(57)【要約】　　　（修正有）【課題】生産能力の低下及びデバイスへのダメージを防止でき且つ高い異物除去率を達成できる基板洗浄を実現する。【解決手段】基板を回転させながら、前記基板の上側に設けられたノズルから、超音波が印加された洗浄液を前記基板に供給することにより、前記基板を洗浄する基板洗浄方法において、超音波洗浄中の基板を２６００ｒｐｍ以上で且つ３５００ｒｐｍ以下の回転数で回転させる。【選択図】　　　図３
2004031907.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を回転させながら、前記基板の上側に設けられたノズルから、超音波が印加された洗浄液を前記基板に供給することにより、前記基板を洗浄する基板洗浄方法であって、
洗浄中の前記基板を２６００ｒｐｍ以上で且つ３５００ｒｐｍ以下の回転数で回転させることを特徴とする基板洗浄方法。
【請求項２】
洗浄中の前記基板を２６００ｒｐｍ以上で且つ３０００ｒｐｍ以下の回転数で回転させることを特徴とする請求項１に記載の基板洗浄方法。
【請求項３】
前記洗浄液を前記ノズルから前記基板に供給すると同時に、他の洗浄液を他の固定ノズルから前記基板の中央部に供給し、それにより洗浄中の前記基板の中央部が乾燥することを防止することを特徴とする請求項１に記載の基板洗浄方法。
【請求項４】
前記洗浄液を前記ノズルから前記基板に供給する際に、前記ノズルは、前記基板の上側において、前記基板の中心を通って、前記基板の端部から、前記基板における中心から所定の距離だけ離れた位置まで往復運動することを特徴とする請求項１に記載の基板洗浄方法。
【請求項５】
基板を回転させながら、前記基板の上側に設けられたノズルから、超音波が印加された洗浄液を前記基板に供給することにより、前記基板を洗浄する基板洗浄方法であって、
前記洗浄液を前記ノズルから前記基板に供給する際に、前記ノズルは前記基板の上側で往復運動し、
前記ノズルの直径をＤ（単位：ｍｍ）、前記ノズルの移動速度をＶ（単位：ｍｍ／秒）としたときに、洗浄中の前記基板を２６０×Ｖ／Ｄ（単位：ｒｐｍ）以上で且つ３５０×Ｖ／Ｄ（単位：ｒｐｍ）以下の回転数で回転させることを特徴とする基板洗浄方法。
【請求項６】
洗浄中の前記基板を２６０×Ｖ／Ｄ（単位：ｒｐｍ）以上で且つ３００×Ｖ／Ｄ（単位：ｒｐｍ）以下の回転数で回転させることを特徴とする請求項５に記載の基板洗浄方法。
【請求項７】
前記洗浄液を前記ノズルから前記基板に供給すると同時に、他の洗浄液を他の固定ノズルから前記基板の中央部に供給し、それにより洗浄中の前記基板の中央部が乾燥することを防止することを特徴とする請求項５に記載の基板洗浄方法。
【請求項８】
前記ノズルは、前記基板の上側において、前記基板の中心を通って、前記基板の端部から、前記基板における中心から所定の距離だけ離れた位置まで往復運動することを特徴とする請求項５に記載の基板洗浄方法。
【請求項９】
基板を回転させながら、前記基板の上側に設けられたノズルから、超音波が印加された洗浄液を前記基板に供給することにより、前記基板を洗浄する基板洗浄方法であって、
前記洗浄液を前記ノズルから前記基板に供給する際に、前記ノズルは、前記基板の上側において、前記基板の中心を通って、前記基板の端部から、前記基板における中心から所定の距離だけ離れた位置まで往復運動することを特徴とする基板洗浄方法。
【請求項１０】
前記所定の距離は１０ｍｍ以上で且つ２０ｍｍ以下であることを特徴とする請求項９に記載の基板洗浄方法。
【請求項１１】
前記所定の距離は、前記基板となるウェハの半径の１０％以上で且つ２０％以下であることを特徴とする請求項９に記載の基板洗浄方法。
【請求項１２】
基板を保持する保持部と、
前記保持部を回転させるモータと、
前記保持部に保持された前記基板に洗浄液を、該洗浄液に超音波を印加しながら供給すると共に前記基板の上側で往復運動するノズルとを備え、
前記ノズルの直径をＤ（単位：ｍｍ）、前記ノズルの移動速度をＶ（単位：ｍｍ／秒）としたときに、前記モータは、洗浄中の前記基板を２６０×Ｖ／Ｄ（単位：ｒｐｍ）以上で且つ３５０×Ｖ／Ｄ（単位：ｒｐｍ）以下の回転数で回転させることを特徴とする洗浄装置。
【請求項１３】
前記保持部に保持された前記基板の中央部に他の洗浄液を供給する他の固定ノズルをさらに備えていることを特徴とする請求項１２に記載の洗浄装置。
【請求項１４】
前記ノズルは、前記基板の上側において、前記基板の中心を通って、前記基板の端部から、前記基板における中心から所定の距離だけ離れた位置まで往復運動することを特徴とする請求項１２に記載の洗浄装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、超音波が加えられた洗浄液を基板表面に供給することにより、ブラシ等を基板表面に接触させることなく基板洗浄を行なう基板洗浄方法及び洗浄装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
基板の表面を洗浄するために、超音波振動が加えられた純水等の洗浄液を基板の表面に供給する物理的洗浄方法が用いられている。この洗浄方法は、キャビテーション現象を利用するものであって、ケミカル洗浄を実施できないような工程、例えば金属配線形成以降の洗浄工程に主として用いられている。
【０００３】
電子デバイスの微細化が進むにつれて、より微小な異物の除去又はデバイスに対するダメージのない洗浄を行なうために、数メガヘルツという高い周波数の超音波を洗浄液に印加して洗浄を行なう装置又は洗浄液に印加される超音波のパワー（以下、超音波出力と称する）を数十ワットから数百ワットまでの低パワー範囲で制御できる装置が開発されてきている。
【０００４】
図１４は、従来の超音波洗浄装置（超音波振動が加えられた洗浄液を供給することにより基板表面を洗浄する装置）の断面構成を模式的に示す図である。
【０００５】
