(57)【要約】【課題】多層基板に設けられている整合容量の値を精度よく測定することのできる非可逆回路素子、その製造方法を得ると共に、高性能で信頼性の高い通信装置を得る。【解決手段】マイクロ波用フェライトと、該マイクロ波用フェライト上で互いに絶縁されて交差する複数の中心電極と、前記マイクロ波用フェライトに直流磁界を印加する永久磁石と、整合容量Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３と終端抵抗Ｒとが形成された多層基板３０と、前記多層基板３０を保持するケースとを備えた非可逆回路素子。整合容量Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３のグランド電極７６と終端抵抗Ｒのグランド電極７７とが互いに分離された状態で多層基板３０の裏面に形成されており、かつ、該多層基板３０がケースに組み込まれたとき、グランド電極７６，７７はケースを介して電気的に接続される。【選択図】  図２
2004158909.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マイクロ波用フェライトと、
前記マイクロ波用フェライト上で互いに絶縁されて交差する複数の中心電極と、
前記マイクロ波用フェライトに直流磁界を印加する永久磁石と、
整合容量と終端抵抗が形成された多層基板と、
前記多層基板を保持するケースと、を備え、
前記整合容量のグランド電極と前記終端抵抗のグランド電極とが互いに分離された状態で前記多層基板の裏面に形成されており、かつ、前記ケースを介して電気的に接続されていること、
を特徴とする非可逆回路素子。
【請求項２】
前記終端抵抗は前記多層基板の内部に形成されており、
前記多層基板の表面には前記中心電極と接続するための接続電極が形成されていること、
を特徴とする請求項１に記載された非可逆回路素子。
【請求項３】
マイクロ波用フェライトと、
前記マイクロ波用フェライト上で互いに絶縁されて交差する複数の中心電極と、
前記マイクロ波用フェライトに直流磁界を印加する永久磁石と、
整合容量と終端抵抗が形成された多層基板と、を備え、
前記整合容量のグランド電極と前記終端抵抗のグランド電極とが互いに分離された状態で前記多層基板の表面に形成されており、かつ、前記中心電極を介して電気的に接続されていること、
を特徴とする非可逆回路素子。
【請求項４】
マイクロ波用フェライトと、該マイクロ波用フェライト上で互いに絶縁されて交差する複数の中心電極と、前記マイクロ波用フェライトに直流磁界を印加する永久磁石と、整合容量と終端抵抗が形成された多層基板と、該多層基板を保持するケースとを備えた非可逆回路素子の製造方法において、
前記整合容量のグランド電極と前記終端抵抗のグランド電極とを互いに分離した状態で前記多層基板の裏面に形成する工程と、
前記整合容量の値及び／又は前記終端抵抗の値を測定する工程と、
前記整合容量のグランド電極と前記終端抵抗のグランド電極とを前記ケースを介して電気的に接続する工程と、
を備えたことを特徴とする非可逆回路素子の製造方法。
【請求項５】
マイクロ波用フェライトと、該マイクロ波用フェライト上で互いに絶縁されて交差する複数の中心電極と、前記マイクロ波用フェライトに直流磁界を印加する永久磁石と、整合容量と終端抵抗が形成された多層基板とを備えた非可逆回路素子の製造方法において、
前記整合容量のグランド電極と前記終端抵抗のグランド電極とを互いに分離した状態で前記多層基板の表面に形成する工程と、
前記整合容量の値及び／又は前記終端抵抗の値を測定する工程と、
前記整合容量のグランド電極と前記終端抵抗のグランド電極とを前記中心電極を介して電気的に接続する工程と、
を備えたことを特徴とする非可逆回路素子の製造方法。
【請求項６】
前記整合容量の値及び／又は前記終端抵抗の値を測定した後に、該測定値に基づいて整合容量電極及び／又は終端抵抗体をトリミングすることを特徴とする請求項４又は請求項５に記載された非可逆回路素子の製造方法。
【請求項７】
請求項１、請求項２又は請求項３に記載された非可逆回路素子を備えたことを特徴とする通信装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、非可逆回路素子、その製造方法及び通信装置に関する。
