(57)【要約】【課題】本発明は、例えばパッケージ基板のＬＳＩの角部に応力が集中するのを防止できる電子部品の実装方法、実装構造及びパッケージ基板の提供を課題とする。【解決手段】本発明のパッケージ基板５は、プリント基板５１と、このプリント基板５１に搭載された第１の電子部品である半導体チップ５２と、半導体チップ５２に搭載された第２の電子部品であるヒートスプレッダ５３と、ヒートスプレッダ５３の角部に形成された面取り部分６１を有している。そして、半導体チップ５２の角部６２がヒートスプレッダ５３の面取り部分６１より外側に配置されている。これにより、半導体チップ５２の角部６２は、ヒートスプレッダ５３に接合されない。【選択図】  図１
2004327648.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プリント基板に第１の電子部品を搭載し、
前記第１の電子部品に第２の電子部品を搭載する電子部品の実装方法において、
前記第１の電子部品に前記第２の電子部品を接合する際に、前記第１の電子部品の角部を前記第２の電子部品に接合しないことを特徴とする電子部品の実装方法。
【請求項２】
プリント基板と、
前記プリント基板に搭載された第１の電子部品と、
前記第１の電子部品に搭載された第２の電子部品とを備えた電子部品の実装構造において、
前記第２の電子部品の角部に形成された面取り部分又は曲面部分を有し、
前記第１の電子部品の角部が前記面取り部分又は前記曲面部分より外側に配置されていることを特徴とする電子部品の実装構造。
【請求項３】
前記第１の電子部品は半導体チップであり、前記第２の電子部品は前記第１の電子部品を冷却する冷却部品であることを特徴とする請求項２に記載の電子部品の実装構造。
【請求項４】
前記半導体チップはＬＳＩであることを特徴とする請求項３に記載の電子部品の実装構造。
【請求項５】
請求項２から４の何れかに記載の電子部品の実装構造を有することを特徴とするパッケージ基板。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は電子部品の実装方法、実装構造及びパッケージ基板に関する。
【０００２】
【従来の技術】
図１５に示すように、高発熱の半導体チップ１０に冷却用のヒートスプレッダ１１を接合する場合、ヒートスプレッダ１１を半導体チップ１０に直接接合するのが一般的である。
【０００３】
半導体チップ１０とヒートスプレッダ１１との接合材料１２は、コンパウンドや放熱接着剤（樹脂）などが用いられる。
【０００４】
特に、高発熱の半導体チップ１０にヒートスプレッダ１１を接合する場合は、固形分を多く含んだ熱伝導性の高い半田などの金属接合材料１２で金属接合される。
【０００５】
なお、図１５中の符号１３はプリント基板、１４は半田バンプ、１５はアンダーフィルである。
【０００６】
従来、半導体チップ１０にヒートスプレッダ１１を接合する場合には、図１６に示すように、半導体チップ１０の角部１０ａにヒートスプレッダ１１の角部１１ａを合わせた状態で、これらの角部１０ａ，１１ａを含めて半導体チップ１０及びヒートスプレッダ１１の接合面を全体的に接合していた。
【０００７】
【特許文献１】
特開平５−１５２３７３号公報
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来のように、高発熱の半導体チップ１０に直接ヒートスプレッダ１１を金属接合する場合には、半導体チップ１０の角部１０ａに応力が集中するという問題があった。
【０００９】
場合によっては、半導体チップ１０の角部１０ａにクラックが発生することがあった。
【００１０】
本発明は、このような問題に鑑みてなされたもので、例えば半導体チップにヒートスプレッダなどを金属接合する場合に、半導体チップの角部に応力が集中するのを防止できる電子部品の実装方法、実装構造及びパッケージ基板の提供を課題とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明は、前記課題を解決するため、以下の手段を採用した。
【００１２】
