(57)【要約】【課題】ダイヤモンドの固有の優れた電気的特性、高温で動作し、高周波で動作する電子デバイスを実現することができるダイヤモンド単結晶成長方法を提供する。【解決手段】ダイヤモンド以外のＳｉなどの材質の基板１上に、ダイヤモンドパウダー２を付着させる第１の工程と、ダイヤモンドパウダー２が付着した基板１上に、複数の開口部３Ａを有するマスク３を堆積する第２の工程と、開口部３Ａ内の基板表面にダイヤモンドの微細結晶を形成する第３の工程と、ダイヤモンド結晶４が融合するまで（１１１）面方位を出現させる成長条件で成長する第４の工程と、第４の工程で成長したダイヤモンド結晶４を残し基板１を除去する第５の工程と、第５の工程で残したダイヤモンド結晶４に、（００１）面方位を出現させる成長条件でダイヤモンド結晶５を成長する第６の工程とを有する。【選択図】　図１
2004010429.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ダイヤモンド以外のＳｉなどの材質の基板上に、ダイヤモンドパウダーを付着させる第１の工程と、
ダイヤモンドパウダーが付着した基板上に、複数の開口部を有するマスクを堆積する第２の工程と、
当該開口部内の基板表面にダイヤモンドの微細結晶を形成する第３の工程と、
当該ダイヤモンド結晶が融合するまで（１１１）面方位を出現させる成長条件で成長する第４の工程と、
第４の工程で成長した当該ダイヤモンド結晶を残し基板を除去する第５の工程と、
第５の工程で残した当該ダイヤモンド結晶に、（００１）面方位を出現させる成長条件でダイヤモンド結晶を成長する第６の工程とを有することを特徴とするダイヤモンド単結晶成長方法。
【請求項２】
ダイヤモンド以外のＳｉなどの材質の基板上に、ダイヤモンドパウダーを付着させる第１の工程と、
ダイヤモンドパウダーが付着した基板上に、複数の開口部を有するマスクを堆積する第２の工程と、
当該開口部内の基板表面にダイヤモンドの微細結晶を形成する第３の工程と、
当該ダイヤモンド結晶が融合するまで（００１）面方位を出現させる成長条件で成長する第４の工程と、
第４の工程で成長した当該ダイヤモンド結晶を残し基板を除去する第５の工程と、
第５の工程で残した当該ダイヤモンド結晶に、（１１１）面方位を出現させる成長条件でダイヤモンド結晶を成長する第６の工程とを含むことを特徴とするダイヤモンド単結晶成長方法。
【請求項３】
（００１）面方位を有するダイヤモンド基板上に複数の開口部を有するマスクを堆積する第１の工程と、
当該開口部内の基板表面にダイヤモンドの微細結晶を形成する第２の工程と、
当該ダイヤモンド結晶が融合するまで（１１１）面方位を出現させる成長条件で成長する第３の工程と、
第３の工程で成長した当該ダイヤモンド結晶に、（００１）面方位を出現させる成長条件でダイヤモンド結晶を成長する第４の工程とを含むことを特徴とするダイヤモンド単結晶成長方法。
【請求項４】
（１１１）面方位を有するダイヤモンド基板上に複数の開口部を有するマスクを堆積する第１の工程と、
当該開口部内の基板表面にダイヤモンドの微細結晶を形成する第２の工程と、
当該ダイヤモンド結晶が融合するまで（００１）面方位を出現させる成長条件で成長する第３の工程と、
第３の工程で成長した当該ダイヤモンド結晶に、（１１１）面方位を出現させる成長条件でダイヤモンド結晶を成長する第４の工程とを含むことを特徴とするダイヤモンド単結晶成長方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、高品質なダイヤモンド単結晶を作製するダイヤモンド単結晶成長方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ダイヤモンドは、正孔の飽和速度が１×１０７ｃｍ／ｓ、絶縁破壊電界が１０７Ｖ／ｃｍであり（Ｄ．　Ｌ．　Ｄｒｅｉｆｕｓ　ａｎｄ　Ｂ．　Ａ．　Ｆｏｘ，　Ｍａｒｋ　Ａ．　Ｐｒｅｌａｓ著、Ｈａｎｄｂｏｏｋ　ｏｆ　ｉｎｄｕｓｔｒｉａｌ　ｄｉａｍｏｎｄｓ　ａｎｄ　ｄｉａｍｏｎｄ　ｆｉｌｍｓ，　Ｍａｒｃｅｌ　Ｄｅｋｋｅｒ，　Ｉｎｃ．　Ｎｅｗ　Ｙｏｒｋ　１９９８，　１０４３ページ）、ダイヤモンド膜を用いた、ＧａＡｓの１０倍の遮断周波数をもつ電子デバイス（電界効果トランジスター）の実現が期待されている。
