(57)【要約】【課題】基板に均一な金属薄膜を形成できる基板処理装置を提供する。【解決手段】搬送ロボット１０を備える搬送部１の周囲に、ウエハＷに金属有機物を塗布するコータ部２と、ウエハＷに第１の熱処理を行って乾燥させるベーク部３と、ウエハＷに第２の熱処理を行う熱処理部４と、ウエハＷにメッキ処理を行うメッキ処理部５と、未処理のウエハＷおよび処理済みのウエハＷを収納したカセットＣＡを載置するローダ・アンローダ部６と、を配置している。搬送部１がローダ・アンローダ部６を含む各処理部間でウエハＷの搬送を行って、ウエハＷに金属層を形成する処理および熱処理が行われる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の表面に金属薄膜を形成する基板処理装置であって、
基板の表面に金属の層を形成する金属層形成部と、
前記基板の熱処理を行う熱処理部と、
前記金属層形成部と前記熱処理部との間で前記基板の搬送を行う搬送手段と、
を備えることを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
請求項１記載の基板処理装置において、
未処理の基板および処理済みの基板を収納するカセットを載置する基板搬入出部をさらに備え、
前記搬送手段は、前記金属層形成部、前記熱処理部および前記基板搬入出部の間で前記基板の搬送を行うことを特徴とする基板処理装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の基板処理装置において、
前記金属層形成部は、
基板の表面にメッキ処理を行うメッキ処理部を含むことを特徴とする基板処理装置。
【請求項４】
請求項２または請求項３に記載の基板処理装置において、
前記金属層形成部、前記熱処理部および前記基板搬入出部が前記搬送手段の周囲に設置されていることを特徴とする基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウエハ、液晶用ガラス基板等の基板の表面に金属薄膜を形成する基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、表面に複数の段差を有する基板の一種であるウエハに銅（Ｃｕ）などの金属薄膜を形成する方法として、ＰＶＤ（Ｐｈｙｓｉｃａｌ  Ｖａｐｅｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法が提案されている。
【０００３】
このＰＶＤ法においては、まず密閉チャンバ内にウエハを搬入し、密閉チャンバ内を大気から密閉した状態で、ウエハに対して室温から数百度の範囲の温度で、加熱処理やプラズマ処理を行い、それと同時に、Ｃｕ等の金属有機物、あるいはＡｕ等の金属を含有している有機物（有機物にＡｕ等の金属を混入させたもの）をウエハの表面に供給する。その結果、加熱処理やプラズマ処理によってウエハの表面において金属有機物等が熱分解、プラズマ分解され、ウエハの表面の段差である溝に金属有機物等が密着し、薄膜の状態でウハの表面に金属有機物等のシード層が形成される。その後、シード層が形成されたウエハに対してさらにメッキ液を供給して、ウエハのメッキ処理が行われている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、従来の金属薄膜形成方法だと、金属有機物等のシード層が表面の溝部の壁や底といった溝部全体にわたって形成されず、シード層の膜厚にムラができてしまう。したがって、シード層の膜厚にムラができた状態のウエハに対してメッキ処理を行ってしまうと、シード層の膜厚のムラがそのままメッキ層のムラになってしまい、メッキ処理による埋め込み工程での再現性が得難いという問題が発生する。
