(57)【要約】【課題】配線系のダミーパターンの面積率や周辺長を確保し、また、コンタクトホールのダミーパターンを設け、製造プロセス上での安定加工の達成と加工ばらつきの低減を実現する。【解決手段】配線系ダミーパターンとしてメッシュ型（ホール型）ダミーパターンを使用し、小面積で必要な面積率、周辺長を維持する。また、第１配線層の配線系第１ダミーパターン２ａと、第２配線層の配線系第２ダミーパターン４ａと、第１及び第２ダミーパターンを接続するコンタクトホールのダミーパターン５を配置し、製造プロセス上での加工ばらつきを低減する。また、通常パターンとダミーパターンのセパレーションを通常パターンの最小セパレーションより大きくし、配線容量を低減する。【選択図】　図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
配線系のダミーパターンにおいて、前記ダミーパターンの配線部をメッシュ型に構成することで、ホール形状が存在する構造に形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記メッシュ型に構成された配線部のパターン端部に凸型の突き出し部が存在しないことを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記メッシュ型に構成された配線部のパターン端部に凸型の突き出し部が存在することを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項４】
第１配線層で形成された第１ダミーパターンと、第２配線層で形成された第２ダミーパターンと、前記第１ダミーパターンと第２ダミーパターンとを接続するコンタクトホールダミーパターンを備えたことを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
前記第１ダミーパターンおよび第２ダミーパターンは、電気的にフローティング状態であることを特徴とする請求項４記載の半導体装置。
【請求項６】
前記第１ダミーパターンおよび第２ダミーパターンは、電気的に電源信号に接続された状態であることを特徴とする請求項４記載の半導体装置。
【請求項７】
前記電源信号が接地電源であることを特徴とする請求項６記載の半導体装置。
【請求項８】
前記コンタクトホールダミーパターンのホール形状は、通常のコンタクトホールパターンのホール形状とほぼ同形状であることを特徴とする請求項４記載の半導体装置。
【請求項９】
前記コンタクトホールダミーパターンのセパレーションは、通常のコンタクトホールパターンのセパレーションより大きいことを特徴とする請求項４記載の半導体装置。
【請求項１０】
配線系のダミーパターンにおいて、前記ダミーパターンと通常パターンとのセパレーションは、通常パターン間の最小セパレーションより大きいことを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ダミーパターンを含む半導体装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
半導体装置の配線パターンの形成に際して、露光上の近接効果の変動の抑制や、パターンエッチング工程のパターン依存性低減や、ＣＭＰ工程での平坦化のために、ダミーパターンの形成は重要なものになってきている。このダミーパターンの例として特開平１１−９５４０６号に示されている。この例では、図８の様にダミーパターンは通常パターンの端部にドットパターンを配置したものである。１は通常パターンで、２はダミーパターンである。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
このように従来のダミーパターンを有した半導体装置では、ドットパターンであるため、あまり小さなドットパターンであると、パターンが飛んで剥がれることがあるという課題があった。
【０００４】
また、パターンのエッチング時などには、チップ全体に占めるパターンの面積率、パターンの周辺長等が影響を及ぼすことがあり、この面積や、周辺長を一定以上に確保した方が好ましいことが多いが、従来のドットパターンでは効率が悪いという課題があった。
【０００５】
また、従来では、配線系に対しては、ダミーパターンを形成しているが、コンタクトホールに対しては、ダミーパターンを形成していないため、コンタクトホール形成時の加工精度に課題が生じることもある。
【０００６】
また、従来のダミーパターンでは、通常パターンとダミーパターンとの間のセパレーションが、通常パターン間のセパレーションと同じであるため、短絡などの歩留まり低下をおこす可能性があるとともに、配線系はもちろんのことコンタクトホールのパターン間の容量が大きくなり、動作速度が低下するという課題があった。
【０００７】
本発明は、上記の課題を解決するものであり、パターン剥がれを防止し、パターンの面積率や周辺長を確保してパターン加工を安定化させ、またコンタクトホールを安定に加工し、さらに通常パターンとダミーパターンとの短絡等の歩留まり低下を抑制し、かつ通常パターンのパターン間容量を低減して高速化を可能にすることを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記の課題を解決するために、本発明の第１の半導体装置は、配線系のダミーパターンにおいて、ダミーパターンの配線部をメッシュ型に構成することで、ホール形状が存在する構造に形成されている。
【０００９】
