(57)【要約】【課題】より高温における使用が可能なフォトレジストからなるバンクを得る。【解決手段】バンク形成システム１０は、塗布手段２０を有しており、ガラス基板２２にレジスト３２をスピンコートできる。ガラス基板２２に塗布したレジスト３２は、乾燥手段４０において乾燥してレジスト膜４６にする。レジスト膜４６は、露光手段５０においてマスク５８のパターンが焼き付けられる。露光されたレジスト膜４６は、現像手段７０を構成する現像液７２に浸漬して現像し、所定パターンのバンクにする。バンク９０は、真空容器８０内に配置し、減圧下においてヒータ８６によって加熱するとともに、水銀ランプ１００によって紫外線を照射して重合する。重合させたバンク９０は、熱硬化手段１１０によりレジストのポストベーク温度以上に加熱して熱硬化処理をしたのち、撥液処理手段１３により表面が撥液化される。【選択図】    図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板にレジストを塗布して乾燥させ、レジスト膜を形成するレジスト膜形成工程と、
前記レジスト膜を露光、現像し、所定部分のレジスト膜を除去してバンクにするパターニング工程と、
前記バンクを減圧下に配置して光または高エネルギー線を照射する重合工程と、
重合させた前記バンクを、前記レジストの乾燥温度以上に加熱する熱硬化工程と、
を有することを特徴とするバンク形成方法。
【請求項２】
請求項１に記載のバンク形成方法において、
前記重合工程における光または高エネルギー線の照射は、前記バンクを前記レジストのポストベーク温度以下に加熱しつつ行ない、
前記熱硬化工程は、前記バンクを前記ポストベーク温度以上に加熱して行なう、
ことを特徴とするバンク形成方法。
【請求項３】
請求項１または２に記載のバンク形成方法において、
前記光は、紫外線であることを特徴とするバンク形成方法。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれかに記載のバンク形成方法において、
前記熱硬化工程における加熱温度は、前記バンク内に配置される液体成膜材料の焼成温度以上であることを特徴とするバンク形成方法。
【請求項５】
請求項１ないし４のいずれかに記載のバンク形成方法において、
前記熱硬化工程は、大気圧下において行なうことを特徴とするバンク形成方法。
【請求項６】
請求項１ないし５のいずれかに記載のバンク形成方法において、
前記バンクは、前記熱硬化工程後に撥液処理することを特徴とするバンク形成方法。
【請求項７】
基板にレジストを塗布する塗布手段と、
前記レジストを乾燥させる乾燥手段と、
乾燥した前記レジストに所定のパターンを焼き付ける露光手段と、
露光した前記レジストを現像してバンクにする現像手段と、
前記バンクを配置する真空容器と、
前記真空容器中の前記バンクに光または高エネルギー線を照射して重合させる重合エネルギー供給手段と、
重合させた前記バンクを前記レジストの乾燥温度以上に加熱して硬化させる熱硬化手段と、
を有することを特徴とするバンク形成システム。
【請求項８】
請求項７に記載のバンク形成システムにおいて、
前記真空容器は、前記バンクを加熱する加熱手段を有していることを特徴とするバンク形成システム。
【請求項９】
請求項７または８に記載のバンク形成システムにおいて、
加熱硬化した前記バンクの表面を撥液化する撥液処理手段を有することを特徴とするバンク形成システム。
【請求項１０】
請求項１ないし６のいずれかに記載のバンク形成方法により形成したバンクを用いてパターンを形成することを特徴とする電子デバイスの製造方法。
【請求項１１】
請求項１ないし６のいずれかに記載のバンク形成方法により形成したバンクを有することを特徴とする電子デバイス。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、レジストを用いたバンク形成方法およびバンク形成システム並びにそのバンク形成方法を用いた電子デバイスの製造方法および電子デバイスに関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、電子デバイスである液晶パネルの製造工程において、ガラス基板にパターンである薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を形成する場合、次のようにして素子形成領域にシリコン膜を形成していた。