(57)【要約】【課題】光通信モジュールの高速度・高周波領域の特性向上を実現する。【解決手段】光通信モジュールは、切欠部１を有するパッケージ２、アンプＩＣ３、及び受光素子キャリア４から構成されている。受光素子５のバイアス印加用の配線導体２１とパッケージ２のバイアス印加用の配線層９ｂ、受光素子５の出力用の配線導体２０とアンプＩＣ３の入力端子２２、パッケージ２の接地用の配線層８と受光素子５の接地用の配線導体１８およびアンプＩＣ３の接地端子１６、受光素子５の接地用の配線導体１８とアンプＩＣ３の接地端子１６が、ボンディングワイヤ１４で、それぞれ接続されている。アンプＩＣ３の電源端子１３は、バイパスコンデンサ１２ａを介してアンプＩＣ３のバイアス印加用の配線層９ａとボンディングワイヤ１４で接続され、アンプＩＣ３の出力端子１５は、パッケージ２の出力配線層１０ａと接続されている。【選択図】　図１
2004128250.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
方形状の絶縁性支持体と、
前記絶縁性支持体の第１主面の中間部に互いに離間して形成され、少なくとも第１主面と連続する第２の主面に延びる第１配線導体と、
前記第１主面における前記第１配線導体間に、この第１配線導体と絶縁して形成された第２配線導体と、
前記第２配線導体に隣接し、且つこの第２配線導体と絶縁して第１主面に形成され、前記第２主面まで延びる第３配線導体と、
前記第１主面における前記絶縁性支持体端部と前記第１配線導体との間の少なくとも一方に、前記第１配線導体と絶縁して形成され、前記第２主面まで延びる第４配線導体と、
を具備したことを特徴とする光素子キャリア。
【請求項２】
前記第１配線導体は、前記第１主面、前記第２主面、前記第１主面と対向する第３主面、及び前記第２主面と対向する第４主面まで延び、且つ前記第１主面の第１配線導体と前記第３主面の第１配線導体が、スルーホールを介して互いに電気的に接続されていることを特徴とする請求項１記載の光素子キャリア。
【請求項３】
前記第３及び第４主面における前記第１配線導体は、前記絶縁性支持体の第３及び第４主面全体に形成されていることを特徴とする請求項２記載の光素子キャリア。
【請求項４】
前記光素子は、前記第１配線導体上に固着されるバイパスコンデンサを介して前記第４配線導体と電気的に接続されることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項記載の光素子キャリア。
【請求項５】
金属製支持体と、
前記金属製支持体の第１主面と連続する第２主面の中間部に、その第１主面が前記金属製支持体の第１主面側に、その第２主面が前記金属製支持体の第２主面側に、それぞれ露呈するように埋込まれた第１絶縁性ブロックと、
前記金属製支持体の第１主面と連続する第２主面の少なくとも一方の端部に、その第１主面が前記金属製支持体の第１主面側に、その第２主面が前記金属製支持体の第２主面側に、それぞれ露呈するように埋込まれた第２絶縁性ブロックと、前記第１絶縁性ブロックと第２絶縁性ブロック間に形成されている金属製支持体部分からなる第１配線導体と、
前記第１絶縁性ブロックの第１主面に形成された第２配線導体と、
この第２配線導体と絶縁して前記第１絶縁性ブロックの第１主面に形成され、この第１主面と連続する前記第２主面に延びる第３配線導体と、
前記第２絶縁性ブロックの第１主面に形成され、この第１主面と連続する前記第２主面に延びる第４配線導体と、
を具備したことを特徴とする光素子キャリア。
【請求項６】
前記光素子は、前記金属製支持体上に固着されたバイパスコンデンサを介して前記第４配線導体と電気的に接続されることを特徴とする請求項５記載の光素子キャリア。
【請求項７】
金属製支持基板とこの金属製支持基板上に設けられた回路基板とを有するパッケージと、
前記回路基板の接地用の配線層上に設けられたアンプＩＣと、
