(57)【要約】【課題】焦げの無い綺麗で鮮明な模様が得られる固形化粧料の製造方法、焦げの無い綺麗で鮮明な模様を有する固形化粧料を提供する。【解決手段】模様データに応じてレーザ光の照射をオン・オフして固形化粧料１００に模様を形成すると共に、レーザ光の照射がオンの状態では、波形凸部にエネルギーが集約されて高いピークパワーが得られるバースト状のレーザ光を出力し、この高いピークパワーのバースト状のレーザ光により、照射される固形化粧料１００を一気に昇華させてそのエネルギーにより周囲の固形化粧料を飛び散らせ、焦げを生じること無く模様を掘り込み形成する。【選択図】　図１
2004010494.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
模様データに応じてレーザ光の照射をオン・オフして固形化粧料に模様を形成すると共に、
前記レーザ光の照射がオンの状態ではバースト状のレーザ光を出力することを特徴とする固形化粧料の製造方法。
【請求項２】
一定周期で連続するパルスレーザ光を光ファイバで増幅し前記バースト状のレーザ光として出力するファイバレーザを用いて、前記模様を形成することを特徴とする請求項１記載の固形化粧料の製造方法。
【請求項３】
前記光ファイバを希土類ドープ光ファイバとし、この希土類ドープ光ファイバを励起状態にして前記パルスレーザ光を増幅することを特徴とする請求項２記載の固形化粧料の製造方法。
【請求項４】
請求項１〜３の何れか一項に記載の固形化粧料の製造方法により製造されて成る固形化粧料。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、固形化粧料に模様を形成するための製造方法、この製造方法により製造された固形化粧料に関する。
【０００２】
【従来の技術】
例えば口紅、ファンデーション等の固形化粧料に装飾的な凹凸模様を形成する技術として、例えば転写等による技術が知られているが、模様に応じて型が多数必要であり、細かい模様の形成が難しく、湾曲面に対する転写が難しい等の問題があることから、最近では、これらの問題を解決すべく、レーザにより模様を形成する技術が、例えば特開昭６１−１５１１０８号公報、特開２０００−２４７８３２号公報等に開示されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、本発明者らの実験によると、レーザにより固形化粧料に模様を形成すると、固形化粧料に焦げた模様が生じると共に焦げによる匂いが生じることが判明し、これでは市場に供し得ない。
【０００４】
本発明は、このような課題を解決するために成されたものであり、焦げの無い綺麗で鮮明な模様が得られる固形化粧料の製造方法、焦げの無い綺麗で鮮明な模様を有する固形化粧料を提供することを提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
ここで、本発明者らは種々の実験を重ね鋭意検討した結果、ＣＷレーザ（連続発振レーザ）によるレーザ光では、固形化粧料に焦げを生じるが、一定周期で連続するパルスレーザ光（バースト状のレーザ光）を光ファイバで増幅し出力するファイバレーザを用いると、このバースト状のレーザ光の波形凸部にエネルギーが集約されて高いピークパワーが得られ、この高いピークパワーのバースト状のレーザ光を固形化粧料に照射すれば、固形化粧料が一気に昇華しそのエネルギーにより周囲の固形化粧料が飛び散り、焦げを生じること無く綺麗な模様が掘り込まれて形成されることを見出した。また、このように高いピークパワーが得られる他のレーザとしては、例えばＱスイッチをオン・オフすることでバースト状のレーザ光を出力するＹＡＧレーザが考えられる。
【０００６】
そこで、本発明による固形化粧料の製造方法は、模様データに応じてレーザ光の照射をオン・オフして固形化粧料に模様を形成すると共に、レーザ光の照射がオンの状態ではバースト状のレーザ光を出力することを特徴としている。
【０００７】
このような固形化粧料の製造方法によれば、模様データに応じてレーザ光の照射がオン・オフされて固形化粧料に模様が形成され、レーザ光の照射がオンの状態にあっては、波形凸部にエネルギーが集約されて高いピークパワーが得られるバースト状のレーザ光が出力されるため、この高いピークパワーのバースト状のレーザ光により、照射される固形化粧料は一気に昇華しそのエネルギーにより周囲の固形化粧料が飛び散り、焦げが生じること無く模様が掘り込まれて形成される。
【０００８】
ここで、一定周期で連続するパルスレーザ光を光ファイバで増幅しバースト状のレーザ光として出力するファイバレーザを用いて、模様を形成すれば、本発明者らにより実証されているように、固形化粧料に焦げを生じること無く模様が掘り込まれて形成されると共に、光ファイバを例えばボビンに多数回巻回することで光ファイバを延在方向に長尺とすること無く増幅に必要な光路長が確保される。
【０００９】
また、光ファイバを希土類ドープ光ファイバとし、この希土類ドープ光ファイバを励起状態にしてパルスレーザ光を増幅するようにすると、本発明者らにより実証されているように、固形化粧料に焦げを生じること無く模様が掘り込まれて形成される。
【００１０】
また、本発明による固形化粧料は、上記固形化粧料の製造方法の何れかにより製造されて成るため、焦げの無い綺麗で鮮明な模様を有する固形化粧料が提供される。
【００１１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明による固形化粧料の製造方法、この製造方法により製造された固形化粧料の好適な実施形態について添付図面を参照しながら説明する。図１は、本発明の実施形態に係る固形化粧料の製造方法に用いられるファイバレーザを示す構成図、図２は、図１中の信号用半導体レーザ及び励起用半導体レーザの動作、レーザ出力、レーザ光の照射オン・オフを示す各図である。
【００１２】
図１に示すように、本実施形態のファイバレーザ２００は概略、レーザ光を発生するレーザ発生手段１と、このレーザ発生手段１の駆動を制御するレーザ発振制御手段６０と、レーザ発生手段１からのレーザ光を固形化粧料１００に対して縦横に走査する光走査機構４０と、を本体ユニット８０に収容して備えると共に、固形化粧料１００に模様を形成すべく模様データ等の所定の情報をレーザ発振制御手段６０に対して入力する入力手段７０を備えている。
【００１３】
ここで、固形化粧料１００は、例えば、チーク、アイシャドウ、フェイスパウダー、パウダーファンデーション、口紅等であり、当該固形化粧料１００は、化粧料に応じて容器１５０に収容若しくは装着等されて保持されている。また、ここで言う模様とは、凹凸模様、文字（平仮名、漢字、アルファベット等）、数字、柄、バーコード、ロゴマーク等のことである。
【００１４】
レーザ発生手段１は、信号用レーザ光源としての信号用半導体レーザ１０と、レーザ増幅器２０と、を備える。この信号用半導体レーザ１０は、ドライバ１１を介してレーザ発振制御手段６０により駆動され、赤外線レーザをパルス発振する。一方、レーザ増幅器２０は、上記信号用半導体レーザ１０からのレーザ光を増幅する機能を有する。
【００１５】
このレーザ増幅器２０には、希土類元素である例えばイットリビウム（Ｙｂ）を含むガラスファイバ（希土類ドープ光ファイバ）２１、励起用レーザ光源に相当する第１励起用半導体レーザ２２Ａ及び第２励起用半導体レーザ２２Ｂが備えられている。なお、希土類ドープ光ファイバ２１は他との区別をするために図面中では斜線を付して示してある。
【００１６】
希土類ドープ光ファイバ２１は屈曲可能であり、ボビン（不図示）に多数回巻回することで所要長の光路が確保されており、ボビンに巻回した一方のリード部分にはレーザ光を他端側にのみ通過させる光アイソレータ２４が設けられ、当該光ファイバ２１の両端部には２つの光結合部２５Ａ，２５Ｂが各々設けられている。
【００１７】
