(57)【要約】【課題】コア基板の表面にのみビルドアップ層を有し且つ反りを生じないか、あるいは反りにくい配線基板およびその製造方法を提供する。【解決手段】表面４および裏面５を有するコア基板２と、コア基板２の表面４および裏面５に個別に形成される表面配線層８および裏面配線層９と、上記コア基板２の表面４の上方に形成され且つ複数の絶縁層１０，１６とこれらの間に位置する複数の配線層１４，２０とからなるビルドアップ層ＢＵと、上記コア基板２の裏面５の上方に形成される裏面絶縁層１１と、を含み、かかる裏面絶縁層１１は、下記（１）乃至（４）の少なくとも何れかの特性を有する、配線基板１。（１）ヤング率が４Ｇｐａ以上、（２）熱膨張率（ＲＴ〜Ｔｇ）が２０ｐｐｍ以上、（３）伸び率が４％以下、　　　（４）硬化収縮が１０００ｐｐｍ以上【選択図】　図１
2004128481.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面および裏面を有するコア基板と、
上記コア基板の表面および裏面に個別に形成される表面配線層および裏面配線層と、
上記コア基板の表面の上方に形成され且つ複数の絶縁層とこれらの間に位置する複数の配線層とからなるビルドアップ層と、
上記コア基板の裏面の上方に形成される裏面絶縁層と、を含み、
上記裏面絶縁層は、下記（１）乃至（４）の少なくとも何れかの特性を有する、
ことを特徴とする配線基板。
（１）ヤング率が４Ｇｐａ以上
（２）熱膨張率（ＲＴ〜Ｔｇ）が２０ｐｐｍ以上
（３）伸び率が４％以下
（４）硬化収縮が１０００ｐｐｍ以上
【請求項２】
前記裏面絶縁層は、無機繊維または有機繊維を含む半硬化性樹脂シートを硬化させたものである、ことを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
【請求項３】
前記コア基板は、セラミックからなる、
ことを特徴とする請求項１または２に記載の配線基板。
【請求項４】
請求項１乃至３の何れかに記載の配線基板の製造方法であって、
表面および裏面を有し且つ少なくとも裏面に形成した裏面配線層を有する一対のコア基板を、それらの裏面および裏面配線層の上にそれぞれ裏面絶縁層を形成し且つ離型シートを介して積層して加圧する工程と、
上記一対のコア基板のそれぞれの表面に複数の絶縁層とこれらの間に位置する複数の配線層とを含むビルドアップ層を形成する工程と、を含む、
ことを特徴とする配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、コア基板の表面の上方にのみビルドアップ層を有する配線基板およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、低コスト化の要請に応じるため、図５（Ａ）に示すように、コア基板３１の片面（表面）３２上方にのみ複数の絶縁層３５，３９，４１および複数の配線層３４，３７，４０を積層したビルドアップ層ＢＵなどを形成した配線基板３０が提案されている（例えば、特許文献１参照）。上記コア基板３１は、厚み約８００μｍの絶縁板であり、その表面３２上方に厚み約３０μｍの絶縁層３５，３９，４１と厚み約１５μｍの配線層３４，３７，４０とを交互に積層している。
また、図５（Ａ）に示すように、配線層３４，３７，４０間を導通するため、ビア導体３６，３８が絶縁層３５，３９に形成されている。更に、最上層の配線層４０上の所定の位置には、絶縁層（ソルダーレジスト層）４１を貫通し且つ第１主面４３よりも高く突出するハンダバンプ４２が複数形成され、第１主面４３上に実装する図示しないＩＣチップなどの電子部品の端子と個別に接続される。
【０００３】
【特許文献１】
特開２００２−２９００３１号公報　（図１など）
【０００４】
以上のような配線基板３０おいては、コア基板３１の表面３２側に絶縁層３５，３９，４１と配線層３４，３７，４０とからなるビルドアップ層ＢＵなどを形成しているのに対し、コア基板３１の裏面３３側には何も形成されていない。
