(57)【要約】【課題】ＴＡＢテープの折り曲げが容易で適正な強度を維持しつつ、半導体パッケージの信頼性を向上させて小型化に寄与し、しかも製造コストの廉価な半導体装置用テープキャリアを提供する。【解決手段】ポリイミドテープ１と銅箔３を有する２層のＴＡＢテープ１０、あるいはポリイミドテープ１と接着剤２と銅箔３を有する３層のＴＡＢテープ１０に、半導体チップ６を搭載して折り曲げて用いるＴＡＢテープ１０において、ＴＡＢテープ１０の折り曲げる部分１Ａに位置する銅箔３上の絶縁樹脂７（ソルダーレジスト）の厚さを、折り曲げない部分１Ｂに位置する絶縁樹脂７の厚さよりも薄く形成して折り曲げ容易な柔軟性を付与し、折り曲げる部分１Ａに位置するポリイミドテープ１と絶縁樹脂７（ソルダーレジスト）により合成される複合剛性を低減させて、折り曲げを容易に構成した半導体装置用テープキャリアを提供する。【選択図】  図３
2004260105.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ポリイミドテープと銅箔を有する２層のＴＡＢ（Ｔａｐｅ  Ａｕｔｏｍａｔｅｄ  Ｂｏｎｄｉｎｇ）テープ、あるいはポリイミドテープ、接着剤、および銅箔を有する３層のＴＡＢテープを、テープ長さ方向に折り曲げて用いる構成の半導体装置用テープキャリアにおいて、
前記２層あるいは３層のＴＡＢテープは、前記ＴＡＢテープの折り曲げる部分に位置する前記銅箔上の絶縁樹脂（ソルダーレジスト）の厚さを、前記ＴＡＢテープの折り曲げない部分に位置する前記銅箔上の絶縁樹脂の厚さよりも薄く形成して、前記ＴＡＢテープの折り曲げる部分に位置する前記絶縁樹脂に折り曲げ容易な柔軟性を付与するとともに、
前記ＴＡＢテープの折り曲げる部分に位置する前記ポリイミドテープと前記絶縁樹脂で合成される複合剛性を低減させることにより、
前記２層あるいは３層のＴＡＢテープの折り曲げを容易に構成したことを特徴とする半導体装置用テープキャリア。
【請求項２】
前記２層あるいは３層のＴＡＢテープは、前記ポリイミドテープの折り曲げる部分に位置する前記銅箔上の絶縁樹脂の厚さを１〜１０μｍに形成し、
前記ＴＡＢテープの折り曲げる部分にめっき層を有しない構成の請求項１に記載の半導体装置用テープキャリア。
【請求項３】
前記２層あるいは３層のＴＡＢテープは、前記ＴＡＢテープの折り曲げる部分に位置する前記ポリイミドテープの樹脂厚さが５〜４０μｍ、前記接着剤厚さが３〜２０μｍ、前記銅箔厚さが５〜３０μｍ、前記銅箔上の絶縁樹脂の厚さが１〜１０μｍに形成したことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置用テープキャリア。
【請求項４】
前記２層あるいは３層のＴＡＢテープは、前記ＴＡＢテープの折り曲げない部分に位置する前記ポリイミドテープの樹脂厚さが５〜５０μｍ、前記接着剤厚さが３〜２０μｍ、前記銅箔厚さが５〜３０μｍ、前記銅箔上の絶縁樹脂（ソルダーレジスト）の厚さが５〜５０μｍに形成したことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置用テープキャリア。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体チップを実装するＴＡＢ（Ｔａｐｅ  Ａｕｔｏｍａｔｅｄ  Ｂｏｎｄｉｎｇ）テープ、特にポリイミドテープと銅箔を有する２層構成のＴＡＢテープ、あるいはポリイミドテープ、接着剤、および銅箔を有する３層構成のＴＡＢテープに、半導体チップを実装してＴＡＢテープを折り曲げ、ＴＡＢテープの底面に接続用のはんだボールを備えるＢＧＡ（Ｂａｌｌ  Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａｙ）型の半導体パッケージに仕上げる半導体装置用テープキャリアに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
最近、パソコン、高速デジタル・データ処理機器に使用される半導体装置とそのテープキャリアは、特に小型化、薄型化が要望されている。
【０００３】
図１０は、従来の技術により３層のＴＡＢテープ１０に半導体チップ６を実装した横断面を示している。
図１０において、３層のＴＡＢテープ１０は、ポリイミドテープ１の上に接着剤２を介して銅箔３を貼り付けて構成される。例えば通常は、ポリイミドテープ厚さは３０〜７５μｍ、接着剤厚さは１２〜２０μｍ、銅箔厚さは１５〜４０μｍの構成のものが使用されている。
ＴＡＢテープ１０に搭載する半導体チップ６を電気的に接続するために、銅箔３には、感光剤（ソルダーレジスト）を応用したホトリソグラフィ技術によって所定の電気配線（配線パターン）が形成される。
