(57)【要約】【課題】被写体を透過した放射線画像の撮影を行うときに、被写体の異常部位を強調して表示できるようにして、当該異常部位の検知率を向上させることができるようにする。【解決手段】被写体５０７を透過した放射線を電気信号として検出する放射線検出手段５０３と、電気信号として検出された被写体５０７の放射線画像を、所定のフレームレートで複数フレームの連続した画像として撮影し、ｍを自然数とすると、ｍ枚目の画像と（ｍ＋１）枚目の画像に対してサブトラクション処理を施すことにより得られた処理画像と、前記サブトラクション処理を施していない前記ｍ枚目の原画像、もしくは前記（ｍ＋１）枚目の原画像のいずれかとを同期させて表示装置５０６に表示するように制御する画像表示制御手段５０５とを有するように構成する。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
被写体を透過した放射線を電気信号として検出する放射線検出素子が２次元アレー状に配置された放射線検出手段と、
前記放射線検出手段で電気信号として検出された前記被写体の放射線画像を、所定のフレームレートで複数フレームの連続した画像として撮影し、ｍを自然数とすると、ｍ枚目の画像と（ｍ＋１）枚目の画像に対してサブトラクション処理を施すことにより得られた処理画像と、前記サブトラクション処理を施していない前記ｍ枚目の画像、もしくは前記（ｍ＋１）枚目の画像のいずれかとを同期させて表示装置に表示するように制御する画像表示制御手段と
を有することを特徴とする放射線撮像装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、医療用の診断や工業用の非破壊検査に用いて好適な放射線撮像装置に関するものであって、特に、動画像を撮影するのに適した放射線撮像装置及び放射線撮像システムに関するものである。ここで、放射線とは、Ｘ線に限らずα線、β線、γ線などを含むものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、病院内などに設置されているＸ線撮影システムは、患者にＸ線を照射し、患者を透過したＸ線をフィルムに露光するフィルム撮影方式と、患者を透過したＸ線を電気信号に変換し、その電気信号を、ＡＤコンバータを用いてディジタル値として検出し、メモリに取り込むディジタル撮影方式とがある。現在、後者の主流は、ＢａＦＢｒ：Ｅｕを代表材料としたイメージングプレート（ＩＰ）と呼ばれる輝尽性蛍光体にＸ線像を一旦蓄像し、その後、レーザー光でＩＰをスキャンすることにより、ＩＰからの可視光を光電子増倍管などで電気信号に変換してディジタル化する方式である。
【０００３】
最近では、Ｇｄ２Ｏ２Ｓ：ＴｂやＣｓＩ：Ｔｌを代表材料としたＸ線可視変換蛍光体にＸ線が照射され、Ｘ線量に比例して発光する可視光をアモルファスシリコン光センサで電気信号に変換し、ディジタル化する方式が実用化されている。この装置は、ＦＰＤ（フラットパネルディテクタ）と呼ばれる。ＦＰＤの中には、Ｘ線可視変換蛍光体を用いずにＳｅやＰｂＩ２などを材料に用いた、Ｘ線を直接吸収して電気信号に変換するタイプもある。
【０００４】
その他、Ｘ線を１次蛍光体に照射させ、その蛍光面からの光電子を電子レンズで加速、集束させ、２次蛍光面での蛍光像（Ｘ線像）を撮像管やＣＣＤで電気信号に変換する装置がある。これは、イメージインテンシファイア（Ｉ．Ｉ．）と呼ばれ、透視撮影に用いられる一般的方式であるが、電気信号をディジタル値として検出可能であり、ディジタル撮影方式のひとつである。
【０００５】
このように、Ｘ線画像をディジタル化する装置は、多種多様に存在している。医療現場におけるディジタル化の要求は、近年ますます高まってきている。画像データをディジタル化できれば、撮影データの記録、表示、印刷、保管が容易にできる利点がある。また、コンピュータを用いて撮影データを画像処理することにより、読影医師の診断支援ができる。更に、近い将来、読影医師を介在せずにコンピュータだけによる自動診断が実現可能とも言われている。
【０００６】
フィルム撮影方式、いわばアナログ撮影方式から、上述のディジタル撮影方式に移り変わろうとしている昨今の医療現場においても、Ｘ線撮影の第１のステップとしては、単純Ｘ線撮影が行われる。これは、例えば胸部の場合、胸部単純Ｘ線撮影と呼ばれ、人体の胸部正面（又は側面）のＸ線撮影を行うものである。人体の胸部全域（上半身）を覆うためには、撮影領域として一般的には、半切サイズ（３５ｃｍ×４３ｃｍ）以上、できれば４３ｃｍ×４３ｃｍ以上が必要と言われ、胸部単純Ｘ線撮影においては、周辺の画像の歪曲が問題視されるＩ．Ｉ．よりもＦＰＤの方が、今後有望視されるディジタル撮影方式である。
【０００７】
胸部単純Ｘ線撮影は、食道、気管、肺血管、肺胞、心臓、心臓血管、横隔膜、肋骨、鎖骨など、上半身の肺野近傍の体内情報を１回１枚のＸ線撮影で写し出すことができ、病巣をスクリーニングするための有用な撮影法として頻繁に行われている。しかしながら、この撮影では、その原理上、透視像を観察するために、観察すべき病巣が、例えば肋骨の裏に存在する場合や、心臓血管の影に存在する場合、あるいは横隔膜の裏に存在する場合など、透視像では、二重に重なっているために、病巣の陰影を見出す（発見する）ことが困難な場合がある。このことにより、病巣スクリーニングの効率が低下し、しいては病巣の発見が遅延するといった問題点がある。
【０００８】
こういった問題点を解決するための１つの手段として、イメージングプレート（ＩＰ）を２枚用いて、Ｘ線の管電圧を変えて２回撮影を行い、２枚のＩＰから得られるＸ線画像に減算処理（サブトラクション処理）を施し、骨部の陰影を削除する方法が実現されている。これは、エネルギーサブトラクション処理（ＥＳ処理）と呼ばれるもので、Ｘ線エネルギーを変えた場合、骨組織と血管やリンパ管、神経などの軟部組織とが、その吸収の度合いが異なることを利用した撮影法である。
【０００９】
