(57)【要約】【課題】基板に供給されるオゾン水のオゾン濃度を調整して処理を行うことが可能な基板処理装置および基板処理方法を提供する。【解決手段】オゾン水を生成するオゾン水生成手段１１と、オゾン水を供給して基板の処理を行う基板処理手段１２と、オゾン水生成手段１１から基板処理手段１２へオゾン水を供給するオゾン水供給管２１と、オゾン水供給管２１に設けられ、オゾン水から発生したオゾンガスおよび酸素ガスをオゾン水と分離する気液分離手段１３と、基板処理手段１２に近接して設けられるとともに、気液分離手段１３により分離されたオゾンガスおよび酸素ガスからオゾン水を再生するオゾン水再生手段１４と、オゾン水再生手段１４からオゾン水供給管２１の基板処理手段１２により近い位置に、再生されたオゾン水を供給する再生オゾン水供給管２６とを備えたことを特徴とする基板処理装置およびこれを用いた基板処理方法である。【選択図】　　　　図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
オゾン水を生成するオゾン水生成手段と、
オゾン水を供給して基板の処理を行う基板処理手段と、
前記オゾン水生成手段から前記基板処理手段へオゾン水を供給するオゾン水供給管と、
前記オゾン水供給管に設けられ、オゾン水から発生したオゾンガスおよび酸素ガスをオゾン水と分離する気液分離手段と、
前記基板処理手段に近接して設けられるとともに、前記気液分離手段により分離された前記オゾンガスおよび酸素ガスからオゾン水を再生するオゾン水再生手段と、
前記オゾン水再生手段から前記オゾン水供給管の前記基板処理手段により近い位置に、再生されたオゾン水を供給する再生オゾン水供給管とを備えた
ことを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
前記オゾン水供給管から前記基板処理手段に供給されるオゾン水のオゾン濃度に基づき、前記オゾン水再生手段で再生されるオゾン水のオゾン濃度または、前記オゾン水再生手段から供給されるオゾン水の供給量を制御するオゾン濃度制御手段を備えた
ことを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記気液分離手段を前記オゾン水供給管に沿って複数備えた
ことを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記基板処理手段を複数備えており、当該各基板処理手段に対して、１つの前記オゾン水再生手段と少なくとも１つの前記気液分離手段とを備えた
ことを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記オゾン水再生手段には紫外線照射手段が設けられている
ことを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
【請求項６】
オゾン水を供給して基板の処理を行う基板処理方法であって、
オゾン水の供給経路途中でオゾン水から発生するオゾンガスおよび酸素ガスをオゾン水と分離した後、
前記オゾンガスおよび酸素ガスからオゾン水を再生し、この再生したオゾン水を前記供給経路の下流側で前記分離したオゾン水に添加することにより、基板に供給するオゾン水の濃度を調整して、基板の処理を行う
ことを特徴とする基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は基板処理装置および基板処理方法に関し、特には、半導体基板、液晶表示装置のガラス基板、フォトマスク用のガラス基板、光ディスク用の基板等をオゾン水により処理するための基板処理装置および基板処理方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体装置の製造プロセスにおいては、半導体デバイスの微細化および高集積化にともない、半導体基板上に付着するパーティクル（微小粒子）や金属汚染、有機物汚染等がデバイスの歩留りや特性に大きな影響を与えるようになってきている。したがって、デバイスの歩留りやその特性を向上させるためには、全製造プロセスにわたって、半導体基板の表面および裏面を清浄に保つ必要がある。そこで、各々の製造プロセスにおいては、適宜、半導体基板の洗浄処理工程が行われている。
【０００３】
