(57)【要約】【課題】ガード溝が半導体充填物で均一に充填された半導体装置を提供する。【解決手段】四角リング状のガード溝２２ｂの四隅は直角に交差させ、丸みを帯びた外側補助拡散領域３５と内側補助拡散領域３４を四隅部分に接続する。ガード溝２２ｂに丸みを付す必要がないので、ガード溝２２ａの内部に露出するシリコン単結晶の面方位を、全て｛１　０　０｝にすることができる。従って、ガード溝２２ａ内のエピタキシャル成長が均一に行われ、欠陥のないガード領域２３ｂで充填される。【選択図】　　　　図１
2004128293.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１導電型の成長層と、
前記成長層内に形成された第２導電型の領域を少なくとも１個以上有する部分を取り囲む四角リング形状のガード溝と、
前記ガード溝内部に配置された第２導電型のガード領域とを有し、
前記ガード領域の四隅の外周部分には、該四隅に丸みを付与する第２導電型の外周側補助拡散領域が接続された半導体装置。
【請求項２】
第１導電型の成長層と、
前記成長層内に形成された第２導電型の領域を少なくとも１個以上有する部分を取り囲む四角リング形状のガード溝と、
前記ガード溝内部に配置された第２導電型のガード領域とを有し、
前記ガード領域の外周には、前記ガード領域を取り囲み、四隅の外周部分が丸められたリング状の第２導電型の外周側補助拡散領域が接続された半導体装置。
【請求項３】
前記ガード溝を複数有し、前記各ガード溝は同心状に配置され、前記各ガード溝には、前記外周側補助拡散領域がそれぞれ接続された請求項１又は請求項２のいずれか１項記載の半導体装置。
【請求項４】
第１導電型の成長層と、
前記成長層内に形成された第２導電型の領域を少なくとも１個以上有する部分を同心状に取り囲む四角リング形状のガード溝と、
前記ガード溝内部に配置された第２導電型のガード領域とを有し、
前記ガード領域の外周に接し、四隅の外周部分が丸められたリング状の第２導電型の外周側補助拡散領域と、
前記ガード領域の内周に接し、リング状の第２導電型の内周側補助拡散領域とを有する半導体装置。
【請求項５】
前記内周側補助拡散領域は、四隅の内周部分が丸められた請求項４記載の半導体装置。
【請求項６】
前記ガード溝を複数有し、前記各ガード溝は同心状に配置され、前記各ガード溝には、前記外周側補助拡散領域と前記内周側補助拡散領域がそれぞれ接続された請求項４又は請求項５のいずれか１項記載の半導体装置。
【請求項７】
前記ガード溝の四辺の側面と底面には、｛１　０　０｝面が露出され、前記ガード領域は前記ガード溝の側面と内周面に、エピタキシャル成長法によって成長された半導体単結晶で構成された請求項１乃至請求項６のいずれか１項記載の半導体装置。
【請求項８】
前記外周側補助拡散領域は、前記成長層表面から第２導電型の不純物が拡散されて形成された請求項１乃至請求項７のいずれか１項記載の半導体装置。
【請求項９】
前記外周側補助拡散領域は、前記ガード領域よりも浅く形成された請求項１乃至請求項８のいずれか１項記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記ガード溝が取り囲む部分には、第２導電型のベース領域と、前記ベース領域内に形成された第１導電型のソース領域と、前記ベース領域と接触したゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜と接触したゲート電極とを有するＭＯＳトランジスタのセルが配置された請求項１乃至請求項９のいずれか１項記載の半導体装置。
【請求項１１】
前記ガード溝が取り囲む部分には、前記成長層とショットキー接合を形成するショットキー電極が配置された請求項１乃至請求項９のいずれか１項記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体装置にかかり、特に、溝内に半導体充填物が配置された半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
図３６（ａ）は従来技術のＭＯＳＦＥＴ１０１の拡散構造を説明するための平面図であり、同図（ｂ）は、一点鎖線で囲んだ部分の拡大図である。
【０００３】
このＭＯＳＦＥＴ１０１は、ｎ型のエピタキシャル層から成る成長層１１２を有しており、１個のＭＯＳＦＥＴ１０１が構成される成長層１１２の矩形の領域の略中央位置に、不純物拡散によって形成されたｐ型のベース領域１３３が配置されている。
【０００４】
そのベース領域１３３を分断するように、細長の活性溝１２２ａが複数本互いに平行に配置されている。ベース領域１３３内であって各活性溝１２２ａの片側又は両側には、不純物拡散によってｎ型のソース領域１３９が形成されている。活性溝１２２ａの間では、二個のソース領域１３９互いに対向しており、その二個のソース領域１３９の間の位置には、不純物拡散によってｐ＋型のオーミック領域１３８が形成されている。
【０００５】
活性溝１２２ａ及びベース領域１３３の周囲には、幅が細く、四角リング形状のガード溝１２２ｂが複数本同心状に配置されており、活性溝１２２ａ及びベース領域１３３は、各ガード溝１２２ｂによって同心状に取り囲まれている。
【０００６】
図３７（ａ）、（ｂ）は、図３６（ａ）のＩ−Ｉ線切断面図とＩＩ−ＩＩ線切断面図である。
【０００７】
活性溝１２２ａの内周側面及び底面には、ゲート絶縁膜１５１が形成されている。このゲート絶縁膜１５１で囲まれた領域内は、ポリシリコン材料から成るゲート電極１５８によって充填されている。
【０００８】
ここで、ガード溝１２２ｂの内周にはゲート絶縁膜１５１は形成されておらず、ガード溝１２２ｂの底面及び側面からｐ型のシリコン単結晶がエピタキシャル法によって成長され、各ガード溝１２２ｂ内は、そのシリコン単結晶から成るガード領域１２３によって充填されている。
【０００９】
ゲート電極１５８やガード領域１２３の上には、酸化膜１５７が配置されている。酸化膜１５７はパターニングされており、ソース領域１３９とオーミック領域１３８の上の部分に開口が形成され、ソース領域１３９とオーミック領域１３８の表面は、その開口底面に露出されている。
【００１０】
それら露出した領域の表面と酸化膜１５７の表面には、金属薄膜から成るソース電極１６１が形成されている。
【００１１】
成長層１１２は、ｎ＋型のシリコン単結晶から成る基板１１１の一面上に配置されており、該基板１１１の他の面には、金属薄膜から成るドレイン電極１７１が形成されている。
【００１２】
