(57)【要約】【課題】高い熱効率を有し、容易に温度制御ができる、導電性物質の温度制御装置を提供する。【解決手段】高周波電源１０から供給する所定周波数の電力を、インピーダンス整合手段２０を介して導電性物質８０に供給する。方向性結合手段２１は、少なくとも、反射電力（Ｐｒｅｆ）を検出する。インピーダンス調節手段２３は、検出された反射電力が小さくなるようにインピーダンス整合手段２０を調節する。インピーダンス検出手段２２は、インピーダンス整合手段２０に接続された導電性物質８０において、高周波電源１０から供給する所定周波数の電力に対応するインピーダンスに関する物理量を検出する。制御手段４１は、検出されたインピーダンスに関する物理量に基づいて検出した温度と、温度処理情報に基づいた設定温度とに基づいて、出力電力調節手段１１を制御する。出力電力調節手段１１は、高周波電源１０から供給する所定周波数の電力を制御する。【選択図】　　　　図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
高周波電源と、方向性結合手段と、インピーダンス整合手段と、インピーダンス調節手段とを備え、高周波電源から供給する所定周波数の電力を、インピーダンス整合手段を介して導電性物質に供給する、導電性物質の温度制御装置であって、
方向性結合手段は、少なくとも、高周波電源から供給する所定周波数の入射電力に対する反射電力を検出し、
インピーダンス調節手段は、方向性結合手段にて検出した反射電力が小さくなるようにインピーダンス整合手段を調節し、
導電性物質を、高周波電源から供給する所定周波数の電力で、直接的に発熱させる、
ことを特徴とする導電性物質の温度制御装置。
【請求項２】
高周波電源と、インピーダンス整合手段と、インピーダンス調節手段と、インピーダンス検出手段とを備え、高周波電源から供給する所定周波数の電力を、インピーダンス整合手段を介して導電性物質に供給する、導電性物質の温度制御装置であって、
インピーダンス検出手段は、インピーダンス整合手段に接続された導電性物質において、高周波電源から供給する所定周波数の電力に対応するインピーダンスに関する物理量を検出し、
インピーダンス調節手段は、インピーダンス検出手段にて検出したインピーダンスに関する物理量が、所定値を保つようにインピーダンス整合手段を調節し、
導電性物質を、高周波電源から供給する所定周波数の電力で、直接的に発熱させる、
ことを特徴とする導電性物質の温度制御装置。
【請求項３】
請求項２に記載の導電性物質の温度制御装置であって、更に、出力電力調節手段を備え、
出力電力調節手段は、インピーダンス検出手段にて検出したインピーダンスに関する物理量に基づいて、高周波電源から供給する所定周波数の電力を調節する、
ことを特徴とする導電性物質の温度制御装置。
【請求項４】
高周波電源と、出力電力調節手段と、方向性結合手段と、インピーダンス整合手段と、インピーダンス調節手段と、インピーダンス検出手段とを備え、高周波電源から供給する所定周波数の電力を、インピーダンス整合手段を介して導電性物質に供給する、導電性物質の温度制御装置であって、
方向性結合手段は、少なくとも、高周波電源から供給する所定周波数の入射電力に対する反射電力を検出し、
インピーダンス調節手段は、方向性結合手段にて検出した反射電力が小さくなるようにインピーダンス整合手段を調節し、
インピーダンス検出手段は、インピーダンス整合手段に接続された導電性物質において、高周波電源から供給する所定周波数の電力に対応するインピーダンスに関する物理量を検出し、
出力電力調節手段は、インピーダンス検出手段にて検出したインピーダンスに関する物理量が、所定値を保つように、高周波電源から供給する所定周波数の電力を調節し、
前記導電性物質を、高周波電源から供給する所定周波数の電力で、直接的に発熱させる、
ことを特徴とする導電性物質の温度制御装置。
【請求項５】
請求項４に記載の導電性物質の温度制御装置であって、更に、制御手段と記憶手段とを備え、
記憶手段には、時間に対応させた設定温度を有する温度処理情報が記憶されており、
制御手段は、インピーダンス検出手段にて検出したインピーダンスに関する物理量に基づいて検出した温度と、温度処理情報に基づいた設定温度とに基づいて、出力電力調節手段を制御し、
出力電力調節手段は、高周波電源から供給する所定周波数の電力を制御する、
ことを特徴とする導電性物質の温度制御装置。
【請求項６】
請求項２〜５のいずれかに記載の導電性物質の温度制御装置であって、
更に、前記高周波電源から供給される所定周波数とは異なる第２周波数の電力を供給可能な第２高周波電源と、前記高周波電源から供給される所定周波数の電力の通過を抑制し、第２周波数の電力を通過可能なフィルタ手段とを備え、
導電性物質に、更に、第２高周波電源から、前記高周波電源から供給される電力に比べ微小な電力で、第２周波数の電力を、フィルタ手段を介して供給し、
インピーダンス検出手段にて、第２高周波電源から供給する第２周波数に対応する導電性物質のインピーダンスに関する物理量を検出する、
ことを特徴とする導電性物質の温度制御装置。
【請求項７】
請求項２〜６のいずれかに記載の導電性物質の温度制御装置であって、導電性物質のインピーダンスに関する物理量は、当該導電性物質のインピーダンス、当該導電性物質に供給される電流及び電圧、または当該導電性物質のインピーダンスに基づいた当該導電性物質の温度、の少なくとも１つを含む、
ことを特徴とする導電性物質の温度制御装置。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれかに記載の導電性物質の温度制御装置であって、
インピーダンス整合手段と導電性物質との接続部において、インピーダンス整合手段には出力電極が設けられており、当該出力電極と導電性物質との間に、熱伝導率の低い断熱部材を挟み込む、
ことを特徴とする導電性物質の温度制御装置。
【請求項９】
請求項８に記載の導電性物質の温度制御装置であって、
インピーダンス整合手段の出力電極と導電性物質との間に挟み込んだ断熱部材に、更に電気的絶縁特性を持たせ、前記出力電極と当該断熱部材と前記導電性物質にて所定の容量を形成し、
前記高周波電源から供給される所定周波数の電力を、インピーダンス整合手段を介し、更に前記所定の容量を介して導電性物質に供給する、
ことを特徴とする導電性物質の温度制御装置。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれかに記載の導電性物質の温度制御装置において、更に、発熱した導電性物質を保温するカバーを備え、
前記カバーは、金属で構成あるいは形成されているとともに基準電位に接続されており、複数のスリット部が設けられている、
ことを特徴とする導電性物質の温度制御装置。
【請求項１１】
請求項１〜１０のいずれかに記載の導電性物質の温度制御装置を、焼入れ工程、焼鈍し工程、乾燥工程、冷却工程、の少なくとも１つの工程に用いる、
ことを特徴とする導電性物質の温度制御装置。
【請求項１２】
請求項１〜１２のいずれかに記載の導電性物質の温度制御装置であって、
発熱させる導電性物質の材質は、銅、アルミニウム、マグネシウム、鉄、ニッケル、クロムである、あるいはこれらの少なくとも１つを所定の割合で含む合金である、
ことを特徴とする導電性物質の温度制御装置。
【請求項１３】
導電性物質で形成された製品あるいは部品の生産方法であって、
請求項１〜１０のいずれかに記載の導電性物質の温度制御装置を用いて、
請求項１２に記載の導電性物質を含む材質で形成された製品あるいは部品、または当該部品を複数組み合わせて構成された製品あるいは部品を、
