(57)【要約】【課題】デュアルダマシン法で層間膜が有機膜の銅配線回路を作る場合、レジストや反射防止膜をアッシング除去する際に有機層間膜が削れ、信頼性が低下したり歩留まりが落ちるという問題、およびこの問題を逃れるために反射防止膜を形成しない場合は配線パターン寸法精度がでないという問題がある。【解決手段】半導体基板上に有機物で組成された層間膜を形成し、その層間膜上にＳｉＣからなるキャップ膜を堆積し、キャップ膜上に設けたレジスト膜に所望の溝パターンを露光し、露光を行ったレジスト膜を現像して溝パターンを形成し、その溝パターンをエッチングのマスクに用いて、キャップ膜および層間膜を貫通する溝を設け、層間膜の溝を含む所定領域に配線用溝を形成し、キャップ膜を含む領域上に金属材料を堆積して、その金属材料をキャップ膜の表面乃至底面の途中まで研磨することにより達成できる。【選択図】　　図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
被加工膜上に形成されたキャップ膜及び前記被加工膜を貫通する貫通孔を形成する工程と、
前記キャップ膜上に形成されたレジスト膜上に所望の溝パターンを露光により転写し、前記被加工膜に前記貫通孔の一部を共通領域として含むように設けられた溝を形成する工程と、
前記貫通孔及び前記溝に金属材料を堆積し研磨する工程とを備え、
前記キャップ膜は、前記研磨において研磨速度が前記被加工膜に対するより十分に遅い膜であり、かつ前記レジストの露光時に用いる露光光に対して、光反射率が低い膜であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
半導体基板上に有機物で組成された層間膜を形成し、前記層間膜上にキャップ膜を堆積する工程と、
前記キャップ膜上に設けた第１のレジスト膜に所望の孔パターンを露光し、前記第１のレジスト膜を現像して孔パターンを形成する工程と、　前記孔パターンをエッチングのマスクに用いて、前記キャップ膜および前記層間膜を貫通する配線用孔を設ける工程と、
前記キャップ膜上に形成した第２のレジスト膜に配線用溝パターンを露光し、前記配線用溝パターンを前記層間膜の所定領域に形成する工程と、
前記層間膜の所定領域　に前記配線用孔の一部を共通領域として含むようにもうけられた配線用溝を形成する工程と、
前記キャップ膜を含む領域上に金属材料を堆積する工程と、
前記金属材料を前記キャップ膜の表面乃至底面の途中まで研磨する工程とを備え、
前記キャップ膜は、前記研磨において研磨速度が前記層間膜に対するより十分に遅い膜であり、かつ前記レジスト膜の露光時に用いる露光光に対して、光反射率が低い膜であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記第２のレジスト膜上に前記露光光に対し反射防止機能を有する膜を形成した後、前記配線用溝パターンの露光を行うことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記層間膜は、前記半導体基板上に形成された第１の層間膜と、該第１の層間膜上に積層された第２の層間膜からなり、前記レジスト膜の膜厚は、前記第２の層間膜の膜厚より厚く、前記第１と第２の層間膜の合計膜厚より薄いことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記層間膜は、前記露光時において露光波長に対する消衰係数が０．６乃至０．８である材質からなることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
半導体基板上に形成された有機物を含む層間膜と、
前記層間膜上に設けられたキャップ膜と、
前記キャップ膜および前記層間膜を貫通して設けられた配線用孔と、