その例として、特許文献１には、互いにエネルギーの異なる複数の放射線源から発せられた放射線により撮影した画像を、その画像信号に基づいて歪を補正した後にサブトラクションを行う撮影方法が開示されており、また、特許文献２には、Ｘ線管のＸ線照射口にデュアルエネルギー発生機構を設けて、イメージ収集のタイミングにあわせて異なるエネルギーのＸ線を発生させる構成が開示されている。また、特許文献３には、エネルギーサブトラクション画像の表示方法として、差信号として患部組織のみの画像を得て、その画像を３次元目の奥行き情報として加えて表示する方法が開示されている。また、特許文献４には、１枚の蛍光シートの異なる部分に、エネルギーの異なるＸ線によって撮影された画像を記録してサブトラクションを行う構成が開示されている。また、特許文献５には、被検体を放射線で透視して撮影した実写画像及び参照画像を表示するにあたり、実写画像と参照画像を共通の表示器に時期を異ならせて表示する構成が開示されている。
【００１０】
【特許文献１】
特開平２−２７３８７３号公報
【特許文献２】
特開平３−１０６３４３号公報
【特許文献３】
特開平３−１３３２７６号公報
【特許文献４】
特開平５−２６０３８２号公報
【特許文献５】
特開２０００−１１６６３７号公報
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
しかしＥＳ処理は、骨陰影の除去という観点で有用ではあるものの、骨陰影が完全に除去されるとは限らず、特に、患者の体系や体格、病巣の種類によっては、骨陰影が残ってしまうといった問題がある。また、例えば、病巣が肋骨の裏にあるとは限らず、横隔膜や心臓の影にある場合などは、骨陰影除去のためのＥＳ処理だけでは、患者の状態（体格、病巣）によっては、不十分であるといった問題点を残している。また、動画画像あるいは静止画画像のいずれか一方の画像だけを観察するとき、病巣を検知しずらい問題点がある。特に、動画画像において、体内の動きが全体的に比較的ゆっくりとした動きである場合、画像の変化が乏しく病巣を検知しずらい。また、上記特許文献５の構成では、共通の表示器に時間を異ならせて表示させるために、両者の画像を同時に比べるという作業が困難であるという問題を有していた。
【００１２】
本発明は上述の問題点にかんがみてなされたもので、被写体を透過した放射線画像の撮影を行うときに、被写体の異常部位を強調して表示できるようにして、当該異常部位の検知率を向上させる放射線撮像装置を提供することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
本発明の放射線撮像装置は、被写体を透過した放射線を電気信号として検出する放射線検出素子が２次元アレー状に配置された放射線検出手段と、前記放射線検出手段で電気信号として検出された前記被写体の放射線画像を、所定のフレームレートで複数フレームの連続した画像として撮影し、ｍを自然数とすると、ｍ枚目の画像と（ｍ＋１）枚目の画像に対してサブトラクション処理を施すことにより得られた処理画像と、前記サブトラクション処理を施していない前記ｍ枚目の画像、もしくは前記（ｍ＋１）枚目の画像のいずれかとを同期させて表示装置に表示するように制御する画像表示制御手段とを有することを特徴とするものである。
【００１４】
【発明の実施の形態】
次に、添付図面を参照しながら本発明の放射線撮像装置における諸実施形態について説明する。なお、本発明の実施形態においては、放射線としてＸ線を用いた例で説明を行う。
【００１５】
（第１の実施形態）
図１は、本発明の第１の実施形態におけるＸ線撮像システムの概略図である。
Ｘ線管球５０１を出射したＸ線は、被写体５０７に照射される。被写体５０７は、主に患者である。この患者を透過したＸ線は、Ｘ線可視変換蛍光体５０２で可視光に変換され、蛍光体からの可視光は、光電変換装置５０３で電気信号に変換される。結果として、被写体５０７（患者）のＸ線透視像が電気信号として変換される。Ｘ線可視変換蛍光体５０２と光電変換装置５０３は、接着などにより実質的に密着した構造となっており、両者あわせてＸ線検出装置と称する。Ｘ線電源５０４は、Ｘ線管球５０１で電子を加速させるための高い電圧を供給し、Ｘ線管球５０１とあわせてＸ線発生装置と称する。
【００１６】
イメージプロセッサ５０５は、電気信号に変換されたＸ線画像情報を記録する機能、得られた画像データを演算する機能、あるいはＸ線検出装置を動作させるための制御信号を生成する機能、Ｘ線発生装置を制御する機能、ＣＲＴディスプレイ５０６に画像を表示させるための機能を備えた、いわゆるコンピュータである。
【００１７】
本実施形態におけるＸ線撮像システムは、Ｘ線電源５０４及びＸ線管球５０１を備えるＸ線発生装置と、Ｘ線可視変換蛍光体５０２及び光電変換装置５０３を備えるＸ線検出装置とイメージプロセッサ５０５とを有するＸ線撮像装置と、表示装置としてのＣＲＴディスプレイ５０６とを含み構成されている。
【００１８】
本実施形態のＸ線撮像装置は、Ｘ線管球５０１からＸ線をパルス状に発生させ、Ｘ線検出装置で時間的に連続した患者の画像情報を複数枚分取得し、その後、イメージプロセッサ５０５で撮影データを動画画像としてＣＲＴディスプレイ５０６に表示する。本発明の特徴とするところは、ｍを自然数とすると（以下、同様とする）、画像Ｆ（ｍ）と、画像Ｆ（ｍ＋１）とを異なった設定にしながら連続した動画画像を撮影し、画像Ｆ（ｍ）と画像Ｆ（ｍ＋１）を減算処理（エネルギーサブトラクション処理）をしながら得られた処理画像と、画像Ｆ（ｍ）又は画像Ｆ（ｍ＋１）のサブトラクション処理をしていない原画像とを、時間的に同期させながら、同一のディスプレイ面に表示することである。
【００１９】
図１に示すＣＲＴディスプレイ５０６には、左側に画像Ｆ（ｍ＋１）の原画像を表示しており、右側に画像Ｆ（ｍ）と画像Ｆ（ｍ＋１）を減算処理して得られた画像を表示している。ここで、図１のＣＲＴディスプレイ５０６の右側に表示されたエネルギーサブトラクション処理により得られた画像は、Ｆ（ｍ＋１）−Ｆ（ｍ）のものが表記されているが、このエネルギーサブトラクション処理は、単純な引き算になるとは限らない。以下、具体的に説明する。
