(57)【要約】【課題】ＣＭＰ装置のスループットを低下させることなく、研磨の終点検知の精度を高める。【解決手段】研磨パッド１２の研磨面をドレッシングするためのドレッサヘッド３０の下面であって、円環状のドレッサ３２の内側に、参照光生成用の反射板３６を設ける。ドレッシング工程中、ターンテーブル１０内部に設けた分光測定部４０のセンサ部４７が反射板３６の下方を通過する際に、該反射板３６上のｎ個の測定点における反射光を測定し、信号処理部５０では各検出信号に対応するｎ個のスペクトルを得る。そして、そのスペクトルデータを積算処理することにより、反射率を算出する際の基準となる１個の参照スペクトルを算出し、そのデータを記憶しておく。半導体基板２１の研磨中には該基板２１による反射光から測定スペクトルを取得し、参照スペクトルに基づいて反射率を求め、それから研磨度を算出する。【選択図】　図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
研磨面を有するテーブルと、該研磨面に対向して被研磨物である基板を保持する基板保持手段と、前記研磨面を目立てするためのドレッサを装着するドレッサ保持手段と、を具備し、前記テーブルの研磨面に前記基板保持手段に保持された基板を押圧し、該基板と該研磨面との相対運動により該基板の被研磨面を研磨する基板研磨装置において、
基板を研磨する際にその研磨度合を監視するために、
ａ）前記テーブルに組み込まれ、光をテーブル内側から研磨面外側に向けて照射する光照射部と、該照射光が反射した光を受けて光量に応じた検出信号を出力する光検出器と、を含む測光手段と、
ｂ）前記ドレッサ保持手段にあって前記研磨面と対面し且つドレッサと干渉しない位置に設けられた反射板と、
ｃ）前記光照射部からの照射光が前記反射板で反射した光を前記光検出器により検出した信号を基に参照用信号を取得し、研磨時に前記光照射部からの照射光が前記基板で反射した光を前記光検出器により検出した信号を基に測定用信号を取得し、該測定用信号と前記参照用信号とに基づいて該基板の研磨度合を判断する信号処理手段と、
から成る研磨度合監視手段を備えることを特徴とする基板研磨装置。
【請求項２】
前記測光手段は前記反射板上の複数の測定点においてそれぞれ反射光を測定し、前記信号処理手段は該測定で得た複数の信号の積算処理を行うことによって前記参照用信号を算出することを特徴とする請求項１に記載の基板研磨装置。
【請求項３】
前記測光手段は、前記ドレッサが研磨面を目立てする期間中に、前記反射板上の測定点における反射光を測定することを特徴とする請求項１又は２に記載の基板研磨装置。
【請求項４】
前記測光手段は、前記基板又は前記反射板による反射光を波長分散させる分光手段を含み、前記光検出器は該分光手段による分散光を同時に検出することを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の基板研磨装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体シリコンウエハ等の基板の表面や基板上に形成された各種の薄膜層の表面を研磨する基板研磨装置に関し、更に詳しくは、基板研磨装置において研磨度合を監視するモニタリングの技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、超ＬＳＩ等の半導体デバイスの高集積化・高性能化に伴い、特に多層配線が形成された半導体ウエハの表面の平坦化技術が非常に重要となっている。こうした高精度な研磨を行うために、基板研磨装置として、砥粒の入った研磨剤と研磨パッド等とを用いたＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ　Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）装置が利用されている。一般的なＣＭＰ装置では、上面に研磨パッドを設けたターンテーブルと、被研磨面を下向きにしてウエハを保持するトップリングとを備え、ターンテーブルとトップリングとを独立に回転させ、ウエハの被研磨面を適度な圧力で研磨パッドに押し付けるようにして、その接触面に薬品（スラリー）を流しながら研磨を行う。
