(57)【要約】【課題】電気信号により十分に高速な光変調が可能な半導体光変調器及び光変調システムを提供することを目的とする。【解決手段】電気信号線路（２０）とのインピーダンスマッチングを取るために必要な終端抵抗（１１、１４）を、あらかじめ素子の一部として設けておく。この結果、素子と終端抵抗とを接続するワイヤは不要となり、寄生インダクタンスによる共振現象を回避して、波形歪の無い光変調波形を得ることができる。さらには、素子と終端抵抗との間の接続経路に、あらかじめ所望のインダクタンスを持たせる（１９）ことにより、応答をより高速化させることも可能である。【選択図】　　　図１
2004126108.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の特性インピーダンスを有する線路を介して入力した電気信号に基づいて光変調を行う半導体光変調器であって、
前記第１の特性インピーダンスと略同一のインピーダンスを有する抵抗体を備えたことを特徴とする半導体光変調器。
【請求項２】
前記電気信号が入力される第１の電極と、
定電位に接続される第２の電極と、
を備え、
前記抵抗体の一端は前記第１の電極に接続され、前記抵抗体の他端は前記第２の電極に接続されたことを特徴とする請求項１記載の半導体光変調器。
【請求項３】
第１導電型の半導体層と、
前記第１導電型の半導体層の上に設けられた光吸収層と、
前記光吸収層の上に設けられた第２導電型の半導体層と、
前記第１導電型の半導体層に接続された第１の電極と、
前記第２導電型の半導体層に接続された第２の電極と、
前記第１の電極と前記第２の電極との間に接続された抵抗体と、
を備えたことを特徴とする半導体光変調器。
【請求項４】
前記抵抗体は、前記第１の電極に接続される線路が有する特性インピーダンスと略同一のインピーダンスを有することを特徴とする請求項３記載の半導体光変調器。
【請求項５】
絶縁層をさらに備え、
前記抵抗体は、前記絶縁層の上に薄膜状に形成されてなることを特徴とする請求項３または４に記載の半導体光変調器。
【請求項６】
前記抵抗体は、前記第１導電型の半導体層、前記光吸収層及び前記第２導電型の半導体層の少なくともいずれかと同質の半導体により形成されてなることを特徴とする請求項３〜５のいずれか１つに記載の半導体光変調器。
【請求項７】
前記第１の電極と前記抵抗体との間の配線経路と、前記第２の電極と前記抵抗体との間の配線経路と、の少なくともいずれかにインダクタンス付与部が設けられたことを特徴とする請求項２〜６のいずれか１つに記載の半導体光変調器。
【請求項８】
半導体レーザと集積化されたことを特徴とする請求項１〜７のいずれか１つに記載の半導体光変調器。
【請求項９】
半導体レーザと集積化され、
前記半導体レーザの活性層が前記光吸収層と連続的に形成されてなることを特徴とする請求項３〜７のいずれか１つに記載の半導体光変調器。
【請求項１０】
基板と、
前記基板上に設けられた電気信号線路と、
前記基板上に設けられた請求項２及び４〜９のいずれか１つに記載の半導体光変調器と、
を備え、
前記電気信号線路と前記第１の電極とが接続され、
前記電気信号線路は、前記第１の特性インピーダンスを有することを特徴とする光変調システム。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体光変調器及び光変調システムに関し、特に、電気信号により高速変調が可能な半導体光変調器及び光変調システムに関する。
【従来の技術】
近年のインターネットの発達や、移動体通信システムのバックボーンのデータ通信に対する需要の拡大は著しく、これにともなう光通信システムの大容量化が急激に進められている。幹線系の通信容量は、１０Ｇｂｐｓ（ギガビット毎秒）に達しているが、さらなる大容量化を目指して、４０Ｇｂｐｓでの光通信システムの開発が活発に行なわれている。
【０００２】
