(57)【要約】【課題】通過帯域付近の電気的性能をほとんど変えずに、高域減衰極の周波数及びスプリアスの共振周波数を制御し、所定の帯域の減衰量を改善できる誘電体デュプレクサや誘電体フィルタとして用いられる誘電体電子部品及びその周波数の調整方法を提供する。【解決手段】本発明による誘電体電子部品は、誘電体ブロックの共振器の開放端面と隣接し、且つ、入出力端子パッドの形成された側面に隣接する誘電体ブロックの側面に、開放端面と直接接続あるいは外周面の何れかの面に形成された導体非形成部を通して間接的に接続された絶縁部を設けたことを特徴としている。また本発明の誘電体電子部品の周波数の調整方法は、誘電体ブロックの共振器の開放端面と隣接し、且つ、入出力端子パッドの形成された側面に隣接した誘電体ブロックの側面に、共振器の開放端面と直接接続あるいは外周面の何れかの面に形成された導体非形成部を通して間接的に接続された絶縁部を形成し、絶縁部のパターンを変更することにより誘電体電子部品の高域減衰極の周波数及びスプリアスの共振周波数を調整することを特徴としている。【選択図】        図１
2004242067.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
誘電体ブロックに、各々その一端面から相対する他端面までのびる複数の貫通孔を互いに平行に設け、前記各貫通孔の内周面に内部導体を設けて複数の共振器を形成し、前記誘電体ブロックの前記一端面を除いて、前記誘電体ブロックの外周面に外部導体を設け、前記誘電体ブロックの前記他端面において前記内部導体を前記外部導体と接続して共振器の短絡端面とし、前記一端面を共振器の開放端面とし、前記誘電体ブロックの前記共振器の開放端面に隣接する一側面上にそれぞれ共振器の開放端に相対する位置に少なくとも２つの入出力端子パッドを外部導体から絶縁して設けた誘電体電子部品において、
前記共振器の開放端面と隣接し、且つ、前記入出力端子パッドの形成された側面に隣接する前記誘電体ブロックの側面に、前記共振器の開放端面と直接接続あるいは前記外周面の何れかの面に形成された導体非形成部を通して間接的に接続された絶縁部を設けたことを特徴とする誘電体電子部品。
【請求項２】
誘電体ブロックに、各々その一端面から相対する他端面までのびる複数の貫通孔を互いに平行に設け、前記各貫通孔の内周面に内部導体を設けて複数の共振器及び該共振器と電磁界結合する少なくとも１つの励振孔を形成し、かつ前記誘電体ブロックの前記一端面に、共振器の開放端と導体により被覆された励振孔の短絡端とが形成され、前記誘電体磁器ブロックの前記他端面に、励振孔の開放端と導体により被覆された共振器の短絡端とが形成されるとともに、共振器の開放端及び励振孔の開放端の周辺を除く所要外周面に外部導体が被覆され、前記誘電体ブロックの前記共振器の開放端面に隣接する一側面上にそれぞれ共振器の開放端に相対する位置に少なくとも１つの入出力端子パッドを外部導体から絶縁して設け、前記誘電体ブロックの前記励振孔の開放端面に隣接する一側面上にそれぞれ励振孔の開放端に相対する位置に少なくとも１つの入出力端子パッドを外部導体から絶縁して設け、前記励振孔の開放端面において例振孔の内部導体と励振孔の開放端に相対する位置に形成された入出力端子パッドを接続する接続導体を外部導体から絶縁して設けたことを特徴とする誘電体電子部品において、
前記共振器の開放端面と隣接し、且つ、前記入出力端子パッドの形成された側面に隣接する前記誘電体ブロックの側面に、前記共振器の開放端面と直接接続あるいは前記外周面の何れかの面に形成された導体非形成部を通して間接的に接続された絶縁部を設けたことを特徴とする誘電体電子部品。
【請求項３】
前記絶縁部が前記共振器の開放端面と隣接し、且つ、前記入出力端子パッドの形成された側面に隣接する前記誘電体ブロックの側面において前記共振器の開放端面から連続して前記共振器の短絡端面に向かって前記誘電体ブロックの長手方向にのびている請求項１又は２に記載の誘電体電子部品。
