(57)【要約】　　　（修正有）【課題】Ｉｎ−Ｐｂ−Ｓｎ合金を用いた作動温度が１２０℃〜１５０℃に属する合金型温度ヒューズにおいて、作動温度のバラツキを合理的に低減する。【解決手段】温度ヒューズエレメント用線材の合金組成がＩｎ５０％〜８５％、Ｐｂ１％〜４０％，残部Ｓｎである。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
合金組成がＩｎ５０％〜８５％、Ｐｂが１％〜４０％，残部Ｓｎ（０を含まず）であることを特徴とする温度ヒューズエレメント用線材。
【請求項２】
Ｉｎ５０％〜８５％、Ｐｂが１％〜４０％，残部Ｓｎ（０を含まず）の組成１００重量部にＡｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｓｂの１種または２種以上が０．１〜７重量部添加されていることを特徴とする温度ヒューズエレメント用線材。
【請求項３】
請求項１または２記載の温度ヒューズエレメント用線材をヒューズエレメントとしたことを特徴とする合金型温度ヒューズ。
【請求項４】
ヒューズエレメントを溶断させるための発熱体が付設されている請求項３記載の合金型温度ヒューズ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は合金型温度ヒューズ及び温度ヒューズエレメント用線材に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
電気機器や回路素子、例えば半導体装置、コンデンサ、抵抗素子等のサーモプロテクタとして合金型温度ヒューズが汎用され、作動温度の面から分類すると、作動温度１２０℃〜１５０℃のものが多用されている。
この合金型温度ヒューズは、所定融点の合金をヒューズエレメントとし、このヒューズエレメントにフラックスを塗布し、このフラックス塗布ヒューズエレメントを絶縁体で封止した構成である。
この合金型温度ヒューズの作動機構は次ぎの通りである。
保護しようとする電気機器や回路素子に合金型温度ヒューズが熱的に接触して配設される。電気機器や回路素子が何らかの異常により発熱すると、その発生熱により温度ヒューズのヒューズエレメント合金が溶融され、既溶融フラックスとの共存下、溶融合金がリード導体や電極への濡れにより分断球状化され、その分断球状化の進行により通電が遮断され、この通電遮断による機器の降温で分断溶融合金が凝固されて非復帰のカットオフが終結される。従って、電気機器等の許容温度とヒューズエレメント合金の分断温度とがほぼ等しいことが要求される。
【０００３】
前記ヒューズエレメントの要件としては、前述した通り融点が作動温度に適合することの外、加工性、耐熱疲労性、低比抵抗等が要求される。
すなわち、ヒューズエレメントが通常線状の形態で使用されるために線引き加工を容易に行い得ることが要求される。また、ヒートサイクルにより繰返し熱歪を受けても、変形や断線の発生なく初期作動性能を安定に保持し得ることが要求される。更に、ヒューズエレメントのジュール発熱を抑えてヒューズエレメントの平時昇温を防止し、機器温度が所定の許容温度になるまえでの作動を排除することも必要である。
而して、これらの要件を単一乃至は二元の合金で充足させることは難しく、前記ヒューズエレメントには通常多元合金が使用される。
【０００４】
作動温度が前記の１２０℃〜１５０℃に属する温度ヒューズのヒューズエレメントとして、Ｉｎ−Ｐｂ−Ｓｎ合金、Ｓｎ−Ｐｂ−Ｃｄ等の三元合金が知られているが、Ｃｄがイタイイタイ病を契機として厳しく規制され、現時点では、Ｓｎ−Ｐｂ−Ｃｄの使用は環境保全上至難である。
