(57)【要約】      （修正有）【課題】つなぎ合わせ露光に必要な傾斜露光を、単純な構造で実現できる方法と、装置を提供する。【解決手段】マスク描画装置１００では、一定の幅の開口２’を有するスリット板２が用いられており、開口２’を出射するレーザ光Ｌ２が照射されるマスターマスク３上の照射領域Ｒ１が、マスターマスクのスキャン方向の端に位置した瞬間に、レーザ光Ｌ１が供給され、１回スキャンが終わり、照射領域Ｒ１がマスターマスクのもう一方の端に来た瞬間にレーザ光Ｌ１がストップするようになっている。これによると、照射領域Ｒ１はレーザ光Ｌ１が供給される間は、マスターマスク３に対して常に移動（スキャン）していることから、マスク６における両端から照射領域Ｒ２の幅と等しい範囲では、露光量は一定にならず、傾斜露光が実現される。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の第１のマスクから縮小投影によって１枚の第２のマスクを描画するマスク描画方法において、前記第１のマスクの各１枚と前記第２のマスク用の基板とを同期移動させながら、前記第２のマスク用の基板に対して一定の幅を有するスリット状の領域に露光光を照射し、かつ前記領域の全体が前記第２のマスク用の基板上におけるパターン転写領域内に位置する間のみに前記露光光を照射するように、前記露光光の照射を制御することを特徴とするマスク描画方法。
【請求項２】
複数の第１のマスクから縮小投影によって１枚の第２のマスクを描画するマスク描画方法において、前記複数の第１のマスクの内、隣合うパターンを有する２枚の第１のマスクについては、前記第２のマスクが描画されるマスク基板上において、隣合う端部を一定の幅だけ重ね合わせて露光させる場合に、前記第１のマスクの各１枚と前記第２のマスク用のマスク基板とを同期移動させながら、前記マスク基板に対して前記一定の幅を有するスリット状に露光光を照射させることを特徴とするマスク描画方法。
【請求項３】
請求項１あるいは２のマスク描画方法に基づくマスク描画装置。
【請求項４】
複数の第１のマスクから縮小投影によって１枚の第２のマスクを描画するマスク描画方法において、前記第１のマスクの各１枚と前記第２のマスク用の基板とを同期移動させながら、前記基板に対して、スリット状の開口を有する第１の板と、少なくとも１対の平行な辺を有する矩形型の開口を有する第２の板との少なくとも２枚の開口を有する板を通過させた露光光を照射することを特徴とするマスク描画方法。
【請求項５】
複数の第１のマスクから縮小投影によって１枚の第２のマスクをつなぎ合わせ露光によって描画するマスク描画装置において、前記つなぎ合わせ露光幅と実質的に等しい幅の照射領域を前記第２のマスク用の基板上に形成する一定幅の開口を備えたスリット板と、前記照射領域を前記基板のパターン転写領域内で移動させる移動手段とを有することを特徴とするマスク描画装置。
【請求項６】
請求項５において、前記移動手段は前記基板を予め定められた方向に移動させ、前記スリット板の前記一定幅の開口は、前記第２のマスクの移動方向に対して直角方向に延在していることを特徴とするマスク描画装置。
【請求項７】
請求項６において、前記スリット板の開口は台形形状を有していることを特徴とするマスク描画装置。
【請求項８】
請求項６において、前記スリット板の開口は菱形形状を有していることを特徴とするマスク描画装置。
【請求項９】
複数の第１のマスクから縮小投影によって１枚の第２のマスクをつなぎ合わせ露光によって描画するマスク描画方法において、前記つなぎ合わせ露光のために所定幅のスリット状に前記第１のマスクの各１枚の全領域をスキャンしてそのスリット状照射領域を前記第２のマスク用に基板に順次照射し、前記第１のマスクの端部から照射を開始して反対側の端部で照射を終了するようにし、且つ、前記スリット状照射領域の幅は前記スキャン中に実質的に一定とすることを特徴とするマスク描画方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、複数のマスターマスクを用いて、縮小投影とつなぎ合わせ露光によって１枚のマスクを描画するために用いられるマスク描画の方法とそのための装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
