(57)【要約】【課題】微細でかつ厚膜のパターンを高い精度で、しかも連続的に形成するためのオフセット印刷方法と、当該方法の実施に適したオフセット印刷装置とを提供する。【解決手段】オフセット印刷において、印刷用ブランケット３１として表面にシリコーン系エラストマーを用いたものを使用し、かつ印刷用ブランケット３１から被転写体３３へ印刷インキ３４を転写した後、印刷用ブランケット３１の表面を噴射口１２から噴射される温風等で加熱して当該ブランケットに吸収された印刷インキ３４の溶剤を蒸散させ、さらにこうして乾燥した印刷用ブランケット３１の表面を冷却し、次いでその表面に低分子量ポリシロキサン１８をローラ１７で塗布する。【選択図】　図２
2004017310.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
印刷インキを印刷版から印刷用ブランケットへ転写し、さらに当該印刷用ブランケットから被転写体へ転写するオフセット印刷において、
上記印刷用ブランケットとして表面にシリコーン系エラストマーを用いたものを使用し、かつ、
当該印刷用ブランケットから被転写体へ印刷インキを転写した後、印刷用ブランケットの表面を加熱して当該印刷用ブランケットに吸収された印刷インキの溶剤を蒸散させ、さらにこうして乾燥した印刷用ブランケットの表面を冷却し、次いで当該印刷用ブランケットの表面に低分子量ポリシロキサンを塗布または放射することを特徴とするオフセット印刷方法。
【請求項２】
上記印刷版が凹版である請求項１記載のオフセット印刷方法。
【請求項３】
上記シリコーン系エラストマーが未硬化時に液状もしくはペースト状のシリコーンゴムである請求項１または２記載のオフセット印刷方法。
【請求項４】
上記低分子量ポリシロキサンの分子量が１００〜１０００００である請求項１〜３のいずれかに記載のオフセット印刷方法。
【請求項５】
印刷用ブランケットの表面に低分子量ポリシロキサンを塗布または放射する工程が、印刷インキの印刷版から印刷用ブランケットへの転写と、印刷用ブランケットから被転写体への転写とのサイクルを１〜５０回経る毎に行なう請求項１〜４のいずれかに記載のオフセット印刷方法。
【請求項６】
上記印刷用ブランケット表面の加熱を、温風の噴射、赤外線の照射、および当該ブランケットの内部または裏面に配置されたヒータによる加熱より選ばれる少なくとも１の手段により行なう請求項１〜５のいずれかに記載のオフセット印刷方法。
【請求項７】
上記印刷用ブランケット表面の冷却を、冷風の噴射、当該ブランケットの裏面からの水冷、および当該ブランケットの裏面からの空冷より選ばれる少なくとも１の手段により行なう請求項１〜６のいずれかに記載のオフセット印刷方法。
【請求項８】
印刷用ブランケットと、
当該印刷用ブランケットを固定するブランケット胴と、
当該ブランケット胴の回転軸と直交する方向に対して平行移動する印刷版および被転写体と、
上記印刷用ブランケットに対して温風を噴射する加熱手段および／または赤外線を照射する加熱手段と、
上記印刷用ブランケットに対して冷風を噴射する冷却手段と、
上記印刷用ブランケットの表面に低分子量ポリシロキサンを塗布または放射する補給手段と、
を備えるオフセット印刷装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、オフセット印刷法によって高精度でかつ厚膜のパターンを連続的に形成する技術に関する。より詳しくは、プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）の背面基板や前面基板における電極パターン、有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子の発光層や電荷輸送層、有機薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）の基板における電極パターン、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）用カラーフィルタにおけるブラックマトリックスのパターン、透光性電磁波シールド部材におけるシールドパターン等の形成に好適なオフセット印刷方法と、当該方法の実施に好適なオフセット印刷装置とに関する。
