(57)【要約】【課題】現像処理品質の面内均一性が得られ、現像反応速度の制御が可能であり、現像反応を進行させる塩基性物質の使用量を低減でき、廃液処理のためのコストを低下させることができる方法を提供する。【解決手段】基板Ｗを密閉可能な処理チャンバ１０内へ搬入してスピンチャック１２に保持させ、純水吐出ノズル１６から基板表面へ純水を供給して基板の表面全体に純水を膜状に液盛りする工程と、処理チャンバ内へアンモニアガスを供給して充填し処理チャンバ内部を加圧状態にして基板の表面上の純水中にアンモニアガスを溶解させ、アンモニアガスが溶解した水溶液によって基板を現像処理する工程と、処理チャンバ内部を減圧状態にして水溶液中から塩基性ガスを放出させ、水溶液による現像反応を停止させる工程とを備えた。【選択図】　　　図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を現像処理した後、基板を洗浄し乾燥させる基板処理方法において、
基板を密閉可能な処理空間内へ搬入して保持手段に水平姿勢で保持させ、その基板の表面へ純水を供給して基板の表面全体に純水を膜状に液盛りする工程、または、基板の表面へ純水を供給して基板の表面全体に純水を膜状に液盛りし、その基板を密閉可能な処理空間内へ搬入して保持手段に水平姿勢で保持させる工程と、
密閉された前記処理空間内へ塩基性ガスを供給して充填し、処理空間を加圧状態にして基板の表面上の純水中に塩基性ガスを溶解させ、塩基性ガスが溶解した水溶液によって基板を現像処理する工程と、
前記処理空間を減圧状態にして前記水溶液中から塩基性ガスを放出させ、水溶液による現像反応を停止させる工程と、
を備えたことを特徴とする基板処理方法。
【請求項２】
請求項１に記載の基板処理方法において、
密閉された前記処理空間内へ塩基性ガスを供給して充填する前に、処理空間を減圧状態にする工程をさらに備えたことを特徴とする基板処理方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の基板処理方法において、
密閉された前記処理空間内へ塩基性ガスを供給して充填し処理空間を加圧状態にする際に、処理空間の加圧程度を調節し設定して、基板の表面上の純水中に溶解する塩基性ガス量を調整することを特徴とする基板処理方法。
【請求項４】
基板を現像処理した後、基板を洗浄し乾燥させる基板処理装置において、
密閉可能な処理チャンバと、
この処理チャンバ内に配設され、基板を水平姿勢に保持する保持手段と、
前記処理チャンバ内へ塩基性ガスを供給して処理チャンバの内部を加圧する塩基性ガス供給手段と、
前記処理チャンバの内部を排気して減圧する排気減圧手段と、
を備えたことを特徴とする基板処理装置。
【請求項５】
請求項４に記載の基板処理装置において、
密閉された前記処理チャンバ内へ塩基性ガスを供給して充填する前に、処理チャンバの内部を排気する排気手段を備えたことを特徴とする基板処理装置。
【請求項６】
請求項４または請求項５に記載の基板処理装置において、
前記保持手段に保持された基板の表面へ純水を供給して基板の表面全体に純水を膜状に液盛りする純水供給手段をさらに備えたことを特徴とする基板処理装置。
【請求項７】
請求項４ないし請求項６のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記排気減圧手段によって減圧状態とされた前記処理チャンバ内へ窒素ガスまたは炭酸ガスを供給して処理チャンバの内部を大気圧に戻すガス供給手段をさらに備えたことを特徴とする基板処理装置。
【請求項８】
請求項４ないし請求項７のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記処理チャンバの内部を加圧する圧力を調節し設定する圧力設定手段を備えたことを特徴とする基板処理装置。
