(57)【要約】【課題】データ信号書き込み用のスイッチ素子を大きくすることなくデータ信号に応じた輝度で有機ＥＬ素子を発光させることができるアクティブ駆動方式の発光駆動回路及び表示装置を提供する。【解決手段】走査パルスに応じて導通状態となってデータ信号を通過させるスイッチ素子と、スイッチ素子の導通中にスイッチ素子を通過したデータ信号を保持する容量性素子と、容量性素子に保持されたデータ信号に応じて有機ＥＬ素子に順方向の駆動電流を供給して有機ＥＬ素子を発光させる駆動素子と、を備え、スイッチ素子は走査パルスが供給されたとき走査パルスとデータ信号との電位差によって導通状態となるダイオード素子からなる。【選択図】　図４
2004126285.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
オン指令パルスに応じて導通状態となってデータ信号を通過させるスイッチ素子と、
前記スイッチ素子の導通中に前記スイッチ素子を通過した前記データ信号を保持する容量性素子と、
前記容量性素子に保持された前記データ信号に応じて有機エレクトロルミネッセンス素子に順方向の駆動電流を供給して前記有機エレクトロルミネッセンス素子を発光させる駆動素子と、を備えたアクティブ駆動方式の発光駆動回路であって、
前記スイッチ素子は前記オン指令パルスが供給されたとき前記オン指令パルスと前記データ信号との電位差によって導通状態となるスイッチ用ダイオード素子からなることを特徴とする発光駆動回路。
【請求項２】
前記容量性素子は一端に前記オン指令パルスが供給され、
前記ダイオード素子は、一端にデータ信号が供給され、他端で前記容量性素子の他端と接続され、
前記ダイオード素子が導通状態から非導通状態に変化したとき前記オン指令パルスの振幅値だけ前記容量性素子の前記ダイオード素子との接続点の電位が変化し、前記スイッチ素子の導通時における前記接続点の電位に応じて前記駆動素子が導通状態となって前記駆動電流を前記有機エレクトロルミネッセンス素子に供給することを特徴とする請求項１記載の発光駆動回路。
【請求項３】
前記ダイオード素子は有機ダイオード素子であることを特徴とする請求項１記載の発光駆動回路。
【請求項４】
前記オン指令パルスの発生直前にリセットパルスを前記接続点に供給して前記接続点の電位を第１所定の電位まで変化させるリセット回路を有することを特徴とする請求項２記載の発光駆動回路。
【請求項５】
前記リセット回路はダイオード素子からなることを特徴とする請求項４記載の発光駆動回路。
【請求項６】
前記容量性素子と前記スイッチ用ダイオード素子との間に挿入され、前記スイッチ用ダイオード素子の非導通時に前記容量性素子と前記スイッチ用ダイオード素子との接続を遮断するクロストーク防止回路を有することを特徴とする請求項２記載の発光駆動回路。
【請求項７】
前記クロストーク防止回路は、前記容量性素子と前記スイッチ用ダイオード素子との間に前記スイッチ用ダイオードと同一の極性方向にて挿入された第１ダイオード素子と、前記スイッチ用ダイオード素子と前記第１ダイオード素子と接続点に一端が接続され前記スイッチ用ダイオード素子の非導通時に導通状態となって前記スイッチ用ダイオード素子と前記第１ダイオード素子との接続点に第２所定の電位を与えて前記第１ダイオードを非導通状態にさせる第２ダイオード素子とからなることを特徴とする請求項６記載の発光駆動回路。
【請求項８】
前記第２ダイオードの他端は前記容量性素子の一端と同一ラインに接続されていることを特徴とする請求項７記載の発光駆動回路。
【請求項９】
互いに交差する複数のデータ線及び複数の走査線による複数の交差位置毎に配置された１組の有機エレクトロルミネッセンス素子及びアクティブ駆動方式の発光駆動回路を有する表示パネルと、
前記複数の走査線のうちから１の走査線に所定のタイミングで順番に走査パルスを供給し、前記複数のデータ線のうちから前記１の走査線上の発光させるべき有機エレクトロルミネッセンス素子に対応するデータ線にデータ信号を供給する制御手段と、を備えた表示装置であって、
前記発光駆動回路は、前記走査パルスが供給されたとき前記走査パルスと前記データ信号との電位差によって導通状態となるスイッチ用ダイオード素子と、
前記ダイオード素子の導通中に前記ダイオード素子を通過した前記データ信号を保持する容量性素子と、