【０００２】
【従来の技術と問題点】
従来より、アイソレータやサーキュレータなどの非可逆回路素子は、予め定められた特定方向にのみ電力を伝送し、逆方向には伝送しない特性を有している。この特性を利用して、例えば、終端抵抗を内蔵したアイソレータは、自動車電話、携帯電話等の移動体通信機器の送信回路部に使用されている。
【０００３】
【特許文献１】
特開平８−８６１１号公報
【０００４】
そして、この種の非可逆回路素子（アイソレータ）として、例えば、特許文献１に記載のように（本願添付の図８、図９参照）、整合容量Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３と終端抵抗ＲとインダクタンスＬ１，Ｌ２，Ｌ３を多層基板１１３に内蔵し、それぞれのグランド電極１１６を多層基板１１３の裏面に形成したものが知られている。分離されている一方のグランド電極１１６ｃには終端ポートＰ３の中心電極が接続され、他方のグランド電極１１６ｂには他の二つのポートＰ１，Ｐ２の中心電極が接続されている。なお、１１２はマイクロ波用フェライト、１１４は永久磁石、１１１は下ヨーク（ケース）、１１５は上ヨーク（ケース）である。
【０００５】
即ち、図８の等価回路に示されているように、終端ポートＰ３のグランド電極と他のポートＰ１，Ｐ２のグランド電極は電気的に分離されており、終端抵抗Ｒの両端は直流的にオープンとなり、そのトリミングを容易に行うことができる。そして、終端抵抗Ｒのトリミング後に、グランド電極１１６ｂ，１１６ｃはアイソレータの共通グランド端子となる下ヨーク１１１の内壁面にはんだ付けされて電気的に接続される。
【０００６】
ところで、図１０に示すように、８００ＭＨｚ帯で使用される非可逆回路素子の整合容量値と終端抵抗値はそれぞれ約２０ｐＦ、５０Ωになる。ここで、整合容量値の測定周波数において、高周波になる程、測定機が高価になると共に測定時のセッテイングがシビアになるので、量産工程では実際に非可逆回路素子が動作する周波数よりも低い周波数（例えば、１ＭＨｚ）で測定するのが一般的である。
【０００７】
２０ｐＦの整合容量値を１ＭＨｚにおけるリアクタンス値に換算すると約８０００Ωであり、整合容量と終端抵抗のインピーダンスの比は１６０：１となる。従って、図８に示すように、整合容量Ｃ３と終端抵抗Ｒが並列回路を構成していると、測定時において整合容量Ｃ３には終端抵抗Ｒと比較して微小な電流しか流れないので、整合容量値の測定精度が低下するという問題点を有していた。
【０００８】
多層基板の製造工程において、電極パターンの位置ずれや基板シートの厚みのばらつき等が生じるので、所定の整合容量値及び終端抵抗値が形成されていない多層基板（不良品）が発生する。そこで、多層基板の選別、容量値や抵抗値のトリミングが必要になるが、測定精度が低いと選別やトリミングが不可能あるいは不十分になる。
【０００９】
さらに、特許文献１には、本願に添付の図１１に示すように、多層基板１２３の裏面において、グランド電極１２１を分離して形成した非可逆回路素子が開示されている。分離された一方のグランド電極１２１には整合容量が接続されており、他方のグランド電極１２１には終端抵抗Ｒが接続されている。
【００１０】
しかし、この多層基板１２３にあっては、終端抵抗の抵抗値を測定した後は分離されているグランド電極１２１を導電ペースト等で接続する必要があり、この接続は付加的な工程であり、製造コストが上昇してしまうという問題点を有している。
【００１１】
そこで、本発明の目的は、多層基板に設けられている整合容量の値を精度よく測定することのできる非可逆回路素子、その製造方法を提供すると共に、高性能で信頼性が高い通信装置を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段及び作用】
前記目的を達成するため、第１の発明に係る非可逆回路素子は、マイクロ波用フェライトと、該マイクロ波用フェライト上で互いに絶縁されて交差する複数の中心電極と、前記マイクロ波用フェライトに直流磁界を印加する永久磁石と、整合容量と終端抵抗が形成された多層基板と、該多層基板を保持するケースと、を備え、前記整合容量のグランド電極と前記終端抵抗のグランド電極とが互いに分離された状態で前記多層基板の裏面に形成されており、かつ、前記ケースを介して電気的に接続されていること、を特徴とする。
