(57)【要約】【課題】従来、紫外線波長域の高分子化合物の製造としては、ラジカル重合やビニル付加重合が多く報告されているが、このような方法で得られた広い分子量分布を有する高分子を用いたレジストの場合、ポリマーの低分子量成分がガス化するため、パターニングの再現性が得られにくく、不均一なパターンが形成されるという問題を有するものであった。【解決手段】下記一般式（１）【化１】2004059844.tif 000010（式中Ｒ１、Ｒ２はそれぞれ酸不安定基、Ｒ３は水素原子又はメチル基）で示されるモノマーをリビングアニオン重合して得られる含フッ素高分子化合物は、分子量分布が１〜１．２０となる。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式（１）
【化１】
2004059844.tif 000008
（式中Ｒ１、Ｒ２はそれぞれ酸不安定基、Ｒ３は水素原子又はメチル基）で示されるモノマーをリビングアニオン重合して得られる分子量分布が１〜１．２０である含フッ素高分子化合物。
【請求項２】
下記一般式（２）
【化２】
2004059844.tif 000009
（式中Ｒ１、Ｒ２はそれぞれ酸不安定基、Ｒ３は水素原子又はメチル基）で示されるモノマーを用いた請求項１記載の含フッ素高分子化合物。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、紫外線や真空紫外線を使用して半導体素子等の表面に微細なパターンを形成する化学増幅型レジストに好適な特定の分子量分布を有した含フッ素高分子化合物に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、ＬＳＩの高集積化と高速度化に伴い、パターンルールの微細化が求められている。微細化が急速に進歩した背景には投影レンズの高ＮＡ化、レジストの性能向上、短波長化が挙げられる。レジストの高解像度化及び高感度化に関しては、光照射によって発生する酸を触媒とした化学増幅ポジ型レジスト材料は優れた性能を有するものであり、遠紫外線リソグラフィーにおいて特に主流なレジスト材料になった（特公平２−２７６６０号、特開昭６３−２７８２９号公報等に開示）。
【０００３】
また、ｉ線（３６５ｎｍ）からＫｒＦ（２４８ｎｍ）への短波長化は大きな変革をもたらし、ＫｒＦエキシマレーザー用レジスト材料は０．３０μｍプロセスに始まり、０．２５μｍルールを経て、現在０．１８μｍルールの量産化への適用へと展開している。更には、０．１０μｍルール以下の検討も始まっており、微細化の勢いはますます加速されている。
【０００４】
ＡｒＦ（１９３ｎｍ）では、デザインルールの微細化を０．１３μｍ以下にすることが期待されているが、ノボラック樹脂やポリビニルフェノール系等の従来用いられていた樹脂が１９３ｎｍ付近に非常に強い吸収を持つため、レジスト用のベース樹脂として用いることができない。そこで透明性と必要なドライエッチング耐性の確保のため、アクリル樹脂やシクロオレフィン系の脂環族系の樹脂が検討されている（特開平９−７３１７３号、特開平１０−１０７３９号、特開平９−２３０５９５号公報、ＷＯ９７／３３１９８に開示）。
【０００５】
Ｆ２（１５７ｎｍ）に関しては０．１０μｍ以下の微細化が期待されているが、透明性の確保がますます困難になり、ＡｒＦ用ベースポリマーであるアクリル樹脂では全く光を透過せず、シクロオレフィン系においてもカルボニル結合を有するものは強い吸収を持つことがわかった。また、ＫｒＦ用ベースポリマーのポリビニルフェノールについては、１６０ｎｍ付近に吸収のウィンドウがあり、若干透過率が向上するものの、実用的なレベルにはほど遠いことが判明した。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
従来、紫外線及び真空紫外線波長域の高分子化合物の製造としては、ラジカル重合やビニル付加重合が多く報告されているが、このような方法で得られた広い分子量分布を有する高分子を用いたレジストの場合、ウエハー製造工程中の真空工程においてポリマーの低分子量成分がガス化するため、真空度の低下、プロセス雰囲気の汚染の誘発、さらには分子量分布の不均質によるポリマーの溶解速度の遅速などの問題があった。その結果、パターニングの再現性が得られにくく、不均一なパターンが形成されるという問題を有するものであった。
