(57)【要約】【課題】Ｒｕ膜が表面に露出している部分とフォトレジストが表面に露出している部分を有する半導体ウエハにおいて、Ｒｕ膜が受けるダメージを抑制するとともにフォトレジストを確実に除去することができる半導体ウエハのフォトレジスト除去方法を提供する。【解決手段】基板３１上にＲｕ膜３２が形成され、前記Ｒｕ膜３２上でフォトレジストパターンが形成され、前記Ｒｕ膜３２が表面に露出している部分とフォトレジスト３４が表面に露出している部分を有する半導体ウエハのフォトレジスト除去方法であって、ｐＨが４以下のオゾン水を用いてフォトレジスト３４を除去すること、またはｐＨが４以下の水蒸気とオゾンガスを用いてフォトレジスト３４を除去することを特徴とする半導体ウエハのフォトレジスト除去方法。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上にルテニウム膜が形成され、前記ルテニウム膜上でフォトレジストパターンが形成され、前記ルテニウム膜が表面に露出している部分とフォトレジストが表面に露出している部分を有する半導体ウエハのフォトレジスト除去方法であって、ｐＨが４以下のオゾン水を用いてフォトレジストを除去することを特徴とする半導体ウエハのフォトレジスト除去方法。
【請求項２】
基板上にルテニウム膜が形成され、前記ルテニウム膜上でフォトレジストパターンが形成され、前記ルテニウム膜が表面に露出している部分とフォトレジストが表面に露出している部分を有する半導体ウエハのフォトレジスト除去方法であって、ｐＨが４以下の水蒸気とオゾンガスを用いてフォトレジストを除去することを特徴とする半導体ウエハのフォトレジスト除去方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ルテニウム膜が形成され、前記ルテニウム膜上にフォトレジストパターンが形成され、前記ルテニウム膜が表面に露出している部分とフォトレジストが表面に露出している部分を有する半導体ウエハのフォトレジストを除去する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体ウエハの製造プロセスにおけるフォトレジスト除去方法としては、酸素プラズマやオゾンガスによるアッシング方法が知られている（非特許文献１参照。）。しかし、ルテニウム（以下、Ｒｕという）膜を含むパターンを形成する場合、酸素プラズマやオゾンガスによるアッシング方法では、ＲｕがＲｕＯ４に酸化され気化するため（ＲｕＯ４の沸点は４０℃）、Ｒｕ膜がダメージを受けるという問題がある。
【０００３】
Ｒｕ膜にダメージを与えることなく、フォトレジストを除去する方法として、たとえば、Ｒｕ膜上にフォトレジストが残存している半導体ウエハを、１８０℃〜２８０℃の範囲で１分〜３分程度オゾンアッシングする方法が提案されている（特許文献１参照。）。しかし、かかる方法では、１８０℃〜２８０℃の高温にしなければ、フォトレジストを除去することができないという問題がある。
【０００４】
また、Ｒｕ膜上にフォトレジストが残存している半導体ウエハを、フッ化水素（ＨＦ）と界面活性剤と過酸化水素（Ｈ２Ｏ２）とを含む電子部品洗浄液で洗浄後、オゾン水で洗浄する方法が提案されている（特許文献２参照。）。しかし、かかる方法では、オゾン水のみで洗浄を行なう際にＲｕ膜がダメージを受けるという問題が残る。
【０００５】
さらに、Ｒｕ膜上にフォトレジストが残存している半導体ウエハを、濃硫酸中に浸漬させて、濃硫酸中にオゾンガスを吹き出す方法が提案されている（特許文献３参照。）。しかし、かかる方法では、濃硫酸はオゾンの溶解度が低くためレジスト除去速度が向上しない、また高濃度の薬液を用いるため環境負荷が高いという問題がある。
【０００６】
【特許文献１】
特開２００１−１８９３０３号公報
【０００７】
【特許文献２】
特開２００２−２６１０６９号公報
【０００８】
【特許文献３】
特開昭５３−０７６７５４号公報
【０００９】
【非特許文献１】
松下、他１名、「アッシング装置」、月刊Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ  Ｗｏｒｌｄ、株式会社プレスジャーナル、１９９３年７月、ｐ．１６４−１７５