方形状の絶縁性支持体と、この絶縁性支持体の第１主面の中間部に互いに離間して形成され、少なくとも第１主面と連続する第２主面に延びる第１配線導体と、前記第１主面における前記第１配線導体間に、この第１配線導体と絶縁して形成された第２配線導体と、前記第２配線導体に隣接し、且つこの第２配線導体と絶縁して第１主面に形成され、前記第２主面まで延びる第３配線導体と、前記第１主面における前記絶縁性支持体端部と前記第１配線導体との間の少なくとも一方に、前記第１配線導体と絶縁して形成され、前記第２主面まで延びる第４配線導体と、前記第２配線導体上に固着され、前記第３及び第４配線導体と電気的に接続された光素子を有し、且つ前記パッケージに固着された光素子キャリアと、
を具備し、
前記光素子キャリアの第１配線導体と前記パッケージの接地用の配線層とが電気的に接続されていることを特徴とする光通信モジュール。
【請求項８】
金属製支持基板とこの金属製支持基板上に設けられた回路基板とを有するパッケージと、
前記回路基板の接地用の配線層上に設けられたアンプＩＣと、
金属製支持体と、前記金属製支持体の第１主面と連続する第２主面の中間部に、その第１主面が前記金属製支持体の第１主面側に、その第２主面が前記金属製支持体の第２主面側に、それぞれ露呈するように埋込まれた第１絶縁性ブロックと、
前記金属製支持体の第１主面と連続する第２主面の少なくとも一方の端部に、その第１主面が前記金属製支持体の第１主面側に、その第２主面が前記金属製支持体の第２主面側に、それぞれ露呈するように埋込まれた第２絶縁性ブロックと、前記第１絶縁性ブロックと第２絶縁性ブロック間に形成されている金属製支持体部分からなる第１配線導体と、前記第１絶縁性ブロックの第１主面に形成された第２配線導体と、前記第２配線導体と絶縁して前記第１絶縁性ブロックの第１主面に形成され、この第１主面と連続する前記第２主面に延びる第３配線導体と、前記第２絶縁性ブロックの第１主面に形成され、この第１主面と連続する前記第２主面に延びる第４配線導体と、前記第２配線導体上に固着され、前記第３及び第４配線導体と電気的に接続される光素子を有し、前記パッケージに固着された光素子キャリアと、
を具備し、
前記光素子キャリアの前記第１、第３、及び第４配線導体と前記パッケージの各配線層が、それぞれ電気的に接続されていることを特徴とする光通信モジュール。
【請求項９】
前記パッケージの金属製支持基板の一側端部に切欠部が設けられ、
この切欠部に前記光素子キャリアが装着固定されていることを特徴とする請求項７または８記載の光通信モジュール。
【請求項１０】
前記光素子キャリアの第２主面を前記パッケージ側に向けて載置し、且つ前記第１、第３、及び第４配線導体が前記パッケージの各配線層に直接接続されていることを特徴とする請求項７または８記載の光通信モジュール。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光通信モジュールに係わり、特に、１Ｇｂｐｓ（Ｇｉｇａｂｉｔ　ｐｅｒ　ｓｅｃｏｎｄ）以上の高速度・高周波に適合する光通信モジュールおよびそれに用いられる光素子キャリアに関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、１Ｇｂｐｓ以上の高速度・高周波領域で使用する光通信モジュールが実用化されている。この種の光通信モジュールとしては、図８乃至図１０に示すものが知られている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００３】
図８は光通信モジュールの上面図、図９は図８のＢ−Ｂ線に沿う光通信モジュールの断面図、図１０は光通信モジュールに使用される受光素子キャリアの斜視図である。
【０００４】
この特許文献１に開示された光通信モジュールは、例えば、図８及び図９に示すように、一側端部に切欠部１０１を有するパッケージ１０２と、パッケージ１０２上に設けられたアンプＩＣ１０３と、切欠部１０１上に取りつけられた受光素子キャリア１０４とから構成されている。
【０００５】
そして、図示略のファイバーからの光信号を受光素子キャリア１０４上にある受光素子１０５で受け、微弱な信号をアンプＩＣ１０３で増幅し、電気信号を出力するようになっている。
【０００６】
パッケージ１０２は、一側面部に切欠部１０１を有する金属製支持基板１０６と、この金属製支持基板１０６上面に設けられたセラミック製の回路基板１０７からなる。この回路基板１０７上面には、接地用の配線層１０８、アンプＩＣ１０３のバイアス印加用の配線層１０９ａ、受光素子１０５のバイアス印加用の配線層１０９ｂ、及び光通信モジュールの出力配線層１１０がそれぞれ形成され、金属製支持基板１０６と接地用の配線層１０８は、スルーホール１１１を介して電気的に接続されている。
