(57)【要約】【課題】基板載置台の表面に付着物が蓄積することによって生じるエッチングむら等の処理むらを防止し、基板が基板載置台に吸着されてしまうこと等を防止する。【解決手段】処理室内で基板をサセプタ上に載置して処理する処理装置において、サセプタ１００″は、基材上に複数の凸部７が形成され、サセプタ１００″は矩形であり、複数の凸部７は直交格子を構成し、直交格子の一つの軸が前記矩形の一つの辺となす角度θが０°を超え４５°以下である。【選択図】図７ 
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を収容する処理室と、
前記処理室内に設けられ、前記基板が載置される基板載置台と、
前記処理室内に処理ガスを供給するガス供給手段と、
前記処理室内を排気する排気手段とを具備し、
前記基板載置台は、基材と、前記基材上に形成された複数の凸部とを備え、基板載置台は矩形であり、前記複数の凸部は直交格子を構成し、前記直交格子の一つの軸が前記矩形の一つの辺となす角度が０°を超え４５°以下であることを特徴とする処理装置。
【請求項２】
基板を収容する処理室と、
前記処理室内に設けられ、前記基板が載置される基板載置台と、
前記処理室内に処理ガスを供給するガス供給手段と、
前記処理室内を排気する排気手段とを具備し、
前記基板載置台は、基材と、前記基材上に形成された複数の凸部とを備え、基板載置台は矩形であり、前記複数の凸部は不規則に配置されていることを特徴とする処理装置。
【請求項３】
前記複数の凸部において前記基板が点接触することを特徴とする請求項１または請求項２に記載の処理装置。
【請求項４】
前記複数の凸部は、その上部が曲面のみからなることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の処理装置。
【請求項５】
表面に、外縁に沿って、前記凸部の高さ以上の高さを有する台部が設けられていることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の処理装置。
【請求項６】
前記基板載置台は、前記基材を貫通して設けられ、前記基材の表面の周縁部に吹出口を有する複数の伝熱媒体流路を有することを特徴とする請求項５に記載の処理装置。
【請求項７】
前記伝熱媒体流路は、前記台部の内側に設けられていることを特徴とする請求項６に記載の処理装置。
【請求項８】
前記台部は、その上面に溝部を有し、前記溝部に前記伝熱媒体流路の吹出口が設けられていることを特徴とする請求項６に記載の処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示装置（ＬＣＤ）用のガラス基板等の基板を載置する基板載置台を使用して基板に対してドライエッチング等の処理を施す処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、ＬＣＤ製造プロセスにおいては、被処理基板であるガラス製のＬＣＤ基板に対して、ドライエッチングやスパッタリング、ＣＶＤ（化学気相成長）等のプラズマ処理が多用されている。
【０００３】
このようなプラズマ処理においては、例えば、チャンバー内に一対の平行平板電極（上部および下部電極）を配置し、下部電極として機能するサセプタ（載置台）に被処理基板を載置し、処理ガスをチャンバー内に導入するとともに、電極の少なくとも一方に高周波を印加して電極間に高周波電界を形成し、この高周波電界により処理ガスのプラズマを形成して被処理基板に対してプラズマ処理を施す。この際、被処理基板はサセプタ表面に面接触するようになっている。
【０００４】
ところが、サセプタの表面は、実際には緩曲面となっているため、基板とサセプタとの間には部分的に微少な隙間ができている。一方、プラズマ処理を繰り返し行うことによりサセプタ上に付着物が蓄積する。
