(57)【要約】【課題】生産性，操作性が高く，効率的にコンタミネーションを除去することが可能なコンタミネーション除去装置を提供すること。【解決手段】半導体ウェハを回転自在に保持可能な少なくとも１つの保持手段と，半導体ウェハの少なくとも表面外縁部または裏面外縁部に回転自在に押圧可能な少なくとも１つの略円板状または略リング状の第１の研磨パッドと，半導体ウェハの少なくとも外周面に回転自在に押圧可能な少なくとも１つの略ロール状の第２の研磨パッドと，半導体ウェハの表面または裏面に研磨液を供給可能な研磨液供給手段とを備え，第１の研磨パッドによって半導体ウェハの少なくとも表面外縁部または裏面外縁部を研磨し，第２の研磨パッドによって半導体ウェハの少なくとも外周面を研磨することを特徴とするコンタミネーション除去装置が提供される。かかる構成により，半導体ウェハの外縁部および外周面のコンタミネーションを研磨除去できる。【選択図】　図４
2004031674.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウェハを回転自在に保持可能な少なくとも１つの保持手段と，
前記半導体ウェハの少なくとも表面外縁部または裏面外縁部に回転自在に押圧可能な少なくとも１つの略円板状または略リング状の第１の研磨パッドと，
前記半導体ウェハの少なくとも外周面に回転自在に押圧可能な少なくとも１つの略ロール状の第２の研磨パッドと，
前記半導体ウェハの表面または裏面に研磨液を供給可能な研磨液供給手段と，を備え，
前記第１の研磨パッドによって前記半導体ウェハの少なくとも表面外縁部または裏面外縁部を研磨し，前記第２の研磨パッドによって前記半導体ウェハの少なくとも外周面を研磨することを特徴とする，コンタミネーション除去装置。
【請求項２】
前記研磨液は，クエン酸類を含むことを特徴とする，請求項１に記載のコンタミネーション除去装置。
【請求項３】
前記第１の研磨パッドの回転軸は，前記半導体ウェハよりも外側に配されることを特徴とする，請求項１または２のいずれかに記載のコンタミネーション除去装置。
【請求項４】
前記第１の研磨パッドは，研磨加工時に，少なくとも前記半導体ウェハの中心方向に向かって往復運動可能であることを特徴とする，請求項１，２または３のいずれかに記載のコンタミネーション除去装置。
【請求項５】
前記研磨液が砥粒を含むことを特徴とする，請求項１，２，３または４のいずれかに記載のコンタミネーション除去装置。
【請求項６】
前記第１の研磨パッドおよび前記第２の研磨パッドは，砥粒を含んだ固定砥粒パッドであることを特徴とする，請求項１，２，３または４のいずれかに記載のコンタミネーション除去装置。
【請求項７】
複数の前記保持手段を備え，少なくとも１つの前記第１の研磨パッドまたは少なくとも１つの前記第２の研磨パッドにより，前記複数の保持手段に保持された複数の前記半導体ウェハを同時に研磨加工可能であることを特徴とする，請求項１，２，３，４，５または６のいずれかに記載のコンタミネーション除去装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は，コンタミネーション除去装置にかかり，特に，半導体ウェハに付着したコンタミネーションを研磨して除去するコンタミネーション除去装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体ウェハ上にＬＳＩなどの回路を形成するためには，拡散工程，薄膜形成工程，露光工程，ウェハ表面状態検査工程，洗浄工程などの多工程を経る必要がある。かかる多工程を経る間には，半導体ウェハに多様な不要物，不純物（コンタミネーション）が付着して堆積することがある。例えば，ＣＶＤ等による薄膜形成工程では，回路上に銅配線やアルミ配線等を形成する際に，半導体ウェハの外周および裏面に銅，アルミニウム等の金属がコンタミネーションとして付着してしまう。
【０００３】
また，コンタミネーションが付着した半導体ウェハを搬送装置で搬送したり，半導体ウェハの表面状態を検査する検査装置のテーブルに載置したりすると，かかる搬送装置やテーブルにコンタミネーションが転移してしまう。このため，かかる搬送装置やテーブルを介して，さらに別の半導体ウェハにもコンタミネーションが間接的に付着する，即ち，クロスコンタミネーションが発生することもある。
