(57)【要約】【課題】簡便かつ効率的な方法で、パーティクル発生源を特定し、半導体製造ライン等の高度のクリーンネスが要求される環境を清浄な状態に保つ清浄化方法を提供する。【解決手段】被測定物から環境に放散されているパーティクルの数を測定し（工程Ｓ１０３）、パーティクル数を所定の基準値と比較してその良否を判定する（工程Ｓ１０３）。その結果、良と判定した場合は、被測定物の製造ラインへの進入を許可し、不良と判定した場合は、製造ラインへの被測定物の進入を禁止すると共に、パーティクルの発生源を特定し、当該パーティクルの発生源を清浄化する。【選択図】　図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
被測定物から環境に放散されているパーティクルの数を測定し、
前記パーティクルの数を所定の基準値と比較してその良否を判定し、その結果、良と判定した場合は、前記被測定物の前記製造ラインへの進入を許可し、不良と判定した場合は、前記被測定物の前記製造ラインへの進入を禁止すると共に、前記パーティクルの発生源を特定し、当該パーティクルの発生源を清浄化することを特徴とする製造ラインの清浄化方法。
【請求項２】
製造ラインを移動する対象物の位置を観測する工程と、
前記製造ラインに複数の測定ポイントを設け、当該複数の測定ポイントのそれぞれにおいて、パーティクルの数の測定を行い、前記パーティクルの汚染による異常が確認された時に、当該測定ポイントの近傍に存在する前記対象物をパーティクルの発生源として特定する工程を含むことを特徴とする製造ラインの清浄化方法。
【請求項３】
製造ラインを移動する対象物の位置と当該位置に対応する時刻を記録する工程と、
前記製造ラインに設けた複数の測定ポイントのそれぞれにおいて、パーティクルの数の測定を一定の時間間隔Δｔで行う工程と、
前記パーティクルの汚染による異常が確認された時刻ｔにおいて、当該異常が確認された位置Ｐｔに存在した前記対象物を、パーティクル発生源の候補とする工程を含み、
前記候補が１個の場合は、当該候補を前記パーティクル発生源として特定し、一方、前記候補が複数の場合は、当該複数の候補の中で、時刻（ｔ−Δｔ）、位置Ｐｔ−Δｔにおいて、パーティクルの汚染を発生させていた候補の存在を確認し、前記候補が１個となり、前記パーティクル発生源が特定されるまで、前記時刻を前記Δｔずつ溯り、前記確認を繰り返すことを特徴とする製造ラインの清浄化方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、環境を汚染するパーティクルの発生源を特定することにより、半導体製造ラインに代表される高レベルのクリーン度が要求される環境を清浄な状態に保つ方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体製造ラインのクリーンルーム等では、パーティクルによる工程の汚染を防止するため、様々な手法が提案されている。例えば、クリーンウェアの着用期間を限定して常時クリーンに保つ方法や、製造ラインに複数の測定ポイントを設け、定期的にパーティクル数の測定を行う方法がある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、クリーンウェアの着用期間を限定しても、一旦、汚染の発生した場所で作業を行うと、多量のパーティクルがクリーンウェアに付着し、入室時のエアシャワーによっては、十分にクリーンウェアを清浄化できなかった。また、製造ラインのある測定ポイントでパーティクルの汚染による異常が確認されても、パーティクル発生源をリアルタイムで特定できず、直ちにパーティクル発生源を清浄化することができなかった。
【０００４】
本発明は、このような従来技術における問題点を解決するべくなされたもので、簡便かつ効率的な方法で、パーティクル発生源を特定し、半導体製造ライン等の高度のクリーンネスが要求される環境を清浄な状態に保つ清浄化方法を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明の製造ラインの清浄化方法においては、被測定物から環境に放散されているパーティクルの数を測定し、パーティクル数を所定の基準値と比較してその良否を判定する。その結果、良と判定した場合は、被測定物の製造ラインへの進入を許可し、不良と判定した場合は、被測定物の製造ラインへの進入を禁止すると共に、パーティクルの発生源を特定し、当該パーティクルの発生源を清浄化する。
【０００６】
この構成によれば、製造ラインに入る被測定物についてパーティクル測定を行うことで、パーティクル発生源が特定され、パーティクル発生源の清浄化が効率的に行われ、製造ラインを清浄な状態に保つことができる。
【０００７】
また、上記目的を達成するために、本発明の製造ラインの清浄化方法においては、製造ラインを移動する対象物の位置を観測する工程と、製造ラインに複数の測定ポイントを設け、当該複数の測定ポイントのそれぞれにおいて、パーティクルの数の測定を行い、パーティクルの汚染による異常が確認された時に、当該測定ポイントの近傍に存在する対象物をパーティクルの発生源として特定する工程を含む。
