(57)【要約】【課題】従来の製造工程数を削減した製造方法では製造裕度（マージン）が小さく歩留が低下する。【解決手段】半導体層の島化工程とエッチストップ層の形成工程をハーフトーン露光技術の導入により合理化する新規技術と、公知技術であるソース・ドレイン配線の陽極酸化工程にハーフトーン露光技術を導入することで電極端子の保護層形成工程を合理化する新規技術と、公知技術である絵素電極と走査線とを同時に形成する合理化技術との技術の組合せによるＴＮ型液晶表示装置とＩＰＳ型液晶表示装置の４枚マスク・プロセス、３枚マスク・プロセス案を構築する。【選択図】  図２
2004317685.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
チャネル上に保護絶縁層を有し、ソース・ドレイン配線材とは異なった導電性材質よりなるソース配線の電気的接続領域の一部を含んで形成されたソース・ドレイン配線上に感光性有機絶縁層が形成されていることを特徴とするボトムゲート型の絶縁ゲート型トランジスタ。
【請求項２】
チャネル上に保護絶縁層を有し、ソース配線の電気的接続領域を除いてソース配線上にのみ感光性有機絶縁層が形成されていることを特徴とするボトムゲート型の絶縁ゲート型トランジスタ。
【請求項３】
チャネル上に保護絶縁層を有し、ソース・ドレイン配線が陽極酸化可能な金属層で構成されるとともにソース配線の電気的接続領域を除いてソース・ドレイン配線上に陽極酸化層が形成されていることを特徴とするボトムゲート型の絶縁ゲート型トランジスタ。
【請求項４】
一主面上に少なくとも絶縁ゲート型トランジスタと、前記絶縁ゲート型トランジスタのゲート電極も兼ねる走査線とソース配線も兼ねる信号線と、ドレイン配線に接続された絵素電極とを有する単位絵素が二次元のマトリクスに配列された第１の透明性絶縁基板と、前記第１の透明性絶縁基板と対向する第２の透明性絶縁基板またはカラーフィルタとの間に液晶を充填してなる液晶表示装置において、少なくとも
第１の透明性絶縁基板の一主面上に１層以上の金属層よりなる走査線が形成され、
ゲート電極上に１層以上のゲート絶縁層を介して不純物を含まない第１の半導体層が島状に形成され、
ゲート電極上の第１の半導体層上に前記ゲート電極よりも幅細く保護絶縁層が形成され、
前記保護絶縁層の一部上と第１の半導体層上とに不純物を含む第２の半導体層と陽極酸化可能な金属層との積層よりなるソース（信号線）・ドレイン配線が形成され、
前記ドレイン配線の一部上とゲート絶縁層上に透明導電性の絵素電極と画像表示部外の領域で信号線上に透明導電性の電極端子とが形成され、
前記ドレイン配線の絵素電極と重なった領域と信号線の電極端子領域を除いてソース・ドレイン配線の表面に陽極酸化層が形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項５】
一主面上に少なくとも絶縁ゲート型トランジスタと、前記絶縁ゲート型トランジスタのゲート電極も兼ねる走査線とソース配線も兼ねる信号線と、ドレイン配線に接続された絵素電極とを有する単位絵素が二次元のマトリクスに配列された第１の透明性絶縁基板と、前記第１の透明性絶縁基板と対向する第２の透明性絶縁基板またはカラーフィルタとの間に液晶を充填してなる液晶表示装置において、少なくとも
第１の透明性絶縁基板の一主面上に透明導電層と第１の金属層との積層よりなる走査線と透明導電性の絵素電極と同じく信号線の電極端子とが形成され、
ゲート電極上にプラズマ保護層とゲート絶縁層を介して不純物を含まない第１の半導体層が島状に形成され、
ゲート電極上の第１の半導体層上に前記ゲート電極よりも幅細く保護絶縁層が形成され、
前記絵素電極上のプラズマ保護層とゲート絶縁層に開口部が形成され、
前記保護絶縁層の一部上と第１の半導体層上と信号線の電極端子の一部上に不純物を含む第２の半導体層と１層以上の第２の金属層との積層よりなるソース（信号線）配線と、前記保護絶縁層の一部上と第１の半導体層上と前記開口部内の絵素電極の一部上とに同じくドレイン配線とが形成され、
前記ソース・ドレイン配線上に感光性有機絶縁層が形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項６】
一主面上に少なくとも絶縁ゲート型トランジスタと、前記絶縁ゲート型トランジスタのゲート電極も兼ねる走査線とソース配線も兼ねる信号線と、ドレイン配線に接続された絵素電極とを有する単位絵素が二次元のマトリクスに配列された第１の透明性絶縁基板と、前記第１の透明性絶縁基板と対向する第２の透明性絶縁基板またはカラーフィルタとの間に液晶を充填してなる液晶表示装置において、少なくとも
第１の透明性絶縁基板の一主面上に透明導電層と第１の金属層との積層よりなる走査線と透明導電性の絵素電極とが形成され、
ゲート電極上にプラズマ保護層とゲート絶縁層を介して不純物を含まない第１の半導体層が島状に形成され、
ゲート電極上の第１の半導体層上に前記ゲート電極よりも幅細く保護絶縁層が形成され、
前記絵素電極上のプラズマ保護層とゲート絶縁層に開口部が形成され、
前記保護絶縁層の一部上と第１の半導体層上とに不純物を含む第２の半導体層と１層以上の第２の金属層との積層よりなるソース（信号線）配線と、前記保護絶縁層の一部上と第１の半導体層上と前記開口部内の絵素電極の一部上とに同じくドレイン配線とが形成され、
信号線の電極端子を除いて信号線上に感光性有機絶縁層が形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項７】
一主面上に少なくとも絶縁ゲート型トランジスタと、前記絶縁ゲート型トランジスタのゲート電極も兼ねる走査線とソース配線も兼ねる信号線と、ドレイン配線に接続された絵素電極とを有する単位絵素が二次元のマトリクスに配列された第１の透明性絶縁基板と、前記第１の透明性絶縁基板と対向する第２の透明性絶縁基板またはカラーフィルタとの間に液晶を充填してなる液晶表示装置において、少なくとも
第１の透明性絶縁基板の一主面上に透明導電層と金属層との積層よりなる走査線と透明導電性の絵素電極とが形成され、
ゲート電極上にプラズマ保護層とゲート絶縁層を介して不純物を含まない第１の半導体層が島状に形成され、
ゲート電極上の第１の半導体層上に前記ゲート電極よりも幅細く保護絶縁層が形成され、
前記絵素電極上のプラズマ保護層とゲート絶縁層に開口部が形成され、
前記保護絶縁層の一部上と第１の半導体層上とに不純物を含む第２の半導体層と陽極酸化可能な金属層との積層よりなるソース（信号線）配線と、前記保護絶縁層の一部上と第１の半導体層上と第１の透明性絶縁基板上と前記開口部内の絵素電極の一部上とに同じくドレイン配線とが形成され、
信号線の電極端子を除いてソース・ドレイン配線の表面に陽極酸化層が形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項８】
一主面上に少なくとも絶縁ゲート型トランジスタと、前記絶縁ゲート型トランジスタのゲート電極も兼ねる走査線とソース配線も兼ねる信号線と、前記絶縁ゲート型トランジスタのドレインに接続された絵素電極と、前記絵素電極とは所定の距離を隔てて形成された対向電極とを有する単位絵素が二次元のマトリクスに配列された第１の透明性絶縁基板と、前記第１の透明性絶縁基板と対向する第２の透明性絶縁基板またはカラーフィルタとの間に液晶を充填してなる液晶表示装置において、少なくとも
第１の透明性絶縁基板の一主面上に１層以上の第１の金属層よりなる走査線と対向電極とが形成され、
ゲート電極上に１層以上のゲート絶縁層を介して不純物を含まない第１の半導体層が島状に形成され、
ゲート電極上の第１の半導体層上に前記ゲート電極よりも幅細く保護絶縁層が形成され、
前記保護絶縁層の一部上と第１の半導体層上とに不純物を含む第２の半導体層と１層以上の第２の金属層との積層よりなるソース配線（信号線）とドレイン配線（絵素電極）とが形成され、
信号線の電極端子を除いて信号線上に感光性有機絶縁層が形成され、
走査線の電極端子は画像表示部外の領域で走査線上のゲート絶縁層に形成された開口部を含んで形成された第２の金属層よりなることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項９】
一主面上に少なくとも絶縁ゲート型トランジスタと、前記絶縁ゲート型トランジスタのゲート電極も兼ねる走査線とソース配線も兼ねる信号線と、前記絶縁ゲート型トランジスタのドレインに接続された絵素電極と、前記絵素電極とは所定の距離を隔てて形成された対向電極とを有する単位絵素が二次元のマトリクスに配列された第１の透明性絶縁基板と、前記第１の透明性絶縁基板と対向する第２の透明性絶縁基板またはカラーフィルタとの間に液晶を充填してなる液晶表示装置において、少なくとも
第１の透明性絶縁基板の一主面上に１層以上の金属層よりなる走査線と対向電極とが形成され、
ゲート電極上に１層以上のゲート絶縁層を介して不純物を含まない第１の半導体層が島状に形成され、
ゲート電極上の第１の半導体層上に前記ゲート電極よりも幅細く保護絶縁層が形成され、
前記保護絶縁層の一部上と第１の半導体層上とに不純物を含む第２の半導体層と陽極酸化可能な金属層との積層よりなるソース配線（信号線）とドレイン配線（絵素電極）とが形成され、
信号線の電極端子を除いてソース・ドレイン配線の表面に陽極酸化層が形成され、
走査線の電極端子は画像表示部外の領域で走査線上のゲート絶縁層に形成された開口部を含んで形成された陽極酸化可能な金属層よりなることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１０】
一主面上に少なくとも絶縁ゲート型トランジスタと、前記絶縁ゲート型トランジスタのゲート電極も兼ねる走査線とソース配線も兼ねる信号線と、前記絶縁ゲート型トランジスタのドレインに接続された絵素電極と、前記絵素電極とは所定の距離を隔てて形成された対向電極とを有する単位絵素が二次元のマトリクスに配列された第１の透明性絶縁基板と、前記第１の透明性絶縁基板と対向する第２の透明性絶縁基板またはカラーフィルタとの間に液晶を充填してなる液晶表示装置において、少なくとも
第１の透明性絶縁基板の一主面上に１層以上の第１の金属層よりなる走査線と対向電極とが形成され、
ゲート電極上に１層以上のゲート絶縁層を介して不純物を含まない第１の半導体層が島状に形成され、
ゲート電極上の第１の半導体層上に前記ゲート電極よりも幅細く保護絶縁層が形成され、
前記保護絶縁層の一部上と第１の半導体層上とに不純物を含む第２の半導体層と１層以上の第２の金属層との積層よりなるソース配線（信号線）とドレイン配線（絵素電極）とが形成され、
信号線の電極端子を除いて信号線上に感光性有機絶縁層が形成され、
走査線の電極端子は画像表示部外の領域で走査線上のゲート絶縁層に形成された開口部を含んで形成された第２の半導体層と第２の金属層との積層よりなることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１１】
一主面上に少なくとも絶縁ゲート型トランジスタと、前記絶縁ゲート型トランジスタのゲート電極も兼ねる走査線とソース配線も兼ねる信号線と、前記絶縁ゲート型トランジスタのドレインに接続された絵素電極と、前記絵素電極とは所定の距離を隔てて形成された対向電極とを有する単位絵素が二次元のマトリクスに配列された第１の透明性絶縁基板と、前記第１の透明性絶縁基板と対向する第２の透明性絶縁基板またはカラーフィルタとの間に液晶を充填してなる液晶表示装置において、少なくとも
第１の透明性絶縁基板の一主面上に１層以上の金属層よりなる走査線と対向電極とが形成され、
ゲート電極上に１層以上のゲート絶縁層を介して不純物を含まない第１の半導体層が島状に形成され、
ゲート電極上の第１の半導体層上に前記ゲート電極よりも幅細く保護絶縁層が形成され、
前記保護絶縁層の一部上と第１の半導体層上とに不純物を含む第２の半導体層と陽極酸化可能な金属層との積層よりなるソース（信号線）とドレイン配線（絵素電極）とが形成され、
信号線の電極端子を除いてソース・ドレイン配線の表面に陽極酸化層が形成され、
走査線の電極端子は画像表示部外の領域で走査線上のゲート絶縁層に形成された開口部を含んで形成された第２の半導体層と陽極酸化可能な金属層との積層よりなることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１２】
一主面上に少なくとも絶縁ゲート型トランジスタと、前記絶縁ゲート型トランジスタのゲート電極も兼ねる走査線とソース配線も兼ねる信号線と、ドレイン配線に接続された絵素電極とを有する単位絵素が二次元のマトリクスに配列された第１の透明性絶縁基板と、前記第１の透明性絶縁基板と対向する第２の透明性絶縁基板またはカラーフィルタとの間に液晶を充填してなる液晶表示装置において、
少なくとも第１の透明性絶縁基板の一主面上に１層以上の金属層よりなる走査線を形成する工程と、
１層以上のゲート絶縁層と不純物を含まない第１の非晶質シリコン層と保護絶縁層とを順次被着する工程と、
走査線の電極端子形成領域上に開口部を有しゲート電極上の保護絶縁層形成領域の膜厚が他の領域よりも厚い感光性樹脂パターンを形成する工程と、
前記開口部内の保護絶縁層と第１の非晶質シリコン層とゲート絶縁層とを除去して走査線の電極端子形成領域を露出する工程と、
前記感光性樹脂パターンの膜厚を減少して保護絶縁層を露出する工程と、
ゲート電極上にゲート電極よりも幅細く保護絶縁層を残して第１の非晶質シリコン層を露出する工程と、
前記感光性樹脂パターンの除去後、全面に不純物を含む第２の非晶質シリコン層を被着する工程と、
前記保護絶縁層と一部重なるように第２の非晶質シリコン層と１層以上の陽極酸化可能な金属層との積層よりなるソース（信号線）・ドレイン配線を形成する工程と、
ゲート絶縁層上と前記ドレイン配線の一部上に透明導電性の絵素電極と画像表示部外の領域で信号線上に透明導電性の電極端子とを形成する工程と、
前記絵素電極と電極端子の選択的パターン形成に用いられた感光性樹脂パターンをマスクとして絵素電極と電極端子とを保護しながらソース・ドレイン配線を陽極酸化する工程とを有する液晶表示装置の製造方法。
【請求項１３】
一主面上に少なくとも絶縁ゲート型トランジスタと、前記絶縁ゲート型トランジスタのゲート電極も兼ねる走査線とソース配線も兼ねる信号線と、ドレイン配線に接続された絵素電極とを有する単位絵素が二次元のマトリクスに配列された第１の透明性絶縁基板と、前記第１の透明性絶縁基板と対向する第２の透明性絶縁基板またはカラーフィルタとの間に液晶を充填してなる液晶表示装置において、
少なくとも第１の透明性絶縁基板の一主面上に透明導電層と第１の金属層との積層よりなる走査線と信号線の擬似電極端子と擬似絵素電極とを形成する工程と、
プラズマ保護層とゲート絶縁層と不純物を含まない第１の非晶質シリコン層と保護絶縁層とを順次被着する工程と、
走査線と信号線の電極端子形成領域上と擬似絵素電極上とに開口部を有しゲート電極上の保護絶縁層形成領域の膜厚が他の領域よりも厚い感光性樹脂パターンを形成する工程と、
前記開口部内の保護絶縁層と第１の非晶質シリコン層とゲート絶縁層とプラズマ保護層と第１の金属層とを除去して透明導電性の走査線と信号線の電極端子形成領域と同じく絵素電極とを露出する工程と、
前記感光性樹脂パターンの膜厚を減少して保護絶縁層を露出する工程と、
ゲート電極上にゲート電極よりも幅細く保護絶縁層を残して第１の非晶質シリコン層を露出する工程と、
前記感光性樹脂パターンの除去後、全面に不純物を含む第２の非晶質シリコン層を被着する工程と、
１層以上の第２の金属層を被着後、第２の非晶質シリコン層と１層以上の第２の金属層との積層よりなり前記保護絶縁層と一部重なるように信号線の電極端子形成領域を含んでその表面に感光性有機絶縁層を有するソース配線（信号線）と同じく絵素電極を含んでドレイン配線とを形成する工程とを有する液晶表示装置の製造方法。
【請求項１４】
一主面上に少なくとも絶縁ゲート型トランジスタと、前記絶縁ゲート型トランジスタのゲート電極も兼ねる走査線とソース配線も兼ねる信号線と、ドレイン配線に接続された絵素電極とを有する単位絵素が二次元のマトリクスに配列された第１の透明性絶縁基板と、前記第１の透明性絶縁基板と対向する第２の透明性絶縁基板またはカラーフィルタとの間に液晶を充填してなる液晶表示装置において、
少なくとも第１の透明性絶縁基板の一主面上に透明導電層と第１の金属層との積層よりなる走査線と擬似絵素電極とを形成する工程と、
プラズマ保護層とゲート絶縁層と不純物を含まない第１の非晶質シリコン層と保護絶縁層とを順次被着する工程と、
走査線の電極端子形成領域上と擬似絵素電極上とに開口部を有しゲート電極上の保護絶縁層形成領域の膜厚が他の領域よりも厚い感光性樹脂パターンを形成する工程と、
前記開口部内の保護絶縁層と第１の非晶質シリコン層とゲート絶縁層とプラズマ保護層と第１の金属層とを除去して透明導電性の走査線の電極端子形成領域と同じく絵素電極とを露出する工程と、
前記感光性樹脂パターンの膜厚を減少して保護絶縁層を露出する工程と、
ゲート電極上にゲート電極よりも幅細く保護絶縁層を残して第１の非晶質シリコン層を露出する工程と、
