(57)【要約】【課題】  装置が湿気などの外部の影響を受けないようにするために、オプトエレクトロニクス装置のために必要とされるハーメチックシール並びにそれを形成するシステム及び方法を提供する。【解決手段】  第１の温度の融点を有するはんだ（１１０１）と、前記はんだ（１１０１）に対応した所定の厚さを有する金属（１１０２，１１０５）とを含んでなるハーメチックシール（１１０６，１１０７）であって、前記ハーメチックシール（１１０６，１１０７）を形成するために、前記はんだ（１１０１）と前記金属（１１０２，１１０５）との組合わせが再流動化を受け、かつ前記ハーメチックシール（１１０６，１１０７）が前記第１の温度より少なくとも５０％高い第２の温度の融点を有することを特徴とする。【選択図】  図１１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の温度の融点を有するはんだ（１１０１）と、
前記はんだ（１１０１）に対応した所定の厚さを有する金属（１１０２，１１０５）と
を含んでなるハーメチックシール（１１０６，１１０７）であって、
前記ハーメチックシール（１１０６，１１０７）を形成するために、前記はんだ（１１０１）と前記金属（１１０２，１１０５）との組合わせが再流動化を受け、かつ
前記ハーメチックシール（１１０６，１１０７）が前記第１の温度より少なくとも５０％高い第２の温度の融点を有するものであるハーメチックシール（１１０６，１１０７）。
【請求項２】
前記金属（１１０２，１１０５）がＡｕである請求項１に記載のハーメチックシール（１１０６，１１０７）。
【請求項３】
前記金属（１１０２，１１０５）の厚さが、前記はんだ（１１０１）の厚さに関連する請求項１に記載のハーメチックシール（１１０６，１１０７）。
【請求項４】
前記低融点のはんだ（１０３）が５２Ｉｎ−４８Ｓｎである請求項１に記載のハーメチックシール（１００１）。
【請求項５】
前記低融点のはんだ（３０３）が５８Ｂｉ−４２Ｓｎである請求項１に記載のハーメチックシール（１００２）。
【請求項６】
前記低融点のはんだ（５０３）が６３Ｐｂ−３７Ｓｎである請求項１に記載のハーメチックシール（１００３）。
【請求項７】
前記低融点のはんだ（７０３）が純粋なインジウムである請求項１に記載のハーメチックシール（１００４）。
【請求項８】
前記再流動化の時間が３〜３０分の間である請求項７に記載のハーメチックシール（１１０６，１１０７）。
【請求項９】
光学アセンブリーのそれぞれの部分の上に金属被覆層（７０５）を堆積し、
それぞれの部分の上において前記金属被覆（７０５）をシールパターンに形成し、
それぞれの金属被覆層（７０５）の上にＡｕ層（７０１，７０２）をめっきし、
少なくとも一部の前記Ａｕ層（７０１，７０２）の上にはんだ（７０３）を堆積し、そして
ハーメチックシール（７０４）を形成するために、前記光学アセンブリーの少なくとも一部の熱損傷点より低い温度で、前記Ａｕ層（７０１，７０２）及びはんだ（７０３）を再流動化することを含んでなり、
前記ハーメチックシール（７０４）が前記温度より高い溶融温度を有する
ハーメチックシール（７０４）を形成する方法。
【請求項１０】
光学アセンブリーのそれぞれの部分の上に金属被覆層（７０５）を堆積する手段と、
それぞれの金属被覆層（７０５）の上にＡｕ層（７０１，７０２）をめっきする手段と、
少なくとも一部の前記Ａｕ層（７０１，７０２）の上にはんだ（７０３）を堆積する手段と、
ハーメチックシール（７０４）を形成するために前記金属（７０１，７０２）及びはんだ（７０３）を再流動化する手段と
を含んでなり、
前記ハーメチックシール（７０４）が前記はんだ（７０３）の溶融温度より少なくとも５０％高い溶融温度を有する
ハーメチックシール（７０４）を形成するためのシステム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、一般にシール形成に関し、特にハーメチックシールを形成するシステム及び方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