【０００５】
作動温度１２０℃〜１５０℃の合金型温度ヒューズエレメント用Ｉｎ−Ｐｂ−Ｓｎ合金としては、２０〜３５％Ｉｎ−１５〜３０％Ｐｂ−残部Ｓｎ（特開平１１−７３８６９号）や５２〜５４％Ｓｎ−２４〜２６％Ｐｂ−２１〜２３％Ｉｎ（特開昭５９−８２３１号）や３３〜３９％Ｉｎ−１３〜１９％Ｐｂ−残部Ｓｎ（特開平３−２３６１３０号）が公知である。
【０００６】
しかしながら、本発明者等の鋭意検討結果によれば、前記した従来のＩｎ−Ｐｂ−Ｓｎ合金組成では、Ｓｎのある範囲で作動温度のバラツキが大きい。
そこで、その原因を究明するために合金の溶融特性の面から検討した。図１２はＩｎ−Ｐｂ−Ｓｎ三元合金の液相面状態図を示し、前記した従来例（特開平１１−７３８６９号、特開昭５９−８２３１号、特開平３−２３６１３０号）では、図１３に示す斜線の範囲を使用している。
本発明者等は、表１に示す上記三元の多点、ａ〜ｋについてＤＳＣ測定を行い〔基準試料（不変化）と測定試料を窒素ガス容器内に納め、容器ヒータに電力を供給して両試料を一定の速度で加熱し、測定試料の熱的変化に伴う熱エネルギー入力量の変動を示差熱電対により測定する〕、各点の液相線温度Ｔｌ（℃）、固液共存温度巾ΔＴ（℃）、最大吸熱ピーク温度Ｔｐ（℃）、ΔＴ’（Ｔｌ−Ｔｐ）（℃）を求めたところ、表１の通りである。
【表１】
2004059989.tif 000002
【０００７】
上記図１２に示すの液相面状態図中、曲線Ｉ−ＩＩは、Ｓｎ−Ｐｂ共晶点から三元の各融点に対する相変態点を通ってＩｎ−Ｓｎ共晶点に向かう相変態境界線であり、表１における最大吸熱ピーク温度Ｔｐと液相線温度Ｔｌとの差ΔＴ’が上記境界線を境にしてＳｎリッチ側ほどＳｎプア側に較べ広くなっている。これは、Ｉｎ−Ｓｎ共晶の影響を強く受けて三元のＳｎ量が変わっても最大吸熱ピーク温度ＴｐがＩｎ−Ｓｎ共晶点温度に対しさほど変化せず、かつ、Ｉｎ−Ｓｎ二元と同じように境界線Ｉ−ＩＩからＳｎリッチ側に至るほど、同境界線Ｉ−ＩＩからＳｎプア側に至る組成に較べて液相線温度が大きく変化する結果である。
【０００８】
上記Ｉｎ−Ｐｂ−Ｓｎ三元液相面状態図と最大吸熱ピーク温度Ｔｐと液相線温度Ｔｌとの差ΔＴ’との関係を基礎にして前記従来のＩｎ−Ｐｂ−Ｓｎ系ヒューズエレメントの温度ヒューズの作動温度状態を考察すると、そのＩｎ−Ｐｂ−Ｓｎ組成が前記の相変態境界線Ｉ−ＩＩに跨っており、その組成（図１３の斜線で示した部分）中、同境界線Ｉ−ＩＩに対しＳｎリッチ側では、Ｓｎプア側に較べ（表１において、ｃ、ｄ、ｅ、ｆが図１３の斜線部分に属し、ｃ、ｅがＳｎリッチ側、ｄ、ｆがＳｎプア側）、最大吸熱ピーク温度Ｔｐと液相線温度との差が大きく、その結果、固液共存域温度巾ΔＴ（液相線温度−固相線温度）が広くなっている。而るに、合金型温度ヒューズのヒューズエレメントの分断が固液共存域でも、液相状態での分断に較べて低い確率ではあるが、生じる可能性があり、固液共存域温度巾ΔＴが広くなるほど作動温度のバラツキが増え、結局、前記した従来例のＩｎ−Ｐｂ−Ｓｎ合金をヒューズエレメントとする温度ヒューズにおける、Ｓｎの範囲如何によって作動温度のバラツキが大きくなる理由は、図１３の斜線で示す通り、そのＩｎ−Ｐｂ−Ｓｎ合金組成の範囲が前記した相変態境界線Ｉ−ＩＩを跨いでいるためと推定できる。
【０００９】
本発明の目的は、上記の検討結果に基づき、Ｉｎ−Ｐｂ−Ｓｎ合金を用いた作動温度が１２０℃〜１５０℃に属する合金型温度ヒューズにおいて、作動温度のバラツキを合理的に低減することにある。
【００１０】
