(57)【要約】      （修正有）【課題】良好な記録、再生をすることができる光記録媒体を提供する。【解決手段】光記録媒体１０は、基板１１上に順次形成された、反射層１２、第二誘電体層１３、第二記録層３２、第一記録層３１、第一誘電体層１５、光透過層１６を備えている。第一記録層は、Ｓｉ、ＧｅおよびＳｎ等であり、第二記録層は、Ａｇである。波長４０５ｎｍのレーザビームＬ１０を、開口数０．８５の対物レンズを用いて照射した時、照射領域において、第一、第二記録層の成分が混合して、記録マークＭが形成され、第一、第二誘電体層中に、記録マークＭに隣接して、結晶化領域Ｍ’が形成される。その結果、レーザビームが照射された領域と、その他の領域の反射率との差が大きくなり、この反射率の差を利用して、光記録媒体に記録されたデータを再生し、Ｃ／Ｎ比の高い再生信号を得ること可能になるとともに、再生信号のジッターを低減させることが可能になる。【選択図】          図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、前記基板上に設けられた少なくとも一つの記録層と、前記少なくとも一層の記録層に隣接して設けられた少なくとも一つの誘電体層とを備え、前記基板とは反対側から、波長λを有するレーザビームが、λ／ＮＡ≦６４０ｎｍを満たす開口数ＮＡを有する対物レンズを介して、照射されたときに、前記少なくとも一つの記録層に、他の領域とは反射率が異なる記録マークが形成されるとともに、前記少なくとも一つの誘電体層の前記記録マークに接する領域の少なくとも一部が結晶化して、結晶化領域が形成されるように構成されたことを特徴とする光記録媒体。
【請求項２】
前記少なくとも一つの記録層が、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｍｇ、Ｃ、Ａｌ、Ｚｎ、Ｉｎ、Ｃｕ、ＴｉおよびＢｉよりなる群から選ばれる一種の元素を主成分として含む第一の記録層と、前記第一の記録層の近傍に設けられ、Ｃｕ、Ｓｉ、Ａｌ，ＺｎおよびＡｇよりなる群から選ばれ、第一の記録層に含まれた元素とは異なる元素を主成分として含む第二の記録層とによって構成され、前記レーザビームが照射されたときに、前記第一の記録層に主成分として含まれた元素と、前記第二の記録層に主成分として含まれた元素とが混合して、記録マークが形成されるように構成されたことを特徴とする請求項１に記載の光記録媒体。
【請求項３】
前記第二の記録層が、前記第一の記録層に接するように、形成されていることを特徴とする請求項２に記載の光記録媒体。
【請求項４】
前記第一の記録層に隣接して、第一の誘電体層が設けられ、前記第二の記録層に隣接して、第二の誘電体層が設けられていることを特徴とする請求項２または３に記載の光記録媒体。
【請求項５】
第一の記録層が、Ｓｉ、ＧｅおよびＳｎよりなる群から選ばれる元素を主成分として含んでいることを特徴とする請求項２ないし４のいずれか１項に記載の光記録媒体。
【請求項６】
前記第二の記録層に、Ｃｕ、Ａｌ、Ｚｎ、Ａｇ、Ｍｇ，Ｓｎ、Ａｕ，ＴｉおよびＰｄよりなる群から選ばれる元素で、前記第二の記録層に主成分として含まれている元素と異なる元素が添加されていることを特徴とする請求項２ないし５のいずれか１項に記載の光記録媒体。
【請求項７】
さらに、前記少なくとも一つの記録層に対して、前記基板と反対側に、１０μｍないし３００μｍの厚さを有する光透過層を備えたことを特徴とする請求項１ないし６のいずれか１項に記載の光記録媒体。
【請求項８】
基板と、前記基板上に設けられた少なくとも一つの記録層と、前記少なくとも一層の記録層に隣接して設けられた少なくとも一つの誘電体層とを備えた光記録媒体に、前記基板とは反対側から、波長λを有するレーザビームを、λ／ＮＡ≦６４０ｎｍを満たす開口数ＮＡを有する対物レンズを介して、照射し、前記少なくとも一つの記録層に記録マークが形成するとともに、前記少なくとも一つの誘電体層の前記記録マークに接する領域の少なくとも一部を結晶化して、前記少なくとも一つの誘電体層に、結晶化領域を形成するように構成されたことを特徴とする光記録媒体へのデータの記録方法。
【請求項９】
前記少なくとも一つの記録層が、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｍｇ、Ｃ、Ａｌ、Ｚｎ、Ｉｎ、Ｃｕ、ＴｉおよびＢｉよりなる群から選ばれる一種の元素を主成分として含む第一の記録層と、前記第一の記録層の近傍に設けられ、Ｃｕ、Ｓｉ、Ａｌ、ＺｎおよびＡｇよりなる群から選ばれ、第一の記録層に含まれた元素とは異なる元素を主成分として含む第二の記録層とによって構成され、前記レーザビームを照射して、前記第一の記録層に主成分として含まれた元素と、前記第二の記録層に主成分として含まれた元素とを混合させて、記録マークを形成するように構成されたことを特徴とする請求項８に記載の光記録媒体へのデータ記録方法。
【請求項１０】
前記光記録媒体の前記第二の記録層が、前記第一の記録層に接するように、形成されていることを特徴とする請求項９に記載の光記録媒体へのデータ記録方法。
【請求項１１】
前記光記録媒体が、前記第一の記録層に隣接して、第一の誘電体層を備え、前記第二の記録層に隣接して、第二の誘電体層を備えたことを特徴とする請求項９または１０に記載の光記録媒体へのデータ記録方法。
【請求項１２】
記録線速度が所定の記録線速度以上のときに、前記レーザビームのパワーを単パルスパターンにしたがって、変調して、データを記録することを特徴とする請求項８ないし１１のいずれか１項に記載の光記録媒体へのデータ記録方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光記録媒体および光記録媒体へのデータ記録方法に関するものであり、さらに詳細には、良好な信号特性を有する信号を再生することができる光記録媒体および良好な信号特性を有する信号を再生することが可能なように、光記録媒体にデータを記録する光記録媒体へのデータ記録方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、デジタルデータを記録するための記録媒体として、ＣＤやＤＶＤに代表される光記録媒体が広く利用されている。これらの光記録媒体は、ＣＤ−ＲＯＭやＤＶＤ−ＲＯＭのように、データの追記や書き換えができないタイプの光記録媒体（ＲＯＭ型光記録媒体）と、ＣＤ−ＲやＤＶＤ−Ｒのように、データの追記はできるが、データの書き換えができないタイプの光記録媒体（追記型光記録媒体）と、ＣＤ−ＲＷやＤＶＤ−ＲＷのように、データの書き換えが可能なタイプの光記録媒体（書き換え型光記録媒体）とに大別することができる。
【０００３】
広く知られているように、ＲＯＭ型光記録媒体においては、製造段階において基板に形成されるプリピットにより、データが記録されることが一般的であり、書き換え型光記録媒体においては、たとえば、記録層の材料として相変化材料が用いられ、その相状態の変化に起因する光学特性の変化を利用して、データが記録されることが一般的である。
【０００４】
これに対し、追記型光記録媒体においては、記録層の材料として、シアニン系色素、フタロシアニン系色素、アゾ色素などの有機色素が用いられ、その化学的変化（場合によっては、化学的変化に加えて物理的変形を伴うことがある）に起因する光学特性の変化を利用して、データが記録されることが一般的である。
【０００５】
しかしながら、有機色素は、日光などの照射を受けると、劣化するため、記録層の材料として、有機色素を用いた場合には、長期間の保存に対する信頼性を高めることは容易ではない。したがって、追記型光記録媒体の長期間の保存に対する信頼性を高めるためには、記録層を有機色素以外の材料によって構成することが望ましい。
【０００６】
記録層を有機色素以外の材料によって構成した例としては、特開昭６２−２０４４４２号公報に記載されているように、二層の記録層を積層した光記録媒体が知られている。
【０００７】
この光記録媒体においては、光記録媒体に照射されたレーザビームによって、二層の記録層に含まれた元素が共融混合物を形成して、記録マークが形成され、記録マークとそれ以外の領域の光学特性の差を利用して、データが記録されるように構成されている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、二層の記録層に含まれた元素によって形成された共融混合物よりなる記録マークの光学特性と、記録マーク以外の領域との光学特性の差は、それほど大きくないため、単に、二層の記録層に含まれた元素の共融混合物によって、記録マークを形成するだけでは、Ｃ／Ｎ比が良好な再生信号が得られるように、データを記録することが困難であるという問題があった。
【０００９】
とくに、データの記録密度が高められ、かつ、非常に高いデータ転送レートを実現可能な次世代型の光記録媒体にあっては、データの記録・再生に用いるレーザビームのビームスポット径を非常に小さく絞ることが要求され、記録マークと、記録マーク以外の領域との光学特性との差が十分に大きいことが要求されるため、単に、二層の記録層に含まれた元素の共融混合物によって、記録マークを形成するだけでは、Ｃ／Ｎ比が良好な再生信号を得ることはきわめて困難である。
