(57)【要約】【課題】従来のＳＡＷフィルタでは、通過帯域近傍の周波数での減衰量は確保し易い反面、通過帯域から離れた周波数帯では減衰量が小さくなってしまうという問題があった。【解決手段】少なくとも２組以上のＩＤＴ２，３，４の両側に、短絡グレーティング電極からなる反射器１，５を配した２端子対ＳＡＷ共振器３２の片側に、少なくとも一つ以上の１端子対ＳＡＷ共振器３３を並列要素として接続する。この１端子対ＳＡＷ共振器３３の共振周波数を２端子対ＳＡＷ共振器３２の通過帯域の中心周波数ｆ０の１．１〜１．５倍の範囲の周波数にする。これにより、通過帯域の高周波側で通過帯域から離れた周波数帯でも減衰量が大きく、阻止域も広く、かつ通過帯域の損失が小さいＳＡＷフィルタを実現する。【選択図】　　　　図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電基板上に形成され、少なくとも２組以上のくし型電極と、このくし型電極の両側に配置された短絡グレーティング電極からなる反射器と、前記くし形電極の１つに接続された入力端子とを有し中心周波数がｆ０の通過帯域を有する２端子対弾性表面波共振器、
前記２端子対弾性表面波共振器の片側に配置され、前記２端子対弾性表面波共振器に並列要素として接続されたくし形電極と、このくし形電極の両側に配置された短絡グレーティング電極からなる反射器とを有するとともに、共振周波数が前記ｆ０の１．１倍以上１．５倍以下に設定された１端子対弾性表面波共振器とを備えたことを特徴とする縦結合型弾性表面波フィルタ。
【請求項２】
前記並列接続された１端子対弾性表面波共振器は複数あり、その内の少なくとも１つの共振周波数が、前記ｆ０の１．１倍以上１．５倍以下であることを特徴とする請求項１に記載の縦結合型弾性表面波フィルタ。
【請求項３】
前記並列接続された１端子対弾性表面波共振器は複数あり、それぞれの共振周波数が前記ｆ０の１．１倍以上１．５倍以下であるとともに互いに異なることを特徴とする請求項１に記載の縦結合型弾性表面波フィルタ。
【請求項４】
圧電基板上に形成され、少なくとも２組以上のくし型電極と、このくし型電極の両側に配置された短絡グレーティング電極からなる反射器と、前記くし形電極の１つに接続された入力端子とを有し中心周波数がｆ０の通過帯域を有する２端子対弾性表面波共振器、
前記２端子対弾性表面波共振器に直列要素として接続されたくし形電極と、このくし形電極の両側に配置された短絡グレーティング電極からなる反射器とを有する１端子対弾性表面波共振器、
前記１端子対弾性表面波共振器に並列要素として接続されたくし形電極と、このくし形電極の両側に配置された短絡グレーティング電極からなる反射器とを有するとともに、共振周波数が前記ｆ０の１．１倍以上１．５倍以下に設定された１端子対弾性表面波共振器とを備えたことを特徴とする縦結合型弾性表面波フィルタ。
【請求項５】
並列要素として接続された前記１端子対弾性表面波共振器の共振周波数は、直列要素として接続された前記１端子対弾性表面波共振器の反共振周波数の１倍以上１．５倍以下であることを特徴とする請求項４に記載の縦結合型弾性表面波フィルタ。
【請求項６】
前記２端子対弾性表面波共振器の前記くし形電極は３組設けられていることを特徴とする請求項１または４に記載の縦結合型弾性表面波フィルタ。
【請求項７】
前記１端子対弾性表面波共振器の入出力端子に接続された特性インピーダンス整合素子を備えたことを特徴とする請求項１から６のいずれか一項に記載の縦結合型弾性表面波フィルタ。
【請求項８】
前記特性インピーダンス整合素子はインダクタであることを特徴とする請求項７に記載の縦結合型弾性表面波フィルタ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば移動体用通信装置、例えば携帯電話・自動車電話等の主として高周波回路に用いられる弾性表面波（以下ＳＡＷ）フィルタに関するものであり、特に通過帯域が低損失で、遮断帯域が高減衰であるＳＡＷフィルタを提供するものである。
【０００２】
【従来の技術】
