(57)【要約】【課題】ＬＣＰ誘電体層による多層相互接続構造およびその形成方法を提供する。【解決手段】第１実施形態では、第１および第２ＬＣＰ（液晶ポリマー）誘電体層がそれぞれ、熱伝導層を第１または第２ＬＣＰ誘電体層のいずれかに結合する外因性接着材料なしで、熱伝導層の第１および第２対向面に直接結合される。第２実施形態では、第１および第２　２Ｓ１Ｐ副構造がそれぞれ、ＬＣＰ誘電体結合層を第１または第２　２Ｓ１Ｐ副構造のいずれかに結合する外因性接着材料なしで、ＬＣＰ誘電体結合層の第１および第２対向面に直接結合される。【選択図】図１
2004128497.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
　第１および第２対向面を含む熱伝導層と、
　第１ＬＣＰ誘電体層を前記熱伝導層に結合する外因性接着材料なしで、前記熱伝導層の前記第１対向面に直接結合される第１ＬＣＰ（液晶ポリマー）誘電体層と、
　第２ＬＣＰ誘電体層を前記熱伝導層に結合する外因性接着材料なしで、前記熱伝導層の前記第２対向面に直接結合される第２ＬＣＰ誘電体層と、
　前記第１ＬＣＰ誘電体層中の第１導電層と、
　前記第１ＬＣＰ誘電体層中にあり、前記第１導電層と前記熱伝導層の間に配置された第２導電層とを備える、多層相互接続構造。
【請求項２】
　前記第１ＬＣＰ誘電体層が、前記第１ＬＣＰ誘電体層を前記熱伝導層に結合する前に第１ＬＣＰ誘電体材料中に存在したポリマー鎖構造およびそれに関連した配向性と本質的に同じポリマー鎖構造およびそれに関連した配向性を有する第１ＬＣＰ誘電体材料を備え、前記第２ＬＣＰ誘電体層が、前記第２ＬＣＰ誘電体層を前記熱伝導層に結合する前に第２ＬＣＰ誘電体材料中に存在したポリマー鎖構造およびそれに関連した配向性と本質的に同じポリマー鎖構造およびそれに関連した配向性を有する第２ＬＣＰ誘電体材料を備える、請求項１に記載の多層相互接続構造。
【請求項３】
　前記第１ＬＣＰ誘電体層が、前記第１ＬＣＰ誘電体層を前記熱伝導層に結合する前に第１ＬＣＰ誘電体材料中に存在したＣＴＥ（熱膨張係数）と本質的に同じＣＴＥを有する第１ＬＣＰ誘電体材料を備え、前記第２ＬＣＰ誘電体層が、前記第２ＬＣＰ誘電体層を前記熱伝導層に結合する前に第２ＬＣＰ誘電体材料中に存在したＣＴＥと本質的に同じＣＴＥを有する第２ＬＣＰ誘電体材料を備える、請求項１に記載の多層相互接続構造。
【請求項４】
　前記第２導電層が複数の第１の遮蔽された信号導体を備え、
　前記第１および第２ＬＣＰ誘電体層上にそれぞれ配置された第１および第２の複数の導電部材と、
　前記多層相互接続構造を貫通して、前記第１の複数の導電部材の少なくとも１つの部材と、少なくとも１つの前記第１の複数の遮蔽された信号導体と、前記第２の複数の導電部材の少なくとも１つの部材とに電気的に接続されたメッキ・スルーホールと、
　前記第１誘電体層上と、前記第１の複数の導電部材の一部上に配置され、前記メッキ・スルーホールのほぼ上に重なり、第１電子デバイスから前記第１の複数の遮蔽された信号導体への電気経路を提供する高密度の相互接続層を含む第３誘電体層とをさらに備える、請求項１に記載の多層相互接続構造。
【請求項５】
　前記第１電子デバイスが、半導体チップおよび回路形成した基板からなる群から選択される、請求項４に記載の多層相互接続構造。
【請求項６】
　前記第３誘電体層が、改質ポリフェニレンエーテルを含む樹脂を含む高密度の相互接続層である、請求項４に記載の多層相互接続構造。
【請求項７】
　前記第３誘電体層が、前記第１誘電体層および前記第１の複数の導電部材の一部に直接結合される第３ＬＣＰ誘電体層であり、外因性接着材料を用いずに前記第３ＬＣＰ誘電体が前記第１誘電体層に結合され、外因性接着材料を用いずに前記第３ＬＣＰ誘電体が前記第１の複数の導電部材の一部に結合される、請求項４に記載の多層相互接続構造。
【請求項８】
　第１および第２対向面を含む熱伝導層を提供するステップと、
　第１ＬＣＰ誘電体材料を含み、前記熱伝導層の前記第１対向面上に配置された第１ＬＣＰ誘電体副層を含む、第１ＬＣＰ（液晶ポリマー）誘電体層を前記熱伝導層の前記第１対向面上に配置するステップと、
　第２ＬＣＰ誘電体材料を含み、前記熱伝導層の前記第２対向面上に配置された第２ＬＣＰ誘電体副層を含む第２ＬＣＰ誘電体層を前記熱伝導層の前記第２対向面上に配置するステップと、
　前記第１および第２ＬＣＰ誘電体材料を塑性変形させ、前記第１ＬＣＰ誘電体副層と前記熱伝導層の間に配設される外因性接着層なしで、前記熱伝導層に前記第１ＬＣＰ誘電体副層を結合させ、前記第２ＬＣＰ誘電体副層と前記熱伝導層の間に配設される外因性接着層なしで、前記熱伝導層に前記第２ＬＣＰ誘電体副層を結合させるのに十分な保持時間かつ高圧で、それぞれ前記第１および第２ＬＣＰ誘電体材料のネマチック−アイソトロピック転移温度よりも低い第１および第２温度を、前記第１および第２ＬＣＰ誘電体層に加えるステップとを含む、多層相互接続構造を製作する方法。
【請求項９】
　前記保持時間全体にわたって、前記第１および第２ＬＣＰ誘電体材料のポリマー鎖構造およびそれに関連した配向性が本質的に変化しないままである、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
　前記保持時間全体にわたって、前記第１および第２ＬＣＰ誘電体材料のＣＴＥ（熱膨張係数）が本質的に変化しないままである、請求項８に記載の方法。
【請求項１１】
　前記高圧が、約１０００ｐｓｉ（０．７ｋｇ／ｍｍ２）〜約３０００ｐｓｉ（２．１ｋｇ／ｍｍ２）の範囲の値をとる、請求項８に記載の方法。
【請求項１２】
　前記保持時間が少なくとも約２分である、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
　前記第１ＬＣＰ誘電体材料および前記第２ＬＣＰ誘電体材料が同じＬＣＰ誘電体材料である、請求項８に記載の方法。
【請求項１４】
　前記第１ＬＣＰ誘電体材料および前記第２ＬＣＰ誘電体材料が異なるＬＣＰ誘電体材料である、請求項８に記載の方法。
【請求項１５】
　第１誘電体層、前記第１誘電体層中の第１電力面、前記第１誘電体層の上面上の上部信号面、前記第１誘電体層の下面上の下部信号面、および第１導電バイアを備える第１　２Ｓ１Ｐ副構造と、
　第２誘電体層、前記第２誘電体層中の第２電力面、前記第２誘電体層の上面上の上部信号面、前記第２誘電体層の下面上の下部信号面、および第２導電バイアを備える第２　２Ｓ１Ｐ副構造と、
　第１および第２対向面ならびに貫通する導電プラグを有し、ＬＣＰ（液晶ポリマー）誘電体材料を含む結合層とを備え、前記結合層を前記第１誘電体層に結合する外因性接着材料なしで、前記結合層の前記第１対向面が前記第１　２Ｓ１Ｐ副構造の前記第１誘電体層に直接結合され、前記結合層を前記第２誘電体層に結合する外因性接着材料なしで、前記結合層の前記第２対向面が前記第２　２Ｓ１Ｐ副構造の前記第２誘電体層に直接結合され、前記導電プラグにより前記第１導電バイアが前記第２導電バイアに電気的に結合される、電気構造。
【請求項１６】
　前記ＬＣＰ誘電体材料が、前記結合層を前記第１および第２　２Ｓ１Ｐ副構造に結合する前に前記ＬＣＰ誘電体材料中に存在したポリマー鎖構造およびそれに関連した配向性と本質的に同じポリマー鎖構造およびそれに関連した配向性を有する、請求項１５に記載の電気構造。
【請求項１７】
　前記ＬＣＰ誘電体材料が、前記結合層を前記第１および第２　２Ｓ１Ｐ副構造に結合する前に前記ＬＣＰ誘電体材料中に存在したＣＴＥ（熱膨張係数）と本質的に同じＣＴＥを有する、請求項１５に記載の電気構造。
【請求項１８】
　前記第１導電バイアが、前記第１　２Ｓ１Ｐ副構造の前記上部および下部信号面を電気的に結合する第１メッキ・スルーホールを備え、前記第２導電バイアが、前記第２　２Ｓ１Ｐ副構造の前記上部および下部信号面を電気的に結合する第２メッキ・スルーホールを備える、請求項１５に記載の電気構造。
【請求項１９】
　前記第１導電バイアが、前記第１電力面を前記第１　２Ｓ１Ｐ副構造の前記下部信号面に電気的に結合する第１メッキ盲バイアを備え、前記第２導電バイアが、前記第２電力面を前記第２　２Ｓ１Ｐ副構造の前記上部信号面に電気的に結合する第２メッキ盲バイアを備える、請求項１５に記載の電気構造。
【請求項２０】
　前記第１導電バイアが、前記第１電力面を前記第１　２Ｓ１Ｐ副構造の前記下部信号面に電気的に結合するメッキ盲バイアを備え、前記第２導電バイアが、前記第２　２Ｓ１Ｐ副構造の前記上部信号面と下部信号面を電気的に結合するメッキ・スルーホールを備える、請求項１５に記載の電気構造。
【請求項２１】
　前記第１誘電体層が第１ＬＣＰ誘電体材料を備え、前記第２誘電体層が第２ＬＣＰ誘電体材料を備える、請求項１５に記載の電気構造。
【請求項２２】
　前記第１誘電体層も前記第２誘電体層もＬＣＰ誘電体材料を備えない、請求項１５に記載の電気構造。
【請求項２３】
　第１誘電体層、前記第１誘電体層中の第１電力面、前記第１誘電体層の上面上の上部信号面、前記第１誘電体層の下面上の下部信号面、および第１導電バイアを備える第１　２Ｓ１Ｐ副構造を提供するステップと、
　第２誘電体層、前記第２誘電体層中の第２電力面、前記第２誘電体層の上面上の上部信号面、前記第２誘電体層の下面上の下部信号面、および第２導電バイアを備える第２　２Ｓ１Ｐ副構造を提供するステップと、
　第１および第２対向面ならびに貫通する導電プラグを有し、ＬＣＰ（液晶ポリマー）誘電体材料を含む結合層を提供するステップと、
　結合させるのに十分な高温、高圧を、その保持時間中、前記第１　２Ｓ１Ｐ副構造と、前記結合層と、前記第２　２Ｓ１Ｐ副構造とに加えることによって、前記結合層を、前記第１対向面で前記第１　２Ｓ１Ｐ副構造の前記第１誘電体層と、前記第２対向面で前記第２　２Ｓ１Ｐ副構造の前記第２誘電体層に直接結合するステップとを含み、前記保持時間中、前記高温が前記ＬＣＰ誘電体材料のネマチック−アイソトロピック温度よりも低く、前記結合層と前記第１誘電体層の間に外因性接着材料を配設せず、前記結合層と前記第２誘電体層の間に外因性接着材料を配設せず、前記導電プラグが前記第１導電バイアを前記第２導電バイアに電気的に結合する、電気構造を形成する方法。
【請求項２４】
　前記保持時間全体にわたって、前記結合層の前記ＬＣＰ誘電体材料のポリマー鎖構造およびそれに関連した配向性が本質的に変化しないままである、請求項２３に記載の方法。
【請求項２５】
　前記保持時間全体にわたって、前記結合層のＬＣＰ誘電体材料のＣＴＥ（熱膨張係数）が本質的に変化しないままである、請求項２３に記載の方法。
【請求項２６】
　前記高圧が、約１０００ｐｓｉ（０．７ｋｇ／ｍｍ２）〜約３０００ｐｓｉ（２．１ｋｇ／ｍｍ２）の範囲の値をとる、請求項２３に記載の方法。
【請求項２７】
　前記保持時間が少なくとも約２分である、請求項２６に記載の方法。
【請求項２８】
　前記第１導電バイアが、前記第１　２Ｓ１Ｐ副構造の前記上部および下部信号面を電気的に結合する第１メッキ・スルーホールを備え、前記第２導電バイアが、前記第２　２Ｓ１Ｐ副構造の前記上部および下部信号面を電気的に結合する第２メッキ・スルーホールを備える、請求項２３に記載の方法。
【請求項２９】
　前記第１導電バイアが、前記第１電力面を前記第１　２Ｓ１Ｐ副構造の前記下部信号面に電気的に結合する第１メッキ盲バイアを備え、前記第２導電バイアが、前記第２電力面を前記第２　２Ｓ１Ｐ副構造の前記上部信号面に電気的に結合する第２メッキ盲バイアを備える、請求項２３に記載の方法。
【請求項３０】
　前記第１導電バイアが、前記第１電力面を前記第１　２Ｓ１Ｐ副構造の前記下部信号面に電気的に結合するメッキ盲バイアを備え、前記第２導電バイアが、前記第２　２Ｓ１Ｐ副構造の前記上部信号面と下部信号面を電気的に結合するメッキ・スルーホールを備える、請求項２３に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
　本発明は、一般に、多層相互接続構造に関し、より詳細には、多層相互接続構造におけるＬＣＰ（液晶ポリマー）誘電体層の積層形成に関する。
【背景技術】
【０００２】
　本特許出願は、２００２年２月５日出願の「Electronic Package ForElectronic Components and Method of Making Same」という名称の同時係属の米国特許出願第１０／０６７，５５１号の一部継続出願である。
【０００３】
　チップ・キャリアなどの有機基板は、多くの用途向けに開発が行われ、また開発が継続中である。しかし、現在、有機基板の製作を特徴づけているコストおよび非効率性を低減することが望ましいはずである。
【特許文献１】米国特許出願第１０／０６７，５５１号
【特許文献２】米国特許第５，３５２，７４５号
【特許文献３】米国特許第５，２１８，０３０号
【特許文献４】米国特許第６，３５２，７８２　Ｂ２号
【特許文献５】２００２年９月２４日出願のFarquharらの「ElectronicPackage With Optimized Lamination Process」
【特許文献６】米国特許第６，２７４，２４２号
【特許文献７】米国特許第５，９００，２９２号
【非特許文献１】A. Blakeの「Practical Stress Analysisin Engineering Design」、米国10016ニューヨーク州ニューヨーク、マジソン・アベニュー２７０番地所在のMarcel Dekker刊、1982年
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
　本発明は、ＬＣＰ誘電体層の多層相互接続構造および形成方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
　第１実施形態では、本発明は、
　第１および第２対向面を含む熱伝導層と、
　前記熱伝導層に第１ＬＣＰ誘電体層を結合する外因性接着材料なしで、前記熱伝導層の前記第１対向面に直接結合される第１ＬＣＰ（液晶ポリマー）誘電体層と、
　前記熱伝導層に第２ＬＣＰ誘電体層を結合する外因性接着材料なしで、前記熱伝導層の前記第２対向面に直接結合される第２ＬＣＰ誘電体層と、
　前記第１ＬＣＰ誘電体層中の第１導電層と、
　前記第１ＬＣＰ誘電体層中にあり、前記第１導電層と前記熱伝導層の間に配置され、第１の複数の遮蔽された信号導体を含む第２導電層とを備える、多層相互接続構造を提供する。
【０００６】
　第２実施形態では、本発明は、
　第１および第２対向面を含む熱伝導層を提供するステップと、
　第１ＬＣＰ誘電体材料を含み、前記熱伝導層の前記第１対向面上に配置された第１ＬＣＰ誘電体副層と、前記第１ＬＣＰ誘電体副層上に配置された第１の複数の遮蔽された信号導体と、前記第１の複数の遮蔽された信号導体上に配置された第２ＬＣＰ誘電体副層と、前記第２ＬＣＰ誘電体副層上に配置された第１導電層と、前記第１導電層上に配置された第３ＬＣＰ誘電体副層とを含む、第１ＬＣＰ（液晶ポリマー）誘電体層を前記熱伝導層の前記第１対向面上に配置するステップと、
　第２ＬＣＰ誘電体材料を含む第２ＬＣＰ誘電体層を前記熱伝導層の前記第２対向面上に配置するステップと、
　前記第１および第２ＬＣＰ誘電体材料を塑性変形させ、前記第１ＬＣＰ誘電体副層と前記熱伝導層の間に配設される外因性接着層なしで、前記熱伝導層に前記第１ＬＣＰ誘電体副層を結合させ、前記第２ＬＣＰ誘電体副層と前記熱伝導層の間に配設される外因性接着層なしで、前記熱伝導層に前記第２ＬＣＰ誘電体副層を結合させるのに十分な保持時間かつ高圧で、それぞれ前記第１および第２ＬＣＰ誘電体材料のネマチック−アイソトロピック転移温度よりも低い第１および第２温度を、前記第１および第２ＬＣＰ誘電体層に加えるステップとを含む、多層相互接続構造を製作する方法を提供する。
【０００７】
　第３実施形態では、本発明は、
　第１誘電体層、前記第１誘電体層中の第１電力面、前記第１誘電体層の上面上の上部信号面、前記第１誘電体層の下面上の下部信号面、および第１導電バイアを備える第１　２Ｓ１Ｐ副構造と、
　第２誘電体層、前記第２誘電体層中の第２電力面、前記第２誘電体層の上面上の上部信号面、前記第２誘電体層の下面上の下部信号面、および第２導電バイアを備える第２　２Ｓ１Ｐ副構造と、
　第１および第２対向面ならびに貫通する導電プラグを有し、ＬＣＰ（液晶ポリマー）誘電体材料を含む結合層とを備え、前記結合層を前記第１誘電体層に結合する外因性接着材料なしで、前記結合層の前記第１対向面が前記第１　２Ｓ１Ｐ副構造の前記第１誘電体層に直接結合され、前記結合層を前記第２誘電体層に結合する外因性接着材料なしで、前記結合層の前記第２対向面が前記第２　２Ｓ１Ｐ副構造の前記第２誘電体層に直接結合され、前記導電プラグにより前記第１導電バイアが前記第２導電バイアに電気的に結合される、電気構造を提供する。
【０００８】
　第４実施形態では、本発明は、
　第１誘電体層、前記第１誘電体層中の第１電力面、前記第１誘電体層の上面上の上部信号面、前記第１誘電体層の下面上の下部信号面、および第１導電バイアを備える第１　２Ｓ１Ｐ副構造を提供するステップと、
　第２誘電体層、前記第２誘電体層中の第２電力面、前記第２誘電体層の上面上の上部信号面、前記第２誘電体層の下面上の下部信号面、および第２導電バイアを備える第２　２Ｓ１Ｐ副構造を提供するステップと、
　第１および第２対向面ならびに貫通する導電プラグを有し、ＬＣＰ（液晶ポリマー）誘電体材料を含む結合層を提供するステップと、
