(57)【要約】【課題】局所加工が施されたガラス基板表面を、局所加工による面荒れの改善や表面欠陥の除去を目的として研磨するにあたり、この研磨工程において、ガラス基板表面の平坦度を維持しつつ、ガラス基板表面の面荒れを改善するとともに、ガラス基板表面の表面欠陥を除去する。【解決手段】本発明のマスクブランクス用ガラス基板の製造方法は、ガラス基板表面の凹凸形状を測定する凹凸形状測定工程と、凹凸形状測定工程で得られた測定結果にもとづいて、局所加工を施すことにより、ガラス基板表面の平坦度を所定の基準値以下に制御する平坦度制御工程と、平坦度制御工程の後、前記局所加工が施されたガラス基板表面を、研磨用工具面に接触させることなく、ガラス基板表面と研磨用工具面との間に介在する加工液の作用で研磨する非接触研磨工程とを有する。【選択図】      図１
2004291209.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マスクブランクス用ガラス基板表面の凹凸形状を測定する凹凸形状測定工程と、
前記凹凸形状測定工程で得られた測定結果にもとづいて、前記ガラス基板表面に存在する凸部位の凸度を特定するとともに、この凸度に応じた加工条件で前記凸部位に局所加工を施すことにより、前記ガラス基板表面の平坦度を所定の基準値以下に制御する平坦度制御工程と、
前記平坦度制御工程の後、前記局所加工が施された前記ガラス基板表面を、研磨用工具面に接触させることなく、前記ガラス基板表面と前記研磨用工具面との間に介在する加工液の作用で研磨する非接触研磨工程と、
を有することを特徴とするマスクブランクス用ガラス基板の製造方法。
【請求項２】
前記非接触研磨工程が、フロートポリッシングによって行われることを特徴とする請求項１記載のマスクブランクス用ガラス基板の製造方法。
【請求項３】
前記加工液が、
水、酸性水溶液、アルカリ性水溶液のいずれかの水溶液、
又は、前記いずれかの水溶液と、コロイダルシリカ、酸化セリウム、酸化ジルコニウム、酸化アルミニウムから選ばれる少なくとも一種類の微細粉末粒子とを含有したもの
であることを特徴とする請求項１又は２記載のマスクブランクス用ガラス基板の製造方法。
【請求項４】
前記局所加工が、プラズマエッチング又はガスクラスターイオンビームによって行われることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のマスクブランクス用ガラス基板の製造方法。
【請求項５】
前記基準値が、０．２５μｍ以下であることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載のマスクブランクス用ガラス基板の製造方法。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれかに記載されるマスクブランクス用ガラス基板の製造方法によって得られたマスクブランクス用ガラス基板上に、被転写パターンとなる薄膜を形成することを特徴とするマスクブランクスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、マスクブランクス用ガラス基板の製造方法、及びマスクブランクスの製造方法に関し、特に、Ｆ２（波長：１５７ｎｍ）、ＥＵＶ（波長：１３ｎｍ）などの超短波長域の光を露光光源として用いるマスクブランクス用ガラス基板の製造方法、及びマスクブランクスの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年における超ＬＳＩデバイスの高密度化や高精度化に伴い、マスクブランクス用ガラス基板に要求される基板表面の微細化傾向は年々厳しくなる状況にある。特に、露光光源の波長が短くなるにしたがって、基板表面の形状精度（平坦性）や品質（欠陥サイズ）に対する要求が厳しくなっており、きわめて平坦度が高く、かつ、微小欠陥がないマスクブランクス用ガラス基板が求められている。
【０００３】
例えば、露光光源がＦ２の場合は、要求されるガラス基板の平坦度が０．２５μｍ以下、要求される欠陥サイズが０．０７μｍ以下であり、さらにＥＵＶの場合は、要求されるガラス基板の平坦度が０．０５μｍ以下、要求される欠陥サイズが０．０５μｍ以下となっている。
【０００４】
従来、マスクブランクス用ガラス基板の製造に際し、表面粗さを低減するための精密研磨方法が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
特許文献１に示される精密研磨方法は、基板表面を、酸化セリウムを主材とする研磨剤を用いて研磨した後、コロイダルシリカを用いて仕上げ研磨するものである。このような研磨方法でガラス基板を研磨する場合は、通常、複数のガラス基板をセットし、その両面を同時に研磨するバッチ式の両面研磨機が使用されている。
【０００５】
ところで、上記の精密研磨方法によれば、理論上、研磨砥粒の平均粒径を小さくすることにより、要求平滑度を達成することが可能であるが、実際は、ガラス基板を保持するキャリア、ガラス基板を挟む定盤、キャリアを動かす遊星歯車機構などの機械的な精度に影響を受けるため、安定して得られるガラス基板の平坦度は０．５μｍ程度が限界であった。
【０００６】
そこで、近年においては、プラズマエッチングやガスクラスターイオンビームによる局所加工を用いたガラス基板の平坦化方法が提案されている（例えば、特許文献２、３参照。）。
特許文献２、３に示される平坦化方法は、ガラス基板表面の凹凸形状を測定するとともに、凸部位の凸度に応じた加工条件（プラズマエッチング量、ガスクラスターイオンビーム量など）で凸部位に局所加工を施すことにより、ガラス基板表面を平坦化するというものである。
【０００７】
【特許文献１】
特開昭６４−４０２６７号公報（第２頁）
【特許文献２】
特開２００２−３１６８３５号公報（第３頁）
【特許文献３】
特開平８−２９３４８３号公報（第３頁、第１図）
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、プラズマエッチングやガスクラスターイオンビームによる局所加工でガラス基板表面の平坦度を調整した場合、これらの局所加工後、ガラス基板表面に面荒れが生じたり、傷、加工変質層などの表面欠陥が生じるため、局所加工後に、面荒れの改善や表面欠陥の除去を目的として、ガラス基板表面を研磨する必要がある。
