(57)【要約】　　　（修正有）【課題】ポリマー基材上に形成した、金属層の厚さが１μｍ以下であっても、径１０μｍ以下の微細なピンホールが少なく、狭ピッチ化に対応可能なプリント配線板を高収率に得られるプリント配線板材料を提供する。【解決手段】あらかじめ、ポリマー基材１００を酸処理し、その酸処理面に金属層１０１を形成する。【選択図】　　　図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ポリマー基材の少なくとも片面側に１〜１０００ｎｍの厚みの金属層が形成された積層体であって、金属層が予め酸処理されたポリマー基材の面上に形成されていることを特徴とするプリント基板用積層体。
【請求項２】
酸処理がクエン酸、塩酸、硝酸から選ばれる少なくとも１種によるものである請求項１に記載の積層体。
【請求項３】
酸処理が、ポリマー基材表面上のリン酸カルシウムおよびまたはリン酸水素カルシウムを除去するものである請求項１または２に記載の積層体。
【請求項４】
金属層が銅あるいは銅を主体とする金属薄膜である請求項１〜３のいずれかに記載の積層体。
【請求項５】
金属層がスパッタリング法により作製されたものである請求項１〜４のいずれかに記載の積層体。
【請求項６】
ポリマー基材がポリイミドからなるものである請求項１〜５のいずれかに記載の積層体。
【請求項７】
金属層が更に第２の金属層を有する請求項１〜６のいずれかに記載の積層体。
【請求項８】
ポリマー基材の少なくとも片面を酸により処理した後、厚み１〜１０００ｎｍの金属層を形成することを特徴とする、請求項１〜６のいずれかに記載のプリント基板用積層体の製造方法。
【請求項９】
金属層の上にさらに第２の金属層を積層する請求項８に記載のプリント基板用積層体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は、電子部品や半導体（ＬＳＩ、ＩＣ）の実装やパッケージ材料、あるいは、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、半導体や半導体パッケージの配線材料や検査基板に用いることができる、配線間ピッチが３０μｍ以下、更には配線ピッチが３０μｍ以下であるプリント配線板に用いることができる材料に関する。
【０００２】
【従来の技術】
プリント配線板の用途の拡大はとどまることを知らず、従来の単なる電子部品の接続用配線とそれらの支持体としての機能のみではなく、ＩＣをマザーボードに実装するためのＣＳＰ（Ｃｈｉｐ　Ｓｉｚｅ　Ｐａｃｋａｇｅ）やＢＧＡ（Ｂａｌｌ　Ｇｒｉｄ　Ａｒｒａｙ）等の半導体パッケージ用途としてＩＣの配線の一部として用いる半導体基板用途にも用いられるようになり、配線ルールの微細化が進行している。
【０００３】
さらには、フレキシブル配線板材料では、ＬＣＤの高精細化や小型化に対応する為の配線材料としてや、また、新たな用途としてＬＣＤや半導体の検査用プローブに使用されるに至り、配線ピッチ５０μｍ以下が実用的に用いられ、配線ピッチ３０μｍ以下の配線加工についても実用化検討が進められている。
【０００４】
従来、フレキシブルプリント配線板用途としては銅箔上にポリイミド前駆体を塗工した後にイミド化を行うことにより作製されるいわゆるキャスト材やポリイミド基材にエポキシ系の接着剤を介して銅箔を貼り付けた材料が広く用いられてきた。しかしながら、従来のキャスト材等では銅箔の最小厚みが１２μｍと厚いため、配線ピッチが５０μｍ以下の微細配線加工には困難が生ずるという問題が発生していた。
【０００５】
近年、９μｍ厚の銅箔とこれを工程上で扱う装置の改善が進み、９μｍ厚の銅箔が実用的に用いられるようになり、微細配線加工の実現においては一定の成功を治めている。それとても、３０μｍピッチ以下の配線加工は困難であり、３０μｍピッチ以下の配線加工に必要とされる、５μｍ以下の銅箔は未だに開発段階にあり、微細配線加工の実現の障壁となっている。
【０００６】
このような背景から、従来、価格上の制約や耐熱性の面から敬遠されてきたスパッタ法等によりポリイミド基材上に１μｍ以下の銅薄膜を形成した、あるいはこのスパッタ形成された銅薄膜上にさらに電解銅メッキを施すことにより１０μｍ以下の銅厚に加工した、いわゆる、スパッタ積層体の材が注目を集めている。
