(57)【要約】【課題】無機材料からなる記録層を有し、波長が３８０ｎｍ〜４５０ｎｍであるレーザビームを用いてデータの記録を行うことが可能であり、且つ、光学特性や記録層の保護特性に優れた誘電体層を備える追記型の光記録媒体を提供する。【解決手段】無機材料からなる記録層１４と、記録層１４に隣接して設けられた誘電体層１３，１５を備え、波長が３８０ｎｍ〜４５０ｎｍのレーザビームを記録層１４に照射することによってデータの追記が可能であり、誘電体層１３，１５がＴａ２Ｏ５，Ａｌ２Ｏ３，ＳｉＯ２，ＴｉＯ２，ＧｅＯ２，Ｎｂ２Ｏ５，ＳｎＯ２，ＣｅＯ２，Ｙ２Ｏ３，Ｌａ２Ｏ３，ＡｌＮ，Ｓｉ３Ｎ４，ＧｅＮ，ＳｉＣ，ＭｇＦ２又はこれらの混合物を含んでいる。これによれば、環境負荷を抑制しつつ、レーザビームが上記波長である場合において良好な光学特性を得ることができる。【選択図】          図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
無機材料からなる記録層と、前記記録層に隣接して設けられた誘電体層を少なくとも備え、波長が３８０ｎｍ〜４５０ｎｍのレーザビームを前記記録層に照射することによってデータの追記が可能な光記録媒体であって、前記誘電体層がＴａ２Ｏ５，Ａｌ２Ｏ３，ＳｉＯ２，ＴｉＯ２，ＧｅＯ２，Ｎｂ２Ｏ５，ＳｎＯ２，ＣｅＯ２，Ｙ２Ｏ３，Ｌａ２Ｏ３，ＡｌＮ，Ｓｉ３Ｎ４，ＧｅＮ，ＳｉＣ，ＭｇＦ２又はこれらの混合物を含んでいることを特徴とする光記録媒体。
【請求項２】
前記記録層が少なくとも第１及び第２の反応層からなり、前記第１の反応層に含まれる元素と前記第２の反応層に含まれる元素とをレーザビームの照射によって混合することにより記録可能であることを特徴とする請求項１に記載の光記録媒体。
【請求項３】
前記第１の反応層の主成分がＣｕ、Ａｌ、ＺｎまたはＡｇであり、前記第２の反応層の主成分がＳｉ、ＧｅまたはＳｎであることを特徴とする請求項２に記載の光記録媒体。
【請求項４】
前記第１の反応層に添加物が加えられていることを特徴とする請求項３に記載の光記録媒体。
【請求項５】
前記記録層及び前記誘電体層を含む情報記録層が複数積層された構造を有していることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の光記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は光記録媒体に関し、特に、無機材料からなる記録層を有し、波長が３８０ｎｍ〜４５０ｎｍである青色波長領域のレーザビームを用いてデータの記録を行うことが可能な追記型の光記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、デジタルデータを記録するための記録媒体として、ＣＤやＤＶＤに代表される光記録媒体が広く利用されている。これらの光記録媒体は、ＣＤ−ＲＯＭやＤＶＤ−ＲＯＭのようにデータの追記や書き換えができないタイプの光記録媒体（ＲＯＭ型光記録媒体）と、ＣＤ−ＲやＤＶＤ−Ｒのようにデータの追記はできるがデータの書き換えができないタイプの光記録媒体（追記型光記録媒体）と、ＣＤ−ＲＷやＤＶＤ−ＲＷのようにデータの書き換えが可能なタイプの光記録媒体（書き換え型光記録媒体）とに大別することができる。
【０００３】
ＲＯＭ型光記録媒体においては、製造時において予め基板に形成されるピット列によりデータが記録されることが一般的であり、書き換え型光記録媒体においては、例えば、記録層の材料として相変化材料が用られ、その相状態の変化に基づく光学特性の変化を利用してデータが記録されることが一般的である。
【０００４】
これに対し、追記型光記録媒体においては、記録層の材料としてシアニン系色素、フタロシアニン系色素、アゾ色素等の有機色素が用いられ、その化学的変化（場合によっては化学的変化に加えて物理的変形を伴うことがある）に基づく光学特性の変化を利用してデータが記録されることが一般的である。追記型光記録媒体は書き換え型光記録媒体とは違い、一旦データを記録した場合これを消去したり書き換えたりすることができないが、このことはデータの改竄ができないことを意味するため、データの改竄防止が求められる用途において重要な役割を果たしている。
【０００５】
しかしながら、有機色素は日光等の照射によって劣化することから、追記型光記録媒体において長期間の保存に対する信頼性をさらに高めるためには、記録層を有機色素以外の材料によって構成することが望ましい。記録層を有機色素以外の材料によって構成した例としては、特開昭６２−２０４４４２号公報に記載されているように、無機材料からなる２層の反応層を積層しこれを記録層として用いる技術が知られている。
