(57)【要約】【目的】保護膜と導体層の密着性を良好に確保しつつ、高周波特性の優れた薄膜高周波回路及びその製造方法を得る。【構成】第１メッキシード層２０を介して形成されたＣｕ導電層３０と、Ｃｕ導電層３０の上に形成された第２メッキシード層４０と、第２メッキシード層４０の特定範囲に形成されたＡｕボンディングパッド層５０と、絶縁性樹脂材料からなる保護膜６０とを備えた薄膜高周波回路１において、第１メッキシード層２０を第１非磁性接着膜２１とＣｕ導体膜２２により形成し、第２メッキシード層４０を、Ｃｕ導電層３０上の全体に存在する第２非磁性接着膜４１と、この第２非磁性接着膜４１とＡｕボンディングパッド層５０との間に介在するＡｕ導体膜４２とにより形成する。そして、上記保護膜６０は、Ａｕボンディングパッド層５０の非形成領域に、Ａｕ導体膜４２を介在させることなく第２非磁性接着膜４１上に直接形成する。第１及び第２非磁性接着膜２１、４１はＣｒ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｔａ、ＮｉＣｒ、ＮｉＣｕのいずれかからなる非磁性材料によって形成することが好ましい。【選択図】  図２
2004158522.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁性基板上に第１メッキシード層を介して形成されたＣｕ導電層；このＣｕ導電層の上に形成された第２メッキシード層；この第２メッキシード層上の特定範囲に形成されたＡｕボンディングパッド層；及び絶縁性樹脂材料からなる保護膜を有する薄膜高周波回路において、
前記第１メッキシード層は、第１非磁性接着膜とＣｕ導体膜の積層体により形成され、
前記第２メッキシード層は、前記Ｃｕ導電層上の全体に存在する第２非磁性接着膜と、この第２非磁性接着膜と前記Ａｕボンディングパッド層との間に介在するＡｕ導体膜とにより形成され、
前記保護膜は、前記Ａｕボンディングパッド層の非形成領域に、前記Ａｕ導体膜を介在させることなく前記第２非磁性接着膜上に直接形成されていることを特徴とする薄膜高周波回路。
【請求項２】
請求項１記載の薄膜高周波回路において、前記Ａｕボンディングパッド層は複数形成されていて、隣接するＡｕボンディングパッド層の間には、前記保護膜が前記絶縁性基板まで達して形成されている薄膜高周波回路。
【請求項３】
請求項１または２記載の薄膜高周波回路において、前記第１及び第２非磁性接着膜がＣｒ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｔａ、ＮｉＣｒ、ＮｉＣｕのいずれかからなる非磁性材料によって形成されている薄膜高周波回路。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれか一項に記載の薄膜高周波回路において、前記Ｃｕ導体膜と前記Ａｕ導体膜の膜厚はほぼ同一であり、前記第２非磁性接着膜の膜厚は、前記第１非磁性接着膜の膜厚よりも厚く、且つ、前記Ａｕボンディングパッド層の非形成領域のほうが該Ａｕボンディングパッド層の形成領域よりも薄くなっている薄膜高周波回路。
【請求項５】
絶縁性基板上に、第１の非磁性接着膜とＣｕ導体膜とを積層して第１メッキシード層を形成する工程；
この第１メッキシード層の特定範囲に、ＣｕからなるＣｕ導電層をメッキにより形成する工程；
このＣｕ導電層上に、前記第１の非磁性接着膜よりも厚い第２の非磁性接着膜と、前記Ｃｕ導体膜と同一膜厚のＡｕ導体膜とを積層して第２メッキシード層を形成する工程；
この第２メッキシード層の特定範囲に、ＡｕからなるＡｕボンディングパッド層をメッキにより形成する工程；
前記Ｃｕ導電層の非形成領域の第１メッキシード層及び前記Ａｕボンディングパッド層の非形成領域の前記第２メッキシード層を露出させる工程；
