(57)【要約】【課題】高周波信号が回路基板から高周波回路部品搭載用基板または高周波半導体パッケージへ伝搬される際に、高周波信号の漏れ出しが生じる。【解決手段】高周波回路部品搭載用基板または高周波半導体パッケージに金属底板の厚みよりも小さい厚みの金属端子を取着し、回路基板と高周波回路部品搭載用基板または高周波半導体パッケージを、外部引出し線路導体の貫通導体側端部より先に金属端子の貫通導体側端部が突出するように、接続導体を介して電気的に接続する。【選択図】　図１
2004031822.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
高周波回路部品を配設する搭載部が内側に形成された誘電体基板と、該誘電体基板の上面に前記搭載部側から外側に形成された高周波信号を伝送する第１の線路導体と、前記誘電体基板の下面に前記第１の線路導体と平行に前記誘電体基板の外周端部に向けて形成された前記高周波信号を伝送する第２の線路導体と、前記誘電体基板の内部に形成され、前記第１の線路導体の外側端部および前記第２の線路導体の内側端部を電気的に接続する貫通導体とを具備してなる高周波回路部品搭載用基板であって、前記誘電体基板の下面側に設けた金属底板の厚みよりも薄い金属端子を前記第２の線路導体に接続させてなるとともに、前記金属端子の一端を前記貫通導体下もしくは該貫通導体下より前記誘電体基板の外周側に位置させ、且つ前記金属端子の他端を前記誘電体基板の外側に延在させたことを特徴とする高周波回路部品搭載用基板。
【請求項２】
請求項１に記載の高周波回路部品搭載用基板に、高周波回路部品を配設してなる高周波半導体パッケージ。
【請求項３】
外部回路基板に形成された外部引出し線路導体と前記金属端子とを、前記金属端子の端部が前記外部引出し線路導体の端部より前記貫通導体側に突出するように、接続導体を介して電気的に接続したことを特徴とする請求項１〜２に記載の高周波回路部品搭載用基板または高周波半導体パッケージの実装構造。
【請求項４】
高周波回路部品を配設する搭載部が内側に形成された誘電体基板と、該誘電体基板の上面に前記搭載部側から外側に形成された高周波信号を伝送する第１の線路導体と、前記誘電体基板の下面に前記第１の線路導体と平行に前記誘電体基板の外周端部に向けて形成された前記高周波信号を伝送する第２の線路導体と、前記誘電体基板の内部に形成され、前記第１の線路導体の外側端部および前記第２の線路導体の内側端部を電気的に接続する貫通導体とを具備してなる高周波回路部品搭載用基板であって、前記誘電体基板の下面側に設けた金属底板の厚みよりも薄い段状部もしくは傾斜部を一端に形成した金属端子を前記第２の線路導体に接続させてなるとともに、前記金属端子の一端を前記貫通導体下もしくは該貫通導体下より前記誘電体基板の外周側に位置させ、且つ前記金属端子の他端を前記誘電体基板の外側に延在させたことを特徴とする高周波回路部品搭載用基板。
【請求項５】
請求項４に記載の高周波回路部品搭載用基板に、高周波回路部品を配設してなる高周波半導体パッケージ。
【請求項６】
外部回路基板に形成された外部引出し線路導体と前記金属端子とを、前記金属端子の端部が前記外部引出し線路導体の端部より前記貫通導体側に突出するように、接続導体を介して電気的に接続したことを特徴とする請求項４〜５に記載の高周波回路部品搭載用基板または高周波半導体パッケージの実装構造。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はマイクロ波帯やミリ波等の高周波に使用される高周波回路部品搭載用基板、高周波半導体パッケージ、およびそれらの実装構造に関し、特に高周波の伝送特性を改善した構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】
上記高周波回路部品搭載用基板における金属端子構造およびその実装構造として、例えば図４または図５に示すような構造が知られている。図４および図５の例では、高周波回路部品搭載用基板が高周波半導体パッケージである場合を示している。
【０００３】