【０００３】
こうした研磨を行うことによって研磨パッドの表面にスラリーや研磨屑などの目詰まりが生じ、研磨レートが急速に低下するため、安定した研磨を行うためには定期的に研磨パッドの目立てを行う必要がある。そのために、ターンテーブル上方でトップリングと干渉しない位置には、ダイヤモンドなどの高硬度物質から成るドレッサが設けられており、必要に応じて、このドレッサを研磨パッドに押し当てることによって、研磨パッドの表面を削り、研磨能力を回復させるようにしている。
【０００４】
ところで、こうしたＣＭＰ装置では、研磨時に研磨が終了したか否か、すなわち、ウエハ上の被研磨面が所望の厚さまで研磨されたか否かを判断する必要があり、そのために研磨終点検知装置が備えられている。従来、終点検知装置としてはトルク電流検知手段を用いたものが主流であったが、最近では、ウエハの表面状態を光学的に監視することにより研磨終点を検知する方法も提案されている（例えば特開２００１−２８４３００号公報参照）。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
こうした光学式の研磨終点検知装置では、例えば、基板の表面の反射率の変化を監視し、反射率が急激に変化したことを検出して研磨終点であると判断している。一般に、物質表面の反射率を精度よく算出するためには、測定対象である物質からの反射光（測定光）のほかに、基準となる参照光が必要となる。従来のＣＭＰ装置では、こうした参照光を得るために、トップリングの端部で測定対象のウエハから外れた位置に小さな反射板を取り付け、該反射板で反射させた光を受光部に導入し参照光とする構成が知られている。
【０００６】
しかしながら、こうした構成では、反射板の面積が狭いため、反射板上の離れた位置に複数の測定点を設けることが困難である。そのため、複数の測定点から得た検出信号を積算するような平均化処理を行いにくい。それにより、基準となるべき参照光による信号がノイズなどの妨害や光源の光量変動などの影響を受け易く、結果的に、終点検知の精度を損なうおそれがある。
【０００７】
一方、被研磨物であるウエハをトップリングに装着する前に参照光生成用の反射板をトップリングに装着し、該反射板からの反射光を参照光として検出信号を取得し、その後に被研磨物をトップリングに装着して研磨を実行する、という方法も提案されている。しかしながら、こうした方法では、参照光による信号を得るためのみの工程を研磨工程とは別に設ける必要があり、ＣＭＰにおけるウエハ処理量（スループット）が低下するため、半導体製造工程においては実用的でない。
【０００８】
本発明はこのような点に鑑みて成されたものであり、その目的とするところは、参照光による検出信号の積算を充分に行うことによって、結果的に研磨終点検知の精度の向上を図ることができる研磨度合監視装置を備えた基板研磨装置を提供することにある。また、本発明の他の目的とするところは、基板の研磨処理のスループットを低下させることのない研磨度合監視装置を備えた基板研磨装置を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために成された本発明は、研磨面を有するテーブルと、該研磨面に対向して被研磨物である基板を保持する基板保持手段と、前記研磨面を目立てするためのドレッサを装着するドレッサ保持手段と、を具備し、前記テーブルの研磨面に前記基板保持手段に保持された基板を押圧し、該基板と該研磨面との相対運動により該基板の被研磨面を研磨する基板研磨装置において、
基板を研磨する際にその研磨度合を監視するために、
ａ）前記テーブルに組み込まれ、光をテーブル内側から研磨面外側に向けて照射する光照射部と、該照射光が反射した光を受けて光量に応じた検出信号を出力する光検出器と、を含む測光手段と、
