(57)【要約】【課題】クリーンルーム内にプラスイオンとマイナスイオンを効果的に広範囲にほぼ均一に分布させ、プラスイオンとマイナスイオンによる塵埃、浮遊菌、化学物質等の除去効果を高める。【解決手段】ダウンフローによる換気が行われるクリーンルームの空気流通路の上流側に、イオン発生器を配置する。【選択図】　　　図１
2004028531.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
天井に空気の流出側、床に空気の流入側を備え上記流出側から流入側へ空気流通路が形成されるクリーンルームにおいて、上記空気流通路の上流側にイオン発生器を配置したことを特徴とするクリーンルーム。
【請求項２】
上記イオン発生器が上記流出側に設けたフィルタより下流の天井付近に取付けられることを特徴とする請求項１に記載のクリーンルーム。
【請求項３】
クリーンルームの天井付近に配置された各照明器具にそれぞれイオン発生器を取り付けたことを特徴とする請求項１記載のクリーンルーム。
【請求項４】
上記照明器具の電源をイオン発生器の電源に共用することを特徴とする請求項３に記載のクリーンルーム。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体製造工場、液晶ディスプレイ製造工場、医薬品製造工場、化粧品製造工場、洗剤製造工場、食品製造工場、病院、手術室などに設置するクリーンルーム関する。さらに詳しくは、プラズマクラスタを利用してクリーンルームの空気中の塵埃の数および浮遊菌を低減させ、また製造装置等の生産装置、生産物や薬品から発生する化学物質を低減させるクリーンルームに関する。
【０００２】
【従来の技術】
クリーンルームは、空気中の塵埃濃度が低い（清浄度クラス１０，０００程度）部屋であり、そのために空気中の塵埃を塵埃フィルタによって除去した後、クリーンルームに供給している。しかし最近は環境中に、アンモニア、硫黄酸化物、有機溶剤などのガス状化学物質が増加し、これらのガス状化学物質の濃度を数ｐｐｂにすることが求められているとともに、クリーンルーム内に設置されている生産装置や生産に使用する薬品から発生する化学物質も低減することが求められている。塵埃の一部として浮遊菌、ＭＲＳＡも含められ、浮遊菌、ＭＲＳＡの低減も求められている。また医薬品製造工場、化粧品製造工場、洗剤製造工場、食品製造工場、病院、手術室などでは定期的に、あるいは必要に応じて時々室内の消毒を行うが、消毒後の臭いや消毒液から発生する化学物質の急速な低減が求められている。
【０００３】
このような化学汚染物質の除去にはケミカルフィルターが使用される。すなわち、有機汚染物質の除去には活性炭を使用したケミカルフィルターが使用される。アルカリ成分ないし金属イオン類の除去には、リン酸などの酸成分を活性炭に添着したものが、また、アニオン類ないし酸性成分は、苛性カリなどのアルカリ性成分を活性炭に添着したものが使用される。さらに無機物の除去には、イオン交換樹脂が使用される。オゾンの除去にはオゾン分解用ケミカルフィルターが使用される。このように、ケミカルフィルターにはリン酸や苛性カリのように、そのごく一部がリークしても半導体デバイスや液晶ディスプレーの歩留まりを低下させるような成分を除去する機能を持っている。また、これらのケミカルフィルターは、非常に高価であり、製品のコストアップにつながる。また、それぞれのケミカルフィルターは、吸着能に限界があって、飽和吸着量になると取り替える必要があり、取替え費用が嵩むという問題が起こる。また、使用済みのケミカルフィルターは廃棄されるため、資源の消費につながる。このため、ケミカルフィルターを不要にすることが強く望まれている。
【０００４】
