(57)【要約】      （修正有）【課題】類似フリップチップ型の発光ダイオード装置パッケージの提供。【解決手段】凹部２０２を具えた第１表面を有する透明基板２００と、この凹部２０２内に置かれた発光ダイオード２０４を具えている。この発光ダイオード２０４はフリップチップダイのように透明基板２００の方向に向けて発光し、これによりその発光が発光ダイオード２０４上方のボンディングパッド２０５に阻止されない。これにより、発光面積を増加して発光強度を高める。さらに、この発光ダイオード２０４は透明基板２００の凹部内に置かれるため、この発光ダイオード２０４を被覆する封止樹脂２１１の厚さを減らすことができる。【選択図】        図３
2004158557.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
類似フリップチップ型の発光ダイオード装置パッケージにおいて、
透明基板とされ、凹部を具えた第１表面を具えると共に発光ダイオードの発射する光線を吸収しない特性を有する、上記透明基板と、
発光ダイオードとされ、該透明基板の凹部内に置かれ、フリップチップ型チップの発光方向と同じく該透明基板に向けて発光し、第１導電性を有する第１半導体層と、該第１導電性と電性が反対の第２導電性を有する第２半導体層とを具え、該第２半導体層が該第１半導体層に隣接している、上記発光ダイオードと、
第１発光ダイオードボンディングパッドとされ、該発光ダイオードの一つの表面の上に形成されて、電気的に該第１半導体層に連接された、上記第１発光ダイオードボンディングパッドと、
第２発光ダイオードボンディングパッドとされ、該発光ダイオードの、該第１発光ダイオードボンディングパッドが形成されたのと同じ表面の上に形成され、電気的に第２半導体層に連接された、上記第２発光ダイオードボンディングパッドと、
第１基板電極とされ、該透明基板の該第１表面の上に形成された、上記第１基板電極と、
第２基板電極とされ、該透明基板の該第１表面の上に形成された、上記第２基板電極と、
第１ボンディングワイヤとされ、電気的に該第１発光ダイオードボンディングパッドと該第１基板電極の間に電気的に連接された、上記第１ボンディングワイヤと、
第２ボンディングワイヤとされ、該第２発光ダイオードボンディングパッドと該第２基板電極の間に電気的に連接された、上記第２ボンディングワイヤと、
封止樹脂とされ、該発光ダイオード、該第１発光ダイオードボンディングパッド、該第２発光ダイオードボンディングパッド、該第１ボンディングワイヤ、該第２ボンディングワイヤを封止する、上記封止樹脂と、
を具えたことを特徴とする、類似フリップチップ型の発光ダイオード装置パッケージ。
【請求項２】
請求項１に記載の類似フリップチップ型の発光ダイオード装置パッケージにおいて、発光ダイオードを透明基板の凹部内に固着させるための接着材料を具えたことを特徴とする、類似フリップチップ型の発光ダイオード装置パッケージ。
【請求項３】
請求項１に記載の類似フリップチップ型の発光ダイオード装置パッケージにおいて、透明基板の凹部が階段状側壁を具え、且つ一部の第１基板電極と第２基板電極がそれぞれ該階段状側壁上に形成されたことを特徴とする、類似フリップチップ型の発光ダイオード装置パッケージ。
【請求項４】
請求項１に記載の類似フリップチップ型の発光ダイオード装置パッケージにおいて、透明基板が第２表面を具え、該第２表面が発光ダイオードの下方に位置する粗い面を具えたことを特徴とする、類似フリップチップ型の発光ダイオード装置パッケージ。
【請求項５】