本発明の更なる目的は、上記目的に加え、ヒューズエレメントの比抵抗を充分に低減すると共に機械的強度をよく向上させてヒューズエレメントの細線加工、高い作動精度、ヒートサイクルに対する耐熱安定性を良好に保証することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
請求項１に係る温度ヒューズエレメント用線材は、合金組成がＩｎ５０％〜８５％、Ｐｂ１％〜４０％，残部Ｓｎであることを特徴とし、好ましい合金組成をＩｎ３６％〜５０％、Ｐｂ１９％〜３０％，残部Ｓｎ（０を含まず）としている。
請求項２に係る温度ヒューズエレメント用線材は、前記の合金組成１００重量部にＡｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｓｂの１種または２種以上が０．１〜７重量部添加されていることを特徴とする。
請求項３に係る合金型温度ヒューズは、前記の温度ヒューズエレメント用線材をヒューズエレメントとしたことを特徴とし、請求項４では、ヒューズエレメントを溶断させるための発熱体が付設されている。
上記において、各原料地金の製造上及びこれら原料の溶融撹拌上生じる不可避的不純物を含有することが許容される。
【００１２】
【発明の実施の形態】
本発明において、ヒュ−ズエレメントの合金組成を、Ｉｎ５０％〜８５％、Ｐｂ１％〜４０％，残部Ｓｎとしたのは、第一に合金組成の固液共存域温度巾ΔＴを充分に狭くして作動温度のバラツキを抑えるために、合金組成を図１２に示したＩｎ−Ｐｂ−Ｓｎ三元液相面状態図における相変態境界線Ｉ−ＩＩよりもＳｎプア側に設定することを前提としている。そして、Ｉｎを５０％〜８５％とした理由は、５０％未満では図１２に示したＩｎ−Ｐｂ−Ｓｎの三元図からも明らかなように相変態境界線Ｉ−ＩＩを基準としてのＳｎ量の減少程度が軽度であり、固液共存域温度巾を充分に狭くし得ずに作動温度のバラツキの効果的な抑制を期待し得ず、８５％を越えると延性が過多になり、３００μｍφといった細線の線引きが困難になるためである。Ｐｂを１〜４０％とした理由は、図１２に示した融点状態図からも明らかなように４０％を越えると液相線温度が高くなり過ぎて作動温度を１２０℃〜１５０℃のレベルに設定することができず、１％未満では、Ｉｎ−Ｓｎ系に近づきＩｎとＳｎとの延性が相互に助長し合ってヒートサイクル時の熱応力によるヒューズエレメントの変形や断線が避けられずに長期安定性の保証が困難となるからである。好ましい合金組成は、Ｉｎ５５％〜７５％、Ｐｂ５％〜２０％，Ｓｎ２５％〜１５％である。基準組成は、Ｉｎ６６％、Ｐｂ１８％，Ｓｎ１６％であり、その液相線温度は１４７℃、固液共存域温度巾２℃である。
この合金の比抵抗は、２６μΩ・ｃｍである。
【００１３】
本発明において、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｓｂの１種または２種以上を前記の合金組成１００重量部に対し０．１〜７重量部添加する理由は、合金の比抵抗を低減すると共に結晶組織を微細化させ合金中の異相界面を小さくして加工歪や応力をよく分散させるようにする、すなわち歪や応力に対する吸収性を高めるためであり、０．１重量部未満では満足な効果が得られず、７重量部を越えると、液相線温度を１５０℃前後に保持することが困難になる。而して、比抵抗を上記よりも低減して２２〜２５μΩ・ｃｍにでき、更にヒートサイクル時の熱歪に対する合金組織内の異相界面のずれをよく抑えてヒューズエレメントの耐熱安定性を保証し、線引きに対し充分な強度を付与して線径３００μｍφといった細線への線引き加工を容易にしている。
【００１４】