この際、図８に示すように、付着物４７は被処理基板Ｇとサセプタ５０との隙間を埋めるように蓄積する。このため、被処理基板Ｇ裏面にサセプタ５０が接触する部分と付着物４７が接触する部分とができて、これらの部分間で熱伝導性や導電性が異なってしまい、被処理基板Ｇにエッチングむら（被処理基板Ｇにおいてエッチングレートの高い部分と低い部分とが混在することをいう）が生じることがある。また、このような付着物４７の存在によりサセプタ５０に載置された被処理基板Ｇがサセプタ５０に吸着されてしまうこともある。
【０００５】
そのため、たとえば、特許文献１に開示されたプラズマ処理装置においては、サセプタ（試料ステージ）に複数のたとえば円錐状の突起部を設けている。しかし、この公報の第２図によれば、ステージ２２と突起物２３は一体物になっている。金属の機械加工により、このような均一な突起物を作成することは、技術的に困難であり、コスト・時間もかかる。
【０００６】
また、特許文献２に開示された静電チャックおよびその製造方法においては、静電電極を覆う焼成セラミック絶縁層の表面に凸状パターンが形成されている。
【０００７】
また、特許文献３に開示された静電力低減のためのパターン付きサセプタにおいては、サセプタ表面にフォトエッチングにより凹凸パターンを形成して、静電力（固着力）を低減し、プラズマ処理後にサセプタからウエハを容易に分離できるようにしている。
【０００８】
また、特許文献４に開示されたプラズマＣＶＤ装置用サセプタおよびその製造方法においては、アルミニウム又はアルミニウム合金製のサセプタの表面をショットブラスト処理して凹凸部を形成し、さらに化学研磨、電解研磨、又はバフ研磨によって凸部の急峻な突起部を除去している。
【０００９】
しかし、これら従来技術はいずれも凸部の頂上は平らであるため、プラズマ処理によって発生した埃が堆積しやすいという欠点がある。
【特許文献１】特開昭５９−１７２２３７号公報
【特許文献２】特開昭６０−２６１３７７号公報
【特許文献３】特開平８−７００３４号公報
【特許文献４】特開平１０−３４０８９６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
そこで、本発明は、基板載置台の表面に付着物が蓄積することによって生じるエッチングむら等の処理むらを防止し、基板が基板載置台に吸着されてしまうこと等の不都合が生じ難い基板載置台を使用した処理装置を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記の課題を解決するため、本発明の第１の観点では、基板を収容する処理室と、前記処理室内に設けられ、前記基板が載置される基板載置台と、前記処理室内に処理ガスを供給するガス供給手段と、前記処理室内を排気する排気手段とを具備し、前記基板載置台は、基材と、前記基材上に形成された複数の凸部とを備え、基板載置台は矩形であり、前記複数の凸部は直交格子を構成し、前記直交格子の一つの軸が前記矩形の一つの辺となす角度が０°を超え４５°以下であることを特徴とする処理装置を提供する。
【００１２】
また、本発明の第２の観点では、基板を収容する処理室と、前記処理室内に設けられ、前記基板が載置される基板載置台と、前記処理室内に処理ガスを供給するガス供給手段と、前記処理室内を排気する排気手段とを具備し、前記基板載置台は、基材と、前記基材上に形成された複数の凸部とを備え、基板載置台は矩形であり、前記複数の凸部は不規則に配置されていることを特徴とする処理装置を提供する。
【００１３】