図５に示す高周波半導体パッケージにおいては、高周波半導体素子８５が搭載された誘電体基板６９の上面に、外周方向に第１の線路導体７３が形成され、また、第１の線路導体７３の両側には第１の同一面接地導体７０が形成されている。さらに、誘電体基板６９の下面には、第１の線路導体７３と平行に外周端部に向けて形成された第２の線路導体７１および第２の線路導体７１の両側に第２の同一面接地導体８２が、また、誘電体基板６９の内部には、第１の線路導体７３および第２の線路導体７１の対向する端部どうしを電気的に接続する貫通導体７２ならびに第１の同一面接地導体７０および第２の同一面接地導体８２を電気的に接続する接地貫通導体（図示せず）とが形成されている。また、誘電体基板６９の下面に取着した金属底板８１と同じ厚みの金属端子７５を、一端を貫通導体７２の下部と重ねて、他端は誘電体基板６９の外側に延材させ、第２の線路導体７１と平行に対向させて取着している。そして、搭載された高周波半導体素子８５をボンディングワイヤ等の導電性接続部材７４により第１の線路導体７３と電気的に接続し、高周波半導体素子を覆うように誘電体基板６９の上面に蓋（図示せず）で気密封止した高周波半導体パッケージを、アルミナセラミックス等の誘電体材料から成る誘電体基体７７の上面に外部引出し線路導体７６が形成された回路基板８４に、外部引出し線路導体７６の貫通導体７２側の端部と金属端子７５の貫通導体７２側の端部を揃えて、半田等の接続導体８３を介して電気的に接続している。
【０００４】
図４に示す高周波半導体パッケージにおいては、高周波半導体素子６８が搭載された誘電体基板５２の上面に、外周方向に第１の線路導体５６が形成され、また、第１の線路導体５６の両側には第１の同一面接地導体５３が形成されている。さらに、誘電体基板５２の下面には、第１の線路導体５６と平行に外周端部に向けて形成された第２の線路導体５４および第２の線路導体５４の両側に第２の同一面接地導体６５が、また、誘電体基板５２の内部には、第１の線路導体５６および第２の線路導体５４の対向する端部どうしを電気的に接続する貫通導体５５ならびに第１の同一面接地導体５３および第２の同一面接地導体６５を電気的に接続する接地貫通導体（図示せず）とが形成されている。また、誘電体基板５２の下面に取着した金属底板６４と同じ厚みの金属端子５８を、一端を貫通導体５５の下部から距離をあけ、他端は誘電体基板５２の外側に延材させ、第２の線路導体５４と平行に対向させて取着している。そして、搭載された高周波半導体素子６８をボンディングワイヤ等の導電性接続部材５７により第１の線路導体５６と電気的に接続し、高周波半導体素子を覆うように誘電体基板５２の上面に蓋（図示せず）で気密封止した高周波半導体パッケージを、アルミナセラミックス等の誘電体材料から成る誘電体基体６０の上面に外部引出し線路導体５９が形成された回路基板６７に、外部引出し線路導体５９の貫通導体５５側の端部と金属端子５８の貫通導体５５側の端部を揃えて、半田等の接続導体６６を介して電気的に接続している（例えば、特開２００１−２３０３４２号公報を参照）。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、まず図５で示した上記のような高周波信号の入出力部となる金属端子７５の一端を貫通導体７２の下部と重ねて取着した高周波回路部品搭載用基板の実装構造においては、図５に示す高周波信号５Ａが、外部引出し線路導体７６から金属端子７５を介して高周波回路部品搭載用基板の第２線路導体７１へ伝搬される際に、金属端子７５の貫通導体７２と重なった先端部でその進行方向を９０°変更されて貫通導体７２に伝搬されることになる。ところが、高周波信号５Ａがその進行方向を９０°変更されて伝搬される際に、高周波信号５Ａの一部が図５矢印５Ｂで示すように、その進行方向を９０°変更されずに直進して外部引出し線路導体７６から漏れ出してしまう。そして、その漏れ出した高周波信号は、高周波信号は比誘電率の高い物質を伝播し易いという性質から、回路基板８４と高周波回路部品搭載用基板との間に存在する比誘電率１．０の空気層よりも、比誘電率が空気層に比べて非常に高いアルミナセラミックス等から成る誘電体基体７７中に漏れ出してしまい、その結果、高周波信号の伝送特性が劣化してしまうという問題点があった。
【０００６】
次に、図４で示した高周波信号の入出力部となる金属端子５８の一端を貫通導体５５の下部から距離をあけて取着した高周波回路部品搭載用基板の実装構造においては、高周波信号４Ａが外部引出し線路導体５９から金属端子５８を介して高周波回路部品搭載用基板の第２の線路導体５４へ伝搬される際に、高周波信号４Ａは、まず金属端子５８を介して第２の線路導体５４に伝搬され、その後第２の線路導体５４と貫通導体５５との接続部でその進行方向を９０°変更されて貫通導体５５に伝搬されることとなる。その結果、高周波信号の一部が第２の線路導体５４を直進して漏れ出そうとしても、高周波信号は回路基板６７と高周波回路部品搭載用基板との間に存在する空気層に比べてその比誘電率の高い誘電体から成り貫通導体５５の形成されている高周波回路部品搭載用基板側に流れ込むため、貫通導体５５の下部の部分での高周波信号の漏れは少なく、その結果、高周波信号の伝送特性は前記した図５の高周波回路部品搭載用基板の実装構造と比べて改善される。しかし、依然として高周波信号が外部引出し線路導体５９から金属端子５８を介して、その進行方向が９０°変更されて第２の線路導体５４に伝搬される際に、誘電体基体６０中への漏れ出しは存在し、その結果、高周波信号の伝送特性が劣化してしまうという問題があった。
