(57)【要約】【課題】高い寸法精度の金属導体または抵抗体で形成された部品を内蔵した性能の良いパッケージ用基板を提供することを目的とする。【解決手段】誘電体と、導体と抵抗体との少なくとも一方とを積層し焼成してなるパッケージ用基板において、抵抗体または導体があらかじめ成膜された基板、金属板、ＭＥＭＳデバイスのいずれかを含む部品を前記パッケージ用基板に内蔵することにより、高い寸法精度でパッケージ用基板を製造することができる。【選択図】          図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
誘電体と、導体と抵抗体との少なくとも一方とを積層し焼成してなるパッケージ用基板において、抵抗体または導体があらかじめ成膜された基板、金属板、ＭＥＭＳデバイスのいずれかを含む部品を前記パッケージ用基板に内蔵することを特徴とするパッケージ用基板。
【請求項２】
前記部品の金属板と導体とは、金、銀、銅、白金、パラジウムのいずれかを含むことを特徴とする請求項１記載のパッケージ用基板。
【請求項３】
前記部品の抵抗体は、金、銀、白金、パラジウム、ルテニウム酸化物、窒化タンタル、鉄合金、ニッケル、酸化インジウム、酸化スズ、タングステン、タングステンカーバイド、チタン、ガドリニウム、ジルコニウム、マンガン、酸化セリウム、酸化クロム、銅合金、酸化硅素、スズ合金のいずれかを含むことを特徴とする請求項１または２記載のパッケージ用基板。
【請求項４】
前記部品がガラス融液でコーティングされていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載のパッケージ用基板。
【請求項５】
前記部品がガラス粉末を含むスラリーもしくはガラス前駆体を含む液体のいずれかを用いてコーティングし、熱処理されていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載のパッケージ用基板。
【請求項６】
導体ペーストを印刷したグリーンシートを積層する工程と、前記積層したグリーンシートの一表面上に抵抗体または導体が成膜された基板、金属板、ＭＥＭＳデバイスの少なくとも１つを含む部品を配置する工程と、前記部品を配置した面上にグリーンシートを積層する工程と、前記積層したグリーンシートを加圧後焼成する工程とを含むことを特徴とするパッケージ用基板の製造方法。
【請求項７】
導体ペーストを印刷したグリーンシートを積層する工程と、前記積層したグリーンシートの一表面上に接着ペーストを介して、抵抗体または薄膜が成膜された基板、金属板、ＭＥＭＳデバイスの少なくとも１つを含む部品を配置する工程と、前記積層したグリーンシートを加圧後焼成する工程とを含むことを特徴とするパッケージ用基板の製造方法。
【請求項８】
前記加圧焼成する工程が前記グリーンシートと接合しない部材をグリーンシート表面に保持する工程と、前記部材と前記グリーンシートとを同時に加圧焼成する工程とを含むことを特徴とする請求項６または７記載のパッケージ用基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電子部品を実装するパッケージ用基板及びその製造方法に関するものである。さらに詳しくは、ミリ波及びマイクロ波領域で動作するＭＭＩＣ（Ｍｏｎｏｌｉｔｈｉｃ  Ｍｉｃｒｏｗａｖｅ  Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔｓ）を実装するパッケージ用基板に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来のパッケージ用基板は、金属導体及び抵抗体を作製するために、スクリーン印刷法などの方法を用いて、金属微粒子もしくは金属酸化物微粒子からなるペーストをグリーンシート上にパターン形成した後、積層及び焼成して製造している（例えば、特許文献１参照。）。