電界吸収型の半導体光変調器は、光源となる半導体レーザとモノリシックに集積することが可能であり、小型の光送信器を提供することができる。このため、１０Ｇｂｐｓでの局内および局間通信用送信器として、広く用いられている。さらに、素子容量を低減することにより、４０Ｇｂｐｓでの動作も可能である。
【０００３】
図１０は、本発明者が本発明に至る過程で検討した半導体光変調器及びその周辺回路を表す模式図である。
【０００４】
すなわち、半導体光変調器５１は、電気信号線路７０、および５０Ω終端抵抗７１とともに、所定の基板上に実装されている。そして、金（Ａｕ）などのワイヤ７２、７３によって、これらの部品がそれぞれ接続されている。
【０００５】
この半導体光変調器５１は、いわゆる「リッジ導波路構造」を有し、ｎ型ＩｎＰ基板５２の上の全面に形成された光吸収層５３と、その上にメサストライプ状に形成されたｐ型ＩｎＰクラッド層５４とを具備している。素子容量を低減するために、光軸方向の素子長は１００μｍにまで短縮されており、また、電極パッド５７を５０μｍ角程度まで小さく形成すると同時に、電極パッド５７の下を樹脂５８で埋め込んでいる。この結果、寄生容量は、ストライプ部で０．１ｐＦ、電極パッド部で０．０５ｐＦに抑えられており、素子全体で０．１５ｐＦにまで低減されている。
【０００６】
半導体光変調器５１は、電気信号線路７０および５０Ωの終端抵抗７１の中間にマウントされた後、２５μｍφのＡｕワイヤ７２、７３でそれぞれと接続されている。
【０００７】
このように、光変調器や発光素子などの半導体素子をワイアを介して終端抵抗に接続する構造は、例えば、特許文献１乃至３にも開示されている。
【０００８】
【特許文献１】
特開２００１−２５７４３５号公報
【特許文献２】
特開平９−９０３０２号公報
【特許文献３】
特開平８−１３０２３７号公報
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、これら従来例や、図１０に例示したような光変調システムの場合、部品間を接続するワイアの寄生インダクタンスにより、十分な高速変調特性が得られないという問題があった。
【００１０】
すなわち、各部品のサイズを考慮すると、Ａｕワイヤ７２、７３の長さはそれぞれ３００μｍ程度は必要であり、そのインダクタンスは０．２ｎＨ程度に低減するのが限界である。複数本のＡｕワイヤを接続することによりインダクタンスを低減することも可能であるが、このためには電極パッド面積を拡大する必要があり、素子容量が増大してしまう。
【００１１】
図１１は、図１０の半導体光変調システムの周波数応答特性を表すグラフ図である。すなわち、同図の横軸は周波数、左側の縦軸は振幅、右側の縦軸は位相をそれぞれ表す。同図から、この光変調システムは、５０ＧＨｚを越える変調帯域が得られているものの、ワイヤインダクタンスと素子容量との共振現象によって振幅にピーキングを有することが分かる。
【００１２】
図１２は、この光変調システムの光変調波形を表す波形図である。ここでは、４０ＧｂｐｓのＮＲＺ（Ｎｏｎ　Ｒｅｔｕｒｎ　ｔｏ　Ｚｅｒｏ）信号で変調したときの光変調波形を表した。
【００１３】
十分な帯域を有する受光素子で測定したところ、大きなオーバーシュート（ｏｖｅｒｓｈｏｏｔ）ＯＳをともなった光変調波形が観測された。これは、共振現象により群遅延が増大したことに基づいている。半導体光変調器では、電気から光への変換が非線形的に行われるため、入力電気信号のわずかな電圧波形歪が光波形では誇張されて表れる。したがって、光波形歪を生じないためには、共振現象にともなう群遅延を極めて小さく抑える必要がある。特に、４０Ｇｂｐｓにもおよぶ高速変調時には、インダクタンスを０．１ｎＨ以下程度に低減する必要があり、通常のワイヤ接続による実装では、実現が困難である。
【００１４】
以上説明したように、図１０の半導体光変調器を用いた場合、光波形歪をともなうことなく４０Ｇｂｐｓ変調動作を得ることは困難であった。
【００１５】
本発明はかかる課題の認識に基づいてなされたものであり、その目的は、電気信号により十分に高速な光変調が可能な半導体光変調器及び光変調システムを提供することにある。
