(57)【要約】【課題】被転写体の特性、条件等にかかわらず、被転写体を効率よく容易に転写することができ、量産にも好適な転写方法、それを用いた回路基板の製造方法、それにより製造される回路基板、その回路基板を有する電子機器等を提供する。【解決手段】第１の基板（１１２）上に設けられた一又は複数の被転写体（１１０）を第２の基板（１０４）に転写する方法であって、被転写体（１１０）と第２の基板（１０４）とを接合した場合に流体が介在する加圧室（１３０）を設ける工程と、被転写体（１１０）と第２の基板（１０４）を接合する工程と、加圧室（１３０）の内圧を外部の圧力より相対的に高めることで、第１の基板（１１２）と被転写体（１１０）とを離隔する工程とを含む、被転写体の転写方法により課題を解決する。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板上に設けられた一又は複数の被転写体を第２の基板に転写する方法であって、
前記被転写体と前記第２の基板とを接合した場合に流体が介在する加圧室を設ける工程と、
前記被転写体と前記第２の基板を接合する工程と、
前記加圧室の内圧を外部の圧力より相対的に高めることで、前記第１の基板と前記被転写体とを離隔する工程と、
を含むことを特徴とする、被転写体の転写方法。
【請求項２】
前記第２の基板と前記被転写体が、接着層を介して接合されている、請求項１に記載の転写方法。
【請求項３】
前記加圧室が、前記被転写体が前記第２の基板に接合された領域以外の領域に設けられている、請求項１又は請求項２に記載の転写方法。
【請求項４】
前記加圧室が、前記第１の基板と前記第２の基板との間に、格子状又は網目状に形成されている、請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の転写方法。
【請求項５】
前記加圧室が、前記被転写体の外周の少なくとも一部又は全部に設けられた流路である、請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の転写方法。
【請求項６】
前記離隔する工程が、前記加圧室内の流体により前記加圧室内の内圧を高めることで、前記第１の基板と前記被転写体とを離隔する工程である、請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載の転写方法。
【請求項７】
前記流体により加圧室内の内圧を高める方法が、前記加圧室内に流体を注入することによる、請求項１乃至請求項６のいずれか１項に記載の転写方法。
【請求項８】
前記流体により加圧室の内圧を高める方法が、前記加圧室の内圧を外部の圧力より相対的に高くすることで、前記加圧室内の流体を膨張させることによる、請求項１乃至請求項６のいずれか１項に記載の転写方法。
【請求項９】
前記離隔する工程において、前記第１の基板及び第２の基板の周囲の一部又は全部を封止材で封じる段階を含む、請求項１乃至請求項１０のいずれか１項に記載の転写方法。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか１項に記載の転写方法を用いて転写体を形成する、転写体の製造方法。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項９のいずれか１項に記載の転写方法を用いて回路基板を形成する、回路基板の製造方法。
【請求項１２】
請求項１０に記載の転写体の製造方法を用いて製造された転写体を有する、電気光学装置。
【請求項１３】
請求項１２に記載の電気光学装置を有する、電子機器。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、薄膜デバイスなどの薄膜よりなる被転写層を剥離して、他の基板へ転写する転写方法の改良、その転写方法を用いた転写体の製造方法、回路基板の製造方法、電気光学装置及び電子機器に関するものである。
【従来の技術】
薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を用いた液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）を製造する際には、通常、透明基板上に薄膜トランジスタを形成する工程を経る。
【０００２】
薄膜トランジスタの透明基板上への形成は、一般に高温下でなされるため、透明基板上に薄膜トランジスタを形成してから、安価な基板に薄膜トランジスタを転写する方法が開発されていた。
【０００３】
例えば特許文献１（特開平１０−１２５９２９号公報）には、薄膜トランジスタ等の被転写体の形成といった高温化で行うプロセスを、石英ガラス等の耐熱基板上で行った後、耐熱性には劣るがより安価な材料から構成される他の基板に、耐熱基板上で形成した被転写体を転写するといった方法が開示されている。
【０００４】
このような方法によれば、高温化で行うプロセスを耐熱基板上で行った後に、安価で加工し易い基板に被転写体を転写し得るので、耐熱基板を再利用することができ、大型で安価な液晶ディスプレイ等を容易に製造し得ることになる。
【発明が解決しようとする課題】
しかし、被転写体を形成する元の基板を剥離する際、基板の外側から力をかけて引き剥がすことになるため、被転写体を破損しないように慎重に剥がしていく必要があり、剥離工程に時間を要した。
【０００５】
本発明は、被転写体の特性、条件等にかかわらず、被転写体を効率よく容易に転写することができ、量産にも好適な転写方法、それを用いた回路基板の製造方法、それにより製造される回路基板、その回路基板を有する電気光学装置及び電子機器等を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本発明は、第１の基板上に設けられた一又は複数の被転写体を第２の基板に転写する方法であって、前記被転写体と前記第２の基板とを接合した場合に流体が介在する加圧室を設ける工程と、前記被転写体と前記第２の基板を接合する工程と、前記加圧室の内圧を外部の圧力より相対的に高めることで、前記第１の基板と前記被転写体とを離隔する工程とを含む、被転写体の転写方法を提供するものである。
【０００６】
かかる構成によれば、第１の基板と第２の基板との間に設けられた加圧室の内圧により、内側から第１の基板と被転写体を離隔し得るので、従来の基板の外部より一方向に力をかけて引き剥がす場合に比べ、離隔する力が内部からかかるので、離隔時の基板の破損を防止し得ると共に、作業時間を短縮することができ、効率よく、容易に両基板を離隔し得る。したがって、転写作業の効率化を図ることが可能となる。
【０００７】
ここで、第１の基板から第２の基板への被転写体の転写は、第１の基板と被転写体、及び第２の基板と被転写体との接合力の違いを利用して行われる。また、被転写体は、第１の基板から剥離される被剥離物でもある。
【０００８】
なお、上記加圧室を設ける工程と離隔工程は、同時であっても、別々に行われてもよい。
【０００９】
前記第１の基板と前記被転写体が、剥離層を介して接合されており、前記剥離層を構成する物質の結合力を消失又は減少させることにより、前記剥離層の層内及び／又は界面にて、前記第１の基板と前記被転写体の離隔工程を促進することが好ましい。
【００１０】
かかる構成によれば、第１の基板と第２の基板が剥離層を介して接合されているので、第１の基板と被転写体の離隔を促進することができ、転写作業の効率化を高めることが可能となる。
【００１１】
前記剥離層を構成する物質の結合力を消失又は減少させる手段が、熱又は光の照射であることが好ましい。
【００１２】
かかる構成によれば、容易な手段で、第１の基板と被転写体の離隔を促進することができる。
【００１３】
前記第２の基板と前記被転写体が、接着層を介して接合されていてもよい。
【００１４】
かかる構成によれば、前記被転写体をより確実に第２の基板に固定し得る。
【００１５】
前記加圧室が、前記被転写体が前記第２の基板に接合された領域以外の領域に設けられていることが好ましい。具体的には、前記第１の基板と前記第２の基板との間に、前記被転写体が形成される被転写体形成層を含む多層構造体を有し、前記加圧室が、前記被転写体が形成された領域に対応する領域以外の前記多層構造体内の領域に設けられていることが好ましい。
【００１６】
かかる構成によれば、被転写体が接合されている領域の周囲から剥離を促進するための圧力を付与し得るので、被転写体の接合部に外周から均一に圧力を付与することが可能となり、一層剥離を促進し得る。
【００１７】
前記多層構造体は、例えば、被転写体形成層、剥離層、必要に応じて剥離層を含み構成されている。
