(57)【要約】【課題】剥離転写法を用いて半導体チップを配線基板に接続する際に信頼性の高い接続を確保できるバンプ構造を提案する。【解決手段】本発明は半導体チップ（１１）に形成されたバンプと、配線基板（２１）に形成されたバンプとが接続するように半導体チップ（１１）と配線基板（２１）を対向配置した接続構造に関わるものであり、半導体チップ（１１）に形成されるバンプ（１４）は、無電界めっきにより断面凸状バンプに形成される一方、配線基板（２１）に形成されるバンプ（２５）は、無電界めっきにより断面凹状バンプに形成され、バンプ（１４）の凸部とバンプ（２５）の凹部とが嵌合するように半導体チップ（１１）と配線基板（２１）が接続される。【選択図】      図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
実装基板と接続するために素子チップに形成されるバンプ構造であって、無電界めっきにより断面凹状に形成された金属皮膜から成る、バンプ構造。
【請求項２】
素子チップと接続するために実装基板に形成されるバンプ構造であって、無電界めっきにより断面凹状に形成された金属皮膜から成る、バンプ構造。
【請求項３】
実装基板に形成された断面凸状バンプと接続するために素子チップに形成されるバンプ構造であって、無電界めっきにより断面凹状に形成され、かつ前記断面凸状バンプの凸部と嵌合し得る凹部を具備する金属皮膜から成る、バンプ構造。
【請求項４】
素子チップに形成された断面凸状バンプと接続するために配線基板に形成されるバンプ構造であって、無電界めっきにより断面凹状に形成され、かつ前記断面凸状バンプの凸部と嵌合し得る凹部を具備する金属皮膜から成る、バンプ構造。
【請求項５】
素子チップに形成されたバンプと、実装基板に形成されたバンプとが接続するように前記素子チップと前記実装基板を対向配置した接続構造であって、前記素子チップに形成されるバンプは、無電界めっきにより断面凸状バンプに形成される一方、前記実装基板に形成されるバンプは、無電界めっきにより断面凹状バンプに形成され、前記断面凸状バンプの凸部と前記断面凹状バンプの凹部とが嵌合するように前記素子チップと前記実装基板が接続されて成る、素子チップと実装基板の接続構造。
【請求項６】
素子チップに形成されたバンプと、実装基板に形成されたバンプとが接続するように前記素子チップと前記実装基板を対向配置した接続構造であって、前記素子チップに形成されるバンプは、無電界めっきにより断面凹状バンプに形成される一方、前記実装基板に形成されるバンプは、無電界めっきにより断面凸状バンプに形成され、前記断面凸状バンプの凸部と前記断面凹状バンプの凹部とが嵌合するように前記素子チップと前記実装基板が接続されて成る、素子チップと実装基板の接続構造。
【請求項７】
前記素子チップと前記実装基板は、導電粒子を含む異方性導電ペーストを介して接着される、請求項５又は請求項６に記載の素子チップと実装基板の接続構造。
【請求項８】
前記素子チップと前記実装基板は、液状接着剤を介して接着される、請求項５又は請求項６に記載の素子チップと実装基板の接続構造。
【請求項９】
実装基板と接続するために素子チップに形成されるバンプの形成方法であって、断面凹状の下地電極を形成する工程と、無電界めっきにより前記下地電極上に金属皮膜を還元析出し、断面凹状の金属皮膜から成るバンプを形成する工程とを含む、バンプ形成方法。
【請求項１０】
前記下地電極は、前記素子チップの表面に成膜されたパッシベーション膜の開口部の側壁及び底部に形成される、請求項９に記載のバンプ形成方法。
【請求項１１】
前記開口部は、前記素子チップの電極パッドが表面に露出する位置に開口される、請求項１０に記載のバンプ形成方法。
【請求項１２】
少なくとも２種類以上の素子チップを転写元基板から剥離して、前記素子チップの種類毎に予め定められた位置に形成されたバンプと接続することにより電子デバイスを形成するための配線基板であって、前記素子チップの種類に応じて前記バンプに高低差を設けて成る、配線基板。
【請求項１３】
前記素子チップとして、電気光学装置の画素回路を構成するスイッチングトランジスタ、駆動トランジスタ及び保持容量を含む素子チップと、電流駆動型発光素子を含む素子チップが含まれる、請求項１２に記載の配線基板。
【請求項１４】
前記配線基板には、前記スイッチングトランジスタを選択するための走査線と、前記保持容量に保持される電荷量に対応したデータ信号を出力するデータ線と、前記電流駆動型発光素子に供給する電源供給線が形成されている、請求項１３に記載の配線基板。
【請求項１５】
請求項１２乃至請求項１４のうち何れか１項に記載の配線基板を備えた電気光学装置。
【請求項１６】
剥離層を介して転写元基板に形成された素子チップを剥離して、前記素子チップの種類毎に予め定められた配線基板上の所定位置に転写することにより電子デバイスを製造するための方法であって、
第１の転写元基板に形成されている第１の素子チップが前記配線基板上の所定位置に転写されるよう前記第１の転写元基板と前記配線基板とを位置合わせをする工程と、
前記第１の転写元基板から前記第１の素子チップを剥離し、前記第１の素子チップが前記配線基板上の所定位置に形成されている第１のバンプと接続するよう転写する工程と、
第２の転写元基板に形成されている第２の素子チップが前記配線基板上の所定位置に転写されるよう前記第２の転写元基板と前記配線基板とを位置合わせをする工程と、
前記第２の転写元基板から前記第２の素子チップを剥離し、前記第２の素子チップが前記配線基板上の所定位置において前記第１のバンプの高さとは異なる高さに形成されている第２のバンプと接続するよう転写する工程と、
を含む、電子デバイスの製造方法。
【請求項１７】
前記第１の素子チップは、電気光学装置の画素回路を構成するスイッチングトランジスタ、駆動トランジスタ及び保持容量を含む素子チップであり、前記第２の素子チップは、電流駆動型発光素子を含む素子チップである、請求項１６に記載の電子デバイスの製造方法。
【請求項１８】