前記容量性素子に保持された前記データ信号に応じて前記有機エレクトロルミネッセンス素子に順方向の駆動電流を供給して前記有機エレクトロルミネッセンス素子を発光させる駆動素子と、からなることを特徴とする表示装置。
【請求項１０】
前記容量性素子は一端に前記走査パルスが供給され、
前記スイッチ用ダイオード素子は、一端に前記データ信号が供給され、他端で前記容量性素子の他端と接続され、
前記スイッチ用ダイオード素子が導通状態から非導通状態に変化したとき前記走査パルスの振幅値だけ前記容量性素子の前記第１ダイオード素子との接続点の電位が変化し、前記スイッチ用ダイオード素子の導通時における前記接続点の電位に応じて前記駆動素子が導通状態となって前記駆動電流を前記有機エレクトロルミネッセンス素子に供給することを特徴とする請求項９記載の表示装置。
【請求項１１】
前記スイッチ用ダイオード素子は有機ダイオード素子であることを特徴とする請求項９記載の表示装置。
【請求項１２】
前記走査パルスの発生直前にリセットパルスを前記接続点に供給して前記接続点の電位を第１所定の電位まで変化させるリセット回路を有することを特徴とする請求項１０記載の表示装置。
【請求項１３】
前記リセット回路はダイオード素子からなることを特徴とする請求項１２記載の表示装置。
【請求項１４】
前記リセットパルスは１走査前の前記走査パルスであることを特徴とする請求項１２記載の表示装置。
【請求項１５】
前記容量性素子と前記スイッチ用ダイオード素子との間に挿入され、前記スイッチ用ダイオード素子の非導通時に前記容量性素子と前記スイッチ用ダイオード素子との接続を遮断するクロストーク防止回路を有することを特徴とする請求項１０記載の表示装置。
【請求項１６】
前記クロストーク防止回路は、前記容量性素子と前記スイッチ用ダイオード素子と間に前記スイッチ用ダイオードと同一の極性方向にて挿入された第１ダイオード素子と、前記スイッチ用ダイオード素子と前記第１ダイオード素子と接続点に一端が接続され前記スイッチ用ダイオード素子の非導通時に導通状態となって前記スイッチ用ダイオード素子と前記第１ダイオード素子との接続点に第２所定の電位を与えて前記第１ダイオードを非導通状態にさせる第２ダイオード素子とからなることを特徴とする請求項１５記載の表示装置。
【請求項１７】
前記第２ダイオードの他端は前記容量性素子の一端と同一ラインに接続されていることを特徴とする請求項１６記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明が属する技術分野】
本発明は、有機エレクトロルミネッセンス素子の発光駆動回路及び表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
容量性発光素子の１つである有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、単に有機ＥＬ素子という）をマトリックス状に配置した表示パネルは既に知られている。有機ＥＬ素子による表示パネルをアクティブ駆動する方式の表示装置は、各画素毎に図１に示すような構成の発光駆動回路を有している。
【０００３】
図１に示した１画素分の発光駆動回路は、ＥＬ素子５を駆動するために、２つのＦＥＴ（Ｆｉｅｌｄ　Ｅｆｆｅｃｔ　Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）１，２及びコンデンサ３を有している。ＦＥＴ１はデータ書き込み用であり、そのゲートＧは、走査パルスが供給される走査線Ｙｉに接続され、ＦＥＴ１のソースＳはデータ信号が供給されるデータ線Ｘｊに接続されている。ＦＥＴ１のドレインＤはＦＥＴ２のゲートＧに接続され、コンデンサ３の一方の端子に接続されている。ＦＥＴ２はＥＬ素子５に駆動電流を供給するための駆動用であり、そのソースＳはコンデンサ３の他方の端子と共に共通のアース線６に接続されている。ＦＥＴ２のドレインＤはＥＬ素子５の陽極に接続され、ＥＬ素子５の陰極には電源（図示せず）の出力電圧Ｖｅｅが負電位として供給される。
【０００４】
