(57)【要約】【課題】コア基板の表面に表面多層配線層を形成した多層配線基板において、コア基板のバイアホールの形成に、ドリルによる穴開けやレーザ光の穴開けにおいて発生する、ビアホール内部の加工屑や加工熱による変質がなく、バイアホール導体の導通が確実でバイアホール内壁と導体との接着性が十分な、耐環境試験において信頼性の高い多層配線基板及びその製造方法を提供する。【解決手段】少なくとも有機樹脂を含む絶縁層１と、該絶縁層１の少なくとも一方の表面に埋設された配線回路層２と、前記絶縁層１を貫通して形成されたバイアホール３ａとを具備する多層配線基板において、前記バイアホール３ａのうち少なくとも１層のバイアホール３ａにおける開口端周囲３ｂおよび開口端付近の内壁面３ｃに、平均粒径が０．５μｍ以下の金属、または合金からなる金属微粒子３２が付着していることを特徴とする。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも有機樹脂を含む複数の絶縁層と、該絶縁層の少なくとも一方の表面に形成された配線回路層と、前記絶縁層を貫通して形成されたバイアホールと、該バイアホール内に設けられたバイア導体とを具備する多層配線基板において、前記バイアホールの開口端周囲及び開口端付近の内壁面に、平均粒径が０．５μｍ以下の金属、又は合金からなる金属微粒子が付着していることを特徴とする多層配線基板。
【請求項２】
金属又は合金が、銅、アルミ、ニッケル、金のうち少なくとも１種を主成分とすることを特徴とする請求項１記載の多層配線基板。
【請求項３】
バイアホールのトップ径、ボトム径がそれぞれ１０〜２５０μｍの範囲にあり、ボトム径／トップ径の比が６０％以上であることを特徴とする請求項１又は２記載の多層配線基板。
【請求項４】
絶縁層が、ガラスクロスに熱硬化性樹脂を含浸したプリプレグ、又は液晶ポリマー、又は熱硬化樹脂中に無機フィラーを分散させた複合材料、又はこれらを組み合わせた材料からなり、絶縁層の厚みが２０〜２０００μｍであることを特徴とする請求項１乃至３のうちいずれかに記載の多層配線基板。
【請求項５】
（ａ）少なくとも有機樹脂を含む絶縁シートの少なくとも片側に金属箔を設け、レーザ光の照射により穴開け加工を行い、バイアホールの開口端周囲および開口端付近の内壁面に、平均粒径が０．５μｍ以下の金属、又は合金からなる金属微粒子が付着したバイアホールを作製する工程と、
（ｂ）絶縁シートのバイアホールに、導電ペーストを埋め込むか、めっきによってバイア導体を形成する工程と、
（ｃ）バイア導体を有する絶縁シートの表面に、配線パターン形状の金属箔を転写するか、又はめっき法により配線回路層を形成する工程と、
（ｄ）配線回路層が形成された絶縁シートを、所定の層数分位置合わせして積層圧着する工程と、
（ｅ）該積層体を硬化する工程とを具備することを特徴とする多層配線基板の製造方法。
【請求項６】
金属箔が、銅、アルミ、ニッケル、金のうち少なくとも１種を主成分とすることを特徴とする請求項５記載の多層配線基板の製造方法。
【請求項７】
金属箔の厚みが、５μｍ〜４０μｍであることを特徴とする請求項５又は６記載の多層配線基板の製造方法。
【請求項８】
紫外領域の波長のレーザ光によりバイアホールを作製することを特徴とする請求項５乃至７のうちいずれかに記載の多層配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば、メインフレームと呼ばれる大型コンピューターのマザーボードや半導体素子搭載用基板、又は半導体素子収納用パッケージなどに用いられ、有機樹脂を含有する絶縁層と金属層からなる配線回路層を具備した多層配線基板とその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来技術】
電子機器は小型化が進んでいるが、近年携帯情報端末の発達や、コンピューターを持ち運んで操作するいわゆるモバイルコンピューティングの普及によってさらに小型、薄型且つ高精細の多層配線基板が求められる。
【０００３】
そのような高密度配線の要求に対応するため、従来より、多層配線基板の製造方法としてはビルドアップ法が用いられている。
【０００４】
ビルドアップ法について以下に説明する。
【０００５】
まず、ガラスエポキシ複合材料からなる絶縁基板の表面に配線回路層を形成し、ドリルによって穴開け加工し、絶縁層を貫通するスルーホールを形成し、前記スルーホールに導体を埋設するか、めっきによりスルーホール内壁に金属膜を作製してコア基板を作製する。
【０００６】
