(57)【要約】【課題】対向基板上に形成される配向膜の表面に段差を生じさせず、該配向膜に接する液晶分子の配向状態を適正にすることによって、該電気光学装置の光透過率の維持、或いは画像の高コントラスト維持を図る。【解決手段】液晶層（５０）を介して対向配置されたＴＦＴアレイ基板及び対向基板（２０）と、液晶層に面する側の前記対向基板の面の上に形成された対向電極（２１）及び配向膜（２２）と、液晶層に面しない側の対向基板の面に上に形成された遮光膜（２３）とを備えている。【選択図】      図３
2004163745.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気光学物質を介して対向配置された第１基板及び第２基板と、
該第１基板上に形成された走査線及び該走査線に交差する方向に延びるデータ線と、
前記走査線及び前記データ線の交差領域に形成された画素電極及び画素スイッチング用素子と、
前記電気光学物質に面する側の前記第２基板の面の上に形成された対向電極及び配向膜と、
前記電気光学物質に面しない側の前記第２基板の面に上に形成された遮光膜と
を備えたことを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記遮光膜は光吸収性材料から構成されていることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記第２基板に対向配置されたカバーガラスを更に備えたことを特徴とする請求項１又は２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記第２基板に対向配置されその面上にマイクロレンズの外形形状が形成されたレンズ基板を更に備えたことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記遮光膜に代えて又は加えて、
前記カバーガラス又は前記レンズ基板の少なくとも一方に、他の遮光膜が形成されていることを特徴とする請求項３又は４に記載の電気光学装置。
【請求項６】
電気光学物質を介して対向配置された第１基板及び第２基板と、
該第１基板上に形成された走査線及び該走査線に交差する方向に延びるデータ線と、
前記走査線及び前記データ線の交差領域に形成された画素電極及び画素スイッチング用素子と、
前記電気光学物質に面する側の前記第２基板の面の上に形成された対向電極及び配向膜と、
前記第２基板における前記電気光学物質に面しない側に対向配置された第３基板と、
該第３基板の前記第２基板に対向する面の上に形成された遮光膜と
を備えたことを特徴とする電気光学装置。
【請求項７】
前記第３基板は、その面にマイクロレンズの外形形状が形成されていることを特徴とする請求項６に記載の電気光学装置。
【請求項８】
前記配向膜は、無機配向膜を含むことを特徴とする請求項１乃至７のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項９】
前記遮光膜は格子状又はストライプ状に形成されていることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項１０】
電気光学物質を介して対向配置された第１基板及び第２基板を備えた電気光学装置を製造する電気光学装置の製造方法であって、
前記電気光学物質に面しない側の前記第２基板の面の上に遮光膜を形成する工程と、
前記電気光学物質に面する側の前記第２基板の面の上に対向電極及び配向膜を形成する工程と、
前記第１基板上に走査線及び該走査線に交差する方向に延びるデータ線と、
前記走査線及び前記データ線の交差領域に画素電極及び前記画素スイッチング用素子を形成する工程と、
前記第１基板及び前記第２基板を貼り合せる工程と
を含むことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項１１】
前記第２基板に第３基板を貼り合せる工程を更に含むことを特徴とする請求項１０に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項１２】
前記第３基板にマイクロレンズの外形形状を形成する工程を更に含むことを特徴とする請求項１１に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項１３】
前記マイクロレンズの外形形状を形成する工程は、
前記第３基板にレジスト膜を形成する工程と、
前記レジスト膜に開口部を形成する工程と、
前記開口部を通じてウェットエッチングを実施して凹状部を形成する工程と
を含むことを特徴とする請求項１２に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項１４】
前記マイクロレンズの外形形状を形成する工程は、
前記第３基板にレジスト膜を形成する工程と、
前記レジスト膜に開口部を形成する工程と、
前記開口部以外の前記レジスト膜の外形形状を凸状部に成形する工程と、
前記凸状部及び前記第１基板をともにエッチングする工程と
を含むことを特徴とする請求項１２に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項１５】
前記マイクロレンズの外形形状を形成する工程は、
前記第１基板上に光硬化性樹脂を塗布する工程と、
前記光硬化性樹脂を凹状部又は凸状部が形成された型内に埋め込むとともに、該光硬化性樹脂に対して光照射を実施することで、これを硬化させる工程と、
前記第１基板及び前記光硬化性樹脂をともに前記型から分離させる工程と
を含むことを特徴とする請求項１２に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項１６】
請求項１乃至９のいずれか一項に記載の電気光学装置を具備してなることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電気光学装置の技術分野に属し、特に、当該電気光学装置を構成する一対の基板のうちの一方の基板の上に遮光膜を備えた形態となる電気光学装置の技術分野に属する。また、本発明は、そのような電気光学装置を具備してなる電子機器の技術分野にも属する。
【０００２】
【背景技術】
マトリクス状に配列された画素電極及び該電極の各々に接続された薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ；以下適宜、「ＴＦＴ」という。）、該ＴＦＴの各々に接続され、行方向及び列方向それぞれに平行に設けられた走査線及びデータ線等を備えるとともに、前記走査線に対しては走査線駆動回路による駆動が、前記データ線に対してはデータ線駆動回路による駆動が、それぞれ行われることによって、いわゆるアクティブマトリクス駆動が可能な電気光学装置が知られている。
【０００３】
このような電気光学装置においては、前記走査線、データ線、画素電極及びＴＦＴ等を備えてなるＴＦＴアレイ基板に対して、液晶層を介して対向基板が対向配置される。この対向基板は、液晶層に対向する側に遮光膜、対向電極及び配向膜を備えてなる。このうち遮光膜は、前記画素電極が配置されていない領域に対応するように、例えばストライプ状、或いは格子状に形成される。また、対向電極は、ＴＦＴアレイ基板上の画素電極及び前記液晶層と共に液晶容量を構成するものであり、例えば対向基板の全面を覆うようにして形成される。また、さらに、配向膜は、対向電極上に形成されて前記液晶層を構成する液晶分子を所定の方向に配向するためのものである。
【０００４】
なお、このような電気光学装置においては、前記の対向基板にマイクロレンズの外形形状が形成されたレンズ基板が対向配置されることがある（例えば特許文献１参照。）。これによると、該マイクロレンズにより入射光の利用効率を高めることが可能となり、より明るい画像等高品質な画像の表示が可能となる。