【０００５】
そこで、本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであって、基板に均一な金属薄膜を形成できる基板処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するため、請求項１の発明は、基板の表面に金属薄膜を形成する基板処理装置であって、基板の表面に金属の層を形成する金属層形成部と、前記基板の熱処理を行う熱処理部と、前記金属層形成部と前記熱処理部との間で前記基板の搬送を行う搬送手段と、を備える。
【０００７】
また、請求項２の発明は、請求項１の発明に係る基板処理装置において、未処理の基板および処理済みの基板を収納するカセットを載置する基板搬入出部をさらに備え、前記搬送手段に、前記金属層形成部、前記熱処理部および前記基板搬入出部の間で前記基板の搬送を行わせる。
【０００８】
また、請求項３の発明は、請求項１または請求項２の発明に係る基板処理装置において、前記金属層形成部に、基板の表面にメッキ処理を行うメッキ処理部を含ませる。
【０００９】
また、請求項４の発明は、請求項２または請求項３の発明に係る基板処理装置において、前記金属層形成部、前記熱処理部および前記基板搬入出部を前記搬送手段の周囲に設置している。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、基板の表面に金属の層を形成する金属層形成部と、該基板の熱処理を行う熱処理部と、を備えるため、基板に均一な金属薄膜を形成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、図面を参照して本発明に係る基板処理装置の実施の形態を説明する。
【００１２】
図１は、本発明に係る基板処理装置の全体構成を示す図である。この基板処理装置は、中央部に基板の一種であるウエハＷを搬送するための搬送部１を備えており、この搬送部１の周囲には、ウエハＷの表面に白金（Ｐｔ）等の金属有機物を塗布するコータ部（塗布部）２と、このコータ部２で金属有機物が塗布されたウエハＷに第１の熱処理を行ってウエハＷの乾燥処理を行うベーク部（乾燥部）３と、このベーク部３においてウエハＷに第１の熱処理を行った後に、ウエハＷに第２の熱処理を行う熱処理部（加熱部）４と、この熱処理部４において第２の熱処理を行ったウエハＷにメッキ処理を行うメッキ処理部５と、一連の処理が終了したウエハＷおよび未処理のウエハＷを収納したカセットＣＡを載置する２つのローダ・アンローダ部６と、を配置している。
【００１３】
図１に示すように、基板処理装置の中央部に配置された搬送部１の略中央部には、搬送ロボット１０が設けられている。この搬送ロボット１０は、基台１１内に図示しないモータを内蔵しており、このモータの回転軸に第１の多関節アーム１２が軸支され、さらに第１の多関節アーム１２の先端に第２の多関節アーム１３を介してウエハＷの裏面を支持するための支持アーム１４を備えている。この搬送ロボット１０は、ウエハＷの裏面を支持アーム１４で支持しつつ、搬送部１の周囲に配置されたコータ部２、ベーク部３、熱処理部４、メッキ処理部５およびローダ・アンローダ部６の間でウエハＷの搬送を行う。
【００１４】
次に、本発明に係る塗布部に相当するコータ部２を説明する。図２は、コータ部の概略構成図である。
【００１５】
このコータ部２は、図２に示すように、密閉チャンバ２０を備えており、この密閉チャンバ２０の搬送部１（図１参照）側には、搬送部１との間でウエハＷの受け渡しを行うための開口２１が設けられ、この開口２１に対して矢印Ａに示すように上下方向に開閉可能な密閉型シャッタ２１０を備えている。また、密閉チャンバ２０の上面には密閉チャンバ２０内に窒素ガス等のガスを供給するための供給口２２が設けられ、密閉チャンバ２０の下面には密閉チャンバ２０内を減圧状態するために密閉チャンバ２０内のガスを排気する排出口２３が設けられている。