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上記問題点を解決するため、Ｒｕ膜が表面に露出している部分とフォトレジストが表面に露出している部分を有する半導体ウエハにおいて、Ｒｕ膜が受けるダメージを抑制するとともにフォトレジストを確実に除去することができる半導体ウエハのフォトレジスト除去方法を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明にかかる半導体ウエハのフォトレジスト除去方法は、基板上にＲｕ膜が形成され、前記Ｒｕ膜上でフォトレジストパターンが形成され、前記Ｒｕ膜が表面に露出している部分とフォトレジストが表面に露出している部分を有する半導体ウエハのフォトレジスト除去方法であって、ｐＨが４以下のオゾン水を用いてフォトレジストを除去することを特徴とする。また、本発明にかかる半導体ウエハのフォトレジスト除去方法は、基板上にＲｕ膜が形成され、前記Ｒｕ膜上でフォトレジストパターンが形成され、前記Ｒｕ膜が表面に露出している部分とフォトレジストが表面に露出している部分を有する半導体ウエハのフォトレジスト除去方法であって、ｐＨが４以下の水蒸気とオゾンガスを用いてフォトレジストを除去することを特徴とする。
【００１２】
【発明の実施の形態】
本発明にかかる半導体ウエハのフォトレジスト除去方法は、基板上にＲｕ膜が形成され、前記Ｒｕ膜上でフォトレジストパターンが形成され、前記Ｒｕ膜が表面に露出している部分とフォトレジストが表面に露出している部分を有する半導体ウエハのフォトレジスト除去方法であって、ｐＨが４以下のオゾン水を用いてフォトレジストを除去するものである。ｐＨが４以下のオゾン水を用いることにより、Ｒｕの除去速度が低下するため、１８０℃以下においてもＲｕ膜のダメージを抑制することができる。上記観点から、ｐＨは２以下であることが好ましい。また、ｐＨが４以下のオゾン水を用いることにより、オゾン水中の溶存オゾン濃度が大きくなるため、フォトレジストの除去速度が増大する。
【００１３】
ここで、本発明は、Ｒｕ膜が表面に露出している部分とフォトレジストが表面に露出している部分を有する半導体ウエハに対して広く適用できる。本発明が適用される半導体ウエハは、たとえば、図１を参照して、基板３１上にＲｕ膜３２が形成され、前記Ｒｕ膜３２上でフォトレジストパターンが形成され、前記Ｒｕ膜３２が表面に露出している部分とフォトレジスト３４が表面に露出している部分を有する半導体ウエハ１，１１である。図１（ａ）は、Ｒｕ膜３２の上に直接フォトレジスト３４が積層されている場合を示し、図１（ｂ）は、Ｒｕ膜３２の上に、絶縁膜または半導体膜などで形成される中間層３３を介してフォトレジスト３４が積層されている場合を示す。いずれの半導体ウエハ１，１１に対しても本発明が適用できる。
【００１４】
ここで、所定ｐＨのオゾン水を調製する方法としては、本発明の目的に反さない限り特に制限はなく、たとえば、ｐＨを調整した水に、放電法または電解法などにより得られたオゾンガスを溶解させる方法などがある。
【００１５】
水のｐＨを調整するための薬品（以下、ｐＨ調整剤という）としては、本発明の目的に反さない限り特に制限はなく、酸としては、塩酸、硝酸などの各種無機酸、またはギ酸、酢酸などの各種有機酸を用いることができ、塩基としては、水酸化アンモニウム、水酸化テトラメチルアンモニウム（以下、ＴＭＡＨという）などを用いることができる。上記の２以上の酸または塩基を併用することもできる。また、オゾン水のｐＨ調整をより容易に行なうため、金属塩を含まないｐＨ緩衝剤を用いることもできる。
【００１６】
また、上記ｐＨ調整後の水に、放電法または電解法により作られたオゾンガスを溶解させる方法として、オゾンガスを気泡状にして水に接触させる気泡溶解法、多孔質のテフロン（Ｒ）膜に水を流しその外側にオゾンガスを流して水中にオゾンを吸収させる隔膜溶解法、充填層の上部から水を流し下部からオゾンガスを流して充填層内で気液向流式に水にオゾンを溶解させる充填層溶解法など種々の方法を採用することができる。
【００１７】
