(57)【要約】【課題】高速なバースト信号を光信号に変換するレーザーダイオードの消光比を一定に保つ。【解決手段】ｎ×Ｃビット（ｎ、Ｃは自然数）のバーストディジタル電気信号でなる入力信号のマーク率を変換するマーク率変換部１２と、レーザーダイオード１１２のバーストごとの平均光パワーを測定するパワー測定部１１と、パワー測定部により測定されるバーストごとの平均光パワーに基づいてレーザーダイオードの変調電流（Ｉｍ）とバイアス電流（Ｉｂ）を制御する電流制御部１３とを備え、マーク率変換部の出力及び電流制御部の出力に基づいてレーザーダイオードの消光比を一定に制御する。【選択図】        図１
2004328470.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ｎ×Ｃビット（ｎ、Ｃは自然数）のバーストディジタル電気信号でなる入力信号のマーク率を変換するマーク率変換手段と、
レーザーダイオードのバーストごとの平均光パワーを測定する測定手段と、
前記測定手段により測定される前記バーストごとの前記平均光パワーに基づいて前記レーザーダイオードの変調電流とバイアス電流を制御する電流制御手段とを備え、
前記マーク率変換手段の出力及び前記電流制御手段の出力に基づいて前記レーザーダイオードの消光比を一定に制御するよう構成されたバースト信号制御回路。
【請求項２】
前記マーク率変換手段は、入力信号をｎビットごとにｍビット（ｍは自然数）付加して（ｎ＋ｍ）ビットに変換して、信号のマーク率を変化させるよう構成された請求項１に記載のバースト信号制御回路。
【請求項３】
前記マーク率変換手段は、付加するｍビットの値をバーストごとに交互にすべて「１」、すべて「０」とするよう構成された請求項２に記載のバースト信号制御回路。
【請求項４】
ｎ＝８、ｍ＝２である請求項２又は３に記載のバースト信号制御回路。
【請求項５】
前記マーク率変換手段は、入力信号のマーク率を０．５に近づける処理を施してからｍビットを付加するよう構成された請求項２から４のいずれか１つに記載のバースト信号制御回路。
【請求項６】
前記マーク率を０．５に近づける処理として、スクランブル処理を採用した請求項５に記載のバースト信号制御回路。
【請求項７】
前記マーク率を０．５に近づける処理として、ｘＢｙＢ変換（ｘ、ｙは自然数かつｘ＜ｙ）を採用した請求項５に記載のバースト信号制御回路。
【請求項８】
ｘ＝８、ｙ＝１０である請求項７に記載のバースト信号制御回路。
【請求項９】
前記電流制御手段は、付加するｍビットの値がすべて「１」であるときの平均光パワー測定値ＰＨと、付加するｍビットの値がすべて「０」であるときの平均光パワー測定値ＰＬとから、送信データの値が０であるときの光パワーＰ０を算出し、あらかじめ定められた第１の基準値Ｐ０ｒｅｆと比較し、Ｐ０＞Ｐ０ｒｅｆであれば、あらかじめ定められた第１の規定量Ａだけバイアス電流Ｉｂを減少させ、Ｐ０＜Ｐ０ｒｅｆであれば、あらかじめ定められた第１の規定量Ａだけバイアス電流Ｉｂを増加させるよう構成された請求項１から８のいずれか１つに記載のバースト信号制御回路。
【請求項１０】
前記電流制御手段は、付加するｍビットの値がすべて「１」であるときの平均光パワーＰＨと、付加するｍビットの値がすべて「０」であるときの平均光パワーＰＬとから、送信データの値が１であるときの光パワーＰ１を算出し、あらかじめ定められた第２の基準値Ｐ１ｒｅｆと比較し、Ｐ１＞Ｐ１ｒｅｆであれば、あらかじめ定められた第２の規定量Ｂだけ変調電流Ｉｍを減少させ、Ｐ１＜Ｐ１ｒｅｆであれば、あらかじめ定められた第２の規定量Ｂだけ変調電流Ｉｍを増加させるよう構成された請求項１から８のいずれか１つに記載のバースト信号制御回路。
