(57)【要約】【課題】ＳｂおよびＴｅを主成分とし、結晶化速度を向上させかつ熱安定性を向上させる副成分を含有するターゲットを用いてスパッタリング法により相変化型記録層を形成するに際し、ターゲットと記録層との組成ずれを防ぐことにより、結晶化速度が速くかつ熱安定性の良好な相変化型記録層を実現する。【解決手段】スパッタリング法により相変化型記録層を形成するときに用いられるターゲットであって、Ｓｂ、Ｔｅ、元素Ｒ（Ｒは、希土類元素、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｚｎ、ＡｌおよびＳｎから選択される少なくとも１種の元素）および元素Ｍ（Ｍは、元素Ｒ、ＳｂおよびＴｅのすべてを除く元素から選択される少なくとも１種の元素）を含有し、ＳｂおよびＴｅを含有するマトリックス相中に、元素Ｒおよび元素Ｍを含有するＲ−Ｍ合金粒子が分散した構造をもつ相変化材料ターゲット。【選択図】　　　　　なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
スパッタリング法により相変化型記録層を形成するときに用いられるターゲットであって、
Ｓｂ、Ｔｅ、元素Ｒ（Ｒは、希土類元素、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｚｎ、ＡｌおよびＳｎから選択される少なくとも１種の元素）および元素Ｍ（Ｍは、元素Ｒ、ＳｂおよびＴｅのすべてを除く元素から選択される少なくとも１種の元素）を含有し、ＳｂおよびＴｅを含有するマトリックス相中に、元素Ｒおよび元素Ｍを含有するＲ−Ｍ合金粒子が分散した構造をもつ相変化材料ターゲット。
【請求項２】
マトリックス相中に元素Ｍが含有される請求項１の相変化材料ターゲット。
【請求項３】
Ｒ−Ｍ合金粒子がＧｅおよびＴｂを含有する請求項１または２の相変化材料ターゲット。
【請求項４】
Ｒ−Ｍ合金粒子がＲ２Ｍ合金相を含有する請求項１〜３のいずれかの相変化材料ターゲット。
【請求項５】
Ｒ−Ｍ合金粒子がＧｅ２Ｔｂを含有する請求項１〜４のいずれかの相変化材料ターゲット。
【請求項６】
Ｒ−Ｍ合金粒子が球状粒子を含有する請求項１〜５のいずれかの相変化材料ターゲット。
【請求項７】
直径または長径が１５０ｍｍ以上である請求項１〜６のいずれかの相変化材料ターゲット。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれかの相変化材料ターゲットを製造する方法であって、
元素Ｒおよび元素Ｍを含有するＲ−Ｍ合金粉末と、ＳｂおよびＴｅを含有する主成分原料粉末との混合物を成形して焼結する工程を有する相変化材料ターゲットの製造方法。
【請求項９】
主成分原料粉末が元素Ｍを含有する請求項８の相変化材料ターゲットの製造方法。
【請求項１０】
Ｒ−Ｍ合金粉末が、噴霧法により製造された球状粒子を含む請求項８または９の相変化材料ターゲットの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光記録媒体の記録層を形成するために用いるスパッタリングターゲットおよびその製造方法に関し、詳しくは、ＳｂおよびＴｅを主成分として含有する相変化材料ターゲットおよびその製造法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、高密度記録が可能で、しかも記録情報を消去して書き換えることが可能な光記録媒体が注目されている。書き換え可能型の光記録媒体のうち相変化型のものは、レーザービームを照射することにより記録層の結晶状態を変化させて記録を行い、このような状態変化に伴なう記録層の反射率変化を検出することにより再生を行うものである。相変化型の光記録媒体は、駆動装置の光学系が光磁気記録媒体のそれに比べて単純であるため、注目されている。
