(57)【要約】【課題】基板縁および切断面に存在する微小な傷やクラックを消去しておくことにより、耐衝撃性の強いＩＣチップの製造方法、ＩＣチップ、電気光学装置、および電子機器を提供すること。【解決手段】ＩＣチップ１３を製造する際、シリコンウエハー５００をＩＣチップ１３に切り分けるダイシング工程ＳＴ４を行った後、保護層形成工程ＳＴ６において、ＩＣチップ１３の能動面５１０の内側領域を保護層９０で覆い、しかる後に、エッチング工程ＳＴ７で、ＩＣチップ１３の切断面５３０および基板縁５４０をエッチングする。その結果、ＩＣチップ１３の基体たるシリコン基板５６０の切断面５３０および基板縁５４０から微小な傷やクラックが消失する。【選択図】      図４
2004260075.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウエハー表面のチップ形成領域に集積回路およびバンプ電極を形成する回路形成工程と、前記ウエハーを半導体チップに切り分けるダイシング工程とを有する半導体チップの製造方法において、
前記ダイシング工程の後、前記集積回路および前記バンプを備える前記半導体チップの能動面を保護層で覆った状態で、前記半導体チップの切断面および基板縁をエッチングするエッチング工程を行うことを特徴とする半導体チップの製造方法。
【請求項２】
請求項１において、前記エッチング工程では、少なくとも、前記能動面に対向する面に対してエッチングすることを特徴とする半導体チップの製造方法。
【請求項３】
請求項１または２において、前記保護層を前記能動面の縁から所定の距離を隔てた内側領域のみに形成することを特徴とする半導体チップの製造方法。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれかにおいて、前記エッチング工程ではウエットエッチングを行うことを特徴とする半導体チップの製造方法。
【請求項５】
請求項１ないし４のいずれかにおいて、前記保護層は、前記能動面に貼られたテープであることを特徴とする半導体チップの製造方法。
【請求項６】
請求項１ないし４のいずれかにおいて、前記保護層は、塗布した液状物を固化してなる塗膜であることを特徴とする半導体チップの製造方法。
【請求項７】
請求項６において、前記液状物は、レジストであることを特徴とする半導体チップの製造方法。
【請求項８】
請求項６において、前記液状物は、塗料であることを特徴とする半導体チップの製造方法。
【請求項９】
請求項６において、前記液状物は、撥水化剤であることを特徴とする半導体チップの製造方法。
【請求項１０】
請求項１ないし４のいずれかにおいて、前記保護層は、異方性導電膜であることを特徴とする半導体チップの製造方法。
【請求項１１】
請求項１ないし１０のいずれかにおいて、前記切断工程では、前記ウエハーの裏面にチップ支持テープを貼って当該ウエハーの切断を行い、
前記ウエハーから切り分けられた前記半導体チップが前記チップ支持テープに支持された状態で前記保護層の形成を行うことを特徴とする半導体チップの製造方法。
【請求項１２】
請求項１１において、前記ウエハーの裏面に前記チップ支持テープを貼った状態で前記切断工程を行った後、前記チップ支持テープを延伸させて前記半導体チップの間を広げた後、前記保護層を形成することを特徴とする半導体チップの製造方法。
【請求項１３】
請求項１１において、前記ウエハーの裏面に前記チップ支持テープを貼った状態で前記切断工程を行った後、前記保護層を形成し、しかる後に前記チップ支持テープを延伸させてて前記半導体チップの間を広げることを特徴とする半導体チップの製造方法。
【請求項１４】
請求項１ないし１３のいずれかに規定する製造方法で製造されたことを特徴とする半導体チップ。
【請求項１５】
請求項１４に規定する半導体チップを用いたことを特徴とする電気光学装置。
【請求項１６】
請求項１５において、電気光学物質として、一対の基板間に保持された液晶を用いたことを特徴とする電気光学装置。
【請求項１７】
請求項１５において、前記電気光学物質は、基板上に形成されたエレクトロルミネッセンス材料であることを特徴とする電気光学装置。
【請求項１８】
請求項１５ないし１７のいずれかに規定される電気光学装置を備えることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体チップ（以下、ＩＣチップという）の製造方法、ＩＣチップ、電気光学装置、およびこの電気光学装置を用いた電子機器に関するものである。さらに詳しくは、ウエハーをＩＣチップに切り分けた後の後処理技術に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
液晶装置、有機エレクトロルミネッセンス表示装置などのＬＥＤ（発光ダイオード）表示装置、プラズマディスプレイ装置、ＦＥＤ（フィールドエミッションディスプレイ）装置、電気泳動表示装置、デジタルマイクロミラーデバイス（ＤＭＤ）を用いた装置などといった電気光学装置は、電気光学物質を駆動する駆動用電極が双方に形成された一対のガラス基板がシール材で貼り合わされたパネル構造、あるいは、電気光学物質を駆動する駆動用電極が形成されたガラス基板に対してガラス製の保護基板がシール材で貼り合わされたパネル構造を有している（例えば、特許文献１参照）。また、電気光学装置では、基板上に画素スイッチング素子を形成する工程を利用して駆動回路を構成する場合があるが、駆動回路が形成されたフリップフロップタイプのＩＣチップを基板上あるいは可撓性基板に実装することもある。
【０００３】
