(57)【要約】【課題】半導体装置のダメージを発生させることなく、高精度なアウターリード長さの制御が可能な半導体装置のアウターリード切断方法及び切断装置を提供する。【解決手段】リードフレームに載置、接続された半導体素子を樹脂によりモールドすると同時に樹脂だまりを形成する工程と、このリードフレームが金型の所定位置に載置されるように、樹脂だまりを用いて位置決めする工程と、この金型と、これに対応する金型によりリードフレームを打抜切断し、アウターリードを所定の長さにする工程を具備する。【選択図】  図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
リードフレームに載置、接続された半導体素子を樹脂によりモールドすると同時に樹脂だまりを形成する工程と、
前記リードフレームが金型の所定位置に載置されるように、前記樹脂だまりを用いて位置決めする工程と、
前記所定位置において、前記金型と、これに対応する金型により前記リードフレームを切断し、アウターリードを所定の長さにする工程を具備することを特徴とする半導体装置のアウターリード切断方法。
【請求項２】
前記位置決めする工程において、予め大体の位置決めを行った後、前記樹脂だまりにより位置の補正を行うことを特徴とする請求項１記載の半導体装置のアウターリード切断方法。
【請求項３】
モールドされた半導体素子と樹脂だまりの形成されたリードフレームを載置し、アウターリードを切断する一対の金型を備え、前記金型は、前記樹脂だまりの位置に対応し前記リードフレームを所定位置に載置する位置補正機構を有することを特徴とする半導体装置のアウターリード切断装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置のアウターリード長さを高精度に制御する半導体装置のアウターリード切断方法及び切断装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体装置の組立工程におけるアウターリード切断工程とは、リードフレーム上に載置、接続された複数の半導体素子をそれぞれモールドした後、リードフレームの不要な部分を切断して、分離する工程である。
【０００３】
図５に示すように、リードフレーム１１には、予めアウターリードとなる領域１４と基準穴１５が形成されており、複数の半導体素子１２が一定間隔で樹脂によりモールドされている。そして、図６に示すように、この基準穴１５を位置決めピン１９に対応させることにより、リードフレームを金型ダイ１６、金型ストリッパ１７の所定位置となるように位置決めし、金型パンチ１８により打抜切断する。このようにして、図７に示すように、リードフレーム１１の不要部分及び各々の半導体素子１２が分離されると共に、各々の半導体素子１２を外部回路に接続するためのアウターリード１４’が形成される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
このようにして形成されるアウターリードにおいて、実装される電子機器などの小型化に伴い、その長さの高精度な制御が要求されている。しかしながら、リードフレーム側の基準穴とモールド成形された樹脂の位置にばらつきがあると共に、基準穴と位置決めピンの間には隙間１３があり、ズレが発生するため、アウターリードの長さを制御するのは困難であり、アウターリードの長さのばらつきに因る製品不良が発生するという問題があった。
【０００５】
そこで、製品不良の抑制を図るために、モールド工程における樹脂の位置ズレ量を厳しい規格で管理したが、モールド工程は昇温させた金型内で行われ、リードフレームやモールド金型に熱による膨張が発生するため、樹脂の位置ズレ量を制御することは困難であった。また、リードフレームや、モールド金型の寸法制度にも左右されてしまう、という問題もあった。
【０００６】
アウターリードを所定の長さに切断する方法としては、特開平１０−１１６９４９にＩＣの外郭体を挟み保持して位置決めを行った後、リードを切断する方法が提案されている。しかしながら、このような方法では汎用性はあるものの、パッケージに直接触れてしまうため、キズ、カケなどのダメージが発生するという可能性がある。
【０００７】
そこで、本発明は、従来の半導体装置のアウターリード切断方法における問題を取り除き、半導体装置のダメージを発生させることなく、高精度なアウターリード長さの制御が可能な半導体装置のアウターリード切断方法及び切断装置を提供することを目的とするものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明の半導体装置のアウターリード切断方法は、リードフレームに載置、接続された半導体素子を樹脂によりモールドすると同時に樹脂だまりを形成する工程と、このリードフレームが金型の所定位置に載置されるように、樹脂だまりを用いて位置決めする工程と、この金型と、これに対応する金型によりリードフレームを切断し、アウターリードを所定の長さにする工程を具備することを特徴とするものである。