このコア基板の表面に感光性樹脂を塗布して絶縁層を形成する。そして、感光性樹脂からなる絶縁層に対して露光現像してバイアホールを形成する。次に、バイアホールの内壁を含む絶縁層の全表面に銅などのめっき層を形成する。そして、めっき層表面に感光性レジストを塗布／露光／現像／エッチング／レジスト除去を経て配線回路層を形成する。その後、必要に応じ上記の工程を繰り返すことにより、絶縁層および配線回路層を繰り返して形成して表面多層配線層を形成することが行われている。
【０００７】
また最近では、次のような工法も採られている。前述のコア基板の表面に熱プレスなどで、未硬化の熱硬化性樹脂付き銅箔を樹脂側をコア基板に介在させて貼り付けた後，加熱して熱硬化性樹脂を硬化させることにより表面に銅箔を有する絶縁層を形成し、ついで炭酸ガスレーザ等により銅箔及び絶縁層にバイアホールを形成し、さらに前述した方法と同様にして、めっき層の形成、レジスト塗布／露光／現像／エッチング／レジスト除去を行うことにより、配線回路層を形成する。次いで、必要により上記の工程を繰り返すことによって、コア基板上に複数の表面絶縁層が積層された多層配線基板を得る方法である（特許文献１参照）。
【０００８】
【特許文献１】
特開平９−８３１３９号公報
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、コア基板のドリル加工は、バイアホール内壁への加工屑の付着や、熱変質層の発生によって、その後のバイア導体を加工する際に、導体ペーストや、めっきによる導通がとれずに電気不良の原因になるなどの問題があった。
【００１０】
特に、めっきによるバイアホールの導通では、開口部及び内壁に、均一で樹脂界面との接着が強固な金属膜を形成しないと、その後の工程でのオープン不良の原因となりやすい。
【００１１】
また、コア基板のバイアホールは高密度配線のために微小径になってきており、バイアホール径が１００μｍ前後になると、めっき液で金属膜を形成する際に微小径バイアホールへのめっき液の回り込み性が悪く、所望のめっきがかかりにくいという問題もあった。
【００１２】
さらにコア基板のバイア導体は、長期にわたる使用や使用環境の湿度によって、バイア導体が酸化し、電気抵抗が上昇するという問題があった。
【００１３】
またバイアホール間のピッチを狭くした場合には、バイアホール間の絶縁抵抗が劣化するという問題もある。これは、配線回路層やバイア導体と絶縁樹脂との界面が弱く、水分等の劣化の原因となっているものが通りやすい、また、樹脂中を浸透してきた水分がバイア導体に直接浸入してくるために発生していると考えられる。
【００１４】
本発明は、上記のようなコア基板の表面に表面多層配線層を設けた多層配線基板における上記課題を解決することを目的とするものであり、具体的には、バイア導体の接続信頼性を向上させ、苛酷な環境下においても特性劣化のない高信頼性の多層配線基板及びその製造方法を提供することにある。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
本発明は、少なくとも有機樹脂を含む複数の絶縁層と、該絶縁層の少なくとも一方の表面に形成された配線回路層と、前記絶縁層を貫通して形成されたバイアホールと、該バイアホール内に設けられたバイア導体とを具備する多層配線基板において、前記バイアホールの開口端周囲及び開口端付近の内壁面に、平均粒径が０．５μｍ以下の金属、又は合金からなる金属微粒子が付着していることを特徴とする。
【００１６】
このバイアホールの開口端周囲とは、バイアホールの開口端からバイアホールの外側に向けて、バイアホールの直径の少なくとも５％の幅の領域を指している。
【００１７】
また、バイアホールの開口端付近の内壁面とは、バイアホールの開口端からバイアホールの内壁面に向けて、バイアホールの長さ、言い換えると絶縁層の厚さの少なくとも５％の深さの領域を指している。
【００１８】
このようにバイアホールの開口端周囲および開口端付近の内壁面に平均粒径が０．５μｍ以下の金属微粒子が付着した基板では、例えば、バイア導体を導電ペーストを埋め込んで作製する場合、バイアホール壁面に付着した金属微粒子の粒径が０．５μｍ以下と汎用的な導体ペースト中の金属粒子の１／１０程度であるため、導体ペースト中の金属粒子と付着した金属微粒子の粒径の違いによって大きな粒子の隙間に小さな粒子が入り込むことで、壁面付近での金属粒子の高充填化が可能となり、バイア導体の導通抵抗を低下させることができる。
【００１９】
また、基板中の樹脂成分によるペーストのはじきを抑えて、バイアホール壁面と導体ペーストとの濡れ性が向上し、バイア導体の充填性が向上する。
【００２０】