一般に、半導体集積回路の製造工程の１つであるリソグラフィで用いられるマスク（レチクルと呼ばれることもある。）を製造する場合には、レジストが塗布されたマスク基板上に回路などのパターンを描画するために、一般に電子ビーム描画装置が利用される。これに対して、リソグラフィで利用される露光装置を利用して、マスク基板にパターン描画する描画方法もある。この場合は、パターンの線幅が大きなマスターマスクを用いて、マスターマスクのパターンを縮小投影露光によって描画するものである。
【０００３】
露光装置を用いてマスク基板にパターン描画する前記後者の場合、一般にパターン転写される露光領域の大きさは、通常のマスクの描画領域の大きさよりも小さいため、複数のマスターマスクを用いて、それぞれから転写される複数のパターンをつなぎ合わせる必要がある。これは、つなぎ合わせ露光と呼ばれ、同じパターンを有する端部を重ね合わせる必要がある。しかし、隣接するパターンを設計通りにパターン転写させることはできず、通常、複数のパターンが数十ナノメートルずれて転写される。つまりマスク基板を載せるステージの位置精度に依存し、目標位置からのばらつきが、最新のステージの場合でも、１０から３０ｎｍ程度を有するからである。
【０００４】
そこで、どうしても僅かにずれて転写される隣接した２つのパターンのつなぎ合わせ露光部では、露光後の現像によって生成されるレジストパターンができるだけ設計通りになるように、つなぎ合わせ露光部の露光量を傾斜させる（パターンの端に近づくにつれて、露光量を減少させ、パターンの端では露光量を０にする）ことが行われる。これを以下、傾斜露光と呼ぶ。これによると、重ねる部分の幅（すなわち、露光量を傾斜させる幅）を、隣接するパターンがずれる大きさに対して十分大きくとることで、二重に露光される部分の露光量をほぼ均一にできるからである。
【０００５】
つなぎ合わせ部における傾斜露光を実現する具体的手法としては、従来、マスクに照射させる正方形状の露光光の強度分布が、周囲において減少するように、図７に示したような濃度分布を有するフィルタ（以下、ＮＤフィルタと呼ぶ。）を用いる手法が示されている。これに関しては、例えば、特公昭６３−４９２１８号公報（特許文献１）、あるいは、Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ  ｏｆ  ＳＰＩＥ  Ｖｏｌ．４１８６，  ｐｐ．３４−４５，  ２００１（非特許文献１）において示されている。
【０００６】
前記傾斜露光の実現手段では、マスク全面に露光光を一度に照射して、一括にパターン転写するステッパと呼ばれる露光装置を対象とするものである。これに対して、マスクと基板を露光中に同期移動させることでパターン転写するスキャン型露光装置においては、前記のようなＮＤフィルタを用いて露光量を傾斜させる手法は、同期移動させる方向と平行なつなぎ合わせ露光部のみには適用できるが、同期移動させる方向に直角なつなぎ合わせ部（すなわち、スキャンの開始部と終了部）には適用できない。そこで、従来、マスク（あるいはマスターマスク）に対して照射する露光光が当たる領域（以下、照射領域と呼ぶ。）の幅（正確にはスキャン方向の幅）を可変とし、パターンの周辺（すなわちスキャンの開始部と終了部）において幅を小さくする手法などが提案されていた。これに関しては、特開２００２−３５３１０８公報（特許文献２）において説明されている。
【０００７】
【特許文献１】
特公昭６３−４９２１８号公報
【０００８】
【特許文献２】
特開２００２−３５３１０８号公報
【０００９】
【非特許文献１】
Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ  ｏｆ  ＳＰＩＥ  Ｖｏｌ．４１８６，  ｐｐ．３４−４５，  ２００１
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
スキャン型露光装置を用いてつなぎ合わせ露光を行う前記従来の手法では、照射領域の幅を、スキャン位置に合わせて正確に制御する必要があり、これが複雑になることが問題であった。例えば、図５に示した従来のマスク描画装置２００では、マスターマスク２３に照射させるレーザ光の照射領域Ｒ２１の幅（及びマスク２６における照射領域Ｒ２２）を、マスターマスク２３とマスク２６のスキャン中の位置によって、変化させる必要がある。なお、本発明において言及するマスクあるいはマスターマスクでは、パターンを描画させる領域が全面に存在しているものとして説明を進める。
