(57)【要約】【課題】平坦性および密着力を向上し、信頼性の高い有機ＥＬ表示装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】有機ＥＬ表示装置は、上面に駆動素子としてのＴＦＴ素子２が形成された基板１と、基板１の上側に形成された無機絶縁膜５と、無機絶縁膜５の上側に形成された有機絶縁膜６と、ＴＦＴ素子２に電気的に接続され、基板１の上側に形成された配線４と、有機絶縁膜６および無機絶縁膜５を貫通するコンタクトホール８の底面において配線４に対して電気的に接続され、有機絶縁膜６の上側において画素領域１５を有する画素メタル７とを備える。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
上面に駆動素子が形成された基板と、
前記基板の上側に形成された無機絶縁膜と、
前記無機絶縁膜の上側に形成された有機絶縁膜と、
前記駆動素子に電気的に接続され、前記基板の上側に形成された配線と、
前記有機絶縁膜および前記無機絶縁膜を貫通するコンタクトホールの底面において前記配線に対して電気的に接続され、前記有機絶縁膜の上側において画素領域を有する画素メタルとを備える、有機ＥＬ表示装置。
【請求項２】
前記コンタクトホールの底部における前記有機絶縁膜の下端の開口サイズは、前記コンタクトホールの底部における前記無機絶縁膜の上端の開口サイズよりも大きくなっている、請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項３】
前記コンタクトホールの底部における前記無機絶縁膜の開口サイズは、下から上に向かうにつれて広くなる形状となっている、請求項１または２に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項４】
上面に駆動素子が形成された基板の上側に、前記駆動素子に接続するための配線を形成する工程と、
前記配線が形成された前記基板の上側を覆うように無機絶縁膜を形成する工程と、
前記無機絶縁膜の上側を覆うように有機絶縁膜を形成する工程と、
前記有機絶縁膜および前記無機絶縁膜を貫通して前記配線の上面を露出させるように設けられたコンタクトホールの底面および内面を覆うように画素メタルを形成する工程とを含む、有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項５】
前記無機絶縁膜を貫通して前記配線の上面を露出させるようにコンタクトホール下部を形成する工程と、
前記有機絶縁膜を貫通してコンタクトホール上部を形成する工程とを含み、
前記コンタクトホール上部の下端における前記有機絶縁膜の開口サイズは、前記コンタクトホール下部の上端における前記無機絶縁膜の開口サイズよりも大きくなっている、請求項４に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項６】
前記コンタクトホール下部を形成する工程では、前記無機絶縁膜の開口部が前記基板から遠ざかるほど広くなるように開口する、請求項５に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、有機ＥＬ（ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ：電界発光）表示装置およびその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、発光性有機材料のもたらすＥＬ現象を利用した自発光素子として有機ＥＬ素子を用いた表示装置、すなわち「有機ＥＬ表示装置」の開発が進んでいる。有機ＥＬ表示装置は、自発光型であるため、液晶表示装置の場合のようなバックライトが不要であり、さらに視野角が広いことから、電気器具の表示部として有望視されている。
【０００３】