【０００７】
接地用の配線層１０８上には、アンプＩＣ１０３とバイパスコンデンサ１１２ａがそれぞれ固着され、アンプＩＣ１０３の電源端子１１３は、バイパスコンデンサ１１２ａを介してバイアス印加用の配線層１０９ａとボンデイングワイヤ１１４で接続され、アンプＩＣ１０３の出力端子１１５は、光通信モジュールの出力配線層１１０とボンデイングワイヤ１１４で接続され、アンプＩＣ１０３の接地端子１１６は、接地用の配線層１０８とボンデイングワイヤ１１４でそれぞれ接続されている。
【０００８】
一方、受光素子キャリア１０４は、図１０に示すように、方形状のセラミック製の絶縁性支持体１１７の第１主面（前面）Ｓ１上には、接地用の配線導体１１８、受光素子１０５のマウント用の配線導体１１９、出力用の配線導体１２０、及びバイアス印加用の配線導体１２１がそれぞれ形成され、また、接地用の配線導体１１８、出力用の配線導体１２０、及びバイアス印加用の配線導体１２１は、第２主面（上面）Ｓ２にまで延在形成されている。
【０００９】
そして、接地用の配線導体１１８上には、バイパスコンデンサ１１２ｂが、マウント用の配線導体１１９上には、受光素子１０５が、それぞれ形成されている。
【００１０】
受光素子１０５と出力用の配線導体１２０、マウント用の配線導体１１９とバイパスコンデンサ１１２ｂ、及びバイアス印加用の配線導体１２１とバイパスコンデンサ１１２ｂは、ボンデイングワイヤ１１４でそれぞれ接続されている。
【００１１】
この受光素子キャリア１０４は、パッケージ１０２の切欠部１０１に載置され、半田づけによりパッケージ１０２に固定されている。
【００１２】
そして、受光素子１０５のバイアス印加用の配線導体１２１とパッケージ１０２のバイアス印加用の配線層１０９ｂがボンデイングワイヤ１１４で、受光素子１０５の接地用の配線導体１１８とパッケージ１０２の接地用の配線層１０８がボンデイングワイヤ１１４ａで、受光素子１０５の接地用の配線導体１１８とアンプＩＣ１０３の接地端子１１６がボンデイングワイヤ１１４ｂで、受光素子１０５の出力用の配線導体１２０とアンプＩＣ１０３の入力端子１２２がボンデイングワイヤ１１４ｃで、それぞれ接続されている。
【００１３】
【特許文献１】
特開平４−２２９０７号公報（第８頁、第５図）
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】
上述した従来の光通信モジュールにおいては、ボンディングワイヤが長く、接地用の金属配線導体１１８のボンディング領域が少なく、接地リード本数が少ない等の構成になっており、寄生インダクタンス（以下寄生Ｌという）と寄生容量により生じる寄生ＬＣ共振、及び受光素子１０５とアンプＩＣ１０３間を接続する信号線のインダクタンス（以下Ｌという）がそれぞれ適正化されていないので、特に１０Ｇｂｐｓ以上の高速度・高周波領域での利得特性に、ピーキングの発生や高周波領域でのフラットで伸びのある利得特性が得られないなどの問題を有していた。
【００１５】
本発明は、上記問題に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、高速度・高周波領域での利得特性劣化をおさえて、安定した利得特性を有する光通信モジュールおよびそれに用いられる光素子キャリアを提供することにある。
【００１６】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明の光素子キャリアは、方形状の絶縁性支持体と、前記絶縁性支持体の第１主面の中間部に互いに離間して形成され、少なくとも第１主面と連続する第２の主面に延びる第１配線導体と、前記第１主面における前記第１配線導体間に、この第１配線導体と絶縁して形成された第２配線導体と、前記第２配線導体に隣接し、且つこの第２配線導体と絶縁して第１主面に形成され、前記第２主面まで延びる第３配線導体と、前記第１主面における前記絶縁性支持体端部と前記第１配線導体との間の少なくとも一方に、前記第１配線導体と絶縁して形成され、前記第２主面まで延びる第４配線導体とを具備したことを特徴とする。
