(57)【要約】【課題】保護物質であるプレート材にボイドやウェルドが発生するのを効果的に防止すると共に、チップ部品と保護物質との間の段差を少なくし、かつ電極面に保護物質が侵入することを防止して、配線形成やデバイス特性の信頼性を向上させること。【解決手段】基板１上に複数個又は複数種の半導体チップ３、３’をその電極面を下にして固定し、チップ部品３、３’の側面３９において電極パッド５を囲むように隔離材としての樹脂３８を被着し、この樹脂３８の周囲において保護物質としてのプレート材４を半導体チップ間を含むほぼ全面に被着し、半導体チップ間及びその裏面に連続してプレート材４が被着してなる疑似ウェーハ４９を基板１から剥離する。更に、この疑似ウェーハ４９の剥離工程後に、疑似ウェーハ４９を複数個又は複数種の半導体チップ間で切断して各チップ状電子部品４６を分離する。【選択図】　　　　　図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも電極が一方の面側に設けられているチップ部品の前記一方の面以外のほぼ全面が連続した保護物質で覆われていて、前記電極と前記保護物質とを隔離するための隔離材が前記チップ部品と前記保護物質との間に設けられているチップ状電子部品。
【請求項２】
前記隔離材が前記チップ部品の側面において前記チップ部品と前記保護物質との間及び／又は前記チップ部品間に被着されている、請求項１に記載したチップ状電子部品。
【請求項３】
前記隔離材が絶縁性硬化物からなり、前記保護物質が有機系又は無機系の絶縁性物質からなる、請求項１に記載したチップ状電子部品。
【請求項４】
前記隔離材が前記保護物質と同一材質からなる、請求項３に記載したチップ状電子部品。
【請求項５】
前記一方の面側において前記隔離材と前記保護物質とが同一面をなしている、請求項１に記載したチップ状電子部品。
【請求項６】
前記隔離材がディスペンスで局部的に被着されている、請求項１に記載したチップ状電子部品。
【請求項７】
前記保護物質又は／及び前記隔離材の位置で切断され、実装基板に固定される単一の半導体チップ又は複数個又は複数種の半導体チップを有し、実装面側に前記電極が設けられ、前記半導体チップの側面が前記隔離材で覆われ、この隔離材及び前記半導体チップの裏面が前記保護物質で覆われている、請求項１に記載したチップ状電子部品。
【請求項８】
前記電極上に配線又ははんだバンプが形成されている、請求項１に記載したチップ状電子部品。
【請求項９】
複数個又は複数種の半導体チップが前記保護物質によって一体化されている、請求項１に記載したチップ状電子部品。
【請求項１０】
少なくとも電極が一方の面側に設けられているチップ部品の複数個又は複数種が、これらの間及びその裏面に連続して被着された保護物質によって互いに固着されていて、前記電極と前記保護物質とを隔離するための隔離材が前記チップ部品と前記保護物質との間に設けられている疑似ウェーハ。
【請求項１１】
前記隔離材が前記チップ部品の側面において前記チップ部品と前記保護物質との間及び／又は前記チップ部品間に被着されている、請求項１０に記載した疑似ウェーハ。
【請求項１２】
前記隔離材が絶縁性硬化物からなり、前記保護物質が有機系又は無機系の絶縁性物質からなる、請求項１０に記載した疑似ウェーハ。
【請求項１３】
前記隔離材が前記保護物質と同一材質からなる、請求項１２に記載した疑似ウェーハ。
【請求項１４】
前記一方の面側において前記隔離材と前記保護物質とが同一面をなしている、請求項１０に記載した疑似ウェーハ。
【請求項１５】
前記隔離材がディスペンスで局部的に被着されている、請求項１０に記載した疑似ウェーハ。
【請求項１６】
前記保護物質又は／及び前記隔離材の位置で切断され、実装基板に固定される単一の半導体チップ又は複数個又は複数種の半導体チップを有し、実装面側に前記電極が設けられ、前記半導体チップの側面が前記隔離材で覆われ、この隔離材及び前記半導体チップの裏面が前記保護物質で覆われている、請求項１０に記載した疑似ウェーハ。
【請求項１７】
前記電極上に配線又ははんだバンプが形成されている、請求項１０に記載した疑似ウェーハ。
【請求項１８】
複数個又は複数種の前記半導体チップが前記保護物質によって一体化されている、請求項１０に記載した疑似ウェーハ。
【請求項１９】
少なくとも電極が一方の面側に設けられているチップ部品の前記一方の面以外のほぼ全面が連続した保護物質で覆われていて、前記電極と前記保護物質とを隔離するための隔離材が前記チップ部品と前記保護物質との間に設けられているチップ状電子部品が、実装基板に接続固定されている実装構造。
【請求項２０】
前記隔離材が前記チップ部品の側面において前記チップ部品と前記保護物質との間及び／又は前記チップ部品間に被着されている、請求項１９に記載した実装構造。
【請求項２１】
前記隔離材が絶縁性硬化物からなり、前記保護物質が有機系又は無機系の絶縁性物質からなる、請求項１９に記載した実装構造。
【請求項２２】
前記隔離材が前記保護物質と同一材質からなる、請求項２１に記載した実装構造。
【請求項２３】
前記一方の面側において前記隔離材と前記保護物質とが同一面をなしている、請求項１９に記載した実装構造。
【請求項２４】
前記隔離材がディスペンスで局部的に被着されている、請求項１９に記載した実装構造。
【請求項２５】
前記保護物質又は／及び前記隔離材の位置で切断され、実装基板に固定される単一の半導体チップ又は複数個又は複数種の半導体チップを有し、実装面側に前記電極が設けられ、前記半導体チップの側面が前記隔離材で覆われ、この隔離材及び前記半導体チップの裏面が前記保護物質で覆われている、請求項１９に記載した実装構造。
【請求項２６】
前記電極上に形成された配線又ははんだバンプによって前記接続固定が行われている、請求項１９に記載した実装構造。
【請求項２７】
複数個又は複数種の半導体チップが前記保護物質によって一体化されている、請求項１９に記載した実装構造。
【請求項２８】
支持体上に複数個又は複数種のチップ部品をその電極面を下にして固定する工程と、前記チップ部品の側面において前記電極を囲むように隔離材を被着する工程と、前記隔離材の周囲において保護物質を前記複数個又は複数種のチップ部品間を含むほぼ全面に被着する工程と、前記チップ部品間及びその裏面に連続して前記保護物質が被着してなる疑似ウェーハを前記支持体から剥離する工程と、前記複数個又は複数種のチップ部品間を切断して各チップ状電子部品を分離する工程とを有する、チップ状電子部品の製造方法。
【請求項２９】
前記隔離材を前記チップ部品の側面において前記チップ部品と前記保護物質との間及び／又は前記チップ部品間に被着する、請求項２８に記載したチップ状電子部品の製造方法。
【請求項３０】
前記隔離材を液状物の状態で被着し、しかる後に有機系又は無機系の絶縁性物質からなる前記保護物質を被着する、請求項２８に記載したチップ状電子部品の製造方法。
【請求項３１】
前記チップ部品を前記支持体上に固定するための固定材の粘着力が低下しない温度で、ディスペンスで局部的に被着した前記液状物を硬化させ、しかる後に前記保護物質を流し込んで硬化させる、請求項３０に記載したチップ状電子部品の製造方法。
【請求項３２】
ディスペンスで局部的に被着した前記液状物を硬化させない状態で前記保護物質を流し込んで硬化させる、請求項３０に記載したチップ状電子部品の製造方法。
【請求項３３】
前記液状物を真空脱泡する、請求項３１又は３２に記載したチップ状電子部品の製造方法。
【請求項３４】
前記液状物の粘度を前記保護物質の流し込み時の粘度よりも高くしてディスペンスする、請求項３１又は３２に記載したチップ状電子部品の製造方法。
【請求項３５】