有機ＥＬ表示装置には、パッシブ型（単純マトリクス型）とアクティブ型（アクティブマトリクス型）の２種類がある。各画素に配置されるＥＬ素子において発生する光を取り出す構造に関しても、基板上面から取り出す構造（以下「トップエミッション構造」という。）と、基板下面から取り出す構造（以下「ボトムエミッション構造」という。）との２種類があり、いずれの方式も盛んに開発が行われている。特に現在は、各々のＥＬ素子を駆動するための駆動素子として薄膜トランジスタ素子（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：以下「ＴＦＴ素子」という。）を用いたアクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置が注目されている。
【０００４】
また、ＥＬ層となる有機ＥＬ材料は、低分子系有機ＥＬ材料と高分子系（ポリマー系）有機ＥＬ材料とが研究されている。低分子系有機ＥＬ材料は蒸着法などで形成され、高分子系有機ＥＬ材料は、スピナーを用いた塗布方式やインクジェット法により形成されている。ここで、低分子系有機ＥＬ材料と高分子系（ポリマー系）有機ＥＬ材料のいずれの場合においても、成膜しようとする部位の下地の面が十分に平坦でないと、ＥＬ材料を均一な膜厚に成膜することができないという問題が生じる。
【０００５】
これに対して、特開平１０−１８９２５２公報（特許文献１）や特開２００１−３５６７１１公報（特許文献２）では、トップエミッション構造として、ＴＦＴ素子およびＴＦＴ素子のための配線（以下、「ＴＦＴ関連部」という。）の凹凸を平坦化するため、スピナーによる塗布方式などの方法によりアクリル、ポリイミドなどの有機絶縁膜を形成し、その上層にＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法などの方法によって酸化シリコン系材料膜、窒化シリコン系材料膜などの無機絶縁膜を形成することが開示されている。あるいは、他の方法として、有機絶縁膜を形成せずに無機絶縁膜を１〜３μｍとかなり厚く成膜し、ポリマーコーティングを行った後、ＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ  Ｉｏｎ  Ｅｔｃｈｉｎｇ）によって全面エッチバックしたものを用いて、ＴＦＴ関連部を含む部分の上面を平坦化する方法を用いている。
【０００６】
なお、無機絶縁膜や有機絶縁膜により構成された絶縁膜のことを、「層間絶縁膜」ともいう。
【０００７】
【特許文献１】
特開平１０−１８９２５２公報
【０００８】
【特許文献２】
特開２００１−３５６７１１公報
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
有機ＥＬ素子を表示素子として用いた表示装置のうちアクティブマトリックス型有機ＥＬ表示装置において、上記特許文献２のように、基板上に設けられたＴＦＴ関連部の上にアクリル、ポリイミドなどの有機絶縁膜を形成してその後に無機絶縁膜を積層する構造では、ＴＦＴ関連部と有機絶縁膜との接する界面において密着性が劣る。
【００１０】
特に、上記表示装置は層間絶縁膜に開口したコンタクトホール（以下、「コンタクトホール」という。）を介してＴＦＴ素子の配線と画素メタルとの間を電気的に接続する構造であるが、ＴＦＴ関連部と有機絶縁膜との間の密着力が弱いとコンタクトホール近傍において有機絶縁膜が剥がれやすくなる。有機絶縁膜の剥離は、その上層に形成する画素メタルの断線をもたらす。
【００１１】
さらに、有機絶縁膜上に無機絶縁膜を形成するに当たっては、一般に有機絶縁膜の耐熱温度が無機絶縁膜を形成する温度に比べて低いことが問題となる。有機絶縁膜の平坦性を保ちながら表面が平坦かつ平滑な無機絶縁膜を低温条件下で有機絶縁膜の上に積層することは非常に困難である。
【００１２】
また、上記特許文献１のように、無機絶縁膜上にポリマーコーティングを行なってから全面をエッチバックした例では、上記特許文献２において指摘される問題があると同時に、ＴＦＴ関連部の凹凸を無機絶縁膜のみで平坦化する必要があり、無機絶縁膜には相当の厚みが要求される。しかし、無機絶縁膜は１〜３μｍと厚くなることによってその応力がきわめて大きくなり、基板の反りや密着性の低下を招く。