ここで、ＩＣチップは、一般に、ウエハー表面のチップ形成領域に集積回路およびバンプ電極を形成した後、ウエハーをダイシングソーによってＩＣチップに切り分けることにより製造される。
【０００４】
【特許文献１】
特開平８−２６２４１９号公報（第３頁、図１）
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
ＩＣチップには、切断の際の応力によってシリコン基板の切断面や、基板縁や、チップ表面に微小な傷やクラックが入ることがあり、このような傷やクラックは、その後に加わった応力によって成長する。このため、ＩＣチップを携帯電話機などに用いた際、携帯電話機を落下したときの衝撃などにより、傷やクラックが成長してＩＣチップが割れるという問題点がある。
【０００６】
以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、基板縁、切断面、チップ表面に存在する微小な傷やクラックを消去しておくことにより、耐衝撃性の強いＩＣチップの製造方法、ＩＣチップ、このＩＣチップを備えた電気光学装置、およびこの電気光学装置を用いた電子機器を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、本発明では、ウエハー表面のチップ形成領域に集積回路およびバンプ電極を形成する回路形成工程と、前記ウエハーをＩＣチップに切り分けるダイシング工程とを有するＩＣチップの製造方法において、前記ダイシング工程の後、前記集積回路および前記バンプを備える前記ＩＣチップの能動面を保護層で覆った状態で、前記ＩＣチップの切断面および基板縁をエッチングするエッチング工程を行うことを特徴とする。
【０００８】
本発明では、能動面に保護層を形成した状態でＩＣチップにエッチングを行うことにより、ＩＣチップの裏面側全体、切断面（側端面）、および基板縁の表層を薄くエッチングし、そこに存在していた微小な傷およびクラックを消失させる。それ故、落下などによる衝撃が加わった時でもクラックが成長するということがないので、ＩＣチップが割れることがない。また、エッチング工程を行う際、能動面は保護層で覆われているので、バンプ電極などに腐食などの不具合が発生しない。さらに、切断工程が終わった後、すなわち、ＩＣチップの製造工程の終段でエッチング工程を行うので、それまでに発生した全ての傷やクラックを一括して消失することができる。
【０００９】
本発明において、前記保護層を前記能動面の縁から所定の距離を隔てた内側領域のみに形成することが好ましい。このように構成すると、能動面側に位置する基板縁からもエッチング工程により傷やクラックを消去することができる。
【００１０】
本発明において、前記エッチング工程では、少なくとも、前記能動面に対向する面に対してエッチングする。
【００１１】
本発明において、前記エッチング工程ではウエットエッチングを行うことが好ましい。ウエットエッチングでは、エッチングが等方的に進行するため、傷やクラックを消去するのに適している、また、ウエットエッチングによれば、大量の電気光学パネルを一括して処理できるという利点がある。
【００１２】
本発明において、前記保護層は、例えば、前記能動面に貼られたテープである。
【００１３】
本発明において、前記保護層としては、塗布した液状物を固化してなる塗膜を用いてもよい。この場合、前記液状物の塗布は、刷毛塗り、スクリーン印刷、インクジェット法、およびオフセット印刷などにより行うことができる。スクリーン印刷、インクジェット法、およびオフセット印刷によれば、液状物の塗布工程を自動化することができる。また、インクジェット法であれば、電気光学パネルに非接触で液状物を塗布することができ、かつ、任意の領域に液状物を高い精度で選択的に塗布することができる。
【００１４】
本発明において、前記液状物としては、レジスト、塗料、撥水剤などを用いることができる。レジストであれば、フォトリソグラフィ技術を用いて、任意の位置にレジスト層（保護層）を確実に選択的に形成することができる。また、ウエットエッチングで用いるエッチング液は通常、水系であるため、撥水化剤による処理で配線の表面を撥水性とした場合でも、配線をエッチング液から保護することができる。また、撥水化剤による処理であれば、極めて薄い保護層が形成されるだけであるため、バンプ電極上に保護層があってもＩＣチップの実装に支障がない。
【００１５】
本発明において、前記保護層としては、導電粒子が熱可塑性樹脂中に分散した異方性導電膜（Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ  ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  ｆｉｌｍ）異方性導電膜を用いてもよい。
【００１６】
本発明において、前記切断工程では、一般に、前記ウエハーの裏面にチップ支持テープを貼って当該ウエハーの切断を行うので、前記ウエハーから切り分けられた前記ＩＣチップが前記チップ支持テープに支持された状態で前記保護層の形成を行うことが好ましい。このように構成すると、多数のＩＣチップに保護層を容易に、かつ、効率よく形成することができる。
【００１７】
本発明において、前記ウエハーの裏面に前記チップ支持テープを貼った状態で前記切断工程を行った後、前記チップ支持テープを延伸させてて前記ＩＣチップの間を広げた後、前記保護層を形成することが好ましい。このように構成すると、ＩＣチップの間が広がるので、保護層の形成方法によっては保護層を形成しやすいという利点がある。また、エッチング工程を行う場合には、チップ支持テープからＩＣチップを剥がすが、その際、ＩＣチップの間を広げておけば、ロボットハンドがＩＣチップを掴みやすいという利点がある。