このような問題に対して、特開２００２−８９９２０号公報は、空気の循環回数の異なるクリーンルームを隣接して設置し、この両クリーンルーム間に空気流通部を設けると共に、循環回数の多い側のクリーンルームに外気供給部を設け、循環回数の少ない側のクリーンルームに排気部を設けることを開示している。これによって化学汚染物質の濃縮現象の発生を防止している。特開２００２−１４７８１１号公報は、処理対象物を処理するための機器本体が設置された機器設置エリアと、処理対象物が上記機器本体にロード又はアンロードされるプロセスエリアと、上記機器本体を操作するオペレーションエリアに間仕切りにより分け、上記機器設置エリア、プロセスエリア、オペレーションエリアの空調を互いに独立して行うことを開示している。これによって、処理対象物の汚染を防止するとともに、ケミカルフィルタのランニングコストを低減することができる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
特開２００２−８９９２０号公報、特開２００２−１４７８１１号公報の発明はに開示された発明は、大規模工場や、多数のエリアに分けることができる場合には有効であるが、小面積の場合には利用できないことがある。また上記発明は高価なケミカルフィルタの使用領域を小さくし、またケミカルフィルタの負担を小さくしているが、充分ではなかった。更にクリーンルームは多くの場合、天井に空気の流出側、床に空気の流入側を備え、流出側から流入側へ空気流通路を形成することにより、クリーンルーム天井から床へ空気を流す、いわゆるダウンフローによって換気を行い、天井に設置したＨＥＰＡフィルターで塵埃や微粒子を濾過している。しかし塵埃、浮遊菌、化学物質等の除去効果は充分とは言えなかった。
【０００６】
本発明は上記のような問題に鑑みてプラスイオンとマイナスイオンを効果的に、特に広範囲にほぼ均一に分布させ、プラスイオンとマイナスイオンによる塵埃、浮遊菌、化学物質等の除去効果を高めようとするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明は、天井に空気の流出側、床に空気の流入側を備え上記流出側から流入側へ空気流通路が形成されるクリーンルームにおいて、上記空気流通路の上流側にイオン発生器を配置することにより、上記課題を解決する。
【０００８】
また本発明は、上記イオン発生器が上記流出側に設けたフィルタより下流の天井付近に取付けられることにより、上記課題を解決する。
【０００９】
また本発明は、クリーンルームの天井付近に配置された各照明器具にそれぞれイオン発生器を取り付けることにより、上記課題を解決する。
【００１０】
また発明は、上記照明器具の電源をイオン発生器の電源に共用することにより上記課題を解決する。
【００１１】
【発明の実施の形態】
以下、この発明のクリーンルームを半導体製造工場に実施した場合を説明する。クリーンルームは液晶ディスプレイ製造工場、医薬品製造工場、化粧品製造工場、洗剤製造工場、食品製造工場、病院、手術室などに設置するクリーンルームにも使用することが可能である。
【００１２】
図１は半導体素子製造用クリーンルーム１の断面図を示す。
【００１３】
図１中、１０１はクリーンルーム、１０２は天井１０３と、床１０４と、側壁１０５と１０６で囲まれ、半導体素子の製造機器１０７が設置された内部クリーンエリア、１０８は作業者が往来する空気の流入側となるグレーチング床（すのこ状の床）、１０９ａ、１０９ｂ、１０９ｃは天井１０３に取り付けられたＨＥＰＡフィルタ、１０４は空気の流出側となるすのこ状天井、１１１ａ、…、１１１ｅ、１１１ｆは上記ＨＥＰＡフィルタ１０９ａ、１０９ｂ、１０９ｃとすのこ状天井１０４との間に吊り下げられた照明器具で、具体的には蛍光灯である。照明器具１１１ａ、…、１１１ｅ、１１１ｆは内部クリーンエリア１０２をほぼ均一な照度で照明するように多数配置されている。１１２ａ、…、１１２ｅ、１１２ｆは、各照明器具１１１ａ、…、１１１ｅ、１１１ｆの反射板の上方屋根にそれぞれ取付けられたイオン発生器である。
【００１４】
図２は照明器具としての蛍光灯１１１の外観を示し、照明器具１１１の反射板１２０の上板１２１に、蛍光灯１１１の安定器１２２とイオン発生器１１２が取付けられる。イオン発生器１１２は図示しないが、蛍光灯１１１とともに商用交流電源１００Ｖに接続される。
【００１５】
