(57)【要約】【課題】走査速度を向上させることができ、簡素な構造であって製造コストを低減することができるフラットパネルディスプレイおよび電子機器を提供する。【解決手段】フラットパネルディスプレイの光走査線ｙ１，ｙ２として機能する光導波路３０と、光導波路３０と光学的に接続された発光素子と、光導波路と光学的に接続された受光素子であるフォトトランジスタ２２と、フォトトランジスタ２２により発光動作の少なくとも一部が制御される画素２５０とを有することを特徴とする。【選択図】　　　図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
フラットパネルディスプレイの走査線として機能する光導波路と、
前記光導波路と光学的に接続された発光素子と、
前記光導波路と光学的に接続された受光素子と、
前記受光素子により発光動作の少なくとも一部が制御される画素とを有してなることを特徴とするフラットパネルディスプレイ。
【請求項２】
前記発光素子は、発光機能を有する微小なタイル形状の半導体素子からなる第１微小タイル状素子で構成されることを特徴とする請求項１記載のフラットパネルディスプレイ。
【請求項３】
前記光導波路は、線形状の透明樹脂を有してなり、
前記第１微小タイル状素子は、面発光レーザ、ＬＥＤ、ＤＦＢレーザのうちの一つであることを特徴とする請求項１又は２記載のフラットパネルディスプレイ。
【請求項４】
前記光導波路は、電気配線に重なるように配置されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載のフラットパネルディスプレイ。
【請求項５】
前記電気配線は、複数の前記画素に電流を供給する給電線であることを特徴とする請求項４記載のフラットパネルディスプレイ。
【請求項６】
前記光導波路は、直線形状に設けられているとともに、該直線形状から前記画素毎にだされた枝形状の分岐枝を有し、
前記受光素子は、前記分岐枝と光学的に接続されていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載のフラットパネルディスプレイ。
【請求項７】
前記光導波路は、前記直線形状における前記分岐枝の近傍にくぼみが設けられていることを特徴とする請求項６記載のフラットパネルディスプレイ。
【請求項８】
前記光導波路は、ブラックマトリックスの内部に設けられていることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか一項に記載のフラットパネルディスプレイ。
【請求項９】
前記光導波路は、線形状の透明樹脂を有してなり、
該透明樹脂の表面は、可視光を吸収する処理が施されていることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか一項に記載のフラットパネルディスプレイ。
【請求項１０】
前記受光素子は、フォトトランジスタであることを特徴とする請求項１乃至９のいずれか一項に記載のフラットパネルディスプレイ。
【請求項１１】
前記受光素子は、フォトダイオードとトランジスタからなることを特徴とする請求項１乃至９のいずれか一項に記載のフラットパネルディスプレイ。
【請求項１２】
前記受光素子は、前記光導波路から受光した光以外の光を受光しないように、遮光部材によって被われていることを特徴とする請求項１乃至１１のいずれか一項に記載のフラットパネルディスプレイ。
【請求項１３】
前記受光素子は、所望の波長の光のみを選択的に透過するフィルタを備えることを特徴とする請求項１乃至１２のいずれか一項に記載のフラットパネルディスプレイ。
【請求項１４】
前記所望の波長の光は、赤外光であることを特徴とする請求項１３記載のフラットパネルディスプレイ。
【請求項１５】
請求項１乃至１４のいずれか一項に記載のフラットパネルディスプレイを備えたことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、フラットパネルディスプレイおよび電子機器に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、フラットパネルディスプレイとして、エレクトロルミネッセンスパネル（ＥＬＰ）、プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）、液晶表示装置（ＬＣＤ）などが用いられている。これらのフラットパネルディスプレイは、ますます大容量化が要求されている。
【０００３】
例えば、表示機器の高解像度化に伴って画素数が４００×６００から１０００×１０００以上へと増大することが求められている。また、表示画面サイズも１０インチから２０インチ以上へと、より大型化することが求められている。そして、フラットパネルディスプレイにおいては、大型化、大容量表示化に伴う信号の遅延などを解消するために、光を信号伝達に用いる技術が検討されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
【特許文献１】
特開平５−１００２４６号公報
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、高解像度化及び大画面化を行う場合、次のような問題がある。走査線数の増大に応じて走査線１本当たりの書込時間を短縮しなければならないので、走査信号を発生するドライバから走査線に大きなオン電流を供給しなければならない。すなわち、走査線に信号を供給するドライバの出力部は大きなファンアウト能力が必要となり、高速な動作が要求される。
【０００６】
ここで、例えばドライバの出力部を構成するトランジスタのファンアウトを大きくするためには、トランジスタを構成する半導体材料に大きな移動度を有するものを使用するか、トランジスタのＷ／Ｌ（幅／長さ）比を大きくすることが必要となる。前者の場合には材料の特性に関するものであるため、大幅に改善することが難しい。後者の場合には、極めて微細なプロセス制御が要求されるため歩留まりを大幅に落とす原因にもつながり、また開口率を下げる原因ともなる。
【０００７】
また、上記特許文献１に記載された光信号を用いた表示装置（従来表示装置）では、次のような問題がある。従来表示装置は、複数の線状発光源と複数の光導電体層を備え、その光導電体層をアクティブ素子を用いて各画素に供給する電流を増大させている。しかしながら、このような構成をエレクトロルミネッセンスパネル及びプラズマディスプレイパネルに適用することは困難である。また、光導電体層によって画素に供給する電流を増大させることはできるが、そのスイッチング速度が向上するとは限らない。また、上記のように複数の線状発光源と複数の光導電体層を備えた構成とすると、極めて複雑な基板構造となってしまい、安価な表示装置を提供することが困難となる。
