(57)【要約】　　　（修正有）【課題】　簡単な方法で温度の記録と制御を改良し、正確に記録できるホットランナーシステム用加熱装置を提供する。【解決手段】温度センサ１０の抵抗素子２０は、その他のセグメント２２よりも２〜100 倍大きい電気抵抗のサブセグメント２４を有する。加熱装置４０は、温度センサ１０が、蛇行及び／又は二本巻きでマニホルド又はノズルの本体Ｋの上に又は中に位置決めされている。この温度センサの中央Ｂの電気抵抗は、上端領域Ｏと終端領域Ｅよりも小さい。サブセグメント２４は、隣接した熱伝導経路４４によって高抵抗の帯域４６内に密に包囲されている。誘電体層は、取り外し不可能にマニホルド又はノズルに固定され、焼結後に本体Ｋに対して押圧される。【選択図】　　図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
連結接触部（３０）を通じて加熱システム（４０）の制御回路に接続するために適合された抵抗素子（２０）を有するホットランナーシステムで使用する温度センサ（１０）において、抵抗素子（２０）は、少なくとも１つのサブセグメント（２４）を長手方向又は断面の延長部分に有し、このサブセグメント（２４）は、抵抗素子（２０）のその他の領域（２２）よりも大きい電気抵抗を有する温度センサ。
【請求項２】
抵抗素子（２０）は、少なくとも１つのセグメント（２２）及び少なくとも１つのサブセグメント（２４）から構成され、サブセグメント（２４）の電気抵抗は、プリセットされた温度でセグメント（２２）の電気抵抗よりも大きい請求項１に記載の温度センサ。
【請求項３】
サブセグメント（２４）の電気抵抗は、好ましくは２〜100 倍の程度でセグメント（２２）の電気抵抗よりも大きい請求項１又は２に記載の温度センサ。
【請求項４】
セグメント（２２）及び／又はサブセグメント（２４）は、Ｕ字状のアーチ又はループを形成する請求項１〜３のいずれか１項に記載の温度センサ。
【請求項５】
セグメント（２２）及び／又はサブセグメント（２４）の少なくとも一部が、蛇行している形である請求項１〜４のいずれか１項に記載の温度センサ。
【請求項６】
セグメント（２２）は、温度センサ（１０）の大部分を覆う断面を有し、この断面は、サブセグメント（２４）の断面よりも大きい請求項１〜５のいずれか１項に記載の温度センサ。
【請求項７】
セグメント（２２）及びサブセグメント（２４）は、均一な厚さの抵抗経路を形成し、セグメント（２２）の幅は、サブセグメント（２４）の幅よりも大きい請求項１〜６のいずれか１項に記載の温度センサ。
【請求項８】
抵抗経路は、焼結された伝導性のペーストから成る請求項７に記載の温度センサ。
【請求項９】
セグメント（２２）及び／又はサブセグメント（２４）は、上下に配置された少なくとも２つの抵抗経路によって形成され、これらのセグメント（２２）及び／又はサブセグメント（２４）は、絶縁層によって分離されている請求項１〜８のいずれか１項に記載の温度センサ。
【請求項１０】
セグメント（２２）及びサブセグメント（２４）は、覆われているか又は絶縁層（２６）の中に埋設されている請求項１〜９のいずれか１項に記載の温度センサ。
【請求項１１】
絶縁層は、セラミックの誘電体層である請求項９又は１０に記載の温度センサ。
【請求項１２】
セグメント（２２）及びサブセグメント（２４）は、異なる材料組成を有する請求項１〜１１のいずれか１項に記載の温度センサ。
【請求項１３】
マニホルド又はノズル本体（Ｋ）に熱接触している加熱素子　（４２）及び請求項１〜１２のいずれか１項に記載の温度センサ（１０）を設置したホットランナーシステム用の加熱装置（４０）において、温度センサ（１０）は、マニホルド又はノズル本体（Ｋ）の上又は中に位置決めされた測定素子である加熱装置（４０）。
【請求項１４】
加熱素子（４２）は、実行要求に適合された電気的な熱伝導経路（４４）から構成される請求項１３に記載の加熱装置。
【請求項１５】
熱伝導経路（４４）の少なくとも一部が、蛇行している形及び／又は二本巻である請求項１３又は１４に記載の加熱装置。
【請求項１６】
マニホルド又はノズル本体（Ｋ）の中間領域（Ｂ）内の熱伝導層（４４）の電気抵抗は、上部領域（Ｏ）又は端部又はチップ領域（Ｅ）よりも小さい請求項１４又は１５に記載の加熱装置。
