(57)【要約】　　　（修正有）【課題】耐熱性が高く、結晶性が低く、かつ、電荷輸送性に優れた錯体化合物と、このような錯体化合物よりなる電荷輸送性材料、およびこのような錯体化合物を用いた高性能有機電界発光素子を提供する。【解決手段】下記一般式（Ｉ）で表わされる錯体化合物、およびこれを用いた有機電界発光素子。2004059571.tif 000067［Ｍは周期表の４族または第５族から選ばれた元素を，ＬはＫ座配位子を，１，ｊは配位子の数を，Ａ，Ｂは直接結合または２価の連結基を，Ｚは直接結合又は２価もしくは３価の連結基を，ＸはＣ又はＮ原子を，Ａｒ１−６は芳香族炭化水素基又は芳香族複素環基を，環ａは芳香族炭化水素基又は芳香族複素環基を，環ｂはＮ原子を含有する芳香族複素環基を示す］【選択図】　なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式（０）で表される、錯体化合物。
【化１】
2004059571.tif 000060
［式中、Ｌａは下記構造式（ｉ），（ｉｉ），（ｉｉｉ）で表される配位子のいずれかを表し、１分子中の複数のＬａ配位子は、互いに同じであっても異なっていてもよい。
【化２】
2004059571.tif 000061
（式中、ｍ、ｎおよびｏはアリールアミノ基の数を表し、０、１または２のいずれかであり、ｍ＋ｎ＋ｏ≧１である。
ＡおよびＢは各々独立に、直接結合または２価の連結基を表す。
Ｚは直接結合、または２価もしくは３価の連結基を表し、ｏ＝０の場合は直接結合もしくは２価の連結基である。
Ｘは炭素原子または窒素原子を表す。
Ａｒ１〜Ａｒ６　は各々独立に芳香族炭化水素基、または芳香族複素環基を示し、いずれも置換基を有していてもよい。また、Ａｒ１およびＡｒ２、Ａｒ３およびＡｒ４、またはＡｒ５およびＡｒ６が、互いに直接結合または置換基を介して互いに結合し、縮合環を形成していてもよい。
Ａが２価の連結基である場合、Ａｒ１とＡ、および／またはＡｒ２とＡが結合して、置換基を有していても良い環を形成していてもよく、またＢが２価の連結基である場合、Ａｒ３とＢ、および／またはＡｒ４とＢが結合して、置換基を有していても良い環を形成していてもよい。
環ａは芳香族炭化水素基または芳香族複素環基を示し、置換基を有していてもよい。環ｂは窒素原子を含有する芳香族複素環基を示し、置換基を有していてもよい。また、環ａが有する基と環ｂが有する基が互いに結合して、環ａおよび環ｂを含む縮合環を形成していてもよい。）
【化３】
2004059571.tif 000062
（式中、ｍ’、ｎ’およびｏ’はアリールアミノ基の数を表し、０、１または２のいずれかであり、ｍ’＋ｎ’＋ｏ’≧１である。
Ａ’およびＢ’は各々独立に、直接結合または２価の連結基を表す。
Ｚ’は直接結合、または２価もしくは３価の連結基を表し、ｏ’＝０の場合は直接結合もしくは２価の連結基である。
Ｙ’は酸素原子、硫黄原子、−ＮＧ１１Ｇ１２または−ＰＧ１３Ｇ１４（但し、Ｇ１１ないしＧ１４は各々独立に炭素数１〜６のアルキル基またはフェニル基を表す）を表す。
Ａｒ１’〜Ａｒ６’は各々独立に、芳香族炭化水素基もしくは芳香族複素環基を示し、いずれも置換基を有していてもよい。また、Ａｒ１’およびＡｒ２’、Ａｒ３’およびＡｒ４’、またはＡｒ５’およびＡｒ６’が、互いに直接結合または置換基を介して結合し、縮合環を形成していてもよい。
Ａ’が２価の連結基である場合、Ａｒ１’とＡ’、および／またはＡｒ２’とＡ’が結合して、置換基を有していても良い環を形成していてもよく、またＢ’が２価の連結基である場合、Ａｒ３’とＢ’、および／またはＡｒ４’とＢ’が結合して、置換基を有していても良い環を形成していてもよい。
環ｃは窒素原子を含有する芳香族複素環基を示し、置換基を有していてもよい。
環ｄは芳香族炭化水素基または芳香族複素環基を示し、置換基を有していてもよい。また、環ｃが有する基と環ｄが有する基が互いに結合して、環ｃおよび環ｄを含む縮合環を形成してもよい。）
【化４】
2004059571.tif 000063
（式中、ｍ’’およびｎ’’はアリールアミノ基の数を表し、０、１または２のいずれかであり、ｍ’’＋ｎ’’≧１である。
Ａ’’およびＢ’’は各々独立に、直接結合または任意の連結基を表す。
Ｘ’’およびＹ’’　は各々独立に、酸素原子、硫黄原子、−ＮＧ１５Ｇ１６または−ＰＧ１７Ｇ１８（但し、Ｇ１５ないしＧ１８は各々独立に炭素数１〜６のアルキル基またはフェニル基を表す）を表す。
Ａｒ１’’〜Ａｒ４’’は各々独立に、芳香族炭化水素基または芳香族複素環基を示し、いずれも置換基を有していてもよい。また、Ａｒ１’’およびＡｒ２’’、またはＡｒ３’’　およびＡｒ４’’が、直接結合または置換基を介して互いに結合し、縮合環を形成してもよい。
Ａ’’が２価の連結基である場合、Ａｒ１’’とＡ’’、および／またはＡｒ２’’とＡ’’が結合して、置換基を有していても良い環を形成していてもよく、またＢ’’が２価の連結基である場合、Ａｒ３’’とＢ’’、および／またはＡｒ４’’とＢ’’が結合して、置換基を有していても良い環を形成していてもよい。
環ｅおよび環ｆは各々独立に、芳香族炭化水素基または芳香族複素環基を示し、いずれも置換基を有していてもよい。また、環ｅが有する基と環ｆが有する基が互いに結合して、環ｅおよび環ｆを含む縮合環を形成してもよい。）
Ｌｂは任意のｋ０座配位子（但しｋ０＝１または２）を示す。
Ｍ０はアルカリ金属、アルカリ土類金属または周期表第３族〜第１３族の、第２周期〜第５周期から選ばれた元素を示す。
ｌ０、ｊ０は配位子の数を表し、２ｌ０＋ｋ０ｊ０＝（Ｍ０の配位数）、かつｌ０≧１である。］
【請求項２】
下記一般式（Ｉ）で表わされる、請求項１記載の錯体化合物。
【化５】
2004059571.tif 000064
（式中、Ｍは周期表第３族〜第１２族の、第４周期または第５周期から選ばれた元素を示す。
Ｌは任意のｋ座配位子（但しｋ＝１または２）を示す。
ｌ、ｊは配位子の数を表し、２ｌ＋ｋｊ＝（Ｍの配位数）、かつｌ≧１である。
ｍ、ｎおよびｏはアリールアミノ基の数を表し、０、１または２のいずれかであり、ｍ＋ｎ＋ｏ≧１である。
ＡおよびＢは各々独立に、直接結合または２価の連結基を表す。
Ｚは直接結合、または２価もしくは３価の連結基を表し、０、１または２のいずれかであり、ｏ＝０の場合は直接結合もしくは２価の連結基である。
Ｘは炭素原子または窒素原子を表す。
Ａｒ１〜Ａｒ６　は各々独立に芳香族炭化水素基、または芳香族複素環基を示し、いずれも置換基を有していてもよい。また、Ａｒ１およびＡｒ２、Ａｒ３およびＡｒ４、またはＡｒ５およびＡｒ６が、互いに直接結合または置換基を介して互いに結合し、縮合環を形成していてもよい。
Ａが２価の連結基である場合、Ａｒ１とＡ、および／またはＡｒ２とＡが結合して、置換基を有していても良い環を形成していてもよく、またＢが２価の連結基である場合、Ａｒ３とＢ、および／またはＡｒ４とＢが結合して、置換基を有していても良い環を形成していてもよい。
環ａは芳香族炭化水素基または芳香族複素環基を示し、置換基を有していてもよい。環ｂは窒素原子を含有する芳香族複素環基を示し、置換基を有していてもよい。また、環ａが有する基と環ｂが有する基が互いに結合して、環ａおよび環ｂを含む縮合環を形成していてもよい。）
【請求項３】
下記一般式（ＩＩ）で表わされる、請求項１記載の錯体化合物。
【化６】
2004059571.tif 000065
（式中、Ｍ’はアルカリ金属、アルカリ土類金属、または周期表第３族〜第１３族の、第２周期〜第５周期から選ばれた元素を示す。
Ｌ’は任意のｋ’座配位子（但しｋ’＝１または２）を示す。
ｌ’、ｊ’は配位子の数を表し、２ｌ’＋ｋ’ｊ’＝（Ｍ’の配位数）、かつｌ’≧１である。
ｍ’、ｎ’およびｏ’はアリールアミノ基の数を表し、０、１または２のいずれかであり、ｍ’＋ｎ’＋ｏ’≧１である。
Ａ’およびＢ’は各々独立に、直接結合または２価の連結基を表す。
Ｚ’は直接結合、または２価もしくは３価の連結基を表し、ｏ’＝０の場合は直接結合もしくは２価の連結基である。
Ｙ’は酸素原子、硫黄原子、−ＮＧ１１Ｇ１２または−ＰＧ１３Ｇ１４（但し、Ｇ１１ないしＧ１４は各々独立に炭素数１〜６のアルキル基またはフェニル基を表す）を表す。
Ａｒ１’〜Ａｒ６’は各々独立に、芳香族炭化水素基もしくは芳香族複素環基を示し、いずれも置換基を有していてもよい。また、Ａｒ１’およびＡｒ２’、Ａｒ３’およびＡｒ４’、またはＡｒ５’およびＡｒ６’が、互いに直接結合または置換基を介して結合し、縮合環を形成していてもよい。
Ａ’が２価の連結基である場合、Ａｒ１’とＡ’、および／またはＡｒ２’とＡ’が結合して、置換基を有していても良い環を形成していてもよく、またＢ’が２価の連結基である場合、Ａｒ３’とＢ’、および／またはＡｒ４’とＢ’が結合して、置換基を有していても良い環を形成していてもよい。
環ｃは窒素原子を含有する芳香族複素環基を示し、置換基を有していてもよい。
環ｄは芳香族炭化水素基または芳香族複素環基を示し、置換基を有していてもよい。また、環ｃが有する基と環ｄが有する基が互いに結合して、環ｃおよび環ｄを含む縮合環を形成してもよい。）
【請求項４】
下記一般式（ＩＩＩ）で表わされる、請求項１記載の錯体化合物。
【化７】
2004059571.tif 000066
（式中、Ｍ’’はアルカリ土類金属または周期表第３族〜第１３族の、第２周期〜第５周期から選ばれた元素を示す。
Ｌ’’は任意のｋ’’座配位子（但しｋ’’＝１または２）を示す。
ｌ’’、ｊ’’は配位子の数を表し、２ｌ’’＋ｋ’’ｊ’’＝（Ｍ’’の配位数）、かつｌ’’≧１である。
ｍ’’およびｎ’’はアリールアミノ基の数を表し、０、１または２のいずれかであり、ｍ’’＋ｎ’’≧１である。
Ａ’’およびＢ’’は各々独立に、直接結合または任意の連結基を表す。
Ｘ’’およびＹ’’　は各々独立に、酸素原子、硫黄原子、−ＮＧ１５Ｇ１６または−ＰＧ１７Ｇ１８（但し、Ｇ１５ないしＧ１８は各々独立に炭素数１〜６のアルキル基またはフェニル基を表す）を表す。
Ａｒ１’’〜Ａｒ４’’は各々独立に、芳香族炭化水素基または芳香族複素環基を示し、いずれも置換基を有していてもよい。また、Ａｒ１’’およびＡｒ２’’、またはＡｒ３’’およびＡｒ４’’が、直接結合または置換基を介して互いに結合し、縮合環を形成してもよい。
Ａ’’が２価の連結基である場合、Ａｒ１’’とＡ’’、および／またはＡｒ２’’とＡ’’が結合して、置換基を有していても良い環を形成していてもよく、またＢ’’が２価の連結基である場合、Ａｒ３’’とＢ’’、および／またはＡｒ４’’とＢ’’が結合して、置換基を有していても良い環を形成していてもよい。