【００１８】
前記加圧室は、前記第１の基板と前記第２の基板との間に、格子状又は網目状に形成されていることが好ましい。
【００１９】
かかる構成によれば、両基板の全面にわたって、均一に圧力を付与することができるので、一層剥離を促進し得る。
【００２０】
前記加圧室が、前記被転写体の外周の少なくとも一部又は全部に設けられた流路であることが好ましい。
【００２１】
かかる構成によれば、被転写体が接合されている領域の周囲から剥離を促進するための圧力を付与し得るので、被転写体の接合部に外周から均一に圧力を付与することが可能となり、一層剥離を促進し得る。また、流路内に流体をいきわたらせることが可能となる。
【００２２】
前記離隔する工程が、前記加圧室内の流体により前記加圧室内の内圧を高めることで、前記第１の基板と前記被転写体を離隔する工程であることが好ましい。
【００２３】
かかる構成によれば、流体を利用することにより、容易な工程で、加圧室内に均一に圧力を付与することが可能となる。
【００２４】
前記流体により加圧室内の内圧を高める方法が、前記加圧室内に流体を注入することによることが好ましい。
【００２５】
かかる構成によれば、加圧室の内圧を流体の注入量、注入速度等によって調整することが可能となるので、剥離時に付与する圧力の微調整が可能となる。
【００２６】
前記流体により加圧室の内圧を高める方法が、前記加圧室の内圧を外部の圧力より相対的に高くすることで、前記加圧室内の流体を膨張させることによることが好ましい。
【００２７】
かかる構成によれば、加圧室の内圧と外圧の圧力差を利用しているので、例えば、真空チャンバー等を用いて、外圧を調整することができ、剥離時に付与する圧力の微調整が可能となる。
【００２８】
前記流体が気体であることが好ましい。
【００２９】
かかる構成によれば、被転写層等に対する汚染の虞がない。
【００３０】
前記離隔する工程において、前記第１の基板及び第２の基板の周囲の一部又は全部を封止材で封じる段階を含むことが好ましい。
【００３１】
両基板の周囲の一部又は全部を封止することで、密閉性を高めることが可能となり、より効率よく加圧室内に内圧を付与し得る。
【００３２】
前記被転写体が、薄膜デバイスであることが好ましい。
【００３３】
本発明の方法は、特に薄膜デバイス等の転写に実用的である。
【００３４】
本発明の転写体の製造方法は、上記転写方法を用いて転写体を形成することを特徴としている。
【００３５】
かかる構成によれば、上記転写方法を用いているので、歩留まりよく転写体を製造することが可能となる。
【００３６】
本発明の回路基板の製造方法は、上記転写方法を用いて回路基板を形成することを特徴としている。
【００３７】
かかる構成によれば、上記転写方法を用いているので、歩留まりよく回路基板を製造することが可能となる。
【００３８】
本発明の回路基板は、上記転写方法を用いて形成することを特徴としている。
【００３９】
かかる構成によれば、上記転写方法を用いているので、歩留まりよく製造し得るので、安価な回路基板を提供し得る。
【００４０】
本発明の電気光学装置は、上記転写体の製造方法を用いて製造された転写体を有することを特徴としている。
【００４１】
また、本発明の電子機器は、上記電気光学装置を有することを特徴としている。
【００４２】
かかる構成によれば、上記転写体の製造方法を用いて製造された転写体を有するので、安価な電気光学装置及び電子機器を提供し得る。
【発明の実施の形態】
以下、本発明の転写方法（剥離方法）について、図面を参照しながら説明する。
（原理説明）
まず、図１を参照して、本発明に係る転写方法の原理を簡単に説明する。図１は、本発明の転写方法の離隔工程における、第１の基板から被転写体を離隔（剥離）する剥離機構を説明するための概念図である。
【００４３】
図１（ａ）に示すように、本発明の転写方法は、まず、第１の基板１１２上に設けられた被転写体１１０と第２の基板１０４とを接合し、両者の間に加圧室１３０が形成されるようにする。次に、図１（ｂ）に示すように、この加圧室１３０の内圧を外部の圧力より相対的に高めることにより、第１の基板１１２と第２の基板１０４、より詳しくは、第１の基板１１２と被転写体１１０とを離隔（剥離）させるようにしたものである。
【００４４】
このように、基板間に設けられた加圧室１３０内に内圧を生じさせることで、内部より両基板を離隔させる力を働かせるため、両基板を一端から引き離す場合に比べ、短時間で効率よく、剥離することが可能となる。
【００４５】
加圧室１３０は、第１の基板１１２及び第２の基板１０４、より詳しくは、第１の基板１１２及び被転写体形成層２１０を離隔させる力を働かせ得る構造であればよく、その大きさ及び形状は、特に限定されない。したがって、周囲を隔壁により囲まれた閉空間であっても、開放端を有する空間であってもよい。ただし、第１の基板１１２及び第２の基板１０４の全体に一律に圧力を付与し得るという観点からは、加圧室１３０は、基板全面に渡って形成されていることが好ましい。したがって、例えば網目状又は格子状に張り巡らされた構造を有していることが好ましい。また、被転写体１１０の外周に一律に圧力を付与し得るという観点からは、被転写体１１０の外周の一部又は全部に圧力を付与し得るよう形成された流路であることが好ましい。
【００４６】
図２は、第１の基板１１２及び第２の基板１０４間に設けられた加圧室１３０に、内圧を生じさせる方法を説明するための説明図を示す。
【００４７】
加圧室１３０に内圧を付与する方法としては、例えば、周囲を封止し、一又は複数箇所から、加圧室１３０に流体を注入することにより内圧を高める第１の方法（同図（ａ））、周囲から流体を注入することにより内圧を高める第２の方法（同図（ｂ））、及び、予め流体を密封しておき、加圧室１３０内の圧力と外部との圧力差を利用して内圧を高める第３の方法（同図（ｃ））等が挙げられる。以下、図２（ａ）〜（ｃ）を参照しながら、具体的に説明する。
【００４８】
図２（ａ）に示す第１の方法では、第１の基板１１２と第２の基板１０４の接合体１００の外周を、流体１０７の注入口として一又は複数箇所の挿入口１５０を残し、封止材１０５により封止して、各開口部１５０から流体１０７を注入することにより、加圧室１３０内の内圧を高める。
【００４９】
流体１０７は、液体であっても、気体であってもよい。液体としては、例えば、水、油、エタノール等の各種有機溶剤等を使用することができる。また、気体としては、例えば、窒素、アルゴン等の不活性ガス、空気等を使用することができる。なお、流体１０７は、上記例示に限定するものではない。
【００５０】
流体１０７の注入法としては、特に限定するものではないが、例えば、図３に示すように、開口部１５０の隙間に、２枚の薄刃１１５が断面Ｖ字状となり、先端に流体１０７が通過し得る隙間が形成されている補助具を挿入し、薄刃１１５の隙間から流体１０７を注入する方法が挙げられる。
【００５１】
また、先端が楔状となっている剥離ノズルを、開口部１５０の隙間に突き当てることにより、注入することも可能である。
【００５２】
このような先端が狭まった補助具又はノズル等の道具を用いることで、狭い開口部１５０の隙間に流体１０７を注入可能とすることが可能となる。
【００５３】
また、図２（ｂ）に示すように、第２の方法によれば、格子状に形成された加圧室１３０としての流路の各開放端１３０ａより流体１０７を挿入することにより、加圧室１３０としての流路内の内圧を高めることが可能となる。この場合においても、流体１０７は、薄刃１１５を介して注入することが可能である。
【００５４】
図２（ｃ）に示す第３の方法では、加圧室１３０内に予め存在する気体又は別途注入した気体を、第１の基板１１２と第２の基板１０４の接合体１００の外周全部を封止材１０５で封止することにより封入し、その後、外部の圧力を減圧にすることで、加圧室１３０内に存在する気体（流体１０７）を膨張させ、内圧を生じさせる。
【００５５】
次に、加圧室の構造の態様について、説明する。
【００５６】
図４は、第１の基板１１２と第２の基板１０４の接合体１００の構成及び加圧室１３０の配置を説明するための接合体１００の断面図である。
【００５７】
図４（ａ）〜（ｆ）の各々は、加圧室の異なる態様を示している。
【００５８】
まず、同図（ａ）を参照しながら、第１の基板１１２と第２の基板１０４の接合体１００の構成について概略を併せて説明する。なお、接合体１００を構成する各要素の説明は、後に、さらに詳述する。
【００５９】
接合体１００は、基本としては、第１の基板１１２と第２の基板１０４が、被転写体１１０（又は被転写体形成層２１０）を介して接合された構造を有する。
