(57)【要約】【課題】半導体チップ、半導体パッケージ等の電子部品あるいは実装基板のバンプの接合面の粗度や高さのバラツキを抑えるための、ＣＭＰや電解研磨による過酷な接合面前処理を行う必要なしに、電子部品を常温接合により基板に接合する実装方法を提供すること。【解決手段】電子部品及び基板の少なくとも一方の接合部材をはんだ材料により形成し、且つ当該接合部材の接合面前処理を行うことなく、電子部品と基板の接合部材どうしを常温で接触させる。はんだ材料として、例えば、電子部品本体と平行な方向の直径が１３０μｍの球状バンプに垂直方向に荷重をかけた際に当該球状バンプが８μｍの高さ方向の変化量を示すときの荷重が１００ｇ以下であるはんだ材料を使用する。【選択図】      なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子部品とこれを実装する基板とを真空又は不活性雰囲気下に配置し、常温で両者の接合部材どうしを相互に接触させることにより電子部品を基板に実装する方法であって、電子部品及び基板の少なくとも一方の接合部材をはんだ材料により形成し、且つ当該接合部材の接合面前処理を行うことなく、電子部品と基板の接合部材どうしを接触させることを特徴とする電子部品実装方法。
【請求項２】
前記はんだ材料として、電子部品本体と平行な方向の直径が１３０μｍの球状バンプに垂直方向に荷重をかけた際に当該球状バンプが８μｍの高さ方向の変化量を示すときの荷重が１００ｇ以下であるはんだ材料を使用する、請求項１記載の電子部品実装方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体チップ又はパッケージ等の電子部品の実装方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
例えば半導体チップを、基板に実装する接合方法は、現在、はんだリフローあるいは樹脂キュア等の熱による接合と、超音波接合に大別される。接合に用いるバンプの種類によってやり方は異なるが、両方の方法とも熱と荷重により接合（以下「通常接合」）を行っている。チップへの影響を考えると、理想の接合は常温、常圧、無荷重による接合だが、このような接合法は現在存在しない。
【０００３】
この理想に近い接合方法として、東京大学先端科学技術研究センター須賀唯知教授により提唱されている表面活性による常温接合法（以下「常温接合」）がある。この接合方法によれぼ、接合表面を活件化させることで、相互の接合面を触れさせるだけの荷重をかけることにより接合ができる。そのため、常温での無荷重に近い条件での接合が可能となる。常温接合の可能な材料としては、様々な無機材料や有機材料が検討されている。
【０００４】
しかし、常温接合では、接合面の粗度や高さのバラツキを一定のレベル以下に抑えることで接合面の接触機会を増して低荷重接合を可能にするための接合面前処理が必要になる。常温接合を半導体チップの基板への接合に応用する場合、この接合面前処理は、現在チップのＡｕやＣｕといった材料のバンプをＣＭＰあるいは電解研磨等で処理することにより行っており、通常接合の前処理に比ベチップへの負担が増加し、同時に工数が増加する。このような過酷な接合面前処理を使用しなくても常温接合が可能であれば、チップへの負担の軽減や工数削減が可態となる。
【０００５】
更に、こうした接合面前処理によりバンプの粗度と高さのバラツキを抑えても、チップを接合する相手の基板の状態によっては基板面端子の面粗度や高さのバラツキがある。そのため、一定の荷重を加えてのバンプ変形によっても、チップのバンプ接合面と基板面との間のギャップのバラツキを吸収できず、接合が果たせないことがある。バラツキ吸収のため、必要以上に大きな圧力を加えると、チップや基板にダメージを与えてしまう。パッケージを基板に実装する際にも上記と同様の問題が生じることがある。
【０００６】
半導体チップと基板との接合に常温接合を応用した例は、例えば特許文献１、２等に記載されている。特許文献１には、半導体チップ等の電子部品を基板等の回路形成体へ常温接合により接合する方法が記載され、電子部品と回路形成体との接続部の材料としてＡｕ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｓｎのいずれかを用いることが示されている。特許文献２には、接合部位に形成したインジウム層を持つ一方の電子部品と、対応する接合部位に金又は銅の金属により形成した接続端子を持つ他方の電子部品とを、電解液又は還元性溶液中にて接合部位において常温で接合する技術が開示されている。