【００１３】
前記第１の発明に係る非可逆回路素子にあっては、多層基板を組み立てた段階で、整合容量のグランド電極と終端抵抗のグランド電極とは互いに分離されているため、整合容量値を終端抵抗に影響されることなく精度よく測定することができる。また、これらのグランド電極は多層基板をケースに組み込む際に該ケースを介して電気的に接続されるため、その接続のために特別の工程を必要とすることがない。
【００１４】
第１の発明に係る非可逆回路素子において、終端抵抗は多層基板の表面に形成されていても、あるいは多層基板の内部に形成されていてもよい。終端抵抗を多層基板の内部に形成すると共に、多層基板の表面に中心電極と接続するための接続電極を形成すれば、多層基板を中心電極とは独立して取り扱うことが可能になる。
【００１５】
第２の発明に係る非可逆回路素子は、マイクロ波用フェライトと、該マイクロ波用フェライト上で互いに絶縁されて交差する複数の中心電極と、前記マイクロ波用フェライトに直流磁界を印加する永久磁石と、整合容量と終端抵抗が形成された多層基板と、を備え、前記整合容量のグランド電極と前記終端抵抗のグランド電極とが互いに分離された状態で前記多層基板の表面に形成されており、かつ、前記中心電極を介して電気的に接続されていること、を特徴とする。
【００１６】
前記第２の発明に係る非可逆回路素子にあっては、多層基板を組み立てた段階で、整合容量のグランド電極と終端抵抗のグランド電極とは互いに分離されているため、整合容量値を終端抵抗に影響されることなく精度よく測定することができる。また、これらのグランド電極は多層基板に中心電極を電気的に接続する際に同時に接続されるため、その接続のために特別の工程を必要とすることがない。
【００１７】
第３の発明に係る製造方法は、マイクロ波用フェライトと、該マイクロ波用フェライト上で互いに絶縁されて交差する複数の中心電極と、前記マイクロ波用フェライトに直流磁界を印加する永久磁石と、整合容量と終端抵抗が形成された多層基板と、該多層基板を保持するケースとを備えた非可逆回路素子の製造方法において、前記整合容量のグランド電極と前記終端抵抗のグランド電極とを互いに分離した状態で前記多層基板の裏面に形成する工程と、前記整合容量の値及び／又は前記終端抵抗の値を測定する工程と、前記整合容量のグランド電極と前記終端抵抗のグランド電極とを前記ケースを介して電気的に接続する工程と、を備えたことを特徴とする。
【００１８】
前記第３の発明に係る製造方法にあっては、前記第１の発明で説明したのと同様の理由により、整合容量値を精度よく測定することができ、多層基板を適切に選別することが可能となる。
【００１９】
第４の発明に係る製造方法は、マイクロ波用フェライトと、該マイクロ波用フェライト上で互いに絶縁されて交差する複数の中心電極と、前記マイクロ波用フェライトに直流磁界を印加する永久磁石と、整合容量と終端抵抗が形成された多層基板とを備えた非可逆回路素子の製造方法において、前記整合容量のグランド電極と前記終端抵抗のグランド電極とを互いに分離した状態で前記多層基板の表面に形成する工程と、前記整合容量の値及び／又は前記終端抵抗の値を測定する工程と、前記整合容量のグランド電極と前記終端抵抗のグランド電極とを前記中心電極を介して電気的に接続する工程と、を備えたことを特徴とする。
【００２０】
前記第４の発明に係る製造方法にあっては、前記第２の発明で説明したのと同様の理由により、整合容量値を精度よく測定することができ、多層基板を適切に選別することが可能となる。
【００２１】
前記第３及び第４の発明に係る製造方法において、整合容量の値及び／又は終端抵抗の値を測定した後に、該測定値に基づいて整合容量電極及び／又は終端抵抗体をトリミングすることがこのましい。精度よく測定された整合容量値に基づいて適切なトリミングを行うことができる。
【００２２】
さらに、本発明に係る通信装置は、前記非可逆回路素子を備えることにより、性能や信頼性が向上する。
【００２３】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明に係る非可逆回路素子、その製造方法及び通信装置の実施の形態について添付の図面を参照して説明する。