【０００４】
このようなコンタミネーションが薄膜形成工程で用いられる処理ガスに混入したりすると，回路の品質を著しく低下させる原因となってしまう。このため，各工程間で，半導体ウェハのエッジ部分周辺に付着したコンタミネーションを十分に除去して，クロスコンタミネーションの発生を防止する必要がある。
【０００５】
かかるコンタミネーションを除去する装置として，特開２００２−２５９５２号公報には，半導体ウェハの表面の外縁部および外周に堆積した金属原子を，研磨テープによって研磨して除去するとともに，この研磨テープを使い捨てにすることで，研磨砥石を介したクロスコンタミネーションの発生を確実に防止することが可能なコンタミネーション除去装置が提案されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら，上記従来のコンタミネーション除去装置では，研磨テープを使い捨てにするので生産コストが上昇してしまうだけでなく，頻繁に研磨テープを入れ替えなくてはならないため操作性も悪いという問題があった。また，研磨できる半導体ウェハの領域が狭いため，コンタミネーションの除去に時間がかかり非効率的であるという問題もあった。
【０００７】
本発明は，従来の不要物除去装置が有する上記問題点に鑑みてなされたものであり，本発明の目的は，生産性，操作性が高く，効率的にコンタミネーションを除去することが可能な，新規かつ改良されたコンタミネーション除去装置を提供することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため，本発明の第１の観点によれば，半導体ウェハを回転自在に保持可能な少なくとも１つの保持手段と，半導体ウェハの少なくとも表面外縁部または裏面外縁部に回転自在に押圧可能な少なくとも１つの略円板状または略リング状の第１の研磨パッドと，半導体ウェハの少なくとも外周面に回転自在に押圧可能な少なくとも１つの略ロール状の第２の研磨パッドと，半導体ウェハの表面または裏面に研磨液を供給可能な研磨液供給手段と，を備え，第１の研磨パッドによって半導体ウェハの少なくとも表面外縁部または裏面外縁部を研磨し，第２の研磨パッドによって半導体ウェハの少なくとも外周面を研磨することを特徴とする，コンタミネーション除去装置が提供される。
【０００９】
かかる構成により，回転している半導体ウェハの表面または裏面の外縁部に第１の研磨パッドを回転させながら押圧して，当該外縁部を研磨するとともに，当該半導体ウェハの外周面に第２の研磨パッドを回転させながら押圧して，当該外周面を研磨することができる。このような２種類の研磨加工により，当該外縁部および外周面に付着したコンタミネーションをそれぞれ除去することができる。
【００１０】
また，上記研磨液は，クエン酸類を含む，如く構成すれば，第１の研磨パッドと第２の研磨パッドにコンタミネーションが付着し続けないようにできる。このため，双方の研磨パッドを介したクロスコンタミネーションの発生を防止できる。
【００１１】
また，上記第１の研磨パッドの回転軸は，半導体ウェハよりも外側に配される，如く構成すれば，第１の研磨パッドと第２の研磨パッドが接触しないような好適な位置に，第１の研磨パッドを配置することができる。従って，半導体ウェハの外縁部および外周面に付着したコンタミネーションを同時に除去しやすくなる。
【００１２】
また，上記第１の研磨パッドは，研磨加工時に，少なくとも半導体ウェハの中心方向に向かって往復運動可能である，如く構成すれば，半導体ウェハの外縁部を円滑に研磨して，緩やかに傾斜するような形状とすることができる。
【００１３】
また，上記研磨液が砥粒を含む，如く構成すれば，研磨液がスラリーとして機能し，第１の研磨パッドおよび第２の研磨パッドが砥粒を含む必要がなくなる。このため，当該研磨パッドの製造時に砥粒を含ませる工程を省略できる。
【００１４】
また，上記第１の研磨パッドおよび第２の研磨パッドは，砥粒を含んだ固定砥粒パッドである，如く構成すれば，砥粒による研磨性能を向上できるとともに，研磨液が砥粒を含まないようにできるので，かかる研磨液を廃棄したときに環境に及ぼす影響を低減できる。
