(57)【要約】【課題】外観欠陥検査装置で取得した任意の欠陥の座標情報に基づき欠陥レビュー装置で当該欠陥位置に容易に且つ精度良くアクセス可能にする異なる装置間の座標補正方法及びこの座標補正方法を用いた検査方法を提供する。【解決手段】第１検査装置の第１座標系と第１ウェハ上の仮想的なウェハ上座標系とのアライメントを行う第１アライメント工程Ｐ１０、第１アライメント工程Ｐ１０の後で第１補正情報を取得する第１情報取得工程Ｐ２０、第１検査装置により第１位置情報を取得する第１検査工程Ｐ３０、第２検査装置により第２移動手段に基づく第２座標系とウェハ上座標系とのアライメントを行う第２アライメント工程Ｐ４０、第２アライメント工程Ｐ４０の後で第２補正情報を取得する第２情報取得工程Ｐ５０、及び第１補正情報及び第２補正情報に基づき、第１位置情報を第２位置情報に変換する座標補正工程Ｐ６０、を備える。【選択図】      図１
2004163174.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
製品の主面上で互いに直交する２方向をそれぞれＸ方向及びＹ方向としてこのＸ方向及びＹ方向に沿って複数の単位ユニットがマトリックス状に配列された検査対象製品を載置して所望の位置に移動させる第１移動手段を備えた第１検査装置により前記検査対象製品上の複数の所定のアライメントマークを用いて前記第１移動手段に基づく第１座標系と前記検査対象製品上の仮想的な製品上座標系とのアライメントを行う第１アライメント工程と、
前記第１アライメント工程の後で所定の第１補正情報を取得する第１情報取得工程と、
前記第１検査装置により前記検査対象製品上の任意の位置に対応する前記第１座標系での第１位置情報を取得する第１検査工程と、
前記検査対象製品を載置して所望の位置に移動させる第２移動手段を備えた第２検査装置により前記アライメントマークを用いて前記第２移動手段に基づく第２座標系と前記製品上座標系とのアライメントを行う第２アライメント工程と、
前記第２アライメント工程の後で所定の第２補正情報を取得する第２情報取得工程と、
前記第１補正情報及び前記第２補正情報に基づき、前記第１位置情報を前記第２検査装置の前記第２座標系における第２位置情報に変換する座標補正工程と、
を有することを特徴とする座標補正方法。
【請求項２】
前記第１情報取得工程が、前記第１座標系に基づく各前記アライメントマークの位置情報である第１マーク情報を取得する第１座標取得ステップと、前記第１マーク情報に基づき複数の前記アライメントマークの中で予め指定された第１ポイントと第２ポイントとの間の前記第１座標系でのＸ方向の距離である第１Ｘ距離を算出する第１Ｘ距離算出ステップと、前記第１マーク情報に基づき複数の前記アライメントマークの中で予め指定された第３ポイントと第４ポイントとの間の前記第１座標系でのＹ方向の距離である第１Ｙ距離を算出する第１Ｙ距離算出ステップと、前記第１Ｘ距離及び前記第１Ｙ距離を前記第１補正情報として出力する第１出力ステップと、を含み、
前記第２情報取得工程が、前記第２座標系に基づく各前記アライメントマークの位置情報である第２マーク情報を取得する第２座標取得ステップと、前記第２マーク情報に基づき前記第１ポイントと前記第２ポイントとの間の前記第２座標系でのＸ方向の距離である第２Ｘ距離を算出する第２Ｘ距離算出ステップと、前記第２マーク情報に基づき前記第３ポイントと前記第４ポイントとの間の前記第２座標系でのＹ方向の距離である第２Ｙ距離を算出する第２Ｙ距離算出ステップと、前記第２Ｘ距離及び前記第２Ｙ距離を前記第２補正情報として出力する第２出力ステップと、を含む請求項１記載の座標補正方法。
【請求項３】
前記第１情報取得工程が、前記第１Ｘ距離及び前記第１Ｙ距離に基づき前記第１座標系でのユニットサイズ情報である第１ユニットサイズを算出する第１サイズ算出ステップを更に含むと共に前記第１出力ステップが前記第１ユニットサイズを第１補正情報として出力し、
前記第２情報取得工程が、前記第２Ｘ距離及び第２Ｙ距離に基づき前記第２座標系でのユニットサイズ情報である第２ユニットサイズを算出する第２サイズ算出ステップを更に含む共に前記第２出力ステップが前記第２ユニットサイズを第２補正情報として出力する請求項２記載の座標補正方法。
【請求項４】
前記座標補正工程が、前記第１Ｘ距離と前記第２Ｘ距離との比及び前記第１Ｙ距離と前記第２Ｙ距離との比に基づいて前記第１位置情報を補正し、前記第２位置情報を算出する請求項２記載の座標補正方法。
【請求項５】
前記座標補正工程が、前記第１ユニットサイズと前記第２ユニットサイズの比に基づいて前記第１位置情報を補正し、前記第２位置情報を算出する請求項３記載の座標補正方法。
【請求項６】
製品の主面上で互いに直交する２方向をそれぞれＸ方向及びＹ方向としてこのＸ方向及びＹ方向に沿って複数の単位ユニットがマトリックス状に配列された検査対象製品を載置して所望の位置に移動させる第１移動手段を備えた第１検査装置により前記検査対象製品上の複数の所定のアライメントマークを用いて前記第１移動手段に基づく第１座標系と前記検査対象製品上の仮想的な製品上座標系とのアライメントを行う第１アライメント工程と、
前記第１アライメント工程の後で所定の第１補正情報を取得する第１情報取得工程と、
前記単位ユニットを設計したときの設計座標系での設計ユニットサイズ情報を取得する設計データ取得工程と、
前記第１補正情報情報及び前記設計ユニットサイズ情報に基づき、前記第１座標系における所定の第１位置情報に対応する前記設計座標系での位置情報を算出する第２座標補正工程と、を有し、
前記第１情報取得工程が、前記第１座標系に基づく各前記アライメントマークの位置情報である第１マーク情報を取得する第１座標取得ステップと、前記第１マーク情報に基づき複数の前記アライメントマークの中で予め指定された第１ポイントと第２ポイントとの間の前記第１座標系でのＸ方向の距離である第１Ｘ距離を算出する第１Ｘ距離算出ステップと、前記第１マーク情報に基づき複数の前記アライメントマークの中で予め指定された第３ポイントと第４ポイントとの間の前記第１座標系でのＹ方向の距離である第１Ｙ距離を算出する第１Ｙ距離算出ステップと、前記第１Ｘ距離及び前記第１Ｙ距離に基づき前記第１座標系でのユニットサイズ情報である第１ユニットサイズを算出する第１サイズ算出ステップと、前記第１ユニットサイズを前記第１補正情報として出力する第１出力ステップと、を含むことを特徴とする座標補正方法。
【請求項７】
前記第１ポイント及び前記第２ポイントが、前記Ｘ方向の同一直線上に離間して配置された第１アライメントセットであり、前記第３ポイント及び前記第４ポイントが前記Ｙ方向の同一直線上に離間して配置された第２アライメントセットである請求項２乃至６いずれか１項に記載の座標補正方法。
