(57)【要約】　　　（修正有）【課題】熱発生体からの放熱と吸熱とが高効率に行われるため熱発生体に当接して配置されて熱の放出入を行う製品を高伝導性のものにする製造方法とその製品を提供する。【解決手段】本発明の物体はヒートシンクの如きものからなり、そのヒートシンク１ｂの構造はアルミニウム材でフィン５ｂを有する基台４ｂと、この表面の銅体３の表面に形成される超微粒子層２とからなる。この超微粒子層２はヒートシンク１ｂの銅体３の表面にレーザ加工等により形成した多数の凹穴や凹溝内に超微粒子、例えば、ダイヤモンド等の超微粒子を摺圧，押圧して固着せしめたものからなる。ダイヤモンドは銅の数倍の熱伝導率を有するものであり、極めて高伝導性の高い物体を製造することができる。【選択図】　　　図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
物体の表面の全面又は局部にバインダを用いることなく超微粒子を固着させる方法であって、該方法は、物体の表面側に多数の連続又は不連続の凹穴又は凹溝を形成する第１の手順と、前記凹穴や凹溝の寸法よりも小寸の前記超微粒子を直接前記物体の表面に摺圧又は押圧する第２の手順とからなることを特徴とする物体の表面に超微粒子を固着させる方法。
【請求項２】
前記超微粒子が、熱伝導性材質のものからなることを特徴とする請求項１に記載の物体の表面に超微粒子を固着させる方法。
【請求項３】
前記物体が熱伝導性材質のものからなり、前記超微粒子が前記物体よりも熱伝導率の高い熱伝導性材質からなることを特徴とする請求項２に記載の物体の表面に超微粒子を固着させる方法。
【請求項４】
前記物体が、金属，無機物質，有機物質のいずれかのものからなることを特徴とする請求項１に記載の物体の表面に超微粒子を固着させる方法。
【請求項５】
前記物体が、薄膜シート若しくは薄膜リボンであり、その両面又は片面に前記超微粒子を固着することを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の物体の表面に超微粒子を固着させる方法。
【請求項６】
前記超微粒子が、数百ナノメータ以下の寸法のダイヤモンドの粉末，グラファイトダイヤモンド，ダイヤモンドライクカーボンからなることを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の物体の表面に超微粒子を固着させる方法。
【請求項７】
前記物体の表面側に形成される凹穴や凹溝が、レーザ加工によって形成されることを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の物体の表面に超微粒子を固着させる方法。
【請求項８】
前記凹穴，凹溝が、物体の表面に縦横，斜め，弧状に、渦巻状に、さらに方向性を有する形状のものから形成されることを特徴とする請求項１乃至５及び７のいずれかに記載の物体の表面に超微粒子を固着させる方法。
【請求項９】
物体の表面の全面又は局部にバインダを用いることなく直接超微粒子を固着してなる製品。
【請求項１０】
前記超微粒子が、熱伝導性材質のものからなることを特徴とする請求項９の製品。
【請求項１１】
前記物体が、熱伝導性材質のものからなり、前記超微粒子が前記物体よりも熱伝導率の高い熱伝導性物質のものからなることを特徴とする製品。
【請求項１２】
前記物体が、金属，無機物質，有機物質のいずれかのものからなる特徴とする請求項９に記載の製品。
【請求項１３】
前記物体が、薄膜シート状又は薄膜リボン状のものからなり、その両面又は片面に前記超微粒子を固着することを特徴とする請求項９乃至１２のいずれかに記載の製品。
【請求項１４】
前記超微粒子が数百ナノメータ以下のダイヤモンドの粉末，グラファイトダイヤモンド，ダイヤモンドライクカーボンからなることを特徴とする請求項９乃至１３のいずれかに記載の製品。
【請求項１５】
前記物体の表面の全面又は局部に超微粒子を固着するために前記物体に形成される凹穴や凹溝がレーザ加工により形成され、前記超微粒子がこの凹穴や凹溝に摺圧又は押圧されて固着することを特徴とする請求項９乃至１４のいずれかに記載の製品。
【請求項１６】
