(57)【要約】【課題】無駄な冷却時間を浪費することなく熱処理済みウエハを冷却する。【解決手段】マルチチャンバ形熱処理装置の冷却室３３には複数枚のウエハ１を保持する保持台３８が設置され、冷却室３３には窒素ガス供給管３６と排気管３７とが接続されている。冷却室筐体３２の上部には赤外線を透過可能な石英板４５が嵌め込まれた窓孔４４が開設され、その外側には保持台３８に保持されたウエハ１の温度を検出するサーモグラフィー４６が設置されている。【効果】冷却室で冷却されているウエハの現在の温度をサーモグラフィーによりリアルタイムで検出できるので、ウエハを設定温度まで過不足なく正確に冷却できる。冷却時間のマージンを省略することで、ウエハの冷却時間を短縮できるので、マルチチャンバ形熱処理装置のスループットを向上できる。【選択図】　　　図２
2004128390.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を加熱処理する処理室と、加熱処理された基板を冷却する冷却室とを備えている基板処理装置において、
前記冷却室は前記基板を保持する保持台と、この保持台に保持された前記基板の温度を検出する基板温度検出装置と、前記冷却室に冷却ガスを供給する冷却ガス供給手段と、前記冷却ガスを排気する冷却ガス排気手段とを備えていることを特徴とする基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、基板処理装置に関し、特に、被処理基板の冷却技術に係り、例えば、半導体集積回路装置（以下、ＩＣという。）の製造方法において、ＩＣが作り込まれる半導体ウエハ（以下、ウエハという。）を加熱して温度活性化させたウエハに成膜やアニール、酸化膜成長、拡散等の各種の熱処理　（Ｔｈｅｒｍａｌ　Ｔｒｅａｔｍｅｎｔ）を施すのに利用して有効なものに関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来のこの種の基板処理装置として、熱処理をウエハに一枚ずつ施す処理室と、処理済のウエハを冷却するための冷却室と、複数枚のウエハを保持したカセットを処理前後に収容するための二基のカセット室とを備えており、これらの室（チャンバ）がウエハを搬送して各室に搬入搬出するためのウエハ移載装置が設置された搬送室の周りに配置されて構成されているマルチチャンバ形ＣＶＤ装置がある。このようなマルチチャンバ形ＣＶＤ装置としては、冷却室の内部にウエハを保持する保持台が設置されており、冷却室には冷却ガスを供給する冷却ガス供給管および冷却ガスを排気する排気管が接続されているものがある（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
【特許文献１】
特開２００２−１７０８２３号公報
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、前記したマルチチャンバ形ＣＶＤ装置においては、冷却室の内部に複数枚のウエハを保持する保持台が設置されており、ウエハが短時間で熱処理されて冷却室へ次々に搬入される場合には、先に保持台において保持されて途中まで冷却されたウエハが冷却室に後から次々に搬入されて来る高温のウエハによって再び加熱されてしまうことになるために、冷却室の冷却効率が低下し冷却時間が長くなってしまう。つまり、冷却室の冷却処理能力が処理室の熱処理能力に追従することができなくなってしまうために、マルチチャンバ形ＣＶＤ装置全体としてのスループットが低下してしまう。
【０００５】
本発明の目的は、正確な冷却時間を設定することができないという問題点を解決し、無駄な冷却時間を浪費することなく被処理基板を冷却することができる基板処理装置を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る基板処理装置は、基板を加熱処理する処理室と、加熱処理された基板を冷却する冷却室とを備えている基板処理装置において、
