(57)【要約】【課題】コストを増大させることなく、より処理品質を向上させることができる製品素材の処理方法を提供する。【解決手段】光学部品の素材１４、ゲート部１２を挟んで離れたスプルー部１１で、樹脂材をカットすることによって光学部品の素材１４に切断粉が付着することを抑制でき、その後における処理品質を向上させることができる。又、スプルー部１１を支持しながら光学部品の素材１４を処理できるため、光学部品の素材１４自体にに支持部を設ける必要がなく、製品設計をより簡単に行える。【選択図】　　　図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲート部以外の非ゲート部と、前記ゲート部とを介して、型内に溶融した樹脂材を射出することにより成形される製品素材の処理方法において、
前記樹脂材が固化した後に、前記非ゲート部で前記樹脂材をカットするステップと、
前記非ゲート部を支持しながら、前記ゲート部に連結された状態で前記製品素材を処理するステップと、を有することを特徴とする製品素材の処理方法。
【請求項２】
前記製品素材を処理するステップは、前記製品素材に表面処理を施すステップを含むことを特徴とする請求項１に記載の製品素材の処理方法。
【請求項３】
前記表面処理は、大気圧プラズマ法による成膜処理であることを特徴とする請求項２に記載の製品素材の処理方法。
【請求項４】
前記大気圧プラズマ法は、１００ｋＨｚを越えた高周波電圧で、且つ１Ｗ／ｃｍ２以上の電力を電極間に供給し、前記電極間に放電を起こす工程を有することを特徴とする請求項３に記載の製品素材の処理方法。
【請求項５】
前記高周波電圧は、連続したサイン波であることを特徴とする請求項４に記載の製品素材の処理方法。
【請求項６】
前記表面処理は、真空蒸着法による成膜処理であることを特徴とする請求項２に記載の製品素材の処理方法。
【請求項７】
前記表面処理は、スパッタリング法による成膜処理であることを特徴とする請求項２に記載の製品素材の処理方法。
【請求項８】
前記表面処理は、ＣＶＤ法による成膜処理であることを特徴とする請求項２に記載の製品素材の処理方法。
【請求項９】
前記表面処理は、塗布による成膜処理であることを特徴とする請求項２に記載の製品素材の処理方法。
【請求項１０】
前記非ゲート部を支持しながら、前記製品素材を搬送するステップを含むことを特徴とする請求項１乃至９のいずれかに記載の製品素材の処理方法。
【請求項１１】
前記非ゲート部は、少なくとも一部の断面が非円形であることを特徴とする請求項１０に記載の製品素材の処理方法。
【請求項１２】
処理された製品素材から前記ゲート部を切り離すステップを、更に有することを特徴とする請求項１乃至１１のいずれかに記載の製品素材の処理方法。
【請求項１３】
前記製品素材から光学部品が形成されることを特徴とする請求項１乃至１２のいずれかに記載の製品素材の処理方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明が属する技術分野】
本発明は、製品素材の処理方法に関し、例えば光学部品などの高機能な製品を処理できる処理方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
例えば樹脂材を射出成形することによって形成される光学部品は、カメラや光ピックアップ装置などの光学機器に搭載されて、高精度な光学機能を発揮するようになっている。ところで、このような光学部品においては、より高い機能を発揮すべく反射防止被膜等を光学面に塗布することが行われている。このような反射防止被膜等は、例えば大気圧プラズマ法などの技術を介して成膜が行える。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、光学部品を射出成形する場合、一般的には、溶融した樹脂の吐出口であるノズルから、中央通路を介して樹脂材を送り込み、更に送り込まれた樹脂材を複数の分配通路を介して分配し、その後狭い通路を介して樹脂材を光学部品用の成形型（キャビティという）に充填するようになっている。樹脂材は、光学部品用の成形型内で固化することで光学部品の素材になるが、他の通路内で固化いた樹脂材は、光学部品の素材となり得ず、通常は廃棄処分されるものである。ここで、中央通路内で固化した樹脂材をスプルー部と呼び、分配通路内で固化した樹脂材をランナー部と呼び、光学部品用の成形型につながる狭い通路内で固化した樹脂材をゲート部と呼んでいる。
【０００４】
従来技術によれば、射出成形後に成形型が離型され、光学部品の素材が得られた段階で、ゲート部と光学部品の素材とは切り離され、収納トレーなどに保管された上で次工程に搬送され、更に、治具などを用いて光学部品の素材の一部を把持した状態で、反射防止被膜などの表面処理を行って最終的に光学部品を得るようにしている。しかるに、光学部品の素材からゲートを切り離す際に、切断粉などの異物が光学部品の素材に光学面に付着することがある。又、収納トレーに保管している段階で光学面に傷などが付く恐れもある。そのような状態で表面処理を行うと、光学性能を低下させる成膜欠陥を引き起こす恐れがある。又、光学部品は一般的に小さい部品であるから、治具により確実に支持できるよう支持部分を予め設けておくこともあるが、かかる部分は最終的に光学製品になったときに、光学性能を発揮する上では、必ずしも必要とはいえないものである。
【０００５】
本発明は、かかる従来技術の問題点に鑑みてなされたものであり、コストを増大させることなく、より処理品質を向上させることができる製品素材の処理方法を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