上記洗浄処理工程においては、半導体基板の大口径化、コスト削減の観点から、ウェット処理が主流となっている。このような半導体基板のウェット処理においては、過酸化水素水や硫酸、アンモニア水、塩酸等の薬液やこれらの混合液、さらにはその水溶液等が処理液として用いられている。
しかし、上述した処理方法では、薬液自体のコストに加えて廃液処理にもコストがかかりランニングコストを増加させる要因となっている。
【０００４】
そこで、近年、半導体基板の洗浄に、純水にオゾンを溶解させたオゾン溶解水（以下、オゾン水とする）が処理液として用いられるようになってきている。
オゾンは酸素から製造されるためオゾン水自体が比較的安価であり、また、オゾン水中のオゾンが自然分解するため、廃液処理のコストも発生しない。
また、オゾン水はフッ酸に次ぐ酸化力を有しており、洗浄処理にも適している。このような洗浄処理には高濃度のオゾン水が用いられる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、オゾンは水に難溶性であり、分解速度が速いため、オゾン水生成手段から基板処理手段へオゾン水を供給するオゾン水供給管内において、オゾン水に溶解しきれなくなったオゾンガスがオゾン水から溶出したり、このオゾンガスが分解されて酸素ガスが発生し、基板処理手段における洗浄処理の段階で所望のオゾン濃度が得られないという問題があった。
また、オゾン水供給管内ではオゾン水から溶出したオゾンガスやこれが分解した酸素ガスがオゾン水とともに流動する状態となり、オゾン水が流れ難くなるという問題も生じていた。
【０００６】
さらに、オゾン水生成手段から複数の基板処理手段にオゾン水を供給して使用する場合、それぞれの基板処理手段においてオゾン水のオゾン濃度が低下してしまい、半導体基板を十分に洗浄することができなかった。
【０００７】
したがって、オゾン水生成手段で生成したオゾン水のオゾン濃度を維持した状態で基板処理手段にオゾン水を供給するには、基板処理手段の近くにオゾン水生成手段を配置する必要があり、複数の基板処理手段を設ける場合には複数のオゾン水生成手段が必要になる等、コスト的にも問題であった。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記のような課題を解決するために、本発明の基板処理装置は、オゾン水を生成するオゾン水生成手段と、オゾン水を供給して基板の処理を行う基板処理手段と、オゾン水生成手段から基板処理手段へオゾン水を供給するオゾン水供給管と、オゾン水供給管に設けられ、オゾン水から発生したオゾンガスおよび酸素ガスをオゾン水と分離する気液分離手段と、基板処理手段に近接して設けられるとともに、気液分離手段により分離されたオゾンガスおよび酸素ガスからオゾン水を再生するオゾン水再生手段と、オゾン水再生手段からオゾン水供給管の基板処理手段により近い位置に、再生されたオゾン水を供給する再生オゾン水供給管とを備えたことを特徴としている。
【０００９】
このような基板処理装置によれば、オゾン水供給管にオゾン水から発生したオゾンガスおよび酸素ガスをオゾン水と分離する気液分離手段を備えていることから、オゾン水から溶出したオゾンガスやこのオゾンガスが分解した酸素ガスをオゾン水と分離することができるため、ガスとともにオゾン水が流動するのを抑制することができ、オゾン水を流動し易い状態に維持することが可能である。
【００１０】
また、この気液分離手段により分離されたオゾンガスおよび酸素ガスからオゾン水を再生するオゾン水再生手段を備えていることから、オゾン水から発生したオゾンガスおよび酸素ガスを利用してオゾン水を再生することができる。
そして、オゾン水再生手段からオゾン水供給管の基板処理手段により近い位置に再生されたオゾン水を供給する再生オゾン水供給管を備えていることから、オゾン濃度の損失がないようにオゾン水再生手段で再生されたオゾン水を基板処理手段の直前で供給することができるため、オゾン水供給管を流動する間にオゾン水のオゾン濃度が低下する分を補うことができる。
したがって、オゾン水生成手段で生成されるオゾン水のオゾン濃度を維持して、基板処理手段に供給することが可能である。
【００１１】