このような構成とすることにより、パターンが飛んで剥がれにくくなる。また、ダミーパターンに突き出し部が存在する場合には、さらにダミーパターンと通常パターンの短絡などによる不良を低減できる。
【００１０】
また、本発明の第２の半導体装置は、第１配線層で形成された第１ダミーパターンと、第２配線層で形成された第２ダミーパターンと、第１ダミーパターンと第２ダミーパターンとを接続するコンタクトホールダミーパターンを備えている。
【００１１】
このような構成とすることにより、パターンが飛んで剥がれにくくなる上に、コンタクトホール形成時の加工精度を向上させ安定した加工が可能となる。
【００１２】
また、本発明の第２の半導体装置において、第１ダミーパターンおよび第２ダミーパターンは、電気的にフローティング状態または接地電源に接続されていることが好ましい。
【００１３】
このような構成とすることにより、パターンが飛んで剥がれにくくなる、およびコンタクトホール形成時の加工精度を向上させ安定した加工が可能となる。また、第１ダミーパターンおよび第２ダミーパターンが電気的に接地電源に接続されている場合には、さらにダミーパターンにノイズが生じて通常の信号線がノイズの影響を受けるということを回避できる。
【００１４】
また、本発明の第２の半導体装置において、コンタクトホールダミーパターンのセパレーションは、通常のコンタクトホールパターンのセパレーションより大きいことが好ましい。
【００１５】
このような構成とすることにより、コンタクトホールの加工がしやすく、製造上の不良が生じにくい。
【００１６】
また、本発明の第３の半導体装置は、配線系のダミーパターンにおいて、ダミーパターンと通常パターンとのセパレーションは、通常パターン間の最小セパレーションより大きい。
【００１７】
このような構成とすることにより、通常パターンとダミーパターンとの短絡等の歩留まり低下も抑制でき、さらに通常パターンの容量低減により高速化が可能である。
【００１８】
【発明の実施の形態】
（第１の実施形態）
本発明の第１の実施形態について、図１、図２を用いて説明する。
【００１９】
図１は、第１の実施形態のダミーパターン構成図である。ここで、１は通常パターン、２はダミーパターンである。従来例は、ダミーパターンは通常パターンの端部にドットパターンを配置した構成であったが、本実施形態は、ダミーパターンを配線部をメッシュ型に構成し、ホール形状が存在する構造のダミーパターンである。通常パターンとの境界部にダミーパターンの突き出し部はなく、通常の配線と同等のセパレーションで構成している。
【００２０】
図２は、ダミーパターンのパターン幅（配線幅）（ライン：Ｌ）と間隔（スペース：Ｓ）の関係を示す図である。図２（ａ）〜（ｄ）に示したように、配線幅（ライン：Ｌ）と間隔（スペース：Ｓ）の関係は、いずれの場合もドットパターンよりホールパターンの方が面積率は大きくなる。このため、面積率を大きくする必要がある場合は、本実施形態のようなホールパターンの方が効率が良い。また、周辺長については配線幅が間隔より小さいときはホールパターンの方が大きい。
【００２１】
第１の実施形態の特徴としては、ホールパターンではパターンが飛んで剥がれにくいという効果がある。
【００２２】
（第２の実施形態）
本発明の第２の実施形態について、図３を用いて説明する。
【００２３】
図３は、第２の実施形態のダミーパターン構成図である。ここで、１は通常パターン、２はダミーパターンである。第１の実施形態と同様、ダミーパターンを配線部をメッシュ型に構成し、ホール形状が存在する構造のダミーパターンである。
【００２４】
第１の実施形態との違いは、パターン端部に凸型の突き出し部が存在する構造のダミーパターンであることである。この突き出し部により、パターンの面積率や、周辺長を少なくすることなく、通常パターンとのセパレーションを確保できる。
【００２５】
第２の実施形態の特徴としては、第１の実施形態と同様に、ホールパターンではパターンが飛んで剥がれにくいという効果がある。さらに、パターン端部に凸型の突き出し部を有する構造のダミーパターンとすることによって、実質上通常パターンとのセパレーションを確保できるため、ダミーパターンと通常パターンの短絡などによる不良を低減できるという効果がある。また、実質上通常パターンとのセパレーションを確保できるため、通常の配線の容量を低減でき、信号の高速動作が可能となるという効果もある。
【００２６】
（第３の実施形態）
本発明の第３の実施形態について、図４を用いて説明する。
【００２７】
図４は、第３の実施形態のダミーパターン構成図である。ここで、１ａは第１配線層の通常パターン、２ａは第１配線層のダミーパターン、３ａは第２配線層の通常パターン、４ａは第２配線層のダミーパターン、５はダミーパターンのコンタクト、６は通常のパターンのコンタクトである。
【００２８】
第１及び第２の実施形態では、配線系に対してのダミーパターン形成であるが、本実施形態は、コンタクトホールに対しても含めたダミーパターンを形成したものである。第１配線層のダミーパターン２ａと第２配線層のダミーパターン４ａとダミーパターン間を接続するコンタクトホールダミーパターン５を有する構造である。また、本実施形態では、ダミーパターンは電気的にフローティング状態である。
【００２９】
第３の実施形態の特徴としては、配線系パターンに対しては、第１の実施形態と同様にホールパターンではパターンが飛んで剥がれにくいという効果がある。さらに、第１配線層のダミーパターンと第２配線層のダミーパターンとをダミーパターン間を接続するコンタクトホールダミーパターンにより、コンタクトホール形成時の加工精度を向上させ安定した加工が可能となるという効果がある。また、第１のダミーパターンと第２のダミーパターンがコンタクトで接続されるため、よりパターンが飛んで剥がれることはないという効果がある。