【０００３】
【特許文献１】
特開平１０−２２９０１６号公報
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
従来の方法によってパッケージ用基板に金属導体または抵抗体を形成しようとすると、スクリーン印刷精度が十分でない。そのため、金属導体または抵抗体の寸法精度は高周波特性を発現するために十分なものではなかった。またペーストを印刷することにより製造した導体及び抵抗体は焼結により収縮する。その際に収縮率のばらつきによる寸法誤差を生じる。また成分によっては、誘電体との同時焼成中にマイグレーションなどを起こすために寸法に変動を生じる場合がある。
【０００５】
また、金属微粒子を含むペーストを印刷後焼結してなる従来方法の金属導体の表面は凹凸が激しく、導体断面の形状が一定しない。
【０００６】
そのため、抵抗値、共振周波数、静電容量、位相差などが設計許容値以上に変動し、損失が増大する等の理由のために内蔵部品は十分な性能を発現できず、パッケージ用基板としての性能が低下するという課題があった。
【０００７】
本発明は、上記の課題を解決するためになされたものであり、高い寸法精度の金属導体または抵抗体で形成された部品を内蔵したパッケージ用基板を提供することを目的とするものである。
【０００８】
また、高い寸法精度で形成された部品を内蔵することが可能なパッケージ用基板の製造方法を提供することを目的とするものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明は、誘電体と、導体と抵抗体との少なくとも一方とを積層し焼成してなるパッケージ用基板において、抵抗体または導体があらかじめ成膜された基板、金属板、ＭＥＭＳデバイスのいずれかを含む部品を前記パッケージ用基板に内蔵することを特徴とするものである。
【００１０】
また、導体ペーストを印刷したグリーンシートを積層する工程と、前記積層したグリーンシートの一表面上に抵抗体または導体が成膜された基板、金属板、ＭＥＭＳデバイスの少なくとも１つを含む部品を配置する工程と、前記部品を配置した面上にグリーンシートを積層する工程と、前記積層したグリーンシートを加圧後焼成する工程とを含むことを特徴とするものである。
【００１１】
【発明の実施の形態】
実施の形態１．
以下、本発明の実施の形態１に係るパッケージ用基板について説明する。
図１は実施の形態１に係るパッケージ用基板の上方からの透視図であり、図２は図１におけるＡ−Ａ断面の断面図である。なお、図１においてグラウンド層７はパッケージ用基板の内部を記述するために図示していない。
図１及び図２において、例えば金よりなる薄膜抵抗体４と薄膜抵抗体４に電気的に接続された例えば銀よりなる薄膜扇形スタブ３と薄膜伝送線路５とを備えた基板２が、誘電体１に埋め込まれている。また、誘電体１中に薄膜伝送線路５と一部が接するように配線層６が形成されている。また、誘電体１の表面はグラウンド層７で覆われている。さらに、誘電体１の表面にはグラウンド層７と電気的に独立した信号取り出し用パッド９が形成されている。そして、配線層６と信号取り出し用パッド９はビア８で接続されている。
【００１２】
次に本実施の形態のパッケージ用基板の製造方法を図３を用いて説明する。
まず、図３（ａ）に示すように、アルミノシリケートガラス粉末とアルミナ粉末とをポリビニルブチラールバインダで結合してなるグリーンシートを焼成した基板２となる部分を有する成膜用基板３１に金ターゲットを用いて、蒸着法により厚み５００ｎｍの薄膜抵抗体４を形成した。
次に、図３（ｂ）に示すように、銀ターゲットを用いて、厚み３μｍの銀薄膜製の薄膜扇形スタブ３と薄膜伝送線路５とを、それぞれ薄膜抵抗体４と接合した位置に形成した。
さらに、図３（ｃ）に示すように成膜用基板３１の基板２となる部分を切断し基板２を形成した。