エッチングにより、前記露出させた第１メッキシード層をすべて除去して該除去部分に前記絶縁性基板を露出させると共に、前記露出させた第２メッキシード層のＡｕ導体膜すべてと第２の非磁性接着膜の一部を除去して該第２の非磁性接着膜を露出させる工程；及び
露出させた第２の非磁性接着膜及び絶縁性基板上に、絶縁性樹脂材料からなる保護膜を形成する工程；
を有することを特徴とする薄膜高周波回路の製造方法。
【請求項６】
請求項５記載の薄膜高周波回路の製造方法において、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｔａ、ＮｉＣｒ、ＮｉＣｕのいずれかからなる非磁性材料によって、前記第１及び第２の非磁性接着膜を形成する薄膜高周波回路の製造方法。
【請求項７】
請求項６記載の薄膜高周波回路の製造方法において、前記第２非磁性接着膜を、そのエッチングレートが前記第１非磁性接着膜のエッチングレート以下となる非磁性材料で形成する薄膜高周波回路の製造方法。
【請求項８】
請求項５ないし７のいずれか一項に記載の薄膜高周波回路の製造方法において、前記Ｃｕ導電層を形成する工程では、前記第１メッキシード層の上に前記Ｃｕ導電層の形成領域を画定する導体用レジストを形成し、この導体用レジストに覆われていない前記第１メッキシード層の上に前記Ｃｕ導電層をメッキにより形成し、
前記第２メッキシード層を形成する工程では、前記導体用レジストを残したまま、前記Ｃｕ導電層の上に前記第２非磁性接着膜と前記Ａｕ導体膜を積層し、後に前記導体用レジストをリフトオフにより除去する薄膜高周波回路の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の技術分野】
本発明は、ワイヤーボンディング方式を用いた薄膜高周波回路及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来技術およびその問題点】
薄膜微細加工技術を用いて形成される薄膜回路では、回路基板上に実装された回路素子と薄膜形成されたボンディングパッド層（電極）とを導通接続する際に、ワイヤーボンディング方式を用いることができる。ワイヤーボンディング方式において、ボンディングパッド層はＡｕで構成される。
【０００３】
薄膜回路中の導電層及びボンディングパッド層は従来、例えば、次のように形成されている。先ず、絶縁性基板の上にメッキシード膜を形成し、導電層の非形成領域をレジストで覆う。次に、レジストで覆われていないメッキシード膜の上に、導電層となるＣｕ導体膜と、このＣｕ導体膜の酸化防止層及びＡｕのメッキシード層となるＮｉ導体膜と、ボンディングパッド層となるＡｕ導体膜とを連続してメッキにより形成する。続いて、レジストを除去し、該除去部分から露出したメッキシード膜をエッチング等により除去し、Ａｕ導体膜のボンディングパッド層非形成領域を絶縁性樹脂からなる保護膜によって覆う。以上により、回路基板表面には保護膜とボンディングパッド層のみが露出し、Ａｕからなるボンディングパッド層が特定範囲に形成される。
【０００４】
しかしながら、上記工程ではＡｕ導体膜の上に保護膜が直接形成されており、Ａｕは単層では保護膜と密着しづらいため、高温又は高湿環境下において保護膜が剥離してしまう問題があった。さらに近年では、携帯電話や小型モバイル等に代表される通信機器の高周波化に伴い、これら通信機器に搭載される薄膜回路も高周波化が進められており、この高周波化が進むにつれて、薄膜回路の導体中に含まれる磁性材料が図１１に示すようにインダクタのＱ値を低下させてしまうことが問題になってきている。図１１の例では、導体（Ｃｕ）中に磁性材料（Ｎｉ）を含む場合のＱ値が、導体（Ｃｕ）のみの場合のＱ値に対して約１／２程度まで低下していることが分かる。
【０００５】
そこで最近では、以下に述べる第１〜第３の改善策が提案されている。