ｂ）前記ドレッサ保持手段にあって前記研磨面と対面し且つドレッサと干渉しない位置に設けられた反射板と、
ｃ）前記光照射部からの照射光が前記反射板で反射した光を前記光検出器により検出した信号を基に参照用信号を取得し、研磨時に前記光照射部からの照射光が前記基板で反射した光を前記光検出器により検出した信号を基に測定用信号を取得し、該測定用信号と前記参照用信号とに基づいて該基板の研磨度合を判断する信号処理手段と、
から成る研磨度合監視手段を備えることを特徴としている。
【００１０】
【発明の実施の形態、及び効果】
すなわち、本発明に係る基板研磨装置では、元来、ドレッサを保持するとともにドレッシング（目立て）時にはドレッサを研磨面に押し付けることを目的として設けられているドレッサ保持手段に、光照射部から照射された光を反射して参照光とするための反射板を取り付けるようにしている。ドレッサが研磨面に適度な圧力で押し付けられ、ドレッサと研磨面とが相対運動をすると、ドレッサは研磨面の表面を薄く研削する。こうしたドレッシングを行うために、ドレッサはドレッサ保持手段において研磨面に対向する面全体を覆っている必要はなく、その面の中でドレッサが取り付けられているのは面積的に見ればその一部であればよい。したがって、ドレッサ保持手段にあって研磨面に対向する面の中でドレッサの取付箇所以外の部分に、ドレッシング時にも研磨面に接触しないような間隔を保って反射板を取り付ける。これにより、従来、例えばトップリング（上記基板保持手段に相当）端部に設けられている反射板と比べれば、その面積をかなり大きなものとすることができる。
【００１１】
例えば一実施形態として、ドレッサを円環状体とし、反射板をドレッサ保持手段にあって該ドレッサの内周側に設けた構成とすることができる。この構成によれば、ドレッサ保持手段にあってドレッサの内周側全体又はその大部分に反射板を設けることができるから、反射板の面積をかなり大きく確保することができる。一方、ドレッサとテーブルとが相対運動するとき、ドレッサが円環状体であれば、一度に幅広い範囲をドレッシングすることができ、ドレッシングの効率も充分に高くすることができる。もちろん、ドレッサは円環状体に限定されるものではなく、要は、研磨面に対向する面の一部を成す構成であればよい。
【００１２】
上述したように反射板の面積が広ければ、測光手段は反射板上の複数の測定点においてそれぞれ反射光を測定し、信号処理手段は該測定で得た複数の信号の積算処理を行うことによって参照用信号を算出する構成とすることができる。このように参照用信号を算出する際に積算処理（平均化）を行うことにより、光検出器からの出力信号に含まれる各種ノイズや光源の光量変動、或いは反射板の反射の不均一性などの妨害要因が相対的に軽減されることになる。その結果、信号処理手段では、こうした妨害要因の影響を排除して正確に研磨対象の基板からの反射率を求めることができるから、それに基づいて研磨の終点検知、或いは研磨の進捗状況（度合）のモニタリングの精度を高めることができる。
【００１３】
また、本発明に係る基板研磨装置において、測光手段は、ドレッサが研磨面を目立てする期間中に、反射板上の測定点における反射光を測定する構成とすることが好ましい。すなわち、この構成では、参照光の光量の取得とドレッシングとを並行して行う。そのため、参照光の光量を取得する工程を通常の研磨プロセスと別に設ける必要がなく、研磨プロセスの進行を妨げることなく参照用の信号を得ることができる。したがって、研磨処理のスループットが低下せず、作業効率が良好で研磨処理に要するコストが低減される。
【００１４】
更にまた、本発明に係る基板研磨装置において、測光手段は、基板又は反射板による反射光を波長分散させる分光手段を含み、光検出器は該分光手段による分散光を同時に検出する構成とすることができる。この構成によれば、スペクトルを短時間で取得することができるから、研磨度合監視手段の動作に遅延が少なく、研磨終点の検知や研磨度合のモニタリングの精度を損なうことがない。
