(57)【要約】【課題】  低ＯＦＦ電流特性を有し、かつ高速動作が可能な薄膜トランジスタを提供する。【解決手段】  ガラス基板上に非晶質珪素膜を形成し、珪素の結晶化を助長する金属元素を前記非晶質珪素膜に添加し、前記非晶質珪素膜を結晶性珪素膜にし、前記結晶性珪素膜を島状にし、前記結晶性珪素膜を覆って、ゲイト絶縁膜を形成し、前記ゲイト絶縁膜上にゲイト電極を形成し、前記ゲイト電極をマスクとして前記ゲイト絶縁膜の一部を除去し前記結晶性珪素膜の一部を露呈させ、シリサイド形成可能な原子を含む溶液を前記露呈した結晶性珪素膜上に塗布し、加熱処理を行って前記露呈した結晶性珪素膜の表面にシリサイド層を形成することを特徴とする。【選択図】  図１
2004260215.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラス基板上に非晶質珪素膜を形成し、
珪素の結晶化を助長する金属元素を前記非晶質珪素膜に添加し、
前記非晶質珪素膜を結晶性珪素膜にし、
前記結晶性珪素膜を島状にし、
前記結晶性珪素膜を覆って、ゲイト絶縁膜を形成し、
前記ゲイト絶縁膜上にゲイト電極を形成し、
前記ゲイト電極をマスクとして前記ゲイト絶縁膜の一部を除去し前記結晶性珪素膜の一部を露呈させ、
シリサイド形成可能な原子を含む溶液を前記露呈した結晶性珪素膜上に塗布し、
加熱処理を行って前記露呈した結晶性珪素膜の表面にシリサイド層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
ガラス基板上に非晶質珪素膜を形成し、
珪素の結晶化を助長する金属元素を前記非晶質珪素膜に添加し、
前記非晶質珪素膜を結晶性珪素膜にし、
前記結晶性珪素膜を島状にし、
前記結晶性珪素膜を覆って、ゲイト絶縁膜を形成し、
前記ゲイト絶縁膜上にゲイト電極を形成し、
前記ゲイト電極をマスクとして前記ゲイト絶縁膜を除去し、前記結晶性珪素膜の一部を露呈させ、
前記露呈した結晶性珪素膜にＰ型またはＮ型の不純物を添加し、
シリサイドを形成可能な原子を含む溶液を前記露呈した結晶性珪素膜上に塗布し、
加熱処理を行って前記露呈した結晶性珪素膜の表面にシリサイド層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
ガラス基板上に非晶質珪素膜を形成し、
珪素の結晶化を助長する金属元素を前記非晶質珪素膜に添加し、
前記非晶質珪素膜を結晶性珪素膜にし、
前記結晶性珪素膜を島状にし、
前記結晶性珪素膜を覆って、ゲイト絶縁膜を形成し、
前記ゲイト絶縁膜上にゲイト電極を形成し、
前記ゲイト電極をマスクとして前記ゲイト絶縁膜を除去し、前記結晶性珪素膜の一部を露呈させ、
シリサイドを形成可能な原子を含む溶液を前記露呈した結晶性珪素膜上に塗布し、
前記露呈した結晶性珪素膜にＰ型またはＮ型の不純物を添加し、
加熱処理を行って前記露呈した結晶性珪素膜の表面にシリサイド層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。                                                
【請求項４】
請求項１から３のいずれか一において、
前記シリサイドを形成可能な原子を含む溶液をスピンコート法で前記露呈した結晶性珪素膜上に塗布することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本明細書で開示する発明は、薄膜トランジスタの構成に関する。またその作製方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ガラス基板や石英基板上に形成される薄膜トランジスタが知られている。特に薄膜半導体として結晶性珪素膜を用いたものは高速動作が可能であるので注目されている。