【請求項９】
請求項４ないし請求項８のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記排気減圧手段によって前記処理チャンバ内から排出される塩基性ガスを回収する塩基性ガス回収手段をさらに備えたことを特徴とする基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、半導体ウエハ、液晶表示装置用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板等の基板の表面に形成された露光済みのフォトレジスト膜を現像液により現像し、基板を洗浄した後に乾燥させる基板処理方法および基板処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
例えば半導体デバイスの製造プロセスにおいて、従来、半導体ウエハ等の基板の表面に形成され露光処理や露光後の熱処理が終了したフォトレジスト膜を現像する方法の１つとしてスリットスキャン現像方式が広く用いられている。この現像方式は、基板の直径と同等もしくはそれより僅かに長いスリット状の吐出口を有する現像液吐出ノズルを、基板保持部によって水平姿勢に保持され静止した状態の基板の一端から他端まで水平方向へ直線状に移動させながら、現像液吐出ノズルのスリット状吐出口から現像液を基板上へ吐出して、基板上に現像液を盛るようにするものである。そして、基板上に現像液を盛ってから所定時間が経過した後に、現像液による現像反応を停止させるため、ストレートノズルから純水等のリンス液を基板の中心位置へ吐出し、リンス液が基板の中心部から周辺部へ広がるようにして、ほぼ同時に基板全面での現像反応を終了させるようにする（例えば、特許文献１参照。）。
【０００３】
また、静止した基板の表面へ純水供給ノズルから純水を供給し、基板の表面全体に純水を拡がらせて純水層を形成した後、基板の周辺に、アンモニアガスと窒素ガスとを混合させた混合ガスを供給し、アンモニア雰囲気を形成して、アンモニアガスを純水中に溶解させ、基板の表面上にアンモニア水溶液層を形成する。そして、アンモニア水溶液によって基板を現像処理し、所定時間後に基板の表面へ純水供給ノズルから純水を供給してリンス処理し、アンモニア水溶液層中のアンモニア濃度を低下させることによって現像反応を停止させ、その後に基板を乾燥処理する現像方式も提案されている（例えば、特許文献２参照。）。
【０００４】
【特許文献１】
特開平１１−２２１５１１号公報（第５−８頁、図１−図３）
【特許文献２】
特開平１０−３１９６０５号公報（第３−４頁、図１−図３）
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
上記したスリットスキャン現像方式によると、レジスト膜パターンの線幅均一性を向上させることができるが、この方法には、次のような問題点がある。すなわち、基板上への現像液の液盛りや純水によるリンス処理のタイミングの違いにより、レジスト膜面におけるパターン線幅に差を生じる。また、基板上に現像液を盛る際に、基板上から一部の現像液がこぼれ落ちたり、基板が円形である場合には現像液吐出ノズルのスリット状吐出口から吐出された一部の現像液がそのまま流下したりして、現像液が無駄に消費される。また、現像液中のアルカリ濃度が高いため、廃液を無害化処理するのにコストがかかる。さらに、現像液のアルカリ濃度が一定であるため、現像反応速度を制御することができない、といった問題点がある。
【０００６】
一方、基板の周辺にアンモニアガスと窒素ガスとの混合ガスを供給してアンモニア雰囲気を形成し、基板上の純水中へアンモニアガスを溶解させて現像液（アンモニア水溶液）とする従来の方式では、或る程度高い濃度の現像液を得ようとすると、アンモニアガスの供給量を多くする必要があり、アンモニア消費量が増える、といった問題点がある。また、基板の表面へ純水を供給して基板をリンス処理することにより、アンモニア水溶液による現像反応を停止させるようにするため、やはり廃液処理にコストがかかる、といった問題点がある。
