(57)【要約】【課題】エクスチェンジバイアス方式のＣＰＰ型磁気検出素子において、前記フリー磁性層の磁化制御を適切に保ちつつ、従来よりセンス電流の前記多層膜内でのトラック幅方向への広がりを抑制でき、効果的にサイドリーディングの発生を抑制し、さらに再生出力の向上を図ることが可能な磁気検出素子及びその製造方法を提供。【解決手段】多層膜３０のトラック幅方向の両側に第１絶縁層３４を設け、多層膜３０上から第１絶縁層３４上にかけて第２フリー磁性層３８を設け、さらに第２フリー磁性層の素子両側端部上に第２反強磁性層を設けたことで、センス電流は多層膜内をトラック幅よりもトラック幅方向に広がって流れにくくなり、フリー磁性層の磁化制御を適切に保ちつつ効果的に実効再生トラック幅の広がりを抑え、サイドリーディングの発生を抑制し再生出力の向上を図ることができる。【選択図】　　図１
2004031544.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下部電極層上に下から第１反強磁性層、固定磁性層、非磁性材料層及び第１フリー磁性層の順に積層された多層膜を有し、
前記多層膜のトラック幅方向の両側端面には第１絶縁層が設けられ、
前記第１絶縁層上から前記第１フリー磁性層上にかけて第２フリー磁性層が設けられ、
前記第２フリー磁性層の前記第１絶縁層と膜厚方向で対向する素子両側端部上には第２反強磁性層が設けられ、
上部電極層が前記第２反強磁性層の上側から前記第２反強磁性層のトラック幅方向の間隔内に位置する前記第２フリー磁性層の上側にかけて形成されていることを特徴とする磁気検出素子。
【請求項２】
前記第２反強磁性層上が第２絶縁層で覆われ、前記上部電極層が前記第２絶縁層上から前記第２絶縁層のトラック幅方向の間隔内に位置する前記第２フリー磁性層の上側にかけて形成されている請求項１記載の磁気検出素子。
【請求項３】
前記第１フリー磁性層と第２フリー磁性層間には非磁性層が介在している請求項１または２に記載の磁気検出素子。
【請求項４】
前記第２フリー磁性層と前記第２反強磁性層間には強磁性層が介在する請求項１ないし３のいずれかに記載の磁気検出素子。
【請求項５】
前記第２反強磁性層のトラック幅方向の間隔内から前記第２フリー磁性層の上面が露出し、前記露出した上面に非磁性層が形成されている請求項４記載の磁気検出素子。
【請求項６】
前記第２フリー磁性層上には第３反強磁性層が設けられ、前記第３反強磁性層の素子両側端部上に前記第２反強磁性層が形成される請求項１ないし３のいずれかに記載の磁気検出素子。
【請求項７】
前記第２反強磁性層のトラック幅方向の間隔内から前記第３反強磁性層の上面が露出し、前記露出した上面に非磁性層が形成されている請求項６記載の磁気検出素子。
【請求項８】
前記非磁性層は、Ｒｕ、Ｒｅ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｒｈ、Ｃｕ、Ｃｒのいずれか１種または２種以上で形成される請求項３、５または７に記載の磁気検出素子。
【請求項９】
前記下部電極層は下部シールド層であり、上部電極層は上部シールド層である請求項１ないし８のいずれかに記載の磁気検出素子。
【請求項１０】
以下の工程を有することを特徴とする磁気検出素子の製造方法。
（ａ）下部電極層上に、下から第１反強磁性層、固定磁性層、非磁性材料層及び第１フリー磁性層の順に積層された多層膜を形成する工程と、
（ｂ）前記多層膜のトラック幅方向の両側端面を削り、前記両側端面にトラック幅方向に第１絶縁層を設ける工程と、
（ｃ）前記第１絶縁層上から前記第１フリー磁性層上にかけて第２フリー磁性層を設ける工程と、
（ｄ）前記第２フリー磁性層の前記第１絶縁層と膜厚方向で対向する素子両側端部上に第２反強磁性層を設ける工程と、
（ｅ）前記第２反強磁性層上から前記第２反強磁性層のトラック幅方向の間隔内に位置する前記第２フリー磁性層の上側にかけて上部電極層を形成する工程。
【請求項１１】
前記（ｄ）工程と前記（ｅ）工程の間に、前記第２反強磁性層上を第２絶縁層で覆う工程を有し、前記（ｅ）工程で、前記第２絶縁層上から前記第２反強磁性層のトラック幅方向の間隔内に位置する前記第２フリー磁性層の上側にかけて上部電極層を形成する請求項１０記載の磁気検出素子の製造方法。
【請求項１２】
前記（ａ）工程で、前記多層膜の最上層に非磁性層を形成し、前記（ｃ）工程で前記第２フリー磁性層を形成する前に、前記非磁性層を一部、あるいは全部除去する請求項１０または１１に記載の磁気検出素子の製造方法。
【請求項１３】
前記（ｃ）工程で、前記第２フリー磁性層の上側に非磁性層を形成し、次に前記第１絶縁層と膜厚方向で対向する位置の前記非磁性層を削った後、前記第２フリー磁性層の素子両側端部上に強磁性層を形成し、前記（ｄ）工程で、前記強磁性層上に前記第２反強磁性層を形成する請求項１０ないし１２のいずれかに記載の磁気検出素子の製造方法。
【請求項１４】
前記（ｃ）工程後、前記第２フリー磁性層上に第３反強磁性層を形成し、前記第３反強磁性層の上に非磁性層を形成した後、前記第１絶縁層と膜厚方向で対向する位置の前記非磁性層を削り、次に前記（ｄ）工程で、前記第３反強磁性層の素子両側端部上に第２反強磁性層を設ける請求項１０ないし１２のいずれかに記載の磁気検出素子の製造方法。
【請求項１５】
前記第３反強磁性層を２０Å以上で５０Å以下の膜厚で形成する請求項１４記載の磁気検出素子の製造方法。
【請求項１６】
前記非磁性層を、Ｒｕ、Ｒｅ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｒｈ、Ｃｕ、Ｃｒのいずれか１種または２種以上で形成する請求項１２ないし１５のいずれかに記載の磁気検出素子の製造方法。
【請求項１７】
前記非磁性層を成膜当初、３Å以上で２０Å以下で形成する１６記載の磁気検出素子の製造方法。
【請求項１８】
前記（ｄ）工程に代えて以下の工程を有する請求項１０ないし１２のいずれかに記載の磁気検出素子の製造方法。
（ｆ）前記第２フリー磁性層上に第２反強磁性層及び第２絶縁層を形成する工程と、
（ｇ）前記第２絶縁層の前記第１絶縁層と膜厚方向で対向する素子両側端部上にマスク層を形成し、前記マスク層に覆われていない前記第２絶縁層及び前記第２反強磁性層の素子中央部を削り、これにより前記第２絶縁層のトラック幅方向の間隔内から前記第２フリー磁性層の上面を露出させる工程。
【請求項１９】
前記（ｇ）工程で、前記第２反強磁性層の素子中央部を途中まで削り、前記（ｅ）工程で、前記上部電極層を前記第２絶縁層上から前記第２絶縁層のトラック幅方向の間隔内から露出する前記第２反強磁性層上にかけて形成する請求項１８記載の磁気検出素子の製造方法。
【請求項２０】
前記素子中央部に残す第２反強磁性層の膜厚を５０Å以下とする請求項１９記載の磁気検出素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は主に、センス電流が多層膜の各層を膜厚方向に流れるＣＰＰ（Ｃｕｒｒｅｎｔ　Ｐｅｒｐｅｎｄｉｃｕｌａｒ　ｔｏ　ｔｈｅ　　Ｐｌａｎｅ）型の磁気検出素子に係り、特に前記多層膜内でのセンス電流のトラック幅方向への広がりを抑え、再生出力の向上を図ることが可能な磁気検出素子及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
図１４は、従来の磁気検出素子の構造を記録媒体との対向面側から見た部分断面図である。
【０００３】
符号１３はＮｉＦｅ合金等で形成された下部電極層であり、前記下部電極層１３の上に第１反強磁性層３、固定磁性層４、非磁性材料層５及びフリー磁性層６がこの順で積層形成されている。前記第１反強磁性層３からフリー磁性層６までの積層体を多層膜１１と呼ぶ。
【０００４】
前記フリー磁性層６の素子両側端部６ａ上には、第２反強磁性層７が形成され、前記第２反強磁性層７の上には絶縁層１２が形成されている。
【０００５】
また前記絶縁層１２上から前記第２反強磁性層７のトラック幅方向（図示Ｘ方向）の間隔内から露出するフリー磁性層６の素子中央部６ｂ上に上部電極層１４が形成されている。
【０００６】
図１４に示す磁気検出素子では、前記第２反強磁性層７の下面間のトラック幅方向における間隔でトラック幅Ｔｗが規制される。
【０００７】
図１４では、前記第２反強磁性層７と重ねて形成されたフリー磁性層６の素子両側端部６ａ間で交換結合磁界が発生し、前記フリー磁性層６の素子両側端部６ａが図示Ｘ方向に磁化固定されると、前記フリー磁性層６の素子中央部６ｂは磁性層内の交換相互作用により媒介されたバイアス磁界によって図示Ｘ方向に揃えられ、前記素子中央部６ｂは外部磁界に対し磁化反転するようになっている。このように反強磁性層７を用いて前記フリー磁性層６の磁化制御をする方法をエクスチェンジバイアス方式と呼んでいる。
【０００８】
図１４に示す従来例の磁気検出素子は、前記多層膜１１の膜厚方向（図示Ｚ方向）の上下に電極１３、１４が形成され、センス電流が前記多層膜１１の各層を膜厚方向に流れるＣＰＰ（Ｃｕｒｒｅｎｔ　Ｐｅｒｐｅｎｄｉｃｕｌａｒ　ｔｏ
ｔｈｅ　　Ｐｌａｎｅ）型と呼ばれる構造である。
【０００９】
図１４に示す磁気検出素子では、前記第２反強磁性層７上を絶縁層１２が覆っており、この絶縁層１２の形成によって前記上部電極層１４から前記多層膜１１に流れるセンス電流が前記第２反強磁性層７に分流するのを抑制することが可能になっている。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら図１４に示す磁気検出素子では次のような問題があった。それは前記多層膜１１内に流れるセンス電流がトラック幅Ｔｗよりも広がって流れ、この結果、実際に磁気抵抗効果に寄与する実効再生トラック幅が広がり、サイドリーディングの発生や、再生出力の低下を招いたのである。図１４ではセンス電流の広がりを矢印で示している。
【００１１】
図１４に示す磁気検出素子では、多層膜１１のトラック幅方向への幅寸法がトラック幅Ｔｗよりも長く形成され、さらに前記下部電極層１３と第１反強磁性層３との素子両側端部間に絶縁層が形成されていない。このためセンス電流は特に前記多層膜１１の下方でトラック幅方向に広がって流れるものと考えられた。
【００１２】