【０００７】
本発明は、上記事情に鑑みなされたものであり、紫外線、特に、ＫｒＦ光（２４８ｎｍ）又はＦ２エキシマレーザー光（１５７ｎｍ）に対する透明性が高く、かつ高感度であり、さらに高いエッチング耐性を有する高分子化合物を提供するものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、上記目的を達成するため、紫外線、特に、ＫｒＦ光またはＦ２エキシマレーザー光に感応し、優れた性質を有するレジスト、特にポジ型レジストに適した含フッ素高分子化合物を開発するため、鋭意研究を重ねた結果、十分なフッ素含有量を有した芳香族高分子を通常のラジカル重合またはカチオン重合する方法ではなく、リビングアニオン重合を用いることで、分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）が１〜１．２０程度の狭い範囲に制御した特定の含フッ素高分子化合物が重合できることを見出し、本発明を完成するに至った。
【０００９】
即ち、本発明は、下記の含フッ素高分子化合物である。
下記一般式（１）
【００１０】
【化３】
2004059844.tif 000002
【００１１】
（式中Ｒ１、Ｒ２はそれぞれ酸不安定基、Ｒ３は水素原子又はメチル基）で示されるモノマーをリビングアニオン重合して得られる分子量分布が１〜１．２０である含フッ素高分子化合物。
また、下記一般式（２）
【００１２】
【化４】
2004059844.tif 000003
【００１３】
（式中Ｒ１、Ｒ２はそれぞれ酸不安定基、Ｒ３は水素原子又はメチル基）で示されるモノマーを用いた上記記載の含フッ素高分子化合物。
【００１４】
以下本発明を詳しく説明する。
本発明の含フッ素高分子化合物は、一般式（１）、好ましくは一般式（２）で示されるモノマーをリビングアニオン重合することで得られる。
本発明によるとＲ１、Ｒ２は同種でも、また異種の基でも良く、特にその組み合わせは制限なく使用することができるが、リビングアニオン重合性に影響せず、かつ重合後にその一部または全部を脱離させる目的に適した酸不安定基であることが好ましい。
【００１５】
本発明によるＲ１、Ｒ２に好適な酸不安定基としては、一般式（３）〜（５）で表される基が使用できる。
【００１６】
【化５】
2004059844.tif 000004
【００１７】
一般式（３）において、Ｒ４は炭素数４〜２０、好ましくは４〜１５の三級アルキル基、炭素数４〜２０のオキソアルキル基又は上記一般式（５）で示される基を示し、三級アルキル基として具体的には、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｔｅｒｔ−アミル基、１，１−ジエチルプロピル基、１−エチルシクロペンチル基、１−ブチルシクロペンチル基、１−エチルシクロヘキシル基、１−ブチルシクロヘキシル基、１−エチル−２−シクロペンテニル基、１−エチル−２−シクロヘキセニル基、２−メチル−２−アダマンチル基等が挙げられ、オキソアルキル基として具体的には、３−オキソシクロヘキシル基、４−メチル−２−オキソオキサン−４−イル基、５−メチル−５−オキソオキソラン−４−イル基等が挙げられる。ｇは０〜６の整数である。
【００１８】
一般式（３）の酸不安定基としては、具体的にはｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルメチル基、ｔｅｒｔ−アミロキシカルボニル基、ｔｅｒｔ−アミロキシカルボニルメチル基、１，１−ジエチルプロピルオキシカルボニル基、１，１−ジエチルプロピルオキシカルボニルメチル基、１−エチルシクロペンチルオキシカルボニル基、１−エチルシクロペンチルオキシカルボニルメチル基、１−エチル−２−シクロペンテニルオキシカルボニル基、１−エチル−２−シクロペンテニルオキシカルボニルメチル基、１−エトキシエトキシカルボニルメチル基、２−テトラヒドロピラニルオキシカルボニルメチル基、２−テトラヒドロフラニルオキシカルボニルメチル基等が例示できる。
【００１９】
