(57)【要約】【課題】表面に凹凸のむらのない反射電極を有する反射型液晶表示装置の製造方法、及びその製造方法により製造された反射型液晶表示装置を提供する。【解決手段】ガラス基板１２１上にゲートバスライン、データバスライン及びＴＦＴ等を形成した後、最終保護膜１３１を形成する。その後、最終保護膜１３１の上にポジ型フォトレジスト膜１３３を形成し、露光及び現像処理を施して、最終保護膜１３１のコンタクトホール１３１ａ，１３１ｂに対応する開口部を形成する。次に、１３０〜１６５℃の温度でポストベークした後、レジスト膜１３３にＢ（ホウ素）又はＰ（リン）をイオン注入し、表層を硬化させる。次いで、２００〜２３０℃の温度で熱処理して、レジスト膜１３３の表面にしわ状の凹凸を形成する。その後、レジスト膜１３３の上に金属膜を形成し、この金属膜をパターニングして反射電極を形成する。【選択図】　図１５
2004126021.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に有機樹脂を塗布して有機樹脂膜を形成する工程と、
前記有機樹脂膜をベークするベーク工程と、
前記有機樹脂膜に荷電粒子を照射して表層のみを硬化させる荷電粒子照射工程と、
前記有機樹脂膜を熱処理して表面にしわ状の凹凸を形成する熱処理工程と、
前記有機樹脂膜の上に反射電極を形成する反射電極形成工程と
を有することを特徴とする反射型液晶表示装置の製造方法。
【請求項２】
前記ベーク工程では、１３０乃至１６５℃の温度でベークすることを特徴とする請求項１に記載の反射型液晶表示装置の製造方法。
【請求項３】
第１の基板上に、走査信号が供給されるゲートバスラインと、表示信号が供給されるデータバスラインと、ゲート電極が前記ゲートバスラインに接続されドレイン電極が前記データバスラインに接続された薄膜トランジスタとを形成する工程と、
前記ゲートバスライン、前記データバスライン及び前記薄膜トランジスタの上方に絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜上に第１のフォトレジスト膜を形成する工程と、
前記第１のフォトレジスト膜の前記薄膜トランジスタのソース電極に対応する位置に開口部を形成する第１の露光／現像工程と、
前記第１のフォトレジスト膜をマスクとして前記絶縁膜をエッチングし、前記薄膜トランジスタのソース電極に通じるコンタクトホールを形成する工程と、
前記第１のフォトレジスト膜を除去する工程と、
前記絶縁膜上に第２のフォトレジスト膜を形成する工程と、
前記第２のフォトレジスト膜の前記コンタクトホールに対応する位置に開口部を形成する第２の露光／現像工程と、
前記第２のフォトレジスト膜の表層に荷電粒子を注入する工程と、
前記第２のフォトレジスト膜を熱処理して表面にしわ状の凹凸を形成する工程と、
前記第２のフォトレジスト膜の上側全面に導電性の反射膜を形成する工程と、
前記反射膜をパターニングして第１の電極を形成する工程と、
導電体膜からなる第２の電極が設けられた第２の基板と前記第１の基板とを対向させて配置し、両者の間に液晶を封入する工程と
を有することを特徴とする反射型液晶表示装置の製造方法。
【請求項４】
第１の基板上に、走査信号が供給されるゲートバスラインと、表示信号が供給されるデータバスラインと、ゲート電極が前記ゲートバスラインに接続されドレイン電極が前記データバスラインに接続された薄膜トランジスタとを形成する工程と、
前記ゲートバスライン、前記データバスライン及び前記薄膜トランジスタの上方に絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜上にフォトレジスト膜を形成する工程と、
前記第フォトレジスト膜の前記薄膜トランジスタのソース電極に対応する位置に開口部を形成する露光／現像工程と、
前記フォトレジスト膜をマスクとして前記絶縁膜をエッチングし、前記薄膜トランジスタのソース電極に通じるコンタクトホールを形成する工程と、
前記第フォトレジスト膜の表層に荷電粒子を注入する工程と、
前記フォトレジスト膜を熱処理して表面にしわ状の凹凸を形成する工程と、
前記フォトレジスト膜の上側全面に導電性の反射膜を形成する工程と、
前記反射膜をパターニングして第１の電極を形成する工程と、
導電体膜からなる第２の電極が設けられた第２の基板と前記第１の基板とを対向させて配置し、両者の間に液晶を封入する工程と
を有することを特徴とする反射型液晶表示装置の製造方法。
【請求項５】
一対の基板間に液晶を封入して構成され、前記一対の基板の一方に、走査信号が供給されるゲートバスラインと、表示信号が供給されるデータバスラインと、ゲート電極が前記ゲートバスラインに接続され、ドレイン電極が前記データバスラインに接続された薄膜トランジスタと、前記ゲートバスライン、前記データバスライン及び前記薄膜トランジスタの上方に形成されて表面にしわ状の凹凸が設けられた有機樹脂膜と、前記有機樹脂膜の上に形成されて前記有機樹脂膜の凹凸に倣う凹凸が設けられた反射電極とを有する反射型液晶表示装置において、
前記有機樹脂膜の凹凸が、荷電粒子を表層に注入した後、熱処理を施すことによって形成されたものであることを特徴とする反射型液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、微細な凹凸が設けられた有機樹脂膜の上に反射電極が形成された反射型液晶表示装置の製造方法、及びその製造方法により製造された反射型液晶表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
液晶表示装置は、ＣＲＴ（Ｃａｔｈｏｄｅ　Ｒａｙ　Ｔｕｂｅ）に比べて薄く、軽量であり、低電圧で駆動できて消費電力が小さいという利点があり、テレビ、ノート型ＰＣ（パーソナルコンピュータ）、ディスクトップ型ＰＣ、ＰＤＡ（携帯端末）及び携帯電話など、種々の電子機器に使用されている。特に、各画素毎にスイッチング素子としてＴＦＴ（Ｔｈｉｎ　Ｆｉｌｍ　Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：薄膜トランジスタ）を設けたアクティブマトリクス型液晶表示装置は、その駆動能力の高さからＣＲＴにも匹敵する優れた表示特性を示し、ディスクトップ型ＰＣやテレビなど従来ＣＲＴが使用されていた分野にも広く使用されるようになった。
【０００３】
一般的に、液晶表示装置は、２枚の透明基板の間に液晶を封入した構造を有している。２枚の透明基板のうちの一方の基板には各画素毎に画素電極及びＴＦＴが形成され、他方の基板には画素電極に対向するカラーフィルタと、各画素共通のコモン（共通）電極とが形成されている。以下、画素電極及びＴＦＴが形成された基板をＴＦＴ基板と呼び、カラーフィルタ及びコモン電極が形成された基板をＣＦ基板と呼ぶ。また、ＴＦＴ基板、ＣＦ基板及びそれらの間に封入された液晶からなる構造体を液晶パネルと呼ぶ。
【０００４】
液晶表示装置には、画素毎に透過光の光量を制御して画像を表示する透過型液晶表示装置と、画素毎に反射光の光量を制御して画像を表示する反射型液晶表示装置とがある。透過型液晶表示装置にはバックライトと呼ばれる専用の光源が必要であるのに対し、反射型液晶表示装置では光源として周囲の光（自然光又は電灯光）を使用するので、透過型液晶表示装置に比べて消費電力がより一層少ないという長所がある。また、屋外では、透過型液晶表示装置よりも反射型液晶表示装置のほうが視認性が優れていることもある。このため、反射型液晶表示装置は、主に屋外で使用されることが多いノート型ＰＣ、ＰＤＡ及び携帯電話に搭載されている。
【０００５】