銅箔３の上には、電気配線（配線パターン）のために厚さ０．２〜１．５μｍのＡｕ／Ｎｉのめっき層４を有する。ＴＡＢテープ１０に搭載される半導体チップ６と銅箔３（配線パターン）の電気的な接続は、Ａｇペーストあるいははんだペースト等の導電性ペ一スト５を、１５０℃以上の高温で１０〜３０秒以上加熱することにより行われる。
銅箔３上には、電気的な絶縁を保持し、導電性ペースト５の流れを防止するために印刷等による絶縁樹脂７が設けられる。銅箔３の上に設ける絶縁樹脂７（ソルダーレジスト）の厚さは５〜５０μｍである。
３層のＴＡＢテープ１０は、ポリイミドテープ１の折り曲げない部分１Ｂにバイアホール１１と、ＴＡＢテープ１０の折り曲げる部分１Ａを折り曲げ易くするために開けたスリット穴１２を有する。
【０００４】
図１１は、図１０に示す従来の技術による半導体チップ６を実装したＴＡＢテープ１０を折り曲げた横断面を示している。
図１１において、半導体チップ６を実装するＴＡＢテープ１０は、少ないスペースに数多くの半導体チップ６を搭載して実装密度を向上させるために、一つの半導体パッケージ内に２個以上の半導体チップ６を搭載し、ＴＡＢテープ１０のほぼ真ん中を折り曲げて使用される。
ＴＡＢテープ１０は、２個以上の半導体チップ６を実装したのち、ＴＡＢテープ１０の真ん中を折り曲げて、モールド樹脂８により半導体パッケージの形状とし、バイアホール１１に外部接続用のはんだボール９を載せて半導体パッケージを完成させる。
ポリイミドテープ１を折り曲げ易くするため折り曲げる部分１Ａに開けたスリット穴１２には、ポリイミドテープ１のスリット穴１２の機械強度を確保するために、ポリイミドテープ１を折り曲げた後のスリット穴１２に埋め込み樹脂１３が塗布される。
【０００５】
従来の技術に関連する特許文献としては、つぎのものがある。
１）フレキシブル絶縁基板の導体パターンと交又する方向に切り欠き部を設け、切り欠き部から露出する導体パターンに保護用樹脂を塗布した折り曲げ部を有するフレキシブル絶縁基板がある（特許文献１参照）。
２）折り曲げ部分の絶縁ベース材の厚さを薄く形成したＴＡＢ用フィルムキャリアがある（特許文献２参照）。
３）絶縁基材上に設ける導体の孔位置に対応する部分に絶縁性薄膜合成樹脂を塗布したＴＡＢ用フィルムキャリアがある（特許文献３参照）。
４）銅を導体パターンとし、折り曲げ部のベースフイルムがスリットされているＴＡＢにおいて、折り曲げ部の外面または内面に樹脂を被覆するＴＡＢテープがある（特許文献４参照）。
５）絶縁フィルムに銅リードパターンを形成したＴＡＢ用テープキャリアにおいて、絶縁フィルムと銅リードに折り曲げ用のスリット穴を設け、スリット穴上の銅リードに絶縁フィルムより厚みが薄い可撓性樹脂保護被膜を形成したＴＡＢ用テープキャリアがある（特許文献５参照）。
６）ベースフィルムに折り曲げ用のスリット穴を設け、フィルム上の銅リード表面にＳｎめっきと可撓性樹脂被膜を施し、折り曲げ部の銅リード表面は可撓性樹脂被膜を設けてめっきを施さないＴＡＢ用テープキャリアがある（特許文献６参照）。
７）導体と接着剤と絶縁基材を有するフィルムキャリアにおいて、絶縁基材にあけたスリット孔位置に対応する部分の導体と接着剤を残して構成したＴＡＢ用テープキャリアがある（特許文献７参照）。
８）絶縁テープに導電パターンを形成したＴＡＢテープの折り曲げ予定部に溝を形成したＴＡＢ式電子部品がある（特許文献８参照）。
９）絶縁フィルムに形成された折り曲げ用の複数のスリットの内部に、各スリットの曲げ角度に応じた膜厚の保護樹脂を塗布したＴＡＢ用テープキャリアがある（特許文献９参照）。
１０）フレキシブル絶縁基板の折り曲げ部に切り欠き部を設け、切り欠き部から露出する導体パターンに保護用樹脂を形成したフレキシブル絶縁基板がある（特許文献１０参照）。
１１）支持フィルム上に導電性材料の配線と絶縁保護塗膜が施された配線板の屈曲部に、スリット状開口部がフィルムに形成され、スリット状開口部を横切る配線に、保護塗膜が被覆された柔軟性配線板がある（特許文献１１参照）。
１２）銅リード配線パターンが形成された絶縁フィルムに厚み調整用スリットを形成し、厚み調整用スリット近傍のソルダーレジスト層の層厚を薄くした電子部品実装用フィルムキャリアテープがある（特許文献１２参照）。
１３）フレキシブル絶縁基板の折り曲げ部に切り欠き部を設け、切り欠き部から露出する導体パターンに保護用樹脂を形成したフレキシブル絶縁基板がある（特許文献１３参照）。
１４）ストレス緩和用スリットの中央部に反りを抑制するための架橋手段を備えた可撓性フィルム接続基板がある（特許文献１４参照）。
【０００６】
【特許文献１】特開平２−１３２４１８号公報（第１−２頁、第１図）
