(57)【要約】【課題】薄型にして垂直面の高さが大きなメッキ構造体を提供すること、及びかかるメッキ構造体を高価かつ大掛かりな装置や複雑なプロセスを用いることなく容易かつ高能率に作製可能な方法を提供すること。【解決手段】メッキ構造体については、金属膜又は合金膜からなる第１パターン２及び第２パターン６と、これら第１及び第２のパターン２，６を一体に接合するメッキ生成物からなるメッキ接合部１１とを有する構成とする。メッキ構造体の製造方法については、第１パターン２を有する第１基板１及び第２パターン６を有する第２基板５を作製した後、第１基板１上に第２基板５を粘着剤１０で仮固定し、第１パターン２と第２パターン２の突き合わせ部の近傍をメッキ接合部１１にて接合する構成とする。【選択図】　　　　図１０
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
デバイス基板と、当該デバイス基板の片面に形成された金属膜又は合金膜からなる第１パターンと、当該第１パターン上に配置された金属膜又は合金膜からなる第２パターンと、前記第１パターンと前記第２パターンとを接合するメッキ生成物からなるメッキ接合部とを備えたことを特徴とするメッキ構造体。
【請求項２】
金属膜又は合金膜からなる第１パターンと、当該第１パターン上に配置された金属膜又は合金膜からなる第２パターンと、前記第１パターンと前記第２パターンとを接合するメッキ生成物からなるメッキ接合部とを備えたことを特徴とするメッキ構造体。
【請求項３】
第１基板の片面に金属膜又は合金膜からなる第１パターンを形成する工程と、
前記第１パターンの一部に第１絶縁膜を被着し、前記第１パターンの他の一部に前記第１絶縁膜が被着されていない第１露出部を形成する工程と、
第２基板の片面に金属膜又は合金膜からなる第２パターンを形成する工程と、
前記第２パターンの一部に第２絶縁膜を被着し、前記第２パターンの他の一部に前記第２絶縁膜が被着されていない第２露出部を形成する工程と、
前記第１基板上に前記第２基板を仮固定し、前記第１露出部と前記第２露出部とを接近して配置する工程と、
前記第１露出部と前記第２露出部との間にメッキ接合部を生成する工程と、
前記第１絶縁膜、前記第２絶縁膜及び前記第２基板を除去する工程とを含むことを特徴とするメッキ構造体の製造方法。
【請求項４】
第１基板の片面に金属膜又は合金膜からなる第１パターンを形成する工程と、
前記第１パターンの一部に第１絶縁膜を被着し、前記第１パターンの他の一部に前記第１絶縁膜が被着されていない第１露出部を形成する工程と、
第２基板の片面に金属膜又は合金膜からなる第２パターンを形成する工程と、
前記第２パターンの一部に第２絶縁膜を被着し、前記第２パターンの他の一部に前記第２絶縁膜が被着されていない第２露出部を形成する工程と、
前記第１基板上に前記第２基板を仮固定し、前記第１露出部と前記第２露出部とを接近して配置する工程と、
前記第１露出部と前記第２露出部との間にメッキ接合部を生成する工程と、
前記第１絶縁膜、前記第２絶縁膜、前記第１基板及び前記第２基板を除去する工程とを含むことを特徴とするメッキ構造体の製造方法。
【請求項５】
請求項３又は請求項４のいずれかに記載のメッキ構造体の製造方法において、前記第１基板の片面に金属膜又は合金膜からなる第１パターンを形成する工程には、前記第１基板の片面に前記第１パターンのもとになる金属膜又は合金膜を電解メッキにて形成する工程を含むことを特徴とするメッキ構造体の製造方法。
【請求項６】
請求項３又は請求項４のいずれかに記載のメッキ構造体の製造方法において、前記第２基板の片面に金属膜又は合金膜からなる第２パターンを形成する工程には、前記第２基板の片面に前記第２パターンのもとになる金属膜又は合金膜を電解メッキにて形成する工程を含むことを特徴とするメッキ構造体の製造方法。
【請求項７】
