(57)【要約】【課題】エッチング特性が考慮されたシミュレーションベースによる光近接効果の補正を行う。【解決手段】エッチングパターンＥＰを参照し、処理対象パターンＭＰ１に対応したエッチングパターンＥＰが得られるように、処理対象パターンＭＰ１をルールべースで補正した後、ルールべースで補正された処理対象パターンＭＰ３をシミュレーションベースで補正することにより、エッチングプロセスを考慮して光近接効果補正されたマスクパターンＭＰ４を生成する。【選択図】      図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
エッチング特性を考慮してルールベースで補正されたパターンを対象としてハンマーヘッドが付加されたラインエンド領域と、
前記エッチング特性を考慮してルールベースで補正されたパターンを対象としてセリフが付加されたコーナー領域と、
前記エッチング特性を考慮してルールベースで補正されたパターンを対象としてバイアスが付加されたライン＆スペース領域とを備えることを特徴とする露光用マスク。
【請求項２】
処理対象パターンデータを入力するデータ入力手段と、
前記入力データに基づいて、前記処理対象パターンをシミュレーションベースで補正する第１シミュレーションベース補正手段と、
前記シミュレーションベースで補正された処理対象パターンを適用してエッチング処理されたエッチングパターンを参照するエッチングパターン参照手段と、
前記エッチングパターンの参照結果に基づいて、元の処理対象パターンをルールベースで補正するルールベース補正手段と、
前記ルールベースで補正された処理対象パターンをシミュレーションベースで補正する第２シミュレーションベース補正手段とを備えることを特徴とする光近接効果補正装置。
【請求項３】
処理対象パターンデータを入力するデータ入力手段と、
前記入力データに基づいて、前記処理対象パターンのラインエンド領域、コーナー領域およびライン＆スペース領域にハンマーヘッド、セリフおよびバイアスをそれぞれ付加する第１シミュレーションベース補正手段と、
前記ハンマーヘッド、セリフおよびバイアスがそれぞれ付加された処理対象パターンを適用してエッチング処理されたエッチングパターンを参照するエッチングパターン参照手段と、
前記エッチングパターンの参照結果に基づいて、元の処理対象パターンをルールベースで補正するルールベース補正手段と、
前記ルールベースで補正された処理対象パターンのラインエンド領域、コーナー領域およびライン＆スペース領域にハンマーヘッド、セリフおよびバイアスをそれぞれ付加する第２シミュレーションベース補正手段とを備えることを特徴とする光近接効果補正装置。
【請求項４】
処理対象パターンデータを入力するステップと、
前記入力データに基づいて、前記処理対象パターンをシミュレーションベースで補正するステップと、
前記シミュレーションベースで補正された処理対象パターンをマスクとしてフォトレジストの露光を行うことにより、レジストパターンをエッチング対象領域上に形成するステップと、
前記レジストパターンをマスクとして前記エッチング対象領域のエッチングを行うことにより、エッチングパターンを形成するステップと、
前記エッチングパターンの参照結果に基づいて、元の処理対象パターンをルールベースで補正するステップと、
前記ルールベースで補正された処理対象パターンをシミュレーションベースで補正するステップとを備えることを特徴とする光近接効果補正方法。
【請求項５】
処理対象パターンデータを入力するステップと、
前記入力データに基づいて、前記処理対象パターンのラインエンド領域、コーナー領域およびライン＆スペース領域にハンマーヘッド、セリフおよびバイアスをそれぞれ付加するステップと、
前記ハンマーヘッド、セリフおよびバイアスがそれぞれ付加された処理対象パターンをマスクとしてフォトレジストの露光を行うことにより、レジストパターンをエッチング対象領域上に形成するステップと、