【０００９】
しかしながら、局所加工後の研磨において、研磨パッドなどの研磨用工具面がガラス基板表面に直接接触すると、ガラス基板表面の平坦度を悪化させる可能性があり、研磨時間が極短時間に制限されるため、面荒れの改善や表面欠陥の除去を十分に行うことができないという問題があった。
【００１０】
本発明は、上記の事情にかんがみなされたものであり、局所加工が施されたガラス基板表面を、局所加工による面荒れの改善や表面欠陥の除去を目的として研磨するにあたり、この研磨工程において、ガラス基板表面の平坦度を維持しつつ、ガラス基板表面の面荒れを改善するとともに、ガラス基板表面の表面欠陥を除去することにより、平坦度及び平滑度が高く、かつ、表面欠陥のないマスクブランクス用ガラス基板、又は、それを用いたマスクブランクスが得られるマスクブランクス用ガラス基板の製造方法、及びマスクブランクスの製造方法を提供することを目的としている。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため本発明におけるマスクブランクス用ガラス基板の製造方法は、マスクブランクス用ガラス基板表面の凹凸形状を測定する凹凸形状測定工程と、前記凹凸形状測定工程で得られた測定結果にもとづいて、前記ガラス基板表面に存在する凸部位の凸度を特定するとともに、この凸度に応じた加工条件で前記凸部位に局所加工を施すことにより、前記ガラス基板表面の平坦度を所定の基準値以下に制御する平坦度制御工程と、前記平坦度制御工程の後、前記局所加工が施された前記ガラス基板表面を、研磨用工具面に接触させることなく、前記ガラス基板表面と前記研磨用工具面との間に介在する加工液の作用で研磨する非接触研磨工程とを有する方法としてある。
【００１２】
マスクブランクス用ガラス基板の製造方法をこのような方法にすれば、局所加工が施されたガラス基板表面を、局所加工による面荒れの改善や表面欠陥の除去を目的として研磨するにあたり、この研磨において、ガラス基板表面を、研磨用工具面に接触させることなく、ガラス基板表面と前記研磨用工具面との間に介在する加工液の作用で研磨する非接触研磨を適用することにより、ガラス基板表面の平坦度を維持しつつ、ガラス基板表面の面荒れを改善するとともに、ガラス基板表面の表面欠陥を除去することが可能になる。
非接触研磨の具体的な方法としては、フロートポリッシング、ＥＥＭ（Ｅｌａｓｔｉｃ  Ｅｍｉｓｓｉｏｎ  Ｍａｃｈｉｎｉｎｇ）、ハイドロプレーンポリッシングなどが挙られる。
【００１３】
また、本発明のマスクブランクス用ガラス基板の製造方法は、前記非接触研磨工程が、フロートポリッシングによって行われる方法としてある。
マスクブランクス用ガラス基板の製造方法をこのような方法にすれば、ガラス基板を浮上させながら、ガラス基板表面に加工液を接触させ、又は微細粉末粒子を衝突させ、ガラス基板表面をきわめて微少な力で研磨することができるため、ガラス基板表面の平坦度を維持しつつ、局所加工による面荒れの改善して超微細な表面粗さとできるだけでなく、微細な表面欠陥も除去することができる。
【００１４】
また、本発明のマスクブランクス用ガラス基板の製造方法は、前記加工液が、水、酸性水溶液、アルカリ性水溶液のいずれかの水溶液、又は、前記いずれかの水溶液と、コロイダルシリカ、酸化セリウム、酸化ジルコニウム、酸化アルミニウムから選ばれる少なくとも一種類の微細粉末粒子とを含有したものとしてある。
マスクブランクス用ガラス基板の製造方法をこのような方法にすれば、ガラス基板表面に作用する研磨力を微小とし、研磨による平坦度の悪化を確実に回避できる。また、アルカリ性水溶液を含有する加工液を用いれば、研磨速度を向上させることができるだけでなく、ガラス基板表面に潜在化している傷などの欠陥を顕在化させることができる。
【００１５】
また、本発明におけるマスクブランクス用ガラス基板の製造方法は、前記局所加工が、プラズマエッチング又はガスクラスターイオンビームによって行われる方法としてある。
マスクブランクス用ガラス基板の製造方法をこのような方法にすれば、ガラス基板表面における凸部位の凸度に応じて、イオンビームの移動速度やプラズマ発生筐体の移動速度を制御することにより、ガラス基板表面の凸部位に適正な局所加工を施し、平坦度を所定の基準値以下に制御することができる。
また、ガラス基板表面における凸部位の凸度に応じて、イオンビーム強度やプラズマ強度を制御するようにしてもよい。
【００１６】
また、本発明におけるマスクブランクス用ガラス基板の製造方法は、前記基準値が、０．２５μｍ以下としてある。
マスクブランクス用ガラス基板の製造方法をこのような方法にすれば、平坦度の基準値を０．２５μｍとして局所加工を施すことにより、平坦度０．２５μｍ以下を要求するＦ２マスクブランクス用ガラス基板が得られる。
また、平坦度の基準値を０．０５μｍとして局所加工を施すことにより、平坦度０．０５μｍ以下を要求するＥＵＶマスクブランクス用ガラス基板が得られる。
【００１７】
また、上記目的を達成するため本発明におけるマスクブランクスの製造方法は、上記マスクブランクス用ガラス基板の製造方法によって得られたマスクブランクス用ガラス基板上に、被転写パターンとなる薄膜を形成する方法としてある。
マスクブランクスの製造方法をこのような方法にすれば、要求される平坦度を有し、表面欠陥のない高品質なＦ２マスクブランクスやＥＵＶマスクブランクスが得られる。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照して説明する。
【００１９】
［マスクブランクス用ガラス基板の製造方法］
まず、本発明におけるマスクブランクス用ガラス基板の製造方法について、図面を参照して説明する。
【００２０】
図１は、マスクブランクス用ガラス基板の製造工程を示すフローチャートである。
この図に示すように、本発明におけるマスクブランクス用ガラス基板の製造工程は、表面が精密研磨されたガラス基板を準備する準備工程（Ｐ−１）と、ガラス基板表面の凹凸形状を測定する凹凸形状測定工程（Ｐ−２）と、局所加工によってガラス基板表面の平坦度を制御する平坦度制御工程（Ｐ−３）と、ガラス基板表面を非接触で研磨する非接触研磨工程（Ｐ−４）とを有する。
【００２１】
＜準備工程（Ｐ−１）＞