すなわち、本発明は、プリント基板に第１の電子部品を搭載し、前記第１の電子部品に第２の電子部品を搭載する電子部品の実装方法において、前記第１の電子部品に前記第２の電子部品を接合する際に、前記第１の電子部品の角部を前記第２の電子部品に接合しないことを特徴とする。
【００１３】
本発明によれば、第１の電子部品の角部が第２の電子部品に接合されないので、第１の電子部品の角部に応力が集中するのを防止できる。
【００１４】
また、本発明は、プリント基板と、前記プリント基板に搭載された第１の電子部品と、前記第１の電子部品に搭載された第２の電子部品とを備えた電子部品の実装構造において、前記第２の電子部品の角部に形成された面取り部分又は曲面部分を有し、前記第１の電子部品の角部が前記面取り部分又は前記曲面部分より外側に配置されていることを特徴とする電子部品の実装構造。
【００１５】
本発明によれば、第１の電子部品の角部が第２の電子部品の外側に配置されるため、第１の電子部品の角部が第２の電子部品に接合されることがない。従って、第１の電子部品の角部に応力が集中するのを防止できる。
【００１６】
ここで、前記第１の電子部品及び前記第２の電子部品の接合面を、互いに相似形とすることができる。例えば、両者の接合面を正方形にできる。
【００１７】
また、前記第１の電子部品及び前記第２の電子部品の接合面を略同一寸法にできる。
【００１８】
また、前記第２の電子部品の接合面を、前記第１の電子部品の接合面より大きくできる。
【００１９】
これらの場合も、第１の電子部品の角部を第２の電子部品の面取り部分又は曲面部分より外側に配置する。
【００２０】
前記第１の電子部品と前記第２の電子部品は金属接合によって接合できる。この場合、金属接合により第１電子部品に発生する応力が大きくなるが、第１の電子部品の角部に応力が集中するのを防止できる。
【００２１】
前記第１の電子部品は半導体チップを例示でき、前記第２の電子部品は前記第１の電子部品を冷却する冷却部品を例示できる。
【００２２】
また、前記半導体チップはＬＳＩを例示できる。
【００２３】
本発明は、パッケージ基板に好適である。
【００２４】
なお、以上述べた各構成要素は、本発明の趣旨を逸脱しない限り、互いに組み合わせることが可能である。
【００２５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を添付した図１から図１４に基づいて説明する。
（第１実施形態）
図１は、本発明に係る第１実施形態のパッケージ基板５を示す。このパッケージ基板５は、プリント基板５１と、このプリント基板５１に搭載された第１の電子部品である半導体チップ５２と、この半導体チップ５２に搭載された第２の電子部品であるヒートスプレッダ５３とを備えている。
【００２６】
半導体チップ５２のヒートスプレッダ５３との接合面５４は、断面が四角形形成されている。本例では、接合面５４が正方形に形成されている。この半導体チップ５２は、その底部に設けられた半田バンプ５５によってプリント基板５１に接合されている。半導体チップ５２とプリント基板５１との間には、アンダーフィル５６が充填されている。
【００２７】
ヒートスプレッダ５３は、半導体チップ５２の冷却用部品であり、ＡｌＣ（アルミ＋カーボン）で形成されている。このヒートスプレッダ５３は、上側部分５７とこれより小さい下側部分５８とを有している。これらの上側部分５７と下側部分５８とは、段状に形成されている。
【００２８】
下側部分５８の半導体チップ５２との接合面５９は、その断面が半導体チップ５２の接合面５４と相似形に形成されている。すなわち、本例では、接合面５９が正方形に形成されている。また、本例では、これらの接合面５４，５９が同一寸法で形成されている。なお、上側部分５７もその断面が正方形である。
【００２９】
このヒートスプレッダ５３は、その接合面５９が金属接合材料６０によって半導体チップ５２の接合面５４に接合されている。本例では、上記の金属接合材料６０として、Ｓｎ−Ｐｂ（錫鉛系）共晶半田を使用している。
【００３０】
半導体チップ５２の接合面５４及びヒートスプレッダ５３の接合面５９は、互いに整合させて配置されている。すなわち、半導体チップ５２の側面とヒートスプレッダ５３の下が部分５８の側面は、全周に亘って面一になっている。
【００３１】
