(57)【要約】  【課題】  ポリシリコンＴＦＴのリーク電流を最低限に抑えると共に、フォトリソグラフィにおける重ね合わせの問題を回避して、ＬＤＤ領域の長さを精度良く対称とできるマルチゲート構造のポリシリコンＴＦＴおよびその製造方法を提供する。  【解決手段】  ゲート層３８Ｉ，３８ＩＩ両側からそれぞれ露出するゲート絶縁層４０，４２の各被覆領域４０ｂ1，４０ｂ2，４２ｂ1, ４２ｂをマスクにイオン注入を行い、ＬＤＤ領域とソース／ドレイン領域を同時に形成する。よって、各ゲート層の両側にそれぞれＬＤＤ領域が形成できるため、ポリシリコンＴＦＴのリーク電流を極めて低いものにできる上、フォトリソグラフィにおける重ね合わせの問題も無くなって、ＬＤＤ領域の長さが精度良く対称となる。  【選択図】  図２Ｅ
2004327999.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板、
前記基板上に形成され、第１ライトドープ領域と、該第１ライトドープ領域の両側にそれぞれ形成される第２ライトドープ領域および第３ライトドープ領域と、該第２ライトドープ領域および該第３ライトドープ領域の外側にそれぞれ形成される第１チャネル領域および第２チャネル領域と、該第１チャネル領域および該第２チャネル領域の外側にそれぞれ形成される第４ライトドープ領域および第５ライトドープ領域と、該第４ライトドープ領域および該第５ライトドープ領域の外側にそれぞれ形成される第１ヘビードープ領域および第２ヘビードープ領域と、を有する活性層、
前記活性層上に形成され、前記有効層の第１チャネル領域を覆う中央領域と、前記有効層の第４ライトドープ領域を覆う第１被覆領域と、前記有効層の第２ライトドープ領域を覆う第２被覆領域と、を有する第１ゲート絶縁層、
前記活性層上に形成され、前記有効層の第２チャネル領域を覆う中央領域と、前記有効層の第３ライトドープ領域を覆う第１被覆領域と、前記有効層の第５ライトドープ領域を覆う第２被覆領域と、を有する第２ゲート絶縁層、
前記第１ゲート絶縁層上に形成され、前記第１ゲート絶縁層の中央領域を覆う第１ゲート層、ならびに
前記第２ゲート絶縁層上に形成され、前記第２ゲート絶縁層の中央領域を覆う第２ゲート層、
から構成されるマルチゲート構造の薄膜トランジスタ。
【請求項２】
前記第２ライトドープ領域の端縁は、前記第１ゲート絶縁層第２被覆領域の端縁に実質上そろって整合し、第３ライトドープ領域の端縁は、前記第２ゲート絶縁層第１被覆領域の端縁に実質上そろって整合し、第４ライトドープ領域の端縁は、前記第１ゲート絶縁層第１被覆領域の端縁に実質上そろって整合し、第５ライトドープ領域の端縁は、前記第２ゲート絶縁層第２被覆領域の端縁に実質上そろって整合しており、
前記第２ライトドープ領域と前記第３ライトドープ領域とが同じ不純物濃度および長さを有し、前記第４ライトドープ領域と前記第５ライトドープ領域とが同じ不純物濃度および長さを有しており、
かつ、前記第１ライトドープ領域、前記第４ライトドープ領域および前記第５ライトドープ領域の不純物濃度は１×１０12〜１×１０14ａｔｏｍ／ｃｍ3、前記第２ライトドープ領域および前記第３ライトドープ領域の不純物濃度は１×１０13ａｔｏｍ／ｃｍ3よりも小さく、前記第１ヘビードープ領域および第２ヘビードープ領域の不純物濃度は１×１０14〜１×１０16ａｔｏｍ／ｃｍ3である請求項１記載のマルチゲート構造の薄膜トランジスタ。
【請求項３】
前記第１ゲート絶縁層は、前記第１ゲート絶縁層の第１被覆領域から延伸して、前記活性層の第１ヘビードープ領域を覆い、その厚さが前記第１ゲート絶縁層の第１被覆領域の厚さよりも小さい延伸領域をさらに有し、
前記第２ゲート絶縁層は、前記第２ゲート絶縁層の第２被覆領域から延伸して、前記活性層の第２ヘビードープ領域を覆い、その厚さが前記第２ゲート絶縁層の第２被覆領域の厚さよりも小さい延伸領域をさらに有している請求項１記載のマルチゲート構造の薄膜トランジスタ。
【請求項４】
前記基板が透明絶縁基板またはガラス基板であり、
前記活性層が半導体シリコン層またはポリシリコン層であり、
前記第１ゲート絶縁層が酸化シリコン層、窒化シリコン層、窒酸化シリコン層またはこれらの組み合せからなる堆積層であり、かつ、
前記第２ゲート絶縁層が酸化シリコン層、窒化シリコン層、窒酸化シリコン層またはこれらの組み合せからなる堆積層である請求項１記載のマルチゲート構造の薄膜トランジスタ。
【請求項５】
前記第１ライトドープ領域、前記第２ライトドープ領域、前記第３ライトドープ領域、前記第４ライトドープ領域および前記第５ライトドープ領域ならびに前記第１ヘビードープ領域および前記第２ヘビードープ領域は、いずれも同じ導電型のイオンドープ領域である請求項１記載のマルチゲート構造の薄膜トランジスタ。
【請求項６】
基板を用意する工程、
前記基板上に活性層を形成する工程、
前記活性層を覆うように前記基板上に絶縁層を形成する工程、
前記絶縁層上に導電層を形成する工程、
エッチングを行って、前記導電層を第１ゲート層と第２ゲート層とに形成すると共に、前記絶縁層を、前記第１ゲート層に覆われた中央領域、該中央領域の一方側に形成される第１被覆領域、および該中央領域の他方側に形成される第２被覆領域からなる第１ゲート絶縁層と、前記第２ゲート層に覆われた中央領域、該中央領域の一方側に形成される第１被覆領域、および該中央領域の他方側に形成される第２被覆領域からなる第２ゲート絶縁層とに形成し、かつ、隣り同士に位置する前記第１ゲート絶縁層の第２被覆領域と前記第２ゲート絶縁層の第１被覆領域との間のスペースからその下方にある前記活性層を露出させる工程、
