(57)【要約】【課題】比透磁率２〜２０でかつ比誘電率５〜１００の所望の低透磁率―低誘電率特性、気孔率１０％未満、比抵抗１×１０１０Ωｃｍ以上という性質を同時に有する。【解決手段】磁性材料と、誘電材料と、ガラス材料からなる。【選択図】　図１
2004010439.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁性材料と、誘電材料と、ガラス材料からなり、
比透磁率の値が２〜２０、比誘電率の値が５〜１００であり、比抵抗が１×１０１０Ωｃｍ以上、気孔率が１０％未満であることを特徴とする複合磁器材料。
【請求項２】
前記磁性材料と前記誘電材料と前記ガラス材料との組成比が合計で１００重量％とされ、
これら磁性材料の組成比と、誘電材料の組成比と、ガラス材料の組成比とが、三元系の三角組成図において、添付図面図３に各点（磁性材料：誘電材料：ガラス材料）で示すように、
点Ｄ（５８．８：３９．２：２．０）、
点Ｅ（５７．１：１４．３：２８．６）、
点Ｆ（２６．７：６．７：６６．７）、
点Ｇ（２０．０：１３．３：６６．７）、
点Ｈ（２８．６：４２．９：２８．６）、
点Ｉ（３８．１：５７．１：４．８）、
で囲まれる領域内の値に設定されることを特徴とする請求項１記載の複合磁器材料。
【請求項３】
各材料組成を混合して６００〜９５０℃で焼成したことを特徴とする請求項１または２記載の複合磁器材料。
【請求項４】
前記ガラス材料は、ＳｉＯ２とＢ２Ｏ３とＲＯまたはＲＯ２（但し、ＲはＣａ、Ｂａ、ａｌ、Ｐｂ、Ｚｎの群から選択された少なくとも１種）の３種の組成比が合計で１００重量％とされ、これら、ＳｉＯ２の組成比と、Ｂ２Ｏ３の組成比と、ＲＯまたはＲＯ２の組成比とが、三元系の三角組成図において、添付図面図１に各点（ＳｉＯ２：Ｂ２Ｏ３：ＲＯまたはＲＯ２）で示すように、
点Ａ（５５：５：４０）、
点Ｂ（１５：０：８５）、
点Ｃ（２：５：９３）、
で囲まれる領域内の値に設定されることを特徴とする請求項１から３のいずれか記載の複合磁器材料。
【請求項５】
前記誘電材料が、少なくともＢａＴｉＯ３、ＴｉＯ２、または、リラクサー系材料から選択される１種とされてなることを特徴とする請求項１から４のいずれか記載の複合磁器材料。
【請求項６】
前記リラクサー系材料としては、その組成が
（ＰｂＯｘ・Ｌａ２Ｏ３ｙ／２）・（ＺｒＯｕ・ＴｉＯｖ）
ｘ＋ｙ＝１（ｘ＝０．８０〜０．９９）
ｕ＋ｖ＝１（ｕ＝０．５０〜０．８５）
で表されることを特徴とする請求項１から５のいずれか記載の複合磁器材料。
【請求項７】
前記磁性材料が、Ｎｉ―Ｚｎ系フェライトまたはＮｉ−Ｚｎ―Ｃｕ系フェライトから選択された１種であることを特徴とする請求項１から６のいずれか記載の複合磁器材料。
【請求項８】
前記Ｎｉ−Ｚｎ―Ｃｕ系フェライトとしては、その組成が（ＮｉＯｘ・ＺｎＯｙ・ＣｕＯｚ）ａ・（Ｆｅ２Ｏ３）ｂ
ｘ＋ｙ＋ｚ＝ａ
ｘ＝０．１０〜０．３５
ｙ＝０．１０〜０．３５
ｚ＝０．００〜０．２０
ａ＝０．５０５〜０．５３０
ｂ＝０．４９５〜０．４７０
ａ＋ｂ＝１
で表されることを特徴とする請求項１から７のいずれか記載の複合磁器材料。
【請求項９】
請求項１から８のいずれかに記載の複合磁器材料を用いたことを特徴とするＬＣ複合部品。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、複合磁器材料およびＬＣ複合部品に係り、特に、低透磁率で、かつ、低誘電率での制御性を兼ね備えた緻密なＬＣ複合部品、一例としてノイズ部品、電波吸収体、チップアンテナ部品等の電子部品の素体として用いられる複合磁器材料に用いて好適な技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】
電子部品の分野において、誘電材料及び磁性材料の占める役割は大きく、前者は主にコンデンサ用材料として、後者は主にインダクタ用材料として広く用いられており、それぞれの材料によりコンデンサとインダクタが製造されている。
従来キャパシタンス分とインダクタンス分を兼備する電子部品としては、誘電材料と磁性材料とを混合、焼結してなる複合磁器材料を用いている。