準備工程（Ｐ−１）は、例えば、後述する研磨装置を用いて、片面又は両面が精密研磨されたガラス基板を準備する工程である。
ガラス基板は、マスクブランクスとして用いられるものであれば、特に限定されない。例えば、石英ガラス、ソーダライムガラス、アルミノシリケートガラス、ボロシリケートガラス、無アルカリガラスなどが挙げられる。
Ｆ２マスクブランクス用ガラス基板の場合は、露光光源の吸収を可及的に抑えるために、弗素をドープした石英ガラスなどが用いられる。
【００２２】
ＥＵＶマスクブランクス用ガラス基板の場合は、露光時の熱による被転写パターンの歪みを抑えるために、０±１．０×１０−７／℃の範囲内、より好ましくは０±０．３×１０−７／℃の範囲内の低熱膨張係数を有するガラス材料が使用される。
また、ＥＵＶ用マスクブランクスは、ガラス基板上に多数の膜が形成されるため、膜応力による変形を抑制できる剛性の高いガラス材料が使用される。特に、６５ＧＰａ以上の高いヤング率を有するガラス材料が好ましい。例えば、ＳｉＯ２−ＴｉＯ２系ガラス、石英ガラスなどのアモルファスガラスや、β−石英固溶体を析出した結晶化ガラスが用いられる。
【００２３】
図２は、研磨装置の概略断面図である。
この図に示される研磨装置１０は、下定盤１１、上定盤１２、太陽歯車１３、内歯歯車１４、キャリア１５及び研磨剤供給手段１６からなる遊星歯車方式の研磨加工部を備えている。この研磨加工部は、キャリア１５にセットされたガラス基板を、研磨パッド１１ａ、１２ａが貼り付けられた上下の定盤１１、１２で挟み、定盤１１、１２間に研磨剤を供給しながら、キャリア１５を自転及び公転させることにより、ガラス基板の両面を研磨するものである。以下、研磨加工部の構成について説明する。
【００２４】
下定盤１１及び上定盤１２は、いずれも円環状の水平面を有する円盤部材であり、その対向面に研磨パッド１１ａ、１２ａが貼り付けられている。下定盤１１及び上定盤１２は、垂直軸Ａ（研磨加工部の中心を通る垂直軸）を中心として回転可能に支持されるとともに、図示しない定盤回転駆動部に連係されており、その駆動によって回転動作される。
また、上定盤１２は、垂直軸Ａに沿って昇降自在に支持されるとともに、図示しない上定盤昇降駆動部の駆動によって昇降動作される。
【００２５】
太陽歯車１３は、研磨加工部の中央位置に回転可能に設けられ、図示しない太陽歯車回転駆動部の駆動により、垂直軸Ａを中心として回転動作される。
内歯歯車１４は、内周側に歯列を有するリング状の歯車であり、太陽歯車１３の外方に同心円状に配置されている。図２に示される内歯歯車１４は、回転不能に固定されているが、垂直軸Ａを中心として回転動作させてもよい。
キャリア（遊星歯車）１５は、外周部に歯列を有する薄板状の円盤部材であり、ガラス基板を保持するためのワーク保持孔が一又は複数個形成されている。
【００２６】
研磨加工部には、通常、複数個のキャリア１５が配置される。これらのキャリア１５は、太陽歯車１３及び内歯歯車１４に噛み合い、太陽歯車１３（及び／又は内歯歯車１４）の回転に応じて、太陽歯車１３の周囲を公転しつつ自転する。
また、上定盤１２及び下定盤１１の外径は、内歯歯車１４の内径よりも小さくなっており、太陽歯車１３０と内歯歯車１４０との間で、かつ上定盤１２と下定盤１１とに挟まれるドーナツ状の領域が実際の研磨領域となる。
【００２７】
研磨剤供給手段１６は、研磨剤を貯溜する研磨剤貯留部１６ａと、研磨剤貯留部１６ａに貯溜された研磨剤を、上定盤１２と下定盤１１との間の研磨領域に供給する複数のチューブ１６ｂとを備えて構成されている。
研磨剤としては、微細な研磨粒子を液体中に分散させたものが用いられる。研磨粒子は、例えば、炭化珪素、酸化アルミニウム、酸化セリウム、酸化ジルコニウム、酸化マンガン、コロイダルシリカなどであり、ガラス基板の材質、加工表面粗さなどに応じて適宜選択される。これらの研磨粒子は、水、酸性溶液、アルカリ性溶液などの液体中に分散されて研磨剤となる。
【００２８】
準備工程（Ｐ−１）は、少なくとも、ガラス基板の両面を粗研磨する粗研磨工程と、粗研磨されたガラス基板の両面を精密研磨する精密研磨工程とを有し、段階的な研磨を行う。
例えば、粗研磨工程では、比較的研磨砥粒の大きい酸化セリウムを分散させた研磨剤が使用され、精密研磨工程では、比較的研磨砥粒の小さいコロイダルシリカを分散させた研磨剤が使用される。
【００２９】
＜凹凸形状測定工程（Ｐ−２）＞
凹凸形状測定工程（Ｐ−２）は、前工程（Ｐ−１）で準備されたガラス基板表面の凹凸形状（平坦度）を測定する工程である。
凹凸形状の測定は、測定精度の点から光学干渉式の平坦度測定装置で行うことが好ましい。この平坦度測定装置は、コヒーレントな光をガラス基板表面に当てて反射させ、ガラス基板表面の高さの差を反射光の位相のずれとして観測するものである。
なお、本発明における平坦度は、例えば、ガラス基板表面の測定面から最小自乗法で算出される仮想絶対平面（焦平面）に対する測定面の最大値と最小値の差をいう。
【００３０】
凹凸形状の測定結果は、コンピュータなどの記録媒体に保存される。その後、予め設定された所定の基準値（所望の平坦度）と比較され、その差分がコンピュータなどの演算手段によって計算される。この差分は、ガラス基板表面の所定領域ごとに計算されるものであり、所定領域は、局所加工における加工領域と一致するように設定される。これにより、各測定領域における上記の差分が、局所加工における各加工領域の必要除去量となる。
なお、上記の演算処理は、凹凸形状測定工程（Ｐ−２）、平坦度制御工程（Ｐ−３）のいずれで行ってもよい。
【００３１】
＜平坦度制御工程（Ｐ−３）＞
平坦度制御工程（Ｐ−３）は、凹凸形状測定工程（Ｐ−２）で得られた測定結果にもとづいて、ガラス基板表面に存在する凸部位の凸度を特定するとともに、この凸度に応じた加工条件で凸部位に局所加工を施すことにより、ガラス基板表面の平坦度を所定の基準値以下に制御する工程である。
【００３２】
局所加工は、ガラス基板表面における所定領域ごとに設定された加工条件にしたがって行われる。この加工条件は、上述のように、平坦度測定装置によって測定されたガラス基板表面の凹凸形状と、予め設定される平坦度基準値との差分（局所加工の必要除去量）にもとづいて設定される。