ヒートスプレッダ５３は、図２に示すように、その接合面５９の角部に面取り部分６１が形成されている。この面取り部分６１は、半導体チップ５２の角部６２に対応して配置されている。
【００３２】
このように、本発明のパッケージ基板５は、ヒートスプレッダ５３の角部に面取り部分６１が形成されている。そして、この面取り部分６１が、半導体チップ５２の角部６２に配置されている。
【００３３】
これにより、半導体チップ５２の角部６２は、ヒートスプレッダ５３の面取り部分６１より外側に配置され、ヒートスプレッダ５３に接合されない。従って、半導体チップ５２の角部６２に金属接合による応力が集中するのを防止できる。
【００３４】
ここで、半導体チップ５２の接合面５４の一辺を２０ｍｍ、ヒートスプレッダ５３の面取り部分６１の面取寸法Ｃ１をＣ１＝１．０ｍｍとし、半導体チップ５２の角部６２に発生する最大応力（主応力）を測定した。
【００３５】
その結果、半導体チップ５２の角部６２に発生する最大応力は１７７．３７ＭＰａであった。半導体チップ５２の破壊限界を１８７ＭＰａとすると、半導体チップ５２の角部６２にクラックが発生するおそれはない。従って、パッケージ基板５の信頼性が向上する。
【００３６】
なお、ヒートスプレッダ５３の面取り部分６１の面取り寸法Ｃ１は、各部の材質、形状、寸法、使用条件などに応じて適当な値を設定する。
（第２実施形態）
上記の第１実施形態では、ヒートスプレッダ５３の接合面５９の角部に面取り部分６１を設けたが、図３に示すように、面取り部分６１に代えて適宜な曲面形状を有する曲面部分６３を形成できる。本例では、曲面部分６３が、曲率半径Ｒを有する円弧状に形成されている。
【００３７】
この場合も、半導体チップ５２の角部６２がヒートスプレッダ５３の曲面部分６３よりも外側に配置され、ヒートスプレッダ５３に接合されない。
【００３８】
従って、半導体チップ５２の角部６２に金属接合による応力が集中するのを防止できる。
【００３９】
なお、本例では、曲面部分６３を曲率半径Ｒで円弧状に形成したが、これ以外の任意の曲面形状を有する曲面部分を形成できる。また、曲面部分６３の形状及び寸法は、各部の材質、形状、寸法、使用条件などに応じて適宜設定する。
（第３実施形態）
図４は、本発明に係る第３実施形態のパッケージ基板７を示す。このパッケージ基板７は、その面取り部分６１の面取寸法Ｃ２をＣ２＝２．０ｍｍとしたものである。これ以外の部分は、上記のパッケージ基板５（図１参照）と同一なので、その詳細な説明を省略する。
【００４０】
このパッケージ基板７は、半導体チップ５２の角部６２に発生する最大応力が１３１．８６ＭＰａであった。
【００４１】
この最大応力１３１．８６ＭＰａは、上記のパッケージ基板５における面取り部分６１の面取寸法Ｃ１が１．０ｍｍの場合の最大応力１７７．３７ＭＰａより、相当小さくなっている。
【００４２】
このように、面取り部分６１の面取寸法Ｃ１，Ｃ２が大きいほど、半導体チップ５２の角部６２に発生する最大応力が小さくなることが分かる。
【００４３】
ここで、図５に示すパッケージ基板８を用いて、半導体チップ５２の接合面５４とヒートスプレッダ５３の接合面５９の大きさが、半導体チップ５２の角部６２に発生する最大応力に与える影響を調べた。
【００４４】
このパッケージ基板８は、半導体チップ５２における接合面５４の一辺が１８ｍｍ、ヒートスプレッダ５３の接合面５９の一辺が２０ｍｍ、ヒートスプレッダ５３の面取り部分６１の面取寸法Ｃ３がＣ３＝２．０ｍｍである。
【００４５】
そして、図６に示すように、半導体チップ５３の角部６２の頂点が、ヒートスプレッダ５３の面取り部分６１の表面６１ａ上に配置されている。これ以外の部分は、上記のパッケージ基板５と同様である。
【００４６】
このパッケージ基板８は、半導体チップ５２の角部６２に発生する最大応力が１８７．８５ＭＰａであった。
【００４７】
このように、ヒートスプレッダ５３の接合面５９の大きさが、半導体チップ５２の接合面５４より大きい場合には、ヒートスプレッダ５３に面取り部分６１を設けても、半導体チップ５２の角部６２に応力が集中して、角部６２に発生する最大応力が破壊限界である１８７ＭＰａより大きくなるおそれがある。
【００４８】
これは、半導体チップ５２の角部６２が、ヒートスプレッダ５３に接合されるためである。