請求項４に記載の類似フリップチップ型の発光ダイオード装置パッケージにおいて、透明基板の第２表面の粗い面が、複数の同心円、複数の球形凸面及び複数の多面体のいずれかで形成されたことを特徴とする、類似フリップチップ型の発光ダイオード装置パッケージ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は一種の類似フリップチップ型の発光ダイオード装置パッケージに係り、特に、フリップチップダイの発光方向と同様の発光方向を有する発光ダイオード装置パッケージに関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体発光装置は電気エネルギーを変換して光エネルギーとなす半導体装置である。半導体発光装置は異なる導電性の半導体材料、例えばｎ形及びｐ形半導体材料を具えている。ｎ形半導体材料中、原子の外殻電子は自由に移動し、電流キャリアを構成する。ｎ形半導体材料は第５Ａ族元素、例えばリン（Ｐ）、砒素（Ａｓ）、アンチモン（Ｓｂ）、及び窒素（Ｎ）を含む。ｎ形半導体材料中のキャリアはドナーと称される。一方、ｐ形半導体材料中、電子の欠乏により、原子は正孔を有し、それもまたキャリアとされうる。ｐ型半導体材料は第３Ａ族元素を含み、例えばアルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）、及びインジウム（Ｉｎ）がある。ｐ形半導体材料中のキャリアはアクセプタと称される。
【０００３】
ｎ形とｐ形半導体材料が一つに連接されて複合材料が形成される時、ｐｎ接合がｎ形及びｐ形半導体材料間に形成され、且つ電子、正孔が新たにｐｎ接合部分に分布する。順方向バイアス電圧をこの複合材料の電極にかけると、半導体材料中の異なる導電性を有するキャリアがこのｐｎ接合を透過する。言い換えると、発光ダイオードの発光原理は、順方向バイアス下で、ｐ形材料中の正孔とｎ形材料中の電子がｐｎ接合付近で結合し、並びに発光方式でエネルギーを放出することとされる。
【０００４】
図１は伝統的な表面実装装置型の青色発光ダイオード装置パッケージ１０の断面図である。図２はこの伝統的な青色発光ダイオードの平面図である。図１に示されるように、この青色発光ダイオード装置パッケージ１０中、青色発光ダイオードのサファイア基板１０２は不透明基板１００の上に置かれている。結晶固定材料１０１例えばエポキシ樹脂が、このサファイア発光ダイオードを不透明基板１００の上に固着させている。ｎ形窒化ガリウム化合物（ｎ−ＧａＮ）１０４がこのサファイア基板１０２の上方に形成されている。ｐ形窒化ガリウム化合物（ｐ−ＧａＮ）１０６が典型的な素子工程によりメサ（ｍｅｓａ）構造に形成され、これによりｐ形窒化ガリウム化合物１０６がただｎ形窒化ガリウム化合物（ｎ−ＧａＮ）１０４の部分表面を被覆している。さらに、ｎ形窒化ガリウム化合物（ｎ−ＧａＮ）１０４とｐ形窒化ガリウム化合物（ｐ−ＧａＮ）１０６の間に発光層１０５がある。ｐ形窒化ガリウム化合物（ｐ−ＧａＮ）１０６の上面は完全に酸化ニッケル／金で組成された透明電極１０８で被覆されている。ｎ形ボンディングパッド１１０とｐ形ボンディングパッド１１２が電気的連接接点とされる。このｎ形ボンディングパッド１１０はｎ形窒化ガリウム化合物（ｎ−ＧａＮ）１０４の露出した表面上に形成され、並びにボンディングワイヤ１１８により電気的にパターンエッチングで不透明基板１００に形成された第１電極１１４に連接される。ｐ形ボンディングパッド１１２はｐ形透明電極１０８の上に形成され、並びにボンディングワイヤ１２０でパターンエッチングにより不透明基板１００に形成された第２電極１１６に電気的に連接される。青色発光ダイオード、ｎ形ボンディングパッド１１０、ｐ形ボンディングパッド１１２及びボンディングワイヤ１１８、１２０は封止樹脂１２２例えばエポキシ樹脂で封止され、それらの外力による破壊が防止されている。
【０００５】
図２に示されるこの伝統的な青色発光ダイオードの平面図を参照されたい。ｐ形窒化ガリウム化合物（ｐ−ＧａＮ）１０６は方形のｎ形窒化ガリウム化合物（ｎ−ＧａＮ）１０４の上方に位置し、並びにｎ形窒化ガリウム化合物（ｎ−ＧａＮ）１０４の部分表面を被覆している。ｐ形透明電極１０８が完全にｐ形窒化ガリウム化合物（ｐ−ＧａＮ）１０６の表面を被覆している。ｎ形ボンディングパッド１１０及びｐ形ボンディングパッド１１２はそれぞれ青色発光ダイオードの方形表面の対角線部分に位置している。
【０００６】
