(57)【要約】【課題】アクティブシリコンレイヤーをターゲット膜厚にまで、高スループットでしかも要求される精度にまで平坦化加工することができるＳＯＩウェハーのための局所ドライエッチング方法を提供することを課題とする。【解決手段】多段局所ドライエッチング装置は、第１、第２真空チャンバー１１、２１、小径ノズル１３、これよりも径の大きい大径ノズル２３、各ノズルから吹き出させる活性種ガスを発生させるための活性種ガス発生装置１４、各真空チャンバー内に設けられ、ＳＯＩウェハーＷと各ノズル１３、２３との間に相対速度を与えてスキャニングするためのそれぞれの送り装置、及び、搬送装置３１を備え、第１真空チャンバー１１内でＳＯＩウェハーのアクティブシリコンレイヤーをエッチングすることにより表面凹凸を除去し、第２真空チャンバー２１内でこのアクティブシリコンレイヤーを要求される膜厚にまでエッチングする。【選択図】　　　　図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＳＯＩウェハーのための多段局所ドライエッチング方法であって、
小径のノズルによってアクティブシリコンレイヤー表面を局所ドライエッチングすることにより、ＳＯＩウェハーのアクティブシリコンレイヤー表面に在る凹凸を平坦化するための第１ステップ、及び、
上記第１ステップによって平坦化されたアクティブシリコンレイヤーを大径のノズルによって局所エッチングすることにより要求される膜厚にまで除去するための第２ステップ
からなることを特徴とする多段局所ドライエッチング方法。
【請求項２】
請求項１に記載された局所ドライエッチング方法において、上記第１ステップ及び上記第２ステップにおける各局所ドライエッチングは、活性種ガスを噴出する各ノズルを上記アクティブシリコンレイヤー表面に吹きつけながら、その表面に沿って制御された相対速度でスキャニングすることにより行われること
を特徴とする多段局所ドライエッチング方法。
【請求項３】
請求項１又は請求項２のいずれかに記載された局所ドライエッチング方法において、
上記相対速度は数値制御によって制御され、第２ステップにおけるスキャニングのピッチは第１ステップにおけるスキャニングのピッチよりも大きくすることを特徴とする多段局所ドライエッチング方法。
【請求項４】
請求項１から請求項３までのいずれかに記載された局所ドライエッチング方法において、
上記活性種ガスは、ＳＦ６ガス、ＮＦ３ガス、ＣＦ４ガスのいずれか又はそれらの混合ガスあるいはこれらガスと酸素との混合ガスをプラズマによって活性化したものであること
を特徴とする多段局所ドライエッチング方法。
【請求項５】
第１の真空チャンバー、
第２の真空チャンバー、
上記第１の真空チャンバー内に開口する小径ノズル、
上記第２の真空チャンバー内に開口し、上記小径ノズルよりも径の大きい大径ノズル、
上記各ノズルから吹き出させる活性種ガスを発生させるための活性種ガス発生装置、
上記各真空チャンバー内に設けられ、ＳＯＩウェハーと上記各ノズルとの間にＳＯＩウェハーの表面に沿う相対速度を与えてスキャニングするためのそれぞれの送り装置、及び、
上記第１のチャンバーから平坦化加工が済んだＳＯＩウェハーを取り出し、これを上記第２のチャンバー内に搬送するための搬送装置
を備え、
上記第１の真空チャンバー内でＳＯＩウェハーのアクティブシリコンレイヤーをエッチングすることにより表面凹凸が除去され、上記第２の真空チャンバー内でこのアクティブシリコンレイヤーが要求される膜厚にまでエッチングされること
を特徴とする多段局所ドライエッチング装置。
【請求項６】
請求項５に記載された多段局所ドライエッチング装置において、
単一の上記搬送装置に対して、第１の真空チャンバー、及び、第２の真空チャンバーのそれぞれは単数あるいは複数であること
を特徴とする多段局所ドライエッチング装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ドライエッチングによって、ＳＯＩウェハーのアクティブシリコンレイヤー（トップシリコンレイヤー）を全体として薄膜化するとともにその表面を平坦化（膜厚を均一化）するための局所ドライエッチング方法に関る。
【０００２】
【従来の技術】