本発明にかかる半導体ウエハのフォトレジスト除去方法は、基板上にＲｕ膜が形成され、前記Ｒｕ膜上でフォトレジストパターンが形成され、前記Ｒｕ膜が表面に露出している部分とフォトレジストが表面に露出している部分を有する半導体ウエハのフォトレジスト除去方法であって、ｐＨが４以下の水蒸気とオゾンガスを用いてフォトレジストを除去するものである。オゾンガスとともに、ｐＨが４以下の水蒸気を供給することにより、フォトレジストを除去する際、Ｒｕ膜のダメージを抑制することができるとともに、フォトレジスト除去速度を向上させることができる。
【００１８】
所定のｐＨの水蒸気を調製する方法は、本発明の目的に反さない限り特に制限は無く、たとえば、所定のｐＨの水にガスをバブリングして、水を飛沫気化させて所定のｐＨを有する水蒸気を得ることができる。また、オゾンガスを調製する方法は、本発明の目的に反さない限り特に制限は無く、無声放電法または沿面放電法などにより酸素含有ガス中で放電を起こさせる放電法、水中に電解質膜を挟んで両極間に直流電圧をあける電解法、紫外線を酸素含有ガスに照射させる紫外線ランプ法などを用いることができる。
【００１９】
（実施形態１）
半導体ウエハの本発明にかかる一のフォトレジスト除去方法は、たとえば、図２に示すような除去装置を用いて行なうことができる。図２に示す除去装置は、オゾンガス発生装置４で発生したオゾンガスを、オゾンガス供給管５を経由して所定のｐＨに調整した水で満たした処理槽２に供給して、半導体ウエハ１を処理するためのオゾン水３を形成する構造を有している。
【００２０】
図１（ａ）を参照して、直径８インチ（２０．３２ｃｍ）のシリコン基板（基板３１）上に、Ｒｕ膜３２を１００ｎｍ成膜した後、その上にフォトレジストを塗布し、１０００ｎｍのフォトレジスト膜を形成した。さらに、そのサンプルを露光、現像し、表面にフォトレジスト３４が露出している部分とＲｕ膜３２が露出している部分を形成された半導体ウエハ１を作製した。
【００２１】
図２を参照して、ｐＨ調整剤として塩酸とＴＭＡＨを用いて所定のｐＨに調整した３×１０−３ｍ３の水で満たした処理槽２に、上記半導体ウエハ１を浸漬した。次に、処理槽２にオゾンガス発生装置４で発生したオゾンガス濃度２５０ｇ／Ｎｍ３（１１．７体積％に相当）のガスを、３×１０−３ｍ３／ｍｉｎで供給してオゾン水３とし、雰囲気温度２０℃で２０分間処理した後、半導体ウエハ１を水洗いした。その結果、ｐＨが４以下の場合、Ｒｕ膜がダメージを受けることなく、フォトレジストを除去することができた。しかし、ｐＨが４より大きい場合、フォトレジストを除去することはできたが、Ｒｕ膜はダメージを受けた。なお、単位ｇ／Ｎｍ３とは、原料ガスのオゾンガス濃度を表す単位であり、標準状態（０℃、１０１３ｈＰａ）のガス中に含まれるオゾンガスの質量を表す。なお、原料ガス中のオゾンガス以外のガスはほとんど酸素ガスである。
【００２２】
ここで、フォトレジストの除去速度とＲｕの除去速度を比較するために、シリコン基板上にＲｕ膜を１００ｎｍ成膜したサンプルとシリコン基板上にフォトレジスト膜１０００ｎｍを形成したサンプルを上記と同様にして処理し、処理前後でのフォトレジストの膜厚を触針式膜厚計（アルバック製Ｄｅｋｔａｋ３０３０ＳＴ）で、Ｒｕの膜厚を蛍光Ｘ線分析装置（リガク製ＲＩＸ２０００）で測定した。このときのフォトレジストおよびＲｕの除去速度を図３に示す。図３に示すように、オゾン水のｐＨが４以下の条件では、Ｒｕの除去速度は中性または塩基性の場合と比べて低下した。一方、フォトレジストの除去速度は中性または塩基性の場合と比べて向上した。そのため、ｐＨが４以下のオゾン水を用いることにより、Ｒｕ膜のダメージを抑制するとともに、フォトレジストの除去速度を向上させることができた。ｐＨ２以下のオゾン水を用いると、Ｒｕ除去速度はさらに低下し、フォトレジスト除去速度はさらに向上した。そのため、Ｒｕ膜のダメージをさらに抑制するとともに、フォトレジスト除去速度をさらに向上させることができた。
【００２３】
