(57)【要約】      （修正有）【課題】ネマチック型液晶デバイスの製造方法であって、液晶密封板上に、前記液晶の低天頂角アンカリングエネルギーを得る方法を提供する。【解決手段】ポリ（ビニルクロリド−ｃｏ−ビニルアルキルエーテル）型ポリマーまたはコポリマー、もしくは、ポリ（ビニルクロリド−ｃｏ−ビニルアリールエーテル）型ポリマーまたはコポリマーから得られるポリマーまたはコポリマーから選択される、ポリマー、コポリマー、またはターポリマーを、基板上に付着させ、前記ポリマーの被膜を安定化させ、そして、液晶の制御された方位角アンカリングを誘起させるために、前記被膜の方位角配向を生じさせることからなる工程により、少なくとも一方の液晶密封板上に、前記液晶の低天頂角アンカリングエネルギーを得る。【選択図】  なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
ネマチック型液晶デバイスの製造方法であって、下記からなる工程により、少なくとも一方の液晶密封板上に、前記液晶の低天頂角アンカリングエネルギーを得る、方法：
ポリ（ビニルクロリド−ｃｏ−ビニルアルキルエーテル）型ポリマーまたはコポリマー、もしくは、ポリ（ビニルクロリド−ｃｏ−ビニルアリールエーテル）型ポリマーまたはコポリマーから得られるポリマーまたはコポリマーから選択される、ポリマー、コポリマー、またはターポリマーを、基板上に付着させる工程、
前記ポリマーの被膜を安定化させる工程、および、
液晶の制御された方位角アンカリングを誘起させるために、前記被膜の方位角配向を生じさせる工程。
【請求項２】
前記ポリマーまたはコポリマーが、下記式Ｉにより表される、ビニルクロリドおよびビニルエーテルの誘導体である、請求項１に記載の方法：
【化１】
2004163878.tif 000008
（式中、Ｒは置換、または未置換のアルキル基もしくはアリール基であり、ｎおよびｍは０〜１で異なっていてもよく、好ましくは、０．５＜ｎ＜０．８、かつ０．２＜ｍ＜０．５である）。
【請求項３】
前記コポリマーが、下記式ＩＩで表される、ビニルクロリドとビニルイソブチルエーテルとからなるものである、請求項１または２に記載の方法。
【化２】
2004163878.tif 000009
【請求項４】
前記ポリマーが、ポリ（ビニルクロリド−ｃｏ−ビニルイソブチルエーテル）コポリマーである、請求項１〜３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
前記ポリマーが、ポリ（ビニルクロリド）／ポリ（ビニルイソブチルエーテル）と、ビニルアルコールから得られる別のコモノマーとを主成分とするターポリマーである、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記安定化工程が、紫外線照射を含むものである、請求項１〜５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
一回以上のアニーリング操作により、前記安定化工程を実施する、請求項１〜５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
前記紫外線の照射前および／または照射後、１回以上のアニーリング操作により、前記安定化工程を実施する、請求項１〜７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
前記ポリマーの融点（Ｔｍ）より低い温度により、前記１回以上のアニーリングを行う、請求項１〜８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１０】
波長１８０ｎｍ〜３８０ｎｍの紫外線を用いて、前記照射工程を実施する、請求項１〜９のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１１】
前記ポリマー（ＰＶＣ／ビニルアルコールエーテルまたはエステルのコポリマーおよびターポリマー）を、織物が被覆されたローラーを用いてラビングすることにより、前記液晶の制御された方位角アンカリングを確定させる工程を実施する、請求項１〜１０のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１２】
前記液晶の制御された方位角アンカリングを生じさせる工程が、基板に、
