(57)【要約】【課題】スパッタモードのドライエッチングによりパターンを形成する必要がある光学素子を、精度良く製造する方法を提供する。【解決手段】蛍石からなる基板１の上にクロム膜２を成膜する（ａ）。次に、クロム膜２の上に、レジスト３を成膜し、レジスト３をパターニングする（ｂ）。続いて、露出したクロム膜層２を電極として、電鋳によりニッケル層４を形成する（ｃ）。次に、ニッケル層４を保護層としてレジスト３を溶解除去した後、露出したクロム膜層２をドライエッチングにより除去して、基板１表面を露出させる（ｄ）。続いて、ニッケル層４を保護層として、スパッタリングモードのドライエッチングにより、基板１をエッチングする（ｅ）。次に、ニッケル層４を溶解し、別の溶解液を使用して残ったクロム層膜を溶解すると、目的とする、表面に所定のパターンが形成された蛍石の基板１が完成する（ｆ）。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の表面にパターンを有するマスク層を成膜し、その後、前記マスク層を保護層として、前記基板をスパッタモードによりドライエッチングし、さらに前記マスク層のパターンに基づき所定のパターンを前記基板に形成して光学素子を製造する方法であって、前記マスク層として金属層を使用することを特徴とする光学素子の製造方法。
【請求項２】
基板の表面に金属層を成膜し、前記金属層の上にレジスト層を成膜した後、フォトリソグラフィプロセスにより前記レジスト層のパターニングを行って、所定パターン領域において前記金属層を露出させ、露出した前記金属層を電極として、電鋳により金属によるマスク層を形成し、その後、前記レジスト層と、前記レジスト層の下にある前記金属層を除去し、続いて、当該金属によるマスク層を保護層として前記基板をドライエッチングし、さらに前記金属によるマスク層を除去することにより前記基板に所定のパターンが形成された光学素子を製造することを特徴とする光学素子の製造方法。
【請求項３】
基板の表面に金属層を成膜し、前記金属層の上にレジスト層を成膜した後、フォトリソグラフィプロセスにより前記レジスト層のパターニングを行って、所定パターン領域において前記金属層を露出させ、露出した前記金属層表面に、無電解メッキにより金属によるマスク層を形成し、その後、前記レジスト層と、前記レジスト層の下にある前記金属層を除去し、続いて、前記金属によるマスク層を保護層として前記基板をドライエッチングし、さらに前記金属によるマスク層を除去することにより前記基板に所定のパターンが形成された光学素子を製造することを特徴とする光学素子の製造方法。
【請求項４】
請求項１から請求項３のうちいずれか１項に記載の光学素子の製造方法であって、前記基板が蛍石であることを特徴とする光学素子の製造方法。
【請求項５】
請求項１から請求項３のうちいずれか１項に記載の光学素子の製造方法であって、前記マスク層を構成する金属がニッケルであることを特徴とする光学素子の製造方法。
【請求項６】
請求項１から請求項５のうちいずれか１項に記載の光学素子の製造方法により製造された光学素子。
【請求項７】
請求項６に記載の光学素子を照明光学系の光学素子として用いていることを特徴とする露光装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、表面に所定のパターンが形成された光学素子の製造方法、この製造方法により製造された光学素子、及びこの光学素子を使用した露光装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
シリコン等のウエハ上に集積回路等の微細パターンを露光・転写する露光工程においては、ステッパと呼ばれる露光装置が用いられる。このステッパの光学系は、光源からの光によりパターンが描かれたレチクル上を均一に照明する照明光学系と、レチクル上に形成された集積回路パターンを、例えば１／５に縮小してウエハ上に投影して転写する投影光学系とで構成されている。
【０００３】