【０００２】
【従来の技術】
現在、厚膜のパターンを高い精度で形成する目的には、フォトリソグラフィー法が主に採用されている。しかしながら、フォトリソグラフィー法はプロセスが複雑で、パターン形成に必要な材料や製造設備等が高価であるために、製造コストが極めて高くなるという問題がある。さらに、パターン形成時の現像処理等にて生じる廃液を処理するコストも高く、しかもこの廃液については環境保護の観点からの問題もある。
【０００３】
そこで、フォトリソグラフィー法に代えて、低コストでかつ有害な廃液等を生じることのないパターン形成方法に関する研究が種々なされている。なかでも、表面がシリコーンゴムからなる印刷用ブランケット（以下、シリコーンゴムブランケットという。）を用いた凹版オフセット印刷法は、数十〜数百μｍ幅の細線パターンの形成が可能であることから、フォトリソグラフィーの代替法として注目されつつある。
【０００４】
しかし、シリコーンゴムブランケットを使用して、凹版オフセット印刷法によってパターンの形成を行なった場合であっても、印刷を繰り返すことで印刷パターンの形状が劣化したり、印刷精度が低下したりすることが指摘されている。
その原因として、特開平７−２７６７７５号（特許第２９９３８４６号）公報や特開平９−７１０６１号（特許第３０７３６７４号）公報には、シリコーンゴムブランケットにはシリコーンゴムの内部から徐々に表面へと染み出す（ブリードする）遊離の低分子量のシリコーンオイルが存在するものの、印刷を繰り返すことによって当該オイルが減少することにあるとしている。
【０００５】
そこで、厚膜の細線パターンを高い印刷精度で、しかもその精度を維持しつつ繰返し形成することのできる方法として、特開平７−２７６７７５号公報には、シリコーンゴムブランケットの表面に印刷インキよりも界面張力が低いシリコーンオイル等をあらかじめ塗布する方法が、一方の特開平９−７１０６１号公報には、ブランケット表面に撥水剤を塗布する方法が、それぞれ開示されている。
しかしながら、上記の方法によっても、印刷を繰り返すことによって印刷パターンの形状が劣化していったり、印刷精度が経時的に低下したりするという問題を十分に解決することができない。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
上記の問題を十分に解決することができない原因としては、シリコーンゴムブランケットに印刷インキの溶剤が浸透して、徐々にブランケットが膨潤することにあると考えられている。
特に近年、ＰＤＰの背面基板や前面基板における電極パターン、ＥＬ素子の発光層や正孔輸送層、ＴＦＴの基板における電極パターン、透光性電磁波シールド部材におけるシールドパターン等を印刷形成するのに際し、印刷インキには、パターン形成材料としての金属粉末や有機高分子を含有させたペーストが用いられており、同時に、これらの材料をペースト化するために、例えばインキ中での溶剤の含有率を高めたり、芳香族炭化水素等のシリコーンゴム中に浸透し易い溶剤を用いたりする等の処置が採られている。従って、印刷インキの溶剤によってシリコーンゴムブランケットが膨潤し、印刷用ブランケットと印刷インキとの親和性が増大してパターンの線幅が大きくなるなど、印刷精度等の低下を招くという問題がより一層顕著に現れることとなる。
【０００７】
