(57)【要約】      （修正有）【課題】発光素子を囲んだ反射板を反射率だけでなく熱伝導度の優れた物質で構成して、ＬＥＤチップから発生する熱を外部へと放熱する放熱機能を持つ反射板の備わった半導体発光装置を提供する。【解決手段】青色光を放射するための少なくとも一つ以上の半導体発光素子と、ベース基板の底から一定の高さで伸びて上記半導体の発光素子を囲む反射板で構成され、上記反射板は表面の光の反射率が高く、高い熱伝導度を持つ材質でできており、発光素子から放射される光を反射させ均一の平面光を形成し、発光素子から放射される熱を外部へと放熱させるとともに、上記発光素子から放射される青色光の少なくとも一部を吸収し、他の波長の光を放射するための色変換物質が含まれている透光性カバー層を含めて、上記発光素子から放射される青色光と上記の他の波長の光が組み合われて装置の外部へと白色光を出射する。【選択図】  図４
2004327863.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ベース基板；
上記ベース基板上に提供されるリード電極；
上記電極と所定距離隔離され、上記ベース基板上に搭載され、青色光を放射するための少なくとも一つ以上の半導体発光素子；
上記電極と上記半導体発光素子を電気的に接続するための連結部材；
上記ベース基板の底から一定の高さで伸びて上記半導体の発光素子を囲む反射板；及び
上記反射板は表面からの光の反射率が高く、高い熱伝導度を持つ材質でできており、発光素子から放射される光を反射させ均一の平面光を形成し、発光素子から放射される熱を外部へと放熱し上記発光素子を収容するための収納空間内部を冷却させるとともに；
また、上記収納空間の内部に形成され上記発光素子をハウジングし、上記発光素子から放射される青色光の少なくとも一部を吸収し、他の波長の光を放射するための色変換物質が含まれている透光性カバー層を含めて、
これによって、上記発光素子から放射される青色光と上記の他の波長の光が組み合われて装置の外部へと白色光を出射することを特徴とする半導体発光装置。
【請求項２】
上記反射板は少なくとも表面一部に絶縁膜が形成されている金属板であることを特徴とする請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項３】
上記反射板を構成する金属がアルミニウムであり、上記絶縁膜がアルミニウム酸化膜であることを特徴とする請求項２に記載の半導体発光装置。
【請求項４】
上記収納空間に隣接した反射板の内部表面はベース基板の底より一定の角度で斜めに傾いており、これによって上記収納空間の開口径がベース基板と接する底面から他の面へと行くほど大きくなることを特徴とする請求項３に記載の半導体発光装置。
【請求項５】
上記収納空間の縦断面が実質的に対称パラボラ面や対称楕円面を形成するように上記反射板の内部表面が凹形状のラウンドになっていることを特徴とする請求項４に記載の半導体発光装置。
【請求項６】
上記半導体発光素子が窒化物半導体を利用した青色発光ダイオードであることを特徴とする請求項４または５に記載の半導体発光装置。
【請求項７】
上記透光性カバー層は、発光素子から放出された青色光の一部を吸収して、黄色光を放出する蛍光物質を含む透光性樹脂でできており、この透光性樹脂を利用し上記収納空間を充填することを特徴とする請求項６に記載の半導体発光装置。
【請求項８】
上記透光性カバー層は、
上記発光素子近くに配置され、発光素子から放出される青色光の一部を吸収して黄色光を放出するための色変換物質が混合された第１透過性カバー層と；
上記第１透過性カバー層の上に形成され、上記収納空間を充填し上記第１透過性カバー層を通過する光を外部へと透過させるための透明樹脂でできた第２透過性カバー層を含むことを特徴とする請求項６に記載の半導体発光装置。
【請求項９】
上記第１透過性カバー層が色変換物質の含まれているシリケート樹脂でできていることを特徴とする請求項８に記載の半導体発光装置。
