(57)【要約】【課題】温度に依存して変化する液晶のガンマ特性を補償することが可能な液晶表示装置を提供する。【解決手段】デジタル化された画像信号を、複数の画素がマトリクス状に配置された液晶表示部に印加して表示するに際して、動画像擬似輪郭の発生を抑制するため、前記画像信号の１フィールドを複数のサブフィールドにより構成し、前記サブフィールドを配列順に従って選択的にオン、またはオフ表示して前記画像信号に基づいた画像を表示する液晶表示装置において、前記液晶表示部４の温度を検出する温度検出部３０と、前記温度検出部の検出値に応じて、前記液晶表示部のガンマ特性の変化を補償するように前記複数のサブフィールドの内の一部のサブフィールドの期間を可変的に制御するサブフィールド期間制御部２８と、を備える。これにより、温度に依存して変化する液晶のガンマ特性を補償する。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
デジタル化された画像信号を、複数の画素がマトリクス状に配置された液晶表示部に印加して表示するに際して、動画像擬似輪郭の発生を抑制するため、前記画像信号の１フィールドを複数のサブフィールドにより構成し、前記サブフィールドを配列順に従って選択的にオン、またはオフ表示して前記画像信号に基づいた画像を表示する液晶表示装置において、
前記液晶表示部の温度を検出する温度検出部と、
前記温度検出部の検出値に応じて、前記液晶表示部のガンマ特性の変化を補償するように前記複数のサブフィールドの内の一部のサブフィールドの期間を可変的に制御するサブフィールド期間制御部と、を備えたことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
前記サブフィールドの期間が可変的に制御されるサブフィールドは、表示期間が最も長いサブフィールドであることを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、デジタル信号で駆動するアクティブマトリクス型の液晶表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、アクティブマトリックス型の液晶表示装置を駆動する方法は、アナログ信号で液晶の駆動電圧を制御するのが一般的であった（例えば特許文献１）。そして、液晶モードとして、ＶＡ（Ｖｅｒｔｉｃａｌ    Ａｌｉｇｎｅｄ）やＭＴＮ（ｍｉｘｅｄ−ｍｏｄｅ    Ｔｗｉｓｔｅｄ    Ｎｅｍａｔｉｃ）が使用され、特にコントラスト比を向上させるために、ＶＡが使用されている。この種の液晶表示装置は、アクティブマトリックス基板と対向基板との間に液晶を封入して多数の画素を形成し、各々の画素に画像信号を書き込み、それを画素各々に付属するコンデンサ（信号補助容量）に蓄積して、液晶を駆動するようになっている。
【０００３】
この方式では、液晶にかかる電圧は、時間的には一定で、信号レベルに応じて変わることで階調を表現することから、階調性を取ることは容易であるが、信号レベルにノイズが乗り易く、疑似信号の影響を受け易いという欠点を持つほか、液晶に対して直流成分がかかり易く、それに伴う画像の残りやパネル寿命に問題があった。
これに対して、アナログの画像信号をデジタル信号に変換し、液晶にパルス的に電圧を印加して、液晶を駆動させるデジタル駆動方法がある。例えば、１フィールド（１ＴＶフィールド）を複数のサブフィールドに分割し、このサブフィールド毎に点灯／非点灯を制御する方式がある。この方式には重み付けをしたサブフィールドを用いる方法、フィールド内分散法やＣＬＥＡＲ駆動方式が知られている（例えば特許文献２）。
【０００４】
【特許文献１】
特開平１１−１７４４１０号公報
【特許文献２】
特開２００１−３４３９５０号公報
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、この種のデジタル型の液晶表示装置ではアナログの画像信号は通常は例えば８ビットのデジタル信号に変換され、そして、この画像信号はＣＲＴの逆ガンマ特性を前提としたものである。そして、液晶を駆動する時の駆動電圧と出射強度との関係はＳ字型になるので、上記画像信号は、階調レベルを正しく表現できるようにするために、ガンマ特性に対応した重み付けを行うルックアップテーブルを参照しつつデジタル信号に変換される。