なお、シリコーンゴムブランケットを用いた印刷の場合、溶剤で膨潤することによって印刷インキとの親和性が変化したとしても、転写されるインキの量に大きな変化はなく、それゆえパターンの中心の印刷位置は精度よく印刷再現することができる。それゆえ、単に所定の導電が確保されればよい程度の電極の形成や、平坦化処理によって印刷後にパターン形状の補正を行なうカラーフィルタのパターン形成等の場合には、パターンの線幅や膜厚みの変化が大きな問題とはならない場合がある。しかしながら、例えばＰＤＰの背面基板や前面基板における電極パターン、ＴＦＴの基板における電極パターン等のように、極めて細い線幅と極めて大きな膜厚、さらには極めて高い印刷精度が要求されるようなパターン形成においては、ブランケットの膨潤に伴うパターン線幅等の変化を抑制することが極めて重要である。
【０００８】
そこで、本発明者らは、先に、印刷用ブランケットから被転写体へのインキの転移後にブランケットの表面に温風を噴射するなどの加熱・乾燥処理を施し、その後、ブランケットの表面温度を低下させるべく表面に冷風を噴射するなどの冷却処理を施すことによって、簡易な方法でかつ凹版からブランケットを介して被転写体へとインキを転移させる一連の工程の流れを遮ることなく、インキの溶剤によってブランケットが膨潤するという問題を解消する方法を提案している（特願２００１−３８９９１号）。
【０００９】
しかしながら、この場合でも、極めて微細なパターンを極めて高い精度で形成する場合には、印刷を繰り返すことによって線幅が低下したり、パターン形状が乱れ始めたりするなどの現象が生じており、高い精度でのパターン形成を連続的に行なうことが困難であるという問題があった。
【００１０】
そこで本発明の目的は、微細でかつ厚膜のパターンを高い精度で、しかも連続的に形成するためのオフセット印刷方法を提供することである。
本発明の他の目的は、微細でかつ厚膜のパターンをオフセット印刷法によって高い精度でしかも連続的に形成するのに適したオフセット印刷装置を提供することである。
【００１１】
【課題を解決するための手段および発明の効果】
〔オフセット印刷方法〕
本発明者らは、上記課題を解決するために鋭意研究を重ねていく中で、印刷インキの溶剤によって膨潤したシリコーンゴムブランケットを加熱によって乾燥させると、加熱の程度や頻度に応じてシリコーンゴムに含まれる低分子量のポリシロキサンが蒸散する現象が生じてしまい、これに伴うブランケットの表面張力の増大によって印刷パターンの線幅が増大するなど、印刷精度の低下といった問題が引き起こされるという事実を見出した。そこで、かかる事実に着目してさらに研究を重ねた結果、ブランケットの膨潤を防止と、ブランケットからの低分子量ポリシロキサンの流失とを効率的に行なうオフセット印刷方法と、その方法の実施に好適なオフセット印刷装置とを見出し、本発明を完成するに至った。
【００１２】
すなわち、上記課題を解決するための本発明に係るオフセット印刷方法は、
印刷インキを印刷版から印刷用ブランケットへ転写し、さらに当該印刷用ブランケットから被転写体へ転写するオフセット印刷において、
上記印刷用ブランケットとして表面にシリコーン系エラストマーを用いたものを使用し、かつ、
当該印刷用ブランケットから被転写体へ印刷インキを転写した後、印刷用ブランケットの表面を加熱して当該印刷用ブランケットに吸収された印刷インキの溶剤を蒸散させ、さらにこうして乾燥した印刷用ブランケットの表面を冷却し、次いで当該印刷用ブランケットの表面に低分子量ポリシロキサンを塗布または放射することを特徴とする。
【００１３】
本発明のオフセット印刷方法によれば、印刷用ブランケットの表面がシリコーン系エラストマーを用いたものであることから、印刷用ブランケット表面でのインキの離型性が低く、印刷版から転写されたインキ像を分離させることなく、ほぼ１００％被転写体へと転移させることができる。