このため、コア基板３１と絶縁層３５，３９，４１との熱膨張率の差により、図５（Ａ）中の一点鎖線で示すように、配線基板３０全体が、当該配線基板３０の厚み方向と垂直方向の長さ３３０ｍｍに対し、厚み方向に約４〜５ｍｍ変形した反りを生じることがある。かかる反りにより、例えば配線層３４，３７，４０、ビア導体３６，３８、およびハンダバンプ４２相互間の接続が不十分になるため、これらの間において導通が取れなくなる、という問題があった。
また、ハンダバンプ４２にＩＣチップなどの電子部品を接続する際に、上記反りにより当該接続が不十分になる、という問題もあった。
【０００５】
以上の問題点を解決するため、図５（Ｂ）に示すような配線基板５０も検討されている。即ち、配線基板５０は、厚み約８００μｍの絶縁板であるコア基板５１と、その表面５２上方に厚み約３０μｍの絶縁層６０，６６，７２と厚み約１５μｍの配線層５８，６４，７０とを交互に積層したビルドアップ層ＢＵなどと、コア基板５１の裏面５３に形成した厚み約１５μｍの配線層５９および厚みが約４０μｍの絶縁層（ソルダーレジスト層）６１と、を備えている。
コア基板５１には、その表面５２と裏面５３との間を貫通する複数のスルーホール５４が形成され、それらの内壁に沿ってスルーホール導体５６および充填樹脂５７が形成されている。各スルーホール導体５６は、その上端および下端で配線層５８，５９と接続している。
【０００６】
図５（Ｂ）に示すように、上記配線層５８，６４，７０間を導通するため、ビア導体６２，６８が絶縁層６０，６６に形成されている。最上層の配線層７２上の所定の位置には、絶縁層（ソルダーレジスト層）７２を貫通し且つ第１主面７４よりも高く突出するハンダバンプ７６が複数形成され、第１主面７４上に実装する図示しないＩＣチップなどの電子部品の端子と個別に接続される。
一方、図５（Ｂ）に示すように、コア基板５１の裏面５３に形成した配線層５９から延び且つ絶縁層６１の開口部６５から第２主面６３側に露出する配線６７は、図示しないマザーボードなどのプリント基板との接続端子として用いられる。以上の配線基板５０では、コア基板５１を挟んでビルドアップ層ＢＵなどと厚めの絶縁層（ソルダーレジスト層）６１とが配置されている。このため、コア基板５１と絶縁層６０，６６，７２との熱膨張率の差による反りは、図５（Ｂ）中の一点鎖線で示すように、第２主面６３寄りのある程度の変形に抑制される。
【０００７】
【発明が解決すべき課題】
しかしながら、図５（Ｂ）に示す反りによっても、配線層５８，６４，７０、ビア導体６２，６８、ハンダバンプ７６、スルーホール導体５６、および、配線層５９の相互間の接続が不十分になり得るため、これらの間において導通が取れなくなる、という問題があった。また、ハンダバンプ７６にＩＣチップなどの電子部品を接続する際、上記反りにて該接続が不十分になる、という問題もあった。本発明は、以上に説明した従来の技術における問題点を解決し、コア基板の表面にのみビルドアップ層を有し且つ反りを生じないか、あるいは反りにくい配線基板およびその製造方法を提供する、ことを課題とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記課題を解決するため、コア基板の裏面に形成する裏面絶縁層の特性によって、かかるコア基板の表面上方に形成するビルドアップ層による収縮変形を解消ないし抑制する、ことに着想して成されたものである。
【０００９】
即ち、本発明の配線基板（請求項１）は、表面および裏面を有するコア基板と、上記コア基板の表面および裏面に個別に形成される表面配線層および裏面配線層と、上記コア基板の表面の上方に形成され且つ複数の絶縁層とこれらの間に位置する複数の配線層とからなるビルドアップ層と、上記コア基板の裏面の上方に形成される裏面絶縁層と、を含み、上記裏面絶縁層は、下記（１）乃至（４）の少なくとも何れかの特性を有する、ことを特徴とする。
（１）ヤング率が４Ｇｐａ以上、（２）熱膨張率（ＲＴ〜Ｔｇ）が２０ｐｐｍ以上、（３）伸び率が４％以下（但し０は含まず）、（４）硬化収縮が１０００ｐｐｍ以上
【００１０】