【請求項１０】
上記第２透過性カバー層が発光素子から放出される青色光の一部を吸収して黄色光を放出するための蛍光物質を含むことを特徴とする請求項８に記載の半導体発光装置。
【請求項１１】
ベース基板；
上記ベース基板上に提供されるリード電極；
上記電極と所定距離隔離され、上記ベース基板上に搭載される少なくとも一つ
以上の半導体発光素子でできた発光素子アセンブリ；
上記電極と上記半導体発光素子を電気的に相互連結するための連結部材；及びベース基板の底から一定の高さで伸びて上記発光素子アセンブリを囲むことによって収納空間を形成する反射板を含み；
上記反射板は、表面での光の反射率が高く、高い熱伝導度を持つ材質でできて発光素子から放射される光の少なくとも一部を反射させ均一の平面光を形成して、発光素子から放射される熱を外部へと放熱させ上記収納空間の内部を冷却させることを特徴とする半導体発光措置。
【請求項１２】
上記発光素子アセンブリは青色光を放射する少なくとも一つ以上のＬＥＤチップと、赤色光を放射する少なくとも一つ以上のＬＥＤチップ及び緑色光を放射する少なくとも一つ以上のＬＥＤチップでできており；
これによって、上記ＬＥＤチップから放射される混合光の赤色、緑色、青色の組合いによって発光装置の外部へと白色光が出射されることを特徴とする請求項１１に記載の半導体発光装置。
【請求項１３】
上記反射板は、少なくとも表面一部に絶縁膜が形成されている金属板であることを特徴とする請求項１２に記載の半導体発光装置。
【請求項１４】
上記反射板を構成する金属がアルミニウムで、上記絶縁膜がアルミニウム酸化膜であることを特徴とする請求項１３に記載の半導体発光装置。
【請求項１５】
上記収納空間と隣接した反射板の内部表面は、ベース基板の底より一定の角度で斜めに傾いていて、これによって上記収納空間の開口径がベース基板と接する底面から他の面へと行くほど大きくなることを特徴とする請求項１４に記載の半導体発光装置。
【請求項１６】
上記収納空間の縦断面が実質的に対称パラボラ面や対称楕円面を持つように上記収納空間に隣接した反射板の内部表面が凹形状のラウンドになっていることを特徴とする請求項１４に記載の半導体発光装置。
【請求項１７】
上記収納空間の内部に充填され上記発光素子アセンブリをハウジングするための透光性樹脂層をもっと含めていることを特徴とする請求項１２に記載の半導体発光装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は白色光を放出するための半導体発光装置に関するもので、とくに発光素子の回りに発光素子から放出された光を反射し、発光素子から発生する熱を外部へ放熱するための反射板が設置されている半導体発光装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
最近、青色光を高輝度で発光できる窒化ガリウム系半導体を利用した発光ダイオード（ＬＥＤ）チップが開発された。この窒化ガリウム系半導体を利用した発光素子は赤色から黄緑色を発光する他の発光素子と比べて出力が高く、温度による色シフトが少ないという特徴がある。
【０００３】
この青色の発光半導体ダイオードチップは、携帯用電子機器、サインランプ、指示ランプなどのような装置に広く適用されている。上記発光ダイオードチップを上述した装置に適用するためには、ポイント発光（ｐｏｉｎｔ  ｅｍｉｓｓｉｏｎ）を平面発光（ｐｌａｎａｒ    ｅｍｉｓｓｉｏｎ）へと切り替えなければならない。
【０００４】
このため、従来は、発光ダイオードチップの前面に光の方向性をコントロールするためのレンズを付けたり（国際公開特許ＷＯ９８／５０７８号）、複数の発光ダイオードチップを高密度で配列しアレイを形成した。しかし、上記発光ダイオードチップの高密度アレイ配列やレンズの設置は、製造費用が高くなる原因になる。
【０００５】
また、最近、白色光の放出に対する要求が増大するにつれて、ＬＥＤチップ上にＬＥＤチップから放出された青色光の一部を吸収し、黄色発光の可能な蛍光物質であるＹＡＧ：ＣＥ蛍光体などを配置して、白色光を放出させる発光装置が提案された。