前記凹穴，凹溝が、物体の表面に縦横，斜め，弧状に，渦巻状に，さらに方向性を有する形状のものから形成されることを特徴とする請求項１５に記載の製品。
【請求項１７】
前記物体がヒートシンクであることを特徴とする請求項９乃至１６のいずれかに記載の製品。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、熱発生体に当接して熱の出入を行うために介在される製品及びその製品の製造方法に係り、例えば、熱伝導性の物体の表面にそれよりも熱伝導率の高い超微粒子を固着させる方法及び製品に関する。
【０００２】
【従来の技術】
熱発生体は発生した熱を効率的に放熱したり、又は逆に外部より熱供給を効率的に受けることが必要になる。そのため、熱発生体には熱出入用の製品が付設され、熱の出入を効率的に行うように構成されている。例えば、コンピュータ等に使用される半導体製品（ＣＰＵ）は連続使用により発熱し、その機能を正常に保持するために外部に熱を放散するためのヒートシンクが付設されている。図１４乃至図１６はその一例を示すものである。
【０００３】
図１７（ａ），（ｂ）に従来一般に使用されているヒートシンク１ａ，１ｂを示す。ヒートシンク１ａはアルミニウム材からなる基台４からなる。基盤１２を有する半導体製品６は基台４の表面に搭載され半導体製品６の熱放散を行うように形成されている。一方、ヒートシンク１ｂは多数のフィン５ｂ有する基台４ｂからなるが、基台４ｂの表面に銅体３を形成するものからなる。半導体製品６はこの銅体３上に搭載され熱放散される。
【０００４】
半導体製品６は以上の構造のヒートシンク１ａ，１ｂの表面に直接搭載されることが望ましいが、この接触面をミクロ的に観察するとかなり凹凸があり、半導体製品６はヒートシンク１ａ，１ｂ側に密着されず接触面積が小さくなり、熱伝導率が悪くなる不具合がある。このため、従来技術では図１８（ａ），（ｂ）に示すようにこのヒートシンク１ａ，１ｂの表面側と半導体製品６の基盤１２の下面側の熱放出面１０との間に介在物１１を介入する手段が採用されている。なお、図１８の（ａ），（ｂ）には半導体製品６の熱放出面１０に介在物１１が全面的に接触する場合が図示されているが、熱放出面１０が部分的に形成されている半導体製品（図示されていない）の場合は局部的に介在物１１が介設される。なお、図１８に（ａ），（ｂ）に示すように、ヒートシンク１ａや１ｂと半導体製品６とは締め付け具１３により固定される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
介在物１１としては各種のものがあるが、従来技術では図１８（ａ），（ｂ）に示すようにポリエステルフィルムパッキン１７の両面に放熱用シリコーンコンパウンド１８，１８を貼着し、この放熱用シリコーンコンパウンド１８，１８を半導体製品６の熱放出面１０及びヒートシンク１ａ又は１ｂの基台４の表面又は銅体３の表面に当接せしめるものが一般に採用されている。なお、ポリエステルフィルムパッキン１７の替わりにグラファイトシートを用いるものもある。以上の介在物１１は一応は熱伝導性シートとして評価されているものであるが、あくまでも樹脂シートや樹脂油であり、熱伝導性は低い。よって、半導体製品６の熱伝導性が悪く、これを補完するために大型のヒートシンクを用いたり、放熱用のファン１９の容量をアップさせざるを得ずコスト高となる。一方、半導体製品を用いたＣＰＵの発熱の益々の増大に追従できず、ＣＰＵの機能劣化の原因の一つとなる問題点がある。
【０００６】
一方、ダイヤモンドはその自体として熱伝導率の極めて高いものであり、銅の熱伝導率を３．９ｗ／ｃｍＫとするとダイヤモンドは９〜２０ｗ／ｃｍＫと極めて高い。よって、この熱伝導率の高いダイヤモンドの粒子をヒートシンクの表面に固着させることができ、かつその表面に半導体製品６をそのまま搭載できれば熱伝導性を極めて向上させることが可能になる。一方、ダイヤモンドは１００Å位以下の微粒子になると潤滑性を有することが知られているため、従来でもこの位のサイズのダイヤモンド微粒子をヒートシンク等に付着することが色々研究されていた。その一例として微粒子のダイヤモンドをニッケルにまぜてニッケル無電解メッキの手段を用いて工具刃物等に付着させいるが、ヒートシンクの銅，アルミニウム材に較べてニッケルの熱伝導率は低く、かつコスト高となり実用化は困難である。特に、この場合１００Å以上の微粒子でないと付着しない結果となり、表面粗さの点から採用できないものであった。更に、元々ニッケルは熱伝導性が悪く、前記の熱伝導性の向上のための手段としては不十分のものである。