【００１８】
本発明において、前記ウエハーの裏面に前記チップ支持テープを貼った状態で前記切断工程を行った後、前記保護層を形成し、しかる後に前記チップ支持テープを延伸させてて前記半導体チップの間を広げることが好ましい。このように構成すると、ＩＣチップの間が狭い状態で保護層を形成できるので、保護層の形成方法によっては保護層を形成しやすいという利点がある。また、エッチング工程を行う場合には、チップ支持テープからＩＣチップを剥がすが、その際、ＩＣチップの間を広げておけば、ロボットハンドがＩＣチップを掴みやすいという利点がある。
【００１９】
本発明に係る方法で製造されたＩＣチップは、例えば、電気光学装置において駆動用ＩＣとして用いられる。
【００２０】
ここで、電気光学物質は、一対の基板間に保持された液晶、基板上に形成されたエレクトロルミネッセンス材料などである。
【００２１】
本発明に係るＩＣチップを用いた電気光学装置は、例えば、モバイルコンピュータや携帯電話機などといった電子機器の表示部などして用いられる。
【００２２】
【発明の実施の形態】
図面を参照して、本発明の実施の形態として、本発明をパッシブマトリクス型液晶装置（電気光学装置）に用いるＩＣチップに適用した例を中心に説明する。なお、以下の説明では、液晶装置の構成を説明した後、各実施の形態を説明する。
【００２３】
［液晶装置の全体構成］
図１および図２はそれぞれ、本発明を適用した電気光学装置の斜視図、および分解斜視図である。図３は、図１のＩ−Ｉ′線で電気光学装置を切断したときのＩ′側端部の断面図である。図１および図２には、電極パターンおよび端子などを模式的に示してあるだけであり、実際の電気光学装置では、より多数の電極パターンや端子が形成されている。
【００２４】
図１および図２において、本形態の電気光学装置１は、パッシブマトリクス型のカラー表示用の液晶パネル１′（電気光学パネル）を備えている。この液晶パネル１′は、所定の間隙を介してシール材３０によって貼り合わされた矩形のガラスなどからなる一対の基板１０、２０を有している。基板１０、２０間には、シール材３０によって液晶封入領域３５が区画されているとともに、この液晶封入領域３５内には、電気光学物質としての液晶３６が封入されている。ここでは、前記一対の基板のうち、液晶封入領域３５内で縦方向に延びる複数列の第１の電極パターン４０が形成されている方の基板を第１の基板１０とし、液晶封入領域３５内で横方向に延びる複数列の第２の電極パターン５０が形成されている方の基板を第２の基板２０とする。
【００２５】
ここに示す電気光学装置１は透過型であり、照明装置９をバックライトとして所定の表示を行なう。このため、液晶パネル１′の両面のうち、第２の基板２０の外側表面には偏光板２０９が貼られ、第１の基板１０の外側表面には偏光板１０９が貼られている。また、第１の電極パターン４０および第２の電極パターン５０はいずれも、ＩＴＯ膜（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）に代表される透明導電膜によって形成されている。
【００２６】
なお、第２の電極パターン５０の下に絶縁膜を介してパターニングされたアルミニウムや銀合金等の膜を薄く形成すれば、半透過・半反射型の電気光学装置を構成できる。また、第２の電極パターン５０をアルミニウムや銀合金等の反射膜で形成するとともに、それに光透過孔を形成しても、半透過・半反射型の電気光学装置を構成できる。さらに、偏光板２０９に半透過反射板をラミネートすることでも半透過・半反射型の電気光学装置１を構成できる。さらにまた、第２の電極パターン５０の下に反射性の膜を配置すれば、反射型の電気光学装置を構成でき、この場合には、第２の基板２０の裏面側から照明装置９を省略すればよい。
【００２７】
電気光学装置１では、外部との間での信号の入出力、および基板間の導通のいずれを行うにも、第１の基板１０および第２の基板２０の同一方向に位置する各基板辺１０１、２０１付近において第１の基板１０および第２の基板２０のそれぞれに形成されている第１の端子形成領域１１および第２の端子形成領域２１が用いられる。
【００２８】
また、第２の基板２０として、第１の基板１０よりも大きな基板が用いられている。このため、第２の基板２０は、第１の基板１０と第２の基板２０とを貼り合わせたときに第１の基板１０の基板辺１０１から張り出す張り出し領域２５を備えており、この張り出し領域２５に形成されているＩＣ実装端子２６、２７に対して駆動用ＩＣとしてのＩＣチップ１３が異方性導電膜（Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ  ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  ｆｉｌｍ）を介してＣＯＧ（Ｃｈｉｐ  Ｏｎ  Ｇｌａｓｓ）実装されているとともに、基板実装端子２８に可撓性基板２９（電子部品）が異方性導電膜を介して実装されている。
【００２９】
このような実装構造を構成するにあたって、第２の基板２０では、ＩＴＯ膜からなる第２の電極パターン５０の配線部分５１が張り出し領域２５まで延びており、その端部によって、第２の端子形成領域２１には、フリップ・フロップタイプのＩＣチップ１３に形成されているバンプ電極が電気的に接続されるＩＣ実装端子２７が形成されている。
【００３０】