【請求項８】
前記第１位置情報が当該欠陥を含む単位ユニットの所定の基準位置を前記第１座標系の原点に置いたときの当該単位ユニット内の座標情報であり、
前記第２位置情報が当該欠陥を含む単位ユニットの前記基準位置を前記第２座標系の原点に置いたときの当該単位ユニット内の座標情報である請求項１乃至５いずれか１項に記載の座標補正方法。
【請求項９】
前記アライメントマークは、前記単位ユニット内の所定のパターンである請求項１乃至８いずれか１項に記載の座標補正方法。
【請求項１０】
前記単位ユニットがチップであり、前記製品は複数の前記チップがマトリックス状に配置された半導体ウェハである請求項１乃至９いずれか１項に記載の座標補正方法。
【請求項１１】
製品の主面上で互いに直交する２方向をそれぞれＸ方向及びＹ方向としてこのＸ方向及びＹ方向に沿って複数の単位ユニットがマトリックス状に配列された検査対象製品を載置して所望の位置に移動させる第１移動手段を備えた第１検査装置により前記検査対象製品上の所定のアライメントマークを用いて前記第１移動手段に基づく第１座標系と前記検査対象製品上の仮想的な製品上座標系とのアライメントを行う第１アライメント工程と、
前記第１アライメント工程の後で所定の第１補正情報を取得する第１情報取得工程と、
前記第１検査装置により前記検査対象製品の検査を実施して検出された前記検査対象製品上の欠陥の前記第１移動手段に基づく第１座標系での第１位置情報を取得し、前記第１位置情報及び前記第１補正情報を含む前記検査対象製品の所定の座標情報を出力する第１検査工程と、
前記検査対象製品を載置して所望の位置に移動させる第２移動手段を備えた第２検査装置により前記アライメントマークを用いて前記第２移動手段に基づく第２座標系と前記製品上座標系とのアライメントを行う第２アライメント工程と、
前記第２アライメント工程の後で所定の第２補正情報を取得する第２情報取得工程と、
前記第１補正情報及び前記第２補正情報に基づき、前記第１位置情報を前記第２座標系における第２位置情報に変換する座標補正工程と、
前記第２位置情報に基づいて前記欠陥を前記第２検査装置により検査する欠陥レビュー工程と、
を有することを特徴とする外観検査方法。
【請求項１２】
前記第１情報取得工程が、前記第１Ｘ距離及び前記第１Ｙ距離に基づき前記第１座標系でのユニットサイズ情報である第１ユニットサイズを算出する第１サイズ算出ステップを更に含むと共に前記第１出力ステップが前記第１ユニットサイズを第１補正情報として出力し、
前記第２情報取得工程が、前記第２Ｘ距離及び第２Ｙ距離に基づき前記第２座標系でのユニットサイズ情報である第２ユニットサイズを算出する第２サイズ算出ステップを更に含む共に前記第２出力ステップが前記第２ユニットサイズを第２補正情報として出力する請求項１２記載の外観検査方法。
【請求項１３】
前記座標補正工程が、前記第１Ｘ距離と前記第２Ｘ距離との比及び前記第１Ｙ距離と前記第２Ｙ距離との比に基づいて前記第１位置情報を補正し、前記第２位置情報を算出する請求項１１記載の外観検査方法。
【請求項１４】
前記座標補正工程が、前記第１ユニットサイズと前記第２ユニットサイズの比に基づいて前記第１位置情報を補正し、前記第２位置情報を算出する請求項１２記載の外観検査方法。
【請求項１５】
前記第１ポイント及び前記第２ポイントが、前記Ｘ方向の同一直線上に離間して配置された第１アライメントセットであり、前記第３ポイント及び前記第４ポイントが前記Ｙ方向の同一直線上に離間して配置された第２アライメントセットである請求項１１乃至１４いずれか１項に記載の外観検査方法。
【請求項１６】
前記第１位置情報が当該欠陥を含む単位ユニットの所定の基準位置を前記第１座標系の原点に置いたときの当該単位ユニット内の座標情報であり、
前記第２位置情報が当該欠陥を含む単位ユニットの前記基準位置を前記第２座標系の原点に置いたときの当該単位ユニット内の座標情報である請求項１１乃至１５いずれか１項に記載の外観検査方法。
【請求項１７】
前記アライメントマークは、前記単位ユニット内の所定のパターンである請求項１１乃至１６いずれか１項に記載の外観検査方法。
【請求項１８】
前記第１検査装置が欠陥の有無及びその位置情報を取得する外観欠陥検査装置であり、前記第２検査装置が各欠陥を観察する欠陥レビュー装置である請求項１１乃至１７いずれか１項に記載の外観検査方法。
【請求項１９】
前記単位ユニットがチップであり、前記製品は複数の前記チップがマトリックス状に配置された半導体ウェハである請求項１１乃至１８いずれか１項に記載の外観検査方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、複数の検査装置間の座標補正方法及び検査方法に関し、特に半導体ウェハのような単位パターン群が規則的に配列・形成された基板状製品の外観検査を複数の検査装置を用いて行う際に、製品上の任意の特定点の任意の検査装置による座標に基づき、他の検査装置でも当該特定点に容易にアクセス可能にするための異なる装置間の座標補正方法及びこの補正方法を用いた外観検査方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
任意の検査装置で検出した欠陥の位置座標を、他の検査装置の座標系における位置座標に変換する従来の方法として、例えば特許文献１には、半導体ウェハにおける電気的特性検査の結果であるフェイルビット（以下、ＦＢとする）データの座標情報を基準に位置補正演算をする方法が開示されている。
【０００３】
又、特許文献２は、欠陥検出装置で検出したウェハＷ上の欠陥位置を欠陥観察装置にて補正する際に、ウェハＷ上で複数個（例えば３個）の測定ポイントを設定し、検出座標系と観察座標系との間における各測定ポイントの位置ずれ量の平均値をとり、その平均オフセットで欠陥位置を補正する場合の問題を解決する方法を開示している。具体的には、各測定ポイントの位置ずれ量の平均値を平均オフセットとして欠陥位置を補正する場合、例えば欠陥検出装置及び欠陥観察装置の欠陥位置精度がいずれも±３μｍ程度であっても、図１０に示す１枚のウェハＷ表面上の複数箇所における補正後の欠陥位置と実際にあるべき欠陥位置とのずれをベクトルで示した補正結果の例のように、ｘ軸方向の欠陥位置のずれのばらつき（レンジ）は１０．０５μｍであり、ｙ軸方向の欠陥位置のずれのばらつきは１１．３６μｍであり、補正後の欠陥位置と実際にあるべき欠陥位置とのずれのばらつきが大きくなっている。この問題を解決するため、特許文献２では、欠陥検出装置から欠陥位置データを欠陥観察装置に入力した後、欠陥観察装置で複数個の測定ポイントを設定し、各測定ポイントについて、欠陥検出装置の検出座標系と欠陥観察装置の観察座標系との間の位置ずれ量を測定した後、欠陥観察装置が各測定ポイントの位置ずれ量に基づき、検出座標系での欠陥位置を適正化するための１次の欠陥位置補正式を作成し、この欠陥位置補正式を用いて、欠陥検出装置で検出した欠陥位置を補正することを開示している。尚、この１次の欠陥位置補正式は、検出座標系に対する観察座標系のオフセット成分、拡大成分、回転成分といった３つの項を有している。
