(57)【要約】【課題】活性層ストライプのエッチング時のばらつきを低減し、発光点位置を高精度に制御した光ファイバーとの結合効率の高い半導体レーザを提供することを目的とする。【解決手段】ｎ−ＩｎＰ基板１の上に、ｎ−（ＡｌｘＧａ１−ｘ）ｙＩｎ１−ｙＡｓｚＰ１−ｚエッチング停止層１４（０＜ｘ、ｙ＜１、ｘｙ＝０．４、ｚ＝１）、ｎ−ＩｎＰクラッド層２、歪量子井戸を含む活性層３、ｐ−ＩｎＰ第一クラッド層４が形成されておりダブルへテロ構造をなしている。このダブルヘテロ構造はエッチング停止層１４に至るまでリッジ状のストライプパターンにエッチングされている。【選択図】  図１
2004327923.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一導電型の半導体基板上に、第一導電型クラッド層、活性層と第二導電型クラッド層を少なくとも含むダブルヘテロ構造がストライプ状に形成された半導体レーザであって、
前記ストライプ状のダブルへテロ構造の直下に（ＡｌｘＧａ１−ｘ）ｙＩｎ１−ｙＡｓｚＰ１−ｚ（０＜ｘ、ｙ＜１、０＜ｚ≦１）からなるエッチング停止層が配置されており、
前記エッチング停止層と前記第一導電型クラッド層とが接していることを特徴とする半導体レーザ。
【請求項２】
前記ストライプ状のダブルへテロ構造の側面を埋め込むように埋込み層が形成されていることを特徴とする請求項１記載の半導体レーザ。
【請求項３】
前記ストライプの高さよりも前記埋込み層の膜厚が厚いことを特徴とする請求項２記載の半導体レーザ。
【請求項４】
前記エッチング停止層が（ＡｌｘＧａ１−ｘ）ｙＩｎ１−ｙＡｓｚＰ１−ｚ（０＜ｘ、ｙ＜１、０＜ｚ≦１、０．１＜ｘｙ＜０．５）であることを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の半導体レーザ。
【請求項５】
第一導電型の半導体基板上に（ＡｌｘＧａ１−ｘ）ｙＩｎ１−ｙＡｓｚＰ１−ｚ（０＜ｘ、ｙ＜１、０＜ｚ≦１）からなるエッチング停止層を形成する工程と、
前記エッチング停止層の上に、第一導電型クラッド層、活性層、第二導電型クラッド層をこの順に形成する工程と、
前記第二導電型クラッド層の上にマスクパターンを形成する工程と、
前記第二導電型クラッド層、前記活性層、前記第一導電型クラッド層を前記エッチング停止層上面もしくは層内までエッチングして、前記マスクパターンの下に前記第二導電型クラッド層、前記活性層、前記第一導電型クラッド層をそれぞれ含むストライプパターンを形成する工程を備えた半導体レーザの製造方法。
【請求項６】
第一導電型の半導体基板上に（ＡｌｘＧａ１−ｘ）ｙＩｎ１−ｙＡｓｚＰ１−ｚ（０＜ｘ、ｙ＜１、０＜ｚ≦１）からなるエッチング停止層を形成する工程と、
前記エッチング停止層の上に、第一導電型クラッド層、活性層、第二導電型クラッド層をこの順に形成する工程と、
前記第二導電型クラッド層の上にマスクパターンを形成する工程と、
前記第二導電型クラッド層、前記活性層、前記第一導電型クラッド層を前記エッチング停止層上面もしくは層内までエッチングして、前記マスクパターンの下に前記第二導電型クラッド層、前記活性層、前記第一導電型クラッド層をそれぞれ含むストライプパターンを形成する工程と、
前記ストライプパターンの側面を埋め込むように第一の半導体層と第二の半導体層とを形成する工程を備えた半導体レーザの製造方法。
【請求項７】
前記第一導電型クラッド層および前記第二導電型クラッド層はＩｎＰからなり、前記活性層がＩｎＧａＡｓＰを含む多重量子井戸層からなることを特徴とする請求項５または６記載の半導体レーザの製造方法。
【請求項８】
前記第一の半導体層は第二導電型のＩｎＰであり、前記第二の半導体層は第一導電型のＩｎＰであることを特徴とする請求項６または７記載の半導体レーザの製造方法。