請求項１に記載の製品素材の処理方法は、ゲート部以外の非ゲート部と、前記ゲート部とを介して、型内に溶融した樹脂材を射出することにより成形される製品素材の処理方法において、前記樹脂材が固化した後に、前記非ゲート部で前記樹脂材をカットするステップと、前記非ゲート部を支持しながら、前記ゲート部に連結された状態で前記製品素材を処理するステップと、を有するので、前記製品素材（例えば光学部品の素材）から、少なくとも前記ゲート部を間に挟んで離れてなる前記非ゲート部で、前記樹脂材をカットすることによって製品素材に切断粉が付着することを抑制でき、その後における処理品質を向上させることができる。又、前記非ゲート部を支持しながら前記製品素材を処理できるため、前記製品素材自体に支持部を設ける必要がなく、製品設計をより簡単に行える。尚、カットされる前記非ゲート部は、前記ゲート部に接続されたランナー部又はスプルー部であると好ましい。ゲート部とは、ランナー部を形成する通路と、製品素材の成形型との間を接続し、且つランナー部を形成する通路より断面積の小さい通路部から形成される樹脂の部分をいう。樹脂材としては、例えばアクリル系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、ポリオレフィン系樹脂、ノルボルネン系樹脂などが考えられるが、これらに限られない。
【０００７】
請求項２に記載の製品素材の処理方法は、前記製品素材を処理するステップが、前記製品素材に表面処理を施すステップを含むと、カット時の切断粉等が製品素材に付着しにくいという本発明の効果を通じて、処理品質を向上できる。
【０００８】
請求項３に記載の製品素材の処理方法は、前記表面処理が、大気圧プラズマ法による成膜処理であると好ましい。
【０００９】
請求項４に記載の製品素材の処理方法に用いる前記大気圧プラズマ法は、１００ｋＨｚを越えた高周波電圧で、且つ１Ｗ／ｃｍ２以上の電力を電極間に供給し、前記電極間に放電を起こす工程を有すると、前記製品素材の表面に対して成膜したときに、より均一且つ緻密で表面との密着性が高い膜を形成できる。
【００１０】
請求項５に記載の製品素材の処理方法は、前記高周波電圧は、連続したサイン波であると、より均一且つ緻密で表面との密着性が高い膜を形成できる。
【００１１】
請求項６に記載の製品素材の処理方法は、前記表面処理が、真空蒸着法による成膜処理であると好ましい。
【００１２】
請求項７に記載の製品素材の処理方法は、前記表面処理が、スパッタリング法による成膜処理であると好ましい。
【００１３】
請求項８に記載の製品素材の処理方法は、前記表面処理が、ＣＶＤ法による成膜処理であると好ましい。
【００１４】
請求項９に記載の製品素材の処理方法は、前記表面処理が、塗布による成膜処理であると好ましい。
【００１５】
請求項１０に記載の製品素材の処理方法は、前記非ゲート部を支持しながら、前記製品素材を、例えば次工程の表面処理装置へと搬送するステップを含むと好ましく、かかる場合には、前記非ゲート部を支持しながら前記製品素材を搬送できることとなる。
【００１６】
請求項１１に記載の製品素材の処理方法は、前記非ゲート部が、少なくとも一部の断面が非円形（例えばＤ字断面）であると、前記非ゲート部を支持する際に、支持部材との間の相対回転を抑制する効果がある。
【００１７】
請求項１２に記載の製品素材の処理方法は、処理された製品素材から前記ゲート部を切り離すステップを、更に有すると、高品位な最終製品を形成できる。
【００１８】
請求項１３に記載の製品素材の処理方法は、前記製品素材から光学部品が形成されると、より高品位な光学部品を形成できる。尚、光学部品としては、例えばレンズ、プリズム、回折格子光学部品（回折レンズ、回折プリズム、回折板）、光学フィルター（空間ローパスフィルター、波長バンドパスフィルター、波長ローパスフィルター、波長ハイパスフィルター等々）、偏光フィルター（検光子、旋光子、偏光分離プリズム等々）、位相フィルター（位相板、ホログラム等々）が考えられるが、以上に限られることはない。
【００１９】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して、本発明の実施の形態について説明する。図１は、本実施の形態にかかる処理方法を説明するための成形型の断面図である。図１（ａ）に示すように、上型１と下型２とを合わせた状態で、型内には、上型１の上面から図で下方に向かって広がるように延在する中央通路３Ａと、中央通路３Ａの下端近傍から放射状に伸びる分配通路３Ｂと、分配通路３Ｂの延長線上に配置されたキャビティ３Ｄと、キャビティ３Ｄと分配通路３Ｂとの間を結ぶ、分配通路３Ｂより断面積の小さいゲート通路３Ｃとが形成されている。
【００２０】
かかる状態から、上型１のノズル口１ａより溶融した樹脂材を中央通路３Ａに吐出させると、かかる樹脂材は、分配通路３Ｂ及びゲート通路３Ｃを介してキャビティ３Ｄに充填され、その後固化する。ここで、ノズル口１ａの部分（後述するスプルー部の一部ともいえるが、要するに非ゲート部）でカットされることにより、上型１と下型２の分離が可能となる。
【００２１】
更に図１（ｂ）に示すように、上型１と下型２とを離型させると、固化した樹脂材より成形品１０が得られる。成形品１０は、中央通路３Ａ内の樹脂材が固化して形成されたスプルー部１１と、分配通路３Ｂ内の樹脂材が固化して形成されたランナー部１２と、ゲート通路３Ｃ内の樹脂材が固化して形成されたゲート部１３と、キャビティ３Ｄ内の樹脂材が固化して形成された光学部品の素材（製品素材）１４とを有している。
【００２２】
図２は、成型品１０の斜視図である。図２において、成型品１０のスプルー部１１の上部は、搬送装置に設けられた開閉自在な一対のアーム２０により挟持され、そのまま上方に持ち上げられて、次工程の処理位置に搬送されるようになっている。尚、スプルー部１１の下端を不図示の治具で支持することにより、一時的な保管も可能である。
【００２３】
図３は、表面処理として大気圧プラズマ法により成膜を行うためのプラズマ処理装置３０を示す斜視図である。図３において、３１，３２，３１’，３２’は、長方形で同じ大きさである平板電極であり、平板電極３１と平板電極３２は対向するように配置され、平板電極３１’と平板電極３２’も対向するように配置されている。さらに平板電極３２と平板電極３２’も対向するように配置されている。また、各平板電極は四隅をそろえて配置されている。平板電極３１と３２、平板電極３１’と３２’の対向する面には誘電体を被覆しており、該誘電体は、Ａｌ２Ｏ３セラミックスを溶射後、アルコキシシランで封孔処理したものである。
【００２４】
尚、平板電極３１，３２の少なくとも一方の電極の対向する面と平板電極３１’，３２’のうち少なくとも一方の電極の対向する面が誘電体で被覆されていればよく、そのように構成しても良い。