ブラッシングもしくは延伸された別のポリマーを使用すること、
ＳｉＯ２もしくは別の蒸着酸化物を形成すること、または、
グレーティング（エッチング、印刷または光誘起）処理すること、
等の特定処理を施して異方性を付与し、その異方性基板上に前記ポリマーを付着させることにより実施される、請求項１〜１１のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１３】
前記方位角アンカリングが強いものである、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記の全処理工程が、前記ネマチックの配向の制御されかつ安定したプレチルト値０°〜１°、好ましくは０．１°〜０．５°となるように選択される、請求項１〜１３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１５】
前記ポリマーを、スピンコーティングにより前記基板上に付着させる、請求項１〜１４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１６】
前記ポリマーを、フレキソ印刷により前記基板上に付着させる、請求項１〜１４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１７】
前記ポリマーを、メチルエチルケトン等のケトン類、ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルピロリドン、もしくはブトキシエタノール、またはそれらの混合物を主成分とする溶媒に溶解して調製した溶液の状態で付着させる、請求項１〜１６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１８】
請求項１〜１７のいずれか１項に記載の方法により形成した少なくとも一層の低天頂角エネルギーアンカリング層を用いた、双安定ネマチック型液晶デバイス。
【請求項１９】
前記低天頂角エネルギーアンカリング層が、透明電極上または反射電極上に付着されたものである、請求項１８に記載のデバイス。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【技術分野】
本発明は、液晶表示デバイスの分野に関する。より詳細には、本発明の主目的は、表示セルにおける液晶分子をアンカリング（固定）する新規な手段を提供することにある。
【０００２】
【従来技術】
液晶表示デバイスは、一般的に内面に電極を備えた２枚の密封板または基板と、これら２枚の密封板または基板の間に配置された液晶材料とを含んでなる。さらに、密封板に液晶分子を確実にアンカリングし、かつアンカリングを制御するための手段が、その密封板上に設けられている。このアンカリングは、セルにおける分子の配向が決定され、その配向によって特性が左右するので極めて重要である。
【０００３】
特に、ポリマー付着等の表面処理を用いて、ネマチック液晶を基板の表面に対して垂直に配向させたり（この配向は、ホメオトロピック配向と呼ばれる）、あるいは基板の表面に対して平行に配向させる（この配向は、プラナー配向と呼ばれる）方法が従来から知られている。
【０００４】
より具体的には、「ねじれネマチック」液晶ディスプレイには、強いプラナーアンカリングか、またはむしろ若干傾斜したアンカリングが必要とされる。この強いプラナーアンカリングは、通常、配向したポリマーを付着させるか、あるいは一定の角度でＳｉＯ２を蒸着させるといった従来の方法により達成できる。
【０００５】
近年、別のネマチック型液晶ディスプレイ群、すなわち、表面破壊によるネマチック型ディスプレイ群が登場した（例えば、国際出願ＷＯ９７／１７６３２）。これらのディスプレイは双安定であり、エネルギーを消費することなく配向がいつまでも持続し、エネルギーの供給を必要とするのは２つの状態をスイッチングするときのみである。ライン数は、ライン書き込み時間に対する、情報の変更に必要な時間の比にのみ依存することから、双安定であることの別の利点として、鮮明度を高くできる可能性のあるということが挙げられる。１０，０００を超えるライン数も達成できる。この種のディスプレイを製造することの主な難点は、表面のアンカリングを破壊しなければならない点にある。すなわち、低エネルギーアンカリングを再現できることが必要である。本発明は主として、この種のディスプレイの製造に用いられるものである。