本発明に係る合金型温度ヒュ−ズのヒュ−ズエレメントは、ビレットを製作し、これを押出機で粗線に成形し、この粗線をダイスにより線引きする方法により製造でき、外径は２００μｍφ〜６００μｍφ、好ましくは２５０μｍφ〜３５０μｍφとされる。また、最終的にカレンダーロールに通し、扁平線として使用することもできる。
また、冷却液を入れたシリンダーを回転させて回転遠心力により冷却液を層状に保持し、ノズルから噴射した母材溶融ジェツトを前記の冷却液層に入射させ冷却凝固させて細線材を得る回転ドラム式紡糸法により製造することも可能である。
【００１５】
本発明は独立したサーモプロテクターとしての温度ヒューズの形態で実施される。その外、半導体装置やコンデンサや抵抗体に温度ヒューズエレメントを直列に接続し、このエレメントにフラックスを塗布し、このフラックス塗布エレメントを半導体やコンデンサ素子や抵抗素子に近接配置して半導体やコンデンサ素子や抵抗素子と共に樹脂モールドやケース等により封止した形態で実施することもできる。
【００１６】
図１は、本発明に係るテ−プタイプの合金型温度ヒュ−ズを示し、厚み１００〜３００μｍのプラスチックベ−スフィルム４１に厚み１００〜２００μｍの帯状リ−ド導体１，１を接着剤または融着により固着し、帯状リ−ド導体間に線径２５０μｍφ〜５００μｍφの請求項１〜３何れかのヒュ−ズエレメント２を接続し、このヒュ−ズエレメント２にフラックス３を塗布し、このフラックス塗布ヒュ−ズエレメントを厚み１００〜３００μｍのプラスチックカバ−フィルム４１の接着剤または融着による固着で封止してある。
【００１７】
図２は筒型ケ−スタイプを示し、一対のリ−ド線１，１間に請求項１〜３何れかのヒュ−ズエレメント２を接続し、該ヒュ−ズエレメント２上にフラックス３を塗布し、このフラックス塗布ヒュ−ズエレメント上に耐熱性・良熱伝導性の絶縁筒４、例えば、セラミックス筒を挿通し、該絶縁筒４の各端と各リ−ド線１との間を常温硬化の封止剤５、例えば、エポキシ樹脂で封止してある。
【００１８】
図３はケ−スタイプラジアル型を示し、並行リ−ド導体１，１の先端部間に請求項１〜３何れかのヒュ−ズエレメント２を溶接により接合し、ヒュ−ズエレメント２にフラックス３を塗布し、このフラックス塗布ヒュ−ズエレメントを一端開口の絶縁ケ−ス４、例えばセラミックスケ−スで包囲し、この絶縁ケ−ス４の開口をエポキシ樹脂等の封止剤５で封止してある。
【００１９】
図４は基板タイプを示し、絶縁基板４、例えばセラミックス基板上に一対の膜電極１，１を導電ペ−スト（例えば銀ペ−スト）の印刷焼付けにより形成し、各電極１にリ−ド導体１１を溶接等により接続し、電極１，１間に請求項１〜３何れかのヒュ−ズエレメント２を溶接により接合し、ヒュ−ズエレメント２にフラックス３を塗布し、このフラックス塗布ヒュ−ズエレメントを封止剤５例えばエポキシ樹脂で被覆してある。
【００２０】
図５は樹脂ディツピングタイプラジアル型を示し、並行リ−ド導体１，１の先端部間に請求項１〜３何れかのヒュ−ズエレメント２を溶接により接合し、ヒュ−ズエレメント２にフラックス３を塗布し、このフラックス塗布ヒュ−ズエレメントを樹脂液ディッピングにより絶縁封止剤例えばエポキシ樹脂５で封止してある。
【００２１】
上記合金型温度ヒューズにおいて、ヒューズエレメントのジュール発熱を無視できるときは、被保護機器が許容温度Ｔｍに達したときのヒューズエレメントの温度ＴｘはＴｍより２℃〜３℃低くなり、通常ヒューズエレメントの融点が〔Ｔｍ−（２℃〜３℃）〕に設定される。