かかる発光駆動回路の動作について述べると、先ず、ＦＥＴ１のゲートＧに走査線Ｙｉを介して走査パルスが供給されると、ＦＥＴ１はオンとなり、そのソースＳにデータ線Ｘｊを介して供給されるデータ信号の電圧に対応した電流をソースＳからドレインＤへ流す。ＦＥＴ１のオン電圧の期間にコンデンサ３は充電され、その充電電圧がＦＥＴ２のゲートＧに供給されて、ＦＥＴ２はオン状態（能動状態又は飽和状態）となる。ＦＥＴ２のオンにより、ＥＬ素子５には順方向に発光開始電圧以上の電圧が印加され、アース線６から駆動電流がＦＥＴ２のソースＳ・ドレインＤ間、そしてＥＬ素子５を流れてＥＬ素子５を発光せしめる。また、ＦＥＴ１のゲートＧへの走査パルスの供給が無くなると、ＦＥＴ１はオープン状態となり、ＦＥＴ２はコンデンサ３に蓄積された電荷によりゲートＧの電圧が保持され、次の走査まで駆動電流を維持し、ＥＬ素子５の発光も維持される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
上記したように従来の表示装置の発光駆動回路においては、データ線からのデータ信号をコンデンサに書き込むためのＦＥＴ１として、有機半導体をチャンネル材料にしたＭＯＳ−ＦＥＴによるスイッチ素子が一般的に用いられている。このようなＭＯＳ−ＦＥＴを用いたスイッチ素子ではオン時に流れる電流を、表示パネルで一般的な低温ポリシリコンＴＦＴで流せる程度まで大きくしようとすると、ＭＯＳ−ＦＥＴ自体を大きくする必要がある。また、ＭＯＳ−ＦＥＴを大きくすると、ＭＯＳ−ＦＥＴのゲート・ドレイン間の寄生容量が比例して大きくなる。このゲート・ドレイン間寄生容量があると、ドレイン・ソース間オン電流以外に、ゲートに印加されたオンオフ制御パルス信号電圧が、ゲート・ドレイン間寄生容量を通じて、微分された形で充電・放電電流となって、データ保持コンデンサへ流入し、本来のコンデンサの蓄電電圧を変化させてしまう。この現象は、一般のポリシリコン系材料によるＴＦＴでも見られるものであるが、有機半導体材料の場合にはキャリア移動度が一般のポリシリコン系材料より極端に低いため、ドレイン・ソース電流が相対的に低下して、ドレイン・ソース間寄生容量による誘導電流との比が悪化することにより、顕在化して動作に支障を来す程度になるのである。この結果、ＦＥＴ２のゲートには予め定められた所望の輝度に対応した電圧が印加されず、ＥＬ素子５の発光輝度を変化させてしまうという問題点があった。
【０００６】
そこで、本発明の目的は、データ保持用コンデンサ保持電圧が書き込み動作によって攪乱されずにデータ信号に応じた輝度で有機ＥＬ素子を発光させることができるアクティブ駆動方式の発光駆動回路及び表示装置を提供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明の有機ＥＬ素子の発光駆動回路は、オン指令パルスに応じて導通状態となってデータ信号を通過させるスイッチ素子と、スイッチ素子の導通中にスイッチ素子を通過したデータ信号を保持する容量性素子と、容量性素子に保持されたデータ信号に応じて有機エレクトロルミネッセンス素子に順方向の駆動電流を供給して有機エレクトロルミネッセンス素子を発光させる駆動素子と、を備えたアクティブ駆動方式の発光駆動回路であって、スイッチ素子はオン指令パルスが供給されたときオン指令パルスとデータ信号との電位差によって導通状態となるスイッチ用ダイオード素子からなることを特徴としている。
【０００８】
本発明の表示装置は、互いに交差する複数のデータ線及び複数の走査線による複数の交差位置毎に配置された１組の有機エレクトロルミネッセンス素子及びアクティブ駆動方式の発光駆動回路を有する表示パネルと、複数の走査線のうちから１の走査線に所定のタイミングで順番に走査パルスを供給し、複数のデータ線のうちから１の走査線上の発光させるべき有機エレクトロルミネッセンス素子に対応するデータ線にデータ信号を供給する制御手段と、を備えた表示装置であって、発光駆動回路は、走査パルスが供給されたとき走査パルスとデータ信号との電位差によって導通状態となるスイッチ用ダイオード素子と、ダイオード素子の導通中にダイオード素子を通過したデータ信号を保持する容量性素子と、容量性素子に保持されたデータ信号に応じて有機エレクトロルミネッセンス素子に順方向の駆動電流を供給して有機エレクトロルミネッセンス素子を発光させる駆動素子と、からなることを特徴としている。
【０００９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施例を図面を参照しつつ詳細に説明する。