【０００３】
ダイヤモンド結晶の薄膜の作製例を図５に示す。図５（ａ）に示すように、ダイヤモンド以外のＳｉなどの材質の基板１０１上に、ダイヤモンドパウダー１０２を塗布する。この後、ダイヤモンドパウダー１０２が表面に塗布された基板１０１の上下を反転し、フェルトなどの材質の布に基板１０１を置く。基板１０１の裏面から押し付けながら、基板１０１を面内で１５分、回転させる。その間、ダイヤモンドパウダー１０２が、基板１０１の表面上に付着する。
【０００４】
ダイヤモンドパウダー１０２の付着後、マイクロ波ＣＶＤ（気相堆積）装置にＨ２ガスとＣＨ４ガスを供給し、マイクロ波ＣＶＤ（気相堆積）成長法で、図５（ｂ）に示すように、ダイヤモンド結晶１０３のダイヤモンド薄膜を成長する。
【０００５】
こうして、基板１０１上に付着したダイヤモンドパウダー１０２からダイヤモンド薄膜が成長する。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、基板１０１（図５（ａ））表面を微視的に見ると、ダイヤモンドパウダー１０２は、各々ランダムな方位を向いているため、ダイヤモンドパウダー１０２から成長するダイヤモンド結晶１０３の面方位は無秩序である。そのため、大きく成長した結晶間には、結晶境界と呼ばれる結晶欠陥１０４が多数含まれてしまう。
【０００７】
また、基板１０１とダイヤモンド薄膜との間の格子不整合や熱膨張率差からも、結晶欠陥１０４が多数存在する。この結晶の水素終端機構（川原田洋他著、応用物理学会誌７０巻、５号、２０００年、５３６頁）を使った正孔移動度を室温で測定したところ、後述する表１に示すように、３０ｃｍ２／Ｖｓと極めて低く、実用にはならなかった。
【０００８】
つまり、図５（ａ）に示す最初の工程で、基板１０１上に核付けされたダイヤモンドパウダー１０２の結晶面方位が無秩序であるため、そこから成長する結晶の面方位は無秩序であった。その結晶が合体する際に、多くの結晶欠陥ができてしまった。また、ダイヤモンド以外の材質の基板１０１を用いた場合、基板１０１とその上のダイヤモンド薄膜との間の格子不整合、熱膨張率差が大きく、結晶欠陥１０４が形成されやすかった。結晶欠陥１０４は、電子、正孔などキャリアの電気伝導を妨げるため、ダイヤモンド固有の高い移動度を得ることができず、そのため電子デバイスが実現しなかった。
【０００９】
このように、従来のダイヤモンド作製方法では、高品質なダイヤモンド薄膜結晶を得るのは極めて困難である。ダイヤモンド以外の材質を用いた基板の場合、基板とその上のダイヤモンド薄膜との間に、大きな格子不整合、熱膨張率差が存在するため、多くの結晶欠陥が生じるためである。また、高温高圧ダイヤモンドを基板として用いた場合であっても、高温高圧ダイヤモンド基板は、結晶欠陥、触媒金属、グラファイト相が多数含まれており、結晶品質は劣悪である。そのため、基板上のダイヤモンド薄膜は、基板から結晶欠陥を引き継ぎ、また残留不純物が拡散するので、結晶品質が劣悪である。
【００１０】
本発明は、前記の課題を解決し、ダイヤモンドの固有の優れた電気的特性、高温で動作し、高周波で動作する電子デバイスを実現することができるダイヤモンド単結晶成長方法を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
