(57)【要約】【課題】従来はＬＥＤチップを基板付きリードフレームにダイボンドするときにはＡｇペーストを使用するものであったので、塗布量をのばらつきにより短絡、剥がれなどを生じ、歩留まりが悪く生産性が低い問題点があった。【解決手段】本発明により、リードフレーム２には予めにＬＥＤ発光素子３が共晶接合法によりダイボンドされ、しかる後にリードフレーム２に対する樹脂基板４の一体化が樹脂成形法により行われるチップタイプＬＥＤランプ１の製造方法としたことで、塗布するときの量の過大によりＬＥＤチップのＰ層、Ｎ層間に短絡を生じたり、あるいは、量の不足により取付強度不足を生じるＡｇペーストの使用を不要とし、共晶接合により一定強度で確実な接合を可能として課題を解決する。【選択図】　　図２
2004128330.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
樹脂基板と、該樹脂基板と一体化されるリードフレームとが設けられて成るチップタイプＬＥＤランプの製造方法において、前記リードフレームには予めにＬＥＤ発光素子が共晶接合法によりダイボンドされ、しかる後に前記リードフレームに対する樹脂基板の一体化が樹脂成形法により行われることを特徴とするチップタイプＬＥＤランプの製造方法。
【請求項２】
少なくとも前記リードフレームに対する樹脂基板の一体化が行われるまでの時点においては、前記リードフレームはフープ状であることを特徴とする請求項１記載のチップタイプＬＥＤランプの製造方法。
【請求項３】
前記共晶接合が行われるＬＥＤ発光素子とリードフレームとの接合部分には、Ａｕ−Ｓｎ系合金が用いられることを特徴とする請求項１または請求項２記載のチップタイプＬＥＤランプの製造方法。
【請求項４】
前記ＬＥＤ発光素子がＳｉＣ基板上に成長させた窒化物系化合物半導体であることを特徴とする請求項１〜請求項３いずれかに記載のチップタイプＬＥＤランプの製造方法。
【請求項５】
前記ＬＥＤ発光素子とリードフレームとの接合は、前記窒化物系化合物半導体側で行われていることを特徴とする請求項４記載のチップタイプＬＥＤランプの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、表示灯などとして用いられるＬＥＤランプの製造方法に関するものであり、詳細には、回路基板などへの搭載に適するように、チップタイプと称される形状とされたＬＥＤランプの製造方法に係るものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来のチップタイプＬＥＤランプにおいては、回路基板などへの取付けに適するように例えば樹脂など絶縁性部材で形成された樹脂基板が設けられ、この樹脂基板上には例えば金属板、金属箔など導電性部材で適宜形状として形成されたパッド、端子部などが設けられ、前記パッドにはＬＥＤチップがマウントされている。また、前記ＬＥＤチップは湿度による劣化を防止するために透明樹脂によるケースで覆われるものとされている。（例えば、特許文献１）
【０００３】
【特許文献１】
特開平０９−２１４００２号公報（段落「０００２」〜「０００５」、図１４）
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、前記した従来の構成のチップタイプＬＥＤランプにおいては、例えばリードフレームへの樹脂部材の一体成型、あるいは、プリント基板を利用してのエッチング加工などにより樹脂基板とパッドとが一体化されているものであるので、ＬＥＤチップの樹脂基板へのマウント工程を行うに当たっては、樹脂基板が形成された樹脂部材の耐熱温度以上の加熱工程は行えないものとなる。
【０００５】
従って、樹脂基板へのＬＥＤチップのダイボンド工程は、硬化温度が１５０℃程度で良い導電性接着剤であるＡｇペーストによる接着工程となるが、この場合、Ａｇペーストの塗布量が多いと、ＬＥＤチップの側面に回り込む可能性が高くなり、ＬＥＤチップのｐ層とｎ層とに跨る事態を生じて短絡させ、点灯不可能とする問題点を生じる。
【０００６】