現在、一般に使用されている携帯電話機は、複数の通信システムを使用できる、あるいは同じシステムでも異なる複数の周波数帯を使用できる、いわゆるデュアルバンド機、トリプルバンド機、マルチバンド機と呼ばれるものが主流である。日本においても某社のＰＤＣ用携帯電話機では、２つあるいは３つの周波数帯が使用されている。またＷ−ＣＤＭＡ方式の携帯電話サービスが開始されたが、全国展開には至っていないために、今後ＰＤＣと併用できる携帯電話機が登場するものと思われる。
世界的にみてもしばらくは、更にデュアルバンド機やトリプルバンド機の比率が上昇していくと思われ、同時に年々多機能化・高性能化が進み、パソコン機能の取り込みや通信速度の高速化等が進められている。
これにともない、部品数の増大により携帯電話機が大型化しかねないため、回路のＬＳＩ化や個々の部品の小型化等が同時に進められている。このような情勢の中で、主として高周波のフィルタとして用いられるＳＡＷ（弾性表面波）デバイスも年々小型化が図られている。
【０００３】
またＳＡＷフィルタは小型でフィルタとしての特性が優れているという特徴から、従来、携帯電話機ではＲＦ・ＩＦフィルタとして広く使用されてきたが、近年の特性改善に伴い、より低損失が求められるアンテナ直下のトップ用フィルタやデュプレクサにおいても、一般的にサイズが大きい誘電体フィルタや誘電体デュプレクサ等からの置換えが進んでいる。
【０００４】
従来のＳＡＷフィルタの電極構造として低損失なものの第１の例として、例えば特許第３１９１４７３号に開示されたものを以下に示す。図８は上記特許に示された１端子対弾性表面波共振器（以下１端子対ＳＡＷ共振器）を梯子型に接続した構造のものであり、その伝送特性を図９に示す。図９においてｆ０は通過帯域の中心周波数、ｆａはいわゆる反共振周波数である。
図８において、５１は圧電基板、５２は圧電基板５１上に構成されたくし型電極、５３は反射器である。これらは１端子対弾性表面波共振器５４ａ，５４ｂを構成している。また、５６は入力端子、５７は出力端子である。１端子型対弾性表面波共振器５４ａ，５４ｂはそれぞれ図１０（ａ）に示す特性を有するので、２つの１端子型対弾性表面波共振器５４ａ，５４ｂの反共振周波数ｆａを若干異なるように設定し、梯子型に接続することにより図９の特性が得られるのである。
図９では通過帯域近傍（周波数ｆａの近く）の減衰量は十分である反面、通過帯域から離れた周波数帯（図９の両端）では減衰量が十分とは言えなくなっている。
【０００５】
また、第２の例として上記特許に開示されたものを図１１に示す。図１１のものは、１つの２端子対ＳＡＷ共振器５５に１端子対ＳＡＷ共振器５４を直列要素として接続した構造であり、その場合図１０（ｃ）のような伝送特性を実現することができる。即ち２端子対弾性表面波共振器５５は、単独では図１０（ｂ）に示す特性（スプリアスｆｓ）を備える。そこで１端子対弾性表面波共振器５４の反共振周波数ｆａを前述のスプリアス周波数ｆｓにあわせると図１０（ｃ）の特性となる。この場合、通過帯域の高周波側周波数での減衰量があまり必要でなければ、１端子対ＳＡＷ共振器を接続しなくてもよい。
【０００６】
従来は、主に前記２つの構造の組み合わせで、低損失なＳＡＷフィルタを実現することが一般的であったが、これらの構造で低損失な特性を実現すると、誘電体フィルタ等の他方式のフィルタに比べ、通過帯域近傍の減衰量は確保し易い反面、通過帯域から離れた周波数帯（例えば図９のｆａより高い周波数）では減衰量が少なくなってしまうという問題があった。
例えば通過帯域が８００〜９００ＭＨｚ帯の携帯電話システム用においては、送受信間の遷移帯域幅が狭いＥＧＳＭ（１０ＭＨｚ）やＡＭＰＳ（２０ＭＨｚ）等では、デュプレクス周波数での減衰量において要求値を満たし易い反面、８００ＭＨｚＰＤＣの５０ＭＨｚやそれ以上に遷移帯域幅が広くなった場合、従来のＳＡＷフィルタでは要求値を満たすような減衰量を確保するのが難しくなる。また減衰量を確保するために、図８の梯子の段数を増やしたり、あるいは図１１の２端子対ＳＡＷ共振器５５の段数を増やすと、挿入損失が大きくなるという問題があった。
【０００７】