図１４に示すように、基板１０１は真空チャック１０２によって吸引保持されている。真空チャック１０２はモータ１０３により回転駆動される。基板１０１、真空チャック１０２及びモータ１０３は、天井部が開口されているカップ１０４に収納されている。カップ１０４の外側にはノズルアーム１０５が設けられている。ノズルアーム１０５の先端部は、カップ１０４内の基板１０１の上側に位置している。また、ノズルアーム１０５の先端部には、供給される純水等の洗浄液を基板１０１に向けて吐出する超音波ノズル１０６が取り付けられている。超音波ノズル１０６は、高周波発信機１０７により振動を生じる高周波振動子１０８を内蔵する。これにより、超音波ノズル１０６は、純水等の洗浄液に超音波振動を加えて吐出することができる。
【０００６】
図１５は、図１４に示す従来の超音波洗浄装置における超音波ノズル１０６のスキャン範囲を模式的に示す平面図である。
【０００７】
図１５に示すように、超音波ノズル１０６のスキャン範囲１０９は、ウェハである基板１０１（真空チャック１０２によって吸引保持されている）における端部（外周上の一点）１１０と中心１１１とを結ぶ半径方向に設定されている。すなわち、超音波ノズル１０６は、基板１０１の上側における端部１１０と中心１１１との間で往復運動する。
【０００８】
図１６は、図１４に示す従来の超音波洗浄装置を用いた洗浄シーケンスを示す図である。
【０００９】
図１６に示すように、モータ１０３により基板１０１を１０００ｒｐｍの回転数で回転させながら、洗浄ノズル径４ｍｍの超音波ノズル１０６から超音波振動が加えられた純水を基板１０１の表面に供給することにより、超音波洗浄を行なう。このとき、ノズルアーム１０５を用いて、前述のスキャン範囲１０９において超音波ノズル１０６を、基板１０１の半径方向に４０ｍｍ／秒の速度で往復運動させる。このようにすると、洗浄螺旋ピッチ（ノズルが描く螺旋状の軌跡（回転する基板から見た軌跡）における、螺旋１回転分の始点と終点との間の距離）は洗浄ノズル径よりも十分に小さくなるので、基板１０１の表面全体が超音波振動状態の純水によって洗浄される。また、図１６に示すように、超音波洗浄の終了後には超音波ノズル１０６からの純水の供給を停止してモータ１０３により基板１０１を４０００ｒｐｍの回転数で回転させることにより、基板１０１を乾燥させる。このような洗浄方法は、例えば特許文献１に開示されている。
【００１０】
【特許文献１】
特開平０８−３１８２３５号公報
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
前述の従来の基板洗浄方法によると、基板回転数を例えば１０００ｒｐｍにすることによって、洗浄螺旋ピッチを洗浄ノズル径よりも小さくできるので、洗浄ムラを抑制することはできる。しかしながら、基板上の異物の除去能力には限界があり、十分な異物除去率を達成することができない。それに対して、異物除去率を上げるための方法として、基板上における洗浄ノズルのスキャン回数を多くする方法が提案されているが、この方法には、洗浄時間が長くなってデバイス生産能力が低下してしまうという弊害がある。また、超音波出力を高くすることによって異物除去率を高める方法も提案されているが、この方法にも、デバイスへのダメージが生じるという弊害がある。
【００１２】
前記に鑑み、本発明は、洗浄ムラのみに着目した従来の基板洗浄の欠点を克服することによって、生産能力の低下及びデバイスへのダメージを防止でき且つ高い異物除去率を達成できる基板洗浄を実現することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
前記の目的を達成するため、本発明に係る第１の基板洗浄方法は、基板を回転させながら、基板の上側に設けられたノズルから、超音波が印加された洗浄液を基板に供給することにより、基板を洗浄する基板洗浄方法を前提とし、洗浄中の基板を２６００ｒｐｍ以上で且つ３５００ｒｐｍ以下の回転数で回転させる。
【００１４】
第１の基板洗浄方法によると、超音波洗浄中の基板を２６００ｒｐｍ以上で且つ３５００ｒｐｍ以下の回転数で回転させる。具体的には、従来の数百ｒｐｍ程度の回転数と比べてはるかに大きい回転数で基板を回転させながら、超音波が印加された洗浄液をノズルから基板に供給して洗浄を行なう。このため、次のような効果が得られる。すなわち、ノズルからの洗浄液の供給により、基板主面に対して垂直に加えられた超音波振動を、強大な遠心力の効果によって、基板主面に沿って基板の外側方向に伝搬させることができる。このため、超音波出力を高くしたり又は洗浄ノズルのスキャン回数を多くしたりすることなく、基板上の異物を短時間で基板の外側に洗い流すことができるので、生産能力の低下及びデバイスへのダメージを防止しつつ、高い異物除去率を達成できる。また、従来の基板回転数を用いた場合と比べて、洗浄螺旋ピッチがさらに小さくなるので、洗浄ノズルのスキャン回数をより少なく抑制しながら、つまり洗浄時間をより短縮しながら高い異物除去率を達成できる。さらに、洗浄ノズル径に対する洗浄螺旋ピッチの比を最適化することにより、具体的には該比を３００分の１程度以下に小さくすることにより、洗浄ムラを最大限に抑制しながら、基板表面全体を超音波振動状態の洗浄液によって洗浄できるので、異物除去能力を最大化できる。
【００１５】
尚、本明細書で超音波とは、２０ｋＨｚ以上の周波数を持つ音波を意味する。また、本発明で洗浄液に印加する超音波の周波数は前述の範囲内で特に限定されるものではないが、例えば１３００ｋＨｚ以上で且つ１７００ｋＨｚ以下の周波数を持つ超音波を洗浄液に印加してもよい。
【００１６】
第１の基板洗浄方法において、洗浄中の基板を２６００ｒｐｍ以上で且つ３０００ｒｐｍ以下の回転数で回転させることが好ましい。
【００１７】
このようにすると、大きい基板回転数に起因して洗浄カップ等から異物がはねかえって基板に再付着する事態を防止できる。また、洗浄中の基板が乾燥することも抑制できる。
【００１８】
第１の基板洗浄方法において、洗浄液をノズルから基板に供給すると同時に、他の洗浄液を他の固定ノズルから基板の中央部に供給し、それにより洗浄中の基板の中央部が乾燥することを防止することが好ましい。
【００１９】
このようにすると、大きい基板回転数に起因して、洗浄中の基板の中央部が乾燥すること、つまり基板中央部の異物除去率が低下することを防止できる。言い換えると、固定ノズルから供給される洗浄液によって、基板全面が常に洗浄液によってリンスされた状態を保持できるため、基板の中央部に付着した異物も確実に除去されるので、基板中央部における異物除去率の低下を防止して、基板全面に亘ってムラのない洗浄効果を実現できる。