環ｅおよび環ｆは各々独立に、芳香族炭化水素基または芳香族複素環基を示し、いずれも置換基を有していてもよい。また、環ｅが有する基と環ｆが有する基が互いに結合して、環ｅおよび環ｆを含む縮合環を形成してもよい。）
【請求項５】
イオン化ポテンシャルが５．０〜５．４ｅＶである、請求項１ないし４のいずれか１項記載の錯体化合物。
【請求項６】
請求項１ないし５のいずれか１項の錯体化合物からなる、電荷輸送性材料。
【請求項７】
陽極、発光層および陰極を順次積層してなる有機電界発光素子において、請求項１ないし５のいずれか１項の錯体化合物を含有する層を有する、有機電界発光素子。
【請求項８】
請求項１ないし５のいずれか１項の錯体化合物を含む層を、陽極と発光層との間に有する、請求項７記載の有機電界発光素子。
【請求項９】
請求項１ないし５のいずれか１項の錯体化合物を含む層が正孔輸送層である、請求項８記載の有機電界発光素子。
【請求項１０】
請求項１ないし５のいずれか１項の錯体化合物を含む層が正孔注入層である、請求項８または９記載の有機電界発光素子。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は新規な電荷輸送性錯体化合物と、この錯体化合物よりなる電荷輸送性材料およびこの錯体化合物を用いた有機電界発光素子に関するものである。
本発明の錯体化合物は、有機電界発光素子の正孔輸送材料やホスト材料、有機感光体（ＯＰＣ）における電荷輸送材料としての用途が期待される有用な化合物である。
【０００２】
【従来の技術】
これまで、有機感光体（ＯＰＣ）における電子材料、有機電界発光素子における正孔輸送材料もしくはホスト材料としてアリールアミンを主骨格とする種々の誘導体が用いられている。このような材料としては、たとえば、１，１−ビス（４−ジ−ｐ−　トリルアミノフェニル）シクロヘキサン、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニルで代表される２個以上の３級アミンを含み２個以上の縮合芳香族環が窒素原子に置換した芳香族アミン（特開平５−２３４６８１号公報）、トリフェニルベンゼンの誘導体でスターバースト構造を有する芳香族トリアミン（米国特許第４，９２３，７７４　号）、Ｎ，Ｎ’−　ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）ビフェニル−４，４’−ジアミン等、ピレニル基に芳香族ジアミノ基が複数個置換した化合物、スチリル構造を有する芳香族ジアミン（特開平４−２９０８５１号公報）、チオフェン基で芳香族３級アミンユニットを連結したもの（特開平４−３０４４６６号公報）、スターバースト型芳香族トリアミン（特開平４−３０８６８８号公報）、フルオレン基で３級アミンを連結したもの（特開平５−　２５４７３号公報）、トリアミン化合物（特開平５−２３９４５５号公報）、ビスジピリジルアミノビフェニル、Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリフェニルアミン誘導体（特開平６−１９７２号公報）、フェノキサジン構造を有する芳香族ジアミン（特開平７−１３８５６２号公報）、ジアミノフェニルフェナントリジン誘導体（特開平７−２５２４７４号公報）、シラザン化合物（米国特許第　４，９５０，９５０号公報）、シラナミン誘導体（特開平６−　４９０７９号公報）、ホスファミン誘導体（特開平６−　２５６５９号公報）などが挙げられる。
【０００３】
これらの材料に要求される条件としては、適度なイオン化ポテンシャル、透明性、高い電荷移動度、安定性、耐熱性などが挙げられるが、すべての要求を満たす材料はなく、今なお改良が求められている。なかでも安定性、耐熱性の向上は、電子材料としての実用化を考えた場合には必須の課題である。
【０００４】
安定性、耐熱性の問題となる主な原因として、化合物のガラス転移温度（Ｔｇ）の低さ、高い結晶性が考えられており、これらをいかに克服するかが新規材料開発の鍵となっている。
【０００５】
以上の現状を鑑み、本発明者らはアリールアミンを金属に配位させることにより、Ｔｇの増加、非晶質性の向上が期待できるものと考えた。
【０００６】
従来、アリールアミノ基を持つ配位子を有する錯体化合物として、下記化合物（ＩＶ）が、Ｔｈｏｍｐｓｏｎらにより報告されているが（ＷＯ　０１／４１５１２号公報）、この錯体自体が発光するため、電荷輸送材料としては不向きであり、また、有機電界発光素子の正孔輸送材料、ホスト材料として用いようとした場合には、色純度の妨げとなることが予想される。
【０００７】
【化８】
2004059571.tif 000002
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、耐熱性が高く、結晶性が低く、かつ、電荷輸送性に優れた錯体化合物と、このような錯体化合物よりなる電荷輸送性材料、およびこのような錯体化合物を用いた高性能有機電界発光素子を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、鋭意検討を重ね、アリールアミノ基を有する２座配位子からなる錯体化合物が、上記課題を解決する有力な化合物であることを見出し、本発明を完成させた。
【００１０】
すなわち、本発明の錯体化合物は、下記一般式（０）で表されるものである。
【００１１】
【化９】
2004059571.tif 000003
［式中、Ｌａは下記構造式（ｉ），（ｉｉ），（ｉｉｉ）で表される配位子のいずれかを表し、１分子中の複数のＬａ配位子は、互いに同じであっても異なっていてもよい。
【化１０】
2004059571.tif 000004
（式中、ｍ、ｎおよびｏはアリールアミノ基の数を表し、０、１または２のいずれかであり、ｍ＋ｎ＋ｏ≧１である。
ＡおよびＢは各々独立に、直接結合または２価の連結基を表す。
Ｚは直接結合、または２価もしくは３価の連結基を表し、ｏ＝０の場合は直接結合もしくは２価の連結基である。
Ｘは炭素原子または窒素原子を表す。
Ａｒ１〜Ａｒ６　は各々独立に芳香族炭化水素基、または芳香族複素環基を示し、いずれも置換基を有していてもよい。また、Ａｒ１およびＡｒ２、Ａｒ３およびＡｒ４、またはＡｒ５およびＡｒ６が、互いに直接結合または置換基を介して互いに結合し、縮合環を形成していてもよい。
Ａが２価の連結基である場合、Ａｒ１とＡ、および／またはＡｒ２とＡが結合して、置換基を有していても良い環を形成していてもよく、またＢが２価の連結基である場合、Ａｒ３とＢ、および／またはＡｒ４とＢが結合して、置換基を有していても良い環を形成していてもよい。
環ａは芳香族炭化水素基または芳香族複素環基を示し、置換基を有していてもよい。環ｂは窒素原子を含有する芳香族複素環基を示し、置換基を有していてもよい。また、環ａが有する基と環ｂが有する基が互いに結合して、環ａおよび環ｂを含む縮合環を形成していてもよい。）
【化１１】
2004059571.tif 000005
（式中、ｍ’、ｎ’およびｏ’はアリールアミノ基の数を表し、０、１または２のいずれかであり、ｍ’＋ｎ’＋ｏ’≧１である。
Ａ’およびＢ’は各々独立に、直接結合または２価の連結基を表す。
Ｚ’は直接結合、または２価もしくは３価の連結基を表し、ｏ’＝０の場合は直接結合もしくは２価の連結基である。
Ｙ’は酸素原子、硫黄原子、−ＮＧ１１Ｇ１２または−ＰＧ１３Ｇ１４（但し、Ｇ１１ないしＧ１４は各々独立に炭素数１〜６のアルキル基またはフェニル基を表す）を表す。
Ａｒ１’〜Ａｒ６’は各々独立に、芳香族炭化水素基もしくは芳香族複素環基を示し、いずれも置換基を有していてもよい。また、Ａｒ１’およびＡｒ２’、Ａｒ３’およびＡｒ４’、またはＡｒ５’およびＡｒ６’が、互いに直接結合または置換基を介して結合し、縮合環を形成していてもよい。
Ａ’が２価の連結基である場合、Ａｒ１’とＡ’、および／またはＡｒ２’とＡ’が結合して、置換基を有していても良い環を形成していてもよく、またＢ’が２価の連結基である場合、Ａｒ３’とＢ’、および／またはＡｒ４’とＢ’が結合して、置換基を有していても良い環を形成していてもよい。
環ｃは窒素原子を含有する芳香族複素環基を示し、置換基を有していてもよい。
環ｄは芳香族炭化水素基または芳香族複素環基を示し、置換基を有していてもよい。また、環ｃが有する基と環ｄが有する基が互いに結合して、環ｃおよび環ｄを含む縮合環を形成してもよい。）
【化１２】
2004059571.tif 000006
（式中、ｍ’’およびｎ’’はアリールアミノ基の数を表し、０、１または２のいずれかであり、ｍ’’＋ｎ’’≧１である。
Ａ’’およびＢ’’は各々独立に、直接結合または任意の連結基を表す。
Ｘ’’およびＹ’’　は各々独立に、酸素原子、硫黄原子、−ＮＧ１５Ｇ１６または−ＰＧ１７Ｇ１８（但し、Ｇ１５ないしＧ１８は各々独立に炭素数１〜６のアルキル基またはフェニル基を表す）を表す。
Ａｒ１’’〜Ａｒ４’’　は各々独立に、芳香族炭化水素基または芳香族複素環基を示し、いずれも置換基を有していてもよい。また、Ａｒ１’’　およびＡｒ２’’、またはＡｒ３’’　およびＡｒ４’’が、直接結合または置換基を介して互いに結合し、縮合環を形成してもよい。
Ａ’’が２価の連結基である場合、Ａｒ１’’とＡ’’、および／またはＡｒ２’’とＡ’’が結合して、置換基を有していても良い環を形成していてもよく、またＢ’’が２価の連結基である場合、Ａｒ３’’とＢ’’、および／またはＡｒ４’’とＢ’’が結合して、置換基を有していても良い環を形成していてもよい。
環ｅおよび環ｆは各々独立に、芳香族炭化水素基または芳香族複素環基を示し、いずれも置換基を有していてもよい。また、環ｅが有する基と環ｆが有する基が互いに結合して、環ｅおよび環ｆを含む縮合環を形成してもよい。）
Ｌｂは任意のｋ０座配位子（但しｋ０＝１または２）を示す。
Ｍ０はアルカリ金属、アルカリ土類金属または周期表第３族〜第１３族の、第２周期〜第５周期から選ばれた元素を示す。
ｌ０、ｊ０は配位子の数を表し、２ｌ０＋ｋ０ｊ０＝（Ｍ０の配位数）、かつｌ０≧１である。］
【００１２】
より好ましくは、本発明の錯体化合物は、下記一般構造式（Ｉ）ないし（ＩＩＩ）のいずれかで表される錯体化合物である。
【００１３】
【化１３】
2004059571.tif 000007
【００１４】
（式中、Ｍは周期表第３族〜第１２族の、第４周期または第５周期から選ばれた元素を示す。
Ｌは任意のｋ座配位子（但しｋ＝１または２）を示す。
