(57)【要約】【課題】高出力・高温動作が可能で、かつ出射形状が低楕円率の半導体レーザ素子を提供する。【解決手段】本発明の半導体レーザ素子は、リッジストライプ部と、リッジストライプ部を埋め込んでいる層を有する半導体レーザ素子において、リッジストライプ部を埋め込んでいる層のうち、レーザ出射端面近傍にある層の屈折率が、残りの層の屈折率より低いことを特徴とする。レーザ出射端面近傍にある層は、レーザ出射端面からの幅Ｗが１０μｍ以上、５０μｍ以下である態様が好ましく、レーザ出射端面近傍にある活性層は、レーザ光を吸収しない端面窓構造を有するものが好適である。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
リッジストライプ部と、該リッジストライプ部を埋め込んでいる層を有する半導体レーザ素子において、リッジストライプ部を埋め込んでいる層のうち、レーザ出射端面近傍にある層の屈折率が、残りの層の屈折率より低いことを特徴とする半導体レーザ素子。
【請求項２】
リッジストライプ部を埋め込んでいる層のうち、レーザ出射端面近傍にある前記層は、レーザ出射端面からの幅Ｗが１０μｍ以上、５０μｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ素子。
【請求項３】
レーザ出射端面近傍にある活性層は、レーザ光を吸収しない端面窓構造を有する請求項１または２に記載の半導体レーザ素子。
【請求項４】
リッジストライプ部を埋め込んでいる層のうち、レーザ出射端面近傍にある前記層は、誘電体である請求項１〜３のいずれかに記載の半導体レーザ素子。
【請求項５】
前記誘電体は、窒化シリコンまたは酸化シリコンであることを特徴とする請求項４に記載の半導体レーザ素子。
【請求項６】
リッジストライプ部を埋め込んでいる層のうち、レーザ出射端面近傍にある前記層の厚さＴが、０．１０μｍ以上、０．５０μｍ以下であることを特徴とする請求項４または５に記載の半導体レーザ素子。
【請求項７】
リッジストライプ部を埋め込んでいる層のうち、レーザ出射端面近傍にある層が誘電体であり、残りの層が化合物半導体である請求項４から６のいずれかに記載の半導体レーザ素子の製造方法であって、
前記リッジストライプ部を形成する工程と、
レーザ出射端面近傍における、前記リッジストライプ部の側面、または、側面および上面、を誘電体で埋め込む工程と、
誘電体が埋め込まれていない、前記リッジストライプ部の側面、または、側面および上面、を化合物半導体で埋め込む工程
を備えることを特徴とする半導体レーザ素子の製造方法。
【請求項８】
リッジストライプ部を埋め込んでいる層のうち、レーザ出射端面近傍にある層が誘電体である請求項４から６のいずれかに記載の半導体レーザ素子の製造方法であって、誘電体の埋め込み工程が、ＣＶＤ法（化学的気相成長法）により実施されることを特徴とする半導体レーザ素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光ディスク用の半導体レーザ素子およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、光ディスク装置用の光源として、各種の半導体レーザが広範に利用されている。とりわけ、高出力半導体レーザは、ＭＤ、ＭＯ、ＣＤ−Ｒ／ＲＷ、ＤＶＤ±Ｒ／ＲＷなどへの書き込み用の光源として用いられており、より高速な書き込み速度を実現するために、より一層のレーザの高出力化、高温動作性能が求められている。
【０００３】
このような高出力動作、さらに高温下での動作を実現するためには、活性層における光強度を強くして、光と電子・ホールの相互作用を増すことが有効な手法である。ところで、活性層において光強度を強くするために、光を活性層に集中させると、逆に出射光においては活性層に垂直な方向の広がりが増大する。このため、このような半導体レーザにおいては、一般に活性層に垂直な光の広がり（垂直放射角）が、活性層に水平な光の広がり（水平放射角）より大きく、たとえば垂直放射角が２０°、水平放射角が９°といった楕円形状のレーザとなる。
【０００４】