従来、シリコンウェハー表面を平坦化するための一つの加工方法として局所ドライエッチング法が知られている。局所ドライエッチング法では、プラズマによって発生した活性種ガスをノズルから噴出させながら、噴出した活性種ガスをシリコンウェハーの表面に吹きつける。シリコンは活性種ガスと反応して気体化合物となって除去されるため、シリコンウェハーの表面材料が除肉される。このとき、ノズルをシリコンウェハー表面に沿って相対運動させると、その速度に応じて表面から除去する除肉量を制御することができる。上記相対運動は通常スキャニングによって行われ、予め得られているシリコンウェハーの表面凹凸に対応してスキャニング速度を制御することによりシリコンウェハーの表面が平坦化加工される。
【０００３】
ＳＯＩウェハー（ＳＯＩ：Ｓｉｌｉｃｏｎ　Ｏｎ　Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）は、シリコン基板の表面にシリコンの酸化膜を形成し、この酸化膜上に薄い膜状のシリコン（単体）を形成した（例えば、張り合わせた）ものである。この形成されたシリコンはアクティブシリコンレイヤーあるいはトップシリコンレイヤーと呼ばれる。アクティブシリコンレイヤーは、その形成後、要求される厚さ（ターゲット膜厚）にまで薄膜化し、且つ、その表面を要求される精度にまで平坦（膜厚の均一化）に加工しなければならない。
【０００４】
アクティブシリコンレイヤーの当初の膜厚とターゲット膜厚との間には大きな開きがあり、しかも加工面積がウェハー面全体と広いため除肉量が多い。更に、必要な平坦化を行うためには対応して小さい径のノズルを使用しなければならないため、除肉性能において劣る。このため、上記ＳＯＩウェハーにおけるアクティブシリコンレイヤーの加工に対して、上記従来の局所ドライエッチング法を適用した場合、どうしても長い加工時間が必要となるので、スループットを向上させることが困難であった。
【０００５】
【特許文献１】
特開平９−２７４８２号公報
【特許文献２】
特開平１１−２６０８０６号公報
【特許文献３】
特開２０００−３６４８８号公報
【特許文献４】
特開２００２−２３１７００号公報
【非特許文献１】
柳澤　道彦，「シリコンウェハーの数値制御ドライ平坦化加工」，砥粒加工学会誌，平成１２年１０月、第４４巻，第１０号，ｐ４３７−４４０
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上記問題に鑑み、アクティブシリコンレイヤーを高スループットでターゲット膜厚にまで、しかも要求される精度にまで平坦化加工することができるＳＯＩウェハーのための局所ドライエッチング方法を提供することを課題とするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上記課題は以下の手段により解決される。すなわち、第１番目の発明の多段局所ドライエッチング方法は、小径のノズルによってアクティブシリコンレイヤー表面を局所ドライエッチングすることにより、ＳＯＩウェハーのアクティブシリコンレイヤー表面に在る凹凸を平坦化するための第１ステップ、及び、上記第１ステップによって平坦化されたアクティブシリコンレイヤーを大径のノズルによって局所エッチングすることにより要求される膜厚にまで除去するための第２ステップからなることを特徴とするＳＯＩウェハーのための多段局所ドライエッチング方法である。
【０００７】
第２番目の発明の多段局所ドライエッチング方法は、第１番目の発明の局所ドライエッチング方法において、上記第１ステップ及び上記第２ステップにおける各局所ドライエッチングが、活性種ガスを噴出する各ノズルを上記アクティブシリコンレイヤー表面に吹きつけながら、その表面に沿って制御された相対速度でスキャニングすることにより行われることを特徴とする多段局所ドライエッチング方法である。
【０００８】
第３番目の発明の多段局所ドライエッチング方法は、第１番目又は第２番目の発明の局所ドライエッチング方法において、上記相対速度は数値制御によって制御され、第２ステップにおけるスキャニングのピッチは第１ステップにおけるスキャニングのピッチよりも大きくすることを特徴とする多段局所ドライエッチング方法である。
【０００９】