反射型液晶表示装置では、画素電極（反射電極ともいう）として光の反射率が高い金属薄膜を使用する。金属薄膜の表面には微細な凹凸を設け、光を乱反射させることによって液晶パネルを見る位置（液晶パネルに対する角度）が変化しても視認性が大きく変化しないようにしている。
【０００６】
本願出願人は、フォトレジストを使用して画素電極の表面に微細なしわ状の凹凸を形成する方法を既に提案している（特開２００２−２２１７１６号公報等）。以下、図１〜図７を参照してその方法について説明する。
【０００７】
まず、図１（ａ）に示すように、スパッタ法により、ガラス基板１０の上に金属膜１１を形成し、その上に、フォトレジストを使用して所定のパターンのレジスト膜１２を形成する。
【０００８】
次に、図１（ｂ）に示すように、レジスト膜１２をマスクとして金属膜１１をエッチングし、ゲートバスライン１１ａ及び蓄積容量バスライン１１ｂを形成する。その後、レジスト膜１２を除去する。
【０００９】
次に、図２（ａ）に示すように、プラズマＣＶＤ法により、基板１０の上側全面にゲート絶縁膜１３を形成し、更にその上にＴＦＴの動作層となるアモルファスシリコン膜１４及びチャネル保護膜となるＳｉＮ（窒化シリコン）膜１５を順次形成する。
【００１０】
その後、ＳｉＮ膜１５の上にポジ型フォトレジスト膜を形成する。そして、基板１０の裏面側からフォトレジスト膜を露光し、更に基板１０の上側から所定の露光マスクを介して露光した後に現像処理を施して、ゲートバスライン１１ａの上方のチャネル保護膜形成領域を覆うレジスト膜１６を自己整合的に形成する。
【００１１】
次に、図２（ｂ）に示すように、レジスト膜１６をマスクとしてＳｉＮ膜１５をエッチングし、チャネル保護膜１５ａを形成する。その後、レジスト膜１６を除去する。
【００１２】
次に、図３（ａ）に示すように、基板１０の上側全面に、オーミックコンタクト層となるｎ＋　型アモルファスシリコン膜１７を形成する。その後、ＰＶＤ（Ｐｈｙｓｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ　）法により、ｎ＋　型アモルファスシリコン膜１７上に金属膜１８を形成する。そして、フォトレジストを使用して、金属膜１８の上に所定のパターンのレジスト膜１９を形成する。
【００１３】
次に、図３（ｂ）に示すように、レジスト膜１９をマスクとして金属膜１８、ｎ＋　型アモルファス膜１７及びアモルファスシリコン膜１４をエッチングして、ＴＦＴの動作層となるアモルファスシリコン膜１４の形状を確定するとともに、データバスライン１８ａ、ソース電極１８ｂ、ドレイン電極１８ｃ及び蓄積容量電極１８ｄを形成する。このとき、アモルファスシリコン膜１４のうちＴＦＴのチャネルとなる部分は、チャネル保護膜１５ａにより保護される。その後、レジスト膜１９を除去する。
【００１４】
次に、図４（ａ）に示すように、基板１０の上側全面に、透明絶縁膜からなる最終保護膜２０を形成する。最終保護膜２０は、例えばＳｉＮにより形成する。そして、この最終保護膜２０の上に、コンタクトホール形成部が開口されたレジスト膜２１を形成する。
【００１５】
次に、図４（ｂ）に示すように、レジスト膜２１をマスクとして最終保護膜２０をエッチングし、ソース電極１８ｂ及び蓄積容量電極１８ｄに到達するコンタクトホール２０ａ，２０ｂをそれぞれ形成する。その後、レジスト膜２１を除去する。
【００１６】
次に、図５（ａ）に示すように、基板１０の上側全面にポジ型フォトレジスト膜２２を形成し、露光及び現像処理を施して、コンタクトホール２０ａ，２０ｂが露出する開口部を形成する。その後、１３０〜１４５℃の温度でポストベークした後、更にレジスト膜２２の表層に紫外線（ＵＶ）を照射して、表層のポリマーを架橋させる。このときの紫外線の照射量は、１０００〜６０００ｍＪ／ｃｍ２　程度である。次に、２００℃以上の温度で熱焼成すると、レジスト膜２２の表層（架橋した部分）と深部（架橋していない部分）との熱的変形特性（熱膨張率又は熱収縮率）が異なるため、図５（ｂ）に示すように、レジスト膜２２の表面に微細なしわ状の凹凸が生成される。
【００１７】
次に、図６（ａ）に示すように、基板１０の上側にＡｌをスパッタリングして、レジスト膜２２の上にＡｌからなる金属膜２３を形成する。レジスト膜２２の表面には微細な凹凸が設けられているので、金属膜２３の表面にも凹凸が形成される。この金属膜２３は、コンタクトホール２０ａ，２０ｂを介してソース電極１８ｂ及び蓄積容量電極１８ｄに電気的に接続される。その後、金属膜２３の上に、画素電極を確定するためのレジスト膜２４を所定のパターンで形成する。
【００１８】
次いで、図６（ｂ）に示すように、レジスト膜２４をマスクとして金属膜２３をエッチングし、各画素毎に分離された画素電極２３ａを形成する。その後、図７に示すようにレジスト膜２４を除去する。このようにして、表面に微細な凹凸を有する画素電極２３ａが形成される。
【００１９】
【特許文献１】
特開２００２−２２１７１６号公報
【００２０】
【発明が解決しようとする問題点】
上述した反射型液晶表示装置の製造方法では、フォトレジスト膜にＵＶを照射して表層のみを架橋させた後、熱処理を施すことによってフォトレジスト膜にしわ状の凹凸を形成している。この場合、ＵＶ光の照度及び照度分布が重要であり、これらのパラメータが変化すると凹凸のむらが発生する。しかし、大型の基板全体にＵＶを均一に、かつ再現性よく照射することは難しい。
【００２１】
また、上述の方法では、フォトレジスト膜２２にコンタクトホール２０ａ，２０ｂに通じる開口部を形成した後、１３０〜１４５℃の温度でポストベークを行っている。ポストベークの温度は凹凸の傾斜角及びピッチに関係することが判明しているが、上述したＵＶ光を使用する方法では、ホストベークの温度を１５０℃以上にするとフォトレジスト膜に凹凸を形成することができなくなることが確認されている。
【００２２】
例えば、ＰＤＡに使用される小型の液晶表示装置の場合は比較的粗い凹凸を形成することが好ましく、ノート型ＰＣに使用される中型の液晶表示装置の場合は比較的細かい凹凸を形成することが好ましい。しかし、上述した方法では、このような要望に対応することができない。
【００２３】
なお、ポストベークの温度が１３０℃よりも低いと、レジスト膜中のＮ２　を十分に除去することができず、ＵＶ照射時に露光破裂が発生することがある。
【００２４】
以上から、本発明の目的は、レジスト膜の凹凸の傾斜角及びピッチを精度よく制御することができて、凹凸のむらのない反射電極を有する反射型液晶表示装置の製造方法、及びその製造方法により製造された反射型液晶表示装置を提供することである。
【００２５】
【課題を解決するための手段】
上記した課題は、基板上に有機樹脂を塗布して有機樹脂膜を形成する工程と、前記有機樹脂膜をベークするベーク工程と、前記有機樹脂膜に荷電粒子を照射して表層のみを硬化させる荷電粒子照射工程と、前記有機樹脂膜を熱処理して表面にしわ状の凹凸を形成する熱処理工程と、前記有機樹脂膜の上に反射電極を形成する反射電極形成工程とを有することを特徴とする反射型液晶表示装置の製造方法により解決する。
【００２６】