前記課題を解決するために、請求項１の発明は、ダイヤモンド以外のＳｉなどの材質の基板上に、ダイヤモンドパウダーを付着させる第１の工程と、ダイヤモンドパウダーが付着した基板上に、複数の開口部を有するマスクを堆積する第２の工程と、当該開口部内の基板表面にダイヤモンドの微細結晶を形成する第３の工程と、当該ダイヤモンド結晶が融合するまで（１１１）面方位を出現させる成長条件で成長する第４の工程と、第４の工程で成長した当該ダイヤモンド結晶を残し基板を除去する第５の工程と、第５の工程で残した当該ダイヤモンド結晶に、（００１）面方位を出現させる成長条件でダイヤモンド結晶を成長する第６の工程とを有することを特徴とするダイヤモンド単結晶成長方法である。
【００１２】
請求項２の発明は、ダイヤモンド以外のＳｉなどの材質の基板上に、ダイヤモンドパウダーを付着させる第１の工程と、ダイヤモンドパウダーが付着した基板上に、複数の開口部を有するマスクを堆積する第２の工程と、当該開口部内の基板表面にダイヤモンドの微細結晶を形成する第３の工程と、当該ダイヤモンド結晶が融合するまで（００１）面方位を出現させる成長条件で成長する第４の工程と、第４の工程で成長した当該ダイヤモンド結晶を残し基板を除去する第５の工程と、第５の工程で残した当該ダイヤモンド結晶に、（１１１）面方位を出現させる成長条件でダイヤモンド結晶を成長する第６の工程とを含むことを特徴とするダイヤモンド単結晶成長方法である。
【００１３】
請求項３の発明は、（００１）面方位を有するダイヤモンド基板上に複数の開口部を有するマスクを堆積する第１の工程と、当該開口部内の基板表面にダイヤモンドの微細結晶を形成する第２の工程と、当該ダイヤモンド結晶が融合するまで（１１１）面方位を出現させる成長条件で成長する第３の工程と、第３の工程で成長した当該ダイヤモンド結晶に、（００１）面方位を出現させる成長条件でダイヤモンド結晶を成長する第４の工程とを含むことを特徴とするダイヤモンド単結晶成長方法である。
【００１４】
請求項４の発明は、（１１１）面方位を有するダイヤモンド基板上に複数の開口部を有するマスクを堆積する第１の工程と、当該開口部内の基板表面にダイヤモンドの微細結晶を形成する第２の工程と、当該ダイヤモンド結晶が融合するまで（００１）面方位を出現させる成長条件で成長する第３の工程と、第３の工程で成長した当該ダイヤモンド結晶に、（１１１）面方位を出現させる成長条件でダイヤモンド結晶を成長する第４の工程とを含むことを特徴とするダイヤモンド単結晶成長方法である。
【００１５】
本発明によれば、結晶欠陥が無く、残留不純物の無いダイヤモンド薄膜結晶を得ることができる。これを電子デバイスに応用することにより、高速の大電力デバイスが実現する。
【００１６】
【発明の実施の形態】
つぎに、本発明の実施の形態について、図面を参照して詳しく説明する。
【００１７】
［実施の形態１］
本発明の実施の形態１によるダイヤモンド単結晶成長方法について、図１を用いて説明する。図１は、本実施の形態によるダイヤモンド単結晶成長方法を説明するための説明図である。図１（ａ）に示すように、ダイヤモンド以外の材質をもつ、例えばＳｉ基板１を用意する。基板１の表面上に、２ミクロンから４ミクロン粒径のダイヤモンドパウダー２を塗布する。基板１の表裏を反転し、フェルトなどの布上に置く。基板１に裏面から圧力を掛けながら、基板１をフェルト布面上で１５分回転させる。回転速度は毎秒６０回転である。これによって、ダイヤモンドパウダー１２が基板１に核付けされる。
【００１８】
つぎに、基板１上に、１μｍ以上の厚さで、ＳｉＯ２またはＷのマスク３を、スパッター、ＥＣＲプラズマ堆積装置などにより堆積させる。この後、図１（ｂ）に示すように、リソグラフィーにより、開口部の幅０．１μｍ、１μｍの周期で、マスク３を開口する。開口部３Ａの形状は、櫛形、長方形、三角、円などがある。