【００１６】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明の第１の半導体光変調器は、第１の特性インピーダンスを有する線路を介して入力した電気信号に基づいて光変調を行う半導体光変調器であって、前記第１の特性インピーダンスと略同一のインピーダンスを有する抵抗体を備えたことを特徴とする。
【００１７】
上記構成によれば、電気信号により十分に高速な光変調が可能でコンパクトな半導体光変調器を提供できる。
【００１８】
ここで、前記電気信号が入力される第１の電極と、定電位に接続される第２の電極と、を備え、前記抵抗体の一端は前記第１の電極に接続され、前記抵抗体の他端は前記第２の電極に接続されたものとすることができる。
【００１９】
また、本発明の第２の半導体光変調器は、第１導電型の半導体層と、前記第１導電型の半導体層の上に設けられた光吸収層と、前記光吸収層の上に設けられた第２導電型の半導体層と、前記第１導電型の半導体層に接続された第１の電極と、前記第２導電型の半導体層に接続された第２の電極と、前記第１の電極と前記第２の電極との間に接続された抵抗体と、を備えたことを特徴とする。
【００２０】
上記構成によっても、電気信号により十分に高速な光変調が可能でコンパクトな半導体光変調器を提供できる。
【００２１】
上記第２の光変調器において、　前記抵抗体は、前記第１の電極に接続される線路が有する特性インピーダンスと略同一のインピーダンスを有するものとすると終端抵抗を別途設ける必要がなくなる。
【００２２】
また、絶縁層をさらに備え、前記抵抗体は、前記絶縁層の上に薄膜状に形成されてなるものとすることができる。
【００２３】
また、前記抵抗体は、前記第１導電型の半導体層、前記光吸収層及び前記第２導電型の半導体層の少なくともいずれかと同質の半導体により形成されてなるものとすることもできる。
【００２４】
また、前記第１の電極と前記抵抗体との間の配線経路と、前記第２の電極と前記抵抗体との間の配線経路と、の少なくともいずれかにインダクタンス付与部が設けられたものとすると、高周波特性を好適な範囲に調節することが容易となる。
【００２５】
また、上記いずれかの光変調器を半導体レーザと集積化すると、コンパクト且つ高性能の集積型半導体光変調器を提供できる。
【００２６】
また、半導体レーザと集積化され、前記半導体レーザの活性層が前記光吸収層と連続的に形成されてなるものとすると、いわゆるモノリシックな集積型の半導体光変調器を提供できる。
【００２７】
一方、本発明の光変調システムは、基板と、前記基板上に設けられた電気信号線路と、前記基板上に設けられた請求項２及び４〜９のいずれか１つに記載の半導体光変調器と、を備え、前記電気信号線路と前記第１の電極とが接続され、前記電気信号線路は、前記第１の特性インピーダンスを有することを特徴とする。
【００２８】
上記構成によれば、電気信号により十分に高速な光変調が可能な光変調システムを提供することができる。
【００２９】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態について説明する。
【００３０】
（第１の実施の形態）
図１は、本発明の第１の実施の形態にかかる半導体光変調器及びその周辺回路を表す模式図である。
【００３１】
すなわち、半導体光変調器１は、電気信号線路２とともに所定の基板上に実装され、金（Ａｕ）などからなるワイヤ２１により接続されている。そして、本実施形態においては、５０Ω終端抵抗となる抵抗体１１が、光変調器１の上に集積されている。このように終端抵抗を変調器１に集積化することにより、これらを接続するワイアを不要とし、寄生インダクタンスを抑制して高速変調が可能となる。
【００３２】
以下、本具体例の半導体光変調器について詳細に説明する。
【００３３】