また、バイア導体をめっきによって作製する場合には、金属微粒子の付着により、めっき膜生成の核が壁面及び開口部に出来ていることになり、めっき膜生成が確実で、壁面との接着強度が強いバイア導体が形成でき、配線基板の信頼性が向上する。
【００２１】
また、開口端の周囲に平均粒径が０．５μｍ以下の金属微粒子が付着しているため、配線回路層とバイア導体とが接続される際に金属微粒子が接着剤のように機能し接続信頼性を向上させることができる。
【００２２】
また、本発明の多層配線基板は、金属又は合金が、銅、アルミ、ニッケル、金のうち少なくとも１種を主成分とすることを特徴とする。これらの金属又は合金は電気抵抗が低く、バイア導体としても好適に用いることができる。
【００２３】
また、本発明の多層配線基板は、バイアホールのトップ径、ボトム径がそれぞれ１０〜２５０μｍの範囲にあり、ボトム径／トップ径の比が６０％以上であることを特徴とする。
【００２４】
バイアホールのトップ径、ボトム径を１０μｍ以上とすることで、バイア導体を挟んで接続される配線の接続信頼性を十分に確保することができる。また、バイアホールのトップ径、ボトム径を２５０μｍ以下とすることで配線基板の高密度化が図れる。また、ボトム径／トップ径の比を６０％以上とすることで、バイア導体の電気的抵抗を低くすることができる。
【００２５】
また、本発明の多層配線基板は、絶縁層が、ガラスクロスに熱硬化性樹脂を含浸したプリプレグ、又は液晶ポリマー、又は熱硬化樹脂中に無機フィラーを分散させた複合材料、又はこれらを組み合わせた材料からなり、バイアホールを形成する１層当たりの絶縁層の厚みが２０〜２０００μｍであることを特徴とする。
【００２６】
上記の材料を用いて、絶縁層の厚みを２０μｍ以上とすることで配線回路層間やバイアホール間の絶縁性を確保することができる。また、絶縁層の厚みを２０００μｍ以下とすることでレーザによる穴開け性を良好に維持できる。
【００２７】
また、本発明の多層配線基板の製造方法は、
（ａ）少なくとも有機樹脂を含む絶縁シートの少なくとも片側に金属箔を設け、レーザ光の照射により穴開け加工を行い、バイアホールの開口端周囲および開口端付近の内壁面に、平均粒径が０．５μｍ以下の金属、又は合金からなる金属微粒子が付着したバイアホールを作製する工程と、
（ｂ）絶縁シートのバイアホールに、導体ペーストを埋め込むか、めっきによってバイア導体を形成する工程と、
（ｃ）バイア導体を有する絶縁シートの表面に、配線パターン形状の金属箔を転写するか、又はめっき法により配線回路層を形成する工程と、
（ｄ）配線回路層が形成された絶縁シートを、所定の層数分位置合わせして積層圧着する工程と、
（ｅ）該積層体を硬化する工程とを具備することを特徴とする。
【００２８】
このような多層配線基板の製造方法では、（ａ）の工程で絶縁シートにレーザーを照射しバイアホールを作製する際に絶縁シートの少なくとも片側に設けられた金属箔が同時にレーザ光で照射され、その際に昇華、または溶融して飛び散った金属箔由来の金属微粒子がバイアホールの金属箔側の開口端周囲や開口端付近の内側の内壁に付着して、バイアホールとバイア導体の濡れ性を向上させ、また、バイア導体と配線回路との接続性を向上させ、多層配線基板の信頼性を向上させることができる。
【００２９】
なお、この金属箔にレーザ光が照射された際に、金属箔は熱により溶融もしくは昇華し、レーザ光の照射径、即ち、ビアホール径よりも大きな範囲で消失する。そのため、バイアホールの金属箔側の開口端周囲や開口端付近の内側の内壁に金属箔の溶融もしくは昇華により発生した金属微粒子が付着することになるのである。
【００３０】
また、本発明の多層配線基板の製造方法は、金属箔が、銅、アルミ、ニッケル、金のうち少なくとも１種を主成分とすることを特徴とする。
【００３１】
レーザ光の照射によって表裏貫通孔を穴開け加工する際の加工対象物の少なくとも一方に設ける金属箔は、銅、アルミ、ニッケル、金など、低抵抗の金属箔が望ましく、また紫外領域の波長を有するレーザ光のアブレーション（昇華）によって、昇華しやすい材質が好適という点で、銅が最も望ましい。また銅は熱伝導率が高く、レーザ加工時に発生する加工熱を瞬時に放散できるため、特に貫通孔下面側での加工熱の発生による熱変質の不具合が改善でき、炭化、変形などの不具合の小さい、良好な形状を有したバイアホールを形成できる。
【００３２】
また、本発明の多層配線基板の製造方法は、金属箔の厚みが、５μｍ〜４０μｍであることを特徴とする。レーザ加工時に用いる上記金属箔の厚みは、５μｍ〜４０μｍが適当であり、金属箔の厚みを５μｍより厚くすることによって加工熱の放散を効率的に行うことができ、またレーザ光の照射に伴う金属箔の一部の昇華により作製される０．５μｍ以下の金属又は合金からなる粒子は４０μｍまでの厚さで十分に形成される。