【００１０】
二層の記録層に含まれた元素の共融混合物によって、記録マークを形成するように構成された光記録媒体以外の光記録媒体においても、同様の問題が生じる。
【００１１】
したがって、本発明は、良好な信号特性を有する信号を再生することができる光記録媒体を提供することを目的とするものである。
【００１２】
また、本発明の別の目的は、良好な信号特性を有する信号を再生することが可能なように、光記録媒体にデータを記録する光記録媒体へのデータ記録方法を提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
本発明者は、本発明のかかる目的を達成するため、鋭意研究を行った結果、Ｓｉを主成分として含む第一の記録層と、Ｃｕを主成分として含む第二の記録層と、第一の記録層あるいは第二の記録層に隣接する誘電体層とを備えた光記録媒体に、波長λを有するレーザビームを、λ／ＮＡ≦６４０ｎｍを満たす開口数ＮＡを有する対物レンズを介して、照射したところ、レーザビームが照射された第一の記録層および第二の記録層の領域において、第一の記録層に主成分として含まれているＳｉと第二の記録層主成分として含まれているＣｕとが混合して、他の領域とは反射率が異なる記録マークが形成されるとともに、記録マークに隣接する誘電体層の領域に、他の領域とは反射率が異なる結晶化領域が形成され、その結果、レーザビームが照射された領域の反射率と他の領域の反射率との差が、全体として、大きくなり、再生信号のＣ／Ｎ比を向上させることが可能になるとともに、ジッターを低減させることが可能になることを見出した。
【００１４】
そこで、本発明者は、さらに、研究を続け、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｍｇ、Ｃ、Ａｌ、Ｚｎ、Ｉｎ、Ｃｕ、ＴｉおよびＢｉよりなる群から選ばれる一種の元素を主成分として含む第一の記録層と、Ｃｕ、Ｓｉ、Ａｌ，ＺｎおよびＡｇよりなる群から選ばれ、第一の記録層に含まれた元素とは異なる元素を主成分として含む第二の記録層と、第一の記録層あるいは第二の記録層に隣接する誘電体層とを備えた光記録媒体に、波長λを有するレーザビームを、λ／ＮＡ≦６４０ｎｍを満たす開口数ＮＡを有する対物レンズを介して、照射したところ、レーザビームが照射された第一の記録層および第二の記録層の領域において、第一の記録層に主成分として含まれた元素と、第二の記録層に主成分として含まれた元素とが混合して、他の領域とは反射率が異なる記録マークが形成されるとともに、記録マークに隣接する誘電体層の領域に、他の領域とは反射率が異なる結晶化領域が形成され、その結果、レーザビームが照射された領域の反射率と他の領域の反射率との差が、全体として、大きくなり、再生信号のＣ／Ｎ比を向上させることが可能になるとともに、ジッターを低減させることが可能になることが見出された。
【００１５】
さらに、ＳｎやＴｉなどの無機元素を主成分とする単層の記録層と、記録層に隣接する誘電体層を備えた光記録媒体に、波長λを有するレーザビームを、λ／ＮＡ≦６４０ｎｍを満たす開口数ＮＡを有する対物レンズを介して、照射したところ、レーザビームが照射された記録層の領域に隣接する誘電体層の領域に、他の領域とは反射率が異なる結晶化領域が形成され、その結果、レーザビームが照射された領域の反射率と他の領域の反射率との差が、全体として、大きくなり、再生信号のＣ／Ｎ比を向上させることが可能になるとともに、ジッターを低減させることが可能になることが見出された。
【００１６】
したがって、本発明の前記目的は、基板と、前記基板上に設けられた少なくとも一つの記録層と、前記少なくとも一層の記録層に隣接して設けられた少なくとも一つの誘電体層とを備え、前記基板とは反対側から、波長λを有するレーザビームが、λ／ＮＡ≦６４０ｎｍを満たす開口数ＮＡを有する対物レンズを介して、照射されたときに、前記少なくとも一つの記録層に、他の領域とは反射率が異なる記録マークが形成されるとともに、前記少なくとも一つの誘電体層の前記記録マークに接する領域の少なくとも一部が結晶化して、結晶化領域が形成されるように構成されたことを特徴とする光記録媒体によって達成される。
【００１７】
本発明において、記録マークとは、レーザビームが照射されて、反射率が変化した記録層の領域をいう。
【００１８】
本発明の好ましい実施態様においては、前記少なくとも一つの記録層が、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｍｇ、Ｃ、Ａｌ、Ｚｎ、Ｉｎ、Ｃｕ、ＴｉおよびＢｉよりなる群から選ばれる一種の元素を主成分として含む第一の記録層と、前記第一の記録層の近傍に設けられ、Ｃｕ、Ｓｉ、Ａｌ、ＺｎおよびＡｇよりなる群から選ばれ、第一の記録層に含まれた元素とは異なる元素を主成分として含む第二の記録層とによって構成され、前記レーザビームが照射されたときに、前記第一の記録層に主成分として含まれた元素と、前記第二の記録層に主成分として含まれた元素とが混合して、記録マークが形成されるように構成されている。
【００１９】
本明細書において、第一の記録層が、ある元素を主成分として含むとは、第一の記録層に含まれる元素のうち、その元素の含有率が最も大きいことをいい、第二の記録層が、ある元素を主成分として含むとは、第二の記録層に含まれる元素のうち、その元素の含有率が最も大きいことをいう。
【００２０】
本発明の好ましい実施態様において、第二の記録層は、レーザビームの照射を受けたときに、第一の記録層に主成分として含まれている元素と、第二の記録層に主成分として含まれている元素とが混合した領域が形成されるように、第一の記録層の近傍に位置していればよく、第二の記録層が、第一の記録層に接触していることは必ずしも必要でなく、第一の記録層と第二の記録層の間に、誘電体層などの一または二以上の他の層が介在していてもよい。
【００２１】
本発明の好ましい実施態様において、好ましくは、前記第二の記録層が、前記第一の記録層に接するように、形成されている。
【００２２】
本発明の好ましい実施態様において、光記録媒体は、第一の記録層および第二の記録層に加えて、一もしくは二以上の第一の記録層に主成分として含まれた元素を主成分として含む記録層、または、一もしくは二以上の第二の記録層に主成分として含まれた元素を主成分として含む記録層を備えていてもよい。
【００２３】
レーザビームが照射されたときに、第一の記録層に主成分として含まれている元素と、第二の記録層に主成分として含まれている元素とが混合した領域が形成される理由は必ずしも明らかでないが、レーザビームが照射されたときに、第一の記録層に主成分として含まれている元素および第二の記録層に主成分として含まれている元素が、部分的にあるいは全体として、溶融ないし拡散し、第一の記録層に主成分として含まれている元素と、第二の記録層に主成分として含まれている元素とが混合された領域が形成されるものと推測される。
【００２４】
このように、本発明の好ましい実施態様によれば、レーザビームが照射されたときに、第一の記録層に主成分として含まれている元素と、第二の記録層に主成分として含まれている元素とが混合して、第一の記録層および第二の記録層に、他の領域とは再生のためのレーザビームに対する反射率が異なる記録マークが形成されるとともに、少なくとも一つの誘電体層の記録マークに接する領域の少なくとも一部が結晶化して、少なくとも一つの誘電体層に、他の領域とは再生のためのレーザビームに対する反射率が異なる結晶化領域が形成されるから、記録マークが形成された領域の再生のためのレーザビームに対する反射率と、それ以外の領域の再生のためのレーザビームに対する反射率との差が十分に大きくなり、したがって、反射率の大きな差異を利用して、記録されたデータを再生し、Ｃ／Ｎ比の向上した再生信号を得ることが可能になる。
【００２５】
本発明のさらに好ましい実施態様においては、前記第一の記録層に隣接して、第一の誘電体層が設けられ、前記第二の記録層に隣接して、第二の誘電体層が設けられている。
【００２６】
本発明の好ましい実施態様においては、第一の記録層が、Ｓｉ、ＧｅおよびＳｎよりなる群から選ばれる元素を主成分として含んでいる。
【００２７】
本発明の好ましい実施態様においては、第二の記録層に、Ｃｕ、Ａｌ、Ｚｎ、Ａｇ、Ｍｇ，Ｓｎ、Ａｕ，ＴｉおよびＰｄよりなる群から選ばれる元素で、第二の記録層に主成分として含まれている元素と異なる元素が添加されている。
【００２８】
本発明のさらに好ましい実施態様においては、第一の記録層が、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｍｇ、Ｉｎ、Ｚｎ、ＢｉおよびＡｌよりなる群から選ばれる元素を主成分として含み、第二の記録層が、Ｃｕを主成分として含んでいる。
【００２９】
本発明のさらに好ましい実施態様においては、第一の記録層が、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、ＭｇおよびＡｌよりなる群から選ばれる元素を主成分として含んでいる。