【０００６】
しかしながら、上記デジタル式の駆動方式では、液晶の応答速度が変化した際に、図７に示す様にガンマ特性が変化してしまうデメリットがあった。図７では液晶温度が４０．７℃で液晶の粘度が０．０８Ｐａ・ｓ（パスカル秒）の時のガンマ特性を基準”１”としてガンマ特性の粘度依存性を示し、２５６ビット（階調）の各ビット毎に比較を行っている。尚、液晶の粘度と温度とは相関関係があり、例えば温度が上がれば粘度は下がる。ここでは液晶の粘度は０．１５Ｐａ・ｓ〜０．０５Ｐａ・ｓ（温度は３４．１℃〜５０．４℃）まで変化している。この図から明らかなように、特に、２５６階調（８ビット／単色）の中間調である５０から１００ビットの部分の階調変化が大きい。これは、温度が変化すると液晶の物性が変化し、入力パルス信号に対する応答が変化してしまうために発生する。液晶の物性の変化の原因は、誘電率や、弾性常数や、粘度等があるが、最も大きい影響があるのは液晶の粘度である。
【０００７】
ここでは、液晶の応答速度よりも早いパルスで駆動している。この様な状態の際、同じパルス信号のパターンでも、液晶の応答速度が速くなると、単一駆動電圧パルスに対する追従性が良好となって出力が大きくなるが、複数の駆動電圧パルスに対しては、パルス間の電圧がかからない部分への応答性が高まるために、出力が下がる傾向がある。逆に液晶の応答速度が遅くなると、逆の原理で、単一駆動電圧パルスへの追従性が悪く、複数の駆動電圧パルスに対しては、出力が高くなる変化を起こす。これが、中間調でのガンマ特性の変動の要因の１つとなっている。このような液晶の粘性の違いで発生するガンマ特性の変化は、単に出力を増加させたり、減少させたりすることで修正できる様なものでは無く、変化が非線形的に発生するため、適当な補正方法が無かったのが現状である。
【０００８】
本発明は、以上のような問題点に着目し、これを有効に解決すべく創案されたものである。本発明の目的は、温度に依存して変化する液晶のガンマ特性を補償することが可能な液晶表示装置を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
請求項１に係る発明は、デジタル化された画像信号を、複数の画素がマトリクス状に配置された液晶表示部に印加して表示するに際して、動画像擬似輪郭の発生を抑制するため、前記画像信号の１フィールドを複数のサブフィールドにより構成し、前記サブフィールドを配列順に従って選択的にオン、またはオフ表示して前記画像信号に基づいた画像を表示する液晶表示装置において、前記液晶表示部の温度を検出する温度検出部と、前記温度検出部の検出値に応じて、前記液晶表示部のガンマ特性の変化を補償するように前記複数のサブフィールドの内の一部のサブフィールドの期間を可変的に制御するサブフィールド期間制御部と、を備えたことを特徴とする液晶表示装置である。
この場合、例えば請求項２に規定するように、前記サブフィールドの期間が可変的に制御されるサブフィールドは、表示期間が最も長いサブフィールドである。
【００１０】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明の液晶表示装置の実施の形態について説明する。
図１は本発明の液晶表示装置を示す構成図、図２は１つの画素に対するパルス駆動回路の一例を示す図、図３は階調レベルとサブフィールドとの関係を示す図、図４は温度に対する補償係数の一例を示す図である。
図１にはアクティブマトリックス型の液晶表示装置の構成例が示されており、この液晶表示装置２の液晶表示部４は、アクティブマトリックス基板６上に、複数の列信号電極Ｄ１、Ｄ２、Ｄ３、…Ｄｉが並行して配置されており、これら各列信号電極Ｄ１、Ｄ２、Ｄ３、…Ｄｉと直交する方向に複数の行走査電極Ｇ１、Ｇ２、Ｇ３、…Ｇｊが配置されている。また各列信号電極Ｄ１〜Ｄｉに対応して、これらの反転信号を流すための反転信号用の列信号電極＊Ｄ１〜＊Ｄｉがそれぞれ設けられる。尚、以降、符号Ｄ１〜Ｄｉ及び＊Ｄ１〜＊Ｄｉをまとめてそれぞれ符号Ｄ及び＊Ｄと表し、符号Ｇ１〜Ｇｊをまとめて符号Ｇと表す場合がある。各列信号電極Ｄと行走査電極Ｇの交差部には、画素Ｐｘが配置されている。
