(57)【要約】　　　（修正有）【課題】触発電圧及び維持電圧のＳＣＲ−ＥＳＤ防護装置に対する効能の各種の不同チップの適用性の問題を解決する。【解決手段】本発明は静電放電防護装置に関するもので、シリコン制御整流器と、触発電圧調整ネットワークと維持電圧調整ネットワークとを備えてなり、そして該触発電圧調整ネットワークは該シリコン制御整流器に接続されている。本発明の該シリコン制御整流器の触発電圧及び維持電圧を調整することにより、その電流の電圧に対するＩ−Ｖの特徴関係を改変する。これにより不同種類のチップの特殊需要を満足し、効果的にチップの静電放電による損傷を防止する。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の導電型を有する基板、触発電圧調整ネットワーク及びゲートを備えた静電放電防護装置であって、
前記第１の導電型を有する基板は、
（ａ）　第１の導電型を有する第４の区域を備えた、第２の導電型を有する第１の区域と、
（ｂ）　第１の導電型を有する第２の区域と、
（ｃ）　第２の導電型を有する第３の区域と、
を備え、前記触発電圧調整ネットワークは電気的に前記第２の区域、第３の区域及び第４の区域に接続されてなり、
前記ゲートは前記触発電圧調整ネットワークに電気的に接続されていることを特徴とする静電放電防護装置。
【請求項２】
前記第１の区域はさらに第２の導電型を有する第５の区域を備え、そして前記基板はさらに第２の導電型を有する第６の区域を備え、かつ前記第１の辺界に位置することを特徴とする請求項１記載の静電放電防護装置。
【請求項３】
前記第１の区域はさらに第２の導電型を有する第６の区域を備え、かつ前記触発調整ネットワークは電気的に前記第６の区域に接続されていることを特徴とする請求項１記載の静電放電防護装置。
【請求項４】
前記第１の導電型はＰ型であり、前記第２の導電型はＮ型であり、
前記触発調整ネットワークは抵抗電容カップリング回路、又は少なくとも一キャパシタ、もしくは少なくとも一個のダイオードにより組成されてなり、
前区第１の区域はさらに第２の導電型を有する第６の区域を備え、かつ前記触発電圧調整ネットワークは第６の区域に電気的に接続されていることを特徴とする請求項１記載の静電放電防護装置。
【請求項５】
第１の導電型を有する基板及び維持電圧調整ネットワークを備えた静電放電防護装置であって、
前記第１の導電型を有する基板は、
（ａ）　第１の導電型を有する第４の区域を備えた、第２の導電型を有する第１の区域と、
（ｂ）　第１の導電型を有する第２の区域と、
（ｃ）　第２の導電型を有する第３の区域と、
（ｄ）　第２の導電型を有する第５の区域と、
を備え、前記維持電圧調整ネットワークは前記第２の区域、第３の区域、第４の区域及び第５の区域に電気的に接続されることを特徴とする静電放電防護装置。
【請求項６】
前記第５の区域は前記第１の区域内に位置しており、
前記基板はさらに、第２の導電型を有する第６の区域を備え、かつ、前記第１の区域の辺界に位置しており、
前記第１の区域はさらに、第２の導電型を有する第７の区域を備え、かつ、前記維持電圧調整ネットワークはこの第７の区域に電気的に接続されていることを特徴とする請求項５記載の静電放電防護装置。
【請求項７】
前記第５の区域は前記第１の区域の辺界に位置しており、
前記第１の区域はさらに第２の導電型を有する第６の区域を備え、かつ、前記維持電圧調整ネットワークは前記第６の区域に電気的に接続されていることを特徴とする請求項５記載の静電放電防護装置。
【請求項８】
前記維持電圧調整ネットワークはさらにゲートに電気的に接続されており、
前記ゲートは接地状態であることを特徴とする請求項５記載の静電放電防護装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、静電放電防護装置に関し、特に、シリコン制護整流器を利用した静電放電防護装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