【００１６】
この供給口２２は、密閉チャンバ２０へ供給されるガスの流量を制御するための供給用の調整弁２２１を途中に設けた供給管２２０を介してガス供給源２２２に連通接続されている。また、排出口２３から排出されるガスの流量を制御するため排出用の調整弁２３１を途中に設けた供給管２３０を介して、密閉チャンバ２０内からガスが排出される。
【００１７】
なお、調整弁２２１を閉状態にし、調整弁２３１を開状態にすれば、密閉チャンバ２０内からは、ガスが排気された状態になるので、密閉チャンバ２０内は減圧状態となる。
【００１８】
また、密閉チャンバ２０内の中心部には、回転処理部２４が設けられている。この回転処理部２４は、水平方向にウエハＷの裏面を吸着保持するためのスピンチャック２４０を備えており、このスピンチャック２４０の下側は、密閉チャンバ２０内の底部に設けられたモータ２４１の回転軸２４２に連結されている。スピンチャック２４０に吸着されたウエハＷの上方には、このウエハＷの表面に金属有機物のペースト（例えば、メタロ・オルガニックス）を塗布するためのノズル２４３が設けられている。このノズル２４３は、調整弁２４５を途中に設けた供給管２４４を介して金属有機物供給源２４６に連通接続されている。
【００１９】
ウエハＷの表面に金属有機物のペーストを塗布する際には、スピンチャック２４０がウエハＷの裏面を吸着保持しつつモータ２４１を１０００〜２０００ｒｐｍの回転数に回転させた状態で、ノズル２４３から金属有機物のペーストをウエハＷの表面へ吐出する。すると、ウエハＷの回転に伴って、金属有機物のペーストはウエハＷの外周方向へ広がり、ウエハＷの表面全体にわたって金属有機物が塗布される。
【００２０】
スピンチャック２４０に吸着保持されたウエハＷの外周側に、ウエハＷの回転に伴ってウエハＷの外周端部から飛散した金属有機物のペーストを受け止めるカップ２５を備えている。このカップ２５で受け止められた金属有機物は、密閉チャンバ２０内の底部に設けられた複数の排出管２５０へ導かれ、不要な金属有機物は排出管２５０を通して密閉チャンバ２０外へ排出される。
【００２１】
次に、本発明に係る乾燥部に相当するベーク部３を説明する。図３はベーク部の概略構成図である。
【００２２】
図３において、符号３０はベーク部３の外枠を構成する密閉チャンバである。この密閉チャンバ３０内にはウエハＷを載置するための載置台３１が設けられている。この載置台３１は、円柱部３１ｂの上面にウエハＷを載置するための載置面３１ａを備えている。また、載置台３１の内部には、温度調節機構３２が備えられ、この温度調節機構３２によって、載置台３１は所定の温度に調節される。載置台３１内部下側には、載置台３１の載置面３１ａを貫通する例えば３本の支持ピン３３によって載置台３１ａに載置されるウエハＷを昇降する昇降機構３４が設けられている。
【００２３】
また、密閉チャンバ３０の搬送部１側には、搬送部１との間でウエハＷの受け渡しを行うための開口３５が設けられ、この開口３５に対して矢印Ｂに示すように上下方向に開閉可能な密閉型シャッタ３５０を備えている。
【００２４】
次に、本発明に係る加熱部に相当する熱処理部４を説明する。図４は熱処理部に設けられた縦型熱処理炉の概略断面図を示している。
【００２５】
この縦型熱処理炉４０には、管軸芯方向が上下に向くように赤外線透過性を有する石英材料によって形成された炉芯管４１が設けられ、この炉芯管４１の管軸芯方向下側に円形状の開口４２が形成されている。そして、この炉芯管４１内に対しては、複数のウエハＷを保持するボート４３が挿脱可能となっている。