前記感光性樹脂パターンの除去後、全面に不純物を含む第２の非晶質シリコン層を被着する工程と、
１層以上の第２の金属層を被着後、前記保護絶縁層と一部重なりソース配線（信号線）と同じく絵素電極を含んでドレイン配線と透明導電性の走査線の電極端子形成領域を含んで走査線の電極端子と信号線の一部よりなる信号線の電極端子とに対応し信号線上の膜厚が他の領域よりも厚い感光性有機絶縁層パターンを形成する工程と、
前記感光性有機絶縁層パターンをマスクとして第２の金属層と第２の非晶質シリコン層と第１の非晶質シリコン層とを選択的に除去して走査線と信号線の電極端子とソース・ドレイン配線とを形成する工程と、
前記感光性有機絶縁層パターンの膜厚を減少して走査線と信号線の電極端子とドレイン配線とを露出する工程とを有する液晶表示装置の製造方法。
【請求項１５】
一主面上に少なくとも絶縁ゲート型トランジスタと、前記絶縁ゲート型トランジスタのゲート電極も兼ねる走査線とソース配線も兼ねる信号線と、ドレイン配線に接続された絵素電極とを有する単位絵素が二次元のマトリクスに配列された第１の透明性絶縁基板と、前記第１の透明性絶縁基板と対向する第２の透明性絶縁基板またはカラーフィルタとの間に液晶を充填してなる液晶表示装置において、
少なくとも第１の透明性絶縁基板の一主面上に透明導電層と金属層との積層よりなる走査線と擬似絵素電極とを形成する工程と、
プラズマ保護層とゲート絶縁層と不純物を含まない第１の非晶質シリコン層と保護絶縁層とを順次被着する工程と、
走査線の電極端子形成領域上と擬似絵素電極上とに開口部を有しゲート電極上の保護絶縁層形成領域の膜厚が他の領域よりも厚い感光性樹脂パターンを形成する工程と、
前記開口部内の保護絶縁層と第１の非晶質シリコン層とゲート絶縁層とプラズマ保護層と金属層とを除去して透明導電性の走査線の電極端子形成領域と同じく絵素電極とを露出する工程と、
前記感光性樹脂パターンの膜厚を減少して保護絶縁層を露出する工程と、
ゲート電極上にゲート電極よりも幅細く保護絶縁層を残して第１の非晶質シリコン層を露出する工程と、
前記感光性樹脂パターンの除去後、全面に不純物を含む第２の非晶質シリコン層を被着する工程と、
１層以上の陽極酸化可能な金属層を被着後、前記保護絶縁層と一部重なりソース配線（信号線）と同じく絵素電極を含んでドレイン配線と透明導電性の走査線の電極端子形成領域を含んで走査線の電極端子と信号線の一部よりなる信号線の電極端子とに対応し走査線と信号線の電極端子上の膜厚が他の領域よりも厚い感光性樹脂パターンを形成する工程と、
前記感光性樹脂パターンをマスクとして陽極酸化可能な金属層と第２の非晶質シリコン層と第１の非晶質シリコン層とを選択的に除去して走査線と信号線の電極端子とソース・ドレイン配線とを形成する工程と、
前記感光性樹脂パターンの膜厚を減少してソース・ドレイン配線を露出する工程と、
前記電極端子上を保護しながらソース・ドレイン配線を陽極酸化する工程とを有する液晶表示装置の製造方法。
【請求項１６】
一主面上に少なくとも絶縁ゲート型トランジスタと、前記絶縁ゲート型トランジスタのゲート電極も兼ねる走査線とソース配線も兼ねる信号線と、前記絶縁ゲート型トランジスタのドレインに接続された絵素電極と、前記絵素電極とは所定の距離を隔てて形成された対向電極とを有する単位絵素が二次元のマトリクスに配列された第１の透明性絶縁基板と、前記第１の透明性絶縁基板と対向する第２の透明性絶縁基板またはカラーフィルタとの間に液晶を充填してなる液晶表示装置において、
少なくとも第１の透明性絶縁基板の一主面上に１層以上の第１の金属層よりなる走査線と対向電極とを形成する工程と、
１層以上のゲート絶縁層と不純物を含まない第１の非晶質シリコン層と保護絶縁層とを順次被着する工程と、
ゲート電極上にゲート電極よりも幅細く保護絶縁層を残して第１の非晶質シリコン層を露出する工程と、
全面に不純物を含む第２の非晶質シリコン層を被着後、走査線の電極端子形成領域上に開口部を形成して前記開口部内の第２の非晶質シリコン層と第１の非晶質シリコン層とゲート絶縁層とを除去して走査線の一部を露出する工程と、
１層以上の第２の金属層を被着後、前記保護絶縁層と一部重なりソース配線（信号線）・ドレイン配線（絵素電極）と前記開口部を含んで走査線の電極端子と信号線の一部よりなる信号線の電極端子とに対応し信号線上の膜厚が他の領域よりも厚い感光性有機絶縁層パターンを形成する工程と、
前記感光性有機絶縁層パターンをマスクとして第２の金属層と第２の非晶質シリコン層と第１の非晶質シリコン層とを選択的に除去して走査線と信号線の電極端子とソース・ドレイン配線とを形成する工程と、
前記感光性有機絶縁層パターンの膜厚を減少して走査線と信号線の電極端子とドレイン配線とを露出する工程とを有する液晶表示装置の製造方法。
【請求項１７】
一主面上に少なくとも絶縁ゲート型トランジスタと、前記絶縁ゲート型トランジスタのゲート電極も兼ねる走査線とソース配線も兼ねる信号線と、前記絶縁ゲート型トランジスタのドレインに接続された絵素電極と、前記絵素電極とは所定の距離を隔てて形成された対向電極とを有する単位絵素が二次元のマトリクスに配列された第１の透明性絶縁基板と、前記第１の透明性絶縁基板と対向する第２の透明性絶縁基板またはカラーフィルタとの間に液晶を充填してなる液晶表示装置において、
少なくとも第１の透明性絶縁基板の一主面上に１層以上の金属層よりなる走査線と対向電極とを形成する工程と、
１層以上のゲート絶縁層と不純物を含まない第１の非晶質シリコン層と保護絶縁層とを順次被着する工程と、
ゲート電極上にゲート電極よりも幅細く保護絶縁層を残して第１の非晶質シリコン層を露出する工程と、
全面に不純物を含む第２の非晶質シリコン層を被着後、走査線の電極端子形成領域上に開口部を形成して前記開口部内の第２の非晶質シリコン層と第１の非晶質シリコン層とゲート絶縁層とを除去して走査線の一部を露出する工程と、
１層以上の陽極酸化可能な金属層を被着後、前記保護絶縁層と一部重なりソース配線（信号線）・ドレイン配線（絵素電極）と前記開口部を含んで走査線の電極端子と信号線の一部よりなる信号線の電極端子とに対応し走査線と信号線の電極端子上の膜厚が他の領域よりも厚い感光性樹脂パターンを形成する工程と、
前記感光性樹脂パターンをマスクとして陽極酸化可能な金属層と第２の非晶質シリコン層と第１の非晶質シリコン層とを選択的に除去して走査線と信号線の電極端子とソース・ドレイン配線とを形成する工程と、
前記感光性樹脂パターンの膜厚を減少してソース・ドレイン配線を露出する工程と、
前記電極端子上を保護しながらソース・ドレイン配線を陽極酸化する工程とを有する液晶表示装置の製造方法。
【請求項１８】
一主面上に少なくとも絶縁ゲート型トランジスタと、前記絶縁ゲート型トランジスタのゲート電極も兼ねる走査線とソース配線も兼ねる信号線と、前記絶縁ゲート型トランジスタのドレインに接続された絵素電極と、前記絵素電極とは所定の距離を隔てて形成された対向電極とを有する単位絵素が二次元のマトリクスに配列された第１の透明性絶縁基板と、前記第１の透明性絶縁基板と対向する第２の透明性絶縁基板またはカラーフィルタとの間に液晶を充填してなる液晶表示装置において、
少なくとも第１の透明性絶縁基板の一主面上に１層以上の第１の金属層よりなる走査線と対向電極とを形成する工程と、
１層以上のゲート絶縁層と不純物を含まない第１の非晶質シリコン層と保護絶縁層とを順次被着する工程と、
走査線の電極端子形成領域上に開口部を有しゲート電極上の保護絶縁層形成領域の膜厚が他の領域よりも厚い感光性樹脂パターンを形成する工程と、
前記開口部内の保護絶縁層と第１の非晶質シリコン層とゲート絶縁層とを除去して走査線の一部を露出する工程と、
前記感光性樹脂パターンの膜厚を減少して保護絶縁層を露出する工程と、
ゲート電極上にゲート電極よりも幅細く保護絶縁層を残して第１の非晶質シリコン層を露出する工程と、
前記感光性樹脂パターンの除去後、全面に不純物を含む第２の非晶質シリコン層を被着する工程と、
１層以上の第２の金属層を被着後、前記保護絶縁層と一部重なりソース配線（信号線）・ドレイン配線（絵素電極）と開口部内の第２の非晶質シリコン層を含んで走査線の電極端子と信号線の一部よりなる信号線の電極端子とに対応し信号線上の膜厚が他の領域よりも厚い感光性有機絶縁層パターンを形成する工程と、
前記感光性有機絶縁層パターンをマスクとして第２の金属層と第２の非晶質シリコン層と第１の非晶質シリコン層とを選択的に除去して走査線と信号線の電極端子とソース・ドレイン配線とを形成する工程と、
前記感光性有機絶縁層パターンの膜厚を減少して走査線と信号線の電極端子とドレイン配線とを露出する工程とを有する液晶表示装置の製造方法。
【請求項１９】
一主面上に少なくとも絶縁ゲート型トランジスタと、前記絶縁ゲート型トランジスタのゲート電極も兼ねる走査線とソース配線も兼ねる信号線と、前記絶縁ゲート型トランジスタのドレインに接続された絵素電極と、前記絵素電極とは所定の距離を隔てて形成された対向電極とを有する単位絵素が二次元のマトリクスに配列された第１の透明性絶縁基板と、前記第１の透明性絶縁基板と対向する第２の透明性絶縁基板またはカラーフィルタとの間に液晶を充填してなる液晶表示装置において、
少なくとも第１の透明性絶縁基板の一主面上に１層以上の金属層よりなる走査線と対向電極とを形成する工程と、
１層以上のゲート絶縁層と不純物を含まない第１の非晶質シリコン層と保護絶縁層とを順次被着する工程と、
走査線の電極端子形成領域上に開口部を有しゲート電極上の保護絶縁層形成領域の膜厚が他の領域よりも厚い感光性樹脂パターンを形成する工程と、
前記開口部内の保護絶縁層と第１の非晶質シリコン層とゲート絶縁層とを除去して走査線の一部を露出する工程と、
前記感光性樹脂パターンの膜厚を減少して保護絶縁層を露出する工程と、
ゲート電極上にゲート電極よりも幅細く保護絶縁層を残して第１の非晶質シリコン層を露出する工程と、
前記感光性樹脂パターンの除去後、全面に不純物を含む第２の非晶質シリコン層を被着する工程と、
１層以上の陽極酸化可能な金属層を被着後、前記保護絶縁層と一部重なりソース（信号線）配線・ドレイン配線（絵素電極）と開口部内の第２の非晶質シリコン層を含んで走査線の電極端子と信号線の一部よりなる信号線の電極端子とに対応し走査線と信号線の電極端子上の膜厚が他の領域よりも厚い感光性樹脂パターンを形成する工程と、
前記感光性樹脂パターンをマスクとして陽極酸化可能な金属層と第２の非晶質シリコン層と第１の非晶質シリコン層とを選択的に除去して走査線と信号線の電極端子とソース・ドレイン配線とを形成する工程と、
前記感光性樹脂パターンの膜厚を減少してソース・ドレイン配線を露出する工程と、
前記電極端子上を保護しながらソース・ドレイン配線を陽極酸化する工程とを有する液晶表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はカラー画像表示機能を有する液晶表示装置、とりわけアクティブ型の液晶表示装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年の微細加工技術、液晶材料技術および高密度実装技術等の進歩により、５〜５０ｃｍ対角の液晶表示装置でテレビジョン画像や各種の画像表示機器が商用ベースで大量に提供されている。また、液晶パネルを構成する２枚のガラス基板の一方にＲＧＢの着色層を形成しておくことによりカラー表示も容易に実現している。特にスイッチング素子を絵素毎に内蔵させた、いわゆるアクティブ型の液晶パネルではクロストークも少なく、応答速度も早く高いコントラスト比を有する画像が保証されている。
【０００３】
これらの液晶表示装置（液晶パネル）は走査線としては２００〜１２００本、信号線としては３００〜１６００本程度のマトリクス編成が一般的であるが、最近は表示容量の増大に対応すべく大画面化と高精細化とが同時に進行している。
【０００４】
図１７は液晶パネルへの実装状態を示し、液晶パネル１を構成する一方の透明性絶縁基板、例えばガラス基板２上に形成された走査線の電極端子群５に駆動信号を供給する半導体集積回路チップ３を導電性の接着剤を用いて接続するＣＯＧ（Ｃｈｉｐ−Ｏｎ−Ｇｌａｓｓ）方式や、例えばポリイミド系樹脂薄膜をベースとし、金または半田メッキされた銅箔の端子（図示せず）を有するＴＣＰフィルム４を信号線の電極端子群６に導電性媒体を含む適当な接着剤で圧接して固定するＴＣＰ（Ｔａｐｅ−Ｃａｒｒｉｅｒ−Ｐａｃｋａｇｅ）方式などの実装手段によって電気信号が画像表示部に供給される。ここでは便宜上二つの実装方式を同時に図示しているが実際には何れかの方式が適宜選択される。
【０００５】
７、  ８は液晶パネル１のほぼ中央部に位置する画像表示部内の画素と走査線及び信号線の電極端子５，６との間を接続する配線路で、必ずしも電極端子群５，６と同一の導電材で構成される必要はない。９は全ての液晶セルに共通する透明導電性の対向電極を対向面上に有するもう１枚の透明性絶縁基板である対向ガラス基板またはカラーフィルタである。
【０００６】
図１８はスイッチング素子として絶縁ゲート型トランジスタ１０を絵素毎に配置したアクティブ型液晶表示装置の等価回路図を示し、１１（図１７では７）は走査線、１２（図１７では８）は信号線、１３は液晶セルであって、液晶セル１３は電気的には容量素子として扱われる。実線で描かれた素子類は液晶パネルを構成する一方のガラス基板２上に形成され、点線で描かれた全ての液晶セル１３に共通な対向電極１４はもう一方のガラス基板９の対向する主面上に形成されている。絶縁ゲート型トランジスタ１０のＯＦＦ抵抗あるいは液晶セル１３の抵抗が低い場合や表示画像の階調性を重視する場合には、負荷としての液晶セル１３の時定数を大きくするための補助の蓄積容量１５を液晶セル１３に並列に加える等の回路的工夫が加味される。なお１６は蓄積容量１５の共通母線である。
【０００７】
図１９は液晶表示装置の画像表示部の要部断面図を示し、液晶パネル１を構成する２枚のガラス基板２，９は樹脂性のファイバ、ビーズあるいはカラーフィルタ９上に形成された柱状スペーサ等のスペーサ材（図示せず）によって数μｍ程度の所定の距離を隔てて形成され、その間隙（ギャップ）はガラス基板９の周縁部において有機性樹脂よりなるシール材と封口材（何れも図示せず）とで封止された閉空間になっており、この閉空間に液晶１７が充填されている。
【０００８】
カラー表示を実現する場合には、ガラス基板９の閉空間側に着色層１８と称する染料または顔料のいずれか一方もしくは両方を含む厚さ１〜２μｍ程度の有機薄膜が被着されて色表示機能が与えられるので、その場合にはガラス基板９は別名カラーフィルタ（Ｃｏｌｏｒ  Ｆｉｌｔｅｒ  略語はＣＦ）と呼称される。そして液晶材料１７の性質によってはガラス基板９の上面またはガラス基板２の下面の何れかもしくは両面上に偏光板１９が貼付され、液晶パネル１は電気光学素子として機能する。現在、市販されている大部分の液晶パネルでは液晶材料にＴＮ（ツイスト・ネマチック）系の物を用いており、偏光板１９は通常２枚必要である。図示はしないが、透過型液晶パネルでは光源として裏面光源が配置され、下方より白色光が照射される。
【０００９】
液晶１７に接して２枚のガラス基板２，９上に形成された例えば厚さ０．１μｍ程度のポリイミド系樹脂薄膜２０は液晶分子を決められた方向に配向させるための配向膜である。２１は絶縁ゲート型トランジスタ１０のドレインと透明導電性の絵素電極２２とを接続するドレイン電極（配線）であり、信号線（ソース線）１２と同時に形成されることが多い。信号線１２とドレイン電極２１との間に位置するのは半導体層２３であり詳細は後述する。カラーフィルタ９上で隣り合った着色層１８の境界に形成された厚さ０．１μｍ程度のＣｒ薄膜層２４は半導体層２３と走査線１１及び信号線１２に外部光が入射するのを防止するための光遮蔽部材で、いわゆるブラックマトリクス（Ｂｌａｃｋ  Ｍａｔｒｉｘ    略語はＢＭ）として定着化した技術である。
【００１０】
ここでスイッチング素子として絶縁ゲート型トランジスタの構造と製造方法に関して説明する。絶縁ゲート型トランジスタには２種類のものが現在多用されており、そのうちの一つを従来例（エッチ・ストップ型と呼称される）として紹介する。図２０は従来の液晶パネルを構成するアクティブ基板（表示装置用半導体装置）の単位絵素の平面図であり、図２０（ｅ）のＡ−Ａ’、Ｂ−Ｂ’およびＣ−Ｃ’線上の断面図を図２１に示し、その製造工程を以下に簡単に説明する。
【００１１】
先ず、図２０（ａ）と図２１（ａ）に示したように耐熱性と耐薬品性と透明性が高い絶縁性基板として厚さ０．５〜１．１ｍｍ程度のガラス基板２、例えばコーニング社製の商品名１７３７の一主面上にＳＰＴ（スパッタ）等の真空製膜装置を用いて膜厚０．１〜０．３μｍ程度の第１の金属層として例えばＣｒ，Ｔａ，Ｍｏ等あるいはそれらの合金やシリサイドを被着して微細加工技術によりゲート電極１１Ａも兼ねる走査線１１と蓄積容量線１６とを選択的に形成する。走査線の材質は耐熱性と耐薬品性と耐弗酸性と導電性とを総合的に勘案して選択すると良い。
【００１２】