【００３０】
本発明のさらに好ましい実施態様においては、Ｃｕを主成分として含む第二の記録層に、Ａｌ、Ｓｉ、Ｚｎ、Ｍｇ、Ａｕ、Ｓｎ、Ｇｅ、Ａｇ、Ｐ、Ｃｒ、ＦｅおよびＴｉよりなる群から選ばれる少なくとも一種の元素が添加されている。
【００３１】
Ｃｕを主成分として含む第二の記録層に、Ａｌ、Ｓｉ、Ｚｎ、Ｍｇ、Ａｕ、Ｓｎ、Ｇｅ、Ａｇ、Ｐ、Ｃｒ、ＦｅおよびＴｉよりなる群から選ばれる少なくとも一種の元素が添加されている場合には、再生された信号中のノイズレベルをより低減させることが可能となるとともに、長期間の保存に対する信頼性を向上させることができ、さらに、第二の記録層の熱伝導性が低下するため、レーザビームによって、第一の記録層および第二の記録層中に生成された熱が、効果的に、少なくとも一つの誘電体層に伝達され、少なくとも一つの誘電体層の結晶化を促進することが可能になる。
【００３２】
本発明のさらに好ましい実施態様においては、Ｃｕを主成分として含む第二の記録層に、Ａｌ、Ｚｎ、ＳｎおよびＡｕよりなる群から選ばれる少なくとも一種の元素が添加されている。
【００３３】
本発明の別の好ましい実施態様においては、第一の記録層が、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｃ、Ｓｎ、ＺｎおよびＣｕよりなる群から選ばれる元素を主成分として含み、第二の記録層が、Ａｌを主成分として含んでいる。
【００３４】
本発明のさらに好ましい実施態様においては、Ａｌを主成分として含む第二の記録層に、Ｍｇ、Ａｕ、ＴｉおよびＣｕよりなる群から選ばれた少なくとも一種の元素が添加されている。
【００３５】
Ａｌを主成分として含む第二の記録層に、Ｍｇ、Ａｕ、ＴｉおよびＣｕよりなる群から選ばれた少なくとも一種の元素が添加されている場合には、再生された信号中のノイズレベルをより低減させることが可能となるとともに、長期間の保存に対する信頼性を向上させることができ、さらに、第二の記録層の熱伝導性が低下するため、レーザビームによって、第一の記録層および第二の記録層中に生成された熱が、効果的に、少なくとも一つの誘電体層に伝達され、少なくとも一つの誘電体層の結晶化を促進することが可能になる。
【００３６】
本発明の他の好ましい実施態様においては、第一の記録層が、Ｓｉ、Ｇｅ、ＣおよびＡｌよりなる群から選ばれる元素を主成分として含み、第二の記録層が、Ｚｎを主成分として含んでいる。
【００３７】
本発明のさらに好ましい実施態様においては、Ｚｎを主成分として含む第二の記録層に、Ｍｇ、ＣｕおよびＡｌよりなる群から選ばれた少なくとも一種の元素が添加されている。
【００３８】
Ｚｎを主成分として含む第二の記録層に、Ｍｇ、ＣｕおよびＡｌよりなる群から選ばれた少なくとも一種の元素が添加されている場合には、再生された信号中のノイズレベルをより低減させることが可能となるとともに、長期間の保存に対する信頼性を向上させることができ、さらに、第二の記録層の熱伝導性が低下するため、レーザビームによって、第一の記録層および第二の記録層中に生成された熱が、効果的に、少なくとも一つの誘電体層に伝達され、少なくとも一つの誘電体層の結晶化を促進することが可能になる。
【００３９】
本発明の他の好ましい実施態様においては、第一の記録層が、Ｓｉ、ＧｅおよびＳｎよりなる群から選ばれる元素を主成分として含み、第二の記録層が、Ａｇを主成分として含んでいる。
【００４０】
本発明のさらに好ましい実施態様においては、Ａｇを主成分として含む第二の記録層に、ＣｕおよびＰｄよりなる群から選ばれた少なくとも一種の元素が添加されている。
【００４１】
Ａｇを主成分として含む第二の記録層に、ＣｕおよびＰｄよりなる群から選ばれた少なくとも一種の元素が添加されている場合には、再生された信号中のノイズレベルをより低減させることが可能となるとともに、長期間の保存に対する信頼性を向上させることができ、さらに、第二の記録層の熱伝導性が低下するため、レーザビームによって、第一の記録層および第二の記録層中に生成された熱が、効果的に、少なくとも一つの誘電体層に伝達され、少なくとも一つの誘電体層の結晶化を促進することが可能になる。
【００４２】
本発明の好ましい実施態様において、好ましくは、第一の記録層および第二の記録層は、第一の記録層と第二の記録層の総厚が２ｎｍないし４０ｎｍとなるように、より好ましくは、第一の記録層と第二の記録層の総厚が２ｎｍないし３０ｎｍになるように、さらに好ましくは、第一の記録層と第二の記録層の総厚が２ｎｍないし１５ｎｍになるように形成される。
【００４３】
本発明において、少なくとも一つの誘電体層を形成するための材料は、透明で、かつ、レーザビームの照射を受けたときに、結晶化する誘電体材料であれば、とくに限定されるものではなく、たとえば、酸化物、硫化物、窒化物またはこれらの組み合わせを主成分とする誘電体材料によって、少なくとも一つ誘電体層を形成することができる。好ましくは、少なくとも一つ誘電体層は、Ａｌ２Ｏ３、ＡｌＮ、ＺｎＯ、ＺｎＳ、ＧｅＮ、ＧｅＣｒＮ、ＣｅＯ、ＳｉＯ、ＳｉＯ２、ＳｉＮおよびＳｉＣよりなる群から選ばれる少なくとも一種の誘電体材料を主成分として含み、さらに好ましくは、ＺｎＳ・ＳｉＯ２を主成分として含んでいる。
【００４４】
本発明の好ましい実施態様においては、光記録媒体は、さらに、前記第一の記録層および前記第二の記録層に対して、前記基板とは反対側に設けられた光透過層を備えている。
【００４５】
本発明のさらに好ましい実施態様においては、光透過層が、１０ないし３００μｍの厚さを有するように形成されている。
【００４６】
本発明のさらに好ましい実施態様においては、光記録媒体は、前記基板と前記第二の誘電体層との間に設けられた反射層を備えている。
【００４７】
本発明のさらに好ましい実施態様によれば、多重干渉効果により、記録マークと記録マークが形成されていないブランク領域との反射率の差を大きくすることができ、その結果、高い再生信号（Ｃ／Ｎ比）を得ることが可能になる。
【００４８】
本発明の前記目的はまた、基板と、前記基板上に設けられた少なくとも一つの記録層と、前記少なくとも一層の記録層に隣接して設けられた少なくとも一つの誘電体層とを備えた光記録媒体に、前記基板とは反対側から、波長λを有するレーザビームを、λ／ＮＡ≦６４０ｎｍを満たす開口数ＮＡを有する対物レンズを介して、照射し、前記少なくとも一つの記録層に記録マークが形成するとともに、前記少なくとも一つの誘電体層の前記記録マークに接する領域の少なくとも一部を結晶化して、前記少なくとも一つの誘電体層に、結晶化領域を形成するように構成されたことを特徴とする光記録媒体へのデータの記録方法によって達成される。
【００４９】
本発明の好ましい実施態様においては、前記光記録媒体に、４５０ｎｍ以下の波長のレーザビームを照射して、第一の記録層および第二の記録層に、データを記録するように構成されている。
【００５０】
本発明の好ましい実施態様においては、記録線速度が所定の記録線速度以上のときは、前記レーザビームのパワーが単パルスパターンによって変調されるように構成されている。
【００５１】
本発明の好ましい実施態様によれば、記録線速度が所定の記録線速度以上のときは、レーザビームのパワーが単パルスパターンによって変調されるように構成されているから、記録線速度が高い場合にも、レーザビームによって、第一の記録層および第二の記録層に加えられる熱量が高くなり、したがって、少なくとも一つの誘電体層に加えられる熱量も高くなるから、記録マークに隣接する誘電体層の領域に、所望のように、結晶化領域を形成することが可能になる。
【００５２】
【発明の実施の形態】
以下、添付図面に基づいて、本発明の好ましい実施態様につき、詳細に説明を加える。
【００５３】
図１は、本発明の好ましい実施態様にかかる光記録媒体の構造を示す略断面図である。
【００５４】
図１に示されるように、本実施態様にかかる光記録媒体１０は、追記型の光記録媒体として構成され、基板１１と、基板１１の表面上に形成された反射層１２と、反射層１２の表面上に形成された第二の誘電体層１３と、第二の誘電体層１３の表面上に形成された第二の記録層３２と、第二の記録層３２の表面上に形成された第一の記録層３１と、第一の記録層３１の表面上に設けられた第一の誘電体層１５と、第一の誘電体層１５の表面上に形成された光透過層１６を備えている。
【００５５】
図１に示されるように、光記録媒体１０の中央部分には、センターホール１７が形成されている。
【００５６】
本実施態様においては、図１に示されるように、光透過層１６の表面に、レーザビームＬ１０が照射されて、光記録媒体１０にデータが記録され、光記録媒体１０から、データが再生される。
【００５７】
基板１１は、光記録媒体１０に求められる機械的強度を確保するための支持体として、機能する。
【００５８】
