側面に離間形成された別々の端子電極に個別に接続されている構成を有しており、パターン間絶縁層の抵抗パターン用端子電極側の端縁は抵抗パターンの端子電極接続側の端縁よりも前記積層体の内側に引っ込んだ位置に配置され、また、保護用絶縁層の抵抗パターン用端子電極側の端縁は、パターン間絶縁層の抵抗パターン用端子電極側の端縁よりも積層体の内側に配置されており、抵抗パターンの端子電極接続側の端部上面にはパターン間絶縁層および保護用絶縁層が積層されない構成と成し、当該抵抗パターンの端子電極接続側の端部上面に端子電極の少なくとも一部がパターン間絶縁層に至るように形成されて、抵抗パターンは、端子電極接続側の端部上面および端面でもって端子電極に接続され、また、抵抗パターンが持つ抵抗値は、パターン間絶縁層に形成されたスルーホールとパターン間絶縁層の抵抗パターン用端子電極側の端縁との間の長さに基づいた値であることを特徴とするＬＲ複合部品。
【請求項２】
絶縁体基板上に抵抗成分を持つ抵抗パターンと、パターン間絶縁層と、インダクタンス成分を持つインダクタパターンと、保護用絶縁層とが順に積層形成された積層部を含む積層体を有し、抵抗パターンとインダクタパターンの各一端部同士はパターン間絶縁層に形成されたスルーホールを介して接続され、これら抵抗パターンとインダクタパターンの各他端部は、それぞれ、前記積層体の側面に離間形成された別々の端子電極に個別に接続されている構成を有しており、抵抗パターンの端子電極接続側の部位は抵抗パターンの他の部位よりも幅広になっており、保護用絶縁層の抵抗パターン用端子電極側の端縁は、その抵抗パターンの端子電極接続側の幅広部の上面に配置され、パターン間絶縁層の抵抗パターン用端子電極側の端縁は、その保護用絶縁層の抵抗パターン用端子電極側の端縁よりも積層体の内側に配置されており、また、抵抗パターンの端子電極接続側におけるパターン間絶縁層および保護用絶縁層が積層されていない端部上面に端子電極の少なくとも一部が保護用絶縁層に至るように形成されて、抵抗パターンは、端子電極接続側の端部上面および端面でもって端子電極に接続されていることを特徴とするＬＲ複合部品。
【請求項３】
絶縁体基板上にインダクタンス成分を持つインダクタパターンと、パターン間絶縁層と、抵抗成分を持つ抵抗パターンと、保護用絶縁層とが順に積層形成された積層部を含む積層体を有し、インダクタパターンと抵抗パターンの各一端部同士はパターン間絶縁層に形成されたスルーホールを介して接続され、これらインダクタパターンと抵抗パターンの各他端部は、それぞれ、前記積層体の側面に離間形成された別々の端子電極に個別に接続されている構成を有しており、抵抗パターンの端子電極接続側の部位は抵抗パターンの他の部位よりも幅広になっており、保護用絶縁層の抵抗パターン用端子電極側の端縁は、その抵抗パターンの端子電極接続側の幅広部の上面に配置されており、また、抵抗パターンの端子電極接続側における保護用絶縁層が積層されていない端部上面に端子電極の少なくとも一部が保護用絶縁層に至るように形成されて、抵抗パターンは、端子電極接続側の端部上面および端面でもって端子電極に接続されていることを特徴とするＬＲ複合部品。
【請求項４】
抵抗パターンは帯状部位と当該帯状部位よりも幅広の端子電極接続側の部位とを有した略Ｔ字形状と成しており、帯状部位の幅をＷ１とし、帯状部位の長さをＬ１とし、端子電極接続側の幅広部の幅をＷ２とし、端子電極接続側の幅広部における帯状部位との接続部から保護用絶縁層の抵抗パターン用端子電極側の端縁の配置位置までの長さをＬ２としたときに、それら帯状部位の幅Ｗ１と長さＬ１と、端子電極接続側の幅広部の幅Ｗ２と長さＬ２とは、（Ｌ２／Ｌ１）＋２≦（Ｗ２／Ｗ１）の関係式を満たすことを特徴とする請求項２又は請求項３記載のＬＲ複合部品。
【請求項５】
インダクタパターンの上側に積層される絶縁層のインダクタパターン用端子電極側の端縁は、インダクタパターンの端子電極接続側の端縁よりも積層体の内側に引っ込んだ位置に配置され、インダクタパターンの端子電極接続側の端部上面に端子電極の少なくとも一部がインダクタパターンの上側に積層される絶縁層に至るように形成されており、インダクタパターンは、その端子電極接続側の端部上面および端面でもって端子電極に接続されていることを特徴とする請求項１乃至請求項４の何れか１つに記載のＬＲ複合部品。
【請求項６】
抵抗パターンとパターン間絶縁層とインダクタパターンと保護用絶縁層は、それぞれ、成膜形成技術およびフォトリソグラフィ工法を利用して順次形成されていることを特徴とする請求項１乃至請求項５の何れか１つに記載のＬＲ複合部品。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電子機器に設けられるＬＲ複合部品に関するものである。
【０００２】
【背景技術】
例えば、移動体通信機器等の電子機器は小型化が進んでおり、それに伴って電子機器を構成する電子部品には小型化が要求されている。このような状況のなかで、インダクタンス（Ｌ）素子と抵抗体（Ｒ）等を一つのチップ状の部品に内蔵した複合部品が提案されている。
【０００３】
例えば、その提案の一例が図１２（ａ）の斜視図および図１２（ｂ）の分解図に示されている（例えば特許文献１の図１０および第５頁参照）。この提案の複合部品３５はＬＣＲ複合部品であり、コンデンサが形成されているコンデンサブロック３６と、ガラス層３７と、インダクタンス成分を持つコイルパターン３８と、ガラス層３９と、抵抗パターン４０と、ガラス層４１とが順に積層形成されている積層体４２を有する。この積層体４２の側面には、コイルパターン３８の外部接続端部３８ａに接続する端子電極４３と、抵抗パターン４０の外部接続端部４０ａに接続する端子電極４４と、コンデンサブロック３６に形成されているコンデンサに接続する端子電極４５ａ，４５ｂとが互いに間隔を介して形成されている。
【０００４】
それら端子電極４３，４４，４５ａ，４５ｂによって、積層体４２の内部に形成されているコンデンサブロック３６のコンデンサとコイルパターン３８と抵抗パターン４０は、それぞれ、外部の回路に接続することが可能になっている。また、コイルパターン３８と抵抗パターン４０の各外部接続端部３８ａ，４０ａとは異なる他方側の端部３８ｂ，４０ｂ同士は、コイルパターン３８と抵抗パターン４０との間のガラス層３９に形成されたスルーホール４６を介して接続されている。
