(57)【要約】【課題】歩留りの向上を図る。【解決手段】被検査物となる半導体ウェハ上の複数の半導体チップの配置に対応して格子状領域が主面１ａに形成され、かつ各格子状領域に前記半導体チップの電極に対応した複数の突起状のプローブと配線パターンとが形成されたマイクロマシンであるＳｉコンタクタの製造において、複数の前記Ｓｉコンタクタが形成された半導体基板１上でダイシングラインに沿ってダイシングを行ってそれぞれの前記Ｓｉコンタクタを取得する際に、ダイシングブレード３が走る箇所をそれ以外の箇所より配線層１ｅの厚さを薄く形成しておくことにより、ダイシングによって形成される配線層１ｅの金属配線のダレの量を低減でき、その結果、リーク不良の発生を低減して製品（Ｓｉコンタクタ）の歩留りを向上させることができる。【選択図】    図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板をダイシングして形成したマイクロマシンであって、ダイシングブレードが走る箇所の金属配線の厚さがそれ以外の箇所より薄く形成された前記基板を用いて前記ダイシングブレードによってダイシングを行って前記金属配線を切断したことを特徴とするマイクロマシン。
【請求項２】
基板をダイシングして形成したマイクロマシンであって、幅２０μｍ以下のダイシングブレードを用いてダイシングを行って前記基板上に形成された金属配線を切断したことを特徴とするマイクロマシン。
【請求項３】
基板をダイシングして形成したマイクロマシンであって、砥粒の密度が１インチ平方あたり３０００個以上のダイシングブレードを用いてダイシングを行って前記基板上に形成された金属配線を切断したことを特徴とするマイクロマシン。
【請求項４】
基板をダイシングして形成したマイクロマシンであって、前記基板の表裏面のうち凹凸の少ない側の面にダイシングテープを貼り付けてダイシングを行って前記表裏面の少なくとも何れか一方の面に形成された金属配線を切断したことを特徴とするマイクロマシン。
【請求項５】
基板をダイシングして形成したマイクロマシンであって、前記基板に形成された金属配線上を粘着性を有していない部位または部材で覆うようにダイシングテープを貼り付けてダイシングを行って前記金属配線を切断したことを特徴とするマイクロマシン。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、マイクロマシニング技術に関し、特に歩留り向上に適用して有効な技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、マイクロマシニングと呼ばれる半導体微細加工技術を利用してミクロンオーダーの微小機械構造を製作する技術が知られており、半導体微細加工技術を用いたマイクロマシニングで多結晶シリコン歯車などのミクロンオーダーの機械部品が製造されている（例えば、非特許文献１参照）。
【０００３】
【非特許文献１】
川合知二監修「図解ナノテクノロジーのすべて」株式会社工業調査会、２００２年４月１５日（７４〜７５頁）
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
マイクロマシニングについて本発明者は、以下の技術を検討した。
【０００５】
マイクロマシンおよびマイクロデバイスの製造においてダイシングを行う場合、ダイシングによって給電配線などの金属配線も切断しようとすると、配線の切断箇所でダレが形成され、この金属のダレとベースのＳｉ（シリコン）基板とが接触し、リーク不良が起こることが問題となる。
【０００６】
さらに、凹凸が形成されている箇所でダイシングを行うとチッピングが発生することが問題となる。
【０００７】
また、ダイシング終了後にダイシングテープを剥離しようとすると、パッドや金属配線もテープといっしょに剥離してしまうことが問題となる。
【０００８】
本発明の目的は、歩留りの向上を図るマイクロマシンを提供することにある。
【０００９】
本発明の前記ならびにその他の課題、および目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、以下のとおりである。
【００１１】