ｌ、ｊは配位子の数を表し、２ｌ＋ｋｊ＝（Ｍの配位数）、かつｌ≧１である。
ｍ、ｎおよびｏはアリールアミノ基の数を表し、０、１または２のいずれかであり、ｍ＋ｎ＋ｏ≧１である。
ＡおよびＢは各々独立に、直接結合または２価の連結基を表す。
Ｚは直接結合、または２価もしくは３価の連結基を表し、ｏ＝０の場合は直接結合もしくは２価の連結基である。
Ｘは炭素原子または窒素原子を表す。
Ａｒ１〜Ａｒ６　は各々独立に芳香族炭化水素基、または芳香族複素環基を示し、いずれも置換基を有していてもよい。また、Ａｒ１およびＡｒ２、Ａｒ３およびＡｒ４、またはＡｒ５およびＡｒ６が、互いに直接結合または置換基を介して互いに結合し、縮合環を形成していてもよい。
Ａが２価の連結基である場合、Ａｒ１とＡ、および／またはＡｒ２とＡが結合して、置換基を有していても良い環を形成していてもよく、またＢが２価の連結基である場合、Ａｒ３とＢ、および／またはＡｒ４とＢが結合して、置換基を有していても良い環を形成していてもよい。
環ａは芳香族炭化水素基または芳香族複素環基を示し、置換基を有していてもよい。環ｂは窒素原子を含有する芳香族複素環基を示し、置換基を有していてもよい。また、環ａが有する基と環ｂが有する基が互いに結合して、環ａおよび環ｂを含む縮合環を形成していてもよい。）
【００１５】
【化１４】
2004059571.tif 000008
【００１６】
（式中、Ｍ’はアルカリ金属、アルカリ土類金属、または周期表第３族〜第１３族の、第２周期〜第５周期から選ばれた元素を示す。
Ｌ’は任意のｋ’座配位子（但しｋ’＝１または２）を示す。
ｌ’、ｊ’は配位子の数を表し、２ｌ’＋ｋ’ｊ’＝（Ｍ’の配位数）、かつｌ’≧１である。
ｍ’、ｎ’およびｏ’はアリールアミノ基の数を表し、０、１または２のいずれかであり、ｍ’＋ｎ’＋ｏ’≧１である。
Ａ’およびＢ’は各々独立に、直接結合または２価の連結基を表す。
Ｚ’は直接結合、または２価もしくは３価の連結基を表し、ｏ’＝０の場合は直接結合もしくは２価の連結基である。
Ｙ’は酸素原子、硫黄原子、−ＮＧ１１Ｇ１２または−ＰＧ１３Ｇ１４（但し、Ｇ１１ないしＧ１４は各々独立に炭素数１〜６のアルキル基またはフェニル基を表す）を表す。
Ａｒ１’〜Ａｒ６’は各々独立に、芳香族炭化水素基もしくは芳香族複素環基を示し、いずれも置換基を有していてもよい。また、Ａｒ１’およびＡｒ２’、Ａｒ３’およびＡｒ４’、またはＡｒ５’およびＡｒ６’が、互いに直接結合または置換基を介して結合し、縮合環を形成していてもよい。
Ａ’が２価の連結基である場合、Ａｒ１’とＡ’、および／またはＡｒ２’とＡ’が結合して、置換基を有していても良い環を形成していてもよく、またＢ’が２価の連結基である場合、Ａｒ３’とＢ’、および／またはＡｒ４’とＢ’が結合して、置換基を有していても良い環を形成していてもよい。
環ｃは窒素原子を含有する芳香族複素環基を示し、置換基を有していてもよい。
環ｄは芳香族炭化水素基または芳香族複素環基を示し、置換基を有していてもよい。また、環ｃが有する基と環ｄが有する基が互いに結合して、環ｃおよび環ｄを含む縮合環を形成してもよい。）
【００１７】
【化１５】
2004059571.tif 000009
【００１８】
（式中、Ｍ’’はアルカリ土類金属または周期表第３族〜第１３族の、第２周期〜第５周期から選ばれた元素を示す。
Ｌ’’は任意のｋ’’座配位子（但しｋ’’＝１または２）を示す。
ｌ’’、ｊ’’は配位子の数を表し、２ｌ’’＋ｋ’’ｊ’’＝（Ｍ’’の配位数）、かつｌ’’≧１である。
ｍ’’およびｎ’’はアリールアミノ基の数を表し、０、１または２のいずれかであり、ｍ’’＋ｎ’’≧１である。
Ａ’’およびＢ’’は各々独立に、直接結合または任意の連結基を表す。
Ｘ’’およびＹ’’　は各々独立に、酸素原子、硫黄原子、−ＮＧ１５Ｇ１６または−ＰＧ１７Ｇ１８（但し、Ｇ１５ないしＧ１８は各々独立に炭素数１〜６のアルキル基またはフェニル基を表す）を表す。
Ａｒ１’’〜Ａｒ４’’　は各々独立に、芳香族炭化水素基または芳香族複素環基を示し、いずれも置換基を有していてもよい。また、Ａｒ１’’　およびＡｒ２’’、またはＡｒ３’’　およびＡｒ４’’が、直接結合または置換基を介して互いに結合し、縮合環を形成してもよい。
Ａ’’が２価の連結基である場合、Ａｒ１’’とＡ’’、および／またはＡｒ２’’とＡ’’が結合して、置換基を有していても良い環を形成していてもよく、またＢ’’が２価の連結基である場合、Ａｒ３’’とＢ’’、および／またはＡｒ４’’とＢ’’が結合して、置換基を有していても良い環を形成していてもよい。
環ｅおよび環ｆは各々独立に、芳香族炭化水素基または芳香族複素環基を示し、いずれも置換基を有していてもよい。また、環ｅが有する基と環ｆが有する基が互いに結合して、環ｅおよび環ｆを含む縮合環を形成してもよい。）
【００１９】
このような本発明の錯体化合物はイオン化ポテンシャルが５．０〜５．４ｅＶであることが好ましい。
【００２０】
本発明の電荷輸送性材料は、このような本発明の錯体化合物からなるものである。
【００２１】
本発明の有機電界発光素子は、陽極、発光層および陰極を順次積層してなる有機電界発光素子において、このような本発明の錯体化合物を含む層を有することを特徴とする。
なお、この本発明の錯体化合物を含む層は、陽極と発光層との間に存在することが好ましく、特に、正孔輸送層及び／又は正孔注入層であることが好ましい。
【００２２】
【発明の実施の形態】
以下に本発明の実施の形態を詳細に説明する。
【００２３】
まず、前記一般式（Ｉ）ないし（ＩＩＩ）のいずれかで表される本発明の錯体化合物について説明する。
【００２４】
本発明の錯体化合物は、前記一般式（Ｉ）ないし（ＩＩＩ）に示されるように、特定構造の２座配位子にアリールアミノ基を１つ以上有することが特徴である。
【００２５】
一般式（Ｉ）におけるＭは周期表第３族〜第１２族の、第４周期または第５周期から選ばれた元素を表す。好ましくは第８族から第１２族の元素であり、特に好ましくはＦｅ，　Ｃｏ，　Ｎｉ，　Ｃｕ，　Ｚｎ，　Ｒｕ，　Ｒｈ，　ＰｄまたはＡｇのいずれかを表す。
【００２６】
一般式（ＩＩ）におけるＭ’はアルカリ金属、アルカリ土類金属または周期表第３族〜第１３族の、第２周期〜第５周期から選ばれた元素を表す。好ましくはアルカリ金属、アルカリ土類金属、または第８族〜第１３族から選ばれた元素であり、特に好ましくはＬｉ，　Ｎａ，　Ｋ，　Ｂｅ，　Ｍｇ，　Ｃａ，　Ｆｅ，　Ｃｏ，　Ｎｉ，　Ｃｕ，　Ｚｎ，　Ｒｕ，　Ｒｈ，　Ｐｄ　Ａｇ，　Ｂ，　Ａｌ，　ＧａまたはＩｎのいずれかを表す。
【００２７】
一般式（ＩＩＩ）におけるＭ’’はアルカリ土類金属または周期表第第３族〜第１３族の、第２周期〜第５周期から選ばれた元素を表す。好ましくはアルカリ土類金属、または第８族〜第１３族から選ばれた元素であり、特に好ましくはＢｅ，　Ｍｇ，　Ｃａ，　Ｆｅ，　Ｃｏ，　Ｎｉ，　Ｃｕ，　Ｚｎ，　Ｒｕ，　Ｒｈ，　Ｐｄ，　Ａｇ，　Ｂ，　Ａｌ，　ＧａまたはＩｎのいずれかを表す。
【００２８】
一般式（Ｉ）におけるＺ、および一般式（ＩＩ）におけるＺ’は、直接結合、もしくは２価または３価の連結基を表し、後述するｏ（アリールアミノ基−ＮＡｒ５Ａｒ６の数）＝０またはｏ’（−ＮＡｒ５’Ａｒ６’の数）＝０の場合は、直接結合もしくは２価の連結基を表す。
【００２９】
ＺおよびＺ’として好ましくは、直接結合、酸素原子、硫黄原子、もしくは以下に示す連結基などが挙げられるが、これらに限定されるわけではない。
【００３０】
【化１６】
2004059571.tif 000010
（上記式中、Ｇ１およびＧ２は各々独立に水素原子または炭素数１〜６のアルキル基を表し、Ｇ３は水素原子、炭素数１〜６のアルキル基またはフェニル基を表し、Ｇ４およびＧ５は各々独立に、炭素数１〜６のアルキル基またはフェニル基を表す。Ｇ６は炭素数１〜２のアルキレン基またはフェニレン基を表す。Ｇ１ないしＧ６がアルキル基またはアルキレン基の場合、ハロゲン原子で置換されていてもよく、フェニル基またはフェニレン基の場合は、ハロゲン原子または炭素数１〜６のアルキル基で置換されていてもよい。）
【００３１】
ＺおよびＺ’として特に好ましくは、直接結合、酸素原子、硫黄原子、もしくは以下に示す連結基のいずれかである。
【００３２】
【化１７】
2004059571.tif 000011
【００３３】
一般式（Ｉ）、（ＩＩ）および（ＩＩＩ）におけるＡ，Ａ’，Ａ’’およびＢ，Ｂ’，Ｂ’’は各々独立に直接結合または２価の連結基を表す。具体的には直接結合、置換基を有していても良い芳香族炭化水素基、置換基を有していてもよい芳香族複素環基、または以下に示す連結基のいずれかを表す。
【００３４】
【化１８】
2004059571.tif 000012
（上記式中、Ｇ１およびＧ２は前述と同義である。ｘは１〜６であり、Ｇ７は置換基を有していてもよい、芳香族炭化水素基または芳香族複素環基である。）
【００３５】
Ａ〜Ａ’’およびＢ〜Ｂ’’が、環ａ〜環ｆを構成する窒素原子と結合している場合、Ａ〜Ａ’’，Ｂ〜Ｂ’’としては２価の連結基であることが好ましい。すなわち、本発明の錯体化合物がたとえば下記一般式（Ｉ’）で表される場合、Ａは２価の連結基が好ましい。
【００３６】
【化１９】
2004059571.tif 000013
（上記式中、Ｍ，Ｌ，ｌ，ｊ，ｍ，ｎ，ｏ，Ｂ，Ｚ，Ａｒ１〜Ａｒ６は一般式（Ｉ）におけると同義である。）
【００３７】
Ａ〜Ａ’’およびＢ〜Ｂ’’として、特に好ましくは直接結合、置換基を有していても良い芳香族炭化水素基、または置換基を有していてもよい芳香族複素環基である。
【００３８】
これら芳香族炭化水素基および芳香族複素環基、ならびに前記Ｇ７としては、たとえば以下の基が挙げられる。
【００３９】
【化２０】
2004059571.tif 000014
（上記式中、Ｇ８は水素原子、炭素数１〜６のアルキル基またはフェニル基を表し、好ましくはフェニル基である。なお、上記式中の各環は無置換であるが、いずれも後述する置換基を有していてもよい。）
【００４０】
一般式（Ｉ）における環ａは芳香族炭化水素基または芳香族複素環基を示し、環ｂは窒素原子を含有する芳香族複素環基を表す。一般式（ＩＩ）における環ｃは窒素原子を含有する芳香族複素環基を表し、環ｄは芳香族炭化水素基または芳香族複素環基を表す。一般式（ＩＩＩ）における環ｅおよび環ｆは芳香族炭化水素基または芳香族複素環基を表す。環ａないし環ｆとして好ましくは、いずれも５員環または６員環の単環または２縮合環である。なお、環ａないし環ｆはいずれも後述する置換基を有していてもよい。
【００４１】