【０００３】
相変化型光記録媒体において情報を記録する際には、記録層が融点以上まで昇温されるような高パワー（記録パワー）のレーザービームを照射する。記録パワーが加えられた部分では記録層が溶融した後、急冷され、非晶質の記録マークが形成される。一方、記録マークを消去する際には、記録層がその結晶化温度以上であってかつ融点未満の温度まで昇温されるような比較的低パワー（消去パワー）のレーザービームを照射する。消去パワーが加えられた記録マークは、結晶化温度以上まで加熱された後、徐冷されることになるので、結晶質に戻る。したがって、相変化型光記録媒体では、単一のレーザービームの強度を変調することにより、オーバーライトが可能である。
【０００４】
情報転送レートの高いオーバーライトを可能とするために、高線速度でのオーバーライトが可能な光記録材料の開発が進められている。媒体の線速度が速いと、消去時の冷却速度が速くなるため、記録層は結晶化しにくくなる。すなわち、消去されにくくなる。したがって、高線速度でのオーバーライトを可能とするためには、記録層を構成する光記録材料の結晶化速度を速くする必要がある。しかし、光記録材料の結晶化速度を速くすると、記録層の熱安定性が低くなって保存信頼性が不十分になるという問題が生じる。
【０００５】
本発明者らは、特許文献１（特開２００２−１５７７３７号公報）において、結晶化速度が速く、しかも熱安定性が良好な記録層を開示している。この記録層は、ＳｂおよびＴｅを主成分とし、副成分として希土類元素を含有する。希土類元素の添加により、結晶化速度の大幅な向上と保存信頼性の向上とが同時に実現する。また、これらの元素のほか、保存信頼性向上のためにＧｅなどの他の元素も必要に応じて添加される。
【０００６】
【特許文献１】
特開２００２−１５７７３７号公報
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
前記特許文献１（特開２００２−１５７７３７号公報）に開示された記録層は、スパッタリング法により形成される。本発明者らは、特許文献１（特開２００２−１５７７３７号公報）に開示された光記録媒体の量産のために、８インチターゲットを用いたスパッタリング法によって記録層の形成を行った。しかし、形成された記録層の組成を分析したところ、記録層中に希土類元素がほとんど存在しないことがわかった。そのため、この記録層では、結晶化速度向上による高線速度でのオーバーライトが不可能であった。
【０００８】
本発明の目的は、ＳｂおよびＴｅを主成分とし、結晶化速度を向上させかつ熱安定性を向上させる副成分を含有するターゲットを用いてスパッタリング法により相変化型記録層を形成するに際し、ターゲットと相変化型記録層との組成ずれを防ぐことにより、結晶化速度が速くかつ熱安定性の良好な相変化型記録層を実現することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
このような目的は、下記（１）〜（１０）の本発明により達成される。
（１）　スパッタリング法により相変化型記録層を形成するときに用いられるターゲットであって、
Ｓｂ、Ｔｅ、元素Ｒ（Ｒは、希土類元素、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｚｎ、ＡｌおよびＳｎから選択される少なくとも１種の元素）および元素Ｍ（Ｍは、元素Ｒ、ＳｂおよびＴｅのすべてを除く元素から選択される少なくとも１種の元素）を含有し、ＳｂおよびＴｅを含有するマトリックス相中に、元素Ｒおよび元素Ｍを含有するＲ−Ｍ合金粒子が分散した構造をもつ相変化材料ターゲット。
（２）　マトリックス相中に元素Ｍが含有される上記（１）の相変化材料ターゲット。