前記レジストパターンをマスクとして前記エッチング対象領域のエッチングを行うことにより、エッチングパターンを形成するステップと、
前記エッチングパターンの参照結果に基づいて、元の処理対象パターンをルールベースで補正するステップと、
前記ルールベースで補正された処理対象パターンのラインエンド領域、コーナー領域およびライン＆スペース領域にハンマーヘッド、セリフおよびバイアスをそれぞれ付加するステップとを備えることを特徴とする光近接効果補正方法。
【請求項６】
エッチング対象領域上にフォトレジストを塗布する工程と、
エッチング特性が考慮されたシミュレーションベースによる光近接効果補正がされた露光用マスクを介して前記フォトレジストを露光する工程と、
前記露光されたフォトレジストを現像する工程と、
前記現像されたフォトレジストをマスクとして前記エッチング対象領域のエッチング処理を行う工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
処理対象パターンデータを取得するステップと、
前記取得データに基づいて、前記処理対象パターンをシミュレーションベースで補正するステップと、
前記シミュレーションベースで補正された処理対象パターンを適用してエッチング処理されたエッチングパターンを参照するステップと、
前記エッチングパターンの参照結果に基づいて、元の処理対象パターンをルールベースで補正するステップと、
前記ルールベースで補正された処理対象パターンをシミュレーションベースで補正するステップとをコンピュータに実行させることを特徴とする光近接効果補正プログラム。
【請求項８】
処理対象パターンデータを取得するステップと、
前記取得データに基づいて、前記処理対象パターンのラインエンド領域、コーナー領域およびライン＆スペース領域にハンマーヘッド、セリフおよびバイアスをそれぞれ付加するステップと、
前記ハンマーヘッド、セリフおよびバイアスがそれぞれ付加された処理対象パターンを適用してエッチング処理されたエッチングパターンを参照するステップと、
前記エッチングパターンの参照結果に基づいて、元の処理対象パターンをルールベースで補正するステップと、
前記ルールベースで補正された処理対象パターンのラインエンド領域、コーナー領域およびライン＆スペース領域にハンマーヘッド、セリフおよびバイアスをそれぞれ付加するステップとをコンピュータに実行させることを特徴とする光近接効果補正プログラム。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、露光用マスク、光近接効果補正（ＯＰＣ：Ｏｐｔｉｃａｌ  Ｐｒｏｘｉｍｉｔｙ  Ｃｏｒｒｅｃｔｉｏｎ）装置、光近接効果補正方法、半導体装置の製造方法および光近接効果補正プログラムに関し、特に、エッチング特性が考慮されたシミュレーションベースによる光近接効果の補正方法に適用して好適なものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来の光近接効果補正方法では、例えば、特許文献１に開示されているように、マスクプロセス、リソグラフィプロセスおよびエッチングプロセスなどのユニットプロセス群の一部に変更が生じた場合、変更が生じたユニットプロセスについての変更前および変更後の近接効果データに基づいてＯＰＣルール／モデルを新たに設定し、露光マスクの近接効果補正を行う方法がある。
【０００３】
【特許文献１】
特開２００２−３１８４４８号公報
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来の光近接効果補正方法では、エッチングプロセスによりエッチングパターンの寸法が変動する場合、エッチング後の測長結果に基づいてマスクパターンの合わせ込みが行われていた。このため、リソグラフィーマージンが確保されているかどうかの検証が困難であるとともに、試行錯誤を繰り返す必要があり、エッチング特性が考慮された光近接効果補正をシミュレーションベースで行うことが困難であるという問題があった。
【０００５】