【０００７】
本発明は、上記従来技術における問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、高周波信号の漏れ出しが少なく伝送特性を改善する高周波回路部品搭載用基板ならびに高周波半導体パッケージおよびその実装構造を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明の請求項１に係る高周波回路部品搭載用基板は、高周波回路部品を配設する搭載部が内側に形成された誘電体基板と、該誘電体基板の上面に前記搭載部側から外側に形成された高周波信号を伝送する第１の線路導体と、前記誘電体基板の下面に前記第１の線路導体と平行に前記誘電体基板の外周端部に向けて形成された前記高周波信号を伝送する第２の線路導体と、前記誘電体基板の内部に形成され、前記第１の線路導体の外側端部および前記第２の線路導体の内側端部を電気的に接続する貫通導体とを具備してなる高周波回路部品搭載用基板であって、前記誘電体基板の下面側に設けた金属底板の厚みよりも薄い金属端子を前記第２の線路導体に接続させてなるとともに、前記金属端子の一端を前記貫通導体下もしくは該貫通導体下より前記誘電体基板の外周側に位置させ、且つ前記金属端子の他端を前記誘電体基板の外側に延在させたことを特徴とする。
【０００９】
また、本発明の請求項２に係る高周波半導体パッケージは、請求項１に記載の高周波回路部品搭載用基板に、高周波回路部品を配設してなる高周波半導体パッケージである。具体的には、例えば前記高周波回路部品搭載用基板の上下面に枠体および蓋体を設けることにより、高周波半導体部品を収容する構造としたことを特徴とするものである。
【００１０】
また、本発明の請求項３に係る高周波回路部品搭載用基板または高周波半導体パッケージの実装構造は外部回路基板に形成された外部引出し線路導体と前記金属端子とを、前記金属端子の端部が前記外部引出し線路導体の端部より前記貫通導体側に突出するように、接続導体を介して電気的に接続したことを特徴とする。
【００１１】
また、本発明の請求項４に係る高周波回路部品搭載用基板は、高周波回路部品を配設する搭載部が内側に形成された誘電体基板と、該誘電体基板の上面に前記搭載部側から外側に形成された高周波信号を伝送する第１の線路導体と、前記誘電体基板の下面に前記第１の線路導体と平行に前記誘電体基板の外周端部に向けて形成された前記高周波信号を伝送する第２の線路導体と、前記誘電体基板の内部に形成され、前記第１の線路導体の外側端部および前記第２の線路導体の内側端部を電気的に接続する貫通導体とを具備してなる高周波回路部品搭載用基板であって、前記誘電体基板の下面側に設けた金属底板の厚みよりも薄い段状部もしくは傾斜部を一端に形成した金属端子を前記第２の線路導体に接続させてなるとともに、前記金属端子の一端を前記貫通導体下もしくは該貫通導体下より前記誘電体基板の外周側に位置させ、且つ前記金属端子の他端を前記誘電体基板の外側に延在させたことを特徴とするものである。
【００１２】
また、本発明の請求項５に係る高周波半導体パッケージは、請求項４に記載の高周波回路部品搭載用基板に、高周波回路部品を配設してなるものであり、より具体的には、例えば、金属端子構造を備えた前記高周波回路部品搭載用基板の上下面に枠体および蓋体を設けることにより、高周波半導体部品を収容する構造としたことを特徴とするものである。
【００１３】
また、本発明の請求項６に係る高周波回路部品搭載用基板または高周波半導体パッケージの実装構造は、請求項４または請求項５において、外部回路基板に形成された外部引出し線路導体と前記金属端子とを、前記金属端子の端部が前記外部引出し線路導体の端部より前記貫通導体側に突出するように、接続導体を介して電気的に接続したことを特徴とする。
【００１４】
【発明の実施の形態】
以下、模式的に示した図面に基づいて本発明を詳細に説明する。なお、本発明は以下の例に限定されるものではなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲で変更・改良を施すことは何ら差し支えない。
【００１５】