これによれば、コア基板の裏面に形成される裏面絶縁層は、上記（１）乃至（４）の特性を有するため、かかる裏面絶縁層は、一定以上の弾性および熱膨張率を有し、且つ伸び率が低く、硬化収縮が高くなっている。このため、上記コア基板の表面上方に前記ビルドアップ層を形成されても、これを形成する複数の絶縁層や複数の配線層による当該ビルドアップ層および上記コア基板を上向きに凹ませようとする反り変形を解消し、あるいは極く僅かに抑制できる。即ち、上記裏面絶縁層は、配線基板においてかかる反りを矯正する機能をも発揮する。従って、平坦なビルドアップ層を表面に有する配線基板とすることができる。しかも、ビルドアップ配線層から第１主面よりも高く突出するハンダバンプに対し、当該第１主面に実装するＩＣチップなどの電子部品を確実に接続することができる。
尚、上記（１）乃至（４）の特性を全て満たすことが、反り防止の効果の上で好ましい。また、上記熱膨張率（ＲＴ〜Ｔｇ）は、上記コア基板の裏面に沿った平面方向における熱膨張率を指す。
【００１１】
付言すると、本発明の配線基板は、表面および裏面を有するコア基板と、かかるコア基板の表面および裏面に個別に形成される表面配線層および裏面配線層と、上記コア基板の表面と裏面との間を貫通し且つ表面配線層と裏面配線層との間を接続するスルーホール導体と、上記コア基板の表面の上方に形成され且つ複数の絶縁層とこれらの間に位置する複数の配線層とらなるビルドアップ層と、上記コア基板の裏面の上方に形成される裏面絶縁層と、を含み、上記裏面絶縁層は、前記（１）乃至（４）の少なくとも何れか特性を有する、とすることも可能である。
【００１２】
また、本発明には、前記裏面絶縁層は、無機繊維または有機繊維を含む半硬化性樹脂シートを硬化させたものである、配線基板（請求項２）も含まれる。
これによれば、裏面絶縁層に求められる前記（１）乃至（４）の特性を確実に与えられるため、前述した反りがないか抑制された平坦なビルドアップ層を表面に有する配線基板とすること一層確実となる。
尚、上記無機繊維は、例えばガラス繊維が含まれ、特にランダムな配向となるガラス繊維の不織布やガラスフィラが推奨される。かかる無機繊維は、コア基板や裏面絶縁層において、４０〜６０ｗｔ％の割合で配合されると、後述する低い熱膨張率を実現できる。また、上記ガラス繊維には、Ｅガラス、Ｄガラス、Ｑガラス、Ｓガラスの何れか、またはこれらのうちの２種類以上を併用したものが含まれる。一方、上記有機繊維には、エポキシ繊維などが含まれる。
更に、上記半硬化性樹脂シートは、例えば無機または有機材料の繊維または不織布繊維を含浸したエポキシ樹脂、ビスマレイミド・トリアジン（ＢＴ）樹脂、ポリイミド樹脂などからなるプリプレグであり、上記硬化させるとは、上記シートに対して、ＵＶ（紫外線）照射、熱硬化、熱圧着などの処理をすることを指す。
【００１３】
加えて、本発明には、前記コア基板は、セラミックからなる、配線基板（請求項３）も含まれる。これによれば、コア基板にセラミックを用いることで、コア基板自体が反りにくい材質であるため、前記基板の各部が一層反りにくくなり、且つ接続性に優れた配線基板とすることが可能となる。
【００１４】
一方、本発明の配線基板の製造方法（請求項４）は、前記配線基板の製造方法であって、表面および裏面を有し且つ少なくとも裏面に形成した裏面配線層を有する一対のコア基板を、それらの裏面および裏面配線層の上にそれぞれ裏面絶縁層を形成し且つ離型シートを介して積層して加圧する工程と、上記一対のコア基板のそれぞれの表面に複数の絶縁層とこれらの間に位置する複数の配線層とを含むビルドアップ層を形成する工程と、を含む、ことを特徴とする。
これによれば、一対のコア基板を離型シートを介してそれらの裏面を対向させつつ各裏面に裏面絶縁層を積層した状態で、上記一対のコア基板を加圧するため、これら裏面絶縁層自体が生じる反りを互いに抑制できると共に、各コア基板の表面に上記ビルドアップ層を平坦にして形成することができる。
尚、上記離型シートは、クッション性を併せ持つもので望ましい。また、上記の各工程は、製品単位である上記コア基板を複数有する多数個取り用の一対のパネルにより、行うことも可能である。