【００２６】
炉芯管４１の開口４２側の側部には、ガス導入口４４ａが設けられ、このガス道入口４４ａは図示しないガス供給機構と連通接続しており、ガス供給機構からガス導入口４４ａを介して窒素ガス等のパージガスや炉芯管４１内での反応用の処理ガスが炉芯管４１内へ導入される。また、ガス導入口４４ａの下側の炉芯管４１の側部には、ガス排出口４４ｂが設けられ、このガス排出口４４ｂは図示しないガス排気機構と連通接続しており、複数のウエハＷを保持したボート４３を炉芯管４１内へ挿入するとともに、開口４２を図示しない炉口キャップで蓋した状態で、ガス導入口４４ａからパージガスや処理ガスを導入するときに、排出口４４ｂから炉芯管４１内にあるガスを排出する。
【００２７】
炉芯管４１周囲には、管軸芯方向に上側から短い第１のヒータ４５ａと、長い第２のヒータ４５ｂと、第３のヒータ４５ｃとを備えるヒータユニット４５が配置されている。このヒータユニット４５の加熱処理により、炉芯管４１内に挿入されたボート４３に保持されたウエハＷが加熱される。
【００２８】
炉芯管４１内に挿入されるボート４３は、周方向に間隔を隔てて設けたウエハ保持用の石英製で透明な３本の支柱４３ａを備え、この３本の支柱４３ａには管軸芯方向に複数の石英製の板体４３ｂが一体的に取り付けられている。３本の支柱４３aには微小ピッチでウエハＷの外周端部を挿入するための挿入溝（図示せず）が形成され、この挿入溝にウエハＷの外周端部を挿入して、ボート４３はウエハＷの外周端部の３点を保持する。
【００２９】
３本の支柱４３ａの最下端部は、昇降支持アーム４６に固定されており、この昇降支持アーム４６がボート４３全体を下側から支持している。昇降支持アーム４６は、ネジ軸４７に沿って移動可能であり、図示しないモータ等の駆動機構により昇降支持アーム４６はネジ軸４７に沿って矢印Ｃに示すように上下方向に移動し、ボート４３の炉芯管４１内に対する挿脱が行われる。
【００３０】
ヒータユニット４５の外周と、炉芯管４１およびヒータユニット４５の上方には、炉芯管４１とヒータユニット４５を覆うケーシング４８が配置されている。ケーシング４８の上部中央部には、炉芯管４１の外周面とヒータユニット４５の内周面と間で形成される空間４００に冷却用ガスを供給するための通気口４８ａが形成されており、この通気口４８ａは、供給管４８ｃを介して図示しない冷却用ガス供給機構と連通接続されている。供給管４８ｃの途中には開閉弁４８ｂが設けられており、この開閉弁４８ｂの開閉制御により空間４００へ供給される冷却用ガスの供給量が制御される。
【００３１】
なお、メッキ処理部５の詳細は省略するが、メッキ処理部５におけるメッキ処理は次のような処理が考えられる。例えば、電解メッキ装置としては、メッキ液の槽にウエハを保持し、このウエハの表面と対向させて導電性の対向電極を配置し、ウエハ側を負電極にしてウエハと対向電極との間で電圧を印加してウエハの表面にメッキ層の金属薄膜を形成するものがある。
【００３２】
次に、図５乃至図９に基づいて、本発明に係る金属薄膜形成方法およびコーティング処理、ベーク処理、メッキ処理等の複数の処理を含む基板処理装置の動作を説明する。図５は、基板処理装置の一連の動作を示すフローチャート、図６は、コーティング処理の動作を示すフローチャート、図７は、ベーク処理の動作を示すフローチャート、図８は、熱処理の動作を示すフローチャート、図９は、ウエハの表面に金属有機物のペーストによる金属薄膜が形成される過程を示す図である。
【００３３】
