(57)【要約】【課題】セル厚の不均一を解消し、表示品質の良好な電気光学装置、電気光学装置の製造方法及び電子機器を提供すること。【解決手段】本実施形態の液晶装置１０１は、第１基板１０と第２基板２０と開曲線状のシール材３０とによって囲まれた略表示領域となる第１領域３０ａだけではなく、液晶注入口３１付近である第２領域３０ｂにも下地層２５、反射層２７、遮光部材２９及びオーバーコート層３３等を延設させているので、第１領域３０ａと第２領域３０ｂとの膜構造を略同じとすることができ、基板面内におけるセル厚を均一に保つことができる。これによって、表示品質の良好な液晶装置１０１を得ることができる。【選択図】  図３
2004309970.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板と、
前記第１基板と対向する第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板とを貼り合せる開口部を有する開曲線状のシール材と、
前記第１基板の前記第２基板と対向する面上であって前記シール材により囲まれた領域に設けられた第１樹脂層と、
前記第１基板の前記第２基板と対向する面上であって前記開口部に設けられた前記第１樹脂層と同じ樹脂からなる第２樹脂層と、
前記第１基板と前記第２基板と前記シール材とによって囲まれた領域に封入された電気光学物質と、
前記開口部に設けられた封止剤と
を具備することを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記第１基板と前記第１樹脂層との間であって前記シール材により囲まれた領域に設けられた第１着色層と、
前記第１基板と前記第２樹脂層との間であって前記開口部に設けられた前記第１着色層と同じ層からなる第２着色層と
を更に具備することを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記第１着色層及び前記第２着色層は遮光部材であり、前記第２着色層は前記第２樹脂層により覆われていることを特徴とする請求項２記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記第１基板と前記第１着色層との間であって前記シール材で囲まれた領域に設けられた第１反射層と、
前記第１基板と前記第２着色層との間であって前記開口部に設けられた前記第１反射層と同じ層からなる第２反射層と
を更に具備することを特徴とする請求項２または請求項３に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記第１樹脂層と前記第２樹脂層とは連結されていることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項６】
第１基板と、
前記第１基板と対向する第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板とを貼り合せる開口部を有する開曲線状のシール材と、
前記第１基板の前記第２基板と対向する面上であって前記シール材により囲まれた領域に設けられた第１樹脂層と、
前記第１基板の前記第２基板と対向する面上であって前記開口部に設けられた前記第１樹脂層と同じ樹脂からなる第２樹脂層と、
前記開口部に設けられ、第２樹脂層が設けられていない領域に設けられた前記シール材と同じ材料からなる島状シール材と、
前記第１基板と前記第２基板と前記シール材とによって囲まれた領域に封入された電気光学物質と、
前記開口部に設けられた封止剤と
を具備することを特徴とする電気光学装置。
【請求項７】
前記封止剤は、紫外線硬化樹脂であることを特徴とする請求項１乃至請求項６のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項８】
対向する第１基板及び第２基板と開口部を有する開曲線状のシール材とにより囲まれた第１領域と、前記開口部が位置する第２領域とを有する電気光学装置の製造方法であって、
前記第１基板の一方面の前記第１領域に対応して第１樹脂層を形成する工程と、
前記第１基板の前記一方面の前記第２領域に対応して前記第１樹脂層と同じ樹脂からなる第２樹脂層を形成する工程と、
前記第１基板の前記一方面または前記第２基板の一方面に前記開口部を有する開曲線状のシール材を形成する工程と、
前記第１基板と前記第２基板とを前記シール材を介して貼り合わせる工程と、
前記シール材と前記第１基板と前記第２基板との間隙に電気光学物質を封入する工程と、
前記開口部に封止剤を塗布する工程と、
前記封止剤を硬化させる工程と
を具備することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項９】
前記第１樹脂層と前記第２樹脂層とは同時に形成されることを特徴とする請求項８に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項１０】
対向する第１基板及び第２基板と、開口部を有する開曲線状のシール材とにより囲まれた第１領域と、前記開口部が位置する第２領域とを有する電気光学装置の製造方法であって、
前記第１基板の一方面の前記第１領域に対応して第１樹脂層を形成する工程と、
前記第１基板の前記一方面の前記第２領域に対応して前記第１樹脂層と同じ樹脂からなる第２樹脂層を形成する工程と、
前記第１基板の前記一方面または前記第２基板の前記一方面に前記開口部を有する開曲線状のシール材を形成する工程と、
前記開口部の前記第２樹脂層が形成されない領域に島状シール材を形成する工程と、
前記第１基板と前記第２基板とを前記シール材を介して貼り合わせる工程と、前記シール材と前記第１基板と前記第２基板との間隙に電気光学物質を封入する工程と、
前記開口部に封止剤を塗布する工程と、
前記封止剤を硬化させる工程と
を具備することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項７のいずれか一項に記載の電気光学装置または請求項８乃至請求項１０のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法により製造された電気光学装置を搭載することを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電気光学装置、電気光学装置の製造方法及び電子機器に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、携帯電話機、携帯型パーソナルコンピュータ、ビデオカメラ等といった電子機器の表示部に電気光学装置が広く用いられるようになっている。