また、本発明の基板処理方法は、オゾン水を供給して基板の処理を行う基板処理方法であって、オゾン水の供給経路途中でオゾン水から発生するオゾンガスおよび酸素ガスをオゾン水と分離した後、オゾンガスおよび酸素ガスからオゾン水を再生し、この再生したオゾン水を供給経路の下流側で分離したオゾン水に添加することにより、基板に供給されるオゾン水の濃度を調整して、基板の処理を行うことを特徴としている。
【００１２】
このような基板処理方法によれば、オゾン水の供給経路途中でオゾン水から発生するオゾンガスおよび酸素ガスをオゾン水から分離し、分離したオゾンガスおよび酸素ガスからオゾン水を再生する。そして、この再生したオゾン水を供給経路の下流側で分離したオゾン水に添加することにより、供給経路途中でオゾン水のオゾン濃度が低下した分を補うことができる。したがって、オゾン水のオゾン濃度を維持して、基板の処理を行うことができる。
【００１３】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の基板処理装置および基板処理方法の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。
図１は実施形態の基板処理方法に用いられる基板処理装置の一例を示す概略構成図である。
この図に示す基板処理装置は、例えば半導体基板（基板）表面をオゾン水により処理するものであり、オゾン水を生成するオゾン水生成手段１１と供給されたオゾン水により基板の処理を行う基板処理手段１２とを備えている。
【００１４】
オゾン水生成手段１１は、例えば酸素を無声放電させてオゾンガスを発生させ、このオゾンガスを純水中にバブリングさせて、純水に溶解させることにより、オゾン水が生成されるように構成されている。
一方、基板処理手段１２はオゾン水により基板の処理を行うものであり、例えばオゾン水を薬液槽に貯留して、基板を浸漬させることにより基板表面の洗浄処理を行う、または基板を回転させながら基板表面にオゾン水を供給して洗浄処理を行うように構成されている。
【００１５】
このオゾン水生成手段１１と基板処理手段１２とは、オゾン水供給管２１により接続されており、オゾン水生成手段１１から基板処理手段１２に向けてオゾン水が供給されるように構成されている。
また、オゾン水供給管２１にはオゾン水から発生したオゾンガスおよび酸素ガスをオゾン水と分離するための複数の気液分離手段１３がガス供給管２１に沿って設けられている。
ここでは、オゾン水生成手段１１から基板処理手段１２までのオゾン水供給管２１に例えば３つの気液分離手段１３が設けられていることとするが、本発明はこれに限定されず、オゾン水の分解速度に応じて最適な個数設けられるのが好ましい。一例として、ここではオゾン水供給管２１に１ｍ間隔で設けられていることとする。
【００１６】
また、気液分離手段１３にはガス供給管２２が接続され、このガス供給管２２の他端はオゾン水再生手段１４に接続されている。これにより、気液分離手段１３で分離されたオゾンガスおよび酸素ガスが、このガス供給管２２からオゾン水再生手段１４に供給されるように構成されている。
また、オゾン水生成手段１１で純水に溶解しきれなかったオゾンガスも、オゾン水再生手段１４に供給されるように、上記のガス供給管２２がオゾン水生成手段１１からオゾン水再生手段１４へ接続されている。
このオゾン水再生手段１４は基板処理手段１２に近接して設けられていることとする。
【００１７】
ここで、上述した気液分離手段１３とオゾン水再生手段１４について詳細に説明する。
図２の要部拡大図に示すように気液分離手段１３は重量によりガスと液体とを上下に分離する装置であって、気液分離手段１３の上部に接続されたオゾン水供給管２１からオゾン水が供給され、気液分離手段１３の下部に接続されたオゾン水供給管２１から分離後のオゾン水が排出されるように構成されている。
また、気液分離手段１３の上部にはガス供給管２２が接続されており、上述したように分離された酸素ガスおよびオゾンガスがオゾン水再生手段１４（前記図１参照）に供給されるように構成されている。
【００１８】
また、図３の要部拡大図に示すように、オゾン水再生手段１４は紫外線を照射してオゾンガスを発生させるための紫外線照射部３１と、紫外線照射部３１内のオゾンガスからオゾン水を再生するためのオゾン水再生部３２とを備えている。
【００１９】
紫外線照射部３１にはガス供給管２２が接続されており、気液分離装置１３（前記図１参照）で分離されたオゾンガスおよび酸素ガス、また、オゾン水生成手段１１（前記図１参照）で純水に溶解しきれなかったオゾンガスが供給されるように構成されている。