【００１３】
このように、上記特許文献１，２に示されるような先行技術においては、ＴＦＴ関連部と層間絶縁膜との間の密着性が劣っていることにより、画素メタルが断線するなどしてＴＦＴ素子の配線と画素メタルとの間が電気的に接続されない状態となり、表示欠陥をもたらす。その結果、映像の視認性が悪化する。
【００１４】
そこで、本発明は、平坦性および密着力を向上し、信頼性の高い有機ＥＬ表示装置およびその製造方法を提供することを目的とする。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明に基づく有機ＥＬ表示装置は、上面に駆動素子が形成された基板と、上記基板の上側に形成された無機絶縁膜と、上記無機絶縁膜の上側に形成された有機絶縁膜と、上記駆動素子に電気的に接続され、上記基板の上側に形成された配線と、上記有機絶縁膜および上記無機絶縁膜を貫通するコンタクトホールの底面において上記配線に対して電気的に接続され、上記有機絶縁膜の上側において画素領域を有する画素メタルとを備える。
【００１６】
【発明の実施の形態】
本発明は、有機ＥＬ表示装置がボトムエミッション構造、トップエミッション構造のいずれであっても適用できる。ここでは、その一例としてトップエミッション構造を前提として説明する。
【００１７】
（実施の形態１）
（構成）
図１、図２を参照して、本発明に基づく実施の形態１における有機ＥＬ表示装置について説明する。この有機ＥＬ表示装置は、図１に示すように、上面に駆動素子としてのＴＦＴ素子２が形成された基板１と、基板１の上側に形成された無機絶縁膜５と、この無機絶縁膜５の上側に形成された有機絶縁膜６と、ＴＦＴ素子２に電気的に接続され、基板１の上側に形成された配線４とを備える。有機絶縁膜６および無機絶縁膜５には、上下方向に貫通するようにコンタクトホール８が設けられている。この有機ＥＬ表示装置は、有機絶縁膜６の上面に沿って延在する画素メタル７を備える。
【００１８】
コンタクトホール８の底部を拡大したところを図２に示す。画素メタル７は、コンタクトホール８の底面である接続部１３において配線４に対して電気的に接続され、有機絶縁膜６の上側において画素領域１５を有する。画素領域１５においては、陽極としての画素メタル７と陰極としての導電膜１１とに挟まれるようにＥＬ素子９が配置されている。画素領域１５同士は互いに分離しており、画素領域１５同士の間隙部分では、画素メタル７と導電膜１１との間に画素分離絶縁膜１０が配置されている。
【００１９】
この有機ＥＬ表示装置は、図示していないが、従来から表示装置の封止に用いられる材料や封止方法によって封止がされている。すなわち、封止膜、封止基板などを備えている。さらに、直線偏光板と１／４波長板とを組み合わせた偏光板を備えていてもよい。封止された内側に乾燥剤を備えていてもよい。
【００２０】
ここで、ＴＦＴ素子、画素メタル、封止方法、有機ＥＬ素子、偏光板、乾燥剤については、上記特許文献１，２や、特開２００２−８３６９１などに開示される公知の製造方法や材料が適用可能である。画素領域１５から発生する光は矢印１２に示すように上面から取り出す。
【００２１】
層間絶縁膜としては、同様の公報などに開示される材料を用いることができる。すなわち、ＳｉＯ２（酸化シリコン）、ＰＳＧ、ＢＳＧ（リンシリカガラス、ボロンシリカガラス）、Ｓｉ３Ｎ４（窒化シリコン系化合物）、Ｔａ２Ｏ５（酸化タンタル）などの無機材料、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂などの有機材料を用いることができる。
【００２２】
絶縁性、応力、表面の平坦化の観点から、無機絶縁膜５の厚みは０．０５μｍ以上０．５μｍ以下が好ましく、有機絶縁膜６の厚みは無機絶縁膜５の厚みの１倍から６０倍とすることが好ましい。
【００２３】
（作用・効果）