【００３３】
また、本発明の多層配線基板の製造方法は、紫外領域の波長のレーザ光によりバイアホールを作製することを特徴とする。
【００３４】
紫外領域の波長をもつビームを使用することにより、加工対象物と少なくとも一方に設けられた金属箔をアブレーション（昇華）プロセスで加工でき、効率的にバイアホールの開口端周囲および開口端付近の内壁面に金属微粒子を付着させることができるため、バイア導体の、特に、導体ペースト粒子の粒子間に金属箔由来の金属微粒子を充填することで接続性を向上させることができる。
【００３５】
【発明の実施の形態】
本発明の多層配線基板は、図１に示すように、少なくとも有機樹脂を含有する絶縁層１が複数積層され、絶縁層１間には配線回路層２が設けられ、絶縁層１間に設けられた配線回路層２を接続するために、絶縁層１を貫通するようにバイア導体３が設けられたコア基板Ａと、コア基板Ａ表面に設けられた表面絶縁層４と表面配線回路層５とバイア導体６とからなる表面多層配線層Ｂとからなる。
【００３６】
なお、バイア導体３、６は、バイアホール３ａ、６ａ内に金属粉末を充填してなるものか、もしくはめっきにより導通をとるものである。
【００３７】
コア基板Ａに用いられる絶縁層１には、高強度のコア基板Ａを作製できるため、ガラス繊維の織布、不織布など任意の性状のものに耐熱性の有機樹脂、たとえばエポキシ樹脂、ＰＰＥ（ポリフェニレンエーテル樹脂）、ＢＴレジン（ビスマレイドトリアジン）、ポリイミド樹脂、フッ素樹脂、ポリアミノビスマレイミド樹脂、または液晶ポリマー、熱硬化性樹脂と無機物フィラーの複合材料などが好適に用いられる。
【００３８】
また、コア基板Ａの絶縁層１に用いられる繊維体としては、上記のガラス繊維の他に、織布、不織布など任意の性状のものが用いられ、特に、液晶ポリマーを含有する絶縁層１を用いることが、コア基板Ａの強度を高め、熱膨張係数を低くでき、半導体素子との接続信頼性を高くできる点で最も望ましい。
【００３９】
さらに、コア基板Ａの配線回路層２は、例えば、金、銀、銅、アルミニウムの少なくとも１種を含む低抵抗金属の電解金属箔が好適に使用される。この電解金属箔の厚みは１〜３５μｍが良く、望ましくは５〜１８μｍが良い。この電解金属箔の厚み、言い換えれば配線回路層２の厚みを１μｍ以上とすることで、配線の抵抗率を低くすることができる。また、３５μｍ以下とすることで、積層時のコア基板Ａの変形を抑制できる。
【００４０】
さらに、バイアホール３ａに充填する導体ペーストとしては、例えば、配線回路層２を形成する金属と同じ金属の粉末にエポキシ、セルロース等の樹脂成分を添加し、酢酸ブチルなどの溶媒によって混練したものが使用される。この導体ペーストは、バイアホール３ａへの充填後、溶剤を乾燥させるが、はじめから無溶剤であることが望ましい。また、バイア導体３の低抵抗化とバイアホール３ａ上部、底部の配線回路層２を形成する金属箔との接続性向上のために、前記金属粉末に鉛や錫を含む低融点金属を含有させることが望ましい。
【００４１】
また、表面多層配線層Ｂの表面絶縁層４は、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３などの無機粉末をエポキシ、ＡＰＰＥなどの熱硬化性樹脂に分散させたものが好適に用いられる。表面多層配線層Ｂの表面配線回路層５はコア基板Ａで用いた配線回路層２と同様に作製されるものが用いられる。また、バイアホール６ａに充填される導体ペーストは、コア基板Ａのバイアホール３ａに用いられる導体ペーストが同様に用いられる。
【００４２】
この多層配線基板において、コア基板Ａは多層配線基板の強度を保つために、内部にガラス織布などの強化材を含有しており、表面多層配線層Ｂと比較して配線密度が低くなっている。一方、表面多層配線層Ｂは多層配線基板を高密度配線化するために、コア基板Ａの表面に設けられており、コア基板Ａと比較して微細な配線が施されている。
【００４３】
以上説明した本発明の多層配線基板の製造方法について、図２を用いて説明する。この図２は、図１の多層配線基板を作製するための工程図である。
【００４４】
まず、コア基板Ａの配線回路層２を形成するにあたって、図２（ａ）に示すように、絶縁シート１０の仮面に金属箔Ｍを設け、ＵＶ−ＹＡＧレーザ、エキシマレーザ、ＣＯ２レーザ、フェムト秒レーザなどのレーザ加工機で穴開け加工を施す。
【００４５】
なお、金属箔Ｍは絶縁シート１０の上面に設けてもよく、上下面に設けてもよい。
【００４６】