【００２５】
電極材料には、銀、白金、ステンレス、アルミニウム、鉄等の金属を用いることができる。ステンレスは加工し易く好ましく用いることができる。誘電体としては、ケイ酸塩系ガラス・ホウ酸塩系ガラス・リン酸塩系ガラス・ゲルマン酸塩系ガラス・亜テルル酸塩ガラス・アルミン酸塩ガラス・バナジン酸塩ガラス等を用いることが出来る。この中でもホウ酸塩系ガラスが加工し易い。また、気密性の高い高耐熱性のセラミックスを焼結したセラミックスを用いることも好ましい。セラミックスの材質としては例えばアルミナ系、ジルコニア系、窒化珪素系、炭化珪素系のセラミックスが挙げられるが、中でもアルミナ系のセラミックスが好ましく、アルミナ系のセラミックスの中でも特にＡｌ２Ｏ３を用いるのが好ましい。アルミナ系のセラミックスの厚みは１ｍｍ程度が好ましく、体積固有抵抗は１０８Ω・ｃｍ以上が好ましい。
【００２６】
セラミックスは、無機質材料で封孔処理されているのが好ましく、これにより電極の耐久性を向上させることができる。
【００２７】
封孔処理はセラミックスに封孔剤である金属アルコキシドを主原料とするゾルをセラミックス上に塗布した後に、ゲル化させて硬化させることで、強固な３次元結合を形成させ均一な構造を有する金属酸化物によって、セラミックスの封孔処理をすることができる。
【００２８】
また、ゾルゲル反応を促進するためにエネルギー処理を行うことが好ましい。ゾルにエネルギー処理をすることによって、金属−酸素−金属の３次元結合を促進することができる。
【００２９】
エネルギー処理には、プラズマ処理や、２００℃以下の加熱処理、ＵＶ処理が好ましい。
【００３０】
対向する平板電極３１，３２間，平板電極３１’，３２’間、平板電極３２，３２’間の隙間のうち、向かい合う隙間が蓋体３９，３９’によって塞がれている。尚、電極間の隙間とは、対向する電極間（電極と電極の間に存在する領域）とその他の領域とで気体等の移動が可能な通路のことをいい、電極間に存在する領域は含まないこととする。隙間を塞ぐとは、該通路を塞いで電極間とその他の領域とで気体等が移動できないようにすることをいう。平板電極３１，３２，３１’，３２’は長方形平板電極であるので、対向する平板電極３１，３２間，平板電極３１’，３２’間、平板電極３２，３２’間それぞれは四方に隙間を有することになる。
【００３１】
３３，３３’は電極３１，３２間、電極３１’，３２’間に不活性ガスを導入するための不活性ガス導入口であり、電極３１，３２間、電極３１’，３２’間の隙間のうち、蓋体３９，３９’で塞がれていない、向かい合う隙間の一方の隙間を、不活性ガス導入口３３，３３’として用いている。不活性ガス導入口３３と不活性ガス導入口３３’は同じ方向の隙間を用いている。
【００３２】
図３の大気圧プラズマ処理装置３０においては、不活性ガス導入口３３，３３’は、電極３１，３２間、電極３１’，３２’間の隙間の一部をそのまま不活性ガス導入口３３，３３’として用いているが、該隙間にさらに部材を設けることで、不活性ガス導入口３３，３３’を平板電極３１，３２間、平板電極３１’，３２’間に不活性ガスを効率よくかつ容易に導入することができる形状にするのが好ましい。
【００３３】
３４，３４’は、電極３１，３２間、電極３１’，３２’間で発生した励起不活性ガスを電極３１，３２間、電極３１’，３２’間の外に放出するための励起不活性ガス放出口であり、電極３１，３２間、電極３１’，３２’間の隙間のうち、不活性ガス導入口３３，３３’と向かい合う隙間をそれぞれ励起不活性ガス放出口３４，３４’として用いる。よって、励起不活性ガス放出口３４と励起不活性ガス放出口３４’は同じ方向の隙間を用いることになる。
【００３４】
図３の大気圧プラズマ処理装置３０においては、励起不活性ガス放出口３４，３４’は、電極３１，３２間、電極３１’，３２’間の隙間の一部をそのまま励起不活性ガス放出口３４，３４’として用いているが、該隙間にさらにノズルのような部材を設けることで、平板電極３１，３２間、平板電極３１’，３２’間で発生した励起不活性ガスを外部に放出する際に放出角度や放出強度を調整できるようにするのが好ましい。
【００３５】
３５は電極３２，３２’間に反応ガスを導入するための反応ガス導入口であり、電極３２，３２’間の隙間のうち、蓋体３９，３９’で塞がれていない、向かい合う隙間の一方の隙間を、反応ガス導入口３５として用いている。尚、反応ガス導入口３５は不活性ガス導入口３３，３３’と同じ方向の隙間を用いる。
【００３６】
図３の大気圧プラズマ処理装置３０おいては、反応ガス導入口３５は、電極３２，３２’間で形成される隙間の一部をそのまま反応ガス導入口３５としているが、該隙間にさらに部材を設けることで、反応ガス導入口３５を平板電極３２，３２’間に反応ガスを効率よくかつ容易に導入することができる形状にするのが好ましい。
【００３７】
３６は、電極３２，３２’間に導入した反応ガスを電極３２，３２’間の外に放出するための反応ガス放出口であり、平板電極３２，３２’間の隙間のうち、反応ガス導入口３５と向かい合う隙間を反応ガス放出口３６として用いている。よって、反応ガス放出口６は励起不活性ガス放出口３４，３４’と同じ方向となる隙間を用いることになる。
【００３８】
図３の大気圧プラズマ処理装置３０においては、反応ガス放出口３６は、電極３２，３２’間の隙間の一部をそのまま反応ガス放出口３６として用いているが、該隙間にさらにノズルのような部材を設けることで、平板電極３２，３２’間に存在する反応ガスを外部に放出する際に放出角度や放出強度を調整できるようにするのが好ましい。
【００３９】
前述したように、反応ガス放出口３６、励起不活性ガス放出口３４，３４’は同じ方向の隙間を用いており、また、反応ガス放出口３６は、励起不活性ガス放出口３４と励起不活性ガス放出口３４’に挟まれた構造となる。従って、反応ガス放出口３６から放出される反応ガスは、励起不活性ガス放出口３４から放出される励起不活性ガスと、励起不活性ガス放出口３４から放出される励起不活性ガスに挟まれた状態で接触する。これにより、反応ガスが効率よくプラズマ化されるようになる。
【００４０】