請求項３又は請求項４のいずれかに記載のメッキ構造体の製造方法において、前記第１露出部と前記第２露出部との間にメッキ接合部を生成する工程には、前記第１露出部と前記第２露出部とに無電解メッキによりメッキ生成物を堆積させる工程を含むことを特徴とするメッキ構造体の製造方法。
【請求項８】
請求項３又は請求項４のいずれかに記載のメッキ構造体の製造方法において、前記第１基板上に前記第２基板を仮固定し、前記第１露出部と前記第２露出部とを接近して配置する工程には、前記第１基板上に前記第２基板及び前記第２パターンを粘着剤を介して仮固定する工程を含むことを特徴とするメッキ構造体の製造方法。
【請求項９】
請求項３又は請求項４のいずれかに記載のメッキ構造体の製造方法において、前記第１基板上に前記第２基板を仮固定し、前記第１露出部と前記第２露出部とを接近して配置する工程には、前記第１基板上に前記第２基板のみを粘着剤を介して仮固定し、前記第１基板に形成された第１パターンと前記第２基板に形成された第２パターンとの間に前記粘着剤の厚みに相当する間隙を設ける工程を含むことを特徴とするメッキ構造体の製造方法。
【請求項１０】
請求項３又は請求項４のいずれかに記載のメッキ構造体の製造方法において、前記第１絶縁膜及び前記第２絶縁膜を溶剤可溶性の樹脂にて形成したことを特徴とするメッキ構造体の製造方法。
【請求項１１】
請求項３又は請求項４のいずれかに記載のメッキ構造体の製造方法において、前記第１基板と前記第１パターンの間及び前記第２基板と前記第２パターンの間に、溶剤可溶性の樹脂からなる下地層を介在させたことを特徴とするメッキ構造体の製造方法。
【請求項１２】
請求項８又は請求項９のいずれかに記載のメッキ構造体の製造方法において、前記粘着剤を溶剤可溶性の樹脂にて形成したことを特徴とするメッキ構造体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、メッキ構造体及びその製造方法に係り、特に、エレクトロニクスやオプトエレクトロニクスの分野における精密部品用パーツとして種々の用途に適用可能な微細メッキ構造体とその製造方法とに関する。
【０００２】
【従来の技術】
各種電子デバイス及び光学デバイス等において、微細メッキを用いた精密加工技術の開発が進展している。例えば電子デバイス関連では、従来から電解鋳造法を用いた精密マスクや各種微細部品が作製されており、最近では、ＬＳＩウェハ上にメッキにより再配線を施したり、微小コイルを形成することが盛んに行われている。また、厚膜レジストを用いて狭開口領域にアスベクト比の高いメッキ構造を形成するＬＩＧＡ法と呼ばれる技術が開発されており、これを用いて例えば光スイッチなどの光学部品用の垂直ミラーが作製されている。
【０００３】
しかしながら、これらの方法はいずれもフォトレジストに形成された開口部内にメッキ物を充填する方式のものであるため、前記ＬＩＧＡ法においても極度に開口幅を狭めた場合はメッキ液の滞留等により反応が進まず、薄型にして垂直面の高さが大きな垂直ミラーなどのメッキ構造体を作製することが難しいという問題がある。また、これらの方法はいずれもワーク全体について加工するものであり、局所領域での選択メッキを行う場合にはきわめて複雑な工程を要するので、垂直ミラーなどのメッキ構造体を効率よく作製することが難しいという問題もある。特に、ＬＩＧＡ法は、放射線によりフォトレジストの露光を行う方式であるため、高価かつ大掛かりな装置を必要とし、製品であるメッキ構造体の製造コストが高価になる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、かかる従来技術の実状に鑑みてなされたものであり、その目的は、薄型にして垂直面の高さが大きなメッキ構造体を提供すること、及びかかるメッキ構造体を高価かつ大掛かりな装置や複雑なプロセスを用いることなく容易かつ高能率に作製可能な方法を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明は、前記の目的を達成するため、メッキ構造体については、デバイス基板と、当該デバイス基板の片面に形成された金属膜又は合金膜からなる第１パターンと、当該第１パターン上に配置された金属膜又は合金膜からなる第２パターンと、前記第１パターンと前記第２パターンとを接合するメッキ生成物からなるメッキ接合部とを備えるという構成にした。