【００２４】
［第１実施形態、図１〜図４参照］
本発明に係る非可逆回路素子の第１実施形態の分解斜視図を図１に示す。該非可逆回路素子１は、集中定数型アイソレータである。図１に示すように、この集中定数型アイソレータ１は、概略、金属製上側ケース４と金属製下側ケース８と、永久磁石９と、マイクロ波用フェライト２０と中心電極２１，２２，２３とからなる中心電極組立体１３と、樹脂製の枠体１２と、多層基板３０を備えている。
【００２５】
金属製上側ケース４はキャップ状をなし、金属製下側ケース８は多層基板３０及び枠体１２を保持する形状をなしている。このケース４，８は磁気回路を形成するため、例えば、軟鉄などの強磁性体からなる材料で形成され、その表面にＡｇやＣｕがめっきされる。
【００２６】
中心電極組立体１３は、矩形状のマイクロ波用フェライト２０の上面に三つの中心電極２１，２２，２３を、絶縁層（図示せず）を介在させて略１２０度ごとに交差するように配置している。本第１実施形態では、中心電極２１，２２，２３は二つのラインで構成した。中心電極２１，２２，２３の両端部はフェライト２０の下面に回り込み、以下に説明する多層基板３０上に形成した各種電極と電気的に接続するための電極部とされている。
【００２７】
中心電極２１，２２，２３は銅箔を用いてフェライト２０に巻きつけてもよいし、フェライト２０上あるいは内部に銀ペーストを印刷して形成してもよい。ただし、印刷した方が中心電極２１，２２，２３の位置精度が高いので、多層基板３０との接続が安定する。特に、本第１実施形態のように微小な中心電極用接続電極Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３（後述）で接続する場合には、中心電極２１，２２，２３を印刷にて形成した方が信頼性、作業性がよい。
【００２８】
多層基板３０は、図２に示すように、６枚のシート４１〜４６を積層したものである。１層目（最上層）の誘電体シート４１の上面には、中心電極用接続電極Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３やグランド用接続電極３１ａ，３１ｂ，３１ｃが設けられており、それぞれの電極にはビアホール１８が設けられている。２層目の誘電体シート４２の上面には、ホット側コンデンサ電極７１ａ，７２ａ，７３ａや抵抗体７５（終端抵抗Ｒ）やそのグランド用接続電極１７が設けられており、所定の位置にビアホール１８が形成されている。
【００２９】
３層目の誘電体シート４３の上面には、グランド側コンデンサ電極７４と所定の位置にビアホール１８が設けられている。４層目の誘電体シート４４の上面には、ホット側コンデンサ電極７１ｂ，７２ｂ，７３ｂと所定の位置にビアホール１８が設けられている。５層目の誘電体シート４５の上面には、グランド側コンデンサ電極７４と所定の位置にビアホール１８が設けられている。また、誘電体シート４５にはその端面部分に入力端子電極１４及び出力端子電極１５が設けられている。
【００３０】
６層目の誘電体シート４６の下面には、整合容量用グランド電極７６と終端抵抗用グランド電極７７が設けられている。また、誘電体シート４６にはその端面部分に入力端子電極１４及び出力端子電極１５が設けられている。
【００３１】
電極Ｐ１〜Ｐ３，１４，１５，１７，３１ａ〜３１ｃ，７１ａ〜７３ａ，７１ｂ〜７３ｂ，７４，７６，７７は、パターン印刷等の方法により誘電体シート４１〜４６に形成されている。それぞれの電極の材料としては、抵抗率が低く、誘電体シートと同時焼成可能なＡｇ，Ｃｕ，Ａｇ−Ｐｄなどが用いられる。これらの電極の表面には、Ｎｉめっきを下地としてＡｕめっきが施されている。Ｎｉめっきは、電極のＡｇとＡｕめっきの固着強度を強くする。Ａｕめっきは、はんだ濡れ性をよくすると共に、導電率が高いのでアイソレータ１を低損失にできる。
【００３２】
各電極の厚みは２〜２０μｍ程度である。誘電体シートは、Ａｌ２Ｏ３を主成分とし、ＳｉＯ２、ＳｒＯ、ＣａＯ、ＰｂＯ、Ｎａ２Ｏ、Ｋ２Ｏ、ＭｇＯ，ＢａＯ，ＣｅＯ２，Ｂ２Ｏ３のうちの１種類あるいは複数種類を副成分として含む低温焼結誘電体材料である。また、誘電体シートの厚みは１０〜２００μｍ程度である。