【０００５】
【特許文献１】
特開２００２―１８２５８６
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述したような電気光学装置においては、次のような問題点があった。すなわち、前記の遮光膜は、対向基板上、液晶層に対向する側に設けられていたため、該遮光膜上に形成される対向電極及び配向膜に、該遮光膜の有する高さに起因する段差を生じさせるおそれがあったのである。特に、配向膜の表面に形成される段差は、該配向膜に対するラビング処理を実施する際において障害となり、その結果、該配向膜上に配向不良箇所を残させる可能性があった。このような配向不良箇所が存在すると、液晶層における液晶分子の配向状態の不良を生じさせ、前記電気光学装置における光透過率を低下せしめ、或いは該電気光学装置により表示される画像のコントラストを低下せしめるおそれなどがある。
【０００７】
このうち特に、光透過率の低下は、仮に、当該電気光学装置に前記レンズ基板を設け、その光利用効率の増大が図られている場合、該光利用効率の増大に係る効果を相殺するかの如き状態をもたらす。つまり、レンズ基板を設ける意味を半減させることになりかねない。
【０００８】
そこで、このような問題点に対処するため、例えば遮光膜上に絶縁膜を形成すると共に該絶縁膜の表面に対して、例えばＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）処理等の平坦化処理を行い、その後に対向電極を形成する等という方法が考えられる。このようにすれば、配向膜が遮光膜上に形成されるとしても、それは良好な平坦性を有することになるから、該配向膜に対するラビング処理を好適に実施することができる。
【０００９】
しかしながら、このような方法では、対向基板の製造工程において、いったん絶縁膜を形成する手間が必要となるし、また、そもそもＣＭＰ処理それ自体にも相応の手間がかかることから、製造工数、或いは製造コスト上、必ずしも好ましい方法とはいえない。
【００１０】
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、対向基板上に形成される配向膜の表面に段差を生じさせず、該配向膜に接する液晶分子の配向状態を適正にすることによって、該電気光学装置の光透過率の維持、或いは画像の高コントラスト維持が可能な電気光学装置及びその製造方法を提供することを課題とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明の第１の電気光学装置は、上記課題を解決するために、電気光学物質を介して対向配置された第１基板及び第２基板と、該第１基板上に形成された走査線及び該走査線に交差する方向に延びるデータ線と、前記走査線及び前記データ線の交差領域に形成された画素電極及び画素スイッチング用素子と、前記電気光学物質に面する側の前記第２基板の面の上に形成された対向電極及び配向膜と、前記電気光学物質に面しない側の前記第２基板の面に上に形成された遮光膜とを備えている。
【００１２】
本発明の第１の電気光学装置によれば、まず、走査線及びデータ線並びにこれらの交差領域に配置された画素電極及び薄膜トランジスタ等の画素スイッチング用素子が形成された第１基板が、液晶等の電気光学物質（以下、「液晶」に代表させる。）を介して、対向電極等の形成された第２基板と対向配置されていることから、画素電極及び対向電極間に適当な電位差を設けることで、液晶の配向状態を変化させることが可能となる。この際、液晶の配向状態の変化により、その光透過率は変化することになり、また、このような配向状態の変化を各画素毎に適当に実施すれば、画像を表示することが可能となる。
【００１３】
そして、本発明では特に、第２基板上には、前記電気光学物質の面しない側の面の上に遮光膜が形成される一方、該電気光学物質の面する側に配向膜が形成されている。これにより、配向膜は、遮光膜上に形成されないことになるから、該配向膜には遮光膜に起因する段差は生じないことになる。したがって、該配向膜は、極めて良好な平坦性を有することになるから、該配向膜に対するラビング処理において配向不良箇所を残させる可能性は殆どなく、したがって、液晶分子の配向状態の不良を生じさせるおそれも殆どない。
【００１４】
以上により、本発明に係る電気光学装置によれば、光透過率を低下せしめ、或いは画像のコントラストを低下せしめるおそれを有効に抑制することができる。
【００１５】
本発明の第１の電気光学装置の一態様では、前記遮光膜は光吸収性材料から構成されている。
【００１６】
この態様によれば、遮光膜が光吸収性材料から構成されているから、遮光の機能をよりよく実現することができる。ここに光吸収性材料とは、具体的には、例えばカーボン（Ｃ）又はチタン（Ｔｉ）をフォトレジストに分散した樹脂ブラックや、金属クロム（Ｃｒ）、ニッケル（Ｎｉ）等の金属材料等を考えることができる。
【００１７】
なお、本発明に係る遮光膜は、上記のほか、積層構造をとることができる。この場合、当該遮光膜は、例えばＣｒと酸化クロム（Ｃｒ２Ｏ３）の二層構造、或いは光入射側から順に、アルミニウム（Ａｌ）、Ｃｒ及びＣｒ２Ｏ３の三層構造等を採用することが考えられる。このうち特に、後者の三層構造によれば、入射した光の大部分は、まず反射能の非常に高いＡｌで反射されることになり、遮光膜内、あるいは装置内に、光が吸収されることにより発生する無用な熱の蓄積を生じさせる恐れがなく、また、該Ａｌの層を透過した微弱な光が、Ｃｒ及びＣｒ２Ｏ３で遮光されることにより、非常に高い遮光機能を得ることができる。また、当該三層構造には、非常に高い遮光機能のほかに、その製造が容易であるという利点もある。というのも、高反射材料と低反射材料を組み合わせるというだけであれば、ＡｌとＣｒ２Ｏ３等の構成でＢＭパターンを形成すればよいとも考えられるが、両者の親和性を考えると、その製造は比較的容易でない。したがってまず、Ａｌの基層にＣｒ層を形成し、その後このＣｒ層を酸化してＣｒ２Ｏ３層を形成すれば、より簡易かつ確実に高反射型及び低反射型を併せ持つ遮光膜の製造が可能となるのである。
【００１８】
本発明の第１の電気光学装置の他の態様では、前記第２基板に対向配置されたカバーガラスを更に備えている。
【００１９】
この態様によれば、第２基板に対向配置されたカバーガラスが備えられているから、該カバーガラス及び第２基板によって、これら全体の厚さを稼ぐことができる。これにより、当該カバーガラス及び第２基板の一体的な構造物は、より取り扱いが容易となり、したがって、該カバーガラス及び第２基板を含む電気光学装置の製造、或いは運搬等をより容易に実現することができる。
【００２０】
本発明の第１の電気光学装置の他の態様では、前記第２基板に対向配置されその面上にマイクロレンズの外形形状が形成されたレンズ基板を更に備えている。
【００２１】
この態様によれば、第２基板に対向配置されその面上にマイクロレンズの外形形状が形成されたレンズ基板が備えられているから、当該電気光学装置における光の利用効率を高めることができる。すなわち、マイクロレンズによって、入射光をある一定の範囲内に集光することが可能となるから、該レンズ基板がない場合におけるよりも、より多くの光を液晶層、或いは画素電極等に導くことが可能となり、より明るい画像等高品質な画像を表示することが可能となる。
【００２２】
とりわけ本発明においては、配向膜において遮光膜に起因する段差が生じないことにより、光透過率の低下などといった弊害が生じないから、当該電気光学装置においては、本来得られるべき所望どおりの光量を液晶層、或いは画素電極に導くことができ、レンズ基板の性能を如何なく発揮させることができる。
【００２３】