一方、光ディスク上では真円に近いスポットとする必要があるため、ビーム整形手段を用いて、楕円を真円に整形する種々の試みがなされている。たとえば、波長９８０ｎｍ帯の半導体レーザについて、レーザの内部構造を工夫することにより、ビームを成形する手段が知られている（非特許文献１参照）。図４に示すように、ｎ型ＧａＡｓ基板４０１上に、ｎ型ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ（ｘは小）クラッド層４０２、アンドープＡｌＧａＡｓガイド層４０３、アンドープＧａＡｓガイド層４０４、アンドープＩｎＧａＡｓ量子井戸層４０５、アンドープＧａＡｓバリア層４０６、アンドープＩｎＧａＡｓ量子井戸層４０７、アンドープＧａＡｓガイド層４０８、アンドープＡｌＧａＡｓガイド層４０９、ｐ型ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ上クラッド層（ｘは大）４１０、ｐ型ＧａＡｓコンタクト層４１１が形成され、リッジストライプ４１２を形成するとともに、端面部にシリコン注入による窓構造４１３を形成して端面劣化を防止している。
【０００５】
この例では、楕円率低減のため、ｎ型ＡｌＧａＡｓクラッド層４０２の屈折率を、ｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層４１０の屈折率より高くなるよう設定している。このため、従来の場合、垂直放射角＝３１．５゜、水平放射角＝８．６゜、楕円率＝３．７であるのに対し、本例では、垂直放射角＝２３．９゜、水平放射角＝１０．１゜、楕円率＝２．４が得られたとされているが、低楕円率効果として、まだ不十分である。
【０００６】
また、リッジ幅を狭くして水平放射角を増大させ、ひいては楕円率を低減させる手段も多数知られている（特許文献１、特許文献２および特許文献３参照）。しかし、低楕円率化のために、このようなレーザの内部構造を工夫しても、未だ十分な低楕円率化効果が得られているわけではなく、ビーム成形手段の導入によりコストアップにつながっているに過ぎない。また、リッジ幅を狭くすると、素子抵抗の増大、ロスの増大、キンクの発生などの弊害を招き、高出力・高温動作に不都合となってしまう。
【０００７】
一方、楕円ビームの周辺部を切り捨てて、略真円として用いる方法なども種々試みられているが、光利用効率が低下するため、高出力を必要とする用途には不都合である。このように、光ディスク用半導体レーザでは、出射形状がなるべく低楕円率の素子が求められているが、高出力・高温動作を実現させるには、楕円率は高くなってしまう傾向にあり、両者はトレードオフの関係にある。
【０００８】
【特許文献１】
特開２００２−７６５１２号公報
【０００９】
【特許文献２】
特開平６−１１２５８２号公報
【００１０】
【特許文献３】
特開平７−２９７４８２号公報
【００１１】
【非特許文献１】
「三菱電機技報」２００２年２月号、ｐ．１２９−１３２
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の課題は、高出力・高温動作が可能で、かつ出射形状が低楕円率の半導体レーザ素子を提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
本発明の半導体レーザ素子は、リッジストライプ部と、リッジストライプ部を埋め込んでいる層を有する半導体レーザ素子において、リッジストライプ部を埋め込んでいる層のうち、レーザ出射端面近傍にある層の屈折率が、残りの層の屈折率より低いことを特徴とする。リッジストライプ部を埋め込んでいる層のうち、レーザ出射端面近傍にある層は、レーザ出射端面からの幅Ｗが１０μｍ以上で５０μｍ以下である誘電体が好ましく、誘電体としては、窒化シリコンまたは酸化シリコンが好適である。また、誘電体層の厚さＴは０．１０μｍ以上で０．５０μｍ以下が好ましく、レーザ出射端面近傍にある活性層は、レーザ光を吸収しない端面窓構造を有する態様が好ましい。
【００１４】
本発明の半導体レーザ素子の製造方法は、リッジストライプ部を埋め込んでいる層のうち、レーザ出射端面近傍にある層が誘電体であり、残りの層が化合物半導体であって、レーザ出射端面近傍にある層の屈折率が、残りの層の屈折率より低い半導体レーザ素子の製造方法であって、
リッジストライプ部を形成する工程と、