まず、ガラス基板の表面にトランジスタを形成するための多結晶シリコン膜をＣＶＤなどによって成膜する。次に、多結晶シリコン膜の上にフォトレジストを塗布し、これを露光、現像して素子形成領域に対応した部分以外のフォトレジストを除去する。その後、フォトレジストをマスクとして多結晶シリコン膜をエッチングし、不要な多結晶シリコン膜を除去してフォトレジストの下方にのみ多結晶シリコン膜を残す。さらに、フォトレジストをアッシングして除去する。これにより、素子形成領域に多結晶シリコン膜が残される。その後、多結晶シリコン膜の上方に絶縁膜を介してゲート電極を形成し、また多結晶シリコン膜に不純物を拡散してソース、ドレインを形成することにより、多結晶シリコン膜をＴＦＴにすることができる。
【０００３】
ところが、上記したＴＦＴを形成する方法は、多結晶シリコン膜をＣＶＤなどによって形成するようにしており、真空装置を使用するために多くの時間とエネルギーとを必要とする。このため、ＴＦＴの製造効率を向上させることが困難で、製造コストも高くなる。そこで、水素化ケイ素などの液体材料を用いて多結晶シリコン膜を形成することが提案されている（特許文献１）。
【０００４】
このように、近年は、電子デバイスの種々の分野において液体材料を用いた成膜、パターン形成が提案されている。たとえば、液晶パネルに使用するカラーフィルタや有機エレクトロルミネッセンスの製造において、素子領域の周囲にレジストからなるバンクを形成し、このバンクの中にカラーフィルタを形成するインクや液体状のエレクトロルミネッセンスを供給し、固化するようにしている（例えば、特許文献２）。
【０００５】
【特許文献１】特開平８−３２０８５号公報
【特許文献２】特開２００２−２０７１１４号公報
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
このように、液体材料を用いた成膜、パターン形成が発達するのに伴って、パターン形成用の各種の液体材料が開発され、３００〜４００℃の高温処理を必要とする材料の使用も検討されている。ところが、従来のバンクは、一般に通常のフォトレジストによって形成しており、２００℃を超えるような高温においては、バンクが変形するなどの問題を生ずる。例えば、フォトレジストからなるバンクの中に、特許文献１に記載の液体材料を供給して焼成し、素子形成領域を得ようとする場合、２５０〜５００℃の温度で処理する必要がある。しかし、従来のフォトレジストからなるバンクは、このような高温に耐えることができない。このため、従来のバンクでは、使用温度範囲が限られ、広範な液体材料を使用することができない。また、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）からなる透明電極を液体材料によって形成する場合、フォトレジストからなるバンクが、ＩＴＯの原料を溶解または分散させた有機溶媒によって溶かされ、バンクとしての機能を維持することができない。
【０００７】
本発明は、上記従来技術の欠点を解消するためになされたもので、より高温での使用が可能なフォトレジストからなるバンクを得ることを目的としている。
また、本発明は、耐薬品性を高められるようにすることを目的としている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
フォトレジストは、一般にノボラック樹脂と感光剤としてのジアゾ化合物とを主成分としている。そして、発明者らは、フォトレジストの耐熱性、耐薬品性を向上させるために鋭意研究し、実験を重ねたところ、フォトレジストの硬化は、大気中に存在する水分やフォトレジスト内に溶存している水分子が大きく影響していることを見いだした。すなわち、フォトレジストは、水分の存在している雰囲気中で硬化させると、ジアゾ化合物がカルボン酸を形成して架橋反応が進まず、耐熱性、耐薬品性が得られないことが判明した。本発明は、このような知見に基づいてなされたものである。
【０００９】
本発明に係るバンク形成方法は、基板にレジストを塗布して乾燥させ、レジスト膜を形成するレジスト膜形成工程と、前記レジスト膜を露光、現像し、所定部分のレジスト膜を除去してバンクにするパターニング工程と、前記バンクを減圧下に配置して光または高エネルギー線を照射する重合工程と、重合させた前記バンクを、前記レジストの乾燥温度以上に加熱する熱硬化工程と、を有することを特徴としている。