次に、図３（ｄ）に示すように、薄膜伝送線路５の一部をマスキングしてからアルミノシリケートガラス粉末とアルミナ粉末とをエチルセルロースバインダでスラリー化したものに基板２をディップコートし、乾燥後大気中８００℃で熱処理して保護層３２を形成した。
【００１３】
次に、図３（ｅ）に示すように、アルミノシリケートガラス粉末とアルミナ粉末とをポリビニルブチラールバインダで結合してなるグリーンシート３３上にスクリーン印刷法を用いて導体ペーストを印刷後乾燥させてグラウンド層７を形成し、さらに前記グリーンシートのグラウンド層７を形成していない面上の所望の位置に前記基板２を配置する。さらに、図３（ｆ）に示すように所望の位置に穴を開口して導電ペーストを充填したビア８と両面の所望の位置に配線層６とグラウンド層７と信号取り出し用パッド９とをスクリーン印刷法を用いて形成したグリーンシートを前記基板２上の薄膜伝送線路５が上記配線層６と一部重なるように配置した。これらのグリーンシートの積層体を加熱しながら加圧成形することによって、誘電体１を作製した。さらに、この積層体を大気開放下で焼成することにより、終端器を内蔵するパッケージ用基板を作製した。
【００１４】
本実施の形態においては、薄膜扇形スタブ３と薄膜伝送線路５は銀で形成したが、銀に限定されるものではなく、金、銅、白金、パラジウム、及びこれらの合金または混合物のような低抵抗の金属であっても良い。
また、導体の厚みは２μｍより厚いことが低抵抗化のためには望ましいが、導体抵抗の設計により、適宜決定することができる。
【００１５】
また、薄膜抵抗体４は金で形成したが、金に限定されるものではなく、銀、白金、パラジウム、ルテニウム酸化物、窒化タンタル、鉄合金、ニッケル、酸化インジウム、酸化スズ、タングステン、タングステンカーバイド、チタン、ガドリニウム、ジルコニウム、マンガン、  酸化セリウム、酸化クロム、銅合金、酸化硅素、スズ合金のいずれかを含むものであれば良い。
これらの物質で薄膜抵抗体を形成することにより、抵抗値の制御が行ないやすく、温度依存性が小さい精度の高い抵抗体を得ることができる。
【００１６】
また、抵抗体の厚みは１μｍより薄いことが高抵抗化には望ましいが、抵抗値と材料の選択により、適宜決定することができる。
【００１７】
本実施の形態においては、薄膜扇形スタブ３と薄膜抵抗体４と薄膜伝送線路５は蒸着法を用いて形成したが、スパッタ法、レーザアブレーション法、蒸着法、ＣＶＤ法、ゾル−ゲル法、メッキ法を用いても良い。
【００１８】
また、本実施の形態においては、アルミノシリケートガラス粉末とアルミナ粉末とをエチルセルロースバインダでスラリー化したものに基板２をディップコートし熱処理を施すことで保護層３２を形成したが、それに限定されるものではい。例えば、ガラス粉末を含むスラリーもしくはガラス前駆体を含む液体のいずれかを用いてコーティングし、熱処理を施すことにより保護層３２を形成することができる。
【００１９】
本実施の形態のパッケージ用基板における基板２に設けられた薄膜扇形スタブ３、薄膜抵抗体４及び薄膜伝送線路５よりなる終端器は従来の技術によって製造した終端器と異なり、薄膜形成法を用いて作製している。そのため表面は平滑であり、その断面形状は長方形である。さらに、保護層３２を設けているので基板２に設けられた薄膜扇形スタブ３、薄膜抵抗体４及び薄膜伝送線路５はグリーンシートを積層し加圧成形を行なう際にも界面の直線性と断面形状とが保たれる。
【００２０】
そのため、本実施の形態に係るパッケージ用基板に内蔵された終端器の反射特性は終端器にマイクロ波を入力し測定したところ、従来の方法によって製造されたパッケージ用基板に内蔵された終端器に比較して反射が少なかった。
【００２１】