レーザ出射端面近傍における、リッジストライプ部の側面、または、側面および上面、を誘電体で埋め込む工程と、
誘電体が埋め込まれていない、リッジストライプ部の側面、または、側面および上面、を化合物半導体で埋め込む工程
を備えることを特徴とする。
【００１５】
また、本発明の半導体レーザ素子の製造方法の別の態様は、リッジストライプ部を埋め込んでいる層のうち、レーザ出射端面近傍にある層が誘電体であって、レーザ出射端面近傍にある層の屈折率が、残りの層の屈折率より低い半導体レーザ素子の製造方法であって、誘電体の埋め込み工程が、ＣＶＤ法（化学的気相成長法）により実施されることを特徴とする。
【００１６】
【発明の実施の形態】
（半導体レーザ素子）
本発明による半導体レーザ素子は、たとえば、図１に示すように、リッジストライプ部１３０と、そのリッジストライプ部を埋め込んでいる層１２０，１２１，１４０を有し、リッジストライプ部１３０を埋め込んでいる層１２０，１２１，１４０のうち、レーザ出射端面近傍にある層１４０の屈折率が、残りの層１２０，１２１の屈折率より低いことを特徴とする。レーザ出射端面近傍にある層の屈折率を、残りの層の屈折率より低くすることにより、レーザ出射端面近傍において導波光のモード変換を行ない、出射光の形状を改良することができる。すなわち、高出力・高温動作に必要なレーザの内部構造を保ちながら、レーザ出射端面近傍において光の水平方向の閉じ込めを大きくして、水平放射角を増大させるモード変換を行なうことにより、低楕円率のレーザを簡便に実現することができる。
【００１７】
リッジストライプ部を埋め込んでいる層のうち、レーザ出射端面近傍にある層は、図１に示すレーザ出射端面からの幅Ｗが１０μｍ以上で５０μｍ以下である態様が好ましい。レーザの安定したモード変換のためには、変換領域の幅Ｗを、レーザ出射端面から１０μｍ以上とするのが好ましく、２０μｍ以上がより好ましい。一方、幅Ｗがあまり大きいと、ロスの増大を招くため、Ｗは５０μｍ以下が好ましく、４０μｍ以下がより好ましい。
【００１８】
レーザ出射端面近傍にある活性層は、レーザ光を吸収しない端面窓構造を有する態様が好適である。端面窓部のモード変換によって、垂直放射角が減少するため、屈折率の変更によるモード変換効果と組み合わせて、一層の低楕円率化が実現できる。
【００１９】
リッジストライプ部を埋め込んでいる層のうち、レーザ出射端面近傍にある層の材料は、誘電体が好ましい。誘電体は屈折率が約１から２の値をとる場合が多く、比較的低い屈折率を持つため、低楕円率化の度合いが大きい。また、ＣＶＤ法、ＥＢ蒸着法など、多くの一般的手法で形成が可能であること、また、リッジの保護性能が高いこと、などの利点も挙げられる。さらに、特に端面窓構造を有する半導体レーザ素子の場合、誘電体を絶縁膜として利用し、端面窓部への電流ブロック層として活用することが可能となる。
【００２０】
誘電体として、窒化シリコンまたは酸化シリコンが好適である。窒化シリコンおよび酸化シリコンは、屈折率が約１．４〜１．８と比較的低いため、低楕円率化の度合いが大きい。また、一般的なＣＶＤ法で形成が可能であることから、形成が容易であり、また、形成後の成形、加工手段も、様々の方法が確立されており、取り扱いが容易である。さらに、形成時のステップカバレッジ性が高いなどの利点があり、熱伝導率が高いため放熱の点でも有利である。
【００２１】
リッジストライプ部を埋め込んでいる層のうち、レーザ出射端面近傍にある層の厚さＴは、０．１０μｍ以上で０．５０μｍ以下が好ましい。光の染み出しによるロスの増大を防ぎ、かつ、確実な屈折率差を得る点で、厚さＴは、０．１０μｍ以上が好ましく、０．１５μｍ以上がより好ましい。一方、放熱性の観点から、高出力・高温動作に不利とならないように、Ｔは０．５０μｍ以下が好ましく、０．４０μｍ以下がより好ましい。
【００２２】
（半導体レーザ素子の製造方法）