加工条件のパラメータは、加工装置によって異なるが、凸部位の凸度が大きいほど除去量が多くなるように設定する。例えば、局所加工の加工方式が、イオンビームやプラズマエッチングである場合、凸部位の凸度が大きいほど、イオンビームの移動速度やプラズマ発生筐体の移動速度が遅くなるように制御される。また、イオンビームの強度やプラズマ強度を制御してもよい。
【００３３】
平坦度制御工程（Ｐ−３）で用いられる局所加工方法としては、上記イオンビームやプラズマエッチングのほか、ＭＲＦ（ＭａｇｎｅｔｏＲｈｅｏｌｏｇｉｃａｌ  Ｆｉｎｉｓｈｉｎｇ）、ＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ−Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）などが挙られる。
ＭＲＦは、磁性流体中に含有させた研磨砥粒を、被加工物（ガラス基板）に高速で接触させるとともに、接触部分の滞留時間をコントロールすることにより、局所的に研磨を行う局所加工方法である。
【００３４】
ＣＭＰは、小径研磨パッド及び研磨剤（コロイダルシリカなどの研磨砥粒を含有）を用い、小径研磨パッドと被加工物（ガラス基板）との接触部分の滞留時間をコントロールすることにより、主に被加工物表面の凸部分を研磨加工する局所加工方法である。
これらの局所加工方法のなかでも、特に、イオンビーム、プラズマエッチング、ＣＭＰによる局所加工では、局所加工後、ガラス基板表面に面荒れや加工変質層が生じるため、後述の酸処理が特に有効となる。
【００３５】
以下、平坦度制御工程（Ｐ−３）において特に好適なプラズマエッチング及びイオンビームによる局所加工について説明する。
プラズマエッチングによる局所加工方法は、除去すべき表面部位の上方にプラズマ発生筐体を位置させ、エッチングガスを流すことにより、除去部位をエッチングする局所加工方法である。すなわち、エッチングガスを流すと、プラズマ中で発生した中性ラジカル種がガラス基板表面を等方的に攻撃し、この部分がエッチングされる。一方、プラズマ発生筐体が位置していない部分には、プラズマが生じていないので、エッチングガスが当たってもエッチングされることは無い。
【００３６】
プラズマ発生筐体をガラス基板上で動かす際、ガラス基板表面の必要除去量に応じて、プラズマ発生筐体の移動速度やプラズマ強度を制御することにより、除去量が調整される。
プラズマ発生筐体は、電極対でガラス基板を挟む構造とし、高周波によって基板と電極の間にプラズマを発生させ、ここにエッチングガスを通すことでラジカル種を発生させる方式や、エッチングガスを導波管に通し、マイクロ波の発振によりプラズマを生じさせ、発生したラジカル種の流れをガラス基板表面に当てる方式などがある。
【００３７】
また、エッチングガスは、ガラス基板の材質に応じて適宜選択される。例えば、ハロゲン化合物のガス、又はハロゲン化合物を含む混合ガスなどが使用される。具体的には、四弗化メタン、三弗化メタン、六弗化エタン、八弗化プロパン、十弗化ブタン、弗化水素、六弗化硫黄、三弗化窒素、四塩化炭素、四弗化珪素、三弗化塩化メタン、三塩化硼素などが挙られる。
【００３８】
イオンビーム（ガスクラスターイオンビーム照射）による局所加工方法は、常温及び常圧で気体状の物質、例えば、酸化物、窒化物、炭化物、希ガス物質、又はこれらの混合気体（上記の物質を適度な割合で混合した混合気体状の物質）などを用い、これら物質のガスクラスターを形成し、これに電子照射してイオン化したガスクラスターイオンビームを、必要に応じて照射領域を制御しながら、固体表面（ガラス基板表面）に照射する局所加工方法である。
【００３９】
クラスターは、通常、数百個の原子又は分子集団によって構成されており、たとえ加速電圧が１０ｋＶでも、それぞれの原子又は分子は、数十ｅＶ以下の超低速イオンビームとして照射されるため、きわめて低損傷でガラス基板表面を処理することができる。
このガスクラスターイオンビームをガラス基板表面に照射すると、クラスターイオンを構成する分子又は原子や、ガラス基板表面の原子が多段階に衝突し、横方向の運動成分を持った反射分子又は原子を生じさせる。これにより、ガラス基板表面の凸部位に選択的なスパッタリングが生じ、ガラス基板表面の平坦化を行うことが可能になる。また、この平坦化現象は、ガラス基板表面に集中的に与えられるエネルギーにより、結合力の弱い表面や粒に存在する原子を優先的にスパッタリングする効果からも得られる。
【００４０】
なお、ガスクラスターそのものの生成については、既に公知のように、加圧状態の気体を、膨張型ノズルを介して、真空装置内に噴出させることで生成可能である。このようにして生成したガスクラスターは、電子を照射してイオン化することができる。
ここで、気体状の物質としては、例えば、ＣＯ２、ＣＯ、Ｎ２Ｏ、ＮＯｘ、ＣｘＨｙＯｚなどの酸化物、Ｏ２、Ｎ２や、Ａｒ、Ｈｅなどの希ガスが挙げられる。
【００４１】
マスクブランクス用ガラス基板に要求される平坦度は、マスクブランクスにおいて使用される露光光源の波長に応じて決められており、この要求平坦度に応じて、平坦度制御工程（Ｐ−３）における平坦度制御の基準値が決定される。
例えば、Ｆ２マスクブランクス用ガラス基板の場合は、平坦度制御の基準値を０．２５μｍ以下とし、ＥＵＶマスクブランクス用ガラス基板の場合は、平坦度制御の基準値を０．０５μｍ以下として局所加工が行われる。
【００４２】
＜非接触研磨工程（Ｐ−４）＞
非接触研磨工程（Ｐ−４）は、平坦度制御工程（Ｐ−３）で局所加工が施されたガラス基板表面を、研磨用工具面に接触させることなく、ガラス基板表面と研磨用工具面との間に介在する加工液の作用で研磨する工程である。
この工程で用いる非接触研磨方法は特に限定されない。例えば、フロートポリッシング、ＥＥＭ、ハイドロプレーンポリッシングなどが挙げられる。
【００４３】
非接触研磨で使用する加工液中に含有させる微細粉末粒子としては、ガラス基板の表面粗さを低減させるために、平均粒径の小さいものが選択される。平均粒径が、数十ｎｍ以下、さらには数ｎｍ以下であることが好ましい。平均粒径が小さい研磨砥粒としては、酸化セリウム、シリカ（ＳｉＯ２）、コロイダルシリカ、酸化ジルコニウム、二酸化マンガン、酸化アルミニウムなどが挙げられるが、中でも、ガラス基板の場合、表面平滑性の点でコロイダルシリカが好ましい。
【００４４】
非接触研磨では、水、酸性水溶液、アルカリ性水溶液のいずれかの水溶液を加工液としてもよいし、上記いずれかの水溶液と上述の微細粉末粒子とを含有したものを加工液としてもよい。