（３）　Ｒ−Ｍ合金粒子がＧｅおよびＴｂを含有する上記（１）または（２）の相変化材料ターゲット。
（４）　Ｒ−Ｍ合金粒子がＲ２Ｍ合金相を含有する上記（１）〜（３）のいずれかの相変化材料ターゲット。
（５）　Ｒ−Ｍ合金粒子がＧｅ２Ｔｂを含有する上記（１）〜（４）のいずれかの相変化材料ターゲット。
（６）　Ｒ−Ｍ合金粒子が球状粒子を含有する上記（１）〜（５）のいずれかの相変化材料ターゲット。
（７）　直径または長径が１５０ｍｍ以上である上記（１）〜（６）のいずれかの相変化材料ターゲット。
（８）　上記（１）〜（７）のいずれかの相変化材料ターゲットを製造する方法であって、
元素Ｒおよび元素Ｍを含有するＲ−Ｍ合金粉末と、ＳｂおよびＴｅを含有する主成分原料粉末との混合物を成形して焼結する工程を有する相変化材料ターゲットの製造方法。
（９）　主成分原料粉末が元素Ｍを含有する上記（８）の相変化材料ターゲットの製造方法。
（１０）　Ｒ−Ｍ合金粉末が、噴霧法により製造された球状粒子を含む上記（８）または（９）の相変化材料ターゲットの製造方法。
【００１０】
【作用および効果】
本発明者らは、まず、Ｓｂ粉末、Ｔｅ粉末、元素ＲからなるＲ粉末および元素ＭからなるＭ粉末を混合して焼結することにより、ターゲットを製造した。このターゲットを用いてスパッタリング法により光記録層を形成したところ、前述したように元素Ｒがほとんど含有されない光記録層が形成されてしまった。
【００１１】
本発明者らは、ターゲットと記録層とで元素Ｒ含有量がほぼ同じとなる条件を求めて、ターゲットの製造条件を様々に変えて実験を繰り返した。その結果、元素Ｒと元素Ｍとを含有するＲ−Ｍ合金粉末をあらかじめ製造し、このＲ−Ｍ合金粉末と、ＳｂおよびＴｅを含有する主成分原料粉末とを混合して焼結することによりターゲットを製造すれば、ターゲットと記録層とで元素Ｒ含有量をほぼ等しくすることができることを見いだした。このようにして製造されたターゲットは、ＳｂおよびＴｅを主成分とするマトリックス相中に、元素Ｒおよび元素Ｍを主成分とするＲ−Ｍ合金粒子が分散した構造をもつ。
【００１２】
また、元素Ｍの全量がＲ−Ｍ合金粉末に含有される場合、元素Ｍに関してターゲットと記録層とで組成ずれが生じやすいことがわかった。この組成ずれを抑制するためには、Ｒ−Ｍ合金粉末に元素Ｍのすべてを含有させるのではなく、元素Ｍを主成分原料粉末にも含有させればよいことがわかった。また、元素Ｍを主成分原料粉末にも含有させることにより、ターゲットと記録層とにおける元素Ｍの組成ずれも軽減できることがわかった。
【００１３】
【発明の実施の形態】
ターゲットの製造方法
本発明のターゲットを製造する方法について説明する。この製造方法では、元素Ｒおよび元素Ｍを含有するＲ−Ｍ合金粉末と、ＳｂおよびＴｅを含有する主成分原料粉末との混合物を成形して焼結することにより、相変化材料ターゲットを製造する。
【００１４】
元素Ｒは、希土類元素、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｚｎ、ＡｌおよびＳｎから選択される少なくとも１種の元素である。本発明において希土類元素とは、Ｙ、Ｓｃおよびランタノイドである。元素Ｒとしては、結晶化速度向上効果および熱安定性向上効果が高いことから、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｇｄ、Ｓｍ、Ｎｄ、Ｙ、Ｐｒ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｚｎ、ＡｌおよびＳｎの少なくとも１種が好ましく、特にＴｂが好ましい。
【００１５】
