(57)【要約】【課題】被処理物の表面に形成されたトランジスタや電気回路などの導電物にダメージを与えることなく、ＩＴＯガラス等の被処理物の洗浄処理を行えるようにする。【解決手段】所定の間隔をあけて互いに対向する一対の電極２１，２２からなる対向電極２を用い、その対向電極２間に電界を印加することにより、放電プラズマを発生させて被処理物Ｓの洗浄処理を行うにあたり、対向電極２間に、処理ガス１０００ＣＣＭに対し、７ＣＣＭ以上５０ＣＣＭ未満の水蒸気を添加した加湿ガスを供給することで、グロー放電の安定化をはかり、電極間でのストリーマー放電を減少させる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
大気圧近傍の圧力下の放電プラズマ処理により被処理物を洗浄処理する方法であって、処理ガス１０００ＣＣＭに対し、７ＣＣＭ以上５０ＣＣＭ未満の水蒸気を添加した加湿ガスを放電処理して被処理物に接触させることを特徴とする洗浄処理方法。
【請求項２】
所定の間隔をあけて互いに対向する一対の電極を有し、その一対の電極の少なくとも一方の電極対向面に固体誘電体が設けられてなる対向電極を用い、その対向電極間に前記加湿ガスを供給した状態で、対向電極間に電界を印加することにより、加湿ガスを放電処理することを特徴とする請求項１記載の洗浄処理方法。
【請求項３】
前記対向電極間に印加する電界が、パルス立ち上がり及び／又は立ち下がり時間が１００μｓ以下のパルス電界であることを特徴とする請求項２記載の洗浄処理方法。
【請求項４】
被処理物が、ガラス基板上にＩＴＯが積層されたＩＴＯガラス、または、ガラス基板上にクロムメッキが施されたクロムガラスであることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の洗浄処理方法。
【請求項５】
被処理物が、前記ＩＴＯの表面にトランジスタが配置されたＩＴＯガラスであることを特徴とする請求項４に記載の洗浄処理方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、被処理物の表面に存在する有機物などのクリーニング（除去）、レジストの剥離、液晶用ガラス、クロムガラス及びＩＴＯガラスの表面クリーニングなどの洗浄処理を行う洗浄処理方法に関し、特に、常圧下の放電プラズマを用いた洗浄処理方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、ＩＴ分野が著しく成長し、とりわけ携帯電話、テレビジョン、モニター等のＦＰＤ（フラットパネルディスプレイ）の表示部材は、技術的にも市場的にも大きく発展している。
【０００３】
ＦＰＤ表示部の中心であるＴＦＴ（ｔｈｉｎ　フィルムトランジスタ）ディスプレイは、透明電極であるＩＴＯガラスへの液晶の封入・張り合わせが必要でああり、各フィルムの表面には、非常に高いクリーン度及び濡れ性改善が必要となる。それらの特性が不足する場合、表示の耐久性が低くなったり、表示ドット部に表示が誤動作する箇所が発生してしまう。
【０００４】
一般的に、各フィルムの生産工程はクリーンルーム内で行われるが、それでもミクロな汚物（塵）、コンタミ（固定中の系内外からの異物混入）による被膜付着は、完全には避けられないため、各表面の洗浄工程を入れることが常である。
【０００５】
フィルム等の洗浄方法として、従来、湿式処理（薬品処理）や乾式処理（コロナ放電処理、ＵＶ処理、エキシマランプを用いた処理）等が知られている。
【０００６】
湿式処理は、薬品の種類・濃度によって処理能力が変わるが、一般的にフットプリント（装置占有面積）が大きく、処理薬品の乾燥工程も必要である。また、乾燥が不十分であれば残存薬品が品質不良を起こすという問題がある。
【０００７】
乾燥処理であるコロナ放電処理の場合、供給電力が大きいと処理基材のダメージが大きい。ＴＦＴ処理においては、ＩＴＯ表面のトランジスタが破壊されるケースが多い。また、供給電力が小さいと、放電が粗であるため処理ムラが大きくて品質が安定しない。
【０００８】