【００６０】
被転写体１１０は、第１の基板１１２上で形成され、その後に、第２の基板１０４に転写される層である。また、ここで、被転写体形成層（以下、「被転写層」という）２１０とは、一又は複数の被転写体１１０が略面一に形成された一又は複数の被転写体領域１０２を有する層をいう。なお、被転写体１１０は、各被転写体１１０ごとに、第１の基板１１２上に形成してもよいが、被転写層２１０として形成した後、被転写体１１０となる領域が島状に残るように、エッチング又はレーザ等により処理して形成してもよい。
【００６１】
剥離層１１１は、被転写体１１０（又は被転写層２１０）と第１の基板１１２間に存在し、例えば、第１の基板１１２と被転写体１１０（又は被転写層２１０）を接合させると共に、後の剥離を容易にせしめる機能を有するものである。なお、第１の基板１１２と被転写体１１０（被転写層２１０）を接合させることができ、後に剥離が可能であれば、剥離層１１１の代わりに、他の層を設けてもよい。このような層としては、例えば、接着層が挙げられ、接着層を構成する接着剤の強度、接着層の厚み、後の剥離方法等を適宜選択することにより、同様の効果を得られる。該接着層を後に剥離する方法としては、例えば、熱や光を与える方法、有機溶剤によって溶解する方法、等を挙げることができる。
【００６２】
接着層１２０は、被転写体１１０（又は被転写層２１０）と第２の基板１１２間に存在し、被転写体１１０（又は被転写層２１０）と第２の基板１０４とを接着する機能を有するものである。なお、接着層１２０は、第２の基板１０４自体に接着能が有る場合には、特に設けなくてもよい。
【００６３】
なお、このような接着層１２０を構成する接着剤としては、例えば、反応硬化型接着剤、熱硬化型接着剤、紫外線硬化型接着剤等の光硬化型接着剤、嫌気硬化型接着剤等の各種硬化型接着剤が挙げられる。また、接着剤の組成としては、例えば、エポキシ系、アクリレート系、シリコーン系等のいかなるものであってもよい。
【００６４】
次に、加圧室１３０の配置について、図４（ａ）〜（ｆ）を参照しながら、説明する。
【００６５】
図４（ａ）では、加圧室１３０は、剥離層１１１と第２の基板の間に設けられている。このような加圧室１３０は、例えば、まず、第１の基板１１２上に剥離層１１１を設けた後、一又は多数の被転写体領域１０２を含む被転写層２１０を形成する。次に、被転写体領域１０２が島状に残り、被転写体１１０が形成されるように、エッチング又はレーザ等により処理し、その後、点在する被転写体１１０に接着層１２０を塗布等により設け、第２の基板１０４を張り合わせる（接合する）ことにより得られる。なお、被転写体１１０は、最初から各々独立に別個に形成してもよい。
【００６６】
また、図４（ｂ）に示すように、加圧室１３０は、第１の基板１１２と第２の基板間に設けられていてもよい。このような加圧室１３０は、例えば、第１の基板１１２上に剥離層１１１、被転写層２１０を順次形成した後、被転写体領域１０２が島状に残るように、エッチング等により剥離層１１１まで処理し、その後、点在する被転写体１１０に接着層１２０を塗布等により設け、第２の基板１０４を接合することにより得られる。
【００６７】
また、図４（ｃ）に示すように、加圧室１３０は、被転写層２１０と第２の基板間に設けられていてもよい。このような加圧室１３０は、例えば、第１の基板１１２上に剥離層１１１、被転写層２１０を順次形成した後、被転写体領域１０２以外の領域に接着層１２０を塗布等により設け、第２の基板１０４を接合することにより得られる。
【００６８】
また、図４（ｄ）に示すように、加圧室１３０は、剥離層１１１と接着層１２０との間に設けられていてもよい。上記図（ａ）の場合と同様に、被転写体１１０まで形成した後、別途、接着層１２０を形成した第２の基板１０４を接合することにより得られる。
【００６９】
また、図４（ｅ）に示すように、加圧室１３０は、第１の基板１１２と被転写層２１０の間に設けられていてもよく、また、第１の基板１１２と接着層１２０との間に設けられていてもよい。
【００７０】
次に、図４（ａ）及び図４（ｃ）の変形例について説明する。
【００７１】
図５は、シール材１０３の形成配置を説明するため断面図である。
【００７２】
図５（ａ）及び（ｂ）は、図４（ｃ）の変形例であり、図５（ｃ）は、図４（ａ）の変形例である。
【００７３】
図５（ａ）では、被転写体領域１０２上に、被転写体領域１０２を囲うようにシール材１０３が配置されている。このシール材１０３は、加圧室１３０と接着層１２０を隔離する役割を果たす。
【００７４】
図４では、接着層１２０の形成法として、塗布法を例に挙げたが、接着層１２０を均一に形成し得るという観点からは、例えば、予め、シール材１０３により接着層形成領域１４０を形成しておき、その接着層形成領域１４０内に、液状接着剤を、真空方式による注入法、インクジェット方式による吐出法、流し込み等によって、充填することが好ましい。接着層１２０を、均一に形成することで、精度の良い製品が得られるからである。
【００７５】
また、シール材１０３の機能としては、加圧室１３０と接着層１２０の隔離の他に、加圧室１３０の気密性を保ち、加圧室１３０の内圧を高める役割を果たしてもよい。
【００７６】
さらに、シール材１０３は、加圧室１３０の内圧が上昇した際に、被転写体１１０を保護する役割を果たしてもよい。
【００７７】
このような観点から、シール材１０３は、例えば、被転写層２１０上の被転写体領域上に形成されていてもよい（図５（ａ）参照）。また、同図（ｂ）に示すように、被転写層２１０上の被転写体領域１０２よりも外側に形成されていてもよい。加圧室１３０に内圧が生じると、加圧室１３０直下の部分で被転写層２１０は、切断されることになる。この際、被転写体領域１０２間の間隔が狭いと、切断時の衝撃により、被転写体領域１０２までもが破損してしまう虞がある。したがって、同図（ｂ）のように、被転写体領域１０２間の間隔を確保し、切断時の破損等を防止するためにも、被転写体領域１０２の外側にシール材１０３を形成することが好ましい。
【００７８】
なお、加圧室１３０の加圧時における、このような被転写体領域１０２の破損を防止するために、予め、被転写層２１０の被転写体領域１０２間に、エッチング処理、又はレーザ等により、切れ目を入れておいてもよい。また、さらに、同図（ｃ）に示すように、例えばエッチング処理又はレーザ等により、被転写層２１０から被転写体１１０を完全に切り出してもよい。
【００７９】
また、同図（ｄ）に示すように、被転写体１１０を加圧室１３０の加圧時に保護するという観点から、シール材１０３は、被転写体１１０の周囲を覆うように形成されていてもよい。
【００８０】
以下、具体例を示しつつ、さらに、詳しく本発明の剥離方法（転写方法）について説明する。
（第１の実施形態）
図６、図７は、第１の実施形態に係る剥離方法（転写方法）を説明するための工程図である。また、図８、図９は、剥離層及び剥離時のメカニズムを説明するための概念図である。
【００８１】
以下、これらの図に基づいて、本発明の剥離方法（転写方法）の工程を順次説明する。
［第１工程］
まず、図６に示すように、片面に、多数の被転写体領域１０２が形成された被転写層２１０（図８（ａ）参照）を有する積層体１０１を準備する。
【００８２】
積層体１０１は、第１の基板１１２と、剥離層１１１と、被転写層２１０から主に構成される。なお、ここで、被転写層とは、一又は複数の被転写体１１０が形成された領域（被転写体領域１０２）を有する層をいう。
【００８３】
第１の基板１１２は、後の工程で、第１の基板１１２上に形成された剥離層１１１に、第１の基板１１２を透過させて照射光１０６を照射する必要があることから、照射光１０６が透過し得る透光性材料から構成されることが好ましい。
【００８４】
第１の基板１１２を透過する照射光１０６の透過率は、特に限定するものではないが、例えば１０％以上、好ましくは、５０％以上であることが望ましい。透過率が低いと、照射光１０６の減衰（ロス）が大きくなるので、剥離層１１１の剥離を促すのにより大きな光量が必要となる。
【００８５】
第１の基板１１２は、高温プロセスに耐え得るような耐熱性材料から構成されていることが好ましい。後の工程で第１の基板１１２上に形成する被転写体１１０（又は被転写層２１０）や剥離層１１１は、条件によっては、例えば３５０〜１０００℃程度にまでプロセス温度が上昇することがあり、成膜条件の自由度を上げるためにもこのような高温に耐え得る材料であることが好ましい。被転写体１１０（又は被転写層２１０）の形成の際の最高温度をＴｍａｘ  としたとき、歪点がＴｍａｘ  以上の材料で構成されているものが好ましい。具体的には、基板１１２の構成材料は、歪点が例えば３５０℃以上、好ましくは５００℃以上のものがより好ましい。このようなものとしては、例えば、石英ガラス、ソーダガラス、コーニング７０５９、日本電気ガラスＯＡ−２等の耐熱性ガラスが挙げられる。