【０００５】
【特許文献１】
特開２０００−１８２８９２号公報
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、その提案例では、ガラス層３９およびスルーホール形成用孔部は印刷工法を利用して形成されている。その印刷工法の加工精度に起因して、ガラス層３９に形成されるスルーホール４６の大きさと形成位置がばらつくという問題がある。
【０００７】
抵抗パターン４０の抵抗値には、抵抗パターン４０と端子電極４４との接続部から、抵抗パターン４０とスルーホール４６との接続部までの長さＬ（図１３の断面図参照）が関与している。スルーホール４６の大きさや形成位置がずれてスルーホール４６の端縁位置が例えば図１３の点線に示されるようにずれてしまうと、抵抗パターン４０の抵抗値に関与する前記長さＬが変化してしまい、これによって、抵抗パターン４０の抵抗値が変化してしまう。つまり、スルーホール４６の大きさや形成位置のばらつきに起因して抵抗パターン４０の抵抗値がばらつくという問題が生じる。
【０００８】
また、コイルパターン３８と抵抗パターン４０の各外部接続端部３８ａ，４０ａは、それぞれ、図１３の断面図に示されるように、端面のみでもって端子電極４３，４４に接続しており、それらコイルパターン３８と抵抗パターン４０の各外部接続端部３８ａ，４０ａと、端子電極４３，４４との接続面積は狭いものである。特に、抵抗パターン４０は、抵抗成分を持たせるためにパターンの厚みを例えば数μｍ程度に薄くする必要がある。このため、抵抗パターン４０の外部接続端部４０ａの端面面積は非常に狭く、これにより、抵抗パターン４０と、端子電極４４との接続の信頼性が低いという問題がある。
【０００９】
本発明は上記課題を解決するために成されたものであり、その目的は、抵抗パターンの抵抗値のばらつきを抑制することができ、また、抵抗パターンと端子電極との接続の信頼性を向上できるＬＲ複合部品を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、この発明は次に示す構成をもって前記課題を解決するための手段としている。すなわち、第１の発明のＬＲ複合部品は、絶縁体基板上に抵抗成分を持つ抵抗パターンと、パターン間絶縁層と、インダクタンス成分を持つインダクタパターンと、保護用絶縁層とが順に積層形成された積層部を含む積層体を有し、抵抗パターンとインダクタパターンの各一端部同士はパターン間絶縁層に形成されたスルーホールを介して接続され、これら抵抗パターンとインダクタパターンの各他端部は、それぞれ、前記積層体の側面に離間形成された別々の端子電極に個別に接続されている構成を有しており、パターン間絶縁層の抵抗パターン用端子電極側の端縁は抵抗パターンの端子電極接続側の端縁よりも前記積層体の内側に引っ込んだ位置に配置され、また、保護用絶縁層の抵抗パターン用端子電極側の端縁は、パターン間絶縁層の抵抗パターン用端子電極側の端縁よりも積層体の内側に配置されており、抵抗パターンの端子電極接続側の端部上面にはパターン間絶縁層および保護用絶縁層が積層されない構成と成し、当該抵抗パターンの端子電極接続側の端部上面に端子電極の少なくとも一部がパターン間絶縁層に至るように形成されて、抵抗パターンは、端子電極接続側の端部上面および端面でもって端子電極に接続され、また、抵抗パターンが持つ抵抗値は、パターン間絶縁層に形成されたスルーホールとパターン間絶縁層の抵抗パターン用端子電極側の端縁との間の長さに基づいた値であることを特徴としている。
【００１１】
第２の発明のＬＲ複合部品は、絶縁体基板上に抵抗成分を持つ抵抗パターンと、パターン間絶縁層と、インダクタンス成分を持つインダクタパターンと、保護用絶縁層とが順に積層形成された積層部を含む積層体を有し、抵抗パターンとインダクタパターンの各一端部同士はパターン間絶縁層に形成されたスルーホールを介して接続され、これら抵抗パターンとインダクタパターンの各他端部は、それぞれ、前記積層体の側面に離間形成された別々の端子電極に個別に接続されている構成を有しており、抵抗パターンの端子電極接続側の部位は抵抗パターンの他の部位よりも幅広になっており、保護用絶縁層の抵抗パターン用端子電極側の端縁は、その抵抗パターンの端子電極接続側の幅広部の上面に配置され、パターン間絶縁層の抵抗パターン用端子電極側の端縁は、その保護用絶縁層の抵抗パターン用端子電極側の端縁よりも積層体の内側に配置されており、また、抵抗パターンの端子電極接続側におけるパターン間絶縁層および保護用絶縁層が積層されていない端部上面に端子電極の少なくとも一部が保護用絶縁層に至るように形成されて、抵抗パターンは、端子電極接続側の端部上面および端面でもって端子電極に接続されていることを特徴としている。
【００１２】
第３の発明のＬＲ複合部品は、絶縁体基板上にインダクタンス成分を持つインダクタパターンと、パターン間絶縁層と、抵抗成分を持つ抵抗パターンと、保護用絶縁層とが順に積層形成された積層部を含む積層体を有し、インダクタパターンと抵抗パターンの各一端部同士はパターン間絶縁層に形成されたスルーホールを介して接続され、これらインダクタパターンと抵抗パターンの各他端部は、それぞれ、前記積層体の側面に離間形成された別々の端子電極に個別に接続されている構成を有しており、抵抗パターンの端子電極接続側の部位は抵抗パターンの他の部位よりも幅広になっており、保護用絶縁層の抵抗パターン用端子電極側の端縁は、その抵抗パターンの端子電極接続側の幅広部の上面に配置されており、また、抵抗パターンの端子電極接続側における保護用絶縁層が積層されていない端部上面に端子電極の少なくとも一部が保護用絶縁層に至るように形成されて、抵抗パターンは、端子電極接続側の端部上面および端面でもって端子電極に接続されていることを特徴としている。
【００１３】