サファイア基板１０２は電気絶縁基板であり、これによりｎ形ボンディングパッド１１０及びｐ形ボンディングパッド１１２はそれぞれ電気的にｎ形窒化ガリウム化合物（ｎ−ＧａＮ）１０４及びｐ形窒化ガリウム化合物（ｐ−ＧａＮ）１０６に連接できる所に位置する必要がある。ｎ形ボンディングパッド１１０及びｐ形ボンディングパッド１１２の形成位置により、青色発光ダイオードの発射する光がｎ形ボンディングパッド１１０及びｐ形ボンディングパッド１１２の制限を受ける。これにより、この伝統的な青色発光ダイオード装置パッケージ１０の発光強度はｐ形ボンディングパッド１１２の遮蔽により減衰し、且つ底部に反射された光の強度もｎ形ボンディングパッド１１０及びｐ形ボンディングパッド１１２の遮蔽により減る。このほか、発光ダイオードは不透明基板１００の上より突出し、さらにボンディングワイヤ１１８、１２０の高度により、封止樹脂１２２の厚さを減らすことができない。さらに、白色発光ダイオードを製造する時は、封止樹脂１２２の形成前に、全体の発光ダイオードの上方に一層の蛍光粉を増加しなければならず、これにより工程が複雑となる。
【０００７】
これにより、以上の欠点を克服できる改良された発光ダイオード装置パッケージの提供が待たれている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の主要な目的は、一種の類似フリップチップ型の発光ダイオード装置パッケージを提供することにあり、本発明によると、フリップチップダイの発光方向と同じ発光方向の発光ダイオードが透明基板の凹部内に置かれ、この発光ダイオードを封止する封止樹脂の厚さが減らされ、これによりの発光ダイオード装置パッケージの全体厚さが減らされる。
【０００９】
本発明の別の目的は、一種の類似フリップチップ型の発光ダイオード装置パッケージを提供することにあり、本発明によると、発光ダイオードが透明基板の凹部内に置かれ、且つそれがフリップチップダイの発光方向と同じように、下向きに透明基板に向けて発光し、これにより、この発光ダイオードの発光がその上方のボンディングパッドにより遮蔽されず、これにより、発光ダイオード装置パッケージの発光面積が増加し、これにより発光強度が高められる。
【００１０】
本発明のさらに別の目的は、一種の類似フリップチップ型の発光ダイオード装置パッケージを提供することにあり、本発明によると、透明基板が発光ダイオード装置の下方に位置し粗い部分を具えた底部表面を具え、この粗い部分がそれを通過する光線の屈折率を変化させ、これにより発光ダイオード装置の外部量子効果或いは特殊な光学特性を具備する発光装置を提供できる。
【００１１】
本発明のさらにまた別の目的は、一種の類似フリップチップ型の発光ダイオード装置パッケージを提供することにあり、本発明によると、蛍光粉を含有する接着材料を使用し、この発光ダイオード装置パッケージを白光或いはその他のこの発光ダイオードの波長より長い色の光を発射できる発光ダイオード装置パッケージとなす。
【００１２】
本発明のまた別の目的は、一種の類似フリップチップ型の発光ダイオード装置パッケージを提供することにあり、それは、伝統的な加工方式によりフリップチップ型ダイのの発光方向と同じ発光方向の発光ダイオード装置パッケージである。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
請求項１の発明は、類似フリップチップ型の発光ダイオード装置パッケージにおいて、
透明基板とされ、凹部を具えた第１表面を具えると共に発光ダイオードの発射する光線を吸収しない特性を有する、上記透明基板と、
発光ダイオードとされ、該透明基板の凹部内に置かれ、フリップチップ型チップの発光方向と同じく該透明基板に向けて発光し、第１導電性を有する第１半導体層と、該第１導電性と電性が反対の第２導電性を有する第２半導体層とを具え、該第２半導体層が該第１半導体層に隣接している、上記発光ダイオードと、