すなわち、本発明は、基板をダイシングして形成したマイクロマシンであり、ダイシングブレードが走る箇所の金属配線の厚さがそれ以外の箇所より薄く形成された前記基板を用いて前記ダイシングブレードによってダイシングを行って前記金属配線を切断したものである。
【００１２】
【発明の実施の形態】
以下の実施の形態では特に必要なとき以外は同一または同様な部分の説明を原則として繰り返さない。
【００１３】
また、以下の実施の形態において、要素の数など（個数、数値、量、範囲などを含む）に言及する場合、特に明示した場合および原理的に明らかに特定の数に限定される場合などを除き、その特定の数に限定されるものではなく、特定の数以上でも以下でも良いものとする。
【００１４】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一の機能を有する部材には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。
【００１５】
図１は本発明の実施の形態のマイクロデバイスの主面側の構造の一例を示す平面図とその部分拡大平面図とウェハ状態の平面図、図２は図１に示すマイクロデバイスの裏面側の構造の一例を示す底面図とその部分拡大底面図とウェハ状態の底面図、図３は図１に示すマイクロデバイスの製造におけるダイシング方法の一例を示す部分断面図、図４は図１に示すマイクロデバイスの製造におけるダイシング状態の一例を示す部分断面図、図５は図４に示すダイシング時のブレードの構造を示す部分側面図、図６は本発明の実施の形態のマイクロデバイスの製造におけるブレード幅とリーク不良の関係を示す評価図、図７は本発明の実施の形態のマイクロデバイスの製造におけるブレードの砥粒の粒度とリーク不良の関係を示す評価図、図８は図１に示すマイクロデバイスの製造におけるダイシング後の状態の一例を示す部分斜視図、図９は本発明の実施の形態に対する比較例のダイシング後のダレ状態を示す部分斜視図、図１０は本発明の実施の形態のマイクロデバイスの製造におけるダイシング時のハーフカット状態を示す部分断面図、図１１は図１０に示すハーフカット後のフルカット状態を示す部分断面図、図１２は本発明の実施の形態に対する比較例のダイシング時のチッピング発生状態を示す部分断面図、図１３は図１０および図１１に示すダイシング方法でダイシングを行った後のマイクロデバイスの外周部の形状の一例を示す拡大部分平面図、図１４は図１２に示す比較例のダイシング方法でダイシングを行った後のマイクロデバイスの外周部のチッピング発生状態を示す拡大部分平面図、図１５および図１６は本発明の実施の形態のマイクロデバイスの製造手順の一例を示す製造プロセスフロー図、図１７は本発明の実施の形態のマイクロデバイスの製造におけるダイシング時のダイシングテープの貼り付け状態の一例を示す斜視図、図１８は本発明の実施の形態のマイクロデバイスの製造におけるダイシング時の変形例のダイシングテープの貼り付け状態を示す斜視図である。
【００１６】
本実施の形態は、マイクロマシンについて説明するものであり、マイクロモータやマイクロファクトリなどのマイクロマシンと、マイクロバルブ、マイクロセンサ、マイクロチャネル、マイクロ歯車およびコンタクタなどのマイクロデバイスとを含むものである。
【００１７】
そのうち、マイクロデバイスは、マイクロマシニングと呼ばれる半導体微細加工技術を利用して形成されたおおよそセンチメートルオーダーからミクロンオーダーの微小構造を有するものである。また、マイクロデバイスのうち、それ自体が能動的なもの、または、いくつかのマイクロデバイスを複合させて機械的要素を付加したものをマイクロマシンと呼ぶ。
【００１８】
本実施の形態では、前記マイクロマシンの一例としてマイクロデバイスを取り上げて説明する。本実施の形態のマイクロデバイスは、半導体微細加工技術を用いて形成された特性検査用のプローブであり、例えば、半導体ウェハを個片化前にウェハ状態でバーンインまたは検査する際などに用いられるＳｉ（シリコン）コンタクタである。ただし、プローブに限定されるものではなく、他の機能を有した微小機械構造のものであってもよい。
【００１９】
また、本実施の形態のマイクロデバイスであるＳｉコンタクタ（マイクロマシン）２は、図１および図２に示すように、半導体基板（基板）１上において半導体微細加工技術を用いて複数個形成された後、ダイシングによって切断されて個々に分割されるものである。