【０００６】
一方、近年、データの記録密度が高められ、且つ、非常に高いデータ転送レートを実現可能な次世代型の光記録媒体が提案されている。このような次世代型の光記録媒体においては、大容量・高データ転送レートを実現するため、必然的に、データの記録・再生に用いるレーザビームのビームスポット径を非常に小さく絞らなければならない。ここで、ビームスポット径を小さく絞るためには、レーザビームを集束するための対物レンズの開口数（ＮＡ）を０．７以上、例えば、０．８５程度まで大きくするとともに、レーザビームの波長λを３８０ｎｍ〜４５０ｎｍ、例えば４００ｎｍ程度まで短くする必要がある。
【０００７】
しかしながら、レーザビームを集束するための対物レンズを高ＮＡ化すると、光記録媒体の反りや傾きの許容度、すなわちチルトマージンが非常に小さくなるという問題が生じる。チルトマージンＴは、記録・再生に用いるレーザビームの波長をλ、レーザビームの光路となる光透過層（透明基体）の厚さをｄとすると、次式によって表すことができる。
【０００８】
【数１】
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式（１）から明らかなように、チルトマージンは対物レンズのＮＡが大きいほど小さくなってしまう。また、波面収差（コマ収差）が発生する光透過層（透明基体）の屈折率をｎ、傾き角をθとすると、波面収差係数Ｗは、次式によって表すことができる。
【０００９】
【数２】
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式（１）及び式（２）から明らかなように、チルトマージンを大きくし、且つ、コマ収差の発生を抑えるためには、記録・再生に用いるレーザビームが入射する光透過層（透明基体）の厚さｄを小さくすることが非常に有効である。
【００１０】
このような理由から、次世代型の光記録媒体においては、十分なチルトマージンを確保しつつ、コマ収差の発生を抑えるために、光透過層（透明基体）の厚さを１００μｍ程度まで薄くすることが要求される。このため、次世代型の光記録媒体においては、ＣＤやＤＶＤ等、現行の光記録媒体のように光透過層（透明基体）上に記録層等を形成することは困難であり、基体上に形成した記録層等の上にスピンコート法等により薄い樹脂層を光透過層（透明基体）として形成する方法が検討されている。したがって、次世代型の光記録媒体の作製においては、光入射面側から順次成膜が行われる現行の光記録媒体とは異なり、光入射面とは反対側から順次成膜が行われることになる。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
一般に、ユーザによる記録が可能な光記録媒体においては、記録層を化学的及び／又は物理的に保護するとともに、記録の前後における光学特性の差（変調度）を拡大する目的から記録層に隣接して誘電体層が設けられ、このような誘電体層に用いられる材料としては光記録媒体の種類や、記録及び／又は再生に用いられるレーザビームの波長等を考慮して適切な材料が選択される。したがって、記録層が無機材料からなる次世代型の追記型光記録媒体に用いられる誘電体層についても、光記録媒体の種類が追記型である点、並びに、記録及び／又は再生に用いられるレーザビームの波長λが３８０ｎｍ〜４５０ｎｍである点を考慮して、良好な記録層の保護特性や良好な光学特性が得られるよう、適切な材料を選択する必要がある。
【００１２】
他方、近年における地球環境への関心の高まりから、光記録媒体の誘電体層の材料としても、より環境負荷の小さい材料を選択することが望ましい。
【００１３】
したがって、本発明の目的は、無機材料からなる記録層を有し、波長が３８０ｎｍ〜４５０ｎｍである青色波長領域のレーザビームを用いてデータの記録を行うことが可能な追記型の光記録媒体であって、光学特性や記録層の保護特性に優れた誘電体層を備える光記録媒体を提供することである。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
本発明のかかる目的は、無機材料からなる記録層と、前記記録層に隣接して設けられた誘電体層を少なくとも備え、波長が３８０ｎｍ〜４５０ｎｍのレーザビームを前記記録層に照射することによってデータの追記が可能な光記録媒体であって、前記誘電体層がＴａ２Ｏ５，Ａｌ２Ｏ３，ＳｉＯ２，ＴｉＯ２，ＧｅＯ２，Ｎｂ２Ｏ５，ＳｎＯ２，ＣｅＯ２，Ｙ２Ｏ３，Ｌａ２Ｏ３，ＡｌＮ，Ｓｉ３Ｎ４，ＧｅＮ，ＳｉＣ，ＭｇＦ２又はこれらの混合物を含んでいることを特徴とする光記録媒体によって達成される。