前記層間膜に前記配線用孔の一部を共通領域として含むように設けれた配線用溝とを備え、
前記キャップ膜がＳｉＣ膜であることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
前記層間膜は、有機膜およびＳｉＣ膜を含むことを特徴とする請求項６に記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体装置およびその製造方法に関し、特に、高い寸法精度と安定した電気特性を持った銅配線を有する半導体装置およびその装置を安価に製造する方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年半導体装置の動作速度を向上させる目的で、銅を配線材料として用い、配線抵抗を減らした銅配線半導体装置が量産されるようになってきた。銅配線の形成方法としてはレジストパターンをマスクに絶縁膜に配線溝と配線孔を形成し、銅を溝と孔に埋め込んだ後ＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ　Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）を行って、配線と接続配線を銅で同時に形成するデュアルダマシン法が用いられている。
【０００３】
この方法とその問題点について、製造工程を示した図５から８を用いて説明する。まず、図５（ａ）に示すように基板１００、配線１０１、絶縁膜１０２、ストッパ膜１０３、第１の層間膜１０４、中間膜１０５、第２の層間膜１０６およびハードマスク層１０７が形成された試料を作製する。第１及び第２の層間膜としては、ＳｉＯ２膜やＳｉＯＦ膜、あるいはＳｉＯＣ膜などが良く用いられる。ハードマスク層１０７には窒化膜、金属膜、金属酸化膜あるいはポリシリコン膜等が良く用いられる。その後、ハードマスク層１０７の上に反射防止膜１０８およびポジレジストを積層し、露光、現像を行って所望の開口パターン１０９を有するレジストパターン１１０を形成する。（図５（ｂ））　反射防止膜としては塗布型の有機反射防止膜が用いられる。次に、エッチングを行って開口１１１の形成された反射防止膜１０８’、ハードマスク層１０７’とする。（図５（ｃ））　その後、第２層間膜および中間膜をレジストパターン１１０’をマスクにしてエッチングし、開口の形成された第２層間膜１０６’および中間膜１０５’を形成する。（図５（ｄ））　続いて、アッシングを行ってレジストパターン１１０’および反射防止膜１０８’を除去する。（図６（ａ））　その後、開口の形成されたハードマスク１０７’をマスクにして第１層間膜をエッチングし、開口の形成された第１層間膜１０４’を形成する。（図６（ｂ））　次に、図６（ｃ）に示すように反射防止膜１１２およびレジスト１１３を塗布し、所望の配線のパターンが形成されたマスク１１４を介して露光光１１５を照射する。図示はしていないが、通常この露光はレンズを介した投影露光法が用いられる。続いて、現像を行って配線溝パターン１１６の形成されたレジストパターン１１３’を形成する。（図６（ｄ））その後、図７（ａ）に示すように反射防止膜およびハードマスクをエッチングし、配線溝パターンの形成された反射防止膜１１２’およびハードマスク１１７を形成する。ここで、孔の中の反射防止膜はエッチングされきれずに一部残る。（溝内に残った反射防止膜を図７（ａ）中の１１８として示す。）　その後、アッシャを行ってレジスト１１３’、反射防止膜１１２’および１１８を除去する（図７（ｂ））。　その後、図７（ｃ）　に示すように配線溝パターンの形成されたハードマスク１１７をマスクに第２層間膜をエッチングし、配線溝パターンの形成された第２層間膜１１９を形成する。続いて、エッチングストッパをエッチングし、配線１０１が露出した開口１２０を有するエッチングストッパ１０３’を形成する。（図７（ｄ））　その後、図８（ａ）に示すように銅１２１を被着する。ハードマスク１１７をストッパにして銅のＣＭＰを行い、配線孔及び配線溝に銅が埋め込まれた銅配線１２１’を形成する。（図８（ｂ））　従来はこのような工程でデュアルダマシン銅配線を形成していた。