【請求項９】
前記エッチング停止層が（ＡｌｘＧａ１−ｘ）ｙＩｎ１−ｙＡｓｚＰ１−ｚ層（０＜ｘ、ｙ＜１、０＜ｚ≦１、０．１＜ｘｙ＜０．５）であることを特徴とする請求項５ないし８のいずれかに記載の半導体レーザの製造方法。
【請求項１０】
酸素を含むガスを用いたドライエッチングにより前記ストライプパターンを形成することを特徴とする請求項５ないし９のいずれかに記載の半導体レーザの製造方法。
【請求項１１】
前記ストライプパターンの高さｈが前記第一の半導体層の厚みと前記第二の半導体層の厚みの合計ｄよりも小さいことを特徴とする請求項６ないし１０のいずれかに記載の半導体レーザの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光ファイバーを用いた通信に適した半導体レーザに関する。
【０００２】
【従来の技術】
光ファイバーを用いて光信号を伝送するいわゆる光ファイバー通信に用いられる光通信用モジュールは、現行の電話線を光ファイバーに置き換えることにより、一般家庭でも高速・大容量の通信を可能とする光加入者系システムと呼ばれる通信システムの構築が急速な勢いで進行している。この光加入者系システムは、２１世紀のネットワーク社会を実現するインフラストラクチャとして、その通信機能を考えた場合に最も有力なシステムであり、光ファイバーの本体持つ広帯域性を生かすことにより、現行電話線の数千倍の非常に高速な通信を一般家庭にまで配信することができるものである。
【０００３】
光加入者系システムでは、光ファイバーを一般家庭にまで導入するため、一般の加入者宅に設置される端末に内蔵され、光信号と電気信号とを相互に変換する光通信用光モジュールには、小型化、量産性さらに低コスト化が必要不可欠である。
【０００４】
そのため、図３に示すような光モジュール構成が考案されている（たとえば特許文献１参照）。すなわち、Ｓｉ基板上に固定された半導体レーザからの出力光を、Ｖ溝が形成されたＳｉ基板上に固定されたファイバーと結合させるものである。このような構成の光モジュールにおいては、半導体レーザの拡がり角や半導体レーザの発光部とファイバーの相対位置ずれにより光の結合効率が著しく変化するため、組立精度とともに半導体レーザの発光点位置制御が重要となる。
【０００５】
従来の半導体レーザは、例えば、図４に示すような構造をしている（特許文献２参照）。
【０００６】
ｎ−ＩｎＰ基板１の上に、膜厚０．８μｍのｎ−ＩｎＰクラッド層２、歪量子井戸を含む活性層３、膜厚が０．５μｍのｐ−ＩｎＰ第一クラッド層４が形成されておりダブルへテロ構造をなしている。このダブルヘテロ構造はリッジ状のストライプパターンにエッチングされており、エッチング深さ、すなわちストライプパターンの高さは２．５μｍである。
【０００７】
ストライプパターンの側面には膜厚１．０μｍのｐ−ＩｎＰ電流ブロック層５、膜厚２．０μｍのｎ−ＩｎＰ電流ブロック層６が埋め込まれて形成されており、電流ブロック層６およびストライプパターン上にさらに膜厚５．０μｍのｐ−ＩｎＰ第二クラッド層７、ｐ−ＩｎＧａＡｓキャップ層８が形成されている。
【０００８】
上記の半導体レーザは以下のように製造される。
【０００９】
有機金属気相成長法により、ｎ−ＩｎＰ基板１上に膜厚０．８μｍのｎ−ＩｎＰクラッド層２、歪量子井戸を含む活性層３、膜厚０．５μｍのｐ−ＩｎＰ第一クラッド層４を積層する。その上に、ＳｉＮｘを形成し、通常のフォトリソグラフィ、ウエットエッチングにより幅２μｍのマスクパターン（図示せず）を形成する。続けて、ウエットエッチングによりｎ−ＩｎＰ基板１に至るまでエッチングしてマスクパターンの下にリッジ状のストライプを形成する。エッチング深さは２．５μｍである。次いで、有機金属気相成長法により第一の埋込成長として、膜厚１．０μｍのｐ−ＩｎＰ電流ブロック層５、膜厚２．０μｍのｎ−ＩｎＰ電流ブロック層６を形成し、次いで、ＳｉＮｘマスクパターンを除去した後、有機金属気相成長法により第二の埋込成長として、膜厚５．０μｍのｐ−ＩｎＰ第二クラッド層７、膜厚０．１μｍのｐ−ＩｎＧａＡｓキャップ層８を形成し、埋込構造を形成する。