請求項１１に記載の工程に用いて熱処理する、
ことを特徴とする導電性物質で形成された製品あるいは部品の生産方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、導電性物質の温度制御装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、導電性物質の発熱方法あるいは加熱方法としては、以下の方式がある。なお、以下では「電気抵抗」は、当該物質に対して不変の電気的特性であり、当該物質の長さ、形状等で変化しないものをいう。これに対し、「インピーダンス」は、当該物質を用いた回路（構造物全体）等の電気的特性であり、当該物質の長さ、形状等で変化するものをいう。
（１）ニクロム線等の比較的高い電気抵抗を有する導電性物質に、電源から直接的に電流を流して発熱させる方式。
（２）鉄等の比較的高い電気抵抗を有する導電性物質の外部から、低周波の電流を加熱コイルに流し、この電流が対象物の導電性物質に間接的に誘導電流（うず電流）を発生させて発熱させる方式（電磁調理器等）。
（３）外部から直接的に、化学燃焼等の熱源から熱量を加えて、加熱する方式（燃焼等）。
（４）高温雰囲気中にさらして加熱する方式（高温炉等）。
【０００３】
なお、上記（１）〜（４）に記載した導電性物質の発熱方法あるいは加熱方法は、従来より一般的に行われているので、あえて先行技術文献を記載しない。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
銅、アルミニウム、マグネシウム等、比較的低い電気抵抗を有する導電性物質を発熱させる、あるいは加熱する場合、従来の（１）〜（３）の方式では、以下に示す問題があり、主に（４）の方式が用いられている。
直接的に電流を流して発熱させる（１）の方式では、銅、アルミニウム、マグネシウム等は電気抵抗が比較的低い導電性物質である（例えば、１０−４Ω・ｍ）ため、所定温度になるように発熱させるには非常に高い電流（例えば、数百Ａ以上）を要し、実用的でない。
誘導電流で間接的に発熱させる（２）の方式では、電気抵抗が比較的低い導電性物質（例えば、１０−４Ω・ｍ）では、所定温度になるように発熱させるには、周波数が低いため（１）と同様に非常に高い電流（例えば、数百Ａ以上）を要し、実用的でない。また、加熱コイルでの消費電流が増加し、対象物の導電性物質への熱効率が非常に低くなる。更に、加熱コイルの磁界内に対象物の導電性物質を配置する必要があるとともに、加熱コイルからの距離に応じて発熱量が異なるため、加熱する導電性物質の形状が複雑な場合は、加熱コイルの形状が非常に複雑になる。また、加熱する導電性物質のサイズが大きい場合、加熱コイルを大きくしなければならなくなり、加熱コイルのインダクタンスが増加するため、コイル端で電圧破壊等が発生し易く、投入電力が制限され、均一に対象物の導電性物質を加熱することは、非常に困難である。
燃焼の炎等で直接的に加熱する（３）の方式では、導電性物質が比較的複雑な形状あるいは大きなサイズの場合、ほぼ均一に導電性物質を加熱することが困難であり、温度管理も困難である。また、熱効率も非常に低い。
【０００５】
従って、従来は、銅、アルミニウム、マグネシウム等、比較的低い電気抵抗を有する導電性物質を発熱させる、あるいは加熱する場合、高温雰囲気中にさらして加熱する（４）の方式が主に用いられている。しかし、（４）の方式においても、下記（ａ）〜（ｃ）に示す課題がある。
（ａ）炉内を所定温度に安定させるまでの時間（予熱時間等）が長く（例えば、数十分程度）、時間のロスが比較的多く、生産性が低い。また、導電性物質の加熱以外に使用する熱量が必要であり、熱効率が非常に低い。
（ｂ）比較的複雑な形状あるいは大きなサイズの場合等、変形等を防止するための治具を取りつける場合がある。この場合、治具は何度も使用され、何度も加熱と冷却（常温への冷却）が繰り返されるため治具の寿命が短くなる。
（ｃ）温度管理が必要な工程（焼入れ工程、焼鈍し工程、乾燥工程、冷却工程等、所定の時間に対応させて設定された温度を維持することが必要な工程）の場合、１つの炉で実現する場合は炉内の温度制御が複雑になり、非常に困難であり、多大な時間を要する。また、設定された温度毎に複数の炉を用いる構成にした場合は、設備全体が大型化するので好ましくない。
本発明は、このような点に鑑みて創案されたものであり、高い熱効率を有し、容易に温度制御ができる、導電性物質の温度制御装置を提供することを課題とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するための手段として、本発明の第１発明は、請求項１に記載されたとおりの導電性物質の温度制御装置である。
請求項１に記載の導電性物質の温度制御装置では、高周波電源から所定周波数（例えば、工業周波数（またはＨＦ帯周波数）の１３．５６ＭＨｚ）の電力を、インピーダンス整合手段を介して、直接、導電性物質に供給する。このとき、導電性物質の高周波（例えば、１３．５６ＭＨｚ）に対する電気抵抗は、その表皮効果のために、直流の場合と比較して約１００倍に増加する。また、高周波電源から高い効率で電力を導電性物質に供給するために、方向性結合手段とインピーダンス調節手段を用いて、インピーダンス整合手段を調節し、導電性物質で構成された回路等のインピーダンスと高周波電源の出力インピーダンス（例えば、５０Ω）との整合を維持し、反射電力をより小さくする。
これにより、比較的低い電気抵抗を有する導電性物質（例えば、銅、アルミニウム、マグネシウム、鉄、ニッケル、クロム、及びそれらを含む合金等）で構成された回路等であっても、比較的高いインピーダンスで電力を消費させることができるため、ジュール損失として直接的に導電性物質を発熱させることができる。また、反射電力を、より小さくすることで、電力エネルギーのほとんどを導電性物質の発熱に利用することができ、高い熱効率を実現することができる。また、導電性物質に、直接、高周波電流を流すため、導電性物質の形状、サイズ等の影響をほとんど受けることなく、ほぼ均一に発熱させることができる。
【０００７】
また、本発明の第２発明は、請求項２に記載されたとおりの導電性物質の温度制御装置である。
請求項２に記載の導電性物質の温度制御装置では、請求項１に記載の導電性物質の温度制御装置に対して、方向性結合手段の代わりにインピーダンス検出手段を用いて、導電性物質で構成された回路等のインピーダンスに関する物理量（インピーダンス、電流及び電圧、温度等）が、所定値を保つように、インピーダンス調節手段にてインピーダンス整合手段を調節する。導電性物質の温度とインピーダンスには相関があり、インピーダンスが判ると、そのときの温度が判るため、導電性物質のインピーダンスに関する物理量を所定値に保つことで、導電性物質の温度を所定値（インピーダンスに関する物理量に対応した温度）に保つことができる。
これにより、導電性物質の温度制御を容易にできる。
【０００８】
また、本発明の第３発明は、請求項３に記載されたとおりの導電性物質の温度制御装置である。
請求項３に記載の導電性物質の温度制御装置では、請求項２に対して、更に、インピーダンス検出手段にて検出したインピーダンスに関する物理量に基づいて、高周波電源から供給する所定周波数の電力を調節する。
このため、インピーダンス検出手段にて検出したインピーダンスに関する物理量が、所定値を保つようにインピーダンス調節手段にてインピーダンス整合手段を調節する場合において、高周波電源から供給する電力を調節できるので、所定値の範囲をより大きくする（より広い温度範囲を設定する）ことが可能となる。これにより、導電性物質の温度制御を容易にできる。
【０００９】