【００１０】
これにより、レジストからなるバンクは、水分の影響を受けない環境において重合、架橋反応が行なわれる。このため、バンク（レジスト）に含まれている感光剤であるジアゾ化合物がカルボン酸になるのを防ぐことができ、架橋反応が進行して緻密で耐熱性、耐薬品性に優れたバンクとすることができる。このため、使用できる液体成膜材料、パターン材料の種類が増加し、液体材料を用いて種々のパターンを形成することが可能となり、電子デバイスのコストを低減することができる。
【００１１】
重合工程における光または高エネルギー線の照射は、前記バンクを前記レジストのポストベーク温度（最終乾燥温度）以下に加熱しつつ行ない、熱硬化工程は、前記バンクを前記ポストベーク温度以上に加熱して行なうとよい。バンクを加熱しつつ光や高エネルギー線を照射すると、重合反応、架橋反応が促進されて処理時間を短縮することができる。ただし、重合工程におけるバンクの加熱温度は、まだ重合が充分に進んでいないために耐熱性が充分でなく、レジストのポストベーク温度より高温に加熱すると変形するおそれがあるので、ポストベーク温度（例えば１１０〜１３０℃）以下にする。また、熱硬化工程における加熱温度は、重合工程においてバンクの重合、架橋反応がほぼ終了しているため、レジストのポストベーク温度以上の温度に加熱可能であり、これにより耐熱性、耐薬品性を向上することができる。
【００１２】
光は、紫外線であってよい。紫外線は、光源の入手が容易であるばかりでなく、電子デバイスの既存の製造設備などに広く用いられており、設備費の負担を軽減できる。また、取り扱いが容易で安全である。そして、熱硬化工程における加熱温度は、バンク内に配置される液体成膜材料の焼成温度以上にすることが望ましい。これにより、液体成膜材料を加熱して薄膜化する焼成温度に耐えられるバンクを得ることができ、液体成膜材料による所望形状のパターニングを行なうことができる。さらに、熱硬化工程は、大気圧下において行なうことができる。大気圧下における加熱は、加圧や減圧などの操作をする必要がないので、大掛かりな装置を必要とせず、設備費用を低減できる。そして、熱硬化工程は、バンクを形成しているレジストの種類によって、大気中において、または窒素（Ｎ２）雰囲気などの不活性雰囲気、酸素（Ｏ２）雰囲気などの活性雰囲気において行なうことができる。バンクは、熱硬化工程後に撥液処理することが望ましい。これにより、液体成膜材料がバンクの上部に付着するのを防ぐことができ、バンクを除去する必要がある場合に、バンクの除去を容易に行なうことができる。
【００１３】
そして、上記のバンク形成方法を実施するバンク形成システムは、基板にレジストを塗布する塗布手段と、前記レジストを乾燥させる乾燥手段と、乾燥した前記レジストに所定のパターンを焼き付ける露光手段と、露光した前記レジストを現像してバンクにする現像手段と、前記バンクを配置する真空容器と、前記真空容器中の前記バンクに光または高エネルギー線を照射して重合させる重合エネルギー供給手段と、重合させた前記バンクを前記レジストの乾燥温度以上に加熱して硬化させる熱硬化手段と、を有することを特徴としている。これにより、耐熱性、耐薬品性に優れたバンクを容易に形成することが可能となる。
【００１４】
真空容器には、バンクを加熱する加熱手段を設けることができる。これにより、バンクを加熱しつつ光または高エネルギー線を照射でき、重合、架橋反応を促進させて重合、架橋反応時間を短縮することができる。また、前記バンク形成システムは、硬化したレジストの表面を撥液化する撥液処理手段を有するように構成できる。これにより、バンクの表面に液体パターン材料が付着するのを防止できる。
【００１５】
そして、本発明に係る電子デバイスの製造方法は、上記したバンク形成方法により形成したバンクを用いてパターンを形成することを特徴としている。これにより、各種液体材料を用いたパターン形成がドライ及びウェットエッチングなしで可能となり、電子デバイスのコストを低減できる。
【００１６】
また、本発明に係る電子デバイスは、上記したバンク形成方法により形成したバンクを有することを特徴としている。これにより、液晶パネルのカラーフィルタを製造する際や、有機エレクトロルミネッセンスパネルを製造する際に、バンクが有機溶媒などに侵されるのを防止することができ、良好なカラーフィルタを備えた液晶パネルや有機エレクトロルミネッセンスパネルなどの電子デバイスを得ることができる。