【０００７】
とりわけ、スパッタ法等によりポリイミド基材上に１μｍ以下の銅薄膜を形成したものは、アディティブ工法により５０μｍピッチ以下、さらには、３０μｍピッチ以下の微細配線加工が可能な材料として注目を集めている。
【０００８】
すなわち、例えば、銅薄膜上にドライフィルムレジストや液状パターンレジストを積層した後に当該レジストを露光、現像し、パターンレジストを形成し、さらに、銅薄膜を給電層として用いてニッケルや銅などの金属を電解メッキし、その後に、レジストを剥離してソフトエッチングを行い、銅薄膜を除去することにより、電気回路パターンや部品を作製する方法に用いる材料として、注目を集めている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
配線の微細化に伴い、従来は問題とならなかった微細な欠陥が問題となることが明らかとなって来た。すなわち、従来は大きな問題とならなかった径１０μｍ以下のピンホールによる回路加工後における断線の発生や配線加工後の銅膜に微細な凹凸があることで光学式自動外観検査装置（ＡＯＩ）での回路加工状態の検査が困難となる、などの問題点が顕著となってきた。
【００１０】
径１０μｍ以下のピンホール発生原因を鋭意検討したところ、ポリイミドフィルム表面に突出したポリイミドフィルム中に存在する充填材（フィラー）の凝集物や、ポリイミドフィルム表面に付着している異物であることが確認された。これら凹凸部の上に製膜された銅は、充填材と一緒に欠落したり、突出している部分で基材と擦れた際に剥がれたりする等の理由から、ピンホールが発生することが明らかになってきた。
【００１１】
これらの充填材凝集物によるピンホールや配線の凹凸の発生を防止する手法としては、充填材を用いないポリイミド基材を用いることや充填材の凝集物の発生を抑制することが考えられる。
【００１２】
しかしながら、後者の充填材凝集物の発生を抑制する事は技術的な困難性が高く、前者でも充填材入りのポリイミド基材と充填材無しのポリイミド基材を同一の装置で製造しているポリイミドメーカーの現状を鑑みると、完全な充填材無しポリイミド基材の製造は事実上困難である。
【００１３】
このように、１μｍ以下の銅薄膜をポリマー基材表面に形成したのみのプリント配線板材料を、微細配線パターンや微細な部品を作製する材料として用いる際には、様々な技術的障壁が存在していた。
【００１４】
本発明は、ポリマー基材上に形成した金属層の厚さが１μｍ以下であっても、当該金属層へのφ１０μｍ以下の微細なピンホールの発生を防止することで、回路形成の配線加工時の歩留まり低下を抑制し、優れた生産性でプリント配線板の製造を可能とする、プリント配線板材料を提供することを課題とする。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
上記課題は、ポリマー基材の少なくとも片面側に１〜１０００ｎｍの厚みの金属層が形成された積層体を成形するに当たって、ポリマー基材の表面を予め酸処理することによって、達成される。
【００１６】
すなわち、本発明は、ポリマー基材の少なくとも片面側に１〜１０００ｎｍの厚みの金属層が形成された積層体であって、金属層が予め酸処理されたポリマー基材の面上に形成されていることを特徴とするプリント基板用積層体である。
【００１７】
その酸処理がクエン酸、塩酸、硝酸から選ばれる少なくとも１種によるものである。
【００１８】
また、その酸処理が、ポリマー基材表面上のリン酸カルシウムおよびまたはリン酸水素カルシウムを除去するものである。
【００１９】
金属層が銅あるいは銅を主体とする金属薄膜である。
【００２０】
その金属層がスパッタリング法により作製されたものである。
【００２１】
ポリマー基材がポリイミドからなるものである。
【００２２】
金属層が更に第２の金属層を有する。
【００２３】
さらに、ポリマー基材の少なくとも片面を酸により処理した後、厚み１〜１０００ｎｍの金属層を形成されるプリント基板用積層体の製造方法である。
【００２４】
その金属層の上にさらに第２の金属層を積層する製造方法である。
【００２５】
【発明の実施の形態】