【特許文献２】特開平４−９１４５０号公報（第１−２頁、第１図）
【特許文献３】特開平４−１６２５４２号公報（第１−２頁、第１図）
【特許文献４】特開平５−３２２８号公報（第１−２頁、第３図）
【特許文献５】特開平５−３１５４０３号公報（第１−２頁、第１図）
【特許文献６】特開平５−３２６６４３号公報（第２−３頁、第１図）
【特許文献７】特開平６−５６６１号公報（第１−２頁、第１図）
【特許文献８】特開平６−１４０４７４号公報（第３頁、第１図）
【特許文献９】特開平７−２９７２３５号公報（第３−４頁、第１図）
【特許文献１０】特開平９−２７４４４６号公報（第１−２頁、第１図）
【特許文献１１】特開平１１−２２０２４８号公報（第１−２頁、第１図）
【特許文献１２】特開２０００−１９５９０８号公報（第２−５頁、第２図）
【特許文献１３】特開２０００−２６１１３８号公報（第３−４頁、第１図）
【特許文献１４】特開２００１−２３７２８０号公報（第３−５頁、第１図）
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、従来のＴＡＢテープあるいは半導体装置用テープキャリアを用いた半導体装置によると、ＴＡＢテープに折り曲げ用のスリット穴を形成しているために、テープの製造コストが高くなるとともに、製造途中にＴＡＢテープのスリット穴の部分の銅箔が切れてしまい、半導体パッケージの組立て作業効率が低いという問題があった。
また、ＴＡＢテープに折り曲げ用のスリット穴が設けられているにも拘わらず、ＴＡＢテープを構成しているポリイミドテープ、接着剤、銅箔、銅箔上のソルダーレジスト（感光剤）、めっき層等の材料の剛性が大きいために、ＴＡＢテープの折り曲げ工程においてテープが折り曲げにくいという問題、あるいは無理に折り曲げるとテープが割れてしまうという現象が起きることがあった。
特に、銅箔と比べて、折り曲げ部分に位置する電気配線上のめっき層が比較的硬いために、ＴＡＢテープの折り曲げ時にめっき層が割れて、半導体パッケージの外観異常が発生し、信頼性が低下するという課題が残されていた。
【０００８】
それ故、本発明の目的は、ＴＡＢテープの折り曲げが容易で適正な強度を維持しつつ、半導体パッケージの信頼性を向上させて小型化に寄与し、しかも製造コストの廉価な半導体装置用テープキャリアを提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記の目的を達成するため、ポリイミドテープと銅箔を有する２層のＴＡＢ（Ｔａｐｅ  Ａｕｔｏｍａｔｅｄ  Ｂｏｎｄｉｎｇ）テープ、あるいはポリイミドテープ、接着剤、および銅箔を有する３層のＴＡＢテープを、テープ長さ方向に折り曲げて用いる構成の半導体装置用テープキャリアにおいて、
前記２層あるいは３層のＴＡＢテープは、前記ＴＡＢテープの折り曲げる部分に位置する前記銅箔上の絶縁樹脂（ソルダーレジスト）の厚さを、前記ＴＡＢテープの折り曲げない部分に位置する前記銅箔上の絶縁樹脂の厚さよりも薄く形成して、前記ＴＡＢテープの折り曲げる部分に位置する前記絶縁樹脂に折り曲げ容易な柔軟性を付与するとともに、
前記ＴＡＢテープの折り曲げる部分に位置する前記ポリイミドテープと前記絶縁樹脂で合成される複合剛性を低減させることにより、
前記２層あるいは３層のＴＡＢテープの折り曲げを容易に構成したことを特徴とする半導体装置用テープキャリアを提供する。
【００１０】
また、本発明は、上記の目的を達成するために、前記２層あるいは３層のＴＡＢテープは、前記ポリイミドテープの折り曲げる部分に位置する前記銅箔上の絶縁樹脂の厚さを１〜１０μｍに形成し、前記ＴＡＢテープの折り曲げる部分にめっき層を有しない構成の半導体装置用テープキャリアを提供する。
【００１１】
また、本発明は、上記の目的を達成するために、前記２層あるいは３層のＴＡＢテープは、前記ＴＡＢテープの折り曲げる部分に位置する前記ポリイミドテープの樹脂厚さが５〜４０μｍ（好ましくは５〜３０μｍ）、前記接着剤厚さが３〜２０μｍ（好ましくは５〜１８μｍ）、前記銅箔厚さが５〜３０μｍ（好ましくは８〜２０μｍ）、前記銅箔上の絶縁樹脂の厚さが１〜１０μｍ（好ましくは３〜１０μｍ）に形成したことを特徴とする半導体装置用テープキャリアを提供する。
【００１２】
また、本発明は、上記の目的を達成するために、前記２層あるいは３層のＴＡＢテープは、前記ＴＡＢテープの折り曲げない部分に位置する前記ポリイミドテープの樹脂厚さが５〜５０μｍ（好ましくは１０〜４０μｍ）、前記接着剤厚さが３〜２０μｍ（好ましくは５〜１８μｍ）、前記銅箔厚さが５〜３０μｍ（好ましくは８〜２０μｍ）、前記銅箔上の絶縁樹脂の厚さが５〜５０μｍ（好ましくは５〜３０μｍ）に形成したことを特徴とする半導体装置用テープキャリアを提供する。