【０００３】
この電気光学装置の一例として、２枚の基板を貼り合せてなる液晶装置等が知られている。液晶装置の中で、例えばカラー表示の液晶装置は、カラーフィルタ基板と、カラーフィルタ基板に対向配置された対向基板と、両基板間に設けられた液晶注入口となる開口部を有する開曲線状のシール材と、これらの間隙に封入された電気光学物質としての例えばＳＴＮ（Ｓｕｐｅｒ  Ｔｗｉｓｔｅｄ  Ｎｅｍａｔｉｃ）型等の液晶とからなる。
【０００４】
このような液晶装置のカラーフィルタ基板には、開口部を有する開曲線状のシール材に囲まれた領域に、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の各色要素等からなる着色層及び該着色層を区画する遮光部材が形成される。該着色層及び遮光部材上には、これらの段差を平坦化し保護する樹脂層からなるオーバーコート層が形成される。更に該オーバーコート層上にＩＴＯ等からなる配線、配向膜等が形成される。一方、対向基板にもカラーフィルタ基板と同様に配線、配向膜等が形成される。（例えば、特許文献１参照）。
【０００５】
【特許文献１】
特開２００２−３５７８１４（段落番号０００４、図１１参照）。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
カラーフィルタ基板において、開曲線状のシール材に囲まれた領域には着色層、オーバーコート層等が形成されるのに対し、液晶注入口となる開曲線状のシール材の開口部付近にはこれらの膜が形成されない。このため液晶装置において、液晶注入口付近の液晶層厚（以下、セル厚）とシール材に囲まれてなる表示領域の略中央部のセル厚とが異なり、基板面内でセル厚が不均一となる。このようなセル厚の不均一が生じると、液晶をＯＮ／ＯＦＦさせる上の閾値電圧Ｖｔｈが基板面内で不均一となって表示むらとなり、液晶装置の表示品質が低下するといった問題が生じている。
【０００７】
そこで、本発明は上記事情に鑑み、液晶装置のセル厚の不均一を解消し、表示品質の良好な電気光学装置、電気光学装置の製造方法及び電子機器を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明の電気光学装置は、第１基板と、前記第１基板と対向する第２基板と、前記第１基板と前記第２基板とを貼り合せる開口部を有する開曲線状のシール材と、前記第１基板の前記第２基板と対向する面上であって前記シール材により囲まれた領域に設けられた第１樹脂層と、前記第１基板の前記第２基板と対向する面上であって前記開口部に設けられた前記第１樹脂層と同じ樹脂からなる第２樹脂層と、前記第１基板と前記第２基板と前記シール材とによって囲まれた領域に封入された電気光学物質と、前記開口部に設けられた封止剤とを具備する。
【０００９】
本発明のこのような構成によれば、シール材により囲まれた領域に第１樹脂層を形成するのに加え、開口部にも第２樹脂層を設けているので、基板面内において電気光学装置の電気光学物質層の厚みを略均一に保つことができ、表示品質の良好な電気光学装置を得ることができる。
【００１０】
本発明の一の形態によれば、前記第１基板と前記第１樹脂層との間であって前記シール材により囲まれた領域に設けられた第１着色層と、前記第１基板と前記第２樹脂層との間であって前記開口部に設けられた前記第１着色層と同じ層からなる第２着色層とを更に具備することを特徴とする。
【００１１】
このような構成によれば、着色層を用いたカラー表示の電気光学装置の場合、第１樹脂層の下に着色層を配置するとともに第２樹脂層の下にも着色層を配置することにより、シール材により囲まれた領域における基板上に形成される膜構造と開口部付近における基板上に形成される膜構造とを略同様の構造とすることができる。これにより、電気光学装置の基板面内における電気光学物質層の厚みを略均一にすることができ、表示品質の良好な電気光学装置を得ることができる。
【００１２】
本発明の一の形態によれば、前記第１着色層及び前記第２着色層は遮光部材であり、前記第２着色層は前記第２樹脂層により覆われていることを特徴とする。
【００１３】
このような構成によれば、遮光部材である第２着色層が第２樹脂層に覆われ、遮光部材が露出しないので、遮光部材の飛散による汚染を回避することができる。
【００１４】
本発明の一の形態によれば、前記第１基板と前記第１着色層との間であって前記シール材で囲まれた領域に設けられた第１反射層と、前記第１基板と前記第２着色層との間であって前記開口部に設けられた前記第１反射層と同じ層からなる第２反射層とを更に具備することを特徴とする。
【００１５】
このような構成によれば、反射層を設け反射型の電気光学装置に適用する場合、開口部にも反射層を設けることによって、シール材により囲まれた領域における基板上に形成される膜構造と開口部付近における基板上に形成される膜構造とを略同様の構造とすることができる。したがって、電気光学装置の基板面内における電気光学物質層の厚みを略均一にすることができ、表示品質の良好な電気光学装置を得ることができる。
【００１６】
本発明の一の形態によれば、前記第１樹脂層と前記第２樹脂層とは連結されていることを特徴とする。
【００１７】
このような構成によれば、シール材に囲まれた領域の第１樹脂層とシール材の開口部の第２樹脂層とが繋がるように形成されるので、開口部付近に段差がなくなり、開口部付近における電気光学物質層の厚みの違いによる表示不良の発生を防止することができる。
【００１８】
本発明の電気光学装置は、前記第１基板と対向する第２基板と、前記第１基板と前記第２基板とを貼り合せる開口部を有する開曲線状のシール材と、前記第１基板の前記第２基板と対向する面上であって前記シール材により囲まれた領域に設けられた第１樹脂層と、前記第１基板の前記第２基板と対向する面上であって前記開口部に設けられた前記第１樹脂層と同じ樹脂からなる第２樹脂層と、前記開口部に設けられ、第２樹脂層が設けられていない領域に設けられた前記シール材と同じ材料からなる島状シール材と、前記第１基板と前記第２基板と前記シール材とによって囲まれた領域に封入された電気光学物質と、前記開口部に設けられた封止剤とを具備する。
【００１９】