まず、搬送ロボット１０の支持アーム１４が、ローダ・アンローダ部６に載置されているカセットＣＡ内にある1枚のウエハＷを搬出し（ステップＳ１）、そのウエハＷをコータ部２の密閉チャンバ２０内へ搬入する（ステップＳ２）。このとき、ウエハＷは、図９（Ａ）に示すようにシリコンウエハ（Ｓｉ）の表面に酸化膜（ＳｉＯ２）が形成された状態であり、この酸化膜には段差に相当する複数の溝部Ｍを有している。そして、密閉チャンバ２０内へ搬入されたウエハＷに対して、図６に示すようなコーティング処理が行われる（スッテプＳ３）。
【００３４】
コーティング処理として、まずウエハＷが支持アーム１４によってスピンチャック２４０に載置されると、スピンチャック２４０は真空吸着を開始してウエハＷの裏面を吸着保持するとともに、開口２１に対して密閉型シャッタ２１０を閉じる（ステップＳ３１）。次に、一方で供給管２２０に設けられた供給用の調整弁２２１を閉じるとともに、他方で排出管２３０に設けられた排出用の調整弁２３１を開いて、密閉チャンバ２０内を減圧状態にする（ステップＳ３２）。
【００３５】
密閉チャンバ２０が所定の減圧状態になったら、モータ２４１を回転駆動させることによりウエハＷの回転を開始し（ステップＳ３３）、ウエハＷの回転数が１０００〜２０００ｒｐｍになった状態で、ノズル２４３から金属有機物のペーストをウエハＷの表面の中心部付近に吐出する（ステップＳ３４）。ウエハＷの回転に伴って、ウエハＷの表面全体に金属有機物が広がって、ウエハＷの表面は図９（Ｂ）に示すような状態になる。
【００３６】
ノズル２４３からの金属有機物のウエハＷへの吐出という塗布処理が終了すると、モータ２４１の回転駆動を停止させてスピンチャック２４０に吸着保持されたウエハＷの回転を停止する（ステップＳ３５）。ウエハＷの回転が停止すると、供給管２２０に設けられた供給用の調整弁２２１を開き、ガスを密閉チャンバ２０内へ供給し、密閉チャンバ２０内を大気圧と同じ圧力状態にする（ステップＳ３６）。これにより、溝部Ｍにあるガスを排気し、溝部Ｍの底部まですみずみに金属有機物が入り込む。次に、スピンチャック２４０は真空吸着を解除するとともに、開口２０に対して密閉型シャッタ２１０を開く（ステップＳ３７）。以上により、コータ部２におけるウエハＷのコーティング処理が終了する。
【００３７】
コータ部２でのコーティング処理が終了すると、搬送ロボット１０の支持アーム１４がコータ部２の密閉チャンバ２０内にあるスピンチャック２４０に載置されたウエハＷを搬出し（ステップＳ４）、そのウエハＷをベーク部３の密閉チャンバ３０内へ搬入する（ステップＳ５）。そして、密閉チャンバ３０内へ搬入されたウエハＷに対して、図７に示すようなベーク処理が行われる（ステップＳ６）。
【００３８】
ベーク処理として、まず搬送ロボット１０の支持アーム１４によりウエハＷが３本の支持ピン３３に載置されると、開口３５に対して密閉型シャッタ３５０を閉じる（ステップＳ６１）。次に、昇降機構３４を駆動させることによりウエハＷを支持した支持ピン３３を下降させ、載置台３１の載置面３１ａにウエハＷを載置する（ステップＳ６２）。ウエハＷが載置面３１ａに載置されると、温度調節機構３２を１００〜２００℃の温度に調節して、ウエハＷの表面全体に塗布された金属有機物を乾燥させる（ステップＳ６３）。
【００３９】
そして、昇降機構３４を駆動させることによりウエハＷを支持した支持ピン３３を上昇させる（ステップＳ６４）。次に、開口３５に対して密閉型シャッタ３５０を開く（ステップＳ６５）。なお、ウエハＷが密閉チャンバ３０に対して搬入・搬出された際のウエハＷの位置および支持ピン３３の位置は、図３の２点鎖線で示す位置である。以上により、ベーク部３におけるウエハＷのベーク処理が終了する。
【００４０】
