(57)【要約】【課題】本発明は、ベンザイン化合物の新規な製造法、就中、置換基、特に電子求引性基を有するベンザイン化合物の簡便な合成法であって、より置換基共存性が高く位置選択性の高い置換ベンザインの製造法を提供することを目的とする。【解決手段】本発明は、芳香環上に１個、又は隣接して２個の脱離基を有する芳香族化合物に、例えばＭｅ２Ｚｎ（ＴＭＰ）Ｌｉ（但し、ＴＭＰはテトラメチルピペリジド基を表す。）等の亜鉛アート錯体を作用させることを特徴とするベンザイン化合物の製造法に関する。【選択図】　　　　なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
芳香環上に１個、又は隣接して２個の脱離基を有する芳香族化合物に、亜鉛アート錯体を作用させることを特徴とするベンザイン化合物の製造法。
【請求項２】
芳香族化合物がベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、インドール環、ピリジン環又はキノリン環を有する化合物である請求項１に記載の製造法。
【請求項３】
芳香環上に１個の脱離基を有し、且つそのｍ−位に更に置換基を有するか、或いは有さない芳香族化合物に、配位子の一つにテトラメチルピペリジド（ＴＭＰ）を有する３配位亜鉛アート錯体（ＴＭＰ−ジンケート）を作用させる請求項１又は２に記載の製造法。
【請求項４】
３配位亜鉛アート錯体が下記一般式［１］
【化１】
2004010585.tif 000011
（式中、Ｒ１，Ｒ２はそれぞれ独立して直鎖状のアルキル基を表す。）
で表される化合物である請求項３に記載の製造法。
【請求項５】
一般式［１］において、Ｒ１，Ｒ２が共にメチル基である亜鉛アート錯体を用いる請求項３に記載の製造法。
【請求項６】
脱離基が臭素原子、塩素原子、フッ素原子、トリフルオロメチルオキシ基又はヨードニウム塩である請求項３〜５の何れかに記載の製造法。
【請求項７】
脱離基のｍ−位の置換基が、アルキル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、置換又は無置換のアミド基、シアノ基、トリハロゲノメチル基又はハロゲン原子である請求項３〜６の何れかに記載の製造法。
【請求項８】
芳香環上に１個の脱離基を有し、且つそのｐ−位に更に置換基を有す芳香族化合物に、配位子の一つにテトラメチルピペリジド（ＴＭＰ）を有する３配位亜鉛アート錯体（ＴＭＰ−ジンケート）を作用させる請求項１又は２に記載の製造法。
【請求項９】
３配位亜鉛アート錯体が下記一般式［１］
【化２】
2004010585.tif 000012
（式中、Ｒ１，Ｒ２はそれぞれ独立して直鎖状のアルキル基を表す。）
で表される化合物である請求項８に記載の製造法。
【請求項１０】
一般式［１］において、Ｒ１，Ｒ２が共にメチル基である亜鉛アート錯体を用いる請求項８に記載の製造法。
【請求項１１】
脱離基がトリハロゲノメチルオキシ基である請求項８〜１０の何れかに記載の製造法。
【請求項１２】
脱離基のｐ−位の置換基が、アルキル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、置換又は無置換のアミド基、シアノ基、トリハロゲノメチル基又はハロゲン原子である請求項８〜１１の何れかに記載の製造法。
【請求項１３】
芳香環上の隣接する位置に２個の脱離基を有する芳香族化合物に、トリ（直鎖アルキル）亜鉛アート錯体を作用させる請求項１又は２に記載の製造法。
【請求項１４】
トリ（直鎖アルキル）亜鉛アート錯体がトリメチル亜鉛アート錯体（Ｍｅ３ＺｎＬｉ）である請求項１３に記載の製造法。
【請求項１５】
脱離基が臭素原子、ヨウ素原子、塩素原子又はフッ素原子である請求項１３又は１４に記載の製造法。
【請求項１６】
芳香環上の隣接する位置に２個の脱離基を有する芳香族化合物が、脱離基に隣接して、アルキル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、置換又は無置換のアミド基、シアノ基、トリハロゲノメチル基又はハロゲン原子を有する芳香族化合物である請求項１３〜１５の何れかに記載の製造法。
【請求項１７】
芳香環上の隣接する位置に存在する２個の脱離基が、何れもハロゲン原子である請求項１６に記載の製造法。
【請求項１８】
芳香環上の隣接する位置に存在する２個の脱離基が、何れもハロゲン原子である芳香族化合物が、芳香環上に脱離基としてのハロゲン原子を１個有し、且つそのｍ−位に更に置換基を有するか、或いは有さない芳香族化合物に、３配位亜鉛アート錯体を作用させ、次いでこれにヨウ素を作用させて得られる芳香環上の隣接する位置に２個のハロゲン原子を有する芳香族化合物である、請求項１７に記載の製造法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、極めて反応性に富み、例えば医薬品中間体等の機能性分子の合成に効果的に使用し得るベンザイン化合物、就中、置換基を有するベンザイン化合物の新規で且つ汎用性の高い製造法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ｏ−ベンザイン（以下、単にベンザインと略す。）はベンゼン環の３つのＣ＝Ｃ２重結合のうち１つが３重結合に置き換わった独特な構造をもつ反応中間体であり、その３重結合部分は極めて反応性が高い。また、ベンザインに置換基を導入すると当然その３重結合部分が非対称な軌道の広がりになることが予想される。従って、ベンザインへの置換基の導入は、３重結合部分への反応の位置選択性の制御を可能にするばかりでなく、縮合環構造をもつ天然物や多置換芳香族化合物をワンポットで合成でき、医薬品など機能性分子の高選択的合成に貢献すると考えられる。しかし、メトキシ基などの限られた置換基を除いて、シアノ基やエステル基など電子求引性置換基を持つ非対称ベンザインの合成法が確立されていないため、系統的な研究は行われていない。現在までに報告されているベンザイン発生法には、出発物質の特徴により大きく分類すると熱・光分解、ハロゲン−メタル交換反応を利用するもの、水素引き抜き反応を利用するものの２種類ある。