本発明のこのような構成によれば、シール材により囲まれた領域に第１樹脂層を形成するのに加え、開口部にも第２樹脂層を設けているので、基板面内において電気光学装置の電気光学物質層の厚みを略均一に保つことができ、表示品質の良好な電気光学装置を得ることができる。更に、開口部に島状シール材を形成することにより、開口部付近における電気光学物質層厚不良を更に低減することができ、基板面内における電気光学物質層の厚みを均一に保つことができ、表示品位の高い電気光学装置を得ることができる。
【００２０】
本発明の一の形態によれば、前記封止剤は、紫外線硬化樹脂であることを特徴とする。
【００２１】
このように、硬化時の収縮が大きい紫外線硬化樹脂を封止剤として用いる場合、開口部に第２樹脂層等を設けることにより、封止剤の封入量を少なくすることができ、封止剤の封入量の減少による全体的な収縮量を軽減させることができる。したがって、封止剤の収縮による開口部付近におけるセル厚の減少を少なくすることができる。
【００２２】
本発明の電気光学装置の製造方法は、対向する第１基板及び第２基板と開口部を有する開曲線状のシール材とにより囲まれた第１領域と、前記開口部が位置する第２領域とを有する電気光学装置の製造方法であって、前記第１基板の一方面の前記第１領域に対応して第１樹脂層を形成する工程と、前記第１基板の前記一方面の前記第２領域に対応して前記第１樹脂層と同じ樹脂からなる第２樹脂層を形成する工程と、前記第１基板の前記一方面または前記第２基板の一方面に前記開口部を有する開曲線状のシール材を形成する工程と、前記第１基板と前記第２基板とを前記シール材を介して貼り合わせる工程と、前記シール材と前記第１基板と前記第２基板との間隙に電気光学物質を封入する工程と、前記開口部に封止剤を塗布する工程と、前記封止剤を硬化させる工程とを具備する。
【００２３】
本発明のこのような構成によれば、シール材により囲まれた領域に第１樹脂層を形成するのに加え、開口部にも第２樹脂層を設けているので、基板面内において電気光学装置の電気光学物質層の厚みを略均一に保つことができ、表示品質の良好な電気光学装置を得ることができる。
【００２４】
本発明の一の形態によれば、前記第１樹脂層と前記第２樹脂層とは同時に形成されることを特徴とする。
【００２５】
このような構成によれば、第１樹脂層と第２樹脂層を同時に形成するので、製造効率がよい。
【００２６】
本発明の電気光学装置の製造方法は、対向する第１基板及び第２基板と開口部を有する開曲線状のシール材とにより囲まれた第１領域と、前記開口部が位置する第２領域とを有する電気光学装置の製造方法であって、前記第１基板の一方面の前記第１領域に対応して第１樹脂層を形成する工程と、前記第１基板の前記一方面の前記第２領域に対応して前記第１樹脂層と同じ樹脂からなる第２樹脂層を形成する工程と、前記第１基板の前記一方面または前記第２基板の前記一方面に前記開口部を有する開曲線状のシール材を形成する工程と、前記開口部の前記第２樹脂層が形成されない領域に島状シール材を形成する工程と、前記第１基板と前記第２基板とを前記シール材を介して貼り合わせる工程と、前記シール材と前記第１基板と前記第２基板との間隙に電気光学物質を封入する工程と、前記開口部に封止剤を塗布する工程と、前記封止剤を硬化させる工程とを具備する。
【００２７】
本発明のこのような構成によれば、シール材により囲まれた領域に第１樹脂層を形成するのに加え、開口部にも第２樹脂層を設けているので、基板面内において電気光学装置の電気光学物質層の厚みを略均一に保つことができ、表示品質の良好な電気光学装置を得ることができる。更に、開口部に島状シール材を形成することにより、開口部付近における電気光学物質層厚不良を更に低減することができ、基板面内における電気光学物質層の厚みを均一に保つことができ、表示品位の高い電気光学装置を得ることができる。
【００２８】
本発明の電子機器は上述に記載の電気光学装置または上述に記載の電気光学装置の製造方法により製造された電気光学装置を搭載することを特徴とする。
【００２９】
このような構成によれば、電気光学物質層の厚さの均一な電気光学装置を搭載するので、表示品質の良好な電子機器とすることができる。
【００３０】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づき説明する。
【００３１】
（第１実施形態）
以下、本発明による電気光学装置の一例としてＣＯＧ（Ｃｈｉｐ  Ｏｎ  Ｇｌａｓｓ）方式を採用したパッシブマトリクス型の液晶装置について説明する。
【００３２】
図１は本発明の第１実施形態に係る液晶装置の概略斜視図であり、図２は本発明の第１実施形態に係る液晶装置の概略平面図である。
【００３３】
図１及び図２に示すように、液晶装置１０１は第１基板１０と第２基板２０とが開曲線状のシール材３０等を介し所定の間隙を隔てて接着固定されている。第１基板１０はガラス等から形成され、表示面となる第１面１１と、この第１面１１に対向する第２面１２とを有する。第２基板２０は第１基板１０と同様にガラス等から形成され、対向する第１面２１と第２面２２とを有している。第１基板１０の第２面１２と第２基板の第２面２２とは対向配置されている。シール材３０は基板の周縁部に沿った略矩形状を有し、矩形の一部が途切れ、途切れた端部から基板端部に向かって延びる延在部を有している。本実施形態においては、シール材３０によって、矩形部分のシール材によって囲まれた第１領域３０ａと、延在部に挟まれた液晶４０を封入する際の開口部としての液晶注入口３１である第２領域３０ｂとが形成される。この液晶注入口３１は例えば紫外線硬化樹脂からなる封止剤３２で封止されている。
【００３４】
第１基板１０の第１面１１には位相差板１３及び偏光板１４が配置され、第２基板２０の第１面１２には位相差板２３及び偏光板２４が配置されている。
【００３５】
次に、液晶装置１０１の内部構造について詳細に説明する。
【００３６】
図３は図２の液晶装置をＡ―Ａ´で破断した状態の概略断面図であり、図４は図２の液晶装置をＢ−Ｂ´で破断した状態の概略断面図である。ここで、図３は液晶注入口３１に封止剤３２が設けられた部分を含んで破断された状態の断面図であり、図４は液晶注入口３１のない部分で破断された状態の断面図である。
【００３７】
第１基板１０の第２面１２には、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ：インジウムスズ酸化物、以下ＩＴＯと記す）からなる第１透明電極１５がストライプ状に形成されている。更にこの第１透明電極１５の上には配向膜１６が形成されている。