アイソレータ２４は、光ファイバの接合部分やレーザ照射面から反射するレーザ光が半導体レーザ１０，２２Ａ，２２Ｂや希土類ドープ光ファイバ２１に逆流することによってこれらが損傷することを防止する機能を有する。
【００１８】
一方の光結合部２５Ａは、接合手段２１Ｘを介して接続した光ファイバ２６に入射する半導体レーザ１０からのレーザ光を希土類ドープ光ファイバ２１の一端（前端）に入射させると共に、光ファイバ２７Ａに入射する第１励起用半導体レーザ２２Ａからのレーザ光を希土類ドープ光ファイバ２１にその後端側に向けて合流させる機能を有する。
【００１９】
他方の光結合部２５Ｂは、光ファイバ２７Ｂに入射する第２励起用半導体レーザ２２Ｂからのレーザ光を希土類ドープ光ファイバ２１内に前端側に向けて入射させる機能を有する。また、希土類ドープ光ファイバ２１の後端の出射端面２３には、接合手段２１Ｙを介して光ファイバ２７Ｃが接合されている。なお、ボビンに巻回した希土類ドープ光ファイバ２１、光結合部２５Ｂ、第２励起用半導体レーザ２２Ｂ及び光ファイバ２７Ｂは、直方体のケース（不図示）内に収容されると共に、そのケース内にシリコン樹脂を充填することで固定されている。
【００２０】
第１及び第２の各励起用半導体レーザ２２Ａ，２２Ｂは、各々ドライバ２９Ａ，２９Ｂを介してレーザ発振制御手段６０により制御され、ともに一定出力レベルで駆動される。これらの半導体レーザ２２Ａ，２２Ｂの各発振波長は、希土類ドープ光ファイバ２１の希土類元素を励起するに適した波長帯に設定されていることは勿論である。
【００２１】
一方、希土類ドープ光ファイバ２１の出射端面２３に接続される光ファイバ２７Ｃの出射端面外側には、出力されたレーザ光を平行光とするコリメータレンズ３０が設けられると共に、コリメータレンズ３０を通過したレーザ光を縦横に走査するＸ軸ガルバノミラー及びＹ軸ガルバノミラーを備えた周知の光走査機構４０が設けられ、さらにそのレーザ光を固形化粧料１００に集光する集光レンズ（ｆθレンズ）５０が設けられている。
【００２２】
また、ファイバレーザ２００を構成する本体ユニット８０内には、図示は省略するが、冷却装置や装置各部に動作電力を供給する電源回路等が設けられている。
【００２３】
次に、このような構成を有するファイバレーザ２００を用い固形化粧料１００に模様を形成する場合について説明する。
【００２４】
先ず、入力手段７０により入力される模様データや設定値、模様形成のプログラム等の入力情報を受けて、レーザ発振制御手段６０は、これらの入力情報に従って、レーザ出力を制御する制御信号をドライバ１１，２９Ａ，２９Ｂに与えると同時に、Ｘ軸及びＹ軸の各ガルバノミラー駆動用の制御信号を光走査機構４０に与える。
【００２５】
ここで、ファイバレーザ２００の励起用スイッチ（不図示）をオン操作することで、励起用半導体レーザ２２Ａはドライバ２９Ａにより直流駆動され（図２（ａ）参照）、出射されるレーザ光は光結合部２５Ａを介して希土類ドープ光ファイバ２１内に入射される。
【００２６】
その結果、希土類ドープ光ファイバ２１内が励起されてレーザ光が発生するが、その出力強度は固形化粧料１００上に照射されても模様を形成するには不十分なレベルＬＣ（図２（ｅ）参照）となるように、半導体レーザ２２Ａは所定の低レベルに連続的に維持されている。
【００２７】
従って、この状態では、希土類ドープ光ファイバ２１は、所定の一定レベルで励起状態になっているが、これにより発生したレーザ光が固形化粧料１００に照射されても模様は形成されない。
【００２８】
模様形成動作が開始されると、レーザ発振制御手段６０からの信号に基づき、信号用レーザ光源である信号用半導体レーザ１０がパルス発振して、バースト状のレーザ光（一定周期で連続するパルスレーザ光）を出力する（図２（ｄ）参照）。
【００２９】
これと同時に、励起光源である第２励起用半導体レーザ２２Ｂが所定レベルで連続発振する（図２（ｂ）参照）。この第２励起用半導体レーザ２２Ｂの連続発振は、励起用レーザ光源の出力が増大したことを意味する（図２（ｃ）参照）。この第２励起用半導体レーザ２２Ｂからのレーザ光は光結合部２５Ｂを介して希土類ドープ光ファイバ２１内に入射されてこれを高励起状態とする。
【００３０】
そして、半導体レーザ１０からのバースト状のレーザ光が、光ファイバ２６及び光結合部２５Ａを通過して高励起状態にある希土類ドープ光ファイバ２１に入射して通過し、この時、バースト状のレーザ光が増幅されて出射端面２３から出射する。
【００３１】
ここで、励起用半導体レーザ２２Ａ，２２Ｂは、希土類元素を励起するのに適した波長帯のレーザ光を出射するものが選択されており、信号用半導体レーザ１０には、励起された希土類元素がエネルギーを失って発光する時の波長帯の光を有するものが使用されているから、誘導放出による発光が促進され、バースト状のレーザ光が効率良く増幅される。
【００３２】
この時、バースト状のレーザ光の出力レベルは、図２（ｅ）に示すように、固形化粧料１００上に照射されて模様を形成するのが可能なレベルＬＢを十分に越え、模様を形成するのに十分な出力レベルＬＡとなる。
【００３３】
そして、希土類ドープ光ファイバ２１で増幅され光ファイバ２７を通過してレーザ発生手段１から出射されたバースト状のレーザ光は、コリメータレンズ３０により平行光に絞られ、この平行光は、レーザ発振制御手段６０からの制御信号により所望の模様を形成するように駆動される光走査機構４０によって、所定の方向に反射されて固形化粧料１００に向かう。
【００３４】
光走査機構４０は、Ｘ軸ガルバノミラーにより一つの方向に走査し、Ｙ軸ガルバノミラーにより、Ｘ軸ガルバノミラーが走査する方向と直交する方向に走査することで、全ての２次元方向に走査が可能である。
【００３５】
そして、この光走査機構４０で反射された平行光は、集光レンズ５０により平行光からスポットに絞り込まれ、このバースト状のスポットレーザ光が、固形化粧料１００表面上を照射しながら走査する。
【００３６】
この時、バースト状のレーザ光は、レーザ発振制御手段６０による模様データに応じた制御に従って、その固形化粧料１００に対する照射がオン・オフされて所望の模様を形成する。
【００３７】
具体的には、例えば、“十”という模様（文字）を形成する場合には、図２（ｆ）に示すように、照射オフの状態（符号ｆ１参照）から、バースト状のレーザ光による照射をオンにして（符号ｆ２参照）、“十”という模様の縦又は横の何れか一方の線分を走査しながら形成し、次いで、バースト状のレーザ光による照射をオフにして（符号ｆ３参照）、走査先を“十”という模様の縦又は横の他方の線分端に移動し、次いで、バースト状のレーザ光による照射をオンにして（符号ｆ４参照）、“十”という模様の縦又は横の他方の線分を走査しながら形成し、照射オフの状態（符号ｆ５参照）とする。
【００３８】
この模様形成の際にあっては、バースト状のレーザ光により、波形凸部にエネルギーが集約されて高いピークパワーが得られるため、この高いピークパワーのバースト状のレーザ光によって照射される固形化粧料１００は、一気に昇華しそのエネルギーにより周囲の固形化粧料が飛び散り、焦げが生じること無く模様が掘り込まれて形成される。
【００３９】
ここで、ＣＷレーザ（連続発振レーザ）を用い、単位時間及び単位面積当たりのレーザエネルギーを、上記バースト状のレーザ光と同じにすると、ピークパワーが低くなり、そのようなレーザ光が照射された固形化粧料１００は一気に昇華・飛散せずに焦げが生じると共に焦げによる匂いが生じることになる。また、ＣＷレーザを用い、上記バースト状のレーザ光と同じピークパワーにすると、単位時間及び単位面積当たりのレーザエネルギーが上記バースト状のレーザ光に比して非常に高くなり、黒焦げの状態になると共に焦げによる匂いが一層生じることになる。
【００４０】
このように、本実施形態においては、バースト状のレーザ光を固形化粧料１００に照射することで、当該固形化粧料１００に焦げの無い綺麗で鮮明な模様が形成される。また、固形化粧料１００には焦げが生じていないから、当然のことながら焦げの匂いの問題は無い。