【０００８】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、走査速度を向上させることができ、簡素な構造であって製造コストを低減することができるフラットパネルディスプレイおよび電子機器の提供を目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記した目的を達成するために本発明のフラットパネルディスプレイは、フラットパネルディスプレイの走査線として機能する光導波路と、前記光導波路と光学的に接続された発光素子と、前記光導波路と光学的に接続された受光素子と、前記受光素子により発光動作の少なくとも一部が制御される画素とを有してなることを特徴とする。
本発明によれば、光導波路を用いて走査線を構成しているので、光パルス信号によって走査信号を配信することができる。したがって、本発明によれば、フラットパネルディスプレイにおける走査速度を従来よりも大幅に向上させることができる。
また、本発明によれば、光導波路と発光素子及び受光素子を用いて走査信号を伝送するので、１つの発光素子で多数の受光素子を制御することができ、すなわちファンアウト数が大きく、その発光素子を簡易なドライバで駆動することができるので、フラットパネルディスプレイの回路構成をシンプルにすることができ、製造コストを低減することができる。一方、従来のフラットパネルディスプレイでは、電気信号によって走査信号を伝送しており、１つの信号発生回路（トランジスタなど）のファンアウト数が小さいので、走査信号の発生回路及びその信号伝送回路などが複雑なものとなってしまう。
また、本発明によれば、走査信号を光信号で伝送することができるので、画面からでる電磁波を大幅に低減することができ、電磁波障害（ＥＭＩ）の発生を大幅に低減することができる。
【００１０】
また、本発明のフラットパネルディスプレイは、前記発光素子が発光機能を有する微小なタイル形状の半導体素子からなる第１微小タイル状素子で構成されることが好ましい。
本発明によれば、発光素子を微小タイル状素子で構成するので、走査信号の発生回路と、各画素の駆動制御回路などをコンパクトにすることができ、各回路の配置の自由度も向上させることができる。したがって、本発明によれば、開口率の高いフラットパネルディスプレイを簡易に提供することができる。
【００１１】
また、本発明のフラットパネルディスプレイは、前記光導波路が線形状の透明樹脂を有してなり、前記第１微小タイル状素子が面発光レーザ、ＬＥＤ、ＤＦＢレーザのうちの一つであることが好ましい。
本発明によれば、光導波路を簡易に製造することができる。
また、本発明によれば、ある基板上に形成した面発光レーザ、ＬＥＤ又はＤＦＢレーザなどを微小タイル形状に切り出すなどして、光信号を放射する第１微小タイル状素子を設けることができる。ここで、面発光レーザは、化合物半導体からなるものであるので、シリコンと格子整合せず、エピタキシーなどの半導体プロセスによって直接にシリコン集積回路上に形成することが非常に困難である。そこで、一旦、ガリウム・ヒ素基板に面発光レーザを形成し、次いで、その面発光レーザを微小タイル形状にチップ化することで、第１微小タイル状素子を設ける。このようにチップ化することで、フラットパネルディスプレをなすシリコン又はガラスなどの基板上の任意の位置に面発光レーザなどを配置することができる。
【００１２】
また、本発明のフラットパネルディスプレイは、前記光導波路が電気配線に重なるように配置されていることが好ましい。
本発明によれば、光を遮蔽する金属電気配線に重ねて光導波路を設けるので、フラットパネルディスプレイの開口率を向上させることができる。
【００１３】
また、本発明のフラットパネルディスプレイは、前記電気配線が複数の前記画素に電流を供給する給電線であることが好ましい。
本発明によれば、比較的大きな面積をもつ給電線に重ねて光導波路を設けるので、フラットパネルディスプレイの開口率をさらに向上させることができる。
【００１４】
また、本発明のフラットパネルディスプレイは、前記光導波路が直線形状に設けられているとともに、該直線形状から前記画素毎にだされた枝形状の分岐枝を有し、前記受光素子は、前記分岐枝と光学的に接続されていることが好ましい。
本発明によれば、光導波路に分岐枝を設けることで受光素子などのレイアウトの自由度を向上させることができる。例えば、給電線などに重ねて光導波路を設けた場合に、その給電線にさらに重ねて受光素子を設けるのは困難となる。そこで、分岐枝を介して給電線の脇に受光素子を配置することで、簡易に、開口率の高いフラットパネルディスプレイを提供することができる。
【００１５】
また、本発明のフラットパネルディスプレイは、前記光導波路が前記直線形状における前記分岐枝の近傍にくぼみを有することが好ましい。
本発明によれば、光導波路に設けたくぼみが光反射機能及び光散乱機能を発揮することができるので、光導波路を伝播する光信号を効率よく受光素子に導くことができる。
【００１６】
また、本発明のフラットパネルディスプレイは、前記光導波路がブラックマトリックスの内部に設けられていることが好ましい。
本発明によれば、フラットパネルディスプレイにおいて、各画素の周囲に設けられたブラックマトリックスの内部に光導波路を設けることで、開口率をさらに向上させることができる。また、本発明によれば、ブラックマトリックスによって外光（ノイズ）が光導波路に侵入することを防ぐことができ、外光による誤動作を防ぐことができる。
【００１７】
また、本発明のフラットパネルディスプレイは、前記光導波路が線形状の透明樹脂を有してなり、該透明樹脂の表面は、可視光を吸収する処理が施されていることが好ましい。
本発明によれば、光導波路をなす透明樹脂の表面に可視光を吸収する処理を施すので、光導波路に外光（ノイズ）が侵入することを防ぐことができ、外光による誤動作を防ぐことができる。
【００１８】
また、本発明のフラットパネルディスプレイは、前記受光素子がフォトトランジスタであることが好ましい。
本発明によれば、簡易に受光素子を形成することができる。
【００１９】
また、本発明のフラットパネルディスプレイは、前記受光素子がフォトダイオードとトランジスタからなることが好ましい。
本発明によれば、簡易に受光素子を形成することができる。
【００２０】
また、本発明のフラットパネルディスプレイは、前記受光素子が前記光導波路から受光した光以外の光を受光しないように、遮光部材によって被われていることが好ましい。
本発明によれば、受光素子に外光（ノイズ）が侵入することを防ぐことができ、外光による誤動作を防ぐことができる。