そこで図１５に示す別の従来の磁気検出素子（前記磁気検出素子を記録媒体との対向面側から見た部分断面図）では、前記下部電極層１３の素子両側端部１３ｂに凹部１３ａが形成され、この凹部１３ａ内に絶縁層２が形成され、前記絶縁層２上から前記下部電極層１３の素子中央部１３ｃ上にかけて第１反強磁性層３が形成されている。また図１４と同様に前記第２反強磁性層７上には絶縁層１２が形成されている。
【００１３】
図１５のように反強磁性層３、７と電極層１３、１４間はその素子両側端部で絶縁されており、図１４に示す磁気検出素子の構造に比べて、センス電流の前記多層膜１１内でのトラック幅方向への広がりを抑制できるものと考えられた。
【００１４】
しかし図１５に示す磁気検出素子の構造でも、依然として多層膜１１内でのセンス電流の広がり（センス電流の流れは矢印方向で示されている）を効果的に抑制はできず、再生出力の適切な向上を図ることができなかったのである。
【００１５】
それは図１５に示す構造では、反強磁性層３、７と電極層１３、１４間が絶縁層２、１２によって絶縁されているものの、前記多層膜１１はトラック幅Ｔｗよりもトラック幅方向（図示Ｘ方向）に長く形成されているため、特にトラック幅Ｔｗの両端付近に流れるセンス電流が、多層膜の膜厚が平均自由行程よりも厚い場合には、伝導電子の移動方向はＺ方向とは限らず角度分布を持つことになる。これにより電流が広がってしまう。また層界面での散乱（スペキュラー散乱も含む）も、電流が広がる要因となる。
【００１６】
このように電流がその多層膜１１内でトラック幅Ｔｗよりも広がって流れやすく、これによって図１５に示す形態でもより効果的に、実効再生トラック幅の広がりを抑え、サイドリーディングの発生を抑制し、再生出力の向上を図ることができなかったのである。
【００１７】
このようにエクスチェンジバイアス方式において、従来の図１４及び図１５に示す磁気検出素子の構造では適切にセンス電流の多層膜１１内のトラック幅方向への広がりを抑制できず再生出力等が低下し、特に今後の高記録密度化に対応すべく狭トラック化が進むと、上記問題はさらに顕著化した。
【００１８】
そこで本発明は上記従来の課題を解決するためのものであり、フリー磁性層をエクスチェンジバイアス方式によって磁化制御し、且つＣＰＰ型の構造において、前記フリー磁性層の磁化制御を適切に保ちつつ、従来よりセンス電流の前記多層膜内でのトラック幅方向への広がりを抑制でき、効果的にサイドリーディングの発生を抑制し、さらに再生出力の向上を図ることが可能な磁気検出素子及びその製造方法を提供することを目的とする。
【００１９】
【課題を解決するための手段】
本発明の磁気検出素子は、下部電極層上に下から第１反強磁性層、固定磁性層、非磁性材料層及び第１フリー磁性層の順に積層された多層膜を有し、
前記多層膜のトラック幅方向の両側端面には第１絶縁層が設けられ、
前記第１絶縁層上から前記第１フリー磁性層上にかけて第２フリー磁性層が設けられ、
前記第２フリー磁性層の前記第１絶縁層と膜厚方向で対向する素子両側端部上には第２反強磁性層が設けられ、
上部電極層が前記第２反強磁性層の上側から前記第２反強磁性層のトラック幅方向の間隔内に位置する前記第２フリー磁性層の上側にかけて形成されていることを特徴とするものである。
【００２０】
本発明では、多層膜のトラック幅方向の両側に第１絶縁層を設け、前記多層膜上から前記第１絶縁層上にかけて第２フリー磁性層を設け、さらに前記第２フリー磁性層の素子両側端部上に第２反強磁性層を設けた点に特徴がある。
【００２１】
前記第２フリー磁性層の素子両側端部は、前記第２反強磁性層との間で発生する交換結合磁界によって磁化がトラック幅方向に固定される。一方、前記第２フリー磁性層の素子中央部では、前記交換結合磁界が働かず、磁性層内の交換相互作用により媒介されたバイアス磁界によってトラック幅方向に弱く単磁区化された状態であり、第１フリー磁性層とともに、外部磁界に対し感度良く磁化反転するようになっている。本発明ではこのように第１フリー磁性層、第２フリー磁性層、および第２反強磁性層の組合わせにより、適切にフリー磁性層の磁化制御を行うことが可能になっている。
【００２２】
そして本発明では、上記のフリー磁性層の磁化制御を適切に保ちつつ、前記多層膜内に流れるセンス電流のトラック幅方向への広がりを従来に比べて効果的に抑制することが可能である。
【００２３】
それは従来、前記多層膜が前記第２反強磁性層の下にまで延びて形成されていたのを、本発明では前記多層膜のトラック幅方向への幅寸法を従来よりも縮め、前記第２反強磁性層下に前記第２フリー磁性層を介して第１絶縁層を設けているからである。
【００２４】
このためセンス電流は、前記第１絶縁層の存在で、従来より前記多層膜内をトラック幅Ｔｗよりもトラック幅方向に広がって流れにくくなり、前記フリー磁性層の磁化制御を適切に保ちつつ、効果的に実効再生トラック幅の広がりを抑え、サイドリーディングの発生を抑制し、再生出力の向上を図ることが可能になったのである。また前記第１絶縁層を前記多層膜の両側端面における伝導電子の鏡面反射層（スペキュラー層）として機能させることも可能であり、これにより多層膜の両側端面付近におけるＣＰＰ−ＧＭＲ特性の劣化を防止でき、特にトラック幅Ｔｗが０．０６μｍ以下となったときも再生出力の劣化防止に有効である。
【００２５】
また本発明では前記第２反強磁性層上が第２絶縁層で覆われ、前記上部電極層が前記第２絶縁層上から前記第２絶縁層のトラック幅方向の間隔内に位置する前記第２フリー磁性層の上側にかけて形成されていることが好ましい。これによって前記センス電流の前記第２反強磁性層への分流を抑制でき、再生出力の更なる向上を図ることができる。
【００２６】
また本発明では、前記第１フリー磁性層と第２フリー磁性層間には非磁性層が介在していてもよい。
【００２７】
また本発明では、前記第２フリー磁性層と前記第２反強磁性層間には強磁性層が介在することが好ましい。これにより前記第２フリー磁性層の磁化制御をより適切に行うことが可能である。すなわち前記第２反強磁性層と強磁性層間に適切な大きさの交換結合磁界が生じて前記強磁性層がトラック幅方向に磁化固定されると、前記強磁性層と対向する前記第２フリー磁性層の素子両側端部が前記強磁性層との交換相互作用によりトラック幅方向に適切に磁化固定される。
【００２８】
また本発明では、前記第２反強磁性層のトラック幅方向の間隔内から前記第２フリー磁性層の上面が露出し、前記露出した上面に非磁性層が形成されていることが好ましい。前記非磁性層は製造工程中に前記第２フリー磁性層を酸化から防止するための酸化防止層としての役割を有している。
【００２９】
また本発明では、前記第２フリー磁性層上には第３反強磁性層が設けられ、前記第３反強磁性層の素子両側端部上に前記第２反強磁性層が形成されていてもよい。
【００３０】
前記第３反強磁性層は単独では反強磁性を帯びないほど薄い膜厚で形成されているが、前記第３反強磁性層の素子両側端部では第２反強磁性層が重ねて形成されることで、前記素子両側端部で適切に反強磁性を帯びた反強磁性層が形成され、前記第２フリー磁性層の素子両側端部との間で適切な大きさの交換結合磁界が生じ、前記第２フリー磁性層の素子両側端部をより適切にトラック幅方向に磁化固定することができる。
【００３１】
上記において、前記第２反強磁性層のトラック幅方向の間隔内から前記第３反強磁性層の上面が露出し、前記露出した上面に非磁性層が形成されていることが好ましい。前記非磁性層は製造工程中に前記第３反強磁性層を酸化から防止するための酸化防止層としての役割を有している。
【００３２】
なお本発明では、前記非磁性層は、Ｒｕ、Ｒｅ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｒｈ、Ｃｕ、Ｃｒのいずれか１種または２種以上で形成されることが好ましい。
【００３３】
また本発明では、前記下部電極層は下部シールド層であり、上部電極層は上部シールド層であることが好ましい。これによりシールド層間の間隔で決定されるギャップ長を短くでき高記録密度化に適切に対応可能な磁気検出素子を製造することが可能になっている。
【００３４】
また本発明における磁気検出素子の製造方法は、以下の工程を有することを特徴とするものである。
（ａ）下部電極層上に、下から第１反強磁性層、固定磁性層、非磁性材料層及び第１フリー磁性層の順に積層された多層膜を形成する工程と、
（ｂ）前記多層膜のトラック幅方向の両側端面を削り、前記両側端面にトラック幅方向に第１絶縁層を設ける工程と、
（ｃ）前記第１絶縁層上から前記第１フリー磁性層上にかけて第２フリー磁性層を設ける工程と、
（ｄ）前記第２フリー磁性層の前記第１絶縁層と膜厚方向で対向する素子両側端部上に第２反強磁性層を設ける工程と、
（ｅ）前記第２反強磁性層上から前記第２反強磁性層のトラック幅方向の間隔内に位置する前記第２フリー磁性層の上側に上部電極層を形成する工程。
【００３５】
本発明では上記の製造方法を用いることで、多層膜のトラック幅方向の両側に第１絶縁層を設けることができ、また前記第１絶縁層上から前記第１フリー磁性層上にかけて第２フリー磁性層を設けることができ、フリー磁性層の磁化制御を適切に行うことができるとともに、センス電流が前記多層膜内を流れる際にトラック幅Ｔｗより広がって流れるのを適切に抑制でき、従来に比べて再生出力の大きい磁気検出素子を容易に且つ適切に製造することが可能である。
【００３６】
また本発明では、前記（ｄ）工程と前記（ｅ）工程の間に、前記第２反強磁性層上を第２絶縁層で覆う工程を有し、前記（ｅ）工程で、前記第２絶縁層上から前記第２反強磁性層のトラック幅方向の間隔内に位置する前記第２フリー磁性層の上側にかけて上部電極層を形成することが好ましい。前記第２絶縁層を設けることで、センス電流が前記第２反強磁性層へ分流するのを適切に防止でき、より効果的に再生出力の大きい磁気検出素子を製造することが可能である。
【００３７】
また本発明では、前記（ａ）工程で、前記多層膜の最上層に非磁性層を形成し、前記（ｃ）工程で前記第２フリー磁性層を形成する前に、前記非磁性層を一部、あるいは全部除去することが好ましい。前記非磁性層はその下の層を酸化から保護するための酸化防止層である。
【００３８】