付言すれば、本発明には、前記コア基板は、セラミックからなる、配線基板の製造方法、を含むことも可能である。これよる場合、コア基板にセラミックを用いることで、コア基板自体が反りにくい材質であるため、前記各部が一層反りにくくなり、且つ接続性に優れた配線基板を提供することが可能となる。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下において、本発明の実施に好適な形態を図面と共に説明する。
図１は、本発明の配線基板１における主要部を示す断面図である。
配線基板１は、図１に示すように、表面４および裏面５を有するコア基板２と、かかるコア基板２の表面４と裏面５との間を貫通する複数のスルーホール導体６と、コア基板２の表面４および裏面５に個別に形成した表面配線層８および裏面配線層９と、を備えている。
また、図１に示すように、コア基板２の表面４上方には、複数のビルドアップ絶縁層１０，１６や絶縁層（ソルダーレジスト）層２２と複数のビルドアップ配線層１４，２０とを、交互に積層したビルドアップ層ＢＵが形成され、コア基板２の裏面５上方（図面下側）には裏面絶縁層１１が形成されている。
【００１６】
上記コア基板２は、平面視でほぼ正方形を呈し、例えばエポキシ系樹脂にガラス繊維または炭素繊維（本実施形態ではガラス繊維）を含有させた厚みが４００〜１０００μｍ（本実施形態では８００μｍ）で熱膨張率が３０ｐｐｍ／℃以下の絶縁板である。コア基板２の表面４と裏面５との間には、直径約２００μｍのスルーホール３が複数貫通し、各スルーホール３の内壁に沿って厚み数１０μｍで銅メッキ製のスルーホール導体６が形成されている。各スルーホール導体６の内側には、シリカフィラなどの無機フィラを含む充填樹脂７が形成されている。
また、図１に示すように、コア基板２の表面４と裏面５とには、厚み約１５μｍの銅メッキ製で所定パターンを有する表面配線層８と裏面配線層９が個別に形成され、これらは各スルーホール導体６の上端または下端と接続されている。
【００１７】
更に、図１に示すように、コア基板２の表面４上方には、シリカフィラなどの無機フィラを含むエポキシ樹脂からなり、厚み約３０μｍのビルドアップ絶縁層１０，１６と、厚み約２０μｍの絶縁層（ソルダーレジスト層）２２と、ビルドアップ絶縁層１０，１６の間、およびビルドアップ絶縁層１６と絶縁層２２との間に形成した銅メッキからなる厚み約１５μｍのビルドアップ配線層１４，２０が位置する。表面配線層８、ビルドアップ配線層１４，２０間を導通するため、ビルドアップ絶縁層１０，１６には、銅メッキ製のフィルドビア導体１２，１８が形成される。尚、ビルドアップ絶縁層１０，１６およびビルドアップ配線層１４，２０は、ビルドアップ層ＢＵを形成する。因みに、ビルドアップ絶縁層１０，１６や絶縁層２２の熱膨張率は、約４０〜７０ｐｐｍ／℃である。
【００１８】
最上層の配線層２０上の所定の位置には、絶縁層（ソルダーレジスト層）２２を貫通し且つ第１主面２４よりも高く突出する複数のハンダバンプ２６が形成される。かかるバンプ２６は、例えばＳｎ−Ａｇ系などの低融点合金からなり、図１に示すように、第１主面２４上に実装するＩＣチップ（電子部品）２８の図示しない端子と個別に接続される。尚、かかる端子と各ハンダバンプ２６とは、図示しないアンダーフィル材により埋設され且つ保護される。
【００１９】
また、図１に示すように、コア基板２の裏面５上方（図面下側）で且つ裏面配線層９の上方には、厚みが２０〜１５０μｍ（本実施形態では４０μｍ）の裏面絶縁層１１が形成されている。かかる裏面絶縁層１１は、例えばエポキシ系樹脂などに無機繊維（本実施形態ではガラス繊維）を含浸させた半硬化性樹脂シートを、真空熱プレス処理して硬化させたものである。そして、裏面絶縁層１１は、（１）ヤング率が４Ｇｐａ以上、（２）熱膨張率（ＲＴ〜Ｔｇ）が２０ｐｐｍ以上、（３）伸び率が４％以下、（４）硬化収縮が１０００ｐｐｍ以上、という特性を備えている。尚、上記熱膨張率（ＲＴ〜Ｔｇ）は、コア基板２の裏面５に平行な平面方向に沿った熱膨張率である。また、上記伸び率は、０を含まない。