液晶パネルの大画面化や高精細化に対応して走査線の抵抗値を下げるためには走査線の材料としてＡＬ（アルミニウム）を用いるのが合理的であるが、ＡＬは単体では耐熱性が低いので上記した耐熱金属であるＣｒ，Ｔａ，Ｍｏまたはそれらのシリサイドと積層化する、あるいはＡＬの表面に陽極酸化で酸化層（Ａｌ２Ｏ３）を付加することも現在では一般的な技術である。すなわち走査線１１は１層以上の金属層で構成される。
【００１３】
次に、ガラス基板２の全面にＰＣＶＤ（プラズマ・シーブイディ）装置を用いてゲート絶縁層となる第１のＳｉＮｘ（シリコン窒化）層３０、不純物をほとんど含まず絶縁ゲート型トランジスタのチャネルとなる第１の非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ）層３１、及びチャネルを保護する絶縁層となる第２のＳｉＮｘ層３２と３種類の薄膜層を例えば、０．３−０．０５−０．１μｍ程度の膜厚で順次被着し、図２０（ｂ）と図２１（ｂ）に示したように微細加工技術によりゲート電極１１Ａ上の第２のＳｉＮｘ層をゲート電極１１Ａよりも幅細く選択的に残して３２Ａとして第１の非晶質シリコン層３１を露出する。
【００１４】
続いて同じくＰＣＶＤ装置を用いて全面に不純物として例えば燐を含む第２の非晶質シリコン層３３を例えば０．０５μｍ程度の膜厚で被着した後、図２０（ｃ）と図２１（ｃ）に示したようにＳＰＴ等の真空製膜装置を用いて膜厚０．１μｍ程度の耐熱金属層として例えばＴｉ，Ｃｒ，Ｍｏ等の耐熱金属薄膜層３４を、低抵抗配線層として膜厚０．３μｍ程度のＡＬ薄膜層３５を、さらに膜厚０．１μｍ程度の中間導電層として例えばＴｉ薄膜層３６を順次被着し、微細加工技術によりソース・ドレイン配線材であるこれら３種の薄膜の積層３４Ａ，３５Ａ，３６Ａよりなる絶縁ゲート型トランジスタのドレイン電極２１とソース電極も兼ねる信号線１２とを選択的に形成する。この選択的パターン形成は、ソース・ドレイン配線の形成に用いられる感光性樹脂パターンをマスクとしてＴｉ薄膜層３６、ＡＬ薄膜層３５、Ｔｉ薄膜層３４を順次食刻した後、ソース・ドレイン電極１２，２１間の第２の非晶質シリコン層３３を除去して第２のＳｉＮｘ層３２Ａを露出するとともに、その他の領域では第１の非晶質シリコン層３１をも除去してゲート絶縁層３０を露出することによってなされる。このようにチャネルの保護層である第２の層ＳｉＮｘ層３２Ａが存在して第２の非晶質シリコン層３３の食刻が自動的に終了することからこの製法はエッチストップと呼称される。
【００１５】
絶縁ゲート型トランジスタがオフセット構造とならぬようソース・ドレイン電極１２，２１はゲート電極１１Ａと一部（数μｍ）平面的に重なって形成される。この重なりは寄生容量として電気的に作用するので小さいほど良いが、露光機の合わせ精度とフォトマスクの精度とガラス基板の膨張係数及び露光時のガラス基板温度で決定され、実用的な数値は精々２μｍ程度である。
【００１６】
そしてガラス基板２の全面に透明性の絶縁層としてゲート絶縁層と同様にＰＣＶＤ装置を用いて０．３μｍ程度の膜厚のＳｉＮｘ層を被着してパシベーション絶縁層３７とし、図２０（ｄ）と図２１（ｄ）とに示したようにパシベーション絶縁層３７を微細加工技術により選択的に除去してドレイン電極２１上に開口部６２と、画像表示部外の領域で走査線１１の電極端子５が形成される位置上に開口部６３と、信号線１２の電極端子６が形成される位置上に開口部６４とを形成してドレイン電極２１と走査線１１と信号線１２の一部分を露出する。蓄積容量線１６（を平行に束ねた電極パターン）上には開口部６５を形成して蓄積容量線１６の一部を露出する。
【００１７】
最後にＳＰＴ等の真空製膜装置を用いて膜厚０．１〜０．２μｍ程度の透明導電層として例えばＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ−Ｔｉｎ−Ｏｘｉｄｅ）あるいはＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ−Ｚｉｎｃ−Ｏｘｉｄｅ）を被着し、図２０（ｅ）と図２１（ｅ）とに示したように微細加工技術により開口部６２を含んでパシベーション絶縁層３７上に絵素電極２２を選択的に形成してアクティブ基板２として完成する。開口部６３内の露出している走査線１１の一部を電極端子５とし、開口部６４内の露出している信号線１２の一部を電極端子６としても良く、図示したように開口部６３，６４を含んでパシベーション絶縁層３７上にＩＴＯよりなる電極端子５Ａ，６Ａを選択的に形成しても良いが、通常は電極端子５Ａ，６Ａ間を接続する透明導電性の短絡線４０も同時に形成される。その理由は、図示はしないが電極端子５Ａ，６Ａと短絡線４０との間を細長いストライプ状に形成することにより高抵抗化して静電気対策用の高抵抗とすることが出来るからである。同様に開口部６５を含んで蓄積容量線１６への電極端子が形成される。
【００１８】
信号線１２の配線抵抗が問題とならない場合にはＡＬよりなる低抵抗配線層３５は必ずしも必要ではなく、その場合にはＣｒ，Ｔａ，Ｍｏ等の耐熱金属材料を選択すればソース・ドレイン配線１２，２１を単層化して簡素化することが可能である。なお、絶縁ゲート型トランジスタの耐熱性については先行例である特開平７−７４３６８号公報に詳細が記載されている。なお、図２０（ｃ）において蓄積容量線１６とドレイン電極２１とがゲート絶縁層３０を介して重なっている領域５０（右下がり斜線部）が蓄積容量１５を形成しているが、ここではその詳細な説明は省略する。
【００１９】
以上述べた５枚マスク・プロセスは詳細な経緯は省略するが、半導体層の島化工程の合理化とコンタクト形成工程が１回削減された結果得られたもので、当初は７〜８枚程度必要であったフォトマスクもドライエッチ技術の導入により、現時点では５枚に減少してプロセスコストの削減に大きく寄与している。液晶表示装置の生産コストを下げるためにはアクティブ基板の作製工程ではプロセスコストを、またパネル組立工程とモジュール実装工程では部材コストを下げることが有効であることは周知の開発目標である。プロセスコストを下げるためにはプロセスを短くする工程削減と、安価なプロセス開発またはプロセスへの置き換えとがあるが、ここでは４枚のフォトマスクでアクティブ基板が得られる４枚マスク・プロセスを工程削減の一例として説明する。４枚マスク・プロセスはハーフトーン露光技術の導入に写真食刻工程を削減するもので、図２２は４枚マスク・プロセスに対応したアクティブ基板の単位絵素の平面図で、図２２（ｅ）のＡ−Ａ’、Ｂ−Ｂ’およびＣ−Ｃ’線上の断面図を図２３に示す。既に述べたように絶縁ゲート型トランジスタには２種類のものが現在多用されているが、ここではチャネルエッチ型の絶縁ゲート型トランジスタを採用している。
【００２０】
先ず、５枚マスク・プロセスと同様にガラス基板２の一主面上にＳＰＴ等の真空製膜装置を用いて膜厚０．１〜０．３μｍ程度の第１の金属層を被着し、図２２（ａ）と図２３（ａ）に示したように微細加工技術によりゲート電極１１Ａも兼ねる走査線１１と蓄積容量線１６とを選択的に形成する。
【００２１】
次に、ガラス基板２の全面にＰＣＶＤ装置を用いてゲート絶縁層となるＳｉＮｘ層３０、不純物をほとんど含まず絶縁ゲート型トランジスタのチャネルとなる第１の非晶質シリコン層３１、及び不純物を含み絶縁ゲート型トランジスタのソース・ドレインとなる第２の非晶質シリコン層３３と３種類の薄膜層を、例えば０．３−０．２−０．０５μｍ程度の膜厚で順次被着する。引き続き、ＳＰＴ等の真空製膜装置を用いて膜厚０．１μｍ程度の耐熱金属層として例えばＴｉ薄膜層３４を、膜厚０．３μｍ程度の低抵抗配線層としてＡＬ薄膜層３５を、膜厚０．１μｍ程度の中間導電層として例えばＴｉ薄膜層３６、すなわちソース・ドレイン配線材を順次被着し、微細加工技術により絶縁ゲート型トランジスタのドレイン電極２１とソース電極も兼ねる信号線１２とを選択的に形成するのであるが、この選択的パターン形成に当たりハーフトーン露光技術により図２２（ｂ）と図２３（ｂ）に示したようにソース・ドレイン配線間のチャネル形成領域８０Ｃ（右上がり斜線部）の膜厚が例えば１．５μｍで、ソース・ドレイン配線形成領域８０Ａ，８０Ｂの膜厚３μｍよりも薄い感光性樹脂パターン８０Ａ〜８０Ｃを形成する点が大きな特徴である。
【００２２】
このような感光性樹脂パターン８０Ａ〜８０Ｃは、液晶表示装置用基板の作製には通常ポジ型の感光性樹脂を用いるので、ソース・ドレイン配線形成領域８０Ａ，８０Ｂが黒、すなわちＣｒ薄膜が形成されており、チャネル領域８０Ｃは灰色、たとえば幅０．５〜１μｍ程度のラインアンドスペースのＣｒパターンが形成されており、その他の領域は白、すなわちＣｒ薄膜が除去されているようなフォトマスクを用いれば良い。灰色領域は露光機の解像力が不足しているためにラインアンドスペースが解像されることはなく、ランプ光源からのフオトマスク照射光を半分程度透過させることが可能であるので、ポジ型感光性樹脂の残膜特性に応じて図２３（ｂ）に示したような断面形状を有する感光性樹脂パターン８０Ａ〜８０Ｃを得ることができる。
【００２３】
上記感光性樹脂パターン８０Ａ〜８０Ｃをマスクとして図２３（ｂ）と図２３（ｂ）に示したようにＴｉ薄膜層３６、ＡＬ薄膜層３５、Ｔｉ薄膜層３４、第２の非晶質シリコン層３３及び第１の非晶質シリコン層３１を順次食刻してゲート絶縁層３０を露出した後、図２２（ｃ）と図２３（ｃ）に示したように酸素プラズマ等の灰化手段により感光性樹脂パターン８０Ａ〜８０Ｃの膜厚を例えば３μｍから１．５μｍ以上減少せしめて８１Ａ，８１Ｂとすると８０Ｃが消失しチャネル領域が露出する。そこで膜減りした感光性樹脂パターン８１Ａ，８１Ｂをマスクとして、再びソース・ドレイン配線間（チャネル形成領域）のＴｉ薄膜層３６Ａ，ＡＬ薄膜層３５Ａ，Ｔｉ薄膜層３４Ａ，第２の非晶質シリコン層３３Ａ及び第１の非晶質シリコン層３１Ａを順次食刻し、第１の非晶質シリコン層３１Ａは０．０５〜０．１μｍ程度残して食刻する。チャネルエッチと呼称される理由はこのようにチャネルとなる半導体層がエッチングして形成される点にある。なお上記酸素プラズマ処理ではパターン寸法の変化を抑制するため異方性を強めることが望ましいがその理由は後述する。
【００２４】
さらに上記感光性樹脂パターン８１Ａ，８１Ｂを除去した後は、５枚マスク・プロセスと同じく図２２（ｄ）と図２３（ｄ）に示したようにガラス基板２の全面に透明性の絶縁層として０．３μｍ程度の膜厚のＳｉＮｘ層を被着してパシベーション絶縁層３７とし、ドレイン電極２１と走査線１１と信号線１２の電極端子５，６が形成される領域にそれぞれ開口部６２，６３，６４を形成して開口部内のパシベーション絶縁層３７とゲート絶縁層３０とを除去する。
【００２５】
最後にＳＰＴ等の真空製膜装置を用いて膜厚０．１〜０．２μｍ程度の透明導電層として例えばＩＴＯあるいはＩＺＯを被着し、図２２（ｅ）と図２３（ｅ）に示したように微細加工技術によりパシベーション絶縁層３７上に開口部６２を含んで透明導電性の絵素電極２２を選択的に形成してアクティブ基板２として完成する。電極端子に関してはここでは開口部６３，６４を含んでパシベーション絶縁層３７上にＩＴＯよりなる電極端子５Ａ，６Ａを選択的に形成している。
【００２６】
【発明が解決しようとする課題】
このように５枚マスク・プロセスと４枚マスク・プロセスにおいてはドレイン電極２１と走査線１１へのコンタクト形成工程が同時になされるため、それらに対応した開口部６２，６３内の絶縁層の厚さと種類が異なっている。パシベーション絶縁層３７はゲート絶縁層３０に比べると製膜温度が低く膜質が劣悪で、弗酸系のエッチング液による食刻では食刻速度が夫々数１０００Å／分、数１００Å／分と１桁も異なり、ドレイン電極２１上の開口部６２の断面形状は上部に余りにも過食刻が生じて穴径が制御できない理由から弗素系のガスを用いた乾式食刻（ドライエッチ）を採用している。
【００２７】
ドライエッチを採用してもドレイン電極２１上の開口部６２はパシベーション絶縁層３７のみであるので、走査線１１上の開口部６３と比較して過食刻になるのは避けられず、材質によっては中間導電層３６Ａが食刻ガスによって膜減りすることがある。また、食刻終了後の感光性樹脂パターンの除去に当たり、まずは弗素化された表面のポリマー除去のために酸素プラズマ灰化で感光性樹脂パターンの表面を０．１〜０．３μｍ程度削り、その後に有機剥離液、例えば東京応化製の剥離液１０６等を用いた薬液処理がなされるのが一般的であるが、中間導電層３６Ａが膜減りして下地のアルミニウム層３５Ａが露出した状態になっていると、酸素プラズマ灰化処理でアルミニウム層３５Ａの表面に絶縁体であるＡＬ２Ｏ３が形成されて、絵素電極２２との間でオーミック接触が得られなくなる。そこで中間導電層３６Ａが膜減りしてもいいように、その膜厚を例えば０．２μｍと厚く設定することでこの問題から逃れようとしている。あるいは開口部６２〜６５の形成時、アルミニウム層３５Ａを除去して下地の耐熱金属層である薄膜層３４Ａを露出してから絵素電極２２を形成する回避策も可能であり、この場合には当初から中間導電層３６Ａは不要となるメリットもある。
【００２８】
しかしながら、前者の対策ではこれら薄膜の膜厚の面内均一性が良好でないとこの取組みも必ずしも有効に作用するわけではなく、また食刻速度の面内均一性が良好でない場合にも全く同様である。後者の対策では中間導電層３６Ａは不要となるが、アルミニウム層３５Ａの除去工程が増加し、また開口部６２の断面制御が不十分であると絵素電極２２が段切れを起こす恐れがあった。
【００２９】
加えてチャネルエッチ型の絶縁ゲート型トランジスタではチャネル領域の不純物を含まない第１の非晶質シリコン層３１はどうしても厚めに（チャネルエッチ型では通常０．２μｍ  以上）被着しておかないと、ガラス基板の面内均一性に大きく影響されてトランジスタ特性、とりわけＯＦＦ電流が不揃いになりがちである。このことはＰＣＶＤの稼働率とパーティクル発生状況とに大きく影響し、生産コストの観点からも非常に重要な事項である。
【００３０】
また４枚マスク・プロセスにおいて適用されているチャネル形成工程はソース・ドレイン配線１２，２１間のソース・ドレイン配線材と半導体層とを選択的に除去するので、絶縁ゲート型トランジスタのＯＮ特性を大きく左右するチャネルの長さ（現在の量産品で４〜６μｍ）を決定する工程である。このチャネル長の長さの変動は絶縁ゲート型トランジスタのＯＮ電流値を大きく変化させるので、通常は厳しい製造管理を要求されるが、チャネル長、すなわちハーフトーン露光領域のパターン寸法は露光量（光源強度とフォマスクのパターン精度、特にライン＆スペース寸法）、感光性樹脂の塗布厚、感光性樹脂の現象処理、および当該のエッチング工程における感光性樹脂の膜減り量等多くのパラメータに左右され、加えてこれら諸量の面内均一性もあいまって必ずしも歩留高く安定して生産できるわけではなく、従来の製造管理よりも一段と厳しい製造管理が必要となり、決して高度に完成したレベルにあるとは言えないのが現状である。特にチャネル長が６μｍ以下ではその傾向が顕著となる。
【００３１】
本発明はかかる現状に鑑みなされたもので、従来の５枚マスク・プロセスや４枚マスク・プロセスに共通するコンタクト形成時の不具合を回避するだけでなく、製造マージンの大きいハーフトーン露光技術を採用して製造工程の削減を実現するものである。また液晶パネルの低価格化を実現し、需要の増大に対応していくためにも製造工程数の更なる削減を鋭意追求していく必要性があることは明白であり、他の主要な製造工程を簡略化あるいは低コスト化する技術を付与することによりさらに本発明の価値を高めんとするものである。
【課題を解決するための手段】
本発明においては、まずハーフトーン露光技術をパターン精度管理が容易なエッチストップ層の形成工程とコンタクト形成工程とに適用することで製造工程の削減を実現している。次にソース・ドレイン配線のみを有効にパシベーションするために先行技術である特開平２−２１６１２９号公報に開示されているアルミニウムよりなるソース・ドレイン配線の表面に絶縁層を形成する陽極酸化技術と融合させてプロセスの合理化と低温化を実現せんとするものである。さらに先行技術である特願平５−２６８７２６号公報に開示されている絵素電極の形成工程を合理化したものを本発明に適合させて採用している。また更なる工程削減のためにソース・ドレイン配線の陽極酸化層形成にもハーフトーン露光技術を適用して電極端子の保護層形成工程を合理化している。
【００３２】
請求項１に記載の絶縁ゲート型トランジスタは、チャネル上に保護絶縁層を有し、ソース・ドレイン配線材とは異なった導電性材質よりなるソース配線の電気的接続領域の一部を含んで形成されたソース・ドレイン配線上に感光性有機絶縁層が形成されていることを特徴とするボトムゲート型の絶縁ゲート型トランジスタであり、感光性有機絶縁層がパシベーション機能を発揮するのでＳｉＮｘ等の保護絶縁層を付与する必要は無く、液晶表示装置との関わりは請求項５と第２の実施形態で明確にする。
【００３３】
請求項２に記載の絶縁ゲート型トランジスタは、チャネル上に保護絶縁層を有し、ソース配線の電気的接続領域を除いてソース配線上にのみ感光性有機絶縁層が形成されていることを特徴とするボトムゲート型の絶縁ゲート型トランジスタであり、感光性有機絶縁層がパシベーション機能を発揮するのでＳｉＮｘ等の保護絶縁層を付与する必要は無く、液晶表示装置との関わりは請求項６，請求項８，請求項１０と第３，第５，第７の実施形態で明確にする。