【０００７】
本発明は、以上の事情に鑑みて、創案されたものであり、ヒートシンクのような物体の表面側に微細な凹穴や凹溝を形成し、この上にダイヤモンドの熱微粒子を乗せてこれを摺圧又は押圧するとイオン結合等によりダイヤモンド粒子が物体側に固着するとの実証に基づいて発明された物体の表面に超微粒子を固着させる方法及び製品を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明は、以上の目的を達成するために、請求項１の物体の表面に超微粒子を固着させる方法は、物体の表面の全面又は局部にバインダを用いることなく超微粒子を固着させる方法であって、該方法は、物体の表面側に多数の連続又は不連続の凹穴又は凹溝を形成する第１の手順と、前記凹穴や凹溝の寸法よりも小寸の前記超微粒子を直接前記物体の表面に摺圧又は押圧する第２の手順とからなることを特徴とする。バインダを用いないため、物体の表面に超微粒子のみが形成され、超微粒子の特性をそのまま発揮させることができる。
【０００９】
また、請求項２の物体の表面に超微粒子を固着させる方法は、前記超微粒子が、熱伝導性材質のものからなることを特徴とする。超微粒子が熱伝導性材質のため、物体表面を熱伝導性のあるものにすることができる。
【００１０】
また、請求項３の物体の表面に超微粒子を固着させる方法は、前記物体が熱伝導性材質のものからなり、前記超微粒子が前記物体よりも熱伝導率の高い熱伝導性材質からなることを特徴とする。物体を熱伝導性材質のものにし、その表面に固着される超微粒子をそれよりも高い熱伝導性を有するものにすることにより、物体の表面を高度の熱伝導性を有する形態にすることができる。
【００１１】
また、請求項４の物体の表面に超微粒子を固着させる方法は、前記物体が、金属，無機物質，有機物質のいずれかのものからなることを特徴とする。これにより、広範囲の物体に適用される。即ち、セラミックスにも適用可能となる。
【００１２】
また、請求項５の物体の表面に超微粒子を固着させる方法は、前記物体が、薄膜シート若しくは薄膜リボンであり、その両面又は片面に前記超微粒子を固着することを特徴とする。物体を薄膜の別体のものにすることにより熱発生体の任意の場所に手軽に適用され、使用範囲の拡大、取扱性の向上等が図れる。
【００１３】
また、請求項６の物体の表面に超微粒子を固着させる方法は、前記超微粒子が、数百ナノメータ以下の寸法のダイヤモンドの粉末，グラファイトダイヤモンド，ダイヤモンドライクカーボンからなることを特徴とする。このサイズの超微粒子を用いると超微粒子のために空隙がなく、互いに粒子関係結合が生じ固化され、バインダを用いないで確実な固着が行われ、かつイオン結合的作用による固着性の向上効果を上げることができる。
【００１４】
また、請求項７の物体の表面に超微粒子を固着させる方法は、前記物体の表面側に形成される凹穴や凹溝が、レーザ加工によって形成されることを特徴とする。凹穴や凹溝の加工は各種手段が考えられるが、高精密な微細凹部の形成にはレーザ加工による高精度加工が最良である。
【００１５】
また、請求項８の物体の表面に超微粒子を固着させる方法は、前記凹穴，凹溝が、物体の表面に縦横，斜め，弧状に、渦巻状に、さらに方向性を有する形状のものから形成されることを特徴とする。凹溝形状を前記のように色々と変えることにより局部に形成でき、又は正確な超微粒子の固着が行われる。
【００１６】
また、請求項９の製品は、物体の表面の全面又は局部にバインダを用いることなく直接超微粒子を固着することを特徴とする。この製品は超微粒子の有する特性を有し、例えば、高効率熱出入体として使用可能となる。
【００１７】
また、請求項１０の製品は、前記超微粒子が、熱伝導性材質のものからなることを特徴とする。熱伝導性のある物体として本製品を使用することができる。