　結合させるのに十分な高温、高圧を、その保持時間中、前記第１　２Ｓ１Ｐ副構造と、前記結合層と、前記第２　２Ｓ１Ｐ副構造とに加えることによって、前記結合層を、前記第１対向面で前記第１　２Ｓ１Ｐ副構造の前記第１誘電体層と、前記第２対向面で前記第２　２Ｓ１Ｐ副構造の前記第２誘電体層に直接結合するステップとを含み、前記保持時間中、前記高温が前記ＬＣＰ誘電体材料のネマチック温度よりも低く、前記結合層と前記第１誘電体層の間に外因性接着材料を配設せず、前記結合層と前記第２誘電体層の間に外因性接着材料を配設せず、前記導電プラグが前記第１導電バイアを前記第２導電バイアに電気的に結合する、電気構造を形成する方法を提供する。
【０００９】
　有利には、本発明は、有機基板の製作において、加工時間および加工コストを減少させ、誘電体層の厚さを減少させる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
　本発明は、誘電体材料を備える多層相互接続構造および多層相互接続構造を形成する方法に関する。この詳細な説明のセクションは、３つのサブセクションに分かれる。第１サブセクションでは、多層相互接続構造およびその形成方法を、第１誘電体材料による実施形態（「第１誘電体材料実施形態」）について説明する。第２サブセクションでは、多層相互接続構造およびその形成方法を、ＬＣＰ（液晶ポリマー）誘電体を使用する第２誘電体材料による実施形態（「第２誘電体材料実施形態」）について説明する。第３サブセクションでは、ＬＣＰ誘電体材料を含む結合層を使用して、２Ｓ１Ｐ副構造など他の２つの副構造を互いに結合する、特殊化した多層相互接続構造を説明する（「結合層実施形態」）。
【００１１】
　第１誘電体材料実施形態
　本発明は、多層相互接続構造（たとえば、有機チップ・キャリアなどの有機誘電体材料を備える基板）および半導体チップを含む電子パッケージを提供する。この多層相互接続構造は、比較的コンプライアントであり、約１０〜約１２ｐｐｍ／℃のＣＴＥ（熱膨張係数）を有する。これにより、半導体チップとこのパッケージが組み付けられるプリント回路ボードの間で相互接続不良が生じない。本発明の一実施形態として、この多層相互接続構造は、単一層からなるものとすることができる。ハンダによる相互接続などの相互接続の不良は、ＴＡＴ（熱受容性試験、Thermal Acceptance Testing）の各試験（すなわち、試験区分）にかけた結果、相互接続電気抵抗が少なくとも１オーム増加することとして定義される。ここで、相互接続は、実際に各ＴＡＴ試験によりテストされるか、あるいは公認の工業標準および方法に従って、実際に各ＴＡＴ試験にかけられた場合、相互接続が前記少なくとも１オームの電気抵抗の増加をもたらすはずかどうかを判定する技術計算すなわちコンピュータ・シミュレーションにかけられる。ＴＡＴ試験後の電気抵抗値の前記増加を計算する基準値として、ＴＡＴ試験前の相互接続電気抵抗値を使用する。相互接続の合格は、不合格でないことと定義される。熱受容性試験は、以下の４つの試験区分を含む。すなわち、エア・トウ・エア試験（air-to-airtest）、高湿度熱衝撃試験（wet thermal shock test）、熱サイクル試験（thermal cycle test）、および電力サイクル試験（powercycle test）である。
【００１２】
　エア・トウ・エア試験は、ＪＥＤＥＣ（電子素子技術連合評議会）の試験方法Ａ１０４−Ａ、条件Ｇであり、チップが取り付けられた有機基板を、有機基板および取り付けられたチップがともにいたるところで−４０℃になるまで（通常は１０分）、−４０℃の空気中に入れ、その後、有機基板および取り付けられたチップがともにいたるところで１２５℃になるまで（通常は１０分）、１２５℃の別の空気槽に入れ、これを１０００サイクル行うことを含む。
【００１３】
　高湿度熱衝撃試験は、ＪＥＤＥＣの試験方法Ａ１０６−Ａであり、チップが取り付けられた有機基板を、有機基板および取り付けられたチップがともにいたるところで−４０℃になるまで（通常は１０分）、−４０℃の液体槽に浸し、その後、有機基板および取り付けられたチップがともにいたるところで１２５℃になるまで（通常は１０分）、１２５℃の別の液体槽に浸し、これを１００サイクル行うことを含む。
【００１４】
　熱サイクル試験では、空気を０℃から１００℃まで３６００サイクル循環させる空気チャンバ内で、アセンブリ全体（チップおよび回路カードが取り付けられた有機基板）を循環させる。０℃および１００℃の両極端のチャンバ温度はそれぞれ、アセンブリ全体が均一な定常状態温度に達するまで維持する。
【００１５】
　電力サイクル試験では、アセンブリ全体（チップおよび回路カードが取り付けられた有機基板）を、２５℃（すなわち、周囲の室温）から１２５℃まで３６００サイクル循環させる。熱を加える段階中、チップを作動させ、そのためチップはアセンブリ全体に対する熱源として働く。サイクルでの高温の終了端は、チップが１２５℃にあって、その結果アセンブリ全体の温度分布が、実際の現場での動作中に生じるはずの温度分布を現実的にシミュレートするものになった状態で行われる。
【００１６】
　図１を参照すると、本発明の電子パッケージ１０の一実施形態の正面部分断面図が示されている。この電子パッケージ１０は、電子デバイス、たとえば、複数の接点部材１６を上に含む第１表面１４を有する半導体チップ１２を含む。この複数の接点部材１６は、それぞれチップの第１表面１４上にあるそれぞれの接点（図示せず）に結合されたＣ４（コントロール・コラプス・チップ接続、Controlled Collapse Chip Connection）ハンダ・ボールであることが好ましい。本発明で使用することができる他の接点部材の形状は、円柱および円筒である。Ｃ４ハンダ・ボールは、好ましくは、その組成が鉛約９７％とスズ約３％であり、融点が約３１０℃であるハンダ材料からなる。この電子パッケージは、第１の複数のハンダ接続、好ましくはＢＧＡ（ボール・グリッド・アレイ）ハンダ・ボールなどのハンダ・ボールによって、半導体チップ１２を、回路形成した基板１００（たとえば、プリント回路ボード）などの電子デバイスに電気的に相互接続するように適合されている多層相互接続構造１８、好ましくは、有機チップ・キャリアを含む。（以下に詳しく説明する）多層相互接続構造１８は、第１および第２対向面２４および２６をそれぞれ有する熱伝導層２２を含む。副層２９、３９、３０、３１および３２を含み得る第１誘電体層２８は、第１対向面２４上に配置される。副層３５、４１、３６、３７および３８を含み得る第２誘電体層３４は、第２対向面２６上に配置される。第１誘電体層２８は、誘電体層３０と３２の間に、電力接続または接地接続あるいはその両方として働く第１導電層３１を含むこともできる。第２誘電体層３４は、誘電体層３６と３８の間に、電力接続または接地接続あるいはその両方として働く第３導電層３７を含むこともできる。さらに、第１誘電体層２８および第２誘電体層３４は、第２および第４導電層３９および４１をそれぞれ含むことができる。導電層３９および４１は、信号搬送導体であることが好ましい。第２導電層３９は、第１導電層３１と熱伝導層２２の間に配置される。第４導電層４１は、第３導電層３７と熱伝導層２２の間に配置される。導電層３１、３７、３９および４１は、銅またはアルミニウム（好ましくは銅）などの適当な金属からなり得、厚さ約０．２０ミル（５μｍ）〜約１．０ミル（２５μｍ）、好ましくは約０．５０ミル（１３μｍ）とすることができる。本発明の一態様では、信号搬送層３９および４１が導電層によって両側を遮蔽され、これによって信号ノイズが大きく減少する。信号搬送層３９は導電層３１および２２によってそれぞれ遮蔽され、信号搬送層４１は導電層３７および２２によって遮蔽される。
【００１７】
　本発明の第１誘電体材料実施形態として、第１誘電体層２８の層２９、３０および３２、ならびに第２誘電体層３４の層３５、３６および３８は、微粒子材料を充填した有機ポリマー材料を含むことができる。これらの誘電体層の誘電率は、約１．５〜約３．５、より好ましくは約２〜約３であることが好ましい。これらの充填誘電体層の厚さは、多層相互接続構造１８の所望の設計性能特性に応じて変更可能であり、必要設計性能によってそう要求される場合、前記厚さは互いにほぼ等しくすることができる。誘電体層２８および３４の誘電体材料は、従来型の織込みガラス繊維を含まないことが重要である。このように織込みガラス繊維を含まないことにより、間隔を近接させてスルーホールを配置することができる。実際、隣接する導電スルーホール間で電気的に短絡することなく、スルーホール中心間の間隔は、１００ミル（２．５４ｍｍ）未満、好ましくは５０ミル（１．２７ｍｍ）未満、より好ましくは約２５ミル（０．６４ｍｍ）、最も好ましくは１０ミル（０．２５ｍｍ）未満が達成可能である。微粒子フィラーは、好ましくは直径約１０μｍ未満、より好ましくは約５〜約８μｍである。微粒子フィラーは、好ましくは材料の約３０〜約７０重量％、より好ましくは約４０〜約６０重量％で存在する。微粒子フィラーはシリカであることが好ましい。誘電体層用の適当な材料には、たとえば、シアナートエステルおよびポリテトラフルオロエチレンが含まれる。適当なシリカ充填ポリテトラフルオロエチレンが、（米国コネチカット州Rogers所在の）Rogers社からＨＴ　２８００として入手可能である。
【００１８】
　第１誘電体層２８上に第１の複数の導電部材４０を配置し、第２誘電体層３４上に第２の複数の導電部材４２を配置する。導電部材４０および４２は、金属、とりわけ銅を含み得る。第１および第２の複数の導電部材４０および４２はそれぞれ、厚さ約０．２５ミル（６μｍ）〜約１．５ミル（３８μｍ）とすることができる。第１の複数のマイクロバイア５５上に配置され、第１の複数の導電部材４０と電気的に接触する第１の複数のハンダ接続４７は、半導体チップ１２上の複数の接点部材１６のそれぞれと電気的に接続される。第１の複数のマイクロバイア５５は、第１の複数の導電部材４０の少なくとも一部を露出させる第３誘電体層４６中に形成された内壁を備える第１の複数の開口である。第１の複数の開口はそれぞれ、第１の複数の開口の内壁上および第１の複数の導電部材４０のうち選択されたものの一部上に配置された導電材料４５（たとえば銅）の層を含む。第１の複数のハンダ接続４７は、（融解温度が約２３０℃未満の）低融点ハンダ、たとえば、とりわけ鉛約６３％とスズ約３７％の組成の共晶ハンダからなる。
【００１９】
　熱伝導層２２は、第１の複数の導電部材４０と半導体チップ１２の間で第１の複数のハンダ接続４７の接続不良を実質的に防止するように選択された厚さおよび熱膨張係数を有する材料からなる。熱伝導部材（または層）２２は、ニッケル、銅、モリブデンまたは鉄からなる適当な金属とすることができる。熱伝導層２２は、接地面として機能することができる。（ＣＴＥがゼロに近い、とりわけ、約４ｐｐｍ／℃〜約８ｐｐｍ／℃である）熱伝導層２２の一実施形態は、銅の第１層、ニッケル約３４％〜約３８％（たとえば、ニッケル約３６％）と鉄約６２％〜約６６％（たとえば、鉄約６３％）の合金の第２層、および銅の第３層からなる３層構造である。熱伝導層２２の全ＣＴＥ（すなわち、空間的に平均したＣＴＥ）は、約４〜約８ｐｐｍ／℃である。熱伝導層２２の厚さの約７２％〜約８０％は、ニッケル−鉄合金とすることができ、熱伝導層の厚さの約２０％〜約２８％は、銅とすることができる。適当な３６％ニッケル−６３％鉄合金が、（米国マサチューセッツ州Attleboro所在の）Texas Instruments社から入手可能である。あるいは、熱伝導層２２は、ニッケル約３６％−鉄約６３％合金などの単一金属合金だけで形成することができる。熱伝導層２２の厚さは、約１ミル（２５μｍ）〜約３ミル（７６μｍ）とすることができる。熱伝導層２２の厚さおよび材料の選択により、熱伝導層２２のＣＴＥが決まり、それらを本明細書で定義する他の要素と組み合わせて使用するとき、多層相互接続構造１８の全ＣＴＥを制御できることが重要である。このＣＴＥが約１０〜約２５ｐｐｍ／℃のとき、大きな利点が得られる。電子パッケージ１０の第１の複数のハンダ接続４７に対するひずみの制御が実現され、（回路形成した基板に組み付けられ、現場で動作する際の）電子パッケージ１０の動作中に大きなひずみが局在する領域の形成が回避される。こうすると、ＣＴＥが約２〜３ｐｐｍ／℃である半導体チップ１２と、ＣＴＥが約１７〜２０ｐｐｍ／℃である回路形成した基板１００の間の全体ひずみの大きさが大幅に減少する。多層相互接続構造１８中と、多層相互接続構造１８と半導体チップ１２の間と、回路形成した基板１００と多層相互接続構造１８の間の相互接続不良を防ぐために、多層相互接続構造１８の全ＣＴＥと半導体チップ１２のＣＴＥの差は、回路形成した基板１００のＣＴＥと半導体チップ１２のＣＴＥの差の約４０％〜約７０％（しかし、好ましくは約４０％〜約６０％）とすべきである。多層相互接続構造１８のＣＴＥを制御して前記の相互接続不良を防ぐために、多層相互接続構造１８の全ＣＴＥが、熱伝導層２２のＣＴＥおよび厚さによって決まることに留意されたい。したがって、熱伝導層２２のＣＴＥが、（熱伝導層２２の厚さに応じて）、多層相互接続構造１８の全体ＣＴＥの約１／３〜約２／３となることが好ましい。
【００２０】
　上記で説明した本発明の第１誘電体実施形態では、第１誘電体層２８の層２９、３０、３２ならびに第２誘電体層３４の層３５、３６および３８は、有効弾性係数が約０．０１Ｍｐｓｉ（百万ポンド／平方インチ）（７ｋｇ／ｍｍ２）〜約０．５０Ｍｐｓｉ（３５２ｋｇ／ｍｍ２）、好ましくは有効弾性係数が約０．０３Ｍｐｓｉ（２１ｋｇ／ｍｍ２）〜約０．１０Ｍｐｓｉ（７０ｋｇ／ｍｍ２）である充填有機ポリマー材料を含み得る。層２９、３０、３２、３５、３６および３８の誘電体材料は、応力下で弾性変形し、応力が十分に大きい場合には、弾塑性変形することができる材料を含む。有効弾性係数は、弾塑性応力ひずみ材料試験の応力応答曲線の全ひずみに対する引張応力の関係として定義される割線弾性係数（secant modulus）と定義される（たとえば、A. Blakeの「Practical Stress Analysis inEngineering Design」、米国10016ニューヨーク州ニューヨーク、マジソン・アベニュー２７０番地所在のMarcel Dekker刊、1982年を参照）。温度１０〜３０℃で行われた試験で、ひずみ率が毎分０．０１〜毎分０．６、室温で測定された引張割線弾性係数の測定値が０．０１Ｍｐｓｉ（７ｋｇ／ｍｍ２）〜０．５Ｍｐｓｉ（３５２ｋｇ／ｍｍ２）の範囲の値をとる誘電体材料を使用すると有効である。第１および第２誘電体層２８および３４がそれぞれ、この有効弾性係数をもつ材料からなるとき、多層相互接続構造は比較的コンプライアントであり、電子パッケージの動作中の反りは大きく減少する。ＣＴＥを減少させた熱伝導層と、（動作中に）コンプライアントな誘電体層の特有の組合せにより、半導体チップ１２と多層相互接続構造１８の間と、多層相互接続構造１８と回路形成した基板１００の間で、第１の複数のハンダ接続４７の接続不良が確実に防止される。その結果、半導体チップ１２は、通常の有機材料でできている積層物で生じるはずのものよりもはるかに小さい反りを受けることになる。多層相互接続構造１８は、ダイ下で内部せん断ひずみ量を大きく吸収することはできない。半導体チップ１２と多層相互接続構造１８の間に封入材料を適用する場合、この構造のコンプライアンスにより、封入材料中で応力が大きく減少することになる。第１の複数のハンダ接続４７に対するひずみの制御と、電子パッケージ１０が反る傾向を低減させることを組み合わせると、第１の複数の導電部材４０と半導体チップ１２の間で生じる第１の複数のハンダ接続４７の接続不良を防ぐのに寄与する。
【００２１】
　第１メッキ・スルーホール５０（すなわち、金属、好ましくは銅でメッキされた第１のスルーホール）を半導体チップ１２の下に配置し、第１の複数の導電部材４０の少なくとも１つの導電部材および第２の複数の導電部材４２の少なくとも１つの導電部材に電気的に接続させる。図１には明示しないが、第１メッキ・スルーホール５０を、導電層３９を備える第１の複数の遮蔽された信号導体の少なくとも１つにも電気的に接続させる。第２メッキ・スルーホール５２（すなわち、とりわけ銅などの金属でメッキされた第２のスルーホール）を半導体チップ１２の下に配置し、やはり第１の複数の導電部材４０の少なくとも１つの導電部材および第２の複数の導電部材４２の少なくとも１つの導電部材に電気的に接続させる。図１には明示しないが、第２メッキ・スルーホール５２を、導電層４１を備える第２の複数の遮蔽された信号導体の少なくとも１つにも電気的に接続させる。第１および第２メッキ・スルーホール５０および５２はそれぞれ、約１．５ミル（３８μｍ）〜約３．０ミル（７６μｍ）のメッキされていない直径の部分を有し、それらは、機械式またはレーザによる穿孔、好ましくは市販のＹＡＧレーザまたはエキシマ・レーザによるレーザ穿孔で形成することができる。メッキ・スルーホール５０および５２はそれぞれ、その内壁上に約０．１５（４μｍ）〜約１．０ミル（２５μｍ）の適当な金属メッキ（たとえば銅）層を含む。一実施形態として、半導体チップの接触部位をそれぞれ、多層相互接続構造１８の１つのメッキ・スルーホールにだけ電気的に接続させる。
【００２２】