このようにカバーガラス又はレンズ基板を備える態様では、前記遮光膜に代えて又は加えて、前記カバーガラス又は前記レンズ基板の少なくとも一方に、他の遮光膜が形成されているように構成するとよい。
【００２４】
このような構成によれば、前記カバーガラス又は前記レンズ基板の少なくとも一方に他の遮光膜が形成されていることにより、第２基板上に遮光膜を形成する必要性は減少する。また、このような形態であっても、第２基板上の配向膜において、本態様にかかる他の遮光膜に起因する段差は生じない（配向膜及び遮光膜は別々の基板ないしガラス上に形成されることになるから。）。したがって、本態様においても、上述したのと略同様な作用効果を享受することが可能となる。
【００２５】
本発明の第２の電気光学装置は、上記課題を解決するために、電気光学物質を介して対向配置された第１基板及び第２基板と、該第１基板上に形成された走査線及び該走査線に交差する方向に延びるデータ線と、前記走査線及び前記データ線の交差領域に形成された画素電極及び画素スイッチング用素子と、前記電気光学物質に面する側の前記第２基板の面の上に形成された対向電極及び配向膜と、前記第２基板における前記電気光学物質に面しない側に対向配置された第３基板と、該第３基板の前記第２基板に対向する面の上に形成された遮光膜とを備えている。
【００２６】
本発明の第２の電気光学装置によれば、まず、前述の第１の電気光学装置と同様に、第１基板及び第２基板並びにこれら基板上に形成される画素電極等の各種要素からなる構成によって、画像を表示することが可能である。
【００２７】
そして、本発明では特に、第２基板における液晶に面しない側に対向配置された第３基板が備えられており、該第３基板の第２基板に対向する面の上に遮光膜が備えられている。これにより、配向膜と遮光膜とは、それぞれ、第２基板及び第３基板という別々の基板に形成されることになるから、配向膜において、遮光膜に起因する段差が生じるということがない。したがって、該配向膜は、極めて良好な平坦性を有することになるから、該配向膜に対するラビング処理において配向不良箇所を残させる可能性は殆どなく、したがって、液晶分子の配向状態の不良を生じさせるおそれも殆どない。
【００２８】
以上により、本発明に係る電気光学装置によれば、光透過率を低下せしめ、或いは画像のコントラストを低下せしめるおそれを有効に抑制することができる。
【００２９】
本発明の第２の電気光学装置の一態様では、前記第３基板は、その面にマイクロレンズの外形形状が形成されている。
【００３０】
この態様によれば、第３基板の面上にはマイクロレンズの外形形状が形成されている。したがって、当該電気光学装置における光の利用効率を高めることができる。とりわけ本発明においては、配向膜において遮光膜に起因する段差が生じないことにより、光透過率の低下などといった弊害が生じないから、当該電気光学装置においては、本来得られるべき所望どおりの光量を液晶層、或いは画素電極に導くことができ、マイクロレンズの外形形状が形成された第３基板、即ちレンズ基板の性能を如何なく発揮させることができる。
【００３１】
本発明の第１又は第２の電気光学装置の他の態様では、前記配向膜は、無機配向膜を含む。
【００３２】
この態様によれば、配向膜は、例えば斜方蒸着法等により成膜される無機配向膜を含む。ここで斜方蒸着法とは、固定した被蒸着基板表面に対して傾斜した方向から無機材料を蒸着することにより、被蒸着基板表面に、蒸着方向に傾斜して配列された多数の柱状構造物からなる薄膜を形成する方法である。
【００３３】
このような無機配向膜においては、柱状構造物の傾斜方向や傾斜角等を制御することにより、所望の配向膜（所望の配向方向やプレティルト角）を得ることができ、これによって液晶分子の配向状態を規制することができる。しかも、この無機配向膜によれば、有機配向膜において必要となるラビング処理が必要ないから、その分の工程数等を削減可能である。また、液晶分子を所定の配向状態に維持する力が、有機配向膜に比べて強いという利点も得られる。この性質によれば、無機配向膜の方が有機配向膜に比べて、プレティルト角をより大きくとることができる。
【００３４】
しかしながら、このような無機配向膜を、段差の生じた面の上に形成しようとすると、該段差の高さや蒸着方向等の関係から、段差の影となる部分に、無機材料を十分に蒸着できず、当該部分において、配向膜欠陥を生じさせるおそれが大きい。
【００３５】
しかるに、本発明においては、上述のように、遮光膜と配向膜とは、対向基板上、表裏別々の面に形成されたり、或いはそもそも別々の基板上にそれぞれ形成されることから、前述のような不具合を被るおそれがないのである。
【００３６】
本発明の第１又は第２の電気光学装置の他の態様では、前記遮光膜は格子状又はストライプ状に形成されている。
【００３７】
この態様によれば、遮光膜は格子状又はストライプ状に形成されていることにより、第１基板上に形成された画素電極が例えば縦横に直線的に配列されたマトリクス状に形成されている場合において、これら画素電極間の光の混交を効果的に防止することができる。
【００３８】
本発明の電気光学装置の製造方法は、上記課題を解決するために、電気光学物質を介して対向配置された第１基板及び第２基板を備えた電気光学装置を製造する電気光学装置の製造方法であって、前記電気光学物質に面しない側の前記第２基板の面の上に遮光膜を形成する工程と、前記電気光学物質に面する側の前記第２基板の面の上に対向電極及び配向膜を形成する工程と、前記第１基板上に走査線及び該走査線に交差する方向に延びるデータ線と、前記走査線及び前記データ線の交差領域に画素電極及び前記画素スイッチング用素子を形成する工程と、前記第１基板及び前記第２基板を貼り合せる工程とを含む
本発明の電気光学装置の製造方法によれば、上述の本発明の第１の電気光学装置を好適且つ比較的容易に製造することができる。
【００３９】
本発明の電気光学装置の製造方法の一態様では、前記第２基板に第３基板を貼り合せる工程を更に含む。
【００４０】
この態様によれば、第２基板に第３基板を貼り合せる工程を含むことから、これら第２基板及び第３基板によって、これら全体の厚さを稼ぐことができる。これにより、当該第３基板及び第２基板の一体的な構造物は、より取り扱いが容易となり、したがって、該第２基板及び第３基板を含む電気光学装置の製造、或いは製造後の当該装置の運搬等をより容易に実現することができる。
【００４１】
本発明の電気光学装置の製造方法の他の態様では、前記第３基板にマイクロレンズの外形形状を形成する工程を更に含む。
【００４２】
この態様によれば、マイクロレンズ、ないしはマイクロレンズアレイが装着された電気光学装置を好適に且つ比較的容易に製造することができる。
【００４３】
本発明の電気光学装置の製造方法の他の態様では、前記マイクロレンズの外形形状を形成する工程は、前記第３基板にレジスト膜を形成する工程と、前記レジスト膜に開口部を形成する工程と、前記開口部を通じてウェットエッチングを実施して凹状部を形成する工程とを含む。
【００４４】
この態様によれば、最終的に、凸レンズを好適に形成することができる。すなわち、開口部を通じたウェットエッチングによれば、該エッチングが等方的に侵食が進行するという性質を有していることにより、第３基板上には、該開口部中心を中心とした略半球状の凹状部が、該開口部周囲のレジスト膜を抉るようにしつつ、自然に且つ容易に形成されることになる。このように、本態様によれば、マイクロレンズの外形形状を好適に製造することができる。そして、前記の凹状部にレンズ媒質としての透明樹脂材料等を充填すれば、最終的には、凸レンズとしてのマイクロレンズが形成されることになる。
【００４５】
本発明の電気光学装置の製造方法の他の態様では、前記マイクロレンズの外形形状を形成する工程は、前記第３基板にレジスト膜を形成する工程と、前記レジスト膜に開口部を形成する工程と、前記開口部以外の前記レジスト膜の外形形状を凸状部に成形する工程と、前記凸状部及び前記第１基板をともにエッチングする工程とを含む。