【０００４】
【特許文献１】
特開平６−２７５６８８号公報（ｐ．１２−１３、図７−８）
【特許文献２】
特開２００２−１３１２５３号（ｐ．４−６、図１−３）
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
特許文献１に開示された技術は、ＦＢデータの座標情報を基準としてとしているので、異物検査装置や外観欠陥検査装置間のアライメント精度のバラツキを吸収する点において一応の効果を奏している。しかしながら、高精度なＦＢデータが取得できるのはメモリ製品に限られるため、ＦＢデータを基準とした座標補正方法では、メモリブロックを含まない或いはチップ内の一部を占めるに過ぎないようなチップに対しては適用ができない或いは適用範囲が限られるという問題がある。しかも、ＦＢデータ取得は最終工程のために、インラインモニタ工程への適用は、実質的に不可能である。
【０００６】
又、特許文献２に開示された方法は、ウェハＷ上に存在する特徴のある複数個の欠陥、或いはウェハＷにおけるセル部以外の部分に予め付けておいた特徴をもった形状（例えば十字形）の複数個の測定用マーク、を測定ポイントとして選択して各測定ポイントの座標位置（観察座標系での座標位置）と検出座標系での座標位置とのずれ量を測定した後、各測定ポイントの位置ずれ量に基づき検出座標系と観察座標系とのずれに対応して欠陥位置を適正化するための欠陥位置補正式を作成するようにしている。
【０００７】
しかし、例えば特徴のある複数個の欠陥を測定ポイントとして選択する場合、欠陥観察装置でウェハ毎に測定ポイントとなる欠陥を探すという煩わしい作業が必要になると共に、選択する欠陥のサイズが大きくなると位置精度が低下するという問題もある。又、ウェハＷにおけるセル部以外の部分に十字形等の特徴をもった形状の測定用マークを複数個設けておくようにすれば、欠陥を測定ポイントとして用いる際の問題は解消するが、ウェハ処理工程中の検査に対応できるようにするには、各レイヤーでこの測定用マークを設けることができるようにパターン設計時に追加する必要があり、設計が煩わしくなるという問題が生じる。
【０００８】
本発明は上記問題点に鑑みてなされたもので、主な目的の一つは例えば外観欠陥検査装置で検出した製品の欠陥を欠陥レビュー装置で観察する際に、外観欠陥検査装置で取得した任意の欠陥の座標情報に基づき欠陥レビュー装置で当該欠陥位置に容易に且つ精度良くアクセス可能にする異なる装置間の座標補正方法及びこの座標補正方法を用いた検査方法を提供することにある。
【０００９】
又、本発明の他の目的は、一つの製品が複数の検査装置で検査され且つ各検査装置で取得される結果情報に位置情報すなわち座標を含むとき、各検査装置で取得した結果情報を重ね合わせてマッピングするような場合に高いマッピング位置精度を実現できる座標補正方法を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
そのため、本発明による座標補正方法は、製品の主面上で互いに直交する２方向をそれぞれＸ方向及びＹ方向としてこのＸ方向及びＹ方向に沿って複数の単位ユニットがマトリックス状に配列された検査対象製品を載置して所望の位置に移動させる第１移動手段を備えた第１検査装置により前記検査対象製品上の複数の所定のアライメントマークを用いて前記第１移動手段に基づく第１座標系と前記検査対象製品上の仮想的な製品上座標系とのアライメントを行う第１アライメント工程と、
前記第１アライメント工程の後で所定の第１補正情報を取得する第１情報取得工程と、
前記第１検査装置により前記検査対象製品上の任意の位置に対応する前記第１座標系での第１位置情報を取得する第１検査工程と、
前記検査対象製品を載置して所望の位置に移動させる第２移動手段を備えた第２検査装置により前記アライメントマークを用いて前記第２移動手段に基づく第２座標系と前記製品上座標系とのアライメントを行う第２アライメント工程と、
前記第２アライメント工程の後で所定の第２補正情報を取得する第２情報取得工程と、
前記第１補正情報及び前記第２補正情報に基づき、前記第１位置情報を前記第２検査装置の前記第２座標系における第２位置情報に変換する座標補正工程と、
を有することを特徴とする。
【００１１】
又、本発明の他の座標補正方法は、製品の主面上で互いに直交する２方向をそれぞれＸ方向及びＹ方向としてこのＸ方向及びＹ方向に沿って複数の単位ユニットがマトリックス状に配列された検査対象製品を載置して所望の位置に移動させる第１移動手段を備えた第１検査装置により前記検査対象製品上の複数の所定のアライメントマークを用いて前記第１移動手段に基づく第１座標系と前記検査対象製品上の仮想的な製品上座標系とのアライメントを行う第１アライメント工程と、
前記第１アライメント工程の後で所定の第１補正情報を取得する第１情報取得工程と、
前記単位ユニットを設計したときの設計座標系での設計ユニットサイズ情報を取得する設計データ取得工程と、
前記第１補正情報情報及び前記設計ユニットサイズ情報に基づき、前記第１座標系における所定の第１位置情報に対応する前記設計座標系での位置情報を算出する第２座標補正工程と、を有し、
前記第１情報取得工程が、前記第１座標系に基づく各前記アライメントマークの位置情報である第１マーク情報を取得する第１座標取得ステップと、前記第１マーク情報に基づき複数の前記アライメントマークの中で予め指定された第１ポイントと第２ポイントとの間の前記第１座標系でのＸ方向の距離である第１Ｘ距離を算出する第１Ｘ距離算出ステップと、前記第１マーク情報に基づき複数の前記アライメントマークの中で予め指定された第３ポイントと第４ポイントとの間の前記第１座標系でのＹ方向の距離である第１Ｙ距離を算出する第１Ｙ距離算出ステップと、前記第１Ｘ距離及び前記第１Ｙ距離に基づき前記第１座標系でのユニットサイズ情報である第１ユニットサイズを算出する第１サイズ算出ステップと、前記第１ユニットサイズを前記第１補正情報として出力する第１出力ステップと、を含むことを特徴とする。
【００１２】