本発明の半導体レーザ素子の製造方法は、たとえば、図１に示すように、リッジストライプ部１３０を埋め込んでいる層１２０，１２１，１４０のうち、レーザ出射端面近傍にある層１４０が誘電体であり、残りの層１２０，１２１が化合物半導体である半導体レーザ素子の製造方法であって、リッジストライプ部１３０を形成する工程と、レーザ出射端面近傍における、リッジストライプ部の側面、または、側面および上面、を誘電体で埋め込む工程と、誘電体が埋め込まれていない、リッジストライプ部の側面、または、側面および上面、を化合物半導体で埋め込む工程を備えることを特徴とする。通常の気相成長法で化合物半導体を成長させる場合、誘電体の上には成長しないか、多結晶化する。このため、化合物半導体を埋めこむ際に、レーザ出射端面近傍の誘電体上に不要な層が成長することがないか、もしくは除去しやすい状態になり、有利である。
【００２３】
図１には、レーザ出射端面近傍において、リッジストライプ部１３０の側面の一部が誘電体からなる層１４０で埋め込まれている例を示す。図３には、レーザ出射端面近傍において、リッジストライプ部３３０の側面および上面の全部が誘電体からなる層３４０で埋め込まれている例を示す。これらの例が示すとおり、本発明は、リッジストライプ部の側面、または、側面および上面、の全面に誘電体を形成する態様に限定されず、たとえば、側面の一部のみに誘電体が形成され、水平方向の光閉じ込め効果を得る上で必要な程度に誘電体が形成されている態様も本発明に含まれ、いずれの態様においても、本発明の効果を奏する。
【００２４】
本発明の半導体素子の別の態様の製造方法は、たとえば、図１に示すように、リッジストライプ部１３０を埋め込んでいる層１２０，１２１，１４０のうち、レーザ出射端面近傍にある層１４０が誘電体であり、誘電体の埋め込み工程が、ＣＶＤ法（化学的気相成長法）により実施されることを特徴とする。ＣＶＤ法はステップカバレッジ性が高いため、リッジの複雑な形状に沿って誘電体膜を形成することができ、ロスの低下や電流の短絡などを防ぐことができる。
【００２５】
【実施例】
以下、本発明の半導体レーザ素子およびその製造方法を、実施例により詳細に説明する。なお、実施例においては、（ＡｌｘＧａ１−ｘ）ｙＩｎ１−ｙＰ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）をＡｌＧａＩｎＰと、ＧａｙＩｎ１−ｙＰ（０≦ｙ≦１）をＧａＩｎＰと、また、ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ（０≦ｘ≦１）をＡｌＧａＡｓと記載する場合がある。
【００２６】
実施例１
図１は、本発明の実施例１の半導体レーザ素子の斜視図である。図１に示すように、ｎ型ＧａＡｓ基板１００上の全面に、ｎ型ＧａＡｓバッファ層１０１、ｎ型ＧａＩｎＰバッファ層１０２、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１０３（ｘ＝０．６９５、層厚２．４μｍ、屈折率３．３９３）、アンドープＭＱＷ活性層１０４（ガイド層５００Å、ウェル層５０Å、バリア層５０Å、ウェル層５０Å、バリア層５０Å、ウェル層５０Å、ガイド層５００Åよりなり、ガイド層とバリア層のｘ＝０．５６）、ｐ型第１クラッド層１０５（ｘ＝０．６９５、層厚０．２５μｍ、屈折率３．３９３）、ｐ型ＧａＩｎＰエッチングストップ層１０６（層厚１００Å）、ｐ型第２クラッド層１０７（ｘ＝０．６９５、層厚１．５μｍ、屈折率３．３９３）、ｐ型ＧａＩｎＰ中間バンドギャップ層１０８（０．０５μｍ）、ｐ型ＧａＡｓキャップ層１０９（０．５μｍ）を形成した。
【００２７】
本実施例では、ｐ型第２クラッド層１０７、ｐ型ＧａＩｎＰ中間バンドギャップ層１０８とｐ型ＧａＡｓキャップ層１０９が、リッジストライプ部１３０を構成する。また、素子端面部のリッジストライプ部の側面には、誘電体埋め込み層１４０（層厚Ｔ０．２μｍ）を形成し、誘電体膜として、窒化シリコン（屈折率１．８）をＰＣＶＤ（プラズマＣＶＤ）法で形成した。素子端面部以外の領域のリッジストライプ部の側面にはｎ型ＡｌＩｎＰ電流阻止層１２０（屈折率３．２８）が形成され、さらに全面にｐ型ＧａＡｓコンタクト層１２１（屈折率３．８２）を形成した。誘電体埋め込み層１４０の幅Ｗは、素子端面から３０μｍであった。各半導体層１０１から１２１は、ＭＢＥ法で形成され、ｎ型ドーパントはＳｉ、ｐ型ドーパントはＢｅとした。さらに、ｎ側電極１２２、ｐ側電極１２３を形成した。これに前面反射膜（反射率８％）、後面反射膜（反射率９０％）を設け（いずれも図示していない。）、共振器長を９００μｍとして、本発明の半導体レーザ素子を得た。