本実施の形態では、有機絶縁膜６は配線４に直接接しない構造となっているので、有機絶縁膜６と配線４との間の剥離によって画素メタルが断線するような事態を防止できる。有機絶縁膜６と無機絶縁膜５との間の密着性は、有機絶縁膜６と配線４との間の密着性に比べて優れているので、有機絶縁膜６の剥離を防止することができる。
【００２４】
また、有機絶縁膜６の厚みを無機絶縁膜５の厚みの１〜６０倍とすることで、無機絶縁膜５は十分薄くできるので、無機絶縁膜５の応力による反りの問題を抑えることができる。本実施の形態では、無機絶縁膜５の上側を覆うように有機絶縁膜６を配置し、有機絶縁膜６の上面を利用して画素メタル７を配置することとしているので、画素メタル７の設置箇所に十分な平坦性を持たせることができる。
【００２５】
正面（図１における上方）から見たコンタクトホール８の形状については、正方形であってもよい。それ以外の多角形状であってもよい。また、楕円形であっても円形であってもよい。コンタクトホール８の上端における開口サイズについても特に制約はない。
【００２６】
図３に示すように、コンタクトホール８の底部における有機絶縁膜６の下端の開口サイズＣは、コンタクトホール８の底部における無機絶縁膜５の上端の開口サイズＢよりも大きくなっていることが好ましい。ＢとＣとが一致している場合、コンタクトホール８の底部は、図４に示すようになる。このような形状であっても上述の効果をある程度は得られるが、図２、図３に示す構成の方がより好ましい。なぜなら、図２、図３に示すように、コンタクトホール８の底部において無機絶縁膜５が有機絶縁膜６に比べて内側に突出した段差を有する場合、画素メタル７を成膜する際に接続部１３近傍での画素メタル７による被覆を確実にすることができるからである。
【００２７】
特に、コンタクトホール８の底部における無機絶縁膜５の開口サイズは、下から上に向かうにつれて広くなる形状であることが好ましい。このような形状であれば、画素メタル７による被覆がしやすく、電気的接続をより確実にできるからである。
【００２８】
図３に示す角度α，βをそれぞれの膜の「テーパ角」と呼ぶものとすると、有機絶縁膜６のテーパ角βは８０°以下であることが好ましい。さらに画素メタル７による被覆を確実にするという観点からは６０°以下であることがより好ましい。無機絶縁膜５についても同様に、テーパ角αは８０°以下であることが好ましく、さらに画素メタル７による被覆を確実にするという観点からは６０°以下であることがより好ましい。たとえば、テーパ角αが９０°であった場合、図５に示す構造となる。この場合も、本発明の効果をある程度は得ることはできるが、接続部１３近傍に画素メタル７による被覆が薄い部分が生じ、途切れやすくなるので、図２に示すような構造の方が好ましい。
【００２９】
以上より、本実施の形態によれば、特に複雑な構成とすることなく、密着性および平坦性に優れ、信頼性の高い有機ＥＬ表示装置を実現することができる。
【００３０】
（実施の形態２）
（製造方法）
図６〜図１１、図１を参照して、本発明に基づく実施の形態２における有機ＥＬ表示装置の製造方法について説明する。
【００３１】
図６に示すように、上面に駆動素子としてのＴＦＴ素子２が形成された基板１を用意する。図７に示すように、この基板の上側に、ＴＦＴ素子２に接続するための配線４を形成する。図８に示すように、配線４が形成された基板１の上側を覆うように無機絶縁膜５を形成する。図９に示すように、無機絶縁膜５を貫通して配線４の上面を露出させるようにコンタクトホール下部８ａを形成する。図１０に示すように、無機絶縁膜５の上側を覆うように有機絶縁膜６を形成する。図１１に示すように、有機絶縁膜６を貫通してコンタクトホール上部８ｂを形成する。こうして、コンタクトホール下部８ａとコンタクトホール上部８ｂとがつながることによってコンタクトホール８が得られる。コンタクトホール８は、有機絶縁膜６および無機絶縁膜５を貫通して配線４の上面を露出させる形となる。このコンタクトホール８の底面および内面を覆うように画素メタル７（図１参照）を形成する。さらに、ＥＬ素子９、画素分離絶縁膜１０および導電膜１１を形成することで、図１に示した有機ＥＬ表示装置を得ることができる。