【００２０】
尚、超音波洗浄用のノズルから供給される洗浄液の種類と、固定ノズルから供給される洗浄液の種類とは、同じであってもよいし、異なっていてもよい。
【００２１】
第１の基板洗浄方法において、洗浄液をノズルから基板に供給する際に、ノズルは、基板の上側において、基板の中心を通って、基板の端部から、基板における中心から所定の距離だけ離れた位置まで往復運動することが好ましい。
【００２２】
このようにすると、基板における端部と中心との間で超音波洗浄用のノズルが往復運動する場合と比べて、洗浄中の基板中央部において、該ノズルによる１スキャンあたりの洗浄時間が長くなる。このため、基板周縁部と比べて回転速度（＝回転数×基板中心からの距離）が小さい基板中央部においても、異物の基板外側方向（横方向）への移動効率を高めることができる。すなわち、基板中央部における異物除去率の低下を防止して、基板全面に亘ってムラのない洗浄効果を実現できる。
【００２３】
また、この場合、前述の所定の距離（超音波洗浄用ノズルのスキャン範囲における基板中央部のオーバーラップ距離）を、１０ｍｍ以上で且つ２０ｍｍ以下（又は基板となるウェハの半径の１０％以上で且つ２０％以下）に設定することにより、次のような効果が得られる。すなわち、超音波洗浄用ノズルのスキャン回数を増やして異物除去率を向上させた場合と比べて、洗浄時間が増大すること、つまりデバイス生産能力の低下を抑制できる。
【００２４】
本発明に係る第２の基板洗浄方法は、基板を回転させながら、基板の上側に設けられたノズルから、超音波が印加された洗浄液を基板に供給することにより、基板を洗浄する基板洗浄方法を前提とし、洗浄液をノズルから基板に供給する際に、ノズルは基板の上側で往復運動し、ノズルの直径をＤ（単位：ｍｍ）、ノズルの移動速度をＶ（単位：ｍｍ／秒）としたときに、洗浄中の基板を２６０×Ｖ／Ｄ（単位：ｒｐｍ）以上で且つ３５０×Ｖ／Ｄ（単位：ｒｐｍ）以下の回転数で回転させる。
【００２５】
第２の基板洗浄方法によると、超音波洗浄中の基板を２６０×Ｖ／Ｄ（ｒｐｍ）以上で且つ３５０×Ｖ／Ｄ（ｒｐｍ）以下の回転数で回転させる。ここで、Ｄ（単位：ｍｍ）は超音波洗浄用ノズルの直径であり、Ｖ（単位：ｍｍ／秒）は超音波洗浄用ノズルの移動速度である。また、移動速度Ｖとは、例えば往復運動における平均速度、又は往復運動の折り返し点近傍を除く等速運動部分での速度（主要速度）を意味する。第２の基板洗浄方法における前述の基板回転数範囲は、例えばノズル径Ｄが４ｍｍ、ノズル移動速度Ｖが４０ｍｍ／秒の場合に、第１の基板洗浄方法における基板回転数範囲（２６００ｒｐｍ以上で且つ３５００ｒｐｍ以下）と一致するものである。このため、ノズルからの洗浄液の供給により、基板主面に対して垂直に加えられた超音波振動を、強大な遠心力の効果によって、基板主面に沿って基板の外側方向に伝搬させることができる。従って、超音波出力を高くしたり又は洗浄ノズルのスキャン回数を多くしたりすることなく、基板上の異物を短時間で基板の外側に洗い流すことができるので、生産能力の低下及びデバイスへのダメージを防止しつつ、高い異物除去率を達成できる。また、従来の基板回転数を用いた場合と比べて、洗浄螺旋ピッチがさらに小さくなるので、洗浄ノズルのスキャン回数をより少なく抑制しながら、つまり洗浄時間をより短縮しながら高い異物除去率を達成できる。さらに、洗浄ノズル径に対する洗浄螺旋ピッチ（＝ノズル移動速度Ｖ／基板回転数）の比が２６０分の１以下に小さくなるため、つまり、該比が最適化されるため、洗浄ムラを最大限に抑制しながら、基板表面全体を超音波振動状態の洗浄液によって洗浄できるので、異物除去能力を最大化できる。
【００２６】
第２の基板洗浄方法において、洗浄中の基板を２６０×Ｖ／Ｄ（単位：ｒｐｍ）以上で且つ３００×Ｖ／Ｄ（単位：ｒｐｍ）以下の回転数で回転させることが好ましい。
【００２７】
このようにすると、大きい基板回転数に起因して洗浄カップ等から異物がはねかえって基板に再付着する事態を防止できる。また、洗浄中の基板が乾燥することも抑制できる。
【００２８】
第２の基板洗浄方法において、洗浄液をノズルから基板に供給すると同時に、他の洗浄液を他の固定ノズルから基板の中央部に供給し、それにより洗浄中の基板の中央部が乾燥することを防止することが好ましい。
【００２９】
このようにすると、大きい基板回転数に起因して、洗浄中の基板の中央部が乾燥すること、つまり基板中央部の異物除去率が低下することを防止できる。言い換えると、固定ノズルから供給される洗浄液によって、基板全面が常に洗浄液によってリンスされた状態を保持できるため、基板の中央部に付着した異物も確実に除去されるので、基板中央部における異物除去率の低下を防止して、基板全面に亘ってムラのない洗浄効果を実現できる。
【００３０】
尚、超音波洗浄用のノズルから供給される洗浄液の種類と、固定ノズルから供給される洗浄液の種類とは、同じであってもよいし、異なっていてもよい。
【００３１】
第２の基板洗浄方法において、ノズルは、基板の上側において、基板の中心を通って、基板の端部から、基板における中心から所定の距離だけ離れた位置まで往復運動することが好ましい。
【００３２】
このようにすると、基板における端部と中心との間で超音波洗浄用のノズルが往復運動する場合と比べて、洗浄中の基板中央部において、該ノズルによる１スキャンあたりの洗浄時間が長くなる。このため、基板周縁部と比べて回転速度が小さい基板中央部においても、異物の横方向への移動効率を高めることができる。すなわち、基板中央部における異物除去率の低下を防止して、基板全面に亘ってムラのない洗浄効果を実現できる。
【００３３】
また、この場合、前述の所定の距離を１０ｍｍ以上で且つ２０ｍｍ以下（又は基板となるウェハの半径の１０％以上で且つ２０％以下）に設定することにより、次のような効果が得られる。すなわち、超音波洗浄用ノズルのスキャン回数を増やして異物除去率を向上させた場合と比べて、洗浄時間が増大すること、つまりデバイス生産能力の低下を抑制できる。
【００３４】