上記いずれの構成においても、前記凸部は、その上部において被処理基板と点接触することが好ましい。このようにすることで、付着物による悪影響をより小さくすることができる。また、前記凸部の上部は、曲面のみからなることが好ましい。これにより凸部に突起（尖った箇所）が存在しない状態になるので、突起が削れてパーティクルの原因となることがない。また、表面に、外縁に沿って、前記凸部の高さ以上の高さを有する台部が設けられていることが好ましい。これにより、基板裏面に熱伝導媒体を供給した場合に、熱伝導媒体が基板載置台以外の領域に拡散することを抑制することができる。この場合に、前記基板載置台は、前記基材を貫通して設けられ、前記基材の表面の周縁部に吹出口を有する複数の伝熱媒体流路を有するようにすることができる。前記伝熱媒体流路は、前記台部の内側に設けるようにすることができる。また、前記台部を、その上面に溝部を有する構成とし、その溝部に前記伝熱媒体流路の吹出口が設けられている構成とすることができる。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、基板に形成された回路パターンと凸部の配列パターンとを重ならないようにすることができ、エッチングむら等の処理むらを回避することができ、基板が基板載置台に吸着されてしまうこと等の不都合を生じ難くすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、添付図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。
図１は、本発明の一実施形態に係る基板載置台としてのサセプタが設けられた処理装置の一例であるプラズマエッチング装置を示す断面図である。図１に示すように、本発明の一実施形態の基板載置台であるサセプタ４は、基材４ａと、基材４ａの上に設けられた誘電性材料膜６と、誘電性材料膜６の上に設けられた凸部７とを有する。
【００１６】
凸部７は、誘電体材料膜６の上の基板Ｇ載置領域に一様に分布して形成されており、基板Ｇはこの凸部７上に載置されるようになっている。これにより凸部７はサセプタ４と基板Ｇとの間を離隔するスペーサーとして機能し、サセプタ４上に付着した付着物が基板Ｇに悪影響を及ぼすことが防止される。この凸部７は、その高さが５０〜１００μｍであることが好ましい。サセプタ４上に付着する付着物の量を考慮すると、凸部７の高さを５０μｍ以上とすることで付着物が基板Ｇに悪影響を及ぼすことを十分に防止することができるからである。一方、高さが１００μｍを超えると凸部７の強度が低下したり、基板Ｇのエッチングレートが低下するといった問題や、後述するように凸部７を溶射で形成する場合に溶射時間が長くなるという不都合もある。また、凸部７の径は０．５〜１ｍｍであることが好ましく、その間隔は０．５〜３０ｍｍとすること、さらには５〜１０ｍｍとすることが好ましい。配列パターンには特に制限はなく、例えば千鳥格子配列であってもよい。
【００１７】
凸部７は、少なくともその上部を曲面形状や半球状に形成して、基板Ｇと点接触させることが好ましい。これにより、凸部７と基板Ｇとの接触部分に付着物が極めて付着し難くすることができる。一方、凸部７の形状を円柱または角柱とした場合には、上面が平面であり、この上面に付着物が付着しやすくなる欠点がある。
【００１８】
凸部７は一般的に耐久性および耐食性が高い材料として知られているセラミックスで構成されている。凸部７を構成するセラミックスは特に限定されるものではなく、典型的にはＡｌ２Ｏ３、Ｚｒ２Ｏ３、Ｓｉ３Ｎ４等の絶縁材料を挙げることができるが、ＳｉＣのようにある程度導電性を有するものであってもよい。凸部７は溶射により形成される。
【００１９】
誘電性材料膜６は、誘電性材料からなっていればその材料は問わず、また高絶縁性材料のみならず電荷の移動を許容する程度の導電性を有するものを含む。このような誘電性材料膜６は、耐久性および耐食性の観点からセラミックスで構成することが好ましい。この際のセラミックスは特に限定されるものではなく、凸部７の場合と同様、典型的にはＡｌ２Ｏ３、Ｚｒ２Ｏ３、Ｓｉ３Ｎ４等の絶縁材料を挙げることができるが、ＳｉＣのようにある程度導電性を有するものであってもよい。このような誘電体材料膜６は溶射により形成してもよい。また、溶射した後、研磨用によって表面を平滑化してもよい。
【００２０】