【０００６】
このように、発光素子をシールするためのシーリング樹脂内に、ＹＡＧ系蛍光物質を混合して白色光を実現する方法は、シーリング樹脂によって光の透過性が制限され、満足するほどの光出力を確保しにくい問題がある。
【０００７】
このような短所を克服するため、最近は発光ダイオードチップの周辺に蛍光物質の含まれた反射板を設け、平面白色発光を実現する発光装置が提案された。
【０００８】
即ち、アメリカ公開特許公報ＵＳ２００３／００３８２９５Ａ１は、発光素子の回りに蛍光物質の含まれた透明樹脂でできた反射板を設け、発光素子より放射される青色光をそのまま反射したり、青色光の一部を吸収し黄色光に変換した後反射することによって、高出力の平面白色光を放出できる発光装置を開示している。
【０００９】
上記のアメリカ公開特許に開示された反射板は、反射部材としての機能だけでなく蛍光部材としての機能を果たすことが特徴である。しかし、上記アメリカ公開特許は反射板を放熱装置として実現するには成功していない。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、発光素子を囲んだ反射板を反射率だけでなく熱伝導度の優れた物質で構成して、ＬＥＤチップから発生する熱を外部へと放熱することを目的とする。
【００１１】
また、本発明は、発光素子をシーリングするためのシーリング物質として光の透過性が従来の透光性樹脂より優れたシリケート（例えば、ＳｉＯ２）を使うことにより、高出力の白色光を実現することを他の目的とする。
【００１２】
また、本発明は、反射板の内部表面に凹形状の反射面を形成し、光の均一性を高めることを他の目的とする。
【００１３】
本発明のその他の目的及び長所は、下記に示した本発明の実施例により理解されるであろう。また、本発明の目的及び長所は、特許請求範囲に表記した方法及び組合せによって実現できる。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、ＬＥＤチップの表面実装されたストロボライト（ｓｔｒｏｂｅ    ｌｉｇｈｔ）を実現するにあたり、ＬＥＤチップ周囲に側壁を形成すれば、ＬＥＤチップで発生する熱が外部へ效果的に排出されないため、ＬＥＤの寿命が短縮され、シーリング樹脂や蛍光物質が劣化することが分かった。このような問題を解決するため、本発明者らは、上記の側壁部を熱伝導度の優れた金属物質で覆い、この金属物質の表面に絶縁膜を形成することによって放熱機能の備わった反射板を創案した。
【００１５】
また、本発明者らは、従来の透明な樹脂より低価で光の透過性の優れたシリケートを、ＬＥＤチップをカバーするためのシーリング樹脂として使う場合、光出力をより高められる事実も分かるようになった。
【００１６】
このような技術的原理を達成するため、本発明に係る半導体発光装置は
ベース基板；
上記ベース基板上に提供される電極；
上記電極と  所定距離隔離され、上記ベース基板の上に搭載され、青色光を放射するための少なくともひとつ以上の半導体発光素子；
上記電極と上記半導体発光素子を電気的に接続するための連結部材；
ベース基板の底より一定の高さで延び上記半導体発光素子を囲む反射板；及び
上記反射板は、表面での光の反射率が高く、高い熱伝導度を持つ材質でできており、発光素子から放射される光を反射させ均一な平面光を形成し、発光素子から放射される熱を外部へと放熱させ上記発光素子を収容するための収納空間の内部を冷却させて、
また、上記収納空間内部に形成され上記発光素子をハウジングし、上記発光素子から放射される青色光の少なくとも一部を吸収して、他の波長の光を放射するための色変換物質の含まれている透光性カバー層を含む。
【００１７】
従って、上記発光素子から放射される青色光と上記の他の波長の光（黄色光）が組み合われて、装置の外部へ白色光が出射される。
【００１８】