また、Ａｇペーストの塗布量が少ないと、接着強度が不足し、後に行われるワイヤボンディング工程時などに生じる応力で、樹脂基板（パッド）とＬＥＤチップとの間に接触不良を生じ、上記の短絡と同様に、点灯不可能とする問題点を生じる。よって、上記の事故を生じないようにするためには、Ａｇペーストの塗布量を極めて厳密に管理できる工程が必要となり、作業が高度化して生産性が低下する問題点を生じている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明は、前記した従来の課題を解決するための具体的手段として、樹脂基板と、該樹脂基板と一体化されるリードフレームとが設けられて成るチップタイプＬＥＤランプの製造方法において、前記リードフレームには予めにＬＥＤ発光素子が共晶接合法によりダイボンドされ、しかる後に前記リードフレームに対する樹脂基板の一体化が樹脂成形法により行われることを特徴とするチップタイプＬＥＤランプの製造方法を提供することで課題を解決するものである。
【０００８】
【発明の実施の形態】
つぎに、本発明を図に示す実施形態に基づいて詳細に説明する。図１〜図４は、本発明に係るチップタイプＬＥＤランプ１の製造方法を工程の順に示すものであり、先ず、本発明では第一工程としてリードフレーム２へのＬＥＤチップ３のダイボンディングを行うものとしている。
【０００９】
本発明では、このときに前記リードフレーム２とＬＥＤチップ３との接合を共晶接合により行うものであり、即ち、例えばＡｕとＳｎとの合金によるメッキが施されたＬＥＤチップ３とリードフレーム２とは、ボンディングマシンなどにより適宜な加圧、加熱が行われ、Ａｕ、Ｓｎ間に生じる共晶現象により接合させる。尚、このときの加熱温度としては３５０℃程度が必要であり、後に説明する樹脂基板４が形成される樹脂部材の耐熱温度は大きく超える領域となる。
【００１０】
本発明では、上記のようにＬＥＤチップ３がダイボンドされた後のリードフレーム２に対して図２に示すように樹脂基板４の一体化がインサートモールドなど適宜な樹脂成形手段により行われる。尚、このときには、後に防湿を目的として前記ＬＥＤチップ３を封止するために注入される透明樹脂７を保持するためのランプハウス５を同時に形成しても良いものである。また、上記樹脂基板４の成型に当たっては、成型用の金型１０、１１に工夫を凝らすなどして、リードフレーム２上にダイボンドが行われたＬＥＤチップ３に対して応力が加わることのないようにされている。
【００１１】
図３は、ワイヤボンド工程を示すものであり、上記のように樹脂基板４、ランプハウス５が形成された後には、前記ＬＥＤチップ３にはダイボンドが行われたのと反対の極に対し金、あるいは、アルミニウムのワイヤ６による配線、即ち、ワイヤボンドが行われ、ＬＥＤチップ３に対する配線が完了する。よって、この配線が行われた後には、図４に示すように前記ランプハウス５内に透明樹脂７を注入し、加熱などにより硬化を行わせ、更に前記リードフレーム２の切断、成形などを行えば、チップタイプＬＥＤランプ１の製造工程は終了する。
【００１２】
ついで、上記説明の製造方法としたときの作用、効果について説明を行う。先ず、前記リードフレーム２へのＬＥＤチップ３のダイボンド時にＡｇペーストを塗布することをなくし、過剰な塗布によるＬＥＤチップ３のＰ層とＮ層との短絡を生じないものとして歩留まりを向上させる。
【００１３】
同時に、Ａｇペーストを不使用としたことは、前記リードフレーム２の例えば鏡面状などとされている表面処理もＡｇペーストにより覆われる部位がなくなり、前記ＬＥＤチップ３からの光のリードフレーム２に達したものは効率よく照射方向に反射され、チップタイプＬＥＤランプとしての光量が増加するものとなる。
【００１４】
また、共晶接合によるリードフレーム２とＬＥＤチップ３との接合部位は、Ａｇペーストによる接合部位に比べて熱抵抗が低く、これによりＬＥＤチップ３からリードフレーム２へ放熱される熱量が増加してＬＥＤチップ３の冷却効率が向上する。従って、同一定格として使用する場合にはＬＥＤチップ３の延命が可能となり、同一寿命として使用する場合には一層の光量の増加（約１０％）が可能となる。
【００１５】
更には、共晶接合によるリードフレーム２へのＬＥＤチップ３の接合は、Ａｇペーストによる接合に比較して高い接合強度が期待できるものであるので、後に行われるワイヤ６による配線時、あるいは、透明樹脂７の注入時、硬化時などの応力においても接合部位に剥がれなど欠陥を生じる可能性が低く、この面でも歩留まりの向上、製品の信頼性の向上が期待できるものとなる。
【００１６】