また、第２の端子形成領域２１には、ＩＣ実装端子２７より基板辺２０１の側に位置する部分に、可撓性基板２９を実装するための基板実装端子端子２８が形成され、これらの基板実装端子２８を構成するＩＴＯ膜からなるパターンは、ＩＣチップ１３の実装領域まで延びて、そのバンプ電極と電気的に接続されるＩＣ実装端子２６を構成している。
【００３１】
さらに、第２の基板２０の張り出し領域２５において、ＩＣ実装端子２６、２７、および基板実装端子２８が形成されている領域の両側には、そこに、可撓性基板２９を実装するときのアライメントマーク５５がＩＴＯ膜によって形成されている。
【００３２】
また、第２の端子形成領域２１において、ＩＣチップ１３より液晶封入領域３５の側に位置する部分は、第１の基板１０の側との基板間導通用に用いられるので、第１の基板１０との重なり部分に、複数の基板間導通用端子７０が形成されている。これらの基板間導通用端子７０を構成するＩＴＯ膜からなるパターンも、配線部分７１としてＩＣチップ１３の実装領域まで延びて、ＩＣチップ１３のバンプ電極と電気的に接続されるＩＣ実装端子２７を構成している。
【００３３】
これに対して、第１の基板１０において、第１の端子形成領域１１は、第２の基板２０の側との基板間導通に用いられるので、第２の基板２０との重なり部分には、複数の基板間導通用端子６０が形成されている。これらの基板間導通用端子６０は、いずれもＩＴＯ膜からなる第１の電極パターン４０の端部によって構成されている。
【００３４】
従って、第１の基板１０と第２の基板２０とを、基板間導通剤を含有するシール材３０で貼り合わせて基板間で基板間導通用端子６０、７０同士を導通させた後、第２の基板２０にＩＣチップ１３および可撓性基板２９を実装し、この状態で、可撓性基板２９からＩＣチップ１３に所定の信号を入力すれば、ＩＣチップ１３から出力された信号は、第１の電極パターン４０および第２の電極パターン５０に供給される。
【００３５】
なお、図３に示すように、第１の基板１０には、第１の電極パターン４０と第２の電極パターン５０との交点に相当する領域に赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）のカラーフィルタ７Ｒ、７Ｇ、７Ｂが形成され、これらのカラーフィルタ７Ｒ、７Ｇ、７Ｂの表面側に、アクリル樹脂などからなる平坦化膜１９、ＩＴＯ膜からなる第１の電極パターン４０、およびポリイミド膜からなる配向膜１２がこの順に形成されている。また、カラーフィルタ７Ｒ、７Ｇ、７Ｂの下層側には、金属膜あるいは樹脂からなる遮光膜１６が形成されている。これに対して、第２の基板２０には、ＩＴＯ膜からなる第２の電極パターン５０、アクリル樹脂やシリコン酸化膜などからなるオーバーコート膜２９、およびポリイミド膜からなる配向膜２２がこの順に形成されている。従って、可撓性基板２９を介してＩＣチップ１３に信号を入力すると、ＩＣチップ１３から第１の電極パターン４０および第２の電極パターン５０の各々に所定の信号が供給されるので、第１の電極パターン４０と第２の電極パターン５０との交点に相当する各画素毎で液晶３６を駆動することができ、所定のカラー画像を表示することができる。
【００３６】
［実施の形態１］
図４は、本発明の実施の形態１に係るＩＣチップの製造方法を模式的に示す工程図である。
【００３７】
図４において、ＩＣチップ１３の製造工程では、まず、フォトリソグラフィ技術、各種成膜技術を用いて、シリコンウエハー５００のＩＣチップ形成領域５５０に対して集積回路（図示せず）およびバンプ電極５１１を形成する（回路形成工程ＳＴ１）。
【００３８】
次に、シリコンウエハー５００の検査を行う（検査工程ＳＴ２）。
【００３９】
次に、必要に応じて、シリコンウエハー５００において集積回路やバンプ電極５１１が形成された能動面５１０とは反対側の面（裏面５２０）を削って、シリコンウエハー５００を薄型化する（裏面研削工程ＳＴ３）。
【００４０】
次に、シリコンウエハー５００の裏面５２０をＵＶ硬化型のチップ支持テープ５８０に接着固定し、この状態でダイシングソー（図示せず）でウエハー５００をＩＣチップ１３に切り分ける（ダイシング工程ＳＴ４）。その際、ＩＣチップ１３には、切断の際の応力によってシリコン基板５６０の切断面５３０や基板縁５４０に微小なクラック５９０が入ることがあり、このようなクラック５９０は、その後に加わった応力によって成長して、ＩＣチップ１３が割れる原因となるので好ましくない。
【００４１】
ここで、ダイシング工程ＳＴ４を終えた状態で、シリコンウエハー５００から切り分けられたＩＣチップ１３は、そのまま、能動面５１０を上面に向けてチップ支持テープ５８０に保持されている。そこで、本形態では、まず、チップ支持テープ５８０を２方向に延伸して、ＩＣチップ１３の間隔をあける（テープ延伸工程ＳＴ５）。
【００４２】
そして、この状態のまま、各ＩＣチップ１３の能動面５１０に対して、基板縁からやや内側領域に対して保護層９０としてのテープを貼り、バンプ電極５１１を保護層９０で覆う（保護層形成工程ＳＴ６）。
【００４３】
次に、保護層９０で能動面５１０が保護された状態のＩＣチップ１３をロボット装置によりチップ支持テープ５８０から剥がし、裏面５２０も露出させた状態でエッチング液に浸漬する（エッチング工程ＳＴ７）。ここで用いるエッチング液は、例えば、フッ酸系の薬液である。例えば、フッ酸液、フッ化硫酸液、ケイフッ化水素酸、フッ化アンモニウム、フッ化水素酸などのエッチング液を用いることができる。また、それらを含む水溶液を使用することもできる。例えば、フッ化水素酸と硝酸の混合水溶液、フッ化水素酸とフッ化アンモニウムの混合水溶液、フッ化水素酸とフッ化アンモニウムと硝酸の混合水溶液、フッ化水素酸と水素二フッ化アンモニウムの水溶液、フッ化水素酸と水素二フッ化アンモニウムと硝酸の水溶液などを用いることができる。また、エッチング速度が遅いが、水酸化ナトリウム、水酸化カリウムなどの強アルカリ性の薬液を用いることができる。