また、本発明の第４発明は、請求項４に記載されたとおりの導電性物質の温度制御装置である。
請求項４に記載の導電性物質の温度制御装置では、方向性結合手段とインピーダンス調節手段を用いて、インピーダンス整合手段を調節し、導電性物質で構成された回路等のインピーダンスと高周波電源の出力インピーダンス（例えば、５０Ω）との整合を維持し、反射電力をより小さくすることで、高周波電源から高い効率で電力を導電性物質に供給する。また、インピーダンス検出手段にて検出したインピーダンスに関する物理量（インピーダンス、電流及び電圧、温度等）に基づいて、高周波電源から供給する所定周波数の電力を調節することで、導電性物質の温度を所定値（インピーダンスに関する物理量に対応した温度）に保つことができる。
これにより、高い熱効率を有し、容易に温度制御ができる、導電性物質の温度制御装置を実現できる。
【００１０】
また、本発明の第５発明は、請求項５に記載されたとおりの導電性物質の温度制御装置である。
請求項５に記載の導電性物質の温度制御装置では、請求項４に対して、更に、時間に対応させた設定温度を有する温度処理情報を記憶しており、所定時間の時点で設定温度になるように、高周波電源から供給する所定周波数の電力を制御する。
これにより、導電性物質を、任意の時間に任意の設定温度に、より精密に制御することが容易にできる。
【００１１】
また、本発明の第６発明は、請求項６に記載されたとおりの導電性物質の温度制御装置である。
請求項６に記載の導電性物質の温度制御装置では、第２高周波電源から第２周波数（例えば、１３．５６ＭＨｚより充分高い１００ＭＨｚ）の微小電力を、フィルタ手段（例えば、第２周波数が１３．５６ＭＨｚより充分高い１００ＭＨｚの場合はハイパスフィルタ）を介して供給し、当該第２高周波電源から供給する微小電力に対応するインピーダンスに関する物理量を検出する。
これにより、導電性物質を発熱させる電力を供給する高周波電源が電力の供給量を大きく変動させた場合であっても、第２高周波電源からの一定微小電力が発熱にほとんど影響を与えないので、当該導電性物質のインピーダンスに関する物理量（インピーダンス等）を、より小さな誤差で検出することができ、これによって当該導電性物質の温度をより正確に検出することができる。
【００１２】
また、本発明の第７発明は、請求項７に記載されたとおりの導電性物質の温度制御装置である。
請求項７に記載の導電性物質の温度制御装置では、導電性物質のインピーダンスに関する物理量を、当該導電性物質のインピーダンス、当該導電性物質に供給される電流及び電圧、または当該導電性物質のインピーダンスに基づいた当該導電性物質の温度とすることで、直接的に温度を制御、あるいは間接的に温度を制御することが容易にできる。
【００１３】
また、本発明の第８発明は、請求項８に記載されたとおりの導電性物質の温度制御装置である。
請求項８に記載の導電性物質の温度制御装置を用いれば、冷却が必要なインピーダンス整合手段の出力電極と、発熱が必要な導電性物質とを断熱部材で適切に分離することで、インピーダンス整合手段の出力電極を確実に冷却しながら導電性物質をほぼ均一に発熱させることができる（出力電極の近傍の導電性物質の温度勾配を抑制することができる）。
【００１４】
また、本発明の第９発明は、請求項９に記載されたとおりの導電性物質の温度制御装置である。
請求項９に記載の導電性物質の温度制御装置では、例えば、断熱部材に誘電率が大きく且つ誘電損失の小さなセラミック等の薄板を使用し、出力電極と当該断熱部材と導電性物質にて所定の容量回路を形成する。そして、当該所定の容量回路を介してインピーダンス整合手段から出力される電力を、損失をより小さくして導電性物質に供給する。
これにより、導電性物質に所定の容量回路を直列に接続することと等価になるので、導電性物質のインピーダンスに対応するインダクタンス成分も低減させることができ、インピーダンス整合手段によるインピーダンス整合をより容易に行うことができる。
【００１５】
また、本発明の第１０発明は、請求項１０に記載されたとおりの導電性物質の温度制御装置である。
請求項１０に記載の導電性物質の温度制御装置では、カバーを金属で構成あるいは形成することで比較的容易に実現することができる。また、金属製のカバーを基準電位に接続することで、電波シールド効果を持たせ、周辺環境への電磁波の放射を抑制するとともに、複数のスリット部を設けることで、カバーの表面に誘導されるうず電流の発生を抑制し、カバーの発熱、及びカバーの高周波電力の消費を抑制させる。
これにより、比較的容易に実現可能なカバーにて、導電性物質が発熱した際の熱の放射を効果的に抑制することができ、熱効率をより向上させることができる。また、うず電流の発生を抑制してカバーの発熱を抑制することで、カバーの熱による導電性物質の温度制御への影響を小さくすることができる。
【００１６】
また、本発明の第１１発明は、請求項１１に記載されたとおりの導電性物質の温度制御装置である。
請求項１１に記載の導電性物質の温度制御装置を用いれば、焼入れ工程、焼鈍し工程、乾燥工程、冷却工程等、導電性物質を時間に対応させて設定温度にすることが必要な工程において、時間に対応させた温度を有する温度処理情報に基づいて、導電性物質の温度をより精密に制御することができ、当該工程を用いて導電性物質で構成された製品あるいは部品を製造することで、品質の向上と、生産性の向上を期待できる。
【００１７】
また、本発明の第１２発明は、請求項１２に記載されたとおりの導電性物質の温度制御装置である。
請求項１２に記載の導電性物質の温度制御装置では、発熱させる導電性物質の材質は、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）、鉄（Ｆｅ）、ニッケル（Ｎｉ）、クロム（Ｃｒ）である、あるいはこれらの少なくとも１つを所定の割合で含む合金であり、比較的低い電気抵抗を有する金属である。このような比較的低い電気抵抗を有する導電性物質であっても、高い熱効率を有し、容易に温度制御ができ、様々な製品、部品等に適用することができる。
【００１８】
また、本発明の第１３発明は、請求項１３に記載されたとおりの導電性物質で形成された製品あるいは部品の生産方法である。
請求項１３に記載の導電性物質で形成された製品あるいは部品の生産方法を用いれば、高い熱効率を有し、容易に温度制御ができるので、導電性物質で形成された製品あるいは部品の熱処理を、より短時間に且つより精密に行うことができるので、生産性及び品質をより向上させることができる。
【００１９】
【発明の実施の形態】
以下に本発明の実施の形態を図面を用いて説明する。図１は、本発明の導電性物質の温度制御装置の一実施の形態の概略全体構成を示している。
●［全体構成］
温度制御装置は、高周波電源１０（ＲＦ電源等）、整合器２０（インピーダンス整合手段）、ケーブル３０、制御装置４０で構成されている。また、本実施の形態に示す導電性物質８０（例えば、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）、鉄（Ｆｅ）、ニッケル（Ｎｉ）、クロム（Ｃｒ）を材質とする導電性物質、あるいはこれらの少なくとも１つを所定の割合で含む合金等を材質とする導電性物質）の形態は、発熱実験に用いた時の形態の例である。この例では、４枚の導電性物質８０を、短絡部材８２（銅等で形成した、電気的な接続用の薄板）で連結し、整合器２０に接続している。また、導電性物質８０は、２枚ずつを対向させて配置し、その間にはスペーサ６０が配置されている。また、導電性物質８０は非常に高温（約２００℃〜約１０００℃）になるため、カバー５０で周辺を保護するとともに、カバー５０に保温機能も持たせ、熱効率を更に向上させている。この場合、カバー５０、スペーサ６０の材質は、高温に対する耐久性が高く、保温効果も大きく、絶縁特性を有するセラミック等が好ましい。