以上の説明のように、本発明のクリーンルームは、クリーンルーム内を均一な照度で照明するように配置された各照明器具の反射板の上方屋根にそれぞれイオン発生器を取付けたので、イオン発生器より発生するプラスイオンとマイナスイオンはＨＥＰＡフィルターより吹き出されるダウンフローの空気流に乗って内部クリーンエリアにほぼ均一に分布させることができる。反射板が末広がり形状であるので、プラスイオンとマイナスイオンは末広がりの形状に沿ってクリーンルームに広げられる。このようにしてイオン発生器のプラズマ放電により水分子、酸素をプラスイオンとマイナスイオンに分解し生成した、Ｈ３Ｏ＋（Ｈ２Ｏ）ｍと、Ｏ２―（Ｈ２Ｏ）ｎの２種類のクラスターは、浮遊真菌・浮遊細菌の表面に付着し、そしてプラスイオンとマイナスイオンの結合により、活性なＯＨラジカルが生成され、表面を酸化分解する。その後、真菌・細菌は不活性化され、ＯＨラジカルは水に変換される。同様に塵埃、化学物質等もプラスイオンとマイナスイオンの作用により除去することができるので、塵埃、浮遊菌、化学物質等の除去効果を内部クリンエリアの全領域で同時に均一に得ることができ、急速にクリーン度を向上することができる。プラスイオンとマイナスイオンの作用により真菌・細菌は不活性化され、また塵埃、浮遊菌、化学物質等も同様の作用により除去することができるので、ケミカルフィルタの負担を少なくすることができ、ケミカルフィルタを長期間使用できる。
（実施例）
図３は半導体素子製造用のクリーンルームの平面レイアウトを示し、図４は図３のＸ−Ｘ‘線矢視断面図を示す。
【００１６】
図３中、３は半導体を処理するための機器が設置された複数のエリアであり、例えば３ａはイオン注入装置本体が設置されたイオン注入エリア、３ｂはフォトリソグラフィ装置本体が設置されたフォトグラフィエリア、３ｃはドライエッチング装置本体が設置されたドライエッチングエリア、３ｄはＣＭＰ装置本体が設置されたＣＭＰエリア、３ｅは酸化・拡散装置本体が設置された酸化・拡散エリア、３ｆはウエット洗浄装置本体が設置された洗浄エリア、３ｇはＣＶＤ装置本体が設置されたＣＶＤエリア、３ｈはメタル成膜装置本体が設置された成膜エリアを示している。なお、以下では、各エリアを符号３で代表して表す。
【００１７】
図３から分かるように、各エリア３と、それに隣接する一つ又は二つのプロセスエリア４とを組み合わせてなる工程ゾーンがオペレーションエリア２を介して水平方向に複数、この図では４行２列に配置されている。プロセスエリア４は、隣接するエリア３に設置された機器本体にウエハをロード又はアンロードするためのエリアである。各エリア３とそれに隣接するプロセスエリア４との間は略平板状の間仕切り４２によって仕切られ、各工程ゾーン３、４とオペレーションエリア２との間は略平板状の間仕切り４３、４４によって仕切られている。また、工程ゾーンが４行２列に配置された内部クリーンエリア５５の周りを間仕切り４１を介して外周通路エリア５が取り囲んでいる。外周通路エリア５の外側には境界として外周壁４０が設けられている。この外周壁４０の外側はクリーンルーム１外である。機器設置エリア３とオペレーションエリア２の天井付近に照明器具が取付けられ、この照明器具の反射板上にイオン発生器が取付けられるが、プロセスエリア４にはイオン発生器は取付けられない。
【００１８】
上記内部クリーンエリア５５内に配置された複数の工程ゾーンの空調は互いに独立して行われ、オペレーションエリア２の空調も各工程ゾーンの空調とは独立して行われる。したがって、処理対象物を処理するためにその工程ゾーンに設置された機器の種類に応じて、クリーン度を工程ゾーン毎に設定できる。また、外周通路エリア５の空調は内部クリーンエリア５５の空調とは独立に行われる。この結果、外周通路エリア５がクリーンルーム１外の空間と内部クリーンエリア５５との間の緩衝領域となる。したがって、内部クリーンエリア５５の空調は、クリーンルーム１外の環境の影響を受けずに安定して行われる。
【００１９】