基材４ａは、誘電体材料膜６を支持するものであり、例えばアルミニウム等の金属やカーボンのような導電体で構成されている。
【００２１】
次に、誘電性材料膜６上に凸部７を溶射によって形成する方法について説明する。
凸部７は機械加工やエッチング等の他の方法でも形成することも考えられるが、この場合には技術的、コスト的に問題がある。そこで、本実施形態では以下のような方法を採用する。
【００２２】
図２に示すように、まず、複数の円形開口を有する開口板６６を誘電性材料膜６上に非接触に位置させる。そのためには、中間部材６５を誘電性材料膜６上に載せ、さらにその上に開口板６６を載せる。すなわち、開口板６６と誘電性材料膜６との間に中間部材６５を置き、開口板６６を浮かせる。中間部材６５の材料は金属または耐熱性の樹脂等が好適である。また、接着層付耐熱性樹脂シートであれば誘電性材料膜６に接着することができて好都合である。中間部材６５は、開口板６６の開口部以外の面積より小さい面積を有するとともに開口板６６の開口に対応する部分に存在しない。開口板６６は、たとえば、板厚０．３ｍｍ程度の金属板、具体的にはステンレス板を使用する。この開口板６６を介して溶射し、開口に対応する部分に凸部７を形成する。これにより、比較的容易に凸部７を形成することができる。また、このように複数の開口を有するマスク部材を介して溶射することにより、凸部７の上部の形状を曲面形状にすることができる。これは、溶射の際に開口の周辺部が障壁となりセラミックスの拡散が妨げられるためと考えられる。
【００２３】
このようにすることにより、溶射によって形成される凸部を所望の形状に制御することができる。溶射後は、開口板６６および中間部材６５は取りはずす。
【００２４】
また、凸部７をセラミックスの溶射で形成する際に、気孔が形成される場合があるが、その場合には凸部７を形成した後に封孔処理を施す。誘電性材料膜６を溶射により形成する際も同様である。
【００２５】
また、誘電性材料膜６の材質と凸部７の材質が同一であれば、両者は強固に結合するので好適である。しかし、処理中の温度範囲で両者の結合が十分であれば、両者の材質は異なっていてもよい。なお、凸部７および誘電性材料膜６を同一の材料で構成する場合には、これらを溶射により連続して形成することができる。
【００２６】
また、基材４ａと誘電性材料膜６の間に層５が設けられている。層５は、熱膨張係数が基材４ａと誘電性材料膜６との中間の値を示す材料からなり、基材４ａと誘電性材料膜６との熱膨張差を緩和する機能を有している。また、基材４ａと誘電性材料膜６との接合を強化するために設けてもよい。なお、層５は必須なものではなく、サセプタ４のサイズが小さい場合や温度の変化量が小さい場合や基材４ａと誘電性材料膜６との接合が強固な場合には層５を省いてもよい。また、層５は１つに限らず２つ以上設けてもよい。
【００２７】
この層５は、基材４ａをアルミニウムで構成し、誘電性材料膜６をセラミックスで構成する場合には、例えばニッケルおよびアルミニウムの合金で構成することができる。なお、層５の形成方法は問わない。
【００２８】
サセプタ４においては、エッチングプロセスを繰り返すことにより、図３に示すように、基材４ａ上に形成された誘電性材料膜６の表面には基板Ｇからエッチングされた物質等の付着物４７が蓄積するが、本実施形態においては、凸部７がスペーサーの役割をはたし、サセプタ４上に付着物が蓄積しても付着物が基板Ｇに接触し難く、これにより基板Ｇにサセプタ４と接触する部分および付着物４７と接触する部分ができてエッチングむらが生じたり、基板Ｇがサセプタ４に吸着されるといった不都合が防止される。
【００２９】
次に、再び図１を参照して、上述した構成のサセプタ４を用いた本発明の処理装置について説明する。この処理装置１は、ＬＣＤガラス基板の所定の処理を行う装置の断面図であり、容量結合型平行平板プラズマエッチング装置を例として構成されている。ただし、本発明の処理装置はプラズマエッチング装置にのみ限定されるものではない。