【００８６】
第１の基板１１２の厚さは、特に限定するものではないが、通常は、例えば０．１〜５．０ｍｍ程度、好ましくは０．５〜１．５ｍｍ程度であることが望ましい。第１の基板１１２の厚みが上記範囲にあると、照射光１０６の減衰と基板強度のバランスに優れる。なお、基板１１２の照射光１０６の透過率が高い場合には、その厚さは、前記上限値を超えるものであってもよい。また、光を均一に照射できるように、第１の基板１１２の厚さは、均一であるのが好ましい。
【００８７】
剥離層１１１は、その層内および／または界面において剥離（以下、「層内剥離」、「界面剥離」とも言う）を生じるような性質を有する。現象論的には、アブレーション等を生ぜしめることにより層内剥離および／または界面剥離に至るものをいう。
【００８８】
このような剥離層１１１としては、照射光１０６を吸収することにより、剥離層１１１を構成する物質の原子間または分子間の結合力を消失または減少させ、剥離を生じるものが挙げられる。
【００８９】
また、照射光１０６の照射により、剥離層１１１から気体が放出され、剥離効果が発現される場合もある。すなわち、剥離層１１１に含有されていた成分が気体となって放出される場合と、光を吸収して一瞬気体になり、その蒸気が放出され、分離に寄与する場合とがある。
【００９０】
このような剥離層１１１の組成としては、具体的には、下記のようなものが挙げられる。
Ａ．非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ）
この非晶質シリコン中には、Ｈ（水素）が含有されていてもよい。この場合、Ｈの含有量は、２原子％以上程度であるのが好ましく、２〜２０原子％程度であるのがより好ましい。このように、Ｈが所定量含有されていると、照射光１０６の照射により、水素が放出され、剥離層１１１に内圧が発生し、それが上下の薄膜を剥離する力となる。
【００９１】
非晶質シリコン中のＨの含有量は、成膜条件、例えばＣＶＤにおけるガス組成、ガス圧、ガス雰囲気、ガス流量、温度、基板温度、投入パワー等の条件を適宜設定することにより調整することができる。
Ｂ．酸化ケイ素またはケイ酸化合物、酸化チタンまたはチタン酸化合物、酸化ジルコニウムまたはジルコン酸化合物、酸化ランタンまたはランタン酸化合物等の各種酸化物セラミックス、誘電体（強誘電体）あるいは半導体
酸化ケイ素としては、ＳｉＯ、ＳｉＯ２  、Ｓｉ３  Ｏ２  が挙げられ、ケイ酸化合物としては、例えばＫ２  ＳｉＯ３  、Ｌｉ２  ＳｉＯ３  、ＣａＳｉＯ３  、ＺｒＳｉＯ４  、Ｎａ２  ＳｉＯ３  が挙げられる。
【００９２】
酸化チタンとしては、ＴｉＯ、Ｔｉ２  Ｏ３  、ＴｉＯ２  が挙げられ、チタン酸化合物としては、例えば、ＢａＴｉＯ４  、ＢａＴｉＯ３  、Ｂａ２  Ｔｉ９  Ｏ２０、ＢａＴｉ５  Ｏ１１、ＣａＴｉＯ３  、ＳｒＴｉＯ３  、ＰｂＴｉＯ３  、ＭｇＴｉＯ３  、ＺｒＴｉＯ２  、ＳｎＴｉＯ４  、Ａｌ２  ＴｉＯ５  、ＦｅＴｉＯ３  が挙げられる。
【００９３】
酸化ジルコニウムとしては、ＺｒＯ２  が挙げられ、ジルコン酸化合物としては、例えばＢａＺｒＯ３  、ＺｒＳｉＯ４  、ＰｂＺｒＯ３  、ＭｇＺｒＯ３  、Ｋ２  ＺｒＯ３  が挙げられる。
Ｃ．ＰＺＴ、ＰＬＺＴ、ＰＬＬＺＴ、ＰＢＺＴ等のセラミックスあるいは誘電体（強誘電体）
Ｄ．窒化珪素、窒化アルミ、窒化チタン等の窒化物セラミックス
Ｅ．有機高分子材料有機高分子材料としては、−ＣＨ−、−ＣＨ２  −、−ＣＯ−（ケトン）、−ＣＯＮＨ−（アミド）、−ＮＨ−（イミド）、−ＣＯＯ−（エステル）、−Ｎ＝Ｎ−（アゾ）、−ＣＨ＝Ｎ−（シフ）等の結合（照射光１０６の照射によりこれらの結合が切断される）を有するもの、特にこれらの結合を多く有するものであればいかなるものでもよい。具体的には、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレンのようなポリオレフィン、ポリイミド、ポリアミド、ポリエステル、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、エポキシ樹脂等が挙げられる。
Ｆ．金属
金属としては、例えば、Ａｌ、Ｌｉ、Ｔｉ、Ｍｎ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ、Ｐｒ、Ｓｍ、Ｇｄ、またはこれらのうちの少なくとも１種を含む合金が挙げられる。
【００９４】
水素吸蔵合金具体例としては、ＬａＮｉ５  のような希土類遷移金属化合物の水素吸蔵合金またはＴｉ系、Ｃａ系の水素吸蔵合金に水素を吸蔵させたものが挙げられる。
【００９５】
窒素吸蔵合金具体例としては、Ｓｍ−Ｆｅ系、Ｎｄ−Ｃｏ系のような希土類鉄、希土類コバルト、希土類ニッケルや、希土類マンガン化合物に窒素を吸蔵させたものが挙げられる。
【００９６】
剥離層１１１の厚さは、組成、形成方法等の諸条件により異なるが、通常は、１ｎｍ〜２０μｍ程度、好ましくは１０ｎｍ〜２μｍ程度、さらに好ましくは、４０ｎｍ〜１μｍ程度であることが望ましい。
【００９７】
剥離層１１１の膜厚が薄いと、成膜の均一性が損なわれ、剥離にムラが生じることがあり、また、膜厚が厚いと、良好な剥離性を確保するために、照射光１０６の光量を大きくする必要があり、また、後に除去する際にその作業に時間がかかる。
【００９８】
剥離層１１１の形成方法は、特に限定されず、膜組成や膜厚等の諸条件に応じて適宜選択される。例えば、ＣＶＤ（ＭＯＣＶＤ、低圧ＣＶＤ、ＥＣＲ−ＣＶＤを含む）、蒸着、分子線蒸着（ＭＢ）、スパッタリング、イオンプレーティング、ＰＶＤ等の各種気相成膜法、電気メッキ、浸漬メッキ（ディッピング）、無電解メッキ等の各種メッキ法、ラングミュア・ブロジェット（ＬＢ）法、スピンコート、スプレーコート、ロールコート等の塗布法、各種印刷法、転写法、インクジェット法、粉末ジェット法等が挙げられ、これらのうちの２以上を組み合わせて形成することもできる。
【００９９】
例えば、剥離層１１１が非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ）から構成される場合には、ＣＶＤ、特に低圧ＣＶＤやプラズマＣＶＤにより成膜するのが好ましい。
【０１００】
また、剥離層１１１をゾル−ゲル法によるセラミックスで構成する場合や、有機高分子材料で構成する場合には、塗布法、特に、スピンコートにより成膜するのが好ましい。
【０１０１】
本実施形態においては、剥離層１１１と被転写体１１０（又は被転写層２１０）との間に、さらに、遮光層として、照射光１０６を反射する反射層（図示せず）が含まれていてもよい。この反射層は、照射光１０６を、例えば１０％以上、好ましくは３０％以上の反射率で反射し得るものであればよい。
【０１０２】
このような反射層としては、単層または複数の層よりなる金属薄膜、屈折率の異なる複数の薄膜の積層体よりなる光学薄膜等が挙げられるが、形成が容易である等の理由から、主に金属薄膜で構成されているのが好ましい。
【０１０３】
反射層を構成する構成金属としては、例えば、Ｔａ、Ｗ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌ等、あるいはこれらのうちの少なくとも１種を基本成分とする合金が挙げられる。
【０１０４】
また、このような反射層（遮光層）の厚さは、特に限定されないが、通常、１０ｎｍ〜１０μｍ  程度、好ましくは５０ｎｍ〜５μｍ  程度が望ましい。この厚さが厚過ぎると、反射層の形成に時間がかかり、また、後に行われる反射層の除去にも時間がかかる。また、この厚さが薄過ぎると、膜組成によっては遮光効果が不十分となる場合がある。
【０１０５】
さらに、剥離層１１１と被転写層２１０の間に、中間層を含んでもよい。この中間層としては、例えば、製造時または使用時において後述する被転写層２１０を物理的または化学的に保護する保護層、絶縁層、導電層、照射光１０６の遮光層、被転写層２１０へのまたは被転写層２１０からの成分の移行（マイグレーション）を阻止するバリア層、反射層としての機能の内の少なくとも１つを発揮するものが挙げられる。
【０１０６】