さらに、オゾン水のｐＨとオゾン水中の溶存オゾン濃度との関係を図４に示す。図４に示すように、オゾン水のｐＨを低下させることは、溶存オゾン濃度を向上させ、フォトレジスト除去速度を向上させることがわかる。特に、オゾン水のｐＨを塩基性領域にした場合、オゾン水中の水酸化物イオンとオゾンが反応し、オゾンが消費されるため、溶存オゾン濃度が低下し、フォトレジスト除去速度は低下する。
【００２４】
ここで、図５にＲｕのｐＨ電位図（出典：Ｍ．Ｐｏｕｒｂａｉｘ  ：“Ａｔｒａｓ  ｏｆ  Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｅｑｕｉｌｉｂｒｉａ  ｉｎ  Ａｑｕｅｏｕｓ  Ｓｏｌｕｔｉｏｎｓ”，Ｐｅｒｇａｍｏｎ  Ｐｒｅｓｓ，Ｌｏｎｄｏｎ  （１９６６））を示す。図５において、太い破線で示したのは、下式の反応におけるオゾンの酸化還元電位Ｅ０（Ｖ）である。
【００２５】
Ｏ２＋Ｈ２Ｏ→Ｏ３＋２Ｈ＋＋２ｅ−  ；Ｅ０＝２．０７６−０．０５９１ｐＨ
これより、オゾン水が中性領域にある場合、Ｒｕがオゾンに酸化されＲｕＯ４になり、腐食されることがわかる。特に、ｐＨが１２以上になると、Ｒｕがイオン化されることから、腐食されることがわかる。一方、ｐＨが４以下の場合であっても、溶存オゾン濃度が向上するため、オゾンによるＲｕの酸化反応が進み、ルテニウムの腐食が促進されることも予想される。しかし、発明者らは、ｐＨ４以下においては、上記のようにＲｕのオゾンによる酸化反応が低下することを見出し、本願発明を完成させたものである。
【００２６】
したがって、オゾン水のｐＨを４以下、好ましくはｐＨを２以下にすることにより、Ｒｕ膜のダメージを抑制し、フォトレジストの除去速度を向上させることができる。また、本実施形態においては、処理温度が２０℃と低い点、酸の使用量が少なく、またオゾンはフォトレジストと反応後酸素に分解するので環境負荷が低い点も、利点である。
【００２７】
ｐＨ調整剤として、塩酸の代わりに酢酸を用いた場合も同様の効果が得られた。しかし、ｐＨ調整剤として硫酸を用いた場合は、Ｒｕ膜のダメージは防止できたが、フォトレジスト除去速度を向上させることはできなかった。これは、塩酸、硝酸などの無機酸、ギ酸、酢酸などの有機酸では、その濃度の上昇に従って溶存オゾン濃度も向上するが、硫酸では、その濃度の上昇に従って溶存オゾン濃度は低下するためである。
【００２８】
なお、本実施形態においては、図２を参照して、ｐＨ調整した水にオゾンガス発生装置４で発生したオゾンガスを処理槽２に供給したが、オゾン水製造装置（図示せず）で生成したオゾン水を処理槽２に供給してもよい。
【００２９】
（実施形態２）
半導体ウエハの本発明にかかる別のフォトレジスト除去方法は、たとえば、図６に示す除去装置を用いて行なうことができる。図６に示す除去装置は、図２に示す除去装置に、処理層のｐＨを一定に保持するためのｐＨ調整装置６が加えられたものである。ここで、ｐＨ調整装置とは、ｐＨセンサーとそのｐＨ値に応じて適宜酸または塩基を供給できる機構を有するものであれば、特に制限無く本発明に用いることができる。かかるｐＨ調整装置を用いることにより、オゾン水のｐＨが一定に保たれ、安定してフォトレジストを除去することができる。
【００３０】
（実施形態３）
半導体ウエハの本発明にかかるさらに別のフォトレジスト除去方法は、たとえば、図７に示す除去装置を用いて行なうことができる。図７に示す除去装置は、所定のｐＨに調整したバブリング水７で満たしたバブリングタンク１７に、オゾンガス発生装置４からオゾンガス供給管５を経てオゾンガスを供給し、オゾンガスとバブリングタンク１７で発生した所定のｐＨを有する水蒸気（オゾンガスおよび水蒸気１３）を、オゾンガスおよび水蒸気供給管１５を経て、処理槽１２に供給し、処理槽１２内の半導体ウエハ１を処理する構造を有する。また、処理槽１２およびバブリングタンク１７には、それぞれヒーター２２およびヒータ２７が設置されており、それぞれ半導体ウエハ１およびバブリングタンク１７内のバブリング水７の温度を任意の温度にすることができる。また、オゾンガスおよび水蒸気供給管１５には、供給管内で水蒸気の凝縮を防止するため、供給管を加熱する装置（図示せず）が設置することもできる。
【００３１】