【０００６】
弱いアンカリングを用いる双安定性ネマチック型ディスプレイは、以下の方法を典型例として製造される。すなわち、インジウム錫酸化物からなる導電層を塗布した二枚のガラス板の間に液晶を配置する。一方の電極は、傾斜アンカリングまたは強いプラナーアンカリングが得られる被膜を有し、他方の電極は、低天頂角でかつ中〜強の方位角アンカリングエネルギーの単安定プラナーアンカリングが得られる被膜である。さらに、２つの偏光子を適当な向きでセルの一方の側に配置する。
【０００７】
この「双安定」技術の原理は、印加された電界を印加することなく、安定した２つの状態、すなわち、均一状態と１８０°ねじれた状態とが存在することにある。この二つの状態は、最小エネルギーレベルに相当する。正の誘電異方性を有するネマチック液晶、例えば、カイラル添加剤をドープしたペンチルシアノビフェニル（５ＣＢとして知られている）を用いた場合、この二つの状態は平衡状態にある。この種のデバイスは、一般的にＢｉｎｅｍデバイスと呼ばれる。
【０００８】
このディスプレイ技術は、特定の形状および強度の電界を加えて一方の状態から他方の状態に移行させることにより、強いプラナーアンカリングをそのままの状態に維持しながら弱いプラナーアンカリングを破壊できることを利用するものである。セルに対して垂直に電界を印加することにより、ＴＮ技術の「ブラック」状態と同様、低アンカリングエネルギー面に近接した分子が低アンカリングエネルギー面に垂直である、ホメオトロピック組織が誘起される。この非平衡組織は遷移状態にあり、二つの安定状態のうち、いずれか一方へスイッチングできる。電界の印加を停止すると、弾性カップリング効果または流体力学的カップリング効果の何れが優勢であるかにより、安定状態の一方または他方の状態へ変化する。
【０００９】
ねじれ状態と均一状態との間のセルスイッチングを容易にするために、弱いプラナーアンカリングは小チルト角（＜１°）を有していてもよい。関連する強いアンカリングは、本願出願人によるフランス国特許第９５／１３２０１号、フランス国特許第９６／０４４４７号、および米国特許第６，３２７，０１７号に開示されているように、プラナーであっても斜角であってもよい。強いアンカリングが一方向に傾き、弱いアンカリングが同じ方向に傾いている場合、一次破壊と呼ばれる遷移電界誘起アンカリング破壊により、ねじれ状態から均一状態へスイッチングしうる。弾性カップリングによりスイッチングされる場合、プラナーアンカリングでのスイッチングよりもはるかに迅速である。反対方向へのスイッチングは上記の流体力学的カップリングにより達成され、傾斜角が十分小さい場合には、有効でありかつ制御が容易である。
【００１０】
液晶材料をアンカリングするための種々の手段が既に提案されている。しかしながら、これらのアンカリング手段には、多くの制約がある。
【００１１】
アンカリングポリマーは、特に以下の要件を満たす必要があることが従来から知られている。
【００１２】
１）ポリマーを付着させた場合に、受容板または基板が適切に濡れかつ被覆されるように、ポリマーが媒体に溶解すること。
【００１３】
２）受容板または基板を異方性にできること。
３）液晶材料に溶解すること。および、
４）アンカリングを生じさせることにより、必要とする配向エネルギーと所要エネルギーとが得られること。
【００１４】
現在、十分に強いアンカリングを生じさせることができる手段はあるが、弱いアンカリングを確保することができる手段は極めて少数でしかない。
【００１５】
【発明の概要】
したがって、本発明の目的は、低エネルギーでかつ低プレチルト角（０°＜Ψ＜１°、好ましくは０．１°＜Ψ＜０．５°）を有するアンカリングで、かつ経時的に安定な均一アンカリングとなるような新規な手段を提供することにある。
【００１６】
上記目的は、本発明による液晶セルの製造方法；すなわち、
ポリ（ビニルクロリド−ｃｏ−ビニルアルキルエーテル）型ポリマーまたはコポリマー、もしくは、ポリ（ビニルクロリド−ｃｏ−ビニルアリールエーテル）型ポリマーまたはコポリマーから得られるポリマーまたはコポリマーから選択される、ポリマー、コポリマー、またはターポリマーを、基板上に付着させる工程、
前記ポリマーの被膜を安定化させる工程、および、
液晶の制御された方位角アンカリングを誘起させるために、前記被膜の方位角配向を生じさせる工程、
を含んでなる方法により達成される。
【００１７】