本発明に係る第３の基板洗浄方法は、基板を回転させながら、基板の上側に設けられたノズルから、超音波が印加された洗浄液を基板に供給することにより、基板を洗浄する基板洗浄方法を前提とし、洗浄液をノズルから基板に供給する際に、ノズルは、基板の上側において、基板の中心を通って、基板の端部から、基板における中心から所定の距離だけ離れた位置まで往復運動する。
【００３５】
第３の基板洗浄方法によると、基板における端部と中心との間で超音波洗浄用のノズルが往復運動する場合と比べて、洗浄中の基板中央部において、該ノズルによる１スキャンあたりの洗浄時間が長くなる。このため、基板周縁部と比べて回転速度が小さい基板中央部においても、異物の横方向への移動効率を高めることができる。すなわち、基板中央部における異物除去率の低下を防止して、基板全面に亘ってムラのない洗浄効果を実現できる。
【００３６】
第３の基板洗浄方法において、所定の距離は１０ｍｍ以上で且つ２０ｍｍ以下であることが好ましい。
【００３７】
このようにすると、超音波洗浄用ノズルのスキャン回数を増やして異物除去率を向上させた場合と比べて、洗浄時間が増大すること、つまりデバイス生産能力の低下を抑制できる。
【００３８】
第３の基板洗浄方法において、所定の距離は、基板となるウェハの半径の１０％以上で且つ２０％以下であることが好ましい。
【００３９】
このようにすると、超音波洗浄用ノズルのスキャン回数を増やして異物除去率を向上させた場合と比べて、洗浄時間が増大すること、つまりデバイス生産能力の低下を抑制できる。
【００４０】
本発明に係る洗浄装置は、基板を保持する保持部と、保持部を回転させるモータと、保持部に保持された基板に洗浄液を、該洗浄液に超音波を印加しながら供給すると共に基板の上側で往復運動するノズルとを備え、ノズルの直径をＤ（単位：ｍｍ）、ノズルの移動速度をＶ（単位：ｍｍ／秒）としたときに、モータは、洗浄中の基板を２６０×Ｖ／Ｄ（単位：ｒｐｍ）以上で且つ３５０×Ｖ／Ｄ（単位：ｒｐｍ）以下の回転数で回転させる。
【００４１】
すなわち、本発明の洗浄装置によると、第２の基板洗浄方法を実施できるので、該方法による効果が得られる。
【００４２】
本発明の洗浄装置において、保持部に保持された基板の中央部に他の洗浄液を供給する他の固定ノズルをさらに備えていることが好ましい。
【００４３】
このようにすると、大きい基板回転数に起因して、洗浄中の基板の中央部が乾燥すること、つまり基板中央部の異物除去率が低下することを防止できる。言い換えると、固定ノズルから供給される洗浄液によって、基板全面が常に洗浄液によってリンスされた状態を保持できるため、基板の中央部に付着した異物も確実に除去されるので、基板中央部における異物除去率の低下を防止して、基板全面に亘ってムラのない洗浄効果を実現できる。
【００４４】
尚、超音波洗浄用のノズルから供給される洗浄液の種類と、固定ノズルから供給される洗浄液の種類とは、同じであってもよいし、異なっていてもよい。
【００４５】
本発明の洗浄装置において、ノズルは、基板の上側において、基板の中心を通って、基板の端部から、基板における中心から所定の距離だけ離れた位置まで往復運動することが好ましい。
【００４６】
このようにすると、基板における端部と中心との間で超音波洗浄用のノズルが往復運動する場合と比べて、洗浄中の基板中央部において、該ノズルによる１スキャンあたりの洗浄時間が長くなる。このため、基板周縁部と比べて回転速度が小さい基板中央部においても、異物の横方向への移動効率を高めることができる。すなわち、基板中央部における異物除去率の低下を防止して、基板全面に亘ってムラのない洗浄効果を実現できる。
【００４７】
また、この場合、前述の所定の距離を１０ｍｍ以上で且つ２０ｍｍ以下（又は基板となるウェハの半径の１０％以上で且つ２０％以下）に設定することにより、次のような効果が得られる。すなわち、超音波洗浄用ノズルのスキャン回数を増やして異物除去率を向上させた場合と比べて、洗浄時間が増大すること、つまりデバイス生産能力の低下を抑制できる。
【００４８】
【発明の実施の形態】
（第１の実施形態）
以下、本発明の第１の実施形態に係る基板洗浄方法及び洗浄装置について図面を参照しながら説明する。
【００４９】
図１は、第１の実施形態に係る洗浄装置、具体的には、超音波振動が加えられた洗浄液を供給することにより基板表面を洗浄する超音波洗浄装置の断面構成を模式的に示す図である。
【００５０】
図１に示すように、基板１は保持部（具体的には真空チャック）２によって吸引保持されている。真空チャック２はモータ３により回転駆動される。基板１、真空チャック２及びモータ３は、天井部が開口されているカップ（カバー）４に収納されている。カップ４の外側にはノズルアーム５が設けられている。ノズルアーム５の先端部は、カップ４内の基板１の上側に位置している。また、ノズルアーム５の先端部には、供給される純水等の洗浄液を基板１に向けて吐出する超音波ノズル６が取り付けられている。超音波ノズル６には、高周波発信機７により振動を生じる高周波振動子８が取り付けられている。これにより、超音波ノズル６は、純水等の洗浄液に超音波振動を加えて吐出することができる。
【００５１】
図２は、図１に示す本実施形態の超音波洗浄装置における超音波ノズル６のスキャン範囲を模式的に示す平面図である。
【００５２】
図２に示すように、超音波ノズル６のスキャン範囲９は、ウェハである基板１（真空チャック２によって吸引保持されている）における端部（外周上の一点）１０と中心１１とを結ぶ半径方向に設定されている。すなわち、超音波ノズル６は、基板１の上側における端部１０と中心１１との間で往復運動する。
【００５３】
本実施形態の超音波洗浄装置の特徴は、モータ３が、洗浄中の基板１を２６００ｒｐｍ以上の回転数で回転させることである。
【００５４】
図３は、図１に示す本実施形態の超音波洗浄装置を用いた洗浄シーケンスの一例を示す図である。
【００５５】