【００１７】
【発明の実施の形態】
本発明に係るバンク形成方法およびバンク形成システム並びにそのバンク製造方法を用いた電子デバイスの製造方法および電子デバイスの実施の形態を、添付図面に従って詳細に説明する。
【００１８】
図１は、本発明の実施の形態に係るバンク形成システムの大略構成説明図である。図１において、バンク形成システム１０は、塗布手段２０、乾燥手段４０、露光手段５０、現像手段７０、真空容器８０、重合エネルギー供給手段である水銀ランプ１００、熱硬化手段１１０、撥液処理手段１３０を有している。塗布手段２０は、実施形態の場合、基板である透明ガラス基板２２を配置する塗布テーブル２４と、塗布テーブル２４の上方に配置したレジスト供給装置２６とを備えている。塗布テーブル２４は、モータ２８に接続してあって、矢印３０のように回転する。すなわち、塗布手段２０は、レジスト供給装置２６から滴下される液状樹脂であるレジスト３２をいわゆるスピンコートするようになっていて、ガラス基板２２の上面に薄い塗布膜３４を形成できるようにしてある。また、レジスト３２は、例えばｉ線（波長３６５ｎｍの紫外光）に感光するポジ型レジストが用いられる。なお、塗布手段２０は、スリットコート、ディップコートなどの他の方法を用いることができる。
【００１９】
乾燥手段４０は、ガラス基板２２に形成されたレジスト３２の塗布膜３４をプリベークするもので、実施形態の場合、ヒータ４２を内蔵したホットプレート４３によって構成してある。しかし、乾燥手段４０は、熱風供給手段や赤外線ヒータなどによって構成してもよい。ホットプレート４３は、ガラス基板２２に塗布されたレジスト３２を７０〜９０℃程度に加熱して乾燥し、塗布膜３４を固化してレジスト膜４６にする。
【００２０】
露光手段５０は、いわゆる縮小投影露光装置から形成してあって、水銀ランプなどからなる光源５２を備えている。光源５２の下方には、フィルタやコリメートレンズなどからなる光学系５４が設けてあって、光源５２の放射したｉ線などの露光用照射光５６を平行光５７にできるようにしてある。また、露光手段５０は、光学系５４の下方にマスク５８を配置できるようにしてあるとともに、その下方に集光レンズ６０が設けてある。集光レンズ６０は、マスク５８を透過した平行光５７を集光し、ステージ６２の上に配置したガラス基板２２に設けてあるレジスト膜４６にマスク５８の像を縮小して結像する。ステージ６２は、ＸＹ平面をステップ状に移動可能となっている。
【００２１】
露光手段５０の後段には、現像手段７０が設けてある。この現像手段７０は、アルカリ性溶液などからなる現像液７２を貯留した現像液容器７４を有する。そして、露光されたレジスト膜４６は、ガラス基板２２とともに現像液７２に浸漬されることにより現像され、マスク５８に対応したパターンを有するマスク（実施形態の場合バンク）にされる。レジスト膜４６を現像してバンクを形成したガラス基板２２は、ポストベーク後真空容器８０に搬入される。
【００２２】
真空容器８０は、真空ポンプ８２に接続してあって、内部を任意の圧力に減圧できるようにしてある。また、真空容器８０は、内部にガラス基板２２を配置する処理テーブル８４を有する。この処理テーブル８４には、加熱手段であるヒータ８６が内蔵してあって、ガラス基板２２を介してバンク（レジスト膜）９０を加熱できるようにしてある。また、真空容器８０の内部には、処理テーブル８４の上方に重合エネルギー供給手段としての水銀ランプ１００が配設してある。なお、重合エネルギー供給手段は、樹脂であるレジスト３２の種類によって異なり、レジスト３２の重合の開始、促進できるものであればよく、例えば遠紫外線照射装置、Ｘ線照射装置、γ線照射装置、電子線照射装置、イオン照射装置などによって構成することができる。また、ガラス基板２２を配置する処理テーブル８４は、モータなどによって回転可能に形成してよい。これにより、高エネルギー線をバンク９０の全体に均一に照射することができる。
【００２３】
重合させたバンク９０は、熱硬化工程を行なう熱硬化手段１１０に移送される。熱硬化手段１１０は、実施形態の場合、ヒータ１１２を内蔵したホットプレート１１４によって構成してある。ホットプレート１１４は、ガラス基板２２を介してバンク９０を４００℃程度の高温に加熱することが可能にしてある。また、この実施形態の場合、ホットプレート１１４は、大気圧中、大気圧下においてバンク９０を所定温度に加熱するようになっている。なお、熱硬化手段１１０は、トンネル炉や赤外線ランプなどによって構成することができ、減圧状態や加圧状態で加熱してもよい。また、バンク９０を構成しているレジストの種類によっては、窒素（Ｎ２）雰囲気などの不活性雰囲気、または酸素（Ｏ２）雰囲気などの活性雰囲気でバンク９０を加熱し、熱硬化処理を行なうことができる。
