(57)【要約】【課題】厳しい環境下においても膜剥れのない膜付着力が良好な反射防止膜付き基板を提供する。【解決手段】透明基板１上に反射防止膜が形成された反射防止膜付き基板の製造方法であって、前記反射防止膜１は、透明基板１側から珪素、錫、酸素を含む材料からなる中屈折率層２と、チタン、ニオブ、タンタル、ハフニウムから選ばれる１種の元素と酸素を含む材料からなる高屈折率層３と、珪素、酸素を含む材料からなる低屈折率層４とを有する積層膜であり、該反射防止膜は、インライン型スパッタリング装置にて連続的に成膜することを特徴とする。【選択図】　　　図１
2004126530.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明基板上に反射防止膜が形成された反射防止膜付き基板の製造方法であって、前記反射防止膜は、透明基板側から珪素、錫、酸素を含む材料からなる中屈折率層と、チタン、ニオブ、タンタル、ハフニウムから選ばれる１種の元素と酸素を含む材料からなる高屈折率層と、珪素、酸素を含む材料からなる低屈折率層とを有する積層膜であり、該反射防止膜は、インライン型スパッタリング装置にて連続的に成膜することを特徴とする反射防止膜付き基板の製造方法。
【請求項２】
前記反射防止膜は、不活性ガス雰囲気、又は不活性ガスと酸素ガスを含む混合ガス雰囲気中で、スパッタリング法、又は反応性スパッタリング法によって形成され、前記中屈折率層は、珪素と錫を含む材料をターゲットとし、前記高屈折率層は、チタン、ニオブ、タンタル、ハフニウムから選ばれる１種の元素を含む材料をターゲットとし、前記低屈折率層は、珪素を含む材料をターゲットとしてそれぞれ成膜することを特徴とする請求項１記載の反射防止膜付き基板の製造方法。
【請求項３】
前記各層は、複数枚のターゲットを使用して成膜することを特徴とする請求項２記載の反射防止膜付き基板の製造方法。
【請求項４】
前記中屈折率層は、屈折率が１．６〜１．８、幾何学的膜厚が６０〜９０ｎｍ、前記高屈折率層は、屈折率が２．１〜２．８、幾何学的膜厚が９０〜１３０ｎｍ、前記低屈折率層は、屈折率が１．４〜１．４６、幾何学的膜厚が８０〜１００ｎｍ、であることを特徴とする請求項１乃至３の何れかに記載の反射防止膜付き基板の製造方法。
【請求項５】
前記中屈折率層が、ＳｉＸＳｎＹＯＺ、前記高屈折率層が、ＴｉＯ２、Ｎｂ２Ｏ５、Ｔａ２Ｏ５、ＨｆＯ２から選ばれる材料、前記低屈折率層が、ＳｉＯ２、であることを特徴とする請求項４記載の反射防止膜付き基板の製造方法。
【請求項６】
前記透明基板は、屈折率が１．４６〜１．５３のガラス基板であることを特徴とする請求項１乃至５の何れかに記載の反射防止膜付き基板の製造方法。
【請求項７】
前記反射防止膜が形成される側のガラス基板表面の表面粗さは、中心線平均粗さＲａで０．５ｎｍ以下であることを特徴とする請求項６記載の反射防止膜付き基板の製造方法。
【請求項８】
前記高屈折率層と前記低屈折率層との間に、透明導電膜を形成することを特徴とする請求項１乃至７の何れかに記載の反射防止膜付き基板の製造方法。
【請求項９】
前記反射防止膜付き基板は、液晶パネル用防塵基板であることを特徴とする請求項１乃至８の何れかに記載の反射防止膜付き基板の製造方法。
【請求項１０】
前記液晶パネルは、投射型液晶プロジェクター用液晶パネルであることを特徴とする請求項９記載の反射防止膜付き基板の製造方法。
【請求項１１】
前記反射防止膜付き基板は、固体撮像素子用カバーガラスであることを特徴とする請求項１乃至８の何れかに記載の反射防止膜付き基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、液晶パネル（特に、投影型液晶プロジェクター）に使用する防塵基板や、ＣＣＤやＣＭＯＳのイメージセンサ等の固体撮像素子のパッケージ窓として用いられる固体撮像素子用カバーガラス、計測器等に使用する反射防止膜付き基板の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
投影型液晶プロジェクターは、図６に示すように、光源から出射された光を集光光源系（図示せず）によって集光しながら液晶装置１００に導き、この光を液晶層５０で光変調することにより、所定の画像をレンズなどの光学系（図示せず）によってスクリーンに投射して表示を行うものである。光源からの光は、液晶装置１００の液晶層５０に焦点がおかれるように集光される。そのため、焦点位置である液晶層５０から基板２１の厚み分の約１ｍｍ離れた距離に位置することになる対向基板２０の外面についている傷や塵２０１は、焦点距離範囲内となり、フォーカス状態となる。同様に、液晶層５０から基板３１の厚み分の約１ｍｍ離れた距離に位置することになる駆動基板３０の外面についている傷や塵２０２は、焦点距離範囲内となり、フォーカス状態となる。その結果、外面に傷や塵２０１、２０２が付いた液晶セルが用いられた投影型液晶プロジェクターで表示を行う場合、傷や塵２０１、２０２が投影画像に映し出されてしまい、表示品位が低下する。このような問題を回避するため、液晶セルに隣接し、これを挟むように一対の厚さ約１ｍｍの例えばガラスからなる透明基板４１ａ，４１ｂが防塵用基板４０ａ，４０ｂとして配置されている。これにより、液晶セルの基板２０，３０の外面に傷や塵がつくことを防止する。更に、たとえ、防塵用基板４０ａ，４０ｂの液晶セルに接しない側の面に傷や塵２１１、２１２がついたとしても、防塵用基板の基板厚みのおかげで、傷や塵２１１、２１２がデフォーカス状態となるため、表示品位は低下しない。
通常、このような防塵用基板としては、蒸着法によりＡｌ２Ｏ３／ＺｒＯ２／ＭｇＦ２の積層膜からなる反射防止膜が、透明基板の一方の面に形成されたものが用いられている。また、ＳｉＯ２とＺｒＯ２とが互いに複数層積層された反射防止膜が提案されている（特許文献１：特開２０００−２８２１３４）。