【０００７】
この発明は、以上のような事情に鑑みてなされたものであり、現像処理品質の面内均一性が得られるとともに、現像反応速度の制御が可能であって、現像反応を進行させる塩基性物質の使用量を低減させることができ、廃液処理のためのコストを低下させることができる基板処理方法を提供すること、および、その方法を好適に実施することができる基板処理装置を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
請求項１に係る発明は、基板を現像処理した後、基板を洗浄し乾燥させる基板処理方法において、基板を密閉可能な処理空間内へ搬入して保持手段に水平姿勢で保持させ、その基板の表面へ純水を供給して基板の表面全体に純水を膜状に液盛りする工程、または、基板の表面へ純水を供給して基板の表面全体に純水を膜状に液盛りし、その基板を密閉可能な処理空間内へ搬入して保持手段に水平姿勢で保持させる工程と、密閉された前記処理空間内へ塩基性ガスを供給して充填し、処理空間を加圧状態にして基板の表面上の純水中に塩基性ガスを溶解させ、塩基性ガスが溶解した水溶液によって基板を現像処理する工程と、前記処理空間を減圧状態にして前記水溶液中から塩基性ガスを放出させ、水溶液による現像反応を停止させる工程と、を備えたことを特徴とする。
【０００９】
請求項２に係る発明は、請求項１に記載の基板処理方法において、密閉された前記処理空間内へ塩基性ガスを供給して充填する前に、処理空間を減圧状態にする工程をさらに備えたことを特徴とする。
【００１０】
請求項３に係る発明は、請求項１または請求項２に記載の基板処理方法において、密閉された前記処理空間内へ塩基性ガスを供給して充填し処理空間を加圧状態にする際に、処理空間の加圧程度を調節し設定して、基板の表面上の純水中に溶解する塩基性ガス量を調整することを特徴とする。
【００１１】
請求項４に係る発明は、基板を現像処理した後、基板を洗浄し乾燥させる基板処理装置において、密閉可能な処理チャンバと、この処理チャンバ内に配設され、基板を水平姿勢に保持する保持手段と、前記処理チャンバ内へ塩基性ガスを供給して処理チャンバの内部を加圧する塩基性ガス供給手段と、前記処理チャンバの内部を排気して減圧する排気減圧手段と、を備えたことを特徴とする。
【００１２】
請求項５に係る発明は、請求項４に記載の基板処理装置において、密閉された前記処理チャンバ内へ塩基性ガスを供給して充填する前に、処理チャンバの内部を排気する排気手段を備えたことを特徴とする。
【００１３】
請求項６に係る発明は、請求項４または請求項５に記載の基板処理装置において、前記保持手段に保持された基板の表面へ純水を供給して基板の表面全体に純水を膜状に液盛りする純水供給手段をさらに備えたことを特徴とする。
【００１４】
請求項７に係る発明は、請求項４ないし請求項６のいずれかに記載の基板処理装置において、前記排気減圧手段によって減圧状態とされた前記処理チャンバ内へ窒素ガスまたは炭酸ガスを供給して処理チャンバの内部を大気圧に戻すガス供給手段をさらに備えたことを特徴とする。
【００１５】
請求項８に係る発明は、請求項４ないし請求項７のいずれかに記載の基板処理装置において、前記処理チャンバの内部を加圧する圧力を調節し設定する圧力設定手段を備えたことを特徴とする。
【００１６】
請求項９に係る発明は、請求項４ないし請求項８のいずれかに記載の基板処理装置において、前記排気減圧手段によって前記処理チャンバ内から排出される塩基性ガスを回収する塩基性ガス回収手段をさらに備えたことを特徴とする。
【００１７】