【０００３】
一般に結晶性珪素膜が完全な単結晶ではなく、多結晶状態を有している。従って、膜中には高密度にトラップ準位が存在している。そしてこのトラップ準位の影響でＯＦＦ電流の値が大きいという問題がある。
【０００４】
これは、トランジスタのＯＦＦ動作時において、チャネル形成領域とドレイン領域との境界近傍において、加わる電界強度に耐えられずにトラップ準位を介してキャリアが移動してしまうことに原因があると考えられている。（特公平３─３８７５５号公報参照）
【０００５】
この問題を解決するものとして、特公平３─３８７５５号公報に記載されているように、低濃度不純物領域をチャネル形成領域とドレイン領域との間に設けて、印加される電界強度を緩和させる構成が知られている。また、やはり同じ目的で特開平４─３６０５８０号公報に記載されているようにオフセットゲイト領域を配置する構成が知られている。
【０００６】
これらの方法は、ＯＦＦ電流特性を改善するためには効果的であるが、ソース／ドレイン間の抵抗が高くなるので、動作速度が低下してしまうという問題がある。即ち、低濃度不純物領域やオフセットゲイト領域は、トランジスタの動作時においては、高抵抗領域として作用し、動作速度を低下させる方向に機能してしまう。
【０００７】
従って、ＯＦＦ電流を低減させることと、動作速度を向上させることとを両立させることは基本的に困難であった。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本明細書で開示する発明は、低ＯＦＦ電流特性を有した構成において、動作速度高くした薄膜トランジスタを提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本明細書で開示する発明は、
チャネル形成領域と、
ソース領域と、
ドレイン領域と、
前記チャネル形成領域と前記ドレイン領域との間に配置された低濃度不純物領域と、
を有し、
前記ソース領域とチャネル形成領域の表面にはシリサイド層が形成され、
前記低濃度不純物領域のＰまたはＮ型を付与する不純物の濃度はソース領域及びドレイン領域におけるものより低い濃度であることを特徴とする。
【００１０】
上記構成の具体的な構成を図２に示す。図２において、１１２がソース領域であり、１１５がドレイン領域である。また１１４がチャネル形成領域である。そしてチャネル形成領域１１４の両側に配置された１１３で示された領域が低濃度不純物領域である。この低濃度不純物領域は、ＰまたはＮ型を付与する不純物の濃度を１１２と１１５で示されるソース及びドレイン領域における値より２桁程度低くすることによって構成される。またソース及びドレイン領域１１２と１１５の表面には、１１１で示されるニッケルシリサイド層が形成されている。
【００１１】
図２に示す構成においては、１１３で示される低濃度不純物領域が存在するために低ＯＦＦ電流特性を得ることができる。また１１１で示されるシリサイド層が存在するためにソース／ドレイン領域のシート抵抗を下げることができ、高速動作をさせることができる。
【００１２】
他の発明の構成は、
島状の半導体層を形成する工程と、
前記半導体層を覆ってゲイト絶縁膜を形成する工程と、
前記ゲイト絶縁膜上に陽極酸化可能な材料でゲイト電極を形成する工程と、
前記ゲイト電極の側面に陽極酸化膜を形成する工程と、
露呈した前記ゲイト絶縁膜を除去し前記半導体層の一部を露呈させる工程と、
前記陽極酸化膜を除去し前記ゲイト絶縁膜の一部を露呈させる工程と、