【００１５】
本発明によれば、環境負荷を抑制しつつ、レーザビームの波長が３８０ｎｍ〜４５０ｎｍ、特に約４０５ｎｍである場合において、良好な光学特性を得ることができ、さらに、追記型の光記録媒体に求められる保護特性を満足することが可能となる。
【００１６】
本発明においては、前記記録層が少なくとも第１及び第２の反応層からなり、前記第１の反応層に含まれる元素と前記第２の反応層に含まれる元素とをレーザビームの照射によって混合することにより記録可能であることが好ましい。これによれば、再生信号を大きくすることが可能となる。
【００１７】
この場合、前記第１の反応層の主成分がＣｕ，Ａｌ，Ｚｎ又はＡｇであり、前記第２の反応層の主成分がＳｉ，Ｇｅ又はＳｎであることが好ましい。これによれば、再生信号のノイズレベルをより低く抑えることができるとともに、環境負荷を抑制することが可能となる。
【００１８】
さらに、前記第１の反応層に添加物が加えられていることがより好ましい。これによれば、再生信号のノイズレベルがより低く抑えられるとともに、長期間の保存に対する信頼性を高めることが可能となる。
【００１９】
さらに、前記記録層及び前記誘電体層を含む情報記録層が複数積層された構造を有していることもまた好ましい。
【００２０】
尚、本発明において、記録層と誘電体層とが「隣接している」とは、記録層と誘電体層とが隣り合って接触している場合のみならず、記録層と誘電体層とが他の層を介して隣り合っている場合も含む。
【００２１】
【発明の実施の形態】
以下、添付図面を参照しながら、本発明の好ましい実施態様について詳細に説明する。
【００２２】
図１（ａ）は、本発明の好ましい実施態様にかかる光記録媒体１０の外観を示す切り欠き斜視図であり、図１（ｂ）は、図１（ａ）に示すＡ部を拡大した部分断面図である。
【００２３】
図１（ａ），（ｂ）に示す光記録媒体１０は、外径が約１２０ｍｍ、厚みが約１．２ｍｍである円盤状の光記録媒体であり、図１（ｂ）に示すように、支持基板１１と、反射層１２と、第２誘電体層１３と、記録層１４と、第１誘電体層１５と、光透過層１６とを備えて構成されている。本実施態様にかかる光記録媒体１０は、波長λが３８０ｎｍ〜４５０ｎｍ、好ましくは約４０５ｎｍであるレーザビームＬを光透過層１６の表面である光入射面１６ａより照射することによってデータの追記及び再生を行うことが可能な追記型の光記録媒体である。
【００２４】
支持基板１１は、光記録媒体１０に求められる厚み（約１．２ｍｍ）を確保するために用いられる円盤状の基板であり、その一方の面には、その中心部近傍から外縁部に向けて、レーザビームＬをガイドするためのグルーブ１１ａ及びランド１１ｂが螺旋状に形成されている。支持基板１１の材料としては種々の材料を用いることが可能であり、例えば、ガラス、セラミックス、あるいは樹脂を用いることができる。これらのうち、成形の容易性の観点から樹脂が好ましい。このような樹脂としてはポリカーボネート樹脂、オレフィン樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、シリコーン樹脂、フッ素系樹脂、ＡＢＳ樹脂、ウレタン樹脂等が挙げられる。中でも、加工性などの点からポリカーボネート樹脂やオレフィン樹脂が特に好ましい。但し、支持基板１１は、レーザビームＬの光路とはならないことから、高い光透過性を有している必要はない。
【００２５】
反射層１２は、光透過層１６側から入射されるレーザビームＬを反射し、再び光透過層１６から出射させる役割を果たし、その厚さとしては５〜３００ｎｍに設定することが好ましく、２０〜２００ｎｍに設定することが特に好ましい。反射層１２の材料はレーザビームＬを反射可能である限り特に制限されず、例えば、マグネシウム（Ｍｇ），アルミニウム（Ａｌ），チタン（Ｔｉ），クロム（Ｃｒ），鉄（Ｆｅ），コバルト（Ｃｏ），ニッケル（Ｎｉ），銅（Ｃｕ），亜鉛（Ｚｎ），ゲルマニウム（Ｇｅ），銀（Ａｇ），白金（Ｐｔ），金（Ａｕ）等を用いることができる。これらのうち、高い反射率を有することから、アルミニウム（Ａｌ），金（Ａｕ），銀（Ａｇ），銅（Ｃｕ）又はこれらの合金（ＡｌとＴｉとの合金等）などの金属材料が用いることが好ましい。本発明において、光記録媒体に反射層１２を設けることは必須でないが、これを設ければ、光記録後において多重干渉効果により高い再生信号（Ｃ／Ｎ比）が得られやすくなる。