【０００７】
【特許文献１】
特開２００２−５０８６１号公報
【特許文献２】
特開２００２−３７３９１３号公報
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、半導体チップ又はパッケージなどの電子部品、あるいは実装基板のバンプの接合面の粗度や高さのバラツキを抑えるための、ＣＭＰや電解研磨等による過酷な接合面前処理を行う必要なしに、電子部品を常温接合により基板に接合する新しい電子部品実装方法を提供することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明の電子部品実装方法は、半導体チップや半導体パッケージに代表される電子部品とこれを実装する基板とを真空又は不活性雰囲気下に配置し、常温で両者の接合部材どうしを相互に接触させることにより電子部品を基板に実装する方法であって、電子部品及び基板の少なくとも一方の接合部材をはんだ材料により形成し、且つ当該接合部材の接合面前処理を行うことなく、電子部品と基板の接合部材どうしを接触させることを特徴とする電子部品実装方法である。
【００１０】
前記はんだ材料としては、例えば、電子部品本体と平行な方向の直径が１３０μｍの球状バンプに垂直方向に荷重をかけた際に当該球状バンプが８μｍの高さ方向の変化量を示すときの荷重が１００ｇ以下であるはんだ材料を使用することができる。また、前記接合部材としてはんだバンプを用いる場合、はんだバンプは、電解めっきしたはんだ材料のリフローにより形成したものでも、はんだボールを直接つけて得られたものでもよい。
【００１１】
【発明の実施の形態】
本発明の電子部品実装方法で利用する常温接合法は、酸化皮膜を除去して活性化した接合面どうしを真空雰囲気（又は不活性雰囲気）下に常温で接触させることにより、２つの材料どうしを接合する方法である。この常温接合法の利点として、
（１）一般的に接合工程における加熱を必要とせず、加熱を行うとしても接合材料の融点よりずっと低い温度への加熱でよい、
（２）異種材料どうしの直接接合が可能である、
（３）接合する部品の構成材料に低耐熱性材料を含めることができる、
等を挙げることができる。
【００１２】
常温接合の重要な要素として、接合作業の雰囲気（真空又は不活性雰囲気）、接合面の活性化、接合面の表面粗度、接合部材のバンプやパッドの高さのバラツキ、の４項目が挙げられる。発明者らは、これらの要素のうち、接合面の表面粗度と接合部材の高さのバラツキに着目して、金の接合部材どうしの常温接合実験を行った。この実験では、金バンプ（直径１００μｍ、高さ１５μｍ）を縦１３列×横１３列、ピッチ３００μｍで計１６９個配置したチップを、全面に金を蒸着した平坦なシリコン基板に接合した。チップの金バンプに対して、ウエハー段階でＣＭＰ処理を施し、バンプ端面を、粗度≦１０ｎｍ、１チップ内バンプ高さバラツキ≦１μｍ、の条件に設定した。接合加重２０７ｇ／バンプ、接合時間３０秒、接合面活性化のためのＡｒイオン照射時間１０分、真空度５×１０−５ｔｏｒｒの条件で接合後、接合シェア強度を測定して３．０〜４．０ｋｇの値が得られたが、各接合部位における接合にバラツキがあり、全バンプの安定した接合は得られなかった。
【００１３】
この実験において安定した接合が得られなかった原因として、チップと基板相互の平行度不足による片当たり接合や、チップと基板の接合部材間のギャップの残存が考えられたため、新たにバンプの「変形能」という条件を追加検討した。変形能は、材料が外力によってどれだけ変形できるかという能力であり、一般に、引張り、圧縮、ねじれ、たわみ等の外力によって生じる材料の伸び、縮み、たわみ等の値によって定めることができる。
【００１４】
半導体チップをバンプを介して基板に常温接合によりフリップチップ接続する場合について言えば、バンプの変形能は、荷重負荷時のバンプの潰れ量（高さの変化量）により評価することができる。金バンプを接合する場合、バンプ変形能が、表面粗度、基板側接合部材の高さのバラツキ、チップバンプ高さのバラツキ、接合装置の平行度の不足によるチップ及び基板の接合部材どうしの片当たり、といった未接合要因を吸収する要素となるが、そうしたバラツキや片当たりの度合いが大きい場合には荷重を増加して全バンプの接合を行わなければならないが、この荷重増大は、チップ、パッドや、対する基板端子に機械的圧力が増大することを意味し、好まれない。