【００４４】
その結果、ＩＣチップ１３の基体たるシリコン基板５６０においては、保護層９０で覆われた部分を除く全体がエッチングされる。すなわち、シリコン基板５６０の裏面５２０の全体、切断面５３０の全体、および全ての基板縁５４０（稜線部）がエッチングされ、その表層が削られることにより、切断面５３０および基板縁５４０に存在していた微小なクラック５９０や傷が消去される。
【００４５】
しかる後に、ＩＣチップ１３を水洗、乾燥した後、保護層９０として用いたテープを除去すれば、ＩＣチップ１３が完成する。
【００４６】
以上説明したように、本形態では、能動面５１０に保護層９０を形成した状態でＩＣチップ１３にエッチング工程ＳＴ７を行うことにより、ＩＣチップ１３の裏面５２０全体、切断面５３０（側端面）、および基板縁５４０の表層を薄くエッチングし、そこに存在していた微小な傷およびクラックを消失させる。それ故、ＩＣチップ１３の状態で、あるいは、ＩＣチップ１３を実装した電気光学装置１を搭載した携帯電話機などの状態で落下させてしまった場合でも、シリコン基板５６０でクラックが成長するということがないので、ＩＣチップ１３が割れることがない。また、エッチング工程ＳＴ７を行う際、能動面５１０は保護層９０で覆われているので、バンプ電極５１１などに腐食などの不具合が発生しない。
【００４７】
また、ダイシング工程ＳＴ４が終わった後、すなわち、ＩＣチップ１３の製造工程の終段でエッチング工程ＳＴ７を行うので、それまでに発生した全ての傷やクラックを一括して消失することができる。
【００４８】
さらに本形態では、ダイシング工程ＳＴ４において、シリコンウエハー５００の裏面にチップ支持テープ５８０を貼ってシリコンウエハー５００の切断を行う。このため、シリコンウエハー５００から切り分けられたＩＣチップ１３がチップ支持テープ５８０に支持された状態で保護層９０の形成を行うことができるので、多数のＩＣチップ１３に保護層９０を容易に、かつ、効率よく形成することができる。
【００４９】
さらにまた、本形態では、シリコンウエハー５００の裏面にチップ支持テープ５８０を貼った状態でダイシング工程ＳＴ４を行った後、テープ延伸工程ＳＴ５でチップ支持テープ５８０を延伸させててＩＣチップ１３の間を広げた状態で保護層９０を形成する。このため、保護層９０を形成しやすいという利点がある。また、エッチング工程ＳＴ７を行うときにはチップ支持テープ５８０からＩＣチップ１３を剥がすが、その際、ＩＣチップ１３の間を広げておけば、ロボットハンドがＩＣチップ１３を掴みやすいという利点がある。
【００５０】
なお、テープ延伸工程ＳＴ５については、保護層形成工程ＳＴ６の後に行ってもよい。すなわち、ＩＣチップ１３の間が狭い方が保護層９０を形成しやすいからである。この場合でも、エッチング工程ＳＴ７を行うときにはチップ支持テープ５８０からＩＣチップ１３を剥がすが、その際、ＩＣチップ１３の間を広げておけば、ロボットハンドがＩＣチップ１３を掴みやすいという利点がある。
【００５１】
［実施の形態２］
以下に説明する実施の形態２〜５は、基本的な構成が実施の形態１と同様であるため、同じく図４を参照しながら、特徴的な部分のみを説明し、共通する部分の説明を省略する。
【００５２】
本形態でも、実施の形態１と同様、図４に示すダイシング工程ＳＴ４を行った後、テープ延伸工程ＳＴ５でＩＣチップ１３の間隔をあける。そして、保護層形成工程ＳＴ６において、各ＩＣチップ１３の能動面５１０に保護層９０を形成した後、エッチング工程ＳＴ７において、ＩＣチップ１３の基体たるシリコン基板５６０の裏面５２０の全体、切断面５３０の全体、および全ての基板縁５４０（稜線部）をエッチングし、切断面５３０および基板縁５４０に存在していた微小なクラック５９０や傷を消去する。
【００５３】
本形態では、保護層形成工程ＳＴ６において、液状のフォトレジスト、あるいはフォトレジストを溶剤で希釈した液状物をＩＣチップ１３の能動面５１０の基板縁からやや内側領域に対して選択的に塗布した後、露光、現像し、レジスト層によって保護層９０を形成する。
【００５４】
ここで、レジスト、あるいはフォトレジストを溶剤で希釈した液状物については、刷毛塗り、スクリーン印刷、インクジェット法、あるいは、オフセット印刷により選択的に塗布すればよい。これらの塗布方法のうち、インクジェット法は、非接触で、かつ、高い精度で任意の領域に選択的にレジストを塗布できるという利点がある。
【００５５】
このように本形態でも、エッチング工程ＳＴ７を行う際、能動面５１０は保護層９０で覆われているので、バンプ電極５１１などに腐食などの不具合が発生しないなど、実施の形態１と同様な効果を奏する。
【００５６】
また、本形態では、保護層９０としてフォトレジストを用いたので、レジストを塗布した後、所定の領域のみ露光すれば、現像後、任意の領域にレジスト層（保護層９０）を選択的に形成することができるという利点がある。
【００５７】
さらに、レジスト層からなる保護層９０であれば、エッチング工程ＳＴ７の後、剥離液や酸素プラズマによるアッシングにより容易に除去することができる。
【００５８】
［実施の形態３］