【０００３】
たとえば複合磁器材料は、主成分としてフェライトを含むものが一般的であり、特開昭６２−１４７７０３号公報、特開平１−２９１４０６号公報、特開平７−２２３８６０号公報、には、フェライトとペロブスカイト型の誘電体材料を含む混合焼結体により所望の高透磁率−高誘電率を有する複合磁器材料が記載されている。
また、特開平１２−１６４４１７号公報には、フェライトとホウ素を含有しない焼結助剤とを含む磁性体磁器組成物により、低温焼結化、透磁率１０以下の低透磁率化を有するものが記載されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、上記の公報に記載されたような技術では、
▲１▼焼成温度が９５０℃以下の低温において
▲２▼比透磁率２〜２０でかつ比誘電率５〜１００の所望の低透磁率―低誘電率特性を有し
▲３▼気孔率１０％未満の高焼結性を有し
▲４▼比抵抗１×１０１０Ωｃｍ以上の高絶縁性を有する
という性質を同時に有する磁性体誘電体複合材料は得られないという問題があった。
【０００５】
本発明は、上記の事情に鑑みてなされたもので、９５０℃以下において、かつ比透磁率２〜２０でかつ比誘電率５〜１００の所望の低透磁率―低誘電率特性を有し、かつ気孔率１０％未満の高焼結性、１×１０１０Ωｃｍ以上の高絶縁性の磁性体誘電体複合材料およびこれを用いたＬＣ複合部品を提供するという目的を達成しようとするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明の複合磁器材料は、磁性材料（フェライト）と、誘電材料と、ガラス材料からなり、
比透磁率の値が２〜２０、比誘電率の値が５〜１００であり、比抵抗が１×１０１０Ωｃｍ以上、気孔率が１０％未満であることにより上記課題を解決した。
本発明において、前記磁性材料と前記誘電材料と前記ガラス材料との組成比が合計で１００重量％とされ、
これら磁性材料の組成比と、誘電材料の組成比と、ガラス材料の組成比とが、三元系の三角組成図において、添付図面図３に各点（磁性材料：誘電材料：ガラス材料）で示すように、
点Ｄ（５８．８：３９．２：２．０）、
点Ｅ（５７．１：１４．３：２８．６）、
点Ｆ（２６．７：６．７：６６．７）、
点Ｇ（２０．０：１３．３：６６．７）、
点Ｈ（２８．６：４２．９：２８．６）、
点Ｉ（３８．１：５７．１：４．８）、
で囲まれる領域内の値に設定されることが望ましい。
また、本発明において、各材料組成を混合して６００〜９５０℃で焼成した手段を採用することもできる。
本発明における前記ガラス材料は、ＳｉＯ２とＢ２Ｏ３とＲＯまたはＲＯ２（但し、ＲはＣａ、Ｂａ、Ａｌ、Ｐｂ、Ｚｎの群から選択された少なくとも１種）の３種の組成比が合計で１００重量％とされ、これら、ＳｉＯ２の組成比と、Ｂ２Ｏ３の組成比と、ＲＯまたはＲＯ２の組成比とが、三元系の三角組成図において、添付図面図１に各点（ＳｉＯ２：Ｂ２Ｏ３：ＲＯまたはＲＯ２）で示すように、
点Ａ（５５：５：４０）、
点Ｂ（１５：０：８５）、
点Ｃ（２：５：９３）、
で囲まれる領域内の値に設定されることが可能である。
また、前記誘電材料が、少なくともＢａＴｉＯ３、ＴｉＯ２、または、リラクサー系材料から選択される１種とされてなることができる。
本発明は、前記リラクサー系材料としては、その組成が
（ＰｂＯｘ・Ｌａ２Ｏ３ｙ／２）・（ＺｒＯｕ・ＴｉＯｖ）
ｘ＋ｙ＝１（ｘ＝０．８０〜０．９９）
ｕ＋ｖ＝１（ｕ＝０．５０〜０．８５）
で表されることが可能である。
本発明の前記磁性材料が、Ｎｉ―Ｚｎ系フェライトまたはＮｉ−Ｚｎ―Ｃｕ系フェライトから選択された１種であることがある。
本発明では、前記Ｎｉ−Ｚｎ―Ｃｕ系フェライトとしては、その組成が
（ＮｉＯｘ・ＺｎＯｙ・ＣｕＯｚ）ａ・（Ｆｅ２Ｏ３）ｂ
ｘ＋ｙ＋ｚ＝ａ
ｘ＝０．１０〜０．３５
ｙ＝０．１０〜０．３５
ｚ＝０．００〜０．２０
ａ＝０．５０５〜０．５３０
ｂ＝０．４９５〜０．４７０
ａ＋ｂ＝１
で表される手段が可能である。
本発明のＬＣ複合部品は、上記の複合磁器材料を用いたことにより上記課題を解決した。
【０００７】
