(57)【要約】【課題】半導体素子の機械的強度を保ちながら薄型化の実現が可能な半導体装置、およびそのような半導体装置の作製に用いる、半導体素子搭載用保持具を得る。【解決手段】基板側の電極２ａを表面に備えた配線基板２と素子側の電極３ａを表面に備えた半導体素子３との電極同士が対向し、配線基板２と半導体素子３との間隙に充填されている硬化したＡＣＦ７が、半導体素子３の側面３ｄを覆い、かつその上面７ａが半導体素子３の裏面３ｃと同じ高さに揃うように半導体装置を構成する。また、半導体素子３を配線基板２に搭載する際に半導体素子３を固定する保持具４は、半導体素子３よりも広い幅を有し、保持具４の半導体素子３に当接する側の面が、樹脂接着剤が付着しない離型材層４ｃにより覆われるようにする。【選択図】　　　　図２
2004031678.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一の電極を表面に備えた配線基板と、第二の電極を表面に備えた半導体素子とを有し、上記第一の電極と上記第二の電極とが対向した状態で上記配線基板と上記半導体素子との電気的接続がなされ、かつ上記配線基板と上記半導体素子との間隙に硬化した樹脂接着剤が充填されている半導体装置において、
上記硬化した樹脂接着剤は、上記半導体素子の側面を覆い、かつその上面は上記半導体素子の裏面と同じ高さに揃っていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
第一の電極を表面に備えた配線基板に、第二の電極を表面に備えた半導体素子を、上記第一の電極と上記第二の電極とが対向するように、樹脂接着剤を介して搭載する際に用いられる、上記半導体素子を吸引して固定する半導体素子搭載用保持具において、
上記半導体素子よりも広い幅を有する本体部と、該本体部の中心部分に貫通して設けられた吸引用の穴と、上記本体部の上記半導体素子に当接する側の面を覆う上記樹脂接着剤が付着しない材料からなる離型材層とを備えたことを特徴とする半導体素子搭載用保持具。
【請求項３】
第一の電極を表面に備えた配線基板に、第二の電極を表面に備えた半導体素子を、上記第一の電極と上記第二の電極とが対向するように、樹脂接着剤を介して搭載する際に用いられる、上記半導体素子を吸引して固定する半導体素子搭載用保持具において、
上記半導体素子よりも広い幅を有し、かつ上記半導体素子に当接する側の面の、上記半導体素子の裏面の縁部分に対向する部分から外側の範囲に凹部を有する本体部と、該本体部の中心部分に貫通して設けられた吸引用の穴と、上記凹部に埋設された上記樹脂接着剤が付着しない材料からなる離型材部とを備えたことを特徴とする半導体素子搭載用保持具。
【請求項４】
本体部はセラミック材料からなり、離型材部はフッ素系樹脂またはポリイミド系樹脂からなることを特徴とする請求項３記載の半導体素子搭載用保持具。
【請求項５】
本体部はセラミック材料からなり、離型材部はフッ素系樹脂を含浸させたセラミック材料からなることを特徴とする請求項３記載の半導体素子搭載用保持具。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、薄い半導体素子および配線基板のそれぞれに設けられた電極同士を対向させた形で電気的接続がなされた薄型の半導体装置、およびその作製に用いる半導体素子搭載用保持具に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
半導体素子を配線基板に接続した半導体装置において、その接続形態には目的により様々なものがあるが、なかでもフリップチップ接続は、最も小さく実装することが可能な実装形態として知られている。フリップチップ接続を低コストで実現できる方法の一つとして、予め樹脂接着剤を配置した配線基板に半導体素子を押し付け、樹脂接着剤を硬化させる方法が知られている。
【０００３】