通常、ハーメチックシールは、装置が湿気などの外部の影響を受けないようにするために、オプトエレクトロニクス装置のために必要とされる。低融点のはんだは、シールのために望ましい。なぜなら低い溶融温度は、これらの装置において熱によって誘起されるゆがみを減少するからである。ハーメチックシールを形成するために使用される低融点のはんだの典型的な例は、インジウム（Ｔmelt＝１５６℃）、５２Ｉｎ−４８Ｓｎ（Ｔmelt＝１１８℃）、５８Ｂｉ−４２Ｓｎ（Ｔmelt＝１３８℃）、及び６３Ｓｎ−３７Ｐｂ（Ｔmelt＝１８３℃）を含む。
【０００３】
ハーメチックシールは、例えばＡｕ又はＣｕ等のベース金属が、Ｓｎ又はＩｎ及びそれらの合金等の溶融した金属内に溶解し、かつはんだ内の活性成分が金属間化合物を形成するためにベース金属と結合したときに製造される。溶解するベース金属の相対量は、はんだ内におけるその溶解度に関連し、かつ形成される金属間化合物は、ベース金属における活性元素の溶解度に依存する。このプロセスは、金属間相温度がはんだの液相温度より上に維持される時間の長さに依存する。
【０００４】
Ａｕ及びＣｕが、Ａｇ、Ｐｔ及びＰｄ等のその他の貴金属と比較した場合、溶融したＳｎ、Ｉｎ及びそれらの合金内に迅速に溶解し、かつ急速に反応し、Ｓｎ、Ｉｎ及びそれらの合金との金属間化合物を形成することは周知である。Ｓｎ又はＩｎの溶融した層が、Ａｕ又はＣｕの層の間にサンドイッチされるとき、溶融金属の層全体は、通常のはんだ付けプロセスの間に、高融点の金属間化合物又は境界Ａｕ又はＣｕ層を有する化合物の形成によって消費することができる。Ｓｎ又はＩｎ共晶合金の溶融した層がＡｕ又はＣｕ層の間にサンドイッチされるとき、Ａｕ又はＣｕは、通常Ｓｎ又はＩｎ合金内の１つの元素と反応する。これにより、Ｓｎ又はＩｎ合金はその共晶組成から離れるように移動し、かつこれにより、シールのための溶融温度は一層高くなる。
【０００５】
過去において、これらのシールを作るために使用されたＡｕ又はＣｕは、それほど厚くならず、通常ほぼ０．１μｍにならず、かつ結果として生じるシールの溶融温度は、製造状況においてしばしば利用される後続のステップのはんだ付けを容易に行なうのに十分なほど高くなかった。さらにオプトエレクトロニクス装置内に配置した場合、シールの耐クリープ性、寸法安定性及び光学特性に関する問題が存在する。
【発明の開示】
【０００６】
前記の低融点のはんだの温度がハーメチックシールを形成するために望ましいとはいえ、これらの低融点のはんだが提供する利点を犠牲にすることなく、形成されるハーメチックシールの溶融温度を上昇させる必要性が存在する。熱により誘起されるゆがみを最小にするために、ハーメチックシールを比較的低い温度において製造することが望ましい。加えてシールが製造される時にシールが高溶融点である場合、これは、時には製造操作において必要な後続のステップのはんだ付けをするために利用できる。上昇した溶融温度を有することによって、ジョイントの耐クリープ性を改善することができる。また、寸法安定性及び光学特性も改善することができる。
【０００７】
したがって、本発明の構成は、典型的にハーメチックシールの溶融温度を上昇させ、使用されるはんだに応じて、はんだ溶融温度より著しく高い温度に上昇させる。典型的にシールは、比較的低い温度において製造されるが、一度製造されると、通常シールは、著しく高い溶融温度を有し、この温度は、はんだ溶融温度のほとんど２倍とすることができる。このことは、使用されるＡｕ又はＣｕ金属の厚さや、使用されるはんだの厚さを適合することによって、及び／又はハーメチックシール形成のために必要な再流動化時間を変化させることによって、典型的に達成される。Ａｕ及びＣｕ金属は、その他の貴金属よりずっと迅速にはんだに反応し、かつ従ってハーメチックシール形成に典型的に使用される。再流動化時間は、ハーメチックシールの所望の厚さ、使用されるはんだのタイプ、及びはんだ合金をサンドイッチするために使用される金属の厚さ及びタイプに依存する。従って、Ａｕ又はＣｕ金属の厚さ及び再流動化時間は、使用される低融点のはんだのタイプに依存して変化する。例えばＳｎを含有するはんだは、一般にＩｎを含有するはんだより短い再流動化時間を必要とする。
