(57)【要約】【課題】サファイア基板上において、ＩＩＩ族窒化物から構成される低いシート抵抗値を持つ高電子移動度トランジスタ用エピタキシャル基板を安定して提供する。【解決手段】サファイア基材１上に、全ＩＩＩ族元素に対して少なくとも５０原子％以上のＡｌを含み、転位密度が１×１０１１／ｃｍ２以下であり、（００２）面におけるＸ線ロッキングカーブ半値幅が２００秒以下である、第一のＩＩＩ族窒化物下地層２と、前記ＩＩＩ族窒化物下地層上に形成された、全ＩＩＩ族元素に対して少なくとも５０％以上のＧａを含む第二のＩＩＩ族窒化物層群３と、前記第二のＩＩＩ族窒化物層群上に形成された、全ＩＩＩ族元素に対してＡｌを３０〜５０原子％含む第三のＩＩＩ族窒化物層群４を形成する。【選択図】        図１
2004327882.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
サファイア基材と、
前記サファイア基材上に形成された、全ＩＩＩ族元素に対して少なくとも５０原子％以上のＡｌを含み、転位密度が１×１０１１／ｃｍ２以下であり、（００２）面におけるＸ線ロッキングカーブ半値幅が２００秒以下である、第一のＩＩＩ族窒化物下地層と、
前記第一のＩＩＩ族窒化物下地層上に形成された、全ＩＩＩ族元素に対して少なくとも５０原子％以上のＧａを含む第二のＩＩＩ族窒化物層群と、
前記第二のＩＩＩ族窒化物層群上に形成された、全ＩＩＩ族元素に対してＡｌを３０〜５０原子％含む第三のＩＩＩ族窒化物層群を具えたことを特徴とするエピタキシャル基板。
【請求項２】
前記第一のＩＩＩ族窒化物下地層中の全ＩＩＩ族元素に対してＡｌ含有量が、８０原子％以上であることを特徴とする、請求項１に記載のエピタキシャル基板。
【請求項３】
前記第一のＩＩＩ族窒化物下地層はＡｌＮからなることを特徴とする、請求項２に記載のエピタキシャル基板。
【請求項４】
前記第二のＩＩＩ族窒化物層群中の全ＩＩＩ族元素に対してＧａ含有量が、８０原子％以上であることを特徴とする、請求項１〜３のいずれか一に記載のエピタキシャル基板。
【請求項５】
前記第二のＩＩＩ族窒化物層群はＧａＮからなることを特徴とする、請求項４に記載のエピタキシャル基板。
【請求項６】
前記基材として、Ａ面あるいはＣ面サファイア基板を用いたことを特徴とする、請求項１〜５のいずれか一に記載のエピタキシャル基板。
【請求項７】
３００Ｋにおけるシート抵抗値が、４５０Ω／□以下であることを特徴とする、請求項１〜６のいずれか一に記載のエピタキシャル基板。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか一の請求項に記載のエピタキシャル基板を備えていることを特徴とする、半導体素子。
【請求項９】
請求項８記載の半導体素子、この半導体素子上のソース電極、ドレイン電極及びゲート電極を備えていることを特徴とする、高電子移動度トランジスタ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本願発明は、エピタキシャル基板、半導体素子および高電子移動度トランジスタに関するものである。特に、本願発明は携帯電話基地局や無線ＬＡＮ向けの増幅器などの、高速あるいは高出力で動作することが必要な、電子デバイスに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、携帯電話や光通信などが発展する中で、高周波特性に優れ、低消費電力型で高出力の電子デバイスに対する需要が急速に増大している。このような用途としては、従来、ＳｉデバイスやＧａＡｓデバイスが用いられてきた。しかし、携帯電話の高性能化や光通信の高速化に伴い、より良い高周波特性で高出力の電子デバイスが望まれている。
【０００３】このため、ＧａＡｓ系のＨＥＭＴやシュードモルフイックＨＥＭＴ、ＧａＡｓ系のＨＢＴ  などが実用化されている。また、さらに高性能な電子デバイスとして、ＩｎＰ  系のＨＥＭＴやＨＢＴ  などの電子デバイスが盛んに研究開発されている。