上記した課題は、第１の基板上に、走査信号が供給されるゲートバスラインと、表示信号が供給されるデータバスラインと、ゲート電極が前記ゲートバスラインに接続されドレイン電極が前記データバスラインに接続された薄膜トランジスタとを形成する工程と、前記ゲートバスライン、前記データバスライン及び前記薄膜トランジスタの上方に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜上に第１のフォトレジスト膜を形成する工程と、前記第１のフォトレジスト膜の前記薄膜トランジスタのソース電極に対応する位置に開口部を形成する第１の露光／現像工程と、前記第１のフォトレジスト膜をマスクとして前記絶縁膜をエッチングし、前記薄膜トランジスタのソース電極に通じるコンタクトホールを形成する工程と、前記第１のフォトレジスト膜を除去する工程と、前記絶縁膜上に第２のフォトレジスト膜を形成する工程と、前記第２のフォトレジスト膜の前記コンタクトホールに対応する位置に開口部を形成する第２の露光／現像工程と、前記第２のフォトレジスト膜の表層に荷電粒子を注入する工程と、前記第２のフォトレジスト膜を熱処理して表面にしわ状の凹凸を形成する工程と、前記第２のフォトレジスト膜の上側全面に導電性の反射膜を形成する工程と、前記反射膜をパターニングして第１の電極を形成する工程と、導電体膜からなる第２の電極が設けられた第２の基板と前記第１の基板とを対向させて配置し、両者の間に液晶を封入する工程とを有することを特徴とする反射型液晶表示装置の製造方法により解決する。
【００２７】
上記した課題は、第１の基板上に、走査信号が供給されるゲートバスラインと、表示信号が供給されるデータバスラインと、ゲート電極が前記ゲートバスラインに接続されドレイン電極が前記データバスラインに接続された薄膜トランジスタとを形成する工程と、前記ゲートバスライン、前記データバスライン及び前記薄膜トランジスタの上方に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜上にフォトレジスト膜を形成する工程と、前記第フォトレジスト膜の前記薄膜トランジスタのソース電極に対応する位置に開口部を形成する露光／現像工程と、前記フォトレジスト膜をマスクとして前記絶縁膜をエッチングし、前記薄膜トランジスタのソース電極に通じるコンタクトホールを形成する工程と、前記第フォトレジスト膜の表層に荷電粒子を注入する工程と、前記フォトレジスト膜を熱処理して表面にしわ状の凹凸を形成する工程と、前記フォトレジスト膜の上側全面に導電性の反射膜を形成する工程と、前記反射膜をパターニングして第１の電極を形成する工程と、導電体膜からなる第２の電極が設けられた第２の基板と前記第１の基板とを対向させて配置し、両者の間に液晶を封入する工程とを有することを特徴とする反射型液晶表示装置の製造方法により解決する。
【００２８】
上記した課題は、一対の基板間に液晶を封入して構成され、前記一対の基板の一方に、走査信号が供給されるゲートバスラインと、表示信号が供給されるデータバスラインと、ゲート電極が前記ゲートバスラインに接続され、ドレイン電極が前記データバスラインに接続された薄膜トランジスタと、前記ゲートバスライン、前記データバスライン及び前記薄膜トランジスタの上方に形成されて表面にしわ状の凹凸が設けられた有機樹脂膜と、前記有機樹脂膜の上に形成されて前記有機樹脂膜の凹凸に倣う凹凸が設けられた反射電極とを有する反射型液晶表示装置において、前記有機樹脂膜の凹凸が、荷電粒子を表層に注入した後、熱処理を施すことによって形成されたものであることを特徴とする反射型液晶表示装置により解決する。
【００２９】
本発明においては、荷電粒子を照射して有機樹脂膜の表層のみを硬化させ、その後熱処理を施して有機樹脂膜の表面にしわ状の凹凸を形成する。荷電粒子を有機樹脂に照射する方法には、例えばイオン注入（Ｉｏｎ　Ｄｏｐｉｎｇ）法、反応性イオンプラズマエッチング（Ｒｅａｃｔｉｖｅ　Ｉｏｎ　Ｅｔｃｈｉｎｇ）法、電子サイクロトロン共鳴プラズマ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ　Ｃｙｃｌｏｔｒｏｎ　Ｒｅｓｏｎａｎｃｅ　Ｐｌａｓｍ）法、誘導結合型ＩＰＣ（Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ　Ｃｏｕｐｌｅｄ　Ｐｌａｓｍａ）法及びＴＣＰ（Ｔｒａｎｓｆｏｒｍｅｒ　Ｃｏｕｐｌｅｄ　Ｐｌａｓｍ　）法などがある。
【００３０】
有機樹脂膜に照射された荷電粒子は、有機樹脂膜の表層で熱エネルギーに変換され、熱架橋反応を引き起こす。これにより、有機樹脂膜の表層のみが硬化する。その後、熱処理を施すと、有機樹脂膜の表層（架橋した部分）と深部（架橋していない部分）との熱的変形特性（熱膨張率又は熱収縮率）が異なるため、有機樹脂膜の表面に凹凸が形成される。
【００３１】
イオン注入法又はＲＩＥ法等により荷電粒子を有機樹脂膜に照射して有機樹脂膜の表層を硬化させる方法は、大型の基板を使用した場合であっても基板上の有機樹脂膜全体にわたって均一に荷電粒子を照射することが可能である。また、照射量（ドーズ量）の再現性も、ＵＶ照射に比べて優れている。これにより、レジスト膜の表面に微細なしわ状の凹凸を均一にかつ再現性よく形成することができる。
【００３２】
また、本願発明者等の実験から、荷電粒子により有機樹脂膜の表層のみを硬化させた場合は、ベーク温度を１６５℃にしても凹凸が形成されることが確認されている。これは、ＵＶに比べて荷電粒子のエネルギーが高いため、硬化した部分と硬化していない部分との熱変形特性（熱膨張率又は熱収縮率）の差が大きくなるためと考えられる。つまり、本発明によれば、適用可能なベーク温度の範囲が広いので、凹凸の傾斜角及びピッチを大きく変化させることができる。
【００３３】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について、添付の図面を参照して説明する。
【００３４】
（反射型液晶表示装置）
図８は本発明の実施の形態の反射型液晶表示装置を示すブロック図である。
【００３５】
この液晶表示装置は、制御回路１０１、データドライバ１０２、ゲートドライバ１０３及び表示部１０４により構成されている。この液晶表示装置には、コンピュータ等の外部装置（図示せず）から表示信号（Ｒ（赤）信号、Ｇ（緑）信号及びＢ（青）信号）、水平同期信号Ｈｓｙｎｃ及び垂直同期信号Ｖｓｙｎｃ等の信号が供給され、電源（図示せず）から高電圧（例えば、１８Ｖ）ＶＨ　、低電圧ＶＬ　（例えば、３．３Ｖ又は５Ｖ）及び接地電位Ｖｇｎｄ　が供給される。
【００３６】
表示部１０４には、水平方向及び垂直方向に多数の画素（サブピクセル）が配列されている。一つの画素は、ＴＦＴ１０５と、このＴＦＴ１０５のソース電極に接続された表示セル１０６及び蓄積容量１０７とにより構成される。表示セル１０６は、一対の電極（画素電極及びコモン電極）と、それらの電極間の液晶と、偏光板とにより構成される。
【００３７】
また、表示部１０４には、水平方向に延びる複数のゲートバスライン１０８ａと、垂直方向に延びる複数のデータバスライン１０９ａとが設けられている。水平方向に並ぶ画素の各ＴＦＴ１０５のゲート電極は同一のゲートバスライン１０８ａに接続され、垂直方向に並ぶ画素の各ＴＦＴ１０５のドレイン電極は同一のデータバスライン１０９ａに接続されている。
【００３８】
制御回路１０１は、水平同期信号Ｈｓｙｎｃ及び垂直同期信号Ｖｓｙｎｃを入力し、１水平同期期間の開始時にアクティブになるデータスタート信号ＤＳＩ　と、１水平同期期間を一定の間隔に分割するデータクロックＤＣＬＫと、１垂直同期期間の開始時にアクティブになるゲートスタート信号ＧＳＩ　と、１垂直同期期間を一定の間隔に分割するゲートクロックＧＣＬＫとを出力する。
【００３９】
データドライバ１０２は、シフトレジスタ１０２ａ、レベルシフタ１０２ｂ及びアナログスイッチ１０２ｃにより構成されている。
【００４０】
シフトレジスタ１０２ａは複数の出力端子を有している。このシフトレジスタ１０２ａはデータスタート信号ＤＳＩ　により初期化され、データクロックＤＣＬＫに同期したタイミングで各出力端子から順番に低電圧のアクティブ信号を出力する。
【００４１】
