(57)【要約】【課題】ハーフトーン膜を形成する材料を選択し、加工精度を向上することができるハーフトーン型位相シフトマスク用ブランク及びハーフトーン型位相シフトマスクを提供することを目的とする。【解決手段】透明基板上に半透明遮光層からなる単層膜、もしくは透明層と遮光層からなる多層膜を有するハーフトーン型位相シフトマスクにおいて、前記半透明遮光層、透明層、遮光層が金属−シリコンの酸化物、金属−シリコンの窒化物、金属−シリコンの窒化酸化物のうちのいずれかからなり、且つ前記金属の主たるひとつの構成元素が形成するハロゲン化物が大気圧において３００℃以上の沸点をもつことを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスク用ブランク１０もしくは２０を得、パターニング処理してハーフトーン型位相シフトマスクを得る。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明基板上に半透明遮光層からなる単層膜、もしくは透明層と遮光層からなる多層膜を有するハーフトーン型位相シフトマスクにおいて、前記半透明遮光層、透明層、遮光層が金属−シリコンの酸化物、金属−シリコンの窒化物、金属−シリコンの窒化酸化物のうちのいずれかからなり、且つ前記金属の主たる構成元素のハロゲン化物が大気圧において３００℃以上の沸点をもつことを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスク用ブランク。
【請求項２】
前記金属の主たる構成元素が２つ以上からなり、その少なくともひとつの構成元素が形成するハロゲン化物が大気圧において３００℃以上の沸点をもつことを特徴とする請求項１記載のハーフトーン型位相シフトマスク用ブランク。
【請求項３】
前記金属の主たる構成元素が２つ以上からなり、その主成分以外の少なくともひとつの構成元素のハロゲン化物が主成分となるひとつの構成元素のハロゲン化物よりも高沸点をもつことを特徴とする請求項１または２記載のハーフトーン型位相シフトマスク用ブランク。
【請求項４】
前記金属の主たる構成元素が２つ以上からなり、最も少ない構成元素のハロゲン化物が他の構成元素のハロゲン化物よりも高沸点をもつことを特徴とする請求項１または２記載のハーフトーン型位相シフトマスク用ブランク。
【請求項５】
前記金属の含有率（金属＋シリコンに対する金属のモル％）が０から２０％であることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載のハーフトーン型位相シフトマスク用ブランク。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項記載のハーフトーン型位相シフトマスク用ブランクをパターニング処理して、位相シフトパターンを形成したことを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスク
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体製造プロセス中のフォトリソグラフィ工程で使用される露光転写用のフォトマスク及びこれを製造するためのフォトマスクブランクに関わるものであり、特にマスクを通過する露光光間に位相差を与えることにより、転写パターンの解像度を向上させるようにしたハーフトーン型位相シフトマスク用ブランクまたはハーフトーン型位相シフトマスクに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
半導体製造工程等においては、Ｓｉウェハー上などに微細パターンを形成するためのパターン露光用のマスクとしてフォトマスクが用いられる。このフォトマスクの一種に位相シフト法を用いた位相シフトマスクがある。位相シフト法は、微細パターンを転写する際の解像度向上技術の１つであり、開発が盛んに行われている。原理的にはマスク上の隣接する領域に互いの透過光の位相差が１８０度となるように位相シフト部を設けることにより、透過光が回折し干渉し合う際に境界部の光強度を弱め、その結果として転写パターンの解像度を向上させるものである。これにより通常のフォトマスクに比べて飛躍的に優れた微細パターンの解像度向上効果および焦点深度向上の効果を持つ。