図２は本発明によるマトリックス表示パネルを用いた表示装置を示している。この表示装置は、表示パネル１１、走査パルス供給回路１２、データ信号供給回路１３、及びコントローラ１５を備えている。
【００１０】
表示パネル１１は、ｍ×ｎ個の画素からなるアクティブマトリックス型のものであり、図２に示したように画素毎にＥＬ発光駆動回路１１１，１〜１１ｍ，ｎを有している。ＥＬ発光駆動回路１１１，１〜１１ｍ，ｎは、全て同一の構成を有し、走査線Ｙ１〜Ｙｎを介して走査パルス供給回路１２に接続され、データ線Ｘ１〜Ｘｍを介してデータ信号供給回路１３に接続されている。コントローラ１５は入力される画像データに応じて走査制御信号及びデータ制御信号を生成する。走査制御信号はＹ転送クロック信号及びＹ転送パルスからなり、走査パルス供給回路１２に供給される。データ制御信号はＸ転送クロック信号、Ｘ転送パルス及び直列なｍ個分（ｍビット）のデータ信号からなり、データ信号供給回路１３に供給される。Ｘ転送クロック信号はＹ転送クロック信号より高い周波数のクロックであり、Ｙ転送クロック信号の１クロック分の期間内にＸ転送クロック信号はｍクロック分を生成する。
【００１１】
走査パルス供給回路１２においては、図３に示すように、走査線Ｙ１〜Ｙｎに対応してｎ個のシフトレジスタ１２１，１２２，……，１２ｎ（図では１２１及び１２２だけを示している）が備えられている。シフトレジスタ１２１，１２２，……，１２ｎは互いに入力と出力との接続によって直列に接続され、Ｙ転送クロック信号に応じてＹ転送パルスをシフトレジスタ１２１から順次シフトレジスタ１２ｎに向けて転送する構成を有している。シフトレジスタ１２１，１２２，……，１２ｎの各出力は対応する走査線Ｙ１〜Ｙｎに接続されている。シフトレジスタ１２１，１２２，……，１２ｎ各々はＹ転送パルスが転送されたときにはそのＹ転送パルスを走査パルスとして対応する走査線に出力する。
【００１２】
データ信号供給回路１３においては、図３に示すように、データ線Ｘ１〜Ｘｍに対応してｍ個のシフトレジスタ１３１，１３２，……，１３ｍ及びサンプルホールド回路１４１，１４２，……，１４ｍ（図では１３１，１３２，１４１及び１４２だけを示している）が備えられている。シフトレジスタ１３１，１３２，……，１３ｍは互いに入力と出力との接続によって直列に接続され、Ｘ転送クロック信号に応じてＸ転送パルスをシフトレジスタ１３１から順次シフトレジスタ１３ｍに向けて転送する構成を有している。シフトレジスタ１３１，１３２，……，１３ｍの各出力は対応するサンプルホールド回路１４１，１４２，……，１４ｍに接続されている。シフトレジスタ１３１，１３２，……，１３ｍ各々はＸ転送パルスが転送されたときにはそのＸ転送パルスを対応するサンプルホールド回路に出力する。サンプルホールド回路１４１，１４２，……，１４ｍ各々においてはコントローラ１５から上記したｍ個分のデータ信号がライン１６を介して供給され、対応するシフトレジスタからＸ転送パルスが供給されたときにデータ信号の１ビット分が保持され、対応するデータ線（Ｘ１〜Ｘｍのいずれか１）に対してその保持データ信号が出力される。
【００１３】
発光駆動回路１１１，１〜１１ｍ，ｎは上記したように全て同一構成であるので、発光駆動回路１１１，１の構成について説明する。
発光駆動回路１１１，１は、図４に示すように有機ＥＬ素子２５を駆動するために、ＦＥＴ２１、有機ダイオード２２及びコンデンサ２３を有している。コンデンサ２３の一端は走査パルス供給回路１２から走査パルスが供給される走査線Ｙ１に接続され、有機ダイオード２２のアノードはデータ信号が供給されるデータ線Ｘ１に接続されている。有機ダイオード２２のカソードとコンデンサ２３の他端とは互いに接続され、更にＦＥＴ２１のゲートに接続されている。ＦＥＴ２１のソースはアースされ、ドレインは有機ＥＬ素子２５の陽極に接続されている。ＥＬ素子２５の陰極には電源（図示せず）の出力電圧Ｖｅｅが供給される。
【００１４】