【００２０】
画像Ｆ（ｍ＋１）を管電圧Ｖ１で撮影することにより得られる肋骨成分の画像濃度をＤ１（Ｖ１）、血管濃度をＤ２（Ｖ１）とし、画像Ｆ（ｍ）を管電圧Ｖ２で撮影することにより得られる肋骨成分の画像濃度をＤ１（Ｖ２）、血管濃度をＤ２（Ｖ２）とする。ここで、肋骨濃度比Ｄ１（Ｖ２）／Ｄ１（Ｖ１）＝１であれば、サブトラクション処理は、単純な引き算処理Ｆ（ｍ＋１）−Ｆ（ｍ）を施すことにより、肋骨陰影は除去できる。
【００２１】
しかしながら、骨成分は（骨成分に限らないが）、Ｘ線のエネルギーを変えた場合、Ｘ線の吸収量が異なるため濃度差が生じる。つまり、肋骨濃度比Ｄ１（Ｖ２）／Ｄ１（Ｖ１）＝１ではない。そこで、肋骨濃度比Ｄ１（Ｖ２）／Ｄ１（Ｖ１）＝ｋ１とすると、サブトラクション処理を、Ｆ（ｍ＋１）−｛ｋ１×Ｆ（ｍ）｝で行うことにより肋骨陰影が除去される。
【００２２】
一方、血管は、肋骨とは組織（組成）が異なるために、血管の濃度比Ｄ２（Ｖ２）／Ｄ２（Ｖ１）＝ｋ２≠ｋ１となり、Ｆ（ｍ＋１）−｛ｋ１×Ｆ（ｍ）｝のサブトラクション処理を行っても、血管像は消えることなく描出されてしまうことになる。なお、上述したサブトラクション処理は、Ｆ（ｍ＋１）からＦ（ｍ）を演算（ｋ１倍）する形のサブトラクション処理であるが、例えばｋ１＝１．５の場合、Ｆ（ｍ＋１）を２倍した画像からＦ（ｍ）を３倍した画像をサブトラクションしてもよい。すなわち、Ｆ（ｍ＋１）を演算した画像とＦ（ｍ）を演算した画像とを減算処理しても結果は同じになる。
【００２３】
胸部単純Ｘ線撮影は、食道、気管、肺血管、肺胞、心臓、心臓血管、横隔膜、肋骨、鎖骨など、複数の組織を１回１枚のＸ線撮影で写し出すことができる。ある１つの陰影を除去するのではなく、複数の組織の陰影を軽減するために、サブトラクションしてもよい。その時、サブトラクション処理としては、Ｆ（ｍ＋１）を演算した画像から、Ｆ（ｍ）を演算した画像を減算する場合がある。また、上記例では、肋骨陰影を除去する例を記述したが、逆に血管陰影を除去するサブトラクション処理を施してもよく、観察したい組織、病巣によってサブトラクション演算を選択する。
【００２４】
表１は、本実施形態のＸ線撮像装置において、表示装置（ＣＲＴディスプレイ５０６）の同一画面に表示する２種の撮影フレームと表示の関係を示したものである。
【００２５】
【表１】
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【００２６】
サブトラクション処理をＦ（ｍ＋１）−Ｆ（ｍ）で表した場合、ＣＲＴディスプレイ５０６では、サブトラクション画像は、「Ｆ（２）−Ｆ（１）」→「Ｆ（３）−Ｆ（２）」→「Ｆ（４）−Ｆ（３）」→・・・「Ｆ（ｍ＋１）−Ｆ（ｍ）」・・・と連続的に表示され、一方、サブトラクション処理をしない原画像は、「Ｆ（２）」→「Ｆ（３）」→「Ｆ（４）」→・・・「Ｆ（ｍ＋１）」・・・と、連続的に表示される。
【００２７】
それぞれの画像は、例えば、一方が「Ｆ（２）−Ｆ（１）」を表示するときに、他方はＦ（２）を表示するといったように、常に両者の画像は同期をとっており、医師は、双方の画像を比較、観察しながら診断することが可能である。
【００２８】
サブトラクション処理を施した画像とサブトラクション処理を施さない画像とを同期させながら同一面の表示することにより、医師は、それぞれを比較しながら読影することができ、病巣の検知率を向上させることができる。例えば、連続した２枚のサブトラクション処理を施すことにより、変化の度合いが大きい部分は、そうでない部分に比べて、より黒く又はより白く表現される。そういった変化の度合いが大きい部分を認識しながら、サブトラクションしない画像との比較読影ができる。
【００２９】
エネルギーサブトラクション画像は、例えば胸部Ｘ線撮影の場合、肋骨や鎖骨などの骨部陰影を除去あるいは軽減できるメリットがある。エネルギーサブトラクション処理で得られた画像と、サブトラクション処理をしていない原画像とを、それぞれ同期させながら並べて表示させることにより、医師がそれぞれの画像を比較しながら読影できる。このことは、単一の画像を読影する場合に比べて、病巣の検知率が向上する。
【００３０】
また、患者の動き（呼吸による横隔膜や肺野部の動き、心臓の動きなど）を動画として観察することにより、肋骨、鎖骨、横隔膜、心臓などの影（裏）に潜んでいる病巣が、その動きの過程で顕在化する場合があり、病巣の検知率が更に高くなる。これは、胸部Ｘ線撮影だけではなく、例えば、骨と腱（筋肉）で構成される関節異常の検知などにも有用である。骨と腱（筋肉）では、Ｘ線エネルギーを変えた場合その吸収の度合いが異なるため、ＥＳ処理画像と原画像（画像Ｆ（ｍ＋１）又は画像Ｆ（ｍ））を、同期させながら、同一面上に動画画像として表示すれば、胸部同様、関節の場合も異常の検知率が高くなる。
【００３１】
しかも、本発明のＸ線撮像装置では、１枚（１回）の静止画像だけではなく複数枚の画像を取得し、それらを動画画像として動きを観察することができ、体の動きの中から、静止画像では発見されにくい病巣を検知できる可能性が高まる。逆に、静止画陰影において、正常組織が病巣として検知されてしまうような陰影も、本発明のＸ線撮像装置によれば、動きを観察することにより、正常組織と判断される場合もあり、診断の精度が向上する。
【００３２】
本発明では、撮影フレームレートをｆｒ１（枚／秒）で行った場合、サブトラクション処理を行いながら表示するとき、表示におけるフレームレートは、ｆｒ１／２（枚／秒）となる。また、これと同時に原画像を表示するときも、その表示におけるフレームレートは、ｆｒ１／２（枚／秒）となるように表示を制御する。ここで、サブトラクション処理を行った画像と同時に表示する原画像は、診断の目的に応じて選択する。
【００３３】