【００１５】
なお、前記反射板としては、反射率の均一性が良好で、物理的・化学的に反射率が経時変化を生じにくいものが適しており、実際には様々なものを利用することができるが、半導体製造現場で入手容易であって好適なものとしてはベアシリコンウエハが挙げられる。
【００１６】
【実施例】
以下、本発明に係る基板研磨装置の一実施例であるＣＭＰ装置について、図面を参照して説明する。図１は本実施例のＣＭＰ装置の要部の概略構成図、図２は本ＣＭＰ装置における研磨終点検知装置のブロック構成図、図３は本ＣＭＰ装置におけるドレッサヘッドの詳細構造を示す縦断面図である。
【００１７】
図１において、上面に研磨パッド１２を貼り付けたターンテーブル１０は、図示しない回転駆動機構により、軸１１を中心に所定回転速度で回転駆動される。ターンテーブル１０の上方には、基板保持手段として、被研磨物である半導体基板２１を被研磨面が下向きの状態で保持するトップリング２０が設けられ、トップリング２０は図示しない回転駆動機構により軸２２を中心に回転駆動されるとともに、図示しない昇降機構によりターンテーブル１０に近接する方向及びその反対方向に移動可能である。更にまた、トップリング２０は図示しない旋回機構により、ターンテーブル１０上方から外れる位置にスイング移動可能であり、その位置で半導体基板２１の脱着を行うようにしている。
【００１８】
ターンテーブル１０の上方でトップリング２０と干渉しない位置には、ドレッサ保持手段として、研磨パッド１２の研磨面をドレッシングするためのドレッサ３２を保持するドレッサヘッド３０が設けられている。このドレッサヘッド３０もトップリング２０と同様に、図示しない回転駆動機構により軸３８を中心に回転駆動されるとともに、図示しない昇降機構によりターンテーブル１０に近接する方向及びその反対方向に移動可能であり、更にターンテーブル１０上から外れる位置にスイング移動可能である。更にまた、ターンテーブル１０の上方には、研磨時にスラリーを供給するためのスラリー供給ノズル１４も配設されている。
【００１９】
ターンテーブル１０には、研磨時にトップリング２０に保持されている半導体基板２１の研磨終点を検知するための光学式の終点検知装置の一部として、発光部と受光部とを含む分光測定部４０が設けられており、その発光部から出射された光は研磨パッド１２に設けられた窓１３を通して斜め上方に照射され、例えば半導体基板２１の被研磨面で反射した光は窓１３を通して受光部に導入される。
また、ターンテーブル１０の外側には、分光測定部４０の主として光源の発光動作を制御する制御部５６と、光検出器による検出信号を受けてデジタル信号に変換するＡ／Ｄ変換器４８と該デジタル信号を処理する信号処理部５０とが設けられている。
【００２０】
半導体基板２１の研磨時には、分光測定部４０の発光部から発せられた光は、トップリング２０に保持されている半導体基板２１の被研磨面で反射して分光測定部４０へと戻るが、その反射率を計算するためには、計算の基準として参照光に対する光量データが必要となる。本ＣＭＰ装置における終点検知装置の特徴の１つは、この参照光を得るために、ベアシリコンウエハなどの反射板３６をドレッサヘッド３０の下面に貼り付けた点にある。
【００２１】
ドレッサヘッド３０の構造を図３により詳しく述べると、略円板状のドレッサ取付プレート３１の周縁部下面には、略円環状のドレッサ３２がシム３３を介挿してボルト３４で着脱可能に取り付けられる。ドレッサ３２としては典型的にはダイヤモンドなどが用いられる。ドレッサ取付プレート３１の下面でドレッサ３２の内周側には、略円板状の反射板取付プレート３５がボルト３４で着脱可能に取り付けられる。この反射板取付プレート３５の下面には、接着剤又は両面粘着テープ３７を用いて反射板３６が貼着されている。反射板３６としてベアシリコンウエハを用いるのは、その面内での反射率の均一性が良好で、且つ物理的及び化学的に変化しにくい性質を有しており、更に半導体製造現場での入手が容易であるためである。したがって、反射板３６はベアシリコンウエハに限るものではない。