かかる発光駆動回路１１１，１における有機ＥＬ素子２５を発光させるための動作について述べると、先ず、走査パルス供給回路１２から走査線Ｙ１を介して走査パルスがコンデンサ２３の一端に供給される。走査パルスはコンデンサ２３へのデータ信号の書き込みを行うための書き込み用パルスであり、図５（ａ）に示すように書き込み期間以外には走査線Ｙ１は電位Ｖａ（Ｖａ＞０Ｖ）を有しているが、走査パルスによって書き込み期間には０Ｖとなる。その書き込み期間にデータ信号（図５（ｂ））がデータ線Ｘ１を介してダイオード２２のアノードに供給され、そのデータ信号のレベルによってダイオード２２がオンしてその電位レベルがコンデンサ２３の他端に印加される。データ信号の電位レベルは０Ｖより大である。コンデンサ２３の他端の電位Ｖｇはデータ信号の電位レベルによって、コンデンサ２３は充電され、そのときのデータ信号の電位レベルにほぼ等しいレベルとなる。ダイオード２２がオンにあるときの電位ＶｇはＦＥＴ２１のゲートに印加されるが、そのときの電位ＶｇではＦＥＴ２１はオフ状態である。
【００１５】
走査パルスによる書き込み期間が終了すると、発光駆動回路１１１，１は保持期間となり、走査線Ｙ１の電位は０ＶからＶａとなるので、コンデンサ２３は蓄積された電荷を保持し、コンデンサ２３の他端の電位Ｖｇは図５（ｃ）に示すように、書き込み終了時点の保持レベルがＶａだけ上昇する。ダイオード２２は逆バイアスとなるのでオフとなる。一方、Ｖａだけ上昇した電位Ｖｇがゲートに印加されるＦＥＴ２１は電位Ｖｇのレベルに応じたオン状態（能動状態を含む）となる。よって、有機ＥＬ素子２５にはそのＦＥＴ２１の導通状態に応じた駆動電流が流れ、有機ＥＬ素子２５は発光する。その発光輝度は駆動電流の値に対応する。
【００１６】
図４に示したダイオード２２は、図６に示すように極性を逆にして設けても良い。この図６に示した発光駆動回路１１１，１における有機ＥＬ素子２５を発光させるための動作について述べると、先ず、走査パルス供給回路１２から走査線Ｙ１を介して走査パルスがコンデンサ２３の一端に供給される。走査線Ｙ１は図７（ａ）に示すように書き込み期間以外には電位０Ｖであるが、書き込み期間には走査パルスによってＶａとなる。その書き込み期間にデータ信号（図７（ｂ））がデータ線Ｘ１を介してダイオード２２のカソードに供給され、そのデータ信号の電位レベルによってダイオード２２がオンしてその電位レベルがコンデンサ２３の他端に印加される。データ信号の電位レベルは０Ｖより小である。コンデンサ２３の他端の電位Ｖｇはデータ信号の電位レベルによって、コンデンサ２３は充電され、そのときのデータ信号の電位レベルにほぼ等しいレベルとなる。ダイオード２２がオンにあるときの電位ＶｇはＦＥＴ２１のゲートに印加されるが、そのときの電位ＶｇではＦＥＴ２１はオフ状態である。
【００１７】
走査パルスによる書き込み期間が終了すると、発光駆動回路１１１，１は保持期間となり、走査線Ｙ１の電位はＶａから０Ｖとなるので、コンデンサ２３は蓄積された電荷を保持し、コンデンサ２３の他端の電位Ｖｇは図７（ｃ）に示すように、書き込み終了時点の保持レベルがＶａだけ降下する。ダイオード２２は逆バイアスとなるのでオフとなる。一方、Ｖａだけ降下した電位Ｖｇがゲートに印加されるＦＥＴ２１は電位Ｖｇのレベルに応じたオン状態（能動状態を含む）となる。よって、有機ＥＬ素子２５にはそのＦＥＴ２１の導通状態に応じた駆動電流が流れ、有機ＥＬ素子２５は発光する。その発光輝度は駆動電流の値に対応する。
【００１８】
なお、図５及び図７においてΔＶｇはコンデンサ２３の充放電及びＦＥＴ２１のオンオフによって電位Ｖｇが変化し得る範囲である。この範囲となるようにＶａを考慮してデータ信号レベルを予め定めておき、書き込み時のデータ信号のレベルを変化させることにより有機ＥＬ素子２５の駆動電流が変化し、その結果、発光輝度を変化させることができる。
【００１９】
上記した各実施例の如く、データ信号書き込み用のスイッチ素子として、有機ダイオード素子を用いることにより、従来の表示装置で有機ＭＯＳ−ＦＥＴを用いた発光駆動回路に比べてデータ信号の書き込み速度の高速化を図ることができ、ビデオ信号に応じた動画映像にも対応することができる。また、ダイオード素子は小さい面積で大電流を流すことができるので、ダイオード素子の浮遊容量が小さくなり、オンオフのエッジ時のパルス波形の変形によるコンデンサへの漏れを減少させることができる。よって、ＥＬ素子の発光輝度の攪乱を防止することができる。
【００２０】
図８は本発明の他の実施例として表示装置を示している。この表示装置は、表示パネル３１、走査パルス供給回路３２、データ信号供給回路３３、及びコントローラ３５を備えている。走査線がＹ０〜Ｙｎとなっている点が図２の表示装置と異なる部分である。図８の装置の走査パルス供給回路３２には走査線Ｙ０分だけシフトレジスタが多く設けられている。