本形態でも、実施の形態１と同様、図４に示すダイシング工程ＳＴ４を行った後、テープ延伸工程ＳＴ５でＩＣチップ１３の間隔をあける。そして、保護層形成工程ＳＴ６において、各ＩＣチップ１３の能動面５１０に保護層９０を形成した後、エッチング工程ＳＴ７において、シリコン基板５６０の裏面５２０の全体、切断面５３０の全体、および全ての基板縁５４０（稜線部）をエッチングし、切断面５３０および基板縁５４０に存在していた微小なクラック５９０や傷を消去する。
【００５９】
本形態では、保護層形成工程ＳＴ６において、液状の塗料、あるいは塗料を溶剤で希釈した液状物をＩＣチップ１３の能動面５１０の基板縁からやや内側領域に対して選択的に塗布した後、乾燥させて保護層９０を形成する。
【００６０】
ここで、塗料、あるいは塗料を溶剤で希釈した液状物については、刷毛塗り、スクリーン印刷、インクジェット法、あるいは、オフセット印刷により選択的に塗布すればよい。これらの塗布方法のうち、インクジェット法は、非接触で、かつ、高い精度で任意の領域に選択的に液状の塗料、あるいは塗料を溶剤で希釈した液状物を塗布できるという利点がある。
【００６１】
このように本形態でも、エッチング工程ＳＴ７を行う際、能動面５１０は保護層９０で覆われているので、バンプ電極５１１などに腐食などの不具合が発生しないなど、実施の形態１と同様な効果を奏する。
【００６２】
また、塗膜からなる保護層９０であれば、エッチング工程ＳＴ７の後、剥離液や酸素プラズマによるアッシングにより容易に除去することができる。
【００６３】
［実施の形態４］
本形態でも、実施の形態１と同様、図４に示すダイシング工程ＳＴ４を行った後、テープ延伸工程ＳＴ５でＩＣチップ１３の間隔をあける。そして、保護層形成工程ＳＴ６において、各ＩＣチップ１３の能動面５１０に保護層９０を形成した後、エッチング工程ＳＴ７において、シリコン基板５６０の裏面５２０の全体、切断面５３０の全体、および全ての基板縁５４０（稜線部）をエッチングし、切断面５３０および基板縁５４０に存在していた微小なクラック５９０や傷を消去する。
【００６４】
本形態では、保護層形成工程ＳＴ６において、撥水剤、あるいは撥水剤を溶剤で希釈した液状物をＩＣチップ１３の能動面５１０の基板縁からやや内側領域に対して選択的に塗布した後、乾燥させて、撥水層からなる保護層９０を形成する。
【００６５】
ここで、撥水剤、あるいは撥水剤を溶剤で希釈した液状物については、刷毛塗り、スクリーン印刷、インクジェット法、あるいは、オフセット印刷により選択的に塗布すればよい。これらの塗布方法のうち、インクジェット法は、非接触で、かつ、高い精度で任意の領域に選択的に撥水剤、あるいは撥水剤を溶剤で希釈した液状物を塗布できるという利点がある。
【００６６】
このように本形態でも、エッチング工程ＳＴ７を行う際、能動面５１０は保護層９０で覆われているので、バンプ電極５１１などに腐食などの不具合が発生しないなど、実施の形態１と同様な効果を奏する。
【００６７】
また、撥水剤を利用して保護層９０を形成した場合には、保護層９０が極めて薄い層であるため、エッチング工程ＳＴ７の後、除去しなくても、ＩＣチップ１３の実装に支障がない。
【００６８】
［実施の形態５］
本形態でも、実施の形態１と同様、図４に示すダイシング工程ＳＴ４を行った後、テープ延伸工程ＳＴ５でＩＣチップ１３の間隔をあける。そして、保護層形成工程ＳＴ６において、各ＩＣチップ１３の能動面５１０に保護層９０を形成した後、エッチング工程ＳＴ７において、シリコン基板５６０の裏面５２０の全体、切断面５３０の全体、および全ての基板縁５４０（稜線部）をエッチングし、切断面５３０および基板縁５４０に存在していた微小なクラック５９０や傷を消去する。
【００６９】
本形態では、保護層形成工程ＳＴ６において、導電粒子が熱可塑性樹脂に分散してなる異方性導電剤を加熱溶融させてＩＣチップ１３の能動面５１０の基板縁からやや内側領域に対して選択的に塗布して、異方性導電剤からなる保護層９０を形成する。
【００７０】
ここで、異方性導電剤については加熱により流動性を示すので、刷毛塗り、スクリーン印刷、インクジェット法、あるいは、オフセット印刷により選択的に塗布すればよい。これらの塗布方法のうち、インクジェット法は、非接触で、かつ、高い精度で任意の領域に選択的に異方性導電剤を塗布できるという利点がある。
【００７１】
このように本形態でも、エッチング工程ＳＴ７を行う際、能動面５１０は保護層９０で覆われているので、バンプ電極５１１などに腐食などの不具合が発生しないなど、実施の形態１と同様な効果を奏する。
【００７２】
また、異方性導電剤を利用して保護層９０を形成した場合には、その後、ＣＯＧ実装あるいはＣＯＦ実装する場合に、異方性導電膜をそのまま利用できるので、エッチング工程ＳＴ７の後、除去しなくてもよいという利点がある。
【００７３】
［その他の実施の形態］
また上記形態では、エッチング工程にウエットエッチングを採用したが、ドライエッチングを採用してもよい。
【００７４】
［本発明を適用可能な電気光学装置の構成］
上記形態はいずれも、パッシブマトリクス型の液晶装置からなる電気光学装置に用いたＩＣチップに本発明を適用したが、図５ないし図７を参照して以下に説明するいずれの電気光学装置に搭載されるＩＣチップに本発明を適用してもよい。
【００７５】
図５は、画素スイッチング素子として非線形素子を用いたアクティブマトリクス型液晶装置からなる電気光学装置の構成を模式的に示すブロック図である。図６は、画素スイッチング素子として薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を用いたアクティブマトリクス型液晶装置からなる電気光学装置の構成を模式的に示すブロック図である。図７は、電気光学物質として電荷注入型の有機薄膜を用いたエレクトロルミネセンス素子を備えたアクティブマトリクス型電気光学装置のブロック図である。