一般式（４）において、Ｒ５及びＲ６は水素原子又は炭素数１〜１８、好ましくは１〜１０の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示し、具体的にはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、２−エチルヘキシル基、ｎ−オクチル基等を例示できる。Ｒ７は炭素数１〜１８、好ましくは１〜１０の酸素原子等のヘテロ原子を有してもよい１価の炭化水素基を示し、直鎖状、分岐状、環状のアルキル基、これらの水素原子の一部が水酸基、アルコキシ基、オキソ基、アミノ基、アルキルアミノ基等に置換されたものを挙げることができ、具体的には下記の置換アルキル基等が例示できる。
【００２０】
【化６】
2004059844.tif 000005
【００２１】
Ｒ５とＲ６、Ｒ５とＲ７、Ｒ６とＲ７とは互いに結合して環を形成してもよく、環を形成する場合にはＲ５、Ｒ６及びＲ７はそれぞれ炭素数１〜１８、好ましくは１〜１０の直鎖状又は分岐状のアルキレン基を示す。
【００２２】
一般式（４）で示される酸不安定基のうち直鎖状又は分岐状のものとしては、具体的には下記の基が例示できる。
【００２３】
【化７】
2004059844.tif 000006
【００２４】
一般式（４）で示される酸不安定基のうち環状のものとしては、具体的にはテトラヒドロフラン−２−イル基、２−メチルテトラヒドロフラン−２−イル基、テトラヒドロピラン−２−イル基、２−メチルテトラヒドロピラン−２−イル基等が例示できる。式（４）としては、エトキシエチル基、ブトキシエチル基、エトキシプロピル基が好ましい。
【００２５】
次に、一般式（５）においてＲ８、Ｒ９及びＲ１０は炭素数１〜２０の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基等の１価炭化水素基であり、酸素、硫黄、窒素、フッ素などのヘテロ原子を含んでもよく、Ｒ８とＲ９、Ｒ８とＲ１０、Ｒ９とＲ１０とは互いに結合してこれらが結合する炭素原子と共に環を形成してもよい。
【００２６】
一般式（５）に示される三級アルキル基としては、ｔｅｒｔ−ブチル基、トリエチルカルビル基、１−エチルノルボルニル基、１−メチルシクロヘキシル基、１−エチルシクロペンチル基、２−（２−メチル）アダマンチル基、２−（２−エチル）アダマンチル基、ｔｅｒｔ−アミル基、１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロ−２−メチル−イソプロピル基、１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロ−２−シクロヘキシル−イソプロピル基等を挙げることができ、具体的には下記に示す基を挙げることができる。
【００２７】
【化８】
2004059844.tif 000007
【００２８】
ここで、Ｒ１１は炭素数１〜６の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示し、具体的にはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、シクロプロピル基、シクロプロピルメチル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等を例示できる。Ｒ１２は炭素数２〜６の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示し、具体的にはエチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、シクロプロピル基、シクロプロピルメチル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等を例示できる。Ｒ１３及びＲ１４は水素原子、炭素数１〜６のヘテロ原子を含んでもよい１価炭化水素基、又は炭素数１〜６のヘテロ原子を介してもよい１価炭化水素基を示し、これらは直鎖状、分岐状、環状のいずれでもよい。