第１の改善策では、上記工程においてＣｕ導体膜とＮｉ導体膜（第１Ｎｉ導体膜）までを連続形成したらレジストを除去し、ボンディングパッド層の非形成領域を第２レジストで覆う。そして、第２レジストから露出した第１Ｎｉ導体膜の上に第２Ｎｉ導体膜とＡｕ導体膜を連続してメッキにより形成した後、第２レジストを除去して、該除去部分から露出した第１Ｎｉ導体膜の上に保護膜を形成する。この工程によれば、保護膜の密着不良は改善される。しかしながら、導体中にＮｉ導体膜が含まれているので、該Ｎｉ導体膜によりＱ値が低下してしまう。
【０００６】
第２の改善策では、上記第１の改善策と同様、Ｃｕ導体膜とＮｉ導体膜（第１Ｎｉ導体膜）までを連続形成したらレジストを除去する。次に、Ｔｉ／Ａｕからなる第２メッキシード膜を全面的に形成し、ボンディングパッド層の非形成領域を第２レジストで覆う。続いて、第２レジストで覆われていない第２メッキシード膜の上にＡｕ導体膜をメッキにより形成する。そして、第２レジストを除去し、該除去部分から露出した第１、第２メッキシード膜及びＮｉ導体膜をエッチング等により除去し、ボンディングパッド層の非形成領域を保護膜で覆う。この工程によれば、Ｎｉ導体膜の形成範囲が最小限に抑えられるので、高周波特性を改善することができる。しかしながら、第１メッキシード膜のエッチング量に対してＮｉ導体膜及び第２メッキシード膜の合計エッチング量が多く、ボンディングパッド層の周辺ではＣｕ導体膜が露出してしまう。Ｃｕは単層では保護膜と密着しづらいため、保護膜がＣｕ導体膜上に直接形成されると、保護膜の密着性を確保できない。なお、保護膜の密着性を確保すべく、Ｃｕ導体膜を露出させないように第１メッキシード膜とＮｉ導体膜及び第２メッキシード膜との膜厚を調整すると、Ｃｕ導体膜上にＮｉ導体膜が残ってしまうので、該Ｎｉ導体膜によりＱ値が低下してしまう。
【０００７】
第３の改善策では、上記第２の改善策においてＣｕ導体膜を形成した後、Ｎｉ導体膜を形成せずにレジストを除去し、Ｔｉ／Ａｕからなる第２メッキシード膜を全面的に形成する。そして、第２の改善策と同様に、保護膜を形成するまでの工程を行なう。この工程によれば、導体中にＮｉ導体膜が含まれていないので、導体中の磁性材料によってＱ値が低下することはない。しかしながら、第２メッキシード膜のエッチング量に対して第１及び第２メッキシード膜の合計エッチング量が多いため、ボンディングパッド層の周辺にはＣｕ導体膜が露出してしまい、保護膜の密着を確保することがやはり難しい。
【０００８】
以上のように第１〜第３改善策では、保護層の密着を良好に確保しようとするとＮｉ導体膜によるＱ値の低下を抑制できず、また、Ｎｉ導体膜を排除してＱ値を高くしようとすると保護層の密着を確保することができなかった。
【０００９】
【特許文献】
特開平第５−１５２７０６号公報
特開平第９−１７７９２号公報
【００１０】
【発明の目的】
本発明は、上記事情に鑑み、保護膜と導体層の密着性を良好に確保しつつ、高周波特性の優れた薄膜高周波回路及びその製造方法を得ることを目的とする。
【００１１】
【発明の概要】
本発明は、磁性材料を用いずに導体（導電層、メッキシード層及びボンディングパッド層を含む）を形成することによって高周波特性の改善を図ると共に、保護膜の直下位置に該保護膜との密着しやすい非磁性接着膜を設けることで保護層の密着性を良好に確保するものである。
【００１２】
すなわち、本発明は、絶縁性基板上に第１メッキシード層を介して形成されたＣｕ導電層；このＣｕ導電層の上に形成された第２メッキシード層；この第２メッキシード層上の特定範囲に形成されたＡｕボンディングパッド層；及び絶縁性樹脂材料からなる保護膜を有する薄膜高周波回路において、上記第１メッキシード層は、第１非磁性接着膜とＣｕ導体膜の積層体により形成され、上記第２メッキシード層は、Ｃｕ導電層上の全体に存在する第２非磁性接着膜と、この第２非磁性接着膜と上記Ａｕボンディングパッド層との間に存在するＡｕ導体膜とにより形成され、上記保護膜は、Ａｕボンディングパッド層の非形成領域に、上記Ａｕ導体膜を介在させることなく上記第２非磁性接着膜上に直接形成されていることを特徴としている。