この半導体光変調器１も、「リッジ導波路構造」を有し、ｎ型ＩｎＰ基板２の上の全面に形成された光吸収層３と、その上にメサストライプ状に形成されたｐ型ＩｎＰクラッド層４とを有する。クラッド層４の上には、やはりストライプ状にｐ型ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層５が積層され、その上にｐ側オーミック電極６が形成されている。また、ＩｎＰ基板２の裏面側には、ｎ側オーミック電極９が形成され、また、基板２の表面側にもｎ側オーミック電極１０が接続されている。
【００３４】
素子容量を低減するため、光軸方向（メサストライプの長手方向）の素子長は１００μｍにまで短縮されており、また、ｐ側電極パッド７を５０μｍ角と小さく形成すると同時に、メサの両側を樹脂８で埋め込んでその上に電極パッド７を設けている。この結果、寄生容量は、ストライプ部で０．１ｐＦ、電極パッド部で０．０５ｐＦに抑えられており、素子全体で０．１５ｐＦにまで低減されている。
【００３５】
そして、本発明においては、ｐ側オーミック電極６を挟んで電極パッド７と反対側において、樹脂８の上に抵抗体１１が形成されている。ここで、抵抗体１１のインピーダンスは、電気信号線路２０の特性インピーダンスに合せて、例えば、５０Ωになるように形成されている。つまり、図１０に関して前述した終端抵抗７１に対応する抵抗体１１が半導体光変調器１に集積されている。
【００３６】
そして、抵抗体１１は、金（Ａｕ）などからなる配線１８によってｎ側オーミック電極１０に接続され、ｎ型ＩｎＰ基板２およびその裏面側のｎ側オーミック電極９を介してグラウンド（ＧＮＤ）に接続されている。
【００３７】
抵抗体１１は、薄膜状の各種の金属材料や半導体材料などにより形成できる。例えば、薄膜状のニッケル・クロム（ＮｉＣｒ）合金などにより形成できる。ニッケル・クロム合金を用いた場合、厚みを約０．０３ミクロンにすると５０オームのシート抵抗が得られる。従って、例えば、配線１８の幅を１０ミクロンとした場合には、厚みが０．０３ミクロンで幅と長さがそれぞれ１０ミクロン程度のニッケル・クロム合金からなる抵抗体１１を形成すると、５０オームが得られる。　また、ニッケル・クロム合金の他にも、例えば、白金（Ｐｔ）などを用いても抵抗体１１を形成することができる。
【００３８】
このような抵抗体１１は、例えば、蒸着やスパッタなどの薄膜堆積プロセスとフォトリソグラフィによる加工プロセスを組み合わせることにより形成できる。
【００３９】
本具体例の半導体光変調器１は、終端抵抗となる抵抗体１１を集積しているので、光変調システムを組み立てる際には、電気信号線路２０と電極パッド７とをＡｕワイヤ２１により接続するだけで良い。電気信号線路２０と電極パッド７との間には若干の寄生インダクタンスが存在するが、あらかじめ抵抗体１１がチップ内部に形成されているため、終端抵抗１１との間にはインダクタンス成分はほとんど無い。この結果として、高速変調特性を大幅に改善することが可能となる。
【００４０】
図２は、本実施形態の半導体光変調システムの周波数応答特性を表すグラフ図である。すなわち、同図の横軸は周波数、左側の縦軸は振幅、右側の縦軸は位相をそれぞれ表す。同図から、本実施形態の光変調器を用いた場合には、共振現象によるピーキングが見られず、平滑な周波数応答特性を得ることができることが分かる。
【００４１】
図３は、この光変調システムの光変調波形を表す波形図である。ここでも、４０ＧｂｐｓのＮＲＺ（Ｎｏｎ　Ｒｅｔｕｒｎ　ｔｏ　Ｚｅｒｏ）信号で変調したときの光変調波形を表した。
【００４２】
オーバーシュート（ｏｖｅｒｓｈｏｏｔ）などの波形歪を生じることなく、十分にアイ（ｅｙｅ）が開いた良好な変調波形が得られている。すなわち、本発明によれば、終端抵抗として機能する抵抗体１１を半導体光変調器１に内蔵することにより、これらの間を接続するワイアを不要とし、寄生インダクタンスを抑制して、高速変調特性を大幅に改良できる。
【００４３】
図４は、本実施形態の変型例を表す模式図である。すなわち、同図（ａ）〜（ｃ）は、半導体光変調器１に集積する抵抗体１１の付近をそれぞれ拡大した要部断面図である。