本発明の有利な態様によれば、被膜の安定化は、熱および／または紫外線照射により行われる。
【００１８】
本発明の有利な態様によれば、ネマチック液晶のプレチルト角は小さく、０°＜Ψ＜１°、好ましくは０．１°＜Ψ＜０．５°である。
【００１９】
本発明の方法によれば、液晶ディスプレイセル、とりわけ双安定性ネマチック型液晶セルにおいて、低エネルギーアンカリング（配列）層を形成できる。
【００２０】
また、本発明は、このようにして得られたデバイスに関する。
【００２１】
【発明の具体的説明】
以下、「強い」アンカリングおよび「弱い」アンカリングの概念を説明する。
【００２２】
用語「強いアンカリング」、および用語「弱いアンカリング」は、以下のように定義される。液晶の分子アンカリングの源は、配向層との相互作用の異方性である。分子アンカリングは、その有効性と、他の外部の影響のない状態での液晶分子に加えられる方向とにより特徴付けられる。「容易軸」と呼ばれるこの方向は、単位ベクトル（ベクトルｎ０）により表されるか、または基板表面に垂直なｚ軸を有するカルテシアン座標系における天頂角θ０および方位角φ０により表される。
【００２３】
液晶分子の容易軸が基板に対して垂直である場合には、配列はホメオトロピックである。一方、液晶分子の容易軸が基板に対して平行である場合には、配列はプラナーである。これらの２つの配列の間には、基板面の法線について見た場合の天頂アンカリング角により表されるか、またはプレチルト角と呼ばれるその余角により表される、「傾斜配列」と呼ばれる配列がある。
【００２４】
液晶と基板との間の相互作用力を特徴づけるために、表面エネルギー密度γを導入する。表面エネルギー密度γは、表面の液晶分子の配向（ベクトルｎｓ）に依存する。これも、天頂角θｓおよび方位角φｓにより表される：
【数１】
2004163878.tif 000002
（式中、ｇはアンカリングエネルギーを表す）。
【００２５】
表面エネルギー密度は、相互作用の異方性部分を特徴づけるものであり、液晶の分子配向が容易軸の方向と一致したときに通常ゼロとなる。
【００２６】
多くの実験において、２つの角のうちの一つ（天頂角または方位角）の変化が支配的である。アンカリングエネルギーのこれらの２つの成分が別個に検討されることがよくあるのはこのためである。アンカリングエネルギーの最もよく知られている形態は、ＲａｐｉｎｉとＰａｐｏｕｌａｒにより提案されている形態（Ｊ．Ｐｈｙｓ．Ｃｏｌｌ．（１９６９）３０，Ｃ−４−５４）、
【数２】
2004163878.tif 000003
または、一般的な形態（Ｈ．Ｄｒｅｙｆｕｓ−Ｌａｍｂｅｚ  ｅｔ  ａｌ．，Ｍｏｌ．Ｃｒｙｓｔ．ａｎｄ  Ｌｉｑ．Ｃｒｙｓｔ．（２０００），３５２，１９−２６）である。
【数３】
2004163878.tif 000004
正の係数ｗｚおよびｗａは、通常、それぞれ天頂角アンカリングエネルギーおよび方位角アンカリングエネルギーと呼ばれる。これらは、表面エネルギー密度の次元を有する。
【００２７】
また、アンカリングエネルギーは、外挿長によっても表すことができる。この外挿長は、検討表面と仮想表面位置との間の距離である。無限に強いアンカリングを加えることにより（この仮想表面ピボット上に分子を位置させることは不可能である）、仮想表面により実際の液晶組織が誘起される。天頂角外挿長Ｌｚは下記式、
Ｌｚ＝ｋ１１／ｗｚ
（式中、ｋ１１は、当該液晶の広がり変形弾性係数である。）
から、アンカリングエネルギーｗｚの逆数に比例する。同様に、方位角外挿長は下記式、
Ｌａ＝ｋ２２／ｗａ
（式中、ｋ２２は、当該液晶のねじり変形弾性係数である。）
で定義される。通常、アンカリングは、セルの動作中に表面上の分子が実質的に容易軸に対して平行のままであるときに「強い」と言う。これに対して、セル動作中に明らかなずれが生じる場合はアンカリングは「弱い」と言う。
【００２８】
天頂角アンカリングエネルギーは、以下で述べる簡単な方法、すなわち、アンカリングを破壊するための臨界場を測定することにより求めることができる。
【００２９】
液晶セルにおいて、完全プラナー（Ψ＝０）アンカリングは、正の誘電異方性εａ＝ε１１−ε１＞０を有するネマチック液晶に、プレートに対して直角な電界Ｅ＞Ｅｃを加えることにより「破壊」できることが知られている。Ｅを増加してＥｃに近づけると、表面分子の角度θｓは急速に９０°から０°になる。これにより、セルの複屈折が検出可能な程度に変化する。Ｅｃより大きいと、角度θｓはゼロのままであり、この場合、表面は「破壊」されていると言う。