【００２１】
また、本発明のフラットパネルディスプレイは、前記受光素子が所望の波長の光のみを選択的に透過するフィルタを備えることが好ましい。
本発明によれば、フィルタによって外光を遮断することができ、外光による誤動作を防ぐことができる。
【００２２】
また、本発明のフラットパネルディスプレイは、前記所望の波長の光が赤外光であることが好ましい。
本発明によれば、室内又は室外に存在する自然光などの外光をフィルタで遮断して、光信号をなす赤外光のみを受光素子が入力することができるので、外光による誤動作を防ぐことができる。
【００２３】
本発明の電子機器は、前記フラットパネルディスプレイを備えたことを特徴とする。
本発明によれば、走査速度が速く、高品位な映像を表示することができ、コンパクトな表示手段を備えた電子機器を安価に提供することができる。
【００２４】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態に係るフラットパネルディスプレイについて、図面を参照して説明する。
（第１実施形態）
次に、本発明の第１実施形態に係るフラットパネルディスプレイについて説明する。本実施形態は、フラットパネルディスプレイ（ＦＤＰ）の走査線として、複数の並列に設けられた光導波路３０を用いる形態である。光導波路３０は、基板上に線状に形成された透明樹脂からなるものである。光導波路３０の少なくとも一部は図６のように微小タイル状発光素子（第１微小タイル状素子２１後述）に被さるように形成されている。微小タイル状発光素子は、発光素子をもつ微小なタイル形状の半導体デバイス（微小タイル状素子）である。この微小タイル状素子は、例えば、厚さが２０μｍ以下であり、縦横の大きさが数十μｍから数百μｍの板状部材である。微小タイル状素子の製造方法については、後で詳細に説明する。
【００２５】
図１に示す回路は、フラットパネルディスプレイの一つである有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）表示装置の画素駆動回路を示すものである。本回路は、基板上に、複数の光走査線ｙ１，ｙ２…と、これら光走査線ｙ１，ｙ２…に対して交差する方向に延びる複数のデータ線（信号線）Ｘ１，Ｘ２…とを配置したものである。また、各光走査線ｙ１，ｙ２…毎に平行に給電線Ｙ１，Ｙ２が配置されている。
【００２６】
そして、光走査線ｙ１，ｙ２…とデータ線Ｘ１，Ｘ２…の交点毎に、すなわち画素領域毎に、画素をなす有機ＥＬ素子２５０が配置されている。また、各画素領域には、画素制御トランジスタ２５１、コンデンサ２５２及び受光素子となるフォトトランジスタ２２が配置されている。
【００２７】
フォトトランジスタ２２は、画素制御トランジスタ２５１などとともにＴＦＴ技術などで形成することができる。あるいは、フォトトランジスタ２２、画素制御トランジスタ２５１及びコンデンサ２５２を一組の回路として集積化し、その集積回路を微小タイル状素子として形成して各画素に貼り付けてもよい。またフォトトランジスタ２２は、有機材料を液滴吐出方式又は印刷方式でパターニングして形成した有機トランジスタで構成してもよい。また、フォトトランジスタ２２は、受光素子をもつ微小なタイル形状の半導体デバイス（第２微小タイル状素子）で構成してもよい。
【００２８】
本回路では、光走査線ｙ１，ｙ２…として上記光導波路３０を用いている。各光導波路３０には、上記フォトトランジスタ２２が光学的に接続されている。このフォトトランジスタ２２は、例えばフォトトランジスタを適用する。すなわち、フォトトランジスタ２２がなすフォトトランジスタの受光部が光走査線ｙ１をなす光導波路３０と光学的に接続されている。
【００２９】
フォトトランジスタ２２の代わりにフォトダイオードとトランジスタを組み合わせたものを適用してもよい。また各光走査線ｙ１，ｙ２…には、それぞれ微小タイル状発光素子の表面に形成された独立な発光素子Ｌｙ１，Ｌｙ２…が接続されている。発光素子Ｌｙ１，Ｌｙ２…としては、面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ）、ＤＦＢ（Ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄ　Ｆｅｅｄｂａｃｋ）レーザ又はＬＥＤを適用する。そして、各発光素子Ｌｙ１，Ｌｙ２…は、走査線ドライバＩＣと電気的に接続されている。
【００３０】
画素制御トランジスタ２５１の電流入力端子（ソース又はドレイン）は給電線Ｙ１に接続されている。画素制御トランジスタ２５１の電流出力端子（ソース又はドレイン）は有機ＥＬ素子２５０の電極（陽極又は陰極）に接続されている。画素制御トランジスタ２５１のゲートには、コンデンサ２５２と、フォトトランジスタ２２がなすフォトトランジスタの電流出力端子とが接続されている。フォトトランジスタ２２がなすフォトトランジスタの電流入力端子は、データ線Ｘ１に接続されている。給電線Ｙ１，Ｙ２…には、常時一定の電圧が印加されている。
【００３１】
画素の表示は通常のＬＣＤと同じく走査線毎に行われるが、通常は電気的に行われる走査線の選択を本実施形態では光信号により行う。
次に、本回路の動作について図２を参照して説明する。図２は、図１に示す回路のタイミングチャートである。書き込み期間ｔ１において、まず微小タイル状発光素子の表面の発光素子Ｌｙ１が発光することにより、光走査線ｙ１へ光信号が入射される。この光信号は、光走査線ｙ１に接続されている全てのフォトトランジスタ２２へ伝達され、これらのフォトトランジスタを同時にＯＮ状態にする。このとき他の光走査線ｙ２，ｙ３…へは光信号は入射されず、それらに接続しているフォトトランジスタ２２はＯＦＦ状態にある。
【００３２】
この状態で、データ線Ｘ１，Ｘ２…それぞれに階調電圧ｖ１，ｖ２…を印加すると、光走査線ｙ１に属する画素のコンデンサ２５２と画素制御トランジスタ２５１のゲートへのみ所望の階調電圧が印加される。そこで、給電線Ｙ１より画素制御コンデンサ２５１のゲート電圧に応じた電流が有機ＥＬ素子２５０に供給され、その電流量に応じた光度で有機ＥＬ素子２５０が発光する。
【００３３】
つまり書き込み期間ｔ１においては、光走査線ｙ１とデータ線Ｘ１，Ｘ２…の交点に位置する有機ＥＬ素子２５０がそれぞれデータ線Ｘ１，Ｘ２…の印加電圧（階調電圧）に応じた光度で発光する。
【００３４】
ここで、書き込み期間ｔ１が経過し、書き込み期間ｔ２に移ると、書き込み期間ｔ１において光走査線ｙ１で起こった動作が光走査線ｙ２で起こる。また書き込み期間ｔ２では、光走査線ｙ１への光信号の入力がＯＦＦとなり、光走査線ｙ１に接続している全てのフォトトランジスタ２２がＯＦＦ状態となるが、各画素の画素制御トランジスタ２５１のゲート電圧はコンデンサ２５２で保持される。そのため、再び光走査線ｙ１へ光信号が入力されるまで有機ＥＬ素子２５０の光度は保持される。