前記冷却室は前記基板を保持する保持台と、この保持台に保持された前記基板の温度を検出する基板温度検出装置と、前記冷却室に冷却ガスを供給する冷却ガス供給手段と、前記冷却ガスを排気する冷却ガス排気手段とを備えていることを特徴とする。
【０００７】
前記した手段によれば、冷却室において冷却されている基板の実際の温度を基板温度検出装置によって検出することにより、基板を必要な温度まで過不足なく正確に冷却することができるので、基板の冷却時間を短縮することができる。
【０００８】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の一実施の形態を図面に即して説明する。
【０００９】
本実施の形態において、本発明に係る基板処理装置は、ＩＣの製造方法においてウエハに成膜やアニール、酸化膜成長および拡散等の様々な熱処理を施すのに使用されるマルチチャンバ形熱処理装置として構成されている。そして、急速昇降温装置（Ｒａｐｉｄ　Ｔｈｅｒｍａｌ　Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ装置。以下、ＲＴＰ装置という。）が使用されている。
【００１０】
図１に示されているように、マルチチャンバ形熱処理装置１０はウエハ移載装置（ｗａｆｅｒ　ｔｒａｎｓｆｅｒ　ｅｑｕｉｐｍｅｎｔ　）９が設置される搬送室１１を形成した筐体（以下、搬送室筐体という。）１２を備えており、搬送室筐体１２は上下の端面が閉塞した六角形の筒形状に形成されている。ウエハ移載装置９はスカラ形ロボット　（ｓｅｌｅｃｔｉｖｅ　ｃｏｍｐｌｉａｎｃｅ　ａｓｓｅｍｂｌｙ　ｒｏｂｏｔ　ａｒｍ　　ＳＣＡＲＡ）によって構成されており、ウエハ１を一枚ずつ搬送するようになっている。
【００１１】
搬送室筐体１２の六枚の側壁のうち一枚の側壁にはウエハ搬入搬出口１３が開設されており、この側壁には図４に示された後記するＲＴＰ装置５０が設置される設置室１４を形成した筐体１５が隣接して設置されている。搬送室筐体１２のウエハ搬入搬出口１３はゲートバルブ１６によって開閉されるように構成されている。
【００１２】
搬送室筐体１２の六枚の側壁のうち筐体１５が設置された側壁の隣の側壁にはウエハ搬入口１７が開設されており、この側壁にはノッチ合わせ装置１８が設置されるノッチ合わせ室１９を形成した筐体２０が隣接して設置されている。この筐体２０のウエハ搬入口１７と反対側の側壁にはカセット室（以下、搬入室という。）２１を形成した筐体２２がゲートバルブ２３が介して設置されており、搬入室２１にはこれから処理するウエハを収納したカセット（図示せず）が載置されるようになっている。
【００１３】
搬送室筐体１２の六枚の側壁のうち搬入室２１が連設された側壁の筐体１５と反対側の隣の側壁には、ウエハ搬出口２４が開設されており、この側壁には待機室２５を形成した筐体２６が隣接して設置されている。この筐体２６のウエハ搬出口２４と反対側の側壁には、カセット室（以下、搬出室という。）２７を形成した筐体２８がゲートバルブ２９を介して設置されており、搬出室２７には処理済のウエハを収納するカセット（図示せず）が載置されるようになっている。
【００１４】
搬送室筐体１２の六枚の側壁のうち搬出室２７が連設された側壁の搬入室２１と反対側の隣の側壁には、ウエハ搬入搬出口（以下、搬送室側口という。）３０が開設されており、この側壁には冷却室３３を形成した筐体（以下、冷却室筐体という。）３２が隣接して設置されている。冷却室筐体３２と搬送室筐体１２との間にはゲートバルブ３１が介設されており、このゲートバルブ３１は搬送室側口３０と冷却室筐体３２に開設されたウエハ搬入搬出口（以下、冷却室側口という。）３４とを開閉するように構成されている。
【００１５】