第４番目の発明の多段局所ドライエッチング方法は、第１番目から第２番目までの発明の局所ドライエッチング方法において、上記活性種ガスが、ＳＦ６ガス、ＮＦ３ガス、ＣＦ４ガスのいずれか又はそれらの混合ガスあるいはこれらガスと酸素との混合ガスをプラズマによって活性化したものであることを特徴とする多段局所ドライエッチング方法である。
【００１０】
第５番目の発明の多段局所ドライエッチング装置は、第１の真空チャンバー、第２の真空チャンバー、上記第１の真空チャンバー内に開口する小径ノズル、上記第２の真空チャンバー内に開口し、上記小径ノズルよりも径の大きい大径ノズル、上記各ノズルから吹き出させる活性種ガスを発生させるための活性種ガス発生装置、上記各真空チャンバー内に設けられ、ＳＯＩウェハーと上記各ノズルとの間にＳＯＩウェハーの表面に沿う相対速度を与えてスキャニングするためのそれぞれの送り装置、及び、上記第１のチャンバーから平坦化加工が済んだＳＯＩウェハーを取り出し、これを上記第２のチャンバー内に搬送するための搬送装置を備え、上記第１の真空チャンバー内でＳＯＩウェハーのアクティブシリコンレイヤーをエッチングすることにより表面凹凸が除去され、上記第２の真空チャンバー内でこのアクティブシリコンレイヤーが要求される膜厚にまでエッチングされることを特徴とする多段局所ドライエッチング装置である。
【００１１】
第６番目の発明の多段局所ドライエッチング装置は、第５番目の発明の多段局所ドライエッチング装置において、単一の上記搬送装置に対して、第１の真空チャンバー、及び、第２の真空チャンバーのそれぞれは単数あるいは複数であることを特徴とする多段局所ドライエッチング装置である。
【００１２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態を説明する。局所ドライエッチングにおいては、ノズルから吹き出された活性種ガスがウェハー表面に衝突（接触）し、この衝突によって反応が起こるため、活性種ガスの流れの大きさ、つまりスポット径、が除肉する範囲（の程度）を決定することになる。最初のアクティブシリコンレイヤーの凹凸には様々の空間波長成分（周波数成分）が含まれている。この凹凸を除去して要求される精度の平坦度を得るためには波長成分に対応した大きさの活性種ガスの流れを作り出さなければならない。このため、細かい（波長成分の短い）凹凸を除去するためにはできるだけ小さい径のノズルを用いることが必要となる。
【００１３】
一方、アクティブシリコンレイヤーをターゲット膜厚にする際には表面の全面積にわたり深く除肉することになるため、上記細かな凹凸除去のための除去量（場合によっては部分的で済む）と比べてはるかに多くの除肉量が必要となる。このため、エッチングレートに関しては、活性種ガスの流れの径、つまりノズル径を大きくした方がより効率的である。
【００１４】
図１は、ノズル径（ノズル内径７ｍｍ、１０ｍｍ及び１３ｍｍ、他の条件は同一）毎に求めた凹凸の空間波長と凹凸除去性能（凹凸の除去程度）の関係を示したグラフの例である。ノズル径が７ｍｍのときに空間波長２０ｍｍからそれより長い成分の凹凸がほとんど除去できているのに対し、ノズル径１３ｍｍのときには、空間波長２０ｍｍの凹凸のほぼ半分程度までしか除去できず、実質的にほぼ完全に除去できたのは空間波長３０ｍｍ程度の凹凸からであることが分かる。ノズル径１０ｍｍでは中間的な値が得られている。
【００１５】
図２は、ノズル径（ノズル内径７ｍｍ、１０ｍｍ及び１３ｍｍ、他の条件は同一）とエッチングレート（単位面積当たりの全除肉体積でみたエッチング速度）との関係を示したグラフの例である。内径７ｍｍのノズルによる局所エッチングを行ったとき、エッチングレートは約０．４μｍ／ｓｅｃしかならないのに対し、内径１３ｍｍのノズルによるときは、約１．２μｍ／ｓｅｃのエッチングレートが得られているのが分かる。ノズル径１０ｍｍでは中間的な値が得られている。
【００１６】
以上、図１、図２のグラフからも、細かい（波長成分の短い）凹凸を除去するためにはできるだけノズル径を小さく、高いエッチングレートを得るにはノズル径を大きくすることが必要であることが分かる。
【００１７】
このことから、本発明では、ＳＯＩウェハーは第１ステップ及び第２ステップからなる局所エッチングを行うことにより、アクティブシリコンレイヤーを高スループットでターゲット膜厚にまで、しかも要求される精度にまで平坦化加工することができる。
【００１８】