元素Ｍは、元素Ｒ、ＴｅおよびＳｂのすべてを除く元素から選択される少なくとも１種の元素である。元素Ｍとしては、保存信頼性の向上効果が高いことから、Ｉｎ、Ａｇ、Ａｕ、Ｂｉ、Ｓｅ、Ｐ、Ｇｅ、Ｈ、Ｓｉ、Ｃ、Ｗ、Ｔａ、ＰｂおよびＰｄから選択される少なくとも１種が好ましく、Ｉｎ、ＡｇおよびＧｅから選択される少なくとも１種がより好ましく、特にＧｅが好ましい。
【００１６】
Ｒ−Ｍ合金粉末は、通常、Ｒ粉末およびＭ粉末を混合し、溶解した後、冷却することにより製造する。溶解および冷却は、窒素ガスやＡｒガス等の非酸化性雰囲気中で行う。冷却には、鋳造法や噴霧法（ガスアトマイズ法、単ロール法、遠心ディスク法等）などを利用すればよい。
【００１７】
鋳造法では、上部が開放された冷却可能なセラミック製るつぼ、または水平割型、垂直割型に金属溶湯を流し込んで急冷し、Ｒ−Ｍ合金を得る。次いで、Ｒ−Ｍ合金を機械的に粉砕し、Ｒ−Ｍ合金粉末とする。粉砕は、窒素ガスやＡｒガス等の非酸化性雰囲気中で行う。Ｒ−Ｍ合金粉末の平均粒径は、好ましくは１〜５００μｍ、より好ましくは５０〜３５０μｍである。粒径が小さすぎると粉砕時の酸化によりターゲット中の酸素含有量が多くなりすぎる。一方、粒径が大きすぎると、ターゲット中においてＲ−Ｍ合金粒子を均一に分散させることが難しくなる。粉砕手段は特に限定されず、ジョークラッシャー、ロールクラッシャー、コーンクラッシャー、ハンマーミル、スタンプミル等の粗粉砕機、およびディスクミル、ブラウンミル、ボールミル、アトライター、ジェットミル等の微粉砕機等のいずれを用いてもよい。粉砕後、必要に応じ、ふるい等により分級する。
【００１８】
噴霧法としては、ガスアトマイズ法が一般的である。ガスアトマイズ法では、非酸化性雰囲気中に金属溶湯を噴霧して冷却し、球状の合金粒子を得る。噴霧法により製造したＲ−Ｍ合金粉末の好ましい平均粒径は、鋳造法で製造した場合と同様である。
【００１９】
Ｒ−Ｍ合金粉末の組成は、スパッタリング時に元素Ｒがターゲットから光記録層に十分に移行できるように決定すればよいが、好ましくは元素Ｒと元素Ｍとの金属間化合物が生成する組成であることが望ましい。金属Ｒは一般に展延性が高く粉砕しにくいため、粉砕時に酸化しやすく、その結果、光記録層の特性を悪くしてしまう。これに対しＲ−Ｍ合金、特に元素Ｒと元素Ｍとの金属間化合物は、金属Ｒに比べ脆く粉砕しやすいため、粉砕時に酸化しにくくなる。元素Ｒと元素Ｍとの金属間化合物としては、たとえばＭ２Ｒ、Ｍ３Ｒ、Ｍ３Ｒ２、ＭＲ、Ｍ１０Ｒ１１、Ｍ４Ｒ５、Ｍ３Ｒ５などが挙げられ、具体的には、Ｇｅ２Ｔｂ、Ｇｅ３Ｔｂ、Ｇｅ１．９Ｔｂ、Ｇｅ２．７Ｔｂ、Ｇｅ１．７Ｔｂ、Ｇｅ３Ｔｂ２、ＧｅＧｄ、Ｇｅ３Ｇｄ２、Ｇｅ３Ｙ２、ＧｅＹなどが挙げられる。金属間化合物は、生成が容易であることから融点が低いものが好ましく、たとえばＧｅとＴｂとの金属間化合物では、Ｇｅ２Ｔｂおよび／またはＧｅ３Ｔｂが好ましく、特にＧｅ２Ｔｂが好ましい。Ｒ−Ｍ合金粉末には、金属間化合物が２種以上含有されていてもよい。また、Ｒ−Ｍ合金粉末には、金属間化合物および／または合金だけでなく、金属単体からなる相、たとえばＧｅ相等のＭ相が含まれていてもよい。
【００２０】
なお、噴霧法で製造した球状粒子は非平衡急冷合金となっている場合が多く、上記した微細な金属間化合物相以外に非晶質相も存在する。この非晶質相も、上記したＧｅ２Ｔｂのように融点が低い組成であることが好ましい。低融点組成の合金は、低温で金属溶湯となるため、噴霧工程で酸化しにくい。
【００２１】