【００１１】
列信号電極駆動回路１００はシフトレジスタＳＲ１〜ＳＲ２０、ＤＳＲ１〜ＤＳＲ２０及び上記列信号電極Ｄ１〜Ｄｉ、＊Ｄ１〜＊Ｄｉを個別にオンオフに切り替えるスイッチ切り替え回路８により構成されている。
この列信号電極駆動回路１００には第１と第２フレームメモリ１０、１２が接続されている。外部より入力される画像信号は、ＡＤ変換器１４にてデジタル信号に変換される。サブフィールド変換回路１６は、上記デジタル信号をサブフィールドのパルス信号に変換するものであり、この出力信号は上記第１及び第２フレームメモリ１０、１２へ入力される。
【００１２】
ルックアップメモリ１８は、図３に示すようなルックアップテーブルを記憶しており、このルックアップテーブルに基づいて上記サブフィールド変換回路１６はパルス信号を形成する。図３に示すように、ここでは１つのフィールドが例えばＳＦ１〜ＳＦ１９で表される１９のサブフィールドにより分割されて構成されており、各サブフィールドの期間（以下、「サブフィールド期間」とも称す）はそれぞれ異なっており、１フィールドの中で最初のサブフィールドＳＦ１のサブフィールド期間（３０ｎｓ）が最も短く、１フィールドの最後のサブフィールドへ進むに従って暫時長くなってくるようにサブフィールド列が配置される。その結果、最後のサブフィールドＳＦ１９のサブフィールド期間（３０５ｎｓ）が最も長い。
【００１３】
更に隣接するサブフィールド同士のサブフィールド期間の差は、サブフィールド期間が長くなるに従って、同一或いは順次短くなるように設定されている。またこの図３では２５６の階調レベルに分割されており、オン状態にして点灯表示すべきサブフィールドに”１”が示されている。図３では２５６の階調レベルの一部のみが記載されており、他の部分のレベルの記載は省略している。
そして、このような構成の列信号電極走査回路１００では、スイッチ切り替え回路８のスイッチ群を順次オン状態にすることにより、１水平期間の映像信号を順次列信号電極Ｄ１、Ｄ２、Ｄ３、…Ｄｉ、＊Ｄ１〜＊Ｄｉにサンプリングする。
【００１４】
一方、行走査電極駆動回路１０２は、全表示行数に相当する段数を有する垂直シフトレジスタを含んで構成されている。この垂直シフトレジスタは、各行走査電極Ｇ１、Ｇ２、Ｇ３、…Ｇｊに対して１水平期間毎（行毎）に順次走査パルスを出力する。その結果、各行走査電極Ｇ１、Ｇ２、Ｇ３、…Ｇｊに接続した画素スイッチングトランジスタ（後述する）が１行ずつ順次オンとなり、Ｄ１、Ｄ２、Ｄ３、…Ｄｉ、＊Ｄ１〜＊Ｄｉにサンプリングしたパルス電圧が１行の画素Ｐｘ毎に印加される。
図２に１つの画素Ｐｘに対応するパルス駆動回路の一例を示す。
このパルス幅変調によるデジタル駆動で液晶を駆動する場合には、各電極電位が固定され、電極間の浮遊容量の影響が極めて受けにくい構造になっている。その結果、画像表示上の問題はアナログ駆動に比較して少ない。
【００１５】
このパルス駆動回路は、入力データを保持するＳＲＡＭ（スタティックＲＡＭ）回路２０と、そのデータを画素電極へ転送するバッファ回路２２からなる。上記ＳＲＡＭ回路２０は、トランジスタＴｒ１〜Ｔｒ４により構成されたフリップロップ回路で情報を記憶する。そして、スイッチＳ２、Ｓ１がそれぞれ列信号電極Ｄ及びこのデータの反転信号が流れる他方の列信号電極＊Ｄに接続される。
各列信号電極Ｄ、＊Ｄに流れるパルス信号よりなる表示信号データに同期し、ゲートにつながる行走査電極Ｇにパルスを入力し、データをＳＲＡＭ回路２０に一時的に保持する。バッファ回路２２は図示しないスイッチを含み、外部のパルス幅変調器２４からスイッチをオン・オフしてパルス波を形成する信号が入力され、オン時にＳＲＡＭ回路２０に保存されたデータが画素電極２６を介して液晶ＬＣに加わり、液晶分子が駆動する。尚、このパルス幅変調器２４の出力は各画素Ｐｘに共通に接続される。また、各画素電極２６と透明な共通電極ＣＥとの間に液晶が封入されるが、ここではその記載を省略している。