この金属箔Ｍは、例えば、１〜３５μｍの厚みを有する電解金属箔であり、金属箔Ｍのシャイニー面側を絶縁シート１０に接触させる。その際、金属箔Ｍの面積は絶縁シート１０の面積より小さく、かつ穴開け加工エリアより大きいものがよく、レーザ加工機の吸着テーブルで絶縁シート１０と金属箔Ｍの間に隙間がないように固定することが望ましい。その後、レーザ光の照射によって所望のバイアホール１１を形成する。そして、図２（ｂ）に示すように、そのバイアホール１１内に金属粉末を含有する導体ペーストを充填してバイア導体１２を形成する。
【００４７】
次に、図２（ｂ）の半硬化状の絶縁シート１０の上面に電解金属箔からなる配線回路層１４を埋設させ、バイア導体１２と接続させる。なお、配線回路層１４は、絶縁シート１０の両面に設けてもよい。
【００４８】
本発明では、この配線回路層１４の形成をあらかじめ樹脂フィルム上にラミネートした電解金属箔をエッチングして作製したパターンの転写によって行うことが望ましい。
【００４９】
例えば、配線回路層１４の形成には、まず、適当な樹脂フィルム１３の表面にめっき法などによって作製された銅、金、銀、アルミニウム等から選ばれる１種または２種以上の合金からなる厚さ１〜３５μｍの電解金属箔を接着し、その電解金属箔の表面に所望の配線パターンのネガパターンとなるようにレジスト層を付設した後、エッチング、レジスト除去によって所定の配線パターンを有する配線回路層１４を形成する。
【００５０】
樹脂フィルム１３としては、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリイミド、ポリフェニレンサルファイド、塩化ビニル、ポリプロピレン等公知のものが使用できる。樹脂フィルム１３の厚みは１０〜１００μｍが適当であり、望ましくは２５〜５０μｍが良い。樹脂フィルム１３の厚みを１０μｍより大きくすることで、樹脂フィルム１３の変形や折れ曲がりが発生しにくくなり、導体配線の断線が防止できる。また、樹脂フィルム１３の厚みを１００μｍ以下とすることで、樹脂フィルム１３の柔軟性を維持することができ、配線回路層１４と樹脂フィルム１３との剥離が容易となる。また、樹脂フィルム１３表面に電解金属箔を接着するための接着剤としては、アクリル系、ゴム系、シリコン系、エポキシ系等公知の接着剤が好適に用いられる。
【００５１】
また、配線回路層１４を形成するためには、あらかじめ表面粗さ（Ｒａ）が０．２μｍ以上の電解金属箔を樹脂フィルム１３に貼り合わせた方が絶縁シート１０の樹脂をエッチング処理で水分に曝すことがないので吸水率を低くできる。
【００５２】
この時、電解金属箔にはカップリング処理を施さない方が、配線回路層１４と樹脂フィルム１３との剥離が容易となる。
【００５３】
なお、絶縁シート１０に配線回路層１４を埋設するには、まず、図２（ｃ）に示すように、配線回路層１４を具備する樹脂フィルム１３を、バイア導体１２が形成された絶縁シート１０の片面あるいは両面に積層する。
【００５４】
そして、その積層物を６０〜１５０℃で加熱し、１０〜５００ｋｇ／ｃｍ２で１〜１０分、加圧した後、図２（ｄ）に示すように、樹脂フィルム１３を剥がすことにより、図２（ｅ）に示すような、絶縁シート１０の上面に、配線回路層１４が埋設された配線シートａを作製することができる。
【００５５】
なお、絶縁シート１０の上下面に配線回路層１４を同時に埋設してもよく、このように、配線シートａの形成にあたって、必要に応じて絶縁シート１０の上下面に配線回路層１４を具備する樹脂フィルム１３を積層し、圧着することにより、多層配線基板における２層の配線回路層１４の転写工程を同時に行うことができる。
【００５６】
また、上記のようにして作製した配線シートａの表面に埋設された配線回路層１４に対して粗化処理を行い、配線回路層１４の表面粗さ（Ｒａ）を０．２μｍ以上、特に０．４μｍ以上となるようにすることが望ましい。
【００５７】
そして、図２（ｆ）に示すように、上記（ａ）及至（ｅ）と同様にして作製された配線シートｂ〜ｄを積層して一体化した後、これらを絶縁シート１０中の熱硬化性樹脂が完全に硬化するように、２００〜２６０℃の温度で、２０〜６０ｋｇ／ｃｍ２で、０．５〜６時間、加熱することにより、コア基板Ａを作製することができる。
【００５８】
次に、図２（ｇ）に示すように、コア基板Ａの表面に表面多層配線層を形成する。まず、コア基板Ａの表裏面に表面用絶縁シート２０を積層する。次に、レーザ加工用フィルム２２を表面用絶縁シート２０上に積層する。さらに、レーザ加工用フィルム２２上に、レーザ加工用フィルム２４を積層する。
【００５９】