露呈した前記ゲイト絶縁膜の直下の島状の半導体層中に低濃度不純物領域を形成するとともに前記露呈した半導体層をソース及びドレイン領域とする工程と、
シリサイドを形成可能な原子を含む溶液を塗布する工程と、
加熱処理を加え露呈した前記半導体層の表面にシリサイド層を形成する工程と、
を有し、
前記低濃度不純物領域のＰまたはＮ型を付与する不純物の濃度はソース領域及びドレイン領域におけるものより低い濃度であることを特徴とする。
【００１３】
他の発明の構成は、
島状の半導体層を形成する工程と、
前記半導体層を覆ってゲイト絶縁膜を形成する工程と、
前記ゲイト絶縁膜上に陽極酸化可能な材料でゲイト電極を形成する工程と、
前記ゲイト電極の側面に陽極酸化膜を形成する工程と、
露呈した前記ゲイト絶縁膜を除去し前記半導体層の一部を露呈させる工程と、
前記陽極酸化膜を除去し前記ゲイト絶縁膜の一部を露呈させる工程と、
シリサイドを形成可能な原子を含む溶液を塗布する工程と、
加熱処理を加え露呈した前記半導体層の表面にシリサイド層を形成する工程と、
前記ゲイト絶縁膜の露呈した直下の島状の半導体層中に低濃度不純物領域を形成するとともに前記露呈した半導体層をソース及びドレイン領域とする工程と、
を有し、
前記低濃度不純物領域のＰまたはＮ型を付与する不純物の濃度はソース領域及びドレイン領域におけるものより低い濃度であることを特徴とする。
【００１４】
他の発明の構成は
島状の半導体層を形成する工程と、
前記半導体層を覆ってゲイト絶縁膜を形成する工程と、
前記ゲイト絶縁膜上に陽極酸化可能な材料でゲイト電極を形成する工程と、
前記ゲイト電極の側面に陽極酸化膜を形成する工程と、
露呈した前記ゲイト絶縁膜を除去し前記半導体層の一部を露呈させる工程と、
シリサイドを形成可能な原子を含む溶液を塗布する工程と、
加熱処理を加え露呈した前記半導体層の表面にシリサイド層を形成する工程と、
を有していることを特徴とする。
【００１５】
上記構成の具体的な例を図１及び図２に示す。まず図１（Ｂ）に示すように、島状の半導体層（活性層）１０４を形成し、それを覆ってゲイト絶縁膜１０５を形成する。次に図１（Ｃ）に示すように陽極酸化可能な材料でなるアルミニウムでなるゲイト電極１０６を形成する。さらに（Ｄ）に示すようにゲイト電極１０６の側面に多孔質状の陽極酸化膜１０７を形成し、（Ｆ）に示すように露呈したゲイト絶縁膜１０５を除去する。この工程で島状の半導体層１０４の一部が露呈する。
【００１６】
そして図２（Ａ）に示すように、酢酸ニッケル塩溶液を塗布し、１１０で示されるようにニッケル元素またはニッケル元素を含む膜を形成する。さらに加熱処理を加えることにより、図２（Ｂ）の１１１に示されるようにニッケルシリサイド層を形成する。このニッケルシリサイド層１１１は、ソース領域１１２及びドレイン領域１１５となる領域の露呈した表面に形成され、そのシート抵抗を低減させる効果を有している。
【００１７】
さらに陽極酸化膜１０７を除去し、ゲイト絶縁膜１０９の一部を露呈した状態とする。そして、図２（Ｃ）に示すように不純物イオンを注入することにより、露呈した半導体層の領域をソース及びドレイン領域とする。またゲイト絶縁膜１０９が露呈している領域下の半導体層の領域を低濃度不純物領域１１３とする。
【００１８】
この工程においては、ゲイト絶縁膜１０９の残存している領域ではその存在により半導体層（活性層）１０４に注入される不純物イオンの濃度が少なく、またゲイト絶縁膜１０９が存在しておらず半導体層１０４が露呈している領域においては、半導体層１０４に注入される不純物イオンの濃度が高くなることを利用して、ソース及びドレイン領域１１２と１１５が形成される。また同時にゲイト絶縁膜１０９の存在している領域では、低濃度不純物領域１１３が形成される。即ち、選択的に残存されたゲイト絶縁膜１０９を利用することによって、ソース／ドレイン領域と低濃度不純物領域との作り分けを行う。