【００３４】
請求項３に記載の絶縁ゲート型トランジスタは、チャネル上に保護絶縁層を有し、ソース・ドレイン配線が陽極酸化可能な金属層で構成されるとともにソース配線の電気的接続領域を除いてソース・ドレイン配線上に陽極酸化層が形成されていることを特徴とするボトムゲート型の絶縁ゲート型トランジスタであり、陽極酸化層がパシベーション機能を発揮するのでＳｉＮｘ等の保護絶縁層を付与する必要は無く、液晶表示装置との関わりは請求項４，請求項７，請求項９，請求項１１と第１，第４，第６，第８の実施形態で明確にする。
【００３５】
請求項４に記載の液晶表示装置は、一主面上に少なくとも絶縁ゲート型トランジスタと、前記絶縁ゲート型トランジスタのゲート電極も兼ねる走査線とソース配線も兼ねる信号線と、ドレイン配線に接続された絵素電極とを有する単位絵素が二次元のマトリクスに配列された第１の透明性絶縁基板と、前記第１の透明性絶縁基板と対向する第２の透明性絶縁基板またはカラーフィルタとの間に液晶を充填してなる液晶表示装置において、
少なくとも第１の透明性絶縁基板の一主面上に１層以上の金属層よりなる走査線が形成され、
ゲート電極上に１層以上のゲート絶縁層を介して不純物を含まない第１の半導体層が島状に形成され、
ゲート電極上の第１の半導体層上に前記ゲート電極よりも幅細く保護絶縁層が形成され、
前記保護絶縁層の一部上と第１の半導体層上とに不純物を含む第２の半導体層と陽極酸化可能な金属層との積層よりなるソース（信号線）・ドレイン配線が形成され、
前記ドレイン配線の一部上とゲート絶縁層上に透明導電性の絵素電極と画像表示部外の領域で信号線上に透明導電性の電極端子とが形成され、
前記ドレイン配線の絵素電極と重なった領域と信号線の電極端子領域を除いてソース・ドレイン配線の表面に陽極酸化層が形成されていることを特徴とする。
この構成によりソース・ドレイン間のチャネル上には保護絶縁層が形成されてチャネルを保護するとともに信号線とドレイン配線の表面には絶縁性の陽極酸化層である５酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）または酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）が形成されてパシベーション機能が付与されている。このためパシベーション絶縁層をガラス基板の全面に被着する必要はなくなり、絶縁ゲート型トランジスタの耐熱性が問題となることはなくなる。そして透明導電性の電極端子を有するＴＮ型の液晶表示装置が得られる。
【００３６】
請求項５に記載の液晶表示装置は、同じく
少なくとも第１の透明性絶縁基板の一主面上に透明導電層と第１の金属層との積層よりなる走査線と透明導電性の絵素電極と同じく信号線の電極端子が形成され、
ゲート電極上にプラズマ保護層とゲート絶縁層を介して不純物を含まない第１の半導体層が島状に形成され、
ゲート電極上の第１の半導体層上に前記ゲート電極よりも幅細く保護絶縁層が形成され、
前記絵素電極上のプラズマ保護層とゲート絶縁層に開口部が形成され、
前記保護絶縁層の一部上と第１の半導体層上と信号線の電極端子の一部上に不純物を含む第２の半導体層と１層以上の第２の金属層との積層よりなるソース（信号線）配線と、前記保護絶縁層の一部上と第１の半導体層上と第１の透明性絶縁基板上と前記開口部内の絵素電極の一部上とに同じくドレイン配線とが形成され、
前記ソース・ドレイン配線上に感光性有機絶縁層が形成されていることを特徴とする。
この構成によりソース・ドレイン間のチャネル上には保護絶縁層が形成されてチャネルを保護するとともに信号線とドレイン配線の表面には感光性有機絶縁層が形成されてパシベーション機能が付与されている。このためパシベーション絶縁層をガラス基板の全面に被着する必要はなくなり、絶縁ゲート型トランジスタの耐熱性が問題となることはなくなる。そして透明導電性の電極端子を有するＴＮ型の液晶表示装置が得られる。
【００３７】
請求項６に記載の液晶表示装置は、同じく
少なくとも第１の透明性絶縁基板の一主面上に透明導電層と第１の金属層との積層よりなる走査線と透明導電性の絵素電極とが形成され、
ゲート電極上にプラズマ保護層とゲート絶縁層を介して不純物を含まない第１の半導体層が島状に形成され、
ゲート電極上の第１の半導体層上に前記ゲート電極よりも幅細く保護絶縁層が形成され、
前記絵素電極上のプラズマ保護層とゲート絶縁層に開口部が形成され、
前記保護絶縁層の一部上と第１の半導体層上とに不純物を含む第２の半導体層と１層以上の第２の金属層との積層よりなるソース（信号線）配線と、前記保護絶縁層の一部上と第１の半導体層上と前記開口部内の絵素電極の一部上とに同じくドレイン配線とが形成され、
信号線の電極端子を除いて信号線上に感光性有機絶縁層が形成されていることを特徴とする。
この構成によりソース・ドレイン間のチャネル上には保護絶縁層が形成されてチャネルを保護するとともに信号線の表面には感光性有機絶縁層が形成されてパシベーション機能が付与されている。このためパシベーション絶縁層をガラス基板の全面に被着する必要はなくなり、絶縁ゲート型トランジスタの耐熱性が問題となることはなくなる。そして信号線と同一の金属性の電極端子を有するＴＮ型の液晶表示装置が得られる。
【００３８】
請求項７に記載の液晶表示装置は、
同じく少なくとも第１の透明性絶縁基板の一主面上に透明導電層と金属層との積層よりなる走査線と透明導電性の絵素電極とが形成され、
ゲート電極上にプラズマ保護層とゲート絶縁層を介して不純物を含まない第１の半導体層が島状に形成され、
ゲート電極上の第１の半導体層上に前記ゲート電極よりも幅細く保護絶縁層が形成され、
前記絵素電極上のプラズマ保護層とゲート絶縁層に開口部が形成され、
前記保護絶縁層の一部上と第１の半導体層上とに不純物を含む第２の半導体層と陽極酸化可能な金属層との積層よりなるソース（信号線）配線と、前記保護絶縁層の一部上と第１の半導体層上と第１の透明性絶縁基板上と前記開口部内の絵素電極の一部上とに同じくドレイン配線とが形成され、
信号線の電極端子を除いてソース・ドレイン配線の表面に陽極酸化層が形成されていることを特徴とする。
この構成によりソース・ドレイン間のチャネル上には保護絶縁層が形成されてチャネルを保護するとともに信号線とドレイン配線の表面には絶縁性の陽極酸化層である５酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）または酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）が形成されてパシベーション機能が付与されている。このためパシベーション絶縁層をガラス基板の全面に被着する必要はなくなり、絶縁ゲート型トランジスタの耐熱性が問題となることはなくなる。そして信号線と同一の金属性の電極端子を有するＴＮ型の液晶表示装置が得られる。
【００３９】
請求項８に記載の液晶表示装置は、一主面上に少なくとも絶縁ゲート型トランジスタと、前記絶縁ゲート型トランジスタのゲート電極も兼ねる走査線とソース配線も兼ねる信号線と、前記絶縁ゲート型トランジスタのドレインに接続された絵素電極と、前記絵素電極とは所定の距離を隔てて形成された対向電極とを有する単位絵素が二次元のマトリクスに配列された第１の透明性絶縁基板と、前記第１の透明性絶縁基板と対向する第２の透明性絶縁基板またはカラーフィルタとの間に液晶を充填してなる液晶表示装置において、
少なくとも第１の透明性絶縁基板の一主面上に１層以上の第１の金属層よりなる走査線と対向電極とが形成され、
ゲート電極上に１層以上のゲート絶縁層を介して不純物を含まない第１の半導体層が島状に形成され、
ゲート電極上の第１の半導体層上に前記ゲート電極よりも幅細く保護絶縁層が形成され、
前記保護絶縁層の一部上と第１の半導体層上とに不純物を含む第２の半導体層と１層以上の第２の金属層との積層よりなるソース配線（信号線）とドレイン配線（絵素電極）とが形成され、
信号線の電極端子を除いて信号線上に感光性有機絶縁層が形成され、
走査線の電極端子は画像表示部外の領域で走査線上のゲート絶縁層に形成された開口部を含んで形成された第２の金属層よりなることを特徴とする。
この構成によりソース・ドレイン間のチャネル上には保護絶縁層が形成されてチャネルを保護するとともに信号線の表面には感光性有機絶縁層が形成されてパシベーション機能が付与されている。このためパシベーション絶縁層をガラス基板の全面に被着する必要はなくなり、絶縁ゲート型トランジスタの耐熱性が問題となることはなくなる。そして信号線と同一の金属性の電極端子を有するＩＰＳ型の液晶表示装置が得られる。
【００４０】
請求項９に記載の液晶表示装置は、
同じく少なくとも第１の透明性絶縁基板の一主面上に１層以上の金属層よりなる走査線と対向電極とが形成され、
ゲート電極上に１層以上のゲート絶縁層を介して不純物を含まない第１の半導体層が島状に形成され、
ゲート電極上の第１の半導体層上に前記ゲート電極よりも幅細く保護絶縁層が形成され、
前記保護絶縁層の一部上と第１の半導体層上とに不純物を含む第２の半導体層と陽極酸化可能な金属層との積層よりなるソース配線（信号線）とドレイン配線（絵素電極）とが形成され、
信号線の電極端子を除いてソース・ドレイン配線の表面に陽極酸化層が形成され、
走査線の電極端子は画像表示部外の領域で走査線上のゲート絶縁層に形成された開口部を含んで形成された陽極酸化可能な金属層よりなることを特徴とする。
この構成によりソース・ドレイン間のチャネル上には保護絶縁層が形成されてチャネルを保護するとともに信号線とドレイン配線の表面には絶縁性の陽極酸化層である５酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）または酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）が形成されてパシベーション機能が付与されている。このためパシベーション絶縁層をガラス基板の全面に被着する必要はなくなり、絶縁ゲート型トランジスタの耐熱性が問題となることはなくなる。そして信号線と同一の金属性の電極端子を有するＩＰＳ型の液晶表示装置が得られる。
【００４１】
請求項１０に記載の液晶表示装置は、
同じく少なくとも第１の透明性絶縁基板の一主面上に１層以上の第１の金属層よりなる走査線と対向電極とが形成され、
ゲート電極上に１層以上のゲート絶縁層を介して不純物を含まない第１の半導体層が島状に形成され、
ゲート電極上の第１の半導体層上に前記ゲート電極よりも幅細く保護絶縁層が形成され、
前記保護絶縁層の一部上と第１の半導体層上とに不純物を含む第２の半導体層と１層以上の第２の金属層との積層よりなるソース配線（信号線）とドレイン配線（絵素電極）とが形成され、
信号線の電極端子を除いて信号線上に感光性有機絶縁層が形成され、
走査線の電極端子は画像表示部外の領域で走査線上のゲート絶縁層に形成された開口部を含んで形成された第２の半導体層と第２の金属層との積層よりなることを特徴とする。
この構成により請求項８に記載された液晶表示装置と略同一の構成でありながらも製造工程の短いＩＰＳ型の液晶表示装置が得られる。
【００４２】
請求項１１に記載の液晶表示装置は、同じく
少なくとも第１の透明性絶縁基板の一主面上に１層以上の金属層よりなる走査線と対向電極とが形成され、
ゲート電極上に１層以上のゲート絶縁層を介して不純物を含まない第１の半導体層が島状に形成され、
ゲート電極上の第１の半導体層上に前記ゲート電極よりも幅細く保護絶縁層が形成され、
前記保護絶縁層の一部上と第１の半導体層上とに不純物を含む第２の半導体層と陽極酸化可能な金属層との積層よりなるソース（信号線）とドレイン配線（絵素電極）とが形成され、
信号線の電極端子を除いてソース・ドレイン配線の表面に陽極酸化層が形成され、
走査線の電極端子は画像表示部外の領域で走査線上のゲート絶縁層に形成された開口部を含んで形成された第２の半導体層と陽極酸化可能な金属層との積層よりなることを特徴とする。
この構成により請求項９に記載された液晶表示装置と略同一の構成でありながらも製造工程の短いＩＰＳ型の液晶表示装置が得られる。
【００４３】
請求項１２は請求項４に記載の液晶表示装置の製造方法であって、
少なくとも第１の透明性絶縁基板の一主面上に１層以上の金属層よりなる走査線を形成する工程と、
１層以上のゲート絶縁層と不純物を含まない第１の非晶質シリコン層と保護絶縁層とを順次被着する工程と、
走査線の電極端子形成領域上に開口部を有しゲート電極上の保護絶縁層形成領域の膜厚が他の領域よりも厚い感光性樹脂パターンを形成する工程と、
前記開口部内の保護絶縁層と第１の非晶質シリコン層とゲート絶縁層とを除去して走査線の電極端子形成領域を露出する工程と、
前記感光性樹脂パターンの膜厚を減少して保護絶縁層を露出する工程と、
ゲート電極上にゲート電極よりも幅細く保護絶縁層を残して第１の非晶質シリコン層を露出する工程と、
前記感光性樹脂パターンの除去後、全面に不純物を含む第２の非晶質シリコン層を被着する工程と、
前記保護絶縁層と一部重なるように第２の非晶質シリコン層と１層以上の陽極酸化可能な金属層との積層よりなるソース（信号線）・ドレイン配線を形成する工程と、
ゲート絶縁層上と前記ドレイン配線の一部上に透明導電性の絵素電極と画像表示部外の領域で信号線上に透明導電性の電極端子とを形成する工程と、
前記絵素電極と電極端子との選択的パターン形成に用いられた感光性樹脂パターンをマスクとして絵素電極と電極端子とを保護しながらソース・ドレイン配線を陽極酸化する工程とを有することを特徴とする。
この構成によりエッチストップ層の形成工程と半導体層の島化工程とを１枚のフォトマスクを用いて処理することができて写真食刻工程数の削減が実現する。また絵素電極の形成時にソース・ドレイン配線を陽極酸化することでパシベーション絶縁層の形成を不要とする製造工程の削減もなされる結果、４枚のフォトマスクを用いてＴＮ型の液晶表示装置を作製する事ができる。
【００４４】
請求項１３は請求項５に記載の液晶表示装置の製造方法であって、
少なくとも第１の透明性絶縁基板の一主面上に透明導電層と第１の金属層との積層よりなる走査線と信号線の擬似電極端子と擬似絵素電極とを形成する工程と、プラズマ保護層とゲート絶縁層と不純物を含まない第１の非晶質シリコン層と保護絶縁層とを順次被着する工程と、
走査線と信号線の電極端子形成領域上と擬似絵素電極上とに開口部を有しゲート電極上の保護絶縁層形成領域の膜厚が他の領域よりも厚い感光性樹脂パターンを形成する工程と、
前記開口部内の保護絶縁層と第１の非晶質シリコン層とゲート絶縁層とプラズマ保護層と第１の金属層とを除去して透明導電性の走査線と信号線の電極端子形成領域と同じく絵素電極とを露出する工程と、
前記感光性樹脂パターンの膜厚を減少して保護絶縁層を露出する工程と、
ゲート電極上にゲート電極よりも幅細く保護絶縁層を残して第１の非晶質シリコン層を露出する工程と、
前記感光性樹脂パターンの除去後、全面に不純物を含む第２の非晶質シリコン層を被着する工程と、
１層以上の第２の金属層を被着後、第２の非晶質シリコン層と１層以上の第２の金属層との積層よりなり前記保護絶縁層と一部重なるように信号線の電極端子形成領域を含んでその表面に感光性有機絶縁層を有するソース配線（信号線）と同じく絵素電極を含んでドレイン配線とを形成する工程とを有することを特徴とする。
この構成により絵素電極と走査線とを１枚のフォトマスクを用いて処理する写真食刻工程数の削減と、エッチストップ層の形成工程と半導体層の島化工程とを１枚のフォトマスクを用いて処理することができて写真食刻工程数の削減が実現する。またソース・ドレイン配線の形成時に用いた感光性有機絶縁層をそのまま残すことでパシベーション絶縁層の形成を不要とする製造工程の削減もなされる結果、３枚のフォトマスクを用いてＴＮ型の液晶表示装置を作製する事ができる。
【００４５】
請求項１４は請求項６に記載の液晶表示装置の製造方法であって、
少なくとも第１の透明性絶縁基板の一主面上に透明導電層と第１の金属層との積層よりなる走査線と擬似絵素電極とを形成する工程と、
プラズマ保護層とゲート絶縁層と不純物を含まない第１の非晶質シリコン層と保護絶縁層とを順次被着する工程と、
走査線の電極端子形成領域上と擬似絵素電極上とに開口部を有しゲート電極上の保護絶縁層形成領域の膜厚が他の領域よりも厚い感光性樹脂パターンを形成する工程と、
前記開口部内の保護絶縁層と第１の非晶質シリコン層とゲート絶縁層とプラズマ保護層と第１の金属層とを除去して透明導電性の走査線の電極端子形成領域と同じく絵素電極とを露出する工程と、
前記感光性樹脂パターンの膜厚を減少して保護絶縁層を露出する工程と、
ゲート電極上にゲート電極よりも幅細く保護絶縁層を残して第１の非晶質シリコン層を露出する工程と、
前記感光性樹脂パターンの除去後、全面に不純物を含む第２の非晶質シリコン層を被着する工程と、
１層以上の第２の金属層を被着後、前記保護絶縁層と一部重なりソース配線（信号線）と同じく絵素電極を含んでドレイン配線と透明導電性の走査線の電極端子形成領域を含んで走査線の電極端子と信号線の一部よりなる信号線の電極端子とに対応し信号線上の膜厚が他の領域よりも厚い感光性有機絶縁層パターンを形成する工程と、