【００７６】
図５に示すように、画素スイッチング素子として非線形素子を用いたアクティブマトリクス型液晶装置からなる電気光学装置１ａでは、複数の配線としての走査線５１ａが行方向に形成され、複数のデータ線５２ａが列方向に形成されている。走査線５１ａとデータ線５２ａとの各交差点に対応する位置には画素５３ａが形成され、この画素５３ａでは、液晶層５４ａと、画素スイッチング用のＴＦＤ素子５６ａ（非線形素子）とが直列に接続されている。各走査線５１ａは走査線駆動回路５７ａによって駆動され、各データ線５２ａはデータ線駆動回路５８ａによって駆動される。
【００７７】
このように構成した電気光学装置１ａでも、一対のガラス基板などを対向した状態でシール材で貼り合わせ、かつ、少なくとも一方の基板に駆動用ＩＣをＣＯＧ実装した構造が採用されるので、本発明を適用することが好ましい。
【００７８】
図６に示すように、画素スイッチング素子としてＴＦＴを用いたアクティブマトリクス型液晶装置からなる電気光学装置１ｂでは、マトリクス状に形成された複数の画素の各々に、画素電極９ａ、および画素電極９ａを制御するための画素スイッチング用のＴＦＴ３０ｂが形成されており、画素信号を供給するデータ線６ｂが当該ＴＦＴ３０ｂのソースに電気的に接続されている。データ線６ｂに書き込む画素信号は、データ線駆動回路２ｂから供給される。また、ＴＦＴ３０ｂのゲートには走査線３１ｂが電気的に接続されており、所定のタイミングで、走査線３１ｂにパルス的に走査信号が走査線駆動回路３ｂから供給される。画素電極９ａは、ＴＦＴ３０ｂのドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０ｂを一定期間だけそのオン状態とすることにより、データ線６ｂから供給される画素信号を各画素に所定のタイミングで書き込む。このようにして画素電極９ａを介して液晶に書き込まれた所定レベルの画素信号は、対向基板に形成された対向電極との間で一定期間保持される。
【００７９】
ここで、保持された画素信号がリークするのを防ぐことを目的に、画素電極９ａと対向電極との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量７０ｂ（キャパシタ）を付加することがある。この蓄積容量７０ｂによって、画素電極９ａの電圧は、例えば、ソース電圧が印加された時間よりも３桁も長い時間だけ保持される。これにより、電荷の保持特性は改善され、コントラスト比の高い表示を行うことのできる電気光学装置が実現できる。なお、蓄積容量７０ｂを形成する方法としては、容量を形成するための配線である容量線３２ｂとの間に形成する場合、あるいは前段の走査線３１ｂとの間に形成する場合もいずれであってもよい。
【００８０】
このように構成した電気光学装置１ｂでも、一対のガラス基板などを対向した状態でシール材で貼り合わせ、かつ、一方のガラス基板に駆動用ＩＣが実装される場合があるので、その場合には、本発明を適用することが好ましい。
【００８１】
図７に示すように、電荷注入型有機薄膜を用いたエレクトロルミネセンス素子を備えたアクティブマトリクス型電気光学装置は、有機半導体膜に駆動電流が流れることによって発光するＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子、またはＬＥＤ（発光ダイオード）素子などの発光素子をＴＦＴで駆動制御するアクティブマトリクス型の表示装置であり、このタイプの表示装置に用いられる発光素子はいずれも自己発光するため、バックライトを必要とせず、また、視野角依存性が少ないなどの利点がある。
【００８２】
ここに示す電気光学装置１００ｐでは、複数の走査線３ｐと、この走査線３ｐの延設方向に対して交差する方向に延設された複数のデータ線６ｐと、これらのデータ線６ｐに並列する複数の共通給電線２３ｐと、データ線６ｐと走査線３ｐとの交差点に対応する画素１５ｐとが構成されている。データ線６ｐに対しては、シフトレジスタ、レベルシフタ、ビデオライン、アナログスイッチを備えるデータ線駆動回路１０１ｐが構成されている。走査線３ｐに対しては、シフトレジスタおよびレベルシフタを備える走査線駆動回路１０４ｐが構成されている。
【００８３】
また、画素１５ｐの各々には、走査線３ｐを介して走査信号がゲート電極に供給される第１のＴＦＴ３１ｐと、この第１のＴＦＴ３１ｐを介してデータ線６ｐから供給される画像信号を保持する保持容量３３ｐと、この保持容量３３ｐによって保持された画像信号がゲート電極に供給される第２のＴＦＴ３２ｐと、第２のＴＦＴ３２ｐを介して共通給電線２３ｐに電気的に接続したときに共通給電線２３ｐから駆動電流が流れ込む発光素子４０ｐとが構成されている。
【００８４】
ここで、発光素子４０ｐは、画素電極の上層側には、正孔注入層、有機エレクトロルミネッセンス材料層としての有機半導体膜、リチウム含有アルミニウム、カルシウムなどの金属膜からなる対向電極が積層された構成になっており、対向電極２０ｐは、データ線６ｐなどを跨いで複数の画素１５ｐにわたって形成されている。
【００８５】
このように構成した電気光学装置１ｐにおいては、発光素子を形成したガラス基板からなる素子基板にガラス製の保護基板がシール材を介して貼り合わされ、かつ、素子基板に駆動用ＩＣが実装される場合があるので、その場合には本発明を適用することが好ましい。
【００８６】
