(57)【要約】【課題】  半導体ウエハ（201）を約100μｍ（208）以下まで薄くする方法である。【解決手段】  ウエハは、第１の直径の２つの平らな表面（206,207）、及び平らな表面間に丸くされた周辺（204a）を有する。第２の直径を有するウエハのためのほぼ円形の支持テープ（202）が選択される。この第２の直径は、薄くするステップが完了された後に得られ、半径ラインに沿って計られたウエハの周辺の丸みの長さ（204a）の約２倍の量だけ第１直径より大きく選択される。平らなウエハ表面２０６は、テープ上に置かれ、このウエハは約100μm以下の意図された厚さまで薄くされる。特に、半径ラインに沿った長さ（204b）は約１mmであり、第１の直径より約２mm大きな第２の直径を形成する。更に、薄くした後のウエハの厚さ（208）は、特に10〜30μmの間である。【選択図】      図２
2004327986.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の直径の第１と第２の平らな表面、及び前記平らな表面の間に丸くされた周辺を有する半導体ウエハを薄くする方法であって、
前記ウエハ用のほぼ円形の、第２の直径を有する支持テープを選択するステップと、
前記薄くするステップが完了した後、前記ウエハに得られた前記ウエハ周辺の丸めの長さにほぼ等しい量だけ前記第１の直径より大きい前記第２の直径を選択するステップと、
前記テープ上に前記第１の平らなウエハ表面を置くステップと、
意図した厚さを達成するまで、前記第２のウエハ表面から半導体材料を除去するステップと、
を有することを特徴とする方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体デバイスの分野に関し、特に半導体ウエハを薄くする方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスの製造に用いられる半導体材料、すなわち殆どのシリコン、シリコンゲルマニウム、及びゲルマニウム砒素は、単結晶材料である。従って、それらは引っ張り応力で容易に壊れ、機械的な扱いに敏感である。取扱い易くし、且つ破壊を避けるために、多くのフロントエンド（前工程）処理ステップ（例えば、イオン注入、拡散、酸化、メタライゼーション、化学的及びプラズマエッチング等）を通して比較的厚いウエハを用いることが一般的である。一般に受け入れられるルールとして、ウエハの厚さは、ウエハの大きな直径と共に増大されなければならない。
【０００３】
前工程の処理ステップ（及びしばしば最終マルチプローブステップ）が完了した後、ウエハからチップを単一化するための切断操作を容易にするために、ウエハの厚さは、いわゆる“裏面研削（バックグラインディング）”ステップによって減少されなければならない。裏面研削操作は、ウエハがしばしば破壊するので、技術的に挑戦するプロセスであったし、現在もそうである。その結果、最終のウエハの厚さには限界があった。更に、裏面研削操作は、しばしば一つの場所で行なわれ、切断操作は他の場所（時々、国外でさえある）で行なわれるので、これらの場所間の輸送のために比較的丈夫なウエハが必要とされる。
【０００４】
１９９０年代初期においては、１５０ｍｍ〜２００ｍｍ直径の代表的なシリコンウエハは、薄くする工程の後、３５０μｍ〜３７５μｍの範囲の厚さを有していた。１９９０年代後半においては、同じ直径に対して、一般に受け入れられる厚さは約２７５μｍであった。２０００年初期では、３００ｍｍの直径のシリコンウエハに対して、２２５μｍの厚さが多くの製造ラインで実現された。一般に実行された薄くする方法は機械的な裏面研削であった。裏面研削中及び輸送中でのウエハの破壊によって、受け入れ可能な歩留まりの大量生産において達成可能なウエハの厚さは、約１００μｍ〜１５０μｍに制限された。実験的にのみ約２５〜５０μｍの厚さが明らかにされた。裏面研削以外の他の薄くする方法は、著しい欠点を有している。例えば、化学的なスピンエッチングは、資本投下を必要とするであろう。化学的／機械的ウエット研磨は、スループットが低いし、資本投下も必要となるであろう。プラズマドライエッチングは、操作性のスループットが低いし、資本投下も必要となるであろう。