集積回路（ＩＣ）の製造及び使用において、常に静電放電（Ｅｌｅｃｔｏｒｏｓｔａｔｉｃ　Ｄｉｓｃｈａｒｇｅ：ＥＳＤ）の問題に遭遇する。特に、高演算速度とワイドバンドの無線通信製品ＩＣに対する需要が日増しに高まるにつれて、ＩＣの製造プロセスは今や逸早く０．１３マイクロメータ、甚だしくは０．１マイクロメータ以下に進んでいる。
【０００３】
このためにＩＣ内部の素子が非常に小さくなっているので瞬間的な静電放電により破壊され易い。したがって、ＥＳＤはＩＣの品質に対して極めて大きな影響を与えると共に、ＩＣ製造プロセスの絶えずな進歩につれて、ＥＳＤ問題の重要性も日増しに増加している。
【０００４】
目前、商用ＩＣはＥＳＤ防護能力の国際標準基本規格において４大項目を含み、それぞれ人体、機器設備、充電素子からの静電放電能力に耐え得るように規範されている。
【０００５】
すなわち、人体（Ｈｕｍａｎ　Ｂｏｄｙ　Ｍｏｄｅｌ：ＨＢＭ）からのＥＳＤテストは２０００ボルト以上、機器設備（Ｍａｃｈｉｎｅ　Ｍｏｄｅｌ：ＭＭ）からのＥＳＤテストは２００ボルト以上、充電素子（Ｃｈａｒｇｅｄ　Ｄｅｖｉｃｅ　Ｍｏｄｅｌ：ＣＤＭ）からのＥＳＤテストは１０００ボルト以上に達するように規範されている。
【０００６】
通常、ＥＳＤは１０ナノ秒（ｎｓ）ないし１００ナノ秒の間に介し、瞬間的に発生するのでＥＳＤのチップに対する損傷を防止するために、チップ上にＥＳＤ防護装置又は回路が直接設置されている。
そして、優良なＥＳＤ防護装置は以下の条件を満足しなければならない。
【０００７】
（１）　正規な運転下において、該ＥＳＤ防護装置はオフであること。
（２）　ＥＳＤ事件が発生した場合には、該ＥＳＤ防護装置は直ちにオン状態に入ること。
【０００８】
通常ＥＳＤの防護装置は、主要保護装置と補助保護装置とにより構成されてなり、ＥＳＤ事件が発生すると、該主要保護装置は大部分の電流を分担する働きをし、そして該補助保護装置は、主要保護装置がまだ完全にオンされていない時にチップに適当な保護の回路を提供する。
【０００９】
該主要保護装置は主として、フィールドトランジスタ、ＮＭＯＳトランジスタ、ＰＮダイオード又はシリコン制護整流器（Ｓｉｌｉｃｏｎ　Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄ　Ｒｅｃｔｉｆｉｅｒ：ＳＣＲ）が使用されている。また、該補助保護装置は主として、ゲートグラウンドのＭＯＳトランジスタ又はダイオード等が使用されている。
【００１０】
単位面積毎の効率として、ＳＣＲ装置は上記ＥＳＤ保護装置の中で最も有効な装置である。このＳＣＲ装置は、集積回路のチップに対して効果的なＥＳＤ保護機制を提供する。すなわち、ＥＳＤ事件が発生すると、該ＳＣＲ装置は直ちにそのインピーダンスを降下すると共に、オフ状態からオン状態に改変してＥＳＤの大部分の電流を分担するので、一種の信頼できるオン・チップの保護を提供することが出来る。この他に、伝導状態においてはＳＣＲにより発生した熱が均一に分布され、局部的に熱が集中したために素子に損害を与えるような弊害を回避することが出来る。
【００１１】
図１は、米国特許５，０１２，３１７号に開示されたＳＣＲ−ＥＳＤ保護装置を示す図である。
この図１に示すように、ＳＣＲ−ＥＳＤ保護装置１０の回路はボンディングパッド１０２に接続されると共に、寄生バイキャリヤｐｎｐトランジスタ１０４は抵抗１０６とカップリングする。
【００１２】
そして、抵抗１１０とカップリングした寄生バイキャリヤｎｐｎトランジスタ１０８のベースとエミッタとの間の電圧が臨界電圧よりも大きくなると、該寄生バイキャリヤｎｐｎトランジスタ１０８がオンの状態となり電流をグラウンドに伝導する。この寄生バイキャリヤｎｐｎトランジスタ１０８に作用した電流の伝導は寄生バイキャリヤｐｎｐトランジスタ１０４をも導入状態に進ませる。この時、該寄生バイキャリヤｐｎｐトランジスタ１０４の電流伝導は該寄生バイキャリヤｎｐｎトランジスタ１０８の電流伝導作用を加速的に促進する。このような寄生バイキャリヤｐｎｐトランジスタ１０４と寄生バイキャリヤｎｐｎトランジスタ１０８との間のポスティブフィードバック電流伝導の現象はｐｎｐｎを生ずるシリコン制御整流器の特性に類似しており、従来から周知のラッチアップ現象である。これにより、ＥＳＤに応用された保護装置はボンディングパッド１０２の静電を逸早く排出することができる。