第４の発明は、第２又は第３の発明の構成を備え、抵抗パターンは帯状部位と当該帯状部位よりも幅広の端子電極接続側の部位とを有した略Ｔ字形状と成しており、帯状部位の幅をＷ１とし、帯状部位の長さをＬ１とし、端子電極接続側の幅広部の幅をＷ２とし、端子電極接続側の幅広部における帯状部位との接続部から保護用絶縁層の抵抗パターン用端子電極側の端縁の配置位置までの長さをＬ２としたときに、それら帯状部位の幅Ｗ１と長さＬ１と、端子電極接続側の幅広部の幅Ｗ２と長さＬ２とは、（Ｌ２／Ｌ１）＋２≦（Ｗ２／Ｗ１）の関係式を満たすことを特徴としている。
【００１４】
第５の発明は、第１〜第４の発明のうちの何れか１つの発明の構成を備え、インダクタパターンの上側に積層される絶縁層のインダクタパターン用端子電極側の端縁は、インダクタパターンの端子電極接続側の端縁よりも積層体の内側に引っ込んだ位置に配置され、インダクタパターンの端子電極接続側の端部上面に端子電極の少なくとも一部がインダクタパターンの上側に積層される絶縁層に至るように形成されており、インダクタパターンは、その端子電極接続側の端部上面および端面でもって端子電極に接続されていることを特徴としている。
【００１５】
第６の発明は、第１〜第５の発明のうちの何れか１つの発明の構成を備え、抵抗パターンとパターン間絶縁層とインダクタパターンと保護用絶縁層は、それぞれ、成膜形成技術およびフォトリソグラフィ工法を利用して順次形成されていることを特徴としている。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下に、この発明に係る実施形態例を図面に基づいて説明する。
【００１７】
図１（ａ）には第１実施形態例のＬＲ複合部品の模式的な斜視図が示され、図１（ｂ）には図１（ａ）のＬＲ複合部品のＡ−Ａ部分の模式的な断面図が示され、図１（ｃ）には第１実施形態例のＬＲ複合部品の模式的な分解図が示されている。
【００１８】
第１実施形態例のＬＲ複合部品１は、絶縁体基板２と、抵抗成分を持つ抵抗パターン３と、パターン間絶縁層４と、インダクタンス成分を持つインダクタパターン５と、保護用絶縁層６と、端子電極７（７ａ，７ｂ）とを有して構成されている。すなわち、このＬＲ複合部品１では、絶縁体基板２と、抵抗パターン３と、パターン間絶縁層４と、インダクタパターン５と、保護用絶縁層６とが順に積層形成されて積層体８を構成し、この積層体８の互いに対向し合う側面のそれぞれに端子電極７（７ａ，７ｂ）が形成されている。
【００１９】
第１実施形態例では、絶縁体基板２は直方体状と成す。この絶縁体基板２を構成する絶縁材料の例としては、例えば、ガラスや、ガラスセラミックや、アルミナ等が挙げられる。
【００２０】
抵抗パターン３は、全長に渡ってほぼ等幅な帯状パターンであり、絶縁体基板２の研磨処理後の平滑面に、成膜形成技術（例えば、スパッタリングや蒸着等の薄膜形成技術や、スクリーン印刷等の厚膜形成技術等）を利用して積層形成される。この抵抗パターン３の一端側の端面３ａは端子電極７（７ａ）に接続され、抵抗パターン３の他端部３ｂは絶縁体基板２の側面よりも積層体８の内側の位置に配置されている。この抵抗パターン３の他端部３ｂはインダクタパターン５に接続するインダクタパターン接続部と成す。抵抗パターン３を構成する材料としては、例えば、体積抵抗率が４．０×１０−７Ω・ｍ以上となるものが挙げられ、例えば、ＮｉＣｒやＮｉＣｕ等の薄膜抵抗膜や、感光性抵抗材料などがある。
【００２１】
なお、図１（ｂ）の例では、抵抗パターン３の一端側の端面３ａは、絶縁体基板２の側面２ａ（つまり、端子電極７（７ａ）の形成面）と面位置になるように形成されているが、例えば、図２の断面図に示されるように、抵抗パターン３の一端側の端面３ａは絶縁体基板２の側面２ａよりも内側に配置してもよい。
【００２２】
パターン間絶縁層４は、例えば、感光性ポリイミド樹脂や、感光性ガラス材料等の絶縁材料により構成されており、抵抗パターン３の上部を覆うように絶縁体基板２の上面に積層形成されている。この第１実施形態例では、パターン間絶縁層４の形成領域に関して次に示すような特徴がある。図３には、絶縁体基板２と、抵抗パターン３と、パターン間絶縁層４との配置関係例がパターン間絶縁層４の上方側から見た平面図により示されている。
【００２３】
第１実施形態例では、パターン間絶縁層４における端子電極７ａの形成側の端縁４ａは、絶縁体基板２の端子電極形成面２ａよりも積層体８の内側に引っ込んだ位置に配置されている。このため、抵抗パターン３の端子電極接続側の端部上面にはパターン間絶縁層４が形成されない構成となっている。
【００２４】
なお、図１、図３の例では、パターン間絶縁層４における端子電極７ｂの形成側の端縁４ｂは、絶縁体基板２の端子電極形成面２ｂ（つまり、端子電極７（７ｂ）の形成面）よりも積層体８の内側に引っ込んだ位置に配置されているが、図４に示されるように、そのパターン間絶縁層４の端縁４ｂは、絶縁体基板２の側面２ｂと面位置になるように形成してもよいものである。
【００２５】
また、パターン間絶縁層４には、抵抗パターン３のインダクタパターン接続部３ｂに対応する位置に、スルーホール１０が形成されている。
【００２６】
インダクタパターン５はパターン間絶縁層４の上面に積層形成されたスパイラル形状のパターンである。このインダクタパターン５におけるスパイラル形状の内側の端部５ａはパターン間絶縁層４に形成されたスルーホール１０に接続され当該スルーホール１０を介して抵抗パターン３のインダクタパターン接続部３ｂに接続されている。
【００２７】
図１の例では、インダクタパターン５におけるスパイラル形状の外側の端部５ｃはインダクタパターン５の他の部位よりも幅広になって幅広部を形成しており、この幅広部（端部）５ｃの端面５ｂは、絶縁体基板２の側面２ｂ（つまり、端子電極７（７ｂ）の形成面）とほぼ面位置になるように形成されている。このインダクタパターン５の端子電極７ｂ側の端面５ｂは端子電極７ｂに接続される。ところで、図１の例では、パターン間絶縁層４の端子電極７ｂ側の端縁４ｂは絶縁体基板２の側面２ｂよりも積層体８の内側に引っ込んだ位置に配置されている。このために、インダクタパターン５の端子電極７ｂ側の端縁５ｂが絶縁体基板２の側面２ｂとほぼ面位置になるようにインダクタパターン５を形成すると、必然的に、インダクタパターン５の端子電極７ｂ側の端部（幅広部）５ｃの一部あるいは全部が、絶縁体基板２の上面に落ち込み形成されることになる。
【００２８】