【００３０】
このプラズマエッチング装置１は、例えば表面がアルマイト処理（陽極酸化処理）されたアルミニウムからなる角筒形状に成形されたチャンバー２を有している。このチャンバー２内の底部には絶縁材からなる角柱状の絶縁板３が設けられており、さらにこの絶縁板３の上には、被処理基板であるＬＣＤガラス基板Ｇを載置するための前述したサセプタ４が設けられている。また、サセプタ４の基材４ａの外周および上面の層５および誘電性材料膜６が設けられていない周縁には、絶縁部材８が設けられている。
【００３１】
サセプタ４には、高周波電力を供給するための給電線２３が接続されており、この給電線２３には整合器２４および高周波電源２５が接続されている。高周波電源２５からは例えば１３．５６ＭＨｚの高周波電力がサセプタ４に供給される。
【００３２】
前記サセプタ４の上方には、このサセプタ４と平行に対向して上部電極として機能するシャワーヘッド１１が設けられている。シャワーヘッド１１はチャンバー２の上部に支持されており、内部に内部空間１２を有するとともに、サセプタ４との対向面に処理ガスを吐出する複数の吐出孔１３が形成されている。このシャワーヘッド１１は接地されており、サセプタ４とともに一対の平行平板電極を構成している。
【００３３】
シャワーヘッド１１の上面にはガス導入口１４が設けられ、このガス導入口１４には、処理ガス供給管１５が接続されており、この処理ガス供給管１５には、バルブ１６、およびマスフローコントローラ１７を介して、処理ガス供給源１８が接続されている。処理ガス供給源１８からは、エッチングのための処理ガスが供給される。処理ガスとしては、ハロゲン系のガス、Ｏ２ガス、Ａｒガス等、通常この分野で用いられるガスを用いることができる。
【００３４】
前記チャンバー２の側壁底部には排気管１９が接続されており、この排気管１９には排気装置２０が接続されている。排気装置２０はターボ分子ポンプなどの真空ポンプを備えており、これによりチャンバー２内を所定の減圧雰囲気まで真空引き可能なように構成されている。また、チャンバー２の側壁には基板搬入出口２１と、この基板搬入出口２１を開閉するゲートバルブ２２とが設けられており、このゲートバルブ２２を開にした状態で基板Ｇが隣接するロードロック室（図示せず）との間で搬送されるようになっている。
【００３５】
次に、このように構成されるプラズマエッチング装置１における処理動作について説明する。
まず、被処理体である基板Ｇは、ゲートバルブ２２が開放された後、図示しないロードロック室から基板搬入出口２１を介してチャンバー２内へと搬入され、サセプタ４上に形成された誘電性材料膜６の凸部７上に載置される。この場合に、基板Ｇの受け渡しはサセプタ４の内部を挿通しサセプタ４から突出可能に設けられたリフターピン（図示せず）を介して行われる。その後、ゲートバルブ２２が閉じられ、排気装置２０によって、チャンバー２内が所定の真空度まで真空引きされる。
【００３６】
その後、バルブ１６が開放されて、処理ガス供給源１８から処理ガスがマスフローコントローラ１７によってその流量が調整されつつ、処理ガス供給管１５、ガス導入口１４を通ってシャワーヘッド１１の内部空間１２へ導入され、さらに吐出孔１３を通って基板Ｇに対して均一に吐出され、チャンバー２内の圧力が所定の値に維持される。
【００３７】
この状態で高周波電源２５から整合器２４を介して高周波電力がサセプタ４に印加され、これにより、下部電極としてのサセプタ４と上部電極としてのシャワーヘッド１１との間に高周波電界が生じ、処理ガスが解離してプラズマ化し、これにより基板Ｇにエッチング処理が施される。
【００３８】
このようにしてエッチング処理を施した後、高周波電源２５からの高周波電力の印加を停止し、チャンバー２内の圧力が所定の圧力まで昇圧され、ゲートバルブ２２が開放され、基板Ｇが基板搬入出口２１を介してチャンバー２内から図示しないロードロック室へ搬出されることにより基板Ｇのエッチング処理は終了する。
