(57)【要約】【課題】高周波回路パッケージの内部に装着された電磁波吸収体において、蓋体と電磁波吸収体を耐熱性に優れ、強固に止着できる止着層から構成された電磁波吸収部材を提供する。【解決手段】金属、セラミックス及び樹脂の少なくとも一種からなる基体の表面の少なくとも一部にＡｕ層を形成し、前記Ａｕ層上にＡｌ、Ｓｉ、Ｚｒ、Ｍｇ、Ｐ、Ｂの少なくとも一種を含有する止着層を介して、Ｎｉ，Ｆｅ，ＡｌおよびＣの少なくとも一種を主成分とする電磁波吸収体を止着した電磁波吸収部材からなる。【選択図】図３
2004031629.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属、セラミックス及び樹脂の少なくとも一種からなる基体の表面の少なくとも一部にＡｕ層を形成し、前記Ａｕ層上にＡｌ、Ｓｉ、Ｚｒ、Ｍｇ、Ｐ、Ｂの少なくとも一種を含有する止着層を介して、Ｎｉ，Ｆｅ，ＡｌおよびＣの少なくとも一種を主成分とする電磁波吸収体を止着したことを特徴とする電磁波吸収部材。
【請求項２】
前記Ａｕ層表面の酸素濃度が５原子％以上であることを特徴とする請求項１に記載の電磁波吸収部材。
【請求項３】
前記止着層はＡｌ及びＳｉを主成分とすることを特徴とする請求項１、２のいずれかに記載の電磁波吸収部材。
【請求項４】
前記止着層がさらにＮａ、Ｋの少なくとも一種を含有することを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の電磁波吸収部材。
【請求項５】
前記止着層が珪酸塩、燐酸塩、ホウ酸塩、コロイダルシリカのうち少なくとも１種を含有することを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の電磁波吸収部材。
【請求項６】
前記止着層の前駆体を塗布した前記電磁波吸収体と、表面の少なくとも一部にＡｕ層を形成した前記基体とを積層後、酸化性雰囲気中１００℃〜４００℃で加熱することを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の電磁波吸収部材の製造方法。
【請求項７】
請求項１〜５のいずれかに記載の電磁波吸収部材を用いた高周波回路パッケージ用蓋体。
【請求項８】
請求項７の高周波回路パッケージ用蓋体を用いたことを特徴とする高周波回路パッケージ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、高周波回路用パッケージの内部に装着される電磁波吸収体に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
携帯電話機に限らず、無線通信機器等において、高周波回路は電磁波を輻射したり干渉することから、ノイズ等の原因となり、電子機器等の誤動作の原因となることから、種々の対策が取られている。例えば、高周波回路の周囲に金属板で覆ういわゆるシールドが良く行われている。また、必要に応じて、シールドの一部に電磁波吸収材を設けることも提案されている。
【０００３】
例えば、図５は特開平６−３３８６９６号公報に開示されているこの種の高周波回路パッケージの断面図であり、金属製の有底箱型ケース５１の内部に電子部品５２を実装し、この電子部品５２とケース５１の側壁に取り付けられたセラミック端子５３と配線パターン５４との間をボンディングワイヤ５５で接続した後、金属製の蓋体をろう付け（以下「ろう付けＡ」と記載）した構造となっている。
【０００４】