基板１１を形成するための材料は、光記録媒体１０の支持体として機能することができれば、とくに限定されるものではない。基板１１は、たとえば、ガラス、セラミックス、樹脂などによって、形成することができる。これらのうち、成形の容易性の観点から、樹脂が好ましく使用される。このような樹脂としては、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、シリコーン樹脂、フッ素系樹脂、ＡＢＳ樹脂、ウレタン樹脂などが挙げられる。これらの中でも、加工性、光学特性などの点から、ポリカーボネート樹脂がとくに好ましい。
【００５９】
本実施態様においては、基板１１は、約１．１ｍｍの厚さを有している。
【００６０】
基板１１の形状は、とくに限定されるものではないが、通常は、ディスク状、カード状あるいはシート状である。
【００６１】
図１に示されるように、基板１１の表面には、交互に、グルーブ１１ａおよびランド１１ｂが形成されている。基板１１の表面に形成されたグルーブ１１ａおよび／またはランド１１ｂは、データを記録する場合およびデータを再生する場合において、レーザビームＬ１０のガイドトラックとして、機能する。
【００６２】
反射層１２は、光透過層１６を介して、入射したレーザビームＬ１０を反射し、再び、光透過層１６から出射させる機能を有している。
【００６３】
反射層１２の厚さは、とくに限定されるものではないが、５ｎｍないし３００ｎｍであることが好ましく、２０ｎｍないし２００ｎｍであることが、とくに好ましい。
【００６４】
反射層１２を形成するための材料は、レーザビームＬ１０を反射することができれば、とくに限定されるものではなく、Ｍｇ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ａｇ、Ｐｔ、Ａｕなどによって、反射層１２を形成することができる。これらのうち、高い反射率を有しているＡｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、または、ＡｌとＴｉとの合金などのこれらの金属の少なくとも１つを含む合金などの金属材料が、反射層１２を形成するために、好ましく用いられる。
【００６５】
反射層１２は、レーザビームＬ１０を用いて、第一の記録層３１および第二の記録層３２に光記録されたデータを再生するときに、多重干渉効果によって、記録部と未記録部との反射率の差を大きくして、高い再生信号（Ｃ／Ｎ比）を得るために、設けられている。
【００６６】
第一の誘電体層１５および第二の誘電体層１３は、第一の記録層３１および第二の記録層３２を保護する役割を果たす。したがって、第一の誘電体層１５および第二の誘電体層１３により、長期間にわたって、光記録されたデータの劣化を効果的に防止することができる。また、第二の誘電体層１３は、基板１１などの熱変形を防止する効果があり、したがって、変形に伴うジッターの悪化を効果的に防止することが可能になる。
【００６７】
本実施態様においては、第一の誘電体層１５および第二の誘電体層１３は、レーザビームＬ１０の照射を受けたときに、結晶化する材料によって形成されている。
【００６８】
第１の誘電体層１５および第２の誘電体層１３を形成するために用いられる誘電体材料は、透明で、かつ、レーザビームＬ１０の照射を受けたときに、結晶化する誘電体材料であれば、とくに限定されるものではなく、たとえば、酸化物、硫化物、窒化物またはこれらの組み合わせを主成分とする誘電体材料によって、第一の誘電体層１５および第二の誘電体層１３を形成することができる。より具体的には、基板１１などの熱変形を防止し、第一の記録層３１および第二の記録層３２を保護するために、第一の誘電体層１５および第二の誘電体層１３が、Ａｌ２Ｏ３、ＡｌＮ、ＺｎＯ、ＺｎＳ、ＧｅＮ、ＧｅＣｒＮ、ＣｅＯ、ＳｉＯ、ＳｉＯ２、ＳｉＮおよびＳｉＣよりなる群から選ばれる少なくとも１種の誘電体材料を主成分として含んでいることが好ましく、ＺｎＳ・ＳｉＯ２を主成分として含んでいることがより好ましい。
【００６９】
第一の誘電体層１５と第二の誘電体層１３は、互いに同じ誘電体材料によって形成されていてもよいが、異なる誘電体材料によって形成されていてもよい。さらに、第一の誘電体層１５および第二の誘電体層１３の少なくとも一方が、複数の誘電体膜からなる多層構造であってもよい。
【００７０】
なお、本明細書において、誘電体層が、誘電体材料を主成分として含むとは、誘電体層に含まれている誘電体材料の中で、その誘電体材料の含有率が最も大きいことをいう。また、ＺｎＳ・ＳｉＯ２は、ＺｎＳとＳｉＯ２との混合物を意味する。
【００７１】
第一の誘電体層１５および第二の誘電体層１３の層厚は、とくに限定されるものではないが、３ないし２００ｎｍであることが好ましい。第一の誘電体層１５あるいは第二の誘電体層１３の層厚が３ｎｍ未満であると、上述した効果が得られにくくなる。一方、第一の誘電体層１５あるいは第二の誘電体層１３の層厚が２００ｎｍを越えると、成膜に要する時間が長くなり、光記録媒体１０の生産性が低下するおそれがあり、さらに、第一の誘電体層１５あるいは第二の誘電体層１３のもつ応力によって、光記録媒体１０にクラックが発生するおそれがある。
【００７２】
第一の記録層３１および第二の記録層３２は、データを記録する層である。図１に示されるように、本実施態様においては、第一の記録層３１は、光透過層１６側に配置され、第二の記録層３２は、基板１１側に配置されている。
【００７３】
本実施態様においては、第一の記録層３１は、Ｓｉ、ＧｅおよびＳｎよりなる群から選ばれる元素を主成分として含み、第二の記録層３２は、Ａｇを主成分として含んでいる。
【００７４】
本実施態様においては、Ａｇを主成分として含む第二の記録層３２に、ＣｕおよびＰｄよりなる群から選ばれる元素が添加されている。
【００７５】
Ａｇを主成分として含む第二の記録層３２に、ＣｕおよびＰｄよりなる群から選ばれる元素が添加されている場合には、再生された信号中のノイズレベルをより低減させることが可能となるとともに、長期間の保存に対する信頼性を向上させることができ、さらに、第二の記録層３２の熱伝導性が低下するため、レーザビームによって、第一の記録層３１および第二の記録層３２中に生成された熱が、効果的に、第一の誘電体層１５および第二の誘電体層１３に伝達され、第一の誘電体層１５および第二の誘電体層１３の結晶化を促進することが可能になる。
【００７６】
第一の記録層３１および第二の記録層３２の総厚が厚くなればなるほど、レーザビームＬ１０が照射される第一の記録層３１の表面平滑性が低下し、その結果、再生された信号中のノイズレベルが高くなるとともに、記録感度が低下する。さらに、第一の記録層３１および第二の記録層３２の総厚が厚くなればなるほど、レーザビームによって、第一の記録層３１および第二の記録層３２中に生成された熱の第一の誘電体層１５および第二の誘電体層１３への伝達効率が低下する。したがって、第一の記録層３１の表面平滑性の低下を防止し、第一の誘電体層１５および第二の誘電体層１３の結晶化を促進するためには、第一の記録層３１および第二の記録層３２の総厚を薄くすることが好ましいが、第一の記録層３１および第二の記録層３２の総厚が薄すぎると、データを記録する前後の反射率の差が少なくなり、高い再生信号（Ｃ／Ｎ比）を得ることができなくなり、膜厚制御も困難になる。
【００７７】
そこで、本実施態様においては、第一の記録層３１と第二の記録層３２の総厚が、２ｎｍないし４０ｎｍになるように、第一の記録層３１および第二の記録層３２が形成されている。より高い再生信号（Ｃ／Ｎ比）を得るとともに、再生信号中のノイズレベルをより一層低下させるためには、第一の記録層３１と第二の記録層３２の総厚が、２ｎｍないし３０ｎｍであることが好ましく、２ｎｍないし１５ｎｍであることがより好ましい。
【００７８】
第一の記録層３１および第二の記録層３２のそれぞれの層厚は、とくに限定されるものではないが、記録感度を十分に向上させ、データを記録する前後の反射率の変化を十分に大きくするためには、第一の記録層３１の層厚が、１ｎｍないし３０ｎｍであり、第二の記録層３２の層厚が、１ｎｍないし３０ｎｍであることが好ましい。さらに、レーザビームを照射する前後の反射率の変化を十分に大きくするために、第一の記録層３１の層厚と第二の記録層３２の層厚との比（第一の記録層３１の層厚／第二の記録層３２の層厚）は、０．２ないし５．０であることが好ましい。
【００７９】
光透過層１６は、レーザビームＬ１０が透過する層であり、１０μｍないし３００μｍの厚さを有していることが好ましく、より好ましくは、光透過層１６は、５０μｍないし１５０μｍの厚さを有している。
【００８０】
光透過層１６を形成するための材料は、とくに限定されるものではないが、スピンコーティング法などによって、光透過層１６を形成する場合には、紫外線硬化性樹脂、電子線硬化性樹脂などが好ましく用いられ、より好ましくは、紫外線硬化性樹脂によって、光透過層１６が形成される。
【００８１】
光透過層１６は、第一の誘電体層１５の表面に、光透過性樹脂によって形成されたシートを、接着剤を用いて、接着することによって、形成されてもよい。
【００８２】
以上のような構成を有する光記録媒体１０は、たとえば、以下のようにして、製造される。
【００８３】
まず、グルーブ１１ａおよびランド１１ｂが形成された基板１１の表面上に、反射層１２が形成される。