この表面用絶縁シート２０は、例えば、絶縁材料として熱硬化性樹脂と無機フィラーとの複合材料を用いる場合、以下の方法によって作製される。まず、前述したような適当な無機フィラーに、前述した液状の熱硬化性樹脂を無機質フィラー量が２０〜８０体積％となるように溶媒とともに加えた混合物を混練機（ニーダ）や３本ロール等の手段によって混合して絶縁性スラリーを作製する。
【００６０】
絶縁性スラリーは、好適には、前述したような有機樹脂と無機フィラーの複合材料に、トルエン、酢酸ブチル、メチルエチルケトン、メタノール、メチルセロソルブアセテート、イソプロピルアルコール、メチルイソブチルケトン、ジメチルホルムアミド等の溶媒を添加して所定の粘度を有する流動体からなる。スラリーの粘度は、シート成形法にもよるが１００〜３０００ポイズが適当である。
【００６１】
そして、その混合物を圧延法、押し出し法、射出法、ダイコーター法、ドクターブレード法などのシート成形法によってシート状に成形した後、所望により熱硬化性樹脂が完全硬化するに十分な温度よりもやや低い温度に加熱して熱硬化性樹脂を半硬化させて、表面用絶縁シート２０を作製できる。
【００６２】
図３（ｈ）に示すように、この表面用絶縁シート２０、レーザ加工用フィルム２２、レーザ加工用フィルム２４を順次、コア基板Ａに積層した後、位置合わせして、レーザ穴開け加工機により、バイアホール２６を形成する。穴開け後に、レーザ加工用フィルム２４のみを剥離し、その後、レーザ加工用フィルム２２上から、図３（ｉ）に示すように、バイアホール２６に金属粉末を含有する導体ペーストを充填して、バイア導体２８を形成する。次に、レーザ加工用フィルム２２を剥離する。この導体ペーストは、錫、鉛、ビスマス、インジウムなどの低融点金属を少なくとも１種含むもの、またはその合金であることが望ましく、これらの低融点金属は硬化時の加圧、加熱によってバイア導体２８上部と底部の配線回路層１４に濡れるか、金属の種類によっては配線回路層１４に拡散するものである。
【００６３】
このレーザ加工用フィルム２２には、例えば、フィルムの開口部の熱分解に伴う焦げの発生を防止する目的で、ＵＶ光の吸収率が５％以下のフィルムが好適に使用される。また、レーザ加工用フィルム２４には、例えば、加工速度を向上させる目的で、ＵＶ光の吸収率が６０％以上のフィルムが好適に使用される。
【００６４】
バイア導体２８下の配線回路層１４は、その表面が金属箔形成時のマット面またはパターン作製の際に加工された粗化面であり、レーザ加工による有底のバイアホール２６形成の際、表面の凹凸がレーザ加工によって一部、溶融、または昇華することで平滑化される。ここでレーザ加工の条件は、例えばＵＶ−ＹＡＧレーザ加工機の場合、加工エネルギーが０．１〜１．０Ｗ、単位時間のパルス数が１ｋＨｚ〜５０ｋＨｚの範囲であることが適当である。加工エネルギーを０．１Ｗより大きくすることで、または単位時間のパルス数を５０ｋＨｚより小さくすることで、バイアホール２６底部での樹脂残渣の発生を抑制できる。また１．０Ｗより低くすることで、もしくは単位時間のパルス数を１ｋＨｚより高くすることで、バイアホール底部の金属箔に貫通孔が開いたり、金属箔へダメージが発生することを防止できる。
【００６５】
さらに、図３（ｊ）に示すように、上記コア基板Ａで配線回路層１４を形成したのと同様に、エッチングによりあらかじめ作製した電解金属箔の表面配線回路層３０を粗面化した後、コア基板Ａ上に積層した表面用絶縁シート２０に転写し、表面配線回路層３０を表面用絶縁シート２０に埋設する。その後、必要に応じ上記の工程を繰り返すことにより、表面用絶縁シート２０および表面配線回路層３０を繰り返して形成し、さらに２００〜２６０℃の温度で、２０〜６０ｋｇ／ｃｍ２に０．５〜６時間加圧の条件で一括硬化することにより、コア基板Ａの表面に表面多層配線層Ｂを形成することができ、図１に示すような多層配線基板を形成することができる。
【００６６】
尚、本発明は上記形態に限定されるものではなく、発明の要旨を変更しない範囲で種々の変更が可能である。例えば、表面多層配線層Ｂの表面にソルダレジストを設けてもよく、その作製は表面用絶縁シート２０とともに一括硬化して行ってもよい。
【００６７】
なお、本発明のコア基板Ａのバイアホール３ａを走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）によって観察した結果の模式図を図４に示す。絶縁層１に設けられたバイアホール３ａの開口端周囲３ｂおよび開口端付近の内壁面３ｃに、金属箔Ｍ由来の０．５μｍ以下の金属微粒子３２が付着している。開口端付近の内壁面３ｃの金属微粒子３２は、バイア導体３を構成する金属粒子３４の隙間に充填され、バイア導体３を高密度化し、バイア導体の信頼性を向上させている。また、開口端周囲３ｂの金属微粒子３２は、配線回路層２と絶縁層１との間に存在し、両者の接合強度を向上させ、多層配線基板の信頼性を向上させている。なお、バイアホール３ａの開口端周囲３ｂとは、言い換えると、バイアホール３ａの縁を取り巻く絶縁層１の面である。また、開口端付近の内壁面３ｃとは、バイアホール３ａの縁付近のバイアホール３ａの壁面である。