【００３９】
上述したサセプタ（基板載置台）４には静電チャックを設けてもよい。この場合には、図４に示すように、サセプタの基材４ａ上に第１の誘電性材料膜３１、静電電極層として機能する導電層３２、第２の誘電性材料膜６′、凸部７′をこの順に積層してサセプタ４′を構成すればよい。
【００４０】
静電チャック部の第１の誘電性材料膜３１、導電層３２、第２の誘電性材料膜６′を形成する方法は問わないが、すべて溶射によって形成してもよい。また、一部または全部の層を研磨等により平滑化してもよい。
【００４１】
凸部７′は上述の凸部７と同様、セラミックスで構成されており、そのセラミックスは特に限定されるものではなく、典型的にはＡｌ２Ｏ３、Ｚｒ２Ｏ３、Ｓｉ３Ｎ４等の絶縁材料を挙げることができるが、ＳｉＣのようにある程度導電性を有するものであってもよい。第１の誘電性材料膜３１と第２の誘電性材料膜６′は、上記誘電性材料膜６と同様、誘電性材料からなっていればその材料は問わず、また高絶縁材料のみならず電荷の移動を許容する程度の導電性を有するものを含み、耐久性および耐食性の観点からセラミックスで構成することが好ましい。この際のセラミックスは特に限定されるものではなく、典型的にはＡｌ２Ｏ３、Ｚｒ２Ｏ３、Ｓｉ３Ｎ４等の絶縁材料を挙げることができるが、ＳｉＣのようにある程度導電性を有するものであってもよい。また、第１の誘電性材料膜３１と第２の誘電性材料膜６′は同じ材質であってもよい。また、基材４ａと第１の誘電性材料膜３１との間や第２の誘電性材料膜６′と凸部７′との間に１以上の中間層を設けることもできる。この中間層の機能は、前記層５と同様である。
【００４２】
凸部７′は第２の誘電性材料膜６′の基板Ｇ載置領域に一様に分布しており、基板Ｇはこの凸部７′上に吸着されるようになっている。この第２の誘電性材料膜６′と凸部７′の形状およびその形成方法は、上記誘電性材料膜６および凸部７について既に説明したものと同様である。なお、このような構造をとらなくても、図１に示すサセプタ４の基材４ａを静電チャックの静電電極とすることにより静電チャックとして機能させることができる。
【００４３】
このように、静電チャックにより基板Ｇを静電吸着するとともに、温調しながら、基板Ｇの処理、例えばエッチング処理を行う。そしてエッチング処理を繰り返すことにより、静電チャック上に形成された表層部６表面に付着物が蓄積するが、本実施形態においても、凸部７′がスペーサーの役割をはたすため、付着物が基板Ｇに接触し難い。したがって、基板Ｇにサセプタと接触する部分および付着物と接触する部分ができてエッチングむらが生じたり、静電チャックによる静電吸着を解除した後も基板Ｇがサセプタに固着されるといった不都合が防止される。
【００４４】
次に、他の実施形態について説明する。
図５の（ａ）、（ｂ）に示すサセプタ１００は、  基材４ａと、前記基材４ａ上に形成した層５と、前記層５上に形成した誘電性材料膜６と、誘電性材料膜６上の凸部７とを備えており、基材４ａを貫通して、基材４ａの表面の周縁部に吹出口を有する複数の伝熱媒体流路９９が形成されている。これによって、凸部間の空間に熱伝導媒体たとえばヘリウムガスを充満させて基板を一様に冷却することができ、基板の温度を一様にすることができるので、エッチング等のプラズマ処理も基板前面にわたって一様となる。また、エッジ付近に台部１０１が設けられており、この台部１０１によって、熱伝導媒体がサセプタ以外の領域に拡散することを抑制することができる。この台部１０１の表面の高さは、前記凸部７の高さ以上である。
【００４５】
図６の（ａ）、（ｂ）に示すサセプタ１００′は、台部１０１に溝部１０２を設け、この溝部１０２に伝熱媒体流路９９の吹出口が設けられているものである。この溝部１０２によっても、熱伝導媒体がサセプタ以外の領域に拡散することを抑制することができる。
【００４６】