これに対し、ヒューズエレメントのジュール発熱を無視できないときは、ヒューズエレメントの電気抵抗をＲ、通電電流をＩ、機器とヒューズエレメント間の熱抵抗をＨとすれば、
【数１】
Ｔｘ＝Ｔｍ−（２℃〜３℃）＋ＨＲＩ２
が成立し、ヒューズエレメントの融点を上式に基づき設定することが可能である。
【００２２】
本発明は、合金型温度ヒューズに発熱体を付設し、例えば抵抗ペースト（例えば、酸化ルテニウム等の酸化金属粉のペースト）の塗布・焼き付けにより膜抵抗を付設し、機器の異常発熱の原因となる前兆を検出し、この検出信号で膜抵抗を通電して発熱させ、この発熱でヒューズエレメントを溶断させる形態で実施することもできる。
この場合、上記発熱体を絶縁基体の上面に設け、この上に耐熱性・熱伝導性の絶縁膜、例えばガラス焼き付け膜を形成し、更に一対の電極を設け、各電極に扁平リード導体を接続し、両電極間にヒューズエレメントを接続し、ヒューズエレメントから前記リード導体の先端部にわたってフラックスを被覆し、絶縁カバーを前記の絶縁基体上に配設し、該絶縁カバー周囲を絶縁基体に接着剤により封着することができる。
【００２３】
上記のフラックスには、通常、融点がヒュ−ズエレメントの融点よりも低いものが使用され、例えば、ロジン９０〜６０重量部、ステアリン酸１０〜４０重量部、活性剤０〜３重量部を使用できる。この場合、ロジンには、天然ロジン、変性ロジン（例えば、水添ロジン、不均化ロジン、重合ロジン）またはこれらの精製ロジンを使用でき、活性剤には、ジエチルアミンの塩酸塩や臭化水素酸塩、アジピン酸等の有機酸を使用できる。
【００２４】
【実施例】
以下の実施例及び比較例において、温度ヒューズは基板型とし、ヒユーズエレメントの長さを４ｍｍとし、フラックスには、ロジン８０重量部，ステアリン酸２０重量部，ジエチルアミン臭化水素酸塩１重量部の組成物を使用し、被覆材には、常温硬化型のエポキシ樹脂を使用した。
ヒューズエレメント合金のＤＳＣ測定を行い、液相線温度Ｔｌ（℃）、固液共存温度巾ΔＴ（℃）、最大吸熱ピーク温度Ｔｐ（℃）、ΔＴ’（Ｔｌ−Ｔｐ）（℃）を求めた。このＤＳＣの昇温速度を５℃／分、サンプリング時間間隔を０．５ｓとした。
更に、試料数を５０箇とし、０．１アンペアの電流を通電しつつ、昇温速度１℃／分のオイルバスに浸漬し、ヒューズエレメント溶断による通電遮断時のオイル温度から温度ヒューズの作動温度を測定した。
また、試料数を５０箇とし、３０分間１１５℃加熱、３０分間−４０℃冷却を１サイクルとするヒートサイクル試験を５００サイクル行なったのちの作動温度を測定した。
【００２５】
〔実施例１〕
Ｉｎ５０％、Ｐｂ１９％、残部Ｓｎの合金組成の母材を１ダイスについて線落率を４％、線引速度２０ｍ／ｍｉｎの条件で線引きして直径３００μｍφの線に加工した。断線は皆無であった。
ＤＳＣ曲線は図６の通りであり、液相線温度が１４０．９℃、ΔＴ’が４．３℃、固液共存域温度巾ΔＴが８．２℃であった。
温度ヒューズの作動温度は１３７℃±２℃であり、バラツキが極めて小であった。
ヒートサイクル試験の後でも、作動温度は実質的に前記に同じであった。
【００２６】
〔実施例２〕
Ｉｎ５０％、Ｐｂ１４％、残部Ｓｎの合金組成の母材を１ダイスについて線落率を４％、線引速度２０ｍ／ｍｉｎの条件で線引きして直径３００μｍφの線に加工した。断線は皆無であった。
ＤＳＣを測定したところ、液相線温度が１３６℃、ΔＴ’が３．６℃、固液共存域温度巾ΔＴが６．９℃であった。
温度ヒューズの作動温度は１３４℃±１．５℃であり、バラツキが極めて小であった。
ヒートサイクル試験の後でも、作動温度は実質的に前記に同じであった。
【００２７】
〔実施例３〕