【００６８】
【実施例】
コア基板Ａ用絶縁シート１０には、厚さが２０μｍ〜２０００μｍのポリフェニレンエーテル樹脂（ＰＰＥ樹脂）系プリプレグを用いた。そして、絶縁シート１０に対して、下面に０〜１００μｍの厚みを有する金属箔Ｍ（Ｃｕ、Ａｕ、Ａｌ、Ｎｉ）を、シャイニー面を絶縁シート１０側にして、絶縁シート１０と当接させ、レーザ加工機の加工ステージ上に固定した。レーザ加工機は第３高調波のＵＶ−ＹＡＧレーザ加工機を用いた。
【００６９】
ＵＶ−ＹＡＧレーザを用いて、０．１〜０．５Ｗ、Ｒｅｐ  Ｒａｔｅ  １〜１０ｋＨｚ、トレパニング加工で、繰り返し回数５回で、トップ径が２０〜３００μｍのバイアホール１１を形成した。バイアホール１１をＳＥＭにより観察し、バイアホール１１の形状と表面に付着した金属箔由来の微粒子の形状について観察を行った。そして、これらの絶縁シート１０のバイアホール１１に、銀をめっきした銅粉末を含む銅ペーストを充填してバイア導体１２を形成した。
【００７０】
次にバイア導体１２を形成した前記の絶縁シート１０のバイア導体１２表裏面に、１２μｍ厚の配線回路層１４が設けられた樹脂フィルム１３の配線回路層１４側を当接させ、１２０℃の温度で、５０ｋｇ／ｃｍ２に３分加圧した後、樹脂フィルム１３を剥離して絶縁シート１０に配線回路層１４を転写させて、配線シートａを必要な枚数作製した。
【００７１】
これらの配線シートａを３層積層し、２４０℃の温度で、４０ｋｇ／ｃｍ２で、３時間、加圧し、コア基板Ａを作製した。
【００７２】
次に、表面多層配線層Ｂに用いる表面用絶縁シート２０を作製した。まず、ポリフェニレンエーテル系（ＰＰＥ系）の熱硬化性樹脂６０体積％と、平均粒径が０．６μｍの球状溶融ＳｉＯ２４０体積％との混合物に対して、溶媒としてトルエンを加え、さらに有機樹脂の硬化を促進させるための触媒と、硬化した表面多層配線層Ｂの難燃性を高める難燃剤を添加混合した後、スラリーをダイコーター法により厚さ３５μｍの表面用絶縁シート２０を作製した。
【００７３】
この表面用絶縁シート２０を、コア基板Ａの両面に、１４０℃の温度で、５０ｋｇ／ｃｍ２に３分間加圧して積層した。この表面用絶縁シート２０の表面にＵＶ光の吸収率が０．８％のレーザ加工用樹脂フィルム２２を接着した。さらにＵＶ光の吸収率が８０％のレーザ加工用樹脂フィルム２４を接着した。
【００７４】
次に、表面用絶縁シート２０、レーザ加工用樹脂フィルム２２、レーザ加工用樹脂フィルム２４に、ＵＶ−ＹＡＧレーザ加工機を用いて、Ｒｅｐ  Ｒａｔｅ１０ｋＨｚ、トレパニング加工、繰り返し回数５回で、直径６０μｍの有底のバイアホール２６を形成した。その後、レーザ加工用樹脂フィルム２４を剥離し、有底のバイアホール２６内に銀をめっきした銅粉末を含む銅ペーストを充填してバイア導体２８を形成し、レーザ加工用樹脂フィルム２２を剥離した。
【００７５】
この銅ペーストは平均粒径が５．３μｍのＡｇ被覆Ｃｕ粉末で（銀含有量３重量％）で、低融点金属にＳｎを用いた。銅ペースト中の樹脂成分はトリアリルイソシアネート１８重量％、トリアリルイソシアネートプレポリマー２重量％で、導電性金属粉末が８０重量％である。
【００７６】
一方、表面配線回路層３０は下記のように作製した。電解めっき法によって厚み１２μｍの電解銅箔を形成し、この電解銅箔を、接着剤を塗布したポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）の樹脂フィルムの接着剤塗布面に貼り付けた。
【００７７】
そして、電解銅箔の表面に感光性のレジストを塗布し、ガラスマスクを通して露光して表面配線回路層３０となる配線パターンを形成した後、レジストを現像後、露出した電解銅箔の不要部分をエッチング除去して表面配線回路層３０を作製した。
【００７８】
なお、表面配線回路層３０は、バイア導体２８上部のランド径が９０μｍで、バイア導体２８あたりの抵抗値が測定できるように７０μｍ幅の配線を引き回して作製した。
【００７９】
そして、表面配線回路層３０が形成された樹脂フィルムを１０重量％の蟻酸溶液を噴霧して表面粗さ（Ｒａ）０．５μｍに粗化した。その後、バイア導体２８が形成された表面用絶縁シート２０に位置合わせして積層し、１２０℃の温度で５０ｋｇ／ｃｍ２の圧力で３分加圧した後、樹脂フィルムと接着層のみを剥離して表面用絶縁シート２０に表面配線回路層３０を転写した。なお、表面用絶縁シート２０に転写された表面配線回路層３０は、表面用絶縁シート２０の表面に完全に埋設され、表面用絶縁シート２０表面と表面配線回路層３０の表面とは同一平面となっていることを確認した。