露光装置により露光転写が可能なパターン線幅は、周知のように投影光学系のＮＡに比例し、露光転写に使用される光の波長に逆比例する。よって、パターンの微細化に伴って、露光装置に使用される光の波長は短くなっており、最近では、ｇ線（４３６ｎｍ）からｉ線（３６５ｎｍ）、さらにはＫｒＦ（２４８ｎｍ）やＡｒＦ（１９３ｎｍ）エキシマレーザへと短波長化が進められている。ＶＬＳＩの中でＤＲＡＭを例に挙げれば、ＬＳＩからＶＬＳＩへ展開されて、容量が増大して行くにつれ、より微細な最小加工線幅が露光可能な紫外線露光装置が要求されており、それに伴い、現在ではＦ２レーザ（１５７ｎｍ）を光源とする露光装置の開発が盛んである。
【０００４】
このような、エキシマレーザ光源を使用する露光装置における光学素子として、蛍石が用いられる。このような蛍石製光学素子として、例えば回折格子のように表面に所定の微細パターンを有するものが必要とされる。このような光学素子の表面に所定の微細なパターン加工する方法としては、一般にドライエッチングが使用される。
【０００５】
光学素子として多用されている石英の場合には、ドライエッチングとして化学エッチングモードが使用できる。すなわち、表面にレジスト層を形成してフォトリソグラフィプロセスによりパターニングし、残ったレジストを保護層として、フッ素系化合物を含有するガスにより石英をエッチングする。その後、レジストを除去することにより、表面に所定のパターンを有する石英製光学素子を製造することができる。
【０００６】
しかしながら、蛍石を光学素子とする場合には、このような化学エッチングモードによるエッチングを行うことができない。その理由は、蛍石は化学的に非常に安定な物質であるため、化学エッチングモードを発現するエッチングガスが無いからである。
【０００７】
そのため、蛍石の表面に微細パターンを形成する場合には、レジストを保護層としてスパッタモードのドライエッチングを使用する方法が行われており、例えば特開２００１−１０００１７号公報に記載されている。
【０００８】
【特許文献１】特開２００１−１０００１７号公報
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、レジストを保護層としてスパッタモードのドライエッチングに蛍石の表面にパターンを形成する方法では、実際には微細パターンを精度良く形成することは困難である。その理由は、スパッタモードのドライエッチングに対するレジストの耐性が低いためである。よって、回折格子のように微細なパターンを有する光学素子を蛍石で形成することは実際には困難であるという問題があった。
【００１０】
本発明はこのような事情に鑑みてなされたもので、表面に所定のパターンが形成された蛍石等、スパッタモードのドライエッチングによりパターンを形成する必要がある光学素子を、精度良く製造する方法、この製造方法により製造された光学素子、及びこの光学素子を使用した露光装置を提供することを課題とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
前記課題を解決するための第１の手段は、基板の表面にパターンを有するマスク層を成膜し、その後、前記マスク層を保護層として、前記基板をスパッタモードによりドライエッチングし、さらに前記マスク層のパターンに基づき所定のパターンを前記基板に形成して光学素子を製造する方法であって、前記マスク層として金属層を使用することを特徴とする光学素子の製造方法（請求項１）である。
【００１２】
本手段においては、基板をスパッタモードによりエッチングする場合に、マスク層（保護層）としてレジストではなく、金属層を使用している。金属層は、基板をスパッタモードによりエッチングするときに使用される物質に対して耐性が高いので、基板が蛍石のようにエッチングされにくいものであっても、十分にマスクとしての役割を果たすことができる。
【００１３】
前記課題を解決するための第２の手段は、基板の表面に金属層を成膜し、前記金属層の上にレジスト層を成膜した後、フォトリソグラフィプロセスにより前記レジスト層のパターニングを行って、所定パターン領域において前記金属層を露出させ、露出した前記金属層を電極として、電鋳により金属によるマスク層を形成し、その後、前記レジスト層と、前記レジスト層の下にある前記金属層を除去し、続いて、当該金属によるマスク層を保護層として前記基板をドライエッチングし、さらに前記金属によるマスク層を除去することにより前記基板に所定のパターンが形成された光学素子を製造することを特徴とする光学素子の製造方法（請求項２）である。
【００１４】