印刷インキを印刷用ブランケットから被転写体へ転写した後には、印刷用ブランケットの表面を加熱して印刷インキの溶剤を蒸散、乾燥させることから、印刷用ブランケット表面の膨潤およびそれに伴う印刷精度の低下を著しく抑制することができる。しかも、加熱・乾燥の後には、印刷用ブランケットの表面を冷却することから、加熱によって印刷用ブランケット表面が膨張し、さらにそのことに起因して印刷精度が低下してしまうといった問題を防止することもできる。
【００１４】
さらに、上記本発明のオフセット印刷方法によれば、印刷用ブランケットを加熱・乾燥させかつ冷却した後に、当該印刷用ブランケットに対して低分子量ポリシロキサンの塗布または放射処理を施すことから、上記加熱処理によって消失した印刷用ブランケット表面の低分子量ポリシロキサンを逐一補給することができる。
その結果、本発明のオフセット印刷方法によれば、微細でかつ厚膜のパターンを連続的に形成する場合においても、線幅の低下やパターン形状の劣化を招くことなく、優れた印刷精度を維持することができる。
【００１５】
本発明のオフセット印刷方法において、印刷版は凹版であるのが好ましい。印刷版が凹版である場合には、凹版凹部の深さを変えることによってパターンの膜厚を容易に制御することが可能であり、凹版形成材料の選択に応じて、平版（または水無し平版）オフセット印刷や凸版オフセット印刷よりも微細かつ高精度の印刷を実現することができるからである。
本発明のオフセット印刷方法において、印刷用ブランケット表面のシリコーン系エラストマーは未硬化時に液状もしくはペースト状のシリコーンゴムであるのが好ましい。この場合、印刷用ブランケット表面のシリコーンゴム層を硬化・形成させる際にセルフレベリングによって当該層を平滑化することができる。それゆえ、高精度のパターン形成により一層好適な、表面粗さが極めて小さい印刷用ブランケットを簡易な方法で形成することができる。
【００１６】
本発明のオフセット印刷方法において、印刷用ブランケットの表面に塗布または放射される低分子量ポリシロキサンの分子量は１００〜１０００００であるのが好ましい。分子量がかかる範囲にあるポリシロキサンを使用することによって、加熱処理によって印刷用ブランケットから消失した低分子量ポリシロキサン成分を補給し、ブランケットの印刷精度を維持するという本発明の作用効果をより一層確実なものとすることができる。低分子量ポリシロキサンの分子量は、上記範囲の中でも特に５００〜１００００であるのが好ましい。
【００１７】
本発明に用いられる低分子量ポリシロキサンは、その動粘度が０．６５〜１０００００ｍｍ２　／ｓ（＝ｃＳｔ）であるのが好ましい。動粘度が上記範囲を満足することで、印刷用ブランケット表面への浸透性を良好なものとすることができ、印刷用ブランケットのインキ離型性を維持する効果を十分に発揮させることができる。低分子量ポリシロキサンの動粘度は、上記範囲の中でも特に１０〜１００００ｍｍ２　／ｓ　であるのが好ましい。
【００１８】
本発明に使用可能な低分子量ポリシロキサンとしては、これに限定されるものではないが、例えばジメチルシリコーンオイル〔例えば信越化学工業（株）製の製品名「ＫＦ９６シリーズ」、ＧＥ東芝シリコーン（株）製の製品名「ＴＳＦ４５１シリーズ」，「ＴＳＦ４５６シリーズ」など〕、メチルフェニルシリコーンオイル〔例えば信越化学工業（株）製の製品名「ＫＦ５０」，「ＫＦ５４」、ＧＥ東芝シリコーン（株）製の製品名「ＴＳＦ４３１」，「ＴＳＦ４３３」など〕、メチルハイドロジェンポリシロキサン〔例えば信越化学工業（株）製の製品名「ＫＦ９９」など〕、メチルハイドロジェンシリコーンオイル〔例えばＧＥ東芝シリコーン（株）製の製品名「ＴＳＦ４８４」など〕、環状ジメチルポリシロキサン〔例えば信越化学工業（株）製の製品名「ＫＦ９９５」〕等が挙げられる。
【００１９】