更に、本発明の製品外観検査方法は、製品の主面上で互いに直交する２方向をそれぞれＸ方向及びＹ方向としてこのＸ方向及びＹ方向に沿って複数の単位ユニットがマトリックス状に配列された検査対象製品を載置して所望の位置に移動させる第１移動手段を備えた第１検査装置により前記検査対象製品上の所定のアライメントマークを用いて前記第１移動手段に基づく第１座標系と前記検査対象製品上の仮想的な製品上座標系とのアライメントを行う第１アライメント工程と、前記第１アライメント工程の後で所定の第１補正情報を取得する第１情報取得工程と、
前記第１検査装置により前記検査対象製品の検査を実施して検出された前記検査対象製品上の欠陥の前記第１移動手段に基づく第１座標系での第１位置情報を取得し、前記第１位置情報及び前記第１補正情報を含む前記検査対象製品の所定の座標情報を出力する第１検査工程と、
前記検査対象製品を載置して所望の位置に移動させる第２移動手段を備えた第２検査装置により前記アライメントマークを用いて前記第２移動手段に基づく第２座標系と前記製品上座標系とのアライメントを行う第２アライメント工程と、
前記第２アライメント工程の後で所定の第２補正情報を取得する第２情報取得工程と、
前記第１補正情報及び前記第２補正情報に基づき、前記第１位置情報を前記第２座標系における第２位置情報に変換する座標補正工程と、
前記第２位置情報に基づいて前記欠陥を前記第２検査装置により検査する欠陥レビュー工程と、
を有することを特徴とする。
【００１３】
このとき、前記第１情報取得工程が、前記第１座標系に基づく各前記アライメントマークの位置情報である第１マーク情報を取得する第１座標取得ステップと、前記第１マーク情報に基づき複数の前記アライメントマークの中で予め指定された第１ポイントと第２ポイントとの間の前記第１座標系でのＸ方向の距離である第１Ｘ距離を算出する第１Ｘ距離算出ステップと、前記第１マーク情報に基づき複数の前記アライメントマークの中で予め指定された第３ポイントと第４ポイントとの間の前記第１座標系でのＹ方向の距離である第１Ｙ距離を算出する第１Ｙ距離算出ステップと、前記第１Ｘ距離及び前記第１Ｙ距離を前記第１補正情報として出力する第１出力ステップと、を含み、
前記第２情報取得工程が、前記第２座標系に基づく各前記アライメントマークの位置情報である第２マーク情報を取得する第２座標取得ステップと、前記第２マーク情報に基づき前記第１ポイントと前記第２ポイントとの間の前記第２座標系でのＸ方向の距離である第２Ｘ距離を算出する第２Ｘ距離算出ステップと、前記第２マーク情報に基づき前記第３ポイントと前記第４ポイントとの間の前記第２座標系でのＹ方向の距離である第２Ｙ距離を算出する第２Ｙ距離算出ステップと、前記第２Ｘ距離及び前記第２Ｙ距離を前記第２補正情報として出力する第２出力ステップと、を含む構成とすることができる。
【００１４】
このとき、前記座標補正工程は、前記第１Ｘ距離と前記第２Ｘ距離との比及び前記第１Ｙ距離と前記第２Ｙ距離との比に基づいて前記第１位置情報を補正し、前記第２位置情報を算出する構成とするのが好ましい。
【００１５】
又、前記第１情報取得工程が、前記第１Ｘ距離及び前記第１Ｙ距離に基づき前記第１座標系でのユニットサイズ情報である第１ユニットサイズを算出する第１サイズ算出ステップを更に含むと共に前記第１出力ステップが前記第１ユニットサイズを第１補正情報として出力し、
前記第２情報取得工程が、前記第２Ｘ距離及び第２Ｙ距離に基づき前記第２座標系でのユニットサイズ情報である第２ユニットサイズを算出する第２サイズ算出ステップを更に含む共に前記第２出力ステップが前記第２ユニットサイズを第２補正情報として出力する構成としてもよい。この場合は、前記座標補正工程が、前記第１ユニットサイズと前記第２ユニットサイズの比に基づいて前記第１位置情報を補正し、前記第２位置情報を算出する構成とすることができる。
【００１６】
又、前記第１ポイント及び前記第２ポイントが、前記Ｘ方向の同一直線上に離間して配置された第１アライメントセットであり、前記第３ポイント及び前記第４ポイントが前記Ｙ方向の同一直線上に離間して配置された第２アライメントセットである構成が好ましい。
【００１７】
又、前記第１位置情報が当該欠陥を含む単位ユニットの所定の基準位置を前記第１座標系の原点に置いたときの当該単位ユニット内の座標情報であり、
前記第２位置情報が当該欠陥を含む単位ユニットの前記基準位置を前記第２座標系の原点に置いたときの当該単位ユニット内の座標情報であってもよい。
【００１８】
又、前記アライメントマークは、前記単位ユニット内の所定のパターンであるのが好ましい。
【００１９】
又、前記単位ユニットがチップであり、複数の前記チップがマトリックス状に配置された半導体ウェハが前記製品の代表例である。
【００２０】
【発明の実施の形態】
次に、本発明について図面を参照して説明する。
図１は、製品がウェハである場合を例とした、本発明の座標補正方法の一実施形態を示すフローチャートであり、図２は図１の第１情報取得工程Ｐ２０及び第２情報取得工程Ｐ５０の一例の詳細フローチャートである。又、図３は本実施形態の説明に用いる一例のウェハの模式的な平面図である。
【００２１】
先ず、検査対象ウェハ（以下、第１ウェハとする）となるウェハ１０の概略について説明する。図３（ａ）を参照すると、ウェハ１０は、例えばウェハ１０上で互いに直交する２方向をＸ方向及びＹ方向として、ウェハ１０の中心を通るＸ方向及びＹ方向の直線をそれぞれ仮想的な座標軸とする直交座標系をウェハ上座標系として、このウェハ上座標系のＸ方向及びＹ方向に沿って単位ユニットである所望の機能が作り込まれるチップ１２がマトリックス状に配置されている。又、ウェハ１０は、このウェハ１０を所定の検査装置で検査する際に、当該検査装置の座標系（但し、第１座標系及び第２座標系も含めて直交座標系とする）とウェハ１０のウェハ上座標系とのアライメントを行うためのアライメントマークとして、Ｘ方向の第１の直線上にそれぞれ配置された第１ポイント２１及び第２ポイント２２と、Ｙ方向の第２の直線上に配置された第３ポイント２３及び第４ポイント２４と、第１の直線と第２の直線との交わる位置に配置された第５ポイント２５を備えており、第１アライメントセットは第１ポイント２１と第２ポイント２２で構成され、第２アライメントセットは第３ポイント２３と第４ポイント２４で構成されている。又、第１ポイント２１，第２ポイント２２，第３ポイント２３，第４ポイント２４，及び第５ポイント２５は、いずれもチップ１２の例えば図３（ａ）上で右上角部のパターンと同じパターンがそれぞれのチップで指定されている。又、チップ１２の外形形状は矩形で、そのサイズの設計値はＸ方向及びＹ方向の辺の長さがそれぞれＷｘ及びＷｙとする。以下、ウェハ１０を例として説明する。