なお、そのインダクタパターン５の端子電極７ｂ側の端面５ｂは、絶縁体基板２の側面２ｂと面位置に形成しなくともよく、例えば、図４に示されるように、絶縁体基板２の側面２ｂよりも内側に形成してもよい。また、図４に示すように、インダクタパターン５の端子電極７ｂ側の端面５ｂは、パターン間絶縁層４の端縁４ｂよりも内側に配置してもよく、この場合には、インダクタパターン５の端子電極７ｂ側の端部（幅広部）５ｃの全てが、他の部位と同様にパターン間絶縁層４上に積層形成されることになる。
【００２９】
インダクタパターン５は、例えば、スパイラル形状パターンに形成したときの体積抵抗率が１．０×１０−７Ω・ｍ以下の抵抗率が低い導電材料により構成され、その例としては、例えば、ＡｕやＡｇやＡｌ等をスパッタリングや蒸着の薄膜形成手法により成膜されたものや、導電性ペーストや感光性導電ペースト等が挙げられる。
【００３０】
保護用絶縁層６は、インダクタパターン５の上方側を覆うように形成されている。この保護用絶縁層６の端子電極７（７ａ，７ｂ）の形成側の端縁６ａ，６ｂは、それぞれ、パターン間絶縁層４の端子電極側の端縁４ａ，４ｂよりも、積層体８の内側に引っ込んだ位置に配置されている。このため、抵抗パターン３の端子電極７ａ側の端部上面およびインダクタパターン５の端子電極７ｂ側の端部５ｃ上面には保護用絶縁層６が形成されない構成となっている。
【００３１】
端子電極７ａ，７ｂは、積層体８の互いに対向し合う側面にそれぞれ形成されており、端子電極７ａは抵抗パターン３に接続する抵抗パターン用端子電極と成し、端子電極７ｂはインダクタパターン５に接続するインダクタパターン用端子電極と成している。このような端子電極７（７ａ，７ｂ）を構成する材料としては、例えば、Ａｇや、Ａｇ−Ｐｄや、Ｃｕや、ＮｉＣｒや、ＮｉＣｕ等の導電材料が挙げられる。なお、端子電極７の表面上に、例えば湿式電解メッキにより、Ｎｉや、Ｓｎや、Ｓｎ−Ｐｄ等の金属膜を形成してもよい。
【００３２】
この第１実施形態例では、前述したように、抵抗パターン３の端子電極７ａ接続側の端部上面にはパターン間絶縁層４および保護用絶縁層６が形成されないので、その抵抗パターン３の端子電極７ａ接続側の端部上面には端子電極７ａの一部がパターン間絶縁層４に至るように形成されている。このため、抵抗パターン３は、端子電極７ａ接続側の端部上面および端面３ａでもって端子電極７ａに接続されている。
【００３３】
また、インダクタパターン５の端子電極７ｂ接続側の端部上面には保護用絶縁層６が形成されないので、そのインダクタパターン５の端子電極７ｂ接続側の端部上面には端子電極７ｂの一部が形成されている。このため、インダクタパターン５は、端子電極７ｂ接続側の端部上面および端面５ｂでもって端子電極７ｂに接続されている。
【００３４】
この第１実施形態例では、前記の如く、抵抗パターン３の端子電極７ａ接続側の端部上面に端子電極７ａの一部が形成されているので、抵抗パターン３の抵抗値には、抵抗パターン３の全長ではなく、図３に示す長さＬ（つまり、パターン間絶縁層４の端縁４ａと当該パターン間絶縁層４に形成されているスルーホール１０との間の間隔Ｌ）が関与することになる。後述するＬＲ複合部品１の製造工程の説明で述べるように、パターン間絶縁層４の端縁４ａと、スルーホール１０を形成するための孔部とは、フォトリソグラフィ工法を利用して同時に形成される。このため、パターン間絶縁層４の端縁４ａとスルーホール１０との間の間隔Ｌのばらつきを抑制することができ、これにより、抵抗パターン３の抵抗値のばらつきを抑えることができる。その上、フォトリソグラフィ工法の加工精度は、例えば、印刷工法の加工精度の２〜３倍もの非常に高い精度であることから、パターン間絶縁層４の端縁４ａの形成位置や、スルーホール１０の形成位置および大きさをほぼ設定通りとすることができる。以上のように、パターン間絶縁層４の端縁４ａとスルーホール用孔部を同時に形成することと、フォトリソグラフィ工法を利用することとが相俟って、パターン間絶縁層４の端縁４ａとスルーホール１０との間の間隔Ｌはほぼ設計通りに形成することが可能である。このため、ＬＲ複合部品１の抵抗パターン３の抵抗値はほぼ設計通りとなり、製品間の抵抗値のばらつきを小さく抑えることができる。
【００３５】
また、抵抗パターン３およびインダクタパターン５は、それぞれ、端面だけでなく、端子電極接続側の端部上面でも端子電極７に接続されているので、従来のように端面だけで端子電極７に接続される場合に比べて、抵抗パターン３と抵抗パターン用端子電極７ａとの接続面積や、インダクタパターン５とインダクタパターン用端子電極７ｂとの接続面積が増加して、当該抵抗パターン３と抵抗パターン用端子電極７ａとの接続およびインダクタパターン５とインダクタパターン用端子電極７ｂとの接続の信頼性を向上させることができる。
【００３６】
以下に、第１実施形態例のＬＲ複合部品１の製造工程の一例を説明する。
【００３７】
まず、図５（ａ）に示されるような、複数の絶縁体基板２を切り出すことができる絶縁体親基板１５を用意する。そして、絶縁体親基板１５において、ＬＲ複合部品（絶縁体基板２）を形成するための複数のＬＲ複合部品形成領域Ｋを設定する。その後、図５（ｂ）に示されるように、絶縁体親基板１５の各ＬＲ複合部品形成領域Ｋにそれぞれ抵抗パターン３を成膜形成技術およびフォトリソグラフィ工法を利用して次に述べるように形成する。
【００３８】
成膜形成技術およびフォトリソグラフィ工法を利用して抵抗パターン３を形成する手法には複数の手法がある。その一つの例を述べると、例えば、まず、図７（ａ）の断面図に示されるように、絶縁体親基板１５の上面全面に成膜形成技術を利用して抵抗材料から成る抵抗体膜１６を形成する。次に、図７（ｂ）に示されるように、その抵抗体膜１６の上面全面にフォトレジスト膜１７を例えばスピンコート等を利用して形成する。そして、フォトレジスト膜１７の上方側に抵抗パターン露光用のマスクを配置し、この抵抗パターン露光用のマスクの上方側からフォトレジスト膜１７に向けて紫外線を照射する。これにより、抵抗パターン３の形成領域に対応するフォトレジスト膜１７の部分が硬化する。
【００３９】