また、ＣＣＤやＣＭＯＳは、チップへの電源供給、信号分配、放熱、及び回路保護を目的とする封止型のチップパッケージに格納されている。チップパッケージ用のカバーガラスとしては、例えば、特許文献２（特開平７−１７２８６８号公報）にあるように、ＣＣＤやＣＭＯＳに対し効率的に光を導入するために、カバーガラス表面に酸化アルミニウム、酸化イットリウム、酸化タンタル、酸化珪素、弗化マグネシウム、弗化ストロンチウムから選ばれる２種または３種を使用し、２層または３層積層した反射防止膜が形成される。例えば、反射防止膜の膜構造としては、Ａｌ２Ｏ３／Ｔａ２Ｏ５／ＭｇＦ２や、Ａｌ２Ｏ３／ＺｒＯ２／ＭｇＦ２等が挙げられている。
上述の反射防止膜と同様に、これらの積層膜は、蒸着法により形成することが一般的とされている。
【特許文献１】特開２０００−２８２１３４号公報
【特許文献２】特開平７−１７２８６８号公報
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、蒸着法により形成するＡｌ２Ｏ３／ＺｒＯ２／ＭｇＦ２の積層膜からなる反射防止膜の場合、蒸着法により発生する異物、スプラッシュ、又はピンホールが発生し、異物やスプラッシュによる光の散乱や、ピンホールによる光の反射が発生し、防塵基板として要求される光学特性（反射率が０．５％以下（反射防止膜側の片面の反射率））や、固体撮像素子用カバーガラスとして要求される光学特性（反射率が１％以下（反射防止膜及びガラス基板による両面の反射率））が得られないという問題点があり、さらに、特に防塵基板においては非常に高温で長時間の厳しい環境下に曝され、各層の界面での膜剥れが発生するという問題点がある。また、上述のＡｌ２Ｏ３／ＺｒＯ２／ＭｇＦ２の積層膜を反応性スパッタリング法で形成することも考えられるが、特に弗化物であるＭｇＦ２を安定して成膜することは非常に困難で、安定した光学特性が得られず、製造上の負荷が大きい。
また、ＳｉＯ２とＺｒＯ２とが互いに複数層積層された反射防止膜の場合、少なくとも４層以上を必要とし各層において膜厚を厳密に制御しなければならず、安定した光学特性が得られず、製造上の負荷が大きい。
【０００４】
そこで、本発明は上述の問題点に鑑みてなされたものであり、厳しい環境下においても膜剥れのない膜付着力が良好な反射防止膜付き基板の製造方法を提供することを目的とする。
また、さらに上述の特性に加え、液晶パネル用防塵用基板や、固体撮像素子用カバーガラスなどに使用する反射防止膜付き基板に関し、それらの各用途で求められる所望の光学特性を満足する反射防止膜付き基板の製造方法を提供することを日的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明は以下の構成を有する。
（構成１）　透明基板上に反射防止膜が形成された反射防止膜付き基板の製造方法であって、前記反射防止膜は、透明基板側から珪素、錫、酸素を含む材料からなる中屈折率層と、チタン、ニオブ、タンタル、ハフニウムから選ばれる１種の元素と酸素を含む材料からなる高屈折率層と、珪素、酸素を含む材料からなる低屈折率層とを有する積層膜であり、該反射防止膜は、インライン型スパッタリング装置にて連続的に成膜することを特徴とする反射防止膜付き基板の製造方法。
（構成２）　前記反射防止膜は、不活性ガス雰囲気、又は不活性ガスと酸素ガスを含む混合ガス雰囲気中で、スパッタリング法、又は反応性スパッタリング法によって形成され、前記中屈折率層は、珪素と錫を含む材料をターゲットとし、前記高屈折率層は、チタン、ニオブ、タンタル、ハフニウムから選ばれる１種の元素を含む材料をターゲットとし、前記低屈折率層は、珪素を含む材料をターゲットとしてそれぞれ成膜することを特徴とする構成１記載の反射防止膜付き基板の製造方法。
（構成３）　前記各層は、複数枚のターゲットを使用して成膜することを特徴とする構成２記載の反射防止膜付き基板の製造方法。
（構成４）　前記中屈折率層は、屈折率が１．６〜１．８、幾何学的膜厚が６０〜９０ｎｍ、前記高屈折率層は、屈折率が２．１〜２．８、幾何学的膜厚が９０〜１３０ｎｍ、前記低屈折率層は、屈折率が１．４〜１．４６、幾何学的膜厚が８０〜１００ｎｍ、であることを特徴とする構成１乃至３の何れかに記載の反射防止膜付き基板の製造方法。
（構成５）　前記中屈折率層が、ＳｉＸＳｎＹＯＺ、前記高屈折率層が、ＴｉＯ２、Ｎｂ２Ｏ５、Ｔａ２Ｏ５、ＨｆＯ２から選ばれる材料、前記低屈折率層が、ＳｉＯ２、であることを特徴とする構成４記載の反射防止膜付き基板の製造方法。
（構成６）　前記透明基板は、屈折率が１．４６〜１．５３のガラス基板であることを特徴とする構成１乃至５の何れかに記載の反射防止膜付き基板の製造方法。
（構成７）　前記反射防止膜が形成される側のガラス基板表面の表面粗さは、中心線平均粗さＲａで０．５ｎｍ以下であることを特徴とする構成６記載の反射防止膜付き基板の製造方法。
（構成８）　前記高屈折率層と前記低屈折率層との間に、透明導電膜を形成することを特徴とする構成１乃至７の何れかに記載の反射防止膜付き基板の製造方法。
（構成９）　前記反射防止膜付き基板は、液晶パネル用防塵基板であることを特徴とする構成１乃至８の何れかに記載の反射防止膜付き基板の製造方法。
（構成１０）　前記液晶パネルは、投射型液晶プロジェクター用液晶パネルであることを特徴とする構成９記載の反射防止膜付き基板の製造方法。
（構成１１）　前記反射防止膜付き基板は、固体撮像素子用カバーガラスであることを特徴とする構成１乃至８の何れかに記載の反射防止膜付き基板の製造方法。
【０００６】
【発明の実施の形態】
本発明の反射防止膜付き基板の製造方法は、透明基板側から珪素、錫、酸素を含む材料からなる中屈折率層と、チタン、ニオブ、タンタル、ハフニウムから選ばれる１種の元素と酸素を含む材料からなる高屈折率層と、珪素、酸素を含む材料からなる低屈折率層とを有する積層膜を、インライン型スパッタリング装置にて連続的に成膜することを特徴とする（構成１）。