前記配線基板には、前記スイッチングトランジスタを選択するための走査線と、前記保持容量に保持される電荷量に対応したデータ信号を出力するデータ線と、前記電流駆動型発光素子に供給する電源供給線が形成されている、請求項１７に記載の電子デバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は素子チップを実装基板に接続するためのバンプ構造に関し、特に、剥離転写法を用いて素子チップと実装基板を接合する際に好適なバンプ構造の改良技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】
特開平６−７７２３３号公報（特許文献１）、特開平５−１４４８７７号公報（特許文献２）、特開２０００−１３３３３０号公報（特許文献３）、特開平５−２１５２３号公報（特許文献４）、特開平５−１０９７３４号公報（特許文献５）に開示されているように、半導体チップのバンプ（突起電極）と配線基板の電極パッドを位置合わせし、フェースダウンボンディングにより接続するフリップチップ接続法が知られている。フリップチップ接続法によれば、ワイヤーボンディングに比べてワイヤーの引き回しが不要となり、コンパクトな実装が可能となる。特許文献５には、さらに、無電界めっき処理により電極パッド上に金属皮膜を還元析出してバンプを形成する技術が開示されている。
【０００３】
一方、特開平１０−１２５９３１号公報（特許文献６）には、転写元基板上に剥離層を介して被転写層を形成し、当該被転写層に含まれる素子チップを接着剤によって転写先基板に接合した後、剥離層に光照射を行って界面剥離又は層内剥離を生じさせ、素子チップを転写先基板に転写する手法が開示されている。この転写法によれば、製造条件の異なる複数種類の素子チップを各々最適な条件で製造した後、上述の転写法で素子チップを転写先基板に転写するだけで所望の電子デバイスを製造できる。
【０００４】
【特許文献１】
特開平６−７７２３３号公報
【特許文献２】
特開平５−１４４８７７号公報
【特許文献３】
特開２０００−１３３３３０号公報
【特許文献４】
特開平５−２１５２３号公報
【特許文献５】
特開平５−１０９７３４号公報
【特許文献６】
特開平１０−１２５９３１号公報
【発明が解決しようとする課題】
ところで、転写元基板上に形成された複数種類の素子チップを剥離し、実装基板の所定の位置に転写して電子デバイスを製造する手法が検討されている。この手法で電子デバイスを製造する場合に、素子チップと実装基板の接続を如何にして確実かつ安定なものとするかが課題となる。例えば、素子チップと実装基板の接続に用いられるバンプを無電界めっきで形成すると、めっき液中に析出する金属皮膜は等方的に成長するため、バンプの先端は球形に近似した断面凸状に湾曲する。このような形状のバンプを用いて剥離転写法によって素子チップと実装基板を接続すると、バンプの先端部分で両者が点接触する構造となるため、接続が不安定になるおそれがある。素子チップと実装基板の接続が不安定になると、製品の歩留まりが低下するため、改良技術の開発が望まれる。
【０００５】
そこで、本発明は剥離転写法を用いて素子チップを実装基板に接続する際に信頼性の高い接続を確保できる素子チップと実装基板のバンプ構造、及びその形成方法、並びに当該バンプ構造を応用した電子デバイスの製造方法を提案することを課題とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上記の課題を解決するため、本発明のバンプ構造は、実装基板と接続するために素子チップに形成されるバンプ構造であって、無電界めっきにより断面凹状に形成された金属皮膜から成る。素子チップに形成されるバンプを断面凹状とすることで、実装基板に形成される断面凸状のバンプに対して凹凸嵌合することができ、横ずれなどを防止できる信頼性の高い接続が確保できる。
【０００７】
ここで、「素子チップ」とは、薄膜トランジスタ、ダイオード、抵抗、インダクタ、キャパシタ、発光素子などの機能素子又は当該機能素子を集積化した回路チップをいう。また、「実装基板」とは、素子チップを実装して所望の電子デバイスを構成するための基板をいい、素子チップに接続するべき配線などが予め形成されている。
【０００８】
本発明のバンプ構造は、素子チップと接続するために実装基板に形成されるバンプ構造であって、無電界めっきにより断面凹状に形成された金属皮膜から成る。実装基板に形成されるバンプを断面凹状とすることで、素子チップに形成される断面凸状のバンプに対して凹凸嵌合することができ、横ずれなどを防止できる信頼性の高い接続が確保できる。
【０００９】
本発明のバンプ構造は、実装基板に形成された断面凸状バンプと接続するために素子チップに形成されるバンプ構造であって、無電界めっきにより断面凹状に形成され、かつ前記断面凸状バンプの凸部と嵌合し得る凹部を具備する金属皮膜から成る。バンプを無電界めっきで形成することで、ピンホールの少ない均一な金属皮膜から成るバンプを形成できる。
【００１０】
本発明のバンプ構造は、素子チップに形成された断面凸状バンプと接続するために配線基板に形成されるバンプ構造であって、無電界めっきにより断面凹状に形成され、かつ前記断面凸状バンプの凸部と嵌合し得る凹部を具備する金属皮膜から成る。バンプを無電界めっきで形成することで、ピンホールの少ない均一な金属皮膜から成るバンプを形成できる。
【００１１】
本発明の素子チップと実装基板の接続構造は、素子チップに形成されたバンプと、実装基板に形成されたバンプとが接続するように前記素子チップと前記実装基板を対向配置した接続構造であって、前記素子チップに形成されるバンプは、無電界めっきにより断面凸状バンプに形成される一方、前記実装基板に形成されるバンプは、無電界めっきにより断面凹状バンプに形成され、前記断面凸状バンプの凸部と前記断面凹状バンプの凹部とが嵌合するように前記素子チップと前記実装基板が接続されて成る。素子チップのバンプと実装基板のバンプが凹凸嵌合するように、素子チップと実装基板を対向配置することで、振動などに起因するバンプの横ずれを防止するとともに、接触面積を大きく確保でき、信頼性の高い接続構造が得られる。
【００１２】