【００２０】
かかる裏面絶縁層１１の所定の位置には、その表面である第２主面１３側に開口する複数の開口部１５が形成され、その底部にはコア配線層９から延びて第２主面１３側に露出する配線１７が位置する。かかる配線１７は、その表面にＮｉメッキおよびＡｕメッキが被覆され、当該配線基板１を搭載する図示しないマザーボードなどのプリント基板との接続端子となる。
尚、上記開口部１５は、裏面絶縁層１１の上記各特性を保つため、かかる絶縁層１１全体の平面視における開口率で１５％以下にして形成する。また、上記配線１７にハンダを介して銅系または鉄系合金からなるピンを接続しても良い。
【００２１】
以上のような配線基板１では、裏面絶縁層１１は、前記特性（１）〜（４）を併有しているので、一定以上の弾性および熱膨張率を有し、且つ伸び率が低く、硬化収縮が高くなっている。このため、コア基板２を挟んで、その表面４上方に交互に積層したビルドアップ絶縁層１０，１６を含むビルドアップ層ＢＵの硬化収縮などと裏面絶縁層１１との上記硬化収縮などとのバランスが保ち易くなる。
この結果、かかる配線基板１によれば、厚み方向に反りを生じないか、極く僅かな反りに抑制可能となる。
従って、配線基板１では、コア配線層８，９、ビルドアップ配線層１４，２０、ビア導体１２，１８、およびスルーホール導体６の相互間における導通を、確実且つ安定して取ることが可能となる。尚、裏面絶縁層１１は、前記無機繊維を含む接着性の樹脂としても良い。また、ガラス繊維には、線径８約μｍで比較的長さの短いガラス糸を不規則に積層して含有するガラス不織布を用いても良い。
【００２２】
【実施例】
ここで、本発明の配線基板１に用いた裏面絶縁層１１の前記特性（１）〜（４）について、検証する。厚みが８００μｍでエポキシ系樹脂にガラス繊維を含み且つ表面４および裏面５に厚みが１８μｍの銅箔をそれぞれ貼り付けたコア基板２を６枚用意した。これらのコア基板２の裏面５に、表１に示す樹脂および繊維を含む裏面絶縁層を厚み６０μｍにして形成した後、２００℃に１００分間加熱および加圧（約２．９４×１０６Ｎ／ｍ２）するホットプレスを行った。
尚、上記裏面絶縁層の素材の種類に応じて、表１に示すように、上記６枚のコア基板２を実施例１，２および比較例１〜４とした。また、各例の裏面絶縁層におけるヤング率などの特性を表１に示した。
更に、上記ホットプレス後に、各例の裏面絶縁層付きのコア基板２を、その裏面絶縁層を上向きして定盤の上に載置し、４隅のうちで最も反り上がった位置における反り量（単板反り量）を、ノギスにより測定し、その結果も表１に示した。
【００２３】
【表１】
2004128481.tif 000003
【００２４】
表１によれば、裏面絶縁層の各特性が前記特性（１）〜（４）に含まれる実施例１，２のコア基板は、その裏面絶縁層１１側が凹む反りの反り量が６．５ｎｍ以上と高くなった。これに対し、前記特性（１）〜（４）の何れかを欠く比較例１〜４のコア基板における反り量は、２．００〜約４．５ｎｍに留まった。
以上のような実施例１，２の結果によって、前記特性（１）〜（４）を併有する裏面絶縁層１１をコア板２の裏面５に形成することにより、コア基板２の表面４上方に形成するビルドアップ層ＢＵの反り変形を解消または抑制できることが裏付けられた。
【００２５】
次に、以上のような配線基板１の製造方法を図２〜図３により説明する。
図２（Ａ）は、厚みが約８００μｍのコア基板２の断面を示し、その表面４と裏面５とには、厚みが約１８μｍの銅箔４ａ，５ａが全面に貼り付けてある。かかるコア基板２における所定の位置に対し、その厚み方向に沿ってドリルの挿入またはレーザ（炭酸ガスレーザなど）の照射を行う。
その結果、図２（Ｂ）に示すように、コア基板２において、その表面４と裏面５との間を貫通する直径約２００μｍのスルーホール３が複数穿孔される。
次に、各スルーホール３の内壁に予めＰｄなどを含むメッキ触媒を付着した後、図２（Ｃ）に示すように、コア基板２の全面に対し無電解銅メッキおよび電解銅メッキを施す。