以上述べてきたように、本実施の形態で得られたパッケージ用基板は内蔵される終端器の薄膜扇形スタブ３と薄膜抵抗体４と薄膜伝送線路５とを薄膜製造法を用いて作製しているためにμｍオーダーの高い寸法精度で製造することができる。また薄膜抵抗体４と薄膜伝送線路５及び薄膜扇形スタブ３との接合が良好だったので、反射が少ない特性の優れた内臓部品を有するパッケージ用基板を得ることができる。
【００２２】
また、低抵抗の金属を導体に用いることにより、薄膜形成法を用いても低抵抗の導体を形成することができるので、小型で特性の優れた内蔵部品を得ることができ、その内蔵部品を有するパッケージ用基板を得ることができる。
【００２３】
また、導体を蒸着法などの薄膜形成方法を用いて形成することにより、表面が平滑で一定の断面形状を有する導体を得ることができるので、安定した性能の内蔵部品を得ることができる。そのために特性の優れた内蔵部品を有するパッケージ用基板を得ることができる。
【００２４】
また、抵抗値の制御が行ないやすい、温度依存性の小さい、精度の高い抵抗体を有したパッケージ用基板を得ることができる。
【００２５】
さらに、保護層を薄膜扇形スタブ３、薄膜抵抗体４及び薄膜伝送線路５に設けることによりグリーンシートを積層し加圧成形を行なう際にも界面の直線性と断面形状とがより保たれ、さらに反射が少ない特性の優れた内臓部品を有するパッケージ用基板を得ることができる。
【００２６】
実施の形態２．
本発明の実施の形態２に係るパッケージ用基板について説明する。
図４は実施の形態２に係る電力分配器内蔵パッケージ用基板の上方からの透視図であり、図５は図３のＢ−Ｂ断面の断面図である。なお、図３においてグラウンド層１５は内部を記述するために図示していない。
図４、図５において、例えば白金で形成した薄膜抵抗体１３と薄膜抵抗体１３に電気的に接続した例えば金よりなる薄膜伝送線路１４とを備えた基板１２が誘電体１０に埋め込まれている。また、誘電体１０中に薄膜伝送線路１４と電気的に接続されるように伝送線路１１が形成されている。この伝送線路１１の一方の端部は大気中に開放されている。誘電体１０の表層にはグラウンド層１５が形成されている。
【００２７】
本実施の形態のパッケージ用基板の製造方法は実施の形態１におけるパッケージ用基板の製造方法とほぼ同一であるため詳細な説明は省略し、異なる部分のみ説明する。
ここでは、保護層は薄膜伝送線路１４の一部をマスキングし、テトラエチルオキシシランを溶解したイソプロピルアルコール溶液中に基板１２をディップコートし、乾燥後焼成することにより形成した。
【００２８】
また、最終工程の大気開放下での焼成工程において、この積層体上下面にアルミナグリーンシートを接して保持し、積層体の厚さ方向に均一な荷重をかけながら大気開放下で焼成することにより、本発明の実施の形態である、電力分配器を内蔵するパッケージ用基板を作製した。
なお、本実施の形態においては前記アルミナグリーンシートは大気開放下の焼成では焼結せず、バインダーが消失してアルミナ粉末となり、パッケージとは接合しない。
【００２９】
本実施の形態においては、薄膜伝送線路１４は金で形成したが、銀に限定されるものではなく、銀、銅、白金、パラジウム、及びこれらの合金または混合物であっても良い。
【００３０】
また、薄膜抵抗体１３は白金で形成したが、白金に限定されるものではなく、金、銀、パラジウム、ルテニウム酸化物、窒化タンタル、鉄合金、ニッケル、酸化インジウム、酸化スズ、タングステン、タングステンカーバイド、チタン、ガドリニウム、ジルコニウム、マンガン、  酸化セリウム、酸化クロム、銅合金、酸化硅素、スズ合金のうち少なくとも１つを含むものであれば良い。
【００３１】
さらに、本実施の形態においては基板１２をテトラエチルオキシシランを溶解したイソプロピルアルコール溶液中にディップコートし保護層を形成したが、それに限るものではなく、ガラス融液をコーティングできるどのようなコーティング法を用いても良い。
【００３２】