その後、図７（ｃ）に示されるように、フォトレジスト膜１７の未硬化部分を現像により除去する。これにより、抵抗体膜１６において、抵抗パターン３となる部分にはフォトレジスト膜１７が形成されているが、他の部位は露出した状態となる。然る後に、図７（ｄ）に示されるように、その抵抗体膜１６の露出部分をエッチングにより除去する。その後、図７（ｅ）に示されるように、フォトレジスト膜１７を例えばアッシャー等により除去することによって、絶縁体親基板１５の各ＬＲ複合部品形成領域Ｋのそれぞれに抵抗パターン３を形成することができる。
【００４０】
また、成膜形成技術およびフォトリソグラフィ工法を利用した別の抵抗パターン３の形成手法としては、次に示すような手法もある。例えば、まず、絶縁体親基板１５の上面全面に、抵抗パターン３の形成材料であるペースト状の感光性抵抗材料を印刷等の成膜形成技術により形成する。次に、その感光性抵抗材料の層の上方側に抵抗パターン露光用のマスクを配置し、そのマスクの上方側から感光性抵抗材料に向けて紫外線等を照射して抵抗パターンとなる部分を硬化させる。その後、未硬化の感光性抵抗材料部分を除去することにより、絶縁体親基板１５の各ＬＲ複合部品形成領域Ｋのそれぞれに抵抗パターン３を形成することができる。
【００４１】
このように抵抗パターン３を形成した後には、その抵抗パターン３を覆うように絶縁体親基板１５のほぼ上面全面に成膜形成技術によりパターン間絶縁層４を積層形成する。そして、上述したようなフォトリソグラフィ工法を利用して、図５（ｃ）に示されるように、パターン間絶縁層４にスルーホール形成用の孔部を各ＬＲ複合部品形成領域Ｋ毎に形成すると共に、端子電極７ａ，７ｂ側の端縁（端面）４ａ，４ｂとなる面を形成する。この端縁４ａ，４ｂの形成によって、抵抗パターン３における端子電極接続側の端部上面となる部分が露出する。
【００４２】
然る後に、図５（ｄ）に示されるように、パターン間絶縁層４の上面に、例えば成膜形成技術およびフォトリソグラフィ工法を利用して前記抵抗パターン３と同様に、インダクタパターン５を形成する。このとき、インダクタパターン５の内側の端部５ａがパターン間絶縁層４に形成されたスルーホール１０の位置に合うようにインダクタパターン５が形成される。なお、図１に示されるように、インダクタパターン５の端子電極接続側の端部５ｃがパターン間絶縁層４の端子電極７ｂ側の端縁４ｂよりも外側に配置される場合には、このインダクタパターンの形成工程において、インダクタパターン５の端子電極接続側の端部５ｃとなる部分は、パターン間絶縁層４の端子電極７ｂ側の端縁４ｂよりも外側にはみ出し形成されて絶縁体親基板１５（絶縁体基板２）の上面に落ち込み形成される。
【００４３】
その後、図６（ａ）に示されるように、インダクタパターン５の上方側に保護用絶縁層６をパターン間絶縁層４と同様に例えば成膜形成技術とフォトリソグラフィ工法を利用して形成する。この工程では、保護用絶縁層６の端子電極側の端縁６ａ，６ｂとなる部分は、パターン間絶縁層４の端子電極側の端縁よりも内側に引っ込んだ位置に配置形成される。このため、抵抗パターン３の端子電極７ａ接続側の端部上面にはパターン間絶縁層４および保護用絶縁層６は積層されず、露出している状態となっている。また、インダクタパターン５の端子電極７ｂ接続側の端部上面５ｃには保護用絶縁層６が積層されずに露出している状態となっている。
【００４４】
然る後に、絶縁体親基板１５を、ＬＲ複合部品形成領域の境界線Ｌに沿って、例えば、ダイシングやスクラブブレイクやレーザ等により切断する。これにより、絶縁体親基板１５は、図６（ｂ）に示されるような絶縁体基板２と抵抗パターン３とパターン間絶縁層４とインダクタパターン５と保護用絶縁層６から成る積層体８毎に分離分割する。
【００４５】
次に、図６（ｃ）に示されるように、積層体８の互いに対向し合う端子電極形成側の側面に、それぞれ、端子電極７（７ａ，７ｂ）を形成する。このとき、端子電極７（７ａ，７ｂ）の一部は、抵抗パターン３とインダクタパターン５の各端子電極接続側の端部上面に入り込んで形成される。このため、抵抗パターン３とインダクタパターン５は、それぞれ、端子電極接続側の端部上面および端面でもって端子電極７に接続する。その後、必要に応じて、端子電極７の表面にメッキ処理を施す。
【００４６】
以上のようにして、ＬＲ複合部品１を作製することができる。
【００４７】
以下に、第２実施形態例を説明する。なお、この第２実施形態例の説明において、第１実施形態例と同一構成部分には同一符号を付し、その共通部分の重複説明は省略する。
【００４８】
第２実施形態例のＬＲ複合部品１では、図８（ｂ）の分解図に示されるように、抵抗パターン３は、帯状部位１２と、当該帯状部位１２よりも幅広の端子電極接続側の部位（幅広部）１３とを有した略Ｔ字形状と成している。
【００４９】
図９には、抵抗パターン３と、その上側に形成されるパターン間絶縁層４と保護用絶縁層６とを保護用絶縁層６の上方側から見た平面図が示されており、この図９および図８（ａ）の断面図に示されるように、保護用絶縁層６の抵抗パターン用端子電極７ａ側の端縁６ａは、抵抗パターン３の幅広部１３の上面上に配置されている。つまり、保護用絶縁層６の抵抗パターン用端子電極７ａ側の端縁６ａは、抵抗パターン３の端子電極接続側の端縁３ａよりも積層体８の内側に引っ込んだ位置に配置されている。また、パターン間絶縁層４の抵抗パターン用端子電極７ａ側の端縁４ａは、保護用絶縁層６の抵抗パターン用端子電極７ａ側の端縁６ａよりも積層体８の内側に配置形成されている。
【００５０】
なお、パターン間絶縁層４の抵抗パターン用端子電極７ａ側の端縁４ａは、保護用絶縁層６の抵抗パターン用端子電極７ａ側の端縁６ａよりも積層体８の内側であれば、図９の如く抵抗パターン３の端子電極接続側の幅広部１３の上面に配置されていてもよいし、幅広部１３よりも内側の帯状部位１２の位置に配置されていてもよい。当該パターン間絶縁層４の抵抗パターン用端子電極７ａ側の端縁４ａは、例えばインダクタパターン５の形成に必要な面積等を考慮した適宜な位置に配置してよいものである。
【００５１】
上記以外の構成は第１実施形態例とほぼ同様である。
【００５２】