【請求項１１】
前記第２の規定量Ｂを、そのときの変調電流Ｉｍに比例した量とした請求項１０に記載のバースト信号制御回路。
【請求項１２】
前記電流制御手段は、請求項９に記載の前記バイアス電流の制御動作と請求項１０に記載の前記変調電流の制御動作を、バーストを２つ送出するごとに交互に行うよう構成されたバースト信号制御回路。
【請求項１３】
前記電流制御手段は、キャリブレーション中に得られる前記第１の基準値Ｐ０ｒｅｆと前記第２の基準値Ｐ１ｒｅｆとをあらかじめ記憶手段に格納するよう構成された請求項９から１２のいずれか１つに記載のバースト信号制御回路。
【請求項１４】
バースト出力中に常に変調電流を供給する変調電流源と、
送信信号が「１」の場合にレーザーダイオードに供給する電源として前記変調電流に加えるバイアス電流を供給するバイアス電流源と、
請求項１から１３のいずれか１つに記載のバースト信号制御回路とを備え、
前記バースト信号制御回路により、前記レーザーダイオードの平均出力パワーと消光比が一定になるように制御するよう構成されたレーザーダイオード駆動回路。
【請求項１５】
請求項１から１３のいずれか１つに記載のバースト信号制御回路を搭載した集積回路。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、パケット通信におけるディジタルデータの光伝送に使用されるレーザーダイオードの消光比を制御するためのバースト信号制御回路とレーザーダイオードを駆動するレーザーダイオード駆動回路並びにその集積回路に関する。
【０００２】
【従来の技術】
一般的なレーザーダイオードの典型的な特性を図６に示す。図６において、横軸はレーザーダイオードに流れる電流Ｉｄ、縦軸はレーザーダイオードからの光出力パワーＰｏｕｔである。線「甲」はある温度での特性である。電流Ｉｄを０から徐々に増加させると、光出力パワーＰｏｕｔは、始めのうちはほとんど増加しないが、閾値電流値を超えたところ（Ｘ点）から比較的線形に増加する。電気ディジタル信号を光信号に変換するには、この線形領域を使用する。そのためには、「０」を送信するときはバイアス電流Ｉｂを流し、「１」を送信するときには、それに加えて変調電流Ｉｍを流すようにする。これにより、光出力パワーは「０」のときＰ０、「１」のときＰ１となる。
【０００３】
このとき、消光比はＰ１／Ｐ０で定義される。また、ディジタル信号のマーク率が０．５であれば、平均出力パワーは（Ｐ１＋Ｐ０）／２で表される。しかしながら、温度変化や経時変化により特性が線「乙」のようになったとすると、消光比や平均出力パワーを等しく保つには、バイアス電流Ｉｂと変調電流Ｉｍを、図６に示すように、Ｉｂα、Ｉｍαへと変化させなければならない。このような消光比や平均出力パワーを一定に制御する制御回路が既に提案されている。
【０００４】
図７は、従来の制御回路の第１の構成例を示す（例えば、下記の特許文献１参照）。図７には、制御回路７の他に、レーザーダイオード７１２、変調電流源７１５、バイアス電流源７１６、レーザーダイオード７１２の光の一部を電気信号に変換するモニタフォトダイオード７１１が示されている。バースト出力中は、スイッチ７１３が接続状態となり、レーザーダイオード７１２には常にバイアス電流Ｉｂが流れる。バースト中、データが「０」の場合はレーザーダイオード７１２に電流Ｉｂが流れるだけであるが、データが「１」である場合はスイッチ７１４が接続状態となり、レーザーダイオード７１２には電流Ｉｂ＋Ｉｍが流れる。なお、実際にはバースト開始より若干早くスイッチ７１３を接続状態にするプリバイアス動作を行うことが多いが、本発明とは直接関係がないため省略する。