【００３２】
この製造方法において、コンタクトホール上部８ｂの下端における有機絶縁膜６の開口サイズは、前記コンタクトホール下部８ａの上端における無機絶縁膜５の開口サイズよりも大きくなっていることが好ましい。
【００３３】
特に、コンタクトホール下部８ａを形成する工程では、無機絶縁膜５の開口部が、下から上に向かうにつれて広くなる、すなわち、基板１から遠ざかるほど広くなるように、開口することが好ましい。このような形状にすれば、後工程で画素メタル７による被覆がしやすく、電気的接続をより確実にできるからである。
【００３４】
（作用・効果）
本実施の形態における有機ＥＬ表示装置の製造方法によれば、実施の形態１で説明した有機ＥＬ表示装置を得ることができる。すなわち、信頼性の高い有機ＥＬ表示装置を容易に製造することができる。
【００３５】
（比較実験）
発明者らは、本発明の効果を検証するために、図１２（ａ），（ｂ）に示すテストパターン（以下、「コンタクトチェーン」という。）を用いて実験を行なった。図１２（ａ）はコンタクトチェーンの模式的平面図、図１２（ｂ）はコンタクトチェーンの模式的断面図である。コンタクトチェーンとは、様々な条件のコンタクトホールにおける配線４と画素メタル７との間の電気的接続の信頼性を検証する目的で作られる構造体であって、第１電極３１が図１における配線４に対応し、第２電極３２が図１における画素メタル７に対応する。第１電極３１と第２電極３２とはコンタクトホール８において電気的に接続されている。１つの第１電極３１は隣接する２つのコンタクトホール８にまたがって配置されており、１つの第２電極３２も隣接する２つのコンタクトホール８にまたがって配置されている。こうして、複数個のコンタクトホール８が並ぶ列に沿って、第１電極３１と第２電極３２とが交互にブリッジを形成することによって連鎖的にすべてが電気的に接続されることとなっている。したがって、並ぶコンタクトホール８のうちどこか１つでも電気的接続ができていなかった場合、コンタクトチェーンは全体として、導通が確保できないことになる。所望の条件を採用して製作した後にチェーンの両端で導通がとれているかどうかを調べることで、当該条件のコンタクトホールによる電気的接続の信頼性を試験することができる。
【００３６】
仮に、このコンタクトチェーンにおいて電気的接続が確認されない場合、実際のアクティブマトリックス型有機ＥＬ表示装置では、ＥＬ素子を駆動する電圧が異常に高くなったり発光が確認できない状態になったりすることを意味する。
【００３７】
（各コンタクトチェーンの製造方法）
各コンタクトチェーンの製造方法は、基本的には以下の通りである。図１３を参照して説明する。まず、基板１上にスパッタ法により、Ｃｒ膜を膜厚０．１μｍになるように形成する。このＣｒ膜に対して、従来技術を用いて所定のパターンになるようにエッチングを行ない、第１電極３１を形成する。ここでは、Ｃｒを用いた例を示したが、第１電極３１の材質や形成方法、厚みについて制約はなく、導電性の薄膜であればよい。次に、無機絶縁膜５として、ここでは窒化シリコン膜をＣＶＤ法により所望の膜厚になるように形成する。この無機絶縁膜５に対して、従来技術を用いて所定のパターンになるようにエッチングし、コンタクトホール下部として一辺が所定の長さの正方形の開口部を形成する。次に、有機絶縁膜６として、ここでは従来の感光性ポリイミドをスピナーによる塗布法によって所望の膜厚になるように形成する。この有機絶縁膜６に対して、従来技術を用いて所定のパターンになるようにエッチングし、コンタクトホール上部として一辺が所定の長さの正方形の開口部を形成する。有機絶縁膜６の上から第２電極３２を形成する。第２電極としては、材質や形成方法、厚みについて制約はなく、導電性の薄膜であればよい。ここでは、第２電極３２は、第１電極３１と同じくＣｒ膜とする。
【００３８】