また、本発明の他の様態としての半導体発光装置は
ベース基板；
上記ベース基板上に提供されるリード電極；
上記電極と  所定距離隔離され、上記ベース基板の上に搭載される少なくともひとつ以上の半導体発光素子でできている発光素子アセンブリ；
上記電極と上記半導体発光素子を電気的に相互連結するための連結部材；及びベース基板の底から一定の高さで延びて上記発光素子アセンブリを囲むことによって収納空間を形成する反射板を含み、
上記反射板は、表面での光の反射率が高く、高い熱伝導度をもつ材質でできていて、発光素子から放射される光の少なくとも一部を反射させ均一の平面光を形成し発光素子から放射される熱を外部へと放熱させ上記収納空間の内部を冷却させることを特徴とする。
【００１９】
従って、上記ＬＥＤチップから放射される混合光の赤色，緑色，青色の組合せにより発光装置の外部へと白色光が出射される。
上記反射板は、少なくとも表面一部に絶縁膜の形成されている金属板で、例えば、上記反射板を構成する金属はアルミニウムであり、上記絶縁膜はアルミニウム酸化膜であることが望ましい。
【００２０】
【発明の実施の形態】
以下、添付した図面を参照しながら、本発明の望ましい実施例の構成を詳しく説明する。
【００２１】
【実施例１】
図１は、本発明の実施例１による半導体発光装置を示している。
【００２２】
図１に示したように、少なくとも一つ以上の半導体発光素子１１がベース基板１０の上に搭載され、リード電極１２（陽電極及び陰電極）がベース基板１０の底面に提供される。上記半導体発光素子１１は、上記リード電極１２と所定間隔離れた状態でダイボンディング樹脂（ｄｉｅ−ｂｏｎｄｉｎｇ  ｒｅｓｉｎ）１３（例えば、エポキシ樹脂）を介在し、ベース基板１０上にダイボンディングされる。
【００２３】
半導体発光素子１１の電極（未図示）とベース基板１０上に提供される電極１２は、ワイヤ１４（例えば、金ワイヤ）によってそれぞれワイヤボンディング（ｗｉｒｅ−ｂｏｎｄｉｎｇ）される。
【００２４】
放熱機能を持つ反射板１８が上記発光素子１１を囲むため、ベース基板１０の底面の上に形成される。図１の場合には、反射板１８がベース基板１０上に配置される電極１２上に接合された例を示している。
【００２５】
上記反射板１８は、上記発光素子１１を収容するための収納空間を形成するため、ベース基板１０の底より一定の高さを持つよう延びて、上記発光素子１１を囲み、これにより上記収納空間は底面の開口径が小さくなっている。また、上記反射板１８の底面の縁側と発光素子１１の側面の縁の間には一定間隔のギャップが形成されている。
【００２６】
上記発光素子１１が収容される収納空間の内部には、透光性シーリング樹脂１５が充填される。また、上記透光性シーリング樹脂１５には、発光素子１１から放出される特定波長を持つ光の一部を吸収して他の波長の光を放出するための蛍光物質１６等のような色変換物質が混合される。
＜半導体発光素子１１＞
本実施例の発光素子は、高出力、高輝度の青色光を励起させる窒化ガリウム系発光ダイオードチップ（ＬＥＤチップ）であることが望ましい。本実施例のＬＥＤチップ１１の構造としてはＭＩＳ接合、ＰＩＮ接合やＰＮ接合などを持つホモ構造、ヘテロ構造、またはダブルヘテロ構造を全て採用することができる。
【００２７】
このような青色光の発光窒化ガリウム系ＬＥＤチップは、公知の半導体素子であることから、その具体的な構成については説明を省く。
＜蛍光物質１６の混合されたシーリング樹脂１５＞
本実施例のシーリング樹脂（ｓｅａｌｉｎｇ  ｒｅｓｉｎ）１５としては、相対的に光の透過性の優れた透明樹脂が使用されるが、例えば、シリコン樹脂が挙げられる。また、シーリング樹脂１５内に混合される蛍光物質１６としては、発光素子から放出される青色光の一部を吸収して黄色発光の可能なＹＡＧ：  ＣＥ蛍光体などを採用することができる。
＜反射板１８＞
本実施例の反射板１８は、少なくとも表面一部に絶縁膜１９が形成されている金属板を使うことが望ましい。仮に、表面に絶縁膜１９が存在しない金属板を使う場合は、反射板１８自体が電導体となってベース基板１０上に配置される電極１２との絶縁が破壊される。