ベース領域１３３は、ソース領域１３９よりも下方位置でゲート絶縁膜１５１に接触しており、その接触した部分を反転領域とすると、ソース電極１６１を接地電位に接続し、ドレイン電極１７１に正電圧を印加した状態で、ゲート電極１５８にしきい値電圧以上の正電圧を印加すると、ベース領域１３３の反転領域の部分がｎ型に反転し、その反転層によってソース領域１３９と成長層１１２とが接続され、電流が流れる。
【００１３】
その状態でゲート電極１５８をソース電極１６１に接続する等、ゲート電極１５８をしきい値電圧以下の電圧にすると、反転層は消滅し、電流は流れなくなる。
【００１４】
この状態では、ベース領域１３３と成長層１１２の間のｐｎ接合は逆バイアスされており、ベース領域１３３の内部と成長層１１２の内部の両方に空乏層が広がっている。
【００１５】
一般に、ベース領域と同じ導電型であって、ベース領域を同心状に取り囲むリング形状の半導体領域はガードリングと呼ばれており、このＭＯＳＦＥＴ１０１ではガード領域１２３がガードリングとして機能し、成長層１１２内を横方向に伸びた空乏層が、ガード領域１２３に達すると、そのガード領域１２３から外側に向けて更に空乏層が伸び、空乏層が次々同心状のガード領域１２３に達っして広がることで、ガード領域１２３が存在しない場合よりも空乏層の広がりが大きくなり、成長層１１２内部の電界強度が緩和されるようになっている。
【００１６】
ここで、本明細書では、｛１　０　０｝は、下記面方位、
【００１７】
【数１】
2004128293.tif 000003
【００１８】
の全てを含むものとすると、基板１１１は、その表面の面方位が｛１　０　０｝のものが用いられており、基板１１１表面に成長した成長層１１２の表面やガード溝１２２ｂの底面の面方位も｛１　０　０｝になっている。
【００１９】
基板１１１には、切り欠き（オリエンテーションフラット）等によって、ドレイン領域１２２表面の｛１　０　０｝方向が分かる目印が形成されている。
【００２０】
ガード溝１２２ｂをエッチング法によって掘削するために、ガード溝１２２ｂのパターンを有するレジスト膜を形成する際に、ガード溝１２２ｂのパターンが伸びる方向と、基板１１１の目印とが位置合わせされ、ガード溝１２２ｂを形成するパターンが、｛１　０　０｝方向に伸びるようにされている。
【００２１】
そして、ガード溝１２２ｂの側面は基板１１１の表面に対して垂直に形成され、且つ、側面同士は互いに平行であるか、互いに直交するようになっている。従って、実際にエッチングによって形成されたガード溝１２２ｂの内周側面には｛１　０　０｝の面方位の面が露出されるようになっている。
【００２２】
底面には、表面と同じ｛１　０　０｝面が露出するから、従って、ガード溝１２２ｂ内部の底面と側面の全ては、｛１　０　０｝面が露出している。
【００２３】
その結果、ガード領域１２３を構成するシリコン単結晶は均一に成長し、ガード溝１２２ｂの内部がガード領域１２３を構成するシリコン単結晶で完全に充填される。
【００２４】
この場合、ガード溝１２２ｂの四辺が直角に接続されていると、ガード領域１２３と成長層１１２との間に形成されるｐｎ接合の表面に直角に曲がった部分が生じ、耐圧が低くなってしまう。
【００２５】
そこで従来技術では、耐圧低下を防止するため、ガード溝１２２ｂの四隅部分を一定の曲率半径で曲げ、ガード領域１２３と成長層１１２の境界で構成されるｐｎ接合の表面部分が直角に曲がらないようにされている。
【００２６】
しかしながら、このようにガード溝１２２ｂの四隅に丸みを形成すると、図３６（ｂ）に示すように、ガード溝１２２ｂの、図面横方向に直線状に伸びる部分の側面Ｓ１と、縦方向に直線状に伸びる部分の側面Ｓ２は、面方位が｛１　０　０｝になっていても、側面Ｓ１、Ｓ２を接続する曲がった部分では、面方位は｛１　００｝にはならない。例えば、中間部分の側面Ｓ３は、面方位は｛１　１　０｝になる。
【００２７】
従って、ガード溝１２２ｂの四辺の直線状の部分と曲がった部分とでは、ガード領域１２３を構成させるシリコン単結晶の成長速度に差が生じ、ガード溝１２２ｂ内を均一に充填できなくなるという問題がある。そして、均一に充填できないためにガード領域１２３の内部にボイドが存在すると、その部分で耐圧が低下し、不良品になってしまう。
【００２８】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は上記従来技術の不都合を解決するために創作されたものであり、その目的は、ガード溝が均一に充填された半導体装置を提供することにある。
【００２９】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、請求項１記載の発明は、第１導電型の成長層と、前記成長層内に形成された第２導電型の領域を少なくとも１個以上有する部分を取り囲む四角リング形状のガード溝と、前記ガード溝内部に配置された第２導電型のガード領域とを有し、前記ガード領域の四隅の外周部分には、該四隅に丸みを付与する第２導電型の外周側補助拡散領域が接続された半導体装置である。
請求項２記載の発明は、第１導電型の成長層と、前記成長層内に形成された第２導電型の領域を少なくとも１個以上有する部分を取り囲む四角リング形状のガード溝と、前記ガード溝内部に配置された第２導電型のガード領域とを有し、前記ガード領域の外周には、前記ガード領域を取り囲み、四隅の外周部分が丸められたリング状の第２導電型の外周側補助拡散領域が接続された半導体装置である。
請求項３記載の発明は、前記ガード溝を複数有し、前記各ガード溝は同心状に配置され、前記各ガード溝には、前記外周側補助拡散領域がそれぞれ接続された請求項１又は請求項２のいずれか１項記載の半導体装置である。
請求項４記載の発明は、第１導電型の成長層と、前記成長層内に形成された第２導電型の領域を少なくとも１個以上有する部分を同心状に取り囲む四角リング形状のガード溝と、前記ガード溝内部に配置された第２導電型のガード領域とを有し、前記ガード領域の外周に接し、四隅の外周部分が丸められたリング状の第２導電型の外周側補助拡散領域と、前記ガード領域の内周に接し、リング状の第２導電型の内周側補助拡散領域とを有する半導体装置である。
請求項５記載の発明は、前記内周側補助拡散領域は、四隅の内周部分が丸められた請求項４記載の半導体装置である。
請求項６記載の発明は、前記ガード溝を複数有し、前記各ガード溝は同心状に配置され、前記各ガード溝には、前記外周側補助拡散領域と前記内周側補助拡散領域がそれぞれ接続された請求項４又は請求項５のいずれか１項記載の半導体装置である。