【０００５】
光バースト信号がレーザーダイオード７１２から発せられると、その一部をモニタフォトダイオード７１１が電流に変換する。その電流信号は、電流−電圧変換機能部７１によって電圧信号に変換される。最大値検出機能部（Ｔｏｐ  Ｄｅｔ）７２及び最小値検出機能部（Ｂｏｔ  Ｄｅｔ）７３はそれぞれ電圧信号の最大値、最小値を検出する。ＩｍＩｂ制御機能部７４はそれらの値が図６における光出力パワーＰ１、Ｐ０に一致するように変調電流Ｉｍとバイアス電流Ｉｂを求め、変調電流源７１５、バイアス電流源７１６にそれらの値を設定する。このようにして、消光比が一定になるように制御している。
【０００６】
図８は、従来の制御回路の第２の構成例を示す（例えば、下記の特許文献２参照）。図８には、制御回路８の他に、レーザーダイオード８１２、パイロット電流源８１４、変調電流源８１５、バイアス電流源８１６、レーザーダイオード８１２の光の一部を電気信号に変換するモニタフォトダイオード８１１が示されている。データが「０」である場合はスイッチ８１３が開放状態となり、レーザーダイオード８１２には電流Ｉｂ＋Ｉｐが流れる。データが「１」である場合はスイッチ８１３が接続状態となり、レーザーダイオード８１２には電流Ｉｂ＋Ｉｍ＋Ｉｐが流れる。パイロット発振器８４からは正弦波信号が出力されるが、その周波数はデータの周波数帯域よりも十分低い値が選ばれる。パイロット電流源８１４はその正弦波信号に従って正弦波電流Ｉｐを流すが、その振幅は変調電流Ｉｍに比べて小さいものとする。
【０００７】
【特許文献１】
特開平０３−２０９８９０号公報
【特許文献２】
特許第２９３２１００号公報
【０００８】
光信号がレーザーダイオード８１２から発せられると、その一部をモニタフォトダイオード８１１が電流に変換する。その電流信号は電流−電圧変換機能部８１によって電圧信号に変換される。この電気信号にはデータの周波数成分とパイロット信号が含まれている。ローパスフィルタ（ＬＰＦ）８２はその中からパイロット信号のみを抜き出す。制御機能部８３はこのパイロット信号の振幅が一定になるように変調電流Ｉｍとバイアス電流Ｉｂを決定する。なお、制御機能部８３はレーザーダイオード８１２の平均光出力パワーを一定にする役割も持つのでローパスフィルタ８２を通る前の電気信号も入力する。このように、パイロット信号の振幅と平均光出力パワーが一定であれば消光比は一定に保たれる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述した図７に示す従来の制御回路においては、データの速度が速くなると、モニタフォトダイオード７１１、電流−電圧変換機能部７１、最大値検出機能部７２及び最小値検出機能部７３にも高速な動作が要求される。すなわち、レーザーダイオード７１２が発する光波形を正確にトレースできる帯域が求められる。このことは、モニタフォトダイオード７１１とレーザーダイオード７１２が実装される光モジュールと制御回路の複雑化、高価格化を招くという問題点がある。
【００１０】
また、上述した図８に示す従来の制御回路においては、低い周波数のパイロット信号と平均光パワーを扱うだけなので回路の高速性は要求されないが、送信データは連続であることが前提であり、信号が断続するバースト信号に対しては消光比を制御できないという問題を有していた。さらに、パイロット信号はデータ信号に対してノイズとなり、伝送品質を低下させるという問題もある。
【００１１】
本発明は、前記従来の問題を解決するもので、高速なバースト信号を光信号に変換するレーザーダイオードの消光比を一定に制御できる優れたバースト信号制御回路とレーザーダイオード駆動回路並びにその集積回路を提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