【００４６】
この態様によれば、最終的に、凹レンズを好適に形成することができる。すなわち、開口部以外のレジスト膜の外形形状を凸状部に成形した後、該凸状部及び前記第３基板をともにエッチングすれば、該第３基板は該凸状部の外形形状が転写されつつエッチングされることになり、例えば、略半球状の凸状部が、自然に且つ容易に形成されることになる。このように、本態様によれば、マイクロレンズの外形形状を好適に製造することができる。そして、前記の凸状部の上（すなわち、第１基板及び第２基板間）に、レンズ媒質としての透明樹脂材料等を充填すれば、最終的には、凹レンズとしてのマイクロレンズが形成されることになる。
【００４７】
なお、本態様においては、レジスト膜を凸状部に成形する必要があるため、該レジスト膜は、好ましくは、熱変形性を有する材料から構成するとよい。このようにすれば、該レジスト膜に対する加熱を行うのみで、該レジスト膜が溶融し、これにより該レジスト膜における表面張力が作用することによって、ごく自然に且つ容易に、略半球状ないしは略ドーム状を含む凸状部を成形することが可能となる。
【００４８】
本発明の電気光学装置の製造方法の他の態様では、前記マイクロレンズの外形形状を形成する工程は、前記第１基板上に光硬化性樹脂を塗布する工程と、前記光硬化性樹脂を凹状部又は凸状部が形成された型内に埋め込むとともに、該光硬化性樹脂に対して光照射を実施することで、これを硬化させる工程と、前記第１基板及び前記光硬化性樹脂をともに前記型から分離させる工程とを含む。
【００４９】
この態様によれば、最終的に、凸レンズ又は凹レンズを好適に形成することができる。すなわち、型が凹状部を含む場合には、光硬化性樹脂には凸状部が転写され、その逆の場合には凹状部が転写されることになる。したがって、前者の場合においては、凸レンズが形成されることになり、後者の場合においては、凹レンズが形成されることになる。この場合、光硬化性樹脂がレンズ媒質そのものとなる。このように、本態様によれば、マイクロレンズの外形形状を好適に製造することができ、また、本態様では特に、この外形形状の製造が即、凸レンズ又は凹レンズのマイクロレンズの製造に帰することとなる。
【００５０】
本発明の電子機器は、上記課題を解決するために、上述の本発明の電気光学装置（ただし、その各種態様を含む。）を具備してなる。
【００５１】
本発明の電子機器によれば、上述の本発明の電気光学装置を具備してなるので、配向膜の平坦性を極めて良好に維持することが可能であることにより、光透過率及び画像コントラストの低下等を招くことのない、投射型表示装置、液晶テレビ、携帯電話、電子手帳、ワードプロセッサ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルなどの各種電子機器を実現できる。
【００５２】
本発明のこのような作用及び他の利得は次に説明する実施の形態から明らかにされる。
【００５３】
【発明の実施の形態】
以下では、本発明の実施の形態について図を参照しつつ説明する。以下の実施形態は、電気光学装置の一例たるマイクロレンズアレイが装着された液晶装置に関するものである。
【００５４】
（第１実施形態）
以下では、まず、本発明の第１実施形態に係るマイクロレンズアレイを装着してなる電気光学装置の全体構成について、図１及び図２を参照しながら説明する。ここに、図１は、ＴＦＴアレイ基板をその上に形成された各構成要素とともに、対向基板の側から臨んだ平面図であり、図２は、図１はＨ−Ｈ´断面図である。また、図３は、図２において符号ＣＲを付した円内部分の拡大図である。なお、以下で参照する図面においては、各要素が各図面上で認識可能となるように、あるいはよりわかり易くなるように等ということを目的として、該各要素ごとに縮尺を異ならしめているため、各図面間で要素の大きさ、あるいは要素間の相対的な大きさが異なっている場合等がある。
【００５５】
図１及び図２において、第１実施形態に係る電気光学装置では、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とが対向配置されている。
【００５６】
ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間には、液晶層５０が封入されている。液晶層５０は、例えば一種又は数種類のネマテッィク液晶を混合した液晶からなる。ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とは、画像表示領域１０ａの周囲に位置するシール領域に設けられたシール材５２により相互に接着されている。なお、画像表示領域１０ａは、額縁遮光膜５３により規定されている。
【００５７】
シール材５２は、両基板を貼り合わせるために、例えば熱硬化性樹脂、熱及び光硬化樹脂、光硬化樹脂、紫外線硬化樹脂等からなり、製造プロセスにおいてＴＦＴアレイ基板１０上に塗布された後、加熱、加熱及び光照射、光照射、紫外線照射等により硬化させられたものである。
【００５８】
このようなシール材５２中には、両基板間の間隔を所定値とするためのグラスファイバあるいはガラスビーズ等のギャップ材が混合されている。すなわち、第１実施形態の電気光学装置は、プロジェクタのライトバルブ用として小型で拡大表示を行うのに適している。ただし、当該電気光学装置が液晶ディスプレイや液晶テレビのように大型で等倍表示を行う液晶装置であれば、このようなギャップ材は、液晶層５０中に含まれていてもよい。
【００５９】
シール材５２の外側の領域には、データ線６ａに画像信号を所定のタイミングで供給することにより該データ線６ａを駆動するデータ線駆動回路１０１及び外部回路接続端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って設けられており、走査線３ａに走査信号を所定のタイミングで供給することにより、走査線３ａを駆動する走査線駆動回路１０４が、この一辺に隣接する二辺に沿って設けられている。
【００６０】
なお、走査線３ａに供給される走査信号遅延が問題にならないのならば、走査線駆動回路１０４は片側だけでもよいことは言うまでもない。また、データ線駆動回路１０１を画像表示領域１０ａの辺に沿って両側に配列してもよい。
【００６１】
ＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺には、画像表示領域１０ａの両側に設けられた走査線駆動回路１０４間をつなぐための複数の配線１０５が設けられている。また、対向基板２０のコーナ部の少なくとも一箇所においては、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的に導通をとるための導通材１０６が設けられている。
【００６２】
図２において、ＴＦＴアレイ基板１０上には、画素スイッチング用のＴＦＴや走査線、データ線等の配線が形成された後の画素電極９ａ上に、配向膜１６が形成されている。
【００６３】
そして第１実施形態においては特に、対向基板２０において、遮光膜２３、対向電極２１及び配向膜２２が形成されている。このうちまず、遮光膜２３は、図２の拡大図たる図３に示すように、液晶層５０に面しない側の対向基板２０の面の上に形成されている（なお、図２においては、遮光膜２３、対向電極２１及び配向膜２２は図示されていない。）。このうち遮光膜２３は、平面的に見て格子状またはストライプ状のパターンを有するように形成されている。他方、対向電極２１及び配向膜２２は、液晶層５０に面する側の対向基板２０の面の上に形成されている。このうち対向電極２１は例えばＩＴＯ等からなり、配向膜２２は例えばポリイミド膜等の有機材料からなる。これによると、前記の遮光膜２３と、対向電極２１及び配向膜２２は、対向基板２０の表裏面それぞれに形成されているということになる。
