(57)【要約】【課題】室温で使用できると共に、高精度で水素ガスを検知することができるようにした、水素ガスセンサ及びその製造方法を提供する。【解決手段】配位高分子金属錯体（Ｒ２　ｄｔｏａＭ）を水素を感知する媒体とするセンサ素子１１と、このセンサ素子の電気抵抗を測定する測定手段１２とから水素ガスセンサ１０を構成する。配位高分子金属錯体は、（Ｃ３　Ｈ６　ＯＨ）２　ｄｔｏａＣｕ，（Ｃ２　Ｈ４　ＯＨ）２　ｄｔｏａＣｕ，Ｈ２　ｄｔｏａＣｕなどでよい。この水素ガスセンサ１０は、室温で使用できると共に、水素の吸蔵に伴って電気抵抗率が約９桁程度減少するので、高感度で水素ガスの検知を行なうことができる。さらに（Ｃ３　Ｈ６　ＯＨ）２　ｄｔｏａＣｕを用いた水素ガスセンサの製造方法を提供する。【選択図】　　　　図１
2004028838.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
配位高分子金属錯体Ｒ２　ｄｔｏａＭ（ここで、Ｍは金属）を水素を感知する媒体とするセンサ素子と、このセンサ素子の電気抵抗を測定する測定手段と、から構成されていることを特徴とする、水素ガスセンサ。
【請求項２】
前記配位高分子金属錯体Ｒ２　ｄｔｏａＭのＭは、遷移金属であることを特徴とする、請求項１に記載の水素ガスセンサ。
【請求項３】
前記遷移金属は、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、鉄（Ｆｅ）、または、コバルト（Ｃｏ）の何れか１つであることを特徴とする、請求項２に記載の水素ガスセンサ。
【請求項４】
前記配位高分子金属錯体Ｒ２　ｄｔａｏＭのアルキル基Ｒは、（Ｃ３　Ｈ６　ＯＨ）であることを特徴とする、請求項１〜３の何れかに記載の水素ガスセンサ。
【請求項５】
前記配位高分子金属錯体Ｒ２　ｄｔｏａＭのアルキル基Ｒは、（Ｃ２　Ｈ４　ＯＨ）であることを特徴とする、請求項１〜３の何れかに記載の水素ガスセンサ。
【請求項６】
前記配位高分子金属錯体Ｒ２　ｄｔｏａＭのアルキル基Ｒの位置に、Ｈ（水素）が配位していることを特徴とする、請求項１〜３の何れかに記載の水素ガスセンサ。
【請求項７】
ジチオオキサミドをプロパノールアミンと反応させる工程と、上記ジチオオキサミドとプロパノールアミンの反応生成物を硫酸銅と共にエタノール水溶液中で混合して、銅配位高分子錯体（Ｃ３　Ｈ６　ＯＨ）２　ｄｔｏａＣｕを得る工程により水素を感知する媒体を生成することを特徴とする、水素ガスセンサの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、水素ガスセンサに関し、特に高感度の水素ガスセンサに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、環境問題に関して、所謂クリーンなエネルギー源としての燃料電池等において、水素ガスが２１世紀を担うものとして注目されてきている。
ところで、水素ガスは、酸素ガスあるいは空気と反応して、爆発しやすいことから、その貯蔵，運搬，使用の際における安全性の確保が必要である。このため、水素ガスの使用等の際には、水素ガスの漏れ検知や水素ガス濃度の精密測定が重要になってきている。
【０００３】
従来、このような水素ガスを検出するための水素ガスセンサは、センサ素子として例えば酸化スズを使用して、酸化スズの表面に吸蔵している酸素と検出すべき水素ガスとの反応に伴う酸化スズの電気抵抗の変化を検出することにより、水素ガスの検知を行なうようにしている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、このような酸化スズを利用した水素ガスセンサにおいて、酸素分子の吸脱着を十分に発生させるためには、酸化スズから成るセンサ素子を十分に高温に、例えば数１００℃程度まで加熱しなければならない。従って、加熱装置が必要であることから、水素ガスの爆発の危険があり、装置が大型化してしまうと共に、コストが高くなってしまう。