エキシマランプによる処理は、ＵＶ処理よりも洗浄能力が大きいが、それでも洗浄品質を得るには複数（１０本程度）のランプが必要であり、さらに、ランプ寿命が７００〜１０００時間程度であるため、ランニングコストも高額となる。
【０００９】
大気圧近傍でプラズマを発生させて処理する方法も提案されている。例えば、平板電極と２０ｍｍ直径の接地用電極ロールを使用してプラズマを発生させる装置が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。また、大気圧近傍下でロール電極と平板電極にて発生したプラズマを使って基材の処理を行うにあたり、パーティクルの発生を抑えるためにロール電極の直径を小さくする技術が提案されている（例えば、特許文献２参照。）。
【００１０】
しかしながら、前記した特許文献１（特開平２００１−３５６９４号公報）に記載の技術では、プラズマ放電空間にストリーマー放電が多く発生するため、被処理物の電極（トランジスタ）へのダメージが大きい上、洗浄能力（スループット）も低いことから、ＩＴＯ表面などの洗浄処理にそのまま採用することはできない。
【００１１】
一方、前記した特許文献２（特開平１１−１７２４４９号公報）には、プラズマ処理にて基材上に薄膜を形成する技術が示されているだけであり、ＩＴＯ表面などの洗浄処理を行うことは全く想定されていない。
【００１２】
【特許文献１】
特開平２００１−３５６９４号公報
【特許文献２】
特開平１１−１７２４４９号公報
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】
本発明はそのような実情に鑑みてなされたもので、常圧条件下の放電プラズマ処理にて被処理物の洗浄処理を行うにあたり、被処理物の表面に形成されたトランジスタや電気回路などの導電物にダメージを与えることなく、被処理物を洗浄処理することが可能な洗浄処理方法の提供を目的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
本発明の洗浄処理方法は、大気圧近傍の圧力下の放電プラズマ処理により被処理物を洗浄処理する方法であって、処理ガス１０００ＣＣＭ（ｃｃ／ｍｉｎ）に対し、７ＣＣＭ以上５０ＣＣＭ未満の水蒸気を添加した加湿ガスを放電処理して被処理物に接触させることによって特徴づけられる。
【００１５】
本発明によれば、プラズマ放電に使用する処理ガス（例えば窒素、アルゴン、酸素、ヘリウム及びその混合ガス等）に水蒸気（水分子）を添加しているので、印加したエネルギの一部が水分子の分解に使用され、電極間の放電が分散・安定化し、ストリーマー放電が減少する。これによりグロー放電がマイルドになり、例えば、ＩＴＯ表面の電極のトランジスタ部分にダメージを与えることなく、洗浄処理を行うことができる。また、放電プラズマによるＩＴＯ表面のカーボン洗浄に加え、一部の水酸基がＩＴＯ表面に化学結合するため、２つの効果で濡れ性がより向上する。
【００１６】
ただし、処理ガスへの水蒸気の添加量が少ないと、水添加効果が少なくなるため、被処理物へのダメージが大きくなる。また、水蒸気の添加量が多すぎる場合は、水の分解にプラズマエネルギの大部分が消費されるため、プラズマによる異物除去や表面カーボンの除去などの洗浄効果が低下する。このような点を考慮して、本発明では、処理ガスへの水蒸気の添加量を、処理ガス１０００ＣＣＭに対して７ＣＣＭ以上５０ＣＣＭ未満としている。
【００１７】
本発明において、所定の間隔をあけて互いに対向する一対の電極を有し、その一対の電極の少なくとも一方の電極対向面に固体誘電体が設けられてなる対向電極（例えば平行平板型の対向電極）を用い、その対向電極間に前記加湿ガスを供給した状態で、対向電極間に電界を印加することにより、加湿ガスを放電処理するようにしてもよい。
【００１８】
上記対向電極間に印加する電界には、パルス立ち上がり及び／又は立ち下がり時間が１００μｓ以下のパルス電界を用いることが好ましい。
【００１９】
このように、電極対向面に固体誘電体が配置されてなる対向電極を用いるとともに、その対向電極間に印加する電界をパルス立ち上がり及び／又は立ち下がりが急峻なパルス電界とすることにより、より安定したプラズマ放電を得ることができ、洗浄能力（洗浄処理速度）をより一層高めることができる。