本発明の素子チップと実装基板の接続構造は、素子チップに形成されたバンプと、実装基板に形成されたバンプとが接続するように前記素子チップと前記実装基板を対向配置した接続構造であって、前記素子チップに形成されるバンプは、無電界めっきにより断面凹状バンプに形成される一方、前記実装基板に形成されるバンプは、無電界めっきにより断面凸状バンプに形成され、前記断面凸状バンプの凸部と前記断面凹状バンプの凹部とが嵌合するように前記素子チップと前記実装基板が接続されて成る。素子チップのバンプと実装基板のバンプが凹凸嵌合するように、素子チップと実装基板を対向配置することで、振動などに起因するバンプの横ずれを防止するとともに、接触面積を大きく確保でき、信頼性の高い接続構造が得られる。
【００１３】
好ましくは、前記素子チップと前記実装基板は、導電粒子を含む異方性導電ペーストを介して接着される。素子チップと実装基板を接着する手段として、導電粒子を含む異方性導電ペーストを用いることにより、断面凹状バンプの凹部内に着座する導電粒子を介して断面凸状バンプと断面凹状バンプが導通することで、素子チップと実装基板の電気的接続が確保できる。
【００１４】
好ましくは、前記素子チップと前記実装基板は、液状接着剤を介して接着される。素子チップと実装基板を接着する手段として、液状接着剤を用いることにより、素子チップと実装基板を安定的に接続できる。
【００１５】
本発明のバンプ形成方法は、実装基板と接続するために素子チップに形成されるバンプの形成方法であって、断面凹状の下地電極を形成する工程と、無電界めっきにより前記下地電極上に金属皮膜を還元析出し、断面凹状の金属皮膜から成るバンプを形成する工程とを含む。断面凹状の下地電極上に還元析出する金属皮膜はほぼ均一な膜厚で下地電極表面を被覆するため、断面凹状の金属皮膜を形成できる。下地電極の凹部の内径及び深さを適宜調整することで、断面凹状バンプの凹部の寸法を調整できる。
【００１６】
好ましくは、前記下地電極は、前記素子チップの表面に成膜されたパッシベーション膜の開口部の側壁及び底部に形成される。パッシベーション膜に形成される開口部内に下地電極の前駆体となる金属薄膜を成膜し、所定の形状にパターニングすることで、下地電極を容易に形成できる。
【００１７】
好ましくは、前記開口部は、前記素子チップの電極パッドが表面に露出する位置に開口される。かかる工程により、電極パッドと導通する下地電極を形成できる。
【００１８】
本発明の配線基板は、少なくとも２種類以上の素子チップを転写元基板から剥離して、前記素子チップの種類毎に予め定められた位置に形成されたバンプと接続することにより電子デバイスを形成するための配線基板であって、前記素子チップの種類に応じて前記バンプに高低差を設けて成る。転写されるべき素子チップの種類に応じてバンプに高低差を設けることで、転写が予定されていない異種の素子チップがバンプに接続することを防ぐことができる。
【００１９】
好ましくは、前記素子チップとして、電気光学装置の画素回路を構成するスイッチングトランジスタ、駆動トランジスタ及び保持容量を含む素子チップと、電流駆動型発光素子を含む素子チップが含まれる。かかる素子チップを配線基板上に転写することで、電気光学装置のパネル基板を形成できる。ここで、「電気光学装置」とは、電気的作用によって発光する電気光学素子、或いは外部から導入される光の状態を変化させる電気光学素子を備えた装置をいい、自発光するものと外部から導入される光の通過を制御するもの双方を含む。電気光学素子としては、液晶素子、電気泳動素子、エレクトロルミネセンス素子、電子放出素子などが挙げられる。
【００２０】
好ましくは、前記配線基板には、前記スイッチングトランジスタを選択するための走査線と、前記保持容量に保持される電荷量に対応したデータ信号を出力するデータ線と、前記電流駆動型発光素子に供給する電源供給線が形成されている。配線基板に走査線などを予め形成しておくことで、配線基板上に素子チップを剥離転写するだけで容易に電気光学装置のパネル基板を形成できる。
【００２１】
本発明の電気光学装置は本発明の配線基板を備えて構成される。配線基板上への素子チップの剥離転写によりパネル基板を容易に形成できるため、電気光学装置の低コスト化を実現できる。
【００２２】
本発明の電子デバイス製造方法は、剥離層を介して転写元基板に形成された素子チップを剥離して、前記素子チップの種類毎に予め定められた配線基板上の所定位置に転写することにより電子デバイスを製造するための方法であって、第１の転写元基板に形成されている第１の素子チップが前記配線基板上の所定位置に転写されるよう前記第１の転写元基板と前記配線基板とを位置合わせをする工程と、前記第１の転写元基板から前記第１の素子チップを剥離し、前記第１の素子チップが前記配線基板上の所定位置に形成されている第１のバンプと接続するよう転写する工程と、第２の転写元基板に形成されている第２の素子チップが前記配線基板上の所定位置に転写されるよう前記第２の転写元基板と前記配線基板とを位置合わせをする工程と、前記第２の転写元基板から前記第２の素子チップを剥離し、前記第２の素子チップが前記配線基板上の所定位置において前記第１のバンプの高さとは異なる高さに形成されている第２のバンプと接続するよう転写する工程とを含む。第１の素子チップと接続すべき第１のバンプの高さは、第２の素子チップと接続すべき第２のバンプの高さとは異なるため、転写が予定されていない異種の素子チップが配線基板に転写されることを防ぐことができる。
【００２３】
好ましくは、前記第１の素子チップは、電気光学装置の画素回路を構成するスイッチングトランジスタ、駆動トランジスタ及び保持容量を含む素子チップであり、前記第２の素子チップは、電流駆動型発光素子を含む素子チップである。かかる素子チップを配線基板上に転写することで、電気光学装置のパネル基板を形成できる。
【００２４】
好ましくは、前記配線基板には、前記スイッチングトランジスタを選択するための走査線と、前記保持容量に保持される電荷量に対応したデータ信号を出力するデータ線と、前記電流駆動型発光素子に供給する電源供給線が形成されている。配線基板に走査線などを予め形成しておくことで、配線基板上に素子チップを剥離転写するだけで容易に電気光学装置のパネル基板を形成できる。
【００２５】
【発明の実施の形態】
発明の実施の形態１．