【０００４】さらに、ＧａＮを用いた電子デバイスが最近では特に注目されている。ＧａＮ  はバンドギャップが３．３９ｅＶと大きいため、Ｓｉ、ＧａＡｓに比べて絶縁破壊電圧が約一桁大きく、電子飽和ドリフト速度が大きいため、Ｓｉ、ＧａＡｓに比べて電子デバイスとしての性能指数が優れており、高温動作デバイス、高出力デバイス、高周波デバイスとして、エンジン制御、電力変換、移動体通信などの分野で有望視されている。
【０００５】特に、非特許文献１に記載されたＡｌＧａＮ  ／ＧａＮ  系のＨＥＭＴ構造の電子デバイスが実現されて以来、世界中で開発が進められている。これらのＧａＮ  系の電子デバイスは従来、サファイア基板の上に所定の半導体層をエピタキシャル成長させて作製していた。
【非特許文献１】
Ｋｈａｎら（Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，  ６３（１９９３），１２１４）
【０００６】本出願人は、特許文献１において、基板と、基板上の高結晶性ＡｌＮからなる下地層と、下地層上のＧａＮからなる導電層とを備えている半導体素子を開示している。また、この半導体素子を高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ素子）に使用することを開示している。
【特許文献１】
特開２００３−４５８９９号公報
【０００７】また、本願発明者は、非特許文献２においては、サファイア基板／ＡｌＮ下地層／ＧａＮ層／ＡｌＧａＮ層を備える高電子移動度トランジスタにおいて、直流特性が改善されたことを報告している。本文献においては、ＡｌＧａＮ層における全ＩＩＩ族元素に対するＡｌ組成が２６％におけるデータを開示している。
【非特許文献２】
“ＡＰＰＬＩＥＤ  ＰＨＹＳＩＣＳ  ＬＥＴＴＥＲ”  Ｖｏｌｕｍｅ  ８１，  ｎｕｍｂｅｒ  ６，  Ａｕｇ．  ２００２  “Ｉｍｐｒｏｖｅｄ  ｄｃ  ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓ  ｏｆ  ＡｌＧａＮ／ＧａＮ  ｈｉｇｈ−ｅｌｅｃｔｒｏｎ−ｍｏｂｉｌｉｔｙ  ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒｓ  ｏｎ  ＡｌＮ／ｓａｐｐｈｉｒｅ  ｔｅｍｐｌａｔｅｓ”
【０００８】非特許文献３は、サファイア基板／ＧａＮ層／ＡｌＧａＮ層構造を持つ高電子移動度トランジスタにおいて、ＡｌＧａＮ層におけるＡｌ組成の変化による各種特性データについて開示している。
【非特許文献３】
“ＪＯＵＲＮＡＬ  ＯＦ  ＡＰＰＬＩＥＤ  ＰＨＹＳＩＣＳ”  Ｖｏｌｕｍｅ  ８６，  ｎｕｍｂｅｒ  １０，  １５  Ｎｏｖ．  ２００２，  “Ｍｅｔａｌｏｒｇａｎｉｃ  ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｖａｐｏｒ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ  ｏｆ  ｈｉｇｈ  ｍｏｂｉｌｉｔｙ  ＡｌＧａＮ／ＧａＮ  ｈｅｔｅｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅｓ”
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】ところで、ＨＥＭＴ用エピタキシャル基板においては、シート抵抗値が低いことが必要である。これは、実用に適した高効率でかつ大電流動作が可能なＨＥＭＴの実現には必要不可欠な条件である。ただし、ＧａＮ系材料を用いたＨＥＭＴ用エピタキシャル基板の下地基材としてサファイアを用い、通常のＧａＮ系材料の成長に用いられる低温バッファ層技術を用いてＧａＮ系材料を成長した場合には、基材とＧａＮ系材料との間に存在する大きな格子定数ミスマッチングにより結晶品質を十分に向上できず、シート抵抗値を低減できないことが問題であった。
