(57)【要約】【課題】画素電極の電位に変動がもたらされ、その結果発生するデータ線に沿った表示むら等のない高品質な画像を表示する。【解決手段】電気光学装置は、ＴＦＴアレイ基板（１０）上に、データ線（６ａ）及び走査線（３ａ）、データ線及び走査線の交差領域に対応するように配置された画素電極（９ａ）及びＴＦＴ（３０）、データ線に交差する方向に延びるコンデンサ電極用配線（５０３）、データ線に接続された第１導電層（５２１）をその一方の電極として含むとともに、前記コンデンサ電極用配線に接続された第２導電層（５２２）をその他方の電極として含むコンデンサ（５０１）、コンデンサ電極用配線及び第２導電層間を電気的に接続するコンタクトホール（５８２）を備えている。【選択図】      図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、
一定方向に延在するデータ線と、該データ線に交差するように延在する走査線と、
前記走査線及び前記データ線の交差領域に対応するように配置された画素電極及び画素スイッチング用素子と、
前記データ線に交差する方向に延びるコンデンサ電極用配線と、
前記データ線に接続された第１導電層をその一方の電極として含むとともに、前記コンデンサ電極用配線に接続された第２導電層をその他方の電極として含むコンデンサと、
前記コンデンサ電極用配線及び前記第２導電層間を電気的に接続する第１コンタクトホールと
を備えたことを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記第１導電層は、前記第２導電層の上に形成されており、
当該第１導電層は、前記第１コンタクトホールの形成領域に対応した切り欠き部を含むことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記第１コンタクトホールは、前記切り欠き部の長手方向の両端に少なくとも二つ形成されていることを特徴とする請求項２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記第１コンタクトホールは、前記第２導電層の長手方向に沿って複数形成されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記第１導電層の幅は、前記データ線の幅よりも大きいことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項６】
前記第１導電層と前記データ線とを電気的に接続する第２コンタクトホールを更に備えたことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項７】
前記画素電極及び画素スイッチング用素子に接続された蓄積容量を更に備え、
前記コンデンサを構成する部材の少なくとも一部は、前記蓄積容量を構成する部材の少なくとも一部と、製造工程段階において同一の機会に形成されていることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項８】
前記コンデンサ電極用配線及び前記データ線は、製造工程段階において同一の機会に形成されていることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項９】
前記データ線の一端の側には、該データ線を駆動するためのデータ線駆動回路が更に備えられてなり、
前記データ線の他端の側には、前記コンデンサが設けられていることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項１０】
前記データ線は複数本存在しており、
これら複数本のデータ線は、一時に画像信号の供給対象とされる複数の組に区別されることを特徴とする請求項１乃至９のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項１１】
請求項１乃至１０のいずれか一項に記載の電気光学装置を具備してなることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、液晶装置等の電気光学装置及びその製造方法並びに電子機器の技術分野に属する。また、本発明は電子ペーパ等の電気泳動装置の技術分野にも属する。
【０００２】
【背景技術】
従来、液晶装置等の電気光学装置としては、例えば、マトリクス状に配列された画素電極及び該電極の各々に接続された薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ；以下適宜、「ＴＦＴ」という。）、該ＴＦＴの各々に接続され、行及び列方向それぞれに平行に設けられた走査線及びデータ線等を備えるとともに、前記走査線に対しては走査線駆動回路による駆動が、前記データ線に対してはデータ線駆動回路による駆動が、それぞれ行われることによって、いわゆるアクティブマトリクス駆動が可能なものが知られている。
【０００３】
ここで、アクティブマトリクス駆動とは、前記走査線に走査信号を供給することで前記ＴＦＴの動作を制御するとともに、前記データ線には、画像信号を供給することで、前記走査信号によってＯＮとされたＴＦＴに対応する画素電極に対し、当該画像信号に対応した電界の印加を行う駆動方法である。この画像信号の供給方法には、種々のものが提案されており、例えば、データ線の１本１本に逐次画像信号を供給する方法や、画像信号をシリアル−パラレル変換して隣接するデータ線の何本かに対して、グループ毎同時に画像信号を供給する方法もある。例えば、特許文献１参照。
【０００４】
【特許文献１】
特開平１１−２２３８３２号公報
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来におけるデータ線を通じた画像信号の供給については、次のような問題点があった。すなわち、上で例示した画像信号の供給方法のうち、グループ毎に同時に画像信号の供給を行う方法を例として説明すると、この場合、画像信号の供給を現に受けているグループ（以下、「供給グループ」という。）と、それに隣接するグループ（以下、「非供給グループ」という。）との間において、当該位置に延在するデータ線にほぼ沿った形で、画像上に表示むらが現れるという不具合があったのである。
【０００６】
これは、前記供給グループと前記非供給グループとのちょうど端境に存在する画素電極において、画像信号に正確に対応した電界が結果的に印加されないことによる。より詳しくは、この場合、データ線周りの容量（例えば、該データ線の配線容量、或いは該データ線と他の配線及び対向電極との重なり合いにより生じる容量）が相当程度に小さいと、サンプリング回路を構成する薄膜トランジスタのゲート・ドレイン間の寄生容量の影響により、データ線に書き込まれる画像信号電位のプッシュダウン量がより大きくなってしまうことにより、データ線における電位変動が大きくなってしまう。すると、該データ線に対応するよう配列されている画素電極の電位変動がもたらされ、その結果、該データ線に沿うような表示むらが画像上に現れることとなってしまうのである。
【０００７】
そして、このような問題点は、電気光学装置の小型化・高精細化という一般的な要請を前提に置くと、その解決が更に困難となる。というのも、このような小型化・高精細化を実現するためには、電気光学装置を構成する各種構成要素、すなわち前述した走査線、データ線、ＴＦＴ及び画素電極等の更なる小型化ないしは狭小化を実現しなければならないが、この場合とりわけ、データ線が狭小化すると、データ線に付加される容量は更に削減されることになるからである。したがって、データ線における電位の変動はより大きくなり、前述したようなデータ線に沿うような表示むらの発生はより顕著となる。
【０００８】
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、データ線に沿った表示むら等のない高品質な画像を表示することが可能な電気光学装置を提供することを課題とする。また、本発明は、このような電気光学装置の小型化・高精細化を実現しつつも、前述のような表示むら等の発生のない高品質な画像を依然表示可能な構成を備える電気光学装置を提供することを課題とする。さらに、本発明は、このような電気光学装置を具備してなる電子機器を提供することをも課題とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明の電気光学装置は、上記課題を解決するため、基板上に、一定方向に延在するデータ線と、該データ線に交差するように延在する走査線と、前記走査線及び前記データ線の交差領域に対応するように配置された画素電極及び画素スイッチング用素子と、前記データ線に交差する方向に延びるコンデンサ電極用配線と、前記データ線に接続された第１導電層をその一方の電極として含むとともに、前記コンデンサ電極用配線に接続された第２導電層をその他方の電極として含むコンデンサと、前記コンデンサ電極用配線及び前記第２導電層間を電気的に接続する第１コンタクトホールとを備えている。