この第２実施形態例においても、第１実施形態例と同様に、パターン間絶縁層４と保護用絶縁層６の各抵抗パターン用端子電極７ａ側の端縁４ａ，６ａは、それぞれ、抵抗パターン３の端子電極接続側の端縁３ａよりも積層体８の内側に引っ込んだ位置に配置されている。このため、抵抗パターン３の端子電極接続側の端部上面にはパターン間絶縁層４および保護用絶縁層６が積層形成されておらず、当該抵抗パターン３の端子電極接続側の端部上面には抵抗パターン用端子電極７ａの一部が保護用絶縁層６に至るように形成される。よって、抵抗パターン３は、端子電極接続側の端部上面および端面でもって、抵抗パターン用端子電極７ａに接続される。その上、第２実施形態例では、抵抗パターン３の端子電極接続側の部位が幅広部となっているので、抵抗パターン用端子電極７ａとの接続面積を第１実施形態例の構成よりも格段に増加させることができ、これにより、抵抗パターン３と抵抗パターン用端子電極７ａとの接続の信頼性をより高めることができる。
【００５３】
ところで、第２実施形態例では、パターン間絶縁層４の抵抗パターン用端子電極７ａ側の端縁４ａは、保護用絶縁層６の抵抗パターン用端子電極７ａ側の端縁６ａよりも積層体８の内側に配置されている。このため、抵抗パターン３の端子電極接続側の端部上面における抵抗パターン用端子電極７ａの形成領域は、保護用絶縁層６の抵抗パターン用端子電極側の端縁６ａによって定まることとなる。これにより、抵抗パターン３の抵抗値は、パターン間絶縁層４のスルーホール１０と、保護用絶縁層６の抵抗パターン用端子電極７ａ側の端縁６ａとの間の間隔Ｌ’（図９参照）が関与することとなる。
【００５４】
パターン間絶縁層４のスルーホール１０と、保護用絶縁層６の抵抗パターン用端子電極７ａ側の端縁６ａとは、それぞれ、別々の工程で形成されるので、パターン間絶縁層４のスルーホール１０と、保護用絶縁層６の抵抗パターン用端子電極７ａ側の端縁６ａとの間の間隔Ｌ’は、僅かではあるがばらつくことが懸念される。この第２実施形態例では、抵抗パターン３の端子電極接続側の部位を抵抗パターン３の他の部位よりも幅広にすることで、その間隔Ｌ’のばらつきに起因した抵抗パターン３の抵抗値のばらつきを抑制している。
【００５５】
それというのは、次に示すような理由によるものである。例えば、図１０（ｂ）に示されるように、抵抗パターン３が全長に渡ってほぼ等幅な帯状であるときに、抵抗パターン３の抵抗値に関与するライン長をＬとし、パターン幅をＷとし、抵抗パターン３の厚みをｔとし、抵抗パターン３の構成材料の抵抗率をρとすると、抵抗パターン３の抵抗値Ｒは、数式（１）に表すことができる。
【００５６】
Ｒ＝ρ・Ｌ／（Ｗ・ｔ）・・・・・（１）
【００５７】
ここで、例えば、抵抗パターン３の抵抗値に関与するライン長がΔａ分だけ短くなった場合には、抵抗パターン３の抵抗値Ｒ’は、数式（２）に表すことができる。
【００５８】
Ｒ’＝ρ・（Ｌ−Δａ）／（Ｗ・ｔ）・・・・・（２）
【００５９】
その抵抗パターン３のライン長の変化による抵抗パターン３の抵抗値の変化量ΔＲは、数式（３）に表すことができる。
【００６０】
ΔＲ＝Ｒ−Ｒ’＝ρ・Δａ／（Ｗ・ｔ）・・・・・（３）
【００６１】
一方、抵抗パターン３が、図１０（ｃ）に示されるように、帯状部位１２と幅広部１３から成る略Ｔ字形状の場合に、例えば、この略Ｔ字形状の抵抗パターン３を構成する材料が、前記帯状の抵抗パターン３の構成する材料と同じとし、その構成材料の抵抗率がρであり、また、略Ｔ字形状の抵抗パターン３の厚みも帯状の抵抗パターン３の厚みｔと同じとする。さらに、略Ｔ字形状の抵抗パターン３の帯状部位１２の幅をＷ１とし、その長さをＬ１とし、また、略Ｔ字形状の抵抗パターン３の幅広部１３の長さをＬ２とし、幅広部１３の幅をＷ２とする。この場合、略Ｔ字形状の抵抗パターン３の抵抗値Ｒｔは、数式（４）に表すことができる。
【００６２】
Ｒｔ＝ρ・Ｌ１／（Ｗ１・ｔ）＋ρ・Ｌ２／（Ｗ２・ｔ）・・・・・（４）
【００６３】
略Ｔ字形状の抵抗パターン３の幅広部１３の長さＬ２がΔａだけ短くなった場合には、その長さＬ２の変化により、略Ｔ字形状の抵抗パターン３の抵抗値Ｒｔが変化する。変化後の略Ｔ字形状の抵抗パターン３の抵抗値Ｒｔ’は数式（５）に表すことができる。
【００６４】
Ｒｔ’＝ρ・Ｌ１／（Ｗ１・ｔ）＋ρ・（Ｌ２−Δａ）／（Ｗ２・ｔ）・・・・（５）
【００６５】
略Ｔ字形状の抵抗パターン３の幅広部１３の長さＬ２の変化による略Ｔ字形状の抵抗パターン３の抵抗値の変化量ΔＲｔは、数式（６）に表すことができる。
【００６６】
ΔＲｔ＝Ｒｔ−Ｒｔ’＝ρ・Δａ／（Ｗ２・ｔ）・・・・・（６）
【００６７】
第２実施形態例では、略Ｔ字形状の抵抗パターン３の抵抗値を決定する要素の一つである保護用絶縁層６の抵抗パターン用端子電極７ａ側の端縁６ａが略Ｔ字形状の抵抗パターン３の幅広部１３の上面に位置していることから、保護用絶縁層６の加工精度に起因して、その抵抗パターン用端子電極７ａ側の端縁６ａの形成位置が少しずれてしまい、これにより、抵抗パターン３の抵抗値に関与するライン長がΔａ分だけ変化してしまっても、そのライン長の変化量Δａに対する抵抗パターン３の抵抗値の変化量ΔＲｔ（数式（６）参照）は、幅広部１３の幅Ｗ２を大きくするにつれて小さく抑制することができる。
【００６８】
ところで、例えば、略Ｔ字形状の抵抗パターン３の抵抗値に関与するライン長（Ｌ１＋Ｌ２）が、抵抗パターン３が等幅な帯状である場合のライン長Ｌと等しく（Ｌ＝Ｌ１＋Ｌ２）、また、帯状の抵抗パターン３の抵抗値Ｒと、略Ｔ字形状の抵抗パターン３の抵抗値Ｒｔとが等しい（Ｒ＝Ｒｔ）という条件を前提条件とする。ここで、帯状の抵抗パターン３および略Ｔ字形状の抵抗パターン３のそれぞれにおいて、端子電極７ａの形成位置が長さΔａだけずれたと仮定すると、このことに起因した帯状の抵抗パターン３の抵抗値の変化量ΔＲは数式（７）に、また、略Ｔ字形状の抵抗パターン３の抵抗値の変化量ΔＲｔは数式（８）に、それぞれ、表すことができる。さらに、その帯状の抵抗パターン３の抵抗値の変化量ΔＲに対する略Ｔ字形状の抵抗パターン３の抵抗値の変化量ΔＲｔの割合（ΔＲｔ／ΔＲ）は、前記前提条件を考慮すると、数式（９）に表すことができる。
【００６９】
ΔＲ＝｜ρ・Ｌ／（Ｗ・ｔ）−ρ・（Ｌ±Δａ）／（Ｗ・ｔ）｜・・・・・（７）
【００７０】