本実施の形態におけるパッケージ用基板における基板１２上に作製した薄膜抵抗体１３、薄膜伝送線路１４は薄膜形成法を用いて形成している。そのため表面は平滑であり、その断面形状は長方形である。また、基板１２に保護層を設けることにより基板１２上に作製した薄膜抵抗体１３、薄膜伝送線路１４はグリーンシートを積層し加圧成形を行なう際にも界面の直線性と断面形状とが保たれる。
【００３３】
そのために本実施の形態に係るパッケージ用基板にのアイソレーション特性は、内蔵された電力分配器にマイクロ波を入力し測定したところ、従来の方法を用いて製造した電力分配器内蔵のパッケージ用基板と比較して良好なアイソレーション特性を示した。
【００３４】
以上述べてきたとおり、本実施の形態では、内蔵される部品がμｍオーダーで設計通りの寸法に製造でき、また抵抗体と伝送線路との接合が良好だったので、アイソレーション特性に優れた電力分配器を内蔵したパッケージ用基板を得ることができる。
【００３５】
また、低抵抗の金属を導体に用いることにより、薄膜形成法を用いても低抵抗の導体を形成することができるので、小型で特性の優れた内蔵部品を得ることができ、その内蔵部品を有するパッケージ用基板を得ることができる。
【００３６】
また、抵抗値の制御が行ないやすい、温度依存性の小さい、精度の高い抵抗体を有したパッケージ用基板を得ることができる。
【００３７】
さらに、保護層を薄膜抵抗体１３及び薄膜伝送線路１４に設けることによりグリーンシートを積層し加圧成形を行なう際にも界面の直線性と断面形状とがより保たれ、さらにアイソレーションが少ない性能の優れた内臓部品を有するパッケージ用基板を得ることができる。
【００３８】
さらに、大気開放下で焼成する際に、誘電体の上下にグリーンシートは挟むことによりパッケージの歪みを防ぎ、さらにアイソレーションが少ない性能の優れた内臓部品を有するパッケージ用基板を得ることができる。
【００３９】
実施の形態３．
本発明の実施の形態３に係るパッケージ用基板について説明する。
図５は実施の形態３に係る共振器内蔵パッケージ用基板の上方からの透視図であり、図６は図５のＣ−Ｃ断面の断面図である。なお、図５においてグラウンド層１９は内部を記述するために図示していない。
図５及び図６において、圧延後切断及び研磨した金属板よりなる共振線路１７と同じく圧延後切断及び研磨した金属板よりなる伝送線路１８が誘電体１６の表層に配置している。また、誘電体１６の表層にはグラウンド層１９が形成されている。
【００４０】
次に本実施の形態のパッケージ用基板の製造方法を図８を用いて説明する。
まず、図８（ａ）に示すように導体ペーストを印刷及び乾燥したグラウンド層１９を有するグリーンシート３４のグラウンド層１９を形成していない面上にグリーンシート３４を所定枚数重ねた。
次に図８（ｂ）に示すようにグリーンシート３４上の所定の位置に、アルミノシリケートガラス粉末とアルミナ粉末とを含む接着ペースト３５を印刷した。
さらに図８（ｃ）で示したように接着ペースト３５の上に金よりなる研磨した圧延金属板をアルミノシリケートガラス融液中にディップコート後冷却して、保護層を備えた共振線路１７と伝送線路１８を配置し、加熱しながら加圧成形することによって、積層体を作製した。
最後に図８（ｄ）に示すように、この積層体の上下をアルミナグリーンシート３６で挟み、積層体の厚さ方向に均一な荷重を加えながら大気開放下で焼成することにより、本発明の実施の形態である、共振器を内蔵するパッケージ用基板を作製した。図８（ｄ）において矢印は荷重の方向を示している。なお、本実施の形態においては前記アルミナグリーンシートは大気開放下の焼成では焼結せず、バインダーが消失してアルミナ粉末となり、パッケージ用基板とは接合しない。
【００４１】
本実施の形態において、共振線路１７と伝送線路１８とは金よりなる金属板で形成したが、金に限定されるものではなく、銀、銅、白金、パラジウム、及びこれらの合金または混合物であっても良い。
【００４２】