一般式（Ｉ）ないし（ＩＩＩ）における環ａ〜環ｆとして、具体的にはそれぞれ以下の構造式が挙げられるが、これらに限定されるわけではない（以下の構造式では、各環は無置換であるが、いずれも後述する置換基を有していてもよい。）。
【００４２】
【化２１】
2004059571.tif 000015
【００４３】
【化２２】
2004059571.tif 000016
【００４４】
【化２３】
2004059571.tif 000017
【００４５】
【化２４】
2004059571.tif 000018
【００４６】
一般式（Ｉ）、（ＩＩ）および（ＩＩＩ）におけるＬ、Ｌ’およびＬ’’は、各々任意のｋ座配位子、ｋ’座配位子、およびｋ’’座配位子（但しｋ、ｋ’およびｋ’’はいずれも１または２である）を表し、これらの具体例としてはハロゲン原子、ＣＯ，　ＣＮ−，　ＯＨ−，　ＮＯ２−，　ＮＨ３，　ＮＣＳ，　Ｆ−，　ＰＰＨ３などの１座配位子や、以下に示す２座配位子が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【００４７】
【化２５】
2004059571.tif 000019
（上記式中、Ｇ９はアルキル基またはフェニル基を表し、Ｇ１０は水素原子、アルキル基またはフェニル基を表す。）
【００４８】
一般式（ＩＩ）におけるＹ’は酸素原子、硫黄原子、−ＮＧ１１Ｇ１２または−ＰＧ１３Ｇ１４（但し、Ｇ１１ないしＧ１４は各々独立に炭素数１〜６のアルキル基またはフェニル基を表す）を示す。なお、Ｙ’が−ＮＧ１１Ｇ１２または−ＰＧ１３Ｇ１４である場合は、各々窒素原子およびリン原子が有する非共有電子対にてＭ’に配位している。
Ｙ’として好ましくは酸素原子または硫黄原子である。
【００４９】
一般式（ＩＩＩ）におけるＸ’’およびＹ’’は、各々独立に酸素原子、硫黄原子、−ＮＧ１５Ｇ１６または−ＰＧ１７Ｇ１８（但し、Ｇ１５ないしＧ１８は各々独立に炭素数１〜６のアルキル基またはフェニル基を表す）を表す。なお、Ｙ’が−ＮＧ１５Ｇ１６または−ＰＧ１７Ｇ１８である場合は、各々窒素原子およびリン原子が有する非共有電子対にてＭ’に配位している。Ｘ’’およびＹ’’として好ましくは、各々独立に酸素原子または硫黄原子である。
【００５０】
一般式（Ｉ）におけるＡｒ１〜Ａｒ６、一般式（ＩＩ）におけるＡｒ１’〜Ａｒ６’、および一般式（ＩＩＩ）におけるＡｒ１’’〜Ａｒ６’’は、いずれも各々独立に、芳香族炭化水素基または芳香族複素環基を示し、これらはいずれも置換基を有していてもよい。好ましくは芳香族炭化水素基である。これらの具体例としては以下に示す基が挙げられるが、これらに限定されるものではない。またこれらはいずれも、後述する置換基を有していても良い。
【００５１】
【化２６】
2004059571.tif 000020
【００５２】
また、Ａｒ１およびＡｒ２、Ａｒ３およびＡｒ４、Ａｒ５およびＡｒ６、Ａｒ１’およびＡｒ２’、Ａｒ３’およびＡｒ４’、Ａｒ５’およびＡｒ６’、Ａｒ１’’およびＡｒ２’’、またはＡｒ３’’およびＡｒ４’’はいずれも、互いに直接結合または置換基を介して結合し、縮合環を形成していてもよい。このような縮合環の構造式を以下に示すが、これらに限定されるものではない。なお、これらはいずれも、後述する置換基を有していても良い。
【００５３】
【化２７】
2004059571.tif 000021
（上記式中、Ｇ１９は水素原子、炭素数１〜６のアルキル基またはフェニル基を表す。）
【００５４】
さらに、一般式（Ｉ）で表される化合物においてＡが２価の連結基である場合、Ａｒ１とＡ、および／またはＡｒ２とＡが結合して、置換基を有していても良い環を形成していてもよく、またＢが２価の連結基である場合、Ａｒ３とＢ、および／またはＡｒ４とＢが結合して、置換基を有していても良い環を形成していてもよい。その一例を以下に示すが、これらに限定されるものではない。
【００５５】
【化２８】
2004059571.tif 000022
【００５６】
上記例上では、連結基Ａ（フェニレン基）に、Ａｒ１（フェニル基）およびＡｒ２（フェニル基）の一方が結合し、環（カルバゾリル基）を形成している。上記例下では、連結基Ａ（フェニレン基）に、Ａｒ１（フェニル基）が結合して環（カルバゾリル基）を形成しており、Ａｒ２はメチル基である。
【００５７】
同様に、前記一般式（ＩＩ）におけるＡ’が２価の連結基である場合、Ａｒ１’とＡ’、および／またはＡｒ２’とＡ’が結合して、置換基を有していても良い環を形成していてもよく、またＢ’が２価の連結基である場合、Ａｒ３’とＢ’、および／またはＡｒ４’とＢ’が結合して、置換基を有していても良い環を形成していてもよい。また、前記一般式（ＩＩＩ）におけるＡ’’価の連結基である場合、Ａｒ１’’とＡ’’、および／またはＡｒ２’’とＡ’’が結合して、置換基を有していても良い環を形成していてもよく、またＢ’’価の連結基である場合、Ａｒ３’’とＢ’’、および／またはＡｒ４’’とＢ’’が結合して、置換基を有していても良い環を形成していてもよい。
【００５８】
一般式（Ｉ）におけるｌ、ｊは各錯体における配位子の数を表し、２ｌ＋ｋｊ＝（Ｍの配位数）を満たす（ｋは配位子Ｌの座数を表す。）。同様に、一般式（ＩＩ）におけるｌ’、ｊ’は各錯体における配位子の数を表し、２ｌ’＋ｋ’ｊ’＝（Ｍ’の配位数）（ｋ’は配位子Ｌ’の座数を表す。）であり、また、一般式（ＩＩＩ）におけるｌ’’、ｊ’’は各錯体における配位子の数を表し、２ｌ’’＋ｋ’’ｊ’’＝（Ｍ’’の配位数）（ｋ’’は配位子Ｌ’’の座数を表す。）である。ｌ、ｌ’およびｌ’’はいずれも１以上の整数である。
【００５９】
本発明の錯体化合物において、下記アリールアミノ基は、１化合物中または１配位子中に複数個含まれていても良く、それらは同一の基であっても異なる基であってもよい。更に、たとえば一般式（Ｉ）におけるｍ＝２の場合、２つの−Ａ−ＮＡｒ１Ａｒ２は同一であっても異なっていてもよい。
【００６０】
以下に、一般式（Ｉ）ないし（ＩＩＩ）で表される錯体化合物の、具体的な構造を列挙するが、本発明の錯体化合物はこれらに限定されるものではない。以下の構造式において、Ｑは下記アリールアミノ基のいずれかが置換可能な位置を表す。
【化２９】
2004059571.tif 000023
また、Ｍ０は中心元素を表す。
【００６１】
【化３０】
2004059571.tif 000024
【００６２】
【化３１】
2004059571.tif 000025
【００６３】
【化３２】
2004059571.tif 000026
【００６４】
【化３３】
2004059571.tif 000027
【００６５】
以上の例では、１化合物中に１種類の配位子のみが配位してなる化合物を挙げたが、本発明の錯体化合物は、１化合物中に複数種の配位子を有していてもよい。具体的には、一般式（Ｉ）ないし（ＩＩＩ）中で挙げた本発明の特徴的配位子、すなわち
【化３４】
2004059571.tif 000028
【化３５】
2004059571.tif 000029
【化３６】
2004059571.tif 000030
のうち、いずれか１つの式で表される配位子を１化合物中に複数種有していてもよく、２以上の式で表される配位子を併せ持っていてもよい。更に、前述したように、任意のｋ，ｋ’，ｋ’’座配位子（但しｋ，ｋ’，ｋ’’＝１または２）であるＬまたはＬ’、Ｌ’’などを併せ持っていてもよい。
【００６６】
即ち、本発明の錯体化合物は、前記一般式（０）で表されるものであり、Ｌａは一般式（Ｉ）〜（ＩＩＩ）における「特徴的配位子」のいずれかを表し、Ｌｂは一般式（Ｉ）〜（ＩＩＩ）におけるＬ、Ｌ’、Ｌ’’のいずれかに相当し、Ｍ０は一般式（Ｉ）〜（ＩＩＩ）における、Ｍ、Ｍ’、Ｍ’’のいずれかに相当し、ｌ０は一般式（Ｉ）〜（ＩＩＩ）におけるｌ、ｌ’またはｌ’’に相当し、ｊ０は同じくｊ、ｊ’またはｊ’’に相当するものであり、１分子中の、複数のＬａ配位子は、互いに同じでも異なっていてもよい。
【００６７】
本発明の錯体化合物において、環ａ〜環ｆ、Ａｒ１〜Ａｒ６、Ａｒ１’〜Ａｒ６’、およびＡｒ１’’〜Ａｒ６’’が有しうる置換基は、特に制限はないが、非プロトン性の基が好ましく、たとえばハロゲン原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アラルキル基、シアノ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、シリル基、ボリル基、アリールアミノ基、芳香族炭化水素環基または芳香族複素環基等が挙げられる。また、これらの内隣接する基同士が結合して環を形成していても良い。
【００６８】
この置換基としては、具体的には、それぞれ以下の基が挙げられる。
ハロゲン原子；フッ素原子、塩素原子、臭素原子またはヨウ素原子
アルキル基；好ましくは炭素数１から８の直鎖または分岐のアルキル基であり、たとえばメチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、２−プロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基など
アルケニル基；好ましくは炭素数２から８のアルケニル基であり、たとえばビニル基、アリル基、１−ブテニル基など
アルキニル基；好ましくは炭素数２から８のアルキニル基であり、たとえばエチニル基、プロパルギル基など
アラルキル基；たとえばベンジル基など
アルコキシ基；好ましくは、炭素数１〜８のアルコキシ基（たとえばメトキシ基、エトキシ基、ブトキシ基などが含まれる。）、アリールオキシ基（芳香族炭化水素基や複素環基を有するものであり、たとえばフェニルオキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、ピリジルオキシ基、チエニルオキシ基などが挙げられる。）など
アシル基；好ましくは、炭素数１〜８のアシル基であり、たとえばホルミル基、アセチル基、ベンゾイル基など
アルコキシカルボニル基；好ましくは炭素数２〜１３のアルコキシルボニル基であり、たとえばメトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基など
アリールオキシカルボニル基；好ましくは炭素数５〜１３のアリールオキシカルボニル基であり、たとえばフェニルオキシカルボニル基、チエニルオキシカルボニル基など
シアノ基
アルキルチオ基；好ましくは炭素数１〜８までのアルキルチオ基であり、たとえば、メチルチオ基、エチルチオ基など