【０００８】
実施される再流動化時間が過剰に長い場合、熱損傷が起こることがある。一方、再流動化時間が過剰に短い場合、はんだ付けプロセスはあまりに急速に起こることがあり、かつその結果生じるシールの安定性は害を受ける。再流動化時間は、はんだの厚さの二乗にほぼ比例する。再流動化時間は、Ａｕ又はＣｕ金属の厚さに起因して変化する。それからはんだの厚さを調節することによって、シールは、使用されるはんだに依存して、はんだ溶融温度の５０％から２倍程度まで高いという著しく高い溶融温度をシールに与えるために、はんだ溶融温度よりわずかに高い温度において形成される。
【０００９】
代案として、このタイプのシール構造を形成するために、溶融したＳｎ、Ｉｎ又はそれらの共晶合金とともにＡｇ、Ｐｄ、Ｐｔ又はＮｉ等のその他の金属を使用することができる。これらの金属は、Ａｕ及びＣｕと同様に動作する。しかしながら、これらその他の金属を使用することは、これらの異なった融点のために、ハーメチックシールを形成するのに一層長い再流動化時間を必要とすることがある。
【００１０】
上記は、以下の本発明の詳細な説明を一層良好に理解することができるように、本発明の特徴及び技術的な利点を幅広く概説している。本発明の特許請求の範囲の主題を形成する本発明の追加的な特徴及び利点を次に説明する。開示された構想及び特定の実施例が、本発明の同じ目的を実施するために別の構造を変形又は設計するための基礎として容易に利用できることは、当業者にとって明らかである。このような均等な構成が、添付の特許請求の範囲に述べたような本発明の精神及び権利範囲からはずれないことも、当業者にとって明らかである。本発明の特徴であると考えられる新規の特徴は、その機構及び動作方法両方に関して、その他の目的及び利点とともに、添付の図面に関連して考察すれば、以下の説明から一層良好に理解されるであろう。しかしながらそれぞれの図が例示及び説明のためだけに提供され、かつ本発明の制限を定義することを意図するものでないことは、明確に理解されたい。
【００１１】
本発明をさらに完全に理解するために、今度は添付の図面を参照して以下の説明を行う。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
電解めっきは、Ａｕ又はＣｕ金属１１０２、１１０５のいずれかによって、シールすべき２つの表面１１０１、１１０４をめっきするために典型的に使用される。この時、熱蒸発装置は、図１１Ａに示すように、光学アセンブリー１１０３の一部の金属被覆めっき（metallization plating）１１０２上に低融点のはんだ１１０１を堆積するために利用することができる。２つの表面は、溶融した合金１１０６を形成するために図１１Ｂに示すように、共晶はんだの溶融温度より通常ほぼ３０〜４０℃高い温度において再流動化するために接触させられる。再流動化時間は、５μｍの厚さのはんだのために３分程度のわずかなものから、はんだが２倍の厚さの場合には３０分程度の長さまでの範囲にわたることができるが、典型的には再流動化は、ほぼ５分間にわたって行なわれるようにする。再流動化は、金属間化合物１１０７も形成し、この化合物は、合金１１０６とともにハーメチックシールを形成する。
【００１３】
はんだのための標準的な厚さ範囲として、低融点のはんだの５〜１０μｍのサンプルが典型的に使用されるが、使用されるＡｕ又はＣｕの厚さは、使用される低融点のはんだのタイプ及び量に依存して変化する。さらに再流動化時間は、使用されるそれぞれのはんだに対して異なっている。４つの異なった低融点のはんだが提案され、かつこれらのはんだの１つがテストされた。