レベルシフタ１０２ｂは複数の入力端子と複数の出力端子とを備えている。そして、シフトレジスタ１０２ａから出力された低電圧のアクティブ信号を、高電圧に変換して出力する。
【００４２】
アナログスイッチ１０２ｃも、複数の入力端子と複数の出力端子とを有している。アナログスイッチ１０２ｃの各出力端子は、それぞれ対応するデータバスライン１０９ａに接続されている。アナログスイッチ１０２ｃは、レベルシフタ１０２ｂからアクティブ信号を入力すると、アクティブ信号を入力した入力端子に対応する出力端子に表示信号（Ｒ信号、Ｇ信号及びＢ信号のいずれか１つ）を出力する。
【００４３】
すなわち、データドライバ１０２は、１水平同期期間内にデータクロックＤＣＬＫに同期したタイミングで、表示部１０４のデータバスライン１０９ａに表示信号（Ｒ信号、Ｇ信号及びＢ信号）を順番に出力する。
【００４４】
ゲートドライバ１０３は、シフトレジスタ１０３ａ、レベルシフタ１０３ｂ及び出力バッファ１０３ｃにより構成されている。
【００４５】
シフトレジスタ１０３ａは複数の出力端子を有している。このシフトレジスタ１０３ａはゲートスタート信号ＧＳＩ　により初期化され、ゲートクロックＧＣＬＫに同期したタイミングで各出力端子から順番に低電圧の走査信号を出力する。
【００４６】
レベルシフタ１０３ｂは、複数の入力端子と複数の出力端子とを備えている。そして、シフトレジスタ１０３ａから入力された低電圧の走査信号を、高電圧に変換して出力する。
【００４７】
出力バッファ１０３ｃも、複数の入力端子と複数の出力端子とを有している。出力バッファ１０３ｃの各出力端子は、それぞれ対応するゲートバスライン１０８ａに接続されている。出力バッファ１０３ｃは、レベルシフタ１０３ｂから入力された走査信号を、入力端子に対応する出力端子を介してゲートバスライン１０８ａに供給する。
【００４８】
すなわち、ゲートドライバ１０３からは、１垂直同期期間内にゲートクロックＧＣＬＫに同期したタイミングで、表示部１０４のゲートバスライン１０８ａに走査信号を順番に供給する。
【００４９】
表示部１０４のＴＦＴ１０５は、ゲートバスライン１０８ａに走査信号が供給されるとオンとなる。このとき、データバスライン１０９ａに表示信号（Ｒ信号、Ｇ信号及びＢ信号のいずれか１つ）が供給されると、表示セル１０６及び蓄積容量１０７に表示信号が書き込まれる。表示セル１０６では、書き込まれた表示信号により液晶分子の傾きが変化し、その結果表示セル１０６の光反射率が変化する。各画素毎に表示セル１０６の光反射率を制御することによって、所望の画像が表示される。
【００５０】
図９は、上述した反射型液晶表示装置の１画素を示す平面図、図１０は図９のＩ−Ｉ線による断面図である。
【００５１】
本実施の形態の液晶表示装置は、図１０に示すように、相互に対向して配置されたＴＦＴ基板１２０及びＣＦ基板１５０と、これらのＴＦＴ基板１２０及びＣＦ基板１５０の間に封入された液晶１８０と、ＣＦ基板１５０の上に配置された偏光板１５６とにより構成されている。
【００５２】
ＴＦＴ基板１２０は、図９，図１０に示すように、ガラス基板１２１と、ガラス基板１２１上に形成されたゲートバスライン１０８ａ、蓄積容量バスライン１０８ｂ、データバスライン１０９ａ、ＴＦＴ１０５、蓄積容量電極１２９ｃ及び画素電極（反射電極）１３４等により構成されている。
【００５３】
図１０に示すように、画素電極１３４の下のレジスト膜１３３には微細なしわ状の凹凸が設けられており、画素電極１３４の表面にはレジスト膜１３３の凹凸に倣った凹凸が設けられている。
【００５４】
蓄積容量バスライン１０８ｂは、ゲートバスライン１０８ａと同じ配線層に形成され、ゲートバスライン１０８ａと平行に配置されている。また、蓄積容量電極１２９ｃは、ゲート絶縁膜１２４を介して蓄積容量バスライン１０８ｂ上に形成されており、これらの蓄積容量電極１２９ｃ、蓄積容量バスライン１０８ｂ及びそれらの間の絶縁膜１２４により、図８に示す蓄積容量１０７を構成している。蓄積容量電極１２９ｃは、コンタクトホール１３１ｂを介して画素電極１３４と電気的に接続されている。
【００５５】
更に、本実施の形態では、図９に示すように、ゲートバスライン１０８ａの一部がＴＦＴ１０５のゲート電極となっており、ＴＦＴ１０５のソース電極１２９ａはコンタクトホール１３１ａを介して画素電極１３４に接続され、ドレイン電極１２９ｂはデータバスライン１０９ａに接続されている。更にまた、画素電極１３４の上には、電界が印加されていないときの液晶分子の配向方向を決める配向膜１３５がポリイミド等により形成されている。
【００５６】
一方、ＣＦ基板１５０は、ガラス基板（透明絶縁性基板）１５１と、このガラス基板１５１の一方の面側（図１０では下側）に形成されたブラックマトリクス１５２、カラーフィルタ１５３及びコモン電極１５４とにより構成されている。ブラックマトリクス１５２は画素電極１３５間の領域を覆うように形成されている。また、ガラス基板１５１の下には、各画素毎に、赤色、緑色及び青色のいずれか１色のカラーフィルタ１５３が形成されている。更に、カラーフィルタ１５３の下にコモン電極１５４が形成されており、このコモン電極１５４の下には配向膜１５５が形成されている。
【００５７】
これらのＴＦＴ基板１２０及びＣＦ基板１５０は、配向膜１３５，１５５が形成された面を相互に対向させて配置されており、両者の間に封入された液晶１８０とともに液晶パネルを構成する。なお、制御回路１０１、データドライバ１０２及びゲートドライバ１０３は、液晶パネルと一体的に形成してもよいし、他の基板上にこれらの回路を形成し、フレキシブル基板等を介して液晶パネルに電気的に接続してもよい。
【００５８】
（第１の実施の形態）
以下、本発明の第１の実施の形態の反射型液晶表示装置の製造方法について説明する。
【００５９】
まず、ＴＦＴ基板の製造方法について説明する。図１１〜図１６は、本発明の第１の実施の形態の液晶表示装置のＴＦＴ基板の製造方法を工程順に示す断面図である。
【００６０】
まず、図１１（ａ）に示すように、ＰＶＤ法により、ガラス基板１２１の上に金属膜１２２を形成し、その上に、フォトレジストを使用して所定のパターンのレジスト膜１２３を形成する。金属膜１２２は、例えば厚さが１５０ｎｍのＡｌ（アルミニウム）膜と、厚さが９０ｎｍのＭｏＮ（窒化モリブデン）膜と、厚さが１０ｎｍのＭｏ（モリブデン）膜とを基板側からこの順に積層して形成する。なお、金属膜１２２は、Ｃｒ（クロム）、Ａｌ合金、又はＡｌとＴｉ（チタン）との積層膜などにより形成してもよい。
【００６１】
次に、図１１（ｂ）に示すように、レジスト膜１２３をマスクとして金属膜１２２をエッチングし、ゲートバスライン１０８ａ及び蓄積容量バスライン１０８ｂを形成する。金属膜１２２がＡｌ／ＭｏＮ／Ｍｏからなるときは、エッチャントとして例えば燐酸、硝酸及び酢酸の混酸を使用してウェットエッチングを行う。金属膜１２２がＣｒからなるときは、Ｃｒエッチャントによるウェットエッチングを行う。金属膜１２２がＡｌ合金又はＡｌとＴｉとの積層膜からなるときは、塩素系ガスを使用したドライエッチングを行う。
【００６２】
このようにしてゲートバスライン１０８ａ及び蓄積容量バスライン１０８ｂを形成した後、レジスト膜１２３を除去する。
【００６３】
次に、図１２（ａ）に示すように、プラズマＣＶＤ法により、ガラス基板１２１の上側全面にＳｉＮからなるゲート絶縁膜１２４を形成し、更にその上にＴＦＴ１０５の動作層となるアモルファスシリコン膜１２５及びチャネル保護膜となるＳｉＮ（窒化シリコン）膜１２６を順次形成する。ゲート絶縁膜１２４の厚さは、例えば３５０ｎｍとする。また、アモルファスシリコン膜１２５の厚さは例えば３０ｎｍ、ＳｉＮ膜１２６の厚さは例えば１２０ｎｍとする。
【００６４】