【００１５】
また，複数の上記保持手段を備え，少なくとも１つの第１の研磨パッドまたは少なくとも１つの第２の研磨パッドにより，複数の保持手段に保持された複数の半導体ウェハを同時に研磨加工可能である，如く構成すれば，少なくとも２枚の半導体ウェハを同時に研磨することができ，生産性がより向上する。
【００１６】
以下に，本明細書において用いられる用語を定義する。
・コンタミネーションとは，半導体ウェハ上に付着した銅若しくはアルミニウム等の金属，酸化膜，窒化膜などの不要物若しくは不純物をいう。
・クロスコンタミネーションとは，１の半導体ウェハに付着していたコンタミネーションが，間接的に他の半導体ウェハに付着することをいう。
・半導体ウェハのエッジ部分とは，半導体ウェハの表面若しくは裏面と，外周面との境界部分をいう。
・半導体ウェハの表面とは，回路が形成された側の平面をいい，一方，半導体ウェハの裏面とは，回路が形成された面（即ち，表面）とは反対側の平面をいう。
・半導体ウェハの外周面とは，略円板形状を有する半導体ウェハの外周部分に位置する側面をいい，半導体ウェハのエッジ部分が面取り加工によりＲ形状となっている場合の湾曲した側面をも含むものとする。
・半導体ウェハの表面または裏面の外縁部とは，半導体ウェハの表面または裏面の一部であって，エッジ部分から所定距離内側に至るまでの略リング状に囲まれた領域をいう。なお，かかる外縁部には，ＬＳＩ等の回路は形成されていない。
【００１７】
【発明の実施の形態】
以下に添付図面を参照しながら，本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお，本明細書及び図面において，実質的に同一の機能構成を有する構成要素については，同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
【００１８】
（第１の実施の形態）
以下に，本発明の第１の実施形態にかかるコンタミネーション除去装置について説明する。
【００１９】
まず，図１に基づいて，本実施形態にかかるコンタミネーション除去装置の全体構成について説明する。なお，図１は，本実施形態にかかるコンタミネーション除去装置１０の全体構成を示す斜視図である。
【００２０】
図１に示すように，本実施形態にかかるコンタミネーション除去装置１０は，半導体ウェハ１２を保持する保持手段１４と，略リング状の第１の研磨パッド２２によって半導体ウェハ１２の表面または裏面の外縁部を研磨する外縁部研磨手段２０と，略ロール状の第２の研磨パッド３２によって半導体ウェハ１２の外周面を研磨する外周面研磨手段３０と，半導体ウェハ１２上に研磨液を供給する研磨液供給手段５０とを備える。
【００２１】
＜保持手段＞
保持手段１４は，例えばステンレス鋼，セラミックスなどで形成された略円盤状の回転テーブル（例えばチャックテーブル）であり，その上面は例えば平坦な水平面となっている。この保持手段１４は，例えば真空吸着機構（図示せず。）を備えており，上面に載置された半導体ウェハ１２を例えば真空吸着して保持することができる。なお，保持手段１４上に載置される半導体ウェハ１２の向きは，回路が形成された表面を上向きとする場合，あるいは裏面を上向きとする場合のいずれであってもよい。
【００２２】
また，保持手段１４のテーブル径は，半導体ウェハ１２の径よりも小さくなるように設定されている。このため，半導体ウェハ１２は，その外周部分が保持手段１４の外周縁からはみ出した状態で保持されることとなる。
【００２３】
また，かかる保持手段１４は，例えばその下方に設けられたモータＭ３によって回転可能に構成されており，保持した半導体ウェハ１２を例えば矢印の方向に回転させることができる。なお，かかる回転方向は逆向きであってもよい。また，回転する半導体ウェハ１２がぶれないように，半導体ウェハ１２の中心と保持手段１４の回転軸とが一致していることが好ましい。
【００２４】
＜外縁部研磨手段＞
外縁部研磨手段２０は，例えば略リング状の第１の研磨パッド２２と，リング状研磨パッド保持部２４と，モータＭ１と，リング状研磨パッド押圧機構（図示せず。）と，リング状研磨パッド揺動機構（図示せず。）などを備える。
【００２５】