図２に示されているように、冷却室筐体３２の底壁には冷却ガスとしての窒素ガスを冷却室３３に吹き出す吹出口３５が開設されており、吹出口３５には冷却ガス供給手段としての窒素ガス供給管３６が接続されている。冷却室筐体３２の底壁の吹出口３５から離間した位置には冷却ガス排気手段としての排気管３７の一端が接続されており、排気管３７の他端は真空ポンプ等からなる排気装置（図示せず）に接続されている。冷却室３３の底面の上にはウエハ１を水平に保持するための保持台３８が設置されている。図３に示されているように、保持台３８はウエハ１の外径よりも大径の正方形平盤形状に形成されたベースプレート３９を備えており、ベースプレート３９が冷却室筐体３２の底壁の底面上に取付具４０によって据え付けられることにより、保持台３８は冷却室３３に水平に設置されている。ベースプレート３９の上面には四本の保持柱４１が、同一の円形線上において周方向に離間されて垂直に立脚されている。四本の保持柱４１には三個の保持溝４２が垂直方向に等間隔に配置されており、四本の保持柱４１における同一高さの保持溝４２はウエハ１を一枚ずつ水平に保持するように構成されている。
【００１６】
冷却室筐体３２の冷却室側口３４と反対側の側壁の上部には、上側が内側に傾斜する傾斜部４３が形成されており、傾斜部４３には赤外線（熱線）を透過可能な石英板４５が嵌め込まれた窓孔４４が開設されている。冷却室筐体３２の傾斜部４３の外側には保持台３８に保持されたウエハ１の温度を検出するウエハ温度検出装置としてのサーモグラフィー４６が設置されている。サーモグラフィー４６は保持台３８に保持されたウエハ１からの赤外線を受光して、ウエハ１における温度分布を色分けしてモニタに映し出すように構成されている。また、サーモグラフィー４６はその色分けに基づいてウエハ１の現在の温度を検出し、当該検出温度に基づいてウエハ１の冷却が充分か否かを判定し、冷却が充分である場合にはウエハ１の冷却室３３からの搬出を許容する信号をウエハ移載装置９に指令するように構成されている。
【００１７】
図４に示されたＲＴＰ装置５０は被処理基板としてのウエハ１を処理する処理室５１を形成した筐体５２を備えており、筐体５２は上下面が開口した円筒形状に形成されたカップ５３と、カップ５３の上面開口部を閉塞する円盤形状のトッププレート５４と、カップ５３の下面開口部を閉塞する円盤形状のボトムプレート５５とが組み合わされて円筒中空体形状に構築されている。カップ５３の側壁の一部には排気口（図示せず）が処理室５１の内外を連通させるように開設されており、排気口には処理室５１を大気圧未満（以下、負圧という。）に排気し得る排気装置が接続されている。トッププレート５４はトッププレート開閉装置５６によって開閉されるように構成されている。カップ５３の側壁にはウエハ搬入搬出口４９が開設されており、ウエハ１は処理室５１にウエハ移載装置９によって一枚ずつ搬入搬出されるようになっている。
【００１８】
ボトムプレート５５の中心線上には取付孔５７が大きく開設されており、ボトムプレート５５の下面にはブラケット５８が同心円に配置されて垂直方向下向きに設置されている。ボトムプレート５５の中心線上にはブラケット５８の下面に設置された昇降駆動装置５９によって昇降駆動される昇降軸６０が昇降自在に挿通されており、昇降軸６０の上端には昇降板６１が水平に固定されている。昇降板６１の上面には複数本（通常は三本または四本）のリフタピン６２が垂直に立脚されて固定されており、リフタピン６２は昇降板６１の昇降に伴って昇降することによりウエハ１を下から支持して昇降させるようになっている。
【００１９】