前記一方の面側において、前記隔離材と前記保護物質とを同一面に存在させる、請求項２８に記載したチップ状電子部品の製造方法。
【請求項３６】
平坦な前記支持体上に固定材を設け、必要あればこの固定材上に枠を貼り付け、そしてこの枠の内側に良品の半導体チップの複数個又は複数種を電極面を下にして粘着固定し、必要あれば荷重及び／又は熱をかけながら真空引きを行い、しかる後に前記隔離材としての前記液状物を前記保護物質より高粘度で前記半導体チップの側面又は周囲にディスペンスで被着し、必要あれば真空脱泡及び低温での硬化後に、前記保護物質としての前記有機系又は無機系の絶縁性物質を半導体チップ裏面より均一に塗布して硬化させ、しかる後に前記複数個又は複数種の半導体チップを前記保護物質で固着した疑似ウェーハを前記支持体から剥離し、良品の半導体チップが複数個又は複数種配列されかつ電極面が露出した前記疑似ウェーハを得、しかる後に前記疑似ウェーハを前記複数個又は複数種の半導体チップ間で切断する、請求項３０に記載したチップ状電子部品の製造方法。
【請求項３７】
前記保護物質及び／又は前記隔離材の位置で切断して、実装基板に固定される単一の半導体チップ又は複数個又は複数種の半導体チップがその側面にて前記隔離材で覆われ、この隔離材及び前記半導体チップの裏面が前記保護物質によって一体化された前記チップ状電子部品を得る、請求項２８に記載したチップ状電子部品の製造方法。
【請求項３８】
前記電極上に配線又ははんだバンプを形成する、請求項２８に記載したチップ状電子部品の製造方法。
【請求項３９】
特性測定により良品と判定された前記チップ部品を前記支持体上に固定する、請求項２８に記載したチップ状電子部品の製造方法。
【請求項４０】
前記保護物質で固着された状態において前記チップ部品の特性測定を行ない、良品のチップ状電子部品を選択する、請求項２８に記載したチップ状電子部品の製造方法。
【請求項４１】
支持体上に複数個又は複数種のチップ部品をその電極面を下にして固定する工程と、前記チップ部品の側面において前記電極を囲むように隔離材を被着する工程と、前記隔離材の周囲において保護物質を前記複数個又は複数種のチップ部品間を含むほぼ全面に被着する工程と、前記チップ部品間及びその裏面に連続して前記保護物質が被着してなる疑似ウェーハを前記支持体から剥離する工程とを有する、疑似ウェーハの製造方法。
【請求項４２】
前記隔離材を前記チップ部品の側面において前記チップ部品と前記保護物質との間及び／又は前記チップ部品間に被着する、請求項４１に記載した疑似ウェーハの製造方法。
【請求項４３】
前記隔離材を液状物の状態で被着し、しかる後に有機系又は無機系の絶縁性物質からなる前記保護物質を被着する、請求項４１に記載した疑似ウェーハの製造方法。
【請求項４４】
前記チップ部品を前記支持体上に固定するための固定材の粘着力が低下しない温度で、ディスペンスで局部的に被着した前記液状物を硬化させ、しかる後に前記保護物質を流し込んで硬化させる、請求項４３に記載した疑似ウェーハの製造方法。
【請求項４５】
ディスペンスで局部的に被着した前記液状物を硬化させない状態で前記保護物質を流し込んで硬化させる、請求項４３に記載した疑似ウェーハの製造方法。
【請求項４６】
前記液状物を真空脱泡する、請求項４４又は４５に記載した疑似ウェーハの製造方法。
【請求項４７】
前記液状物の粘度を前記保護物質の流し込み時の粘度よりも高くしてディスペンスする、請求項４４又は４５に記載した疑似ウェーハの製造方法。
【請求項４８】
前記一方の面側において、前記隔離材と前記保護物質とを同一面に存在させる、請求項４１に記載した疑似ウェーハの製造方法。
【請求項４９】
平坦な前記支持体上に固定材を設け、必要あればこの固定材上に枠を貼り付け、そしてこの枠の内側に良品の半導体チップの複数個又は複数種を電極面を下にして粘着固定し、必要あれば荷重及び／又は熱をかけながら真空引きを行い、しかる後に前記隔離材としての前記液状物を前記保護物質より高粘度で前記半導体チップの側面又は周囲にディスペンスで被着し、必要あれば真空脱泡及び低温での硬化後に、前記保護物質としての前記有機系又は無機系の絶縁性物質を半導体チップ裏面より均一に塗布して硬化させ、しかる後に前記複数個又は複数種の半導体チップを前記保護物質で固着した疑似ウェーハを前記支持体から剥離し、良品の半導体チップが複数個又は複数種配列されかつ電極面が露出した前記疑似ウェーハを得る、請求項４１に記載した疑似ウェーハの製造方法。
【請求項５０】
前記保護物質及び／又は前記隔離材の位置で切断して、実装基板に固定される単一の半導体チップ又は複数個又は複数種の半導体チップがその側面にて前記隔離材で覆われ、この隔離材及び前記半導体チップの裏面が前記保護物質によって一体化された前記チップ状電子部品に加工される、請求項４１に記載した疑似ウェーハの製造方法。
【請求項５１】
前記電極上に配線又ははんだバンプを形成する、請求項４１に記載した疑似ウェーハの製造方法。
【請求項５２】
特性測定により良品と判定された前記チップ部品を前記支持体上に固定する、請求項４１に記載した疑似ウェーハの製造方法。
【請求項５３】
前記保護物質で固着された状態において前記チップ部品の特性測定を行ない、良品のチップ状電子部品を選択する、請求項４１に記載した疑似ウェーハの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明が属する技術分野】
本発明は、半導体装置の製造に好適なチップ状電子部品及びその製造方法、その製造に用いる疑似ウェーハ及びその製造方法、並びにチップ状電子部品を接続固定した実装構造に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、デジタルビデオカメラやデジタル携帯電話、更にノートＰＣ（ＰｅｒｓｏｎａｌＣｏｍｐｕｔｅｒ）等に代表される携帯用電子機器の、小型化や薄型化、軽量化に対する要求は強く、半導体部品の表面実装密度をいかに向上させるかが重要なポイントである。この為、パッケージＩＣ（ＱＦＰ（Ｑｕａｄ　Ｆｌａｔ　Ｐａｃｋａｇｅ）等）に代る、より小型のＣＳＰ（Ｃｈｉｐ　Ｓｃａｌｅ　Ｐａｃｋａｇｅ）の開発や一部での採用が既に進められているが、究極の半導体高密度実装を考えると、ベアチップ実装でしかもフリップチップ方式による接続技術の普及が強く望まれる。
【０００３】
なお、前記フリップチップ実装におけるバンプ形成技術には、一般にＡｌ電極パッド上にＡｕ−Ｓｔｕｄ　Ｂｕｍｐ法や電解めっき法によってＡｕバンプを形成する方法や、電解めっき法や蒸着法等ではんだバンプを一括して形成する方法が代表的である。しかし、民生用では、より低コストのフリップチップ実装の場合に、チップにしてからバンプを形成（Ａｕ−Ｓｔｕｄ　Ｂｕｍｐ法がその代表例である）するのではなく、ウェーハ状態で一括してバンプを形成する方法が望ましい。
【０００４】
このようなウェーハ一括処理法は、近年のウェーハの大口径化（１５０ｍｍφ→２００ｍｍφ→３００ｍｍφ）と、ＬＳＩ（大規模集積回路）チップの接続ピン数の増加傾向とを考えれば、当然の方向性である。
【０００５】
以下に、従来のバンプ形成方法を説明する。例えば、図８には、低コスト化を目指して、Ｎｉ無電解めっきとはんだペーストの印刷とでウェーハ一括でバンプを形成する工程を示す。図４（ａ）は、ＳｉＯ２膜が形成されたＳｉ基板（ウェーハ）を示し、同図（ｂ）はその電極を含むチップ部分を拡大したものである。図４（ａ）、（ｂ）において、５１はＳｉ基板（ウェーハ）、５５はＡｌ電極パッド、その他はＳｉＯ２膜、Ｓｉ３Ｎ４、ＳｉＯ２膜やポリイミド膜から成るパッシベーション膜である。
【０００６】