【００３５】
通常のように、電気で走査線を駆動する場合、１つの走査線に接続している全ての画素スイッチング素子の容量及び配線容量について同時にチャージしなければならない。そのため画素数が増えたり大画面化により配線長が増すと、応答速度が低下し実効的なスイッチング時間が減少するので、ドライバＩＣの能力を高める必要が出てくるが、それには限界がある。
本実施形態では、光信号で走査線の制御を行うため、素子容量及び配線容量による応答速度の遅れといった問題が発生せず、画素数及び配線長を制限なく増やすことができる。
【００３６】
なお、上記回路では、１行の画素（有機ＥＬ素子２５０）を光走査線毎に線順次駆動しているが、１の画素毎に駆動する点順次駆動に本回路を変形してもよい。また、有機ＥＬ素子２５０の代わりに液晶素子を適用することで、液晶表示装置を構成することもできる。
【００３７】
次に、本実施形態の他の構成について図３から図５を参照して説明する。図３は図１に示す回路における光導波路３０と給電線Ｙ１を示す斜視図である。透明樹脂からなる光導波路３０は、金属又は金属を含む化合物などの導電体からなる給電線Ｙ１に重ねて設けられていることが好ましい。ここで、給電線Ｙ１の代わりにデータ線Ｘ１などの他の金属電気配線を適用してもよい。
このような構成とすることで、有機ＥＬ表示装置などのフラットパネルディスプレイの開口率をさらに向上させることができる。
【００３８】
また、図３に示す光導波路３０を形成する透明樹脂の表面には、可視光を吸収する可視光吸収処理２６１が施されていることが好ましい。可視光吸収処理２６１としては、顔料又は塗料などを光導波路３０の透明樹脂表面に染みこませる手法などを用いる。
このような構成とすることで、光導波路３０の中に侵入する外光（ノイズ）を大幅に低減することができ、誤作動を防ぐことができる。
【００３９】
図４は図１に示す回路における光導波路３０及び画素２５０などを示す概略平面図である。直線状に形成された光導波路３０には、画素毎に短い枝状の分岐枝３３が設けられていることが好ましい。そして、光導波路３０を伝播する光パルス信号は、分岐枝３３を介して受光素子（光スイッチ）であるフォトトランジスタ２２に取り込まれる。すなわち、光導波路３０とフォトトランジスタ２２とは分岐枝３３を介して光学的に接続されている。
【００４０】
このような構成にすることで、受光素子であるフォトトランジスタ２２などのレイアウトの自由度を向上させることができる。例えば、図３に示すように、給電線Ｙ１に重ねて光導波路３０を設けた構成とした場合に、給電線Ｙ１の上にフォトトランジスタ２２を配置することが好ましくないときがある。このような場合に、図４に示す構成とすることで、光導波路３０を介して光パルス信号の伝送の効率を向上させることができる。
【００４１】
また、光導波路３０における各分岐枝３３の接続部位には、くぼみ３１ｃが設けられている。このくぼみ３１ｃを設けることで、光導波路３０とフォトトランジスタ２２間の光学的な結合効率が向上し、光パルス信号の伝送効率を向上させることができる。
【００４２】
光導波路３０と分岐枝３３がなす角度αは、９０度以上あることが好ましい。ここで、図４において、光導波路３０で伝播する光パルス信号は、左側から右側に伝播するものとする。このような構成とすることで、図４における左側から右側に伝播する光パルス信号の伝送効率を向上させることができる。
【００４３】
さらに、図４に示すように、光導波路３０は、ブラックマトリックス２６２の内部に形成することが好ましい。このブラックマトリックス２６２は、各画素２５０の周囲に設けられるものである。なお、ブラックマトリックス２６２は、画素２５０を形成するときの隔壁として機能するものでもよい。このような構成とすることで、フラットパネルディスプレイの開口率を下げることなく光導波路３０を設けることができるとともに、光導波路３０への外光（ノイズ）の混入を防ぐことができる。
【００４４】
図５は図１に示す回路における受光素子であるフォトトランジスタ２２の周囲を示す要部平面図である。光スイッチとして機能するフォトトランジスタ２２は、遮光部材２７０で被われている。このような構成とすることで、フォトトランジスタ２２には光導波路３０から伝播してきた光パルス信号以外の光が侵入しなくなるので、外光による誤動作をさらに厳密に防ぐことができる。
【００４５】
また、光スイッチとして機能するフォトトランジスタ２２は、特定の波長の光のみを透過させるカラーフィルタ又はバンドパスフィルタを備えていることが好ましい。その特定の波長の光としては、例えば赤外光とする。このような構成とすることで、例えばフォトトランジスタ２２は赤外光からなる光パルス信号のみを受光することとなる。したがって、本構成によれば、室内及び野外に存在する外光による誤動作をさらに厳密に防ぐことができる。
【００４６】
（第２実施形態）
次に、上記第１実施形態のフラットパネルディスプレイにおける光導波路３０などを用いた光走査線ｙ１，ｙ２…に適用される光インターコネクション回路について説明する。
図６は光走査線ｙ１，ｙ２…として適用される光インターコネクション回路を示し、（ａ）は概略断面図であり、（ｃ）は概略平面図である。本実施形態に係る光インターコネクション回路は、基板１０の表面に接着された第１微小タイル状素子２１及び各画素に設けられたフォトトランジスタ２２と、第１微小タイル状素子２１を被うように基板１０の表面に形成された透明樹脂からなる光導波路３０とからなるものである。基板１０としては、ガラスエポキシ基板、セラミック、ガラス、プラスチック、半導体基板、シリコンなど任意のものを適用することができる。
【００４７】
第１微小タイル状素子２１及び各画素に設けられたフォトトランジスタ２２は、微小なタイル形状の半導体デバイス（微小タイル状素子）である。この微小タイル状素子は、例えば、厚さが２０μｍ以下であり、縦横の大きさが数十μｍから数百μｍの板状部材である。微小タイル状素子の製造方法については、後で詳細に説明する。
【００４８】
第１微小タイル状素子２１は、発光機能をもつ発光部２１ａを備えている。そして光導波路３０をなす透明樹脂は、少なくとも第１微小タイル状素子２１の発光部２１ａを被うように形成されている。
【００４９】
このような構成により、第１微小タイル状素子２１の発光部２１ａから放射された光は、光導波路３０を伝播し、フォトトランジスタ２２の受光部に到達する。そこで、発光部２１ａの発光動作を制御して光信号を発光部２１ａから放射すると、その光信号が光導波路３０を伝播し、光導波路３０を伝播してきた光信号をフォトトランジスタ２２が検出することができる。