本発明の請求項１〜３に係る第１の高周波回路部品搭載用基板、高周波半導体パッケージ、およびそれらの実装構造は、以下の通りである。第１の高周波回路部品搭載用基板は、高周波回路部品を配設する搭載部が内側に形成された誘電体基板と、該誘電体基板の上面に前記搭載部側から外側に形成された高周波信号を伝送する第１の線路導体と、前記誘電体基板の下面に前記第１の線路導体と平行に前記誘電体基板の外周端部に向けて形成された前記高周波信号を伝送する第２の線路導体と、前記誘電体基板の内部に形成され、前記第１の線路導体の外側端部および前記第２の線路導体の内側端部を電気的に接続する貫通導体とを具備してなる高周波回路部品搭載用基板であって、前記誘電体基板の下面側に設けた金属底板の厚みよりも薄い金属端子を前記第２の線路導体に接続させてなるとともに、前記金属端子の一端を前記貫通導体下もしくは該貫通導体下より前記誘電体基板の外周側に位置させ、且つ前記金属端子の他端を前記誘電体基板の外側に延在させたことを特徴とする。
【００１６】
また、第１の高周波半導体パッケージは、上記第１の高周波回路部品搭載用基板に、高周波回路部品を配設してなる高周波半導体パッケージである。具体的には、例えば前記高周波回路部品搭載用基板の上下面に枠体および蓋体を設けることにより、高周波半導体部品を収容する構造としたことを特徴とするものである。
【００１７】
また、第１の高周波回路部品搭載用基板または第１の高周波半導体パッケージの実装構造は、外部回路基板に形成された外部引出し線路導体と前記金属端子とを、前記金属端子の端部が前記外部引出し線路導体の端部より前記貫通導体側に突出するように、接続導体を介して電気的に接続したことを特徴とする。
【００１８】
すなわち、図１において、図１は高周波回路部品搭載用基板が高周波半導体パッケージである場合を示しており、１は誘電体基板、２は第１の線路導体、３は第１の同一面接地導体、４は第２の線路導体、１３は第２の同一面接地導体、５は第１の線路導体２および第２の線路導体４の対向する端部どうしを電気的に接続する貫通導体、図示していないが第１の同一面接地導体３および第２の同一面接地導体１３を電気的に接続する接地貫通導体、６は金属端子で、誘電体基板１の下面に取着した金属底板１２の厚みより小さく、金属端子６の一端を貫通導体５下もしくは貫通導体５下より外周方向に距離をあけ、他端は誘電体基板１の外側に延在させ、第２の線路導体４と平行に対向させて取着してあり、１７は高周波半導体素子、そして誘電体基板の上面に枠体および蓋体を設けて（図示せず）高周波半導体素子１７を収容しており、これらで高周波半導体パッケージが構成されている。また、１５は高周波半導体素子１７と第１の線路導体２とを接続するボンディングワイヤ等の導電性接続部材である。８は誘電体基体、７は外部引出し線路導体であり、これらで回路基板１６が構成されており、外部引出し線路導体７と金属端子６とを、外部引出し線路導体７の貫通導体５側の端部より先に金属端子７の端部が突出するように、半田等の接続導体１４を介して電気的に接続することにより、高周波半導体パッケージが回路基板１６に実装されることになる。なお、本例では、誘電体基体８の下面に下面側接地導体９と、上面に上面側接地導体１０とを形成し、上面側接地導体１０と下面側接地導体９とを電気的に接続した例を示している。そして、第２の接続導体１１を介して金属底板１２と上面側接地導体１０が電気的に接続されている。
【００１９】
これにより、従来、高周波半導体パッケージに取り付けられている金属底板と同じ厚みの金属端子を、外部引出し線路導体の貫通導体側の端部と金属端子の貫通導体側の端部を揃えて、半田等の接続導体を介して電気的に接続し、高周波信号が外部引出し線路導体から金属端子を介して、その進行方向が９０°変更されて第２の線路導体に伝搬される際に、高周波信号が誘電体基体中へ漏れ出し、その結果、高周波信号の伝送特性が劣化してしまう場合と比較して、高周波半導体パッケージに取り付けられている金属底板よりも小さい厚みの金属端子を、外部引出し線路導体の貫通導体側の端部より先に前記金属端子の端部が突出するように、接続導体を介して電気的に接続したことにより、高周波信号が外部引出し線路導体から金属端子を介して、その進行方向が９０°変更されて第２の線路導体に伝搬されずに、９０°よりも小さい角度で進行方向が変更されるので、滑らかに第２の線路導体に伝搬される。その結果、高周波信号が誘電体基板中への漏れ出しは減少し、伝送特性を改善する高周波回路部品搭載用基板の実装構造となる。
【００２０】