スパッタリング方法としては、静止対向型スパッタリング装置を用いる方法、インライン型スパッタリング装置を用いる方法等が挙げられるが、インライン型スパッタリング装置を用いて連続的に成膜する場合、上記反射防止膜の各層間に不要な酸化膜を形成させない点、各層において実質的に膜界面がなくなる点から、膜剥れのない膜付着力が良好な反射防止膜付き基板が得られる。さらに生産性の点でもインライン型スパッタリング装置を用いる方法が良い。尚、スパッタリング法であるので、異物、スプラッシュ、ピンホール等の欠陥が少ない。
さらに、上述の反射防止膜は、不活性ガス雰囲気、又は不活性ガスと酸素ガスを含む混合ガス雰囲気中で、スパッタリング法、又は反応性スパッタリング法によって形成され、前記中屈折率層は、珪素と錫を含む材料をターゲットとし、前記高屈折率層は、チタン、ニオブ、タンタル、ハフニウムから選ばれる１種の元素を含む材料をターゲットとし、前記低屈折率層は、珪素を含む材料をターゲットとしてそれぞれ成膜する（構成２）。
中屈折率層である珪素、錫、酸素を含む酸化物膜は、高透過率、耐薬品性（耐食性、耐アルカリ性）が良好であるともに、この酸化物膜上にチタン、酸素を含む材料（ＴｉＯ２）、ニオブ、酸素を含む材料（Ｎｂ２Ｏ５）、タンタル、酸素を含む材料（Ｔａ２Ｏ５）、ハフニウム、酸素を含む材料（ＨｆＯ２）の酸素欠損を防止することができるので、その上に形成される層が、可視領域において透明な高透過率の高屈折率層が得られる。
珪素、錫、酸素を含む酸化物膜は、珪素、錫に酸素を含むターゲットを用いて、不活性ガス雰囲気、又は不活性ガスと酸素ガスの混合ガス雰囲気でスパッタリングして形成する方法や、珪素、錫を含むターゲットを用いて、不活性ガスと酸素ガスの混合ガス雰囲気で反応性スパッタリングにより形成される。珪素、錫、酸素を含む酸化物膜は、珪素、錫を含むターゲットを用いて、不活性ガスと酸素ガスの混合ガス雰囲気で反応性スパッタリングにより形成することが好ましい。
チタン、ニオブ、タンタル、ハフニウムから選ばれる１種の元素と酸素を含む酸化物膜は、チタン、酸素を含む材料からなる膜（酸化チタン膜）、ニオブ、酸素を含む材料からなる膜（酸化ニオブ膜）、タンタル、酸素を含む材料からなる膜（酸化タンタル膜）、ハフニウム、酸素を含む材料からなる膜（酸化ハフニウム膜）で、それぞれ、チタンを含む材料（例えば、ＴｉＯ２又はＴｉＯ２−ＸあるいはＴｉ）、ニオブを含む材料（例えば、Ｎｂ２Ｏ５又はＮｂ２Ｏ５−ＸあるいはＮｂ）、タンタルを含む材料（例えば、Ｔａ）、ハフニウムを含む材料（例えば、ＨｆＯ２又はＨｆＯ２−ＸあるいはＨｆ）をターゲットとして用いて、不活性ガス雰囲気、又は不活性ガスと酸素ガスの混合ガス雰囲気でスパッタリング又は反応性スパッタリングにより形成される。
チタン、酸素を含む材料からなる膜、ニオブ、酸素を含む材料からなる膜は、ＴｉＯ２又はＴｉＯ２−Ｘ等のチタンと酸素を含む材料、Ｎｂ２Ｏ５又はＮｂ２Ｏ５−Ｘ等のニオブと酸素を含む材料をターゲットとして用いて、不活性ガス雰囲気、又は不活性ガスと酸素ガスの混合ガス雰囲気でスパッタリングにより形成することが好ましい。酸化チタン膜、酸化ニオブ膜中に含まれる酸素不足を防止するためである。
また、タンタル、酸素を含む材料からなる膜、ハフニウム、酸素を含む材料からなる膜は、Ｔａ、Ｈｆをターゲットとして用いて、不活性ガスと酸素ガスの混合ガス雰囲気でスパッタリングにより形成することが好ましい。
珪素、酸素を含む材料からなる膜（酸化珪素膜）は、珪素を含む材料（例えば、Ｓｉ、ＳｉＣ、ＳｉＯ２から選ばれる少なくとも１つを含む）をターゲットとして用いて、不活性ガス雰囲気、又は不活性ガスと酸素ガスの混合ガス雰囲気でスパッタリング又は反応性スパッタリングにより形成される。珪素、酸素を含む材料からなる膜は、珪素を含む材料（ＳｉＣ、ＳｉＯ２から選ばれる少なくとも１つを含む）をターゲットとして用いて、不活性ガスと酸素ガスの混合ガス雰囲気で反応性スパッタリングにより形成することが好ましい。酸化珪素膜中に含まれる酸素不足を防止するためである。
また、スパッタ方式としては、直流（ＤＣ）スパッタ、高周波（ＲＦ）スパッタ等があるが、膜質が均質で良好な膜を得るため、また、特に、投射型液晶プロジェクタで要求される欠陥品質（１０μｍ以上の欠陥（異物やピンホール）がないこと）を満足させるためには、直流（ＤＣ）スパッタタが好ましい。直流（ＤＣ）スパッタでスパッタリングするターゲットとしては、珪素、錫、酸素を含む酸化物膜を成膜するときには、珪素、錫からなる（Ｓｉ−Ｓｎ）ターゲットを使用し、酸化チタン膜、酸化ニオブ膜、酸化タンタル膜、酸化ハフニウム膜を成膜するときには、それぞれ、ＴｉＯ２又はＴｉＯ２−Ｘ、Ｎｂ２Ｏ５又はＮｂ２Ｏ５−Ｘ、Ｔａ、Ｈｆのターゲットを使用し、酸化珪素膜を成膜するときには、ＳｉＣ（炭化珪素）、Ｓｉ−ＳｉＣのターゲットを使用することが好ましい。
酸素ガスは、酸素ガス単体以外に各膜における屈折率が上記範囲内に収まるのであれば、他の成分を含有させても良い。他の成分としては、窒素、炭素などが挙げられる。この場合、ＮＯガス（一酸化窒素）、Ｎ２Ｏ（一酸化二窒素）、ＮＯ２（二酸化窒素）、ＣＯ２（二酸化炭素）などの酸化性のガスを使用することもできる。
また、上述の各層（中屈折率層、高屈折率層、低屈折率層）は、複数枚のターゲットを使用して成膜することが好ましい（構成３）。
スループットが上がり生産性が向上するだけでなく、各ターゲットで成膜する際のスパッタパワーが抑えられ、さらに酸化物膜を成膜する際の酸素ガスの量を抑える事ができるので、アーキング等によるパーティクルなどの欠陥を防止することができる。
また、上述の反射防止膜は、透明基板側から屈折率が１．６〜１．８、幾何学的膜厚保が６０〜９０ｎｍの中屈折率層、屈折率が２．１〜２．８、幾何学的膜厚が９０〜１３０ｎｍの高屈折率層、屈折率が１．４〜１．４６、幾何学的膜厚が８０〜１００ｎｍの低屈折率層とを有する積層膜とする（構成４）。