【００４４】
図４（ａ）の具体例の場合、抵抗体１１は、樹脂８の側面に形成されている。
【００４５】
また、同図（ｂ）の具体例の場合は、樹脂８が基板２の上面にまで延在して設けられ、抵抗体１１はその延在部の上に形成されている。
【００４６】
一方、同図（ｃ）の具体例の場合は、ストライプ状のｐ側オーミック電極６から基板上のｎ側オーミック電極１０に至る配線経路のほぼ全体が抵抗体１１として形成されている。このようにすれば、抵抗体１１の材料として比抵抗が低い材料を用いた場合でも、所定の終端抵抗（例えば、５０Ω）を得やすいという効果が得られる。
【００４７】
以上、図４（ａ）乃至（ｃ）に例示した如く、本実施形態における抵抗体１１のサイズや配置に関しては、半導体光変調器１の形状などに応じて適宜決定することが可能である。
【００４８】
（第２の実施の形態）
次に、本発明の第２の実施の形態として、光変調器を構成する半導体層の一部を用いて形成した抵抗体を備えた半導体光変調器について説明する。
【００４９】
図５は、本実施形態にかかる半導体光変調器及びその周辺回路を表す模式図である。同図については、図１乃至図４に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は省略する。
【００５０】
本具体例の変調器の場合、ｐ型ＩｎＰクラッド層４の一部を利用して抵抗体１４が形成されている。すなわち、メサストライプの脇において、樹脂８を介してｐ型ＩｎＰクラッド層１４をアイランド状にパターニング配置し、さらに、その上面の両端にコンタクト層６を介して、ｐ側オーミック電極１２、１３がそれぞれ接続されている。つまり、ｐ型ＩｎＰクラッド層１４のバルク抵抗を利用することで、終端抵抗を素子内部に形成している。
【００５１】
メサストライプ上のｐ側オーミック電極６は、配線１８、ｐ側オーミック電極１２、ｐ型ＩｎＰクラッド層１４、ｐ側オーミック電極１３、ｎオーミック電極１０、配線１８、ｎ型ＩｎＰ基板２、ｎ側オーミック電極９を介してグラウンド（ＧＮＤ）に接続されている。
【００５２】
ｐ型ＩｎＰクラッド層１４の抵抗率は、通常、０．１Ωｃｍ程度であり、例えば、５０Ω程度のバルク抵抗体は、数μｍ角程度の小さいサイズで形成できる。したがって、この抵抗領域を設けたことによる寄生容量の増大はほとんど無視できる。
【００５３】
本実施形態においても、光変調システムを組み立てる際には、半導体光変調器１と電気信号線路２０とを所定の基板に実装し、これらをワイヤ２１により接続するだけで良い。そして、第１実施形態に関して前述したように、平滑な周波数応答特性と波形歪の無い良好な変調波形を得ることが可能である。
【００５４】
なお、本実施形態において抵抗体を形成するに際しては、ｐ型ＩｎＰクラッド層１４のバルク抵抗のみならず、コンタクト層５やｐ型オーミック電極１２、１３のオーミック抵抗も含めて、５０Ωとなるように調節すれば良い。
【００５５】
また、図５においては、ｐ型ＩｎＰクラッド層４の一部を利用して抵抗体１４を形成した具体例を表したが、本発明はこれには限定されず、その他にも、例えば、光吸収層３、コンタクト層６などのいずれかを利用して抵抗体を形成することも可能である。但し、光変調部分との間で電気的なリークや干渉が生じないように適宜、アイソレーションが必要とされる場合もある。
【００５６】
（第３の実施の形態）
次に、本発明の第３の実施の形態として、抵抗体を接続する配線経路に所定のインダクタンスを与えて応答特性を改善した半導体光変調器について説明する。図６は、本実施形態にかかる半導体光変調器及びその周辺回路を表す模式図である。同図についても、図１乃至図５に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は省略する。
【００５７】
本具体例の場合、ｐ側オーミック電極６と抵抗体１１との間の配線１９が適宜屈曲させた細長いパターンにより形成され、「インダクタンス付与部」として作用する。このようにすると、配線１９に、例えば０．１ｎＨ程度の微小なインダクタンスを与えることができる。