【００２８】
反射板１８に使える金属としては表面における光の反射及び熱伝導性の優れたものが望ましい。例えば、相対的に熱伝導性の優れたアルミニウムや銅が、本実施例の反射板１８の材料として相応しい。もちろん、アルミニウムや銅以外に熱伝導性の優れた他の金属も本実施例として使用可能である。
【００２９】
また、上記反射板の表面の絶縁膜１９は、絶縁性めっきや絶縁コーテイングによって形成されるが、とくに自然酸化によって形成される酸化膜が望ましい。
【００３０】
例えば、上記反射板の材質としてアルミニウムを使う場合、上記絶縁膜としてはアルミニウム酸化膜（酸化アルミニウム、  ＡＬ２Ｏ３）を使用することができる。
【００３１】
上述した構成を持つ本実施例の発光装置によると、ＬＥＤチップ１１から出力される青色光の一部は色の変化なしにそのままシーリング樹脂１５を通過したり、反射板１８の内部表面より反射されて外部へと放出され、青色光の残り一部は、シーリング樹脂１５内の蛍光物質１６によって黄色光に変換された後、シーリング樹脂１５を通過したり、反射板１８の内部表面から反射され外部へと放出される。
【００３２】
これによって、本実施例の発光装置は、青色光と黄色光が組合された白色の平面光（ｗｈｉｔｅ  ｐｌａｎａｒ  ｌｉｇｈｔ）を出射することになる。
また、ＬＥＤチップ１１によって発生する熱は、反射板１８を通じて外部へと放熱されるため収納空間内の温度を一定に冷却させることが可能になる。
【００３３】
【変形例１】
本変形例は、反射板１８によって形成される収納空間の内部に青色発光ダイオードだけを実装するのではなく、少なくとも一つ以上の青色発光ダイオードと、少なくとも一つ以上の赤色発光ダイオードと、少なくとも一つ以上の緑色発光ダイオード）でアセンブリを形成し、この発光ダイオードアセンブリを収納空間内のベース基板１０上に実装することを特徴とする。
【００３４】
即ち、上記の赤、青、緑の発光ダイオードから放射される赤色光、青色光及び緑色光の組合せ（即ち、Ｒ−Ｇ−Ｂの組合せ）によって白色光を実現する。従って、本変形例の場合、上記実施例１のように収納空間内部を充填するシーリング樹脂１５内に蛍光物質のような別途の色変換物質１６を混入する必要がなくなる。
【００３５】
上記アセンブリを構成する赤、青、緑の発光ダイオードはベース基板に沿って、一列で配置することもあり、お互いが同じ角度を形成するよう配置（例えば、正三角形の頂点にそれぞれ配置）することもできる。
【００３６】
本変形例の残りの構成、即ち反射板１８、ベース基板１０、シーリング樹脂１５、伝導性ワイヤ、リード電極１２、ダイホンディング樹脂１３などの構成は実質的に上記実施例１と同じである。
【００３７】
【実施例２】
図２は、本発明の実施例２の半導体発光装置を示したものである。
【００３８】
本実施例の発光装置は、上記実施例１の発光装置と反射板１８の構成を除いて、残りの構成の大部分が実質的に同じである。従って、下記では実施例１と相違する反射板１８の構成に対してのみ説明して、残りの構成要素に対してはその詳細な説明は省略する。
＜反射板１８＞
図２に示したように、本実施例による反射板１８は、その内部表面が実施例１とは異なり、凹形状のラウンドになっていることが特徴である。従って、本実施例の反射板１８は凹形状の反射面を形成することになる。即ち、収納空間の縦断面が対称パラボラ面や対称楕円面を形成することになる。
【００３９】
このように、反射板の内部表面が凹んだ反射面を持つ場合、平らな反射面より反射光の収集が容易になり均一の平面光の出力が可能になる。
【００４０】
【変形例２】
上記変形例１と同じように収納空間内に発光ダイオードアセンブリを配置し、色変換物質が混入されていない透明シーリング樹脂を使用することを除いては上記実施例２と実質的に同じである。
【００４１】
【実施例３】
