(57)【要約】【課題】高域側の減衰特性を良好にしたラインフィルタを提供することを目的としている。【解決手段】巻線は、第１巻線３０と第２巻線３１とからなり、第１巻線３０は、ボビン２３の一端から中央部に向かって、巻軸部２１の軸方向と同方向に単層巻するとともに、ボビン２３の中央部から外周方向に向かって、巻軸部２１の軸方向と垂直方向に単層巻した構成である。【選択図】　図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
巻軸部の軸方向に貫通孔を有するボビンと、前記ボビンの貫通孔に挿入した閉磁路磁芯と、前記ボビンの前記巻軸部に巻回した巻線と、前記巻線の一端を接続した入力用の端子と他端を接続した出力用の端子とを備え、前記巻線は、前記巻軸部の軸方向と同方向に単層巻するとともに、前記巻軸部の軸方向と垂直方向に単層巻したラインフィルタ。
【請求項２】
ボビンには、巻線径と略同一幅の巻溝を有する分割鍔を設け、前記分割鍔の前記巻溝に、巻軸部の軸方向と垂直方向に単層巻される巻線を巻回した請求項１記載のラインフィルタ。
【請求項３】
分割鍔には外周縁から巻軸部に向かって切欠部を設けており、巻線は前記切欠部の前記巻軸部側より巻回した請求項２記載のラインフィルタ。
【請求項４】
巻線は第１巻線と第２巻線とからなり、前記第１巻線は、ボビンの一端から中央部に向かって、巻軸部の軸方向と同方向に単層巻するとともに、前記ボビンの中央部から外周方向に向かって、前記巻軸部の前記軸方向と垂直方向に単層巻しており、前記第２巻線は、前記ボビンの中央部から他端に向かって、前記巻軸部の前記軸方向と同方向に単層巻するとともに、前記ボビンの他端から外周方向に向かって、前記巻軸部の前記軸方向と垂直方向に単層巻しており、前記ボビンの一端側の前記第１巻線及び前記ボビンの中央部側の前記第２巻線を共に入力用または出力用の端子と接続した請求項１記載のラインフィルタ。
【請求項５】
巻線は第１巻線と第２巻線とからなり、前記第１巻線は、ボビンの一端から中央部に向かって、巻軸部の軸方向と同方向に単層巻するとともに、前記ボビンの中央部から外方に向かって、前記巻軸部の前記軸方向と垂直方向に単層巻しており、前記第２巻線は、ボビンの他端から中央部に向かって、前記巻軸部の前記軸方向と同方向に単層巻するとともに、前記ボビンの中央部から外方に向かって、前記巻軸部の前記軸方向と垂直方向に単層巻しており、前記ボビンの一端側の第１巻線及び前記ボビンの他端側の第２巻線を共に入力用または出力用の端子と接続した請求項１記載のラインフィルタ。
【請求項６】
ボビンは、巻軸部の軸を中心に分割された分割ボビンで、分割されていない一体型の閉磁路磁芯を挟み込むように組み合わせて形成した請求項１記載のラインフィルタ。
【請求項７】
閉磁路磁芯は、分割された分割磁芯を、分割されていない一体型のボビンの貫通孔に挿入し組み合わせて形成した請求項１記載のラインフィルタ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、各種電子機器等に用いるラインフィルタに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
以下、従来のラインフィルタについて図面を参照しながら説明する。
【０００３】
図８は従来のラインフィルタの斜視図、図９は同ラインフィルタのＡ−Ａ半断面図、図１０は同ラインフィルタのＡ部の拡大断面図、図１１は同ラインフィルタの周波数減衰特性図である。
【０００４】
図８〜図１０において、従来のラインフィルタは、特に、照明装置等に用いるものであって、巻軸部１の軸方向に貫通孔２を有するボビン３と、このボビン３の貫通孔２に挿入した閉磁路磁芯４と、この閉磁路磁芯４を覆うカバー１２と、ボビン３の巻軸部１に巻回した第１巻線５及び第２巻線６と、この第１巻線５及び第２巻線６の一端を接続した入力用の端子７と他端を接続した出力用の端子７とを備えている。