【００２６】
第１誘電体層１５及び第２誘電体層１３は、これらの間に設けられる記録層１４を物理的及び／又は化学的に保護する役割を果たし、記録層１４はこれら第１誘電体層１３及び第２誘電体層１５に挟持されることによって、光記録後、長期間にわたって記録情報の劣化が効果的に防止される。したがって、第１誘電体層１５及び第２誘電体層１３の材料としては、記録層１４に対する保護特性に優れた材料を選択する必要があるが、本実施態様にかかる光記録媒体１０は追記型の光記録媒体であり、同一エリアに対する記録は１回しか行われないことから、記録によるダメージ（記録層１４の体積膨張や収縮）も最大で１回しか受けない。したがって、第１誘電体層１５及び第２誘電体層１３の材料としては、書き換え型の光記録媒体用の誘電体膜のように繰り返しのダメージにも耐える高い柔軟性は要求されず、少なくとも１回の記録に耐え得る柔軟性を有していることを条件に、より環境負荷の小さい材料を選択することが望ましい。
【００２７】
また、第１誘電体層１５及び第２誘電体層１３は、記録の前後における光学特性の差を拡大する役割をも果たし、これを容易に達成するためには、使用されるレーザビームＬの波長領域、すなわち、３８０ｎｍ〜４５０ｎｍ、特に約４０５ｎｍの波長領域において高い屈折率（ｎ）を有する材料を選択する必要がある。さらに、レーザビームＬを照射した場合に、第１誘電体層１５及び第２誘電体層１３に吸収されるエネルギーが大きいと記録感度が低下することから、これを防止するためには、３８０ｎｍ〜４５０ｎｍ、特に約４０５ｎｍの波長領域において低い消衰係数（ｋ）を有する材料を選択する必要がある。
【００２８】
以上を考慮して、本実施態様においては、第１誘電体層１５及び／又は第２誘電体層１３の材料として、以下に説明する酸化物、窒化物、炭化物、フッ化物又はこれらの混合物が用いられる。
【００２９】
酸化物としては、タンタル（Ｔａ），アルミニウム（Ａｌ），シリコン（Ｓｉ），チタン（Ｔｉ），ゲルマニウム（Ｇｅ），ニオブ（Ｎｂ），錫（Ｓｎ），セリウム（Ｃｅ），イットリウム（Ｙ）又はランタン（Ｌａ）の酸化物、すなわち、Ｔａ２Ｏ５，Ａｌ２Ｏ３，ＳｉＯ２，ＴｉＯ２，ＧｅＯ２，Ｎｂ２Ｏ５，ＳｎＯ２，ＣｅＯ２，Ｙ２Ｏ３又はＬａ２Ｏ３が用いられ、窒化物としてはアルミニウム（Ａｌ），シリコン（Ｓｉ）又はゲルマニウム（Ｇｅ）の窒化物、すなわち、ＡｌＮ，Ｓｉ３Ｎ４又はＧｅＮが用いられ、炭化物としてはシリコン（Ｓｉ）の炭化物、すなわちＳｉＣが用いられ、フッ化物としてはマグネシウム（Ｍｇ）のフッ化物、すなわちＭｇＦ２が用いられる。また、これらの混合物としては、ＳｉＡｌＯＮ（ＳｉＯ２，Ａｌ２Ｏ３，Ｓｉ３Ｎ４及びＡｌＮの混合物）、ＬａＳｉＯＮ（Ｌａ２Ｏ３，ＳｉＯ２及びＳｉ３Ｎ４の混合物）等が挙げられる。
【００３０】
第１誘電体層１５及び／又は第２誘電体層１３の材料として、上述した酸化物、窒化物、炭化物、フッ化物又はこれらの混合物を用いれば、同一エリアに対し最大で１回のみ行われるデータの記録に対し、記録層１４を確実に保護することができるとともに、記録の前後において十分な光学特性差を得ることが可能となる。さらに、上述した酸化物、窒化物、炭化物、フッ化物又はこれらの混合物は、いずれも環境負荷の非常に小さい材料であることから、これら材料の使用が環境汚染を招くこともない。
【００３１】
尚、第１誘電体層１５と第２誘電体層１３は、互いに同じ材料で構成されてもよいが、異なる材料で構成されてもよい。この場合、第１誘電体層１５と第２誘電体層１３の両方が、上述した酸化物、窒化物、炭化物、フッ化物又はこれらの混合物からなることが非常に好ましいが、第１誘電体層１５及び第２誘電体層１３の一方のみが、上述した酸化物、窒化物、炭化物、フッ化物又はこれらの混合物によって構成されていても構わない。さらに、第１誘電体層１５及び第２誘電体層１３の少なくとも一方が、複数の誘電体層からなる多層構造であっても構わない。この場合も、該複数の誘電体層の全てが上述した酸化物、窒化物、炭化物、フッ化物又はこれらの混合物からなることが非常に好ましいが、その一部の誘電体層のみが上述した酸化物、窒化物、炭化物、フッ化物又はこれらの混合物によって構成されていても構わない。
【００３２】