この場合ヘテロ原子としては、酸素原子、硫黄原子、窒素原子を挙げることができ、−ＯＨ、−ＯＲ１５、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｓ（＝Ｏ）−、−ＮＨ２、−ＮＨＲ１５、−Ｎ（Ｒ１５）２、−ＮＨ−、−ＮＲ１５−として含有又は介在することができる。Ｒ１５は炭素数１〜５のアルキル基を示す。Ｒ１３及びＲ１４としては、具体的には、メチル基、ヒドロキシメチル基、エチル基、ヒドロキシエチル基、プロピル基イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、メトキシ基、メトキシメトキシ基、エトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基等を例示できる。
【００２９】
酸不安定基として、炭素数がそれぞれ１〜６であるトリアルキルシリル基を用いることもできる。そのようなトリアルキルシリル基としては、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、ジメチル−ｔｅｒｔ−ブチルシリル基等が挙げられる。
【００３０】
本発明では、一般式（１）、（２）のモノマーを主成分に用いていれば、他のスチレン系モノマーを共重合することも可能である。
上記のモノマーをリビング重合させるためには、重合開始剤を用いるが、重合開始剤としては有機金属化合物が好ましく用いられる。この有機金属化合物を具体的に例示するならば、ｎ−ブチルリチウム、ｓｅｃ−ブチルリチウム、ｔｅｒｔ−ブチルリチウム、ナトリウムナフタレン、アントラセンナトリウム、α−メチルスチレンテトラマージナトリウム、クミルカリウム、クミルセシウム、フェニルマグネシウムブロミド、フェニルマグネシウムクロリド、エチルマグネシウムブロミド、エチルマグネシウムクロリド、ｎ−ブチルマグネシウムブロミド、ｎ−ブチルマグネシウムクロリド等の有機アルカリ金属などが挙げられる。
【００３１】
上記モノマーのリビング重合は、一般に有機溶媒中で行われる。この有機溶媒としては、環状エーテル等の芳香族炭化水素、ベンゼン、トルエン、テトラヒドロフラン、ジオキサン、テトラヒドロピラン、ジメトキシエタン、ｎ−ヘキサン、シクロヘキサン等の脂肪族炭化水素などが挙げられる。これら有機溶媒はその１種を単独で使用しても２種以上を組み合わせて使用してもよい。
【００３２】
上記一般式（１）で示されたモノマーをリビング重合する場合、モノマーの官能基の選択によりリビング重合開始剤やモノマーの有機溶液濃度などの反応条件の最適条件が変化するので、予め最適条件を設定するための予備実験を行うことが好ましいが、一般に重合に供するモノマーの有機溶媒溶液濃度は１〜５０％（重量％、以下同様）、特に５〜３０％が好適である。
【００３３】
一般式（１）または（２）のモノマーの重合は、反応系を真空吸引した後にそのまま又はアルゴン，窒素等の不活性ガス置換雰囲気下で、モノマーの有機溶媒溶液を撹拌しながら行うことができる。反応温度は−１００℃から沸点温度まで適宜選択し得るが、例えば溶媒としてテトラヒドロフランを使用する場合の反応温度は−１００℃、ベンゼンを使用する場合の反応温度は室温とすることが好ましい。重合初期段階で、重合末端のアニオンの安定性が低く、重合が進行しない場合は、アニオン安定性を高めることが出来る重合性化合物、例えば、少量のスチレンあるいはｔ−ブトキシスチレンを触媒と同時に添加し、その後、一般式（１）又は（２）のモノマーを添加して重合を行うこともできる。この場合、ポリマーの片末端はスチレンあるいはｔ−ブトキシスチレンの繰り返し単位になる。誘導体重合の終了は、例えばメタノール、水、メチルブロマイド等の停止剤を反応液に添加することにより反応を終わらせることができる。さらに必要に応じて、例えば、メタノールを用いて含フッ素高分子化合物中の反応混合物を沈殿させて洗浄し、乾燥することにより精製、単離することができる。反応液には、通常、未反応物、副反応物等が不純物として含有しており、そのまま当該含フッ素高分子を原料とし、超ＬＳＩ等を製造する際のレジストとして用いた場合、この不純物がウエハー製造工程に悪影響を及ぼすことがあるので、低分子量体などを精製する処理は充分に施すことが好ましい。
【００３４】