その後、ＳｉＮ膜１２６の上にポジ型フォトレジスト膜を形成する。そして、基板１２１の裏面側からフォトレジスト膜を露光し、更に基板１２１の上側から所定の露光マスクを介して露光した後に現像処理を施して、ゲートバスライン１０８ａの上方のチャネル保護膜形成領域を覆うレジスト膜１２７を自己整合的に形成する。
【００６５】
次に、図１２（ｂ）に示すように、レジスト膜１２７をマスクとしてＳｉＮ膜１２６をエッチングし、チャネル保護膜１２６ａを形成する。その後、レジスト膜１２７を除去する。
【００６６】
次に、図１３（ａ）に示すように、ＰＶＤ法により、基板１２１の上側全面に、オーミックコンタクト層となるｎ＋　型アモルファスシリコン膜１２８を形成しする。その後、ＰＶＤ法により、ｎ＋　型アモルファスシリコン膜１２８上に金属膜１２９を形成する。ｎ＋　型アモルファスシリコン膜１２８の厚さは、例えば３０ｎｍとする。また、金属膜１２９は、例えば厚さが２０ｎｍＴｉ膜と、厚さが７５ｎｍのＡｌ膜と、厚さが８０ｎｍのＴｉ膜との３層の積層構造とする。
【００６７】
その後、フォトレジストを使用して、金属膜１２９の上に所定のパターンのレジスト膜１３０を形成する。
【００６８】
次に、図１３（ｂ）に示すように、レジスト膜１３０をマスクとし、金属膜１２９、ｎ＋　型アモルファス膜１２８及びアモルファスシリコン膜１２５を塩素系ガスを使用したＲＩＥ法によりエッチングする。これにより、ＴＦＴ１０５の動作層となるアモルファスシリコン膜１２５の形状が確定するとともに、データバスライン１０９ａ、ソース電極１２９ａ、ドレイン電極１２９ｂ及び蓄積容量電極１２９ｃが形成される。このとき、アモルファスシリコン膜１２５のうちＴＦＴ１０５のチャネルとなる部分は、チャネル保護膜１２６ａにより保護される。その後、レジスト膜１３０を除去する。
【００６９】
次に、図１４（ａ）に示すように、ガラス基板１２１の上側全面に、透明絶縁膜からなる最終保護膜１３１を形成する。最終保護膜１３１は、例えばプラズマＣＶＤ法によりＳｉＮを３３０ｎｍの厚さに堆積して形成する。そして、この最終保護膜１３１の上に、コンタクトホール形成部が開口されたレジスト膜１３２を形成する。
【００７０】
次に、図１４（ｂ）に示すように、レジスト膜１３２をマスクとして最終保護膜１３１をフッ素（Ｆ）系ガスを用いたＲＩＥ法によりエッチングし、ソース電極１２９ａ及び蓄積容量電極１２９ｃに到達するコンタクトホール１３１ａ，１３１ｂをそれぞれ形成する。その後、レジスト膜１３２を除去する。
【００７１】
次に、図１５（ａ）に示すように、基板１２１の上側全面にポジ型フォトレジストを約３．５μｍの厚さに塗布してレジスト膜１３３を形成する。その後、このレジスト膜１３３に対し露光及び現像処理を施して、コンタクトホール１３１ａ，１３１ｂが露出する開口部を形成する。これにより、レジスト膜１３３の厚さは約３μｍになる。その後、レジスト膜１３３を１３０〜１６５℃の温度でポストベークする。なお，レジスト膜の好ましい厚さ（現像処理後の厚さ）はレジストの種類によって異なるが、例えば１〜４μｍの範囲とする。
【００７２】
次に、Ｈ２　で希釈したジボラン（Ｂ２　Ｈ６　）ガスを用いてレジスト膜１３３の表層にＢ（ホウ素）をイオン注入することで、レジスト膜１３３の表層のみを硬化させる。ここで、ＰＤＡ等に使用する小型の反射型液晶表示装置を製造する場合、例えばＢ２　Ｈ６　ガスの流量を３５ｓｃｃｍ、加速電圧を３０ｋＶ、ドーズ量を３×１０１４／ｃｍ２　とする。好ましいドーズ量及び加速電圧はフォトレジスト膜の種類及び荷電粒子の種類により異なるが、例えばドーズ量は１×１０１３〜２×１０１５／ｃｍ２　の範囲とし、加速電圧は１〜１００ｋＶの範囲とする。凹凸のむらを回避するためには、ドーズ量は５×１０１３〜１×１０１５／ｃｍ２　、加速電圧は５〜６０ｋＶとすることが好ましい。
【００７３】
なお、レジスト膜１３３に注入するイオンは、Ｈ（水素）、Ｈｅ（ヘリウム）、Ｂ（ホウ素）、Ｐ（リン）、Ａｒ（アルゴン）及びＡｓ（ヒ素）からなる群から選択された少なくとも１種であることが好ましい。例えば、レジスト膜１３３にＰをイオン注入する場合は、Ｈ２　で希釈したホスフィン（ＰＨ３　）ガスを使用し、ガス流量を４０ｓｃｃｍ、加速電圧を５〜６０ｋＶ、ドーズ量を５×１０１３〜１×１０１５／ｃｍ２　とすることが好ましい。
【００７４】
更に、レジスト膜１３３にこれらのイオンを注入する方法としては、上述したイオン注入法の他にも、ＲＩＥ法、電子サイクロトロン共鳴プラズマ法、誘導結合型ＩＣＰ法又はＴＣＰ法等がある。
【００７５】
次に、２００〜２３０℃の温度でレジスト膜１３３を熱処理（焼成）する。そうすると、イオン注入により硬化した層（表層）と、硬化していない層（深部）との熱変形特性（熱膨張率又は熱収縮率）が異なるため、図１５（ｂ）に示すように、レジスト膜１３３の表面に微細なしわ状の凹凸が形成される。
【００７６】
次に、ＰＶＤ法により、ガラス基板１２１の上側全面にＡｌからなる金属膜を約１５０ｎｍの厚さに形成する。この金属膜は、表面に凹凸を有するレジスト膜１３３の上に形成されるので、金属膜の表面にも微細な凹凸が形成される。また、金属膜はコンタクトホール１３１ａ，１３１ｂを介してソース電極１２９ａ及び蓄積容量電極１２９ｃにそれぞれ電気的に接続される。
【００７７】
その後、金属膜の上に画素電極の形状を確定するためのレジスト膜を形成し、燐酸、硝酸及び酢酸の混酸等で金属膜をウェットエッチングして、図１６に示すように、画素電極１３４を形成する。その後、レジスト膜を除去した後、基板１２１の上側全面にポリイミドからなる配向膜１３５を形成する。これにより、ＴＦＴ基板が完成する。
【００７８】
以下、ＣＦ基板１５０の製造方法について説明する。
【００７９】
まず、ガラス基板１５１の面上（図１０では下側の面）にＣｒ膜を形成し、このＣｒ膜をフォトリソグラフィによりパターニングして、ブラックマトリクス１５２を形成する。その後、赤色感光性樹脂、緑色感光性樹脂及び青色感光性樹脂を使用して、ガラス基板１５１の一方の面上に赤色、緑色及び青色のカラーフィルタ１５３を形成する。
【００８０】
次に、それらのカラーフィルタ１５３の上にＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ−Ｔｉｎ　Ｏｘｉｄｅ）をスパッタして透明のコモン電極１５４を形成する。そして、コモン電極１５４の上に、ポリイミドからなる配向膜１５５を形成する。このようにしてＣＦ基板１５０が完成する。
【００８１】
次いで、ＴＦＴ基板１２０とＣＦ基板１５０との間に両者の間隔を一定に維持するためのスペーサ（図示せず）を配置し、真空注入法又は滴下注入法によりＴＦＴ基板１２０とＣＦ基板１５０との間に液晶１８０を封入する。このようにして、図９，図１０に示すような反射型液晶表示装置が完成する。
【００８２】
本実施の形態では、イオン注入法によりフォトレジスト膜１３３にＢイオンを照射してフォトレジスト膜１３３の表層のみを硬化させるので、ＵＶ照射によりフォトレジスト膜の表層を硬化させる方法に比べて、ガラス基板の面積が大きい場合であっても、ガラス基板上のレジスト膜全体にわたって均一な条件でＢイオンを照射することが可能である。これにより、レジスト膜１３３に凹凸を均一に、かつ再現性よく形成することができる。
【００８３】
また、本実施の形態では、Ｂイオンによりフォトレジスト膜１３３の表層のみを硬化させるので、ポストベーク温度を１６５℃まで上昇させることができる。これにより、凹凸の傾斜角やピッチの制御性が向上する。
【００８４】
更に、ポストベーク温度を高く設定することにより、レジスト膜１３３中のＮ２　を十分に除去することができるため、Ｂイオン照射時にレジスト膜１３３に露光破裂が発生することが防止される。