【００２２】
図１乃至図３を参照すると、本実施形態の座標補正方法は、製品である半導体ウェハの主面上で互いに直交する２方向をそれぞれＸ方向及びＹ方向としてこのＸ方向及びＹ方向に沿って複数のチップがマトリックス状に配列された第１ウェハを載置して所望の位置に移動させる第１移動手段を備えた第１検査装置により第１ウェハ上の所定のアライメントマークを用いて第１移動手段に基づく第１座標系と第１ウェハ上の仮想的なウェハ上座標系とのアライメントを行う第１アライメント工程Ｐ１０と、
第１アライメント工程Ｐ１０の後で所定の第１補正情報を取得する第１情報取得工程Ｐ２０と、
第１検査装置により第１ウェハ上の任意の位置に対応する第１座標系での第１位置情報を取得する第１検査工程Ｐ３０と、
第１ウェハを載置して所望の位置に移動させる第２移動手段を備えた第２検査装置により、アライメントマークを用いて第２移動手段に基づく第２座標系とウェハ上座標系とのアライメントを行う第２アライメント工程Ｐ４０と、
第２アライメント工程Ｐ４０の後で所定の第２補正情報を取得する第２情報取得工程Ｐ５０と、
第１補正情報及び第２補正情報に基づき、第１位置情報を第２座標系における第２位置情報に変換する座標補正工程Ｐ６０と、を備えている。
【００２３】
又、第１情報取得工程Ｐ２０は、第１座標系に基づく各アライメントマークの位置情報である第１マーク情報を取得する第１座標取得ステップＰ２１と、第１マーク情報に基づき複数のアライメントマークの中で予め指定された第１ポイントと第２ポイントとの間の第１座標系でのＸ方向の距離である第１Ｘ距離Ｄｘ１を算出する第１Ｘ距離算出ステップＰ２２と、第１マーク情報に基づき複数のアライメントマークの中で予め指定された第３ポイントと第４ポイントとの間の第１座標系でのＹ方向の距離である第１Ｙ距離Ｄｙ１を算出する第１Ｙ距離算出ステップＰ２３と、第１Ｘ距離Ｄｘ１及び第１Ｙ距離Ｄｙ１を第１補正情報として出力する第１出力ステップＰ２４と、を少なくとも備えて構成され、
前記第２情報取得工程Ｐ５０は、第２座標系に基づく各アライメントマークの位置情報である第２マーク情報を取得する第２座標取得ステップＰ５１と、第２マーク情報に基づき第１ポイントと第２ポイントとの間の第２座標系でのＸ方向の距離である第２Ｘ距離Ｄｘ２を算出する第２Ｘ距離算出ステップＰ５２と、第２マーク情報に基づき第３ポイントと第４ポイントとの間の第２座標系でのＹ方向の距離である第２Ｙ距離Ｄｙ２を算出する第２Ｙ距離算出ステップＰ５３と、第２Ｘ距離Ｄｘ２及び第２Ｙ距離Ｄｙ２を第２補正情報として出力する第２出力ステップＰ５４と、を備えた構成となっている。
【００２４】
又、第１情報取得工程Ｐ２０及び第２情報取得工程Ｐ５０が図２の構成となっているとき、座標補正工程Ｐ６０は、第１検査工程Ｐ３０で取得した第１ウェハ上の任意の位置ｊに対応する第１位置情報である第１座標系での座標（Ｘｊ１，Ｙｊ１）を、第１補正情報である第１Ｘ距離Ｄｘ１及び第１Ｙ距離Ｄｙ１並びに第２補正情報である第２Ｘ距離Ｄｘ２及び第２Ｙ距離Ｄｙ２に基づいて、
Ｘｊ１×（Ｄｘ２／Ｄｘ１）＝Ｘｊ２
Ｙｊ１×（Ｄｙ２／Ｄｙ１）＝Ｙｊ２
のように変換し、座標（Ｘｊ２，Ｙｊ２）を位置ｊに対応する第２位置情報とする。
【００２５】
次に、本実施形態の座標補正方法の動作をこの座標補正方法を用いた外観検査方法と併せて説明する。図４は本発明の座標補正方法を好適に適用できる半導体ウェハの外観検査システムの一例の概略ブロック図であり、図５は、本実施形態の座標補正方法を用いた外観検査方法の概略フローチャートである。
【００２６】
図４を参照すると、外観検査システム１００は、第１検査装置である外観欠陥検査装置１１０と、第２検査装置である欠陥レビュー装置１２０と、管理サーバ１３０を備え、これらはいずれも通信インターフェイス１０１を介して通信回線１０３に接続されている。又、管理サーバ１３０は例えばＥＷＳ（Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ  Ｗｏｒｋｓｔａｔｉｏｎ  ）１３１とハードディスク等の記憶装置１３３を備えている。この外観検査システム１００は、外観欠陥検査装置１１０で検査対象の欠陥（パターンの異常や異物の付着等を含む）を検出し、検出された欠陥を欠陥レビュー装置１２０で詳細に観察する機能を少なくとも備えている。管理サーバ１３０は、検査対象ロットの管理、各装置で取得された情報の処理，記憶等を行う。尚、外観欠陥検査装置１１０及び欠陥レビュー装置１２０の各移動手段は、いずれもＸ−Ｙステージ（図示せず）で構成されている（従ってそれぞれの装置の移動手段に基づく座標系はいずれも直交座標系になっている）ものとして説明する。又、外観欠陥検査装置は、例えば隣接するチップそれぞれの表面からの反射光や散乱光等の光学的な情報の比較等の方法によりパターンの欠陥や異物の付着等の外観欠陥の存在を検出し、当該外観欠陥検査装置の座標系での欠陥の位置情報を取得し、必要に応じてウェハ情報等と共に外部へ出力する機能を有する。欠陥の位置情報には、当該装置座標系での座標情報のみでなく、必要に応じて当該ウェハにおけるチップ位置（チップアドレス）情報も含む。欠陥レビュー装置は、通常高倍率の金属顕微鏡や二次電子顕微鏡（ＳＥＭ）等で構成され、各欠陥の観察が行われる。
【００２７】
図５を参照すると、本実施形態の座標補正方法を用いた外観検査方法は、製品である第１ウェハを載置して所望の位置に移動させる第１移動手段を備えた第１検査装置により第１ウェハ上の所定のアライメントマークを用いて第１移動手段に基づく第１座標系と第１ウェハ上の仮想的なウェハ上座標系とのアライメントを行う第１アライメント工程Ｐ１０と、
第１アライメント工程Ｐ１０の後で所定の第１補正情報を取得する第１情報取得工程Ｐ２０と、
第１検査装置により第１ウェハの検査を実施して検出された第１ウェハ上の欠陥の第１座標系での位置情報である第１位置情報を取得し、第１位置情報及び第１補正情報を含む第１ウェハの所定の座標情報を出力する第１検査工程Ｐ３０と、第１ウェハを載置して所望の位置に移動させる第２移動手段を備えた第２検査装置により所定のアライメントマークを用いて第２移動手段に基づく第２座標系とウェハ上座標系とのアライメントを行う第２アライメント工程Ｐ４０と、
第２アライメント工程の後で所定の第２補正情報を取得する第２情報取得工程Ｐ５０と、
第１補正情報及び第２補正情報に基づき、第１位置情報を第２座標系における第２位置情報に変換する座標補正工程Ｐ６０と、