このようにして得られる含フッ素高分子化合物は、分子量分布に関しては単分散（Ｍｗ／Ｍｎ＝１〜１．２０）となり、目的とする狭分子量分布とすることができる。この場合、分子量分布が１．２０より大きいとリビング重合の効果が薄れ、パターニングの際の低分子量成分による不安定状態が生じるので好ましくない。
【００３５】
なお、重合収率は、反応に供したモノマーに基づいてほぼ１００％であり、この重合体の分子量は使用したモノマーの重量と重合開始剤のモル数（分子量）から容易に計算することができる。更に、数平均分子量（Ｍｎ）は膜浸透圧計による測定から求めることができ、分子量分布はゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）によりキャラクタリゼーションを行って、得られた含フッ素高分子化合物が目的とする分子量分布を有しているか否かを評価することができる。
【００３６】
本発明の含フッ素高分子化合物は、化学増幅フォトレジスト用のベースポリマーとして使用でき、その配合は特に限定されない。レジスト配合の一例を例示するならば、上記含フッ素高分子を主成分とし、オニウム塩カチオン性光開始剤、不活性有機溶媒、クエンチャー等を配合することができる。このオニウム塩カチオン性光開始剤は光照射により強酸を発生させるもので、ウエハーステッパーなどでレジスト膜中のオニウム塩が分解して発生した強酸が本発明の含フッ素高分子の酸不安定基を開裂させ、アルカリ可溶化するために働くものである。上記のオニウム塩カチオン性光開始剤の配合量は、レジスト材全体の０．０１〜２０％、特に１〜１０％とすることが好ましい。
【００３７】
このレジスト材は通常その数倍量の有機溶媒で溶解してレジスト液として使用するが、この有機溶媒としては本発明のリビングポリマーを主成分とするレジスト成分を充分に溶解することができ、かつレジスト膜が均一に広がるようなものが選択される。具体的にはシクロヘキサノン、メチル−２−ｎ−アミルケトン等のケトン類、３−メトキシブタノール、３−メチル−３−メトキシブタノール、１−メトキシ−２−プロパノール、１−エトキシ−２−プロパノール等のアルコール類、プロピレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル等のエーテル類、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、乳酸エチル、ピルビン酸エチル、酢酸ブチル、３−メトキシプロピオン酸メチル、３−エトキシプロピオン酸エチル、酢酸ｔｅｒｔ−ブチル、プロピオン酸ｔｅｒｔ−ブチル、プロピレングリコールモノｔｅｒｔ−ブチルエーテルアセテート等のエステル類などが挙げられる。溶媒は、樹脂１００部に対して２００〜５０００部程度が好ましい。
【００３８】
また、好ましいクエンチャーとしては、アンモニア、第一級、第二級、第三級の脂肪族アミン類、混成アミン類、芳香族アミン類、複素環アミン類、カルボキシル基を有する含窒素化合物、スルホニル基を有する含窒素化合物、水酸基を有する含窒素化合物、ヒドロキシフェニル基を有する含窒素化合物、アルコール性含窒素化合物、アミド誘導体、イミド誘導体等を用いることができる。クエンチャーは、樹脂量１００部に対して０．０１〜２部、特に、０．０１部〜１部が好適である。配合量が０．０１部より少ないと配合効果がなく、２部を超えるとレジストとしての感度が低下する。
【００３９】
上記レジスト材の使用方法、光照射方法等は公知のリソグリフィー技術を採用して行うことができ、フォトマスクを介して、ステッパー、スキャナーなどを用いた半導体やディスプレーなどの幅広い分野で微細パターンを作製することが可能である。この場合、通常のポジ型現像液は特に制限なく使用することができる。
【００４０】
以上のように使用される本発明の含フッ素高分子は、１５７ｎｍ〜２５４ｎｍの紫外線を用いたレジスト材料のベースポリマーとして好適であり、特に先端半導体分野における微細パターニングに適した高分子化合物である。また電子線やＸ線などのリソグラフィーにも対応可能である。
【００４１】
【発明の実施の形態】
以下、実施例を示し、本発明を具体的に説明するが、本発明は下記実施例に制限されるものではない。
【００４２】
［実施例１］