【００４９】
従って、ヒートスプレッダ５３の接合面５９が、半導体チップ５２の接合面５４より大きい場合には、図７に示すように、ヒートスプレッダ５３の面取り部分６１の面取り寸法Ｃ３を大きくする。
【００５０】
そして、半導体チップ５２の角部６２をヒートスプレッダ５３の面取り部分６１より外側に配置する。これによって、半導体チップ５２の角部６２に応力が集中するのを防止できる。
（第４実施形態）
図８は、本発明に係る第４実施形態のパッケージ基板９を示す。このパッケージ基板９は、半導体パッケージ５２及びヒートスプレッダ５３の接合面５４，５９が同一大きさの正方形に形成されている。
【００５１】
また、半導体チップ５２の角部６２及びヒートスプレッダ５３の角部９０は、略直角に形成されている。これらの角部６２，９０は、図９に示すように、整合させて配置されている。
【００５２】
更に、このパッケージ基板９は、半導体チップ５２の接合面５４の角部６２における所定の面積を有する被接合面９１を除いた部分が、金属接合材料６０によってヒートスプレッダ５３の接合面５９に接合されている。
【００５３】
すなわち、半導体チップ５２の角部６２の被接合面９１が、ヒートスプレッダ５３に接合されていない。これ以外の部分は、上記のパッケージ基板５と同様である。
【００５４】
このパッケージ基板９は、ヒートスプレッダ５３の角部９０に、上記のような面取り部分又は曲面部分が形成されておらず、しかも、半導体チップ５２及びヒートスプレッダ５３の角部６２，９０が整合して配置されているにも拘わらず、半導体チップ５２の角部６２に応力が集中するのを防止できる。
【００５５】
なお、ヒートスプレッダ５３の接合面５９が半導体チップ５２の接合面５４より大きい場合にも、半導体チップ５２の角部６２の被接合面９１をヒートスプレッダ５３に接合しないようにすることによって、半導体チップ５２の角部６２に応力が集中するのを防止できる。
【００５６】
また、上記の被接合面９１の面積は、各部の材質、形状、寸法、使用条件などに応じて適宜設定する。
（実験例）
上記の面取り部分６１（図２参照）が、半導体チップ５２の角部６２に発生する最大応力に与える影響を調べるため、以下の実験を行った。
【００５７】
図１０は、実験に用いた解析モデル１００を示す。図１０中の符号１０１は基板、１０２は半導体チップであるＬＳＩ、１０３はアンダーフィル、１０４は金属接合材料、１０５はヒートスプレッダ、６１はヒートスプレッダ１０５の接合面１０７の角部に形成された面取り部分である。
【００５８】
また、符号１０６はＬＳＩ１０２の接合面、１０７はヒートスプレッダ１０５の接合面、１０８はＬＳＩ１０２の角部、Ｃ４は面取り部分６１の面取り寸法である。
【００５９】
なお、ヒートスプレッダ１０５の材質はＡｌＣ（アルミニウム＋カーボン）、金属接合材料１０４はＳｎ−３７Ｐｂ半田材料である。
【００６０】
図１１は、上記の解析モデル１００の各部の寸法を示す。基板１０１は一辺の長さＬ１＝４７．５ｍｍの正方形で、その厚さが０．８ｍｍである。ＬＳＩ１０２の接合面１０６及びヒートスプレッダ１０５の接合面１０７は一辺の長さＬ２＝２０ｍｍの正方形で、その厚さが０．５５ｍｍである。
【００６１】
また、ＬＳＩ１０５の接合面１０６に設けられたＬＳＩ半田バンプは、直径が０．０９ｍｍで、その厚さ（高さ）が０．０７ｍｍである。アンダーフィル１０３は一辺の長さＬ２＝２０ｍｍの正方形で、厚さが０．１ｍｍである。
【００６２】
金属接合材料１０４は一辺の長さＬ２＝２０ｍｍの正方形で、厚さが０．０５ｍｍである。ヒートスプレッダ１０５は一辺の長さＬ２＝２０ｍｍの正方形で、厚さが３ｍｍである。なお、各部の寸法は実際の約１／４である。
【００６３】
図１２は、この解析モデル１００の各製造工程ＳＴＥＰ１からＳＴＥＰ７において出現する部品（図１１中の丸印参照）と、そのときの温度変化を示す。
【００６４】
ＳＴＥＰ１及び２では、基板１０１にＬＳＩ１０２を実装する。この時の温度変化は、２５℃−２２１℃−２５℃である。
【００６５】
ＳＴＥＰ３及び４では、アンダーフィル１０３の充填を行う。この時の温度変化は、２５℃−１５０℃−２５℃である。
【００６６】