前者は以下に示す化合物を前駆体とし、熱・光分解、ハロゲン−メタル交換反応などの方法でベンザインを発生させるものであるが（化３参照）、どの方法も比較的複雑な構造のｏ−二置換ベンゼンを出発物としており（従って、置換基を導入するためには三置換ベンゼンの原料合成が必要である）、また、試薬の高い反応性や高温などの厳しい条件に耐える置換基が少ないなどの点から、置換基を持つベンザインの合成法としての一般性は低い。
【化３】
2004010585.tif 000002
また、最近のベンザイン発生前駆体として、フェニル［ｏ−（トリメチルシリル）フェニル］ヨードニウムトリフレートを用いた例が報告されている（化４）。　この発生法では、フッ化物イオンがケイ素と結合を作ることでケイ素が超原子価となり、脱離基のヨードニウム塩とともに競争的脱離を行うことでベンザインが発生する。前駆体は室温でも安定であり、反応は室温で進行し、収率も良いが、原料の合成法が以下（化５）に示すように厳しい条件の２段階の方法であるため、置換基を導入するには汎用性が低いことが欠点である。
【化４】
2004010585.tif 000003
【化５】
2004010585.tif 000004
もう１つの古典的なベンザイン発生法として水素引き抜き反応がある（化６）。この方法は原料入手の容易さ、反応の多様性などの点で最も可能性に富んでいると考えられるが、使用する塩基の反応性、特に官能基への求核攻撃を抑えることが問題となる。
【化６】
2004010585.tif 000005
ベンザインは非常に反応性に富んだ活性種であり、天然物および機能性分子合成に向けて大きなブレークスルーになる可能性が高い。しかしながら、上述した如く、置換基、特に電子求引性基を有するベンザインの簡便な合成法は未だ知られていない。それ故、より置換基共存性が高く位置選択性の高い置換ベンザインの製造法の開発が切望されている現状にある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上記した如き現状に鑑みなされたもので、置換基、特に電子求引性基を有するベンザインの簡便な合成法であって、より置換基共存性が高く位置選択性の高い置換ベンザインの製造法を提供することを目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】
本発明は、芳香環上に１個、又は隣接して２個の脱離基を有する芳香族化合物に、亜鉛アート錯体を作用させることを特徴とするベンザイン化合物の製造法に関する。
【０００５】
即ち、本発明者は、化学選択的メタル化剤としての亜鉛アート錯体に着目し、トリアルキル亜鉛アート錯体の配位子の一つを嵩高い塩基であるテトラメチルピペリジド（ＴＭＰ）としたＴＭＰ−ジンケート（Ｍｅ２Ｚｎ（ＴＭＰ）Ｌｉ）を開発した。このものを２置換ベンゼンに対して作用させると、芳香環上においてシアノ、エステル、アミドといった様々な官能基の共存下、化学および位置選択的なオルト配向性亜鉛化反応を鍵反応とするベンザイン化反応が進行し、様々な置換基を有する非対称化されたベンザインの合成が可能となることを見出した。また、本発明者は、ジンケート化した芳香族化学種を中間体とする、置換基を有するベンザイン合成は、アルキル３配位亜鉛アート錯体を用いるハロゲン−メタル交換反応によっても実現できる可能性があると考え、１，２−ジハロベンゼンを基質としてＭｅ３ＺｎＬｉによるハロゲン−メタル交換反応を行ったところ高収率で無置換ベンザイン由来の付加体を得た。斯かる事実に基づいて研究を重ねた結果、本発明を完成するに到った。
【０００６】
【発明の実施の形態】
本発明で用いられる、芳香環上に１個、又は隣接して２個の脱離基を有する芳香族化合物としては、例えば、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、インドール環、ピリジン環、キノリン環等を有する化合物が挙げられる。
【０００７】
本発明で用いられる、芳香環上に１個の脱離基を有する芳香族化合物としては、芳香環上に、例えば臭素、塩素、フッ素等のハロゲン原子や、例えば、トリフルオロメチルオキシ基、トリクロロメチルオキシ基、トリブロモメチルオキシ基等のトリハロゲノメチルオキシ基、各種ヨードニウム塩等の脱離基を１個有する芳香族化合物であって、且つ、脱離基のｍ−位に、アルキル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、置換又は無置換のアミド基、シアノ基、トリハロゲノメチル基、ハロゲン原子等の置換基を有する化合物、或いはこれらの置換基を有さない化合物等が挙げられる。
また、芳香環上に、例えばトリフルオロメチルオキシ基、トリクロロメチルオキシ基、トリブロモメチルオキシ基等の脱離基を１個有する芳香族化合物であって、且つ、脱離基のｐ−位に、アルキル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、置換又は無置換のアミド基、シアノ基、トリハロゲノメチル基、ハロゲン原子等の置換基を有する化合物等も挙げられる。
更に、芳香環上に隣接して２個の脱離基を有する芳香族化合物としては、芳香環上に、例えば臭素、塩素、フッ素、ヨウ素等のハロゲン原子等の脱離基を隣接して２個有する芳香族化合物（脱離基は二つともハロゲン原子であるのが望ましい。）であって、且つ、脱離基に隣接して、アルキル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、置換又は無置換のアミド基、シアノ基、トリハロゲノメチル基、ハロゲン原子等の置換基を有する化合物、或いはこれらの置換基を有さない化合物等が挙げられる。
【０００８】
上記アルキル基としては、例えば、炭素数が１〜２０、好ましくは１〜１０、より好ましくは１〜６の直鎖状、分枝状又は環状のアルキル基が挙げられ、より具体的には、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等が挙げられる。
