(57)【要約】【課題】ＥＵＶ放射線と共に使用するのに適したプログラム可能なパターン形成手段を有するリソグラフィ投影装置を提供すること。【解決手段】本発明によれば、複数の反射要素Ａ、Ｂ、Ｃを備えた、リソグラフィ投影装置と共に使用するプログラム可能パターン形成手段であって、各反射要素が、放射線の投影ビームの方向に互いに並べられた２つの分布ブラッグ反射器５１、５２から構成されているプログラム可能パターン形成手段が提供される。２つの分布ブラッグ反射器間の離隔距離Ｄ２は、第１の分布ブラッグ反射器５１からの反射と第２の分布ブラッグ反射器５２からの反射との弱め合う干渉が実質的にゼロの反射率をもたらす第１の位置と、第１の分布ブラッグ反射器５１からの反射と第２の分布ブラッグ反射器５２からの反射との強め合う干渉が高い反射率をもたらす第２の位置との間で調節可能である。【選択図】　　　図６
2004048009.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
放射線の投影ビームを提供するための放射線システムと、
所望のパターンに従って前記投影ビームにパターンを形成するためのプログラム可能なパターン形成手段と、
基板を保持するための基板テーブルと、
パターン付けされた前記ビームを前記基板の目標部分に投影するための投影システムとを有するリソグラフィ投影装置において、
前記プログラム可能パターン形成手段が複数の反射要素を有し、各反射要素が、放射線の入射投影ビームの方向に互いに実質的に整列された第１および第２の分布ブラッグ反射器と、前記方向におけるそれらの離隔距離を調節するための手段とを有しており、
第１の位置において、前記第１の分布ブラッグ反射器と前記第２の分布ブラッグ反射器の離隔距離が、第１の分布ブラッグ反射器からの反射と第２の分布ブラッグ反射器からの反射との弱め合う干渉をもたらし、それによって反射要素の反射率が比較的低くなされ、第２の位置において、前記第１の分布ブラッグ反射器と前記第２の分布ブラッグ反射器の離隔距離が、第１の分布ブラッグ反射器からの反射と第２の分布ブラッグ反射器からの反射との強め合う干渉をもたらし、それによって反射要素の反射率が比較的高くなされることを特徴とするリソグラフィ投影装置。
【請求項２】
前記各反射要素において、投影ビームからの放射線の一部が第１の分布ブラッグ反射器を通過して第２の分布ブラッグ反射器に入射し、第２の分布ブラッグ反射器は、この入射した放射線の少なくとも一部を反射することを特徴とする請求項１に記載のリソグラフィ投影装置。
【請求項３】
前記第１および第２の分布ブラッグ反射器の位置を調節するためのアクチュエータを、第１の位置と第２の位置の間の複数の位置をとるように設定し、それによって前記反射要素の反射率の取り得る設定の範囲を提供することができることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のリソグラフィ投影装置。
【請求項４】
２つ以上の反射要素が、共通の第１の分布ブラッグ反射器を有することを特徴とする請求項１から請求項３までのいずれか一項に記載のリソグラフィ投影装置。
【請求項５】
前記放射線の投影ビームがＥＵＶ放射線であり、前記第１の位置と前記第２の位置の間での、第１の分布ブラッグ反射器と第２の分布ブラッグ反射器の離隔距離の差が、ＥＵＶ放射線の波長の実質的に４分の１であることを特徴とする請求項１から請求項４までのいずれか一項に記載のリソグラフィ投影装置。
【請求項６】
前記第１の分布ブラッグ反射器と前記第２の分布ブラッグ反射器の離隔距離を調節するための手段が圧電アクチュエータであることを特徴とする請求項１から請求項５までのいずれか一項に記載のリソグラフィ投影装置。
【請求項７】
２つ以上の反射要素が共通の圧電要素を有しており、しかし各反射要素は、その反射要素に対して局所的な圧電効果を生成するための、その反射要素のみに関連する少なくとも１つの電極を有していることを特徴とする請求項６に記載のリソグラフィ投影装置。
【請求項８】
前記第１の分布ブラッグ反射器と前記第２の分布ブラッグ反射器の離隔距離を調節するための手段が静電アクチュエータであることを特徴とする請求項１から請求項５までのいずれか一項に記載のリソグラフィ投影装置。
【請求項９】