また、ＳＴＥＰ５及び６では、ヒートスプレッダ１０５の実装を行う。この時の温度変化は、２５℃−１８３℃−２５℃である。
【００６７】
ＳＴＥＰ７では、各部に過度の温度変化を与えて温度加速試験を行った。この時の温度変化は、２５℃−マイナス４０℃である。
【００６８】
図１３は、ＬＳＩ１０２の接合面１０６の大きさ及びヒートスプレッダ１０５の面取り部分６１の大きさと、各ＳＴＥＰ１〜７でＬＳＩ１０２の角部１０８に発生する主応力（最大応力）を示す。
【００６９】
図１３から分かるように、ＬＳＩ１０２の一辺の長さＬ２＝２０ｍｍで、面取り部分６１の面取寸法Ｃ４が０の場合、ＳＴＥＰ７においてＬＳＩ１０２の角部１０８に発生する主応力が２２４．１７ＭＰａとなった。この場合、判定結果は不良である。
【００７０】
これに対して、ＬＳＩ１０２の一辺の長さＬ２＝が２０ｍｍで、面取り部分６１の面取寸法Ｃ３が１ｍｍ又はＣ＝２ｍｍの場合には、ＳＴＥＰ７において主応力が１７７．３７ＭＰａ又は１３１．８６ＭＰａとなった。これらの場合、判定結果は合格である。
【００７１】
また、ＬＳＩ１０２の一辺の長さＬ２が１８ｍｍで、面取り部分６１の面取寸法Ｃ４が０の場合は、ＳＴＥＰ７において主応力が１８７．８５ＭＰａであり、判定結果は不良である。
【００７２】
面取り部分６１の面取り寸法Ｃ４＝１ｍｍの場合と、面取り寸法Ｃ４＝２ｍｍの場合において、ＳＴＥＰ７で発生する主応力を比較すると、面取り部分６１の面取寸法Ｃと主応力とが略反比例することが分かる。
【００７３】
また、面取り部分６１が設けられていない場合には、ＬＳＩ１０２の大きさに拘わらず、角部１０８に発生する主応力が大きくなる。
【００７４】
図１４は、ＬＳＩ１０２の接合面１０６の一辺の長さＬ２と、ヒートスプレッダ１０５の面取り部分６１の面取り寸法Ｃ４と、ＬＳＩ１０２の角部１０８に発生する主応力との関係を示す。
【００７５】
図１４から分かるように、面取り寸法Ｃ４と主応力とは略反比例する。また、ＬＳＩ１０２の破壊限界が１８７ＭＰａの場合、面取り部分６１の面取り寸法Ｃ４は０．８ｍｍ以上とするのがよい。好ましくは、面取り寸法Ｃ４を１．０ｍｍ以上とする。
【００７６】
また、本発明は、以下の付記的事項を含むものである。
【００７７】
〔その他〕
本発明は、以下のように特定することができる。
（付記１）プリント基板に第１の電子部品を搭載し、前記第１の電子部品に第２の電子部品を搭載する電子部品の実装方法において、前記第１の電子部品に前記第２の電子部品を接合する際に、前記第１の電子部品の角部を前記第２の電子部品に接合しないことを特徴とする電子部品の実装方法。
（付記２）プリント基板と、前記プリント基板に搭載された第１の電子部品と、前記第１の電子部品に搭載された第２の電子部品とを備えた電子部品の実装構造において、前記第２の電子部品の角部に形成された面取り部分又は曲面部分を有し、前記第１の電子部品の角部が前記面取り部分又は前記曲面部分より外側に配置されていることを特徴とする電子部品の実装構造。
（付記３）前記第１の電子部品及び前記第２の電子部品の接合面が、互いに相似形であることを特徴とする付記２に記載の電子部品の実装構造。
（付記４）前記第１の電子部品及び前記第２の電子部品の接合面が略同一寸法であることを特徴とする付記２に記載の電子部品の実装構造。
（付記５）前記第２の電子部品の接合面が、前記第１の電子部品の接合面より大きいことを特徴とする付記３に記載の電子部品の実装構造。
（付記６）前記第１の電子部品と前記第２の電子部品は、金属接合されていることを特徴とする付記項２から５の何れかに記載の電子部品の実装構造。
（付記７）前記第１の電子部品は半導体チップであり、前記第２の電子部品は前記第１の電子部品を冷却する冷却部品であることを特徴とする付記２から６の何れかに記載の電子部品の実装構造。
（付記８）前記半導体チップはＬＳＩであることを特徴とする付記７に記載の電子部品の実装構造。
（付記９）付記１に記載の電子部品の実装方法によって製造されたことを特徴とするパッケージ基板。
（付記１０）付記２から８の何れかに記載の電子部品の実装構造を有することを特徴とするパッケージ基板。
【００７８】
【発明の効果】
本発明では、第１の電子部品の角部を第２の電子部品に接合しないので、第１の電子部品の角部に応力が集中するのを防止できる。
