(57)【要約】【課題】専用のセンサー等の追加を必要とせず、保護ダイオードの特性の温度変化及びプリント基板の電気的特性、温度変化、ロット変動の影響を受けない簡単な検出方法を求める。【解決手段】ディジタルＩＣの電気的特性が揃っているライングループ、例えばバスラインに着目して、共通電源ライン５１、共通ＧＮＤライン５２の片方又はそれぞれとバスラインを構成する各ラインとの間に定電圧を印加して電流値を測定し、または各ラインの静電容量値を測定して、バスラインを構成する各ラインの電流値または静電容量値を互いに比較することによってディジタルＩＣのリード半田付け不良を検出する。【選択図】　　　　図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
回路基板に実装されたディジタルＩＣの半田付けの不良を検出する不良検出方法において、
複数のディジタルＩＣを構成するバスライン等の電気的特性が揃っているライングループの各構成ラインと、共通電源ラインまたは共通ＧＮＤライン、または両方との間に定電圧を印加し、測定された各ライン毎の電流値または電流値より計算される値から平均値を求め、各ライン毎の測定値と平均値とを比較することによって半田付け不良を検出するようにしたことを特徴とするディジタルＩＣのリード半田付け不良検出方法。
【請求項２】
個々のラインの接続が一様でなく、そのために電気的特性が揃っていない場合においては、ある特定の温度による電流値と測定電流値から求められる温度変化率をもって、各ライン毎の測定値とし、それらより計算した平均値と測定値を比較することによって半田付け不良を検出するようにしたことを特徴とするディジタルＩＣのリード半田付け不良検出方法。
【請求項３】
回路基板に実装されたディジタルＩＣの半田付け不良検出方法において、
複数のディジタルＩＣを構成するバスライン等の電気的特性が揃っているライングループの各構成ラインと、共通電源ラインまたは共通ＧＮＤラインとの間の静電容量値を測定し、各ライン毎の静電容量値から平均値を求め、各ライン毎の測定値と平均値とを比較することによって半田付け不良を検出するようにしたことを特徴とするディジタルＩＣのリード半田付け不良検出方法。
【請求項４】
個々のラインの接続が一様でなく、そのために電気的特性が揃っていない場合においては、ある特定の温度における特定の基板の静電容量値と測定静電容量値から求められる温度変化率をもって、各ライン毎の測定値とし、それらより計算した平均値と測定値とを比較することによって半田付け不良を検出するようにしたことを特徴とするディジタルＩＣのリード半田付け不良検出方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、実装回路基板の検査方法に係わり、特に、実装ＩＣにおけるリードの回路基板パターンへの半田付け不良を検出する検査方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
実装回路基板のＩＣリードの半田付け不良検査は、インサーキット・テスタ等によって行われる。インサーキット・テスタでは、実装回路基板上の種々の実装部品を検査するために、スプリングを内蔵したプローブピンを回路基板上のパターンに接触させ、部品常数を測定することにより部品の実装状態を検査する。
さらに、ＩＣリードの半田付け不良の検出を行う場合には、当該ＩＣの上部に設置した金属プレートとＩＣのリード・フレームとの間の静電容量値をプリント・パターン基板のパターンを通して測定する方法がある（例えば、特許文献１参照）。
また、定電圧源よりＩＣ内部の保護ダイオードに電流を流して電流を測定し、良品基板の電流と比較する方法がある（例えば、特許文献２参照）。
さらに、特定ラインの静電容量値を測定し、良品基板の静電容量値と比較する方法がある（例えば、特許文献３参照）。
【０００３】
【特許文献１】特開平６−３４７１４号公報
【特許文献２】特開平７−２１８５８０号公報
【特許文献３】特開平７−２１８５７３号公報
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
特許文献１に記載のインサーキット・テスタにおいては、プローブピン以外に専用のセンサーを追加設置して検査する必要があるので、センサー費用、治具加工費用により治具の価格上昇が避けられない。
また、特許文献２に記載のディジタルＩＣのインサーキット・テスタによる足浮き及びブリッジ半田検出方法においては、良品基板との単純比較では、良品基板測定時の周囲温度と検査時の周囲温度が異なることが通常であり、保護ダイオードを流れる電流が温度の変化により大きく変動するので、良否判定は非常に難しい。
さらに、特許文献３に記載の特定ラインの静電容量値を測定し、良品基板の静電容量値と比較する方法においては、良品基板との単純比較では良品基板測定時の周囲温度と検査時の周囲温度が異なることが通常であり、ＩＣの入力静電容量値及びプリント基板パターンの静電容量値は、温度変化によって変動するばかりでなく、製造ロットにより変動するので、単純比較では良否判定は非常に難しい。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上述した従来技術の問題点を解決するためになされたものであって、電気的特性が揃っているＩＣの端子グループ、例えば、ディジタルＩＣのバスライン等において、電流値測定方法では、そのライングループを構成する個々の各ラインのＩＣ内部の保護ダイオードに電流を流し、流れる電流値を相互に比較し、他と大きく異なった値となっているラインを検出することにより、そのラインに接続されているＩＣのリード半田付け不良を検出する
次に、静電容量値測定方法では、そのライングループを構成する個々の各ラインのＧＮＤパターン又は電源パターンに対する静電容量値を各ライン相互に比較し、他と大きく異なった値となっているラインを検出することにより、そのラインに接続されているＩＣのリード半田付け不良を検出する。