【００５８】
図７は、本具体例の半導体光変調器の周波数応答特性を表すグラフ図である。その振幅応答特性を見ると、周波数応答の平滑性を維持した上で、５０ＧＨｚを越える変調帯域を得られていることが分かる。これは、配線１９に０．１ｎＨ程度のインダクタンスを与えて、高周波動作度にわずかに共振を生じさせた効果である。
【００５９】
図８は、本具体例の半導体光変調器を用いた光変調システムの光変調波形を表す波形図である。ここでも、４０ＧｂｐｓのＮＲＺ（Ｎｏｎ　Ｒｅｔｕｒｎ　ｔｏ　Ｚｅｒｏ）信号で変調したときの光変調波形を表した。
【００６０】
同図において、変調波形の波形歪は認められず、アイ（ｅｙｅ）が十分に開口した良好な変調波形が得られている。すなわち、本具体例の光変調器においては、群遅延の増大が抑えられていることが分かる。
【００６１】
このように、群遅延を増大させることなく、変調帯域を拡大するためには、寄生インピーダンスによる共振現象を極めて高精度に制御しなければならない。本実施形態によれば、配線１９のパターンを制御することにより、微小インダクタンスをあらかじめ素子内部に形成しているため、波形歪を生じることなく、広い変調帯域を実現することが可能である。
【００６２】
なお、本実施形態においても、図６に表した構造は一例に過ぎず、配線１９（インダクタンス付与部））のパターン形状や太さは、必要とされるインダクタンスに応じて適宜決定できる。またさらに、このような抵抗体１１からｎ側オーミック電極１０に至る配線１８についても、所定のパターン形状や配線幅を与えることにより、インダクタンスを付与することが同様に可能である。
【００６３】
（第４の実施の形態）
次に、本発明の第４の実施の形態として、光源となるレーザと集積化した半導体光変調器について説明する。
【００６４】
図９は、本実施形態にかかる半導体光変調器／半導体レーザ集積素子及びその周辺回路を表す模式図である。同図についても、図１乃至図８に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は省略する。
【００６５】
本具体例の場合、半導体光変調器１と半導体レーザ１５とがモノリシックに集積されている。同図に表した具体例の場合、半導体光変調器１の部分の構造及びその実装方法は、第１実施形態に関して前述したものと同様である。但し、本実施形態は、この具体例には限定されず、第２乃至第３実施形態にかかる半導体光変調器をレーザと集積したものも包含する。
【００６６】
半導体光変調器１の上面には、ストライプ状のｎ側オーミック電極６Ａと電極パッド７Ａとが設けられている。
【００６７】
一方、半導体レーザ１５は、光変調器１と同様の積層構造を有するものとすることができる。すなわち、ｎ型ＩｎＰ基板２の上に、光吸収層３が設けられ、さらにその上にストライプ状にパターニングされたｐ型ＩｎＰクラッド層４、ｐ型ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層５が積層されている。メサストライプの両側は、光変調器１と同様に樹脂８により埋め込まれている。そして、コンタクト層６の上面には、ストライプ状のｎ側オーミック電極６Ｂが形成され、その両側に電極パッド７Ｂが接続されている。
【００６８】
レーザ１５の近傍にはレーザ給電用線路２３が設けられ、ワイア２２によって電極パッド７Ｂに接続されている。そして、この配線経路を介して電流が注入されると、レーザの光吸収層３が活性層として機能し、レーザ発振が生ずる。
【００６９】
得られたレーザ光は、光変調器１の光吸収層３において所定の変調を受け、図面手前側の出射端から変調光として放出される。
【００７０】
本実施形態によれば、半導体光変調器１と半導体レーザ１５とをモノリシックに集積することにより、小型かつ４０Ｇｂｐｓ変調動作が可能な光送信器を提供することができる。
【００７１】