【００６４】
第１実施形態に係る電気光学装置では、対向基板２０上の配向膜２２及びＴＦＴアレイ基板１０上の配向膜１６という一対の配向膜間に液晶層５０が存在することになり、該液晶層５０内の液晶分子は、これら一対の配向膜１６及び２２間で所定の配向状態をとる。
【００６５】
加えて、第１実施形態の電気光学装置では、レンズ基板５０１が、前記の対向基板２０に対向配置されて備えられている。このレンズ基板５０１には、その対向基板２０に対向する対向面の上にマトリクス状に形成されたマイクロレンズの外形形状（以下、「ＭＬ形状」と略す。）５０３Ｐが形成されている。第１実施形態では、このＭＬ形状５０３Ｐはレンズ基板５０１の表面（図中下面）に対して凹状部を含んだ形状を有している。また、該ＭＬ形状５０３Ｐは、図４に示すように、レンズ基板５０１の面上において、マトリクス状の一例である縦横に直線的に配列された態様をもつように形成されている。なお、第１実施形態では、このようにマイクロレンズ５０３がマトリクス状に配列されていることにより、いわゆるマイクロレンズアレイが構成されることになる。また、図４においては、前述の格子状の遮光膜２３は、マトリクス状に並ぶＭＬ形状５０３Ｐ間の間隙領域を縫うように形成されていることが併せて示されている。
【００６６】
そして、このようなレンズ基板５０１と対向基板２０との間には、図３に示すように、周囲の材料よりも高い屈折率を有する接着剤Ｂが介在されており、該接着剤Ｂによりレンズ基板５０１及び対向基板２０間の接着を実現していると共に、該接着剤Ｂ及びＭＬ形状５０３Ｐにより片凸型のマイクロレンズ５０３が形成されるようになっている。
【００６７】
なお、このような構成となる第１実施形態に係る電気光学装置において、ＴＦＴアレイ基板１０上には、前述のデータ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４等に加えて、複数のデータ線６ａに画像信号を所定のタイミングで印加するサンプリング回路、複数のデータ線６ａに所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行して各々供給するプリチャージ回路、製造途中や出荷時の当該電気光学装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路等を形成してもよい。
【００６８】
以上のような構成を有する電気光学装置によれば、次のような作用効果が奏されることになる。
【００６９】
第一に、図３に示したように、遮光膜２３と配向膜２２とが、対向基板２０の表裏面それぞれに形成されていることにより、配向膜２２には、遮光膜２３に起因する段差が生じることがない。これにより、配向膜２２は、極めて良好な平坦性を有することになるから、該配向膜２２に対するラビング処理において配向不良箇所を残させる可能性は殆どなく、したがって、液晶層５０内の液晶分子の配向状態に不良を生じさせるおそれも殆どない。以上により、第１実施形態に係る電気光学装置によれば、光透過率を低下せしめ、或いは画像のコントラストを低下せしめるおそれを有効に抑制することができる。
【００７０】
この点、図５に示すように、遮光膜２３と配向膜２２とを対向基板２０の同一面上に形成する場合では、配向膜２２には、遮光膜２３の高さに起因する段差ＳＴＰが生じることになる。したがって、該配向膜２２に対してラビング処理を実施すると、ラビング方向ＲＤにより規定される段差ＳＴＰの影となる部分ＳＤについては、該ラビング処理を好適に実施することができない。すなわち、当該影となる部分ＳＤでは、配向不良箇所が残る可能性が高く、したがって、当該部分に接する液晶分子の配向状態に不良を生じさせるおそれが高くなる。本発明においては、このような不具合が生じないのである（図３中のラビング方向ＲＤ参照）。
【００７１】
第二に、第１実施形態に係る電気光学装置には、図２及び図３に示したように、レンズ基板５０１が備えられていることにより、当該電気光学装置における光の利用効率を高めることができる。すなわち、マイクロレンズ５０３によって、入射光をある一定の範囲内に集光することが可能となるから、該レンズ基板５０１がない場合におけるよりも、より多くの光を液晶層５０、或いは画素電極９ａ等に導くことが可能となり、より明るい画像等高品質な画像を表示することが可能となる。
【００７２】
しかも、第１実施形態では、上述のように、配向膜２２に段差がないことにより、光透過率の低下などといった弊害が生じないから、当該電気光学装置においては、本来得られるべき所望どおりの光量を液晶層５０、或いは画素電極９ａに導くことができ、レンズ基板５０１の性能を如何なく発揮させることができる。
【００７３】
なお、場合によっては、第１実施形態に係るレンズ基板５０１は必ずしも設ける必要はない。このような場合であっても、対向基板２０の表裏面それぞれに遮光膜２３及び配向膜２２が形成されているという態様に変化はないから、配向膜２２において、遮光膜２３に起因する段差が生じないということに基づく作用効果は略同様に享受することが可能である。
【００７４】
ただし、レンズ基板５０１、ないしは後述するカバーガラス４０１を設ける形態によれば、一般に比較的薄い対向基板２０の取り扱い難易性を緩和することができるから、電気光学装置の製造、或いは運搬等においてより有利となる。したがって、なるべくであれば、第１実施形態に係るレンズ基板５０１、ないしは後述するカバーガラス４０１を設ける形態が好ましいといえる。
【００７５】
また、上記第１実施形態においては、配向膜２２は例えばポリイミド材料からなるとし、いわゆる有機材料から構成されるものについてのみ言及したが、本発明は、このような形態に限定されるものではない。例えば、配向膜２２は無機配向膜からなるものとしてよい。
【００７６】
この場合、この無機配向膜からなる配向膜２２は、例えば斜方蒸着法によって形成することができる。ここで斜方蒸着法とは、固定した被蒸着基板（即ち、第１実施形態では、対向基板２０）表面に対して傾斜した方向から無機材料を蒸着することにより、被蒸着基板表面に、例えば図６に示すように、蒸着方向に傾斜して配列された多数の柱状構造物からなる薄膜を形成する方法である。
【００７７】
このような無機配向膜においては、柱状構造物の傾斜方向や傾斜角等を制御することにより、所望の配向膜（所望の配向方向やプレティルト角）を得ることができ、これによって液晶分子の配向を規制することができる。しかも、この無機配向膜によれば、前述のラビング処理が有機配向膜とは異なって必要でないことから工程数等の削減が可能であるし、また、液晶分子を所定の配向状態に維持する力も有機配向膜に比べて強いという利点が得られる。この後者の性質によれば、無機配向膜の方が有機配向膜に比べて、プレティルト角を、より大きくとることができる。
【００７８】
しかしながら、このような無機配向膜を、図５に示したような段差ＳＴＰの生じた面の上に形成すると、図７に示すように、該段差ＳＴＰの高さや蒸着方向等の関係から、段差ＳＴＰの影となる部分ＳＤには、無機材料を十分に蒸着できず、当該部分ＳＤにおいて、配向膜欠陥が形成されるおそれが生じることになる。
【００７９】
しかるに、第１実施形態に係る電気光学装置においては、図６に示すように、遮光膜２３と配向膜２２とが、対向基板２０の表裏面それぞれに形成されることにより、配向膜２２は、遮光膜２３の存在しない面の上に形成されることになる。したがって、配向膜２２を斜方蒸着法によって形成する場合でも、被蒸着面には、遮光膜２３ないし該遮光膜２３に起因する段差等は生じていないから、図７に示したような影となる部分ＳＤにおける配向不良箇所が生じるおそれがない。
【００８０】