【００１１】
そこで、露光光であるレーザ光Ｌ２１から照射領域Ｒ２１を形成するためのビーム整形を行うブラインド２２（ただし、図示したように実際には４枚のプレートで構成されている。）において、開口部の幅を調整できるような構造にする必要があった。すなわち、ブラインド２２から出射する整形されたレーザ光Ｌ２２が、ミラー２１ｂ、２１ｃで反射してマスターマスク２３の照射領域Ｒ２１に当たる。この領域が縮小投影光学系２５によってマスク２６における照射領域Ｒ２２に縮小投影される。そこで、図６（ａ）に示したように、マスク２６内の照射領域Ｒ２２の位置によって、照射領域Ｒ２２の幅（したがって、マスターマスク２３における照射領域Ｒ２１の幅）を調整する必要がある。すなわち、照射領域Ｒ２２がマスク２６の左右の端（図６（ａ）で左右方向）に近づくに従い、幅を狭くしていき、端に接する瞬間に、幅が０になるように、ブラインド２２を制御していく。これが正確に制御されると、マスク２６において、図６（ｂ）に示されたような傾斜露光が実現できる。
【００１２】
以上のように、従来の手法では、左右にスキャンしているマスターマスク２３やマスク２６の位置に合わせて、ブラインド２２で形成される開口の幅を制御していく必要があり、この制御が困難であっただけでなく、チップの露光に利用される通常のスキャン型露光装置における照射領域の形成機構であるブラインド２２などを大幅に改造する必要もあった。
【００１３】
本発明の目的は、複数のマスターマスクから１枚のマスクをパターン露光によって描画する場合に、スキャン型露光装置を用いてつなぎ合わせ露光を行うために、つなぎ合わせ露光に必要な傾斜露光を、単純な構造で実現できる方法と、そのための装置を提供することである。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
前記目的を達成するために、本発明では、マスクにおける照射領域を形成するために、一定の開口を有するスリット板を用いて、かつ前記開口が転写される照射領域の全体がマスクにおけるパターン転写領域内に位置する間のみ、露光光であるレーザ光が照射されるように、レーザ光の照射を制御する方法を用いたものである。
【００１５】
これによると、照射領域はマスクに対して常に移動しているため、マスクにおけるスキャン方向の両端から照射領域の幅に相当する間では、露光量が傾斜するため、この傾斜部をつなぎ合わせ露光に利用できる。すなわち、逆に述べると、つなぎ露光におけるつなぎ部の幅と等しい幅に照射領域を設定し、照射領域がマスクの片方の端に位置した瞬間に、レーザ光による照射を開始し、照射領域がマスクのもう一方の端に位置した瞬間に、レーザ光による照射を終了するように照射を制御すればよい。
【００１６】
以上のように、本発明ではマスクへのレーザ光による照射のＯＮ／ＯＦＦを制御するだけで、スリット板における開口の幅を変化させることなく、マスクの両端を傾斜露光させることが可能になる。
【００１７】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態を図面を用いて説明する。
【００１８】
図１は本発明のマスク描画装置１００の構成図である。マスク描画装置１００では、露光光であるレーザ光Ｌ１がミラー１ａで反射後、スリット板２に照射する。スリット板２には、幅４ｍｍ、長さ１０４ｍｍの細長い開口２’が設けられている。この開口２’から出射したレーザ光Ｌ２は、ミラー１ｂ、１ｃで反射してマスターマスク３における照射領域Ｒ１を照射する。マスターマスク３は、マスターマスクステージ４内で矢印のように図の左右方向にスキャン移動できるようになっている。マスターマスク３の照射領域Ｒ１から進むレーザ光Ｌ３は、縮小投影光学系５に入り、マスク６の照射領域Ｒ２を照射する。すなわち、マスターマスク３における照射領域Ｒ１の像が、縮小投影光学系５によって、マスク６の照射領域Ｒ２に１／４の大きさに縮小投影され、パターン露光される。