図２は、本発明の第１の実施形態におけるＸ線撮像装置の光電変換装置５０３を示す２次元的回路図である。図２では、説明を簡略化するために、光電変換回路部７０１を３×３＝９画素分で記載してある。
ここで、Ｓ１−１〜Ｓ３−３はＭＩＳ型の光電変換素子、Ｔ１−１〜Ｔ３−３はスイッチング素子（ＴＦＴ）、Ｇ１〜Ｇ３はＴＦＴ（Ｔ１−１〜Ｔ３−３）をオン／オフさせるためのゲート駆動用配線、Ｍ１〜Ｍ３はマトリクス信号配線、Ｖｓ線は光電変換素子（Ｓ１−１〜Ｓ３−３）に蓄積バイアスを与えるためのバイアス配線である。
【００３４】
光電変換素子（Ｓ１−１〜Ｓ３−３）は、黒く塗りつぶされた側の電極がＧ電極であり、その対向側がＤ電極である。このＤ電極は、バイアス配線（Ｖｓ線）の一部と共有しているが、光を入射させる都合上、薄いＮ＋層をＤ電極として利用している。光電変換素子（Ｓ１−１〜Ｓ３−３）、ＴＦＴ（Ｔ１−１〜Ｔ３−３）、ゲート駆動用配線Ｇ１〜Ｇ３、マトリクス信号配線Ｍ１〜Ｍ３、バイアス配線（Ｖｓ線）、これらを総じて光電変換回路部７０１と称する。
【００３５】
バイアス配線（Ｖｓ線）は、バイアス電源Ｖｓによりバイアスされる。ＳＲ１は、ゲート駆動用配線Ｇ１〜Ｇ３に駆動用のパルス電圧を与えるシフトレジスタであり、この駆動用回路部（シフトレジスタＳＲ１）には、外部からＴＦＴ（Ｔ１−１〜Ｔ３−３）をオンさせる電圧Ｖｇ（ｏｎ）とＴＦＴ（Ｔ１−１〜Ｔ３−３）をオフさせる電圧Ｖｇ（ｏｆｆ）とが供給される。
【００３６】
読み出し用回路部７０７は、光電変換回路部７０１からの並列の信号出力を読み取り、直列変換して出力する。
Ａ１〜Ａ３はマトリクス信号配線Ｍ１〜Ｍ３と反転端子（−）とがそれぞれ接続されたオペアンプであり、反転端子（−）と出力端子の間には、それぞれ容量素子Ｃｆ１〜Ｃｆ３が接続されている。容量素子Ｃｆ１〜Ｃｆ３は、光電変換素子（Ｓ１−１〜Ｓ３−３）の信号を、ＴＦＴ（Ｔ１−１〜Ｔ３−３）をオンした時に容量素子Ｃｆ側に流れる電流を積分し、電圧量に変換する。ＲＥＳ１〜ＲＥＳ３は容量素子Ｃｆ１〜Ｃｆ３をリセットバイアスＶ（ｒｅｓｅｔ）にリセットするスイッチであり、容量素子Ｃｆ１〜Ｃｆ３と並列に接続されている。図２では、リセットバイアスＶ（ｒｅｓｅｔ）を０ＶすなわちＧＮＤで表記している。
【００３７】
ＣＬ１〜ＣＬ３は、オペアンプＡ１〜Ａ３や容量素子Ｃｆ１〜Ｃｆ３で蓄積された信号を、一時的に記憶するサンプルホールド容量、Ｓｎ１〜Ｓｎ３はサンプルホールドするためのスイッチ、Ｂ１〜Ｂ３はバッファアンプ、Ｓｒ１〜Ｓｒ３は並列信号を直列変換するためのスイッチ、ＳＲ２はスイッチＳｒ１〜Ｓｒ３に直列変換するためのパルスを与えるシフトレジスタ、Ａｂは直列変換された信号を出力するバッファアンプである。
【００３８】
ＳＷ−ｒｅｓはオペアンプＡ１〜Ａ３の非反転端子をリセットバイアスＶ（ｒｅｓｅｔ）にリセットする（図２では０Ｖにリセット）ためのスイッチであり、また、ＳＷ−ｒｅｆはオペアンプＡ１〜Ａ３の非反転端子をリフレッシュバイアスＶ（ｒｅｆｒｅｓｈ）にリフレッシュするためのスイッチである。これらのスイッチは、「ＲＥＦＲＥＳＨ」信号により制御される。この「ＲＥＦＲＥＳＨ」信号が「Ｈｉ」の時にスイッチＳＷ−ｒｅｆがオンし、「Ｌｏ」の時にスイッチＳＷ−ｒｅｓがオンし、それらのスイッチが同時にオンしない構成になっている。
【００３９】
図３は、図２に示した光電変換装置の動作を示すタイムチャートであり、２フレーム分の動作を表している。Ｘ線パルスは、第１の光電変換期間と第２の光電変換期間とで、振幅が便宜上同じように表記しているが、本発明では、Ｘ線のエネルギーが異なる。しいては、動画撮影においては、撮影枚数に応じて図３のタイミングチャートが連続的に繰り返されるわけであるが、ｍフレームに該当するＸ線と（ｍ＋１）フレームに該当するＸ線とでは、それらのＸ線エネルギーが異なるように管電圧が切り替えられる。
【００４０】
次に、図２に示した光電変換装置の動作について、図３のタイムチャートを用いて説明する。
まず、光電変換期間について説明する。全光電変換素子（Ｓ１−１〜Ｓ３−３）のＤ電極は、バイアス電源Ｖｓ（正電位）によりバイアスされた状態にある。シフトレジスタＳＲ１の信号はすべて“Ｌｏ”であり、スイッチング用の全ＴＦＴ（Ｔ１−１〜Ｔ３−３）がオフしている。この状態でＸ線源がパルス的にオンすると、それぞれの光電変換素子（Ｓ１−１〜Ｓ３−３）のＤ電極（Ｎ＋電極）に光が照射し、光電変換素子（Ｓ１−１〜Ｓ３−３）のｉ層内で電子とホールのキャリアが生成される。ここで、電子はバイアス配線（Ｖｓ線）によりＤ電極に移動するが、ホールは光電変換素子（Ｓ１−１〜Ｓ３−３）内のｉ層と絶縁層との界面に蓄えられ、Ｘ線がオフ後も保持される。
【００４１】
続いて、読み出し期間について説明する。読み出し動作は、１行目の光電変換素子（Ｓ１−１〜Ｓ１−３）、次に２行目の光電変換素子（Ｓ２−１〜Ｓ２−３）、次に３行目の光電変換素子（Ｓ３−１〜Ｓ３−３）の順で行われる。まず、１行目の光電変換素子（Ｓ１−１〜Ｓ１−３）を読み出すために、ＴＦＴ（Ｔ１−１〜Ｔ１−３）のゲート駆動用配線Ｇ１に、シフトレジスタＳＲ１からゲートパルスを与える。この時、ゲートパルスのハイレベルは、外部から供給されている電圧Ｖｇ（ｏｎ）である。これにより、ＴＦＴ（Ｔ１−１〜Ｔ１−３）がオン状態になり、光電変換素子（Ｓ１−１〜Ｓ１−３）に蓄積されていた信号電荷がＴＦＴ（Ｔ１−１〜Ｔ１−３）を介し電流として流れ、この電流がオペアンプＡ１〜Ａ３に接続されている容量素子Ｃｆ１〜Ｃｆ３に流入し積分されることになる。
【００４２】
マトリクス信号配線Ｍ１〜Ｍ３には、特に図２には記載していないが読み出し容量が付加されており、信号電荷はＴＦＴ（Ｔ１−１〜Ｔ１−３）を介しマトリクス信号配線Ｍ１〜Ｍ３側の読み出し容量に転送されることになる。しかし、マトリクス信号配線Ｍ１〜Ｍ３は、オペアンプＡ１〜Ａ３の非反転端子（＋）のリセットバイアス（ＧＮＤ）で仮想接地されているために、転送動作による電位の変動はなく、ＧＮＤに保持された状態にある。すなわち信号電荷は、容量素子Ｃｆ１〜Ｃｆ３に転送されることになる。