そこで、本発明の目的は、エッチング特性が考慮されたシミュレーションベースによる光近接効果の補正を行うことが可能な露光用マスク、光近接効果補正装置、光近接効果補正方法、半導体装置の製造方法および光近接効果補正プログラムを提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上述した課題を解決するために、本発明の一態様に係る露光用マスクによれば、エッチング特性を考慮してルールベースで補正されたパターンを対象としてハンマーヘッドが付加されたラインエンド領域と、前記エッチング特性を考慮してルールベースで補正されたパターンを対象としてセリフが付加されたコーナー領域と、前記エッチング特性を考慮してルールベースで補正されたパターンを対象としてバイアスが付加されたライン＆スペース領域とを備えることを特徴とする。
【０００７】
これにより、光近接効果およびエッチング特性を考慮して補正されたマスクパターンを用いて、フォトリソグラフィーを行うことが可能となり、エッチングプロセスによりエッチングパターンの寸法が変動する場合においても、微細なエッチングパターンを精度よく形成することが可能となる。
また、本発明の一態様に係る光近接効果補正装置によれば、処理対象パターンデータを入力するデータ入力手段と、前記入力データに基づいて、前記処理対象パターンをシミュレーションベースで補正する第１シミュレーションベース補正手段と、前記シミュレーションベースで補正された処理対象パターンを適用してエッチング処理されたエッチングパターンを参照するエッチングパターン参照手段と、前記エッチングパターンの参照結果に基づいて、元の処理対象パターンをルールベースで補正するルールベース補正手段と、前記ルールベースで補正された処理対象パターンをシミュレーションベースで補正する第２シミュレーションベース補正手段とを備えることを特徴とする。
【０００８】
これにより、エッチングプロセスによるパターンの乖離を打ち消すことを可能としつつ、シミュレーションベースによる光近接効果の補正を行うことが可能となり、リソグラフィーマージンの確保を可能としつつ、微細なエッチングパターンを精度よく形成することが可能となる。
また、本発明の一態様に係る光近接効果補正装置によれば、処理対象パターンデータを入力するデータ入力手段と、前記入力データに基づいて、前記処理対象パターンのラインエンド領域、コーナー領域およびライン＆スペース領域にハンマーヘッド、セリフおよびバイアスをそれぞれ付加する第１シミュレーションベース補正手段と、前記ハンマーヘッド、セリフおよびバイアスがそれぞれ付加された処理対象パターンを適用してエッチング処理されたエッチングパターンを参照するエッチングパターン参照手段と、前記エッチングパターンの参照結果に基づいて、元の処理対象パターンをルールベースで補正するルールベース補正手段と、前記ルールベースで補正された処理対象パターンのラインエンド領域、コーナー領域およびライン＆スペース領域にハンマーヘッド、セリフおよびバイアスをそれぞれ付加する第２シミュレーションベース補正手段とを備えることを特徴とする。
【０００９】
これにより、エッチングプロセスによるパターンの乖離を打ち消すことを可能としつつ、ラインエンド領域、コーナー領域およびライン＆スペース領域にハンマーヘッド、セリフおよびバイアスをそれぞれ付加することが可能となり、リソグラフィーマージンの確保を可能としつつ、微細なエッチングパターンを精度よく形成することが可能となる。
【００１０】
また、本発明の一態様に係る光近接効果補正方法によれば、処理対象パターンデータを入力するステップと、前記入力データに基づいて、前記処理対象パターンをシミュレーションベースで補正するステップと、前記シミュレーションベースで補正された処理対象パターンをマスクとしてフォトレジストの露光を行うことにより、レジストパターンをエッチング対象領域上に形成するステップと、前記レジストパターンをマスクとして前記エッチング対象領域のエッチングを行うことにより、エッチングパターンを形成するステップと、前記エッチングパターンの参照結果に基づいて、元の処理対象パターンをルールベースで補正するステップと、前記ルールベースで補正された処理対象パターンをシミュレーションベースで補正するステップとを備えることを特徴とする。