　多層相互接続構造１８の第３誘電体層４６を、第１誘電体層２８上、および第１の複数の導電部材４０のうち選択されたものの少なくとも一部上に配置する。第３誘電体層４６は、第１および第２メッキ・スルーホール５０および５２をそれぞれ実質的に（テント状に）覆うことができる。多層相互接続構造１８の第４誘電体層４８を、第２誘電体層３４上、および第２の複数の導電部材４２のうち選択されたものの少なくとも一部上に配置する。多層相互接続構造１８の第４誘電体層４８は、第１および第２メッキ・スルーホール５０および５２をそれぞれ実質的に（テント状に）覆うことができる。図に示すように、第３および第４誘電体材料により、メッキ・スルーホール５０および５２をそれぞれほぼ充填することができる。あるいは、第１誘電体層２８および第２誘電体層３４上にそれぞれ第３誘電体層４６および第４誘電体層４８を配置する前に、第３および第４誘電体材料以外の材料でメッキ・スルーホール５０および５２を充填してもよい。
【００２３】
　第３誘電体層４６および第４誘電体層４８の誘電体材料（それぞれ「第３誘電体材料」、「第４誘電体材料」）は、適当な有機ポリマー材料とすることができる。好ましい第３および第４誘電体材料は、ＭＰＰＥ（改質ポリフェニレンエーテル）を含む樹脂である。本発明とともに使用することができる有用なＭＰＰＥ樹脂が、日本国東京所在の旭化成株式会社に譲渡された（１９９４年１０月４日発行の片寄（Katayose）らの）米国特許第５，３５２，７４５号（「片寄‘７４５」）に開示されている。参照によりそれ全体を本明細書に合体する。このＭＰＰＥ樹脂は、ポリフェニレンエーテルを非飽和カルボン酸または酸無水物および少なくとも１種のシアヌレートと反応させることによって得られる反応生成物を含む硬化性ポリフェニレンエーテル樹脂組成物として片寄‘７４５特許に記載されている。本発明とともに使用することができる有用なＭＰＰＥ樹脂が、日本国東京所在の旭化成株式会社に譲渡された（１９９３年６月８日発行の片寄らの）米国特許第５，２１８，０３０号（「片寄‘０３０」）に開示されている。参照によりそれ全体を本明細書に合体する。ＭＰＰＥ樹脂に関して、片寄‘０３０特許は、ペンダント・アリル基またはプロパルギル基、トリアリルシアヌレートまたはトリアリルイソシアヌレート、および任意選択でアンチモン含有難燃剤を含むポリ（フェニレンエーテル）の使用について記載している。他の配合では、アンチモン難燃剤は臭素を含む化合物で置き換えられる。本発明とともに使用することができる有用なＭＰＰＥ樹脂が、General Electric社に譲渡された（２００２年３月５日発行のYeagerらの）米国特許第６，３５２，７８２　Ｂ２号（「Yeager'782」）に開示されている。参照によりそれ全体を本明細書に合体する。Yeager '782特許に記載されている改質ＰＰＥ樹脂は、ある種の非飽和化合物で硬化させた反応性エンドキャップ・ポリ（フェニレンエーテル）化合物である。
【００２４】
　ＭＰＰＥ材料は、銅箔などの金属箔上に被覆したＭＰＰＥ樹脂の形で使用することができる。本発明に適した市販の改質ＭＰＰＥが、日本国のAsahi Chemical社で製造されており、Asahiの製品番号ＰＣ５１０３として識別される。これは、銅箔上に被覆された樹脂を含む。このＭＰＰＥ材料は、構造的な完全性を保持し、前記で説明した熱受容性試験にかける際にひび割れしないので、本発明の第３および第４誘電体材料に特に適している。
【００２５】
　いくつかのファクタが、なぜＭＰＰＥ材料が本発明に有用であるかを説明する助けとなる。第１のファクタは、アリル基を使用する場合、ＭＰＰＥのアリル基が架橋を形成することができ、そのため、ポリフェニレンエーテル・ポリマーに硬度および剛性を付加することである。第２のファクタは、AsahiのＭＰＰＥ材料のＣＴＥが他の有機ポリマーのＣＴＥよりもかなり小さいことである。ＭＰＰＥ材料のＣＴＥが小さいと、第３層４６および第４層４８と、約１０〜約１２ｐｐｍ／℃であり得るＣＴＥを有する残りの多層相互接続構造との熱適合性が向上する。第３および第４誘電体材料のＣＴＥと、電子パッケージ１０の他の構造上の構成要素のより小さいＣＴＥとの不整合は、第３および第４誘電体材料が構造的な完全性を保持し、ひび割れしにくいかどうかを決める際の重要なファクタであると考えられる。ＭＰＰＥ材料に含まれ得る別の有益な特性は、（たとえば、真空による積層形成によって）第１誘電体層２８または第２誘電体層３４に積層される間に蒸発し得る揮発性溶剤がないことである。このような蒸発により再分布層の縮小が生じるはずである。
【００２６】
　第３誘電体層４６は、第１の複数のマイクロバイア５５を含む。第１の複数のマイクロバイア５５は、第３誘電体層４６中に形成された内壁によって画定され、第１の複数の導電部材４０のうち選択されたものの一部を露出させる第１の複数の開口を構成する。第１の複数の開口はそれぞれ、第１開口の内壁上と、好ましくは第１の複数の導電部材４０の露出部分上にも配置された導電材料４５の層を含む。一般に、内壁上に配置された導電材料層を含むマイクロバイアを、「メッキ盲バイア」と呼ぶ。第１の複数のマイクロバイア５５のうち選択されたもの（すなわち、メッキ盲バイア５５）は、第１の複数のハンダ接続４７のそれぞれに電気的に（すなわち、導電的に）結合され、それによって第１の複数の導電部材４０に電気的に結合される。第１の複数のマイクロバイア５５に加えて１つのメッキ盲バイアが本発明の範囲に含まれ、したがって、少なくとも１つのメッキ盲バイア（たとえば、メッキ盲バイア５５の１つ）を第１の複数の導電部材４０の１つに導電的に結合することができる。第１の複数のハンダ接続４７は、半導体チップ１２上の接点部材１６のパターンに効率的にマッチするように設計される。半導体チップ下のメッキ・スルーホール５０または５２の１つとマッチする接点部材１６が１つしかなく、接点部材１６のそれぞれから、（ハンダ接続４７の１つ、第１導電部材４０の１つ、およびメッキ・スルーホール５０を介して）信号搬送用第２導電層３９、あるいは（ハンダ接続４７の１つ、第１導電部材４０の別の１つ、およびメッキ・スルーホール５２を介して）信号搬送用第４導電層４１に直結電気経路をもたらすことが好ましい。したがって、第３誘電体層４６は、接点部材１６から、遮蔽された信号導体への直結電気経路をもたらす高密度相互接続層を備える。この電気経路は、半導体チップ１２から多層相互接続構造１８を介して送られる信号用の比較的短く効率的な電気経路を提供する。同様に、第４誘電体層４８は、多層相互接続構造１８から第２の複数のハンダ接続２０を介して回路形成した基板１００への直結電気経路をもたらす高密度相互接続層を備える。
【００２７】
　第４誘電体層４８は、第２の複数のマイクロバイア５４を含む。第２の複数のマイクロバイア５４は、第４誘電体層中に形成され、導電部材４２の一部を露出させる内壁を備える第２の複数の開口である。第２の複数の開口５４はそれぞれ、開口の内壁上と、複数の導電ボンディング・パッド５６を形成するように第２の複数の導電部材４２の露出部分上に配置された導電材料層を含む。第３および第４誘電体層中の第１および第２の複数の開口の内壁上と、第１および第２の複数の導電部材４０および４２の露出部分上の導電材料は、メッキした銅であることが好ましい。図１に示すように、半導体チップ１２は、複数の接点部材１６（たとえば、Ｃ４ハンダ・ボール）によって、第１の複数のマイクロバイア５５に導電的に結合される。一般に、任意の電子デバイス（たとえば、半導体チップ１２などの半導体チップ）を、第１の複数のマイクロバイア５５のうちのあるマイクロバイアに導電的に結合することができる。さらに、第１の複数のマイクロバイア５５に加えて第３誘電体材料４６中の１つのマイクロバイア（すなわち、メッキ盲バイア）が、本発明の範囲に含まれる。
【００２８】
　この電子パッケージは、第１表面１０４上に複数の接点パッド１０３を有する回路形成した基板１００をさらに含むことができる。これらのパッドは、多層相互接続構造１８上で、第２の複数のハンダ接続２０（たとえば、ハンダ・ボール）のそれぞれに電気的に結合される。一般に、第２の複数のハンダ接続２０は、電子パッケージに対する電気信号伝送および電力分配の入出力を効率的に行うことができるように、ＢＧＡ（ボール・グリッド・アレイ）構成のハンダ・ボールとして配置される。第２の複数のハンダ接続２０は、多層相互接続構造１８と回路形成した基板１００の間に適切な隔離および適切なひずみの除去をもたらすように円柱その他の形状で構成することもできる。一般に、ハンダ・ボールは、低融点ハンダ金属、好ましくは共晶ハンダ材料からなる。図１に示すように、回路形成した基板１００は、第２の複数のハンダ接続２０（たとえば、ＢＧＡハンダ・ボール）によって、第２の複数のマイクロバイア５４に導電的に結合される。一般に、任意の電子デバイス（たとえば、回路形成した基板１００などの回路形成した基板）は、導電ボンディング・パッド５６の１つ上で、第２の複数のハンダ接続２０の１つによって、第２の複数のマイクロバイア５４のうちのあるマイクロバイアに導電的に結合することができる。さらに、第２の複数のマイクロバイア５４に加えて第４誘電体材料４８中の１つのマイクロバイア（またはメッキ盲バイア）が、本発明の範囲に含まれる。
【００２９】
　多層相互接続構造１８は、第１ハンダ接続４７、第２ハンダ接続２０、および多層相互接続構造１８中の相互接続の接続不良を防止する全ＣＴＥ値を有する。多層相互接続構造１８の全ＣＴＥと半導体チップ１２のＣＴＥの差は、回路形成した基板１００のＣＴＥと半導体チップ１２のＣＴＥの差の約４０％〜約６０％であることが好ましい。熱伝導層２２は、ハンダ接続４７、ハンダ接続２０、および多層相互接続構造１８中の相互接続の接続不良を防止する厚さおよびＣＴＥ値を有する。具体的には、熱伝導層２２は、多層相互接続構造１８の全ＣＴＥの約１／３〜約２／３のＣＴＥを有する。
【００３０】
　図１には示していないが、多層相互接続構造１８を機械的に安定化させるための補強リングを、多層相互接続構造１８の上面４４の外側部分、たとえば外側の周辺部に接着的に結合され得る。このようなコンプライアントな有機材料（たとえば、弾性係数が３００，０００ｐｓｉ（２１１ｋｇ／ｍｍ２）未満の材料）でできている有機チップ・キャリア、たとえば多層相互接続構造１８は、手軽に取り扱うことができない。剛直な補強リングにより、チップ・キャリアを機械的により安定に、したがって、取り扱いをより容易にすることによって、チップ・キャリア（すなわち、多層相互接続構造１８）の構造的な特性が増強される。
【００３１】
　図２を参照すると、図１の多層相互接続構造１８を製作する方法６０が示されている。本明細書で定義しているように、得られた多層相互接続構造１８は、ハンダ接続を用いて半導体チップ１２と回路形成した基板１００を電気的に相互接続するように適合されている。この方法の第１ステップ６２は、第１および第２対向面２４および２６を有する熱伝導層２２を提供することである。多層相互接続構造を上記で詳細に説明したが、それは、選択された厚さおよび熱膨張係数を有する熱伝導層材料を含む。
【００３２】
　次に、ステップ６４は、熱伝導層２２の第１および第２対向面２４および２６上に、第１および第２誘電体層２８および３４をそれぞれ配置することを含む。ステップ６４は、積層プレス機中で、圧力約１０００ｐｓｉ（ポンド／平方インチ）（０．７ｋｇ／ｍｍ２）〜約２０００ｐｓｉ（１．４ｋｇ／ｍｍ２）および温度華氏約６００（°Ｆ）（３１６℃）〜華氏約７５０（°Ｆ）（３９９℃）で、熱伝導層の第１および第２対向面に、銅を被覆しシリカを充填したＰＴＦＥ層を積層することによって行われる。ただし、（２００２年９月２４日出願のFarquharらの）「Electronic Package With Optimized Lamination Process」という名称の米国特許出願に記載されているように、華氏約６７０（°Ｆ）（３５４℃）〜華氏約６９５（°Ｆ）（３６８℃）の積層温度で、熱伝導層の第１および第２対向面にそれぞれ、第１および第２誘電体層２８および３４（すなわち、シリカ充填ＰＴＦＥ）の上記の積層を行うと、第１および第２誘電体層２８および３４の延性が向上し（すなわち、延性が大きくなり）有利である。
【００３３】
　ステップ６６は、ＹＡＧレーザまたはエキシマ・レーザによるレーザ穿孔によって多層相互接続構造１８中に複数のスルーホール５０および５２を形成することを含む。他の適当な穿孔手段、たとえば機械式穿孔も可能である。形成されたホール５０および５２は、直径約０．５ミル（１３μｍ）〜約２．０ミル（５１μｍ）である。次いで、スルーホール５０および５２ならびにそれらの内壁を、導電層の追加に備えて清浄化する。次いで、第１および第２誘電体層２８および３４上の銅被覆および複数のスルーホール５０および５２の内壁に、無電解シード添加を行い、金属の連続層をメッキする。この壁は、金属の厚さ約０．１ミル（３μｍ）〜約１．０ミル（２５μｍ）でメッキする。適切な金属は、銅およびアルミニウムであるが、好ましい金属は銅である。
【００３４】
　ステップ６８に、当業者に周知の任意の方法で、第１および第２誘電体層２８および３４上に第１および第２の複数の導電部材４０および４２をそれぞれ配置することを示す。たとえば、メッキされた銅被覆誘電体層表面上にフォトレジストを塗布することができる。このフォトレジストが複数のメッキ・スルーホール５０および５２をテント状に覆って、その後のエッチング・ステップからメッキ・スルーホール５０および５２のメッキされた内壁を保護する。次いで、フォトレジストを露光し現像する。その後、第１および第２誘電体層２８および３４の表面上のメッキされた金属および銅被覆の露光部分をそれぞれ第二銅によるエッチングでエッチングすることによって、第１および第２の複数の導電部材４０および４２のパターンを形成する。次いで、水酸化ナトリウムなど苛性アルカリの剥離剤でフォトレジストを除去し、第１および第２誘電体層２８および３４の表面上に第１および第２の複数の導電部材４０および４２がそれぞれ得られる。ほぼ犬の骨の形状をしたセグメントとして、第１の複数の導電部材４０を形成するのが好ましい。各セグメントは、少なくとも２つの金属パッドを含む。ほぼ犬の骨の形状をしたセグメントの一方の端部、すなわち第１金属パッドは、第１誘電体層２８の表面にある複数のメッキ・スルーホール５０または５２の１つの内壁上の金属メッキに接続され、ほぼ犬の骨の形状をしたセグメントの他方の端部は、その上にハンダ接続を有するように適合された第２金属パッドであり、半導体チップ１２に電気的に結合される。ほぼ犬の骨の形状をしたセグメントそれぞれの第１および第２金属パッドは、ほぼまっすぐな導体セグメントで接続されるのが好ましい。第２の複数の導電部材４２も、ほぼ犬の骨の形状をしたセグメントで形成され、各セグメントは、少なくとも２つの金属パッドを含む。ほぼ犬の骨の形状をしたセグメントの一方の端部、すなわち第３金属パッドは、第２誘電体層３４の表面にある複数のメッキ・スルーホール５０または５２の１つの壁上の金属メッキに接続され、ほぼ犬の骨の形状をしたセグメントの他方の端部は、その上にハンダ接続を有するように適合された第４金属パッドであり、回路形成した基板１００に結合される。ハンダ接続は、ハンダ・ボール、ハンダ・コラム、またはランドとすることができる。ほぼ犬の骨の形状をしたセグメントの第３および第４金属パッドも、ほぼまっすぐな導体セグメントで接続される。ここで説明したように、ほぼ犬の骨の形状をしたセグメントを使用することができるが、他の多くのパッド形状も可能である。
【００３５】
　ステップ７０は、第１誘電体層２８の副層３２上および第１の複数の導電部材４０上に第３誘電体層４６を配置し、第２誘電体層３４の副層３８上および第２の複数の導電部材４２上に第４誘電体層４８を配置することを含む。図３〜５に、第３および第４誘電体層４６および４８の誘電体材料をそれぞれ示す。この誘電体材料は、ＭＰＰＥ（改質ポリフェニレンエーテル）を有する好ましい誘電体樹脂を含む。図３に、ＭＰＰＥ（改質ポリフェニレンエーテル）を有し、金属箔８３（たとえば、銅箔）に接着的に結合された誘電体樹脂８２を備える樹脂を被覆した金属８０の正面断面図を示す。樹脂を被覆した金属８０の例として、上記で述べたAsahi PC5103材料は、銅箔上に被覆されたＭＰＰＥ樹脂を含む。非硬化樹脂８２は、取り扱いが難しい機械的特性を有するので、金属箔８３の機械的構造が、取り扱いの難しい樹脂８２の機械的構造を補償する。樹脂８２は、約３０μｍ〜約７０μｍの厚さを有するのが好ましい。金属箔８３は、少なくとも約９μｍの厚さを有するのが好ましい。金属箔８３は、樹脂８２と機械的に接する金属箔８３の表面８４上で凹凸を有するという意味で粗い。図４は、図３の表面８４の拡大（すなわち、引き伸ばした）図としての表面８５であり、図にはその凹凸を示す。たとえばエッチングによって、後で金属箔８３を除去することに留意すると、後で金属箔８３を除去した後、金属箔８３の表面８４（または８５）の粗さにより、樹脂８２上に表面の凹凸が残ることになる。前記表面の凹凸は、表面８４（または８５）の金属粗さ構造に対する「相補形」である。すなわち、金属箔８３を除去した後に得られた樹脂８２の表面の凹凸はそれぞれ、金属箔８３が樹脂８２と機械的に接していた間に存在した金属粗さ構造８４（または８５）の凹凸に対応する。その後、樹脂を被覆した金属８０は変形を受けて、図１の第３誘電体層４６になる。
【００３６】
　図５に、ＭＰＰＥ（改質ポリフェニレンエーテル）を有し、金属箔９３に接着的に結合された誘電体樹脂９２を備える樹脂を被覆した金属９０の正面断面図を示す。樹脂を被覆した金属９０は、金属箔８３の表面８４が粗いのと同じように粗い金属箔９３の表面９４を含めて、図３および４の樹脂を被覆した金属８０について上記で論じたすべての特性を有する。その後、図５の樹脂を被覆した金属９０は変形を受けて、図１の第４誘電体層４８になる。