【００８４】
反射層１２は、たとえば、反射層１２の構成元素を含む化学種を用いた気相成長法によって、形成することができる。気相成長法としては、真空蒸着法、スパッタリング法などが挙げられる。
【００８５】
次いで、反射層１２の表面上に、第二の誘電体層１３が形成される。
【００８６】
第二の誘電体層１３は、たとえば、第二の誘電体層１３の構成元素を含む化学種を用いた気相成長法によって、形成することができる。気相成長法としては、真空蒸着法、スパッタリング法などが挙げられる。
【００８７】
さらに、第二の誘電体層１３の表面上に、第二の記録層３２が形成される。第二の記録層３２も、第二の誘電体層１３と同様にして、第二の記録層３２の構成元素を含む化学種を用いた気相成長法によって、形成することができる。
【００８８】
次いで、第二の記録層３２の表面上に、第一の記録層３１が形成される。第一の記録層３１も、第一の記録層３１の構成元素を含む化学種を用いた気相成長法によって形成することができる。
【００８９】
さらに、第一の記録層３１の表面上に、第一の誘電体層１５が形成される。第一の誘電体層１５もまた、第一の誘電体層１５の構成元素を含む化学種を用いた気相成長法によって、形成することができる。
【００９０】
最後に、第一の誘電体層１５の表面上に、光透過層１６が形成される。光透過層１６は、たとえば、粘度調整されたアクリル系の紫外線硬化性樹脂あるいはエポキシ系の紫外線硬化性樹脂を、スピンコーティング法などによって、第一の誘電体層１５の表面に塗布して、塗膜を形成し、紫外線を照射して、塗膜を硬化させることによって、形成することができる。
【００９１】
以上のようにして、光記録媒体１０が製造される。
【００９２】
以上のような構成を有する光記録媒体１０に、たとえば、以下のようにして、データが記録される。
【００９３】
まず、図１および図２（ａ）に示されるように、所定のパワーを有するレーザビームＬ１０が、光透過層１６を介して、第一の記録層３１および第二の記録層３２に照射される。
【００９４】
データを高い記録密度で、光記録媒体１０に記録するためには、４５０ｎｍ以下の波長を有するレーザビームＬ１０を、開口数ＮＡが０．７以上の対物レンズ（図示せず）を用いて、光記録媒体１０上に集束することが好ましく、λ／ＮＡ≦６４０ｎｍであることがより好ましい。
【００９５】
本実施態様においては、４０５ｎｍの波長を有するレーザビームＬ１０が、開口数が０．８５の対物レンズを用いて、光記録媒体１０上に集束される。
【００９６】
その結果、レーザビームＬ１０が照射された領域において、第一の記録層３１に主成分として含まれた元素と、第二の記録層３２に主成分として含まれた元素とが混合されて、図２（ｂ）に示されるように、第一の記録層３１に主成分として含まれた元素と、第二の記録層３２に主成分として含まれた元素とが混合された記録マークＭが形成され、光記録媒体１０にデータが記録される。
【００９７】
さらに、本実施態様においては、光透過層１６を介して、光記録媒体１０にレーザビームＬ１０が照射されると、レーザビームＬ１０が照射された領域において、第一の誘電体層１５および第二の誘電体層１３に含まれた誘電体材料が結晶化して、図２（ｂ）に示されるように、第一の誘電体層１５および第二の誘電体層１３中に、記録マークＭに隣接して、結晶化領域Ｍ’が形成される。
【００９８】
第一の記録層３１に主成分として含まれた元素と、第二の記録層３２に主成分として含まれた元素とを速やかに混合させて、記録マークＭを形成するとともに、第一の誘電体層１５および第二の誘電体層１３に含まれた誘電体材料を速やかに結晶化させて、結晶化領域Ｍ’を形成するためには、レーザビームＬ１０のパワーは、光透過層１６の表面で、１．５ｍＷ以上であることが好ましい。
【００９９】
このようにして形成された記録マークＭは、第一の記録層３１に主成分として含まれた元素と、第二の記録層３２に主成分として含まれた元素との混合物によって構成されているため、その反射率は、第一の記録層３１および第二の記録層３２の他の領域の反射率とは異なっており、記録マークＭの反射率と第一の記録層３１および第二の記録層３２の他の領域の反射率との差を利用して、光記録媒体１０に記録されたデータを再生することができる。しかしながら、記録マークＭの反射率と、第一の記録層３１および第二の記録層３２の他の領域の反射率との差が十分に大きくない場合には、高いＣ／Ｎ比を有する再生信号を得ることは困難である。
【０１００】
しかるに、本実施態様においては、第一の誘電体層１５および第二の誘電体層１３の記録マークＭに隣接する領域が、レーザビームＬ１０によって加えられた熱ならびに第一の記録層３１および第二の記録層３２から伝達された熱によって、結晶化し、第一の誘電体層１５および第二の誘電体層１３の他の領域とは、反射率が異なる結晶化領域Ｍ’が形成されるように構成されているから、記録マークＭおよび結晶化領域Ｍ’が形成された領域の反射率と、その他の領域の反射率との差が、全体として大きくなり、したがって、記録マークＭおよび結晶化領域Ｍ’が形成された領域の反射率と、その他の領域の反射率との差異を利用して、光記録媒体１０に記録されたデータを再生し、Ｃ／Ｎ比の高い再生信号を得ることが可能になるとともに、再生信号のジッターを低減させることが可能になる。
【０１０１】
光記録媒体１０に、レーザビームＬ１０を照射して、データを記録する場合には、記録パワーＰｗと基底パワーＰｂを含むパルス列パターンにしたがって、レーザビームＬ１０のパワーが変調される。
【０１０２】
本実施態様においては、光記録媒体１０に、レーザビームＬ１０を照射し、記録マークＭと結晶化領域Ｍ’を形成して、データを記録し、記録マークＭおよび結晶化領域Ｍ’が形成された領域の反射率と、その他の領域の反射率との差異を利用して、光記録媒体１０に記録されたデータを再生するように構成されているから、第一の誘電体層１５および第二の誘電体層１３に、所望のように、結晶化領域Ｍ’が形成されるように、データの記録線速度および第一の記録層３１および第二の記録層３２の熱伝導率に応じて、レーザビームＬ１０のパワーを変調するパルス列パターンが選択される。
【０１０３】
すなわち、記録線速度が高く、第一の記録層３１および第二の記録層３２の熱伝導率が高い場合には、第一の誘電体層１５および第二の誘電体層１３に加わる熱量が小さくなるため、第一の誘電体層１５および第二の誘電体層１３に加わる熱量が、できる限り、多くなるように、レーザビームＬ１０のパワーを変調するパルス列パターンが選択される。一方、記録線速度が低く、第一の記録層３１および第二の記録層３２の熱伝導率が低い場合には、第一の誘電体層１５および第二の誘電体層１３に加わる熱量が大きくなるため、第一の誘電体層１５および第二の誘電体層１３に加わる熱量が過大にならないように、レーザビームＬ１０のパワーを変調するパルス列パターンが選択される。
【０１０４】
図３は、単パルスパターンの波形を示す図であり、１，７ＲＬＬ変調方式における２Ｔ信号ないし８Ｔ信号を記録する場合を示している。
【０１０５】
図３に示される単パルスパターンは、記録線速度が高く、第一の記録層３１および第二の記録層３２の熱伝導率が高い場合に、レーザビームのパワーを変調するために、好ましく選択されるパルス列パターンである。
【０１０６】
図３に示されるように、単パルスパターンにおいては、形成すべき記録マークＭの長さに応じた幅を有する１つの記録パルスが用いられ、レーザビームのパワーは、ピークにおいて、記録パワーＰｗ１に設定され、その他の期間においては、基底パワーＰｂ１に設定される。
【０１０７】
記録パワーＰｗ１は、記録パワーＰｗ１のレーザビームの照射によって、第一の記録層３１に主成分として含まれる元素と、第２の記録層３２に主成分として含まれる元素が加熱されて、混合し、記録マークＭが形成されるとともに、記録マークＭに隣接する第一の誘電体層３１および第二の誘電体層３２の領域に、結晶化領域Ｍ’が形成されるような高いレベルに設定され、一方、基底パワーＰｂ１は、基底パワーＰｂ１のレーザビームが照射されても、第一の記録層３１に主成分として含まれる元素と、第２の記録層３２に主成分として含まれる元素が実質的に混合することがなく、第一の誘電体層３１および第二の誘電体層３２に、結晶化領域Ｍ’が形成されることがないような低いレベルに設定される。
【０１０８】
図３に示されるように、基底パワーＰｂ１は、再生パワーＰｒよりも高いレベルに設定されている。このように、基底パワーＰｂ１が、再生パワーＰｒよりも高いレベルに設定されているときは、基底パワーＰｂ１のレーザビームにより、トラック全体の温度を高めることができ、したがって、記録パワーＰｗ１のレベルをそれほど高いレベルに設定しなくても、記録マークＭおよび結晶化領域Ｍ’を形成することが可能になる。
【０１０９】
したがって、記録線速度が高く、第一の記録層３１および第二の記録層３２の熱伝導率が高い場合でも、図３に示された単パルスパターンを用いて、レーザビームのパワーを変調することによって、所望のように、第一の記録層３１に主成分として含まれる元素と、第２の記録層３２に主成分として含まれる元素と混合させて、記録マークＭを形成するとともに、記録マークＭに隣接する第一の誘電体層３１および第二の誘電体層３２の領域に、結晶化領域Ｍ’を形成することが可能になる。