外周壁４０には、クリーンルーム１外と外周通路エリア５との間を作業者（装置オペレータおよび保守担当者）が往来するためのドア２２が設けられている。間仕切り４１には、外周通路エリア５とオペレーションエリア２との間を作業者（主に装置オペレータ）が往来するためのドア２０と、外周通路エリア５と各機器設置エリア３との間を作業者（主に保守担当者）が往来するためのドア２１が設けられている。このほかにはドアは設けられていない。この結果、この面内での作業者のエリア間の往来は、外周通路エリア５とオペレーションエリア２との間、外周通路エリア５と機器設置エリア３との間のみで許容される。すなわち、作業者はプロセスエリア４への立ち入りが禁止されるとともに、オペレーションエリア２と機器設置エリア３との間の往来が禁止されている。したがって、作業者の往来による空調の乱れが必要最小限に抑えられる。
【００２０】
図４に示すように、このクリーンルーム１には、グレーチング床７（各部７ａ、７ｂ、７ｃ、７ｐを含む）と、その下方に設けられた平面状の床８と、さらにその下方に設けられた平面状の床６を有している。作業者が往来するのはグレーチング床７上である。
【００２１】
上述の各間仕切り４１、４２、４３、…、は天井５０から床８まで延びている。天井５０と床８との間で、間仕切り４１、４２によって仕切られた空間が機器設置エリア３、間仕切り４２、４３によって仕切られた空間がプロセスエリア４、間仕切り４３、４３（及び図３中の４４、４４）によって仕切られた空間がオペレーションエリア２に相当する。後述するようにプロセスエリア４内ではウエハがエアフローに直接晒される状態になることから、他のエリア３、２のクリーン度に比してプロセスエリア４のクリーン度を高くする必要がある。このため、空調の効率を考慮して、プロセスエリア４の容積は極力小さく設定されている。
【００２２】
機器設置エリア３、オペレーションエリア２の天井５０近傍にはそれぞれＨＥＰＡフィルタ１８ａ、１８ｃが嵌め込まれた天井パネル４５ａ、４５ｃが設けられ、これにより天井５０と天井パネル４５ａ、４５ｃとの間にそれぞれ天井チャンバ２４ａ、２４ｃが形成されている。機器設置エリア３、オペレーションエリア２の天井５０近傍には、図１に示すように、エリアの蛍光灯が多数ほぼ均等間隔に配置され、蛍光灯の反射板上にイオン発生器（図示せず）が取付けられている。図５に示すように、イオン発生器を構成するイオン素子１３０はセラミック、ガラスエポキシ、ポリイミド、アルミナ等の長方形の誘電体１３１の表面側にタングステンをスクリーン印刷により格子状に形成した放電電極１３２と、誘電体１３１の内部側にタングステンをスクリーン印刷により格子状に形成した内部電極（図示しない）とからなる。放電電極１３２と内部電極は端子が導出されて電圧印加回路１３３に接続される。電圧印加回路１３３から電源線１３４，１３５が引き出され、蛍光灯の電源線ＡＣ１００ボルトに接続される。蛍光灯がＡＣ１００ボルトのコンセントから電源を供給されている場合は、このコンセントを利用してイオン発生器にＡＣ１００ボルトの電源を供給するとよい。これにより、イオン発生器のための電源ラインを設置する必要がなくなる。電圧印加回路はＡＣ１００ボルトからパルスを発生し、これを放電電極１３２と内部電極間に印加して放電電極からプラスイオンとマイナスイオンを放出する。
【００２３】
プロセスエリア４の天井５０近傍にはケミカルフィルタ１０とＵＬＰＡフィルタ１９とが積層状態で両側の間仕切り４２、４３の間に架設され、これにより天井５０とケミカルフィルタ１０との間に天井チャンバ２４ｂが形成されている。このように内部クリーンエリア５５でケミカルフィルタ１０が設けられているのはプロセスエリア４のみであるから、ケミカルフィルタ設置についてのイニシャルコストを従来に比して低減することができる。
【００２４】
機器設置エリア３では天井パネル４５ａからグレーチング床７ａまでの領域、プロセスエリア４ではＵＬＰＡフィルタ１９からグレーチング床７ｂまでの領域、オペレーションエリア２では天井パネル４５ｃからグレーチング床７ｃまでの領域が、それぞれ空調を受ける目的領域２５ａ、２５ｂ、２５ｃとなっている。機器設置エリア３の目的領域２５ａには上述の各装置本体１４が設置され、プロセスエリア４にはウエハ搬送ロボット１３が設置され、また、オペレーションエリア２の目的領域２５ｂには公知のＳＭＩＦ（Ｓｔａｎｄａｒｄ　Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ　Ｉｎｔｅｒｆａｃｅ）ボックス１２が設けられている。