【０００６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に係わるグループ構成ラインの電流比較によるＩＣリードの半田付け不良検出方法及び静電容量値比較による不良検出方法を図面を参照しながら説明する。
図１は、対象となるディジタルＩＣを構成するバスラインの回路接続図であり、各ラインの電流測定方法を示す説明図を兼ねている。
また、図２は、静電容量値比較による不良検出方法を示す説明図である。
【０００７】
図１及び図２において、検査対象の回路基板に実装されたディジタルＩＣ１０，２０，３０は、バスライン４１〜４８を介して相互に接続されており、また、共通電源ライン５１と共通ＧＮＤライン５２もディジタルＩＣ１０，２０，３０に共通のラインを構成している。
ディジタルＩＣ１０を構成するバスライン４１を例にとると、バスライン４１は直列接続した２つのＩＣ内蔵保護ダイオード１１と１２の中間接続点に接続されている。
ディジタルＩＣ２０と３０においても、それぞれのＩＣ内蔵保護ダイオード２１と２２、および３１と３２の中間接続点にバスライン４１が接続されている。
その他のバスライン４２〜４８についても、同様な接続関係が存在している。
【０００８】
本発明は、ディジタルＩＣ回路における電気的特性が揃っているライングループ間の接続関係に着目して、各ラインの電流測定を行ってＩＣリードの半田付けの不良を検出するものである。
図１は、３個のディジタルＩＣにおけるＩＣリードの半田付け不良検出を行う実施例を示しており、定電圧源６２と電流計６１および３個のプローブピン７１，７２，７３を用いて３個のディジタルＩＣ１０，２０，３０におけるＩＣリードの半田付け不良を検出する説明図である。
【０００９】
検査対象の回路基板に実装されているディジタルＩＣ１０，２０，３０をバスライン４１〜４８によって接続してある状態において、共通電源ライン５１、共通ＧＮＤライン５２の片方又はそれぞれと、バスラインを構成する各ラインとの間に定電圧源６２より定電圧を印加してディジタルＩＣ１０，２０，３０それぞれのＩＣ内部の保護ダイオードに電流を流し、電流計６１によりその電流値を測定して、その値を記憶する。
この電流測定をバスラインを構成する全てのライン４１〜４８で行い、得られた電流値を互いに比較する。
比較する電流値は、短時間測定（数ｍｓ／ライン）により同一温度環境下での測定となるので、周囲温度の変化の影響を受けない。
【００１０】
図２は、図１と同じく３個のディジタルＩＣにおけるＩＣリード半田付け不良検出を各ラインの静電容量値を測定して行う実施例を示しており、交流定電圧源８２と交流電流計８１、測定共通ライン切替スイッチ９１、及び３個のプローブピン７１，７２，７３を用いて、３個のディジタルＩＣ１０，２０，３０におけるＩＣリードの半田付け不良を検出する説明図である。
【００１１】
検査対象の回路基板に実装されているディジタルＩＣ１０，２０，３０をバスライン４１〜４８によって接続してある状態において、共通電源ライン５１、共通ＧＮＤライン５２の片方又はそれぞれと、バスラインを構成する各ラインとの間に交流定電圧源８２より交流電圧を印加して、交流電流計８１によりその電流値を測定して、その測定した値より静電容量値を計算して記憶する。
静電容量値は、プリント基板パターンの浮遊容量値と、そのパターンに接続された各ＩＣの入力静電容量値の合成値である。
この静電容量測定をバスラインを構成する全てのライン４１〜４８で行い、得られた静電容量値を互いに比較する。
【００１２】
比較方法は、平均値を算出して平均値との差の比較により行い、平均値との差が予め設定した閾値を越えた場合に不良と判定する。その際の平均値算出は、不良値も含まれることが予想されるので、最小値と最大値を除いて計算すると不良検出精度が向上する。
【００１３】
また、バスラインの中でも、アドレスバスの下位ビットや上位ビットのように、接続が一様でないラインがあり、これらでは各ラインの電気的特性が揃っていない場合がある。その場合においては、前述の電流測定方法及び静電容量測定方法と同じ方法により、ある特定の温度下での電流値または静電容量値を予め測定しておき、その値と測定電流値から求められる温度変化率を各ライン毎に計算し、それを測定値として記憶する。不良判定方法は、前述と同じ平均値を計算しての判定方法により行う。
この温度変化率の比較方法では、特に対象がバスラインでなくても、電気的特性が大きく異なっていない場合においては一般のディジタルの接続ラインにも応用可能である。
【００１４】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明に係わるディジタルＩＣのリード半田付け不良検出方法によると、専用のセンサー等の追加の必要がないので治具のコスト上昇とならず、また、保護ダイオードの電流の温度変化及びプリント基板の電気的特性の温度変化、ロット変動の影響を受けないので、安定した不良検出が行える。
【図面の簡単な説明】
【図１】各ラインの電流を測定する方法を示す説明図。
【図２】各ラインの静電容量値を測定する方法を示す説明図。
【符号の説明】
１０，２０，３０　ディジタルＩＣ
１１，１２，２１，２２，３１，３２　ＩＣ内蔵の保護ダイオード
４１〜４８　バスライン
５１　共通電源ライン
５２　共通ＧＮＤライン
６１　電流計
６２　定電圧源
７１〜７３　プローブピン
８１　交流電流計
８２　交流定電圧源
９１　測定共通ライン切替スイッチ
【図１】
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【図２】
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