【００２０】
本発明は、例えば、ガラス基板上にＩＴＯが積層されたＩＴＯガラス、または、ガラス基板上にクロムメッキが施されたクロムガラス、あるいは、ＩＴＯガラスのＩＴＯ表面にトランジスタが配置された被処理物などの洗浄処理を行うのに適している。
【００２１】
次に、本発明を更に詳しく説明する。
【００２２】
まず、本発明で言う大気圧近傍の圧力下とは、１．３３３×１０４〜１０．６６４×１０４Ｐａの圧力下を指す。中でも、圧力調整が容易で、装置構成が簡便になる９．３３１×１０４〜１０．３９７×１０４Ｐａの範囲が好ましい。
【００２３】
なお、本発明は、常温付近での洗浄処理に限られることなく、処理系の温度が常温以上（例えば６０℃）になる洗浄処理にも適用できる。
【００２４】
本発明において、処理ガスに水蒸気を添加した加湿ガスの放電プラズマを発生する際に用いる電極としては、平行平板型の対向電極、同軸円筒型の電極あるいはロール電極などが挙げられる。電極の材質としては、例えば、鉄、銅、Ａｌ等の金属単体、ステンレス、真鍮等の合金あるいは金属間化合物等などが挙げられる。電極は、電界集中によるアーク放電の発生を避けるために、プラズマ空間（電極間）の距離が一定となる構造であることが好ましい。より好ましくは平行平板型の対向電極である。
【００２５】
また、プラズマを発生させる電極は、一対のうち少なくとも一方の電極対向面に固体誘電体が配置されている必要がある。この際、固体誘電体と設置される側の電極が密着し、かつ、接する電極の対向面を完全に覆うようにすることが好ましい。固体誘電体によって覆われずに電極同士が直接対向する部位があると、そこからアーク放電が生じやすくなる。
【００２６】
上記固体誘電体の形状は、シート状もしくはフィルム状のいずれであってもよい。また、固体誘電体は、溶射法等にて電極表面にコーティングされた膜であってもよい。固体誘電体の厚みは、０．０１〜４ｍｍであることが好ましい。固体誘電体の厚みが厚すぎると放電プラズマを発生するのに高電圧を要することがあり、薄すぎると電圧印加時に絶縁破壊が起こり、アーク放電が発生することがある。
【００２７】
上記固体誘電体としては、例えば、ポリテトラフルオロエチレン、ポリエチレンテレフタレート等のプラスチック、ガラス、二酸化珪素、酸化アルミニウム、二酸化ジルコニウム、二酸化チタン等の金属酸化物、チタン酸バリウム等の複酸化物等が挙げられる。
【００２８】
また、固体誘電体は、比誘電率が２以上（２５℃環境下、以下同じ）であることが好ましい。比誘電率が２以上の固体誘電体の具体例としては、ポリテトラフルオロエチレン、ガラス、金属酸化膜等を挙げることができる。さらに高密度の放電プラズマを安定して発生させるためには、比誘電率が１０以上の固体誘電体を用いることが好ましい。比誘電率の上限は特に限定されるものではないが、現実の材料では１８，５００程度のものが知られている。上記比誘電率が１０以上である固体誘電体としては、例えば、酸化チタニウム５〜５０重量％、酸化アルミニウム５０〜９５重量％で混合された金属酸化物被膜、または、酸化ジルコニウムを含有する金属酸化物被膜からなるものを挙げることができる。
【００２９】
上記対向電極の電極間の距離は、固体誘電体の厚さ、印加電圧の大きさ、プラズマを利用する目的等を考慮して適宜決定されるが、０．１〜５ｍｍであることが好ましい。電極間の距離が０．１ｍｍ未満であると、電極間の間隔を置いて設置するのに十分でないことがあり、一方、５ｍｍを超えると、均一な放電プラズマを発生させにくい。さらに好ましくは、放電が安定しやすい０．５〜３ｍｍの間隔である。
【００３０】