【０１１０】
図４は、基本パルス列パターンの波形を示す図であり、図４（ａ）は、１，７ＲＬＬ変調方式における２Ｔ信号を形成する場合のパルス列パターンを示し、図４（ｂ）は、１，７ＲＬＬ変調方式における３Ｔ信号ないし８Ｔ信号を形成する場合のパルス列パターンを示している。
【０１１１】
図４に示される基本パルス列パターンは、記録線速度が低く、第一の記録層３１および第二の記録層３２の熱伝導率が低い場合に、レーザビームのパワーを変調するために、好ましく選択されるパルス列パターンである。
【０１１２】
図４（ａ）および図４（ｂ）に示されるように、基本パルス列パターンにおいては、記録マークＭを形成するための記録パルスが、（ｎ−１）個に分割され、レーザビームのパワーは、各分割パルスのピークにおいて、記録パワーＰｗ２に、その他の期間において、基底パワーＰｂ２に設定される。
【０１１３】
基本パルス列パターンを用いて、レーザビームのパワーを変調する場合には、記録線速度が低いときでも、第一の記録層３１および第二の記録層３２に加えられる熱量が過大になることを防止することができ、したがって、記録マークＭの幅が広くなって、クロストークが増大することを効果的に防止することが可能になる。
【０１１４】
記録パワーＰｗ２は、記録パワーＰｗ２のレーザビームの照射によって、第一の記録層３１に主成分として含まれる元素と、第２の記録層３２に主成分として含まれる元素が加熱されて、混合し、記録マークＭが形成されるとともに、記録マークＭに隣接する第一の誘電体層３１および第二の誘電体層３２の領域に、結晶化領域Ｍ’が形成されるような高いレベルに設定され、一方、基底パワーＰｂ２は、基底パワーＰｂ２のレーザビームが照射されても、第一の記録層３１に主成分として含まれる元素と、第２の記録層３２に主成分として含まれる元素が実質的に混合することがなく、第一の誘電体層３１および第二の誘電体層３２に、結晶化領域Ｍ’が形成されることがないような低いレベルに設定される。
【０１１５】
図４（ａ）および図４（ｂ）に示されるように、基底パワーＰｂ２は、再生パワーＰｒよりも高いレベルに設定されている。このように、基底パワーＰｂ２が、再生パワーＰｒよりも高いレベルに設定されているときは、基底パワーＰｂ２のレーザビームにより、トラック全体の温度を高めることができ、したがって、記録パワーＰｗ２のレベルをそれほど高いレベルに設定しなくても、記録マークＭおよび結晶化領域Ｍ’を形成することが可能になる。
【０１１６】
したがって、記録線速度が低く、第一の記録層３１および第二の記録層３２の熱伝導率がいくい場合には、図４（ａ）および図４（ｂ）に示された基本パルス列パターンを用いて、レーザビームのパワーを変調することによって、クロストークの増大を防止しつつ、所望のように、第一の記録層３１に主成分として含まれる元素と、第２の記録層３２に主成分として含まれる元素と混合させて、記録マークＭを形成するとともに、記録マークＭに隣接する第一の誘電体層３１および第二の誘電体層３２の領域に、結晶化領域Ｍ’を形成することが可能になる。
【０１１７】
図５は、光記録媒体１０に、データを記録するデータ記録装置のブロックダイアグラムである。
【０１１８】
図５に示されるように、データ記録装置５０は、光記録媒体１０を回転させるためのスピンドルモータ５２と、光記録媒体１０に、レーザビームを照射するとともに、光記録媒体１０によって、反射された光を受光するヘッド５３と、スピンドルモータ５２およびヘッド５３の動作を制御するコントローラ５４と、ヘッド５３に、レーザ駆動信号を供給するレーザ駆動回路５５と、ヘッド５３に、レンズ駆動信号を供給するレンズ駆動回路５６とを備えている。
【０１１９】
図５に示されるように、コントローラ５４は、フォーカスサーボ回路５７、トラッキングサーボ回路５８およびレーザコントロール回路５９を備えている。
【０１２０】
フォーカスサーボ回路５７が活性化すると、回転している光記録媒体１０の第一の記録層３１に、レーザビームＬ１０がフォーカスされ、トラッキングサーボ回路５８が活性化すると、光記録媒体１０のトラックに対して、レーザビームのスポットが自動追従状態となる。
【０１２１】
図５に示されるように、フォーカスサーボ回路５７およびトラッキングサーボ回路５８は、それぞれ、フォーカスゲインを自動調整するためのオートゲインコントロール機能およびトラッキングゲインを自動調整するためのオートゲインコントロール機能を有している。
【０１２２】
また、レーザコントロール回路５９は、レーザ駆動回路５５により供給されるレーザ駆動信号を生成する回路である。
【０１２３】
本実施態様においては、上述した単パルスパターンあるいは基本パルス列パターンを特定するためのデータが、データを記録する際に必要な記録線速度などの種々の記録条件を特定するためのデータとともに、記録条件設定用データとして、光記録媒体１０に、ウォブルやプレピットとして記録されている。
【０１２４】
したがって、レーザコントロール回路５９は、光記録媒体１０にデータを記録するのに先立って、光記録媒体１０に記録された記録条件設定用データを読み出し、読み出した記録条件設定用データに基づいて、単パルスパターンあるいは基本パルス列パターンを選択し、レーザ駆動信号を生成し、レーザ駆動回路５５からヘッド５３に出力させる。
【０１２５】
こうして、所望のパルス列パターンにしたがって、パワーが変調されたレーザビームＬ１０によって、光記録媒体１０にデータが記録される。
【０１２６】
本実施態様によれば、レーザビームＬ１０を光記録媒体１０に照射して、光記録媒体１０にデータを記録するときに、第一の記録層３１に主成分として含まれた元素と、第二の記録層３２に主成分として含まれた元素とを混合させて、記録マークＭを形成するとともに、記録マークＭに隣接する第一の誘電体層１５および第二の誘電体層１３の領域に、結晶化領域Ｍ’を形成するように構成されているから、記録マークＭおよび結晶化領域Ｍ’が形成された領域の反射率と、その他の領域の反射率との差を、全体として大きくするこおｔができ、したがって、記録マークＭおよび結晶化領域Ｍ’が形成された領域の反射率と、その他の領域の反射率との差異を利用して、光記録媒体１０に記録されたデータを再生し、Ｃ／Ｎ比の高い再生信号を得ることが可能になるとともに、再生信号のジッターを低減させることが可能になる。
【０１２７】
【実施例】
以下、本発明の効果をより明瞭なものとするため、実施例を掲げる。
【０１２８】
実施例１
以下のようにして、図１に示される光記録媒体１と同様の構成を有する光記録媒体サンプル＃１を作製した。
【０１２９】
すなわち、まず、厚さ１．１ｍｍ、直径１２０ｍｍのポリカーボネート基板をスパッタリング装置にセットし、次いで、ポリカーボネート基板上に、Ａｇを主成分として含み、１００ｎｍの層厚を有する反射層、ＺｎＳとＳｉＯ２の混合物を含み、２８ｎｍの層厚を有する第二の誘電体層、Ｃｕを主成分とし、２１原子％のＭｇが添加された５ｎｍの層厚を有する第二の記録層、Ｓｉを主成分として含み、５ｎｍの層厚を有する第一の記録層、ＺｎＳとＳｉＯ２の混合物を含み、２２ｎｍの層厚を有する第一の誘電体層を、順次、スパッタリング法によって、形成した。
【０１３０】
第一の誘電体層および第二の誘電体層に含まれたＺｎＳとＳｉＯ２の混合物中のＺｎＳとＳｉＯ２のモル比率は、８０：２０であった。
【０１３１】
さらに、第一の誘電体層上に、アクリル系紫外線硬化性樹脂を、スピンコーティング法によって、塗布して、塗布層を形成し、塗布層に紫外線を照射して、アクリル系紫外線硬化性樹脂を硬化させ、１００μｍの層厚を有する光透過層を形成した。
【０１３２】
Ｍｇに代えて、１７原子％のＡｌを添加して、第二の記録層を形成した点を除いて、光記録媒体サンプル＃１と同様にして、光記録媒体サンプル＃２を作製した。
【０１３３】
こうして作製した光記録媒体サンプル＃１および＃２を、それぞれ、パルステック工業株式会社製の光記録媒体評価装置「ＤＤＵ１０００」（商品名）にセットし、次いで、波長が４０５ｎｍの青色レーザ光を、記録用レーザ光として用い、ＮＡ（開口数）が０．８５の対物レンズを用いて、レーザ光を、光透過層を介して、集光し、下記の記録条件で、データを記録した。
【０１３４】
変調方式：（１，７）ＲＬＬ
チャンネルビット長：０．１２μｍ
記録線速度：５．３ｍ／秒
チャンネルクロック：６６ＭＨｚ
記録信号：８Ｔ信号
レーザビームのパワーは、図４に示される基本パルス列パターンを用いて、変調した。パルス幅は０．５Ｔに設定し、基底パワーＰｂ２は０．１ｍＷ、記録パワーＰｗ２は５．０ｍＷに設定した。
【０１３５】
フォーマット効率を８０％とした場合のデータ転送レートは約３５Ｍｂｐｓであった。
【０１３６】
次いで、上述の光媒体評価装置を用いて、各光記録媒体に記録されたデータを再生し、再生信号のＣ／Ｎ比およびクロックジッターを測定した。クロックジッターは、タイムインターバルアナライザにより、再生信号の「ゆらぎ（σ）」を求め、σ／Ｔｗにより算出した。ここに、Ｔｗはクロックの１周期である。