ここで、電子部品５２の動作周波数が高い場合、電子部品５２やボンディングワイヤ５５からの輻射電磁波によって、パッケージの内部空間で電磁波が共振するため、動作上、支障をきたすことがある。そこで、金属製蓋体５６の裏面（パッケージの内部空間を臨む側の面）にフェライト系等の電磁波吸収材５７をろう付け（以下「ろう付けＢ」と記載）することにより、不要な輻射電磁波を吸収、抑制して高周波回路パッケージを実現していた。または、特開２０００−１６５０８４号公報では「金ゲル（Ａｕ−Ｇｅ）」や耐熱性接着剤を使用しない構造により、メタルパッケージを提供していた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、図５に示す従来の高周波回路パッケージにあっては、蓋体５６の裏面に電磁波吸収材５７をろう付け（ろう付けＢ）する構成となっているため、このろう付けＢの作業温度をろう付けＡの作業温度よりも高くしておかなければ、ろう付けＡを行う際に電磁波吸収材５７が脱落する可能性があった。
【０００６】
従って、一般にろう付けＡには濡れ性のよい「金すず（Ａｕ−Ｓｎ）」は２８０℃（共晶）〜３５０℃程度で使用することが多いから、ろう付けＢには、この金すずよりも作業温度は高いが、濡れ性に劣る例えば「金ゲル（Ａｕ−Ｇｅ）」を使用せざるを得ないという問題があり、高周波パッケージの蓋体に電磁波吸収体を金すず、金ゲル等の処理温度よりも耐熱性がある止着層で強固に止着するという課題があった。また、特開２０００−１６５０８４号公報では、電磁波吸収体を、弾性を持つスペーサーと凸部を設けたヘッダー部との挟み込みによってキャップ部の内部に固定する方法により、構造的に電磁波吸収体を固定していたが、製造時ずれたり、はずれたりするという問題があり、高周波パッケージの蓋体に電磁波吸収体を強固に止着するという課題があった。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明の電磁波吸収部材は、金属、セラミックス及び樹脂の少なくとも一種からなる基体の表面の少なくとも一部にＡｕ層を形成し、前記Ａｕ層上にＡｌ、Ｓｉ、Ｚｒ、Ｍｇ、Ｐ、Ｂの少なくとも一種を含有する止着層を介して、Ｎｉ，Ｆｅ，ＡｌおよびＣの少なくとも一種を主成分とする電磁波吸収体を止着したことを特徴とするものである。
【０００８】
また、前記Ａｕ層表面の酸素濃度が５原子％以上であることを特徴とする。
【０００９】
さらに、前記止着層がさらにＮａ、Ｋの少なくとも一種を含有することを特徴とする。
【００１０】
また、前記止着層が珪酸塩、燐酸塩、ホウ酸塩、コロイダルシリカのうち少なくとも１種を含有することを特徴とする。
【００１１】
また、本発明の電磁波吸収部材の製造方法は、前記止着層の前駆体を塗布した前記電磁波吸収体と、表面の少なくとも一部にＡｕ層を形成した前記基体とを積層後、酸化性雰囲気中１００℃〜４００℃で加熱することを特徴とするものである。
【００１２】
また、本発明の高周波回路パッケージ用蓋体は、前記電磁波吸収部材を用いたことを特徴とする。
【００１３】
また、本発明の高周波回路パッケージは、前記高周回路パッケージ用蓋体を用いたことを特徴とする。
【００１４】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。
【００１５】
図１は本発明の実施形態による電磁波吸収部材１の断面図である。図２は本発明の実施形態による電磁波吸収部材１をキャビティ側からみた図である。
【００１６】
電磁波吸収部材１は、蓋体５、止着層６、電磁波吸収体７から構成される。そこで、電磁波吸収部材１は、金属、セラミックス及び樹脂の少なくとも一種からなる基体２の表面にＮｉ層３を形成し、さらにＮｉ層３の少なくとも一部にＡｕ層４を形成して蓋体５を得る。前記Ａｕ層４上にＡｌ、Ｓｉ、Ｚｒ、Ｍｇ、Ｐ、Ｂの少なくとも一種以上を含有する止着層６を介して、Ｎｉ、Ｆｅ、Ａｌ及びＣの少なくとも一種を主成分とする電磁波吸収体７を止着することが重要である。
【００１７】