【０００６】
このように、メッキ構造体を、金属膜又は合金膜からなる第１パターン及び第２パターンと、これら第１及び第２のパターンを一体に接合するメッキ生成物からなるメッキ接合部とから形成すると、メッキ構造体の各部を薄型に形成できると共に、第１パターンに対して第２パターンを垂直に配置することによって、ＬＩＧＡ法などの従来方法によっては形成することができない高い垂直面を任意に形成することができ、薄型にして垂直面の高さが大きなメッキ構造体とすることができる。また、デバイス基板上に第１パターン及び第２パターン並びにメッキ接合部を一体に形成すると、エレクトロニクス装置やオプトエレクトロニクス装置を構成する他の部品との組立を容易化することができるので、これら各種装置の製造効率を高めることができる。
【０００７】
本発明は、前記の目的を達成するため、メッキ構造体については、金属膜又は合金膜からなる第１パターンと、当該第１パターン上に配置された金属膜又は合金膜からなる第２パターンと、前記第１パターンと前記第２パターンとを接合するメッキ生成物からなるメッキ接合部とを備えるという構成にした。
【０００８】
このように、メッキ構造体を、金属膜又は合金膜からなる第１パターン及び第２パターンと、これら第１及び第２のパターンを一体に接合するメッキ生成物からなるメッキ接合部とからのみ形成し、デバイス基板を省略すると、エレクトロニクス装置やオプトエレクトロニクス装置に占めるメッキ構造体の設定スペースを小さくすることができるので、これら各種装置の小型化を図ることができる。
【０００９】
一方、本発明は、前記の目的を達成するため、メッキ構造体の製造方法については、第１基板の片面に金属膜又は合金膜からなる第１パターンを形成する工程と、前記第１パターンの一部に第１絶縁膜を被着し、前記第１パターンの他の一部に前記第１絶縁膜が被着されていない第１露出部を形成する工程と、第２基板の片面に金属膜又は合金膜からなる第２パターンを形成する工程と、前記第２パターンの一部に第２絶縁膜を被着し、前記第２パターンの他の一部に前記第２絶縁膜が被着されていない第２露出部を形成する工程と、前記第１基板上に前記第２基板を仮固定し、前記第１露出部と前記第２露出部とを接近して配置する工程と、前記第１露出部と前記第２露出部との間にメッキ接合部を生成する工程と、前記第１絶縁膜、前記第２絶縁膜及び前記第２基板を除去する工程とを含むという構成にした。
【００１０】
このように、第１パターンを有する第１基板及び第２パターンを有する第２基板を作製した後に、第１基板上に第２基板を仮固定して第１パターンと第２パターンとをメッキ接合部にて接合すると、第１パターンと第２パターンとをメッキにて接合することができるので、例えばＬＩＧＡ法を用いる場合のように高価かつ大掛かりな装置や複雑なプロセスを用いる必要がないので、所要の形状のメッキ構造体を容易かつ高能率に作製することができる。また、メッキ接合部を生成した後に、第１絶縁膜、第２絶縁膜及び第２基板を除去すると、絶縁膜や基板を除去した面に平坦度及び平面度の高いミラー面を形成することができるので、光学特性に優れた垂直ミラーなどのメッキ構造体を作製することができる。
【００１１】