ΔＲｔ＝｜（（ρ・Ｌ１／（Ｗ１・ｔ））＋（ρ・Ｌ２／（Ｗ２・ｔ）））−（（ρ・Ｌ１／（Ｗ１・ｔ））＋（ρ・（Ｌ２±Δａ）／（Ｗ２・ｔ）））｜・・・・・（８）
【００７１】
ΔＲｔ／ΔＲ＝（（Ｌ２／Ｌ１）＋１）／（（Ｌ２／Ｌ１）＋（Ｗ２／Ｗ１））・・・・（９）
【００７２】
略Ｔ字形状の抵抗パターン３の帯状部位１２の長さＬ１と、幅広部１３における帯状部位１２との接続部から保護用絶縁層６の抵抗パターン用端子電極側の端縁６ａの配置位置までの長さＬ２との比（Ｌ２／Ｌ１）を変化させた場合の前記ΔＲｔ／ΔＲと、Ｗ２／Ｗ１との関係例が、本発明者のシミュレーションにより求められて図１０（ａ）のグラフに表されている。
【００７３】
この第２実施形態例では、そのシミュレーション結果を利用して、下記の数式（１０）を満たすことができるように、略Ｔ字形状の抵抗パターン３の帯状部位１２の幅Ｗ１と長さＬ１と、幅広部１３の幅Ｗ２と長さＬ２とが、それぞれ、設計されている。
【００７４】
（Ｌ２／Ｌ１）＋２≦Ｗ２／Ｗ１・・・・・（１０）
【００７５】
数式（１０）は、帯状の抵抗パターン３の抵抗値の変化量ΔＲに対する略Ｔ字形状の抵抗パターン３の抵抗値の変化量ΔＲｔの割合（ΔＲｔ／ΔＲ）を０．５以下とすべく、０．５≧（Ｌ２／Ｌ１＋１）／（Ｌ２／Ｌ１＋Ｗ２／Ｗ１）の数式から導き出された数式である。この数式（１０）を満たすように、略Ｔ字形状の抵抗パターン３の帯状部位１２の幅Ｗ１と長さＬ１と、幅広部１３の幅Ｗ２と長さＬ２とを、それぞれ、設計することにより、帯状の抵抗パターン３を形成する場合に比べて、抵抗パターン３の抵抗値に関与するライン長の変化による抵抗パターン３の抵抗値の変化量ΔＲｔを半分以下に小さく抑制することができる。これにより、抵抗パターン３の抵抗値のばらつきをより小さく抑えることが可能なＬＲ複合部品１を提供することが可能となる。
【００７６】
以下に、第３実施形態例を説明する。なお、この第３実施形態例の説明において、第１や第２の各実施形態例と同一構成部分には同一符号を付し、その共通部分の重複説明は省略する。
【００７７】
この第３実施形態例では、図１１（ａ）の断面図および図１１（ｂ）の分解図に示されるように、抵抗パターン３とインダクタパターン５の配置位置が、第１や第２の実施形態例の場合と逆になっている。つまり、絶縁体基板２の上側にインダクタパターン５と、パターン間絶縁層４と、抵抗パターン３と、保護用絶縁層６とが順に積層形成されている。
【００７８】
この第３実施形態例では、抵抗パターン３は、第２実施形態例と同様に、帯状部位１２と幅広部１３を有した略Ｔ字形状と成している。この抵抗パターン３の上側に積層される保護用絶縁層６の抵抗パターン用端子電極７ａ側の端縁６ａは、抵抗パターン３の端子電極接続側の端縁３ａよりも積層体８の内側の抵抗パターン３の幅広部１３の上面に配置されている。このため、抵抗パターン３の端子電極接続側の端部上面には保護用絶縁層６は積層形成されず、当該抵抗パターン３の端子電極接続側の端部上面には抵抗パターン用端子電極７ａの一部が保護用絶縁層６に至るように形成されている。
【００７９】
また、この第３実施形態例では、パターン間絶縁層４のインダクタパターン用端子電極７ｂ側の端縁４ｂは、保護用絶縁層６のインダクタパターン用端子電極７ｂ側の端縁６ｂよりも積層体８の内側に配置されている。
【００８０】
上記以外の構成は、第２実施形態例とほぼ同様である。
【００８１】
なお、この発明は第１〜第３の各実施形態例の形態に限定されるものではなく、様々な実施の形態を採り得る。例えば、第１と第２の各実施形態例では、インダクタパターン５よりも上側に形成される保護用絶縁層６は、そのインダクタパターン用端子電極７ｂ側の端縁６ｂが、インダクタパターン５の端子電極接続側の端縁５ｂよりも積層体８の内側に引っ込んだ位置に配置されていた。また、第３実施形態例では、インダクタパターン５よりも上側に形成されるパターン間絶縁層４および保護用絶縁層６の各インダクタパターン用端子電極７ｂ側の端縁４ｂ，６ｂが、それぞれ、インダクタパターン５の端子電極接続側の端縁５ｂよりも積層体８の内側に引っ込んだ位置に配置されていた。このような構成により、インダクタパターン５の端子電極接続側の端部上面には、保護用絶縁層６、あるいは、パターン間絶縁層４および保護用絶縁層６が積層されず、当該インダクタパターン５の端子電極接続側の端部上面には、インダクタパターン用端子電極７ｂの一部が形成されており、インダクタパターン５は、端子電極接続側の端部上面および端面でもってインダクタパターン用端子電極７ｂと接続されていた。
【００８２】
しかし、例えば、インダクタパターン５の厚みが厚くて、インダクタパターン５の端子電極接続側の端面の面積が広く、このため、当該端面だけで、十分にインダクタパターン用端子電極７ｂとの接続の信頼性が得られる場合には、インダクタパターン５の上側に形成される保護用絶縁層６、あるいは、パターン間絶縁層４および保護用絶縁層６のインダクタパターン用端子電極７ｂ側の端縁４ｂ，６ｂがインダクタパターン５の端子電極接続側の端縁５ｂとほぼ同じ位置に配置されて、インダクタパターン５は、端子電極接続側の端面だけでインダクタパターン用端子電極７ｂと接続する構成としてもよい。
【００８３】
さらに、第２や第３の各実施形態例では、抵抗パターン３の端子電極接続側の幅広部１３は、積層体８の幅とほぼ等しい幅となっていたが、抵抗パターン３の幅広部１３の幅Ｗ２は、積層体８の幅よりも狭くともよい。また、インダクタパターン５の端子電極接続側の端部５ｃに関しても同様に、その端部５ｃの幅は積層体８の幅よりも狭くともよい。
【００８４】
さらに、第１〜第３の各実施形態例では、絶縁体基板２の上側に直接的に抵抗パターン３あるいはインダクタパターン５が形成されていたが、例えば、絶縁体基板２の表面に絶縁層を形成し、その上側に、抵抗パターン３あるいはインダクタパターン５を形成する構成としてもよい。絶縁体基板２の表面に絶縁層を形成することによって、絶縁体基板２の表面を平滑化することができるため、絶縁体基板２の上側に絶縁層を介して抵抗パターン３あるいはインダクタパターン５を積層形成することによって、例えば絶縁体基板２の表面粗さに起因した抵抗パターン３の線路長のばらつきを抑制することができる。
【００８５】
【発明の効果】