【００５０】
また、第１微小タイル状素子２１から放射された光信号は、光導波路３０を伝播してフォトトランジスタ２２に入射するとともに、フォトトランジスタ２２の上を通過する。これにより、１個の第１微小タイル状素子２１から複数個のフォトトランジスタ２２へ略同時に光信号を送信することができる。ここで、第１微小タイル状素子２１の厚さを２０μｍ以下とすることにより、基板１０との段差が十分小さくなるため、図６に示すように第１微小タイル状素子２１の段差を乗り越えて連続的に光導波路３０を形成することができる。
【００５１】
第１微小タイル状素子２１は、例えば、ＬＥＤ、面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ）又はＤＦＢ（Ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄ　Ｆｅｅｄｂａｃｋ）レーザを備えるものとする。ここで、面発光レーザは、高速にＯＮ／ＯＦＦ動作を切り替えることができる。そこで、第１微小タイル状素子２１として面発光レーザを用いることにより、より高速（高密度）に信号伝送をすることができる。また、ＤＦＢレーザも高速にＯＮ／ＯＦＦ動作を切り替えることができる。さらに、ＤＦＢレーザは、平面からレーザ光を放射する面発光レーザとは異なり、微小タイル形状の端部（側面）から基板１０の平面と平行な方向、すなわち光導波路１０に沿った方向にレーザ光を放射する。したがって、第１微小タイル状素子２１として面発光レーザを用いることにより、効率よく光信号を伝播することができる。
【００５２】
また、第１微小タイル状素子２１は、発光部２１ａの発光動作を駆動制御する回路及び出力自動制御回路（ＡＰＣ）などを備えることが好ましい。
【００５３】
そして、第１微小タイル状素子２１及びフォトトランジスタ２２は、基板１０に設けられた集積回路、又はＥＬ表示回路、プラズマディスプレイ、液晶表示回路などの電子回路（図示せず）と電気的に接続されている。これにより、フラットパネルディスプレイをコンパクトでありながら従来よりも高速にすることができる。また、基板１０に設けられたフラットパネルディスプレイの走査信号を本実施形態の光インターコネクション回路によって高速に伝送することができ、フラットパネルディスプレイにおける画面の大型化及び高品位化を促進することができる。
【００５４】
また、光導波路３０は、図６においては直線状に形成されているが、複数の微小タイル状素子を被うようにシート状に形成してもよく、曲線状あるいはループ状に形成してもよい。また、基板１０の裏面側に第１微小タイル状素子２１、フォトトランジスタ２２及び光導波路３０を形成してもよい。
【００５５】
（第３実施形態）
次に、光走査線ｙ１，ｙ２…に適用される光インターコネクション回路の他の例について説明する。本実施形態は、第１微小タイル状素子２１及びフォトトランジスタ２２の近傍の光導波路３０において、光を散乱する光散乱機構を備えている点が第２実施形態と異なる。図７は光走査線ｙ１，ｙ２…として適用される光インターコネクション回路の他の例を示し、（ａ）はその第１例の概略側面図であり、（ｂ）はその第２例の概略側面図である。
【００５６】
図７（ａ）に示す光インターコネクション回路は、光導波路３０をなす透明樹脂における第１微小タイル状素子２１及びフォトトランジスタ２２の近傍に、光散乱機構３１ａをなす光散乱粒子が分散されている。光散乱粒子としては、例えばシリカ粒子、ガラス粒子又は金属粒子などを用いる。この光散乱機構３１ａを備えた光導波路３０は、例えばインクジェットノズルなどから液滴を吐出する液滴吐出方式を用いる。具体的には、あるインクジェットノズルなどから液状の透明樹脂を所定部位に吐出するとともに、他のインクジェットノズルなどから光散乱粒子を含んだ液状の透明樹脂を所定部位に吐出することで、光散乱機構３１ａを備えた光導波路３０を形成する。
【００５７】
図７（ｂ）に示す光インターコネクション回路の光散乱機構３１ａ’は、光散乱粒子を分散した樹脂又はガラスがドーム状に形成されたドーム状光散乱機構である。この光散乱機構３１ａ’（ドーム状光散乱機構）を覆うように光導波路３０が形成されている。この光散乱機構３１ａ’は、図７（ａ）に示す光散乱機構３１ａよりも、その大きさ及び形状などが制御しやすいので、光導波路３０と第１微小タイル状素子２１及びフォトトランジスタ２２との光結合効率の容易な調整が可能となる。
【００５８】
次に、光散乱機構３１ａ’の製造方法について説明する。まず、インクジェット又はディスペンサなどを用い、光散乱粒子を含んだ液状の樹脂又は珪酸エチルなどの金属アルコキシドに酸を加え加水分解した溶液などを基板１０の所定部位にドーム状に塗布する。次いで、その塗布した部位に熱などのエネルギーを加えてかかる溶液を硬化又はガラス化する。このようにしてドーム状の光散乱機構３１ａ’を第１微小タイル状素子２１又はフォトトランジスタ２２の上に形成する。次いで、ドーム状の光散乱機構３１ａ’を覆うように透明樹脂又はゾルゲルガラスで線状の光導波路３０を形成する。
【００５９】
図８は本実施形態の光インターコネクション回路の他の例を示す概略側面図である。本光インターコネクション回路の光散乱機構３１ｂは、光導波路３０をなす透明樹脂の表面に凹凸を設けた構成としている。この光散乱機構３１ｂも第１微小タイル状素子２１及びフォトトランジスタ２２の近傍に設けられている。ここで、光散乱機構３１ｂをなす凹凸は、エンボス加工又はスタンパ転写などで形成する。
【００６０】
図９は本実施形態に係る光インターコネクション回路の他の例を示し、（ａ）は概略側面図であり、（ｂ）は概略平面図である。本光インターコネクション回路の光散乱機構３１ｃは、光導波路３０をなす線状の透明樹脂の線幅及び高さを変化させた構成としている。すなわち、光導波路３０において、フォトトランジスタ２２の受光部の近傍について透明樹脂の線幅及び高さを小さく絞っている。
【００６１】
光散乱機構３１ｃを備えた光導波路３０の製造方法について次に説明する。先ず、基板１０の表面の所望位置に第１微小タイル状素子２１及びフォトトランジスタ２２を設ける。次いで、基板１０の表面全体、並びに第１微小タイル状素子２１及びフォトトランジスタ２２の表面全体に撥液処理を施す。次いで、撥液処理した面における光導波路３０を設ける領域に親液処理を施す。ここで、親液処理を施す領域は、線状であってフォトトランジスタ２２の受光部の近傍について線幅を絞ったパターンとする。なお、親液処理としては、例えば紫外線を照射することで行う。
【００６２】