【００２４】
撥液処理手段１３０は、撥液ガス吐出ノズル１３２を備えている。撥液ガス吐出ノズル１３２は、ガラス基板２２を配置する処理テーブル１３４の上方に配設してある。この撥液ガス吐出ノズル１３２は、ガラス基板２２の幅と同程度以上の幅を有するスリット上に形成してあって、ラジカルなフッ素原子などを含む撥液処理ガス１３６をバンク９０の表面に吹き付けることができるようにしてある。また、撥液ガス吐出ノズル１３２は、矢印１３８のように図１の左右方向に移動可能となっていて、バンク９０の全体に撥液処理ガス１３６を吹き付けることができるようにしてある。なお、処理テーブルは、ヒータを内蔵したホットプレートによって構成されても良い。基板温度を管理することで安定な処理が可能となる。
【００２５】
このように構成してあるバンク形成システム１０においては、次のようにしてバンクを形成する。まず、ガラス基板２２を用意し、ガラス基板２２の前処理（洗浄、親液処置など）を行なう。その後、ガラス基板２２に対するレジストの塗布工程を行なう。すなわち、ガラス基板２２をバンク形成システム１０の塗布手段２０を構成している塗布テーブル２４の上に配置する。そして、モータ２８を駆動して塗布テーブル２４を回転させるとともに、レジスト供給装置２６によりガラス基板２２の上にレジスト３２を供給してスピンコートする。レジスト３２は、この実施形態においては、ノボラック樹脂にジアゾ化合物を感光剤として添加したｉ線ポジレジストである。
【００２６】
ガラス基板２２の上に所定の厚さのレジスト３２からなる塗布膜３４を形成したならば、ガラス基板２２をホットプレート４３の上に配置し、塗布膜３４の乾燥工程を行なう。この塗布膜３４の乾燥（プリベーク）は、ホットプレート４３に内蔵したヒータ４２により、ガラス基板を７０〜９０℃程度に加熱して行なう。加熱時間は、数分間程度でよい。これにより、塗布膜３４は、乾燥したレジスト膜４６となる。
【００２７】
次に、レジスト膜４６の露光、現像するパターニング工程を行なう。このパターニング工程は、露光工程と現像工程とからなっている。そこで、まず、ガラス基板２２を露光手段５０のステージ６２の上に配置したのち、光源５２から露光用照射光５６を放射する。そして、この照射光５６を光学系５４、マスク５８、集光レンズ６０を介してレジスト膜４６に照射する（露光工程）。マスク５８は、例えばカラーフィルタや有機エレクトロルミネッセンスパネルを製造するためのものである場合、フィルタ素子やエレクトロルミネッセンス素子を配置する領域が開口している格子状に形成してある。
【００２８】
集光レンズ６０は、レジスト膜４６にマスク５８の像を縮小して結像する。このため、レジスト膜４６は、マスク５８の格子状パターンが焼き付けられ、マスク５８の開口に対応した部分に紫外線が照射され、可溶性となる。その後、ガラス基板２２は、現像手段７０を構成している現像液７２に浸漬され、現像工程が行なわれる。これにより、レジスト膜４６は、露光用照射光５６の照射された部分が現像液７２に溶解し、格子状にパターニングされてバンク９０にされる。
【００２９】
現像液７２を洗い流したのち、パターニングされたバンク９０は、ホットプレート４３に内蔵したヒータ４２により、１１０〜１３０℃程度に加熱しポストベークを行う。その後、真空容器８０に搬入され、バンク９０の重合工程が行なわれる。この重合工程は、真空容器８０の内部に設けた水銀ランプ１００を点灯し、水銀ランプ１００の放射する紫外線をバンク（レジスト膜）９０に照射して行なう。この際、真空ポンプ８２を駆動して真空容器８０の内部を減圧するとともに、ヒータ８６によってバンク９０を所定の温度に加熱する。バンク９０の加熱温度は、１００℃以上であってバンク９０を構成しているレジスト３２にダメージを与えない温度が望ましい。実施形態の場合、バンク９０の加熱は、通常のレジスト膜のポストベーク温度（最終乾燥温度）である１１０〜１３０℃で行なうようにしている。また、真空容器８０内の圧力は、できるだけ低いほうがよく、１３３３ｋＰａ（１０Ｔｏｒｒ）以下にすることが望ましい。これにより、バンク９０の脱水が行なわれ、重合反応、架橋反応が進んで硬化度の高い緻密な耐熱性、耐薬品性に優れたバンクとすることができる。