【請求項１７】
熱伝導経路（４４）は、マニホルド又はノズル本体（Ｋ）の端部領域又はチップ領域（Ｅ）内に少なくとも１つの領域（４６）を有するか又は形成し、この領域（４６）は、その他の熱伝導経路（４４）の電気抵抗よりも大きく、温度センサ（１０）のサブセグメント（２４）が、高抵抗熱伝導領域（４６）の凹部（４７）内に向かって突出している請求項１４〜１６のいずれか１項に記載の加熱装置。
【請求項１８】
熱センサ素子（２４）は、高抵抗領域（４６）内で密に形成された熱伝導経路（４４）によって包囲されている請求項１７に記載の加熱装置。
【請求項１９】
熱伝導層（４４）は、絶縁層（５８）に対して被覆され、さらなる絶縁層（５９）によって覆われている請求項１４〜１８のいずれか１項に記載の加熱装置。
【請求項２０】
温度センサ（１０）と熱伝導経路（４４）は、絶縁層（５８）に対して同じ高さで設置されている請求項１９に記載の加熱装置。
【請求項２１】
熱伝導層（４４）と絶縁層（２６，５８，５９）は、焼結された薄膜及び／又は焼結された厚膜ペーストである請求項１９又は２０に記載の加熱装置。
【請求項２２】
少なくとも絶縁層（５８）が、セラミック誘電体層である請求項１９又は２１に記載の加熱装置。
【請求項２３】
誘電体層( ５８) は、マニホルド又はノズル本体（Ｋ）に対して永久的に被覆され、少なくとも一部の焼結過程後に後者に関連して予備押圧される（堅牢にされる）請求項１９〜２２のいずれか１項に記載の加熱装置。
【請求項２４】
誘電体層（５８）は、熱接触によってマニホルド又はノズル本体（Ｋ）に付着される基本要素に対して永久的に被覆されている請求項１９〜２３のいずれか１項に記載の加熱装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
　本発明は、請求項１に記載のホットランナーシステム用の温度センサ及び請求項１３に記載の温度センサを有するホットランナーシステム用の加熱装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
　ホットランナーシステムは、合成樹脂化合物をプリセットされた温度で目視不可能な金型（空隙部）内に高圧下で流し込むために射出成形で利用される。加熱システムは、液体の樹脂を一定の温度に保持することによって高温の化合物が分配通路とノズル内で早めに冷却されるのを阻止するために多くの場合に設けられている。樹脂の大部分が、非常に狭い処理範囲で処理され、かつ特にノズルとゲートの領域内で温度のばらつきに対して非常に敏感に反応するので、ホットランナー成形での温度制御要求は極めて高い。このことは、例えばノズル領域内の数度だけの温度変化が射出誤差を引き起こすのに十分であり、かつ不良品を作るのに十分であることを意味する。したがって、ホットランナー成形を全自動で正確に機能させなければならない場合、正確な温度制御は重要である。
【０００３】
　温度の監視と制御は、電気的な抵抗導体の形態をした温度センサ（抵抗センサ）によって通常は実現される。これらの温度センサは、独立した要素として例えばヨーロッパ特許発明第0 927 617 号明細書やドイツ連邦共和国実用新案第201 00 840号明細書中に記されているように材料管や加熱ブロック内に組み込まれた溝や孔に沿って装着されている。さらに、ドイツ連邦共和国特許出願公開第199 41 038号明細書及びドイツ連邦共和国特許出願公開第100 04 072号明細書は、温度センサと加熱装置全体が厚膜技術を使用して、すなわちノズル又はマニホルドの表面上を直接被覆することによって実現され得ることを示す。
【０００４】
　一般に抵抗センサは、Ｕ字形や蛇行状で金属製や合金製の抵抗素子を有する。温度が上昇又は降下する場合、この抵抗素子の電気抵抗が変化する。しかしながらこれに関する測定技術には、センサがホットランナーシステム内に注意して位置決めされても、比較的広い範囲内での平均温度値しか記録できないという欠点がある。したがって、マニホルドの端部又は近くやノズルチップ等で温度を正確に分布させるために必要な加熱制御を得ることは困難である。特に射出成形は、ノズルチップの温度が正確に保持され得、必要ならば補正できるようにノズルチップの温度を正確に知る必要がある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