このような膜構成とすることにより、液晶パネル用防塵用基板や、固体撮像素子用カバーガラスなどに使用する反射防止膜付き基板で求められる所望の光学特性を満足することができる。具体的には、液晶パネル用防塵用基板の場合、可視領域（４３０ｎｍ〜６５０ｎｍ）において、０．５％以下の低反射率（反射防止膜側の片面の反射率）、固体撮像素子用カバーガラスの場合、可視領域（４３０ｎｍ〜６５０ｎｍ）において、１％以下の低反射率（反射防止膜及びガラス基板による両面の反射率）を得ることが可能となる。
中屈折率層、高屈折率層、低屈折率層の具体的な材料としては、前記中屈折率層が、珪素、錫、酸素を含む材料（ＳｉＸＳｎＹＯＺ）とし、前記高屈折率層が、チタン、、酸素を含む材料（ＴｉＯ２）、ニオブ、酸素を含む材料（Ｎｂ２Ｏ５）、タンタル、酸素を含む材料（Ｔａ２Ｏ５）、ハフニウム、酸素を含む材料（ＨｆＯ２）から選ばれる材料とし、前記中屈折率層が、珪素、酸素を含む材料（ＳｉＯ２）ととする（構成５）。
【０００７】
本発明において、透明基板は、使用する波長領域において高い透過率を有する材料であれば良く、液晶パネルや固体撮像素子は可視領域で使用するため、一般にガラスが用いられる。ガラスは、液晶パネル用防塵用基板や、固体撮像素子用カバーガラスなどで求められる所望の光学特性を満足するためには、屈折率が１．４６〜１．５３とすることが好ましい（構成６）。例えば、液晶パネル用防塵用基板では、石英ガラス、ガラスセラミックス、無アルカリガラスなどが、固体撮像素子用カバーガラスでは、ガラスセラミックス、無アルカリガラス、ホウ珪酸ガラス、近赤外吸収ガラスなどが使用される。
液晶パネル用防塵用基板の場合は、液晶パネルに使用する対向基板として石英ガラスが用いられることが一般的で、その場合、対向基板と同じ材料である石英ガラス、又は熱膨張係数が小さいガラスセラミックスが好ましい。平均熱膨張係数が−５×１０−７／℃〜＋５×１０−７／℃のガラスセラミックスとしては、β−石英系固溶体を含む結晶相を有するガラスセラミックスが挙げられる。例えば、ＳｉＯ２が５５〜７０モル％、Ａｌ２Ｏ３が１３〜２３モル％、アルカリ金属酸化物が１１〜２１モル％（但し、Ｌｉ２Ｏが１０〜２０モル％で、Ｎａ２ＯとＫ２Ｏの合計量が０．１〜３モル％）、ＴｉＯ２が０．１〜４モル％及びＺｒＯ２が０．１〜２モル％含むと共に、前記各成分の合計含有量が９５モル％以上であって、ＢａＯが０〜０．２モル％未満、Ｐ２Ｏ５が０〜０．１モル％未満、Ｂ２Ｏ３が０〜０．３モル％未満、ＳｎＯ２が０〜０．１モル％未満のガラス組成を有するガラスセラミックス用母材ガラスに熱処理を施し、β−石英系固溶体を含む結晶相を析出させたガラスセラミックスが挙げられる。
固体撮像素子用カバーガラスの場合は、カバーガラスから放出されるα線により発生するソフトエラーを防止するために、Ｕ（ウラン）やＴｈ（トリウム）などの放射線同位元素の量を低減したガラス材料が好ましく、ＵやＴｈの含有量が共に５ｐｐｂ以下であるホウ珪酸ガラスが好ましい。ホウ珪酸ガラスとしては、例えば、ＳｉＯ２が５０〜７８モル％、Ｂ２Ｏ３が５〜２５モル％、Ａｌ２Ｏ３が０〜８モル％、Ｌｉ２Ｏが０〜５モル％、Ｎａ２Ｏが０〜１８モル％及びＫ２Ｏが０〜２０モル％（但し、Ｌｉ２Ｏ＋Ｎａ２Ｏ＋Ｋ２Ｏが５〜２０モル％）含有し、上記成分の含有量が少なくとも８０モル％以上のガラス組成を有するものが挙げられる。
また、反射防止膜が形成される側のガラス基板表面の表面粗さは、中心線平均粗さＲａで０．５ｎｍ以下にする（構成７）ことにより、上述の光学特性（反射率、透過率）をさらに向上させることができる。
ガラス基板表面に形成する珪素、錫、酸素を含む材料（ＳｉＸＳｎＹＯＺ）は、上述に挙げた酸化物に比べてスパッタリングの成膜レートが速い。そのため、形成された膜の表面粗さは大きくなる傾向にある。従って、ガラス基板表面の表面粗さが大きい（中心線平均粗さＲａが０．５ｎｍを超える）場合、珪素、錫、酸素を含む材料（ＳｉＸＳｎＹＯＺ）の酸化物膜の表面粗さが増長され、結果的に反射防止膜の表面粗さが大きくなるので、光学特性が劣化する。
ガラス基板は、平均粒径が１μｍ以下の酸化セリウム、酸化ジルコニウム、コロイダルシリカなどの研磨剤を使って精密研磨することにより、中心線平均粗さＲａを０．５ｎｍ以下にすることができる。
ガラス基板の中心線平均粗さＲａは、好ましくは、０．３ｍｍ以下、さらに好ましくは、０．１５ｍｍ以下とすることが望ましい。
また、高屈折率層と低屈折率層との間に、透明導電膜を形成する（構成８）ことにより、導電性を有する反射防止膜付き基板とすることができる。透明導電膜としては、インジウム・錫酸化物（ＩＴＯ）（屈折率：２．０５）やインジウム・セリウム酸化物（屈折率：２．０５〜２，３０（酸化セリウムの含有量により変化））等を使用することができる。これらの透明導電膜はスパッタリング法により形成することができ、ターゲットとしては、Ｉｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２やＩｎ２Ｏ３−ＣｅＯ２等を使用することができる。
【０００８】
【実施例】
（実施例１）
図１は本発明の液晶パネル用防塵基板を説明するための図であり、図２は本発明の反射防止膜付き基板（液晶パネル用防塵基板、固体撮像素子用カバーガラス）を製造するためのインライン型スパッタリング装置を説明するための図である。
以下、図１、図２を用いて本発明の液晶パネル用防塵基板及びその製造方法を説明する。