実施形態１と同様に、Ｒｕ膜が表面に露出している部分とフォトレジストが表面に露出している部分を有する半導体ウエハ１を処理槽１２に設置し、半導体ウエハ１の温度が５０℃になるように、ヒーター２２で処理槽１２を加熱した。バブリングタンク１７に所定のｐＨに調整したバブリング水７を入れ、バブリング水７の温度が６０℃になるように、ヒータ２７でバブリングタンク１７を加熱した。バブリングタンク１７に、オゾン発生装置４で発生させたオゾンガス濃度２５０ｇ／Ｎｍ３のガスを３×１０−３ｍ３／ｍｉｎで供給し、雰囲気温度５０℃で３分間処理した後、半導体ウエハ１を水洗した。処理前後でのフォトレジストおよびＲｕ膜の膜厚を測定し、除去速度を求めたところ、Ｒｕ除去速度はほぼ同等の値を示すとともに、フォトレジスト除去速度は図２で示した値の約１０倍の値を示した。
【００３２】
したがって、バブリングタンクに入れるバブリング水のｐＨを４以下、好ましくは２以下にすることにより、Ｒｕ膜のダメージを抑制し、フォトレジスト除去速度を向上させることができる。また、本実施形態においては、半導体ウエハの温度は５０℃でありオゾンアッシング法に比べて低い点、酸の使用量も少なく、またオゾンはフォトレジストと反応後酸素に分解するので環境負荷が低い点も利点である。なお、半導体ウエハ温度を上昇させるほど、フォトレジストとオゾンの酸化反応が進むため、フォトレジスト除去速度が向上する。
【００３３】
また、本実施形態では、半導体ウエハに水蒸気を供給する方法として、オゾンガスによるバブリング方式を用いたが、水蒸気供給方法は他の方法でもよく、たとえば、超音波を用いて霧化する方法を用いることもできる。
【００３４】
なお、本実施形態では、ｐＨ調整剤として塩酸を用いたが、酢酸を用いた場合も同様の効果が得られた。しかし、ｐＨ調整剤として硫酸を用いた場合は、Ｒｕ膜のダメージを防止することもできなかった。本実施形態においては、バブリングタンク内のバブリング水が蒸発し、半導体ウエハ表面で凝縮することにより、Ｒｕ膜へのダメージ抑制およびフォトレジストの加水分解を行うが、硫酸は揮発性が低く半導体ウエハ表面にほとんど供給されず、ｐＨを低下させることができないため、Ｒｕ膜のダメージを抑制することができなかった。そのため、本実施形態においては、ｐＨ調整剤としては、揮発性の高い酸、たとえば、塩酸などの無機酸、またはギ酸、酢酸などの有機酸を用いることが好ましい。
【００３５】
（実施形態４）
半導体ウエハの本発明にかかるさらに別のフォトレジスト除去方法について説明する。図７を参照して、オゾン発生装置４として無声放電式のオゾン発生装置を用い、大部分の組成が酸素ガスである原料ガスに窒素（以下Ｎ２という）ガスを添加し、オゾンガスを発生させ、バブリングタンク１７にバブリング水７として超純水を入れた以外は、実施形態３と同様に半導体ウエハを処理した。
【００３６】
原料ガスにＮ２ガスを０．１体積％以上添加することにより、Ｒｕ膜のダメージを抑制し、フォトレジスト除去速度を向上することができた。ここで、無声放電式のオゾン発生装置を用いた場合、原料ガスにＮ２ガスを添加することにより、オゾンとともに窒素酸化物（いわゆるＮＯｘ）が生成される。この窒素酸化物がバブリングタンク１７内のバブリンブ水７である超純水に溶解して、硝酸となり、バブリング水７のｐＨが低下し、水蒸気のｐＨが低下する。これにより、実施形態３と同様に、Ｒｕ膜のダメージを抑制し、フォトレジスト除去速度を向上させることができる。また、オゾン発生器の原料ガスにＮ２ガスを添加するだけであるので、バブリング水のｐＨを調整する必要がない点も利点である。
【００３７】
ここで、本実施態様における原料ガス中のＮ２ガス濃度（体積％）とバブリング水のｐＨとの関係を図９に示す。図９に示すように、原料ガス中にＮ２ガスを０．１体積％添加したときのバブリンブ水のｐＨは４であり、このときの水蒸気中のｐＨは４と推定される。また、Ｎ２ガスに替えて、二酸化炭素（ＣＯ２）ガスを添加することもできる。ＣＯ２ガスはバブリング水に溶解して炭酸（Ｈ２ＣＯ３）を生じて、バブリング水のｐＨが低下する。
【００３８】
（実施形態５）