第１の研磨パッド２２は，図２に示すように，例えば略リング形状を有する研磨パッドであるが，略円板状とすることもできる。この第１の研磨パッド２２（以下では，リング状研磨パッド２２という。）は，例えば，表面の研磨布と内側の弾力層とから構成された２層構造を有しており，例えば砥粒を含まない構成である。研磨布は，例えば不織布や発泡ウレタン等を材料とする人工皮革様の布であり，所定の摩擦抵抗と適度な硬さを有し，親水性，粘弾性，耐薬品性にも優れる。また，弾力層は，弾力性を有する材料で構成されており，半導体ウェハ１２の外縁部に押圧された研磨布を弾力的に接触させる機能を有する。なお，リング状研磨パッド２２は，かかる弾力層を必ずしも具備しなくてもよい。また，リング状研磨パッド２２は，砥粒を含んだ固定砥粒パッドとしてもよい。
【００２６】
リング状研磨パッド保持部２４は，図２に示すように，例えば，ステンレス鋼等からなる金属リングなどであり，上記リング状研磨パッド２２と例えば略同一の外径および内径を有する。このリング状研磨パッド保持部２４の下面には，リング状研磨パッド２２が例えば粘着テープ等により貼り付けられる。これにより，リング状研磨パッド保持部２４は，リング状研磨パッド２２を半導体ウェハ１２表面と略平行に対向配置した状態で保持することができる。また，かかるリング状研磨パッド保持部２４は，例えば上部に設けられたモータＭ１によって回転可能に構成されており，保持したリング状研磨パッド２２を略水平方向に回転させることができる。
【００２７】
リング状研磨パッド押圧機構（図示せず。）は，例えばモータＭ１の上方に配されたシリンダ（図示せず。）などで構成されている。このリング状研磨パッド押圧機構は，リング状研磨パッド保持部２４を例えば略垂直方向に移動させ，リング状研磨パッド２２を例えば上方から半導体ウェハ１２の表面または裏面の外縁部（以下では，半導体ウェハ１２の外縁部という場合もある。）に押圧する機能を有する。かかる外縁部への押圧力は，例えば，センサ（図示せず。）等によって検出され，好適な大きさに制御される。
【００２８】
リング状研磨パッド揺動機構（図示せず。）は，リング状研磨パッド保持部２４を介してリング状研磨パッド２２を例えば任意の略水平方向に揺動させる機能を有する。かかるリング状研磨パッド揺動機構により，研磨中に，リング状研磨パッド２２を例えば半導体ウェハ１２の中心方向に向かって往復運動させることができる。
【００２９】
このような構成の外縁部研磨手段２０は，リング状研磨パッド２２を回転させながら，例えば上方から半導体ウェハ１２の外縁部に押圧することにより，当該外縁部を研磨することができる。この際，リング状研磨パッド２２の例えば外周側の部分のみが，半導体ウェハ１２の外縁部に対して作用するようにしてもよい。また，半導体チップ１２の回転軸とリング状研磨パッド２２の回転軸との相対位置を調整することにより，半導体ウェハ１２の外縁部の研磨幅（即ち，除去幅）を調整することができる。さらに，研磨中にリング状研磨パッド２２を例えば半導体ウェハ１２の中心方向に向かって往復運動させることにより，半導体ウェハ１２の外縁部を緩やかに傾斜するような形状に研磨でき，段差が生じないようにできる。
【００３０】
なお，この外縁部研磨手段２０は，リング状研磨パッド２２の回転軸が半導体ウェハ１２の外側に位置するように配置されることが好ましい。これにより，外縁部研磨手段２０と，後述する外周面研磨手段３０とを離隔して，研磨中にリング状研磨パッド２２と，後述する略ロール状の第２の研磨パッド３２とが干渉し合わないようにできる。
【００３１】
＜外周面研磨手段＞
外周面研磨手段３０は，例えば略ロール状の第２の研磨パッド３２と，ロール状研磨パッド保持部３４と，モータＭ２と，ロール状研磨パッド押圧機構（図示せず。）などを備える。
【００３２】
第２の研磨パッド３２は，例えば略ロール形状を有する研磨パッドである。この第２の研磨パッド３２（以下では，ロール状研磨パッド３２という。）は，上記リング状研磨パッド２２と比して形状が異なるのみであり，材質などその他の構成はリング状研磨パッド２２と略同一であるので，その説明は省略する。
【００３３】