【０００５】
その結果、破壊と輸送の技術的な困難性は、シリコンの結晶及び機械的／化学的削磨技術が約１００μｍより著しく薄い厚さにできない製造の限界に達するか否かの問題を惹起している。この限界は、５０μｍより薄い、或いは２５μｍ程度の厚さのチップに基づいたデバイスの厚さを必要とし始めている移動電話及び他の携帯可能な手で取扱え、且つ身につけることができる製品が出現するマーケットトレンドと対立している。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
従って、薄くする工程注ばかりでなく仕上げられた物質の輸送中に異常な予防手段を取ることなく、５０μｍより薄い、或いは２５μｍ程度のウエハの厚さまで薄くする、効率的で、高スループット及び高歩留まりであるが、低コストの方法に対する必要性が生じている。革新的な薄くする方法は、新しい製造機械の設備投資が必要とされないように、備え付けられた設備を使用する必要がある。本方法は、いろいろなウエハの直径及び半導体材料に応用されるように充分フレキシブルであるべきであるし、プロセスの信頼性及び扱いの簡便性の目的に向かって改善さるべきである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一つの実施例は、半導体ウエハを約１００μｍ以下の厚さまで薄くする方法であって、このウエハは、第１の直径の２つの表面及びこの表面の間に丸くされた周辺を有している。この方法において、ウエハ用のほぼ円形の支持テープが選択され、このテープは第２の直径を有している。第２直径は、薄くするステップが完了した後に得られたウエハ周辺の丸みの長さにほぼ等しい量だけ第１の直径より大きく選択される。平らなウエハ表面の一方はテープ上に置かれ、そのウエハは、約１００μｍ以下の意図された厚さまで薄くされる。特に、ウエハ周辺の丸みの長さは、約１ｍｍであり、第１の直径より約２ｍｍ大きい第２の直径を形成する。更に、薄くした後のウエハの厚さは、特に１０μｍ〜３０μｍの間にある。
【０００８】
本発明の他の実施例では、半導体ウエハを最終の厚さまで薄くする方法は、第１の直径の第１と第２の表面、及びこれらの表面の間に丸くされた周辺を有するウエハを使用する。このウエハは、第１の平面がテープに隣接するように、ほぼ円形の支持テープ上に置かれる。テープは、最終のウエハの厚さで丸くされた周辺の２倍にほぼ等しいウエハの中央から半径ラインに沿って計られた、第１の直径プラスある長さに等しい第２の直径を有する。ウエハの第２の表面から半導体材料が、最終の厚さに到達するまで除去される。テープの直径は、第１直径より約２ｍｍ大きい。
【０００９】
本発明の実施例は、例えば、メモリデバイス及び小型化された製品のスタックに必要とされる薄いデバイス及びパッケージに関する。これら及び類似の製品のためのＩＣｓは、標準のリニア及び論理回路製品、ディジタル信号プロセッサ、マイクロプロセッサ、ワイヤレスデバイス、及びディジタルとアナログデバイスのような多くの半導体デバイス群に見出される。
【発明の効果】
【００１０】
実施例は、据付けられた製造装置、特に設置され、自動化された機械的研磨装置を用いることによって、装置の変更及び新規の資本投下のコストのない低価格の製造方法を有する、本発明の目的を達することができることが本発明の技術的利点である。更に、本発明の１つ以上の実施例は、化学的エッチング、又は化学的／機械的ウエット研磨によって半導体材料を除去し、又は半導体材料をプラズマドライエッチングすることによって本発明の目的を達成することができる。