Ｉｎ５０％、Ｐｂ７％、残部Ｓｎの合金組成の母材を１ダイスについて線落率を４％、線引速度２０ｍ／ｍｉｎの条件で線引きして直径３００μｍφの線に加工した。断線は皆無であった。
ＤＳＣを測定したところ、液相線温度が１２９．８℃、ΔＴ’が２．８℃、固液共存域温度巾ΔＴが５．８℃であった。
温度ヒューズの作動温度は１２７℃±１℃であり、バラツキが極めて小であった。
ヒートサイクル試験の後でも、作動温度は実質的に前記に同じであった。
【００２８】
〔実施例４〜６〕
表２に示す合金組成の母材を１ダイスについて線落率を４％、線引速度２０ｍ／ｍｉｎの条件で線引きして直径３００μｍφの線に加工した。断線は皆無であった。
液相線温度、固液共存域温度巾ΔＴは表２の通りであった。作動温度は表２に示す通りであり、バラッキが極めて小であった。
【表２】
2004059989.tif 000003
ヒートサイクル試験の後でも、作動温度は実質的に前記に同じであった。
図７は実施例５のヒューズエレメントのＤＳＣ曲線を示している。
【００２９】
〔実施例７〜９〕
表３に示す合金組成の母材を１ダイスについて線落率を４％、線引速度２０ｍ／ｍｉｎの条件で線引きして直径３００μｍφの線に加工した。断線は皆無であった。
液相線温度、固液共存域温度巾ΔＴは表３の通りであった。作動温度は表３に示す通りであり、バラッキが極めて小であった。
【表３】
2004059989.tif 000004
ヒートサイクル試験の後でも、作動温度は実質的に前記に同じであった。
図８は実施例９のＤＳＣ曲線を示している。
【００３０】
〔実施例１０〕
Ｉｎ５０％、Ｐｂ１９％、Ｓｎ３１％の１００重量部にＡｇ１重量部を添加した合金組成の母材を線引きして直径３００μｍφの線に加工した。実施例１に較べ加工性に優れ、１ダイスについての引落率を６．５％とし、線引き速度を４５ｍ／ｍｉｎとして過酷な線引き条件としたが、断線は皆無であった。また、ヒューズエレメントの応力−歪特性の向上から、ヒートサイクルに対するヒューズエレメントの抵抗値変化も低減できると期待される。
この線の比抵抗を測定したところ、実施例１よりも低い比抵抗であった。
実施例１に対し、液相線温度や固液共存域温度巾ΔＴについての変化は僅かであった。
Ａｇの添加量０．１〜７重量部で上記効果が認められることを確認した。
【００３１】
〔実施例１１〜１６〕
Ｉｎ５０％、Ｐｂ１９％、Ｓｎ３１％の１００重量部にそれぞれＡｕ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｓｂを１重量部を添加した各合金組成の母材を実施例１０と同様に過酷な条件で線引きして直径３００μｍφの線に加工したが、何れにおいても断線は皆無であった。また、ヒューズエレメントの応力−歪特性の向上から、ヒートサイクルに対するヒューズエレメントの抵抗値変化も低減できると期待される。
実施例１１〜１６の比抵抗を測定したところ、実施例１よりも低い比抵抗であった。
実施例１１〜１６の何れも実施例１に対し、液相線温度や固液共存域温度巾ΔＴについての変化は僅かであった。
また、Ａｕ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｓｂの添加量０．１〜７重量部添加で上記効果が認められることを確認した。
【００３２】
〔比較例１〕
Ｉｎ２５％、Ｐｂ２２．５％、残部Ｓｎの合金組成とした以外は、実施例１と同様とした。ＤＳＣ曲線は図９の通りであり、液相線温度が１５１．３℃、固液共存域温度巾ΔＴが約１８℃であった。作動温度が１４２±８℃であり、バラツキが相当に大であった。