【００２０】
図１は半導体基板１の主面（突起面）１ａ側の構造を示すものであり、また、図２はその裏面（パッド面）１ｂ側の構造を示すものである。
【００２１】
すなわち、半導体基板１上に形成された複数のマイクロデバイスであるＳｉコンタクタ２をダイシングライン１ｃに沿ってダイシングすることにより、複数のプローブ２ｄをそれぞれに有した個々のＳｉコンタクタ２が形成される。
【００２２】
図１に示すように、それぞれのＳｉコンタクタ２の主面２ａには、格子状領域２ｃが形成されており、さらに各格子状領域２ｃには、前記半導体チップの電極に対応した複数の突起状のプローブ２ｄと配線パターン２ｅとが形成されている。
【００２３】
一方、図２に示すように、それぞれのＳｉコンタクタ２の裏面２ｂには、めっき用の給電配線（金属配線）２ｇと、この給電配線２ｇに電気的に接続された複数のパッド２ｆと、給電完了後に給電配線２ｇをカットするためのハーフカットダイシングライン１ｄ用の領域とが形成されており、給電を行ってめっきを形成する電解めっきを行った後にハーフカットダイシングライン１ｄに沿ってハーフカットダイシングを行って給電配線２ｇを切断する。
【００２４】
なお、ダイシングの際には、図９の比較例に示すように給電配線２ｇの配線層１ｅのダレ５が形成され、このダレ５がベース基板であるＳｉ（シリコン）基板１ｇに接触してリーク不良が発生するため、本実施の形態のＳｉコンタクタ２では、ダイシングによる前記リーク不良を引き起こさないようにするための種々の手段が施されている。
【００２５】
まず、図３は、半導体基板１においてハーフカットダイシングによって切断する箇所の給電配線２ｇの断面を示したものであり、ダイシングブレード３が走行する箇所をそれ以外の箇所より給電配線２ｇの厚さを薄く形成しておくものである。
【００２６】
そこで、Ｓｉコンタクタ２の場合、Ｓｉ基板１ｇ上の酸化膜（ＳｉＯ２）などの絶縁層１ｆ上に形成された給電配線２ｇの配線層１ｅにおいて、ダイシングブレード３が走行しない領域は、例えば、銅（Ｃｕ）／ニッケル（Ｎｉ）／金（Ａｕ）の３層構造とし、ダイシングブレード３が走行する領域は銅層を形成しないでニッケル（Ｎｉ）／金（Ａｕ）の２層構造とし、ダイシングブレード３が走行しない領域は、銅層を形成しない分、配線層１ｅの厚さを薄く形成する。
【００２７】
ここで、ダイシングブレード３が走行する領域は、ダイシングブレード３の幅よりその左右両側に僅かに大きい程度の領域である。
【００２８】
このように、ダイシングブレード３が走行する領域の配線層１ｅの厚さをそれ以外の領域より薄く形成することにより、図８に示すように、切断後の図９の比較例に示すダレ５（配線層１ｅのダレ５）の形成を低減することができる、もしくはダレ５を無くすことができる。
【００２９】
これにより、リーク不良の発生を７９．２％から１５．８％に低減でき、Ｓｉコンタクタ２（製品）の歩留りを向上させることができる。
【００３０】
次に、図４および図５はダイシングブレード３の構造を示すものであり、ダイシングブレード３は、人工ダイヤモンドなどからなる砥粒３ａにボンド材３ｂをめっきして形成されており、ブレード幅（Ｔ）や砥粒３ａの量（密度）により切れ上がり状態が大きく変わる。
【００３１】
なお、図４に示すように、幅（Ｔ）のダイシングブレード３で切断を行った際に切り出される幅（Ｕ）がカーフ幅であり、また、切り込み量が（Ｐ）、刃先出し量が（Ｑ）となる。
【００３２】
そこで、本実施の形態では、ダイシングブレード３の幅（Ｔ）をＴ≦２０μｍとなるようにする。すなわち、幅（Ｔ）が２０μｍ以下のダイシングブレード３を用いて半導体基板１のダイシングを行って給電配線２ｇを切断する。
【００３３】
これは、図６に示すブレード幅とリーク不良の関係から導き出したものであり、図６に示すように、ブレード幅が小さくなれば指数関数的にリーク不良の発生率（不良率）も低下している。Ｓｉコンタクタ２の場合、１つのＳｉコンタクタ２に１箇所でもリーク不良が発生しているとそのＳｉコンタクタ２は不良品となる。最悪の場合は、全てのＳｉコンタクタ２に１箇所以上ずつリーク不良が発生している場合である。そこで、本実施の形態のＳｉコンタクタ２の場合、ハーフカットダイシングによる給電配線２ｇの切断箇所が２１６箇所あるため、不良率が１／２１６（０．４６３％）以下であれば、たとえリーク不良が１つのＳｉコンタクタ２に１箇所ずつあったとしても、全てのＳｉコンタクタ２が不良品になることはない。