【００２８】
図２に、半導体レーザ素子のリッジストライプ部２３０に沿った、水平面における導波光の分布を示す。領域Ａにおける導波光の分布を２５０Ａ、領域Ｂにおける導波光の分布を２５０Ｂとすると、２５０Ｂの方が幅が狭まっている。これは、領域Ａのリッジ埋め込み層であるｎ型ＡｌＩｎＰ電流阻止層の屈折率が３．２８であることに比べ、領域Ｂのリッジ埋め込み層である窒化シリコンの屈折率が１．８とかなり小さいことにより、水平方向の光閉じこめ効果が高まったことによるものである。この結果、レーザの水平放射角が増大し、放射光の低楕円率化を実現することができた。
【００２９】
本実施例の半導体レーザは、発振波長６５６ｎｍ、閾値電流３７ｍＡ、特性温度１１０°Ｋ、微分効率１．１Ｗ／Ａであり、垂直方向の放射角（半値幅）１９゜、水平方向の放射角（半値幅）１２゜、その比である楕円率は１．５８であった。比較のため、本実施例と同じ半導体レーザ用ウエハから、端面部近傍の窒化シリコン埋め込み層がない素子を作成したところ、垂直方向の放射角１９゜、水平方向の放射角９゜であり、楕円率は２．１１であった。以上のように、本発明により、導波路内部における光閉じ込めを変化させずに、楕円率を２．１１から１．５８に改善することができた。導波路内部における光閉じ込めが変わらないので、上記の良好な特性が得られた。
【００３０】
実施例２
図３は、本実施例の半導体レーザ素子の斜視図である。本実施例では、端面窓構造を有する半導体レーザを製造した。まず、ｎ型ＧａＡｓ基板３００上の全面に、ｎ型ＧａＡｓバッファ層３０１、ｎ型ＧａＩｎＰバッファ層３０２、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層３０３（ｘ＝０．６９５、層厚２．４μｍ、屈折率３．３９３）を形成した。つぎに、領域Ａに、アンドープＭＱＷ活性層３０４（ガイド層５００Å、ウェル層５０Å、バリア層５０Å、ウェル層５０Å、バリア層５０Å、ウェル層５０Å、ガイド層５００Åよりなり、ガイド層とバリア層のｘ＝０．５６）を形成し、つづいて、ｐ型第１クラッド層３０５（ｘ＝０．６９５、層厚０．２５μｍ、屈折率３．３９３）、ｐ型ＧａＩｎＰエッチングストップ層３０６（層厚１００Å）、ｐ型第２クラッド層３０７（ｘ＝０．６９５、層厚１．５μｍ、屈折率３．３９３）、ｐ型ＧａＩｎＰ中間バンドギャップ層３０８（０．０５μｍ）、ｐ型ＧａＡｓキャップ層３０９（０．５μｍ）を形成した。
【００３１】
本実施例においては、ｐ型第２クラッド層３０７、ｐ型ＧａＩｎＰ中間バンドギャップ層３０８とｐ型ＧａＡｓキャップ層３０９により、リッジストライプ部３３０が構成される。また、素子端面部から３０μｍの範囲である領域Ｃ（窓領域）には、ＭＱＷ活性層３０４にＺｎを拡散させることにより液晶化して、最小バンドギャップエネルギの高い窓構造３０４Ｃを形成し、端面近傍における光吸収を抑制した。また、素子端面部において、リッジストライプ部３３０の側面および、リッジストライプ部３３０の上には、誘電体埋め込み層３４０（層厚０．２μｍ）を形成し、誘電体膜として、窒化シリコン（屈折率１．８）をＰＣＶＤ（プラズマＣＶＤ）法で形成した。
【００３２】
素子端面部以外の領域Ａのリッジストライプ部側面にはｎ型ＡｌＩｎＰ電流阻止層３２０（屈折率３．２８）を形成し、さらに全面にｐ型ＧａＡｓコンタクト層３２１（屈折率３．８２）を形成した。誘電体埋め込み層３４０の幅は、素子端面から３０μｍであった（領域Ｃ）。各半導体層３０１から３２１は、ＭＢＥ法で形成され、ｎ型ドーパントはＳｉ、ｐ型ドーパントはＢｅとした。さらに、ｎ側電極３２２、ｐ側電極３２３を形成した。これに前面反射膜（反射率８％）、後面反射膜（反射率９０％）を設け（いずれも図示していない。）、共振器長を９００μｍとして、本発明の半導体レーザ素子を得た。
【００３３】