【００３０】
すなわち、レジスト３２は、図２（１）に示したように、一般に高分子量ノボラック樹脂Ｈと低分子量ノボラック樹脂Ｌ、およびジアゾ化合物からなる感光剤Ｐを主成分としている。このようなレジスト３２は、大気中などの水分が存在する雰囲気において紫外線を照射して硬化させると、同図（２）に示したように、ジアゾ化合物の感光剤Ｐが空気中に存在する水分やレジスト３２中に溶存している水分子と反応し、カルボキシ基（−ＣＯＯＨ）を有するカルボン酸を形成する。このため、重合反応、架橋反応が進まず、緻密な樹脂とすることができないため、充分な耐熱性、耐薬品性を得ることができない。
【００３１】
一方、上記の実施形態のように、レジスト３２からなるバンク９０を減圧した真空容器８０中に配置すると、バンク９０の周囲に水分が存在しないばかりでなく、バンク９０中に溶存していた水分子が減圧した真空容器８０中に放出され、バンク９０が脱水される。このため、バンク９０に紫外線を照射すると、図２（３）に示したように、感光剤Ｐがカルボン酸を形成するのを阻止することができる。このため、各樹脂の分子間における架橋反応が促進され、緻密で耐熱性、耐薬品性に優れたバンク９０とすることができる。したがって、従来、半導体装置の製造工程などにおいて通常に使用されていたフォトレジストからなるバンク９０であったとしても、より耐熱性、耐薬品性に優れたものとすることができる。
【００３２】
上記の重合工程を終了したバンク９０は、必要に応じてさらに熱硬化工程を行なうことができる。この熱硬化工程は、熱硬化手段１１０を構成しているホットプレート１１４により、バンク９０をフォトレジストのいわゆるポストベーク温度以上（例えば２００〜４００℃）に加熱して行なう。これにより、バンク９０の架橋反応が一層進められ、非常に緻密で耐熱性、耐薬品性に優れたバンクとすることができる。このため、通常のフォトレジストからなるバンク９０であったとしても、４００℃程度の高温雰囲気においても使用可能なバンクを形成することができるとともに、ｎブチルアルコールやアセチルアセトンなどの有機溶媒に溶解することがないバンクを形成することができる。
【００３３】
なお、この熱硬化工程における加熱温度は、バンク９０の内部に供給する液体成膜材料（図示せず）を加熱して薄膜にする焼成温度を考慮して設定することができ、液体成膜材料の焼成温度以上の温度に加熱することが望ましい。これにより、液体成膜材料を焼成した際に、バンク９０の熱による損傷を防止することができ、液体成膜材料を所望の形状を有するパターンにすることが可能で、良好なパターニングを行なうことができる。
【００３４】
熱硬化工程を終了したならば、バンク９０に撥液処理工程を行ない、バンク９０の表面を撥液化することが望ましい。この撥液処理工程は、ガラス基板２２を処理テーブル１３４の上に配置し、撥液ガス吐出ノズル１３２により撥液処理ガス１３６をバンク９０に吹き付けるとともに、撥液ガス吐出ノズル１３２を矢印１３８のように移動させて行なう。撥液処理ガス１３６は、フッ素の単原子（Ｆ）などの活性なフッ素を含むガスからなっている。この撥液処理ガス１３６は、実施形態の場合、いわゆる大気圧プラズマによって生成している。すなわち、フッ素ガス（Ｆ２）または四フッ化炭素ガス（ＣＦ４）などのフッ素系ガスとヘリウムガス（Ｈｅ）との混合ガスを、図示しない放電チャンバに大気圧状態で導入して放電させ、フッ素を活性化させることにより得ることができる。この撥液処理は、処理テーブル１３４に内蔵したヒータにより、必要に応じて基板を加熱して行う。これにより、安定な処理が可能となる。
【００３５】
このバンク９０を撥液処理することにより、バンク９０内に液体成膜材料を供給するときに、バンク９０の上面に液体成膜材料が付着するのを防止することができる。したがって、バンク９０を除去する場合に、除去を容易に行なうことができる。また、バンク９０をカラーフィルタのバンクとして使用する場合に、カラーフィルタ用のインクが上部に付着するのを防止でき、高さ寸法のばらつきをなくすことができる。
【００３６】