【００１１】
本発明の１つ以上の実施例から生じる他の利点は、リフロー可能な材料を含む相互接続素子を有するパッケージ、又は圧力コンタクトを有する薄いアウトラインデバイスを製造することである。薄いアウトラインデバイスの他の実施例は、リードフレームを有するパッケージを含む。本発明の実施例は、一般に、例えばＰＤＩＰｓ、ＳＯＩＣｓ、ＱＦＰｓ、ＳＳＯＰｓ、ＴＱＦＰｓ、ＴＳＳＯＰｓ、ＴＶＳＯＰｓ、及びリードフレームを用いるボール・グリッド・アレー（ＢＧＡ）デバイスのような半導体パッケージタイプに適用することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
本発明のある実施例によって示された技術的進歩は、添付図面及び請求項に記載された新規な特徴と共に理解すれば、本発明の好適な実施例の以下の説明から明らかになるであろう。
【００１３】
図１（Ａ）及び図１（Ｂ）は、シリコンウエハの丸くされた周辺についての２つの例の概略断面図を示す。半導体溶融から単結晶インゴットを引き上げるプロセスを完了した後、ほぼ円形のインゴットが個々のウエハに切断される。これらのウエハは、集積回路を形成する多くのフロントエンド処理中にウエハの損傷や破壊を避けるのに十分な厚さを有している。一例として、３００ｍｍ直径のシリコンウエハは、一般に７００〜８００μｍの厚さを有している。更に、ウエハエッジが欠けるのを防ぐために、各々のウエハは、図１（Ａ）及び図１（Ｂ）に概略示されているように、周辺の丸くされた輪郭形状を形成するために、周辺を丸くするように機械的に面取りされ、及び／又は化学的にエッチングされる。
【００１４】
図１（Ａ）において、ウエハ１０１は、第１の直径１１０及び厚さ１２０の２つの表面１０１ａ及び１０１ｂを有する。集積回路（ＩＣ）は表面１０１ｂに形成される。本発明の幾つかの実施例のために、インゴットから切断されたウエハは、３００ｍｍの直径を有し、第１直径１１０は３００ｍｍより僅かに小さく（約２９９ｍｍ）、厚さ１２０は７００〜８００μｍである。図１（Ｂ）の例では、ウエハ１０２は第１直径１１１（例えば、２９８ｍｍ）の２つの平らな表面１０２ａと１０２、及び厚さ（例えば、７００〜８００μｍ）を有している。ＩＣは表面１０２ｂに形成られる。
【００１５】
図１（Ａ）において、元来のウエハの鋭いコーナ（角）は、部分１３０と１３１において丸くされ、ウエハの一部１３２を元の直線のまま残している。部分１３０、１３１、１３２は、ほぼ同じ長さである。図１（Ｂ）において、元来のウエハの鋭いコーナのウエハ周辺は、丸くされた周辺１４０に変換されている。丸くされた部分１３０、１３１及び１４０は、用いられた、機械的な面取り及び化学的エッチング技術に依存する。
【００１６】
ＩＣを製造し、最終のマルチプローブテストを完了した後、ＩＣ関連表面１０１ｂ及び１０２ｂは、フィルムで保護され、ウエハはウエハを薄くするステップに委ねられる。ウエハを薄くする方法は、機械的な裏面研削；化学的スピンエッチング；化学的／機械的ウエット研磨；及びプラズマドライエッチングを含む。本発明の実施例は、これらの薄くする方法のいずれかを用いて得られる。薄くされたウエハの機械的強度の観点（低いストレス、最小の機械的及び熱的損傷）から、化学的エッチングは好適な方法である。将来の作業性の観点からは、プラズマエッチングが好適な方法である。
【００１７】
この実施例に対して、好適な薄くする方法は、その据付けられた装置及び高いウエハのスループットにより機械的な裏面研削技術である。適した裏面研削機械は、例えばDisco, TSK,及びOkamoto等日本の会社から商業的に利用可能である。
【００１８】