さらに、このような酸化スズを利用した水素ガスセンサは、水素だけでなく、他の可燃性ガスにも反応してしまうことから、高精度で水素ガスを検知することができなくなる。
【０００５】
本発明は、以上の点にかんがみて、室温で使用できると共に、高精度で水素ガスを検知することができるようにした、水素ガスセンサを提供することを目的としている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上記目的は、本発明によれば、Ｒ２　ｄｔｏａ（ジチオオキサミド）の配位高分子金属錯体Ｒ２　ｄｔｏａＭ（ここで、Ｍは金属）を水素を感知する媒体とするセンサ素子と、このセンサ素子の電気抵抗を測定する測定手段と、から構成されていることを特徴とする水素ガスセンサにより、達成される。
【０００７】
本発明による水素ガスセンサは、上記配位高分子金属錯体Ｒ２　ｄｔｏａＭのＭが、遷移金属であることを特徴としている。
【０００８】
本発明による水素ガスセンサは、上記遷移金属が、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、鉄（Ｆｅ）、または、コバルト（Ｃｏ）の何れか１つであることを特徴としている。
【０００９】
本発明による水素ガスセンサは、上記配位高分子金属錯体Ｒ２　ｄｔｏａＭのアルキル基Ｒが、（Ｃ３　Ｈ６　ＯＨ）であることを特徴としている。
【００１０】
本発明による水素ガスセンサは、上記配位高分子金属錯体Ｒ２　ｄｔｏａＭのアルキル基Ｒが、（Ｃ２　Ｈ４　ＯＨ）であることを特徴としている。
【００１１】
本発明による水素ガスセンサは、上記配位高分子金属錯体Ｒ２　ｄｔｏａＭのアルキル基Ｒの位置に、Ｈ（水素）が配位していることを特徴とする。
【００１２】
上記構成によれば、センサ素子を構成する配位高分子金属錯体Ｒ２　ｄｔｏａＭが、室温にて、所謂プロトン共役酸化還元系を構成することにより、水素吸蔵性を有している。
上記配位高分子金属錯体Ｒ２　ｄｔｏａＭの水素の吸蔵に伴って、共役酸化還元系の電子伝導帯のエネルギー準位が低下することにより、電子伝導性が高くなる。これにより、上記配位高分子金属錯体Ｒ２　ｄｔｏａＭは、水素の吸蔵により電気抵抗率が水素の吸蔵量に応じて大幅に減少し、絶縁体から半導体を経て金属と同等の電気抵抗率に変化することに着目して、水素ガスを感知するためのセンサ素子として利用している。
【００１３】
従って、このセンサ素子を使用した水素ガスセンサによれば、水素の吸蔵により電気抵抗率が大幅に低下するので、この電気抵抗率の変化を測定回路により検出することによって、室温にて高精度に水素ガスの検知を行なうことが可能である。
これにより、従来の酸化スズを利用した水素ガスセンサと比較して、センサ素子を高温に加熱する必要がないので、消費エネルギーが削減され、ランニングコストが低減されると共に、加熱手段が必要ないので安全であり、全体に小型にそして低コストで製造できる。
さらに、センサ素子が配位高分子金属錯体、即ちポリマーから構成されているので、センサ素子の基板上での素子化も容易に行なわれ、より小型の水素ガスセンサを実現することが可能である。
【００１４】
また、上記配位高分子金属錯体は、室温にて、他の可燃性ガスと反応して電気抵抗が変化することはなく、正確に水素ガスの検知を行なうことができる。さらに、上記配位高分子金属錯体自体は、ジチオオキサミドから容易に製造することができるので、低コストで製造することができる。
【００１５】