　本発明の課題は、簡単な方法を使用してホットランナーノズルやマニホルド等の選択された部分の温度の記録と制御を改良することにある。本発明の課題は、特にホットランナーノズルのチップ領域内の動作温度の可変制御を実現することにある。本発明のもう１つの課題は、温度が可能な限り狭く限定されている所定の範囲内で正確に記録できるホットランナーシステム用の加熱装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
　この課題は、請求項１及び請求項１３に記載の発明によって解決される。
【０００７】
　実施の形態は、請求項２〜１２及び請求項１４〜２４に記載されている。
【０００８】
　加熱システム用の電子制御部に接続され得る抵抗素子を有するホットランナーシステムで使用する温度センサに関連して、請求項１に記載の本発明は、この抵抗素子が少なくとも１つの抵抗素子のその他の部分よりも大きい電気抵抗のサブセグメントを長手方向に又は断面の延長部分に有する。この簡単でコスト的に有利な方法は、マニホルド又はホットランナーノズル内の温度の記録を従来よりも遙かに正確な方法で可能にする。
【０００９】
　このことは、より大きい抵抗を有する抵抗素子のサブセグメントの温度がこの抵抗素子のその他の部分よりも遙かに速くかつ顕著に変化するという事実に起因する。さらに、適切に位置決めされた温度センサは、より高い抵抗を有する温度センサのサブセグメントを加熱システム又はホットランナーの領域に正確に位置決めすることによって正確に特定された位置での温度上昇を特に正確に追跡することを可能にする。そこで記録された値は、動作温度、すなわち熱せられた素子の動作状況を制御するためにより高い信頼性で評価され得る。請求項２は、少なくとも１つのセグメントと少なくとも１つのサブセグメントとから構成された抵抗素子によってこのことを補足説明している。サブセグメントの電気抵抗は、特定の温度ではセグメントの電気抵抗よりも大きい。
【００１０】
　請求項３によれば、サブセグメントの電気抵抗は、特に２〜100 倍の程度でセグメントの電気抵抗よりも大きい。温度センサのこのような感知は、温度のどんなばらつきも熱センサのサブセグメント中の抵抗を迅速に変化させることを意味する。すなわち、このセグメント（例えば、ホットランナーノズルのチップ領域内）の適切な位置決めが、非常に迅速でかつ改良された温度評価を可能にする。
【００１１】
　請求項４には、セグメント２２及び／又はサブセグメント２４がより高い抵抗を有するサブセグメントの最適な位置決め又は整合を可能にするためのＵ字状のアーチ又はループを形成する。請求項５によれば、両セグメントが蛇行している形にでき、その結果その他の設計の選択の範囲を広くする。
【００１２】
　抵抗値を決めるため、温度センサの大部分の長さを覆うセグメントが（請求項６に記載の）サブセグメントの断面積よりも大きい断面積を有するように、温度センサの幾何学的構造が好ましく選択される。請求項７によれば、このことは、セグメントとサブセグメントの抵抗経路を均一な厚さにすることによって簡単に実現され得る。セグメントの幅は、サブセグメントの幅よりも広い。
【００１３】
　請求項８に記載の形態では、抵抗経路が焼結された伝導性のペーストである。しかしながら請求項９によれば、セグメント及び／又はサブセグメントが上下に配置された少なくとも２つの抵抗経路によって形成され、絶縁層によって互いに分離してもよい。このことは、実際のあらゆる抵抗値の形成に対して低い構造を可能にする。このことは、（請求項１０中に記載されているように）セグメントとサブセグメントが覆われているか又は絶縁層中に埋設されているときにも適用される。請求項１１に記載の形態の絶縁層は、セラミックの誘電体層である。後者の場合、耐久力のある堅い接続が、温度センサと測定される本体の壁との間に確立される。さらに、加熱システムと温度センサは、湿気の吸収から有効に保護される。