請求項１に係る発明の基板処理方法によると、表面全体に純水が膜状に液盛りされた基板が保持手段に水平姿勢で保持され密閉された処理空間内へ、塩基性ガスが供給されて充填されることにより、塩基性ガスが基板の表面上の純水中に溶解し、処理空間が加圧状態とされることにより、純水中への塩基性ガスの溶解が促進される。そして、基板の表面上の純水中に塩基性ガスが溶解することにより、基板の表面全体に塩基性物質の水溶液が膜状に盛られた状態となり、この水溶液によって基板が現像処理される。所定時間が経過した後に、処理空間が減圧状態とされることにより、水溶液中から塩基性ガスが放出されて、水溶液中の塩基性物質の濃度が低下し、水溶液による現像反応が停止する。そして、水溶液中の塩基性物質の濃度が低下するので、廃液中の塩基性物質の濃度が極めて低くなり、その廃液の中和処理が容易になる。
【００１８】
請求項２に係る発明の基板処理方法では、密閉された処理空間内へ塩基性ガスを供給して充填する前に、処理空間が減圧状態とされることにより、処理空間内から空気が排除されるので、減圧状態の処理空間内へ塩基性ガスが供給されて充填されると、塩基性ガスの分圧が大きくなる。このため、基板の表面上の純水中への塩基性ガスの溶解量が増加することとなる。
【００１９】
請求項３に係る発明の基板処理方法では、塩基性ガスが充填された処理空間の加圧程度が調節され設定されることにより、基板の表面上の純水中に溶解する塩基性ガス量が調整されるので、現像液中の塩基性物質の濃度を制御することが可能になる。そして、現像液中の塩基性物質の濃度を調節することにより、現像反応速度を制御することが可能になる。
【００２０】
請求項４に係る発明の基板処理装置においては、表面全体に純水が膜状に液盛りされた基板が保持手段に水平姿勢で保持され密閉された処理チャンバ内へ、塩基性ガス供給手段によって塩基性ガスが供給され充填されることにより、塩基性ガスが基板の表面上の純水中に溶解し、処理チャンバの内部が加圧状態とされることにより、純水中への塩基性ガスの溶解が促進される。そして、基板の表面上の純水中に塩基性ガスが溶解することにより、基板の表面全体に塩基性物質の水溶液が膜状に盛られた状態となり、この水溶液によって基板が現像処理される。所定時間が経過した後に、排気減圧手段によって処理チャンバの内部が排気され減圧状態とされることにより、水溶液中から塩基性ガスが放出されて、水溶液中の塩基性物質の濃度が低下し、水溶液による現像反応が停止する。そして、水溶液中の塩基性物質の濃度が低下するので、廃液中の塩基性物質の濃度が極めて低くなり、その廃液の中和処理が容易になる。
【００２１】
請求項５に係る発明の基板処理装置では、密閉された処理チャンバ内へ塩基性ガスを供給して充填する前に、排気手段によって処理チャンバの内部が排気されて減圧状態とされることにより、処理チャンバ内から空気が排除されるので、減圧状態の処理チャンバ内へ塩基性ガスが供給されて充填されると、塩基性ガスの分圧が大きくなる。このため、基板の表面上の純水中への塩基性ガスの溶解量が増加することとなる。
【００２２】
請求項６に係る発明の基板処理装置では、処理チャンバ内へ搬入され保持手段に保持された基板の表面へ純水供給手段から純水が供給されて、基板の表面全体に純水が膜状に液盛りされる。
【００２３】
請求項７に係る発明の基板処理装置では、排気減圧手段によって減圧状態とされた処理チャンバの内部を大気圧に戻すときに、ガス供給手段から処理チャンバ内へ窒素ガスまたは炭酸ガスが供給されるので、処理チャンバの内部には空気が殆ど存在しない状態となる。このため、基板の表面に形成されたレジストが空気中の成分に対して敏感に反応するような場合、例えば化学増幅型レジストであるような場合には、不都合が生じるのを避けることができる。
【００２４】