【００４３】
オペアンプＡ１〜Ａ３の出力端子は、光電変換素子（Ｓ１−１〜Ｓ１−３）の信号量に応じて、図３に示されるように変化する。ここで、ＴＦＴ（Ｔ１−１〜Ｔ１−３）が同時にオンするため、オペアンプＡ１〜Ａ３の出力は、同時に変化する。すなわち並列出力である。その状態で、「ＳＭＰＬ」信号をオンさせることにより、オペアンプＡ１〜Ａ３の出力信号は、サンプルホールド容量ＣＬ１〜ＣＬ３に転送され、ＳＭＰＬ信号をオフするとともに、一旦ホールドされる。
【００４４】
続いて、シフトレジスタＳＲ２からスイッチＳｒ１、Ｓｒ２、Ｓｒ３の順番で、パルスを印加することにより、サンプルホールド容量ＣＬ１〜ＣＬ３にホールドされていた信号が、サンプルホールド容量ＣＬ１、ＣＬ２、ＣＬ３の順でアンプＡｂから出力される。結果として、光電変換素子Ｓ１−１、Ｓ１−２、Ｓ１−３の１行分の光電変換信号が順次、直列変換されて出力される。
【００４５】
以上、ここまでは１行目の光電変換素子（Ｓ１−１〜Ｓ１−３）の読み出し動作を説明してきたが、２行目の光電変換素子（Ｓ２−１〜Ｓ２−３）の読み出し動作、３行目の光電変換素子（Ｓ３−１〜Ｓ３−３）の読み出し動作も同様に行われる。
【００４６】
１行目のＳＭＰＬ信号により、オペアンプＡ１〜Ａ３の信号をサンプルホールド容量ＣＬ１〜ＣＬ３にサンプルホールドすれば、光電変換素子（Ｓ１−１〜Ｓ１−３）の信号は、光電変換回路部７０１からは出力されたことになる。従って、読み出し用回路部７０７内でスイッチＳｒ１〜Ｓｒ３により直列変換されて出力される最中に、光電変換回路部７０１内の光電変換素子（Ｓ１−１〜Ｓ１−３）のリフレッシュ動作と容量素子Ｃｆ１〜Ｃｆ３のリセット動作を行うことができる。
【００４７】
光電変換素子（Ｓ１−１〜Ｓ１−３）のリフレッシュ動作は、「ＲＥＦＲＥＳＨ」信号を「Ｈｉ」にすることによりスイッチＳＷ−ｒｅｆがオンし、かつ「ＲＣ」信号によりスイッチＲＥＳ１〜ＲＥＳ３を導通状態にし、更に、ＴＦＴ（Ｔ１−１〜Ｔ１−３）のゲート駆動用配線Ｇ１に電圧Ｖｇ（ｏｎ）を印加することにより達成される。すなわち、リフレッシュ動作により光電変換素子（Ｓ１−１〜Ｓ１−３）のＧ電極がリフレッシュバイアスＶ（ｒｅｆｒｅｓｈ）にリフレッシュされる。その後、リセット動作に遷移する。
【００４８】
リセット動作は、ＴＦＴ（Ｔ１−１〜Ｔ１−３）のゲート駆動用配線Ｇ１に電圧Ｖｇ（ｏｎ）を印加した状態で、かつスイッチＲＥＳ１〜ＲＥＳ３を導通状態のまま、「ＲＥＦＲＥＳＨ」信号を「Ｌｏ」にする。この動作により、光電変換素子（Ｓ１−１〜Ｓ１−３）のＧ電極は、リセットバイアスＶ（ｒｅｓｅｔ）＝ＧＮＤにリセットされ、同時に容量素子Ｃｆ１〜Ｃｆ３に蓄積されていた信号をリセットする。
【００４９】
リセット動作が終了後、次にゲート駆動用配線Ｇ２のゲートパルスを印加することができる。つまり、１行目の信号をシフトレジスタＳＲ２により直列変換動作をする間に、同時に光電変換素子（Ｓ１−１〜Ｓ１−３）をリフレッシュし、容量素子Ｃｆ１〜Ｃｆ３をリセットし、そして２行目の光電変換素子（Ｓ２−１〜Ｓ２−３）の信号電荷をシフトレジスタＳＲ１によりマトリクス信号配線Ｍ１〜Ｍ３に転送することが可能となる。
【００５０】
以上の動作により、第１行目から第３行目までの全ての光電変換素子（Ｓ１−１〜Ｓ３−３）の信号電荷を出力することができる。そして、この１フレーム分の動作を複数回、繰り返すことにより、動画画像が取得できる。
【００５１】
図４は、光電変換回路部７０１のパターン配線図である。この図４には、ＭＩＳ型光電変換素子とスイッチング素子の材料にアモルファスシリコン半導体薄膜を用いて構成したものが示されており、それらを結線する配線を含めて表している。また、図５は、図４に示した光電変換回路部７０１の断面Ａ−Ｂにおける断面図である。以後の説明では、簡単化のために、ＭＩＳ型光電変換素子は、単に光電変換素子と呼ぶことにする。
【００５２】
光電変換素子１０１及びスイッチング素子１０２（アモルファスシリコンＴＦＴ、以下、単にＴＦＴと記す）は、同一の絶縁基板１０３上に形成されており、光電変換素子１０１の下部電極は、ＴＦＴ１０２の下部電極（ゲート電極）と同一の第１の金属薄膜層１０４で共有して構成されており、光電変換素子１０１の上部電極は、ＴＦＴ１０２の上部電極（ソース電極、ドレイン電極）と同一の第２の金属薄膜層１０５で共有して構成されている。また、第１及び第２の金属薄膜層（１０４及び１０５）は、光電変換回路部７０１内のゲート駆動用配線１０６、マトリクス信号配線１０７も共有している。
【００５３】
図４においては、画素数として２×２の計４画素分が記載されている。図４のハッチング部は、光電変換素子１０１の受光面である。１０９は光電変換素子１０１にバイアスを与える電源ラインである。また、１１０は光電変換素子１０１とＴＦＴ１０２とを接続するためのコンタクトホール部である。アモルファスシリコン半導体を主たる材料にした図４で示されるような構成を用いれば、光電変換素子１０１、スイッチング素子１０２、ゲート駆動用配線１０６、マトリクス信号配線１０７を同一基板（絶縁基板１０３）上に同時に作製することができ、大面積の光電変換回路部７０１を容易に、しかも安価に提供することができる。
【００５４】
次に、光電変換素子１０１単体のデバイス動作について説明する。
図６は、図４及び図５に示した光電変換素子１０１のデバイス動作を説明するためのエネルギーバンド図である。ここで、図６（ａ）は、リフレッシュモードにおける動作、図６（ｂ）は、光電変換モードにおける動作、図６（ｃ）は、飽和状態における動作をそれぞれ示している。
【００５５】