【００２０】
ここで、図２を用いて、本実施の形態で用いた導電性物質８０の形状及びインピーダンスについて説明する。本実施の形態では、インピーダンスの値と発熱温度の計算を容易にするために、一般的な板状の形状としている。
図２に示す本実施の形態で使用した導電性物質８０は、材質にはアルミニウムを用いている。また、長さ（Ｌ）＝１００［ｃｍ］、幅（Ｗ）＝２０［ｃｍ］、厚さ（Ｈ）＝０．３［ｃｍ］である。この場合、１個の導電性物質８０に、直流電源から電力を供給した場合、両端（Ａ−Ｂ間）でのインピーダンスは約１０−４［Ω］である。例えば、この導電性物質８０に、直流５００［Ａ］の電流を流してもジュール損失として、５００２＊１０−４＝２５［Ｗ］の電力しか当該導電性物質８０に投入できないことになり、これではほとんど発熱しない。発熱温度を更に高めるには、供給する電流を増加させるしかないが、５００［Ａ］以上の直流電流を発生させる電源は容易に実現できるものではない。
【００２１】
そこで、導電性物質８０に対する高周波電流の表皮効果を利用して電気抵抗を上げるために、高周波電源１０を用いる。高周波電源１０としては、例えば、工業用（半導体製造装置のプラズマ発生用等）としてよく用いられているＲＦ電源（出力周波数：約１３．５６ＭＨｚ）を用いる。この周波数よりも充分高い周波数を用いると、導電性物質８０がアンテナとなり、供給された電力の一部または大部分は、電波に変換されて大気に輻射される電力が増加するため、好ましくない。
例えば、ＲＦ電源（出力周波数：１３．５６ＭＨｚ）を用いた場合、直流電源では１０−４［Ω］であった電気抵抗が、表皮効果のため約１０−２［Ω］となり、１００倍の電気抵抗となる。これに５００［Ａ］の電流を流した場合、５００２＊１０−２＝２５００［Ｗ］の電力を当該導電性物質８０に投入できることになり、充分発熱するようになる。
【００２２】
本実施の形態では、導電性物質８０のインピーダンスを更に高めるために、図１及び図２に示すように、長さ（Ｌ）＝１００［ｃｍ］、幅（Ｗ）＝２０［ｃｍ］、厚さ（Ｈ）＝０．３［ｃｍ］の導電性物質８０を、上下各々２個ずつ並べ、間隔（Ｄ）＝２［ｃｍ］に保った平行伝送回路を構成し、各導電性物質８０を短絡部材８２で連結している。この構成により、インピーダンスが約３０［Ω］の負荷回路を構成することができる。これにより、高周波電源１０の出力インピーダンス（この場合、５０［Ω］）により近づけることができ、インピーダンス整合を、より容易にすることができる。図１に示す本実施の形態の全体構成では、当該負荷回路を用いている。
【００２３】
高周波電源１０（ＲＦ電源等）は、所定周波数（例えば、１３．５６ＭＨｚ）の電力をケーブル３０を介して整合器２０（インピーダンス整合手段）に供給する。高周波電源１０は、出力端子のインピーダンスが所定のインピーダンス（例えば、高周波電源１０の出力インピーダンスである、５０［Ω］）の場合に、最も効率的に電力を供給できる。しかし、図１の例に示す導電性物質８０及び短絡部材８２で構成された負荷回路のインピーダンスは約３０［Ω］であるため、高周波電源１０の出力の一部または大部分は、導電性物質８０から反射されてくるため、直接接続することは効率が低下するので好ましくない。また、導電性物質８０及び短絡部材８２で構成された負荷回路は、発熱温度に応じてインピーダンスが変化する。このインピーダンスの差を、整合器２０で整合する。
なお、整合する負荷回路側のインピーダンスは、３０［Ω］等に限定されず、整合器２０は、様々な値のインピーダンスの負荷回路との整合をとることができる。
【００２４】
整合器２０は、高周波電源１０から供給された電力を、導電性物質８０及び短絡部材８２で構成された負荷回路に供給する。このとき、整合器２０は、高周波電源１０側から見たインピーダンスが所定インピーダンス（この場合、５０［Ω］）になるようにインピーダンスを整合する。これにより、高周波電源１０から供給された電力のほとんどを導電性物質８０及び短絡部材８２で構成された負荷回路で消費することができる。
【００２５】
制御装置４０（パソコン等）は、図３に示すように、制御手段４１と記憶手段４２を備えている。
記憶手段４２には、図４に示すように、負荷インピーダンスに対応させた温度を示す温度特性情報、及び図５に示すように、時間に対応させた設定温度を示す温度処理情報が記憶されている。なお、温度特性情報は、負荷回路を形成する導電性物質８０の材質、形状、サイズ等により、様々な特性を示す。また、温度処理情報は、負荷回路を形成する導電性物質８０の材質、用途等により、様々な時間及び設定温度に構成されている。
【００２６】
制御手段４１は、整合器２０が検出した、導電性物質８０及び短絡部材８２で構成された負荷回路のインピーダンス、あるいはインピーダンスに関する物理量（インピーダンス、電流及び電圧、温度等）を受け取り、対応する温度特性情報に基づいて当該負荷回路の温度を検出する。そして、対応する温度処理情報に基づいて、現在の時間に対応する設定温度を認識し、当該設定温度になるように、高周波電源１０の出力電力を制御する。
なお、負荷回路のインピーダンスから温度に変換することなく、温度特性情報を持たず、時間に対応させたインピーダンスを示す温度処理情報に基づいて、高周波電源１０の出力電力を制御してもよい。
以下、第１の実施の形態〜第７の実施の形態について、図面を用いて、構成及び動作等について説明する。
【００２７】
◆［第１の実施の形態］
第１の実施の形態の回路構成の例を、図３に示す。第１の実施の形態では、温度制御装置１は、高周波電源１０と、整合器２０と、制御装置４０（制御手段４１、記憶手段４２）と、方向性結合器２１と、インピーダンス検出手段２２とを備えている。また、出力電力調節手段１１と、インピーダンス調節手段２３をも備えている。
なお、出力電力調節手段１１は、制御装置４０と高周波発振部Ｅとの経路にあれば、単体で経路上にあっても、高周波電源１０の内部あるいは制御装置４０の内部にあってもよい。また、方向性結合器２１は、高周波発振部Ｅと整合器２０との経路にあれば、単体で経路上にあっても、高周波電源１０の内部あるいは整合器２０の内部にあってもよい。また、インピーダンス検出手段２２は、整合器２０と導電性物質８０及び短絡部材８２で構成された負荷回路との経路にあれば、単体で経路上にあっても、整合器２０の内部にあってもよい。また、インピーダンス調節手段２３は、単体で整合器２０の外部にあっても、整合器２０の内部にあってもよい。
【００２８】
次に、図３を用いて、第１の実施の形態の温度制御装置１の回路構成を説明する。
高周波電源１０は、高周波発振部Ｅを備えており、高周波発振部Ｅの出力電力は、出力電力調節手段１１で任意に変更することができる。また、出力電力調節手段１１は、制御手段４１からの制御信号に基づいて高周波発振部Ｅの出力電力を制御する。
方向性結合器２１（方向性結合手段）は、高周波発振部Ｅと整合器２０の経路に設けられ、高周波発振部Ｅからの入射電力（Ｐｆ）と、整合器２０からの反射電力（Ｐｒｅｆ）を検出し、インピーダンス調節手段２３に、検出信号を出力する。なお、方向性結合器２１は、少なくとも反射電力（Ｐｒｅｆ）を検出できればよい。インピーダンス調節手段２３は、方向性結合器２１からの検出信号に基づいて、反射電力ができるだけ小さくなるように、整合器２０のインピーダンスを整合する。この場合、反射電力をできるだけ小さくすることが、高周波電源１０の出力インピーダンス（例えば、５０［Ω］）により近づけることになる。