【００８５】
（第２の実施の形態）
以下、第２の実施の形態の反射型液晶表示装置の製造方法について説明する。第２の実施の形態では、最終保護膜のコンタクトホールの形成に使用したレジスト膜を残し、そのレジスト膜の表面に凹凸を形成する。
【００８６】
第１の実施の形態の図１４（ａ），（ｂ）に示す工程において、最終保護膜１３１にコンタクトホール１３１ａ，１３１ｂを形成する際には、一般的に、ゲートバスライン１０８ａの端部に設けられた端子の上にも開口部を形成して、端子の表面を露出させる。従って、図１４（ｂ）に示すように、コンタクトホール形成部ではオーバーエッチングになり、レジスト膜１３２の開口部の径よりもコンタクトホール１３１ａ，１３１ｂの径のほうが大きくなる。仮に、レジスト膜１３２の上に画素電極となる金属膜を形成すると、レジスト膜１３２の開口部の径よりもコンタクトホール１３１ａ，１３１ｂの径のほうが大きいため、レジスト膜１３２上の金属膜とソース電極１２９ａ及び蓄積容量電極１２９ｃとが電気的に接続されないことが起こる。そのため、第１の実施の形態では、コンタクトホール１３１ａ，１３１ｂの形成に使用したレジスト膜１３２を剥離し、最終保護膜１３１の上に新たにレジスト膜１３３を形成して、レジスト膜１３３の表面に凹凸を形成している。
【００８７】
一方、第２の実施の形態では、エッチング条件を制御することにより、レジスト膜の開口部の径よりも小さな径のコンタクトホールを形成する。
【００８８】
即ち、図１７（ａ）に示すように、第１の実施の形態と同様にしてガラス基板１２１上にＳｉＮからなる最終保護膜１３１まで形成した後、最終保護膜１３１の上にポジ型フォトレジスト膜１４１を塗布する。そして、露光及び現像処理を施して、レジスト膜１４１にコンタクトホール形成用の開口部を形成する。その後、このレジスト膜１４１をマスクとし、ＳＦ６　／Ｏ２　ガスを使用して最終保護膜１３１をＲＩＥ法によりエッチングする。
【００８９】
このとき、ＳＦ６　ガスの流量を少なくし、Ｏ２　ガスの流量を多くすると、最終保護膜１３１のエッチング速度が遅くなり、レジスト膜１４１のエッチング速度が速くなって、最終保護膜１３１に形成されるコンタクトホール１３１ａ，１３１ｂの径が、レジスト膜１４１の開口部の径よりも小さくなる。例えば、ＳＦ６　ガスの流量を１３０ｓｃｃｍ、Ｏ２　ガスの流量を２７０ｓｃｃｍ、圧力を８．０Ｐａ、パワーを６００Ｗとする。
【００９０】
また、ＳｉＮ中のＳｉの含有量を増やし緻密な膜を形成することにより最終保護膜１３１の膜質を硬くして、最終保護膜１３１をエッチングされにくくしてもよい。例えば、通常の窒化膜の成膜条件は、ＳｉＨ４　ガスの流量が２４０ｓｃｃｍ、Ｎ２　ガスの流量が２１００ｓｃｃｍ、圧力が２１３．３Ｐａ、温度が２３０℃、パワーが２０００Ｗである。これに対し、緻密で硬い窒化膜を成膜するときには、ＳｉＨ４　ガスの流量を１８０ｓｃｃｍ、ＮＨ３　ガスの流量を６００ｓｃｃｍ、Ｎ２　ガスの流量を４０００ｓｃｃｍ、圧力を１６０Ｐａ、温度を２３０℃、パワーを１４００Ｗとする。また、例えば、ＳｉＨ４　ガスの流量を２４０ｓｃｃｍ、ＮＨ３　ガスの流量を６００ｓｃｃｍ、Ｎ２　ガスの流量を４０００ｓｃｃｍ、圧力を１６０Ｐａ、温度を２３０℃、パワーを１４００Ｗとする。このようにして形成した窒化膜をエッチングするときには、例えば、ＳＦ６　ガスの流量を１３０ｓｃｃｍ、Ｏ２　ガスの流量を２７０ｓｃｃｍ、圧力を８．０Ｐａ、パワーを６００Ｗとする。
【００９１】
次に、図１７（ｂ）に示すように、コンタクトホール１３１ａ，１３１ｂの形成に使用したレジスト膜１４１にＢをイオン注入して、レジスト膜１４１の表層のみを硬化させる。
【００９２】
次いで、２００〜２３０℃の温度でレジスト膜１４１を熱処理（焼成）する。これにより、図１８に示すように、レジスト膜１４１の表面に微細な凹凸が形成される。その後、レジスト膜１４１の上に画素電極１４２を形成する。このようにして、表面にしわ状の微細な凹凸が設けられた画素電極（反射電極）を有する反射型液晶表示装置が製造される。
【００９３】
本実施の形態においては、コンタクトホール１３１ａ，１３１ｂに形成に使用したレジスト膜１４１に荷電粒子を注入し、その後熱処理を施すことによりレジスト膜１４１の表面に微細なしわ状の凹凸を形成する。従って、第１の実施の形態に比べて工程数が減少し、製造コストが削減されるという効果が得られる。
【００９４】
（その他の実施の形態）
第１の実施の形態では、イオン注入法によりレジスト膜１３３に荷電粒子を注入していたが、ＲＩＥ法によりレジスト膜１３３に荷電粒子を注入してもよい。例えば、レジスト膜１３３をポストベークした後、ＲＩＥ法により、圧力が６．０Ｐａ、Ｈｅガス流量が３００ｓｃｃｍ、パワーが１０００Ｗ、処理時間が３０秒間の条件で、レジスト膜１３３に対しＨｅプラズマ処理を施す。
【００９５】
ＲＩＥ法によりレジスト膜１３３に荷電粒子を注入する場合、レジスト膜に覆われていない部分の最終保護膜がエッチングされにくいガスを使用することが必要である。最終保護膜がＳｉＮにより形成されている場合、レジスト膜１３３には上述したようにＨｅを注入することが好ましい。ＲＩＥ法によるレジスト膜１３３への荷電粒子の注入に使用可能なガスとしては、Ｈｅガスの他にも例えばＣＨＦ３　ガス及びＨＣｌガスがある。最終保護膜が窒化シリコンからなるときはＣＨＦ３　ガスを使用することが好ましく、最終保護膜が酸化シリコンからなるときはＨＣｌガスを使用することが好ましい。
【００９６】
また、第１の実施の形態では、スイッチング素子としてチャネル保護型のＴＦＴを使用した場合について説明したが、チャネルエッチング型のＴＦＴを使用してもよい。チャネルエッチング型のＴＦＴは、次のようにして形成する。
【００９７】
即ち、図１９（ａ）に示すように、ゲート絶縁膜１２４上に動作層となるアモルファスシリコン膜１５１を厚く（例えば１２００Å）形成した後、その上にオーミックコンタクト層となるｎ＋　型アモルファスシリコン膜１５２を形成する。
【００９８】
次に、図１９（ｂ）に示すように、フォトリソグラフィ法により、アモルファスシリコン膜１５１及びｎ＋　型アモルファスシリコン膜１５２を島状にパターニングする。
【００９９】
次いで、図１９（ｃ）に示すように、ガラス基板１２１の上側全面に金属膜を形成し、フォトリソグラフィ法により金属膜をパターニングして、ソース電極１５３ａ及びドレイン電極１５３ｂを形成する。このとき、ソース電極１５３ａとドレイン電極１５３ｂとの間を、アモルファスシリコン膜１５１の厚さ方向の途中までエッチングして、ソース電極１５３ａとドレイン電極１５３ｂとの間を電気的に分離する。このようにして、チャネルエッチング型のＴＦＴが完成する。
【０１００】
更に、画素電極１３４に、図２０に示すような中央部が若干屈曲した水平方向に延在するパターン１６１を設けてもよい。例えば、図１１（ａ），（ｂ）に示す工程で、金属膜１２２をエッチングしてゲートバスライン１０８ａ及び蓄積容量バスライン１０８ｂを形成する際に、中央部が若干屈曲した水平方向に延在する金属パターンを設けておく。これにより、この金属パターンに倣って画素電極１３４にも同様のパターン（凸部）１６１が形成される。
【０１０１】
その後、レジスト膜１３３を熱処理すると、レジスト膜１３３の表面のしわ状の凹凸は画素電極１３４のパターン１６１に規制されてパターン１６１と同じ方向に延出し、所望の方向に選択的に光が反射されるようになる。ＰＤＡ等の小型の装置の場合、液晶表示装置とユーザの視線とのなす角度がほぼ一定であるので、反射光の方向を一方向に揃えることが好ましい。本実施の形態は、そのような場合に適用できる。
【０１０２】