【００１０】
本発明の電気光学装置によれば、走査線を通じて、画素スイッチング用素子の一例たる薄膜トランジスタ等のスイッチング動作を制御するとともに、データ線を通じて画像信号を供給することで、薄膜トランジスタを介して画素電極に対し、該画像信号に応じて電圧を印加することが可能である。
【００１１】
そして、本発明では特に、データ線に接続された第１導電層をその一方の電極として含むとともに、コンデンサ電極用配線に接続された第２導電層をその他方の電極として含むコンデンサが備えられている。これにより、例えばデータ線の配線容量、或いはデータ線と他の配線及び対向電極との重なり合いにより生じる容量に対し、前記のコンデンサが加わることにより、該データ線周りの容量の適切な確保をなすことができるから、該データ線が保有すべき電位に変動が生じるということを抑制することが可能となり、したがって、その変動に応じて画素電極の電位変動が生じるという事態を未然に防止することが可能となる。そして、これにより、データ線に沿った表示むらの発生を防止することができる。
【００１２】
また、本発明では上記に加えて更に、前述のように第２導電層に接続され、且つ、データ線の方向に交差する方向に延在するコンデンサ電極用配線が備えられるとともに、前記コンデンサ電極用配線と第２導電層とを電気的に接続する第１コンタクトホールが備えられている。これにより、その製造・構成が比較的簡易で、また信頼性の高いコンデンサを形成することができる。
【００１３】
これは、配線の一種たるコンデンサ電極用配線に、所定の固定電位等の必要な電位の供給を実現するためには、当該コンデンサ電極用配線の一部と該電位を供給する電源との電気的接続点を少なくとも一箇所のみ設ければよいからである。そして、このようにしてコンデンサ電極用配線に供給された電位は、第１コンタクトホールを介して、各別のデータ線に対応したコンデンサに好適に供給されることになる。
【００１４】
この点、仮に、各データ線に応じ、個別且つ独立のコンデンサ電極を設けるとすれば、前記のような電位供給は各個別に行う必要があり、電気的接続点は一般に複数形成する必要があることになる。このような形態では、製造歩留まりを低下せしめる原因となるし（例えば、あるデータ線に関するコンデンサは正常に動作するが、他のデータ線に関するそれは動作しない等）、また、コンデンサ毎にその特性が相違して、全体としての信頼性を貶める原因ともなる。本態様においては、このような不具合を被るおそれがないのである。
【００１５】
本発明の電気光学装置の一態様では、前記第１導電層は、前記第２導電層の上に形成されており、当該第１導電層は、前記第１コンタクトホールの形成領域に対応した切り欠き部を含む。
【００１６】
この態様によれば、まず、第１導電層が第２導電層の上に、より好ましくは両者の大部分が相互に重なり合うように形成されている。これにより、第１導電層及び第２導電層を両電極とする本発明に係るコンデンサが好適に構成されることになる。
【００１７】
そして、本態様によれば特に、切り欠き部が備えられることにより、前記コンデンサを更に好適に形成することができる。これは、切り欠き部が備えられることにより、例えば、第１導電層の最大外形（該第１導電層の輪郭を包絡した外形を意味する。以下同じ。）と第２導電層の最大外形を同じに形成したとしても、第２導電層への電位の供給が、当該切り欠き部の形成領域に対応して形成された第１コンタクトホールを介して好適に行うことができるからである。このことは、例えば、第２導電層への第１コンタクトホールを介した電位供給を行うために、第１導電層及び第２導電層それぞれの最大外形を異ならしめる場合に比べて、当該コンデンサの容量値を然程犠牲にすることなく、その小型化を達成することが可能になることを意味する。したがって、本態様によれば、コンデンサを設けることによって電気光学装置の大型化を招くようなことがなく、よりよく小型化された電気光学装置を提供することができる。
【００１８】
この態様では、前記第１コンタクトホールは、前記切り欠き部の長手方向の両端に少なくとも二つ形成されているように構成してもよい。
【００１９】
このような構成によれば、少なくとも二つの第１コンタクトホールが存在することによって、第２導電層における該少なくとも二つの第１コンタクトホールとの接続点に、コンデンサ電極用配線からの電位が同時に供給されることになるから、当該第２導電層の部分部分に応じた電位ぶれの発生が防止される。したがって、本態様によれば、第２導電層への電位供給を好適に行うことができる。
【００２０】
なお、本態様において、より好ましくは、第１コンタクトホールが、切り欠き部の長手方向に沿って複数形成されている態様を採用するのが好ましい。ここに「複数」というのは、前記の「長手方向の両端に少なくとも二つ」形成された第１コンタクトホールに加えて、これとは別の第１コンタクトホールが更に形成されていることを意味する。
【００２１】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記第１コンタクトホールは、前記第２導電層の長手方向に沿って複数形成されている。
【００２２】
この態様によれば、複数の第１コンタクトホールが存在することによって、第２導電層における該複数の第１コンタクトホールとの接続点に、コンデンサ電極用配線からの電位が同時に供給されることになるから、当該第２導電層の部分部分に応じた電位ぶれの発生が防止される。したがって、本態様によれば、第２導電層への電位供給を好適に行うことができる。ちなみに、ここでいう「複数」は、「二つ以上」ということを意味する。
【００２３】
なお、本態様は、前記した切り欠き部の存在を、必ずしも前提とするものではない。また、本態様とほぼ同じ態様を持つ発明として、「前記第１コンタクトホールは、前記データ線の延在する方向に沿って複数形成されている」という構成を採用してもよい。これによっても、前記とほぼ同様な作用効果を得ることができる。
【００２４】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記第１導電層の幅は、前記データ線の幅よりも大きい。
【００２５】
この態様によれば、第１導電層の幅は比較的大きくなることから、コンデンサの容量をより大きくすることができる。したがって、本態様によれば、前述した画素電極における電位変動、更にはデータ線に沿った画像上の表示むらの発生防止という作用効果を、より確実に得ることができる。
【００２６】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記第１導電層と前記データ線とを電気的に接続する第２コンタクトホールを更に備えている。
【００２７】
この態様によれば、データ線を通じて供給されてくる画像信号を、第１導電層に好適に供給することが可能となる。
【００２８】
なお、本態様において好ましくは、第２コンタクトホールは、複数形成されているように構成してもよい。このようにすれば、第１コンタクトホールに関して既述したように、第１導電層におけるデータ線との電気的接続点が複数存在することになり、画像信号の供給は、その複数の電気的接続点において同時に行われることになるから、第１導電層の部分部分に応じて電位ぶれの発生を防止することができる。
【００２９】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記画素電極及び画素スイッチング用素子に接続された蓄積容量を更に備え、前記コンデンサを構成する部材の少なくとも一部は、前記蓄積容量を構成する部材の少なくとも一部と、製造工程段階において同一の機会に形成されている。
【００３０】
この態様によれば、まず、画素電極及び画素スイッチング用素子に接続された蓄積容量が備えられていることにより、画素電極における電位保持特性を向上させることができる。したがって、高コントラスト等の特質を備えた高品質な画像を表示することが可能となる。
【００３１】
そして本態様では特に、前記コンデンサを構成する部材の少なくとも一部は、前記の蓄積容量を構成する部材の少なくとも一部と、製造工程段階において同一の機会に形成されている。これをより具体的な例で説明すると、次のようになる。