基板を提供するステップと、
放射線システムを使用して放射線の投影ビームを提供するステップと、
プログラム可能なパターン形成手段を使用して、投影ビームにパターンを与えるステップと、
パターン形成された放射線のビームを基板の目標部分に投影するステップと
を含むデバイス製造方法において、
前記プログラム可能パターン形成手段が複数の反射要素を有し、各反射要素の反射率が、各反射要素を構成する一対の分布ブラッグ反射器間の距離であって、放射線の投影ビームに実質的に平行な方向の距離によって決定され、
前記デバイス製造方法が、所望のパターンに応じて前記各反射要素の所望の反射率を提供するように前記各一対の分布ブラッグ反射器間の距離を設定するステップをさらに含むことを特徴とするデバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、
放射線の投影ビームを供給するための放射線システムと、
所望のパターンに従って投影ビームをパターニングするための、プログラム可能なパターン形成手段と、
基板を保持するための基板テーブルと、
パターニングされたビームを基板の目標部分に投影するための投影システムと
を有するリソグラフィ投影装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
リソグラフィ投影装置は、集積回路（ＩＣ）、フラット・パネル・ディスプレイ、および精密な構造を備えた他のデバイスの製造に使用される。プログラム可能なパターン形成手段は、例えばＩＣの個々の層に対応するパターンを生成する。このパターンの像（イメージ）が、放射線感光材料（レジスト）の層で覆われた基板（シリコン・ウェーハまたはガラス・プレート）上の目標部分（例えば、１つまたは複数のチップの一部分で構成される）に形成される。
【０００３】
この像形成ステップの前に、基板は、下塗り、レジスト被覆、およびソフト・ベークのような様々な手順を経ることができる。露光後に、基板は、露光後ベーク（ＰＥＢ）、現像、ハード・ベーク、および形成された像フィーチャの測定／検査のような他の手順を受けることができる。これらの転写手順が、基板上にレジストのパターン形成層をもたらす。堆積、エッチング、イオン打込み（ドーピング）、メタライゼーション、酸化、化学的機械研磨などのような、それぞれがデバイスの層を仕上げ、作成し、あるいは修正するように意図されている１つまたは複数のパターン・ステップが続く。いくつかの層が必要な場合には、この全手順またはその変形が、新しい層ごとに繰り返される。最終的に、デバイスの配列が基板（ウェーハ）上に存在するようになる。次に、ダイシングまたはソーイングのような方法で、これらのデバイスを互いに分離し、その後、個々のデバイスを、ピンなどに接続されたキャリアに取り付けることができる。そのようなプロセスに関するより多くの情報は、例えば、「Ｍｉｃｒｏｃｈｉｐ　Ｆａｂｒｉｃａｔｉｏｎ：Ａ　ｐｒａｃｔｉｃａｌ　Ｇｕｉｄｅ　ｔｏ　Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ　Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ（マイクロチップの製造：半導体処理への実用ガイド）」、第３版、Ｐｅｔｅｒ　ｖａｎ　Ｚａｎｔ、マグローヒル出版、１９９７、ＩＳＢＮ　０−０７−０６７２５０−４から得ることができる。この本を参照により本明細書に組み込む。
【０００４】
リソグラフィ投影装置で製造したデバイス上により小さな構成要素を形成するという要求を満たすためには、ＥＵＶ放射線など、より短い波長の放射線を使用しなければならない。しかし、従来のプログラム可能なパターン形成手段は、ＥＵＶ放射線と共に使用するのには適していない。例えば、ＥＵＶ光を反射するのに用いられる多層積層の表面張力は非常に高く、このため従来の空間光変調器内の要素を湾曲させるであろう。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、ＥＵＶ放射線と共に使用するのに適した、プログラム可能なパターン形成手段を有するリソグラフィ投影装置を提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