第１発光ダイオードボンディングパッドとされ、該発光ダイオードの一つの表面の上に形成されて、電気的に該第１半導体層に連接された、上記第１発光ダイオードボンディングパッドと、
第２発光ダイオードボンディングパッドとされ、該発光ダイオードの、該第１発光ダイオードボンディングパッドが形成されたのと同じ表面の上に形成され、電気的に第２半導体層に連接された、上記第２発光ダイオードボンディングパッドと、
第１基板電極とされ、該透明基板の該第１表面の上に形成された、上記第１基板電極と、
第２基板電極とされ、該透明基板の該第１表面の上に形成された、上記第２基板電極と、
第１ボンディングワイヤとされ、電気的に該第１発光ダイオードボンディングパッドと該第１基板電極の間に電気的に連接された、上記第１ボンディングワイヤと、
第２ボンディングワイヤとされ、該第２発光ダイオードボンディングパッドと該第２基板電極の間に電気的に連接された、上記第２ボンディングワイヤと、
封止樹脂とされ、該発光ダイオード、該第１発光ダイオードボンディングパッド、該第２発光ダイオードボンディングパッド、該第１ボンディングワイヤ、該第２ボンディングワイヤを封止する、上記封止樹脂と、
を具えたことを特徴とする、類似フリップチップ型の発光ダイオード装置パッケージとしている。
請求項２の発明は、請求項１に記載の類似フリップチップ型の発光ダイオード装置パッケージにおいて、発光ダイオードを透明基板の凹部内に固着させるための接着材料を具えたことを特徴とする、類似フリップチップ型の発光ダイオード装置パッケージとしている。
請求項３の発明は、請求項１に記載の類似フリップチップ型の発光ダイオード装置パッケージにおいて、透明基板の凹部が階段状側壁を具え、且つ一部の第１基板電極と第２基板電極がそれぞれ該階段状側壁上に形成されたことを特徴とする、類似フリップチップ型の発光ダイオード装置パッケージとしている。
請求項４の発明は、請求項１に記載の類似フリップチップ型の発光ダイオード装置パッケージにおいて、透明基板が第２表面を具え、該第２表面が発光ダイオードの下方に位置する粗い面を具えたことを特徴とする、類似フリップチップ型の発光ダイオード装置パッケージとしている。
請求項５の発明は、請求項４に記載の類似フリップチップ型の発光ダイオード装置パッケージにおいて、透明基板の第２表面の粗い面が、複数の同心円、複数の球形凸面及び複数の多面体のいずれかで形成されたことを特徴とする、類似フリップチップ型の発光ダイオード装置パッケージとしている。
【００１４】
【発明の実施の形態】
本発明は一種の類似フリップチップ型の発光ダイオード装置パッケージを提供し、それは発光ダイオードの発射する光線を吸収しない透明基板、発光ダイオード、第１発光ダイオードボンディングパッド、第２発光ダイオードボンディングパッド、第１基板電極、第２基板電極、第１ボンディングワイヤ、第２ボンディングワイヤ及び封止樹脂を具えている。この透明基板は凹部を具えた第１表面を有し、該凹部内に発光ダイオードが設置され、発光ダイオードがフリップチップ型ダイの発光方向と同じように、透明基板に向けて発光させられる。発光ダイオードは第１導電性を具えた第１半導体層と、第１導電性と反対の電性の第２導電性を具えた第２半導体層を具え、該第２半導体層は第１半導体層に隣接する。第１発光ダイオードボンディングパッドは発光ダイオードの一つの表面上に形成されて電気的に第１半導体層に連接される。第２発光ダイオードボンディングパッドは第１発光ダイオードボンディングパッドと同じ発光ダイオードの表面上に形成されて電気的に第２半導体層に連接される。第１基板電極及び第２基板電極はそれぞれ透明基板の第１表面の上に形成される。第１ボンディングワイヤは電気的に第１発光ダイオードボンディングパッドと第１基板電極の間に連接され、第２ボンディングワイヤは電気的に第２発光ダイオードボンディングパッドと第２基板電極の間に連接される。封止樹脂は発光ダイオード、第１発光ダイオードボンディングパッド、第２発光ダイオードボンディングパッド、第１ボンディングワイヤ、及び第２ボンディングワイヤを封止する。発光ダイオードはフリップチップ型ダイの発光方向と同様に下向きに透明基板に向けて発光し、これにより、その発光は発光ダイオード表面上方の第１発光ダイオードボンディングパッド及び第２発光ダイオードボンディングパッドにより遮蔽されることがない。本発明の発光ダイオード装置パッケージは発光面積が増加され、これにより発光強度が高められている。このほか、発光ダイオードが透明基板の凹部に置かれることにより封止樹脂の厚さが減らされ、これにより発光ダイオード装置パッケージの全体厚さが減少している。