イオン注入によるライトドーピングを行って、前記有効層における、前記第１ゲート絶縁層の中央領域および前記第２ゲート絶縁層の中央領域の下方にそれぞれアンドープ領域である第１領域および第２領域を、前記第１ゲート絶縁層の第１被覆領域および第２被覆領域の下方にそれぞれ第１の不純物濃度を有したライトドープ領域である第３領域および第４領域を、前記第２ゲート絶縁層の第１被覆領域および第２被覆領域の下方にそれぞれ第１の不純物濃度を有したライトドープ領域である第５領域および第６領域を、前記第１ゲート絶縁層の第１被覆領域の外側に第２の不純物濃度を有したライトドープ領域である第７領域を、前記第２ゲート絶縁層の第２被覆領域の外側に第２の不純物濃度を有したライトドープ領域である第８領域を、前記第１ゲート絶縁層の第２被覆領域と前記第２ゲート絶縁層の第１被覆領域との間のスペースに第２の不純物濃度を有したライトドープ領域である第９領域を形成する、前記有効層に異なる不純物濃度を有した複数の領域を形成する工程、
イオン注入によるヘビードーピングを行って、前記第３領域および前記第５領域を第３の不純物濃度を有したライトドープ領域とすると共に、前記第７領域および前記第８領域をヘビードープ領域とする工程、
からなるマルチゲート構造の薄膜トランジスタ製造方法。
【請求項７】
前記有効層の第３領域の端縁は、前記第１ゲート絶縁層第１被覆領域の端縁に実質上そろって整合し、前記有効層の第４領域の端縁は、前記第１ゲート絶縁層第２被覆領域の端縁に実質上そろって整合し、前記有効層の第５領域の端縁は、前記第２ゲート絶縁層第１被覆領域の端縁に実質上そろって整合し、前記有効層の第６領域の端縁は、前記第２ゲート絶縁層第２被覆領域の端縁に実質上そろって整合している請求項６記載の製造方法。
【請求項８】
前記第３領域と前記第６領域とは同じ不純物濃度および長さを有し、前記第４領域と前記第５領域とは同じ不純物濃度および長さを有しており、かつ、
前記第３領域と前記第６領域は前記第３の不純物濃度を有したライトドープ領域になり、該不純物濃度は１×１０12〜１×１０14ａｔｏｍ／ｃｍ3、
前記第９領域の不純物濃度は１×１０12〜１×１０14ａｔｏｍ／ｃｍ3、
前記第４領域および前記第５領域の不純物濃度は１×１０13ａｔｏｍ／ｃｍ3よりも小さく、
前記第７領域および前記第８領域は前記ヘビードープ領域となり、該不純物濃度は１×１０14〜１×１０16ａｔｏｍ／ｃｍ3である請求項６記載の製造方法。
【請求項９】
前記第１ゲート絶縁層は、前記第１ゲート絶縁層の第１被覆領域から延伸して、前記活性層の第７領域を覆い、その厚さが前記第１ゲート絶縁層の第１被覆領域の厚さよりも小さい延伸領域をさらに有し、
前記第２ゲート絶縁層は、前記第２ゲート絶縁層の第２被覆領域から延伸して、前記活性層の第８領域を覆い、その厚さが前記第２ゲート絶縁層の第２被覆領域の厚さよりも小さい延伸領域をさらに有している請求項６記載の製造方法。
【請求項１０】
前記基板が透明絶縁基板またはガラス基板であり、
前記活性層が半導体シリコン層またはポリシリコン層であり、
前記第１ゲート絶縁層が酸化シリコン層、窒化シリコン層、窒酸化シリコン層またはこれらの組み合せからなる堆積層であり、かつ、
前記第２ゲート絶縁層が酸化シリコン層、窒化シリコン層、窒酸化シリコン層またはこれらの組み合せからなる堆積層である請求項６記載の製造方法。
【請求項１１】
前記第３領域、前記第４領域、前記第５領域、前記第６領域、前記第７領域、前記第８領域および前記第９領域は、いずれも同じ導電型のイオンドープ領域である請求項６記載の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶ディスプレイの薄膜トランジスタアレイ基板技術に関し、特に、マルチゲート構造の薄膜トランジスタおよびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶ディスプレイ（liquid Crystal Display、以下、簡略してＬＣＤという。）の薄膜トランジスタ（thin film transistor、以下、簡略してＴＦＴという。）は、画素のスイッチング素子として用いられるものであり、アモルファスＴＦＴとポリシリコンＴＦＴの２タイプに大きく分けることができる。ポリシリコンＴＦＴは、キャリア移動度が高く、駆動回路の集積度に優れ、リーク電流が小さいことから、高速動作の回路に使用されることが多い。しかし、ポリシリコンＴＦＴは、オン（ＯＮ）とオフ（ＯＦＦ）とにかかわらず電流が非常に大きいことに加え、その構造によりドレイン領域近傍の空乏領域内に高電界が発生してしまうため、材料欠陥とトンネル効果が生じ、これらを起因に形成されたエネルギーギャップがドレイン領域内の電子と空乏領域のホールとの結合の確率を高めて、オフ時にリーク電流（leakage current）が発生し易くなる。そこでリーク電流の現象を効果的に改善するため、現段階の技術では、ゲートとドレインとの間にアンドープのオフセット領域（undoped offset region）またはライトドープドレイン（lightly doped drain ＝ ＬＤＤ）領域を形成することにより、ドレイン接合位置（drain junction）における電界を緩和するという手段がとられている。また、より一層のリーク電流現象低減を図るべく、ポリシリコンＴＦＴをマルチゲート（multi-gate）構造、例えば、デュアルゲート（dual-gate）構造に設計する解決策も採用されている。