Ｒ−Ｍ合金粉末の全体組成は、含有されている金属間化合物の組成と一致する必要はない。たとえば、原子比でＧｅ：Ｔｂ＝２：１となるように出発原料を混合した場合でも、Ｇｅ２ＴｂおよびＧｅ３Ｔｂの両者が析出することがありうる。ただし、Ｒ−Ｍ合金粉末の組成がＲリッチ側に著しく偏っていると、金属Ｒが析出して粉砕が困難になってしまう。また、Ｒ−Ｍ合金粉末の組成がＭリッチ側に著しく偏っている場合、ターゲット中に所定量の元素Ｒを含有させようとすると、ターゲット中の元素Ｍが過多となってしまい、一方、ターゲット中に所定量の元素Ｍを含有させようとすると、ターゲット中の元素Ｒが過少となってしまうので、いずれの場合でもターゲットの組成制御が困難となる。したがって、Ｒ−Ｍ合金粉末の組成は、金属Ｒが析出しないように、また、ターゲットの全体組成が制限されないように決定することが好ましい。具体的には、元素Ｒと元素Ｍとの組み合わせに応じて適宜決定すればよいが、原子比Ｒ／（Ｍ＋Ｒ）が０．２〜０．６２５、特に０．３〜０．４となる組成範囲から選択することが好ましい。
【００２２】
次に、ＳｂおよびＴｅを含有する主成分原料粉末について説明する。この主成分原料粉末を構成する粒子は、Ｓｂを含有する粒子、Ｔｅを含有する粒子ならびにＳｂおよびＴｅを含有する粒子から選択される。たとえば、主成分原料粉末はＳｂ粒子とＴｅ粒子とから構成してもよく、ＳｂとＴｅとからなるＳｂ−Ｔｅ合金粒子から構成されてもよく、Ｓｂ−Ｔｅ合金粒子と、Ｓｂ粒子および／またはＴｅ粒子との混合物であってもよい。Ｓｂ−Ｔｅ合金粒子を用いると、ターゲット中の組成分布がより均質となる。主成分原料粉末の平均粒径は特に限定されないが、粒径が小さすぎると混合工程および成形工程で不具合が生じやすくなり、粒径が大きすぎると均一に混合しにくくなるので、通常、１０〜３５０μｍとすることが好ましい。
【００２３】
元素ＭのすべてをＲ−Ｍ合金粉末に含有させると、スパッタリングの際に元素Ｍが飛びにくくなるので、記録層の組成ずれが生じやすくなる。このような元素Ｍの組成ずれを軽減するためには、元素Ｍの一部を主成分原料粉末に含有させることが好ましい。その場合、元素ＭからなるＭ粒子を主成分原料粉末の一部として用いてもよく、Ｓｂ粒子、Ｔｅ粒子およびＳｂ−Ｔｅ合金粒子の少なくとも１種に元素Ｍを含有させてもよい。主成分原料粉末に含有させる元素Ｍの量は、ターゲット全体に必要とされる元素Ｍ含有量からＲ−Ｍ合金粉末中の元素Ｍ含有量を減じた値である。元素Ｍの組成ずれを軽減するためには、主成分原料粉末に含有させる元素Ｍの量を、Ｒ−Ｍ合金粉末中の元素Ｍ含有量に対し、原子比で好ましくは０倍超、より好ましくは０．１倍以上、さらに好ましくは０．２倍以上とすることが望ましい。ただし、主成分原料粉末に含有させる元素Ｍの量を著しく多くすると、Ｒ−Ｍ合金粉末中におけるＭの比率が小さくなりすぎる（Ｒの比率が高くなりすぎる）結果、本発明の主要な効果である元素Ｒの組成ずれ軽減効果が不十分となりやすい。そのため、主成分原料粉末に含有させる元素Ｍの量は、Ｒ−Ｍ合金粉末中の元素Ｍ含有量に対し、原子比で１０倍以下、特に２倍以下とすることが好ましい。
【００２４】
Ｒ−Ｍ合金粉末と主成分原料粉末とは、混合され、成形された後、焼結される。焼結は、ＳｂおよびＴｅの蒸発を防ぐために、真空中ではなくＡｒガス等の不活性ガス雰囲気中で行うことが好ましい。焼結は常圧下で行ってもよいが、好ましくは加圧下で行う。加圧焼結には、ホットプレス法または熱間静水圧プレス法を用いることが好ましい。加圧焼結の際の圧力、温度および焼成時間は、緻密な焼結体が得られるように決定すればよいが、通常、圧力は５ＭＰａ以上とし、温度は４００〜８００℃とし、焼成時間は０．５〜３時間とすることが好ましい。圧力が低かったり、温度が低かったり、焼成時間が短かったりすると、緻密な焼結体が得られにくく、ターゲットの機械的強度が不十分となりやすい。一方、温度が高すぎたり焼成時間が長すぎたりすると、ターゲットの酸素含有量が増えてしまう。なお、加圧力の上限は特にないが、ホットプレス法において成形用型枠として一般的なカーボン型を用いる場合には、通常、６０ＭＰａ以下とすることが好ましい。また、熱間静水圧プレス法では、２００ＭＰａ以下とすることが好ましい。