【００１９】
ソース及びドレイン領域と低濃度不純物領域との濃度の違いは、後者が前者より２桁程度の低い不純物濃度を有するように設定すればよい。この設定は、必要とする薄膜トランジスタの特性に合わせて決めればよい。
【００２０】
シリサイドを形成可能な原子としては、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｔａを利用することができる。またその元素を含む溶液としては、例えばＮｉを利用する場合、ニッケル化合物である、臭化ニッケル、酢酸ニッケル、蓚酸ニッケル、炭酸ニッケル、塩化ニッケル、沃化ニッケル、硝酸ニッケル、硫酸ニッケル、蟻酸ニッケル、ニッケルアセチルアセトネ−ト、４−シクロヘキシル酪酸ニッケル、酸化ニッケル、水酸化ニッケル、２−エチルヘキサン酸ニッケルから選ばれた少なくとも１種類のものを用いることができる。
【００２１】
また、Ｎｉを無極性溶媒である、ベンゼン、トルエン、キシレン、四塩化炭素、クロロホルム、エ−テル、トリクロロエチレン、フロンから選ばれた少なくとも一つを用いることができる。
【００２２】
またＦｅを用いる場合、鉄塩として知られている材料、例えば臭化第１鉄（ＦｅＢｒ2 ６Ｈ2 Ｏ）、臭化第２鉄（ＦｅＢｒ3 ６Ｈ2 Ｏ）、酢酸第２鉄（Ｆｅ（Ｃ2 Ｈ3 Ｏ2)3xＨ2 Ｏ）、塩化第１鉄（ＦｅＣｌ2 ４Ｈ2 Ｏ）、塩化第２鉄（ＦｅＣｌ3 ６Ｈ2 Ｏ）、フッ化第２鉄（ＦｅＦ3 ３Ｈ2 Ｏ）、硝酸第２鉄（Ｆｅ（ＮＯ3)3 ９Ｈ2 Ｏ）、リン酸第１鉄（Ｆｅ3 （ＰＯ4)2 ８Ｈ2 Ｏ）、リン酸第２鉄（ＦｅＰＯ4 ２Ｈ2 Ｏ）から選ばれたものを用いることができる。      
【００２３】
またＣｏを用いる場合、その化合物としてコバルト塩として知られている材料、例えば臭化コバルト（ＣｏＢｒ６Ｈ2 Ｏ）、酢酸コバルト（Ｃｏ（Ｃ2 Ｈ3 Ｏ2)2 ４Ｈ2 Ｏ）、塩化コバルト（ＣｏＣｌ2 ６Ｈ2 Ｏ）、フッ化コバルト（ＣｏＦ2  xＨ2 Ｏ）、硝酸コバルト（Ｃｏ（ＮＯ3)2 ６Ｈ2 Ｏ）から選ばれたものを用いることができる。
【００２４】
またＰｄ（パラジウム）を用いる場合、その化合物としてパラジウム塩として知られている材料、例えば塩化パラジウム（ＰｄＣｌ2 ２Ｈ2 Ｏ）を用いることができる。
【００２５】
またＰｔ（白金）を用いる場合、その化合物として白金塩として知られている材料、例えば塩化第二白金（ＰｔＣｌ4 ５Ｈ2 Ｏ）を用いることができる。
【００２６】
（作用）
例えば、図２（Ｃ）に示すように、低濃度不純物領域１１３を配置することにより、ＯＦＦ電流特性を改善することができる。また同時に図２（Ｂ）の１１１で示されるニッケルシリサイド領域をソース及びドレイン領域上に形成することで、ソース及びドレイン領域の抵抗値を下げることができる。そしてその結果として、高速動作を行わすことができる。
【発明の効果】
【００２７】
低ＯＦＦ電流特性を実現するために有効な低濃度不純物領域の形成と、高速動作を実現するために有効なソース領域とドレイン領域の低抵抗化とを行うことにより、低ＯＦＦ電流特性を有し、しかも高速動作を行わせることが可能な薄膜トランジスタを得ることができる。
【００２８】
またこの構成を実現するために、ソース領域およびドレイン領域が露呈した状態でニッケルを含んだ溶液を塗布し、ソース領域とドレイン領域の表面に選択的にニッケルシリサイド層を形成する。この方法は、導入されるニッケル元素の量を制御することが容易であり、また均一にニッケル元素を導入することができるという有意性を有する。そして、導入されるニッケル量を制御することで、ソース／ドレイン領域のシート抵抗を制御することができる。