【０００８】
この構成によれば、パーティクルの汚染による異常が発生した時に、直ちにパーティクル発生源が特定され、パーティクル発生源の清浄化が効率的に行われ、製造ラインを清浄な状態に保つことができる。
【０００９】
また、上記目的を達成するために、本発明の製造ラインの清浄化方法においては、製造ラインを移動する対象物の位置と当該位置に対応する時刻を記録する工程と、製造ラインに複数の測定ポイントを設け、当該複数の測定ポイントのそれぞれにおいて、パーティクルの数の測定を一定の時間間隔Δｔで行う工程と、パーティクルの汚染による異常が確認された時刻ｔにおいて、当該異常が確認された位置Ｐｔに存在した対象物を、パーティクル発生源の候補とする工程を含む。そして、候補が１個の場合は、当該候補をパーティクル発生源として特定し、一方、候補が複数個の場合は、当該複数の候補の中で、時刻（ｔ−Δｔ）、位置Ｐｔ−Δｔにおいて、パーティクルの汚染を発生させていた候補の存在を確認する。以下、候補が１個となり、パーティクル発生源が特定されるまで、時刻をΔｔずつ溯り、この確認を繰り返す。
【００１０】
この構成によれば、パーティクルの汚染による異常が発生した後、パーティクル発生源が事後的に特定され、パーティクル発生源の清浄化が効率的に行われ、製造ラインを清浄な状態に保つことができる。
【００１１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。
【００１２】
（実施の形態１）
図１に、本実施の形態における製造ラインの清浄化方法のフロー図を示す。まず、半導体製造ラインのクリーンルームに入る前に、エアシャワーを施し、クリーンウエアを着用したオペレータ又はクリーンルーム内で使用する工具に付着したパーティクルを除去する（工程Ｓ１０１）。
【００１３】
次に、パーティクル測定装置を用い、エアシャワーを施した後のクリーンウエア又は工具から環境に放散されているパーティクル数を測定する（工程Ｓ１０２）。
【００１４】
次いで、得られたパーティクル数を所定の基準値と比較して良否を判定する（工程Ｓ１０３）。
【００１５】
その結果、パーティクル数が基準値より少なく、良と判定した場合は、クリーンルームへのオペレータの入室又は工具の持ち込みを許可する。一方、パーティクル数が基準値より多く、不良と判定した場合は、クリーンウエア又は工具の内、いずれがパーティクル発生源であるかを特定し（工程Ｓ１０４）、パーティクル発生源の製造工程への入室又は持ち込みを禁止する。ここで、パーティクル数の基準値は、ドライエッチング装置、ＣＭＰ装置等の製造装置別、あるいはクリーンルーム内でパーティクル数を測定する地点別に、かつ、パーティクルのサイズ別に設定されたパーティクルの許容限度値の内、最も低い（厳しい）値に設定する（以下、基準値の設定方法は同様とする）。また、パーティクル発生源の特定は、例えば、個別にクリーンウエア又は工具から発生しているパーティクル数を再度測定し、前記した基準値を超えているものをパーティクル発生源とみなすことによって行う。
【００１６】
図２（ａ）に、本実施の形態における製造ラインの清浄化方法を適用した例を示す。エアシャワー室１は、パーティクル測定室２と隣接して設けられ、パーティクル測定室２は、クリーンルーム３と隣接して設けられている。また、パーティクル測定室２内には、パーティクル測定装置２ａ、例えば、ダストカウンター等が備えられている。
【００１７】
本例では、パーティクル数の測定は、クリーンルーム３に隣接したパーティクル測定室２内で行われる。即ち、まず、エアシャワー室１において、オペレータ又は工具にエアシャワーを施す。次に、パーティクル測定室２に移動し、パーティクル測定装置２ａを用い、エアシャワーを施した後のクリーンウエア又は工具から環境に放散されているパーティクル数を測定する。そして、得られたパーティクル数を所定の基準値と比較して良否を判定する。
【００１８】
その結果、パーティクル数が基準値より少なく、良と判定した場合は、クリーンルーム３へのオペレータの入室又は工具の持ち込みを許可する。
【００１９】
一方、パーティクル数が基準値より多く、不良と判定した場合は、クリーンウエア又は工具の内、いずれがパーティクル発生源であるかを特定し、特定されたパーティクル発生源の入室又は持ち込みを禁止する。そして、エアシャワー室１に戻って特定されたパーティクル発生源について集中的にエアシャワーを施す。なお、所定の時間、エアシャワーを施しても基準値を下回らない場合は、クリーンルーム３へのパーティクル発生源の入室又は持ち込みを禁止する。
【００２０】
また、図２（ｂ）に、本実施の形態における製造ラインの清浄化方法を適用した別の例を示す。エアシャワー室１１は、クリーンルーム１２と隣接して設けられている。エアシャワー室１１内にパーティクル測定装置１１ａが備えられている。
【００２１】