図４（ｃ）では、Ｎｉ無電解めっき法により、開口されたＡｌ電極パッド５５の上面のみに、選択的にＮｉ無電解めっき層（ＵＢＭ：Ｕｎｄｅｒ　Ｂｕｍｐ　Ｍｅｔａｌ）が形成されている。このＮｉ無電解めっき層（ＵＢＭ）は、Ａｌ電極パッド５５面をリン酸系エッチ液で前処理した後に、Ｚｎ処理によりＺｎを置換析出させ、さらに、Ｎｉ−Ｐめっき槽に浸漬することによって容易に形成でき、Ａｌ電極パッド５５とはんだバンプとの接続を助けるＵＢＭとして作用する。
【０００７】
図４（ｄ）は、メタルスクリーンマスク５２を当てて、はんだペースト５９を印刷法によりＮｉ無電解めっき層（ＵＢＭ）上に転写した状態を示す。図４（ｅ）は、ウエットバック（加熱溶融）法ではんだペースト５９を溶融して、はんだバンプ６２を形成したものである。このように、Ｎｉ無電解めっき法及びはんだペーストスクリーン印刷法等を用いることにより、フォトプロセスを用いずに、簡単にはんだバンプ６２を形成することができる。そして、この状態でスクライブラインに沿って切断して個片化し、個々のベアチップに加工する。
【０００８】
他方、ＣＳＰは、１ケ１ケのＬＳＩをいかに小さくして高密度で実装するかのアプローチであるが、デジタル機器の回路ブロックを見た場合、いくつかの共通回路ブロックで成り立っており、これらをマルチチップパッケージとしたり、モジュール化（ＭＣＭ：Ｍｕｌｔｉ　Ｃｈｉｐ　Ｍｏｄｕｌｅ）する技術も登場している。デジタル携帯電話におけるＳＲＡＭ（スタティック・ラム）、フラッシュメモリー、マイコンの１パッケージ化等はその一例である。
【０００９】
このＭＣＭ技術は、半導体部品や受動部品を複数個配置し、これらの部品を相互に電気的に接続して一つのモジュールとするものであって、最近の１チップシステムＬＳＩにおいても大きな利点を発揮するものと期待されている。即ち、メモリーやロジック、更にアナログＬＳＩを１チップ化する場合は、異なったＬＳＩ加工プロセスを同一ウェーハプロセスで処理することとなり、マスク数や工程数の著しい増加と開発ＴＡＴ（Ｔｕｒｎ　ａｒｏｕｎｄ　ｔｉｍｅ）の増加が問題となり、歩留りの低下も大きな懸念材料である。
【００１０】
このために、各ＬＳＩを個別に作り、ＭＣＭ化する方式が有力視されている。こうしたＭＣＭ化技術の例を図５に示す。
【００１１】
ワイヤーボンディング方式と比べて、図５（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示すフリップチップ方式では、回路基板６０上の電極６３にフェイスダウンで半導体チップ６４を接続するものであり、より小型化、薄型化にとって有利な方式である。今後の高速化での接続距離の縮小や各接続インピーダンスのバラツキを考えても、フリップチップ方式に変わっていくものと思われる。
【００１２】
フリップチップ方式のＭＣＭは、複数の異種のＬＳＩについて各々のＬＳＩのＡｌ電極パッド５５の面にＡｕ−Ｓｔｕｄ　Ｂｕｍｐを形成し、異方性導電フィルム（ＡＣＦ：Ａｎｉｓｏ　Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ　Ｆｉｌｍ）を介して回路基板と接続する方法や、樹脂ペーストを用いて圧接する方法、更にバンプとしてＡｕめっきバンプやＮｉ無電解めっきバンプ、はんだバンプを用いる方法等、種々のものが提案されている。図５（ｃ）は、はんだバンプ６５による基板６０との金属間接合で、より低抵抗で確実に接合させた例である。
【００１３】
上記した各バンプ形成法は既に完成されていて、量産ベースの技術として活用が始まっている。例えば、ウェーハ一括のはんだバンプ形成法は実装面でエリアパッド配置にも適用でき、一括リフローや両面実装が可能である等の利点がある。しかし、最先端の歩留まりが低いウェーハに対して処理をすると、良品チップ１個当たりのコストは極めて高くなる。
【００１４】
即ち、図６には、従来のウェーハ一括処理における半導体ウェーハ５３を示すが、最先端ＬＳＩでは高歩留りが必要とされるにも拘らず、スクライブライン２１で仕切られたチップの内、×印で示す不良品チップ２０の数が○印で示す良品チップ３の数より多くなるのが実情である。
【００１５】
また、チップをベアチップの形で他所から入手した場合のバンプ形成は極めて難しいという問題があった。即ち、上記した２種類のバンプ形成方法は各々特徴を持つが、全ての領域に使える技術ではなく、各々の特徴を活かした使い分けをされるのが現状である。ウェーハ一括バンプ処理法は、歩留まりが高く、ウェーハ１枚の中に占める端子数が多い場合（例えば５００００端子／ウェーハ）や、エリアパッド対応の低ダメージバンプ形成に特徴を発揮する。又、Ａｕスタッドバンプは、チップ単位で入手した場合のバンプ処理や、簡便なバンプ処理に特徴を発揮している。
【００１６】
なお、図６に示した半導体ウェーハ５３をスクライブライン２１に沿って切断すると、切断の影響でチップにストレス、亀裂等のダメージが生じて、故障の原因になることがある。さらに、良品チップ３及び不良品チップ２０を共に半導体ウェーハ５３として一括ではんだバンプ形成まで工程を進行させると、不良品チップ２０に施した工程が無駄になり、これもコストアップの原因となる。
【００１７】
また、特開平９−２６０５８１号公報には、Ｓｉウェーハ上に複数の半導体チップを接着固定し、これをアルミナの如き基板上に設けた樹脂に加圧下で埋め込んでから剥離することにより、ウェーハの表面を平坦にし、フォトリソグラフィの技術によりこのウェーハ上で素子間の接続用の配線層を形成する方法が示されている。
【００１８】
この公知の方法によれば、ウェーハの一括処理が可能となり、大量生産による低価格化を達成できるとしているが、ウェーハにおいて個々の半導体チップの裏面側には上記のアルミナの如き硬質の基板が存在しているために、スクライビング時にチップ間の樹脂と共に、裏面側の硬質の基板も切断しなければならず、切断用のブレードが破損するおそれがある。しかもチップの側面は樹脂で覆われてはいるが、裏面は樹脂とは異質の硬質の基板が存在しているだけであるため、チップの裏面側は有効に保護されないことがあり、また両者間の密着性が悪くなる。
【００１９】
【発明に至る経過】
そこで、本出願人は、上記のような従来の実情に鑑みて、ウェーハ一括処理の特徴を生かしつつ、最先端のＬＳＩやベアチップで入手した場合でも、高歩留り、低コストにして信頼性良く提供可能でＭＣＭ化に好適な半導体チップ等のチップ状電子部品を特願２０００−１２２１１２号において既に提起した。
【００２０】
この先願に係る発明（以下、先願発明と称する。）に基づく好ましい実施の形態の一例を図７〜図１０について説明する。
【００２１】
まず、図７（ａ）に示す基板１上に、図７（ｂ）のように、アクリル系等の粘着テープ（又はシート）２を貼り付ける。この場合、基板１は、仮の支持基板となるものであって石英基板１であってよい。但し、基板への加熱プロセスは４００℃以下で行われるため、より安価なガラス基板も使用でき、また、この石英基板は繰り返し使用できる。また、粘着テープ（又はシート）２は、通常のダイシングで用いられていて、紫外線を照射されると粘着力が低下する例えばアクリル系であってよい。
【００２２】
次に、図６に示した如き半導体ウェーハ５３より切り出された後、オープン／ショート或いはＤＣ（直流）電圧測定で良品と確認された良品の半導体ベアチップ（又はＬＳＩチップ）３ａ、３ｂのみを、そのチップ表面（デバイス面又は電極面）２８を下にして、図７（ｃ）のように基板１上の粘着テープ（又はシート）２に等間隔に配列して貼り付ける。なお、基板１は、円形の石英基板であってよいが、角型のより大きなガラス基板を用いることにより、限られた面積に多数の良品チップを貼り付けると、その後の工程におけるコストメリットをより発揮することができる。
【００２３】