【００１７】
また、上記目的を達成するために、本発明の光通信モジュールは、金属製支持基板とこの金属製支持基板上に設けられた回路基板とを有するパッケージと、前記回路基板の接地用の配線層上に設けられたアンプＩＣと、方形状の絶縁性支持体と、この絶縁性支持体の第１主面の中間部に互いに離間して形成され、少なくとも第１主面と連続する第２主面に延びる第１配線導体と、前記第１主面における前記第１配線導体間に、この第１配線導体と絶縁して形成された第２配線導体と、前記第２配線導体に隣接し、且つこの第２配線導体と絶縁して第１主面に形成され、前記第２主面まで延びる第３配線導体と、前記第１主面における前記絶縁性支持体端部と前記第１配線導体との間の少なくとも一方に、前記第１配線導体と絶縁して形成され、前記第２主面まで延びる第４配線導体と、前記第２配線導体上に固着され、前記第３及び第４配線導体と電気的に接続された光素子を有し、且つ前記パッケージに固着された光素子キャリアとを具備し、前記光素子キャリアの第１配線導体と前記パッケージの接地用の配線層とが電気的に接続されていることを特徴とする。
【００１８】
上記構成によれば、金属配線層、ボンディングワイヤ、接地リード等のＬと受光素子部の寄生容量を低減できる構造を有しているから、高速度・高周波領域での利得特性劣化をおさえ、安定した利得特性を有する光通信モジュールおよびそれに用いられる光素子キャリアを提供できる。
【００１９】
【発明の実施の形態】
以下本発明の実施形態について図面を参照しながら説明する。
【００２０】
（第１の実施の形態）
まず、本発明による光通信モジュールの第１の実施の形態について図１乃至図３を参照して説明する。図１は光通信モジュールの上面図、図２は図１のＡ−Ａ線に沿う光通信モジュールの断面図、図３は光通信モジュールに使用される受光素子キャリアの斜視図であり、図３（ａ）は第１主面側から見た斜視図、図３（ｂ）は第３主面側から見た斜視図である。
【００２１】
図１及び図２に示すように、本実施の形態の光通信モジュールは、一側端部に切欠部１を有するパッケージ２と、パッケージ２上に設けられたアンプＩＣ３と、切欠部１上に取りつけられた受光素子キャリア４とから構成されている。
【００２２】
そして、図示略のファイバーからの光信号を受光素子キャリア４上にある受光素子５で受け、微弱な信号をアンプＩＣ３で増幅し、電気信号を出力するようになっている。
【００２３】
パッケージ２は、例えば銅―タンタル（Ｃｕ−Ｔａ）からなる、一側端部に切欠部１を有する金属製支持基板６と、この金属製支持基板６上面に設けられたセラミック製の回路基板７との積層構造からなっている。そして、この回路基板７上面には、接地用の配線層８、アンプＩＣ３のバイアス印加用の配線層９ａ、受光素子５のバイアス印加用の配線層９ｂ、及び光通信モジュールの出力配線層１０ａが、それぞれ所定パターンに形成され、金属製支持基板６と接地用の配線層８は、スルーホール１１ａを介して電気的に接続されている。
【００２４】
接地用の配線層８上には、アンプＩＣ３とバイパスコンデンサ１２ａがそれぞれ固着され、アンプＩＣ３の電源端子１３は、バイパスコンデンサ１２ａを介してバイアス印加用の配線層９ａとボンデイングワイヤ１４で接続され、アンプＩＣ３の出力端子１５は、光通信モジュールの出力配線層１０ａとボンデイングワイヤ１４で接続され、アンプＩＣ３の接地端子１６は、接地用の配線層８とボンデイングワイヤ１４でそれぞれ接続されている。
【００２５】
一方、受光素子キャリア４は、図３に示すように、方形状のセラミック製の絶縁性支持体１７を有している。この絶縁性支持体１７の第１主面（前面）Ｓ１の中間部分には、接地用の配線導体（第１配線導体）１８が互いに離間して形成され、接地用の配線導体１８間の第１主面Ｓ１には、受光素子５のマウント用の配線導体（第２配線導体）１９及び出力用の配線導体（第３配線導体）２０が互いに絶縁して設けられ、絶縁性支持体１７の側端部と接地用の配線導体１８との間の第１主面Ｓ１には、バイアス印加用の配線導体（第４配線導体）２１が形成されている。
【００２６】