【請求項４】
前記絶縁部が前記共振器の開放端面と隣接し、且つ、前記入出力端子パッドの形成された側面に隣接した前記誘電体ブロックの側面において前記入出力端子パッドの絶縁領域から連続して前記入出力端子パッドの形成された側面と相対する側面に向かって前記誘電体ブロックの厚み方向にのびている請求項１又は２に記載の誘電体電子部品。
【請求項５】
前記共振器の開放端面と隣接し、且つ、前記入出力端子パッドの形成された側面に隣接する前記誘電体ブロックの側面上に段差部を設け、該段差部上に前記絶縁部を設けたことを特徴とする請求項１又は２に記載の誘電体電子部品。
【請求項６】
誘電体ブロックに、各々その一端面から相対する他端面までのびる複数の貫通孔を互いに平行に設け、前記各貫通孔の内周面に内部導体を設けて複数の共振器を形成し、前記誘電体ブロックの前記一端面を除いて、前記誘電体ブロックの外周面に外部導体を設け、前記誘電体ブロックの前記他端面において前記内部導体を前記外部導体と接続して共振器の短絡端面とし、前記一端面を共振器の開放端面とし、前記誘電体ブロックの前記共振器の開放端面に隣接する一側面上にそれぞれ共振器の開放端に相対する位置に少なくとも２つの入出力端子パッドを外部導体から絶縁して設けた誘電体電子部品の周波数の調整方法において、
前記共振器の開放端面と隣接し、且つ、前記入出力端子パッドの形成された側面に隣接する前記誘電体ブロックの側面に、前記共振器の開放端面と直接接続あるいは前記外周面の何れかの面に形成された導体非形成部を通して間接的に接続された絶縁部を形成し、前記絶縁部のパターンを変更することにより、通過帯域近傍の高域減衰極周波数及びスプリアスの共振周波数を調整することを特徴とする誘電体電子部品の周波数の調整方法。
【請求項７】
誘電体ブロックに、各々その一端面から相対する他端面までのびる複数の共振孔を互いに平行に設け、前記各貫通孔の内周面に内部導体を設けて複数の共振器及び該共振器と電磁界結合する少なくとも１つの励振孔を形成し、かつ前記誘電体ブロックの前記一端面に、共振器の開放端と導体により被覆された励振孔の短絡端とが形成され、前記誘電体磁器ブロックの前記他端面に励振孔の開放端と導体により被覆された共振器の短絡端とが形成されるとともに、共振器の開放端及び励振孔の開放端の周辺を除く所要外周面に外部導体が被覆され、前記誘電体ブロックの前記共振器の開放端面に隣接する一側面上にそれぞれ共振器の開放端に相対する位置に少なくとも一つの入出力端子パッドを外部導体から絶縁して設け、前記誘電体ブロックの前記励振孔の開放端面に隣接する一側面上にそれぞれ励振孔の開放端に相対する位置に少なくとも一つの入出力端子パッドを外部導体から絶縁して設け、前記励振孔の開放端面において励振孔の内部導体と励振孔の開放端に相対する位置に形成された入出力端子パッドを接続する接続導体を外部導体から絶縁して設けたことを特徴とする誘電体電子部品の周波数の調整方法において、
前記共振器の開放端面と隣接し、且つ、前記入出力端子パッドの形成された側面に隣接する前記誘電体ブロックの側面に、前記共振器の開放端面と直接接続あるいは前記外周面の何れかの面に形成された導体非形成部を通して間接的に接続された絶縁部を形成し、前記絶縁部のパターンを変更することにより、通過帯域近傍の高域減衰極の周波数及びスプリアスの共振周波数を調整することを特徴とする誘電体電子部品の周波数の調整方法。
【請求項８】
前記誘電体ブロックの前記共振器の開放端面と隣接し、且つ、前記入出力端子パッドの形成された側面に隣接する前記誘電体ブロックの側面に形成された外部導体を研削することにより前記絶縁部を形成する請求項６又は７に記載の誘電体電子部品の周波数の調整方法。
【請求項９】