本手段においてはマスク層を構成する金属層を電鋳により形成しているので、効率良く必要な厚さを有する金属層を形成することができる。なお、基板の表面に成膜される金属は電極としての役割を果たせば良いので極薄いものであればよく、１層の金属で十分であるが、異なる金属を２層以上に成膜するようなものも、本手段の中に含まれる。
【００１５】
なお、レジスト層とその下にある金属層を除去する工程と、金属によるマスク層を保護層として前記基板をドライエッチングする工程は、レジスト層とその下にある金属層を除去する工程がドライエッチングによる工程である場合には、一連の工程として同時に行われることもある。「続いて」とは、レジスト層とその下にある金属層が除去された後で、基板がエッチングされることを意味し、必ずしも、レジスト層とその下にある金属層を除去する工程が終了した後で、金属によるマスク層を保護層として前記基板をドライエッチングする工程が開始されることを意味しない。このことは、後記第３の手段でも同じである。
【００１６】
前記課題を解決するための第３の手段は、基板の表面に金属層を成膜し、前記金属層の上にレジスト層を成膜した後、フォトリソグラフィプロセスにより前記レジスト層のパターニングを行って、所定パターン領域において前記金属層を露出させ、露出した前記金属層表面に、無電解メッキにより金属によるマスク層を形成し、その後、前記レジスト層と、前記レジスト層の下にある前記金属層を除去し、続いて、前記金属によるマスク層を保護層として前記基板をドライエッチングし、さらに前記金属によるマスク層を除去することにより前記基板に所定のパターンが形成された光学素子を製造することを特徴とする光学素子の製造方法（請求項３）である。
【００１７】
本手段は、基本的に前記第１の手段と同じものであるが、マスク層を構成する金属が無電解メッキで形成されることが異なっている。従って、基板の表面に成膜される金属層の表面にある金属は、メッキされる金属に対してイオン化傾向が「卑」なものである必要がある。この基板の表面に成膜される金属層は１層でも良いが、表面となる「卑」の金属が基板に成膜されにくいものであれば、別の金属を基板に直接成膜し、その上に「卑」な金属を成膜するようにしてもよい。
【００１８】
前記課題を解決するための第４の手段は、前記第１の手段から第３の手段のいずれかであって、前記基板が蛍石であることを特徴とするもの（請求項４）である。
【００１９】
前述のように、蛍石は、エキシマレーザ光用の光学素子として使用され、かつ、スパッタモードのエッチングを用いて加工される。よって、前記第１の手段から第３の手段のいずれかを適用することが特に有効である。
【００２０】
前記課題を解決するための第５の手段は、前記第１の手段から第４の手段のいずれかであって、前記マスク層を構成する金属がニッケルであることを特徴とするもの（請求項５）である。
【００２１】
ニッケルは、スパッタモードのエッチングに使用されるガス、例えばアルゴンに対して耐性が高い。よって、それ自身がエッチングされる量が小さいので、他の金属に比して薄い膜厚でマスクとしての役割を果たすことができる。
【００２２】
前記課題を解決するための第６の手段は、前記第１の手段から第５の手段のいずれかよって製造された光学素子（請求項６）である。
【００２３】
本手段においては、蛍石等スパッタモードでドライエッチングする必要がある材料でも、精度良くパターンが形成された光学素子とすることができる。
【００２４】
前記課題を解決するための第７の手段は、前記第６の手段である光学素子を照明光学系の光学素子として用いていることを特徴とする露光装置（請求項７）である。
【００２５】
本手段においては、蛍石等エキシマレーザ光源の波長を透過する材料で精密な光学素子を製造することができるので、エキシマレーザ光源を使用する露光装置において、所望の照明特性を得ることができる。
【００２６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態の例について、図を用いて説明する。図１は、本発明の第１の実施の形態である蛍石製光学素子の製造方法の概要を示した図である。
【００２７】
まず、蛍石からなる基板１の上にクロム膜２を成膜する。成膜方法は、スパッタリング、真空蒸着等の任意の公知の方法を採用することができる（ａ）。次に、クロム膜２の上に、レジスト３を成膜し、フォトリソグラフィプロセスにより所定のパターンの露光を行い、その後レジスト３を現像することにより、レジスト３をパターニングする（ｂ）。