【０００３】
図１Ａ〜Ｃに示すのは、従来技術による第１の形態のデュアルゲート構造ポリシリコンＴＦＴの製造工程を説明する断面図である。先ず、図１Ａにおいて、バッファ層１２およびポリシリコン層１４が形成されたガラス基板１０にボロンイオン注入（Ｂ+ ion implantation）１６を行って、トランジスタのしきい値電圧（threshold voltage）を調整する。続いて、図１Ｂにおいて、ゲート絶縁層１８と、互いに離間する第１ゲート層２０Ｉおよび第２ゲート層２０ＩＩとを順次形成する。次に、第１ゲート層２０Ｉおよび第２ゲート層２０ＩＩをマスクとしてイオン注入によるライトドーピング２２を行い、第１ゲート層２０Ｉおよび第２ゲート層２０ＩＩ周囲のポリシリコン層１４にＮ-ドープ領域１４ａを形成する。さらに、図１Ｃにおいて、堆積、リソグラフィおよびエッチングを行って、第１ゲート層２０Ｉと第２ゲート層２０ＩＩとの間のスペースに形成されたＮ-ドープ領域１４ａを覆うようにフォトレジスト層２４を形成する。最後に、フォトレジスト層２４、第１ゲート層２０Ｉおよび第２ゲート層２０ＩＩをマスクとして、イオン注入によるヘビードーピング２６を行い、第１ゲート層２０Ｉおよび第２ゲート層２０ＩＩ外側周囲のＮ-ドープ領域１４ａを２つのＮ+ドープ領域１４Ｓおよび１４Ｄとする。こうして、フォトレジスト層２４に覆われたＮ-ドープ領域１４ａがＬＤＤ領域に、Ｎ+ドープ領域１４Ｓおよび１４Ｄがそれぞれソース領域およびドレイン領域に、そして、第１ゲート層２０Ｉおよび第２ゲート層２０ＩＩに覆われたアンドープ領域１４Ｃ1および１４Ｃ2がそれぞれ２つのチャネル領域になる。
【０００４】
上述した第１の形態の工程によれば、フォトリソグラフィの高精度およびトランジスタにおける電気的特性の対称性が比較的容易に得られるが、第１ゲート層２０Ｉおよび第２ゲート層２０ＩＩ外側周囲に位置するソースおよびドレイン領域の近傍にはＬＤＤ領域を形成することはできない。よって、このようなポリシリコンＴＦＴの構造においては、オン（ｏｎ）電流を犠牲してＬＤＤ領域の直列抵抗を高めることでリーク電流を抑制しなければならず、しかも、この構造にあっても、依然としてそのリーク電流は製品設計の要求を満たせないほどに大きい。
【０００５】
図１Ｄに示すのは、従来技術による第２の形態のデュアルゲート構造ポリシリコンＴＦＴの製造工程を説明する断面図である。この第２の形態による製造方式は、第１の形態の製造工程とほぼ同様であるので、重なる部分は省略することにして、相違する部分を説明するが、それは主にフォトレジスト層２４のパターンレイアウトにある。つまり、図１ＡおよびＢに示す工程が終了したら、図１Ｄにおいて、堆積、フォトリソグラフィおよびエッチングを行い、第１ゲート層２０Ｉおよびその周囲のＮ-ドープ領域１４ａの一部を覆うように第１フォトレジスト層２４Ｉを形成すると共に、第２ゲート層２０ＩＩおよびその周囲のＮ-ドープ領域１４ａの一部を覆うように第２フォトレジスト層２４ＩＩを形成する。最後に、第１フォトレジスト層２４Ｉ、第２フォトレジスト層２４ＩＩ、第１ゲート層２０Ｉおよび第２ゲート層２０ＩＩをマスクとして、イオン注入によるヘビードーピング２６を行い、第１ゲート層２０Ｉおよび第２ゲート層２０ＩＩ外側周囲のＮ-ドープ領域１４ａを３つのＮ+ドープ領域１４Ｓ，１４Ｄ，１４Ｓ／Ｄにする。こうして、第１フォトレジスト層２４Ｉと第２フォトレジスト層２４ＩＩに覆われたＮ-ドープ領域１４ａ1，１４ａ2，１４ａ3，１４ａ4が４つのＬＤＤ領域に、Ｎ+ドープ領域１４Ｓ，１４Ｄ，１４Ｓ／Ｄがそれぞれソース領域、ドレイン領域、共用のソース／ドレイン領域に、第１ゲート層２０Ｉおよび第２ゲート層２０ＩＩに覆われたアンドープ領域１４Ｃ1および１４Ｃ2がそれぞれ２つのチャネル領域になる。
【０００６】
上述した第２の形態の製造工程によると、第１ゲート層２０Ｉおよび第２ゲート層２０ＩＩの外側および内側に位置するポリシリコン層１４内にＬＤＤ領域を形成することができるため、リーク電流を有効に抑制することが可能である。しかし、露光において生じ得るアライメント誤差（photo misalignment）によって、４つのＮ-ドープ領域１４ａ1，１４ａ2，１４ａ3，１４ａ4の長さを制御性良く対称とすることが困難になり、ＬＤＤ領域の位置ズレが起こってしまうため、トランジスタの電気特性が非対称性となり、製造工程の複雑さが増し、歩留りは低下する。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
上記に鑑みて、本発明の目的は、各ゲート層周囲両側にそれぞれＬＤＤ領域を形成することにより、ポリシリコンＴＦＴのリーク電流を最低限に抑えることができ、かつ、フォトリソグラフィにおける重ね合わせの問題を回避でき、ＬＤＤ領域の長さが精度良く対称になる、マルチゲート構造のポリシリコンＴＦＴおよびその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