【００３７】
　図１に戻ると、第１の複数の導電部材４０、第２の複数の導電部材４２、第１メッキ・スルーホール５０、および第２メッキ・スルーホール５２の露出した表面を酸化することが好ましい。この酸化により、その後、図３の樹脂８２および図５の樹脂９２をそれぞれ結合するための第１の複数の導電部材４０および第２の複数の導電部材４２の表面の能力が向上する。たとえば、露出した表面が銅を含む場合、亜鉛素酸塩化、すなわち、前記露出表面に次亜鉛素酸ナトリウム溶液を塗布することによって、この酸化を行うことができる。酸化（または亜鉛素酸塩化）後、好ましくは温度約１００℃〜約１３０℃で少なくとも約６０分間、多層相互接続構造１８を真空ベークして積層物から水分を除去することが好ましい。
【００３８】
　図６に示すように、好ましい誘電体樹脂に関して、（前記酸化の後）ステップ７０は、第１誘電体層２８の副層３２上および第１の複数の導電部材４０上に、金属箔８３を露出させて樹脂を被覆した金属８０を配置すること、ならびに第２誘電体層３４の副層３８上および第２の複数の導電部材４２上に、金属箔９３を露出させて樹脂を被覆した金属９０を配置することをさらに含む。図６の電子構成８は、図３の樹脂を被覆した金属８０と、図５の樹脂を被覆した金属９０と、図１の多層相互接続構造１０の一部とを含む。次に、図６の電子構成８を、温度約１８０℃〜約２１０℃で少なくとも約９０分間、約１０００ｐｓｉ（０．７ｋｇ／ｍｍ２）〜約２０００ｐｓｉ（１．４ｋｇ／ｍｍ２）の範囲の値で加圧する。この加圧と高温により、誘電体樹脂８２および９２が流動化し硬化する。この加圧と高温により、樹脂を被覆した金属８０の誘電体樹脂８２を第１誘電体層２８の副層３２および第１の複数の導電部材４０に、樹脂を被覆した金属９０の誘電体樹脂９２を第２誘電体層３４の副層３８および第２の複数の導電部材４２に接着的に積層させる。図７に示すように、さらに、この加圧と高温により、誘電体樹脂８２および誘電体樹脂９２が、第１メッキ・スルーホール５０および第２メッキ・スルーホール５２をほぼ充填する（すなわち、空気ポケットまたは気泡あるいはその両方を除いて完全に充填する）。この加圧後、当業者に周知の方式、たとえばエッチングで、金属箔８３および金属箔９３を除去する。図７に、電子構成８が加圧され、金属箔８３および９３が除去された後の図６を示す。加圧および金属箔８３および９３の除去に続いて、図７の残りの誘電体樹脂８２が図１の第３誘電体層４６になり、図７の残りの誘電体樹脂９２が図１の第４誘電体層４８になる。誘電体樹脂８２の表面８７は粗く、図３の金属箔８３の粗い表面８４の相補形である。誘電体樹脂９２の表面９７は粗く、図５の金属箔９３の粗い表面９４の相補形である。ステップ７２に関連して上記で論じたように、誘電体樹脂９２の表面９７の粗さにより、その後、誘電体樹脂９２上に銅メッキを良好に接着させることが容易になる。
【００３９】
　図１に関して図２に示すステップ７２は、第３誘電体層４６および第４誘電体層４８の一部を除去して第１および第２の複数の開口を形成し、第１および第２の複数の導電部材４０および４２のうち選択されたものの少なくとも一部をそれぞれ露出させるプロセスによって、第３誘電体層４６中に第１の複数のマイクロバイア５５を、第４誘電体層４８中に第２の複数のマイクロバイア５４を形成することを含む。これらの開口は、得られた第１および第２の複数のマイクロバイア５５および５４の内壁をそれぞれ形成する。第１および第２の複数のマイクロバイア５５および５４は、第３および第４誘電体層４６および４８をそれぞれ、機械式穿孔、エッチング、または好ましくはレーザ融除するプロセスによって形成することができる。レーザ融除によって第１および第２の複数のマイクロバイア５５および５４を形成する場合、当業者に周知の任意の孔清浄化プロセス、たとえば、膨潤薬剤を塗布し、過マンガン酸カリウム酸化剤で処理し、酸すすぎ液を使用して洗浄を完了することを利用して、第１および第２の複数のマイクロバイア５５および５４を清浄化し、それによってレーザ融除によって生成される微粒子物質を除去することが好ましい。
【００４０】
　次いで、適当な金属、好ましくは銅で、第１および第２の複数のマイクロバイア５５および５４の内壁をメッキして前記開口上に導電層を形成し、第３誘電体層４６および第４誘電体層４８の内壁から、露出した第１の複数の導電部材４０のうち選択されたものと、露出した第２の複数の導電部材４２のうち選択されたもののそれぞれへの導電接続を形成する。内壁のメッキは、当業者に周知の任意の方法によって実施することができる。たとえば銅メッキでは、誘電体樹脂９２の表面９７にシード材料（たとえば、スズ・パラジウム）を付着させて、表面９７上に銅の薄い層（たとえば、１〜３μｍ）を無電解メッキするための触媒として働かせることができる。その後、銅の厚い層（たとえば、１ミル（２５μｍ））を電気メッキする。誘電体樹脂９２の表面９７の粗さにより、誘電体樹脂９２上に銅メッキを良好に接着させることが容易になる。次いで、たとえばエッチングによって、表面９７の一部から銅を選択的に除去し、第１および第２の複数のマイクロバイア５５および５４の内壁上に、またそれら内壁上の銅メッキを取り囲む（かつ銅メッキに導電的に結合される）所望の銅パッドの形でも残りの銅メッキを残す。
【００４１】
　次いで、複数のメッキした第１および第２マイクロバイア５５および５４にそれぞれハンダ・ペーストを塗布する。好ましいハンダ・ペーストは、低融点ハンダ・ペースト、たとえば共晶ハンダ・ペーストである。使用できる適当な共晶ハンダ・ペーストの例は、（米国ニュージャージー州Jersey City所在の）Alpha Metals社のAlpha 3060である。マイクロバイア５５は、マイクロバイア５５の内壁上の適当な金属メッキと合わせて、メッキ盲バイアを指し示すことができる。同様に、マイクロバイア５４も、マイクロバイア５４の内壁上の適当な金属メッキと合わせて、メッキ盲バイアを指し示すことができる。
【００４２】
　ステップ７４を参照すると、次いで、ハンダ・ペーストをリフローして、第１および第２の複数の導電部材４０および４２上にそれぞれ、第１および第２の複数のハンダ接続４７および２０の一部を形成することができる。
【００４３】
　次に、複数の接点部材１６（たとえば、Ｃ４ハンダ・ボール）で、第１の複数のマイクロバイア５５に半導体チップ１２を導電的に結合し、第２の複数のハンダ接続２０（たとえば、ＢＧＡハンダ・ボール）で、第２の複数のマイクロバイア５４に回路形成した基板１００を導電的に結合する。上記で述べたように、第１の複数のマイクロバイア５５のうちのあるマイクロバイアに任意の電子デバイス（たとえば、半導体チップ）を導電的に結合することができ、第２の複数のマイクロバイア５４のうちのあるマイクロバイアに任意の電子デバイス（たとえば、回路形成した基板）を結合することができる。また、上記で述べたように、第１の複数のマイクロバイア５５に加えて第３誘電体材料４６中の１つのマイクロバイア（または、メッキ盲バイア）が本発明の範囲に含まれ、第２の複数のマイクロバイア５４に加えて第４誘電体材料４８中の１つのマイクロバイア（または、メッキ盲バイア）が本発明の範囲に含まれる。
【００４４】
　図１を参照すると、電子パッケージ１０を製作する方法は、以下のステップを含む。第１に、複数の接点部材１６を含む第１表面を有する半導体チップ１２を提供する。複数の接点部材１６は、高融点ハンダのパッド、コラム、またはボール（すなわち球）とすることができる。高融点ハンダは、約２３０℃より高い融点を有するハンダと定義される。複数の接点部材１６は、ハンダ・ボールを備えることが好ましい。次に、上記で述べたように、多層相互接続構造１８を提供する。多層相互接続構造１８は、第１の複数のハンダ接続４７、すなわち、リフローしたハンダ・ペーストの第１層を上に含む第１の複数のメッキ・マイクロバイア５５を含む。リフローしたハンダ・ペーストの第１層は、複数のメッキ・マイクロバイア５５に第１ハンダ・ペーストを塗布し、その後第１ハンダ・ペーストをリフローすることによって形成することができる。低融点ハンダ・ペースト（好ましくは、共晶ハンダ・ペースト）を有するハンダ・ペーストの第２層を、第１の複数のハンダ接続４７に塗布しリフローすることができ、半導体チップ１２の接点部材１６のそれぞれを、第１の複数のハンダ接続４７のそれぞれに対して配置することによって、半導体チップの接点部材１６はそれぞれ、第１の複数のハンダ接続４７のそれぞれと接触する。これは、半導体チップの接点部材１６をリフローしたハンダ・ペースト上に配置し位置合わせすることによって行われる。リフローしたハンダ・ペーストは、接点部材１６の幾何形状に対応するような形状あるいは輪郭にすることができる。たとえば、リフローしたハンダ・ペーストを、平坦な上面を有するように成形し、球形を有する接点部材１６に対応させることができる。次いで、リフローしたハンダ・ペーストを再度リフローし、溶融ハンダが複数のマイクロバイア５５の露出区域を覆い、その一部は半導体チップ１２の接点部材１６の外壁を毛管作用で運ばれる。冷却後、溶融ハンダは凝固し、半導体チップ１２と多層相互接続構造１８の間に電気接点４７を形成する。半導体接点部材１６がハンダ・ペーストよりも高い融点を有することにより、半導体チップ１２と多層相互接続構造１８の間のハンダの隔離および電気的接続が行われる。これは、パッケージの動作中に、半導体チップ１２と多層相互接続構造１８の間のひずみの一部を減少するのに役立つ。
【００４５】
　本発明の電子パッケージ１０は、表面１０４の１つ上に複数の接点パッド１０３を有する回路形成した基板１００に組み付けることができる。説明したように、これらの接点パッド１０３は、銅またはアルミニウムあるいは別の適当な金属からなり得、ハンダ・ペースト層（図示せず）を塗布することができる。多層相互接続構造１８の第２の複数のハンダ接続２０（たとえば、ハンダ・ボールまたはハンダ・コラム）を、回路形成した基板１００の接点パッド１０３上のハンダ・ペーストと接触させて配置する。このハンダ・ペーストおよび第２ハンダ接続２０をリフローし冷却して、多層相互接続構造１８と回路形成した基板１００の間に電気的接続を形成する。半導体チップ１２を多層相互接続構造１８に組み付け、その後、多層相互接続構造１８を回路形成した基板１００に組み付ける順序は、容易に変更することができる。たとえば、多層相互接続構造１８を回路形成した基板１００に組み付け、その後、半導体チップ１２を多層相互接続構造１８に組み付けることもできる。
【００４６】
　ここで説明した電子パッケージ１０は、将来の半導体チップの高性能な電気的要求を補完し、特に（４００　Ｉ／Ｏよりも高い）高Ｉ／Ｏの相互接続に適した信号および電力の分配特性を提供する。低インピーダンスの電力分配は、半導体チップに複数の垂直電力を供給することができる半導体チップ下の固体の銅製電力面および高密度メッキ・スルーホールを使用して実現する。（Ｅｒが３未満の）低誘電率ＰＴＦＥ材料、遮蔽された構成の内部に配置した信号搬送導体、および半導体チップの接点部材から信号搬送導体に直結する短い経路長を使用した電子パッケージにおいて、さらなる電気性能上の利点および信号の保全性（高速な信号伝達、低い信号容量および結合ノイズ、ならびに整合特性インピーダンス）が実現される。
【００４７】
　本発明の範囲は、第１誘電体層２８、第２誘電体層３４、および熱伝導層２２を取り除いた図１の電子パッケージ１０を含む。
【００４８】
　本明細書で説明した電子パッケージ１０は第１の複数の導電部材４０を含むが、少なくとも１つの第１導電部材４０をさらに含む電子パッケージ１０も本発明の範囲に含まれる。
【００４９】
　本明細書で説明した電子パッケージ１０は第２の複数の導電部材４２を含むが、少なくとも１つの第２導電部材４２をさらに含む電子パッケージ１０も本発明の範囲に含まれる。
【００５０】
　本明細書で説明した電子パッケージ１０は第１の複数のマイクロバイア５５を含むが、少なくとも１つの第１マイクロバイア５５をさらに含む電子パッケージ１０も本発明の範囲に含まれる。
【００５１】
　本明細書で説明した電子パッケージ１０は第２の複数のマイクロバイア５４を含むが、少なくとも１つの第２マイクロバイア５４をさらに含む電子パッケージ１０も本発明の範囲に含まれる。
【００５２】
　本明細書で説明した電子パッケージ１０は第１の複数のハンダ接続４７を含むが、少なくとも１つの第１ハンダ接続４７をさらに含む電子パッケージ１０も本発明の範囲に含まれる。
【００５３】
　本明細書で説明した電子パッケージ１０は第２の複数のハンダ接続２０を含むが、少なくとも１つの第２ハンダ接続２０をさらに含む電子パッケージ１０も本発明の範囲に含まれる。
【００５４】
　本明細書で説明した電子パッケージ１０は複数の接点部材１６を含むが、少なくとも１つの接点部材１６をさらに含む電子パッケージ１０も本発明の範囲に含まれる。
【００５５】
　本明細書で説明した電子パッケージ１０は複数の接点パッド１０３を含むが、少なくとも１つの接点パッド１０３をさらに含む電子パッケージ１０も本発明の範囲に含まれる。
【００５６】
　本明細書で説明した電子パッケージ１０は複数の導電ボンディング・パッド５６を含むが、少なくとも１つの導電ボンディング・パッド５６をさらに含む電子パッケージ１０も本発明の範囲に含まれる。
【００５７】
　本明細書で説明した電子パッケージ１０は複数のスルーホール５０および５２を含むが、少なくとも１つのスルーホール５０または５２をさらに含む電子パッケージ１０も本発明の範囲に含まれる。
【００５８】
　第２誘電体材料実施形態
　あるいは、本発明の第２誘電体材料実施形態として、第１誘電体層２８の層２９、３０および３２と、第２誘電体層３４の層３５、３６および３８は、ＬＣＰ（液晶ポリマー）誘電体を含む。上記で述べた本発明の第１誘電体材料実施形態のすべての態様は、特異的にこのサブセクションで以下に説明するＬＣＰ誘電体材料の使用に関する態様を除き、第２誘電体材料実施形態にも当てはまる。
【００５９】
　ＬＣＰ誘電体材料は、良好な誘電特性、低コスト、および良好な機械的特性を含めて、誘電体層を形成するための多くのプラスの属性を有する。ＬＣＰ誘電体材料は、良好な引裂き抵抗および良好な引張り抵抗などポリイミドの特性に類似のいくつかの特性を有し、それによってＬＣＰ誘電体材料は、極めて薄い層の加工（たとえば、回路形成、メッキ処理など）に適したものになっている。ＬＣＰ被膜は、ポリイミド被膜と比べて、より良好な電気特性、より良好な水分耐性、より良好な寸法安定性、およびより低いコストなどの利点をもたらすことができる。しかし、一般に、ＬＣＰまたはポリイミド被膜で多層構造を形成するには、接着性誘電体被膜を使用する必要がある。本発明は、外因性の介在接着層を必要とせずに、ＬＣＰ誘電体材料をある材料層（たとえば、金属層または誘電体層）に接着する方法を開示する。それによって、層の厚さ、加工コスト、および材料コストが減少する。さらに、このタイプのＬＣＰ誘電体被膜は、ハロゲン・ベースの添加物を使用しない難燃剤である。これらの誘電体でできている多層複合物もハロゲンを使用しない難燃剤である。
【００６０】
　本発明とともに使用することができる市販のＬＣＰ誘電体材料は、熱可塑性の挙動を示すＢＩＡＣサーモトロピック液晶ポリマーである。これは、熱可塑性挙動を示し、W. L. Gore & Associates社でシートまたはロールの形で製造されている。ＢＩＡＣ液晶ポリマーに関する情報は、http://www.gore.com/electronicsのウエブ・サイトで得ることができる。本発明とともに使用することができる別の市販のＬＣＰ誘電体材料は、熱可塑性の挙動を示すＺＹＶＥＸ　ＬＣＰサーモトロピック液晶ポリマーである。これは、熱可塑性挙動を示し、Rogers社でロールの形で製造されている。一般に、所与の応用例において所望の材料の特性に応じて、任意のＬＣＰ誘電体材料が本発明で潜在的に使用可能である。
【００６１】
　（２００１年発行のOnoderaらの）米国特許第６，２７４，２４２号（「Onodera'242」）は、周知のサーモトロピック液晶ポリエステルおよびサーモトロピック液晶ポリエステルアミドを含むＬＣＰ被膜を製作する方法を開示している。参照によりその全体を本明細書に合体する。前記ＬＣＰ被膜は、Onodera'242の表１〜４で識別される４種類の化合物から準備する。４種類の化合物から得られた合成ＬＣＰ構造単位の例が、Onodera '242の表５に示されている。Onodera'242に開示されているＬＣＰ誘電体は単なる例であり、多くの他のＬＣＰ誘電体が本発明の範囲に含まれる。一般に、当業者に周知の任意の方法を使用して、ＬＣＰ誘電体材料を製作することができる。
【００６２】
　ＬＣＰ誘電体は、３つの相のうちの１つで存在し得る。すなわち、液晶相（たとえば、ネマチック、スメクチック、コレステリック）、アイソトロピック相、および化学的に不安定な相であり、これらはそれぞれ３つの温度ドメイン、すなわち、液晶温度ドメイン、アイソトロピック温度ドメイン、および化学的に不安定な温度ドメインに対応する。
【００６３】