アリールチオ基；好ましくは炭素数６〜２０までのアリールチオ基であり、たとえば、フェニルチオ基、１−ナフチルチオ基など
シリル基；たとえばトリメチルシリル基、トリフェニルシリル基など
ボリル基；たとえばジメシチルボリル基など
アリールアミノ基；たとえばジフェニルアミノ基、ジ（ｐ−トリル）アミノ基、ジ（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）アミノ基、Ｎ−フェニル−Ｎ’−１−ナフチルアミノ基、Ｎ−フェニル−Ｎ’−９−フェナントリルアミノ基など
芳香族炭化水素環基または芳香族複素環基；好ましくは、５または６員環の、単環または２縮合環である、芳香族炭化水素環または芳香族複素環であり、たとえばフェニル基、ナフチル基、チエニル基、フリル基、ピリジル基など
これらはいずれも更に置換されていてよく、該置換基としては、ハロゲン原子または炭素数１〜１０のアルキル基などが挙げられる。
【００６９】
環ａ〜環ｆ、Ａｒ１〜Ａｒ６、Ａｒ１’〜Ａｒ６’、およびＡｒ１’’〜Ａｒ６’’が有しうる置換基として、より好ましくは置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいアルケニル基、置換基を有してもよいアシル基、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素環基、または置換基を有していてもよい芳香族複素環基であり、これらは各々、隣接する基と結合して環を形成していても良い。特に好ましくはアルキル基である。
また、Ａｒ１〜Ａｒ６、Ａｒ１’〜Ａｒ６’、およびＡｒ１’’〜Ａｒ６’’が有しうる置換基としては、アリールアミノ基も好ましい。
【００７０】
前記Ｑの位置に結合しうる下記アリールアミノ基、すなわち
【化３７】
2004059571.tif 000031
の具体例としては、たとえば以下のようなものが挙げられる（以下において、Ｂｕ−ｔはｔ−ブチル基である。）。
【００７１】
【化３８】
2004059571.tif 000032
【００７２】
環ａ〜環ｆが芳香族複素５員環である場合、該環におけるヘテロ原子の、α−位炭素原子は任意の基で置換されていることが好ましい。特に、アルキル基で置換されているか、該芳香族複素５員環に縮合する環の一部を形成している場合（つまり、α−位炭素上の置換基と、該炭素に隣接する原子上の置換基が結合して、環を形成している場合）が好ましい。
【００７３】
ヘテロ原子を含む５員環は、他の芳香族化合物や複素環の中でも反応性が高く、特にα−位は非常に反応活性が高い。（たとえば求電子置換反応、プロトン化、ディールスアルダー反応などの反応性を示す。）α−位が無置換の５員環を含む配位子を有する化合物を、たとえば後述するように、有機電界発光素子の材料に用いた場合、素子の安定性低下や、発光効率の低下、低寿命化の原因等につながる可能性がある。
【００７４】
一般式（Ｉ）ないし（ＩＩＩ）において、連結基Ａ、Ａ’、Ａ’’、Ｂ、Ｂ’およびＢ’’が芳香族炭化水素基または芳香族複素環基である場合に有しうる置換基としてはハロゲン原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、シアノ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アルコキシ基、アルキルチオ基等が挙げられる。
【００７５】
具体的には、それぞれ以下の基が挙げられる。
ハロゲン原子；フッ素原子、塩素原子、臭素原子またはヨウ素原子
アルキル基；好ましくは炭素数１から８の直鎖または分岐のアルキル基であり、たとえばメチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、２−プロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基など
アルケニル基；好ましくは炭素数２から８のアルケニル基であり、たとえばビニル基、アリル基、１−ブテニル基など
アルキニル基；好ましくは炭素数２から８のアルキニル基であり、たとえばエチニル基、プロパルギル基など
アルコキシ基；好ましくは、炭素数１〜８のアルコキシ基（たとえばメトキシ基、エトキシ基、ブトキシ基などが含まれる。）、アリールオキシ基（芳香族炭化水素基や複素環基を有するものであり、たとえばフェニルオキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、ピリジルオキシ基、チエニルオキシ基などが挙げられる。）など
アシル基；好ましくは、炭素数１〜８のアシル基であり、たとえばホルミル基、アセチル基、ベンゾイル基など
アルコキシカルボニル基；好ましくは炭素数２〜１３のアルコキシルボニル基であり、たとえばメトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基など
シアノ基
アルキルチオ基；好ましくは炭素数１〜８までのアルキルチオ基であり、たとえば、メチルチオ基、エチルチオ基など
アリールチオ基；好ましくは炭素数６〜２０までのアリールチオ基であり、たとえば、フェニルチオ基、１−ナフチルチオ基など
これらはいずれも更に置換されていてよく、該置換基としては、ハロゲン原子または炭素数１〜１０のアルキル基などが挙げられる。
【００７６】
以下に、本発明の錯体化合物の好ましい例を示すが、これらに限定されるものではない。なお、以下の構造式中、Ｐｈはフェニル基、Ｂｕはブチル基を表す。
【００７７】
【化３９】
2004059571.tif 000033
【００７８】
【化４０】
2004059571.tif 000034
【００７９】
【化４１】
2004059571.tif 000035
【００８０】
【化４２】
2004059571.tif 000036
【００８１】
【化４３】
2004059571.tif 000037
【００８２】
【化４４】
2004059571.tif 000038
【００８３】
【化４５】
2004059571.tif 000039
【００８４】
【化４６】
2004059571.tif 000040
【００８５】
【化４７】
2004059571.tif 000041
【００８６】
【化４８】
2004059571.tif 000042
【００８７】
【化４９】
2004059571.tif 000043
【００８８】
【化５０】
2004059571.tif 000044
【００８９】
【化５１】
2004059571.tif 000045
【００９０】
【化５２】
2004059571.tif 000046
【００９１】
前記一般式（０）、好ましくは前記一般式（Ｉ）ないし（ＩＩＩ）のいずれかで表される本発明の錯体化合物は、通常、分子量３０００以下、好ましくは２５００以下である。また該化合物における前記特徴的配位子の分子量は、通常１０００以下である。
【００９２】
本発明の錯体化合物は、結晶性が低く、高いガラス転移点Ｔｇを有し、かつ電荷輸送性が高いことから、電荷輸送性材料として電子写真感光体、有機電界発光素子、光電変換素子、有機太陽電池、有機整流素子等に好適に使用できる。さらに、該化合物自身が蛍光発光や燐光発光を示さないため、有機電界発光素子の電荷輸送性層の材料に特に好適である。
【００９３】
本発明の有機電界発光素子は、陽極、発光層および陰極を順次積層してなり、陽極と陰極の間に、前記一般式（０）、好ましくは前記一般式（Ｉ）ないし（ＩＩＩ）のいずれかで表される本発明の錯体化合物を含有する層を有することを特徴とする。特に、該層を陽極と発光層との間に有することが好ましい。
【００９４】
本発明の錯体化合物は、有機電界発光素子における陽極と発光層の間であれば、どの層に含有されていてもよく、たとえば図１〜３に示す構成例で説明するように、正孔輸送層として使用してもよく、正孔注入層として使用しても良い。正孔輸送層と正孔注入層との両方に使用しても良い。
【００９５】
正孔輸送層および／又は正孔注入層に本発明の錯体化合物が含有される場合、同一の層内に２種以上の本発明の錯体化合物が含有されていても良く、また、正孔輸送層および正孔注入層の双方に本発明の錯体化合物が含有されている場合、これらの層に含有される錯体化合物は同一のものであっても異なるものであってもよい。
【００９６】
なお、本発明の有機電界発光素子において、陽極−発光層間の層が、１つの場合にはこれを「正孔輸送層」と称し、２つ以上の場合は陽極に接している層を「正孔注入層」、それ以外の層を総称して「正孔輸送層」と称す。
【００９７】
以下に、添付図面を参照して、本発明の有機電界発光素子の実施の形態を詳細に説明する。
【００９８】
図１〜３は本発明に用いられる有機電界発光素子の構造例を模式的に示す断面図であるが、本発明の有機電界発光素子は、何ら図示のものに限定されるものではない。図１〜３において、１は基板、２は陽極、３は正孔注入層、４は正孔輸送層、５は発光層、６は電子輸送層、７は陰極を各々表わす。
【００９９】
基板１は有機電界発光素子の支持体となるものであり、石英やガラスの板、金属板や金属箔、プラスチックフィルムやシートなどが用いられる。特にガラス板や、ポリエステル、ポリメタクリレート、ポリカーボネート、ポリスルホンなどの透明な合成樹脂の板が好ましい。合成樹脂基板を使用する場合にはガスバリア性に留意する必要がある。基板のガスバリア性が小さすぎると、基板を通過した外気により有機電界発光素子が劣化することがあるので好ましくない。このため、合成樹脂基板の少なくとも片面に緻密なシリコン酸化膜等を設けてガスバリア性を確保する方法も好ましい方法の一つである。
【０１００】
基板１上には陽極２が設けられるが、陽極２は正孔輸送層への正孔注入の役割を果たすものである。この陽極は、通常、アルミニウム、金、銀、ニッケル、パラジウム、白金等の金属、インジウムおよび／またはスズの酸化物などの金属酸化物、ヨウ化銅などのハロゲン化金属、カーボンブラック、あるいは、ポリ（３−メチルチオフェン）、ポリピロール、ポリアニリン等の導電性高分子などにより構成される。陽極２の形成は通常、スパッタリング法、真空蒸着法などにより行われることが多い。また、銀などの金属微粒子、ヨウ化銅などの微粒子、カーボンブラック、導電性の金属酸化物微粒子、導電性高分子微粉末などの場合には、適当なバインダー樹脂溶液に分散し、基板１上に塗布することにより陽極２を形成することもできる。さらに、導電性高分子の場合は電解重合により直接基板１上に薄膜を形成したり、基板１上に導電性高分子を塗布して陽極２を形成することもできる（Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，６０巻，２７１１頁，１９９２年）。陽極２は異なる物質を積層して形成することも可能である。陽極２の厚みは、必要とする透明性により異なる。透明性が必要とされる場合は、可視光の透過率を、通常、６０％以上、好ましくは８０％以上とすることが望ましく、この場合、厚みの上限は通常１０００ｎｍ好ましくは５００ｎｍであって、下限は通常５ｎｍ好ましくは１０ｎｍである。不透明でよい場合は陽極２は基板１と同一でもよい。また、さらには上記の陽極２の上に異なる導電材料を積層することも可能である。