本実施例において、図１に示すように液晶パネル用防塵基板は、中心線平均粗さＲａで０．５ｎｍ以下（原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）で測定）に精密研磨された石英ガラス（屈折率ｎ＝１．４６）からなる透明基板１上に、珪素、錫、酸素を含む材料からなる中屈折率層２（ＳｉＸＳｎＹＯＺ）、酸化チタンからなる高屈折率層３（ＴｉＯ２）、酸化珪素からなる低屈折率層４（ＳｉＯ２）を順次積層されて構成される。中屈折率層、高屈折率層、低屈折率層の屈折率と膜厚は、中屈折率層が屈折率ｎｍ＝１．７、膜厚ｄｍ＝７７ｎｍ、高屈折率層が屈折率ｎｈ＝２．４、膜厚ｄｈ＝１１０ｎｍ、低屈折率層が屈折率ｎｌ＝１．４６、膜厚ｄｌ＝９０ｎｍである。
次に、本実施例の液晶パネル用防塵基板の製造方法を、図２を用いて説明する。予め研削、研磨加工を施した大きさ２００ｍｍ×２００ｍｍ、厚さ１．１ｍｍ、中心線平均粗さＲａが０．５ｎｍ以下（原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）で測定）の石英ガラス基板１を基板ホルダ（パレット）５に装着し、図２に示すインライン型ＤＣマグネトロンスパッタリング装置６の仕込室７にパレット５を導入した後、仕込室内を大気状態からスパッタ室（真空チャンバー）８の真空度と同等になるまで真空排気する。その後、仕切板９を開放してパレットを真空チヤンバー内に導入する。パレットを所定の搬送速度で移動させ、パレットの搬送方向に沿って配置された放電状態にある中屈折率層用ターゲット１０、高屈折率層用ターゲット１１、低屈折率層用ターゲット１２を通過させる。尚、各ターゲットの材料は、中屈折率層用ターゲット１０：Ｓｉ−Ｓｎ（Ｓｉ：５０ａｔ％、Ｓｎ：５０ａｔ％）、高屈折率層用ターゲット１１：ＴｉＯ２−Ｘ、低屈折率層用ターゲット１２：Ｓｉ−ＳｉＣとした。これらのターゲットはパレットの搬送方向に向かってこの順で配置されており、この配置されたターゲットの順番通りに石英ガラスの表面上に、中屈折率層（ＳｉＸＳｎＹＯＺ、屈折率１．７、膜厚７７ｎｍ）、高屈折率層（ＴｉＯ２、屈折率２．４、膜厚１１０ｎｍ）、低屈折率層（ＳｉＯ２、屈折率１．４６、膜厚９０ｎｍ）の順で積層される。次に、予め真空チャンバーとほば同じ真空度に真空排気された取出室１３側の仕切板１４を開放してパレットを取出室１３に搬送する。尚、成膜は真空チャンバー内の雰囲気を、アルゴンガスと酸素ガスの混合ガス雰囲気として行った。
このようにして、石英ガラス基板１上に中屈折率層２、高屈折率層３、低屈折率層４からなる反射防止膜が形成された反射防止膜付き石英ガラス基板を得る。
次に、この基板を、大きさ２５ｍｍ×１８ｍｍに切断して本実施例の液晶パネル用防塵基板を得た。
この得られた液晶パネル用防塵基板の可視領域（４３０〜６５０ｎｍ）における透過率と反射率を測定したところ、透過率は９６％以上（反射防止膜とガラス基板による透過率）（尚、反射防止膜の透過率は９９．６％以上）、反射率は０．４％以下（反射防止膜面側の片面の反射率）と光学的特性は良好であり、反射防止膜中に大きさが１０μｍ以上の欠陥（異物やピンホールなど）は発見されなかった。
また、得られた液晶パネル用防塵基板について膜付着力を評価するため、プレッシャークッカー試験（１．２気圧、１２０℃、１０００時間の環境下に放置）を行った。その結果、プレッシャークッカー試駿後での膜剥れは認められなった。これは、反射防止膜の各層間に不要な酸化膜が形成されずに反射防止膜が形成されたからと考えられる。
【０００９】
（参考例）
３台の静止対向型のスパッタリング装置を用意し、それぞれのスパッタリング装置に、中屈折率層用ターゲット（Ｓｉ−Ｓｎ（Ｓｉ：５０ａｔ％、Ｓｎ：５０ａｔ％））、高屈折率層用ターゲット（ＴｉＯ２−Ｘ）、低屈折率層用ターゲット（ＳｉＯ２）をセットし、石英ガラス基板上に順に、中屈折率層（ＳｉＸＳｎＹＯＺ、屈折率１．７、膜厚７７ｎｍ）、高屈折率層（ＴｉＯ２、屈折率２．４、膜厚１１０ｎｍ）、低屈折率層（ＳｉＯ２、屈折率１．４６、膜厚９０ｎｍ）を成膜した。尚、成膜は真空チャンバー内の雰囲気を、アルゴンガスと酸素ガスの混合ガス雰囲気とし、中屈折率層及び高屈折率層は直流（ＤＣ）スパッタで、低屈折率層は高周波（ＲＦ）スパッタでスパッタリングした。また、石英ガラス基板の各スパッタリング装置間の移動は大気中で搬送した。
この得られた液晶パネル用防塵基板の可視領域（４３０〜６５０ｎｍ）における透過率と反射率を測定したところ、透過率は９５％以上（反射防止膜とガラス基板による透過率）（尚、反射防止膜の透過率は９９．５％以上）、反射率は０．５％以下（反射防止膜面側の片面の反射率）と光学的特性は良好であり、反射防止膜中に大きさが１０μｍ以上の欠陥（異物やピンホールなど）は発見されなかった。
また、得られた液晶パネル用防塵基板についてプレッシャークッカー試験（１．２気圧、１２０℃、１０００時間の環境下に放置）を行った。その結果、プレッシャークッカー試駿後での膜剥れが発生したサンプルもあった。これは、反射防止膜の各層を成膜する間に基板を大気中に一旦出したため、各層間に不要な酸化膜が形成されたからと考えられる。
上述の実施例１、２の結果から、反射防止膜の膜付着力を良好にするには、反射防止膜は、インライン型スパッタリング装置によって連続的に成膜する方が良いことがわかる。
【００１０】
（実施例２〜３）
上述の実施例１において、高屈折率用ターゲット１１をＮｂ２Ｏ５−Ｘ（実施例２）、Ｔａ（実施例３）とし、さらに、形成される高屈折率層の屈折率に合わせて中屈折率層用ターゲット１０の材料におけるＳｉ、Ｓｎの比率を適宜変化させて各層を形成した以外は実施例１と同様にして液晶パネル用防塵基板を作製した。尚、実施例３、４の液晶パネル用防塵基板の膜構成は、石英ガラス／中屈折率層（ＳｉＸＳｎＹＯＺ、屈折率１．６９、膜厚７７ｎｍ）／高屈折率層（Ｎｂ２Ｏ５、屈折率２．３５、膜厚１１１ｎｍ）／低屈折率層（ＳｉＯ２、屈折率１．４６、膜厚８９ｎｍ）（実施例２）、石英ガラス／中屈折率層（ＳｉＸＳｎＹＯＺ、屈折率１．６５、膜厚７９ｎｍ）／高屈折率層（Ｔａ２Ｏ５、屈折率２．１５、膜厚１２１ｎｍ）／低屈折率層（ＳｉＯ２、屈折率１．４６、膜厚８９ｎｍ）（実施例３）とした。