図５、図６は本発明に係るチップタイプＬＥＤランプ１の製造方法の別な実施形態であり、前の実施形態では前記ＬＥＤチップ３は、ＧａＰなど１つの組成で全体が形成されたものとして説明と図示を行ったが、本発明はこれを限定するものではなく、例えば、青色発光のＬＥＤチップ３として多く採用されている構成である、ＳｉＣ基板３ａ上に窒化化合物半導体であるＧａＮ発光チップ３ｂを成長させた構成のものであっても良い。
【００１７】
この場合においても前記ＬＥＤチップ３はリードフレーム２に共晶接合で一体化されるものであるが、図５に示すようにＳｉＣ基板３ａの側でリードフレーム２に接合しても良く、あるいは、図６に示すようにＧａＮ発光チップ３ｂの側でリードフレーム２に接合しても良いものであり、この場合、ＧａＮ発光チップ３ｂ（窒化化合物半導体）側で接合したときの方が５０％程度、光量が増加する。
【００１８】
図７は、本発明に係るチップタイプＬＥＤランプ１の製造方法の更に別な実施形態であり、前の実施形態では、ＬＥＤチップ３をダイボンドするときのリードフレーム２の状態については言及するものではなかったが、図７に示すように複数のリードフレーム２が連接された状態、いわゆるフープ状の状態で行われても良いものである。
【００１９】
【発明の効果】
以上に説明したように本発明により、樹脂基板と、該樹脂基板と一体化されるリードフレームとが設けられて成るチップタイプＬＥＤランプの製造方法において、前記リードフレームには予めにＬＥＤ発光素子が共晶接合法によりダイボンドされ、しかる後に前記リードフレームに対する樹脂基板の一体化が樹脂成形法により行われるチップタイプＬＥＤランプの製造方法としたことで、第一には、塗布するときの量の過大によりＬＥＤチップのＰ層、Ｎ層間に短絡を生じたり、あるいは、量の不足により取付強度不足を生じるＡｇペーストの使用を不要とし、共晶接合により一定強度で確実な接合を可能として、チップタイプＬＥＤランプの生産性の向上と、品質の向上とに極めて優れた効果を奏するものである。
【００２０】
また、Ａｇペーストの使用を不要としたことで、Ａｇペーストの塗布により遮蔽されていたリードフレームの面が反射鏡として利用できるものとなるので、従来はＡｇペーストに達して吸収されていた光をリードフレーム２に行う鏡面処理などで反射し照射光として利用することが可能となり、チップタイプＬＥＤランプとしての光量増加が可能となり、性能の向上にも極めて優れた効果を奏する。
【００２１】
更には、リードフレームとＬＥＤチップとの接合を共晶接合としたことで、接合強度も向上し、続くワイヤボンド工程、樹脂注入工程などでのリードフレームとＬＥＤチップとの剥がれなども生じないものとして、信頼性の向上にも極めて優れた効果を奏するものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係るチップタイプＬＥＤランプの製造方法の第一工程であるダイボンド工程を示す説明図である。
【図２】同じく本発明に係るチップタイプＬＥＤランプの製造方法の第二工程である樹脂基板の形成工程を示す説明図である。
【図３】同じく本発明に係るチップタイプＬＥＤランプの製造方法の第三工程であるワイヤボンド工程を示す説明図である。
【図４】同じく本発明に係るチップタイプＬＥＤランプの製造方法の第四工程である透明樹脂注入工程を示す説明図である。
【図５】同じく本発明に係るチップタイプＬＥＤランプの製造方法の別の実施形態におけるダイボンド工程をＳｉＣ基板側で行うときの例で示す説明図である。
【図６】同じく本発明に係るチップタイプＬＥＤランプの製造方法の別の実施形態におけるダイボンド工程をＧａＮ発光チップ側で行うときの例で示す説明図である。
【図７】同じく本発明に係るチップタイプＬＥＤランプの製造方法の更に別の実施形態におけるダイボンド工程を示す説明図である。
【符号の説明】
１……チップタイプＬＥＤランプ
２……リードフレーム
３……ＬＥＤチップ
３ａ……ＳｉＣ基板
３ｂ……ＧａＮ発光チップ
４……樹脂基板
５……ランプハウス
６……ワイヤ
７……透明樹脂
１０、１１……金型
【図１】
2004128330.tif 000003
【図２】
2004128330.tif 000004
【図３】
2004128330.tif 000005
【図４】
2004128330.tif 000006
【図５】
2004128330.tif 000007
【図６】
2004128330.tif 000008
【図７】
2004128330.tif 000009