また、アルコキシ基としては、例えば、炭素数が１〜２０、好ましくは１〜１０、より好ましくは１〜６の直鎖状、分枝状又は環状のアルコキシ基が挙げられ、より具体的には、例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基、ブトキシ基、イソブトキシ基、第二級ブトキシ基、第三級ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基等が挙げられる。
アルコキシカルボニル基としては、カルボキシル基の水素原子が上記アルキル基で置換された炭素数が２〜２１、好ましくは２〜１１、より好ましくは２〜７の直鎖状、分枝状又は環状のアルコキシカルボニル基が挙げられ、より具体的には、例えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、ｎ−プロピルオキシカルボニル基、イソプロピルオキシカルボニル基、ｎ−ブトキシカルボニル基、ｔ−ブトキシカルボニル基等が挙げられる。
置換アミド基としては、アミド基の水素原子の１又は２個が上記アルキル基で置換された炭素数が２〜４１、好ましくは３〜２１、より好ましくは３〜１３の直鎖状、分枝状又は環状の置換アミド基が挙げられ、より具体的には、例えば、ジメチルアミド基、ジエチルアミド基、ジｎ−プロピルアミド基、ジイソプロピルアミド基、ジｎ−ブチルアミド基、ジｔ−ブチルアミド基等が挙げられる。
トリハロゲノメチル基としては、例えばトリフルオロメチル基、トリクロロメチル基、トリブロモメチル基等が挙げられる。
ハロゲン原子としては、例えば、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、フッ素原子等が挙げられる。
【０００９】
本発明で用いられる亜鉛アート錯体としては、例えば３配位亜鉛アート錯体が挙げられる。
芳香環上に１個の脱離基を有し、且つそのｍ−位に更に置換基を有するか、或いは有さない芳香族化合物に作用させる亜鉛アート錯体、及び芳香環上に１個の脱離基を有し、且つそのｐ−位に更に置換基を有す芳香族化合物に作用させる亜鉛アート錯体としては、配位子の一つに嵩高い塩基を有する３配位亜鉛アート錯体が特に好ましく、より好ましい具体例としては、例えば、配位子の一つにテトラメチルピペリジド（ＴＭＰ）を有する３配位亜鉛アート錯体（以下、ＴＭＰ−ジンケートと呼ぶ。）が挙げられる。
この場合における、より好ましい３配位亜鉛アート錯体（ＴＭＰ−ジンケート）を一般式で表すと、例えば以下の如くなる。
【化７】
2004010585.tif 000006
（式中、Ｒ１，Ｒ２はそれぞれ独立して直鎖状のアルキル基を表す。）
【００１０】
上記一般式［１］において、Ｒ１，Ｒ２で表されるアルキル基としては、例えば、炭素数が１〜２０、好ましくは１〜１０、より好ましくは１〜６の直鎖状のアルキル基が挙げられる。より具体的には、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基等が挙げられるが、中でもメチル基が特に好ましい。
従って、この場合における、より好ましいＴＭＰ−ジンケートの具体例としては、例えばＭｅ２Ｚｎ（ＴＭＰ）Ｌｉ等が挙げられる。
【００１１】
本発明で用いられるＴＭＰ−ジンケート、例えば、Ｍｅ２Ｚｎ（ＴＭＰ）Ｌｉは、例えば下記の如くして容易に調製し得る。
【００１２】
即ち、例えば、窒素ガス、アルゴンガス等の不活性ガス雰囲気下、無水テトラヒドロフラン、ジエチルエーテル、ジプロピルエーテル等のエーテル系溶媒中に、２，２，６，６−テトラメチルピペリジンを加え、これに−５０℃以下、好ましくは−７８℃前後の温度にてｎ−ブチルリチウムを滴下し、０℃で３０分間程度撹拌する。この溶液に、−５０℃以下、好ましくは−７８℃前後の温度にてジメチル亜鉛　（２．２ミリモル）を加え、室温で１時間程度撹拌すれば、目的とするＭｅ２Ｚｎ（ＴＭＰ）Ｌｉが容易に得られる。
【００１３】
芳香環上の隣接する位置に２個の脱離基を有する芳香族化合物に作用させる亜鉛アート錯体としては、例えば、トリ（直鎖アルキル）亜鉛アート錯体が挙げられ、中でもトリメチル亜鉛アート錯体（Ｍｅ３ＺｎＬｉ）が好ましい。
【００１４】
本発明で用いられるトリ（直鎖アルキル）亜鉛アート錯体、例えば、Ｍｅ３ＺｎＬｉは、例えば下記の如くして容易に調製し得る。
【００１５】
即ち、例えば、窒素ガス、アルゴンガス等の不活性ガス雰囲気下、無水テトラヒドロフラン、ジエチルエーテル、ジプロピルエーテル等のエーテル系溶媒中に、塩化亜鉛を加え、これに−５０℃以下、好ましくは−７８℃前後の温度にてメチルリチウムを加えて、０℃で３０分間程度撹拌すれば、目的とするＭｅ３ＺｎＬｉが容易に得られる。
【００１６】
芳香環上の隣接する位置に存在する２個の脱離基は、先に述べた如く何れもハロゲン原子であるのが望ましいが、そのような芳香環上の隣接する位置に存在する２個の脱離基が何れもハロゲン原子である芳香族化合物としては、例えば、芳香環上に脱離基としてのハロゲン原子を１個有し、且つそのｍ−位に更に置換基を有するか、或いは有さない芳香族化合物に、３配位亜鉛アート錯体、例えば、配位子の一つにテトラメチルピペリジド（ＴＭＰ）を有し、残りの二つの配位子がｔ−ブチル基であるＴＭＰ−ジンケート［ｔ−Ｂｕ２Ｚｎ（ＴＭＰ）Ｌｉ］等を作用させ、次いでこれにヨウ素を作用させて得られる芳香環上の隣接する位置に２個のハロゲン原子を有する芳香族化合物等も挙げられる。
【００１７】
本発明に係るベンザイン化合物の製造法は、芳香環上に１個、又は隣接して２個の脱離基を有する芳香族化合物に、上記した如き亜鉛アート錯体を作用させることにより達成されるが、ベンザイン化合物生成の確認は、常法に従い、フランや１，３−ジフェニルイソベンゾフラン等のジエン類をベンザイントラップ剤として反応系に加え、ディールス−アルダー型の付加反応を起こさせて、これを捕捉させればよい。なお、本発明の方法により生成したベンザイン類を捕捉し得るジエン類、換言すれば、本発明の方法により生成したベンザイン類と容易に付加反応し得るジエン類は上記したジエン類に限定されるものではなく、例えば、シクロペンタジエン、シクロヘキサジエン、アントラセン等を始めとして種々のジエン類を挙げることが出来る。