【００３８】
第２基板２０の第２面２２には、下地層２５が配置され、この下地層２５の表面には開口２６を有する反射層２７が配置される。反射層２７は、第１領域３０ａに形成された第１反射層２７ａと第２領域３０ｂに形成された第２反射層２７ｂとが連結するように設けられている。更に、第１領域３０ａに設けられた反射層２７ａ上には第１着色層として着色層２８（Ｒ（赤）２８Ｒ、Ｇ（緑）２８Ｇ、Ｂ（青）２８Ｂ）と遮光部材２９ａとが配置されている。一方、第２領域３０ｂに配置された第２反射層２７ｂ上には第２着色層としての遮光部材２９ｂが配置され、この遮光部材２９ｂは第１領域３０ａに形成された遮光部材２９ａと同じ材料からなる。更に着色層２８及び遮光部材２９ａ、ｂ上には、これらを保護し、これらの凹凸を平坦化させるための樹脂層としての透明樹脂からなるオーバーコート層３３が配置されている。オーバーコート層３３は、第１領域３０ａに設けられた第１樹脂層３３ａと、第２領域３０ｂに設けられた第２樹脂層３３ｂとが連結するように配置される。オーバーコート層３３の上にはＩＴＯからなる第２透明電極３４が第１透明電極１５と直交するようにストライプ状に設けられ、この第２透明電極３４上に配向膜３５が設けられている。図３に示すように、下地層２５、反射層２７、遮光部材２９及びオーバーコート層３３は第２領域３０ｂである液晶注入口３１まで延設されている。この下地層２５、反射層２７、遮光部材２９及びオーバーコート層３３の配置領域については、詳細に後述する。
【００３９】
第１基板１０の第１透明電極１５と第２基板２０の第２透明電極３４とで交差する領域がドット３６となる。
【００４０】
液晶４０は、例えばＳＴＮ型の液晶を用いている。液晶はこれに限定するものではなく、他の各種液晶を用いることができる。
【００４１】
第１基板１０と第２基板２０との間には微小で球形のスペーサ４１が設けられ、これによって２枚の基板間距離が所定の範囲となるように保持される。スペーサ４１は、一部が途切れた矩形部分のシール材３０により囲まれた領域及び液晶注入口３１に設けられる。
【００４２】
本実施形態における液晶装置１０１は半透過反射型の液晶装置であり、ここでは図示を省略しているが、バックライトが第２基板２０側に配置されている。液晶装置１０１が透過型液晶装置として機能する場合にはバックライトから照射される光が表示に用いられ、反射型液晶装置として機能する場合には外光が表示に用いられる。上述の下地層２５は、表面に細かい凹凸状を有する樹脂材料で形成されていてもよい。反射層２７は、例えばアルミニウムや銀等の単体金属膜であって下地層２５上に設けられており、下地層２５の表面の凹凸により反射層２７の表面にも細かい凹凸が形成されている。更に、反射層２７には、ドット３６の略中央に開口２６が形成されている。これにより、バックライトから入射された光は開口２６を通過し、この通過した光が表示に用いられ、液晶装置１０１に入射された外光は反射層２７によって反射し、この反射光が表示に用いられる。
【００４３】
着色層２８は例えば、顔料又は染料等の着色剤を含む感光性樹脂からなる着色レジストを塗布し、フォトリソグラフィ法によって形成されている。着色層２８の配列パターンとして、本実施形態においてはストライプ配列を採用しているが、このストライプ配列の他に、モザイク配列又はデルタ配列等の種々のパターン形状を採用してもよい。
【００４４】
遮光部材２９は、遮光を行うためのもので、例えば、例えばカーボンをフォトレジストに分散した樹脂ブラック、クロムやニッケルなどの金属材料等のブラックマトリクスから形成されている。本実施形態の液晶装置１０１において、第１基板１０は第２基板２０よりも大きく、第１基板１０はこの一部が第２基板２０の端縁から突出した張り出し領域１７を有している。この張り出し領域１７は、液晶駆動用ＩＣ１８を実装するための領域であり、液晶駆動用ＩＣ１８は液晶装置１０１の各画素を駆動するために、第１透明電極１５と第２透明電極３４夫々に対してアドレス信号や表示信号といった駆動信号を出力するものであって、第１基板１０に対して、チップ状態で能動面を基板に対向させてＣＯＧ方式で実装されている。
【００４５】
次に、下地層２５、反射層２７、遮光部材２９及びオーバーコート層３３の配置領域について説明する。
【００４６】
図５は本実施形態に係る液晶装置のシール材、着色層及びオーバーコート層等の配置を示した概略平面図であり、図６は、図５の液晶装置の液晶注入口付近を拡大した概略平面図である。図７は、図６のＣ−Ｃ´で破断した状態の概略断面図である。
【００４７】
図５を用いて全体的なオーバーコート層３３等の配置構造を説明し、図６を用いて部分的な液晶注入口３１付近のオーバーコート層３３の配置構造を説明する。
【００４８】
図５に示すように、第１領域３０ａ及び液晶注入口である第２領域３０ｂには下地層２５、更に下地層２５上に反射層２７が設けられている（図中、点線で囲まれた領域）。本実施形態においては下地層２５を形成したが、必ずしも下地層２５を設けなくてもよい。更に遮光部材２９（図中、黒で示された領域）は、この反射層２７上に設けられている。この遮光部材２９により区画された領域には、着色層２８（Ｒ（赤）２８Ｒ、Ｇ（緑）２８Ｇ、Ｂ（青）２８Ｂ）がストライプ状に設けられている。更に、遮光部材２９及び着色層２８を覆うようにオーバーコート層３３（図中、水玉模様で示された領域）が設けられている。図５及び図６に示すように、オーバーコート層３３、下地層２５及び反射層２７は、基板２０の基板端部２０ａまで延設されているのに対し、遮光部材２９は基板端部２０ａまで延設されず手前まで形成されている。すなわち、遮光部材２９は、基板２０の基板端部２０ａにおいてオーバーコート層３３により覆われた状態となっており、遮光部材２９は露出していない。図７に示すように開曲線状のシール材３０の液晶注入口３１には、第２基板２０側から下地層２５、反射層２７、遮光部材２９、オーバーコート層３３が順に積層されている。封止剤３２の高さｈ３にほぼ相当する表示領域中の液晶４０の厚さが例えば６μｍであるとすれば、オーバーコート層３３の高さｈ２は４μｍとなる。よって、シール材３０の高さｈ１は１０μｍとなる。ここでの数値はこれに限定されるものではなく、液晶装置の種類により適宜変更されるものである。本実施形態においては、オーバーコート層３３の幅Ｗ２は開口部３１の幅Ｗ１よりも僅かに小さく形成されているが、密接するように形成されていてもよく、シール材３０とオーバーコート層３３が重ならなければよい。