このようにして、以下の表１に示すように、本発明適用時の状態を確認するための実施例１〜４と、本発明不適用時の状態を確認するための比較例１〜５とのコンタクトチェーンを、各条件につきサンプルを１６個ずつ作成した。作成した各サンプルについて、電気的接続の成否を調査した。表１における「一辺」とは、開口部の下端における正方形の一辺の長さを意味する。表１における「電気的接続」の欄は、１６個のサンプルのうち何個で電気的接続が確認できたかを示している。また、これらのコンタクトチェーンと同じ条件で製作したトップエミッション型の有機ＥＬ表示装置で画像を表示した場合の発光状態についても評価を行なった。「発光状態」の欄は、画素単位で点灯しない箇所、すなわちいわゆる「点欠陥」の数が全画素数に対して０．１％未満であるものを「○」とし、０．１％以上であるものを「×」とした。なお、０．１％未満の点欠陥は、コンタクトホールの構造自体に起因する断線というより、むしろ異物の混入や不正常なパターンが形成されてしまったことによるものであることを別途確認している。
【００３９】
【表１】
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（実施例および比較例の各々の特徴）
実施例１〜４のコンタクトチェーンでは、図１３に示すように、コンタクトホール８の底部において無機絶縁膜５が有機絶縁膜６に比べて内側に突出して段差を形成している。このうち特に実施例４のコンタクトチェーンでは、テーパ角α，βとも６０°と大きくなっている。
【００４０】
比較例１のコンタクトチェーンでは、図１４に示すように、コンタクトホール８の底部において無機絶縁膜５と有機絶縁膜６とが同じ大きさの開口部を有している。そのため、段差はない構造となっている。
【００４１】
比較例２のコンタクトチェーンでは、図１５に示すように、コンタクトホール８の底部において無機絶縁膜５の開口部の方が有機絶縁膜６の開口部より大きくなっている。そのため、コンタクトホール８の底部の周囲では有機絶縁膜６が第１電極３１に対して直接接している。
【００４２】
比較例３のコンタクトチェーンでは、図１６に示すように、有機絶縁膜を形成せず、無機絶縁膜５ｅのみを膜厚１．５μｍで形成している。そのため、第２電極３２は、無機絶縁膜５ｅの上側に直接接して形成されている。
【００４３】
比較例４のコンタクトチェーンは、図１３に示す構成において、無機絶縁膜５と有機絶縁膜６とを同じ１μｍの膜厚に形成したものである。
【００４４】
比較例５のコンタクトチェーンでは、無機絶縁膜５のテーパ角αが９０°となっている。
【００４５】
（実験結果）
実施例１〜４のコンタクトチェーンでは、いずれも全数において電気的接続が確認できた。
【００４６】
比較例１では、１６個中６個で電気的接続を確認できなかった。これらのサンプルについて、顕微鏡観察および電子顕微鏡による断面観察によって原因を調査したところ、コンタクトホール８の底部の側面で第２電極３２による被覆が十分でなく、第２電極３２が途切れていたことが原因であることがわかった。
【００４７】
比較例２では、１６個のサンプルのうち全数において、電気的接続が確認できなかった。これらのサンプルについて、顕微鏡観察および電子顕微鏡による断面観察によって原因を調査したところ、有機絶縁膜６が第１電極３１から浮き上がり、これに伴って第２電極３２がコンタクトホール８の底部近傍で分断されていたことが原因であることがわかった。有機絶縁膜６が浮き上がったのは、有機絶縁膜６と第１電極３１との間の密着性が十分でなかったことによると考えられる。
【００４８】
比較例３では、１６個のサンプルのうち全数において、電気的接続が確認できなかった。これらのサンプルについて、顕微鏡観察および電子顕微鏡による断面観察によって原因を調査したところ、無機絶縁膜５ｅが第１電極３１から浮き上がり、これに伴って第２電極３２がコンタクトホール８の底部近傍で分断されていたことが原因であることがわかった。
【００４９】