本発明の電磁波吸収部材１を構成する蓋体５は、金属、セラミックスおよび樹脂の少なくとも一種からなり、金属では、例えば、コバール、ステンレス等、またはセラミックスでは、例えば、アルミナ、ジルコニア等、さらに樹脂では、例えば、フェノール樹脂、エポキシ樹脂等の少なくとも一種からなる基体の表面に少なくとも一部にＡｕ層４を形成したものを用いる。Ａｕ層４の下地にはＮｉ層３等が望ましい。特に、蓋体５は基体２がコバール、Ｎｉ層３、Ａｕ層４からなることが望ましい。
【００１８】
蓋体５の形状は、平板、キャップ、ハット型キャップ等形状からなり、形状はこの限りではない。
【００１９】
止着層６は、アルミナ、シリカ、マグネシア、ジルコニア、窒化ホウ素、窒化アルミニウム、石英、ケイ石、陶石、石英ガラス、珪酸アルミニウム、珪酸ジルコニウム、燐酸アルミニウム、燐酸マグネシウム、ホウ酸アルミニウム、ムライト、コージライト、ジルコンのいずれか一種以上が好ましい。
【００２０】
さらに、本発明の止着層６はＡｌ及びＳｉを主成分とすれば、接着強さを最大に引き出せる。
【００２１】
また、蓋体５と電磁波吸収体７との接着強さをさらに強くするためには、前記止着層６がＮａ、Ｋの少なくとも一種を含有することが好ましく、特に望ましくは前記Ｎａ、Ｋの含有量は０．１〜１５重量％である。
【００２２】
前記Ｎａ、Ｋの含有量は、一般に原子吸光分析法を用いて測定する。また、前記、珪酸ナトリウムや珪酸カリウムの存在及び含有量は微小Ｘ線回折法、蛍光Ｘ線分析法や原子吸光分析法、ＩＣＰ発光分光分析法により前記珪酸ナトリウムや珪酸カリウムの定量を測定する。
【００２３】
また、前記止着層６は珪酸塩、燐酸塩、ホウ酸塩、コロイダルシリカのうち少なくとも一種を含有することがさらに接着強さを強くする理由から望ましい。
【００２４】
前記珪酸塩としては、珪酸ナトリウム、珪酸カリウム、珪酸リチウム、珪酸アルミニウム、珪酸カルシウム等が望ましい。前記珪酸ナトリウムの出発原料は、二酸化硅素と水酸化ナトリウムで、オルト珪酸ソーダ、セスキ珪酸ソーダ、メタ珪酸ソーダ等がある。また、珪酸カリウムとしては、カリウムジシリケート、カリウムテトラシリケート等がある。前記燐酸塩としては、燐酸アルミニウム、燐酸マグネシウム、燐酸カルシウム等がある。前記コロイダルシリカは直径１０〜１００μｍのＳｉＯ２粒子がＮａ２Ｏなどの安定化剤中に分散したものが望ましく、出発原料としては前記ＳｉＯ２粒子及び前記安定化剤が水に分散したものを用いる。特に望ましくは、珪酸塩としては、珪酸ナトリウム、珪酸ナトリウムとしては、オルト珪酸ソーダ、燐酸塩としては、燐酸アルミニウムである。
【００２５】
前記珪酸塩、燐酸塩、ホウ酸塩、コロイダルシリカ等の出発原料としては、溶液を用いることが、蓋体５と電磁波吸収体７の止着にあたり、止着時、流動性を良くする理由から望ましい。特に珪酸塩の溶液を用いることは接着強さを向上させるために望ましい。
【００２６】
前記珪酸塩、燐酸塩、ホウ酸塩、コロイダルシリカの定性分析及び定量分析は、蛍光Ｘ線分析法、ＩＣＰ発光分光分析法、原子吸光分析法、Ｘ線回折法、微小Ｘ線回折法等の分析手法により行う。元素濃度換算で、０．１〜１５重量％含むことが好ましい。
【００２７】
電磁波吸収体７の構造材料としては、金属磁性体粒子、金属酸化物、炭素系材料が挙げられ、例えば、カーボニル鉄、パーマロイ、フェロシリコン、センダスト、アモルファス合金、電磁ステンレス鋼、または、金属酸化物では、例えば、ＮｉＯ、ＮｉＦｅ２Ｏ４、Ｆｅ２Ｏ３、ＮｉＦｅ２Ｏ４ＣａＯ、ＮｉＺｎＦｅ２Ｏ４の酸化物等、炭素系材料では、例えば、炭化珪素等の炭化物、炭素、黒鉛、炭素繊維等が主成分であることが望ましい。特に好ましくは電磁波吸収体７の主成分がパーマロイもしくはＮｉＺｎＦｅ２Ｏ４からなる。
【００２８】
なお、上記電磁波吸収体７が金属磁性体粒子から構成される場合、減衰量が大きいという点からＮｉ、Ｆｅ、またはその合金の一種であるパーマロイが好ましく、パーマロイの中でも減衰量の大きいＭｏパーマロイが一層好適である。