【００１１】
これにより、エッチングパターンがレジストパターンに対して太ったり、細ったりする場合においても、エッチングパターンが規定の寸法に一致するように、シミュレーションベースによるマスクパターンの補正を行うことが可能となる。このため、エッチングプロセスをモデル化したシミュレータを構築することなく、エッチング特性が考慮されたシミュレーションベースによる光近接効果の補正を行うことが可能となり、微細なエッチングパターンを精度よく形成することが可能となる。
【００１２】
また、本発明の一態様に係る光近接効果補正方法によれば、処理対象パターンデータを入力するステップと、前記入力データに基づいて、前記処理対象パターンのラインエンド領域、コーナー領域およびライン＆スペース領域にハンマーヘッド、セリフおよびバイアスをそれぞれ付加するステップと、前記ハンマーヘッド、セリフおよびバイアスがそれぞれ付加された処理対象パターンをマスクとしてフォトレジストの露光を行うことにより、レジストパターンをエッチング対象領域上に形成するステップと、前記レジストパターンをマスクとして前記エッチング対象領域のエッチングを行うことにより、エッチングパターンを形成するステップと、前記エッチングパターンの参照結果に基づいて、元の処理対象パターンをルールベースで補正するステップと、前記ルールベースで補正された処理対象パターンのラインエンド領域、コーナー領域およびライン＆スペース領域にハンマーヘッド、セリフおよびバイアスをそれぞれ付加するステップとを備えることを特徴とする。
【００１３】
これにより、エッチングパターンがレジストパターンに対して太ったり、細ったりする場合においても、エッチングパターンが規定の寸法に一致するように、ラインエンド領域、コーナー領域およびライン＆スペース領域にハンマーヘッド、セリフおよびバイアスをそれぞれ付加することが可能となり、エッチングプロセスをモデル化したシミュレータを構築することなく、微細なエッチングパターンを精度よく形成することが可能となる。
【００１４】
また、本発明の一態様に係る半導体装置の製造方法によれば、エッチング対象領域上にフォトレジストを塗布する工程と、エッチング特性が考慮されたシミュレーションベースによる光近接効果補正がされた露光用マスクを介して前記フォトレジストを露光する工程と、前記露光されたフォトレジストを現像する工程と、前記現像されたフォトレジストをマスクとして前記エッチング対象領域のエッチング処理を行う工程とを備えることを特徴とする。
【００１５】
これにより、エッチング特性が考慮されたシミュレーションベースによる光近接効果補正がされた露光マスクを用いて、フォトリソグラフィーを行うことが可能となり、微細なエッチングパターンを精度よく形成することが可能となる。
また、本発明の一態様に係る光近接効果補正プログラムによれば、処理対象パターンデータを取得するステップと、前記取得データに基づいて、前記処理対象パターンをシミュレーションベースで補正するステップと、前記シミュレーションベースで補正された処理対象パターンを適用してエッチング処理されたエッチングパターンを参照するステップと、前記エッチングパターンの参照結果に基づいて、元の処理対象パターンをルールベースで補正するステップと、前記ルールベースで補正された処理対象パターンをシミュレーションベースで補正するステップとをコンピュータに実行させることを特徴とする。
【００１６】
これにより、光近接効果補正プログラムをコンピュータに実行させることで、エッチングプロセスによるパターンの乖離を打ち消すことを可能としつつ、シミュレーションベースによる光近接効果の補正を行うことが可能となり、微細なエッチングパターンを精度よく形成することが可能となる。