【００４９】
次に、従来の液晶装置の説明について図８〜図１０を用いて説明する。
【００５０】
図８は従来の液晶装置のシール材、着色層及びオーバーコート層等の配置を示した概略平面図であり、図９は、図８の液晶装置液晶注入口付近を拡大した概略平面図である。図１０は、図９のＤ−Ｄ´で破断した状態の概略断面図である。
【００５１】
図８を用いて全体的なオーバーコート層２３３等の配置構造を説明し、図９を用いて部分的な液晶注入口２３１付近のオーバーコート層２３３の配置構造を説明する。
【００５２】
図８に示すように、シール材２３０の途切れ部を有する矩形部分に囲まれた領域に、下地層２２５、反射層２２７が積層（図中、点線で囲まれた領域）されて設けられている。更に遮光部材２２９（図中、黒で示された領域）が反射層２２７上に設けられている。この遮光部材２２９により区画された領域には、着色層２２８（Ｒ（赤）２２８Ｒ、Ｇ（緑）２２８Ｇ、Ｂ（青）２２８Ｂ）がストライプ状に設けられている。更に、遮光部材２２９及び着色層２２８を覆うようにオーバーコート層２３３（図中、水玉模様で示された領域）が設けられている。図８〜図１０に示すように、オーバーコート層２３３、遮光部材２２９、下地層２２５及び反射層２２７は、本発明と異なり液晶注入口２３１付近には設けられていない。
【００５３】
このように、従来の液晶装置においては、オーバーコート層２３３等が液晶注入口２３１付近まで設けられていないため、図１０に示すように、液晶装置２０１の液晶注入口２３１付近とシール材２３０の一部が途切れた矩形部分で囲まれた領域との間でセル厚が大幅に異なり、基板面内においてセル厚の不均一が生じていた。これに対し、本実施形態の液晶装置１０１は、第１基板１０と第２基板２０とシール材３０の途切れた矩形部分とによって囲まれた第１領域３０ａだけではなく、第２領域３０ｂである液晶注入口３１付近にも下地層２５、反射層２７、遮光部材２９及びオーバーコート層３３等を延設させているので、第１領域３０ａと第２領域３０ｂにおける膜構造を略同じとすることができ、基板面内におけるセル厚を均一に保つことができる。したがって、基板面内で表示むらのない表示品質の良好な液晶装置１０１を得ることができる。更に、液晶注入口３１付近に、下地層２５、反射層２７、遮光部材２９及びオーバーコート層３３を形成しているため、従来の液晶装置２０１と比較して、封止材２３２の封入量を少なくすることができ、封止材２３２の硬化収縮によるセル厚の変化を小さくすることができ、液晶注入口付近におけるセル厚の減少を抑制することができる。また、第１領域３０ａと第２領域３０ｂとにおける膜構造を略同じとすることができるので、基板全面に散布されるスペーサ４１によって基板面内略均一のセル厚に保持された液晶装置１０１を得ることができる。
【００５４】
（液晶装置の製造方法）
次に、本実施形態に係る上述の液晶装置の製造方法について図１１の製造工程図に基づいて説明する。本実施形態においては、貼り合わされた大判の２枚の母基板を切断することによって個別の液晶パネルを複数製造する多面取り方式を用いており、ここでは２枚の母基板から４つの液晶パネルを製造する場合について説明する。
【００５５】
図１１は、液晶装置の製造工程図である。図１２は、ＳＴＥＰ１及びＳＴＥＰ２での製造工程を説明するための母基板の概略平面図である。図１３は、ＳＴＥＰ４での製造工程を説明するための母基板の概略平面図である。図１４は、ＳＴＥＰ６での製造工程を説明するための母基板の概略平面図である。図１５は２枚の母基板を貼り合せた後の製造工程を示す液晶装置の概略製造工程図である。
【００５６】
まず第２母基板１２０の後工程で貼りあわせる第１母基板１１０と対向する面となる一方面１２０ａ上に樹脂材料からなる下地層２５を図１２の斜線で示された領域に形成する（ＳＴＥＰ１）。図１２において、符号１１５、１１６及び１１８は、後工程で貼り合わされた２枚の母基板を切断する際の切断線を示すものである。符号２０´は、後工程でこれら切断線によって切断され液晶装置１０１の第２基板２０となる領域を示し、ここでは第２基板予定領域２０´と記す。また、この第２基板予定領域２０´内にシール材３０を配置する領域をシール材予定領域３０´と記す。下地層２５は、第２基板予定領域２０´のシール材予定領域３０´内と第２母基板１２０の第２基板予定領域２０´外とに形成される。
【００５７】
次に、第２母基板１２０に形成された下地層２５上に蒸着法やスパッタリング法等によってアルミニウム等を薄膜となるように成膜し、反射層２７を形成する（ＳＴＥＰ２）。この反射層２７は、下地層２５と同様に図１２の斜線で示された領域に形成される。
【００５８】
次に、反射層２７の各ドット３６毎にその略中央に開口２６を形成する。（ＳＴＥＰ３）。開口２６の形成は、フォトリソグラフィ法等を用いることができる。
【００５９】
次に、図１３の黒で表示された領域にカーボンを有する遮光部材２９を形成する（ＳＴＥＰ４）。遮光部材２９は、シール材予定領域３０´内においては、切断線１１６上を除く下地層２５及び反射層２７の周縁部よりも僅かに広い領域で形成される。第２基板予定領域２０´外においては、切断線１１６上を除く下地層２５及び反射層２７の周縁よりも僅かに広い領域で形成される。つまり、遮光部材２９は、切断線１１６上を回避するように形成される。
【００６０】
次に、第２母基板１２０全面に着色材料をスピンコートにより塗布し、更にその上にレジストを塗布する。その後所定のパターンが形成されているフォトマスクを用いてレジストを露光し現像処理することにより所定のパターンを有するレジストを形成する。その後、このレジストをマスクとして着色材料をエッチングしてストライプ状の着色層２８を形成する。以上のような工程を繰り返し行うことにより、赤色の着色層２８Ｒ、緑色の着色層２８Ｇ及び青色の着色層２８Ｂを順次形成していく（ＳＴＥＰ５）。
【００６１】
次に、図１４の水玉模様で示された領域にオーバーコート層３３をフォトリソグラフィ法によって形成する（ＳＴＥＰ６）。この際、オーバーコート層３３は、前述の下地層２５、反射層２７、着色層２８及び遮光部材２９を覆うように形成される。具体的には、オーバーコート層３３は、第２基板予定領域２０´内は下地層２５、反射層２７、着色層２８、遮光部材２９を覆うように形成される。ここで、切断線１１６付近は、着色層２８及び遮光部材２９が形成されないので、下地層２５、反射層２７を覆うように形成される。つまり、遮光部材２９は、切断線１１６上では露出せず、オーバーコート層３３に覆われるような構成をとる。