剥離層１１１に非晶質シリコンを用い、被転写層２１０に含まれる被転写体１１０として薄膜トランジスタを用いた場合、中間層の組成としては、例えば、ＳｉＯ２  等の酸化ケイ素が挙げられる。また、被転写体１１０（又は被転写層２１０）としてＰＺＴを用いた場合には、中間層の組成としては、Ｐｔ、Ａｕ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｔｉ又はこれらを主とする合金等の金属が挙げられる。
【０１０７】
このような中間層の厚さは、その形成目的や発揮し得る機能の程度に応じて適宜決定されるが、通常は、１０ｎｍ〜５μｍ  程度、好ましくは４０ｎｍ〜１μｍ  程度であるのが望ましい。
【０１０８】
被転写層２１０は、第２の基板（転写先基板）１０４へ転写される層であって、前記剥離層１１１で挙げた形成方法と同様の方法により形成することができる。なお、被転写体１１０は、各被転写体１１０ごとに、第１の基板１１２上に形成してもよいが、被転写層２１０として形成した後、被転写体１１０となる領域が島状に残るように、エッチング又はレーザ等により処理して形成してもよい。
【０１０９】
被転写層２１０に含まれる被転写体１１０は、特に限定するものではないが、転写の目的又は有用性の観点から、薄膜、特に薄膜デバイス（機能性薄膜、薄膜素子ともいう）であることが好ましい。
【０１１０】
薄膜デバイスとしては、例えば、薄膜トランジスタ、薄膜ダイオード、その他の薄膜半導体デバイス、電極（例：ＩＴＯ、メサ膜のような透明電極）、太陽電池やイメージセンサ等に用いられる光電変換素子、スイッチング素子、メモリー、圧電素子等のアクチュエータ、マイクロミラー（ピエゾ薄膜セラミックス）、磁気記録媒体、光磁気記録媒体、光記録媒体等の記録媒体、磁気記録薄膜ヘッド、コイル、インダクター、薄膜高透磁材料およびそれらを組み合わせたマイクロ磁気デバイス、フィルター、反射膜、ダイクロイックミラー、偏光素子等の光学薄膜、半導体薄膜、超伝導薄膜（例：ＹＢＣＯ薄膜）、磁性薄膜、金属多層薄膜、金属セラミック多層薄膜、金属半導体多層薄膜、セラミック半導体多層薄膜、有機薄膜と他の物質の多層薄膜等が挙げられる。
【０１１１】
このような薄膜デバイスは、その形成方法との関係で、通常、比較的高いプロセス温度を経て形成される。従って、この場合、前述したように、基板１１２としては、そのプロセス温度に耐え得る信頼性の高いものが必要となる。
【０１１２】
なお、被転写層２１０は、単層でも、複数の層の積層体でもよい。さらには、前記薄膜トランジスタ等のように、所定のパターンニングが施されたものであってもよい。被転写層２１０の形成（積層）、パターンニングは、それに応じた所定の方法により行われる。このような被転写層２１０は、通常、複数の工程を経て形成される。
【０１１３】
被転写層２１０（又は被転写体１１０）としての薄膜トランジスタの形成方法としては、例えば、特公平２−５０６３０号公報や、文献：Ｈ．  Ｏｈｓｈｉｍａ  ｅｔ  ａｌ  ：  Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ  Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ  Ｄｉｇｅｓｔ  ｏｆ  Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ  Ｐａｐｅｒｓ  ＳＩＤ  １９８３  ”Ｂ／Ｗ  ａｎｄ  Ｃｏｌｏｒ  ＬＣ  Ｖｉｄｅｏ  Ｄｉｓｐｌａｙ  Ａｄｄｒｅｓｓｅｄ  ｂｙ  ＰｏｌｙＳｉ  ＴＦＴｓ”に記載された方法に従って行うことができる。
【０１１４】
また、被転写層２１０の厚さは、特に限定されず、その形成目的、機能、組成、特性等の諸条件に応じて適宜設定される。被転写層２１０が薄膜トランジスタの場合、その合計厚さは、０．５〜２００μｍ  程度、好ましくは１．０〜１０μｍ  程度であることが望ましい。また、その他の薄膜の場合、例えば５０ｎｍ〜１０００μｍ  程度とすることができる。
［第２工程］
次に、積層体１０１上に加圧室１３０を設ける（図６（ｂ））。加圧室１３０は、後の工程において、その内部に流体を存在させ、内圧を高めることにより、第１の基板１１２と第２の基板１０４の剥離を促進させる役割を担う。
【０１１５】
加圧室１３０は、例えば、積層体を構成する被転写層１１０上に、シール材１０３で隔壁を形成することにより形成し得る。また、このシール材１０３により形成される隔壁は、後の工程で接着層１２０を形成するための接着層形成領域１４０を構成していてもよい。なお、前述のように、シール材１０３によらず、第１の基板上に、層を形成する工程で同時に形成し得る空間を加圧室１３０とすることも可能である（図４（ａ）〜（ｆ））。
【０１１６】
後の剥離工程において、第１の基板１１２及び第２の基板１０４全体に内部から一律に圧力を付与し得るという観点からは、加圧室１３０は、第１の基板１１２及び第２の基板１０４間に縦横に張り巡らされた流路であることが好ましい。このような流路は、例えば、縦横に所定の間隔で配置されるよう形成された被転写体１１０（又は被転写体領域１０２）の外周の少なくとも一部、好ましくは全部を囲むよう形成されていることが望ましく、具体的には、格子状又は網目状であってもよい。
【０１１７】
本実施形態においては、シール材１０３で形成する隔壁を、後の工程で形成する接着層１２０を形成するための接着層形成領域１４０を構成する隔壁としても利用するため、第２の基板１０４に接着する被転写体領域１０２の上部に接着層形成領域１４０が設けられるように、被転写体領域１０２を取り囲むように、シール材１０３のパターンが形成される。具体的には、接着層形成領域１４０は、各領域１４０が通路１４０ａにより連通させ、積層体１０１の一辺に、後の工程で、接着層１２０を形成するために充填する接着剤の注入口１４０ｂが設けられるように、パターン形成する。このようなパターンを形成することで、後の工程で、一方向から接着剤を充填することが可能となる。
【０１１８】
また、図６では、シール剤１０３が第１の基板上に形成される工程について記載されているが、シール剤１０３は第２の基板上に形成しても同様の効果を得ることができる。
【０１１９】
シール材１０３としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂等の熱硬化型または光硬化型樹脂といった硬化性樹脂を用いることができる。
【０１２０】
シール材１０３の塗布方法としては、例えば、スクリーン印刷方式、ディスペンス法、液滴吐出法（インクジェット法）、フレキソ印刷法等が挙げられる。このような中でも、所望のパターンを形成し易く、設計の自由度が広がるという観点からは、スクリーン印刷方式が好ましい。
【０１２１】
また、積層体１０１と第２の基板１０４間に形成される加圧室１３０の空間を十分に確保するために、積層体１０１と第２の基板１０４との間に、ギャップ剤が配置されていることが好ましい。このようなギャップ剤としては、例えば、シリカ微粒子、ガラスファイバ等が用いられる。ギャップ剤の直径は、特に限定するものではないが、加圧室に十分な内圧を付与しうるという観点からは、例えば、１〜１００μｍ、好ましくは５〜５０μｍであることが望ましい。また、後の工程で形成する接着層１２０をシール材で囲まれた隔壁内に注入することにより形成する場合には、接着層１２０の厚みを決定するので、被転写層２１０と第２の基板との接合状態を強固にするという観点からは、例えば１〜１００μｍ、好ましくは５〜３０μｍであることが望ましい。
【０１２２】
ギャップ剤の配置方法としては、例えば、（被転写体領域をマスク等で覆い、マスクした以外の箇所に、静電気力の利用、又はスプレー等により散布する散布方式が挙げられる。また、ギャップ剤をシール材に混合したものを、スクリーン印刷法、ディスペンス法、液滴吐出法（インクジェット法）、フレキソ印刷法等を用いて印刷することで、ギャップ剤の配置と同時にシール材の塗布も可能となり、好ましい。
［第３工程］
次に、上記のようにシール材１０３を形成した積層体１０１と第２の基板１０４を接合し、シール材１０３を硬化させる（図６（ｃ）参照）。
【０１２３】
具体的には、まず、シール材１０３が塗布された積層体１０１と第２の基板１０４を張り合わせる。なお、積層体１０１と第２の基板の位置合わせは、予め設けておいた位置合わせパターン等を用いて行ってもよい。
【０１２４】
その後、張り合わせた基板に、使用したシール材１０３の種類に応じて、熱や光線（例：紫外線）を照射して、シール材１０３を硬化させる。なお、この際、張り合わせた基板間の密閉度を高めるために、張り合わせた基板を加圧することが好ましい。また、シール材１０３は、後の工程で注入する接着剤を硬化する際、同時に硬化してもよい。