【００１０】
ｎ−ＩｎＰ基板１の裏面にはｎ側電極９が、ｐ−ＩｎＧａＡｓキャップ層８の表面にはｐ側電極１０がそれぞれ形成されている。
【００１１】
活性層は、図５に示すように膜厚６ｎｍのＩｎＧａＡｓＰ井戸層１１（λ＝１３００ｎｍ）と膜厚１０ｎｍのＩｎＧａＡｓＰ障壁層１２（λ＝１０００ｎｍ）を積層した９周期構造となっている。両側は膜厚３０ｎｍのＩｎＧａＡｓＰガイド層１３（λ＝１０００ｎｍ）でサンドイッチされている。ＩｎＧａＡｓＰ井戸層１１の歪量は＋１．０％である。
【００１２】
この半導体レーザでは共振器長を２００μｍとし、両共振器端面に３０％、９０％のコーティングを施している。
【００１３】
【特許文献１】
特開平９−８０６４５８号公報
【特許文献２】
特開平７−１１１３６２号公報
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】
上記従来の構造において、ストライプパターンの高さをｈ、ｐ−ＩｎＰ電流ブロック層５、ｎ−ＩｎＰ電流ブロック層６の厚みを合計した値をｄ、ｐ−ＩｎＰ第二クラッド層７の厚みをｔとすると、第二の埋込成長後に表面が平坦になる場合、ストライプパターン直上の埋込層膜厚はおおよそ（ｄ−ｈ）＋ｔとなる。
【００１５】
半導体レーザは通常、活性層が形成された側の面を下側にして基板に実装する。その方が実装基板面から発光点である活性層までの距離の制御がしやすいからである。上記の構造で言えば、ｐ側電極１０と実装基板とが半田等によって接着される。ｎ側電極９と実装基板とを接着する構造だと数百μｍある基板の厚みのばらつきがのってきて誤差が大きくなる。
【００１６】
よって、実装基板面からの発光点位置は活性層の上に形成された半導体層等の厚みで決定され、主に前記の３つのパラメータに依存することになる。
【００１７】
しかし、高精度の膜厚制御性を有する有機金属気相成長法により形成するので埋込層膜厚は大きなばらつきは発生しないが、一方、ストライプパターンのエッチングはウエットエッチングにより行うので、深さ方向のばらつきが発生しやすい。
【００１８】
３インチウエハ面内のエッチング深さ分布と各位置に対応した場所から取れた半導体レーザをファイバーと結合させた時のファイバー出力分布を図６に示す。発光点位置のばらつきは光モジュール組立時のファイバー結合特性に影響し、結果としてファイバー出力不良となるだけでなく、調芯時のスループットを大幅に低下させ原因となり大きな問題となっていた。
【００１９】
【課題を解決するための手段】
本発明は上記課題を解決する半導体レーザを提供するもので、
第一導電型の半導体基板上に、第一導電型クラッド層、活性層と第二導電型クラッド層を少なくとも含むダブルヘテロ構造がストライプ状に形成された半導体レーザであって、前記ストライプ状のダブルへテロ構造の直下に（ＡｌｘＧａ１−ｘ）ｙＩｎ１−ｙＡｓｚＰ１−ｚ（０＜ｘ、ｙ＜１、０＜ｚ≦１）からなるエッチング停止層が配置されており、前記エッチング停止層と前記第一導電型クラッド層とが接していることを特徴とする。
【００２０】
また、前記ストライプ状のダブルへテロ構造の側面を埋め込むように埋込み層が形成されている。
【００２１】
前記ストライプの高さよりも前記埋込み層の膜厚が厚いことが好ましい。
【００２２】
前記エッチング停止層が（ＡｌｘＧａ１−ｘ）ｙＩｎ１−ｙＡｓｚＰ１−ｚ（０＜ｘ、ｙ＜１、０＜ｚ≦１、０．１＜ｘｙ＜０．５）であることが好ましい。
【００２３】