【００１８】
本発明に係るベンザイン化合物の製造法には、水素引き抜き反応によるベンザインの製造法とハロゲン−メタル交換反応を利用したベンザインの製造法とが含まれる。
芳香環上に１個の脱離基を有し、且つそのｍ−位に更に置換基を有するか、或いは有さない芳香族化合物に亜鉛アート錯体を作用させる場合、及び芳香環上に１個の脱離基を有し、且つそのｐ−位に更に置換基を有す芳香族化合物に亜鉛アート錯体を作用させる場合が前者であり、芳香環上の隣接する位置に２個の脱離基を有する芳香族化合物に亜鉛アート錯体を作用させる場合が後者である。
【００１９】
前者の反応は、例えば、窒素ガス、アルゴンガス等の不活性ガス雰囲気下、上記の方法で調製したＭｅ２Ｚｎ（ＴＭＰ）Ｌｉ溶液に、−５０℃以下、好ましくは−７８℃前後の温度にて１，３−ジフェニルイソベンゾフランをテトラヒドロフラン、ジエチルエーテル、ジプロピルエーテル等のエーテル系溶媒に溶かして加え、これに基質、例えば３−ブロモベンゾニトリルを加えて室温で十数時間撹拌する。その後、飽和塩化アンモニウム水溶液を加えて反応を停止し、適当な抽出溶媒（例えばクロロホルム、ジクロルメタン、ジクロルエタン等のハロゲン化炭化水素、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル等のエーテル系溶媒、ベンゼン、トルエン等の芳香族炭化水素系溶媒等）で抽出し、有機層を硫酸マグネシウムで脱水後溶媒を減圧留去する。残渣を常法によりシリカゲルカラムクロマトグラフィー等により精製すれば、ディールス−アルダー付加体である１−シアノ−９，１０−ジフェニル−９，１０−エポキシアントラセンが高収率で得られる。
【００２０】
後者の反応は、例えば、窒素ガス、アルゴンガス等の不活性ガス雰囲気下、上記の方法で調製したＭｅ３ＺｎＬｉ溶液に、−５０℃以下、好ましくは−７８℃前後の温度にて１，３−ジフェニルイソベンゾフランをテトラヒドロフラン、ジエチルエーテル、ジプロピルエーテル等のエーテル系溶媒に溶かして加え、これに基質、例えばオルトブロモヨードベンゼンを加えて室温で数時間撹拌する。その後、飽和塩化アンモニウム水溶液を加えて反応を停止し、上記した如き適当な抽出溶媒で抽出し、有機層を硫酸マグネシウムで脱水後溶媒を減圧留去する。残渣を常法によりシリカゲルカラムクロマトグラフィー等により精製すれば、ディールス−アルダー付加体である９，１０−ジフェニル−９，１０−エポキシアントラセンが高収率で得られる。
【００２１】
【実施例】
以下、参考例、実施例により本発明をより具体的に説明するが、本発明はこれら参考例、実施例により何ら限定されるものではない。
【００２２】
参考例１　Ｍｅ２Ｚｎ（ＴＭＰ）Ｌｉ（メチルＴＭＰ−ジンケート）の調製
アルゴン雰囲気下、３０ｍＬナスフラスコに２，２，６，６−テトラメチルピペリジン（０．３６ｍＬ、２．２０ミリモル）及び無水テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）５ｍＬを加え、これに７８℃でｎ−ブチルリチウム０．９ｍＬ　（２．２０ミリモル）を滴下して、０℃で３０分間撹拌した。これに更に−７８℃で２．２ｍＬのジメチル亜鉛　（２．２ミリモル）を加え、室温で１時間撹拌して、Ｍｅ２Ｚｎ（ＴＭＰ）Ｌｉ（２．２ミリモル）のＴＨＦ溶液を得た。
【００２３】
参考例２　トリメチル亜鉛アート錯体（Ｍｅ３ＺｎＬｉ）の調製
アルゴン雰囲気下、３０ｍＬナスフラスコに無水テトラヒドロフラン４ｍＬと塩化亜鉛２．２ｍＬ　（１．１ミリモル）を加え、これに−７８℃でメチルリチウム３．９ｍＬ（３．３ミリモル）を加えて、０℃で３０分間撹拌し、Ｍｅ３ＺｎＬｉ（１．１ミリモル）のＴＨＦ溶液を得た。
【００２４】
参考例３　ｔ−Ｂｕ２Ｚｎ（ＴＭＰ）Ｌｉ（ｔ−ブチルＴＭＰ−ジンケート）の調製
アルゴン雰囲気下、３０ｍＬナスフラスコに無水テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）５ｍＬ、２，２，６，６−テトラメチルピペリジン０．３６ｍＬ（２．２ミリモル）を加え、これに−７８℃でｎ−ブチルリチウム０．８ｍＬ（２．０ミリモル）を滴下し、０℃で３０分間撹拌した。別に、２０ｍＬナスフラスコにＴＨＦ５ｍＬ、塩化亜鉛４．４ｍＬ（２．２ミリモル）を加え、これに−７８℃でｔ−ブチルリチウム３．０２ｍＬ（４．４ミリモル）を滴下した。この懸濁液を先に用意したＬｉ−ＴＭＰ溶液中に−７８℃で加え、０℃で３０分間撹拌し、ｔ−Ｂｕ２Ｚｎ（ＴＭＰ）Ｌｉ（２．０ミリモル）のＴＨＦ溶液を得た。
【００２５】
実施例１　Ｍｅ２Ｚｎ（ＴＭＰ）Ｌｉ（メチルＴＭＰ−ジンケート）を用いた水素引き抜き反応によるベンザインの一段階合成
参考例１に記載の方法でＭｅ２Ｚｎ（ＴＭＰ）ＬｉのＴＨＦ溶液を調製した後、この溶液にアルゴン雰囲気下、−７８℃にて１，３−ジフェニルイソベンゾフラン５８９．２ｍｇ　（２．１８ミリモル）のＴＨＦ溶液を加え、これに基質のブロモベンゼン１６０．５ｍｇ　（９８％，１．００ミリモル）を加えて、室温で１５時間撹拌した。飽和塩化アンモニウム水溶液を加えて反応を停止し、クロロホルムで抽出して、有機層を硫酸マグネシウムで脱水後、溶媒を減圧留去した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶出溶媒：酢酸エチル／ｎ−ヘキサン＝１／２０）で精製し、９，１０−ジフェニル−９，１０−エポキシアントラセン３４１．０ｍｇを得た。収率：９８％。
得られた化合物の融点、各種スペクトルデータ、元素分析等の値は以下の通りである。
ｍｐ：１８７．５−１８８．０℃（ｎ−ヘキサンより再結晶，無色プリズム）。