【００１３】
上記薄膜高周波回路において、Ａｕボンディングパッド層が複数形成されている場合は、各Ａｕボンディングパッド層を電気的に独立させるため、隣接するＡｕボンディングパッド層の間に、保護膜が絶縁性基板まで達して形成されていることが好ましい。
【００１４】
第１及び第２非磁性接着膜は、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｔａ、ＮｉＣｒ、ＮｉＣｕのいずれかからなる非磁性材料によって形成されていることが好ましい。上記非磁性材料によれば、保護膜との密着が良好であり、また、Ｃｕ又はＡｕのメッキシード層として及びＣｕ導電層の酸化防止層としての機能を発揮することができる。
【００１５】
上記第１及び第２メッキシード層において、Ｃｕ導体膜とＡｕ導体膜の膜厚はほぼ同一であり、第２非磁性接着膜の膜厚は、第１非磁性接着膜の膜厚よりも厚く、且つ、Ａｕボンディングパッド層の非形成領域のほうが該Ａｕボンディングパッド層の形成領域よりも薄くなっている。
【００１６】
また本発明の薄膜高周波回路の製造方法によれば、絶縁性基板上に、第１の非磁性接着膜とＣｕ導体膜とを積層して第１メッキシード層を形成する工程；この第１メッキシード層の特定範囲に、ＣｕからなるＣｕ導電層をメッキにより形成する工程；このＣｕ導電層上に、上記第１の非磁性接着膜よりも厚い第２の非磁性接着膜と、上記Ｃｕ導体膜と同一膜厚のＡｕ導体膜とを積層して第２メッキシード層を形成する工程；この第２メッキシード層の特定範囲に、ＡｕからなるＡｕボンディングパッド層をメッキにより形成する工程；上記Ｃｕ導電層の非形成領域の第１メッキシード層及び上記Ａｕボンディングパッド層の非形成領域の前記第２メッキシード層を露出させる工程；エッチングにより、上記露出させた第１メッキシード層をすべて除去して該除去部分に前記絶縁性基板を露出させると共に、上記露出させた第２メッキシード層のＡｕ導体膜すべてと第２の非磁性接着膜の一部を除去して該第２の非磁性接着膜を露出させる工程；及び露出させた第２の非磁性接着膜及び絶縁性基板上に、絶縁性樹脂材料からなる保護膜を形成する工程；を有することを特徴としている。
【００１７】
上記製造方法によれば、ＡｕとＣｕのエッチングレートがほぼ等しいことから、露出している第１のメッキシード層を全て除去する際に同時に、第２メッキシード層の露出部分（Ａｕボンディングパッド層の非形成領域）も除去されるが、除去されるのはＡｕ導体膜すべてと第２非磁性接着膜の一部だけである。すなわち、Ｃｕ導電層の上には第２非磁性接着膜が残り、Ｃｕ導電層が露出してしまうことがない。これにより、Ａｕ導体膜を介在させることなく第２非磁性接着膜上に保護膜が直接形成され、第２非磁性接着膜を介して保護膜の密着性を良好に確保することができ、高温又は高湿環境下であっても保護膜がはがれにくくなる。また上記製造方法によれば、導体（第１及び第２メッキシード層、Ｃｕ導電層及びＡｕボンディングパッド層）に磁性材料が含まれていないので、インダクタＱ値の高い薄膜高周波回路を得ることができる。上記製造方法によって形成された薄膜高周波回路では、第２非磁性接着膜の厚さは、Ａｕボンディングパッド層の非形成領域のほうが形成領域よりも薄くなる。
【００１８】
上記製造方法において、第１及び第２の非磁性接着膜はＣｒ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｔａ、ＮｉＣｒ、ＮｉＣｕのいずれかからなる非磁性材料によって形成することが好ましい。第１及び第２の非磁性接着膜を形成する非磁性材料は、第２非磁性接着膜のエッチングレートが第１非磁性接着膜のエッチングレート以下となるように選択する必要がある。
【００１９】