【００１５】
バンプの形状が同じであっても変形能が大きくなれば、より低荷重での接合が可態になる。バンプの変形能は、バンプの形状と硬度に関係しており、
（１）バンプの接合面積を小さく、高さを大きくするほど変形能は大きくなり、
（２）同形状・同材質でも、硬度の小さいバンプの方が変形能が大きい。
【００１６】
直径１００μｍ、高さ１５μｍの金バンプを有し、アニール処理によりバンプの硬度を変えた２種類の試料チップ（バンプ硬度６８．０Ｈｖ、３９．５Ｈｖ）について、金バンプの変形能を測定した。これらの試料チップは同一ウエハに形成した。各バンプの高さの変化量をチップにかけた荷重に対しプロットしたグラフを図１に示す。
【００１７】
断面が５０×５０μｍの正方形で、高さが１５μｍの、硬度４０．１Ｈｖの金バンプを備えたチップと、断面が直径１００μｍの円形で、高さが１５μｍ、硬度３９．５Ｈｖの金バンプを備えたチップについて、同様の実験を行って得られた結果を図２に示す。
【００１８】
図１、２より、荷重負荷によるバンプ高さの変化量はバンプの硬度と形状寸法により変化し、大きな変化量を得るためには低い硬度又は小さな断面形状を必要とし、またそれらが同一であれば大きな荷重を必要とすることが分かる。
【００１９】
変形能を考慮し、硬度を３９．５Ｈｖに下げた低硬度の金バンプ（直径１００μｍ、高さ１５μｍ）を設けたチップで、金蒸着シリコン基板への接合実験を行った。接合加重２０７ｇ／バンプ又は３５５ｇ／バンプ、接合時間３０秒、Ａｒイオン照射時間１０分、真空度５×１０−５ｔｏｒｒの条件で接合後、接合シェア強度を測定して、接合荷重２０７ｇ／バンプの場合に３．１〜７．２ｋｇの値が得られたが、接合荷重３５５ｇ／バンプではチップ破壊が生じ、測定不能であった。１チップ当たりのバンプ接合率は、接合荷重２０７ｇ／バンプ及び３５５ｇ／バンプの場合それぞれ８３％及び１００％であった。比較のために、高硬度（６８Ｈｖ）の金バンプの場合のバンプ接合率を調べると、３５％であった。
【００２０】
上記の低硬度金バンプの接合界面状態をＴＥＭ観察にて分析したところ、加熱を伴う通常の高温による金−金接合における再結晶化現象等は観察されず、界面が明確に識別できていた。３５５ｇ／バンプの接合荷重の事例では、６，０００，０００倍の倍率で金の結晶格子線（１１１）が見え、空隙や格子歪は観察されず、結晶格子どうしが強固に結合している状態が確認できた。
【００２１】
このように、変形能という新たな条件を加味することによる金−金接合における常温接合の可能性を確認したが、現段階では前記のように、この接合法の利点を活かすためにバンプ端面の接合面前処理（ＣＭＰ等）を必要とする。そこで、バンプ端面の接合面前処理なしでも常温接合が可能な条件を更に模索した末に、各種のはんだ材料がそのような条件を満足できることを見いだした。
【００２２】
一例として、Ｓｎ−３７Ｐｂはんだの柱状バンプをリフロー処理して球状にしたバンプ（チップ面に平行な方向の直径１３０μｍ）を持つチップを、はんだバンプ端面の接合面前処理を行わずに金蒸着シリコン基板に接合した事例を説明する。接合条件は、接合荷重１７７．５ｇ／バンプ又は３５５ｇ／バンプ、接合時間６０秒、Ａｒイオン照射時間１０分、真空度１×１０−５ｔｏｒｒであった。
【００２３】
接合荷重１７７．５ｇ／バンプ及び３５５ｇ／バンプの場合のいずれでも、バンプの金蒸着シリコン基板への接合率は１００％であった。接合したバンプのシェア強度は、接合荷重１７７．５ｇ／バンプの場合で１１．１〜１１．３ｋｇ、３５５ｇ／バンプの場合には測定装置の測定限界を超えていた。シェア強度測定時の破壊モードは全てはんだバンプ内破壊であり、接合界面からの剥離は観察されなかった。ＴＥＭによる接合界面状態の観察から、界面近傍には錫−金合金と思われる層が観察されるが、界面にボイドや格子歪は見られず良好な接合であることが示された。
【００２４】
これらから、はんだのように極端な低硬度を有する材料が、常温接合の効果を実用レベルでより発揮できる可能性が示された。
【００２５】