また、本発明に係る他の第２の高周波回路部品搭載用基板、高周波半導体パッケージ、およびそれらの実装構造は、上面に高周波回路部品を搭載する搭載部が形成された誘電体基板と、該誘電体基板の上面に前記搭載部近傍から外周方向に形成された高周波信号を伝送する第１の線路導体と、前記誘電体基板の下面に前記第１の線路導体と平行に外周端部に向けて形成された前記高周波信号を伝送する第２の線路導体と、前記誘電体基板の内部に形成され、前記第１の線路導体の外周方向の端部および前記第２の線路導体の内方向の端部どうしを電気的に接続する貫通導体とを具備してなる高周波回路部品搭載用基板において、該高周波回路部品搭載用基板の下面に取着した金属底板の厚みと略等しい金属端子を、該金属端子の一端を前記貫通導体下もしくは該貫通導体下より外周方向に距離をあけ、他端は前記誘電体基板の外側に延在させ、前記第２の線路導体と平行に対向させて取着した高周波回路部品搭載用基板、または、前記高周波回路部品搭載用基板の上面に枠体および蓋体を設けることにより、高周波半導体部品を収容する構造とした高周波半導体パッケージを、誘電体基体の上面に外部引出し線路導体が形成された回路基板の前記外部引出し線路導体と前記高周波回路部品搭載用基板または前記高周波半導体パッケージの前記金属端子とを、前記外部引出し線路導体の前記貫通導体側の端部より先に前記金属端子の端部が突出するように、接続導体を介して電気的に接続した。
【００２１】
すなわち、図２において、図２は高周波回路部品搭載用基板が高周波半導体パッケージである場合を示しており、１８は誘電体基板、２２は第１の線路導体、１９は第１の同一面接地導体、２０は第２の線路導体、３０は第２の同一面接地導体、２１は第１の線路導体２２および第２の線路導体２０の対向する端部どうしを電気的に接続する貫通導体、図示していないが第１の同一面接地導体１９および第２の同一面接地導体３０を電気的に接続する接地貫通導体があり、２３は金属端子で、誘電体基板１８の下面に取着した金属底板２９の厚みと略等しく、金属端子２３の一端を貫通導体２１下もしくは貫通導体２１下より外周方向に距離をあけ、他端は誘電体基板１８の外側に延在させ、第２の線路導体２０と平行に対向させて取着してあり、３４は高周波半導体素子、そして誘電体基板の上面に枠体および蓋体を設けて（図示せず）高周波半導体素子３４を収容しており、これらで高周波半導体パッケージが構成されている。また、３３は高周波半導体素子３４と第１の線路導体２２とを接続するボンディングワイヤ等の導電性接続部材である。２５は誘電体基体、２４は外部引出し線路導体であり、これらで回路基板３２が構成されており、外部引出し線路導体２４と金属端子２３とを、外部引出し線路導体２４の貫通導体２１側の端部より先に金属端子２３の端部が突出するように、半田等の接続導体３１を介して電気的に接続することにより、高周波半導体パッケージが回路基板３２に実装されることになる。なお、本例では、誘電体基体２５の下面に下面側接地導体２６と、上面に上面側接地導体２７とを形成し、上面側接地導体２７と下面側接地導体２６とを電気的に接続した例を示している。そして、第２の接続導体２８を介して金属底板２９と上面側接地導体２７が電気的に接続されている。
【００２２】
これにより、従来、高周波半導体パッケージに取り付けられている金属底板と同じ厚みの金属端子を、外部引出し線路導体の貫通導体側の端部と金属端子の貫通導体側の端部を揃えて、半田等の接続導体を介して電気的に接続し、高周波信号が外部引出し線路導体から金属端子を介して、その進行方向が９０°変更されて第２の線路導体に伝搬される際に、高周波信号が誘電体基体中へ漏れ出し、その結果、高周波信号の伝送特性が劣化してしまう場合と比較して、高周波半導体パッケージに取り付けられている金属底板と略等しい厚みの金属端子を、外部引出し線路導体の貫通導体側の端部より先に前記金属端子の端部が突出するように、接続導体を介して電気的に接続したことにより、高周波信号が外部引出し線路導体から金属端子を介して、その進行方向が９０°変更されて第２の線路導体に伝搬されずに、９０°よりも小さい角度で進行方向が変更されるので、滑らかに第２の線路導体に伝搬される。その結果、高周波信号が誘電体基板中への漏れ出しは減少し、伝送特性を改善する高周波回路部品搭載用基板の実装構造となる。
【００２３】