前記絶縁部が前記共振器の開放端面と隣接し、且つ、前記入出力端子パッドの形成された側面に隣接する前記誘電体ブロックの側面において前記共振器の開放端面から連続して前記共振器の短絡端面に向かって前記誘電体ブロックの長手方向にのびている請求項６又は７に記載の誘電体電子部品の周波数の調整方法。
【請求項１０】
前記絶縁部が前記共振器の開放端面と隣接し、且つ、前記入出力端子パッドの形成された側面に隣接する前記誘電体ブロックの側面において前記入出力端子パッドの絶縁領域から連続して前記入出力パッドの形成された側面と相対する側面に向かって前記誘電体ブロックの厚み方向に形成される請求項６又は７に記載の誘電体電子部品の周波数の調整方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、携帯電話や移動通信機器に用いられる誘電体デュプレクサ、誘電体フィルタなどの誘電体電子部品及びその減衰量の調整方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
誘電体ブロックに、各々その一端面から相対した他端面までのびる複数の貫通孔を互いに平行に設け、各貫通孔の内周面に内部導体を設けて複数の共振器を形成し、誘電体ブロックの一端面を除いて、誘電体ブロックの外周面に外部導体を設け、誘電体ブロックの他端面において貫通孔の内周面の内部導体を外周面の外部導体と接続して共振器の短絡端面とし、一端面を共振器の開放端面とした誘電体電子部品は種々提案され、誘電体デュプレクサ、誘電体フィルタとして用いられている。
【０００３】
このような誘電体デュプレクサ、誘電体フィルタでは、使用モードであるＴＥＭモードの高調波の他、ＴＥモード等のスプリアスが発生する。このようなスプリアスの発生は、そのスプリアスピーク付近の帯域で、ある所定の減衰量が必要な場合に問題となる。すなわちこのようなスプリアスが誘電体共振器を介して受信回路系統や送信回路系統に入り、送受信回路系統の動作の安定性に悪影響を及ぼすことになる。
【０００４】
このようなスプリアスの影響を避けることができるように構成した誘電体フィルタ、誘電体デュプレクサは従来提案されている。
例えば、誘電体ブロックに、各々その一端面から相対した他端面までのびる複数の貫通孔を互いに平行に設けて複数の共振器を形成した誘電体フィルタ、誘電体デュプレクサにおいて、最外方に位置した共振器の貫通孔の中心軸から誘電体ブロックの短辺までの距離を誘電体ブロックの長辺までの距離の二倍以上に設定したものが知られている（特許文献１参照）。
【０００５】
また、誘電体ブロックに、各々その一端面から相対した他端面までのびる複数の貫通孔を互いに平行に設け、各貫通孔の内周面に内部導体を設けて複数の共振器を形成し、誘電体ブロックの外表面に外部導体を設けた誘電体フィルタユニットを複数個、各ユニットの貫通孔が長手方向に整列するようにして誘電体ブロックの側面で相互に結合した誘電体フィルタも知られている（特許文献２参照）。
【０００６】
【特許文献１】
特開２００１−７６０５号公報
【特許文献２】
特開平１１−１３６００３号公報
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
このような誘電体フィルタまたは誘電体デュプレクサ等の従来公知の誘電体電子部品においては、ある所定の周波数帯域で一定の減衰量が必要とされることが多い。この減衰量を改善するにあたって、通過帯域付近では減衰極の制御が有効であり、高調波の領域にあってはスプリアスの制御が有効である。しかし、従来の技術ではこれらを制御しようとした場合、誘電体ブロックに設ける各貫通孔の位置や複数の誘電体ブロックを用意し、それぞれに所定数の共振器を設けるなど大幅な設計変更が必要であるという問題があった。
【０００８】