【００１０】この場合の解決策として、シート抵抗値を低減するためには、非特許文献３に記述されている通り、高電子移動度トランジスタのサファイア基板／ＧａＮ層／ＡｌＧａＮ層構造におけるＡｌＧａＮ層のＡｌ組成を大きくすることが提案されている。この場合、Ａｌ組成を大きくすることによりピエゾ電界が大きくなり、シートキャリア密度増加によりシートキャリア密度と移動度の積に反比例するシート抵抗が低減される。ただし、低温バッファ層技術を用いた場合、表面に発生するマイクロクラック、あるいはピット等の欠陥の発生により、安定した特性向上が難しいという問題があった。
【００１１】また、より格子ミスマッチングが小さいＳｉＣ基板を用いた場合には、結晶品質の向上が容易であることから、シート抵抗値の低減が可能である。しかし、高抵抗なＳｉＣ基材の作製が困難であることから、ＨＥＭＴ用エピタキシャル基板の特性が安定せず、また、コスト面あるいはウェハサイズの大型化にも問題が残っていた。
【００１２】本願発明の目的は、半導体素子として有効に利用できる低シート抵抗値を持つエピタキシャル基板を、サファイア基材を用いて安定して提供することである。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本願発明は、サファイア基材と、
前記サファイア基材上に形成された、全ＩＩＩ族元素に対して少なくとも５０原子％以上のＡｌを含み、転位密度が１×１０１１／ｃｍ２以下であり、（００２）面におけるＸ線ロッキングカーブ半値幅が２００秒以下である、第一のＩＩＩ族窒化物下地層と、
前記第一のＩＩＩ族窒化物下地層上に形成された、全ＩＩＩ族元素に対して少なくとも５０原子％以上のＧａを含む第二のＩＩＩ族窒化物層群と、
前記第二のＩＩＩ族窒化物層群上に形成された、全ＩＩＩ族元素に対してＡｌを３０〜５０原子％含む第三のＩＩＩ族窒化物層群を具えたことを特徴とするエピタキシャル基板、に係わるものである。
【００１４】また、本願発明は、前記エピタキシャル基板を備えていることを特徴とする、半導体素子に係るものである。
【００１５】さらに、本願発明は、前記半導体素子、この半導体素子上のソース／ドレイン電極、及びゲート電極を備えていることを特徴とする、高電子移動度トランジスタに係るものである。
【００１６】本願発明者は、転位密度が１×１０１１／ｃｍ２以下であり、（００２）面におけるＸ線ロッキングカーブにおける半値幅が２００秒以下である、高品質のＩＩＩ族窒化物からなる下地層を使用し、この上に、Ｇａ含有のＩＩＩ族窒化物からなる層、さらには全ＩＩＩ族元素に対するＡｌ含有量が３０〜５０原子％であるＩＩＩ族窒化物層を生成させ、エピタキシャル基板を作成した。その結果、本エピタキシャル基板において、安定して低いシート抵抗を持つことを見い出し、本願発明に到達した。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、本願発明を実施の形態に即して詳細に説明する。
【００１８】図１は、本願発明の一実施形態に係るエピタキシャル基板を用いた高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）１０を模式的に示す断面図である。ＨＥＭＴ１０は、基材１、第一のＩＩＩ族窒化物からなる下地層２、第二の窒化物層としてキャリア移動層３、第三の窒化物層としてキャリア供給層４からなるエピタキシャル基板を備えている。キャリア供給層４上には、ソース電極７、ドレイン電極８、ゲート電極９が形成されている。キャリア供給層４を構成する第三の窒化物層における全ＩＩＩ族元素に対するＡｌ含有量を、好ましくは３０〜５０原子％、より好ましくは３０〜４０原子％とすることによって、シート抵抗値を安定して低減させることができる。
【００１９】本願発明においては、エピタキシャル基板のシート抵抗値は、４５０Ω／□以下であるが、好ましくは、４００Ω／□以下、さらに好ましくは３５０Ω／□以下を実現できる。
【００２０】基材１は、サファイア単結晶が望ましいが、結晶面としては、好ましくは、Ｃ面あるいはＡ面を用いることが好ましく、特に好ましい結晶面はＣ面である。この場合、転位低減が最も効果的に実現できる。