この目的および他の目的は、本発明によれば、冒頭の段落に明記したようなリソグラフィ装置であって、
プログラム可能なパターン形成手段が複数の反射要素を備えており、各反射要素が、入射する放射線投影ビームの方向に互いに実質的に並んでいる第１および第２の分布ブラッグ反射器と、前記方向におけるそれらの離隔距離を調節するための手段とを備え、
第１の位置において、第１の分布ブラッグ反射器と第２の分布ブラッグ反射器の離隔距離が、第１の分布ブラッグ反射器からの反射と第２の分布ブラッグ反射器からの反射との弱め合う干渉をもたらし、それによって反射要素の反射率が比較的低くなされ、また第２の位置において、第１の分布ブラッグ反射器と第２の分布ブラッグ反射器の離隔距離が、第１の分布ブラッグ反射器からの反射と第２の分布ブラッグ反射器からの反射との強め合う干渉をもたらし、それによって反射要素の反射率が比較的高くなされることを特徴とするリソグラフィ装置によって達成される。
【０００７】
この構成は、ＥＵＶ放射線を含む放射線の特定の波長において、比較的高い反射と比較的低い反射を切り替えるように各反射要素を制御することができるプログラム可能パターン形成手段を提供する。したがって、様々な反射要素を様々な状態に設定することによって、プログラム可能パターン形成手段は、ビームに所望のパターンを与えることができる。
【０００８】
また、各反射要素での第１の分布ブラッグ反射器と第２の分布ブラッグ反射器の離隔距離を調節するために使用されるアクチュエータが、離隔距離を複数の位置の１つに設定し、反射要素の反射率を、反射が実質的にゼロである第１の位置と、反射率が最大である第２の位置との間で複数のレベルを取るように設定する。これは、投影ビームに与えられるパターンのより良い制御を容易にする。
【０００９】
プログラム可能パターン形成手段の製造を容易にするために、２つ以上の反射要素が、共通の第１の分布ブラッグ反射器を有することができる。このとき、各反射要素の反射率は、共通の第１の分布ブラッグ反射器に対して第２の分布ブラッグ反射器を移動させることによって設定される。
【００１０】
好ましくは、放射線の投影ビームがＥＵＶ放射線であり、それぞれの分布ブラッグ反射器は、使用される波長におけるＥＵＶ放射線を別々に反射するように設計され、第１の位置と第２の位置の間での、第１の分布ブラッグ反射器と第２の分布ブラッグ反射器の離隔距離の差は、使用されるＥＵＶ放射線の波長の約４分の１である。この構成は、反射要素の最大反射率と最小反射率の最大のコントラストを提供する。
【００１１】
第１の分布ブラッグ反射器と第２の分布ブラッグ反射器の離隔距離を調節する手段は、圧電アクチュエータにすることができる。そのようなアクチュエータの性能は十分に理解されており、非常に高い精度でそのような圧電アクチュエータの移動を制御することができる。圧電アクチュエータの移動範囲が数ナノメートル程度であり、必要な精度がナノメートル以下の範囲であるので、これが必要である。例えば、第１の位置と第２の位置の間に１０個のグレー・レベルを提供するために、隣接する位置での離隔距離間の差は、約０．２〜０．５ｎｍである。
【００１２】
各反射要素が、分布ブラッグ反射器の１つを移動させるための個別の圧電要素を有することができる。あるいは、２つ以上の反射要素が共通の圧電要素を有することができる。これは、圧電効果が、圧電要素に電圧を供給する電極に対して局所的であるので、可能である。局所効果は、各反射要素での分布ブラッグ反射器の位置を個別に調節するために使用することができる。共通の圧電要素の使用により、プログラム可能パターン形成手段の製造を大幅に簡略化することができる。
【００１３】
さらに他の代替形態として、第１の分布ブラッグ反射器と第２の分布ブラッグ反射器の離隔距離を調節するための手段は、静電アクチュエータによるものであってよい。これは、圧電要素の提供を必要としないので、プログラム可能パターン形成手段の複雑さを低減し、その製造を容易にすることができる。
【００１４】
本発明のさらに他の観点によれば、
基板を提供するステップと、
放射線システムを使用して放射線の投影ビームを提供するステップと、
プログラム可能パターン形成手段を使用して、投影ビームにパターンを与えるステップと、
パターン形成された放射線のビームを基板の目標部分に投影するステップと