【００１４】
本発明の第１の実施例において、シールすべき２つ表面は、少なくとも０．３２μｍのＡｕ１０１、１０２によって典型的に被覆される。５２Ｉｎ−４８Ｓｎの５μｍの層１０３（すべてのはんだ組成は別の方法で特定しないかぎり重量パーセントであることに注意する）は、少なくとも１つの表面上に被覆される。すべてのはんだは一方の表面上にあることができ、又ははんだの一部はそれぞれの表面上にあることができる（例えば一方の表面上に０．３μｍ、かつ他方の表面上に０．２μｍ）ことに注意する。２つの表面は、典型的に接触して配置され、かつ共晶５２Ｉｎ−４８Ｓｎの溶融温度（１１８℃）より典型的にほぼ３０〜４０℃高い温度において再流動化する。再流動化の間に起こる化学反応及び相変化は、１１８℃におけるＩｎ−Ｓｎの状態図にもっとも良好に記述される。図２は、Ｉｎ−Ｓｎ二元状態図２００によってＩｎ−Ｓｎ−Ａｕ図を近似している。
【００１５】
図１に示すように、ＡｕＩｎ2は、Ａｕと溶融したＩｎ−Ｓｎ合金１０６との間に形成された金属間化合物１０４、１０５である。ＡｕＩｎ2内におけるＳｎの濃度は、典型的に無視することができる。この結果として生じる金属間化合物の溶融温度は、図８におけるＩｎ−Ａｕ二元状態図８００から得られるように、５４１℃である。溶融したＩｎ−ＳｎにおけるＳｎ濃度が増加した場合、溶融温度も増加する。図２に示すように、Ａｕ及びＩｎはＡｕＩｎ2を形成するので、Ｉｎ−Ｓｎの濃度は、点Ｅから点Ｂに向いた矢印に沿って移動し、点Ｅから点Ｓに向かう矢印に沿って液相線温度の増加を引き起こし、かつその結果、溶融した５２Ｉｎ−４８Ｓｎの内側におけるγ相の沈殿が生じる。Ｉｎ−Ｓｎの濃度が点Ｂに達すると、ほとんどの５２Ｉｎ−４８Ｓｎは、典型的にほぼ１８８℃の液相線温度及びほぼ２２Ｉｎ−７８Ｓｎの平均濃度を有するγ相に変換しており、これは、はんだ１０３の溶融温度よりほぼ５９％高い。この実施例により形成されるシール１００１の例は、図１０Ａに示されている。
【００１６】
本発明の第２の実施例において、シールすべき２つの表面は、少なくとも０．１８μｍのＡｕによって典型的に被覆される。５８Ｂｉ−４２Ｓｎの５μｍの層は、一方の表面上に被覆される。すべてのはんだは一方の表面上にあることができ、又ははんだの一部はそれぞれの表面上にあることができる（例えば一方の表面上に０．３μｍ、かつ他方の表面上に０．２μｍ）ことに注意する。２つの表面は、典型的に接触して配置され、かつ共晶５８Ｂｉ−４２Ｓｎの溶融温度（１３８℃）より典型的にほぼ３０〜４０℃高い温度において再流動化する。
【００１７】
図３に示すように、５２Ｉｎ−４８Ｓｎはんだと同様に、Ａｕ層３０１、３０２は、溶融した共晶５８Ｂｉ−４２Ｓｎ３０３内におけるＳｎと反応し、典型的にＢｉとＡｕとの間のわずかな反応により金属間化合物３０４、ＡｕＳｎ4を形成する。この結果として生じる金属間化合物の溶融温度は、Ｓｎ−Ａｕ二元状態図から得られるように、２９０℃である。しかしながら５２Ｉｎ−４８Ｓｎはんだとは相違して、ＡｕＳｎ4金属間化合物は、Ａｕ／溶融したＢｉ−Ｓｎ境界面に形成するだけでなく、溶融したＢｉ−ＳｎにおけるＡｕの高い溶解度に基づいて、溶融したＢｉ−Ｓｎの内側にも形成する。
【００１８】
溶融したＢｉ−ＳｎにおけるＢｉ濃度が増加した場合、溶融温度も増加する。図４、すなわちＢｉ−Ｓｎ二元状態図４００は、Ａｕ及びＳｎがＡｕＳｎ4を形成するので、Ｂｉ−Ｓｎの濃度は、典型的に点Ｅから点Ｂに向いた矢印に沿って移動し、その結果、点Ｅから点Ｓに向かう矢印に沿って液相線温度の増加を生じ、かつその結果、溶融した５８Ｂｉ−４２Ｓｎの内側におけるＢｉの豊富な相の沈殿も生じる。Ｂｉ−Ｓｎの濃度が点Ｂに達すると、ほとんどの５８Ｂｉ−４２Ｓｎは、ほぼ２６０℃の液相線温度及びほぼ９５Ｂｉ−５Ｓｎの平均濃度を有するＢｉの豊富な相３０５に典型的に変換している。相３０５における液相線温度は、はんだ１０３の溶融温度よりほぼ８８％高いことに注意する。この実施例により形成されるシール１００２の例は、図１０Ｂに示されている。