また本発明では、前記（ｃ）工程で、前記第２フリー磁性層の上側に非磁性層を形成し、次に前記第１絶縁層と膜厚方向で対向する位置の前記非磁性層を削った後、前記第２フリー磁性層の素子両側端部上に強磁性層を形成し、前記（ｄ）工程で、前記強磁性層上に前記第２反強磁性層を形成することが好ましい。前記非磁性層は製造工程中に前記第２フリー磁性層を酸化から防止するための酸化防止層である。また前記強磁性層と第２反強磁性層とを連続成膜できることで、前記強磁性層と第２反強磁性層間に所定の大きさの交換結合磁界を生じさせることができ、前記第２フリー磁性層の磁化制御をより適切に行うことができる。
【００３９】
また本発明では、前記（ｃ）工程後、前記第２フリー磁性層上に第３反強磁性層を形成し、前記第３反強磁性層の上に非磁性層を形成した後、前記第１絶縁層と膜厚方向で対向する位置の前記非磁性層を削り、次に前記（ｄ）工程で、前記第３反強磁性層の素子両側端部上に第２反強磁性層を設けることが好ましい。前記非磁性層は製造工程中に前記第３反強磁性層を酸化から防止するための酸化防止層である。
【００４０】
また本発明では、前記第３反強磁性層を２０Å以上で５０Å以下の膜厚で形成することが好ましく、この程度の薄い膜厚で前記第３反強磁性層を形成することにより前記第３反強磁性層単独では反強磁性を帯びないが、前記第２反強磁性層と重ねられた前記第３反強磁性層の素子両側端部では反強磁性を帯び、前記第２フリー磁性層の素子両側端部との間で適切な大きさの交換結合磁界を生じ、前記第２フリー磁性層の磁化制御をより効果的に行うことが可能である。
【００４１】
なお本発明では、前記非磁性層を、Ｒｕ、Ｒｅ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｒｈ、Ｃｕ、Ｃｒのいずれか１種または２種以上で形成することが好ましく、また前記非磁性層を成膜当初、３Å以上で２０Å以下で形成することが好ましい。前記非磁性層をＲｕなどで形成すると膜厚が薄くても適切に酸化防止層として機能し、しかも前記非磁性層の膜厚は薄いため前記非磁性層を削る工程において低エネルギーのイオンミリングを使用でき、前記非磁性層下の層に前記ミリングの影響が及ばないようにすることができる。
【００４２】
また本発明では、前記（ｄ）工程に代えて以下の工程を有する製造方法であってもよい。
（ｆ）前記第２フリー磁性層上に第２反強磁性層及び第２絶縁層を形成する工程と、
（ｇ）前記第２絶縁層の前記第１絶縁層と膜厚方向で対向する素子両側端部上にマスク層を形成し、前記マスク層に覆われていない前記第２絶縁層及び前記第２反強磁性層の素子中央部を削り、これにより前記第２絶縁層のトラック幅方向の間隔内から前記第２フリー磁性層の上面を露出させる工程。
【００４３】
上記の（ｆ）及び（ｇ）工程を有する製造方法を用いると、最も簡単に所望の形態の磁気検出素子を製造することができる。
【００４４】
また本発明では、前記（ｇ）工程で、前記第２反強磁性層の素子中央部を途中まで削り、前記（ｅ）工程で、前記上部電極層を前記第２絶縁層上から前記第２絶縁層のトラック幅方向の間隔内から露出する前記第２反強磁性層上にかけて形成してもよい。かかる場合、前記素子中央部に残す第２反強磁性層の膜厚を５０Å以下とすることが好ましい。これにより残された前記第２反強磁性層の素子中央部は反強磁性を帯びなくなり、前記第２フリー磁性層の素子中央部が外部磁界に対し適切に磁化反転できるようにフリー磁性層の磁化制御を行うことが可能になる。
【００４５】
【発明の実施の形態】
図１は本発明における第１実施形態の磁気検出素子を記録媒体との対向面側から見た部分断面図である。図１に示される磁気検出素子は、記録媒体に記録された記録信号を再生するためのＭＲヘッドである。なおこのＭＲヘッド上に記録用のインダクティブヘッドが積層されていてもよい。記録媒体との対向面は、例えば磁気検出素子を構成する薄膜の膜面に垂直で且つ磁気検出素子のフリー磁性層の外部磁界（記録信号磁界）が印加されていないときの磁化方向と平行な平面である。図１では、記録媒体との対向面はＸ−Ｚ平面に平行な平面である。
【００４６】
なお、磁気検出素子が浮上式の磁気ヘッドに用いられる場合、記録媒体との対向面とは、いわゆるＡＢＳ面（Ａｉｒ　Ｂｅａｒｉｎｇ　Ｓｕｅｆａｃｅ）のことである。
【００４７】
また磁気検出素子は、例えばアルミナ−チタンカーバイト（Ａｌ２Ｏ３−ＴｉＣ）で形成されたスライダのトレーリング端面上に形成される。スライダは、記録媒体との対向面と逆面側で、ステンレス材などによる弾性変形可能な支持部材と接合され、磁気ヘッド装置が構成される。
【００４８】
なお、トラック幅方向とは、外部磁界によって磁化方向が変動する領域の幅方向のことであり、例えば、フリー磁性層の外部磁界が印加されていないときの磁化方向、すなわち図示Ｘ方向である。トラック幅方向のフリー磁性層の幅寸法が磁気検出素子のトラック幅Ｔｗを規定する。
【００４９】
なお、記録媒体は磁気検出素子の記録媒体との対向面に対向しており、図示Ｚ方向に移動する。この記録媒体からの洩れ磁界方向は図示Ｙ方向である。
【００５０】
図１に示す符号２０は下部シールド層であり、前記下部シールド層２０の上に多層膜３０が形成されている。前記下部シールド層２０はＮｉＦｅ合金などの磁性材料で形成される。
【００５１】
図１に示すように、前記多層膜３０は下からシードレイヤ２２、第１反強磁性層２３、固定磁性層２４、非磁性材料層２５及び第１フリー磁性層２６がこの順で積層形成される。
【００５２】
前記シードレイヤ２２は、ＮｉＦｅ合金、ＮｉＦｅＣｒ合金あるいはＣｒなどで形成される。シードレイヤ２２は、例えば（Ｎｉ０．８Ｆｅ０．２）６０ａｔ％Ｃｒ４０ａｔ％の膜厚６０Åで形成される。
【００５３】
前記第１反強磁性層２３は、ＰｔＭｎ合金、または、Ｘ―Ｍｎ（ただしＸは、Ｐｄ，Ｉｒ，Ｒｈ，Ｒｕ，Ｏｓ，Ｎｉ，Ｆｅのいずれか１種または２種以上の元素である）合金で、あるいはＰｔ―Ｍｎ―Ｘ′（ただしＸ′は、Ｐｄ，Ｉｒ，Ｒｈ，Ｒｕ，Ａｕ，Ａｇ，Ｏｓ，Ｃｒ，Ｎｉ，Ａｒ，Ｎｅ，Ｘｅ，Ｋｒのいずれか１または２種以上の元素である）合金で形成される。
【００５４】
第１反強磁性層２３として、これらの合金を使用し、これを熱処理することにより、大きな交換結合磁界を発生する第１反強磁性層２３及び固定磁性層２４の交換結合膜を得ることができる。特に、ＰｔＭｎ合金であれば、４８ｋＡ／ｍ以上、例えば６４ｋＡ／ｍを越える交換結合磁界を有し、交換結合磁界を失うブロッキング温度が３８０℃と極めて高い優れた第１反強磁性層２３及び固定磁性層２４の交換結合膜を得ることができる。
【００５５】
これらの合金は、成膜直後の状態では、不規則系の面心立方構造（ｆｃｃ）であるが、熱処理によってＣｕＡｕＩ型の規則型の面心正方構造（ｆｃｔ）に構造変態する。第１反強磁性層２３の膜厚は、８０〜３００Åである。
【００５６】
図１に示す固定磁性層２４は人工フェリ構造である。前記固定磁性層２４は磁性層３１、３３とその間に介在する非磁性中間層３２の３層構造である。
【００５７】
前記磁性層３１、３３は、例えばＮｉＦｅ合金、Ｃｏ、ＣｏＮｉＦｅ合金、ＣｏＦｅ合金、ＣｏＮｉ合金などの磁性材料で形成される。磁性層３１と磁性層３３は、同一の材料で形成されることが好ましい。
【００５８】
また、非磁性中間層３２は、非磁性材料により形成されるもので、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｃｒ、Ｒｅ、Ｃｕのうち１種またはこれらの２種以上の合金で形成されている。特にＲｕによって形成されることが好ましい。
【００５９】
前記磁性層３１、３３は、それぞれ１０〜７０Å程度で形成される。また非磁性中間層３２の膜厚は３Å〜１０Å程度で形成で形成される。
【００６０】
なお固定磁性層２４は上記したいずれかの磁性材料を使用した１層構造あるいは上記したいずれかの磁性材料からなる層とＣｏ層などの拡散防止層の２層構造で形成されていても良い。
【００６１】
前記非磁性材料層２５は、固定磁性層２４と第１フリー磁性層２６との磁気的な結合を防止し、またセンス電流が主に流れる層であり、Ｃｕ，Ｃｒ，Ａｕ，Ａｇなど導電性を有する非磁性材料により形成されることが好ましい。特にＣｕによって形成されることが好ましい。前記非磁性材料層２５は例えば１８〜５０Å程度の膜厚で形成される。
【００６２】
また図１に示す磁気検出素子が、スピントンネル効果の原理を用いたトンネル型磁気抵抗効果型素子（ＴＭＲ素子）の場合、前記非磁性材料層２５は例えばＡｌ２Ｏ３等の絶縁材料で形成される。
【００６３】
図１に示す実施形態では、前記第１フリー磁性層２６は１層構造である。前記第１フリー磁性層２６は、ＮｉＦｅ合金などで形成される。前記第１フリー磁性層２６は例えば２層構造であってもよく、かかる場合、ＣｏやＣｏＦｅなどからなる前記非磁性材料層２５との相互拡散を防止するための拡散防止層と、その上にＮｉＦｅ合金などで形成された磁性材料層との２層構造とすることが好ましい。前記第１フリー磁性層２６は、３０〜５０Å程度で形成される。
【００６４】
またこの実施形態では前記第１フリー磁性層２６上に非磁性層２７（点線で示されている）が形成されていてもよい。前記非磁性層２７は、Ｃｕ、Ｒｕ、Ｒｅ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｒｈ、Ｃｒのいずれか１種または２種以上で形成されることが好ましい。この中でも特にＣｕやＲｕを選択することが好ましい。前記非磁性層２７の膜厚は例えば６Å〜１１Åである。この程度の薄い膜厚であると、前記第１フリー磁性層２６と後述する第２フリー磁性層３８間でＲＫＫＹ相互作用による交換結合が発生し、前記第１フリー磁性層２６と第２フリー磁性層３８の磁化はトラック幅方向（図示Ｘ方向）と平行な方向であって且つ反平行状態になる。
【００６５】
一方、前記非磁性層２７の膜厚を６Åよりも薄くしていくと、今度は、前記第１フリー磁性層２６と第２フリー磁性層３８の磁化とがトラック幅方向（図示Ｘ方向）に同じ方向で揃えられる。なお図１に示す実施形態では前記シードレイヤ２２から非磁性層２７（前記非磁性層２７が形成されていない場合には第１フリー磁性層２６まで）までの積層体を多層膜３０と呼ぶ。
【００６６】