【００２１】なお、下地層２の膜厚は大きい方が結晶品質を向上させる観点から好ましく、具体的には０．１μｍ以上、さらには０．５μｍ以上、さらに好ましくは１．０μｍ以上の厚さに形成することが好ましい。下地層２の厚さの上限値は特に限定されるものではなく、クラックの発生や用途などを考慮して適宜選択し、設定する。
【００２２】下地層を形成する前処理として、サファイア基材上への５００℃〜１０００℃での低温バッファ層形成あるいはサファイア基板表面窒化などを用いることができるが、特に、表面窒化層が形成されたサファイア基板を用いることが好ましく、その主面上に形成される下地層２の結晶性をさらに向上させることができる。この場合、特別な成膜条件を設定することなく、クラックの発生や剥離を生じることなく下地層の厚さを５μｍ程度まで厚くすることができる。
【００２３】さらに、表面窒化層を形成することより、下地層２及び窒化物層３、並びにエピタキシャル基板１０上に形成すべき窒化物層群４の結晶品質をより向上させることができる。前記窒化処理は、基材１をアンモニアなどの窒素含有雰囲気中に配置し、所定温度に加熱することによって実施することができる。
【００２４】なお、表面窒化層は、例えば、基板主面から１０オングストロームの深さにおける窒素含有量が２原子％以上となるようにすることが好ましい。
【００２５】また、下地層２における転移密度は１×１０１１／ｃｍ２以下が好ましく、より好ましくは５×１０１０／ｃｍ２以下、さらに好ましくは１×１０１０／ｃｍ２以下である。
【００２６】また、下地層２の表面粗さＲａは、３Å以下であることが好ましく、２Å以下であることがさらに好ましい。本表面においては、原子ステップが明瞭に観察される。これにより、最終的に得られるエピタキシャル基板の表面に発生するマイクロクラック、あるいはピット形成を抑制することができる。なお、本測定は、ＡＦＭを用いて５μｍ角の範囲で測定する。
【００２７】さらに、下地層２を構成する第一の窒化物層の（００２）面におけるＸ線ロッキングカーブにおける半値幅は２００秒以下であることが好ましく、１５０秒以下であることがより好ましく、１００秒以下であることがさらに好ましい。これによって、第二の窒化物層群の結晶性が一層良好となり、Ｘ線ロッキングカーブにおける半値幅で２００秒以下、好ましくは１５０秒以下の結晶性を示すようになる。なお、ここで（００２）面のロッキングカーブは、基板のそりの影響を除去した状態で測定した結果である。
【００２８】なお、上記のような結晶品質を持つ下地層上に形成したキャリア移動層３を構成する第二の窒化物層群の転位密度は、１×１０９／ｃｍ２以下、好ましくは、５×１０８／ｃｍ２以下、さらに好ましくは１×１０８以下の低転位密度であって、高い結晶性を有するので、極めて高い移動度を有する。
【００２９】なお、「ＩＩＩ族窒化物層群」とは単独のＩＩＩ族窒化物層又は複数のＩＩＩ族窒化物層が複数積層されてなる多層膜構造などを総称したものであり、作製すべき半導体素子の種類などに応じて適当な構成を採る。
【００３０】また、下地層において、ＩＩＩ族元素の全体に対するＡｌ含有量は５０原子％以上であるが、８０原子％以上であることが好ましく、さらに好ましくは１００原子％、すなわちＡｌＮである。これは、第一の窒化物層である下地層と第二の窒化物層群の間のＡｌの組成差が大きければ大きいほど、第二の窒化物層群の転位密度を低減することができるためである。
【００３１】下地層は、例えば、トリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）及びアンモニア（ＮＨ３）を供給原料として用いることにより、ＭＯＣＶＤ法によって好ましくは１１００℃以上、さらに好ましくは１２００℃以上に加熱することによって形成することができる。なお、本願発明における「形成温度」とは、前記下地層を形成する際の基材自体の温度である。