【００１９】
本発明の第３の実施例において、シールすべき２つの表面５０１、５０２は、少なくとも０．２５μｍのＡｕによって典型的に被覆される。すべてのはんだは、一方の表面上にあることができ、又ははんだの一部は、それぞれの表面にあることができる（例えば一方の表面上に０．３μｍ、かつ他方の表面上に０．２μｍ）ことに注意する。６３Ｓｎ−３７Ｐｂの５μｍの層５０３は、一方の表面上に被覆される。すべてのはんだは、一方の表面にあることができ、又ははんだの一部は、それぞれの表面にあることができる（例えば一方の表面上に０．３μｍ、かつ他方の表面上に０．２μｍ）ことに注意する。２つの表面は、接触して配置され、かつ共晶６３Ｓｎ−３７Ｐｂの溶融温度（１８３℃）より典型的にほぼ３０〜４０℃高い温度において再流動化する。
【００２０】
図５に示すように、前記のＢｉ−Ｓｎはんだと同様に、Ａｕ層は、溶融した６３Ｓｎ−３７Ｐｂ内におけるＳｎと反応し、典型的にＰｂとＡｕとの間のわずかな反応により金属間化合物５０４、ＡｕＳｎ4を形成する。この結果として生じる金属間化合物の溶融温度は、図６におけるＳｎ−Ｐｂ二元状態図から得られるように、２９０℃である。
【００２１】
ＡｕＳｎ4金属間相は、Ａｕ／溶融したＰｂ−Ｓｎ境界面に形成するだけでなく、溶融したＰｂ−Ｓｎの内側にも形成する。図６に示すように、Ｐｂ−Ｓｎ二元状態図６００は、Ａｕ及びＳｎがＡｕＳｎ4を形成するので、Ｐｂ−Ｓｎの濃度は、典型的に点Ｅから点Ｂに向いた矢印に沿って移動し、その結果、点Ｅから点Ｓに向かう矢印に沿って液相線温度の増加を生じ、かつその結果、溶融した６３Ｓｎ−３７Ｐｂの内側におけるα−Ｐｂ相の沈殿も生じる。Ｐｂ−Ｓｎの濃度が点Ｂに達すると、ほとんどの６３Ｓｎ−３７Ｐｂは、ほぼ２８０℃の液相線温度及びほぼ８１Ｐｂ−１９Ｓｎの平均濃度を有するα−Ｐｂ相５０５に通常変換している。相５０５の液相線温度は、はんだ５０３の溶融温度よりほぼ５３％高いことに注意する。この実施例により形成されるシール１００３の例は、図１０Ｃに示されている。
【００２２】
本発明の第４の実施例において、シールすべき２つの表面７０１、７０２は、少なくとも０．８２μｍのＡｕによって被覆される。Ｉｎの５μｍの層７０３は、一方の表面上に被覆されている。すべてのはんだは、一方の表面上にあることができ、又ははんだの一部は、それぞれの表面にあることができる（例えば一方の表面上に０．３μｍ、かつ他方の表面上に０．２μｍ）ことに注意する。２つの表面は、典型的に接触して配置され、かつ２００℃において、すなわち共晶Ｉｎの溶融温度（１５６℃）よりほぼ３０〜４０℃高い温度において再流動化する。図７に示すように、Ａｕ及びＩｎは反応し、金属間化合物７０４、ＡｕＩｎ2を形成する。この結果として生じる金属間化合物の溶融温度は５４１℃であり、これは、はんだ７０３の溶融温度よりほぼ２４７％高い。
【００２３】
図７におけるＡｕ及びＩｎの厚さは、それらのそれぞれの原子容から計算された。Ａｕの原子容は、１０．２ｃｍ3／ｍｏｌであり、Ｉｎの原子容は１５．７ｃｍ3／ｍｏｌである。ＡｕＩｎ2を形成するためにＡｕ原子１つとインジウム原子２つが必要である。図７において、中間の相のインジウムは、５μｍの厚さであり、Ｉｎの面積が１ｃｍ2であると仮定すれば、０．０００５／１５．７＝３．１８ｅ-5ｍｏｌであるはずである。それぞれの境界層におけるＡｕのモル数は、Ｉｎのモル数の１／４に等しいはずであり、すなわち３．１８ｅ-5×０．２５＝７．９６ｅ-6ｍｏｌのはずである。Ａｕ層の厚さは、この時、原子容によって掛算されたそのモル数に等しく、すなわち７．９６ｅ-6×１０．２＝０．００００８２ｃｍ＝０．８２μｍである。この実施例により形成されるシール１００４の例は、図１０Ｄに示されている。