【０００３】
上記のような位相シフトマスクの一種として、ハーフトーン型位相シフトマスクが開発されている。ハーフトーン型位相シフトマスクは、透明基板上に形成するマスクパターンを実質的に露光に寄与する強度の光を透過させる透過部と実質的に露光に寄与しない半透過部とで構成し、この半透過部に透過光の位相反転作用および、パターン内部でレジストの感度以下での遮光性の役割を持たせることにより、前記透過部と半透過部との境界部近傍を通過した光が互いに打ち消し合うようにして、光強度のエッジ形状を急峻にし、解像性や焦点深度特性を向上させると共にマスクパターンを忠実にウエハ上に転写する効果を有したものである。
【０００４】
また、近年では、ウエハ上に転写されるパターンの解像性をより高めるために、半透過部における光の透過率を高めた高透過率ハーフトーンマスクも提案されている。高透過率ハーフトーンマスクは半透過部の透過率が高く、位相が反転して透過する光の強度も強くなる。このため位相の打ち消し効果が高くなり、Ｓｉウエハへのパターン転写時における解像性が向上する。
ハーフトーン型位相シフトマスクとしては、透明基板上に半透明遮光層、もしくは透明層及び遮光層からなるハーフトーン膜をパターニング処理したものが一般に用いられている。
【０００５】
さらに、近年の半導体パターンの微細化に伴う露光波長の短波長化に対応するため、従来よりも短波長露光に対応したハーフトーンマスクが必要とされる。短波長化に対応するためには、短波長での半透過部の透過率を高くする必要があり、より透明性の高い材料を選定し、位相シフトマスク本来の光学特性である露光波長での位相反転量および透過率が所望の条件を満たすようにする。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
このようにハーフトーン型位相シフトマスク用ブランクおよびマスクでは、光学特性の制御が必要であると同時に、マスクパターンの微細化に対応した、より微細なパターンでの寸法制御性および垂直な断面形状を有するパターンを形成することが重要となる。
しかしながら、従来の材料では、例えばドライエッチングによりパターンを形成する際に等方的なエッチング反応が起こりやすく、サイドエッチングによるパターン寸法幅の設計値からのずれ（変換差）を考慮する必要が出てくる。また、パターン寸法の制御を行うためには、パターン密度による変換差を考慮しなければならないので、サイドエッチング量が大きい材料ではパターン寸法の均一性を得ることがより困難になる。さらに、必要以上にサイドエッチングが進行することによるパターン断面形状の悪化も懸念され、垂直な断面形状を有するパターンを形成することが困難になる。
【０００７】
本発明は上記問題点に鑑み考案されたもので、ハーフトーン膜を形成する材料を選択し、加工精度を向上することができるハーフトーン型位相シフトマスク用ブランク及びハーフトーン型位相シフトマスクを提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明では上記課題を解決するために、まず請求項１においては、透明基板上に半透明遮光層からなる単層膜、もしくは透明層と遮光層からなる多層膜を有するハーフトーン型位相シフトマスクにおいて、前記半透明遮光層、透明層、遮光層が金属−シリコンの酸化物、金属−シリコンの窒化物、金属−シリコンの窒化酸化物のうちのいずれかからなり、且つ前記金属の主たる構成元素のハロゲン化物が大気圧において３００℃以上の沸点をもつことを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスク用ブランクを提供する。
そのため、高精度な寸法幅および良好な形状を有するパターンを形成することができるマスク用ブランクを提供できる。
【０００９】
また、請求項２に係る発明は、請求項１記載のハーフトーン型位相シフトマスク用ブランクにおいて、前記金属の主たる構成元素が２つ以上からなり、その少なくともひとつの構成元素が形成するハロゲン化物が大気圧において３００℃以上の沸点をもつことを特徴としている。
そのため、膜を形成する際に、低揮発性のハロゲン化物を形成する元素を添加することにより、高精度な寸法幅および良好な形状を有するパターンを形成することができるマスク用ブランクを提供することができる。
【００１０】