【００１８】
また、請求項１１の製品は、前記物体が、熱伝導性材質のものからなり、前記超微粒子が前記物体よりも熱伝導率の高い熱伝導性材質のものからなることを特徴とする。これにより、熱伝導性のある物体の表面をより高い熱伝導性のあるものにすることができる。
【００１９】
また、請求項１２の製品は、前記物体が、金属，無機物質，有機物質のいずれかのものからなる特徴とする。これにより、広範囲の物体、例えば、セラミックスにも適用される。
【００２０】
また、請求項１３の製品は、前記物体が、薄膜シート状又は薄膜リボン状のものからなり、その両面又は片面に前記超微粒子を固着することを特徴とする。介在物として使用されるため取扱性がよく、広範囲の場所に適用される。
【００２１】
また、請求項１４の製品は、前記超微粒子が数百ナノメータ以下のダイヤモンドの粉末，グラファイトダイヤモンド，グラファイトライクカーボンからなることを特徴とする。これにより、熱伝導性がよく、かつダイヤモンドの固着性のよい製品を提供できる。
【００２２】
また、請求項１５の製品は、前記物体の表面の全面又は局部に超微粒子を固着するために前記物体に形成される凹穴や凹溝がレーザ加工により形成され、前記超微粒子がこの凹穴や凹溝に摺圧又は押圧されて固着することを特徴とする。これにより、固着度の向上が図れる。
【００２３】
また、請求項１６の製品は、前記凹穴，凹溝が、物体の表面に縦横，斜め，弧状に，渦巻状に，さらに方向性を有する形状のものから形成されることを特徴とする。以上により局部に形成でき又は超微粒子の正確な固着ができる。
【００２４】
また、請求項１７の製品は、前記物体がヒートシンクであることを特徴とする。これにより、高熱伝導性のヒートシンクが形成される。
【００２５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の物体の表面に超微粒子を固着させる方法及び製品の実施の形態を図面を参照して詳述する。まず、本発明の物体の表面に超微粒子を固着させる方法について図３のフローチャートと図４乃至図７に示す模式図により説明する。まず、物体８の表面に多数の凹穴又は凹溝（図４は凹溝７を示す）を形成する（ステップ１００）。図４では凹溝７は縦横に形成されたものからなり、例えば、レーザ加工により形成される巾寸法約３５μｍで深さ約３５μｍ程度のＶ溝を多数本縦横に隣接して形成したものからなる。勿論、寸法や溝の形態は図示や前記内容のものに限定するものではない。
【００２６】
次に、図５に示すように前記のように形成した凹溝７の上に超微粒子９を乗せる（ステップ１０１）。この超微粒子９としては、例えば、ダイヤモンド粒子，グラファイトダイヤモンド，ダイヤモンドライクカーボン等が採用され、凹溝７の寸法が約３５μｍ程度の場合には５０Åの小径の超微粒子のダイヤモンド９が一例として採用される。
【００２７】
次に、図６に示すように、凹溝７内及び物体８の表面に搭載されている超微粒子９を摺圧又は押圧し（ステップ１０２）、凹溝７内及び物体８の表面に固着させる（ステップ１０３）。即ち、超微粒子９に圧力を加えながらこれを物体８の表面に摺接させることによりイオン結合効果等によりやや粘着性をおびたものに変化し、図７に示すように物体８と一体化し表面に超微粒子層２を形成する。超微粒子層には１００ナノメータ以下で空隙なく凹穴，凹溝７内に充填され固着される。以上により、図１（ａ），（ｂ）に示す製品が形成される（ステップ１０４）。なお、図１の製品はヒートシンク１ａ，１ｂを示しているが勿論これに限定するものではない。
【００２８】