本発明のオフセット印刷方法において、印刷用ブランケットの表面に低分子量ポリシロキサンを塗布または放射する工程は、印刷インキの印刷版から印刷用ブランケットへの転写と、印刷用ブランケットから被転写体への転写とのサイクルを１〜５０回経る毎に行なうのが好ましい。
塗布または放射の頻度は、使用する低分子量ポリシロキサンの種類、印刷用ブランケットに対して行なう加熱・乾燥処理の程度（加熱に伴う低分子量ポリシロキサンの消失の程度）、低分子量ポリシロキサンがブランケット中に浸透する程度等に応じて設定されるものである。それゆえ、特に限定されるものではないが、一般に塗布または放射の頻度を上記範囲に設定することによって、印刷用ブランケットに対する低分子量ポリシロキサンの補給効果を適度に維持することができる。
【００２０】
本発明のオフセット印刷方法において、低分子量ポリシロキサンを印刷用ブランケットの表面に塗布または放射する方法としては特に限定されるものではないが、例えば低分子量ポリシロキサンを含浸させたローラと印刷用ブランケットの表面とを接触させる方法、低分子量ポリシロキサンを印刷用ブランケットの表面に放射（噴射）する方法等が挙げられる。
なかでも、低分子量ポリシロキサンを含浸させたローラと印刷用ブランケットの表面とを接触させる方法によるのが、塗布の工程およびそれに必要となる装置を簡易なものとなり、低分子量ポリシロキサンを均一にブランケットに浸透させることができるという観点から好ましい。
【００２１】
本発明のオフセット印刷方法において、印刷用ブランケット表面の加熱は、温風の噴射、赤外線の照射、および当該ブランケットの内部または裏面に配置されたヒータによる加熱より選ばれる少なくとも１の手段により行なうのが好ましい。なかでも、温風の噴射と赤外線の照射とを併せて行なうのが、加熱・乾燥の効率や加熱設備の取扱性等の観点から好ましい。
【００２２】
印刷用ブランケットの加熱・乾燥処理の際には、印刷用ブランケットの表面温度の最高値が６０〜１４０℃の範囲となるように調節するのが好ましい。印刷用ブランケット表面のシリコーン系エラストマーを熱劣化させることなく、浸透した印刷インキの溶剤を揮散させる上で、表面温度を上記範囲に設定するのが好ましいからである。
最高温度が上記範囲に達しない場合は、印刷用ブランケットを十分に乾燥させることができなくなるおそれがある。逆に、最高温度が上記範囲を超える場合は、シリコーン系エラストマーを熱劣化させるおそれがある。
印刷用ブランケットの表面温度の最高値は、上記範囲の中でも特に８０〜１２０℃に調節するのが好ましい。
【００２３】
加熱・乾燥処理時における噴射する温風の温度と噴射時間、照射する赤外線（ＩＲ）の強度と照射時間、ヒータの加熱温度と加熱時間等については、印刷用ブランケット表面の最高温度の設定範囲に応じて適宜調節すればよい。
従って、特に限定されるものではないが、例えば噴射する温風の温度は４０〜１２０℃、噴射時間は１０秒〜３分間に設定するのが好適である。温風の温度が４０℃を下回ると十分な乾燥効果を得られなくなるおそれがある。逆に、１２０℃を超えると印刷用ブランケットの劣化といった問題を生じるおそれがある。
【００２４】
本発明のオフセット印刷方法において、印刷用ブランケット表面の冷却は、冷風の噴射、当該ブランケットの裏面からの水冷、および当該ブランケットの裏面からの空冷より選ばれる少なくとも１の手段により行なうのが好ましい。なかでも、冷風の噴射によって冷却を行なうのが、冷却の効率や冷却設備の取扱性等の観点から好ましい。なお、温風噴射装置と冷風噴射装置は、温風および冷風の噴射口を共有してもよい。
印刷用ブランケットの冷却処理の際には、印刷用ブランケットの熱膨張に伴う印刷精度の低下を防止するという観点から、表面温度が１５〜５０℃の範囲となるように保つのが好ましい。
冷却処理後の印刷用ブランケットの表面温度が上記範囲を外れるときは、ブランケット自体の熱膨張を元の状態へと戻すことができなかったり、あるいは逆にブランケットに熱収縮を生じされたりするおそれがあり、これに起因して印刷精度の低下の問題を生じさせるおそれがある。