【００３２】
まず、蓄積容量は、画素スイッチング用素子及び画素電極と接続される画素電位側容量電極と、これに対向配置され、例えば固定電位とされる容量電極、そしてこれら一対の電極間に挟持される絶縁膜から構成される。他方、本発明に係る「コンデンサ」については、その一方の電極として前記第１導電層、その他方の電極として前記第２導電層、更にはこれら一対の電極間に挟持される絶縁膜から構成されることになる。このような場合、「蓄積容量を構成する部材」とは、画素電位側容量電極、容量電極及び絶縁膜となる一方、「コンデンサを構成する部材」とは、第１導電層、第２導電層及び絶縁膜ということになる。
【００３３】
そして、後者は、前者の「少なくとも一部と、製造工程段階において同一の機会に形成されている」とは、例えば、第２導電層及び画素電位側容量電極が同一膜として形成されている、或いは、第１導電層及び固定電位側容量電極が同一膜として形成されている、或いは更に、「コンデンサ」の絶縁膜及び「蓄積容量」の絶縁膜が同一膜として形成されている等ということを意味する。なお、同一膜として形成されているとは、コンデンサ及び蓄積容量に共通の前駆膜を形成するとともに、これに対するパターニング処理を行うことにより、例えば第１導電層と固定電位側容量電極とが、それぞれの場所に応じ、且つ、それぞれ固有のパターン形状を有するものとして形成されるということである。
【００３４】
このように、本態様によれば、両要素（すなわち、コンデンサ及び蓄積容量）を、同一の機会に製造することから、これらそれぞれを別々に製造する場合と比較して、製造工程の簡略化、或いは製造コストの低廉化等を実現することができることになる。また、本態様に係る構造によれば、少面積で効率よくコンデンサを形成することができる。
【００３５】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記コンデンサ電極用配線及び前記データ線は製造工程段階において同一の機会に形成されている。
【００３６】
この態様によれば、コンデンサ電極配線及びデータ線が同一膜として形成されていることになるから、これらそれぞれを別々に製造する場合と比較して、製造工程の簡略化、或いは製造コストの低廉化等を実現することができる。
【００３７】
なお、このような構成と、前述のコンデンサ及び蓄積容量を同一機会に形成する態様とを併せもつ態様によれば、前述の作用効果がより効果的に奏されることとなるのは言うまでもない。
【００３８】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記データ線の一端には、該データ線を駆動するためのデータ線駆動回路が更に備えられてなり、前記データ線の他端の側には、前記コンデンサが設けられている。
【００３９】
この態様によれば、データ線を中心とした場合における各種構成要素の配置関係が好適となる。また、本態様では、データ線の一端にデータ線駆動回路が、その他端に前記コンデンサが配置されることになるから、画像信号の流れは、データ線駆動回路、データ線（及びそれに連なる画素スイッチング用素子、画素電極）及びコンデンサということになり、画像信号の滞りない画素電極への伝達を実現するとともに、コンデンサにおける電荷蓄積は、いわば使用済みの画像信号を利用することで行われることになる。つまり、本態様によれば、データ線に一種の障害物ともなり得るコンデンサを設けるにもかかわらず、それにより生じ得る悪影響をまともに受けるような事態を有効に回避することができる。
【００４０】
なお、本態様において、データ線駆動回路とデータ線との間にサンプリング回路等を設けてよい。
【００４１】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記データ線は複数本存在しており、これら複数本のデータ線は、一時に画像信号の供給対象とされる複数の組に区別される。
【００４２】
この態様によれば、例えば、一つの画像信号をシリアル−パラレル変換した結果であるところの、複数個からなる画像信号を、一挙にデータ線に供給することが可能となる。これによると、効率的な画像信号の配信が可能となる。しかしながら、この場合においては、一時に画像信号の供給対象とされる「組」の両端に位置するデータ線に関しては、当該データ線に沿った画像上の表示むらが現れやすくなり、また、該表示むらは組単位で現れることになるから、より視認しやすいものとなってしまう。つまり、画像の品質低下が「目に見えて」顕著になりうるという欠点がある。なお、この場合において、表示むらが「現れやすい」というのは、前記の組の両端に位置するデータ線には、それに相隣接して、画像信号の供給されないデータ線が存在するからで、これら両データ線と画素電極との相互関係が、より表示むらを発生させやすい状況を作り出すからである。
【００４３】
しかるに、本発明においては、上述のようにデータ線に対してコンデンサが付設されていることにより、上述のような画像信号の供給態様を採ったとしても、特に問題となるようなことはない。換言すれば、上述のような画像信号の供給態様を採用する場合においては、そうでない場合に比べて、本発明に係るコンデンサの存在意義が高まるということがいえる。
【００４４】
なお、「一時に画像信号の供給対象とされるデータ線の組」とは、当該画像信号が幾つのパラレル信号からなるかに応じて決まる。例えば、この画像信号が、シリアル信号を６つのパラレル信号にシリアル−パラレル変換されたものと想定するならば、前記データ線の「組」とは、相隣接する６本のデータ線からなる組である、というような想定が可能である。
【００４５】
本発明の電子機器は、上記課題を解決するために、上述した本発明の電気光学装置（但し、その各種態様を含む。）の電気光学装置を具備してなる。
【００４６】
本発明の電子機器によれば、上述の本発明の電気光学装置を具備してなるから、データ線にコンデンサが付設されていることにより、画像上にデータ線に沿った表示むら等が発生するなどということのない、高品質な画像を表示可能な、投射型表示装置（液晶プロジェクタ）、液晶テレビ、携帯電話、電子手帳、ワードプロセッサ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネル等の各種電子機器を実現することができる。
【００４７】
本発明のこのような作用及び他の利得は次に説明する実施の形態から明らかにされる。
【００４８】
【発明の実施の形態】
以下では、本発明の実施の形態について図を参照しつつ説明する。以下の実施形態は、本発明の電気光学装置を液晶装置に適用したものである。
【００４９】
まず、本発明の実施形態における電気光学装置の画素部における構成について、図１から図３を参照して説明する。ここに図１は、電気光学装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路である。また図２は、データ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数の画素群の平面図であり、図３は図２のＡ−Ａ´断面図である。なお、図３においては、各層・各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、該各層・各部材ごとに縮尺を異ならしめてある。
【００５０】
図１において、本実施形態における電気光学装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素には、それぞれ、画素電極９ａと当該画素電極９ａをスイッチング制御するためのＴＦＴ３０とが形成されており、画像信号が供給されるデータ線６ａが当該ＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。データ線６ａに書き込む画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、この順に線順次に供給しても構わないが、本実施形態では特に、画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、Ｎ個のパラレルな画像信号にシリアル−パラレル展開され、Ｎ本の画像信号線１１５から相隣接するＮ本のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給可能に構成されている。
【００５１】