このような、十分な減衰量を得ることが難しいという課題を解決する発明として、特開平４−５４０１１号には、１端子対ＳＡＷ共振器を並列要素として接続し、かつ共振周波数をフィルタ通過帯域より高周波に設定するものが開示されている。この場合、２端子対ＳＡＷ共振器の段数が２段、かつ、１端子対ＳＡＷ共振器の共振周波数が２端子対ＳＡＷ共振器特有の通過帯域近傍高周波側の段差部に設定されている。これは前記段差部の減衰量が十分でないため、減衰量を確保するよう１端子対ＳＡＷ共振器が接続されているのだが、この場合２端子対ＳＡＷ共振器の段数が２段で、かつ１端子対ＳＡＷ共振器の共振周波数を通過帯域近傍でなければ、フィルタ全体としても５０Ωの整合が取りにくいためこのような構成でしか使用されていなかった。この場合、挿入損失は大きくなるため、例えば８００ＭＨｚＰＤＣの挿入損失の要求は一般的に２．０ｄＢ以下であるが、低損失用として多く用いられるＬｉＴａＯ３基板を用いても３．０ｄＢ以下の特性を実現させるのは非常に困難である。
【０００８】
例えば、国内８００ＭＨｚＰＤＣ受信側用では通過帯域が８１０〜８４３ＭＨｚで挿入損失の要求が一般的に２ｄＢ程度以下と非常に低損失な要求であり、また帯域外減衰量が最も必要な周波数は送信側の周波数である９４０〜９５８ＭＨｚで、一般的に−５０ｄＢ以上の大きな減衰量が要求される。帯域外減衰量の周波数は通過帯域の中心周波数である８２６．５ＭＨｚの１．１３７倍以上であり、従来の構成においては前記要求を両方満たすことはできなかった。
なお、図１１のように、１端子対ＳＡＷ共振器５４を直列要素として接続した構造において、通過帯域より高周波側でかつ通過帯域より離れた周波数帯に反共振周波数を設定した場合も、減衰量は改善できるが現実的に使用されている範囲内においては同じＩＤＴ容量、すなわち同じＩＤＴ面積の１端子対ＳＡＷ共振器をそれぞれ、直列要素及び並列要素として接続した場合では、直列要素として接続した方が並列要素として接続した場合に比べ減衰量及び阻止域の幅があまり取ることが出来ない。よって、減衰量及び阻止域の幅をある程度広く確保しようとすれば、反共振周波数が異なるか、または同じである多くの１端子対ＳＡＷ共振器を直列要素として多段に接続する必要があり、結果として通過帯域内の挿入損失が大きくまたＳＡＷチップ部の電極パターンも大きくなってしまうため現実的ではない。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
以上のように、従来のＳＡＷフィルタでは、誘電体フィルタ等の他方式のフィルタに比べ通過帯域近傍の周波数での減衰量は確保し易い反面、通過帯域から離れた周波数帯では減衰量が小さくなってしまうという課題があった。
また減衰量を確保するために、フィルタの接続段数を増やしたり、あるいは２端子対ＳＡＷ共振器の段数を増やすと、挿入損失が大きくなってしまうので、容易に段数は増やせないという課題があった。
【００１０】
また、１端子対ＳＡＷ共振器を並列要素として接続し、かつ共振周波数がフィルタ通過帯域より高周波に設定する場合でも、１端子対ＳＡＷ共振器の共振周波数が、２端子対ＳＡＷ共振器特有の通過帯域近傍の高周波側の段差部に設定しなければ、フィルタ全体として５０Ωの整合が取りにくく、結果として挿入損失は大きくなるなど、帯域外減衰量を満たしつつ低損失を実現することが難しいという課題があった。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
この発明の縦結合型弾性表面波フィルタは、圧電基板上に形成され、少なくとも２組以上のくし型電極と、このくし型電極の両側に配置された短絡グレーティング電極からなる反射器と、前記くし形電極の１つに接続された入力端子とを有し中心周波数がｆ０の通過帯域を有する２端子対弾性表面波共振器、
前記２端子対弾性表面波共振器の片側に配置され、前記２端子対弾性表面波共振器に並列要素として接続されたくし形電極と、このくし形電極の両側に配置された短絡グレーティング電極からなる反射器と、このくし形電極のを有するとともに、共振周波数が前記ｆ０の１．１倍以上１．５倍以下に設定された１端子対弾性表面波波共振器とを備えたものである。
【００１２】
また、前記並列接続された１端子対弾性表面波共振器は複数あり、その内の少なくとも１つの共振周波数が、前記ｆ０の１．１倍以上１．５倍以下としたものである。