【０００４】
なお従来技術によるデュアルダマシンの記載例としては、例えばエスピーアイイープロシーディングス２０００（ＳＰＩＥ　Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ　２０００）第３９９９巻の８３５頁から８４２頁などがある。またＳｉＯＣのような露光光に対し透明な無機層間膜を用いキャップ膜をＳｉＣとしたときのデュアルダマシンの記載例としては、ソリドステートテクノロジー２００２年３月号（Ｓｏｌｉｄ　Ｓｔａｔｅ　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，　Ｍａｒｃｈ　２００２）の３７頁から４２頁などがある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
近年、低誘電率層間膜として有機層間膜が開発されている。しかし、上記デュアルダマシン法では、第１あるいは第２、あるいは両者の層間膜が有機膜である場合、アッシャ時に層間膜が削れてしまうという問題があった。すなわち、図５（ｄ）から図６（ａ）にかけてのレジスト１１０’及び反射防止膜１０８’のアッシャ除去と、図７（ａ）から図７（ｂ）にかけてのレジスト１１３’及び反射防止膜１１２’，　１１８のアッシャ除去の際、露出した層間膜がエッチングされるという問題があった。特に、図７（ａ）の溝内にたまった反射防止膜１１８はその残膜が厚いため、塗布形成するレジスト膜厚等の調整ではこのアッシャの問題は解決できず致命的な問題となった。最大の問題である反射防止膜の残膜１１８が残らないようにするために反射防止膜１１２を形成しない場合は、露光光１１５の反射防止が行えず配線溝パターンの寸法精度が出ないという問題が生じる。
【０００６】
本発明は、層間膜が有機膜の場合にも上記層間膜削れの問題が発生せず、しかも配線の寸法精度が高いデュアルダマシン法を提供するものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
層間膜が有機膜である場合の従来の課題を解決するために、有機膜からなる層間膜を形成する工程と、ＳｉＣからなる加工用キャップ膜を形成する工程と、上記加工用キャップ膜の上に第１のレジストを形成してリソグラフィによって配線用孔パターンを形成する工程と、上記配線用孔パターンをマスクに前記加工用キャップ膜をエッチングする工程と、層間膜をエッチングして層間膜に孔を形成する工程と、上記加工用キャップ膜の上に第２のレジストを形成する工程と、該レジスト膜の上に露光光に対し反射防止機能を有する膜を形成する工程と、露光および現像によって配線回路用溝レジストパターンを形成する工程と、該配線回路用溝レジストパターンをマスクにエッチングを行って上記加工用キャップ膜を加工するとともに層間膜に配線溝を形成する工程と、銅を上記配線孔及び溝に埋め込む工程と、ＣＭＰを行う工程により、デュアルダマシン銅配線を持つ半導体装置の製造方法によって上記課題は解決される。
【０００８】
【発明の実施の形態】
（実施の形態１）
最初に本実施の形態１のポイントを図１を用いて説明する。図１の１００は基板で、１０１は配線で、１０２は絶縁膜で、１０３はストッパ膜で、３０４は第１の層間膜で、３０５は中間膜で、３０６は第２の層間膜で、３０７はキャップ膜で、３１１はレジストで、３１２は露光光を透過させる反射防止膜で、３１３はマスクで、３１４は露光光である。第１及び２の層間膜は有機膜であり、キャップ膜３０７はＳｉＣ膜である。孔の中のレジストは現像によって除去されるので有機膜である層間膜の加工後にレジストを残さないようにすることができ、問題となっていたレジストアッシングが不要となる。またＳｉＣ膜３０７と露光光を透過させる反射防止３１２の組み合わせにより、ＳｉＣの膜厚がこの工程以前の処理により制御できなくても必要にして十分な反射防止効果が得られ、その結果形成される配線溝パターンの寸法精度は高い。