画像表示領域外である周辺領域には、データ線６ａの一端（図１中で下端）が、サンプリング回路３０１を構成するスイッチング用回路素子２０２に接続されている。このスイッチング用回路素子としては、図に示すようにｎチャネル型のＴＦＴでも良いし、ｐチャネル型のＴＦＴでもよい。また、相補型等のＴＦＴ等をあてることができる（以下、図１に示す該スイッチング用回路素子２０２を「ＴＦＴ２０２」と呼称する。）。この場合、このＴＦＴ２０２のドレインには、引き出し配線２０６を介して前記データ線６ａの図１中下端が接続され、該ＴＦＴ２０２のソースには、引き出し配線１１６を介して画像信号線１１５が接続されるとともに、該ＴＦＴ２０２のゲートには、データ線駆動回路１０１に接続されたサンプリング回路駆動信号線１１４が接続されている。そして、画像信号線１１５上の画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、データ線駆動回路１０１からサンプリング回路駆動信号線１１４を通じてサンプリング信号が供給されるのに応じ、サンプリング回路３０１によりサンプリングされて、各データ線６ａに供給されるように構成されている。
【００５２】
このようにデータ線６ａに書き込む画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、この順に線順次に供給してもかまわないし、相隣接する複数のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給するようにしてもよい。本実施形態では、図１に示すように、６本のデータ線６ａを一組として、これに対して一時に画像信号が供給されるようになっている。
【００５３】
そして、本実施形態においては特に、これらデータ線６ａの他端（図１中で上端）には、図１に示すようにコンデンサ５０１が付設されている。このコンデンサ５０１は、データ線６ａに接続された導電層（後述する第１導電層５２１及び図４参照）を一方の電極とし、データ線６ａに交差する方向に延び固定電位に維持されたコンデンサ電極用配線５０３に接続された他の導電層（後述する第２導電層５２２及び図４参照）を他方の電極とするとともに、これらの間に絶縁膜を挟持して構成されている。このコンデンサ５０１には、各データ線６ａに対して画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを供給すると、そのそれぞれに対応した電位と、コンデンサ電極用配線５０３の固定電位との差に応じた電荷が蓄積されることになる。これにより、データ線６ａ周りにおける容量は適切に確保されることになり、該データ線６ａにおける不定な電圧変動、ひいては画素電極９ａにおける電位変動を抑制することができ、もって画像上にデータ線６ａに沿った表示むら等が発生することを未然に防止することが可能となる。なお、このコンデンサ５０１の、より実際的な構成については、後に改めて述べることとする。
【００５４】
さて他方、ＴＦＴ３０のゲートに走査線３ａが電気的に接続されており、所定のタイミングで、走査線３ａにパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍを、この順に線順次で印加するように構成されている。画素電極９ａは、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけそのスイッチを閉じることにより、データ線６ａから供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを所定のタイミングで書き込む。
【００５５】
画素電極９ａを介して電気光学物質の一例としての液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、対向基板に形成された対向電極との間で一定期間保持される。液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能とする。ノーマリーホワイトモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が減少し、ノーマリーブラックモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が増加され、全体として電気光学装置からは画像信号に応じたコントラストをもつ光が出射する。
【００５６】
ここで保持された画像信号がリークするのを防ぐために、画素電極９ａと対向電極との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量７０を付加する。この蓄積容量７０は、走査線３ａに並んで設けられ、固定電位側容量電極を含むとともに定電位に固定された容量線３００を含んでいる。
【００５７】
以下では、上記データ線６ａ、走査線３ａ、ＴＦＴ３０等による、上述のような回路動作が実現される電気光学装置の、実際の構成について、図２及び図３を参照して説明する。
【００５８】
まず、本実施形態に係る電気光学装置は、図２のＡ−Ａ´線断面図たる図３に示すように、透明なＴＦＴアレイ基板１０と、これに対向配置される透明な対向基板２０とを備えている。ＴＦＴアレイ基板１０は、例えば、石英基板、ガラス基板、シリコン基板からなり、対向基板２０は、例えばガラス基板や石英基板からなる。
【００５９】
ＴＦＴアレイ基板１０には、図３に示すように、画素電極９ａが設けられており、その上側には、ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜１６が設けられている。このうち画素電極９ａは、例えばＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）膜等の透明導電性膜からなる。他方、対向基板２０には、その全面に渡って対向電極２１が設けられており、その下側には、ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜２２が設けられている。このうち対向電極２１は、上述の画素電極９ａと同様に、例えばＩＴＯ膜等の透明導電性膜からなり、前記の配向膜１６及び２２は、例えば、ポリイミド膜等の透明な有機膜からなる。このように対向配置されたＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０間には、後述のシール材（図１１及び図１２参照）により囲まれた空間に液晶等の電気光学物質が封入され、液晶層５０が形成される。液晶層５０は、画素電極９ａからの電界が印加されていない状態で配向膜１６及び２２により所定の配向状態をとる。液晶層５０は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した電気光学物質からなる。シール材は、ＴＦＴ基板１０及び対向基板２０をそれらの周辺で貼り合わせるための、例えば光硬化性樹脂や熱硬化性樹脂からなる接着剤であり、両基板間の距離を所定値とするためのグラスファイバー或いはガラスビーズ等のスペーサが混入されている。
【００６０】
一方、図２において、前記画素電極９ａは、ＴＦＴアレイ基板１０上に、マトリクス状に複数設けられており（点線部９ａ´により輪郭が示されている）、画素電極９ａの縦横の境界に各々沿ってデータ線６ａ及び走査線３ａが設けられている。データ線６ａは、例えばアルミニウム膜等の金属膜あるいは合金膜からなり、走査線３ａは、例えば導電性のポリシリコン膜等からなる。また、走査線３ａは、半導体層１ａのうち図中右上がりの斜線領域で示したチャネル領域１ａ´に対向するように配置されており、該走査線３ａはゲート電極として機能する。すなわち、走査線３ａとデータ線６ａとの交差する箇所にはそれぞれ、チャネル領域１ａ´に走査線３ａの本線部がゲート電極として対向配置された画素スイッチング用のＴＦＴ３０が設けられている。
【００６１】
ＴＦＴ３０は、図３に示すように、ＬＤＤ（Ｌｉｇｈｔｌｙ  Ｄｏｐｅｄ  Ｄｒａｉｎ）構造を有しており、その構成要素としては、上述したようにゲート電極として機能する走査線３ａ、例えばポリシリコン膜からなり走査線３ａからの電界によりチャネルが形成される半導体層１ａのチャネル領域１ａ´、走査線３ａと半導体層１ａとを絶縁するゲート絶縁膜を含む絶縁膜２、半導体層１ａにおける低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃ並びに高濃度ソース領域１ｄ及び高濃度ドレイン領域１ｅを備えている。
【００６２】