１Ｈ−ＮＭＲ　（４００　ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ　（ｐｐｍ）　７．９４　（ｄ，　４Ｈ，　Ｊ　＝　７．０　Ｈｚ），　７．５９　（ｔ，　４Ｈ，　Ｊ　＝　７．３　Ｈｚ），　７．４９　（ｔ，　２Ｈ，　Ｊ　＝　７．５　Ｈｚ），　７．３８−７．３５　（ｍ，　４Ｈ），　７．０５−７．０２　（ｍ，　４Ｈ）。
ＭＳ　ｍ／ｚ：　３５０　（Ｍ＋）。ＨＲＭＳ　Ｃａｌｃｄ　ｆｏｒＣ２６Ｈ１８Ｏ：　３４６．１３５７。Ｆｏｕｎｄ：　３　４６．１３５５。
元素分析　Ｃａｌｃｄ　ｆｏｒＣ２６Ｈ１８Ｏ：　Ｃ，　９０．１４；　Ｈ，　５．２４。　Ｆｏｕｎｄ：　Ｃ，　８９．９９；　Ｈ，　５．５４。
ＩＲ（ＫＢｒ，　ｃｍ−１）３０３０　（Ｃ−Ｈ），　７４１　（Ｃ−Ｈ）。
【００２６】
実施例２〜１１　各種置換ベンザイン化合物の合成
【化８】
2004010585.tif 000007
原料基質としてｍ−位に置換基を有する各種芳香族化合物を用い、ＴＨＦ溶媒中、実施例１と同様にして水素引き抜き反応によるベンザインの一段階合成を行ない、種々の置換基を有するベンザイン化合物をそれぞれ得た。結果を表１にまとめて示す。
【００２７】
【表１】
2004010585.tif 000008
【００２８】
上記実施例２〜１１で得られた化合物の融点、各種スペクトルデータ、元素分析等の値は以下の通りである。
【００２９】
１−シアノ−９，１０−ジフェニル−９，１０−エポキシアントラセン（２ｂ）
ｍｐ　１７１．５−１７２．５℃（ｎ−ヘキサンより再結晶，無色プリズム）。
１Ｈ−ＮＭＲ　（４００　ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ　（ｐｐｍ）　８．０２　（ｄ，　２Ｈ，　Ｊ　＝　８．２　Ｈｚ），　７．８８　（ｄ，　２Ｈ，　Ｊ　＝　８．４　Ｈｚ），　７．７３　（ｄ，　１Ｈ，　Ｊ　＝　７．１　Ｈｚ），　７．６２−７．４８　（ｍ，　７Ｈ），　７．３９　（ｄ，　１Ｈ，　Ｊ　＝　７．３　Ｈｚ），　７．２９　（ｄ，　１Ｈ，　Ｊ　＝　７．８　Ｈｚ），　７．１９−７．０９　（ｍ，　３Ｈ）。
ＭＳ　ｍ／ｚ：　３７１　（Ｍ＋）．ＨＲＭＳ　Ｃａｌｃｄ　ｆｏｒＣ２７Ｈ１７ＮＯ：　３７１．１３１０。Ｆｏｕｎｄ：　３７１．１３２４。
元素分析　Ｃａｌｃｄ　ｆｏｒＣ２７Ｈ１７ＮＯ：　Ｃ，　８６．２６；　Ｈ，　４．６９；　Ｎ，　３．７３。Ｆｏｕｎｄ：　Ｃ，　８６．２８；　Ｈ，　４．８９；　Ｎ，　３．７７。
ＩＲ（ＫＢｒ，　ｃｍ−１）　３０６３　（Ｃ−Ｈ），　２２２７　（Ａｒ−ＣＮ），　７５３　（Ｃ−Ｈ）。
【００３０】
１−メトキシ−９，１０−ジフェニル−９，１０−エポキシアントラセン（３ｂ）
ｍｐ　１６０．５℃　（ｎ−ヘキサンより再結晶，無色プリズム）。
１Ｈ−ＮＭＲ　（４００　ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ　（ｐｐｍ）　７．９８　（ｄ，　２Ｈ，　Ｊ　＝　７．１　Ｈｚ），　７．９０　（ｄ，　２Ｈ，　Ｊ　＝７．１　Ｈｚ），　７．５７−７．４６　（ｍ，　７Ｈ），　７．３５　（ｄ，　１Ｈ，　Ｊ　＝　６．４　Ｈｚ），　７．０９−７．００　（ｍ，　４Ｈ），　６．　６４　（ｄ，　１Ｈ，　Ｊ　＝　７．７　Ｈｚ），　３．６５　（ｓ，　３Ｈ）。
ＭＳ　ｍ／ｚ：　３７６　（Ｍ＋）。ＨＲＭＳ　Ｃａｌｃｄ　ｆｏｒＣ２７Ｈ２０Ｏ２：　３７６．１４６３。Ｆｏｕｎｄ：　３７６．１４５７。
元素分析　Ｃａｌｃｄ　ｆｏｒＣ２７Ｈ２０Ｏ２：　Ｃ，　８６．１５；　Ｈ，　５．３５。Ｆｏｕｎｄ：　Ｃ，　８５．８８；　Ｈ，　５．４１。
ＩＲ（ＫＢｒ，　ｃｍ−１）　３０６３　（Ｃ−Ｈ），　１２７４　（Ａｒ−Ｏ−Ｃ），　９９７　（Ａｒ−Ｏ−Ｃ），　７６２　（Ｃ−Ｈ）。
【００３１】
１−ジイソプロピルカルバモイル−９，１０−ジフェニル−９，１０−エポキシアントラセン（４ｂ）
ｍｐ　２２４．０−２２４．５℃　（ｎ−ヘキサン／酢酸エチルより再結晶，無色プリズム）。
１Ｈ−ＮＭＲ　（４００　ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ　（ｐｐｍ）　８．０３　（２Ｈ，　ｄ，　Ｊ　＝　７．０　Ｈｚ），　７．９３　（２Ｈ，　ｄ，　Ｊ　＝　７．６　Ｈｚ），　７．８６　（１Ｈ，　ｄ，　Ｊ　＝　７．６　Ｈｚ），　７．５８　（２Ｈ，　ｔ，　Ｊ　＝　７．０Ｈｚ），　７．５０−７．４４　（３Ｈ，　ｍ），　７．４０　（１Ｈ，　ｄ，　Ｊ　＝　７．０　Ｈｚ），　７．３２　（２Ｈ，　ｔ，　Ｊ　＝　７．０Ｈｚ），　７．１１　（１Ｈ，　ｔ，　Ｊ　＝　７．０　Ｈ　ｚ），　７．０１　（２Ｈ，　ｔ，　Ｊ　＝　７．６　Ｈｚ），　６．７９　（１Ｈ，　ｄ，Ｊ　＝　７．６　Ｈｚ），　３．８４　（１Ｈ，　ｍ），　３．２５　（１Ｈ，　ｍ），　１．３６　（３Ｈ，　ｄ，　Ｊ　＝　７．０　Ｈｚ），　１．１３　（３Ｈ，　ｄ，　Ｊ　＝　７．０　Ｈｚ），　０．９２　（３Ｈ，　ｄ，　Ｊ　＝　６．６　Ｈ　ｚ），　０．７６　（３Ｈ，　ｄ，　Ｊ　＝　６．６　Ｈｚ）。
ＭＳ　ｍ／ｚ：　４７３　（Ｍ＋）。ＨＲＭＳ　Ｃａｌｃｄ　ｆｏｒＣ３３Ｈ３１ＮＯ２：　４７３．２３５３。Ｆｏｕｎｄ　：　４７３．２３７１。
元素分析　Ｃａｌｃｄ　ｆｏｒＣ３３Ｈ３１ＮＯ２：　Ｃ，　８３．４９；　Ｈ，　６．７３；　Ｎ，　２．９６。Ｆｏｕｎｄ：　Ｃ，　８３．６９；　Ｈ，　６．６０；　Ｎ，　２．９６。
ＩＲ（ＫＢｒ，　ｃｍ−１）　３０６１　（Ｃ−Ｈ），　２９６７　（Ｃ−Ｈ），　１６２６　（Ｃ＝Ｏ），　７５７　（Ｃ−Ｈ）。
【００３２】
９，１０−ジフェニル−９，１０−エポキシ−１−アントラセンカルボン酸ｔ−ブチルエステル（５ｂ）
ｍｐ　１６１．０−１６２．０℃　（ｎ−ヘキサンより再結晶，無色プリズム）。
１Ｈ−ＮＭＲ　（４００　ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ　（ｐｐｍ）　７．８４　（４Ｈ，　ｄｔ，　Ｊ　＝　８．０，　１．５　Ｈｚ），　７．７７　　（１Ｈ，　ｄ，　Ｊ　＝　７．４　Ｈｚ），　７．５７−７．３７　（９Ｈ，　ｍ），　７．１７　（１Ｈ，　ｄｔ，　Ｊ　＝　７．４，　０．６　Ｈｚ），　７．１２−７．　０６　（２Ｈ，　ｍ），　１．２１　（９Ｈ，　ｓ）。