この発明によれば、保護用絶縁層の抵抗パターン用端子電極側の端縁が、パターン間絶縁層の抵抗パターン用端子電極側の端縁よりも積層体の内側に配置されているものにあっては、抵抗パターンと端子電極の接続部の位置は、抵抗パターンの上側に積層されるパターン間絶縁層の抵抗パターン用端子電極側の端縁の配置位置により定まることとなる。このため、抵抗パターンの抵抗値は、パターン間絶縁層に形成されたスルーホールとパターン間絶縁層の抵抗パターン用端子電極側の端縁との間の長さに基づいた値となり、抵抗値のばらつきを抑制することができる。また、パターン間絶縁層を成膜形成技術およびフォトリソグラフィ工法を利用して形成することにより、フォトリソグラフィ工法の高い加工精度によって、パターン間絶縁層に形成されるスルーホールとパターン間絶縁層の抵抗パターン用端子電極側の端縁との間の長さをほぼ設計通りとすることができる。このため、その長さに基づいた抵抗パターンの抵抗値のばらつきをより確実に抑制することができる。このことから、抵抗値に対する信頼性が高いＬＲ複合部品を提供することができる。
【００８６】
また、パターン間絶縁層の抵抗パターン用端子電極接続側の端縁が、保護用絶縁層の抵抗パターン用端子電極接続側の端縁よりも積層体の内側に引っ込んだ位置に配置されているものや、インダクタパターンよりも上側に抵抗パターンが配置されているものにあっては、抵抗パターンにおける端子電極との接続部は保護用絶縁層の抵抗パターン用端子電極接続側の端縁の形成位置により定まることになる。この場合、抵抗パターンの抵抗値は、パターン間絶縁層のスルーホールの形成位置と、保護用絶縁層の抵抗パターン用端子電極接続側の端縁の位置との間の間隔が関与することになる。パターン間絶縁層のスルーホールと、保護用絶縁層の抵抗パターン用端子電極接続側の端縁とは、同時に形成されないので、それらパターン間絶縁層のスルーホールの形成位置と、保護用絶縁層の抵抗パターン用端子電極接続側の端縁の配置位置との間の間隔は、加工精度に起因して僅かにずれることが懸念され、これにより、抵抗パターンの抵抗値がばらつくことが想定されるが、抵抗パターンの端子電極接続側の部位を幅広部とし、保護用絶縁層の抵抗パターン用端子電極側の端縁がその幅広部の上面に配置される構成とすることによって、加工精度に起因した抵抗パターンの抵抗値のばらつきを小さく抑制することができる。さらに、フォトリソグラフィ工法を利用してパターン間絶縁層および保護用絶縁層を形成することによって、より高精度の加工が実現できるので、抵抗値のばらつきをより一層確実に小さく抑制することが可能となる。
【００８７】
特に、抵抗パターンが帯状部位と端子電極接続側の幅広部とを有した略Ｔ字形状と成し、その帯状部位の幅Ｗ１と長さＬ１と、幅広部の幅Ｗ２および当該幅広部における帯状部位との接続部から保護用絶縁層の抵抗パターン用端子電極接続側の端縁の配置位置までの長さＬ２とが、（Ｌ２／Ｌ１）＋２≦Ｗ２／Ｗ１の関係式を満たすように抵抗パターンを設計することにより、抵抗パターンが全長に渡ってほぼ等幅である場合に比べて、前記加工精度に起因した抵抗パターンの抵抗値の変化量を半分以下に抑制することが可能となる。
【００８８】
また、この発明では、抵抗パターンが、端子電極接続側の端部上面および端面でもって端子電極に接続されている構成としたので、従来のように、抵抗パターンが端子電極接続側の端面だけで端子電極に接続されている場合に比べて、抵抗パターンと端子電極との接続面積が拡大し、抵抗パターンと端子電極との接続の信頼性を格段に向上させることができる。
【００８９】
さらに、インダクタパターンが抵抗パターンと同様に、その端子電極接続側の端部上面および端面でもって端子電極に接続されている構成とすることによって、インダクタパターンと端子電極との接続の信頼性が向上し、より一層信頼性の高いＬＲ複合部品を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１実施形態例のＬＲ複合部品を説明するための図である。
【図２】抵抗パターンの端子電極接続側の端部の配置位置のその他の例を説明するための図である。
【図３】第１実施形態例において特有な構成の一つであるパターン間絶縁層の構成を説明するための図である。
【図４】パターン間絶縁層のインダクタパターン用端子電極側の端部と、インダクタパターンの端子電極接続側の端部とのそれぞれの配置位置のその他の例を説明するための図である。
【図５】第１実施形態例のＬＲ複合部品の製造工程の一例を説明するための図である。
【図６】図５に引き続き、第１実施形態例のＬＲ複合部品の製造工程の一例を説明するための図である。
【図７】成膜形成技術およびフォトリソグラフィ工法を利用して抵抗パターンを形成する工程の一例を説明するための図である。
【図８】第２実施形態例のＬＲ複合部品を説明するための図である。
【図９】第２実施形態例において特有な構成の一つであるパターン間絶縁層および保護用絶縁層の構成を説明するための図である。
【図１０】抵抗パターンを略Ｔ字形状に形成した場合に得られる効果を説明するための図である。
【図１１】第３実施形態例のＬＲ複合部品を説明するための図である。
【図１２】特開２０００−１８２８９２号公報に記載されているＬＣＲ複合部品を説明するための図である。
【図１３】図１２に示すＬＣＲ複合部品の部分的な拡大断面図である。
【符号の説明】
１　ＬＲ複合部品
３　抵抗パターン
４　パターン間絶縁層
５　インダクタパターン
６　保護用絶縁層
７　端子電極
７ａ　抵抗パターン用端子電極
７ｂ　インダクタパターン用端子電極
８　積層体
１０　スルーホール
１２　帯状部位
１３　幅広部
【図１】
2004128131.tif 000003
【図２】
2004128131.tif 000004
【図３】
2004128131.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
2004128131.tif 000012
【図１１】
2004128131.tif 000013
【図１２】
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【図１３】
2004128131.tif 000015