なお、ＴＦＴ３０は、好ましくは図３に示したようにＬＤＤ構造をもつが、低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃに不純物の打ち込みを行わないオフセット構造をもってよいし、走査線３ａの一部からなるゲート電極をマスクとして高濃度で不純物を打ち込み、自己整合的に高濃度ソース領域及び高濃度ドレイン領域を形成するセルフアライン型のＴＦＴであってもよい。また、本実施形態では、画素スイッチング用ＴＦＴ３０のゲート電極を、高濃度ソース領域１ｄ及び高濃度ドレイン領域１ｅ間に１個のみ配置したシングルゲート構造としたが、これらの間に２個以上のゲート電極を配置してもよい。このようにデュアルゲート、あるいはトリプルゲート以上でＴＦＴを構成すれば、チャネルとソース及びドレイン領域との接合部のリーク電流を防止でき、オフ時の電流を低減することができる。さらに、ＴＦＴ３０を構成する半導体層１ａは非単結晶層でも単結晶層でも構わない。単結晶層の形成には、貼り合わせ法等の公知の方法を用いることができる。半導体層１ａを単結晶層とすることで、特に周辺回路の高性能化を図ることができる。
【００６３】
一方、図３においては、蓄積容量７０が、ＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅ及び画素電極９ａに接続された画素電位側容量電極としての中継層７１と、固定電位側容量電極としての容量線３００の一部とが、誘電体膜７５を介して対向配置されることにより形成されている。この蓄積容量７０によれば、画素電極９ａにおける電位保持特性を顕著に高めることが可能となる。
【００６４】
中継層７１は、例えば導電性のポリシリコン膜からなり画素電位側容量電極として機能する。ただし、中継層７１は、後に述べる容量線３００と同様に、金属又は合金を含む単一層膜又は多層膜から構成してもよい。中継層７１は、画素電位側容量電極としての機能のほか、コンタクトホール８３及び８５を介して、画素電極９ａとＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅとを中継接続する機能をもつ。
【００６５】
容量線３００は、例えば金属又は合金を含む導電膜からなり固定電位側容量電極として機能する。この容量線３００は、平面的に見ると、図２に示すように、走査線３ａの形成領域に重ねて形成されている。より具体的には容量線３００は、走査線３ａに沿って延びる本線部と、図中、データ線６ａと交差する各個所からデータ線６ａに沿って上方に夫々突出した突出部と、コンタクトホール８５に対応する個所が僅かに括れた括れ部とを備えている。このうち突出部は、走査線３ａ上の領域及びデータ線６ａ下の領域を利用して、蓄積容量７０の形成領域の増大に貢献する。また、容量線３００は、好ましくは、画素電極９ａが配置された画像表示領域１０ａからその周囲に延設され、定電位源と電気的に接続されて、固定電位とされる。このような定電位源としては、データ線駆動回路１０１に供給される正電源や負電源の定電位源でもよいし、対向基板２０の対向電極２１に供給される定電位でも構わない。
【００６６】
誘電体膜７５は、図３に示すように、例えば膜厚５〜２００ｎｍ程度の比較的薄いＨＴＯ（Ｈｉｇｈ  Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ  Ｏｘｉｄｅ）膜、ＬＴＯ（Ｌｏｗ  Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ  Ｏｘｉｄｅ）膜等の酸化シリコン膜、あるいは窒化シリコン膜等から構成される。蓄積容量７０を増大させる観点からは、膜の信頼性が十分に得られる限りにおいて、誘電体膜７５は薄いほどよい。
【００６７】
図２及び図３においては、上記のほか、ＴＦＴ３０の下側に、下側遮光膜１１ａが設けられている。下側遮光膜１１ａは、格子状にパターニングされており、これにより各画素の開口領域を規定している。なお、開口領域の規定は、図２中のデータ線６ａと、これに交差するよう形成された容量線３００とによっても、なされている。また、下側遮光膜１１ａについても、前述の容量線３００の場合と同様に、その電位変動がＴＦＴ３０に対して悪影響を及ぼすことを避けるために、画像表示領域からその周囲に延設して定電位源に接続するとよい。
【００６８】
また、ＴＦＴ３０下には、下地絶縁膜１２が設けられている。下地絶縁膜１２は、下側遮光膜１１ａからＴＦＴ３０を層間絶縁する機能のほか、ＴＦＴアレイ基板１０の全面に形成されることにより、ＴＦＴアレイ基板１０の表面研磨時における荒れや、洗浄後に残る汚れ等で画素スイッチング用のＴＦＴ３０の特性変化を防止する機能を有する。
【００６９】
加えて、走査線３ａ上には、高濃度ソース領域１ｄへ通じるコンタクトホール８１及び高濃度ドレイン領域１ｅへ通じるコンタクトホール８３がそれぞれ開孔された第１層間絶縁膜４１が形成されている。
【００７０】
第１層間絶縁膜４１上には、中継層７１、及び容量線３００が形成されており、これらの上には高濃度ソース領域１ｄへ通じるコンタクトホール８１及び中継層７１へ通じるコンタクトホール８５がそれぞれ開孔された第２層間絶縁膜４２が形成されている。
【００７１】
なお、本実施形態では、第１層間絶縁膜４１に対しては、約１０００℃の焼成を行うことにより、半導体層１ａや走査線３ａを構成するポリシリコン膜に注入したイオンの活性化を図ってもよい。他方、第２層間絶縁膜４２に対しては、このような焼成を行わないことにより、容量線３００の界面付近に生じるストレスの緩和を図るようにしてもよい。
【００７２】
加えて更に、第２層間絶縁膜４２上には、データ線６ａが形成されており、これらの上には中継層７１へ通じるコンタクトホール８５が形成された第３層間絶縁膜４３が形成されている。
【００７３】
第３層間絶縁膜４３の表面は、ＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）処理等により平坦化されており、その下方に存在する各種配線や素子等による段差に起因する液晶層５０の配向不良を低減する。
【００７４】
ただし、このように第３層間絶縁膜４３に平坦化処理を施すのに代えて、又は加えて、ＴＦＴアレイ基板１０、下地絶縁膜１２、第１層間絶縁膜４１及び第２層間絶縁膜４２のうち少なくとも一つに溝を掘って、データ線６ａ等の配線やＴＦＴ３０等を埋め込むことにより、平坦化処理を行ってもよい。
【００７５】
（データ線に付設されたコンデンサについての構成）
以下では、本実施形態において特徴的な、データ線６ａに付設されたコンデンサ５０１の構成について、図４乃至図６は参照しながら、より詳細に説明する。ここに図４は、本実施形態に係るコンデンサを示す平面図である。また、図５は図４のＢ−Ｂ´断面図であり、図６は図４のＣ−Ｃ´断面図である。なお、図５及び図６においては、各層・各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、該各層・各部材ごとに縮尺を異ならしめてある。
【００７６】
本実施形態において、コンデンサ５０１は、画像表示領域１０ａ外、且つ、データ線６ａの図４中上端の側に設けられている。なお、データ線６ａの図４中下端の側にはサンプリング回路３０１及びデータ線駆動回路１０１が接続されている（図４において不図示、図１参照）。
【００７７】
より詳しくは、このコンデンサ５０１は、データ線６ａに接続された第１導電層５２１を一方の電極とし、データ線６ａに交差する方向に延び、固定電位に維持されたコンデンサ電極用配線５０３に接続された第２導電層５２２を他方の電極とするとともに、これらの間に誘電体膜７５を挟持して構成されている。
【００７８】
このうち、まず、第２導電層５２２は、図５及び図６に示すように、第１層間絶縁膜４１上に形成されている。すなわち、図５と図３とを対比するとわかるように、該第２導電層５２２は、蓄積容量７０を構成する中継層７１と同一膜として形成されている。
【００７９】
また、この第２導電層５２２は、コンタクトホール５８２（本発明にいう「第１コンタクトホール」に該当する。）を介してコンデンサ電極配線５０３と相互に接続されている。コンタクトホール５８２は、第２層間絶縁膜４２に開孔されている。コンタクトホール５８２は、第２導電層５２２の長手方向に沿って、或いはデータ線６ａの延在する方向に沿って複数（本実施形態では７つ）形成されている。これにより、第２導電層５２２は、コンデンサ電極用配線５０３と同一の電位を有する。
【００８０】
コンデンサ電極用配線５０３は、データ線６ａに交差する方向に延びデータ線６ａと同一膜として形成されている。すなわち、データ線６ａが上述のようにアルミニウムを含んで形成される場合においては、コンデンサ電極用配線５０３もまた、アルミニウムを含んで形成されることになる。このように、コンデンサ電極用配線５０３が、アルミニウム等の低抵抗な材料を含んで形成されるならば、その配線遅延等が問題にならない。