前記感光性有機絶縁層パターンをマスクとして第２の金属層と第２の非晶質シリコン層と第１の非晶質シリコン層とを選択的に除去して走査線と信号線の電極端子とソース・ドレイン配線とを形成する工程と、
前記感光性有機絶縁層パターンの膜厚を減少して走査線と信号線の電極端子とドレイン配線とを露出する工程とを有することを特徴とする。
この構成により絵素電極と走査線とを１枚のフォトマスクを用いて処理する写真食刻工程数の削減と、エッチストップ層の形成工程と半導体層の島化工程とを１枚のフォトマスクを用いて処理することができて写真食刻工程数の削減が実現する。またソース・ドレイン配線の形成時にハーフトーン露光技術を用いて信号線上にのみ選択的に感光性有機絶縁層を残すことでパシベーション絶縁層の形成を不要とする製造工程の削減もなされる結果、３枚のフォトマスクを用いてＴＮ型の液晶表示装置を作製する事ができる。
【００４６】
請求項１５は請求項７に記載の液晶表示装置の製造方法であって、
少なくとも第１の透明性絶縁基板の一主面上に透明導電層と金属層との積層よりなる走査線と擬似絵素電極とを形成する工程と、
プラズマ保護層とゲート絶縁層と不純物を含まない第１の非晶質シリコン層と保護絶縁層とを順次被着する工程と、
走査線の電極端子形成領域上と擬似絵素電極上とに開口部を有しゲート電極上の保護絶縁層形成領域の膜厚が他の領域よりも厚い感光性樹脂パターンを形成する工程と、
前記開口部内の保護絶縁層と第１の非晶質シリコン層とゲート絶縁層とプラズマ保護層と金属層とを除去して透明導電性の走査線の電極端子形成領域と同じく絵素電極とを露出する工程と、
前記感光性樹脂パターンの膜厚を減少して保護絶縁層を露出する工程と、
ゲート電極上にゲート電極よりも幅細く保護絶縁層を残して第１の非晶質シリコン層を露出する工程と、
前記感光性樹脂パターンの除去後、全面に不純物を含む第２の非晶質シリコン層を被着する工程と、
１層以上の陽極酸化可能な金属層を被着後、前記保護絶縁層と一部重なりソース配線（信号線）と同じく絵素電極を含んでドレイン配線と透明導電性の走査線の電極端子形成領域を含んで走査線の電極端子と信号線の一部よりなる信号線の電極端子とに対応し走査線と信号線の電極端子上の膜厚が他の領域よりも厚い感光性樹脂パターンを形成する工程と、
前記感光性樹脂パターンをマスクとして陽極酸化可能な金属層と第２の非晶質シリコン層と第１の非晶質シリコン層とを選択的に除去して走査線と信号線の電極端子とソース・ドレイン配線とを形成する工程と、
前記感光性樹脂パターンの膜厚を減少してソース・ドレイン配線を露出する工程と、
前記電極端子上を保護しながらソース・ドレイン配線を陽極酸化する工程とを有することを特徴とする。
この構成により絵素電極と走査線とを１枚のフォトマスクを用いて処理する写真食刻工程数の削減と、エッチストップ層の形成工程と半導体層の島化工程とを１枚のフォトマスクを用いて処理することができて写真食刻工程数の削減が実現する。またソース・ドレイン配線の形成時にハーフトーン露光技術を用いてソース・ドレイン配線上に選択的に陽極酸化層を形成することでパシベーション絶縁層の形成を不要とする製造工程の削減もなされる結果、３枚のフォトマスクを用いてＴＮ型の液晶表示装置を作製する事ができる。
【００４７】
請求項１６は請求項８に記載の液晶表示装置の製造方法であって、
少なくとも第１の透明性絶縁基板の一主面上に１層以上の第１の金属層よりなる走査線と対向電極とを形成する工程と、
１層以上のゲート絶縁層と不純物を含まない第１の非晶質シリコン層と保護絶縁層とを順次被着する工程と、
ゲート電極上にゲート電極よりも幅細く保護絶縁層を残して第１の非晶質シリコン層を露出する工程と、
全面に不純物を含む第２の非晶質シリコン層を被着後、走査線の電極端子形成領域上に開口部を形成して前記開口部内の第２の非晶質シリコン層と第１の非晶質シリコン層とゲート絶縁層とを除去して走査線の一部を露出する工程と、
１層以上の第２の金属層を被着後、前記保護絶縁層と一部重なりソース配線（信号線）・ドレイン配線（絵素電極）と前記開口部を含んで走査線の電極端子と信号線の一部よりなる信号線の電極端子とに対応し信号線上の膜厚が他の領域よりも厚い感光性有機絶縁層パターンを形成する工程と、
前記感光性有機絶縁層パターンをマスクとして第２の金属層と第２の非晶質シリコン層と第１の非晶質シリコン層とを選択的に除去して走査線と信号線の電極端子とソース・ドレイン配線とを形成する工程と、
前記感光性有機絶縁層パターンの膜厚を減少して走査線と信号線の電極端子とドレイン配線とを露出する工程とを有することを特徴とする。
この構成によりソース・ドレイン配線の形成時にハーフトーン露光技術を用いて信号線上にのみ選択的に感光性有機絶縁層を残すことでパシベーション絶縁層の形成を不要とする製造工程の削減がなされる結果、４枚のフォトマスクを用いてＩＰＳ型の液晶表示装置を作製する事ができる。
【００４８】
請求項１７は請求項９に記載の液晶表示装置の製造方法であって、
少なくとも第１の透明性絶縁基板の一主面上に１層以上の金属層よりなる走査線と対向電極とを形成する工程と、
１層以上のゲート絶縁層と不純物を含まない第１の非晶質シリコン層と保護絶縁層とを順次被着する工程と、
ゲート電極上にゲート電極よりも幅細く保護絶縁層を残して第１の非晶質シリコン層を露出する工程と、
全面に不純物を含む第２の非晶質シリコン層を被着後、走査線の電極端子形成領域上に開口部を形成して前記開口部内の第２の非晶質シリコン層と第１の非晶質シリコン層とゲート絶縁層とを除去して走査線の一部を露出する工程と、
１層以上の陽極酸化可能な金属層を被着後、前記保護絶縁層と一部重なりソース配線（信号線）・ドレイン配線（絵素電極）と前記開口部を含んで走査線の電極端子と信号線の一部よりなる信号線の電極端子とに対応し走査線と信号線の電極端子上の膜厚が他の領域よりも厚い感光性樹脂パターンを形成する工程と、
前記感光性樹脂パターンをマスクとして陽極酸化可能な金属層と第２の非晶質シリコン層と第１の非晶質シリコン層とを選択的に除去して走査線と信号線の電極端子とソース・ドレイン配線とを形成する工程と、
前記感光性樹脂パターンの膜厚を減少してソース・ドレイン配線を露出する工程と、
前記電極端子上を保護しながらソース・ドレイン配線を陽極酸化する工程とを有することを特徴とする。
この構成によりソース・ドレイン配線の形成時にハーフトーン露光技術を用いてソース・ドレイン配線上に選択的に陽極酸化層を形成することでパシベーション絶縁層の形成を不要とする製造工程の削減がなされる結果、４枚のフォトマスクを用いてＩＰＳ型の液晶表示装置を作製する事ができる。
【００４９】
請求項１８は請求項１０に記載の液晶表示装置の製造方法であって、
少なくとも第１の透明性絶縁基板の一主面上に１層以上の第１の金属層よりなる走査線と対向電極とを形成する工程と、
１層以上のゲート絶縁層と不純物を含まない第１の非晶質シリコン層と保護絶縁層とを順次被着する工程と、
走査線の電極端子形成領域上に開口部を有しゲート電極上の保護絶縁層形成領域の膜厚が他の領域よりも厚い感光性樹脂パターンを形成する工程と、
前記開口部内の保護絶縁層と第１の非晶質シリコン層とゲート絶縁層とを除去して走査線の一部を露出する工程と、
前記感光性樹脂パターンの膜厚を減少して保護絶縁層を露出する工程と、
ゲート電極上にゲート電極よりも幅細く保護絶縁層を残して第１の非晶質シリコン層を露出する工程と、
前記感光性樹脂パターンの除去後、全面に不純物を含む第２の非晶質シリコン層を被着する工程と、
１層以上の第２の金属層を被着後、前記保護絶縁層と一部重なりソース配線（信号線）・ドレイン配線（絵素電極）と開口部内の第２の非晶質シリコン層を含んで走査線の電極端子と信号線の一部よりなる信号線の電極端子とに対応し信号線上の膜厚が他の領域よりも厚い感光性有機絶縁層パターンを形成する工程と、
前記感光性有機絶縁層パターンをマスクとして第２の金属層と第２の非晶質シリコン層と第１の非晶質シリコン層とを選択的に除去して走査線と信号線の電極端子とソース・ドレイン配線とを形成する工程と、
前記感光性有機絶縁層パターンの膜厚を減少して走査線と信号線の電極端子とドレイン配線とを露出する工程とを有することを特徴とする。
この構成によりエッチストップ層の形成工程とゲート絶縁層への開口部形成工程とを同一枚のフォトマスクを用いて処理することができて写真食刻工程数の削減が実現する。またソース・ドレイン配線の形成時にハーフトーン露光技術を用いて信号線上にのみ選択的に感光性有機絶縁層を残すことでパシベーション絶縁層の形成を不要とする製造工程の削減がなされる結果、３枚のフォトマスクを用いてＩＰＳ型の液晶表示装置を作製する事ができる。
【００５０】
請求項１９は請求項１１に記載の液晶表示装置の製造方法であって、
少なくとも第１の透明性絶縁基板の一主面上に１層以上の金属層よりなる走査線と対向電極とを形成する工程と、
１層以上のゲート絶縁層と不純物を含まない第１の非晶質シリコン層と保護絶縁層とを順次被着する工程と、
走査線の電極端子形成領域上に開口部を有しゲート電極上の保護絶縁層形成領域の膜厚が他の領域よりも厚い感光性樹脂パターンを形成する工程と、
前記開口部内の保護絶縁層と第１の非晶質シリコン層とゲート絶縁層とを除去して走査線の一部を露出する工程と、
前記感光性樹脂パターンの膜厚を減少して保護絶縁層を露出する工程と、
ゲート電極上にゲート電極よりも幅細く保護絶縁層を残して第１の非晶質シリコン層を露出する工程と、
前記感光性樹脂パターンの除去後、全面に不純物を含む第２の非晶質シリコン層を被着する工程と、
１層以上の陽極酸化可能な金属層を被着後、前記保護絶縁層と一部重なりソース（信号線）配線・ドレイン配線（絵素電極）と開口部内の第２の非晶質シリコン層を含んで走査線の電極端子と信号線の一部よりなる信号線の電極端子とに対応し走査線と信号線の電極端子上の膜厚が他の領域よりも厚い感光性樹脂パターンを形成する工程と、
前記感光性樹脂パターンをマスクとして陽極酸化可能な金属層と第２の非晶質シリコン層と第１の非晶質シリコン層とを選択的に除去して走査線と信号線の電極端子とソース・ドレイン配線とを形成する工程と、
前記感光性樹脂パターンの膜厚を減少してソース・ドレイン配線を露出する工程と、
前記電極端子上を保護しながらソース・ドレイン配線を陽極酸化する工程とを有することを特徴とする。
この構成によりエッチストップ層の形成工程とゲート絶縁層への開口部形成工程とを同一のフォトマスクを用いて処理することができて写真食刻工程数の削減が実現する。またソース・ドレイン配線の形成時にハーフトーン露光技術を用いてソース・ドレイン配線上に選択的に陽極酸化層を形成することでパシベーション絶縁層の形成を不要とする製造工程の削減がなされる結果、３枚のフォトマスクを用いてＩＰＳ型の液晶表示装置を作製する事ができる。
【００５１】
【発明の実施の形態】
本発明の実施形態を図１〜図１６に基づいて説明する。図１に本発明の第１の実施形態に係る表示装置用半導体装置（アクティブ基板）の平面図を示し、図２に図１のＡ−Ａ’線上とＢ−Ｂ’線上及びＣ−Ｃ’線上の製造工程の断面図を示す。同様に第２の実施形態は図３と図４、第３の実施形態は図５と図６、第４の実施形態は図７と図８、第５の実施形態は図９と図１０、第６の実施形態は図１１と図１２、第７の実施形態は図１３と図１４、第８の実施形態は図１５と図１６とで夫々アクティブ基板の平面図と製造工程の断面図を示す。なお従来例と同一の部位については同一の符号を付して詳細な説明は省略する。
（第１の実施形態）
【００５２】
本発明の第１の実施形態について説明する。第１の実施形態では従来例と同様に先ず、図１（ａ）と図２（ａ）に示したようにガラス基板２一主面上にＳＰＴ（スパッタ）等の真空製膜装置を用いて膜厚０．１〜０．３μｍ程度の第１の金属層として例えばＣｒ，Ｔａ，Ｍｏ等あるいはそれらの合金やシリサイドを被着して微細加工技術によりゲート電極１１Ａも兼ねる走査線１１と共通容量線１６とを選択的に形成する。以降の説明で明確になるが本発明においては走査線材料がもたらす制約はほとんど無い。
【００５３】
次に、ガラス基板２の全面にＰＣＶＤ装置を用いてゲート絶縁層となる第１のＳｉＮｘ（シリコン窒化）層３０、不純物をほとんど含まず絶縁ゲート型トランジスタのチャネルとなる第１の非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ）層３１、及びチャネルを保護する絶縁層となる第２のＳｉＮｘ層３２と３種類の薄膜層を例えば、０．３−０．０５−０．１μｍ程度の膜厚で順次被着し、そして図１（ｂ）と図２（ｂ）に示したように画像表示部外の領域で走査線１１の電極端子形成領域上に開口部６３Ａ（共通容量線１６の電極端子形成領域上には開口部６５Ａ）を有するとともに保護絶縁層形成領域、すなわちゲート電極１１Ａ上の領域８２Ａの膜厚が例えば２μｍと他の領域８２Ｂの膜厚１μｍよりも厚い感光性樹脂パターン８２Ａ，８２Ｂをハーフトーン露光技術により形成し、感光性樹脂パターン８２Ａ，８２Ｂをマスクとして開口部６３Ａ（と開口部６５Ａ）内のチャネル保護層である第２のＳｉＮｘ層３２と第１の非晶質シリコン層３１とゲート絶縁層である第１のＳｉＮｘ層３０とを選択的に除去して走査線１１（と共通容量線１６）の一部７２を露出する。走査線１１の電極端子は最大で駆動用ＬＳＩの電極ピッチの半分程度まで、通常２０μｍ以上の大きさを有するので開口部６３Ａ（白領域）を形成するためのフォトマスクの作製もその仕上がり寸法の精度管理も極めて容易である。
【００５４】
続いて、酸素プラズマ等の灰化手段により上記感光性樹脂パターン８２Ａ，８２Ｂを１μｍ以上膜減りさせると感光性樹脂パターン８２Ｂが消失し、図１（ｃ）と図２（ｃ）に示したように第２のＳｉＮｘ層３２が露出すると共に保護絶縁層形成領域上にのみ感光性樹脂パターン８２Ｃを選択的に形成することができる。なお上記酸素プラズマ処理ではパターン寸法の変化を抑制するため異方性を強めることが望ましいが、パターン精度が低い場合はその必要性は少ない。感光性樹脂パターン８２Ｃ、すなわちエッチストップ層のパターン幅はソース・ドレイン配線間の寸法にマスク合わせ精度を加算したものであるから、ソース・ドレイン配線間を４〜６μｍ、合わせ精度を±３μｍとすると１０〜１２μｍとなり寸法精度としては厳しいものではない。しかしながらレジストパターン８２Ａから８２Ｃへの変換時にレジストパターンが等方的に１μｍ膜減りすると、寸法が２μｍ小さくなるだけでなく、ソース・ドレイン配線形成時のマスク合わせ精度が１μｍ小さくなって±２μｍとなり、前者よりも後者の影響がプロセス的には厳しいものとなる。したがって上記酸素プラズマ処理ではパターン寸法の変化を抑制するため異方性を強めることが望ましい。具体的にはＲＩＥ（ＲｅａｃｔｉｖｅＩｏｎ  Ｅｔｃｈｉｎｇ）方式、さらに高密度のプラズマ源を有するＩＣＰ（Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｐｌａｓａｍａ）方式やＴＣＰ（Ｔｒａｎｓｆｅｒ  Ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｐｌａｓａｍａ）方式の酸素プラズマ処理がより望ましい。そして図１（ｄ）と図２（ｄ）に示したように感光性樹脂パターン８２Ｃをマスクとして第２のＳｉＮｘ層３２をゲート電極１１Ａよりも幅細く選択的に食刻して第２のＳｉＮｘ層３２Ａとするとともに第１の非晶質シリコン層３１を露出する。保護絶縁層形成領域、すなわち感光性樹脂パターン８２Ｃ（黒領域）の大きさは最小寸法でも１０μｍの大きさを有し、白領域と黒領域以外の領域をハーフトーン露光領域とするフォトマスクの作製が容易なだけでなく、チャネルエッチ型の絶縁ゲートトランジスタと比較すると絶縁ゲート型トランジスタのＯＮ電流を決定するのはチャネル保護絶縁層３２Ａの寸法であってソース・ドレイン配線１２，２１間の寸法ではないことからもプロセス管理がさらに容易となることを理解されたい。具体的には例えばチャネルエッチ型においてソース・ドレイン配線間の寸法が５±１μｍとなり、エッチストップ型における保護絶縁層の寸法が１０±１μｍとなるような同一の現像条件の下ではＯＮ電流の変動量は略半減する。この時に露出している走査線１１の一部７２は保護絶縁層３２Ａの食刻ガスあるいは薬液に晒されるので走査線１１の材質によっては走査線１１の一部７２の膜減りが生じることには注意が必要であるが、ＡＬ合金が露出するようなことがあってもソース・ドレイン配線材として最下層にＴｉが選択してあれば酸化の影響を回避する事は容易である。その他にも従来例で説明したように走査線１１を例えばＡＬ／Ｔｉ／ＡＬの積層としておき、上層のＴｉが消失してもＡＬを除去して下層のＴｉを露出させる製法も可能である。
【００５５】