図３は、本発明の実施例３の半導体発光装置を示したものである。
【００４２】
本実施例の発光装置は、透光性カバー層１５，１７の構成を除いては上記実施例１とその構成の大部分が実質的に同じである。従って、下記では実施例１と相違する透光性カバー層１５，１７の構成に対してのみ説明し、残りの構成要素に対してはその詳細な説明を省略する。
【００４３】
図２に示したように、本実施例による透光性カバー層１５，１７は上記実施例１のシーリング樹脂１５とは異なり、２層で形成されることが特徴である。
＜第１透光性カバー層１５＞
第１透光性カバー層１５は、反射板１８の底の縁と一定のギャップを形成しながら、ＬＥＤチップ１１全体をハウジングする。従って、ＬＥＤチップ１１はこの第１透光性カバー層１５中に埋もれる。
【００４４】
この第１透光性カバー層１５としては、実施例１のシーリング樹脂に比べ、相対的に光の透過性が高く、低価のシリケート（ｓｉｌｉｃａｔｅ）（特に、ＳｉＯ２）を使うことが望ましい。
【００４５】
また、上記シリケート１５内には、ＬＥＤチップ１１から放出された青色光の一部を吸収し黄色光へと変換するための蛍光物質（または燐光物質）や青色光に基づき白色光を組合せるための顔料のような色変換物質１６が含まれる。
【００４６】
上記第１透光性カバー層１５は、ＬＥＤチップ１１を基板上に表面実装し、ワイヤボンディングした後、蛍光物質や顔料の含まれているシリケートを、ディスペンサーを用いて噴射することにより形成されることができる。
＜第２透光性カバー層１７＞
第２透光性カバー層１７は、上記第１透光性カバー層の１５上に形成され、第１透光性カバー層１５と反射板１８の間の収納空間を充填する。
【００４７】
この第２透光性カバー層１７としては、例えば、シリコン樹脂と同じ透明樹脂が単独で使用されることもある。また、第２透光性カバー層１７内には、上記第１透光性カバー層に混合された色変換物質が追加で含まれることもある。
【００４８】
本実施例の場合、上記実施例１とは異なり、ＬＥＤチップ１１をハウジングする透光性カバー層を２層で形成し、とくにＬＥＤチップ１１の近くに形成されるカバー層１５に、相対的に光の透過性が優れ、かつ低価のシリケート（ｓｉｌｉｃａｔｅ  ）を使うことによって高出力、低価の発光装置を実現した。
【００４９】
【実施例４】
図４は本発明の実施例４の半導体発光装置を示したものである。
【００５０】
本実施例の発光装置は、反射板１８及び透光性カバー層１５，１７の構成を除いて、上記実施例１とその構成の大部分が実質的に同じである。従って、下記では実施例１と相違する反射板１８及び透光性カバー層１５，１７の構成に対してのみ説明し、残りの構成要素に対してはその詳細な説明を省略する。
＜反射板１８＞
図４に示したように、本実施例による反射板１８は、その内部表面が実施例１とは異なり、凹形状のラウンドになっていることが特徴である。従って、本実施例の反射板１８は、凹形状の反射面を形成することになる。即ち、収納空間の縦断面が対称パラボラ面や対称楕円面を形成することになる。
【００５１】
また、図４に示したように、本実施例による透光性カバー層１５，１７は、上記実施例１のシーリング樹脂１５と異なり、２層で形成されることが特徴である。
＜第１透光性カバー層１５＞
第１透光性カバー層１５は、反射板１８の底縁と一定のギャップを持ちながら、ＬＥＤチップ１１全体をハウジングする。従って、ＬＥＤチップ１１はこの第１透光性カバー層１５中に埋もれる。
【００５２】
この第１透光性カバー層１５としては、実施例１のシーリング樹脂に比べ相対的に光の透過性が高く、低価のシリケート（ｓｉｌｉｃａｔｅ  ）（特に、ＳｉＯ２）を使用することが望ましい。
【００５３】
また、上記シリケート１５内にはＬＥＤチップ１１から放出される青色光の一部を吸収し黄色光へと変換するための蛍光物質１６（または燐光物質）又は青色光に基づき白色光を組合せるための顔料１６のような色変換物質が含まれる。
【００５４】