【００１３】
【発明の実施の形態】
図１は、本発明の第１の実施の形態による２層のＴＡＢテープ１０に半導体チップ６を実装した半導体装置用テープキャリアの横断面を示している。
図１において、ポリイミドテープ１と銅箔３を有する２層のＴＡＢテープ１０は、バイアホール１１を有し、ＴＡＢテープ１０の折り曲げる部分１Ａに位置する銅箔３（導体パターン）上の絶縁樹脂７（ソルダーレジスト）の厚さを、ＴＡＢテープ１０の折り曲げない部分１Ｂに位置する銅箔３（導体パターン）上の絶縁樹脂７（ソルダーレジスト）の厚さよりも薄く形成して、ＴＡＢテープ１０の折り曲げる部分１Ａに位置する絶縁樹脂７（ソルダーレジスト）に折り曲げ容易な柔軟性を付与するとともに、ＴＡＢテープ１０の折り曲げる部分１Ａに位置するポリイミドテープ１と絶縁樹脂７（ソルダーレジスト）で合成される複合剛性を低減させて、折り曲げ容易な２層のＴＡＢテープ１０を構成している。
【００１４】
図１に示したＴＡＢテープ１０の場合、ポリイミドテープ１の厚さが５〜５０μｍ（好ましくは１０〜４０μｍ）、銅箔３の厚さが５〜３０μｍ（好ましくは８〜２０μｍ）、折り曲げる部分１Ａに位置する絶縁樹脂７の厚さが１〜１０μｍ（好ましくは３〜１０μｍ）、折り曲げない部分１Ｂに位置する絶縁樹脂７の厚さは、特に制限されないが厚さが５〜５０μｍ（好ましくは５〜３０μｍ）に形成される。
【００１５】
図１のＴＡＢテープ１０には、半導体チップ６が搭載される。ＴＡＢテープ１０に搭載する半導体チップ６を電気的に接続するために、銅箔３には、感光剤（ソルダーレジスト）を応用したホトリソグラフィ技術によって所定の電気配線（配線パターン）が形成される。
ＴＡＢテープ１０に搭載される半導体チップ６と銅箔３（配線パターン）の電気的な接続は、Ａｇペーストあるいははんだペースト等の導電性ペースト５を１５０℃以上の高温で１０〜３０秒以上加熱することにより行われる。銅箔３上の絶縁樹脂７は、電気的な絶縁を保持し、導電性ペースト５の流れを防止するために印刷等により設けられる。
【００１６】
図２は、本発明の第１の実施の形態による２層のＴＡＢテープ１０に半導体チップ６を実装した半導体装置用テープキャリアを折り曲げた横断面を示している。
図２において、半導体チップ６を実装するＴＡＢテープ１０は、少ないスペースに数多くの半導体チップ６を搭載して実装密度を向上させるために、一つの半導体パッケージ内に２個以上の半導体チップ６を搭載し、ＴＡＢテープ１０のほぼ真ん中を折り曲げて使用される。
図２のＴＡＢテープ１０は、折り曲げる部分１Ａに位置する銅箔３上に形成される絶縁樹脂７（ソルダーレジスト）の厚さが、折り曲げない部分１Ｂに位置する銅箔３上の絶縁樹脂７（ソルダーレジスト）の厚さよりも薄く形成されて、折り曲げる部分１Ａに位置する絶縁樹脂７（ソルダーレジスト）に折り曲げ容易な柔軟性が付与されており、この結果、ポリイミドテープ１と絶縁樹脂７（ソルダーレジスト）の複合剛性が低減され、ＴＡＢテープ１０の折り曲げが容易に行える。
ＴＡＢテープ１０は、２個以上の半導体チップ６を実装したのち、ＴＡＢテープ１０の真ん中を折り曲げて、モールド樹脂８により半導体パッケージの形状とし、バイアホール１１に外部接続用のはんだボール９を載せて半導体パッケージが完成される。
【００１７】
図３は、本発明の第２の実施の形態による３層のＴＡＢテープ１０に半導体チップ６を実装した半導体装置用テープキャリアの横断面を示している。
図３において、ポリイミドテープ１、接着剤２、銅箔３を有する３層のＴＡＢテープ１０は、バイアホール１１を有し、ＴＡＢテープ１０の折り曲げる部分１Ａに位置する銅箔３（導体パターン）上の絶縁樹脂７（ソルダーレジスト）の厚さを、ＴＡＢテープ１０の折り曲げない部分１Ｂに位置する銅箔３（導体パターン）上の絶縁樹脂７（ソルダーレジスト）の厚さよりも薄く形成して、ＴＡＢテープ１０の折り曲げる部分１Ａに位置する絶縁樹脂７（ソルダーレジスト）に折り曲げ容易な柔軟性を付与するとともに、ＴＡＢテープ１０の折り曲げる部分１Ａに位置するポリイミドテープ１、接着剤２、絶縁樹脂７（ソルダーレジスト）で合成される複合剛性を低減させて、折り曲げ容易な３層のＴＡＢテープ１０を構成している。
【００１８】
図３に示したＴＡＢテープ１０の場合、ポリイミドテープ１の厚さが５〜５０μｍ（好ましくは１０〜４０μｍ）、接着剤２の厚さが３〜２０μｍ（好ましくは５〜１８μｍ）、銅箔３の厚さが５〜３０μｍ（好ましくは８〜２０μｍ）、折り曲げる部分１Ａに位置する絶縁樹脂７の厚さが１〜１０μｍ（好ましくは３〜１０μｍ）、折り曲げない部分１Ｂに位置する絶縁樹脂７の厚さは、特に制限されないが厚さが５〜５０μｍ（好ましくは５〜３０μｍ）に形成される。