　液晶相すなわち液晶温度ドメインでは、局在分子領域すなわちＬＣＰ誘電体ドメインは、たとえば加工によって配向される（すなわち、異方性をもって分布する）ポリマー鎖を備える。液晶相では、異なる局在分子ドメインが異なる配向性を有し、多くの局在分子ドメインが配向性をわずかしかもたないか、あるいはまったくもたないことがある。一般に、これらのポリマー鎖は完全には剛直ではない。配向性を有するこうした局在分子ドメインは、分子ドメインまたは隣接分子群あるいはその両方を含み得、それによって、局在分子ドメインの空間的な範囲は、千または数百オングストロームあるいはそれ未満という程度になる。ＬＣＰ誘電体の巨視的な材料特性（たとえば、ＣＴＥ（熱膨張係数）、誘電率、熱伝導度など）は、局在分子領域中の配向の影響を受け、ＬＣＰ誘電体材料の材料特性は、配向に従った異方性である。ＬＣＰ誘電体の巨視的な材料特性は、局在分子領域の形状、サイズ、形状分布、およびサイズ分布にも依存する。
【００６４】
　ＬＣＰ誘電体材料は、液晶相で所望の材料特性をもたらす配向性を作り出すような当業者に周知の技術で製造される。このような技術には、とりわけ、ＬＣＰ誘電体材料を所定の温度および速度でロールから解く際に、被膜の押出し、あるいはロール方向かつロール方向に直交する方向への引っ張りによってＬＣＰ誘電体材料に付与される２次元せん断が含まれる。あるいは、このせん断は、強力な偏光電場によっても付与することができる。
【００６５】
　温度が液晶温度範囲内、すなわち、ネマチック−アイソトロピック転移温度（ＴＮＩ）と呼ばれる温度よりも低い場合、ＬＣＰ誘電体材料は液晶相のままである。すなわち、ＴＮＩは、ＬＣＰ誘電体材料の液晶相からアイソトロピック相への転移を表わす。ＴＮＩの数値は、使用される個々のＬＣＰ誘電体材料によって決まる。さらに、ＬＣＰ誘電体材料の配向性および得られた巨視的な材料特性は、温度が液晶温度範囲内にとどまり、液晶温度範囲からはずれないならば、本質的に、温度変化に対して不変である。温度が液晶温度ドメイン内で変化しても、液晶相における熱エネルギーが、ＬＣＰ誘電体材料のポリマー鎖の方向性を再配向する（すなわち、分子間引力に打ち勝つ）には不十分なので、巨視的な材料特性は保存される。
【００６６】
　液晶相で高圧を受けると、ＬＣＰ誘電体材料は塑性変形する。たとえば、チップ・キャリアの製造において、加えられる規定圧力と、局所的な幾何形状の不規則性、たとえば、表面粗さ、信号ライン、バイアなどから生じる応力集中との組合せから高圧が生じることがある。したがって、高圧かつ液晶相範囲内の高温で（誘電体、金属などを含む）材料の層にＬＣＰ誘電体材料を積層する場合、ＬＣＰ誘電体材料は塑性変形し、その材料層の表面の巨視的な幾何形状および表面フィーチャ（たとえばバイア）にならうことになる。保持時間中、液晶相を保ちながら十分な加圧状態のもとで、ＬＣＰ誘電体材料がそれに接する層の表面および表面フィーチャに塑性的にならうことができるというこのような能力は、本発明の発明者による実験によってわかった予期せぬ結果であり、本発明の原理的な基礎として働くものである。本発明では、ＬＣＰ誘電体材料を、その巨視的な材料特性を保存しながら、塑性変形を引き起こしその後隣接面に接着させるのに十分な加圧状態のもとで、液晶温度ドメインの範囲内で温度を上げることにより、ある材料層の隣接面に積層することができる。この塑性接着プロセスでは、ＬＣＰ誘電体材料をそれに接する層に結合する外因性接着層の存在を必要としない。
【００６７】
　図８に、本発明の実施形態による、ポリマー鎖が配向されたネマチック・タイプ液晶相の局在化分子ドメイン２００を示す。ドメイン２００は、ポリマー鎖２０１〜２０８の方向全体にわたって角度的に総和平均したものである平均方向がほぼ２１０の方向であるように配向されたポリマー鎖２０１〜２０８を含む。こうした角度の総和平均は、当業者に周知の様々な方法（たとえば、所与のポリマー鎖の異なる成分は角度の総和平均において異なる重み付けすることができる）で行うことができる。しかし、角度平均を定義するのに使用する特定の定義にかかわらず、方向の角度分布ははっきりと異方性であり、方向２１０またはそれに近い好ましい方向が存在する。
【００６８】
　図に、ポリマー鎖２０１〜２０８をそれぞれ、剛直成分および半可撓性成分が交互に現れる直鎖として示す。たとえば、ポリマー鎖２０４は、成分２２１、２２３および２２５が剛直成分であり、成分２２２、２２４および２２６が半可撓性成分であるような順序のポリマー成分２２１〜２２６を含む。剛直成分の例は、たとえば（Onoderaらの）米国特許第６，２７４，２４２号（表１、２、３、４および５参照）および（Moriyaの）米国特許第５，９００，２９２号（式１、２、３および４参照）に開示されている置換芳香環（たとえば、ベンゼン、ビフェニル、ナフタレンなど）の繰返し単位を含むポリマー骨格を有するポリマーである。この剛直成分は、反応性官能基（たとえば、ヒドロキシ、アミン、シアナート、カルボン酸、およびそれらの組合せなど）を有することができる。半可撓性成分の例は、脂肪族セグメントなどの繰返し単位（たとえば、オキシメチレン単位、オキシエチレン単位、ビニルエーテル単位、シロキサン単位など）を含むポリマー骨格を有するポリマーである。この半可撓性成分は、化学的官能基（たとえば、ヒドロキシ、アミン、シアナート、カルボン酸、およびそれらの組合せなど）を有することができる。こうしたポリマーは、２種類の方法で準備することができる。第１に、隣接する剛直成分および半可撓性成分の端部を互いに化学的に結合して、ポリマー鎖中にエステル結合、エーテル結合、アミド結合などを形成することができる。第２に、隣接する剛直成分の端部を互いに化学的に結合して、ポリマー鎖中にエステル結合、エーテル結合、アミド結合（など）を形成することができる。第２の場合、結合部または結合セグメント（エステル、エーテル、アミドなど）は、半可撓性成分だけのはずである。
【００６９】
　図８に、それぞれ剛直成分および半可撓性成分が交互に現れる直鎖であるポリマー鎖２０１〜２０８を示すが、（たとえば、剛直成分および半可撓性成分が交互に現れないような順序の）任意の剛直成分および半可撓性成分の直鎖も、局在化分子ドメインの範囲に含まれる。図８には、それぞれ複数の成分からなる直鎖であるポリマー鎖２０１〜２０８を示すが、任意のポリマー鎖の構造が局在化分子ドメインの範囲に含まれる。たとえば、局在化分子ドメインは、直鎖に結合した１つまたは複数の側鎖を備える鎖構造を代わりに含むこともできるし、あるいはそれをさらに含むこともできる。図８には、２次元で表現した直鎖を示すが、一般に、局在化分子ドメインは、３次元空間で配向された鎖構造を有する。たとえば、ポリマー鎖２０１〜２０８の一部は、図８に示す紙面の上下に延びてもよい。したがって、図８は、３次元的な局在化分子ドメインを２次元表面上に投影したものとみなすことができ、描かれた鎖は紙面の上下に延びることもできる。
【００７０】
　ネマチック−アイソトロピック転移温度（ＴＮＩ）またはそれよりも高い温度で存在するアイソトロピック相すなわちアイソトロピック温度ドメインでは、ＬＣＰ誘電体中で分子の拡散および移動を可能にして配向性を変えるのに十分な利用可能な熱エネルギーが存在する。したがって、温度がＴＮＩ未満からＴＮＩを超えて変化すると、配向性の低下があり、方向はよりランダムになる。その結果、一般に、巨視的な材料特性は、上記で述べたようにＬＣＰ誘電体材料中のポリマー鎖の方向の影響を受けるので、ＴＮＩ未満の温度からＴＮＩを超える温度への温度転移において、巨視的な材料特性が変化する。アイソトロピック温度範囲内のある温度で、ある材料層にＬＣＰ誘電体材料を積層するとき、ＬＣＰ誘電体材料は軟化し液化して、その材料層の表面および表面フィーチャの巨視的な幾何形状中に流れ込む。その後冷却すると、その熱履歴および加工された配向性は変化する。対照的に、液晶温度範囲内のある温度で、十分に加圧して、ある材料層にＬＣＰ誘電体材料を積層すると、ＬＣＰ誘電体材料は流動化せず、そうではなくて、上記で説明したように、塑性変形して、その材料層の表面および表面フィーチャの巨視的な幾何形状になる。本発明は、液晶温度範囲内の温度でのみ、ある材料層にＬＣＰ誘電体材料を積層することを教示し、したがって、積層プロセス中に巨視的な材料特性を保存する発明を教示する。液晶温度範囲内で温度をより低くすると、材料の融解の危険性や大きな領域のドメイン再配向の危険性を防止する。追加の利点は、ある材料層にＬＣＰ誘電体材料を結合するための外因性接着層の必要がないことである。
【００７１】
　図９に、本発明の実施形態による、ポリマー鎖の配向性がほとんどないか、あるいは全くないアイソトロピック相の局在分子ドメイン２５０を示す。ドメイン２５０は、ポリマー鎖２５１〜２６１の方向全体にわたって角度的に総和平均したものである平均方向がほぼゼロである、すなわち、本質的に、好ましい角度の向きまたはドメイン２５０に関連する方向がないように配向されたポリマー鎖２５１〜２６１を含む。
【００７２】
　図に、ポリマー鎖２５１〜２６１をそれぞれ、剛直成分および半可撓性成分が交互に現れる直鎖として示す。たとえば、ポリマー鎖２５９は、成分２７１、２７３、２７５および２７７が半可撓性成分であり、成分２７２、２７４および２７６が剛直成分であるような順序のポリマー成分２７１〜２７７を含む。図９のポリマー鎖中の剛直成分および半可撓性成分はそれぞれ、図８のポリマー鎖中の剛直成分および半可撓性成分に類似しており、図８に関連して上記で論じた剛直および半可撓性のポリマー成分の例も、図９の剛直成分および半可撓性成分に同様に当てはまる。
【００７３】
　図９に、それぞれ剛直成分および半可撓性成分が交互に現れる直鎖であるポリマー鎖２５１〜２６１を示すが、（たとえば、剛直成分および半可撓性成分が交互に現れないような順序の）任意の剛直成分および半可撓性成分の直鎖も、局在化分子ドメインの範囲に含まれる。図９には、それぞれ複数の成分からなる直鎖であるポリマー鎖２５１〜２６１を示すが、任意のポリマー鎖の構造が局在化分子ドメインの範囲に含まれる。たとえば、局在化分子ドメインは、直鎖に結合した１つまたは複数の側鎖を備える鎖構造を代わりに含むこともできるし、あるいはそれをさらに含むこともできる。図９には、２次元で表現した直鎖を示すが、一般に、局在化分子ドメインは、３次元空間で配向された鎖構造を有する。たとえば、ポリマー鎖２５１〜２６１の一部は、図９に示す紙面の上下に延びてもよい。したがって、図９は、３次元的な局在化分子ドメインを２次元表面上に投影したものとみなすことができ、描かれた鎖は紙面の上下に延びることもできる。
【００７４】
　ネマチック−アイソトロピック転移温度（ＴＮＩ）よりもかなり高い温度で起こる化学的に不安定な相すなわち化学的に不安定な温度ドメインでは、ＬＣＰ誘電体中で化学的な分解が生じるのに十分な利用可能な熱エネルギーが存在する。化学的に不安定な相は、本発明には関連がない。
【００７５】
　本発明は、ＬＣＰ誘電体材料をある材料層（たとえば、誘電体層または金属層あるいはその組合せ）に結合する方法を開示する。本発明の背景として、以下の議論では、本発明の発明者によって行われた試験を説明する。１９９４年までさかのぼる試験では、本発明者は、当技術分野では周知であり、かつ教示されているように、精密温度制御を使用して、示差走査熱分析（differential scanning calorimetry）および平行板流動度測定（parallel platerheometry）によって決められる「融解」温度（すなわちＴＮＩ）よりもやや高いか、あるいはやや低い温度で材料を積層する手法で、多層構造を構築するためのＬＣＰの融解加工を試みた。これらの実験は、得られた積層物の接着性、積層厚さ、端部のはみ出し、そして重要なことには物理的特性において一貫性のない結果が得られることを特徴としている。特に注目すべきことは、一貫性のない熱膨張係数の変化が生じたことである。これは、ベースになる積層物の特性が変化し、それらの特性を意図したことに使用するための有用性が本質的になくなり、したがって、多層回路を形成するには接着層を使用することが必要であることをはっきりと示すものである。
【００７６】
　対照的に、２００２年６月から９月にかけて行った実験では、温度をＴＮＩ未満に下げることによって、ベースになる積層物の特性を変えずに安定した接着が得られることが示されている。たとえば、両面に１５μｍの銅被覆を備えた厚さ２ミル（５１μｍ）のGore社製ＢＩＡＣ材料を使用した。本発明者は、銅をエッチング除去し、納入業者から受け入れた状態のＣＴＥ（熱膨張係数）が約２０〜２５ｐｐｍ／℃であることを確定した。熱−機械分析器（thermalmechanical analyzer）を使用して、約１３×１８インチ（３３ｃｍ×４６ｃｍ）の寸法のパネル上の様々な位置でＣＴＥを確定した。ｘ座標方向およびｙ座標方向で（すなわち、ＢＩＡＣ層の厚さ方向に直交し、かつ互いに直交する２方向で）ＣＴＥを測定した。被膜−ファイバ構成および従来型の接触プローブを使用してこれらの測定を行った。
【００７７】
　個々のＬＣＰ層の特性を決定した後、多層積層物を準備した。この積層物は、銅被覆をエッチング除去したGore社製ＢＩＡＣ材料を使用して形成した４層厚および６層厚の複合物を含んでいた。それらの部品を、毎分華氏１５度（８℃）の温度上昇率で華氏５６０度（２９３℃）まで加熱することを含む積層プロセスにかけ、その後、約２０〜３０分の間保持し、次いで、毎分約華氏２０度（１１℃）の速度で室温まで冷却した。特許請求の範囲を含め、本明細書では、保持時間は、すべての加工ステップを含む全積層プロセス中に積層中の部品が受ける（統計的な分散その他の小さな変動による妥当な温度公差を含む）最高温度に部品がかけられる時間間隔と定義する。最高温度の華氏５６０度（２９３℃）は、Gore社製ＢＩＡＣ材料の（ここでは本質的にＴＮＩと同じと仮定する）液晶転移温度である華氏６３５度（３３５℃）よりも低いことに留意されたい。積層形成は、電気的に加熱した鋼製圧板を備える平台プレス機を使用して実施された。圧力は、加工全体を通じて２５００ｐｓｉ（１．８ｋｇ／ｍｍ２）に維持された。ステンレス鋼製平坦化プレートおよび銅製剥離シート、ならびにＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン）と銅を交互に配置した層を使用して、この工具の上下にプレス用パッドを作製した。プレス機から取り出した後、本発明者は、積層物の端部で誘電体がはみ出した形跡がないことを確認した。
【００７８】
　熱−機械的分析を繰り返し、積層プロセスによってｘ座標／ｙ座標（平面内）のＣＴＥが変わらなかったことを確認した。毎分１インチ（２５ｍｍ）で１８０度に開く引張を用いて接着性試験を行い、内部の層の接着力が６ポンド重／インチ（０．１ｋｇ重／ｍｍ）よりも大きいことを確定した。
【００７９】
　同じ積層プロセスを繰り返して、現実的な回路フィーチャに関連した構造が対応され得る範囲を評価した。厚さ１２μｍの銅で形成した幅３０〜５０μｍの回路ラインを含む表面フィーチャを有するＲｏｇｅｒ社製２８００誘電体（ＰＴＦＥ／ＳｉＯ２フィラー）層を使用した。Rogers社製２８００誘電体表面の上に（厚さ５０μｍの）Gore社製ＢＩＡＣ　ＬＣＰの層を配置し、前記の条件で積層形成を行った。除去後、断面が出るように切断すると、回路フィーチャが完全に封入されていることがわかった。前の場合と同様に、端部のはみ出しはなかった。接着性試験により、内部の層の接着力は、ＬＣＰとRogers社製２８００誘電体の間で、４ポンド重／インチ（０．０７ｋｇ重／ｍｍ）よりも大きいことが示された。
【００８０】
　別の実験では、標準のフォトリソグラフィ技術を銅被覆ＬＣＰ（すなわち、Gore社製ＢＩＡＣ　ＬＣＰに１５μｍの銅を被覆したもの）に適用して、銅の表面の１つ上に直径５０〜５００μｍの範囲の値をとるクリアランス・ホールのパターンを形成した。（銅を除去した）Gore社製ＢＩＡＣ　ＬＣＰの第２シートを、第１シートのクリアランス・ホールを備えた面に接するように配置した。上記の積層プロセスを繰り返した後、その部品を断面が出るように切断し、ＢＩＡＣ　ＬＣＰ誘電体材料でホールが完全に充填されていることを確認した。この場合も、端部がはみ出した形跡はなく、接着はパネル全体にわたって安定していた。
【００８１】
　まず、ＰＨＩ社製の真空容器をもたない７５トンの電気加熱式実験用プレス機で、４×４インチ（１０×１０ｃｍ）という小さいパネル・サイズで積層実験を行った。真空容器付きの１２５トンの電気加熱式Ｗａｂａｓｈプレス機で同様の結果を出し、最後に、６００トンの電気加熱式ＴＭＰプレス機で、１３×１８インチ（３３×４６ｃｍ）フォーマットで実験を行った。これらのより大型のサンプルを用いて、製造上実際的なパネル・サイズ全体にわたる接着の均一性、ホールの充填、および物理的な特性を確定した。
【００８２】
　ＬＣＰ誘電体材料の配向特性が液晶相とアイソトロピック相では差異が生じるとする（上記）モデルと整合する以上の実験および補助の分析に基づくと、ＬＣＰ誘電体材料をある材料層（たとえば、誘電体層または金属層あるいはその組合せ）に積層するための本発明の基本的な技術は、ＬＣＰ誘電体材料が材料層に効果的に積層されるのに十分な加圧状態のもとで十分な時間、アイソトロピック温度範囲内に入らない完全に液晶温度範囲（すなわち、Ｔ＜ＴＮＩ）内の温度Ｔで積層形成を行うことである。
【００８３】