【００８１】
なお、このコンデンサ用電極配線５０３と、後述する検査回路用配線６０ａとは、図５及び図６に示すように、同一膜として形成されるようになっている。
【００８２】
また、このコンデンサ電極用配線５０３は、対向電極２１に固定電位を供給するための定電位源、或いはデータ線駆動回路や走査線駆動回路等に固定電位を供給するための定電位源に接続されることにより（不図示）、固定電位とされており、これにより、第２導電層５２２もまた、固定電位とされている。
【００８３】
本実施形態においては、このようにコンデンサ電極用配線５０３ないし第２導電層５２２を固定電位とするためには、対向電極２１を固定電位とするための電源、又はデータ線駆動回路若しくは走査線駆動回路に供給される固定電位を供給するための電源のいずれかが利用可能であり、いずれにせよ、該コンデンサ電極用配線５０３ないし第２導電層５２２のために、特別に電源を設ける必要がないから、その分、装置構成の簡略化を実現することができる。また、コンデンサ電極用配線５０３、ひいては第２導電層５２２を固定電位とするためには、前記の各種の電源とコンデンサ電極用配線５０３との間に電気的接続点を一箇所のみ設ければよいから、製造・構成が容易で、比較的信頼性の高いコンデンサ５０１を構成することができる。
【００８４】
一方、第１導電層５２１は、図５及び図６に示すように、第２導電層５２２上に形成された誘電体膜７５の上に、該第２導電層５２２と対向するように形成されている。すなわち、図５と図３とを対比するとわかるように、該第１導電層５２１は、蓄積容量７０を構成する容量線３００と同一膜として形成されている。この第２導電層５２２は、第２層間絶縁膜４２上に形成されたデータ線６ａに、コンタクトホール５８１（本発明にいう「第２コンタクトホール」に該当する。）を介して接続されている。本実施形態においては、コンタクトホール５８１は、第１導電層５２１の幅に合わせるようにデータ線６ａが幅広にされた部分に、２つ形成されるようになっている（図４参照）。なお、このことから明らかなように、第１導電層５２１の幅は、データ線６ａの幅よりも大きくされており、これにより、コンデンサ５０１の電極面積はより大きくなっている。
【００８５】
また、この第１導電層５２１には、コンタクトホール５８３を介して、検査回路用配線６０ａが接続されている。この検査回路用配線６０ａは、データ線６ａと同一膜として形成されている。検査回路用配線６０ａの先には、図４に示すように、検査回路７０１が接続されており、該検査回路は複数のＴＦＴ７０２を含むものとなっている。このＴＦＴ７０２には、前述の検査回路用配線６０ａとは別に、配線７０３が接続されている。また、本実施形態においては、前記コンタクトホール５８３は、前記のコンタクトホール５８１と同様に、第１導電層５２１の幅に合わせるように検査回路用配線６０ａが幅広にされた部分に２つ形成されるようになっている（図４参照）。なお、このことから明らかなように、第１導電層５２１の幅は、検査回路用配線６０ａの幅よりも大きくされており、これにより、コンデンサ５０１の電極面積はより大きくなっている。これにより、コンデンサ５０１の容量値を増大させることができる。
【００８６】
更に、本実施形態においては特に、この第１導電層５２１には、切り欠き部５２１Ｋが形成されている。この切り欠き部５２１Ｋは、図４乃至図６に示すように、平面視して略長方形状を有する第１導電層５２１の長辺の一部が、該四辺形状の内部へと切り込まれるようにして形成されている。前記のコンタクトホール５８２は、この切り欠き部５２１Ｋの形成領域に対応するように、或いは切り欠き部５２１Ｋの長手方向に沿って複数配列されるように形成されている。
【００８７】
なお、この切り欠き部５２１Ｋは、図４に示すように、例えば、第１導電層５２１の幅Ｗが１２〜１８μｍ程度、長さＬが６００〜１４００μｍ程度であるとすれば、その幅Ｗｋを数μｍ程度、その長さＬｋを４００μｍ程度として形成するようにするとよい。そして、この場合には更に、当該切り欠き部５２１の形成領域に対応するように、その径が数μｍ程度であるコンタクトホール５８２を、１０μｍ間隔で配列するような構成を採用するとよい。
【００８８】
最後に、当該コンデンサ５０１の絶縁層たる誘電体膜７５は、その名称及び符号から明らかなように、前述した蓄積容量７０の誘電体膜７５と同一のものである。すなわち、誘電体膜７５は、コンデンサ５０１及び蓄積容量７０において共用される形となっている。
【００８９】
このような構成となる電気光学装置においては、次のような作用効果が奏されることになる。第一に、データ線６ａにコンデンサ５０１が付設されていることにより、従来見られていたような、画像上におけるデータ線６ａに沿った表示むら等の発生を抑制することができる。これは、コンデンサ５０１の存在により、データ線６ａ周りの容量を適切に確保できることにより、該データ線６ａにおける電位の変動、ひいてはこれに起因する画素電極９ａにおける電位変動が抑制されることになるからである。
【００９０】
ちなみに、このような作用効果は、データ線６ａに対する画像信号の供給を、相隣接する複数のデータ線６ａに対して同時に実施するような場合において、より効果的に享受することが可能となる。というのも、前述のような表示むらは、このような場合においてより顕著に現れる、ないしは視認されやすくなるからである。以下、このような事情を、図７を参照しながら説明することとする。ここに図７は、データ線に画像信号が供給される様子を図式的に示した斜視図であり、なお、図７においては、本来示されるべきコンタクトホール等は図示されておらず、本実施形態に係る主要な作用効果を説明するための必要最小限の構成たるデータ線６ａ及び画素電極９ａのみが示されている。
【００９１】
この図７において、本実施形態に係る電気光学装置では、データ線６ａに供給される画像信号が、１本のシリアル信号を、シリアル−パラレル変換することにより得られる６本のパラレル信号からなっている。つまり、画像信号の供給は、６本のデータ線６ａからなるグループ毎同時に行われることになる。このような画像信号の供給方法の場合、該画像信号の供給を現に受けている供給グループ６０１Ｇに相隣接する非供給グループ６０２Ｇに属するデータ線６ａについては、当然ながら画像信号が供給されないことになる。なお、図７においては、黒く塗りつぶされたデータ線６ａが、画像信号の供給を現に受けているデータ線であることを示しており、そうでないデータ線６ａが、画像信号の供給を受けていないデータ線であることを示している（この図の次の段階においては、例えば供給グループ６０１Ｇの右隣（又は左隣）の非供給グループ６０２Ｇにおける６本のデータ線６ａに画像信号が供給されるなどということになる。）。
【００９２】
ここで、供給グループ６０１Ｇに着目すると、図中最左端に位置するデータ線６ａ１と図中最右端に位置するデータ線６ａ２とに対応する画素電極９ａ（図中符号９１参照）には、一般に電位の変動が生じやすい状況にある。すなわち、該データ線６ａ１及び６ａ２周りの容量（例えば、該データ線の配線容量、或いは該データ線と他の配線及び対向電極との重なり合いにより生じる容量）が相当程度小さいと、サンプリング回路３０１を構成するＴＦＴ２０２のゲート・ドレイン間の寄生容量の影響により、該データ線６ａ１及び６ａ２に書き込まれる画像信号電位のプッシュダウン量がより大きくなってしまうことにより、これらデータ線６ａ１及び６ａ２における電位変動が大きくなってしまう。すると、これらデータ線６ａ１及び６ａ２に対応するよう配列されている画素電極９ａの電位変動がもたらされ、その結果、該データ線６ａ１及び６ａ２に沿うような表示むらが画像上に現れることとなってしまうのである。
【００９３】
より具体的には、次のようである。すなわち、データ線６ａに書き込まれる画像信号電位のプッシュダウン量をΔＶとすると、
ΔＶ＝ΔＶｄ×（ＣＧＤ／（ＣＧＤ＋ＣＳＴ））
なる関係がある。ここにΔＶｄは、データ線６ａ１及び６ａ２における電位変化量、ＣＧＤはサンプリング回路３０１を構成するＴＦＴ２０２のゲート・ドレイン間の寄生容量、ＣＳＴはデータ線と他の配線及び対向電極２１との重なり合いで生じる寄生容量を、それぞれ表している。この式からわかるように、データ線６ａ１及び６ａ２の幅を狭く又は長さを短くする、即ち容量ＣＳＴを小さくすると、寄生容量ＣＧＤの影響が大きくなるため、プッシュダウン量ΔＶは大きくなってしまうのである。
【００９４】