この接地用の配線導体１８は、絶縁性支持体１７の第１主面Ｓ１から、これと連続する第２主面（上面）Ｓ２、第１主面Ｓ１と対向する第３主面（裏面）Ｓ３及び第２主面Ｓ２と対向する第４主面（下面）Ｓ４まで延在形成され、第３主面Ｓ３及び第４主面Ｓ４においては、ほぼ全面全体に形成され、第１主面Ｓ１と第３主面Ｓ３の接地用の配線導体１８は、スルーホール１１ｂを介して互いに接続されている。また、出力用の配線導体２０とバイアス印加用の配線導体２１は、第１主面Ｓ１と第２主面Ｓ２に延在形成されている。
【００２７】
そして、接地用の配線導体１８上には、バイパスコンデンサ１２ｂが、マウント用の配線導体１９上には、受光素子１０５が、それぞれ固着されている。
【００２８】
受光素子５と出力用の配線導体２０、マウント用の配線導体１９とバイパスコンデンサ１２ｂ、及びバイアス印加用の配線導体２１とバイパスコンデンサ１２ｂは、ボンデイングワイヤ１４でそれぞれ接続されている。
【００２９】
この受光素子キャリア４は、その第４主面側Ｓ４をパッケージ２の切欠部１に向けて載置され、半田づけによりパッケージ２に固定されている。
【００３０】
そして、受光素子５のバイアス印加用の配線導体２１とパッケージ２のバイアス印加用の配線層９ｂがボンデイングワイヤ１４で、受光素子５の接地用の配線導体１８とパッケージ２の接地用の配線層８がボンデイングワイヤ１４ａで、受光素子５の接地用の配線導体１８とアンプＩＣ３の接地端子１６がボンデイングワイヤ１４ｂで、受光素子５の出力用の配線導体２０とアンプＩＣ３の入力端子２２がボンデイングワイヤ１４ｃで、それぞれ接続されている。
【００３１】
本実施の形態の光通信モジュールは、接地用の配線導体１８を１ケ所から２ケ所に増やしているので、接地リードのボンディングワイヤ１４ａの本数を３本から６本に増加でき、且つ長さを短くでき、また、アンプＩＣ３と受光素子キャリア４の距離を短くしているので、受光素子５の接地用の配線導体１８とアンプＩＣ３の接地端子１６間のボンディングワイヤ１４ｂ長を半減でき、さらに、受光素子キャリア４は、受光素子５の両側と受光素子キャリア４の第１主面Ｓ１、第２主面Ｓ２、第３主面Ｓ３、及び第４主面Ｓ４の４面に接地用の配線導体１８を形成しているので、寄生Ｌと寄生容量を減少でき、寄生ＬＣ共振が抑制され、ピーキング発生をなくすことができる。
【００３２】
また、アンプＩＣ３と受光素子キャリア４の距離を短くし、受光素子５の出力用の配線導体２０とアンプＩＣ３の入力端子２２間のボンディングワイヤ１４長を半減したことにより、受光素子５とアンプＩＣ３間を接続する信号線のＬを小さくでき、ＬＣ共振周波数を上げ、帯域をのばすことができる。
【００３３】
従って、この寄生ＬＣ共振の抑制とＬＣ共振周波数を上げることができることにより、高速度・高周波領域までピーキングと波形のおちこみのない、フラットな利得特性を有する光通信モジュールが得られる。
【００３４】
図４は、１０Ｇｂｐｓ光通信モジュールでの利得と周波数の関係を示した特性図で、図中の実線（ａ）は本実施の形態の特性を示し、破線（ｂ）は従来の特性を示す。
【００３５】
この特性図から明白なように、従来では、寄生ＬＣ共振の発生および信号線Ｌの大によるＬＣ共振周波数がさがることにより、９ＧＨｚ付近でのピーキング、１０．５ＧＨｚ付近での波形のおちこみが発生し、１０ＧＨｚ付近から１２ＧＨｚ付近において波形のブレおよび利得低下により規格（１０ＧＨｚまで、±３ｄＢ以内でフラットな利得特性を有すること）を大きく逸脱している。
【００３６】
一方、本実施の形態では、寄生ＬＣの削減および信号線のＬを減らすことができるので、１２ＧＨｚ付近までフラットな利得特性が得られており、規格を充分満足している。
【００３７】
（第２の実施の形態）
次に、本発明による光通信モジュールの第２の実施の形態について図５を参照して説明する。図５は光通信モジュールに使用される受光素子キャリアの斜視図、図５（ａ）は第１主面側から見た斜視図、図５（ｂ）は第３主面側から見た斜視図である。この第２の実施の形態は、第１の実施の形態とは受光素子キャリア４の構造が異なり、それ以外の構成については同じである。
【００３８】