【０１０１】
図１の有機電界発光素子では、陽極２の上に正孔輸送層４が設けられている。図１に示す構成の素子の場合、本発明の有機電界発光素子の特徴である、前記一般式（０）、好ましくは前記一般式（Ｉ）ないし（ＩＩＩ）のいずれかで表される本発明の錯体化合物を含む層は、この正孔輸送層４として設けられる。なお、本発明の錯体化合物を含む層は、陽極と後述する発光層との間に存在すればよく、該層と陽極の間、または該層と発光層との間に任意の層を有していてもよい。
【０１０２】
一般に正孔輸送層４の材料に要求される条件としては、陽極からの正孔注入効率が高く、かつ、注入された正孔を効率よく輸送することができる材料であることが必要である。そのためには、イオン化ポテンシャルが小さく、可視光の光に対して透明性が高く、しかも正孔移動度が大きく、さらに安定性に優れ、トラップとなる不純物が製造時や使用時に発生しにくいことが要求される。また、発光層５に接するために発光層５からの発光を消光したり、発光層５との間でエキサイプレックスを形成して効率を低下させないことが求められる。上記の一般的要求以外に、車載表示用の応用を考えた場合、素子にはさらに耐熱性が要求される。従って、ガラス転移温度Ｔｇとして８５℃以上の値を有する材料が望ましい。
【０１０３】
本発明の錯体化合物は、上記条件の多くを満たすため、この正孔輸送層４に使用することが好ましい。
【０１０４】
本発明の錯体化合物は、発光層と陽極との間に存在する層、特に正孔輸送層に含有される場合に、そのイオン化ポテンシャルが５．０〜５．４ｅＶであることが好ましい。
【０１０５】
イオン化ポテンシャルは物質のＨＯＭＯ（最高被占分子軌道）レベルにある電子を真空準位に放出するのに必要なエネルギーで定義され、光電子分光法で直接測定されるか、あるいは電気化学的に測定した酸化電位を基準電極に対して補正しても求められる。後者の方法の場合は、例えば、飽和甘コウ電極（ＳＣＥ）を基準電極として用いたとき、
イオン化ポテンシャル＝酸化電位（ｖｓ．ＳＣＥ）＋４．３　ｅＶ、
で表される（”Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ　Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ”，　Ｓｐｒｉｎｇｅｒ−Ｖｅｒｌａｇ，　１９８５年、９８頁）。
【０１０６】
なお正孔輸送層４は、本発明の性能を損なわない限り、本発明の錯体化合物に加えて、公知の正孔輸送性材料を含有していても良い。
【０１０７】
公知の正孔輸送性材料としては、たとえば、１，１−ビス（４−ジ−ｐ−　トリルアミノフェニル）シクロヘキサン、４，４’−　ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−　フェニルアミノ］ビフェニルで代表される２個以上の３級アミンを含み２個以上の縮合芳香族環が窒素原子に置換した芳香族アミン（特開平５−２３４６８１号公報）、トリフェニルベンゼンの誘導体でスターバースト構造を有する芳香族トリアミン（米国特許第４，９２３，７７４　号）、Ｎ，Ｎ’−　ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）ビフェニル−４，４’−ジアミン等、ピレニル基に芳香族ジアミノ基が複数個置換した化合物、スチリル構造を有する芳香族ジアミン（特開平４−２９０８５１号公報）、チオフェン基で芳香族３級アミンユニットを連結したもの（特開平４−３０４４６６号公報）、スターバースト型芳香族トリアミン（特開平４−３０８６８８号公報）、フルオレン基で３級アミンを連結したもの（特開平５−　２５４７３号公報）、トリアミン化合物（特開平５−２３９４５５号公報）、ビスジピリジルアミノビフェニル、Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリフェニルアミン誘導体（特開平６−１９７２号公報）、フェノキサジン構造を有する芳香族ジアミン（特開平７−１３８５６２号公報）、ジアミノフェニルフェナントリジン誘導体（特開平７−２５２４７４号公報）、シラザン化合物（米国特許第　４，９５０，９５０号公報）、シラナミン誘導体（特開平６−　４９０７９号公報）、ホスファミン誘導体（特開平６−　２５６５９号公報）などが挙げられる。これらの化合物は、単独で用いてもよいし、必要に応じて２種以上を混合して用いてもよい。
【０１０８】
正孔輸送層４は塗布法または真空蒸着法などで形成することができる。
塗布法の場合は、本発明の錯体化合物を少なくとも１種以上と、必要により正孔のトラップにならないバインダー樹脂や塗布性改良剤などの添加剤、とを添加し、溶解して塗布溶液を調製し、スピンコート法などの方法により陽極２上に塗布し、乾燥して正孔輸送層４を形成する。バインダー樹脂としては、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエステル等が挙げられる。バインダー樹脂は添加量が多いと正孔移動度を低下させるので、少ない方が望ましく、通常、正孔輸送層４中の含有量で５０重量％以下が好ましく、３０重量％以下がより好ましい。
【０１０９】
真空蒸着法の場合には、本発明の錯体化合物を真空容器内に設置されたルツボに入れ、真空容器内を適当な真空ポンプで１０−４Ｐａ程度にまで排気した後、ルツボを加熱して該化合物を蒸発させ、ルツボと向かい合って置かれた、陽極２が形成された基板１上に正孔輸送層４を形成させる。
【０１１０】
上記バインダー樹脂を用いる場合、および、本発明の錯体化合物と公知の正孔輸送性材料とを併用する場合、本発明の錯体化合物による効果を十分に発揮させるために、正孔輸送層４中の正孔輸送性材料の総料に対し、本発明の錯体化合物の含有量は、５重量％以上、特に１０重量％以上であることが好ましい。
【０１１１】
正孔輸送層４の膜厚の上限は通常３００ｎｍ好ましくは１００ｎｍであり、下限は通常５ｎｍ好ましくは１０ｎｍである。このように薄い膜を一様に形成するためには、一般に真空蒸着法がよく用いられる。
【０１１２】
正孔輸送層４の上には発光層５が設けられる。発光層５は、電界を与えられた電極間において、陽極２から注入されて正孔輸送層４を移動する正孔と、陰極７から注入されて電子輸送層６を移動する電子との再結合により励起されて強い発光を示す化合物を主成分とする。
【０１１３】
また、この化合物は、安定な薄膜形状を有し、固体状態で高い（発光の）量子収率を示し、正孔および／または電子を効率よく輸送することができることが必要である。さらに電気化学的かつ化学的に安定であり、トラップとなる不純物が製造時や使用時に発生しにくい化合物であることが要求される。
【０１１４】
このような条件を満たし、蛍光を示す発光層を形成する化合物としては、８−ヒドロキシキノリンのアルミニウム錯体などの錯体化合物（特開昭５９−１９４３９３号公報）、１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリンの錯体化合物（特開平６−３２２３６２号公報）、ビススチリルベンゼン誘導体（特開平１−２４５０８７号公報、同２−２２２４８４号公報）、ビススチリルアリーレン誘導体（特開平２−２４７２７８号公報）、（２−ヒドロキシフェニル）ベンゾチアゾールの錯体化合物（特開平８−３１５９８３号公報）、シロール誘導体等が挙げられる。また、前述の正孔輸送性材料のうち、蛍光性を有する芳香族アミン系化合物も発光層材料として用いることができる。これらの発光層材料は、通常は真空蒸着法により正孔輸送層４上に積層される。
【０１１５】
発光層５の膜厚の上限は通常２００　ｎｍ好ましくは１００　ｎｍであり、下限は通常１０　ｎｍ好ましくは２０　ｎｍである。
【０１１６】
発光層５も正孔輸送層４と同様の方法で形成することができるが、通常は真空蒸着法が用いられる。
【０１１７】
素子の発光効率を向上させるとともに発光色を変える目的で、たとえば、８−ヒドロキシキノリンのアルミニウム錯体をホスト材料として、クマリン等のレーザー用蛍光色素をドープすること（Ｊ．　Ａｐｐｌ．　Ｐｈｙｓ．，　６５巻，　３６１０頁，　１９８９年）等が行われている。このドーピング手法は、発光層５にも適用でき、ドープ用材料としては、クマリン以外にも各種の蛍光色素が使用できる。青色発光を与える蛍光色素としては、ペリレン、ピレン、アントラセン、クマリンおよびそれらの誘導体等が挙げられる。緑色蛍光色素としては、キナクリドン誘導体、クマリン誘導体等が挙げられる。黄色蛍光色素としては、ルブレン、ペリミドン誘導体等が挙げられる。赤色蛍光色素としては、ＤＣＭ系化合物、ベンゾピラン誘導体、ローダミン誘導体、ベンゾチオキサンテン誘導体、アザベンゾチオキサンテン等が挙げられる。
【０１１８】
上記のドープ用蛍光色素以外にも、ホスト材料に応じて、レーザー研究，８巻，６９４頁，８０３頁，９５８頁（１９８０年）；同９巻，８５頁（１９８１年）、に列挙されている蛍光色素が発光層用のドープ材料として使用することができる。
【０１１９】
ホスト材料に対して上記蛍光色素がドープされる量は、１０−３重量％以上、１０重量％以下が好ましい。
【０１２０】
上述の蛍光色素を発光層５のホスト材料にドープする方法を以下に説明する。塗布の場合は、前記発光層５のホスト材料と、ドープ用蛍光色素、さらに必要により、電子のトラップや発光の消光剤とならないバインダー樹脂や、レベリング剤等の塗布性改良剤などの添加剤を添加し溶解した塗布溶液を調製し、スピンコート法などの方法により正孔輸送層４上に塗布し、乾燥して発光層５を形成する。バインダー樹脂としては、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエステル等が挙げられる。バインダー樹脂は添加量が多いと正孔／電子移動度を低下させるので、少ない方が望ましく、通常発光層５中の含有量で５０重量％以下が好ましい。
【０１２１】