（イオン注入条件及びベーク条件）
以下、最適なイオン注入条件及びベーク条件を調べた結果について説明する。
【０１０３】
本願発明者等は、まず、ガラス基板上の全面にポジ型の第１のノボラックフォトレジスト（以下、レジストＡという）を１．３μｍの厚さに塗布し、所定のパターンで露光及び現像処理した後、ホットプレートで１５０℃のポストベークを行った。その後、Ｂ２　Ｈ６　ガスを用い、加速電圧が３０ｋＶ、ドーズ量が３×１０１５／ｃｍ２　、注入時間が２１６秒の条件で、レジスト膜の表層にＢイオン注入した。そして，このレジスト膜を、更にレジストの硬化温度である２２０℃で熱焼成した。その結果、レジスト膜の表面に部分的にしわ状の凹凸が形成された。このときのレジスト膜の表面の光学顕微鏡像及びレジスト膜の断面の電子顕微鏡像を図２３（ａ），（ｂ）に示す。
【０１０４】
上記の条件では、レジスト膜の表面に凹凸が形成されない部分が多く存在するとともに、露光破裂やひび割れも多く発生した。本願発明者等は、露光破裂及びひび割れが多いことから、荷電粒子のドーズ量が多すぎるものと判断した。
【０１０５】
そこで、加速電圧を１０ｋＶ、ドーズ量を１×１０１４／ｃｍ２　にさげて、同様の実験を行った。その結果、基板上のレジスト膜の全体にわたって、むらのない凹凸を形成することができた。
【０１０６】
その後、ガス種、加速電圧、ドーズ量及び時間を種々変化させて同様の実験を行った。また、フォトレジストをポジ型の第２のノボラックフォトレジスト（以下、レジストＢという）に替えて同様の実験を行った。なお、レジスト膜の特性の違いを考慮して、レジストＡの場合は膜厚を１．３μｍとし、レジストＢでは膜厚を３．０μｍとした。そして、生成されたしわ状の凹凸のピッチや深さを調べた。それらの結果を図２１，図２２にまとめて示す。
【０１０７】
サンプルＮｏ．２，３，６，７，８，９のサンプルについては、レジスト膜上に金属膜を形成して反射電極とし、その反射率を測定した。その結果も、図２２に併せて示す。また、サンプルＮｏ．２，３，６，７，８，１０，１１，１２のサンプルの光学顕微鏡写真像を図２４に示す。
【０１０８】
なお、図２１において、ＨＰは現像装置に付属するホットプレートを使用してベークを行ったことを示し、ＣＯはクリーンオーブン（タバイ製）を使用してベークを行ったことを示す。更に、反射率は反射電極の法線に対して３０°の角度から平行光を照射し、法線方向での輝度を測定した。但し、凹凸のない標準白色板に同条件で入射させた場合の法線方向での反射強度を１００％として相対値を示している。更にまた、低ドーズモードとは、電極の絞りでドーズ量を低減するモードである。
【０１０９】
これらの図２１，図２２に示すように、低ドーズモードで加速電圧を１０ｋＶ、ドーズ量を３×１０１３／ｃｍ２　としたときにはレジスト膜に凹凸が全くできなかった。また、ベーク温度を１７０℃としたときも、レジスト膜に凹凸ができなかった。
【０１１０】
加速電圧が５ｋＶ〜６０ｋＶ、ドーズ量が５×１０１３〜１×１０１５／ｃｍ２　のときは、レジスト膜にむらのない凹凸を再現性よく形成できることが確認された。また、ＰＨ３　ガスを用いてレジスト膜にＰをイオン注入した場合も、レジスト膜にむらのない凹凸を再現性よく形成できることが確認された。
【０１１１】
入射角３０°の平行光に対して反射率が最大となるのは、サンプルＮｏ．８の６０ｋＶのときであり、このときのしわ状の凹凸のピッチは粗く、反射率は９５．８％と高い値であった。
【０１１２】
また、現像装置のホットプレートでポストベークを行ったサンプルＮｏ．１〜９では、プレートのピン跡や溝跡によるむらが目視で観察されたのに対して、クリーンオーブンでポストベーク温度を変化させたサンプルＮｏ．１０〜１３では全くむらが見られなかった。
【０１１３】
更に、クリーンオーブンでポストベーク温度を変化させたサンプルＮｏ．１０〜１３では、高温側でしわの深さが浅く制御できることも確認できた。
【０１１４】
このように、荷電粒子の照射条件やベーク時の温度を制御することにより、凹凸の傾斜角やピッチを大きく変化させることができる。従って、本発明によれば、例えば２〜５インチの小型の液晶表示装置に適した散乱度の低い鏡面に近い反射電極から、６〜１５インチの中型の液晶表示装置に適した散乱度の高い反射電極まで、均一かつ再現性よく製造することが可能となる。これにより、反射型液晶表示装置の表示特性が向上するという効果を奏する。
【０１１５】
なお、本発明は、反射電極の一部に開口部を設け、暗いところではバックライトの光を液晶パネルに透過させて画像を表示する透過・反射型液晶表示装置にも適用することができる。
【０１１６】
（付記１）基板上に有機樹脂を塗布して有機樹脂膜を形成する工程と、前記有機樹脂膜をベークするベーク工程と、前記有機樹脂膜に荷電粒子を照射して表層のみを硬化させる荷電粒子照射工程と、前記有機樹脂膜を熱処理して表面にしわ状の凹凸を形成する熱処理工程と、前記有機樹脂膜の上に反射電極を形成する反射電極形成工程とを有することを特徴とする反射型液晶表示装置の製造方法。
【０１１７】
（付記２）前記有機樹脂としてポジ型フォトレジストを使用することを特徴とする付記１に記載の反射型液晶表示装置の製造方法。
【０１１８】
（付記３）前記ベーク工程では、１３０乃至１６５℃の温度でベークすることを特徴とする付記１に記載の反射型液晶表示装置の製造方法。
【０１１９】
（付記４）前記熱処理工程では、２００乃至２３０℃の温度で熱処理することを特徴とする付記１に記載の反射型液晶表示装置の製造方法。
【０１２０】
（付記５）前記荷電粒子照射工程では、前記フォトレジスト膜に、Ｈ、Ｈｅ、Ｂ、Ｐ、Ａｒ及びＡｓからなる群から選択された少なくとも１種のイオンを照射することを特徴とする付記１に記載の反射型液晶表示装置の製造方法。
【０１２１】
（付記６）前記荷電粒子照射工程では、１ｋＶ乃至１００ｋＶの加速電圧で前記荷電粒子を加速することを特徴とする付記１に記載の反射型液晶表示装置の製造方法。
【０１２２】
（付記７）前記荷電粒子照射工程では、前記荷電粒子の注入量を、１×１０１３乃至２×１０１５／ｃｍ２　とすることを特徴とする付記１に記載の反射型液晶表示装置の製造方法。
【０１２３】
（付記８）前記荷電粒子照射工程では、イオン注入法、反応性イオンプラズマエッチング法、電子サイクロトロン共鳴プラズマ法、誘導結合型ＩＣＰ法及びＴＣＰ法のいずれかの方法により前記荷電粒子を前記フォトレジスト膜に照射することを特徴とする付記１に記載の反射型液晶表示装置の製造方法。
【０１２４】
（付記９）第１の基板上に、走査信号が供給されるゲートバスラインと、表示信号が供給されるデータバスラインと、ゲート電極が前記ゲートバスラインに接続されドレイン電極が前記データバスラインに接続された薄膜トランジスタとを形成する工程と、前記ゲートバスライン、前記データバスライン及び前記薄膜トランジスタの上方に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜上に第１のフォトレジスト膜を形成する工程と、前記第１のフォトレジスト膜の前記薄膜トランジスタのソース電極に対応する位置に開口部を形成する第１の露光／現像工程と、前記第１のフォトレジスト膜をマスクとして前記絶縁膜をエッチングし、前記薄膜トランジスタのソース電極に通じるコンタクトホールを形成する工程と、前記第１のフォトレジスト膜を除去する工程と、前記絶縁膜上に第２のフォトレジスト膜を形成する工程と、前記第２のフォトレジスト膜の前記コンタクトホールに対応する位置に開口部を形成する第２の露光／現像工程と、前記第２のフォトレジスト膜の表層に荷電粒子を注入する工程と、前記第２のフォトレジスト膜を熱処理して表面にしわ状の凹凸を形成する工程と、前記第２のフォトレジスト膜の上側全面に導電性の反射膜を形成する工程と、前記反射膜をパターニングして第１の電極を形成する工程と、導電体膜からなる第２の電極が設けられた第２の基板と前記第１の基板とを対向させて配置し、両者の間に液晶を封入する工程とを有することを特徴とする反射型液晶表示装置の製造方法。