薄くした後の残りのウエハの厚さは、図１（Ａ）では参照記号１５１で、図１（Ｂ）では参照記号１５２で示されている。概略図からわかるように、最終の厚さは図１（Ａ）の元の厚さ１２０、及び図１（Ｂ）の元の厚さ１２１の数分の１である。薄くされたウエハは、図１（Ａ）における表面１０１ｂ、図１（Ｂ）における表面１０２ｂを含む。これらはＩＣが形成される表面である。
【００１９】
薄くするプロセスを通して、薄くされるべきウエハは、ほぼ円形の支持テープに取り付けられる。テープの商業的な供給者は、例えば、いずれも日本のLintec及びNitto Denkoである。支持テープの特性の選択は、用いられる薄くする方法に依存する。裏面研削方法に対して、好適なテープ材料は、低汚染、高硬度の、及び水分浸透が非常に少ないか、全くないポリエチレンである。厳格に制御された厚さは、約１２０〜３００μｍの範囲にあるのが好ましい。このテープは、ウエハが弓なりになるのを避けるために硬い。化学エッチングの薄くする技術に対して、更にテープは耐酸性である必要がある。プラズマによる薄くする技術に対しては、テープは耐熱性である必要がある。
【００２０】
本発明の第１の実施例を示す図２の概略断面図は、裏面研削法が好適な薄くする技術であるウエハの薄くするプロセスの最終フェーズを示す。ウエハ２０１は、支持テープ２０２上に載っており、支持テープは薄くする装置の真空テーブル（チャック）２０３上に配置されている。ウエハのエッジ部分は、ウエハの丸くされた周辺の残り２０４ａを含む。ウエハは平面図ではほぼ丸いので、長さ２０４ａはウエハの中心から半径ラインに沿って計られる。点２０５で始まる、ＩＣｓを含むウエハの平らな表面２０６は平らなテープ２０２上に載っている。上面２０７は薄くするプロセスによって形成される。ウエハと同様に支持テープはほぼ円形である。ウエハの直径は、点２０５で始まる平らな表面２０６に沿って計られる。
【００２１】
図２の実施例において、テープ２０２は、ウエハの平らな表面２０６の終点（エンドポイント）２０５を越えて広がっている。図２が示すように、テープの広がりの量は長さ２０４ｂである。図２の実施例において、テープの広がりの長さ２０４ｂは、薄くするステップが完了した後、ウエハに得られるウエハ周辺の丸みの長さ２０３ａにほぼ等しい。好適な実施例において、テープの広がりの長さ２０４ｂは、薄くするステップが完了した後、ウエハに得られるウエハ周辺の丸みの長さ２０３ａに少なくとも等しい。長さ２０４ｂが長さ２０４ａにほぼ等しい限り、もし、テープが（図２の点線２２０によって示されるように）ライン２０４ａに沿って上方に曲がったとしても、テープ２０２はウエハの終点２０７ａを越えて広がることができない。従って、テープ２０２は、研削装置に接触するのが防止されるが、さもないと、ウエハの破壊を生じる。
【００２２】
曲がりの能力を制限しただけの比較的硬いテープ材料を有する実施例において、長さ２０４ａは、量２１４だけ長さ２０４ａより大きくすることができる；長さ２１４は長さ２０４ａのほぼ５〜１５％である。しかし、長さ２１４は非常に大きくすることができないので、テープ２０２は、上方に曲がり、ウエハの終点２０７ａに触り、このことにより、特に、機械的な研削装置が用いられると、ウエハが破壊する可能性がある。
【００２３】
一つの実施例において、ほぼ円形のウエハの半径ラインに沿って計算された長さ２０４ａは、０.５〜１.５ｍｍの範囲にある。テープの広がり２０４ｂは、長さ２０４ａにほぼ等しいので、ほぼ円形のテープの直径は、（平らな面２０６に沿って計測された）ウエハの直径より１.０〜３.０ｍｍ大きい。裏面研削法のための本発明のこの実施例を用いて、ウエハは、機械的に５０μｍ以下の厚さ２０８、しばしば１０〜３０μｍの厚さまで薄くされる。
【００２４】
薄くするプロセス後、ウエハの取扱い及びウエハのチップ単一化ステーション（ウエハを切断する操作）への輸送を通して支持テープ２０２がウエハに取付けられたままであることが図２に示された実施例の他の特徴である。多くの製品に対して、この輸送は、大規模であり、海外への発送を含む。テープ２０２がウエハの終点を越えて小さな距離２０２ａから突出するという事実による衝撃、損傷、及び破壊に対して、テープ２０２はウエハを保護する。