【００３３】
抵抗体７５は、パターン印刷等の方法により誘電体シート４２の表面に形成されている。抵抗体７５の材料としては、サーメット、カーボン、ルテニウムなどが使用される。抵抗体７５は単独で終端抵抗Ｒを構成する。
【００３４】
ビアホール１８は、誘電体シート４１〜４５にレーザ加工やパンチング加工などにより、予めビアホール用孔を形成した後、そのビアホール用孔に導電ペーストを充填することにより形成される。
【００３５】
コンデンサ電極７１ａ，７１ｂ、７２ａ，７２ｂ、７３ａ，７３ｂはそれぞれ、誘電体シート４２，４３，４４を間に挟んでコンデンサ電極７４に対向して整合用コンデンサＣ１，Ｃ２，Ｃ３を構成する。これら整合用コンデンサＣ１，Ｃ２，Ｃ３や終端抵抗Ｒは、電極Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３，１７，３１ａ，３１ｂ，３１ｃやビアホール１８と共に、多層基板３０の内部に電気回路を構成する。
【００３６】
以上の誘電体シート４１〜４６は積層された後、一体的に焼成され、図１に示すような多層基板３０とされる。多層基板３０の端部に設けられている入力端子電極１４はコンデンサ電極７１ａ，７１ｂに電気的に接続され、さらに、接続電極Ｐ１に電気的に接続されている。また、出力端子電極１５はコンデンサ電極７２ａ，７２ｂに電気的に接続され、さらに、接続電極Ｐ２に電気的に接続されている。一方、接続電極３１ａ，３１ｃはそれぞれグランド側コンデンサ電極７４を介してグランド電極７６に電気的に接続されている。接続電極３１ｂは終端抵抗用グランド電極１７を介してグランド電極７７に電気的に接続されている。
【００３７】
なお、この多層基板３０は、図示しないが、通常マザーボード状態で作成され、このマザーボードに所定のピッチで形成されたハーフカット溝に沿って折ることにより、あるいは、マザーボードをダイサーやレーザなどで切断することにより、所望のサイズの多層基板３０を得る。
【００３８】
こうして得られた多層基板３０は、内部に整合用コンデンサＣ１，Ｃ２，Ｃ３及び終端抵抗Ｒを有している。整合用コンデンサＣ１，Ｃ２，Ｃ３の容量値の測定、終端抵抗Ｒの抵抗値の測定及びそれらのトリミングは、多層基板３０と中心電極２１，２２，２３とを接続する前に行われる。
【００３９】
特に、整合用コンデンサＣ３の容量値の測定は、測定用プローブを図２（Ａ）の接続電極Ｐ３（ホット側）と接続電極３１ａ（グランド側）に接触させることにより行われる。また、終端抵抗Ｒの抵抗値の測定は、測定用プローブを図２（Ａ）に示す接続電極Ｐ３（ホット側）と接続電極３１ｂ（グランド側）に接触させることにより行われる。
【００４０】
このように、多層基板３０を組み立てた段階で、整合用コンデンサＣ３のグランド側は電極７６であり、終端抵抗Ｒのグランド側は電極７７であり、それぞれ電気的に分離されているため、整合容量値を終端抵抗Ｒに影響されることなく精度よく測定することができる。
【００４１】
そして、多層基板３０は、単体の状態で、内部（２層目）のコンデンサ電極７１ａ，７２ａ，７３ａを最上層の誘電体シート４１と共にレーザにてトリミング（削除）する。トリミングには、例えば、切削機やＹＡＧの基本波、２倍波、３倍波のレーザが用いられる。レーザを用いれば、早くかつ精度のよい加工が得られる。なお、トリミングは、マザーボード状態の多層基板３０に対して効率よく行ってもよい。
【００４２】
図４（Ａ）に多層基板３０の表面（シート４１上）に形成されたトリミング跡をトリミング溝８０，８１として示す。また、図４（Ｂ）にトリミングされた状態のホット側コンデンサ電極７１ａ，７２ａ，７３ａ及び抵抗体７５を示す。
【００４３】
本第１実施形態では、トリミング用コンデンサ電極７１ａ，７２ａ，７３ａを多層基板３０の内部に設けているため、トリミング可能なコンデンサ電極領域が大きくなり、静電容量調整範囲が拡がり、多層基板３０の良品率を向上することができる。
【００４４】