つまり、照射領域Ｒ２は、本実施形態では幅１ｍｍ、長さ２６ｍｍになる。なお、マスク６もマスクステージ７に載せられており、マスクステージ７は図中の矢印に示されているように左右方向にスキャン移動できるように、駆動装置（図示せず）によって駆動される。図示された例では、マスターマスク３とマスク６とは互いに反対の方向に往復移動できるように駆動装置によって駆動される。更に、図示されたマスクステージ７は図の前後方向、即ち、ステップ方向にも移動できるように構成されている。この構成では、マスターマスク３の全面のパターンがマスク６上に転写され、マスターマスク３を順次置き換え、マスク６をスキャン方向だけでなく、ステップ方向にも移動させることにより、各マスターマスク３のパターンがマスク６の全面に転写される。
【００１９】
マスク描画装置１００では、図２（ａ）に示したように、照射領域Ｒ２がマスク６のスキャン方向の端に位置した瞬間に、レーザ光Ｌ１が供給され、照射され、１回スキャンが終わり、照射領域Ｒ２がマスク６のもう一方の端に来た瞬間にレーザ光Ｌ１がストップするように制御される。レーザ光Ｌ１をストップさせるには、図示していないレーザ発振器でレーザ発振を止めるか、あるいは図示していないシャッタ等を用いてレーザ光Ｌ１を遮ってもよい。
【００２０】
この構成によると、照射領域Ｒ２に露光光が照射される間は、照射領域Ｒ２に対してマスク６は常に移動（スキャン）、即ち、連続的に一定の走査（スキャン）速度で移動していることから、図２（ｂ）に示したように、マスク６における両端から照射領域Ｒ２の幅と等しい範囲では、露光量は一定にならず、傾斜露光が実現される。即ち、マスク６の両端から照射領域Ｒ２の幅に等しい範囲内では、両端に近い程、露光光によって照射される時間が短く、この結果、露光量が両端に近い程小さくなって、図２（ｂ）に示すような傾斜露光が実現できる。
【００２１】
なお、前述したように、照射領域Ｒ２の幅はここでは１ｍｍであるため、傾斜露光の傾斜部の幅も１ｍｍになる。したがって、本実施形態では１ｍｍの幅を有するつなぎ合わせ露光が実現できる。換言すれば、本実施形態では、照射領域Ｒ２の幅をつなぎ合わせ露光の幅に実質的に等しくしている。
【００２２】
以上より、本発明によると、一定の開口２’（即ち、つなぎ合わせ露光幅に対応する幅の開口）を有するスリット板２を用いることによって、スキャン方向の両端において傾斜露光が実現できるようになり、従来のスキャン型露光装置を大幅に改造することなく、つなぎ合わせ露光が行える。
【００２３】
次に、本発明のマスク描画方法による新たな効果を図３を用いて説明する。図３はパターン露光するためのマスク基板上に投影される照射領域（図１のＲ２）と縮小投影光学系（図１の５）に用いられるレンズの大きさを比較した説明図である。従来のスキャン型露光装置では、８ｍｍ×２６ｍｍ程度の照射領域であり、その結果、図３に円で示されているように、直径２７．２ｍｍ以上の有効径を備えたレンズが必要になる。
【００２４】
これに対して、本発明では傾斜露光の傾斜部に等しい幅の照射領域を形成する必要があり、例えば、１ｍｍの幅であれば、有効径２７．２ｍｍのレンズを用いた場合、照射領域の長さを約２７ｍｍまで拡大することが可能になる。これによると、スキャン方向に直角な方向の長さが２７ｍｍの領域にパターン露光できるようになるため、端から１ｍｍの領域をつなぎ合わせ露光に利用しても、以下の示すように、１６回のつなぎ合わせによって、標準サイズのマスクを描画できる。
【００２５】
具体的に説明すると、半導体デバイスを露光するために用いられる通常のスキャン型露光装置に利用されるマスクにおけるパターン領域の大きさは、１３２ｍｍ×１０４ｍｍである。このようなパターン領域を１／４縮小投影光学系を用いて露光する場合、ウエハ上に最大３３ｍｍ×２６ｍｍのパターンを転写できる。このサイズは最大露光フィールドと呼ばれ、２６ｍｍはスキャン方向に対して直角方向（ステップ方向）における長さである。ただし、露光装置メーカによっては、２５ｍｍの場合もある。
【００２６】