図１は配線基板と接続するためのバンプを備えた半導体チップの断面図である。同図に示すように、半導体チップ１１上にはアルミニウム電極などから成る電極パッド１２と、半導体チップ１１を外部からの水分、熱、衝撃などから保護するためのパッシベーション膜１３と、無電界ニッケルめっきで形成された断面凸状（断面凸型）のバンプ１４とが各々形成されている。このような構造は、電極パッド１２が表面に露出するようにパッシベーション膜１３をエッチングして開口部を形成し、無電界めっきにより前記開口部から露出する電極パッド１２上にニッケル皮膜を還元析出させ、断面凸状のバンプ１４を形成することで得られる。無電界めっき液には、主成分（金属塩、還元剤）と補助成分（ｐＨ調整剤、緩衝剤、錯化剤、促進剤、安定剤、改良剤）が含まれ、ニッケル皮膜を還元析出するには、ニッケルイオンと次亜リン酸イオンが主成分となる。無電界めっきで形成されたニッケル皮膜は析出が均一に行われるので、欠陥が少なく、硬度、耐食性、耐摩耗性に優れている。
【００２６】
バンプ１４を電極パッド１２上に所望のサイズに成長させるには、ニッケル濃度、ｐＨ値、めっき温度、攪拌の速さ、めっき時間、めっき速度、安定剤の量などを適宜調整する作業が必要となる。特に、ＢｉやＰｂなどの安定剤を使用すれば、次亜リン酸イオンの酸化反応が抑制され、後続のニッケル析出が行われないため、ニッケル皮膜の析出位置を選択的に制御できる。無電界ニッケルめっきは、外部電源を使用せずに還元剤によってニッケルイオンを還元析出させることで形成されるため、パッシベーション膜１３の開口部から露出する電極パッド１２上に核付けを行い、電極パッド１２をめっき液に浸漬すると、ニッケル皮膜はパッシベーション膜１３の開口部から等方的に成長し、先端が略球形に湾曲した凸部１４ａを備えるバンプ１４が形成される。酸化防止のため、バンプ１４の表面を金（Ａｕ）で表面処理することが望ましい。
【００２７】
図２は半導体チップと接続するためのバンプを備えた配線基板（実装基板）の断面図である。同図に示すように、配線基板２１にはアルミニウム電極などから成る電極パッド２２と、配線基板２１を外部からの水分、熱、衝撃などから保護するためのパッシベーション膜２３と、めっき皮膜析出の下地となる下地電極２４と、無電界ニッケルめっきで形成された断面凹状（断面凹型）のバンプ２５とが各々形成されている。バンプ２５の先端にはバンプ１４の凸部１４ａが嵌合し得る程度の大きさで凹陥状に窪んだ凹部２５ａが形成されている。凹部２５ａの断面形状は凸部１４ａの断面形状とほぼ同程度に形成するのが望ましいが、バンプ１４とバンプ２５の確実かつ安定な接合が得られるならば、必ずしも両者の断面形状が相似である必要はなく、凸部１４ａの主要部分が凹部２５ａ内に収まり、両者のある程度の接触面積が確保できるよう構成されていればよい。半導体チップ１１と配線基板２１を精密な位置合わせの下で各々のバンプ１４，２５を内向させ、凸部１４ａと凹部２５ａが凹凸嵌合するように両者を接合すれば、振動などに起因する横ずれを防止し、半導体チップ１１と配線基板２１の確実かつ安定な接続が得られる。
【００２８】
図４は配線基板２１にバンプ２５を形成するための工程図である。同図（Ａ）に示すように、電極パッド２２が表面に露出するようにパッシベーション膜２３がエッチングされ、略円柱状の開口部２３ａが形成される。次いで、同図（Ｂ）に示すように、めっき析出の下地となるアルミニウム薄膜２４ａがスパッタ法、ＣＶＤ法などの成膜法で成膜される。アルミニウム薄膜２４ａは開口部２３ａの側壁及び電極パッド２２の表面をできるだけ均一な膜厚で被覆するよう成膜するのが望ましい。次いで、同図（Ｃ）に示すように、アルミニウム薄膜２４ａ上にレジストが塗布、露光、及び現像され、開口部２３ａ付近のレジスト２６が残されて、他の部分は除去される。次いで、同図（Ｄ）に示すように、開口部２３ａ付近に残存するレジスト２６をマスクとしてアルミニウム薄膜２４ａをエッチングし、開口部２３ａの周縁を被覆するようにパターニングされた下地電極２４を形成する。かかる工程により、開口部２３ａから外方に延出する鍔部２４ｂと、開口部２３ａの深さ方向に陥没する有底円筒状の凹部２４ｃとを具備する下地電極２４が形成される。
【００２９】
次いで、同図（Ｅ）に示すように、下地電極２４の表面研磨、脱脂、酸浸漬などの表面処理を施した後、無電界めっき処理により、下地電極２４上にニッケル皮膜を還元析出させる。ニッケル皮膜は鍔部２４ｂ及び凹部２４ｃの各点から等方的に成長するため、バンプ２５は断面凹状に形成される。無電界めっきの場合、電気めっきと異なり、電流分布の影響がないため、複雑な形状の下地電極２４（被めっき体）に対して均一な膜厚で直接にめっき処理を施すことが可能となる。また、無電界めっきで析出したニッケル皮膜にはピンホールが少なく、硬度が高いなどの特性がある。酸化防止のため、バンプ２５の表面を金（Ａｕ）で表面処理することが望ましい。
【００３０】
図５は剥離転写法を用いて半導体チップ１１と配線基板２１とを接合する様子を示す断面図である。転写元基板１７には分離層１６、及び中間層１５を介して半導体チップ１１が積層されている。転写元基板１７としては、光透過性の材料で構成するのが望ましく、光透過率１０％以上が好ましく、５０％以上がより好ましい。光透過率が低すぎると、照射光の減衰が大きくなり、分離層１６を剥離するのに大きな光量を必要とする。転写元基板１７はプロセス温度（３５０℃〜１０００℃）よりも高い温歪点を有する材料で構成されているのが好ましく、例えば、石英ガラス、ソーダガラス、コーニング、日本電気ガラスＯＡ−２等の耐熱ガラス、合成樹脂などが好適である。転写元基板１７の厚さは、特に限定されるものではないが、０．１〜５．０ｍｍ程度の膜厚が好ましく、０．５〜５．０ｍｍ程度が好ましい。透過光の光量を均一にするためには、転写元基板１７の厚みは均一であることが望ましい。
【００３１】