を含むデバイス製造方法であって、
前記プログラム可能パターン形成手段が複数の反射要素を備え、各反射要素の反射率が、各反射要素を構成する一対の分布ブラッグ反射器間の距離であって、放射線の投影ビームに実質的に平行な方向の距離によって決定され、
デバイス製造方法が、前記各一対の分布ブラッグ反射器間の距離を、所望のパターンに応じて各反射要素の所望の反射率を提供するように設定するステップをさらに含むことを特徴とするデバイス製造方法が提供される。
【００１５】
ここで使用されるような用語「プログラム可能なパターン形成手段」は、基板の目標部分に所望のパターンを作成することができるように、入射する放射線ビームにパターン形成された断面を与えるのに用いることができる手段を称するものとして、広く解釈すべきである。また、用語「光弁」および「空間光変調器」（ＳＬＭ）も、この文脈で使用することができる。そのようなパターン形成手段の例は、次のものを含む。
（１）プログラム可能ミラー・アレイ
これは、粘弾性制御層および反射表面を有するマトリックス・アドレス指定可能な表面を有することができる。そのような装置の基本原理は、（例えば）反射表面のアドレス指定された領域が入射光を回折光として反射し、一方アドレス指定されていない領域が入射光を非回折光として反射するというものである。適切な空間フィルタを使用して、前記の非回折光を反射ビームからフィルタ除去して、回折光だけを後に残し、基板に到達させることができる。このようにして、マトリックス・アドレス指定可能な表面のアドレス指定パターンに従って、ビームはパターン付けされる。回折格子光制御弁（ＧＬＶ）のアレイを、同様の態様で使用することもできる。各ＧＬＶは、入射光を回折光として反射する回折格子を形成するように互いに関して変形することができる複数の反射リボンからなる。プログラム可能なミラー・アレイの他の実施形態では、小さなミラーのマトリックス配列が使用される。この小さなミラーの各々は、適当な局部電界を加えることで、または圧電作動手段を使用することで、軸線のまわりで個々に傾斜させることができる。やはり、アドレス指定されたミラーが、アドレス指定されていないミラーに対して異なる方向に入射放射線ビームを反射するように、ミラーはアドレス指定可能なマトリックスである。このようにして、反射ビームは、マトリックス・アドレス指定可能ミラーのアドレス指定パターンに応じてパターン形成される。必要なマトリックス・アドレス指定は、適当な電子的手段を使用して行うことができる。上記の両方の状況で、プログラム可能パターン形成手段は１つまたは複数のプログラム可能ミラー・アレイを含むことができる。そのようなミラー・アレイについて、例えば、米国特許第５，２９６，８９１号および米国特許第５，５２３，１９３号、ならびにＰＣＴ特許出願ＷＯ９８／３８５９７号およびＷＯ９８／３３０９６号からより多くの情報を収集することができる。これらの特許を、参照により本明細書に組み込む。
（２）プログラム可能なＬＣＤアレイ
そのような構造の一例が米国特許第５，２２９，８７２号に示されている。この特許を、参照により本明細書に組み込む。
【００１６】
フィーチャの事前バイアス、光近接補正フィーチャ、位相変化技法、および複数回露光技法が使用される場合に、プログラム可能パターン形成手段に「表された」パターンは、基板の層に、または基板上に最終的に転写されるパターンとは実質的に異なる場合があることを理解されたい。
【００１７】
簡便化のために、投影システムを「レンズ」と呼ぶことがある。しかし、この用語は、例えば、屈折光学システム、反射光学システム、およびカタディオプトリック・システム、およびマイクロ・レンズ・アレイを含む様々な種類の投影システムを包含するものとして広く解釈すべきである。本出願で使用する用語「投影システム」は、単に、プログラム可能パターン形成手段から基板にパターン形成ビームを転写するための任意のシステムを表すことを理解されたい。また、放射線システムは、これらの設計方式のいずれかに従って動作して放射線の投影ビームを方向付け、整形し、または制御する構成部品を含むことができる。さらに、そのような構成部品もまた、下で一括して、または単独で、「レンズ」と呼ぶことがある。１よりも大きい屈折率を有する液体で、投影システムの最終要素と基板との間の空間を満たすことが提案されている。