【００２５】
図２の断面図は、ウエハから半導体材料を除去するための機械的な研削（裏面研削）の好適な方法を例示するために、研削装置の一部２３０を概略示す。上に指摘したように、半導体材料をウエハから除去するいろいろな他の方法がある。薄くする操作において機械的及び熱的損傷及びストレスを最小にするために、半導体材料は、化学的エッチングによって除去される。組み合わせとして化学的／機械的ウエット研磨が穏やかな、薄くする方法として適している。用途の広さのために、プラズマドライエッチングは、ゆっくりしているけれども、柔軟な方法である。
【００２６】
本発明の他の実施例は、図３に示される。本方法は、ウエハのバッチを薄くするのに特に適しており、各ウエハはいろいろな技術によって周囲の丸みを受けることができる。いろいろな技術によって丸くされた周辺を有するウエハの例は、図１（Ａ）（領域１３０と１３１は丸みを有し、領域１３２は直線のままである）及び図１（Ｂ）（完全に丸くされた形状プロフィール１４０を有する）に示されている。図３において、いろいろな丸め技術の結果は、図面上では重ねられ、２つの周辺形状３０４と３０５によって単一ウエハ３０１上に示されている。この実施例において、ほぼ円形の支持テープ３０２は、ほぼ円形のウエハ３０１に対して選択される。点３０７において始まり、ＩＣｓを含む平らなウエハ表面３０６は、ウエハの直径を決める（平らなウエハ表面のはじめ３０７は各々の丸め技術と共に僅かに変化することもできる）。平らなウエハ表面３０６は、平らなテープ３０２上に載置し、テープは、薄くする装置の真空テーブル（チャック）３０３上に配置される。
【００２７】
上述の実施例におけるように、長さ３０２ａは、可能な程度まで、ウエハのカーブしたエッジの長さ３０４に一致するように選択される。ほぼ円形の支持テープ３０２の直径は、ウエハの平らな表面の直径２.０ｍｍ大きいように選択されるのがベストである。他の実施例においては、テープの直径は、ウエハ３０１の直径より１.６〜２.４ｍｍ大きい。この増大した直径の場合、テープ３０２は、長さ３０２ａによってウエハの平らな部分の終点３０７を越えて伸びている。多くの応用のために、最終の厚さ３０８は、５０μｍ以下であり、他の応用では、それは１０〜３０μｍの間であればよい。特に、本発明のこの実施例は、２５μｍ以下の最終の厚さまでウエハを薄くするのに適している。
【００２８】
研削装置の部分３３０は、半導体ウエハから材料を除去する好適な方法を図式的に示している。
【００２９】
支持テープ３０２は、薄くするプロセスの後、ウエハの取扱い及びチップの単一化ステーション（ウエハの切断操作）への輸送を通してウエハ３０１へ取付けられたままであることが図３に示された実施例の更なる特徴である。テープ３０２は、テープがウエハの終点を越えた僅かな距離３０２ｂ（又は３０２ｃ、それぞれ）突出するという事実により、衝撃、損傷、及び破壊に対してウエハ３０１を保護する。
【００３０】
図示された実施例を参照して、本発明を説明したけれども、この説明は、限定する意味で解釈されることを意図していない。図示された実施例のいろいろな変更及び組み合わせばかりでなく本発明の他の実施例が上述の説明を参照すれば当業者に明らかであろう。一例として、半導体チップの材料は、シリコン、シリコンゲルマニウム、ゲルマニウム砒素、または他のＩＣ製造に用いられる全ての半導体又は他の化合物を含むことができる。従って、請求項は、これらのあらゆる変更又は実施例を含むことが意図される。
【００３１】
以上の説明に関連して、以下の各項を開示する。
（１）第１の直径の第１と第２の平らな表面、及び前記平らな表面の間に丸くされた周辺を有する半導体ウエハを薄くする方法であって、