前記課題を解決するために、本発明に係るバースト信号制御回路は、ｎ×Ｃビット（ｎ、Ｃは自然数）のバーストディジタル電気信号でなる入力信号のマーク率を変換するマーク率変換手段と、レーザーダイオードのバーストごとの平均光パワーを測定する測定手段と、前記測定手段により測定される前記バーストごとの前記平均光パワーに基づいて前記レーザーダイオードの変調電流とバイアス電流を制御する電流制御手段とを備え、前記マーク率変換手段の出力及び前記電流制御手段の出力に基づいて前記レーザーダイオードの消光比を一定に制御するものである。この構成によれば、高速なバースト信号に対して消光比を一定に制御できる。
【００１３】
また、前記マーク率変換手段は、入力信号をｎビットごとにｍビット（ｍは自然数）付加して（ｎ＋ｍ）ビットに変換して、信号のマーク率を変化させることを特徴とするものである。この構成によれば、マーク率を容易に変化させることができる。
【００１４】
また、前記マーク率変換手段は、付加するｍビットの値をバーストごとに交互にすべて「１」、すべて「０」とすることを特徴とするものである。この構成によれば、マーク率を容易に所望の値に変化させることができる。
【００１５】
また、本発明に係るバースト信号制御回路は、ｎ＝８、ｍ＝２であることを特徴とするものである。この構成によれば、マーク率を容易に所望の値に変化させることができる。
【００１６】
また、前記マーク率変換手段は、入力信号のマーク率を０．５に近づける処理を施してからｍビットを付加することを特徴とするものである。この構成によれば、マーク率を容易に所望の値に変化させることができる。
【００１７】
また、前記マーク率を０．５に近づける処理として、スクランブル処理を採用したことを特徴とするものである。この構成によれば、マーク率を容易に所望の値に変更させることができる。
【００１８】
また、前記マーク率を０．５に近づける処理として、ｘＢｙＢ変換（ｘ、ｙは自然数かつｘ＜ｙ）を採用したことを特徴とするものである。この構成によれば、マーク率を容易に所望の値に変更させることができる。
【００１９】
また、本発明に係るバースト信号制御回路は、ｘ＝８、ｙ＝１０であることを特徴とするものである。この構成によれば、マーク率を容易に所望の値に変更させることができる。
【００２０】
また、前記電流制御手段は、付加するｍビットの値がすべて「１」であるときの平均光パワー測定値ＰＨと、付加するｍビットの値がすべて「０」であるときの平均光パワー測定値ＰＬとから、送信データの値が０であるときの光パワーＰ０を算出し、あらかじめ定められた第１の基準値Ｐ０ｒｅｆと比較し、Ｐ０＞Ｐ０ｒｅｆであれば、あらかじめ定められた第１の規定量Ａだけバイアス電流Ｉｂを減少させ、Ｐ０＜Ｐ０ｒｅｆであれば、あらかじめ定められた第１の規定量Ａだけバイアス電流Ｉｂを増加させることを特徴とするものである。この構成によれば、消光比を制御する際のバイアス電流を制御でき、基準値と比較することで消光比を一定に制御できるという効果が得られる。
【００２１】
また、前記電流制御手段は、付加するｍビットの値がすべて「１」であるときの平均光パワーＰＨと、付加するｍビットの値がすべて「０」であるときの平均光パワーＰＬとから、送信データの値が１であるときの光パワーＰ１を算出し、あらかじめ定められた第２の基準値Ｐ１ｒｅｆと比較し、Ｐ１＞Ｐ１ｒｅｆであれば、あらかじめ定められた第２の規定量Ｂだけ変調電流Ｉｍを減少させ、Ｐ１＜Ｐ１ｒｅｆであれば、あらかじめ定められた第２の規定量Ｂだけ変調電流Ｉｍを増加させることを特徴とするものである。この構成によれば、消光比を制御する際の変調電流を制御でき、基準値と比較することで消光比を一定に制御できるという効果が得られる。