【００１４】
　さらに請求項１２には、セグメントとサブセグメントが異なる材料組成から成ることが記載されている。このことは、抵抗経路内部での様々な抵抗値の形成を促進し、空間的に感知される温度記録を可能にする。
【００１５】
　独立請求項である請求項１３に記載の発明の形態には、特別な利点がある。この形態によれば、温度センサが、マニホルド又はノズル本体上にある又はその中にある測定素子として装着されて加熱システムと一体となっている。
【００１６】
　請求項１４によれば、加熱システム内の加熱素子は実行要求に適合された電気的な熱伝導経路である。これらの熱伝導経路は、実行と温度分布に応じて異なる密度と構造のマニホルド又はノズル本体に適合され得る。特に請求項１５中に記載されているように、熱伝導経路の少なくとも一部が、蛇行している形及び／又は二本巻でもよい。
【００１７】
　請求項１６に記載の発展型では、マニホルド又はノズル本体の中間領域内の熱伝導経路の電気抵抗が上の領域又は下の端部又はチップ領域の電気抵抗よりも低い。したがって、マニホルド又はノズル本体の上の領域からエネルギーを解放して特定の温度分布を得ることが可能である。どんな場合でも、端部に向かって連結されている。例えば、マニホルド又はノズル本体の入口又は出口の付近で連結されている。
【００１８】
　請求項１７によれば、熱伝導経路は、ここでは高抵抗の熱伝導領域の凹部に向かって突出している温度センサの感知するサブセグメントによって熱伝導経路のその他の部分の電気抵抗よりも大きい電気抵抗を有する少なくとも１つの領域を形成する。すなわち、この凹部は、ノズル又はマニホルド本体の開放端部に対して非常に近くに位置決めされ得る。この重要な領域内で変化する温度は、迅速に有効に検出され、射出の失敗の回避を可能にする。請求項１８では、熱センサ部分が高抵抗領域内で密に形成された熱伝導経路によって包囲されている。
【００１９】
　請求項１９に記載の好ましい発展型では、熱伝導経路が絶縁層上に位置決めされ、さらなる絶縁層によって覆われている。さらに、請求項２０では、温度センサと熱伝導経路が、同じ高さで絶縁層上に位置決めされている。このことは、低い構造高さでさえも容易に実現され得ることを意味する。
【００２０】
　請求項２１によれば、熱伝導経路と絶縁層は、（請求項２２中に記されているように）その少なくとも一部がセラミックの誘電体層である焼結された薄膜及び／又は厚膜のペーストである。したがって、（温度センサを有する）加熱システムの全体は、簡単にかつ安価な方法で製造され得る。さらに、ノズル又はマニホルド間に形成された一体的な連結は、最適な熱交換を常に保証する。
【００２１】
　請求項２３もこのことを補足説明する。誘電体層が、マニホルド又はノズル本体に対して永久的に被覆され、少なくとも一部の焼結過程後に後者に関連して予備押圧される（堅牢にされる）。こうして形成されたシート接着(sheet bond)と加熱設備によって、実際に同じパフォーマンスが要求される従来の構造と比べたときに、ホットランナーノズルが極めてコンパクトな大きさである。
【００２２】
　請求項２４によれば、誘電体層が、熱接触によってマニホルド又はノズル本体に付着され得る基本要素(base element)に対して永久的に被覆される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
　以下に、本発明の特徴、詳細及び利点を図面に基づいて説明する。
【００２４】
　図１の温度センサ１０は、（詳しく図示しなかった）ホットランナーシステム、特に（図示しなかった）ホットランナーシステム用の加熱装置４０の構成部品である。この温度センサ１０は、温度が上昇又は降下するときにその電気抵抗が変化する材料から作られた抵抗素子２０を有する。この抵抗素子２０は、（図示しなかった）適切な電子制御回路によって加熱装置４０によって生成された温度の記録と適切な制御に対する基礎を提供する。
【００２５】