図３に示すように、モータ３により基板１を例えば３０００ｒｐｍの回転数で回転させながら、例えば４ｍｍの洗浄ノズル径を持つ超音波ノズル６から超音波振動が加えられた洗浄液、例えば純水を基板１の表面に供給することにより、超音波洗浄を行なう。このとき、ノズルアーム５を用いて、前述のスキャン範囲９において超音波ノズル６を、基板１の半径方向に例えば４０ｍｍ／秒の速度で往復運動させる。このようにすると、洗浄螺旋ピッチ（＝ノズル移動速度／基板回転数）は洗浄ノズル径よりも十分に小さくなるので、具体的には、洗浄螺旋ピッチが洗浄ノズル径の３００分の１になるので、基板１の表面全体が超音波振動状態の純水によって確実に洗浄される。また、従来の基板回転数、例えば１０００ｒｐｍの回転数を用いた場合と比べて、洗浄螺旋ピッチが３分の１の大きさになるので、異物除去率を従来と同等以上に保ちつつ、超音波ノズル６のスキャン回数を少なくでき、それにより洗浄時間を短縮することができる。
【００５６】
また、図３に示すように、超音波洗浄の終了後には超音波ノズル６からの純水の供給を停止してモータ３により基板１を例えば４０００ｒｐｍの回転数で回転させることにより、基板１を乾燥させる。
【００５７】
尚、超音波ノズル６の移動速度とは、例えば超音波ノズル６の往復運動における平均速度、又は該往復運動の折り返し点近傍を除く等速運動部分での速度（主要速度）を意味する。また、超音波ノズル６は、基板１の上側における端部１０と中心１１との間で、例えば直線状の軌跡を描きながら往復運動してもよいし（図２参照）、又は円弧状の軌跡を描きながら往復運動してもよい。
【００５８】
以下、図１に示す洗浄装置を用いた本実施形態の基板洗浄の妥当性を確認するために、４つのパラメータ（洗浄液流量、ノズルと基板（ウェハ）との間の距離、高周波発信機の出力電流値、基板回転数）をそれぞれ変化させた場合における、異物除去効果（異物除去率）に生じる影響を評価した結果について説明する。尚、高周波発信機７の出力周波数及び出力電圧値はそれぞれ例えば１．５ＭＨｚ及び５０Ｖに固定されている一方、高周波発信機７の出力電流値は０．４〜１．０Ａの範囲で可変である。また、異物除去率の評価は、洗浄前の基板１上に例えば４０００〜５０００個程度のシリコン微粒子を付着させておき、洗浄後に基板１上に残存するシリコン微粒子の数を測定して該微粒子の除去率（単位：％）を算出することにより行なった。
【００５９】
図４は、洗浄液流量、つまり超音波ノズル６から基板１に供給される純水の流量を変化させた場合における異物除去率を示すグラフである。洗浄液流量以外の他のパラメータについては、高周波発信機７の出力電流値が０．８Ａに、超音波ノズル６と基板１との間の距離が１５ｍｍに、基板回転数が３０００ｒｐｍに固定されている。図４に示すように、超音波ノズル６からの純水流量が増大するに従って異物除去率が高くなり、０．７〜１．０Ｌ／ｍｉｎの純水流量で異物除去率がほぼピークに達する。
【００６０】
図５は、超音波ノズル６と基板１との間の距離を変化させた場合における異物除去率を示すグラフである。超音波ノズル６と基板１との間の距離以外の他のパラメータについては、高周波発信機７の出力電流値が０．８Ａに、超音波ノズル６からの純水流量が０．８Ｌ／ｍｉｎに、基板回転数が３０００ｒｐｍに固定されている。図５に示すように、超音波ノズル６と基板１との間の距離が離れるに従って異物除去率が若干減少する傾向があるものの、該距離に対する異物除去率の依存性はさほど大きくない。
【００６１】
図６は、高周波発信機７の出力電流値を変化させた場合における異物除去率を示すグラフである。ここで、高周波発信機７の出力電圧値が固定されているので、高周波発信機７の出力電流値が増大すると、高周波発信機７の出力パワーが増大する。また、高周波発信機７の出力電流値以外の他のパラメータについては、超音波ノズル６からの純水流量が０．８Ｌ／ｍｉｎに、超音波ノズル６と基板１との間の距離が１５ｍｍに、基板回転数が３０００ｒｐｍに固定されている。図６に示すように、高周波発信機７の出力電圧値が増大するに従って異物除去率が高くなり、該出力電圧値が０．８Ａに達したところで異物除去率がほぼピークに達する。
【００６２】
以上の図４〜図６に示す実験データによると、図１に示す本実施形態の洗浄装置においては、基板回転数以外のパラメータの条件として、超音波ノズル６からの純水流量を０．７〜１．０Ｌ／ｍｉｎ程度に、超音波ノズル６と基板１との間の距離を１０〜２０ｍｍ程度に、高周波発信機７の出力電流値を０．８Ａ程度に設定することが好ましい。
【００６３】
図７は、基板回転数、つまりモータ３による基板１の回転数を変化させた場合における異物除去率を示すグラフである。基板回転数以外の他のパラメータについては、超音波ノズル６からの純水流量が０．８Ｌ／ｍｉｎに、超音波ノズル６と基板１との間の距離が１５ｍｍに、高周波発信機７の出力電流値が０．８Ａに固定されている。図７に示すように、基板回転数が増大するに従って異物除去率が高くなり、基板回転数が２６００ｒｐｍ以上になると異物除去率がほぼ飽和する。すなわち、これが、本実施形態で２６００ｒｐｍ以上の基板回転数を用いる理由である。
【００６４】
また、図７に示すように、従来の洗浄方法で用いられる１０００ｒｐｍ程度の基板回転数では、異物除去率のデータのばらつきが大きく、洗浄ムラが生じていると推測される。すなわち、洗浄螺旋ピッチを洗浄ノズル径より小さくするだけでは洗浄ムラを十分には抑制できない。
【００６５】
一方、図７に示すように、本実施形態で用いられ２６００ｒｐｍ以上の基板回転数では、異物除去率のデータのばらつきが小さく、従来の洗浄方法と比べて洗浄ムラが抑制されている。すなわち、洗浄ノズル径に対する洗浄螺旋ピッチの比を３００分の１程度以下に設定することにより、異物除去能力を最大化できる。正確には、図１に示す本実施形態の洗浄装置の場合、洗浄ノズル径が４ｍｍであり、ノズル移動速度が４０ｍｍ／秒であるので、洗浄螺旋ピッチ＝ノズル移動速度／基板回転数の関係を考慮すると、洗浄ノズル径に対する洗浄螺旋ピッチの比を２６０分の１以下に設定することにより、異物除去能力を最大化できる。
【００６６】