また、本発明の水素ガスセンサの製造方法では、上記銅配位高分子錯体Ｒ２　ｄｔｏａＣｕのアルキル基Ｒが、（Ｃ３　Ｈ６　ＯＨ）である場合には、ジチオオキサミドをプロパノールアミンと反応させる工程と、この工程で得られた反応生成物を硫酸銅と共にエタノール水溶液中で混合する工程を経ることにより、銅配位高分子錯体（Ｃ３　Ｈ６　ＯＨ）２　ｄｔｏａＣｕを容易に製造することができる。従って、銅配位高分子錯体から成るセンサ素子が、低コストで製造される。
【００１６】
上記銅配位高分子錯体Ｒ２　ｄｔｏａＣｕのアルキル基Ｒの位置にＨが配位する場合には、銅配位高分子錯体自体は公知の材料であることから、このＲ２　ｄｔｏａＣｕはジチオオキサミドから容易に製造されることができる。
【００１７】
上記銅配位高分子錯体Ｒ２　ｄｔｏａＣｕのアルキル基Ｒが、（Ｃ２　Ｈ４　ＯＨ）である場合には、同様にして、銅配位高分子錯体自体は公知の材料であり、ジチオオキサミドから容易に製造することができると共に、水素の吸蔵に伴って電気抵抗率が約９桁程度減少するので、より高感度で水素ガスの検知を行なうことができる。
【００１８】
このようにして、本発明によれば、水素ガスセンサのセンサ素子として、水素の吸蔵により電気抵抗率が大幅に減少するという特性を有するＲ２　ｄｔｏａの配位高分子金属錯体Ｒ２　ｄｔｏａＭを使用することにより、室温にて高感度で正確に水素ガスの検知を行なうことができる。
【００１９】
【発明の実施の形態】
以下、図面に示した実施の形態に基づいて、本発明を詳細に説明する。
図１は本発明による水素ガスセンサの一実施形態の構成を示している。図１において、水素ガスセンサ１０は、センサ素子１１と、センサ素子１１の電気抵抗を測定する測定回路１２と、から構成されている。なお、１４，１５は、センサ素子１１の両端に備えられた測定用の電極部である。
上記測定回路１２は、公知の構成であって、例えば定電圧二端子法，直流擬似四端子法及び直流四端子法等によりセンサ素子１１に対して所定の直流電圧を印加して、そのときセンサ素子１１を流れる直流電流値を検出することによってセンサ素子１１の電気抵抗を測定するようになっている。
【００２０】
つぎに、配位高分子錯体（Ｃ２　Ｈ４　ＯＨ）２　ｄｔｏａＣｕを媒体とした本発明の水素ガスセンサの水素感知作用について説明する。ここでは、アルキル基Ｒが（Ｃ２　Ｈ４　ＯＨ）である配位高分子金属錯体（Ｃ２　Ｈ４　ＯＨ）２　ｄｔｏａＭ（ここでＭは、金属）において、Ｍが遷移金属の銅（Ｃｕ）である場合を例にとって説明する。
なお、水素を感知する媒体である銅配位高分子錯体のアルキル基Ｒが、（Ｃ３　Ｈ６　ＯＨ）の場合や、銅配位高分子錯体のアルキル基Ｒの位置にＨ（水素）が、配位している場合の作用も、アルキル基Ｒが（Ｃ２　Ｈ４　ＯＨ）の場合と同様である。
【００２１】
センサ素子１１は、例えば図２に示すように、約１ｍｍ厚の絶縁基板１３上に数μｍ厚に形成されており、このセンサ素子１１の両端に測定用の電極部１４，１５を備えている。
【００２２】
ここで、Ｒ２　ｄｔｏａ（ジチオオキサミド）は、アルキル基Ｒが、（Ｃ２　Ｈ４　ＯＨ）、（Ｃ３　Ｈ６　ＯＨ）、また、アルキル基Ｒの位置に水素（Ｈ）が配位された高分子、即ちポリマー材料であり、図３に示す構造式で表わされる。
銅配位高分子錯体Ｒ２　ｄｔｏａＣｕは、Ｒ２　ｄｔｏａに遷移金属のＣｕが図４に示すように結合した層状の分子構造を有しており、各層間の距離ｄを有し、層状となり高分子錯体となっている。なお、Ｈ２　ｔｏａＣｕ，（Ｃ２　Ｈ４　ＯＨ）２　ｄｔｏａＣｕ，（Ｃ３　Ｈ６　ＯＨ）２　ｄｔｏａＣｕの各層間の距離ｄは、それぞれ、５．７Å，９．９５Å，１１．８２Åである。
【００２３】
銅配位高分子錯体は、図５に示すように、中心金属である銅（Ｃｕ）のダイマー骨格に関する酸化還元に伴って酸解離定数（ｐＫａ）が変化する、所謂プロトン共役酸化還元特性を有している。