また、請求項３に係る発明は、請求項１記載のハーフトーン型位相シフトマスク用ブランクにおいて、前記金属の主たる構成元素が２つ以上からなり、その少なくともひとつの構成元素のハロゲン化物が主成分となるひとつの構成元素のハロゲン化物よりも高沸点をもつことを特徴としている。
そのため、膜を形成する際に、主成分となる元素に低揮発性のハロゲン化物を形成する元素を微量添加することにより、高精度な寸法幅および良好な形状を有するパターンを形成することができるマスク用ブランクを提供することができる。
【００１１】
また、請求項４記載の発明は、請求項１記載のハーフトーン型位相シフトマスク用ブランクにおいて、前記金属の主たる構成元素が２つ以上からなり、最も少ない構成元素のハロゲン化物が他の構成元素のハロゲン化物よりも高沸点をもつことを特徴としている。
そのため、膜を形成する際に、低揮発性のハロゲン化物を形成する元素をごく微量添加することにより、高精度な寸法幅および良好な形状を有するパターンを形成することができるマスク用ブランクを提供することができる。
【００１２】
ここで、露光波長の短波長化に対応するためには、ハーフトーン膜の透明性を高めなければならない。膜の透明性を高めるためには、膜に含まれるシリコンを増やす、ないしは膜に含まれる金属を減らすことが望ましい。
即ち、請求項５記載の発明は、請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載のハーフトーン型位相シフトマスク用ブランクにおいて、前記金属の含有率（金属＋シリコンに対する金属のモル％）が０から２０％であることを特徴としている。
そのため、光学特性を高精度に制御することが可能であるのと同時に、高精度な寸法幅および良好な形状を有するパターンを形成することができるマスク用ブランクを提供できる。
【００１３】
さらにまた、請求項６に係る発明は請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載のハーフトーン型位相シフトマスク用ブランクの前記半透明遮光層、透明層、遮光層がパターニングされてなるハーフトーン型位相シフトマスクとしたものである。
【００１４】
【発明の実施の形態】
以下本発明の実施の形態につき説明する。
図１（ａ）及び（ｂ）は本発明のハーフトーン型位相シフトマスク用ブランクの一例を示す構成断面図である。図２（ａ）および（ｂ）は本発明のハーフトーン型位相シフトマスクの一例を示す構成断面図である。図３（ａ）〜（ｅ）及び図４（ａ）〜（ｅ）は、本発明のハーフトーン型位相シフトマスクの製造工程の一例を示す断面図である。
【００１５】
本発明のハーフトーン型位相シフトマスク用ブランク１０は半透明遮光層１１が金属−シリコンの酸化物、金属−シリコンの窒化物、金属−シリコンの窒化酸化物のいずれかの単層膜で構成されており、前記金属の主たる構成元素が２つ以上からなり、その少なくともひとつの構成元素が形成するハロゲン化物が大気圧において３００℃以上の沸点をもたせたもので、半透明遮光層１１を形成する際に、低揮発性のハロゲン化物を形成する元素を添加することにより、ドライエッチング等のパターニング工程に於いて、高精度な寸法幅および良好な形状を有するパターンを形成することができるようにしたものである。
【００１６】
本発明のハーフトーン型位相シフトマスク用ブランク２０は遮光層２１及び透明層３１が金属−シリコンの酸化物、金属−シリコンの窒化物、金属−シリコンの窒化酸化物のいずれかの多層膜で構成されており、前記金属の主たる構成元素が２つ以上からなり、その少なくともひとつの構成元素が形成するハロゲン化物が大気圧において３００℃以上の沸点をもたせたもので、半透明遮光層１１を形成する際に、低揮発性のハロゲン化物を形成する元素を添加することにより、ドライエッチング等のパターニング工程に於いて、高精度な寸法幅および良好な形状を有するパターンを形成することができるようにしたものである。
【００１７】
ハーフトーン膜用の半透明遮光層１１、透明層３１および遮光層２１を形成する材料としては、アルカリ元素、遷移元素などの金属とシリコンとの金属間化合物（シリサイド）が挙げられる。なかでも高融点金属シリサイドと呼ばれる４Ａから６Ａ属元素のシリサイドがその特性上重要である。これらの金属シリサイドのうち、ハーフトーン型位相シフトマスク用の材料としては、例えばジルコニウムとシリコンを主たる構成元素とするものがある。ジルコニウム以外でもハフニウム、チタン、モリブデンなどを主たる金属元素とし、それらのうち２つ、もしくはそれ以上を含む材料が挙げらられる。