図５に示すように、本実施の形態の受光素子キャリア４は、方形状の金属製支持体２３の第２主面Ｓ２の中央部に方形状のセラミック製の絶縁性ブロック（第１絶縁性ブロック）２４が埋め込まれ、また、第２主面Ｓ２の両側端部に方形状のセラミック製の絶縁性ブロック（第２絶縁性ブロック）２５が埋込まれた方形状の構造をしている。中央部の絶縁性ブロック２４と両側端部の絶縁性ブロック２５は、金属製支持体２３で離間して形成されている。
【００３９】
ここでは、絶縁性ブロック２４は、その第１主面　（表面）Ｓ１、第２主面（上面）　Ｓ２、及び第３主面（裏面）Ｓ３部分が露呈され、絶縁性ブロック２５は、その第１主面Ｓ１、第２主面Ｓ２、第３主面Ｓ３、及び側面部分が露呈されているが、必ずしも、絶縁性ブロックの第３主面Ｓ３、または側面部分は、露呈される必要はない。
【００４０】
金属製支持体２３の中央部に埋込まれた絶縁ブロック２４の第１主面Ｓ１には、受光素子５のマウント用の配線導体１９及び出力用の配線導体２０が互いに絶縁して設けられ、金属製支持体２３の両側端部に埋込まれた絶縁性ブロック２５の第１主面Ｓ１には、バイアス印加用の配線導体２１が形成されている。
【００４１】
また、出力用の配線導体２０とバイアス印加用の配線導体２１は、絶縁性ブロック２４、及び２５の第１主面Ｓ１と第２主面Ｓ２にそれぞれ延在形成され、金属製支持体２３は、受光素子５の第１配線導体としての接地用の配線導体としても使用される。
【００４２】
そして、金属製支持体２３の第１主面Ｓ１上には、バイパスコンデンサ１２ｂが、マウント用の配線導体１９上には、受光素子５が、それぞれ固着されている。受光素子５と出力用の配線導体２０、マウント用の配線導体１９とバイパスコンデンサ１２ｂ、及びバイアス印加用の配線導体２１とバイパスコンデンサ１２ｂは、ボンデイングワイヤ１４でそれぞれ接続されている。
【００４３】
この受光素子キャリア４は、図１及び図２に示す上記第１の実施の形態と同様に、その第４主面側をパッケージ２の切欠部１に向けて載置され、半田づけによりパッケージ２に固定されている。
【００４４】
受光素子５のバイアス印加用の配線導体２１とパッケージ２のバイアス印加用の配線層９ｂがボンデイングワイヤ１４で、受光素子５の接地用の配線導体１８とパッケージ２の接地用の配線層８がボンデイングワイヤ１４ａで、受光素子５の接地用の配線導体１８とアンプＩＣ３の接地端子１６がボンデイングワイヤ１４ｂで、受光素子５の出力用の配線導体２０とアンプＩＣ３の入力端子２２がボンデイングワイヤ１４ｃで、それぞれ接続されている。
【００４５】
本実施の形態の光通信モジュールは、接地用の配線導体１８を１ケ所から２ケ所に増やしているので、接地リードのボンディングワイヤ１４の本数を３本から６本に増加でき、且つ長さを短くでき、また、アンプＩＣ３と受光素子キャリア４の距離を短くしているので、受光素子５の接地用の配線導体１８とアンプＩＣ３の接地端子１６間のボンディングワイヤ１４ａ長を半減でき、さらに、受光素子キャリア４は、中央部の絶縁性ブロック２４、及び両端部の絶縁性ブロック２５以外すべてを金属製支持体２３からなるグランドにすることにより、寄生Ｌと寄生容量を減少でき、寄生ＬＣ共振が抑制でき、ピーキング発生をなくすことができる。
【００４６】
また、アンプＩＣ３と受光素子キャリア４の距離を短くし、受光素子５の出力用の配線導体２０とアンプＩＣ３の入力端子２２間のボンディングワイヤ１４長を半減したことにより、受光素子５とアンプＩＣ３間を接続する信号線のＬを小さくでき、ＬＣ共振周波数を上げ、帯域をのばすことができる。
【００４７】
この寄生ＬＣ共振の抑制とＬＣ共振周波数を上げることができることにより、高速度・高周波領域までピーキングと波形のおちこみのない、フラットな利得特性を有する光通信モジュールが得られる。
【００４８】
（第３の実施の形態）
次に、本発明による光通信モジュールの第３の実施の形態について図６及び図７を参照して説明する。図６は光通信モジュールの斜視図であり、図７は光通信モジュールに使用される受光素子キャリアの斜視図であり、図７（ａ）は第１主面側から見た斜視図、図７（ｂ）は第３主面側から見た斜視図である。
【００４９】
図６及び図７に示すように、本実施の形態の光通信モジュールは、パッケージ２と、パッケージ２上に設けられたアンプＩＣ３と、パッケージ２上に取りつけられた受光素子キャリア４とから構成されている。