【００３４】
したがって、図６に示すように、幅２０μｍ以下のダイシングブレード３を用いることにより、最悪の場合でも全てのＳｉコンタクタ２が不良品になることは避けることができる。
【００３５】
すなわち、幅２０μｍ以下のダイシングブレード３を用いてダイシングを行って給電配線２ｇを切断することにより、図９に示す配線層１ｅのダレ５の形成を図８に示すように低減することができ、もしくは無くすことができ、これによって、リーク不良を低減して製品（Ｓｉコンタクタ２）の歩留りを向上できる。
【００３６】
また、図７に示すように、ダイシングブレード３の砥粒３ａの密度（粒度）を上げることにより、Ｓｉコンタクタ２の不良率を低減できる。そこで、砥粒３ａの密度が１インチ平方あたり３０００個以上のダイシングブレード３を用いてダイシングを行うことにより、Ｓｉコンタクタ２の不良率を５％以下に低減できる。
【００３７】
すなわち、砥粒３ａの密度が１インチ平方あたり３０００個以上のダイシングブレード３を用いてダイシングを行って給電配線２ｇを切断することにより、図９に示す配線層１ｅのダレ５の形成を図８に示すように低減することができ、もしくは無くすことができ、その結果、リーク不良を低減してＳｉコンタクタ２の歩留りを向上できる。
【００３８】
次に、図１０および図１１は本実施の形態のＳｉコンタクタ２を形成する際のダイシングの順番を示したものであり、まず、図１０に示すように半導体基板１の裏面１ｂ側からダイシングブレード３によってハーフカットダイシングを行う。
【００３９】
その際、半導体基板１の主面１ａ側にダイシングテープ４を貼り付け、裏面１ｂ側からダイシングブレード３を進入させてハーフカットダイシングを行って各Ｓｉコンタクタ２の給電配線２ｇを切断する。
【００４０】
その後、半導体基板１の表裏を反転させて、主面１ａ側のダイシングテープ４を剥がすとともに、図１１に示すように裏面１ｂ側にダイシングテープ４を貼り付け、この状態で主面１ａ側からダイシングテープ４を進入させてフルカットダイシングを行って完全に個片化する。
【００４１】
なお、給電配線２ｇなどの金属配線が主面１ａ側に形成されている場合は、図１１に示すフルカットダイシングの際にその金属配線を切断する。
【００４２】
すなわち、フルカットダイシングを行う際には、半導体基板１の表裏面のうち凹凸の少ない側の面にダイシングテープ４を貼り付け、この状態でフルカットダイシングを行い、この時に表裏いずれかの面に形成された給電配線２ｇなどの金属配線を切断することが好ましい。ただし、給電配線２ｇが裏面１ｂ側に形成されている場合は、図１０に示すように、予めハーフカットダイシングを行ってフルカットダイシングの前に給電配線２ｇを切断しておいてもよい。
【００４３】
図１１に示すように本実施の形態の半導体基板１では、主面１ａ側に複数の突起状のプローブ２ｄが形成されており、裏面１ｂ側の方が主面１ａ側より凹凸が少ない。
【００４４】
したがって、図１２の比較例に示すように、ダイシングテープ４を凹凸の多い主面１ａに貼ってダイシングブレード３を裏面１ｂ側から進入させてダイシングを行うと、半導体基板１の主面１ａの凹部とダイシングテープ４との間に空間部７が形成され、大きなチッピング片６が形成される。この状態を示したものが図１４に示す比較例であり、Ｓｉコンタクタ２の外周部に欠け９が形成されている。
【００４５】
さらに、空間部７に切粉を含んだ切削水が浸入し、半導体基板１の表面が汚染され、その結果、Ｓｉコンタクタ２の歩留りが低下する。
【００４６】
これに対して、図１１に示す本実施の形態のように、ダイシングテープ４を凹凸の少ない裏面１ｂに貼った場合は、ダイシングテープ４と半導体基板１の裏面１ｂとがほぼ密着し、空間などが形成されないため、チッピング片６が形成されることもなく、図１３に示すようにＳｉコンタクタ２の外周部に図１４に示すような欠け９が形成されることはない。
【００４７】
さらに、空間が形成されないため、切削水の浸入を防ぐことができ、ダイシング後の半導体基板１の表面の汚れを少なくすることができる。
【００４８】