ベーク部３でのベーク処理が終了すると、搬送ロボット１０の支持アーム１４がベーク部３の密閉チャンバ３０内にある支持ピン３３に支持されたウエハＷを搬出し（ステップＳ７）、そのウエハＷを熱処理部４にある縦型熱処理炉４０のボート４３へ搬入する（ステップＳ８）。なお、このときウエハＷの外周端部は支柱４３ａの挿入溝に挿入された状態で、ボート４３はウエハＷを保持している。その後、ボート４３は複数のウエハＷが保持可能なので、ウエハが所定の枚数（例えば２５枚）になるか否かを判断する（ステップＳ９）。所定の枚数に至っていない場合、上述したステップＳ１に戻り、所定の枚数に至るまで図５に示すステップＳ１〜Ｓ８を繰り返す。一方、所定の枚数に至った場合、図８に示すような熱処理を行う（ステップＳ１０）。
【００４１】
熱処理として、まず複数のウエハＷを保持したボート４３を炉芯管４１の中に搬入する（ステップＳ１０１）。次に、窒素ガスやアルゴンガスのような処理ガスをガス導入口４４ａから炉芯管４１内へ供給する（ステップＳ１０２）。なお、このとき炉芯管４１内にある不要なガスを排気するためにガス排出口４４ｂから不要なガスを排出する。処理ガスが後述する加熱処理を行うのに必要な量だけ炉芯管４１内へ供給されると、処理ガスの供給を停止する（ステップＳ１０３）。
【００４２】
この状態で、ヒータユニット４５の第１のヒータ４５ａ、第２のヒータ４５ｂ、第３のヒータ４５ｃのすべてをＯＮにし、ボート４３に保持されたウエハＷを所定の時間、例えば４５０℃〜７００℃の温度で加熱処理を行う（ステップＳ１０４）。加熱処理を行った結果、図９（Ｃ）に示すように金属有機物のペースト層が熱分解により金属薄膜となる。
【００４３】
加熱処理が終了すると、供給管４８ｃの途中に設けられた開閉弁４８ｂを開状態にして、炉心管４１の外周面とヒータユニット４５との間に形成された空間４００に冷却ガスを供給する（ステップＳ１０５）。これにより、炉芯管４１は冷却される。最後にボート４３が炉芯管４１から搬出される。以上により、熱処理部４におけるウエハＷの熱処理が終了する。
【００４４】
熱処理が終了すると、搬送ロボット１０の支持アーム１４が縦型熱処理炉４０のボート４３に保持されたウエハＷを搬出し（ステップＳ１１）、そのウエハＷをメッキ処理部５へ搬入する（ステップＳ１２）。
【００４５】
メッキ処理部５においては、図９（Ｃ）に示す状態のウエハＷに対して、上述したようなメッキ処理を行う（ステップＳ１３）。メッキ処理を行うとウエハＷの表面は、図９（Ｄ）に示すような状態となる。すなわち、酸化膜（ＳｉＯ２）で形成された溝部Ｍは、第１段階としてまず金属薄膜の層が形成され、第２段階としてメッキ層が形成されることになる。これにより、溝部Ｍは金属薄膜とメッキ層で埋め込まれた状態となる。また、金属薄膜が均一な状態で溝部Ｍに埋め込まれているので、メッキ層の表面も均一な状態となる。
【００４６】
メッキ処理部５によるメッキ処理が終了すると、搬送ロボット１０の支持アーム１４がメッキ処理の行われたウエハＷをメッキ処理部５から搬出し（ステップＳ１４）、ローダ・アンローダ部６に載置されたカセットＣＡへウエハＷを搬入する（ステップＳ１５）。その後、縦型熱処理炉４０のボート４３に保持されたウエハＷがなくなったか否かを判断する（ステップＳ１６）。ウエハＷがなくなっていない場合、上述したステップＳ１１へ戻り、ウエハＷがボート４３からなくなるまで、ステップＳ１１〜ステップＳ１５を繰り返す。一方、ウエハＷがなくなった場合、一連の基板処理動作が終了する。
【００４７】
なお、上述した発明の実施の形態の基板処理装置では、中心部に搬送部１を配置し、この搬送部１の周囲にコータ部２、ベーク部３、熱処理部４、メッキ処理部５およびローダ・アンローダ６をそれぞれ配置したものであるが、各処理部の配置構成はこれに限るものではない。例えば、基板搬送機構が走行する一方向に延びた搬送路を設け、この搬送路の片側あるいは両側にコータ部２、ベーク部３、熱処理部４、およびメッキ処理部５を配置するような基板処理装置の構成にしてもよい。