第２位置情報に基づいて各欠陥を第２検査装置により検査する欠陥レビュー工程ｐ７０と、を有する。以下ウェハ１０及び外観検査システム１００を例として具体的に説明する。
【００２８】
先ず、例えば図示されていない生産管理システム等から検査対象製品のロットが指定されると、管理サーバ１３０の記憶装置１３３に記憶保持された当該製品に関する情報、例えばチップサイズ情報や各ウェハにおけるスタートチップ位置情報等が読み出され、ロット情報と共に外観欠陥検査装置１１０に転送され検査実施の準備がなされる。
【００２９】
次に、第１アライメント工程Ｐ１０で先頭のウェハ１０が外観欠陥検査装置１１０の図示されていないＸ−Ｙステージ（以下、第１ステージとする）に載置され、第１ポイント２１，第２ポイント２２，３ポイント２３，第４ポイント２４及び第５ポイント２５を用いて第１ステージに基づく第１座標系とウェハ１０上の仮想的なウェハ上座標系とのアライメントが行われる。
【００３０】
次に、第１情報取得工程Ｐ２０で所定の第１補正情報が取得される。具体的には、第１座標取得ステップＰ２１で第１座標系に基づく各アライメントマークの位置情報である第１マーク情報が取得され、第１Ｘ距離算出ステップＰ２２で取得された第１マーク情報に基づき第１アライメントセットを構成する第１ポイント２１と第２ポイント２２との間の第１座標系でのＸ方向の距離である第１Ｘ距離Ｄｘ１が算出され、第１Ｙ距離算出ステップＰ２３で第１マーク情報に基づき第２アライメントセットを構成する第３ポイント２３と第４ポイント２４との間の第１座標系でのＹ方向の距離である第１Ｙ距離Ｄｙ１が算出され、第１出力ステップＰ２４で第１Ｘ距離Ｄｘ１及び第１Ｙ距離Ｄｙ１が第１補正情報として出力される。この第１補正情報はウェハ１０を識別するウェハ識別情報と共に例えば記憶装置１３３の所定の領域に記憶される。
【００３１】
次に、第１検査工程Ｐ３０で外観欠陥検査装置１１０によりウェハ１０の検査が実施され、検出された欠陥の第１座標系での位置情報である第１位置情報が取得される。この第１位置情報も例えば管理サーバ１３０に出力し、ウェハ識別情報と共に記憶装置１３３の所定の領域に記憶させることができる。
【００３２】
次に、第２アライメント工程Ｐ４０でウェハ１０が欠陥レビュー装置１２０の図示されていないＸ−Ｙステージ（以下、第２ステージとする）に載置され、第１ポイント２１，第２ポイント２２，３ポイント２３，第４ポイント２４及び第５ポイント２５を用いて第２ステージに基づく第２座標系とウェハ１０のウェハ上座標系とのアライメントが行われる。
【００３３】
次に、第２情報取得工程Ｐ５０で所定の第２補正情報が取得される。具体的には、第２座標取得ステップＰ５１で第２座標系に基づく各アライメントマークの位置情報である第２マーク情報が取得され、第２Ｘ距離算出ステップＰ５２で取得された第２マーク情報に基づき第１ポイント２１と第２ポイント２２との間の第２座標系でのＸ方向の距離である第２Ｘ距離Ｄｘ２が算出され、第２Ｙ距離算出ステップＰ５３で第２マーク情報に基づき第３ポイント２３と第４ポイント２４との間の第２座標系でのＹ方向の距離である第２Ｙ距離Ｄｙ２が算出され、第２出力ステップＰ５４で第２Ｘ距離Ｄｘ２及び第２Ｙ距離Ｄｙ２が第２補正情報として出力される。
【００３４】
次に、座標補正工程Ｐ６０で第１補正情報及び第２補正情報に基づき、ウェハ１０の各欠陥の第１位置情報が第２座標系における第２位置情報に変換される。具体的には、ウェハ１０で検出された任意の欠陥の位置ｊに対応する第１位置情報である第１座標系での座標（Ｘｊ１，Ｙｊ１）を、第１補正情報である第１Ｘ距離Ｄｘ１及び第１Ｙ距離Ｄｙ１並びに第２補正情報である第２Ｘ距離Ｄｘ２及び第２Ｙ距離Ｄｙ２に基づいて、
Ｘｊ１×（Ｄｘ２／Ｄｘ１）＝Ｘｊ２
Ｙｊ１×（Ｄｙ２／Ｄｙ１）＝Ｙｊ２
のように変換し、座標（Ｘｊ２，Ｙｊ２）が位置ｊに対応する第２位置情報として出力される。この座標補正工程Ｐ６０は、例えばＥＷＳ１３０により実施させて、出力された第２位置情報をウェハ識別情報と共に記憶装置１３３の所定の領域に記憶させることができる。
【００３５】
次に、記憶装置１３３からウェハ１０の第２位置情報を読み出して欠陥レビュー装置１２０に転送し、第２位置情報に基づいて欠陥レビュー工程Ｐ７０で各欠陥位置にアクセスされ、各欠陥の検査、通常は詳細な観察が、行われる。
【００３６】
以上説明したように、本実施形態の座標補正方法は、チップ内の検出容易で且つチップ内の位置が特定容易なパターンをアライメントマークに設定すると共に、ウェハ中心部近傍を通りウェハ上座標系のＸ方向の同一直線上でウェハの両端部に近いチップのアライメントマークを第１ポイント２１及び第２ポイント２２とし、更にウェハ中心部近傍を通りウェハ上座標系のＹ方向の同一直線上でウェハの両端部に近いチップのアライメントマークを第３ポイント２３及び第４ポイント２４とし、外観欠陥検査装置１１０及び欠陥レビュー装置１２０それぞれの座標系で各直線上のアライメントマーク間の距離を算出して、これらの比に基づいて外観欠陥検査装置１１０の座標系で得たウェハ１０上の第１位置情報を欠陥レビュー装置１２０の座標系の第２位置情報に変換しているので、第２位置情報に基づいて欠陥レビュー装置１２０でウェハ１０にアクセスすれば、ウェハ１０上の目的とする位置へ精度良く且つ容易にアクセス可能となる。
【００３７】
尚、上記説明では、ウェハ上座標系、第１座標系及び第２座標系の各原点を一致させることができた場合を前提としているが、ウェハ上座標系の原点を第１座標系或いは第２座標系の原点と一致させることができない場合でも、座標軸の方向さえ一致させることができれば、変換式を若干修正することで対応できる。具体的には、第１座標系及び第２座標系でそれぞれアライメント完了時のウェハ上座標系の原点位置がそれぞれ（Ｘ１ｏ，Ｙ１ｏ）及び（Ｘ２ｏ，Ｙ２ｏ）となっているとき、当該ウェハ上の任意の位置Ｑに対応する第１座標系での座標（Ｘｑ１，Ｙｑ１）は、次のように変換して、位置Ｑに対応する第２座標系での座標（Ｘｑ２，Ｙｑ２）とすればよい。
（Ｘｑ１−Ｘ１ｏ）×（Ｄｘ２／Ｄｘ１）＋Ｘ２ｏ＝Ｘｑ２
（Ｙｑ１−Ｙ１ｏ）×（Ｄｙ２／Ｄｙ１）＋Ｙ２ｏ＝Ｙｑ２