【００１９】
この後、マイクロ波プラズマＣＶＤ装置内に基板１を置く。基板温度を８００℃から９５０℃にし、Ｈ２ガスを３００ｃｃｍ、ＣＨ４ガスを３ｃｃｍの流量で導入し、圧力５０Ｔｏｒｒ、マイクロ波出力１３００Ｗでダイヤモンドを成長する。このとき、開口部３Ａ内の基板表面に、ダイヤモンドの微細結晶が形成される。すると、（１１１）ファセットが出現する成長条件で成長する。図１（ｃ）に示すように、ダイヤモンド結晶４が開口部３Ａより成長する。隣りの結晶と合体するまで、ダイヤモンド結晶４を成長する。
【００２０】
ダイヤモンド結晶４が成長すると、基板１とダイヤモンド結晶４とを一旦外部に取り出す。そして、ダイヤモンド結晶４をレジストなどで保護し、図１（ｄ）に示すように、基板１のみを反応性エッチング装置で除去する。エッチングの際に使用するガスは酸素ガスである。
【００２１】
基板１が除去されたダイヤモンド結晶４をマイクロ波プラズマＣＶＤ装置内に再び入れる。今度は、基板温度を６５０℃から７５０℃にし、Ｈ２ガスを３００ｃｃｍ、ＣＨ４ガスを３ｃｃｍの流量で導入し、圧力５０Ｔｏｒｒ、マイクロ波出力１３００Ｗでダイヤモンドを成長する。（００１）ファセットが出現する成長条件で成長する。すると、図１（ｅ）に示すように、ダイヤモンド結晶５がダイヤモンド結晶４上に成長する。ダイヤモンド結晶５は極めて平坦で、結晶欠陥が少なかった。水素終端機構による室温での正孔移動度は、表１に示すように、４３０ｃｍ２／Ｖｓであった。
【００２２】
表１
2004010429.tif 000003
【００２３】
本実施の形態により、従来の作製方法によるダイヤモンド結晶１０３（図５（ｂ））の正孔移動度に比べて、極めて高くすることができた。
【００２４】
［実施の形態２］
本発明の実施の形態２によるダイヤモンド単結晶成長方法について、図２を用いて説明する。図２は、本実施の形態によるダイヤモンド単結晶成長方法を説明するための説明図である。図２（ａ）に示すように、ダイヤモンド以外の材質をもつ、例えばＳｉ基板１１を用意する。基板１１の表面上に、２ミクロンから４ミクロン粒径のダイヤモンドパウダー１２を塗布する。基板１１の表裏を反転し、フェルトなどの布上に置く。基板１１に裏面から圧力を掛けながら、基板１１をフェルト布面上で１５分回転させる。回転速度は毎秒６０回転である。これによって、ダイヤモンドパウダー１２が基板１１上に核付けされる。
【００２５】
つぎに、基板１１上に、１μｍ以上の厚さで、ＳｉＯ２またはＷのマスク１３をスパッター、ＥＣＲプラズマ堆積装置などにより堆積させる。この後、図２（ｂ）に示すように、リソグラフィーにより、開口部の幅０．１μｍ、１μｍの周期で、マスク１３を開口する。開口部１３Ａの形状は、櫛形、長方形、三角、円などがある。
【００２６】
この後、マイクロ波プラズマＣＶＤ装置内に基板１１を置く。そして、基板温度を６５０℃から７５０℃にし、Ｈ２ガスを３００ｃｃｍ、ＣＨ４ガスを３ｃｃｍの流量で導入し、圧力５０Ｔｏｒｒ、マイクロ波出力１３００Ｗでダイヤモンドを成長する。このとき、開口部１３Ａ内の基板表面に、ダイヤモンドの微細結晶が形成される。すると、（００１）ファセットが出現する成長条件で成長する。図２（ｃ）に示すように、ダイヤモンド結晶１４は開口部１３Ａより成長する。隣りの結晶と合体するまで、ダイヤモンド結晶１４を成長する。
【００２７】
ダイヤモンド結晶１４が成長すると、基板１１とダイヤモンド結晶１４とを一旦外部に取り出す。そして、ダイヤモンド結晶１４をレジストなどで保護して、図１（ｄ）に示すように、基板１１のみを反応性エッチング装置で除去する。エッチングの際に使用するガスは酸素ガスである。