前記ウエハ用のほぼ円形の、第２の直径を有する支持テープを選択するステップと、
前記薄くするステップが完了した後、前記ウエハに得られた前記ウエハ周辺の丸めの長さにほぼ等しい量だけ前記第１の直径より大きい前記第２の直径を選択するステップと、
前記テープ上に前記第１の平らなウエハ表面を置くステップと、
意図した厚さを達成するまで、前記第２のウエハ表面から半導体材料を除去するステップと、
を有することを特徴とする方法。
【００３２】
（２）前記ウエハ周辺の丸みの前記長さは、半径のラインに沿って計算されることを特徴とする前記（１）項に記載の方法。
【００３３】
（３）半径のラインに沿った前記長さが約１ｍｍであり、前記第１の直径よりほぼ２ｍｍ大きな前記第２直径を形成することを特徴とする前記（２）項に記載の方法。
【００３４】
（４）薄くした後の前記ウエハの厚さは、約１００ｍｍより小さいことを特徴とする前記（１）項に記載の方法。
【００３５】
（５）薄くした後の前記ウエハの厚さは、１０〜３０ｍｍであることを特徴とする前記（１）項に記載の方法。
【００３６】
（６）前記半導体材料を除去するステップは、前記半導体材料を機械的に研削するステップを含むことを特徴とする前記（１）項に記載の方法。
【００３７】
（７）前記半導体材料を除去するステップは、前記半導体材料を化学的にエッチングするステップを含むことを特徴とする前記（１）項に記載の方法。
【００３８】
（８）前記半導体材料を除去するステップは、前記半導体材料を化学的／機械的にウエット研磨するステップを含むことを特徴とする前記（１）項に記載の方法。
【００３９】
（９）前記半導体材料を除去するステップは、前記半導体材料をプラズマドライエッチングするステップを含むことを特徴とする前記（１）項に記載の方法。
【００４０】
（10）更に、続く取扱い及び輸送中前記ウエハを保護するために、前記薄くするステップを完了した後に前記ウエハと結合した前記支持テープをそのままにするステップを有することを特徴とする前記（１）項に記載の方法。
【００４１】
（11）前記半導体ウエハを最終的な厚さまで薄くする方法であって、
前記ウエハは、第１の直径の第１と第２の平らな表面、及び前記平らな表面の間に丸くされた周辺を有しており、前記方法は、
前記第１の平らな表面はテープに隣接するように、前記ウエハをほぼ円形の支持テープ上に置くステップ、前記テープは、第２の直径を有し、前記第２の直径は、前記ウエハの最終の厚さにおいて前記丸くされた周辺の長さの２倍にほぼ等しい、前記ウエハの中心から半径ラインに沿って計られた長さプラス前記第１の直径にほぼ等しく、且つ
前記最終の厚さに達するまで前記ウエハの前記第２の表面から半導体材料を除去するステップと、
を有することを特徴とする方法。
【００４２】
（12）前記ウエハをほぼ円形の支持テープ上に置くステップは、前記第１の直径より約２ｍｍ大きな直径を有するテープ上に前記ウエハを置くステップを含むことを特徴とする前記（11）項に記載の方法。
【００４３】
（13）第１の直径の第１と第２の平らな表面を有する半導体ウエハを薄くする方法であって、
前記ウエハのための、第２の直径を有するほぼ円形の支持テープを選択するステップと、
前記第１の直径より約２ｍｍ大きな前記第２の直径を選択するステップと、
前記テープ上に前記第１の平らなウエハ表面を置くステップと、
意図された厚さに達するまで前記第２のウエハ表面から半導体材料を除去するステップと、
を有することを特徴とする方法。
【００４４】
（14）薄くした後、前記ウエハの厚さは、約１００μｍより小さいことを特徴とする前記（13）に記載の方法。
【００４５】
（15）前記ウエハは、丸くされた周辺を有することを特徴とする前記（13）項に記載の方法。
【００４６】
（16）前記半導体ウエハを最終的な厚さまで機械的に研削する方法であって、
前記ウエハは、第１の直径の第１と第２の平らな表面、及び前記平らな表面の間に丸くされた周辺を有しており、前記方法は、