本発明は、通過帯域付近の電気的性能をほとんど変えずに、減衰極の周波数及びスプリアスの共振周波数を制御し、所定の帯域の減衰量を改善できる誘電体デュプレクサや誘電体フィルタとして用いられる誘電体電子部品及びその周波数の調整方法を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために、本発明の第１の発明によれば、誘電体ブロックに、各々その一端面から相対する他端面までのびる複数の貫通孔を互いに平行に設け、各貫通孔の内周面に内部導体を設けて複数の共振器を形成し、誘電体ブロックの前記一端面を除いて、誘電体ブロックの外周面に外部導体を設け、誘電体ブロックの前記他端面で各貫通孔の内周面の内部導体を外周面の外部導体と接続して共振器の短絡端面とし、前記一端面を共振器の開放端面とし、前記共振器の開放端面に隣接する誘電体ブロックの一側面上にそれぞれ共振器の開放絡端に相対する位置に入出力端子パッドを外部導体から絶縁して設けた誘電体電子部品において、  誘電体ブロックの共振器の開放端面と隣接し、且つ、入出力端子パッドの形成された側面に隣接する誘電体ブロックの側面に、共振器の開放端面と直接接続あるいは前記外周面の何れかの面に形成された導体非形成部を通して間接的に接続された絶縁部を設けたことを特徴としている。
【００１０】
本発明の誘電体電子部品においては、絶縁部は共振器の開放端面と隣接し、且つ、入出力端子パッドの形成された側面に隣接する誘電体ブロックの側面において共振器の開放端面から連続して共振器の短絡端面に向かって誘電体ブロックの長手方向にのびるように設けられ得る。あるいは、絶縁部は共振器の開放端面と隣接し、且つ、入出力端子パッドの形成された側面に隣接した誘電体ブロックの側面において入出力端子パッドの絶縁領域から連続して入出力端子パッドの形成された側面と相対する側面に向かって誘電体ブロックの厚み方向にのびるように設けられ得る。
【００１１】
本発明の第２の発明によれば、誘電体ブロックに、各々その一端面から相対する他端面までのびる複数の貫通孔を互いに平行に設け、各貫通孔の内周面に内部導体を設けて複数の共振器を形成し、誘電体ブロックの前記一端面を除いて、誘電体ブロックの外周面に外部導体を設け、誘電体ブロックの前記他端面で各貫通孔の内周面の内部導体を外周面の外部導体と接続して共振器の短絡端面とし、前記一端面を共振器の開放端面とし、前記共振器の開放端面に隣接する誘電体ブロックの一側面上にそれぞれ共振器の開放端に相対する位置に入出力端子パッドを外部導体から絶縁して設けた誘電体電子部品の周波数の調整方法において、  誘電体ブロックの共振器の開放端面と隣接し、且つ、入出力端子パッドの形成された側面に隣接した誘電体ブロックの側面に、開放端面と直接接続あるいは前記外周面の何れかの面に形成された導体非形成部を通して間接的に接続された絶縁部を形成し、絶縁部のパターンを変更することにより誘電体電子部品の周波数特性を調整することを特徴としている。
【００１２】
本発明の第２の発明による誘電体電子部品の周波数の調整方法では、誘電体ブロックの共振器の開放端面と隣接し、且つ、入出力端子パッドの形成された側面に隣接する誘電体ブロックの側面に形成された外部導体を研削することにより絶縁部が形成され得る。
【００１３】
また、絶縁部は、共振器の開放端面と隣接し、且つ、前記入出力端子パッドの形成された側面に隣接する誘電体ブロックの側面において共振器の開放端面から連続して共振器の短絡端面に向かって誘電体ブロックの長手方向にのびるように形成され得る。あるいは、絶縁部は共振器の開放端面と隣接し、且つ、入出力端子パッドの形成された側面に隣接する誘電体ブロックの側面において入出力端子パッドの絶縁領域から連続して入出力端子パッドの形成された側面と相対する側面に向かって誘電体ブロックの厚み方向にのびるように形成され得る。
【００１４】
【発明の実施の形態】
以下、添附図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。
図１には、本発明を誘電体デュプレクサとして実施した一つの実施の形態を示す。