【００１６】
そして、上記パルス幅変調器２４には、前記液晶表示部４の温度によるガンマ特性の変化を補償するように、上記複数のサブフィールドの内の一部のサブフィールドの期間（以下、単に「サブフィールド期間」とも称す）を可変的に制御するサブフィールド期間制御部２８が接続される。そして、このサブフィールド期間制御部２８には、上記液晶表示部４の温度を検出するために例えば熱電対よりなる温度検出部３０が接続されて、液晶ＬＣの温度を検出して上記サブフィールド期間制御部２８へ入力するようになっている。
この温度検出部３０である熱電対は、例えばアクティブマトリクス基板６へ埋め込むようにして設置することができる。そして、上記サブフィールド期間制御部２８は、温度と補償係数との関係を定めた係数テーブルを予め記憶した係数メモリ３２を有しており、この係数テーブルを参照してサブフィールド期間を可変的に設定し得るようになっている。本実施例でサブフィールド期間が可変的制御の対象となるサブフィールドはサブフィールドＳＦ１９である。このサブフィールドＳＦ１９はサブフィールド期間が最も長く（３０５ｎｓ）、且つ低い階調レベルから高い階調レベルまでの広範囲に亘ってオン状態（”１”を示す）となるので、制御に好都合である。尚、１つのサブフィールド期間に限らず、複数のサブフィールド期間を可変的に調整するようにしてもよい。
上記係数メモリ３２に記憶される係数テーブルの内容は、図４に示すようなグラフの内容をテーブル化したものであり、この図４の内容は図７に示したような出力比特性を補償するように、これと略逆特性となるような特性曲線となっている。
【００１７】
次に、以上のように構成された液晶表示装置の動作について説明する。
本発明装置の動作の特徴は、温度検出部３０により液晶の温度を検出し、液晶のガンマ特性が一定となるように上記検出値に基づいて少なくとも１つ以上のサブフィールド期間を可変的に調整するものであり、ここでは最も長いサブフィールド期間を調整するようにしている。
まず、入力される画像信号がアナログ信号の場合はＡＤ変換器１４を介して、入力されたアナログの画像信号Ｓをデジタル信号に変換した後、サブフィールド制御回路１６に入力される。入力される画像信号がデジタル信号の場合は、そのままサブフィールド制御回路１６に入力される。このサブフィールド変換回路１６は、入力された画像信号を、各画素Ｐｘに対応する画素信号を図３にて説明したように予め決められたサブフィールド期間をもつ、例えば１９ビットのサブフィールドに変換する回路である。具体的には、入力される画像信号の階調レベルに応じて変換すべき情報が予め記憶されたルックアップメモリ１８のルックアップテーブル（図３参照）によって、所定の数、例えば１９のサブフィールドに画像信号が分割される。尚、サブフィールドの数は１９に限定されず、これ以上でもこれ以下でもよい。
【００１８】
このサブフィールド変換回路１６は書き込み制御アドレス信号により物理アドレスが指定され、第１及び第２フレームメモリ１０、１２にルックアップテーブルのデータが書き込まれる。第１及び第２フレームメモリ１０、１２は、１９個のサブフィールドに対応する１９個のサブフィールドメモリ（図示せず）よりなり、このサブフィールドメモリは、例えば各画素Ｐｘの６４０×４８０（個）のサブフィールドデータを記憶する。このようにサブフィールドメモリに保持されたデータは、たとえば３２ビットずつ読み出されてシフトレジスタＳＲ１〜ＳＲ２０に保持される。６４０ビットのデータは１列に対応し、シフトレジスタＤＳＲ１〜ＤＳＲ２０に転送され保持された後、画素Ｐｘの１列のメモリに転送される。各画素Ｐｘにはデータを保持するメモリ（図２参照）が配置されている。順次、２列、３列、・・・、４８０列を繰り返し、１サブフィールド分のデータ転送が終了し、全画素Ｐｘのメモリにデータが保持されたあと、全画素のメモリのデータが一括で全画素電極に転送され、各画素Ｐｘの液晶が同時に駆動される。