【０１３７】
測定結果は、表１に示されている。
【０１３８】
【表１】
2004158167.tif 000003
表１に示されるように、光記録媒体サンプル＃１および＃２においては、きわめて高いＣ／Ｎ比を有する再生信号を得ることができ、クロックジッターもきわめて低くなることが判明した。
【０１３９】
次いで、光記録媒体サンプル＃１および＃２のそれぞれの第一の記録層および第二の記録層を、オージェ分析装置を用いて、観察し、第一の誘電体層および第二の誘電体層を、透過形電子顕微鏡を用いて、観察した。
【０１４０】
その結果、いずれのサンプルにおいても、記録マークＭが形成されている領域では、第一の記録層および第二の記録層の材料が混合し、ブランク領域では、第一の記録層および第二の記録層の材料の混合は認められなかった。
【０１４１】
一方、光記録媒体サンプル＃１および＃２においては、記録マークに隣接する第一の誘電体層および第二の誘電体層の領域に、ＺｎＳの結晶が観察された。
【０１４２】
したがって、光記録媒体サンプル＃１および＃２において、優れた特性を有する再生信号が得られたのは、記録マークに隣接する第一の誘電体層および第二の誘電体層の領域が結晶化されたためであることが確認された。
【０１４３】
実施例２
Ａｌを主成分として含み、１７原子％のＭｇを添加して、第二の記録層を形成した点を除き、光記録媒体サンプル＃１と同様にして、光記録媒体サンプル＃３を作製した。
【０１４４】
実施例１と同様にして、光記録媒体サンプル＃３にデータを記録し、第一の記録層および第二の記録層ならびに第一の誘電体層および第二の誘電体層を観察した。
【０１４５】
その結果、記録マークＭが形成されている領域では、第一の記録層および第二の記録層の材料が混合し、ブランク領域では、第一の記録層および第二の記録層の材料の混合は認められなかった。
【０１４６】
また、記録マークに隣接する第一の誘電体層および第二の誘電体層の領域に、ＺｎＳの結晶が観察された。
【０１４７】
したがって、第二の記録層が、Ａｌを主成分として含んでいる場合にも、第二の記録層が、Ｃｕを主成分として含んでいる場合と同様の結果が得られることがわかった。
【０１４８】
実施例３
Ｃｕを主成分として含み、２３原子％のＡｌおよび１２．８原子％のＡｕを添加して、第二の記録層を形成した点を除き、光記録媒体サンプル＃１と同様にして、光記録媒体サンプル＃４を作製した。
【０１４９】
実施例１で用いた光記録媒体評価装置を用いて、図３に示された単パルスパターンにしたがって、レーザビームのパワーを変調し、光記録媒体サンプル＃４にデータを記録した。
【０１５０】
単パルスパターンの基底パワーＰｂ１は０．１ｍＷに設定し、記録パワーＰｗ１は３．８ｍＷに設定した。
【０１５１】
その他の記録条件としては、実施例１と同様の記録条件を用いた。
【０１５２】
同様にして、図４に示された基本パルス列パターンにしたがって、レーザビームのパワーを変調し、光記録媒体サンプル＃４にデータを記録した。
【０１５３】
ここに、基本パルス列パターンのパルス幅は０．３Ｔに設定し、基底パワーＰｂ２は０．１ｍＷに、記録パワーＰｗ２は５．０ｍＷに設定した。
【０１５４】
次いで、実施例１と同様にして、光記録媒体サンプル＃４に記録されたデータを再生し、再生信号のＣ／Ｎ比およびクロックジッターを求めた。
【０１５５】
測定結果は、表２に示されている。
【０１５６】
【表２】
2004158167.tif 000004
表２に示されるように、単パルスパターンを用いて、レーザビームのパワーを変調した場合の方が、基本パルス列パターンを用いて、レーザビームのパワーを変調した場合よりも、再生信号のＣ／Ｎ比が高くなり、クロックジッターが低下することが判明した。
【０１５７】
さらに、実施例１と同様にして、単パルスパターンにしたがって、パワーが変調されたレーザビームを用いて、データを記録した場合および基本パルス列パターンにしたがって、パワーが変調されたレーザビームを用いて、データを記録した場合のそれぞれにつき、光記録媒体サンプル＃４の第一の記録層および第二の記録層ならびに第一の誘電体層および第二の誘電体層を観察した。
【０１５８】
その結果、いずれの場合においても、記録マークＭが形成されている領域では、第一の記録層および第二の記録層の材料が混合し、ブランク領域では、第一の記録層および第二の記録層の材料の混合は認められなかった。
【０１５９】
一方、単パルスパターンにしたがって、パワーが変調されたレーザビームを用いて、データを記録した場合には、記録マークに隣接する第一の誘電体層および第二の誘電体層の領域に、ＺｎＳの結晶が観察されたが、基本パルス列パターンにしたがって、パワーが変調されたレーザビームを用いて、データを記録した場合には、記録マークに隣接する第一の誘電体層および第二の誘電体層の領域に、結晶は観察されなかった。
【０１６０】
したがって、単パルスパターンにしたがって、パワーが変調されたレーザビームを用いて、データを記録し、記録されたデータを再生した場合の再生信号の特性と、基本パルス列パターンにしたがって、パワーが変調されたレーザビームを用いて、データを記録し、記録されたデータを再生した場合の再生信号の特性との差が、記録マークに隣接する第一の誘電体層および第二の誘電体層の領域が結晶化されたかどうかによって、生じたものであることが確認された。
【０１６１】
これは、単パルスパターンにしたがって、パワーが変調されたレーザビームを用いて、データを記録する場合には、基本パルス列パターンにしたがって、パワーが変調されたレーザビームを用いて、データを記録する場合に比して、第一の記録層および第二の記録層に加わる熱量が高くなり、第一の誘電体層および第二の誘電体層の温度が高くなるためと推測される。
【０１６２】
実施例４
以下のようにして、光記録媒体サンプル＃５を作製した。
【０１６３】
すなわち、まず、厚さ１．１ｍｍ、直径１２０ｍｍのポリカーボネート基板をスパッタリング装置にセットし、次いで、ポリカーボネート基板上に、Ａｇを主成分として含み、１００ｎｍの層厚を有する反射層、ＺｎＳとＳｉＯ２の混合物を含み、３０ｎｍの層厚を有する第二の誘電体層、Ｓｎを主成分として含み、３ｎｍの層厚を有する記録層およびＺｎＳとＳｉＯ２の混合物を含み、３０ｎｍの層厚を有する第一の誘電体層を、順次、スパッタリング法によって、形成した。
【０１６４】
第一の誘電体層および第二の誘電体層に含まれたＺｎＳとＳｉＯ２の混合物中のＺｎＳとＳｉＯ２のモル比率は、８０：２０であった。
【０１６５】
さらに、第一の誘電体層上に、アクリル系紫外線硬化性樹脂を、スピンコーティング法によって、塗布して、塗布層を形成し、塗布層に紫外線を照射して、アクリル系紫外線硬化性樹脂を硬化させ、１００μｍの層厚を有する光透過層を形成した。
【０１６６】
実施例１で用いた光記録媒体評価装置を用いて、図４に示された基本パルス列パターンにしたがって、レーザビームのパワーを変調し、光記録媒体サンプル＃５にデータを記録した。
【０１６７】
ここに、基本パルス列パターンのパルス幅は０．６Ｔに設定し、基底パワーＰｂ２は０．１ｍＷに、記録パワーＰｗ２は９．０ｍＷに設定した。
【０１６８】
その他の記録条件としては、実施例１と同様の記録条件を用いた。
【０１６９】
さらに、実施例１と同様にして、光記録媒体サンプル＃５の第一の誘電体層および第二の誘電体層を観察した。
【０１７０】
その結果、記録パワーＰｗ２のレーザビームを照射した記録層の領域に隣接する第一の誘電体層および第二の誘電体層の領域に、ＺｎＳの結晶が観察された。
【０１７１】
実施例５
以下のようにして、光記録媒体サンプル＃６を作製した。
【０１７２】
すなわち、まず、厚さ１．１ｍｍ、直径１２０ｍｍのポリカーボネート基板をスパッタリング装置にセットし、次いで、ポリカーボネート基板上に、ＺｎＳとＳｉＯ２の混合物を含み、１００ｎｍの層厚を有する第二の誘電体層、Ｓｎを主成分として含み、３．５ｎｍの層厚を有する記録層およびＺｎＳとＳｉＯ２の混合物を含み、８０ｎｍの層厚を有する第一の誘電体層を、順次、スパッタリング法によって、形成した。
【０１７３】
第一の誘電体層および第二の誘電体層に含まれたＺｎＳとＳｉＯ２の混合物中のＺｎＳとＳｉＯ２のモル比率は、８０：２０であった。
【０１７４】
さらに、第一の誘電体層上に、アクリル系紫外線硬化性樹脂を、スピンコーティング法によって、塗布して、塗布層を形成し、塗布層に紫外線を照射して、アクリル系紫外線硬化性樹脂を硬化させ、１００μｍの層厚を有する光透過層を形成した。
【０１７５】
実施例１で用いた光記録媒体評価装置を用いて、図４に示された基本パルス列パターンにしたがって、レーザビームのパワーを変調し、光記録媒体サンプル＃６にデータを記録した。
【０１７６】
ここに、基本パルス列パターンのパルス幅は０．６Ｔに設定し、基底パワーＰｂ２は０．１ｍＷに、記録パワーＰｗ２は８．０ｍＷに設定した。
【０１７７】
その他の記録条件としては、実施例１と同様の記録条件を用いた。
【０１７８】