【００６２】
次に、オーバーコート層３３上にＩＴＯ等をスパッタリング法により被着し、フォトリソグラフィ法によってパターニングして所定の幅を持ったストライプ状の第２透明電極３４を形成する（ＳＴＥＰ７）。
【００６３】
更にこの上に配向膜３５を形成し、ラビング処理を施す（ＳＴＥＰ８）。
【００６４】
一方、第１母基板１１０においては、第１母基板１１０上に第１透明電極１５の材料であるＩＴＯ等をスパッタリング法により被着し、フォトリソグラフィ法によってパターニングしてストライプ状に、第１透明電極１５を形成する（ＳＴＥＰ９）。
【００６５】
更にこの上に配向膜１６を形成し、ラビング処理を施して第１母基板１１０の製造が終了する（ＳＴＥＰ１０）。
【００６６】
次に、第２母基板１２０全面にスペーサ４１等のギャップ材をドライ散布等により散布する（ＳＴＥＰ１１）。ここで散布されたスペーサ４１は、後述の第１母基板１１０上に形成されるシール材３０の液晶注入口３１付近に延設されたオーバーコート層３３上にも散布される。これにより、貼り合わせた際の液晶注入口３１付近とシール材に囲まれた領域とのセル厚はそれぞれスペーサ４１によって保持される。
【００６７】
次に、第１母基板１１０上にシール材３０をスクリーン印刷により印刷して形成する（ＳＴＥＰ１２）。
【００６８】
ここでは一方の母基板１１０のみにシール材３０を形成したが、２枚の母基板にシール材を形成してもよい。
【００６９】
上述の第１母基板１１０と第２母基板１２０とをシール材３０を介して貼り合わせる（ＳＴＥＰ１３）。これにより図１５（ａ）に示した大判パネル１０３が得られる。ここで、第２母基板１２０の第２基板予定領域２０´外にも、第２基板予定領域２０´内と同様に下地層２５、反射層２７、遮光部材２９、オーバーコート層３３が形成されているため、第２基板予定領域２０´内と外とは略同じ膜構造を有することとなる。従って、２枚の母基板を貼り合せる加圧工程の際、母基板全面に略均一に加圧をすることができ、個別のパネルにおけるセル厚を基板面内で均一にすることができる。
【００７０】
この後、図１５（ａ）に示す切断線１１６に沿って１次切断を行い、更に切断線１１８に沿って第２母基板１２０側のみを除去する（ＳＴＥＰ１４）。ここで、一次切断の際に、前述した遮光部材２９は切断線１１６上形成されていないので、遮光部材の材料であるカーボンが切断によって飛散せず、カーボンによる汚染を回避することができる。
【００７１】
この後切断面に露出した各液晶注入口３１から基板間に液晶４０を封入し、液晶注入口３１を封止剤３２により封止する（ＳＴＥＰ１５）。これにより、図１５（ｂ）に示す液晶４０が封入された状態の張り出し領域１７を有する短冊状パネル１０４が得られる。
【００７２】
次にこの短冊状パネル１０４を図１５（ｂ）に示す切断線１１５に沿って２次切断し、図１５（ｃ）に示すような個別の液晶パネル１０２が得られる（ＳＴＥＰ１６）。
【００７３】
次に、第１基板１０の第１面１１には位相差板１３及び偏光板１４が、第２基板２０の第１面１２には位相差板２３及び偏光板２４が貼着等の方法により取り付けられる（ＳＴＥＰ１７）。
【００７４】
最後に駆動用ＩＣ１８、配線、バックライト及びケース体等を取り付けて、図１に示すような液晶装置１０１が完成する（ＳＴＥＰ１８）。
【００７５】
本実施形態に係る液晶装置１０１の製造方法では、第２母基板１２０に形成する下地層２５、反射層２７、遮光部材２９及びオーバーコート層３３を、液晶パネルとなる部分以外の領域にも形成することにより、両母基板１１０、１２０の基板間距離が母基板面内で均一に保たれるので、表示良好な液晶装置１０１を得ることができる。
【００７６】
（第２実施形態）
第１実施形態においては、下地層、反射層、遮光部材、オーバーコート層がシール材に囲まれた第１領域及び液晶注入口の第２領域を跨って連結して設けられていた。これに対し、本実施形態では、シール材に囲まれた領域とシール材の開口に位置する領域それぞれに形成される下地層といった膜が離間した状態で設けられている。以下、第１実施形態と同様の部分については説明を省略する。
【００７７】
図１６は本実施形態に係る液晶装置のシール材、着色層及びオーバーコート層等の配置を示した概略平面図であり、図１７は、図１６の液晶装置の液晶注入口付近を拡大した概略平面図である。
【００７８】
図１６を用いて全体的なオーバーコート層３３３等の配置構造を説明し、図１７を用いて液晶注入口３３１付近のオーバーコート層３３３の配置構造を説明する。
【００７９】
図１６に示すように、シール材３３０には、シール材３３０の途切れ部分を有する矩形部分により囲まれた第１領域３３０ａと、シール材３３０の途切れ部分の端部から基板端部に向かって延在する延在部に挟まれた開口部としての液晶注入口３３１となる第２領域３３０ｂとから形成される。
【００８０】
第１領域３３０ａには、点線で囲われた領域に第１下地層３２５ａ、更に第１下地層３２５ａ上に第１反射層３２７ａが形成される。更に第１着色層としての第１遮光部材３２９ａ（図中、黒で示された領域）は、この第１下地層３２５ａ及び第１反射層３２７ａの周縁部を覆うように形成される。この第１遮光部材３２９ａにより区画された領域には、第１着色層としての着色層３２８（Ｒ（赤）３２８Ｒ、Ｇ（緑）３２８Ｇ、Ｂ（青）３２８Ｂ）がストライプ状に形成されている。更に、第１遮光部材３２９ａ及び着色層３２８を覆うように第１樹脂層として透明樹脂からなる第１オーバーコート層３３３ａ（図中、水玉模様で示された領域）が形成されている。
【００８１】
一方、第２領域３３０ｂには、点線で囲われた領域に第２下地層３２５ｂが形成され、更に第２下地層３２５ｂの上に第２反射層３２７ｂが形成される。ここで、第２下地層３２５ｂ及び第２反射層３２７ｂは基板端部３２０ａまで延設される。次に、第２着色層としての第２遮光部材３２９ｂ（図中、黒で示された領域）は、この第２下地層３２５ｂ及び第２反射層３２７ｂの基板端部３２０ａを除く周縁部を覆うように形成される。更に、第２遮光部材３２９ｂを覆うように第２オーバーコート層３３３ｂ（図中、水玉模様で示された領域）が形成される。
【００８２】
本実施形態の液晶装置３０１のように、第１領域３３０ａに設ける第１下地層３２５ａ、第１反射層３２７ａ、第１遮光部材３２９ａ及び第１オーバーコート層３３３ａ、第２領域３３０ｂに設ける第２下地層３２５ｂ、第２反射層３２７ｂ、第２遮光部材３２９ｂ及び第２オーバーコート層３３３ｂがそれぞれ離間するように形成されてもよい。