【００４８】
また、搬送部１に設けられた搬送ロボット１０を複数にしてもよい。例えば、単に搬送ロボット１０を２つ設けてもよいし、またローダ・アンローダ６とコータ部２との間のみのウエハＷを搬送する搬送ロボットといったように、各処理部間の搬送を専用に行う搬送ロボットをそれぞれ設けてもよい。
【００４９】
また、上述した発明の実施の形態の基板処理装置では、ベーク部３におけるウエハＷに対するベーク処理を行う際には、図３に示す密閉チャンバ３０を密閉状態にしていたが、密閉型シャッタ３５０を開いた状態でもよい。この場合、図７のステップＳ６１とステップＳ６５は不要となる。
【００５０】
また、上述した発明の実施の形態の基板処理装置では、ウエハＷに加熱処理を行うために、１度に複数のウエハＷの処理が行える縦型熱処理炉４０を用いたが、ベーク部３のような１枚ごとに加熱処理を行うようなものでもよい。
【００５１】
また、上述した発明の実施の形態の基板処理装置では、メッキ処理部５を１つのユニットとしたが、複数の処理ユニットにしてもよい。例えば、メッキ処理を行う前にウエハＷの前洗浄を行う前洗浄ユニット、電解メッキ液を直接ウエハＷに供給してメッキ処理を行うメッキ処理ユニット、メッキ処理を行った後にウエハＷの後洗浄を行う後洗浄ユニット、およびウエハＷを乾燥させる乾燥ユニットといったように、複数の処理ユニットでメッキ処理部５を構成してもよい。
【００５２】
また、上述した発明の実施の形態の基板処理装置では、コータ部２において、ウエハＷの表面に塗布する液を白金（Ｐｔ）等の金属有機物としたが、有機物に金（Ａｕ）等の金属を混入したもの、すなわち金属を含有した有機物であってもよい。
【００５３】
さらに、電解メッキ装置としては、種々のものが考えられる。例えば、ウエハＷの表面を上に向けて回転させつつメッキ液をウエハＷの表面に供給して電圧を印加するものや、メッキ液が貯溜されたメッキ液槽にウエハＷの表面を下に向けてその表面とメッキ液とを接触させた状態で電圧を印加するものがある。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】本発明に係る基板処理装置の全体構成を示す図である。
【図２】図１の基板処理装置のコータ部の概略構成図である。
【図３】図１の基板処理装置のベーク部の概略構成図である。
【図４】図１の基板処理装置の熱処理部に設けられた縦型熱処理炉の断面図である。
【図５】図１の基板処理装置の一連の動作を示すフローチャートである。
【図６】コーティング処理の動作を示すフローチャートである。
【図７】ベーク処理の動作を示すフローチャートである。
【図８】熱処理の動作を示すフローチャートである。
【図９】ウエハの表面に金属有機物のペーストによる金属薄膜が形成される過程を示す図である。
【符号の説明】
【００５５】
１  搬送部
２  コータ部
３  ベーク部
４  熱処理部
１０  搬送ロボット
１１  基台
１２  第１の多関節アーム
１３  第２の多関節アーム
１４  支持アーム
２０  密閉チャンバ
２２  供給口
２３  排出口
２４  回転処理部
３０  密閉チャンバ
３２  温度調整機構
４０  縦型熱処理炉
４１  炉芯管
４３  ボート
４５  ヒータユニット
４５ａ  第１のヒータ
４５ｂ  第２のヒータ
４５ｃ  第３のヒータ
２３０  排気管
２３１  調整弁
２４０  スピンチャック
２４１  モータ
２４２  回転軸
２４３  ノズル
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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