その後は同様に２サブフィールド、・・・・、１９サブフィールドにおける動作を行い、１フィールドの表示が終了する。第１フレームメモリ１０からデータが読み出されている時間において、同時に第２フレームメモリ１２にサブフィールド変換回路１６からデータが書き込まれている。第１フレームメモリ１０から１フィールド分のデータ読み出しが終了後、第２フレームメモリ１２から１フィールド分のデータが読み出される。以後、第１及び第２フレームメモリ１０、１２は書き込み、読み出し動作を１フィールドごとに交互に行う。
【００１９】
各画素Ｐｘのメモリは、先に図２にて説明したように入力データを保持するＳＲＡＭ（スタティックＲＡＭ）回路２０と、そのデータを画素電極へ転送するバッファ回路２２からなる。上記ＳＲＡＭ回路２０は、トランジスタＴｒ１〜Ｔｒ４により構成されたフリップロップ回路で情報を記憶する。そして、スイッチＳ２、Ｓ１がそれぞれ列信号電極Ｄ及びこのデータの反転信号が流れる他方の列信号電極＊Ｄに接続される。データ線Ｄ、＊Ｄに流れる信号のＯＮ／ＯＦＦにより、シフトレジタＤＳＲ１〜ＤＳＲ２０の信号は、画素に構成されたＳＲＡＭ回路２０に同期して、行走査電極Ｇ１〜ＧｊにパルスをかけることでＳＲＡＭ回路２０に保持される。そして、バッファ回路２２は図示しないスイッチを含み、パルス幅変調器２４から制御される配線が接続されており、このパルス幅変調器２４は、サブフレーム期間を記憶するルックアップメモリ１８を参照し、このルックアップメモリ１８により指定されたサブフィールド期間だけ、ＳＲＡＭ回路２０に記憶されたデータをバッファ回路２２を介して画素電極２６にパルス信号として印加し、液晶ＬＣを駆動する。
【００２０】
このパルス信号として印加する際、本発明ではサブフィールド期間が最も長いサブフィールドＳＦ１９のパルス信号のパルス幅、すなわちサブフィールド期間が可変的に制御されることになる。すなわち、温度検出部３０により液晶ＬＣの温度が常時検出されており、この検出値に応じてサブフィールド期間制御部２８は、係数メモリ３２を参照しつつ上記パルス信号のパルス幅（サブフィールド期間）を制御し、温度依存性のある液晶ＬＣのガンマ特性の変化を相殺するように補償する。
具体的には、濃度検出部３０で検出される液晶ＬＣの温度が例えば４６．７℃の場合には、この液晶ＬＣのガンマ特性の出力比は図７中の特性曲線Ａのようにビット５０（中間調部）の近傍をピークとして出力比が上昇している。このため、この時の補償係数は図４中で温度４６．７℃に対応する係数曲線Ａ１で表される補償係数を用いる。この係数曲線Ａ１は上記特性曲線Ａとは略逆特性になっており、ビット５０の近傍が最小となっている。そして、温度４０．７℃の時のパルス電圧値を基準として上記補償係数だけ重み付けすることによって、パルス電圧値を増加したり、或いは減少させたりして温度変化に関係なく常に安定した階調表示を行うことができる。
【００２１】
この場合、図４に示すグラフは単に温度の一例を示したに過ぎず、予測される使用範囲の温度について按分等の計算により、或いは記憶により全て補償係数が求められるようになっている。
ここでパルス信号の一例を説明する。図５はある１つの画素Ｐｘに印加されるパルス信号の一例を示す図である。１フィールドは１９のサブフィールドＳＦ１〜ＳＦ１９に分割されて、サブフィールド期間は、進行に従って次第に長くなっている。またパルス信号Ｐは１サブフィールド毎にその極性が反転されているが、１サブフィールド内でその極性が反転されていることが、液晶表示部４に直流成分がかからないため望ましい。また隣接するサブフィールド間には、サブフィールド切り替えのために僅かな間だけパルス電圧値がゼロになっている。ここではパルス信号Ｐは、全てのサブフィールドで立てられる第１のパルス波Ｐ１と、画像信号に応じて、すなわちビット”１”（オン）の時に上記第１のパルス波Ｐ１に重畳されるようにして立つ第２のパルス波Ｐ２とにより形成されている。
【００２２】