なお、図５および図６のサセプタにおいても、上述したように静電チャックを設けることができる。
【００４７】
図７に示すサセプタ１００″は、図示するように平面形状が矩形状であり、複数の凸部７は直交格子を構成し、前記直交格子のひとつの軸Ｙが前記矩形のひとつの辺Ｘとなす角度θが０°を超え４５°以下としてある。ここにいう直交格子とは、単位格子（基本格子）が矩形であるような格子である。ガラス基板等の矩形の基板には、半導体回路パターンが露光され、エッチングによってその半導体回路パターン等が現像される。この半導体回路パターン等においては、矩形の各辺に平行にソースライン、ゲートラインその他が配列されているため、サセプタの各凸部が特定のパターンと重なると、その凸部で基板との接触の異常のため、熱伝導や電界が変動し、エッチングむらを生じる虞がある。このサセプタ１００″は、このようなエッチングむらを抑制するためのものである。また、このようにエッチングむらを抑制する観点からは、このような直交格子ではなく、凸部７が不規則に配置されているものであってもよい。このようなエッチングむらを抑制するサセプタに図５または図６の構成を採用することもできる。
【００４８】
以上のヘリウムガス等の伝熱媒体を吹き出すための伝熱媒体流路９９を有する図５から図７のサセプタを備えた処理装置は、基材４ａを貫通してヘリウム等の伝熱媒体流路９９は例えばヘリウム源に接続されている以外の点は図１に示した処理装置と同様である。
【００４９】
なお、本発明は以上説明した実施形態に限定されるものではない。例えば、本発明の処理装置については、下部電極に高周波電力を印加するＲＩＥタイプの容量結合型平行平板プラズマエッチング装置を例示して説明したが、エッチング装置に限らず、アッシング、ＣＶＤ成膜等の他のプラズマ処理装置に適用することができるし、上部電極に高周波電力を供給するタイプであっても、また容量結合型に限らず誘導結合型であってもよい。また、被処理基板はＬＣＤガラス基板Ｇに限られず半導体ウエハであってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】本発明の一実施形態に係る基板載置台としてのサセプタが設けられた処理装置の一例であるプラズマエッチング装置を示す断面図。
【図２】図１の装置に設けられたサセプタの凸部の形成方法を説明するための断面図。
【図３】本発明のサセプタ（基板載置台）に付着物が付着した状態を示す断面図。
【図４】静電チャックを設けた他の実施形態に係るサセプタを示す断面図。
【図５】さらに他の実施形態に係るサセプタを示す断面図および部分平面図。
【図６】別の実施形態に係るサセプタを示す断面図および部分平面図。
【図７】また別の実施形態に係るサセプタを示す平面図。
【図８】従来のサセプタ上に付着物が付着した状態を示す断面図。
【符号の説明】
【００５１】
１  処理装置（プラズマエッチング装置）
２  チャンバー（処理室）
３  絶縁板
４，１００，１００′，１００″  サセプタ
５  層
６  誘電性材料膜
６′  第２の誘電性材料膜
７，７′  凸部
１１  シャワーヘッド（ガス供給手段）
２０  排気装置
３１  第１の誘電性材料膜
３２  導電層
２５  高周波電源（プラズマ生成手段）
６５  中間部材
６６  開口板
９９  伝熱媒体流路
１０１  台部
１０２  溝部
【図１】
2004260201.tif 000003
【図２】
2004260201.tif 000004
【図３】
2004260201.tif 000005
【図４】
2004260201.tif 000006
【図５】
2004260201.tif 000007
【図６】
2004260201.tif 000008
【図７】
2004260201.tif 000009
【図８】
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