分離層１６は、照射光の照射を受けて層内剥離及び／又は界面剥離を生じるよう構成された薄膜であり、照射光を受光することで、分離層１６を構成する物質の原子間又は分子間の結合力が消失又は減少するものである。層内剥離又は界面剥離を生じさせる起因としては、例えば、アブレーションや、気体放出などがある。アブレーションとは、照射光を吸収した固体材料が光化学的又は熱的に励起され、その表面や内部の原子又は分子の結合が切断されて放出することをいい、主に、分離層１６の構成材料の全部又は一部が溶融、蒸散などの相変化を伴う。分離層１６の組成としては、例えば、（１）非晶質シリコン、（２）酸化ケイ素、ケイ酸化合物、酸化チタン、チタン酸化物、酸化ジルコニウム、ジルコン酸化合物、酸化ランタン、ランタン酸化化合物などの各種酸化物セラミックス、誘電体、が挙げられる。半導体酸化ケイ素としては、ＳｉＯ，ＳｉＯ２，Ｓｉ３Ｏ２などが挙げられ、ケイ酸化合物としては、例えば、Ｋ２ＳｉＯ３，Ｌｉ２ＳｉＯ３，ＣａＳｉＯ３，ＺｒＳｉＯ４，Ｎａ２ＳｉＯ３が挙げられる。酸化チタンとしては、ＴｉＯ，Ｔｉ２Ｏ３，ＴｉＯ２が挙げられ、チタン酸化合物としては、例えば、ＢａＴｉＯ４，ＢａＴｉＯ３，Ｂａ２Ｔｉ９Ｏ２０，ＢａＴｉ５Ｏ１１，ＳｒＴｉＯ３，ＰｂＴｉＯ３，ＭｇＴｉＯ３，ＺｒＴｉＯ２，ＳｎＴｉＯ４，Ａｌ２ＴｉＯ５，ＦｅＴｉＯ３が挙げられる。酸化ジルコニウムとしては、ＺｒＯ２が挙げられ、ジルコン酸化合物としては、例えば、ＢａＺｒＯ３，ＺｒＳｉＯ４，ＰｂＺｒＯ３，ＭｇＺｒＯ３，Ｋ２ＺｒＯ３が挙げられる。
【００３２】
分離層１６として、この他にも、例えば、（３）ＰＺＴ、ＰＬＺＴ、ＰＬＬＺＴ、ＰＢＺＴ等のセラミックス、或いは強誘電体、（４）窒化珪素、窒化アルミニウム、窒化チタン、などの窒化物セラミックス、（５）有機系高分子材料、（６）金属などが挙げられる。有機系高分子材料としては、−ＣＨ２−，−ＣＯ−（ケトン），−ＣＯＮＨ−（アミド），−ＮＨ−（イミド），−ＣＯＯ−（エステル），−Ｎ＝Ｎ−（アゾ），−ＣＨ＝Ｎ−（シフ）などの結合を有するもの、特にこれらの結合を多く有するものであれば特に限定されるものではない。また、有機系高分子材料は、構成式中に芳香族炭化水素を有するものであってもよい。このような有機系高分子材料としては、ポリエチレン、ポリプロピレンのようなポリオレフィン、ポリイミド、ポリアミド、ポリエステル、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、エポキシ樹脂などが好適である。また、金属としては、Ａｌ，Ｌｉ，Ｔｉ，Ｍｎ，Ｉｎ，Ｓｎ，Ｙ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｎｄ，Ｐｒ，Ｇｄ，Ｓｍ又はこれらのうち少なくとも１種を含む合金が挙げられる。
【００３３】
分離層１６の膜厚としては、分離層１６の組成、層構成、形成方法などの諸条件で異なるが、１ｎｍ〜２０μｍ程度が好ましく、１０ｎｍ〜２０μｍ程度がより好ましく、４１ｎｍ〜１μｍ程度がさらに好ましい。分離層１６の膜厚が薄すぎると、成膜の均一性が損なわれ、剥離にムラが生じることがあり、一方、膜厚が厚すぎると、分離層１６の良好な剥離性を確保するために照射光の光量を多くする必要があるとともに、後工程で分離層１６を除去するのに時間を要する。分離層１６の形成方法は、特に限定されず、膜組成や膜厚などの諸条件に応じて適宜選択される。ＣＶＤ、蒸着、分子線蒸着、スパッタリング、イオンプレーティング、ＰＶＤなどの各種気相成長法、電気めっき、浸漬めっき、無電界めっきなどの各種めっき法、ラングミュア・ブロジェット法、スピンコート、スプレーコート、ロールコート等の塗布法、各種印刷法、転写法、インクジェット法、粉末ジェット法、ゾル・ゲル法などが挙げられる。中間層１５は、半導体チップ１１を配線基板２１に剥離転写する際に、半導体チップ１１を物理的或いは化学的に保護するための保護層として機能するものである。
【００３４】
被転写層としての半導体チップ１１の表面には導電粒子３０を含む接着剤から成る異方性導電ペースト（ＡＣＰ：Ａｎ−ｉｓｏｔｒｏｐｉｃ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｐａｓｔｅ）４１が塗布され、半導体チップ１１のバンプ１４と配線基板２１のバンプ２５の凹凸が嵌合し得るよう精密な位置合わせの下で配線基板２１と半導体チップ１１が適度な圧力で圧接することで、両者の電気的接続を確保する。異方性導電ペースト４１は熱可塑性、熱硬化性、紫外線硬化性の樹脂から成る接着層中に導電粒子３０を分散させたもので、半導体チップ１１と配線基板２１の圧接方向に導電性を発揮する。図３は異方性導電ペースト４１に含まれる導電粒子３０の断面図である。同図に示すように、導電粒子３０は、直径数μｍ程度の金属微粒子から成るコア３１と、コア３１の表面を被覆する絶縁皮膜３２とから成る。絶縁皮膜３２として、例えば、二酸化シリコン膜などの絶縁性薄膜が用いられる。半導体チップ１１と配線基板２１を内向させ、異方性導電ペースト４１を介して両者を適度な圧力で押圧すると、バンプ１４，２５の凹凸部分に位置する導電粒子３０の絶縁皮膜３２が圧壊し、表面に導電性のコア３１が露出する。すると、コア３１の露出部分において、バンプ１４，２５が導通するため、半導体チップ１１と配線基板２１の電気的接続が確保される。
【００３５】
半導体チップ１１と配線基板２１を接合したならば、転写元基板１７の裏面から照射光を照射する。この照射光は転写元基板１７を透過した後、分離層１６に吸収され、分離層１６の層内剥離又は界面剥離を誘起する。すると、分離層１６の分子間結合が弱まり、半導体チップ１１が転写元基板１７から剥離する。照射光としては、分離層１６の層内剥離又は界面剥離を生じさせるものであれば、特に限定されるものではないが、例えば、Ｘ線、紫外線、可視光、赤外線（熱線）、レーザ光、ミリ波、マイクロ波、電子線、放射線（α線、β線、γ線）などが挙げられるが、アブレーションを生じさせ易いという点ではレーザ光が好適である。レーザ光としては、気体レーザ、固体レーザなどが挙げられるが、特に、エキシマレーザ、Ｎｄ−ＹＡＧレーザ、Ａｒレーザ、ＣＯ２レーザ、Ｈｅ−Ｎｅレーザなどが好適である。エキシマレーザは、短波長で高エネルギーを出力するため、極めて短時間で分離層１６に層内剥離を生じさせることができる。分離層１６内にアブレーションを誘起させるために、波長依存性がある場合は、照射されるレーザ光の波長は１００〜３５０ｎｍ程度が望ましい。また、分離層１６に、ガス放出、気化、昇華などの相変化を誘起して層内剥離若しくは界面剥離を生じさせるには、レーザ光の波長は３５０〜１２００ｎｍ程度が望ましい。
【００３６】