上記対向電極の電極間には、高周波、パルス波、マイクロ波等の電界が印加され、プラズマを発生させるが、パルス電界を印加することが好ましく、特に、電界の立ち上がり及び／または立ち下がり時間が１０μｓ以下であるパルス電界が好ましい。１０μｓを超えると放電状態がアークに移行しやすくて不安定なものとなり、パルス電界による高密度プラズマ状態を保持しにくくなる。また、立ち上がり時間及び立ち下がり時間が短いほどプラズマ発生の際のガスの電離が効率よく行われるが、４０ｎｓ未満の立ち上がり時間のパルス電界を実現することは、実際には困難である。立ち上がり時間及び立ち下がり時間のより好ましい範囲は５０ｎｓ〜５μｓである。なお、ここでいう立ち上がり時間とは、電圧（絶対値）が連続して増加する時間、立ち下がり時間とは、電圧（絶対値）が連続して減少する時間を指すものとする。
【００３１】
上記パルス電界の電界強度は、１０〜１０００ｋＶ／ｃｍであり、好ましくは２０〜３００ｋＶ／ｃｍである。電界強度が１０ｋＶ／ｃｍ未満であると処理に時間がかかりすぎ、１０００ｋＶ／ｃｍを超えるとアーク放電が発生しやすくなる。
【００３２】
上記パルス電界の周波数は、０．５ｋＨｚ以上であることが好ましい。０．５ｋＨｚ未満であるとプラズマ密度が低いため処理に時間がかかりすぎる。上限は特に限定されないが、常用されている１３．５６ＭＨｚ、試験的に使用されている５００ＭＨｚといった高周波帯でも構わない。負荷との整合性のとり易さや取扱い性を考慮すると、５００ｋＨｚ以下が好ましい。このようなパルス電界を印加することにより、処理速度を大きく向上させることができる。
【００３３】
また、上記パルス電界における１つのパルス継続時間は、２００μｓ以下であることが好ましく、より好ましくは３〜２００μｓである。２００μｓを超えるとアーク放電に移行しやすくなる。ここで、１つのパルス継続時間とは、ＯＮ，ＯＦＦの繰り返しからなるパルス電界における、１つのパルスの連続するＯＮ時間を言う。
【００３４】
本発明において洗浄処理を行う具体的な処理対象としては、前記した、ガラス基板上にＩＴＯが積層されたＩＴＯガラス、または、ガラス基板上にクロムメッキが施されたクロムガラス、あるいは、ＩＴＯガラスのＩＴＯ表面にトランジスタが配置された被処理物のほか、素ガラス、シリコンウェハー、フォトレジスト等により、基材や基板の表面に電極や電気回路などの導電物が形成されたＴＡＢフィルム、ＦＰＣフィルム等が挙げられる。。
【００３５】
また、本発明において処理できる基材（基板）としては、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレート、ポリイミド、液晶ポリマー、エポキシ樹脂、ポリテトラフルオロエチレン、アクリル樹脂等のプラスチック、ガラス、セラミック、金属、シリコンウェハー等が挙げられる。基材の形状としては、板状、フィルム状等のものが挙げられるが、特にこれらに限定されない。本発明によれば、様々な形状を有する基材の処理に容易に対応することができる。
【００３６】
本発明に用いる処理ガスとしては、電界を印加することによってプラズマを発生するガスであれば、特に限定されず、洗浄処理の目的に応じて種々のガスを使用できる。また、常温状態であっても、処理系内で気化できる物質であれば使用可能である。処理ガスとしては、例えば、空気、窒素、酸素、アルゴン、ヘリウム、ＣＦ４等のフッ素ガス、アルコール等の有機物質、ＴＥＯＭ［テトラエトキシシラン：Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）４　］、チタンテトライソプロポキシド等の金属酸化物の原料（前駆体）となるアルコキシドなどが挙げられる。これらは単独でも２種以上を混合して用いてもよい。
【００３７】
前記処理ガスに添加する水蒸気の添加量は、処理ガス１０００ＣＣＭに対し、７ＣＣＭ以上５０ＣＣＭ未満であり、より好ましくは１２ＣＣＭ以上３５ＣＣＭ未満である。水蒸気の添加量が７ＣＣＭ未満であると、水添加効果が少なくなるため、被処理物へのダメージが大きくなる。また、添加量が５０ＣＣＭよりも多いと、水の分解にプラズマエネルギの大部分が消費されるため、プラズマによる異物除去や表面カーボンの除去等の洗浄効果が低下するので問題となる。
【００３８】
なお、本発明を実施する放電プラズマ処理装置によれば、プラズマ発生空間中に存在する気体の種類を問わずグロー放電プラズマを発生させることが可能である。また、特定のガス雰囲気下の大気圧プラズマ処理においては、外気から遮断された密閉容器内で処理を行うことが必須であったが、本発明を実施する放電プラズマ処理装置においては、開放系、あるいは、気体の自由な流失を防ぐ程度の低気密系での処理が可能となる。