ロール状研磨パッド保持部３４は，例えば，略円柱状（略ドラム状）に成形されたジグである。このロール状研磨パッド保持部３４の外周面には，ロール状研磨パッド３２が粘着テープ等により貼り付けられる。また，かかるロール状研磨パッド保持部３４は，例えば下部に設けられたモータＭ２によって回転可能に構成されており，ロール状研磨パッド３２をロール方向に回転させることができる。
【００３４】
ロール状研磨パッド押圧機構（図示せず。）は，例えばモータＭ２の下方に配されたシリンダ（図示せず。）などで構成されている。このロール状研磨パッド押圧機構は，ロール状研磨パッド保持部３４を例えば略水平方向に移動させ，ロール状研磨パッド３２を例えば側方から半導体ウェハ１２の外周面（側面）に押圧する機能を有する。かかる外周面への押圧力は，センサ（図示せず。）等によって検出され，好適な大きさに制御される。
【００３５】
このような構成の外周面研磨手段３０は，ロール状研磨パッド３２を回転させながら，例えば側方から半導体ウェハ１２の外周面に押圧することにより，当該外周面を研磨することができる。この際，上記のように半導体チップ１２の外周部分が保持手段１４の外縁からはみ出した状態となっているので，ロール状研磨パッド３２と保持手段１４とが接触しない。従って，ロール状研磨パッド３２は半導体ウェハ１２の外周面を好適に研磨できる。
【００３６】
＜研磨液供給手段＞
研磨液供給手段５０は，例えば半導体ウェハ１２の中心上部に設けられた研磨液供給用ノズルなどであり，研磨時に半導体ウェハ１２上に研磨液を供給する機能を有する。この研磨液は，例えば，化学反応性物質を含む研磨剤（即ち，スラリー）であり，各種の化学溶液や研磨砥粒などからなる。かかる研磨液（スラリー）を供給することによって，化学的機械研磨（ＣＭＰ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ　ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ　ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）が可能になる。なお，本実施形態にかかる研磨液は，上記のように砥粒を含む構成であるが，上記研磨パッド２２，３２を固定砥粒パッドとした場合には，研磨液が砥粒を含まないように構成してもよい。
【００３７】
さらに，本実施形態にかかる研磨液は，例えばクエン酸若しくはクエン酸塩などのクエン酸類が，例えば５％以下の割合で添加されていることを特徴とする。クエン酸類は，水への溶解度が高く，毒性が低く廃液としての害も少ないので，研磨液に添加する酸として好ましいものである。かかるクエン酸類を研磨液に添加することによって，リング状研磨パッド２２およびロール状研磨パッド３２の表面に，研磨によって半導体チップ１２から除去されたコンタミネーションが付着し続けないようにできる。従って，上記研磨パッド２２，３２を介したクロスコンタミネーションの発生を防止できる。
【００３８】
以上までで，本実施形態にかかるコンタミネーション除去装置１０の構成を説明した。次に，かかる構成のコンタミネーション除去装置１０の動作について説明する。
【００３９】
まず，保持手段１４上に，半導体ウェハ１２を例えば表面を上向きにして載置し，例えば真空吸着機構を動作させて半導体ウェハ１２を吸着保持させる。次いで，モータＭ３を駆動させて保持手段１４を回転させた上で，研磨液供給手段５０により研磨液を半導体ウェハ１２の表面上に放出させる。さらに，外縁部研磨手段２０のモータＭ１を動作させてリング状研磨パッド２２を回転させながら，リング状研磨パッド押圧機構によってリング状研磨パッド２２を半導体ウェハ１２の表面外縁部に押圧する。これと同時に，外周部研磨手段３０のモータＭ２を動作させてロール状研磨パッド３２を回転させながら，ロール状研磨パッド押圧機構によってロール状研磨パッド２２を半導体ウェハ１２の外周面に押圧する。これにより，半導体ウェハ１２の表面外縁部と外周面とが同時に研磨（ポリシング）されて，付着していたコンタミネーションが除去される。この際，リング状研磨パッド２２とロール状研磨パッド３２とは，離隔して配置されているので，相互に干渉することなく，双方の研磨を好適に同時進行させることができる。さらに，除去されたコンタミネーションは，研磨液に含まれているクエン酸類の作用によって，双方の研磨パッド２２，３２に付着した状態を維持できずに，離脱する。