次いで、親液処理した領域内に、インクジェットノズル又はディスペンサなどから液状の透明樹脂を滴下する。すると、かかる滴下された透明樹脂は、親液処理された領域において濡れ広がる作用を受け、撥液処理された領域からは弾き出される作用を受け、また表面張力なども作用する。そこでかかる透明樹脂は、図９に示すようなフォトトランジスタ２２の受光部の近傍で線幅が絞られた形状となる。
【００６３】
上記のように、光導波路３０における第１微小タイル状素子２１の近傍に光散乱機構３１ａ，３１ｂ，３１ｃを設けることにより、第１微小タイル状素子２１から放射された光信号がその光散乱機構３１ａ，３１ｂ，３１ｃで散乱され、光導波路全体に効率よく光信号を伝播させることができる。また、フォトトランジスタ２２の近傍に光散乱機構３１ａ，３１ｂ，３１ｃを設けることで、光導波路３０を伝播してきた光信号がフォトトランジスタ２２の近傍で散乱され、光信号をフォトトランジスタ２２に効率よく入射させることができる。
【００６４】
（第４実施形態）
次に、光走査線ｙ１，ｙ２…に適用される光インターコネクション回路の他の例について図１０及び図１１を参照して説明する。本実施形態は、光導波路３０における第１微小タイル状素子２１及びフォトトランジスタ２２の近傍、又は光導波路３０の端部に、光を反射する光反射機構を備える点が第１及び第２実施形態と異なる。図１０は、本実施形態に係る光インターコネクション回路の一例を示し、（ａ）は概略側面図であり、（ｂ）は概略平面図である。
【００６５】
例えば、光導波路３０をなす透明樹脂の表面に金属膜を形成することで光反射機構３２ａ，３２ｂを設ける。また、光導波路３０をなす透明樹脂の表面に金属微粒子を含む塗料を塗布することで光反射機構３２ａ，３２ｂを設けてもよい。光反射機構３２ａ，３２ｂをなす金属膜の形成及び金属微粒子を含む塗料の塗布は、インクジェットノズルなどから塗料などを吐出することで行ってもよい。この金属塗料の塗布についての処理は、光導波路３０の全体に施してもよい。金属微粒子としては、銀、アルミニウム、マグネシウム、銅、ニッケル、チタン、クロム、亜鉛などの微粒子を適用することができる。
【００６６】
このような構成にすることにより、第１微小タイル状素子２１から放射された光信号が光反射機構３２ａで光導波路３０に沿う方向に反射され、その光信号の一部が光反射機構３２ｂでフォトトランジスタ２２の方向に反射される。したがって、本実施形態によれば、光信号を効率よく伝播させることができる。
【００６７】
図１１は本実施形態に係る光インターコネクション回路の他の例を示し、（ａ）は概略側面図であり、（ｂ）は概略平面図である。本光インターコネクション回路の光反射機構３２ｃは、反射面を有する反射板が光導波路３０の端部に貼り付けられた構成となっている。ここで、光反射機構３２ｃの反射面は、基板１０の表面に対して例えば４５度の角度をもつように設けられている。
【００６８】
また、本光インターコネクション回路では、２本の平行な光導波路３０ａ，３０ｂが設けられている。そして、光反射機構３２ｃは、２本の光導波路３０ａ，３０ｂの一方端に設けら、光導波路３０ａ，３０ｂに共用される１枚の共通反射板となっている。そこで、２つの第１微小タイル状素子２１からそれぞれ放射された光信号は、光反射機構３２ｃによってそれぞれ光導波路３０ａ，３０ｂに沿う方向に反射される。したがって、本実施形態によれば、光信号を効率よく伝播させることができるとともに、効率よく光インターコネクション回路を製造することができる。
なお、図１１に示す形態では、２本の光導波路３０ａ，３０ｂに共通の光反射機構３２ｃを設けたが、３本以上の光導波路に共通の光反射機構３２ｃを設けてもよい。
【００６９】
上記図７から図１０にそれぞれ示す実施形態は、互いに組み合わせて用いるとより効果的である。
【００７０】
（製造方法）
次に、上記実施形態の光インターコネクション回路における光導波路３０の製造方法について、図１２から図１５を参照して説明する。図１２は光導波路３０の製造方法を示す模式側面図である。
【００７１】
先ず、基板１０の上面に上記第１微小タイル状素子及び第２微小タイル状素子を接着しておく。その後、光導波路３０の製造工程に入る。そして、図１２（ａ）に示すように、基板１０の上面と第１微小タイル状素子及び第２微小タイル状素子（図示せず）の上面の全体に、液状の光硬化樹脂３０ｃをコーティングする。このコーティングは、スピンコート法、ロールコート法、スプレイコート法などで行う。
【００７２】
次いで液状の光硬化樹脂３０ｃに対して、所望パターンのマスクを介して紫外線（ＵＶ）を照射する。これにより、液状の光硬化樹脂３０ｃにおける所望領域だけが硬化しパターニングされる。そして、硬化していない樹脂を洗浄などにより除去することで、図１２（ｂ）に示すように、硬化された透明樹脂からなる光導波路３０ｄが形成される。
【００７３】
図１３は光導波路３０の製造方法についての他の例を示す模式側面図である。先ず、基板１０の上面に上記第１微小タイル状素子及び第２微小タイル状素子を接着しておく。その後、光導波路３０の製造工程に入る。そして、図１３（ａ）に示すように、基板１０の上面と第１微小タイル状素子及び第２微小タイル状素子（図示せず）の上面全体に樹脂３０ｅをコーティングして硬化させる。このコーティングは、スピンコート法、ロールコート法、スプレイコート法などで行う。次いで、樹脂３０ｅにおける所望領域にレジストマスク４１を形成する。このレジストマスク４１の形成領域は光導波路３０を形成する領域と同じである。
【００７４】
次いで、図１３（ｂ）に示すように、レジストマスク４１の上から基板１０全体についてドライエッチング又はウエットエッチングを施し、レジストマスク４１の下以外にある樹脂ｅを除去する。このようにフォトリソパターニングして、レジストマスク４１を除去することで、透明樹脂からなる光導波路３０ｆが形成される。
【００７５】
図１４は光導波路３０の製造方法についての他の例を示す模式側面図である。先ず、基板１０の上面に上記第１微小タイル状素子及び第２微小タイル状素子を接着しておく。その後、光導波路３０の製造工程に入る。そして、基板１０の上面と第１微小タイル状素子及び第２微小タイル状素子（図示せず）の上面全体に、撥液処理を施して撥液表面５１を設ける。
【００７６】
次いで、図１４（ａ）に示すように、撥液表面５１における所望パターン領域に紫外線を照射することなどして、撥液表面５１のなかに所望パターンの親液表面５２を設ける。次いで、図１４（ｂ）に示すように、親液表面５２のなかに、インクジェットノズル又はディスペンサなどから液状の透明樹脂３０ｇを滴下する。そして、基板１０上に滴下された透明樹脂３０ｇを硬化させることで、透明樹脂からなる光導波路３０ｈが形成される。
【００７７】