　抵抗素子２０は、ほぼ縦方向にホットランナーノズル又は加熱システム４０内に延在している。この抵抗素子２０は、３つのセグメント２２，２４，２２に分割されている。これらの３つのセグメント２２，２４，２２は一緒に、比較的狭いＵ字状のループを形成する。これらのセグメント２２は、２つの同一の抵抗脚部を形成する。これらの抵抗脚部は、ホットランナーノズルの本体Ｋに対して平行にほぼ延在している。これらの抵抗脚部は、サブセグメント２４を介してこれらの抵抗脚部の下端部で連結されている。このサブセグメント２４の電気抵抗は、特定の温度でセグメント２２の電気抵抗の２〜１００倍である。このことは、例えばサブセグメント２４の断面積の少なくとも２倍の断面積を有する各セグメント２２によって実現され得る。しかしながら、好ましい配置では、セグメント２２とサブセグメント２４が均一な厚さのＵ字状の抵抗経路を形成する。図２中に示したように、セグメント２２の領域の幅は、サブセグメント２４の領域よりも大きい。温度センサ１０又は抵抗素子２０の温度センサ１０の長さＬは、ホットランナーノズルの本体Ｋの長さにほぼ等しい。
【００２６】
　連結接触部３０が、温度センサ１０を電子評価制御回路に接続するために設けられている。これらの連結接触部３０は、例えば半田付けしてもよい。接続ワイヤ又はケーブルが、これらの半田付け接触部３０に付加されている。これらの半田付け接触部３０は、ノズル本体又は連結フランジから突出している。
【００２７】
　加熱装置４０は、好ましくは加熱素子４２を有する。これらの加熱素子４２は、電気的な熱伝導経路４４である。蛇行リボン５２に対する連結部５０は、上端領域Ｏ、例えばベース又は（図示しなかった）ホットランナーノズルの前に位置決めされている。リボンの平行な熱伝導経路は、個々の伝導経路の幅に等しい距離で互いに分離されている。上のリボン５２は、接合部５３で変化してフレーム状の枝部又は長手方向リード５４を形成する。この長手方向リード５４は、加熱装置４０又はノズル本体Ｋの中間領域Ｂを通過する。これらの長手方向リード又は枝部５４は、それらの下端部５５に集合し、端部領域又はノズル本体Ｋのチップ領域Ｅの下の蛇行リボン５６、特に（図示しなかった）ノズルチップの領域内に至る。上の蛇行リボン５２、枝部の領域及び長手方向リード５４内の熱伝導経路４４の幅は、下の蛇行リボン５６内の熱伝導経路４４の幅よりも大きい。その結果、下の蛇行リボン５６の電気抵抗は、熱伝導経路４４以外の熱伝導経路の電気抵抗よりも大きい。したがって、熱性能は、ノズルチップの領域Ｅ内に集中される。
【００２８】
　熱伝導体４２，４４の対称な配置が図１の特徴である。これらの熱伝導体の片方が、中央に位置決めされた温度センサ１０を二分割する。この温度センサ１０は、サブセンサ２４と共にヘアピン状のループを形成する。このヘアピン状のループは、特に敏感な測定領域を構成する。このサブセグメントは、下の蛇行リボン５６の近くに構成された熱伝導経路４４によって高抵抗の熱伝導領域４６の凹部４７内に包囲されていて、ホットランナーのノズルチップの領域Ｅ内に位置決めされている。この場合、この領域内の温度のどんなばらつきも、抵抗素子２０に対して大いに影響する。
【００２９】
　加熱装置４０の熱伝導経路４２，２２は、例えば0.02と0.5mm との間の均一な厚さの平坦なストリップである。これらの熱伝導経路４２，４４は、好ましくは伝導性の薄膜又は絶縁層５２上に焼結されたペーストから構成される。この絶縁層５２は、マニホルド又はノズルの本体Ｋに前もって接着してある。この絶縁層は、好ましくはセラミックの誘電体層である。この誘電体層は、少なくとも１回の焼結後にマニホルド又はノズルの補運体Ｋに対して予備押圧される。温度センサ１０の抵抗素子２０は、好ましくは熱伝導経路４２，４４と同じ高さで誘電体層５８に厚膜技術によって固定されている。温度センサ１０は、温度の変化と共にその抵抗が変化する白金又は別の適切な金属の合金でもよい。さらなる絶縁層５９は、加熱システム４０と温度センサ１０を外部の影響から保護する。これらの絶縁層５８，５９は、ホットランナーノズルの平坦な側面又はシリンダ状のジャケット面に対して適用される共通の保護化合物から成る。
【００３０】
　ホットランナーノズルの端部領域又はチップ領域Ｅ（温度変化を感知する領域）内の抵抗素子２０の独立したサブセグメント２４のこの形と位置が、そこでの熱の消失の正確で迅速な記録を可能にする。したがって、定格温度からずれると、本発明の温度センサ１０内の抵抗が、従来の温度センサのときよりもかなり速くかつ顕著に変化する。すなわち、定格温度からのずれが、迅速にかつ正確に記録でき、加熱システム４０の迅速な制御を可能にする。