請求項８に係る発明の基板処理装置では、塩基性ガスが充填された処理チャンバの内部を加圧する圧力が圧力設定手段によって調節され設定されることにより、基板の表面上の純水中に溶解する塩基性ガス量が調整されるので、現像液中の塩基性物質の濃度を制御することが可能になる。そして、現像液中の塩基性物質の濃度を調節することにより、現像反応速度を制御することが可能になる。
【００２５】
請求項９に係る発明の基板処理装置では、排気減圧手段によって処理チャンバ内から排出される塩基性ガスが、塩基性ガス回収手段によって回収されるので、塩基性ガスを有効に利用することができる。また、塩基性物質を液体の状態で回収する場合には、フィルタ装置等が必要になってくるが、塩基性ガスとして回収する場合には、簡易フィルタなどを使用するだけでよくなる。
【００２６】
【発明の実施の形態】
以下、この発明の好適な実施形態について図１ないし図４を参照しながら説明する。
【００２７】
図１は、この発明に係る基板処理方法を実施するのに使用される基板処理装置の構成の１例を模式的に示す概略構成図である。この基板処理装置は、密閉可能な処理チャンバ１０を備えている。処理チャンバ１０の内部には、基板Ｗを水平姿勢で保持するスピンチャック１２が配設されている。スピンチャック１２には、回転支軸１４が一体に連接されており、回転支軸１４は、図示しない回転モータに連結されている。そして、回転モータが駆動されることにより、スピンチャック１２に保持された基板Ｗが水平面内で鉛直軸回りに回転するようになっている。また、処理チャンバ１０の内部には、スピンチャック１２に保持された基板Ｗの上方に純水吐出ノズル１６が配設されており、純水吐出ノズル１６は、純水供給源に流路接続されている。
【００２８】
処理チャンバ１０には、給気口１８が設けられており、給気口１８に連通接続された給気管２０にアンモニアガス供給管２２および窒素ガス供給管２４がそれぞれ連通接続されている。アンモニアガス供給管２２は、元用力ボンベ２６に流路接続されており、アンモニアガス供給管２２の途中に圧力調節弁２８が介挿されている。窒素ガス供給管２４は、窒素ガス供給源に流路接続されている。また、処理チャンバ１０には、排気口３０が設けられており、排気口３０に排気管３２が連通接続され、排気管３２は真空ポンプ３４に流路接続されている。さらに、処理チャンバ１０には、ガス回収用排気口３６が設けられており、ガス回収用排気口３６にガス回収用配管３８が連通接続され、ガス回収用配管３８はガス回収用タンク４０の流入口４０ａに連通接続されている。ガス回収用配管３８には、フィルタ４２および真空ポンプ４４がそれぞれ介挿されている。また、ガス回収用タンク４０の流出口４０ｂにはアンモニアガス流出管４６の一端が連通接続されており、アンモニアガス流出管４６の他端は、アンモニアガス供給管２２の途中に連通接続されている。
【００２９】
次に、上記した構成の基板処理装置を使用して基板の現像、リンスおよび乾燥処理を行う方法について、図２および図３に各工程を図示した模式図により、また図４に示したフローチャートに基づいて説明する。
【００３０】
まず、図２の（ａ）に示すように、処理チャンバ１０内へ基板Ｗを搬入し（ステップＳ１）、基板Ｗをスピンチャック１２上に水平姿勢で保持させ、処理チャンバ１０を気密に密閉する。次に、図２の（ｂ）に示すように、純水吐出ノズル１６から基板Ｗの表面へ純水を吐出し、基板Ｗの表面全体に純水１を膜状に液盛りする（ステップＳ２）。なお、処理チャンバ１０の外部において基板Ｗの表面上に純水１を液盛りした後、その基板Ｗを処理チャンバ１０内へ搬入してスピンチャック１２上に保持させ、その後に処理チャンバ１０を密閉するようにしてもよい。
【００３１】