【００４１】
また、本実施形態においては、レーザ増幅器２０に光ファイバ（希土類ドープ光ファイバ）２１を用い、この光ファイバ２１がボビンに多数回巻回されることで当該光ファイバ２１を延在方向に長尺とすること無く増幅に必要な光路長が確保されているため、装置の小型化が図られている。このため、固形化粧料１００のように小物製品の生産ラインに最適とされている。
【００４２】
また、光ファイバとして希土類ドープ光ファイバ２１を用いているため、後述する実施例で実証されているように、固形化粧料１００に模様が好適に形成される。
【００４３】
また、模様形成動作を行わない時は、第１励起用半導体レーザ２２Ａを模様形成を行うのに不十分な低レベルで発振させて希土類ドープ光ファイバ２１を均一な予備励起状態とし、模様形成を行う際には、第２励起用半導体レーザ２２Ｂも併せて発振させることで希土類ドープ光ファイバ２１を短時間で均一な高励起状態としているため、均一な高励起状態にある希土類ドープ光ファイバ２１内を信号用半導体レーザ１０からのパルスレーザ光が通過し、増幅されたレーザ光の出力をそのスポットの中心から同心円に均一な出力分布とすることが可能であり、その結果、固形化粧料１００に模様を形成した時に、レーザ光のスポットが外側から中央へ同心円を描くような綺麗な彫り口となって模様形成の品質が一層向上されている。
【００４４】
なお、本実施形態にあっては、入力手段７０は、本体ユニット８０に付設されていても、本体ユニット８０に接続／離脱可能とされていても良い。また、コリメータレンズ３０，光走査機構４０及び集光レンズ５０等は、本体ユニット８０とは独立のヘッドユニットに収容されていても良い。この場合、本体ユニット８０と独立のヘッドユニットとを光ファイバ伝送路で接続すると、光伝幡時のエネルギー損失が無く好適である。また、希土類ドープ光ファイバ２１は、シングルモード光ファイバとマルチモード光ファイバとを連ねて成る構成とすることも可能である。
【００４５】
また、本実施形態にあっては、固形化粧料１００に焦げの無い綺麗で鮮明な模様を形成するのに好ましいとして、希土類ドープ光ファイ２１を用いているが、反転分布媒体からの誘導放出を用いて増幅する他の光ファイバでも良く、また、光増幅の原理による分類で他のものとして、ラマンレーザ、ブルリアンレーザ等の非線型光学効果を利用したファイバレーザに対しても適用可能であり、さらに、形状による分類では、ＭＯＰＡ方式、リングレーザ、ファブリペローレーザ等のファイバレーザに対して適用可能である。
【００４６】
次に、他の実施形態として、ＹＡＧレーザに対する適用を述べる。
【００４７】
このＹＡＧレーザは、レーザ媒質となるＹＡＧ結晶の両端に全反射ミラーと部分透過ミラーを設けると共に、部分透過ミラーとＹＡＧ結晶との間にＱスイッチを配置し、ＹＡＧ結晶の周りに例えばクリプトンランプ等の励起用光源を設けて成る。
【００４８】
そして、本実施形態のＹＡＧレーザでは、Ｑスイッチをオフし光遮断状態とした上で励起用光源によってＹＡＧ結晶を励起して励起エネルギーを蓄積した状態としてから、Ｑスイッチをオンし光透過状態として、ＹＡＧ結晶内で発生したレーザ光を全反射ミラーと部分透過ミラーとの間で往復させてＹＡＧ結晶内を通過させるうちに蓄積エネルギーによって増幅させて部分反射ミラーを通して外部に出射させると共に、Ｑスイッチのオン・オフを一定周期で繰り返すことで、バースト状のレーザ光を出力させ、このバースト状のレーザ光の照射を模様データに応じて図２（ｆ）に示すようにオン・オフしながらレーザ走査機構によって固形化粧料を走査する。
【００４９】
このようにＹＡＧレーザを用いる本実施形態にあっても、Ｑスイッチをオン・オフすることでバースト状のレーザ光が生じ高いピークパワーが得られるため、レーザパワーを前述したファイバレーザと同じ若しくは近くに設定することで、固形化粧料に焦げを生じること無く綺麗な模様を形成し得る。なお、ＹＡＧレーザのレーザパワーをファイバレーザ２００に比して高く設定し過ぎると、固形化粧料１００に多少の焦げを生じる虞がある。