以下、発明の実施の形態を詳細に説明する。
【００２６】
図１は、酸処理を施したポリマー基材１００の一方の面に金属層１０１が形成された例を示す断面図である。図２は、酸処理を施したポリマー基材１００の一方の面に金属層１０１が形成され、更に金属層１０１の上に第２の金属層１０２が形成された例を示す断面図である。
【００２７】
［ポリマー基材］
前記ポリマー基材の材料としては特に限定されるものではなく、プリント配線板やフレキシブルプリント配線板として用いることが可能なものならば好適に用いることができる。
【００２８】
例えば、ポリイミド、エポキシ樹脂、ポリエチレンテレフタレート、ポリエーテルイミド、ポリエチレンナフタレート、ポリエチレンサルファー、ポリアミド、芳香族ポリアミド、液晶ポリマー等を用いることができる。なお、充填材（フィラー）が含まれていることが好ましい。
【００２９】
前記ポリマー基材はこれらの樹脂の混合物、あるいは、積層体であっても構わないものであり、本積層体の使用目的に合わせて適宜選択して使用することができる。
【００３０】
ここで充填材とはポリマー基材に、剛性、強度、硬度、耐熱性、寸法精度、熱伝導性、難燃性、対摩耗性など様々な特性を付加するものである。充填材としては、例えば、リン酸カルシウム、リン酸水素カルシウム等が挙げられ、本発明においては酸で溶解する充填材が好ましい。なお、使用量としては、ポリマー基材中５〜５０質量％とするのが適当である。
【００３１】
前記ポリマー基材の中でも特に好ましくは、本プリント配線材料の加工中あるいは加工後の使用環境においては耐熱性が要求項目の一つであることが多いという観点から、ポリイミド、あるいは充填材入りのポリイミドである。市販品として、例えば、「カプトンスーパーＶ」、「カプトンＶ」、「カプトンＥ」、「カプトンＥＮ」、「カプトンＨ」、（以上、東レデュポン株式会社製）、「アピカルＡＨ」、「アピカルＮＰＩ」、「アピカルＨＰ」（以上、鐘淵化学工業株式会社製）等があり、これらはいずれも本発明に好適に利用可能である。
【００３２】
さらに、酸無水物とアミンとを直接イミド化して形成されるポリイミドも効果的に用いることができる。
【００３３】
このような酸無水物としては、例えば、ピロメリット酸無水物、ジフタル酸無水物、ベンゾフェノンテトラカルボン酸無水物、オキシジフタル酸無水物、ハイドロフランジフタル酸無水物等が挙げられる。
【００３４】
一方、アミンとしては、２以上アミノ基を有するものを用いることができ、例えば、ジアミノメタン、ジアミノエタン、ジアミノプロパン、ジアミノブタンなどのジアミノアルキル類、ｏ−ジアミノベンゼン、ｍ−ジアミノベンゼン、ｐ−ジアミノベンゼン、メトキシジアミノベンゼンなどのジアミノベンゼン類、ビス（アミノフェニル）メタン、１，１−ビス（アミノフェニル）エタン、１，２−ビス（アミノフェニル）エタン、１，１−ビス（アミノフェニル）プロパン、１，３−ビス（アミノフェニル）プロパン、２，２−ビス（アミノフェニル）プロパンなどのビス（アミノフェニル）アルキル類、１，１−ビス（４−アミノフェニル）ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス（４−アミノフェニル）ヘキサフルオロプロパン、１，３−ビス（４−アミノフェニル）ヘキサフルオロプロパンなどのビス（アミノフェニル）パーフルオロアルキル類、４，４’−オキシジアニリン、３，４’−オキシジアニリン、３，３’−オキシジアニリンなどのオキシジアニリン類、３，３’−ジアミノベンゾフェノン、３，４’−ジアミノベンゾフェノン、４，４’−ジアミノベンゾフェノンなどのジアミノベンゾフェノン類、１，３’−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，４’−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼンなどのビス（アミノフェノキシ）ベンゼン類、４，４’−ビス（４−アミノフェノキシ）ビフェニル、３，３’−ビス（３−アミノフェノキシ）ビフェニルなどのビス（アミノフェノキシ）ビフェニル類、４，４’−ビス〔（アミノフェノキシ）フェニル〕ベンゼン、３，３’−ビス〔（アミノフェノキシ）フェニル〕ベンゼンなどのビス〔（アミノフェノキシ）フェニル〕ベンゼン類、ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕スルホン、ビス〔３−（３−アミノフェノキシ）フェニル〕スルホンなどのビス〔（アミノフェノキシ）フェニル〕スルホン類、ビス（４−アミノフェノキシ）スルホン、ビス（３−アミノフェノキシ）スルホンなどのビス（アミノフェノキシ）スルホン類、ビス〔４−（３−アミノフェノキシ）フェニル〕チオエーテル、ビス〔３−（３−アミノフェノキシ）フェニル〕チオエーテル、ビス〔３−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕チオエーテル、ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕チオエーテルなどのビス〔（アミノフェノキシ）フェニル〕チオエーテル類、１，４−ビス［〔３−（３−アミノフェノキシ）フェニル〕メチル］ベンゼン、１，３−ビス［〔３−（３−アミノフェノキシ）フェニル〕メチル］ベンゼンなどのビス［〔（アミノフェノキシ）フェニル〕メチル］ベンゼン類、１，４−ビス［１−〔３−（３−アミノフェノキシ）フェニル〕エチル］ベンゼンなどのビス［〔（アミノフェノキシ）フェニル〕エチル］ベンゼン類、１，３−［３−〔（３−アミノフェノキシ）フェニル〕プロピル］ベンゼン、１，４−［３−〔（３−アミノフェノキシ）フェニル〕プロピル］ベンゼンなどの［〔（アミノフェノキシ）フェニル〕プロピル］ベンゼン類、１，３−ジ（３−ピリジンアミノ）ベンゼン、１，２−ジ（３−ピリジンアミノ）ベンゼンなどのジ（ピリジンアミノ）ベンゼン類等が挙げられる。
【００３５】
ポリマー基材の厚みは特に限定するものではなく、プリント配線板の使用目的に応じて適宜選択可能である。例えば、フレキシブルプリント配線板用途に用いることの多いポリイミドフィルム基材では、６〜１５０μｍの厚みのものが好ましく、さらには１２．５〜１００μｍのものが好ましく、特には１２．５〜７５μｍの厚みのものが好ましく、市場において容易に入手可能である。
【００３６】
［酸処理］
本発明における酸処理とは、ポリマー基材表面にあるピンホール形成物を酸により洗浄して、除去する作業をいい、充填材（フィラー）を含有するポリマー基材では表面に付着した充填材を溶解あるいは酸による洗浄除去を意味する。
【００３７】
酸処理は、酸処理後の基材に異物が付着することを抑制するためにクリーンルーム内で行うことが好ましい。クリーンルームのクリーン度は、クラス１万以下、好ましくは１千以下である。クラス１００以下のクリーン度のクリーンルームを用いることは技術的に好ましいが、同時にコストの上昇を招くため、必要に応じて適宜選択して使用する。
【００３８】
本酸処理に用いる酸は、処理温度ではポリマーを溶解や分解しないものならばいずれでもよいが、充填材を含むポリマー基材表面処理には、充填材を効果的に溶解しうる酸が好ましい。なお、ポリマーを溶解や分解する酸であっても、ポリマー基材を溶解や分解する速度が充填材を溶解する速度の１００分の１以下であれば使用可能である。
【００３９】
ポリイミド基材では、用いられている充填材として、リン酸カルシウムやリン酸水素カルシウムなどがあり、これらリン酸カルシウムやリン酸水素カルシウムを効果的に溶解しうる酸として、例えば、クエン酸、塩酸、硝酸などが挙げられる。これらの酸は、単一での使用または組み合わせての使用を適宜選択することができる。
【００４０】
酸処理方法は特に限定されるものではなく、ポリマー基材を酸溶液中へ浸漬する、ポリマー基材に酸溶液を吹き付ける、ポリマー基材を酸溶液中に浸漬し更に酸処理浴の攪拌もしくは超音波処理をすることなどが挙げられる。これらの処理方法は単一、もしくはこれらの組み合わせなどを適宜選択して使用できる。
【００４１】
酸溶液の温度は、特に限定されるものではなく、酸の種類、酸の濃度、ポリマー基材の種類、ポリマー基材の酸浴中での送り速度、ポリマー基材の酸浴中での滞留時間、などの種々の条件に応じて、２０〜１００℃の間で適宜選択することができる。
【００４２】
酸溶液の酸の濃度は、前記温度設定と同様に種々の条件に応じて適宜選択することができる。