【０１２５】
第２の基板１０４としては、特に限定されないが、光硬化型接着剤を用いる場合には、光照射により接着剤を硬化させる必要があることから、透明基板を用いることが好ましい。
【０１２６】
なお、被転写層２１０は、第１の基板１１２上で形成された後、第２の基板１０４に転写されるため、高温下に晒されないため、第１の基板１１２に比べ、耐熱性、耐食性等の特性が劣るものであってもよい。
【０１２７】
従って、被転写層２１０の形成の際の最高温度をＴｍａｘ  としたとき、第２の基板１０４の構成材料は、ガラス転移点（Ｔｇ）または軟化点がＴｍａｘ  以下のもの、例えば８００℃以下、好ましくは５００℃以下、さらに好ましくは３２０℃以下の材料で構成することができる。
【０１２８】
また、第２の基板１０４の機械的特性としては、ある程度の剛性（強度）を有するものが好ましいが、可撓性、弾性を有するものであってもよい。
【０１２９】
このような第２の基板１０４の構成材料としては、各種合成樹脂または各種ガラス材が挙げられ、特に、各種合成樹脂や通常の（低融点の）安価なガラス材を用いることができる。
【０１３０】
合成樹脂としては、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂のいずれでもよく、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン−プロピレン共重合体、エチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）等のポリオレフィン、環状ポリオレフィン、変性ポリオレフィン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリスチレン、ポリアミド、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリカーボネート、ポリ−（４−メチルペンテン−１）、アイオノマー、アクリル系樹脂、ポリメチルメタクリレート、アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン共重合体（ＡＢＳ樹脂）、アクリロニトリル−スチレン共重合体（ＡＳ樹脂）、ブタジエン−スチレン共重合体、ポリオキシメチレン、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、エチレン−ビニルアルコール共重合体（ＥＶＯＨ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）、ポリシクロヘキサンテレフタレート（ＰＣＴ）等のポリエステル、ポリエーテル、ポリエーテルケトン（ＰＥＫ）、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、ポリエーテルイミド、ポリアセタール（ＰＯＭ）、ポリフェニレンオキシド、変性ポリフェニレンオキシド、ポリサルフォン、ポリエーテルサルフォン、ポリフェニレンサルファイド、ポリアリレート、芳香族ポリエステル（液晶ポリマー）、ポリテトラフルオロエチレン、ポリフッ化ビニリデン、その他フッ素系樹脂、スチレン系、ポリオレフィン系、ポリ塩化ビニル系、ポリウレタン系、ポリエステル系、ポリアミド系、ポリブタジエン系、トランスポリイソプレン系、フッ素ゴム系、塩素化ポリエチレン系等の各種熱可塑性エラストマー、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル、シリコーン樹脂、ポリウレタン等、またはこれらを主とする共重合体、ブレンド体、ポリマーアロイ等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて（例えば２層以上の積層体として）用いることができる。
【０１３１】
ガラス材としては、例えば、ケイ酸ガラス（石英ガラス）、ケイ酸アルカリガラス、ソーダ石灰ガラス、カリ石灰ガラス、鉛（アルカリ）ガラス、バリウムガラス、ホウケイ酸ガラス等が挙げられる。このうち、ケイ酸ガラス以外のものは、ケイ酸ガラスに比べて融点が低く、また、成形、加工も比較的容易であり、しかも安価であり、好ましい。
【０１３２】
第２の基板１０４として合成樹脂で構成されたものを用いる場合には、大型の基板を一体的に成形することができるとともに、湾曲面や凹凸を有するもの等の複雑な形状であっても容易に製造することができ、また、材料コスト、製造コストも安価であるという種々の利点が享受できる。従って、大型で安価なデバイス（例えば、液晶ディスプレイ）を容易に製造することができるようになる。
【０１３３】
なお、第２の基板１０４は、例えば、液晶セルのように、それ自体独立したデバイスを構成するものや、例えばカラーフィルター、電極層、誘電体層、絶縁層、半導体素子のように、デバイスの一部を構成するものであってもよい。
【０１３４】
さらに、第２の基板１０４は、金属、セラミックス、石材、木材、紙等の物質であってもよいし、ある品物を構成する任意の面上（時計の面上、エアコンの表面上、プリント基板の上等）、さらには壁、柱、梁、天井、窓ガラス等の構造物の表面上であってもよい。
［第４工程］
次に、シール材１０３により形成された接着層形成領域１４０内に、接着剤を充填する（図６（ｄ））。
【０１３５】
接着剤の充填方法としては、例えば、真空方式による注入法が用いられる。具体的には、積層体１０１と第２の基板１０４を接合した接合体１００を真空チャンバーに入れ、接着層形成領域１４０内を真空状態とした後、注入口１４０ｂを接着剤溜中に浸し、再び真空チャンバーを大気圧に戻すことにより充填する方法が挙げられる。このような方法によれば、気泡等を生じさせることなく、接着剤を均一に充填し得るので、精度の良い製品を提供し得る。なお、接着剤を注入するまでの組立工程を全て、真空チャンバー内で行ってもよく、これにより、作業時間を短縮することが可能となる。
【０１３６】
このような注入法に用いられる接着剤としては、例えば、液状の接着剤が用いられ、毛細管現象を利用した接着剤の充填が可能なように、例えば、粘度が１００ｃｐｓ以下、好ましくは、１〜１０ｃｐｓのものが望ましい。このような、液状接着剤としては、例えば、エポキシ系樹脂、アクリレート系樹脂、フェノール系樹脂等、種々の接着剤を用いることができる。
［第５工程］
液状接着剤は、その接着剤の種類に応じて、熱や光線（例：紫外線）を照射することにより硬化させる（図６（ｅ）参照）。なお、この際、張り合わせた基板間の密閉度を高めるために、張り合わせた基板を加圧することが好ましい。また、接着剤の硬化時に、上記シール材１０３を同時に硬化してもよい。
［第６工程］
積層体１０１と第２の基板１０４の接合体の外周を、後の工程で流体を挿入する挿入口（開口部）１５０となる部位を残して、封止材１０５で封止する（図７（ａ））。
【０１３７】
封止材１０５としては、積層体１０１と第２の基板１０４の接合体の外周を封じ得るものであればよく、例えば、エポキシ系樹脂、アクリレート系樹脂、フェノール系樹脂等の硬化性樹脂、粘着性のテープ等を用いることができる。なお、外周を溶着することにより接着させてもよい。
【０１３８】
硬化性樹脂による封止は、例えば、塗布法、ディスペンス法等により樹脂を付着させた後、各々の硬化特性に応じた硬化方法により硬化させることで行われる。
【０１３９】
なお、同図中、挿入口１５０は、一つであるが、複数であってもよい。
［第７工程］
第１の基板１１２の裏面側から照射光１０６を照射する（図７（ｂ））。
【０１４０】
照射光１０６は、基板１１２を介して剥離層１１１に照射される。これにより、剥離層１１１に層内剥離および／または界面剥離が生じて、結合力が減少または消滅する。
【０１４１】
剥離層１１１の層内剥離および／または界面剥離が生じる原理としては、剥離層１１１の構成材料にアブレーションが生じること、また、剥離層１１１内に内蔵しているガスの放出、さらには照射直後に生じる溶融、蒸散等の相変化によるものであると推定される。
【０１４２】
ここで、アブレーションとは、照射光１０６を吸収した固体材料（光吸収層の構成材料）が光化学的または熱的に励起され、その表面や内部の原子または分子の結合が切断されて放出することを言い、主に、剥離層１１１の構成材料の全部または一部が溶融、蒸散（気化）等の相変化を生じる現象として現れる。また、前記相変化によって微小な発泡状態となり、結合力が低下することもある。
【０１４３】
剥離層１１１が層内剥離を生じるか、界面剥離を生じるか、またはその両方であるかは、剥離層１１１の組成や膜厚、その他種々の要因に左右され、その要因の１つとして、照射光１０６の種類、波長、強度、到達深さ等の条件が挙げられる。