図６（ａ）〜（ｃ）の横軸は、図５で示される各層の膜厚方向の状態を表している。Ｍｅ１は、第１の金属薄膜層１０４（例えばＣｒ）で形成された下部電極（Ｇ電極）である。アモルファス窒化シリコン（ａ−ＳｉＮｘ）絶縁薄膜層１１１は、電子、ホールともにその通過を阻止する絶縁層であり、トンネル効果をもたらさない程度の厚さが必要であり、通常５０ｎｍ以上に設定される。水素化アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）半導体薄膜層１１２は、意図的にドーパントをドープしていない真性半導体層（ｉ層）で形成された光電変換半導体層である。Ｎ＋層１１３は、ａ−Ｓｉ：Ｈ半導体薄膜層１１２へのホールの注入を阻止するために形成されたＮ型ａ−Ｓｉ：Ｈ層などの非単結晶半導体からなる単一導電型キャリアの注入阻止層である。また、Ｍｅ２は、第２の金属薄膜層１０５（例えばＡｌ）で形成される上部電極（Ｄ電極）である。
【００５６】
図５では、Ｄ電極（１０５）はＮ＋層１１３を完全には覆っていないが、Ｄ電極（１０５）とＮ＋層１１３との間は電子の移動が自由に行われるため、Ｄ電極（１０５）とＮ＋層１１３とは常に同電位であり、以下の説明では、そのことを前提としている。
【００５７】
本光電変換素子１０１には、Ｄ電極やＧ電極への電圧の印可の仕方により、リフレッシュモードと光電変換モードという２種類の動作モードがある。
リフレッシュモードを示す図６（ａ）において、Ｄ電極はＧ電極に対して負の電位が与えられており、ｉ層（ａ−Ｓｉ：Ｈ）中の黒丸で示されたホールは、電界によりＤ電極に導かれる。同時に白丸で示された電子は、ｉ層（ａ−Ｓｉ：Ｈ）に注入される。この時、一部のホールと電子は、Ｎ＋層、ｉ層（ａ−Ｓｉ：Ｈ）において再結合して消滅する。十分に長い時間この状態が続けば、ｉ層（ａ−Ｓｉ：Ｈ）内のホールは、ｉ層（ａ−Ｓｉ：Ｈ）から掃き出される。
【００５８】
この状態から、光電変換モードを示す図６（ｂ）にするためには、Ｄ電極にＧ電極に対し正の電位を与える。こうすると、ｉ層（ａ−Ｓｉ：Ｈ）中の電子は、瞬時にＤ電極に導かれる。しかし、ホールは、Ｎ＋層が注入阻止層として働くため、ｉ層（ａ−Ｓｉ：Ｈ）に導かれることはない。この状態でｉ層（ａ−Ｓｉ：Ｈ）に光が入射すると、入射した光は吸収されて、電子・ホール対が発生する。この電子は、電界によりＤ電極に導かれ、ホールは、ｉ層（ａ−Ｓｉ：Ｈ）内を移動してｉ層（ａ−Ｓｉ：Ｈ）とａ−ＳｉＮｘ絶縁薄膜層との界面に達する。
【００５９】
しかし、ホールは、ａ−ＳｉＮｘ絶縁薄膜層内には移動できないため、ｉ層（ａ−Ｓｉ：Ｈ）内に留まることになる。この時、電子はＤ電極に移動し、ホールはｉ層（ａ−Ｓｉ：Ｈ）内のａ−ＳｉＮｘ絶縁薄膜層界面に移動するため、光電変換素子１０１内の電気的中性を保つため電流がＧ電極から流れる。この電流は、光により発生した電子・ホール対に対応するため、入射した光に比例する。
【００６０】
図６（ｂ）に示した光電変換モードの状態をある期間保った後、再び図６（ａ）に示したリフレッシュモードの状態になると、ｉ層（ａ−Ｓｉ：Ｈ）に留まっていたホールは、前述のようにＤ電極に導かれ、同時に、このホールに対応した電流が流れる。このホールの量は、光電変換モード期間に入射した光の総量に対応する。この時、ｉ層（ａ−Ｓｉ：Ｈ）内に注入される電子の量に対応した電流も流れるが、この量はおよそ一定なため、差し引いて検出すればよい。つまり、この光電変換素子１０１は、リアルタイムに入射する光の量を出力すると同時に、ある期間に入射した光の総量も検出することができる。
【００６１】
しかしながら、何らかの理由により光電変換モードの期間が長くなった場合や入射する光の照度が強い場合には、光の入射があるにもかかわらず、電流が流れないことがある。これは、図６（ｃ）に示すように、ｉ層（ａ−Ｓｉ：Ｈ）内にホールが多数留まり、このホールのため、ｉ層（ａ−Ｓｉ：Ｈ）内の電界が小さくなり、発生した電子がＤ電極に導かれなくなり、ｉ層（ａ−Ｓｉ：Ｈ）内でホールと再結合してしまうからである。この状態を光電変換素子１０１の飽和状態と称する。この飽和状態で光の入射の状態が変化すると、電流が不安定に流れることもあるが、再び図６（ａ）に示すリフレッシュモードにすれば、ｉ層（ａ−Ｓｉ：Ｈ）内のホールは掃き出され、次の図６（ｂ）に示す光電変換モードでは、再び光に比例した電流が流れる。
【００６２】
また、前述の説明において、リフレッシュモードでｉ層（ａ−Ｓｉ：Ｈ）内のホールを掃き出す場合、全てのホールを掃き出すのが理想であるが、一部のホールを掃き出すだけでも効果はあり、前述と等しい電流が得られて問題はない。つまり、次の光電変換モードでの検出機会において、図６（ｃ）の飽和状態になっていなければよく、リフレッシュモードにおけるＤ電極のＧ電極に対する電位、リフレッシュモードの期間及びＮ＋層の注入阻止層の特性を決めればよい。
【００６３】
また、更にリフレッシュモードにおいて、ｉ層（ａ−Ｓｉ：Ｈ）への電子の注入は必要条件でなく、Ｄ電極のＧ電極に対する電位は、負に限定されるものでもない。ホールが多数ｉ層（ａ−Ｓｉ：Ｈ）に留まっている場合には、例えＤ電極のＧ電極に対する電位が正の電位であっても、ｉ層（ａ−Ｓｉ：Ｈ）内の電界はホールをＤ電極に導く方向に加わるからである。また、注入阻止層であるＮ＋層の特性も同様に、電子をｉ層（ａ−Ｓｉ：Ｈ）に注入できることが必要条件ではない。
【００６４】
（第２の実施形態）
本実施形態におけるＸ線撮像装置は、画像Ｆ（ｍ）と画像Ｆ（ｍ＋１）を減算処理（サブトラクション処理）を施すことにより得られた画像と、サブトラクション処理を行わない画像Ｆ（ｍ）の原画像（第１の実施形態では、画像Ｆ（ｍ＋１）の原画像）とを、それぞれ同期させながら、同一のディスプレイ面の表示装置に並列に表示する。
【００６５】
このサブトラクション処理は、フレーム間の差分像が得られ、動きの大きい部分や濃度の変化が大きい部分の画像は、そうでない部分の画像よりも、より黒く又はより白く表示することができる。サブトラクション画像と原画像とを同期させながら表示することにより、医師は双方を比較しながら、読影作業を行うことができる。
【００６６】
表２は、本実施形態のＸ線撮像装置において、表示装置の同一画面に表示する２種の撮影フレームと表示の関係を示したものである。
【００６７】
【表２】