【００１３】
図２は、ＳＣＲ−ＥＳＤ保護装置１０の構造を示す図である。この図２に示すように、Ｐ型基板２０にはＮ型ウェル２０２と、Ｎ＋型区域２０４と、Ｐ＋型区域２０６とが形成されてあり、そして該Ｎ型ウェル２０２にはＮ＋型区域２０８と、Ｐ＋型区域２１０とが形成されている。該Ｎ＋型区域２０４とＰ＋型区域２０６とは接地しており、そしてＮ＋型区域２０８とＰ＋型区域２１０とはボンディングパッド１０２に接続されている。該Ｐ＋型区域２１０、Ｎ型ウェル２０２及びＰ型基板２０は、図１におけるｐｎｐバイキャリヤトランジスタ１０４を形成し、Ｎ＋型区域２０４、Ｐ型基板２０及びＮ型ウェル２０２は図１におけるｎｐｎバイキャリヤトランジスタ１０８を形成する。これらｐｎｐバイキャリヤトランジスタ１０４及びｎｐｎバイキャリヤトランジスタ１０８がＮ型ウエル２０２を共用しているので、ｐｎｐバイキャリヤトランジスタ１０４のベースとｎｐｎバイキャリヤトランジスタ１０８のコレクタとが互いに連接して上記ｐｎｐｎシリコン制御整流器の構造を形成する。
【００１４】
図３は、ＳＣＲ−ＥＳＤ保護装置１０の電流と電圧（Ｉ−Ｖ）の対応曲線を示す図である。この図３に示すようにＳＣＲ−ＥＳＤ保護装置１０は、ラッチアップの発生前はオフ状態をなし、印加電圧が触発電圧を超過すると上記のラッチアップ効果が発生して防護機制を始動すると共に、電圧が維持電圧に降下する。しかる後、大部分の電流が該ｐｎｐｎ構造を通して逸早く静電を除去する。
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】
該触発電圧及び維持電圧は、ＳＣＲ−ＥＳＤ保護装置１０の特性に関連する２大主要因素である。
すなわち、
（１）　　触発電圧が高過ぎると、該ＳＣＲ−ＥＳＤ保護装置１０がまだオンされていないためにＥＳＤが容易に保護している素子を損傷する。
（２）　　反面、触発電圧が低過ぎると、保護している素子が容易に外部にノイズの影響を受け、該ＳＣＲ−ＥＳＤ保護装置１０にミスタッチを引起こさせる。
（３）　　維持電圧が高過ぎると、高維持電圧のために高パワーの損耗をきたし、ひいては熱が集中して保護している素子の損傷をきたす。
（４）　　反面、維持電圧が低過ぎると、保護している素子が容易に外部のノイズの影響を受け、ＳＣＲ−ＥＳＤ保護装置１０にミスタッチを引起こさせる。
【００１６】
アメリカ特許６，１７２，４０４号には、ＳＣＲがその中の寄生バイキャリアｐｎｐトランジスタ１０４と寄生バイキャリアｐｎｐトランジスタ１０８とを隔離することによりその維持電圧を増加して、寄生バイキャリアｐｎｐトランジスタ１０４を完全にオンさせることができないようにした技術的手段が開示されている。
【００１７】
またアメリカ特許５，４６５，１８９号は、低触発電圧のＳＣＲ−ＥＳＤ防護回路を開示しており、このＳＣＲの触発電圧はＩＣの崩潰電圧に等しく、その値は一般に約１２ボルトである。
【００１８】
要するに、上記の説明から触発電圧及び維持電圧のＳＣＲ−ＥＳＤ防護装置に対する効能の重要性を計り知るが、各種の不同チップの需要がそれぞれ違うことから、適用性の問題に戸惑うことが多い。
【００１９】
【課題を解決するための手段】
本発明の目的は、触発電圧及び／又は維持電圧が高過ぎ又は低過ぎたために素子が損害をこうむるのを回避する調整可能な静電放電防護装置を提供することにある。本静電放電装置はＳＣＲ、触発電圧調整ネットワーク及び維持電圧調整ネットワークを利用すると共に、該ＳＣＲの触発電圧及び維持電圧を調整することにより保護している素子のＩ−Ｖ特徴を改変する。
また、本発明の調整可能なＳＣＲ−ＥＳＤ防護装置は調整可能な弾性を有しているので、各種類の不同チップの特殊需要を満足する。
【００２０】
本発明の第１のアスペクトとする静電放電防護装置は、第１の導電型の基板と、ゲートと、触発電圧調整ネットワークとを備えてなるものである。その中、該基板は導電型が第２の導電型である第１の区域と、導電型が第１の導電型である第２の区域と、導電型が第２の導電型である第３の区域と、導電型が第１の導電型であり、かつ、