【００１９】
図３のＴＡＢテープ１０には、半導体チップ６が搭載される。ＴＡＢテープ１０に搭載する半導体チップ６を電気的に接続するために、銅箔３には、感光剤（ソルダーレジスト）を応用したホトリソグラフィ技術によって所定の電気配線（配線パターン）が形成される。
ＴＡＢテープ１０に搭載される半導体チップ６と銅箔３（配線パターン）の電気的な接続は、Ａｇペーストあるいははんだペースト等の導電性ペースト５を１５０℃以上の高温で１０〜３０秒以上加熱することにより行われる。銅箔３上の絶縁樹脂７は、電気的な絶縁を保持し、導電性ペースト５の流れを防止するために印刷等により設けられる。
【００２０】
図４は、本発明の第２の実施の形態による３層のＴＡＢテープ１０に半導体チップ６を実装した半導体装置用テープキャリアを折り曲げた横断面を示している。
図４において、半導体チップ６を実装するＴＡＢテープ１０は、少ないスペースに数多くの半導体チップ６を搭載して実装密度を向上させるために、一つの半導体パッケージ内に２個以上の半導体チップ６を搭載し、ＴＡＢテープ１０のほぼ真ん中を折り曲げて使用される。
図４のＴＡＢテープ１０は、また、折り曲げる部分１Ａに位置する銅箔３上に形成される絶縁樹脂７（ソルダーレジスト）の厚さが、折り曲げない部分１Ｂに位置する銅箔３上の絶縁樹脂７（ソルダーレジスト）の厚さよりも薄く形成されて、折り曲げる部分１Ａに位置する絶縁樹脂７（ソルダーレジスト）に折り曲げ容易な柔軟性が付与されており、この結果、ポリイミドテープ１と接着剤２と絶縁樹脂７（ソルダーレジスト）の複合剛性が低減され、ＴＡＢテープ１０の折り曲げが容易に行える。
ＴＡＢテープ１０は、２個以上の半導体チップ６を実装したのち、ＴＡＢテープ１０の真ん中を折り曲げて、モールド樹脂８により半導体パッケージの形状とし、バイアホール１１に外部接続用のはんだボール９を載せて半導体パッケージが完成される。
【００２１】
図５は、本発明の第３の実施の形態による２層のＴＡＢテープ１０に半導体チップ６を実装した半導体装置用テープキャリアの横断面を示している。
図５において、ポリイミドテープ１と銅箔３から構成される２層のＴＡＢテープ１０は、バイアホール１１を有する。ＴＡＢテープ１０は、ＴＡＢテープ１０の折り曲げる部分１Ａに位置するポリイミドテープ１の厚さを、ＴＡＢテープ１０の折り曲げない部分１Ｂに位置するポリイミドテープ１の厚さよりも薄く形成して、折り曲げる部分１Ａに位置するポリイミドテープ１を折り曲げ易く構成している。
【００２２】
図５のＴＡＢテープ１０は、さらにＴＡＢテープ１０の折り曲げる部分１Ａに位置する銅箔３（導体パターン）上の絶縁樹脂７（ソルダーレジスト）の厚さを、ＴＡＢテープ１０の折り曲げない部分１Ｂに位置する銅箔３（導体パターン）上の絶縁樹脂７（ソルダーレジスト）の厚さよりも薄く形成して、ＴＡＢテープ１０の折り曲げる部分１Ａに位置する絶縁樹脂７（ソルダーレジスト）に折り曲げ容易な柔軟性を付与するとともに、ＴＡＢテープ１０の折り曲げる部分１Ａに位置するポリイミドテープ１と絶縁樹脂７（ソルダーレジスト）で合成される複合剛性を低減させて、折り曲げ容易なＴＡＢテープ１０を構成している。
【００２３】
図５に示したＴＡＢテープ１０の場合、折り曲げる部分１Ａのポリイミドテープ１の厚さが５〜４０μｍ（好ましくは５〜３０μｍ）、銅箔３の厚さが５〜３０μｍ（好ましくは８〜２０μｍ）であり、折り曲げない部分１Ｂのポリイミドテープ１の厚さが５〜５０μｍ（好ましくは１０〜４０μｍ）、銅箔３の厚さが５〜３０μｍ（好ましくは８〜２０μｍ）に形成される。
また、ＴＡＢテープ１０の折り曲げる部分１Ａに位置する銅箔３上に形成する絶縁樹脂７（ソルダーレジスト）の厚さ１〜１０μｍ（好ましくは３〜１０μｍ）は、ＴＡＢテープ１０の折り曲げない部分１Ｂに位置する銅箔３上の絶縁樹脂７（ソルダーレジスト）の厚さ５〜５０μｍ（好ましくは５〜３０μｍ）よりも薄く構成することにより、ＴＡＢテープ１０の折り曲げる部分１Ａに位置するポリイミドテープ１と絶縁樹脂７（ソルダーレジスト）の複合剛性を低減させて、ＴＡＢテープ１０に折り曲げ容易な柔軟性を付与させている。
【００２４】
図５のＴＡＢテープ１０には、半導体チップ６が搭載される。ＴＡＢテープ１０に搭載する半導体チップ６を電気的に接続するために、銅箔３には、感光剤（ソルダーレジスト）を応用したホトリソグラフィ技術によって所定の電気配線（配線パターン）が形成される。
ＴＡＢテープ１０に搭載される半導体チップ６と銅箔３（配線パターン）の電気的な接続は、Ａｇペーストあるいははんだペースト等の導電性ペースト５を１５０℃以上の高温で１０〜３０秒以上加熱することにより行われる。銅箔３上の絶縁樹脂７は、電気的な絶縁を保持し、導電性ペースト５の流れを防止するために印刷等の方法により設けられる。