また、データ線６ａ１及び６ａ２には、これらに相隣接するように画像信号の供給されていないデータ線６ａ（即ち、図７中データ線６ａ１の左隣に位置するデータ線６ａ及びデータ線６ａ２の右隣に位置するデータ線６ａ）が存在していることから、該データ線６ａと画素電極９ａとの間には無視し得ない寄生容量が生じることになる。これによっても、図７中符号９１内に示される画素電極９ａにおいて、電位変動が生じやすい状況が生まれているということができる。
【００９５】
以上のようなことから結局、当該画素電極９ａには、画像信号に正確に対応した電界が印加されないことになる。よって、図７のような場合には、データ線６ａ１及び６ａ２にほぼ沿った形で、画像上に表示むらが現れるという不具合が生じることとなる。しかも、この例のように、６本ごとのデータ線６ａに応じて表示むらが表れる場合には、画像上における視認がなされやすくなり、事態はより深刻だといえる。
【００９６】
しかるに、本実施形態においては、図１、図４乃至図６に示したように、データ線６ａには、コンデンサ５０１が設けられている。したがって、図７では、供給グループ６０１Ｇに属するデータ線６ａ、とりわけその両端に位置するデータ線６ａ１及び６ａ２における電位の変動は抑制されることになり、これに起因する画素電極９ａの電位変動は殆ど生じないこととなる。
【００９７】
以上のように、本実施形態の電気光学装置によれば、従来に見られていたような、データ線６ａに沿った表示むらの発生を極力抑制することが可能となるのである。
【００９８】
さて、本実施形態の電気光学装置の作用効果の第二としては、コンデンサ５０１を構成する第１導電層５２１に、コンタクトホール５８２の形成領域に対応するように、切り欠き部５２１Ｋが形成されていることにより、該コンデンサ５０１を好適に形成することができることが挙げられる。以下では、この点について、図８を参照しながら説明することとする。ここに図８は、本発明に係るコンデンサの平面図であり、（ａ）は本実施形態に係る切り欠き部５２１Ｋが第１導電層５２１に形成されたコンデンサ５０１（即ち、図４等に示すコンデンサ５０１と全く同様のものである。）の平面図、（ｂ）は当該切り欠き部を備えてないコンデンサの平面図である。
【００９９】
まず、前記のような表示むらの発生を防止するためには、コンデンサ５０１の容量値はできるだけ大きい方が好ましいが、そのためには、図８（ａ）に示すように、第１導電層５２１の最大外形（該第１導電層の輪郭を包絡した外形を意味する。図８（ａ）における二点鎖線参照。）と第２導電層５２２の最大外形とを同じにし、相互に重なり合うようにするのがよい。しかし、単に、かかる構成を採用するのでは、第２導電層５２２に適当な電位供給をなすことが困難となる。
【０１００】
しかるに、本実施形態では、前述のように第１導電層５２１に切り欠き部５２１Ｋが形成されていることにより、第２導電層５２２への電位の供給が、当該切り欠き部５２１Ｋの形成領域に対応して形成されたコンタクトホール５８２を介して好適に行うことができ、しかも、当該コンデンサ５０１の容量値を然程犠牲にすることなく、電気光学装置の小型化を達成することも可能になるのである。
【０１０１】
この点、仮に、図８（ｂ）に示すように、第１導電層５２１及び第２導電層５２２Ｃそれぞれの最大外形を異ならしめることで、第２導電層５２２Ｃとコンデンサ電極用配線５０３との電気的接続をコンタクトホール５８２Ｃで図るとなると、第２導電層５２２Ｃの最大外形が、第１導電層５２１の最大外形からはみ出すようなかたちとなり、コンデンサ５０１、ひいては電気光学装置の大型化を招くことになるのとは異なる。
【０１０２】
以上のように、本実施形態によれば、よりよく小型化された電気光学装置を提供することができるのである。
【０１０３】
また、切り欠き部５２１Ｋに関連して、本実施形態においては更に、該切り欠き部５２１Ｋの形成領域に対応してコンタクトホール５８２が複数配列されて形成されている、換言すれば、該コンタクトホール５８２が第２導電層５２２の長手方向に沿って複数形成されていることにより、第２導電層５２２の部分部分に応じた電位ぶれの発生を防止することが可能となる。これは、コンタクトホール５８２が複数存在することで、該コンタクトホール５８２と第２導電層５２２との複数の電気的接続点に、コンデンサ電極用配線５０３からの電位が同時に供給されることになるためである。ちなみに、このような作用効果は、コンタクトホール５８１及び５８３がそれぞれ２つずつ設けられていたことから、第１導電層５２１についても略同様に享受され得る。
【０１０４】
次に、本実施形態の電気光学装置の作用効果の第三としては、コンデンサ５０１は、図５と図３との対比から明らかなように、蓄積容量７０を構成する部材と、製造工程段階において同一機会に形成されるようになっている。具体的には、上でも述べたように、第１導電層５２１は容量線３００と、第２導電層５２２は中継層７１と、それぞれ同一膜として形成されている。そして、誘電体膜７５は、コンデンサ５０１と蓄積容量７０とで共用とされている。本実施形態では更に、データ線６ａ、コンデンサ電極用配線５０３及び検査回路用配線６０ａが同一膜として形成されている。
【０１０５】
このように、本実施形態においては、コンデンサ５０１及びこれに関連する構成が、画像表示領域内に形成される構成（蓄積容量７０及びデータ線６ａ）と同時に形成されるようになっているため、その分、製造工程の簡略化、或いは製造コストの低廉化等を図ることができる。
【０１０６】
加えて第四に、本実施形態においては、データ線６ａを中心として、その一端にサンプリング回路３０１及びデータ線駆動回路１０１等が、他端にコンデンサ５０１及び検査回路７０１が接続される形態となっていることから、これら各種構成要素の配置関係が好適となる。特に、この場合、コンデンサ５０１を構成する第１導電層５２１に電位が供給されるのは、データ線６ａに連なる画素電極９ａへの電位供給の後であるから、該コンデンサ５０１が途中に介在している場合に生じ得る悪影響を被るおそれがない。
【０１０７】
なお、上述において、コンデンサ５０１は、図４等に示したように、第２導電層５２２とコンデンサ電極用配線５０３とがコンタクトホール５８２を介して電気的に接続されるようになっていたが、本発明は、このような形態に限定されるものではない。例えば、図５と同趣旨となる図９に示すように、コンタクトホール５８２´が、切り欠き部５２１Ｋの長手方向の両端に少なくとも二つ形成されているような構成を採用してもよい。このような構成を採用しても、二つのコンタクトホール５８２´が存在することによって、第２導電層５２２における該コンタクトホール５８２´との接続点に、コンデンサ電極用配線５０３からの電位が同時に供給されることになるから、当該第２導電層５２２の部分部分に応じた電位ぶれの発生が防止される。したがって、本構成によっても、前記の図５と同様に、第２導電層５２２への電位供給を好適に行うことができる。また、このような構成に代えて、図１０に示すように、コンタクトホール５８２´´が、切り欠き部５２１Ｋの全領域に対応するように形成されているような構成を採用してもよい。これによっても、前述したのと略同様な作用効果が得られることが明白である。
【０１０８】
（電気光学装置の全体構成）
以下では、以上のように構成された本実施形態における電気光学装置の全体構成を図１１及び図１２を参照して説明する。なお、図１１は、ＴＦＴアレイ基板をその上に形成された各構成要素とともに対向基板２０の側からみた平面図であり、図１２は図１１のＨ−Ｈ´断面図である。
【０１０９】
図１１及び図１２において、本実施形態に係る電気光学装置では、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とが対向配置されている。ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間に液晶層５０が封入されており、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とは、画像表示領域１０ａの周囲に位置するシール領域に設けられたシール材５２により相互に接着されている。
【０１１０】
シール材５２は、両基板を貼り合わせるための、例えば紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂等からなり、製造プロセスにおいてＴＦＴアレイ基板１０上に塗布された後、紫外線照射、加熱等により硬化させられたものである。また、シール材５２中には、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間隔（基板間ギャップ）を所定値とするためのグラスファイバ或いはガラスビーズ等のギャップ材が散布されている。即ち、本実施形態の電気光学装置は、プロジェクタのライトバルブ用として小型で拡大表示を行うのに適している。