該第１の区域内に位置する第４の区域と、導電型が第２の導電型であり、かつ第１の区域内に位置する第５の区域と、導電型が第２の導電型であり、そして第１の区域の辺界上に位置し、かつ第３の区域と第５の区域との間に介在する第６の区域を備えてなる。該ゲートは第３の区域と第６の区域との間の基板表面に位置している。該触発電圧調整ネットワークは第２の区域、第３の区域、第４の区域及び該ゲートに接続されている。
【００２１】
また、本発明の第２のアスペクトとする静電放電防護装置は、第１の導電型の基板と維持電圧調整ネットワークを備えてなるものである。その中、該基板は、導電型が第２の導電型である第１の区域と、導電型が第１の導電型である第２の区域と、導電型が第２の導電型である第３の区域と、導電型が第１の導電型であり、かつ第１の区域内に位置する第４の区域と、導電型が第２の導電型であり、かつ第１の区域内に位置する第５の区域と、導電型が第２の導電型であり、そして第１の区域内に位置し、かつ第３の区域と第５の区域との間に介在する第６の区域とを備えてなる。該維持電圧調整ネットワークは第２の区域、第３の区域、第４の区域及び第５の区域に接続されている。
【００２２】
また、本発明の第３のアスペクトとする静電放電防護装置は、第１の導電型の基板と、ゲートと、触発電圧調整ネットワークとを備えてなるものである。その中、該基板は、導電型が第２の導電型である第１の区域と、導電型が第１の導電型である第２の区域と、導電型が第２の導電型である第３の区域と、導電型が第１の導電型であり、かつ第１の区域内に位置する第４の区域と、導電型が第２の導電型であり、そして第１の区域内の辺界上に位置し、かつ第３の区域と第４の区域との間に介在する第５の区域とを備えてなる。該ゲートは第３の区域と第５の区域との間の基板表面に位置している。該触発電圧調整ネットワークは第２の区域、第３の区域、第４の区域及びゲートに接続されている。
【００２３】
さらに、本発明の第４のアスペクトとする静電放電防護装置は、第１の導電型の基板と維持電圧調整ネットワークを備えてなるものである。その中、該基板は、導電型が第２の導電型である第１の区域と、導電型が第１の導電型である第２の区域と、導電型が第２の導電型である第３の区域と、導電型が第１の導電型であり、かつ第１の区域内に位置する第４の区域と、導電型が第２の導電型であり、そして第１の区域の辺界上に位置し、かつ第３の区域と第４の区域との間に介在する第５の区域とを備えてなる。該維持電圧調整ネットワークは第２の区域、第３の区域、第４の区域及び第５の区域に接続されている。
【００２４】
また、本発明の第５のアスペクトとする静電放電防護装置は、第１の導電型の基板と、ゲートと、維持電圧調整ネットワークとを備えてなるものである。その中、該基板は、導電型が第２の導電型である第１の区域と、導電型が第１の導電型である第２の区域と、導電型が第２の導電型である第３の区域と、導電型が第１の導電型であり、かつ第１の区域内に位置する第４の区域と、導電型が第２の導電型であり、かつ第１の区域内に位置する第５の区域と、導電型が第２の導電型であり、そして第１の区域の辺界上に位置し、かつ第３の区域と第５の区域との間に介在する第６の区域とを備えてなる。該ゲートは第３の区域と第６の区域との間の基板表面に位置している。該維持電圧調整ネットワークは第２の区域、第３の区域、第４の区域、第５の区域及びゲートに接続されている。
【００２５】
上記の静電放電防護装置において、第１の導電型はＰ型であり、そして第２の導電型はＮ型である。該触発電圧調整ネットワーク及び維持電圧調整ネットワークは抵抗電容（ＲＣ）カップリング方式、キャパシタ型式又はダイオード型式の回路により組成されている。
【００２６】
本発明の触発電圧調整ネットワーク及び維持電圧調整ネットワークは、またその異なる需要により分離又は併合して使用し、分離又は併合方式でその触発電圧及び維持電圧を調整することができる。
【００２７】
【発明の実施の形態】