【０１２５】
（付記１０）第１の基板上に、走査信号が供給されるゲートバスラインと、表示信号が供給されるデータバスラインと、ゲート電極が前記ゲートバスラインに接続されドレイン電極が前記データバスラインに接続された薄膜トランジスタとを形成する工程と、前記ゲートバスライン、前記データバスライン及び前記薄膜トランジスタの上方に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜上にフォトレジスト膜を形成する工程と、前記第フォトレジスト膜の前記薄膜トランジスタのソース電極に対応する位置に開口部を形成する露光／現像工程と、前記フォトレジスト膜をマスクとして前記絶縁膜をエッチングし、前記薄膜トランジスタのソース電極に通じるコンタクトホールを形成する工程と、前記第フォトレジスト膜の表層に荷電粒子を注入する工程と、前記フォトレジスト膜を熱処理して表面にしわ状の凹凸を形成する工程と、前記フォトレジスト膜の上側全面に導電性の反射膜を形成する工程と、前記反射膜をパターニングして第１の電極を形成する工程と、導電体膜からなる第２の電極が設けられた第２の基板と前記第１の基板とを対向させて配置し、両者の間に液晶を封入する工程とを有することを特徴とする反射型液晶表示装置の製造方法。
【０１２６】
（付記１１）一対の基板間に液晶を封入して構成され、前記一対の基板の一方に、走査信号が供給されるゲートバスラインと、表示信号が供給されるデータバスラインと、ゲート電極が前記ゲートバスラインに接続され、ドレイン電極が前記データバスラインに接続された薄膜トランジスタと、前記ゲートバスライン、前記データバスライン及び前記薄膜トランジスタの上方に形成されて表面にしわ状の凹凸が設けられた有機樹脂膜と、前記有機樹脂膜の上に形成されて前記有機樹脂膜の凹凸に倣う凹凸が設けられた反射電極とを有する反射型液晶表示装置において、前記有機樹脂膜の凹凸が、荷電粒子を表層に注入した後、熱処理を施すことによって形成されたものであることを特徴とする反射型液晶表示装置。
【０１２７】
（付記１２）前記薄膜トランジスタが、チャネル保護型薄膜トランジスタであることを特徴とする付記１１に記載の反射型液晶表示装置。
【０１２８】
（付記１３）前記薄膜トランジスタが、チャネルエッチング型薄膜トランジスタであることを特徴とする付記１１に記載の反射型液晶表示装置。
【０１２９】
（付記１４）前記反射電極の下方に、前記ゲート電極と同じ層に形成されて前記しわ状の凹凸の延出方向を規制するパターンが設けられていることを特徴とする付記１１に記載の反射型液晶表示装置。
【０１３０】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、荷電粒子を有機樹脂膜に照射して表層のみを硬化させ、その後熱処理を施して有機樹脂膜の表面にしわ状の凹凸を形成し、その上に反射電極を形成するので、凹凸の傾斜角及びピッチを精度よく制御することができる。これにより、反射型液晶表示装置の表示特性が向上するという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は、従来の反射型液晶表示装置の製造方法の例を示す断面図（その１）である。
【図２】図２は、従来の反射型液晶表示装置の製造方法の例を示す断面図（その２）である。
【図３】図３は、従来の反射型液晶表示装置の製造方法の例を示す断面図（その３）である。
【図４】図４は、従来の反射型液晶表示装置の製造方法の例を示す断面図（その４）である。
【図５】図５は、従来の反射型液晶表示装置の製造方法の例を示す断面図（その５）である。
【図６】図６は、従来の反射型液晶表示装置の製造方法の例を示す断面図（その６）である。
【図７】図７は、従来の反射型液晶表示装置の製造方法の例を示す断面図（その７）である。
【図８】図８は、本発明の実施の形態の反射型液晶表示装置を示すブロック図である。
【図９】図９は、本発明の実施の形態の反射型液晶表示装置の１画素を示す平面図である。
【図１０】図１０は図９のＩ−Ｉ線による断面図である。
【図１１】図１１は、本発明の第１の実施の形態の液晶表示装置の製造方法を示す断面図（その１）である。
【図１２】図１２は、本発明の第１の実施の形態の液晶表示装置の製造方法を示す断面図（その２）である。
【図１３】図１３は、本発明の第１の実施の形態の液晶表示装置の製造方法を示す断面図（その３）である。
【図１４】図１４は、本発明の第１の実施の形態の液晶表示装置の製造方法を示す断面図（その４）である。
【図１５】図１５は、本発明の第１の実施の形態の液晶表示装置の製造方法を示す断面図（その５）である。
【図１６】図１６は、本発明の第１の実施の形態の液晶表示装置の製造方法を示す断面図（その６）である。
【図１７】図１７は、本発明の第２の実施の形態の液晶表示装置の製造方法を示す断面図（その１）である。
【図１８】図１８は、本発明の第２の実施の形態の液晶表示装置の製造方法を示す断面図（その２）である。
【図１９】図１９は、チャネルエッチング型ＴＦＴの製造方法を示す断面図である。
【図２０】図２０は、画素電極１３４にしわ上の凹凸の延出方向を規制するパターンを設けた例を示す平面図である。
【図２１】図２１は、ガス種、加速電圧、ドーズ量及び時間を種々変化させてしわ状の凹凸の形成状態を調べた結果を示す図（その１）である。
【図２２】図２２は、ガス種、加速電圧、ドーズ量及び時間を種々変化させてしわ状の凹凸の形成状態を調べた結果を示す図（その２）である。
【図２３】図２３（ａ）はレジスト膜の表面に形成されたしわ状の凹凸の一例を示す光学顕微鏡像、図２３（ｂ）は同じくそのレジスト膜の断面の電子顕微鏡像である。
【図２４】図２４（ａ）〜（ｈ）は、いずれもレジスト膜の表面に形成されたしわ状の凹凸の例を示す光学顕微鏡像である。
【符号の説明】
１０，１２１，１５１…ガラス基板、
１１ａ，１０８ａ…ゲートバスライン、
１１ｂ，１０８ｂ…蓄積容量バスライン、
１２，１６，１９，２１，２２，１２３，１２７，１３０，１３２，１３３，１４１…レジスト膜、
１３，１２４…ゲート絶縁膜
１４，１２５，１５１…アモルファスシリコン膜、
１５，１２６…ＳｉＮ膜、
１５ａ，１２６ａ…チャネル保護膜、
１７，１２８，１５２…ｎ＋　型アモルファスシリコン膜、
１８，２３，２４，１２２，１２９…金属膜、
１８ａ…データバスライン、
１８ｂ，１２９ａ，１５３ａ…ソース電極、
１８ｃ，１２９ｂ，１５３ｂ…ドレイン電極、
１８ｄ，１２９ｃ…蓄積容量電極、
２０，１３１…最終保護膜、
２０ａ，２０ｂ，１３１ａ，１３１ｂ…コンタクトホール、
２３ａ，１３４，１４２…画素電極（反射電極）、
１０１…制御回路、
１０２…データドライバ、
１０３…ゲートドライバ、
１０４…表示部、
１０５…ＴＦＴ、
１０６…表示セル、
１０７…蓄積容量、
１０９ａ…データバスライン、
１２０…ＴＦＴ基板、
１３５，１５５…配向膜、
１５０…ＣＦ基板、
１５２…ブラックマトリクス、
１５３…カラーフィルタ、
１５４…コモン電極、
１６１…画素電極に設けられたパターン
１８０…液晶。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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