冷却処理後の印刷用ブランケットの表面温度は、上記範囲の中でも特に２０〜４０℃に調節するのが好ましい。
【００２５】
冷却処理時における噴射する冷風の温度と噴射時間、ブランケット裏面からの空冷／水冷温度と冷却時間等については、当該処理後における印刷用ブランケットの表面温度の設定範囲に応じて適宜調節すればよい。
従って、特に限定されるものではないが、例えば噴射する冷風の温度は常温程度または常温よりも数℃程度低い温度とし、噴射時間は温風による加熱処理時間よりも短い時間に設定するのが好適である。温風の温度が極端に低いと印刷用ブランケットの劣化といった問題を生じるおそれがある。
【００２６】
〔オフセット印刷装置〕
上記課題を解決するための本発明に係るオフセット印刷装置は、
印刷用ブランケットと、
当該印刷用ブランケットを固定するブランケット胴と、
当該ブランケット胴の回転軸と直交する方向に対して平行移動する印刷版および被転写体と、
上記印刷用ブランケットに対して温風を噴射する加熱手段および／または赤外線を照射する加熱手段と、
上記印刷用ブランケットに対して冷風を噴射する冷却手段と、
上記印刷用ブランケットの表面に低分子量ポリシロキサンを塗布または放射する補給手段と、
を備えることを特徴とする。
【００２７】
本発明のオフセット印刷装置によれば、印刷版から印刷用ブランケットを介して被転写体へと印刷インキを転写する一連の工程において、適宜、印刷用ブランケットの表面に浸透した印刷インキの溶剤を上記加熱手段によって除去し、しかもその際に上昇した当該ブランケット表面温度を上記冷却手段によって元の状態に戻すことができる。さらに、加熱乾燥処理によって印刷用ブランケットの表面から失われた低分子量ポリシロキサン成分を上記補給手段による簡易な方法によって適宜補給することができる。それゆえ、本発明の印刷インキは、微細でかつ厚膜のパターンをオフセット印刷法によって高い精度でしかも連続的に形成する用途において極めて好適である。
【００２８】
本発明のオフセット印刷装置において、加熱手段としては、例えば温風の噴射装置、赤外線の照射装置、印刷用ブランケットの内部または裏面に配置されたヒータ等が挙げられる。
当該加熱手段による印刷用ブランケットの加熱・乾燥処理の方法、処理条件等については、本発明のオフセット印刷方法において詳述したのと同様である。
本発明のオフセット印刷装置において、冷却手段としては、例えば冷風の噴射装置、印刷用ブランケットの裏面、具体的には当該ブランケットを取り付けるブランケット胴の内部に配置された空冷または水冷装置等が挙げられる。
当該冷却手段による印刷用ブランケットの冷却処理の方法、処理条件等については、本発明のオフセット印刷方法において詳述したのと同様である。
【００２９】
本発明のオフセット印刷装置において、低分子量ポリシロキサンの補給手段としては、例えば低分子量ポリシロキサンを含浸させたローラ、低分子ポリシロキサンの放射（噴射）装置等が挙げられる。
低分子量ポリシロキサンの塗布量または放射量は、当該低分子量ポリシロキサンの種類、印刷用ブランケットに対して行なう加熱・乾燥処理の程度（加熱に伴う低分子量ポリシロキサンの消失の程度）、低分子量ポリシロキサンがブランケット中に浸透する程度（印刷用ブランケットの表面層の厚み）等に応じて設定されるものである。それゆえ、特に限定されるものではないが、一般に、印刷用ブランケットとして印刷用ブランケットを用いる場合には、当該ブランケットの表面印刷層を形成するシリコーン系エラストマー層の厚みが０．７ｍｍ程度であることを考慮して、通常、印刷用ブランケットの表面１ｃｍ２　辺りにおける低分子量ポリシロキサンの塗布量または放射量が０．０１〜１０ｍＬ程度、より好ましくは０．１〜５ｍＬ程度となるように調節すればよい。