したがって、ステップ方向に２６ｍｍの照射領域を有する従来のスキャン型露光装置を用いてパターン領域の大きさが１３２ｍｍ×１０４ｍｍマスクを描画する場合、最大露光フィールドが３３ｍｍ×２６ｍｍであれば、スキャン方向に４回、ステップ方向に４回、露光を繰り返し、合計１６回露光を行う必要がある。この場合、１ｍｍの幅をつなぎ合わせ露光に利用すると、横方向（スキャン方向）、縦方向（ステップ方向）共に４回つなぎ合わせるが、スキャン方向に直角な方向（即ち、ステップ方向）に関しては、３箇所に重ね合う部分が生じるため、２６×４−３＝１０１ｍｍの長さになる。したがって、通常のマスクのパターン領域よりも僅かに短くなってしまう。
【００２７】
これに対して、前述したように、本発明では、スキャン方向に直角な方向に２７ｍｍの長さでパターン転写できるため、４回つなぎ合わせると、２７×４−３＝１０５ｍｍの長さになり、通常のマスクのパターン領域を充分にカバーできる。
【００２８】
ところで、上述したように、本発明ではマスク上の照射領域の長さを２７ｍｍと、通常の２６ｍｍよりも長くできるため、さらに、スキャン方向の長さ（スキャンストローク）を通常の３２ｍｍから約３ｍｍ長くすることで、最大露光フィールドを３４．７ｍｍ×２６．４ｍｍに拡大することが容易である。
【００２９】
これによると、パターン領域が１３２ｍｍ×１０４ｍｍの４倍フォトマスクを描画するには、（１３２／２６．４）×（１０４／３４．７）＝５×３＝１５となるため、１５枚のマスターマスクを用いれば、マスク基板のパターン領域全面にパターン描画でき、前記通常の方法による１６枚に比べて、マスターマスクを１枚節約できる。
【００３０】
前述した例では、図１に示したマスク描画装置１００におけるスキャン方向の傾斜露光について説明した。本発明の実施形態に係るマスク描画装置１００では、スキャン方向に直角な方向（即ち、ステップ方向）の傾斜露光を実現することもできる。この場合、従来と同様に濃度フィルタを用いてもよいが、本発明では、図４（ａ）に示したような台形状の開口２ｂ’を有するブラインド（即ち、スリット板）２ｂを使用した露光を提案する。即ち、スリット板２ｂはスキャン方向に対して直角方向（ステップ方向）の上下両端に傾斜角を備えた開口２ｂ’が形成されている。この場合の傾斜角はスリット板２ｂの中心線方向に向けられている。
【００３１】
このような開口２ｂ’を有するスリット板２ｂを用いると、図４（ｂ）に示したように、台形状の照射領域Ｒ１’が形成されるため、マスターマスク３が左右にスキャンされると、図４（ｂ）の上下の端で傾斜光量を実現することができる。即ち、マスターマスク３の射者領域Ｒ１’の傾斜部分のうち、中央に近い部分程長い時間露光され、端部に近い程短い時間露光される。この結果、濃度フィルタが不要になる。
【００３２】
また、図１に示したマスク描画装置１００におけるスリット板２にレーザ光Ｌ１を照射する際に、シリンドリカルレンズのペアを用いて、レーザ光Ｌ１の断面形状を細長く整形してもよい。これによると、スリット板２によってカットされるレーザ光Ｌ１の割合を低減でき、効率よくレーザ光を露光に利用できる。図４（ａ）では、台形形状の開口２ｂ’を形成したスリット板２ｂについてのみ説明したが、開口２ｂ’の形状は菱形形状であっても良い。
【００３３】
次に、図８（ａ）、（ｂ）、及び、（ｃ）を参照して、本発明の他の実施形態を説明する。図８では、図１に示されたマスク描画装置１００におけるスリット板２の代わりに使用されるスリットユニっトが示されている。図示されたスリットユニットは図８（ａ）に示されたスリット板２ｃと、図８（ｂ）に示されたスリット板２ｄとによって構成され、図８（ｃ）に示すような組み合わせて使用される。図８（ｃ）に示すように、２つのスリット板２ｃ、２ｄを組み合わせることにより、図４に示したスリット板２ｂのように、両端部において約４５度に斜めに空いたスリット状の開口２ｂ’と同様な機能を有するスリットユニットを構成することができる。
【００３４】
具体的に説明すると、図８（ａ）に示されたスリット板２ｃはスキャン方向とは直角方向（即ち、ステップ方向）に延びる長方形の細長いスリット状の開口２ｃ’を備え、他方、図８（ｂ）に示されたスリット板２ｄはスリット板２ｃのスリット開口２ｃ’と一部重なるような大きな長方形の開口２ｄ’を備えている。両スリット板２ｃ及び２ｄを互いに４５°の角度（ここでは、スリット板２ｄを４５°の角度）だけ傾けて、重ね合わせることにより、スリットユニットが構成されている。
【００３５】