また、上記課題を解決するため、本発明の半導体レーザの製造方法は、第一導電型の半導体基板上に（ＡｌｘＧａ１−ｘ）ｙＩｎ１−ｙＡｓｚＰ１−ｚ層（０＜ｘ、ｙ＜１、０＜ｚ≦１）からなるエッチング停止層を形成する工程と、前記エッチング停止層の上に、第一導電型クラッド層、活性層、第二導電型クラッド層をこの順に形成する工程と、前記第二導電型クラッド層の上にマスクパターンを形成する工程と、前記第二導電型クラッド層、前記活性層、前記第一導電型クラッド層を前記エッチング停止層上面もしくは層内までエッチングして、前記マスクパターンの下に前記第二導電型クラッド層、前記活性層、前記第一導電型クラッド層をそれぞれ含むストライプパターンを形成する工程を備えている。
【００２４】
また、本発明の別の半導体レーザの製造方法は、第一導電型の半導体基板上に（ＡｌｘＧａ１−ｘ）ｙＩｎ１−ｙＡｓｚＰ１−ｚ（０＜ｘ、ｙ＜１、０＜ｚ≦１）からなるエッチング停止層を形成する工程と、前記エッチング停止層の上に、第一導電型クラッド層、活性層、第二導電型クラッド層をこの順に形成する工程と、
前記第二導電型クラッド層の上にマスクパターンを形成する工程と、
前記第二導電型クラッド層、前記活性層、前記第一導電型クラッド層を前記エッチング停止層上面もしくは層内までエッチングして、前記マスクパターンの下に前記第二導電型クラッド層、前記活性層、前記第一導電型クラッド層をそれぞれ含むストライプパターンを形成する工程と、
前記ストライプパターンの側面を埋め込むように第一の半導体層と第二の半導体層とを形成する工程を備えている。
【００２５】
これらの製造方法において、前記第一導電型クラッド層および前記第二導電型クラッド層はＩｎＰからなり、前記活性層がＩｎＧａＡｓＰを含む多重量子井戸層からなることが好ましい。
【００２６】
前記第一の半導体層は第二導電型のＩｎＰであり、前記第二の半導体層は第一導電型のＩｎＰであることが好ましい。
【００２７】
前記エッチング停止層が（ＡｌｘＧａ１−ｘ）ｙＩｎ１−ｙＡｓｚＰ１−ｚ（０＜ｘ、ｙ＜１、０＜ｚ≦１、０．１＜ｘｙ＜０．５）であることがさらに好ましい。
【００２８】
酸素を含むガスを用いたドライエッチングにより前記ストライプパターンを形成するのが好ましい。
【００２９】
前記ストライプパターンの高さｈが前記第一の半導体層の厚みと前記第二の半導体層の厚みの合計ｄよりも小さいことが好ましい。
【００３０】
【発明の実施の形態】
以下、この発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。
【００３１】
本発明の実施形態にかかる半導体レーザの構造を図１に示す。
【００３２】
ｎ−ＩｎＰ基板１の上に、膜厚０．０５μｍのｎ−（ＡｌｘＧａ１−ｘ）ｙＩｎ１−ｙＡｓｚＰ１−ｚエッチング停止層１４（０＜ｘ、ｙ＜１、ｘｙ＝０．４、ｚ＝１）、膜厚２．０μｍのｎ−ＩｎＰクラッド層２、歪量子井戸を含む活性層３、膜厚が０．５μｍのｐ−ＩｎＰ第一クラッド層４が形成されておりダブルへテロ構造をなしている。このダブルヘテロ構造はリッジ状のストライプパターンにエッチングされており、エッチング深さ、すなわちストライプパターンの高さは２．５μｍである。
【００３３】
ストライプパターンの側面には膜厚１．０μｍのｐ−ＩｎＰ電流ブロック層５、膜厚２．０μｍのｎ−ＩｎＰ電流ブロック層６が埋め込まれて形成されており、電流ブロック層６およびストライプパターン上にさらに膜厚５．０μｍのｐ−ＩｎＰ第二クラッド層７、膜厚０．１μｍのｐ−ＩｎＧａＡｓキャップ層８が形成されている。
【００３４】
ｎ−ＩｎＰ基板の裏面にはｎ側電極９が、ｐ−ＩｎＧａＡｓキャップ層８の表面にはｐ側電極１０がそれぞれ形成されている。
【００３５】
上記の半導体レーザは以下のように製造される。
【００３６】