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【００６８】
サブトラクション処理をＦ（ｍ＋１）−Ｆ（ｍ）で表した場合、ＣＲＴディスプレイ５０６では、サブトラクション画像は、「Ｆ（２）−Ｆ（１）」→「Ｆ（３）−Ｆ（２）」→「Ｆ（４）−Ｆ（３）」→・・・「Ｆ（ｍ＋１）−Ｆ（ｍ）」・・・と連続的に表示され、一方、サブトラクション処理をしない原画像は、「Ｆ（１）」→「Ｆ（２）」→「Ｆ（３）」→・・・「Ｆ（ｍ）」・・・と、連続的に表示される。
【００６９】
それぞれの画像は、例えば、一方が「Ｆ（２）−Ｆ（１）」を表示するときに、他方はＦ（１）を表示するといったように、常に両者の画像は同期をとっており、医師は、双方の画像を比較、観察しながら診断することが可能である。
【００７０】
本発明の放射線撮像装置の実施形態においては、サブトラクション処理を行うときに、画像Ｆ（ｍ＋１）又は画像Ｆ（ｍ）に対して、予め階調変換処理もしくはエッジ強調処理を必要に応じて行った後、当該サブトラクション処理を行ってもよい。
【００７１】
また、Ｘ線可視変換蛍光体５０２の材料としては、Ｇｄ２Ｏ２Ｓ、Ｇｄ２Ｏ３、ＣｓＩ等を主成分とするものが挙げられる。また、光電変換素子として、ＭＩＳ型センサを例にして説明を行ったが、ＰＩＮ型センサであってもよい。また、Ｘ線検出装置として、Ｘ線可視変換蛍光体５０２を用いずに、光電変換素子をヨウ化鉛、ヨウ化水銀、セレン、テルル化カドミウム、ガリウムヒ素、ガリウム燐、硫化亜鉛、シリコン等を材料とするのもので構成し、被写体５０７を透過した放射線から直接電気信号に変換するようにしてもよい。
【００７２】
本発明の実施形態によれば、連続して撮影した２枚の画像に対してサブトラクション処理を施すことにより、変化の度合いが大きい部分をそうでない部分に比べて、より黒く又はより白く強調して表示を行うことができるとともに、サブトラクション処理を施すことにより得られた処理画像と、サブトラクション処理を施していない原画像とを同期させながらＣＲＴディスプレイ５０６の同一面に表示することにより、例えば、医師が診断を行うときに、変化の度合いが大きい部分を認識しながら双方の画像を比較して読影することができ、病巣等の異常部位の検知率を向上させることができる。
【００７３】
また、サブトラクション処理としてエネルギーサブトラクション処理を行い、前記処理画像とサブトラクション処理をしていない原画像とを、それぞれ同期させながら並べて表示させることにより、医師がそれぞれの画像を比較しながら読影できる。このことは、単一の画像を読影する場合に比べて、病巣等の異常部位の検知率を向上させることができる。
【００７４】
しかも、本発明の実施形態では、患者の動き（呼吸による横隔膜や肺野部の動き、心臓の動きなど）を動画として観察することにより、肋骨、鎖骨、横隔膜、心臓などの影（裏）に潜んでいる病巣をその動きの過程で顕在化することができる場合があり、病巣等の異常部位の検知率を更に高くすることができる。
【００７５】
これは、胸部Ｘ線撮影だけではなく、例えば、骨と腱（筋肉）で構成される関節異常の検知などにも有用である。骨と腱（筋肉）では、Ｘ線エネルギーを変えた場合にそのＸ線エネルギーの吸収度合いが異なるため、ＥＳ処理画像と原画像（画像Ｆ（ｍ＋１）又は画像Ｆ（ｍ））を同期させながらＣＲＴディスプレイ５０６の同一面上に動画画像として表示することにより、胸部同様、関節の場合も異常部位の検知率を高めることができる。
【００７６】
このような医療現場におけるディジタル化は、従来のアナログ情報を扱う場合に比べて、病院内において医師の診断や病院の運営の面での作業の効率化を高めることができる。そして、将来の高齢化社会、ＩＴ社会の中で、現在よりも更に質の高い医療環境を作ることができる。
【００７７】
本発明の実施態様の例を、以下に列挙する。
【００７８】
［実施態様１］  被写体を透過した放射線を電気信号として検出する放射線検出素子が２次元アレー状に配置された放射線検出手段と、
前記放射線検出手段で電気信号として検出された前記被写体の放射線画像を、所定のフレームレートで複数フレームの連続した画像として撮影し、ｍを自然数とすると、ｍ枚目の画像と（ｍ＋１）枚目の画像に対してサブトラクション処理を施すことにより得られた処理画像と、前記サブトラクション処理を施していない前記ｍ枚目の画像、もしくは前記（ｍ＋１）枚目の画像のいずれかとを同期させて表示装置に表示するように制御する画像表示制御手段と
を有することを特徴とする放射線撮像装置。
【００７９】
［実施態様２］  前記画像表示制御手段は、前記ｍ枚目の画像又は前記（ｍ＋１）枚目の画像に対して階調変換処理もしくはエッジ強調処理を必要に応じて行った後に、前記サブトラクション処理を施すことを特徴とする実施態様１に記載の放射線撮像装置。
【００８０】
［実施態様３］  前記放射線検出素子は、放射線を可視光に変換する波長変換体と、前記波長変換体で変換された可視光を電気信号に変換する光電変換素子とを含み構成されていることを特徴とする実施態様１又は２に記載の放射線撮像装置。
【００８１】
［実施態様４］  前記波長変換体は、Ｇｄ２Ｏ２Ｓ、Ｇｄ２Ｏ３、ＣｓＩのいずれかを主成分とするものであることを特徴とする実施態様３に記載の放射線撮像装置。
【００８２】
［実施態様５］  前記光電変換素子は、アモルファスシリコン半導体を用いたＭＩＳ型センサ又はＰＩＮ型センサであることを特徴とする実施態様３又は４に記載の放射線撮像装置。
【００８３】
［実施態様６］  前記ＭＩＳ型センサは、下部電極として形成された第１の金属薄膜層と、当該第１の金属薄膜層上に形成され、エレクトロン及びホールの通過を阻止するアモルファス窒化シリコンからなる絶縁層と、当該絶縁層上に形成された水素化アモルファスシリコンからなる光電変換層と、当該光電変換層上に形成され、ホールの注入を阻止するＮ型の注入阻止層と、当該注入阻止層上に上部電極として形成された透明導電層又は当該注入阻止層上の一部に形成された第２の金属薄膜層とを有して構成され、