図１において、１は直方体状の誘電体ブロックで、この誘電体ブロック１にはその一端面１ａから他端面１ｂへ貫通する八つの貫通孔２が設けられ、各貫通孔２の内面には内部導体３が形成されて二つの励振孔ｄ、ｇと六つの共振器ａ、ｂ、ｃ、ｅ、ｆ、ｈを構成している。誘電体ブロック１の外側面１ｃ、１ｄ、１ｅ、１ｆにはアース導体を成す外導体４が形成されている。また誘電体ブロック１の他方の端面１ｂには図１の（ｃ）に示すように外側面１ｃ、１ｄ、１ｅ、１ｆ上の外導体４と連続して短絡導体５が形成され、この短絡導体５は各共振器の内導体３を外導体４に接続して共振器の短絡端面を構成している。誘電体ブロック１の一方の端面１ａの共振器付近には導体は形成されずに共振器の開放端面６を構成している。
【００１５】
誘電体ブロック１の外側面の一つ１ｄには受信端子を構成する端子パッド７ａ、アンテナ端子を構成する端子パッド７ｂ及び送信端子を構成する端子パッド７ｃが形成され、これらの端子パッド７ａ、７ｂ、７ｃは、導体非形成部分すなわち絶縁部分８ａ、８ｂ、８ｃによって外導体４から絶縁されている。端子パッド７ａは誘電体ブロック１の一方の端面１ａで共振器の貫通孔に相対した位置に形成され、端子パッド７ｂ、７ｃは誘電体ブロック１の他方の端面１ｂで励振孔の貫通孔に相対した位置に形成されている。端子パッド７ｂは誘電体ブロック１の他方の端面１ｂにおいて接続導体９ａを介して貫通孔２の内導体３と接続され、接続導体９ａは導体非形成部分すなわち絶縁部分１０ａによって短絡導体５から絶縁されている。また、端子パッド７ｃは誘電体ブロック１の他方の端面１ｂにおいて接続導体９ｂを介して貫通孔２の内導体３と接続され、接続導体９ｂは導体非形成部分すなわち絶縁部分１０ｂによって短絡導体５から絶縁されている。
【００１６】
図示したように、受信用共振器の受信端子を構成する端子パッド７ａの形成された側面すなわち下面１ｄに隣接する誘電体ブロック１の側面１ｅには、共振器の開放端面から連続して絶縁部１１が形成されている。この絶縁部１１は側面１ｅ上の外部導体４の一部を研削することにより設けられる。図示実施の形態では、絶縁部１１は誘電体ブロック１の一端面１ａから他端面１ｂ間でのびている。
【００１７】
図２には、図１に示す実施の形態の変形例を示し、この場合、絶縁部１１は誘電体ブロック１の一端面１ａから他端面１ｂに向って一端面１ａと他端面１ｂの中間までのびている。
【００１８】
図３には、図１に示す実施の形態に従って誘電体ブロック１の一端面１ａすなわち共振器の開放端面から他端面１ｂすなわち共振器の短絡端面へ向かって全長にわたって絶縁部１１を形成した場合の外部導体４の研削前後におけるアンテナ端子と受信端子との間の通過帯域付近の波形の変化を示す。また図４には、図２に示す変形例に従って誘電体ブロック１の一端面１ａすなわち共振器の開放端面から他端面１ｂすなわち共振器の短絡端面へ向かって全長の半分まで絶縁部１１を形成した場合の外部導体４の研削前後におけるアンテナ端子と受信端子との間の通過帯域付近の波形の変化を示す。また、外部導体４の研削前後における送信端子とアンテナ端子との間の共振周波数の変化及び挿入損失の変化を下表１に、そして外部導体４の研削前後におけるアンテナ端子と受信端子との間の共振周波数の変化及び挿入損失の変化を下表２にそれぞれ示す。
【００１９】
【表１】
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【００２０】
【表２】
2004242067.tif 000004
【００２１】
他の同様な電子部品において同様に共振器の開放端面と隣接し、且つ、入出力端子パッドの形成された側面に隣接する側面に形成された外部導体の一部を共振器の開放端面から共振器の短絡端面まで連続的に研削して絶縁部を形成した結果、下記に例示するようにやはり大幅な挿入損失の変化はなかった。また波形の変化も図３及び図４と同じ程度であった。
挿入損失（ｄＢ）