これは、露光放射線がこの液体中でより短い波長を有するので、より小さいフィーチャの像形成を可能にする。本発明は、この種類の装置と共に使用することもできる。さらに、リソグラフィ装置は、２以上の基板テーブル（および／または２以上のマスク・テーブル）を有する種類のものであってもよい。そのような「マルチ・ステージ」の装置では、付加的なテーブルは並列に使用されてもよく、あるいは、１または複数のテーブルを露光に使用しながら、１または複数の他のテーブルで準備ステップを行ってもよい。デュアル・ステージ・リソグラフィ装置は、例えば米国特許第５，９６９，４４１号および国際公開ＷＯ９８／４０７９１に記載されている。これらを参照により本明細書に組み込む。
【００１８】
この明細書では、ＩＣの製造で本発明による装置を使用することを特に参照するかもしれないが、そのような装置が他の多くの可能な用途を有することを明確に理解すべきである。例えば、集積光システム、磁気ドメイン・メモリの誘導および検出パターン、液晶表示パネル、薄膜磁気ヘッド、薄膜トランジスタ液晶ディスプレイ、印刷回路板（ＰＣＢ）などの製造で使用することができる。
【００１９】
本文献において、用語「放射線」および「ビーム」は、紫外線（波長が、３６５、２４８、１９３、１５７または１２６ｎｍである）およびＥＵＶ（極紫外線、例えば、波長が５〜２０ｎｍの範囲にある）、ならびにイオン・ビームまたは電子ビームのような粒子ビームを含む、全ての種類の電磁放射線を包含するように使用される。
【００２０】
次に、本発明の例示実施形態を、単に例として、添付の概略図面を参照して説明する。
【００２１】
図中、対応する参照符号は、対応する部品を示している。
【００２２】
【発明の実施の形態】
（実施形態１）
図１は、本発明の特定の実施形態に従ったリソグラフィ投影装置を模式的に示す。本装置は、以下のものを備える。
（１）放射線（例えば、ＵＶ放射線）の投影ビームＰＢを供給するための、この特定の場合には放射線源ＬＡを備えている放射線システムＥｘ、ＩＬ。
（２）投影ビームにパターンを形成するための、プログラム可能なパターン形成手段ＰＰＭ（例えばプログラム可能ミラー・アレイ）。一般に、プログラム可能パターン形成手段の位置は要素ＰＬに対して固定される。しかし、そうではなく、要素ＰＬに対してパターン形成手段を正確に位置決めすることのできる位置決め手段に接続してもよい。
（３）基板Ｗ（例えば、レジスト被覆シリコン・ウェーハ）を保持するための基板ホルダを備え、かつ要素ＰＬに対して基板を正確に位置決めするための位置決め手段に接続されたオブジェクト・テーブル（基板テーブル）ＷＴ。
（４）パターン形成されたビームを、基板Ｗの目標部分Ｃ（例えば、１つまたは複数のチップで構成される）に投影するための投影システム（「レンズ」）ＰＬ（例えば、石英および／またはＣａＦ２レンズ・システム、またはそのような材料から作成されたレンズ要素を備えるカタディオプトリック・システム、あるいはミラー・システム）。この投影システムは、プログラム可能パターン形成手段の像を基板上に投影することができる。別法として、投影システムは、２次ソース（ｓｅｃｏｎｄａｒｙ　ｓｏｕｒｃｅ）の像を投影してもよく、このソースのために、プログラム可能なパターン形成手段の要素はシャッタとして作用する。投影システムはまた、例えば、２次ソースを形成し、マイクロスポットを基板上に投影するために、マイクロ・レンズ・アレイ（ＭＬＡと呼ばれる）を備えることもできる。
【００２３】
ここに示すように、本装置は、反射型である（すなわち、反射プログラム可能パターン形成手段を有する）。しかし、一般に、本装置は、例えば、透過型とすることもできる（すなわち、透過プログラム可能パターン形成手段を有していてもよい）。
【００２４】
放射線源ＬＡ（例えば、エキシマ・レーザ）は、放射線のビームを生成する。このビームは、直接、または、例えばビーム拡大器Ｅｘなどのコンディショニング手段を通り抜けた後かのいずれかで、照明システム（照明装置）ＩＬに送られる。照明装置ＩＬは、ビーム内の強度分布の外側半径範囲および／または内側半径範囲（通常、それぞれ、σ−ｏｕｔｅｒ、σ−ｉｎｎｅｒと呼ばれる）を設定するための調整手段ＡＭを備えることができる。さらに、照明装置は、一般に、積分器ＩＮ、集光器ＣＯなどの様々な他の部品を備える。このようにして、プログラム可能パターン形成手段ＰＰＭに当てられるビームＰＢは、その断面内に所望の一様強度分布を持つ。