【００４０】
また，かかる研磨中にリング状研磨パッド揺動機構を動作させ，リング状研磨パッド２２を例えば半導体ウェハ１２の中心方向に向かって往復運動させてもよい。ここで，図３に基づいて，本実施形態にかかるリング状研磨パッドの往復運動の作用について詳細に説明する。なお，図３（ａ）は，リング状研磨パッド２２を固定して研磨した場合における，半導体ウェハ１２のエッジ部分周辺の形状を示す説明図であり，図３（ｂ）は，本実施形態にかかるリング状研磨パッド２２を往復運動させて研磨した場合における，半導体ウェハ１２のエッジ部分周辺の形状を示す説明図である。
【００４１】
図３（ａ）に示すように，リング状研磨パッド２２を固定して研磨した場合には，半導体ウェハ１２の外縁部のうち略同一の部分が研磨され続けるので，研磨された部分と研磨されていない部分との間に段差が生ずる。かかる段差には，コンタミネーションが付着して堆積し易い上に，かかる部分のコンタミネーションは除去しにくい。
【００４２】
これに対し，図３（ｂ）に示すように，リング状研磨パッド２２を往復運動させて研磨した場合には，半導体ウェハ１２の外縁部を緩やかに傾斜するような形状に研磨できるので，上記のような段差が生じず，エッジ部分周辺が滑らかになる。従って，コンタミネーションを好適に除去できるとともに，かかる傾斜部分にはコンタミネーションが付着し難くなるのでクロスコンタミネーションの発生を防止できる。
【００４３】
この場合，リング状研磨パッド押圧手段の押圧力と，リング状研磨パッド揺動手段によるリング状研磨パッド２２の往復運動の幅を調整することによって，研磨後のエッジ部分周辺の形状を制御することができる。また，上記のように，半導体チップ１２の回転軸とリング状研磨パッド２２の回転軸との相対位置を調整することにより，研磨幅を調整することができる。これらにより，半導体ウェハ１２のエッジ部分周辺の形状や研磨幅の寸法を，需要に応じて多様に調整できるので，本実施形態にかかるコンタミネーション除去装置１０の汎用性が高まる。
【００４４】
以上のようにして，半導体ウェハ１２の表面外縁部と外周面のコンタミネーションが除去された後は，例えば，半導体ウェハ１２を反転して載置し直し，裏面外縁部と外周面のコンタミネーションを同様に除去してもよい。
【００４５】
以上，本実施形態にかかるコンタミネーション除去装置１０の動作について説明した。このようなコンタミネーション除去装置１０は，半導体ウェハ１２の表面または裏面の外縁部と，外周面とを同時に研磨してコンタミネーションを効率的に除去できる。よって，半導体装置の各製造工程間で，コンタミネーション除去装置１０を適用することにより，クロスコンタミネーションの発生を防止できる。また，従来の装置のような使い捨て研磨テープを用いず，比較的長寿命な研磨パッドを使用するので，研磨パッドの交換コストを抑制できるとともに，研磨パッドの交換回数を低減できるため，生産性および操作性が高まる。
【００４６】
（第２の実施の形態）
次に，本発明の第２の実施形態にかかるコンタミネーション除去装置について説明する。
【００４７】
第２の実施形態にかかるコンタミネーション除去装置１０は，第１の実施形態にかかるコンタミネーション除去装置１０と比して，半導体ウェハ１２，保持手段１４および研磨液供給手段５０をさらにもう一組備える点で相違するのみであり，その他の機能構成は，第１の実施形態の場合と略同一であるので，その説明は省略する。
【００４８】
まず，図４に基づいて，本実施形態にかかるコンタミネーション除去装置の全体構成について説明する。なお，図４は，本実施形態にかかるコンタミネーション除去装置１０の全体構成を示す斜視図である。
【００４９】
図４に示すように，本実施形態にかかるコンタミネーション除去装置１０は，半導体ウェハ１２−１を保持する保持手段１４−１と，半導体ウェハ１２−２を保持する保持手段１４−２と，リング状研磨パッド２２を有する外縁部研磨手段２０と，ロール状研磨パッド３２を有する外周面研磨手段３０と，研磨液供給手段５０−１と，研磨液供給手段５０−２とを備える。
【００５０】