【００１８】
ハーフトーン膜用の半透明遮光層１１、透明層３１、遮光層２１を形成する方法としてはスパッタリング法が有効である。スパッタリングターゲットとして金属シリサイドを使用し、スパッタガスにはアルゴンガスと酸素、窒素の混合ガスを用いることにより、酸化膜、窒化膜、窒化酸化膜が得られる。酸化膜、窒化膜、窒化酸化膜の屈折率、消衰係数などの光学定数に代表される光学特性は使用するスパッタリングターゲットの組成や種類、ガス混合比の他ガス圧力などによって制御される。また、半透明遮光性膜、透明性膜、遮光性膜はスパッタリング法の他真空蒸着法やＣＶＤ法などそのほかの成膜方式を用いても成膜可能である。
【００１９】
前記酸化膜、窒化膜、窒化酸化膜を構成する主たる金属元素は一種類もしくは二種類あるいはそれ以上であっても構わない。ここで主たる金属元素とは膜特性に影響を及ぼす程度に含まれる元素を指し、スパッタリングターゲットなどの材料に起因するごく微量の不純物は含まない。
【００２０】
前記スパッタリングターゲットには金属シリサイドを用いる他、必要に応じて金属ターゲット、シリコンターゲットを用いる。このときスパッタ源二元もしくはそれ以上であっても良い。
【００２１】
前記ハーフトーン膜上にはさらにクロムを主成分とする膜を形成することを許容する。
【００２２】
上記の成膜方法で、透明基板１上に半透明遮光層１１からなるハーフトーン膜を形成したハーフトーン型位相シフトマスク用ブランク１０及び透明基板１上に遮光層２１及び透明層３１からなるハーフトーン膜を形成したハーフトーン型位相シフトマスク用ブランク２０を用いてハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法について述べる。
まず、ハーフトーン型位相シフトマスク用ブランク１０（図３（ａ）参照）上にフォトレジストをスピンナー等により塗布、乾燥し、所定厚の感光層（レジスト）４１を形成する（図３（ｂ）参照）。
次に、感光層４１にパターン露光、現像等の一連のパターニング処理を行ってレジストパターン４１ａを形成する（図３（ｃ）参照）。
【００２３】
次に、ハロゲンガス、例えばフロロカーボン系ガスをエッチングガスとして用いたドライェッチングにより、レジストパターン４１ａをマスクにして半透明遮光層１１をエッチングする（図３（ｄ）参照）。
次に、レジストパターン４１ａを剥離処理して、透明基板１上に半透明遮光パターン１１ａを有する本発明のハーフトーン型位相シフトマスク１００を得る（図３（ｅ）参照）。
【００２４】
さらに、ハーフトーン型位相シフトマスク用ブランク２０を用いたハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法について説明する。
まず、ハーフトーン型位相シフトマスク用ブランク２０（図４（ａ）参照）上にフォトレジストをスピンナー等により塗布、乾燥し、所定厚の感光層（レジスト）４１を形成する（図４（ｂ）参照）。
次に、感光層４１にパターン露光、現像等の一連のパターニング処理を行ってレジストパターン４１ａを形成する（図４（ｃ）参照）。
【００２５】
次に、ハロゲンガス、例えばフロロカーボン系ガスをエッチングガスとして用いたドライエッチングにより、レジストパターン４１ａをマスクにして遮光層２１及び透明層３１をエッチングする（図４（ｃ）参照）。
次に、レジストパターン４１ａを剥離処理して、透明基板１上に遮光パターン２１ａ及び透明パターン３１ａを有する本発明のハーフトーン型位相シフトマスク２００を得る（図４（ｅ）参照）。
【００２６】
一方、前記ハーフトーン膜上にさらにクロムを主成分とする膜を形成する場合には、レジストパターンをマスクにして塩素と酸素の混合ガスを用いてクロム膜をエッチングし、その後、レジストパターン及びクロムパターンをマスクとしてハーフトーン膜を選択的にエッチング、除去することにより、ハーフトーンパターンを形成し、ハーフトーン型位相シフトマスクを作製する。
【００２７】