削り前              端から端まで削り後
０．８３                  ０．８３
０．９８                  ０．９９
０．７５                  ０．７６
【００２２】
図５及び図６には、削り前後における送信端子とアンテナ端子との間の高調波の波形の変化及びアンテナ端子と受信端子との間の高調波の波形の変化をそれぞれ示す。また、アンテナ端子と受信端子との間における３０００ＭＨｚ近傍の特定周波数での減衰量及び高域減衰極の周波数の変化を下表３に示す。
【００２３】
【表３】
2004242067.tif 000005
【００２４】
表１、表２、表３、図３、図４、図５及び図６から認められるように、本周波数調整方法により通過帯域付近の波形にほとんど影響を与えずに、高域減衰極の周波数及びスプリアスの共振周波数を大きく変化させることができる。
【００２５】
図７及び図８には、図１の誘電体ブロック１の他端面１ｂすなわち共振器の短絡端面から一端面１ａすなわち共振器の開放端面へ向かって全長の半分まで、端の直前まで及び端から端（全長）まで絶縁部１１を形成した場合の外部導体４の研削前後における送信端子とアンテナ端子との間の高調波の波形の変化及びアンテナ端子と受信端子との間の高調波の波形の変化をそれぞれ示す。また、その場合のアンテナ端子と受信端子との間における３０００ＭＨｚ近傍の特定周波数での減衰量及び高域減衰極の周波数の変化を下表４にそれぞれ示す。
【００２６】
【表４】
2004242067.tif 000006
【００２７】
表４、図７及び図８、特に図７及び図８で（イ）と（ロ）の波形がほとんど同じであることから認められるように、誘電体ブロック１の他端面１ｂすなわち共振器の短絡端面から一端面１ａすなわち共振器の開放端面へ向かって外部導体４を研削して絶縁部１１を形成する場合、絶縁部が共振器の開放端面に達するまで、高域減衰極の移動に関して大きな効果を期待することはできない。すなわち、高域減衰極を大きく移動させるためには絶縁部１１は共振器の開放端に繋がっている必要がある。
【００２８】
図９には本発明の別の実施の形態を示し、図１の各部分と対応した部分は同じ符号で示している。
この実施の形態では、アンテナ端子と受信端子との間の高域減衰極を低周波側へ移動させて減衰量を改善するために受信端子を構成している端子パッド７ａの形成された側面すなわち下面１ｄに隣接する誘電体ブロック１の側面１ｅにおいて、端子パッド７ａの絶縁領域８ａから連続して端子パッド７ａの形成された下面１ｄと相対する側面すなわち上面１ｃに向って誘電体ブロック１の厚み方向全体にわたって帯状のパターンで絶縁部１２が形成されている。この絶縁部１２は図１のものと同様に誘電体ブロック１の側面１ｅ上の外部導体４を研削することにより設けられる。
【００２９】
図１０には、図９に示す実施の形態の変形例を示し、この場合には、絶縁部１２は端子パッド７ａの絶縁領域８ａから連続して端子パッド７ａの形成された下面１ｄから上面１ｃまで誘電体ブロック１の厚みの中間までのびている。
【００３０】
図１１には、図９に示す実施の形態の別の変形例を示し、この場合には、絶縁部１２は端子パッド７ａの絶縁領域８ａから連続して端子パッド７ａの形成された下面１ｄから上面１ｃまで誘電体ブロック１の厚みの３／４の位置までのびている。
【００３１】
このように構成した実施の形態による誘電体デュプレクサのアンテナ端子と受信端子との間における３０００ＭＨｚ近傍の特定周波数での減衰量及び高域減衰極の周波数の変化の測定結果を下表５に示す。また削り量とアンテナ端子と受信端子との間の高調波の波形との関係を図１２に示す。表５及び図１２から認められるように、高域減衰極の周波数及びスプリアスの共振周波数を大きく変化させることができる。
【００３２】
【表５】
2004242067.tif 000007
【００３３】