本発明の請求項４〜６に係る第３の高周波回路部品搭載用基板、高周波半導体パッケージ、およびそれらの実装構造は、以下の通りである。第３の高周波回路部品搭載用基板は、高周波回路部品を配設する搭載部が内側に形成された誘電体基板と、該誘電体基板の上面に前記搭載部側から外側に形成された高周波信号を伝送する第１の線路導体と、前記誘電体基板の下面に前記第１の線路導体と平行に前記誘電体基板の外周端部に向けて形成された前記高周波信号を伝送する第２の線路導体と、前記誘電体基板の内部に形成され、前記第１の線路導体の外側端部および前記第２の線路導体の内側端部を電気的に接続する貫通導体とを具備してなる高周波回路部品搭載用基板であって、前記誘電体基板の下面側に設けた金属底板の厚みよりも薄い段状部もしくは傾斜部を一端に形成した金属端子を前記第２の線路導体に接続させてなるとともに、前記金属端子の一端を前記貫通導体下もしくは該貫通導体下より前記誘電体基板の外周側に位置させ、且つ前記金属端子の他端を前記誘電体基板の外側に延在させたことを特徴とするものである。
【００２４】
また、第３の高周波半導体パッケージは、上記第３の高周波回路部品搭載用基板に、高周波回路部品を配設してなるものであり、より具体的には、例えば、金属端子構造を備えた前記高周波回路部品搭載用基板の上下面に枠体および蓋体を設けることにより、高周波半導体部品を収容する構造としたことを特徴とするものである。
【００２５】
また、第３の高周波回路部品搭載用基板または第３の高周波半導体パッケージの実装構造は、請求項４または請求項５において、外部回路基板に形成された外部引出し線路導体と前記金属端子とを、前記金属端子の端部が前記外部引出し線路導体の端部より前記貫通導体側に突出するように、接続導体を介して電気的に接続したことを特徴とする。
【００２６】
すなわち、図３において、図３は高周波回路部品搭載用基板が高周波半導体パッケージである場合を示しており、３５は誘電体基板、３９は第１の線路導体、３６は第１の同一面接地導体、３７は第２の線路導体、４８は第２の同一面接地導体、３８は第１の線路導体３９および第２の線路導体３７の対向する端部どうしを電気的に接続する貫通導体、図示していないが第１の同一面接地導体３６および第２の同一面接地導体４８を電気的に接続する接地貫通導体があり、４１は金属端子で、誘電体基板３５の下面に取着した金属底板４７の厚みと略等しく、また金属端子の端に段部が設けられており、金属端子４１の一端を貫通導体３８下もしくは貫通導体３８下より外周方向に距離をあけ、他端は誘電体基板３５の外側に延在させ、第２の線路導体３７と平行に対向させて取着してあり、５１は高周波半導体素子、そして誘電体基板の上面に枠体および蓋体を設けて（図示せず）高周波半導体素子５１を収容しており、これらで高周波半導体パッケージが構成されている。また、４０は高周波半導体素子５１と第１の線路導体３９とを接続するボンディングワイヤ等の導電性接続部材である。４３は誘電体基体、４２は外部引出し線路導体であり、これらで回路基板５０が構成されており、外部引出し線路導体４２と金属端子４１とを、外部引出し線路導体４２の貫通導体３８側の端部より先に金属端子４１の端部が突出するように、半田等の接続導体４９を介して電気的に接続することにより、高周波半導体パッケージが回路基板５０に実装されることになる。なお、本例では、誘電体基体４３の下面に下面側接地導体４４と、上面に上面側接地導体４５とを形成し、上面側接地導体４５と下面側接地導体４４とを電気的に接続した例を示している。そして、第２の接続導体４６を介して金属底板４７と上面側接地導体４５が電気的に接続されている。
【００２７】
これにより、従来、高周波半導体パッケージに取り付けられている金属底板と同じ厚みの金属端子を、外部引出し線路導体の貫通導体側の端部と金属端子の貫通導体側の端部を揃えて、半田等の接続導体を介して電気的に接続し、高周波信号が外部引出し線路導体から金属端子を介して、その進行方向が９０°変更されて第２の線路導体に伝搬される際に、高周波信号が誘電体基体中へ漏れ出し、その結果、高周波信号の伝送特性が劣化してしまう場合と比較して、高周波半導体パッケージに取り付けられている金属底板よりも小さい厚みの金属端子もしくは略等しい厚みの金属端子の端に段部を設けて、外部引出し線路導体の貫通導体側の端部より先に前記金属端子の端部が突出するように、接続導体を介して電気的に接続したことにより、高周波信号が外部引出し線路導体から金属端子を介して、その進行方向が９０°変更されて第２の線路導体に伝搬されずに、９０°よりも小さい角度で進行方向が変更されるので、滑らかに第２の線路導体に伝搬される。その結果、高周波信号が誘電体基板中への漏れ出しは減少し、伝送特性を改善する高周波回路部品搭載用基板の実装構造となる。
【００２８】
次に、本発明の高周波回路部品搭載用基板ならびに高周波半導体パッケージおよびその実装構造についての具体例を説明する。
〔例１〕