図９は、ウェハ上座標系の原点を第１座標系及び第２座標系のいずれの原点とも一致させることができない場合に、第１座標系で取得された座標情報が第２座標系の座標情報に変換される様子を示す図で、（ａ）は第１座標系で取得されたウェハ１０の座標情報をそのまま第２座標系で取得された座標情報と見なした場合及び実際に第２座標系で取得された座標情報の場合について、それぞれの座標情報に基づくウェハ１０の模式的な平面図を重ね合わせて表示した図であり、（ｂ）はウェハ１０上の任意のチップの角部（以下、チップ原点）についての拡大図、（ｃ）は第１座標系で取得されたウェハ１０の座標情報に基づくウェハ１０の中心位置と第２座標系で取得されたウェハ１０の座標情報に基づくウェハ１０の中心位置とが重なるように第１座標系で取得された座標情報を補正すると共に第１座標系で取得した模式的な欠陥位置Ａ，Ｂ，Ｃを本発明の座標補正方法によりそれぞれ第２座標系の対応する位置になるように補正した後の状態を示す図である。図９（ｃ）に示されているとおり、欠陥位置Ａ，Ｂ，Ｃに応じて補正量、補正方向が異なっている（この例では、ウェハ中心方向に向かって補正されている）。
【００３８】
又、外観欠陥検査装置１１０でウェハ１０のアライメントが実施される際に、アライメント完了時点での各アライメントマークの第１座標系における位置座標は容易に取得され、これらが第１マーク位置情報となる。例えば第１ポイント２１，第２ポイント２２，第３ポイント２３及び第４ポイント２４の第１マーク位置情報を、それぞれ（Ｘａ１，Ｙａ１），（Ｘａ２，Ｙａ２），（Ｘａ３，Ｙａ３）及び（Ｘａ４，Ｙａ４）とすると、第１Ｘ距離Ｄｘ１及び第１Ｙ距離Ｄｙ１は、
Ｄｘ１＝｜Ｘａ２−Ｘａ１｜
Ｄｙ１＝｜Ｙａ４−Ｙａ３｜
となる。尚、このとき誤差を無視すれば、Ｙａ１＝Ｙａ２且つＸａ３＝Ｘａ４である。
【００３９】
同様に、欠陥レビュー装置１２０でウェハ１０のアライメントが実施される際に、アライメント完了時点での各アライメントマークの第２座標系における位置座標も容易に取得され、これらが第２マーク位置情報となる。例えば第１ポイント２１，第２ポイント２２，第３ポイント２３及び第４ポイント２４の第１マーク位置情報を、それぞれ（Ｘｂ１，Ｙｂ１），（Ｘｂ２，Ｙｂ２），（Ｘｂ３，Ｙｂ３）及び（Ｘｂ４，Ｙｂ４）とすると、第２Ｘ距離Ｄｘ２及び第２Ｙ距離Ｄｙ２は、
Ｄｘ２＝｜Ｘｂ２−Ｘｂ１｜
Ｄｙ２＝｜Ｙｂ４−Ｙｂ３｜
となる。又、Ｙｂ１＝Ｙｂ２且つＸｂ３＝Ｘｂ４（但し、誤差は無視）である。
【００４０】
次に、第１情報取得工程Ｐ２０及び第２情報取得工程Ｐ５０の変形例について説明する。図６は第１補正情報としてチップサイズ情報を出力する場合の第１情報取得工程Ｐ２０ａの詳細フローチャートであり、図７は第２補正情報としてチップサイズ情報を出力する場合の第２情報取得工程Ｐ５０ａの詳細フローチャートである。図６を参照すると、第１情報取得工程Ｐ２０ａは第１情報取得工程Ｐ２０とほとんど同じであるが、第１Ｙ距離算出ステップＰ２３の後に、第１Ｘ距離Ｄｘ１及び第１Ｙ距離Ｄｙ１に基づいて第１座標系でのチップサイズ情報である第１チップサイズとなるチップの２辺の長さＷｘ１，Ｗｙ１を算出する第１サイズ算出ステップＰ２３−１を更に含み、第１出力ステップＰ２４ａが第１チップサイズＷｘ１，Ｗｙ１を第１補正情報として出力する点が異なっている。又、図７を参照すると、第２情報取得工程Ｐ５０ａも第２情報取得工程Ｐ５０とほとんど同じであるが、第２Ｙ距離算出ステップＰ５３の後に、第２Ｘ距離Ｄｘ２及び第２Ｙ距離Ｄｙ２に基づいて第２座標系でのチップサイズ情報である第２チップサイズとなるチップの２辺の長さＷｘ２，Ｗｙ２を算出する第２サイズ算出ステップＰ５３−１を更に含み、第２出力ステップＰ５４ａが第２チップサイズＷｘ２，Ｗｙ２を第２補正情報として出力する点が異なっている。
【００４１】
又、このときの補正工程６０ａは、第１検査工程Ｐ３０で取得した第１ウェハ上の任意の位置ｊに対応する第１位置情報である第１座標系での座標（Ｘｊ１，Ｙｊ１）を、第１補正情報である第１チップサイズＷｘ１，Ｗｙ１及び第２補正情報である第２チップサイズＷｘ２，Ｗｙ２に基づいて、
Ｘｊ１×（Ｗｘ２／Ｗｘ１）＝Ｘｊ２
Ｙｊ１×（Ｗｙ２／Ｗｙ１）＝Ｙｊ２
のように変換し、座標（Ｘｊ２，Ｙｊ２）を位置ｊに対応する第２位置情報とすればよい。
【００４２】
尚、スタートチップ位置情報としてウェハ中心からの所定の距離（Ｘ方向及びＹ方向）にあるチップ（通常当該ウェハの外周部のチップを選択）のチップアドレスを指定しておけば、ウェハ上の全チップのチップアドレスが例えば図３（ｂ）のように一意的に設定されるので、第１ポイント２１，第２ポイント２２，第３ポイント２３及び第４ポイント２４の各チップアドレスをそれぞれ（Ｋｘ１，Ｋｙ１），（Ｋｘ２，Ｋｙ２），（Ｋｘ３，Ｋｙ３）及び（Ｋｘ４，Ｋｙ４）とし（但し、Ｋｘ１，Ｋｙ１，Ｋｘ２，Ｋｙ２，Ｋｘ３，Ｋｙ３，Ｋｘ４及びＫｙ４は全て整数で、通常Ｋｙ１＝Ｋｙ２，Ｋｘ３＝Ｋｘ４である）、更にＮｘ＝｜Ｋｘ２−Ｋｘ１｜、Ｎｙ＝｜Ｋｙ４−Ｋｙ３｜とすると、
Ｗｘ１＝Ｄｘ１／Ｎｘ
Ｗｙ１＝Ｄｙ１／Ｎｙ
として、第１Ｘ距離Ｄｘ１及び第１Ｙ距離Ｄｙ１から第１チップサイズＷｘ１，Ｗｙ１を算出することができる。第２チップサイズＷｘ２，Ｗｙ２も全く同様にして、第２Ｘ距離Ｄｘ２及び第２Ｙ距離Ｄｙ２から算出できる。
【００４３】
尚、上記実施形態は、外観欠陥検査装置１１０と欠陥レビュー装置１２０との間の座標補正の例で説明したが、複数の外観欠陥検査装置で取得した座標を重ね合わせる場合についても適用することができる。この場合、第１ウェハ上のチップサイズの設計値をＷｘ，Ｗｙとし、ｍ番目（但し、ｍは２以上の整数）の外観欠陥検査装置の第ｍ座標系での当該ウェハのウェハ上座標系の原点の位置座標を（Ｘｍｏ，Ｙｍｏ）とし、第ｍ座標系で取得したチップサイズ情報をＷｘｍ，Ｗｙｍとし、当該ウェハ上の任意の位置Ｑに対応する第ｍ座標系での座標を（Ｘｑｍ，Ｙｑｍ）としたとき、位置Ｑに対応する当該ウェハの設計図上の座標（Ｘｑｃ，Ｙｑｃ）が、
（Ｘｑｍ−Ｘｍｏ）×（Ｗｘｍ／Ｗｘ）＝Ｘｑｃ
（Ｙｑｍ−Ｙｍｏ）×（Ｗｙｍ／Ｗｙ）＝Ｙｑｃ
として算出される。このようにして、例えば複数の工程で検出された外観欠陥のマップを重ね合わせて見たい場合等に、各工程における外観欠陥検査装置が異なっていても、各装置で検出された欠陥位置座標を全て当該ウェハの設計図上の座標（Ｘｑｃ，Ｙｑｃ）に変換してマッピングすることにより、異なる外観欠陥検査装置で検出された欠陥の重ね合わせ位置精度を向上させることができる。これにより、例えば製造工程毎の外観欠陥数の推移等を正確に把握することができ、ウェハ処理工程の改善、歩留向上等に多大な効果が得られる。
【００４４】
以上説明したとおり、本発明の座標補正方法は、第１ウェハと外観欠陥検査装置或いは欠陥レビュー装置とのアライメントと同時にアライメントマークの座標情報を取得し、このアライメントマークの座標情報に基づいて外観欠陥検査装置で所得した座標を欠陥レビュー装置の座標に変換するようにしたので、ウェハの外観検査における座標補正の完全自動化を図ることができる。
【００４５】