本発明の複合磁器材料は、磁性材料と、誘電材料と、ガラス材料からなる複合磁器材料であることにより、比透磁率２〜２０でかつ比誘電率５〜１００の所望の低透磁率―低誘電率特性を有し、かつ気孔率１０％未満の高焼結性、比抵抗１×１０１０Ωｃｍ以上の高絶縁性を有することができる。特に、比透磁率２〜２０の範囲において、比誘電率が５〜１００と従来にはできなかった広い範囲で設定可能なため、より多くの電子部品等の特性に合わせて比誘電率を制御して複合磁器材料を製造することが可能になる。
【０００８】
ここで、比透磁率２〜２０でかつ比誘電率５〜１００の所望の低透磁率―低誘電率特性を有するとともに、比抵抗１×１０１０Ωｃｍ以上の高絶縁性を有することにより、従来からある低透磁率で比抵抗の高い複合磁器材料においてなしえなかった、比誘電率を所望の値に設定することが可能となる。同時に、気孔率１０％未満の高焼結性を有することにより、高密度の複合磁器材料として、所望の低透磁率―低誘電率特性を有する電子部品に適応することが可能となる。
【０００９】
本発明の複合磁器材料は、上記のような、比透磁率２〜２０でかつ比誘電率５〜１００の所望の低透磁率―低誘電率特性を有し、かつ気孔率１０％未満の高焼結性、比抵抗１×１０１０Ωｃｍ以上の高絶縁性を有することにより、これを用いたＬＣ複合部品は、高周波用のノイズ部品を提供することができ、従来からある低透磁率で比抵抗の高い複合磁器材料においてなしえなかったコンデンサ部の低層化が可能となり、多層化により生じるおそれのある層間のデラミの抑制に有効である。さらに、性能においては、高耐圧、高強度で、環境に対して高信頼性の高周波用ノイズ部品を提供することができる。
【００１０】
本発明において、前記磁性材料と前記誘電材料と前記ガラス材料との組成比が添付図面図３に示すように、点Ｄ、点Ｅ、点Ｆ、点Ｇ、点Ｈ、点Ｉ、で囲まれる領域内の値に設定されることにより、比透磁率２〜２０でかつ比誘電率５〜１００の所望の低透磁率―低誘電率特性と、気孔率１０％未満の高焼結性と、比抵抗１×１０１０Ωｃｍ以上の高絶縁性とを同時に実現することが可能となる。
ここで、ガラス材料は微量添加により低透磁率化及び低誘電率化の効果が大きく、多すぎると比透磁率及び比誘電率はガラス材料とほぼ同程度の比透磁率１でかつ比誘電率５を有するため、上記領域が好ましい。
【００１１】
また、本発明において、各材料組成を混合して７００〜９５０℃で焼成した手段を採用することにより、低温焼成でも上記の高焼結性（気孔率）を達成することが可能となる。
【００１２】
本発明における前記ガラス材料における、ＳｉＯ２の組成比と、Ｂ２Ｏ３の組成比と、ＲＯまたはＲＯ２の組成比とが、添付図面図１に示すように、点Ａ、点Ｂ、点Ｃ、で囲まれる領域内の値に設定されることにより、前述の磁性材料と誘電材料とガラス材料との配合比（組成比）として、所望の誘電特性を有するとともに、比透磁率２〜２０でかつ比誘電率５〜１００の所望の低透磁率―低誘電率特性と、気孔率１０％未満の高焼結性と、比抵抗１×１０１０Ωｃｍ以上の高絶縁性とを同時に実現することが可能となる複合磁器材料を得ることが可能となる。
ここで、前記ガラス材料としては、上記範囲の組成比で混合し、５００〜１０００℃で溶解後急冷したものが好ましい。
【００１３】
また、前記誘電材料が、少なくともＢａＴｉＯ３、ＴｉＯ２、または、組成が上述した（ＰｂＯｘ・Ｌａ２Ｏ３ｙ／２）・（ＺｒＯｕ・ＴｉＯｖ）で表されるペロブスカイト型リラクサー系材料から選択される１種とされてなることにより、前述の磁性材料と誘電材料とガラス材料との配合比（組成比）として、所望の誘電特性を有するとともに、比透磁率２〜２０でかつ比誘電率５〜１００の所望の低透磁率―低誘電率特性と、気孔率１０％未満の高焼結性と、比抵抗１×１０１０Ωｃｍ以上の高絶縁性とを同時に実現することが可能となる複合磁器材料を得ることが可能である。
【００１４】
本発明の前記磁性材料が、Ｎｉ―Ｚｎ系フェライトまたはＮｉ−Ｚｎ―Ｃｕ系フェライトから選択された１種であることにより、前述の磁性材料と誘電材料とガラス材料との配合比（組成比）として、所望の誘電特性を有するとともに、比透磁率２〜２０でかつ比誘電率５〜１００の所望の低透磁率―低誘電率特性と、気孔率１０％未満の高焼結性と、比抵抗１×１０１０Ωｃｍ以上の高絶縁性とを同時に実現することが可能となる複合磁器材料を得ることが可能である。