この得られた液晶パネル用防塵基板の可視領域（４３０ｎｍ〜６５０ｎｍ）における透過率と反射率を測定したところ、透過率は９６％以上（反射防止膜とガラス基板による透過率）（尚、反射防止膜の透過率は９９．６％以上）、反射率は０．４％以下（反射防止膜面側の片面の反射率）と光学的特性は良好であり、反射防止膜中に大尊書が１ｍ以上の欠陥（異物やピンホールなど）は発見されなかった。
また、得られた液晶パネル用防塵基板について膜付着力を評価するため、プレッシャークッカー試験（１．２気圧、１２０℃、１０００時間の環境下に放置）を行った。その結果、プレッシャークッカー試験後での膜剥れは認められなかった。これは、反射防止膜の各層間に不要な酸化膜が形成されずに形成されたからと考えられる。
【００１１】
（実施例４）
上述の実施例２において、各中屈折率層用ターゲット、高屈折率層用ターゲット、低屈折率層用ターゲットをそれぞれ２枚ずつ配置した以外は、実施例２と同様の膜構成からなる液晶パネル用防塵基板を作製した。尚、このときの成膜条件は、実施例２と比べてスパッタパワーは半分、酸素濃度で２〜１０％低減した状態で反射防止膜を成膜することができた。
その結果、得られた液晶パネル用防塵基板の可視領域（４３０ｎｍ〜６５０ｎｍ）における透過率と反射率は、実施例２と同じ結果で光学的特性は良好であり、反射防止膜中における大きさが１０μｍ以上の欠陥（異物やピンホールなど）も発見されなかった。また、膜付着力も同様の試験にて評価したところ、膜剥れは認められなかった。
尚、実施例２と実務例４の１０μｍ以下（約１μｍ〜１０μｍ）の欠陥の個数を調べたところ、実施例４は実施例２に比べて欠陥の個数が７５％低減した。
【００１２】
（比較例１）
実施例１における反射防止膜を、真空蒸着法により石英ガラス基板側から、酸化アルミニウム膜（Ａｌ２Ｏ３）、酸化ジルコニウム膜（ＺｒＯ２）、弗化マグネシウム膜（ＭｇＦ２）を形成して、液晶パネル用防塵基板を作製した。尚、酸化アルミニウム膜の膜厚は８３ｎｍ、酸化ジルコニウム膜の膜厚は１３２ｎｍ、弗化マグネシウム膜の膜厚は９８ｎｍとした。
この得られた液晶パネル用防塵基板に形成された反射防止膜を確認したところ、反射防止膜中に真空蒸着特有の大ききが１０μｍ以上の異物やピンホールが多数確認され、また、可視領域（４３０〜６５０ｎｍ）における透過率と反射率を測定したところ、透過率は９４％程度（反射防止膜とガラス基板による透過率）（尚、反射防止膜の透過率は９９．４％程度）、反射率は０．６％程度（反射防止膜面側の片面の反射率）のサンプルがあり、液晶パネル用防塵基板の光学特性を満足しないものがあった。
また、得られた液晶パネル用防塵基板についてプレッシャークッカー試験（１．２気圧、１２０℃、１０００時間の環境下に放置）を行った。その結果、プレッシャークッカー試験後での膜剥れが発生したサンプルもあった。
【００１３】
（投影型液晶プロジェクター用液晶パネルの作製例）
以下に、上記で作製した本実施例の防塵基板と、別途作製した液晶パネル用対向基板等とを組み立てて、投影型液晶プロジェクター用液晶パネルを作製する例について説明する。
一般に、液晶用表示装置に用いられる液晶パネルは、液晶層と、液晶層を挟んで互いに対向して設けられ、液晶層を保持・駆動するための、駆動基板及び対向基板を有している。駆動基板は、基板と、基板上に設けられた画素電極と画素電極に接続されたスイッチング素子を有している。一方、対向基板は、透光性基板と、この透光性基板上の画素電極と対向する位置に設けられた対向電極を備えている。液晶層は、これらの駆動基板、対向基板の間に配向膜を介して保持され、画素電極と対向電極との間に印加される電圧により駆動される。
【００１４】
ここで、対向基板側から入射した光は、前記画素電極及び対向電極により制御される液晶層の配向によって、各画素ごとに透過率が制御され、所定の画像を形成する。更に、上述した液晶パネルにおいては、放熱の目的及び液晶パネルに塵などが付着した場合の画質劣化を防止するために、駆動基板と対向基板のうち少なくとも１つの外側に、防塵基板として、所定の厚さの透光性基板が接合される場合がある。
本液晶パネルの作製例では、駆動基板と対向基板の双方の外側に、防塵基板として、上記実施例で作製した防塵基板を用いた。
図３は、防塵基板を備えた液晶パネルの構造の１例を示す模式図であって、本作製例においては、液晶パネル１００の対向基板２０と駆動基板３０の双方の外側に、防塵基板４０ａ、４０ｂを接合した。
【００１５】
まず、対向基板２０について説明する。
対向基板２０は、透光性基板２１上に対向電極２３が設けられた構造をしている。また、必要に応じて、駆動基板３０に形成されたスイッチング素子３３に入射光が入射するのを防止するための遮光層２２が駆動基板のスイッチング素子３３に対向する位置にマトリックス状に設けられる。
この遮光層２２は、通常、入射光を遮光する材料であれば良い。遮光層としては、遮光層が吸収する熱によって液晶パネルの誤作動を防止するために、光の入射側は高反射率膜であることが好ましい。さらに、液晶層内の迷光を防止するために、駆動基板側は低反射率膜であることが好ましい。より好ましくは、遮光層２２は、光の入射側に高反射率膜、駆動基板側に低反射率膜を積層した積層膜とすることが望ましい。この遮光層は、公知のフォトリソグラフィー法等により、透光性基板２１上に形成することができる。
透光性基板２１上の対向電極２３は、駆動基板３０の画素電極３２と共に、液晶層５０の配向を制御する。この対向電極２３は入射光に対して透明でかつ導電性を有する材料、例えば透明導電膜で形成される。可視光に対して透明でかつ導電性を有する材料としてはＩＴＯ膜が挙げられ、これらの透明導電膜は公知の方法にて形成される。
なお、入射光を有効に画素領域に入射させるため、対向基板２０の光入射側の面に、マイクロレンズアレイが形成された基板を用いてもよい。この場合、マイクロレンズアレイが形成された基板と、防塵基板とは、接着剤（熱硬化樹脂等）で接合される。