【００２２】
また、本発明に係るバースト信号制御回路は、前記第２の規定量Ｂを、そのときの変調電流Ｉｍに比例した量としたことを特徴とするものである。この構成によれば、効率のよい変調電流の制御が行える。
【００２３】
また、前記電流制御手段は、前述したバイアス電流の制御動作と前述した変調電流の制御動作を、バーストを２つ送出するごとに交互に行うことを特徴とするものである。この構成によれば、消光比を一定に制御できるという効果が得られる。
【００２４】
また、前記電流制御手段は、キャリブレーション中に得られる前記第１の基準値Ｐ０ｒｅｆと前記第２の基準値Ｐ１ｒｅｆとをあらかじめ記憶手段に格納することを特徴とするものである。この構成によれば、キャリブレーション時にレーザーダイオードを発光させることによって第１と第２の基準値の設定動作を行うことができる。
【００２５】
また、本発明に係るレーザーダイオード駆動回路は、バースト出力中に常に変調電流を供給する変調電流源と、送信信号が「１」の場合にレーザーダイオードに供給する電源として前記変調電流に加えるバイアス電流を供給するバイアス電流源と、前述したバースト信号制御回路とを備えることを特徴とするものである。この構成によれば、レーザーダイオードの平均出力パワーと消光比が一定になるように制御できるレーザーダイオード駆動回路を得ることができる。
【００２６】
さらに、本発明に係る集積回路は、前述したバースト信号制御回路を搭載したことを特徴とするものである。この構成によれば、バースト信号制御回路の集積化を可能にすることができる。
【００２７】
【発明の実施の形態】
本発明が対象としているバースト信号とは、ｎ×Ｃビット（ｎ、Ｃは自然数）のバーストディジタル電気信号であり、図２に示すように、その長さが一定ではなく、送出タイミングも周期的ではないものである。説明の便宜上、連続する４つのバーストに着目して、それぞれバースト＃１、バースト＃２、バースト＃３、バースト＃４と呼ぶことにする。また、ｎ＝８の例で説明する。
【００２８】
図１は、本発明の実施の形態に係るレーザダイオード駆動回路のブロック図である。図１には、制御回路１の他に、レーザーダイオード１１２、変調電流源１１５、バイアス電流源１１６、レーザーダイオード１１２の光の一部を電気信号に変換するモニタフォトダイオード１１１が示されている。バースト出力中はスイッチ１１３が接続状態となり、レーザーダイオード１１２には常にバイアス電流Ｉｂが流れる。バースト中、送信信号が「０」の場合はレーザーダイオード１１２には電流Ｉｂが流れるだけであるが、送信信号が「１」である場合はスイッチ１１４が接続状態となり、レーザーダイオード１１２には電流Ｉｂ＋Ｉｍが流れる。なお、上述した従来例と同様に、プリバイアス動作については省略する。
【００２９】
制御回路１は、パワー測定部１１、マーク率変換部１２、電流制御部１３から成り、さらに、電流制御部１３は、バーストの光平均パワーを記憶する記憶部１４、送信信号が０のときの光パワーの基準値を格納するＰ０ｒｅｆ格納部１７、送信信号が１のときの光パワーの基準値を格納するＰ１ｒｅｆ格納部１８、記憶部１４とＰ０ｒｅｆ格納部１７及びＰ１ｒｅｆ格納部１８からの情報を基にバイアス電流Ｉｂや変調電流Ｉｍの値を算出する演算部１５、その演算値を変調電流源１１５、バイアス電流源１１６に設定するＩｂ／Ｉｍ設定部１６から成っている。なお、図中、上記「格納部」の文字は省略している。
【００３０】