図８および図９は、上記の方法によるフリップチップ接続をＡＣＦ（Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ　Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ　Ｆｉｌｍ　；異方性導電接着フィルム）を用いて行った従来の半導体装置の説明図であり、図８（ａ）〜（ｃ）は一般的な厚さ（０．４ｍｍ以上）の半導体素子を配線基板に接続する工程を段階的に示す断面図、特に図８（ｃ）は完成した半導体装置の断面図である。図９は０．３ｍｍ厚以下の薄い半導体素子を用いて同様な工程で作製され、完成した半導体装置の概略的な断面図である。いずれも電極を含む部分における断面図であり、断面を示すハッチングは一部省略する。
【０００４】
図において、４１は半導体装置である。４２は配線基板であり、４２ａは基板側の電極である。４３は半導体素子であり、４３ａは突起状の素子側の電極である。半導体素子４３の、素子側の電極４３ａが設けられている側の面を表面とし、これとは反対側の面を裏面とする。４４は半導体素子４３を配線基板４２に実装する際に半導体素子４３を固定する保持具である。保持具４４の大きさは、通常半導体素子４３と同じ大きさか、もしくは少し小さめである。これは、後述するＡＣＦ４５を予め配置した配線基板４２上に、半導体素子４３を搭載する際に、半導体素子４３の周囲にはみ出してくるＡＣＦが、保持具４４に付着するのを防ぐためである。４４ａは保持具４４の中心部分に貫通して設けられた吸引穴であり、上述の固定は、この吸引穴４４ａから図示しない装置または器具を用いて吸引して、半導体素子４３を保持具４４側に押し付けることにより行う。
【０００５】
４５はＡＣＦである。ＡＣＦ４５は、後述する導電性粒子４５ａをエポキシ系の樹脂接着剤中に混入させたフィルム状の接着剤である。４５ａは直径５μｍ程度の大きさを有するＡＣＦ中の導電性粒子であり、たとえばＡｕめっきしたプラスチックボール、または金属ボール等が用いられる。４６は半導体素子４３の押し付け、および加熱により流動して半導体素子４３の周囲に広がり、その後硬化した硬化ＡＣＦである。５１は薄い半導体素子を用いて作製された半導体装置である。５３は０．３ｍｍ厚以下の薄い半導体素子である。５３ａは突起状の素子側の電極であり、５６は半導体装置４１の硬化ＡＣＦ４６と同様の、硬化ＡＣＦである。硬化ＡＣＦ５６は、半導体素子５３が薄いため、半導体素子５３の周囲に広がった部分が、この半導体素子５３の裏面よりも高く盛り上がった形状となっている。
【０００６】
次に半導体装置４１の作製方法について説明する。
まず、配線基板４２上にＡＣＦ４５を配置する（図８（ａ））。このＡＣＦ４５の厚さは、配線基板４２と半導体素子４３との間に十分に充填することができるように、基板側の電極４２ａおよび素子側の電極４３ａの厚さの和よりも２０μｍ以上厚く設定されている。
次に、半導体素子４３を、素子側の電極４３ａを下側に向けた状態で、保持具４４の吸引穴４４ａを通して図示しない装置または器具により吸引し、保持具４４に密着して固定する（図８（ｂ））。
【０００７】
次に、保持具４４を通して、たとえばセラミックヒーター等で加熱した半導体素子４３を配線基板４２に押し付けて、上述の吸引を止め、保持具４４を離す。このとき、半導体素子４３の押し付けと半導体素子４３からの熱とにより、ＡＣＦ４５は流動して、半導体素子４３の周囲にはみ出して広がり、半導体素子４３の端面を這い上がり、その後硬化して硬化ＡＣＦ４６となる。このとき、基板側の電極４２ａと素子側の電極４３ａとの間隙に存在していた導電性粒子４５ａが上述の押し付けにより潰され、これにより配線基板４２と半導体素子４３との電気的接続が達成される（図８（ｃ））。
【０００８】
硬化ＡＣＦ４６は、たとえば半導体素子４３の幅が縦横１０ｍｍで厚さが０．５ｍｍの場合、半導体素子４３の端面の０．３ｍｍ程度の高さまで這い上がって形成される。また、半導体装置５１のように薄い半導体素子５３を用いた場合には、硬化ＡＣＦ５６の半導体素子５３の周囲に広がった部分は、半導体素子５３の裏面よりも高く盛り上がった形状に形成されている。この硬化ＡＣＦ４６および５６は、半導体素子４３および５３の周辺を固定し、機械的強度を高めることができるという特徴がある。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