本発明は、前記の目的を達成するため、メッキ構造体の製造方法については、第１基板の片面に金属膜又は合金膜からなる第１パターンを形成する工程と、前記第１パターンの一部に第１絶縁膜を被着し、前記第１パターンの他の一部に前記第１絶縁膜が被着されていない第１露出部を形成する工程と、第２基板の片面に金属膜又は合金膜からなる第２パターンを形成する工程と、前記第２パターンの一部に第２絶縁膜を被着し、前記第２パターンの他の一部に前記第２絶縁膜が被着されていない第２露出部を形成する工程と、前記第１基板上に前記第２基板を仮固定し、前記第１露出部と前記第２露出部とを接近して配置する工程と、前記第１露出部と前記第２露出部との間にメッキ接合部を生成する工程と、前記第１絶縁膜、前記第２絶縁膜、前記第１基板及び前記第２基板を除去する工程とを含むという構成にした。
【００１２】
このように、メッキ接合部を生成した後に、第１絶縁膜、第２絶縁膜及び第２基板のみならず第１基板をも除去すると、絶縁膜や基板を除去した面に平坦度及び平面度の高いミラー面を形成することができるので、光学特性に優れた垂直ミラーなどのメッキ構造体の単体を作製することができる。
【００１３】
本発明は、前記の目的を達成するため、前記のメッキ構造体の製造方法において、前記第１基板の片面に金属膜又は合金膜からなる第１パターンを形成する工程には、前記第１基板の片面に前記第１パターンのもとになる金属膜又は合金膜を電解メッキにて形成する工程を含むという構成にした。
【００１４】
このように、第１基板の片面に金属膜又は合金膜からなる第１パターンを形成する際に、第１基板の片面に第１パターンのもとになる金属膜又は合金膜を電解メッキにて形成すると、他の方法、例えば第１基板の片面に金属箔又は合金箔を接着する場合などに比べて第１パターンの形成を容易化することができるので、メッキ構造体の製造コストの低減を図ることができる。
【００１５】
本発明は、前記の目的を達成するため、前記のメッキ構造体の製造方法において、前記第２基板の片面に金属膜又は合金膜からなる第２パターンを形成する工程には、前記第２基板の片面に前記第２パターンのもとになる金属膜又は合金膜を電解メッキにて形成する工程を含むという構成にした。
【００１６】
このように、第２基板の片面に金属膜又は合金膜からなる第２パターンを形成する際に、第２基板の片面に第２パターンのもとになる金属膜又は合金膜を電解メッキにて形成すると、他の方法、例えば第２基板の片面に金属箔又は合金箔を接着する場合などに比べて第２パターンの形成を容易化することができるので、メッキ構造体の製造コストの低減を図ることができる。
【００１７】
本発明は、前記の目的を達成するため、前記のメッキ構造体の製造方法において、前記第１露出部と前記第２露出部との間にメッキ接合部を生成する工程には、前記第１露出部と前記第２露出部とに無電解メッキによりメッキ生成物を堆積させる工程を含むという構成にした。
【００１８】
このように、メッキ接合部の生成を無電解メッキにより行うと、他の方法、例えば電解メッキにより行う場合などに比べてメッキ接合部の生成を容易化することができるので、メッキ構造体の製造コストの低減を図ることができる。
【００１９】
本発明は、前記の目的を達成するため、前記のメッキ構造体の製造方法において、前記第１基板上に前記第２基板を仮固定し、前記第１露出部と前記第２露出部とを接近して配置する工程には、前記第１基板上に前記第２基板及び前記第２パターンを粘着剤を介して仮固定する工程を含むという構成にした。
【００２０】
このように、第１基板上に第２基板及び第２パターンを粘着剤を介して仮固定すると、メッキ接合部の生成を安定に行うことができ、所定形状のメッキ構造体を高能率に製造することができる。また、第２基板及び当該第２基板上に形成された第２パターンの双方に粘着剤を塗布することができるので、第２基板にのみ選択的に粘着剤を塗布する場合に比べて粘着剤の塗布作業を容易化することができ、メッキ構造体の製造能率を高めることができる。
【００２１】
本発明は、前記の目的を達成するため、前記のメッキ構造体の製造方法において、前記第１基板上に前記第２基板を仮固定し、前記第１露出部と前記第２露出部とを接近して配置する工程には、前記第１基板上に前記第２基板のみを粘着剤を介して仮固定し、前記第１基板に形成された第１パターンと前記第２基板に形成された第２パターンとの間に前記粘着剤の厚みに相当する間隙を設ける工程を含むという構成にした。