まず、本発明に係る第１の高周波回路部品搭載用基板、高周波半導体パッケージ、およびそれらの実装構造を示す図１と略同様の構成にて、比誘電率が８．５で厚みが０．２ｍｍの誘電体層を９層積層して誘電体基板１とし、第１の線路導体２の幅を０．１４ｍｍで第１の同一面接地導体３から０．１ｍｍの間隔をあけて形成し、貫通導体５を直径０．１ｍｍの円形状に形成し、貫通導体接続導体の幅を０．１６ｍｍの矩形状とし、貫通導体接続導体と介して各層の貫通導体５が接続され、貫通導体５の下部は誘電体基板１の外周方向から０．９５ｍｍの距離にあり、第２の線路導体４の幅を０．２５ｍｍで誘電体基板１の外周方向から貫通導体５の方向に長さ１．０３ｍｍで形成し、厚みが０．３ｍｍの金属底板１２を誘電体基板１の下面に取着し、幅０．１５ｍｍで厚みが０．１５ｍｍの金属端子６を誘電体基板１の端からの取り付け長さが０．５ｍｍで誘電体基板１の端からの引出し長さが１．０ｍｍとなるように取着した高周波半導体パッケージを、厚みが０．２ｍｍの誘電体基体８の上面に幅０．２７ｍｍの外部引出し線路導体７を形成し、金属端子６の端部が外部引出し線路導体７の貫通導体５側の端部より先に長さ０．３ｍｍだけ突出するように半田等の接続導体１４を介して電気的に接続することにより、本発明の高周波回路部品搭載用基板ならびに高周波半導体パッケージおよびその実装構造の試料Ａを得る。
【００２９】
また同様にして、本発明に係る第２の高周波回路部品搭載用基板、高周波半導体パッケージ、およびそれらの実装構造を示す図２と略同様の構成にて、基本構造は上記試料Ａと同様の構成として、ただし、金属端子２３の厚みを金属底板２９の厚み０．３ｍｍと同じにすることで、本発明の高周波回路部品搭載用基板ならびに高周波半導体パッケージおよびその実装構造の試料Ｂを得る。
【００３０】
また同様にして、本発明に係る第３の高周波回路部品搭載用基板、高周波半導体パッケージ、およびそれらの実装構造を示す図３と略同様の構成にて、基本構造は上記試料Ａと同様の構成として、ただし、金属端子４１の厚みを金属底板４７の厚み０．３ｍｍと同じにし、金属端子４１の貫通導体３８側の端部を金属端子４１の下面から高さ０．１５ｍｍで金属端子４１の貫通導体３８側の端部から長さ０．３ｍｍの段にすることで、本発明の高周波回路部品搭載用基板ならびに高周波半導体パッケージおよびその実装構造の試料Ｃを得る。
【００３１】
また比較例として、従来例を示す図４と略同様の構成にて、比誘電率が８．５で厚みが０．２ｍｍの誘電体層を９層積層して誘電体基板５２とし、第１の線路導体５６の幅を０．１４ｍｍで第１の同一面接地導体５３から０．１ｍｍの間隔をあけて形成し、貫通導体５５を直径０．１ｍｍの円形状に形成し、貫通導体接続導体の幅を０．１６ｍｍの矩形状とし、貫通導体接続導体と介して各層の貫通導体５５が接続され、貫通導体５５の下部は誘電体基板５２の外周方向から０．９５ｍｍの距離にあり、第２の線路導体５４の幅を０．２５ｍｍで誘電体基板５２の外周方向から貫通導体５５の方向に長さ１．０３ｍｍで形成し、厚みが０．３ｍｍの金属底板６４を誘電体基板５２の下面に取着し、幅０．１５ｍｍで厚みが０．３ｍｍの金属端子５８を誘電体基板５２の端からの取り付け長さが０．５ｍｍで誘電体基板５２の端からの引出し長さが１．０ｍｍとなるように取着した高周波半導体パッケージを、厚みが０．２ｍｍの誘電体基体８の上面に幅０．２７ｍｍの外部引出し線路導体７を形成し、金属端子５８の端部が外部引出し線路導体５９の貫通導体５５側の端部を揃えて半田等の接続導体１４を介して電気的に接続することにより、従来例の試料Ｄを得る。
【００３２】
そして、これらの試料Ａ〜Ｄについて、外部引出し線路導体から第１の線路導体の間における高周波信号の伝送特性を電磁界シミュレーションにて抽出し、図６〜８に線図で示すような周波数特性の特性曲線が得られた。図６は試料Ａと従来例の試料Ｄ、図７は試料Ｂと従来例の試料Ｄ、図８は試料Ｃと従来例の試料Ｄの周波数特性の特性曲線を示している。図６〜８において、横軸は周波数（単位：ＧＨｚ）、縦軸は入力した信号のうち反射された量の評価指標としての反射係数（単位：ｄＢ）を示している。また、特性曲線に付記したＡ〜Ｄは各々試料Ａ〜Ｄの特性曲線であることを示している。
【００３３】
これらの結果から、本発明の高周波回路部品搭載用基板ならびに高周波半導体パッケージおよびその実装構造である試料Ａ〜Ｃは、従来例の試料Ｄと比較して、高周波信号が外部引出し線路導体から金属端子を介して第２の線路導体に伝搬する際に、外部引出し線路導体を高周波信号が伝搬してきた方向を滑らかに変更させる作用をもち、伝送特性を改善する高周波回路部品搭載用基板ならびに高周波半導体パッケージおよびその実装構造となることが確認できた。