【００２１】
図８の表示装置における表示パネル３１の発光駆動回路３１１，１〜３１ｍ，ｎは全て同一構成であるので、図９においては３つの発光駆動回路３１１，１〜３１１，３の構成を示している。
発光駆動回路３１１，１は、図９に示すように有機ＥＬ素子４５を駆動するために、ＦＥＴ４１、有機ダイオード４２，４３及びコンデンサ４４を有している。有機ダイオード４２はデータ書き込み用であり、有機ダイオード４３はリセット用である。有機ダイオード４２のアノードはデータ線Ｘ１に接続され、カソードは有機ダイオード４３のアノードに接続されている。有機ダイオード４３のカソードは走査線Ｙ０に接続されている。コンデンサ４４の一端は走査線Ｙ１に接続され、他端は有機ダイオード４２，４３の共通接続ラインと共にＦＥＴ４１のゲートに接続されている。ＦＥＴ４１のソースはアースされ、ドレインは有機ＥＬ素子４５の陽極に接続されている。ＥＬ素子４５の陰極には電源（図示せず）の出力電圧Ｖｅｅが供給される。
【００２２】
発光駆動回路３１１，２，３１１，３は発光駆動回路３１１，１と同一の構成を有し、発光駆動回路３１１，２は走査線Ｙ１，Ｙ２とデータ線Ｘ１とに接続され、発光駆動回路３１１，３は発光駆動回路３１１，１は走査線Ｙ２，Ｙ３とデータ線Ｘ１とに接続されている。
走査パルス供給回路３２は走査パルスを走査線Ｙ０からＹｎに向けて順次発生する。走査パルスが供給されたきにはその走査線は０Ｖとなり、それ以外の走査線はＶａの電位となる。発光駆動回路３１１，１には先ず、走査線Ｙ０からの走査パルスはリセット信号として供給される。このリセット信号は図１０（ａ）に示すように０Ｖであるので、ＦＥＴ４１のゲート電位Ｖｇが保持期間において範囲ΔＶｇの最低レベルでないならば、有機ダイオード４３がオンとなる。このオンによってゲート電位Ｖｇは範囲ΔＶｇの最低レベルとなる。よって、発光駆動回路３１１，１ではリセットが行われたこととなる。なお、範囲ΔＶｇはコンデンサ４４の充放電及びＦＥＴ４１のオンオフによって電位Ｖｇが変化し得る範囲である。
【００２３】
次に、走査パルス供給回路３２から走査線Ｙ０への走査パルスの供給が停止すると、走査線Ｙ０の電位はＶａとなるので、有機ダイオード４３はオフとなる。その後、走査パルス供給回路３２からは走査線Ｙ１を介して走査パルスがコンデンサ４４の一端に供給される。この走査パルスはコンデンサ４４へのデータ信号の書き込みを行うためのアドレス信号であり、走査線Ｙ１は図１０（ｂ）に示すように書き込み期間以外には電位Ｖａであるが、書き込み期間に走査パルスによって０Ｖとなる。その書き込み期間に図１０（ｃ）に示す如きデータ信号がデータ線Ｘ１を介してダイオード４２のアノードに供給され、そのデータ信号の電位レベルによってダイオード４２がオンしてその電位レベルがコンデンサ４４の他端に印加される。コンデンサ４４の他端の電位Ｖｇは図１０（ｄ）に示すように変化する。すなわち、データ信号の電位レベルによってコンデンサ４４は充電され、電位Ｖｇはそのときのデータ信号の電位レベルにほぼ等しいレベルとなる。ダイオード４２がオンにあるときの電位ＶｇはＦＥＴ４１のゲートに印加されるが、そのときの電位ＶｇではＦＥＴ４１はオフ状態である。
【００２４】
走査線Ｙ１の走査パルスは発光駆動回路３１１，２にはリセット信号として供給される。上記した発光駆動回路３１１，１のリセット動作と同様に発光駆動回路３１１，２においてリセット動作が行われる。
走査線Ｙ１を介した走査パルスによる書き込み期間が終了すると、発光駆動回路３１１，１は保持期間となり、走査線Ｙ１の電位は０ＶからＶａとなるので、コンデンサ４４は蓄積された電荷を保持し、コンデンサ４４の他端の電位Ｖｇは図１０（ｄ）に示すように、書き込み終了時点の保持レベルがＶａだけ上昇する。ダイオード４２は逆バイアスとなるのでオフとなる。一方、Ｖａだけ上昇した電位Ｖｇがゲートに印加されるＦＥＴ４１は電位Ｖｇのレベルに応じたオン状態（能動状態を含む）となる。よって、有機ＥＬ素子４５にはそのＦＥＴ４１の導通状態に応じた駆動電流が流れ、有機ＥＬ素子４５は発光する。その発光輝度は駆動電流の値に対応する。
【００２５】