また、第１誘電体層１５及び第２誘電体層１３の層厚は特に限定されないが、使用されるレーザビームＬの波長が３８０ｎｍ〜４５０ｎｍの青色波長領域であることを考慮すれば、３〜２００ｎｍであることが好ましい。この層厚が３ｎｍ未満であると、記録層１４を保護する効果及び記録の前後における光学特性の差を拡大する効果が得られにくくなる。一方、層厚が２００ｎｍを超えると、成膜時間が長くなり生産性が低下するおそれがあり、さらに、第１誘電体層１５及び第２誘電体層１３のもつ応力によってクラックが発生するおそれがある。
【００３３】
記録層１４は不可逆的な記録マークが形成される層であり、複数の反応層からなる積層構造を有している。記録層１４のうち未記録状態である領域は、図２（ａ）に示すように反応層２１と反応層２２が積層された状態となっているが、所定以上のパワーを持つレーザビームＬが照射されると、その熱によって、図２（ｂ）に示すように反応層２１を構成する元素及び反応層２２を構成する元素がそれぞれ部分的又は全体的に混合されて記録マーク２０となる。このとき、記録層において記録マーク２０の形成された混合部分とそれ以外の部分（ブランク領域）とではレーザビームＬに対する反射率が大きく異なるため、これを利用してデータの記録・再生を行うことができる。記録されるデータは、記録マーク２０の長さ（記録マーク２０の前縁から後縁までの長さ）及びブランク領域の長さ（記録マーク２０の後縁から次の記録マーク２０の前縁までの長さ）によって表現される。記録マーク２０及びブランク領域の長さは、基準となるクロックの１周期に相当する長さをＴとした場合、Ｔの整数倍に設定される。具体的には、１，７ＲＬＬ変調方式においては、２Ｔ〜８Ｔの長さを持つ記録マーク２０及びブランク領域が使用される。
【００３４】
ここで、反応層２１の材料としては、アルミニウム（Ａｌ），シリコン（Ｓｉ），ゲルマニウム（Ｇｅ），炭素（Ｃ），錫（Ｓｎ），金（Ａｕ），亜鉛（Ｚｎ），銅（Ｃｕ），ホウ素（Ｂ），マグネシウム（Ｍｇ），チタン（Ｔｉ），マンガン（Ｍｎ），鉄（Ｆｅ），ガリウム（Ｇａ），ジルコニウム（Ｚｒ），銀（Ａｇ），ビスマス（Ｂｉ）及び白金（Ｐｔ）からなる群より選ばれた一の材料を主成分とし、反応層２２の材料としては上記群より選ばれた他の材料を主成分とすることが好ましい。特に、再生信号のノイズレベルをより低く抑えるためには、反応層２１及び反応層２２の一方の主成分を銅（Ｃｕ），アルミニウム（Ａｌ），亜鉛（Ｚｎ）又は銀（Ａｇ）とし、他方の主成分をシリコン（Ｓｉ），ゲルマニウム（Ｇｅ）又は錫（Ｓｎ）とすることが好ましく、反応層２１及び反応層２２の一方の主成分を銅（Ｃｕ）とし他方の主成分をシリコン（Ｓｉ）とすることが最も好ましい。この場合、光透過層１６側に位置する反応層２１の主成分がシリコン（Ｓｉ）であり、支持基板１１側に位置する反応層２２の主成分が銅（Ｃｕ）であることが好ましい。反応層２１及び反応層２２の材料としてこのような元素を主成分とする材料を用いることにより、再生信号のノイズレベルをより低く抑えることができるとともに、環境負荷を抑制することが可能となる。
【００３５】
また、反応層２１及び反応層２２の一方の主成分が銅（Ｃｕ）である場合には、これにアルミニウム（Ａｌ），亜鉛（Ｚｎ），錫（Ｓｎ），金（Ａｕ）又はマグネシウム（Ｍｇ）が添加されていることが好ましく、反応層２１及び反応層２２の一方の主成分がアルミニウム（Ａｌ）である場合には、これにマグネシウム（Ｍｇ），金（Ａｕ），チタン（Ｔｉ）又は銅（Ｃｕ）が添加されていることが好ましく、反応層２１及び反応層２２の一方の主成分が亜鉛（Ｚｎ）である場合には、これにマグネシウム（Ｍｇ），アルミニウム（Ａｌ）又は銅（Ｃｕ）が添加されていることが好ましく、反応層２１及び反応層２２の一方の主成分が銀（Ａｇ）である場合には、これに銅（Ｃｕ）又はパラジウム（Ｐｄ）が添加されていることが好ましい。このような元素を添加すれば、再生信号のノイズレベルがより低く抑えられるとともに、長期間の保存に対する信頼性を高めることが可能となる。
【００３６】
記録層１４の層厚は、厚くなればなるほどレーザビームＬのビームスポットが照射される反応層２１の表面２１ａの平坦性が悪化し、これに伴って再生信号のノイズレベルが高くなるとともに、記録感度も低下する。この点を考慮すれば、反応層２１の表面２１ａの平坦性を高めることによって再生信号のノイズレベルを抑制するとともに記録感度を高めるためには、記録層１４の層厚を薄く設定することが有効であるが、薄くしすぎると記録前後における光学定数の差が少なくなり、再生時に高いレベルの再生信号（Ｃ／Ｎ比）を得ることができなくなる。また、記録層１４の層厚を極端に薄く設定すると、成膜時における層厚制御が困難となる。以上を考慮すれば、記録層１４の層厚は２〜４０ｎｍに設定することが好ましく、２〜２０ｎｍであることがより好ましく、２〜１５ｎｍであることがさらに好ましい。