【００８３】
（第３実施形態）
第３実施形態について説明する。本実施形態は上述の実施形態とシール材４３０の液晶注入口４３１に部分的に島状シール材５３０を設ける点で異なり、上述の実施形態と同様の部分については説明を省略する。
【００８４】
図１８は本発明の第３実施形態に係る液晶装置の概略斜視図であり、図１９は本発明の第３実施形態に係る液晶装置の概略平面図である。
【００８５】
図１８及び図１９に示すように、シール材４３０は基板の周縁部に沿った略矩形状を有し、矩形の一部が途切れ、途切れた端部から基板端部に向かって延びる延在部を有している。本実施形態においては、シール材４３０によって、矩形部分のシール材によって囲まれた第１領域４３０ａと、延在部に挟まれた液晶４４０を封入する際の開口部としての液晶注入口４３１である第２領域４３０ｂとが形成される。この液晶注入口４３１にはシール材４３０と同様の材料からなる島状シール材としてのダミーシール材５３０が設けられている。
【００８６】
次に、液晶装置４０１の内部構造について詳細に説明する。
【００８７】
図２０は図１９の液晶装置をＥ―Ｅ´で破断した状態の概略断面図である。図２１は図１９の液晶装置をＦ−Ｆ´で破断した状態の概略断面図である。ここで、図２０は液晶注入口４３１のダミーシール材５３０が含まれた部分を含んで破断された状態の断面図であり、図２１は液晶注入口４３１のダミーシール材５３０を含まれない部分で破断された状態の断面図である。
【００８８】
図２０に示すように、図１９のＥ―Ｅ´で破断した液晶装置は、上述した第１実施形態の図３と略同様の構成であるが、本実施形態の液晶装置は、図２１の図１９のＦ−Ｆ´で破断した状態であり、第２領域４３０ｂである液晶注入口４３１にダミーシール材５３０が形成される点で異なる。
【００８９】
第２基板４２０の第２面４２２には、ダミーシール材５３０を避けるようにして下地層４２５が配置され、この下地層４２５の表面には開口４２６を有する反射層４２７が配置される。反射層４２７には、第１領域４３０ａに配置された第１反射層４２７ａと第２領域４３０ｂに形成され下地層４２５と同様にダミーシール材５３０を避けるように配置された第２反射層４２７ｂとが連結するように配置される。更にこの反射層４２７ａには第１着色層としての着色層４２８（Ｒ（赤）４２８Ｒ、Ｇ（緑）４２８Ｇ、Ｂ（青）４２８Ｂ）及び遮光部材４２９ａが形成されている。一方、第２反射層４２７ｂの上には下地層４２５及び第２反射層４２７ｂと同様にダミーシール材５３０を避けるように配置された第２着色層としての第２遮光部材４２９ｂが配置される。更に着色層４２８、第１遮光部材４２９ａ及び第２遮光部材４２９ｂ上には、着色層４２８、第１遮光部材４２９ａ及び第２遮光部材４２９ｂを保護し、着色層４２８及び第１遮光部材４２９ａ及び第２遮光部材４２９ｂの凹凸を平坦化させるためのオーバーコート層４３３が配置される。オーバーコート層４３３は、第１領域４３０ａに形成された第１樹脂層４３３ａと、第２領域４３０ｂに形成されダミーシール材５３０を避けるように配置された第２樹脂層４３３ｂとが連結するように配置される。
【００９０】
ここでは、ダミーシール材５３０は、下地層４２５、第２反射層４２７ｂ、第２遮光部材４２９ｂ及び第２オーバーコート層４３３ｂと僅かに離間し囲われるように配置される。ここでのダミーシール材５３０は、下地層４２５、第２反射層４２７ｂ、第２遮光部材４２９ｂ及び第２オーバーコート層４３３ｂと離間しているが、下地層４２５、第２反射層４２７ｂ、第２遮光部材４２９ｂ及び第２オーバーコート層４３３ｂと重ならないように密接するように配置してもよい。
【００９１】
次に、下地層４２５、反射層４２７、遮光部材４２９及びオーバーコート層４３３の配置領域について説明する。
【００９２】
図２２は本実施形態に係る液晶装置のシール材、着色層及びオーバーコート層等の配置を示した概略平面図であり、図２３は、図２２の液晶装置の液晶注入口付近を拡大した概略平面図である。図２４は、図２３のＧ−Ｇ´で破断した状態の概略断面図である。
【００９３】
図２２を用いて全体的なオーバーコート層４３３等の配置構造を説明し、図２３を用いて液晶注入口４３１付近のオーバーコート層４３３の配置構造を説明する。
【００９４】
図２２に示すように、点線で囲われた領域にダミーシール材５３０を避けるように下地層４２５、更に下地層４２５上に反射層４２７が形成される。更に遮光部材４２９（図中、黒で示された領域）は、反射層４２７上にダミーシール材５３０を避けるように形成される。この遮光部材４２９により区画された領域には、着色層４２８（Ｒ（赤）４２８Ｒ、Ｇ（緑）４２８Ｇ、Ｂ（青）４２８Ｂ）がストライプ状に形成されている。更に、オーバーコート層４３３（図中、水玉模様で示された領域）は、ダミーシール材５３０を避け、遮光部材４２９及び着色層４２８を覆うように形成される。図２３に示すように、第２オーバーコート層４３３ｂ、下地層４２５及び第２反射層４２７ｂは、基板４２０の基板端部４２０ａまで延設されているのに対し、第２遮光部材４２９ｂは基板端部４２０ａまで延設されず手前まで形成されている。図２２〜図２４に示すようにシール材４３０の液晶注入口４３１の略中央にはダミーシール材５３０が設けられている。このダミーシール材５３０とシール材４３０との間には、第２基板４２０側から下地層４２５、第２反射層４２７ｂ、第２遮光部材４２９ｂ、第２オーバーコート層４３３ｂの順に積層された複数の層が形成されている。このようにダミーシール材５３０を液晶注入口４３１に設けることにより、液晶注入口のセル厚をダミーシール材５３０により保持することができる。更に、シール材４３０とダミーシール材５３０との間であって、液晶注入口に下地層４２５、第２反射層４２７ｂ、第２遮光部材４２９ｂ、第２オーバーコート層４３３ｂの複数の層を形成することにより、第１領域４３０ａと第２領域４３０ｂにおける膜構造が略同様となり、基板面内におけるセル厚を均一にすることができる。したがって、表示品質の良好な液晶装置４０１を得ることができる。
【００９５】