有機金属気相成長法により、ｎ−ＩｎＰ基板１上に膜厚０．０５μｍのｎ−（ＡｌｘＧａ１−ｘ）ｙＩｎ１−ｙＡｓｚＰ１−ｚエッチング停止層１４、膜厚２．０μｍのｎ−ＩｎＰクラッド層２、歪量子井戸を含む活性層３、膜厚０．５μｍのｐ−ＩｎＰ第一クラッド層４を積層する。その上に、ＳｉＮｘを形成し、通常のフォトリソグラフィ、ウエットエッチングにより幅２μｍのマスクパターン（図示せず）を形成する。続けて、ウエットエッチングによりエッチング停止層１４に至るまでエッチングしてマスクパターンの下にリッジ状のストライプを形成する。エッチング深さは２．５μｍである。
【００３７】
次いで、有機金属気相成長法により第一の埋込成長として、膜厚１．０μｍのｐ−ＩｎＰ電流ブロック層５、膜厚２．０μｍのｎ−ＩｎＰ電流ブロック層６を形成し、次いで、ＳｉＮｘマスクパターンを除去した後、有機金属気相成長法により第二の埋込成長として、膜厚５．０μｍのｐ−ＩｎＰ第二クラッド層７、膜厚０．１μｍのｐ−ＩｎＧａＡｓキャップ層８を形成し、埋込構造を形成する。
【００３８】
本実施形態によれば、エッチング停止層にＡｌを含有させることによりエッチングされる層との選択比を大きくすることができる。また、ＩｎＧａＡｓ、ＩｎＧａＡｓＰといった材料はそれぞれの元素の組成比を調整することにより、ＩｎＰとの格子整合を比較的容易にとることができる。本実施形態のエッチング停止層はその性質を利用してさらにエッチング選択性を向上させるためにＡｌを添加したものであり、下地のＩｎＰ基板と格子整合して成長でき、さらにその上に成長させるクラッド層、活性層の結晶性を良好に保つことが可能となる。
【００３９】
また、Ａｌを含む層とそれ以外の層で選択性を持つエッチング液を用いることで、エッチング停止層１４中でエッチングがほぼ停止し、エッチング深さ、すなわちストライプの高さはｎ−ＩｎＰクラッド層２、歪量子井戸を含む活性層３、ｐ−ＩｎＰ第一クラッド層４の層厚を合計した値にほぼ揃えることができる。
【００４０】
既に述べたように、有機金属気相成長法により成長させた層の厚みは高精度に制御できるため、ストライプパターンの高さ、ひいては発光点位置の調整が高精度かつ再現性よく行えることとなる。
【００４１】
また、ウエットエッチングだけでなく、酸素を含むガス中でドライエッチングするとさらに精度よくエッチング停止することができる。この際、Ａｌの組成が大きいほどエッチング時の選択性は大きい。よって、確実にエッチング停止層でエッチングを止めることができ、停止層の掘れ込みも抑えることができる。
【００４２】
一方、Ａｌの組成が小さいとエッチング停止層のバンドギャップが小さくなり、レーザ光の吸収が起こってしまう。これに対応するにはｎ−ＩｎＰクラッド層を厚くする必要があるが、その分スループットが低下し、製造コストの上昇につながってしまい、不利である。
【００４３】
本発明者等の検討により、（ＡｌｘＧａ１−ｘ）ｙＩｎ１−ｙＡｓｚＰ１−ｚエッチング停止層におけるＡｌ組成比ｘｙは０．１から０．５の間（０．１＜ｘｙ＜０．５）が望ましいことがわかった。
【００４４】
次いで、有機金属気相成長法により第一の埋込成長として、膜厚１．０μｍのｐ−ＩｎＰ電流ブロック層５、膜厚１．０μｍのｎ−ＩｎＰ電流ブロック層６を形成し、次いで、ＳｉＮｘマスクパターンを除去した後、有機金属気相成長法により第二の埋込成長として、膜厚５．０μｍのｐ−ＩｎＰクラッド層７、膜厚０．１μｍのｐ−ＩｎＧａＡｓキャップ層８を形成し、埋込構造を形成する。
【００４５】
この場合、ストライプパターンの高さｈが２．５μｍであり、ｐ−ＩｎＰ電流ブロック層５の膜厚１．０μｍとｎ−ＩｎＰ電流ブロック層６の膜厚１．０μｍとの合計ｄ（２．０μｍ）よりも大きくなっているが、ｈがｄよりも小さければ、以下の利点がある。
【００４６】