【０００９】
次に、本実施の形態による半導体装置の製造例を工程図である図２（ａ）から（ｄ）、図３（ａ）から（ｄ）、及び図４（ａ）から（ｄ）を用いて説明する。まず、図２（ａ）に示すように基板１００上に配線１０１、絶縁膜１０２、ストッパ膜１０３、第１の層間膜３０４、中間膜３０５、第２の層間膜３０６、及びキャップ膜３０７が形成された試料を準備した。ここで、配線３０１としては銅を用いたがこれに限らずＷ等でも良い。絶縁膜１０２としては酸化膜を用いた。ストッパ膜１０３としてはシリコン窒化膜を用いた。層間膜３０４および３０６としては誘電率の低い有機膜を用いた。ここではダウケミカル社のＳｉＬＫ（登録商標）を用いた。中間膜３０５およびキャップ膜３０７としてはＳｉＣ膜を用いた。
【００１０】
次に、図２（ｂ）に示すように配線孔パターン３０８が開口したポジレジストパターン３０９を形成した。ここで、このレジストの膜厚は第２の層間膜３０６の膜厚より厚く、第１の層間膜３０４と第２の層間膜３０６の膜厚を足した膜厚より薄い膜厚とした。具体的には、第１の層間膜の膜厚を３３０ｎｍ、第２の層間膜の膜厚を２７０ｎｍ、そして、レジストの膜厚を４００ｎｍとした。その後、図２（ｃ）に示すようにエッチングをおこなってキャップ膜３０７に開口３１０を形成し、さらに、エッチングを行って図２（ｄ）に示すように第２の層間膜３０６および中間膜３０５にも開口を形成する。第２の層間膜は有機膜でレジストとほぼ同じエッチレートを持つためポジレジスト３０９’は膜ベリするものの、両者の膜厚の関係で膜厚が残りキャップ膜３０７はこのレジストにより保護されている。
【００１１】
その後、図３（ａ）に示すように第１の層間膜３０４のエッチングを行う。膜厚とエッチレートの関係からこのエッチングの際にポジレジストは除去される。エッチングストッパ１０３によって配線１０１は保護される。一方キャップ膜３０７’はエッチングにさらされるのでその膜厚は当初の膜厚より薄くなる。その後図３（ｂ）に示すようにネガレジスト３１１を塗布し、その上に露光光に対してほぼ透明な上面反射防止膜３１２を塗布し、マスク３１３を介して露光光３１４を照射し、配線溝パターンを露光した。図示はしていないがこの露光はレンズを介した投影露光である。露光光にはＡｒＦエキシマレーザ光（波長１９３ｎｍ）を用いた。上面反射防止膜はその膜の上面と下面からの反射光が干渉し合って反射防止膜となるものである。　キャップ膜３０７’上のレジスト塗布膜厚は第２の層間膜の膜厚より薄い２００ｎｍとした。これは第２の層間膜エッチングの際のレジスト残りを防止するためである。有機層間膜を用いているため有機層間膜をエッチングするアッシャを用いることができない。そのためレジスト残りは歩留り低下、配線信頼性低下の元凶となる。その後現像を行って図３（ｃ）に示すように配線溝３１５の形成されたネガレジストパターン３１６を形成した。　層間膜に用いているＳｉＬＫ（登録商標）は露光光として用いているＡｒＦエキシマレーザ光を良く吸収するので微細孔の中を露光するのにはかなりのオーバー露光が必要になる。
【００１２】