ＭＳ　ｍ／ｚ：　４４６　（Ｍ＋）。ＨＲＭＳ　Ｃａｌｃｄ　ｆｏｒＣ３１Ｈ２６Ｏ３：　４４６．１８８１。　Ｆｏｕｎｄ：　４４６．１９１９。
元素分析　Ｃａｌｃｄ　ｆｏｒＣ３１Ｈ２６Ｏ３：　Ｃ，　８２．９６；　Ｈ，　６．１８。Ｆｏｕｎｄ：　Ｃ，　８３．１９；　Ｈ，　６．０８。
ＩＲ（ＫＢｒ，　ｃｍ−１）　３０３２　（Ｃ−Ｈ），　２９８０　（Ｃ−Ｈ），　１６９９　（Ａｒ−Ｃ＝Ｏ），　１３０１　（Ｃ−Ｏｏｆ　ａｒｏｍａｔｉｃ　ｅｓｔｅｒ），　７６５　（Ｃ−Ｈ）。
【００３３】
９，１０−ジフェニル−９，１０−エポキシ−１−アントラセンカルボン酸エチルエステル（６ｂ）
ｍｐ　１５５．５℃　（ｎ−ヘキサンより再結晶，無色プリズム）。
１Ｈ−ＮＭＲ　（４００　ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ　（ｐｐｍ）　７．８６　（２Ｈ，　ｄｔ，　Ｊ　＝　７．０，　１．４　Ｈｚ），　７．７９　　（２Ｈ，　ｄｔ，　Ｊ　＝　７．０，　１．４　Ｈｚ），　７．６４　（１Ｈ，　ｄ，　Ｊ　＝　７．４　Ｈｚ），　７．５８−７．４５　（８Ｈ，　ｍ），　７．４０　（１Ｈ，　ｄ，　Ｊ　＝　７．４　Ｈｚ），　７．２０−７．０７　（３Ｈ，　ｍ），　４．０１　（１Ｈ，　ｄｑ，Ｊ　＝　１０．６，　７．０　Ｈｚ），　３．４３　　（１Ｈ，　ｄｑ，　Ｊ　＝　１０．６，　７．０　Ｈｚ），　０．９６　（３Ｈ，　ｔ，　Ｊ　＝　７．０　Ｈｚ）。
ＭＳ　ｍ／ｚ：　４１８　（Ｍ＋）。ＨＲＭＳ　Ｃａｌｃｄ　ｆｏｒＣ２９Ｈ２２Ｏ３：　４１８．１５６８。　Ｆｏｕｎｄ：　４１８．１５６６．
元素分析　Ｃａｌｃｄ　ｆｏｒＣ２９Ｈ２２Ｏ３：　Ｃ，　８３．２３；　Ｈ，　５．３０。　Ｆｏｕｎｄ：　Ｃ，　８３．００；　Ｈ，　５．５６．
ＩＲ（ＫＢｒ，ｃｍ−１）　３０６１　（Ｃ−Ｈ），　２９７９　（Ｃ−Ｈ），　１７１９　（Ａｒ−Ｃ＝Ｏ），　１２８４　（Ｃ−Ｏｏｆ　ａｒｏｍａｔｉｃ　ｅｓｔｅｒ），　７６１　（Ｃ−Ｈ）。
【００３４】
１−クロロ−９，１０−ジフェニル−９，１０−エポキシアントラセン（７ｂ）
ｍｐ　１８０．２−１８１．８℃　（ｎ−ヘキサン／ＣＨ２Ｃｌ２より再結晶，無色板状結晶）。
１Ｈ−ＮＭＲ　（４００　ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ（ｐｐｍ）　７．９６　（２Ｈ，　ｄｄ，　Ｊ　＝　７．１，　１．８　Ｈｚ），　７．７８　（２Ｈ，　ｄｄ，　Ｊ　＝　８．２，　０．９　Ｈｚ），　７．６７　（１Ｈ，　ｄ，　Ｊ　＝　７．３　Ｈｚ），　７．５７−７．４５　（６Ｈ，　ｍ），　７．３７　（１Ｈ，　ｄ，　Ｊ　＝　７．２　Ｈｚ），　７．２６−７．２３　（１Ｈ，　ｍ），　７．１６　（１Ｈ，　ｔ，　Ｊ＝　７．７　Ｈｚ），　７．０８　（１Ｈ，　ｔ，　Ｊ　＝　７．７　Ｈｚ），　６．９９−６．９８　（２Ｈ，　ｍ）。
ＭＳ　ｍ／ｚ：　３８０　（Ｍ＋）。ＨＲＭＳ　Ｃａｌｃｄ　ｆｏｒＣ２６Ｈ１７Ｏ３５Ｃｌ：　３８０．０９６７。Ｆｏｕｎｄ：　３８０．０９６３。
元素分析　Ｃａｌｃｄ　ｆｏｒＣ２６Ｈ１７ＯＣｌ：　Ｃ，　８１．９９；　Ｈ，　４．５０．　Ｆｏｕｎｄ：　Ｃ，　８１．７７；　Ｈ，　４．７２。
ＩＲ（ＫＢｒ，　ｃｍ−１）　３０５７　（Ｃ−Ｈ），　１００６　（Ａｒ−Ｃｌ），　７５０　（Ｃ−Ｈ）。
【００３５】
１−フルオロ−９，１０−ジフェニル−９，１０−エポキシアントラセン（８ｂ）
ｍｐ　２００．５−２００．７℃　（ｎ−ヘキサン／ＣＨ２Ｃｌ２／ジエチルエーテルより再結晶，無色針　状結晶）。
１Ｈ−ＮＭＲ　（４００　ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ　（ｐｐｍ）　７．９９　（２Ｈ，　ｄ，　Ｊ　＝　７．９　Ｈｚ），　７．９０　（２Ｈ，　ｄ，　Ｊ　＝　７．１　Ｈｚ），　７．６０−７．４７　（７Ｈ，　ｍ），　７．３９　（１Ｈ，　ｄ，　Ｊ　＝　７．８　Ｈｚ），　７．１６−７．０１　（４Ｈ，　ｍ），　６．　７４　（１Ｈ，　ｔ，　Ｊ　＝　９．２　Ｈｚ）。
ＭＳ　ｍ／ｚ：　３６４　（Ｍ＋）。ＨＲＭＳ　Ｃａｌｃｄ　ｆｏｒＣ２６Ｈ１７ＯＦ：　３６４．１２６３。Ｆｏｕｎｄ：　３６４．１２７３。
元素分析　Ｃａｌｃｄ　ｆｏｒＣ２６Ｈ１７ＯＦ・１／５Ｈ２Ｏ：　Ｃ，　８４．８６；　Ｈ，　４．７１。　Ｆｏｕｎｄ：　Ｃ，　８４．５７；　Ｈ，　４．８５。
ＩＲ（ＫＢｒ，　ｃｍ−１）　３０６０　（Ｃ−Ｈ），　１２３２　（Ａｒ−Ｆ），　７５１　（Ｃ−Ｈ）。
【００３６】
２−トリフルオロメチル−９，１０−ジフェニル−９，１０−エポキシアントラセン（９ｂ）
ｍｐ　１２５．０℃　（ｎ−ヘキサン／酢酸エチルより再結晶，無色プリズム）。
１Ｈ−ＮＭＲ　（４００　ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ　（ｐｐｍ）　７．９３　（４Ｈ，　ｄｔ，　Ｊ　＝　８．０，　１．１　Ｈｚ），　７．６６−　７．６１　（４Ｈ，　ｍ），　７．５９−７．５２　（３Ｈ，　ｍ），　７．４６−７．３９　（３Ｈ，　ｍ），　７．３３　（１Ｈ，　ｄ，　Ｊ　＝　８．０　Ｈｚ），　７．１０−７．０７　（２Ｈ，　ｍ）。
ＭＳ　ｍ／ｚ：　４１４　（Ｍ＋）。ＨＲＭＳ　Ｃａｌｃｄ　ｆｏｒＣ２７Ｈ１７ＯＦ３：　３５３．８７５１。Ｆｏｕｎｄ　：　３５３．８７４３。
元素分析　Ｃａｌｃｄ　ｆｏｒＣ２７Ｈ１７ＯＦ３：　Ｃ，　７８．２５；　Ｈ，　４．１３。　Ｆｏｕｎｄ：　Ｃ，　７８．１２；　Ｈ，　４．２８。
ＩＲ（ＫＢｒ，　ｃｍ−１）　３０３０　（Ｃ−Ｈ），　１１１０　（ＣＦ３），　７４６　（Ｃ−Ｈ），　７０３　（ＣＦ３）。
【００３７】
１−シアノ−４−メトキシ−９，１０−ジフェニル−９，１０−エポキシアントラセン（１０ｂ）
ｍｐ　２３３．０−２３３．４℃　（ｎ−ヘキサン／ＣＨ２Ｃｌ２より再結晶，無色針状結晶）。