発明者らの行った一連の実験から、常温接合に必要なバンプの最低限の高さ変化量は２〜３μｍであった。また、一般的に、半導体チップをフリップチップ接続する樹脂配線基板のパッドの接合面の高さのバラツキは、通常で４〜５μｍである。配線基板がシリコン基板の場合には、パッド接合面の高さのバラツキはそれより小さい値となる。これらから、はんだバンプの高さ方向の変化量が低荷重で６〜８μｍ確保できれば、一般的にフリップチップ接続で使用される全てのタイプの配線基板に、はんだバンプの接合面前処理を施すことなく、半導体チップを常温接合できると判断できる。そしてこのような条件を満足するはんだ材料は、チップ本体と平行な方向の直径が１３０μｍの球状バンプに垂直方向に荷重をかけた際に当該球状バンプが８μｍの高さ方向の変化量を示すときの荷重が１００ｇ以下であるはんだ材料であるとの知見を得た。
【００２６】
図３に模式的に示すように、アルミニウムのパッド３を有するダミーチップ１を用意し、パッド３上に球状のバンプ５（柱状のはんだをリフローさせて得た）を、チップ当たり１６９個形成した。このバンプの特性は次のとおりであった。
はんだ組成：              Ｓｎ−３７Ｐｂ
硬度：                    平均９．１Ｈｖ（７．８〜１１．０Ｈｖ）
直径：                    １３０μｍ
高さ：                    平均１０２μｍ（９８〜１０６μｍ）
【００２７】
上記のバンプ高さは、三鷹光器社製ＮＨ−３測定装置を用い、平らな基板にバンプ付きダミーチップをフェイスダウンの形に載せて測定して、チップの厚さを差し引いて得た。従って、図３に見られるように、ここでのバンプ高さＨはパッド３の厚さ２μｍを含んでいる。
【００２８】
バンプ変形能を調べるため、クリーンルーム内で平らな基板にバンプ付きダミーチップをフェイスダウンの形に載せ、１ｋｇ、５ｋｇ、１０ｋｇ、２０ｋｇの各荷重で押圧して、バンプの高さ方向の変化量を基板面からの高さの変化量として測定した。１０２μｍの上記の平均バンプ高さを変形前の基準のバンプ高さとして、表１の結果が得られた。基準となるバンプ高さとして平均値（１０２μｍ）を使ったため、変形前の高さが基準高さより高いバンプの場合、低荷重時の測定値がマイナスとなった。
【００２９】
【表１】
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【００３０】
これらの測定結果から、ダミーチップ自体に負荷した荷重とバンプ高さ変化量との関係を示す図４のグラフ、及びバンプ当たりの荷重とバンプ高さ変化量との関係を示す図５のグラフが得られた。図４、５には、Ｓｎ−３７Ｐｂはんだのバンプについての測定結果とともに、この測定結果を基に、形状寸法が同一のバンプの変形量はバンプ材料の硬度に比例するとして算出した、下記の表２に示すはんだ材料についての変化量も示してある（Ｓｎ−３７ＰｂとＳｎ−９５Ｐｂは硬度が近いため重なり合ってプロットされている）。図４、５には、最小二乗法によるＳｎ−３７Ｐｂ（最低高度のはんだ材料）及びＳｎ−Ｚｎ−Ｂｉ（最高高度のはんだ材料）の近似曲線も示してある。
【００３１】
【表２】
2004327718.tif 000003
【００３２】
はんだバンプを持つ半導体チップを基板に常温接合するためにはバンプの高さ方向の変化量が６〜８μｍ確保できることが必要であるという上記条件を、図５に当てはめると、チップ面に水平方向の直径が１３０μｍの球状バンプに垂直方向に荷重をかけたときに当該球状バンプが８μｍの垂直方向の変化量を示すときの荷重は、６０〜７０ｇ以下でよいことが分かる。従って、この結果からは、バンプ当たりの荷重が６０ｇ以下、あるいは７０ｇ以下の条件で、はんだバンプの接合面前処理を行わずにチップを基板に常温接合可能なことが分かる。実際には、常温接合に必要なバンプ当たりの荷重は、基板側のバンプあるいはパッド等の表面状態などにも影響されるものと考えられることから、本発明においては、はんだバンプの接合面前処理を行わずに常温接合を可能にするはんだ材料を、チップ本体と平行な方向の直径が１３０μｍの球状バンプに垂直方向に荷重をかけた際に当該球状バンプが８μｍの高さ方向の変化量を示すときの荷重が１００ｇ以下のはんだ材料であるとする。
【００３３】