【００３２】また、下地層の形成温度の上限については特に限定されるものではないが、１３００℃以下、好ましくは１２５０℃以下である。これによって、下地層を構成する窒化物半導体の材料組成などに依存した表面の荒れ、さらには下地層内における組成成分の拡散を効果的に抑制することができる。これによって、下地層の結晶性を良好な状態に保持することが可能となるとともに、表面の荒れに起因するキャリア移動層３の結晶性の劣化を効果的に防止できる。
【００３３】また、この場合において、下地層２を形成する際の温度を１２００℃以下、あるいは１１５０℃程度まで低減しても、その結晶性を十分に高く維持することができ、例えば、１×１０１１／ｃｍ２以下の転位密度を容易に実現することができる。
【００３４】下地層２内のクラックを抑制するために、下地層２の組成を、基材１側からキャリア移動層３側に向かって連続的又はステップ状に変化させることもできる。これによって下地層のクラックを効率的に抑制することができる。また、キャリア移動層３へのキャリア閉じ込め効果を向上させ、シートキャリア密度を向上させることができる。
【００３５】キャリア移動層３を構成する第二の窒化物半導体層群においては、全ＩＩＩ族元素に対してのＧａ含有量は５０原子％以上が好ましく、より好ましくは８０原子％以上、さらに好ましくは１００原子％すなわちＧａＮである。
【００３６】キャリア供給層４を構成する第三の窒化物層群は、全ＩＩＩ族元素に対してのＡｌ含有量が３０〜５０原子％であることが好ましい。３０％以上とすることにより、シートキャリア密度を向上することができる、５０％以下とすることにより、マイクロクラックの発生を低減することができる。結果として３００Ｋにおけるシート抵抗値を安定して４５０Ω／□以下とすることができる。
【００３７】なお、第三の窒化物層群であるキャリア供給層４のＡｌ組成は、Ｘ線回折の２θ―ωスキャンで（０００２）面の２θピーク角度を測定し、ＩＩＩ族窒化物の格子定数のベガード則を仮定した上で、その２θピーク角度のみから計算で求める。この際、内部応力による弾性変形による効果は考慮しない。
【００３８】また、第三の窒化物層群であるキャリア供給層４の厚さは、好ましくは１０〜１００ｎｍ、より好ましくは、１０〜５０ｎｍに設定する。また、Ｓｉ、Ｇｅ等の不純物を添加した層を含むこともできる。
【００３９】さらに、上記下地層を用いることにより、全ＩＩＩ族元素に対してのＡｌ含有量が３０〜５０原子％である第三の窒化物層群の表面平坦性を向上することができ、半導体素子を作製した場合の、電極コンタクトによる抵抗成分を低減することも可能となる。
【００４０】
【実施例】以下、実施例により本願発明を具体的に説明する。
（実施例１）
２インチ径の厚さ４３０μｍのサファイア基材をＨ２ＳＯ４＋Ｈ２Ｏ２で前処理した後、ＭＯＣＶＤ装置の中に設置した。圧力を２５Ｔｏｒｒに設定して、キャリアガスとしてＨ２を流速１ｍ／ｓｅｃで流し、基材を１２００℃まで昇温した後、ＮＨ３を加え、基材に窒化処理を施した。ついで、トリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）及びＮＨ３をモル比１：３５０となるように平均流速１ｍ／ｓｅｃで流して、前記サファイア基板上に下地層として、厚さ１μｍのＡｌＮ層を成長させた。前記ＡｌＮ層の（００２）面におけるＸ線回析ロッキングカーブの半値幅は６０秒であり、転位密度は９×１０９／ｃｍ２であり、結晶品質に優れることが判明した。また、表面粗さＲａは１．５Åであった。
【００４１】次いで、圧力を５００Ｔｏｒｒに設定して、キャリアガスとしてＨ２およびＮ２を流速０．５ｍ／ｓｅｃで流し、基材を１０５０℃に設定した後、トリメチルガリウム（ＴＭＧ）及びＮＨ３をモル比１：１５００となるように平均流速０．５ｍ／ｓｅｃで流して、前記ＡｌＮ層上にキャリア移動層として、厚さ３μｍのＧａＮ層を成長させた。前記ＧａＮ層の（００２）面におけるＸ線回析ロッキングカーブの半値幅は９０秒であり、転位密度は１×１０８／ｃｍ２であり、結晶品質に優れることが判明した。