次に、図７（ｄ）のように、チップ３ａ、３ｂ上から有機系絶縁性樹脂、例えばエポキシ樹脂又はアクリル系等の樹脂４を均一に塗布する。この塗布はスピンコート法か印刷法で容易に実現できる。
【００２４】
次に、図７（ｅ）のように、基板１の裏側３１より紫外線を照射して、粘着テープ（又はシート）２の粘着力を弱くして、樹脂（以下、プレート材と称することがある。）４で側面及び裏面が連続して固められた複数の良品のベアチップ３ａ、３ｂからなる疑似ウェーハ２９を基板１から接着面３０又はデバイス面２８で剥離する。この疑似ウェーハ２９の一例をその斜視図及び一部拡大平面図として図１０に示す。こうした疑似ウェーハを以下、プレートと称することがある。
【００２５】
次に、図８（ｆ）のように、良品ベアチップ表面２８（デバイス面）が上になるように疑似ウェーハ２９を上下反転させる。疑似ウェーハ２９は同図に拡大して示すように、Ｓｉ基板上にＳｉＯ２膜を介してＡｌ電極パッド５及びパッシベーション膜が形成されたものである。
【００２６】
次に、図８（ｇ）のように、ＭＣＭ化のために、良品ベアチップ間において絶縁層上に、各パッド５を接続するためのＡｌ又はＣｕの配線３３を常法のフォトリソグラフィー技術によって形成する。
【００２７】
次に、図８（ｈ）に概略図示するように、必要とあれば配線３３上にバンプ電極１２を一括して形成した後、ブレード４２（又はレーザ光照射）によってダイシング１１を行い、個片化された良品チップ状電子部品２６とする。
【００２８】
なお、図９（ｇ１）〜図９（ｇ２）のように、既述した図４（ｃ）〜（ｅ）と同じ処理を施してもよい。即ち、ＵＢＭとなるＮｉ無電解めっき処理を施した後、印刷マスク８を用いたはんだペースト９の印刷転写、更にはウエットバック法によるはんだバンプ１２の形成を行ってもよい。
【００２９】
上記のようにして、低歩留まりの最先端のＬＳＩや他社から入手したチップであっても、良品のチップ３ａ、３ｂのみを再び基板１に貼り付けて、あたかも１００％良品ベアチップのみで構成された疑似ウェーハ２９を作製し、ウェーハ一括の低コストの配線及びバンプ形成が可能になる。
【００３０】
そして、図８（ｇ）において、プローブ検査による電気的特性の測定やバーンインを行って、図７（ｃ）の工程前に良品ベアチップを選別したことに加えて、更により確実に良品チップのみを選別できる。
【００３１】
図８（ｈ）のようにして個片化された良品チップ状電子部品２６は、図５に示したように配線基板（回路基板）上にマウントする。
【００３２】
この際、良品チップ状電子部品２６の側面と裏面はプレート材４で覆われているため、配線基板（実装基板）への実装時にチップ状電子部品２６の吸着等のハンドリング等を行う際、チップ部品３ａ、３ｂがダメージを受けることがなく、そのために、高い信頼性を持つフリップチップ実装が期待できる。
【００３３】
上述したように、先願発明によれば、良品の半導体チップをウェーハより切り出して、基板に等間隔で再配列して貼り付け、プレート材の塗布後に剥離して、あたかも全品が良品チップである疑似ウェーハを得るため、良品チップに対するウェーハ一括でのはんだバンプ処理等が可能となり、低コストのフリップチップ用はんだバンプチップを形成できる。また、自社製ウェーハのみならず、他社から購入したベアチップでも容易にはんだバンプ処理等が可能になる。
【００３４】
また、プレート材によってチップ側面及び裏面が覆われているので、Ｎｉ無電解めっき処理も可能であると共に、プレート材によってチップ側面及び裏面が保護されているので、チップの個片化後の実装ハンドリングにおいてもチップが保護されて、良好な実装信頼性が得られる。良品チップを貼り付ける基板は疑似ウェーハ剥離後は繰り返し使用できて、バンプ形成等のコストや環境面で有利である。
【００３５】
また、ウェーハ一括処理による低コストバンプ処理の特徴を活かして、最先端のＬＳＩやベアチップの形で入手したチップでも使え、汎用性の高い新しいバンプ形成法を提供できる。また、半導体チップを疑似ウェーハから切り出す際に、プレート材（樹脂）の部分のみを切断するので、切断を容易に行え、ブレードの破損もなく、半導体チップ本体への悪影響（歪みやばり、亀裂等のダメージ）を抑えることができる。
【００３６】
【発明が解決しようとする課題】
このように、先願発明は種々の優れた特長を有するが、なお改善すべき問題点があることが判明した。
【００３７】
図１１には、図７（ｃ）〜（ｅ）で述べた半導体チップ３ａ、３ｂ及び３ａ’、３ｂ’の固定、樹脂４の塗布及び疑似ウェーハ２９の剥離の各工程を拡大して示すものである。但し、半導体チップは実際は多数個存在するが、図面では４個のみを示し、そのうち半導体チップ３ａ’、３ｂ’は、デバイスを樹脂４中のフィラーからのα線の入射に対して保護するためのポリイミド等のオーバーコート３１を電極パッド５以外に形成したものである。
【００３８】
そして、図１１（ａ）のように、基板１の粘着テープ（又はシート）２に各半導体チップを粘着固定した後に、図１１（ｂ）のように、プレート材４を例えば真空印刷法等の印刷法で塗布したり、或いは加熱加圧条件下で流し込んで成形して形成する場合、次の（１）〜（４）に示すような問題点が生じ易いことが判明した。
【００３９】
（１）例えば、プレート材４を真空印刷法等の印刷法、或いは加熱加圧条件下での成形により形成する際、直接にプレート材４を形成すると、図１１（ｂ）のように、半導体チップのある箇所に存在している気泡をプレート材４が巻き込んでボイド３２を生じ、また真空脱泡などを行っても、プレート厚が厚いために、ボイドが抜けにくく、プレート材４中やプレート表面に留まることがある。例えば、半導体チップが厚さ４００μｍのような厚いチップであったり、チップ間のギャップが３００μｍなどと狭い場合に、プレート材が未充填のボイド部分を発生することがある。特にプレート材表面にボイドが存在すると、その後に続くプレート材表面上での再配置配線工程用の層間絶縁膜の塗布等を安定して行えない。即ち、均一に塗布したい層間絶縁膜がボイドの部分で弾かれたり、凹凸になり、続く配線形成において回路的なオープンやショートを引き起こすなど、配線形成までの工程を安定して行えず、信頼性が悪くなることがある。
【００４０】
（２）また、プレート材４を加熱加圧条件下で成形する際、直接にプレート材４を形成すると、プレート材４の成分や固定材（粘着テープ２）の成分、又その成分同士の混合物の流動の跡（以下、ウェルドと称する。）が、チップコーナー部やチップエッジに発生し易い。このウェルドには、プレート材に均一に含まれているフィラーのような低膨張の成分が含まれておらず、膨張率の大きい有機成分からなるため、チップとの密着力低下や、熱が加わったときの膨張など、信頼性に悪影響を及ぼす可能性がある。
【００４１】
（３）また、プレート材４を加熱加圧条件下で成形する際、直接にプレート材４を形成すると、加熱加圧により固定材２が軟化し、この軟化部分４３で硬いチップによってその下の固定材２が押されてチップが沈み込み（或いは浮き上り）、図１１（ｃ）のように、プレート材４を剥離したときにその表面において、チップ−プレート材の境界に段差３４が発生する。この段差が例えば４μｍ以上発生すると、その後に続く層間絶縁膜の形成や配線の形成を安定して行えず、配線の導通不良を発生し、信頼性が悪くなることがある。この段差３４は、配線ピッチの狭い配線を形成する際にも、パターニング性に悪影響を及ぼす。
【００４２】