水を使用する場合は、純水、超純水が好ましい。
酸性水溶液としては、硫酸、塩酸、フッ酸、ケイフッ酸などの水溶液が挙げられる。非接触研磨における加工液に酸性水溶液を含有させることにより、研磨速度が向上する。ただし、酸の種類や濃度が高い場合は、ガラス基板を荒してしまうことがあるので、ガラス基板が荒れない酸、濃度を適宜選定する。
【００４５】
アルカリ性水溶液としては、水酸化カリウム、水酸化ナトリウムなどの水溶液が挙げられる。非接触研磨における加工液にアルカリ性水溶液を含有させると、研磨速度が向上する。また、ガラス基板表面に潜在的な極微細な欠陥（クラック、傷等）が存在する場合、それを顕著化することができるため、あとの検査工程で微小欠陥を確実に検出することが可能になる。アルカリ性水溶液は、加工液に含まれる研磨砥粒が溶解しない範囲で調整され、加工液としてｐＨが９〜１２となるように調整することが好ましい。
【００４６】
以下、フロートポリッシング、ＥＥＭ及びハイドロプレーンポリッシングの加工原理について説明する。
フロートポリッシングで使用するポリッシングプレート面は、加工液がリードされる溝と動圧を発生させる形状を有する。また、加工液は、溶媒（純水やアルカリ性水溶液等）に数ｎｍから数十ｎｍの微細粉末粒子を懸濁させたものを使用し、その加工液中でポリッシングプレート軸（主軸）と被加工物（ガラス基板）の回転軸とを一定距離だけ偏心させた状態で、ポリッシングプレート及び被加工物を同時に同一方向に回転させる。
【００４７】
このとき、被加工物が上下方向に自由にフローティングし、回転トルクだけが伝達されるような状態にしておくと、動圧効果により被加工物とポリッシングプレートとの間にわずかな隙間ができ、被加工物は浮き上がる。このすき間を通過する微細粉末粒子の加工面への衝突により、微小破壊が繰り返され、被加工物の加工が進行する。このような加工原理なので、被加工物を超微細な表面粗さに加工でき、また、加工自体が小さな力で行われるので、加工変質層のない加工面に仕上げることができる。
被加工物がガラス基板の場合、微細粉末粒子としては、ＣｅＯ２（超高純度）、コロイダルシリカなどを使用することができる。
【００４８】
ＥＥＭは、０．１μｍ以下の微細粉末粒子を被加工物に対してほぼ無荷重状態で接触させ、そのとき微細粉末粒子と被加工物の界面で発生する相互作用（一種の化学結合）により、被加工物表面原子を原子単位で除去するという非接触研磨方法である。このような加工原理上、加工特性は微細粉末粒子と被加工物の相性に大きく依存し、被加工物を能率的に加工するためには、被加工物の材料に応じて微細粉末粒子を適宜選択する必要がある。例えば、被加工物がガラス基板の場合、微細粉末粒子としては、酸化ジルコニウム、酸化アルミニウム、コロイダルシリカなどを使用することができる。また、加工速度を向上させるために、被加工物を侵食させる溶媒に微細粉末粒子を懸濁して加工液とし、これを被加工物と接触させてもよい。
【００４９】
ハイドロプレーンポリッシングは、外周が円錐状の円盤状プレートに、研磨パッドと対向するように被加工物を固定し、被加工物と研磨パッド面が１００μｍ程度離れるように、円盤状プレートの外周を三個の回転コロで支持する。研磨パッドと被加工物との間に研磨剤層が形成され、両者間が研磨剤で満たされるようになると、被加工物及び円盤状プレートが研磨パッドの回転に従動し、加工が進行する。
【００５０】
つぎに、フロートポリッシング装置及びＥＥＭ装置について説明する。
図３は、フロートポリッシング装置の概略断面図、図４は、フロートポリッシング装置の要部断面図である。
これらの図に示すように、フロートポリッシング装置２０は、回転台２１と、回転台２１の上に加工液を溜める円筒状の加工槽２２と、主軸２３（回転台２１の回転軸）に対して所定距離偏心するように回転台２１上に設けられるポリッシングプレート２４と、ポリッシングプレート２４に対向して配置され、ポリッシングプレート２４と同心のワークホルダ軸２５を中心に回転するワークホルダ２６と、加工槽２２に微細粉末粒子を含有した加工液を供給する加工液供給手段２７とを備えている。
【００５１】
回転台２１は、高剛性で、かつ加工液に対する耐性を必要とする。したがって、回転台２１の材質は、これら条件を備えたを有するものであればよいが、ステンレスを用いることが好ましい。また、回転台２１は、高い回転精度と高い吸振性を必要とするため、静圧油軸受などの高性能軸受で支持することが好ましい。また、回転台２１には、加工液供給手段２７から供給された加工液を排出する排出口（図示せず）が設けられている。排出口の先には、フロートポリッシングによって加工された加工屑を回収する回収機構（図示せず）も設けられている。排出口は、加工中、開放された状態になっているが、加工液供給手段２７の供給量制御により加工槽２２における加工液の液面が維持される。
回転台２１は、回転駆動手段（図示せず）の駆動により、主軸２３を中心として数十ｒｐｍ〜数百ｒｐｍで回転される。
【００５２】
ワークホルダ２６は、ワークホルダ軸２５を中心とし、回転駆動手段（図示せず）によって数十ｒｐｍ〜数百ｒｐｍで回転される。ワークホルダ２６は、フローティング自在に支持され、回転駆動トルクのみが伝達されるようになっており、加工中の浮き沈みが許容される。なお、ワークホルダ２６の回転方向は、回転台２１の回転方向と同じにする。
被加工物の保持の仕方は、被加工物に対して傷などのダメージを与えない方法であればよい。例えば、真空吸着や接着剤によって被加工物がワークホルダ２６に固定される。
【００５３】
ポリッシングプレート２４の形状は、回転台２１の主軸２３を中心としてドーナツ状になっており、その幅は、少なくとも被加工物の大きさよりも大きくする。被加工物がワークホルダ軸２５を中心にポリッシングプレート２４上で回転するため、被加工物が正方形状の場合は、被加工物の対角線方向の長さ、矩形状の場合は、被加工物の長い対角線方向の長さよりも大きい幅にする。
【００５４】