上述の実施の形態では、誘電体デュプレクサの場合について説明してきたが、当然、他の誘電体電子部品例えば図１３に示すように高周波用誘電体フィルタにも適用できる。
【００３４】
【発明の効果】
以上説明してきたように本発明による誘電体電子部品においては、誘電体ブロックの共振器の開放端面と隣接し、且つ、入出力端子パッドの形成された側面に隣接する誘電体ブロックの側面に、共振器の開放端面と直接接続あるいは外周面の何れかの面に形成された導体非形成部を通して間接的に接続された絶縁部を設けた構成であるので、大枠の外形寸法及びパッドレイアウトを変更する必要がなく、既存構成の誘電体電子部品に容易に適用できる。
【００３５】
本発明による誘電体電子部品の周波数の減衰量の調整方法においては、誘電体ブロックの共振器の開放端面と隣接し、且つ、入出力端子パッドの形成された側面に隣接した誘電体ブロックの側面に、共振器の開放端面と直接接続あるいは外周面の何れかの面に形成された導体非形成部を通して間接的に接続された絶縁部を形成し、絶縁部のパターンを変更することにより誘電体電子部品の通過帯域付近の電気的性能をほとんど変えずに高域減衰極の周波数及びスプリアスの共振周波数を調整するので高域減衰極近傍及びスプリアス近傍の減衰量を容易に改善できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施の形態による誘電体デュプレクサを示す概略斜視図。
【図２】図１の誘電体デュプレクサの変形例の要部を示す概略斜視図。
【図３】図１に示す誘電体デュプレクサの共振器の開放端面から共振器の短絡端面へ向かって全長にわたって絶縁部１１を形成した場合の外部導体の研削前後におけるアンテナ端子と受信端子との間の通過帯域付近の波形の変化を示すグラフ。
【図４】図２に示す誘電体デュプレクサの共振器の開放端面から共振器の短絡端面へ向かって全長の半分まで絶縁部１１を形成した場合の外部導体の研削前後におけるアンテナ端子と受信端子との間の通過帯域付近の波形の変化を示すグラフ。
【図５】削り前後における送信端子とアンテナ端子との間の高調波の波形の変化を示すグラフ。
【図６】削り前後におけるアンテナ端子と受信端子との間の高調波の波形の変化を示すグラフ。
【図７】図１の誘電体デュプレクサの共振器の短絡端面から共振器の開放端面へ向かって全長の半分まで、端の直前まで及び端から端（全長）まで絶縁部を形成した場合の外部導体の研削前後における送信端子とアンテナ端子との間の高調波の波形の変化を示すグラフ。
【図８】図１の誘電体デュプレクサの共振器の短絡端面から共振器の開放端面へ向かって全長の半分まで、端の直前まで及び端から端（全長）まで絶縁部を形成した場合の外部導体の研削前後におけるアンテナ端子と受信端子との間の高調波の波形の変化を示すグラフ。
【図９】本発明の別の実施の形態による誘電体デュプレクサの要部を示す概略斜視図。
【図１０】本発明の別の実施の形態の変形例を示す図９と同様な概略斜視図。
【図１１】本発明の別の実施の形態の別の変形例を示す図９と同様な概略斜視図。
【図１２】図９〜図１１に示す実施の形態による削り量とアンテナ端子と受信端子との間の高調波の波形との関係を示すグラフ。
【図１３】本発明を高周波用誘電体フィルタに適用した実施の形態を示す概略斜視図。
【符号の説明】
１              ：誘電体ブロック
２              ：共振孔
３              ：内部導体
４              ：外部導体
７ａ、７ｂ、７ｃ：端子パッド
８ａ、８ｂ、８ｃ：端子パッドを画定する絶縁領域
１１            ：絶縁部
１２            ：絶縁部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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