【００７９】
また、本発明では、第２の電子部品の角部に面取り部分又は曲面部分を設け、第１の電子部品の角部を第２の電子部品の面取り部分又は曲面部分より外側に配置したので、第１の電子部品の角部が第２の電子部品に接合されることがない。従って、第１の電子部品の角部に接合による応力が集中するのを防止できる。
【００８０】
また、本発明では、パッケージ基板に例えばＬＳＩなどの半導体チップを搭載し、この半導体チップに冷却部品を直接搭載する場合でも、半導体チップの角部に応力が集中するのを防止できるので、信頼性が向上する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る第１実施形態のパッケージ基板を示す図。
【図２】本発明に係る第１実施形態のヒートスプレッダに形成した面取り部分を示す斜視図。
【図３】本発明に係る第２実施形態のヒートスプレッダの角部に形成した曲面部分を示す斜視図。
【図４】本発明に係る第３実施形態のパッケージ基板を示す図。
【図５】本発明に係る第３実施形態の比較用のパッケージ基板を示す図。
【図６】本発明に係る第３実施形態の比較用のパッケージ基板における角部を示す図。
【図７】本発明に係る第３実施形態の別の実施例を示す図。
【図８】本発明に係る第４実施形態のパッケージ基板を示す図。
【図９】本発明に係る第４実施形態の半導体パッケージの被接合面を示す図。
【図１０】本発明に係る実験例の解析モデルを示す斜視図。
【図１１】本発明に係る実験例の解析モデルの各部の寸法を示す図。
【図１２】本発明に係る実験例の製造工程と各工程で出現する部品を示す図。
【図１３】本発明に係る実験例において面取り部分の面取り寸法と各工程でＬＳＩの角部に発生する最大応力との関係をを示す図。
【図１４】本発明に係る実験例の面取り寸法と最大応力との関係を示す図。
【図１５】従来例に係るパッケージ基板を示す図。
【図１６】従来例に係るパッケージ基板のＬＳＩ及びートスプレッダの角部の関係を示す斜視図。
【符号の説明】
５  パッケージ基板
７  パッケージ基板
８  パッケージ基板
９  パッケージ基板
１０  半導体チップ
１０ａ  半導体チップの角部
１１  ヒートスプレッダ
１１ａ  ヒートスプレッダの角部
１２  接合材料
１３  プリント基板
１４  半田バンプ
１５  アンダーフィル
５１  プリント基板
５２  半導体チップ
５３  ヒートスプレッダ
５４  半導体チップの接合面
５５  半田バンプ
５６  アンダーフィル
５７  ヒートスプレッダの上側部分
５８  ヒートスプレッダの下側部分
５９  ヒートスプレッダの接合面
６０  金属接合材料
６１  面取り部分
６２  半導体チップの角部
６３  曲面部分
９０  ヒートスプレッダの角部
９１  半導体チップの被接合面
１００  解析モデル
１０１  基板
１０２  ＬＳＩ
１０３  アンダーフィル
１０４  金属接合材料
１０５  ヒートスプレッダ
１０６  ＬＳＩの接合面
１０７  ヒートスプレッダの接合面
１０８  ＬＳＩの角部
Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３  面取り部分の面取り寸法
【図１】
2004327648.tif 000003
【図２】
2004327648.tif 000004
【図３】
2004327648.tif 000005
【図４】
2004327648.tif 000006
【図５】
2004327648.tif 000007
【図６】
2004327648.tif 000008
【図７】
2004327648.tif 000009
【図８】
2004327648.tif 000010
【図９】
2004327648.tif 000011
【図１０】
2004327648.tif 000012
【図１１】
2004327648.tif 000013
【図１２】
2004327648.tif 000014
【図１３】
2004327648.tif 000015
【図１４】
2004327648.tif 000016
【図１５】
2004327648.tif 000017
【図１６】
2004327648.tif 000018