【００５０】
因みに、上記実施形態のファイバレーザ２００では、模様形成を行わない時は光ファイバ２１を低レベルで均一な予備励起状態とし、模様形成を行う際には光ファイバ２１を短時間で均一な高励起状態として、高品質の模様が得られるようにしているが、ＹＡＧレーザの場合には、Ｑスイッチ方式において発生するＱスイッチ開放当初のパルス出力のみが異常に大きくなり、従来に比すると模様の品質は向上されるが、ファイバレーザ２００に比すると模様の品質は多少劣ることになる。また、ＹＡＧレーザは、ファイバレーザ２００に比して、レーザ媒質の両端部にミラーやＱスイッチ等の光学部品が必要で装置が大きくなると共に、Ｑスイッチやミラー等の光学系の厳密な調整作業が必要で製造コストが高くなる。
【００５１】
以下、チーク、アイシャドウ、フェイスパウダー、パウダーファンデーション、口紅に対して、ファイバレーザにより模様を形成した実施例を具体的に述べる。
【００５２】
（実施例１）チーク
以下の表１に基本原料を示す。配合量は重量％である。
【００５３】
【表１】
2004010494.tif 000003
【００５４】
（１）〜（８）の各粉末を混合した粉末部に、（９）〜（１１）の油分を添加した後、ミキサで十分撹拌した。次いで、この混合物１００重量部を、溶剤としての軽質イソパラフィン５０重量部と混練してスラリー状物とした。このスラリー状物を、無機顔料、有機顔料の色を変えることにより複数色用意して、これらを充填機にて容器に充填し、濾紙を介して圧縮成型後、乾燥して多色固形化粧料としてのチークを得た。そして、このチークに対して、以下の表２に示す希土類ドープファイバレーザを用い上記実施形態と同様の態様でバースト状のレーザ光を照射し、焦げの無い綺麗な模様が形成されたチークを得た。
【００５５】
【表２】
2004010494.tif 000004
【００５６】
（実施例２）アイシャドウ
以下の表３に基本原料を示す。配合量は重量％である。
【００５７】
【表３】
2004010494.tif 000005
【００５８】
（１）〜（８）の各粉末を混合した粉末部に、（９）〜（１２）の油分を添加した後、ミキサで十分撹拌した。次いで、この混合物１００重量部を、溶剤としての軽質イソパラフィン５０重量部と混練してスラリー状物とした。このスラリー状物を、無機顔料、有機顔料の色を変えることにより複数色用意して、これらを充填機にて容器に充填し、濾紙を介して圧縮成型後、乾燥して多色固形化粧料としてのアイシャドウを得た。そして、このアイシャドウに対して、上記表２に示す希土類ドープファイバレーザを用い上記実施形態と同様の態様でバースト状のレーザ光を照射し、焦げの無い綺麗な模様が形成されたアイシャドウを得た。
【００５９】
（実施例３）フェイスパウダー
以下の表４に基本原料を示す。配合量は重量％である。
【００６０】
【表４】
2004010494.tif 000006
【００６１】
（１）〜（９）の各粉末を混合した粉末部に、（１０）〜（１３）の油分を添加した後、ミキサで十分撹拌した。次いで、この混合物１００重量部を、溶剤としての軽質イソパラフィン５０重量部と混練してスラリー状物とした。このスラリー状物を、無機顔料、有機顔料の色を変えることにより複数色用意して、これらを充填機にて容器に充填し、濾紙を介して圧縮成型後、乾燥して多色固形化粧料としてのフェイスパウダーを得た。そして、このフェイスパウダーに対して、上記表２に示す希土類ドープファイバレーザを用い上記実施形態と同様の態様でバースト状のレーザ光を照射し、焦げの無い綺麗な模様が形成されたフェイスパウダーを得た。
【００６２】
（実施例４）パウダーファンデーション
以下の表５に基本原料を示す。配合量は重量％である。
【００６３】
【表５】
2004010494.tif 000007
【００６４】