【００２２】
このように、第１基板上に第２基板を粘着剤を介して仮固定すると、メッキ接合部の生成を安定に行うことができ、所定形状のメッキ構造体を高能率に製造することができる。また、粘着剤を第２基板にのみ選択的に塗布するので、メッキ接合部を第１パターンの上面と第２パターンの端面との間まで回り込ませることができ、メッキ接合部による第１パターンと第２パターンとの接合強度をより高めることができる。
【００２３】
本発明は、前記の目的を達成するため、前記のメッキ構造体の製造方法において、前記第１絶縁膜及び前記第２絶縁膜を溶剤可溶性の樹脂にて形成するという構成にした。
【００２４】
このように、第１絶縁膜及び第２絶縁膜を溶剤可溶性の樹脂にて形成すると、メッキ接合部の生成後に不要となった各絶縁膜を容易に除去することができるので、メッキ構造体の製造を容易なものにすることができる。
【００２５】
本発明は、前記の目的を達成するため、前記のメッキ構造体の製造方法において、前記第１基板と前記第１パターンの間及び前記第２基板と前記第２パターンの間に、溶剤可溶性の樹脂からなる下地層を介在させるという構成にした。
【００２６】
このように、第１基板と第１パターンとの間及び第２基板と第２パターンとの間に溶剤可溶性の樹脂からなる下地層を介在させると、メッキ接合部の生成後に不要となった各基板を容易に除去することができるので、メッキ構造体の製造を容易なものにすることができる。
【００２７】
本発明は、前記の目的を達成するため、前記のメッキ構造体の製造方法において、前記粘着剤を溶剤可溶性の樹脂にて形成するという構成にした。
【００２８】
このように、仮固定用の粘着剤を溶剤可溶性の樹脂にて形成すると、メッキ接合部の生成後に不要となった第２基板の除去を容易化することができるので、メッキ構造体の製造を容易なものにすることができる。
【００２９】
【発明の実施の形態】
以下、光通信などの分野に適用される垂直ミラー構造体を例にとって、本発明に係るメッキ構造体及びその製造方法の実施形態を説明する。図１〜図１０は、本発明に係る垂直ミラー構造体の製造手順を示す図である。
【００３０】
図１に示すように、第１基板１の片面にニッケル膜からなるカンチレバー形状の第１パターン２を形成した。当該第１パターン２の形成は、第１基板１の片面全面にメッキ下地層として溶剤可溶性の樹脂層をスピンコートにより３μｍ厚さに塗布し、その上にスパッタリングによりメッキ給電層となるニッケル膜を０．５μｍ厚さに形成して第１基板１の片面全面にニッケルの電解メッキ膜を２０μｍ厚さに形成した後、フォトリソグラフィにより前記ニッケルの電解メッキ膜及び給電膜をパターニングすることで行った。次に、図２に示すように、作製された第１パターン２上の所定部分に露出部３を残して、第１基板１の片面全面にスクリーン印刷により第１絶縁膜４をカバーコートした。
【００３１】
また、これと並行して、図３に示すように、第２基板５の片面にニッケル膜からなる方形の第２パターン６を形成した。当該第２パターン６の形成は、第２基板５の片面全面にメッキ下地層として溶剤可溶性の樹脂層をバーコートにより３μｍ厚さに塗布し、その上に真空蒸着によりメッキ給電層となるニッケル膜を０．５μｍ厚さに形成して第２基板５の片面全面にニッケルの電解メッキ膜を２０μｍ厚さに形成した後、フォトリソグラフィにより前記ニッケルの電解メッキ膜及び給電膜をパターニングすることで行った。本実施形態例においては、第２パターン６として、一辺の長さが０．５ｍｍの方形パターンを形成した。次に、図４に示すように、形成された第２パターン６の一端部に０．１ｍｍ幅の露出部７を残して、第２パターン６の他の部分及びその周辺部分にスクリーン印刷により溶剤可溶性の第２絶縁膜８をカバーコートした。次いで、図５に示すように、前記第２絶縁膜８がカバーコートされた第２基板５より、露出部７を含む第２パターン６の全部とその周辺部分よりなる個片９をダイシングにより切り出した。