図１に示す実施形態では、前記多層膜３０の両側端面３０ａが下方から上方（図示Ｚ方向）に向けて前記多層膜３０のトラック幅方向（図示Ｘ方向）への幅寸法が徐々に小さくなる傾斜面あるいは湾曲面として形成される。
【００６７】
図１に示すように、前記多層膜３０のトラック幅方向への幅寸法よりもさらにトラック幅方向（図示Ｘ方向）に長く延ばされて形成された前記下部シールド層２０上から前記多層膜３０の両側端面３０ａにかけて第１絶縁層３４が形成される。前記第１絶縁層３４はＡｌ２Ｏ３やＳｉＯ２等の絶縁性材料で形成される。
【００６８】
図１に示す実施形態では、前記多層膜３０の最上層の第１フリー磁性層２６（非磁性層２７が形成されている場合は前記非磁性層２７）上からトラック幅方向の両側に広がる第１絶縁層３４上にかけて第２フリー磁性層３８が形成されている。前記第２フリー磁性層３８は第１フリー磁性層２６と同様に、ＮｉＦｅ合金などで形成される。また図１に示す実施形態では前記第２フリー磁性層３８は１層構造であるが、２層以上の積層構造であってもよい。
【００６９】
図１に示す実施形態では前記第２フリー磁性層３８の素子中央部Ｄ上に非磁性層３９が形成され、前記非磁性層３９のトラック幅方向（図示Ｘ方向）の両側から前記第２フリー磁性層３８の素子両側端部Ｃ上にかけて強磁性層４０が形成されている。前記強磁性層４０はＣｏＦｅ、ＣｏＦｅＮｉ、ＮｉＦｅ、Ｃｏ等の既存の磁性材料で形成される。
【００７０】
前記強磁性層４０上には第２反強磁性層４１が形成される。前記第２反強磁性層４１は第１反強磁性層２３と同様に、ＰｔＭｎ合金、または、Ｘ―Ｍｎ（ただしＸは、Ｐｄ，Ｉｒ，Ｒｈ，Ｒｕ，Ｏｓ，Ｎｉ，Ｆｅのいずれか１種または２種以上の元素である）合金で、あるいはＰｔ―Ｍｎ―Ｘ′（ただしＸ′は、Ｐｄ，Ｉｒ，Ｒｈ，Ｒｕ，Ａｕ，Ａｇ，Ｏｓ，Ｃｒ，Ｎｉ，Ａｒ，Ｎｅ，Ｘｅ，Ｋｒのいずれか１または２種以上の元素である）合金で形成されることが好ましい。
【００７１】
図１に示す実施形態では、前記第２反強磁性層４１上に第２絶縁層４２が形成されている。前記第２絶縁層４２は、前記第１絶縁層３４と同様に、Ａｌ２Ｏ３やＳｉＯ２等の絶縁性材料で形成される。
【００７２】
また図１では前記第２絶縁層４２上から前記第２反強磁性層４１のトラック幅方向の間隔Ａ内から露出する非磁性層３９上にかけてＮｉＦｅ合金などの磁性材料で形成された上部シールド層４３が形成されている。
【００７３】
図１に示す磁気検出素子は、前記多層膜３０の上下に電極を兼ね備えたシールド層２０、４３が形成され、前記シールド層２０、４３から前記多層膜３０に流れるセンス電流が前記多層膜３０内の各層を膜厚方向に流れるＣＰＰ型（Ｃｕｒｒｅｎｔ　Ｐｅｒｐｅｎｄｉｃｕｌａｒ　ｔｏ　ｔｈｅ　Ｐｌａｎｅ）型と呼ばれる構造となっている。
【００７４】
以下に図１に示す磁気検出素子の特徴的部分について説明する。図１に示す実施形態では、前記多層膜３０の両側端面３０ａが下方から上方に向けて（図示Ｚ方向に向けて）前記多層膜３０のトラック幅方向（図示Ｘ方向）への幅寸法が徐々に小さくなる傾斜面あるいは湾曲面で形成され、前記両側端面３０ａのトラック幅方向の両側に第１絶縁層３４が形成されている。
【００７５】
また前記第１絶縁層３４上から前記第１フリー磁性層２６（非磁性層２７が形成されている場合は前記非磁性層２７）上にかけて第２フリー磁性層３８が形成され、前記第２フリー磁性層３８の前記第１絶縁層３４と膜厚方向（すなわち図示Ｚ方向）で対向する素子両側端部Ｃ上に第２反強磁性層４１が形成されている。ここで「素子両側端部Ｃ」とは、前記第２反強磁性層４１下の領域を示し、一方、「素子中央部Ｄ」とは、トラック幅方向における前記第２反強磁性層４１間の領域を指している。
【００７６】
図１に示す実施形態では、前記多層膜３０のトラック幅方向への幅寸法よりもトラック幅方向に長く延ばされて形成された第２フリー磁性層３８の素子両側端部Ｃは、その上に形成された強磁性層４０が前記第２反強磁性層４１との間で発生する交換結合磁界により図示Ｘ方向に磁化固定されると、前記強磁性層４０との間で発生する交換相互作用により図示Ｘ方向に磁化固定される。
【００７７】
一方、前記第２フリー磁性層３８の素子中央部Ｄは、その上に第２反強磁性層４１が形成されていないので、素子両側端部Ｃのように磁化固定されることはなく、前記第２フリー磁性層３８の素子両側端部Ｃから磁性層内部の交換相互作用により媒介されるバイアス磁界により図示Ｘ方向に弱く単磁区化され、外部磁界に対し適切に磁化変動するようになっている。
【００７８】
また前記第２フリー磁性層３８下に形成された第１フリー磁性層２６も、前記第２フリー磁性層３８と第１フリー磁性層２６間に非磁性層２７が形成されていないときあるいは形成されていてもその膜厚が６Åよりも薄いとき、磁性層間の交換相互作用によって前記第２フリー磁性層３８と同じ方向に弱く単磁区化され、前記第２フリー磁性層３８の素子中央部とともに外部磁界に対し感度良く磁化変動するようになっている。
【００７９】
一方、前記第２フリー磁性層３８の素子中央部と前記第１フリー磁性層２６間に６Å〜１１Å程度の非磁性層２７が形成されているとき、前記第２フリー磁性層３８と第１フリー磁性層２６間にはＲＫＫＹ相互作用による交換結合が作用し、前記第１フリー磁性層２６は前記第２フリー磁性層３８とは反対方向に磁化され、前記第２フリー磁性層３８の素子中央部Ｄの磁化と反平行状態を保ちながら外部磁界に対し感度良く磁化反転する。
【００８０】
このように図１に示す実施形態では、まず第１フリー磁性層２６、多層膜３０よりもトラック幅方向に長く延ばされた第２フリー磁性層３８及び前記第２フリー磁性層３８の素子両側端部Ｃ上に形成された強磁性層４０と第２反強磁性層４１を組合わせて、適切にフリー磁性層の磁化制御を行うことが可能になっている。
【００８１】
そして図１に示す実施形態では、前記フリー磁性層の磁化制御を適切に保ちつつ、以下の構成により、シールド層２０、４３から前記多層膜３０内に流れるセンス電流がトラック幅Ｔｗより広がるのを従来に比べて効果的に抑制することが可能である。
【００８２】
すなわち図１に示す実施形態では前記多層膜３０のトラック幅方向（図示Ｘ方向）における両側端面３０ａが例えばエッチングなどで削られ、従来に比べて前記第２反強磁性層４１下にまで延出される前記多層膜３０の長さが短くなり、前記第２反強磁性層４１の素子両側端部Ｃ下には、前記多層膜３０の両側端面３０ａに接合する第１絶縁層３４が形成されている。
【００８３】
このため前記シールド層２０、４３から前記多層膜３０内に流れるセンス電流を、前記第１絶縁層３４の存在によってトラック幅Ｔｗより広がって流れるのを抑制でき、従来に比べて実際に磁気抵抗効果に寄与する実効再生トラック幅の広がりを抑制でき、これによってサイドリーディングの発生を抑え、再生出力の高いエクスチェンジバイアス方式のＣＰＰ型磁気検出素子を製造することが可能になったのである。
【００８４】
このように本発明では、エクスチェンジバイアス方式のＣＰＰ型磁気検出素子において、前記フリー磁性層の磁化制御を適切に保ちつつ、センス電流が多層膜３０内を流れるときトラック幅Ｔｗより広がって流れるのを適切に抑制でき、よって再生出力の高い磁気検出素子を製造することができる。
【００８５】
特に高記録密度化に対応すべく狭トラック化が促進されると、従来の図１４や図１５の構造では、トラック幅内を流れるセンス電流量に対し、トラック幅より広がって流れるセンス電流量の割合が大きくなりやすいため実効トラック幅の広がりや再生出力の低下が大きな問題となるが、図１に示す実施形態では、トラック幅より広がって流れるセンス電流量を従来に比べて効果的に抑制できるから、狭トラック化になるほど図１４や図１５に比べてより効果的に再生出力の高い磁気検出素子を提供することが可能になっている。
【００８６】
なお前記トラック幅Ｔｗは図１の実施形態では第２反強磁性層４１の下面間のトラック幅方向の間隔で規制され、前記トラック幅Ｔｗは記憶装置の仕様（トラックピッチ、トラック密度など）にもよるが、例えば０．０６μｍ〜０．２μｍ程度である。このトラック幅Ｔｗは光学的なトラック幅とも呼ばれる。実際に磁気抵抗効果に寄与する実効再生トラック幅が、この光学的なトラック幅と同じ程度であることが好ましい。
【００８７】
ここで前記多層膜３０の下面と両側端面３０ａ間の角度θ１が小さいと、前記多層膜３０の下方がトラック幅方向に長く形成され、前記多層膜３０の下方でセンス電流がトラック幅Ｔｗよりもトラック幅方向に広がって流れやすくなり、実効再生トラック幅が広がりやすくなるので、前記角度θ１は大きい方が好ましく、前記角度θ１は６０°以上で９０°以下であることが好ましい。
【００８８】
次に図１に示す第１絶縁層３４は、前記多層膜３０の両側端面３０ａ全体を覆い、前記第１絶縁層３４の上面３４ａは、前記多層膜３０の上面３０ｂと同じかあるいはそれよりも若干、高いことが好ましい。前記多層膜３０の両側端面３０ａ全体を適切に第１絶縁層３４で覆うことで、センス電流がトラック幅Ｔｗよりも広がって流れるのをより適切に抑制することができる。
【００８９】
次に図１に示す実施形態では、前記第２反強磁性層４１上にも第２絶縁層４２が形成されているが、前記第２反強磁性層４１上を前記第２絶縁層４２で覆うことで、センス電流が前記第２反強磁性層４１に分流するのを適切に抑制することができ、更に再生出力の向上を図ることが可能な磁気検出素子を製造することができる。
【００９０】
なお前記第２絶縁層４２は前記第２反強磁性層４１の内側端面４１ａ上を完全に覆い、前記第２絶縁層４２の内側先端部４２ａが前記第２反強磁性層４１間の間隔Ａ内から露出する非磁性層３９上の両側にまで延出形成されていることが、最も前記第２反強磁性層４１へのセンス電流の分流を抑制できてより好ましい。なお図１に示す実施形態において前記第２絶縁層４２は形成されていなくてもよい。
【００９１】
次に図１に示す実施形態では、前記第２フリー磁性層３８の素子両側端部Ｃ上には強磁性層４０が形成され、その上に第２反強磁性層４１が重ねて形成されているが、後述する製造方法によれば、このような形態にすることで前記第２フリー磁性層３８の素子両側端部Ｃをより確実に図示Ｘ方向に磁化固定することが可能である。それは前記強磁性層４０と第２反強磁性層４１とを連続してスパッタ成膜できるからであり、連続スパッタ成膜により前記強磁性層４０と前記第２反強磁性層４１間に適切な大きさの交換結合磁界を生じさせ、前記強磁性層４０を図示Ｘ方向に磁化固定できる。そうすると前記強磁性層４０下に重ねて形成された第２フリー磁性層３８の素子両側端部Ｃは前記強磁性層４０間の交換相互作用により適切に図示Ｘ方向に磁化固定がなされ、図１の形態では、前記第２フリー磁性層３８の磁化制御をより適切に行うことが可能になっている。