また、必要に応じて、対向基板にカラーフィルタを設けてもよく、この場合カラー表示が可能となる。
【００１６】
次に、防塵基板４０ａ，４０ｂについて説明する。
防塵基板４０ａ，４０ｂは、放熱、及び対向基坂２０や駆動基板３０に付着した塵などによる画質の抵下を防止するため、対向基板２０あるいは駆動基板３０の外側に接合される。この防塵基板４０ａ，４０ｂは、透明基板４１ａ，４１ｂ上に、それぞれ、上記実施例１〜４で作製した、中屈折率層（ＳｉＸＳｎＹＯＺ）、酸化ニオブからなる高屈折率層（Ｎｂ２Ｏ５）や酸化タンタルからなる高屈折率層（Ｔａ２Ｏ５）、酸化珪素からなる低屈折率層（ＳｉＯ２）を順次積層されて構成される反射防止膜４２ａ，４２ｂが設けられた構造をしている。
なお、防塵基板４０ａ，４０ｂは、対向基板２０及び駆動基板３０のいずれか一方の外側に設けることもできる。
また、駆動基板３０のスイッチング素子を駆動する配線への光の入射を防止するため、防塵基板の外周部に所定の幅の遮光膜を設けることができる。
【００１７】
なお、本発明の液晶パネル用防塵基板は、反射型プロジェクタ等、反射型の液晶パネルにも使用することができる。
【００１８】
また、上記実施例１〜４では、防塵基板用の透明基板として石英ガラス基板を用いたが、図３に示す透明基板４１ａ，４１ｂとして、石英ガラス基板の代替材料として各種特性に優れるガラスセラミックスを使用することができる。
このような、ガラスセラミックスとしては、β−石英系固溶体を含む結晶相を有するガラスセラミックスが挙げられる。例えば、ＳｉＯ２が５５〜７０モル％、Ａｌ２Ｏ３が１３〜２３モル％、アルカリ金属酸化物が１１〜２１モル％（但し、Ｌｉ２Ｏが１０〜２０モル％で、Ｎａ２ＯとＫ２Ｏの合計量が０．１〜３モル％）、ＴｉＯ２が０．１〜４モル％及びＺｒＯ２が０．１〜２モル％含むと共に、前記各成分の合計含有量が９５モル％以上であって、ＢａＯが０〜０．２モル％未満、Ｐ２Ｏ５が０〜０．１モル％未満、Ｂ２Ｏ３が０〜０．３モル％未満、ＳｎＯ２が０〜０．１モル％未満のガラス組成を有するガラスセラミックス用母材ガラスに熱処理を施し、β−石英系固溶体を含む結晶相を析出させたガラスセラミックスが挙げられる。
このガラスセラミックスは、可視光領域における高い分光透過率（透明性）、低熱膨張特性を備えた、比重が小さく軽量なガラスセラミックス（比重が２．２以上２．５未満）であるので、高価な石英ガラスの代替材料として使用することができる。分光透過率（透明性）に関しては、厚さ５ｍｍに換算して、４００〜７５０ｎｍにおける分光透過率が７０％以上、及び／又は、厚さ１．１ｍｍに換算して４００〜７５０ｎｍにおける分光透過率が８５％以上である。また、熱膨張率が小さい（具体的には３０〜３００℃の範囲の温度における平均熱膨張係数が−５×１０−７／℃〜＋５×１０−７／℃）ので、耐熱衝撃性に優れる。また、軽量であるので、液晶パネルの軽量化に有利である上、ガラスセラミックス自体の生産性がよいため、低コストで得られる。従って、液晶プロジェクター用防塵基板材料として好適に用いられる。このガラスセラミックス基板は、他のガラスセラミックス基板と比較し、紫外線硬化に有用な３６５ｎｍ付近での透過率に優れているため、紫外線硬化樹脂による接合が可能である。
また、上記ガラスセラミックス用母材ガラスは、溶融温度が比較的低いので、一般的な光学ガラスの溶融炉を用いて極めて均質性の良い母材ガラスを得ることができるとともに、着色し難い組成に加えてガラス溶融中に容器や耐火物から着色の原因となる不純物が混入しにくいので、可視光領域における高い分光透過率、低熱膨張特性、低い比重のガラスセラミックスを比較的短時間の結晶化処理によって作製することができる。
上記ガラスセラミックス基板は、図３で説明した液晶パネルにおける対向基板２０としても好適に使用できる。
【００１９】
（実施例５）
図４は本発明の固体撮像素子用カバーガラスを説明するための図である。
以下、図４、図２を用いて本発明の固体撮像素子用カバーガラス及びその製造方法を説明する。
本実施例において、図４に示すように固体撮像素子用カバーガラスは、中心線平均粗さＲａで０．５ｍｍ以下（原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）で測定）に精密研磨されたホウ珪酸ガラス（屈折率ｎ＝１．５１）からなる透明基板１上に、珪素、錫、酸素を含む材料からなる中屈折率層２（ＳｉＸＳｎＹＯＺ）、酸化ニオブからなる高屈折率層３（Ｎｂ２Ｏ５）、酸化珪素からなる低屈折率層４（ＳｉＯ２）を順次積層されてなる。中屈折率層、高屈折率層、低屈折率層の屈折率と膜厚は、中屈折率層が屈折率ｎｍ＝１．７、膜厚ｄｍ＝７６ｎｍ、高屈折率層が屈折率ｎｈ＝２．３５、膜厚ｄｈ＝１１１ｎｍ、低屈折率層が屈折率ｍｌ＝１．４６、膜厚ｄｌ＝８９ｎｍである。
次に、本実施例の固体撮像素子用カバーガラスの製造方法を、図２を用いて説明する。予め研削、研磨加工を施した大きさ９０ｍｍ×９０ｍｍ、厚さ０．５ｍｍ、中心線平均粗さＲａが０．５ｎｍ以下（原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）で測定）の透明基板１を基破ホルダ（パレット）５に装着し、図２に示すインライン型ＤＣマグネトロンスバッタリング装置６の仕込室７にパレット５を導入した後、仕込室内を大気状態からスパッタ室（真空チャンバー）８の真空度と同等になるまで真空排気する。その後、仕切板９を開放してパレットを真空チャンバー内に導入する。パレットを所定の搬送速度で移動させ、パレットの搬送方向に沿って配置された放電状態にある中屈折率層用ターゲット１０、高屈折率層用ターゲット１１、低屈折率層用ターゲット１２を通過させる。尚、各ターゲットの材料は、中屈折率層用ターゲット１０：Ｓｉ−Ｓｎ（Ｓｉ：５０ａｔ％、Ｓｎ：５０ａｔ％）、高屈折率用ターゲット１１：Ｎｂ２Ｏ５−Ｘ、低屈折率層用ターゲット１２：Ｓｉ−ＳｉＣとした。これらのターゲットはパレットの搬送方向に向かってこの順で配置されており、この配置されたターゲットの順番通りに透明基板の表面上に、中屈折率層（ＳｉＸＳｎＹＯＺ、屈折率１．７、膜厚７７ｎｍ）、高屈折率層（Ｎｂ２Ｏ５、屈折率２．３５、膜厚１１１ｎｍ）、低屈折率層（ＳｉＯ２、屈折率１．４６、膜厚８９ｎｍ）の順で積層される。次に、予め真空チャンバーとほぼ同じ真空度に真空排気された取出室１３側の仕切板１４を開放してパレットを取出室１３に搬送する。尚、成膜は真空チャンバー内の雰囲気を、アルゴンガスと酸素ガスの混合ガス雰囲気として行った。