図５において、左は、銅配位高分子錯体に水素が吸蔵されていない状態で、ｐＫａが小さい。つまり、銅（Ｃｕ）は酸化されプロトン（Ｈ＋　：水素イオン）が脱離した状態である。また、図の右は、銅配位高分子錯体に水素の吸蔵が進んだ状態でｐＫａが大きく、プロトンが付加された還元状態である。図の真中の、銅配位高分子錯体は、酸化から還元への中間の状態を示している。
銅配位高分子錯体は、水素の吸蔵により還元されると、電子が、Ｃｕ２＋に与えられてＣｕ＋　に還元すると共に、窒素（Ｎ）原子のローンペアに対してプロトンが弱く水素結合して、非解離状態に戻り、電子の伝導帯のエネルギー準位が下がると考えられる。
このようにして、銅配位高分子錯体に対して、水素の吸蔵、即ち水素ドーピングが行なわれ、水素の吸蔵に応じて電気抵抗率が変化する。
【００２４】
本発明による水素ガスセンサ１０は、以上のように構成されており、以下のように動作する。
即ち、水素ガスセンサ１０のセンサ素子１１に対して測定回路１２により所定の直流電圧を印加すると、センサ素子１１を直流電流が流れ、この直流電流を測定回路１２で測定することにより、センサ素子１１の電気抵抗を測定することができる。
【００２５】
そして、センサ素子１１が水素ガスを感知すると、即ちセンサ素子１１を構成する銅配位高分子錯体が水素ドーピングされると、センサ素子１１の電気抵抗が急激に変化して、その電気抵抗率が低下する。このようにして、測定回路１２で測定した電気抵抗の変化により、水素ガスの検知を行なうことができる。
【００２６】
ここで、銅配位高分子錯体の水素ドーピングによる電気抵抗率の変化の実験例を以下に説明する。
銅配位高分子錯体の加圧成型ペレットに対して、発生期水素による水素ドーピングを行ないながら、定電圧二端子法，定電流擬似四端子法及び定電流四端子法を用いてセンサ素子の電気抵抗率の変化を測定したところ、図６に示す結果が得られた。
図６によれば、水素ドーピングの開始と共に、銅配位高分子錯体の電気抵抗率（ρ：Ω・ｃｍ）が急激に低下し、２０時間経過後には、約９桁程度低下して、実質的に絶縁体から半導体を経て、金属に等しい電気抵抗率になることが確認された。
【００２７】
これは、水素ドーピングにより、銅配位高分子錯体のエネルギーバンドの電子の伝導帯のエネルギー準位が低下して、電子がエネルギーバンドに入りやすくなり、電子伝導性が増大することによるものと推察される。
なお、上述した実験例は、銅配位高分子錯体の加圧成型ペレットに対して行なったものであるが、銅配位高分子錯体を薄膜状に形成すれば、大幅に短い時間で、水素ドーピングによる電気抵抗率の変化が得られ、実質的に水素ガスの検知を迅速に行なうことができる。
【００２８】
このようにして、水素ドーピングによる銅配位高分子錯体から成るセンサ素子１１の電気抵抗率の急減な減少を、測定回路１２により検出することによって、水素ガスの検知が高感度で行なわれ得ることになる。
また、上記銅配位高分子錯体は、室温にて他の可燃性ガスと反応することはないので、これらの他の可燃性ガスにより、銅配位高分子錯体の電気抵抗率は殆ど変化しない。従って、本水素ガスセンサ１０によれば、他の可燃性ガスを水素ガスと誤認して検知するようなこともなく、正確な水素ガスの検知を行なうことができる。
【００２９】
ここで、上記センサ素子１１は、銅配位高分子錯体Ｒ２　ｄｔｏａＣｕのアルキル基Ｒが（Ｃ３　Ｈ６　ＯＨ）である（Ｃ３　Ｈ６　ＯＨ）２　ｄｔｏａＣｕから構成されているが、各層間の距離ｄは、１１．８２Åである。水素ドーピングによって電気抵抗率が大幅に減少するので、水素ガスの検知を高感度で行なうことが可能である。
ここで、アルキル基として、例えば、（Ｃ２　Ｈ４　ＯＨ）を有する銅配位高分子錯体Ｒ２　ｄｔｏａＣｕであってもよい。またＲ２　ｄｔｏａＣｕのアルキル基Ｒの位置に、水素が配位しているＨ２　ｄｔｏａＣｕでもよい。