【００２６】
その結果、図２（Ｃ）に示すように、各スルーホール３の内壁に沿ってスルーホール導体６が形成され、コア基板２の表面４と裏面５には、前記銅箔４ａ，５ａを含む銅メッキ膜４ｂ，５ｂが形成される。尚、図２（Ｃ）では、かかる銅メッキ膜４ｂ，５ｂの厚みは、前記銅箔４ａ，５ａと便宜上同じ厚みとして図示した。次いで、図２（Ｄ）に示すように、各スルーホール導体６の内側に、シリカフィラなどの無機フィラを含むエポキシ樹脂からなる充填樹脂７を形成した後、かかる充填樹脂７を蓋メッキするため、コア基板２の表面４および裏面５の全面に図示しない銅メッキ層を形成する。この状態で、かかる銅メッキ層の上に所定のパターンを有する図示しないエッチングレジストを形成した後、かかるレジストの隙間から露出する上記銅メッキ層４ｂ，５ｂをエッチングして除去する公知のサブトラクティブ法を施す。その結果、図２（Ｄ）に示すように、コア基板２の表面４および裏面５には、上記レジストのパターンに倣った所定パターンの表面配線層８と裏面配線層９とが個別に形成される。
【００２７】
図３（Ａ）に示すように、スルーホール導体６、表面配線層８、および裏面配線層９を有する一対のコア基板２，２を、それらの裏面５，５を対向させ、両者の間に裏面絶縁層１１およびクッション性を有する離型シート２７を挟持して積層し且つ拘束する。かかる状態で、一対のコア基板２、一対の裏面絶縁層１１、および離型剤２７を図３（Ａ）中の矢印で示すように、ホットプレスにより加熱しつつ加圧する。
その結果、図３（Ｂ）に示すように、上記一対のコア基板２，２の裏面５および裏面配線層９の上方に、前記樹脂シートにガラス繊維を含有する裏面絶縁層１１が個別に形成される。これにより、各裏面絶縁層１１は、各コア基板２の裏面５に密着すると共に、これら裏面絶縁層１１自体が生じる反りを互いに抑制しつつ、各コア基板２の裏面５にかかる裏面絶縁層１１を平坦に形成できる。
【００２８】
次いで、図３（Ｂ）において、一対のコア基板２の外側に露出する表面４の上方にビルドアップ層ＢＵを形成する。この工程は、前記ビルドアップ層ＢＵを形成する前記ビルドアップ絶縁層１０，１６、絶縁層２２、ビルドアップ配線層１４，２０、およびフィルドビア導体１２，１８を、公知のビルトアップ技術（セミアディティブ法、フルアディティブ法、サブトラクティブ法、フィルム状樹脂材料のラミネートによる絶縁層の形成、フォトリソグラフィ技術）により形成する。更に、前記ハンダバンプ（ＩＣ接続端子）２６を第１主面２４側に形成する。
最後に、一対のコア基板２を分離した後、それぞれの裏面側絶縁層１１にレーザ加工などによって開口部１５を形成した後、その底部に露出する前記配線１７の表面にＮｉメッキおよびＡｕメッキを施す。
この結果、前記図１に示した配線基板１を得ることができる。
尚、以上のような製造工程は、複数のコア基板２（製品単位）を平面方向に併有する多数個取りの基板（パネル）にて行っても良い。
【００２９】
図４は、配線基板１の応用形態の配線基板１ａにおける主要部の断面を示す。配線基板１ａは、図４に示すように、多層基板のコア基板２と、コア基板２の表面４と裏面５との間を貫通する複数のスルーホール導体６と、コア基板２の表面４や裏面５に形成した表面配線層８および裏面配線層９と、を備えている。
また、図４に示すように、コア基板２の表面４上方には、前記同様の複数の絶縁層１０，１６，２２と複数の配線層１４，２０とを、交互に積層したビルドアップ層ＢＵが形成される。前記同様に、表面配線層８、ビルドアップ配線層１４，２０間を導通するフィルドビア導体１２，１８や、最上層の上記配線層２０にはハンダバンプ２６が形成されている。
更に、コア基板２の裏面５上（図面下側）には、前記（１）ヤング率が４Ｇｐａ以上、（２）熱膨張率（ＲＴ〜Ｔｇ）が２０ｐｐｍ以下、（３）伸び率が４％以下、および（４）硬化収縮が１０００ｐｐｍ以上の特性を、併有する裏面絶縁層１１が形成されると共に、その開口部１５の底部には前記同様の配線１７が位置している。
【００３０】