【００５０】
そして、図示略のファイバーからの光信号を受光素子キャリア４上にある受光素子５で受け、微弱な信号をアンプＩＣ３で増幅し、電気信号を出力するようになっている。
【００５１】
パッケージ２は、例えば銅―タンタル（Ｃｕ−Ｔａ）からなる、金属製支持基板６と、この金属製支持基板６上面に設けられたセラミック製の回路基板７との積層構造からなっている。そして、この回路基板７上面には、接地用の配線層８、アンプＩＣ３のバイアス印加用の配線層９ａ、受光素子５のバイアス印加用の配線層９ｂ、光通信モジュールの出力配線層１０ａ、及び受光素子５の出力配線層１０ｂがそれぞれ所定パターンに形成され、金属製支持基板６と接地用の配線層８は、スルーホール１１ａを介して電気的に接続されている。
【００５２】
接地用の配線層８上には、アンプＩＣ３とバイパスコンデンサ１２ａが、それぞれ固着され、アンプＩＣ３の電源端子１３は、バイパスコンデンサ１２ａを介してバイアス印加用の配線層９ａとボンデイングワイヤ１４で接続され、アンプＩＣ３の出力端子１５は、光通信モジュールの出力配線層１０ａとボンデイングワイヤ１４で接続され、アンプＩＣ３の接地端子１６は、接地用の配線層８とボンデイングワイヤ１４で接続され、アンプＩＣ３入力端子２２は、受光素子５の出力配線層１０ｂとボンデイングワイヤ１４でそれぞれ接続されている。
【００５３】
一方、受光素子キャリア４は、図７に示すように、方形状の金属製支持体２３の第２主面Ｓ２の中央部に方形状のセラミック製の絶縁性ブロック２４が埋込まれ、第２主面Ｓ２の両側端部に方形状のセラミック製の絶縁性ブロック２５が埋め込まれた方形状の構造をしている。中央部の絶縁性ブロック２４と両側端部の絶縁性ブロック２５は、金属製支持体２３で離間して形成されている。
【００５４】
ここでは、金属製支持体２３の中央部の絶縁性ブロック２４は、その第１主面Ｓ１、第２主面Ｓ２、及び第３主面Ｓ３部分が露呈され、金属製支持体２３の両側端部の絶縁性ブロック２５は、その第１主面Ｓ１、第２主面Ｓ２、第３主面Ｓ３、及び側面部分が露呈されているが、必ずしも絶縁性ブロックの第３主面Ｓ３、または側面部分が露呈する必要はない。
【００５５】
金属性支持体２３の中央部の絶縁性ブロック２４の第１主面Ｓ１には、受光素子５のマウント用の配線導体１９及び出力用の配線導体２０が互いに絶縁して設けられ、金属性支持体２３の両側端部の絶縁性ブロック２５の第１主面Ｓ１には、バイアス印加用の配線導体２１が形成されている。
【００５６】
また、出力用の配線導体２０とバイアス印加用の配線導体２１は、第１主面Ｓ１から第２主面Ｓ２の第３主面Ｓ３側端部まで延在形成され、金属製支持体２３は、受光素子５の接地用配線導体としても使用される。
【００５７】
そして、金属製支持体２３の第１主面Ｓ１上には、バイパスコンデンサ１２ｂが、マウント用の配線導体１９上には、受光素子５が、それぞれ固着されている。受光素子５と出力用の配線導体２０、マウント用の配線導体１９とバイパスコンデンサ１２ｂ、及びバイアス印加用の配線導体２１とバイパスコンデンサ１２ｂは、ボンデイングワイヤ１４でそれぞれ接続されている。
【００５８】
この受光素子キャリア４は、その第２主面Ｓ２をパッケージ２に向けて載置され、半田づけによりパッケージ２に固定されている。
【００５９】
ここで、受光素子５のバイアス印加用の配線導体２１とパッケージ２のバイアス印加用の配線層９ｂ、受光素子キャリア４の金属製支持体２３とパッケージ２の接地用の配線層８、及び受光素子５の出力用の配線導体２０とパッケージ２の出力配線層１０ｂが、それぞれ直接半田づけされて電気的に接続されている。
【００６０】
本実施の形態の光通信モジュールは、受光素子キャリア４の接地用の配線導体１８（金属製支持体部分２３）とパッケージ２の接地用の配線層８がボンディングワイヤ１４を介さず直接半田づけされ、受光素子キャリア４のグランドとアンプＩＣ３の接地端子１６間のボンディングワイヤ１４ｂを削減できることで、接地リードの削減が可能となり、受光素子キャリア４は、マウント用の配線導体１９と出力用の配線導体２０が設けられる絶縁性ブロック２４と、バイアス印加用の配線導体２１が設けられる絶縁性ブロック２５以外すべて金属製支持体２３からなるグランドにすることにより、寄生容量を削減できる。