請求項７記載の発明は、前記ガード溝の四辺の側面と底面には、｛１　０　０｝面が露出され、前記ガード領域は前記ガード溝の側面と内周面に、エピタキシャル成長法によって成長された半導体単結晶で構成された請求項１乃至請求項６のいずれか１項記載の半導体装置である。
請求項８記載の発明は、前記外周側補助拡散領域は、前記成長層表面から第２導電型の不純物が拡散されて形成された請求項１乃至請求項７のいずれか１項記載の半導体装置である。
請求項９記載の発明は、前記外周側補助拡散領域は、前記ガード領域よりも浅く形成された請求項１乃至請求項８のいずれか１項記載の半導体装置である。
請求項１０記載の発明は、前記ガード溝が取り囲む部分には、第２導電型のベース領域と、前記ベース領域内に形成された第１導電型のソース領域と、前記ベース領域と接触したゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜と接触したゲート電極とを有するＭＯＳトランジスタのセルが配置された請求項１乃至請求項９のいずれか１項記載の半導体装置である。
請求項１１記載の発明は、前記ガード溝が取り囲む部分には、前記成長層とショットキー接合を形成するショットキー電極が配置された請求項１乃至請求項９のいずれか１項記載の半導体装置である。
【００３０】
本発明は、上記のように構成されており、成長層内にガード溝が形成されている。ガード溝の平面形状は四角リング形状であり、ガード溝内部の側面は、互いに略９０°で交差している。
【００３１】
ガード領域は、ガード溝の深さを縦方向の一辺とし、ガード溝の一辺の長さを横方向の一辺とし、ガード溝の幅を厚みとする４枚の充填物の板で構成されており、ガード領域表面の四隅部分では、リングを構成する辺同士が互いに略直角に交差している。
【００３２】
四隅部分には、外周側に外周側補助拡散領域が接続され、内周側には内周側補助拡散が接続されている。外周側補助拡散領域と内周側補助拡散領域は丸みを有しており、ガード領域の四隅に丸みを付すように構成されている。
【００３３】
従って、ガード溝の内壁面と底面に｛１　０　０｝面を露出させることができるので、ガード溝内がボイド無く充填される。
【００３４】
【発明の実施の形態】
以下で図面を参照し、本発明の実施形態について説明する。
本実施例及び後述する各実施例では、第１導電型がｎ型であれば第２導電型はｐ型であり、第１導電型がｐ型であれば第２導電型はｎ型であり、本発明にはその両方が含まれる。
【００３５】
図１の符号１は、本発明の一実施形態である半導体装置の拡散構造を説明するための平面図である。
【００３６】
この半導体装置１は、第１導電型のシリコン単結晶から成る基板１１と、該基板１１表面にエピタキシャル法によって成長された第１導電型のシリコンエピタキシャル層から成る成長層１２とを有している。
【００３７】
成長層１２内部の表面近傍位置には、成長層１２表面から第２導電型の不純物が拡散され、それによって第２導電型のベース領域３３が形成されている。
【００３８】
そのベース領域３３を分断するように、細長の活性溝２２ａが複数本互いに等間隔で平行に配置されている。各活性溝２２ａの間の略中央位置であって、ベース領域３３内部の表面近傍位置には、ベース領域３３と同じ導電型であって、ベース領域３３よりも高濃度のオーミック領域３８が配置されている。
【００３９】
各活性溝２２ａの片側又は両側には、第１導電型の不純物拡散によって形成された第１導電型のソース領域３９が配置されており、従って、オーミック領域３８は、反対の導電型のソース領域３９によって挟まれている。
【００４０】
成長層１２内部の表面には、活性溝２２ａ及びベース領域３３の周囲を取り囲む位置に、複数本の四角リング形状のガード溝２２ｂが同心状に形成されている。
【００４１】
各ガード溝２２ｂの内部には、成長層１２とは反対の導電型の半導体単結晶（ここではシリコン単結晶）から成るガード領域２３ｂがエピタキシャル成長によって形成されており、全てのガード溝２２ｂの内部は、そのガード領域２３ｂによって充填されている。
【００４２】
このガード領域２３ｂは成長層１２とｐｎ接合を形成しており、ベース領域３３や活性溝２２ａはそのｐｎ接合によって同心状に取り囲まれている。ガード領域２３ｂはベース領域３３とは接触しておらず、浮遊電位に置かれるようになっている。
【００４３】
各ガード溝２２ｂの外周の全部と内周の全部には、それぞれガード領域２３ｂと同じ導電型の外周側補助拡散領域３５と内周側補助拡散領域３４が、配置されており、従って、外周側補助拡散領域３５と内周側補助拡散領域３４とは、共にリング形状になっている。外周側補助拡散領域３５と内周側補助拡散領域３４とは、ガード領域２３ｂと接触しており、ガード領域２３ｂと同電位になるように構成されている。
【００４４】
シリコン単結晶で構成された基板１１及び成長層１２表面の面方位は、｛１　０　０｝になっており、各ガード溝２２ｂの底面には｛１　０　０｝面が露出している。また、各ガード溝２２ｂの四隅部分は互いに直角に交わっており、各ガード溝２２ｂの四辺の縦方向の側面にも、横方向の側面にも、両方とも｛１　０
０｝面が露出されている。
【００４５】
従って、ガード領域２３ｂは、四隅部分でも欠陥が無く均一にエピタキシャル成長し、ガード溝２２ｂ内部がボイド無く充填されている。
【００４６】
外周側補助拡散領域３５の四隅と、内周側補助拡散領域３４の四隅はそれぞれ所定の曲率で曲げられており、ガード領域２３ｂの四隅部分の内外周に丸みを付与するように構成されている。
【００４７】
図２は、半導体装置１の四隅部分Ａの拡大図である。ガード領域２３ｂの外周の四隅部分の頂点Ｐは、外周側補助拡散領域３５の丸まった部分が接続されており、四隅の頂点Ｐでは、ガード領域２３ｂの表面から外周側補助拡散領域３５の深さまで、成長層１２とガード領域２３ｂとの間はｐｎ接合を形成しないように構成されている。
【００４８】
この半導体装置１は、最内周の内周側補助拡散領域３４で囲まれた領域内にＭＯＳトランジスタのセルが複数個形成されたディスクリート型のＭＯＳトランジスタである。
【００４９】
上記のような内周側及び外周側補助拡散領域３４、３５の形成過程を、ＭＯＳＦＥＴのセルの形成過程と共に図３〜図２５を参照しながら説明する。
【００５０】
図３（ａ）〜図２５の（ａ）は、図１のＸ−Ｘ線に相当する位置の切断面図であり、図３（ｂ）〜図２５（ｂ）は、図１のＹ−Ｙ線に相当する位置の切断面図である。
【００５１】
一般に、酸化膜等の薄膜のパターニングは、薄膜上にパターニングしたレジスト膜を形成するフォトリソグラフ工程と、レジスト膜をマスクとし、薄膜をエッチングするエッチング工程によって行うが、下記説明では、フォトレジスト工程とエッチング工程の説明は省略する。また、基板１１の裏面に形成される酸化膜についても説明は省略する。