上記第１透光性カバー層１５は、ＬＥＤチップ１１を基板上に表面実装し、ワイヤボンディングした後、蛍光物質や顔料の含まれているシリケートを、ディスペンサーを利用して噴射することによって形成できる。
＜第２透光性カバー層１７＞
第２透光性カバー層１７は、上記第１透光性カバー層１５上に形成されて、第１透光性カバー層１５と反射板１８の間の収納空間を充填する。
【００５５】
この第２透光性カバー層１７としては、例えば、シリコン樹脂と同じ透明樹脂が単独で使用されることができる。また、第２透光性カバー層１７内には、上記第１透光性カバー層に混合された色変換物質が追加で含まれることもある。
【００５６】
本実施例の場合、上記実施例１とは異なり、ＬＥＤチップ１１をハウジングする透光性カバー層を２層で形成し、とくにＬＥＤチップ１１の回りに形成されるカバー層１５に、相対的に光の透過性が優れ、かつ低価のシリケートを使うことによって高出力、低価の発光装置を実現した。
【００５７】
また、本実施例による反射板１８の内部表面には凹形状の反射面が形成されているため、実施例１の平らな反射面より反射光の収集が容易になり均一の平面光の出力が可能である。
【００５８】
以下では、上述した実施例の発光装置を製造するための製造方法を説明する。まず、図５〜図１０を参照して本発明による実施例４の発光装置に関する製造工程を説明する。
【００５９】
本製造工程は、実施例４の表面実装型の発光装置を安定した品質で量産性高く製造する方法である。
【００６０】
本製造方法において、透光性カバー層１５または１７でＬＥＤチップ１１を覆う工程までは複数のパッケージを一括処理するため、複数のパッケージが集合してできたパッケージアセンブリが利用される。
【００６１】
但し、以下では、理解を高めるための単一パッケージユニットを基準に本製造方法を説明する。
【００６２】
（図５）  リード電極１２が成形されたベース基板１０の製造：
厚さが薄いベース基板（例えば、ＰＣＢ基板）上に電気伝導度の優れた金属を利用し陽（＋）、陰（−）のリード電極１２を成形する。
【００６３】
（図６）    貫通ホール２１が形成された金属基板１８の接合：
厚さの薄い金属板（例えば、アルミニウム板または銅板）を用意した状態で、化学的エッチング、レーザー加工、鋳造、プレスなどの加工方法を利用し金属板１８内に図５の２１のような貫通ホール２１を形成する。この貫通ホール２１の横断面の形は楕円、円形または四角形でも良い。即ち、本発明は、貫通ホール２１の横断面の形によって限定されず、いろんな形の中で任意に選ぶことができる。
【００６４】
また、貫通ホールでは貫通ホールの開口径が金属板１８の一面（ベース基板と接合される面）から他面に向かい大きくなるように貫通ホールの側面を傾斜させることが望ましい。このように、貫通ホールの側面を傾斜させると、ＬＥＤチップ１１で貫通ホールの側面に向け出射された光を側面で反射させ上部へと出力できるため、ＬＥＤチップ１１から出射された光を効率良く発光装置の外部へと出力できる。
【００６５】
また、上記貫通ホールは、図６のように、その縦断面が対称パラボラ面や対称楕円面を持つように加工することが望ましい。このように、貫通ホールの側面を凹んでいるようにラウンドにすれば、凹形状の反射面を形成するため反射光を収集することが容易で、より均一の平面光を形成することが可能である。
貫通ホール２１が形成されている金属板１８を図６のようにベース基板１０上に接合させると、各パッケージ部分において貫通ホール２１内にリード電極１２の一部とベース基板１０の一部が露出する。
【００６６】
（図７）    ＬＥＤチップ１１の実装：
上述したように構成されたパッケージアセンブリの単一パッケージユニットの貫通ホールの所定位置にダイボンド樹脂１３を利用し、ＬＥＤチップ１１をダイボンディングする。
【００６７】
（図８）    ワイヤボンディング：
貫通ホール２１の内側に露出している陽、陰のリード電極１２とＬＥＤチップ１１のＰ型電極（未図示）及びＮ型電極（未図示）を導電性ワイヤ１４を利用しワイヤボンディングすることによって所定の配線を行う。