【００３９】
本発明を実施する放電プラズマ処理装置では、対向電極間において直接大気圧下で放電を生じさせることが可能であり、より単純化された電極構造、放電手順による大気圧プラズマ装置、及び処理手法でかつ高速処理を実現することができる。また、印加電界の周波数、電圧、電極間隔等のパラメータにより処理に関するパラメータも調整できる。
【００４０】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
【００４１】
図１は、本発明の洗浄方法を実施する洗浄処理系（放電プラズマ処理装置）の構成を模式的に示す図である。
【００４２】
図１の放電処理系は、２段の放電プラズマ処理装置１，１と、各放電処理プラズマ装置１に被処理物Ｓを搬送する搬送ロール６・・６を備えている。
【００４３】
放電プラズマ処理装置１は、上部電極２１と下部電極２２からなる平行平板型の対向電極２、パルス電源３、ガス導入部４、ガス排気部５などを備えている。
【００４４】
上部電極２１と下部電極２２とは所定の間隔をあけて対向配置されており、これら上部電極２１と下部電極２２との間に放電空間２０が形成される。上部電極２１及び下部電極２２の各表面はそれぞれ固体誘電体（図示せず）によって被覆されている。上部電極２１にはパルス電源３が接続されており、下部電極２２は接地に置かれている。
【００４５】
上部電極２１の側方両側にはそれぞれガス導入部４とガス排気部５が配置されている。ガス導入部４とガス排気部５には、それぞれ処理ガス供給源と排気装置（ともに図示せず）が接続されている。
【００４６】
そして、この実施形態では、ガス導入部４に供給される処理ガスに、水蒸気供給源（例えばバブリングタンク、図示せず）からの水蒸気を添加している。その水蒸気の添加量は、ガスマスフローなどで制御され、処理ガス１０００ＣＣＭに対して７ＣＣＭ以上５０ＣＣＭ未満（好ましくは１２ＣＣＭ以上３５ＣＣＭ未満）の範囲に設定される。
【００４７】
以上の放電プラズマ処理装置１において、上部電極２１と下部電極２２との間に被処理物Ｓ（例えばＩＴＯガラス）を配置し、その被処理物Ｓを搬送ロール６にて搬送しながら、上部電極２１と下部電極２２との間に、処理ガスに水蒸気を添加した加湿ガスをガス導入部４から供給するとともに、ガス排気部５にて排気を行った状態で、上部電極２１と下部電極２２との間にパルス電源３からのパルス電界を印加する。この電界印加により、上部電極２１と下部電極２２との間の放電空間２０にグロー放電プラズマが発生し、その発生プラズマが被処理物Ｓの表面に接触することにより、被処理物Ｓの表面が洗浄処理される。
【００４８】
このように、この実施形態によれば、処理ガスに所定量（７ＣＣＭ以上５０ＣＣＭ未満）の水蒸気を添加した加湿ガスを用いて放電プラズマ処理を行うので、プラズマ放電空間でのストリーマー放電の発生が減少し、より安定したグロー放電プラズマを得ることができる。これにより、例えばＩＴＯガラスの表面に配置されたトランジスタや電気回路などの導電物にダメージを与えることなく、良好な洗浄処理（濡れ性の付与を含む）を行うことが可能になる。しかも、平行平板型の対向電極２を用いているので、洗浄能力（洗浄処理速度）が高く、スループットの向上もはかることができる。
【００４９】
なお、以上の実施形態では、対向電極２の電極間に被処理物Ｓを配置してプラズマ放電処理を行うダイレクト方式の放電プラズマ処理装置に本発明を適用した例を示したが、本発明はこれに限られることなく、対向電極の電極間で発生した放電プラズマを、プラズマ発生空間の外部に配置した被処理物に導いて処理を行うリモート方式の放電プラズマ処理にも適用できる。
【００５０】
【実施例】
以下、本発明の実施例を比較例とともに説明する。
【００５１】
＜実施例１＞