（４）更に、プレート材４を真空印刷法等の印刷法、或いは加熱加圧条件下での成形で形成する際、例えば、チップデバイス面の凹凸が大きく、或いはチップデバイス面の材質の差があるために、チップデバイス面と固定材２との密着性が悪い半導体チップや、チップデバイス面の電極５がチップの外周部にあり、チップエッジから電極まではオーバーコート３１が抜いてある半導体チップ（３ａ’、３ｂ’）では、チップデバイス面の電極５にプレート材が入りやすい構造となっているために、直接にプレート材４を形成すると、プレート材４を流し込む際又は真空脱泡する際に、気泡が抜けると同時にチップデバイス面の電極にプレート材４が入り込み、このまま硬化されることがある。このようにチップの電極５にプレート材４が入り込んで硬化すると、図１１（ｂ）、（ｃ）に３５で示すように、電極５が絶縁性物質で覆われることになるので、配線との導通不良が発生し、高抵抗化や信頼性低下を招くことになる。このような状況は、図１１（ｂ）に示したチップの沈み又は浮きにより生じた隙間にプレート材４が入り込むことによっても生じる。
【００４３】
本発明の目的は、上記した先願発明の特長を生かしつつ、上記した問題点を解消し、プレート材としての保護物質でチップ部品の電極面以外が被覆されたチップ状電子部品、及びこのチップ状電子部品を用いた実装構造、並びに複数のチップ部品を保護物質で一体化した疑似ウェーハにおいて、保護物質にボイド及びウェルドが発生するのを効果的に防止すると共に、チップ部品と保護物質との間の段差を少なくし、かつ電極面に保護物質が侵入することを防止して、配線形成やデバイス特性の信頼性を向上させることにある。
【００４４】
【課題を解決するための手段】
即ち、本発明は、少なくとも電極が一方の面側に設けられているチップ部品の前記一方の面以外のほぼ全面が連続した保護物質で覆われていて、前記電極と前記保護物質とを隔離するための隔離材が前記チップ部品と前記保護物質との間に設けられているチップ状電子部品に係り、また、このチップ状電子部品が、実装基板に接続固定されている実装構造に係るものである。
【００４５】
本発明はまた、少なくとも電極が一方の面側に設けられているチップ部品の複数個又は複数種が、これらの間及びその裏面に連続して被着された保護物質によって互いに固着されていて、前記電極と前記保護物質とを隔離するための隔離材が前記チップ部品と前記保護物質との間に設けられている疑似ウェーハに係るものである。
【００４６】
本発明はまた、支持体上に複数個又は複数種のチップ部品をその電極面を下にして固定する工程と、前記チップ部品の側面において前記電極を囲むように隔離材を被着する工程と、前記隔離材の周囲において保護物質を前記複数個又は複数種のチップ部品間を含むほぼ全面に被着する工程と、前記チップ部品間及びその裏面に連続して前記保護物質が被着してなる疑似ウェーハを前記支持体から剥離する工程とを有する疑似ウェーハの製造方法を提供し、更に、この疑似ウェーハの剥離工程後に、前記疑似ウェーハを前記複数個又は複数種のチップ部品間で切断して各チップ状電子部品を分離する工程を行う、チップ状電子部品の製造方法も提供するものである。
【００４７】
本発明によれば、チップ状電子部品、その実装構造及び疑似ウェーハにおいて、少なくとも電極が一方の面側に設けられているチップ部品の前記一方の面以外のほぼ全面が連続した保護物質で覆われていて、前記電極と前記保護物質とを隔離するための隔離材が前記チップ部品と前記保護物質との間に設けられているので、既述した問題点と比べて次の（１）〜（４）の顕著な作用効果が得られる。
【００４８】
（１）チップ部品の電極（例えばＡｌ電極パッド（以下、同様）を保護物質（例えば絶縁性樹脂からなるプレート材：以下、同様）から隔離するための隔離材（例えば液状樹脂：以下、同様）を予め設けること（即ち、チップ部品の周囲を予め隔離材で囲むこと）により、保護物質を流し込む際に、チップ部品のある箇所に存在するボイドを保護物質が巻き込むことを防止することができる。そして、この隔離材をディスペンス後に真空脱泡する際には、隔離材の厚さが薄いために、ボイドが抜け易く、また隔離材の存在によってチップ部品の表面が緩やかな形状となるために、保護物質を流し込んだときにチップ周囲にボイドを巻き込み難くなり、表面にもボイドが発生しない。例えばチップ部品が厚かったり、チップ部品間のギャップが狭い場合でも、未充填のボイド部分が発生することがない。また、保護物質の表面にボイドが存在したまま硬化しないので、その後の配線を安定して形成できる。つまり、保護物質の材質、物性、保護物質を流し込む印刷条件、成形条件、脱泡条件、保護物質の厚み等を変更することなく、未充填のボイド部分の発生をなくすことができる。
【００４９】
（２）また、保護物質を流し込む際、加熱加圧工程であっても、チップ部品の周囲を予め隔離材で囲んでいてチップ表面が緩やかな形状をなしているため、保護物質の流れがスムーズとなること等により、ウェルドがチップコーナー部やチップエッジに発生し難い。このウェルドがそれらの場所に発生しないので、チップ部品との密着力低下や、熱が加わったときの膨張など、信頼性に悪影響を及ぼす因子がなくなる。つまり、保護物質の材質、物性、保護物質を流し込むときの成形条件等を変更することなく、ウェルドの発生をなくすことができる。
【００５０】
（３）また、保護物質を流し込む際、加熱加圧工程であっても、チップ部品の周囲が予め隔離材で囲まれているので、加熱によりチップ部品固定材と共に隔離材も軟化するので、この軟化した隔離材が固定材へのチップ部品の沈み込み又は浮き上りを抑制することになり、チップ部品−保護物質の境界に発生する段差を低減でき、その後に続く層間絶縁膜の形成や配線形成を信頼性よく、安定して行うことができる。この段差が小さいことにより、配線ピッチの狭い配線を形成する際にも、パターニング性が良好となる。つまり、保護物質の材質、物性、固定材の材質、物性、保護物質を流し込むときの成形条件等を変更することなく、段差の発生を低減し、安定した配線形成、微細配線にも対応することができる。
【００５１】
（４）更に、保護物質を流し込む際に、チップデバイス面と固定材との密着性が悪いチップや、例えばチップデバイス面の電極がチップの外周部にあり、チップエッジから電極まではオーバーコートが抜いてあり、チップデバイス面の電極に保護物質が入りやすい構造のチップの場合でも、隔離材（特に樹脂硬化物）によってチップデバイス面の電極に保護物質が入り込まずに硬化可能となる。従って、チップの電極に保護物質が入り込んでいないので、配線との導通不良、高抵抗化が生じず、信頼性も良くなる。つまり、保護物質の材質、物性、固定材の材質、物性、保護物質を流し込む条件等を変更することなく、電極への保護物質の入り込みをなくすことができる。
【００５２】
これらの作用効果に加えて、本発明は、上述した先願発明と同様に、良品のチップ部品を支持体に再配列して貼り付け、隔離材の被着及び保護物質の被着後に剥離して、あたかも全品が良品チップである疑似ウェーハを得ることができるため、良品チップに対するウェーハ一括での配線形成及びはんだバンプ処理等も可能となる。又、自社製ウェーハのみならず、他社から購入したベアチップでも容易にはんだバンプ処理等が可能になる。
【００５３】
また、保護物質によってチップ側面及び裏面が覆われているので、Ｎｉ無電解めっき処理も可能であると共に、保護物質によってチップ側面及び裏面が保護されているので、チップの個片化後の実装ハンドリングにおいてもチップが保護されて、良好な実装信頼性が得られる。良品チップを貼り付ける基板はウェーハ剥離後は繰り返し使用できて、バンプ形成等のコストや環境面で有利である。
【００５４】
また、チップ状電子部品を疑似ウェーハから切り出す際に、保護物質の部分のみを切断するので、切断を容易に行え、ブレードの破損もなく、チップ部品への悪影響（歪みやばり、亀裂等のダメージ）を抑えることができる。
【００５５】
【発明の実施の形態】
本発明においては、前記隔離材が前記チップ部品の側面において前記チップ部品と前記保護物質との間及び／又は前記チップ部品間に被着されているのがよく、また、前記隔離材が絶縁性硬化物からなり、前記保護物質が有機系又は無機系の絶縁性物質からなっていてよく、特に前記隔離材が前記保護物質と同一材質からなるのがよい。