【００３３】
〔比較例２〕
Ｉｎ３５％、Ｐｂ３０％、残部Ｓｎの合金組成とした以外は、実施例１と同様とした。ＤＳＣ曲線は図１０の通りであり、液相線温度が１６６．２℃、固液共存域温度巾ΔＴが３３．４℃であった。作動温度が１４９±１２℃であり、バラツキが相当に大であった。
【００３４】
〔比較例３〕
Ｉｎ４０％、Ｐｂ２０％、残部Ｓｎの合金組成とした以外は、実施例１と同様とした。この合金組成のＤＳＣ曲線は図１１の通りであり、液相線温度が１３７．９℃、固液共存域温度巾ΔＴが１０．２℃であった。作動温度が１３２±３℃であり、バラツキが上記実施例に較べて大であった。
【００３５】
【発明の効果】
本発明に係る作動温度１２０℃〜１５０℃の温度ヒューズエレメント用線材及びそのヒューズエレメントを用いた温度ヒューズでは、有害金属を含まず、かつ線引き加工に必要な延性も備えているＩｎ−Ｐｂ−Ｓｎ合金組成における固液共存域温度巾ΔＴと組成との関係を合理的に把握して合金組成を設定しているから、作動温度のバラツキを充分に小さくでき、しかも、ヒューズエレメントを良好な歩留りで線引き加工できる合金型温度ヒューズを提供できる。
【００３６】
特に、請求項２によれば、ヒューズエレメントの加工性の一層の向上、比抵抗の一層の低減、応力／歪特性の一層の向上のために、前記の合金型温度ヒューズに対し、ヒューズエレメントの細線化に基づく小型化、ヒートサイクル時の応力／歪に対する安定性の向上、ヒューズエレメントのジュール発熱に起因する作動温度のずれの一層の低減を有効に促すことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る合金型温度ヒュ−ズの一例を示す図面である。
【図２】本発明に係る合金型温度ヒュ−ズの上記とは別の例を示す図面である。
【図３】本発明に係る合金型温度ヒュ−ズの上記とは別の例を示す図面である。
【図４】本発明に係る合金型温度ヒュ−ズの上記とは別の例を示す図面である。
【図５】本発明に係る合金型温度ヒュ−ズの上記とは別の例を示す図面である。
【図６】実施例１の合金組成のＤＳＣ曲線である。
【図７】実施例５の合金組成のＤＳＣ曲線である。
【図８】実施例９の合金組成のＤＳＣ曲線である。
【図９】比較例１の合金組成のＤＳＣ曲線である。
【図１０】比較例２の合金組成のＤＳＣ曲線である。
【図１１】比較例３の合金組成のＤＳＣ曲線である。
【図１２】Ｉｎ−Ｐｂ−Ｓｎ合金の液相面状態図である。
【図１３】従来のＩｎ−Ｐｂ−Ｓｎ合金ヒューズエレメントを用いた温度ヒューズのヒューズエレメントの合金組成を示す図である。
【符号の説明】
１　　　　　　　リード導体または電極
２　　　　　　　ヒューズエレメント
３　　　　　　　フラックス
４　　　　　　　絶縁体
５　　　　　　　封止剤
【図１】
2004059989.tif 000005
【図２】
2004059989.tif 000006
【図３】
2004059989.tif 000007
【図４】
2004059989.tif 000008
【図５】
2004059989.tif 000009
【図６】
2004059989.tif 000010
【図７】
2004059989.tif 000011
【図８】
2004059989.tif 000012
【図９】
2004059989.tif 000013
【図１０】
2004059989.tif 000014
【図１１】
2004059989.tif 000015
【図１２】
2004059989.tif 000016
【図１３】
2004059989.tif 000017