【００２９】
このように本明細書に開示する発明を利用することで、高い特性を有した薄膜トランジスタを得ることができる。
【実施例】
【００３０】
〔実施例１〕
図１及び図２に本実施例の作製工程を示す。まず、ガラス基板１０１上に下地膜として酸化珪素膜１０２を３００ｎｍの厚さにプラズマＣＶＤ法で成膜する。次にプラズマＣＶＤ法または減圧熱ＣＶＤ法により、非晶質珪素膜を５０ｎｍの厚さに成膜する。（図１（Ａ））
【００３１】
次に珪素の結晶化を助長する金属元素であるニッケルを用いて非晶質珪素膜を結晶化させる。ここでは、所定のニッケル濃度に調整された酢酸ニッケル塩溶液をスピンコート法で非晶質珪素膜の表面に塗布し、ニッケル元素が非晶質珪素膜の表面に接して保持された状態とする。
【００３２】
この方法の利点は、
（１）導入されるニッケル濃度を調整することが容易である。
（２）ニッケル元素を均一に膜状に非晶質珪素膜に接して保持させることができる。
【００３３】
上記の（２）の利点は、局所的にニッケル元素が集中してしまうことを防ぐことができる意味で非常に重要である。即ち、局所的にニッケルシリサイドが形成されることを防ぐことができ、非常に有用なこととなる。
【００３４】
珪素の結晶化を助長する金属元素としては、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｕから選ばれた一種または複数種類の元素を利用することができる。
【００３５】
次にパターニングを施すことにより、図１（Ｂ）に示すように薄膜トランジスタの活性層１０４を形成する。さらにゲイト絶縁膜として機能する酸化珪素膜１０５を５５０℃の熱酸化法とプラズマＣＶＤ法を用いて１００ｎｍの厚さに成膜する。このような方法を用いるのは、５５０℃の熱酸化法では、１０ｎｍ程度の酸化膜しか形成されないので、プラズマＣＶＤ法を併用して膜厚を稼ぐためである。（図１（Ｂ））
【００３６】
図１（Ｂ）に示す状態を得たら、スカンジウムを微量に含有したアルミニウム膜を５００ｎｍの厚さにスパッタ法または電子ビーム蒸着法により成膜する。そしてアルミニウム膜の表面に１０ｎｍ程度の緻密な酸化膜（図示せず）を形成する。ここでは、電解溶液として酒石酸を３〜１０％含んだＰＨ≒７のエチレングルコール溶液を用いた陽極酸化を行い、図示しない陽極酸化膜を形成する。
【００３７】
そしてレジストマスク１００を用いて、このアルミニウム膜をパターニングする。こうして図１（Ｃ）に示すようにゲイト電極１０６を形成する。
【００３８】
次に図１（Ｄ）に示すように３〜２０％の硝酸が含まれた酸性水溶液を電解溶液として、ゲイト電極１０６を陽極として陽極酸化を行う。この工程においては、レジストマスク１００が存在する関係で、陽極酸化がゲイト電極１０６の側面において進行する。またこの陽極酸化工程においては、多孔質状の陽極酸化膜を形成することができる。さらにこの陽極酸化膜は、数千Åの厚さに渡って成長させることができる。ここではこの多孔質状の陽極酸化膜１０７の厚さ（成長距離）を５００ｎｍとする。この多孔質状の陽極酸化膜１０７の厚さは、陽極酸化時間によって制御することができる。
【００３９】
次にレジストマスク１００を除去して再び陽極酸化を行う。ここでは、電解溶液として酒石酸を３〜１０％含んだＰＨ≒７のエチレングルコール溶液を用いた陽極酸化を行う。この陽極酸化工程において、緻密な陽極酸化膜１０８が成膜される。この工程においては、多孔質状の陽極酸化膜１０７中に電解溶液が進入するので、図１（Ｅ）に示されるように１０８で示される緻密な陽極酸化膜が形成される。この緻密な陽極酸化膜の膜厚は６０ｎｍとする。この緻密な陽極酸化膜の膜厚は印加電圧によって制御することができる。