また、上述した実施形態以外にも、電気光学装置として、プラズマディスプレイ装置、ＦＥＤ（フィールドエミッションディスプレイ）装置、ＬＥＤ（発光ダイオード）表示装置、電気泳動表示装置、薄型のブラウン管、液晶シャッター等を用いた小型テレビ、デジタルマイクロミラーデバイス（ＤＭＤ）を用いた装置などの各種の電気光学装置に適用できる。
【００８７】
［電子機器への適用］
図８は、本発明に係る電気光学装置を各種の電子機器の表示装置として用いる場合の一実施形態を示している。ここに示す電子機器は、表示情報出力源１７０、表示情報処理回路１７１、電源回路１７２、タイミングジェネレータ１７３、そして電気光学装置１７４を有する。また、電気光学装置１７４は、表示パネル１７５及び駆動回路１７６を有する。電気光学装置１７４としては、前述した電気光学装置を用いることができる。
【００８８】
表示情報出力源１７０は、ＲＯＭ（Ｒｅａｄ  Ｏｎｌｙ  Ｍｅｍｏｒｙ）、ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ）等といったメモリ、各種ディスク等といったストレージユニット、デジタル画像信号を同調出力する同調回路等を備え、タイミングジェネレータ１７３によって生成された各種のクロック信号に基づいて、所定フォーマットの画像信号等といった表示情報を表示情報処理回路１７１に供給する。
【００８９】
表示情報処理回路１７１は、シリアル−パラレル変換回路や、増幅・反転回路、ローテーション回路、ガンマ補正回路、クランプ回路等といった周知の各種回路を備え、入力した表示情報の処理を実行して、その画像信号をクロック信号ＣＬＫと共に駆動回路１７６へ供給する。駆動回路１７６は、走査線駆動回路やデータ線駆動回路、検査回路等を総称したものである。また、電源回路１７２は、各構成要素に所定の電圧を供給する。
【００９０】
図９（Ａ）は、本発明に係る電子機器の一実施形態であるモバイル型のパーソナルコンピュータを示している。ここに示すパーソナルコンピュータは、キーボード１８１を備えた本体部１８２と、液晶表示ユニット１８３とを有する。液晶表示ユニット１８３は、前述した電気光学装置１および液晶パネル１′などを含んで構成される。
【００９１】
図９（Ｂ）は、本発明に係る電子機器の他の実施形態である携帯電話機を示している。ここに示す携帯電話機１９０は、複数の操作ボタン１９１と、前述した電気光学装置１などを有している。
【００９２】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明では、能動面に保護層を形成した状態でＩＣチップにエッチングを行うことにより、ＩＣチップの裏面側全体、切断面（側端面）、および基板縁の表層を薄くエッチングし、そこに存在していた微小な傷およびクラックを消失させる。それ故、落下などによる衝撃が加わった時でもクラックが成長するということがないので、ＩＣチップが割れることがない。また、エッチング工程を行う際、能動面は保護層で覆われているので、バンプ電極などに腐食などの不具合が発生しない。さらに、切断工程が終わった後、すなわち、ＩＣチップの製造工程の終段でエッチング工程を行うので、それまでに発生した全ての傷やクラックを一括して消失することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明を適用した電気光学装置の斜視図である。
【図２】図１に示す電気光学装置の分解斜視図である。
【図３】図１のＩ−Ｉ′線で電気光学装置を切断したときのＩ′側端部の断面図である。
【図４】図１に示す電気光学装置に用いたＩＣチップの製造方法を模式的に示す工程図である。
【図５】画素スイッチング素子として非線形素子を用いたアクティブマトリクス型液晶装置からなる電気光学装置の構成を模式的に示すブロック図である。
【図６】画素スイッチング素子として薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を用いたアクティブマトリクス型液晶装置からなる電気光学装置の構成を模式的に示すブロック図である。
【図７】電気光学物質として電荷注入型の有機薄膜を用いたエレクトロルミネセンス素子を備えたアクティブマトリクス型表示装置のブロック図である。
【図８】本発明に係る電気光学装置を用いた各種電子機器の構成を示すブロック図である。
【図９】（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ、本発明に係る電気光学装置を用いた電子機器の一実施形態としてのモバイル型のパーソナルコンピュータを示す説明図、および携帯電話機の説明図である。
【符号の説明】
１  電気光学装置、１０  第１の基板、１３  ＩＣチップ、２０  第２の基板、４０  第１の電極パターン、５０  第２の電極パターン、９０  保護層、５００シリコンウエハー、５１０  能動面、５１１  バンプ電極、５２０  裏面、５３０  シリコン基板の切断面、５４０  シリコン基板の基板縁、５５０  ＩＣチップ形成領域、５６０  シリコン基板、５８０  ＵＶ硬化型のチップ支持テープ、５９０  微小なクラック
【図１】
2004260075.tif 000003
【図２】
2004260075.tif 000004
【図３】
2004260075.tif 000005
【図４】
2004260075.tif 000006
【図５】
2004260075.tif 000007
【図６】
2004260075.tif 000008
【図７】
2004260075.tif 000009
【図８】
2004260075.tif 000010
【図９】
2004260075.tif 000011