１Ｈ−ＮＭＲ　（４００　ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ　（ｐｐｍ）　７．９７　（２Ｈ，　ｄｔ，　Ｊ　＝　６．６　Ｈｚ），　７．８８　（２Ｈ，　ｄｔ，　Ｊ　＝　６．６　Ｈｚ），　７．７１　（１Ｈ，　ｄｔ，　Ｊ　＝　１．５　Ｈｚ），　７．６５−７．４５　（７Ｈ，　ｍ），　７．３３　（１Ｈ，　ｄｄ，　Ｊ　＝　８．６，　１．５　Ｈｚ），　７．１７−７．１４　（２Ｈ，　ｍ），　６．７１　（１Ｈ，　ｄｄ，　Ｊ　＝８．６，　１．５　Ｈｚ），　３．７３　（３Ｈ，　ｓ）。
ＭＳ　ｍ／ｚ：　４０１　（Ｍ＋）。ＨＲＭＳ　Ｃａｌｃｄ　ｆｏｒＣ２８Ｈ１９ＮＯ２：　４０１．１４１５。　Ｆｏｕｎｄ：　４０１．　１４１４。
元素分析　Ｃａｌｃｄ　ｆｏｒＣ２８Ｈ１９ＮＯ２・１／２０Ｈ２Ｏ：　Ｎ，　３．４８；　Ｃ，　８３．５８；　Ｈ，　４．７６。
Ｆｏｕｎｄ：　Ｎ，　３．３７；　Ｃ，　８２．２６；　Ｈ，　４．９７。
ＩＲ（ＫＢｒ，　ｃｍ−１）　３０１０　（Ｃ−Ｈ），　２２２４　（Ａｒ−ＣＮ），　１６０３　（Ａｒ−Ｏ−Ｃ），　７５１　（Ｃ−Ｈ）。
【００３８】
１−ブロモ−９，１０−ジフェニル−９，１０−エポキシアントラセン（１１ｂ）
ｍｐ　１８９．０−１９０．０℃　（ｎ−ヘキサン　／ＣＨ２Ｃｌ２より再結晶，無色プリズム）。
１Ｈ−ＮＭＲ　（４００　ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ　（ｐｐｍ）　７．９５　（２Ｈ，　ｄｔ，　Ｊ　＝　７．９，　１．６　Ｈｚ），　７．８７　　（２Ｈ，　ｄｔ，　Ｊ　＝　８．４，　１．６　Ｈｚ），　７．７１　（１Ｈ，　ｄ，　Ｊ　＝　６．６　Ｈｚ），　７．５７−７．４７　（６Ｈ，　ｍ），　７．３７　（１Ｈ，　ｄ，　Ｊ　＝　７．１　Ｈｚ），　７．２８　（１Ｈ，　ｄｔ，　Ｊ　＝　７．２，　１．３　Ｈｚ），　７．１７−７．０６　（３Ｈ，　ｍ），　６．９０　（１Ｈ，　ｔ，　Ｊ　＝　６．８，　１．３　Ｈｚ）。
ＭＳ　ｍ／ｚ：　４２４　（Ｍ＋）。ＨＲＭＳ　Ｃａｌｃｄ　ｆｏｒＣ２６Ｈ１７Ｏ７９Ｂｒ：　４２４．０４６２４。　Ｆｏｕｎｄ：　４２４．０４５３。
元素分析　Ｃａｌｃｄ　ｆｏｒＣ２６Ｈ１７ＯＢｒ：　Ｃ，　７３．４２；　Ｈ，　４．０３。Ｆｏｕｎｄ：　Ｃ，　７３．２１；　Ｈ，　４．２８。
ＩＲ（ＫＢｒ，　ｃｍ−１）　３０５４．６９　（Ｃ−Ｈ）。
【００３９】
２−ブロモ−９，１０−ジフェニル−９，１０−エポキシアントラセン（１１ｂ’）
ｍｐ　１７０．０−１７１．２℃　（ｎ−ヘキサン　／ＣＨ２Ｃｌ２より再結晶，白色粉末）。
１Ｈ−ＮＭＲ　（４００　ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ（ｐｐｍ）　７．９０　（４Ｈ，　ｄ，　Ｊ　＝　８．７　Ｈｚ），　７．６３−７．５８　（４　Ｈ，　ｍ），　７．５３−７．４９　（２Ｈ，　ｍ），　７．４６　（１Ｈ，　ｄ，　Ｊ　＝　１．８　Ｈｚ），　７．２２−７．１６　（２Ｈ，　ｍ），　７．０７−７．　０５　（２Ｈ，　ｍ）。
【００４０】
実施例１２〜１３　ｐ−ジ置換ベンゼンを基質とする４位置換ベンザインの合成
酸素原子上に非共有電子対を多く持つトリフルオロメチルオキシ基（ＯＴｆ基）を脱離基とするｐ−トリフルオロメチルオキシベンゾニトリル及びｐ−トリフルオロメチルオキシアニソールを基質として、実施例１と同様にして反応（室温１５時間）及び後処理を行ったところ、４位置換ベンザイン由来のディールス−アルダー付加体２−シアノ−９，１０−ジフェニル−９，１０−エポキシアントラセン（１２ｂ）及び２−メトキシ−９，１０−ジフェニル−９，１０−エポキシアントラセン（１３ｂ）が各々５６％及び６３％の収率で得られた。
このことから、４位シアノベンザイン及び４位メトキシベンザインが生成したものと考えられる。
なお、上記実施例１２及び１３で得られた化合物の融点、各種スペクトルデータ、元素分析等の値は以下の通りである。
【００４１】
２−シアノ−９，１０−ジフェニル−９，１０−エポキシアントラセン（１２ｂ）
ｍｐ　２１６．０−２１７．９℃　（ｎ−ヘキサン／ＣＨ２Ｃｌ２より再結晶，無色プリズム）。
１Ｈ−ＮＭＲ　（４００　ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ　（ｐｐｍ）　７．８９　（４Ｈ，　ｄ，　Ｊ　＝　８．１　Ｈｚ），　７．６５−７．５０　（７Ｈ，　ｍ），　７．４５−７．３７　（４Ｈ，　ｍ），　７．１０−７．０８　（２Ｈ，　ｍ）。
ＭＳ　ｍ／ｚ：　３７１　（Ｍ＋）。ＨＲＭＳ　Ｃａｌｃｄ　ｆｏｒＣ２７Ｈ１７ＮＯ：　３７１．１２７８。Ｆｏｕｎｄ　：　３７１．１３１０。
元素分析　Ｃａｌｃｄ　ｆｏｒＣ２７Ｈ１７ＮＯ：　Ｎ，　３．７７；　Ｃ，　８７．３１；　Ｈ，　４．６１。　Ｆｏｕｎｄ：　Ｎ，　３．７４；　Ｃ，　８７．１８；　Ｈ，　４．６１。
ＩＲ（ＫＢｒ，　ｃｍ−１）　３０３１　（Ｃ−Ｈ），　２２２６　（Ａｒ−ＣＮ），　１６０６　（Ａｒ−Ｏ−Ｃ），　７４９　（Ｃ−Ｈ）。
【００４２】
２−メトキシ−９，１０−ジフェニル−９，１０−エポキシアントラセン（１３ｂ）
無色油状化合物。
１Ｈ−ＮＭＲ　（４００　ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ　（ｐｐｍ）　７．９３　（ｄｔ，　４Ｈ，　Ｊ＝７．０，　１．３　Ｈｚ，　ｏ−ｐｒｏｔｏｎ　ｓ　ｏｆ　Ｐｈ），　７．５９　（ｔ，　４Ｈ，　Ｊ　＝　７．３　Ｈｚ，　ｍ−　ｐｒｏｔｏｎｓ　ｏｆ　Ｐｈ），　７．４９　（ｔ，　２Ｈ，　Ｊ　＝　７．５　Ｈｚ，　ｐ−ｐｒｏｔｏｎｓ　ｏｆ　Ｐｈ），　７．３７−７．３２　（ｍ，　２Ｈ，　Ｈ−６，　Ｈ−７），　７．２５　（ｄ，　１Ｈ，　Ｊ　＝　８．０６　Ｈｚ，　Ｈ−４），　７．０４−７．０２　（ｍ，　２Ｈ，　Ｈ−５，　Ｈ−８），　６．９６　（ｄ，　１Ｈ，　Ｊ　＝　２．４　Ｈｚ，　Ｈ−１），　６．４９　（ｄｄ，　１Ｈ，　Ｊ　＝　８．１，　２．２　Ｈｚ，　Ｈ−３），　３．７３　（ｓ，　３Ｈ）。
ＭＳ　ｍ／ｚ：　３７６　（Ｍ＋）。ＨＲＭＳ　Ｃａｌｃｄ　ｆｏｒＣ２７Ｈ２０Ｏ２：　３７６．１４４４。Ｆｏｕｎｄ：　３７６．１４２５。
ＩＲ（ＫＢｒ，　ｃｍ−１）　２９２５　（Ｃ−Ｈ），　１２７６　（Ａｒ−Ｏ−Ｃ），　９９４　（Ａｒ−Ｏ−Ｃ），　７４８　（Ｃ−Ｈ）。
【００４３】