ブラケット５８の底面における昇降軸６０の外側には、支持筒６３が同心円に配置されて設置されており、支持筒６３の上端には冷却プレート６４が水平に架設されている。冷却プレート６４の上方には複数本の加熱ランプから構成された第一加熱ランプ群６５および第二加熱ランプ群６６が下から順に配置されてそれぞれ水平に架設されており、第一加熱ランプ群６５および第二加熱ランプ群６６は第一支柱６７および第二支柱６８によってそれぞれ支持されている。第一加熱ランプ群６５および第二加熱ランプ群６６は加熱源としての加熱ランプ（タングステン−ハロゲン直線ランプ）が二十一本（二十一本でなくてもよい。）、互いに平行に配列されて水平にそれぞれ架設されて構成されており、第一加熱ランプ群６５および第二加熱ランプ群６６には四つのゾーンが両端から中央にかけてそれぞれ設定されている。第一加熱ランプ群６５および第二加熱ランプ群６６は第一ゾーン〜第四ゾーン毎に制御器に並列に接続されており、制御器は温度計測器が接続されたコントローラによってオン・オフ制御されるように構成されている。第一加熱ランプ群６５および第二加熱ランプ群６６の電力供給電線は支持筒６３の中空部を挿通してブラケット５８の外部に引き出されるようになっている。
【００２０】
処理室５１には処理室５１の内径よりも小径の外径の円筒形状に形成されたタレット７１が同心円に配置されており、タレット７１は円形の皿形状に形成された回転板７２の上面に同心円に配置されて固定されている。タレット７１の上端には円形リング形状に形成されたアウタプラットホーム７３が水平に架設されており、アウタプラットホーム７３の内側には小径の円形リング形状に形成されたインナプラットホーム７４が水平に架設されている。インナプラットホーム７４の内側には炭化シリコンや窒化アルミニウム等が使用されて円板形状に形成されたサセプタ７５が、インナプラットホーム７４の上端開口を閉塞するように被せられている。サセプタ７５の各リフタピン６２に対向する位置には、挿通孔７６がそれぞれ開設されている。回転板７２と冷却プレート６４との間にはベアリング７７が介設されており、ベアリング７７はベアリング押さえ具７８によって固定されている。回転板７２はブラケット５８に設置されたＤＣブラシレスモータからなるサセプタ回転装置７９によって回転駆動されるようになっている。
【００２１】
トッププレート５４には温度計測器のプローブ８０が複数本、互いに半径方向にウエハ１の中心から周辺にかけてずらされてそれぞれ配置されてウエハ１の上面と対向するように挿入されており、温度計測器は複数本のプローブ８０によってそれぞれ検出した温度計測結果をコントローラに逐次送信するように構成されている。トッププレート５４の他の場所にはレファレンスセンサ８１が設置されており、レファレンスセンサ８１はレファレンスセンサ用モータ８２によって垂直面内で回転されるようになっている。レファレンスセンサ８１の上側にはレファレンスランプ８３がレファレンスセンサ８１の先端に対向するように設置されている。レファレンスセンサ８１は温度計測器に光学的に接続されており、温度計測器はウエハ１からの光子密度とレファレンスランプ８３から光子密度とを比較することにより、計測温度を校正するようになっている。
【００２２】
続けて、前記構成に係るＲＴＰ装置５０の作用を説明する。
【００２３】
カップ５３の側壁に開設されたウエハ搬入搬出口４９がゲートバルブ１６により開放されると、昇降軸６０が昇降駆動装置５９によって上限位置に上昇されて、リフタピン６２がサセプタ７５の挿通孔７６に下から挿通される。続いて、ウエハ移載装置９によって搬送されて来たウエハ１が複数本のリフタピン６２の上端間に受け渡される。その後に、リフタピン６２にウエハ１を受け渡したウエハ移載装置９は後退する。
【００２４】
続いて、昇降軸６０が昇降駆動装置５９によって下降されることにより、リフタピン６２がサセプタ７５の下方に引き込まれて、リフタピン６２の上のウエハ１がサセプタ７５の上に受け渡される。ウエハ１がサセプタ７５に受け渡されると、ウエハ搬入搬出口４９がゲートバルブ１６により閉じられる。処理室５１が閉じられると、処理室５１が排気口を通じて排気される。
【００２５】
