(57)【要約】【課題】本発明は、コネクターを精度位置決めするとともに、樹脂封止後に第２のインナーリードの外囲器からの抜けを防止することを図ることを課題とする。【解決手段】第１のインナーリード１１と、この第１のインナーリード１１に搭載された半導体チップ１３と、前記第１のインナーリード１１と段違いに配置された第２のインナーリード１７と、前記第１のインナーリード１１と前記第２のインナーリード１７とを接続するコネクター１５ａ，１５ｂと、前記半導体チップ１３を樹脂封止する外囲器１９とを具備するコネクター型半導体素子において、前記コネクター１５ａ，１５ｂと接続する前記第２のインナーリード１７ａ，１７ｂの接続部に段差１８を持たせたことを特徴とするコネクター型半導体素子。【選択図】　　図４
2004031516.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のインナーリードと、この第１のインナーリードに搭載された半導体チップと、前記第１のインナーリードと段違いに配置された第２のインナーリードと、前記第１のインナーリードと前記第２のインナーリードとを接続するコネクターと、前記半導体チップを樹脂封止する外囲器とを具備するコネクター型半導体素子において、
前記コネクターと接続する前記第２のインナーリードの接続部に段差を持たせたことを特徴とするコネクター型半導体素子。
【請求項２】
前記段差は、コネクターとの接続部に対応する第２のインナーリードの端部が他の部分より低い形状であることを特徴とする請求項１記載のコネクター型半導体素子。
【請求項３】
前記段差は、コネクターとの接続部より外側に位置する第２のインナーリード部分が他の部分より突出した形状であることを特徴とする請求項１記載のコネクター型半導体素子。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はコネクター型半導体素子に関し、特に第１のインナーリードとコネクターを介して接続する第２のインナーリードの接続部に改良を施したコネクター型半導体素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、コネクター型半導体素子としては、図１及び図２に示すものが知られている。ここで、図１は同半導体素子の断面図、図２は図１の平面図を示す。
図中の付番１は、第１のインナーリードを示す。この第１のインナーリード１上には、半田層２ａを介して半導体チップ３が搭載されている。前記半導体チップ３には、半田層２ｂを介してコネクター４の一端が接続されている。前記コネクター４の他端は半田層２ｃを介して第２のインナーリード５に接続されている。前記半導体チップ３、コネクター４、及び第２のインナーリード５の一部は樹脂製の外囲器６により封止されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、図１及び図２のコネクター型半導体素子において、第２のインナーリード５はコネクター４の他端と半田層２ｃを介して接続しているが、その接続部はフラット形状であるため、半田溶融時に半田が流れて広がり、コネクター４が図中の右方向へ移動するという問題があった。
【０００４】
本発明はこうした事情を考慮してなされたもので、コネクターと接続する第２のインナーリードの接続部に段差を持たせた構成にすることにより、半田溶融時の半田の広がりを制限してコネクターの移動を防止し、コネクターを精度位置決めするとともに、樹脂封止後に第２のインナーリードの外囲器からの抜けを防止するコネクター型半導体素子を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明は、第１のインナーリードと、この第１のインナーリードに搭載された半導体チップと、前記第１のインナーリードと段違いに配置された第２のインナーリードと、前記第１のインナーリードと前記第２のインナーリードとを接続するコネクターと、前記半導体チップを樹脂封止する外囲器とを具備するコネクター型半導体素子において、前記コネクターと接続する前記第２のインナーリードの接続部に段差を持たせたことを特徴とするコネクター型半導体素子である。
【０００６】
本発明において、前記段差は、例えば図３に示すように、コネクターとの接続部に対応する第２のインナーリードの端部が他の部分より低い形状である場合が挙げられる。この場合、段差は、コネクターとの接続部に対応する第２のインナーリード部分のみを上部側から下部側に押圧することにより得られる。
【０００７】
また、前記段差は、例えば図５に示すように、コネクターとの接続部より外側に位置する第２のインナーリード部分が他の部分より突出した形状である場合が挙げられる。この場合、第２のインナーリードの突出した形状部分（突出部）は、コネクターとの接続部より若干外側に位置する第２のインナーリード部分を下部側から上部側に押圧することにより得られる。
【０００８】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の各実施例に係るコネクター型半導体素子について図面を参照して説明する。なお、下記実施例で述べる各部材の材料や数値等は一例を示すもので、本発明はこれに限定されない。
【０００９】
（実施例１）
図３及び図４を参照する。ここで、図３は本発明の実施例１に係るコネクター型半導体素子の断面図、図４は図３の平面図を示す。なお、本実施例１に係るコネクター型半導体素子は、外囲器がＴＯ−２２０タイプで２．５４ｍｍピッチの３端子を有する場合のＭＯＳ型ＦＥＴの例を示す。