このようにして、透明基板１上に中屈折率層２、高屈折率層３、低屈折率層４からなる反射防止膜が形成された反射防止膜付き透明基板を得る。
次に、この基板を、大きさ６．５ｍｍ×５．６ｍｍに切断して本実施例の固体撮像素子用カバーガラスを得た。
この得られた固体撮像素子用カバーガラスの可視領域（４３０〜６３０ｎｍ）における透過率を測定したところ、透過率は９９％以上（反射防止膜及びガラス基板の透過率）、反射率は１％（反射防止膜及びガラス基板の両面の反射率）と光学的特性は良好であり、異物やピンホールは発見されなかった。
また、得られた固体撮像素子用カバーガラスについて膜付着力を評価するため、プレッシャークッカー試験（１．２気圧、１２０℃、１０００時間の環境下に放置）を行った。その結果、プレッシャークッカー試験後での膜剥れは認められなかった。これは、反射防止膜の各層間に不要な酸化膜が形成されずに形成されたからと考えられる。
（カバーガラスを使用した固体撮像装置の例）
以下に、上記で作製した本実施例のカバーガラスを使用した固体撮像装置の例について説明する。
図５は、カバーガラスを使用した固体撮像装置の断面図である。ベースプレート６１の上には、フレーム部材６２とチップ６３が搭載されている。そして、フレーム部材６２の上には、リード６４ａ、６４ｂ、フレーム部材６６、及びカバーガラス６７の順で接着されている。チップ６３の両側のリード６４ａ、６４ｂは、チップ６３の電極端子とボンディングワイヤ６５ａ、６５ｂで結線されている。
本実施例のカバーガラスは、反射防止膜が形成されているので、カバーガラス本来のチップを保護する効果に加え、受光面へ効率的に光を導入することができるという効果も有する。
【００２０】
（実施例６）
次に、導電性を有する反射防止膜付き基板について説明する。導電性を有する反射防止膜付き基板は、中心線平均粗さＲａで０．５ｎｍ以下（原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）で測定）に精密研磨された石英ガラス（屈折率ｎ＝１．４６）からなる透明基板１上に、珪素、錫、酸素を含む材料からなる中屈折率層（ＳｉＸＳｎＹＯＺ）、酸化ニオブからなる高屈折率層（Ｎｂ２Ｏ５）、インジウム・錫酸化物からなる透明導電膜（ＩＴＯ）、酸化珪素からなる低屈折率層（ＳｉＯ２）を順次積層されて構成される。中屈折率層、高屈折率層、透明導電膜、低屈折率層の屈折率と膜厚は、中屈折率層が屈折率ｎｍ＝１．７、膜厚ｄｍ＝１００ｎｍ、高屈折率層が屈折率ｎｈ＝２．３５、膜厚ｄｈ＝８０ｎｍ、透明導電膜が屈折率ｎｔ＝２．１、膜厚ｄｔ＝３０ｎｍ、低屈折率層が屈折率ｍｌ＝１．４６、膜厚ｄｌ＝１００ｎｍである。
導電性を有する反射防止膜付き基板は、インライン型スパッタリング装置に、中屈折率層用ターゲット：Ｓｉ−Ｓｎ（Ｓｉ：５０ａｔ％、Ｓｎ：５０ａｔ％）、高層折率層用ターゲット：Ｎｂ２Ｏ５−Ｘ、透明導電膜用ターゲット：Ｉｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２、低屈折率層用ターゲット：Ｓｉ−ＳｉＣをパレットの搬送力向に向かってこの順に配置し、アルゴンガスと酸素ガスの混合ガス雰囲気で成膜した。
その結果、この得られた導電性を有する反射防止膜付き基板の可視領域（４３０〜６５０ｎｍ）における反射率を測定したところ、０．６％以下（反射防止膜面側の片面の反射率）と光学的特性は良好であり、さらに、抵抗値は１００〜２００Ω／ｉｎｃｈ２と良好であった。
また、反射防止膜中における異物やピンホールも発見されず、上述と同様の膜付着力評価でも膜剥れは認められなかった。
尚、この導電性を有する反射防止膜付き基板は、その後、所定の大きさに切断して計測器等に使用する反射防止膜付き基板に適用することができる。
【００２１】
【発明の効果】
本発明によれば、厳しい環境下においても膜剥れのない膜付着力が良好な反射防止膜付き基板を提供することができる。
また、さらに上述の特性に加え、液晶パネル用防塵用基板や、固体撮像素子用カバーガラスなどに使用する反射防止膜付き基板に関し、それらの各用途で求められる所望の光学特性を満足する反射防止膜付き基板を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の液晶パネル用防塵基板を説明するための模式図である。
【図２】本発明の液晶パネル用防塵基板を製造するためのインライン型スパッタリング装置を説明するための模式図である。
【図３】防塵基板を備えた液晶パネルの構造の１例を示す模式図である。
【図４】本発明の固体撮像素子用カバーガラスを説明するための図である。
【図５】本発明の固体撮像素子用カバーガラスを備えた固体撮像装置の構造を説明するための図である。
【図６】防塵基板の作用を説明するための模式図である。
【符号の説明】
１　　透明基板
２　　中屈折率層
３　　高屈折率層
４　　低屈折率層
４１ａ　防塵基板
４１ｂ　　防塵基板
４２ａ　反射防止膜
４２ｂ　　反射防止膜
１００　液晶パネル
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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