【００２８】
続いて、レジスト３のパターニングにより露出したクロム膜層２を電極として、電鋳によりニッケル層４を形成する（ｃ）。次に、ニッケル層４を保護層としてレジスト３を溶解除去した後、露出したクロム膜層２をドライエッチングにより除去して、基板１表面を露出させる（ｄ）。
【００２９】
続いて、ニッケル層４を保護層として、スパッタリングモードのドライエッチングにより、基板１をエッチングする（ｅ）。次に、ニッケル層４を溶解し、別の溶解液を使用して残ったクロム層膜を溶解すると、目的とする、表面に所定のパターンが形成された蛍石の基板１が完成する（ｆ）。
【００３０】
ドライエッチングの保護層としてニッケルを使用するのは、エッチングガスに対して耐性が良いためである。銅やクロム等の金属も使用可能であるが、これらの金属は、蛍石の１０倍程度エッチングされるので、それだけメッキの厚さを厚くしなければならない。これに対し、ニッケルは蛍石の２倍程度しかエッチングされないので、メッキ厚が薄くて済む。
【００３１】
図２は、本発明の第２の実施の形態である蛍石製光学素子の製造方法の概要を示した図である。
まず、蛍石からなる基板１の上にクロム膜２を成膜する。成膜方法は、スパッタリング、真空蒸着等の任意の公知の方法を採用することができる。そして、その上に、パラジウム膜５を成膜する。成膜方法は、スパッタリング、真空蒸着、等の任意の公知の方法を採用することができる。（ａ）。次に、パラジウム膜５の上に、レジスト３を成膜し、フォトリソグラフィプロセスにより所定のパターンの露光を行い、その後レジスト３を現像することにより、レジスト３をパターニングする（ｂ）。
【００３２】
続いて、レジスト３のパターニングにより露出したパラジウム膜５上に、レジスト３を保護層として無電解メッキによりニッケル層４を形成する（ｃ）。パラジウムはニッケルに対して「卑」な金属であるので、その上にニッケルを無電解メッキするのに都合の良い金属である。続いて全体に対してスパッタモードのドライエッチングを行い、レジスト３と共に、ニッケル層４に覆われていない、パラジウム膜５、クロム膜２を除去し、基板１表面を露出させる（ｄ）。このドライエッチングに用いるガスをアルゴンとすれば、全体を共通のガスで除去できるが、レジストを酸素、パラジウムをアルゴン、クロムをアルゴン、酸素、塩素の混合ガスで、それぞれエッチングするようにしてもよい。
【００３３】
なお、この工程中にニッケル層４が食刻されていてもよい。ニッケル層４は、その膜厚を十分厚くすることが良く、この工程中でニッケル層４が食刻されていていても影響が出ないようにすることができる。
【００３４】
続いて、ニッケル層４を保護層として、スパッタモードのドライエッチングにより、基板１をエッチングする（ｅ）。実際には、アルゴンガスを用いる場合には、（ｄ）の工程と（ｅ）の工程は、一連の工程として行われる。次に、ニッケル層４を溶解し、別の溶解液を使用して残ったクロム層２を溶解すると、パラジウム層５も剥離し、目的とする、表面に所定のパターンが形成された蛍石の基板１が完成する。
【００３５】
なお、以上の説明において、レジストとクロム膜を除去するのに、第１の実施の形態では化学的な方法を使用し、第２の実施の形態ではスパッタモードのドライエッチンを使用しているが、いずれの実施の形態においても、どちらの方法を使用してもよい。又、レジストの下に形成されている金属膜を除去するのに化学的な方法を用いてもよいが、この場合は、ニッケル層の下にある同じ金属膜が浸食される恐れがあるので、スパッタモードのドライエッチングを使用することが好ましい。
【００３６】
図３に、本発明の実施の形態である露光装置の光学系の概要を示す。図３において、レジストが塗布されたウエハＷの法線方向に沿ってＺ軸を、ウエハ面内において図３の紙面に平行な方向にＹ軸を、ウエハ面内において図３の紙面に垂直な方向にＸ軸をそれぞれ設定している。なお、図３では、照明光学装置が輪帯照明を行うように設定されている。
【００３７】