【００５２】
図３（ａ）、（ｂ）を参照し、再述すると、符号１１は第１導電型のシリコン単結晶から成る基板であり、該基板１１の表面にはエピタキシャル成長によって、第１導電型の成長層１２が形成され、処理対象基板１０が構成されている。
【００５３】
先ず、熱酸化法によって成長層１２表面に酸化膜を形成した後、パターニングし、平面が矩形形状の矩形窓開部８０ａと、該矩形の窓開部８０ａを同心状に取り囲む四角リング形状のリング窓開部８０ｂを形成する。
【００５４】
同図符号４１は、パターニングされた酸化膜を示しており、平面図である図２６に示すように、リング窓開部８０ｂの四隅部分の内周側と外周側は、両方とも、丸められており、全ての窓開部８０ａ、８０ｂの底面には成長層１２表面が露出されている。
【００５５】
図２６中の符号１３は、後述する各工程の終了によって得られる複数個の半導体装置１のパターンの境界を示している。各半導体装置１の境界１３間は一定距離だけ離間しており、境界１３と境界１３との間の酸化膜４１は除去されている。そして、その部分が切断されることで、１枚の処理対象基板１０内に形成された複数の半導体装置１が個別に分離されるようになっている。矩形窓開部８０ａはこのような境界１３で囲まれた領域の略中央に配置されている。
【００５６】
矩形窓開部８０ａとリング窓開部８０ｂを形成した後、必要に応じて露出した成長層１２の表面に薄い酸化膜を形成し、次いで、酸化膜４１をマスクとしてボロン等の第２導電型の不純物を注入する。
【００５７】
図４（ａ）、（ｂ）の符号３１ａ、３１ｂは、第２導電型の不純物の注入によって成長層１２内部のごく浅い領域に形成された高濃度不純物領域を示している。
【００５８】
次に熱処理し、高濃度不純物領域３１ａ、３１ｂに含まれる第２導電型の不純物を拡散させると、図５（ａ）、（ｂ）に示すように、矩形窓開部８０ａの下方位置に矩形の矩形拡散領域３２ａが形成され、各リング窓開部８０ｂの下方位置に、リング形状のリング拡散領域３２ｂが形成される。
【００５９】
図２７は、図５（ａ）、（ｂ）のＡ−Ａ線切断面図であり、各拡散領域の平面パターンを示す平面図である。各リング拡散領域３２ｂの形状は、リング窓開部８０ｂの形状を反映し、四隅は外側も内側も丸みが付されている。
第２導電型の不純物を拡散するとき、矩形窓開部８０ａの底面及び各リング窓開部８０ｂの底面に酸化膜が形成される。この酸化膜は、不純物注入の際にマスクとして使用された酸化膜４１と一体になる。符号４２は一体になった酸化膜を示している。
【００６０】
次いでその酸化膜４２をパターニングし、図６（ａ）、（ｂ）に示すように、矩形拡散領域３２ａ上の位置に、複数本の活性溝用窓開部８１ａと、各リング拡散領域３２ｂ上の位置に、ガード溝用窓開部８１ｂを形成する。活性溝用窓開部８１ａは、直線状であり、ガード溝用窓開部８１ｂはリング形状であるが、ガード溝用窓開部８１ｂは四隅に丸みを有さない四角リング形状にされている。
【００６１】
活性溝用窓開部８１ａとガード溝用窓開部８１ｂや、上述の図３（ａ）、（ｂ）の矩形窓開部８０ａとリング窓開部８０ｂを形成するためのレジスト膜をパターニングする際、レジスト膜の窓開け部分は成長層１２の面方位に対して位置合わせがされ、リング拡散領域３２ｂの四辺の各辺が伸びる方向や、活性溝２２ａ及びガード溝２２ｂの各辺が伸びる方向は、成長層１２の｛１　０　０｝方向に沿うようになっている。
【００６２】
また、活性溝用窓開部８１ａは、矩形拡散領域３２ａを横断する長さに形成されており、等間隔で互いに平行に配置されている。ガード溝用窓開部８１ｂの幅は、リング拡散領域３２ｂの幅よりも狭く、各リング拡散領域３２ｂの幅方向中央に位置している。全ての活性溝用窓開部８１ａとガード溝用窓開部８１ｂとは同じ幅になっている。
【００６３】
活性溝用窓開部８１ａとガード溝用窓開部８１ｂとが形成された状態では、活性溝用窓開部８１ａとガード溝用窓開部８１ｂの底面には、矩形拡散領域３２ａとリング拡散領域３２ｂの表面がそれぞれ露出しており、酸化膜４２をマスクとして、シリコン単結晶のエッチングを、矩形拡散領域３２ａやリング拡散領域３２ｂよりも深く、基板１１には達しない程度の深さまで行うと、図７（ａ）、（ｂ）に示すように、細長の活性溝２２ａと四角リング状のガード溝２２ｂが形成される。
【００６４】
ガード溝２２ｂの平面形状は、正方形又は長方形の四角リングであり、ガード溝２２ｂ内周の内側側面同士又は外側側面同士、及び外側側面と内側側面の間は、互いに平行か又は互いに直角になっている。
【００６５】
各活性溝２２ａ及び各ガード溝２２ｂの底面は成長層１２の表面と平行であり、活性溝２２ａの側面や、ガード溝２２ｂの側面の面方位は｛１　０　０｝になるから、ガード溝２２ｂや活性溝２２ａ内に露出するシリコン単結晶の表面は、全て｛１　０　０｝面になっている。
【００６６】
図２８は、図７（ａ）、（ｂ）のＢ−Ｂ線切断面図であり、各溝２２ａ、２２ｂと各拡散領域３３、３４、３５の間の相対的な位置関係や、各溝２２ａ、２２ｂの平面形状を示す平面図である。
【００６７】
各活性溝２２ａ及び各ガード溝２２ｂの深さは同じであり、その底面は、矩形拡散領域３２ａの底部と基板１１の上部との間に位置している。従って、活性溝２２ａは矩形拡散領域３２ａよりも深いため、矩形拡散領域３２ａは活性溝２２ａによって複数に分断され、分断された各部分により、長方形形状のベース領域３３が形成される。
【００６８】
また、各リング拡散領域３２ｂは、ガード溝２２ｂによって、ガード溝２２ｂの内周に接する内周側補助拡散領域３４とガード溝２２ｂの外周に接する外周側補助拡散領域３５にそれぞれ二分される。
【００６９】
次いで、エピタキシャル成長法によって、各溝２２ａ、２２ｂの底面及び側面に第２導電型の半導体単結晶を成長させると、各溝２２ａ、２２ｂ内は、その半導体単結晶によって充填される。ここでは、半導体単結晶としてシリコン単結晶が用いられている。
【００７０】
図８（ａ）の符号２３ａは活性溝２２ａ内に成長した半導体単結晶から成る充填領域を示しており、同図（ｂ）の符号２３ｂは、ガード溝２２ｂ内に成長した半導体単結晶から成るガード領域を示している。
【００７１】
図２９は、図８（ａ）、（ｂ）のＣ−Ｃ線切断面図であり、充填領域２３ａとガード領域２３ｂの平面パターンを示す平面図である。
【００７２】