【００２９】
ここで、前記減衰量とは、高周波伝送線路の伝送特性、すなわち、４端子回路をインピーダンスが較正された高周波電源に接続したときの電力反射係数（Ｓ１１）と透過係数（Ｓ２１）より、以下の数式を用いて算出する。
【００３０】
減衰量（ｄＢ）＝２０ｌｏｇ｜Ｓ２１／１−Ｓ１１｜
本発明で用いる上記電磁波吸収体７の減衰量は、高周波回路パッケージの共振を抑制するためにも２ｄＢ以上が好ましい。
【００３１】
本発明の電磁波吸収部材１においては、前記Ａｕ層４表面の酸素濃度を５原子％以上とすることが、接着強さを強くするために望ましい。前記酸素原子濃度が５原子％未満では、蓋体２と止着層６の接着強さを著しく向上させることができない。その理由は、本発明の電磁波吸収部材１においては、Ａｕ層４の下地のＮｉ層３がＡｕ層４表面に拡散し、酸素と結合することにより接着強さが発現することから、Ａｕ層４表面の酸素濃度が低いと接着強さを著しく向上させることができないためである。
【００３２】
前記Ａｕ層４表面の酸素濃度測定方法は、一般に２次イオン質量分析法（ＳＩＳＭ）、オージェ電子分光法（ＡＥＳ）、Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）などの、いわゆる表面分析法を用い、表面からの深さ方向の酸素濃度測定する。例えば、Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）を用いて、Ａｕ層表面の酸素原子濃度を測定する。そのときの測定条件の例を下記に示す。
【００３３】
2004031629.tif 000003
また、Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）により、前記酸素原子濃度を測定できる理由は次の通りである。Ｘ線を物質に照射すると、光電子が放出される。照射されたＸ線のエネルギーから放出された光電子のエネルギーを差し引くとその光電子の結合エネルギーが求まる。結合エネルギーは元素により固有の値を取るためその値から元素を同定する事ができる。また、元素の結合状態の変化（価数や結合原子の違い）により結合エネルギーが変化する。よって、ピークのシフトや波形の変化で状態分析が可能となる。また、表面をアルゴンイオンで除去しながら分析することにより、深さ方向も同様に分析することができる。
【００３４】
図３に示すように、上記蓋体５を高周波回路パッケージに装着すると、電磁波吸収体７に入射した電磁波は反射しにくくなるため、電磁波吸収特性が向上する。
【００３５】
本発明の電磁波吸収部材１を用いることにより、高周波回路パッケージ蓋体とパッケージとの接合に一般に使用される金すずが使用でき、封止性の悪い金ゲルを使用しなくてよくなる。また、構造的に電磁波吸収体を固定していたが、本発明により電磁波吸収体のズレ発生がなくなった。
【００３６】
次に、本発明の電磁波吸収部材１の製造方法に関して説明する。
【００３７】
本発明の電磁波吸収部材１は、止着層６の前駆体を塗布した電磁波吸収体７と表面の少なくとも一部にＡｕ層４を形成した基体２とを積層後、酸化性雰囲気中１００℃〜４００℃で加熱することが重要である。
【００３８】