【００３０】
低分子量ポリシロキサンを塗布または放射する際の処理条件については、本発明のオフセット印刷方法において詳述したのと同様に、印刷インキの印刷版から印刷用ブランケットへの転写と、印刷用ブランケットから被転写体への転写とのサイクルを１〜３回経る毎に行なうのが好ましい。
【００３１】
【発明の実施の形態】
次に、本発明について、図面を参照しつつ詳細に説明する。
図１および図２は、本発明に係るオフセット印刷方法の一工程例を示す模式図である。
図１（ａ）　に示すように、印刷版（凹版）３０の画線部（この場合、凹部）にスキージ３５を用いて印刷インキ３４が充填され、同図（ｂ）　〜（ｃ）　に示すように、定盤１６を移動しかつブランケット胴３２を回動することで、印刷版３０から印刷用ブランケット３１へと印刷インキ３４が転写される。
【００３２】
さらに、図２（ｄ）　〜（ｅ）　に示すように、定盤１６を移動し、被転写体３３上で印刷用ブランケット３１を接触させつつブランケット胴３２を回動することによって、印刷用ブランケット３１から被転写体３３へと印刷インキが転写されて、被転写体３３上に印刷パターン３４ａが形成される（同図（ｆ）　）。
こうして、一連の転写工程を終えた後、図２（ｆ）　に示すように、印刷用ブランケット３１に噴射口１２からの温風の噴射と赤外線照射装置１３からの赤外線（ＩＲ）照射とによる加熱・乾燥処理が行われ、引き続いて、噴射口１２からの冷風の噴射による冷却処理が行なわれる。
【００３３】
印刷用ブランケット３１の表面を加熱する方法としては、温風を噴射したり、赤外線を照射したりするほかに、ブランケット胴３２の内部に配置したヒータで印刷用ブランケット３１の裏面から加熱したり、印刷用ブランケット３１自体の内部に配置したヒータで加熱したりする（図示せず）といった方法を採用することもできる。
一方、印刷用ブランケット３１の表面を加熱する方法としては、冷風を噴射するほかに、ブランケット胴３２の内部から空冷または水冷を行なって印刷用ブランケット３１の裏面から冷却する（図示せず）といった方法を採用することもできる。
印刷用ブランケット表面の加熱・乾燥手段としての温風の噴射口と、冷却手段としての冷風の噴射口とは、別々に設置されるものであってもよい。
【００３４】
図２（ｆ）　に示す加熱・乾燥処理と、冷却処理を終えた後、印刷用ブランケット３１に対して、低分子量ポリシロキサン１８の塗布処理が行なわれる。
上記加熱処理によって印刷用ブランケット３１から消失した低分子量ポリシロキサン１８が、上記塗布処理による低分子量ポリシロキサンの浸透によって補給される。補給手段は、前述のように、低分子量ポリシロキサン１８を含浸させたローラ１７を印刷用ブランケット３１に接触させるほか、印刷用ブランケットの表面に低分子量ポリシロキサンを直接に放射（噴射）させるもの（図示せず）であってもよい。
【００３５】
【実施例】
次に、実施例および比較例を挙げて本発明を説明する。
（実施例１）
（Ｉ）　印刷インキの製造
ポリエステル樹脂１００重量部に対して、銀粉末８００重量部と、溶剤としての酢酸ブチルカルビトール（ＢＣＡ）４０重量部とを撹拌混合して、印刷インキを得た。
【００３６】
（ＩＩ）印刷パターンの形成
上記（Ｉ）　の印刷インキを用いて、凹版オフセット印刷法により、パターン形成を行なった。
印刷版には、エッチングにより形成されたストライプパターン状の凹部を備える凹版を使用した。当該凹部の開口幅は５０μｍ、深さは１０μｍとなるように設定した。
【００３７】
印刷用ブランケットには、厚さが０．６ｍｍのシリコーンゴムを表面に備えるシリコーンゴムブランケットを使用した。このブランケットは、ＤＥ東芝シリコーン（株）製の２成分付加型液状シリコーンゴム〔製品名「ＴＳＥ３４５５Ｔ」，未硬化時の粘度４５Ｐａ・ｓ（２５℃）〕を、厚さ０．３ｍｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム上に塗布した後、セルフレベリングにて平滑化させつつ硬化させることによって作製した。