従来の半導体装置４１および５１は以上のように構成されているので、以下に示すような課題があった。
半導体素子を、ウエハからダイシングによって切り出したとき、その端面（側面）の角部にできたダイシング刃のダイヤモンド砥粒による傷は、半導体素子をへき開し、割れる原因となるおそれがあることが知られている。電子機器を薄く小型にするために薄い半導体装置が求められてきているため、半導体素子も薄くする必要があるが、薄い半導体素子ほど容易にへき開される。特に、半導体素子を、これよりもたとえば熱膨張率が数倍高い樹脂からなる配線基板に接続した場合、半導体素子は大きく反り、上述の端面からへき開し、割れやすくなってしまう。
半導体装置４１および５１では、硬化ＡＣＦ４６および５６により、半導体素子４３および５３の周囲が保護されているが、薄い半導体素子５３を用いた半導体装置５１の場合、硬化ＡＣＦ５６は高く盛り上がって形成されてしまうため、半導体装置を薄くしようとしても限界があるという課題があった。
【００１０】
この発明は上記のような課題を解決するためになされたもので、半導体素子の機械的強度を保ちながらも、薄型化を実現することが可能な半導体装置を得ることを目的とする。また、そのような半導体装置を作製するときに用いる、半導体素子搭載用保持具を得ることを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
この発明に係る半導体装置は、第一の電極を表面に備えた配線基板と第二の電極を表面に備えた半導体素子との電極同士が対向し、配線基板と半導体素子との間隙に充填されている硬化した樹脂接着剤が半導体素子の側面を覆い、かつその上面が半導体素子の裏面と同じ高さに揃っているものである。
【００１２】
この発明に係る半導体素子搭載用保持具は、半導体素子よりも広い幅を有する本体部と、この本体部の中心部分に貫通して設けられた吸引用の穴と、本体部の半導体素子に当接する側の面を覆う樹脂接着剤が付着しない材料からなる離型材層とを備えたものである。
【００１３】
この発明に係る半導体素子搭載用保持具は、半導体素子よりも広い幅を有し、かつ半導体素子に当接する側の面の、半導体素子の裏面の縁部分に対向する部分から外側の範囲に凹部を有する本体部と、この本体部の中心部分に貫通して設けられた吸引用の穴と、凹部に埋設された樹脂接着剤が付着しない材料からなる離型材部とを備えたものである。
【００１４】
この発明に係る半導体素子搭載用保持具は、本体部がセラミック系の材料からなり、離型材部はフッ素系樹脂またはポリイミド系樹脂からなるものである。
【００１５】
この発明に係る半導体素子搭載用保持具は、本体部がセラミック系材料からなり、離型材部はフッ素系樹脂を含浸させたセラミック系材料からなるものである。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下、この発明の実施の一形態を説明する。
実施の形態１．
図１はこの発明の実施の形態１による半導体装置１の構成を示す概略的な断面図、図２（ａ）〜（ｄ）は半導体装置１の作製工程を段階的に示す断面図であり、電極を含む部分の断面図で示す。図２（ｂ）〜（ｃ）はこの発明の実施の形態１による半導体素子搭載用保持具４の構成を示す断面図である。いずれも断面を示すハッチングは一部省略する。
【００１７】
図において、１は半導体装置である。２は配線基板であり、２ａは配線基板２の表面に設けられた基板側の電極（第一の電極）である。３は半導体素子であり、３ａは半導体素子３の表面に設けられた突起状の素子側の電極（第二の電極）である。３ｂは半導体素子の表面（表面）であり、素子側の電極３ａが設けられている側の面である。３ｃは半導体素子の裏面であり、半導体素子の表面３ｂとは反対側の面である。３ｄは半導体素子の側面である。
【００１８】