【００２８】
基板１１が除去されたダイヤモンド結晶４をマイクロ波プラズマＣＶＤ装置内に再び入れる。今度は、基板温度を８００℃から９５０℃にし、Ｈ２ガスを３００ｃｃｍ、ＣＨ４ガスを３ｃｃｍの流量で導入し、圧力５０Ｔｏｒｒ、マイクロ波出力１３００Ｗでダイヤモンドを成長する。（１１１）ファセットが出現する成長条件で成長する。すると、図２（ｅ）に示すように、ダイヤモンド結晶１５がダイヤモンド結晶１４上に成長する。ダイヤモンド結晶１５は極めて平坦で、結晶欠陥が少ない。
【００２９】
前記の表１に示すように、水素終端機構による室温での正孔移動度は５２０ｃｍ２／Ｖｓであった。本実施の形態により、従来の作製方法によるダイヤモンド結晶１０３（図５（ｂ））の正孔移動度３０ｃｍ２／Ｖｓに比べて、極めて高くすることができた。
【００３０】
［実施の形態３］
本発明の実施の形態３によるダイヤモンド単結晶成長方法について、図３を用いて説明する。図３は、本実施の形態によるダイヤモンド単結晶成長方法を説明するための説明図である。図３（ａ）に示すように、（００１）面方位のダイヤモンド基板２１を用意する。基板２１上に、１μｍ以上の厚さで、ＳｉＯ２またはＷのマスク２２をスパッター、ＥＣＲプラズマ堆積装置などにより堆積させる。
【００３１】
この後、図３（ｂ）に示すように、マスク２２をリソグラフィーにより、開口部の幅０．１μｍ、１μｍの周期で開口する。開口部２２Ａの形状は、櫛形、長方形、三角、円などがある。
【００３２】
この後、マイクロ波プラズマＣＶＤ装置内に基板２１を置く。基板温度を８００℃から９５０℃にし、Ｈ２ガスを３００ｃｃｍ、ＣＨ４ガスを３ｃｃｍの流量で導入し、圧力５０Ｔｏｒｒ、マイクロ波出力１３００Ｗでダイヤモンドを成長する。このとき、開口部２２Ａ内の基板表面に、ダイヤモンドの微細結晶が形成される。すると、（１１１）ファセットが出現する成長条件で成長する。図３（ｃ）に示すように、ダイヤモンド結晶２３が開口部２２Ａより成長する。隣りの結晶と合体するまで、ダイヤモンド結晶２３を成長する。
【００３３】
ダイヤモンド結晶２３が成長すると、基板２１とダイヤモンド結晶２３とを一旦外部に取り出す。そして、ダイヤモンド結晶２３をレジストなどで保護して、図３（ｄ）に示すように、基板２１のみを反応性エッチング装置で除去する。
【００３４】
基板２１が除去されたダイヤモンド結晶２３をマイクロ波プラズマＣＶＤ装置内に再び入れる。今度は、基板温度を６５０℃から７５０℃にし、Ｈ２ガスを３００ｃｃｍ、ＣＨ４ガスを３ｃｃｍの流量で導入し、圧力５０Ｔｏｒｒ、マイクロ波出力１３００Ｗでダイヤモンドを成長する。（００１）ファセットが出現する成長条件で成長する。すると、図３（ｅ）に示すように、ダイヤモンド結晶２４がダイヤモンド結晶２３上に成長する。ダイヤモンド結晶２４は極めて平坦で、結晶欠陥が少ない。
【００３５】
水素終端機構による室温での移動度は、前記の表１で示すように、１４３０ｃｍ２／Ｖｓであった。本実施の形態により、従来の作製方法によるダイヤモンド結晶１０３（図５（ｂ））の正孔移動度３０ｃｍ２／Ｖｓに比べて、極めて高くすることができた。
【００３６】
［実施の形態４］
本発明の実施の形態４によるダイヤモンド単結晶成長方法について、図４を用いて説明する。図４は、本実施の形態によるダイヤモンド単結晶成長方法を説明するための説明図である。図４（ａ）に示すように、（１１１）面方位のダイヤモンド基板３１を用意する。基板３１上に、１μｍ以上の厚さで、ＳｉＯ２またはＷのマスク３２をスパッター、ＥＣＲプラズマ堆積装置などにより堆積させる。この後、図４（ｂ）に示すように、マスク３２をリソグラフイーにより、開口部の幅０．１μｍ、１μｍの周期で開口する。開口部３２Ａの形状は、櫛形、長方形、三角、円などがある。
【００３７】