＊　多段局所エッチング装置
図３は、本方法発明を実施するに適した多段局所エッチング装置１００の概要を説明するための模式図である。多段局所エッチング装置１００は第１局所エッチング装置１及び第２局所エッチング装置２を備えており、これらは搬送チャンバー３によって結合されている。
【００１９】
第１局所エッチング装置１及び第２局所エッチング装置２は、それぞれ第１真空チャンバー１１、第２真空チャンバー２１を備えている。各チャンバー１１、２１内には第１ウェハテーブル１２及び第２ウェハーテーブル２２が備えられており、これらのテーブル１２、２２上にはＳＯＩウェハーＷが載置固定される。それぞれのウェハテーブル１２、２２は不図示の各送り装置（例えば数値制御送り装置）によってＸ、Ｙ、Ｚ方向（図３中で、上下、左右、前後方向）に送ることができる。
【００２０】
また、第１真空チャンバー１１内には小径ノズル１３（例えば、内径７ｍｍ）が、また第２真空チャンバー２１には大径ノズル２３（例えば、内径１３ｍｍ）がそれぞれ開口しており、これらのノズル１３、２３からは活性種ガスが吹き出される。各真空チャンバーの外側で各ノズル１３、２３の中間部には第１活性種ガス発生装置１４、第２活性種ガス発生装置２４がそれぞれ設けられている。不図示のマイクロ波発生装置で作られたマイクロ波が各活性種ガス発生装置内においてノズルの上記中間部に照射される。
【００２１】
小径ノズル１３、大径ノズル２３の上端はパイプ１６、及びパイプ２６を介してガスボンベ１５１、１５２及びガスボンベ２５１、２５２に結合されている。各ガスボンベの出口近傍にはバルブ１５３、１５４、及びバルブ２５３、２５４が設けられており、これらのバルブを開閉することにより、任意のボンベ内のガスを小径ノズル１３及び大径ノズル２３の上端に供給することができる。各ボンベ内には、ＳＦ６ガス、ＮＦ３ガス、ＣＦ４ガス等、及び場合によりこれらのガスと混合するための酸素、が充填されている。
【００２２】
第１真空チャンバー１１にはＳＯＩウェハーを搬入チャンバー４から搬入するための扉１７１、及び第１真空チャンバー１１内において凹凸除去が済んだＳＯＩウェハーを搬出チャンバー５に搬出するための扉１７２が設けられている。また、第２真空チャンバー２１には凹凸除去が済んだＳＯＩウェハーを搬入するための扉２７１、及びターゲット膜厚になったＳＯＩウェハーを搬出するための扉２７２が設けられている。扉１７２と扉２７１は搬送チャンバー３と第１真空チャンバー１１、第２真空チャンバー２１間をそれぞれ隔てている。
【００２３】
搬送装置３１は、第１真空チャンバー１１から平坦化加工が済んだＳＯＩウェハーＷを取り出し、これを第２真空チャンバー２１内に搬送するための搬送装置であり、この例では搬送チャンバー３内に設置されている。なお、搬送装置３１は、第１ウェハーテーブル１２上のウェハーＷを把持し、第２ウェハーテーブル２２上に直接載置することも可能であるが、第１真空チャンバー１１、第２真空チャンバー２１あるいは搬送チャンバー３内に設けたバッファー上に一旦置いてからタイミングをはかって第２ウェハーテーブル２２上に置くようにすることも可能である。
【００２４】
また、第１真空チャンバー１１及び第２真空チャンバー２１は単一とする必要はない。つまり、単一の搬送チャンバー３の周囲にそれぞれ適宜の数の第１真空チャンバー１１と第２真空チャンバー２１を配置し、搬送チャンバー３内の搬送装置３１がどれにもアクセスできるようにすることができる。このように各真空チャンバーの比を１対多、多対１あるいは多対多とすること、あるいは、先のバッファーによって、各局所エッチング装置１、２のタクト（加工時間）の違いを吸収するこができる。
【００２５】
第１真空チャンバー１１及び第２真空チャンバー２１、場合により搬送チャンバー３には、それぞれ真空ポンプ（不図示）が接続され内部を真空（減圧）にするとともにそれぞれに最適な真空度に調整される。
【００２６】
＊　動作、操作
今、第１真空チャンバー１１、第２真空チャンバー２１、搬送チャンバー３、搬入チャンバー４、搬出チャンバー５はともに同程度に減圧されており、扉１７１、１７２、２７１、２７２が閉鎖されているものとする。また、搬入チャンバー４内には、単数または複数のＳＯＩウェハーが既に搬入されているものとする。
【００２７】
第１ステップ