４は半導体素子３を配線基板２に実装する際に半導体素子３を固定する保持具（半導体素子搭載用保持具）である。４ａは保持具４の本体部である。本体部４ａの縦横の幅は、半導体素子３の縦横の幅よりも広いものとする。この広さは具体的には、半導体素子３を、後述するＡＣＦ５を介して配線基板２に搭載する際に、半導体素子３の外側にはみ出したＡＣＦが保持具４の下側の面に当接し、硬化したＡＣＦの上面が、半導体素子の裏面３ｃと同じ高さに揃えられることが達成できる程度の広さとする。本体部４ａは、一般的に熱伝導性の良い材料として知られる、たとえば黄銅、アルミニウム等の金属、あるいは窒化アルミニウム、窒化ボロン、窒化珪素等のセラミック材料を用いて形成されている。半導体素子３の加熱は、保持具４を通して行うので、上述の熱伝導性の良い材料は、熱による変形のおそれが少ない材料が好適である。
【００１９】
４ｂは本体部４ａの中心部分に貫通して設けられた吸引穴（吸引用の穴）であり、上述の固定は、この吸引穴４ｂから図示しない装置または器具を用いて吸引して、半導体素子３を保持具４側に押し付けることにより行う。４ｃは保持具４の本体部４ａの、半導体素子３を吸い付ける側の表面を覆うように設けられた離型材層である。離型材層４ｃは、後述するＡＣＦが付着しない材料、たとえばフッ素系樹脂、シリコン系樹脂、またはポリイミド系樹脂からなる。
【００２０】
保持具４は、例えば以下のようにして作製される。
まず、窒化アルミニウム等の熱伝導性の良いセラミック系材料を、本体部４ａの形状に加工する。次に、溶剤に溶かしたフッ素系樹脂等を好適な方法により保持具４の表面に塗布し、離型材層４ｃを形成する。次に、全体を３８０℃前後の温度で焼き付け、余分に付着した材料を研削して除去し、正確な所望の寸法の保持具４に仕上げる。
【００２１】
５はＡＣＦ（樹脂接着剤）である。ＡＣＦ５は、後述する導電性粒子５ａをエポキシ系の樹脂接着剤中に混入させたフィルム状の接着剤である。５ａは直径５μｍ程度の大きさを有するＡＣＦ５中の導電性粒子であり、たとえばＡｕめっきしたプラスチックボール、または金属ボール等が用いられる。６は半導体素子３の押し付け、および加熱により流動して半導体素子３の周囲に広がり、半導体素子３の端面を這い上がったＡＣＦであり、７はその後硬化した硬化ＡＣＦ（硬化した樹脂接着剤）である。７ａは硬化ＡＣＦ７の上面（上面）である。
【００２２】
次に半導体装置１の作製方法について説明する。
まず、配線基板２上にＡＣＦ５を配置する（図２（ａ））。このＡＣＦ５の厚さは、配線基板２と半導体素子３との間に十分に充填することができるように、基板側の電極２ａおよび素子側の電極３ａの厚さの和よりも２０μｍ以上厚く設定されている。
次に、半導体素子３を、素子側の電極３ａを下側に向けた状態で、保持具４の吸引穴４ｂを通して図示しない装置または器具により吸引し、保持具４に密着して固定する（図２（ｂ）の上側の図）。
【００２３】
次に、保持具４を通して、たとえばセラミックヒーター等で加熱した半導体素子３を配線基板２に押し付ける（図２（ｂ）→図２（ｃ））。このとき、半導体素子３の押し付けと半導体素子３からの熱とにより、ＡＣＦ５は流動して、半導体素子３の周囲にはみ出して広がり、半導体素子３の端面を這い上がったＡＣＦ６となる。そして、基板側の電極２ａと素子側の電極３ａとの間隙に存在していた導電性粒子５ａが上述の押し付けにより潰され、これにより配線基板２と半導体素子３との電気的接続が達成される（図２（ｃ））。
【００２４】
その後、吸引を止め、保持具４を離す。離型材層４ｃにより、ＡＣＦは保持具４に付着することがない。このとき、半導体素子３の端面を這い上がったＡＣＦ６は硬化が完了しており、硬化ＡＣＦ７が形成される。硬化ＡＣＦ７は、半導体素子３の側面３ｄを覆い、かつ硬化ＡＣＦ７の上面７ａは半導体素子３の裏面３ｃと同じ高さに揃って形成されている（図２（ｄ）。この硬化ＡＣＦ７は、半導体素子３の周辺を固定し、機械的強度を高めることができる。
【００２５】
以上のように、この発明の実施の形態１の半導体装置１によれば、硬化したＡＣＦ７の上面７ａが、半導体素子３の周辺に、この半導体素子３の裏面３ｃと同じ高さに揃って形成されているので、半導体素子３の機械的強度を保ちながらも、半導体装置の薄型化を実現できるという効果が得られる。