【００５６】
そして、前記一方の面側において前記隔離材と前記保護物質とが同一面をなしていること、前記隔離材がディスペンスで局部的に被着されていることがよい。
【００５７】
また、前記保護物質又は／及び前記隔離材の位置で切断され、実装基板に固定される単一の半導体チップ又は複数個又は複数種の半導体チップを有し、実装面側に前記電極が設けられ、前記半導体チップの側面が前記隔離材で覆われ、この隔離材及び前記半導体チップの裏面が前記保護物質で覆われているのがよい。
【００５８】
また、前記電極上に配線又ははんだバンプが形成されていること、ＭＣＭ用として複数個又は複数種の半導体チップが前記保護物質によって一体化されていることもよい。
【００５９】
本発明においては、前記隔離材を液状物の状態で被着し、しかる後に有機系又は無機系の絶縁性物質からなる前記保護物質を被着するのがよい。
【００６０】
この場合、前記チップ部品を前記支持体上に固定するための固定材の粘着力が低下しない温度で、ディスペンスで局部的に被着した前記液状物を硬化させ、しかる後に前記保護物質を流し込んで硬化させるのが効果的である。これは、前記固定材の耐熱性が十分なときには望ましい。
【００６１】
また、ディスペンスで局部的に被着した前記液状物を硬化させない状態で前記保護物質を流し込んで硬化させるのもよい。これは、前記固定材の耐熱性が不十分なときには望ましい。
【００６２】
前記液状物は真空脱泡するのがよいが、必ずしも行うことはない。
【００６３】
前記液状物の粘度を前記保護物質の流し込み時の粘度よりも高くしてディスペンスすると、前記液状物が高粘度のために電極上にはみ出すことがない。これは、チップの電極上に樹脂が入り易い構造のチップに対して有効である。但し、前記液状物のディスペンス後は前記固定材の粘着力が低下しない温度で硬化させ、しかる後に前記保護物質を流し込んで硬化するのがよい。
【００６４】
本発明においては、平坦な前記支持体上に固定材を設け、必要あればこの固定材上に枠を貼り付け、そしてこの枠の内側に良品の半導体チップの複数個又は複数種を電極面を下にして粘着固定し、必要あれば荷重及び／又は熱をかけながら真空引きを行い、しかる後に前記隔離材としての前記液状物を前記保護物質より高粘度で前記半導体チップの側面又は周囲にディスペンスで被着し、必要あれば真空脱泡及び低温での硬化後に、前記保護物質としての前記有機系又は無機系の絶縁性物質を半導体チップ裏面より均一に塗布して硬化させ、しかる後に前記複数個又は複数種の半導体チップを前記保護物質で固着した疑似ウェーハを前記支持体から剥離し、良品の半導体チップが複数個又は複数種配列されかつ電極面が露出した前記疑似ウェーハを得、しかる後に前記疑似ウェーハを前記複数個又は複数種の半導体チップ間で切断するのがよい。
【００６５】
この場合、予めチップ周囲にディスペンスする前記液状物、例えば液状樹脂は、前記保護物質（プレート材）と同じ材質でもよいし、同系統の材質であって高粘度とした材料でもよい。特に上記（４）の作用効果を得るには、チップデバイス面の電極へのしみ込みを抑えるために、高粘度のものを用いる。なお、ディスペンスに代えて、印刷で塗布することも可能である。
【００６６】
各材料を例示すると、前記液状樹脂は、材質：エポキシ樹脂、粘度：６０Ｐａ・ｓであってよく、粘度の高い樹脂（ダム）としては、材質：エポキシ樹脂、粘度：１００〜２００Ｐａ・ｓとしてよい。また、エポキシ樹脂に代えて、液状セラミックス、例えば材質：アルミナ、無機媒体、粘度：５０〜６０Ｐａ・ｓ以下（濃度調整で比較的自由に設定可能）のセラミックスを用いてよい。
【００６７】
また、前記液状樹脂をチップ周囲にディスペンスする際は、高精度のディスペンサで、チップエッジから一定の距離の外側位置まで一定高さでディスペンスするのがよい。チップエッジからその外側位置までの距離は、その上に配線形成するエリアまで広げてディスペンスすることが望ましい。即ち、プレート材上の配線は、ディスペンスした樹脂とプレート材との界面に生じる凹凸の影響を受けにくくなる。また、ディスペンス後の樹脂高さは、チップ裏面に回り込まない高さとし、チップ側面は樹脂で覆われている状態とするのが望ましい。チップ間ギャップが狭い箇所では、すべて樹脂で埋めておくことが望ましい。
【００６８】
液状樹脂のディスペンス後は、ディスペンス時にボイドを巻き込む可能性があるので、真空脱泡をするのがよい。このとき、樹脂厚はチップの厚さ以下と薄いので、脱泡し易い。但し、上記（４）の作用効果を得る場合には、チップ近傍に存在する気泡を脱泡すると、そこにプレート材が入り込み易くなることがあるので、真空脱泡しない方がよいこともある。
【００６９】
硬化については、プレート形成方法が、真空印刷法等の印刷法であれば、ディスペンス、真空脱泡後に硬化する必要はないが、加熱加圧による場合は、真空脱泡後にチップ周囲にディスペンスした樹脂が動かないように硬化する必要がある。この場合の硬化は、固定材のチップ保持力が低下してチップが動くことがなく、かつ固定材と基板（支持体）との剥離が起こらない温度条件以内で行うのがよい。
【００７０】
本発明では、良品チップのみが多数配列され、デバイス面が露出した疑似ウェーハの作製方法において、チップを固定材に固定し、必要に応じて例えば真空下での加圧により密着力を向上させた後、チップの周囲に液状樹脂をディスペンスし、真空脱泡、必要に応じて低温で硬化する。これにより、チップが存在することにより巻き込まれるボイドをなくし、ディスペンス時にチップの周囲にボイドが発生しても抜け易くすることにより、ボイドを発生させない。
【００７１】
また、ディスペンスした樹脂を低温で硬化しておくことにより、プレート材の加熱加圧による成形時に発生するプレート材のウェルドや、チップ−プレート材間の段差も低減する。これはまた、チップやチップの固定材への密着力が異なる材質、構造であっても、チップデバイス面の電極にプレート材が入り込まないように、ディスペンスした樹脂を硬化できる作製方法でもある。
【００７２】
こうして、良品チップのみが多数配列され、デバイスの電極パッド部分が全て露出し、ボイドの無いプレートを信頼性よく作製することができ、またプレート材のウェルド又はチップ−プレート間の段差が少ないので、その後に続く再配線の工程まで信頼性よく行うことができる。
【００７３】
そして、このプレート（疑似ウェーハ）に電極又は配線を形成し、単一又は複数個のチップからなるモジュールにカットすることにより、極めて低コストのチップモジュールを提供できる。このチップモジュールは、小型、軽量の携帯用電子機器のみならず、全てのエレクトロニクス機器に利用され得るものである。
【００７４】
また、特性測定により良品と判定された前記チップ部品を前記支持体上に固定すること、前記保護物質で固着された状態において前記チップ部品の特性測定を行ない、良品のチップ状電子部品を選択することがよい。
【００７５】
以下、本発明の好ましい実施の形態を図面参照下に説明する。
【００７６】
図１〜図３は、隔離材としての液状樹脂を半導体チップ周囲にディスペンスする工程を経て、各種チップをモジュール化（プレート化）又は個片化する工程を示す。
【００７７】
まず、図１（ａ）のように、例えばガラス板のような変形の少ない平坦な基板１上に、図１（ｂ）のように、粘着性固定材２を均一に形成する。固定材２はフィルムであれば、ローラーラミネートなどの手法で貼り付け、液状であれば、スピンコートや印刷などの手法で形成する。
【００７８】