ここで、具体的な磁性材料としては（ＮｉＯｘ・ＺｎＯｙ・ＣｕＯｚ）ａ・（Ｆｅ２Ｏ３）ｂ表されるＮｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系フェライトが好ましい。
【００１５】
本発明のＬＣ複合部品は、上記の比透磁率２〜２０でかつ比誘電率５〜１００の所望の低透磁率―低誘電率特性と、気孔率１０％未満の高焼結性と、比抵抗１×１０１０Ωｃｍ以上の高絶縁性とを同時に実現することが可能となる複合磁器材料を用いたことにより、高焼結性、絶縁性の高い高周波用ノイズ部品を得ることが可能となる。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に係る複合磁器材料およびＬＣ複合部品の一実施形態を図面に基づいて説明する。
図１は本発明におけるガラス材料の組成比を示す三角組成図、図２は実施例における複合磁器材料の透磁率―誘電率特性を示すグラフ、図３は本発明における複合磁器材料の材料配合組成比を示す三角組成図である。
【００１７】
本発明に用いる磁性材料（フェライト）及び誘電材料及びガラス材料は、それらの複合磁器材料により比透磁率２〜２０でかつ比誘電率５〜１００の所望の低透磁率―低誘電率特性を有し、かつ気孔率１０％未満の高焼結性、１×１０１０Ωｃｍ以上の高絶縁性を有するものであれば良く、用いる磁性材料とペロブスカイト型を有する誘電材料とガラス材料の複合比やそれぞれの種類（組成）は、複合比と各材料組成の組み合わせや作製条件によって多少異なるが、好ましくは、次のようなものが挙げられる。
【００１８】
具体的には、磁性材料と誘電材料とガラス材料の混合割合は、目的の透磁率・誘電率に合わせ、下記範囲内の複合比で混合したものを、各複合比と各材料組成の組み合わせにより７００〜９５０℃で焼成して得られる複合磁器材料が好ましい。
【００１９】
好ましい複合磁器材料として、磁性材料と誘電材料とガラス材料の３種を合計１００ｗｔ％（１００重量％）含み、図３に示すように、この複合磁器材料は磁性材料と誘電材料とガラス材料の三元系の組成をギブスの組成三角形で表し、この三角形内において複合比をそれぞれ
磁性材料：誘電材料：ガラス材料＝５８．８：３９．２：２．０を点Ｄ、
磁性材料：誘電材料：ガラス材料＝５７．１：１４．３：２８．６を点Ｅ、
磁性材料：誘電材料：ガラス材料＝２６．７：６．７：６６．７を点Ｆ、
磁性材料：誘電材料：ガラス材料＝２０．０：１３．３：６６．７を点Ｇ、
磁性材料：誘電材料：ガラス材料＝２８．６：４２．９：２８．６を点Ｈ、
磁性材料：誘電材料：ガラス材料＝３８．１：５７．１：４．８を点Ｉ、
とするとき、前記３種の複合比が線分ＤＥと線分ＥＦと線分ＦＧと線分ＧＨと線分ＨＩと線分ＩＤで囲まれた六角形ＤＥＦＧＨＩ内にあることが好ましい。
【００２０】
ガラス材料は微量添加により低透磁率化及び低誘電率化の効果が大きく、多すぎると比透磁率及び比誘電率はガラス材料とほぼ同程度の比透磁率１でかつ比誘電率５を有するため、上記領域が好ましい。
【００２１】
具体的なガラス材料としては、下記範囲内の組成比で混合し、５００〜１０００℃で溶解後急冷したガラス材料が好ましい。
ガラス組成として、ＳｉＯ２とＢ２Ｏ３とＲＯまたはＲＯ２（但し、ＲはＣａ、Ｂａ、Ａｌ、Ｐｂ、Ｚｎ、Ｔｉの群から選択された少なくとも１種）の３種の組成比が合計で１００ｗｔ％（重量パーセント）含み、図１に示すように、このガラス材料は、ＳｉＯ２とＢ２Ｏ３とＲＯまたはＲＯ２との三元系の組成をギブスの組成三角形で表し、この三角形内において組成比をそれぞれ
ＳｉＯ２：Ａｌ２Ｏ３：ＲＯまたはＲＯ２＝５５：５：４０　を点Ａ、
ＳｉＯ２：Ａｌ２Ｏ３：ＲＯまたはＲＯ２＝１５：０：８５　を点Ｂ、
ＳｉＯ２：Ａｌ２Ｏ３：ＲＯまたはＲＯ２＝２：５：９３　を点Ｃ、
とするとき、前記３種の組成比が線分ＡＢと線分ＢＣと線分ＣＡとで囲まれた３角形ＡＢＣ内にあることが好ましい。