【００２５】
図１に関して留意すべきことであるが、放射線源ＬＡは、リソグラフィ投影装置のハウジング内にあることがあり（例えば、放射線源ＬＡが水銀ランプの場合、そうであることが多い）、また、放射線源ＬＡがリソグラフィ投影装置から遠く離れており、その生成する放射線ビームが装置の中に導かれることもある（例えば、適当な方向付けミラーを使用して）。この後者のシナリオは、放射線源ＬＡがエキシマ・レーザである場合に多い。本発明および特許請求の範囲は、これらのシナリオの両方を含む。
【００２６】
ビームＰＢは、その後、プログラム可能パターン形成手段ＰＰＭと交差する。プログラム可能パターン形成手段ＰＰＭによって反射されたビームＰＢは、投影システムＰＬを通り抜ける。この投影システムＰＬは、基板Ｗの目標部分ＣにビームＰＢを収束させる。位置決め手段（および干渉測定手段ＩＦ）を使って、基板テーブルＷＴは、例えば、ビームＰＢの経路内に異なる目標部分Ｃを位置決めするように、正確に移動させることができる。使用される場合、プログラム可能パターン形成手段用の位置決め手段を使用して、例えば走査中に、ビームＰＢの経路に関するプログラム可能パターン形成手段ＰＰＭの位置を正確に修正することができる。一般に、オブジェクト・テーブルＷＴの移動は、長行程モジュール（粗い位置決め）と短行程モジュール（精密位置決め）を使って行われる。これらのモジュールは、図１に明示的に示さない。同様のシステムを使用して、プログラム可能パターン形成手段を位置決めすることもできる。別法として／付加的に、投影ビームを可動にし、オブジェクト・テーブルおよび／またはプログラム可能パターン形成手段が固定位置を有するようにし、必要な相対移動を提供することができることを理解されたい。
【００２７】
本発明によるリソグラフィ装置を、本明細書では基板上のレジストを露光する目的で説明するが、本発明はこの用途に限定されず、この装置を使用して、レジストレス・リソグラフィで使用するためのパターン形成投影ビームを投影することもできることを理解されたい。
【００２８】
図示の装置は、４つの好ましいモードで使用することができる。
（１）ステップ・モード
プログラム可能パターン形成手段での全パターンが一括して（すなわち、単一の「フラッシュ」で）目標部分Ｃに投影される。次に、異なる目標部分ＣがビームＰＢで照射されるように、基板テーブルＷＴがｘおよび／またはｙ方向で異なる位置に移動される。
（２）走査モード
基本的にはステップ・モードと同じであるが、ただ、特定の目標部分Ｃが単一の「フラッシュ」で露光されないことが異なる。代わりに、プログラム可能パターン形成手段が、特定の方向（いわゆる「走査方向」、例えば、ｙ方向）に速度ｖで移動可能であり、その結果、投影ビームＰＢはプログラム可能パターン形成手段全体を走査するようになる。これと並行して、基板テーブルＷＴが、速度Ｖ＝Ｍｖで、同じ方向または反対方向に同時に移動する。ここで、ＭはレンズＰＬの拡大率である。このようにして、分解能で妥協する必要なく、比較的大きな目標部分Ｃを露光させることができる。
（３）パルス・モード
プログラム可能パターン形成手段が実質的に静止して保たれ、パルス放射線源を使用して、全パターンが基板の目標部分Ｃに投影される。基板テーブルＷＴは、投影ビームＰＢが、基板Ｗを横断するラインを走査するように、本質的に一定の速度で移動される。プログラム可能パターン形成手段のパターンは、放射線システムのパルス間で必要に応じて更新され、連続する目標部分Ｃが基板上の要求される位置で露光されるようにパルスのタイミングが合わされる。したがって、投影ビームは、基板Ｗを横断して走査して、基板のストリップに対して完全なパターンを露光することができる。プロセスは、完全な基板がラインごとに露光されるまで繰り返される。
（４）連続スキャン・モード
基本的にはパルス・モードと同じであるが、ただし、実質的に一定の放射線源が使用され、プログラム可能パターン形成手段のパターンは、投影ビームが基板を横断して走査して基板を露光するのにともなって更新されるという点が異なる。
【００２９】