【００３０】
アルキル基Ｒが（Ｃ２　Ｈ４　ＯＨ）の場合には、銅配位高分子錯体（Ｃ２　Ｈ４　ＯＨ）２　ｄｔｏａＣｕとなり、この材料は公知であり、各層間の距離ｄは、９．９５Åとなり、同様に水素ドーピングによって電気抵抗率が大幅に減少するので、水素ガスの検知を高感度で行なうことが可能である。
【００３１】
銅配位高分子錯体Ｒ２　ｄｔｏａＣｕのアルキル基Ｒの位置に水素が配位している場合には、銅配位高分子錯体Ｈ２　ｄｔｏａＣｕとなり、この材料は公知であって、各層間の距離ｄは、５．７０Åとなり、同様に水素ドーピングによって電気抵抗率が大幅に減少するので、水素ガスの検知を高感度で行なうことが可能である。
【００３２】
次に、本発明の水素ガスセンサの製造方法の実施の形態を説明する。始めに、水素ガスセンサの感知媒体である銅配位高分子錯体（Ｃ３　Ｈ６　ＯＨ）２　ｄｔｏａＣｕは、新規な材料であるので、その製造方法を説明する。
図７は本発明によるセンサ素子の感知媒体である銅配位高分子錯体（Ｃ３　Ｈ６　ＯＨ）２　ｄｔｏａＣｕの生成方法の一例を示す図である。
先ず、図７（Ａ）において、ジチオオキサミドとプロパノールアミンを混合すると、中間物質であるＮ，Ｎ’−ビス（３−ヒドロキシプロピル）ジチオオキサミドとアンモニアガスが発生する。
【００３３】
次に、上記中間物質を取り出して、図７（Ｂ）に示すように、硫酸銅と共に、６０℃の５％エタノール水溶液中に入れると、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−ヒドロキシプロピル）ディチオオキサミダト銅（ＩＩ）、即ち、上記銅配位高分子錯体（Ｃ３　Ｈ６　ＯＨ）２　ｄｔｏａＣｕが生成される。
【００３４】
次に、本発明のセンサ素子の製造方法について説明する。
上記のように生成した（Ｃ３　Ｈ６　ＯＨ）２　ｄｔｏａＣｕを、加圧成型にて所望の厚さにシート状薄膜に成形する。このシート状薄膜の厚さは、例えば数μｍ〜１０μｍの薄膜とする。次に、このシート状薄膜を０．５〜１ｍｍ程度の絶縁基板１３上に接着剤を用いて貼り付ける。
最後に、電極部１４，１５となる金属層をシート状薄膜上に形成する。ここで、金属層は、周知の蒸着法や、電気メッキ法のような薄膜形成方法を使用してシート状薄膜上に堆積することができる。この場合、電極部１４，１５のパターンは、周知のレジストとフォトリソグラフィーによりマスクして、金属層をエッチングする方法などにより、センサ素子の電極部１４，１５が形成される。
【００３５】
本発明は上記実施例に限定されることなく、特許請求の範囲に記載した発明の範囲内で種々の変形が可能であり、それらも本発明の範囲内に含まれることはいうまでもない。例えば、上記実施形態においては、センサ素子１１が、銅配位高分子錯体Ｒ２　ｄｔｏａＣｕにて、アルキル基Ｒの位置に水素が配位されたＨ２　ｄｔｏａＣｕ、または、アルキル基Ｒが、（Ｃ２　Ｈ４　ＯＨ）または（Ｃ３　Ｈ６　ＯＨ）である銅配位高分子錯体Ｒ２　ｄｔｏａＣｕから構成されているが、これらに限らず、他のアルキル基Ｒ、例えば（ＣＨ２　ＯＨ）であってもよいことは勿論である。また、配位高分子金属錯体Ｒ２　ｄｔｏａＭのＭは、銅（Ｃｕ）のほかに、ニッケル（Ｎｉ）、鉄（Ｆｅ）、または、コバルト（Ｃｏ）などが使用できることはいうまでもない。
【００３６】
【発明の効果】
以上述べたように、本発明によれば、センサ素子を構成する配位高分子金属錯体Ｒ２　ｄｔｏａＭ（ここで、Ｍは金属）が、室温にて、所謂プロトン共役酸化還元系を構成することにより、水素吸蔵性を有している。従って、上記配位高分子金属錯体Ｒ２　ｄｔｏａＭにて、水素の吸蔵に伴って電子の伝導帯のエネルギー準位が低下することにより、電子伝導性が高くなる。