さらに、多層基板３０の表面には、必要最低限の接続電極Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３，３１ａ，３１ｂ，３１ｃしか形成されておらず、はんだ等の導電材料が拡がらない構造になっている。従って、トリミング溝８０（図４（Ａ）参照）に導電材料が流れ込んで、分断されたコンデンサ電極７１ａ，７２ａ，７３ａが再び接続されるという不具合を防止できる。そして、接続電極Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３，３１ａ，３１ｂ，３１ｃ相互間の距離を長くできるので、中心電極組立体１３のサイズを大きくできる。従って、中心電極２１，２２，２３が形成するインダクタンスが大きくなるため、アイソレータ１の通過帯域幅を広くでき、電気特性を向上させることができる。
【００４５】
また、最も外側の層に位置するコンデンサ電極７１ａ，７２ａ，７３ａをトリミング用コンデンサ電極としているので、トリミング時に除去する誘電体層の厚みを最小限にできる。さらに、トリミングの障害となる電極が少なくなるので（本第１実施形態の場合は接続電極Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３，３１ａ，３１ｂ，３１ｃのみ）、トリミング可能なコンデンサ電極領域が広くなり、静電容量調整範囲を広くできる。
【００４６】
さらに、トリミング用コンデンサ電極７１ａ，７２ａ，７３ａを矩形にすることにより、電極幅を一定にしているので、トリミング溝８０の位置と得られる静電容量の値との間に略比例関係が成立し、静電容量の調整作業が容易になる。
【００４７】
また、トリミング用コンデンサ電極７１ａ，７２ａ，７３ａは、誘電体シート４１〜４６の積み重ね方向において、中心電極用接続電極Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３にのみ重なっている。これにより、トリミングの妨げとなる他の電極が、トリミング用コンデンサ電極７１ａ，７２ａ，７３ａと重ならないようにすることができる。即ち、トリミング用コンデンサ電極７１ａ，７２ａ，７３ａがグランド用接続電極３１ａ，３１ｂ，３１ｃと重なると、その部分で静電容量を形成するので、トリミング精度が悪くなるという不具合もある。しかし、本実施形態では、このような重なりがなく、トリミング精度が悪化することはない。
【００４８】
さらに、図２において、多層基板３０は、一方の側に整合用コンデンサＣ３のホット側コンデンサ電極７３ａ，７３ｂを設け、他方の側の上段に整合用コンデンサＣ１のホット側コンデンサ電極７１ａ，７１ｂを設け、他方の側の下段に整合用コンデンサＣ２のホット側コンデンサ電極７２ａ，７２ｂを設けている。言い換えると、終端抵抗側整合用コンデンサＣ３のホット側コンデンサ電極７３ａ，７３ｂは、終端抵抗Ｒが配置されている側に配置され、入力側整合用コンデンサＣ１のホット側コンデンサ電極７１ａ，７１ｂは、入力側に配置され、出力側整合用コンデンサＣ２のホット側コンデンサ電極７２ａ，７２ｂは、出力側に配置されることになる。これにより、トリミングの調整が容易で、かつ、多層基板３０の面積を有効利用した整合用コンデンサＣ１，Ｃ２，Ｃ３を得ることができる。
【００４９】
また、一般に、移動体通信機器に使用されるアイソレータは、入出力側整合用コンデンサＣ１，Ｃ２の静電容量と比較して、抵抗側整合用コンデンサＣ３の静電容量が大きくなることが多い。従って、抵抗側整合用コンデンサＣ３の静電容量を確保するため、整合用コンデンサＣ３のホット側コンデンサ電極７３ａ，７３ｂの面積が、整合用コンデンサＣ１，Ｃ２，Ｃ３のトータルのホット側コンデンサ電極の面積の１／３以上になるように設定することが好ましい。
【００５０】
また、多層基板３０には終端抵抗Ｒも内蔵されており、整合用コンデンサＣ１，Ｃ２，Ｃ３と同様に終端抵抗Ｒも、最上層の誘電体シート４１と共にトリミングすることにより、抵抗値を調整することができる。抵抗体７５は１箇所でも幅が細くなると抵抗値が上がるので、幅方向の途中まで削る。終端抵抗Ｒは多層基板３０に内蔵されているため、電極Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３等の表面にＮｉめっきやＡｕめっきを施す際に、抵抗体７５の表面にＮｉめっき等が施される心配がなく、終端抵抗Ｒの抵抗値が下がることはない。図４に示すように、本第１実施形態では、トリミング用コンデンサ電極７１ａ，７２ａ，７３ａをそれぞれ分断する３本のトリミング溝８０と、抵抗体７５に切れ込みを入れる１本のトリミング溝８１とを多層基板３０に形成している。