このように，本実施形態にかかるコンタミネーション除去装置１０は，２組の半導体ウェハ１２，保持手段１４および研磨液供給手段５０を具備することを特徴とする。さらに，１つのリング状研磨パッド２２およびロール状研磨パッド３２が，例えば，２つの半導体ウェハ１２−１，１２−２の略中間に配置されていることも特徴である。
【００５１】
ここで，図５に基づいて，上記各装置の配置およびこれらの動作についてより詳細に説明する。なお，図５は，本実施形態にかかるコンタミネーション除去装置１０の各装置の配置を模式的に示す平面図である。
【００５２】
図５に示すように，半導体ウェハ１２−１と半導体ウェハ１２−２とが，リング状研磨パッド２２の回転軸とロール状研磨パッド３２の回転軸を結ぶ中心線Ｌを中心として，略線対称となるような位置に配されている。なお，双方の半導体ウェハ１２は，略同一の高さになるように調整されている。これにより，リング状研磨パッド２２は，半導体ウェハ１２−１の外縁部Ｈ（斜線を付した領域）と半導体ウェハ１２−２の外縁部Ｈ（斜線を付した領域）を，略同一の研磨幅で同時に研磨することができる。また，ロール状研磨パッド３２は，半導体ウェハ１２−１の外周面Ｓと半導体ウェハ１２−２の外周面Ｓの双方と接触できるので，双方を同時に研磨することができる。また，リング状研磨パッド２２とロール状研磨パッド３２は，相互に干渉し合わない位置に離隔して配されているので，双方を同時に動作させることができる。
【００５３】
さらに，リング状研磨パッド揺動機構（図示せず。）を用いてリング状研磨パッド２２を揺動させ，例えば中心線Ｌ上で往復運動させることにより，半導体ウェハ１２−１および半導体ウェハ１２−２の外縁部Ｈを，例えば緩やかに傾斜するような略同一の形状に，かつ，同時に研磨することができる。
【００５４】
以上のように，本実施形態にかかるコンタミネーション除去装置１０は，２つの半導体ウェハ１２−１，１２−２の外縁部Ｈおよび外周面Ｓを同時に研磨して，コンタミネーションを除去することができるので，加工時間を低減して作業効率をより向上させることができる。よって，第１の実施形態にかかるコンタミネーション除去装置１０よりも，さらに生産性を向上させることができる。
【００５５】
また，コンタミネーション除去装置１０は，図示しないロボット等を用いて，搬入された半導体ウェハ１２を保持手段１４−１上に表面を上向きにして載置し，表面外縁部Ｈを研磨後に，この半導体ウェハ１２を反転させて，保持手段１４−２上に裏面を上向きにして載置して，今度は裏面外縁部Ｈを研磨して搬出するように構成してもよい。これにより，流れ作業的に複数の半導体ウェハ１２の両面を順次研磨することができるので，より作業効率が高まり，操作性も向上する。また，１つの半導体ウェハ１２の外周面Ｓが，例えば２回も研磨加工されるので，研磨除去残りが無いようにもできる。
【００５６】
以上，添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について説明したが，本発明はかかる例に限定されない。当業者であれば，特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり，それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【００５７】
例えば，上記実施形態では，第１の研磨パッド（リング状研磨パッド）２２および第２の研磨パッド（ロール状研磨パッド）３２は砥粒を含まず，研磨液に砥粒を加えてスラリーとした（即ち，遊離砥粒を採用した）が，本発明はかかる例に限定されない。例えば，第１の研磨パッド２２および第２の研磨パッド３２を，砥粒を樹脂等のバインダーで固めた固定砥粒パッドとし，砥粒を含まない研磨液を用いる（即ち，固定砥粒を採用する）こともできる。かかる構成により，砥粒が研磨に寄与する効果を向上できるとともに，ランニングコストの低下も期待できる。さらに，研磨液が砥粒を含んでいないので，かかる研磨液を廃棄してもスラリーを廃棄したときと比べて環境に影響を及ぼさないようにできる。
【００５８】
また，上記実施形態では，第１の研磨パッドとしてリング状研磨パッド２２を用いたが，本発明はかかる例に限定されず，例えば略円板形状を有する研磨パッドを用いてもよい。