【００１０】
図中の符番１１は、銅からなる第１のインナーリードを示す。この第１のインナーリード１１上には、半田層１２を介して半導体チップ１３が搭載されている。前記半導体チップ１３には、半田層１４ａ，１４ｂを夫々介してコネクター１５ａ，１５ｂの一端が接続されている。各コネクター１５ａ，１５ｂの他端には、半田層１６ａ，１６ｂを夫々介して銅からなる第２のインナーリード１７ａ，１７ｂが第１のインナーリード１１と段違いに配置されている。ここで、一方の第２のインナーリード１７ａはソース用リード端子、他方の第２のインナーリード１７ｂはゲート用リード端子の働きをする。
【００１１】
ここで、コネクター１５ａ，１５ｂと接続する前記第２のインナーリード１７ａ、１７ｂの接続部は、段差１８を持っている。具体的には、前記段差１８は、コネクター１５ａ，１５ｂとの接続部に対応する部分（端部）が他の部分より低い形状になっている。ここで、段差１８は、例えば平坦状のリードフレームをコネクター１５ａ，１５ｂとの接続部に対応する端部のみ上部から下部側に押圧ことにより形成することができる。
【００１２】
また、第２のインナーリード１７ａ，１７ｂにおける左端部の低い部分と他の部分との落差は特に限定されず、半田溶融時に半田流れが抑制できる程度の差であればよい。前記半導体チップ１３、コネクター１５ａ、１５ｂ及び第２のインナーリード１７ａ，１７ｂの一部は樹脂製の外囲器１９により封止されている。なお、図中の符番２０は、上記第２のインナーリードとは異なる、ドレイン用リード端子の働きをする第２のインナーリードを示す。
【００１３】
実施例１に係るコネクター型半導体素子によれば、コネクター１５ａ，１５ｂと夫々接続する第２のインナーリード１７ａ，１７ｂの接続部に段差１８を持たせた構成となっているため、コネクター１５ａ，１５ｂの端部側の半田溶融時の半田層１６ａ，１６ｂの広がりを制限し、コネクター１５ａ，１５ｂが外囲器１９の外側に移動することを防止することができる。従って、コネクター１５ａ，１５ｂを精度良く位置決めすることができる。また、樹脂封止後に、第２のインナーリード１７ａ，１７ｂが外囲器１９から抜けるのを防止することができる。
【００１４】
（実施例２）
図５を参照する。但し、図２と同部材は同符番を付して説明を省略する。
【００１５】
本実施例３に係るコネクター型半導体素子は、実施例１の半導体素子と比べ、段差２１の形状が異なる点を除いて同様な構成となっている。即ち、実施例２の半導体素子における段差２１は、図５に示すように、コネクター１５ａ，１５ｂとの接続部より外側に位置する第２のインナーリード１７ａ，１７ｂ部分が他の部分より突出した形状になっていることを特徴とする。この場合、第２のインナーリード１７ａ、１７ｂの突出した形状部分（突出部）は、コネクター１５ａ，１５ｂとの接続部より若干外側に位置する第２のインナーリード部分を下部側から上部側に押圧することにより得られる。なお、段差２１における突出部の高さは特に制限されず、半田溶融時に半田流れが抑制できる程度の高さであればよい。
【００１６】
実施例２に係るコネクター型半導体素子によれば、コネクター１５ａ，１５ｂとの接続部より外側に位置する第２のインナーリード１７ａ，１７ｂ部分が他の部分より突出した形状である構成となっているため、コネクター１５ａ，１５ｂの端部側の半田溶融時の半田層１６ａ，１６ｂの広がりを突出部で制限し、コネクター１７ａ，１７ｂが外囲器１９の外側に移動することを防止することができる。従って、コネクター１７ａ，１７ｂを精度良く位置決めすることができる。また、樹脂封止後に、第２のインナーリード１７ａ，１７ｂが外囲器１９から抜けるのを防止することができる。
【００１７】
なお、上記実施例では、外囲器がＴＯ−２２０タイプで２．５４ｍｍピッチの３端子を有する場合のＭＯＳ型ＦＥＴについて述べたが、これに限らず、ピッチが異なる他の３端子を有する場合のＭＯＳ型ＦＥＴ、特にピッチが５．４５ｍｍ以下の３端子を有するＭＯＳ型ＦＥＴについて有効である。
【００１８】
【発明の効果】
以上詳述したように本発明によれば、コネクターと接続する第２のインナーリードの接続部に段差を持たせた構成にすることにより、半田溶融時の半田の広がりを制限してコネクターの移動を防止し、コネクターを精度位置決めするとともに、樹脂封止後に第２のインナーリードの外囲器からの抜けを防止するコネクター型半導体素子を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来のコネクター型半導体素子の説明図。
【図２】図１の平面図。
【図３】本発明の実施例１に係るコネクター型半導体素子の断面図。
【図４】図３の平面図。
【図５】本発明の実施例２に係るコネクター型半導体素子の断面図。
【符号の説明】
１１…第１のインナーリード、
１２，１４ａ，１４ｂ，１６ａ，１６ｂ…半田層、
１３…半導体チップ、
１５ａ，１５ｂ…コネクター、
１７ａ，１７ｂ，２０…第２のインナーリード、
１８，２１…段差、
１９…外囲器。
【図１】
2004031516.tif 000003
【図２】
2004031516.tif 000004
【図３】
2004031516.tif 000005
【図４】
2004031516.tif 000006
【図５】
2004031516.tif 000007