【００６８】
（図９）    第１透光性カバー層１５の形成：
配線が終ったＬＥＤチップ１１の上面にディスペンサーを利用し色変換物質１６（例えば、蛍光物質または顔料）の含まれているシリケート（特に、ＳｉＯ２）を噴射しＬＥＤチップ全体をハウジングするように第１透光性カバー層１５を形成する。
【００６９】
（図１０）    第２透光性カバー層１７の形成：
第１透光性カバー層１５が形成されている貫通ホール２１内にシリコン樹脂のような透明性樹脂または色変換物質（例えば、蛍光物質または顔料）の含まれている透明性樹脂を充填させ、第２透光性カバー層１７を形成する。
【００７０】
上記図５〜図１０の工程を行うことによって、複数の単位パッケージユニットが形成されているパッケージアセンブリが製造される。このパッケージアセンブリを単位パッケージユニット別に切断することによって図４と同じ形態の半導体発光装置を製造できる。
【００７１】
図５〜図１０の場合、実施例４の発光装置を製造する工程だけを紹介しているが、同一の製造工程が実施例１ないし実施例３（または、変形例１及び変形例２）にも適用できる。
【００７２】
本明細書及び特許請求の範囲に使用される用語や単語は、通常的または辞書的意味に限って解釈されてはならないとともに、発明者は、自分の発明をもっとも最善の方法で説明するための用語の概念を適切に定義することができるという原則に基づき、本発明の技術的思想にかなう意味と概念をもって解釈されなければならない。
【００７３】
従って、本明細書に記載された実施例と図面に図示された構成は本発明のもっとも望ましい一実施例に過ぎず、本発明の技術的思想を全て代弁することではないため、本出願時点においてこれらに取り替えられる多様な均等物と変形例がありうることも理解しなければならない。
【００７４】
上述した実施例に本発明が限定されるのではなく、本発明の属する技術分野で通常の知識を持つ者によって本発明の技術思想と特許請求の範囲の均等範囲内で多様な修正及び変更が可能なことは言うまでもない。
【００７５】
【発明の效果】
本発明による発光装置は、基板上に実装されたＬＥＤチップの周囲に熱伝導度の高い金属で反射板を構成しＬＥＤチップより発生する熱を效果的に外部へと放熱できる。従って、ＬＥＤチップを収容する収納空間を常時所定温度以下で保てる。
【００７６】
また、本発明による発光装置は、従来の透明性樹脂に比べ光の透過性の優れたシリケート樹脂を利用しＬＥＤチップをシーリングするため高出力の白色光を実現できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による第１実施例の半導体発光装置の断面図である。
【図２】本発明による第２実施例の半導体発光装置の断面図である。
【図３】本発明による第３実施例の半導体発光装置の断面図である。
【図４】本発明による第４実施例の半導体発光装置の断面図である。
【図５】本発明による第４実施例の発光装置を製造する工程を示す断面図である。
【図６】本発明による第４実施例の発光装置を製造する工程を示す断面図である。
【図７】本発明による第４実施例の発光装置を製造する最初の工程を示す断面図である。
【図８】本発明による第４実施例の発光装置を製造する次の工程を示す断面図である。
【図９】本発明による第４実施例の発光装置を製造するさらに次の工程を示す断面図である。
【図１０】本発明による第４実施例の発光装置を製造するさらに次の工程を示す断面図である。
【符号の説明】
１０：ベース基板
１１：発光素子
１２：リード電極
１３：ダイボンディング樹脂
１４：導電性ワイヤ
１５：第１透光性カバー層
１６：色変換物質
１７：第２透光性カバー層
１８：反射板
１９：絶縁膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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