【００２２】
後述のドレッシング工程時にはドレッサ３２の下面が研磨パッド１２の上面１２ａに接触し、ドレッサ取付プレート３１に対するドレッサ３２の取付高さはシム３３の厚み（枚数）で調節可能であるから、研磨パッド１２の上面１２ａと反射板３６との間の間隙ｄはシム３３の厚み（枚数）によって調節することができる。また、ドレッサ３２は消耗品であるが、上記構成では、必要に応じてドレッサ３２のみを交換することができる。一方、反射板３６に疵がついたり汚れたりして反射板として適さなくなったときには、反射板３６と反射板取付プレート３５とを一体で（接着剤で反射板３６を固定している場合）、或いは、両面粘着テープ３７を剥がして反射板３６のみ（両面粘着テープ３７で反射板３６を固定している場合）を交換することができる。
【００２３】
上記のように本実施例のＣＭＰ装置では、ターンテーブル１０の研磨パッド１２に対向して、トップリング２０の下面に研磨対象で且つ研磨度の測定対象である半導体基板２１が、一方、ドレッサヘッド３０の下面には参照光を得るための反射板３６が配置されており、後者により得られる参照光の光量データと、前者により得られる測定光の光量データとから、半導体基板２１の研磨度が算出されるようになっている。
【００２４】
次に、図２を参照して、研磨終点検知装置の構成要素について詳しく述べる。
分光測定部４０では、ハロゲンランプや重水素ランプ等の光源４１から発した光がレンズ系４２を介して照射側光導波路４３に導入され、照射側光導波路４３内部を案内されて窓１３を通し、半導体基板２１又は反射板３６に向けて照射される。反射物（半導体基板２１や反射板３６）に当たって反射した光は、窓１３を通して受光側光導波路４４に導入され、受光側光導波路４４内部を案内されて回折格子などの分光器４５に向けて照射される。分光器４５は反射光を波長方向に分散させ、その波長方向に多数の微小光センサを配列して成る光検出器４６へ送る。光検出器４６の各光センサは、それぞれ異なる波長を有する分散光を同時に検出する。光検出器４６としては、フォトダイオードを配列したフォトダイオードアレイ検出器のほか、ＣＣＤ受光素子を配列したＣＣＤラインセンサなども利用することができる。
【００２５】
なお、この構成では、照射側光導波路４３の出口が分光測定部４０における発光部に相当し、受光側光導波路４４の入口が受光部に相当する。以下では、発光部と受光部とを合わせてセンサ部４７と呼ぶ。もちろん、分光測定部４０は上記構成に限るものではなく、例えば光源４１から発した光を直接的に窓１３から取り出す等、適宜の変更を行えることは当然である。
【００２６】
Ａ／Ｄ変換器４８によりデジタル信号に変換された検出信号を受ける信号処理部５０は、反射板３６からの反射光に応じて得られる検出信号から基準となる参照スペクトルを算出する参照スペクトル算出部５１、その参照スペクトルデータを格納しておくための参照データ格納部５２、研磨中の半導体基板２１からの反射光に応じて得られる検出信号から測定スペクトルを生成する測定スペクトル取得部５３、参照スペクトルと測定スペクトルとから各波長毎の反射率を計算して、横軸に波長、縦軸に反射率をとった反射スペクトルを作成する反射率算出部５４、その反射スペクトルの変化に基づいて半導体基板２１の研磨度を判定する研磨度判定部５５を含んでいる。
【００２７】
次に、以上説明したような構成を有する本実施例のＣＭＰ装置において、半導体基板２１の表面を研磨する際の典型的な動作を図４のフローチャートを参照しつつ、説明する。
【００２８】
まず、研磨処理の前にドレッシング工程を行う（ステップＳ１）。このときには、超純水等のドレッシング液が図示しないノズルから研磨パッド１２の上面１２ａに供給された状態で、ドレッサ３２の下面が研磨パッド１２に適度な圧力で押し付けられるまでドレッサヘッド３０を下降させ、ターンテーブル１０とドレッサ３２とをそれぞれ所定の速度で回転させることによって、研磨パッド１２の研磨面をドレッシングする。