すなわち、本発明は、基板、前記基板上に形成され、第１ライトドープ領域と、該第１ライトドープ領域の両側にそれぞれ形成される第２ライトドープ領域および第３ライトドープ領域と、該第２ライトドープ領域および該第３ライトドープ領域の外側にそれぞれ形成される第１チャネル領域および第２チャネル領域と、該第１チャネル領域および該第２チャネル領域の外側にそれぞれ形成される第４ライトドープ領域および第５ライトドープ領域と、該第４ライトドープ領域および該第５ライトドープ領域の外側にそれぞれ形成される第１ヘビードープ領域および第２ヘビードープ領域と、を有する活性層、前記活性層上に形成され、前記有効層の第１チャネル領域を覆う中央領域と、前記有効層の第４ライトドープ領域を覆う第１被覆領域と、前記有効層の第２ライトドープ領域を覆う第２被覆領域と、を有する第１ゲート絶縁層、前記活性層上に形成され、前記有効層の第２チャネル領域を覆う中央領域と、前記有効層の第３ライトドープ領域を覆う第１被覆領域と、前記有効層の第５ライトドープ領域を覆う第２被覆領域と、を有する第２ゲート絶縁層、前記第１ゲート絶縁層上に形成され、前記第１ゲート絶縁層の中央領域を覆う第１ゲート層、ならびに前記第２ゲート絶縁層上に形成され、前記第２ゲート絶縁層の中央領域を覆う第２ゲート層、から構成されるマルチゲート構造の薄膜トランジスタに関する。
【０００９】
前記第２ライトドープ領域の端縁は、前記第１ゲート絶縁層第２被覆領域の端縁に実質上そろって整合し、第３ライトドープ領域の端縁は、前記第２ゲート絶縁層第１被覆領域の端縁に実質上そろって整合し、第４ライトドープ領域の端縁は、前記第１ゲート絶縁層第１被覆領域の端縁に実質上そろって整合し、第５ライトドープ領域の端縁は、前記第２ゲート絶縁層第２被覆領域の端縁に実質上そろって整合しており、前記第２ライトドープ領域と前記第３ライトドープ領域とが同じ不純物濃度および長さを有し、前記第４ライトドープ領域と前記第５ライトドープ領域とが同じ不純物濃度および長さを有しており、かつ、前記第１ライトドープ領域、前記第４ライトドープ領域および前記第５ライトドープ領域の不純物濃度は１×１０12〜１×１０14ａｔｏｍ／ｃｍ3、前記第２ライトドープ領域および前記第３ライトドープ領域の不純物濃度は１×１０13ａｔｏｍ／ｃｍ3よりも小さく、前記第１ヘビードープ領域および第２ヘビードープ領域の不純物濃度は１×１０14〜１×１０16ａｔｏｍ／ｃｍ3であることが好ましい。
【００１０】
前記第１ゲート絶縁層は、前記第１ゲート絶縁層の第１被覆領域から延伸して、前記活性層の第１ヘビードープ領域を覆い、その厚さが前記第１ゲート絶縁層の第１被覆領域の厚さよりも小さい延伸領域をさらに有し、前記第２ゲート絶縁層は、前記第２ゲート絶縁層の第２被覆領域から延伸して、前記活性層の第２ヘビードープ領域を覆い、その厚さが前記第２ゲート絶縁層の第２被覆領域の厚さよりも小さい延伸領域をさらに有していることが好ましい。
【００１１】
前記基板が透明絶縁基板またはガラス基板であり、前記活性層が半導体シリコン層またはポリシリコン層であり、前記第１ゲート絶縁層が酸化シリコン層、窒化シリコン層、窒酸化シリコン層またはこれらの組み合せからなる堆積層であり、かつ、前記第２ゲート絶縁層が酸化シリコン層、窒化シリコン層、窒酸化シリコン層またはこれらの組み合せからなる堆積層であることが好ましい。
【００１２】
前記第１ライトドープ領域、前記第２ライトドープ領域、前記第３ライトドープ領域、前記第４ライトドープ領域および前記第５ライトドープ領域ならびに前記第１ヘビードープ領域および前記第２ヘビードープ領域は、いずれも同じ導電型のイオンドープ領域であることが好ましい。
【００１３】
また、本発明は、基板を用意する工程、前記基板上に活性層を形成する工程、前記活性層を覆うように前記基板上に絶縁層を形成する工程、前記絶縁層上に導電層を形成する工程、エッチングを行って、前記導電層を第１ゲート層と第２ゲート層とに形成すると共に、前記絶縁層を、前記第１ゲート層に覆われた中央領域、該中央領域の一方側に形成される第１被覆領域、および該中央領域の他方側に形成される第２被覆領域からなる第１ゲート絶縁層と、前記第２ゲート層に覆われた中央領域、該中央領域の一方側に形成される第１被覆領域、および該中央領域の他方側に形成される第２被覆領域からなる第２ゲート絶縁層とに形成し、かつ、隣り同士に位置する前記第１ゲート絶縁層の第２被覆領域と前記第２ゲート絶縁層の第１被覆領域との間のスペースからその下方にある前記活性層を露出させる工程、イオン注入によるライトドーピングを行って、前記有効層における、前記第１ゲート絶縁層の中央領域および前記第２ゲート絶縁層の中央領域の下方にそれぞれアンドープ領域である第１領域および第２領域を、前記第１ゲート絶縁層の第１被覆領域および第２被覆領域の下方にそれぞれ第１の不純物濃度を有したライトドープ領域である第３領域および第４領域を、前記第２ゲート絶縁層の第１被覆領域および第２被覆領域の下方にそれぞれ第１の不純物濃度を有したライトドープ領域である第５領域および第６領域を、前記第１ゲート絶縁層の第１被覆領域の外側に第２の不純物濃度を有したライトドープ領域である第７領域を、前記第２ゲート絶縁層の第２被覆領域の外側に第２の不純物濃度を有したライトドープ領域である第８領域を、前記第１ゲート絶縁層の第２被覆領域と前記第２ゲート絶縁層の第１被覆領域との間のスペースに第２の不純物濃度を有したライトドープ領域である第９領域を形成する、前記有効層に異なる不純物濃度を有した複数の領域を形成する工程、イオン注入によるヘビードーピングを行って、前記第３領域および前記第５領域を第３の不純物濃度を有したライトドープ領域とすると共に、前記第７領域および前記第８領域をヘビードープ領域とする工程、からなるマルチゲート構造の薄膜トランジスタ製造方法に関する。