前記感光性樹脂パターン８２Ｃを除去した後、ＰＣＶＤ装置を用いてガラス基板２の全面に不純物として例えば燐を含む第２の非晶質シリコン層３３を例えば０．０５μｍ程度の膜厚で被着した後、ＳＰＴ等の真空製膜装置を用いて膜厚０．１μｍ程度の陽極酸化可能な耐熱金属層として例えばＴｉ，Ｔａ等の耐熱金属薄膜層３４を、そして膜厚０．３μｍ程度の同じく陽極酸化可能な低抵抗配線層としてＡＬ薄膜層３５を、さらに膜厚０．１μｍ程度の同じく陽極酸化可能な中間導電層としてＴａ等の耐熱金属薄膜層３６を順次被着する。そしてこれら３層の薄膜よりなるソース・ドレイン配線材と第２の非晶質シリコン層３３と第１の非晶質シリコン層３１とを微細加工技術により感光性樹脂パターンを用いて順次食刻してゲート絶縁層３０を露出し、図１（ｅ）と図２（ｅ）に示したように３４Ａ，３５Ａ，３６Ａの積層よりなる絶縁ゲート型トランジスタのドレイン電極２１とソース電極も兼ねる信号線１２とを選択的に形成する。なお、通常はソース・ドレイン配線１２，２１の形成と同時に走査線の一部７２を含んで走査線の電極端子５を同時に形成するが、ソース・ドレイン配線の材質によっては図示したようにここで電極端子を形成しないことも可能である。ソース・ドレイン配線１２，２１の構成としては抵抗値の制約が緩いのであれば簡素化してＴａ単層とすることも可能であり、またＮｄを添加したＡＬ合金では化学的電位が下がりアルカリ溶液中でのＩＴＯとの化学腐食反応が抑制されるので、この場合には中間導電層３６が不要となりソース・ドレイン配線１２，２１の積層構造を２層構成とすることが可能で、ソース・ドレイン配線１２，２１の構成が若干ではあるが簡素化される。
【００５６】
ソース・ドレイン配線１２，２１の形成後、ガラス基板２の全面にＳＰＴ等の真空製膜装置を用いて膜厚０．１〜０．２μｍ程度の透明導電層として例えばＩＴＯを被着し、図１（ｆ）と図２（ｆ）に示したように微細加工技術によりドレイン電極２１の中間導電層３６Ａの一部を含んでゲート絶縁層３０上に絵素電極２２を選択的に形成する。この時、走査線の一部７２（または電極端子５）上と画像表示部外の信号線１２上にも透明導電層を形成して透明導電性の電極端子５Ａ，６Ａとする。なおここでは従来例と同様に透明導電性の短絡線４０を設け、電極端子５Ａ，６Ａと短絡線４０との間を細長いストライプ状に形成することにより高抵抗化して静電気対策用の高抵抗とすることが容易である。
【００５７】
引き続き、図１（ｇ）と図２（ｇ）に示したように絵素電極２２の選択的パターン形成に用いられた感光性樹脂パターン８３をマスクとして光を照射しながらソース・ドレイン配線１２，２１を陽極酸化してその表面に酸化層を形成する。ソース・ドレイン配線１２，２１の上面にはＴａが、また側面にはＴａ，ＡＬ，Ｔｉ，第２の非晶質シリコン層３３Ａ及び第１の非晶質シリコン層３１Ａの積層が露出しており、陽極酸化によって第２の非晶質シリコン層３３Ａは不純物を含む酸化シリコン層（ＳｉＯ２）６６に、第１の非晶質シリコン層３１Ａは不純物を含まない酸化シリコン層（ＳｉＯ２）６７に、Ｔｉは半導体である酸化チタン（ＴｉＯ２）６８に、ＡＬは絶縁層であるアルミナ（ＡＬ２Ｏ３）６９に、そしてＴａは絶縁層である５酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）７０に夫々変質する。酸化チタン層６８は絶縁層ではないが膜厚が極めて薄く露出面積も小さいのでパシベーション上はまず問題とならないが、耐熱金属薄膜層３４ＡもＴａを選択しておくことが望ましい。しかしながらＴａはＴｉと異なり下地の表面酸化層を吸収してオーミック接触を容易にする機能に欠ける特性に注意する必要がある。
【００５８】
ドレイン配線２１上にも良好な膜質の陽極酸化層を形成するためには光を照射しながら陽極酸化を実施することが陽極酸化工程の重要なポイントとなることは先行例にも開示されている。具体的には１万ルックス程度の十分強力な光を照射して絶縁ゲート型トランジスタのリーク電流がμＡを越えればドレイン電極２１の面積から計算して１０ｍＡ／ｃｍ２程度の陽極酸化で良好な膜質を得るための電流密度が得られる。しかしながらドレイン配線２１上の陽極酸化層の膜質が不十分なものであっても通常、十分な信頼性が得られる理由は液晶セルに印可される駆動信号は基本的に交流であり、対向電極１４と絵素電極２２（ドレイン電極２１）との間には直流電圧成分が少なくなるように対向電極１４の電圧は画像検査時に調整されるので（フリッカ低減調整）、基本原理的には信号線１２上にのみ直流成分が流れないように絶縁層を形成しておけば良いからである。
【００５９】
陽極酸化で形成される５酸化タンタル７０、アルミナ６９、酸化チタン６８、酸化シリコン層６６，６７の各酸化層の膜厚は配線のパシベーションとしては０．１〜０．２μｍ程度で十分であり、エチレングリコール等の化成液を用いて印可電圧は同じく１００Ｖ超で実現する。ソース・ドレイン配線１２，２１の陽極酸化に当たって留意すべき事項は、図示はしないが全ての信号線１２は電気的に並列または直列に形成されている必要があり、後に続く製造工程の何処かでこの直並列を解除しないとアクティブ基板２の電気検査のみならず、液晶表示装置としての実動作に支障があることは言うまでもないだろう。解除手段としてはレーザ光の照射による蒸散、またはスクライブによる機械的切除が簡易的であるが詳細な説明は省略する。
【００６０】
絵素電極２２を感光性樹脂パターン８３で覆っておくのは絵素電極２２を陽極酸化する必要が無いだけでなく、絶縁ゲート型トランジスタを経由してドレイン電極２１に流れる化成電流を必要以上に大きく確保しなくて済むためである。
【００６１】
最後に、前記感光性樹脂パターン８３を除去して図１（ｈ）と図２（ｈ）に示したようにアクティブ基板２（表示装置用半導体装置）として完成する。このようにして得られたアクティブ基板２とカラーフィルタとを貼り合わせて液晶パネル化し、本発明の第１の実施形態が完了する。蓄積容量１５の構成に関しては、図１（ｈ）に示したように蓄積容量線１６と絵素電極２２とがゲート絶縁層３０を介して平面的に重なることで（右下がり斜線部５１）構成している例を例示しているが、蓄積容量１５の構成はこれに限られるものではなく、絵素電極２２と前段の走査線１１との間にゲート絶縁層３０を含む絶縁層を介して構成しても良い。またその他の構成も可能であるが詳細な説明は省略する。同様に走査線へのコンタクト形成工程を有するので、透明導電層以外の導電性材料あるいは半導体層を用いて静電気対策を行うことも容易である。
【００６２】
第１の実施形態では走査線へのコンタクト形成工程とチャネル保護層（エッチストップ層あるいは保護絶縁層）の形成工程というパターン精度の低いレイヤにハーフトーン露光技術を適用して写真食刻工程の削減を行い４枚のフォトマスクでアクティブ基板を作製しているが、絵素電極と走査線の形成を１枚のフォトマスクで処理することによりさらに工程削減を推進して３枚のフォトマスクでアクティブ基板を作製する事が可能であるので、それを第２〜第４の実施形態として説明する。
（第２実施形態）
【００６３】
第２の実施形態では先ずガラス基板２の一主面上にＳＰＴ等の真空製膜装置を用いて膜厚０．１〜０．２μｍ程度の透明導電層９１として例えばＩＴＯと、膜厚０．１〜０．３μｍ程度の第１の金属層９２とを被着し、図３（ａ）と図４（ａ）に示したように微細加工技術により透明導電層９１Ａと第１の金属層９２Ａとの積層よりなりゲート電極１１Ａも兼ねる走査線１１と、透明導電層９１Ｂと第１の金属層９２Ｂとの積層よりなる擬似絵素電極９３と、透明導電層９１Ｃと第１の金属層９２Ｃとの積層よりなる信号線の擬似電極端子９４とを選択的に形成する。第１の金属層として例えばＣｒ，Ｔａ，Ｍｏ等の高融点金属あるいはそれらの合金やシリサイドが選ばれる。ゲート絶縁層を介して信号線との絶縁耐圧を向上させ、歩留を高めるためにはこれらの電極は乾式食刻（ドライエッチ）による断面形状のテーパ制御を行うことが望ましいが、ＩＴＯのドライエッチ技術は食刻ガスに沃化水素や臭化水素を用いたものが開発されたもののガス排気系での反応生成物による堆積量が大きく実用化に至らなかったので、当面は例えばＡｒ（ガス）を用いたスパッタ・エッチを採用すると良い。
【００６４】
次にガラス基板２の全面にプラズマ保護層となる透明絶縁層、例えばＴａＯｘやＳｉＯ２を０．１μｍ程度の膜厚で被着して７１とする。このプラズマ保護層７１は後続のＰＣＶＤ装置によるゲート絶縁層であるＳｉＮｘの形成時に走査線１１と擬似絵素電極９３のエッジ部に露出している透明導電層９１Ａ，９１Ｂが還元されてＳｉＮｘの膜質が変動するのを防止するために必要で、詳細は先行例特開昭５９−９９６２号公報を参照されたい。
【００６５】
プラズマ保護層７１の被着後は第１の実施形態と同様に、ＰＣＶＤ装置を用いてゲート絶縁層となる第１のＳｉＮｘ層３０、不純物をほとんど含まず絶縁ゲート型トランジスタのチャネルとなる第１の非晶質シリコン層３１、及びチャネルを保護する絶縁層となる第２のＳｉＮｘ層３２と３種類の薄膜層を、例えば０．２−０．０５−０．１μｍ程度の膜厚で順次被着し、擬似絵素電極９３上に開口部７４と画像表示部外の領域で走査線１１の電極端子形成領域上に開口部６３Ａと擬似電極端子９４上に開口部６４Ａを有するとともに保護絶縁層形成領域、すなわちゲート電極１１Ａ上の領域８４Ａの膜厚が例えば２μｍと他の領域８４Ｂの膜厚１μｍよりも厚い感光性樹脂パターン８４Ａ，８４Ｂをハーフトーン露光技術により形成する。ここではゲート絶縁層がプラズマ保護層と第１のＳｉＮｘ層との積層になるため第１のＳｉＮｘ層は従来よりも薄く形成して良い。そして感光性樹脂パターン８４Ａ，８４Ｂをマスクとして図３（ｂ）と図４（ｂ）と示したように上記開口部内の第２のＳｉＮｘ層３２、第１の非晶質シリコン層３１、ゲート絶縁層３０、プラズマ保護層７１に加えて第１の金属層９２をも順次食刻し、走査線１１の一部の透明導電層を露出して走査線の電極端子５Ａとし、同様に擬似電極端子９４の透明導電層を露出して信号線の電極端子６Ａとし、擬似絵素電極９３の透明導電層９１Ｂを露出して絵素電極２２とする。
【００６６】
続いて酸素プラズマ等の灰化手段により上記感光性樹脂パターン８４Ａ，８４Ｂを１μｍ以上膜減りさせると感光性樹脂パターン８４Ｂが消失し、図３（ｃ）と図４（ｃ）に示したように第２のＳｉＮｘ層３２Ｂが露出すると共に保護絶縁層形成領域上にのみ感光性樹脂パターン８４Ｃを選択的に形成することができる。上記酸素プラズマ処理では後続のソース・ドレイン配線形成工程におけるマスク合わせ精度が低下しないように異方性を強めてパターン寸法の変化を抑制することが望ましい。そして図３（ｄ）と図４（ｄ）に示したように感光性樹脂パターン８４Ｃをマスクとして第２のＳｉＮｘ層３２Ｂを選択的に食刻してゲート電極１１Ａよりもパターン幅の細い第２のＳｉＮｘ層３２Ａとするとともに第１の非晶質シリコン層３１Ｂを露出する。この時に上記開口部６３Ａ内に露出している透明導電性の走査線の電極端子５Ａ、信号線の電極端子６Ａ及び絵素電極２２は第２のＳｉＮｘ層３２Ｂの食刻ガスに晒されるが、弗素系の食刻ガスでこれらの透明導電層の膜厚が減少するとか、抵抗値が変化するとか、透明度が変化すると言った不具合は生じないのは極めて好都合である。
【００６７】
引き続き前記感光性樹脂パターン８４Ｃを除去した後、ＰＣＶＤ装置を用いてガラス基板２の全面に不純物として例えば燐を含む第２の非晶質シリコン層３３を例えば０．０５μｍ程度の膜厚で被着した後、ＳＰＴ等の真空製膜装置を用いて膜厚０．１μｍ程度の耐熱金属層として例えばＴｉ，Ｔａ等の耐熱金属薄膜層３４を、そして膜厚０．３μｍ程度の低抵抗配線層としてＡＬ薄膜層３５を順次被着する。そしてこれら２層の薄膜よりなるソース・ドレイン配線材と第２の非晶質シリコン層３３と第１の非晶質シリコン層３１Ｂとを微細加工技術により感光性樹脂パターン８５を用いて順次食刻してゲート絶縁層３０Ａを露出し、図３（ｅ）と図４（ｅ）に示したように絵素電極２２の一部を含んで３４Ａと３５Ａとの積層よりなる絶縁ゲート型トランジスタのドレイン電極２１と信号線の電極端子６Ａの一部を含んでソース電極も兼ねる信号線１２とを選択的に形成する。走査線の電極端子５Ａと信号線の電極端子６Ａはソース・ドレイン配線１２，２１の食刻が終るとガラス基板２上に露出して形成されることが理解されよう。なおソース・ドレイン配線１２，２１の構成としては抵抗値の制約が緩いのであれば簡素化してＴａ，Ｃｒ，Ｍｏ等の単層とすることも可能である。
【００６８】
このようにして得られたアクティブ基板２とカラーフィルタとを貼り合わせて液晶パネル化し、本発明の第２の実施形態が完了する。第２の実施形態では感光性樹脂パターン８５は液晶に接しているので、感光性樹脂パターン８５はノボラック系の樹脂を主成分とする通常の感光性樹脂ではなく、純度が高く主成分にアクリル樹脂やポリイミド樹脂を含む耐熱性の高い感光性有機絶縁層を用いることが大切であり、材質によっては加熱することで流動化してソース・ドレイン配線１２，２１の側面を覆うように構成することも可能で、この場合には液晶パネルとして信頼性が一段と向上する。蓄積容量１５の構成に関しては図３（ｅ）に示したように、ソース・ドレイン配線１２，２１と同時に絵素電極２２の一部を含んで形成された蓄積電極７３と前段の走査線１１に設けられた突起部とがプラズマ保護層７１Ａとゲート絶縁層３０Ａを介して平面的に重なることで構成している例（右下がり斜線部５２）を例示しているが、蓄積容量１５の構成はこれに限られるものではなく、第１の実施形態と同じように走査線１１と同時に形成される共通容量線１６と絵素電極２２との間にゲート絶縁層３０Ａを含む絶縁層を介して構成しても良い。またその他の構成も可能であるが詳細な説明は省略する。
【００６９】
第２の実施形態ではこのように走査線の電極端子と信号線の電極端子がともに透明導電層であるデバイス構成上の制約が生ずるが、その制約を解除するデバイス・プロセスも可能であり、それを第３、第４の実施形態として説明する。
（第３の実施形態）
【００７０】
第３の実施形態では、図５（ｄ）と図６（ｄ）に示したようにコンタクト形成工程とチャネル保護層（エッチストップ層）の形成工程とまでは第２の実施形態とほぼ同一のプロセスで進行する。ただし後述する理由で擬似電極端子９４は必ずしも必要ではない。その後は感光性樹脂パターン８４Ｃを除去し、ＰＣＶＤ装置を用いてガラス基板２の全面に不純物として例えば燐を含む第２の非晶質シリコン層３３を例えば０．０５μｍ程度の膜厚で被着した後、ソース・ドレイン配線の形成工程ではＳＰＴ等の真空製膜装置を用いて膜厚０．１μｍ程度の耐熱金属層として例えばＴｉ，Ｔａ等の耐熱金属薄膜層３４を、そして膜厚０．３μｍ程度の低抵抗配線層としてＡＬ薄膜層３５を順次被着する。そしてこれら２層の薄膜よりなるソース・ドレイン配線材と第２の非晶質シリコン層３３と第１の非晶質シリコン層３１Ｂとを微細加工技術により感光性樹脂パターン８６を用いて順次食刻してゲート絶縁層３０Ａを露出し、図５（ｅ）と図６（ｅ）に示したように絵素電極２２の一部を含んで３４Ａと３５Ａとの積層よりなる絶縁ゲート型トランジスタのドレイン電極２１とソース配線も兼ねる信号線１２とを選択的に形成し、ソース・ドレイン配線１２，２１の形成と同時に露出している走査線の電極端子形成領域５Ａを含んで走査線の電極端子５と信号線の一部よりなる電極端子６も同時に形成する。すなわち第２の実施形態のように擬似電極端子９４は必ずしも必要ではない。この時に信号線１２上の８６Ａの膜厚が例えば３μｍとドレイン電極２１上と電極端子５，６上と蓄積電極７３上の８６Ｂの膜厚１．５μｍよりも厚い感光性樹脂パターン８６Ａ，８６Ｂをハーフトーン露光技術により形成しておくことが第３の実施形態の重要な特徴である。電極端子５，６に対応した８６Ｂの最小寸法は数１０μｍと大きく、フォトマスク製作もまたその仕上がり寸法管理も極めて容易であるが、信号線１２に対応した領域８６Ａの最小寸法は４〜８μｍと比較的寸法精度が高いのでハーフトーン領域としては細いスリットパターンを必要とする。しかしながら従来例で説明したように１回の露光処理と２回の食刻処理で形成するソース・ドレイン配線１２，２１と比較すると本発明のソース・ドレイン配線１２，２１は１回の露光処理と１回の食刻処理で形成されるためにパターン幅の変動する要因が少なく、ソース・ドレイン配線１２，２１の寸法管理も、ソース・ドレイン配線１２，２１間すなわちチャネル長の寸法管理も従来のハーフトーン露光技術よりはパターン精度の管理が容易である。またチャネルエッチ型の絶縁ゲートトランジスタと比較すると絶縁ゲート型トランジスタのＯＮ電流を決定するのはチャネル保護絶縁層３２Ａの寸法であってソース・ドレイン配線１２，２１間の寸法ではないことからもプロセス管理がさらに容易となることを理解されたい。
【００７１】
ソース・ドレイン配線１２，２１の形成後、酸素プラズマ等の灰化手段により上記感光性樹脂パターン８６Ａ，８６Ｂを１．５μｍ以上膜減りさせると感光性樹脂パターン８６Ｂが消失し、図５（ｆ）と図６（ｆ）に示したようにドレイン電極２１と電極端子５，６が露出すると共に信号線１２上にのみ感光性樹脂パターン８６Ｃを選択的に形成することができるが、上記酸素プラズマ処理で感光性樹脂パターン８６Ｃのパターン幅が細くなると信号線１２の上面が露出して信頼性が低下するので異方性を強めてパターン寸法の変化を抑制することが望ましい。なおソース・ドレイン配線１２，２１の構成としては抵抗値の制約が緩いのであれば簡素化してＴａ，Ｃｒ，Ｍｏ等の単層とすることも可能である。
【００７２】