【００３７】
反応層２１及び反応層２２それぞれの層厚は特に限定されないが、再生信号のノイズレベルを充分に抑制し、充分な記録感度を確保し、さらに、記録前後の反射率の変化を充分に大きくするためには、いずれも１〜３０ｎｍであることが好ましく、反応層２１の層厚と反応層２２の層厚との比（反応層２１の層厚／反応層２２の層厚）は、０．２〜５．０であることが好ましい。
【００３８】
尚、記録層１４の上記構造はあくまで一例であり、他の構造を有していても構わない。例えば、２つの反応層２１と、これら２つの反応層２１の間に配置された反応層２２とからなる３層構造であってもよいし、また、反応層２１と反応層２２との間に、反応層２１を構成する材料と反応層２２を構成する材料とが混合されてなる混合層が介在していても構わない。さらに、錫（Ｓｎ）やチタン（Ｔｉ）等からなる単層構造であっても構わない。
【００３９】
次に、本実施態様にかかる光記録媒体１０の製造方法について説明する。
【００４０】
図３は、本実施態様にかかる光記録媒体１０の製造方法を示すフローチャートである。
【００４１】
まず、スタンパを用いた射出成形法により、グルーブ１１ｂ及びランド１１ｃが形成された支持基板１１を作製する（ステップＳ１）。但し、支持基板１１の作製は射出成形法に限られず、２Ｐ法等、他の方法によってこれを作製しても構わない。
【００４２】
次に、支持基板１１の表面のうち、グルーブ１１ｂ及びランド１１ｃが設けられた面に反射層１２を形成する（ステップＳ２）。反射層１２の形成は、反射層１２の構成元素を含む化学種を用いた気相成長法、例えば、スパッタリング法や真空蒸着法を用いることができ、中でも、スパッタリング法を用いることが好ましい。
【００４３】
次に、反射層１２上に第２誘電体層１３を形成する（ステップＳ３）。第２誘電体層１３の形成についても、第２誘電体層１３の主成分である上記酸化物（Ｔａ２Ｏ５，Ａｌ２Ｏ３，ＳｉＯ２，ＴｉＯ２，ＧｅＯ２，Ｎｂ２Ｏ５，ＳｎＯ２，ＣｅＯ２，Ｙ２Ｏ３又はＬａ２Ｏ３）、窒化物（ＡｌＮ，Ｓｉ３Ｎ４又はＧｅＮ）、炭化物（ＳｉＣ）、フッ化物（ＭｇＦ２）又はこれらの混合物（ＳｉＡｌＯＮ又はＬａＳｉＯＮ）を含む化学種を用いた気相成長法により形成することができ、特に、スパッタリング法を用いることが好ましい。
【００４４】
次に、第２誘電体層１３上に記録層１４を形成する。記録層１４の形成は、反応層２２の形成（ステップＳ４）及び反応層２１の形成（ステップＳ５）の順に行われ、それぞれ反応層２２及び反応層２１の構成元素を含む化学種を用いた気相成長法を用いることができ、特に、スパッタリング法を用いることが好ましい。
【００４５】
次に、記録層１４上に第１誘電体層１５を形成する（ステップＳ６）。第１誘電体層１５についても、第２誘電体層１３と同様、第１誘電体層１５の主成分である上記酸化物（Ｔａ２Ｏ５，Ａｌ２Ｏ３，ＳｉＯ２，ＴｉＯ２，ＧｅＯ２，Ｎｂ２Ｏ５，ＳｎＯ２，ＣｅＯ２，Ｙ２Ｏ３又はＬａ２Ｏ３）、窒化物（ＡｌＮ，Ｓｉ３Ｎ４又はＧｅＮ）、炭化物（ＳｉＣ）、フッ化物（ＭｇＦ２）又はこれらの混合物（ＳｉＡｌＯＮ又はＬａＳｉＯＮ）を含む化学種を用いた気相成長法により形成することができ、特に、スパッタリング法を用いることが好ましい。
【００４６】
最後に、第１誘電体層１５上に光透過層１６を形成する（ステップＳ７）。光透過層１６は、例えば、粘度調整されたアクリル系又はエポキシ系の紫外線硬化性樹脂をスピンコート法等により皮膜させ、紫外線を照射して硬化する等の方法により形成することができる。また、紫外線硬化性樹脂を硬化させてなる膜の代わりに、光透過性樹脂からなる光透過性シートと各種接着剤や粘着剤を用いて光透過層１６を形成してもよい。
【００４７】
以上により、光記録媒体１０の製造が完了する。
【００４８】
なお、上記光記録媒体１０の製造方法は、上記製造方法に特に限定されるものではなく、公知の光記録媒体の製造に採用される製造技術を用いることができる。
【００４９】
次に、光記録媒体１０に対するデータの記録原理について説明する。
【００５０】
上記光記録媒体１０に対してデータを記録する場合、図１に示すように、光記録媒体１０に対して強度変調されたレーザビームＬを光透過層１６側から入射し記録層１４に照射する。このとき、レーザビームＬを集束するための対物レンズの開口数（ＮＡ）は０．７以上、レーザビームＬの波長λは３８０ｎｍ〜４５０ｎｍに設定され、好ましくは、対物レンズの開口数（ＮＡ）は０．８５程度、レーザビームＬの波長λは４０５ｎｍ程度に設定される。このようにして、λ／ＮＡ≦６４０ｎｍとすることが好ましい。