なお、配向膜２２を上述のような無機配向膜からなる構成とすることは、後述する第２実施形態以降の電気光学装置に対しても適用することが当然に可能である。そして、そのような電気光学装置によれば、上述した無機配向膜の利点を享受できることとなるのは言うまでもない。
【００８１】
（第２実施形態）
以下では、本発明の第２の実施形態について、図８を参照しながら説明する。ここに図８は、図５と同趣旨の図であって、対向基板２０に対向配置される基板がレンズ基板ではなくカバーガラスとされたものである。
【００８２】
なお、第２実施形態においては、電気光学装置の全体構成等については、前記第１実施形態と略同様である。したがって、以下では、第２実施形態において特徴的な部分についてのみ主に説明を加えることとし、残余の事項については、その説明を簡略化、或いは省略することとする。また、以下参照する図面においても、第１実施形態と実質的に同様な意義・作用を有する部材等については、同一の符号を用いて説明を行うこととする。以上の前提は、後述する第３実施形態以降についても当てはまる。
【００８３】
さて、第２実施形態では、上記第１実施形態とは異なり、液晶層５０に面しない側の対向基板２０の面、すなわち遮光膜２３が形成されている面に、カバーガラス４０１が配置されている。このカバーガラス４０１と対向基板２０との間には、第１実施形態と同様に接着剤Ｂが介在しており、両者を接着させている。
【００８４】
このように、カバーガラス４０１を設ける形態によれば、該カバーガラス４０１及び対向基板２０によって、これら全体の厚さＴＨ（図８参照）を稼ぐことができる。これにより、当該カバーガラス４０１及び対向基板２０の一体的な構造物は、より取り扱いが容易となり、したがって、該カバーガラス４０１及び対向基板２０を含む電気光学装置の製造をより容易に実現することができる。なお、このような作用効果は、上記の第１実施形態のように、レンズ基板５０１を設ける場合にも同様に享受できることとなる。
【００８５】
（第３実施形態）
以下では、本発明の第３の実施形態について、図９を参照しながら説明する。ここに図９は、図５と同趣旨の図であって、遮光膜の形成態様が異なるものものである。
【００８６】
第３実施形態では、上記第１実施形態とは異なり、対向基板２０上に遮光膜が形成されているのではなく、レンズ基板５０１上に遮光膜２３１が形成されている。
【００８７】
このような形態であっても、対向基板２０上の配向膜２２において、第３実施形態に係る遮光膜２３１に起因する段差は生じないことが、図９から明らかである。したがって、第３実施形態においても、上述したのと略同様な作用効果を享受することが可能である。
【００８８】
なお、第３実施形態に係るように、レンズ基板５０１上に遮光膜２３１を形成する場合においては、該レンズ基板５０１上に形成されたＭＬ形状５０３Ｐの間隙領域に対応するように、該遮光膜２３１を形成するようにすると好ましい。
【００８９】
（第４実施形態）
以下では、本発明の第４の実施形態について、図１０を参照しながら説明する。ここに図１０は、図８と同趣旨の図であって、遮光膜の形成態様が異なるものものである。
【００９０】
第４実施形態では、上記第２実施形態とは異なり、対向基板２０上に遮光膜が形成されているのではなく、カバーガラス４０１上に遮光膜２３２が形成されている。
【００９１】
このような形態であっても、対向基板２０上の配向膜２２において、第４実施形態に係る遮光膜２３２に起因する段差は生じないことが、図１０から明らかである。したがって、第４実施形態においても、上述したとの略同様な作用効果を享受することが可能である。
【００９２】
（製造方法）
以下では、上述した本発明の第１実施形態に係る電気光学装置の製造方法について、図１１及び図１２を参照しながら説明することとする。ここに図１１及び図１２は、第１実施形態に係る電気光学装置の製造方法を、その順を追って示す製造工程断面図である。
【００９３】
まず、図１１の工程（１）に示すように、ネオセラム等の透明材料からなるレンズ基板５０１上に、例えば、クロム又は金の少なくとも一方を含む合金膜、アモルファスシリコン膜、ポリシリコン膜及び窒化シリコン膜の少なくとも一つからなるレジスト膜２０２を形成する。これらの材料を用いてレジスト膜２０２を形成すれば、該レジスト膜２０２とレンズ基板５０１との密着性等が優れていることにより、該レジスト膜２０２を介するエッチング工程は、好適に実施されることになる。また、これにより、後述で説明する凹状部２０８の形状制御、すなわちマイクロレンズの外形形状制御等を正確に行うことができる。
【００９４】
次に、図１１の工程（２）に示すように、前記のレジスト膜２０２に、所定パターンの開口部２０２ａをフォトリソグラフィ法のパターニング処理により形成する。この所定パターンは、例えば一つ一つの開口部２０２ａが縦横に整列して配列されるマトリクス状（図４参照）などとすればよい。なお、第１実施形態では特に、この開口部２０２ａの径は、比較的小さめに形成しておくことが好ましい。より具体的には、該径は、すぐ後に述べる図１１の工程（３）において形成される凹状部２０８の開口径よりも小さいことが望ましい。
【００９５】
次に、図１１の工程（３）に示すように、レジスト膜２０２の開口部２０２ａからレンズ基板５０１の表面をエッチング処理し、凹状部２０８を形成する。このエッチング処理は、例えば、フッ酸を主体とするエッチング液を用いたウェットエッチングで行う。ここで、このウェットエッチングを採用することにより、レンズ基板５０１に対する侵食は等方的に進行することになる。したがって、この開口部２０２ａを通じたウェットエッチングによれば、前記凹状部２０８は、該開口部２０２ａの周囲に位置するレジスト膜２０２及びレンズ基板５０１間の界面を抉るようにしつつ、該開口部２０２ａ中心に同心の略半球状となるように形作られることになる。そして、このような形状は、レンズの形状としては好適であるから、第１実施形態によれば、当該マイクロレンズの外形形状を自然且つ容易に、そして好適に製造することができる。
【００９６】
また、第１実施形態では、図１１の工程（３）に示したように、開口部２０２ａの径が、凹状部２０８の開口径よりも小さくなるようにされていたから、該凹状部２０８の最底部において「平坦面」を形作るようなことがない。この点、もし開口部の径があまりにも大きいと、エッチャントが図中下方向（すなわち、底の部分）に重点的に作用してしまうことにより、凹状部２０８の底面部には平坦面が形作られてしまう。このような平坦面が形成されると、当該部位ではレンズ作用が見込めないから、マイクロレンズの集光特性等に悪影響を与える可能性が大きい。本実施形態では、このような不具合を有効に解消することができる。
【００９７】
次に、図１１の工程（４）に示すように、レジスト膜２０２をエッチング処理によって除去する。この段階において、レンズ基板５０１上には、凹状部２０８としてのＭＬ形状が形作られることとなる。
【００９８】
次に、図１２の工程（５）に示すように、レンズ基板５０１及び対向基板２０間の所定の隙間に、光硬化性又は熱硬化性の透明有機材料からなる接着剤Ｂを注入するとともに、これを凹状部２０８ないしＭＬ形状５０３Ｐの内部にも充填した後、この接着剤Ｂに対して光照射又は加熱を実施することで硬化させる。
【００９９】
ここで本実施形態においては特に、対向基板２０のレンズ基板５０１に対向する面の上に、格子状の遮光膜２３（図４参照）を予め形成しておく。この格子状の遮光膜２３は、具体的には例えば、対向基板２０の全面にスパッタリング法等により金属クロム等からなる前駆膜を形成した後、該前駆膜に対してフォトリソグラフィ及びエッチングを施すことによって形成することができる。なお、この遮光膜２３の形成、或いはレンズ基板５０１及び対向基板２０の貼合せは、図１２の工程（５）に示すように、該遮光膜２３の各格子が、レンズ基板５０１を平面視した場合における凹状部２０８ないしＭＬ形状５０３Ｐ間の間隙領域に概ね位置するように行われる。