【００９２】
次に図１に示す実施形態では、前記第２反強磁性層４１のトラック幅方向（図示Ｘ方向）の間隔Ａ内から前記第２フリー磁性層３８の素子中央部Ｄが露出し、この露出した前記第２フリー磁性層３８の上面に非磁性層３９が形成されているが、前記非磁性層３９は、前記第２フリー磁性層３８の素子両側端部Ｃと強磁性層４０間にも介在していてもよい。
【００９３】
ここで前記第２フリー磁性層３８の素子両側端部Ｃと強磁性層４０間に介在する非磁性層３９の膜厚が６Å〜１１Å程度であると前記第２フリー磁性層３８の素子両側端部Ｃと強磁性層４０間にＲＫＫＹ相互作用による交換結合が生じ、前記第２フリー磁性層３８の素子両側端部Ｃと強磁性層４０の磁化が互いに反平行に磁化固定される。一方、前記非磁性層３９の膜厚が６Åよりも薄いと前記第２フリー磁性層３８の素子両側端部Ｃと強磁性層４０は同じ磁化方向に固定される。
【００９４】
なお前記非磁性層３９は、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｃｒ、Ｒｅ、Ｃｕのうち１種またはこれらの２種以上の合金で形成されていることが好ましく、特にＲｕによって形成されることが好ましい。前記非磁性層３９をＲｕなどの非磁性材料で形成すると、前記非磁性層３９を成膜当初、３Å〜２０Å程度の薄い膜厚で形成しても前記非磁性層３９を酸化防止層として適切に機能させることができるとともに、前記非磁性層３９をイオンミリングで除去する工程において低エネルギーのイオンミリングを使用でき、前記非磁性層３９下の層に対する前記ミリングの影響を最小限に抑えることができる。
【００９５】
また図１に示す実施形態では前記第１フリー磁性層２６と第２フリー磁性層３８間に非磁性層２７が介在していない場合、前記第１フリー磁性層２６と第２フリー磁性層３８は一体のフリー磁性層として働き、このフリー磁性層の素子両側端部Ｃが前記素子中央部Ｄの膜厚よりも薄い膜厚となる。
【００９６】
このように前記フリー磁性層の素子両側端部Ｃの膜厚を薄くすることにより、前記素子両側端部Ｃで発生する静磁界を減少させることができ、前記フリー磁性層の素子両側端部で発生する静磁界に由来する前記フリー磁性層の素子中央部内の磁束密度を減少させることができ、前記素子中央部で発生する不感領域（外部磁界に対し磁化反転しずらくなり、実質的に磁気抵抗効果に寄与しない領域）を低減することができるので、磁界検出感度を向上させることができる。
【００９７】
ところで図１に示す実施形態では、前記多層膜３０中の第１フリー磁性層２６は不可欠な層である。前記第１フリー磁性層２６が形成されていると上記した効果（磁束密度の減少）を期待できるが、このような効果を期待しない場合（例えば前記第１フリー磁性層２６と第２フリー磁性層２８の素子中央部Ｄ間に非磁性層２７が残っているとき）でも、前記第１フリー磁性層２６が仮に形成されないと、後述する製造方法では、前記非磁性材料層２５の上面がイオンミリングの影響を受けたり、あるいは非磁性材料層２５の上面に非磁性層２７が残されたりする。このため前記非磁性材料層２５とフリー磁性層との界面での電子散乱やスピントンネル効果が効果的に起こらず、再生特性の低下に繋がって好ましくない。
【００９８】
したがって図１のように、前記多層膜３０中に第１フリー磁性層２６を形成することが好ましいが、ＣＰＰ−ＧＭＲで、界面でのスピン依存散乱よりも磁性層内部でのスピン依存バルク散乱を利用してＭＲ効果を出す設計の場合、界面がイオンミリングダメージを受けても許容できる場合がある。かかる場合、前記第１フリー磁性層２６を省略してもよい。
【００９９】
一方、トンネルＭＲ素子の場合は、非磁性材料層２５が数Åと薄いためミリングダメージは許容できず、第１フリー磁性層２６は必須の層となる。
【０１００】
次に図１に示す実施形態では、下部シールド層２０及び上部シールド層４３がシールド機能と電極を兼ね備えた磁性層となっている。前記下部シールド層２０及び上部シールド層４３が形成されている位置に非磁性導電材料で形成された電極層を設けてもよいが、シールド層２０、４３に電極機能を兼用させると、前記シールド層２０、４３間の間隔を縮めることができ、ギャップ長Ｇ１を小さくすることができ、高記録密度化に適切に対応可能な磁気検出素子を製造できて好ましい。
【０１０１】
図２は本発明における第２実施形態の磁気検出素子の記録媒体との対向面側から見た部分断面図である。なお図１と同じ符号が付けられている層は図１と同じ層を示している。
【０１０２】
図２に示す実施形態では、図１と異なり、第２フリー磁性層３８上に第３反強磁性層４４が形成され、前記第３反強磁性層４４の素子両側端部Ｃ上に第２反強磁性層４１及び第２絶縁層４２が形成されている。
【０１０３】
前記第３反強磁性層４４の膜厚は２０Å以上で５０Å以下であることが好ましい。上記のように第３反強磁性層４４を５０Å以下の薄い膜厚で形成することにより、成膜段階において第３反強磁性層４４は反強磁性の性質を有さなくなり、磁場中アニールを施しても、第３反強磁性層４４が規則化変態しにくく第３反強磁性層４４と第２フリー磁性層３８間に交換結合磁界が発生せずあるいは発生してもその値は小さく、第２フリー磁性層３８の磁化全体が、固定磁性層２４と同じように強固に固定されることがない。
【０１０４】
また第３反強磁性層４４が２０Å以上で形成されるとしたのは、この程度の膜厚がないと、第３反強磁性層４４の素子両側端部Ｃ上に第２反強磁性層４１を形成しても、第３反強磁性層４４の素子両側端部Ｃが反強磁性の性質を帯び難く、前記第３反強磁性層４４と第２フリー磁性層３８の素子両側端部Ｃ間に適切な大きさの交換結合磁界が発生しないからである。
【０１０５】
図２に示す実施形態では、前記第２フリー磁性層３８の素子両側端部Ｃは、第３反強磁性層４４の素子両側端部Ｃ間で生じる交換結合磁界によって、より確実に図示Ｘ方向に磁化固定がなされ、また前記第２フリー磁性層３８の素子中央部Ｄは外部磁界に対し磁化反転できる程度に弱く単磁区化された状態になる。
【０１０６】
図２に示す実施形態では図１と同様にフリー磁性層の磁化制御を適切に行うことができるとともに、前記多層膜３０のトラック幅方向（図示Ｘ方向）における両側端面３０ａが例えばエッチングなどで削られ、従来に比べて前記多層膜３０の前記第２反強磁性層４１下に延出される長さが短くなり、前記第２反強磁性層４１の素子両側端部Ｃ下には、前記多層膜３０の両側端面３０ａに接合する第１絶縁層３４が形成されている。
【０１０７】
このため前記シールド層２０、４３から前記多層膜３０内に流れるセンス電流を、前記第１絶縁層３４の存在によってトラック幅Ｔｗより広がって流れるのを抑制でき、従来に比べて実効再生トラック幅の広がりを抑制でき、サイドリーディングの発生を抑え、再生出力の高いエクスチェンジバイアス方式のＣＰＰ型磁気検出素子を製造することが可能になる。
【０１０８】
このように本発明では、エクスチェンジバイアス方式のＣＰＰ型磁気検出素子において、前記フリー磁性層の磁化制御を適切に保ちつつ、センス電流が多層膜３０内を流れるときトラック幅Ｔｗより広がって流れるのを適切に抑制でき、よって再生出力等の高い磁気検出素子を製造することができる。
【０１０９】
また図２に示す実施形態では、前記第３反強磁性層４４の素子中央部Ｄ上に非磁性層４５が形成されているが、この非磁性層４５は製造工程中の前記第３反強磁性層４４を酸化から適切に防止するための酸化防止層であり、前記非磁性層４５は、Ｒｕ、Ｒｅ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｒｈのいずれか１種または２種以上からなる貴金属またはＣｒで形成されることが好ましい。前記非磁性層４５は成膜当初、３Å〜２０Å程度の薄い膜厚で形成され、前記第３反強磁性層４４の素子両側端部Ｃに形成された非磁性層４５がイオンミリングなどで除去され、前記第３反強磁性層４４の素子両側端部Ｃ上に第２反強磁性層４１が形成される。図２に示す実施形態では、前記第３反強磁性層４４の素子両側端部Ｃに形成された非磁性層４５はすべて除去され、前記非磁性層４５は前記第３反強磁性層４４の素子中央部Ｄ上にのみ残されているが、前記非磁性層４５は、前記第３反強磁性層４４の素子両側端部Ｃ上に一部残され、その膜厚は３Å以下であることが好ましい。この程度にまで前記非磁性層４５を薄くすることで、前記第３反強磁性層４４の素子両側端部Ｃに反強磁性を帯びさせることができ、前記第３反強磁性層４４の素子両側端部Ｃと第２フリー磁性層３８の素子両側端部Ｃ間に適切な大きさの交換結合磁界を生じさせることが可能になる。
【０１１０】
図３は本発明における第３実施形態の磁気検出素子を記録媒体との対向面側から見た部分断面図である。なお図１と同じ符号が付けられている層は図１と同じ層を示している。
【０１１１】
図３に示す実施形態では、前記第２フリー磁性層３８の素子両側端部Ｃ上に第２反強磁性層４１が形成され、さらに前記第２反強磁性層４１上にＡｌ２Ｏ３やＳｉＯ２などの絶縁性材料で形成された第２絶縁層４６が形成されている。
【０１１２】
図３に示す実施形態では、前記第２反強磁性層４１間のトラック幅方向（図示Ｘ方向）に形成された間隔Ｂ内では、前記第２フリー磁性層３８の素子中央部Ｄ表面が一部削られ、前記第２フリー磁性層３８の素子中央部Ｄの膜厚が前記第２フリー磁性層３８の素子両側端部Ｃの膜厚よりも薄くなっている。ただし図３に示す実施形態では、前記第２フリー磁性層３８の素子中央部Ｄ表面３８ａが点線で示すように全く削られず、前記第２フリー磁性層３８の素子中央部Ｄでの膜厚と前記素子両側端部Ｃでの膜厚とが均一であってもよい。
【０１１３】