【００２５】
焼結温度は、Ｒ−Ｍ合金の融点（たとえばＧｅ２Ｔｂの融点は１４２０℃）より低いので、焼結により、ＳｂおよびＴｅを含有するマトリックス中にＲ−Ｍ合金粒子が分散した構造のターゲットが得られる。
【００２６】
加圧焼結に際しては、加圧した後、昇温し、所定温度に所定時間保持した後、圧力を解放して冷却することが好ましい。
【００２７】
焼結後、焼結体表面付近に存在する組成的および組織的に不均質な領域を研削により除去し、ターゲットを完成させる。このときの研削深さは、１ｍｍ程度以下で十分である。焼結体は、冷却板にボンディングされ、スパッタリングに供される。
【００２８】
ターゲット
上述した方法により製造される本発明のターゲットは、ＳｂおよびＴｅを含有するマトリックス相中に、Ｒ−Ｍ合金粒子が分散した構造をもつ。なお、元素Ｍを前記主成分原料粉末にも含有させた場合には、マトリックス相中にも元素Ｍが含まれる。ターゲット中におけるＲ−Ｍ合金粒子の体積比は、ターゲット中のＲ含有量に依存して変わるため、特に限定されない。
【００２９】
ターゲットの組成は、このターゲットを用いて形成される記録層の組成に応じて決定すればよい。ターゲット構成元素の原子比を
式Ｉ　（ＲａＴｅｂＳｂｃ）１−ｘＭｘ
で表し、
ａ＋ｂ＋ｃ＝１
としたとき、好ましくは
ａ＞０、
０．４≦ｃ≦０．９５、
ａ／ｂ≦１．２、
ａ／ｃ≦０．７、
０＜ｘ≦０．１
である。上記式Ｉにおいて、Ｓｂの含有量を表すｃが小さすぎると、記録層の結晶化速度が遅くなりすぎる。一方、ｃが大きすぎると、結晶化速度が速くなりすぎて、非晶質記録マークの熱的安定性が低くなってしまう。なお、より好ましくは
ｃ≧０．５、さらに好ましくは
ｃ≧０．６
であり、また、より好ましくは
ｃ≦０．９
である。上記式Ｉにおいて、元素Ｒの含有量を表すａは、より好ましくは
ａ≧０．０１
である。ａが小さすぎると、元素Ｒ添加による効果、すなわち消去可能線速度の大幅な向上、保存信頼性の向上が十分に実現しない。一方、ＳｂおよびＴｅのそれぞれに対する元素Ｒの比率が高すぎても、消去可能線速度が著しく遅くなってしまう。また、再生出力を十分に確保するためにはＳｂがある程度含有されている必要がある。したがって、十分な再生出力を確保し、かつ、消去可能線速度を十分に速くするために、ａ／ｂおよびａ／ｃがそれぞれ上記範囲内となるように元素Ｒ含有量を制御することが好ましい。なお、より好ましくは
ａ／ｂ≦０．８、
ａ／ｃ≦０．６
である。元素Ｍの含有量を表すｘが大きすぎると結晶化速度が低下してしまうので、ｘは上記範囲内であることが好ましく、
０．０１≦ｘ≦０．０８
であることがより好ましい。
【００３０】
本発明のターゲットは板状体であり、その厚さは特に限定されないが、通常、４〜８ｍｍとすればよい。ターゲットの平面形状は、円、楕円、矩形等のいずれであってもよい。ターゲットの直径または長径は、通常、１００〜３３０ｍｍ程度とすればよいが、前述したように本発明は、大径ターゲットにおいて生じるターゲット組成と記録層組成とのずれの解消に有効であり、具体的には、ターゲットの直径または長径が１５０ｍｍ以上であるときに特に有効である。
【００３１】
【実施例】
ターゲットＮｏ．１
平均粒径が１５０μｍのＳｂ粉末、Ｔｅ粉末、Ｇｅ粉末およびＴｂ粉末を、各元素が表１に示される比率となるように混合し、ホットプレスにより焼結して、直径８インチの円形ターゲットを得た。ホットプレスの条件は、圧力２０Ｐａ、温度６００℃、焼結時間２時間とした。
【００３２】
ターゲットＮｏ．２