【００２２】
誘電材料としては、少なくともＢａＴｉＯ３、ＴｉＯ２、または、リラクサー系材料から選択される１種とされてなることが好ましい。
具体的な誘電材料としては下記のペロブスカイト型のリラクサー系が好ましい。（ＰｂＯｘ・Ｌａ２Ｏ３ｙ／２）・（ＺｒＯｕ・ＴｉＯｖ）
ｘ＋ｙ＝１（ｘ＝０．８０〜０．９９）
ｕ＋ｖ＝１（ｕ＝０．５０〜０．８５）
【００２３】
磁性材料としてはＮｉ―Ｚｎ系フェライトまたはＮｉ−Ｚｎ―Ｃｕ系フェライトが好ましい。具体的な磁性材料としては下記のＮｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系フェライトが好ましい。
（ＮｉＯｘ・ＺｎＯｙ・ＣｕＯｚ）ａ・（Ｆｅ２Ｏ３）ｂ
ｘ＋ｙ＋ｚ＝ａ
ｘ＝０．１０〜０．３５
ｙ＝０．１０〜０．３５
ｚ＝０．００〜０．２０
ａ＝０．５０５〜０．５３０
ｂ＝０．４９５〜０．４７０
ａ＋ｂ＝１
【００２４】
本発明の複合磁器材料は、混合に用いるガラス材料粉を磁性材料粉及び誘電材料粉と同程度の粒径にすることが好ましく、具体的には、ガラス材料粉の平均粒径を０．５〜１．５μｍ、磁性材料の平均粒径を０．５〜１．５μｍ、誘電材料の平均粒径を０．５〜１．５μｍにすることが好ましい。
【００２５】
このような本発明の複合磁器材料は、前述した磁性材料、誘電材料、ガラス材料を、所定の割合で混合し、常法に従って成形した後６００〜９５０℃で焼成することにより容易に製造することができる。
【００２６】
本発明の複合磁器材料は、磁性材料と、誘電材料と、ガラス材料からなる複合磁器材料であることにより、比透磁率２〜２０でかつ比誘電率５〜１００の所望の低透磁率―低誘電率特性を有し、かつ気孔率１０％未満の高焼結性、比抵抗１×１０１０Ωｃｍ以上の高絶縁性を有することができる。
ここで、比透磁率２〜２０でかつ比誘電率５〜１００の所望の低透磁率―低誘電率特性を有するとともに、比抵抗１×１０１０Ωｃｍ以上の高絶縁性を有することにより、従来からある低透磁率で比抵抗の高い複合磁器材料においてなしえなかった、比誘電率を所望の値に設定することが可能となる。同時に、気孔率１０％未満の高焼結性を有することにより、高密度の複合磁器材料として、ＬＣ複合部品等に適応することにより所望の低透磁率―低誘電率特性を有する電子部品に適応することが可能となる。
【００２７】
本発明において、前記磁性材料と前記誘電材料と前記ガラス材料との組成比が添付図面図３に示すように、点Ｄ、点Ｅ、点Ｆ、点Ｇ、点Ｈ、点Ｉ、で囲まれる領域内の値に設定されることにより、比透磁率２〜２０でかつ比誘電率５〜１００の所望の低透磁率―低誘電率特性と、気孔率１０％未満の高焼結性と、比抵抗１×１０１０Ωｃｍ以上の高絶縁性とを同時に実現することが可能となる。
ここで、ガラス材料は微量添加により低透磁率化及び低誘電率化の効果が大きく、多すぎると比透磁率及び比誘電率はガラス材料とほぼ同程度の比透磁率１でかつ比誘電率５を有するため、上記領域が好ましい。
【００２８】
本発明における前記ガラス材料における、ＳｉＯ２の組成比と、Ｂ２Ｏ３の組成比と、ＲＯまたはＲＯ２の組成比とが、添付図面図１に示すように、点Ａ、点Ｂ、点Ｃ、で囲まれる領域内の値に設定されることにより、前述の磁性材料と誘電材料とガラス材料との配合比（組成比）として、所望の誘電特性を有するとともに、比透磁率２〜２０でかつ比誘電率５〜１００の所望の低透磁率―低誘電率特性と、気孔率１０％未満の高焼結性と、比抵抗１×１０１０Ωｃｍ以上の高絶縁性とを同時に実現することが可能となる複合磁器材料を得ることが可能となる。
【００２９】
また、前記誘電材料が、少なくともＢａＴｉＯ３、ＴｉＯ２、または、組成が上述した（ＰｂＯｘ・Ｌａ２Ｏ３ｙ／２）・（ＺｒＯｕ・ＴｉＯｖ）で表されるペロブスカイト型リラクサー系材料から選択される１種とされてなることにより、前述の磁性材料と誘電材料とガラス材料との配合比（組成比）として、所望の誘電特性を有するとともに、比透磁率２〜２０でかつ比誘電率５〜１００の所望の低透磁率―低誘電率特性と、気孔率１０％未満の高焼結性と、比抵抗１×１０１０Ωｃｍ以上の高絶縁性とを同時に実現することが可能となる複合磁器材料を得ることが可能である。