さらには本発明では、前記間隔Ｂ内に第２反強磁性層４１が一部、薄い膜厚で残っていてもよく、その残された第２反強磁性層４１の表面４１ｃは、図３では一点鎖線で示されている。前記第２フリー磁性層３８の素子中央部Ｄ上に残された前記第２反強磁性層４１の膜厚は５０Å以下で形成されることが好ましい。この程度に薄く形成されると前記第２反強磁性層４１の素子中央部Ｄと第２フリー磁性層３８の素子中央部Ｄ間で交換結合磁界が生じず、あるいは生じてもその値は小さく、前記第２フリー磁性層３８の素子中央部Ｄが強固に磁化固定されることがない。
【０１１４】
図３に示す実施形態では、前記第２反強磁性層４１及び第２絶縁層４６の内側端面４１ｂ、４６ａが下方から上方に向けて（図示Ｚ方向に向けて）、前記間隔Ｂのトラック幅方向への幅寸法が徐々に大きくなる傾斜面あるいは湾曲面として形成されているが、前記内側端面４１ｂ、４６ａが図示Ｚ方向と平行な垂直面で形成されていてもよい。
【０１１５】
また図３に二点鎖線で示すように、前記第２反強磁性層４１の内側端面４１ｂ上及び第２絶縁層４６の内側端面４６ａ上にも絶縁層４７が形成されていることが、シールド層２０、４３から前記多層膜３０に流れるセンス電流がより効果的に前記第２反強磁性層４１に分流せず好ましい。
【０１１６】
図３に示す実施形態では、前記第２フリー磁性層３８の素子両側端部Ｃは、第２反強磁性層４１の素子両側端部Ｃ間で生じる交換結合磁界によって、より確実に図示Ｘ方向に磁化固定がなされ、また前記第２フリー磁性層３８の素子中央部Ｄは外部磁界に対し磁化反転できる程度に弱く単磁区化された状態になる。
【０１１７】
図３に示す実施形態では図１や図２と同様にフリー磁性層の磁化制御を適切に行うことができるとともに、前記多層膜３０のトラック幅方向（図示Ｘ方向）における両側端面３０ａが例えばエッチングなどで削られ、従来に比べて前記多層膜３０の前記第２反強磁性層４１下に延出する長さが短くなり、前記第２反強磁性層４１の素子両側端部Ｃ下には、前記多層膜３０の両側端面３０ａに接合する第１絶縁層３４が形成されている。
【０１１８】
このため前記シールド層２０、４３から前記多層膜３０内に流れるセンス電流を、前記第１絶縁層３４の存在によってトラック幅Ｔｗより広がって流れるのを抑制でき、従来に比べて実効再生トラック幅の広がりを抑制でき、サイドリーディングの発生を抑え、再生出力の高いエクスチェンジバイアス方式のＣＰＰ型磁気検出素子を製造することが可能になる。
【０１１９】
このように本発明では、エクスチェンジバイアス方式のＣＰＰ型磁気検出素子において、前記フリー磁性層の磁化制御を適切に保ちつつ、センス電流が多層膜３０内を流れるときトラック幅Ｔｗより広がって流れるのを適切に抑制でき、よって再生出力等の高い磁気検出素子を製造することができる。
【０１２０】
なお図３に示す磁気検出素子は図１及び図２とは後述するように製造方法が異なって形成される。
【０１２１】
図４ないし図９は、図１における磁気検出素子の製造工程図である。各図は、磁気検出素子を記録媒体との対向面側から見た部分断面図である。
【０１２２】
図４に示す工程では、下から下部シールド層２０、シードレイヤ２２、第１反強磁性層２３、固定磁性層２４、非磁性材料層２５、フリー磁性層２６及び非磁性層２７を連続成膜する。なおシードレイヤ２２から非磁性層２７までの各層を多層膜３０と呼ぶ。成膜工程にはスパッタや蒸着が使用される。スパッタ法には、ＤＣマグネトロンスパッタ法、ＲＦスパッタ法、イオンビームスパッタ法、ロングスロースパッタ法、コリメーションスパッタ法などを使用できる。
【０１２３】
前記下部シールド層２０をＮｉＦｅ合金などの磁性材料で形成する。また前記シードレイヤ２２をＮｉＦｅ合金、ＮｉＦｅＣｒ合金あるいはＣｒなどで形成する。また前記第１反強磁性層２３を、元素Ｘ（ただしＸは、Ｐｔ，Ｐｄ，Ｉｒ，Ｒｈ，Ｒｕ，Ｏｓのうち１種または２種以上の元素である）とＭｎとを含有する反強磁性材料、あるいはＸ−Ｍｎ−Ｘ′合金（ただし元素Ｘ′は、Ｎｅ，Ａｒ，Ｋｒ，Ｘｅ，Ｂｅ，Ｂ，Ｃ，Ｎ，Ｍｇ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｐ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｇａ，Ｇｅ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ａｇ，Ｃｄ，Ｉｒ，Ｓｎ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｗ，Ｒｅ，Ａｕ，Ｐｂ、及び希土類元素のうち１種または２種以上の元素である）を用いて形成する。
【０１２４】
また前記固定磁性層２４は人工フェリ構造と呼ばれる構造で、磁性層３１、３３間に非磁性中間層３２が介在した３層構造となっている。前記磁性層３１、３３をＣｏＦｅ合金、ＣｏＦｅＮｉ合金、Ｃｏ、ＮｉＦｅ合金などの磁性材料で形成し、前記非磁性中間層３２をＲｕ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｃｒ、Ｒｅ、Ｃｕなどの非磁性導電材料で形成する。
【０１２５】
また前記非磁性材料層２５を、Ｃｕ，Ｃｒ，Ａｕ，Ａｇなど導電性を有する非磁性材料により形成する。あるいはトンネル型磁気抵抗効果型素子とする場合、前記非磁性材料層２５をＡｌ２Ｏ３などの絶縁材料で形成する。また第１フリー磁性層２６をＮｉＦｅ合金、ＮｉＦｅＣｏ合金等の磁性材料で形成する。さらに非磁性層２７を貴金属で形成する。具体的には、Ｃｕ、Ｒｕ、Ｒｅ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｒｈ、Ｃｒのいずれか１種または２種以上で形成することが好ましい。
【０１２６】
ＣｕやＲｕなどの貴金属からなる非磁性層２７は大気暴露によって酸化されにくい緻密な層である。したがって非磁性層２７の膜厚を薄くしても第１フリー磁性層２６が大気暴露によって酸化されるのを適切に防止できる。
【０１２７】
図４では非磁性層２７を３Å以上で２０Å以下で形成することが好ましい。この程度の薄い膜厚の非磁性層２７によっても適切に第１フリー磁性層２６が大気暴露によって酸化されるのを適切に防止することが可能である。
【０１２８】
ここで１回目の磁場中アニールを施す。トラック幅Ｔｗ（図示Ｘ方向）と直交する方向である第１の磁界（図示Ｙ方向）を印加しつつ、第１の熱処理温度で熱処理し、第１の反強磁性層２３と固定磁性層２４を構成する磁性層３１との間に交換結合磁界を発生させて、磁性層３１の磁化を図示Ｙ方向に固定する。もう一方の磁性層３２の磁化は、磁性層３１との間で働くＲＫＫＹ相互作用による交換結合によって図示Ｙ方向とは逆方向に固定される。なお例えば第１の熱処理温度を２７０℃とし、磁界の大きさを８００（ｋＡ／ｍ）とする。
【０１２９】
次に図５に示す工程では図４に示す非磁性層２７上にリフトオフ用のレジスト層６０を形成する。
【０１３０】
そして前記レジスト層６０に覆われていない、シードレイヤ２２から非磁性層２７までの多層膜３０のトラック幅方向（図示Ｘ方向）の両側領域をイオンミリングなどで除去する。
【０１３１】
また図５に示す工程で、前記レジスト層６０下に残された多層膜３０のトラック幅方向（図示Ｘ方向）における両側端面３０ａは、下方から上方（図示Ｚ方向）に向うにしたがって前記多層膜３０のトラック幅方向への幅寸法が徐々に小さくなる傾斜面あるいは湾曲面として形成される。
【０１３２】
なお図５工程では、前記レジスト層６０下に残された多層膜３０の下面と両側端面３０ａ間の角度θ１が６０°以上で９０°以下となるように、前記多層膜３０のトラック幅方向の両側を削る際のイオンミリング角度を調整する必要がある。前記イオンミリングの方向はできる限り、下部シールド層２０表面に対し垂直方向（図示Ｚ方向と平行な方向）に近い方向にすることが好ましく、イオンミリング角度θ２（図示Ｚ方向からの傾き）を０°以上で３０°以下とすることが好ましい。
【０１３３】
次に図６に示す工程では、図５に示す多層膜３０のトラック幅方向（図示Ｘ方向）における両側領域に第１絶縁層３４をスパッタ成膜する。前記第１絶縁層３４をＡｌ２Ｏ３やＳｉＯ２などの絶縁性材料で形成することが好ましい。また前記第１絶縁層３４を前記多層膜３０の両側端面３０ａを完全に覆うまで成膜することが好ましく、このとき前記第１絶縁層３４の上面３４ａは前記非磁性層２７の上面２７ａと同程度かあるいはそれよりも若干高くなる。
【０１３４】
また前記レジスト層６０上面には前記絶縁層３４と同じ材質の絶縁材料層３４ｂが付着する。そして前記レジスト層６０を除去する。
【０１３５】
次に図７工程では、前記非磁性層２７及び第１絶縁層３４表面をイオンミリングで除去する。
【０１３６】
図７に示すイオンミリング工程では、低エネルギーのイオンミリングを使用できる。その理由は、成膜段階で非磁性層２７が３Å〜２０Å程度の非常に薄い膜厚で形成されているからである。このため、低エネルギーのイオンミリングによって非磁性層２７を除去でき、従来に比べてミリング制御を向上させることができるのである。ここで低エネルギーのイオンミリングとは、ビーム電圧（加速電圧）が１０００Ｖ未満のイオンビームを用いたイオンミリングであると定義される。例えば、１５０Ｖ〜５００Ｖのビーム電圧が用いられる。本実施の形態では、２００Ｖの低ビーム電圧のアルゴン（Ａｒ）イオンビームを用いている。
【０１３７】
図７工程でイオンミリング工程を行う理由は、前記非磁性層２７表面は大気暴露によって酸化されているので、この酸化層を除去し、また前記非磁性層２７の膜厚を薄くして第１フリー磁性層２６と第２フリー磁性層間に適切な交換相互作用を生じさせるためである。
【０１３８】
図７工程では、前記イオンミリングで前記非磁性層２７をすべて除去しているが、一部残されてもよい。なおすべて除去した場合でも非磁性層２７を構成する元素が、第１フリー磁性層２６内に拡散している場合があり、元素拡散が生じているか否かは、ＳＩＭＳ分析装置や透過電子顕微鏡（ＴＥＭ）によるＥＤＸ分析などで調べることができる。
【０１３９】
また前記非磁性層２７をイオンミリングで除去していくと、前記非磁性層２７のトラック幅方向の両側に位置する第１絶縁層３４の上面３４ａも同様にイオンミリングで削られていく。
【０１４０】
次に図８工程では、前記第１フリー磁性層２６上（前記第１フリー磁性層２６上に一部、非磁性層２７が残されている場合には前記非磁性層２７上）から前記第１絶縁層３４上にかけて第２フリー磁性層３８をスパッタ成膜し、さらに前記第２フリー磁性層３８上に非磁性層３９をスパッタ成膜する。