【００６１】
寄生Ｌと寄生容量の削減により、寄生ＬＣ共振が抑制され、ピーキング発生をなくすことができる。
【００６２】
受光素子５のバイアス印加用の配線導体２１とパッケージ２のバイアス印加用の配線層９ｂが直接半田づけされ、ボンディングワイヤ１４を削減したことにより、光通信モジュールの電源ラインの信号線Ｌと容量をあわせて削減できるので、ＬＣ共振も抑制される。
【００６３】
受光素子５の出力用の配線導体２０とアンプＩＣ３の入力端子２２間のボンディングワイヤ１４ｃ長を半減したことにより、受光素子５とアンプＩＣ３間を接続する信号線のＬを小さくでき、ＬＣ共振周波数を上げることができる。
【００６４】
この寄生ＬＣ共振とＬＣ共振の抑制、及びＬＣ共振周波数を上げることができることにより、高速度・高周波領域までピーキングと波形のおちこみのない、フラットな利得特性を有する光通信モジュールが得られる。
【００６５】
本発明は、上記実施の形態に限定されるものではなく、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々、変更して実施しても良い。
【００６６】
例えば、上記第３の実施の形態において、光素子キャリアとして、第１及び第２の実施の形態の光素子キャリアを用いても良い。
【００６７】
また、上記第１乃至３の実施の形態では、光受信機能を有する光通信モジュールについて説明したが、本発明は、受光素子キャリア、発光素子キャリア、アンプＩＣ、ドライバーＩＣ、及びパッケージから構成される光送受信機能を有する光通信モジュールにも適用可能である。
【００６８】
【発明の効果】
本発明によれば、高周波領域までフラットな利得特性を有する光通信モジュールが得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係わる光通信モジュールを示す上面図。
【図２】図１のＡ−Ａ線に沿う光通信モジュールの断面図。
【図３】本発明の第１の実施の形態に係わる光通信モジュールに使用される受光素子キャリアを示す斜視図であり、図３（ａ）は第１主面側から見た斜視図、図３（ｂ）は第３主面側より見た斜視図。
【図４】１０Ｇ光通信モジュールの利得と周波数の関係を示す特性図。
【図５】本発明の第２の実施の形態に係わる光通信モジュールに使用される受光素子キャリアを示す斜視図であり、図５（ａ）は第１主面側から見た斜視図、図５（ｂ）は第３主面側より見た斜視図。
【図６】本発明の第３の実施の形態に係わる光通信モジュールを示す斜視図。
【図７】本発明の第３の実施の形態に係わる光通信モジュールに使用される受光素子キャリアを示す斜視図であり、図７（ａ）は第１主面側から見た斜視図、図７（ｂ）は第３主面側から見た斜視図。
【図８】従来の光通信モジュールを示す上面図。
【図９】図８のＢ−Ｂ線に沿う光通信モジュールの断面図。
【図１０】従来の光通信モジュールに使用される受光素子キャリアを示す斜視図。
【符号の説明】
１、　１０１　切欠部
２、１０２　パッケージ
３、１０３　アンプＩＣ
４、１０４　光素子キャリア
５、１０５　受光素子
６、１０６　金属製支持基板
７、１０７　回路基板
８、１０８　接地用の配線層
９ａ、９ｂ、１０９ａ、１０９ｂ　バイアス印加用の配線層
１０ａ、１０ｂ、１１０　出力配線層
１１ａ、１１ｂ、１１１　スルーホール
１２ａ、１２ｂ、１１２ａ、１１２ｂ　バイパスコンデンサ
１３、１１３　電源端子
１４、１４ａ、１４ｂ、１４ｃ、１１４、１１４ａ、１１４ｂ、１１４ｃ　ボンデイングワイヤ
１５、１１５　出力端子
１６、１１６　接地端子
１７、１１７　絶縁性支持体
１８、１１８　接地用の配線導体
１９、１１９　マウント用の配線導体
２０、１２０　出力用の配線導体
２１、１２１　バイアス印加用の配線導体
２２、１２２　入力端子
２３　金属製支持体
２４、２５　絶縁性ブロック
Ｓ１　第１主面
Ｓ２　第２主面
Ｓ３　第３主面
Ｓ４　第４主面
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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