【００３０】
本発明の前記磁性材料が、Ｎｉ―Ｚｎ系フェライトまたはＮｉ−Ｚｎ―Ｃｕ系フェライトから選択された１種であることにより、前述の磁性材料と誘電材料とガラス材料との配合比（組成比）として、所望の誘電特性を有するとともに、比透磁率２〜２０でかつ比誘電率５〜１００の所望の低透磁率―低誘電率特性と、気孔率１０％未満の高焼結性と、比抵抗１×１０１０Ωｃｍ以上の高絶縁性とを同時に実現することが可能となる複合磁器材料を得ることが可能である。
【００３１】
次に、本発明のＬＣ複合部品として、上記磁性材料、上記誘電材料、ガラス材料をバインダーと混合して混練して、複合磁器材料のグリーンシートを作製した。
この複合磁器材料のグリーンシートをそれぞれ２０枚積層し、その途中で市販のＡｇ／Ｐｄペーストを用いて内部電極としてコイルとコンデンサを印刷形成し（コイルはスルーホールを介して接続）、熱間圧着後、焼成後に焼結体寸法が２．０×１．２５ｍｍとなるように切断し、三端子構造のＬＣ複合ＥＭＩフィルタチップをそれぞれ得た。このチップを４００℃で脱脂処理した後、大気中で６００〜９５０℃で４時間焼成した。尚、各チップは、各複合磁器材料が６００〜９５０℃内の高焼結化する最適温度で焼成した。
【００３２】
本発明のＬＣ複合部品は、上記の比透磁率２〜２０でかつ比誘電率５〜１００の所望の低透磁率―低誘電率特性と、気孔率１０％未満の高焼結性と、比抵抗１×１０１０Ωｃｍ以上の高絶縁性とを同時に実現することが可能となる複合磁器材料を用いたことにより、高焼結性、絶縁性の高い高周波用ノイズ部品を得ることが可能となる。高焼結性、高絶縁性であることにより、高耐圧、高強度で、環境に対して高信頼性の高周波用ノイズ部品を得ることが可能である。また、所望の比誘電率を得ることができるため、従来からある低透磁率で比抵抗の高い複合磁器材料においてなしえなかったコンデンサ部の低層化等が可能となる。
【００３３】
なお、本発明においては、比透磁率２〜２０でかつ比誘電率５〜１００の所望の低透磁率―低誘電率特性を有し、かつ気孔率１０％未満の高焼結性、比抵抗１×１０１０Ωｃｍ以上の高絶縁性を有するものであれば、他の材料を適応することも可能である。
【００３４】
【実施例】
以下、本発明の実施例について説明する。
（１）磁性材料（フェライト）：ＮｉＯ，ＺｎＯ，ＣｕＯ，Ｆｅ２Ｏ３を出発原料としこれらを各々１５：２５：１２：４８（モル比）の割合で湿式混合後、９５０℃で仮焼し、Ｎｉ０．１５Ｚｎ０．２５Ｃｕ０．１２Ｆｅ０．９６Ｏ１．９６の磁性材料を得た。得られた磁性材料は、湿式にて４８時間粉砕し平均粒径約１μｍのスピネル構造の磁性材料を得た。
【００３５】
（２）誘電材料：ＰｂＯ，Ｌａ２Ｏ３，ＺｒＯ２，ＴｉＯ２を出発原料としこれらを各々８８：６：７０：３０（モル比）の割合で湿式混合後、１０５０℃で仮焼し、Ｐｂ０．８８Ｌａ０．１２Ｚｒ０．７Ｔｉ０．３Ｏ３．０６の誘電材料を得た。得られた誘電材料は、乾式にて２４時間粉砕し平均粒径約１μｍのペロブスカイト型の誘電材料を得た。
【００３６】
（３）表１に示したガラス材料を得るために、各成分の酸化物、炭酸塩、または水酸化物を混合し、５００〜１０００℃で溶解後急冷した。得られたガラス材料はエタノールにて４８時間粉砕し、平均粒径０．５〜１．５μｍのガラス材料を得た。
【００３７】
【表１】
2004010439.tif 000003
【００３８】
（４）次に、表２に示すように上記磁性材料、上記誘電材料及び表１のガラス材料の各材料を磁性材料：誘電材料：ガラス材料＝５４．５：３６．４：９．１ｗｔ％比で混合後、比透磁率、比誘電率、比抵抗、密度及び気孔率等の焼結性を評価できるよう成形・プレスし、大気中で９５０℃で４時間焼成し、複合磁器材料を得た。
【００３９】
（５）次に得られた複合磁器材料の各焼結体試料について、比透磁率、比誘電率、比抵抗、密度及び気孔率等の焼結性を評価した。尚、比抵抗については、得られた焼結体試料にＡｇ／Ｐｄペーストを塗布して７００℃で焼き付けて電極を形成した後、評価した。その結果を表２に示す。表中の焼結性は気孔率１０％未満を高焼結として○、１０％以上を焼結不足として×と記載した。