【００２５】
図６は、本発明の第３の実施の形態による２層のＴＡＢテープ１０に半導体チップ６を実装した半導体装置用テープキャリアを折り曲げた横断面を示している。
図６において、半導体チップ６を実装するＴＡＢテープ１０は、少ないスペースに数多くの半導体チップ６を搭載して実装密度を向上させるために、一つの半導体パッケージ内に２個以上の半導体チップ６を搭載し、ＴＡＢテープ１０のほぼ真ん中を折り曲げて使用される。
図６のＴＡＢテープ１０は、折り曲げる部分１Ａに位置するポリイミドテープ１の厚さが、折り曲げない部分１Ｂの厚さよりも薄く形成されてポリイミドテープ１が折り曲げ易くなっている。また、折り曲げる部分１Ａに位置する銅箔３上に形成される絶縁樹脂７（ソルダーレジスト）の厚さが、折り曲げない部分１Ｂに位置する銅箔３上の絶縁樹脂７（ソルダーレジスト）の厚さよりも薄く形成されて、折り曲げる部分１Ａに位置する絶縁樹脂７（ソルダーレジスト）に折り曲げ容易な柔軟性が付与されており、この結果、ポリイミドテープ１と絶縁樹脂７（ソルダーレジスト）の複合剛性が低減され、ＴＡＢテープ１０の折り曲げが容易に行える。
ＴＡＢテープ１０は、２個以上の半導体チップ６を実装したのち、ＴＡＢテープ１０の真ん中を折り曲げて、モールド樹脂８により半導体パッケージの形状とし、バイアホール１１に外部接続用のはんだボール９を載せて半導体パッケージが完成される。
【００２６】
図７は、本発明の第４の実施の形態による３層のＴＡＢテープ１０に半導体チップ６を実装した半導体装置用テープキャリアの横断面を示している。
図７において、ポリイミドテープ１の上に、銅箔３を接着剤２により貼り付けて３層のＴＡＢテープ１０が構成される。ＴＡＢテープ１０は、バイアホール１１を有し、ＴＡＢテープ１０の折り曲げる部分１Ａに位置するポリイミドテープ１の厚さ、および銅箔３上に形成する絶縁樹脂７（ソルダーレジスト）の厚さを、ＴＡＢテープ１０の折り曲げない部分１Ｂに位置するポリイミドテープ１の厚さ、および銅箔３上に形成する絶縁樹脂７（ソルダーレジスト）の厚さよりも薄く形成して、折り曲げる部分１Ａに位置するポリイミドテープ１および銅箔３上に形成する絶縁樹脂７（ソルダーレジスト）を折り曲げ易く構成している。
【００２７】
図７に示したＴＡＢテープ１０の場合、折り曲げる部分１Ａのポリイミドテープ１の厚さが５〜４０μｍ（好ましくは５〜３０μｍ）、接着剤２の厚さが３〜２０μｍ（好ましくは５〜１８μｍ）、銅箔３の厚さが５〜３０μｍ（好ましくは８〜２０μｍ）であり、折り曲げない部分１Ｂのポリイミドテープ１の厚さが５〜５０μｍ（好ましくは１０〜４０μｍ）、接着剤２の厚さが３〜２０μｍ（好ましくは５〜１８μｍ）、銅箔３の厚さが５〜３０μｍ（好ましくは８〜２０μｍ）に形成される。
また、ＴＡＢテープ１０の折り曲げる部分１Ａに位置する銅箔３上に形成する絶縁樹脂７（ソルダーレジスト）の厚さ１〜１０μｍ（好ましくは３〜１０μｍ）は、ＴＡＢテープ１０の折り曲げない部分１Ｂに位置する銅箔３上の絶縁樹脂７（ソルダーレジスト）の厚さ５〜５０μｍ（好ましくは５〜３０μｍ）よりも薄く構成することにより、ＴＡＢテープ１０の折り曲げる部分１Ａに位置するポリイミドテープ１、接着剤２、絶縁樹脂７（ソルダーレジスト）で合成される複合剛性を低減させて、ＴＡＢテープ１０に折り曲げ容易な柔軟性を付与させている。
【００２８】
図７のＴＡＢテープ１０には、半導体チップ６が搭載される。ＴＡＢテープ１０に搭載する半導体チップ６を電気的に接続するために、銅箔３には、感光剤（ソルダーレジスト）を応用したホトリソグラフィ技術によって所定の電気配線（配線パターン）が形成される。
ＴＡＢテープ１０に搭載した半導体チップ６と銅箔３（配線パターン）の電気的な接続は、Ａｇペーストあるいははんだペースト等の導電性ペースト５を１５０℃以上の高温で１０〜３０秒以上加熱することにより行われる。銅箔３上の絶縁樹脂７は、電気的な絶縁を保持し、導電性ペースト５の流れを防止するために印刷等の方法により設けられる。
【００２９】
図８は、本発明の第４の実施の形態による３層のＴＡＢテープ１０に半導体チップ６を実装した半導体装置用テープキャリアを折り曲げた横断面を示している。
図８において、半導体チップ６を実装するＴＡＢテープ１０は、少ないスペースに数多くの半導体チップ６を搭載して実装密度を向上させるために、一つの半導体パッケージ内に２個以上の半導体チップ６を搭載し、ＴＡＢテープ１０のほぼ真ん中を折り曲げて使用される。