また、実施の形態１の保持具４によれば、その本体部４ａが半導体素子３よりも広い幅を有し、かつ保持具４の半導体素子３に当接する側の面は、ＡＣＦが付着しない材料からなる離型材層４ｃにより覆われているので、ＡＣＦの形状を、半導体素子３の側面３ｄを覆い、かつその上面は半導体素子３の裏面３ｃと同じ高さに揃う形状にすることができるという効果が得られる。
【００２６】
次に、実施の形態１の変形例三例につき説明する。
図３は実施の形態１の第一の変形例による半導体装置１１の構成を示す概略的な断面図であり、図１と同様の部分の断面で示してある。断面を示すハッチングは一部省略している。図において、１１は半導体装置である。１７は硬化した樹脂接着剤である。樹脂接着剤１７としては、たとえばエポキシ系、アクリル系またはフェノール系のものを用いる。１７ａは硬化した樹脂接着剤の上面である。半導体装置１１は、ＡＣＦの代わりに導電性粒子の存在しない樹脂接着剤を用いて半導体装置を構成した例であり、基板側の電極２ａと素子側の電極３ａとを直接接触させることにより配線基板２と半導体素子３との電気的接続を行っている。その他の部分においては、半導体装置１と同様であるため、詳細な説明を省略する。
【００２７】
図４は実施の形態１の第二の変形例による半導体装置２１の構成を示す概略的な断面図であり、図１と同様の部分の断面で示してある。断面を示すハッチングは一部省略している。図において、１３は半導体素子である。１３ａは半導体素子１３側の、はんだによる突起状電極である。１３ｂは半導体素子の表面、１３ｃは半導体素子の裏面、１３ｄは半導体素子の側面である。２１は半導体装置である。半導体装置２１は、半導体装置１１と同様に、ＡＣＦの代わりに導電性粒子の存在しない樹脂接着剤を用いて半導体装置を構成した例であり、基板側の電極２ａとはんだによる突起状電極１３ａとを直接接触させた後、半導体素子１３を加熱してはんだを溶融させることにより、配線基板２と半導体素子１３との電気的接続を行っている。その他の部分においては、半導体装置１および１１と同様であるため、詳細な説明を省略する。
【００２８】
図５は実施の形態１の第三の変形例による半導体装置３１の構成を示す概略的な断面図であり、電極を含む部分の断面で示してある。断面を示すハッチングは一部を除き省略する。半導体装置３１は、二つの半導体素子を搭載して半導体装置を構成した例である。
【００２９】
図において、２ｂは、配線基板２上に設けられ、後述する第二の半導体素子８と電気的に接続される基板側の第二の電極である。８は、後述する接着層９を介して半導体素子３上に接着して配置された第二の半導体素子である。第二の半導体素子８は、半導体素子３よりも幅が広いが、半導体素子３の周囲にはみ出した部分における、硬化したＡＣＦ７が、半導体素子３の裏面と同じ高さに揃っているため、半導体素子３上に安定した状態で設置されている。８ａは第二の半導体素子８上に設けられた第二の素子側の電極である。８ｂは、基板側の第二の電極２ｂと、第二の素子側の電極８ａとに接続され、配線基板２と第二の半導体素子８との電気的接続を行うワイヤである。
９は半導体素子３と第二の半導体素子８とを接着する接着層である。１０は、ワイヤ８ｂが破損しないように、配線基板２上に搭載されている構成要素の周囲を覆うように設けられたモールド樹脂である。既出の構成要素については詳細な説明を省略する。
【００３０】
実施の形態２．
図６はこの発明の実施の形態２による保持具１４の構成を示す概略的な説明図であり、図６（ａ）は本体部１４ａの凹部１４ｂおよびこれに埋設された離型材部１４ｄが設けられている側の面の平面図であり、図６（ｂ）は吸引穴１４ｃを通る部分に沿って切った断面図、図６（ｃ）は半導体素子３を吸引して保持具１４に固定したときの様子を示す断面図である。断面を示すハッチングは一部を除き省略する。
【００３１】