【０１４１】
図８工程では前記第２フリー磁性層３８をＮｉＦｅ合金などの磁性材料で形成することが好ましい。また単層構造でも積層構造であってもよい。また前記非磁性層３９を前記非磁性層２７と同様、Ｒｕ、Ｒｅ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｒｈ、Ｃｕ、Ｃｒのいずれか１種または２種以上で形成することが好ましい。
【０１４２】
ＣｕやＲｕなどの貴金属からなる非磁性層３９は大気暴露によって酸化されにくい緻密な層である。したがって非磁性層３９の膜厚を薄くしても第２フリー磁性層３８が大気暴露によって酸化されるのを適切に防止できる。
【０１４３】
図８では非磁性層３９を３Å以上で２０Å以下で形成することが好ましい。この程度の薄い膜厚の非磁性層３９によっても第２フリー磁性層３８が大気暴露によって酸化されるのを適切に防止することが可能である。
【０１４４】
次に図９工程では、前記非磁性層３９上にリフトオフ用のレジスト層６１を形成する。前記レジスト層６１の下面のトラック幅方向への幅を前記第１フリー磁性層２６の上面のトラック幅方向（図示Ｘ方向）の長さと同程度、あるいはそれより若干小さく形成する。図９工程では前記レジスト層６１に覆われていない前記非磁性層３９の素子両側端部Ｃをイオンミリングで削る。上記した非磁性層２７をイオンミリングで削るときと同様にこのイオンミリングを低エネルギーで行うことができ、このため前記非磁性層３９下の第２フリー磁性層３８に対するミリングの影響を最小限に抑えることができる。
【０１４５】
また図９では素子両側端部Ｃの前記非磁性層３９を全て除去しているが、前記非磁性層３９を一部、残してもよい。
【０１４６】
そして前記素子両側端部Ｃの非磁性層３９を除去したことで露出した第２フリー磁性層３８の素子両側端部Ｃ上に（前記素子両側端部Ｃに前記非磁性層３９が一部残されている場合は、前記非磁性層３９上に）強磁性層４０をスパッタ成膜し、さらに前記強磁性層４０上にターゲットを代えて、真空状態を破らずに第２反強磁性層４１及び第２絶縁層４２を連続して成膜する。
【０１４７】
図９では、前記強磁性層４０を、ＮｉＦｅ合金、ＣｏＦｅ合金、ＣｏＦｅＮｉ合金あるいはＣｏ等の磁性材料で形成する。また前記第２反強磁性層４１を第１反強磁性層２３と同様に、ＰｔＭｎ合金、または、Ｘ―Ｍｎ（ただしＸは、Ｐｄ，Ｉｒ，Ｒｈ，Ｒｕ，Ｏｓ，Ｎｉ，Ｆｅのいずれか１種または２種以上の元素である）合金で、あるいはＰｔ―Ｍｎ―Ｘ′（ただしＸ′は、Ｐｄ，Ｉｒ，Ｒｈ，Ｒｕ，Ａｕ，Ａｇ，Ｏｓ，Ｃｒ，Ｎｉ，Ａｒ，Ｎｅ，Ｘｅ，Ｋｒのいずれか１または２種以上の元素である）合金で形成することが好ましい。また前記第２絶縁層４２をＡｌ２Ｏ３やＳｉＯ２などの絶縁性材料で形成する。
【０１４８】
また前記強磁性層４０、第２反強磁性層４１及び第２絶縁層４２をスパッタ成膜するときのスパッタ角度であるが、前記強磁性層４０及び第２反強磁性層４１を成膜するときのスパッタ角度は、下部シールド層２０表面に対し垂直方向（図示Ｚ方向と平行な方向）あるいは前記垂直方向に近い角度とし、前記第２絶縁層４２を成膜するときのスパッタ角度は、前記強磁性層４０及び第２反強磁性層４１をスパッタするときの角度よりもより斜めに傾けた角度とすることが好ましい。それは、前記第２絶縁層４２を前記レジスト層６１の下方に形成された切欠部６１ａ内にも成膜でき、これによって前記第２絶縁層４２の内側先端部４２ａを前記第２反強磁性層４１の内側端面４１ａ上に適切な膜厚で形成しやすくなるからである。前記第２反強磁性層４１の内側端面４１ａ上を適切に絶縁することで、センス電流の前記第２反強磁性層４１への分流を適切に抑制することができて好ましい。またこのとき前記第２絶縁層４２の内側先端部４２ａを前記素子中央部Ｄに露出する非磁性層３９のトラック幅方向の両側に接合させる（これをオーバーラップ形状という）と、より前記センス電流の分流ロスを抑制できて好ましい。前記オーバーラップ形状にするには、前記スパッタ角度を規制するか、あるいは一旦、前記レジスト層６１を除去し、前記レジスト層６１よりも下面の幅が狭いレジスト層（図示しない）を新たに前記素子中央部Ｄの非磁性層３９上に形成し、前記レジスト層と第２反強磁性層４１間に形成されたトラック幅方向の隙間に前記第２絶縁層４２の内側先端部４２ａが潜り込んで成膜されるようにすればよい。
【０１４９】
前記第２絶縁層４２までを成膜した後、前記レジスト層６１を有機溶剤などで除去（リフトオフ）する。なお前記レジスト層６１上面には、強磁性層４０と同じ材質の強磁性材料４０ａ、第２反強磁性層４１と同じ材質の反強磁性材料層４１ｄ、および第２絶縁層４２と同じ材質の絶縁性材料層４２ｂが付着している。
【０１５０】
そして２回目の磁場中アニールを施す。このときの磁場方向は、トラック幅方向（図示Ｘ方向）である。なおこの第２の磁場中アニールは、第２の印加磁界を、第１反強磁性層２３の交換異方性磁界よりも小さく、また第１フリー磁性層２６、第２フリー磁性層３８及び強磁性層４０の磁化が反平行の関係にある場合はそれらのスピンフロップ磁界よりも小さく、しかも熱処理温度を、第１反強磁性層２３のブロッキング温度よりも低くする。
【０１５１】
上記条件の磁場中アニールを施すことで、第１反強磁性層２３と第２反強磁性層４１に同じ材質の反強磁性材料を使用しても、前記固定磁性層２４の磁化をハイト方向に保ったまま、第１フリー磁性層２６、第２フリー磁性層３８の磁化を図示Ｘ方向に向けることができる。
【０１５２】
図９に示す形態では、前記磁場中アニールで、前記第２反強磁性層４１と強磁性層４０間に図示Ｘ方向の交換結合磁界が発生すると、前記強磁性層４０が図示Ｘ方向に磁化固定される。そうすると前記強磁性層４０と膜厚方向で対向する前記第２フリー磁性層３８の素子両側端部Ｃは前記強磁性層４０との間での交換相互作用により図示Ｘ方向に磁化固定され、一方、前記第２フリー磁性層３８の素子中央部Ｄ及び第１フリー磁性層２６は図示Ｘ方向に外部磁界に対し磁化反転できる程度に弱く単磁区化される。
【０１５３】
ところで図９では、前記第１フリー磁性層２６と第２フリー磁性層３８の素子中央部Ｄ間、および第２フリー磁性層３８の素子両側端部Ｃと強磁性層４０間には、非磁性層２７、３９が残されていないが、残されている場合には、前記第１フリー磁性層２６及び第２フリー磁性層３８は以下のように磁化される。
【０１５４】
すなわち前記非磁性層２７、３９の膜厚が例えば６Å〜１１Åで残されていると、強磁性層４０と第２フリー磁性層３８間にはＲＫＫＹ相互作用による交換結合が作用し、磁化が互いに反平行状態になる。すなわち例えば前記強磁性層４０が図示Ｘ方向に磁化固定されると、前記第２フリー磁性層３８の素子両側端部Ｃは図示Ｘ方向と反対方向に磁化固定される。
【０１５５】
そして前記第２フリー磁性層３８の素子中央部Ｄも図示Ｘ方向と反対方向に磁化が揃えられ、前記非磁性層２７の存在により前記第１フリー磁性層２６と第２フリー磁性層３８の素子中央部Ｄ間に働くＲＫＫＹ相互作用による交換結合によって、前記第１フリー磁性層２６は前記第２フリー磁性層３８の磁化と反対方向である図示Ｘ方向に揃えられる。従って前記第１フリー磁性層３６と第２フリー磁性層３８の素子中央部Ｄは互いに反平行の磁化状態を保ちながら、外部磁界に対し磁化変動することになる。
【０１５６】
なお非磁性層２７、３９の膜厚が６Åよりも薄い膜厚であると、第１フリー磁性層２６と第２フリー磁性層３８、または第２フリー磁性層３８と強磁性層４０は互いに同じ方向に磁化される。
【０１５７】
図９工程後、図１に示す上部シールド層４３を前記第２絶縁層４２上から前記第２反強磁性層４１間の間隔内に露出する素子中央部Ｄの非磁性層３９上にかけて形成すると、図１に示す磁気検出素子が完成する。
【０１５８】
次に図２に示す磁気検出素子の製造方法について以下に説明する。まず図４ないし図７に示す工程を施した後、図１０に示す工程を施す。
【０１５９】
図１０工程では、前記第１絶縁層３４上から第１フリー磁性層２６（前記第１フリー磁性層２６上に非磁性層２７が残されている場合には前記非磁性層２７）上にかけて第２フリー磁性層３８、第３反強磁性層４４及び非磁性層４５を連続してスパッタ成膜する。
【０１６０】
前記第３反強磁性層４４には、第１反強磁性層２３、及び次工程で形成される第２反強磁性層４１に使用される反強磁性材料を使用できる。また前記第３反強磁性層４４を２０Å以上で５０Å以下の膜厚で形成する。また非磁性層４５を、Ｒｕ、Ｒｅ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｒｈ、Ｃｒ、Ｃｕのいずれか１種または２種以上で形成することが好ましく、また前記非磁性層４５を、３Å以上で２０Å以下の薄い膜厚で形成することが好ましい。前記第３反強磁性層４４上に非磁性層４５を形成することで、図１０に示す製造工程中の磁気検出素子が大気暴露されても第３反強磁性層４４が酸化されるのを適切に防止できる。
【０１６１】
なお図１０の状態で一回目の磁場中アニールを施してもよい。上記した一回目の磁場中アニールを施しても前記第３反強磁性層４４は５０Å以下の薄い膜厚で形成されているため非反強磁性の性質を帯び、前記第３反強磁性層４４と第２フリー磁性層３８間に交換結合磁界が発生せず、あるいは発生してもその値は小さいため、前記第２フリー磁性層３８が固定磁性層２４を構成する磁性層３１、３３と同様に強固に磁化固定させることはない。
【０１６２】
次に図１１に示す工程では、前記非磁性層４５上にリフトオフ用のレジスト層６３を形成する。前記レジスト層６３の下面のトラック幅方向（図示Ｘ方向）への幅寸法は第１フリー磁性層２６の上面のトラック幅方向への幅寸法と同じかあるいは若干小さいことが好ましい。次に前記レジスト層６３に覆われていない素子両側端部Ｃ上の非磁性層４５をイオンミリングで除去する。前記非磁性層４５はＲｕなどで形成され、さらに３Å以上の２０Å以下の膜厚で形成される。よって低エネルギーのイオンミリングで前記非磁性層４５を除去できる。図１１工程では前記素子両側端部Ｃ上の非磁性層４５をすべて除去しているが、一部残してもよい。ただし非磁性層４５を３Å以下の非常に薄い膜厚で残す。