【００５１】
このようなレーザビームＬが記録層１４に照射されると、記録層１４が加熱され、反応層２１を構成する元素及び反応層２２を構成する元素が混合される。かかる混合部分は、図２（ｂ）に示すように記録マーク２０となり、その反射率はそれ以外の部分（ブランク領域）の反射率と異なった値となることから、これを利用してデータの記録・再生を行うことが可能となる。
【００５２】
以上説明したように、本実施態様にかかる光記録媒体１０は、記録層１４及びこれに隣接して設けられた第１誘電体層１５及び第２の誘電体層１３を備え、第１誘電体層１５及び／又は第２の誘電体層１３が上述した酸化物（Ｔａ２Ｏ５，Ａｌ２Ｏ３，ＳｉＯ２，ＴｉＯ２，ＧｅＯ２，Ｎｂ２Ｏ５，ＳｎＯ２，ＣｅＯ２，Ｙ２Ｏ３又はＬａ２Ｏ３）、窒化物（ＡｌＮ，Ｓｉ３Ｎ４又はＧｅＮ）、炭化物（ＳｉＣ）、フッ化物（ＭｇＦ２）又はこれらの混合物（ＳｉＡｌＯＮ又はＬａＳｉＯＮ）からなることから、環境負荷を抑制しつつ、レーザビームＬの波長が３８０ｎｍ〜４５０ｎｍ、特に約４０５ｎｍである場合において、良好な光学特性を得ることが可能となり、さらに、追記型光記録媒体に求められる保護特性を満足することが可能となる。
【００５３】
本発明は、以上の実施態様に限定されることなく、特許請求の範囲に記載された発明の範囲内で種々の変更が可能であり、それらも本発明の範囲内に包含されるものであることはいうまでもない。
【００５４】
例えば、上記実施態様にかかる光記録媒体１０においては、記録層１４が第１誘電体１５及び第２誘電体層１３間に挟持されているが、これらの一方を省略しても構わない。
【００５５】
また、上記実施態様にかかる光記録媒体１０においては、支持基板１１上に設けられた反射層１２が備えられているが、記録マーク２０が形成された領域における反射光のレベルと未記録領域における反射光のレベルが充分大きい場合には、これを省略しても構わない。
【００５６】
さらに、上記実施態様にかかる光記録媒体１０には記録層１４が１層しか設けられていないが、本発明は、複数の情報記録層が積層された構造を有する光記録媒体に適用することもまた好適である。
【００５７】
図４は、複数の情報記録層が積層された構造を有する光記録媒体２０の構造を概略的に示す断面図である。
【００５８】
図４に示すように、光記録媒体３０は、グルーブ３１ａ及びランド３１ｂが設けられた支持基体３１と、グルーブ３２ａ及びランド３２ｂが設けられた透明中間層３２と、光透過層３３と、支持基体３１と透明中間層３２との間に設けられたＬ０層４０と、透明中間層３２と光透過層３３との間に設けられたＬ１層５０とを備える。Ｌ０層４０は、光入射面３３ａから遠い側の情報記録層を構成し、支持基体３１側から反射層４１、第４誘電体層４２、Ｌ０記録層４３及び第３誘電体層４４が積層された構造を有する。また、Ｌ１層５０は、光入射面３３ａに近い側の情報記録層を構成し、支持基体３１側から反射層５１、第２誘電体層５２、Ｌ１記録層５３及び第１誘電体層５４が積層された構造を有する。このように、光記録媒体３０は、積層された２層の情報記録層（Ｌ０層４０及びＬ１層５０）を有している。
【００５９】
このような構造を有する光記録媒体３０においては、第１誘電体層５４、第２誘電体層５２、第３誘電体層４４及び第４誘電体層４２の材料として、上述した酸化物（Ｔａ２Ｏ５，Ａｌ２Ｏ３，ＳｉＯ２，ＴｉＯ２，ＧｅＯ２，Ｎｂ２Ｏ５，ＳｎＯ２，ＣｅＯ２，Ｙ２Ｏ３又はＬａ２Ｏ３）、窒化物（ＡｌＮ，Ｓｉ３Ｎ４又はＧｅＮ）、炭化物（ＳｉＣ）、フッ化物（ＭｇＦ２）又はこれらの混合物（ＳｉＡｌＯＮ又はＬａＳｉＯＮ）を用いることができる。
【００６０】
【実施例】
以下、実施例を用いて本発明について更に具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に何ら限定されるものではない。
【００６１】
［サンプルの作製］
まず、厚さ：１．１ｍｍ、直径：１２０ｍｍのポリカーボネートからなる支持基板１１をスパッタリング装置にセットし、この支持基板１１上に、Ａｇを主成分とする反射層１２（層厚：１００ｎｍ）、ＴｉＯ２からなる第２誘電体層１３（層厚：２０ｎｍ）、銅（Ｃｕ）を主成分としこれにアルミニウム（Ａｌ）が２３ａｔｍ％添加され、金（Ａｕ）が１３ａｔｍ％添加された反応層２２（層厚：５ｎｍ）、シリコン（Ｓｉ）からなる反応層２１（層厚：５ｎｍ）、ＴｉＯ２からなる第１誘電体層１５（層厚：２３ｎｍ）を順次スパッタ法により形成した。