【００４２】次いで、圧力を２００Ｔｏｒｒに設定して、キャリアガスとしてＨ２およびＮ２を流速１．０ｍ／ｓｅｃで流し、基材を１０５０℃と設定した後、ＴＭＡ及びＴＭＧ及びＮＨ３をＴＭＡ：ＴＭＧ：ＮＨ３＝３５：６５：１５００００となるように加え、キャリア供給層としてのＡｌ０．３５Ｇａ０．６５Ｎを２５ｎｍの厚みに成長させた。なお、この際、ｎ型不純物としてのＳｉＨ４ガスを、５×１０１８／ｃｍ２となるように添加している。前記Ａｌ０．３５Ｇａ０．６５Ｎ層表面のＡＦＭ像を観察したところ、明瞭な原子ステップが観察された。
【００４３】本エピタキシャル基板のシート抵抗値を３００Ｋで測定したところ、２ｉｎｃｈ領域内で３４０±１５Ω／□の値を示した。
【００４４】（比較例１）
上記実施例における下地層を、７００℃で２５ｎｍ成長したＧａＮ低温緩衝層とした以外は、実施例と同様な構造のエピタキシャル基板を作製した。なお、ＧａＮ層の（００２）面におけるＸ線回析ロッキングカーブの半値幅は２５０秒であり、転位密度は１×１０９／ｃｍ２であることが判明した。Ａｌ０．３５Ｇａ０．６５Ｎ層表面のＡＦＭ像を観察したところ、ピット、マイクロクラックが多数観察された。
【００４５】本エピタキシャル基板のシート抵抗値を３００Ｋで測定したところ、２ｉｎｃｈ領域内で５７０±８０Ω／□の値を示した。
【００４６】（比較例２）
上記実施例におけるキャリア供給層を、Ａｌ０．２５Ｇａ０．７５Ｎとした以外は、実施例と同様な構造のエピタキシャル基板を作製した。なお、ＧａＮ層の（００２）面におけるＸ線回析ロッキングカーブの半値幅は９０秒であり、転位密度は１×１０８／ｃｍ２であることが判明した。Ａｌ０．２５Ｇａ０．７５Ｎ層表面のＡＦＭ像を観察したところ、明瞭な原子ステップが観察された。
【００４７】しかし、本エピタキシャル基板のシート抵抗値を３００Ｋで測定したところ、２ｉｎｃｈ領域内で４８０±２５Ω／□の値を示した。
【００４８】以上、実施例及び比較例１から明らかなように、ＡｌＮ下地を用いることにより、シート抵抗値およびそのばらつきを低減できることが分かる。また、エピタキシャル基板表面の欠陥も低減することができる。また、実施例及び比較例２から明らかなように、ＡｌＮ下地を用いた場合でも、Ａｌ組成を３０％以上とすることによりシート抵抗値を大幅に改善できることが分かる。
【００４９】以上、本願発明を発明の実施の形態に即して詳細に説明してきたが、本願発明は上記内容に限定されるものではなく、各層の厚さ、組成、及びキャリア濃度などについては、本願発明の範疇を逸脱しない限りにおいてあらゆる変形や変更が可能である。
【００５０】例えば、図１に示すＨＥＭＴのキャリア移動層３とキャリア供給層４との間に、Ｓｉの拡散を防止するためのスペーサー層としてのｉ−ＡｌＧａＮ層を挿入することもできる。また、キャリア供給層４上に電極のコンタクト抵抗を低減するための、コンタクト層としてのｎ−ＧａＮ層などを積層することもできる。さらには、キャリア供給層４とコンタクト層との間にＳｉの拡散を防止すべくバリア層を挿入することもできる。
【００５１】全ての窒化物半導体層において、必要に応じて、Ｉｎ、Ｇｅ、Ｓｉ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｂｅ、Ｐ、及びＢなどの添加元素を含有することもできる。さらに、意識的に添加した元素に限らず、成膜条件などに依存して必然的に取り込まれる微量元素、並びに原料、反応管材質に含まれるＦｅ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｎｉ等の微量不純物を含むこともできる。
【００５２】
【発明の効果】以上説明したように、本願発明によれば、半導体素子として有効に利用できる低シート抵抗値を持つエピタキシャル基板を、サファイア基材を用いて安定して提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本願発明の一実施形態に係わるエピタキシャル基板を用いた高電子移動度トランジスタの断面を示す模式図である。
【符号の説明】
１  サファイア基材、２  下地層  ３  キャリア移動層  ４  キャリア供給層
７  ソース電極  ８  ドレイン電極  ９  ゲート電極  １０  ＨＥＭＴ
【図１】
2004327882.tif 000003