前記前駆体は、Ａｌ、Ｓｉ、Ｚｒ、Ｍｇ、Ｐ、Ｂの少なくとも一種以上を有する前駆体であり、例えば、アルミナ、シリカ、マグネシア、ジルコニア、窒化ホウ素、窒化アルミニウム、石英、ケイ石、陶石、石英ガラス、珪酸アルミニウム、珪酸ジルコニウム、燐酸アルミニウム、燐酸マグネシウム、ホウ酸アルミニウム、コージライト、ムライト、ジルコン、珪酸塩、燐酸塩、ホウ酸塩、コロイダルシリカ等のうち少なくとも一種から構成されるもので、（１）アルミナと珪酸塩、（２）アルミナとシリカと珪酸塩、（３）ジルコニアと珪酸塩、（４）アルミナとジルコンと珪酸塩、（５）アルミナと燐酸塩、（６）シリカと燐酸塩、（７）アルミナとシリカと燐酸塩、（８）アルミナと酸化リンと珪酸塩、（９）窒化アルミニウムと珪酸塩、（１０）マグネシアと珪酸塩、（１１）窒化ホウ素と珪酸塩、（１２）アルミナとジルコニアとマグネシアとホウ酸塩と珪酸塩、（１３）アルミナとシリカとジルコンと珪酸塩等の組み合わせのうちいずれか一種が望ましい。特に接着強さを強くするために、アルミナと珪酸塩、アルミナと燐酸塩、アルミナとジルコンと珪酸塩、アルミナとシリカとジルコンと珪酸塩の組み合わせが望ましい。最も接着強さが強くするためには、アルミナとジルコンと珪酸塩が望ましい。
【００３９】
上記止着層６を介することにより蓋体５と電磁波吸収体７とが強固に止着した電磁波吸収体部材１を得ることができる。
【００４０】
止着層６の４０℃〜３００℃の熱膨張係数は４×１０−６〜１５×１０−６℃−１が望ましい。基体２がコバールの場合は、接着性を向上させる理由から５×１０−６〜１０×１０−６℃−１が特に望ましい。また、基体２がアルミナの場合は、接着性を向上させる理由から７×１０−６〜１０×１０−６℃−１が特に望ましい。また、基体２がエポキシ樹脂の場合、接着性を向上させる理由から７×１０−６〜２０×１０−６℃−１が特に望ましい。
【００４１】
例えば、電磁波吸収部材１は、金属、セラミックス及び樹脂の少なくとも一種からなる基体２の表面の少なくとも一部にＡｕ層４を形成した蓋体５と前記止着層６の上記前駆体を塗布した電磁波吸収体７を積層し、加圧保持した後、酸化性雰囲気中１００℃〜４００℃で加熱することにより得られる。
【００４２】
また、基体２表面のＡｕ層４はメッキ等により形成されるが、その厚みは下限は０．１μｍが望ましく、上限は５．０μｍが望ましい。また、基体２とＡｕ層４の間にあるＮｉ層３を設ける場合、Ｎｉ層３のメッキ厚みは、下限は０．１μｍが望ましく、上限は３．０μｍが望ましい。
【００４３】
ここで、積層後、加圧保持するのは止着層７が十分に蓋体５と電磁波吸収体７の表面を覆う事により、接着強さを向上させるためである。酸化性雰囲気中１００℃〜４００℃で加熱するのは、１００℃未満であると、接着強さの向上が著しくなく、４００℃以上では、４００℃未満より著しい接着強さの向上がない。
【００４４】
加熱温度は１５０℃〜３５０℃が好ましく、特に、２００℃〜３００℃が望ましい。室温から１５０℃まで加熱する過程に発生する脱離ガス中の腐食性ガスあるいは炭化水素化合物を含むガスの有無については、ガスクロマトグラフ質量分析装置（ＧＣ−ＭＳ、Ｇａｓ　Ｃｈｒｏｍａｔｏｇｒａｐｈ−Ｍａｓｓ　Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｅｒ）により、コールドトラップ法にて測定する。前記腐食性ガスとは、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ元素等含むハロゲン系ガスやＳ元素を含むガスをいう。
【００４５】
本発明の高周波回路パッケージ用蓋体５は前記電磁波吸収部材１を用いたものであり、さらに図３のように本発明の高周波回路パッケージ用蓋体を用いて高周波パッケージを構成することができる。
【００４６】
特に、本発明の電磁波吸収部材１は、蓋体５が基体２にコバール、Ｎｉ層３、Ａｕ層４を順次形成したものが望ましく、止着層６はＡｌ、Ｓｉ及びＮａから構成されることが望ましく、電磁波吸収体７はＮｉ及びＦｅの酸化物を主成分とすることが望ましい。
【００４７】