【００２４】
２層光学アセンブリーのためにシール１００４を形成するシステム７１０の例も、図７に示されている。Ｃｒ（５００オングストローム）／Ｐｔ（１０００オングストローム）／Ａｕ（２００オングストローム）の金属被覆の多層７０５は、電子ビーム熱蒸発装置７１１によって両方の部分に典型的に堆積することができる。フォトリソグラフィープロセスは、両方の部分の円形リングパターンの金属被覆を彫刻するために利用することができる。そして、部分の両方の金属被覆リング上に１．５μｍの厚さのＡｕをメッキするために、電解めっき７１３が利用される。はんだの厚さは変化することがあり１０μｍ程度の厚さであることができるので、反応のために十分なＡｕが存在することを確実にするために、Ａｕのそれより厚いサンプルが典型的に使用される。熱蒸発装置７１４は、１つの部分の金属被覆リング上に６μｍの厚さのＩｎを堆積するために使用することができる。これらの部分は、カスタム組立機械７１５を利用して整列かつ組み立てることができる。再流動化温度は、典型的に２００℃であり、かつヒータ又は炉７１６によって提供することができ、かつ再流動化時間は、通常ほぼ３分である。層を形成し、部分を配置しかつはんだを再流動化するために、その他の構成要素を利用することができるので、これらの構成要素は、例として引用したにすぎないことに注意する。
【００２５】
シール１００４から５つのサンプルが製造され、かつすべてが、Ｈｅ漏れテスト（２×１０-10Ｐａｍ3／ｓ）によって測定された良好な気密度を示した。１つのサンプルは、超音波Ｃ走査を利用して特徴が示され、リングの回りに良好なシールを示した。図９は、厚いＡｕ層の間にインジウムを用いて組立られた２つの部分の間の連続したリング９０１の超音波Ｃ走査９００を示している。
【００２６】
前記のように本発明の本質から実質的に外れることなく、本発明の有利な実施例に多くの変更及び変形を行なうことができることは、当業者にとって明らかである。ここにおいてこのようなすべての変更及び変形は、特許請求の範囲に定義したような本発明の権利範囲内に含まれるものとする。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】本発明の実施例によるＡｕ及びＩｎ−ＳｎはんだからＡｕＩｎ2及び合金への遷移を示す図である。
【図２】Ｉｎ−Ｓｎ二元状態図である。
【図３】本発明の実施例によるＡｕ及びＢｉ−ＳｎはんだからＡｕＳｎ4及び合金への遷移を示す図である。
【図４】Ｂｉ−Ｓｎ二元状態図である。
【図５】本発明の実施例によるＡｕ及びＰｂ−ＳｎはんだからＡｕＳｎ4及び合金への遷移を示す図である。
【図６】Ｐｂ−Ｓｎ二元状態図である。
【図７】本発明の実施例によるＡｕ及びインジウムはんだからＡｕＩｎ2への遷移を示す図である。
【図８】Ａｕ−Ｉｎ状態図及びＡｕ−Ｉｎ結晶構造データを示す図である。
【図９】本発明の実施例による厚いＡｕ層の間のＩｎによって組立られる２つの部分の間の連続リングの超音波Ｃ走査を示す図である。
【図１０】Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄはそれぞれ、本発明の実施例により形成された金属ハーメチックシールの一例を示す図である。
【図１１】Ａは本発明の実施例による再流動化の前のシールすべき表面を示す図であり、Ｂは本発明の実施例による再流動化の後のシールすべき表面を示す図である。
【符号の説明】
【００２８】
１０３，３０３，５０３，７０３，１１０１  はんだ
７０１，７０２  Ａｕ層
７０４，１００１〜１１０７  ハーメチックシール
７０５  金属被覆層
１１０２，１１０５  金属
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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