【００１４】
前記有効層の第３領域の端縁は、前記第１ゲート絶縁層第１被覆領域の端縁に実質上そろって整合し、前記有効層の第４領域の端縁は、前記第１ゲート絶縁層第２被覆領域の端縁に実質上そろって整合し、前記有効層の第５領域の端縁は、前記第２ゲート絶縁層第１被覆領域の端縁に実質上そろって整合し、前記有効層の第６領域の端縁は、前記第２ゲート絶縁層第２被覆領域の端縁に実質上そろって整合していることが好ましい。
【００１５】
前記第３領域と前記第６領域とは同じ不純物濃度および長さを有し、前記第４領域と前記第５領域とは同じ不純物濃度および長さを有しており、かつ、前記第３領域と前記第６領域は前記第３の不純物濃度を有したライトドープ領域になり、該不純物濃度は１×１０12〜１×１０14ａｔｏｍ／ｃｍ3、前記第９領域の不純物濃度は１×１０12〜１×１０14ａｔｏｍ／ｃｍ3、前記第４領域および前記第５領域の不純物濃度は１×１０13ａｔｏｍ／ｃｍ3よりも小さく、前記第７領域および前記第８領域は前記ヘビードープ領域となり、該不純物濃度は１×１０14〜１×１０16ａｔｏｍ／ｃｍ3であることが好ましい。
【００１６】
前記第１ゲート絶縁層は、前記第１ゲート絶縁層の第１被覆領域から延伸して、前記活性層の第７領域を覆い、その厚さが前記第１ゲート絶縁層の第１被覆領域の厚さよりも小さい延伸領域をさらに有し、前記第２ゲート絶縁層は、前記第２ゲート絶縁層の第２被覆領域から延伸して、前記活性層の第８領域を覆い、その厚さが前記第２ゲート絶縁層の第２被覆領域の厚さよりも小さい延伸領域をさらに有していることが好ましい。
【００１７】
前記基板が透明絶縁基板またはガラス基板であり、前記活性層が半導体シリコン層またはポリシリコン層であり、前記第１ゲート絶縁層が酸化シリコン層、窒化シリコン層、窒酸化シリコン層またはこれらの組み合せからなる堆積層であり、かつ、前記第２ゲート絶縁層が酸化シリコン層、窒化シリコン層、窒酸化シリコン層またはこれらの組み合せからなることが好ましい。
【００１８】
前記第３領域、前記第４領域、前記第５領域、前記第６領域、前記第７領域、前記第８領域および前記第９領域は、いずれも同じ導電型のイオンドープ領域であることが好ましい。
【発明の効果】
【００１９】
本発明にかかわるマルチゲート構造のポリシリコンＴＦＴおよびその製造方法  によれば、次のような効果が奏される。つまり、デュアルゲート構造周囲の外側および内側に位置する活性層内に、対称状のＬＤＤ領域を同時に形成できるため、ポリシリコンＴＦＴのリーク電流を最低限に抑えることができる。また、デュアルゲート構造の各ゲート絶縁層における２つの被覆領域をマスクにイオン注入を行うので、セルフアライメントのＬＤＤ領域およびソース／ドレイン領域の同時形成が可能となる。さらに、エッチング条件の調整を通してデュアルゲート構造の各ゲート絶縁層における２つの被覆領域の幅を制御するため、ＬＤＤ領域の位置と対称性が精度良く制御でき、かつ、ＬＤＤ領域のパターンを形成するのにフォトマスクの追加またはサイドウォールの形成を必要としないことから、露光時のアライメント誤差（photo misalignment）により生じる重ね合わせの問題を回避でき、このことによってもＬＤＤ領域の位置と対称性を一層精度良く制御することが可能になって、ポリシリコンＴＦＴの電気特性要求を満足させることができる。そして、フォトレジスト層がイオン注入によるヘビードーピングのマスクパターンとなるため、製造工程において高精度なフォトリソグラフィが要されず、フォトリソグラフィの難度が大幅に軽減される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
本発明は、ゲート層両側から露出するゲート絶縁層の被覆領域をイオン注入のマスクとして用いることにより、ＬＤＤ領域およびソース／ドレイン領域を同時に形成することのできる、マルチゲート構造のポリシリコンＴＦＴおよびその製造方法を提供するものである。このように本発明では、各ゲート層の両側にそれぞれＬＤＤ領域を設けることができるため、ポリシリコンＴＦＴのリーク電流を最低限に抑えることができる他、フォトリソグラフィにおける重ね合わせの問題が回避され、ＬＤＤ領域の長さを精度良く対称とすることが可能である。
【００２１】
本発明の上述およびその他の目的、特徴および長所がより明確に理解されるよう、以下に、デュアルゲート構造のポリシリコンＴＦＴを好ましい実施例として挙げ、図面と対応させながら、詳細に説明する。
【実施例１】
【００２２】