図６は半導体チップ１１を配線基板２１に剥離転写した後の断面図である。半導体チップ１１の裏面に形成されていた中間層１５は剥離層１６とともに除去されている。半導体チップ１１と配線基板２１の間には導電粒子３０が分散された異方性導電ペースト４１が介在しており、半導体チップ１４を配線基板２１に剥離転写した際に、バンプ１４，２５の押圧により導電粒子３０の絶縁皮膜３２が剥落、若しくは破砕することによって、表面に露出したコア３１を介してバンプ１４，２５を導通させることができる。このように、本実施形態によれば、断面凹状の下地電極２４の表面にニッケル皮膜を還元析出させ、内部に陥没する凹部２５ａを有するバンプ２５を形成することによって、凹部２５ａ内に所定の分散密度で導電粒子３０を着座させることができる。半導体チップ１１のバンプ１４はその先端の凸部１４ａが凹部２５ａと直接接触することで、或いは、導電粒子３０を介して間接的にバンプ２５と導通することができる。つまり、バンプ２５を断面凹状に形成することで、断面凸状のバンプ１４との接触面積をできるだけ多く確保することができ、半導体チップ１１と配線基板２１との間のより安定した電気的接続を確保できる。
【００３７】
バンプ１４とバンプ２５を確実に接合するには、バンプ形状をμｍオーダーで精密に加工制御する必要があるが、バンプ２５は無電界ニッケルめっきにより均一な膜厚で形成でき、しかも、ニッケル皮膜の析出速度はニッケル濃度、ｐＨ値、めっき温度、攪拌の速さ、めっき時間、安定剤の量などによって比較的容易に制御できるため、下地電極２４の加工精度が重要となる。下地電極２４の鍔部２４ｂ及び凹部２４ｃの寸法はレジスト２６の加工精度、アルミニウム薄膜２４ａに対するエッチング処理の異方性、パッシベーション膜２３への開口部２３ａの加工精度、パッシベーション膜２３の膜厚、及び電極パッド２２の膜厚などに依存するため、これらを所望の精度で加工することで、所望の内径及び深さに加工された凹部２４ｃと、所望の外径に加工された鍔部２４ｂを有する下地電極２４を形成できる。
【００３８】
尚、上述の説明では、半導体チップ１１と配線基板２１を接着するための手段として、導電粒子３０を含む異方性導電ペースト４１を用いたが、本発明はこれに限らず、例えば、図７に示すように、導電粒子３０を含まない液状接着剤（ＮＣＰ：Ｎｏｎ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｐａｓｔｅ）４２を用いて半導体チップ１１と配線基板２１を接着するよう構成してもよい。液状接着剤４２を用いる場合には、導電粒子３０が含まれていないため、バンプ１４，２５の良好な接続を得るには、配線基板２１として、フレキシブル基板のようにある程度の柔軟性、可撓性のある材質を用いるのが好ましい。配線基板２１に柔軟性、可撓性があれば、バンプ１４，２５が面接触する割合を高めることができる。
【００３９】
また、上述の説明では、半導体チップ１１に形成されるバンプ１４は断面凸状に形成される場合を例示したが、本発明はこれに限らず、例えば、図８に示すように、半導体チップ１１に形成されるバンプ１９を断面凹状に形成してもよい。このバンプ１９は、パッシベーション膜１３の開口部において電極パッド１２に接続する断面凹状の下地電極１８表面にニッケル皮膜を還元析出させることで形成される。下地電極１８及びバンプ１９の具体的な製造プロセスは上述したプロセス（図４参照）と同様である。半導体チップ１１のバンプ１９と、配線基板２１のバンプ２５が内向するように、精密な位置合わせの下でアライメント調整し、両者の間に導電粒子３０を含む異方性導電ペースト４１を介在させた状態で半導体チップ１１を配線基板２１に剥離転写することで、半導体チップ１１と配線基板２１を電気的に接続することができる。バンプ１９，２５は共に断面凹状に形成されているため、バンプ１９，２５の先端の平坦部分において、両者の接触面積を多く確保することができる。また、バンプ１９，２５の各々の凹部１９ａ，２５ａ内に着座する導電粒子３０の絶縁皮膜３２がバンプ１９，２５の押圧力によって圧壊し、剥落することによって表面に露出した導電性のコア３１を通じてバンプ１９，２５が導通するため、半導体チップ１１と配線基板２１の安定した電気的接続を確保できる。
【００４０】
半導体チップ１１と配線基板２１を接着する手段として、図８では異方性導電ペースト４１を用いる例を示したが、本発明はこれに限らず、例えば、図９に示すように液状接着剤４２を用いることもできる。液状接着剤４２を用いる場合には、導電粒子３０が含まれていないため、バンプ１９，２５を断面凹状に形成することで、両者の接触面積を大きく確保でき、より安定した電気的接続が得られる。特に、液状接着剤４２を用いる場合には、バンプ１９，２５の先端部分をできるだけ平坦なものとすることで、バンプ１９，２５が面接触できるよう工夫するのが望ましい。
【００４１】
発明の実施の形態２．
本発明の第２の実施形態は、配線基板上に素子チップを剥離転写し、所望の電子デバイスを形成する技術に関するものである。本実施例では、配線基板上にＴＦＴチップ、ＥＬチップなどを剥離転写して有機ＥＬディスプレイパネルを形成する場合を例に挙げて説明する。図１１は有機ＥＬディスプレイの画素の回路構成図である。同図において、符号５２は走査線Ｖｓｅｌに接続するスイッチングトランジスタＴｒ１と、データ線Ｉｄａｔから供給される電荷を蓄積する保持容量Ｃと、保持容量Ｃに保持された制御電圧に対応する駆動電流を電源供給線Ｖｄｄから電源供給を受けて有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに供給する駆動トランジスタＴｒ２を含むＴＦＴチップである。符号６２は、陰極／電子輸送層／発光層／正孔輸送層／画素電極などのデバイス層を積層した有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを含むＥＬチップである。有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの積層構造としては、陰極／発光層／画素電極、陰極／電子輸送層／発光層／画素電極、陰極／発光層／正孔輸送層／画素電極などであってもよい。
【００４２】