ポリッシングプレート２４の上面は、凹凸形状であり、凸部２４ａ間には、加工液をリードする溝２４ｂが形成され、凸部２４ａの上部は、被加工物に対して動圧を発生させるテーパー形状となっている。このテーパー形状の傾斜角度で、被加工物の浮上力（浮上距離）が制御される。テーパー形状の傾斜角度は、被加工物の浮上距離（ポリッシングプレート２４の凸部２４ａと被加工物との距離：加工液が介在する間隙）が数μｍとなるように、被加工物の大きさなどに応じて１°〜２０°の範囲で適宜調整される。また、溝２４ｂの幅、深さ、ピッチは、加工液のリードを制御する。溝２４ｂの幅は、１〜５ｍｍ、深さは、１〜１０ｍｍ、ピッチは、０．５〜３０ｍｍの範囲で適宜調整される。
なお、ポリッシングプレート２４の材質は、加工液に対して耐性を有するものであればよく、例えば、ステンレス、錫、セラミックスなどが挙げられる。
【００５５】
加工液の液温によっては、ポリッシングプレート２４、回転台２１、ワークホルダ２６、被加工物などに熱変形が生じ、加工精度に影響する可能性があるため、加工液は高精度に温度コントロールされている。
加工液は、例えば、純水や超純水や、アルカリや酸などの溶媒、又は上述の溶媒に、微細粉末粒子を含有させたもので、微細粉末粒子の濃度は、０．１〜４０ｗｔ％の範囲で調整されたものを使用する。
【００５６】
加工液供給手段２７は、排出口より排出された加工液中に含まれる加工屑を吸塵装置により除去した後、再び加工槽２２内に供給するように循環させてもよいし、排出口より排出された加工液量分、新品の加工液を加工槽２２内に供給するようにしてもよい。フロートポリッシングは、ポリッシングプレート２４と被加工物に介在する加工液層の厚さが重要なファクターであるので、加工槽２２内にある加工液量を厳密にコントロールするために、加工液供給手段２７の加工液供給量も高精度にコントロールされている。
【００５７】
図５は、ＥＥＭ装置の概略断面図である。
この図に示すように、ＥＥＭ装置３０は、加工液を溜める加工槽３１と、加工槽３１内に被加工物を保持する被加工物保持手段３２と、加工液（微細粉末粒子）が被加工物表面のある領域に対して優先的に接触するように、被加工物表面の面方向を向く回転軸３３を中心に回転する回転体３４と、回転体３４を被加工物に対して上下、左右に走査する移動手段３５と、加工槽３１に微細粉末粒子を含有した加工液を供給する加工液供給手段３６とを備えている。
【００５８】
加工槽３１の材質は、加工液に対して耐性を有するものであればよい。また、加工槽３１には、加工液供給手段３６から供給された加工液を排出する排出口３１ａが設けられている。排出口３１ａの先には、ＥＥＭによって加工された加工屑を回収する回収機構（図示せず）が設けられている。排出口３１ａは、加工中、開放された状態になっているが、加工液供給手段３６の供給量制御により、加工槽３１における加工液の液面が維持される。
なお、被加工物の保持方法は、被加工物に対して傷などのダメージを与えない方法であればよい。
【００５９】
回転体３４の形状は、被加工物表面において加工液と優先的に接触（反応）させたい領域に応じて適宜選定する。局所的に加工液を優先的に接触させたい場合は、球状、線状とし、面の比較的広い領域で加工液を優先的に接触させたい場合は、円筒状とする。
回転体３４の材質は、加工液に対して耐性を有し、かつ、なるべく低弾性のものがよい。高弾性（比較的柔らかい）だと、回転中に形状変形を引き起こしたり、形状が不安定になり、加工精度を悪化させる可能性があるので好ましくない。例えば、ポリウレタン、ガラス、セラミックスなどを使用することができる。
【００６０】
［マスクブランクスの製造方法］
つぎに、本発明におけるマスクブランクス製造方法の実施形態について説明する。
本発明におけるマスクブランクスの製造方法は、上述のマスクブランクス用ガラス基板の製造方法によって得られたガラス基板を準備する工程と、このガラス基板上に、被転写パターンとなる薄膜を形成する工程とを有する。
マスクブランクスは、透過型マスクブランクスと反射型マスクブランクスとに分類される。いずれのマスクブランクスでも、ガラス基板上に、被転写パターンとなる薄膜が形成される。薄膜上にはレジスト膜が形成されてもよい。
【００６１】
透過型マスクブランクスに形成される薄膜は、被転写体に転写するときに使用される露光光（露光光源から発せられる光）に対し、光学的変化をもたらす薄膜であり、例えば、露光光を遮断する遮光膜や、露光光の位相差を変化させる位相シフト膜などを指す。
遮光膜としては、一般に、Ｃｒ膜、Ｃｒに酸素、窒素、炭素、弗素を選択的に含むＣｒ合金膜、これらの積層膜、ＭｏＳｉ膜、ＭｏＳｉに酸素、窒素、炭素を選択的に含むＭｏＳｉ合金膜、これらの積層膜などが挙げられる。
【００６２】
位相シフト膜としては、位相シフト機能のみを有するＳｉＯ２膜のほかに、位相シフト機能及び遮光機能を有する金属シリサイド酸化物膜、金属シリサイド窒化物膜、金属シリサイド酸化窒化物膜、金属シリサイド酸化炭化物膜、金属シリサイド酸化窒化炭化物膜（金属：Ｍｏ、Ｔｉ、Ｗ、Ｔａなどの遷移金属）、ＣｒＯ膜、ＣｒＦ膜、ＳｉＯＮ膜などのハーフトーン膜が挙げられる。
【００６３】
また、反射型マスクブランクスは、ガラス基板上に、反射多層膜（多層反射膜）と、被転写パターンとなる光吸収体膜（吸収体層）とを含む積層膜が形成される。
光反射多層膜としては、Ｒｕ／Ｓｉ周期多層膜、Ｍｏ／Ｂｅ周期多層膜、Ｍｏ化合物／Ｓｉ化合物周期多層膜、Ｓｉ／Ｎｂ周期多層膜、Ｓｉ／Ｍｏ／Ｒｕ周期多層膜、Ｓｉ／Ｍｏ／Ｒｕ／Ｍｏ周期多層膜、Ｓｉ／Ｒｕ／Ｍｏ／Ｒｕ周期多層膜などの材料が使用される。
光吸収体膜としては、ＴａやＴａ合金（例えば、ＴａとＢを含む材料、ＴａとＢとＮを含む材料）、ＣｒやＣｒ合金（例えば、Ｃｒに窒素、酸素、炭素、弗素の少なくとも１つの元素が添加された材料）が使用される。
【００６４】
透過型マスクブランクスは、露光光源として、ｇ線（波長：４３６ｎｍ）、ｉ線（波長：３６５ｎｍ）、ＫｒＦ（波長：２４６ｎｍ）、ＡｒＦ（波長：１９３ｎｍ）、Ｆ２（波長：１５７ｎｍ）が使用され、反射型マスクブランクスは、露光光源として、ＥＵＶ（例えば、波長：１３ｎｍ）が使用される。
なお、上述の薄膜は、例えば、ＤＣスパッタ、ＲＦスパッタ、イオンビームスパッタなどのスパッタリング法で形成することができる。
【００６５】
［実施例及び比較例］
以下、ＥＵＶマスクブランクス用ガラス基板（以下、ガラス基板と称す。）の製造方法、及びＥＵＶ反射型マスクブランクスの製造方法を例として本発明の実施例を説明するが、本発明が以下の実施例に限定されないことは言うまでもない。
【００６６】
＜実施例１：フロートポリッシング＞