以上に説明したように、第１の実施形態によると、超音波洗浄中の基板１を２６００ｒｐｍ以上の回転数で回転させる。具体的には、従来の数百ｒｐｍ程度の回転数と比べてはるかに大きい回転数で基板１を回転させながら、超音波が印加された洗浄液（具体的には純水）を超音波ノズル６から基板１に供給して洗浄を行なう。このため、次のような効果が得られる。すなわち、超音波ノズル６からの洗浄液の供給により、基板１の主面に対して垂直に加えられた超音波振動を、強大な遠心力の効果によって、基板１の主面に沿って基板１の外側方向に伝搬させることができる。このため、超音波出力を高くしたり又は超音波ノズル６のスキャン回数を多くしたりすることなく、基板１上の異物を短時間で基板１の外側に洗い流すことができるので、生産能力の低下及びデバイスへのダメージを防止しつつ、高い異物除去率を達成できる。また、従来の基板回転数を用いた場合と比べて、洗浄螺旋ピッチがさらに小さくなるので、超音波ノズル６のスキャン回数をより少なく抑制しながら、つまり洗浄時間をより短縮しながら高い異物除去率を達成できる。さらに、洗浄ノズル径に対する洗浄螺旋ピッチの比を最適化することにより、具体的には該比を２６０分の１以下に小さくすることにより、洗浄ムラを最大限に抑制しながら、基板１の表面全体を超音波振動状態の洗浄液によって洗浄できるので、異物除去能力を最大化できる。
【００６７】
尚、第１の実施形態において、基板回転数、つまりモータ３による基板１の回転数の上限は、基本的には洗浄装置の性能面から制約されるものであるが、大きい基板回転数に起因してカップ４等から異物がはねかえって基板１に再付着する事態を防止する観点からは、基板回転数は３５００ｒｐｍ以下、好ましくは３０００ｒｐｍ以下であることが好ましい。このように基板回転数に上限を設けることによって、洗浄中の基板１が乾燥することも抑制できる。
【００６８】
また、第１の実施形態において、２６００ｒｐｍ以上の基板回転数を用いたが、この大きな基板回転数による効果は、ノズル径及びノズル移動速度等の他の洗浄装置パラメータによって変化するものである。すなわち、該パラメータを考慮した場合、例えば２６０×Ｖ／Ｄ（単位：ｒｐｍ）以上の基板回転数を用いることによって、本実施形態と同様の効果が得られる。以下、その理由について説明する。尚、前式において、Ｄ（単位：ｍｍ）は超音波ノズルの直径であり、Ｖ（単位：ｍｍ／秒）は超音波ノズルの移動速度である。
【００６９】
図８は、本実施形態の超音波洗浄装置を用いて基板１を洗浄している際に超音波ノズル６が描く螺旋状の軌跡（回転する基板１から見た軌跡）を模式的に示す図である。超音波ノズル６が、基板１の上側における端部１０と中心１１との間で往復運動する場合（図２参照）、図８に示すように、超音波ノズル６（正確には基板１上における超音波ノズル６の中心の正射影点）は、中心１１を始点（又は終点）とする螺旋状の軌跡１２を描く。ここで、洗浄螺旋ピッチＰは、螺旋１回転分の始点（又は終点）１３と終点（又は始点）１４との間の距離である。前述のように、基板回転数を増大させることによって洗浄螺旋ピッチＰを小さくし、それによって洗浄ノズル径Ｄに対する洗浄螺旋ピッチＰの比を２６０分の１以下に設定した場合に異物除去能力の最大化効果が得られる。すなわち、洗浄螺旋ピッチＰ＝ノズル移動速度Ｖ／基板回転数であるので、基板回転数を２６０×Ｖ／Ｄ以上に設定することにより、洗浄ノズル径Ｄに対する洗浄螺旋ピッチＰの比を２６０分の１以下に設定でき、それにより異物除去能力の最大化効果が得られる。尚、基板１の洗浄中における、カップ４等からの異物のはねかえり及び基板１の乾燥等を防止する観点からは、基板回転数は３５０×Ｖ／Ｄ以下、好ましくは３００×Ｖ／Ｄ以下であることが好ましい。
【００７０】
また、第１の実施形態において、超音波ノズル６から基板１に供給する洗浄液として純水を用いたが、これに代えて、例えば水素水又はオゾン水等を用いた場合にも、同様の効果が得られる。また、超音波ノズル６により洗浄液に印加する超音波の周波数は、特に限定されるものではないが、例えば１３００ｋＨｚ以上で且つ１７００ｋＨｚ以下の周波数を持つ超音波を洗浄液に印加してもよい。
【００７１】
また、第１の実施形態において、超音波洗浄後の基板１を乾燥させるために４０００ｒｐｍの基板回転数を用いたが、該基板回転数は乾燥効果が得られる範囲であれば特に限定されるものではない。例えば、本実施形態の超音波洗浄時に用いた２６００ｒｐｍの基板回転数であっても十分な乾燥効果が得られる。また、生産能力及び洗浄装置の設計強度の両方を満足できる基板回転数として、例えば３０００ｒｐｍ以上で且つ５０００ｒｐｍ以下の回転数を用いて基板１を乾燥させてもよい。
【００７２】
（第２の実施形態）
以下、本発明の第２の実施形態に係る基板洗浄方法及び洗浄装置について図面を参照しながら説明する。
【００７３】
図９は、第２の実施形態に係る洗浄装置、具体的には、超音波振動が加えられた洗浄液を供給することにより基板表面を洗浄する超音波洗浄装置の断面構成を模式的に示す図である。尚、図９において、図１に示す第１の実施形態に係る洗浄装置と同一の構成要素には同一の符号を付すことにより、説明を省略する。
【００７４】
図９に示すように、本実施形態の洗浄装置が、図１に示す第１の実施形態に係る洗浄装置と異なっている点は、カップ４の外側に、超音波ノズル６とは別に、基板１の中央部に洗浄液を供給するための固定ノズル２０を備えていることである。すなわち、固定ノズル２０の方向は、基板１の中心に洗浄液を吐出できるように定められている。
【００７５】
尚、本実施形態の洗浄装置における超音波ノズル６のスキャン範囲は、図２に示す第１の実施形態における超音波ノズル６のスキャン範囲と同様である。
【００７６】
図１０は、図９に示す本実施形態の超音波洗浄装置を用いた洗浄シーケンスの一例を示す図である。
【００７７】
図１０に示すように、本実施形態の洗浄シーケンスが、図３に示す第１の実施形態における洗浄シーケンスと異なっている点は、超音波ノズル６を用いて超音波洗浄を行なうと同時に、固定ノズル２０から例えば純水等の洗浄液を例えば流量０．８Ｌ／ｍｉｎで基板１の中央部に供給することである。すなわち、本実施形態の洗浄シーケンスにおいては、モータ３により基板１を例えば３０００ｒｐｍの回転数で回転させながら、第１の実施形態の超音波洗浄に加えて、固定ノズル２０を用いたリンス処理を行なう。
【００７８】
ところで、第１の実施形態の基板洗浄によると、異物除去率は最大で９０％程度である（図４〜図７参照）。このとき、除去されずに基板上に残った異物は、基板中央部に集中している。
【００７９】