【００４０】
これら一連の陽極酸化を行うことで、ゲイト電極１０６は図１（Ｅ）に示すようにその寸法が目減りする。
【００４１】
図１（Ｅ）に示す状態を得たら、ゲイト電極１０６とその周囲の陽極酸化膜１０８とゲイト電極の側面に形成された多孔質状の陽極酸化膜１０７をマスクとして、ＲＩＥ法によるドライエッチングを行う。このドライエッチング工程において、露呈した酸化珪素膜１０５がエッチングされる。そして図１（Ｆ）に示すような状態を得る。
【００４２】
図１（Ｆ）に示す状態を得たら、ニッケル濃度を１０００ｐｐｍの濃度に調整したニッケル酢酸塩溶液をスピンコート法によって塗布する。こうして図２（Ａ）に示すようにニッケル酢酸塩の膜１１０が形成される。スピンコート法を用いると、余計なニッケル元素が除去することができる。またニッケル元素の濃度を調整することにより、必要とする導入量を制御することができる。
【００４３】
さらに酸化性の雰囲気中において４５０℃の温度で１時間の加熱処理を施す。このようにすることにより、活性層１０４の表面においてニッケルシリサイド層１１１を形成することができる。またその他のニッケルは酸化ニッケルとなる。そして酸化ニッケルを選択的に取り除くことによって、１１１で示されるニッケルシリサイド領域を残存させることができる。この加熱処理は、窒素雰囲気中や空気中で行ってもよい。この場合は、ニッケルのみを選択的に取り除けるエッチャントを利用すればよい。（図２（Ｂ））
【００４４】
図２（Ｂ）に示す状態を得たら、リン酸と酢酸と硝酸との混酸を用いて多孔質状の陽極酸化膜１０７を除去する。このリン酸と酢酸と硝酸との混酸でなるエッチャントを用いると、多孔質状の陽極酸化膜のみを選択的に除去することができる。
【００４５】
次に図２（Ｃ）に示すように、ソース／ドレイン領域を形成するための不純物イオンの注入をプラズマドーピング法によって行う。ここでは、Ｎチャネル型の薄膜トランジスタを形成するためにＰ（リン）イオンの注入を行う。この工程において、１１２と１１５の領域には高濃度にＰイオンが注入される。また１１３の領域には、残存したゲイト絶縁膜１０９が存在するために１１２と１１５の領域に比較して低濃度で不純物イオンが注入される。（図２（Ｃ））
【００４６】
こうして、一対の高濃度不純物領域１１２と１１５、一対の低濃度不純物領域１１３が自己整合的に形成される。不純物イオンの加速電圧やドーズ量は、活性層の厚さやゲイト絶縁膜の厚さ、さらに必要とする抵抗値に鑑みて適時設定する必要がある。なおこの低濃度不純物領域のドレイン側が一般にＬＤＤ（ライトドープドレイン）領域と称される。
【００４７】
不純物イオンの注入が終了した後、レーザー光の照射を行い、不純物イオンの注入した領域における不純物イオンの活性化とイオンの注入によって生じた損傷のアニールとを行う。
【００４８】
次に層間絶縁膜として酸化珪素膜１１６をプラズマＣＶＤ法で７００ｎｍの厚さに成膜する。そしてコンタクトホールの形成を行い、チタン膜とアルミニウム膜との積層膜でなる引き出し電極１１７と１１８とを形成する。ここで、１１７がソース電極となり１１８がドレイン電極となる。
【００４９】
図２（Ｄ）に示す構成は、ソース及びドレイン領域の抵抗がニッケルシリサイドによって低減されているので、低濃度不純物領域が設けられていても高速動作を行わすことができる。また低濃度不純物領域が配置されていることで、ＯＦＦ電流特性を改善することができる。即ち、低ＯＦＦ電流を有する特性とすることができる。
【００５０】