次に、真空ポンプ３４を駆動させて処理チャンバ１０内を真空排気し、処理チャンバ１０の内部を減圧状態とする（ステップＳ３）。続いて、真空ポンプ３４の駆動を停止させた後、元用力ボンベ２６からアンモニアガス供給管２２を通して減圧状態の処理チャンバ１０内へアンモニアガスを供給し（ステップＳ４）、処理チャンバ１０内にアンモニアガスを充填して、処理チャンバ１０の内部を加圧状態とする（ステップＳ５）。このとき、予め圧力調節弁２８を操作して、処理チャンバ１０内へのアンモニアガスの供給圧力を調節し設定しておくことにより、処理チャンバ１０の内部が任意の所定圧力で加圧された状態にする。このように、処理チャンバ１０内にアンモニアガスが供給されて充填されることにより、アンモニアガスが基板Ｗの表面上の純水１中に溶解し、さらに処理チャンバ１０の内部が加圧状態となっていることにより、純水１中へのアンモニアガスの溶解が促進される。そして、基板Ｗの表面上の純水１中にアンモニアガスが溶解することにより、図２の（ｃ）に示すように、基板Ｗの表面全体にアンモニア水溶液２が膜状に盛られた状態となる。このアンモニア水溶液２が現像液として作用し、アンモニア水溶液２により基板Ｗが現像処理される（ステップＳ６）。この際、基板Ｗを静止させたままにしてもよいし、基板Ｗ上からアンモニア水溶液２が遠心力でこぼれ落ちることのない程度の低速で基板Ｗを回転させるようにしてもよい。また、上記したように、処理チャンバ１０の内部圧を任意に設定することにより、アンモニア水溶液２中のアンモニア濃度を調節して、現像反応速度を制御することも可能である。処理チャンバ１０内へのアンモニアガスの供給は、適当な時点で停止させるようにすればよい。
【００３２】
現像反応が開始してから所定時間が経過すると、真空ポンプ４４を駆動させて処理チャンバ１０内を真空排気し、処理チャンバ１０の内部を減圧状態とする（ステップＳ７）。このように、処理チャンバ１０の内部が減圧状態とされることにより、基板Ｗ上のアンモニア水溶液２中からアンモニアガスが放出されて、水溶液２中のアンモニア濃度が低下する。そして、図２の（ｄ）に示すように、基板Ｗの表面上には希薄な水溶液３が残った状態となり、これにより現像反応が停止する（ステップＳ８）。
【００３３】
真空ポンプ４４によって処理チャンバ１０内を真空排気することにより、基板Ｗ上のアンモニア水溶液２中から放出されて処理チャンバ１０内から排出されガス回収用配管３８内へ流入したアンモニアガスは、ガス回収用配管３８を通ってガス回収用タンク４０内へ流入し、密閉状態のガス回収用タンク４０内に回収される。このとき、アンモニアガス中の不純物や水分は、フィルタ４２を通過することによりガス中から除去される。ガス回収用タンク４０内に回収され加圧状態で貯留されたアンモニアガスは、適宜、ガス回収用タンク４０内からアンモニアガス流出管４６を通ってアンモニアガス供給管２２内へ流入させることにより、再利用される。なお、ガス回収用配管３８やガス回収用タンク４０などを設置していない場合には、真空ポンプ３４を駆動させて処理チャンバ１０内を真空排気することにより、処理チャンバ１０の内部を減圧状態とすればよい。
【００３４】
基板Ｗの現像処理が終了すると、減圧状態の処理チャンバ１０内へ窒素ガス供給源から窒素ガス供給管２４を通して窒素ガスを供給し、処理チャンバ１０の内部を大気圧に戻す（ステップＳ９）。続いて、図３の（ｅ）に示すように、純水吐出ノズル１６から基板Ｗの表面へ純水を吐出して、基板Ｗの表面全体に純水１を供給し、基板Ｗの表面をリンス処理する（ステップＳ１０）。この際に生じる廃液は、廃液中のアンモニア濃度が極めて低くなっているので、その廃液の中和処理が容易である。リンス処理が終了すると、図３の（ｆ）に示すように、基板Ｗを高速で回転させて、基板Ｗ上から純水を振り切って除去することにより、基板Ｗをスピン乾燥処理する（ステップＳ１１）。なお、基板Ｗの乾燥処理は、減圧乾燥法等によってもよい。
【００３５】