【００５１】
以上の構成部品は以下のようにして組み立てられる。即ち、図１に示すように、多層基板３０上には中心電極組立体１３が、枠体１２で位置決めされた状態で組付けられる。このとき、中心電極組立体１３の中心電極２１，２２，２３の各々の一端（フェライト２０の下面に回り込んだ一方の電極部）が多層基板３０の表面に形成された中心電極用接続電極Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３にはんだ付けされ、かつ、中心電極２１，２２，２３の各々の他端（フェライト２０の下面に回り込んだ他方の電極部）がグランド用接続電極３１ａ，３１ｂ，３１ｃにはんだ付けされる。
【００５２】
中心電極組立体１３上には永久磁石９が載置され、これらの部品は下側ケース８と上側ケース４とで挟着して保持される。ケース４，８は互いにはんだ等で接合することにより金属ケースとなり、ヨークとしても機能する。つまり、この金属製ケース４，８は、永久磁石９と中心電極組立体１３と多層基板３０を囲む磁路を形成する。
【００５３】
多層基板３０は金属製下側ケース８の底部に載置され、誘電体シート４６の下面に設けたグランド電極７６，７７がはんだによってケース８を介して電気的に接続される。また、入力端子電極１４及び出力端子電極１５は多層基板３０の下面に設けた入力端子部５７及び出力端子部５８とそれぞれ電気的に接続される。この端子部５７，５８は下側ケース８の切欠き８ａ，８ｂに臨み、ケース８とは接触することなく下方に露出する。
【００５４】
図３はアイソレータ１の電気等価回路図である。終端抵抗Ｒのグランド電極７７は多層基板３０の単体段階では整合容量のグランド電極７６から電気的に分離された状態であるが、前記金属製下側ケース８とはんだ付けされることで、グランド電極７６と共にグランドに落とされることになる。この状態において、整合用コンデンサＣ３と終端抵抗Ｒは、中心電極用接続電極Ｐ３とグランド電極７６，７７の間に並列接続される。
【００５５】
［第２実施形態、図５、図６参照］
本第２実施形態は、前記第１実施形態として示したアイソレータ１と基本的には同じ構成、機能を奏するアイソレータである。異なるのは、図５に示すように、多層基板３０における最上層の誘電体シート４１に設けた接続電極３１ｂ（３１ｂＡ，３１ｂＢ）、及び最下層の誘電体シート４６に設けたグランド電極７６の形状とその接続状態である。なお、それ以外の構成は前記第１実施形態と同様であり、同じ部品、部分には同じ符号を付し、重複した説明は省略する。
【００５６】
詳しくは、最上層の誘電体シート４１上に形成した接続電極３１ｂは、整合容量のグランド用接続電極３１ｂＡと、終端抵抗Ｒのグランド用接続電極３１ｂＢとに電気的に分離されている。一方、最下層の誘電体シート４６の下面にはグランド電極７６のみが形成されている。
【００５７】
以上のような電極構成からなる多層基板３０にあっては、基板単独の状態において、整合容量のグランド用接続電極３１ｂＡと終端抵抗Ｒのグランド用接続電極３１ｂＢとは互いに分離されているため、整合容量値を終端抵抗Ｒに影響されることなく精度よく測定することができ、良品／不良品の選別やトリミングを適切に行うことが可能となる。
【００５８】
また、前記接続電極３１ｂＡ，３１ｂＢは中心電極組立体１３を組み付けたときに、中心電極２２の他端電極部によって電気的に接続される。図６（Ａ）は多層基板３０の表面の電極構成を示し、図６（Ｂ）は中心電極組立体１３の下面に回り込んだ電極構成を示す。これらの電極が接続された状態を図６（Ｃ）に示し、ここでは中心電極組立体１３とその電極部を破線で示している。
【００５９】
即ち、図６（Ｃ）に示すように、中心電極２１の一端電極部２１ａは電極Ｐ１と接続し、他端電極部２１ｂは電極３１ａと接続する。中心電極２２の一端電極部２２ａは電極Ｐ２と接続し、他端電極部２２ｂは電極３１ｂＡ，３１ｂＢと接続する。また、中心電極２３の一端電極部２３ａは電極Ｐ３と接続し、他端電極部２３ｂは電極３１ｃと接続する。
【００６０】
［第３実施形態、図７］