〔実施例２〕
本実施例の作製工程を図３に示す。本実施例はソース及びドレイン領域にニッケルシリサイド層を形成する前にソース／ドレイン領域を形成するための不純物イオンの注入を行うことを特徴とする。
【００５１】
図３に本実施例の作製工程を示す。まず図１に示す作製工程に従って、図１（Ｆ）に示す状態を得る。図１（Ｆ）の状態を得るまでの工程は実施例１に示す通りである。
【００５２】
図１（Ｆ）の状態を得たら、リン酸と酢酸と硝酸との混酸を用いて多孔質状の陽極酸化膜１０７を取り除く。こうして図３（Ａ）に示す状態を得る。
【００５３】
図３（Ａ）に示す状態を得たら、図３（Ｂ）に示すようにＰイオンの注入を行う。ここではＮチャネル型を作製するためにＰイオンの注入を行うが、Ｐチャネル型を形成するためにはＢイオンを注入すればよい。
【００５４】
この工程において、高濃度に不純物イオンが注入された領域１１２と１１５が形成される。また同時に１１３で示される一対の低濃度不純物領域が形成される。（図３（Ｂ））
【００５５】
次に５００ｐｐｍのニッケル酢酸塩溶液をスピンコート法によって塗布し、ニッケル元素が薄い膜状に図３（Ｃ）の１１０で示されるような状態で保持された状態とする。  
【００５６】
さらに窒素雰囲気中において５００℃、１時間の加熱処理を加えることにより、図３（Ｄ）に示すようなニッケルシリサイドの層を形成する。シリサイド化しなかったニッケルを選択的に除去する。こうして図３（Ｄ）に示すようにソース／ドレイン領域の表面にニッケルシリサイド層１１１が形成された状態を得る。
【００５７】
次にレーザー光の照射を行う。このレーザー光の照射を行うことで、ニッケルシリサイド層１１１のシリサイド化を高めることができる。また同時にソース／ドレイン領域の活性化とイオンの注入による損傷のアニールとを行うことができる。
【００５８】
図３（Ｄ）に示す状態を得たら、層間絶縁膜として酸化珪素膜１１２をプラズマＣＶＤ法で７００ｎｍの厚さに成膜する。さらにコンタクトホールの形成を行い、チタン膜とアルミニウム膜との積層膜を成膜する。そしてこの積層膜をパターニングすることによって、ソース電極１１３とドレイン電極１１４とを形成する。こうして図３（Ｅ）に示す薄膜トランジスタを完成させる。
【００５９】
〔実施例３〕
図４に本実施例の作製工程を示す。まず図１に示す工程に従って、図１（Ｆ）に示す状態を得る。そして多孔質状の陽極酸化膜１０７を取り除く。こうして、図４（Ａ）に示す状態を得る。
【００６０】
次に重要換算で１０００ｐｐｍのニッケル濃度に調整されたニッケル酢酸塩溶液をスピンコート法によって塗布してニッケル元素を含む膜１１０を形成する。（図４（Ｂ））
【００６１】
この状態でＰイオンの注入を行い、自己整合的にソース領域１１２とドレイン領域１１５、さらに低濃度不純物領域１１３を形成する。またチャネル形成領域１１４が自己整合的に形成される。（図４（Ｃ））
【００６２】
この後、窒素雰囲気中において４００℃の温度で加熱処理を加えることによりニッケルシリサイド層の形成を行う。さらにレーザー光の照射を行うことにより、ソース／ドレイン領域のアニールと、ニッケルシリサイド層１１１のアニールとを行う。（図４（Ｄ））
【００６３】
そして層間絶縁膜として酸化珪素膜１１２の成膜をプラズマＣＶＤ法を用いて行い、さらにコンタクトホールの形成を行う。そしてチタン膜とアルミニウム膜とでなるソース電極１１３とドレイン電極１１４を形成する。こうして図４（Ｅ）に示す薄膜トランジスタを完成させる。
【００６４】
〔実施例４〕