図１０は配線基板２１上にＴＦＴチップ５２、及びＥＬチップ６２を剥離転写して有機ＥＬディスプレイパネルを形成する手順を示す説明図である。配線基板２１には、画素がＮ行Ｍ列のマトリクス状に形成されるよう、走査線Ｖｓｅｌ、データ線Ｉｄａｔ、電源供給線Ｖｄｄなどが予め所定のパターンで形成されている。つまり、走査線Ｖｓｅｌは画素マトリクスの行方向に平行となるように予め形成され、データ線Ｉｄａｔと電源供給線Ｖｄｄはこれと略直交する向きで交差するよう画素マトリクスの列方向に平行となるよう予め形成されている。ここでは、説明の便宜上、同図には走査線Ｖｓｅｌ、データ線Ｉｄａｔ、電源供給線Ｖｄｄは図示していない。配線基板２１上には、画素が形成されるべき位置に対応して、ＴＦＴチップ５２が転写されるべきＮ個の被転写領域Ｔ１，Ｔ２，…，ＴＮと、ＥＬチップ６２が転写されるべきＮ個の被転写領域Ｅ１，Ｅ２，…，ＥＮが予め設定されている。被転写領域Ｔｎ（ｎ＝１〜Ｎ）には一方向に並ぶＭ個のＴＦＴチップ５２が転写されるだけの面積が確保されており、被転写領域Ｅｎ（ｎ＝１〜Ｎ）には一方向に並ぶＭ個のＥＬチップ６２が転写されるだけの面積が確保されている。第ｎ行目に並ぶ被転写領域Ｔｎ及びＥｎに転写されるＭ個のＴＦＴチップ５２及びＥＬチップ６２によって、第ｎ行目に並ぶ画素群が形成される。
【００４３】
一方、ＴＦＴチップ形成基板５１には、図示しない剥離層及び中間層を介してＴＦＴチップ５２がマトリクス状に形成されている。ＴＦＴチップ形成基板５１は前述した転写元基板１７と同様に、光透過性のある材料で構成されるのが望ましい。ＴＦＴチップ形成基板５１は、少なくともＮ個のチップ形成領域ＳＴ１，ＳＴ２，…，ＳＴＮを含んでおり、各々のチップ形成領域ＳＴ１，ＳＴ２，…，ＳＴＮには、行方向に少なくともＭ個のＴＦＴチップ５２が形成されている。チップ形成領域ＳＴｎ（ｎ＝１〜Ｎ）に形成されているＴＦＴチップ５２のうち行方向に並ぶ少なくともＭ個のＴＦＴチップ５２は被転写領域Ｔｎ（ｎ＝１〜Ｎ）に転写される。ＴＦＴチップ５２を配線基板２１上に転写するには、ＴＦＴチップ形成基板５１のアライメントマークＢ１〜Ｂ３と、配線基板２１のアライメントマークＡ１〜Ａ３を目印に位置合わせを行い、配線基板２１の上にＴＦＴチップ形成基板５１を重ね合わせた状態でＴＦＴチップ形成基板５１の裏面から光照射などを行い、ＴＦＴチップ形成基板５１とＴＦＴチップ５２の間に介在する剥離層の層内剥離又は界面剥離などを通じてＴＦＴチップ５２を配線基板２１に転写する。
【００４４】
ＥＬチップ形成基板６１には、図示しない剥離層及び中間層を介してＥＬチップ６２がマトリクス状に形成されている。ＥＬチップ形成基板６１は前述した転写元基板１７と同様に、光透過性のある材料で構成されるのが望ましい。ＥＬチップ形成基板６１は、少なくともＮ個のチップ形成領域ＳＥ１，ＳＥ２，…，ＳＥＮを含んでおり、各々のチップ形成領域ＳＥ１，ＳＥ２，…，ＳＥＮには、行方向に少なくともＭ個のＥＬチップ６２が形成されている。チップ形成領域ＳＥｎ（ｎ＝１〜Ｎ）に形成されているＥＬチップ６２のうち行方向に並ぶ少なくともＭ個のＥＬチップ６２は被転写領域Ｅｎ（ｎ＝１〜Ｎ）に転写される。ＥＬチップ６２を配線基板２１上に転写するには、ＥＬチップ形成基板６１のアライメントマークＣ１〜Ｃ３と、配線基板２１のアライメントマークＡ１〜Ａ３を目印に位置合わせを行い、配線基板２１の上にＥＬチップ形成基板６１を重ね合わせた状態でＥＬチップ形成基板６１の裏面から光照射などを行い、ＥＬチップ形成基板６１とＥＬチップ６２の間に介在する剥離層の層内剥離又は界面剥離などを通じてＥＬチップ６２を配線基板２１上に転写する。尚、アライメントマークＡ１〜Ａ３、Ｂ１〜Ｂ３、及びＣ１〜Ｃ３は説明の便宜上、各々の基板の角部に設けているが、必ずしもこの位置に設ける必要はない。
【００４５】
図１２は配線基板２１にＴＦＴチップ５２を剥離転写するときの有機ＥＬディスプレイパネルの断面構造図である。ＴＦＴチップ形成基板５１上には、中間層１５及び剥離層１６を介してＴＦＴチップ５２が形成されている。ＴＦＴチップ５２には配線基板２１と接続するための電極パッド５３が形成されている。一方、配線基板２１には、ＴＦＴチップ５２に対して電気的に接続するための電極パッド２７及びバンプ８１と、ＥＬチップ６２に対して電気的に接続するための電極パッド２８及びバンプ８２が形成されている。また、ＴＦＴチップ５２と配線基板２１の間には液状接着剤４２が塗布され、両者を接着している。バンプ８１，８２は共に無電界めっき処理により形成された断面凸状の突起電極である。バンプ８１の高さはバンプ８２の高さよりも高くなるよう無電界めっき条件が工夫されている。つまり、配線基板２１上に転写されるべき素子チップの種類に応じて当該素子チップに接続するバンプの高さを変えている。このように、ＴＦＴチップ５２に接続すべきバンプ８１の高さをＥＬチップ６２に接続すべきバンプ８２の高さよりも高くすることで、ＴＦＴチップ５２をバンプ８１に接合したとき、ＴＦＴチップ５２が不用意にバンプ８２と接合することを防止できる。仮に、バンプ８１，８２の高さを略均一に揃えると、ＴＦＴチップ５２を配線基板２１に転写する際、ＴＦＴチップ５２がバンプ８２と接合してしまうおそれが十分にあるが、バンプ８１，８２の高さに高低差を設けることでこのような事態をできるだけ回避できる。
【００４６】
尚、ＥＬチップ６２には、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに駆動電流を供給する都合上、電極パッド２８及びバンプ８２は電極パッド２７及びバンプ８１よりも開口部大きくなるよう設計されている。また、ＴＦＴチップ５２の電極パッド５３と、配線基板２１の電極パッド８１が接合するよう正確にアライメント調整を行って、ＴＦＴチップ５２と配線基板２１を適度な圧力で圧着し、ＴＦＴ形成基板５１の裏面からレーザ光などの照射光を照射すると、剥離層１６に層内剥離又は界面剥離が生じ、ＴＦＴチップ５２を配線基板２１に転写することができる。レーザ照射は転写されるべきＴＦＴチップ５２を選択した上で、個々のＴＦＴチップ５２毎に、又は選択された一群のＴＦＴチップ５２に対してまとめて一括照射する。
【００４７】