すなわち、第二の埋込成長を行った後の埋込み構造の表面、ひいては実装基板とｐ側電極との接着面が平坦となり、発光点位置の制御性がさらに向上する。また、ストライプ側面において電流を狭窄しているｎ−ＩｎＰ電流ブロック層６を安定的に厚く形成できるためリーク電流を抑制できる。
【００４７】
活性層は、膜厚６ｎｍのＩｎＧａＡｓＰ井戸層１１（λ＝１３００ｎｍ）を膜厚１０ｎｍのＩｎＧａＡｓＰ障壁層１２（λ＝１０００ｎｍ）を積層した９周期構造となっている。両側は膜厚３０ｎｍのＩｎＧａＡｓＰガイド層１３（λ＝１０００ｎｍ）でサンドイッチされている。ＩｎＧａＡｓＰ井戸層１１の歪量は＋０．６％である。
【００４８】
図２に３インチウエハ面内のエッチング深さ分布と各位置に対応した場所から取れた半導体レーザをファイバーと結合させた時のファイバー出力分布を示す。
【００４９】
図６に示した従来の場合と比べて、エッチング深さの面内ばらつきが大幅に改善されていることがわかる。これに対応して、ファイバー出力のばらつきも大幅に改善されている。このことにより、安定して高歩留のファイバー出力を得ることができ、また調芯時のスループットを向上できた。
【００５０】
なお、本実施形態において、エッチング停止層１４の表面でエッチングが完全に停止していれば、ストライプパターンの高さはｎ−ＩｎＰクラッド層２、歪量子井戸を含む活性層３、ｐ−ＩｎＰ第一クラッド層４の層厚を合計した値となるが、エッチング停止層の１４の層内までエッチングされていれば、ストライプパターンの高さは上記の値にエッチング停止層の掘れ込み量を加えた値になることはいうまでもない。
【００５１】
なお、本発明は上記実施の形態に限定されるものでなく、各層の膜厚、組成は限定されない。エッチング停止層の膜厚も制約されるものでない。
【００５２】
また、本発明はＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ系、ＩｎＧａＡｌＰ／ＧａＡｓ系を含む他の材料にも適用できることは言うまでもない。
【００５３】
【発明の効果】
本発明によれば、半導体レーザの発光点位置を高精度かつ再現性よく調整できるため、光通信モジュールにおいてファイバーとの光結合のばらつきを低減し、出力を安定して得ることができ、歩留や組立のスループットを向上でき極めて有用である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態における半導体レーザの断面図
【図２】本発明の実施形態におけるウエハ面内のエッチング深さ分布と各位置に対応した場所から取れた半導体レーザをファイバーと結合させた時のファイバー出力分布図
【図３】従来の技術における光通信モジュール構成の一例を示す図
【図４】従来の技術における半導体レーザの断面図
【図５】半導体レーザ中の活性層の断面図
【図６】従来の技術におけるウエハ面内のエッチング深さ分布と各位置に対応した場所から取れた半導体レーザをファイバーと結合させた時のファイバー出力分布図
【符号の説明】
１  ｎ−ＩｎＰ基板
２  ｎ−ＩｎＰクラッド層
３  活性層
４  ｐ−ＩｎＰ第一クラッド層
５  ｐ−ＩｎＰ電流ブロック層
６  ｎ−ＩｎＰ電流ブロック層
７  ｐ−ＩｎＰ第二クラッド層
８  ｐ−ＩｎＧａＡｓキャップ層
９  ｎ側電極
１０  ｐ側電極
１１  ＩｎＧａＡｓＰ井戸層
１２  ＩｎＧａＡｓＰ障壁層
１３  ＩｎＧａＡｓＰ光ガイド層
１４  ＡｌＧａＩｎＡｓＰエッチング停止層
【図１】
2004327923.tif 000003
【図２】
2004327923.tif 000004
【図３】
2004327923.tif 000005
【図４】
2004327923.tif 000006
【図５】
2004327923.tif 000007
【図６】
2004327923.tif 000008