比較例４では、１６個のサンプルのうち電気的接続を確認できたものは３個しかなかった。電気的接続を確認できなかった残り１３個のサンプルについて、顕微鏡観察および電子顕微鏡による断面観察によって原因を調査したところ、無機絶縁膜５が第１電極３１から浮き上がり、これに伴って第２電極３２がコンタクトホール８の底部近傍で分断されていたことが原因であることがわかった。
【００５０】
比較例３，４では、無機絶縁膜５ｅ，５が厚すぎたため、無機絶縁膜５ｅ，５が自らの内部応力により大きく反ることとなり、そのため、第１電極３１から浮き上がったものと考えられる。
【００５１】
比較例５では、１６個のサンプルのうち電気的接続を確認できたものは５個しかなかった。電気的接続を確認できなかった残り１１個のサンプルについて、顕微鏡観察および電子顕微鏡による断面観察によって原因を調査したところ、無機絶縁膜５のテーパ角９０°となっている端部で第２電極３２による被覆が十分とならずに途切れていたことが原因であることがわかった。
【００５２】
なお、今回開示した上記実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではない。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更を含むものである。
【００５３】
【発明の効果】
本発明によれば、有機絶縁膜は配線に直接接しない構造となっており、有機絶縁膜と無機絶縁膜との間の密着性は、有機絶縁膜と配線との間の密着性に比べて優れているので、有機絶縁膜の剥離によって画素メタルが断線するような事態を防止できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に基づく実施の形態１における有機ＥＬ表示装置の断面図である。
【図２】本発明に基づく実施の形態１における有機ＥＬ表示装置の部分拡大断面図である。
【図３】本発明に基づく実施の形態１における有機ＥＬ表示装置のコンタクトホール底部の形状の大小関係を示す説明図である。
【図４】本発明に基づく実施の形態１における有機ＥＬ表示装置の第１の変形例の部分拡大断面図である。
【図５】本発明に基づく実施の形態１における有機ＥＬ表示装置の第２の変形例の部分拡大断面図である。
【図６】本発明に基づく実施の形態２における有機ＥＬ表示装置の製造方法の第１の工程の説明図である。
【図７】本発明に基づく実施の形態２における有機ＥＬ表示装置の製造方法の第２の工程の説明図である。
【図８】本発明に基づく実施の形態２における有機ＥＬ表示装置の製造方法の第３の工程の説明図である。
【図９】本発明に基づく実施の形態２における有機ＥＬ表示装置の製造方法の第４の工程の説明図である。
【図１０】本発明に基づく実施の形態２における有機ＥＬ表示装置の製造方法の第５の工程の説明図である。
【図１１】本発明に基づく実施の形態２における有機ＥＬ表示装置の製造方法の第６の工程の説明図である。
【図１２】（ａ），（ｂ）は、本発明の適用の有無による影響を調べるためのコンタクトチェーンの平面図および断面図をそれぞれ模式化したものである。
【図１３】実施例１〜４のコンタクトチェーンの断面図である。
【図１４】比較例１のコンタクトチェーンの断面図である。
【図１５】比較例２のコンタクトチェーンの断面図である。
【図１６】比較例３のコンタクトチェーンの断面図である。
【符号の説明】
１  基板、２  ＴＦＴ素子、３  基礎絶縁層、４  配線、５  無機絶縁膜、６有機絶縁膜、７  画素メタル、８  コンタクトホール、８ａ  コンタクトホール下部、８ｂ  コンタクトホール上部、９  ＥＬ素子、１０  画素分離絶縁膜、１１  導電膜、１２  （光を表す）矢印、１３  接続部、１５  画素領域、３１第１電極、３２  第２電極。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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