【００３１】
　図３は、図２の温度センサ１０の断面図である。加熱システム４０は、ノズル本体Ｋの外壁上に位置決めされている。この加熱システム４０は、絶縁層として金属に直接被覆されたセラミックの誘電体層５８を伴った平坦な層の加熱システムとして形成されている。その結果、加熱層４２が、金属に対して被覆されていて、（図１中に示したように）蛇行及び／又はフレーム状の熱伝導経路４４と外層５９を構成する。この外層５９は、熱伝導経路４４とこの熱伝導経路４４の下の誘電体層５８を覆い、外部に対して遮蔽して電気的に絶縁する。さらなる絶縁層２６が、外層５９に対して被覆されている。温度センサ１０が、この外層５９中に埋設されている。
【００３２】
　図４中に示された形態では、温度センサのサブセグメント２４が蛇行の形である。ここでも、このサブセグメント２４は、ホットランナーノズル上の領域内に位置決めされて特に敏感な測定領域を構成する。ここでは、この領域の温度ができる限り迅速に記録される。図５，６は各々、熱伝導経路４４及び温度センサ１０の配置と位置の別のオプションを示す。温度センサ１０の測定チップ２４が、所望の温度測定領域内に常に存在する。
【００３３】
　本発明は、上述した形態に限定されず、いろいろに変更できる。例えば、温度センサ１０のセグメント２２とサブセグメント２４が、上下に重なって配置された２つの抵抗経路２０によって形成され、かつ薄い絶縁層によって分離されてもよい。このことは、より高い抵抗値を可能にする。これらのより高い抵抗値は、例えばより高い温度を測定するために要求される。ここでも、温度のばらつきが抵抗経路２０のその他の領域よりも迅速にかつ正確に記録されなければならない領域内では、抵抗素子２０の抵抗値が遙かに大きいこと、すなわち２〜100 倍の割合で大きいことが重要である。その結果、熱センサ１０は、最少の熱遅延で選択された領域内の温度変化を検出する。
【００３４】
　有益な発展型では、伝導性のマニホルド又はノズル本体に絶縁的に取り付けるのに適する装置の全体が均一な厚さである。このことは、厚膜を簡単にかつ確実に埋設させる。厚膜は、それ自体公知の方法を使用して焼結され得る。ガラスセラミックシステムは、少なくとも１つのガラス、ガラスセラミック又はセラミック化合物を既に含有する。このガラス、ガラスセラミック又はセラミック化合物は、それぞれの焼結温度で金属の表面を湿潤させ、少なくともその一部を結晶状態に遷移させる。
【００３５】
　特許請求の範囲中に記されている全ての特徴、利点、説明、図面、構成の詳細及び空間的配置は、個別に又は多様な組み合わせにおける本発明に対して必須要件である。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】熱伝導経路と温度センサを有する加熱装置の全面図である。
【図２】温度センサの平面図である。
【図３】図２の線英Ａ−Ａに沿った部分図である。
【図４】温度センサのその他の形態である。
【図５】温度センサを有する加熱装置のその他の形態である。
【図６】温度センサを有する加熱装置のその他の形態である。
【符号の説明】
【００３７】
Ｂ　中間領域
Ｅ　終端領域／チップ領域
Ｋ　マニホルド／ノズル本体
Ｌ　長さ
Ｏ　上端領域
１０　温度センサ
２０　抵抗素子
２２　セグメント
２４　サブセグメント
２６　絶縁層
３０　連結接触部
４０　加熱システム／加熱装置
４２　加熱素子
４４　熱伝導経路
４６　帯域
４７　凹部
５０　連結部
５２　蛇行リボン
５３　接合部
５４　長手方向リード
５５　集中部
５６　蛇行リボン
５８　絶縁層
５９　絶縁層
【図１】
2004130782.tif 000003
【図２】
2004130782.tif 000004
【図３】
2004130782.tif 000005
【図４】
2004130782.tif 000006
【図５】
2004130782.tif 000007
【図６】
2004130782.tif 000008