また、ウエハ１がサセプタ７５に受け渡されると、ウエハ１をサセプタ７５によって保持したタレット７１が回転板７２と共にサセプタ回転装置７９によって回転される。サセプタ７５に保持されたウエハ１はサセプタ回転装置７９によって回転されながら、第一加熱ランプ群６５および第二加熱ランプ群６６によって加熱される。この加熱中におけるウエハ１の温度は温度計測器のプローブ８０によって逐次計測され、コントローラへ逐次送信されている。コントローラは温度計測器からの計測結果に基づいてフィードバック制御を実行する。この際、レファレンスセンサ８１からのデータに基づいて温度の校正が実施される。
【００２６】
サセプタ７５がサセプタ回転装置７９によって回転されながら、サセプタ７５の上に保持されたウエハ１は第一加熱ランプ群６５および第二加熱ランプ群６６によって加熱されるため、ウエハ１は全面にわたって均等に熱処理される。そして、熱処理レートはウエハ１の温度分布に依存するため、ウエハ１の温度分布が全面にわたって均一であれば、ウエハ１に施される熱処理状況の分布はウエハ１の全面にわたって均一になる。
【００２７】
予め設定された所定の処理時間が経過すると、処理室５１は排気口によって所定の負圧に排気される。続いて、前述とは逆の手順により、ウエハ１はリフタピン６２によってサセプタ７５から所定の間隔だけ浮かされた後に、リフタピン６２の上からウエハ移載装置９によってピックアップされ、処理室５１の外部へ搬出される。
【００２８】
次に、前記構成に係るマルチチャンバ形熱処理装置１０の作用を説明する。
【００２９】
これから熱処理されるウエハ１は二十五枚がウエハキャリアとしてのカセットに収納された状態で、搬入室２１に供給される。搬入室２１のカセットに収納されたウエハ１は一枚ずつノッチ合わせ室１９に搬入され、ノッチ合わせ装置１８によってノッチ合わせされる。
【００３０】
ノッチ合わせされたウエハ１はウエハ移載装置９によってノッチ合わせ装置１８からピックアップされて、前述したように、ＲＴＰ装置５０に搬入（ウエハローディング）され、前述した熱処理を施される。
【００３１】
所定の熱処理時間が経過すると、ゲートバルブ１６が開かれて、ＲＴＰ装置５０において熱処理されたウエハ１が搬送室１１へウエハ移載装置９によって搬出（ウエハアンローディング）される。搬出されたウエハ１は冷却室３３へウエハ移載装置９によって搬送される。ウエハ１が搬送されて来ると、搬送室側口３０および冷却室側口３４がゲートバルブ３１によって開かれ、処理済のウエハ１が冷却室３３にウエハ移載装置９によって搬入される。冷却室３３に搬入されたウエハ１は保持台３８の空の保持溝４２に挿入されて受け渡される。
【００３２】
保持台３８がウエハ１を保持しウエハ移載装置９のツィーザが冷却室３３から脱出すると、冷却室側口３４および搬送室側口３０がゲートバルブ３１によって閉じられる。続いて、冷却ガスとしての窒素ガス４８が吹出口３５に冷却ガス供給管３６によって供給されてシャワー状に吹き出されるとともに、排気管３７によって緩やかに排気される。吹出口３５からシャワー状に吹き出した窒素ガス４８がウエハ１に接触することによって高温のウエハ１の熱を奪うため、ウエハ１は窒素ガス４８によって冷却される。この際、吹出口３５から吹き出された窒素ガス４８が排気管３７によって緩やかに排気されることにより、ウエハ１の熱が常に新鮮な冷えた窒素ガス４８によって奪われることになるために、ウエハ１は効率よく冷却されることになる。
【００３３】
一方、処理済のウエハ１を冷却室３３の保持台３８に受け渡したウエハ移載装置９はノッチ合わせ室１９に戻り、ノッチ合わせされた二枚目のウエハ１をノッチ合わせ装置１８からピックアップして、ＲＴＰ装置５０に搬入する。二枚目のウエハ１はＲＴＰ装置５０において前述した熱処理を施される。
【００３４】
所定の熱処理時間が経過すると、ゲートバルブ１６が開かれ、熱処理された二枚目のウエハ１が搬送室１１へウエハ移載装置９によって搬出される。搬出されたウエハ１は冷却室３３へウエハ移載装置９によって搬送される。
【００３５】