図６に、入射電力を一定とした場合における、整合器２０のインピーダンスを整合した場合の反射電力の変化を示す。図６の例では、インピーダンスが約５０［Ω］となった場合に、反射電力が最小（ほぼゼロ）になり、入射電力と反射電力の差（有効電力）が最大となる。この有効電力が、負荷回路内で消費され、ジュール損失として発熱に利用される。
【００２９】
整合器２０は、高周波電源１０との接続端子間に、可変容量Ｃ１を備えている。また、高周波電源１０との一方の接続端子からは、可変容量Ｃ２を介して導電性物質８０及び短絡部材８２で構成された負荷回路に接続される。
インピーダンス検出手段２２は、整合器２０と導電性物質８０及び短絡部材８２で構成された負荷回路との経路に設けられており、当該負荷回路のインピーダンスに関する物理量（インピーダンス、電流及び電圧、温度等）を検出し、検出信号を制御手段４１に出力する。本実施の形態では、インピーダンス検出手段２２は、非接触式で、電流及び電圧を検出する。検出された電流及び電圧は、制御手段４１にて、インピーダンスに変換され、更に温度に変換される。
【００３０】
導電性物質８０及び短絡部材８２で構成された負荷回路は、インダクタンス及び抵抗等を含むインピーダンスの等価回路で表現される。当該負荷回路のインピーダンスは、発熱温度に応じて変化し、当該インピーダンスは、インピーダンス検出手段２２にて、インピーダンスに関する物理量として検出される。
制御装置４０は、制御手段４１と記憶手段４２とで構成され、記憶手段４２には、図４に示す温度特性情報、及び図５に示す温度処理情報が記憶されている。制御手段４１は、インピーダンス検出手段２２からの検出信号（インピーダンスに関する物理量）と、記憶手段４２に記憶されている温度特性情報に基づいて、導電性物質８０及び短絡部材８２で構成された負荷回路の温度を検出する。そして、検出した温度と、記憶手段４２に記憶されている温度処理情報に基づいた設定温度とに基づいて、出力電力調節手段１１に制御信号を出力する。
例えば、図５に示す温度処理情報、及び図４に示す温度特性情報に基づいて温度制御する場合（ここで、図５に示す「Ｔ１」が、図４に示す「ＴＡ」に対応しているとする）について説明する。図５の温度処理情報における時間［０〜ｔ１］の期間では、設定温度が「Ｔ１」である。そこで、この期間では、制御手段４１は、インピーダンス検出手段２２にて検出したインピーダンスに関する物理量（この場合、電流及び電圧）から変換したインピーダンスに対応する温度を、図４の温度特性情報から求め、求めた温度が「ＴＡ」を保つように（あるいは、「Ｔ１（図５の温度処理情報）」に対応する「ＴＡ（図４の温度特性情報）」から求めたインピーダンスが「ＲＡ（図４の温度特性情報）」を保つように）、出力電力調節手段１１を制御する。
【００３１】
●［本実施の形態の発熱温度］
例えば、材質がアルミニウムで、長さ（Ｌ）＝１００［ｃｍ］、幅（Ｗ）＝２０［ｃｍ］、厚さ（Ｈ）＝０．３［ｃｍ］の、１個の導電性物質８０を、大気中で５００［℃］に発熱させるには、高周波電源１０から約１０００［Ｗ］の電力を供給することで充分に達成される。また、図１に示す導電性物質８０及び短絡部材８２で構成された負荷回路（４個の導電性物質８０が接続されている）を５００［℃］に発熱させるには、ＲＦ電源１０から約４０００［Ｗ］の電力を供給することで充分に達成される。
【００３２】
●［製造ラインへの適用］
本実施の形態で説明した、導電性物質の温度制御装置は、様々な製品及び部品等の製造ライン／加工ライン等に適用することが可能である。なお、ある工程における「製品」は別の工程では「部品」となる場合があり、逆に、ある工程における「部品」は別の工程では「製品」となる場合がある。
例えば、車両の製造ラインに適用した場合、ボディー（材質は、アルムニウムと鉄の合金等）は、複雑な形状で、且つサイズが大きいため、塗装等の乾燥工程を高温炉で行っている。この場合、乾燥工程によって塗装等の品質にばらつきが発生するため、高温炉の温度管理が非常に重要である。本実施の形態で説明した、導電性物質の温度制御装置を用いた場合、従来の高温炉に比して、温度管理が非常に容易である。なぜならば、ボディー自体の温度を検出し（インピーダンスから温度を検出し）、供給電力のみで温度を制御できるとともに、温度傾斜（図５に示す、［ｄＴ／ｄｔ］１、［ｄＴ／ｄｔ］２、［ｄＴ／ｄｔ］３）に対して、従来よりもより精密に、より短時間に実現することが可能だからである。従来の高温炉では、設定温度の維持は比較的容易であるが、所定の時間で、ある温度から所定の温度まで上昇／下降させることは極めて困難である。更に、所定温度までに到達させるためには最低限の予熱時間が必要であり、一般的には２０分程度を要し、しかも任意の傾斜で精密に制御することは非常に困難である。
【００３３】
しかし、本実施の形態で説明した、導電性物質の温度制御装置では、設定温度の維持は勿論のこと、所定の時間で所定の温度まで上昇／下降させることも容易であり、予熱時間もほとんど必要なく、数秒から数分で、ある温度から所定の温度まで上昇／下降させることを実現可能であり、任意の温度傾斜で精密に制御が可能である。また、ボディー全体が、ほぼ均一に発熱するため、狭い凹凸部分に未乾燥状態の塗装が残るようなことも抑制できる。
また、本実施の形態で説明した、導電性物質の温度制御装置では、石油等を燃焼させる高温炉と異なり、二酸化炭素もほとんど発生させない。更に、高周波電源１０から供給する電力のほとんどを発熱に利用できるため（直接的に電力を供給し、導電性物質の内部からジュール損失として発熱させるため）、熱効率も非常に高いものとなる。
なお、ボディーの塗装等の乾燥工程の他にも、フレーム等の焼入れ工程／焼鈍し工程、エンジンシリンダ等の焼鈍し工程、ギア等の焼入れ工程、所定時間で高温から徐々に冷却する冷却工程等、導電性物質で構成された様々な製品、部品等に対して、温度管理を要する様々な工程に適用することが可能である。
また、材質においては、銅、アルミニウム、マグネシウム、鉄、ニッケル、クロム、あるいはこれらの少なくとも１つを所定の割合で含む合金等、比較的電気抵抗の低い材質で構成された様々な部材に適用することが可能である。勿論、比較的電気抵抗の高い材質で構成された様々な部材に適用することも可能である。
【００３４】
また、複雑な形状あるいは比較的重量が大きい導電性物質（単一元素、あるいは合金等による、製品、部品等）の場合、自重で変形することを防止するために、従来から治具で固定して、高温炉に投入している。この場合、導電性物質は、数回程度の温度サイクル（高温と低温（常温）の繰り返し）が行われるだけであるが、治具は、何度も利用されるため、数十回から数百回もの温度サイクルにさらされる。このため、治具の寿命が短く、所定期間毎に治具を交換する必要がある。
しかし、本実施の形態に説明した、導電性物質の温度制御装置の場合、導電性物質及び治具を一律に高温の雰囲気内に投入する高温炉とは異なり、通電された導電性物質のみがほぼ均一に発熱する。このため、治具と導電性物質を絶縁体を介して接続する構成、あるいは絶縁体で構成された治具に導電性物質を挟み込む構成等にして、導電性物質に高周波電力を投入すれば、治具が直接加熱（発熱）することを抑制することができ、治具の寿命を延ばすことができる。
【００３５】
また、温度傾斜（図５に示す、［ｄＴ／ｄｔ］１、［ｄＴ／ｄｔ］２、［ｄＴ／ｄｔ］３）を従来よりもより精密に、より大きな傾斜で実現できるため（従来では、ある温度から所定の温度まで上昇／下降させることに要する時間が、約２０分程度であるが、本実施の形態では数秒から数分で可能）、時間と発熱エネルギーの損失を抑制することができ、生産性の向上に寄与できるとともに、より精密に実現できるため、品質の向上にも寄与できる。