【００１３】
また、前記並列接続された１端子対弾性表面波共振器は複数あり、それぞれの共振周波数が前記ｆ０の１．１倍以上１．５倍以下であるとともに互いに異なることを特徴とする請求項１に記載の縦結合型弾性表面波フィル前記１端子対弾性表面波共振器は複数あり、その内の１つの共振周波数が、前記ｆ０の１．１倍以上１．５倍以下としたものである。
【００１４】
また、圧電基板上に形成され、少なくとも２組以上のくし型電極と、このくし型電極の両側に配置された短絡グレーティング電極からなる反射器と、前記くし形電極の１つに接続された入力端子とを有し中心周波数がｆ０の通過帯域を有する２端子対弾性表面波共振器、
前記２端子対弾性表面波共振器に直列要素として接続されたくし形電極と、このくし形電極の両側に配置された短絡グレーティング電極からなる反射器とを有する１端子対弾性表面波共振器、
前記１端子対弾性表面波共振器に並列要素として接続されたくし形電極と、このくし形電極の両側に配置された短絡グレーティング電極からなる反射器とを有するとともに、共振周波数が前記ｆ０の１．１倍以上１．５倍以下に設定された１端子対弾性表面波共振器とを備えたものである。
【００１５】
また、並列要素として接続された前記１端子対弾性表面波共振器の共振周波数は、直列要素として接続された前記１端子対弾性表面波共振器の反共振周波数の１倍以上１．５倍以下としたものである。
【００１６】
また、前記２端子対弾性表面波共振器の前記くし形電極は３組設けられているものである。
【００１７】
また、前記１端子対弾性表面波共振器の出力端子に接続された特性インピーダンス整合用の素子を備えたものである。
【００１８】
また、前記特性インピーダンス整合用素子は、前記１端子対弾性表面波共振器の出力端子に接続されたインダクタとしたものである。
【００１９】
【発明の実施の形態】
実施の形態１．
本実施の形態の縦結合型弾性表面波フィルタ（以下ＳＡＷフィルタと言う）は、特にフィルタの通過帯域より高周波側で、かつ通過帯域よりある程度離れた周波数帯にて大きな減衰量が必要な場合、１つの２端子対ＳＡＷ共振器に対し、１つ以上の１端子対ＳＡＷ共振器を並列要素として接続し、かつこの１端子対ＳＡＷ共振器の共振周波数がフィルタ通過帯域よりも高く、大きい減衰が必要な周波数帯になるように、ＩＤＴの周期を設定することにより、帯域内にて低損失な特性を確保しつつ、帯域外の周波数において大きな減衰量を実現するものである。
【００２０】
図１は本発明の実施の形態１のＳＡＷフィルタの構成図である。図において、１、５、６、８は短絡グレーティングからなる反射器、２、３、４、７はくし形電極（すだれ状電極またはＩＤＴともいう）、３０はＩＤＴ３に接続された入力端子、３１はＩＤＴ７に接続された出力端子、９はＩＤＴ７から出力端子３１に至る接続線の途中に接続されたインダクタである。
図１のものは励振可能な図示しない圧電基板上に３つのＩＤＴ２、３，４と、その両側に配置した短絡グレーティングからなる反射器１、５を有し、通過帯域中心周波数がｆ０の縦結合型２端子対ＳＡＷ共振器３２に、前記２端子対ＳＡＷ共振器３２の片側、すなわち図１の場合、下側のポートにＩＤＴ７とその両側に配置された反射器６、８を有する１端子対ＳＡＷ共振器３３を並列要素として接続して縦結合型弾性表面波フィルタを構成し、前記１端子対ＳＡＷ共振器３３の共振周波数を前記ｆ０の１．１倍以上、１．５倍以下に、即ちフィルタの通過帯域よりも高周波側になるようＩＤＴ７の周期を設定している。そして１端子対ＳＡＷ共振器３３と同じポートに、即ち、出力端子に特性インピーダンスに整合させるためのインダクタ９を１個並列に接続している。なお図１では１端子対ＳＡＷ共振器３３は１個のみ図示しているが、複数個を並列に接続してよい。
【００２１】
一般論として、整合の際には整合用のインダクタとコンデンサとを用いれば、整合前のインピーダンスがどのような値であれ、任意の特性インピーダンスに整合させることができるが、整合素子を多く使うと整合素子による損失が増加し、また同じ素子数でもインダクタのインダクタンス値及びコンデンサのキャパシタンス値の大きさによって損失分も大きく異なる。低損失にするにはできるだけ素子数を少なくし、かつ各素子の抵抗分を小さくすることが整合素子を含めたフィルタ全体の損失を低く抑えるためには重要である。