【００１５】
【実施例】
図３は本発明の第１実施例の類似フリップチップ型の発光ダイオード装置パッケージ２０の断面図である。この類似フリップチップ型の発光ダイオード装置パッケージ２０は、発光ダイオードの発射する光線を吸収しない透明基板２００、発光ダイオード２０４、第１発光ダイオードボンディングパッド２０５、第２発光ダイオードボンディングパッド２０６、第１基板電極２０７、第２基板電極２０８、第１ボンディングワイヤ２０９、第２ボンディングワイヤ２１０及び封止樹脂２１１を具えている。この透明基板２００は凹部２０２を具えた第１表面２０１を有し、該透明基板２００の材料は、以下に記載の材料より選択され、即ち、ガラス、石英、エポキシ樹脂、アクリルニトライルブタジエンスチレン共重合物（ａｃｒｙｌｏｎｉｔｒｉｌｅ  ｂｕｔａｄｉｅｎｅ  ｓｔｙｒｅｎｅ  ｃｏｐｏｌｙｍｅｒ）樹脂（ＡＢＳ  ｒｅｓｉｎ）、ポリメチルメタクリレート（ｐｏｌｙｍｅｔｈｙｌ  ｍｅｔｈａｃｒｙｌａｔｅ）、サファイヤ或いは熱可塑性重合物、例えばポリスルホン（ｐｏｌｙｓｕｌｆｏｎｅｓ）、ポリエーテルスルオン（ｐｏｌｙｅｔｈｅｒｓｕｌｆｏｎｅｓ）、ポリエーテルイミド（ｐｏｌｙｅｔｈｅｒｉｍｉｄｅｓ）、ポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｅｄｅｓ）、ポリアミドイミド（ｐｏｌｙａｍｉｄｅ−ｉｍｉｄｅ）、ポリフェニレンスルファイド（ｐｏｌｙｐｈｅｎｙｌｅｎｅ  ｓｕｌｆｉｄｅ）及びシリコンカーボンサーモセット（ｓｉｌｉｃｏｎ−ｃａｒｂｏｎ  ｔｈｅｒｍｏｓｅｔｓ）。発光ダイオード２０４は透明基板２００の凹部２０２内に置かれる。発光ダイオード２０４は、第１導電性を具えた第１半導体層（図示せず）と、第１導電性と反対の電性の第２導電性を具えた第２半導体層（図示せず）を具え、該第２半導体層は第１半導体層に隣接する。使用する半導体材料の違いにより、この発光ダイオード２０４は異なる波長の光線を発射する。透明基板２００の凹部２０２は、好ましくは平面底部を有するものとされ、発光ダイオード２００を放置するのに供される。この発光ダイオード２０４は透明基板２００の凹部２０２内に置かれ、その発光方向はフリップチップ型ダイの発光方向と同様に透明基板２００の第１表面２０１に向いている。接着材料２０３、例えばエポキシ樹脂が、発光ダイオード２０４を透明基板２００に固着させるのに使用される。このほか、接着材料２０３は蛍光粉を含有するものとされ得て、例えばエポキシ樹脂に蛍光粉を混ぜたものとされ、これにより本発明の発光ダイオード装置パッケージが白色或いはその他の波長がこの発光ダイオードの発射する光線より長い光を発射するものとされる。
【００１６】
第１発光ダイオードボンディングパッド２０５は発光ダイオード２０４の上方に形成され、並びに第１半導体層に電気的に連接される。第２発光ダイオードボンディングパッド２０６もまた発光ダイオード２０４の上方に形成され、第２半導体層に電気的に連接される。第１発光ダイオードボンディングパッド２０５及び第２発光ダイオードボンディングパッド２０６は二層或いは多層材質の組合せとされる。第１基板電極２０７は透明基板２００の第１表面２０１の上に形成され、第１ボンディングワイヤ２０９と第１発光ダイオードボンディングパッド２０５と第１基板電極２０７の間に電気的に連接される。第２基板電極２０８は透明基板２００の第１表面２０１の上に形成され、第２ボンディングワイヤ２１０が第２発光ダイオードボンディングパッド２０６と第１基板電極２０８の間に電気的に連接される。