コア基板２は、エポキシ系樹脂にガラス繊維などを含有させた厚みが約４００μｍで熱膨張率が３０ｐｐｍ／℃以下の絶縁層２ａと、同じ素材からなり厚みが約２００μｍで熱膨張率が３０ｐｐｍ／℃以下の絶縁層２ｂ，２ｃと、これらの間に位置する銅メッキからなる厚み約１５μｍの配線層２５，２７とからなる。かかる多層基板のコア基板２の表面４と裏面５との間を貫通する直径約２００μｍで複数のスルーホール３が複数貫通し、各スルーホール３の内壁に沿って厚み数１０μｍで銅メッキ製のスルーホール導体６が形成される。各スルーホール導体６の内側には、シリカフィラなどの無機フィラを含む充填樹脂７が形成されている。また、各スルーホール導体６は、その中間で配線層２５，２７と接続されている。
【００３１】
以上のような配線基板１ａによれば、裏面絶縁層１１によりビルドアップ層ＢＵ側が凹形となる反りが防げると共に、コア基板２中の配線層２５，２７も、スルーホール導体６を介してコア配線層８，９やビルドアップ配線層１４，２０と確実に導通する。このため、多くの配線層を高密度で有し且つ互いに安定した導通を得ることが可能となる。
尚、コア基板２は、中央の絶縁層２ａにおける表面２１と裏面２３とに予め配線層２５，２７を前述したサブトラクティブ法などにより形成し、これらの上に絶縁層２ｂ，２ｃを形成した後、厚み方向に前記同様してスルーホール３、スルーホール導体６、および充填樹脂７を形成を形成することにより得られる。これ以降は、前記図３（Ａ），（Ｂ）の各工程を経ることにより、図４に示すような配線基板１ａを得ることができる。
【００３２】
本発明は、以上において説明した各形態に限定されるものではない。
前記裏面絶縁層の素材は、前記（１）〜（４）の特性を有するものであれば、前記の形態に限るものではない。
また、前記コア基板２などの材質は、前記ガラス繊維または炭素繊維を含むものであれば、エポキシ系樹脂の他、ビスマレイミド・トリアジン（ＢＴ）樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂などを用いても良い。あるいは、連続気孔を有するＰＴＦＥなど３次元網目構造のフッ素系樹脂にガラス繊維などを含有させた複合材料などを用いることも可能である。
【００３３】
あるいは、前記コア基板２や多層基板のコア基板２における絶縁層２ａ〜２ｃの材質をセラミックとしても良い。かかるセラミックには、アルミナ、珪酸、ガラスセラミック、窒化アルミニウムなどが含まれ、更には約１０００℃以下の比較的低温で焼成が可能な低温焼成基板を用いることもできる。
かかるセラミックからなるコア基板２は、以下のようにして形成される。
未焼成のアルミナなどからなるセラミックグリーンシートにレーザ加工または金型加工などにて、スルーホール３を形成する。次に、かかるスルーホール３にＷなどの金属粉末を含む導電性ペーストを印刷して充填する。尚、この導電性ペーストは、追ってセラミックグリーンシートの焼成時に同時に燒結されて、前記スルーホール導体６となる。次いで、上記セラミックグリーンシート表面上の所定位置にも、導電性ペーストを所定パターンで印刷する。尚、この表面に印刷された導電性ペーストは、追ってセラミックグリーンシートの焼成時に同時に燒結されて、前記配線層２５，２７、表面配線層８、裏面配線層９などとなる。
更に、導電性ペーストが印刷された単層または複数の未焼成セラミックセラミックグリーンシート２ａ，２ｂ，２ｃをラミネートし熱圧着することで一体化し、未焼成のコア基板２とする。そして、かかる未焼成のコア基板２を約１３００℃にて焼成することで、焼成後のセラミックからなる単層または多層基板のコア基板２が得られる。尚、セラミックからなるコア基板２の場合、スルーホール３の内側には、前記充填樹脂７は形成せず、省略される。加えて、かかるコア基板２の表面４上には、樹脂フィルムからなる絶縁層１０などがラミネートされると共に、前述したビルドアップ工程によりビルドアップ層ＢＵが形成される。
【００３４】
尚、上記導電性ペーストは、Ｍｏ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ａｇ−Ｐｔ、Ａｇ−Ｐｄなどの素材としても良い。