本実施形態では、１つの反応ガス放出口を２つの励起不活性ガス放出口で挟み込む構造としているが、新たに励起不活性ガスを放出する平板電極対を設け、その間に新たに反応ガス放出口を設け、構造としては、端から順に励起不活性ガス放出口、反応ガス放出口、励起不活性ガス放出口、反応ガス放出口、励起不活性ガス放出口を並べた構造にして挟み込むようにしても良い。
【００４１】
本発明に用いられる反応ガスとして、好ましくは、有機フッ素化合物、金属化合物を好ましく挙げることが出来る。有機フッ素化合物を用いることにより反射防止層等に有用な低屈折率層や防汚層を形成することができる。金属化合物では、低屈折率層、中屈折率層、高屈折率層や、ガスバリア層、帯電防止層、透明導電層を形成することができる。
【００４２】
有機フッ素化合物としては、フッ化炭素やフッ化炭化水素等のガスが好ましく、例えば、フッ化メタン、フッ化エタン、テトラフルオロメタン、ヘキサフルオロエタン、１，１，２，２−テトラフルオロエチレン、１，１，１，２，３，３−ヘキサフルオロプロパン、ヘキサフルオロプロペン、６−フッ化プロピレン等のフッ化炭素化合物；１，１−ジフルオロエチレン、１，１，１，２−テトラフルオロエタン、１，１，２，２，３−ペンタフルオロプロパン等のフッ化炭化水素化合物；ジフルオロジクロロメタン、トリフルオロクロロメタン等のフッ化塩化炭化水素化合物；１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロ−２−プロパノール、１，３−ジフルオロ−２−プロパノール、パーフルオロブタノール等のフッ化アルコール；ビニルトリフルオロアセテート、１，１，１−トリフルオロエチルトリフルオロアセテート等のフッ化カルボン酸エステル；アセチルフルオライド、ヘキサフルオロアセトン、１，１，１−トリフルオロアセトン等のフッ化ケトン等を挙げることが出来るが、これらに限定されない。
【００４３】
有機フッ素化合物は、プラズマ放電処理によって腐食性ガスあるいは有害ガスが発生しないような化合物を選ぶのが好ましいが、それらが発生しない条件を選ぶことも出来る。有機フッ素化合物を本発明に有用な反応性ガスとして使用する場合、常温常圧で有機フッ素化合物が気体であることが目的を遂行するのに最も適切な反応性ガス成分としてそのまま使用でき好ましい。これに対して常温常圧で液体または固体の有機フッ素化合物の場合には、加熱や減圧等の気化装置などの手段により気化して使用すればよく、また適切な有機溶媒に溶解して噴霧あるいは蒸発させて用いてもよい。
【００４４】
金属化合物としては、Ａｌ、Ａｓ、Ａｕ、Ｂ、Ｂｉ、Ｃａ、Ｃｄ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｈｇ、Ｉｎ、Ｌｉ、Ｍｇ、Ｍｎ、Ｍｏ、Ｎａ、Ｎｉ、Ｐｂ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｓｂ、Ｓｅ、Ｓｉ、Ｓｎ、Ｔｉ、Ｖ、Ｗ、Ｙ、ＺｎまたはＺｒ等の金属化合物または有機金属化合物を挙げることができ、Ａｌ、Ｇｅ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｓｉ、Ｓｎ、Ｔｉ、Ｗ、ＺｎまたはＺｒが金属化合物として好ましく用いられるが、特に、珪素化合物、チタン化合物、錫化合物、亜鉛化合物、インジウム化合物、アルミ化合物、銅化合物、銀化合物が好ましい。
【００４５】
これらのうち珪素化合物としては、例えば、ジメチルシラン、テトラメチルシラン、テトラエチルシラン等のアルキルシラン；テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、テトラプロポキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、メチルトリメトキシシラン、エチルトリエトキシシラン等の珪素アルコキシド等の有機珪素化合物；モノシラン、ジシラン等の珪素水素化合物；ジクロルシラン、トリクロロシラン、テトラクロロシラン等のハロゲン化珪素化合物；その他オルガノシラン等を挙げることが出来、何れも好ましく用いることが出来る。また、これらは適宜組み合わせて用いることが出来る。上記の珪素化合物は、取り扱い上の観点から珪素アルコキシド、アルキルシラン、珪素水素化合物が好ましく、腐食性、有害ガスの発生がなく、工程上の汚れなども少ないことから、特に有機珪素化合物として珪素アルコキシドが好ましい。
【００４６】
チタン化合物、錫化合物、亜鉛化合物、インジウム化合物、アルミ化合物、銅化合物、銀化合物としては、有機金属化合物、ハロゲン化金属化合物、金属水素化合物、金属アルコキシド化合物が好ましい。有機金属化合物の有機成分としてはアルキル基、アルコキシド基、アミノ基が好ましく、テトラエトキシチタン、テトライソプロポキシチタン、テトラブトキシチタン、テトラジメチルアミノチタン等を好ましく挙げることが出来る。有機チタン化合物、有機錫化合物、有機亜鉛化合物、有機インジウム化合物、有機アルミ化合物、有機銅化合物、有機銀化合物は、中屈折率層や高屈折率層を形成するのに非常に有用である。ハロゲン化金属化合物としては、二塩化チタン、三塩化チタン、四塩化チタン等を挙げることができ、更に金属水素化合物としては、モノチタン、ジチタン等を挙げることができる。本発明においては、チタン系の有機金属化合物を好ましく用いることができる。
【００４７】
不活性ガスとしては、Ｈｅ、Ａｒ等の希ガスが好ましく用いられるが、ＨｅとＡｒを混合した希ガスも好ましく、気体中に占める不活性ガスの割合は、９０体積％〜９９．９体積％であることが好ましい。大気圧プラズマを効率よく発生させるという点から不活性ガス中のＡｒガス成分を多くするのも好ましいが、コスト的な観点からもＡｒガス成分を９０体積％〜９９．９体積％を用いるのが好ましい。
【００４８】
なお、不活性ガスには水素ガスや酸素ガスを不活性ガスに対して０．１体積％〜１０体積％混合させて使用してもよく、このように補助的に使用することにより薄膜の硬度を著しく向上させることが出来る。
【００４９】
３７は電極３１，３２間、電極３１’，３２’間に高周波電圧を印加するための高周波電源である。３８はアースであり、電極３２，３２’はアース３８に接地している。
【００５０】