図８（ｃ）に示されたようにスリット板２ｃ及び２ｄを重ねることで、図８（ｃ）に示したように、両端部において約４５度に斜めに空いた開口２ｅが形成される。これによって、図１に示されたマスターマスク３、及びマスク６の両端（スキャン方向に平行な２辺）の部分で傾斜露光が実現される。
【００３６】
本実施形態に係るスリット板の特徴は、特に斜めの端部から出射するレーザ光（図１ではレーザ光Ｌ２）の断面形状が鮮鋭になる。その結果、マスターマスク３における照射領域Ｒ１における端部の斜めの形状が鮮鋭になることから、マスク６において重ね合わせ露光を行う際に、重ね合わせた部分の端まで均一な露光量が得られる。
【００３７】
一方、一枚のスリット板に、斜めの端部を有するスリットを鮮鋭に加工することは実際には困難であり、約０．１ｍｍ程度の丸みを帯びるのは避けられなかった。即ち、スリット板の材料としては、レーザ光に耐光性を有する金属を用いる必要があるが、金属板に対して鋭角部を０．１ｍｍ以下の加工を施してスリットをシャープに形成することは困難である。その結果、丸みを帯びた角の開口から出射するレーザ光によって露光された部分が重ね合わせられると、その角部に相当するマスク上の部分では均一な露光量が得られなくなってしまう。
【００３８】
しかしながら、図８（ｃ）に示すように、２枚のスリット板２ｃ、２ｄを重ねあわせることにより、長方形の開口を有するスリット板２枚を重ねて用いることで、これらの開口から出射するレーザ光の断面形状が非常にシャープな角を有するようになり、重ね合わせ部の露光を極めて均一に行えると云う実用的な効果が得られた。
【００３９】
【発明の効果】
以上に述べたように、本発明によると、開口の形状が固定されたスリット板を用いてもスキャン方向の両端を傾斜露光させることが可能であり、しかも、通常利用されているスキャン型露光装置のスリットを交換するだけで、つなぎ合わせ露光が行えるため、スキャン型露光装置の改造費用も低減できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のマスク描画方法に基づくマスク描画装置１００の構成図。
【図２】（ａ）マスク描画装置１００のマスク６における照射領域の説明図。
（ｂ）マスク６における露光量の分布を示したグラフ。
【図３】従来と本発明の照射領域を説明する図。
【図４】（ａ）は本発明の他の実施形態におけるスリット板２ｂの構成図。
（ｂ）はスリット板２ｂによって形成される照射領域Ｒ１’を示した説明図。
【図５】従来のマスク描画装置２００の構成図。
【図６】（ａ）は従来のマスク描画装置２００における照射領域Ｒ２２を示す説明図。
（ｂ）は従来のマスク描画装置２００のマスク２６における露光量分布を示すグラフ。
【図７】（ａ）は従来の傾斜露光を実現する手法であるＮＤフィルタの説明図。
（ｂ）は従来手法であるＮＤフィルタによる露光量分布を示すグラフ。
【図８】（ａ）、（ｂ）、及び、（ｃ）は本発明の他の実施形態に使用されるスリットユニットを示す図。
【符号の説明】
１ａ、１ｂ、１ｃ、２１ａ、２１ｂ、２１ｃ    ミラー
２、２ｂ、２ｃ、２ｄ    スリット板
２’、２ｂ’、２ｃ’、２ｄ’    開口
３、２３    マスターマスク
４、２４    マスターマスクステージ
５、２５    縮小投影光学系
６、２６    マスク
７、２７    マスクステージ
２２    ブラインド
Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３、Ｌ２１、Ｌ２２    レーザ光
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ２１、Ｒ２２    照射領域
【図１】
2004341365.tif 000003
【図２】
2004341365.tif 000004
【図３】
2004341365.tif 000005
【図４】
2004341365.tif 000006
【図５】
2004341365.tif 000007
【図６】
2004341365.tif 000008
【図７】
2004341365.tif 000009
【図８】
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