図２Ａ〜Ｅに示すのは、本発明実施例１によるデュアルゲート構造ポリシリコンＴＦＴの製造方法を説明する断面図である。
【００２３】
先ず、図２Ａにおいて、基板３０を用意し、基板３０上にバッファ層３２と活性層３４とを順次形成する。基板３０は透明絶縁基板、例えば、ガラス基板であるのが好ましい。バッファ層３２は、その形成の目的が基板への活性層の形成を補助することにあるという点から、誘電材料層、例えば酸化シリコン層であることが好ましい。活性層３４は半導体シリコン層、例えばポリシリコン層であることが好ましい。また、トランジスタのしきい値電圧（threshold voltage）を調整するために、ボロンまたはリンイオン注入（Ｂ+ or Ｐ+ ion implantation）を行ってもよい。
【００２４】
続いて、図２Ｂにおいて、活性層３４上に絶縁層３６と導電層３８とを順次堆積する。絶縁層３６は酸化シリコン層、窒化シリコン層、窒酸化シリコン層またはこれらの組み合せからなる堆積層であること好ましく、導電層３８は金属層またはポリシリコン層であることが好ましい。そして、パターニングされたフォトレジストをマスクに導電層３８をドライエッチングし、第１ゲート層３８Ｉおよび第２ゲート層３８ＩＩの一応のパターンを形成する。次に、図２Ｃにおいて、プラズマエッチング（plasma etching）または反応性イオンエッチングを行い、これには酸素含有ガスと塩素含有ガスの混合ガスを用いるが、導電層３８のエッチング中に、塩素含有ガスの流量を次第に高めていってマックスとし（ひいては塩素含有ガスだけをエッチング反応ガスに用いてもよい。）、絶縁層３６までエッチされるに至った時に、さらに酸素ガスを導入するかまたは酸素ガス流量を増加し、これと同時に、再び現れた第１，第２ゲート層３８Ｉ，３８ＩＩの輪郭をエッチングすると、第１，第２ゲート層３８Ｉ，３８ＩＩが、上に窄まり下に広がる台形に形成されると共に、絶縁層３６が２つの離間した第１，第２ゲート絶縁層４０，４２に形成されることとなる。その後、前記パターンニングされたフォトレジストは除去する。
【００２５】
こうして形成された第１ゲート絶縁層４０は、中央領域４０ａ、第１被覆領域４０ｂ1および第２被覆領域４０ｂ2に分けることができ、中央領域４０ａは第１ゲート層３８Ｉの底部に覆われた領域、第１，第２被覆領域４０ｂ1，４０ｂ2は第１ゲート３８Ｉの底部両側から露出している領域である。第１ゲート絶縁層４０は、活性層３４のソース／ドレイン領域となる領域を露出させるように形成されている。なお、第１被覆領域４０ｂ1の幅Ｗ1は０．１μｍ〜０．２μｍであるのが好ましく、第２被覆領域４０ｂ2の幅Ｗ2は０．１μｍ〜０．２μｍであるのが好ましいが、Ｗ1，Ｗ2の寸法およびその対称性の態様は、回路設計上の要求に応じて適宜調整することができる。
【００２６】
一方、第２ゲート絶縁層４２は、中央領域４２ａ、第１被覆領域４２ｂ1および第２被覆領域４２ｂ2に分けることができ、中央領域４２ａは第２ゲート層３８ＩＩの底部に覆われた領域、第１，第２被覆領域４２ｂ1，４２ｂ2は第２ゲート３８ＩＩの底部両側から露出している領域である。第２ゲート絶縁層４２は、活性層３４のソース／ドレイン領域となる領域を露出させるように形成されている。なお、第１被覆領域４２ｂ1の幅Ｄ1は０．１μｍ〜０．２μｍであるのが好ましく、第２被覆領域４２ｂ2の幅Ｄ2は０．１μｍ〜０．２μｍであるのが好ましいが、Ｄ1，Ｄ2の寸法およびその対称性の態様は、回路設計上の要求に応じた適宜調整が可能である。さらに、Ｗ1，Ｗ2，Ｄ1，Ｄ2の間の対称性の態様も調整可能であり、好ましくは、Ｗ1＝Ｄ2，Ｗ2＝Ｄ2とするのが良い。
【００２７】
第１ゲート層４０の第２被覆領域４０ｂ2と、第２ゲート層４２の第１被覆領域４２ｂ1とは隣り同士に位置しており、第２被覆領域４０ｂ2と第１被覆領域４２ｂ1との間のスペースから、その下方の活性層３４が露出している。さらに、第１ゲート層４０の第１被覆領域４０ｂ1の外側からは、その下方の活性層３４が露出し、第２ゲート絶縁層４２の第２被覆領域４２ｂ2の外側からは、その下方の活性層３４が露出している。
【００２８】
次に、図２Ｄにおいて、第１，第２ゲート層３８Ｉ，３８ＩＩ、第１ゲート絶縁層４０の被覆領域４０ｂ1，４０ｂ2および第２ゲート絶縁層４２の被覆領域４２ｂ1，４２ｂ2をマスクとし、イオン注入によるライトドーピング４４を行って、活性層３４内に、不純物濃度のそれぞれ異なる複数の領域を形成する。図中、第１，第２領域３４１，３４２はアンドープ領域であり、中央領域４０ａ，４２ａに対応してその下方に形成されている。第３，第４領域３４３，３４４はＮ--ドープ領域であり、第１ゲート絶縁層４０の第１，第２被覆領域４０ｂ1，４０ｂ2に対応してその下方に形成されている。第５，第６領域３４５，３４６はＮ--ドープ領域であり、第２ゲート絶縁層４２の第１，第２被覆領域４２ｂ1，４２ｂ2に対応してその下方に形成されている。第７領域３４７はＮ-ドープ領域であり、第１ゲート絶縁層４０の第１被覆領域４０ｂ1外側から露出している。第８領域３４８はＮ-ドープ領域であり、第２ゲート絶縁層４２の第２被覆領域４２ｂ2外側から露出している。第９領域３４９はＮ-ドープ領域であり、第１ゲート絶縁層４０の第２被覆領域４０ｂ2と第２ゲート絶縁層４２の第１被覆領域４２ｂ1との間のスペースから露出している。ここで、第１ゲート絶縁層４０の被覆領域４０ｂ1，４０ｂ2および第２ゲート絶縁層４２の被覆領域４２ｂ1，４２ｂ2を、イオン注入によるライトドーピング４４のマスクとして用いたため、第３，第４領域３４３，３４４の端縁が、第１，第２被覆領域４０ｂ1，４０ｂ2の端縁に実質上そろって整合し、第５，第６領域３４５，３４６は、被覆領域４２ｂ1，４２ｂ2の端縁に実質上そろって整合するという点に注目すべきである。さらに、イオン注入によるライトドーピング４４の加速電圧および注入量を調整することにより、第３，第４，第５，第６領域３４３，３４４，３４５，３４６の不純物濃度を制御して、これらをＮ--ドープ領域または濃度の極めて低いオフセット領域（offset region）にすることもできる。