前記ハロゲンガスを用いたハーフトーン膜のエッチングによる反応生成物の中には低揮発性の金属ハロゲン化物を含む。例えば、ジルコニウムシリサイドを用いた場合、ジルコニウムのハロゲン化物としてＺｒＦ３（沸点１２０２℃（１ａｔｍ）、以下同様）、ＺｒＦ４（６０３℃）、ＺｒＣｌ３（７７３℃）、ＺｒＣｌ４（３３１℃）などが挙げられる。一方、シリコンのハロゲン化物にはＳｉＦ４（−９５℃）、ＳｉＣｌ４（５７℃）などが挙げられる。従って、ＦやＣｌを含むハロゲンガスをエッチングガスとして用いることにより、エッチング速度の低下などを招くことなく、また、従来の材料で見られるようなパターン形成時のサイドエッチングを低減し、パターン寸法幅制御性、寸法均一性に優れ、かつ良好なパターン形状を有するパターンを得ることができる。また、このような低揮発性のハロゲン化物を生成する金属では、単体、化合物ともに化学的に安定な物質が多く、その結果、薬品耐性やレーザー照射耐性などに優れたマスク用ブランクおよびマスクを提供することができる。
【００２８】
さらに、主な前記金属ハロゲン化物の室温における沸点を表１に示す。
【００２９】
【表１】
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【００３０】
例えば、前記金属の２つの構成元素として主成分のモリブデンとジルコニウムを含む場合、モリブデンのフッ化物としてＭｏＦ５（２１４℃）、ＭｏＦ６（３５℃）などが挙げられる。一方、前述のようにジルコニウムのフッ化物としてはＺｒＦ３（１２０２℃）、ＺｒＦ４（６０３℃）などが存在する。また、シリコンのフッ化物はＳｉＦ４（−９５℃）である。このとき、Ｆを含むガスをエッチングガスとして用いることにより、エッチング速度の低下を招くことなく、パターン寸法幅制御性、寸法均一性に優れ、かつ良好なパターン形状を有するパターンを得ることができる。
【００３１】
また、前記金属の３つの構成元素を例えば、主成分のモリブデンにチタン、ジルコニウムを含む場合、チタンのフッ化物としてＴｉＦ４（２８４℃）が存在する。このとき、ジルコニウムが最も少ない金属の構成元素とすると、Ｆを含むガスをエッチングガスとして用いると、パターン寸法幅制御性、寸法均一性に優れ、かつ良好なパターン形状を有するパターンを得ることができる。この場合、ジルコニウムのフッ化物は、主成分のモリブデンのフッ化物のほか、チタンのフッ化物よりも大気圧での沸点が高いが、ジルコニウムの代わりに例えば、タンタルのようにそのフッ化物（ＴａＦ５）の沸点（２３０℃）が主成分のモリブデンフッ化物の沸点よりも高い元素を構成元素としても良い。さらに前記金属の構成元素が３つ以上からなる場合も同様の効果が期待される。
【００３２】
前記金属ハロゲン化物の沸点は、マスク加工精度を損なわない程度が好ましい。さらに好ましくは大気圧下（１ａｔｍ）における沸点が３００℃以上である。但し、前述のように金属の主たる構成元素が２つ、もしくはそれ以上の場合はこの限りではない。
【００３３】
低揮発性のハロゲン化物を生成する金属を含むことにより、ハーフトーン膜のサイドエッチングが抑制され、異方性エッチングが有意となる。しかしながら、許容量以上に低揮発性のハロゲン化物が生成されると、エッチング速度の低下やパターン形状の悪化を招くため、金属の含有量を適切な値にしなければならない。すなわち、金属を構成する元素の含有率の許容範囲はその加工特性を損なわない程度が好ましい。さらに好ましくは膜組成に占める金属の割合（金属＋シリコンに対する金属のモル％）が０から２０％である。
【００３４】
このように本発明によれば石英基板上に金属−シリコンの酸化物、金属−シリコンの窒化物、金属−シリコンの窒化酸化物からなる単層もしくは多層膜を形成することにより、光学特性および加工特性に優れたハーフトーン型位相シフトマスク用ブランクを得ることができる。さらには、ハロゲンガスを用いたドライエッチングにより高精度な寸法幅、寸法均一性および良好な形状を有するパターンを有するハーフトーン型位相シフトマスクを得ることができる。
【００３５】
【実施例】
以下実施例により本発明を詳細に説明する。
まず、石英基板からなる透明基板１上にジルコニウムシリサイドターゲットを用い、アルゴンガスに酸素を適量添加した反応性スパッタリング法により成膜を行い、遮光層２１を形成した。このときの遮光層２１の膜厚は１５．６ｎｍであった。この遮光層２１の光学定数は、あらかじめ予備実験により確認しており、屈折率ｎ＝１．２３、消衰係数ｋ＝１．２８６（波長λ＝１５７ｎｍ、以下同様）であった。