【００５９】
また，上記実施形態では，第２の研磨パッドとして略円柱形状となっているロール状研磨パッド３２を用いたが，本発明は，かかる例に限定されない。例えば，第２の研磨パッドのロール形状を，完全な略円柱形状ではなく，中央部分から両端部分にかけて径が徐々に大きくなっている（即ち，ロール形状の中央部分が若干えぐれている）ような形状としてもよい。これにより，面取り加工されてエッジ部分がＲ形状となっている半導体ウェハ１２の外周面と，好適に接触して研磨できる。
【００６０】
また，上記実施形態にかかる保持手段１４は，真空吸着機構を用いて半導体ウェハ１２を吸着保持したが，かかる例に限定されず，半導体ウェハ１２を接着剤または粘着テープなどの粘着手段を用いて着脱可能に保持するよう構成してもよい。
【００６１】
また，上記実施形態では，リング状研磨パッド揺動機構によって揺動されたリング状研磨パッド２２は，直線的な往復運動をしたが，本発明はかかる例に限定されない。リング状研磨パッド２２は，少なくとも半導体ウェハ１２の中心に向かう方向の往復運動を含む運動を行えばよく，例えばリング状研磨パッド２２を略水平面内で円運動させるなどしてもよい。
【００６２】
また，保持手段１４，リング状研磨パッド２２またはロール状研磨パッド３２の回転方向は，上記実施形態の例に限定されず，逆方向であってもよい。
【００６３】
また，上記第２の実施形態では，例えば２枚の半導体ウェハ１２を同時に研磨したが，本発明はかかる例に限定されない。例えば，リング状研磨パッド２２，ロール状研磨パッド３２および例えば３以上の保持手段１４を好適に配置することで，例えば３枚以上の半導体ウェハ１２を同時に研磨可能に構成してもよい。
【００６４】
また，上記第２の実施形態では，２つの保持手段１４，１つのリング状研磨パッド２２および１つのロール状研磨パッド３２を用いて，例えば２枚の半導体ウェハ１２を同時に研磨したが，本発明はかかる例に限定されない。例えば，２つの保持手段１４，１つのリング状研磨パッド２２および２つのロール状研磨パッド３２を用いる，あるいは，２つの保持手段１４，２つのリング状研磨パッド２２および１つのロール状研磨パッド３２を用いるなどして，例えは２枚以上の半導体ウェハ１２を同時に研磨してもよい。
【００６５】
【発明の効果】
以上説明したように，本発明によれば，半導体ウェハの表面または裏面の外縁部と，外周面とを同時に研磨してコンタミネーションを好適に除去できるので，クロスコンタミネーションの発生を防止できる。さらに，研磨パッドの寿命が長く，また，２枚の半導体ウェハを同時に研磨することもできるので，効率的な研磨加工が可能であり，生産性および操作性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は，第１の実施形態にかかるコンタミネーション除去装置の全体構成を示す斜視図である。
【図２】図２は，第１の実施形態にかかるリング状研磨パッドおよびリング状研磨パッド保持部を示す斜視図である。
【図３】図３（ａ）は，第１の実施形態にかかるリング状研磨パッドを固定して研磨した場合における，半導体ウェハのエッジ部分周辺の形状を示す説明図である。
図３（ｂ）は，第１の実施形態にかかるリング状研磨パッドを往復運動させて研磨した場合における，半導体ウェハのエッジ部分周辺の形状を示す説明図である。
【図４】図４は，第２の実施形態にかかるコンタミネーション除去装置の全体構成を示す斜視図である。
【図５】図５は，第２の実施形態にかかるコンタミネーション除去装置の各装置の配置を模式的に示す平面図である。
【符号の説明】
１０　：　コンタミネーション除去装置
１２　：　半導体ウェハ
１４　：　保持手段
２０　：　外縁部研磨手段
２２　：　リング状の第１の研磨パッド
２４　：　リング状研磨パッド保持部
３０　：　外周面研磨手段
３２　：　ロール状の第２の研磨パッド
３４　：　ロール状研磨パッド保持部
５０　：　研磨液供給手段
【図１】
2004031674.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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