マーク率変換部１２は、入力信号を８ビットごとに区切り、図３に示すように、バースト＃１、＃３に対しては「００」を付加し、バースト＃２、＃４に対しては「１１」を付加する。入力信号のマーク率がスクランブル処理などで０．５であれば、送信信号のマーク率はそれぞれ０．４、０．６となる。バーストに対しては、所定ビット（２ビット）を付加する処理は、入力信号のマーク率を０．５に近づける処理を施してから行う。
【００３１】
この制御回路１、特に電流制御部１３の動作を、図４に示すフローチャートを参照しながら説明する。制御回路１は、立ち上げ後、基準値Ｐ０ｒｅｆ及びＰ１ｒｅｆをそれぞれＰ０ｒｅｆ格納部１７、Ｐ１ｒｅｆ格納部１８に設定する（ステップＳ１）。引き続き、変調電流Ｉｍ、バイアス電流Ｉｂの初期値をＩｂ／Ｉｍ設定部１６に設定する（ステップＳ２）。これらの設定動作の詳細は省略するが、Ｐ０ｒｅｆ、Ｐ１ｒｅｆはキャリブレーション時にレーザーダイオード１１２を所要のレベルで発光させることによって得ることができる。
【００３２】
バースト＃１を送信する場合、パワー測定部１１は、モニタフォトダイオード１１１からの信号を基に当該バーストの平均光出力パワーを測定する。その結果は記憶部１４に値ＰＬとして記憶される（ステップＳ３−Ｓ５）。次に、バースト＃２を送信する場合、同様に平均光出力パワーを記憶部１４に値ＰＨとして記憶する（ステップＳ６−Ｓ８）。この２つの値からＰ０の値を算出し（ステップＳ９）、基準値Ｐ０ｒｅｆと比較する（ステップＳ１０）。その結果、Ｐ０＞Ｐ０ｒｅｆであれば、演算部１５はＩｂ／Ｉｍ設定部１６にバイアス電流Ｉｂを減らすよう指示し、それを受けたＩｂ／Ｉｍ設定部１６は、バイアス電流Ｉｂを既定値Ａだけ減少させる（ステップＳ１１）。逆に、Ｐ０＜Ｐ０ｒｅｆであれば、バイアス電流Ｉｂを既定値Ａだけ増加させるように作用する（ステップＳ１２）。
【００３３】
次に、バースト＃３を送信する場合、パワー測定部１１は、モニタフォトダイオード１１１からの信号を基に当該バーストの平均光出力パワーを測定する。その結果は記憶部１４に値ＰＬとして記憶される（ステップＳ１３−Ｓ１５）。次に、バースト＃４を送信する場合、同様に平均光出力パワーを記憶部１４に値ＰＨとして記憶する（ステップＳ１６−Ｓ１８）。この２つの値からＰ１の値を算出し（ステップＳ１９）、基準値Ｐ１ｒｅｆと比較する（ステップＳ２０）。その結果、Ｐ１＞Ｐ１ｒｅｆであれば、演算部１５はＩｂ／Ｉｍ設定部１６に変調電流Ｉｍを減らすよう指示し、それを受けたＩｂ／Ｉｍ設定部１６はＩｍを既定値Ｂだけ減少させる（ステップＳ２１）。逆に、Ｐ１＜Ｐ１ｒｅｆであれば、Ｉｍを既定値Ｂだけ増加させるように作用する（ステップＳ２２）。
【００３４】
このとき、既定値Ｂをそのときの変調電流Ｉｍに比例した値、例えば変調電流Ｉｍの５％とすると、効率のよい制御が行える。なぜなら、変調電流Ｉｍの値が大きい場合というのはレーザーダイオード１１２の特性が図６の線「乙」のように傾きが小さい場合であり、変調電流Ｉｍを大きく変化させないと、光パワーがほとんど変化しないからである。逆に、変調電流Ｉｍが小さい場合は線「甲」のように傾きが大きい場合であり、変調電流Ｉｍを少しずつ変化させないと過制御となってしまうからである。このようにして、バースト信号の消光比を所望の値に制御することができる。
【００３５】
なお、ステップＳ２１又はＳ２２の処理後は、ステップＳ３に移行する。すなわち、上述したステップＳ３−Ｓ１２におけるバイアス電流の制御と、ステップＳ１３−Ｓ２２における変調電流の制御は、バーストを２つ送信するごとに交互に行われる。
【００３６】