【０００５】
ボビン３の両端には両端鍔９を設けるとともに、中央部にも第１巻線５及び第２巻線６を分割する中央鍔１０を設け、さらに、中央鍔１０と両端鍔９との間には第１巻線５及び第２巻線６を分割する分割鍔１１を設けている。
【０００６】
第１巻線５及び第２巻線６は、この分割鍔１１の一方を何層か積層し、他方に移行させ、分割鍔１１の他方にも同様に何層か積層した構成である。
【０００７】
このラインフィルタの周波数減衰特性は図１１に示すようになる。
【０００８】
なお、この出願の発明に関連する先行技術文献情報としては、例えば、特許文献１が知られている。
【０００９】
【特許文献１】
特開平８−１３８９５２号公報
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
上記構成のラインフィルタでは、低域側の減衰特性は良いものの、１０ＭＨｚ〜１００ＭＨｚ程度の高域側の減衰特性が悪いという問題点を有していた。
【００１１】
本発明は、高域側の減衰特性を良好にしたラインフィルタを提供することを目的としている。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために本発明は以下の構成を有する。
【００１３】
本発明の請求項１記載の発明は、特に、巻線は、巻軸部の軸方向と同方向に単層巻するとともに、前記巻軸部の軸方向と垂直方向に単層巻した構成である。
【００１４】
上記構成により、高域側の減衰特性を改善し、良好にすることができる。
【００１５】
本発明の請求項２記載の発明は、特に、ボビンには、巻線径と略同一幅の巻溝を有する分割鍔を設け、前記分割鍔の前記巻溝に、巻軸部の軸方向と垂直方向に単層巻される巻線を巻回した構成である。
【００１６】
上記構成により、巻線径と略同一の巻溝を有する分割鍔に巻線を巻回するので、巻線を巻軸部の軸方向と垂直方向に単層巻しても、巻線の巻き乱れや巻き崩れが生じず、安定的に減衰特性を良好にすることができる。
【００１７】
本発明の請求項３記載の発明は、特に、分割鍔には外周縁から巻軸部に向かって切欠部を設けており、巻線は前記切欠部の前記巻軸部側より巻回した構成である。
【００１８】
上記構成により、巻軸部から分割鍔への巻線の移行を円滑にすることができ、巻線の巻き乱れや巻き崩れが生じず、安定的に減衰特性を良好にすることができる。
【００１９】
本発明の請求項４記載の発明は、特に、巻線は第１巻線と第２巻線とからなり、前記第１巻線は、ボビンの一端から中央部に向かって、巻軸部の軸方向と同方向に単層巻するとともに、前記ボビンの中央部から外周方向に向かって、前記巻軸部の前記軸方向と垂直方向に単層巻しており、前記第２巻線は、前記ボビンの中央部から他端に向かって、前記巻軸部の前記軸方向と同方向に単層巻するとともに、前記ボビンの他端から外周方向に向かって、前記巻軸部の前記軸方向と垂直方向に単層巻しており、前記ボビンの一端側の前記第１巻線及び前記ボビンの中央部側の前記第２巻線を共に入力用または出力用の端子と接続した構成である。
【００２０】
上記構成により、高域側の減衰特性をより一層改善し、良好にすることができる。
【００２１】
本発明の請求項５記載の発明は、特に、巻線は第１巻線と第２巻線とからなり、前記第１巻線は、ボビンの一端から中央部に向かって、巻軸部の軸方向と同方向に単層巻するとともに、前記ボビンの中央部から外方に向かって、前記巻軸部の前記軸方向と垂直方向に単層巻しており、前記第２巻線は、ボビンの他端から中央部に向かって、前記巻軸部の前記軸方向と同方向に単層巻するとともに、前記ボビンの中央部から外方に向かって、前記巻軸部の前記軸方向と垂直方向に単層巻しており、前記ボビンの一端側の第１巻線及び前記ボビンの他端側の第２巻線を共に入力用または出力用の端子と接続した構成である。