また、紫外線照射部３１には例えばその上部に紫外線照射手段３３が設けられており、供給されたガスに紫外線Ｖを照射することにより、酸素ガスからオゾンガスが生成される。
【００２０】
ここで、オゾン水再生手段１４における紫外線照射部３１には、酸素ガスだけではなくオゾンガスも供給されるため、この中の酸素ガスからオゾンガスを生成させればよいことから、紫外線照射手段３３といった比較的安価な手段を用いてオゾンガスを生成することができる。
ここでの紫外線Ｖの波長は例えば１７２ｎｍまたは、１８２ｎｍであることが好ましく、この波長であれば、効率よくオゾンガスを生成することができる。
また、この波長における紫外線Ｖの光源としては低圧水銀ランプおよびエキシマレーザーを用いることができる。
【００２１】
そして、紫外線照射部３１に隣接して配置されるオゾン水再生部３２にはオゾンガスを純水に溶解させるために例えば中空糸膜３４が配置されている。そして、この中空糸膜３４の周囲から供給されたオゾンガスが、中空糸膜３４を通過することにより、中空糸膜３４の中空部を流動する純水に溶解されるように構成されている。
【００２２】
オゾン水再生部３２には、紫外線照射部３１からオゾンガスを供給するための配管２３が接続されるとともに、中空糸膜３４を通過しないオゾンガスを排気するための排気管２４が接続されている。
なお、この排気管２４はオゾン水再生部３２から紫外線照射部３１に接続されていてもよく、中空糸膜３４を通過しないオゾンガスが再び紫外線照射部３１に供給されるように構成されていてもよい。
【００２３】
また、中空糸膜３４にはその中空部に純水を供給するための配管２５が接続されているとともに、オゾンガスが溶解されることにより再生したオゾン水をオゾン水供給管２１に供給するための再生オゾン水供給管２６が接続されている。
このようにしてオゾン水再生手段１４から再生されたオゾン水が再生オゾン水供給管２６に供給される。
【００２４】
ここで、オゾン水再生手段１４で再生されるオゾン水のオゾン濃度は配管２５からの純水供給量、または紫外線照射部３１における紫外線照射量により調整可能である。ただし、後述するように、再生されたオゾン水は、オゾン水供給管２１内を流動する間にオゾン水のオゾン濃度が低下する分を補うために供給されるため、再生されたオゾン水が供給される直前のオゾン水供給管２１内のオゾン水よりも高濃度に調整される。
【００２５】
そして、再び図１に示すように、再生オゾン水供給管２６の他端は、気液分離手段１３よりも基板処理手段１２側のオゾン水供給管２１に接続され、この合流点Ｇで、再生されたオゾン水がオゾン水供給管２１に供給されるように構成されている。
【００２６】
ここで、オゾン水再生手段１４とオゾン水供給管２１の合流点Ｇとを接続する再生オゾン水供給管２６の長さは短い方が好ましい。このように構成することで、再生されたオゾン水のオゾン濃度の低下が抑制される。
また、オゾン水供給管２１における合流点Ｇから基板処理手段１２までの距離も短い方が好ましい。このような構成にすることで、合流点Ｇ以降のオゾン水のオゾン濃度が基板処理手段１２に供給されるまで高濃度のまま維持される。
そして、オゾン水再生手段１４を基板処理手段１２に近接して配置させることで、上述したような再生オゾン水供給管２６の長さを短くするとともに、合流点Ｇから基板処理手段１２までの距離を短くすることが可能となる。
【００２７】
次に供給されるオゾン水により基板の処理を行うための基板処理機構１７について説明する。
基板処理機構１７は、基板の処理を行うための基板処理手段１２と、基板処理手段１２に供給されるオゾン水の濃度を測定するオゾン濃度測定手段１５と、オゾン濃度測定手段１５の測定結果に基づき、基板処理手段１２に供給されるオゾン水の濃度を制御するオゾン濃度制御手段１６とから構成される。
【００２８】
オゾン濃度測定手段１５は、合流点Ｇより基板処理手段１２側のオゾン水供給管２１に設けられており、これにより、基板処理手段１２に供給されるオゾン水のオゾン濃度が測定される。
そして、ここでの測定結果がオゾン濃度制御手段１６にフィードバックされ、このオゾン濃度制御手段１６により、オゾン水再生手段１４において再生されるオゾン水のオゾン濃度が制御される。そして、オゾン水再生手段１４からオゾン濃度の制御されたオゾン水が合流点Ｇに供給される。