半導体単結晶の成長直後の状態では、充填領域２３ａを構成する半導体単結晶と、ガード領域２３ｂを構成する半導体単結晶は、酸化膜４２の表面よりも上に盛り上がっているため、図９（ａ）、（ｂ）に示すように、盛り上がった部分をエッチングによって除去し、充填領域２３ａ及びガード領域２３ｂの高さを酸化膜４２の高さと一致させる。
【００７３】
次に、図１０（ａ）、（ｂ）に示すように、酸化膜４２や充填領域２３ａ及びガード領域２３ｂの表面に、シリコン酸化膜等の絶縁膜４３を形成した後、その絶縁膜４３をパターニングし、図１１（ａ）、（ｂ）に示すように、窓開部８２ａを形成し、その底面に充填領域２３ａの表面を露出させる。他方、ガード領域２３ｂの表面は絶縁膜４３で覆っておく。
【００７４】
その状態で、窓開部８２ａ底面の酸化膜４２をマスクとして半導体単結晶のエッチング処理を行うと露出された充填領域２３ａがエッチングされる。ここでは、充填領域２３ａを全部エッチング除去せず、図１２（ａ）に示すように、充填領域２３ａの上部だけをエッチングによって除去し、充填領域２３ａの下部から成る埋込領域２４を形成する。
【００７５】
埋込領域２４は活性溝２２ａの底部に位置しており、埋込領域２４の上部はベース領域３３の底面よりも深い位置にある。従って、活性溝２２ａの埋込領域２４よりも上の部分では、活性溝２２ａの上部側面にベース領域３３が露出し、それよりも下の部分には成長層１２が露出している。埋込領域２４は成長層１２と接触し、ｐｎ接合を形成している。
【００７６】
ここで、充填領域２３ａをエッチングして埋込領域２４を形成する際、充填領域２３ａの長さ方向の全長に亘って上部をエッチング除去した場合、埋込領域２４はベース領域３３よりも深いので、埋込領域２４はベース領域３３から分離される。
【００７７】
他方、図示はしないが、例えば埋込領域２４上部の一部を絶縁膜４３で覆っておき、その部分を全くエッチングせずに充填領域２３ａのまま残し、他の部分をエッチングして埋込領域２４を形成すると、エッチングされなかった部分は、埋込領域２４とベース領域３３両方に接触するので、埋込領域２４は、残部の充填領域２３ａを介してベース領域３３に接続される。充填領域２３ａの一部表面を絶縁膜４３で覆う位置は、充填領域２３ａの長さ方向の一部又は幅方向の一部でよい。
【００７８】
なお、この実施例では、充填領域２３ａは残さず、埋込領域２４はベース領域３３から分離される。
【００７９】
他方、ガード領域２３ｂは絶縁膜４３で覆われているので、埋込領域２４を形成する際にエッチングされず、図１２（ｂ）に示すように変化はない。
【００８０】
図３０は、図１２（ａ）、（ｂ）のＤ−Ｄ線切断面図であり、活性溝２２ａ内の状態と、ガード溝２２ｂ内の状態の差を示す平面図である。
【００８１】
次に、酸化膜のエッチング処理により、図１３（ａ）、（ｂ）に示すように絶縁膜４３を除去する。このとき、活性溝２２ａの埋込領域２４よりも上の部分の側面を完全に露出する。
【００８２】
その状態で熱酸化処理し、図１４（ａ）に示すように、活性溝２２ａの内周側面の露出部分に、シリコン酸化膜から成るゲート絶縁膜５１を形成する。活性溝２２ａ内部に露出していたベース領域３３の表面と成長層１２の表面はゲート絶縁膜５１によって覆われる。このとき、成長層１２が露出する他の部分、例えばベース領域３３の表面や、ガード領域２３ｂ及び埋込領域２４の表面もゲート絶縁膜５１で覆われる。
【００８３】
活性溝２２ａの埋込領域２４よりも上の部分に、ゲート絶縁膜５１で囲まれた空間が生じる
次いで、図１５（ａ）、（ｂ）に示すように、ゲート絶縁膜５１の表面に、ＣＶＤ法によってポリシリコン薄膜５３を形成し、活性溝２２ａの埋込領域２４よりも上の部分をポリシリコン薄膜５３で充填する。
【００８４】
次いで、活性溝２２ａの内部と、活性溝２２ａの外部の一部分を残し、図１６（ａ）、（ｂ）に示すように、ポリシリコン薄膜５３をエッチング除去すると、活性溝２２ａ内部に残ったポリシリコン薄膜５３により、ゲート電極５４が形成される。
【００８５】
このとき、活性溝２２ａの外部に位置する部分を一部残して接続部とし、後述するゲートパッドやゲート電極に接続されるようにしておく。
【００８６】
図３１は、図１６（ａ）、（ｂ）のＥ−Ｅ線切断面図であり、活性溝２２ａ内部とガード溝２２ｂ内部の相違を示す平面図である。
【００８７】
この状態では、活性溝２２ａ内の埋込領域２４表面にはゲート絶縁膜５１が位置しており、そのゲート絶縁膜５１よりも上の部分はゲート電極５４によって充填されている。活性溝２２ａ内の埋込領域２４とゲート電極５４の間は、ゲート絶縁膜５１によって絶縁されている。
【００８８】
また、ゲート電極５４とベース領域３３及び成長層１２との間には、ゲート絶縁膜５１が位置しており、ゲート電極５４とベース領域３３や成長層１２とは絶縁されている。ベース領域３３表面や成長層１２表面はゲート絶縁膜５１によって覆われている。
【００８９】
次に、図１７（ａ）、（ｂ）に示すように、ゲート絶縁膜５１のうち、活性溝２２ａの内部に位置し、ゲート電極５４で覆われている部分を除き、エッチング処理によって除去すると、ベース領域３３や成長層１２の表面が露出する。
【００９０】
その状態で熱酸化処理を行い、薄い酸化膜を形成する。図１８（ａ）、（ｂ）の符号５５はその酸化膜を示している。この酸化膜５５は、ベース領域３３や成長層１２の表面の他、ゲート電極５４やガード領域２３ｂの表面にも形成される。
【００９１】
次に、その酸化膜５５の表面にパターニングしたレジスト膜を形成し、レジスト膜をマスクとして、ベース領域３３と同導電型の第２導電型の不純物をベース領域３３表面に注入する。
【００９２】
図１９（ａ）、（ｂ）の符号４４は、そのレジスト膜を示しており、活性溝２２ａと活性溝２２ａの間の中央位置に窓開部８３を有している。レジスト膜４４は、ガード溝２３ｂが配置された領域には窓開部を有していない。
【００９３】
照射された第２導電型の不純物は、この窓開部８３の下方の酸化膜５５を透過し、窓開部８３直下に位置するベース領域３３内部の表面近傍に注入され、第２導電型の高濃度領域３６が形成される。
【００９４】
次いで、マスクに用いたレジスト膜４４を除去した後、図２０（ａ）、（ｂ）に示すように、別のパターンにパターニングされたレジスト膜４５を薄い酸化膜５５表面に形成する。このレジスト膜４５は、第２導電型の高濃度領域３６の両側に窓開部８４を有しているが、ガード溝２３ｂが配置された領域には窓開部を有していない。
【００９５】
その状態で第１導電型の不純物をレジスト膜４５の上方から照射すると、窓開部８４の直下位置に第１導電型の高濃度領域３７が形成される。
【００９６】