図１の放電プラズマ処理系において、２段の上部電極２１（ＳＵＳ３０４製：長さ３０ｍｍ×幅１２００ｍｍ、表面：アルミナ照射０．５ｍｍ）を電圧印加側とし、下部電極２２（ＳＵＳ３０４製：長さ３０ｍｍ×幅１２００ｍｍ、表面：アルミナ照射０．５ｍｍ）を接地側として、被処理物Ｓ（トランジスタが搭載されたＩＴＯガラス、厚さ：０．７ｍｍ、初期接触角：８５°）を、搬送ロール６上に載せて上部電極２１と下部電極２２との間に配置した。
【００５２】
そして、ガス導入部４から、ガスマスフローで流量を制御した加湿ガス（アルゴンガス＝２００００ＣＣＭ、水添加量＝３００ＣＣＭ（処理ガス１０００ＣＣＭに対し水蒸気１５ＣＣＭ添加））を、上部電極２１と下部電極２２との電極間に流すとともに、ガス排気部５にて１５Ｌ／ｍｉｎの排気ガス流を形成した状態で、上部電極２１と下部電極２２との電極間に、パルス電界（印加電圧Ｖｐｐ＝１２ｋＶ、パルス周波数＝１０ｋＨｚ、パルス幅＝５μｓを印加してグロー放電プラズマを発生させ、被処理物Ｓ表面の洗浄処理を行った。搬送ロール６による被処理物Ｓの移動速度は２００ｃｍ／ｍｉｎとした。
【００５３】
以上の洗浄処理を行った後の被処理物Ｓの接触角を測定したところ、接触角は７°であり、濡れ性が付与されていることが確認できた。また、洗浄処理後の被処理物Ｓについて、トランジスタへの通電によりダメージを確認したところ、トランジスタのダメージはなかった。
【００５４】
＜実施例２＞
実施例１において、処理ガスのガス種・流量、水添加量、印加電圧ＶＰＰ、並びに被処理物Ｓの搬送速度の各値を、下記の表１に示す値としたこと以外は、実施例１と同じとして被処理物Ｓ表面の洗浄処理を行った。この洗浄処理後の被処理物Ｓの接触角を測定したところ、接触角は７°であり、濡れ性が付与されていることが確認できた。また、洗浄処理後の被処理物Ｓについて、トランジスタへの通電によりダメージを確認したところ、トランジスタのダメージはなかった。
【００５５】
＜比較例１＞
下記の表１に示すように、実施例１において、水の添加をしないこと、及び、印加電圧ＶＰＰを６ｋＶとしたこと以外は、実施例１と同じとして被処理物Ｓ表面の洗浄処理を行った。この洗浄処理後の被処理物Ｓの接触角を測定したところ、接触角は２５°であり、十分な濡れ性改善効果は見られなかった。また、洗浄処理後の被処理物Ｓについて、トランジスタへの通電によりダメージを確認したところ、トランジスタにダメージがあった。
【００５６】
＜比較例２＞
下記の表１に示すように、実施例２において水の添加をしないこと以外は、実施例２と同じとして被処理物Ｓ表面の洗浄処理を行った。この洗浄処理後の被処理物Ｓの接触角を測定したところ、接触角は８°であり、濡れ性が付与されていることが確認できた。しかし、洗浄処理後の被処理物Ｓについて、トランジスタへの通電によりダメージを確認したところ、トランジスタにダメージがあった。
【００５７】
＜比較例３＞
下記の表１に示すように、比較例２において、１５００ＣＣＭの水添加（処理ガス１０００ＣＣＭに対し水蒸気７５ＣＣＭ添加）を行ったこと以外は、比較例２と同じとして被処理物Ｓ表面の洗浄処理を行ったが、下記の表１に示すように洗浄効果は劣るものであった。
【００５８】
【表１】
2004097966.tif 000003
【００５９】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、処理ガス１０００ＣＣＭに対し、７ＣＣＭ以上５０ＣＣＭ未満の水蒸気を添加した加湿ガスを、大気圧近傍の圧力下で放電処理して被処理物に接触させることにより、被処理物の洗浄を行うので、例えば、ガラス基板上にＩＴＯが積層されたＩＴＯガラスの洗浄処理に、本発明を適用することにより、ＩＴＯ表面に搭載されたトランジスタや電気回路などにダメージを与えることなく、良好な洗浄処理を施すことが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の洗浄処理方法を実施する洗浄処理系の構成を模式的に示す図である。
【符号の説明】
１　放電プラズマ処理装置
２　対向電極（平行平板型）
２０　放電空間
２１　上部電極
２２　下部電極
３　パルス電源
４　ガス導入部
５　ガス排気部
６　搬送ロール
Ｓ　被処理物
【図１】
2004097966.tif 000004