【００３４】
なお、以上はあくまで本発明の実施形態の例示であって、本発明はこれらに限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変更や改良を加えることは何ら差し支えない。
【００３５】
【発明の効果】
以上のように、請求項１〜３に係る高周波回路部品搭載用基板、高周波半導体パッケージ、およびそれらの実装構造によれば、従来、高周波信号が外部引出し線路導体から金属端子を介して、その進行方向が９０°変更されて第２の線路導体に伝搬される際に、高周波信号が誘電体基体中へ漏れ出し、その結果、高周波信号の伝送特性が劣化してしまう場合と比較して、高周波信号が外部引出し線路導体から金属端子を介して、その進行方向が９０°変更されて第２の線路導体に伝搬されずに、９０°よりも小さい角度で進行方向が変更されるので、滑らかに第２の線路導体に伝搬されるために、高周波信号が誘電体基板中への漏れ出しは減少し、伝送特性を改善する高周波回路部品搭載用基板、高周波半導体パッケージ、およびそれらの実装構造とすることができる。
【００３６】
また、請求項４〜６に係る高周波回路部品搭載用基板、高周波半導体パッケージ、およびそれらの実装構造によれば、従来、高周波信号が外部引出し線路導体から金属端子を介して、その進行方向が９０°変更されて第２の線路導体に伝搬される際に、高周波信号が誘電体基体中へ漏れ出し、その結果、高周波信号の伝送特性が劣化してしまう場合と比較して、高周波信号が外部引出し線路導体から金属端子を介して、その進行方向が９０°変更されて第２の線路導体に伝搬されずに、９０°よりも小さい角度で進行方向が変更されるので、滑らかに第２の線路導体に伝搬されるために、高周波信号が誘電体基板中への漏れ出しは減少し、伝送特性を改善する高周波回路部品搭載用基板、高周波半導体パッケージ、およびそれらの実装構造とすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の高周波回路部品搭載用基板、高周波半導体パッケージ、およびそれらの実装構造の実施形態の一例を示す断面図である。
【図２】本発明の第２の高周波回路部品搭載用基板、高周波半導体パッケージ、およびそれらの実装構造の実施形態の一例を示す断面図である。
【図３】本発明の第３の高周波回路部品搭載用基板、高周波半導体パッケージ、およびそれらの実装構造の実施形態の一例を示す断面図である。
【図４】従来の高周波回路部品搭載用基板、高周波半導体パッケージ、およびそれらの実装構造の実施形態の一例を示す断面図である。
【図５】従来の高周波回路部品搭載用基板、高周波半導体パッケージ、およびそれらの実装構造の実施形態の一例を示す断面図である。
【図６】本発明の第１の高周波回路部品搭載用基板、高周波半導体パッケージ、およびそれらの実装構造、ならびに、図４に示す従来の高周波回路部品搭載用基板、高周波半導体パッケージ、およびそれらの実装構造の高周波の伝送特性を比較した線図である。
【図７】本発明の第２の高周波回路部品搭載用基板、高周波半導体パッケージ、およびそれらの実装構造、ならびに、図４に示す従来の高周波回路部品搭載用基板、高周波半導体パッケージ、およびそれらの実装構造の高周波の伝送特性を比較した線図である。
【図８】本発明の第３の高周波回路部品搭載用基板、高周波半導体パッケージ、およびそれらの実装構造、ならびに、図４に示す従来の高周波回路部品搭載用基板、高周波半導体パッケージ、およびそれらの実装構造の高周波の伝送特性を比較した線図である。
【符号の説明】
１・・・・・誘電体基板
２・・・・・第１の線路導体
３・・・・・第１の同一面接地導体
４・・・・・第２の線路導体
５・・・・・貫通導体
６・・・・・金属端子
７・・・・・外部引出し線路導体
８・・・・・誘電体基体
９・・・・・下面側接地導体
１０・・・・・上面側接地導体
１１・・・・・第２の接続導体
１２・・・・・金属底板
１３・・・・・第２の同一面接地導体
１４・・・・・接続導体
１５・・・・・導電性接続部材
１６・・・・・回路基板
１７・・・・・高周波半導体素子
【図１】
2004031822.tif 000003
【図２】
2004031822.tif 000004
【図３】
2004031822.tif 000005
【図４】
2004031822.tif 000006
【図５】
2004031822.tif 000007
【図６】
2004031822.tif 000008
【図７】
2004031822.tif 000009
【図８】
2004031822.tif 000010