【００４３】
ここで純水とは、イオン交換脱塩処理により精製されたもので、その比抵抗率が１ＭΩ・ｃｍのものが好ましく、更には１０ＭΩ・ｃｍのものが好ましい。
【００４４】
このような方法及び条件で酸処理をしたポリマー基材に残留している酸を除去し、またポリマー基材に付着している異物を除去する為にも、酸処理後にさらにポリマー基材を洗浄することが好ましい。
【００４５】
酸処理後のさらなる洗浄方法として、処理済ポリマー基材を純水中へ浸漬する、処理済ポリマー基材に純水を吹き付ける、処理済ポリマー基材を純水中に浸漬し更に洗浄水浴の攪拌もしくは超音波処理することなどが挙げられる。これらの処理方法は単一、もしくはこれらの組み合わせなどを適宜選択して使用できる。
【００４６】
この際に用いる洗浄水は酸処理済み基材へのゴミや異物の付着を避けるため、純水を用いることが好ましい。
【００４７】
またポリマー基材からの水分除去の為に、酸処理後に加熱処理による乾燥を行うが、その方法は特に限定されるものではなく、熱風炉による加熱、赤外線や遠赤外線ヒーターによる加熱など、当業者が容易に達成可能な加熱方法を適宜用いることができる。加熱処理方法は単一の方法で実施しても組み合わせて実施しても本発明を妨げるものではない。
【００４８】
乾燥時の加熱温度は、ポリマー基材に含まれる水分が蒸発可能な温度以上かつ、ポリマー基材に用いられる樹脂の分解温度以下であることが好ましい。具体的には、加熱最高温度が、好ましくは７０℃〜１５０℃、更に好ましくは８０℃〜１２０℃の範囲である。
【００４９】
加熱を行う雰囲気については大気雰囲気や、アルゴン、ヘリウムなどの希ガスや窒素などの不活性ガス雰囲気、あるいは大気圧以下の減圧雰囲気を含む真空中など、適宜選択可能である。
【００５０】
これら乾燥方法は単一の方法で実施しても組み合わせて実施しても本発明を妨げるものでなく、むしろ効果的である。例えば、大気雰囲気下で熱風炉による加熱処理した後に真空中で遠赤外線ヒーターによる加熱処理を行うことは、樹脂中の水分除去には、効果的な方法である。
【００５１】
［金属層］
前記金属層とは、厚さが１〜１０００ｎｍの単体の金属、あるいは合金の膜である。
【００５２】
金属層に用いる金属の種類は特に限定されるものではないが、当該金属膜には、プリント配線板の配線やアディティブ工法における電解メッキ時の給電層（導電体層）として用いられるので導電性に優れること、塩化第二銅、塩化第二鉄等の酸性のエッチング液、アンモニア系等のアルカリ性のエッチング液、あるいはその他のエッチング液や過硫酸アンモニウムなどのソフトエッチング液に容易に溶解可能であること等が求められる。
【００５３】
このような金属としては例えば、銅、アルミニウム、モリブデン、コバルト、ニッケル等の単体の金属、および、これらの群からなる金属を少なくとも１種類以上を含む合金が好ましい。なかでも、銅や銅を主体とする金属は導電性に優れると共に展延性に富むため、特に好ましい金属である。ここで、本発明において、銅を主体とする金属とは、銅を５０重量％以上含有する金属、すなわち、銅合金または銅である。
【００５４】
金属層の形成方法は特に限定されるものではなく、湿式プロセスである無電解メッキ法、電解メッキ法、乾式プロセスである蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタ法、化学気相輸送法（ＣＶＤ法）など、また、これらの組み合わせなどを適宜選択して使用できる。
【００５５】
これらの中でも金属層とポリマー基材との接着性や成膜の容易性を考慮すると、スパッタリング法が好ましい。また、スパッタリング法にも、ＤＣスパッタ、ＲＦスパッタ、ＤＣマグネトロンスパッタ、ＲＦマグネトロンスパッタ、ＥＣＲスパッタ、レーザービームスパッタ等各種の手法が有るが、特に限定されるものではなく、必要に応じて適宜用いることができる。とりわけ、ＤＣマグネトロンスパッタ法は、低コストであり、かつ金属層を容易に形成できるため好ましい。
【００５６】
この場合、マグネトロンスパッタによる金属層の成膜条件は、スパッタガスをアルゴンガスとして、圧力は１０−２〜１Ｐａ、好ましくは７×１０−２〜７×１０−１Ｐａ、さらに好ましくは１０−１〜４×１０−１Ｐａであり、スパッタ電力密度は、１〜１００Ｗｃｍ−２、好ましくは１〜５０Ｗｃｍ−２、さらに好ましくは１〜２０Ｗｃｍ−２である。