第３実施形態は、本発明に係る通信装置として、携帯電話を例にして説明する。図７は携帯電話２２０のＲＦ部分の電気回路を示し、２２２はアンテナ素子、２２３はデュプレクサ、２３１は送信側アイソレータ、２３２は送信側増幅器、２３３は送信側段間用帯域通過フィルタ、２３４は送信側ミキサ、２３５は受信側増幅器、２３６は受信側段間用帯域通過フィルタ、２３７は受信側ミキサ、２３８は電圧制御発振器（ＶＣＯ）、２３９はローカル用帯域通過フィルタである。
【００６１】
ここに、送信側アイソレータ２３１として、前記第１又は第２実施形態の集中定数型アイソレータ１を使用することができる。これらのアイソレータを実装することにより、電気的特性の向上した、かつ、信頼性の高い携帯電話を実現することができる。
【００６２】
［他の実施形態］
なお、本発明は前記実施形態に限定するものではなく、その要旨の範囲内で種々に変更することができる。
【００６３】
例えば、前記実施形態のコンデンサは、複数のホット側コンデンサ電極と複数のグランド電極からなるものであるが、一つのホット側コンデンサ電極と一つのグランド電極からなるものであってもよい。
【００６４】
さらに、多層基板の内部に形成されるコンデンサは、整合用コンデンサに限るものではなく、低域通過フィルタやトラップ回路などを構成するためのコンデンサであってもよい。また、抵抗体７５（終端抵抗Ｒ）は多層基板３０の表面に形成したものであってもよい。
【００６５】
【発明の効果】
以上の説明で明らかなように、第１及び第３の発明によれば、整合容量及び終端抵抗のそれぞれのグランド電極を互いに分離した状態で多層基板の裏面に形成するため、整合容量値を終端抵抗に影響されることなく精度よく測定することができ、多層基板の選別や容量のトリミングを適切に行うことができる。また、これらのグランド電極は多層基板をケースに組み込む際に該ケースを介して電気的に接続されるため、その接続のために特別の工程を必要とすることもない。
【００６６】
第２及び第４の発明によれば、整合容量及び終端抵抗のそれぞれのグランド電極を互いに分離した状態で多層基板の表面に形成するため、整合容量値を終端抵抗に影響されることなく精度よく測定することができ、多層基板の選別や容量のトリミングを適切に行うことができる。また、これらのグランド電極は多層基板に中心電極を電気的に接続する際に同時に接続されるため、その接続のために特別の工程を必要とすることもない。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る非可逆回路素子の第１実施形態を示す分解斜視図。
【図２】図１に示した多層基板を各層ごとに示す平面図。
【図３】前記非可逆回路素子の電気等価回路図。
【図４】（Ａ）は前記多層基板に対してレーザトリミングを行った状態を示す平面図、（Ｂ）はトリミングされたコンデンサ電極及び抵抗体を示す平面図。
【図５】本発明に係る非可逆回路素子の第２実施形態における多層基板を各層ごとに示す平面図。
【図６】（Ａ）は前記多層基板の表面に形成された電極を示す平面図、（Ｂ）は中心電極組立体の電極部を示す平面図、（Ｃ）多層基板上に中心電極組立体を搭載した状態を示す平面図。
【図７】本発明に係る通信装置の電気回路ブロック図。
【図８】特許文献１に記載の非可逆回路素子の電気等価回路図。
【図９】特許文献１に記載の非可逆回路素子の分解斜視図。
【図１０】前記非可逆回路素子における整合容量値の測定状態を示す回路図。
【図１１】特許文献１に記載の他の非可逆回路素子の多層基板の裏面を示す斜視図。
【符号の説明】
１…非可逆回路素子（集中定数型アイソレータ）
４，８…金属製ケース
９…永久磁石
１３…中心電極組立体
２０…フェライト
２１〜２３…中心電極
３０…多層基板
３１ａ，３１ｂ（３１ｂＡ，３１ｂＢ），３１ｃ…グランド用接続電極
７１ａ〜７３ａ，７１ｂ〜７３ｂ…ホット側コンデンサ電極
７４…グランド側コンデンサ電極
７５…抵抗体
７６，７７…グランド電極
８０，８１…トリミング溝
２２０…携帯電話
Ｃ１〜Ｃ３…整合用コンデンサ
Ｒ…終端抵抗
Ｐ１〜Ｐ３…中心電極用接続電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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