半導体ウエハの本発明にかかるさらに別のフォトレジスト除去方法について説明する。図８に示す除去装置は、図７に示す除去装置に酸性ガス供給管８が加えられたものである。図８を参照して、実施形態３と同様にして、表面にＲｕ膜が露出した部分とフォトレジストが露出した部分の両方を有する半導体ウエハ１を処理槽１２に設置し、半導体ウエハの温度が５０℃になるよう、ヒータ２２で反応槽１２を加熱した。バブリングタンク１７にバブリング水７として超純水を入れ、超純水の温度が６０℃になるようにバブリングタンク１７を加熱した。バブリングタンク１７にオゾン発生装置４で発生させたオゾンガス濃度２５０ｇ／Ｎｍ３のガスを３×１０−３ｍ３／ｍｉｎで供給するとともに、酸性ガス供給管８を通じて処理槽１２に酸性ガスとして二酸化窒素（以下、ＮＯ２という）ガスを供給した。雰囲気温度５０℃で３分間処理した後、半導体ウエハ１を水洗した。処理前後でのフォトレジストおよびＲｕ膜の膜厚を測定し、除去速度を求めたところ、ＮＯ２ガスの流量０．０５×１０−３ｍ３／ｍｉｎ以上の場合、Ｒｕ膜のダメージを抑制し、フォトレジスト除去速度を向上させることができた。これは、ＮＯ２が半導体ウエハ上で凝縮した水に溶解し、硝酸となってｐＨを低下させるためである。
【００３９】
ここで、本実施態様におけるＮＯ２ガス流量（ｍ３／ｍｉｎ）とバブリング水のｐＨとの関係を図１０に示す。図１０に示すように、ＮＯ２ガス流量が０．０５×１０−３ｍ３／ｍｉｎのとき、バブリンブ水のｐＨは４であり、このときの水蒸気中のｐＨは４と推定される。なお、本実施形態においては、酸性ガスとしてＮＯ２ガスを用いたが、二酸化炭素（ＣＯ２）ガス、塩素（Ｃｌ２）ガスを用いることもできる。
【００４０】
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した説明でなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内のすべての変更が含まれることが意図される。
【００４１】
【発明の効果】
上記のように、本発明によれば、前記Ｒｕ膜が表面に露出している部分とフォトレジストが表面に露出している部分を有する半導体ウエハのフォトレジストを除去する際、ｐＨが４以下のオゾン水を用いてフォトレジストを除去することにより、またはｐＨが４以下の水蒸気およびオゾンガスを用いてフォトレジストを除去することにより、Ｒｕ膜が受けるダメージを抑制するとともにフォトレジストを確実に除去することができる半導体ウエハのフォトレジスト除去方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）は本発明が適用される一の半導体ウエハの模式図であり、
（ｂ）は本発明が適用される別の半導体ウエハの模式図である。
【図２】本発明にかかる半導体ウエハの一のフォトレジスト除去装置を示す図である。
【図３】オゾン水のｐＨとフォトレジスト除去速度またはＲｕ除去速度との関係を示す図である。
【図４】オゾン水のｐＨとオゾン水中の溶存オゾン濃度またはフォトレジスト除去速度との関係を示す図である。
【図５】ＲｕのｐＨ電位図である。
【図６】本発明にかかる半導体ウエハの別のフォトレジスト除去装置を示す図である。
【図７】本発明にかかる半導体ウエハのさらに別のフォトレジスト除去装置を示す図である。
【図８】本発明にかかる半導体ウエハのさらに別のフォトレジスト除去装置を示す図である。
【図９】原料ガス中のＮ２ガス濃度とバブリング水のｐＨとの関係を示す図である。
【図１０】ＮＯ２ガス流量とバブリング水のｐＨとの関係を示す図である。
【符号の説明】
１，１１  半導体ウエハ、２，１２  処理槽、３  オゾン水、４  オゾン発生装置、５  オゾン供給管、６  ｐＨ調整装置、７  バブリング水、８  酸性ガス供給管、１３  オゾンガスおよび水蒸気、１５  オゾンガスおよび水蒸気供給管、１７  バブリングタンク、２２，２７  ヒータ、３１  基板、３２  Ｒｕ膜、３３  中間層、３４  フォトレジスト。
【図１】
2004327610.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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