実施例１４　トリメチル亜鉛アート錯体（Ｍｅ３ＺｎＬｉ）を用いたオルトブロモヨードベンゼン誘導体からのハロゲンーメタル交換反応によるベンザインの合成
参考例２に記載の方法でＭｅ３ＺｎＬｉのＴＨＦ溶液を調製した後、この溶液にアルゴン雰囲気下、−７８℃にて１，３−ジフェニルイソベンゾフラン５９２．８ｍｇ　（２．１９ミリモル）のＴＨＦ溶液を加え、これに基質のオルトーブロモヨードベンゼン２８３．７ｍｇ（１．００ミリモル）を加えて、０℃で５時間撹拌した。飽和塩化アンモニウム水溶液を加えて反応を停止し、クロロホルムで抽出して、有機層を硫酸マグネシウムで脱水後、溶媒を減圧濃縮した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶出溶媒：酢酸エチル／ｎ−ヘキサン＝１／２０）で精製し、９，１０−ジフェニル−９，１０−エポキシアントラセン３３２．３ｍｇを得た。収率：９６％。
得られた化合物の融点、各種スペクトルデータ等の値は実施例１のそれらと一致した。
【００４４】
実施例１５　トリメチル亜鉛アート錯体（Ｍｅ３ＺｎＬｉ）を用いたオルトブロモヨードベンゼン誘導体からのハロゲンーメタル交換反応によるベンザインの合成（ジエンとしてフランを使用）
実施例１４において、１，３−ジフェニルイソベンゾフランの代わりにフランを用い、それ以外は実施例１４と同様にして反応及び後処理を行ない、１，４−エポキシ−１，４−ジヒドロナフタレンを７９％の収率で得た。
得られた化合物の融点、各種スペクトルデータ等の値は以下の通りである。
ｍｐ　５２．０−５２．５℃　（ｎ−ヘキサンより再結晶，無色プリズム）。
１Ｈ−ＮＭＲ　（４００　ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ　（ｐｐｍ）　７．２５　（２Ｈ，　ｄｄ，　Ｊ　＝　５．１，　３．０　Ｈｚ），　７．０３　（２Ｈ，　ｄ，　Ｊ　＝　０．９　Ｈｚ），　６．９６　（２Ｈ，　ｄｄ，　Ｊ　＝　５．１，　３．０　Ｈｚ），　５．７１　（２Ｈ，　ｓ）。
ＭＳ　ｍ／ｚ：　１４４　（Ｍ＋）。ＨＲＭＳ　Ｃａｌｃｄ　ｆｏｒＣ１０Ｈ８Ｏ：　１４４．０５７５。　Ｆｏｕｎｄ：　１４４．０５５３。
ＩＲ（ＫＢｒ，　ｃｍ−１）　３０２０　（Ｃ−Ｈ），　８４５　（Ｃ−Ｈ）。
【００４５】
実施例１６　ハロゲン−メタル交換反応を利用した置換基を持つベンザインの合成
（１）Ｎ，Ｎ−ジイソプロピル−３−ブロモ−２−ヨードベンズアミドの合成
参考例３に記載の方法でｔ−Ｂｕ２Ｚｎ（ＴＭＰ）ＬｉのＴＨＦ溶液を調製した後、この溶液にアルゴン雰囲気下、−７８℃にてＮ，Ｎ−ジイソプロピル−３−ブロモベンズアミド２８３．２ｍｇ（１．００ミリモル）を加え、０℃で３時間撹拌した。次いでこれにヨウ素１７７６．０ｍｇ（７．００ミリモル）のＴＨＦ溶液を加え、室温で１時間撹拌した。反応液に亜硫酸水素ナトリウム水溶液及び飽和塩化アンモニウム水溶液各１０ｍＬを加え、クロロホルムで抽出、硫酸マグネシウムで脱水後、溶媒を減圧留去した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶出溶媒：ヘキサン／酢酸エチル＝６／１）で精製し、Ｎ，Ｎ−ジイソプロピル−３−ブロモ−２−ヨードベンズアミド３４４．５ｍｇを得た。収率：８４％。
【００４６】
（２）１−ジイソプロピルカルバモイル−９，１０−ジフェニル−９，１０−エポキシアントラセンの合成
参考例２に記載の方法で調製したＭｅ３ＺｎＬｉのＴＨＦ溶液にアルゴン雰囲気下、−７８℃にて１，３−ジフェニルイソベンゾフラン５９２．８ｍｇ　（２．１９ミリモル）のＴＨＦ溶液を加え、これに上記（１）で得たＮ，Ｎ−ジイソプロピル−３−ブロモ−２−ヨードベンズアミドを加えて、室温で５時間撹拌した。以下、実施例４と同様に処理して実施例４で得られた化合物と同じ化合物、即ち、１−ジイソプロピルカルバモイル−９，１０−ジフェニル−９，１０−エポキシアントラセンが８６％の収率で得られた。
【００４７】
実施例１７　脱離基の検討
【化９】
2004010585.tif 000009
芳香環上に脱離基を一つだけ有する種々の一置換ベンゼンを基質として用いて、各種置換基（脱離基）Ｘのメタル化配向基（Ｄｉｒｅｃｔｅｄ　Ｍｅｔａｌａｔｉｏｎ　Ｇｒｏｕｐ，ＤＭＧ）としての能力及び脱離能力を調べた。結果を表２に示す。
【００４８】
【表２】
2004010585.tif 000010
【００４９】
表２から明らかなように本反応は，Ｂｒ、ＯＴｆ、Ｆ、Ｃｌ体の何れにおいて９９−１００％と定量的といえる収率で、またヨードニウム塩では室温で４５％、０℃で４９％という中程度の収率でベンザインを生成することが判った。これらの置換基が、脱離基としてだけでなくジンケートに対するＤＭＧとしても高い能力を示す結果であると考えられる。また、反応を室温に固定して行った場合の収率はＸ＝Ｆで３０％、Ｘ＝Ｃｌで５３％、Ｘ＝Ｂｒで７１％、Ｘ＝ＯＴｆ（トリフルオロメチルオキシ基）で１００％、の順に収率が向上した。ｏ−位水素の酸性度から考えると電気陰性度の最も高いＦの場合が、水素引き抜きは最も起こりやすいと考えられので、これらの一置換ベンゼンを出発物質とするベンザイン合成の収率には、水素の酸性度の大小が関与するということは考え難い。従って、これはＤＭＧ能力や脱離能などの複数の要因が重なり、ＯＴｆ＞Ｂｒ＞Ｃｌ＞Ｆの順にベンザイン発生が効率的に進行した結果といえる。
このように多様な脱離基が利用可能であることから、本発明のベンザイン合成法の汎用性は極めて高いと言うことが出来る。
【００５０】
【発明の効果】
本発明は、極めて反応性に富み、例えば医薬品中間体等の機能性分子の合成に効果的に使用し得るベンザイン化合物の製造法を提供するものであり、本発明の方法によれば、これまで合成が困難と考えられていた、置換基を有するベンザイン化合物が容易に且つ系統的に合成することが出来るので、例えば、これを各種ジエン類に捕捉させることにより、これまで合成不可能とされてきた種々の機能性分子の合成が可能となることが期待できる。従って、本発明は斯業に貢献するところ極めて大なる発明である。