次に、レジスト膜４５を除去した後、ＣＶＤ法によって、薄い酸化膜５５上に酸化膜を堆積させると、薄い酸化膜５５と一体化した層間絶縁膜が形成される。図２１（ａ）、（ｂ）の符号５７は、薄い酸化膜５５と一体になった層間絶縁膜を示している。
【００９７】
その状態で熱処理し、高濃度領域３６、３７中の、第１導電型の不純物と第２導電型の不純物とを同時に拡散させると、図２２（ａ）に示すように、ベース領域３３の幅方向の中央位置にベース領域３３よりも高濃度の第２導電型のオーミック領域３８が形成されると共に、そのオーミック領域３８の両側に、第１導電型のソース領域３９が形成される。
【００９８】
ソース領域２８の横方向拡散はゲート絶縁膜５１で終端するため、ソース領域２８の活性溝２２ａ側の縁はゲート絶縁膜５１と接触している。ソース領域２８の反対側の縁は、オーミック領域３８と接触している。
【００９９】
オーミック領域３８とソース領域３９は、ベース拡散領域３３の深さよりも浅くなっており、ベース領域３３内に位置している。
【０１００】
オーミック領域３８とソース領域３９を形成する際、外周側補助拡散領域３５と内周側補助拡散領域３４が配置された領域には変化はない（図２２（ｂ））。
【０１０１】
次に、層間絶縁膜５７をパターニングし、図２３（ａ）に示すように、活性溝２２ａの間の位置に窓開部８５を形成し、オーミック領域３８の表面と、その両側に位置するソース領域３９の表面とを露出させる。
【０１０２】
このとき、外周側補助拡散領域３５と内周側補助拡散領域３４が配置された領域には窓開部８５は設けない（図２３（ｂ））。
【０１０３】
その状態でアルミニウム等の金属薄膜を形成し、パターニングしてソース電極を形成する。図２４（ａ）の符号６１はそのソース電極を示しており、ソース電極６１は、各ベース領域３３内のオーミック領域３８とソース領域３９に接触しており、オーミック領域３８とソース領域３９は、表面の不純物濃度が高いため、ソース電極６１とオーミック領域３８及びソース領域３９の間には、オーミック接合が形成されている。
【０１０４】
金属薄膜をパターニングするとき、ソース電極６１とは別の部分を残して金属薄膜から成るゲートパッドとし、ポリシリコン薄膜５３から成る接続部により、又はゲートパッドを構成する金属薄膜によって、各ゲート電極５４をゲートパッドに接続すると、ゲートパッドに電圧を印加することで、全部のゲート電極５４に同じ電圧が印加されるように構成することができる。
【０１０５】
他の部分では、同図（ｂ）に示すように、金属薄膜は除去される。
【０１０６】
次に、ソース電極６１の表面に不図示の保護膜を形成し、その一部をソースパッドとして、保護膜のパターニングによってソースパッドとゲートパッドを露出させた後、図２５（ａ）、（ｂ）に示すように、基板１１の裏面に、ニッケル合金等の金属薄膜から成るドレイン電極７１を形成する。基板１１は高濃度であり、ドレイン電極７１との間でオーミック接合を形成させる。
以上により、本発明の一例の半導体装置１が得られる。
【０１０７】
この半導体装置１は、一枚の処理対象基板１０に複数個形成されており、ドレイン電極７１の形成工程よりも後のダイシング工程で、処理対象基板１０を切断し、複数の半導体装置１を分離した後、半田金属等でドレイン電極７１をリードフレーム上に固定し、ゲートパッドとソースパッドをワイヤーボンド等でリードフレームに接続し、半導体装置１をモールドする。最後に、リードフレームを切断し、ドレイン電極７１とゲートパッドとソースパッドに接続されたリードを分離させると、樹脂封止された半導体装置１が得られる。
【０１０８】
樹脂封止された半導体装置１は、各リードを電気回路に接続し、ソース電極６１を接地電位に接続し、ドレイン電極７１に正電圧を印加し、ゲート電極５４に閾電圧以上の電圧を印加すると、ベース領域３３のうち、ソース電極６１と成長層１２との間に位置し、ゲート絶縁膜５１に接触する部分が第１導電型に反転し、それによって形成された反転層でソース領域３９と成長層１２とが接続され、基板１１、ドレイン層１２、反転層、ソース領域３９を通り、ドレイン電極７１からソース電極６１に電流が流れる。
【０１０９】
その状態で、ゲート電極５４とソース電極６１とを短絡させる等、ゲート電極５４の電位を閾電圧以下にすると反転層は消滅し、電流は遮断する。
【０１１０】
この状態では、ベース領域３３と成長層１２との間のｐｎ接合は逆バイアスされており、ドレイン電極７１に高電圧が印加されており、成長層１２とベース領域３３との間のｐｎ接合は逆バイアスされており、ｐｎ接合からベース領域３３内部と成長層１２内部に向けて空乏層が広がっている。
【０１１１】
埋込領域２４がベース領域３３に接続されていない場合には、小さい逆バイアス状態では埋込領域２４は、浮遊電位に置かれているが、空乏層が埋込領域２４に達すると埋込領域２４の電位が安定し、ベース領域３３と埋込領域２４の両方から成長層１２内に空乏層が広がり、また、埋込領域２４内にも空乏層が広がり始める。
【０１１２】
ここで、埋込領域２４内の第２導電型の不純物量と、埋込領域２４間に位置する部分の成長層１２内の第１導電型の不純物量が略等しくなっていると、空乏層の広がりが大きくなると、埋込領域２４の間に位置する成長層１２は全部空乏化したとき、同時に埋込領域２４の内部が全部空乏化し、ベース領域３３の底部よりも下方の一定深さが全部空乏層で満たされるので、耐圧が高くなることが知られている。
【０１１３】
他方、埋込領域２４やベース領域３３から横方向に広がった空乏層が内周側補助拡散領域３４やガード領域２３ｂに達すると、埋込領域２４の場合と同様に、ガード領域２３ｂや、そのガード領域２３ｂに接している内周側及び外周側補助拡散領域３４、３５から成長層１２内に空乏層が広がり始める。
【０１１４】
そして、ドレイン電極７１とソース電極６１の間の電圧が大きくなり、内側のガード領域２３ｂ側から広がった空乏層がその外側のガード領域２３ｂの内側拡散領域３４に接すると、そのガード領域２３ｂ及びそのガード領域２３ｂに接している内周側及び外周側補助拡散領域３４、３５から成長層１２内に空乏層が広がる。
【０１１５】
このように、空乏層は、内側のガード領域２３ｂ及びそのガード領域２３ｂに接している内周側及び外周側補助拡散領域３４、３５から、その外側のガード領域２３ｂに向けて順次広がるため、成長層１２表面近傍の電界強度が緩和される。
【０１１６】
ここで、各ガード領域２３ｂの四辺は略直角に交わっており、ガード領域２３ｂの四隅には丸みは付されていないが、ガード領域２３ｂの外周の四隅位置には外周側補助拡散領域３５の丸みが付された部分が接続されている。従って、ガード領域２３ｂの四隅部分では、外周側補助拡散領域３５を有さない場合に比べ、電界強度が大幅に小さくなっている。