平板電極間３１，３２間、平板電極間３１’，３２’間に存在させる不活性ガスは、大気圧又は大気圧近傍の圧力下で存在させ、高周波電源３７によって、平板電極間３１，３２間、平板電極間３１’，３２’間に電圧を印加させることで不活性ガスを励起させ、励起不活性ガスを発生させる。
【００５１】
図３に示すように、本実施の形態では、スプルー部１１をアーム２０（図２）で支持した状態で、成型品１０を適宜移動させ、一つの光学部品の素材１４を大気圧プラズマ処理装置１０の電極間の下方に配置する。光学部品の素材１４は、反応ガス放出口３６の反応ガス放出方向と、励起不活性ガス放出口３４，３４’の励起不活性ガス放出方向で、反応ガス放出口３６から放出される反応ガスが、励起不活性ガス放出口３４，３４’から放出される励起不活性ガスに挟み込まれるようにして接触して発生したプラズマ化した反応ガスと接触される位置に配置され、それにより表面処理（例えば反射コートの成膜やハードコートの成膜等）が行われる。
【００５２】
より具体的には、不活性ガス導入口３３，３３’から電極３１，３２間、電極３１’，３２’間に不活性ガスを導入し、電極３１，３２間、電極３１’，３２’間に大気圧又は大気圧近傍の圧力下で不活性ガスを存在させる。電極３１，３２間、電極３１’，３２’間に高周波電源３７によって高周波電圧が印加され、電極３１，３２間、電極３１’，３２’間に存在する不活性ガスを励起させ励起不活性ガスを発生させる。電極３１，３２間、電極３１’，３２’間で発生した励起不活性ガスは、新たに不活性ガス導入口３３，３３’から導入されてくる不活性ガスに押され、また、蓋体３９，３９’によって電極の側面方向の隙間は塞がれていることから、励起不活性ガス放出口３４，３４’より電極３１，３２間、電極３１’，３２’間の外へと放出される。
【００５３】
一方、電極３２，３２’間には反応ガス導入口３５から反応ガスが導入される。電極３２，３２’間に導入された反応ガスは、新たに反応ガス導入口３５から導入されてくる反応ガスに押され、また、蓋体３９，３９’によって電極の側面方向の隙間は塞がれていることから、反応ガス放出口３６から電極３２，３２’間の外へと放出される。
【００５４】
反応ガス放出口３６から放出される反応ガスは、励起不活性ガス放出口３４と励起不活性ガス放出口３４’から放出される励起不活性ガスとに挟み込まれるようにして接触し、反応ガスはプラズマ化され、所望の成膜処理が行われる。このとき、処理対象となる光学部品の素材１４は、ゲート部１３がカットされていない状態であるため、光学面に切断粉が付着することや、収納トレーにおいて傷付くことなどが抑制され、高精度な被膜処理が可能となる。又、ゲート部１３でカットしないことで、成形から表面処理までの時間が短縮され、それにより被膜がなじみやすくなるといった効果もある。
【００５５】
大気圧プラズマ処理装置３０は、電極間の外で基材の表面処理を行うことから、光学部品の素材１４には支持体のようなシート状の基材のみでなく、様々な大きさ、形状のものを処理することが可能となる。例えば、レンズ形状、球状などの厚みを有するような形状の基材も表面処理を行うことができる。
【００５６】
一つの光学部品の素材１４の処理が終了したら、アーム２０はその場で回転し、隣接した光学部品の素材１４を電極に対向させ、同様の処理を行う。全ての光学部品の素材１４（図２では６個）の表面処理が終了した後は、搬送装置のアーム２０が成型品１０を把持したまま移動するので、光学部品の素材１４は、図３に示す処理位置から搬送され、更にゲート部１３をカットされることで光学部品として完成されることとなる。このように、本実施の形態によれば、表面処理が終わるまで、ゲート部１３が光学部品の素材１４につながったままであり、従って光学部品の素材１４を収納トレーから治具で取り出して把持しながら処理を行うという工程が不要となり、迅速な加工処理が可能となる。
【００５７】
図３の大気圧プラズマ処理装置３０に用いられる電極システムは、電極３１，３２，３１’，３２’で構成され、電極３１，３２間と電極３１’，３２’間に電圧が印加されるようになっているのであるが、この電極システムを複数設け、さらに各電極システムに不活性ガス導入口、励起不活性ガス放出口、反応ガス導入口、反応ガス放出口を設けることで、基材の表面処理を複数回行うことができるようになるので好ましい。これにより、光学部品の素材１４に異なる成分の複数製膜（例えば反射防止コート）を施したりすることができる。
【００５８】
図４は、別な大気圧プラズマ処理装置４０を示す斜視図である。尚、以降の図の説明においては、前述の図の説明で説明された符号と同じ符号のものの説明及びそれに関連する説明について省略されている場合があるが、特に説明がない限りは前述の図の説明と同じである。
【００５９】
４１は内側電極であり、４２は外側電極である。内側電極４１、外側電極４２は、円筒状の電極であり、外側電極４２の筒管内に内側電極４１を同心配置している。
【００６０】
本実施形態では内側電極４１、外側電極４２の対向する面を共に誘電体で被覆したが、内側電極４１、外側電極４２のうちどちらかの電極の対向する面に誘電体が被覆されていればよい。
【００６１】
内側電極４１、外側電極４２には、先ほど図３で説明した電極３１，３２，３１’，３２’に用いた電極、誘電体を用いることができる。
【００６２】
４３は内側電極４１と外側電極４２の間に不活性ガスを導入するための不活性ガス導入口である。内側電極４１と外側電極４２の間とは、外側電極４２の筒管内の領域において、内側電極４１及び内側電極４１の筒管内の領域を除いた領域である。また、不活性ガス導入口４３は内側電極４１と外側電極４２の間の隙間の一方を用いる。
【００６３】
図４の大気圧プラズマ処理装置４０においては、不活性ガス導入口４３は、内側電極４１と外側電極４２の間の隙間の一部をそのまま不活性ガス導入口４３として用いているが、該隙間にさらに部材を設けることで、不活性ガス導入口４３を内側電極４１と外側電極４２の間に不活性ガスを効率よく容易に導入することができる形状にするのが好ましい。
【００６４】
４４は、内側電極４１と外側電極４２の間で発生した励起不活性ガスを内側電極４１と外側電極４２の間の外に放出するための励起不活性ガス放出口であり、内側電極４１と外側電極４２の間の隙間のうち不活性ガス導入口４３として用いていないほうの隙間を用いる。