それに対して、本実施形態では、超音波ノズル６を用いて超音波洗浄を行なうと同時に、固定ノズル２０から洗浄液を基板１の中央部に供給するため、第１の実施形態の効果に加えて、次のような効果が得られる。すなわち、２６００ｒｐｍ以上の大きい基板回転数に起因して、洗浄中の基板１の中央部が乾燥すること、つまり基板１の中央部における異物除去率が低下することを防止できる。言い換えると、固定ノズル２０から供給される洗浄液によって基板１の全面が常に洗浄液によってリンスされた状態を保持できるため、基板１の中央部に付着した異物も確実に除去される。従って、基板１の中央部における異物除去率の低下を防止して、基板１の全面に亘ってムラのない洗浄効果を実現できる。
【００８０】
以下、図９に示す洗浄装置を用いた本実施形態の基板洗浄の妥当性を確認するために、固定ノズル２０のない第１の実施形態の洗浄装置（図１参照）を用いた場合との間で異物除去率を比較した結果について、図１１を参照しながら説明する。尚、異物除去率の評価は、洗浄前の基板１上に例えば４０００〜５０００個程度のシリコン微粒子を付着させておき、洗浄後に基板１上に残存するシリコン微粒子の数を測定して該微粒子の除去率（単位：％）を算出することにより行なった。また、いずれの結果も以下のような条件下で得られたものである。すなわち、高周波発信機７の出力周波数、出力電圧値及び出力電流値はそれぞれ１．５ＭＨｚ、５０Ｖ及び０．８Ａであり、超音波ノズル６からの純水流量は０．８Ｌ／ｍｉｎであり、超音波ノズル６と基板１との間の距離は１５ｍｍであり、基板回転数は３０００ｒｐｍである。図１１に示すように、固定ノズル２０を用いた本実施形態の基板洗浄によると、固定ノズル２０を用いない場合と比べて、異物除去率が５％程度向上する。
【００８１】
尚、第２の実施形態において、固定ノズル２０から基板１の中央部に供給する洗浄液として純水を用いたが、これに代えて、例えば水素水又はオゾン水等を用いた場合にも、同様の効果が得られる。また、超音波ノズル６から供給される洗浄液の種類と、固定ノズル２０から供給される洗浄液の種類とは、同じであってもよいし、異なっていてもよい。
【００８２】
（第３の実施形態）
以下、本発明の第３の実施形態に係る基板洗浄方法及び洗浄装置について図面を参照しながら説明する。
【００８３】
尚、本実施形態の洗浄装置の基本構成及び洗浄シーケンスは、第１の実施形態に係る洗浄装置の基本構成（図１参照）及び洗浄シーケンス（図３参照）と同様であるので、説明を省略する。
【００８４】
図１２は、本実施形態の超音波洗浄装置における超音波ノズル６のスキャン範囲（以下、ノズルスキャン範囲と称する）を模式的に示す平面図である。
【００８５】
図１２に示すように、本実施形態のノズルスキャン範囲が、図２に示す第１の実施形態のノズルスキャン範囲と異なっている点は、次の通りである。すなわち、図２に示すように、第１の実施形態のノズルスキャン範囲９は、ウェハである基板１における端部１０と中心１１とを結ぶ半径方向に設定されている。すなわち、超音波ノズル６は、基板１の上側における端部１０と中心１１との間で往復運動する。それに対して、図１２に示すように、第３の実施形態のノズルスキャン範囲（超音波ノズル６の可動範囲）３０は、基板１の上側において、端部１０と、中心１１を所定の距離（例えば１０〜２０ｍｍ程度）だけ通り過ぎた位置３１とを結ぶ半径方向に設定されている。言い換えると、第３の実施形態において、超音波ノズル６は、基板１の上側において、基板１の中心１１を通って、基板の端部１０から、基板における中心１１から所定の距離（以下、オーバーラップ距離と称する）だけ離れた位置３１まで往復運動する。
【００８６】
尚、超音波ノズル６は、基板１の上側における端部１０と位置３１との間で、例えば直線状の軌跡を描きながら往復運動してもよいし（図１２参照）、又は円弧状の軌跡を描きながら往復運動してもよい。
【００８７】
ところで、第１の実施形態の基板洗浄によると、異物除去率は最大で９０％程度である（図４〜図７参照）。このとき、除去されずに基板上に残った異物は、基板中央部に集中している。
【００８８】
それに対して、本実施形態では、超音波ノズル６のスキャン範囲３０を、基板１の中央部で１０〜２０ｍｍ程度オーバーラップさせているため、第１の実施形態の効果に加えて、次のような効果が得られる。すなわち、洗浄中の基板１の中央部（基板１の中心から１０〜２０ｍｍ程度の領域）において、超音波ノズル６による１スキャンあたりの洗浄時間が長くなる。このため、基板１の周縁部と比べて回転速度（＝回転数×基板中心からの距離）が小さい基板１の中央部においても、異物の基板外側方向（横方向）への移動効率を高めることができる。すなわち、基板１の中央部における異物除去率の低下を防止して、基板１の全面に亘ってムラのない洗浄効果を実現できる。
【００８９】
以下、図１２に示すノズルスキャン範囲（具体的には基板の端から中心を２０ｍｍ通過した位置まで）３０を用いた本実施形態の基板洗浄の妥当性を確認するために、図２に示すノズルスキャン範囲（具体的には基板の端から中心まで）９を用いた第１の実施形態の基板洗浄との間で異物除去率を比較した結果について、図１３を参照しながら説明する。尚、異物除去率の評価は、洗浄前の基板１上に例えば４０００〜５０００個程度のシリコン微粒子を付着させておき、洗浄後に基板１上に残存するシリコン微粒子の数を測定して該微粒子の除去率（単位：％）を算出することにより行なった。また、いずれの結果も以下のような条件下で得られたものである。すなわち、高周波発信機７の出力周波数、出力電圧値及び出力電流値はそれぞれ１．５ＭＨｚ、５０Ｖ及び０．８Ａであり、超音波ノズル６からの純水流量は０．８Ｌ／ｍｉｎであり、超音波ノズル６と基板１との間の距離は１５ｍｍであり、基板回転数は３０００ｒｐｍである。図１３に示すように、超音波ノズル６のスキャン範囲３０を、基板１の端部１０から中心１１を２０ｍｍ通過した位置３１までの範囲とすることにより、基板１の中央部でノズルスキャン範囲をオーバーラップさせない場合と比べて、異物除去率が５％程度向上する。
【００９０】
尚、第３の実施形態において、基板１の中央部における超音波ノズル６のオーバーラップ距離は、特に限定されるものでないが、該オーバーラップ距離を、１０ｍｍ以上で且つ２０ｍｍ以下（又は基板１となるウェハの半径の１０％以上で且つ２０％以下）に設定することにより、次のような効果が得られる。すなわち、超音波ノズル６のスキャン回数を増やして異物除去率を向上させた場合と比べて、洗浄時間が増大すること、つまりデバイス生産能力の低下を抑制できる。