次に、図１（ｃ）のように、固定材２上に、良品を確認した半導体チップ３、３’をデバイス（電極）面を下にして、固定材２の粘着性を利用して固定する。このとき、表面にポリイミドなどのオーバーコート３１を設けたチップ３’も固定するが、これも同様にオーバーコート面を下にして、固定材２の粘着性を利用して固定する。なお、オーバーコート３１付きのチップについては、図１１においても説明した。また、半導体チップ３、３’は同様のサイズで図示したが、図１１に示したもの３ａ、３ａ’、３ｂ、３ｂ’のようにサイズが異なるチップとしてもよいことは勿論である。また、半導体チップ３、３’は実際には多数個存在するが、図面では４個のみを示す（以下、同様）。
【００７９】
次に、必要あれば、図１（ｄ）のように、固定材２とチップ３、３’との密着性を高めるために、真空装置３６内に基板１ごと入れ、荷重治具３７をチップ裏面に載せ、その治具の自重、又は機械的な荷重により、チップ裏面に荷重をかけ、真空引きして、チップ３、３’と固定材２との密着性を向上させる。
【００８０】
次に、図２（ｅ）のように、チップ３、３’の周囲に沿って各側面に、液状樹脂（或いはプレート材より粘度の高い液状樹脂）３８Ａをディスペンスして局部的に被着し、必要に応じて真空脱泡、低温での硬化を行う。
【００８１】
この際、チップ周囲にディスペンスする液状樹脂３８Ａは、プレート材と同じ材質（例えばエポキシ樹脂）でもよいし、同系統の材質であってもよいが、より高粘度（例えば１００〜２００Ｐａ・ｓ）にしたものがよい。特にチップデバイス面の電極へのプレート材のしみ込みを抑えるために、高粘度のものを用いるのがよい。これは、液状樹脂３８Ａを硬化させないでプレート材を流し込む場合にも有効である。
【００８２】
また、チップ周囲にディスペンスする際には、高精度のディスペンサを用い、チップエッジから一定の距離の外側位置まで一定高さでディスペンスするが、チップエッジから外側位置までの距離は、その上に配線を形成するエリアまで広げてディスペンスすることが望ましい。これによって、ディスペンス後に硬化した樹脂３８とプレート材４との界面での凹凸の影響を受け難くなる。更に、ディスペンス後の樹脂３８の高さは、チップ裏面に回り込まない高さとし、チップ側面３９は樹脂３８で覆われている状態が望ましく、チップ間ギャップが狭い箇所４０は、すべて樹脂３８で埋めておくことが望ましい。
【００８３】
このディスペンス後は、ディスペンス時にボイドを巻き込む可能性があるので、真空脱泡をするのがよい。このとき、樹脂３８Ａの厚さはチップ厚さ以下と薄いので、脱泡し易い。但し、プレート材を流し込むときに脱泡箇所にプレート材が入り込むときは、真空脱泡しない方がよいこともある。
【００８４】
この液状樹脂３８Ａの硬化については、プレート材の形成方法が、真空印刷法等の印刷法であれば、ディスペンス、真空脱泡後に硬化する必要はないが、加熱加圧による場合は、真空脱泡後に、チップ周囲にディスペンスした樹脂３８が動かないように硬化する必要がある。この場合の硬化は、固定材２のチップ保持力が低下してチップが動くことがなく、かつ固定材２と基板１との剥離が起こらない温度条件以内で行う。
【００８５】
次に、図２（ｆ）のように、固定材２上に、チップ３、３’を囲むように、予め離型剤をスプレー塗布しておいた枠（又は金型）４１を貼り付け、この状態で図２（ｇ）のように、固定材２が離型作用を持つ液状エポキシ樹脂からなるプレート材４Ａ（粘度は例えば６０Ｐａ・ｓ）をチップ裏面より均一に流し込み、硬化する。
【００８６】
次に、図２（ｈ）のように、固定材２の離型作用を利用して、枠４１ごと、チップ３、３’が電極面以外において硬化したプレート材４で覆われたプレートを平坦な基板１から剥離し、更に図３（ｉ）のように、プレート４から枠４１を外し、図３（ｊ）に示す疑似ウェーハ４９を作製する。
【００８７】
次に、図３（ｋ）のように、サブトラクティブ法によって、各チップ３、３’の電極パッド５に接続されるように再配置用の配線３３をチップ上又はチップ間に形成する。こうしてＭＣＭ化用のチップ間接続を行う。この場合、配線３３下に絶縁層を設けてよいが、疑似ウェーハ４９の表面は電極パッド５を除いて絶縁性物質からなっているので、配線３３をその上に設けることができ、配線３３の下地に別の絶縁層を形成する必要はない。
【００８８】
次に、図３（ｌ）のように、切断刃４２によってチップ間のプレート材４（又は／及び樹脂３８）のダイシング１１を行って個片化し、複数個又は複数種の半導体チップがプレート材４で側面及び裏面において覆われて一体化された良品チップ状電子部品４６を作製する（なお、図３（ｋ）にはダイシング位置を仮想線で示す）。
【００８９】
また、図３（ｊ）又は（ｋ）の状態で各電極パッド５に接続されたはんだバンプ１２を一括転写法によって形成した後に、個片化することもできる。
【００９０】
本実施の形態によれば、各チップの周囲に硬化樹脂３８からなる隔離材（ダム材）を設けた状態でプレート材４Ａを流し込んで疑似ウェーハ４９を作製しているので、プレートの形成時にチップの存在に起因するボイドの巻き込みがなく、プレート材４中又は表面にボイドが生じず、またチップ３、３’の電極パッド５にプレート材４が侵入して覆ってしまうこともなく、更にプレート材４表面のチップ−プレート材間の段差も低減し、プレートのウェルドの発生も抑えられる。
【００９１】
従って、良品チップのみが多数配列され、デバイスの電極パッド部分が全て露出したボイドのない樹脂プレート（疑似ウェーハ）４９を信頼性良く作成でき、またチップ−プレート材間の段差も少ないため、後続の再配線も精度及び信頼性良く形成することができる。
【００９２】
即ち、例えば厚さの大きいチップ３、３’であって、チップの電極５にプレート材４Ａが入り込みやすい構造のチップであっても、予め液状樹脂３８Ａなどをチップ周囲にディスペンスし、必要に応じて真空脱泡、加熱硬化することにより、樹脂３８を設けずにプレート材４Ａを流し込む方法に比べて、液状樹脂の厚さが薄い状態で真空引きしてチップ周辺部のボイドを容易に抜き、またチップの外形も樹脂３８で覆われて緩やかな形状になるため、プレート材４Ａを流し込む際もチップ周囲にボイドを巻き込みにくくなる。
【００９３】
また、チップデバイス面の電極５にプレート材４Ａが入り込むことがなく、所望のプレートを得ることができる。その後にプレート材を加熱加圧条件で成形する際も、予めチップの周囲を樹脂３８で覆って緩やかな形状にしておくことにより、チップコーナー部やチップエッジに発生しやすいウェルドも低減できる。
【００９４】
また、プレート材４Ａを流し込むと、固定材２が軟化し、硬いチップ部分に押されて、チップ−プレート材間に段差が発生し易いが、予めチップの周囲を樹脂３８で覆っているので、チップ周囲を柔軟にし、段差も少なくすることができるので、表面の平坦な良品チップからなる樹脂プレート４９を安定して得ることができる。
【００９５】
そして、疑似ウェーハ４９においてバンプなどの電極形成や配線形成を安定して行うことができるようになり、個片化によって、複数の良品チップ（低歩留りで高価な最先端のＬＳＩや、既製のダイシングされたチップ、チップ抵抗などのチップ部品等の実装部品）を一体化した所望の平坦なチップモジュール４６を得ることができる（但し、単一のチップの個片化も可能である）。このチップ状電子部品４６は、図５に示したと同様に実装基板に接続固定する。
【００９６】
本実施の形態では更に、上述した先願発明と同様に、良品のチップ３、３’を基板１に再配列して貼り付け、樹脂３８の被着及びプレート材４の被着後に剥離して、あたかも全品が良品チップである疑似ウェーハ４９を得ることができるため、良品チップに対するウェーハ一括での配線形成及びはんだバンプ処理等も可能となる。又、自社製ウェーハのみならず、他社から購入したベアチップでも容易にはんだバンプ処理等が可能になる。