図１５は光導波路３０の製造方法についての他の例を示す模式側面図である。先ず、基板１０の上面に上記第１微小タイル状素子及び第２微小タイル状素子を接着しておく。その後、光導波路３０の製造工程に入る。そして、図１５（ａ）に示すように、基板１０の上面並びに第１微小タイル状素子及び第２微小タイル状素子の上面であって、光導波路３０を設けようとする領域を被うように、液状の樹脂３０ｉを塗布する。
【００７８】
次いで、光導波路３０のパターン形状５２をもつ型であるスタンパ５１を、基板１０の上方から基板１０の表面に押し付ける。次いで、図１５（ｂ）に示すように、基板１０の表面からスタンパ５１を持ち上げる。これらにより、スタンパ５１を用いたパターン転写法により、基板１０上に所望パターン形状の透明樹脂からなる光導波路３０ｊが形成される。
【００７９】
光導波路３０の製造方法は、上記図１２から図１５に示す方法以外に、次に述べる方法を用いてもよい。例えば、スクリーン印刷又はオフセット印刷などの印刷法を用いて、光導波路３０をなす透明樹脂を設けてもよい。また、スリット状の隙間から液状の樹脂を吐出するスリットコート法を用いて、光導波路３０をなす透明樹脂を設けてもよい。スリットコート法としては、毛細管現象を用いて樹脂などの所望部材を基板１０に塗布する手法を採用してもよい。
【００８０】
（微小タイル状素子の製造方法）
次に、上記第１微小タイル状素子２１及びフォトトランジスタ２２をなす微小タイル状素子の製造方法について図１６から図２５を参照して説明する。本製造方法では、微小タイル状素子としての化合物半導体デバイス（化合物半導体素子）を基板となるシリコン・ＬＳＩチップ上に接合する場合について説明するが、半導体デバイスの種類及びＬＳＩチップの種類に関係なく本発明を適用することができる。なお、本実施形態における「半導体基板」とは、半導体物資から成る物体をいうが、板形状の基板に限らず、どのような形状であっても半導体物資であれば「半導体基板」に含まれる。
【００８１】
＜第１工程＞
図１６は微小タイル状素子の製造方法の第１工程を示す概略断面図である。図１１において、基板１１０は、半導体基板であり、例えばガリウム・ヒ素化合物半導体基板とする。基板１１０における最下位層には、犠牲層１１１を設けておく。犠牲層１１１は、アルミニウム・ヒ素（ＡｌＡｓ）からなり、厚さが例えば数百ｎｍの層である。
例えば、犠牲層１１１の上層には機能層１１２を設ける。機能層１１２の厚さは、例えば１μｍから１０（２０）μｍ程度とする。そして、機能層１１２において半導体デバイス（半導体素子）１１３を作成する。半導体デバイス１１３としては、例えば発光ダイオード（ＬＥＤ）、面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ）、フォトダイオード（ＰＤ）、高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）、ヘテロバイポーラトランジスタ（ＨＢＴ）などが挙げられる。これらの半導体デバイス１１３は、何れも基板１１０上に多層のエピタキシャル層を積層して素子が形成されたものである。また、各半導体デバイス１１３には、電極も形成し、動作テストも行う。
【００８２】
＜第２工程＞
図１７は微小タイル状素子の製造方法の第２工程を示す概略断面図である。本工程においては、各半導体デバイス１１３を分割するように分離溝１２１を形成する。分離溝１２１は、少なくとも犠牲層１１１に到達する深さをもつ溝とする。例えば、分離溝の幅及び深さともに、１０μｍから数百μｍとする。また、分離溝１２１は、後述するところの選択エッチング液が当該分離溝１２１を流れるように、行き止まりなく繋がっている溝とする。さらに、分離溝１２１は、碁盤のごとく格子状に形成することが好ましい。
また、分離溝１２１相互の間隔を数十μｍから数百μｍとすることで、分離溝１２１によって分割・形成される各半導体デバイス１１３のサイズを、数十μｍから数百μｍ四方の面積をもつものとする。分離溝１２１の形成方法としては、フォトリソグラフィとウェットエッチングによる方法、またはドライエッチングによる方法を用いる。また、クラックが基板に生じない範囲でＵ字形溝のダイシングで分離溝１２１を形成してもよい。
【００８３】
＜第３工程＞
図１８は微小タイル状素子の製造方法の第３工程を示す概略断面図である。本工程においては、中間転写フィルム１３１を基板１１０の表面（半導体デバイス１１３側）に貼り付ける。中間転写フィルム１３１は、表面に粘着剤が塗られたフレキシブルな帯形状のフィルムである。
【００８４】
＜第４工程＞
図１９は微小タイル状素子の製造方法の第４工程を示す概略断面図である。本工程においては、分離溝１２１に選択エッチング液１４１を注入する。本工程では、犠牲層１１１のみを選択的にエッチングするために、選択エッチング液１４１として、アルミニウム・ヒ素に対して選択性が高い低濃度の塩酸を用いる。
【００８５】
＜第５工程＞
図２０は微小タイル状素子の製造方法の第５工程を示す概略断面図である。本工程においては、第４工程での分離溝１２１への選択エッチング液１４１の注入後、所定時間の経過により、犠牲層１１１のすべてを選択的にエッチングして基板１１０から取り除く。
【００８６】
＜第６工程＞
図２１は微小タイル状素子の製造方法の第６工程を示す概略断面図である。第５工程で犠牲層１１１が全てエッチングされると、基板１１０から機能層１１２が切り離される。そして、本工程において、中間転写フィルム１３１を基板１１０から引き離すことにより、中間転写フィルム１３１に貼り付けられている機能層１１２を基板１１０から引き離す。
これらにより、半導体デバイス１１３が形成された機能層１１２は、分離溝１２１の形成及び犠牲層１１１のエッチングによって分割されて、所定の形状（例えば、微小タイル形状）の半導体素子（上記実施形態の「微小タイル状素子」）とされ、中間転写フィルム１３１に貼り付け保持されることとなる。ここで、機能層の厚さが例えば１μｍから８μｍ、大きさ（縦横）が例えば数十μｍから数百μｍであるのが好ましい。
【００８７】
＜第７工程＞
図２２は微小タイル状素子の製造方法の第７工程を示す概略断面図である。本工程においては、（微小タイル状素子１６１が貼り付けられた）中間転写フィルム１３１を移動させることで、最終基板１７１の所望の位置に微小タイル状素子１６１をアライメントする。ここで、最終基板１７１は、例えば、シリコン半導体（図１における基板１０）からなり、ＬＳＩ領域１７２が形成されている。また、最終基板１７１の所望の位置には、微小タイル状素子１６１を接着するための接着剤１７３を塗布しておく。
【００８８】
＜第８工程＞