【０１００】
後は、該対向基板２０におけるレンズ基板５０１に対向しない側の面の上に、図１２の工程（７）に示すように、ＩＴＯ等からなる対向電極２１、及び該対向電極２１上にポリイミド等からなる配向膜２２を形成することにより、第１実施形態に係るマイクロレンズアレイ５００は完成することになる。そして、配向膜２２が形成されたら、該配向膜２２に対するラビング処理を実施する。この際、該配向膜２２は、図１２の工程（７）に示すように、遮光膜２３に起因する段差等がなく、極めて良好な平坦性を有することから、当該ラビング処理は、極めて良好に実施することができる。
【０１０１】
なお、配向膜２２を無機配向膜から構成する場合においては、既に述べたように、該配向膜２２を、斜方蒸着法によって形成するようにしてもよい。この場合においては、該配向膜２２の概要は、図６に示したような構造となる（ただし上下反転している。）。
【０１０２】
さらには、図１２の工程（８）に示すように、このようにして製造されたマイクロレンズアレイ５００における対向基板２０に更に対向するように、予め走査線及びデータ線、並びにこれらの交差領域に薄膜トランジスタ及び画素電極９ａ等の形成がなされたＴＦＴアレイ基板１０を配置し、両基板２０及び１０をその周辺部においてシール材５２により接着すれば、電気光学装置が完成することになる（図１２の工程（８）においては、ＴＦＴアレイ基板１０を除き、画素電極９ａ、シール材５２等の図示は省略した。）。
【０１０３】
以上のような製造方法によれば、上述の第１実施形態に係る電気光学装置を好適に製造することができる。
【０１０４】
なお、上述の製造方法においては、マイクロレンズ５０３は、レンズ基板５０１にウェットエッチングを施すことでＭＬ形状５０３Ｐを形作られていたが、本発明は、マイクロレンズの形成方法、乃至マイクロレンズの形態それ自体に関し、このような形態にのみ限定されるものではない。
【０１０５】
例えば、第一には、図１３に示すマイクロレンズ５０５は、ＭＬ形状５０５Ｐがレンズ基板５０１上に形成された凸状部を含む構成となっている。このＭＬ形状５０５Ｐは、例えばレンズ基板５０１上に熱変形性を有するレジスト膜を形成した後、このレジスト膜にフォトリソグラフィ及びエッチングを実施して開口部を形成し、この開口部以外のレジスト膜を除去するとともに、残存したレジスト膜を加熱するなどして凸状に成形した後（この場合、該レジスト膜の表面張力により自動的に成形され得る。）、その凸状のレジスト膜と共にレンズ基板５０１をエッチングすること等によって形成することができる。これは、該凸状のレジスト膜の形状がレンズ基板５０１の表面に転写されるかの如きエッチングが進行するからである。
【０１０６】
後は、このようなＭＬ形状５０５Ｐを含むレンズ基板５０１に対して、対向基板２０を対向させるとともに、両基板５０１及び２０間に接着剤Ｂを介在させることにより、図１３に示すような凹レンズとなるマイクロレンズ５０５を形成することができる。
【０１０７】
また、第二には、図１４に示すマイクロレンズ５０７は、ＭＬ形状５０７Ｐがレンズ基板５０１に光硬化性樹脂を硬化させた凸状部からなる構成となっている。このＭＬ形状５０７Ｐは、例えばレンズ基板５０１上に光硬化性樹脂を塗布した後、これを別途に用意した、凹状部が形成されてなる型枠に埋め込むことなどによって形成することができる。
【０１０８】
後は、このようなＭＬ形状５０７Ｐを含むレンズ基板５０１に対して、対向基板２０を対向させるとともに、両基板５０１及び２０間に接着剤Ｂを介在させることにより、図１４に示すような凹レンズとなるマイクロレンズ５０７を形成することができる。
【０１０９】
なお、この構成によれば、前記型枠に凸状部を形成しておけば、光硬化性樹脂には凹状部が転写されることになるから、凸レンズとなるマイクロレンズを形成することもできる。
【０１１０】
本発明においては、以上のような製造方法、或いは該製造方法によって製造されたマイクロレンズ５０５又は５０７を採用してよい。
【０１１１】
（電気光学装置の実施形態）
以下では、上記第１実施形態においては触れることができなかった該電気光学装置の構成及び作用等について、図１５を参照しながら説明する。ここに図１５は、本実施形態に係る電気光学装置及びこれに装着されたマイクロレンズアレイの概要構成を示す斜視図である。
【０１１２】
図１５において、電気光学装置は、マトリクス状に配列された画素電極９ａ、該画素電極９ａに接続されたＴＦＴ３０、該ＴＦＴ３０に接続された走査線３ａ及びデータ線６ａ等が形成されたＴＦＴアレイ基板１０を備えている。なお、画素電極９ａ及びＴＦＴ３０は、走査線３ａ及びデータ線６ａの交差領域に対向するように形成されている。
【０１１３】
より具体的に、図１５に係る電気光学装置では、ＴＦＴアレイ基板１０上に、第１乃至第３の層間絶縁膜４１、４２及び４３を備えることにより、前記の画素電極９ａ、ＴＦＴ３０、走査線３ａ及びデータ線６ａは積層構造をなして構築されている。まず第一に、ＴＦＴアレイ基板１０上には、ＴＦＴ３０の半導体層１ａが形成されており、該半導体層１ａのチャネル領域に対向する部分には、例えば導電性のポリシリコン等からなる走査線３ａが形成されている。この走査線３ａは、ＴＦＴ３０におけるゲート電極として機能する。第二に、走査線３ａ上には、第１層間絶縁膜４１を挟んで保持容量７０が形成されている。なお、この保持容量７０は、下部電極、誘電体膜及び上部電極の三層構造のコンデンサとして形成されているが、図１５において該構造は図示されない。また、この保持容量７０の上部電極及び下部電極の少なくとも一方は、例えばコンタクトホール等によってＴＦＴ３０のドレイン領域と電気的に接続されているが、図１５ではその点についても図示されない。第三に、保持容量７０上には、第２層間絶縁膜４２を挟んで適当な金属材料からなるデータ線６ａが形成されている。このデータ線６ａは、コンタクトホールＣ１を介してＴＦＴ３０のソース領域と電気的に接続されている。以上のように、走査線３ａ及びデータ線６ａは互いに異なる層として形成されているものの、走査線３ａは図中横方向、データ線６ａは図中上下（奥行き）方向に形成されることにより、両者は全体的に格子状を形作ることになる。第四に、データ線６ａ上には、第３層間絶縁膜４３を介して例えばＩＴＯ（インディウム・ティン・オキサイド）等の画素電極９ａがマトリクス状に配列されるように形成されている。この画素電極９ａは、コンタクトホールＣ２を介して前述の保持容量７０と電気的に接続されている。これにより、ＴＦＴ３０及び画素電極９ａは、保持容量を構成する一方の電極を介して電気的に接続されることになる。また、該保持容量７０が画素電極に９ａに接続されていることにより、該画素電極９ａの電位保持特性を格段に向上することが可能となり、画像のコントラストを向上させることが可能となる。
【０１１４】
以上のような構成の他、前記ＴＦＴアレイ基板１０上には、走査線３ａに接続される走査線駆動回路（図１参照）が設けられ、データ線６ａに接続されるデータ線駆動回路（図１参照）が設けられる。走査線駆動回路は、走査線３ａに対して、例えば線順次に走査信号を供給し、データ線駆動回路は、データ線６ａに対して前記走査信号の供給タイミング等を計った上で、所定のタイミングで画像信号を供給する。
【０１１５】
他方、この電気光学装置には、ＴＦＴアレイ基板１０に対向配置されその全面に例えばＩＴＯ等の透明導電性材料からなる対向電極２１が形成された対向基板２０が備えられている。そして、図１５においては特に、この対向基板２０が、前述の第１実施形態で説明したレンズ基板５０１に対向配置される基板として兼用されている。
【０１１６】