　Gore社製ＢＩＡＣ　ＬＣＰ材料では、ＴＮＩは約華氏６３５度（３３５℃）である。Gore社製ＢＩＡ　ＬＣＰ材料では、最高積層温度は華氏６３５度（３３５℃）未満とすべきであるが、温度の不確実性および空間的な変動のため、積層形成の最高加工温度は、約華氏６２０度（３２７℃）としてよく、代表的な積層温度範囲は、とりわけ、華氏５４０度（２８２℃）〜華氏６２０度（３２７℃）および華氏５４５度（２８５℃）〜華氏５８０度（３０４℃）である。Rogers社製ＺＹＶＥＣ　ＬＣＰ材料では、ＴＮＩは約華氏５３６度（２８０℃）である。Rogers社製ＺＹＶＥＣ　ＬＣＰ材料では、最高積層温度は華氏５３６度（２８０℃）未満とすべきであるが、温度の不確実性および空間的な変動のため、積層形成の最高加工温度は、約華氏５２０度（２７１℃）としてよく、代表的な積層温度範囲は、とりわけ、華氏４４０度（２２７℃）〜華氏５２０度（２７１℃）および華氏４６５度（２４１℃）〜華氏５９０度（３１０℃）である。
【００８４】
　以上の実験は、圧力２５００ｐｓｉ（１．８ｋｇ／ｍｍ２）で行われたが、本発明者は、１０００ｐｓｉ（０．７ｋｇ／ｍｍ２）〜３０００ｐｓｉ（２．１ｋｇ／ｍｍ２）の範囲の圧力を用い、良好な接着性を得た。均一性の向上は圧力の増加と相関することがわかった。圧力の有効性は、積層形成中に埋められなければならないフィーチャのアスペクト比によって決まる。ここまでは、本発明者が行った試験は、２０００ｐｓｉ（１．４ｋｇ／ｍｍ２）〜２５００ｐｓｉ（１．８ｋｇ／ｍｍ２）の圧力範囲が特に有効であるとともに、従来方式の製造環境で使用するのに実用的かつ経済的であることを示している。極端な圧力は、工具および圧板の寿命を縮めるという欠点をもたらし、プレス機自体の能力向上が必要となることもある。
【００８５】
　本発明で用いる保持時間は、短くて２〜５分間、長くて６０分間、最高温度でＬＣＰ誘電体材料を加圧状態に保つことを含む。より長い時間では、所望されない「端部のはみ出し」その他の過剰な流動化が生じる形跡がなく、接着均一性におけるいくらかの向上が得られることもあることがわかった。したがって、一般に、温度および圧力を保つ最長保持時間は、少なくとも２分とすべきであり、適用可能な保持時間の範囲は、とりわけ、２〜６０分および１５〜３０分である。温度の均一性を確実にするためには、最低限の保持が必要である。ただし、フィーチャの充填の質は、保持時間の増加に応じて向上するはずである。一方、製造の経済性のためには時間がより短いのが有利であり、より短い保持時間により経済上のこの目標が得られる。それでも、得られた積層物の特性から、保持時間の上限は観測されなかった。
【００８６】
　積層サイクルを２回繰り返すと、接着の均一性が向上することがあり、積層プレス機内で生成物を再配置する（おそらくは１８０度回転する）ことによって、ロー・スポットがハイ・スポットになり、特に端部に沿ってより均一な接着が得られる。
【００８７】
　ＬＣＰ誘電体材料の議論およびＬＣＰ誘電体材料のある材料層への積層に関する試験によれば、本発明で使用するＬＣＰ材料は、ＬＣＰ誘電体の製造中に微視的な液晶ドメインを部分的に配向させる様々な加工ステップによって得られる部分的に配列した液晶ポリマーとすることができる。高次のスメクチック（すなわち、向きおよび位置の秩序のある）相が存在してもよい。以上の議論は均質なＬＣＰ誘電体に焦点を当ててきたが、本発明の接着剤を用いない積層プロセスは、セラミックまたは有機の、微粒子または繊維状の、さらには金属粒子などのフィラーを含むＬＣＰ材料にも適用可能である。さらに、ＬＣＰ材料の補強剤として発泡ＰＴＦＥも本発明の範囲に含まれる。
【００８８】
　本発明の状況では、ＬＣＰ誘電体材料の所望の材料特性は応用例によって決まる。図１〜７に即して上記で説明した多層相互接続構造ならびに他の応用例では、材料特性には、約１０〜２５ｐｐｍ／℃の面内ＣＴＥ（すなわち、ＬＣＰ誘電体層の厚さ方向に直交する方向のＣＴＥ）、約２．５〜３．０の誘電率、約３〜６ＧＰａのヤング率、約０．００３未満の損失係数、および１２１℃、２気圧、９６時間で約０．２％未満の吸水性が含まれる。ＬＣＰ誘電体層の厚さは、多層相互接続構造（たとえば、図１の多層相互接続構造１８）の所望の設計性能特性に応じて変わり得、必要設計性能によってそう要求される場合、前記厚さは互いにほぼ等しくすることができる。製造上の効率性のため、一般に、積層形成は複数のページを含む「ブック」によって行われる。
【００８９】
　以下の議論では、（「ページと呼ぶ」多層相互接続構造の積層、すなわち、平台プレス機による積層（図１０〜１１参照）およびオートクレーブによる積層（図１２参照）を行う２つの実用的な方法を開示する。
【００９０】
　図１０および１１に、本発明の実施形態による、ＬＣＰ誘電体材料を含むスタック層の積層用平台プレス機による積層を示す。図１０では、平台積層プレス機３００は、フレーム３０２によって収納され構造的に支持されている。図１０には、上部ボルスタ３０４、中間ボルスタ３０８、下部ボルスタ３０６、上部圧板３２２、中間圧板３２４および３２６、下部圧板３２８、ブック３１１〜３１３、案内ロッド３２０、油圧システム３２９、真空ポンプ３４０、および真空フィードスルー３４２、を有する３開口式平台積層プレス機３００を示す。圧板３２２、３２４、３２６および３２８およびブック３１１〜３１３は、中間ボルスタ３０８で下から支持され、上部ボルスタ３０４で上から拘束され得る。圧板３２２、３２４、３２６および３２８は、案内ロッド３２０で横方向に支持され、垂直方向に案内される。油圧システム３２９は、油圧シリンダ３３２、作動油３３４、ピストン３３０、およびポンプに結合された供給ライン（図示せず）を使用して作動油３３４を循環させるポンプ（図示せず）を備える。作動油３３４を使用して圧板に圧力を加える。作動油３３４の通常の動作圧は、５０００ｐｓｉ（３．５ｋｇ／ｍｍ２）までの範囲の値をとる。ブックに加えられる圧力は、ブックと油圧ピストン３３０の直径の相対サイズによって決まる。本発明では、とりわけ約１０００ｐｓｉ（０．７ｋｇ／ｍｍ２）〜約３０００ｐｓｉ（２．１ｋｇ／ｍｍ２）の範囲の圧力を、ブック内の生成物層に加えることができる。プレス機のチャンバは、真空フィードスルー３４２を介して真空ポンプ３４０で生成される真空にさらし、積層加工中のボイドの酸化および閉込めを最小限に抑えることができる。あるいは、真空ポンプ３４０を割愛し、または積層プレス機動作中に作動させず使用しないこともできる。電気的または流体的に加熱し流体冷却することができるはずの厚板加熱／冷却システム用のフィードスルーおよび供給ラインは図示していない。
【００９１】
　上部圧板３２２と中間圧板３２４の間にブック３１１を配設する。中間圧板３２４と中間圧板３２６の間にブック３１２を配設する。中間圧板３２６と下部圧板３２８の間にブック３１３を配設する。図１０には３つのブック３１１〜３１３を示すが、平台積層プレス機３００は、少なくとも１つのこうしたブック、および３１０の方向の圧板とブックの厚さを考慮して、上部ボルスタ３０４と中間ボルスタ３０８の間に幾何的に収容できる限りの多くのブックを加工することができる。ブック３１１〜３１３はそれぞれ１枚または複数枚のページを備え、各ページは、ピストン３３０の方向３１０への移動による加圧によって合わせて積層される複数の層または多層構造あるいはその両方を備え、各ブックは、ブックの両側でブックに接触する圧板間で圧縮される（たとえば、ブック３１２は圧板３２４と３２６の間で圧縮される）。各ページの複数の層または多層構造あるいはその両方は、１つまたは複数のＬＣＰ誘電体層を備える。プレス機を作動させると、ピストン３３０は３１０の方向に上方移動し、圧板３２２、３２４、３２６、３２８は、ブック３１１〜３１３と接触する。積層プロセス中にブックに接触する圧板は、積層中にブックを圧縮する表面を提供するだけでなく、以下に説明するように、各ブックの各ページ中のＬＣＰ誘電体材料の温度を上げるための熱源も提供する。平台積層プレス機３００を使用して得られる多層積層物の例は、誘電体層２９、３０、３２、３５、３６および３８がそれぞれＬＣＰ誘電体材料を含む図１の多層相互接続構造１８である。
【００９２】
　図１１に、本発明の実施形態による、図１０のブック３１２および圧板３２４および３２６の詳細構造を示す。ブック３１２は、プレス・パッド３６２と３６４の間で、順に交互に配置したプレート層およびページを備える。具体的には、ブック３１２は、プレート層３７０、ページ３５７、プレート層３８０、ページ３５８、およびプレート層３９０の順序で交互に配置される。プレート層３７０は、剥離シート３７１と３７３の間にはさんだ平坦化プレート３７２を備える。平坦化プレート３７２は、ページ３５７を平坦化する助けとなる。平坦化プレート３７２の材料を選択する際には、その厚さ、サイズ、および熱膨張特性を含めて様々な考察を加える。多くの応用例では、平坦化プレート３７２はステンレス鋼を含み得る。剥離シート３７１および３７３は、積層加工の完了後、プレート層がページ３５７から容易に脱着できる材料（たとえば銅）を含むべきである。プレート層３８０は、剥離シート３８１と３８３の間にはさんだ平坦化プレート３８２を備え、平坦化プレート３８２および剥離シート３８１および３８３はそれぞれ、平坦化プレート３７２ならびに剥離シート３７１および３７３に類似のものである。プレート層３９０は、剥離シート３９１と３９３の間にはさんだ平坦化プレート３９２を備え、平坦化プレート３９２および剥離シート３９１および３９３はそれぞれ、平坦化プレート３７２ならびに剥離シート３７１および３７３に類似のものである。プレス・パッド３６２および３６４は、ページおよび剥離シートの空間的な厚さの不均一性を補償することによってより均一な積層が得られるように、コンプライアントな材料を含む。
【００９３】
　圧板３２４および３２６は同じように構築される。圧板３２４では、電気抵抗ヒータまたは加熱循環流体（たとえば油）による熱の生成など、当業者に周知の任意の形で、加熱要素３５４により熱を発生させることができる。冷却するために、入口チューブ３５１および出口チューブ３５２を使用して、圧板３２４を通して流体（たとえば、空気、水など）を循環させる。圧板３２４は、圧板３２４の温度を測定するのに熱電対を使用するための熱電対ポート３５３も含む。圧板３２４は、ブック３１２が加圧される際にブック３１２を平坦化するための当板３５５を境界とする。当板３５５は、熱伝導性のものであり、加熱要素３５４で発生した熱をブック３１２に伝達する。当板３５５は、良好な熱伝導性を有するべきであり、いくつかの応用例では硬化鋼を含み得る。
【００９４】
　図１２に、本発明の実施形態による、ＬＣＰ誘電体材料を含むスタック層の積層用オートクレーブ積層プレス機を示す。図１２では、オートクレーブ４００は、容器４０２に取り囲まれたチャンバ４０４を備える。チャンバ４０４は、可撓性膜４１８で囲まれた真空バッグ４１９を備える。真空バッグ４１９内にブック４１０を配置する。真空バッグ４１９は、様々な構成をとることができるが、ブック４１０を完全に取り囲みかつ、（以下に説明する）排気後、真空バッグ４１９がブック４１０にならうようなある種の可撓性をもたらさなければならない。真空バッグ４１９およびその中のブック４１０をチャンバ４０４内に配置し、次いで、チャンバ４０４を密封する。真空バッグ４１９は、真空バッグ４１９の完全な排気を容易にするための撚った息抜き管４０９も含むこともできる。ブック４１０を含む真空バッグ４１９は、キャリア・トレイ４１２で機械的に支持される。可撓性膜４１８は、可撓性膜４１８の外側のチャンバ４０４の部分で加圧され加熱されたガス４２０（たとえば窒素）に接する圧力境界面を提供する。可撓性膜４１８の外側の空間と真空バッグ４１９内の空間の圧力差は、真空供給ライン４０８を介して真空ポンプ４０６で真空バッグ４１９内から空気を排気することによってさらに制御することができる。加圧され加熱されたガス４２０は、ガス源４１４からガス吸入チューブ４１６を介してチャンバ４０４に供給される。すなわち、ガス４２０は、高温および高圧をブック４１０に加える媒体であり、それによってブック４１０中に含まれるページが積層される。得られる積層物は、ブック４１０に垂直な圧縮応力が得られるという点で、平台積層プレス機で得られるものに類似している。しかし、一般に、ブック４１０の外側表面にかかるせん断力がないので、オートクレーブ４００を使用すると、圧力の均一性は向上する。図１２では、１つの真空バッグ４１９を示すが、こうした真空バッグがチャンバ４０４内に複数あるものも本発明の範囲に含まれる。
【００９５】
　以下で論じるように、平台積層プレス機およびオートクレーブ積層プレス機とも、温度、圧力および保持時間は、ＬＣＰ誘電体材料の１つまたは複数の層を他の材料層に積層する必要によるものである。したがって、積層プロセス中に、ＬＣＰ誘電体材料が材料層に効果的に積層されるのに十分な加圧状態のもとで十分な保持時間、アイソトロピック温度範囲内に入らない完全に液晶温度範囲（すなわち、Ｔ＜ＴＮＩ）内の温度Ｔで、ＬＣＰ誘電体材料を積層すべきである。多くの応用例では、１０００ｐｓｉ（０．７ｋｇ／ｍｍ２）〜３０００ｐｓｉ（２．１ｋｇ／ｍｍ２）の範囲の圧力により、良好な接着性がもたらされることになる。一般に、最高温度および最大圧力を保つ保持時間は、少なくとも２分とすべきであり、適用可能な保持時間の範囲は、とりわけ、２〜６０分および１５〜３０分である。
【００９６】
　従来型の熱硬化性誘電体層（たとえば、エポキシ／ガラスのプリプレグ）では、平台積層プレス機に対してオートクレーブ機で、圧力を下げた状態で、（たとえば、接着性および流動性に関して）類似の結果が得られることが当技術分野では周知である。これは、ＬＣＰ積層形成の場合、（おそらくは、半分まで）圧力を下げることが有効であり得ることを示唆しており、したがって、オートクレーブ積層形成に関連するコストを下げるために望ましい。
【００９７】
　ＬＣＰ誘電体スタック層を積層するための平台積層プレス機およびオートクレーブ積層プレス機の使用に加えて、当業者に周知の他の積層プレス用ハードウエアを使用して、温度、圧力、および保持時間に関する前記条件に従ってこうした積層を実施することができる。
【００９８】
　積層プロセスを用いて、ＬＣＰ誘電体材料層に誘電体材料層（すなわち、ＬＣＰ誘電体または非ＬＣＰ誘電体）または金属層（たとえば、信号面、電力面、接地面など）およびその信号をスタックすることができる。このようなスタックでは、正しい層間位置合わせを実現することに注意すべきである。銅を被覆した誘電体コアはそれぞれ、層間位置合わせをもたらすための機械式ピンに使用する参照（基準）孔を有することができる。回路フィーチャを形成するフォトリソグラフィ・ステップおよび積層プロセスはともに、この参照孔を利用することができる。このピンに対応する対応孔を備えるプレートを含む特殊な工具を使用する。フォトリソグラフィ・ステップの前に、誘電体コア中に参照孔を形成し、フォトリソグラフィ・ステップの基準として用いることができる。あるいは、フォトリソグラフィ・ステップの後にそれらを形成し、次いで、回路フィーチャを基準にして穿孔することができる。フォトリソグラフィ中に、（特に薄い層では）いくらかの変形またはサイズの変化がコアに生じる恐れがあることを考慮すると、この技術により、ピン孔の最適位置の計算をすることができる。さらなる代替手段は、コア上の回路フィーチャを検出し、次いで、ピンを使用せずに、積層プロセスで層を配置し定位置に保持する、光学的な位置合わせ手段を利用することである。
【００９９】
　第１誘電体材料実施形態による図１の多層相互接続構造１８を形成するために図２に関連して上記で説明した方法は、第１誘電体層２８の層２９、３０および３２ならびに第２誘電体層３４の層３５、３６および３８がＬＣＰ誘電体を含む第２誘電体材料実施形態を実施するために、以下のように改変される。第１誘電体層２８は第１ＬＣＰ誘電体材料を備え、第２誘電体層３４は第２ＬＣＰ誘電体材料を備えることができることに留意されたい。第１ＬＣＰ誘電体材料と第２ＬＣＰ誘電体材料は、同じＬＣＰ誘電体材料とすることができる。あるいは、第１ＬＣＰ誘電体材料と第２ＬＣＰ誘電体材料は、異なるＬＣＰ誘電体材料とすることもできる。
【０１００】
　図２のステップ６２は、第１誘電体材料実施形態に関連して上記で説明したように実施される。
【０１０１】
　図２のステップ６４は、ＬＣＰ誘電体材料を他の材料層に積層するために第１誘電体材料実施形態に関連して上記で説明した圧力および温度の上昇を、第２誘電体材料実施形態に関連して上記で説明した圧力および温度の上昇で置き換えるように改変される。具体的には、積層温度Ｔは、ＬＣＰ誘電体材料が材料層に効果的に積層されるのに十分な加圧状態のもとで（たとえば、１０００ｐｓｉ（０．７ｋｇ／ｍｍ２）〜３０００ｐｓｉ（２．１ｋｇ／ｍｍ２））、十分な時間、アイソトロピック温度範囲内に入らない完全に液晶温度範囲（すなわち、Ｔ＜ＴＮＩ）内とする。一般に、最高温度および最大圧力を保つ保持時間は、少なくとも２分とすべきであり、適用可能な保持時間の範囲は、とりわけ、２〜６０分および１５〜３０分である。
【０１０２】
　図２のステップ６６および６８は、第１誘電体材料実施形態に関連して上記で説明したように実施される。
【０１０３】
　図２のステップ７０の実施方法は、第３誘電体層４６および第４誘電体層４８用の材料の選択によって決まる。誘電体層４６および４８が、改質ポリフェニレンエーテルを含む樹脂などの高密度の相互接続層を含む場合、図２のステップ７０は、第１誘電体材料実施形態に関連して上記で説明したように実施される。ただし、別法として、誘電体層４６および４８は、ＬＣＰ誘電体材料を含むこともできる。すなわち、誘電体層４６および４８の一方または両方がＬＣＰ誘電体材料を含む場合、図２のステップ７０は、（誘電体層４６および４８のいずれかあるいは両方がＬＣＰ誘電体材料を含むように）ＬＣＰ誘電体材料を他の材料層に積層するために第１誘電体材料実施形態に関連して上記で説明した圧力および温度の上昇を、第２誘電体材料実施形態に関連して上記で説明した圧力および温度の上昇で置き換えるように改変される。具体的には、積層温度Ｔは、ＬＣＰ誘電体材料が材料層に効果的に積層されるのに十分な加圧状態のもとで（たとえば、１０００ｐｓｉ（０．７ｋｇ／ｍｍ２）〜３０００ｐｓｉ（２．１ｋｇ／ｍｍ２））、十分な時間、アイソトロピック温度範囲内に入らない完全に液晶温度範囲（すなわち、Ｔ＜ＴＮＩ）内とする。一般に、最高温度および最大圧力を保つ保持時間は、少なくとも２分とすべきであり、適用可能な保持時間の範囲は、とりわけ、２〜６０分および１５〜３０分である。