【００２５】
オペレーションエリア２内でＳＭＩＦボックス１２はウエハキャリアを収容した状態で作業者によって運搬されて、各装置のポートに対応する位置まで移動される。次に、ウエハは搬送ロボット１３によってプロセスエリア４内に取り込まれ、プロセスエリア４内でエアフローに直接晒される状態となって、装置本体１４内にロード（装荷）される。装置本体１４によって処理を受けた後、ウエハは装置本体１４からアンロードされ、プロセスエリア４内で搬送ロボット１３によって再びＳＭＩＦボックス１２に収容され、オペレーションエリア２へ戻される。このとき、その機器設置エリア３に設置されている装置本体１４が真空チャンバを有するタイプのものであれば、ウエハの移動によってオペレーションエリア２とプロセスエリア４との間の空調が互いに干渉することはない。一方、その機器設置エリア３に設置されている装置本体１４が真空チャンバを有しないタイプ（例えば常圧タイプ）のものであれば、ウエハの移動によって一時的にオペレーションエリア２とプロセスエリア４との間の空調が干渉するが、その干渉量は僅かである。各工程間の搬送は、ＳＭＩＦシステムによって、すなわちウエハキャリアを収容したＳＭＩＦボックス１２を作業者（装置オペレータ）が移動させることにより行われる。つまり、ウエハは或る工程ゾーンから別の工程ゾーンへ、機器設置エリア３を通らずオペレーションエリア２を介してのみ搬送されるので、ウエハが機器設置エリア３に設置された装置本体が発生したケミカルミストによって汚染されることはない。しかも、ウエハはＳＭＩＦボックス１２に収容されているので、オペレーションエリア２内でウエハがエアフローに晒されることはない。したがって、ウエハが汚染されるのを防止できる。
【００２６】
機器設置エリア３には、グレーチング床７ａと床８との間の床下領域２９ａの端壁（図４では左側壁）に、前面に温調器３２を備えた循環ファン３１が嵌め込まれている。この循環ファン３１の後面側には、床下領域２９ａと天井チャンバ２４ａとを接続するように鉛直方向に延びる循環ダクト９が設けられている。また、プロセスエリア４には、グレーチング床７ｂと床８との間の床下領域２９ｂの端壁（図４には示されていない手前側の壁）に、前面に温調器を備えた循環ファンが嵌め込まれている。この循環ファンの後面側には、床下領域２９ｂと天井チャンバ２４ｂとを接続するように鉛直方向に延びる循環ダクト（図示せず）が設けられている。同様に、オペレーションエリア２でも、グレーチング床７ｃと床８との間の床下領域２９ｃの端壁（図１には示されていない手前側の壁）に、前面に温調器を備えた循環ファンが嵌め込まれている。この循環ファンの後面側には、床下領域２９ｃと天井チャンバ２４ｃとを接続するように鉛直方向に延びる循環ダクト（図示せず）が設けられている。上記循環ダクト、床下領域、天井チャンバ、循環ファンにより目的領域にダウンフローが流れる。イオン発生器は天井付近に吊下げられ目的領域の全領域に均等間隔で配置されている各蛍光灯の反射板上にそれぞれ取付けられているので、イオン発生器で発生したプラスイオンとマイナスイオンはこのダウンフローに乗って目的領域の全領域に均等に分布し、目的領域の塵埃、浮遊菌、化学物質等を除去する。このため目的領域の全領域で塵埃、浮遊菌、化学物質等の除去効果が同時に均一に得ることができ、急速にクリーン度を向上することができる。
【００２７】
クリーンルーム１外には、ダスト除去及び湿度調整されたエアを供給するための外調機１１が設けられている。外調機１１が送り出すエアは、基本的には、機器設置エリア３、プロセスエリア４、オペレーションエリア２の各天井チャンバ２４ａ，２４ｂ，２４ｃに対してケミカルフィルタを介さずに供給される。ただし、酸化・拡散工程はケミカルミストとしての有機物によって悪影響を受け易いことから、図４中に特に示すように、酸化・拡散装置本体が設置された機器設置エリア３ｅとそれに隣接するプロセスエリア４の天井チャンバ２４ａ，２４ｂに対しては、外調機１１が送り出すエアを有機物除去可能なケミカルフィルタ２０ａ，２０ｂを介して供給する。また、フォトリソグラフィ工程はケミカルミストとしてのアンモニアによって悪影響を受け易いことから、フォトリソグラフィ装置本体が設置された機器設置エリア３ａとそれに隣接するプロセスエリア４の天井チャンバに対しては、外調機１１が送り出すエアをアンモニア除去可能なケミカルフィルタ（図示せず）を介して供給する。