また、本発明の一態様に係る光近接効果補正プログラムによれば、処理対象パターンデータを取得するステップと、前記取得データに基づいて、前記処理対象パターンのラインエンド領域、コーナー領域およびライン＆スペース領域にハンマーヘッド、セリフおよびバイアスをそれぞれ付加するステップと、前記ハンマーヘッド、セリフおよびバイアスがそれぞれ付加された処理対象パターンを適用してエッチング処理されたエッチングパターンを参照するステップと、前記エッチングパターンの参照結果に基づいて、元の処理対象パターンをルールベースで補正するステップと、前記ルールベースで補正された処理対象パターンのラインエンド領域、コーナー領域およびライン＆スペース領域にハンマーヘッド、セリフおよびバイアスをそれぞれ付加するステップとをコンピュータに実行させることを特徴とする。
【００１７】
これにより、光近接効果補正プログラムをコンピュータに実行させることで、エッチングプロセスによるパターンの乖離を打ち消すことを可能としつつ、ラインエンド領域、コーナー領域およびライン＆スペース領域にハンマーヘッド、セリフおよびバイアスをそれぞれ付加することが可能となり、微細なエッチングパターンを精度よく形成することが可能となる。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態に係る光近接効果補正方法について図面を参照しながら説明する。
図１および図２は、本発明の第１実施形態に係る光近接効果補正方法を示す図である。なお、図１（ａ）は、処理対象パターンＭＰ１の一例を示す平面図、図１（ｂ）は、図１（ａ）の処理対象パターンＭＰ１に対してシミュレーション補正されたマスクパターンＭＰ２の一例を示す平面図、図１（ｃ）は、図１（ｂ）のマスクパターンＭＰ２が形成された露光マスクＭ１の構成を示す断面図、図１（ｄ）は、図１（ｂ）のマスクパターンＭＰ２を用いて形成されたレジストパターンＲＰを示す平面図、図１（ｅ）は、図１（ｄ）のレジストパターンＲＰが形成された半導体ウェハＷの構成を示す断面図である。
【００１９】
また、図２（ａ）は、図１（ｄ）のレジストパターンＲＰを用いて形成されたエッチングパターンＥＰを示す平面図、図２（ｂ）は、図２（ａ）のエッチングパターンＥＰが形成された半導体ウェハＷの構成を示す断面図、図２（ｃ）は、図２（ａ）のエッチングパターンＥＰを参照することにより、ルールベース補正された処理対象パターンＭＰ３の一例を示す平面図、図２（ｄ）は、図２（ｃ）の処理対象パターンＭＰ３に対してシミュレーション補正されたマスクパターンＭＰ４の一例を示す平面図、図２（ｅ）は、図２（ｄ）のマスクパターンＭＰ４が形成された露光マスクＭ２の構成を示す断面図である。
【００２０】
図１（ａ）において、処理対象パターンＭＰ１が与えられている。ここで、処理対象パターンＭＰ１は、処理対象パーツから構成することができ、処理対象パーツとしては、例えば、ラインエンド領域、コーナー領域およびライン＆スペース領域を挙げることができる。なお、ラインエンド領域は処理対象パターンＭＰ１の端部に相当し、コーナー領域は処理対象パターンＭＰ１のコーナー部（インコーナおよびアウトコーナーを含む。）に相当し、ライン＆スペース領域はラインエンド領域およびコーナー領域を除いた残りの領域に相当する。また、ライン＆スペース領域には、アイソレーションライン（単独の線状パターン）を含ませることができる。
【００２１】
そして、処理対象パターンＭＰ１が与えられると、図１（ｂ）に示すように、処理対象パターンＭＰ１のラインエンド領域、インコーナー領域、アウトコーナー領域およびライン＆スペース領域に、ハンマーヘッドＨ１、ネガセリフＮＳ１、ポジセリフＰＳ１およびバイアスＢＳ１をそれぞれ付加することにより、シミュレーション補正されたマスクパターンＭＰ２を生成する。
【００２２】
そして、シミュレーション補正されたマスクパターンＭＰ２が生成されると、図１（ｃ）に示すように、マスクパターンＭＰ２に対応した遮光部をガラス基板上に形成することにより、マスクパターンＭＰ２が設けられた露光マスクＭ１を形成することができる。