【００２２】
上記構成により、高域側の減衰特性をより一層改善し、良好にすることができる。
【００２３】
本発明の請求項６記載の発明は、特に、ボビンは、巻軸部の軸を中心に分割された分割ボビンで、分割されていない一体型の閉磁路磁芯を挟み込むように組み合わせて形成した構成である。
【００２４】
上記構成により、高域側の減衰特性を改善しつつ、低域側の減衰特性も改善でき、より一層減衰特性を向上できる。
【００２５】
本発明の請求項７記載の発明は、特に、閉磁路磁芯は、分割された分割磁芯を、分割されていない一体型のボビンの貫通孔に挿入し組み合わせて形成した構成である。
【００２６】
上記構成により、高域側の減衰特性をより一層改善し、良好にすることができる。
【００２７】
【発明の実施の形態】
以下、一実施の形態を用いて、本発明の全請求項に記載のラインフィルタについて図面を参照しながら説明する。
【００２８】
図１は本発明の一実施の形態におけるラインフィルタの平面断面図、図２は同ラインフィルタの斜視図、図３は図２に示す同ラインフィルタのボビンの切欠部近傍の拡大斜視図、図４は同ラインフィルタの周波数減衰特性図である。
【００２９】
図１〜図３において、本発明の一実施の形態におけるラインフィルタは、巻軸部２１の軸方向に貫通孔２２を有するボビン２３と、このボビン２３の貫通孔２２に挿入した閉磁路磁芯２４と、ボビン２３の巻軸部２１に巻回した巻線と、この巻線の一端を接続した入力用の端子２５と他端を接続した出力用の端子２５とを備えている。
【００３０】
ボビン２３は、巻軸部２１の軸を中心に分割された分割ボビン２６で、分割されていない一体型の閉磁路磁芯２４を挟み込むように組み合わせて形成しており、巻線径と略同一幅の巻溝２９を有するとともに、外周縁から巻軸部２１に向かって切欠部２７を有する分割鍔２８を設けている。この分割鍔２８の巻溝２９には、切欠部２７の巻軸部２１側より、巻軸部２１の軸方向と垂直方向に単層巻される巻線を巻回している。
【００３１】
巻線は、第１巻線３０と第２巻線３１とからなり、第１巻線３０は、ボビン２３の一端から中央部に向かって、巻軸部２１の軸方向と同方向に単層巻するとともに、ボビン２３の中央部から外周方向に向かって、巻軸部２１の軸方向と垂直方向に単層巻している。
【００３２】
また、第２巻線３１は、ボビン２３の中央部から他端に向かって、巻軸部２１の軸方向と同方向に単層巻するとともに、ボビン２３の他端から外周方向に向かって、巻軸部２１の軸方向と垂直方向に単層巻している。
【００３３】
そして、ボビン２３の一端側の第１巻線３０及びボビン２３の中央部側の第２巻線３１を共に入力用の端子２５と接続し、ボビン２３の中央側の第１巻線３０及びボビン２３の他端側の第２巻線３１を共に出力用の端子２５と接続している（このとき、入力用の端子２５と出力用の端子２５とを入れ替えてもよい）。
【００３４】
このラインフィルタの周波数減衰特性は図４に示すようになる。
【００３５】
上記構成により、高域側の減衰特性を改善し、良好にすることができる。
【００３６】
特に、巻線径と略同一の巻溝２９を有する分割鍔２８に巻線を巻回するので、巻線を巻軸部２１の軸方向と垂直方向に単層巻しても、巻線の巻き乱れや巻き崩れが生じず、安定的に減衰特性を良好にすることができる。
【００３７】
この、分割鍔２８には外周縁から巻軸部２１に向かって切欠部２７を設けており、巻線はこの切欠部２７の巻軸部２１側より巻回しているので、巻軸部２１から分割鍔２８への巻線の移行を円滑にすることができ、巻線の巻き乱れや巻き崩れが生じず、安定的に減衰特性を良好にすることができる。
【００３８】