また、導電性物質の温度の検出を、導電性物質にセンサ等を取り付けることなく、導電性物質のインピーダンスに関する物理量（インピーダンス、電流及び電圧、温度等）に基づいて温度を検出するため、温度サイクルによるセンサの劣化等もなく、高い精度を維持することができる。
このように、従来の高温炉に比して、本実施の形態で説明した、導電性物質の温度制御装置は、制御性、精密性等の品質面のみならず、精度維持、ランニングコスト等の運用面及び保守面においても、非常に有効である。
【００３６】
また、図３に示す回路構成から、制御装置４０（制御手段４１、記憶手段４２）を省略することもできる。この場合は、作業者等が、所定時間に達する毎に、インピーダンス検出手段２２で検出したインピーダンスに関する物理量が所定値になるように（例えば、変換された温度が所定値になるように）、出力電力調節手段１１を調節し、高周波電源１０からの供給電力を調節することで温度制御が可能である。
【００３７】
◆［第２の実施の形態］
第２の実施の形態の回路構成の例を、図７に示す。第２の実施の形態では、第１の実施の形態（図３）から、インピーダンス検出手段２２を省略したものである。以下、第１の実施の形態との相違点について説明する。
第２の実施の形態では、インピーダンス検出手段２２を省略しているので、導電性物質８０及び短絡部材８２で構成された負荷回路の温度を逐次監視しながら温度制御することはできない。しかし、図８に示すように、負荷回路毎に、どれだけの電力を供給すれば、どれだけの温度になるか、を予め確認し、記憶手段４２に記憶させておけば、時間に対応させて設定温度に制御することが可能となる。
【００３８】
図８は、出力電力が「Ａ」の場合に負荷回路の温度が「ＴＡ」になり、出力電力が「Ｂ」の場合に負荷回路の温度が「ＴＢ」になり、出力電力が「Ｃ」の場合に負荷回路の温度が「ＴＣ」になることを示した、出力電力−温度特性の例である。図８に示すＴＡ、ＴＢ、ＴＣが、図５に示すＴ１、Ｔ２、Ｔ３に対応していれば、図９に示すような、時間−出力電力特性を用いることで、図５に示す温度処理情報の代用として、時間に対応させて設定温度を保つ温度制御を実行することが可能となる。
なお、第２の実施の形態では、温度に関しては、検出することなく見込みで制御するので、第１の実施の形態に比して、温度管理の誤差がやや大きくなる。
【００３９】
また、図７に示す回路構成から、制御装置４０（制御手段４１、記憶手段４２）を省略することもできる。この場合は、負荷回路毎に、どれだけの電力を供給すれば、どれだけの温度になるか、を予め確認しておく。そして、作業者等が、所定時間に達する毎に出力電力調節手段１１を調節し、高周波電源１０からの供給電力を調節することで温度制御が可能である。
【００４０】
◆［第３の実施の形態］
第３の実施の形態の回路構成の例を、図１０に示す。第３の実施の形態では、第１の実施の形態（図３）から、制御装置４０（制御手段４１、記憶手段４２）と、方向性結合器２１とを省略し、インピーダンス検出手段２２の検出信号でインピーダンス調節手段２３を調節するものである。以下、第１の実施の形態との相違点について説明する。
第３の実施の形態では、方向性結合器２１を省略しているので、図６に示す反射電力を最小にすることは困難である。このため、第３の実施の形態は、第１の実施の形態に比して効率がやや低い。
しかし、導電性物質８０及び短絡部材８２で構成された負荷回路のインピーダンスを、設定したインピーダンスに保つことができるので、第１の実施の形態と同様に、高い精度で負荷回路を所定温度に維持することが可能である。
【００４１】
図１１は、負荷回路のインピーダンスが「ＲＡ」の場合に負荷回路の温度が「ＴＡ」になり、負荷回路のインピーダンスが「ＲＡ（ｍａｘ）」の場合に負荷回路の温度が「ＴＡ（ｍａｘ）」になることを示した、負荷インピーダンス−温度特性の例である。また、出力電力が「Ａ」の場合、温度は「ＴＡ（ｍａｘ）」が最高となることを示している。更に高い温度に設定したい場合は、出力電力を更に高くすればよい。なお、制御装置４０を追加して、インピーダンス検出手段２２の検出信号を制御装置４０に入力し、制御装置４０からインピーダンス調節手段２３を制御してもよい。
【００４２】
◆［第４の実施の形態］
第４の実施の形態の回路構成の例を、図１２に示す。第４の実施の形態では、第３の実施の形態（図１０）に対して、インピーダンス検出手段２２の検出信号から出力電力調節手段１１を調節することを追加したものである。以下、第３の実施の形態との相違点について説明する。
第４の実施の形態では、インピーダンス検出手段２２の検出信号から出力電力調節手段１１を調節することを追加しているため、設定温度に対して、より適切な出力電力に調節することが可能となる。第４の実施の形態における効率は、第１の実施の形態の効率には及ばないが、第３の実施の形態に比して高くできる。
【００４３】
例えば、図１３に示す負荷インピーダンス−温度特性のように、設定温度が「ＴＡ」の場合は出力電力を「Ａ」とし、設定温度が「ＴＢ」の場合は出力電力を「Ｂ」とすることで、図６に示す「有効電力」を最大とはいかないが、できるだけ大きくすることが可能となる。なお、制御装置４０を追加して、インピーダンス検出手段２２の検出信号を制御装置４０に入力し、制御装置４０からインピーダンス調節手段２３及び出力電力調節手段１１を制御してもよい。
【００４４】
以上に説明した第１の実施の形態〜第４の実施の形態にて、導電性物質の温度制御装置を構成する各構成要素（高周波電源１０、出力電力調節手段１１、方向性結合器２１、整合器２０、インピーダンス検出手段２２、インピーダンス調節手段２３、制御装置４０等）の有無及び接続と、その動作等（導電性物質の温度制御方法等）について説明した。
ここで、以下に示す第５の実施の形態〜第７の実施の形態にて、第１の実施の形態〜第４の実施の形態で説明した導電性物質の温度制御を、より高精度に、あるいはより高効率に行う例について説明する。
【００４５】
◆［第５の実施の形態（図１４）］
第５の実施の形態は、第１、第３、第４の実施の形態において、インピーダンス検出手段２２によるインピーダンスに関する物理量の測定を、より高精度に行うことができる例である。図１４に、第１の実施の形態に対してインピーダンスに関する物理量の測定をより高精度に行う回路構成の例を示す。
図１４に示す第５の実施の形態の回路構成は、図３に示す第１の実施の形態の回路構成に対して、第２高周波電力供給手段７０が追加されている点と、インピーダンス検出手段２２の位置が異なる点が相違している。以下、この相違点について説明する。
【００４６】
第２高周波電力供給手段７０は、第２高周波電源７１と、フィルタ手段７２と、第２高周波電力供給部７３と、インピーダンス検出手段２２とで構成されている。
第２高周波電源７１は第２高周波発振部Ｅ２（高周波発振器）を備えており、第２高周波発振部Ｅ２は、高周波電源１０の高周波発振部Ｅから出力される周波数（例えば、約１３．５６ＭＨｚ）とは異なる第２周波数（例えば、約１００ＭＨｚ）を出力する。また、第２高周波電源７１の第２高周波発振部Ｅ２から出力する第２周波数の電力は、導電性物質８０の発熱にほとんど影響を及ぼさないように、高周波電源１０の高周波発振部Ｅから出力する電力よりも充分微小な電力（数ｍＷ〜数１０ｍＷ程度）で、定常的に且つ安定的に供給される。
【００４７】
第２高周波電源７１から供給する電力は、フィルタ手段７２を介して第２高周波電力供給部７３に到達し、第２高周波電力供給部７３から導電性物質８０及び短絡部材８２で構成された負荷回路に供給される。