【００２９】
最後に、図２Ｅに示すように、堆積、リソグラフィおよびエッチングを行って、第１ゲート絶縁層４０の第２被覆領域４０ｂ2、第２ゲート絶縁層４２の第１被覆領域４２ｂ1およびこれらの間のスペースに位置する第９領域３４９を覆うようにフォトレジスト層４６を形成してから、このフォトレジスト層４６、第１，第２ゲート層３８Ｉ，３８ＩＩ、第１ゲート絶縁層４０の第１被覆領域４０ｂ1、および第２ゲート絶縁層４２の第２被覆領域４２ｂ2をマスクとし、イオン注入によるヘビードーピング４８を行って、活性層３４の第３領域３４３、第６領域３４６、第７領域３４７および第８領域３４８の不純物濃度を高める。こうして、第３領域３４３および第６領域３４６がＮ-ドープ領域となり、第７領域３４７および第８領域がＮ+ドープ領域となる。
【００３０】
上述のように、第７領域３４７および第８領域３４８はＮ+ドープ領域であってソース領域およびドレイン領域に、第３領域３４３および第６領域３４６はＮ-ドープ領域であってデュアルゲート構造外側のＬＤＤ領域に、第４領域３４４および第５領域３４５はＮ--ドープ領域であってデュアルゲート構造内側のＬＤＤ領域に、第９領域３４９はＮ-ドープ領域であってデュアルゲート構造の共用ソース／ドレイン領域に、第１領域３４１および第２領域３４２はアンドープ領域であってデュアルゲート構造の２つのチャネル領域になる。なお、第７領域３４７および第８領域３４８の不純物濃度は１×１０14〜１×１０16ａｔｏｍ／ｃｍ3であるのが好ましく、第３領域３４３、第６領域３４６および第９領域３４９の不純物濃度は１×１０12〜１×１０14ａｔｏｍ／ｃｍ3であるのが好ましく、第４領域３４４および第５領域３４５の不純物濃度は１×１０13ａｔｏｍ／ｃｍ3よりも小さいことが好ましい。
【００３１】
上述の実施形態による構造は透明絶縁基板に用いられるものであるが、Ｐ型シリコン基板に用いてもよく、その場合は、ライトドープ領域がＮ-ドープ領域に、ヘビードープ領域がＮ+ドープ領域になる。また、本発明が提供する方法は、Ｎ型シリコン基板へも適用可能であり、その場合は、ライトドープ領域がＰ-ドープ領域に、ヘビードープ領域がＰ+ドープ領域になる。そして、この後に続く配線工程は、層間絶縁膜、コンタクトホールおよび配線を形成するというものであるが、この工程の実施方式は本発明の特徴と作用効果に直接の関連はないので、その詳しい説明は省くことにする。
【００３２】
以上の説明からわかるように、本発明の実施例１によるマルチゲート構造のポリシリコンＴＦＴおよびその製造方法には次のような諸長所がある。
【００３３】
第１に、デュアルゲート構造の外側および内側の活性層３４内に、対称状のＬＤＤ領域を同時に形成することができるため、ポリシリコンＴＦＴのリーク電流を大幅に低めることができる。
【００３４】
第２に、第１，第２ゲート絶縁層４０，４２の被覆領域４０ｂ1，４０ｂ2，４２ｂ1，４２ｂ2をマスクとして用いたイオン注入を行うことで、セルフアライメントのＬＤＤ領域およびソース／ドレイン領域を同時に形成することができる。
【００３５】
第３に、エッチング条件を調整することによって、第１，第２ゲート絶縁層４０，４２の被覆領域４０ｂ1，４０ｂ2，４２ｂ1，４２ｂ2の幅Ｗ1，Ｗ2，Ｄ1，Ｄ2を制御できるため、ＬＤＤ領域の位置と対称性が精度良く制御でき、ポリシリコンＴＦＴの電気特性要求を満たし得る。
【００３６】
第４に、ＬＤＤ領域のパターンを形成するのに、フォトマスクの追加またはサイドウォールの形成の必要がないため、露光時のアライメント誤差（photo misalignment）により生じる位置ずれの問題を回避でき、ＬＤＤ領域の位置と対称性をより一層精度良く制御することが可能となる。
【００３７】
第５に、フォトレジスト層４６がイオン注入によるヘビードーピング４８のマスクパターンとなるため、製造工程に高精度なフォトリソグラフィは求められず、フォトリソグラフィの難度が大幅に軽減される。
【実施例２】
【００３８】