図８のＴＡＢテープ１０は、折り曲げる部分１Ａに位置するポリイミドテープ１の厚さが、折り曲げない部分１Ｂの厚さよりも薄く形成されてポリイミドテープ１が折り曲げ易くなっている。また、折り曲げる部分１Ａに位置する銅箔３上に形成される絶縁樹脂７（ソルダーレジスト）の厚さが、折り曲げない部分１Ｂに位置する銅箔３上の絶縁樹脂７（ソルダーレジスト）の厚さよりも薄く形成されて、折り曲げる部分１Ａに位置する絶縁樹脂７（ソルダーレジスト）に折り曲げ容易な柔軟性が付与されており、この結果、ポリイミドテープ１と接着剤２と絶縁樹脂７（ソルダーレジスト）の複合剛性が低減され、ＴＡＢテープ１０の折り曲げが容易に行える。
ＴＡＢテープ１０は、２個以上の半導体チップ６を実装したのち、ＴＡＢテープ１０の真ん中を折り曲げて、モールド樹脂８により半導体パッケージの形状とし、バイアホール１１に外部接続用のはんだボール９を載せて半導体パッケージが完成される。
【００３０】
図１，図３，図５，図７に示した本発明の実施の形態のＴＡＢテープ１０においては、ＴＡＢテープ１０の折り曲げない部分１Ｂの銅箔３による電気配線（配線パターン）に、電気接続に必要なＡｕまたはＡｕ／Ｎｉ等のめっき層（図示省略）が、めっき液に浸して０．２〜１．５μｍの厚さで設けられ、一方、ＴＡＢテープ１０の折り曲げる部分１Ａには、めっき層が形成されないように構成されている。
銅箔３への電気配線（配線パターン）の形成に当たり、ＴＡＢテープ１０の折り曲げる部分１Ａの銅箔３（配線パターン）上にめっき層が施されないようにするため、めっき工程前に、折り曲げる部分１Ａの銅箔３に柔軟性の薄い樹脂（図示省略）を印刷または塗布して、柔軟な樹脂の下面の銅箔３（配線パターン）をめっき液から保護することにより、配線パターンにめっき層を施さないようにするとともに、柔軟な樹脂に折り曲げる部分１Ａの機械的な強度を補う役割を担わせている。なお、柔軟性の薄い樹脂は、折り曲げる部分１Ａの片面（ポリイミドテープ１の表面）だけでなく、折り曲げる部分１Ａの背面（ポリイミドテープ１の裏面）にも、印刷または塗布して設けることにより、ポリイミドテープ１の両面に柔軟性の薄い樹脂を設けることができる。
【００３１】
図９は、本発明の実施の形態による半導体装置用テープキャリアの構成材厚さと曲げ形状合格率の関係を示す特性図である。
図９のテープキャリアの構成は、図１に示したテープキャリア（折り曲げる部分１Ａに位置するポリイミドテープ１の厚さ５〜５０μｍ、銅箔３の厚さ５〜３０μｍ、絶縁樹脂７の厚さ１〜１０μｍに形成したＴＡＢテープ）において、ソルダーレジスト（絶縁樹脂７）の厚さとして、折り曲げない部分１Ｂのソルダーレジストの厚さを５〜５０μｍに形成し、折り曲げる部分１Ａのソルダーレジストの厚さを、各々、５μｍ、１０μｍ、２０μｍ、３０μｍ、４０μｍに形成した試料（試料数ｎは、各々４個、合計ｎ＝２０個のテープキャリア）を用いて測定したものであり、各々の試料を規定の製造ラインで１回だけ折り曲げて、試料が折り曲げられた試料を合格とし、折り曲げられない試料を不合格として判定した。
【００３２】
図９によると、曲げ形状合格率（％）は、ソルダーレジスト厚さ５μｍと１０μｍの試料は１００％合格、ソルダーレジスト厚さ２０μｍの試料は４０％合格であるのに対して、ソルダーレジスト厚さ３０μｍと４０μｍの試料は、合格率がほぼ０％であることが分かる。
また、ソルダーレジスト厚さ５μｍと１０μｍの試料における折り曲げる部分の樹脂の割れ不良、欠け不良は見られなかった。
図９の特性図から明らかなように、本発明の実施の形態のテープキャリアの折り曲げ部に位置する銅箔３（導体パターン）上のソルダーレジスト厚さは、１〜１５μｍ、望ましくは５〜１０μｍが最適であることが解明された。
【００３３】
図９に示した特性図を補う試料の測定のために、図７に示した実施の形態のテープキャリアとして、
折り曲げない部分１Ｂのポリイミドテープ１の厚さ２０〜４０μｍよりも、折り曲げる部分１Ａに位置するポリイミドテープ１の厚さを１０〜３０μｍと薄く形成し、また、銅箔３に形成された配線パターン上の折り曲げない部分１Ｂに位置する絶縁樹脂７（ソルダーレジスト）の厚さ２０〜３０μｍよりも、折り曲げる部分１Ａに位置する銅箔３に形成された配線パターン上の絶縁樹脂７（ソルダーレジスト）の厚さを５〜１０μｍと薄く形成するテープキャリアにおいて、ソルダーレジスト（絶縁樹脂７）の厚さとして、図９に示した５種類（ソルダーレジスト厚さ、５μｍ、１０μｍ、２０μｍ、３０μｍ、４０μｍの試料）の場合の各試料のテープキャリアについて、その特性を測定した。
その結果、折り曲げる部分１Ａのポリイミドテープ１の厚さ、絶縁樹脂７（ソルダーレジスト）の厚さを薄く形成した場合の曲げ形状合格率（％）は、図９の特性図とほぼ同様の特性を示すことが分かった。
【００３４】
【発明の効果】