上記第１のパルス波Ｐ１は、ビットデータが”０”の時も”１”の時も常時立っており、この電圧値Ｖ１は、液晶ＬＣが駆動する閾値よりも僅かに小さい値に設定されている。第２のパルス波Ｐ２の電圧値Ｖ２は、これが第１のパルス波Ｐ１に、重畳された時に液晶ＬＣが十分に駆動できる全体電圧値Ｖｐ（＝Ｖ１＋Ｖ２）となるように設定されている。尚、第１のパルス波Ｐ１と第２のパルス波Ｐ２とは、Ｐ１≧Ｐ２の関係になっている。
【００２３】
そして、本発明ではサブフィールドＳＦ１９のサブフィールド期間ｔ１９が液晶温度に応じて可変的に制御される。例えば液晶温度が４０．７℃の時を基準としてこの時のサブフィールド期間を例えば図３に示すように３０５ｎｓとする。
そして、図４に示すように液晶温度が４０．７℃よりも低い方向に変化する時にはそれに応じて上記３０５ｎｓよりもサブフィールド期間を次第に大きくなるように制御し、逆に液晶温度が４０．７℃よりも高い方向へ変化する時にはそれに応じて上記３０５ｎｓよりもサブフィールド期間を次第に小さくなるように制御する。図４ではサブフィールドＳＦ１９のサブフィールド期間ｔ１９を、３０５ｎｓを基準として２４５ｎｓ〜３３５ｎｓ（温度は５０．４℃〜３４．１℃に対応）まで変化させた時の補償係数を示している。尚、この温度範囲及びサブフィールド期間の範囲は単に一例を示したに過ぎず、これに限定されない。
【００２４】
ここでサブフィールドＳＦ１９のサブフィールド期間ｔ１９の長さと出力比の変化について検討を行ったのでその評価結果について説明する。図６は最も長いサブフィールド期間を変化させた時の出力比の変化を示すグラフである。ここでは液晶温度が４０．７℃の時の明るさを基準として出力比を求めており、この点は図７において説明した場合と同じである。
【００２５】
また、ここでは３０５ｎｓを基準としてサブフィールド期間ｔ１９を２４５ｎｓ〜３４５ｎｓまで変化させている。この図６から明らかなように、ビットが”５０”〜”７０”程度（中階調部）の近傍で出力比が”１”よりも最も大きくずれ、それよりビットが小さくなるに従って、或いは大きくなるに従って出力比略”１”に向かって共に集束している。従って、両特性曲線は図７に示す特性曲線と形状的にかなり似ており、図６に示すような制御態様は図７に示すような特性曲線を相殺するように補償する上で非常に有効であることが確認できた。
【００２６】
以上の結果より、図６に示すようにサブフィールド期間ｔ１９を種々異ならせた特性曲線、例えば基準（３０５ｎｓ）より±１０ｎｓ、±２０ｎｓ、±３０ｎｓ……  ±６０ｎｓだけそれぞれ異なったサブフィールド期間のパルス信号を印加した時の特性曲線（４０．７℃を基準とする）を求めておき、図７に示す特性曲線と略逆特性になる特性曲線を予め温度をパラメータとして関連づけておき、これを図１中の係数メモリ３２に記憶させておくことになる。
これにより、前述したように温度検出部３０の検出値に基づいて係数メモリ３２を参照することによって適正な補償係数を求め、この補償係数によりサブフィールド期間ｔ１９を変化させることにより、温度依存によって変化した液晶ＬＣのガンマ特性を補償して、適正な階調表示を行うことができる。
【００２７】
また、図３に示すように１フィ−ルド（ＴＶフィールド）を、異なる表示期間をもつサブフィールドＳＦ１〜ＳＦ１９に分解し、これを表示期間の小さい順番に配列し、オン状態（”１”が立っている）のサブフィ−ルドは、隣接する階調レベルにおいて１サブフィ−ルド移動し、最小表示期間からオン状態となっていないサブフィールドの中で最大表示期間のサブフィ−ルドまで移動し、オン状態となっていないサブフィールドの中で最大表示期間のサブフィールドがオンとなっている（例えば階調レベル２１〜３６を参照）。オン状態となっていないサブフィールドの中で最大表示期間のサブフィ−ルドがオンした場合、それ以上の階調レベルにおいては、当該最大表示期間のサブフィ−ルドはオン状態を保持し、隣接する階調レベルが、１サブフィ−ルド移動し、最小表示期間からオン状態なっていないサブフィールドの中で最大表示期間のサブフィ−ルドまで移動する。この様な駆動方式にすることで、表示した時の擬似輪郭が表示されなくなるメリットがある。
【００２８】