被転写体には、厚さ０．１ｍｍのＰＥＴフィルムを使用した。
【００３８】
上記印刷版（凹版）３０、印刷用ブランケット（シリコーンゴムブランケット）３１および被転写体（ＰＥＴフィルム）３３を図１（ａ）　に示すように配置して、被転写体３３上への印刷インキ３４の印刷を行なった。
印刷は室温２３℃、湿度５５％の環境にて行ない、印刷版３０から印刷用ブランケット３１への転写時には、転写速度を５０ｍｍ／ｓに調整し、印刷用ブランケット３１から被転写体３３への転写時には、転写速度を１００ｍｍ／ｓに調節した。
【００３９】
印刷用ブランケット３１に対する加熱・乾燥処理および冷却処理は、印刷版３０から印刷用ブランケット３１を介して被転写体３３へと印刷インキ３４を転写する一連の行程を２０サイクル終了する毎に行なった。
印刷用ブランケット３１の加熱・乾燥は、噴射口１２からの温風の噴射（８０℃，２分間）のみによって行ない、ＩＲ照射装置（赤外線ヒータ）１３による加熱は行なわなかった。一方、印刷用ブランケット３１の冷却は、噴射口１２からの冷風の噴射（常温，５秒間）によって行なった。
【００４０】
印刷用ブランケット３１に対する加熱・乾燥処理および冷却処理を行った後、当該ブランケット３１の表面に、低分子量ポリシロキサンとしてのジメチルシリコーンオイル〔信越化学工業（株）の製品名「ＫＦ−９６」〕を塗布した。
加熱・乾燥処理、冷却処理および低分子量ポリシロキサンの補給処理を終えた後、再度上記と同じ条件で印刷を行なった。加熱・乾燥、冷却および補給の各処理は、上記一連の工程を２０サイクル経る毎に行った。
【００４１】
（実施例２）
噴射口１２から噴射する温風を１２０℃，２０秒間としたほかは、実施例１と同様にして印刷パターンの形成を行なった。
（比較例１）
印刷用ブランケット３１の乾燥・加熱処理、冷却処理および低分子量ポリシロキサンの補給処理のいずれをも行なわなかったほかは、実施例１と同様にして、印刷パターンの形成を２００サイクル連続して行なった。
【００４２】
（比較例２）
印刷用ブランケット３１の乾燥・加熱処理および冷却処理を行なわずに、上記一連の工程が２０サイクル終了する毎に低分子量ポリシロキサンの補給処理（塗布）を行ったほかは、実施例１と同様にして印刷パターンの形成を行なった。なお、上記塗布処理は実施例１と同様にして行なった。
【００４３】
〔印刷性能の評価〕
上記実施例および比較例で得られた印刷パターンについて、光学顕微鏡で線幅を測定して、連続印刷の初期時との印刷パターンの線幅の変化を測定した。
また、印刷パターン上にいわゆるヌケ等の印刷不良が生じていないかを観察して、印刷性が良好（○）であるか、不十分（×）であるかを評価した。
以上の結果を表１に示す。
【００４４】
【表１】
2004017310.tif 000003
【００４５】
表１より明らかなように、実施例では印刷を繰り返し行なってもパターンの線幅の変化が極めて小さく、印刷パターンの形状も良好であった。これに対し、印刷用ブランケットに対する加熱・乾燥処理や低分子量ポリシロキサンの補給処理を施さなかった比較例では、繰り返し印刷後のパターンの線幅変化が大きく、印刷パターンの形状も不十分であった。
【図面の簡単な説明】
【図１】
本発明のオフセット印刷方法における一工程例を示す模式図である。
【図２】
図１の続きを示す模式図である。
【符号の説明】
１０　オフセット印刷装置
１２　噴射口
１３　赤外線照射装置
１７　ローラ
１８　低分子量ポリシロキサン
３０　印刷版（凹版）
３１　印刷用ブランケット
３３　被転写体
３４　印刷インキ
【図１】
2004017310.tif 000004
【図２】
2004017310.tif 000005