【００３０】
天頂角アンカリングを破壊するための臨界場Ｅｃは、下記式で定義される（Ｉ．Ｄｏｚｏｖ  ｅｔ  ａｌ．，Ｐｈｙｓ．Ｒｅｖ．Ｅ  ５８（１９９８），６，７４４２−７４４６）。
【数４】
2004163878.tif 000005
（式中、Ｋは弾性曲率定数（ほぼ１０ｐＮ）であり、Ｌｚは、
Ｗｚ＝（１／２）（Ｋ／Ｌｚ）ｃｏｓ２θｓ
（式中、θｓは表面分子の角度である）
で表される天頂角アンカリングエネルギー示す外挿長である。）
天頂角アンカリングについては、Ｌｚ＜２０ｎｍ（Ｅｃ＞２０Ｖ／μｍ）の場合には強いとされ、Ｌｚ＞５０ｎｍ（Ｅｃ＜１０Ｖ／μｍ）の場合には弱いとされる。方位角アンカリングの大きさは、より小さいオーダーである。方位角アンカリングは、Ｌａ＜１００ｎｍの場合に強いとされる。
【００３１】
本発明において、低エネルギー天頂角アンカリングは、一連の特定処理がなされたポリ（ビニルクロリド−ｃｏ−ビニルアルキルエーテル）またはポリ（ビニルクロリド−ｃｏ−ビニルアリールエーテル）を主成分とする、コポリマーおよびターポリマーから選択されるものを付着させることにより得られる。これらのコポリマーおよびターポリマー、ならびにそれらの特定処理については、以下で説明する。
【００３２】
ポリ（ビニルクロリド−ｃｏ−ビニルアルキルエーテル）またはポリ（ビニルクロリド−ｃｏ−ビニルアリールエーテル）を主成分とする、コポリマーおよびターポリマーを主成分とするアンカリング層は、スピンコーティングまたはフレキソ印刷等の他の方法によりポリマー溶液を付着させ、溶媒を蒸発させることにより、厚みが典型的には１ｎｍ〜１００ｎｍ（これには限定されない）であるポリマー層が得られる。
【００３３】
次に、好ましくは、従来技術である織物ローラーにより、ポリマー層にラビング操作を行い、ポリマー層に方位角配向を生じさせて、液晶の方位角アンカリングを誘起し、さらにブラッシングすることにより、小プレチルトを誘起する。
【００３４】
アンカリング破壊双安定セルを製造するには、（いわゆる弱い）アンカリング表面が、プラナーアンカリングまたは小プレチルト角の傾斜アンカリング（ここで、小プレチルト角は、比較的低い天頂角アンカリングエネルギー（例えば、Ｌｚ≧４０ｎｍ）と比較的強い方位角アンカリングエネルギー（Ｌａ≪ｄ（セルの厚さ））とを有する）を有している必要がある。ネマチックの配列のプレチルト値は、０°〜１°であり、好ましくは０．１°〜０．５°である。
【００３５】
本発明の主題を構成するポリマーおよびコポリマーは、下記式Ｉ
【化３】
2004163878.tif 000006
（式中、Ｒは置換、または未置換のアルキル基もしくはアリール基であり、ｎおよびｍは０〜１で異なっていてもよく、好ましくは、０．５＜ｎ＜０．８、かつ０．２＜ｍ＜０．５である）により表される、ビニルクロリドおよびビニルエーテルから得られるコポリマーまたはターポリマーである。
【００３６】
本発明の一態様によれば、上記コポリマーは、下記式ＩＩ
【化４】
2004163878.tif 000007
で表される、ビニルクロリドとビニルイソブチルエーテルとからなるものである。
【００３７】
ＰＶＣと他の２つのコモノマーとから得られるターポリマーも、低エネルギーアンカリング層を形成するのに用いられ、本発明の別の態様を構成する。例えば、コモノマーは、ビニルアルコールから得られる、他のエーテルまたはエステル誘導体であってもよい。
【００３８】
本発明の態様よれば、上記ポリマーは、ポリ（ビニルクロリド）／ポリ（ビニルイソブチルエーテル）と、ビニルアルコールから得られた別のコモノマーとを主成分とするターポリマーである。
【００３９】
これらのポリマーおよびコポリマーを、溶液の形態でスピンコーティングにより基板上に付着させる。フレキソ印刷等の他の付着手段を用いてもよい。好適な溶媒として、メチルエチルケトン等のケトン類や、ジメチルホルムアミド等の他の溶媒、Ｎ−メチルピロリドン、もしくはブトキシエタノール、またはこれらの溶媒の混合物が挙げられる。
【００４０】
上記ポリマーの融点（Ｔｍ）よりも低い温度、好ましくは１３０℃〜１８０℃の温度で、数分〜数時間アニーリングした後、ポリマー層に、波長１８０ｎｍ〜３８０ｎｍの紫外線を照射し、必要に応じて１３０℃〜１８０℃の温度でアニーリングする。次に、このポリマー層をローラーを用いてラビングし、方位角配向を誘起する。