【００６２】
次に、第１誘電体層１５上に、アクリル系紫外線硬化性樹脂をスピンコート法によりコーティングし、これに紫外線を照射して光透過層１６（層厚：１００μｍ）を形成した。
【００６３】
これにより、光記録媒体サンプル＃１が完成した。
【００６４】
次に、第２誘電体層１３を層厚２５ｎｍのＣｅＯ２とし、第１誘電体層１５を層厚９０ｎｍのＣｅＯ２とした他は、光記録媒体サンプル＃１と同様にして光記録媒体サンプル＃２を作製した。
【００６５】
さらに、第２誘電体層１３を層厚３０ｎｍのＬａＳｉＯＮとし、第１誘電体層１５を層厚２５ｎｍのＬａＳｉＯＮとした他は、光記録媒体サンプル＃１と同様にして光記録媒体サンプル＃３を作製した。
【００６６】
さらに、第２誘電体層１３を層厚３０ｎｍのＴａ２Ｏ５とし、第１誘電体層１５を層厚２２ｎｍのＴａ２Ｏ５とした他は、光記録媒体サンプル＃１と同様にして光記録媒体サンプル＃４を作製した。
【００６７】
尚、第１誘電体層１５及び第２誘電体層１３の層厚は、各光記録媒体サンプル間において異なっているが、これは、最も高い変調度が得られるよう、それぞれ最適化したためである。
【００６８】
［サンプルの評価］
次に、光記録媒体サンプル＃１〜＃４に対し、最も高い変調度が得られる条件にて、８Ｔ単一信号及び２Ｔ単一信号の記録を行い、その後これら８Ｔ単一信号及び２Ｔ単一信号を再生することによって、それぞれのＣ／Ｎ比を測定した。結果を表１に示す。
【００６９】
【表１】
2004158145.tif 000005
表１に示すように、いずれの光記録媒体サンプル＃１〜＃４においても、８Ｔ単一信号については４５ｄＢ以上のＣ／Ｎ比が得られ、２Ｔ単一信号については３５ｄＢ以上のＣ／Ｎ比が得られた。一般に、実用レベルにおけるＣ／Ｎ比の下限として、２Ｔ単一信号については３５ｄＢが必要であると言われているが、いずれの光記録媒体サンプル＃１〜＃４もこれを満たしており、実際に光記録媒体として実用可能であることが確認された。
【００７０】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明にかかる光記録媒体は、不可逆的に記録マークを形成可能な無機材料からなる記録層と、これに隣接して設けられた誘電体層を備え、誘電体層の材料が、タンタル（Ｔａ），アルミニウム（Ａｌ），シリコン（Ｓｉ），チタン（Ｔｉ），ゲルマニウム（Ｇｅ），ニオブ（Ｎｂ），錫（Ｓｎ），セリウム（Ｃｅ），イットリウム（Ｙ）又はランタン（Ｌａ）の酸化物（Ｔａ２Ｏ５，Ａｌ２Ｏ３，ＳｉＯ２，ＴｉＯ２，ＧｅＯ２，Ｎｂ２Ｏ５，ＳｎＯ２，ＣｅＯ２，Ｙ２Ｏ３又はＬａ２Ｏ３）、アルミニウム（Ａｌ），シリコン（Ｓｉ）又はゲルマニウム（Ｇｅ）の窒化物（ＡｌＮ，Ｓｉ３Ｎ４又はＧｅＮ）、シリコン（Ｓｉ）の炭化物（ＳｉＣ）、マグネシウム（Ｍｇ）のフッ化物（ＭｇＦ２）又はこれらの混合物（ＳｉＡｌＯＮ又はＬａＳｉＯＮ）からなることから、環境負荷を抑制しつつ、レーザビームの波長が３８０ｎｍ〜４５０ｎｍ、特に約４０５ｎｍである場合において、良好な光学特性を得ることができ、さらに、追記型光記録媒体に求められる保護特性を満足することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）は、本発明の好ましい実施態様にかかる光記録媒体１０の外観を示す切り欠き斜視図であり、（ｂ）は、（ａ）に示すＡ部を拡大した部分断面図である。
【図２】（ａ）は未記録状態である領域を拡大して示す略断面図であり、（ｂ）は記録マーク２０が形成された領域を拡大して示す略断面図である。
【図３】光記録媒体１０の製造方法を示すフローチャートである。
【図４】複数の情報記録層が積層された構造を有する光記録媒体２０の構造を概略的に示す断面図である。
【符号の説明】
１０，３０  光記録媒体
１１，３１  支持基体
１１ａ，３１ａ，３２ａ  グルーブ
１１ｂ，３１ｂ，３２ｂ  ランド
１２，４１，５１  反射層
１３，５２  第２誘電体層
１４，４３，５３  記録層
１５，５４  第１誘電体層
１６  光透過層
１６ａ，３３ａ  光入射面
２０  記録マーク
２１，２２  反応層
２１ａ  反応層２１の表面
４０  Ｌ０層
４２  第４誘電体層
４４  第３誘電体層
５０  Ｌ１層
Ｌ  レーザビーム
【図１】
2004158145.tif 000006
【図２】
2004158145.tif 000007
【図３】
2004158145.tif 000008
【図４】
2004158145.tif 000009