図９に示した有機ダイオード４２，４３は、図１１に示すように極性を逆にして設けても良い。図１１の構成においては、走査パルスが供給されたきにはその走査線はＶａの電位となり、それ以外の走査線は０Ｖの電位となる。発光駆動回路３１１，１には先ず、走査線Ｙ０からの走査パルスはリセット信号として供給される。このリセット信号は図１２（ａ）に示すようにＶａであるので、ＦＥＴ４１のゲート電位Ｖｇが保持期間においてによって範囲ΔＶｇの最高レベルでないならば、有機ダイオード４３がオンとなる。これによってゲート電位Ｖｇは図１２（ｄ）に示すように範囲ΔＶｇの最高レベルとなる。これによって発光駆動回路３１１，１ではリセットが行われたこととなる。その後の動作については図６に示した発光駆動回路１１１，１の動作と同様である。
【００２６】
図８の表示装置における表示パネル３１の発光駆動回路３１１，１〜３１ｍ，ｎを図１３に示すように構成することもできる。
発光駆動回路３１１，１は、図１３に示すように有機ＥＬ素子４５を駆動するために、ＦＥＴ４１、有機ダイオード４２，４３，４６，４７及びコンデンサ４４を有している。有機ダイオード４６，４７が図９の回路から更に加わっている。有機ダイオード４２のアノードはデータ線Ｘ１に接続され、カソードは有機ダイオード４６のカソード及び有機ダイオード４７のアノードに接続されている。有機ダイオード４７のカソードは有機ダイオード４３のアノードに接続されている。有機ダイオード４３のカソードは走査線Ｙ０に接続されている。有機ダイオード４６のアノードはコンデンサ４４の一端と共に走査線Ｙ１に接続されている。コンデンサ４４の他端は有機ダイオード４３，４７の共通接続ラインと共にＦＥＴ４１のゲートに接続されている。ＦＥＴ４１のソースはアースされ、ドレインは有機ＥＬ素子４５の陽極に接続されている。ＥＬ素子４５の陰極には電源（図示せず）の出力電圧Ｖｅｅが供給される。
【００２７】
図１３においても発光駆動回路３１１，２，３１１，３は発光駆動回路３１１，１と同一の構成を有し、発光駆動回路３１１，２は走査線Ｙ１，Ｙ２とデータ線Ｘ１とに接続され、発光駆動回路３１１，３は発光駆動回路３１１，１は走査線Ｙ２，Ｙ３とデータ線Ｘ１とに接続されている。
図１３の発光駆動回路３１１，１において、リセット期間及び書き込み期間の動作は図９に示した発光駆動回路３１１，１とほぼ同一である。すなわち、先ず、走査線Ｙ０からの走査パルスはリセット信号として供給される。このリセット信号は図１４（ａ）に示すように０Ｖであるので、ＦＥＴ４１のゲート電位Ｖｇが保持期間において範囲ΔＶｇの最低レベルでないならば、有機ダイオード４３がオンとなる。このオンによってゲート電位Ｖｇは範囲ΔＶｇの最低レベルとなる。よって、発光駆動回路３１１，１ではリセットが行われたこととなる。
【００２８】
次に、走査パルス供給回路３２から走査線Ｙ０への走査パルスの供給が停止すると、走査線Ｙ０の電位はＶａとなるので、有機ダイオード４３はオフとなる。その後、走査パルス供給回路３２からは走査線Ｙ１を介して走査パルスがコンデンサ４４の一端に供給される。この走査パルスはコンデンサ４４へのデータ信号の書き込みを行うためのアドレス信号であり、図１４（ｂ）に示すように書き込み期間以外には電位Ｖａであるが、書き込み期間に０Ｖとなる。その書き込み期間に図１４（ｃ）に示す如きデータ信号がデータ線Ｘ１を介してダイオード４２のアノードに供給され、そのデータ信号の電位レベルによって直列接続のダイオード４２及びダイオード４７が各々オンしてその電位レベルがコンデンサ４４の他端に印加される。このときダイオード４６はオフである。コンデンサ４４の他端の電位Ｖｇはデータ信号の電位レベルによって、コンデンサ４４は充電され、そのときのデータ信号の電位レベルにほぼ等しいレベルとなる。ダイオード４２及びダイオード４７がオンにあるときの電位ＶｇはＦＥＴ４１のゲートに印加されるが、そのときの電位ＶｇではＦＥＴ４１はオフ状態である。
【００２９】
走査線Ｙ１の走査パルスは発光駆動回路３１１，２にはリセット信号として供給される。上記した発光駆動回路３１１，１のリセット動作と同様に発光駆動回路３１１，２においてリセット動作が行われる。