フィルタ手段７２は、第２高周波電源７１から負荷回路へ供給される電力を通過させるとともに、高周波電源１０から負荷回路に供給される電力が第２高周波電源７１に流れ込むことを防止する。例えば第２高周波電源７１の第２周波数が１００ＭＨｚであり、高周波電源１０の周波数が１３．５６ＭＨｚの場合、フィルタ手段７２は、１００ＭＨｚ以上の周波数を通過させるハイパスフィルタ、あるいは１００ＭＨｚ近傍の周波数を通過させるバンドパスフィルタ等にて構成される。
【００４８】
第２高周波電力供給部７３は、導電性物質８０及び短絡部材８２で構成された負荷回路に直接接触させてもよいし、電極等を設けて負荷回路とは所定の距離を設定して非接触の状態にするようにしてもよいし、電極と負荷回路との間に電気的絶縁体を設けて非接触の状態にするようにしてもよい。非接触とした場合、所定の距離を充分小さくして、所定の容量を形成すれば、交流電力である第２高周波の電力を負荷回路に供給することが可能となる。
【００４９】
例えば、この第２高周波電源７１から供給する電力（第２高周波電源７１とフィルタ手段７２の経路中の電力）の高周波電圧と電流をインピーダンス検出手段２２で測定することで、導電性物質８０及び短絡部材８２で構成された負荷回路のインピーダンスに関する物理量（インピーダンス、電流及び電圧、温度等であり、この場合は温度）を測定する。そして、インピーダンス検出手段２２は検出信号を制御手段４１に出力する。
また、例えば、制御手段４１は、インピーダンス検出手段２２の検出信号に基づいて、第２高周波電源７１から供給される第２周波数の電流、電圧の振幅及びその位相を測定し、負荷回路のインピーダンスの抵抗成分［Ω］を求め、求めた抵抗成分［Ω］の値から負荷回路の温度（導電性物質８０の温度）を、図４に示す温度特性情報から求める。
【００５０】
これにより、所定の時間に所定の温度まで上昇あるいは下降等させるために変動の大きな高周波電源１０から供給される電力、及び大電流（数１０［Ａ］〜数１００［Ａ］等）に伴いノイズ等の発生量が比較的多い高周波電源１０から供給される電力を検出することなく、変動がほとんど無く安定的に供給され且つ比較的小さな電力（数ｍＷ〜数１０ｍＷ等）でノイズ等の発生量が少ない第２高周波電源７１から供給される電力を検出する。このため、導電性物質８０及び短絡部材８２で構成された負荷回路のインピーダンスに関する物理量を、より高精度に検出することができ、当該負荷回路の温度をより高精度に検出することが可能となる。
【００５１】
◆［第６の実施の形態（図１５）］
第６の実施の形態は、第１〜第５の実施の形態において、「整合器２０」と「導電性物質８０及び短絡部材８２で構成された負荷回路」との接続部における「冷却部」と「発熱部」とを適切に分離することができる例である。図１５（Ａ）に、第１の実施の形態に対して前記接続部における「冷却部」と「発熱部」とを適切に分離する構成の例を示す。
図１５（Ａ）に示す第６の実施の形態の構成は、図１に示す構成に対して、整合器２０の出力電極２０ａを冷却する冷却手段２０ｃと、出力電極２０ａと短絡部材８２との間に設けられた断熱部材２０ｂとが追加されている点が相違している。以下、この相違点について説明する。なお、図１５（Ａ）では断熱部材２０ｂに短絡部材８２を接続したが、断熱部材２０ｂに導電性物質８０を直接接続してもよい。また、図１５（Ａ）は、スペーサ６０の記載を省略している。
【００５２】
整合器２０には、高周波電源１０から供給される電力を、導電性物質８０及び短絡部材８２で構成された負荷回路に供給する出力電極２０ａが設けられている。当該出力電極２０ａは発熱を抑制するために電気抵抗の充分小さな導電性物質である銅等で形成されている。しかし、発熱させるべき導電性物質８０が電気抵抗の充分小さな導電性物質である場合、出力電極２０ａが発熱する可能性は大きい。出力電極２０ａが発熱すると、内部の抵抗成分が大きくなり、高周波電源１０から供給される電力の消費量が増加することと、整合器２０を加熱して内部のインピーダンス調節手段２３、及び可変容量Ｃ１、Ｃ２の特性に影響を及ぼす可能性がある。
【００５３】
よって出力電極２０ａは冷却する必要がある。しかし、出力電極２０ａに接続された負荷回路は発熱して非常に高温になる。銅等で形成された出力電極２０ａは熱伝導率も非常に高いので、出力電極２０ａを冷却した場合は負荷回路の接続部分が冷却されてしまうため、導電性物質８０に温度の勾配が生じ、導電性物質８０の温度制御においては好ましくない。また、出力電極２０ａを冷却しない場合は負荷回路の接続部分の冷却を回避することはできるが、出力電極２０ａの消費電力及び整合器２０の温度が増加するため、好ましくない。
そこで、出力電極２０ａと短絡部材８２（あるいは導電性物質８０）との間に熱伝導率の低い断熱部材２０ｂを設ける。これにより、出力電極２０ａと、出力電極２０ａに接続する短絡部材８２（あるいは導電性物質８０）とを熱的に分離し、出力電極２０ａの冷却と、導電性物質８０及び短絡部材８２で構成された負荷回路をほぼ均一に発熱させることとを両立させることが可能となる。
出力電極２０ａは、例えば図１５（Ａ）に示すように、冷却媒体（水等）を流して冷却する配管等で構成された冷却手段２０ｃにて冷却される。
【００５４】
次に、図１５（Ｂ）を用いて断熱部材２０ｂについて説明する。断熱部材２０ｂは熱伝導率の低い材質（例えばセラミック）で形成されている。例えばセラミックを用いた場合、セラミックは電気的絶縁体であるが、導電性物質８０及び短絡部材８２で構成された負荷回路に供給する電力が高周波であるため、電気的絶縁体のセラミックを誘電体とした所定容量のコンデンサを形成することで、当該負荷回路に電力を供給することが可能である。なお、断熱部材２０ｂは、誘電率がより大きく（負荷回路のインダクタンス成分をより低減できるため）、且つ誘電損失がより小さい（電力損失をより小さくできるため）セラミック等が好ましい。
例えば長さ（Ｌａ）が１０［ｃｍ］、幅（Ｗａ）が１０［ｃｍ］、厚さ（Ｈａ）が１［ｍｍ］のセラミック（誘電率＝約４）を断熱部材２０ｂとして使用した場合、約５００［ｐＦ］のコンデンサを形成することができる。
【００５５】
断熱部材２０ｂを用いてコンデンサを形成した場合、整合器２０により負荷回路のインピーダンス整合がより容易になる。その理由について、図１５（Ｃ）を用いて説明する。
図１５（Ｃ）の左図に示すように、導電性物質８０及び短絡部材８２で構成された負荷回路のインピーダンスは、インダクタンス成分（Ｌａ）と抵抗成分（Ｒａ）の直列回路の等価回路として表現することができる。この回路に断熱部材２０ｂ（電気的絶縁体）で形成した容量成分（Ｃａ）を直列に追加する。容量成分（Ｃａ）が追加された等価回路は、図１５（Ｃ）の中図に示す等価回路で表現することができる。ここで、容量成分（Ｃａ）とインダクタンス成分（Ｌａ）は交流的には互いに相殺されるので、図１５（Ｃ）の右図に示す等価回路で表現することができる。このとき、インダクタンス成分（Ｌｂ）は、インダクタンス成分（Ｌａ）よりも小さくなる（抵抗成分（Ｒａ）は変わらない）。
インダクタンス成分（Ｌｂ）が小さくなることにより、整合器２０により負荷回路のインピーダンス整合がより容易になる。
【００５６】
◆［第７の実施の形態（図１６）］
第７の実施の形態は、第１〜第６の実施の形態において、カバー５０を適切に構成することで、導電性物質８０が発熱した熱の放射量を抑制し、熱効率をより向上させることができる例である。図１６（Ａ）〜（Ｃ）に、第６の実施の形態に対して適切に構成したカバー５０の例を示す。なお、図１６（Ａ）は、スペーサ６０の記載を省略している。
【００５７】