第１基板電極２０７と第２基板電極２０８は透明基板２００の上の金属層をパターンエッチングして形成され、例えば、リソグラフィーエッチング、蒸着、電気メッキ等の方法が用いられる。第１ボンディングワイヤ２０９及び第２ボンディングワイヤ２１０は金或いはアルミニウムで形成される。封止樹脂２１１、例えばエポキシ樹脂は、シールカバーを形成して発光ダイオード２０４を、第１発光ダイオードボンディングパッド２０５、第２発光ダイオードボンディングパッド２０６、第１ボンディングワイヤ２０９及び第２ボンディングワイヤ２１０を封止する。
【００１７】
図４は本発明の第２実施例の類似フリップチップ型の発光ダイオード装置パッケージ３０の断面図である。この類似フリップチップ型の発光ダイオード装置パッケージ３０は発光ダイオードの発射した光線を吸収しない透明基板３００、発光ダイオード３０４、第１発光ダイオードボンディングパッド３０５、第２発光ダイオードボンディングパッド３０６、第１基板電極３０７、第２基板電極３０８、第１ボンディングワイヤ３０９、第２ボンディングワイヤ３１０及び封止樹脂３１１を具えている。この透明基板３００の第１表面３０１は階段状側壁（ｓｔｅｐ−ｓｈａｐｅｄ  ｓｉｄｅｗａｌｌ）３０２１を具えた凹部３０２を具えている。この類似フリップチップ型の発光ダイオード装置パッケージ３０の凹部３０２の構造以外のその他の構成手段はいずれも第１実施例の類似フリップチップ型の発光ダイオード装置パッケージ２０の対応構成手段と同じである。図３に示されるように、透明基板３００の凹部３０２は階段状側壁３０２１、例えば二段状側壁を具え、一部の第１基板電極３０７及び一部の第２基板電極３０８はそれぞれ階段状側壁３０２１の上に形成される。これにより、第１ボンディングワイヤ３０９及び第２ボンディングワイヤ３１０の高度が減らされ、これにより封止樹脂３１１の厚さが減らされ、さらに類似フリップチップ型の発光ダイオード装置パッケージ３０の全体厚度が減らされる。さらに、接着材料３０３、例えばエポキシ樹脂が、発光ダイオード３０４を透明基板２００の上に固着させるのに用いられる。このほか、接着材料３０３は蛍光粉を含有するものとされ得て、例えばエポキシ樹脂に蛍光粉を混ぜたものとされ、これにより本発明の発光ダイオード装置パッケージが白色或いはその他の波長がこの発光ダイオードの発射する光線より長い光を発射するものとされる。このほか、透明基板を製造する時、基板背面に射出成形或いはモールディング等の方式で光学特性を具備する表面を形成することができ、これにより、装置の外部量子効果を増加するか或いは特殊光学特性を具えた装置とすることができる。
【００１８】
例えば、図５は本発明の第３実施例の類似フリップチップ型の発光ダイオード装置パッケージ４０の断面図であり、図６はこの類似フリップチップ型の発光ダイオード装置パッケージ４０の底面図である。この類似フリップチップ型の発光ダイオード装置パッケージ４０は、透明基板４００、発光ダイオード４０４、第１発光ダイオードボンディングパッド４０５、第２発光ダイオードボンディングパッド４０６、第１基板電極４０７、第２基板電極４０８、第１ボンディングワイヤ４０９、第２ボンディングワイヤ４１０及び封止樹脂４１１を具えている。この透明基板４００は階段状側壁（ｓｔｅｐ−ｓｈａｐｅｄ  ｓｉｄｅｗａｌｌ）４０２１を具えた凹部４０２を具えた第１表面４０１と、粗い面４１３を具えた第２表面４１２を具えている。この粗い面４１３は発光ダイオード４０４の下方に位置する。透明基板４００の第２表面４１２が粗い面４１３を具えている以外の、その他の構成要件はいずれも第２実施例の対応構成要件と同じである。図５及び図６に示されるように、この粗い面４１３は複数の球形凸面で組成されうる。第３実施例中、透明基板４００の第２表面４１２の粗い面４１３の界面光屈折率の変化により、発光ダイオード４０４の発射する光線が内部で全反射される。これにより、この粗い面４１３の設計により、この類似フリップチップ型の発光ダイオード装置パッケージ４０の発光強度が高められる。