さらに、本実施の形態においては共振線路１７と伝送線路１８とをアルミノシリケートガラス融液中にディップコートし保護層を形成したが、それに限るものではなく、ガラス融液をコーティングできるどのようなコーティング法を用いても良い。
【００４３】
本実施の形態に係るパッケージ用基板では共振線路１７及び伝送線路１８は圧延された金属板を用いて作製されているため、界面がほぼ直線的で、断面が長方形である。さらに、導体周囲をガラスコートしたことによって、焼成工程中の加圧によって界面が荒れることがなく、また、グリーンシートと共通する成分を含むペーストでグリーンシートに密着することができた。
【００４４】
そのために、内蔵された共振器にマイクロ波を入力し、共振周波数を測定したところ、本発明の実施の形態に係る上記共振器は、その共振周波数の誤差は小さく、Ｑ値も高かった。
【００４５】
以上述べてきたように、本実施の形態で得られたパッケージ用基板は共振器線路及び伝送線路が圧延された金属板を用いて作製されているために界面がほぼ直線的で、断面が長方形である。そのために、共振周波数の誤差が小さく、Ｑ値の高いパッケージ用基板を得ることができる。
【００４６】
また、保護層を共振器線路及び伝送線路に設けることにより、加圧成形を行なう際にも界面の直線性と断面形状とがより保たれ、さらに共振周波数の誤差が小さく、Ｑ値の高いパッケージ用基板を得ることができる。
【００４７】
さらに、大気開放下で焼成する際に、誘電体の上下にグリーンシートは挟むことによりパッケージの歪みを防ぎ、共振器線路及び伝送線路が焼成工程中に剥離することを防ぐことができ、共振周波数の誤差が小さく、Ｑ値の高いパッケージ用基板を得ることができる。
【００４８】
実施の形態４．
以下、本発明の実施の形態４に係るコンデンサ内蔵パッケージ用基板について説明する。
図７は実施の形態４に係るコンデンサ内蔵パッケージ用基板の上方からの透視図であり、図８は図７におけるＤ−Ｄ断面の断面図である。
図７及び図８において、基板２１上に下部電極２４、誘電体薄膜２３、上部電極２２が順次積層されコンデンサを形成している。また、基板２１は誘電体２０に埋め込まれている。誘電体２０の表面には信号取り出し用パッド２６が形成されている。信号取り出し用パッド２６と上部電極２２及び下部電極２４はビア２５で接続されている。
【００４９】
本実施の形態に係るパッケージ用基板の製造方法は、コンデンサの形成方法がスパッタ法を用いて白金薄膜よりなる下部電極２４とＰｂＴｉＯ３薄膜よりなる誘電体薄膜２３と白金薄膜よりなる上部電極２２とを成膜すること以外は実施の形態１の製造方法と同一であるために説明を省略する。
【００５０】
本実施の形態に係るコンデンサ内蔵パッケージ用基板においては基板上にコンデンサを薄膜形成法を用いて形成したために、焼成工程において寸法が変動しないので設計どおりの容量を得ることができる。また、グリーンシートに比べて厚みが薄く、積層工程を簡略化することもできる。
作製したパッケージのコンデンサの容量を測定したところ、本発明の１実施例である上記コンデンサを内蔵したパッケージは、１０ｐＦの容量を示した。
【００５１】
実施の形態５．
本発明の実施の形態５に係るＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ  Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｓｙｓｔｅｍｓ）デバイス内蔵パッケージ用基板について説明する。
図９は実施の形態５に係るパッケージ用基板の上方からの透視図であり、図１０は図９におけるＥ−Ｅ断面の断面図である。図９及び図１０において、ＭＥＭＳデバイス２８が誘電体２７に埋め込まれ、誘電体２７の表層には信号取り出し用パッド２９が設けられている。ＭＥＭＳデバイス２８のＩ／Ｏパッド（図示せず）と信号取り出し用パッド２９は誘電体２７内に設けられたビア３０により電気的に接続されている。