以下、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施例を説明する。
図４は、本発明の静電防護装置の構造図である。この図４に示すように、静電防護装置３０は、シリコン基板４０と、ゲート４１４と、触発電圧調整ネットワーク４１６と、維持電圧調整ネットワーク４１８とを備えている。その中、シリコン基板４０の導電型はＰ型であり、Ｐ＋型区域４０８及びＮ＋型区域４１０を含んでなるＮ型ウェル４０２と、Ｎ＋型区域４０４と、Ｐ＋型区域４０６とを備えてなる。
【００２８】
また、該Ｎ型ウェル４０２の辺界にはＮ＋型区域４１２が形成され、比較的低いＮ＋／Ｐ接合の崩潰電圧を提供することを目的とする。触発電圧調整ネットワーク４１６はＮ＋型区域４０４と、Ｐ＋型区域４０６と、Ｐ＋型区域４０８、ゲート４１４とに接続され、そして維持電圧調整ネットワーク４１８はＮ＋型区域４０４と、Ｐ＋型区域４０６と、Ｐ＋型区域４０８とに接続されている。
【００２９】
触発電圧調整ネットワーク４１６と維持電圧調整ネットワーク４１８とに接続された陽極４２０は好ましくはボンディングパッド又はバスであり、そしてそれらに接続された陰極は接地の状態にすることができる。
【００３０】
また当該触発電圧調整ネットワーク４１６はＮＭＯＳトランジスタの崩潰電圧を調整、ひいては所要の触発電圧に微調整するために、ＲＣカップリング型式、キャパシタ型式又はダイオード型式の回路により組成される。
他方、当該維持電圧調整ネットワーク４１８もＲＣカップリング型式、キャパシタ型式又はダイオード型式により組成されることができる。
【００３１】
すなわち、維持電圧調整ネットワーク４１８がＮ＋型区域４１０に接続されているので、このＮ＋型区域４１０のバイアスを調整、ひいてはＮ＋型区域４１０のキャリアに対する吸水速率を影響することができる。これにより、該維持電圧調整ネットワーク４１８はＮ＋型区域４１０のバイアスを調整することにより所要の維持電圧に微調整することができる。
【００３２】
図５は、同じく本発明に係る静電放電防護装置の実施例の構造図である。この図５に示すように図４のシリコン基板４０のＮ型ウェル４０２内にさらにＮ＋型区域４２４が形成されている。そしてこのＮ＋型区域４２４に触発電圧調整ネットワーク２１６及び維持電圧調整ネットワーク４１８が接続され、ガードリングに接続することを目的とする。
【００３３】
図６は、同じく本発明に係る静電放電防護装置の実施例の構造図である。この図６に示すように図５に示したＮ＋型区域４１０が除去され、これに代ってＮ＋型区域４１２が該維持電圧調整ネットワーク４１８に接続されている。
すると、維持電圧調整ネットワーク４１８が直接Ｎ＋／Ｐ接合を影響するので、その触発電圧及び維持電圧を調整することができる。
【００３４】
図７は、同じく本発明に係る静電放電防護装置の実施例の構造図である。図７に示すのは図４における触発電圧調整ネットワークの退化型式であり、その作法として、図４における触発電圧調整ネットワーク４１６を等価接地のネットワークに切替え、ゲート４１４を接地状態にある陰極４２２に接続させるようにする。
【００３５】
図８は、同じく本発明に係る静電放電防護装置の実施例の構造図である。図８に示すように図４における触発電圧調整ネットワーク４１６は抵抗４２６及びキャパシタ４２８により組成されてなり、抵抗４２６とキャパシタ４２８とゲート４１４とをカップリングしてその触発電圧を調整する。
【００３６】
図９は、同じく本発明に係る静電放電防護装置の実施例の構造図である。図９に示すように図４における触発電圧調整ネットワーク４１６は、キャパシタ４２８と抵抗４３０とをカップリングしたＲＣ回路と、抵抗４２６とにより組成され、そして維持電圧調整ネットワーク４１８はキャパシタ４３６と抵抗４３４とをカップリングしたＲＣ回路と、抵抗４３２とにより組成され、ＲＣカップリングの方式によりその触発電圧及び維持電圧の調整を行う。
【００３７】
その中、キャパシタ４２８及びキャパシタ４３６は、０．１マイクロ・マイクロ・ファラッド（ｐＥ）から１ナノファラド（ｎＦ）に介在し、例えば、１０ｐＦはポリシリコン又はその他形式のキャパシタにより組成されている。