上記Ｃｕ導電層を形成する工程では、第１メッキシード層の上にＣｕ導電層の形成領域を画定する導体用レジストを形成し、この導体用レジストに覆われていない第１メッキシード層の上にＣｕをメッキにより形成し、これをＣｕ導電層とすることが実際的である。そして第２メッキシード層を形成する工程では、導体用レジストを残したまま、Ｃｕ導電層の上に第２非磁性接着膜とＡｕ導体膜を積層し、後に前記導体用レジストをリフトオフにより除去すればよい。
【００２０】
【発明の実施の形態】
図１は、本発明による薄膜高周波回路の一実施形態を示す平面図である。本薄膜高周波回路１は、薄膜微細加工技術を用いて形成された、微細配線や薄膜抵抗、薄膜コンデンサ、薄膜インダクタ、Ａｕボンディングパッド層（薄膜電極）等を基板上に備えている。図１に示されるように、薄膜高周波回路１の基板表面にはＡｕボンディングパッド層５０のみが露出し、Ａｕボンディングパッド層５０以外の領域は絶縁性樹脂材料からなる保護膜６０によって覆われている。
【００２１】
薄膜高周波回路１には、ワイヤーボンディングにより、各種の実装部品が導通接続される。図１に示す実施形態ではトランジスタＴｒが実装されていて、このトランジスタＴｒの端子５は、ワイヤーＷを介してＡｕボンディングパッド層５０に導通接続されている。
【００２２】
図２は、上記Ａｕボンディングパッド層５０を図１のＩＩ−ＩＩ線に沿って切断したときの断面図である。薄膜高周波回路１は、絶縁性基板１０上に第１メッキシード層２０を介して形成されたＣｕ導電層３０を有している。Ｃｕ導電層３０は、詳細は図示されていないが、各インダクタやコンデンサを接続するリード、コンデンサ及びインダクタを構成する導体膜である。第１メッキシード層２０は、Ｃｕ導電層３０をメッキにより形成するためのシード層であり、Ｃｕ導電層３０の形成領域のみに形成されている。この第１メッキシード層２０は、第１非磁性接着膜２１と、この第１非磁性接着膜２１よりも厚いＣｕ導体膜２２とによる２層構造をなしている。
【００２３】
Ｃｕ導電層３０上には、第２メッキシード層４０が形成されている。第２メッキシード層４０は、Ｃｕ導電層３０上の全体に存在する第２非磁性接着膜４１と、この第２非磁性接着膜４１と上記Ａｕボンディングパッド層５０との間に介在するＡｕ導体膜４２とにより形成されている。上記保護膜６０は、Ａｕボンディングパッド層５０の非形成領域４０Ｂに、Ａｕ導体膜４２を介在させることなく第２非磁性接着膜４１上に直接形成されている。保護膜６０は、隣接するＡｕボンディングパッド層５０の間では、絶縁性基板１０まで達して形成されている。保護膜６０の表面高さは、図示実施形態ではＡｕボンディングパッド層５０の表面高さとほぼ同等となっているが、Ａｕボンディングパッド層５０より高くても低くてもよい。
【００２４】
上記第１メッキシード層２０と第２メッキシード層４０において、Ｃｕ導体膜２２とＡｕ導体膜４２はほぼ同一膜厚を有し、第２非磁性接着膜４１が第１非磁性接着膜２１よりも厚くなっている。また、第２非磁性接着膜４１の膜厚は、Ａｕボンディングパッド層５０の形成領域４０Ａと非形成領域４０Ｂで異なり、非形成領域４０Ｂのほうが形成領域４０Ａよりも薄くなっている。
【００２５】
第１非磁性接着膜２１及び第２非磁性接着膜４２は、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｔａ、ＮｉＣｒ、ＮｉＣｕのいずれかからなる非磁性材料によって形成されていることが好ましい。これらの非磁性材料を用いれば、第１非磁性接着膜２１及び第２非磁性接着膜４１がＣｕ導電層３０及びＡｕボンディングパッド層５０のメッキシード層として機能し、また、第２非磁性接着膜４１を介してＣｕ導電層３０と保護膜６０を密着させることができる。さらに、第２非磁性接着膜４１によってＣｕ導電層３０の酸化を防止することができる。
【００２６】