図１に示すように、製品としてのヒートシンク１ａは多数のフィン５を有するアルミニウム材からなる基台４からなり、基台４の表面には超微粒子層２が前記した製造方法により形成される。また、ヒートシンク１ｂはアルミニウム材からなる基台４ｂと、その表面に一体的に形成されている銅体３と、前記の製造方法によって銅体３の表面に銅体と混在しながら形成される超微粒子層２とからなる。以上の構造のヒートシンク１ａ，１ｂの上面に、図２（ａ），（ｂ）に示すように、例えば、熱発生体である半導体製品６を直接搭載することにより半導体製品６の基盤１２の下面の熱放出面１０が超微粒子層２の表面に隙間なく接し安定支持される。よって、半導体製品６内で発生した熱は超微粒子層２を介して基台４，４ｂへと導かれ、基台４，４ｂのフィン５，５ｂを介して放熱される。図２（ａ），（ｂ）の場合はヒートシンク１ａ，１ｂ側に超微粒子層２を形成して、その上に直接半導体製品６を搭載したものであるが、後に図１５及び図１６により説明する薄膜シート１４を介在させてもよい。また、ヒートシンク１ａ，１ｂ側と半導体製品６との接着を更に良好にするために放熱用シリコーンコンパンドに超微粒子のダイヤモンドを混在させた接着材を用いてもよい。
【００２９】
前記のように、超微粒子９がダイヤモンドの場合、この熱伝導率は９乃至２０ｗ／ｃｍＫであり、３．９ｗ／ｃｍＫの銅に較べて数倍高い。よって、従来のものに較べて熱伝導率は大幅に増加する。このため、半導体製品６を常時所望の温度状態に保持することができ、信頼性の向上や寿命の向上が図れる。また、逆に熱伝導率を従来のものと同様にすれば、ヒートシンク１ａとしては極めて小型のものでよく、コストダウン，省スペース化が図れる。なお、超微粒状のダイヤモンドは、爆発高温高圧法により大量に、かつ比較的安価に製造でき、安価に入手することが可能である。また、以上の説明のヒートシンク１ａについて述べたが、物体はこれに限定するものではなく、各種のものに適用され、その材質も金属，有機物質及び無機物質と範囲が極めて広い。
【００３０】
また、超微粒子９としては数百ナノメータ以下のものが用いられるが、この理由としては凹溝７等への固着性の点からであり、それ以上のものは固着性がかなり低下することが実証されている。
【００３１】
前記に説明したヒートシンク１ａ，１ｂの場合、図２及び図８に示すように、超微粒子層２はヒートシンク１ａの表面のほぼ全面にわたり形成された場合について説明したが、図９は局部的に超微粒子層２ａを形成した場合を示している。即ち、搭載される半導体製品６の接触面の形状に合わせて局部的に超微粒子層２ａが形成される場合もある。
【００３２】
図１０は物体８の表面に形成される凹穴や凹溝７の形状の１つを示すものであり、この凹溝７は図４と同じく縦横真直な筋の集りからなる。図１１は図１０と異なり斜線の凹溝７ａからなり、図１２は円弧状凹溝７ｂからなり、図１３は方向性を有する渦巻状の凹溝７ｃのものからなる。また、図１４は以上の凹溝７，７ａ等を混合したものからなる。なお、凹穴や凹溝の数は製品の性質や搭載される熱発生体の形状，形態等に対応して適宜設定される。また、凹穴や凹溝については前記のものに限定するものではなく、連続性のものに限らず不連続性のものでも勿論よい。
【００３３】
図１５は熱発生体（半導体製品）と物体（ヒートシンク等）との間に介在させて熱放熱を効果的に行うためのダイヤモンド薄膜シート１４を示す。このダイヤモンド薄膜シート１４は銅箔１５のような薄いシート材の表面又は両面に前記のように凹穴や凹溝を形成し、ここに超微粒子のダイヤモンドを摺圧又は押圧し超微粒子層１６を形成するものからなる。このダイヤモンド薄膜シート１４は図１６に示すように薄膜シート巻回体１４ａから適宜長さだけ引き出されてＡ−Ａ線に沿って切断されたものであり、任意の大きさのものを得ることができる。これにより、取扱性の向上、製作コストの低減等が図れる。
【００３４】
以上の説明において、物体８は半導体製品６のような熱発生体からの熱を吸収して放熱する場合について説明したが、その逆の場合、即ち、物体８側から熱発生体側に熱を与える場合についても適用される。また、前記のように物体はヒートシンク１等に限るものではなく、広範囲の用途に適用される。また、前記のように本発明の製品は直接熱発生体と接触する構造からなるが、前記のようにダイヤモンド等の高熱伝導体を含有したシリコーンコンパウンド等を介在物として介在させることも考えられる。
【００３５】
【発明の効果】