【００１９】
図７は本発明の第４実施例の類似フリップチップ型の発光ダイオード装置パッケージ５０の断面図であり、図８はこの類似フリップチップ型の発光ダイオード装置パッケージ５０の底面図である。この類似フリップチップ型の発光ダイオード装置パッケージ５０は、透明基板５００、発光ダイオード５０４、第１発光ダイオードボンディングパッド５０５、第２発光ダイオードボンディングパッド５０６、第１基板電極５０７、第２基板電極５０８、第１ボンディングワイヤ５０９、第２ボンディングワイヤ５１０及び封止樹脂５１１を具えている。この透明基板５００は階段状側壁（ｓｔｅｐ−ｓｈａｐｅｄ  ｓｉｄｅｗａｌｌ）５０２１を具えた凹部５０２を具えた第１表面５０１と、粗い面５１３を具えた第２表面５１２を具えている。この粗い面５１３は発光ダイオード５０５の下方に位置する。透明基板５００の第２表面５１２は複数の三角錐体で組成されているが、その他の構成要件は、第３実施例の類似フリップチップ型の発光ダイオード装置パッケージ４０の対応構成要件と同じである。第３実施例と同様に、この実施例も外部量子効果を増加する特性を有する。さらに、図７、８に示されるように、透明基板５００の第２表面５１２の粗い面５１３の複数の三角錐体は、遠くから見る時、特殊な方向性効果を有し、この構造は特殊な方向性の要求に応じて、異なる多面錐体、さらには円錐体に形成されうる。
【００２０】
図９は本発明の第５実施例の類似フリップチップ型の発光ダイオード装置パッケージ６０の断面図であり、図１０はこの類似フリップチップ型の発光ダイオード装置パッケージ６０の底面図である。この類似フリップチップ型の発光ダイオード装置パッケージ６０は、透明基板６００、発光ダイオード６０４、第１発光ダイオードボンディングパッド６０５、第２発光ダイオードボンディングパッド６０６、第１基板電極６０７、第２基板電極６０８、第１ボンディングワイヤ６０９、第２ボンディングワイヤ６１０及び封止樹脂６１１を具えている。この透明基板６００は階段状側壁（ｓｔｅｐ−ｓｈａｐｅｄ  ｓｉｄｅｗａｌｌ）６０２１を具えた凹部６０２を具えた第１表面６０１と、粗い面６１３を具えた第２表面６１２を具えている。この粗い面６１３は発光ダイオード６０６の下方に位置する。透明基板６００の第２表面６１２は複数の同心円で組成されているが、その他の構成要件は、第３実施例の類似フリップチップ型の発光ダイオード装置パッケージ４０の対応構成要件と同じである。この第５実施例では、透明基板６００の第２表面６１２の粗い表面６１３の界面光屈折率変化により、発光ダイオード６０４の発射する光線の内部反射と透明基板６００に吸収される機会が減少する。同様に透明基板６００の第２表面６１２の粗い表面６１３の複数の同心円は、透明基板６００材質の屈折率と粗い表面６１３の角度により設計され、この構造が、集光、拡散光、平行光或いはその他の光学特性を有する装置とされる。これにより、この粗い表面６１３の設計によりこの類似フリップチップ型の発光ダイオード装置パッケージ６０の発光強度が高められ、並びに特殊な光学特性を有するものとされる。
【００２１】
一方で、本発明の第３から第５の実施例は第１実施例の類似フリップチップ型の発光ダイオード装置パッケージ２０の構造を変化させたものであり、即ち透明基板２００の第１表面２０１と反対の第２表面の一部の面積が、第３から第５実施例の粗い面とされたものである。
【００２２】
以上は本発明の実施例の説明であって、本発明の実施範囲を限定するものではなく、本発明に基づきなしうる細部の修飾或いは改変は、いずれも本発明の請求範囲に属するものとする。
【００２３】
【発明の効果】