したがって、このようにして形成したバンクを用いて水素化ケイ素などの液体材料を焼成（熱処理）することにより、素子領域を容易に形成することができる。また、液体パターン材料を用いた配線の形成などを容易に行なうことが可能で、半導体装置などの電子デバイスの製造工程の簡略化が図れ、製造コストを低減することができる。さらに、バンク９０を格子状に形成し、格子内にカラーフィルタ素子や有機エレクトロルミネッセンス素子、液晶素子などを配置することにより、実施形態に係るバンクを有する電子デバイスを得ることができる。
【００３７】
なお、上記実施形態においては、樹脂がｉ線ポジ型のレジスト３２である場合について説明したが、ｉ線ネガ型のレジストや遠紫外線やＸ線、電子線、イオン線などの高エネルギー線によって感光するレジストを硬化させる場合にも適用することができる。
【００３８】
【実施例】
東京応化工業株式会社製のｉ線ポジレジスト（ＴＳＭＲ−８９００）をガラス基板にスピンコートし、これを９０℃において３０秒間乾燥（プリベーク）して厚さ１．１μｍのレジスト膜を形成した。その後、レジスト膜をフォトリソグラフィー法によってパターニングし、１３０℃において３０秒間乾燥（ポストベーク）をして図３（１）に示したような、紙面と直行した方向に長いバンク１２０をガラス基板１２２の上に形成した。さらに、ガラス基板１２２を真空容器中に配置し、真空容器内を約２６．７ｋＰａ（０．２Ｔｏｒｒ）に減圧するとともに、ガラス基板１２２を１１０℃に加熱し、照度３０ｍＷ／ｃｍ２の紫外線を３００秒照射してバンク１２０の重合を行なった。次に、上記紫外線の照射処理をしたバンク１２０を４００℃において１０分間加熱し、熱硬化処理を行なったところ、同図（２）に示したように、バンク１２０はわずかに収縮したが、ほとんど形状の変化は見られなかった。なお、上記のバンク１２０は、この４００℃における熱処理を多数回繰り返しても、形状異常は見られなかった。
【００３９】
さらに、上記のように４００℃において熱硬化処理をした各バンク１２０の間に、透明電極用のＩＴＯ溶液を供給した。ＩＴＯ溶液は、アセチルアセトンインジウム（Ｉｎ（ａｃａｃ）３）と有機錫（ＤＢＴＤＡ）とをアセチルアセトンに溶解し、０．３ｍｏｌ／Ｌの濃度に調整したものを用いた。また、錫とインジウムとの比（Ｓｎ／Ｉｎ）は７．５重量％に調整した。このＩＴＯ溶液を各バンク１２０間に供給したのち、ＩＴＯ溶液を３５０℃において１０分間加熱（焼成）した。その後、バンク１２０を大気圧酸素プラズマによって除去し、ＩＴＯからなる配線パターンを形成したところ、良好な形状を有する配線パターンを得ることができた。
【００４０】
なお、上記の実施例と比較するために、従来の方法により上記のｉ線ポジレジストからなるバンクを形成した。すなわち、上記のｉ線ポジレジストをガラス基板にスピンコートとして乾燥させ、厚さ１．１μｍのレジスト膜を形成したのち、これをリソグラフィー法によってパターニングし、図４（１）に示したようなバンク１２４を形成した。次に、バンク１２４を設けたガラス基板１２２を加熱炉に導入し、バンク１２４を１１０℃において大気圧下で３００秒間重合を行なった。その後、バンク１２４を３５０℃において１０分間加熱して熱硬化処理したところ、図４（２）に示したように、バンク１２４が溶融して変形してしまった。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施の形態に係るバンク形成システムの概略構成説明図である。
【図２】実施形態のバンク形成方法の作用を説明する図である。
【図３】実施の形態に係るバンクの説明図である。
【図４】従来のバンクの説明図である。
【符号の説明】
１０………バンク形成システム、２０………塗布手段、２２、１２２………基板（ガラス基板）、２６………レジスト供給装置、３２、４６………レジスト、レジスト膜、４０………乾燥手段、４２………ヒータ、４３………ホットプレート、５０………露光手段、５２………光源、５８………マスク、７０………現像手段、７２………現像液、８０………真空容器、８６………加熱手段（ヒータ）、９０、１２０、１２４………バンク、１００………重合エネルギー供給手段（水銀ランプ）、１１０………熱硬化手段、１１４………ホットプレート、１３０………撥液処理手段（撥液ガス吐出ノズル）、１３６………撥液処理ガス。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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