図３の露光装置は、露光光（照明光）を供給するための光源１１として、たとえば２４８ｎｍの波長の光を供給するＫｒＦエキシマレーザー光源または１９３ｎｍの波長の光を供給するＡｒＦエキシマレーザー光源を備えている。光源１１からＺ方向に沿って射出されたほぼ平行な光束は、Ｘ方向に沿って細長く延びた矩形状の断面を有し、一対のレンズ１２ａおよび１２ｂからなるビームエキスパンダー１２に入射し、所定の矩形状の断面を有する光束に整形される。
【００３８】
整形光学系としてのビームエキスパンダー１２を介したほぼ平行な光束は、折り曲げミラー１３でＹ方向に偏向された後、回折光学素子１４を介して、アフォーカルズームレンズ１５に入射する。一般に、回折光学素子は、ガラス基板に露光光（照明光）の波長程度のピッチを有する段差を形成することによって構成され、入射ビームを所望の角度に回折する作用を有する。具体的には、回折光学素子１４は、矩形状の断面を有する平行光束が入射した場合に、そのファーフィールド（またはフラウンホーファー回折領域）に円形状の光強度分布を形成する機能を有する。したがって、回折光学素子１４を介した光束は、アフォーカルズームレンズ１５の瞳位置に円形状の光強度分布、すなわち円形状の断面を有する光束を形成する。
【００３９】
アフォーカルズームレンズ１５は、アフォーカル系（無焦点光学系）を維持しながら所定の範囲で倍率を連続的に変化させることができるように構成されている。アフォーカルズームレンズ１５を介した光束は、輪帯照明用の回折光学素子１６に入射する。アフォーカルズームレンズ１５は、回折光学素子１４の発散原点と回折光学素子１６の回折面とを光学的にほぼ共役に結んでいる。そして、回折光学素子１６の回折面またはその近傍の面の一点に集光する光束の開口数は、アフォーカルズームレンズ１５の倍率に依存して変化する。
【００４０】
輪帯照明用の回折光学素子１６は、平行光束が入射した場合に、そのファーフィールドにリング状の光強度分布を形成する機能を有する。
回折光学素子１６を介した光束は、ズームレンズ１７に入射する。ズームレンズ１７の後側焦点面の近傍には、光源側から順に第１フライアイ部材１８ａと第２フライアイ部材１８ｂとからなるマイクロフライアイレンズ（またはフライアイレンズ）１８の入射面（すなわち第１フライアイ部材１８ａの入射面）が位置決めされている。なお、マイクロフライアイレンズ１８は入射光束に基づいて多数光源を形成するオプティカルインテグレータとして機能する。
【００４１】
上述したように、回折光学素子１４を介してアフォーカルズームレンズ１５の瞳位置に形成される円形状の光強度分布からの光束は、アフォーカルズームレンズ１５から射出された後、様々な角度成分を有する光束となって回折光学素子１６に入射する。すなわち、回折光学素子１６は、角度光束形成作用を有するオプティカルインテグレータを構成している。一方、回折光学素子１６は、平行光束が入射した場合に、そのファーフィールドにリング状の光強度分布を形成する機能を有する。したがって、回折光学素子１６を介した光束は、ズームレンズ１７の後側焦点面に（ひいてはマイクロフライアイレンズ１８の入射面に）、たとえば光軸ＡＸを中心とした輪帯状の照野を形成する。
【００４２】
マイクロフライアイレンズ１８の入射面に形成される輪帯状の照野の外径は、ズームレンズ１７の焦点距離に依存して変化する。このように、ズームレンズ１７は、回折光学素子１６とマイクロフライアイレンズ１８の入射面とを実質的にフーリエ変換の関係に結んでいる。マイクロフライアイレンズ１８に入射した光束は二次元的に分割され、マイクロフライアイレンズ１８の後側焦点面にはマイクロフライアイレンズ１８への入射光束によって形成される照野と同じ輪帯状の多数光源（以下、「二次光源」という）が形成される。
【００４３】
マイクロフライアイレンズ１８の後側焦点面に形成された輪帯状の二次光源からの光束は、コンデンサー光学系１９の集光作用を受けた後、所定のパターンが形成されたマスクＭを重畳的に照明する。マスクＭのパターンを透過した光束は、投影光学系ＰＬを介して、レジストが塗布されたウエハＷ上にマスクパターンの像を形成する。こうして、投影光学系ＰＬの光軸ＡＸと直交する平面（ＸＹ平面）内においてウエハＷを二次元的に駆動制御しながら一括露光またはスキャン露光を行うことにより、ウエハＷの各露光領域にはマスクＭのパターンが逐次露光される。
【００４４】