【００４０】
【表２】
2004010439.tif 000004
【００４１】
（６）その結果、比較例（磁性材料：誘電材料＝６０：４０ｗｔ％）と比べて、比透磁率は６〜２０と低透磁率化、比誘電率は１４〜４９と低誘電率化した。また、比抵抗は、試料番号Ｃ１〜Ｃ４の結果より、Ｋ２Ｏのアルカリ成分が５ｗｔ％以上含まれると１０７〜１０９Ωｃｍと低抵抗化する。また、試料番号Ｃ５、Ｃ７の結果より、Ｂ２Ｏ３組成比が１０ｗｔ％以上含まれると、１０７〜１０９Ωｃｍと低抵抗化する。前記以外の試料では１０１０Ωｃｍ以上の高絶縁性を示した。
【００４２】
（７）表２の結果をまとめると、図１に示すようにＳｉＯ２とＢ２Ｏ３とＲＯまたはＲＯ２（但し、ＲはＣａ、Ｂａ、Ｐｂ、Ｚｎ、Ｔｉの群から選択された少なくとも１種）の３種の組成比が合計で１００ｗｔ％（重量パーセント）含み、ＳｉＯ２とＢ２Ｏ３とＲＯまたはＲＯ２との三元系の組成をギブスの組成三角形で表し、この三角形内において組成比をそれぞれ
ＳｉＯ２：Ａｌ２Ｏ３：ＲＯまたはＲＯ２＝５５：５：４０　を点Ａ、
ＳｉＯ２：Ａｌ２Ｏ３：ＲＯまたはＲＯ２＝１５：０：８５　を点Ｂ、
ＳｉＯ２：Ａｌ２Ｏ３：ＲＯまたはＲＯ２＝２：５：９３　を点Ｃ、
とするとき、前記３種の組成比が線分ＡＢと線分ＢＣと線分ＣＡで囲まれた３角形ＡＢＣ内のガラス材料を用いた複合磁器材料が、比透磁率２〜２０でかつ比誘電率５〜１００の低透磁率―低誘電率特性を有し、気孔率１０％未満の高焼結性かつ１×１０１０Ωｃｍ以上の高絶縁性を達成した。
【００４３】
（８）次に、上記磁性材料、上記誘電材料及び上記３角形ＡＢＣ内のガラス試料番号１１のＳｉＯ２：Ｂ２Ｏ３：ＲＯまたはＲＯ２＝１５：３：８２ｗｔ（重量）％のガラス材料を下記に示す複合比で混合後、比透磁率、比誘電率、比抵抗、密度及び気孔率等の焼結性を評価できるよう成形・プレスし、大気中で６００〜９５０℃で４時間焼成し、複合磁器材料を得た。各複合磁器材料は、６００〜９５０℃内の高焼結化する最適温度で作製した。表３に作製した複合磁器材料を示す。尚、表３中の複合比は、下記複合比を３組成含めて１００ｗｔ％になるように表記してある。
Ｃ１７〜Ｃ２４　　　磁性材料：誘電材料：ガラス材料＝８０：２０：ｘ　ｗｔ％
Ｃ２５〜Ｃ３１，Ｃ１１　磁性材料：誘電材料：ガラス材料＝６０：４０：ｘ　ｗｔ％
Ｃ３２〜Ｃ３９　　　磁性材料：誘電材料：ガラス材料＝４０：６０：ｘ　ｗｔ％
Ｃ４０〜Ｃ４７　　　磁性材料：誘電材料：ガラス材料＝２０：８０：ｘ　ｗｔ％
但し、ｘ＝１，２，５，１０，２０，４０，１００，２００
【００４４】
【表３】
2004010439.tif 000005
【表４】
2004010439.tif 000006
【００４５】
（９）次に得られた複合磁器材料の各焼結体試料について、比透磁率、比誘電率、比抵抗、密度及び気孔率等の焼結性を評価した。尚、比抵抗については、得られた焼結体試料にＡｇ／Ｐｄペーストを塗布して７００℃で焼き付けて電極を形成した後、評価した。結果を表４に示す。表中の絶縁性は比抵抗１×１０１０Ωｃｍ以上を高絶縁性として○、比抵抗１×１０１０Ωｃｍ未満を低絶縁性として×、焼結性は気孔率１０％未満を高焼結として○、１０％以上を焼結不足として×と記載した。図２に表３の各複合磁器材料の透磁率―誘電率特性を示した。図中の各点がそれぞれの複合磁器材料を示す。
【００４６】
（１０）その結果、比透磁率は１〜８０、比誘電率は５〜５４０と広範囲な透磁率―誘電率特性を有し、焼結性は気孔率１０％未満の高焼結性でかつ絶縁性は１×１０１０Ωｃｍ以上の高絶縁性を有する複合磁器材料を得た。
【００４７】
（１１）また、上記磁性材料、上記誘電材料及び上記ガラス材料の複合比、例えば磁性材料：誘電材料：ガラス材料＝７０：３０：ｘ　ｗｔ％、あるいは、磁性材料：誘電材料：ガラス材料＝５０：５０：ｘ　ｗｔ％など、様々な複合比の組合せにより、図２中の透磁率２〜４０及び誘電率０〜１００内の所望の透磁率―誘電率特性を有する複合磁器材料を得ることは容易である。