上述した使用モードに対する組合せおよび／または変形、あるいは全く異なる使用モードを採用することもできる。
【００３０】
図２は、本発明で使用される種類の分布ブラッグ反射器を示す。分布ブラッグ反射器は、多層積層１０から構成される。ＥＵＶ用の分布ブラッグ反射器では、積層１０は、例えば、シリコンの層１２、１４、１６が間に挿入されたモリブデンの層１１、１３、１５から構成することができる。金属層１１、１３、１５の上面１１ａ、１３ａ、１５ａから反射される放射線の強め合う干渉により、高い反射率（約７０％）が得られる。この干渉の形成を最大限にするために、放射線が向けられる方向での（すなわち入射角を考慮した）金属層の上面１１ａ、１３ａ、１５ａ間の距離は、使用される放射線の波長の半分の倍数にすべきである。図２の分布ブラッグ反射器は、図中で３つの金属層を有しているが、実際には、最適な反射率のために、はるかに多数の層、例えば８０層を使用することができることを理解されたい。分布ブラッグ反射器について、ＥＰ　１，０６５，５３２ＡおよびＥＰ　１，０６５，５６８Ａでより多くの情報を得ることができ、これらを参照により本明細書に組み込む。
【００３１】
図３は、本発明で使用されるプログラム可能パターン形成手段の反射要素を模式的に示す。プログラム可能パターン形成手段は、放射線の投影ビームが入射される表面上に構成された複数の反射要素からなる。各反射要素を個別に制御することができ、それにより、反射要素のいくつかの反射率を変えることによって、プログラム可能パターン形成手段によって反射されるビームがその断面で所望のパターンを含む。各反射要素は、２つの分布ブラッグ反射器１０、２０から構成され、これらの反射器は、第１の分布ブラッグ反射器１０を通る任意の放射線が第２の分布ブラッグ反射器２０に入射するように、入射する放射線投影ビームの方向で互いに並べられている。放射線のビームの方向での（すなわちビームの入射角を考慮した）２つの分布ブラッグ反射器１０、２０の金属層の上面１５ａ、２１ａ間の距離Ｄ２が、放射線のビームの波長の半分の倍数であるとき、２つの分布ブラッグ反射器１０、２０からの反射が強め合って干渉し、全体の反射が最大になる。しかし、図３に示されるように、距離Ｄ２が前の位置から放射線の波長の４分の１だけ変わるように分布ブラッグ反射器１０、２０が位置決めされるとき、第１の分布ブラッグ反射器１０からの反射と、第２の分布ブラッグ反射器２０からの反射との負の干渉が、反射要素の実質的にゼロの反射率をもたらす。距離Ｄ２の値をこれら２つの位置の間に入るように調節することによって、ゼロと最大値との間の反射率の中間レベルを得ることができる。好ましくは、距離Ｄ２は、最大反射率と最小反射率に関する位置の間にある約２００カ所の位置の任意の１つに調節することができる。あるいは、分布ブラッグ反射器の位置を、距離Ｄ２の連続的な設定範囲を可能にするように制御することができる。
【００３２】
図４は、本発明によるプログラム可能パターン形成手段の３つの反射要素Ａ、Ｂ、Ｃを示す。反射要素Ａは、前述したような２つの分布ブラッグ反射器３１、３２および圧電アクチュエータ３３から構成される。同様に、反射要素Ｂは、分布ブラッグ反射器３４、３５および圧電要素３６から構成され、反射要素Ｃは、分布ブラッグ反射器３７、３８および圧電アクチュエータ３９から構成される。圧電アクチュエータ３３、３６、３９に電圧を印加することによって、下側分布ブラッグ反射器３２、３５、３８の位置を、それぞれ上側分布ブラッグ反射器３１、３４、３７に対して移動させることができ、それにより各反射要素Ａ、Ｂ、Ｃの反射率を変える。
【００３３】
図４に示されるように、各反射要素Ａ、Ｂ、Ｃが、それぞれ別々の圧電要素３３、３６、３９を有している。しかし、２つ以上の反射要素が共通の圧電要素を有することもできる。圧電効果は、圧電要素に印加される電圧を直ぐに取り巻く領域に制限される。したがって、単に、特定の反射要素に対応する共通圧電要素の領域に電圧を提供することによって、その反射要素の下側分布ブラッグ反射器のみが移動され、それによりその反射要素の反射率のみが調節される。したがって、複数の電極を単一の圧電要素に取り付けることによって、圧電要素を共有する複数の反射要素を制御することができる。
【００３４】