【０１４４】
照射光１０６としては、剥離層１１１に層内剥離および／または界面剥離を起こさせるものであればいかなるものでもよく、例えば、Ｘ線、紫外線、可視光、赤外線（熱線）、レーザ光、ミリ波、マイクロ波、電子線、放射線（α線、β線、γ線）等が挙げられるが、そのなかでも、分離層２の剥離（アブレーション）を生じさせ易いという点で、レーザ光が好ましい。
【０１４５】
このレーザ光を発生させるレーザ装置としては、各種気体レーザ、固体レーザ（半導体レーザ）等が挙げられるが、エキシマレーザ、Ｎｄ−ＹＡＧレーザ、Ａｒレーザ、ＣＯ２  レーザ、ＣＯレーザ、Ｈｅ−Ｎｅレーザ等が好適に用いられ、その中でもエキシマレーザが特に好ましい。
【０１４６】
エキシマレーザは、短波長域で高エネルギーを出力するため、極めて短時間で剥離層１１１にアブレーションを生じさせることができ、よって、隣接するまたは近傍の反射層、中間層、被転写層、第１の基板１１２等に温度上昇をほとんど生じさせることなく、すなわち劣化、損傷を生じさせることなく剥離層１１１を剥離することができる。
【０１４７】
また、剥離層１１１にアブレーションを生じさせるに際しての照射光１０６に波長依存性がある場合、照射されるレーザ光の波長は、１００〜３５０ｎｍ程度であるのが好ましい。
【０１４８】
また、剥離層１１１に、例えばガス放出、気化、昇華等の相変化を起こさせて分離特性を与える場合、照射されるレーザ光の波長は、３５０〜１２００ｎｍ程度であるのが好ましい。
【０１４９】
また、照射されるレーザ光のエネルギー密度、特に、エキシマレーザの場合のエネルギー密度は、１０〜５０００ｍＪ／ｃｍ２程度とするのが好ましく、１００〜５００ｍＪ／ｃｍ２程度とするのがより好ましい。また、照射時間は、１〜１０００ｎｓｅｃ程度とするのが好ましく、１０〜１００ｎｓｅｃ程度とするのがより好ましい。エネルギー密度が低いかまたは照射時間が短いと、十分なアブレーションが生じず、また、エネルギー密度が高いかまたは照射時間が長いと、剥離層１１１を過剰に破壊するおそれがある。
【０１５０】
このようなレーザ光に代表される照射光１０６は、その強度が均一となるように照射されるのが好ましい。
【０１５１】
照射光１０６の照射方向は、剥離層１１１に対し垂直な方向に限らず、剥離層１１１に対し所定角度傾斜した方向であってもよい。
【０１５２】
また、剥離層１１１の面積が照射光の１回の照射面積より大きい場合には、剥離層１１１の全領域に対し、複数回に分けて照射光を照射することもできる。また、同一箇所に２回以上照射してもよい。
【０１５３】
また、異なる種類、異なる波長（波長域）の照射光（レーザ光）を同一領域または異なる領域に２回以上照射してもよい。
【０１５４】
なお、剥離層１１１の基板１と反対側に隣接して反射層を設けた場合には、照射光１０６をロスなく有効に剥離層１１１へ照射することができるとともに、反射層（遮光層）の遮光機能により、照射光１０６が被転写層１１０等に照射されるのを防止し、被転写層１１０の変質、劣化等の悪影響を防止することができるという利点を有する。
【０１５５】
特に、照射光１０６をロスなく有効に剥離層１１１へ照射することができるということは、その分、照射光１０６のエネルギー密度を小さくできるということ、すなわち、１回の照射面積をより大きくできるということであり、よって、剥離層１１１の一定の面積をより少ない照射回数で剥離することができ、製造上有利である。
［第８工程］
加圧室１３０に挿入口１５０から、流体１０７を注入する（図７（ｃ））。
【０１５６】
流体１０７としては、上述したものが利用し得る。流体１０７が、注入されることによる内圧の上昇により、接合体１００の面と垂直方向に上下に力が加わり、第１の基板１１２が分離される（図７（ｄ））。
【０１５７】
流体１０７の注入量、注入速度、流体の圧力等を適宜調整することによって、加圧室１３０内に加わる力を調整する。
【０１５８】
なお、上記剥離層１１１に照射光１０６を照射する工程（第７工程）と、加圧室１３０に流体１０７を注入する工程は、同時に行ってもよい。
【０１５９】
図８に、加圧室１３０に内圧が加わることにより、第１の基板１１２が分離される機構を説明するための説明図を示す。
【０１６０】
図８（ａ）に示すように、加圧室１３０に流体１０７が注入され、第２の基板及び被転写層２１０に垂直方向に外側に向く力が生じ、第１の基板１１２及び第２の基板が上下に分離される。この際、被転写層２１０の加圧室１３０の直下に対応する部位に直接力が加わり、亀裂が生じ、被転写層２１０は、被転写体領域１０２ごとに分断されることになる（図８（ｂ））。
【０１６１】
なお、剥離層１１１における第１の基板１１２と第２の基板１０４の分離を促進するためには、第１の基板１１２に、より直接的に圧力を付与することが好ましい。したがって、図９（ａ）に示すように、予め、被転写層２１０の被転写体領域１０２以外の部位を、エッチング又はレーザ等により除去して、各々独立に存在する多数の被転写体１１０を形成しておくことにより、剥離層１１１を介して第１の基板により直接的に力が付与し得るようにすることが好ましい。なお、剥離層１１１の対応する部位も同様に除去しておいてもよい。このように、予め、独立した被転写体１１０を形成しておくことで、被転写層２１０の分割時の亀裂等による被転写体領域１０２の破損の虞がなくなり、歩留まりよく製品を製造し得る。
【０１６２】
また好ましくは、基板周辺の封止部は、本工程で実施される流体の注入を行っても破壊または剥離しない程度の接着強度を有する。これにより、加圧室の圧力を十分に高め、被転写体の剥離を容易にすることができる。なお、被転写体の剥離が完了した後には、周辺封止部を切断したり、封止材を有機溶剤等で溶解することで、第１の基板と第２の基板を分離する工程を実施することができる。
【０１６３】
図８（ｂ）及び図９（ｂ）では、剥離層１１１は、第２の基板１０４に付着しているが、被転写層２１０側に付着していることもある。
【０１６４】
このような剥離層１１１は、例えば洗浄、エッチング、アッシング、研磨等の方法またはこれらを組み合わせた方法により除去することができる。
【０１６５】
以上のような各工程を経て、被転写層２１０（又は被転写体１１０）の第２の基板１０４への転写が完了する。その後、被転写層２１０に隣接する剥離層１１１の除去や、他の任意の層の形成等を行うこともできる。
【０１６６】
第１の実施形態によれば、基板間に設けられた加圧室１３０内に内圧を生じさせることで、内部より両基板を離隔させる力を働かせるため、両基板を一端から引き離す場合に比べ、短時間で効率よく、剥離することが可能となる。
【０１６７】
また、基板の周囲を、挿入口１５０以外を封止材１０５により封止しているので、加圧室１３０全体に効率よく流体１０７を注入することが可能となり、また、密閉性を高めることができる。また、流路が相互に繋がっている場合には、一の挿入口１５０から流体の挿入が可能となり、内圧を付与する際の効率がよい。
【０１６８】
また、流体１０７の注入により加圧室１３０内に圧力を付与しているため、流体１０７の注入量及び注入速度を調整することで、加圧室１３０に付与する圧力の微調整が可能となる。
【０１６９】
また、シール材１０３で、加圧室１３０を形成することにより、加圧室１３０の密閉性をより高めることが可能となる。また、シール材１０３により、同時に、接着層形成領域１４０を形成することも可能であり、効率がよい。
【０１７０】
また、基板間全体に圧力を付与し得るので、大量生産の際にも効率よく、被転写体と転写元基板との剥離を促進し得る。
（第２の実施形態）
第２の実施形態は、加圧室の内圧と外圧を利用することで、内圧を高め第１の基板と第２の基板との離隔を促進する以外は、第１の実施形態と同様の方法により行われる。
【０１７１】
まず、図１０に示すような、封止材１０５で外周を完全に封止した接合体１００を準備する。
【０１７２】
同図に示した接合体１００は、シール材の配置パターンを図１０のように、被転写体領域１０２の周囲を囲む形状とし、加圧室１３０としての流路を格子状として、接着層１２０をインクジェット方式により形成し、接合体１００の全体を封止材で被覆する。
【０１７３】