【０１１７】
また、ガード領域２３ｂの内周側は内周側補助拡散領域３４に接続され、ガード領域２３ｂの内周の四隅部分の内側にも、内周側補助拡散領域３４の丸みが付された部分が配置され、この部分でも電界が緩和させるようになっている。
【０１１８】
また、各活性溝２２ａやガード溝２２ｂの底面や側面は、成長層１２やベース領域３３が構成される半導体結晶の｛１　０　０｝面が露出され、埋込領域２４やガード領域２３ｂが同じ面方位の面から成長する。従って、埋込領域２４やガード領域２３ｂには欠陥が無く、耐圧が向上するようになっている。
【０１１９】
なお、以上は第１導電型をｎ型、第２導電型をｐ型として説明したが、上記実施例や後述する各実施例において、第１導電型をｐ型、第２導電型をｎ型としても良い。
【０１２０】
また、上記実施形態はＭＯＳＦＥＴであったが、本発明の半導体装置はこれに限られるものではなく、例えば、ＩＧＢＴ（Ｉｎｓｕｌａｔｅｄ　ｇａｔｅ　ｂｉｐｏｌａｒ　ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）やショットキーバリアダイオードも含まれる。
【０１２１】
図３２（ａ）、（ｂ）の符号１’は、ＩＧＢＴである半導体装置を示している。この半導体装置１’は、基板１１’が成長層１２とは反対の導電型の第２導電型であること以外は、上記実施例と同じ構造であり、基板１１’表面には、コレクタ電極７１’が形成されている。
【０１２２】
また、本発明はトランジスタの他、ダイオードも含まれる。図３３、３４の符号２は、ショットキーバリアダイオード型の半導体装置を示している。
【０１２３】
図３３は、拡散構造を説明するための平面図であり、図３３は図３４のＧ−Ｇ線切断面図に相当し、図３４は図３３のＦ−Ｆ線が位置する部分の断面図に相当する。
【０１２４】
この半導体装置２でも、第一例の半導体装置１（ＭＯＳＦＥＴ）と同様に、第１導電型の成長層１２に、リング状のガード溝２２ｂが複数個同心状に形成されており、ガード溝２２ｂの内部は第２導電型の半導体結晶がエピタキシャル成長され、ガード領域２３ｂで充填されている。ガード溝２２ｂの側面と底面の面方位は｛１　０　０｝である。ガード領域２３ｂの四隅には丸みは付されていないが、各ガード領域２３ｂの外周側と内周側には、外周側補助拡散領域３５と内周側補助拡散領域３４とが接続されており、ガード領域２３ｂの外周及び内周の四隅位置には外周側補助拡散領域３５と内周側補助拡散領域３４の丸みが付された部分が配置されている。
【０１２５】
成長領域１２のうち、最内周の内周側補助拡散領域３４よりも内側の領域の内部には、直線状で細長い活性溝２２ａが、ガード溝２２ｂとは非接触に配置されている。活性溝２２ａの内部は、ガード領域２３ｂと同じ導電型で同じ材料の耐圧領域７４が形成されている。
【０１２６】
耐圧領域７４の上端部は成長層１２の表面と同じ高さに位置しており、耐圧領域７４の上部表面及び成長層１２の表面には、ショットキー電極７５が形成されている。
【０１２７】
前記ショットキー電極７５は、耐圧領域７４とはオーミック接合を形成し、成長層１２とはショットキー接合を形成する金属材料の薄膜によって構成されている。基板１１の表面には、裏面電極７６が形成されている。
【０１２８】
ショットキー電極７５の外周の縁部分は、最内周の内周側補助拡散領域３４よりも内側に位置しており、ショットキー電極７５は、内周側補助拡散領域３４や外周側補助拡散領域３５及びガード領域２３ｂには接触しないように構成されている。
【０１２９】
成長層１２とショットキー電極７５との間のショットキー接合は、ショットキー電極７５をアノード電極として正電圧を印加し、裏面電極７６をカソード電極として負電圧を印加したときに順バイアスされる極性であり、ショットキー接合が順バイアスされる向きの電圧は、耐圧領域７４と成長層１２の間に形成されるｐｎ接合も順バイアスする。
【０１３０】
但し、ｐｎ接合が順バイアスされ、電流が流れ始める電圧の方が、ショットキー接合が順バイアスされて電流が流れ始める電圧よりも大きいため、ショットキー電極７５と裏面電極７６の間は、ショットキー接合だけを通って電流が流れる。
【０１３１】
逆に、ショットキー電極７５に負電圧、裏面電極７６に正電圧を印加すると、ショットキー接合とｐｎ接合は、両方とも逆バイアスされ、電流は流れなくなる。
【０１３２】
この状態では、ショットキー電極７５と成長層１２の間のショットキー接合と、耐圧領域７４と成長層１２間のｐｎ接合から成長層１２内に空乏層が広がる。
【０１３３】
その空乏層がガード領域７４や内周側補助拡散領域３４に到達すると、ガード領域７４や内周側及び外周側補助拡散領域３４、３５から外側に向けて空乏層が広がる。
【０１３４】
ガード領域２３ｂや内周側及び外周側補助拡散領域３４、３５の構造は、ＭＯＳＦＥＴやＩＧＢＴと同じであり、説明は省略する。
【０１３５】
この半導体装置２では、ショットキー電極７５がカソード電極、裏面電極７６がアノード電極であったが、本発明の半導体装置は、ショットキー電極がアノード電極、裏面電極がカソード電極がであるような場合も含まれる。
【０１３６】
以上の半導体装置１、１’、２は、外周側補助拡散層３５がリング形状であったが、図３５に示すように、ガード領域２３ｂの四隅の各頂点Ｐ毎に、それぞれ独立した外周側補助拡散層３０を設け、ガード領域２３ｂの四辺表面の四隅近傍位置を除く部分は成長層１２と接触させても良い。
【０１３７】
なお、上記各実施例において、リング窓開部８０ｂの四隅部分の内周側と外周側は丸められており、外周側補助拡散領域３５の四隅と、内周側補助拡散領域３４の四隅はそれぞれ所定の曲率で曲げられており、ガード領域２３ｂの四隅部分の内外周に丸みが付与されていたが、リング窓開部８０ｂの四隅部分の内周側や外周側は、２以上の角度を有する多角形にされていても、第２導電型の不純物の横方向拡散により、外周側補助拡散領域３５の四隅と、内周側補助拡散領域３４の四隅にはそれぞれ丸みが付される。
【０１３８】
従って、写真工程で使用するマスクの外周側補助拡散領域３５の四隅と、内周側補助拡散領域３４の四隅に対応する部分が多角形にされている場合でも、本発明に含まれる。
【０１３９】
【発明の効果】
溝内が半導体充填物で均一に充填された半導体装置が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の半導体装置の一例のＭＯＳＦＥＴ拡散構造を示す平面図
【図２】その角部分の拡大図