【００２９】
ただし、図３を用いて説明したように、再生されるオゾン水のオゾン濃度は、合流点Ｇ直前のオゾン水供給管２１を流動するオゾン水のオゾン濃度よりも高くなるように調整されることから、合流点Ｇ以降のオゾン水の濃度、すなわち、基板処理手段１２に供給されるオゾン水の濃度は合流点Ｇ以前よりも高濃度に調整される。
このようにして、オゾン濃度制御手段１６により基板処理手段１２に供給されるオゾン水の濃度が制御される。
【００３０】
ここではオゾン水再生手段１４で再生されるオゾン水の濃度を制御することにより、基板処理手段１２に供給されるオゾン水の濃度が制御されることとしたが、オゾン水再生手段１４からオゾン水供給管２１に供給されるオゾン水の供給量を制御することで、基板処理手段１２に供給されるオゾン水の濃度が制御されてもよい。
この場合には、例えば再生オゾン水供給管２６に設けられたバルブがオゾン濃度制御手段１６により開閉自在に構成されることで、その供給量が制御されることとする。
【００３１】
上記のように、再生されたオゾン水の供給量で調整する場合には、再生オゾン水供給管２６にもオゾン濃度測定手段１５が設けられ、ここでの測定結果もオゾン濃度制御手段１６にフィードバックさせることで、再生オゾン水供給管２６から供給される再生されたオゾン水の濃度を制御する必要がある。
ただし、再生されたオゾン水の濃度が飽和濃度である場合には、再生オゾン水供給管２６にオゾン濃度測定手段１５を設けなくても、その供給量で制御することが可能である。
【００３２】
ここで、基板の洗浄処理を行うには基板処理手段１２に供給されるオゾン水のオゾン濃度を３０ｐｐｍ〜６０ｐｐｍに調整することが好ましい。３０ｐｐｍより低いと基板を十分に洗浄することができず、６０ｐｐｍより高いと、基板の表面に損傷を与える可能性がある。
【００３３】
このような基板処理装置を用いて基板の洗浄処理を行う場合には、図１に示すように、まず、基板処理手段１２に基板（図示せず）を配置する。
一方、オゾン水生成手段１１によりオゾン水を生成し、オゾン水供給管２１内を流動させる。オゾン水供給管２１内を流動する間に、オゾン水はオゾンガスおよび酸素ガスを発生するため、気液分離手段１３により発生したオゾンガス、酸素ガスとオゾン水とに分離する。
この気液分離手段１３による分離を繰り返すことにより、オゾン水がガスともにオゾン水供給管２１内を流動するのを抑制することができる。
【００３４】
一方、気液分離装手段１３により分離したオゾンガス、酸素ガスおよびオゾン水生成手段１１で純水に溶解しきれなかったオゾンガスをオゾン水再生手段１４に供給し、紫外線照射部３１において紫外線Ｖを照射することにより、酸素ガスをオゾンガスに変化させる。
そして、紫外線照射部３１からのオゾンガスを中空糸膜３４により純水に溶解させてオゾン水を再生する。
【００３５】
ここで、再生したオゾン水を合流点Ｇでオゾン水供給管２１内を流動するオゾン水に添加した後、オゾン水のオゾン濃度を測定する。
ここで測定したオゾン濃度をオゾン濃度制御手段１６にフィードバックすることにより、オゾン水再生手段１４で再生するオゾン水の濃度、またはオゾン水再生手段１４から供給されるオゾン水の供給量を調整する。
これにより、基板処理手段１２に供給するオゾン水のオゾン濃度を調整する。このようにして、基板処理手段１２に配置された基板にオゾン濃度を調整したオゾン水を供給し、基板の処理を行う。
【００３６】
このような基板処理装置および基板処理方法によれば、複数の気液分離手段１３によりオゾン水供給管２１内を流動する間にオゾン水から発生したオゾンガスおよび酸素ガスをオゾン水と分離することから、ガスとともにオゾン水が流動するのを抑制し、オゾン水を流動し易い状態に維持することが可能である。
【００３７】
また、オゾン水再生手段１４により気液分離手段１３から分離されたオゾンガス、酸素ガスおよびオゾン水生成手段１１で純水に溶解しきれなかったオゾンガスからオゾン水を再生し、オゾン水再生手段１４から再生オゾン水供給管２６によりオゾン水供給管２１の基板処理手段１２により近い合流点Ｇに再生されたオゾン水を供給することから、オゾン水供給管２１内を流動する間にオゾン水のオゾン濃度が低下する分を補うことができる。