図５は、この実施形態のさらに他の変形を示す。各反射要素Ｄ、Ｅ、Ｆは、それ独自の下側分布ブラッグ反射器４２、４５、４８を有し、その位置を、圧電アクチュエータ４３、４６、４９を用いて調節することができる。しかしこの場合、反射要素Ｄ、Ｅ、Ｆは、共通の上側分布ブラッグ反射器４１を共有する。プログラム可能マスクのサイズによって、上側分布ブラッグ反射器４１を、プログラム可能マスク内の全ての反射要素に共通のものとすることも、その一区画にのみ共通のものとすることもできる。前述したように、反射要素は、共通の圧電要素を共有することもできる。
【００３５】
図６は、図４の実施形態をより詳細に示している。各反射要素Ａ、Ｂ、Ｃの上側分布ブラッグ反射器５１が、支持部５４、５５によって支持されている。図６に示されるように、支持部は、反射要素Ａ、Ｂ、Ｃ間の支柱とすることができる。あるいは、メッシュ状構造を形成することができ、その上に上側分布ブラッグ反射器５１が配置されてもよい。下側分布ブラッグ反射器５２は、圧電層５３の上に支持される。２つの分布ブラッグ反射器間のギャップ５８を、放射線のビームに実質的に透明であるという条件で多孔性材料で充填することができ、あるいは真空にすることができる。圧電要素５３は、上側電極５６および下側電極５７を有して、圧電アクチュエータを作動するために電圧を提供し、それにより上側分布ブラッグ反射器と下側分布ブラッグ反射器の間のギャップ５８のサイズを変える。上側電極層５６を、全ての反射要素に関して共通とし、作動信号は、下側電極層５７によって提供されてもよい。別法として、下側分布ブラッグ反射器を、上部電極として使用することができる。上述したように、上側分布ブラッグ反射器および／または圧電要素は、反射要素のいくつかまたは全てに関して共通にすることができる。
【００３６】
（実施形態２）
図７は、上側および下側分布ブラッグ反射器６１、６２を電極として使用することによって、分布ブラッグ反射器間の距離を静電引力を使用して調節することができる、本発明の代替実施形態を示す。この場合、支持部６４、６５は、分布ブラッグ反射器に信号を提供するように使用する必要があり、分布ブラッグ反射器間のギャップ６８は、非導電性である必要がある。ギャップは、真空にすることができ、あるいは多孔性材料で充填することができる。
【００３７】
２つの分布ブラッグ反射器６１、６２間の静電力が増大するにつれて、支持部６４、６５が湾曲し、分布ブラッグ反射器間の離隔距離を変える。
【００３８】
この実施形態の利点は、圧電要素の必要な移動を生み出すために数十ボルト未満しか必要としないことである。
【００３９】
本発明の特定の実施形態を上述してきたが、本発明を上記以外の形で実施することができることを理解されたい。本説明に、本発明を制限する意図はない。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態によるリソグラフィ投影装置を示す図である。
【図２】本発明で使用するのに適した分布ブラッグ反射器を示す図である。
【図３】調節可能な反射率を有する要素を作成するための２つの分布ブラッグ反射器の使用を示す図である。
【図４】本発明によるプログラム可能パターン形成手段の一部を示す図である。
【図５】本発明によるさらに他のプログラム可能パターン形成手段の一部を示す図である。
【図６】本発明による圧電アクチュエータ駆動式プログラム可能パターン形成手段の一部を示す図である。
【図７】本発明による静電アクチュエータ駆動式プログラム可能パターン形成手段の一部を示す図である。
【符号の説明】
ＬＡ　放射線源
Ｅｘ　ビーム拡大器
ＩＬ　照明装置
ＡＭ　調整手段
ＩＮ　積分器
ＣＯ　集光器
ＰＬ　投影システム
ＰＰＭ　プログラム可能パターン形成手段
Ｃ　目標部分
ＰＢ　投影ビーム
Ｗ　基板（ウェーハ）
ＷＴ　オブジェクト・テーブル（基板テーブル）
Ａ、Ｂ、Ｃ　反射要素
１０　多層積層
１１、１３、１５　金属層
１２、１４、１６　シリコン層
３１、３２、３４、３５、３７、３８　分布ブラッグ反射器
３３、３６、３９　圧電アクチュエータ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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