以上のような構成となるＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０間には、電気光学物質の一例たる液晶層５０が挟持されている。この液晶層５０は、例えば、ＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ  Ｎｅｍａｔｉｃ）型の液晶等からなる。
【０１１７】
このような電気光学装置においては、走査線３ａを通じた走査信号の供給により、ＴＦＴ３０のＯＮ・ＯＦＦを制御するとともに、該ＴＦＴ３０がＯＮとされている状態において、データ線６ａを通じて供給されてくる画像信号を画素電極９ａに印加することが可能である（アクティブマトリクス駆動）。このように画像信号が画素電極９ａに印加されると、当該画像信号に対応した所定の電位差が、該画素電極９ａと対向電極２１間に生じる（つまり、画素毎に所定の電位差が生じる）こととなり、これによって、前記液晶層５０中の液晶の配向状態の変化、それに起因する光透過率の変化が生じることとなるので、画像を表示することが可能となる。ここで、液晶に対する光の入射は、例えば、当該電気光学装置の内部に設けられた光源や、当該電気光学装置の外部に存在する蛍光灯等の光源等を考えることができる。なお、本実施形態においては、画素電極９ａ及び対向電極２１のいずれも、透明導電性材料からなるから、いわゆる「透過型」として使用可能である。図に即して言えば、例えば、図中上側に図示しない内部光源を設置することにより、該上側から図中下側に抜けるように光を進行させることが可能である。
【０１１８】
そして、本実施形態に係る電気光学装置では特に、上述のように、対向基板２０を兼ねるマイクロレンズアレイが備えられている。そして、このマイクロレンズアレイでは、その構成要素たる対向基板２０において、図中上面に遮光膜２３が、図中下面に対向電極２１がそれぞれ形成されている。このマイクロレンズアレイによれば、図１５に示すように、入射光を集光することによって、光の利用効率をより高めることが可能となる。このように、本実施形態によれば、光の利用効率が増し、より明るい画像の表示等が可能となる。なお、図においては、マイクロレンズ５０３により集光光の焦点Ｆは、ＴＦＴアレイ基板１０よりも図中下よりとされている。
【０１１９】
また、図１５では、前記の対向電極２１上に配向膜２２が形成されている。したがって、配向膜２２には、遮光膜２３に起因する段差が生じることはなく、その面の平坦性が極めて良好に維持されていることがわかる。したがって、本実施形態に係る電気光学装置においては、配向膜２２における配向不良箇所等が生じることはなく、液晶分子の配向状態に乱れを与えるということがない。
【０１２０】
なお、上述においては、画素スイッチング用素子としてＴＦＴが用いられたアクティブ・マトリクス駆動可能な電気光学装置が例示されていたが、本発明は、このような形態に限定されるものではない。例えば、画素スイッチング用素子としてＴＦＤを用いる電気光学装置や、また場合により、パッシブ・マトリクス駆動可能な電気光学装置に対しても、本発明は適用可能である。更に言えば、本発明に係る基板装置の一例としてのマイクロレンズアレイは、ＣＣＤ装置等に対しても適用することが可能である。
【０１２１】
（電子機器）
次に、以上詳細に説明した電気光学装置をライトバルブとして用いた電子機器の一例たる投射型カラー表示装置の実施形態について、その全体構成、特に光学的な構成について説明する。ここに、図１６は、投射型カラー表示装置の図式的断面図である。
【０１２２】
図１６において、本実施形態における投射型カラー表示装置の一例たる液晶プロジェクタ１１００は、駆動回路がＴＦＴアレイ基板上に搭載された液晶装置を含む液晶モジュールを３個用意し、それぞれＲＧＢ用のライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂとして用いたプロジェクタとして構成されている。液晶プロジェクタ１１００では、メタルハライドランプ等の白色光源のランプユニット１１０２から投射光が発せられると、３枚のミラー１１０６及び２枚のダイクロックミラー１１０８によって、ＲＧＢの三原色に対応する光成分Ｒ、Ｇ及びＢに分けられ、各色に対応するライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂにそれぞれ導かれる。この際特に、Ｂ光は、長い光路による光損失を防ぐために、入射レンズ１１２２、リレーレンズ１１２３及び出射レンズ１１２４からなるリレーレンズ系１１２１を介して導かれる。そして、ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂによりそれぞれ変調された三原色に対応する光成分は、ダイクロックプリズム１１１２により再度合成された後、投射レンズ１１１４を介してスクリーン１１２０にカラー画像として投射される。
【０１２３】
本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨、あるいは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う電気光学装置及びその製造方法並びに電子機器もまた、本発明の技術的範囲に含まれるものである。
【０１２４】
また、本発明は、ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）装置、或いは電子ペーパ等の電気泳動装置にも適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態の電気光学装置におけるＴＦＴアレイ基板を、その上に形成された各構成要素とともに対向基板の側から見た平面図である。
【図２】図１のＨ−Ｈ´断面図である。
【図３】図２において符号ＣＲを付した円内部分の拡大図である。
【図４】レンズ基板の平面図である。
【図５】従来の対向基板上の構成を示す断面図である。
【図６】配向膜が斜方蒸着法によって形成された無機配向膜からなる場合における当該配向膜の構造を示す断面図である。
【図７】図６に示す配向膜を段差のある面上に形成した場合における当該配向膜の構造を示す断面図である。
【図８】図４と同趣旨の図であって、対向基板２０に対向配置される基板がレンズ基板ではなくカバーガラスとされたものである。
【図９】図４と同趣旨の図であって、遮光膜の形成態様が異なるものものである。
【図１０】図８と同趣旨の図であって、遮光膜の形成態様が異なるものものである。
【図１１】本発明の第１実施形態に係る電気光学装置の製造方法を、その順を追って示す製造工程断面図（その１）である。
【図１２】本発明の第１実施形態に係る電気光学装置の製造方法を、その順を追って示す製造工程断面図（その２）である。
【図１３】図４と同趣旨の図であって、図３に示したマイクロレンズとは異なる形態となるマイクロレンズの態様を示すものである。
【図１４】図４と同趣旨の図であって、図３及び図１３に示したマイクロレンズとは異なる形態となるマイクロレンズの態様を示すものである。
【図１５】本発明の第１実施形態に係る電気光学装置及びこれに装着されたマイクロレンズアレイの概略構成を示す斜視図である。
【図１６】本発明の電子機器の実施形態である投射型カラー表示装置の一例たるカラー液晶プロジェクタを示す図式的断面図である。
【符号の説明】
５００…マイクロレンズアレイ
５０１…レンズ基板
５０３…マイクロレンズ
５０３Ｐ…マイクロレンズの外形形状（ＭＬ形状）
２０…対向基板
２２…配向膜
２３、２３１、２３２…遮光膜
Ｂ…接着剤
１０…ＴＦＴアレイ基板
３ａ…走査線
６ａ…データ線
９ａ…画素電極
３０…ＴＦＴ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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