次に、本発明の電磁波吸収部材１を高周波回路パッケージ蓋体とした高周波回路パッケージを説明する。図３に断面図で示すように、高周波回路パッケージ８は、電磁波吸収部材１を高周波回路パッケージ用蓋体とし、電磁波吸収体部材１とパッケージベース１０を金すずからなるはんだ層９で封止する。電磁波吸収体７と高周波半導体素子１３またはパッケージベース１０上に形成された伝送線路１１の形成面とが対向するように配設する。また、伝送線路１１と高周波半導体素子１３をボンディングワイヤ１２で接続する。
【００４８】
これによって、伝送線路１１の信号減衰が全くなく、空洞共振を抑制することができるため、高周波回路パッケージ８は良好な伝送特性を示す。
【００４９】
【実施例】
以下、本発明の実施例は図１乃至３を参照しながら説明するが、本発明はその要旨を逸脱しない限り、以下の実施例に限定されるものではない。
【００５０】
試料Ａ及び試料Ｂに用いた蓋体５及び電磁波吸収体７を下記に示す。
＜試料Ａの作製＞
蓋体５には、基体２の材質は表１に示すもので肉厚みが０．２５ｍｍ、Ｎｉ層３が２μｍ、Ａｕ層４が２μｍで、外形寸法１０ｍｍ×１０ｍｍ×０．２５ｍｍの平板状のものを用いた。
【００５１】
【表１】
2004031629.tif 000004
【００５２】
また、電磁波吸収体７には、表２に示すものを用い、外形寸法が８ｍｍ×８ｍｍ×３ｍｍの平板を用いた。電磁波吸収体７は蛍光Ｘ線分析法及び炭素分析により定量分析を行い、主な成分を示した。
【００５３】
【表２】
2004031629.tif 000005
【００５４】
止着層６は表３に示す止着層６の前駆体から構成される。前記前駆体の粘度は１，０００〜８０，０００ｃｐｓのものである。
【００５５】
【表３】
2004031629.tif 000006
【００５６】
前記電磁波吸収体７の片側の面に前記前駆体をディスペンサーにより０．０２２ｃｃ塗布し、塗布した面と前記蓋体５の中央部裏面を貼り合わせた。その後、貼り付けた面に対して、垂直方向に４９ｋＰａの押圧で４時間加圧保持し、前記前駆体を均一に充填させた。
【００５７】
その後、表４に示す熱処理温度で加熱処理を施し、試料Ａの電磁波吸収部材１を得た。試料Ａは引張剪断接着強さの測定に用いた。結果を表４に示す。
【００５８】
試料Ａの断面を切断し、止着層６に隣接したＡｕ層４表面をＸ線光電子分光法（ＸＰＳ）により、酸素濃度を測定した。さらに、止着層６は蛍光Ｘ線分析法により定性分析し、表４に示す元素が存在するものには○印で示した。空欄は存在しなかったことを示す。またＮａ、Ｋは原子吸光分析法により酸化物換算で定量分析した。また、Ｘ線回折法、微小Ｘ線回折法を用いて、構造分析を行った。結果を表４及び５に示す。
【００５９】
【表４】
2004031629.tif 000007
【００６０】
【表５】
2004031629.tif 000008
【００６１】
＜試料Ｂの作製＞
蓋体５には、基体２の材質は表１に示すもので肉厚みが０．２５ｍｍ、Ｎｉ層３が２μｍ、Ａｕ層４が２μｍで、外形寸法１０ｍｍ×１０ｍｍ×１ｍｍ、キャビティ寸法が８ｍｍ×８ｍｍ×０．８ｍｍのハット型のキャップを用いた。
また、電磁波吸収体７には、表２に示すものを用い、外形寸法が３ｍｍ×７ｍｍ×０．４ｍｍの平板を用いた。電磁波吸収体７は蛍光Ｘ線分析法及び炭素分析により定量分析を行い、主な成分を示した。止着層６は表３に示す止着層６の前駆体から構成される。前記前駆体の粘度は１，０００〜８０，０００ｃｐｓのものである。
【００６２】
前記電磁波吸収体７の片側の面に前記前駆体をディスペンサーにより０．００７ｃｃ塗布し、図２にのように蓋体５の裏面に電磁波吸収体７を２枚貼り付けた。
【００６３】
その後、貼り付けた面に対して、垂直方向に４９ｋＰａの押圧で２時間加圧保持し、前記前駆体を均一に充填させた。その後、表４に示す熱処理温度で加熱処理を施し、試料Ｂの電磁波吸収部材１を得た。試料Ｂは実装評価に用いた。
【００６４】
上記電磁波吸収部材１を高周波回路パッケージ８の蓋体５に用いた。蓋体５とパッケージベース１０の封止には、Ａｕ−Ｓｎから形成されるはんだ層９にて行い、高周波回路パッケージ８を得た。