ところで、ＲＴＰ装置５０の場合には、熱処理が速く終了することによって高温になった処理済のウエハ１が冷却室３３に短時間で搬送されて来ることになるために、熱処理された二枚目のウエハ１が冷却室３３に搬送されて来た時点では冷却室３３の一枚目のウエハ１の冷却は不充分な状態になってしまう事態が発生し、冷却室３３の一枚目のウエハ１の冷却を継続する必要がある。
【００３６】
そこで、本実施の形態においては、熱処理された二枚目のウエハ１が冷却室３３に一枚目のウエハ１の冷却の途中で搬送されて来た場合には、一枚目のウエハ１と二枚目のウエハ１とを同時に冷却させる。すなわち、熱処理された二枚目のウエハ１が冷却室３３に一枚目のウエハ１の冷却の途中で搬送されて来ると、搬送室側口３０および冷却室側口３４がゲートバルブ３１によって開かれ、二枚目のウエハ１が冷却室３３にウエハ移載装置９によって搬入される。冷却室３３に搬入された二枚目のウエハ１は一枚目のウエハ１が保持された保持台３８の別の保持溝４２の上に受け渡される。
【００３７】
保持台３８が二枚目のウエハ１を保持し、ウエハ移載装置９のツィーザが冷却室３３から脱出すると、冷却室側口３４および搬送室側口３０がゲートバルブ３１によって閉じられる。続いて、冷却ガスとしての窒素ガス４８が吹出口３５に窒素ガス供給管３６によって供給されてシャワー状に吹き出される。
【００３８】
吹出口３５からシャワー状に吹き出した窒素ガス４８が二枚のウエハ１、１に接触することによって高温のウエハ１、１の熱を奪うため、二枚のウエハ１、１は窒素ガス４８によって冷却される。この際、ウエハ１の熱が常に新鮮な冷えた窒素ガス４８によって奪われることになるため、二枚のウエハ１、１は効率よく冷却されることになる。
【００３９】
二枚目のウエハ１の場合と同様にして、三枚目のウエハ１がＲＴＰ装置において熱処理された後に冷却室３３に搬送されて来ると、三枚目のウエハ１は保持台３８の別の保持溝に保持される。そして、三枚のウエハ１、１、１が冷却室３３において同時に冷却される。この三枚のウエハ１に対する冷却も前述した作用によって効率よく実行される。
【００４０】
以上の冷却室３３におけるウエハ１の冷却中において、サーモグラフィー４６は保持台３８に保持されたウエハ１からの赤外線を受光して、ウエハ１における温度分布を色分けしてモニタに映し出すとともに、当該赤外線の強度に基づいてウエハ１の現在の温度を自動的に検出し、ウエハ１の現在の温度が予め設定された温度以下、例えば、ウエハ１をカセットに収納可能な約８０℃以下に冷えたか否かを判定する。サーモグラフィー４６はウエハ１が設定温度に冷えたと判定した場合には、その冷えたウエハ１を搬出させる旨の指令をウエハ移載装置９のコントローラに送信する。ウエハ移載装置９はサーモグラフィー４６によって指定されたウエハ１を保持台３８の保持溝４２からピックマップして、冷却室３３から搬出し、待機室２５に搬送して搬出室２７のカセットに収納する。
【００４１】
前記実施の形態によれば、次の効果が得られる。
【００４２】
１）　冷却室の保持台に保持されたウエハの温度を検出するサーモグラフィーを設置することにより、冷却室において冷却されているウエハの現在の温度をリアルタイムで検出することができるので、ウエハを予め設定された温度まで過不足なく正確に冷却することができる。
【００４３】
２）　ウエハを予め設定された温度まで過不足なく正確に冷却することにより、ウエハを予め設定された温度まで確実に冷却するのに必要な余裕（マージン）を設定しなくてもよいので、ウエハの冷却時間を短縮することができ、その結果、マルチチャンバ形熱処理装置のスループットを向上させることができる。
【００４４】
３）　冷却室に冷却ガスとしての窒素ガスを吹出口からシャワー状に吹き出しながら排気管から緩やかに排気することにより、ウエハの熱を常に新鮮な冷えた窒素ガスによって奪うことができるので、ウエハを効率よく冷却させることができ、ウエハの冷却時間をより一層短縮することができる。
【００４５】