原料の３，５−ジ［２−ｔブトキシ−２，２−ビストリフルオロメチル］メチル−スチレンは予めＣａＨ２で処理して水分等の不純物を取り除き、次いでベンゾフェノンナトリウムを用いて精製し、蒸留を行った。一方、１リットルのフラスコに溶媒としてテトラヒドロフラン６００ｍｌ、重合開始剤としてｓｅｃ−ブチルリチウム３．５×１０−３モルを仕込んだ。この混合液に−７８℃のテトラヒドロフラン１００ｍｌで希釈した上記精製処理済の３，５−ジ［２−ｔブトキシ−２，２−ビストリフルオロメチル］メチル−スチレン３６ｇを添加し、１時間重合反応させたところ、この溶液は赤色を呈した。反応溶液にメタノールを添加することにより重合を終了させた後、この反応溶液をメタノール中に注いでポリマーを沈殿させ、これを分離して精製し、乾燥して３６ｇの白色ポリマーを得た。
【００４３】
ＧＰＣによりポリスチレン換算で数平均分子量（Ｍｎ）を測定した結果は１．１×１０４／モルであり、分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）は１．１７であった。これをポリマー１とする。
【００４４】
［実施例２］
原料の３，５−ジ［２−ｔブトキシ−２，２−ビストリフルオロメチル］メチル−αメチルスチレンは予めＣａＨ２で処理して水分等の不純物を取り除き、次いでベンゾフェノンナトリウムを用いて精製し、蒸留を行った。一方、１リットルのフラスコに溶媒としてテトラヒドロフラン６００ｍｌ、重合開始剤としてｓｅｃ−ブチルリチウム３．５×１０−３モルを仕込んだ。この混合液に−７８℃のテトラヒドロフラン１００ｍｌで希釈した上記精製処理済の３，５−ジ［２−ｔブトキシ−２，２−ビストリフルオロメチル］メチル−αメチルスチレン３７ｇを添加し、１時間重合反応させたところ、この溶液は赤色を呈した。反応溶液にメタノールを添加することにより重合を終了させた後、この反応溶液をメタノール中に注いでポリマーを沈殿させ、これを分離して精製し、乾燥して３７ｇの白色ポリマーを得た。
【００４５】
ＧＰＣによりポリスチレン換算で数平均分子量（Ｍｎ）を測定した結果は１．１３×１０４／モルであり、分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）は１．０７であった。これをポリマー２とする。
【００４６】
［実施例３］
原料の３，５−ジ［２−エトキシエトキシ−２，２−ビストリフルオロメチル］メチル−スチレンと３，５−ジ［２−ｔブトキシ−２，２−ビストリフルオロメチル］メチル−スチレンは、それぞれ予めＣａＨ２で処理して水分等の不純物を取り除き、次いでベンゾフェノンナトリウムを用いて精製し、蒸留を行った。一方、１リットルのフラスコに溶媒としてテトラヒドロフラン６００ｍｌ、重合開始剤としてｓｅｃ−ブチルリチウム３．５×１０−３モルを仕込んだ。この混合液に−７８℃のテトラヒドロフラン１００ｍｌで希釈した上記精製処理済の３，５−ジ［２−ｔブトキシ−２，２−ビストリフルオロメチル］メチル−スチレン１８ｇ、３，５−ジ［２−エトキシエトキシ−２，２−ビストリフルオロメチル］メチル−スチレン１９ｇを添加し、１時間重合反応させたところ、この溶液は赤色を呈した。反応溶液にメタノールを添加することにより重合を終了させた後、この反応溶液をメタノール中に注いでポリマーを沈殿させ、これを分離して精製し、乾燥して３６ｇの白色ポリマーを得た。
【００４７】
ＧＰＣによりポリスチレン換算で数平均分子量（Ｍｎ）を測定した結果は１．２×１０４／モルであり、分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）は１．１５であった。これをポリマー３とする。
【００４８】
［実施例４］
ポリマー１の３０ｇをアセトン１０００ｍｌに溶解し、２０℃で少量の濃塩酸を加えて７時間撹拌後、水に注ぎ、ポリマーを沈殿させ、洗浄・乾燥したところ、２３ｇのポリマーが得られた。また、ＧＰＣと、１Ｈ−ＮＭＲによる分析でｔ−ブトキシ基に由来するピークが観測されないこと、数平均分子量（Ｍｎ）８８００、分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）１．１７のポリ−３，５−ジ［２−ヒドロキシ−２，２−ビストリフルオロメチル］メチル−スチレンであることが確認された。