本実施例は、図１（Ｅ）に示す工程において形成される緻密な陽極酸化膜の膜厚を２５０ｎｍとした場合の例である。このようにすると、緻密な陽極酸化膜の直下の活性層の領域にオフセットゲイト領域を形成することができる。そして、低濃度不純物領域とオフセットゲイト領域とを共に備えた薄膜トランジスタを得ることができる。このような構成とすると、ＯＦＦ電流をさらに徹底して下げることができる。またオフセットゲイト領域を配置することによる動作速度の低下は、ソース／ドレイン領域の表面にシリサイド領域を形成し、そのシート抵抗を下げる構成とすることによって、抑制することができる。
【００６５】
〔実施例５〕
本実施例は、本明細書に開示する発明を利用して、オフセットゲイト領域を備えた薄膜トランジスタを作製する構成に関する。図５に本実施例に示す薄膜トランジスタの作製工程を示す。まず図１（Ｆ）（図５（Ａ）に同じ）に示す構成を実施例１に示す工程に従って得る。
【００６６】
次に１０００ｐｐｍの濃度に調整した酢酸ニッケル塩溶液を塗布し、ニッケル元素を１１０で示されるように膜状に保持させる。（図５（Ｂ））
【００６７】
この状態でＰイオンの注入を行う。この工程でＰイオンの注入された領域１１２と１１５がソース及びドレイン領域となる。またＰイオンの注入されなかった１１４の領域はチャネル形成領域となる。またＰイオンの注入されなかった１１３の領域はオフセットゲイト領域となる。（図５（Ｃ））
【００６８】
そして多孔質状の陽極膜１０７を除去する。そしてレーザー光の照射を行い、ソース／ドレイン領域の活性化と同時にソース／ドレイン領域表面のニッケルシリサイド化を行う。こうしてソース領域とドレイン領域の露呈した表面にニッケルシリサイド領域１１１を形成する。（図５（Ｄ））
【００６９】
そして層間絶縁膜１１２を成膜し、さらにコンタクトホールの形成を行い、ソース電極１１３とドレイン電極１１４との形成を行う。こうして図５（Ｃ）に示す薄膜トランジスタを完成させる。
【図面の簡単な説明】
【００７０】
【図１】薄膜トランジスタの作製工程を示す。
【図２】薄膜トランジスタの作製工程を示す。
【図３】薄膜トランジスタの作製工程を示す。
【図４】薄膜トランジスタの作製工程を示す。
【図５】薄膜トランジスタの作製工程を示す。
【符号の説明】
【００７１】
１０１                  ガラス基板
１０２                  下地膜（酸化珪素膜）
１０３                  非晶質珪素膜
１０４                  活性層
１０５                  ゲイト絶縁膜
１０６                  ゲイト電極
１０７                  多孔質状の陽極酸化膜
１０８                  緻密な陽極酸化膜
１０９                  残存した酸化珪素膜
１１０                  ニッケルの層またはニッケルを含んだ層
１１１                  ニッケルシリサイド層
１１２                  高濃度不純物領域（ソース領域）
１１３                  低濃度不純物領域
１１４                  チャネル形成領域
１１５                  高濃度不純物領域（ドレイン領域）
１１６                  層間絶縁膜（酸化珪素膜）
１１７                  ソース電極
１１８                  ドレイン電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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