上述の研磨装置１０を用い、酸化セリウム砥粒やコロイダルシリカ砥粒により段階的に研磨されたガラス基板（大きさが１５２．４ｍｍ×１５２．４ｍｍ、厚さが６．３５ｍｍ）を準備した。
【００６７】
このガラス基板の表面形状（平坦度）を光学干渉式の平坦度測定機で測定した。ガラス基板の平坦度は、０．２μｍ（凸形状）で、表面粗さは自乗平均平方根粗さＲｑ（＝ＲＭＳ）で０．１５ｎｍであった。
ガラス基板表面の形状測定結果をコンピュータに保存するとともに、ＥＵＶマスクブランクス用ガラス基板に必要な平坦度の基準値０．０５μｍ（凸形状）と比較し、その差分（必要除去量）をコンピュータで計算した。
【００６８】
つぎに、ガラス基板面内の所定領域（５ｍｍ□）ごとに、必要除去量に応じた局所プラズマエッチングの加工条件を設定した。設定した加工条件に従い、ガラス基板の平坦度が基準値（平坦度０．０５μｍ）以下となるように、局所プラズマエッチングで形状を調整した。
局所プラズマエッチングのエッチングガスは、四弗化メタン、プラズマ発生筐体は、円筒型電極を有する高周波式のものとした。
【００６９】
局所プラズマエッチングによる形状調整を行った後、ガラス基板表面の平坦度を測定したところ、０．０５μｍと良好であった。また、ガラス基板表面の表面粗さはＲｑで約１ｎｍとなり、プラズマエッチング処理により表面が荒れた状態となった。
【００７０】
そこで、上述したフロートポリッシング装置２０にガラス基板をセットし、非接触研磨を実施した。
フロートポリッシングにおける研磨条件は、以下の通りとした。
加工液：純水＋微細粉末粒子（濃度：２ｗｔ％）
微細粉末粒子：シリカ（ＳｉＯ２）、平均粒径：約７０ｎｍ
回転台回転数：５〜２００ｒｐｍ
ワークホルダ回転数：１０〜３００ｒｐｍ
研磨時間：５〜３０ｍｉｎ
【００７１】
その後、ガラス基板をアルカリ水溶液で洗浄し、ＥＵＶマスクブランクス用ガラス基板を得た。
得られたガラス基板の平坦度、表面粗さを測定したところ、平坦度は０．０５μｍとフロートポリッシング前の状態を維持しており良好であった。また、表面粗さはＲｑで０．０９ｎｍであり、フロートポリッシング前のガラス基板表面の荒れの状態を改善することができた。
【００７２】
また、ガラス基板表面の表面欠陥を、特開平１１−２４２００１号公報に記載の欠陥検査装置により検査した。この検査装置は、基板の面取り面よりレーザ光を導入して、これを全反射によって基板内に閉じこめ、欠陥により散乱されて基板から漏れ出た光を検出することによって欠陥を検査する方法である。この検査の結果、０．０５μｍを超える大きさの傷は発見されなかった。
ＥＵＶマスクブランクス用ガラス基板で求められるスペックを満足するガラス基板を得ることができた。
【００７３】
＜実施例２：フロートポリッシングの加工液＞
フロートポリッシングにおける研磨条件を以下の通りにしたほかは、実施例１と同様にガラス基板を作製した。
加工液：アルカリ水溶液（ＮａＯＨ）＋微細粉末粒子（濃度：２ｗｔ％）、ｐＨ：１１
微細粉末粒子：コロイダルシリカ、平均粒径：約７０ｎｍ
回転台回転数：５〜２００ｒｐｍ
ワークホルダ回転数：１０〜３００ｒｐｍ
研磨時間：３〜２５ｍｉｎ
【００７４】
その後、ガラス基板をアルカリ水溶液（ＮａＯＨ）で洗浄し、ＥＵＶマスクブランクス用ガラス基板を得た。
得られたガラス基板の平坦度、表面粗さを測定したところ、平坦度、表面粗さともに、実施例１で得られたガラス基板とほぼ同じであった。また、ガラス基板表面の表面欠陥を、特開平１１−２４２００１号公報の欠陥検査装置により検査したところ、０．０５μｍを超える大きさの傷は発見されなかった。加工液の溶媒としてアルカリ性水溶液とすることにより、研磨速度が向上し、研磨時間を短縮することができた。
【００７５】
＜実施例３：フロートポリッシングの加工液２＞
フロートポリッシングにおける研磨条件を以下の通りにしたほかは、実施例１と同様にガラス基板を作製した。
加工液：アルカリ水溶液（ＮａＯＨ）５ｖｏｌ％
微細粉末粒子：なし
回転台回転数：５〜２００ｒｐｍ
ワークホルダ回転数：１０〜３００ｒｐｍ
研磨時間：７〜４５ｍｉｎ
【００７６】
その後、ガラス基板を純水で洗浄し、ＥＵＶマスクブランクス用ガラス基板を得た。
得られたガラス基板の平坦度、表面粗さを測定したところ、平坦度、表面粗さともに、実施例１で得られたガラス基板とほぼ同じであった。また、ガラス基板表面の表面欠陥を、特開平１１−２４２００１号公報の欠陥検査装置により検査したところ、０．０５μｍを超える大きさの傷は発見されなかった。加工液の溶媒としてアルカリ性水溶液とすることにより、研磨速度が向上し、研磨時間を短縮することができた。
【００７７】
＜実施例４：ＥＥＭ＞
局所プラズマエッチングによる平坦度調整の後の非接触研磨としてＥＥＭを行った以外は、実施例１と同様にしてガラス基板を作製した。ＥＥＭの加工条件は以下の通りで行った。
加工液：純水＋微細粉末粒子（濃度：３ｗｔ％）
微細粉末粒子：酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）、平均粒径：約６０ｎｍ
回転体：ポリウレタンロール
回転体回転数：１０〜３００ｒｐｍ
ワークホルダ回転数：１０〜１００ｒｐｍ
研磨時間：５〜３０ｍｉｎ
【００７８】
その後、ガラス基板をアルカリ水溶液で洗浄し、ＥＵＶマスクブランクス用ガラス基板を得た。
得られたガラス基板の平坦度、表面粗さを測定したところ、平坦度は０．０５μｍとフロートポリッシング前の状態を維持しており良好で、表面粗さはＲｑで０．１１ｎｍであり、ＥＥＭ実施前のガラス基板表面荒れの状態を改善することができた。実施例１〜３と比べて若干表面粗さが大きいのは、使用した微細粉末粒子の硬さが影響したものと思われる。
【００７９】
また、ガラス基板表面の表面欠陥を、特開平１１−２４２００１号公報の欠陥検査装置により検査したところ、０．０５μｍを超える大きさの傷は発見されなかった。
ＥＵＶマスクブランクス用ガラス基板で求められるスペックを満足するガラス基板を得ることができた。
【００８０】
＜比較例＞
局所プラズマエッチングによる平坦度調整の後の研磨として、研磨定盤に対向するポリッシングプレートに、ガラス基板をセッティングし、回転する研磨定盤の研磨パッド領域に、ガラス基板を上方より押付けて回転させる片面研磨方法を実施した以外は、実施例１と同様にガラス基板を作製した。片面研磨方法の研磨条件は以下のようにして行った。