【０１０４】
　図２のステップ７２および７４は、第１誘電体材料実施形態に関連して上記で説明したように実施される。
【０１０５】
　結合層実施形態
　図１３〜２５に、本発明の実施形態に従って、機械的かつ電気的に２枚の２Ｓ１Ｐ副構造を互いに結合する結合層として、ＬＣＰ誘電体層を使用するところを示す。２Ｓ１Ｐ副構造は、誘電体層中に１つの電力面と、誘電体層の対向面上に２つの信号面を有する誘電体層を備える。図１３〜１９に、２Ｓ１Ｐ副構造を形成するところを示す。電力面は、連続的な導電層を含むことを特徴とし、その連続的な導電層中に１つまたは複数の孔を含むことができる。信号面は、導電回路を備える層を含むことを特徴とする。図２０〜２３に、結合層を形成するところを示す。図２４〜２５に、結合層で２枚の２Ｓ１Ｐ副構造を結合するところを示す。
【０１０６】
　結合層としてRogers 2800誘電体材料（または部分的に硬化した熱硬化材料）を使用するのではなく、結合層としてＬＣＰ誘電体層を使用すると、いくつかの利点が得られる。第１の利点は、銅被覆フォーマットでＬＣＰ誘電体を購入することができることである。これにより、誘電体層に銅箔を積層する第１ステップの必要がなくなる。第２の利点は、ＬＣＰ誘電体が、Rogers2800誘電体よりも安定でありかつ引裂き抵抗があり、そのため、より薄いシートで取り扱えることである。これにより、中央電力面用に必要以上に厚い銅を使用することが回避され、そのため、減法的な回路形成と、その後の微細フィーチャの充填が増強される。
【０１０７】
　図１３〜１９に、２Ｓ１Ｐ副構造５３０を形成するところを示す。図１３に、誘電体層５０２の両面に被覆される金属層５０４および５０６を備える電気構造５００を示す。金属層５０４および５０６は、とりわけ、銅を含むことができる。誘電体層５０２は、当業者に周知の任意のタイプの誘電体材料（たとえば、有機誘電体材料、セラミック誘電体材料、ＬＣＰ誘電体材料、非ＬＣＰ誘電体材料など）を含むことができる。誘電体層５０２および金属層５０４の材料に応じて、図１３の電気構造５００（たとえば、銅を被覆したＬＣＰ誘電体材料）を購入することを可能であろう。誘電体層５０２がＬＣＰ誘電体材料を含む場合、上記で説明した第２誘電体材料実施形態に関連して上記で開示した方法によって、金属シート（たとえば銅）を誘電体層５０２に積層することができる。そうでない場合には、電気構造５００は、当業者に周知の任意の方法で形成することができる。
【０１０８】
　図１４に、当業者に周知の任意の方法（たとえば、フォトリソグラフィによるパターン形成後の化学エッチング）で、金属層５０６中にクリアランス・ホール５０７および５０８を形成した後の図１３の電気構造５００を示す。
【０１０９】
　図１５に、金属層５０６上に誘電体層５１２を配置し、誘電体層５１２上に金属層５１４を配置した後の図１４の電気構造５００を示す。誘電体層５１２は、誘電体層５０２に関して上記で述べた特性を有し得る。金属層５１４は、金属層５０４および５０６に関して上記で述べた特性を有し得る。
【０１１０】
　図１６に、誘電体層５１２がＬＣＰ誘電体材料を含む場合に第２誘電体材料実施形態に関連して上記で説明した方法を含めて、図１３の電気構造５００を形成することに関連して上記で論じた任意の方法で、層５１４、５１２、５０６および５０２を合わせて積層した後の図１５の電気構造５００を示す。図１６には、前記積層プロセスにより、図１５のクリアランス・ホール５０７および５０８が、誘電体層５０２および５１２からの誘電体材料で充填されたところを示す。
【０１１１】
　図１７に、当業者に周知の任意の方法（たとえば、レーザ融除）で、５１３の方向に電気構造５００の厚さを貫通してスルーホール５１６および５１７を形成した後の図１６の電気構造５００を示す。
【０１１２】
　図１８に、当業者に周知の任意の方法（たとえば、化学エッチング）で、金属層５０４および５１４を除去し、その後、当業者に周知の任意の方法（たとえば、フォトリソグラフィによるパターン形成後の化学エッチング）で、誘電体層５１２中に盲バイア５１８を形成して金属層５０６の表面部分を露出させた後の図１７の電気構造５００を示す。
【０１１３】
　図１９に、電気構造５００を変形して２Ｓ１Ｐ副構造５３０にする最終ステップの結果を示す。前記最終ステップは、金属（たとえば銅）の電気メッキまたは無電解メッキなど当業者に周知の任意の方法で、メッキ・スルーホール５２２、メッキ・スルーホール５２６、メッキ盲バイア５２８、信号面５３１および信号面５３２を形成することを含む。たとえば、メッキ５２０をスルーホール５１６の壁上にメッキして、メッキ・スルーホール５２２を形成することができる。メッキ５２４をスルーホール５１７の壁上にメッキして、メッキ・スルーホール５２６を形成することができる。メッキ５２７を盲バイア５１８の壁上にメッキして、メッキ盲バイア５２８を形成することができる。メッキ５２０、メッキ５２４およびメッキ５２７と連続するメッキ５０１を誘電体層５１２の表面５２５上にメッキして、信号面５３１を形成することができる。メッキ５２０およびメッキ５２４と連続するメッキ５０３を誘電体層５０２の表面５２９上にメッキして、信号面５３２を形成することができる。
【０１１４】
　２Ｓ１Ｐ副構造５３０は、誘電体層５１２および５０２を備える誘電体層の表面５２５上の信号面５３１、誘電体層５１２および５０２を備える誘電体層の表面５２９上の信号面５３２、および誘電体層５１２および５０２を備える誘電体層中の金属層５０６からなる電力面を備える。
【０１１５】
　図２０〜２３は、結合層５５９を形成するところを示す。図２０では、スルーホール５３７および５３８を有する金属箔５３６が提供される。
【０１１６】
　図２１は、図２０から得られ、金属箔５３６の両面上にＬＣＰ誘電体層５４１および５４３を配置し、ＬＣＰ誘電体層５４１上に金属層５４２を配置し、誘電体層５４３上に金属層５４４を配置することによって得られた電気構造５４０を示す。金属層５４２および５４４はそれぞれ、図１３の金属層５０４および５０６に関して上記で述べた特性を有し得る。
【０１１７】
　図２２に、ＬＣＰ材料をそれに接する層に結合するための第２誘電体材料実施形態に関連して上記で論じた任意の方法で、層５４４、５４３、５３６、５４１および５４２を合わせて積層した後の図２１の電気構造５４０を示す。具体的には、積層温度Ｔは、スルーホール５３７および５３８内で誘電体層５４１および５４３のＬＣＰ誘電体材料が効果的に互いに積層され、かつ金属箔５３６に積層されるのに十分な加圧状態のもとで（たとえば、１０００ｐｓｉ（０．７ｋｇ／ｍｍ２）〜３０００ｐｓｉ（２．１ｋｇ／ｍｍ２））、十分な保持時間、完全に誘電体層５４１および５４３のＬＣＰ誘電体材料の液晶温度範囲（すなわち、Ｔ＜ＴＮＩ）内であり、アイソトロピック温度範囲内に入らない温度とする。最高温度および最大圧力を保つ保持時間は、少なくとも２分とすべきであり、適用可能な保持時間の範囲は、とりわけ、２〜６０分および１５〜３０分である。図２２に、前記積層プロセスにより、図２１のスルーホール５３７および５３８が、誘電体層５４１および５４３のＬＣＰ誘電体材料で充填されたところを示す。前記積層後、５４８の方向に電気構造５４０の厚さを貫通してスルーホール５５１、５５２および５５３を形成する。
【０１１８】
　あるいは、図２２では、銅を被覆したＬＣＰコアから（金属層５４４、ＬＣＰ誘電体層５４３および金属箔５３６を含む）層構造５４６を形成し、ＬＣＰ誘電体層５４１および金属層５４２を追加することによって電気構造５４０を形成することもできる。
【０１１９】
　図２３に、電気構造５４０を結合層５５９に変形する最終ステップの結果を示す。前記最終ステップは、当業者に周知の任意の方法、たとえば、スキージ・プロセス（squeegee process）を用いて、導電性接着剤をスルーホール５５１、５５２および５５３内に押し込むことによって、スルーホール５５１、５５２および５５３内それぞれと、５４８の方向にスルーホール５５１、５５２および５５３をそれぞれ超えて延びる導電プラグ５５５、５５６および５５７を形成することを含む。導電性接着剤は、導電金属粒子を含む接着性樹脂（たとえばエポキシ）を含み得る。例として、導電性接着剤は、Ablestick社のＡＢＬＥＢＯＮＤ（登録商標）８１７５の銀充填ペーストを含み得る。この接着剤を、スルーホール５５１、５５２および５５３中にスキージし、金属層５４２および５４４の連続露出表面上に塗布する。この接着剤は、部分的に硬化（たとえば、Ｂ段階硬化（B-stagecured））する。次に、部分的に硬化した過剰な接着剤を除去し、その後、当業者に周知の任意の方法（たとえば、化学エッチング）で、金属層５４２および５４４を除去し、５４８の方向に誘電体層５４１および５４３の上下を延びる残りの接着剤を残す。この部分的に硬化した接着剤は、室温でチューインガムのちょう度（すなわち、粘着しない）を有する。次いで、さらに十分な熱を加えて硬化させ、接着剤を乾燥させ、室温で接着剤を乾燥させたまま残す。
【０１２０】
　代替手段として、まず、図２２のスルーホール５５１〜５５３の側壁を金属（たとえば銅）でメッキし、その後、スルーホール５５１〜５５３の上または下あるいはその両方で、対向するまたは位置合わせするメッキ・スルーホールを結合するのを容易にするはずの表面金属（たとえば、スズ−金合金）を被着させることができるはずである。次いで、導電性接着剤を、メッキ・スルーホール５５１〜５５３中に押し込み、それによって図２３の導電プラグ５５５〜５５７が形成されるはずである。
【０１２１】
　図２４〜２５に、結合層５８０によって機械的かつ電気的に互いに結合する２枚の２Ｓ１Ｐ副構造５６０および５７０が結合し、複合電気構造５９０を形成するところを示す。
【０１２２】
　図２４に、積層プロセス前の２Ｓ１Ｐ副構造５６０および５７０ならびに結合層５８０を示す。２Ｓ１Ｐ副構造５６０は、誘電体層５６２の対向面上の信号面５６７および５６８と、誘電体層５６２中の電力面５６１と、５６９の方向に２Ｓ１Ｐ副構造５６０の厚さを貫通したメッキ・スルーホール５６３および５６４と、誘電体層５６２中に延び、電力面５６１と機械的かつ電気的に接触するメッキ盲バイア５６５とを備える。２Ｓ１Ｐ副構造５７０は、誘電体層５７２の対向面上の信号面５７７および５７８と、誘電体層５７２中の電力面５７１と、５６９の方向に２Ｓ１Ｐ副構造５７０の厚さを貫通したメッキ・スルーホール５７３および５７４と、誘電体層５７２中に延び、電力面５７１と機械的かつ電気的に接触するメッキ盲バイア５７５とを備える。誘電体層５６２および５７２はそれぞれ独立に、当業者に周知の任意のタイプの誘電体材料（たとえば、有機誘電体材料、セラミック誘電体材料、ＬＣＰ誘電体材料、非ＬＣＰ誘電体材料など）を含むことができる。結合層５８０は、ＬＣＰ誘電体層５８２と、ＬＣＰ誘電体層５８２中の金属層５８１と、５６９の方向に結合層５８０の厚さを貫通しかつそれを超えて延びる導電プラグ５８３、５８４および５８５とを備える。
【０１２３】
　図２５に、それぞれ結合層５８０に積層することによって２Ｓ１Ｐ副構造５６０および５７０を機械的かつ電気的に互いに結合した後に得られた複合電気構造５９０を示す。この積層形成は、上記で説明したＬＣＰ誘電体用の第２誘電体材料実施形態の方法に従って実施される。具体的には、積層温度Ｔは、誘電体層５８２のＬＣＰ誘電体材料が誘電体層５６２、誘電体層５７２、信号面５６８、および信号面５７７に効果的に積層されるのに十分な加圧状態のもとで（たとえば、１０００ｐｓｉ（０．７ｋｇ／ｍｍ２）〜３０００ｐｓｉ（２．１ｋｇ／ｍｍ２））、十分な保持時間、完全に誘電体層５８２のＬＣＰ誘電体材料の液晶温度範囲（すなわち、Ｔ＜ＴＮＩ）内であり、アイソトロピック温度範囲内に入らない温度とする。一般に、最高温度および最大圧力を保つ保持時間は、少なくとも２分とすべきであり、適用可能な保持時間の範囲は、とりわけ、２〜６０分および１５〜３０分である。誘電体層５６２および５７２の一方または両方がＬＣＰ誘電体材料を含む場合、Ｔ＜ＴＮＩを満足させるのに用いられるＴＮＩの値は、誘電体層５６２、５７２および５８２中に含まれるすべてのＬＣＰ誘電体材料のＴＮＩの最小値とする。
【０１２４】
　図２５は以下のことを示している。導電プラグ５８３は、２Ｓ１Ｐ副構造５６０のメッキ・スルーホール５６３を２Ｓ１Ｐ副構造５７０のメッキ・スルーホール５７３に電気的に結合する。導電プラグ５８４は、２Ｓ１Ｐ副構造５６０のメッキ・スルーホール５６４を２Ｓ１Ｐ副構造５７０のメッキ・スルーホール５７４に電気的に結合する。導電プラグ５８５は、２Ｓ１Ｐ副構造５６０のメッキ盲バイア５６５を２Ｓ１Ｐ副構造５７０のメッキ盲バイア５７５に電気的に結合する。さらに、メッキ盲バイア５７５を、金属層５７１のどの部分にも接触しない新しいメッキ・スルーホールで置き換えるとしたら、導電プラグ５８５は、２Ｓ１Ｐ副構造５７０のメッキ盲バイア５６５を前記新しいメッキ・スルーホールに電気的に結合するはずである。
【０１２５】
　本発明の結合層実施形態に関連して本明細書で説明したＬＣＰ誘電体材料を伴う積層形成は、第２誘電体材料実施形態に関連して上記で説明した平台積層プレス機またはオートクレーブ積層プレス機、あるいはこうした積層形成を実施するのに使用することができる当業者に周知の他の任意の積層プレス・ハードウエアを使用することによって行うことができる。
【０１２６】
　現在、本発明の好ましい実施形態と考えられるものを示し説明してきたが、添付の特許請求の範囲で定義される本発明の範囲を逸脱することなく、この実施形態の中で様々な変更および改変を加えることができることが当業者には明らかであろう。
【０１２７】
　まとめとして、本発明の構成に関して以下の事項を開示する。
【０１２８】
（１）第１および第２対向面を含む熱伝導層と、
　第１ＬＣＰ誘電体層を前記熱伝導層に結合する外因性接着材料なしで、前記熱伝導層の前記第１対向面に直接結合される第１ＬＣＰ（液晶ポリマー）誘電体層と、
　第２ＬＣＰ誘電体層を前記熱伝導層に結合する外因性接着材料なしで、前記熱伝導層の前記第２対向面に直接結合される第２ＬＣＰ誘電体層と、
　前記第１ＬＣＰ誘電体層中の第１導電層と、
　前記第１ＬＣＰ誘電体層中にあり、前記第１導電層と前記熱伝導層の間に配置された第２導電層とを備える、多層相互接続構造。
（２）前記第１ＬＣＰ誘電体層が、前記第１ＬＣＰ誘電体層を前記熱伝導層に結合する前に第１ＬＣＰ誘電体材料中に存在したポリマー鎖構造およびそれに関連した配向性と本質的に同じポリマー鎖構造およびそれに関連した配向性を有する第１ＬＣＰ誘電体材料を備え、前記第２ＬＣＰ誘電体層が、前記第２ＬＣＰ誘電体層を前記熱伝導層に結合する前に第２ＬＣＰ誘電体材料中に存在したポリマー鎖構造およびそれに関連した配向性と本質的に同じポリマー鎖構造およびそれに関連した配向性を有する第２ＬＣＰ誘電体材料を備える、上記（１）に記載の多層相互接続構造。
（３）前記第１ＬＣＰ誘電体層が、前記第１ＬＣＰ誘電体層を前記熱伝導層に結合する前に第１ＬＣＰ誘電体材料中に存在したＣＴＥ（熱膨張係数）と本質的に同じＣＴＥを有する第１ＬＣＰ誘電体材料を備え、前記第２ＬＣＰ誘電体層が、前記第２ＬＣＰ誘電体層を前記熱伝導層に結合する前に第２ＬＣＰ誘電体材料中に存在したＣＴＥと本質的に同じＣＴＥを有する第２ＬＣＰ誘電体材料を備える、上記（１）に記載の多層相互接続構造。
（４）前記第２導電層が複数の第１の遮蔽された信号導体を備え、
　前記第１および第２ＬＣＰ誘電体層上にそれぞれ配置された第１および第２の複数の導電部材と、
　前記多層相互接続構造を貫通して、前記第１の複数の導電部材の少なくとも１つの部材と、少なくとも１つの前記第１の複数の遮蔽された信号導体と、前記第２の複数の導電部材の少なくとも１つの部材とに電気的に接続されたメッキ・スルーホールと、
　前記第１誘電体層上と、前記第１の複数の導電部材の一部上に配置され、前記メッキ・スルーホールのほぼ上に重なり、第１電子デバイスから前記第１の複数の遮蔽された信号導体への電気経路を提供する高密度の相互接続層を含む第３誘電体層とをさらに備える、上記（１）に記載の多層相互接続構造。
（５）前記第１電子デバイスが、半導体チップおよび回路形成した基板からなる群から選択される、上記（４）に記載の多層相互接続構造。
（６）前記第３誘電体層が、改質ポリフェニレンエーテルを含む樹脂を含む高密度の相互接続層である、上記（４）に記載の多層相互接続構造。
（７）前記第３誘電体層が、前記第１誘電体層および前記第１の複数の導電部材の一部に直接結合される第３ＬＣＰ誘電体層であり、外因性接着材料を用いずに前記第３ＬＣＰ誘電体が前記第１誘電体層に結合され、外因性接着材料を用いずに前記第３ＬＣＰ誘電体が前記第１の複数の導電部材の一部に結合される、上記（４）に記載の多層相互接続構造。
（８）第１および第２対向面を含む熱伝導層を提供するステップと、