以上、具体例を参照しつつ本発明の実施の形態について説明した。しかし、本発明はこれらの具体例に限定されるものではない。
【００７２】
例えば、上述した具体例においては、ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ系の光半導体素子を例に挙げたが、その他にも、ＧａＡｌＡｓ／ＧａＡｓ系、ＧａＩｎＮＡｓ／ＧａＡｓ系等、様々な材料系について本発明を適用することができる。
【００７３】
また、上述した具体例においては、本発明を単体の素子状の半導体光変調器、および半導体レーザとの集積素子に適用した例を挙げたが、他に光スイッチや光増幅器、光導波路等と集積化した素子構造に対しても、本発明を同様に適用して同様の作用効果を得ることができる。
【００７４】
さらに、半導体基板あるいはその他各部分の導電型も、具体例に限られるものではなく、ｎ型及びｐ型は適宜反転してもよい。さらに、半導体基板などは、半絶縁性のものを用いても良い。
【００７５】
また、光吸収層は多重量子井戸構造のものであってもよく、バルク構造のものであってもよく、素子断面構造もリッジ導波路構造に限るものではない。さらには、進行波型電極を有する素子構造に対しても、本発明を同様に適用して同様の作用効果を得ることができる。
【００７６】
その他、本発明の主旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実施することができる。
【発明の効果】
以上詳述したように、本発明によれば、半導体光変調器の素子内部にあらかじめ終端抵抗を形成することにより、素子と終端抵抗との間のワイヤ接続を省略することができる。この結果、寄生インダクタンスによる共振現象を回避して、波形歪の無い光変調波形を得ることができる。
【００７７】
その結果として、小型かつ高速変調動作が可能な光変調器を提供することが可能となり、産業上のメリットは多大である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態にかかる半導体光変調器及びその周辺回路を表す模式図である。
【図２】本発明の第１実施形態の半導体光変調システムの周波数応答特性を表すグラフ図である。
【図３】本発明の第１実施形態の光変調システムの光変調波形を表す波形図である。
【図４】本発明の第１実施形態の変型例を表す模式図である。
【図５】本発明の第２実施形態にかかる半導体光変調器及びその周辺回路を表す模式図である図である。
【図６】本発明の第３実施形態にかかる半導体光変調器及びその周辺回路を表す模式図である。
【図７】本発明の第３実施形態の半導体光変調器の周波数応答特性を表すグラフ図である。
【図８】第３実施形態の半導体光変調器を用いた光変調システムの光変調波形を表す波形図である。
【図９】本発明の第４実施形態にかかる半導体光変調器／半導体レーザ集積素子及びその周辺回路を表す模式図である。
【図１０】本発明者が本発明に至る過程で検討した半導体光変調器及びその周辺回路を表す模式図である。
【図１１】図１０の半導体光変調システムの周波数応答特性を表すグラフ図である。
【図１２】図１０の光変調システムの光変調波形を表す波形図である。
【符号の説明】
１　半導体光変調器
２　基板
３　光吸収層（活性層）
４　クラッド層
５　コンタクト層
６、６Ａ、６Ｂ　オーミック電極
７、７Ａ、７Ｂ　電極パッド
８　樹脂
９　オーミック電極
１０　オーミック電極
１１　抵抗体（終端抵抗）
１２、１３　オーミック電極
１４　クラッド層
１４　抵抗体
１５　半導体レーザ
１８、１９　配線
２０　電気信号線路
２１、２２　ワイヤ
２３　レーザ給電用線路
５１　半導体光変調器
５２　基板
５３　光吸収層
５４　クラッド層
５７　電極パッド
５８　樹脂
７０　電気信号線路
７１　終端抵抗
７２　ワイヤ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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