これにより、上記配位高分子金属錯体Ｒ２　ｄｔｏａＭは、水素の吸蔵により、電気抵抗率が大幅に減少し、絶縁体から半導体を経て金属と同等の電気抵抗率に変化することに着目して、水素ガスを検知するためのセンサ素子として利用することができる。
【００３７】
従って、このセンサ素子を使用した水素ガスセンサによれば、水素の吸蔵により電気抵抗率が大幅に低下するので、この電気抵抗率の変化を測定回路により検出することによって、室温にて高精度に水素ガスの検知を行なうことが可能になる。
本発明によれば、従来の酸化スズを利用した水素ガスセンサと比較して、センサ素子を高温に加熱する必要がないので、消費エネルギーが削減され、ランニングコストが低減され得ると共に、加熱手段が必要ないので安全であり、全体に小型に、そして低コストで製造され得ることになる。
さらに、センサ素子が配位高分子金属錯体、即ちポリマーから構成されているので、センサ素子の基板上での素子化も容易に行なわれ、より小型の水素ガスセンサを実現することが可能である。
【００３８】
上記センサ素子を構成する銅配位高分子錯体Ｒ２　ｄｔｏａＣｕのアルキル基Ｒが、（Ｃ３　Ｈ６　ＯＨ）である場合には、ジチオオキサミドをプロパノールアミンと反応させ、この反応生成物をさらに硫酸銅と共に、エタノール水溶液中で混合することにより、銅配位高分子錯体を容易に製造することができる。
従って、銅配位高分子錯体から成るセンサ素子は、低コストで構成され得ることになる。また、水素の吸蔵に伴って電気抵抗率が約９桁程度減少するので、より高感度で水素ガスの検知を行なうことができる。
【００３９】
上記センサ素子を構成する銅配位高分子錯体Ｒ２　ｄｔｏａＣｕのアルキル基Ｒが、（Ｃ２　Ｈ４　ＯＨ）である場合には、同様にして、銅配位高分子錯体自体は公知の材料であり、ジチオオキサミドから容易に製造することができると共に、水素の吸蔵に伴って電気抵抗率が約９桁程度減少するので、より高感度で水素ガスの検知を行なうことができる。
【００４０】
上記センサ素子を構成する銅配位高分子錯体Ｒ２　ｄｔｏａＣｕのアルキル基Ｒの位置に、Ｈ（水素）が配位しているＨ２　ｄｔｏａＣｕである場合には、銅配位高分子錯体自体は公知の材料であり、ジチオオキサミドから容易に製造することができる。
このようにして、本発明によれば、室温で使用できると共に、高精度で水素ガスを検知することができるようにした、極めて優れた水素ガスセンサ及びその製造方法が提供される。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による水素ガスセンサの一実施の形態を示す基本構成図である。
【図２】図１の水素ガスセンサにおけるセンサ素子の拡大斜視図である。
【図３】図２のセンサ素子を構成する銅配位高分子錯体の構造式である。
【図４】図２のセンサ素子を構成する銅配位高分子錯体の分子構造を示す概略斜視図である。
【図５】図２のセンサ素子を構成する銅配位高分子錯体のプロトン共役酸化還元特性を示す概略図である。
【図６】図２のセンサ素子を構成する銅配位高分子錯体の水素ドーピングによる電気抵抗率の変化を示すグラフである。
【図７】本発明によるセンサ素子の感知媒体である銅配位高分子錯体（Ｃ３　Ｈ６　ＯＨ）２　ｄｔｏａＣｕの生成方法の一例を示す図である。
【符号の説明】
１０　　水素ガスセンサ
１１　　センサ素子
１２　　測定回路
１３　　絶縁基板
１４，１５　　電極
【図１】
2004028838.tif 000003
【図２】
2004028838.tif 000004
【図３】
2004028838.tif 000005
【図４】
2004028838.tif 000006
【図５】
2004028838.tif 000007
【図６】
2004028838.tif 000008
【図７】
2004028838.tif 000009