リフレッシュモードでは、前記ＭＩＳ型センサに対して、ホールを前記光電変換層から前記第２の金属薄膜層に導く方向に電界を与え、
光電変換モードでは、前記ＭＩＳ型センサに対して、前記光電変換層に入射した放射線により発生したホールを当該光電変換層に留まらせてエレクトロンを前記第２の金属薄膜層に導く方向に電界を与え、
前記光電変換モードにより前記光電変換層に蓄積される前記ホールもしくは前記第２の金属薄膜層に導かれた前記エレクトロンを光信号として検出することを特徴とする実施態様５に記載の放射線撮像装置。
【００８４】
［実施態様７］  前記放射線検出素子は、放射線を吸収して直接電気信号に変換するヨウ化鉛、ヨウ化水銀、セレン、テルル化カドミウム、ガリウムヒ素、ガリウム燐、硫化亜鉛、シリコンのいずれかの材料からなるものであることを特徴とする実施態様１又は２に記載の放射線撮像装置。
【００８５】
［実施態様８］  放射線を出射する放射線源と、
前記放射線源から出射され、被写体を透過した放射線を電気信号として検出する放射線検出素子が２次元アレー状に配置された放射線撮像手段と、前記放射線検出手段で電気信号として検出された前記被写体の放射線画像を、所定のフレームレートで複数フレームの連続した画像として撮影し、ｍを自然数とすると、ｍ枚目の画像と（ｍ＋１）枚目の画像に対してサブトラクション処理を施すことにより得られた処理画像と、前記サブトラクション処理を施していない前記ｍ枚目の画像、もしくは前記（ｍ＋１）枚目の画像のいずれかとを同期させて表示装置に表示するように制御する画像表示制御手段とを備える放射線撮像装置とを有し、
前記放射線源は、前記放射線をパルス状に出射し、前記ｍ枚目の画像を撮影するときと、前記（ｍ＋１）枚目の画像を撮影するときとで、当該放射線源における管電圧を異なった電圧として設定し、
前記画像表示制御手段は、前記ｍ枚目の画像と前記（ｍ＋１）枚目の画像に対して前記サブトラクション処理を施した画像を前記処理画像とすることを特徴とする放射線撮像システム。
【００８６】
［実施態様９］  ２次元アレー状に配置された放射線検出素子を用いて、被写体を透過した放射線を電気信号として検出する放射線検出工程と、
前記放射線検出工程で電気信号として検出された前記被写体の放射線画像を、所定のフレームレートで複数フレームの連続した画像として撮影し、ｍを自然数とすると、ｍ枚目の画像と（ｍ＋１）枚目の画像に対してサブトラクション処理を施すことにより得られた処理画像と、前記サブトラクション処理を施していない前記ｍ枚目の画像、もしくは前記（ｍ＋１）枚目の画像のいずれかとを同期させて表示装置に表示するように制御する画像表示制御工程と
を有することを特徴とする放射線撮像方法。
【００８７】
【発明の効果】
本発明によれば、連続して撮影した２枚の画像に対してサブトラクション処理を施すことにより、変化の度合いが大きい部分をそうでない部分に比べて、より黒く又はより白く強調して表示を行うことができるとともに、サブトラクション処理を施すことにより得られた処理画像と、サブトラクション処理を施していない原画像とを同期させながら表示装置の同一面に表示することにより、例えば、医師が診断を行うときに、変化の度合いが大きい部分を認識しながら双方の画像を比較して読影することができ、病巣等の異常部位の検知率を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施形態におけるＸ線撮像システムの概略図である。
【図２】本発明の第１の実施形態におけるＸ線撮像装置の光電変換装置を示す２次元的回路図である。
【図３】図２に示した光電変換装置の動作を示すタイムチャートである。
【図４】光電変換回路部のパターン配線図である。
【図５】図４に示した光電変換回路部の断面Ａ−Ｂにおける断面図である。
【図６】図４及び図５に示した光電変換素子のデバイス動作を説明するためのエネルギーバンド図である。
【符号の説明】
１０１、Ｓ１−１〜Ｓ３−３  光電変換素子
１０２、Ｔ１−１〜Ｔ３−３  スイッチング素子（ＴＦＴ）
１０３  絶縁基板
１０４、Ｍｅ１  第１の金属薄膜層
１０５、Ｍｅ２  第２の金属薄膜層
１０６、Ｇ１〜Ｇ３  ゲート駆動用配線
１０７、Ｍ１〜Ｍ３  マトリクス信号配線
１１０  コンタクトホール部
１１１  ａ−ＳｉＮ絶縁薄膜層
１１２  ａ−Ｓｉ半導体薄膜層
１１３  Ｎ＋層
１１４  配線クロス部
１１５  保護膜
５０１  Ｘ線管球
５０２  Ｘ線可視変換蛍光体
５０３  光電変換装置
５０４  Ｘ線電源
５０５  イメージプロセッサ
５０６  ＣＲＴディスプレイ
５０７  被写体（患者）
７０１  光電変換回路部
７０７  読み出し用回路部
Ａ１〜Ａ３、Ｂ１〜Ｂ３、Ａｂ  オペアンプ
Ｃｆ１〜Ｃｆ３  容量素子
ＳＷ−ｒｅｓ  オペアンプの（＋）端子にリセットバイアスを与えるスイッチ
ＳＷ−ｒｅｆ  オペアンプの（＋）端子にリフレッシュバイアスを与えるスイッチ
ＲＥＳ１〜ＲＥＳ３  Ｃｆ１〜Ｃｆ３に形成される負荷容量をリセットするスイッチ
Ｓｎ１〜Ｓｎ３  読み出し容量に信号を転送するための転送スイッチ
Ｓｒ１〜Ｓｒ３  読み出し容量の信号を順次読み出すための読み出し用スイッチ
ＳＲ１  シフトレジスタ（スイッチング素子用）
ＳＲ２  シフトレジスタ（読み出しスイッチ用）
Ｖｓ  光電変換素子のバイアス電源
Ｖ（ｒｅｓｅｔ）  リセットバイアス
Ｖ（ｒｅｆｒｅｓｈ）  リフレッシュバイアス
Ｖｇ（ｏｎ）  ＴＦＴをオンするための電源
Ｖｇ（ｏｆｆ）  ＴＦＴをオフするための電源
【図１】
2004328145.tif 000005
【図２】
2004328145.tif 000006
【図３】
2004328145.tif 000007
【図４】
2004328145.tif 000008
【図５】
2004328145.tif 000009
【図６】
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