【００５７】
金属層の製膜に用いるスパッタリングターゲットの金属の純度は、単体の金属で金属層を形成する場合は金属層全体に対する単体の金属が占める割合として、合金で金属層を形成する場合は金属層全体に対する合金が占める割合として９９％以上、好ましくは９９．９％以上、さらに好ましくは９９．９９％以上であり、この範囲であれば充分に電気伝導性を確保することができる。マグネトロンスパッタにより金属層を成膜する際の膜厚の制御は、予め成膜速度を求めておくことにより成膜時間の管理により行うことができる。
【００５８】
このような方法により形成した金属層の厚さは、１ｎｍ以上、好ましくは５０ｎｍ以上、好ましくは１００ｎｍ以上、さらに好ましくは２００ｎｍ以上である。
【００５９】
金属層は、アディティブ工法で微細パターンを形成するときの、電解メッキを行うための給電層や無電解メッキ時の下地層として用いるので、このような範囲内であれば電気伝導性を確保することができる。
【００６０】
一方で、プリント配線板上に微細パターンを形成するためには、金属層はある程度薄いことが必要であり、また、好ましく用いられるスパッタ法により金属層を形成する場合のコスト上の制約も考慮すると、金属層の厚さは１０００ｎｍ以下、好ましくは５００ｎｍ以下であることが望ましい。
【００６１】
さらに、ポリマー基材と金属層の接着強度を向上させる目的で、ポリマー基材と金属層の間に接着層を設けることや、ポリマー基材表面をコロナ放電、プラズマや紫外線に曝したり、アルカリ性のエッチング液に浸漬して表面改質したりすることや、シランカップリング材や別種のポリマーを用いてポリマー基材表面を修飾すること等の公知の技術を用いることができ好ましい。
【００６２】
上記表面改質方法として、ポリマー基材表面をプラズマに晒すことは、簡便に実施可能であり、かつ、効果的である。
【００６３】
プラズマを発生させることは、プラズマ発生用電極に、直流または交流の電圧を印加することにより可能である。
【００６４】
とりわけ、酸素を含有するプラズマに晒すことは非常に効果的であることは、当業者が理解するところである。前記酸素を含有するプラズマを発生させるのに用いるガスとしては、酸素あるいは、亜酸化窒素、一酸化炭素、二酸化炭素等の酸素を分子内に含有するガス、空気に代表される酸素との混合ガス、三弗化窒素や四弗化炭素などのエッチング用ガスと酸素の混合ガス、例えば、窒素、アンモニアなどの窒素を含有するガスと酸素の混合ガスなど、適宜選択可能である。これらの混合ガスにおいて酸素に添加する酸素以外のガスの割合は特に限定されるものでは無いが、好ましくは０〜７０％の範囲である。また、混合に用いるガスは、単独であっても２つ以上の混合ガスであってもかまわない。
【００６５】
ポリマー基材と金属層の接着層として使用できる物質としては、具体的には、例えば、チタン、バナジウム、コバルト、ニッケル、亜鉛、タングステン、モリブデン、ジルコニウム、タンタル、錫、インジウム等の金属、あるいはこれらの群から選ばれる一つ以上の金属を含む合金、モネル、ニクロム、インコネル等の耐熱性の合金が挙げられる。さらには、前記金属の酸化物、窒化物、炭化物、燐化合物、さらにはインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、ジンククロメート等の前記金属の複合酸化物等も接着層として用いることができる。
【００６６】
これら、接着層として使用できる物質の積層も、金属層と同様にスパッタリング法により容易に可能である。
【００６７】
このような接着層の厚さは５〜５０ｎｍ、好ましくは５〜２０ｎｍであることが望ましく、この範囲であれば、ポリマー基材と金属層との接着強度を改善させる効果がある。
【００６８】
【実施例】
以下、実施例により本発明をさらに具体的に説明するが、本発明はこれらに何ら限定されるものではない。
【００６９】
実施例１