また、第１巻線３０は、ボビン２３の一端から中央部に向かって、巻軸部２１の軸方向と同方向に単層巻するとともに、ボビン２３の中央部から外周方向に向かって、巻軸部２１の軸方向と垂直方向に単層巻しており、第２巻線３１は、ボビン２３の中央部から他端に向かって、巻軸部２１の軸方向と同方向に単層巻するとともに、ボビン２３の他端から外周方向に向かって、巻軸部２１の軸方向と垂直方向に単層巻しており、ボビン２３の一端側の第１巻線３０及びボビン２３の中央部側の第２巻線３１を共に入力用または出力用の端子２５と接続しているので、高域側の減衰特性をより一層改善し、良好にすることができる。
【００３９】
さらに、ボビン２３は、巻軸部２１の軸を中心に分割された分割ボビン２６で、分割されていない一体型の閉磁路磁芯２４を挟み込むように組み合わせて形成しているので、高域側の減衰特性を改善しつつ、低域側の減衰特性も改善でき、より一層減衰特性を向上できる。
【００４０】
このように、本発明の一実施の形態によれば、高域側の減衰特性を改善し、良好にすることができる。
【００４１】
なお、本発明の一実施の形態では、閉磁路磁芯２４を一体型（分割磁芯を組み合わせたものではない）とし、分割ボビン２６を組み合わせて形成したが、閉磁路磁芯２４を分割型（分割磁芯を組み合わせたもの）とし、一体型のボビン２３（分割ボビン２６を組み合わせたものではない）の貫通孔２２に、分割磁芯を挿入して組み合わせて形成してもよい。
【００４２】
この場合、周波数減衰特性は、図５に示すように、閉磁路磁芯２４を一体型にした（Ａ）に比べ、閉磁路磁芯２４を分割型にした（Ｂ）の方が、若干、低域側の周波数減衰特性が劣化するものの、高域側の周波数減衰特性は（Ａ）と略同等となる。
【００４３】
また、図６に示すように、第１巻線３０を、ボビン２３の一端から中央部に向かって、巻軸部２１の軸方向と同方向に単層巻するとともに、ボビン２３の中央部から外方に向かって、巻軸部２１の軸方向と垂直方向に単層巻し、第２巻線３１を、ボビン２３の他端から中央部に向かって、巻軸部２１の軸方向と同方向に単層巻するとともに、ボビン２３の中央部から外方に向かって、巻軸部２１の軸方向と垂直方向に単層巻し、ボビン２３の一端側の第１巻線３０及びボビン２３の他端側の第２巻線３１を共に入力用または出力用の端子２５としてもよい。この場合でも、高域側の減衰特性をより一層改善し、良好にすることができる。
【００４４】
さらに、図７に示すように、閉磁路磁芯２４はロの字形状ではなく、日の字形状のものを用いてもよい。
【００４５】
【発明の効果】
以上のように本発明によれば、巻線は、巻軸部の軸方向と同方向に単層巻するとともに、巻軸部の軸方向と垂直方向に単層巻しているので、高域側の減衰特性を改善し、良好にしたラインフィルタを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施の形態におけるラインフィルタの平面断面図
【図２】同ラインフィルタの斜視図
【図３】同ラインフィルタのボビンの切欠部近傍の拡大斜視図
【図４】同ラインフィルタおよび従来の周波数減衰特性図
【図５】同ラインフィルタおよび他の実施の形態におけるラインフィルタの周波数減衰特性図
【図６】他の実施の形態におけるラインフィルタの平面断面図
【図７】他の実施の形態におけるラインフィルタの斜視図
【図８】従来のラインフィルタの斜視図
【図９】図８に示す同ラインフィルタのＡ−Ａ半断面図
【図１０】図９に示す同ラインフィルタのＡ部の拡大断面図
【図１１】同ラインフィルタの周波数減衰特性図
【符号の説明】
２１　巻軸部
２２　貫通孔
２３　ボビン
２４　閉磁路磁芯
２５　端子
２６　分割ボビン
２７　切欠部
２８　分割鍔
２９　巻溝
３０　第１巻線
３１　第２巻線
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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