【００６５】
その後、高周波回路パッケージに電磁波吸収部材１を装着し共振抑制効果について評価を行った。結果を表５に示す。さらに、電磁波吸収部材１が蓋体５と電磁波吸収体７が剥がれないか、１５００Ｇの衝撃試験を行った。結果を表５に示す。
【００６６】
電磁波吸収体２６の共振抑制の効果については、図４に示すように、伝送線路４５が形成されたパッケージベース４２とパッケージベース４２上に取り付けられ、８ｍｍ×８ｍｍ×０．８ｍｍの空洞を有する蓋体４１とからなる高周波回路用パッケージ４０を用いて評価した。
【００６７】
電磁波吸収体４６の共振抑制の評価については、伝送線路４５にプローブ４７を押し当て、プローブ４７から同軸ケーブル（不図示）を介して接続されるネットワークアナライザー（不図示）により１００ＭＨｚ〜４０．１ＧＨｚにおける電力透過係数Ｓ２１を測定し、電磁波吸収体４６を装着しないときの電力透過係数Ｓ２１との差が０．１ｄＢ未満であったものを共振抑制の効果が良好なものとして○、０．１ｄＢ以上であったものを共振抑制の効果がないものとして×とした。
【００６８】
表４及び表５の結果から明らかなように、止着層６にＡｌ、Ｓｉ、Ｚｒ、Ｍｇ、Ｐ、Ｂの少なくとも一種以上を含有するもの（Ｎｏ．１〜３０）は１５００Ｇの衝撃試験にも耐え、共振抑制の効果あるものが得られる。
【００６９】
また、止着層６にＡｌ、Ｓｉ、Ｚｒ、Ｍｇ、Ｐ、Ｂの少なくとも一種以上を含有しない（Ｎｏ．３１〜３２）は蓋体とパッケージベースの接合にＡｕ−Ｓｎを用い、そのときに３２０℃まで温度が上がるため、エポキシ樹脂が分解し、接着強さが低下するため、１５００Ｇの衝撃試験で蓋体と電磁波吸収体が剥がれる。よって、共振抑制の評価ができなかった。
【００７０】
【発明の効果】
以上詳述したとおり、本発明によれば、高周波回路パッケージの電磁波吸収部材として、金属、セラミック及び樹脂の少なくとも一種からなる基体の表面の少なくとも一部にＡｕ層を形成し、前記Ａｕ層上にＡｌ、Ｓｉ、Ｚｒ、Ｍｇ、Ｐ、Ｂの少なくとも一種を含有する止着層を介して、Ｎｉ、Ｆｅ、Ａｌ及びＣの少なくとも一種を主成分とする電磁波吸収体を止着したことによって、パッケージの蓋体とパッケージベースの接合にＡｕ−Ｓｎのろう材を用いて、蓋体と電磁波吸収体を強固に止着することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の電磁波吸収部材の断面図である。
【図２】本発明の電磁波吸収部材の平面図である。
【図３】本発明の電磁波吸収部材を用いた高周波回路パッケージの断面図である。
【図４】本発明の電磁波吸収部材を用いた高周波回路パッケージの共振抑制を評価する方法を示す断面図である。
【図５】
従来の電磁波吸収体を用いた高周波回路パッケージの断面図である。
【符号の説明】
１　　電磁波吸収部材
２　　基体
３　　Ｎｉ層
４　　Ａｕ層
５　　蓋体
６　　止着層
７　　電磁波吸収体
８　　高周波回路パッケージ
９　　はんだ層
１０　パッケージベース
１１　伝送線路
１２　ボンディングワイヤ
１３　高周波半導体素子
４０　高周波回路パッケージ
４１　蓋体
４２　パッケージベース
４３　グラウンド
４４　高周波回路基板
４５　伝送線路
４６　電磁波吸収体
４７　プローブ
５０　メタルパッケージ
５１　金属製の有底箱型ケース
５２　電子部品
５３　セラミック端子
５４　配線パターン
５５　ボンディングワイヤ
５６　金属製の蓋体
５７　電磁波吸収体
５８　端子部
Ａ　　ろう付けＡ
Ｂ　　ろう付けＢ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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