ポリマー基材として厚み３８μｍポリイミドフィルム、「カプトン１５０ＥＮ」（東レ・デュポン株式会社製、モノマー構成：ピロメリット酸二無水物、ｐ−オキシジアニリン、充填材：リン酸カルシウム）を用い、該ポリイミドフィルムの両面を、塩酸溶液を用いて酸処理し、更にスパッタリング法により、金属薄膜として２５０ｎｍの厚みの銅を積層した。
【００７０】
ポリマー基材への酸処理は、クラス１千のクリーンルーム内で行った。
酸溶液として、ｐＨ３、４０℃の塩酸を用いた。１０ｃｍ四方に切り出したポリマー基材を塩酸溶液中に浸漬し、超音波処理を１５分間行った。
次に、塩酸溶液から取り出したポリマー基材を純水中に浸漬し、超音波洗浄を１０分間行った。
酸処理後洗浄したポリマー基材を乾燥させるために、１００℃の熱風炉中に３０分間放置した。
【００７１】
ポリマー基材への金属層の形成には、直径１２５ｃｍ、厚さ５ｍｍのスパッタターゲットを２個以上取り付け可能なマグネトロンスパッタ装置（徳田社製）を用いた。
酸処理を施した１０ｃｍ四方のポリマー基材を、スパッタ装置の基板ホルダーに設置し、１０−３Ｐａ以下の圧力まで真空引きを行った。
酸素流量１００ＳＣＣＭ、圧力　１．３Ｐａ、ＲＦ電力１００Ｗ、処理時間３分の条件でポリマー基材表面のプラズマ処理（ＲＦグロー放電処理）を行った。モネルターゲット（純度９９．９％）を用いて、アルゴン流量１５ＳＣＣＭ、圧力０．１３Ｐａ、ＤＣ１６０Ｗの条件で４０秒間製膜を行い、１０ｎｍの厚みのモネル層をポリマー基材の上に製膜を行った。
ここで、ポリマー基材表面へのプラズマ処理およびモネル層の適用は、ポリマー基材であるポリイミドと金属層である銅との密着性を向上させる目的で行った。
さらに、銅ターゲット（純度９９．９９％）を用いて、アルゴン流量１５ＳＣＣＭ、圧力０．１３Ｐａ、ＤＣ１８０Ｗの条件で１８分製膜を行い、金属層として銅２５０ｎｍ厚の積層体を得た。
【００７２】
実施例２
実施例１において、ｐＨ３の塩酸に代えてｐＨ１の塩酸を用いたこと以外は、実施例１と同様にして、積層体を作製した。
【００７３】
実施例３
実施例２において、厚み３８μｍのポリイミドフィルムに代えて厚み２５μｍのポリイミドフィルム「カプトン１００ＥＮ」（東レ・デュポン株式会社製）を用いたこと以外は、実施例２と同様にして、積層体を作製した。
【００７４】
実施例４
実施例１において、ｐＨ３の塩酸に代えてｐＨ１のクエン酸水溶液を用いたこと以外は、実施例１と同様にして、積層体を作製した。
【００７５】
実施例５
実施例２において、ポリイミドフィルムに「カプトン１５０ＥＮ」（東レ・デュポン社製）に代えて２５μｍのポリイミドフィルム「アピカルＮＰＩ」（鐘淵化学社製）を用いたこと以外は、実施例２と同様にして、積層体を作製した。
【００７６】
比較例１
実施例１において、酸処理を行わなかった以外は、実施例１と同様にして、積層体を作製した。
【００７７】
比較例２
実施例３において、酸処理を行わなかった以外は、比較例１と同様にして、積層体を作製した。
【００７８】
比較例３
実施例１において、酸処理に代えてｐＨ１０の水酸化ナトリウムによるアルカリ処理を行ったこと以外は、実施例１と同様にして、積層体を作製した。
【００７９】
［ピンホール発生数の測定］
暗所にてライトビュワー（ハクバ写真産業社製）上に試料を置き、目視観察し、輝点の数を数え、ピンホール数とした。なお、本測定方法では、肉眼での観察では不可能であったサブミクロンから５μｍのピンホールが観察可能である。
【００８０】
表１に実施例及び比較例で作成した試料の評価結果を示す。
【００８１】
【表１】
2004031406.tif 000003
【００８２】
【発明の効果】
本発明によれば、少なくとも、従来量産化が難しいとされた１０μｍピッチ以下の微細パターンの作製ができ、優れた生産性でプリント配線板を生産することが可能となり、電子機器の高密度化・高集積化の飛躍的進歩が期待される。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は、本発明のプリント配線板材料の一例を示す断面図である。
【図２】図２は、本発明のプリント配線板材料の一例を示す断面図である。
【符号の説明】
１００　ポリマー基材
１０１　金属層
１０２　第２の金属層
【図１】
2004031406.tif 000004
【図２】
2004031406.tif 000005