【図３】（ａ）：図１のＸ−Ｘ線切断面に相当する部分の製造工程を説明する断面図（１）　　（ｂ）：図１のＹ−Ｙ線切断面に相当する部分の製造工程を説明する断面図（１）
【図４】（ａ）：図１のＸ−Ｘ線切断面に相当する部分の製造工程を説明する断面図（２）　　（ｂ）：図１のＹ−Ｙ線切断面に相当する部分の製造工程を説明する断面図（２）
【図５】（ａ）：図１のＸ−Ｘ線切断面に相当する部分の製造工程を説明する断面図（３）　　（ｂ）：図１のＹ−Ｙ線切断面に相当する部分の製造工程を説明する断面図（３）
【図６】（ａ）：図１のＸ−Ｘ線切断面に相当する部分の製造工程を説明する断面図（４）　　（ｂ）：図１のＹ−Ｙ線切断面に相当する部分の製造工程を説明する断面図（４）
【図７】（ａ）：図１のＸ−Ｘ線切断面に相当する部分の製造工程を説明する断面図（５）　　（ｂ）：図１のＹ−Ｙ線切断面に相当する部分の製造工程を説明する断面図（５）
【図８】（ａ）：図１のＸ−Ｘ線切断面に相当する部分の製造工程を説明する断面図（６）　　（ｂ）：図１のＹ−Ｙ線切断面に相当する部分の製造工程を説明する断面図（６）
【図９】（ａ）：図１のＸ−Ｘ線切断面に相当する部分の製造工程を説明する断面図（７）　　（ｂ）：図１のＹ−Ｙ線切断面に相当する部分の製造工程を説明する断面図（７）
【図１０】（ａ）：図１のＸ−Ｘ線切断面に相当する部分の製造工程を説明する断面図（８）　　（ｂ）：図１のＹ−Ｙ線切断面に相当する部分の製造工程を説明する断面図（８）
【図１１】（ａ）：図１のＸ−Ｘ線切断面に相当する部分の製造工程を説明する断面図（９）　　（ｂ）：図１のＹ−Ｙ線切断面に相当する部分の製造工程を説明する断面図（９）
【図１２】（ａ）：図１のＸ−Ｘ線切断面に相当する部分の製造工程を説明する断面図（１０）　　（ｂ）：図１のＹ−Ｙ線切断面に相当する部分の製造工程を説明する断面図（１０）
【図１３】（ａ）：図１のＸ−Ｘ線切断面に相当する部分の製造工程を説明する断面図（１１）　　（ｂ）：図１のＹ−Ｙ線切断面に相当する部分の製造工程を説明する断面図（１１）
【図１４】（ａ）：図１のＸ−Ｘ線切断面に相当する部分の製造工程を説明する断面図（１２）　　（ｂ）：図１のＹ−Ｙ線切断面に相当する部分の製造工程を説明する断面図（１２）
【図１５】（ａ）：図１のＸ−Ｘ線切断面に相当する部分の製造工程を説明する断面図（１３）　　（ｂ）：図１のＹ−Ｙ線切断面に相当する部分の製造工程を説明する断面図（１３）
【図１６】（ａ）：図１のＸ−Ｘ線切断面に相当する部分の製造工程を説明する断面図（１４）　　（ｂ）：図１のＹ−Ｙ線切断面に相当する部分の製造工程を説明する断面図（１４）
【図１７】（ａ）：図１のＸ−Ｘ線切断面に相当する部分の製造工程を説明する断面図（１５）　　（ｂ）：図１のＹ−Ｙ線切断面に相当する部分の製造工程を説明する断面図（１５）
【図１８】（ａ）：図１のＸ−Ｘ線切断面に相当する部分の製造工程を説明する断面図（１６）　　（ｂ）：図１のＹ−Ｙ線切断面に相当する部分の製造工程を説明する断面図（１６）
【図１９】（ａ）：図１のＸ−Ｘ線切断面に相当する部分の製造工程を説明する断面図（１７）　　（ｂ）：図１のＹ−Ｙ線切断面に相当する部分の製造工程を説明する断面図（１７）
【図２０】（ａ）：図１のＸ−Ｘ線切断面に相当する部分の製造工程を説明する断面図（１８）　　（ｂ）：図１のＹ−Ｙ線切断面に相当する部分の製造工程を説明する断面図（１８）
【図２１】（ａ）：図１のＸ−Ｘ線切断面に相当する部分の製造工程を説明する断面図（１９）　　（ｂ）：図１のＹ−Ｙ線切断面に相当する部分の製造工程を説明する断面図（１９）
【図２２】（ａ）：図１のＸ−Ｘ線切断面に相当する部分の製造工程を説明する断面図（２０）　　（ｂ）：図１のＹ−Ｙ線切断面に相当する部分の製造工程を説明する断面図（２０）
【図２３】（ａ）：図１のＸ−Ｘ線切断面に相当する部分の製造工程を説明する断面図（２１）　　（ｂ）：図１のＹ−Ｙ線切断面に相当する部分の製造工程を説明する断面図（２１）
【図２４】（ａ）：図１のＸ−Ｘ線切断面に相当する部分の製造工程を説明する断面図（２２）　　（ｂ）：図１のＹ−Ｙ線切断面に相当する部分の製造工程を説明する断面図（２２）
【図２５】（ａ）：図１のＸ−Ｘ線切断面に相当する部分の製造工程を説明する断面図（２３）　　（ｂ）：図１のＹ−Ｙ線切断面に相当する部分の製造工程を説明する断面図（２３）
【図２６】窓部底面に成長層が露出した状態の平面図
【図２７】図５（ａ）、（ｂ）のＡ−Ａ線切断面図
【図２８】図７（ａ）、（ｂ）のＢ−Ｂ線切断面図
【図２９】図８（ａ）、（ｂ）のＣ−Ｃ線切断面図
【図３０】図１２（ａ）、（ｂ）のＤ−Ｄ線切断面図
【図３１】図１６（ａ）、（ｂ）のＥ−Ｅ線切断面図
【図３２】（ａ）、（ｂ）：ＩＧＢＴである本発明の半導体装置を説明するための断面図
【図３３】ショットキーダイオードである本発明の半導体装置を説明するための平面図
【図３４】そのＦ−Ｆ線切断面図
【図３５】外周側補助拡散層の他の例
【図３６】（ａ）：従来技術のＭＯＳＦＥＴの拡散構造を説明するための平面図　　（ｂ）：その平面図の一点鎖線で囲んだ部分の拡大図
【図３７】（ａ）：図３６（ａ）のＩ−Ｉ線切断面図　　（ｂ）：図３６（ａ）のＩＩ−ＩＩ線切断面図
【符号の説明】
１、１’、２……半導体装置
１２……成長層
２２ｂ……ガード溝
２３ｂ……ガード領域
３３……ベース領域
３５……外周側補助拡散領域
３４……内周側補助拡散領域
３９……ソース領域
５１……ゲート絶縁膜
５４……ゲート電極
７５……ショットキー電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【手続補正書】
【提出日】平成15年2月28日(2003.2.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４】
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【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２４】
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【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２７】
2004128293.tif 000043
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３３】
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