【００３０】
（第４の実施形態）
本発明の第４の実施形態について、図５を用いて説明する。図５は、第４の実施形態のダミーパターン構成図である。１ａは第１配線層の通常パターン、２ａは第１配線層のダミーパターン、３ａは第２配線層の通常パターン、４ａは第２配線層のダミーパターン、５はダミーパターンのコンタクト、６は通常のパターンのコンタクト、７は第２配線層のダミーパターン４ａが接続する、接地電源ＶＳＳに接続された信号線である。
【００３１】
第３の実施形態と同様に、第１配線層のダミーパターン２ａと第２配線層のダミーパターン４ａとダミーパターン間を接続するコンタクトホールダミーパターン５を有する構造である。
【００３２】
第３の実施形態との違いとしては、ダミーパターンは電気的に電圧源に接続した構造である点である。本実施形態では接地電圧源に接続している。
【００３３】
第４の実施形態の特徴としては、第３の実施形態の効果の他に、ダミーパターンを接地電圧信号線に接続しているため、ダミーパターンにノイズが生じて、通常の信号線がノイズの影響を受けるということを回避できるという効果がある。
【００３４】
（第５の実施形態）
本発明の第５の実施形態について、図６を用いて説明する。図６は、第５の実施形態のダミーパターン構成図である。１ａは第１配線層の通常パターン、２ａは第１配線層のダミーパターン、３ａは第２配線層の通常パターン、４ａは第２配線層のダミーパターン、５はダミーパターンのコンタクト、６は通常のパターンのコンタクトである。
【００３５】
第３の実施形態と同様に、第１配線層のダミーパターン２ａと第２の配線層のダミーパターン４ａとダミーパターン間を接続するコンタクトホールダミーパターン５を有する構造である。
【００３６】
第３の実施形態との違いとしては、コンタクトホールダミーパターンのセパレーションが通常のコンタクトホールパターンのセパレーションよりも大きいことである。加工的にマージンがあるルールでレイアウトされている。
【００３７】
第５の実施形態の特徴としては、第３の実施形態の効果の他に、コンタクトホールダミーパターンのセパレーションが通常のコンタクトホールパターンのセパレーションよりも大きいため、加工がしやすく、製造上の不良が生じにくいという効果がある。
【００３８】
（第６の実施形態）
本発明の第６の実施形態について、図７を用いて説明する。図７は、第６の実施形態のダミーパターン構成図である。１は通常パターン、２はダミーパターン、８は通常パターン間のセパレーション、９は通常パターンとダミーパターンとのセパレーションである。
【００３９】
本実施形態では、通常パターン間のセパレーション８より、通常パターンとダミーパターンとのセパレーション９の方が大きいことが特徴である。ダミーパターンの構成については、ここでは、第１の実施形態と同様のメッシュ型の構造にしている。
【００４０】
第６の実施形態の特徴としては、通常パターン間のセパレーション８より、通常パターンとダミーパターンとのセパレーション９を大きくすることによって、通常パターンとダミーパターンとの短絡等の歩留まり低下も抑制でき、さらに通常パターンの容量低減により高速化が可能であるという効果がある。
【００４１】
上記で第１の実施形態ないし第６の実施形態について示したが、これらを併用し組み合わせた構造についてももちろん本発明に含まれる。
【００４２】
本発明のダミーパターンは、必要に応じて使用するもので、製品の全てのダミーパターンを本パターンにする必要はなく、本パターンを一部に含む半導体製品は本発明に含まれる。
【００４３】
【発明の効果】
以上に説明したように、本発明のダミーパターンを含む半導体装置では、パターンが飛んで剥がれることがなく、パターン加工を安定化させるパターンの面積率や周辺長を効率的に配置でき、またコンタクトホールについてもダミーパターンを構成によって安定加工が可能で、また、通常パターンとダミーパターンとの短絡等の歩留まり低下も抑制でき、さらに通常パターンの容量低減により高速化が可能であるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施形態のダミーパターン構成図
【図２】本発明の第１の実施形態のダミーパターンのパターン幅（ライン：Ｌ）と間隔（スペース：Ｓ）の関係を示す図
【図３】本発明の第２の実施形態のダミーパターン構成図
【図４】本発明の第３の実施形態のダミーパターン構成図
【図５】本発明の第４の実施形態のダミーパターン構成図
【図６】本発明の第５の実施形態のダミーパターン構成図
【図７】本発明の第６の実施形態のダミーパターン構成図
【図８】従来のダミーパターン構成図
【符号の説明】
１　通常パターン
１ａ　第１配線層の通常パターン
２　ダミーパターン
２ａ　第１配線層のダミーパターン
３ａ　第２配線層の通常パターン
４ａ　第２配線層のダミーパターン
５　ダミーパターンのコンタクト
６　通常のパターンのコンタクト
７　接地電源ＶＳＳに接続された信号線
８　通常パターン間のセパレーション
９　通常パターンとダミーパターンとのセパレーション
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2004031636.tif 000009
【図８】
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