【００２９】
上述の研磨終点検知装置では、このドレッシング工程の期間中に、並行して参照スペクトルを取得する（ステップＵ１）。すなわち、ドレッサヘッド３０の下面の反射板３６の下を分光測定部４０のセンサ部４７が通過する際に、発光部から照射された光に対する反射板３６からの反射光を受光部で受け、光検出器４６では各波長毎に光量（光強度）に応じた検出信号を信号処理部５０へと送る。この参照スペクトルを取得する際は、ドレッシング液の代わりに研磨時に使用されるのと同じスラリーをスラリー供給ノズル１４から研磨パッド１２に供給して、実際に研磨が行われる状況下でステップＵ１の動作を行うようにしてもよい。
【００３０】
このとき、所定の時間間隔で離散的に検出信号を取得することにより、例えば図５に示すように、センサ部４７が反射板３６を横切る移動軌跡上で複数測定点に対応する検出信号を取得することができる。なお、図５に描いた軌跡は必ずしも実際の軌跡を反映したものではなく、実際には、ターンテーブル１０とドレッサヘッド３０とのそれぞれの回転速度に応じた軌跡を描く。
【００３１】
いずれにしても、或る１測定点における検出信号によって、例えば図６に示すようなスペクトルが得られるから、測定点をＰ１〜Ｐｎなるｎ個とすれば、そのｎ個の測定点からそれぞれ得られる検出信号によって、ｎ個のスペクトルが得られる。そこで、参照スペクトル算出部５１では、このスペクトルデータを波長毎に積算してｎで除することにより、基準となる参照スペクトルを算出する。このようにスペクトルデータの平均をとることによって、検出信号に含まれるノイズ成分や光量変動などによるばらつきが平均化されるため、それらの影響は相対的に軽減される。こうした算出された参照スペクトルを構成するデータは、参照データ格納部５２に一旦保存される。
【００３２】
ドレッシング工程が終了すると、トップリング２０を上昇させた状態でトップリング２０の下面に、被研磨面を下方に向けた状態で研磨対象の半導体基板２１を装着する（ステップＳ２）。その後、実際に該半導体基板２１に対する研磨処理を開始する（ステップＳ３）。すなわち、半導体基板２１の被研磨面が研磨パッド１２に接触する位置までトップリング２０を下降させ、ターンテーブル１０とトップリング２０とをそれぞれ適宜の速度で独立に回転させる。また、このとき、スラリー供給ノズル１４から所定流量でスラリーを供給する。
【００３３】
研磨処理が開始されると、研磨終点検知装置では、研磨中の半導体基板２１上の１測定点に対する測定スペクトルを取得する（ステップＵ２）。すなわち、研磨中である半導体基板２１の下方をセンサ部４７が通過する際に、該センサ部４７の発光部から照射した光に対する半導体基板２１からの反射光を受光部で受け、光検出器４６では各波長毎に光量（光強度）に応じた検出信号を信号処理部５０へと送る。これにより、測定スペクトル取得部５３では、その測定点に対する図６に示すようなスペクトルを取得する。この測定スペクトルが得られる毎に、反射率算出部５４は、参照データ格納部５２に格納しておいた参照スペクトルデータを利用して、各波長毎に反射率を計算し、波長を横軸、反射率を縦軸とする反射スペクトルを求める（ステップＵ３）。
【００３４】
そして、研磨処理の開始時点から、一定時間間隔又は不定時間間隔に上記のように反射スペクトルを求め、研磨度判定部５５ではその反射スペクトルのカーブ形状の変化に基づいて研磨度合を判断する（ステップＵ４）。更に、この研磨度合に基づき、予め定めた所望の研磨終点であるか否かを繰り返し判定し（ステップＳ４）、未だ研磨終点でないと判定された場合には、引き続き、上記のような研磨度合の監視を行いつつ研磨処理を継続する。そして、研磨終点に達したと判定されると、信号処理部５０から制御部５６に対して研磨終点であることを知らせる信号を出力する。制御部５６はこの信号を受けてトップリング２０を上昇させ、研磨処理を終了する。
【００３５】