この後、マイクロ波プラズマＣＶＤ装置内に基板３１を置く。そして、基板温度を６５０℃から７５０℃にし、Ｈ２ガスを３００ｃｃｍ、ＣＨ４ガスを３ｃｃｍの流量で導入し、圧力５０Ｔｏｒｒ、マイクロ波出力１３００Ｗでダイヤモンドを成長する。このとき、開口部３２Ａ内の基板表面に、ダイヤモンドの微細結晶が形成される。すると、（００１）ファセットが出現する成長条件で成長する。図４（ｃ）に示すように、ダイヤモンド結晶３３は開口部３２Ａより成長する。隣りの結晶と合体するまで、ダイヤモンド結晶３３を成長する。
【００３８】
ダイヤモンド結晶３３が成長すると、基板３１とダイヤモンド結晶３３とを一旦外部に取り出す。そして、ダイヤモンド結晶３３をレジストなどで保護して、図４（ｄ）に示すように、基板３１のみを反応性エッチング装置で除去する。
【００３９】
基板３１が除去されたダイヤモンド結晶３３をマイクロ波プラズマＣＶＤ装置内に再び入れる。今度は、基板温度を８００℃から９５０℃にし、Ｈ２ガスを３００ｃｃｍ、ＣＨ４ガスを３ｃｃｍの流量で導入し、圧力５０Ｔｏｒｒ、マイクロ波出力１３００Ｗでダイヤモンドを成長する。（１１１）ファセットが出現する成長条件で成長する。すると、図４（ｅ）に示すように、ダイヤモンド結晶３４がダイヤモンド結晶３３上に成長する。ダイヤモンド結晶３４は極めて平坦で、結晶欠陥が少ない。
【００４０】
水素終端機構による室温での移動度は、前記の表１で示すように、１５３０ｃｍ２／Ｖｓであった。本実施の形態により、従来の作製方法によるダイヤモンド結晶１０３（図５（ｂ））の正孔移動度３０ｃｍ２／Ｖｓに比べて、極めて高くすることができた。
【００４１】
以上、本発明の実施の形態を詳述してきたが、具体的な構成は本実施の形態に限られるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲の設計の変更等があっても、本発明に含まれる。
【００４２】
【発明の効果】
以上、説明したように、シリコンなどダイヤモンド以外の材質を持つ基板上の等間隔の開口部を有するマスクにより核の位置を制御し、基板を除去することにより、ダイヤモンド結晶が厚くなった後の、基板とダイヤモンド結晶との熱膨張率差によるひずみを回避することができる。
【００４３】
また、本発明では、ダイヤモンド基板上に等間隔の開口部を有するマスクにより核の位置を制御し、ダイヤモンド結晶が厚くなった後の、基板とダイヤモンド結晶との熱膨張率差によるひずみを回避することができる。
【００４４】
いずれも結晶欠陥の全く無いダイヤモンド単結晶を得ることができる。これを電子デバイスに応用することにより、高速の大電力デバイスを実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態１によるダイヤモンド単結晶成長方法を説明するための説明図である。
【図２】本発明の実施の形態２によるダイヤモンド単結晶成長方法を説明するための説明図である。
【図３】本発明の実施の形態３によるダイヤモンド単結晶成長方法を説明するための説明図である。
【図４】本発明の実施の形態４によるダイヤモンド単結晶成長方法を説明するための説明図である。
【図５】従来の作製方法を説明するための説明図である。
【符号の説明】
１、１１、２１、３１　基板
２、１２　ダイヤモンドパウダー
３、１３、２２、３２　マスク
３Ａ、１３Ａ、２２Ａ、３２Ａ　開口部
４、５、１４、１５、２３、２４、３３、３４　ダイヤモンド結晶
【図１】
2004010429.tif 000004
【図２】
2004010429.tif 000005
【図３】
2004010429.tif 000006
【図４】
2004010429.tif 000007
【図５】
2004010429.tif 000008