本実施例においては、発振波長は６５６ｎｍ、閾値電流は３８ｍＡ、特性温度は１１０°Ｋ、微分効率は１．１Ｗ／Ａであり、垂直方向の放射角（半値幅）が１７゜、水平方向の放射角（半値幅）が１２゜、その比である楕円率は１．４２であった。比較のため、本実施例と同じ半導体レーザ用ウエハから、素子端面部が窒化シリコン埋め込み層ではなく、素子全面がｎ型ＡｌＩｎＰ電流素子層（屈折率３．２８）で埋め込まれている素子を作成したところ、垂直方向の放射角が１７゜、水平方向の放射角が９゜であり、楕円率が１．８９であった。また、発振閾値電流近くで電流・光出力特性のスイッチング現象が生じ、かつ低出力動作時のノイズが増大した。本発明により導波路内部における光閉じ込めを変化させずに、楕円率を１．８９から１．４２に改善することができ、導波路内部における光閉じ込めが変わらないので、上記のような良好な特性が得られた。さらに、端面窓部を誘電体膜によって電流非注入領域としているので、スイッチング現象が生じることがなく、本発明は端面窓構造を持つレーザにおいて、非常に有効であることがわかった。
【００３４】
なお、本発明は、上記の実施例に限定されるものではなく、種々の形態が可能である。たとえば、図１において、クラッド層１０３，１０７内は均一の屈折率である必要はなく、分布を有していてもよく、必要に応じて多層にしてもよい。また、クラッド層１０３とＧａＩｎＰバッファ層１０２の間およびクラッド層１０７と中間バンドギャップ層１０８の間に、低屈折率層を設けることにより、光吸収損失を減らすことができる。ＭＱＷ活性層１０４を構成する量子井戸層は多層でなく１層であってもよい。ガイド層とバリア層の混晶比を同一としたが、異なっていても良く、また、ガイド層は垂直放射角を調整するためのものであって、必要不可欠なものではない。
【００３５】
エッチングストップ層１０６は作成を容易にするために設けられたものであって、必ずしも必要ではない。誘電体埋め込み層１４０の材質としては窒化シリコンである必要はなく、たとえば酸化シリコン、アルミナ、酸化チタンなどでも有効であり、形成法としてはＰＣＶＤ法以外の方法でも良い。また、端面部の埋め込み層を誘電体以外の材質にしてもよい。また、端面部以外の埋め込み層である１２０の材質も、必ずしもｎ型ＡｌＩｎＰ電流阻止層である必要はなく、その他の材質であってもよく、誘電体であってもかまわない。また、ｐ型ＧａＡｓコンタクト層１２１は、他の導電性材料であってもよく、電極材料であってもかまわないし、素子全面にわたって形成しなくてもかまわない。また、半導体レーザ材料は、ＡｌＧａＩｎＰ系以外の材料、ＡｌＧａＡｓ系、ＩｎＧａＡｓＰ系、ＩｎＧａＮ系であっても同様に本発明の内容を適用することができる。
【００３６】
すなわち、今回開示された実施の形態および実施例はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【００３７】
【発明の効果】
本発明によれば、光ディスク用半導体レーザの出射光を、高出力・高温動作に必要な低閾値電流と良好な特性温度、高い微分効率を保ちながら、簡単な手法でレーザの低楕円率化を図ることができる。したがって、光の利用効率を低下させることなく、シンプルな構成の光ディスク用ピックアップを製造することができるため、光ピックアップの小型軽量化および高速アクセスに寄与する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の半導体レーザ素子の斜視図である。
【図２】本発明の半導体レーザ素子の水平方向における導波光の分布を示す概念図である。
【図３】本発明の半導体レーザ素子の斜視図である。
【図４】従来の半導体レーザ素子の斜視図である。
【符号の説明】
１００  ｎ型ＧａＡｓ基板、１０１  ｎ型ＧａＡｓバッファ層、１０２  ｎ型ＧａＩｎＰバッファ層、１０３  ｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層、１０４  アンドープＭＱＷ活性層、１０４Ｃ  混晶化ＭＱＷ活性層、１０５  ｐ型第１クラッド層、１０６  ｐ型ＧａＩｎＰエッチングストップ層、１０７  ｐ型第２クラッド層、１０８  ｐ型ＧａＩｎＰ中間バンドギャップ層、１０９  ｐ型ＧａＡｓキャップ層、１２０  ｎ型ＡｌＩｎＰ電流阻止層、１２１  ｐ型ＧａＡｓコンタクト層、１２２  ｎ側電極、１２３  ｐ側電極、１３０  リッジストライプ部。
【図１】
2004327545.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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