真空蒸着法の場合には、前記ホスト材料を真空容器内に設置されたルツボに入れ、ドープする蛍光色素を別のルツボに入れ、真空容器内を適当な真空ポンプで１０−４Ｐａ程度にまで排気した後、各々のルツボを同時に加熱して蒸発させ、ルツボと向かい合って置かれた基板上に層を形成する。また、他の方法として、上記の材料を予め所定比で混合したものを同一のルツボを用いて蒸発させてもよい。
【０１２２】
上記各ドーパントが発光層中にドープされる場合、発光層の膜厚方向において均一にドープされるが、膜厚方向において濃度分布があっても構わない。たとえば、正孔輸送層４側の界面近傍にのみドープしたり、逆に、陰極７側の界面近傍にドープしてもよい。
【０１２３】
燐光を示す発光層は通常、燐光性ドーパントとホスト化合物から形成される。燐光性ドーパントとしては、２，３，７，８，１２，１３，１７，１８−オクタエチル−２１Ｈ，２３Ｈ−ポルフィリン白金（ＩＩ）等のポルフィリン錯体（ＵＳＰ　６，３０３，２３８号公報）、トリス（２−フェニルピリジン）イリジウムなどの有機イリジウム錯体（ＷＯ　００／７０６５５号公報）、ビス（２−チエニルピリジン）白金などの有機白金錯体（ＷＯ　００／５７６７６号公報）、ビス（２−（２’−ベンゾチエニル）−ピリジナト）イリジウム（アセチルアセトナト）等の混合配位子有機金属錯体（ＷＯ　０１／４１５１２号公報）、等が挙げられる。
【０１２４】
ホスト材料としては、４，４’−Ｎ，Ｎ’−ジカルバゾールビフェニルなどのカルバゾール誘導体（ＷＯ　００／７０６５５号公報）、トリス（８−ヒドロキシキノリン）アルミニウム（ＵＳＰ　６，３０３，２３８号公報）、２，２’，２”−（１，３，５−ベンゼントリル）トリス［１−フェニル−１Ｈ−ベンズイミダゾール］（Ａｐｐｌ．　Ｐｈｙｓ．　Ｌｅｔｔ．，　７８巻，　１６２２項，　２００１）、ポリビニルカルバゾール（特開２００１−２５７０７６号公報）等が挙げられる。
【０１２５】
これらの材料からなる発光層も、蛍光を発する発光層と同様の方法で形成することができ、膜厚も前記蛍光発光層と同程度である。
【０１２６】
正孔注入の効率をさらに向上させ、かつ、有機層全体の陽極への付着力を改善させる目的で、図２，３に示す如く、正孔輸送層４と陽極２との間に正孔注入層３を挿入することも行われている。正孔注入層３を挿入することで、初期の素子の駆動電圧が下がると同時に、素子を定電流で連続駆動した時の電圧上昇も抑制される効果がある。正孔注入層３に用いられる材料に要求される条件としては、陽極とのコンタクトがよく均一な薄膜を形成することができ、熱的に安定、すなわち、融点およびガラス転移温度が高く、融点としては　３００℃以上、ガラス転移温度としては　１００℃以上が要求される。さらに、イオン化ポテンシャルが低く陽極２からの正孔注入が容易なこと、正孔移動度が大きいことが挙げられる。
【０１２７】
本発明の錯体化合物は、この正孔注入層３に使用することも好ましい。
本発明の錯体化合物を正孔注入層３に使用した場合には、前記正孔輸送層４には、公知の正孔輸送性材料を適宜使用することができる。また、正孔注入層３および正孔輸送層４の双方に、本発明の錯体化合物を使用してもよい。さらに、本発明の錯体化合物を前記正孔輸送層４のみに使用し、正孔注入層３には公知の材料を適宜使用することも可能である。
【０１２８】
正孔注入層３の材料としては、無機・有機の各種化合物が提案されている。
たとえば、これまでに銅フタロシアニン等のフタロシアニン化合物（特開昭６３−２９５６９５号公報）、ポリアニリン（Ａｐｐｌ．　Ｐｈｙｓ．　Ｌｅｔｔ．，　６４巻、１２４５頁，１９９４年）、ポリチオフェン（Ｏｐｔｉｃａｌ　Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，　９巻、１２５頁、１９９８年）等の有機化合物や、スパッタ・カーボン膜（Ｓｙｎｔｈ．　Ｍｅｔ．，　９１巻、７３頁、１９９７年）や、バナジウム酸化物、ルテニウム酸化物、モリブデン酸化物等の金属酸化物（Ｊ．　Ｐｈｙｓ．　Ｄ，　２９巻、２７５０頁、１９９６年）が報告されている。
【０１２９】
また、正孔注入層３としては、正孔注入・輸送性の低分子有機化合物と電子受容性化合物を含有する層（特開平１１−２５１０６７号公報、特開２０００−１５９２２１号公報等に記載）や、芳香族アミノ基等を有する非共役系高分子化合物に、必要に応じて電子受容性化合物をドープしてなる層（特開平１１−２８３７５０号公報、特開２０００−３６３９０号公報、特開２０００−１５０１６８号公報、特開２００１−２２３０８４号公報など）なども、好ましい。
【０１３０】
さらに、正孔注入層３の材料は、正孔輸送層４に使用できるものとして前述した、公知の正孔輸送性材料の中から選択して使用しても良い。
【０１３１】
正孔注入層３は、本発明の錯体化合物と、公知の正孔注入層形成材料とを併用して形成しても良い。この場合、本発明の錯体化合物による効果を十分に得るために、正孔注入層３中の本発明の錯体化合物の含有量は５重量％以上、特に１０重量％以上であることが好ましい。
【０１３２】
正孔注入層３も、正孔輸送層４と同様にして薄膜形成可能であるが、無機物を用いて形成する場合には、さらに、スパッタ法や電子ビーム蒸着法、プラズマＣＶＤ法を用いることができる。
【０１３３】
正孔注入層３の膜厚の上限は通常１００ｎｍ好ましくは５０ｎｍであり、下限は通常３ｎｍ好ましくは５ｎｍである。
【０１３４】
陰極７は、発光層５に電子を注入する役割を果たす。陰極７として用いられる材料は、前記陽極２に使用される材料を用いることが可能であるが、効率よく電子注入を行なうには、仕事関数の低い金属が好ましく、スズ、マグネシウム、インジウム、カルシウム、アルミニウム、銀等の適当な金属またはそれらの合金が用いられる。具体例としては、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、アルミニウム−リチウム合金等の低仕事関数の合金電極が挙げられる。さらに、陰極７と発光層６または後述する図３の電子輸送層６の界面にＬｉＦ、ＭｇＦ２、Ｌｉ２Ｏ等の極薄絶縁膜（０．１〜５ｎｍ）を挿入することも、素子の効率を向上させる有効な方法である（Ａｐｐｌ．　Ｐｈｙｓ．　Ｌｅｔｔ．，　７０巻，１５２頁，１９９７年；特開平１０−７４５８６号公報；ＩＥＥＥ　Ｔｒａｎｓ．　Ｅｌｅｃｔｒｏｎ．　Ｄｅｖｉｃｅｓ，４４巻，１２４５頁，１９９７年）。陰極７の膜厚は通常、陽極２と同様である。低仕事関数金属から成る陰極を保護する目的で、この上にさらに、仕事関数が高く大気に対して安定な金属層を積層することは素子の安定性を増す。この目的のために、アルミニウム、銀、銅、ニッケル、クロム、金、白金等の金属が使われる。
【０１３５】
素子の発光効率をさらに向上させることを目的として、図３に示す如く、発光層５と陰極７の間に電子輸送層６を設けてもよい。電子輸送層６は、電界を与えられた電極間において陰極から注入された電子を効率よく発光層５の方向に輸送することができる化合物より形成される。
【０１３６】
電子輸送層６に用いられる電子輸送性化合物としては、陰極７からの電子注入効率が高く、かつ、高い電子移動度を有し注入された電子を効率よく輸送することができる化合物であることが必要である。
【０１３７】
このような条件を満たす材料としては、８−ヒドロキシキノリンのアルミニウム錯体などの錯体化合物（特開昭５９−１９４３９３号公報）、１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリンの錯体化合物、オキサジアゾール誘導体、ジスチリルビフェニル誘導体、シロール誘導体、３−または５−ヒドロキシフラボン錯体化合物、ベンズオキサゾール錯体化合物、ベンゾチアゾール錯体化合物、トリスベンズイミダゾリルベンゼン（米国特許第　５，６４５，９４８号）、キノキサリン化合物（特開平６−２０７１６９号公報）、フェナントロリン誘導体（特開平５−３３１４５９号公報）、２−ｔ−ブチル−９，１０−Ｎ，Ｎ’−ジシアノアントラキノンジイミン、ｎ型水素化非晶質炭化シリコン、ｎ型硫化亜鉛、ｎ型セレン化亜鉛などが挙げられる。
【０１３８】
電子輸送層６の膜厚の上限は通常２００　ｎｍ好ましくは１００　ｎｍであり、下限は通常５　ｎｍ好ましくは１０ｎｍである。
【０１３９】
電子輸送層６は、正孔輸送層４と同様にして塗布法あるいは真空蒸着法により発光層５上に積層することにより形成される。通常は、真空蒸着法が用いられる。
【０１４０】
なお、図１とは逆の構造、すなわち、基板上に陰極７、発光層５、正孔輸送層４、陽極２の順に積層することも可能であり、既述したように少なくとも一方が透明性の高い２枚の基板の間に本発明の有機電界発光素子を設けることも可能である。同様に、図２または図３に示した前記各層構成とは逆の構造に積層することも可能である。
【０１４１】
本発明は、有機電界発光素子が、単一の素子、アレイ状に配置された構造からなる素子、陽極と陰極がＸ−Ｙマトリックス状に配置された構造のいずれにおいても適用することができる。
【０１４２】
【実施例】
次に、合成例、実施例および参考例を挙げて、本発明をより具体的に説明するが、本発明はその要旨を超えない限り、以下の実施例の記載に何ら限定されるものではない。
【０１４３】
合成例１：２−（５−ブロモ−２−ヒドロキシフェニル）−ベンゾオキサゾールの合成
【化５３】
2004059571.tif 000047
【０１４４】
２−（２−ヒドロキシフェニル）−ベンゾオキサゾール２５．３　ｇのジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）（２５０　ｍＬ）溶液に、Ｎ−ブロモスクシンイミド　２２．３　ｇのＤＭＦ（１５０　ｍＬ）溶液を、窒素下、０℃の条件下で滴下し、その後、室温で６時間反応させた。溶媒を留去した後、得られた沈殿物をエタノールにより再結晶を行い、３０　ｇの白色結晶を得た。得られた化合物の質量分析結果により目的物であることが確認できた。Ｍ／ｅ　：　２８９
【０１４５】
合成例２：２−（５−ブロモ２−メトキシフェニル）−ベンゾオキサゾールの合成
【化５４】
2004059571.tif 000048
【０１４６】
２−（５−ブロモ−２−ヒドロキシフェニル）−ベンゾオキサゾール２．１８　ｇと炭酸カリウム　１．７　ｇのアセトン（１００　ｍＬ）溶液に、ヨウ化メチル１．７　ｇを加え、窒素下、６時間加熱環流を行った。室温まで冷却した後、溶媒を留去し、得られた沈殿物にジクロロメタンを加え、不溶物の濾過を行った。その後、カラムクロマトグラフィーによる精製を行い、１．９　ｇの白色化合物を得た。得られた化合物の質量分析結果により目的物であることが確認できた。Ｍ／ｅ：　３０３