本発明の半導体装置用テープキャリアによると、２層あるいは３層のＴＡＢテープの折り曲げる部分に位置する銅箔上の絶縁樹脂の厚さを、折り曲げない部分に位置する絶縁樹脂の厚さよりも薄く形成して折り曲げ容易な柔軟性を付与するとともに、折り曲げる部分に位置するポリイミドテープと絶縁樹脂により合成される複合剛性を低減させているから、三者の相乗作用により極めて折り曲げ易い２層あるいは３層のＴＡＢテープ構成の半導体装置用テープキャリアを提供することができる。
【００３５】
本発明の２層あるいは３層のＴＡＢテープの半導体装置用テープキャリアによると、ＴＡＢテープに折り曲げ用のスリット穴を形成していないので、製造途中にＴＡＢテープの銅箔がスリット穴の部分から切れてしまうという問題は起こらないから、半導体パッケージの組立て作業効率を高めることができる。
しかも、折り曲げ部分に位置する電気配線上にめっき層を形成することなく、折り曲げる部分のＴＡＢテープを構成しているポリイミドテープ、接着剤、銅箔、銅箔上の絶縁樹脂などによる複合剛性を低めに保持してＴＡＢテープの適正な強度を維持しているから、ＴＡＢテープの１８０度の折り曲げが容易になり、ＴＡＢテープの斜めの折り曲げなど、自由な角度の曲げと、折り畳みが可能であるとともに、折り曲げ時のめっき層の割れによる半導体パッケージの外観異常発生の問題は全く一掃され、高密度の半導体パッケージに仕上げることが実現して半導体装置の高密度実装に著しく寄与することができる。
【００３６】
このように本発明の半導体装置用テープキャリアは、ＴＡＢテープの折り曲げが容易で、製造コストの廉価な半導体装置用テープキャリアを提供でき、この結果、小型化、薄型化が要望されているパソコン、高速デジタル・データ処理機器に使用される半導体パッケージの信頼性の向上と小型化に貢献できるという効果が得れらる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態による２層のＴＡＢテープに半導体チップを実装した半導体装置用テープキャリアの横断面を示す説明図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態による２層のＴＡＢテープに半導体チップを実装した半導体装置用テープキャリアを折り曲げた横断面を示す説明図である。
【図３】本発明の第２の実施の形態による３層のＴＡＢテープに半導体チップを実装した半導体装置用テープキャリアの横断面を示す説明図である。
【図４】本発明の第２の実施の形態による３層のＴＡＢテープに半導体チップを実装した半導体装置用テープキャリアを折り曲げた横断面を示す説明図である。
【図５】本発明の第３の実施の形態による２層のＴＡＢテープに半導体チップを実装した半導体装置用テープキャリアの横断面を示す説明図である。
【図６】本発明の第３の実施の形態による２層のＴＡＢテープに半導体チップを実装した半導体装置用テープキャリアを折り曲げた横断面を示す説明図である。
【図７】本発明の第４の実施の形態による３層のＴＡＢテープに半導体チップを実装した半導体装置用テープキャリアの横断面を示す説明図である。
【図８】本発明の第４の実施の形態による３層のＴＡＢテープに半導体チップを実装した半導体装置用テープキャリアを折り曲げた横断面を示す説明図である。
【図９】本発明の実施の形態による半導体装置用テープキャリアの構成材厚さと曲げ形状合格率の関係を示す特性図である。
【図１０】従来の技術により３層のＴＡＢテープに半導体チップを実装した横断面を示す説明図である。
【図１１】従来の技術による半導体チップを実装した３層のＴＡＢテープを折り曲げた横断面を示す説明図である。
【符号の説明】
１  ポリイミドテープ
１Ａ  折り曲げる部分
１Ｂ  折り曲げない部分
２  接着剤
３  銅箔（導体パターン）
４  めっき層
５  導電性ペ一スト
６  半導体チップ
７  絶縁樹脂（ソルダーレジスト）
８  モールド樹脂
９  はんだボール
１０  ＴＡＢテープ
１１  バイアホール
１２  スリット穴
１３  埋め込み樹脂
【図１】
2004260105.tif 000003
【図２】
2004260105.tif 000004
【図３】
2004260105.tif 000005
【図４】
2004260105.tif 000006
【図５】
2004260105.tif 000007
【図６】
2004260105.tif 000008
【図７】
2004260105.tif 000009
【図８】
2004260105.tif 000010
【図９】
2004260105.tif 000011
【図１０】
2004260105.tif 000012
【図１１】
2004260105.tif 000013