扉１７２が開放され、第１ステップが済み、凹凸が除去されたＳＯＩウェハー（一つ前のＳＯＩウェハー）は、搬送装置３１によって第１ウェハーテーブル１２から取り外され、搬送チャンバー３内に取り込まれる。ついで、扉１７２が閉鎖され、扉１７１が開放される。不図示の搬送装置が搬入チャンバー４から１枚のＳＯＩウェハーを取り出し、空になっている第１ウェハーテーブル１２上に載置する。ＳＯＩウェハーは第１ウェハーテーブル１２の静電チャック（不図示）にて保持される。次いで扉１７１が閉鎖される。
【００２８】
バルブ１５３、及び／又はバルブ１５４が開かれ、ボンベ１５１及び／又はボンベ１５２内のガスがパイプ１６を通って小径ノズル１３に導かれる。ほぼ同時に不図示マイクロ波発生装置において発生したマイクロ波は活性種ガス発生装置１４に導かれ、小径ノズル１３内に導かれたガスはここでプラズマ化され活性種ガスが発生する。活性種ガスは、小径ノズル１３下端から下方のＳＯＩウェハーの方向に向かって吹き出す。
【００２９】
第１ウェハーテーブル１２は、不図示送り装置によって小径ノズル１３からその下方の所定距離離れた位置（Ｚ方向位置）に送られる。ついで、Ｘ方向に所定のスキャニングピッチずつピッチ送りされるとともに、ピッチ送りの間にＹ方向には制御された速度で送られる。つまりＳＯＩウェハーがスキャンされる。
【００３０】
ＳＯＩウェハーのアクティブシリコンレイヤー表面の凹凸は事前に測定されている。この測定データと使用する小径ノズルの径、その他のエッチング条件に基づいて、表面凹凸を除去するに適した上記スキャニングピッチと上記Ｙ方向送り速度が予め計算されており、この計算結果に基づいて送り装置（不図示）は制御（数値制御）される。
【００３１】
第２ステップ
以上のようにして凹凸除去のための第１ステップが終了すると、扉１７２が開放される。搬送装置３１は凹凸が除去されたＳＯＩウェハーを第１ウェハーテーブル１２から取り外し、搬送チャンバー３内に取り込む。扉１７２は閉鎖される。ＳＯＩウェハーが搬送チャンバー３内に取り込まれた後、第２真空チャンバー２１の扉２７１が開放される。
【００３２】
搬送装置３１は、既に空になっている第２ウェハーテーブル２２上にこのＳＯＩウェハーを載置する。ＳＯＩウェハーは第２ウェハーテーブル２２の静電チャック（不図示）にて保持される。次いで扉２７１が閉鎖される。
【００３３】
バルブ２５３、及び／又はバルブ２５４が開かれ、ボンベ２５１及び／又はボンベ２５２内のガスがパイプ２６を通って大径ノズル２３に導かれる。ほぼ同時に不図示マイクロ波発生装置において発生したマイクロ波は活性種ガス発生装置２４に導かれ、大径ノズル２３内に導かれたガスはここでプラズマ化され活性種ガスが発生する。活性種ガスは、大径ノズル２３下端から下方のＳＯＩウェハーの方向に向かって吹き出す。
【００３４】
第２ウェハーテーブル２２は、不図示送り装置によって大径ノズル２３からその下方の所定距離離れた位置（Ｚ方向位置）に送られる。ついで、Ｘ方向に所定のスキャニングピッチずつピッチ送りされるとともに、ピッチ送りの間にＹ方向には制御された速度で送られる。つまりＳＯＩウェハーがスキャンされる。
【００３５】
このステップにおけるスキャニングは、アクティブシリコンレイヤー表面から所定の厚さ分だけ均等に材料を除去するための処理である。このため、使用する大径ノズル２３の径、その他のエッチング条件に基づいて、全体にわたって均等にエッチングが行われるようにスキャニングピッチとＹ方向送り速度が予め計算されており、この計算結果に基づいて送り装置（不図示）は制御（数値制御）される。スキャニングピッチは大径ノズルが使用されていることから平坦化処理時に比べて大きくされており、また、大径ノズルであることから速い加工速度が得られる。
【００３６】
アクティブシリコンレイヤーが所定の膜厚にまでエッチングされ、第２ステップにおける加工が終了すると、扉２７２が開放され、不図示搬送装置が第２ウェハテーブル２２からＳＯＩウェハーは取り出し搬出チャンバー５内に取り込む。以下、ＳＯＩウェハーは次の工程に移って別の処理が行われる。
【００３７】
図４は、第１ステップ及び第２ステップによる処理をＳＯＩウェハーの断面の変化によって模式的に示したものである。先に説明したようにＳＯＩウェハーは単体のシリコン基板Ｓの表面にシリコンの酸化膜Ｉを形成し、この酸化膜上に、例えば張り合わせによって、薄い膜状のシリコン（単体）を形成し、これをアクティブシリコンレイヤーＡとしたものである。