【００９１】
また、第３の実施形態において、第１の実施形態と同様の洗浄装置及び洗浄シーケンスを用いた。言い換えると、超音波洗浄中の基板１を２６００ｒｐｍ以上の回転数で回転させた。しかし、超音波洗浄中の基板１を２６００ｒｐｍを下回る回転数で回転させた場合にも、本実施形態の前述の効果（基板中央部の異物除去率の低下防止及びデバイス生産能力の低下抑制）は、基板１の中央部でノズルスキャン範囲をオーバーラップさせない場合と比べて生じるものである。
【００９２】
また、第３の実施形態において、第１の実施形態と同様の洗浄装置に代えて、第２の実施形態と同様の洗浄装置（図９参照）を用いてもよい。言い換えると、超音波ノズル６とは別に、基板１の中央部に洗浄液を供給するための固定ノズル２０を設けて、超音波ノズル６を用いて超音波洗浄を行なうと同時に固定ノズル２０から洗浄液を基板１の中央部に供給してもよい。このようにすると、２６００ｒｐｍ以上の大きい基板回転数を用いた場合にも、洗浄中の基板１の中央部が乾燥すること、つまり基板１の中央部における異物除去率が低下することをより確実に防止できる。
【００９３】
【発明の効果】
本発明によると、従来の数百ｒｐｍ程度の回転数と比べてはるかに大きい回転数で基板を回転させながら超音波洗浄を行なうため、基板主面に対して垂直に加えられた超音波振動を、強大な遠心力の効果によって、基板主面に沿って基板の外側方向に伝搬させることができる。このため、超音波出力を高くしたり又は洗浄ノズルのスキャン回数を多くしたりすることなく、基板上の異物を短時間で基板の外側に洗い流すことができるので、生産能力の低下及びデバイスへのダメージを防止しつつ、高い異物除去率を達成できる。また、従来の基板回転数を用いた場合と比べて、洗浄螺旋ピッチがさらに小さくなるので、洗浄ノズルのスキャン回数をより少なく抑制しながら、つまり洗浄時間をより短縮しながら高い異物除去率を達成できる。さらに、洗浄ノズル径に対する洗浄螺旋ピッチの比を最適化することにより、洗浄ムラを最大限に抑制しながら、基板表面全体を超音波振動状態の洗浄液によって洗浄できるので、異物除去能力を最大化できる。
【００９４】
また、本発明によると、超音波洗浄を行なう際にノズルスキャン範囲を基板中央部でオーバーラップさせているため、ノズルスキャン範囲を基板中央部でオーバーラップさせない場合と比べて、ノズルによる１スキャンあたりの洗浄時間が長くなる。このため、基板周縁部と比べて回転速度が小さい基板中央部においても、異物の横方向への移動効率を高めることができるので、基板中央部における異物除去率の低下を防止して、基板全面に亘ってムラのない洗浄効果を実現できる。また、洗浄ノズルのスキャン回数を増やして異物除去率を向上させた場合と比べて、洗浄時間が増大することつまりデバイス生産能力の低下を抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る洗浄装置の構成を模式的に示す図である。
【図２】本発明の第１の実施形態に係る洗浄装置における超音波ノズルのスキャン範囲を模式的に示す平面図である。
【図３】本発明の第１の実施形態に係る洗浄装置を用いた洗浄シーケンスの一例を示す図である。
【図４】本発明の第１の実施形態に係る洗浄装置を用いた基板洗浄において超音波ノズルから供給される純水の流量を変化させた場合における異物除去率を示すグラフである。
【図５】本発明の第１の実施形態に係る洗浄装置を用いた基板洗浄において超音波ノズルと基板との間の距離を変化させた場合における異物除去率を示すグラフである。
【図６】本発明の第１の実施形態に係る洗浄装置を用いた基板洗浄において高周波発信機の出力電流値を変化させた場合における異物除去率を示すグラフである。
【図７】本発明の第１の実施形態に係る洗浄装置を用いた基板洗浄において基板回転数を変化させた場合における異物除去率を示すグラフである。
【図８】本発明の第１の実施形態に係る洗浄装置を用いて基板を洗浄している際に超音波ノズルが描く螺旋状の軌跡（回転する基板から見た軌跡）を模式的に示す図である。
【図９】本発明の第２の実施形態に係る洗浄装置の構成を模式的に示す図である。
【図１０】本発明の第２の実施形態に係る洗浄装置を用いた洗浄シーケンスの一例を示す図である。
【図１１】本発明の第２の実施形態に係る洗浄装置を用いた基板洗浄の妥当性を確認するために、固定ノズルのない洗浄装置を用いた場合との間で異物除去率を比較した結果を示す図である。
【図１２】本発明の第３の実施形態に係る洗浄装置における超音波ノズルのスキャン範囲を模式的に示す平面図である。
【図１３】本発明の第３の実施形態に係る洗浄装置における超音波ノズルのスキャン範囲を用いた基板洗浄の妥当性を確認するために、基板中央部でノズルスキャン範囲をオーバーラップさせない場合との間で異物除去率を比較した結果を示す図である。
【図１４】従来の超音波洗浄装置の構成を模式的に示す図である。
【図１５】従来の超音波洗浄装置における超音波ノズルのスキャン範囲を模式的に示す平面図である。
【図１６】従来の超音波洗浄装置を用いた洗浄シーケンスを示す図である。
【符号の説明】
１　　基板
２　　真空チャック
３　　モータ
４　　カップ
５　　ノズルアーム
６　　超音波ノズル
７　　高周波発信機
８　　高周波振動子
９　　超音波ノズルのスキャン範囲
１０　　基板の端部
１１　　基板の中心
１２　　超音波ノズルの螺旋状軌跡
１３　　超音波ノズルの螺旋状軌跡における螺旋１回転分の始点
１４　　超音波ノズルの螺旋状軌跡における螺旋１回転分の終点
２０　　固定ノズル
３０　　超音波ノズルのスキャン範囲
３１　　基板における中心から所定の距離だけ離れた位置
Ｐ　　洗浄螺旋ピッチ
【図１】
2004031907.tif 000003
【図２】
2004031907.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
2004031907.tif 000016
【図１５】
2004031907.tif 000017
【図１６】
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