(57)【要約】　　　（修正有）【課題】バーンイン容易化回路を内部に搭載した半導体装置における入力端子の数を削減できるようにする。【解決手段】被試験半導体装置は、バーンイン容易化回路を含む内部回路８を搭載し、バーンイン容易化回路を動作させるための動作信号６が外部から入力される入力端子２と、動作信号の周波数を検知することによってバーンイン時か否かを判断する周波数検知回路４とを具備する。このような構成であると、バーンイン時と製品使用時とで動作信号の周波数が異なることを利用して、その周波数を周波数検知回路４によって検知し、それにもとづきバーンインモード設定信号を半導体装置１の内部で出力することで、半導体装置１の外部からわざわざバーンインモード設定信号を入力する必要がなく、したがって半導体装置１における入力端子の数を削減することができる。【選択図】　　　図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
バーンイン容易化回路を内部に搭載した半導体装置であって、前記バーンイン容易化回路を動作させるための動作信号が外部から入力される入力端子と、前記動作信号の周波数を検知することによってバーンイン時か否かを判断する周波数検知回路とを具備した半導体装置。
【請求項２】
周波数検知回路は、半導体装置の製品使用時の動作信号の周波数に対応した周波数の発振を行わせることができる発振回路と、この発振回路の発振周波数のカウントを行う第１のカウンタと、外部からの動作信号の周波数のカウントを行う第２のカウンタと、バーンイン時か否かの判断のために前記第１および第２のカウンタのカウント結果どうしを比較する比較手段とを具備した請求項１記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体装置に関し、特にバーンイン容易化回路を内部に搭載した半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来より半導体装置においては、製造初期に発生する不良品をスクリーニングするために、この半導体装置を高温、高電圧条件下で動作させることにより加速試験を行っている。これをバーンインと呼ぶ。
【０００３】
バーンインでは、デバイスの電源に上記の高電圧を印加した状態で入出力端子に信号を入力し動作をさせるが、近年、デバイスの高集積化、多ピン化により、バーンイン動作を外部から制御することが困難となっている。
【０００４】
そこで、現在ではデバイスの内部にバーンイン容易化回路を搭載し、外部から少数のピンを介してバーンイン動作設定できるようになっている。
図３は、このような従来の半導体デバイスを示したものである。図中、１３は半導体デバイスで、バーンイン容易化回路としての内部回路２０を備えている。１４〜１６は内部回路２０に接続された入力端子で、１４は動作信号入力端子、１５はバーンインモード設定入力端子、１６はリセット入力端子である。
【０００５】
動作信号入力端子１４には図示のような波形の動作信号１７が印加され、これによって内部回路２０が動作される。動作信号１７は、通常、一定周波数のクロック波形にて構成される。バーンイン時には、動作信号１７の周波数として、１００ｋＨｚから５ＭＨｚ程度を使用している。これに対し、製品使用時は１０ＭＨｚ以上で使用されることが多い。
【０００６】
バーンインモード設定入力端子１５には、バーンインモード設定信号１８が印加される。通常、モード設定時は論理的”Ｈ”レベルか論理的”Ｌ”レベルが印加されるが、モード設定のためにクロック波形を印加してもかまわない。
【０００７】
リセット入力端子１６にはリセット信号入力波形１９が印加される。通常はパルス状の波形が印加される。図の波形は論理的”Ｌ”でリセット認識をするものであるが、論理的”Ｈ”でリセットしてもかまわない。
【０００８】
半導体デバイス１３は、入力端子１４〜１６に信号１７〜１９を入力することにより、内部回路２０がバーンイン動作を行う。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記のような従来の半導体デバイスでは、バーンイン動作を行うための外部からの制御のために、半導体デバイス１３に多数の入力端子１４〜１６を搭載しなければならない。
【００１０】
本発明は、上記従来の問題点を解決するもので、バーンイン容易化回路を内部に搭載した半導体装置における入力端子の数を削減できるようにすることを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
この目的を達成するために、本発明のバーンイン容易化回路を内部に搭載した半導体装置は、前記バーンイン容易化回路を動作させるための動作信号が外部から入力される入力端子と、前記動作信号の周波数を検知することによってバーンイン時か否かを判断する周波数検知回路とを具備したものである。
【００１２】
このような構成であると、バーンイン時と製品使用時とで動作信号の周波数が異なることを利用して、その周波数を周波数検知回路によって検知し、それにもとづきバーンインモード設定信号を半導体装置の内部で出力することで、半導体装置の外部からわざわざバーンインモード設定信号を入力する必要がなく、したがって半導体装置における入力端子の数を削減することができる。
【００１３】