このようにして得られたアクティブ基板２とカラーフィルタとを貼り合わせて液晶パネル化し、本発明の第３の実施形態が完了する。第３の実施形態でも感光性樹脂パターン８６Ｃは液晶に接しているので感光性樹脂パターン８６Ｃはノボラック系の樹脂を主成分とする通常の感光性樹脂ではなく、純度が高く主成分にアクリル樹脂やポリイミド樹脂を含む耐熱性の高い感光性有機絶縁層を用いることが大切であり、材質によっては加熱することで流動化して信号線１２の側面を覆うように構成することも可能で、この場合には液晶パネルとして信頼性が一段と向上する。蓄積容量１５の構成に関しては図５（ｆ）に示したように、ソース・ドレイン配線１２，２１と同時に絵素電極２２の一部を含んで形成された蓄積電極７３と前段の走査線１１に設けられた突起部とがプラズマ保護層７１Ａとゲート絶縁層３０Ａを介して平面的に重なることで構成している例（右下がり斜線部５２）を例示している。なお、電極端子形成領域５Ａ及び信号線１２下に形成された透明導電性のパターン６Ａ（擬似電極端子９１Ｃ）と短絡線４０とを接続する透明導電層パターンはその形状を細長い線状とすることで静電気対策における高抵抗配線とすることが可能であるが、その他の導電性部材を用いた静電気対策も勿論可能である。
【００７３】
本発明の第３の実施形態では信号線１２上のみに有機絶縁層を形成してドレイン電極２１は導電性を保ったまま露出しているが、これでも十分な信頼性が得られる理由は液晶セルに印可される駆動信号は基本的に交流であり、対向電極１４と絵素電極２２（ドレイン電極２１）との間には直流電圧成分が少なくなるように対向電極１４の電圧は画像検査時に調整されるので（フリッカ低減調整）、従って信号線１２上にのみ直流成分が流れないように絶縁層を形成しておけば良いからである。
【００７４】
本発明の第２と第３の実施形態では有機絶縁層を夫々ソース・ドレイン配線上と信号線上にのみ形成することで製造工程の削減を推進しているが、有機絶縁層の厚みが通常は１μｍ以上あるのでラビング布を用いた配向膜の配向処理でその段差が非配向状態をもたらす、あるいは液晶セルのギャップ精度の確保に支障が出る恐れもある。そこで第４の実施形態では最小限度の工程数の追加で有機絶縁層に変わるパシベーション技術を具備させるものである。
（第４の実施形態）
【００７５】
第４の実施形態では、図７（ｄ）と図８（ｄ）に示したようにコンタクト形成工程とチャネル保護層（エッチストップ層）の形成工程までは第２、第３の実施形態とほぼ同一のプロセスで進行する。感光性樹脂パターン８４Ｃを除去した後、ＰＣＶＤ装置を用いてガラス基板２の全面に不純物として例えば燐を含む第２の非晶質シリコン層３３を例えば０．０５μｍ程度の膜厚で被着した後、ソース・ドレイン配線の形成工程ではＳＰＴ等の真空製膜装置を用いて膜厚０．１μｍ程度の陽極酸化可能な耐熱金属層として例えばＴｉ，Ｔａ等の耐熱金属薄膜層３４を、そして膜厚０．３μｍ程度の同じく陽極酸化可能な低抵抗配線層としてＡＬ薄膜層３５を順次被着する。そしてこれら２層の薄膜よりなるソース・ドレイン配線材と第２の非晶質シリコン層３３と第１の非晶質シリコン層３１Ｂとを微細加工技術により感光性樹脂パターン８７を用いて順次食刻してゲート絶縁層３０Ａを露出し、図７（ｅ）と図８（ｅ）に示したように絵素電極２２の一部を含んで３４Ａと３５Ａの積層よりなる絶縁ゲート型トランジスタのドレイン電極２１とソース配線も兼ねる信号線１２とを選択的に形成し、ソース・ドレイン配線１２，２１の形成と同時に露出している走査線の電極端子形成領域５Ａを含んで走査線の電極端子５と信号線の一部よりなる電極端子６も形成する。この時に電極端子５，６上の８７Ａの膜厚（黒領域）が例えば３μｍとソース・ドレイン配線１２，２１と蓄積電極７３に対応した領域８７Ｂ（中間調領域）の膜厚１．５μｍよりも厚い感光性樹脂パターン８７Ａ，８７Ｂをハーフトーン露光技術により形成しておくことが第４の実施形態の重要な特徴である。
【００７６】
ソース・ドレイン配線１２，２１の形成後、酸素プラズマ等の灰化手段により上記感光性樹脂パターン８７Ａ，８７Ｂを１．５μｍ以上膜減りさせると感光性樹脂パターン８７Ｂが消失してソース・ドレイン配線１２，２１と蓄積電極７３が露出すると共に電極端子５，６上にのみ感光性樹脂パターン８７Ｃを選択的に形成することができる。上記酸素プラズマ処理で感光性樹脂パターン８７Ｃのパターン幅が細くなっても大きなパターン寸法を有する電極端子５，６の周囲に陽極酸化層が形成されるだけで、電気特性と歩留及び品質に与える影響は殆ど無いのは特筆すべき特徴である。そして感光性樹脂パターン８７Ｃをマスクとして光を照射しながら図７（ｆ）と図８（ｆ）に示したようにソース・ドレイン配線１２，２１を陽極酸化して酸化層６８，６９を形成するとともにソース・ドレイン配線１２，２１の下側面に露出している第２の非晶質シリコン層３３Ａと第１の非晶質シリコン層３１Ａを陽極酸化して絶縁層である酸化シリコン層（ＳｉＯ２）６６，６７を形成する。
【００７７】
陽極酸化終了後、感光性樹脂パターン８７Ｃを除去すると図７（ｇ）と図８（ｇ）に示したようにその側面に陽極酸化層を形成された低抵抗薄膜層よりなる電極端子５，６が露出する。走査線の電極端子６の側面は静電気対策用の高抵抗短絡線９１Ｃを経由して陽極酸化電流が流れるので信号線の電極端子５と比べると側面に形成された絶縁層の厚みは薄くなることを理解されたい。なおソース・ドレイン配線１２，２１の構成としては抵抗値の制約が緩いのであれば簡素化して陽極酸化可能なＴａ単層とすることも可能である。このようにして得られたアクティブ基板２とカラーフィルタとを貼り合わせて液晶パネル化し、本発明の第４の実施形態が完了する。蓄積容量１５の構成に関しては図７（ｇ）に示したように、ソース・ドレイン配線１２，２１と同時に絵素電極２２の一部を含んで形成された蓄積電極７３と前段の走査線１１に設けられた突起部とがプラズマ保護層７１Ａとゲート絶縁層３０Ａを介して平面的に重なることで構成している例（右下がり斜線部５２）を例示している。
【００７８】
第４の実施形態ではこのように、ソース・ドレイン配線１２，２１と第２の非晶質シリコン層３３Ａ及び第１の非晶質シリコン層３１Ａの陽極酸化時にドレイン電極２１と電気的に繋がっている絵素電極２２も露出しているために絵素電極２２も同時に陽極酸化される点が第１の実施形態と大きく異なる。このため絵素電極２２を構成する透明導電層の膜質によっては陽極酸化によって抵抗値の増大することもあり、その場合には透明導電層の製膜条件を適宜変更して酸素不足の膜質としておく必要があるが陽極酸化で透明導電層の透明度が低下することはない。また、ドレイン電極２１と絵素電極２２を陽極酸化するための電流も絶縁ゲート型トランジスタのチャネルを通って供給されるが、絵素電極２２の面積が大きいために大きな化成電流または長時間の化成が必要となり、いくら強い外光を照射してもチャネル部の抵抗が障害となり、ドレイン電極２１と蓄積電極７３上に信号線１２上と同等の膜質と膜厚の陽極酸化層を形成することは化成時間の延長だけでは対応困難である。しかしながらドレイン配線２１上に形成される陽極酸化層が多少不完全であっても実用上は支障の無い信頼性が得られることが多い。なぜならば先述したように液晶セルに印可される駆動信号は基本的に交流であり、対向電極１４と絵素電極２２（ドレイン電極２１）との間には直流電圧成分が少なくなるように対向電極１４の電圧は画像検査時に調整されるからで（フリッカ低減調整）、従って信号線１２上にのみ直流成分が流れないように絶縁層を形成しておけば良いからである。
【００７９】
以上説明した液晶表示装置はＴＮ型の液晶セルを用いたものであったが、絵素電極とは所定の距離を隔てて形成された一対の対向電極と絵素電極とで横方向の電界を制御するＩＰＳ（Ｉｎ−Ｐｌａｉｎ−Ｓｗｔｉｃｉｎｇ）方式の液晶表示装置においても本発明で提案する工程削減は有用であるので、それを以降の実施形態で説明する。
（第５の実施形態）
【００８０】
第５の実施形態では先ずガラス基板２の一主面上にＳＰＴ等の真空製膜装置を用いて膜厚０．１〜０．３μｍ程度の第１の金属層を被着して図９（ａ）と図１０（ａ）に示したように微細加工技術によりゲート電極１１Ａも兼ねる走査線１１と対向電極１６とを選択的に形成する。
【００８１】
次にガラス基板２の全面にＰＣＶＤ装置を用いてゲート絶縁層となる第１のＳｉＮｘ（シリコン窒化）層３０、不純物をほとんど含まず絶縁ゲート型トランジスタのチャネルとなる第１の非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ）層３１、及びチャネルを保護する絶縁層となる第２のＳｉＮｘ層３２と３種類の薄膜層を例えば、０．３−０．０５−０．１μｍ程度の膜厚で順次被着し、図９（ｂ）に示したように微細加工技術によりゲート電極１１Ａ上の第２のＳｉＮｘ層をゲート電極１１Ａよりも幅細く選択的に残して３２Ａとして第１の非晶質シリコン層３１を露出する。そして図１０（ｂ）に示したようにＰＣＶＤ装置を用いてガラス基板２の全面に不純物として例えば燐を含む第２の非晶質シリコン層３３を例えば０．０５μｍ程度の膜厚で被着する。
【００８２】
続いて微細加工技術により図９（ｃ）と図１０（ｃ）に示したように画像表示部外の領域で走査線１１の電極端子形成領域に開口部６３Ａ（と蓄積容量線も兼ねる対向電極１６の電極端子形成領域では６５Ａ）を形成し、開口部６３Ａ内の第２の非晶質シリコン層３３と第１の非晶質シリコン層３１とゲート絶縁層３０とを選択的に除去して走査線１１の一部７２を露出する。
【００８３】
引き続きガラス基板２の全面にＳＰＴ等の真空製膜装置を用いて膜厚０．１μｍ程度の耐熱金属層として例えばＴｉ，Ｔａ等の耐熱金属薄膜層３４を、そして膜厚０．３μｍ程度の低抵抗配線層としてＡＬ薄膜層３５を順次被着する。そしてこれら２層の薄膜よりなるソース・ドレイン配線材と第２の非晶質シリコン層３３と第１の非晶質シリコン層３１とを微細加工技術により感光性樹脂パターン８６Ａ，８６Ｂを用いて順次食刻してゲート絶縁層３０を露出し、図９（ｄ）と図１０（ｄ）に示したようにゲート絶縁層３０上に３４Ａと３５Ａとの積層よりなり絵素電極となる絶縁ゲート型トランジスタのドレイン電極２１とソース配線も兼ねる信号線１２とを選択的に形成し、ソース・ドレイン配線１２，２１の形成と同時に開口部６３Ａ内の露出している走査線１１の一部７２を含んで走査線の電極端子５と信号線１２の一部よりなる電極端子６も同時に形成する。この時、第３の実施形態と同様に信号線１２上の８６Ａの膜厚が例えば３μｍとドレイン電極２１上と電極端子５，６上との８６Ｂの膜厚１．５μｍよりも厚い感光性樹脂パターン８６Ａ，８６Ｂをハーフトーン露光技術により形成している。
【００８４】
ソース・ドレイン配線１２，２１の形成後、酸素プラズマ等の灰化手段により上記感光性樹脂パターン８６Ａ，８６Ｂを１．５μｍ以上膜減りさせると感光性樹脂パターン８６Ｂが消失し、図９（ｅ）と図１０（ｅ）に示したようにドレイン配線２１と電極端子５，６が露出すると共に信号線１２上にのみ感光性樹脂パターン８６Ｃを選択的に形成することができる。上記酸素プラズマ処理で感光性樹脂パターン８６Ｃのパターン幅が細くならないように異方性を強めてパターン寸法の変化を抑制することが望ましいこと既に述べた通りである。なおここでもソース・ドレイン配線１２，２１の構成としては抵抗値の制約が緩いのであれば簡素化してＴａ，Ｃｒ，Ｍｏ等の単層とすることも可能である。
【００８５】
このようにして得られたアクティブ基板２とカラーフィルタとを貼り合わせて液晶パネル化し、本発明の第５の実施形態が完了する。感光性樹脂パターン８６Ｃにはノボラック系の樹脂を主成分とする通常の感光性樹脂ではなく、純度が高く主成分にアクリル樹脂やポリイミド樹脂を含む耐熱性の高い感光性有機絶縁層を用いる必然性があることも既に説明した通りである。蓄積容量１５の構成に関しては図９（ｅ）に示したように対向電極（蓄積容量線）１６と絵素電極（ドレイン電極）２１とがゲート絶縁層３０を介して重なっている領域５０（右下がり斜線部）が蓄積容量１５を構成する場合を例示しており、ドレイン電極２１と前段の走査線１１とがゲート絶縁層３０を介して蓄積容量１５を構成することも可能であるが、ここではその詳細な説明は省略する。なお、図９（ｅ）において走査線の電極端子５と信号線の電極端子６との間を高抵抗性部材で、ＩＰＳ型液晶表示装置の場合透明導電層が不要なので走査線材料、信号線材料および半導体層の何れかを用いてＯＦＦ状態の絶縁ゲート型トランジスタや細長い導電性線路で接続する静電気対策や設計技術は特に図示しなかったが、開口部６３Ａが設けられ走査線１１の一部７２を露出する工程が付与されているので静電気対策は容易であることを補足しておく。
【００８６】
本発明の第５の実施形態では有機絶縁層を信号線上にのみ選択的に形成することで製造工程の削減を推進しているが、有機絶縁層の厚みが１μｍ以上あるので液晶セルのギャップ精度の確保に支障が出る恐れもある。そこで第６の実施形態では最小限度の工程数の追加で有機絶縁層に代わるパシベーション技術を提供するものである。
（第６の実施形態）
【００８７】
第６の実施形態では、図１１（ｃ）と図１２（ｃ）に示したように走査線１１の電極端子形成領域に開口部６３Ａを形成して走査線１１の一部７２を露出するまでは第５の実施形態とほぼ同一のプロセスで進行する。引き続きソース・ドレイン配線の形成工程ではＳＰＴ等の真空製膜装置を用いて膜厚０．１μｍ程度の陽極酸化可能な耐熱金属層として例えばＴｉ，Ｔａ等の耐熱金属薄膜層３４を、そして膜厚０．３μｍ程度の同じく陽極酸化可能な低抵抗配線層としてＡＬ薄膜層３５を順次被着する。そしてこれら２層の薄膜よりなるソース・ドレイン配線材と第２の非晶質シリコン層３３と第１の非晶質シリコン層３１とを微細加工技術により感光性樹脂パターン８７Ａ，８７Ｂを用いて順次食刻してゲート絶縁層３０を露出し、図１１（ｄ）と図１２（ｄ）に示したようにゲート絶縁層３０上に３４Ａと３５Ａとの積層よりなり絵素電極となる絶縁ゲート型トランジスタのドレイン電極２１とソース配線も兼ねる信号線１２とを選択的に形成し、ソース・ドレイン配線１２，２１の形成と同時に開口部６３Ａ内に露出している走査線１１の一部７２を含んで走査線の電極端子５と信号線の一部よりなる電極端子６も同時に形成する。この時、電極端子５，６上の８７Ａの膜厚（黒領域）が例えば３μｍとソース・ドレイン配線１２，２１に対応した領域８７Ｂ（中間調領域）の膜厚１．５μｍよりも厚い感光性樹脂パターン８７Ａ，８７Ｂをハーフトーン露光技術により形成しておくことが第６の実施形態の重要な特徴である。
【００８８】
ソース・ドレイン配線１２，２１の形成後、酸素プラズマ等の灰化手段により上記感光性樹脂パターン８７Ａ，８７Ｂを１．５μｍ以上膜減りさせると感光性樹脂パターン８７Ｂが消失してソース・ドレイン配線１２，２１が露出すると共に電極端子５，６上にのみ感光性樹脂パターン８７Ｃを選択的に形成することができる。そこで感光性樹脂パターン８７Ｃをマスクとして光を照射しながら図１１（ｅ）と図１２（ｅ）に示したようにソース・ドレイン配線１２，２１を陽極酸化して酸化層６８，６９を形成するとともにソース・ドレイン配線１２，２１の下側面に露出している第２の非晶質シリコン層３３Ａと第１の非晶質シリコン層３１Ａを陽極酸化して絶縁層である酸化シリコン層（ＳｉＯ２）６６，６７を形成する。
【００８９】
陽極酸化終了後、感光性樹脂パターン８７Ｃを除去すると図１１（ｆ）と図１２（ｆ）に示したように低抵抗薄膜層よりなる電極端子５，６が露出する。なおここでもソース・ドレイン配線１２，２１の構成としては抵抗値の制約が緩いのであれば簡素化して陽極酸化可能なＴａ単層とすることも可能である。このようにして得られたアクティブ基板２とカラーフィルタとを貼り合わせて液晶パネル化し、本発明の第６の実施形態が完了する。蓄積容量１５の構成に関しては図１１（ｆ）に示したように対向電極（蓄積容量線）１６と絵素電極２１（ドレイン電極）２１とがゲート絶縁層３０を介して重なっている領域５０（右下がり斜線部）が蓄積容量１５を構成する場合を例示している。また図１１（ｆ）と図１２（ｆ）においては走査線の電極端子５と信号線の電極端子６との間を高抵抗性部材で接続する静電気対策は特に図示しなかったので信号線１２の電極端子６はソース・ドレイン配線１２，２１とは異なり側面にのみ絶縁層である陽極酸化層が形成され、走査線１１の電極端子５の側面には陽極酸化層は形成されていないが、既に述べたように開口部６３Ａが設けられ走査線１１の一部７２を露出する工程が付与されているので静電気対策は容易であり、静電気対策を実施した場合には走査線１１の電極端子５の側面にも薄い陽極酸化層が形成されることは説明を要しない。
【００９０】
第５と第６の実施形態ではソース・ドレイン配線の形成にあたり、ハーフトーン露光技術を適用することで新規なパシベーション形成を行うと共に工程削減を推進して４枚のフォトマスクで液晶表示装置の作製を実現しているが、第１〜第４の実施形態と同様にエッチストップ層の形成工程とゲート絶縁層の開口部形成工程とにハーフトーン露光技術を適用することで３枚のフォトマスクで液晶表示装置を作製する事が可能となり、さらなる製造工程の削減が見込まれるのでそれを第７と第８の実施形態で説明する。
（第７の実施形態）
【００９１】
第７の実施形態では先ずガラス基板２の一主面上にＳＰＴ等の真空製膜装置を用いて膜厚０．１〜０．３μｍ程度の第１の金属層を被着して図１３（ａ）と図１４（ａ）に示したように微細加工技術によりゲート電極１１Ａも兼ねる走査線１１と対向電極１６とを選択的に形成する。