【００６５】
図４の大気圧プラズマ処理装置４０においては、励起不活性ガス放出口４４は、内側電極４１と外側電極４２の間の隙間の一部をそのまま励起不活性ガス放出口４４としているが、該隙間にさらにノズルのような部材を設けることで、内側電極４１と外側電極４２の間で発生した励起不活性ガスを外部に放出する際に放出角度や放出強度を調整できるようにするのが好ましい。
【００６６】
４５は内側電極４１の筒管内に反応ガスを導入するための反応ガス導入口であり、内側電極４１の筒管の口のうち、一方の口を、反応ガス導入口４５として用いている。尚、反応ガス導入口４５は不活性ガス導入口４３と同じ方向となる口を用いる。
【００６７】
図４の大気圧プラズマ処理装置４０においては、反応ガス導入口４５は、内側電極４１の筒管の口の一部をそのまま反応ガス導入口４５として用いているが、該筒管の口にさらに部材を設けることで、反応ガス導入口４５を内側電極４１の筒管内に反応ガスを効率よく容易に導入することができる形状にするのが好ましい。
【００６８】
４６は、内側電極４１の筒管内に導入した反応ガスを筒管内の外に放出するための反応ガス放出口であり、内側電極４１の筒管の口のうち、反応ガス導入口４５として用いていないほうの口を用いる。よって、反応ガス放出口４６は励起不活性ガス放出口４４と同じ方向となることになる。
【００６９】
図４の大気圧プラズマ処理装置４０においては、内側電極４１の筒管の口の一部をそのまま反応ガス放出口４６としているが、該筒管の口にさらにノズルのような部材を設けることで、該反応ガスを外部に放出する際に放出角度や放出強度を調整できるようにするのが好ましい。
【００７０】
前述したように、反応ガス放出口４６と励起不活性ガス放出口４４は同じ方向に設けられ、また、反応ガス放出口４６は、励起不活性ガス放出口４４に周囲を囲まれた構造となる。従って、反応ガス放出口４６から放出される反応ガスは、励起不活性ガス放出口４４から放出される励起不活性ガスに包まれた状態で接触する。これにより、反応ガスが効率よくプラズマ化される。
【００７１】
本実施形態では、１つの反応ガス放出口の周囲を励起不活性ガス放出口で囲んだ構造としているが、内側電極の内側に新たに筒管状である内側電極、外側電極を設け、同様に反応ガス放出口、不活性ガス放出口を設け、構造としては、内側から順に、反応ガス放出口、励起不活性ガス放出口、反応ガス放出口、励起不活性ガス放出口という構造にすると、反応ガスが励起不活性ガスと包み込んで接触し、さらに挟み込んで接触するので好ましい。
【００７２】
図４の大気圧プラズマ処理装置４０に用いられる電極システムは、内側電極４１と外側電極４２で構成され、内側電極４１と外側電極４２の間に高周波電源３７で電圧を印加されるようになっているのであるが、この電極システムを複数設け、さらに各電極システムに不活性ガス導入口、励起不活性ガス放出口、反応ガス導入口、反応ガス放出口を設けることで、基材の表面処理を複数回行うことができるようになるので好ましい。これにより、光学部品の素材１４に異なる成分の複数製膜を施したりすることができる。これは、例えば酸化シリコンなどの低屈折率層と、酸化チタンや窒化シリコンなどの高屈折率層とを多層状に設けることで、反射防止膜等の成膜を行うのに有効である。
【００７３】
次に図４に示した大気圧プラズマ処理装置４０を用いた大気圧プラズマ処理方法を説明する。不活性ガス導入口４３から内側電極４１と外側電極４２の間に不活性ガスを導入し、内側電極４１と外側電極４２の間に大気圧又は大気圧近傍の圧力下で不活性ガスを存在させる。内側電極４１と外側電極４２の間に高周波電源３７によって高周波電圧が印加され、内側電極４１と外側電極４２の間に存在する不活性ガスを励起して励起不活性ガスを発生させる。内側電極４１と外側電極４２の間で発生した励起不活性ガスは、新たに不活性ガス導入口４３から導入されてくる不活性ガスに押し出されるようにして、励起不活性ガス放出口４４より内側電極４１と外側電極４２の間から外部へと放出される。
【００７４】
一方、反応ガス導入口４５から内側電極４１の筒管内に反応ガスを導入し、反応ガス放出口４６から反応ガスを放出する。反応ガス放出口４６から放出される反応ガスは、反応ガス放出口４６のまわりを取り囲む励起不活性ガス放出口４４から放出される励起不活性ガスに包み込まれるようにして接触し、反応ガスはプラズマ化される。
【００７５】
スプルー部１１をアーム２０（図２）で支持した状態で、成型品１０を適宜移動させ、一つの光学部品の素材１４を大気圧プラズマ処理装置１０の電極間の下方に配置するので、光学部品の素材４０には適切な表面処理が成される。本実施の形態においても、表面処理が終わるまで、ゲート部１３が光学部品の素材１４につながったままスプルー部１１（図２）を把持されて搬送されるため、上述した実施の形態と同様に、処理品位の向上と、迅速な加工処理が可能となる。
【００７６】
図５は、第２の実施の形態にかかる成型品の一部を示す図である。本実施の形態においては、上型の形状を変更し、ランナー部１２の断面形状がＤ字状になっており、すなわち上面１２ａは平面となっている。又、本実施の形態においては、表面処理が行われる前に、ランナー部１２（非ゲート部）で成型品がカットされる。すなわち、光学部品の素材１４は、ゲート部１３を介してランナー部１２の一部にのみ接続されていることとなる。
【００７７】
図３，４の大気圧プラズマ処理装置４０により処理する場合、ランナー部１２の上下を一対のアーム２０’で把持することで、処理位置まで搬送できる。かかる場合、上側のアーム２０’の把持面を平面とすれば、ランナー部１２の上面１２ａに当接することで、アーム２０’に対してランナー部１２が不用意に回転することが抑制される。尚、下側のアーム２０’は、ランナー部１２の円筒面に合わせてくぼんでいても良い。
【００７８】
図６は、大気圧プラズマ法を実行できるプラズマ放電処理装置の概略構成図である。図６において、金属母材２０に誘電体２１を被覆したスリット状の放電空間２２に、図の上部から不活性ガスおよび反応性ガスの混合ガスを導入し、電源３７により高周波電圧を印加することにより前記反応性ガスをプラズマ状態とし、該プラズマ状態の反応性ガスを光学部品の素材１４上に噴射することにより、その表面上にコーティング膜を形成する。