又、チップに形成されるパターンの中からチップ角部等に形成される判別し易いパターンをアライメントマークとして設定することで、専用のアライメントマークを設けることなくアライメント作業を容易に実施でき、且つこのときに座標補正のための基準データを取得できるので、座標補正量を算出するための代表欠陥の選択作業が不要になると共に、代表欠陥の選択方法による補正量のバラツキ等の精度低下も抑制できるという効果が得られる。
【００４６】
又、チップに形成されるパターンをアライメントマークとして設定することで、第１ポイント２１と第２ポイント２２とのチップアドレス差及び第３ポイント２３と第４ポイント２４とのチップアドレス差を一定に保つようにすれば、工程によってアライメントマークとなるパターンを変更しても上述した座標の各補正式はそのまま適用でき、工程に応じてより分かり易いパターンをアライメントマークに設定できる。
【００４７】
尚、本発明は上記実施形態の説明に限定されるものでなく、その要旨の範囲内において種々変更が可能である。例えば検査システム１００は、外観欠陥検査装置と欠陥レビュー装置をそれぞれ１台ずつ備えた例で説明したが、それぞれを複数台ずつ備えた構成にできることはいうまでもない。
【００４８】
又、座標補正の演算は、管理サーバ１３０で行うこともできるし、欠陥レビュー装置で行ってもよいが、データベースの作成や必要に応じて複数工程でのデータの重ね合わせ等を任意に行うことができる等の利点を考慮すると、管理サーバ１３０で行うほうがより好ましい。
【００４９】
又、アライメントマークはチップに形成されるパターンの中から選択するようにしているが、ウェハ処理の初期の段階で適切なパターンが見つからないときは、チップ角部のエッジをアライメントマークにしてもよい。
【００５０】
又、図３（ａ）では第１ポイント２１と第２ポイント２２の間を結ぶ直線と、第３ポイント２３と第４ポイント２４の間を結ぶ直線がウェハ中央部近傍で交差する位置に第１ポイント２１，第２ポイント２２，第３ポイント２３及び第４ポイント２４が配置されたが、図８に示すように、第１ポイント２１と第２ポイント２２がＸ方向の直線上に且つ第３ポイント２３と第４ポイント２４もＸ方向の直線上にそれぞれ配置され、更に第２ポイント２２と第３ポイント２３がＹ方向の直線上に且つ第４ポイント２４と第１ポイント２１もＹ方向の直線上にそれぞれ配置される構成としてもよい。言い換えると、直交する２辺がＸ方向及びＹ方向にそれぞれ平行な矩形の頂点となる位置に第１ポイント２１，第２ポイント２２，第３ポイント２３及び第４ポイント２４が右回りに配置された構成となっている。この場合、第１ポイント２１と第２ポイント２２（又は、第３ポイント２３と第４ポイント２４でもよい）が第１アライメントセットを構成し、第２ポイント２２と第３ポイント２３（又は、第４ポイント２４と第１ポイント２１でもよい）が第２アライメントセットを構成することになる。従って、この場合第１Ｘ距離Ｄｘ１、第２Ｘ距離Ｄｘ２及びＮｘの算出式は変わらないが、第１Ｙ距離Ｄｙ１、第２Ｙ距離Ｄｙ２及びＮｙの算出式を次のように変更する必要がある。
Ｄｙ１＝｜Ｙａ３−Ｙａ２｜
Ｄｙ２＝｜Ｙｂ３−Ｙｂ２｜
Ｎｙ＝｜Ｋｙ３−Ｋｙ２｜
又、上記実施の形態では検査対象製品がウェハの例で説明したが、製品製造中に当該製品内にアライメントマークを有し、且つ製品上座標系と検査装置の座標系とのアライメントが可能であれば、任意の製品の検査における座標補正に適用可能である。
【００５１】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の座標補正方法及び外観検査方法によれば、異なる検査装置間の座標補正を自動で実施可能になると共に外観欠陥検査装置等の第１検査装置により検出されたウェハ等の製品の欠陥位置に欠陥レビュー装置等の第２検査装置が精度良く且つ容易にアクセス可能となる。又、座標補正量を算出するための代表欠陥の選択作業が不要になると共に、代表欠陥の選択方法による補正量のバラツキ等の精度低下も抑制できるという効果が得られる。
【００５２】
更に、複数の異なる検査装置で取得した同一製品の検査結果を、それぞれの位置情報に基づきながら重ね合わせてマップ表示する場合に、その重ね合わせ位置精度を向上させることができるという効果も得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の座標補正方法の一実施形態を示すフローチャートである。
【図２】図１の第１情報取得工程及び第２情報取得工程の一例の詳細フローチャートである。
【図３】本発明の実施形態の説明に用いる一例のウェハの模式的な平面図である。
【図４】本発明の座標補正方法を好適に適用できる半導体ウェハの外観検査システムの一例の概略ブロック図である。
【図５】本実施形態の座標補正方法を用いた外観検査方法の概略フローチャートである。
【図６】第１補正情報としてチップサイズ情報を出力する場合の第１情報取得工程の詳細フローチャートである。
【図７】第２補正情報としてチップサイズ情報を出力する場合の第２情報取得工程の詳細フローチャートである。
【図８】アライメントマークの他の配置例を示す図である。
【図９】ウェハ上座標系の原点を第１座標系及び第２座標系のいずれの原点とも一致させることができない場合に、第１座標系で取得された座標情報が第２座標系の座標情報に変換される様子を示す図である。
【図１０】特開２００２−１３１２５３号に開示された図で、複数の測定ポイントの平均オフセットで欠陥位置を補正した場合に、補正後の欠陥位置と実際にあるべき欠陥位置とのずれをベクトル表示させた一例を示す図である。
【符号の説明】
１０    ウェハ
１２    チップ
２１    第１ポイント
２２    第２ポイント
２３    第３ポイント
２４    第４ポイント
２５    第５ポイント
１００    外観検査システム
１０１    通信インターフェイス
１０３    通信回線
１１０    外観欠陥検査装置
１２０    欠陥レビュー装置
１３０    管理サーバ
１３１    ＥＷＳ
１３３    記憶装置
【図１】
2004163174.tif 000003
【図２】
2004163174.tif 000004
【図３】
2004163174.tif 000005
【図４】
2004163174.tif 000006
【図５】
2004163174.tif 000007
【図６】
2004163174.tif 000008
【図７】
2004163174.tif 000009
【図８】
2004163174.tif 000010
【図９】
2004163174.tif 000011
【図１０】
2004163174.tif 000012