しかしこのネガレジストを用いた場合には孔内を露光する必要がなく、露光不足によるレジスト残りなどの不良は発生しなかった。　ＳｉＬＫ（登録商標）膜上のＳｉＣは膜厚と反射率の関係を表す図９に示すようにＡｒＦエキシマレーザ光に対し反射防止膜となる。反射率が０．０１以下になれば必要十分な反射防止性能が得られるが、キャップ膜厚が１００ｎｍ以下になると２０ｎｍとか７０ｎｍ付近という特定の膜厚を除いて反射率が０．０１を超えることがある。ただ膜厚が振れてもハレーション防止、定在波防止という観点からは必要十分な反射防止になっているので、上面反射防止膜を組み合わせて多重干渉を防止し、±１０％という寸法精度を確保した。
【００１３】
なお、配線溝の最小寸法はここでは１２０ｎｍとした。第１の層間膜エッチング後のＳｉＣキャップ膜３０７’の膜厚が例えば７０ｎｍに正確に制御できれば上面反射防止膜は不要であるが、配線孔の開口比率（開口密度）によって微妙にネガレジスト膜厚が変化し、ＳｉＣがエッチングにさらされる時間が部分部分で変わるため、このＳｉＣの膜厚制御は困難であることがわかり、上面反射防止膜を組み合わせた。
ただし、この方法では通常用いられる下置き反射防止膜（ＢＡＲＣ）は形成する必要がなく、従来法で問題となったＢＡＲＣの除去の問題を解決することができた。
【００１４】
その後、図３（ｄ）に示すようにネガレジストパターンをマスクにキャップ膜を加工して配線溝キャップパターン３１７を形成し、続いて図４（ａ）に示すようにキャップ膜パターン３１７をエッチングマスクに第２の層間膜をエッチングして配線溝パターンの形成された第２の層間膜３０６’を形成する。このエッチングの際、ネガレジストは自動的に除去される。また配線１０１はストッパ１０３によって保護されている。その後図４（ｂ）に示すようにストッパ層をエッチングして開口３１９を形成する。次にＴｉＮバリア膜を埋め込んだ後（図示なし）図４（ｃ）に示すように銅３２０を配線孔や溝に埋め込み、図４（ｄ）に示すようにＣＭＰを行って不要な銅を削り、銅配線３２０’を形成する。このＣＭＰの際キャップ膜３１７はＣＭＰの保護膜としても機能する。このようにして形成された銅配線は電気的信頼性も高く、抵抗のバラツキも少なく、配線のパターン精度も高く、その寸法バラツキは±１０％以下に押さえられた。
【００１５】
なお、本実施例では第１の層間膜への孔加工の際、図６（ｂ）に示したように層間膜を抜けきりストッパ膜１０３が露出するまでエッチングを行った場合を示したが、必ずしも抜けきる必要はなく、第２層間膜の加工（図７（ｃ））の際のエッチングが加わることによってこの段階で抜けきり、ストッパ膜１０３が露出するようにしてもよい。
【００１６】
図１２に本方法を用いて製造した半導体装置の要部断面図を示す。有機層間膜と銅配線からなる多層配線を有する半導体装置を歩留まり高く形成できた。なお、各製造工程の説明のところでは説明を省いたが銅を埋め込む前に配線溝や孔にバリヤメタルを埋め込み、銅が拡散するのを防いだ。なお代表的なバリヤメタルとしてはＴｉ，　Ｔａ，　ＴａＮやＴｉＮ等がある。
【００１７】
また、ここでは層間有機膜がＳｉＬＫ（登録商標）の場合について説明したが、これはＳｉＬＫ（登録商標）に限ったことではなく、露光光に対する消衰係数が０．６以上０．８以下の層間有機膜であれば同様に形成された配線寸法精度が高く、層間膜削れのないデュアルダマシン銅配線を形成でき、製造された半導体装置は配線抵抗信頼性及び歩留り低下の問題は起きなかった。
【００１８】
（実施の形態２）
第２の実施例を半導体装置の製造例を工程図である図１０（ａ）から（ｄ）及び図１１（ａ）から（ｄ）を用いて説明する。まず、図１０（ａ）に示すように基板１００上に配線１０１、絶縁膜１０２、ストッパ膜１０３、層間膜２０１、及びキャップ膜３０７が形成された試料を準備した。ここで配線３０１、絶縁膜１０２およびストッパ膜１０３の材料は実施の形態１と同じものである。層間膜３０５としては誘電率の低い有機膜を用いた。ここではダウケミカル社のＳｉＬＫ（登録商標）を用いた。キャップ膜３０７としてはＳｉＣ膜を用いた。次に図１０（ｂ）に示すように配線孔パターン３０８が開口したポジレジストパターン３０９を形成した。