そして、図１（ｅ）に示すように、エッチング対象Ｅが成膜された半導体ウェハＷ上にフォトレジストを塗布し、マスクパターンＭＰ２が設けられた露光マスクＭ１を用いてフォトレジストの露光を行う。そして、露光されたフォトレジストの現像を行うことにより、エッチング対象Ｅが成膜された半導体ウェハＷ上にレジストパターンＲＰを形成する。ここで、図１（ｂ）のマスクパターンＭＰ２を用いてフォトレジストの露光を行うことにより、光近接効果が発生する場合においても、図１（ｄ）に示すように、図１（ａ）の処理対象パターンＭＰ１に対応したレジストパターンＲＰを半導体ウェハＷ上に形成することが可能となる。
【００２３】
なお、エッチング対象Ｅとしては、例えば、ゲート電極の材料となる多結晶シリコンやシリサイドなど、配線材料となるＡｌやＣｕやＴｉなど、バリアメタル膜の材料となるＴｉＮなど、絶縁膜の材料となる酸化珪素膜や窒化珪素膜などをあげることができる。
次に、図２（ｂ）に示すように、エッチング対象Ｅ上に形成されたレジストパターンＲＰをマスクとして、エッチング対象Ｅのエッチングを行うことにより、半導体ウェハＷ上にエッチングパターンＥＰを形成する。ここで、エッチング条件やレジストパターンＲＰの形状によっては、エッチングパターンＥＰの特定の箇所にエッチング残渣が付着して、エッチングパターンＥＰの特定の箇所が太ることがある。このため、図２（ａ）に示すように、レジストパターンＲＰのエッジＧ１に対し、エッチングパターンＥＰの特定の箇所のエッジＧ２が外側に移動する。
【００２４】
次に、図２（ｃ）に示すように、図２（ａ）のエッチングパターンＥＰを参照することにより、エッチングパターンＥＰの補正が必要な箇所を抽出する。そして、例えば、ｆ（ｘ）＝ａｘ２＋ｂｘ＋ｃ程度の２次関数を組み立て、図１（ａ）の処理対象パターンＭＰ１に対応したエッチングパターンＥＰが得られるように、図１（ａ）の処理対象パターンＭＰ１をルールベースで補正する。
【００２５】
例えば、図２（ａ）に示すように、エッチングパターンＥＰの特定の箇所が太ったために、レジストパターンＲＰのエッジＧ１に対し、エッチングパターンＥＰの特定の箇所のエッジＧ２が外側に移動したものとする。この場合、エッチングパターンＥＰのエッジＧ２をエッジＧ１に移動させるためには、レジストパターンＲＰのエッジＧ１を内側に移動させる必要がある。このため、図１（ａ）の処理対象パターンＭＰ１をルールベースで補正することにより、処理対象パターンＭＰ１のエッジＧ１´を内側に移動させ、エッジＧ３を有する処理対象パターンＭＰ３を生成する。
【００２６】
そして、処理対象パターンＭＰ３が生成されると、図２（ｂ）に示すように、処理対象パターンＭＰ３のラインエンド領域、インコーナー領域、アウトコーナー領域およびライン＆スペース領域に、ハンマーヘッドＨ２、ネガセリフＮＳ２、ポジセリフＰＳ２およびバイアスＢＳ２をそれぞれ付加することにより、シミュレーション補正されたマスクパターンＭＰ４を生成する。
【００２７】
そして、シミュレーション補正されたマスクパターンＭＰ４が生成されると、図２（ｅ）に示すように、マスクパターンＭＰ４に対応した遮光部をガラス基板上に形成することにより、マスクパターンＭＰ４が設けられた露光マスクＭ２を形成することができる。
これにより、エッチングパターンＥＰがレジストパターンＲＰに対して太ったり、細ったりする場合においても、エッチングパターンＥＰが規定の寸法に一致するように、ラインエンド領域、コーナー領域およびライン＆スペース領域にハンマーヘッドＨ２、セリフＮＳ２、ＰＳ２およびバイアスＢＳ２をそれぞれ付加することが可能となり、エッチングプロセスをモデル化したシミュレータを構築することなく、微細なエッチングパターンＥＰを精度よく形成することが可能となる。
【００２８】