【００９７】
また、プレート材４によってチップ側面及び裏面が覆われているので、Ｎｉ無電解めっき処理も可能であると共に、プレート材４によってチップ側面及び裏面が保護されているので、チップの個片化後の実装ハンドリングにおいてもチップが保護されて、良好な実装信頼性が得られる。良品チップを貼り付ける基板はウェーハ剥離後は繰り返し使用できて、バンプ形成等のコストや環境面で有利である。
【００９８】
また、チップ状電子部品４６を疑似ウェーハ４９から切り出す際に、プレート材４の部分を切断するので、切断を容易に行え、ブレードの破損もなく、チップ部品への悪影響（歪みやばり、亀裂等のダメージ）を抑えることができる。
【００９９】
以上に説明した実施の形態は、本発明の技術的思想に基づいて更に変形が可能である。
【０１００】
例えば、上記の樹脂３８のパターンや材質、形成方法等は種々変更してよい。またその位置についてもチップ３、３’とプレート材４との間又はチップ間であればよい。
【０１０１】
また、図３（ｋ）の工程後に配線４３上に一括してはんだバンプを形成してからスクライブしてよいし、或いはこのバンプを実装基板側に予め設けて個片化したチップ状電子部品４６をマウントしてもよい。なお、図３（ｊ）の工程後に配線４３を形成せずにスクライブし、これを実装基板にマウントすることもできる。
【０１０２】
また、良品ベアチップを貼り付ける基板は、石英やガラスの他に同様の効果や強度があるならば、他の素材を用いてよいし、形や厚さも任意に変更できる。粘着テープ（又はシート）２もアクリル系等や、これと同様の目的を果たせば種々の素材でよいし、プレート材４の材質も広範囲のものから選択してよく、エポキシ樹脂等の有機系のみならず、ＳＯＧ（Ｓｐｉｎ　ｏｎ　Ｇｌａｓｓ）のＳｉＯｘ等の無機系も使用可能である。良品ベアチップは、形状やサイズ、種類が異なるものであってよいが、同一種であってもよい。
【０１０３】
そして、上記の石英基板等の基板は、何回でも繰り返して使用することができ、コストや環境面で有利である。また、本発明を適用する対象は、半導体チップを有するチップ状電子部品に限ることはなく、他のチップ部品を有する各種チップ状電子部品であってもよい。
【０１０４】
【発明の作用効果】
上述したように、本発明によれば、少なくとも電極が一方の面側に設けられているチップ部品の前記一方の面以外のほぼ全面が連続した保護物質で覆われていて、前記電極と前記保護物質とを隔離するための隔離材が前記チップ部品と前記保護物質との間に設けられているので、次の（１）〜（４）の顕著な作用効果が得られる。
【０１０５】
（１）チップ部品の電極を保護物質から隔離するための隔離材（例えば液状樹脂）を予め設けることにより、保護物質を流し込む際に、チップ部品のある箇所に存在するボイドを保護物質が巻き込むことを防止することができる。そして、この隔離材をディスペンス後に真空脱泡する際には、隔離材の厚さが薄いために、ボイドが抜け易く、また隔離材の存在によってチップ部品の表面が緩やかな形状となるために、保護物質を流し込んだときにチップ周囲にボイドを巻き込み難くなり、表面にもボイドが発生しない。例えばチップ部品が厚かったり、チップ部品間のギャップが狭い場合でも、未充填のボイド部分が発生することがない。また、保護物質の表面にボイドが存在したまま硬化しないので、その後の配線を安定して形成できる。
【０１０６】
（２）また、保護物質を流し込む際、加熱加圧工程であっても、チップ部品の周囲を予め隔離材で囲んでいてチップ表面が緩やかな形状をなしているため、保護物質の流れがスムーズとなること等により、ウェルドがチップコーナー部やチップエッジに発生し難い。このウェルドがそれらの場所に発生しないので、チップ部品との密着力低下や、熱が加わったときの膨張など、信頼性に悪影響を及ぼす因子がなくなる。
【０１０７】
（３）また、保護物質を流し込む際、加熱加圧工程であっても、チップ部品の周囲が予め隔離材で囲まれているので、加熱によりチップ部品固定材と共に隔離材も軟化するので、この軟化した隔離材が固定材へのチップ部品の沈み込みを抑制することになり、チップ部品−保護物質の境界に発生する段差を低減でき、その後に続く層間絶縁膜の形成や配線形成を信頼性よく、安定して行うことができる。この段差が小さいことにより、配線ピッチの狭い配線を形成する際にも、パターニング性が良好となる。
【０１０８】
（４）更に、保護物質を流し込む際に、チップデバイス面と固定材との密着性が悪いチップや、例えばチップデバイス面の電極がチップの外周部にあり、チップエッジから電極まではオーバーコートが抜いてあり、チップデバイスの面の電極に保護物質が入りやすい構造のチップの場合でも、隔離材（特に樹脂硬化物）によってチップデバイス面の電極に保護物質が入り込まずに硬化可能となる。従って、チップの電極に保護物質が入り込んでいないので、配線との導通不良、高抵抗化が生じず、信頼性もよくなる。
【０１０９】
そして、良品のチップ部品を支持体に再配列して貼り付け、隔離材の被着及び保護物質の被着後に剥離して、あたかも全品が良品チップである疑似ウェーハを得ることができるため、良品チップに対するウェーハ一括での配線形成及びはんだバンプ処理等も可能となる。又、自社製ウェーハのみならず、他社から購入したベアチップでも容易にはんだバンプ処理等が可能になる。
【０１１０】
また、保護物質によってチップ側面及び裏面が覆われているので、Ｎｉ無電解めっき処理も可能であると共に、保護物質によってチップ側面及び裏面が保護されているので、チップの個片化後の実装ハンドリングにおいてもチップが保護されて、良好な実装信頼性が得られる。良品チップを貼り付ける基板はウェーハ剥離後は繰り返し使用できて、バンプ形成等のコストや環境面で有利である。
【０１１１】
また、チップ状電子部品を疑似ウェーハから切り出す際に、保護物質の部分のみを切断するので、切断を容易に行え、ブレードの破損もなく、チップ部品への悪影響（歪みやばり、亀裂等のダメージ）を抑えることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態によるチップ状電子部品の作製方法を工程順に示す各断面図である。
【図２】図１の工程に続く工程を順次示す各断面図である。
【図３】図２の工程に続く工程を順次示す各断面図である。
【図４】従来のチップ状電子部品の作製方法を工程順に示す各断面図である。
【図５】同、ＭＣＭ化された実装構造の一例の斜視図（ａ）とその一部断面側面図（ｂ）、（ｃ）である。
【図６】同、ウェーハ一括処理に対処する半導体ウェーハの斜視図である。
【図７】先願発明による疑似ウェーハの作製及びそれに続く実装方法を工程順に示す各断面図である。
【図８】図７の工程に続く工程を順次示す各断面図である。
【図９】同、バンプ形成工程を順次示す断面図である。
【図１０】同、疑似ウェーハの斜視図及びその一部分の拡大平面図である。
【図１１】図７の工程を詳細に説明する各断面図である。
【符号の説明】
１…石英基板、２…粘着性固定材又は粘着テープ（又はシート）、
３、３’、３ａ、３ｂ…良品ベアチップ、４…プレート材又は樹脂、
４Ａ…液状プレート材（樹脂）、５…電極パッド、８…印刷マスク、
９…はんだペースト、１１…ダイシング、１２…はんだバンプ、
２９、４９…疑似ウェーハ、３１…オーバーコート、３３…配線、
３６…真空装置、３７…荷重治具、３８…硬化樹脂、３８Ａ…液状樹脂、
３９…側面、４０…狭ギャップ、４１…枠、４２…ブレード、
４６…チップ状電子部品
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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