【００２８】
外調機１１から機器設置エリア３の天井チャンバ２４ａに供給されたエアは、後述する循環エアとともにＨＥＰＡフィルタ１８ａを通して清浄化された後、目的領域２５ａへ供給され、この目的領域２５ａに供給されたエアはダウンフローとなってグレーチング床７ａを通して床下領域２９ａに入る。床下領域２９ａ内に入ったエアは、循環ファン３１の回転によって、矢印１６で示すように水平方向（図４では左向き）に移動し、温調器３２によって温度調整され、循環ファン３１を通って循環ダクト９へ送られ、この循環ダクト９を通して天井チャンバ２４ａへ戻される。天井チャンバ２４ａでは、床下領域２９ａから循環ダクト９を通して戻されたエア（循環エア）に対して外調機１１から供給された比較的少量のエアが混合され、この混合エアがＨＥＰＡフィルタ１８ａを通して目的領域２５ａへ供給される。なお、目的領域２５ａへ供給されたエアの大部分は循環エアとなるが、供給されたエアの一部は装置本体１４などに設けられた局所排気手段（ガスボックスの排気、熱排気など）によって図示しないダクトを通してクリーンルーム１外へ排出される。
【００２９】
また、外調機１１からプロセスエリア４の天井チャンバ２４ｂに供給されたエアは、後述する循環エアとともにケミカルフィルタ１０、ＵＬＰＡフィルタ１９を通して清浄化された後、目的領域２５ｂへ供給され、この目的領域２５ｂに供給されたエアがグレーチング床７ｂを通して床下領域２９ｂに入る。床下領域２９ｂ内に入ったエアは、循環ファンの回転によって、記号１７ｂで示すように水平方向（図４では手前向き）に移動し、温調器によって温度調整され、循環ファンを通って循環ダクト（床下領域２９ｂと天井チャンバ２４ｂとを接続している）へ送られ、この循環ダクトを通して天井チャンバ２４ｂへ戻される。天井チャンバ２４ｂでは、床下領域２９ｂから循環ダクトを通して戻されたエア（循環エア）に対して外調機１１から供給された比較的少量のエアが混合され、この混合エアがケミカルフィルタ１０、ＵＬＰＡフィルタ１９を通して目的領域２５ｂへ供給される。
【００３０】
同様に、外調機１１からオペレーションエリア２の天井チャンバ２４ｃに供給されたエアは、後述する循環エアとともにＨＥＰＡフィルタ１８ｃを通して清浄化された後、目的領域２５ｃへ供給され、この目的領域２５ｃに供給されたエアがグレーチング床７ｃを通して床下領域２９ｃに入る。床下領域２９ｃ内に入ったエアは、循環ファンの回転によって、記号１７ｃで示すように水平方向（図４では手前向き）に移動し、温調器によって温度調整され、循環ファンを通って循環ダクト（床下領域２９ｃと天井チャンバ２４ｃとを接続している）へ送られ、この循環ダクトを通して天井チャンバ２４ｃへ戻される。天井チャンバ２４ｃでは、床下領域２９ｃから循環ダクトを通して戻されたエア（循環エア）に対して外調機１１から供給された比較的少量のエアが混合され、この混合エアがＨＥＰＡフィルタ１８ｃを通して目的領域２５ｃへ供給される。
【００３１】
このクリーンルーム１では、このようにして各エリア３，４，２での空調が循環式になるので、各エリア３，４，２に設けられたフィルタ１８ａ，１０，１９，１８ｃに対する負荷が軽くなる。したがって、各フィルタ１８ａ，１０，１９，１８ｃについてのランニングコストを低減できる。また、これらのエリア３，４，２の空調は互いに独立して行われる。したがって、例えば機器設置エリア３またはオペレーションエリア２でダスト（粉塵など）の発生があったとしても、プロセスエリア４で露出しているウエハがそのダストによって汚染されるおそれがない。したがって、ウエハの汚染を防止できる。また、通常要求されるクリーン度に応じて、プロセスエリア４の循環エアによる空調はケミカルフィルタ１０を通して行われ、機器設置エリア３とオペレーションエリア２の循環エアによる空調はそれぞれ非ケミカルフィルタ１８ａ，１８ｃのみを通るエアによって行われるので、ケミカルフィルタ１０を通る循環エアはプロセスエリア４のものだけとなり、機器設置エリア３とオペレーションエリア２のものは含まれないので、ケミカルフィルタ１０に対する負荷が従来に比して軽くなる。したがって、ケミカルフィルタ１０についてのランニングコストを従来に比して低減できる。