その結果、Ｓｉコンタクタ２の歩留りを向上させることができる。
【００４９】
次に、図１７は、ダイシングテープ４において、半導体基板１の配線箇所１ｈに対応した箇所に粘着性を有していない部位すなわち非粘着部位４ａを設けておき、ダイシングの際に、この非粘着部位４ａを有するダイシングテープ４と半導体基板１と貼り付けてダイシングを行うものである。
【００５０】
すなわち、半導体基板１上に形成された給電配線２ｇなどの金属配線を含む配線箇所１ｈ上を粘着性を有していない非粘着部位４ａで覆うようにダイシングテープ４を貼り付け、この状態でダイシングを行って前記金属配線を切断するものである。
【００５１】
これにより、ダイシング後のテープ剥離時に金属配線の剥離を防ぐことができ、金属配線の剥離による不良の発生を防止することができる。その結果、製品であるＳｉコンタクタ２の歩留りを向上させることができる。
【００５２】
また、図１８は、図１７のダイシング方法に対する変形例を示すものであり、ダイシングテープ４を貼る際に、半導体基板１上の配線箇所１ｈに対応した箇所に粘着性を有していない部材である非粘着性部材８を配置し、その上方からダイシングテープ４を貼り付け、配線箇所１ｈ上を非粘着性部材８で覆った状態でダイシングを行って配線箇所１ｈの金属配線を切断するものである。
【００５３】
この場合にも、図１７に示すダイシング方法と同様に、ダイシング後のテープ剥離時に金属配線の剥離を防ぐことができ、金属配線の剥離による不良の発生を防止することができる。その結果、製品であるＳｉコンタクタ２の歩留りを向上させることができる。
【００５４】
さらに、図１８に示す変形例の場合、特殊な加工テープを用いずに一般的なダイシングテープ４を使用できるため、テープのコストを抑えることができる。
【００５５】
次に、図１５および図１６を用いて本実施の形態のＳｉコンタクタ２の製造手順について説明する。
【００５６】
図１５に示すように、まず、ベース基板であるＳｉ基板１ｇの表面に酸化膜（ＳｉＯ２）である絶縁層１ｆを形成するウェハ表面酸化（Ａ）を行い、その後、絶縁層１ｆに積層させたレジスト膜１ｉの形成であるレジスト塗布（Ｂ）を行う。
【００５７】
レジスト塗布後、マスクパターン転写によりレジスト露光（Ｃ）を行い、その後、現像を行う。続いて、絶縁層１ｆのエッチングである酸化膜エッチング（Ｄ）を行って酸化膜でパターンを形成する。さらに、図１６に示すように、レジスト膜１ｉを取り除くレジスト除去（Ｅ）を行う。
【００５８】
その後、酸化膜エッチング（Ｄ）によって形成した酸化膜のパターンをマスクとして、Ｓｉ基板１ｇのエッチングであるＳｉエッチング（Ｆ）を行い、図１に示すＳｉコンタクタ２のプローブ２ｄ他を形成する。
【００５９】
続いて、例えば、金属蒸着後、（Ｂ）〜（Ｅ）の工程と同様の手順で、フォトリソなどによるパターニングを行って給電配線２ｇなどの所望の配線パターン２ｅを有する配線層１ｅの下地となる配線パターン形成（Ｇ）を行う。
【００６０】
その後、給電配線２ｇ（図２参照）を用いて給電を行ってめっき（Ｈ）を施し、下地の上にめっき膜１ｊを積み重ね、配線層１ｅを形成する。
【００６１】
これにより、図１に示すように、半導体基板１上に複数のＳｉコンタクタ２（マイクロマシン）を形成できる。
【００６２】
その後、本実施の形態のダイシングを行ってそれぞれのＳｉコンタクタ２に個片化する。
【００６３】
以上、本発明者によってなされた発明を発明の実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記発明の実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることは言うまでもない。
【００６４】
前記実施の形態では、図１７に示すダイシングテープ４において、半導体基板１の配線箇所１ｈに対応した箇所に粘着性を有していない非粘着部位４ａが設けられている場合を説明したが、非粘着部位４ａの代わりとして同じ箇所に開口部が形成されていてもよい。
【００６５】
すなわち、ダイシングテープ４の半導体基板１の配線箇所１ｈに対応した箇所に切り欠きである開口部が形成されていることにより、ダイシング時に半導体基板１にダイシングテープ４を貼り付けた際に、半導体基板１の配線箇所１ｈはダイシングテープ４によって覆われることはなく、したがって、非粘着部位４ａが設けられている場合と同様にダイシング後にテープを剥離した際に、配線剥離が発生することを防止できる。