【００５２】
本実施に形態に係るＭＥＭＳデバイス内蔵パッケージ用基板の製造方法はＭＥＭＳデバイスの製造方法以外については実施の形態１と同じである。ここではＭＥＭＳデバイスの製造方法を説明し、それ以外は説明を省略する。
シリコン基板上にメッキ成膜、写真製版、犠牲層エッチングなどを用いて、１μｍ厚の金属膜のメカニカルスイッチを形成し、本基板にガラス基板を陽極接合で貼り合わせることでスイッチ内部を気密封止した。このシリコン−ガラス接合基板をダイシングすることで厚さ０．６ｍｍ、大きさ３ｍｍ角の内蔵部品となるＭＥＭＳデバイス２８を作製した。
【００５３】
本実施の形態に係るＭＥＭＳ内蔵パッケージ用基板では、気密封止したＭＥＭＳデバイスをパッケージの中に埋め込み、同時に焼成することができる。そのために、パッケージ内部にＭＥＭＳデバイスであるスイッチを内蔵することができる。そのために、通常の半導体スイッチに比べ挿入損失やアイソレーションに関して優れた特性を示すパッケージ用基板が得られた。
【００５４】
上記実施の形態においては、内蔵部品として終端器、電力分配器、共振器、コンデンサ、ＭＥＭＳデバイスの場合について記載したが、内蔵部品はそれに限定されるものではなくフィルター、インダクタ、伝送線路、アクティブ素子用バイアス回路などでも良く、またその組み合わせであっても良い。
【００５５】
【発明の効果】
本発明は以上述べたように、誘電体と、導体と抵抗体との少なくとも一方とを積層し焼成してなるパッケージ用基板において、抵抗体または導体があらかじめ成膜された基板、金属板、ＭＥＭＳデバイスのいずれかを含む部品を前記パッケージ用基板に内蔵することにより、高い寸法精度でパッケージ用基板を製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施の形態１に係るパッケージ用基板の上方からの透視図である。
【図２】実施の形態１に係るパッケージ用基板の断面図である。
【図３】実施の形態１に係るパッケージ用基板の製造方法を示した図である。
【図４】実施の形態２に係るパッケージ用基板の上方からの透視図である。
【図５】実施の形態２に係るパッケージ用基板の断面図である。
【図６】実施の形態３に係るパッケージ用基板の上方からの透視図である。
【図７】実施の形態３に係るパッケージ用基板の断面図である。
【図８】実施の形態３に係るパッケージ用基板の製造方法を示した図である。
【図９】実施の形態４に係るパッケージ用基板の上方からの透視図である。
【図１０】本発明の実施の形態４に係るパッケージ用基板の断面図である。
【図１１】実施の形態５に係るパッケージ用基板の上方からの透視図である。
【図１２】実施の形態５に係るパッケージ用基板の断面図である。
【符号の説明】
１、１０、１６、２０、２７  誘電体、２、１２、２１  基板、３  薄膜扇形スタブ、４、１３  薄膜抵抗体、５、１４  薄膜伝送線路、６  配線層、７、１５、１９  グラウンド層、８、２５、３０  ビア、９、２６、２９  信号取り出し用パッド、１１、１８  伝送線路、１７  共振線路、２２  上部電極、２３  誘電体薄膜、２４  下部電極、２８  ＭＥＭＳ、３１  成膜用基板、３２  保護層、３３  グリーンシート、３４  接着ペースト、３５  アルミナグリーンシート
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2004158665.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
2004158665.tif 000012
【図１１】
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【図１２】
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