【００３２】
しかる後に、図６及び図７に示すように、切り出した個片９を第１基板１の露出部３上に、第２パターン６の露出部７を第１パターン２の露出部３側に向け、かつ第２パターン６を第１パターン２に対して垂直方向に向けて設置した。このとき、第１パターン２の露出部３に対する個片９の位置合わせは、顕微鏡を用いて行った。また、第１パターン２の露出部３に対する個片９の固定は、個片９の下面に粘着剤１０を付与することにより行った。粘着剤１０の厚みは約１μｍであった。なお、個片９の位置決め精度については、例えば光学素子用の精密マウンタ等を用いることにより、公差１μｍ以下というきわめて高い精度を実現できる。
【００３３】
次に、図８に示すように、前記個片９が取り付けられた第１基板１を無電解ニッケルメッキ液に浸漬し、第１パターン２の露出部３及び第２パターン６の露出部７とにニッケルメッキを施した。この結果、図８に示すように、前記各露出部３，７をつなぐメッキ接合部１１が形成された。
【００３４】
このメッキ接合部１１の形成後、前記第１絶縁膜４、前記第２絶縁膜８、前記粘着剤１０及び前記第２パターン６のメッキ下地層として形成された溶剤可溶性の樹脂層を溶剤により除去して、図９に示すように、第１基板１上に第１パターン２と第２パターン６とメッキ接合部１１とが形成された垂直ミラー構造体を完成した。本実施形態例に係る垂直ミラー構造体においては、前記第１基板１がデバイス基板として用いられる。
【００３５】
なお、本発明に係る垂直ミラー構造体は、図９に例示するデバイス基板を備えたものに限定されるものではなく、第１パターン２のメッキ下地層として形成された溶剤可溶性の樹脂層を溶剤により除去することにより、図１０に示すように、第１基板１を有さず、第１パターン２と第２パターン６とメッキ接合部１１とからのみなる垂直ミラー構造体とすることもできる。
【００３６】
前記第２パターン６は、１０μｍ角程度の小さいものから数ｍｍ角程度の大きいものまでエッチングにより任意に作製することができる。また、前記第１基板１及び第２基板５としては、ガラス、プラスチック、セラミック、シリコンなど各種のものを使用することができる。さらに、前記溶剤可溶性の樹脂層、前記第１及び第２の絶縁膜４，８及び粘着剤１０に用いる樹脂材料としては、ウレタン系、ポリイミド系、エポキシ系、アクリル系、ポリエステル系、ブチラール系などの各種の溶剤可溶性の樹脂又はエラストマを用いることができる。あるいは、熱可塑性樹脂を用いて溶剤のかわりに加熱により除去するようにすることもできる。メッキ金属としては、ニッケル又はニッケル合金以外に、銅、クロム、銀、亜鉛、スズ及びこれらの合金などを使用することができる。
【００３７】
前記実施形態例においては、第１パターン２の片面と第２パターン６の片面の間にのみメッキ接合部１１を形成したが、本発明の要旨はこれに限定されるものではなく、第１基板１上に個片９を設定する際、個片９上に形成された第２パターン６の下端部分に粘着剤１０が付着されないようにして、第１パターン２と第２パターン６の下端部との間に微小な間隙が生じるようにすることにより、第２パターン６の下側の面にメッキ接合部１１を回り込ませることもできる。このようにすると、メッキ接合部１１の形成領域を大きくすることができるので、第１パターン２と第２パターン６とのより安定な接合状態を得ることができる。
【００３８】
また、前記実施形態例においては、第１基板１上に第１パターン２のもとになるニッケル膜をメッキにより形成したが、本発明の要旨はこれに限定されるものではなく、第１基板１上に第１パターン２のもとになるニッケル箔を貼り付けることもできる。
【００３９】