図において、３ｅは半導体素子３の裏面の縁部分である。１４は樹脂接着剤を予め配置した配線基板上に半導体素子３を搭載する際に、この半導体素子３を固定するのに用いられる保持具（半導体素子搭載用保持具）である。１４ａは保持具４の本体部である。本体部１４ａの縦横の幅は、半導体素子３の縦横の幅よりも広いものとする。この広さは具体的には、半導体素子３を、ＡＣＦ等の樹脂接着剤を介して配線基板に搭載する際に、半導体素子３の外側にはみ出した樹脂接着剤が保持具１４の下側の面に当接し、このはみ出した部分の樹脂接着剤の上面が、半導体素子３の裏面３ｃと同じ高さに揃えられることが達成できる程度の広さとする。本体部１４ａは、一般的に熱伝導性の良い材料として知られる、たとえば黄銅、アルミニウム等の金属、あるいは窒化アルミニウム、窒化ボロン、窒化珪素等のセラミック材料を用いて形成されている。半導体素子３の加熱は、保持具１４を通して行うので、上述の熱伝導性の良い材料は、熱による変形のおそれが少ない材料が好適である。
【００３２】
１４ｂは半導体素子３の裏面３ｃの縁部分３ｅに対向する部分から外側の範囲に設けられた凹部である。１４ｃは本体部１４ａの中心部分に貫通して設けられた吸引穴（吸引用の穴）である。１４ｄは凹部１４ｂに埋設された離型材部である。離型材部１４ｄは半導体素子３の裏面の縁部分３ｅに当接するため、半導体素子３を配線基板側に押し付けるときに半導体素子３の周囲にはみ出してくるＡＣＦ等の樹脂接着剤に付着しない材料を用いる。たとえばフッ素系樹脂やポリイミド樹脂等は好適である。
【００３３】
保持具１４は、例えば以下のようにして作製される。
まず、窒化アルミニウム等の熱伝導性の良いセラミック材料を、本体部１４ａの形状に加工する。次に、溶剤に溶かしたフッ素系樹脂等を、例えば吹き付け等の好適な方法により凹部１４ｂに塗布し、離型材層１４ｄを形成する。次に、全体を３８０℃前後の温度で焼き付け、余分に付着した材料を研削して除去し、正確な所望の寸法の保持具１４に仕上げる。
【００３４】
以上のように、この実施の形態２の保持具１４によれば、固定する対象の半導体素子３よりも広い幅を有し、かつ半導体素子３の裏面の縁部分３ｅが当接する部分は離型材部１４ｄにより構成されているので、実施の形態１の保持具４と同様の効果が得られる。
【００３５】
実施の形態３．
図７はこの発明の実施の形態３による保持具２４の構成を示す概略的な断面図であり、半導体素子３を吸引して保持具２４に固定したときの様子を示す断面図を、図６と同様の部分の断面で示してある。断面を示すハッチングは一部省略している。
【００３６】
図において、２４は樹脂接着剤を予め配置した配線基板上に半導体素子３を搭載する際に、この半導体素子３を固定するのに用いられる保持具（半導体素子搭載用保持具）である。２４ａは保持具２４の本体部である。本体部２４ａの縦横の幅は、半導体素子３の縦横の幅よりも広いものとする。この広さは具体的には、半導体素子３を、ＡＣＦ等の樹脂接着剤を介して配線基板に搭載する際に、半導体素子３の外側にはみ出した樹脂接着剤が保持具２４の下側の面に当接し、このはみ出した部分の樹脂接着剤の上面が、半導体素子３の裏面３ｃと同じ高さに揃えられることが達成できる程度の広さとする。本体部２４ａは、一般的に熱伝導性の良い材料として知られる、たとえば黄銅、アルミニウム等の金属、あるいは窒化アルミニウム、窒化ボロン、窒化珪素等のセラミック材料を用いて形成されている。半導体素子３の加熱は、保持具２４を通して行うので、上述の熱伝導性の良い材料は、熱による変形のおそれが少ない材料が好適である。
【００３７】
２４ｂは半導体素子３の裏面の縁部分３ｅに対向する部分から外側の範囲に設けられた凹部である。２４ｃは本体部１４ａの中心部分に貫通して設けられた吸引穴（吸引用の穴）である。２４ｄは凹部２４ｂに埋設された離型材部であり、後述するフッ素系樹脂２４ｅを含浸している。離型材部２４ｄは半導体素子３の裏面の縁部分３ｅに当接するため、半導体素子３を配線基板側に押し付けるときに半導体素子３の周囲にはみ出してくるＡＣＦ等の樹脂接着剤に付着しない材料を用いる。
【００３８】
２４ｅは、離型材部２４ｄ中に含まれるフッ素系樹脂を模式的に示したものである。フッ素系樹脂２４ｅを含浸した離型材部２４ｄは、フッ素系樹脂のみで構成した場合と比較して、フッ素系樹脂の磨耗がなくなり、硬度も高くなるので、半導体素子３を配線基板２に搭載する際に、強く押し付けることができるという効果が得られる。
【００３９】
保持具２４は、例えば以下のようにして作製される。