【０１６３】
そして図１１に示すように前記レジスト層６３のトラック幅方向の両側に露出した前記第３反強磁性層４４上（一部、非磁性層４５が残されている場合には前記非磁性層４５上）に第２反強磁性層４１及び第２絶縁層４２を連続してスパッタ成膜する。そして前記レジスト層６３を除去した後、上記した２回目の磁場中アニールを施す。
【０１６４】
上記のように第３反強磁性層４４を５０Å以下の薄い膜厚で形成することにより、第３反強磁性層４４の素子中央部Ｄは反強磁性の性質を有さなくなり、２回目の磁場中アニールを施しても、第３反強磁性層４４の素子中央部Ｄは規則化変態しにくく第３反強磁性層４４と第２フリー磁性層３８の素子中央部Ｄ間に交換結合磁界が発生せずあるいは発生してもその値は小さく、第２フリー磁性層３８の素子中央部Ｄの磁化が、固定磁性層２４と同じように強固に固定されることがない。
【０１６５】
また第３反強磁性層４４が２０Å以上で形成されるとしたのは、この程度の膜厚がないと、前記第３反強磁性層４４の素子両側端部Ｃ上に第２反強磁性層４１を形成しても、第３反強磁性層４４の素子両側端部Ｃが反強磁性の性質を帯び難く、前記第３反強磁性層４４と第２フリー磁性層３８の素子両側端部Ｃ間に適切な大きさの交換結合磁界が発生しないからである。
【０１６６】
また前記第３反強磁性層４４を設ける意義は、前記第３反強磁性層４４を形成せず、前記第２フリー磁性層３８の素子両側端部Ｃ上に直接、第２反強磁性層４１をリフトオフで形成しても前記第２反強磁性層４１と第２フリー磁性層３８の素子両側端部Ｃ間に適切な大きさの交換結合磁界が生じないからである。
【０１６７】
上記した２回目の磁場中アニールを施した後、前記第２絶縁層４２上から前記第２反強磁性層４１間の間隔内に露出する非磁性層４５上にかけて上部シールド層４３を形成する。これによって図２に示す磁気検出素子が完成する。
【０１６８】
次に図３に示す磁気検出素子の製造方法について以下に説明する。まず図４ないし図７と同様の工程を施した後、図１２に示す工程を施す。
【０１６９】
図１２に示す工程では、前記第１絶縁層３４上から第１フリー磁性層２６上（前記第１フリー磁性層２６上に一部、非磁性層２７が残されている場合は、前記非磁性層２７上）にかけて第２フリー磁性層３８、第２反強磁性層４１、及び第２絶縁層４６を連続してスパッタ成膜する。各層の材質については既に説明したのでそちらを参照されたい。
【０１７０】
次に図１２に示す工程では前記第２絶縁層４６上にマスク層６４を形成する。前記マスク層６４にはその図示中央に間隔Ｅが形成されており、前記間隔Ｅのトラック幅方向（図示Ｘ方向）への幅は、第１フリー磁性層２６の上面のトラック幅方向への幅と同じかあるいはそれよりも若干小さくする。なお内側端面４６ａ、４１ｂが傾斜面、湾曲面で形成される場合は、若干広くてもよい。
【０１７１】
前記マスク層６４は例えばレジストや金属材料で形成される。図１２の例では前記マスク層６４をレジストで形成し、前記間隔Ｅを露光現像で形成している。図１２に示すように前記マスク層６４の内側端面６４ａは、前記間隔Ｅのトラック幅方向への幅が下方から上方に向うにしたがって徐々に広くなる傾斜面あるいは湾曲面として形成されているが、下部シールド層２０上面に対し垂直方向（図示Ｚ方向）と平行な方向の垂直面で形成されていてもよい。
【０１７２】
次に図１３に示す工程では、前記マスク層６４の間隔Ｅ内から露出する第２絶縁層４６及び第２反強磁性層４１をイオンミリングなどで堀り込む。図１３では、前記イオンミリングで前記第２フリー磁性層３８の素子中央部Ｄの上面が若干削り込まれるが、前記第２フリー磁性層３８の素子中央部Ｄの上面が前記ミリングの影響をほとんど受けず、図１３の点線Ｆで示すように前記第２フリー磁性層３８の素子中央部Ｄの膜厚が前記素子両側端部Ｃの膜厚と均一な厚さで残されてもよい。
【０１７３】
また図１３に示すように、前記第２反強磁性層４１の素子中央部Ｄが図１３の一点鎖線Ｇで示すように薄い膜厚で前記間隔Ｅ内に残されてもよい。ただし前記第２反強磁性層４１の素子中央部Ｄの膜厚は５０Å以下であることが好ましい。この程度にまで前記第２反強磁性層４１の膜厚が薄いと、前記第２反強磁性層４１の素子中央部Ｄと第２フリー磁性層３８間で上記した２回目の磁場中アニールを施しても交換結合磁界が生じず、前記第２フリー磁性層３８の素子中央部Ｄが図示Ｘ方向に強固に固定されるといった不具合が生じない。
【０１７４】
そして前記マスク層６４を除去し、上記した２回目の磁場中アニールを施すと、図３の磁気検出素子が完成する。
【０１７５】
なお図３の磁気検出素子は、図１及び図２に比べてより簡単に製造できる点にメリットがある。また図３に示す絶縁層４７の製造であるが、これは以下の方法によって形成することができる。
【０１７６】
まず図１３工程後に前記絶縁層４７を形成するとき、基板に対して垂直方向から斜めに傾けたスパッタ角度で、前記絶縁層４７を素子全体に成膜する（図示しない）。これにより、前記第２反強磁性層４１及び第２絶縁層４６の内側端面４１ｂ、４６ａ上に形成された前記絶縁層４７の膜厚を、間隔Ｅから露出する第２フリー磁性層３８上面や第２絶縁層４６の上面に形成された絶縁層４７の膜厚よりも厚く形成することができる。そして次に、前記間隔Ｅから露出する第２フリー磁性層３８上面に形成された絶縁層４７を集中的に除去する。そのためにはミリングの際のミリング角度を、前記絶縁層４７を形成するときのスパッタ角度よりも、垂直方向に近い角度とする。これにより集中的に前記間隔Ｅから露出する第２フリー磁性層３８上面に形成された絶縁層４７を除去でき、前記絶縁層４７を前記第２反強磁性層４１及び第２絶縁層４６の内側端面４１ｂ、４６ａ上に所定膜厚で残すことが可能になるのである。
【０１７７】
以上、本発明の磁気検出素子の製造方法によれば、多層膜３０の両側端面３０ａをエッチングで削り、前記両側端面３０ａに第１絶縁層３４を形成する点、さらに前記第１絶縁層３４上から前記多層膜３０上にかけて第２フリー磁性層３８を形成する点、および前記第２フリー磁性層３８上面の前記第１絶縁層３４と膜厚方向で対向する位置に第２反強磁性層４１を形成する点に特徴がある。そして本発明の製造方法では、容易に且つ確実にエクスチェンジバイアス方式のＣＰＰ型の磁気検出素子のフリー磁性層を磁化制御できるとともに、多層膜３０のトラック幅方向の両側を第１絶縁層３４で埋めることで、センス電流が前記多層膜３０内を流れたときに、従来に比べてトラック幅Ｔｗよりも広がって流れることを適切に抑制できる磁気検出素子を製造することが可能である。
【０１７８】
なお本発明における磁気検出素子は、ハードディスク装置に搭載される薄膜磁気ヘッドにのみ使用可能なものではなく、テープ用磁気ヘッドや磁気センサなどにも使用可能なものである。
【０１７９】
以上本発明をその好ましい実施例に関して述べたが、本発明の範囲から逸脱しない範囲で様々な変更を加えることができる。
【０１８０】
なお、上述した実施例はあくまでも例示であり、本発明の特許請求の範囲を限定するものではない。
【０１８１】
【発明の効果】
以上詳述した本発明によれば、多層膜のトラック幅方向の両側に第１絶縁層を設け、前記多層膜上から前記第１絶縁層上にかけて第２フリー磁性層を設け、さらに前記第２フリー磁性層の素子両側端部上に第２反強磁性層を設けた点に特徴がある。
【０１８２】
前記第２フリー磁性層の素子両側端部は、前記第２反強磁性層との間で発生する交換結合磁界によって磁化がトラック幅方向に固定される。一方、前記第２フリー磁性層の素子中央部では、前記交換結合磁界が働かず、磁性層内の交換相互作用により媒介されたバイアス磁界によってトラック幅方向に弱く単磁区化された状態であり、第１フリー磁性層とともに、外部磁界に対し感度良く磁化反転するようになっている。本発明ではこのように第１フリー磁性層、第２フリー磁性層、および第２反強磁性層の組合わせにより、適切にフリー磁性層の磁化制御を行うことが可能になっている。
【０１８３】
そして本発明では前記多層膜のトラック幅方向への幅寸法を従来よりも縮め、前記第２反強磁性層下に前記第２フリー磁性層を介して第１絶縁層を設けているためセンス電流は、前記第１絶縁層の存在で、従来より前記多層膜内をトラック幅Ｔｗよりもトラック幅方向に広がって流れにくくなり、前記フリー磁性層の磁化制御を適切に保ちつつ、効果的に実効再生トラック幅の広がりを抑え、サイドリーディングの発生を抑制し、再生出力の向上を図ることが可能になっている。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施形態の磁気検出素子の構造を記録媒体との対向面側から見た部分断面図、
【図２】本発明の第２実施形態の磁気検出素子の構造を記録媒体との対向面側から見た部分断面図、
【図３】本発明の第３実施形態の磁気検出素子の構造を記録媒体との対向面側から見た部分断面図、
【図４】図１に示す磁気検出素子の製造方法を示す一工程図、
【図５】図４の次に行なわれる一工程図、
【図６】図５の次に行なわれる一工程図、
【図７】図６の次に行なわれる一工程図、
【図８】図７の次に行なわれる一工程図、
【図９】図８の次に行なわれる一工程図、
【図１０】図２に示す磁気検出素子の製造方法を示す一工程図、
【図１１】図１０の次に行なわれる一工程図、
【図１２】図３に示す磁気検出素子の製造方法を示す一工程図、
【図１３】図１２の次に行なわれる一工程図、
【図１４】従来の磁気検出素子を記録媒体との対向面側から見た部分断面図、
【図１５】従来の別の磁気検出素子を記録媒体との対向面側から見た部分断面図、
【符号の説明】
２０　下部シールド層
２２　シードレイヤ
２３　第１反強磁性層
２４　固定磁性層
２５　非磁性材料層
２６　第１フリー磁性層
２７、４５　非磁性層
３０　多層膜
３４　第１絶縁層
３８　第２フリー磁性層
４０　強磁性層
４１　第２反強磁性層
４２、４６　第２絶縁層
４３　上部シールド層
４４　第３反強磁性層
４７　絶縁層
６０、６１、６３　レジスト層
６４　マスク層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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