【０１４７】
合成例３：２−（５−ジフェニルアミノ２−メトキシフェニル）−ベンゾオキサゾールの合成
【化５５】
2004059571.tif 000049
【０１４８】
２−（５−ブロモ２−メトキシフェニル）−ベンゾオキサゾール４．５６　ｇとジフェニルアミン　２．７　ｇ、ナトリウムｔ−ブトキシド　３．６　ｇに脱水トルエン　８０　ｍＬを加え、さらに反応溶液にトリス（ジベンジリデンアセトン）二パラジウム１５７　ｍｇ、トリ（ｔ−ブチル）ホスフィン３５０　ｍｇを加え、窒素下、８時間加熱環流を行った。反応溶液を室温まで冷却した後、水２００　ｍＬを加え、トルエンで数回抽出を行った。トルエン溶液に炭酸カリウムを加えて乾燥し、濾過後、溶液を濃縮した。得られた沈殿物をカラムクロマトグラフィーによる精製を行い、５．２４　ｇの白色固体を得た。得られた化合物のＮＭＲ、質量分析結果により目的物であることが確認できた。Ｍ／ｅ　：　３９２
【０１４９】
合成例４：２−（５−ジフェニルアミノ２−ヒドロキシフェニル）−ベンゾオキサゾールの合成
【化５６】
2004059571.tif 000050
【０１５０】
塩化アルミニウム８００　ｍｇの脱水トルエン溶液１０　ｍＬに２−（５−ジフェニルアミノ２−メトキシフェニル）−ベンゾオキサゾール１．１８　ｇ　のトルエン溶液２０ｍＬを加え、窒素下、室温で７時間反応させた。反応溶液を水５０　ｍＬに加え、水酸化ナトリウムで中和した後、トルエンで数回抽出を行った。その後、炭酸カリウムを加えて乾燥し、濾過後、溶液を濃縮した。得られた沈殿物をカラムクロマトグラフィーによる精製を行い、１．０３　ｇの黄白色固体を得た。得られた化合物の質量分析結果により目的物であることが確認できた。Ｍ／ｅ　：　３７８
【０１５１】
実施例１
【化５７】
2004059571.tif 000051
【０１５２】
２−（５−ジフェニルアミノ２−ヒドロキシフェニル）−ベンゾオキサゾール３７８　ｍｇ　と酢酸銅一水和物１９９　ｍｇにエタノール２０ｍＬを加え、１２時間加熱環流を行った。反応溶液を室温まで冷却した後、濾過、メタノール洗浄を行い、黄色固体３８０　ｍｇを得た。得られた化合物の質量分析結果により目的物であることが確認できた。Ｍ／ｅ　：　８１８
【０１５３】
実施例２
【化５８】
2004059571.tif 000052
【０１５４】
２−（５−ジフェニルアミノ２−ヒドロキシフェニル）−ベンゾオキサゾール３７８　ｍｇ　と酢酸ニッケル四水和物２８０　ｍｇにエタノール２０ｍＬを加え、１２時間加熱環流を行った。反応溶液を室温まで冷却した後、濾過、メタノール洗浄を行い、黄色固体３７８　ｍｇを得た。得られた化合物の質量分析結果により目的物であることが確認できた。Ｍ／ｅ　：　８１３
【０１５５】
実施例３
【化５９】
2004059571.tif 000053
【０１５６】
２−（５−ジフェニルアミノ２−ヒドロキシフェニル）−ベンゾオキサゾール７５６　ｍｇ　と硫酸亜鉛１８３　ｍｇにエタノール３０ｍＬを加え、８時間加熱環流を行った。反応溶液を室温まで冷却した後、濾過、メタノール洗浄を行い、黄緑色固体７６０　ｍｇを得た。得られた化合物の質量分析結果により目的物であることが確認できた。Ｍ／ｅ　：　８１８
【０１５７】
実施例４
【化６０】
2004059571.tif 000054
【０１５８】
２−（５−ジフェニルアミノ２−ヒドロキシフェニル）−ベンゾオキサゾール７５６　ｍｇ　と酢酸ニッケル四水和物２９４　ｍｇにエタノール２０ｍＬを加え、１２時間加熱環流を行った。反応溶液を室温まで冷却した後、濾過、メタノール洗浄を行い、黄色固体７７０　ｍｇを得た。得られた化合物の質量分析結果により目的物であることが確認できた。Ｍ／ｅ　：　８１３
【０１５９】
実施例５
【化６１】
2004059571.tif 000055
【０１６０】
２−（５−ジフェニルアミノ２−ヒドロキシフェニル）−ベンゾオキサゾール７５６　ｍｇ　と酢酸鉄１７４　ｍｇにエタノール２０ｍＬを加え、１２時間加熱環流を行った。反応溶液を室温まで冷却した後、濾過、メタノール洗浄を行い、黄緑色固体７１０　ｍｇを得た。得られた化合物の質量分析結果により目的物であることが確認できた。Ｍ／ｅ　：　８１０
【０１６１】
参考例１
実施例２で合成したニッケル錯体をガラス基板上に真空蒸着して薄膜を形成し、ＡＣ−１（理研計器（株）製）を用いてイオン化ポテンシャル（Ｉｐ）を測定した。
実施例２のニッケル錯体のＩｐは５．１ｅＶであった。
【０１６２】
参考例２
実施例３で合成した亜鉛錯体をガラス基板上に真空蒸着して薄膜を形成し、参考例１と同様にＡＣ−１を用いてイオン化ポテンシャル（Ｉｐ）を測定した。
実施例３の亜鉛錯体のＩｐは５．０ｅＶであった。
【０１６３】
実施例６
図３に示す構造を有する有機電界発光素子を以下の方法で作製した。
ガラス基板１の上にインジウム・スズ酸化物（ＩＴＯ）透明導電膜を　１５０ｎｍ堆積したもの（スパッター成膜品；シート抵抗１５Ω）を通常のフォトリソグラフィ技術と塩酸エッチングを用いて　２ｍｍ幅のストライプにパターニングして陽極２を形成した。パターン形成したＩＴＯ基板を、アセトンによる超音波洗浄、純水による水洗、イソプロピルアルコールによる超音波洗浄の順で洗浄後、窒素ブローで乾燥させ、最後に紫外線オゾン洗浄を行った。
【０１６４】
陽極バッファ層３の材料として、下記に示す繰り返し単位を有する非共役系高分子化合物（ＰＢ−１）（単独重合体、Ｍｗ＝４７０００、Ｍｎ＝７５００）を、電子受容性化合物（Ａ−１）と共に以下の条件でスピンコートした。
【０１６５】
【化６２】
2004059571.tif 000056
【０１６６】
溶媒　　　　　　　　シクロヘキサノン
塗布液濃度　　　　　１３［ｍｇ／ｍｌ］
ＰＢ−１：Ａ−１　　１０：１（重量比）
スピナ回転数　　　　１５００［ｒｐｍ］
スピナ回転時間　　　３０［秒］
乾燥条件　　　　　　１００℃で１時間
上記条件でのスピンコートにより、膜厚４５ｎｍの均一な薄膜が形成された。
【０１６７】
次に、陽極バッファ層３を成膜した基板を真空蒸着装置内に設置した。上記装置の粗排気を油回転ポンプにより行った後、装置内の真空度が２×１０−６Ｔｏｒｒ（約２．７×１０−４Ｐａ）以下になるまで液体窒素トラップを備えた油拡散ポンプを用いて排気した。上記装置内に配置されたセラミックるつぼに入れた、実施例３で合成した亜鉛錯体化合物（Ｈ−１）をるつぼの周囲のタンタル線ヒーターで加熱して蒸着を行った。この時のるつぼの温度は、３８０〜４０５℃の範囲で制御した。蒸着時の真空度１．２×１０−６Ｔｏｒｒ（約１．６×１０−４Ｐａ）、蒸着速度は０．１７ｎｍ／秒で膜厚４０ｎｍの正孔輸送層４を得た。
【０１６８】
【化６３】
2004059571.tif 000057
【０１６９】
引続き、発光層５の主成分（ホスト材料）として下記に示すアルミニウムの８−ヒドロキシキノリン錯体（Ｅ−１）を、副成分（ドーパント）としてルブレン（Ｄ−１）を別々のセラミックるつぼに設置し、２元同時蒸着法により成膜を行った。
【０１７０】
【化６４】
2004059571.tif 000058
【０１７１】
化合物（Ｅ−１）のるつぼ温度は　２８５〜　２９０℃に、蒸着速度は　０．１４ｎｍ／秒に制御し、ルブレン（Ｄ−１）は２３０〜　２３５℃の温度範囲に制御し、膜厚３０ｎｍでルブレン（Ｄ−１）が３重量％含有された発光層５を正孔輸送層４の上に積層した。蒸着時の真空度は１．０×１０−６Ｔｏｒｒ（約１．３×１０−４Ｐａ）であった。
【０１７２】
さらに発光層５の上に、電子輸送層６として前述のアルミニウムの８−ヒドロキシキノリン錯体（Ｅ−１）を同様にして蒸着した。この時のアルミニウムの８−ヒドロキシキノリン錯体のるつぼ温度は　２８５〜３００℃の範囲で制御し、蒸着時の真空度は０．９×１０−６Ｔｏｒｒ（約１．２×１０−４Ｐａ）、蒸着速度は０．２５ｎｍ／秒で膜厚は３０ｎｍとした。
【０１７３】
上記の正孔輸送層４、発光層５及び電子輸送層６を真空蒸着する時の基板温度は室温に保持した。
【０１７４】
ここで、電子輸送層６までの蒸着を行った素子を一度前記真空蒸着装置内より大気中に取り出して、陰極蒸着用のマスクとして　２ｍｍ幅のストライプ状シャドーマスクを、陽極２のＩＴＯストライプとは直交するように素子に密着させて、別の真空蒸着装置内に設置して有機層と同様にして装置内の真空度が２．７×１０−４Ｐａ以下になるまで排気した。陰極７として、先ず、フッ化リチウム（ＬｉＦ）をモリブデンボートを用いて、蒸着速度０．０１ｎｍ／秒、真空度５．５×１０−４Ｐａで、０．５ｎｍの膜厚で電子輸送層７の上に成膜した。次に、アルミニウムを同様にモリブデンボートにより加熱して、蒸着速度０．４３ｎｍ／秒、真空度１．０×１０−３Ｐａで膜厚８０ｎｍのアルミニウム層を形成して陰極７を完成させた。以上の２層型陰極７の蒸着時の基板温度は室温に保持した。
【０１７５】
以上の様にして、２ｍｍ×２ｍｍ　のサイズの発光面積部分を有する有機電界発光素子が得られた。この素子の発光特性を表１に示す。表１において、最大発光輝度は電流密度０．２５Ａ／ｃｍ２での値、発光効率・輝度／電流・電圧は　輝度１００ｃｄ／ｍ２での値を各々示す。素子の発光スペクトルの極大波長は　５６３ｎｍであり、ルブレン（Ｄ−１）からのものと同定された。色度はＣＩＥ（ｘ，ｙ）＝（０．４９，０．５０）であった。
【０１７６】
【表１】
2004059571.tif 000059
【０１７７】
【発明の効果】
本発明の錯体化合物は耐熱性が高く、結晶性が低く、かつ電荷輸送性が高いため、電荷輸送性材料として極めて有用である。
【０１７８】
また、本発明の有機電界発光素子は、このような本発明の錯体化合物を含有することにより、発光開始電圧や素子の耐熱性など、いずれの点についても従来公知の電荷（正孔）輸送性化合物を含む素子より優れた性能を有する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の有機電界発光素子の実施の形態の一例を示した模式断面図である。
【図２】本発明の有機電界発光素子の実施の形態の別の例を示した模式断面図である。
【図３】本発明の有機電界発光素子の実施の形態の別の例を示した模式断面図である。
【符号の説明】
１　基板
２　陽極
３　正孔注入層
４　正孔輸送層
５　発光層
６　電子輸送層
７　陰極
【図１】
2004059571.tif 000068
【図２】
2004059571.tif 000069
【図３】
2004059571.tif 000070