【００７９】
本発明においては、上記のプラズマ状態での処理が大気圧または大気圧近傍で行われるが、ここで大気圧近傍とは、２０ｋＰａ〜１１０ｋＰａの圧力を表すが、本発明に記載の効果を好ましく得るためには、９３ｋＰａ〜１０４ｋＰａが好ましい。
【００８０】
また、本発明の膜形成方法に係る放電用電極においては、電極の少なくとも基材と接する側のＪＩＳ　Ｂ　０６０１で規定される表面粗さの最大高さ（Ｒｍａｘ）が１０μｍ以下になるように調整されることが、本発明に記載の効果を得る観点から好ましいが、更に好ましくは、表面粗さの最大値が８μｍ以下であり、特に好ましくは、７μｍ以下に調整することである。また、ＪＩＳ　Ｂ　０６０１で規定される中心線平均表面粗さ（Ｒａ）は０．５μｍ以下が好ましく、更に好ましくは０．１μｍ以下である。
【００８１】
次に、本発明の膜形成方法に係る混合ガスについて説明する。本発明の膜形成方法を実施するにあたり、使用するガスは、透光性を有する樹脂基材上に設けようとする膜の種類によって異なるが、基本的に、不活性ガスと、膜を形成するための反応性ガスとの混合ガスである。反応性ガスは、混合ガスに対し、０．０１〜１０体積％含有させることが好ましい。薄膜の膜厚としては、０．１ｎｍ〜１０００ｎｍの範囲の薄膜が得られる。
【００８２】
上記不活性ガスは周期表の第１８属元素、具体的にはヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン、キセノン、ラドン等が挙げられるが、本実施の形態に記載の効果を得るためには、ヘリウム、アルゴンが好ましく用いられる。
【００８３】
反応性ガスは以下のものを用いることが可能である。膜が合金半透過膜の場合、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｇｅ、Ｏｓ、Ｒｕ、Ｃｒ、Ｗ、Ｉｒ、Ｓｎ、Ｚｎを含有する有機金属化合物を用いることができる。このとき反応系は還元雰囲気で行う。また、膜が屈折率の異なる層を積層した誘電体膜の場合、例えば、有機フッ素化合物、珪素化合物（低屈折率層）またはチタン化合物（高屈折率層）を含有する反応性ガスを用いることにより設けることができる。
【００８４】
有機フッ素化合物としては、フッ化炭素ガス、フッ化炭化水素ガス等が好ましく用いられる。フッ化炭素ガスとしては、４フッ化炭素、６フッ化炭素、具体的には、４フッ化メタン、４フッ化エチレン、６フッ化プロピレン、８フッ化シクロブタン等が挙げられる。また、フッ化炭化水素ガスとしては、２フッ化メタン、４フッ化エタン、４フッ化プロピレン、３フッ化プロピレン等が挙げられる。
【００８５】
更に、１塩化３フッ化メタン、１塩化２フッ化メタン、２塩化４フッ化シクロブタン等のフッ化炭化水素化合物のハロゲン化物やアルコール、酸、ケトン等の有機化合物のフッ素置換体を用いることができるがこれらに限定されない。また、これらの化合物が分子内にエチレン性不飽和基を有していてもよく、さらに、これらの化合物は単独でも混合して用いてもよい。
【００８６】
混合ガス中に上記記載の有機フッ素化合物を用いる場合、プラズマ状態での処理により基材上に均一な薄膜を形成する観点から、混合ガス中の有機フッ素化合物の含有率は、０．１〜１０体積％であることが好ましいが、更に好ましくは、０．１〜５体積％である。
【００８７】
また、本実施の形態に係る有機フッ素化合物が常温、常圧で気体である場合は、混合ガスの構成成分として、そのまま使用できるので最も容易に本実施の形態の方法を遂行することができる。しかし、有機フッ素化合物が常温・常圧で液体又は固体である場合には、加熱、減圧等の方法により気化して使用すればよく、また、又、適切な溶剤に溶解して用いてもよい。
【００８８】
混合ガス中に上記記載のチタン化合物を用いる場合、プラズマ状態での処理により基材上に均一な層を形成する観点から、混合ガス中のチタン化合物の含有率は、０．１〜１０体積％であることが好ましいが、特に好ましくは、０．１〜５体積％である。
【００８９】
また、上記記載の混合ガス中に水素ガスを０．１〜１０体積％含有させることにより膜の硬度を著しく向上させることができる。
【００９０】
さらに、混合ガス中に酸素、オゾン、過酸化水素、二酸化炭素、一酸化炭素、水素、窒素から選択される成分を０．０１〜５体積％含有させることにより、反応促進され、かつ、緻密で良質な膜を形成することができる。
【００９１】
上記記載の珪素化合物、チタン化合物としては、取り扱い上の観点から金属水素化合物、金属アルコキシドが好ましく、腐食性、有害ガスの発生がなく、工程上の汚れなども少ないことから、金属アルコキシドが好ましく用いられる。
【００９２】
また、上記記載の珪素化合物、チタン化合物を放電空間である電極間に導入するには、両者は常温常圧で、気体、液体、固体いずれの状態であっても構わない。気体の場合は、そのまま放電空間に導入できるが、液体、固体の場合は、加熱、減圧、超音波照射等の手段により気化させて使用される。珪素化合物、チタン化合物を加熱により気化して用いる場合、テトラエトキシシラン、テトライソプロポキシチタンなど、常温で液体で、沸点が２００℃以下である金属アルコキシドが膜の形成に好適に用いられる。上記金属アルコキシドは、溶媒によって希釈して使用されても良く、溶媒は、メタノール、エタノール、ｎ−ヘキサンなどの有機溶媒及びこれらの混合溶媒が使用できる。尚、これらの希釈溶媒は、プラズマ状態での処理中において、分子状、原子状に分解される為、樹脂基材上への層の形成、層の組成などに対する影響は殆ど無視することができる。
【００９３】
上記記載の珪素化合物としては、例えば、ジメチルシラン、テトラメチルシランなどの有機金属化合物、モノシラン、ジシランなどの金属水素化合物、二塩化シラン、三塩化シランなどの金属ハロゲン化合物、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、ジメチルジエトキシシランなどのアルコキシシラン、オルガノシランなどを用いることが好ましいがこれらに限定されない。また、これらは適宜組み合わせて用いることができる。
【００９４】