なお、シミュレーションベース補正は、露光プロセスに伴う現象をモデル化したシミュレータを用いるもので、シミュレーションベース補正に関しては、例えば、Ｏｐｔｉｃａｌ／Ｌａｓｅｒ  Ｍｉｃｒｏｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ  ＶＩＩＩ，Ｖｏｌ  ２４４０，ＳＰＩＥ  Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ  ｏｎ  Ｍｉｃｒｏｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ  １９９５，ｐ２６１−２６９におけるＳａｔｏｍｉ  ＳｈｉｏｉｒｉらによるＦａｓｔ  ｏｐｔｉｃａｌ  ｐｒｏｘｉｍｉｔｙ  ｃｏｒｒｅｃｔｉｏｎ：ａｎａｌｙｔｉｃａｌ  ｍｅｔｈｏｄと題する論文に開示されている。
【００２９】
また、ルールベース補正は、予め求めた補正ルールに基づいて光近接効果補正を行う方法もので、ルールベース補正に関しては、例えば、Ｏｐｔｉｃａｌ／Ｌａｓｅｒ  Ｍｉｃｒｏｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ  ＶＩＩ，Ｖｏｌ  ２１９７，ＳＰＩＥ  Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ  ｏｎ  Ｍｉｃｒｏｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ  １９９４，ｐ２７８−２９３におけるＯｂｅｒｄａｎ  Ｗ．ＯｔｔｏらによるＡｕｔｏｍａｔｅｄ  ｏｐｔｉｃａｌ  ｐｒｏｘｉｍｉｔｙ  ｃｏｒｒｅｃｔｉｏｎ−ａ  ｒｕｌｅ−ｂａｓｅｄ  ａｐｐｒｏａｃｈと題する論文および第３６１ページから第３７０ページにおけるＲｉｃｈａｒｄ  Ｃ．Ｈｅｎｄｅｒｓｏｎらによるｃｏｒｒｅｃｔｉｎｇ  ｆｏｒ  ｐｒｏｘｉｍｉｔｙ  ｅｆｆｅｃｔ  ｗｉｄｅｎｓ  ｐｒｏｃｅｓｓ  ｌａｔｉｔｕｄｅと題する論文に開示されている。
【００３０】
図３は、本発明の第１実施形態に係る光近接効果補正方法を示すフローチャートである。
図３において、光近接効果補正の対象となる処理対象パターンＭＰ１が入力されると（ステップ１）、処理対象パターンＭＰ１をシミュレーションベース（モデルベース）で補正する（ステップ２）。そして、シミュレーションベースで補正された処理対象パターンＭＰ１が生成されると、処理対象パターンＭＰ１が形成された露光マスクＭ１を用いてフォトリソグラフィーを行う（ステップ３）。そして、フォトリソグラフィーにより形成されたレジストパターンＲＰをマスクとしてエッチング処理を行うことにより、エッチングパターンＥＰを形成する（ステップ４）。
【００３１】
次に、エッチングパターンＥＰを参照し、処理対象パターンＭＰ１に対応したエッチングパターンＥＰが得られるように、処理対象パターンＭＰ１をルールべースで補正する（ステップ５）。そして、ルールべースで補正された処理対象パターンＭＰ３をシミュレーションベースで補正することにより、エッチングプロセスを考慮して光近接効果補正されたマスクパターンＭＰ４を生成する（ステップ６）。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１実施形態に係る光近接効果補正方法を示す図。
【図２】第１実施形態に係る光近接効果補正方法を示す図。
【図３】第１実施形態に係る光近接効果補正方法を示すフローチャート。
【符号の説明】
Ｍ１、Ｍ２  露光マスク、ＭＰ１、ＭＰ２  処理対象パターン、ＭＰ２、ＭＰ４  マスクパターン、Ｈ１、Ｈ２  ハンマーヘッド、ＮＳ１、ＮＳ２  ネガセリフ、ＰＳ１、ＰＳ２  ポジセリフ、ＢＳ１、ＢＳ２  バイアス、Ｗ  ウェハ、ＲＰ１、ＲＰ２  レジストパターン、Ｅ  エッチング対象、ＥＰ  エッチングパターン、Ｇ１〜Ｇ３、Ｇ１´  エッジ
【図１】
2004341158.tif 000003
【図２】
2004341158.tif 000004
【図３】
2004341158.tif 000005