さらに、実施例１と同様にして、光記録媒体サンプル＃６の第一の誘電体層および第二の誘電体層を観察した。
【０１７９】
その結果、記録パワーＰｗ２のレーザビームを照射した記録層の領域に隣接する第一の誘電体層および第二の誘電体層の領域に、ＺｎＳの結晶が観察された。
【０１８０】
実施例６
以下のようにして、光記録媒体サンプル＃７を作製した。
【０１８１】
すなわち、まず、厚さ１．１ｍｍ、直径１２０ｍｍのポリカーボネート基板をスパッタリング装置にセットし、次いで、ポリカーボネート基板上に、ＺｎＳとＳｉＯ２の混合物を含み、６０ｎｍの層厚を有する誘電体層およびＳｎを主成分として含み、６ｎｍの層厚を有する記録層を、順次、スパッタリング法によって、形成した。
【０１８２】
誘電体層に含まれたＺｎＳとＳｉＯ２の混合物中のＺｎＳとＳｉＯ２のモル比率は、８０：２０であった。
【０１８３】
さらに、記録層上に、アクリル系紫外線硬化性樹脂を、スピンコーティング法によって、塗布して、塗布層を形成し、塗布層に紫外線を照射して、アクリル系紫外線硬化性樹脂を硬化させ、１００μｍの層厚を有する光透過層を形成した。
【０１８４】
実施例１で用いた光記録媒体評価装置を用いて、図４に示された基本パルス列パターンにしたがって、レーザビームのパワーを変調し、光記録媒体サンプル＃７にデータを記録した。
【０１８５】
ここに、基本パルス列パターンのパルス幅は０．６Ｔに設定し、基底パワーＰｂ２は０．１ｍＷに、記録パワーＰｗ２は７．０ｍＷに設定した。
【０１８６】
その他の記録条件としては、実施例１と同様の記録条件を用いた。
【０１８７】
さらに、実施例１と同様にして、光記録媒体サンプル＃７の誘電体層を観察した。
【０１８８】
その結果、記録パワーＰｗ２のレーザビームを照射した記録層の領域に隣接する誘電体層の領域に、ＺｎＳの結晶が観察された。
【０１８９】
実施例７
以下のようにして、光記録媒体サンプル＃８を作製した。
【０１９０】
すなわち、まず、厚さ１．１ｍｍ、直径１２０ｍｍのポリカーボネート基板をスパッタリング装置にセットし、次いで、ポリカーボネート基板上に、ＺｎＳとＳｉＯ２の混合物を含み、２０ｎｍの層厚を有する第二の誘電体層、Ｔｉを主成分として含み、１０ｎｍの層厚を有する記録層およびＺｎＳとＳｉＯ２の混合物を含み、２０ｎｍの層厚を有する第一の誘電体層を、順次、スパッタリング法によって、形成した。
【０１９１】
第一の誘電体層および第二の誘電体層に含まれたＺｎＳとＳｉＯ２の混合物中のＺｎＳとＳｉＯ２のモル比率は、８０：２０であった。
【０１９２】
さらに、第一の誘電体層上に、アクリル系紫外線硬化性樹脂を、スピンコーティング法によって、塗布して、塗布層を形成し、塗布層に紫外線を照射して、アクリル系紫外線硬化性樹脂を硬化させ、１００μｍの層厚を有する光透過層を形成した。
【０１９３】
実施例１で用いた光記録媒体評価装置を用いて、図４に示された基本パルス列パターンにしたがって、レーザビームのパワーを変調し、光記録媒体サンプル＃８にデータを記録した。
【０１９４】
ここに、基本パルス列パターンのパルス幅は０．６Ｔに設定し、基底パワーＰｂ２は０．１ｍＷに、記録パワーＰｗ２は１０．０ｍＷに設定した。
【０１９５】
その他の記録条件としては、実施例１と同様の記録条件を用いた。
【０１９６】
さらに、実施例１と同様にして、光記録媒体サンプル＃８の第一の誘電体層および第二の誘電体層を観察した。
【０１９７】
その結果、記録パワーＰｗ２のレーザビームを照射した記録層の領域に隣接する第一の誘電体層および第二の誘電体層の領域に、ＺｎＳの結晶が観察された。
【０１９８】
本発明は、以上の実施態様および実施例に限定されることなく、特許請求の範囲に記載された発明の範囲内で種々の変更が可能であり、それらも本発明の範囲内に包含されるものであることはいうまでもない。
【０１９９】
たとえば、前記実施態様においては、光記録媒体１０は、第一の記録層３１および第二の記録層３２を備えているが、光記録媒体が二層の記録層３１、３２を備えていることは必ずしも必要でなく、本発明は、単層の記録層を備えた光記録媒体にも広く適用することができる。
【０２００】
さらに、前記実施態様においては、第一の記録層３１と第二の記録層３２が、互いに接触するように形成されているが、第二の記録層３２は、レーザ光の照射を受けたときに、第一の記録層３１に主成分として含まれている元素と、第二の記録層１２に主成分として含まれている元素とが混合した領域が形成されるように、第一の記録層３１の近傍に配置されていればよく、第一の記録層３１と第二の記録層３２が、互いに接触するように形成されていることは必ずしも必要でなく、第一の記録層３１と第二の記録層３２の間に、誘電体層などの一または二以上の他の層が介在していてもよい。
【０２０１】
また、前記実施態様においては、光記録媒体１０は、第一の記録層３１および第二の記録層３２を備えているが、第一の記録層３１および第二の記録層３２に加えて、第一の記録層３１に主成分として含まれている元素を主成分として含む一もしくは二以上の記録層または第二の記録層３２に主成分として含まれている元素を主成分として含む一もしくは二以上の記録層を備えていてもよい。
【０２０２】
さらに、前記実施態様においては、光記録媒体１０は、第一の誘電体層１５および第二の誘電体層１３を備え、第一の記録層３１および第二の記録層３２が、第一の誘電体層１５および第二の誘電体層１３の間に配置されているが、光記録媒体１０が、第一の誘電体層１５および第二の誘電体層１３を備えていることは必ずしも必要でなく、単一の誘電体層を有していてもよく、その場合には、誘電体層は、第一の記録層３１および第二の記録層３２に対して、基板１１側に配置されていても、あるいは、光透過層１６側に配置されていてもよい。
【０２０３】
また、前記実施例においては、第一の記録層と第二の記録層は、同じ厚さを有するように形成されているが、第一の記録層と第二の記録層を、同じ厚さを有するように形成することは必ずしも必要でない。
【０２０４】
さらに、前記実施態様においては、第一の記録層３１が光透過層１６側に配置され、第二の記録層３２が基板１１側に配置されているが、第一の記録層３１を基板１１側に配置し、第二の記録層３２を光透過層１６側に配置することもできる。
【０２０５】
また、前記実施態様においては、結晶化領域Ｍ’が、記録マークＭに接する第一の誘電体層１５および第二の誘電体層１３の全領域に形成されているが、結晶化領域Ｍ’が、記録マークＭに接する第一の誘電体層１５および第二の誘電体層１３の全領域に形成されることは必ずしも必要でなく、結晶化領域Ｍ’が、第一の誘電体層１５あるいは第二の誘電体層１３の記録マークに接する領域の少なくとも一部に形成されればよい。
【０２０６】
さらに、前記実施態様および前記実施例においては、従来の光記録媒体に比べて大きな出力信号を得ることが困難であり、本発明が最も効果的に適用される次世代型の光記録媒体にデータを記録する場合につき、説明を加えたが、本発明は、次世代型の光記録媒体に限定されるものではなく、追記型光記録媒体に、広く適用することができる。
【０２０７】
【発明の効果】
本発明によれば、良好な信号特性を有する信号を再生することができる光記録媒体を提供することが可能になる。
【０２０８】
また、本発明によれば、良好な信号特性を有する信号を再生することが可能なように、光記録媒体にデータを記録する光記録媒体へのデータ記録方法を提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は、本発明の好ましい実施態様にかかる光記録媒体１０の構造を示す略断面図である。
【図２】図２（ａ）は、図１に示された光記録媒体の一部拡大略断面図であり、図２（ｂ）は、データが記録された後の光記録媒体の一部拡大略断面図である。
【図３】図３は、単パルスパターンを示す波形図である。
【図４】図４は、基本パルス列パターンを示す図であり、図４（ａ）は、（１，７）ＲＬＬ変調方式における２Ｔのデータに対応する混合領域Ｍを形成する場合のパルス列パターンを示し、図４（ｂ）は、（１，７）ＲＬＬ変調方式における３Ｔないし８Ｔのデータに対応する混合領域Ｍを形成する場合のパルス列パターンを示している。
【図５】図５は、データ記録装置のブロック図である。
【符号の説明】
１０  光記録媒体
１１  基板
１１ａ  ランド
１１ｂ  グルーブ
１２  反射層
１３  第二の誘電体層
１４  記録層
１５  第一の誘電体層
１６  光透過層
１７  孔
３１，３２  反応層
５０  データ記録装置
５２  スピンドルモータ
５３  ヘッド
５４  コントローラ
５５  レーザ駆動回路
５６  レンズ駆動回路
５７  フォーカスサーボ回路
５８  トラッキングサーボ回路
５９  レーザコントロール回路
Ｌ１０  レーザビーム
Ｍ  記録マーク
Ｍ’  結晶化領域
【図１】
2004158167.tif 000005
【図２】
2004158167.tif 000006
【図３】
2004158167.tif 000007
【図４】
2004158167.tif 000008
【図５】
2004158167.tif 000009