【００６６】
【発明の効果】
本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、以下のとおりである。
【００６７】
ダイシングによって形成される金属配線のダレの量を低減できるため、リーク不良の発生を低減することができ、製品（マイクロマシンおよびマイクロデバイス）の歩留りを向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態のマイクロデバイスの主面側の構造の一例を示す平面図とその部分拡大平面図とウェハ状態の平面図である。
【図２】図１に示すマイクロデバイスの裏面側の構造の一例を示す底面図とその部分拡大底面図とウェハ状態の底面図である。
【図３】図１に示すマイクロデバイスの製造におけるダイシング方法の一例を示す部分断面図である。
【図４】図１に示すマイクロデバイスの製造におけるダイシング状態の一例を示す部分断面図である。
【図５】図４に示すダイシング時のブレードの構造を示す部分側面図である。
【図６】本発明の実施の形態のマイクロデバイスの製造におけるブレード幅とリーク不良の関係を示す評価図である。
【図７】本発明の実施の形態のマイクロデバイスの製造におけるブレードの砥粒の粒度とリーク不良の関係を示す評価図である。
【図８】図１に示すマイクロデバイスの製造におけるダイシング後の状態の一例を示す部分斜視図である。
【図９】本発明の実施の形態に対する比較例のダイシング後のダレ状態を示す部分斜視図である。
【図１０】本発明の実施の形態のマイクロデバイスの製造におけるダイシング時のハーフカット状態を示す部分断面図である。
【図１１】図１０に示すハーフカット後のフルカット状態を示す部分断面図である。
【図１２】本発明の実施の形態に対する比較例のダイシング時のチッピング発生状態を示す部分断面図である。
【図１３】図１０および図１１に示すダイシング方法でダイシングを行った後のマイクロデバイスの外周部の形状の一例を示す拡大部分平面図である。
【図１４】図１２に示す比較例のダイシング方法でダイシングを行った後のマイクロデバイスの外周部のチッピング発生状態を示す拡大部分平面図である。
【図１５】本発明の実施の形態のマイクロデバイスの製造手順の前半部分の一例を示す製造プロセスフロー図である。
【図１６】本発明の実施の形態のマイクロデバイスの製造手順の後半部分の一例を示す製造プロセスフロー図である。
【図１７】本発明の実施の形態のマイクロデバイスの製造におけるダイシング時のダイシングテープの貼り付け状態の一例を示す斜視図である。
【図１８】本発明の実施の形態のマイクロデバイスの製造におけるダイシング時の変形例のダイシングテープの貼り付け状態を示す斜視図である。
【符号の説明】
１  半導体基板（基板）
１ａ  主面
１ｂ  裏面
１ｃ  ダイシングライン
１ｄ  ハーフカットダイシングライン
１ｅ  配線層
１ｆ  絶縁層
１ｇ  Ｓｉ基板
１ｈ  配線箇所
１ｉ  レジスト膜
１ｊ  めっき膜
２  Ｓｉコンタクタ（マイクロマシン）
２ａ  主面
２ｂ  裏面
２ｃ  格子状領域
２ｄ  プローブ
２ｅ  配線パターン
２ｆ  パッド
２ｇ  給電配線（金属配線）
３  ダイシングブレード
３ａ  砥粒
３ｂ  ボンド材
４  ダイシングテープ
４ａ  非粘着部位
５  ダレ
６  チッピング片
７  空間部
８  非粘着性部材
９  欠け
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
2004291195.tif 000015
【図１４】
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【図１５】
2004291195.tif 000017
【図１６】
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【図１７】
2004291195.tif 000019
【図１８】
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