次に、平均光出力パワーＰＨとＰＬからＰ０、Ｐ１が算出できることを説明する。図５は、マーク率が０．４、０．６の送信信号に対して平均光出力パワーがＰＨ、ＰＬとなることを示している。この図５から明らかなように、
ＰＬ＝０．４（Ｐ１−Ｐ０）＋Ｐ０
ＰＨ＝０．６（Ｐ１−Ｐ０）＋Ｐ０
である。これをＰ０、Ｐ１について解くと、
Ｐ０＝３ＰＬ−２ＰＨ
Ｐ１＝−２ＰＬ＋３ＰＨ
となる。
【００３７】
なお、本実施の形態では、簡単のためにｎ＝８ビットとし、それに２ビットを付加する例で説明したが、一般的に、ｎビットにｍビットを付加することによって同様な結果を得ることができる。その場合、次の関係式が成り立つ。
【００３８】
【数１】
2004328470.tif 000003
【００３９】
これをＰ０、Ｐ１について解くと、
【００４０】
【数２】
2004328470.tif 000004
となる。
【００４１】
また、本実施の形態では、入力信号のマーク率があらかじめ０．５であるとしたが、そうでない場合はあらかじめｘＢｙＢ変換（ｘ、ｙは自然数かつｘ＜ｙ）、例えば８Ｂ１０Ｂ変換などでマーク率を０．５とした上でその１０ビットに対して２ビットを付加するという方法もある。もちろん、付加するビット数は２でなくてもよいし、付加する位置もその１０ビットの中の任意の２つのビット位置でよい。
【００４２】
本実施の形態での説明は、連続する４つのバーストにて行ったが、これらの処理は、レーザーダイオード１１２の特性変化の速度に比べて十分に頻繁であれば連続するバーストに対して行われなくてもよい。すなわち、図４において、バースト＃１〜＃４間に制御に寄与しないバーストがあってもよい。
【００４３】
さらに、本制御回路は、個別の部品で実現されてもよいし、その全部又は一部を集積回路に実現させてもよい。
【００４４】
また、電流制御部１３を、ＣＰＵを含んだハードウエアで構成し、その処理をソフトウエアにて行うことも可能である。
【００４５】
【発明の効果】
以上のように、本発明は、マーク率の異なるバーストを発生させることにより、低速なモニタフォトダイオードを用いた光パワー検出回路でも消光比を測定することができ、その結果を基準値と比較することで消光比を一定に制御できるという効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態におけるレーザーダイオード駆動回路のブロック図
【図２】本発明の説明に用いたバーストの様子を示す図
【図３】本発明の説明に用いたマーク率変換の説明図
【図４】本発明の実施の形態における処理のフローチャート
【図５】本発明の実施の形態における演算内容の説明図
【図６】一般的なレーザーダイオードの典型的な特性図
【図７】従来の制御回路の第１の構成例を示す図
【図８】従来の制御回路の第２の構成例を示す図
【符号の説明】
１  制御回路
１１  パワー測定部
１２  マーク率変換部
１３  電流制御部
１４  記憶部
１５  演算部
１６  Ｉｂ／Ｉｍ設定部
１７  Ｐ０ｒｅｆ格納部
１８  Ｐ１ｒｅｆ格納部
１１１  モニタフォトダイオード
１１２  レーザーダイオード
１１３、１１４  スイッチ
１１５  変調電流源
１１６  バイアス電流源
【図１】
2004328470.tif 000005
【図２】
2004328470.tif 000006
【図３】
2004328470.tif 000007
【図４】
2004328470.tif 000008
【図５】
2004328470.tif 000009
【図６】
2004328470.tif 000010
【図７】
2004328470.tif 000011
【図８】
2004328470.tif 000012