【００４１】
上記ポリマー層は、一般的に通常のＩＴＯ（混合インジウム錫酸化物）基板に形成するが、他の電極に形成してもよい。
【００４２】
本発明の態様によれば、アンカリング層の方位角配向は、ローラーでのラビング以外の方法、例えば、
・ＳｉＯ２を斜方蒸着する、
・ローラーによりブラッシングするか、または延伸したポリマーを用いる、
・基板に印刷または光誘起エッチングによりグレーティングを形成する、
ことによって前処理した基板を用て達成してもよい。
【００４３】
本発明による方法においては、弱い天頂角アンカリング、強い方位角アンカリング、および制御されたプレチルト０°〜１°の配向層を得ることができる。天頂角アンカリングエネルギー、方位角アンカリングエネルギー、およびプレチルト角は、上記の熱処理、ＵＶ処理、またはブラッシング処理により制御する方法により変更できる。
【００４４】
【実施例】
以下、本発明の２つの具体的実施例を説明する。
【００４５】
【実施例１】
厚さ１．５ミクロンの液晶セルを２枚のＩＴＯ被覆ガラス板の間に設け、２枚のガラス板の一方には、傾斜した強いアンカリングを得るために、ＳｉＯ２（厚さ１０７ｎｍ）を蒸着する。他方の電極には、本発明によるコポリマーを厚さ２０ｎｍ未満で被覆し、本発明の方法により処理する。すなわち、
工程１：Ｎ−メチル−ピロリドン／ブトキシエタノールの５０／５０混合物にポリマーを溶解した０．７５重量％溶液を、スピンコーティングにより付着させる。
【００４６】
工程２：１５０℃、１．５時間の条件でアニーリングする。
【００４７】
工程３：１００ワットの水銀灯を用いて、２時間照射（λ＝２５４ｎｍ）する。
【００４８】
工程４：１５０℃、３０分の条件でアニーリングする。
【００４９】
工程５：織物ベルベットを被覆したローラーによりブラッシング処理して、方位角アンカリングを誘起させる。
【００５０】
上記２枚のガラス板をＢｉｎｅｍ型セルに組み立てる。セルに、Ｂｉｎｅｍ型技術に適合させた混合物（カイラルピッチ：５．６ミクロン）をドープした液晶をセル内に充填する。このセルは、室温において、１０ボルトパルスで動作し、コントラストは５０である。
【００５１】
【実施例２】
液晶として、Ｂｉｎｅｍ型に適合させた別の混合物を使用する（動作温度は０℃〜５０℃超の範囲であり、駆動パルスは３５ボルト〜２ボルトで変化する）。
【００５２】
本発明の方法により得られた弱いプラナーアンカリングは、以下の特徴を有する。
【００５３】
・配向層は、使用液晶混合物と長時間接触した状態にあっても、化学的および機    械的に安定である。
【００５４】
・アンカリングのプレチルト角は、小さく、通常は０．３°程度である。
【００５５】
・５ＣＢを用い、かつ温度２２℃の条件で高電界法により測定した天頂角アンカリングの外挿長は、Ｌｚ＝８０ｎｍ程度の値である。
【００５６】
数種の市販のネマチック混合物を試験した。室温での外挿長は、ネマチックに応じて４０ｎｍ〜８０ｎｍの範囲で変化する。これらの値は、ねじれネマチックディスプレイに用いられている通常のポリマーを用いて得られるアンカリングエネルギーよりもはるかに低い天頂角アンカリングエネルギーに相当する。
【００５７】
得られる方位角アンカリングの強度は、配向層の処理方法により異なる。例えば、ブラッシングしたものは、方位角外挿長が５０ｎｍ〜２００ｎｍの範囲で変化する。これらの値は、Ｂｉｎｅｍ型セルの動作と適合している。
【００５８】
本発明による方法は、特に以下の利点を有する。
【００５９】
・本発明の方法によれば、酸化ケイ素ＳｉＯ２層を用いて真空下で低エネルギーアンカリングを得る必要がない。真空蒸着法は時間がかかりかつ高価であるとともに制御が困難であることから、この必要性を回避できる点で有利である。
【００６０】
・本発明によるポリマー層を使用することにより、簡易性および製造コスト低減の面で、明らかな利点を有する。
【００６１】
・プレチルト角が小さく、温度および経時的に安定であることから、スイッチングを最適化でき、また、より短時間の駆動パルスのＢｉｎｅｍ型動作が可能である。
【００６２】
本発明は、上記の具体的実施態様に限定されるものではなく、本発明の範囲内の全ての変形態様を含むことは言うまでもない。
【外国語明細書】
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