他方、抵抗４３０、抵抗４２６及び抵抗４３２は１０００オームから１００ｍｉｌｌｉｏｎ　ｏｈｍの間に介しており、例えば５００キロオームはＮ型ウェル又はその他形式の抵抗により組成され得る。
【００３８】
図１０は、同じく本発明に係る静電放電防護装置の実施例の構造図である。図１０に示すように、図９のシリコン基板１０のＮ型ウェル４０２内にＮ＋型区域４２４が形成されると共に、該触発電圧調整ネットワーク４１６及び維持電圧調整ネットワーク４１８はがいずれもこのＮ＋型区域４２４に接続している。これもＲＣカップリングの方式により触発電圧及び維持電圧の調整を行うと共に、ガードリングに接続される。
【００３９】
図１１は、同じく本発明に係る静電放電防護装置の実施例の構造図である。この図１１に示すように図１０におけるＮ＋型区域４１０が除去されている。そしてＮ＋型区域４１２を維持電圧調整ネットワーク４１８に接続することにより、その触発電圧及び維持電圧を同時に調整する。
【００４０】
説明の簡潔を求めるために、上記の実施例は出来るだけ併合の方式で触発電圧調整ネットワーク及び維持電圧調整ネットワークを表現しているが、実際には該触発電圧調整ネットワーク及び維持電圧調整ネットワークはそれぞれ独立系統であってもよい。
【００４１】
ところで、上記実施例は本発明の技術的内容をより具体的に説明するために挙げたもので、当然として本発明の技術的思想はこれら実施例に限定されるべきでなく、本願の特許請求の範囲を逸脱しないかぎり、当業者による単純な設計変更、付加、置換等はいずれも本発明の技術的範囲に属する。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来のＳＣＲ−ＥＳＤ防護装置の回路図である。
【図２】従来のＳＣＲ−ＥＳＤ防護装置の構造図である。
【図３】従来のＳＣＲ−ＥＳＤ防護装置のＩ−Ｖ関係図である。
【図４】本発明に係る静電放電防護装置の実施例の構造図である。
【図５】本発明に係る静電放電防護装置の実施例の構造図である。
【図６】本発明に係る静電放電防護装置の実施例の構造図である。
【図７】本発明に係る静電放電防護装置の実施例の構造図である。
【図８】本発明に係る静電放電防護装置の実施例の構造図である。
【図９】本発明に係る静電放電防護装置の実施例の構造図である。
【図１０】本発明に係る静電放電防護装置の実施例の構造図である。
【図１１】本発明に係る静電放電防護装置の実施例の構造図である。
【符号の説明】
１０　ＳＣＲ−ＥＳＤ防護装置
１０２　ボンディングパッド
１０４　寄生バイキャリヤｐｎｐトランジスタ
１０６　抵抗
１０８　寄生バイキャリヤｐｎｐトランジスタ
１１０　抵抗
２０　Ｐ型基板
２０２　Ｎ型ウェル
２０４　Ｎ＋型区域
２０６　Ｐ＋型区域
２０８　Ｎ＋型区域
２１０　Ｐ＋型区域
３０　静電防護装置
４０　Ｐ型基板
４０２　Ｎ型ウェル
４０４　Ｎ＋型区域
４０６　Ｐ＋型区域
４０８　Ｐ＋型区域
４１０　Ｎ＋型区域
４１２　Ｎ＋型区域
４１４　ゲート
４１６　触発電圧調整ネットワーク
４１８　維持電圧調整ネットワーク
４２０　陽極
４２２　陰極
４２４　Ｎ＋型区域
４２６，４３０，４３２，４３４　抵抗
４２８，４３６　キャパシタ
【図１】
2004031910.tif 000003
【図２】
2004031910.tif 000004
【図３】
2004031910.tif 000005
【図４】
2004031910.tif 000006
【図５】
2004031910.tif 000007
【図６】
2004031910.tif 000008
【図７】
2004031910.tif 000009
【図８】
2004031910.tif 000010
【図９】
2004031910.tif 000011
【図１０】
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【図１１】
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