ここでこのレジストの膜厚は層間膜２０１より薄い膜厚とした。具体的には層間膜２０１の膜厚を５５０ｎｍ、レジストの膜厚を３５０ｎｍとした。その後エッチングをおこなってキャップ膜３０７に開口を形成し、さらにエッチングを行って図１０（ｃ）に示すように層間膜２０１にも開口を形成した。このエッチングの際にレジスト３０９は自動的に除去された。配線１０１はエッチングストッパ１０３によって保護された。一方キャップ膜３０７’はエッチングにさらされるのでその膜厚は当初の膜厚より薄くなった。その後図１０（ｄ）に示すようにネガレジスト３１１を塗布し、その上に露光光に対してほぼ透明な上面反射防止膜３１２を塗布し、マスク３１３を介して露光光３１４を照射し、配線溝パターンを露光した。図示はしていないがこの露光はレンズを介した投影露光である。露光光にはＡｒＦエキシマレーザ光（波長１９３ｎｍ）を用いた。上面反射防止膜はその膜の上面と下面からの反射光が干渉し合って反射防止膜となるものである。
【００１９】
キャップ膜３０７’上のレジスト塗布膜厚は層間膜２０１に形成すべき配線溝の深さ２５０ｎｍより薄い２００ｎｍとした。これは配線溝形成エッチングの際のレジスト残りを防止するためである。有機層間膜を用いているため有機層間膜をエッチングするアッシャを用いることができない。そのためレジスト残りは歩留り低下、配線信頼性低下の元凶となる。その後現像を行って図１１（ａ）に示すように配線溝３１５の形成されたネガレジストパターン３１６を形成した。層間膜に用いているＳｉＬＫ（登録商標）は露光光として用いているＡｒＦエキシマレーザ光を良く吸収するので微細孔の中を露光するのにはかなりのオーバー露光が必要になる。しかしこのネガレジストを用いた場合には孔内を露光する必要がなく、露光不足によるレジスト残りなどの不良は発生しなかった。
【００２０】
実施例１と同様にＳｉＬＫ（登録商標）膜上のＳｉＣはＡｒＦエキシマレーザ光に対し反射防止膜となる。反射率が０．０１以下になれば必要十分な反射防止性能が得られるが、キャップ膜厚が１００ｎｍ以下になると２０ｎｍとか７０ｎｍ付近という特定の膜厚を除いて反射率が０．０１を超えることがある。ただ膜厚が振れてもハレーション防止、定在波防止という観点からは必要十分な反射防止になっているので、上面反射防止膜を組み合わせて多重干渉を防止し、±１０％という寸法精度を確保した。なお配線溝の最小寸法はここでは１３０ｎｍとした。このようにして通常用いられる下置き反射防止膜（ＢＡＲＣ）形成工程を省き、従来法で問題となったＢＡＲＣの除去の問題を解決することができた。
【００２１】
その後、ネガレジストパターンをマスクにキャップ膜を加工し、続いて層間膜をエッチングして層間膜２０１に配線溝２０２を形成した。（図１１（ｂ））　このエッチングの際、膜厚とエッチレートの関係からネガレジストは自動的に除去された。また配線１０１はストッパ１０３によって保護された。その後、ストッパ層をエッチングして開口を形成しＴｉＮバリア膜を埋め込んだ後（図示なし）、図１１（ｃ）に示すように銅３２０を配線孔や溝に埋め込んだ。引き続き図１１（ｄ）に示すようにＣＭＰを行って不要な銅を削り、銅配線３２０’を形成した。このＣＭＰの際キャップ膜３１７はＣＭＰの保護膜としても機能させた。このようにして形成された銅配線は電気的信頼性も高く、抵抗のバラツキも少なく、配線のパターン精度も高く、その寸法バラツキは±１０％以下に押さえられた。
【００２２】
なお、ここでは層間有機膜がＳｉＬＫ（登録商標）の場合について説明したが、これはＳｉＬＫ（登録商標）に限ったことではなく、露光光に対する消衰係数が０．６以上０．８以下の層間有機膜であれば同様に形成された配線寸法精度が高く、層間膜削れのないデュアルダマシン銅配線を形成でき、製造された半導体装置は配線抵抗信頼性及び歩留り低下の問題は起きなかった。