例えば、インダクタ部品は、透磁率１００以上誘電率５程度の高透磁率磁性材料を用い、一方コンデンサ部品は、誘電率５００以上透磁率１の高誘電材料を用いる。
【００４８】
（１２）図３に示すように、磁性材料と誘電材料とガラス材料の３種を合計１００ｗｔ％含み、磁性材料と誘電材料とガラス材料の三元系の組成をギブスの組成三角形で表し、この三角形内において複合比をそれぞれ
磁性材料：誘電材料：ガラス材料＝５８．８：３９．２：２．０を点Ｄ、
磁性材料：誘電材料：ガラス材料＝５７．１：１４．３：２８．６を点Ｅ、
磁性材料：誘電材料：ガラス材料＝２６．７：６．７：６６．７を点Ｆ、
磁性材料：誘電材料：ガラス材料＝２０．０：１３．３：６６．７を点Ｇ、
磁性材料：誘電材料：ガラス材料＝２８．６：４２．９：２８．６を点Ｈ、
磁性材料：誘電材料：ガラス材料＝３８．１：５７．１：４．８を点Ｉ、
とするとき、前記３種の複合比が線分ＤＥと線分ＥＦと線分ＦＧと線分ＧＨと線分ＨＩと線分ＩＤとで囲まれた６角形ＤＥＦＧＨＩ内の複合磁器材料は比透磁率２〜２０でかつ比誘電率５〜１００の所望の低透磁率―低誘電率特性を有し、かつ気孔率１０％未満の高焼結性、１×１０１０Ωｃｍ以上の高絶縁性を達成した。
【００４９】
（１３）次に上記磁性材料、上記誘電材料、上記三角形ＡＢＣ内の点Ａ、点Ｂ、点Ｃのガラス材料を上記点Ｄ、点Ｅ、点Ｆ、点Ｇ、点Ｈ、点Ｉの複合比でそれぞれ混合し、比透磁率、比誘電率、比抵抗、密度及び気孔率等の焼結性を評価できるよう成形・プレスし、大気中で６００〜９５０℃で４時間焼成し、１５種類の複合磁器材料を得た。尚、各複合磁器材料は、６００〜９５０℃内の高焼結化する最適温度で作製した。その結果、上記同様、比透磁率２〜２０でかつ比誘電率５〜１００の所望の低透磁率―低誘電率特性を有し、かつ気孔率１０％未満の高焼結性、１×１０１０Ωｃｍ以上の高絶縁性を有する複合磁器材料を得た。
【００５０】
【発明の効果】
本発明の複合磁器材料およびＬＣ複合部品によれば、以下の効果を奏する。
（１）図１に示すように、ＳｉＯ２とＢ２Ｏ３とＲＯまたはＲＯ２（但し、ＲはＣａ、Ｂａ、Ａｌ、Ｐｂ、Ｚｎ、Ｔｉの群から選択された少なくとも１種）の３種の組成比が合計で１００ｗｔ％（重量パーセント）含み、ＳｉＯ２とＢ２Ｏ３とＲＯまたはＲＯ２との三元系の組成をギブスの組成三角形で表し、この三角形内において、前記３種の組成比が線分ＡＢと線分ＢＣと線分ＣＡとで囲まれた３角形ＡＢＣ内のガラス材料を用いた複合磁器材料が、比透磁率２〜２０でかつ比誘電率５〜１００の低透磁率―低誘電率特性を有し、気孔率１０％未満の高焼結性かつ１×１０１０Ωｃｍ以上の高絶縁性を達成できる。
（２）上記磁性材料、上記誘電材料及び上記ガラス材料の複合比を調整することにより、透磁率２〜４０及び誘電率０〜１００内の所望の透磁率―誘電率特性を有する複合磁器材料を得ることができる。
（３）図３に示すように、磁性材料と誘電材料とガラス材料の３種を合計１００ｗｔ％含み、磁性材料と誘電材料とガラス材料の三元系の組成をギブスの組成三角形で表し、この三角形内において、前記３種の複合比が線部ＤＥと線分ＥＦと線分ＦＧと線分ＧＨと線分ＨＩと線分ＩＤで囲まれた６角形ＤＥＦＧＨＩ内の複合磁器材料は比透磁率２〜２０でかつ比誘電率５〜１００の所望の低透磁率―低誘電率特性を有し、かつ気孔率１０％未満の高焼結性、１×１０１０Ωｃｍ以上の高絶縁性を達成できる。
【００５１】
（４）本発明のＬＣ複合部品は、温度特性のよいＮｉ―Ｚｎ−Ｃｕ系フェライト、リラクサー系誘電体、ガラス材料からなる複合磁器材料を素体として用いているため、温度特性がよいノイズ部品を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る複合磁器材料の一実施形態におけるガラス材料の組成比を示す三角組成図である。
【図２】本発明の実施例における複合磁器材料の透磁率―誘電率特性を示すグラフである。
【図３】本発明に係る複合磁器材料の一実施形態における材料配合組成比を示す三角組成図である。
【図１】
2004010439.tif 000007
【図２】
2004010439.tif 000008
【図３】
2004010439.tif 000009