本発明によれば、従来に較べて極めて高い熱伝導性を有する物体を製作することができ、その物体は熱の効率的出入を要するすべての部分に適用されるため大幅な用途拡大が図れる。また、構造が比較的簡便で、製作も比較的容易であり、多量に、かつ安価に提供することができる。また、ヒートシンクとして適用された場合は半導体製品（ＣＰＵ）の低熱化が図れ、品質の安定による信頼性の向上や寿命の向上が図れる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の超微粒子層を形成した製品（ヒートシンク）を示す断面図であり、（ａ）は銅体のないもの（ｂ）は銅体のあるものを夫々示す。
【図２】本発明の製品（ヒートシンク）とこれに搭載される熱発生体である半導体製品の取付け状態を示す断面図。
【図３】本発明の物体の表面に超微粒子を固着させる方法及び製品を説明するためのフローチャート。
【図４】本発明の物体の表面に超微粒子を固着させる方法及び製品を説明するための模式図。
【図５】本発明の物体の表面に超微粒子を固着させる方法及び製品を説明するための模式図。
【図６】本発明の物体の表面に超微粒子を固着させる方法及び製品を説明するための模式図。
【図７】本発明の物体の表面に超微粒子を固着させる方法及び製品を説明するための模式図。
【図８】物体の表面全体に超微粒子層を形成した製品を示す平面図。
【図９】物体の表面の局部に超微粒子層を形成した製品を示す平面図。
【図１０】物体の表面に縦横に形成される凹溝を示す模式平面図。
【図１１】物体の表面に斜線として形成される凹溝を示す模式的平面図。
【図１２】物体の表面に弧状に形成される凹溝を示す模式的平面図。
【図１３】物体の表面に方向性を有する渦巻状として形成される凹溝を示す模式的平面図。
【図１４】図１０乃至図１３の凹溝の一部又はすべてを組合わせてなる凹溝を示す模式的平面図。
【図１５】本発明のダイヤモンド薄膜シートを示す斜視図。
【図１６】図１５のダイヤモンド薄膜シートの巻回体からの切断作成容量を示す模式図。
【図１７】従来のヒートシンクの概要構造を示す斜視図（ａ）は銅体のないもの（ｂ）は銅体のあるもの。
【図１８】従来のヒートシンク上にシリコンシート等を用いて搭載される半導体製品等を示す断面図。
【符号の説明】
１　　製品
１ａ　ヒートシンク
１ｂ　ヒートシンク
２　　超微粒子層
２ａ　超微粒子層
３　　銅体
４　　基台
４ｂ　基台
５　　フィン
５ｂ　フィン
６　　半導体製品
７　　凹溝
７ａ　凹溝
７ｂ　凹溝
７ｃ　凹溝
８　　物体
９　　超微粒子
１０　熱放出面
１１　介在物
１２　基盤
１３　締め付け具
１４　ダイヤモンド薄膜シート
１５　銅箔
１６　超微粒子層
１９　ファン
【図１】
2004031373.tif 000003
【図２】
2004031373.tif 000004
【図３】
2004031373.tif 000005
【図４】
2004031373.tif 000006
【図５】
2004031373.tif 000007
【図６】
2004031373.tif 000008
【図７】
2004031373.tif 000009
【図８】
2004031373.tif 000010
【図９】
2004031373.tif 000011
【図１０】
2004031373.tif 000012
【図１１】
2004031373.tif 000013
【図１２】
2004031373.tif 000014
【図１３】
2004031373.tif 000015
【図１４】
2004031373.tif 000016
【図１５】
2004031373.tif 000017
【図１６】
2004031373.tif 000018
【図１７】
2004031373.tif 000019
【図１８】
2004031373.tif 000020
【手続補正書】
【提出日】平成14年6月19日(2002.6.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
【従来の技術】
熱発生体は発生した熱を効率的に放熱したり、又は逆に外部より熱供給を効率的に受けることが必要になる。そのため、熱発生体には熱出入用の製品が付設され、熱の出入を効率的に行うように構成されている。例えば、コンピュータ等に使用される半導体製品（ＣＰＵ）は連続使用により発熱し、その機能を正常に保持するために外部に熱を放散するためのヒートシンクが付設されている。図１７乃至図１８はその一例を示すものである。