カバー５０は、例えば箱状の形状であり、少なくとも発熱させるべき導電性物質８０が当該カバー５０の内部に納まるサイズである。整合器２０と対向するカバー５０の面は開口しており、整合器２０の出力電極２０ａがカバー５０と干渉しないように構成されている。なお、図１６（Ａ）では、カバー５０の下には基台５１を設け、基台５１は電気的絶縁性及び保温性を確保できるように、例えば表面がセラミック等で形成されている。
カバー５０の材質は金属であり、金属で構成あるいは形成することでカバー５０を比較的容易に実現することができる。また、金属製のカバー５０を基準電位５０ｂ（ＧＮＤ）に接続することで、電波シールド効果を持たせ、大電流が供給される導電性物質８０から周辺環境への電磁波の放射を抑制している。
【００５８】
また、図１６（Ｂ）に示すように、カバー５０には、複数のスリット部５０ａを設ける。スリット部５０ａを設けることで、カバー５０の表面における「うず電流」の発生を抑制し、カバー５０の発熱を抑制させることができる。図１６（Ｂ）に示す例では、スリット部５０ａの方向は、導電性物質８０に流れる電流の方向（この場合、ｘ軸と平行な方向）に対して垂直な方向である（最も大きなうず電流の方向に対して垂直な方向）。これにより、うず電流の発生を抑制することができる。
【００５９】
図１６（Ｃ）は、図１６（Ｂ）のＡ−Ａ部における断面図を示している。うず電流の発生を抑制するスリット部５０ａは、カバー５０の内部と外部を連通させてしまうため、導電性物質８０の発熱により加熱された空気がカバー５０の内部から外部に流出し、保温性が低下する可能性がある。
そこで、スリット部５０ａを両側面（ｙ軸と直交する両側面）及び上面に設け、且つ側面におけるスリット部５０ａの形状を垂直方向（ｚ軸方向）から見て斜めの形状（平行四辺形状）として、更にスリット部５０ａの幅（Ｗｓ）及び各スリット部５０ａの間隔（Ｐｓ）を適切に設定する。側面のスリット部５０ａをｙ軸に対して傾斜した形状に設定し、上面のスリット部５０ａをｚ軸に対して傾斜した形状に設定することで、カバー５０内部の空気がカバー５０の外部に流出することを抑制するとともに、電磁シールド効果をより向上させることができる。
また、カバー５０の内部には、保温性の低下を防ぐために、絶縁特性を有し、且つ耐熱温度が高い保温材（グラスウール等）を貼り付ける。
これにより、カバー５０の表面（側面及び上面）におけるうず電流の発生を抑制するとともに、カバー５０内部の空気が外部に流出することを抑制して保温性を確保することができる。
【００６０】
これにより、比較的容易に実現可能なカバー５０にて、カバー５０のうず電流による発熱、及びカバー５０の高周波電力の消費を抑制し、且つ導電性物質８０が発熱した際の熱の放射を抑制することができ、熱効率をより向上させることができる。また、うず電流の発生を抑制してカバーの発熱を抑制することで、カバーの熱による導電性物質の温度制御への影響を小さくすることができる。
【００６１】
以上の実施の形態にて説明した、導電性物質の温度制御装置を、焼入れ工程、焼鈍し工程、乾燥工程、冷却工程、の少なくとも１つの工程に用いて熱処理を行い、導電性物質を含む材質で形成された製品あるいは部品、または当該部品を複数組み合わせて構成された製品あるいは部品を生産すれば、高い熱効率を有し、且つ容易に温度制御ができるので、より短時間に且つより精密に熱処理を行うことができるので、生産性及び品質をより向上させることができる。
【００６２】
本発明の導電性物質の温度制御装置は、本実施の形態で説明した構成等に限定されず、本発明の要旨を変更しない範囲で種々の変更、追加、削除が可能である。例えば、各装置及び部材の形状、寸法、材質、配置、接続等は、種々の変更、追加、削除が可能である。
また、本発明の導電性物質の温度制御装置は、業種を問わず、種々の導電性物質及び当該導電性物質の製造ライン／加工ライン等に適用することができる。また、導電性物質は、金属に限定されず、導電性プラスチックで構成された部材、カーボン等の導電性物質を含む部材等、様々な導電性物質に適用することができる。
本実施の形態では、高周波電源にはＲＦ電源（ＨＦ帯の周波数の電源）を流用し、可変容量を用いたインピーダンス整合手段を例にあげたが、これらに限定されず、各々最適な電源、最適な整合手段／整合方法を使用することも可能である。例えば、インピーダンスの整合に可変容量Ｃ１、Ｃ２を用いたが、他の方法で整合を行ってもよい。
また、図４及び図５に示す、温度特性情報、温度処理情報は、本実施の形態で説明した形状等に限定されず、材質、サイズ等様々な要因により、様々な形状となる。
また、本実施の形態では、銅、アルミニウム、マグネシウム、鉄、ニッケル、クロム、あるいはこれらの少なくとも１つを所定の割合で含む合金等、比較的電気抵抗の低い材質について説明したが、これらの材質に限定されず、導電性物質であれば、その他の材質（比較的電気抵抗が高い材質も含む）にも適用することが可能である。
また、本実施の形態の説明に用いた数値は一例であり、この数値に限定されるものではない。
【００６３】
【発明の効果】
以上説明したように、請求項１〜１２のいずれかに記載の導電性物質の温度制御装置を用いれば、高い熱効率を有し、容易に温度制御ができる。
また、請求項１３に記載の導電性物質で形成された製品あるいは部品の生産方法を用いれば、導電性物質で形成された製品あるいは部品の熱処理を、より短時間に且つより精密に行うことができるので、生産性及び品質をより向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の導電性物質の温度制御装置の一実施の形態の概略全体構成を示す図である。
【図２】本実施の形態で用いた導電性物質８０の形状及び配置の例について説明する図である。
【図３】本実施の形態の導電性物質の温度制御装置の第１の実施の形態の回路構成を説明する図である。
【図４】インピーダンスに対応させた温度を示す温度特性情報の例を説明する図である。
【図５】時間に対応させた設定温度を示す温度処理情報の例を説明する図である。
【図６】入射電力を一定とした場合における、整合器２０のインピーダンスを整合した場合の反射電力の変化を説明する図である。
【図７】本実施の形態の導電性物質の温度制御装置の第２の実施の形態の回路構成を説明する図である。
【図８】出力電力−温度特性の例を説明する図である。
【図９】温度処理情報の代用として、時間に対応させて設定温度を保つ温度制御を実行する時間−出力電力特性の例を説明する図である。
【図１０】本実施の形態の導電性物質の温度制御装置の第３の実施の形態の回路構成を説明する図である。
【図１１】負荷インピーダンス−温度特性の例を説明する図である。
【図１２】本実施の形態の導電性物質の温度制御装置の第４の実施の形態の回路構成を説明する図である。
【図１３】負荷インピーダンス−温度特性の例を説明する図である。
【図１４】第５の実施の形態の回路構成を説明する図である。
【図１５】第６の実施の形態の構成及びその効果を説明する図である。
【図１６】第７の実施の形態の構成を説明する図である。
【符号の説明】
１　　　温度制御装置
１０　　高周波電源
１１　　出力電力調節手段
２０　　整合器（インピーダンス整合手段）
２１　　方向性結合器（方向性結合手段）
２２　　インピーダンス検出手段
２３　　インピーダンス調節手段
３０　　ケーブル
４０　　制御装置
４１　　制御手段
４２　　記憶手段
５０　　カバー
６０　　スペーサ
８０　　導電性物質
８２　　短絡部材
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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