４）　冷却室のウエハの冷却効率を向上させることにより、冷却室の冷却処理能力をＲＴＰ装置の熱処理能力に追従させることができるため、マルチチャンバ形熱処理装置全体としてのスループットを向上させることができる。
【００４６】
なお、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々に変更が可能であることはいうまでもない。
【００４７】
例えば、保持台は四本の保持柱の保持溝によって保持するように構成するに限らず、三本や五本等の保持柱の保持溝によって保持するように構成してもよいし、サセプタによって保持するように構成してもよい。
【００４８】
保持台が保持するウエハの枚数は三枚に設定するに限らず、一枚または二枚または四枚以上に設定してもよい。
【００４９】
冷却ガスとしては窒素ガスを使用するに限らず、クリーンエア等を使用してもよい。
【００５０】
冷却室は一基設置するに限らず、二基以上設置してもよい。
【００５１】
ＲＴＰ装置を使用するに限らず、その他の枚様式熱処理装置やバッチ式熱処理装置（ｆｕｒｎａｃｅ　）を使用してもよいし、さらには、スパッタリング装置やドライエッチング装置等を使用してもよい。また、被処理基板はウエハに限らず、液晶パネル等であってもよい。要は、本発明は冷却室を備えた基板処理装置全般に適用することができる。
【００５２】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、基板を予め設定された温度まで過不足なく正確に冷却することができるので、無駄な冷却時間を浪費することなく基板を冷却することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施の形態であるマルチチャンバ形熱処理装置を示す一部切断平面図である。
【図２】図１のＩＩ−ＩＩ　線に沿う断面図である。
【図３】保持台を示す斜視図である。
【図４】ＲＴＰ装置を示す側面断面図である。
【符号の説明】
１…ウエハ（被処理基板）、９…ウエハ移載装置、１０…マルチチャンバ形熱処理装置（基板処理装置）、１１…搬送室、１２…搬送室筐体、１３…ウエハ搬入搬出口、１４…ＲＴＰ装置設置室、１５…筐体、１６…ゲートバルブ、１７…ウエハ搬入口、１８…ノッチ合わせ装置、１９…ノッチ合わせ室、２０…ノッチ合わせ室筐体、２１…搬入室、２２…搬入室筐体、２３…ゲートバルブ、２４…ウエハ搬出口、２５…待機室、２６…待機室筐体、２７…搬出室、２８…搬出室筐体、２９…ゲートバルブ、３０…搬出室側口、３１…ゲートバルブ、３２…冷却室筐体、３３…冷却室、３４…冷却室側口、３５…吹出口、３６…窒素ガス供給管、３７…排気管、３８…保持台、３９…ベースプレート、４０…取付具、４１…保持柱、４２…保持溝、４３…傾斜部、４４…窓孔、４５…石英板、４６…サーモグラフィー、４８…窒素ガス（冷却ガス）、４９…ウエハ搬入搬出口、５０…ＲＴＰ装置、５１…処理室、５２…筐体、５３…カップ、５４…トッププレート、５５…ボトムプレート、５６…トッププレート開閉装置、５７…取付孔、５８…ブラケット、５９…昇降駆動装置、６０…昇降軸、６１…昇降板、６２…リフタピン、６３…支持筒、６４…冷却プレート、６５…第一加熱ランプ群、６６…第二加熱ランプ群、６７…第一支柱、６８…第二支柱、７１…タレット、７２…回転板、７３…アウタプラットホーム、７４…インナプラットホーム、７５…サセプタ、７６…挿通孔、７７…ベアリング、７８…ベアリング押さえ具、７９…サセプタ回転装置、８０…温度計測器のプローブ、８１…レファレンスセンサ、８２…レファレンスセンサ用モータ、８３…レファレンスランプ。
【図１】
2004128390.tif 000003
【図２】
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【図３】
2004128390.tif 000005
【図４】
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