したがって、オゾン水生成手段１１で生成されるオゾン水のオゾン濃度を維持して、基板処理手段１２に供給することが可能である。
【００３８】
さらに、本実施形態においては、オゾン濃度測定手段１５によりオゾン水供給管２１における合流点Ｇ以降のオゾン水のオゾン濃度を測定し、その測定結果に基づき、オゾン濃度制御手段１６によりオゾン水再生手段１４で再生するオゾン水の濃度、またはオゾン水再生手段１４から供給されるオゾン水の供給量を制御することから、基板処理手段１２に配置された基板に供給されるオゾン水のオゾン濃度を所望の濃度に調整して基板の洗浄処理を行うことができる。
【００３９】
なお、本実施形態ではオゾン水生成手段１１に対して１つの基板処理機構１７が設けられた例について説明したが、本発明はこれに限定されず、図４に示すように、複数の基板処理機構１７が設けられていてもよい。
この場合には、１つの基板処理機構１７に対して、気液分離手段１３とオゾン水再生手段１４が近接して設けられていることとする。
ただし、ここでは気液分離手段１３は１つであることとしたが、オゾン水生成手段１１からの距離に応じてオゾン水供給管２１に複数設けられるのが好ましい。
【００４０】
このような構成にすることで、それぞれの基板処理機構１７における基板処理手段１２（前記図１参照）に供給されるオゾン水のオゾン濃度を、異なる濃度に設定して調整することができるため、それぞれの処理に適したオゾン濃度で処理を行うことが可能である。
また、複数の基板処理機構１７が設けられる場合においても、オゾン水生成手段１１は１つ設けられていればよいことから、従来のように、１つの基板処理手段１２に対して１つのオゾン水生成手段１１を設けなくてもよい。オゾン水生成手段１１は高価であるため、このような構成はコスト的にも有利である。
【００４１】
また、本実施形態では、半導体基板の洗浄処理を例にとり説明したが、本発明はこれに限定されず、半導体装置や液晶表示装置、さらにはその他の基板製品の製造工程において、オゾン水を用いて、半導体基板や液晶基板の基板上に形成されたレジスト膜を除去したり、これらの基板表面に酸化膜を形成する場合についても適用可能である。
さらに、本発明では純水にオゾンを溶解させたオゾン溶解水をオゾン水と定義して説明したが、純水に限らず、純水中に他の酸等を添加した薬液や、溶剤であってもよい。
【００４２】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の基板処理装置によれば、気液分離手段により、オゾン水がガスとともにオゾン水供給管内を流動するのを抑制することができ、オゾン水を流動し易い状態に維持することが可能である。
また、オゾン水再生手段によりオゾン水から発生したオゾンガスおよび酸素ガスを利用してオゾン水を再生することができ、再生オゾン水供給管により、オゾン水供給管の基板処理手段により近い位置に再生されたオゾン水が供給されることから、オゾン水供給管を流動する間にオゾン水のオゾン濃度が低下する分を補うことができる。
したがって、オゾン水生成手段で生成されるオゾン水のオゾン濃度を維持して、基板処理手段に供給することが可能である。
【００４３】
また、本発明の基板処理方法によれば、オゾン水から発生したオゾンガスおよび酸素ガスからオゾン水を再生し、この再生したオゾン水を分離したオゾン水に添加することにより、オゾン濃度の低下した分を補うことができる。したがって、オゾン水のオゾン濃度を維持して、基板の処理を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の基板処理装置の一例の概略構成図である（その１）。
【図２】本発明の基板処理装置の一例の要部拡大図である（その１）。
【図３】本発明の基板処理装置の一例の要部拡大図である（その２）。
【図４】本発明の基板処理装置の一例の概略構成図である（その２）。
【符号の説明】
１１…オゾン水生成手段、１２…基板処理手段、１３…気液分離手段、１４…オゾン水再生手段、１６…オゾン濃度制御手段、２１…オゾン水供給管、２６…再生オゾン水供給管、３３…紫外線照射手段
【図１】
2004031852.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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