このように本実施の形態にかかる露光装置においては、ファーフィールドにリング状の光強度分布を形成する手段として、回折格子１６を使用している。この回折格子は、蛍石の表面にグレーティングパターンを加工したものが使用され、この回折格子は、前述のような本発明に係る光学素子の製造方法によって製造されている。それ故、蛍石のような材料を使用する場合でも、グレーティングパターンを正確に形成することができ、所望の照明パターンを得ることができる。
【００４５】
【実施例】
（実施例１）
図１に示すようなプロセスにより、表面にパターンを有する蛍石製光学素子を製造した。まず、直径５０ｍｍの蛍石基板に、スパッタリングにより、膜厚約５０ｎｍのクロム膜成膜した。このクロム膜の上にレジストを塗布し、ステッパを用いて１μｍピッチのＬ＆Ｓを有するレジスト製立体パターンを形成した。そして、蛍石基板上のクロムを電極として電気メッキを行い、メッキ厚約２μｍの櫛歯状ニッケル層を形成した。
【００４６】
続いて、レジストを水酸化ナトリウム水溶液で剥離した後、ＲＩＥドライエッチング装置で塩素と酸素を成分としたガスによりクロムをエッチングし、蛍石面を露出させた。
【００４７】
これをＲＩＥドライエッチング装置にいれ、アルゴンガスをエッチングガスとして蛍石のエッチングを行った。エッチング条件は、真空度１パスカル、ＲＦパワー５００Ｗ、エッチング時間２時間である。
【００４８】
その後、エッチング後硝酸でニッケルマスクを溶かし、さらに、硝酸第二セリュームアンモニュームと過塩素酸を成分とする水溶液でクロムを除去した。出来上がった蛍石製光学素子における立体パターンのパターン形状、表面粗さは、満足すべきものであった。
【００４９】
（実施例２）
図２に示すようなプロセスにより、表面にパターンを有する蛍石製光学素子を製造した。まず、直径５０ｍｍの蛍石基板に、スパッタリングにより、膜厚約５０ｎｍのクロム膜成膜した。このクロム膜の上に、さらにスパッタリングにより、膜厚約５０ｎｍのパラジウム膜を成膜した。そして、その上にレジストを塗布し、ステッパを用いて１μｍピッチのＬ＆Ｓを有するレジスト製立体パターンを形成した。そして、パラジウム膜上に無電解メッキを行い、メッキ厚約２μｍの棚歯状ニッケル膜を形成した。
【００５０】
これをＩＣＰドライエッチング装置にいれ、アルゴンガスが主成分のエッチングガスでレジストと、その下にあるパラジウム、クロムをエッチングにより除去し、引き続き蛍石のエッチングを行った。エッチング条件は、真空度０．５パスカル、ＲＦパワー３００Ｗ、ＩＰＣパワー１００Ｗ、エッチング時間１時間であった。
【００５１】
その後、硝酸第二セリュームアンモニュームと過塩素酸を成分とする水溶液でクロムを溶かし、パラジウムとニッケルを蛍石から分離させた。出来上がった螢石製光学素子における立体パターンのパターン形状、表面粗さは、満足すべきものであった。
【００５２】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、表面に所定のパターンが形成された蛍石等、スパッタモードのドライエッチングによりパターンを形成する必要がある光学素子を、精度良く製造する方法、この製造方法により製造された光学素子、及びこの光学素子を使用した露光装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態である蛍石製光学素子の製造方法の概要を示した図である。
【図２】本発明の第２の実施の形態である蛍石製光学素子の製造方法の概要を示した図である。
【図３】本発明の実施の形態である露光装置の光学系の概要を示す図である。
【符号の説明】
１…基板、２…クロム膜（層）、３…レジスト、４…ニッケル層、５…パラジウム膜（層）、１１…光源、１２…ビームエキスパンダー、１２ａ、１２ｂ…レンズ、１３…折り曲げミラー、１４…回折光学素子、１５…アフォーカルズームレンズ、１６…回折光学素子、１７…ズームレンズ、１８…マイクロフライアイレンズ、１８ａ…第１フライアイ部材、１８ｂ…第２フライアイ部材、１９…コンデンサー光学系、Ｍ…マスク、ＰＬ…投影光学系、Ｗ…ウエハ
【図１】
2004341369.tif 000003
【図２】
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【図３】
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