【００３８】
第１ステップでは、アクティブシリコンレイヤーＡ表面の凹凸が局所エッチングによって除去され、平坦化される。この平坦化は小径ノズルを使用して行われ、領域ａの部分が凹凸に応じて選択的に除去されることになる。次に第２ステップにおいて、平坦化されたあとのアクティブシリコンレイヤーＡの表面層から深さｂの部分が局所エッチングされる。このときの局所エッチングには大径ノズルが使用され、表面から均等に材料が除去される。この結果、アクティブシリコンレイヤーＡは領域ｃの部分、つまり要求される厚さだけが残され、その表面は第１ステップで得られた平坦度が実質的にほぼそのまま維持されることになる。
【００３９】
図５、図６及び図７は、それぞれ第１ステップの前後及び第２ステップの後のアクティブシリコンレイヤーＡの膜厚の実測値を立体的に示したグラフである。このグラフではＺ方向とＸ、Ｙ方向では目盛りの単位が異なり、上下に拡大されている。図５に示されるように第１ステップの前に表面にあった大きな凹凸は図６に示すように第１ステップの後には、小さな凹凸はあるもののほぼ平坦に加工されている。更に、第２ステップを経ると、上記小さな凹凸がほぼそのままの形で残されるようにして均等に膜厚が減少しているのが分かる。
【００４０】
なお、各ステップにおける局所ドライエッチングは、活性種ガスを噴出するノズルをアクティブシリコンレイヤー表面に吹きつけながら、その表面に沿って制御された相対速度でスキャニングすることにより行われる。また、スキャニングの相対速度は数値制御によって制御され、第２ステップにおけるスキャニングのピッチは第１ステップにおけるスキャニングのピッチよりも大きくされる。活性種ガスには、ＳＦ６ガス、ＮＦ３ガス、ＣＦ４ガスのいずれか又はそれらの混合ガスあるいはこれらガスと酸素との混合ガスをプラズマによって活性化したものが使用できる。
【００４１】
本方法発明は、図３を用いて説明したような複数の真空チャンバーを持つ多段局所エッチング装置のみによって実現されるものではなく、単一の局所エッチング装置を用い、小径ノズルと大径ノズルを交換することによって同一の真空チャンバー内において実施することも可能である。
【００４２】
【発明の効果】
本発明によれば、ＳＯＩウェハーのアクティブシリコンレイヤーをターゲット膜厚にまで、高スループットでしかも要求される精度にまで平坦化加工することができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】ノズル径毎に求めた凹凸の空間波長と凹凸除去性能（凹凸の除去程度）の関係を示したグラフの例である。
【図２】ノズル径とエッチングレートとの関係を示したグラフの例である。
【図３】本方法発明を実施するに適した多段局所エッチング装置１００の概要を説明するための模式図である。
【図４】第１ステップ及び第２ステップによる処理をＳＯＩウェハーの断面の変化によって模式的に示したものである。
【図５】第１ステップの前のアクティブシリコンレイヤーの膜厚の実測値を立体的に示したグラフである。
【図６】第１ステップの後のアクティブシリコンレイヤーの膜厚の実測値を立体的に示したグラフである。
【図７】第２ステップの後のアクティブシリコンレイヤーの膜厚の実測値を立体的に示したグラフである。
【符号の説明】
１００　多段局所エッチング装置
１　第１局所エッチング装置
１１　第１真空チャンバー
１２　第１ウェハテーブル
１３　小径ノズル
１４　活性種ガス発生装置
１５１、１５２　ボンベ
１５３、１５４　バルブ
１６　パイプ
１７１、１７２　扉
２　第２局所エッチング装置
２１　第２真空チャンバー
２２　第２ウェハテーブル
２３　大径ノズル
２４　活性種ガス発生装置
２５１、２５２　ボンベ
２５３、２５４　バルブ
２６　パイプ
２７１、２７２　扉
３　搬送チャンバー
３１　搬送装置
４　搬入チャンバー
５　搬出チャンバー
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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