図３に示すのは、本発明実施例２によるデュアルゲート構造ポリシリコンＴＦＴ断面図である。実施例２の薄膜トランジスタの構造的特徴は、実施例１において説明した薄膜トランジスタのそれとほぼ同じであるので、重なる点については繰り返し説明しない。相違する点は次のとおりである。第１ゲート絶縁層４０は、第１被覆領域４０ｂ1から延伸する領域であって、活性層３４の第７領域３４７を覆うべく延伸する延伸領域４０ｃをさらに有している。ここで、延伸領域４０ｃの厚さは、第１被覆領域４０ｂ1の厚さよりもはるかに小さくなっているため、ＬＤＤ領域およびソース／ドレイン領域の形成には影響しないという点に特徴がある。また、第２ゲート絶縁層４２も、第２被覆領域４２ｂ2から延伸する領域であって、活性層３４の第８領域３４８を覆うべく延伸する延伸領域４２をさらに有しており、同様に、延伸領域４２ｃの厚さは、第２被覆領域４２ｂ2の厚さよりもはるかに小さくなっているため、ＬＤＤ領域およびソース／ドレイン領域の形成には影響しないという点に特徴がある。本発明の実施例２による薄膜トランジスタは、実施例１において述べたのと同様の諸長所を備えるものである。これについては上述したのでその説明は省く。
【００３９】
第１ゲート絶縁層４０における延伸領域４０ｃと第１被覆領域４０ｂ1の構成としては、両者を同じ材質から成る構成とするか、または、第１被覆領域４０ｂ1を第１絶縁層と第２絶縁層とを堆積させて形成し、延伸領域４０ｃを第１絶縁層から成る構成とすることができる。このうち、第１絶縁層は、酸化シリコン層、窒化シリコン層、窒酸化シリコン層またはこれらの組み合せであるのが好ましく、第２絶縁層は酸化シリコン層、窒化シリコン層、窒酸化シリコン層またはこれらの組み合せであるのが好ましい。上述の構成以外にも、３層または３層以上の絶縁層スタック構造を採用して、第１被覆領域４０ｂ1と延伸領域４０ｃの厚さに差異を付けるという効果を達成させることもできる。
【００４０】
一方、第２ゲート絶縁層４２における延伸領域４２ｃと第２被覆領域４２ｂ2の構成としては、両者を同じ材質から成る構成とするか、または、第２被覆領域４２ｂ2を第１絶縁層と第２絶縁層とを堆積させて形成し、延伸領域４２ｃを第１絶縁層から成る構成のとすることができる。このうち、第１絶縁層は、酸化シリコン層、窒化シリコン層、窒酸化シリコン層またはこれらの組み合せであるのが好ましく、第２絶縁層は酸化シリコン層、窒化シリコン層、窒酸化シリコン層またはこれらの組み合せであるのが好ましい。上述の構成以外にも、３層または３層以上の絶縁層スタック構造を採用して、第２被覆領域４２ｂ2と延伸領域４２ｃの厚さに差異を付けるという効果を達成させることもできる。
【００４１】
以上、好適な実施例を用いて本発明を説明したが、本発明はこれら実施例に限定されることはなく、本発明の精神と範囲を脱しない限りにおいて、当業者は各種変更お修飾を加えることができる。すなわち、本発明の保護範囲は、添付の特許請求の範囲で定義された範囲が基準となる。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１Ａ】従来技術による第１の形態のデュアルゲート構造ポリシリコンＴＦＴの製造工程を説明する断面図である。
【図１Ｂ】従来技術による第１の形態のデュアルゲート構造ポリシリコンＴＦＴの製造工程を説明する断面図である。
【図１Ｃ】従来技術による第１の形態のデュアルゲート構造ポリシリコンＴＦＴの製造工程を説明する断面図である。
【図１Ｄ】従来技術による第２の形態のデュアルゲート構造ポリシリコンＴＦＴの製造工程を説明する断面図である。
【図２Ａ】本発明実施例１によるデュアルゲート構造ポリシリコンＴＦＴの製造方法を説明する断面図である。
【図２Ｂ】本発明実施例１によるデュアルゲート構造ポリシリコンＴＦＴの製造方法を説明する断面図である。
【図２Ｃ】本発明実施例１によるデュアルゲート構造ポリシリコンＴＦＴの製造方法を説明する断面図である。
【図２Ｄ】本発明実施例１によるデュアルゲート構造ポリシリコンＴＦＴの製造方法を説明する断面図である。
【図２Ｅ】本発明実施例１によるデュアルゲート構造ポリシリコンＴＦＴの製造方法を説明する断面図である。
【図３】本発明実施例２によるデュアルゲート構造ポリシリコンＴＦＴの断面図である。
【符号の説明】
【００４３】
３０      基板
３２      バッファ層
３４      活性層
３４１    第１領域
３４２    第２領域
３４３    第３領域
３４４    第４領域
３４５    第５領域
３４６    第６領域
３４７    第７領域
３４８    第８領域
３４９    第９領域
３６      絶縁層
３８      導電層
３８Ｉ    第１ゲート層
３８ＩＩ  第２ゲート層
４０      第１ゲート絶縁層
４０ａ    中央領域
４０ｂ1    第１被覆領域
４０ｂ2    第２被覆領域
４０ｃ    延伸領域
４２      第２ゲート絶縁層
４２ａ    中央領域
４２ｂ1    第１被覆領域
４２ｂ2    第２被覆領域
４２ｃ    延伸領域
４４      イオン注入によるライトドーピング
４６      フォトレジスト層
４８      イオン注入によるライトドーピング
【図１Ａ】
2004327999.tif 000003
【図１Ｂ】
2004327999.tif 000004
【図１Ｃ】
2004327999.tif 000005
【図１Ｄ】
2004327999.tif 000006
【図２Ａ】
2004327999.tif 000007
【図２Ｂ】
2004327999.tif 000008
【図２Ｃ】
2004327999.tif 000009
【図２Ｄ】
2004327999.tif 000010
【図２Ｅ】
2004327999.tif 000011
【図３】
2004327999.tif 000012