【０００９】
また、本発明の半導体装置のアウターリード切断方法においては、位置決めする工程において、予め大体の位置決めを行った後、樹脂だまりにより位置の補正を行うことを特徴としている。
【００１０】
そして、本発明の半導体装置のアウターリード切断装置は、モールドされた半導体素子と樹脂だまりの形成されたリードフレームを設置し、アウターリードを切断する一対の金型を備え、この金型は、樹脂だまりの位置に対応しリードフレームを所定位置に設置する位置補正機構を有することを特徴とするものである。
【００１１】
【発明の実施の形態】
以下本発明の実施形態について、図を参照して説明する。
【００１２】
図１に本実施形態に係るリードフレームを示す。図に示すように、リードフレーム１には樹脂モールドされた半導体素子２と共に樹脂だまり３が形成されている。尚、予めリードフレームにはアウターリードとなる領域４と基準穴５が形成されている。
【００１３】
このようなリードフレームは以下のように形成される。先ず、アウターリードとなる領域４と基準穴５が形成された所定形状のリードフレーム１上の所定領域に半導体素子を載置、接続する。これを金型に挿入、樹脂を射出成形し、半導体素子２を樹脂モールドするとともに、半導体素子２の載置されていない所定領域に所定形状の樹脂だまり３を形成する。
【００１４】
このようにして形成されたリードフレームを、図２に示すようなアウターリード切断装置に設置する。このアウターリード切断装置は、リードフレームを固定する金型ダイ６と金型ストリッパ７と、リードフレームを打抜切断する金型パンチ８及び位置決めピン９から構成されている。
【００１５】
先ず、位置決めピン９により大体の位置決めを行い、さらに金型ダイ６に設けられた位置補正機構１０と樹脂だまり３を合わせて位置の補正を行うことにより、リードフレームを金型ダイ６と金型ストリッパ７の所定位置に設置する。このとき、発生したモールド樹脂のズレは、樹脂だまりにも同様に発生しており、樹脂だまりにより位置補正することにより、モールド樹脂のズレが補正される。また、樹脂だまり３は、より高精度に位置の補正を行うために位置補正機構１０との間の隙間ができるだけ少なくなるよう形成されているが、たとえ接触したとしても、製品自体を傷つけることはない。
【００１６】
そして、金型パンチ８を金型ダイ６の方向に駆動させ、打抜切断することにより、図３に示すように、長さの制御されたアウターリード４’を有する半導体装置が形成される。
【００１７】
このとき、必ずしも打抜く必要はなく、図４に示すように、リードフレームの切断領域１’において一部を残して切断して曲げても良い。片側を曲げることにより、打抜いたカスの処理が不要となるため、金型内カス詰まりの発生が抑えられる。
【００１８】
本実施形態において、アウターリードは半導体素子の２方向に形成されているが、これに限定されるものではなく、４方向に形成されていても同様に位置補正を行うことが可能である。
【００１９】
【発明の効果】
本発明によれば、半導体装置のダメージを発生させることなく、高精度なアウターリード長さの制御が可能な半導体装置のアウターリード切断方法及び切断装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る半導体装置を載置したリードフレームを示す図。
【図２】本発明のアウターリード切断装置を示す図。
【図３】本発明により形成された半導体装置を示す図。
【図４】本発明のアウターリード切断装置を示す図。
【図５】従来の半導体装置を載置したリードフレームを示す図。
【図６】従来のアウターリード切断装置を示す図。
【図７】従来の方法により形成された半導体装置を示す図。
【符号の説明】
１、１１  リードフレーム
１’  リードフレームの切断領域
２、１２  半導体素子
３  樹脂だまり
４、１４  アウターリードとなる領域
４’、１４’    アウターリード
５、１５  基準穴
６、１６  金型ダイ
７、１７  金型ストリッパ
８、１８  金型パンチ
９、１９  位置決めピン
１０  位置補正機構
１３  隙間
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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