したがって、この実施例のＣＭＰ装置では、研磨の終点が正確に検知されるので、例えばシリコンウエハ上に形成した層間膜や金属薄膜などを所定の膜厚に精度良く平坦化することができる。また、ＣＭＰを行うのに必要な作業を妨げることなく終点検知に必要なデータ収集や処理が行えるので、ＣＭＰのスループットを低下させることがなく効率的な作業が行える。
【００３６】
なお、上記実施例では、反射板３６上の複数の測定点から得た信号に基づくスペクトルデータを単純に平均化していたが、より信頼性の高い参照スペクトルを取得するために、次のような処理を実行してもよい。
【００３７】
すなわち、上述したようにｎ回繰り返してスペクトルデータを取得する中で、ノイズが混入したり、ちょうど反射板３６の欠陥や疵の部分を測定したために、スペクトル波形が大きく乱れることがある。そこで、スペクトルデータの積算を行う前に、こうした波形が大きく乱れたスペクトルデータを除去する処理を実行する。例えば、図７に示すように、基準となるスペクトル波形に対して上限値と下限値とを適宜に設定し、その範囲を波形変動の許容範囲として定める。
【００３８】
そして、反射板３６上の各測定点に対するスペクトル波形が取得されると、その波形が上記許容範囲に収まっているか否かを判定し、その一部でも許容範囲から逸脱している場合には、その波形を廃棄する。いま、例えばｎ個のスペクトル波形のうちｍ個が廃棄された場合には、残りの（ｎ−ｍ）個のスペクトルデータを積算し、波長毎に（ｎ−ｍ）で除することによって参照スペクトルを算出する。このようにすることによって、形状が不良であるスペクトルを除外して、より精度の高い参照スペクトルを得ることができるから、結果的に、これに基づいて行う研磨終点の検知の正確性も高めることができる。
【００３９】
また、上記実施例は本発明の一例であるから、本発明の趣旨の範囲で、適宜の変更や修正、追加などを行っても本発明に包含されることは明らかである。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例であるＣＭＰ装置の要部の概略構成図。
【図２】本実施例のＣＭＰ装置における終点検知装置のブロック構成図。
【図３】本実施例のＣＭＰ装置におけるドレッサヘッドの詳細構造を示す縦断面図。
【図４】本実施例のＣＭＰ装置における動作を示すフローチャート。
【図５】参照スペクトル算出時の反射板上での測定点の分布状態を示す図。
【図６】１測定点により得られる検出信号から作成されるスペクトルを示す図。
【図７】スペクトルデータの積算処理を行う際の動作を説明するための図。
【符号の説明】
１０…ターンテーブル（テーブル）
１１…軸
１２…研磨パッド（研磨面）
１３…窓
２０…トップリング
２１…半導体基板（基板）
２２…軸
３０…ドレッサヘッド（ドレッサ保持手段）
３１…ドレッサ取付プレート
３２…ドレッサ
３３…シム
３４…ボルト
３５…反射板取付プレート
３６…反射板
３７…接着剤又は両面粘着テープ
３８…軸
４０…分光測定部（測光手段）
４１…光源
４２…レンズ系
４３…照射側光導波路
４４…受光側光導波路
４５…分光器
４６…光検出器
４７…センサ部
４８…Ａ／Ｄ変換器
５０…信号処理部
５１…参照スペクトル算出部
５２…参照データ格納部
５３…測定スペクトル取得部
５４…反射率算出部
５５…研磨度判定部
５６…制御部
【図１】
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【図２】
2004017229.tif 000004
【図３】
2004017229.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
2004017229.tif 000008
【図７】
2004017229.tif 000009
【手続補正書】
【提出日】平成14年6月19日(2002.6.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３】
2004017229.tif 000010