前記第１の平らな表面はテープに隣接するように、前記ウエハをほぼ円形の支持テープ上に置くステップを有し、前記テープは、第２の直径を有し、前記第２の直径は、前記ウエハの最終の厚さにおいて前記丸くされた周辺の長さの２倍にほぼ等しい、前記ウエハの中心から半径ラインに沿って計られた長さプラス前記第１の直径にほぼ等しく、且つ
研削ツールを前記ウエハの前記第２表面に接触させるステップと、
前記最終の厚さに達するまで前記ウエハの前記第２の表面を研磨するステップと、
を有することを特徴とする方法。
【００４７】
（17）前記ウエハをほぼ円形の支持テープ上に置くステップは、前記ウエハを前記第１直径より約２ｍｍ大きな直径を有するテープ上に置くステップを含むことを特徴とする前記（16）項に記載の方法。
【００４８】
（18）前記最終の暑さに達するまで研磨するステップは、前記ウエハの厚さが約1００μｍ以下に達するまで前記ウエハを研磨するステップを含むことを特徴とする前記（16）項に記載の方法。
【００４９】
（19）更に、続く取扱い及び輸送中前記ウエハを保護するために、前記機械的に研削するステップを完了した後に前記ウエハと結合した前記支持テープをそのままにするステップを有することを特徴とする前記（16）項に記載の方法。
【００５０】
（20）前記半導体ウエハを約１００μｍ以下の最終的な厚さまで機械的に研削する方法であって、
前記ウエハは、第１の直径の第１と第２の平らな表面、及び前記平らな表面の間に丸くされた周辺を有しており、前記方法は、
前記第１の平らな表面はテープに隣接するように、前記ウエハをほぼ円形の支持テープ上に置くステップを有し、前記テープは、前記第１の直径より約２ｍｍより大きな第２の直径を有しており、且つ
研削ツールを前記ウエハの前記第２の表面に接触させるステップと、
前記最終の厚さに達するまで前記ウエハの前記第２の表面を研磨するステップと、
を有することを特徴とする方法。
【００５１】
（21）半導体ウエハ（201）を約1００μｍｍ（208）以下まで薄くする方法である。ウエハは、第１の直径の２つの平らな表面（206,207）、及び平らな表面間に丸くされた周辺（204a）を有する。第２の直径を有するウエハのためのほぼ円形の支持テープ（202）が選択される。この第２の直径は、薄くするステップが完了された後に得られ、半径ラインに沿って計測されたウエハの周辺の丸みの長さ（204a）の約２倍の量だけ第１の直径より大きく選択される。平らなウエハ表面２０６は、テープ上に置かれ、このウエハは約１００μm以下の意図された厚さまで薄くされる。特に、半径ラインに沿った長さ（204b）は約１mmであり、第１の直径より約２mm大きな第２の直径を形成する。更に、薄くした後のウエハの厚さ（208）は、特に10〜30μmの間である。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１（Ａ）】丸くされたコーナ及び直線部分を含む周辺を有する半導体ウエハの概略断面図。
【図１（Ｂ）】丸くされた周辺を有する半導体ウエハの概略断面図。
【図２】本発明の実施例による、支持テープ上にある薄くされた半導体ウエハの一部の概略断面図。
【図３】本発明の他の実施例による、支持テープ上にある薄くされた半導体ウエハの一部の概略断面図。
【図１（Ａ）】
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【図１（Ｂ）】
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【図２】
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【図３】
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