前記スルーホール導体６、表面配線層８、配線層１４，２０などの材質は、前記Ｃｕ（銅）の他、Ａｇ、Ｎｉ、Ｎｉ−Ａｕ系などにしても良く、あるいは金属のメッキ層を用いず、導電性樹脂を塗布するなどの方法により形成しても良い。
【００３５】
更に、前記ビルドアップ層の絶縁層１０，１６などの材質は、前記エポキシ樹脂を主成分とするもののほか、同様の耐熱性、パターン成形性などを有するポリイミド樹脂、ＢＴ樹脂、ＰＰＥ樹脂、あるいは、連続気孔を有するＰＴＦＥなど３次元網目構造のフッ素系樹脂にエポキシ樹脂などの樹脂を含浸させた樹脂−樹脂系の複合材料などを用いることもできる。尚、絶縁層の形成には、絶縁性の樹脂フィルムを熱圧着する方法のほか、液状の樹脂をロールコータにより塗布する方法を用いることもできる。尚また、絶縁層に混入するガラス繊維またはガラスフィラの組成は、Ｅガラス、Ｄガラス、Ｑガラス、Ｓガラスの何れか、またはこれらのうちの２種類以上を併用したものとしても良い。
また、ビア導体は、前記フィルドビア導体１２などでなく、内部が完全に導体で埋まってない逆円錐形状のコンフォーマルビア導体とすることもできる。あるいは、各ビア導体の軸心をずらしつつ積み重ねるスタッガードの形態でも良いし、途中で平面方向に延びる配線層が介在する形態としても良い。
【００３６】
【発明の効果】
以上に説明した本発明の配線基板（請求項１）によれば、裏面絶縁層は、前記特性（１）乃至（４）を有するので、一定以上の弾性および熱膨張率を有し、且つ伸び率が低く、硬化収縮が高くなっているため、コア基板を挟んで、その表面上方に形成されるビルドアップ層の硬化収縮などのバランスが保ち易くなる。
従って、ビルドアップ層側の中央部が凹む厚み方向に反りを生じないか、極く僅かな反りに抑制可能とした配線基板とすることができると共に、表面配線層、裏面配線層、ビルドアップ配線層、およびスルーホール導体の相互間における導通を確実に取ることが可能となる。しかも、ビルドアップ配線層から第１主面よりも高く突出するハンダバンプに、かかる第１主面に実装するＩＣチップなどの電子部品を確実に接続することができる。
【００３７】
また、請求項２の配線基板によれば、裏面絶縁層に求められる前記各特性を確実に得られるため、配線基板全体の反りを一層防止することが可能となる。
更に、請求項３の配線基板によれば、コア基板にセラミックを用いることでコア基板自体が反りにくい材質となるため、前記ビルドアップ層などが一層反りにくくなり、且つ接続性に優れた配線基板とすることが可能となる。
一方、本発明の配線基板の製造方法（請求項４）によれば、一対のコア基板をそれらの裏面を対向させ、一対の裏面絶縁層および離型シートを介して積層して加圧するため、上記一対のコア基板の各裏面に裏面絶縁層自体が生じる反りを互いに抑制しつつ形成できる。しかも、各コア基板の表面において、前記ビルドアップ層をそれぞれ平坦にして形成することもできる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の配線基板の１形態における主要部を示す断面図。
【図２】（Ａ）〜（Ｄ）は上記配線基板を得るための主な製造工程を示す概略図。
【図３】（Ａ），（Ｂ）は図２（Ｄ）に続く主な製造工程を示す概略図。
【図４】図１の配線基板の応用形態の配線基板における主要部を示す断面図。
【図５】（Ａ），（Ｂ）は従来の配線基板における主要部を示す断面図。
【符号の説明】
１，１ａ……配線基板、　　　　　　２……………コア基板、
４……………表面、　　　　　　　　５……………裏面、
８……………表面配線層、　　　　　９……………裏面配線層、
１０，１６…絶縁層、　　　　　　　１１…………裏面絶縁層、
１４，２０…配線層、　　　　　　　２７…………離型シート、
ＢＵ…………ビルドアップ層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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