また本発明の半導体装置は、周波数検知回路が、半導体装置の製品使用時の動作信号の周波数に対応した周波数の発振を行わせることができる発振回路と、この発振回路の発振周波数のカウントを行う第１のカウンタと、外部からの動作信号の周波数のカウントを行う第２のカウンタと、バーンイン時か否かの判断のために前記第１および第２のカウンタのカウント結果どうしを比較する比較手段とを具備したものである。
【００１４】
このような構成であると、バーンイン時と製品使用時とにおける動作信号の周波数の違いを周波数検知回路によって検知することができ、その違いにもとづいてバーンイン時か否かを判断することができる。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。
図１は、本発明の実施の形態における半導体デバイスの回路構成を示したものである。図中、１は半導体デバイスで、バーンイン容易化回路を含む内部回路８を備えている。２及び３は半導体デバイス１の入力端子で、２は動作信号入力端子、３はリセット信号入力端子である。
【００１６】
動作信号入力端子２には、図示のような波形の動作信号６が印加される。動作信号６は、通常、一定周波数のクロック波形にて構成される。バーンイン時には、動作信号６の周波数は１００ｋＨｚから５ＭＨｚ程度が望ましい。これに対し、製品使用時は１０ＭＨｚ以上で使用されることが多い。
【００１７】
リセット入力端子３には図示のような波形のリセット信号７が印加される。通常はパルス状の波形が印加される。図の波形は論理的”Ｌ”でリセット認識をするものであるが、論理的”Ｈ”でリセットしてもかまわない。
【００１８】
図中、４は、周波数検知回路である、この周波数検知回路４は、動作信号入力端子２とリセット入力端子３とに接続されて、リセット入力端子３からのリセット信号７によって初期化されるとともに、動作信号入力端子２からの動作信号６によってバーンイン動作を設定することができる。また周波数検知回路４は、内部回路８へ向けてバーンインモード設定信号５を出力することができるように構成されている。
【００１９】
半導体デバイス１は、これらの入力端子２、３に信号６、７を入力することにより、周波数検知回路４がバーンインモードを設定する。すなわち、上述のように動作信号６の周波数は製品使用時は１０ＭＨｚ以上であるが、バーンイン時には１００ｋＨｚから５ＭＨｚ程度まで下がるため、周波数検知回路４にてこの動作信号６の周波数を検知することによって、バーンインモードを設定することができる。これにより、外部からの特別な入力設定なしに、バーンインモード設定信号５を出力することで、内部回路８がバーンイン動作を行う。
【００２０】
図２は、図１における周波数検知回路４の詳細な構成を示したものである。図中、９は発振回路、１０は、発振回路９とリセット信号入力端子３とを入力に持つカウンタ、１１は、動作信号入力端子２とリセット信号入力端子３とを入力に持つカウンタ、１２は、カウンタ１０におけるカウンタ数とカウンタ１１におけるカウンタ数とを比較する比較器である。カウンタ１０は、リセット信号入力端子３からのリセット信号を入力した後、発振回路９の発振数を加算する。カウンタ１１は、リセット信号入力端子３からのリセット信号を入力した後、動作信号入力端子２からの周波数を加算する。比較器１２は、カウンタ１０の加算値とカウンタ１１の加算値とを比較する。
【００２１】
発振回路９の発振数を製品使用時の動作信号６の高周波数に対応させておくと、バーンイン時に動作信号６の周波数が下がった場合は、カウンタ１０の加算値に対しカウンタ１１の加算値が十分小さいものになる。この場合に検知回路４はバーンインを認識し、これによりバーンインモード設定信号５を出力することで、バーンインモードの設定を行うことができる。バーンインモード設定信号５は、論理”Ｈ”または”Ｌ”で固定出力することが望ましい。この信号５により、内部回路８がバーンイン動作を行う。
【００２２】
このように、バーンイン時と製品使用時とで動作信号６の周波数が異なることを利用して、その周波数を半導体デバイス１の内部の検知回路４によって検知し、それにもとづき半導体デバイス１の内部の検知回路４からバーンインモード設定信号５を出力することで、半導体デバイス１の外部からわざわざバーンインモード設定信号を入力する必要がなく、したがって半導体デバイス１における入力端子の数を削減することができる。
【００２３】
【発明の効果】
以上のように本発明によると、半導体デバイス内に周波数検知回路を設けることで、外部からの制御を必要とせずに、バーンインモードの設定を実施することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態の半導体装置の概略構成図
【図２】図１における周波数検知回路の概略構成を示す図
【図３】従来の半導体装置の概略構成図
【符号の説明】
１　　半導体デバイス
２　　動作信号入力端子
４　　周波数検知回路
５　　バーンインモード設定信号
６　　動作信号
８　　内部回路
【図１】
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【図２】
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【図３】
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