【００９２】
次に、ガラス基板２の全面にＰＣＶＤ（プラズマ・シーブイディ）装置を用いてゲート絶縁層となる第１のＳｉＮｘ（シリコン窒化）層３０、不純物をほとんど含まず絶縁ゲート型トランジスタのチャネルとなる第１の非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ）層３１、及びチャネルを保護する絶縁層となる第２のＳｉＮｘ層３２と３種類の薄膜層を例えば、０．３−０．０５−０．１μｍ程度の膜厚で順次被着し、画像表示部外の領域で走査線１１の電極端子形成領域上に開口部６３Ａを有するとともに保護絶縁層形成領域、すなわちゲート電極１１Ａ上の領域８２Ａの膜厚が例えば２μｍと他の領域８２Ｂの膜厚１μｍよりも厚い感光性樹脂パターン８２Ａ，８２Ｂをハーフトーン露光技術により形成し、感光性樹脂パターン８２Ａ，８２Ｂをマスクとして図１３（ｂ）と図１４（ｂ）とに示したように開口部６３Ａ内の第２のＳｉＮｘ層３２と第１の非晶質シリコン層３１とゲート絶縁層３０とを選択的に除去して走査線１１の一部７２を露出する。
【００９３】
続いて酸素プラズマ等の灰化手段により上記感光性樹脂パターン８２Ａ，８２Ｂを１μｍ以上膜減りさせると感光性樹脂パターン８２Ｂが消失し、図１３（ｃ）と図１４（ｃ）に示したように第２のＳｉＮｘ層３２が露出すると共に保護絶縁層形成領域上にのみ感光性樹脂パターン８２Ｃを選択的に形成することができる。上記酸素プラズマ処理ではパターン寸法の変化を抑制するため異方性を強めることが望ましいことは既に述べた通りである。そして図１３（ｄ）と図１４（ｄ）に示したように感光性樹脂パターン８２Ｃをマスクとして第２のＳｉＮｘ層３２を選択的に食刻してゲート電極１１Ａよりも幅の細い第２のＳｉＮｘ層３２Ａとするとともに第１の非晶質シリコン層３１を露出する。この時に露出している走査線１１の一部７２は第２のＳｉＮｘ層３２の食刻ガスあるいは食刻薬液に晒されるので、走査線１１の材質によっては走査線１１の一部７２の膜減りが生じることには注意が必要であるが、その対策も既に述べた通りである。
【００９４】
引き続き前記感光性樹脂パターン８２Ｃを除去し、ＰＣＶＤ装置を用いてガラス基板２の全面に不純物として例えば燐を含む第２の非晶質シリコン層３３を例えば０．０５μｍ程度の膜厚で被着した後、ガラス基板２の全面にＳＰＴ等の真空製膜装置を用いて膜厚０．１μｍ程度の耐熱金属層として例えばＴｉ，Ｔａ等の耐熱金属薄膜層３４を、そして膜厚０．３μｍ程度の低抵抗配線層としてＡＬ薄膜層３５を順次被着する。そしてこれら２層の薄膜よりなるソース・ドレイン配線材と第２の非晶質シリコン層３３と第１の非晶質シリコン層３１とを微細加工技術により感光性樹脂パターン８６Ａ，８６Ｂを用いて順次食刻してゲート絶縁層３０を露出し、ゲート絶縁層３０上に３４Ａと３５Ａとの積層よりなり絵素電極となる絶縁ゲート型トランジスタのドレイン電極２１とソース配線も兼ねる信号線１２とを選択的に形成し、ソース・ドレイン配線１２，２１の形成と同時に開口部６３Ａ近傍の第２の非晶質シリコン層３３Ｃを含んで走査線の電極端子５と信号線１２の一部よりなる電極端子６も同時に形成する。この時、第３の実施形態と同様に信号線１２上の８６Ａの膜厚が例えば３μｍとドレイン電極２１上と電極端子５，６上の８６Ｂの膜厚１．５μｍよりも厚い感光性樹脂パターン８６Ａ，８６Ｂをハーフトーン露光技術により形成している。
【００９５】
ソース・ドレイン配線１２，２１の形成後、酸素プラズマ等の灰化手段により上記感光性樹脂パターン８６Ａ，８６Ｂを１．５μｍ以上膜減りさせると感光性樹脂パターン８６Ｂが消失し、図１３（ｆ）と図１４（ｆ）に示したようにドレイン電極２１と電極端子５，６が露出すると共に信号線１２上にのみ感光性樹脂パターン８６Ｃを選択的に形成することができる。上記酸素プラズマ処理で感光性樹脂パターン８６Ｃのパターン幅が細くならないように異方性を強めてパターン寸法の変化を抑制することが望ましいことは既に述べた通りである。なおここでもソース・ドレイン配線１２，２１の構成としては抵抗値の制約が緩いのであれば簡素化してＴａ，Ｃｒ，Ｍｏ等の単層とすることも可能である。
【００９６】
このようにして得られたアクティブ基板２とカラーフィルタとを貼り合わせて液晶パネル化し、本発明の第７の実施形態が完了する。感光性樹脂パターン８６Ｃにはノボラック系の樹脂を主成分とする通常の感光性樹脂ではなく、純度が高く主成分にアクリル樹脂やポリイミド樹脂を含む耐熱性の高い感光性有機絶縁層を用いる必然性があることは既に説明した通りである。蓄積容量１５の構成に関しては図１３（ｆ）に示したように対向電極（蓄積容量線）１６と絵素電極（ドレイン電極）２１とがゲート絶縁層３０を介して重なっている領域５０（右下がり斜線部）が蓄積容量１５を構成する場合を例示しており、ドレイン電極２１と前段の走査線１１とがゲート絶縁層３０を介して蓄積容量１５を構成することも可能であるが、ここではその詳細な説明は省略する。なお、図１３（ｆ）においても走査線の電極端子５と信号線の電極端子６との間を高抵抗性部材、例えばＯＦＦ状態の絶縁ゲート型トランジスタや細長い導電性線路で接続する静電気対策は特に図示しなかったが、開口部６３Ａが設けられ走査線１１の一部を露出する工程が付与されているので静電気対策は容易であることは変わらない。
【００９７】
本発明の第７の実施形態では有機絶縁層を信号線上に形成することで製造工程の削減を推進しているが、有機絶縁層の厚みが１μｍ以上あるので液晶セルのギャップ精度の確保に支障が出る恐れもある。そこで第８の実施形態では最小限度の工程数の追加で有機絶縁層に代わるパシベーション技術を提供するものである。
（第８の実施形態）
【００９８】
第８の実施形態では、図１５（ｄ）と図１６（ｄ）に示したように走査線１１の電極端子形成領域に開口部６３Ａを形成して走査線１１の一部７２を露出するとともにエッチストップ層３２Ａを形成するまでは第７の実施形態とほぼ同一のプロセスで進行する。引き続き前記感光性樹脂パターン８２Ｃを除去し、ＰＣＶＤ装置を用いてガラス基板２の全面に不純物として例えば燐を含む第２の非晶質シリコン層３３を例えば０．０５μｍ程度の膜厚で被着した後、ソース・ドレイン配線の形成工程ではＳＰＴ等の真空製膜装置を用いて膜厚０．１μｍ程度の陽極酸化可能な耐熱金属層として例えばＴｉ，Ｔａ等の耐熱金属薄膜層３４を、そして膜厚０．３μｍ程度の同じく陽極酸化可能な低抵抗配線層としてＡＬ薄膜層３５を順次被着する。そしてこれら２層の薄膜よりなるソース・ドレイン配線材と第２の非晶質シリコン層３３と第１の非晶質シリコン層３１とを微細加工技術により感光性樹脂パターン８７Ａ，８７Ｂを用いて順次食刻してゲート絶縁層３０を露出し、図１５（ｅ）と図１６（ｅ）に示したようにゲート絶縁層３０上に３４Ａと３５Ａとの積層よりなり絵素電極となる絶縁ゲート型トランジスタのドレイン電極２１とソース配線も兼ねる信号線１２とを選択的に形成し、ソース・ドレイン配線１２，２１の形成と同時に開口部６３Ａ近傍の第２の非晶質シリコン層３３Ｃを含んで走査線の電極端子５と信号線の一部よりなる電極端子６も同時に形成する。この時、電極端子５，６上の８７Ａの膜厚（黒領域）が例えば３μｍとソース・ドレイン配線１２，２１に対応した領域８７Ｂ（中間調領域）の膜厚１．５μｍよりも厚い感光性樹脂パターン８７Ａ，８７Ｂをハーフトーン露光技術により形成しておくことが第８の実施形態の重要な特徴である。
【００９９】
ソース・ドレイン配線１２，２１の形成後、酸素プラズマ等の灰化手段により上記感光性樹脂パターン８７Ａ，８７Ｂを１．５μｍ以上膜減りさせると感光性樹脂パターン８７Ｂが消失してソース・ドレイン配線１２，２１が露出すると共に電極端子５，６上にのみ感光性樹脂パターン８７Ｃを選択的に形成することができる。そこで感光性樹脂パターン８７Ｃをマスクとして光を照射しながら図１５（ｆ）と図１６（ｆ）に示したようにソース・ドレイン配線１２，２１を陽極酸化して酸化層６８，６９を形成するとともに、ソース・ドレイン配線１２，２１の下側面に露出している第２の非晶質シリコン層３３Ａと第１の非晶質シリコン層３１Ａを陽極酸化して絶縁層である酸化シリコン層（ＳｉＯ２）６６，６７を形成する。
【０１００】
陽極酸化終了後、感光性樹脂パターン８７Ｃを除去すると図１５（ｇ）と図１６（ｇ）に示したように低抵抗薄膜層よりなる電極端子５，６が露出する。なおソース・ドレイン配線１２，２１の構成としては抵抗値の制約が緩いのであれば簡素化して陽極酸化可能なＴａ単層とすることも可能である。また図１５（ｇ）と図１６（ｇ）においては走査線の電極端子５と信号線の電極端子６との間を高抵抗性部材で接続する静電気対策は特に図示しなかったので信号線１２の電極端子６はソース・ドレイン配線１２，２１とは異なり側面にのみ絶縁層である陽極酸化層が形成されているが、静電気対策で電極端子５，６間を適当な導電性部材で接続していると走査線の電極端子６の側面にも若干の陽極酸化層が形成されることは説明を要しない。このようにして得られたアクティブ基板２とカラーフィルタとを貼り合わせて液晶パネル化し、本発明の第８の実施形態が完了する。蓄積容量１５の構成に関しては図１５（ｇ）に示したように対向電極（蓄積容量線）１６と絵素電極２１（ドレイン電極）２１とがゲート絶縁層３０を介して重なっている領域５０（右下がり斜線部）が蓄積容量１５を構成する場合を例示している。
【０１０１】
【発明の効果】
以上述べたように本発明に記載の液晶表示装置では絶縁ゲート型トランジスタはチャネル上に保護絶縁層を有しているので、画像表示部内のソース・ドレイン配線上にのみまたは信号線上にのみ感光性有機絶縁層を選択的に形成するか、あるいは陽極酸化可能なソース・ドレイン配線材よりなるソース・ドレイン配線を陽極酸化して絶縁層を形成することでパシベーション機能が与えられる。このため格別な加熱工程を伴わず、非晶質シリコン層を半導体層とする絶縁ゲート型トランジスタに過度の耐熱性を必要としない。換言すればパシベーション形成で電気的な性能の劣化を生じない効果も付加されている。また、ソース・ドレイン配線の陽極酸化にあたり、ハーフトーン露光技術の導入により走査線や信号線の電極端子上を選択的に保護することが可能となり写真食刻工程数の増加を阻止できる効果が得られる。
【０１０２】
加えて、エッチストップ層の形成工程とゲート絶縁層への開口部形成工程とをハーフトーン露光技術の導入により１枚のフォトマスクで処理することを可能ならしめる工程削減、擬似絵素電極の導入により絵素電極と走査線を１枚のフォトマスクで処理する等の合理化により、写真食刻工程数を従来の５回よりさらに削減できて４枚あるいは３枚のフォトマスクを用いて液晶表示装置を作製することが可能となった。これはアクティブ基板の製造工程数の削減がなされた結果であり、全体のコスト削減の観点からも特筆される最大の特徴である。しかもこれらの工程のパターン精度はさほど高くないので歩留や品質に大きな影響を与えない事も生産管理を容易なものとしてくれる。
【０１０３】
さらに、第５と第７の実施形態によるＩＰＳ型の液晶表示装置においては対向電極と絵素電極との間に生ずる電界はゲート絶縁層のみに印加され、また第６と第８の実施形態によるＩＰＳ型の液晶表示装置においてはゲート絶縁層と絵素電極の陽極酸化層に印加されるので従来の欠陥の多い劣悪なパシベーション絶縁層が介在せず、表示画像の焼付現象が生じにくい利点も見逃せないものである。なぜならばドレイン配線（絵素電極）の陽極酸化層は絶縁層というよりも高抵抗層として機能するため電荷の蓄積が生じないからである。
【０１０４】
なお本発明の要件は上記の説明からも明らかなように、エッチストップ型の絶縁ゲート型トランジスタにおいて陽極酸化可能なソース・ドレイン配線材を用いてソース・ドレイン配線表面を陽極酸化して絶縁層化した点にあり、それ以外の構成に関しては絵素電極、ゲート絶縁層等の材質や膜厚等が異なった表示装置用半導体装置、あるいはその製造方法の差異も本発明の範疇に属することは自明であり、反射型の液晶表示装置においても本発明の有用性は変らず、また絶縁ゲート型トランジスタの半導体層も非晶質シリコンに限定されるものでないことも明らかである。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施形態にかかる表示装置用半導体装置の平面図
【図２】本発明の第１の実施形態にかかる表示装置用半導体装置の製造工程断面図
【図３】本発明の第２の実施形態にかかる表示装置用半導体装置の平面図
【図４】本発明の第２の実施形態にかかる表示装置用半導体装置の製造工程断面図
【図５】本発明の第３の実施形態にかかる表示装置用半導体装置の平面図
【図６】本発明の第３の実施形態にかかる表示装置用半導体装置の製造工程断面図
【図７】本発明の第４の実施形態にかかる表示装置用半導体装置の平面図
【図８】本発明の第４の実施形態にかかる表示装置用半導体装置の製造工程断面図
【図９】本発明の第５の実施形態にかかる表示装置用半導体装置の平面図
【図１０】本発明の第５の実施形態にかかる表示装置用半導体装置の製造工程断面図
【図１１】本発明の第６の実施形態にかかる表示装置用半導体装置の平面図
【図１２】本発明の第６の実施形態にかかる表示装置用半導体装置の製造工程断面図
【図１３】本発明の第７の実施形態にかかる表示装置用半導体装置の平面図
【図１４】本発明の第７の実施形態にかかる表示装置用半導体装置の製造工程断面図
【図１５】本発明の第８の実施形態にかかる表示装置用半導体装置の平面図
【図１６】本発明の第８の実施形態にかかる表示装置用半導体装置の製造工程断面図
【図１７】液晶パネルの実装状態を示す斜視図
【図１８】液晶パネルの等価回路図
【図１９】従来の液晶パネルの断面図
【図２０】従来例のアクティブ基板の平面図
【図２１】従来例のアクティブ基板の製造工程断面図
【図２２】合理化されたアクティブ基板の平面図
【図２３】合理化されたアクティブ基板の製造工程断面図
【符号の説明】
１  液晶パネル
２  アクティブ基板（ガラス基板）
３    半導体集積回路チップ
４  ＴＣＰフィルム
５，６    電極端子
９    カラーフィルタ（対向するガラス基板）
１０  絶縁ゲート型トランジスタ
１１    走査線（ゲート電極）
１２    信号線（ソース配線、ソース電極）
１６  共通容量線（ＩＰＳ型においては対向電極）
１７    液晶
１９  偏光板
２０    配向膜
２１    ドレイン電極（ＩＰＳ型においては絵素電極）
２２  （透明導電性）絵素電極
３０    ゲート絶縁層
３１  不純物を含まない（第１の）非晶質シリコン層
３２  チャネル保護絶縁層（エッチストップ層）
３３    不純物を含む（第２の）非晶質シリコン層
３４  （陽極酸化可能な）耐熱金属層
３５    （陽極酸化可能な）低抵抗金属層（ＡＬ）
３６  （陽極酸化可能な）中間導電層
３７  パシベーション絶縁層
５０，５１，５２  蓄積容量形成領域
６２  （ドレイン電極上の）開口部
６３，６３Ａ  （走査線上の）開口部
６４  （信号線上の）開口部
６５，６５Ａ  （対向電極上の）開口部
６６  不純物を含む酸化シリコン層
６７  不純物を含まない酸化シリコン層
６８  陽極酸化層（酸化チタン，ＴｉＯ２）
６９  陽極酸化層（アルミナ，Ａｌ２Ｏ３）
７０  陽極酸化層（５酸化タンタル、Ｔａ２Ｏ５）
７１  プラズマ保護層
７２  走査線の一部
７３    蓄積電極
８３  （絵素電極形成のための通常の）感光性樹脂パターン
８２  ，８４，８７  （ハーフトーン露光で形成された）感光性樹脂パターン
８５，８６  （ハーフトーン露光で形成された）感光性有機絶縁層
９１  透明導電層
９２  第１の金属層
【図１】
2004317685.tif 000003
【図２】
2004317685.tif 000004
【図３】
2004317685.tif 000005
【図４】
2004317685.tif 000006
【図５】
2004317685.tif 000007
【図６】
2004317685.tif 000008
【図７】
2004317685.tif 000009
【図８】
2004317685.tif 000010
【図９】
2004317685.tif 000011
【図１０】
2004317685.tif 000012
【図１１】
2004317685.tif 000013
【図１２】
2004317685.tif 000014
【図１３】
2004317685.tif 000015
【図１４】
2004317685.tif 000016
【図１５】
2004317685.tif 000017
【図１６】
2004317685.tif 000018
【図１７】
2004317685.tif 000019
【図１８】
2004317685.tif 000020
【図１９】
2004317685.tif 000021
【図２０】
2004317685.tif 000022
【図２１】
2004317685.tif 000023
【図２２】
2004317685.tif 000024
【図２３】
2004317685.tif 000025