上記した実施形態では、純水中に溶解して現像液を生成するガスとしてアンモニアガスを使用したが、それ以外のアミン類等の塩基性ガスを用いるようにしてもよい。また、上記した実施形態では、元用力ボンベからアンモニアガスを処理チャンバ内へ供給するようにしたが、窒素ガス等をキャリアガスとしてアンモニアガスを処理チャンバ内へ供給するようにしてもよい。さらに、上記実施形態では、基板の現像処理が終了した後、減圧状態の処理チャンバの内部を大気圧に戻すために、処理チャンバ内へ窒素ガスを供給するようにしたが、窒素ガスの代わりに炭酸ガス等を処理チャンバ内へ供給するようにしてもよい。また、特に必要が無ければ、処理チャンバの内部をそのまま大気に開放して大気圧に戻すようにしてもよい。
【００３６】
【発明の効果】
請求項１に係る基板処理方法によると、現像処理品質の面内均一性が得られるとともに、現像反応速度の制御が可能であり、また、現像反応を進行させる塩基性物質の使用量を低減させることができるとともに、廃液処理のためのコストを低下させることができる。
【００３７】
請求項２に係る発明の基板処理方法では、基板の表面上の純水中への塩基性ガスの溶解量を増加させることができ、高濃度の現像液が得られる。
【００３８】
請求項３に係る発明の基板処理方法では、現像液中の塩基性物質の濃度を調節して、現像反応速度を制御することができる。
【００３９】
請求項４に係る発明の基板処理装置を使用すると、現像処理品質の面内均一性が得られるとともに、現像反応速度の制御が可能であり、また、現像反応を進行させる塩基性物質の使用量を低減させることができるとともに、廃液処理のためのコストを低下させることができる。
【００４０】
請求項５に係る発明の基板処理装置では、基板の表面上の純水中への塩基性ガスの溶解量を増加させることができ、高濃度の現像液が得られる。
【００４１】
請求項６に係る発明の基板処理装置では、基板を処理チャンバ内へ搬入し保持手段に保持させた後に、基板の表面全体に純水を膜状に液盛りすることができ、作業が簡単になる。
【００４２】
請求項７に係る発明の基板処理装置では、基板上に形成されたレジストが空気中の成分に対して敏感に反応するような場合に、現像処理後において不都合が生じるのを避けることができる。
【００４３】
請求項８に係る発明の基板処理装置では、現像液中の塩基性物質の濃度を調節して、現像反応速度を制御することができる。
【００４４】
請求項９に係る発明の基板処理装置では、塩基性ガスを有効に利用することができ、また、塩基性物質を回収するための設備が簡易になる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明に係る基板処理方法を実施するのに使用される基板処理装置の構成の１例を模式的に示す概略構成図である。
【図２】図１に示した基板処理装置を使用して基板の現像、リンスおよび乾燥処理を行う方法について各工程ごとに説明するための模式図である。
【図３】同じく、各工程ごとに説明するための模式図である。
【図４】図１に示した基板処理装置を使用して基板の現像、リンスおよび乾燥処理を行う方法について説明するためのフローチャートである。
【符号の説明】
Ｗ　基板
１０　処理チャンバ
１２　スピンチャック
１４　回転支軸
１６　純水吐出ノズル
２０　給気管
２２　アンモニアガス供給管
２４　窒素ガス供給管
２６　元用力ボンベ
２８　圧力調節弁
３２　排気管
３４、４４　真空ポンプ
３８　ガス回収用配管
４０　ガス回収用タンク
４２　フィルタ
４６　アンモニアガス流出管
１　純水
２　アンモニア水溶液
３　希薄な水溶液
【図１】
2004128118.tif 000003
【図２】
2004128118.tif 000004
【図３】
2004128118.tif 000005
【図４】
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