まず、窒化アルミニウム等の熱伝導性の良いセラミック材料を、本体部２４ａの形状に加工する。次に、溶剤に溶かした材料、例えばフッ素系樹脂に窒化アルミニウムの粉末を混入した材料を、例えば吹き付け等の好適な方法により凹部２４ｂに塗布し、離型材層２４ｄを形成する。次に、全体を３８０℃前後の温度で焼き付け、余分に付着した材料を研削して除去し、正確な所望の寸法の保持具２４に仕上げる。
【００４０】
以上のように、この実施の形態３の保持具２４によれば、固定する対象の半導体素子３よりも広い幅を有し、かつ半導体素子３の裏面の縁部分３ｅが当接する部分は離型材部２４ｄにより構成されているので、実施の形態１の保持具４と同様の効果が得られる。
【００４１】
【発明の効果】
以上のように、この発明によれば、硬化した樹脂接着剤が、半導体素子の側面を覆い、かつその上面は半導体素子の裏面と同じ高さに揃うように半導体装置を構成したので、半導体素子の機械的強度を保ちながらも、薄型化を実現することが可能な半導体装置が得られる効果がある。
【００４２】
この発明によれば、半導体素子よりも広い幅を有する本体部と、この本体部の中心部分に貫通して設けられた吸引用の穴と、本体部の半導体素子に当接する側の面を覆う樹脂接着剤が付着しない材料からなる離型材層とを備えるように半導体素子搭載用保持具を構成したので、樹脂接着剤の形状を、半導体素子の側面を覆い、かつその上面は半導体素子の裏面と同じ高さに揃う形状にすることが可能な半導体素子搭載用保持具が得られる効果がある。
【００４３】
この発明によれば、半導体素子よりも広い幅を有し、かつ半導体素子に搭載する側の面の、半導体素子の裏面の縁部分に対向する部分から外側の範囲に凹部を有する本体部と、この本体部の中心部分に貫通して設けられた吸引用の穴と、凹部に埋設された、樹脂接着剤が付着しない材料からなる離型材部とを備えるように半導体素子搭載用保持具を構成したので、樹脂接着剤の形状を、半導体素子の側面を覆い、かつその上面は半導体素子の裏面と同じ高さに揃う形状にすることが可能な半導体素子搭載用保持具が得られる効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の実施の形態１による半導体装置の構成を示す概略的な断面図である。
【図２】この発明の実施の形態１による半導体装置の作製工程を段階的に示す断面図である。
【図３】この発明の実施の形態１の第一の変形例による半導体装置の構成を示す概略的な断面図である。
【図４】この発明の実施の形態１の第二の変形例による半導体装置の構成を示す概略的な断面図である。
【図５】この発明の実施の形態１の第三の変形例による半導体装置の構成を示す概略的な断面図である。
【図６】この発明の実施の形態２による保持具の構成を示す概略的な断面図である。
【図７】この発明の実施の形態３による保持具の構成を示す概略的な断面図である。
【図８】従来の半導体装置の作製工程を段階的に示す断面図である。
【図９】従来の半導体装置の構成を示す概略的な断面図である。
【符号の説明】
１，１１，２１，３１　半導体装置、２　配線基板、２ａ　基板側の電極（第一の電極）、２ｂ　基板側の第二の電極、３，１３　半導体素子、３ａ　素子側の電極（第二の電極）、３ｂ，１３ｂ　半導体素子の表面（表面）、３ｃ，１３ｃ　半導体素子の裏面、３ｄ，１３ｄ　半導体素子の側面、３ｅ　裏面の縁部分（半導体素子の裏面の縁部分）、４，１４，２４　保持具（半導体素子搭載用保持具）、４ａ，１４ａ，２４ａ　本体部、４ｂ　吸引穴（吸引用の穴）、４ｃ　離型材層、５　ＡＣＦ（樹脂接着剤）、５ａ　導電性粒子、６　這い上がったＡＣＦ、７　硬化ＡＣＦ（硬化した樹脂接着剤）、７ａ　硬化ＡＣＦの上面（上面）、８　第二の半導体素子、８ａ　第二の素子側の電極、８ｂ　ワイヤ、９　樹脂接着層、１０　モールド樹脂、１３ａ　はんだによる突起状電極、１４ｂ，２４ｂ　凹部、１４ｃ，２４ｃ　吸引穴（吸引用の穴）、１４ｄ，２４ｄ　離型材部、１７　硬化した樹脂接着剤、１７ａ　硬化した樹脂接着剤の上面、２４ｅ　フッ素系樹脂。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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