尚、上記実施例において図３に示すサブフィールドの構成は単に一例を示したに過ぎず、これに限定されない。例えば階調レベル数を２５６段階より増加、或いは減少させてもよく、サブフィールド数を１９より増加、或いは減少させてもよい。
また、上記実施例では最長のサブフィールド期間ｔ１９を可変的に制御するようにしたが、これに限定されない。例えば最長サブフィールド期間ｔ１９を固定とし、２０番号目に調整用のサブフィールドＳＦ２０を設け、このサブフィールドＳＦ２０に、サブフィールド期間、例えば２００ｎｓを割り当て、このサブフィールドＳＦ２０が階調レベル０を除いて略全ての階調レベル、例えば１〜２５５において”１”（オン状態）が立つようなモードを作り、このサブフィールドＳＦ２０のサブフィールド期間を、例えば１４０ｎｓ〜２２０ｎｓ程度の範囲まで可変的に制御するようにして、前述したと同様な効果を得るようにしてもよい。
また、図３に示すサブフィールド構成で第２階調レベルからビットが立つサブフィールドＳＦ１９の期間ｔ１９を変化させたが、第１０階調レベル、或いは第２０階調レベルのところからビットが立つサブフィールドを用いてそのサブフィールド期間を変更しても良い。但し、この期間を変化させるサブフィールドは一度点灯したら（ビットを立てたら）、最後の２５５階調レベルまで点灯し続けることが必要であり、途中の階調レベルで点滅させると、階調段差を生ずるため好ましくない。
【００２９】
また図５に示す第１のパルス波Ｐ１と第２のパルス波Ｐ２のパルス幅は共に同じとなるように設定したが、これに限定されず、例えば第２のパルス波Ｐ２のパルス幅を、第１のパルス波Ｐ１のパルス波に対して常に一定の比率で小さくなるように設定してもよいし、データが”０”の時は第１のパルス波Ｐ１が立たないようにした制御でもよい。サブフィールド構成も１サブフィールド中に明るくなる場所が１箇所である例で説明したが、液晶を駆動する駆動波形はこれに限らない。例えば、１フィールドの中に出力が強くなる部分が２つ、或いは３つ、４つとある駆動パターンでも良い。１フィールド中に出力が強くなる部分の数が多くなると、フリッカーの発生が少ない、というメリットがある。また、図２に示す画素Ｐｘの構成もこれに限定されない。
更には、フルカラー表示の液晶表示装置の場合には、ＲＧＢの各色に対して上述のような補償を行うのは勿論である。
【００３０】
また、上記実施例ではサブフィールド期間制御部２８は、温度検出部３０の検出値を受けてこれに基づいて自動的にサブフィールド期間ｔ１９を可変的に制御するようにしたが、これに代えて、或いはこれに加えて、サブフィールド期間ｔ１９を手動で変化させて基準値を調整できるようにしてもよい。これによれば、工場出荷段階等にサブフィールド期間ｔ１９を調整することができる。
【００３１】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の液晶表示装置によれば、温度に依存して変化する液晶のガンマ特性を補償することができ、適正な階調表示を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の液晶表示装置を示す構成図である。
【図２】１つの画素に対するパルス駆動回路の一例を示す図である。
【図３】階調レベルとサブフィールドとの関係を示す図である。
【図４】温度に対する補償係数の一例を示す図である。
【図５】１つの画素Ｐｘに印加されるパルス信号の一例を示す図である。
【図６】パルス電圧値を変化させた時の出力比の変化を示すグラフである。
【図７】ガンマ特性の温度依存性を示すグラフである。
【符号の説明】
２…液晶表示装置、４…液晶表示部、１０…第１フレームメモリ、１２…第２フレームメモリ、１６…サブフィールド変換回路部、２４…パルス幅変調器、２６…画素電極、２８…サブフィールド期間制御部、３０…温度検出部、３２…係数メモリ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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