実際、表２に掲げた各はんだにより形成したバンプを備えた、上記と同様のダミーチップを、バンプの接合面前処理を行わずに、金メッキを施した銅パッドを有するシリコン基板に常温接合したところ、荷重１０ｋｇ（バンプ当たりの荷重５９ｇ）の場合、全てのバンプについて良好な接合が行えた。同様の条件で、上記と同様のダミーチップを、バンプの接合面前処理を行わずに、表面凹凸がずっと激しいＰＣＢ基板に常温接合できることも確認された。それに対し、金バンプの場合には、バンプ当たりの荷重を３５５ｇとすると、シリコン基板への常温接合は可能であるが、バンプ高さの変化量が不足（図１参照）のため、ＰＣＢ基板への常温接合はできなかった。しかも、シリコン基板への接合の場合においても、バンプの接合面前処理が必要であった。
【００３４】
常温接合の技術分野、特に半導体チップの常温接合分野で知られているように、一般に常温接合という技術概念には、接合材料を加熱して昇温することなく接合を行う場合はもちろんのこと、接合材料の融点より低い温度に加熱して接合する場合も包含される（例えば金バンプの場合、２００℃程度に加熱して接合することが知られており、この場合も常温接合と呼ばれている）。本発明における常温接合も、はんだバンプをその融点より低い温度に加熱して行う接合を包含するものである。本発明においてバンプ材料を融点より低い温度に加熱して接合することには、真空雰囲気でなく、窒素あるいはアルゴンなどの不活性雰囲気での接合を容易にするという利点があり、また、接合加重が低下するという利点もある。発明者らは、接合面前処理を施していないはんだバンプを備えたチップを、窒素雰囲気中において１００℃に加熱した基板に接合できることを実験により確かめている。
【００３５】
次に、本発明の種々の態様を、図６（ａ）〜６（ｄ）を参照して説明する。
図６（ａ）は、はんだバンプ１３を形成した半導体チップ１１（又は半導体パッケージでもよい）を、バンプ１３の接合面前処理を行うことなく、パッド１７を形成した配線基板１５に常温接合する態様を例示している。
図６（ｂ）は、金バンプ２３を形成した半導体チップ２１（又は半導体パッケージでもよい）を、パッド２７上にはんだバンプ２９を形成した配線基板２５に、バンプ２３及び２９の接合面前処理を行うことなく、常温接合する態様を例示している。
図６（ｃ）は、はんだバンプ３３を形成した半導体チップ３１（又は半導体パッケージでもよい）を、パッド３７上にはんだバンプ３９を形成した配線基板３５に、バンプ３３及び３９の接合面前処理を行うことなく、常温接合する態様を例示している。
図６（ｄ）は、パッド４３を形成した半導体チップ４１（又は半導体パッケージでもよい）を、パッド４７上にはんだバンプ４９を形成した配線基板４５に、バンプ４９の接合面前処理を行うことなく、常温接合する態様を例示している。
【００３６】
【発明の効果】
本発明によれば、半導体チップ又はパッケージ等の電子部品と実装基板の少なくとも一方の接合部材として、十分な変形能を持つはんだ材料により形成した接合部材を使用することにより、接合部材の接合面前処理を行わずに、電子部品を実装基板に常温接合により実装することができる。ＣＭＰや電解研磨のような電子部品にとって過酷な接合面前処理が回避されることにより、電子部品への負担が軽減され、また工数の削減が可能となる。更に、従来の金バンプ等の常温接合では難しかった有機配線基板への電子部品の常温接合による実装も可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図１】バンプの硬度を変数とし、バンプ高さの変化量をチップにかけた荷重に対しプロットしたグラフである。
【図２】バンプの形状を変数とし、バンプ高さの変化量をチップにかけた荷重に対しプロットしたグラフである。
【図３】ダミーチップに形成した球状バンプを説明する模式図である。
【図４】ダミーチップに負荷した荷重とバンプ高さ変化量との関係を示すのグラフである。
【図５】バンプ当たりの荷重とバンプ高さ変化量との関係を示すグラフである。
【図６】本発明の種々の態様を説明する模式図である。
【符号の説明】
１…ダミーチップ
３…パッド
５…バンプ
１１、２１、３１、４１…チップ
１３、２９、３３、３９、４９…はんだバンプ
１５、２５、３５、４５…配線基板
１７、２７、３７、４３、４７…パッド
２３…金バンプ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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