このようにして作製した積層体を２４０℃の温度で、４０ｋｇ／ｃｍ２、３時間加圧の条件で、一括で硬化して多層配線基板を作製した。
【００８０】
評価方法
評価方法として、上記の方法で作製した多層配線基板の、バイア導体３あたりの抵抗値を測定した。次に、ＨＡＳＴ（１３０℃、８５ＲＨ％、５．５Ｖ）で、４００時間までの絶縁性を評価した。
【００８１】
また、レーザ照射の際に銅箔を設けずにバイアホールの開口端周囲および開口端付近の内壁面に、平均粒径が０．５μｍ以下の金属、または合金からなる金属微粒子を設けない試料を比較例として本実施例と同様に作製した。
【００８２】
【表１】
2004327744.tif 000003
本発明の範囲外のレーザ加工の際に金属箔Ｍを絶縁シート１０の片側又は両側に設けず、バイアホール３ａの開口端周囲３ｂおよび開口端付近の内壁面３ｃに、０．５μｍ以下の金属微粒子３２が存在しない試料Ｎｏ．１はＨＡＳＴ試験において、１９６時間で短絡が起き、信頼性に乏しいことが判った。
【００８３】
一方、本発明の範囲内の試料Ｎｏ．２〜２１では、バイアホール３ａの開口端周囲３ｂ及び開口端付近の内壁面３ｃに、表１に示した金属箔Ｍの金属からなる０．５μｍ以下の金属微粒子３２が図４に示す形態で確認され、いずれもＨＡＳＴ試験において４００時間経過後も十分な絶縁性を維持しており、高い信頼性を有することが判った。
【００８４】
また、レーザ加工の際の金属箔Ｍの厚みを５〜１００μｍの範囲で変化させた試料Ｎｏ．２〜１１では、Ｃｕからなる金属箔Ｍを用いた場合でも、Ａｕからなる金属箔Ｍを用いた場合でも、初期のバイア導体抵抗値は５〜１０ｍΩと低く、また、ＨＡＳＴ試験においても、４００時間経過後も十分な絶縁性を維持しており、高い信頼性を有することが判った。
【００８５】
さらにレーザ加工の際の金属箔Ｍを、ＡｌまたはＮｉに変更した試料Ｎｏ．１２、１３でもバイア導体抵抗値が８ｍΩ程度で、ＨＡＳＴ試験にもパスし、高い信頼性を有することが判った。
【００８６】
さらにバイアホール３ａのトップ径／ボトム径を、トップ径が２０μｍから３００μｍの範囲で変化させた試料Ｎｏ．１４〜１７でも、バイアホール径によって抵抗値は変化するものの、ＨＡＳＴ試験の結果はいずれも４００時間をパスし、高い信頼性を有している。ただし２５０μｍを超えるバイアホール径の試料Ｎｏ．１７は、多層配線基板の配線密度が低くなった。
【００８７】
次に、絶縁層１の厚みを変化させた試料Ｎｏ．１８〜２１では、絶縁層１が厚くなるに伴って、バイアホール３ａの電流が流れる方向の長さが長くなり、バイア導体３の抵抗値は増加する傾向にあるが、ＨＡＳＴ試験の結果はいずれも４００時間をパスし、高い信頼性を有している。
【００８８】
【発明の効果】
本発明によれば、表面多層配線層を形成した多層配線基板において、コア基板のバイアホールの加工時に、絶縁シートの少なくとも一方に金属箔を設けて、絶縁シートと共に隙間なく固定し、ＵＶレーザ加工機でバイアホールを加工、その後バイアホール導体を形成した後、配線パターンを加工した基板を作製することで、バイアホール導体とバイアホール中の絶縁シート内壁との接着強度の向上、配線回路層とバイア導体との接続信頼性を向上させることが可能になり、多層配線基板の信頼性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の多層配線基板の一形態を説明する断面図である。
【図２】本発明の多層配線基板の製造方法を説明する工程図である。
【図３】本発明の多層配線基板の製造方法を説明する工程図である。
【図４】本発明の多層配線基板を説明するための概略断面図である。
【符号の説明】
Ａ・・・コア基板
Ｂ・・・表面多層配線層
Ｍ・・・金属箔
１・・・絶縁層
２・・・配線回路層
３・・・バイア導体
３ａ・・・バイアホール
３ｂ・・・バイアホールの開口端周囲
３ｃ・・・バイアホールの開口端付近の内壁面
１０・・・絶縁シート
３２・・・金属微粒子
【図１】
2004327744.tif 000004
【図２】
2004327744.tif 000005
【図３】
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【図４】
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