　第１ＬＣＰ誘電体材料を含み、前記熱伝導層の前記第１対向面上に配置された第１ＬＣＰ誘電体副層を含む、第１ＬＣＰ（液晶ポリマー）誘電体層を前記熱伝導層の前記第１対向面上に配置するステップと、
　第２ＬＣＰ誘電体材料を含み、前記熱伝導層の前記第２対向面上に配置された第２ＬＣＰ誘電体副層を含む第２ＬＣＰ誘電体層を前記熱伝導層の前記第２対向面上に配置するステップと、
　前記第１および第２ＬＣＰ誘電体材料を塑性変形させ、前記第１ＬＣＰ誘電体副層と前記熱伝導層の間に配設される外因性接着層なしで、前記熱伝導層に前記第１ＬＣＰ誘電体副層を結合させ、前記第２ＬＣＰ誘電体副層と前記熱伝導層の間に配設される外因性接着層なしで、前記熱伝導層に前記第２ＬＣＰ誘電体副層を結合させるのに十分な保持時間かつ高圧で、それぞれ前記第１および第２ＬＣＰ誘電体材料のネマチック−アイソトロピック転移温度よりも低い第１および第２温度を、前記第１および第２ＬＣＰ誘電体層に加えるステップとを含む、多層相互接続構造を製作する方法。
（９）前記保持時間全体にわたって、前記第１および第２ＬＣＰ誘電体材料のポリマー鎖構造およびそれに関連した配向性が本質的に変化しないままである、上記（８）に記載の方法。
（１０）前記保持時間全体にわたって、前記第１および第２ＬＣＰ誘電体材料のＣＴＥ（熱膨張係数）が本質的に変化しないままである、上記（８）に記載の方法。
（１１）前記高圧が、約１０００ｐｓｉ（０．７ｋｇ／ｍｍ２）〜約３０００ｐｓｉ（２．１ｋｇ／ｍｍ２）の範囲の値をとる、上記（８）に記載の方法。
（１２）前記保持時間が少なくとも約２分である、上記（１１）に記載の方法。
（１３）前記第１ＬＣＰ誘電体材料および前記第２ＬＣＰ誘電体材料が同じＬＣＰ誘電体材料である、上記（８）に記載の方法。
（１４）前記第１ＬＣＰ誘電体材料および前記第２ＬＣＰ誘電体材料が異なるＬＣＰ誘電体材料である、上記（８）に記載の方法。
（１５）第１誘電体層、前記第１誘電体層中の第１電力面、前記第１誘電体層の上面上の上部信号面、前記第１誘電体層の下面上の下部信号面、および第１導電バイアを備える第１　２Ｓ１Ｐ副構造と、
　第２誘電体層、前記第２誘電体層中の第２電力面、前記第２誘電体層の上面上の上部信号面、前記第２誘電体層の下面上の下部信号面、および第２導電バイアを備える第２　２Ｓ１Ｐ副構造と、
　第１および第２対向面ならびに貫通する導電プラグを有し、ＬＣＰ（液晶ポリマー）誘電体材料を含む結合層とを備え、前記結合層を前記第１誘電体層に結合する外因性接着材料なしで、前記結合層の前記第１対向面が前記第１　２Ｓ１Ｐ副構造の前記第１誘電体層に直接結合され、前記結合層を前記第２誘電体層に結合する外因性接着材料なしで、前記結合層の前記第２対向面が前記第２　２Ｓ１Ｐ副構造の前記第２誘電体層に直接結合され、前記導電プラグにより前記第１導電バイアが前記第２導電バイアに電気的に結合される、電気構造。
（１６）前記ＬＣＰ誘電体材料が、前記結合層を前記第１および第２　２Ｓ１Ｐ副構造に結合する前に前記ＬＣＰ誘電体材料中に存在したポリマー鎖構造およびそれに関連した配向性と本質的に同じポリマー鎖構造およびそれに関連した配向性を有する、上記（１５）に記載の電気構造。
（１７）前記ＬＣＰ誘電体材料が、前記結合層を前記第１および第２　２Ｓ１Ｐ副構造に結合する前に前記ＬＣＰ誘電体材料中に存在したＣＴＥ（熱膨張係数）と本質的に同じＣＴＥを有する、上記（１５）に記載の電気構造。
（１８）前記第１導電バイアが、前記第１　２Ｓ１Ｐ副構造の前記上部および下部信号面を電気的に結合する第１メッキ・スルーホールを備え、前記第２導電バイアが、前記第２　２Ｓ１Ｐ副構造の前記上部および下部信号面を電気的に結合する第２メッキ・スルーホールを備える、上記（１５）に記載の電気構造。
（１９）前記第１導電バイアが、前記第１電力面を前記第１　２Ｓ１Ｐ副構造の前記下部信号面に電気的に結合する第１メッキ盲バイアを備え、前記第２導電バイアが、前記第２電力面を前記第２　２Ｓ１Ｐ副構造の前記上部信号面に電気的に結合する第２メッキ盲バイアを備える、上記（１５）に記載の電気構造。
（２０）前記第１導電バイアが、前記第１電力面を前記第１　２Ｓ１Ｐ副構造の前記下部信号面に電気的に結合するメッキ盲バイアを備え、前記第２導電バイアが、前記第２　２Ｓ１Ｐ副構造の前記上部信号面と下部信号面を電気的に結合するメッキ・スルーホールを備える、上記（１５）に記載の電気構造。
（２１）前記第１誘電体層が第１ＬＣＰ誘電体材料を備え、前記第２誘電体層が第２ＬＣＰ誘電体材料を備える、上記（１５）に記載の電気構造。
（２２）前記第１誘電体層も前記第２誘電体層もＬＣＰ誘電体材料を備えない、上記（１５）に記載の電気構造。
（２３）第１誘電体層、前記第１誘電体層中の第１電力面、前記第１誘電体層の上面上の上部信号面、前記第１誘電体層の下面上の下部信号面、および第１導電バイアを備える第１　２Ｓ１Ｐ副構造を提供するステップと、
　第２誘電体層、前記第２誘電体層中の第２電力面、前記第２誘電体層の上面上の上部信号面、前記第２誘電体層の下面上の下部信号面、および第２導電バイアを備える第２　２Ｓ１Ｐ副構造を提供するステップと、
　第１および第２対向面ならびに貫通する導電プラグを有し、ＬＣＰ（液晶ポリマー）誘電体材料を含む結合層を提供するステップと、
　結合させるのに十分な高温、高圧を、その保持時間中、前記第１　２Ｓ１Ｐ副構造と、前記結合層と、前記第２　２Ｓ１Ｐ副構造とに加えることによって、前記結合層を、前記第１対向面で前記第１　２Ｓ１Ｐ副構造の前記第１誘電体層と、前記第２対向面で前記第２　２Ｓ１Ｐ副構造の前記第２誘電体層に直接結合するステップとを含み、前記保持時間中、前記高温が前記ＬＣＰ誘電体材料のネマチック−アイソトロピック温度よりも低く、前記結合層と前記第１誘電体層の間に外因性接着材料を配設せず、前記結合層と前記第２誘電体層の間に外因性接着材料を配設せず、前記導電プラグが前記第１導電バイアを前記第２導電バイアに電気的に結合する、電気構造を形成する方法。
（２４）前記保持時間全体にわたって、前記結合層の前記ＬＣＰ誘電体材料のポリマー鎖構造およびそれに関連した配向性が本質的に変化しないままである、上記（２３）に記載の方法。
（２５）前記保持時間全体にわたって、前記結合層のＬＣＰ誘電体材料のＣＴＥ（熱膨張係数）が本質的に変化しないままである、上記（２３）に記載の方法。
（２６）前記高圧が、約１０００ｐｓｉ（０．７ｋｇ／ｍｍ２）〜約３０００ｐｓｉ（２．１ｋｇ／ｍｍ２）の範囲の値をとる、上記（２３）に記載の方法。
（２７）前記保持時間が少なくとも約２分である、上記（２６）に記載の方法。
（２８）前記第１導電バイアが、前記第１　２Ｓ１Ｐ副構造の前記上部および下部信号面を電気的に結合する第１メッキ・スルーホールを備え、前記第２導電バイアが、前記第２　２Ｓ１Ｐ副構造の前記上部および下部信号面を電気的に結合する第２メッキ・スルーホールを備える、上記（２３）に記載の方法。
（２９）前記第１導電バイアが、前記第１電力面を前記第１　２Ｓ１Ｐ副構造の前記下部信号面に電気的に結合する第１メッキ盲バイアを備え、前記第２導電バイアが、前記第２電力面を前記第２　２Ｓ１Ｐ副構造の前記上部信号面に電気的に結合する第２メッキ盲バイアを備える、上記（２３）に記載の方法。
（３０）前記第１導電バイアが、前記第１電力面を前記第１　２Ｓ１Ｐ副構造の前記下部信号面に電気的に結合するメッキ盲バイアを備え、前記第２導電バイアが、前記第２　２Ｓ１Ｐ副構造の前記上部信号面と下部信号面を電気的に結合するメッキ・スルーホールを備える、上記（２３）に記載の方法。
【図面の簡単な説明】
【０１２９】
【図１】本発明の好ましい実施形態による、多層相互接続構造に組み付けられた半導体チップと、回路形成した基板に組みつけられた多層相互接続構造とを含む電子パッケージを示す正面断面図である。
【図２】本発明の好ましい実施形態に従って図１の電子パッケージを製作する方法を示すプロセスの流れ図である。
【図３】本発明の好ましい実施形態による、金属箔上にＭＰＰＥ（改質ポリフェニレンエーテル）を有する誘電体樹脂を含む、樹脂を被覆した金属を示す正面断面図である。
【図４】図３のＭＰＰＥに接する金属箔表面を拡大した図である。
【図５】金属箔上にＭＰＰＥを有する誘電体樹脂を含む、樹脂を被覆した金属を示す正面断面図である。
【図６】図３の樹脂を被覆した金属と、図５の樹脂を被覆した金属と、図１の多層相互接続構造の一部とを含む電子構成を示す図である。
【図７】電子構成が加圧され、樹脂を被覆した金属の金属箔が除去された後の図６を示す図である。
【図８】本発明の実施形態による、ポリマー鎖が配向された状態のＬＣＰ（液晶ポリマー）誘電体の液晶相の局在化分子ドメインを示す図である。
【図９】本発明の実施形態による、ポリマー鎖がほとんど配向されていないか、あるいは全く配向されていないＬＣＰ誘電体のアイソトロピック相の局在化分子ドメインを示す図である。
【図１０】本発明の実施形態に従ってＬＣＰ誘電体材料を含むスタック層を積層するための平台プレス機による積層形成を示す図である。
【図１１】本発明の実施形態に従ってＬＣＰ誘電体材料を含むスタック層を積層するための平台プレス機による積層形成を示す図である。
【図１２】本発明の実施形態に従ってＬＣＰ誘電体材料を含むスタック層を積層するためのオートクレーブ積層プレス機を示す図である。
【図１３】本発明の実施形態に従って２Ｓ１Ｐ副構造を形成するところを示す図である。
【図１４】本発明の実施形態に従って２Ｓ１Ｐ副構造を形成するところを示す図である。
【図１５】本発明の実施形態に従って２Ｓ１Ｐ副構造を形成するところを示す図である。
【図１６】本発明の実施形態に従って２Ｓ１Ｐ副構造を形成するところを示す図である。
【図１７】本発明の実施形態に従って２Ｓ１Ｐ副構造を形成するところを示す図である。
【図１８】本発明の実施形態に従って２Ｓ１Ｐ副構造を形成するところを示す図である。
【図１９】本発明の実施形態に従って２Ｓ１Ｐ副構造を形成するところを示す図である。
【図２０】本発明の実施形態に従って、２枚の２Ｓ１Ｐ副構造を互いに結合するための結合層を形成するところを示す図である。
【図２１】本発明の実施形態に従って、２枚の２Ｓ１Ｐ副構造を互いに結合するための結合層を形成するところを示す図である。
【図２２】本発明の実施形態に従って、２枚の２Ｓ１Ｐ副構造を互いに結合するための結合層を形成するところを示す図である。
【図２３】本発明の実施形態に従って、２枚の２Ｓ１Ｐ副構造を互いに結合するための結合層を形成するところを示す図である。
【図２４】本発明の実施形態に従って、結合層で２枚の２Ｓ１Ｐ副構造を結合するところを示す図である。
【図２５】本発明の実施形態に従って、結合層で２枚の２Ｓ１Ｐ副構造を結合するところを示す図である。
【符号の説明】
【０１３０】
　８　電子構成
　１０　電子パッケージ
　１２　半導体チップ
　１４　第１表面
　１６　接点部材
　１８　多層相互接続構造
　２０　第２ハンダ接続
　２２　熱伝導層
　２４　第１対向面
　２６　第２対向面
　２８　第１誘電体層
　２９　副層
　３０　副層、誘電体層
　３１　副層、第１導電層
　３２　副層、誘電体層
　３４　第２誘電体層
　３５　副層
　３６　副層、誘電体層
　３７　副層、第３導電層
　３８　副層、誘電体層
　３９　副層、第２導電層、第２信号搬送導電層
　４０　第１導電部材
　４１　副層、第４導電層、第４信号搬送導電層
　４２　第２導電部材
　４４　外側表面
　４５　導電材料
　４６　第３誘電体層
　４７　第１ハンダ接続
　４８　第４誘電体層
　５０　第１メッキ・スルーホール
　５２　第２メッキ・スルーホール
　５４　第２マイクロバイア
　５５　第１マイクロバイア
　５６　導電ボンディング・パッド
　６０　方法
　６２　ステップ
　６４　ステップ
　６６　ステップ
　６８　ステップ
　７０　ステップ
　７２　ステップ
　７４　ステップ
　８０　金属
　８２　誘電体樹脂
　８３　金属箔
　８４　表面
　８５　表面
　８７　表面
　９０　金属
　９２　誘電体樹脂
　９３　金属箔
　９４　表面
　９７　表面
　１００　回路形成した基板
　１０３　接点パッド
　１０４　第１表面
　２００　分子ドメイン
　２０１　ポリマー鎖
　２０２　ポリマー鎖
　２０３　ポリマー鎖
　２０４　ポリマー鎖
　２０５　ポリマー鎖
　２０６　ポリマー鎖
　２０７　ポリマー鎖
　２０８　ポリマー鎖
　２１０　方向
　２２１　ポリマー成分
　２２２　ポリマー成分
　２２３　ポリマー成分
　２２４　ポリマー成分
　２２５　ポリマー成分
　２２６　ポリマー成分
　２５０　分子ドメイン
　２５１　ポリマー鎖
　２５２　ポリマー鎖
　２５３　ポリマー鎖
　２５４　ポリマー鎖
　２５５　ポリマー鎖
　２５６　ポリマー鎖
　２５７　ポリマー鎖
　２５８　ポリマー鎖
　２５９　ポリマー鎖
　２６０　ポリマー鎖
　２６１　ポリマー鎖
　２７１　ポリマー成分
　２７２　ポリマー成分
　２７３　ポリマー成分
　２７４　ポリマー成分
　２７５　ポリマー成分
　２７６　ポリマー成分
　２７７　ポリマー成分
　３００　平台積層プレス機
　３０２　フレーム
　３０４　上部ボルスタ
　３０６　下部ボルスタ
　３０８　中間ボルスタ
　３１０　方向
　３１１　ブック
　３１２　ブック
　３１３　ブック
　３２０　案内ロッド
　３２２　上部圧板
　３２４　中間圧板
　３２６　中間圧板
　３２８　下部圧板
　３２９　油圧システム
　３３０　ピストン
　３３２　油圧シリンダ
　３３４　作動油
　３４０　真空ポンプ
　３４２　真空フィードスルー
　３５１　入口チューブ
　３５２　出口チューブ
　３５３　熱電対ポート
　３５４　加熱要素
　３５５　当板
　３５７　ページ
　３５８　ページ
　３６２　プレス・パッド
　３６４　プレス・パッド
　３７０　プレート層
　３７１　剥離シート
　３７２　平坦化プレート
　３７３　剥離シート
　３８０　プレート層
　３８１　剥離シート
　３８２　平坦化プレート
　３８３　剥離シート
　３９０　プレート層
　３９１　剥離シート
　３９２　平坦化プレート
　３９３　剥離シート
　４００　オートクレーブ
　４０２　容器
　４０４　チャンバ
　４０６　真空ポンプ
　４０８　真空供給ライン
　４０９　息抜き管
　４１０　ブック
　４１２　キャリア・トレイ
　４１４　ガス源
　４１６　ガス吸入チューブ
　４１８　可撓性膜
　４１９　真空バッグ
　４２０　ガス
　５００　電気構造
　５０１　メッキ
　５０２　誘電体層
　５０３　メッキ
　５０４　金属層
　５０６　金属層
　５０７　クリアランス・ホール
　５０８　クリアランス・ホール
　５１２　誘電体層
　５１３　方向
　５１４　金属層
　５１６　スルーホール
　５１７　スルーホール
　５１８　盲バイア
　５２０　メッキ
　５２２　メッキ・スルーホール
　５２４　メッキ
　５２５　表面
　５２６　メッキ・スルーホール
　５２７　メッキ
　５２８　メッキ盲バイア
　５２９　表面
　５３０　２Ｓ１Ｐ副構造
　５３１　信号面
　５３２　信号面
　５３６　金属箔
　５３７　スルーホール
　５３８　スルーホール
　５４０　電気構造
　５４１　ＬＣＰ誘電体層
　５４２　金属層
　５４３　ＬＣＰ誘電体層
　５４４　金属層
　５４６　層構造
　５４８　方向
　５５１　スルーホール
　５５２　スルーホール
　５５３　スルーホール
　５５５　導電プラグ
　５５６　導電プラグ
　５５７　導電プラグ
　５５９　結合層
　５６０　２Ｓ１Ｐ副構造
　５６１　電力面
　５６２　誘電体層
　５６３　メッキ・スルーホール
　５６４　メッキ・スルーホール
　５６５　メッキ盲バイア
　５６７　信号面
　５６８　信号面
　５６９　方向
　５７０　２Ｓ１Ｐ副構造
　５７１　電力面
　５７２　誘電体層
　５７３　メッキ・スルーホール
　５７４　メッキ・スルーホール
　５７５　メッキ盲バイア
　５７７　信号面
　５７８　信号面
　５８０　結合層
　５８１　金属層
　５８２　ＬＣＰ誘電体層
　５８３　導電プラグ
　５８４　導電プラグ
　５８５　導電プラグ
　５９０　複合電気構造
【図１】
2004128497.tif 000003
【図２】
2004128497.tif 000004
【図３】
2004128497.tif 000005
【図４】
2004128497.tif 000006
【図５】
2004128497.tif 000007
【図６】
2004128497.tif 000008
【図７】
2004128497.tif 000009
【図８】
2004128497.tif 000010
【図９】
2004128497.tif 000011
【図１０】
2004128497.tif 000012
【図１１】
2004128497.tif 000013
【図１２】
2004128497.tif 000014
【図１３】
2004128497.tif 000015
【図１４】
2004128497.tif 000016
【図１５】
2004128497.tif 000017
【図１６】
2004128497.tif 000018
【図１７】
2004128497.tif 000019
【図１８】
2004128497.tif 000020
【図１９】
2004128497.tif 000021
【図２０】
2004128497.tif 000022
【図２１】
2004128497.tif 000023
【図２２】
2004128497.tif 000024
【図２３】
2004128497.tif 000025
【図２４】
2004128497.tif 000026
【図２５】
2004128497.tif 000027