一般的に整合素子の損失分を小さくするには、インダクタのインダクタンス値はできるだけ小さく、またコンデンサのキャパシタンス値はできるだけ大きくする必要があるが、コンデンサの場合キャパシタンス値を大きくすれば一般的にサイズも大きくなるため小型化には不利である。そこで図１のものでは、１端子対ＳＡＷ共振器３３のＩＤＴ７の容量を、整合素子が並列接続のインダクタ９のみで済む（コンデンサを要しない）ように、最適に設定している。このインダクタ９のインダクタンス値をできるだけ小さくすれば一般的にインダクタのサイズも小型になり抵抗分も小さく低損失にすることができる。図１の構成では、２端子対ＳＡＷ共振器３２及び１端子対ＳＡＷ共振器３３をそれぞれ最適設計すれば、整合用インダクタ９のインダクタンス値をかなり小さくすることができるので、低損失化には非常に有利な構成である。
【００２２】
具体的に、図１の構成にて、国内８００ＭＨｚＰＤＣの受信側用に最適設計したＳＡＷフィルタを開発・作製し、電気特性を測定した結果を図３、図４に示す。図３より帯域外減衰量（９４０〜９５８ＭＨｚ）が５３ｄＢ程度、図４より通過帯域（８１０〜８４３ＭＨｚ）での挿入損失が１．７ｄＢ程度と、従来例で具体例として示した数値の両方を満たしていることが分かる。またここでは整合用のインダクタ９にチップインダクタを用いており、図３，図４は前記チップインダクタを含めた特性である。チップインダクタのインダクタンス値は３．９ｎＨと非常に小さなインダクタンス値にすることができ、インダクタの抵抗分が小さく済んでいることから低損失化に貢献している。
本実施の形態での阻止域周波数は、具体的には通過帯域の中心周波数ｆ０から１．１倍以上、１．５倍以下の周波数範囲で特に効果が大きい。
【００２３】
１端子対ＳＡＷ共振器３３を並列要素として使う場合、その前後にインダクタンス成分が接続されれば共振周波数での減衰量が大きくなり阻止域も広がるが、１端子対ＳＡＷ共振器を圧電基板に形成した場合にはその前後との接続に電極パターンによる配線を介するため、一般的に配線によるインダクタンス成分が入ってしまう。また１端子対ＳＡＷ共振器３３とＳＡＷフィルタパッケージ（図示しない）のグランド間の接続にワイヤを用いた場合には、更にワイヤのインダクタンス成分が入るため、減衰量も更に大きく阻止域も更に広くとることができる。
【００２４】
実施の形態２．
図１の１端子対ＳＡＷ共振器３３は、前述のとおり複数個並列に接続してよい。この場合、これら複数の１端子対ＳＡＷ共振器３３の内の少なくとも１つのものの共振周波数が、前述のｆ０の１．１倍以上１．５倍以下であれば、前述の効果が得られる。そして共振周波数が前述の範囲内にあるものの数が増えれば、それに応じてその周波数での減衰量を大きくすることが出来る。
また、これら複数の１端子対ＳＡＷ共振器３３の共振周波数を、互いに少しずつ異なる値とすることにより、広い周波数範囲で減衰量を大きくすることが出来る。
いずれにしても、複数の１端子対ＳＡＷ共振器３３の共振周波数を任意に設定して、フィルタ全体としての周波数特性を任意に調整することが出来る。
【００２５】
実施の形態３．
図２は本発明の実施の形態３の縦結合型弾性表面波フィルタの構成図である。
図２では実施の形態１の図１に対し、２端子対ＳＡＷ共振器３２と１端子対ＳＡＷ共振器３３の間に、ＩＤＴ１６とその両側に配置した反射器１５、１７を有する第２の１端子対ＳＡＷ共振器３４を直列要素として追加挿入した構成である。図２では第２の１端子対ＳＡＷ共振器３４は１このみ示しているが、複数個挿入してもよい。
図２の１端子対ＳＡＷ共振器３３の共振周波数の設定は実施の形態１の場合と同じである。また、図２の１端子対ＳＡＷ共振器３３の共振周波数が第２の１端子対ＳＡＷ共振器の反共振周波数ｆｒの１倍以上１．５倍以下になるように、第２の１端子対ＳＡＷ共振器の反共振周波数を設定する。こうすることにより、実施の形態１のものに比して更に帯域外減衰量を大きくすることができる。しかし挿入損失については第２の１端子対ＳＡＷ共振器３４を追加挿入した分、若干増えている。以上に説明した実施の形態１、２のいずれの構成を採用するかは、要求された特性に応じて選択すればよい。