次に、図３〜図１０を参照し、図１に示す薄膜高周波回路の製造方法の一実施形態について説明する。図３〜図１０は、薄膜高周波回路の製造方法の各工程において、図１のＩＩ−ＩＩ線に沿う断面状態を示している。
【００２７】
先ず、図３に示すように、絶縁性基板１０の上に全面的に、第１非磁性接着膜２１とＣｕ導体膜２２を連続成膜し、第１メッキシード層２０を形成する。成膜にはスパッタ、蒸着、イオンビームデポジション法等の成膜を用いる。このとき本実施形態では、第１非磁性接着膜２１を例えば膜厚１５ｎｍで形成し、Ｃｕ導体膜２２を例えば膜厚６０ｎｍで形成する。絶縁性基板１０には、アルミナ基板、ＬＴＣＣ基板、ガラス基板、ガラスエポキシ基板等を用いることができる。
【００２８】
第１非磁性接着膜２１は、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｔａ、ＮｉＣｒ、ＮｉＣｕからなる非磁性材料によって形成されていることが好ましい。
【００２９】
次に、図４に示すように、第１メッキシード層２０の上に、Ｃｕ導体層の形成領域を定める導体用レジストＲ１を形成した後、この導体用レジストＲ１に覆われていない第１メッキシード層２０の上に、ＣｕからなるＣｕ導体層３０を電解メッキにより形成する。
【００３０】
続いて、図５に示すように、導体用レジストＲ１を残したまま、Ｃｕ導体層３０の上に、第１非磁性接着膜２１よりも厚い第２非磁性接着膜４１と、Ｃｕ導体膜２１と同一膜厚のＡｕ導体膜４２とを連続成膜して、第２メッキシード層４０を形成する。成膜にはスパッタ、蒸着、イオンビームデポジション法等の成膜を用いる。本実施形態では、第２非磁性接着膜４１の膜厚を５０ｎｍ、Ａｕ導体膜４２の膜厚を６０ｎｍとしてある。
【００３１】
第２非磁性接着膜４１は、第１非磁性接着膜２１と同様、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｔａ、ＮｉＣｒ、ＮｉＣｕのいずれかからなる非磁性材料によって形成されていることが好ましい。本実施形態では、第２非磁性接着膜４１のエッチングレートが第１非磁性接着膜２１のエッチングレート以下となるように、第１及び第２非磁性接着膜２１、４１を形成する非磁性材料を選択する。
【００３２】
第２メッキシード層４０を形成したら、図６に示すように、導体用レジストＲ１をリフトオフにより除去して、該除去部分から第１メッキシード層２０を露出させる。そして、図７に示すように、露出させた第１メッキシード層２０及び第２メッキシード層４０の上に、Ａｕボンディングパッド層５０の形成領域４０Ａを定めるパッド用レジストＲ２を形成する。メッキシード層４０において、パッド用レジストＲ２に覆われていない範囲がＡｕボンディングパッド層５０の形成領域４０Ａとなり、パッド用レジストＲ２に覆われた範囲がＡｕボンディングパッド層５０の非形成領域４０Ｂとなる。
【００３３】
続いて、図８に示すように、パッド用レジストＲ２に覆われていない第２メッキシード層４０の上に、ＡｕからなるＡｕボンディングパッド層５０を電解メッキにより形成する。Ａｕボンディングパッド層５０を形成したら、図９に示すようにパッド用レジストＲ２を除去し、該除去部分から第２メッキシード層４０（Ａｕボンディングパッド層５０の非形成領域４０Ｂ）及び第１メッキシード層２０を露出させる。
【００３４】
続いて、図１０に示すように、露出している第１メッキシード層２０をイオンミリング法、逆スパッタ法、ＲＩＥ法等のエッチングによりすべて除去して、該除去部分から絶縁性基板１０を露出させる。エッチングは、露出している第１メッキシード層２０がすべて除去された時点で終了させる。このエッチング工程では、露出している第２メッキシード層４０（４０Ｂ）も削られるが、第２メッキシード層４０のＡｕ導体膜４２と第１メッキシード層２０のＣｕ導体膜２２が同一膜厚でエッチングレートもほぼ等しく、且つ、第２非磁性接着膜４１が第１非磁性接着膜２１よりも厚く形成されているので、エッチング終了時に、Ａｕボンディングパッド層５０の非形成領域４０Ｂには第２非磁性接着膜４１が残る。