図２３は微小タイル状素子の製造方法の第８工程を示す概略断面図である。本工程においては、最終基板１７１の所望の位置にアライメントされた微小タイル状素子１６１を、中間転写フィルム１３１越しに裏押しピン１８１で押しつけて最終基板１７１に接合する。ここで、所望の位置には接着剤１７３が塗布されているので、その最終基板１７１の所望の位置に微小タイル状素子１６１が接着される。
【００８９】
＜第９工程＞
図２４は微小タイル状素子の製造方法の第９工程を示す概略断面図である。本工程においては、中間転写フィルム１３１の粘着力を消失させて、微小タイル状素子１６１から中間転写フィルム１３１を剥がす。
中間転写フィルム１３１の粘着剤は、ＵＶ硬化性又は熱硬化性のものにしておく。ＵＶ硬化性の粘着剤とした場合は、裏押しピン１８１を透明な材質にしておき、裏押しピン１８１の先端から紫外線（ＵＶ）を照射することで中間転写フィルム１３１の粘着力を消失させる。熱硬化性の接着剤とした場合は、裏押しピン１８１を加熱すればよい。あるいは第６工程の後で、中間転写フィルム１３１を全面紫外線照射するなどして粘着力を全面消失させておいてもよい。粘着力が消失したとはいえ実際には僅かに粘着性が残っており、微小タイル状素子１６１は非常に薄く軽いので中間転写フィルム１３１に保持される。
【００９０】
＜第１０工程＞
本工程は、図示していない。本工程においては、加熱処理などを施して、微小タイル状素子１６１を最終基板１７１に本接合する。
【００９１】
＜第１１工程＞
図２５は微小タイル状素子の製造方法の第１１工程を示す概略断面図である。本工程においては、微小タイル状素子１６１の電極と最終基板１７１上の回路を配線１９１により電気的に繋ぎ、一つのＬＳＩチップなど（光インターコネクション回路用の集積回路チップ）を完成させる。最終基板１７１としては、シリコン半導体のみならず、石英基板又はプラスチックフィルムを適用してもよい。
【００９２】
（電子機器）
上記実施形態のフラットパネルディスプレイを備えた電子機器の例について説明する。
図２６は、携帯電話の一例を示した斜視図である。図２６において、符号１０００は上記の光インターコネクション回路を用いた携帯電話本体を示し、符号１００１は上記のフラットパネルディスプレイを用いた表示部を示している。
【００９３】
図２７は、腕時計型電子機器の一例を示した斜視図である。図２７において、符号１１００は上記の光インターコネクション回路を用いた時計本体を示し、符号１１０１は上記のフラットパネルディスプレイを用いた表示部を示している。
【００９４】
図２８は、ワープロ、パソコンなどの携帯型情報処理装置の一例を示した斜視図である。図２８において、符号１２００は情報処理装置、符号１２０２はキーボードなどの入力部、符号１２０４は上記の光インターコネクション回路を用いた情報処理装置本体、符号１２０６は上記のフラットパネルディスプレイを用いた表示部を示している。
【００９５】
図２６から図２８に示す電子機器は、上記実施形態の光インターコネクション回路又はフラットパネルディスプレイを備えているので、画素数を多くすることができ表示品位に優れ、特に、高速応答で明るい大きな画面の表示部を備えた電子機器を実現することができる。また、上記実施形態のフラットパネルディスプレイを用いることによって、従来のものよりも電子機器を小型化することができる。さらにまた、上記実施形態のフラットパネルディスプレイを用いることによって、製造コストを従来のものよりも低減することができる。
【００９６】
なお、本発明の技術範囲は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能であり、実施形態で挙げた具体的な材料や構成などはほんの一例に過ぎず適宜変更が可能である。
【００９７】
例えば、上記実施形態では、フラットパネルディスプレイの一つとして有機ＥＬディスプレイを挙げて説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、液晶ディスプレイ又はプラズマディスプレイに本発明を適用してもよい。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施形態に係る回路の概略図である。
【図２】同上の回路のタイミングチャートである。
【図３】同上の回路における光導波路の周辺を示す要部斜視図である。
【図４】同上の回路の光導波路及び画素の周辺を示す要部斜視図である。
【図５】同上の回路における光導波路の周辺を示す要部斜視図である。
【図６】本発明の第２実施形態に係る回路の概略図である。
【図７】本発明の第３実施形態に係る回路の概略側面図である。
【図８】本発明の第３実施形態に係る他の回路の概略側面図である。
【図９】本発明の第３実施形態に係る他の回路の概略図である。
【図１０】本発明の第４実施形態に係る回路の概略図である。
【図１１】本発明の第４実施形態に係る他の回路の概略図である。
【図１２】本発明の実施形態に係る製造方法を示す模式側面図である。
【図１３】本発明の実施形態の他の製造方法を示す模式側面図である。
【図１４】本発明の実施形態の他の製造方法を示す模式側面図である。
【図１５】本発明の実施形態の他の製造方法を示す模式側面図である。
【図１６】微小タイル状素子の製法の第１工程を示す概略断面図である。
【図１７】同上の製法の第２工程を示す概略断面図である。
【図１８】同上の製法の第３工程を示す概略断面図である。
【図１９】同上の製造方法の第４工程を示す概略断面図である。
【図２０】同上の製造方法の第５工程を示す概略断面図である。
【図２１】同上の製造方法の第６工程を示す概略断面図である。
【図２２】同上の製造方法の第７工程を示す概略断面図である。
【図２３】同上の製造方法の第８工程を示す概略断面図である。
【図２４】同上の製造方法の第９工程を示す概略断面図である。
【図２５】同上の製造方法の第１１工程を示す概略断面図である。
【図２６】本実施形態の回路を備えた電子機器の一例を示す図である。
【図２７】本実施形態の回路を備えた電子機器の一例を示す図である。
【図２８】本実施形態の回路を備えた電子機器の一例を示す図である。
【符号の説明】
１０…基板、２１…第１微小タイル状素子、２１ａ…発光部、２２…フォトトランジスタ、３０…光導波路、３１ｃ…くぼみ、３３…分岐枝、２５０…有機ＥＬ素子（画素）、２５１…画素制御トランジスタ、２５２…コンデンサ、２６１…可視光吸収処理、２６２…ブラックマトリックス、２７０…遮光部材、Ｘ１，Ｘ２…データ線、Ｙ１，Ｙ２…給電線、ｙ１，ｙ２…光走査線
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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