図１３は配線基板２１にＥＬチップ６２を剥離転写するときの有機ＥＬディスプレイパネルの断面構造図である。配線基板２１には既にＴＦＴチップ５２が接続されている。ＥＬチップ形成基板６１上には中間層１５及び剥離層１６を介してＥＬチップ６２が形成されている。また、ＥＬチップ６２には配線基板２１と接続するための電極パッド６３が形成されている。ＥＬチップ６２と配線基板２１の間には導電粒子３０を含む異方性導電ペースト４１が塗布され、導電粒子３０を介して電極パッド６３とバンプ８２が導通するよう構成されている。ＥＬチップ６２の電極パッド６３と、配線基板２１のバンプ８２が接合するよう正確にアライメント調整を行って、ＥＬチップ６２と配線基板２１を適度な圧力で圧着し、ＥＬチップ形成基板６１の裏面からレーザ光などの照射光を照射すると、剥離層１６に層内剥離又は界面剥離が生じ、ＥＬチップ６２を配線基板２１に転写することができる。レーザ照射は転写されるべきＥＬチップ６２を選択した上で、個々のＥＬチップ６２毎に、又は選択された一群のＥＬチップ６２に対してまとめて一括照射する。
【００４８】
図１４はＥＬチップ６２と接続するためのバンプ８２の製造工程を説明するための断面図である。ＥＬチップ６２には、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに駆動電流を供給する都合上、電極パッド２８及びバンプ８２は電極パッド２７及びバンプ８１よりも開口部大きくなるよう設計されているため、普通に無電界めっきを行えば、バンプ８１とバンプ８２は同一の高さになる。そこで、バンプ８２形成の前準備として、バンプ８２が形成されるべき位置、つまり、電極パッド２８の形成位置に合わせて、パッシベーション膜２３に小径の開口部２３ｂを多数形成する。バンプ８２が未だ形成されていない状態では、電極パッド２８は開口部２３ｂを介して表面に露出する。開口部２３ｂ付近に無電界めっき処理の前準備を施した後、めっき液に含まれる安定剤の量を適宜調整し、電極パッド２８をめっき液に浸漬すると、開口部２３ｂから浸液するめっき液の量を適度に加減できる。つまり、安定剤の量を加減することで、開口部２３ｂにおけるニッケル皮膜の還元析出の有無を選択的に制御することができる。ニッケル皮膜の還元析出はめっき液に浸されているあらゆる箇所から等方的に行われるため、めっき液が浸液しにくい小径の開口部２３ｂの内部に位置する電極パッド２８の表面はニッケル皮膜が成長しにくい環境下にある。このような環境下において、さらに、安定剤の量を加減することで、開口部２３ｂにおけるニッケル皮膜の成長を選択的に制限することが可能となる。このようなめっき条件で無電界めっき処理を行うと、バンプ８２の析出成長速度は遅くなり、バンプ８２の高さはＴＦＴチップ５２と接続するためのバンプ８１の高さよりも低くなる。
【００４９】
図１５はＥＬチップ５２と接続するためのバンプ８２他の製造工程を説明するための工程図である。同図（Ａ）に示すように、まず、配線基板２１上のパッシベーション膜２３をエッチング処理し、ＴＦＴチップ５２と接続するための電極パッド２７を表面に露出するための開口部２３ｃと、ＥＬチップ６２と接続するための電極パッド２８を表面に露出するための開口部２３ｄとを形成する。次いで、同図（Ｂ）に示すように、無電界めっき処理により電極パッド２７，２８の表面及び開口部２３ｃ、２３ｄ付近のパッシベーション膜２３上にニッケル皮膜を還元析出させ、バンプ８１，８２の前駆体となるニッケル皮膜８１ａ，８２ａを形成する。次いで、同図（Ｃ）に示すように、ニッケル皮膜８２ａの表面にマスク９０を形成し、無電界ニッケルめっき処理を行う。マスク９０としては、無電界ニッケルめっきの還元析出を阻害するものであれば、特に限定されるものではなく、任意の絶縁膜、金属薄膜などを用いることができるが、後工程において容易に除去できる薄膜であることが望ましい。かかる工程により、ニッケル皮膜８１ａ上へのニッケル皮膜の再析出が行われる一方、ニッケル皮膜８２ａ上へのニッケル皮膜の再析出は阻害され、バンプ８１，８２の高さ調整を行うことが可能となる。次いで、同図（Ｄ）に示すように、バンプ８１の高さが所望の値となるよう、ニッケル皮膜８２ａ上へのニッケル皮膜の再析出が適度な量で行われた時点で、無電界めっき処理を中止し、マスク９０を除去する。これにより、所望の高低差ｈを有するバンプ８１，８２が形成される。
【００５０】
尚、本実施形態においては、ＴＦＴチップ６２、ＥＬチップ５２と接続するためのバンプ８１，８２として、断面凸状の構造を例示して説明したが、本発明はこれに限られるものではなく、バンプ８１，８２の構造として断面凹状の構造を採用してもよい。このように、本実施形態によれば、配線基板に転写される素子チップの種類に応じて、素子チップと接続すべきバンプに高低差を設けたため、素子チップを配線基板に転写する際に、所望の転写領域に素子チップを転写することができ、歩留まりの向上を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本実施形態の半導体チップの断面図である。
【図２】本実施形態の配線基板の断面図である。
【図３】導電粒子の断面図である。
【図４】断面凹状バンプの製造工程断面図である。
【図５】半導体チップと配線基板の接続工程を示す断面図である。
【図６】半導体チップと配線基板の接続状態を示す断面図である。
【図７】半導体チップと配線基板の接続状態を示す断面図である。
【図８】半導体チップと配線基板の接続状態を示す断面図である。
【図９】半導体チップと配線基板の接続状態を示す断面図である。
【図１０】配線基板上への素子チップを実装する工程の説明図である。
【図１１】有機ＥＬディスプレイの画素回路の構成図である。
【図１２】ＴＦＴチップと配線基板の接続工程を示す断面図である。
【図１３】ＥＬチップと配線基板の接続工程を示す断面図である。
【図１４】断面凸状バンプの形成工程断面である。
【図１５】断面凸状バンプの形成工程断面図である。
【符号の説明】
１１…半導体チップ  １２…電極パッド  １３…パッシベーション膜  １４…バンプ  １５…中間層  １６…分離層  １７…転写元基板  １８…下地電極  １９…バンプ  ２１…配線基板  ２２…電極パッド  ２３…パッシベーション膜  ２４…下地電極  ２５…バンプ  ２６…レジスト  ２７…電極パッド  ２８…電極パッド  ３０…導電粒子  ３１…コア  ３２…絶縁皮膜  ４１…異方性導電ペースト  ４２…液状接着剤
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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