Ｇｅ粉末とＴｂ粉末とをＧｅ：Ｔｂ＝２：１（原子比）となるように混合して溶解し、冷却することによりＧｅ−Ｔｂ合金を製造し、これを粉砕して平均粒径１２０μｍのＧｅ−Ｔｂ合金粉末を得た。このＧｅ−Ｔｂ合金粉末についてＸ線回折により結晶相を調べたところ、金属間化合物であるＧｅ２Ｔｂに由来するピークがメインピークとして検出され、このほか、金属間化合物Ｇｅ３Ｙとして同定されるピークおよび金属間化合物Ｇｅ１．９Ｄｙとして同定されるピークも認められた。この結果から、このＧｅ−Ｔｂ合金粉末は、Ｇｅ２Ｔｂ、Ｇｅ３ＴｂおよびＧｅ１．９Ｔｂの各相を含むと考えられる。
【００３３】
次に、このＧｅ−Ｔｂ合金粉末と、主成分原料粉末であるＳｂ粉末およびＴｅ粉末とを、各元素が表１に示される比率となるように混合し、ホットプレスにより焼結した。ホットプレス条件は、ターゲットＮｏ．１のときと同じとした。
【００３４】
ターゲットＮｏ．３
ターゲットＮｏ．２製造の際に用いたＧｅ−Ｔｂ合金粉末と、主成分原料粉末であるＳｂ粉末、Ｔｅ粉末およびＧｅ粉末とを、各元素が表１に示される比率となるように混合し、ホットプレスにより焼結した。ホットプレス条件は、ターゲットＮｏ．１のときと同じとした。なお、Ｇｅ粉末の添加量は３．３７原子％とした。したがって、Ｇｅ−Ｔｂ粉末（Ｇｅ：Ｔｂ＝２：１）には、７．９２原子％のＧｅと３．９６原子％のＴｂとが含有され、主成分原料粉末中の元素Ｍ量は、Ｒ−Ｍ合金粉末中の元素Ｍ量に対し、原子比で０．４２６倍である。
【００３５】
評価
上記各ターゲットを用い、Ａｒ雰囲気中においてスパッタリング法により厚さ８ｎｍの記録層を形成した。この記録層の組成を、ＥＰＭＡ（電子線プローブマイクロアナライザ）により分析した。結果を表１に示す。
【００３６】
【表１】
2004130541.tif 000002
【００３７】
表１から、本発明の効果が明らかである。Ｔｂ粉末を単独で添加したターゲットＮｏ．１では、記録層中にＴｂが全く含有されていない。これに対し、ＴｂをＧｅ−Ｔｂ合金粉末として添加したターゲットＮｏ．２およびＮｏ．３では、ターゲットと記録層とにおけるＴｂの組成ずれが小さくなっている。また、Ｇｅ粉末を主成分原料粉末の一部として使用したターゲットＮｏ．３では、ターゲットＮｏ．２に比べ、ＧｅおよびＴｂの両者に関して組成ずれがより小さくなっている。
【００３８】
ターゲットＮｏ．１について、Ｔｂの存在を示すＥＰＭＡ像を図１に、Ｇｅの存在を示すＥＰＭＡ像を図２にそれぞれ示す。また、ターゲットＮｏ．２について、Ｔｂの存在を示すＥＰＭＡ像を図３に、Ｇｅの存在を示すＥＰＭＡ像を図４にそれぞれ示す。これら各図では、明度が高いほど対象元素の濃度が高い。
【００３９】
図１から、ターゲットＮｏ．１では、添加したＴｂ粒子が焼結時に拡散せずにターゲット中にそのまま分散して存在していることがわかる。また、図２から、ＧｅはＴｂ存在領域には存在しないことがわかる。一方、ターゲットＮｏ．２では、図３に示されるＴｂ存在領域と図４に示されるＧｅ存在領域とがほぼ一致しており、添加したＴｂ−Ｇｅ合金粒子が焼結時に拡散せずに、ＳｂおよびＴｅを含有するマトリックス相中に分散して存在していることがわかる。
【図面の簡単な説明】
【図１】金属組織を示す図面代用写真であって、従来のターゲットのＴｂ分布を示すＥＰＭＡ像である。
【図２】金属組織を示す図面代用写真であって、従来のターゲットのＧｅ分布を示すＥＰＭＡ像である。
【図３】金属組織を示す図面代用写真であって、本発明のターゲットのＴｂ分布を示すＥＰＭＡ像である。
【図４】金属組織を示す図面代用写真であって、本発明のターゲットのＧｅ分布を示すＥＰＭＡ像である。
【図１】
2004130541.tif 000003
【図２】
2004130541.tif 000004
【図３】
2004130541.tif 000005
【図４】
2004130541.tif 000006