加工液：アルカリ水溶液（ＮａＯＨ）＋微細粉末粒子（濃度：２ｗｔ％）、ｐＨ：１１
微細粉末粒子：コロイダルシリカ、平均粒径：約７０ｎｍ
研磨定盤回転数：１〜５０ｒｐｍ
ポリッシングプレート回転数：１〜５０ｒｐｍ
加工圧力：０．１〜１０ｋＰａ
研磨時間：１〜１０ｍｉｎ
【００８１】
その後、ガラス基板をアルカリ水溶液（ＮａＯＨ）で洗浄し、ＥＵＶマスクブランクス用ガラス基板を得た。
得られたガラス基板の平坦度、表面粗さを測定したところ、表面粗さは、Ｒｑで０．１５ｎｍであり良好であったが、平坦度は０．２５μｍと片面研磨実施前の状態、更には局所プラズマエッチングによる平坦度修正する前よりも悪化してしまった。
【００８２】
また、ガラス基板表面の表面欠陥を、特開平１１−２４２００１号公報の欠陥検査装置により検査したところ、０．０５μｍを超える大きさの傷が多数発見された。これは、ガラス基板と研磨パッドが接触した研磨のため、研磨パッド中に存在している異物等が、研磨加工中、ガラス基板に傷を与えたものと考えられる。
その結果、ＥＵＶマスクブランクス用ガラス基板で求められるスペックを満足するガラス基板を得ることができなかった。
【００８３】
＜ＥＵＶ反射型マスクブランクス及びＥＵＶ反射型マスクの作製＞
図６は、ＥＵＶ反射型マスクブランクス及びＥＵＶ反射型マスクを示す断面図である。
上述の実施例１〜４及び比較例によって得られたガラス基板１０１上に、ＤＣマグネトロンスパッタリング法により、Ｓｉ膜（膜厚：４．２ｎｍ）とＭｏ膜（膜厚：２．８ｎｍ）を一周期として、４０周期積層した後、Ｓｉ膜（膜厚：１１ｎｍ）形成して多層反射膜１０２を形成した。つぎに、同様のＤＣマグネトロンスパッタリング法により、多層反射膜１０２上にバッファ層１０３として窒化クロム（ＣｒＮ）膜（膜厚：３０ｎｍ）、吸収体層１０４としてＴａＢＮ膜（膜厚：６０ｎｍ）を形成してＥＵＶ反射型マスクブランクス１００を得た。
【００８４】
つぎに、このＥＵＶ反射型マスクブランクス１００を用いて、デザインルールが０．０７μｍの１６Ｇｂｉｔ−ＤＲＡＭ用のパターンを有するＥＵＶ反射型マスク１００ａを作製した。
まず、ＥＵＶ反射型マスクブランクス１００上に電子線照射用レジストを塗布し、電子線により描画して現像を行い、レジストパターンを形成した。
【００８５】
このレジストパターンをマスクとし、吸収体層１０４を塩素でドライエッチングし、ＥＵＶ反射型マスクブランクス１００上に吸収体層パターン１０４ａを形成した。
さらに、吸収体層パターン１０４ａ上に残ったレジストパターンを熱硫酸で除去した。その後、バッファ層１０３を塩素と酸素の混合ガスにより、吸収体層パターン１０４ａに従ってドライエッチングし、パターン状のバッファ層１０３ａとしてＥＵＶ反射型マスク１００ａを得た。
【００８６】
つぎに、上記ＥＵＶ反射型マスク１００ａを用いて、レジスト付き半導体基板１１０にＥＵＶ光によってパターンを転写する方法を説明する。
図７は、反射型マスクによるパターン転写方法を示す説明図である。
この図に示すパターン転写装置１２０は、レーザープラズマＸ線源１２１、ＥＵＶ反射型マスク１００ａ、縮小光学系１２２などから構成される。縮小光学系１２２は、Ｘ線反射ミラーを用いて構成され、ＥＵＶ反射型マスク１００ａで反射されたパターンは１／４程度に縮小される。なお、露光波長として１３〜１４ｎｍの波長帯を使用するので、光路が真空中になるように予め設定した。
【００８７】
このような状態で、レーザープラズマＸ線源１２１から得られたＥＵＶ光をＥＵＶ反射型マスク１００ａに入射し、ここで反射された光を、縮小光学系１２２を介して、レジスト付き半導体基板１１０上に転写した。
つまり、ＥＵＶ反射型マスク１００ａに入射した光は、吸収体層パターン１０４ａのある部分では、吸収体層１０４に吸収されて反射されず、一方、吸収体層１０４のパターンのない部分に入射した光は、多層反射膜１０２により反射される。このようにして、ＥＵＶ反射型マスク１００ａからの反射光で形成されるパターンが、縮小光学系１２２を介して、半導体基板１１０上のレジスト層に転写される。
【００８８】
実施例１〜４及び比較例で得たガラス基板１０１からなるＥＵＶ反射型マスク１００ａを使用し、上記のパターン転写方法によって半導体基板１１０にパターン転写を行ったところ、実施例１〜４に係るＥＵＶ反射型マスク１００ａの精度は０．０７μｍデザインルールの要求精度である１６ｎｍ以下であることが確認できた。一方、比較例に係るＥＵＶ反射型マスク１００ａの精度は、０．０７μｍデザインルールの要求精度である１６ｎｍ以下を満足することができなかった。
【００８９】
【発明の効果】
以上のように、本発明によれば、局所加工が施されたガラス基板表面を、局所加工による面荒れの改善や表面欠陥の除去を目的として研磨するにあたり、この研磨工程において、ガラス基板表面の平坦度を維持しつつ、ガラス基板表面の面荒れを改善するとともに、ガラス基板表面の表面欠陥を除去することにより、平坦度及び平滑度が高く、かつ、表面欠陥のないマスクブランクス用ガラス基板、又は、それを用いたマスクブランクスが得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】マスクブランクス用ガラス基板の製造工程を示すフローチャートである。
【図２】研磨装置の概略断面図である。
【図３】フロートポリッシング装置の概略断面図である。
【図４】フロートポリッシング装置の要部断面図である。
【図５】ＥＥＭ装置の概略断面図である。
【図６】ＥＵＶ反射型マスクブランクス及びＥＵＶ反射型マスクを示す断面図である。
【図７】反射型マスクによるパターン転写方法を示す説明図である。
【符号の説明】
１０  研磨装置
２０  フロートポリッシング装置
３０  ＥＥＭ装置
１００  ＥＵＶ反射型マスクブランクス
１００ａ  ＥＵＶ反射型マスク
１０１  ガラス基板
１０２  多層反射膜
１０３  バッファ層
１０４  吸収体層
【図１】
2004291209.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
2004291209.tif 000008
【図７】
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