走査線Ｙ１を介した走査パルスによる書き込み期間が終了すると、発光駆動回路３１１，１は保持期間となり、走査線Ｙ１の電位は０ＶからＶａとなるので、コンデンサ４４は蓄積された電荷を保持し、コンデンサ４４の他端の電位Ｖｇは図１４（ｄ）に示すように、書き込み終了時点の保持レベルがＶａだけ上昇する。ダイオード４２及びダイオード４７は逆バイアスとなるのでオフとなる。一方、Ｖａだけ上昇した電位Ｖｇがゲートに印加されるＦＥＴ４１は電位Ｖｇのレベルに応じたオン状態（能動状態を含む）となる。よって、有機ＥＬ素子４５にはそのＦＥＴ４１の導通状態に応じた駆動電流が流れ、有機ＥＬ素子４５は発光する。その発光輝度は駆動電流の値に対応する。
【００３０】
この保持期間においては、ダイオード４６はダイオード４２とダイオード４７との接続点Ｐの電位に応じてオンとなる。ダイオード４６のオンとによって接続点Ｐの電位は図１４（ｄ）に示すように固定され、ほぼＶａとなる。これによってダイオード４７は逆バイアスとなりオフ状態のままとなるので、データ線Ｘ１のデータ信号が走査中の他の発光駆動回路のためにレベル変動しても、その変動がダイオード４２のオフ時の浮遊容量によって電位Ｖｇのレベルに影響を与えることがなくなり、クロストークを防止することができる。
【００３１】
図１３に示した有機ダイオード４２，４３，４６，４７は、図１５に示すように極性を逆にして設けても良い。図１５の発光駆動回路３１１，１〜３１ｍ，ｎの動作は図１３に示した発光駆動回路１１１，１の動作と同様に、ダイオード４６は保持期間にダイオード４２とダイオード４７との接続点Ｐの電位に応じてオンとなり、ダイオード４２とダイオード４７との接続点Ｐの電位が図１６（ｄ）に示すように固定される。よって、ダイオード４２のオフ時の浮遊容量によるクロストークを防止することができる。
【００３２】
なお、ダイオード４６に代えてコンデンサを用いても良い。また、ダイオード４６及び４７によるクロストーク防止の構成は図４や図６のリセット動作機能を含まない構成にも加えることもできる。
また、上記した各実施例においては、１画素分の発光駆動回路を示しているが、カラー表示の場合には、ＲＧＢの３つの発光駆動回路によって１画素分が形成される。
【００３３】
更に、上記した各実施例においては、表示パネルの発光駆動回路として構成されているが、本発明は単独の発光駆動回路であっても良い。単独の発光駆動回路の場合には走査パルスに代えて発光駆動回路のデータ書き込み用のスイッチ素子をオンさせるオン指令パルスが発光駆動回路には供給される。
【００３４】
【発明の効果】
以上の如く、本発明によれば、データ信号書き込み用のスイッチ素子を大きくすることなくデータ信号に応じた輝度で有機ＥＬ素子を発光させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】有機ＥＬ素子の発光駆動回路の従来例を示す図である。
【図２】本発明を適用した表示装置の構成を示すブロック図である。
【図３】図２の表示装置中の走査パルス供給回路及びデータ信号供給回路の構成を示すブロック図である。
【図４】図２の表示装置の発光駆動回路の構成を示す回路図である。
【図５】図４の発光駆動回路の動作を示すタイムチャートである。
【図６】図２の表示装置の発光駆動回路の他の構成を示す回路図である。
【図７】図６の発光駆動回路の動作を示すタイムチャートである。
【図８】本発明を適用した他の表示装置の構成を示すブロック図である。
【図９】図８の表示装置の発光駆動回路の構成を示す回路図である。
【図１０】図９の発光駆動回路の動作を示すタイムチャートである。
【図１１】図８の表示装置の発光駆動回路の他の構成を示す回路図である。
【図１２】図１１の発光駆動回路の動作を示すタイムチャートである。
【図１３】図８の表示装置の発光駆動回路の他の構成を示す回路図である。
【図１４】図１３の発光駆動回路の動作を示すタイムチャートである。
【図１５】図８の表示装置の発光駆動回路の他の構成を示す回路図である。
【図１６】図１５の発光駆動回路の動作を示すタイムチャートである。
【符号の説明】
１，２，２１，４１　ＦＥＴ
３，２３，４４　コンデンサ
５，２５，４５　有機ＥＬ素子
１１，３１　表示パネル
１１１，１〜１１ｍ，ｎ，３１１，１〜３１ｍ，ｎ　発光駆動回路
１２，３２　走査パルス供給回路
１３，３３　データ信号供給回路
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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