さらに、前記実施形態例においては、第１パターン２及び第２パターン６のパターニングをフォトリソグラフィにより行ったが、本発明の要旨はこれに限定されるものではなく、例えば厚膜レジストで形成されたパターン領域に局部的にメッキ成長させる、いわゆるアデティブ法などの他の手段によっても形成することもできる。
【００４０】
加えて、前記実施形態例においては、第１絶縁膜４及び第２絶縁膜８のパターン形成をスクリーン印刷にて行ったが、本発明の要旨はこれに限定されるものではなく、例えばリソグラフィなどの他の手段によっても行うこともできる。
【００４１】
本発明の垂直ミラーは、光スイッチや光コネクタなどの各種光インターコネクション部品に適用することができる。また、本発明の製造方法は、垂直ミラー以外に、エレクトロニクス及びオプトエレクトロニクスにおける各種部品の製造に応用することができる。例えば、高周波アンテナパターンをメッキ膜にて形成し、本方法を用いて基板上に垂直に立てることにより、効率の良い空中架線構造のアンテナを容易に作製することができる。また、高周波伝送線路を同様の方法で形成して基板上に垂直に立て、必要に応じて９０度折り曲げるといった構造も容易に作製でき、それにより誘電体との接触のない、極めて低損失の高周波回路を作製することができる。
【００４２】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明に係るメッキ構造体は、金属膜又は合金膜からなる第１パターン及び第２パターンと、これら第１及び第２のパターンを一体に接合するメッキ生成物からなるメッキ接合部とから形成したので、メッキ構造体の各部を薄型に形成できる。また、第１パターンに対して第２パターンを垂直に配置することによって、ＬＩＧＡ法などの従来方法によっては形成することができない高い垂直面を任意に形成することができるので、薄型にして垂直面の高さが大きなメッキ構造体とすることができる。
【００４３】
また、本発明に係るメッキ構造体の製造方法は、第１パターンを有する第１基板及び第２パターンを有する第２基板を作製した後に、第１基板上に第２基板を仮固定して第１パターンと第２パターンとをメッキ接合部にて接合するので、第１パターンと第２パターンとをメッキにて接合することができ、例えばＬＩＧＡ法を用いる場合のように高価かつ大掛かりな装置や複雑なプロセスを用いる必要がないので、所要の形状のメッキ構造体を容易かつ高能率に作製することができる。また、メッキ接合部を生成した後に、第１絶縁膜、第２絶縁膜及び第２基板を除去するので、絶縁膜や基板を除去した面に平坦度及び平面度の高いミラー面を形成することができ、光学特性に優れた垂直ミラーなどのメッキ構造体を作製することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１パターンが形成された第１基板の平面図である。
【図２】第１絶縁膜が形成された第１基板の平面図である。
【図３】第２パターンが形成された第２基板の平面図である。
【図４】第２絶縁膜が形成された第２基板の平面図である。
【図５】個片の切り出し部を示す第２基板の平面図である。
【図６】個片が取り付けられた第１基板の平面図である。
【図７】個片が取り付けられた第１基板の側面図である。
【図８】メッキ接合部の形成方法を示す個片が取り付けられた第１基板の側面図である。
【図９】デバイス基板を有する垂直ミラー構造体の側面図である。
【図１０】デバイス基板を有しない垂直ミラー構造体の側面図である。
【符号の説明】
１　第１基板
２　第１パターン
３　露出部
４　第１絶縁膜
５　第２基板
６　第２パターン
７　露出部
８　第２絶縁膜
９　個片
１０　粘着剤
１１　メッキ接合部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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