【００４９】
上記ポリマー２０ｇをピリジン２００ｍｌに溶解させ、４５℃で撹拌しながら二炭酸ジ−ｔｅｒｔ−ブチル１３．０ｇを添加した。１時間反応させた後、水３Ｌに反応液を滴下したところ、白色固体が得られた。これを濾過後、アセトン１００ｍｌに溶解させ、水５Ｌに滴下し、濾過後、真空乾燥させ、ポリマーを得た。１Ｈ−ＮＭＲによる分析で、３，５−ジ［２−ヒドロキシ−２，２−ビストリフルオロメチル］メチル−スチレンのヒドロキシ基の水素原子の４８％がｔブトキシカルボニル基で置換されており、ＧＰＣによりポリスチレン換算で数平均分子量（Ｍｎ）を測定した結果は１．２×１０４／モルであり、分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）は１．１７であることが確認された。これをポリマー４とする。
【００５０】
［実施例５］
ポリマー２の３０ｇをアセトン１０００ｍｌに溶解し、２０℃で少量の濃塩酸を加えて７時間撹拌後、水に注ぎ、ポリマーを沈殿させ、洗浄・乾燥したところ、２４ｇのポリマーが得られた。また、ＧＰＣと、１Ｈ−ＮＭＲによる分析でｔ−ブトキシ基に由来するピークが観測されないこと、Ｍｗ８８００、Ｍｗ／Ｍｎ１．１７のポリ−３，５−ジ［２−ヒドロキシ−２，２−ビストリフルオロメチル］メチル−αメチルスチレンであることが確認された。
【００５１】
上記ポリマー２０ｇをピリジン２００ｍｌに溶解させ、４５℃で撹拌しながら二炭酸ジ−ｔｅｒｔ−ブチル１３．０ｇを添加した。１時間反応させた後、水３Ｌに反応液を滴下したところ、白色固体が得られた。これを濾過後、アセトン１００ｍｌに溶解させ、水５Ｌに滴下し、濾過後、真空乾燥させ、ポリマーを得た。１Ｈ−ＮＭＲによる分析で、３，５−ジ［２−ヒドロキシ−２，２−ビストリフルオロメチル］メチル−αメチルスチレンのヒドロキシ基の水素原子の４０％がｔブトキシカルボニル基で置換されており、ＧＰＣによりポリスチレン換算で数平均分子量（Ｍｎ）を測定した結果は１．２３×１０４／モルであり、分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）は１．０７であることが確認された。これをポリマー５とする。
【００５２】
［実施例６］
ポリマー３の３０ｇをアセトン１０００ｍｌに溶解し、４０℃で５ｇのシュウ酸と１０ｇの水を加えて２０時間撹拌後、水に注ぎ、ポリマーを沈殿させ、洗浄・乾燥したところ、２６ｇのポリマーが得られた。　また、ＧＰＣと１Ｈ−ＮＭＲによる分析でエトキシエトキシ基に由来するピークが観測されないこと、ＧＰＣによりポリスチレン換算で数平均分子量（Ｍｎ）を測定した結果は１．０３×１０４／モルであり、分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）は１．１５のポリ−３，５−ジ［２−ｔブトキシ−２，２−ビストリフルオロメチル］メチル−スチレン−ｃｏ−３，５−ジ［２−ヒドロキシ−２，２−ビストリフルオロメチル］メチル−スチレンで、０．５２：０．４８の比率であることが確認された。これをポリマー６とする。
【００５３】
［応用例］
実施例４、５、６で得られたポリマー３ｇをトリフェニルスルフォニウムノナフルオロブタンスルフォネート（酸発生剤）０．１２ｇ、トリブチルアミン（塩基クエンチャー）０．００６ｇと共にプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート２５ｍｌに溶解させた溶液を０．２μｍサイズのフィルターでろ過してレジスト溶液を調整した。シリコンウェハーにＤＵＶ−３０（ブリューワーサイエンス社製）を５５ｎｍの膜厚で製膜した基盤上にレジスト液をスピンコーティングし、ホットプレートを用いて１２０℃で９０秒間ベークし、レジストの厚みを３００ｎｍにした。
【００５４】
これをエキシマレーザーステッパー（ニコン社、ＮＳＲ−Ｓ２０３Ｂ，ＮＡ−０．６８、σ：０．７５、２／３輪帯照明）を用いて露光し、露光後直ちに１１０℃で９０秒間ベークし、２．３８％のテトラメチルアンモニウムヒドロキシドの水溶液で６０秒間現像を行って、解像力０．１３μｍラインアンドスペース１：１のポジ型のパターンを得た。