実施例１の場合は配線の厚みの制御性が高く、したがって配線抵抗精度が高いという特長があった。実施例２の場合は実施例１の場合より工程数が短く、低コストで製造できるという特長と、層間膜の中に誘電率の比較的高い中間膜がない構造のためトータルの配線容量が小さくなるという特長があった。
【００２３】
図１２には、本発明の実施例を適用した場合の完成品の素子断面図を示す。図から分かるように、ＣＭＰを行って不要な銅を削り、デュアルダマシン銅配線を形成する際に保護膜として機能したキャップ膜（ＳｉＣ膜）が、層間膜間に存在している。このＳｉＣ膜の材料特性は、誘電率が４．５乃至５．５程度であり、従来からＣＭＰの研磨用ストッパーとして用いられているＳｉ３Ｎ４の誘電率７乃至８に比較して、十分に低く、層間膜の寄生容量を低減する効果が期待できる。
【００２４】
【発明の効果】
本願によって、層間膜に有機膜を用いた場合にも層間膜削れの問題なく、微細で寸法精度の高い銅配線を形成できる。このため配線間容量が小さく、配線抵抗も安定して小さく、かつ信頼性の高い微細銅配線回路を持つ半導体装置を製造することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】要部断面構造を用いて本発明による銅配線形成工程の特徴を説明した説明図である。
【図２】本発明の第１の実施例による銅配線形成工程を半導体装置の断面図を用いて示した工程図である。
【図３】図２に続き、本発明の銅配線形成工程を半導体装置の断面図を用いて示した工程図である。
【図４】図３に続き、本発明の銅配線形成工程を半導体装置の断面図を用いて示した工程図である。
【図５】従来の銅配線形成工程を半導体装置の断面図を用いて示した工程図である。
【図６】図５に続き、従来の銅配線形成工程を半導体装置の断面図を用いて示した工程図である。
【図７】図６に続き、従来の銅配線形成工程を半導体装置の断面図を用いて示した工程図である。
【図８】図７に続き、従来の銅配線形成工程を半導体装置の断面図を用いて示した工程図である。
【図９】反射光の状況を示した特性図である。
【図１０】本発明の第２の実施例による銅配線形成工程を半導体装置の断面図を用いて示した工程図である。
【図１１】図１０に続き、本発明の銅配線形成工程を半導体装置の断面図を用いて示した工程図である。
【図１２】本発明の実施例を適用した場合の完成品の素子断面図を示す。
【符号の説明】
１００…基板、１０１…配線、１０２…絶縁膜、１０３…バリア膜、１０４…第１層間膜、１０５…中間膜、１０６…第２層間膜、１０７…ハードマスク層、１０８…反射防止膜、１０９…開口パターン、１１０…レジストパターン、１１１…開口、１１２…反射防止膜、１１３…レジスト、１１４…マスク、１１５…露光光、１１６…配線溝パターン、１１７…ハードマスク、１１８…反射防止膜、１１９…第２層間膜、１２０…開口、１２１…銅、２０１…層間膜、２０２…配線溝、３０４…第１層間膜、３０５…中間膜、３０６…第２層間膜、３０７…キャップ膜、３０８…配線孔パターン、３０９…ポジレジストパターン、３１０…開口、３１１…ネガレジスト、３１２…上面反射防止膜、３１３…マスク、３１４…露光光、３１５…配線溝パターン、３１６…レジストパターン、３１７…配線溝キャップパターン、３１８…開口、３１９…開口、３２０…銅、３２０’…銅配線、４００…層間膜、４０１…バリアメタル、４０２…基板接続電極、４０３…アイソレーション、４０４…拡散層、４０５…ゲート電極、４０６…ゲート絶縁膜、４０７…ＳｉＣ膜。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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