【００３２】
上記各エリアの気圧については、ウエハがエアフローに晒されるプロセスエリア４が最も高く、次いでオペレーションエリア２、機器設置エリア３、外周通路エリア５の順に高く設定されている。つまり、要求されるクリーン度が高いエリアの気圧は、要求されるクリーン度が低いエリアの気圧よりも高く設定されている。上記各エリアの間の圧力差はそれぞれ０．２ｍｍＨ２Ｏである。このようにした場合、要求されるクリーン度が低いエリアから要求されるクリーン度が高いエリアへダストが流れ込むことがない。したがって、要求されるクリーン度が高いエリアのクリーン度が良好な状態に維持される。例えば、ウエハがオペレーションエリア２からプロセスエリア４へ移動され、または逆にプロセスエリア４からオペレーションエリア２へ戻されるとき、オペレーションエリア２からプロセスエリア４へダストが流れ込むことがない。また、外周通路エリア５とオペレーションエリア２との間のドア２０が開かれたとき、外周通路エリア５からオペレーションエリア２へダストが流れ込むことがない。同様に、外周通路エリア５と機器設置エリア３との間のドア２１が開かれたとき、外周通路エリア５から機器設置エリア３へダストが流れ込むことがない。
【００３３】
【発明の効果】
本発明は、天井に空気の流出側、床に空気の流入側を備え上記流出側から流入側へ空気流通路が形成されるクリーンルームにおいて、上記空気流通路の上流側にイオン発生器を配置するので、イオン発生器で発生したプラスイオンとマイナスイオンはこのダウンフローに乗ってクリーンルームの全領域に均等に分布し、塵埃、浮遊菌、化学物質等を除去する。このためクリーンルームの全領域で塵埃、浮遊菌、化学物質等を同時に除去することができ、急速にクリーン度を向上することができる。
【００３４】
また本発明は、上記イオン発生器が上記流出側より下流の天井付近に取付けられることにより、クリーンルーム内にプラスイオンとマイナスイオンを分布させることができる。
【００３５】
また本発明は、クリーンルームの天井付近に配置された各照明器具にそれぞれイオン発生器を取り付けることにより、イオン発生器の取付け場所を確保することができ、イオン発生器を取付けるための器具を不要にする。
【００３６】
また発明は、上記照明器具の電源をイオン発生器の電源に共用することによりイオン発生器のための電源配線を不要にする。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のクリーンルームの断面図を示す。
【図２】本発明に使用される照明器具の外観図である。
【図３】本発明の実施例のクリーンルームの平面図を示す。
【図４】図３の一部分断面図である。
【図５】本発明に使用されるイオン発生器の構成を示す図である。
【符号の説明】
１　　クリーンルーム
２　　オペレーションエリア
３　　機器設置エリア
４　　プロセスエリア
５　　外周通路エリア
６　　平面状の床
７　　グレーチング床
８　　平面状の床
１０１　　クリーンルーム
１０２　　内部クリーンエリア
１０３　　天井
１０４　　床
１０５、１０６　　側壁
１０７　　半導体素子の製造機器
１０８　　グレーチング床（すのこ状の床）
１０９ａ、１０９ｂ、１０９ｃ　　ＨＥＰＡフィルタ
１０４　　すのこ状天井
１１１ａ、…、１１１ｅ、１１１ｆ　　照明器具
１１２ａ、…、１１２ｅ、１１２ｆ　　イオン発生器
１２０　　反射板
１２１　　上板
１２２　　安定器
【図１】
2004028531.tif 000003
【図２】
2004028531.tif 000004
【図３】
2004028531.tif 000005
【図４】
2004028531.tif 000006
【図５】
2004028531.tif 000007