【００３５】
続いて、露出している第２非磁性接着膜４１及び絶縁性基板１０の上に、絶縁性樹脂材料からなる保護膜６０を形成する。以上により、図１及び図２に示される薄膜高周波回路１が得られる。
【００３６】
以上の本実施形態では、ＣｕとＡｕのエッチングレートがほぼ等しいことから第１メッキシード層２０のＣｕ導体膜２２と第２メッキシード層４０のＡｕ導体膜４２を同一膜厚で成膜し、さらに第２非磁性接着膜４１のエッチングレートを第１非磁性接着膜２１のエッチングレート以下とし且つ第２非磁性接着膜４１を第１非磁性接着膜２１よりも厚い膜厚で成膜してあるので、露出している第１メッキシード層２０が全て除去されたときにエッチングを終了すると、Ｃｕ導電層３０の上には第２非磁性接着膜４１のみが残る。よって、Ｃｕ導電層３０が露出することなく、また、Ａｕ導体膜４２が介在しないので、第２非磁性接着膜４１を介してＣｕ導電層３０と保護膜６０を良好に密着させることができる。
【００３７】
また本実施形態では、第１メッキシード層２０及び第２メッキシード層４０に磁性材料が含まれていないので、Ｃｕ導電層３０によって構成されるインダクタのＱ値がメッキシード層に磁性材料が含まれている場合よりも高くなり、高周波特性を改善することができる。
【００３８】
【発明の効果】
以上のように本発明によれば、第１メッキシード層が第１非磁性接着膜とＣｕ導体膜により形成され、第２メッキシード層が第２非磁性接着膜とＡｕ導体膜とに形成されているので、導体（第１及び第２メッキシード層、Ｃｕ導電層、Ａｕボンディングパッド層）にが磁性材料が含まれず、インダクタＱ値の高い高周波特性に優れた薄膜高周波回路を得ることができる。さらに本発明によれば、Ａｕ導体膜を介在させることなく且つＣｕ導電層が露出することなく、第２非磁性接着膜の上に保護膜が直接形成されているので、第２非磁性接着膜を介して保護膜と導体層を良好に密着させることが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による薄膜高周波回路の一実施形態を示す平面図である。
【図２】図１のＩＩ−ＩＩ線に沿う断面図である。
【図３】図１に示す薄膜高周波回路の製造方法の一工程を示す断面図である。
【図４】図３に示す工程の次に行なわれる一工程の断面図である。
【図５】図４に示す工程の次に行なわれる一工程の断面図である。
【図６】図５に示す工程の次に行なわれる一工程の断面図である。
【図７】図６に示す工程の次に行なわれる一工程の断面図である。
【図８】図７に示す工程の次に行なわれる一工程の断面図である。
【図９】図８に示す工程の次に行なわれる一工程の断面図である。
【図１０】図９に示す工程の次に行なわれる一工程の断面図である。
【図１１】薄膜高周波回路内の導体が非磁性材料のみで形成される場合と磁性材料を含んで形成される場合のインダクタＱ値を比較して示すグラフである。
【符号の説明】
１    薄膜高周波回路
５    トランジスタの端子
１０    絶縁性基板
２０    第１メッキシード層
２１    第１非磁性接着膜
２２    Ｃｕ導体膜
３０    Ｃｕ導電層
４０    第２メッキシード層
４０Ａ  Ａｕボンディングパッド層の形成領域
４０Ｂ  Ａｕボンディングパッド層の非形成領域
４１    第２非磁性接着膜
４２    Ａｕ導体膜
５０    Ａｕボンディングパッド層
６０    保護膜
Ｒ１    導体用レジスト
Ｒ２    パッド用レジスト
Ｔｒ    トランジスタ
Ｗ    ワイヤー
【図１】
2004158522.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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