【００３６】
次に、遮光層２１上にジルコニウムシリサイドターゲットおよびシリコンターゲットを併用し、アルゴンガスに酸素を適量添加した反応性スパッタリング法により成膜を行い、透明層３１を形成し、遮光層２１及び透明層３１の２層ハーフトーン膜からなるハーフトーン型位相シフトマスク用ブランク２０を得た（図１（ｂ）参照）。このときの透明層３１の膜厚は９６．８ｎｍであった。この透明層３１の光学定数は、あらかじめ予備実験により確認しており、屈折率ｎ＝１．７９、消衰係数ｋ＝０．１７０であった。
ハーフトーン型位相シフトマスク用ブランク２０の光学特性は、Ｆ２レーザー露光光（波長１５７ｎｍ）に対する位相反転量が１７９．５１度、透過率６％であった。
【００３７】
次に、ハーフトーン型位相シフトマスク用ブランク２０を用いてハーフトーン型位相シフトマスク２００を作製した。
まず、スパッタリング法によりハーフトーン型位相シフトマスク用ブランク２０（図４（ａ）参照）の透明層３１上にクロムを主成分としたクロム層を形成した。さらに、有機物を主成分とするポジ型レジストを塗布し、乾燥して感光層４１を形成した（図４（ｂ）参照）。
【００３８】
次に、電子描画装置にてパターン露光を行い、専用の現像液でパターニング処理を行い、所望のレジストパターン４１ａを形成した（図４（ｃ）参照）。
【００３９】
次に、ＩＣＰ方式のフォトマスク用ドライエッチング装置を用いてレジストパターン４１ａをマスクとしてクロム層を選択的に除去しクロムパターンを形成した（特に、図示せず）。その後、レジストパターン４１ａおよびクロムパターンをマスクとして、透明層３１及び遮光層２１を選択的にエッチング除去した（図４（ｄ）参照）。
【００４０】
ドライエッチング条件は以下のとおりである。
＜クロム層＞
エッチングガス：Ｃｌ２＋Ｏ２
ガス圧力：１．３３Ｐａ
高周波出力：５Ｗ（ＲＩＥ用電源）、３５０Ｗ（ＩＣＰ用電源）
＜透明層３１及び遮光層２１＞
エッチングガス：Ｃ２Ｆ６
ガス圧力  ：０．６６５Ｐａ
高周波出力  ：４５Ｗ（ＲＩＥ用電源）、３５０Ｗ（ＩＣＰ用電源）
【００４１】
次に、レジストパターン４１ａ及びクロムパターンを剥離し、透明基板１上に遮光パターン２１ａ及び透明パターン３１ａが形成されたハーフトーン型位相シフトマスク２００を得た（図４（ｅ）参照）。
【００４２】
得られたハーフトーン型位相シフトマスク２００の光学特性、パターン寸法精度、制御性、均一性および断面形状の垂直性などのあらゆる特性が実用に足るものであった。
【００４３】
【発明の効果】
上記したように、本発明によればハーフトーン層を形成する材料を選択することにより、高い加工精度を持つハーフトーン型位相シフトマスク用ブランクとハーフトーン型位相シフトマスクが得られる。
従って、従来よりも光学特性を高精度に制御することが可能であるのと同時に、高精度な寸法幅および良好な形状のパターンを有するハーフトーン型位相シフトマスクを得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）〜（ｂ）は、本発明のハーフトーン型位相シフトマスク用ブランクの一実施例を示す棋式構成断面図である。
【図２】（ａ）〜（ｂ）は、本発明のハーフトーン型位相シフトマスクの一実施例を示す模式構成断面図である。
【図３】（ａ）〜（ｅ）は、本発明のハーフトーン型位相シフトマスクの製造工程の一例を示す模式構成断面図である。
【図４】（ａ）〜（ｅ）は、本発明のハーフトーン型位相シフトマスクの製造工程の一例を示す模式構成断面図である。
【符号の説明】
１……透明基板
１０、２０……ハーフトーン型位相シフトマスク用ブランク
１１……半透明遮光層
１１ａ……半透明遮光パターン
２１……遮光層
２１ａ……遮光パターン
３１……透明層
３１ａ……透明パターン
４１……感光層（レジスト）
４１ａ……レジストパターン
１００、２００……ハーフトーン型位相シフトマスク
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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