混合ガス中に上記記載の珪素化合物を用いる場合、プラズマ状態での処理により基材上に均一な層を形成する観点から、混合ガス中の珪素化合物の含有率は、０．１〜１０体積％であることが好ましいが、更に好ましくは、０．１〜５体積％である。
【００９５】
上記記載のチタン化合物としては、テトラジメチルアミノチタンなどの有機金属化合物、モノチタン、ジチタンなどの金属水素化合物、二塩化チタン、三塩化チタン、四塩化チタンなどの金属ハロゲン化合物、テトラエトキシチタン、テトライソプロポキシチタン、テトラブトキシチタンなどの金属アルコキシドなどを用いることが好ましいがこれらに限定されない。
また、上記記載のタンタル化合物としては、テトラジメチルアミノタンタルなどの有機金属化合物、モノタンタル、ジタンタルなどの金属水素化合物、二塩化タンタル、三塩化タンタル、四塩化タンタルなどの金属ハロゲン化合物、テトラエトキシタンタル、テトライソプロポキシタンタル、テトラブトキシタンタルなどの金属アルコキシドなどを用いることが好ましいがこれらに限定されない。
また、上記記載のアルミニウム化合物としては、テトラジメチルアミノアルミニウムなどの有機金属化合物、モノアルミニウム、ジアルミニウムなどの金属水素化合物、二塩化アルミニウム、三塩化アルミニウム、四塩化アルミニウムなどの金属ハロゲン化合物、テトラエトキシアルミニウム、テトライソプロポキシアルミニウム、テトラブトキシアルミニウムなどの金属アルコキシドなどを用いることが好ましいがこれらに限定されない。
【００９６】
反応性ガスに有機金属化合物を添加する場合、例えば、有機金属化合物としてＬｉ，Ｂｅ，Ｂ，Ｎａ，Ｍｇ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｋ，Ｃａ，Ｓｃ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｇａ，Ｇｅ，Ｒｂ，Ｓｒ，Ｙ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｃｄ，Ｉｎ，Ｉｒ，Ｓｎ，Ｓｂ，Ｃｓ，Ｂａ，Ｌａ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｗ，Ｔｌ，Ｐｂ，Ｂｉ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕから選択される金属を含むことができる。より好ましくは、これらの有機金属化合物が金属アルコキシド、アルキル化金属、金属錯体から選ばれるものが好ましい。
【００９７】
本実施の形態において膜が誘電体膜である場合、屈折率が１．８５〜２．６０の酸化チタンを主成分とする高屈折率層および屈折率が１．３０〜１．５７の酸化ケイ素を主成分とする低屈折率層を樹脂基材またはガラス基材表面に連続して設けることが好ましい。好ましくは樹脂基材からなるフィルム上に紫外線硬化樹脂層を設けた後、直ちにプラズマ状態での処理によって高屈折率層及び低屈折率層を設けることがより膜と樹脂基材との密着性を高め、クラックの発生を低減することになる。また、高屈折率層においては、酸化チタンを主成分とし、屈折率が２．２以上であることが特に好ましい。
【００９８】
本実施の形態において膜が誘電体膜である場合、高屈折率層及び低屈折率層の炭素含有率は、ともに０．２〜５質量％であることが下層との密着性と膜の柔軟性（クラック防止）のために好ましい。より好ましくは炭素含有率は０．３〜３質量％である。すなわち、プラズマ状態での処理によって形成された層は有機物（炭素原子）を含んでいるため、その範囲が膜に柔軟性を与えるため、膜の密着性に優れ好ましい。炭素の比率が多くなりすぎると経時で屈折率が変動しやすくなる傾向があり、好ましくない。
【００９９】
図３、４，６の装置もしくは他の処理装置により、処理を行う場合、電極間に印加する高周波電圧の周波数の上限値は、好ましくは１５０ＭＨｚ以下である。また、高周波電圧の周波数の下限値としては、１００ｋＨｚを超え、好ましくは２００ｋＨｚ以上、さらに好ましくは８００ｋＨｚ以上である。
【０１００】
また、電極間に供給する電力の下限値は、１．０Ｗ／ｃｍ２以上、好ましくは１．２Ｗ／ｃｍ２以上であり、上限値としては、好ましくは５０Ｗ／ｃｍ２以下、さらに好ましくは２０Ｗ／ｃｍ２以下である。尚、電極における電圧の印加面積（／ｃｍ２）は、放電が起こる範囲の面積のことを指す。
【０１０１】
さらに、電極間に印加する高周波電圧は、断続的なパルス波であっても、連続したサイン波であっても構わないが、本発明の効果を高く得るためには、連続したサイン波であることが好ましい。
【０１０２】
以上、本発明を実施の形態を参照して説明してきたが、本発明は上記実施の形態に限定して解釈されるべきではなく、適宜変更・改良が可能であることはもちろんである。例えば、本発明で適用可能な処理は、大気圧プラズマ法に限らず、真空蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法、塗布による成膜処理であって良い。これらについては良く知られているので、詳細な説明は記載しない。
【０１０３】
【発明の効果】
本発明によれば、低コストであるにもかかわらず、成形型を高精度に支持できる成形装置及び成形方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本実施の形態にかかる処理方法を説明するための図である。
【図２】成型品１０の斜視図である。
【図３】大気圧プラズマ法により成膜を行うためのプラズマ処理装置３０を示す斜視図である。
【図４】大気圧プラズマ法により成膜を行うためのプラズマ処理装置４０を示す斜視図である。
【図５】第２の実施の形態にかかる成型品の一部を示す図である。
【図６】大気圧プラズマ法により成膜を行うための別なプラズマ処理装置を示す概略構成図である。
【符号の説明】
１　上型
２　下型
１０　成型品
１１　スプルー部
１２　ランナー部
１３　ゲート部
１４　光学部品の素材
３０、４０　プラズマ放電処理装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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