具体的には、積層体１０１上に、インクジェット方式により、接着層１２０（図９参照）を形成する場合には、例えば、図１０に示すように、被転写体領域１０２の周囲を囲むようなパターンにシール材１０３を配置し、接着層形成領域１４０を形成する。このように、形成した接着層形成領域１４０に、インクジェットヘッドを用いて、液状の接着剤を吐出することで、接着層１２０を形成し得る。その後、第２の基板を重ね合わせ、使用した接着剤及びシール材の特性に応じて、各々を同時に又は別々に、熱又は光を照射させることで、接合体１００を形成することができる。なお、上記のようなパターンによれば、加圧室１３０としての流路を格子状に相互に繋がった状態に形成し得るので、流体を効率よく挿入し得るので好ましい。
【０１７４】
それ以外は、第１の実施形態に記載したのと同様の工程で製造することができる。なお、シール材１０３により形成する加圧室１３０のパターンは、第１の実施形態で例示したのと同様のパターンであってもよい。また、第２の実施形態で例示したパターンを第１の実施形態に適用してもよい。
【０１７５】
この接合体１００を、例えば、真空チャンバーのような、圧力を調整し得る装置内に入れ、減圧する。すると、接合体１００の加圧室１３０内に含まれている空気が、外圧が減少することによって膨張し、この膨張による圧力により、第１の基板１１２と第２の基板１０４を離隔し得る。
【０１７６】
これにより、被転写体領域１０２（被転写体１１０）を第２の基板に転写し得る。
【０１７７】
第２の実施形態によれば、加圧室の内圧と外部の圧力の差を利用することで、容易に第１の基板１１２と第２の基板１０４を離隔し得る。また、真空チャンバー等の装置を利用することに、外圧を調整することができるので、第１の基板１１２と第２の基板１０４の離隔（剥離）の際の圧力を容易に調整し得る。
【０１７８】
また、基板間に縦横に張り巡らされた流路内に均一に含まれる空気を膨張させるので、圧力の偏りがなく、均一に基板間に剥離のための力を付与し得るので、一部にのみ力が集中することがなく、基板の破損等の虞を防止し得る。したがって、歩留まりよく製品を製造し得る。
【０１７９】
なお、本発明は上述した実施形態の内容に限定されるものではなく、本発明の要旨の範囲内において種々の変形実施が可能である。
【０１８０】
このような転写方法は、転写体としての回路基板等の製造方法に応用することができる。すなわち、本発明の回路基板の製造方法は、第１の実施形態及び第２の実施形態で記載したような転写方法を用いて、転写する工程を含むものである。
【０１８１】
本発明の回路基板は、第１の実施形態及び第２の実施形態で記載したような転写方法を用いて、種々の最終基板上にそれぞれ離間して転写した複数の薄膜デバイス（薄膜素子）を、導体からなる配線によって電気的に接続することにより製造し得る。
【０１８２】
図１１に、本発明の転写方法によって製造される電気光学装置（回路基板を含む）の一例を示す。
【０１８３】
ここで、電気光学装置とは、電気的作用によって発光あるいは外部からの光の状態を変化させる電気光学素子を備えた装置一般をいい、自ら光を発するものと外部からの光の通過を制御するもの双方を含む。例えば、電気光学素子としては、液晶素子、電気泳動粒子が分散した分散媒体を有する電気泳動素子、ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子、電界の印加により発生した電子を発光板に当てて発光させる電子放出素子が挙げられ、これを備えた表示装置等を電気光学装置という。
【０１８４】
当該例の電気光学装置は、有機ＥＬ素子を用いた表示回路である。当該表示回路は、転写先基板であるガラス基板に形成されるものであり、図１１に示す回路のうち、画素回路Ｐ、選択線駆動回路５０２、信号線駆動回路５０３が本発明の被転写体としてガラス基板に転写されている。選択線Ｖｓｅｌ、信号線Ｖｓｉｇ、電源線Ｖｄｄは、転写前に予めガラス基板に形成されていたものである。
【０１８５】
本発明の回路基板の製造方法によれば、本発明の転写方法によって製造された回路基板等を使用するので、安価な電子機器を提供し得る。
【０１８６】
図１２は、本発明の転写方法を利用して製造した電子機器の例を説明する説明図である。
【０１８７】
本発明の回路基板を使用した装置としては、例えば、電気光学装置、駆動装置、制御装置等が該当する。
【０１８８】
図１２（ａ）は携帯電話への適用例であり、携帯電話５１０は、アンテナ部５１１、音声出力部５１２、音声入力部５１３、操作部５１４、及び薄膜デバイスを備えた電気光学装置（回路基板）５１を備えている。このように本発明の回路基板は、携帯電話５１０の表示部として利用可能である。
【０１８９】
図１２（ｂ）はビデオカメラへの適用例であり、ビデオカメラ５２０は、受像部５２１、操作部５２２、音声入力部５２３、及び薄膜デバイスを備えた電気光学装置（回路基板）５１を備えている。このように本発明の回路基板は、ファインダーや表示部として利用可能である。
【０１９０】
図１２（ｃ）は携帯型パーソナルコンピュータへの適用例であり、コンピュータ５３０は、カメラ部５３１、操作部５３２、及び薄膜デバイスを備えた電気光学装置（回路基板）５１を備えている。このように本発明の回路基板は、表示部として利用可能である。
【０１９１】
図１２（ｄ）はヘッドマウントディスプレイへの適用例であり、ヘッドマウントディスプレイ５４０は、バンド５４１、光学系収納部５４２及び薄膜デバイスを備えた電気光学装置（回路基板）５１を備えている。このように本発明の回路基板は画像表示器として利用可能である。
【０１９２】
図１２（ｅ）はリア型プロジェクターへの適用例であり、プロジェクタ５５０は、筐体５５１に、光源５５２、合成光学系５５３、ミラー５５４、ミラー５５５、スクリーン５５６、及び薄膜デバイスを備えた電気光学装置（回路基板）５１を備えている。このように本発明の回路基板は画像表示器として利用可能である。
【０１９３】
図１２（ｆ）はフロント型プロジェクタへの適用例であり、プロジェクタ５６０は、筐体５６２に光学系５６１及び薄膜デバイスを備えた電気光学装置（回路基板）５１を備え、画像をスクリーン５６３に表示可能になっている。このように本発明の回路基板は画像表示器として利用可能である。
【０１９４】
上記例に限らず本発明の回路基板は、種々の電子機器に適用可能である。例えば、表示機能付きファックス装置、デジタルカメラのファインダ、携帯型ＴＶ、ＤＳＰ装置、ＰＤＡ、電子手帳、電光掲示盤、宣伝公告用ディスプレイなどにも活用することができる。
【０１９５】
以上のように、本発明の回路基板の製造方法は、本発明の転写方法を利用しているので、効率よく回路基板を製造することが可能である。
【０１９６】
また、本発明の回路基板、及び電子機器は、このような製造方法を利用しているので、安価な回路基板及び電子機器を提供し得る。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は、本発明の剥離方法の剥離機構を説明するための概念図である。
【図２】図２は、第１の基板及び第２の基板間に設けられた加圧室に、内圧を生じさせる方法を説明するための説明図を示す。
【図３】図３は、開口部の隙間に、流体を注入する方法を説明するための説明図である。
【図４】図４は、第１の基板と第２の基板の接合体の構成及び加圧室の配置を説明するための接合体の断面図である。
【図５】図５は、シール材１０３の形成配置を説明するため断面図である。
【図６】図６は、本発明の転写方法の工程を示す工程図である。
【図７】図７は、本発明の転写方法の工程を示す工程図である。
【図８】図８は、本発明の剥離機構を説明するための概念図である。
【図９】図９は、本発明の剥離機構を説明するための概念図である。
【図１０】図１０は、本発明の他の態様に係る転写方法の工程を示す工程図である。
【図１１】図１１は、薄膜デバイスの回路の一例を示す平面図である。
【図１２】図１２は、電子機器の例を説明する説明図である。
【符号の説明】
１００・・・接合体、１０１・・・積層体、１０２・・・被転写体領域、１０３・・・シール材、１０４・・・第２の基板、１０５・・・封止材、１０６・・・照射光、１０７・・・流体、１１０・・・被転写体、１１１・・・剥離層、１１２・・・第１の基板、１１３・・・反射層、１１４・・・中間層、１１５・・・薄刃、１２０・・・接着層、１３０・・・加圧室、１３０ａ・・・各開放端、１４０・・・接着層形成領域、１５０・・・挿入口、２１０・・・被転写層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
2004327728.tif 000011
【図１０】
2004327728.tif 000012
【図１１】
2004327728.tif 000013
【図１２】
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