（１）〜（９）の各粉末を混合した粉末部に、（１０）〜（１４）の油分を添加した後、ミキサで十分撹拌した。次いで、この混合物を篩を通して容器に取り、プレス機で加圧成型して固形化粧料としてのパウダーファンデーションを得た。そして、このパウダーファンデーションに対して、上記表２に示す希土類ドープファイバレーザを用い上記実施形態と同様の態様でバースト状のレーザ光を照射し、焦げの無い綺麗な模様が形成されたパウダーファンデーションを得た。
【００６５】
（実施例５）スティック型口紅
以下の表６に基本原料を示す。配合量は重量％である。
【００６６】
【表６】
2004010494.tif 000008
【００６７】
（１）〜（９）の各油分を溶解混合した後、（１０）〜（１４）の粉末を添加し混合撹拌して口紅組成物を得た。次いで、この口紅組成物を溶解したものを金型に流し込みこれを冷却し固化してスティック型とし、容器に装着して固形化粧料としてのスティック型口紅を得た。そして、このスティック型口紅に対して、上記表２に示す希土類ドープファイバレーザを用い上記実施形態と同様の態様でバースト状のレーザ光を照射し、焦げの無い綺麗な模様が形成されたスティック型口紅を得た。
【００６８】
（実施例６）容器充填型口紅
以下の表７に基本原料を示す。配合量は重量％である。
【００６９】
【表７】
2004010494.tif 000009
【００７０】
（１）〜（８）の各油分を溶解混合した後、（１０）〜（１３）の粉末を添加し混合撹拌して口紅組成物を得た。次いで、この口紅組成物を９０°Ｃで溶解したものを容器に流し込みこれを室温にて冷却し固化して、固形化粧料としての容器充填型口紅を得た。そして、この容器充填型口紅に対して、上記表２に示す希土類ドープファイバレーザを用い上記実施形態と同様の態様でバースト状のレーザ光を照射し、焦げの無い綺麗な模様が形成された容器充填型口紅を得た。
【００７１】
（実施例７）容器充填型口紅（グロス）
以下の表８に基本原料を示す。配合量は重量％である。
【００７２】
【表８】
2004010494.tif 000010
【００７３】
（１）〜（３）を溶解混合した後、（４）〜（９）の油分と粉末を添加し混合撹拌して口紅組成物を得た。次いで、この口紅組成物を９０°Ｃで溶解したものを容器に流し込みこれを室温にて冷却し固化して、固形化粧料としての容器充填型口紅（グロス）を得た。そして、この容器充填型口紅に対して、上記表２に示す希土類ドープファイバレーザを用い上記実施形態と同様の態様でバースト状のレーザ光を照射し、焦げの無い綺麗な模様が形成された容器充填型口紅を得た。
【００７４】
【発明の効果】
以上、本発明によれば、模様データに応じてレーザ光の照射をオン・オフして固形化粧料に模様を形成すると共に、レーザ光の照射がオンの状態では、波形凸部にエネルギーが集約されて高いピークパワーが得られるバースト状のレーザ光を出力するため、この高いピークパワーのバースト状のレーザ光により、照射される固形化粧料が一気に昇華しそのエネルギーにより周囲の固形化粧料が飛び散り、焦げを生じること無く模様が掘り込まれて形成される。その結果、焦げの無い綺麗で鮮明な模様を得ることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態に係る固形化粧料の製造方法に用いられるファイバレーザを示す構成図である。
【図２】図１中の信号用半導体レーザ及び励起用半導体レーザの動作、レーザ出力、レーザ光の照射オン・オフを示す各図である。
【符号の説明】
１…レーザ発生手段、１０…信号用半導体レーザ、２０…レーザ増幅器、２１…希土類ドープ光ファイバ（光ファイバ）、２２Ａ，２２Ｂ…励起用半導体レーザ、３０…コリメータレンズ、４０…光走査機構、５０…集光レンズ、６０…レーザ発振制御手段、７０…入力手段、８０…本体ユニット、１００…固形化粧料、１５０…容器、２００…ファイバレーザ。
【図１】
2004010494.tif 000011
【図２】
2004010494.tif 000012