本例では、パーティクル数の測定は、クリーンルーム１２に隣接したエアシャワー室１１内で行われる。即ち、まず、エアシャワー室１１において、オペレータ又は工具にエアシャワーを施す。そして、パーティクル測定装置１１ａを用い、エアシャワーを施した後のクリーンウエア又は工具から環境に放散されているパーティクル数を測定する。そして、得られたパーティクル数を所定の基準値と比較して良否を判定する。
【００２２】
その結果、パーティクル数が基準値より少なく、良と判定した場合は、製造ラインへのオペレータの入室又は工具の持ち込みを許可する。
【００２３】
一方、パーティクル数が基準値より多く、不良と判定した場合は、クリーンウエア又は工具の内、いずれがパーティクル発生源であるかを特定し、特定されたパーティクル発生源の入室又は工具の持ち込みを禁止する。そして、特定されたパーティクル発生源について集中的にエアシャワーを施す。なお、所定の時間、エアシャワーを施しても基準値を下回らない場合は、クリーンルーム１２へのパーティクル発生源の入室又は持ち込みを禁止する。
【００２４】
本実施の形態の製造ラインの清浄化方法によれば、製造ラインに入るオペレータ又は工具についてパーティクル測定を行うことで、パーティクル発生源が特定され、パーティクル発生源の清浄化が効率的に行われ、製造ラインを清浄な状態に保つことができる。
【００２５】
（実施の形態２）
図３に、本実施の形態における製造ラインの清浄化方法のフロー図を示す。
【００２６】
まず、パーティクル発生源となりうるオペレータ、搬送装置、製品等（以下、対象物という。）に位置センサーを取り付け、半導体製造ラインを移動する対象物の位置を確認できるようにする（工程Ｓ４０１）。
【００２７】
次に、製造ラインに複数の測定ポイントを設け、当該複数の測定ポイントのそれぞれにおいて、パーティクル数の測定を行い（工程Ｓ４０２）、パーティクルの汚染による異常が確認された時（工程Ｓ４０３）に、その測定ポイントの近傍に存在する対象物をパーティクル発生源として特定する（工程Ｓ４０４）。その後、パーティクル発生源を製造ラインから取り除く等の処置を施す。
【００２８】
本実施の形態の製造ラインの清浄化方法によれば、パーティクルの汚染による異常が確認された時に、パーティクル発生源が直ちに特定されるため、パーティクル発生源の清浄化が効率的に行われ、製造ラインを清浄な状態に保つことができる。
【００２９】
（実施の形態３）
図４に、本実施の形態における製造ラインの清浄化方法のフロー図を示す。
【００３０】
まず、対象物に位置センサーを取り付け、半導体製造ラインにおける対象物の位置を確認できるようにする（工程Ｓ５０１）。
【００３１】
次に、半導体製造ラインを移動する対象物の位置と、当該位置に対応する時刻を記録する（工程Ｓ５０２）。
【００３２】
次いで、製造ラインに複数の測定ポイントを設け、当該複数の測定ポイントのそれぞれにおいて、パーティクル数の測定を一定の時間間隔Δｔで行う（工程Ｓ５０３）。
【００３３】
続いて、パーティクルの汚染による異常が確認された時刻ｔにおいて、その異常が確認された位置Ｐｔに存在した対象物を、パーティクル発生源の候補とする（工程Ｓ５０４）。
【００３４】
そして、候補が１個の場合は、当該候補をパーティクル発生源として特定する（工程Ｓ５０５）。一方、候補が複数個の場合は、当該複数の候補の中で、時刻（ｔ−Δｔ）、位置Ｐｔ−Δｔにおいて、環境に放散されているパーティクル数が他の候補より多く、パーティクルの汚染を発生させていた候補の存在を確認し、候補が１個の場合は、当該候補をパーティクル発生源として特定する。また、候補が依然として複数個あるか、又は候補のない場合は、さらに時刻をΔｔ溯り、時刻（ｔ−２×Δｔ）、位置Ｐｔ−２×Δｔにおいて、同様の確認を行う。以下、候補が１個となり、パーティクル発生源が特定されるまで、時刻をΔｔずつ溯り、この確認を繰り返す。その後、特定されたパーティクル発生源を製造ラインから取り除く等の処置を施す。
【００３５】
本実施の形態の製造ラインの清浄化方法によれば、パーティクルの汚染による異常が確認された後、パーティクル発生源が事後的に特定されるため、パーティクル発生源の清浄化が効率的に行われ、製造ラインを清浄な状態に保つことができる。
【００３６】
【発明の効果】
本発明によれば、簡便かつ効率的な方法で、パーティクル発生源を特定し、半導体製造ライン等の高度のクリーンネスが要求される環境を清浄な状態に保つことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施の形態１における製造ラインの清浄化方法を示すフロー図
【図２】実施の形態１における製造ラインの清浄化方法を適用したクリーンルームの概略図
【図３】実施の形態２における製造ラインの清浄化方法を示すフロー図
【図４】実施の形態３における製造ラインの清浄化方法を示すフロー図
【符号の説明】
１、１１　エアシャワー室
２　パーティクル測定室
２ａ、１１ａ　パーティクルの測定装置
３、１２　クリーンルーム
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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