【００２６】
具体例として、図２の構成にて最適設計したＳＡＷフィルタを作製し電気特性を測定した結果を図５、図６に示す。図５より帯域外減衰量（９４０〜９５８ＭＨｚ）が６１ｄＢ程度、図６より通過帯域（８１０〜８４３ＭＨｚ）での挿入損失が２．１ｄＢ程度となっており、実施の形態１の例に対し、帯域外減衰量は大きくなっているが、挿入損失は若干増えている。また同様に整合用のチップインダクタ２１を用いているが、インダクタンス値は３．６ｎＨとここでも非常に小さなインダクタンス値にすることができた。
【００２７】
なお実施の形態１、２のフィルタ単体としての構成に限らず、デュプレクサ等他の回路と組み合わせたものとしても、同様の効果が得られる。実施の形態１、２の構成を受信部のフィルタとした時の、デュプレクサとしての回路構成を図７に示す。
【００２８】
【発明の効果】
以上のように、この発明の弾性表面波フィルタによれば、少なくとも２組以上のＩＤＴの両側に、短絡グレーティング電極からなる反射器を配した通過中心周波数がｆ０の２端子対ＳＡＷ共振器に１端子対ＳＡＷ共振器を並列要素として接続し、かつこの１端子対ＳＡＷ共振器の共振周波数をｆ０の１．１倍以上１．５倍以下にすることで、通過帯域にて低損失な特性を有し、通過帯域の高周波側で通過帯域から離れた周波数帯でも減衰量が大きくかつ阻止域も広いものとする効果が得られる。
【００２９】
また、前記１端子対ＳＡＷ共振器は複数個あり、そのうちの少なくとも１つの共振周波数を前記の範囲としたので、調整が簡単であるという効果が得られる。
【００３０】
また、前記１端子対ＳＡＷ共振器は複数個あり、それぞれの共振周波数が上記の範囲にあり、かつ、互いに異なるようにしたので、フィルタ全体とての特性を任意に調整できるという効果が得られる。
【００３１】
また、１つ以上の１端子対ＳＡＷ共振器を直列要素として接続したので、フィルタの減衰特性を更に大きくすることが出来る。
【００３２】
また、直列要素として接続した１端子対ＳＡＷ共振器の共振周波数を、並列接続された１端子対ＳＡＷ共振器の反共振周波数の１．０〜１．５倍の範囲としたので、フィルタの減衰特性を更に大きくすることが出来る。
【００３３】
また、２端子対ＳＡＷ共振器のくし形電極は３組としたので、各共振器間の相互干渉が少なく、調整しやすいフィルタが得られるという効果が得られる。
【００３４】
また、１端子対ＳＡＷ共振器が接続された出力端子側に、特性インピーダンス整合素子を接続したので、任意のインピーダンスに調整できるという効果が得られる。
【００３５】
また、インピーダンス整合としてインダクタのみで所定のインピーダンスを得られるように、ＳＡＷ共振器を最適設計したので、小型で低損失なＳＡＷフィルタを実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施の形態１の縦結合型ＳＡＷフィルタの構成図である。
【図２】実施の形態２の縦結合型ＳＡＷフィルタの構成図である。
【図３】図１の縦結合型ＳＡＷフィルタの伝送特性図である。。
【図４】図３の一部拡大図である。
【図５】図２の縦結合型ＳＡＷフィルタの伝送特性図である。
【図６】図５の一部の拡大図である。
【図７】実施の形態１、２の縦結合型ＳＡＷフィルタをデュプレクサに用いた場合の回路構成図である。
【図８】従来の弾性表面波フィルタの構成図である。
【図９】図８のフィルタの特性図である。
【図１０】図８のフィルタの特性説明図である。
【図１１】従来の別の弾性表面波フィルタの構成図である。
【符号の説明】
１、５、６、８、１５、１７　反射器、
２〜４、７、１６　くし形電極（ＩＤＴ）、
９　インダクタ、　　３２　２端子対弾性表面波共振器、
３３　１端子対弾性表面波共振器、
３４　第２の１端子対弾性表面波共振器。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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