本発明の提供する類似フリップチップ型の発光ダイオード装置パッケージは、発光ダイオードの発光方向がフリップチップ型ダイの発光方向を模倣して下向きとされて透明基板の方向に向けられ、発光ダイオードの発射する光線がその上方に位置するボンディングパッドにより遮蔽されない、これにより、本発明は発光面積を増加でき、これにより発光強度を高めることができる。さらに、発光ダイオードは透明基板の凹部に置かれ、この発光ダイオードを封止する封止樹脂の厚さを減らすことができ、これにより発光ダイオード装置パッケージの全体厚度を減らすことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】伝統的な青色発光ダイオード装置パッケージの断面図である。
【図２】図１の青色発光ダイオード装置パッケージの平面図である。
【図３】本発明の第１実施例の断面図である。
【図４】本発明の第２実施例の断面図である。
【図５】本発明の第３実施例の断面図である。
【図６】本発明の第３実施例の底面図である。
【図７】本発明の第４実施例の断面図である。
【図８】本発明の第４実施例の底面図である。
【図９】本発明の第５実施例の断面図である。
【図１０】本発明の第５実施例の底面図である。
【符号の説明】
１０  青色発光ダイオード装置パッケージ
１００  不透明基板
１０１  接着材料
１０２  サファイア基板
１０４  ｎ形窒化ガリウム化合物
１０６  ｐ形窒化ガリウム化合物
１０８  透明電極
１１０  ｎ形ボンディングパッド
１１２  ｐ形ボンディングパッド
１１４  第１電極
１１６  第２電極
１２０  ボンディングワイヤ
１２２  封止樹脂
２０  類似フリップチップ型の発光ダイオード装置パッケージ
２００  透明基板
２０１  第１表面
２０２  凹部
２０３  接着材料
２０４  発光ダイオード
２０５  第１発光ダイオードボンディングパッド
２０６  第２発光ダイオードボンディングパッド
２０７  第１基板電極
２０８  第２基板電極
２０９  第１ボンディングワイヤ
２１０  第２ボンディングワイヤ
２１１  封止樹脂
３０  類似フリップチップ型の発光ダイオード装置パッケージ
３００  透明基板
３０１  第１表面
３０２  凹部
３０３  接着材料
３０４  発光ダイオード
３０５  第１発光ダイオードボンディングパッド
３０６  第２発光ダイオードボンディングパッド
３０７  第１基板電極
３０８  第２基板電極
３０９  第１ボンディングワイヤ
３１０  第２ボンディングワイヤ
３１１  封止樹脂
３０２１  階段状側壁
４０  類似フリップチップ型の発光ダイオード装置パッケージ
４００  透明基板
４０１  第１表面
４０２  凹部
４０４  発光ダイオード
４０５  第１発光ダイオードボンディングパッド
４０６  第２発光ダイオードボンディングパッド
４０７  第１基板電極
４０８  第２基板電極
４０９  第１ボンディングワイヤ
４１０  第２ボンディングワイヤ
４１１  封止樹脂
４１２  第２表面
４１３  粗い面
４０２１  階段状側壁
５０  類似フリップチップ型の発光ダイオード装置パッケージ
５００  透明基板
５０１  第１表面
５０２  凹部
５０４  発光ダイオード
５０５  第１発光ダイオードボンディングパッド
５０６  第２発光ダイオードボンディングパッド
５０７  第１基板電極
５０８  第２基板電極
５０９  第１ボンディングワイヤ
５１０  第２ボンディングワイヤ
５１１  封止樹脂
５１２  第２表面
５１３  粗い面
５０２１  階段状側壁
６０  類似フリップチップ型の発光ダイオード装置パッケージ
６００  透明基板
６０１  第１表面
６０２  凹部
６０４  発光ダイオード
６０５  第１発光ダイオードボンディングパッド
６０６  第２発光ダイオードボンディングパッド
６０７  第１基板電極
６０８  第２基板電極
６０９  第１ボンディングワイヤ
６１０  第２ボンディングワイヤ
６１１  封止樹脂
６１２  第２表面
６１３  粗い面
６０２１  階段状側壁
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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