【０１１１】
シール材５２が配置されたシール領域の内側に並行して、画像表示領域１０ａの額縁領域を規定する遮光性の額縁遮光膜５３が、対向基板２０側に設けられている。但し、このような額縁遮光膜５３の一部又は全部は、ＴＦＴアレイ基板１０側に内蔵遮光膜として設けられてもよい。
【０１１２】
画像表示領域の周辺に広がる領域のうち、シール材５２が配置されたシール領域の外側に位置する領域には、データ線駆動回路１０１及び外部回路接続端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って設けられている。また、走査線駆動回路１０４は、この一辺に隣接する２辺に沿い、且つ、前記額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。更に、このように画像表示領域１０ａの両側に設けられた二つの走査線駆動回路１０４間をつなぐため、ＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺に沿い、且つ、前記額縁遮光膜５３に覆われるようにして複数の配線１０５が設けられている。
【０１１３】
また、対向基板２０の４つのコーナー部には、両基板間の上下導通端子として機能する上下導通材１０６が配置されている。他方、ＴＦＴアレイ基板１０にはこれらのコーナーに対向する領域において上下導通端子が設けられている。これらにより、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的な導通をとることができる。
【０１１４】
図１２において、ＴＦＴアレイ基板１０上には、画素スイッチング用のＴＦＴや走査線、データ線等の配線が形成された後の画素電極９ａ上に、図示しない配向膜が形成されている。他方、対向基板２０上には、対向電極２１の他、格子状又はストライプ状の遮光膜２３、更には最上層部分に図示しない配向膜が形成されている。また、液晶層５０は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した液晶からなり、これら一対の配向膜間で、所定の配向状態をとる。
【０１１５】
尚、図１１及び図１２に示したＴＦＴアレイ基板１０上には、これらのデータ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４等に加えて、画像信号線上の画像信号をサンプリングしてデータ線に供給するサンプリング回路、複数のデータ線に所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行して各々供給するプリチャージ回路、製造途中や出荷時の当該電気光学装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路等を形成してもよい。
【０１１６】
また、上述した各実施形態においては、データ線駆動回路１０１及び走査線駆動回路１０４をＴＦＴアレイ基板１０上に設ける代わりに、例えばＴＡＢ（Ｔａｐｅ  Ａｕｔｏｍａｔｅｄ  Ｂｏｎｄｉｎｇ）基板上に実装された駆動用ＬＳＩに、ＴＦＴアレイ基板１０の周辺部に設けられた異方性導電フィルムを介して電気的及び機械的に接続するようにしてもよい。また、対向基板２０の投射光が入射する側及びＴＦＴアレイ基板１０の出射光が出射する側には、それぞれ、例えばＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ  Ｎｅｍａｔｉｃ）モード、ＶＡ（Ｖｅｒｔｉｃａｌｌｙ  Ａｌｉｇｎｅｄ）モード、ＰＤＬＣ（Ｐｏｌｙｍｅｒ  Ｄｉｓｐｅｒｓｅｄ  Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ）モード等の動作モードや、ノーマリーホワイトモード・ノーマリーブラックモードの別に応じて、偏光フィルム、位相差フィルム、偏光板等が所定の方向で配置される。
【０１１７】
（電子機器）
次に、以上詳細に説明した電気光学装置をライトバルブとして用いた電子機器の一例たる投射型カラー表示装置の実施形態について、その全体構成、特に光学的な構成について説明する。ここに、図１３は、投射型カラー表示装置の図式的断面図である。
【０１１８】
図１３において、本実施形態における投射型カラー表示装置の一例たる液晶プロジェクタ１１００は、駆動回路がＴＦＴアレイ基板上に搭載された液晶装置を含む液晶モジュールを３個用意し、それぞれＲＧＢ用のライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂとして用いたプロジェクタとして構成されている。液晶プロジェクタ１１００では、メタルハライドランプ等の白色光源のランプユニット１１０２から投射光が発せられると、３枚のミラー１１０６及び２枚のダイクロックミラー１１０８によって、ＲＧＢの三原色に対応する光成分Ｒ、Ｇ及びＢに分けられ、各色に対応するライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂにそれぞれ導かれる。この際特に、Ｂ光は、長い光路による光損失を防ぐために、入射レンズ１１２２、リレーレンズ１１２３及び出射レンズ１１２４からなるリレーレンズ系１１２１を介して導かれる。そして、ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂによりそれぞれ変調された三原色に対応する光成分は、ダイクロックプリズム１１１２により再度合成された後、投射レンズ１１１４を介してスクリーン１１２０にカラー画像として投射される。
【０１１９】
本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨、あるいは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う電気光学装置及び電子機器もまた、本発明の技術的範囲に含まれるものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態の電気光学装置における画像表示領域を構成するマトリクス状の複数の画素に設けられた各種素子、配線等の等価回路を示す回路図である。
【図２】本発明の実施形態の電気光学装置におけるデータ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数の画素群の平面図である。
【図３】図２のＡ−Ａ´断面図である。
【図４】本発明の実施形態の電気光学装置におけるコンデンサが形成された平面図である。
【図５】図５のＢ−Ｂ´断面図である。
【図６】図５のＣ−Ｃ´断面図である。
【図７】データ線に画像信号が供給される様子を図式的に示した斜視図である。
【図８】本発明に係るコンデンサの平面図であり、（ａ）は本実施形態に係る切り欠き部が第１導電層に形成されたコンデンサ（即ち、図４に示すコンデンサと全く同様のものである。）の平面図、（ｂ）は当該切り欠き部を備えてないコンデンサの平面図である。
【図９】図６と同趣旨の図であって、コンデンサ電極用配線と第２導電層とを繋ぐコンタクトホールの形態が異なるもの（その１）について示すものである。
【図１０】図６と同趣旨の図であって、コンデンサ電極用配線と第２導電層とを繋ぐコンタクトホールの形態が異なるもの（その２）について示すものである。
【図１１】本発明の実施形態の電気光学装置におけるＴＦＴアレイ基板を、その上に形成された各構成要素とともに対向基板の側から見た平面図である。
【図１２】図１１のＨ−Ｈ´断面図である。
【図１３】本発明の電子機器の実施形態である投射型カラー表示装置の一例たるカラー液晶プロジェクタを示す図式的断面図である。
【符号の説明】
３ａ…走査線、６ａ…データ線、９ａ…画素電極、３０…ＴＦＴ、１０…ＴＦＴアレイ基板
７０…蓄積容量、７１…中継層、３００…容量線、７５…誘電体膜
５０１…コンデンサ、５２１…第１導電層、５２１Ｋ…切り欠き部、５２２…第２導電層、５０３…コンデンサ電極用配線、６０ａ…検査回路用配線、５８１、５８２、５８３…コンタクトホール
６０１Ｇ…供給グループ、６０２Ｇ…非供給グループ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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