上述した実施形態では、スイッチング素子を用いないパッシブマトリクス型の液晶装置で説明したが、スイッチング素子としてＴＦＤ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｄｉｏｄｅ：薄膜ダイオード）素子、あるいは、ＴＦＴ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：薄膜トランジスタ）素子を設けて液晶を駆動する液晶装置に適用することもできる。また、液晶装置だけでなく、エレクトロルミネッセンス装置、無機エレクトロルミネッセンス装置、プラズマディスプレイ装置、電気泳動表示装置、電界放出表示装置、ＬＥＤ（ライトエミッティングダイオード）表示装置などにおいても本発明を同様に適用することができる。
【００９６】
＜電子機器＞
さらに、本発明の液晶装置１０１を電子機器に搭載した例を以下に記す。
【００９７】
（携帯電話機）
図２５は、本発明に係る電子機器の実施形態である携帯電話機１７４を示している。ここに示す携帯電話機１７４は、複数の操作ボタン１７４ａの他、受話口１７４ｂ、送話口１７４ｃを有する外枠に、液晶装置１０１が組み込まれてなる。この液晶装置１０１は、例えば上述した実施形態に示した液晶装置１０１を用いて構成できる。
【００９８】
図２６は、本実施形態の全体構成を示す概略構成図である。ここに示す電子機器は、上記と同様の液晶装置１０１と、これを制御する制御手段１２００とを有する。ここでは、液晶装置１０１を、パネル構造体１０１Ａと、駆動用ＩＣ等で構成される駆動回路１０１Ｂとに概念的に分けて描いてある。実際は制御手段１２００と駆動回路１０１Ｂは、同一のチップに形成されている。また、制御手段１２００は、表示情報出力源１２１０と、表示情報処理回路１２２０と、電源回路１２３０と、タイミングジェネレータ１２４０とを有する。
【００９９】
表示情報出力源１２１０は、ＲＯＭ（Ｒｅａｄ  Ｏｎｌｙ  Ｍｅｍｏｒｙ）やＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ）等からなるメモリと、磁気記録ディスクや光記録ディスク等からなるストレージユニットと、デジタル画像信号を同調出力する同調回路とを備え、タイミングジェネレータ１２４０によって生成された各種のクロック信号に基づいて、所定フォーマットの画像信号等の形で表示情報を表示情報処理回路１２２０に供給するように構成されている。
【０１００】
表示情報処理回路１２２０は、シリアル−パラレル変換回路、増幅・反転回路、ローテーション回路、ガンマ補正回路、クランプ回路等の周知の各種回路を備え、入力した表示情報の処理を実行して、その画像情報をクロック信号ＣＬＫと共に駆動回路１０１Ｂへ供給する。駆動回路１０１Ｂは、走査線駆動回路、データ線駆動回路及び検査回路を含む。また、電源回路１２３０は、上述の各構成要素にそれぞれ所定の電圧を供給する。
【０１０１】
また、本発明に係る電子機器としては、上記の例の他に、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話機、ＰＯＳ端末機などがあげられる。そして、これらの各種電子機器の表示部として本発明に係る液晶装置１０１を用いることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１実施形態に係る液晶装置の概略斜視図である。
【図２】第１実施形態に係る液晶装置の概略平面図である。
【図３】図２の液晶装置をＡ―Ａ´で破断した状態の概略断面図である。
【図４】図２の液晶装置をＢ−Ｂ´で破断した状態の概略断面図である。
【図５】第１実施形態に係る液晶装置の概略平面図である。
【図６】図５の液晶装置の液晶注入口付近を拡大した概略平面図である。
【図７】図６のＣ−Ｃ´で破断した状態の概略断面図である。
【図８】従来の液晶装置の概略平面図である。
【図９】図８の液晶装置の液晶注入口付近を拡大した概略平面図である。
【図１０】図９のＤ−Ｄ´で破断した状態の概略断面図である。
【図１１】液晶装置の製造工程図である。
【図１２】ＳＴＥＰ１及びＳＴＥＰ２での製造工程を説明する母基板の概略平面図である。
【図１３】ＳＴＥＰ４での製造工程を説明するための母基板の概略平面図である。
【図１４】ＳＴＥＰ６での製造工程を説明するための母基板の概略平面図である。
【図１５】２枚の母基板を貼り合せた後の液晶装置の製造工程図である。
【図１６】第２実施形態に係る液晶装置の概略平面図である。
【図１７】図１６の液晶装置の液晶注入口付近を拡大した概略平面図である。
【図１８】第３実施形態に係る液晶装置の概略斜視図である。
【図１９】第３実施形態に係る液晶装置の概略平面図である。
【図２０】図１９のＥ−Ｅ´で破断した状態の概略断面図である。
【図２１】図１９のＦ−Ｆ´で破断した状態の概略断面図である。
【図２２】第３実施形態に係る液晶装置の概略平面図である。
【図２３】図２２の液晶装置の液晶注入口付近を拡大した概略平面図である。
【図２４】図２３のＧ−Ｇ´で破断した状態の概略断面図である。
【図２５】本発明に係る電子機器の実施形態を示した概略断面図である。
【図２６】本実施形態の全体構成を示す概略構成図である。
【符号の説明】
１０…第１基板、２０…第２基板、２７…反射層、２７ａ…第１反射層、２７ｂ…第２反射層、２８、２８Ｒ、２８Ｇ、２８Ｂ…着色層、２９…遮光部材、２９ａ…第１遮光部材、２９ｂ…第２遮光部材、３０…シール材、３０ａ…第１領域、３０ｂ…第２領域、３１…液晶注入口、３２…封止剤、３３…オーバーコート層、３３ａ…第１オーバーコート層、３３ｂ…第２オーバーコート層、４０…液晶、１０１…液晶装置、１１０…第１母基板、１２０…第２母基板、１２０ａ…一方面、１７４…携帯電話機、２１０…第１基板、２２０…第２基板、２２７…反射層、２２８、２２８Ｒ、２２８Ｇ、２２８Ｂ…着色層、２２９…遮光部材、２３０…シール材、２３１…液晶注入口、２３２…封止剤、２３３…オーバーコート層、３０１…液晶装置、３１０…第１基板、３２０…第２基板、３２７ａ、３２７ｂ…反射層、３２７ａ…第１反射層、３２７ｂ…第２反射層、３２８、３２８Ｒ、３２８Ｇ、３２８Ｂ…着色層、３２９…遮光部材、３２９ａ…第１遮光部材、３２９ｂ…第２遮光部材、３３０…シール材、３３０ａ…第１領域、３３０ｂ…第２領域、３３１…液晶注入口、３３３…オーバーコート層、３３３ａ…第１オーバコート層、３３３ｂ…第２オーバーコート層、４０１…液晶装置、４１０…第１基板、４２０…第２基板、４２７…反射層、４２７ａ…第１反射層、４２７ｂ…第２反射層、４２８、４２８Ｒ、４２８Ｇ、４２８Ｂ…着色層、４２９…遮光部材、４２９ａ…第１遮光部材、４２９ｂ…第２遮光部材、４３０…シール材、４３０ａ…第１領域、４３０ｂ…第２領域、４３１…液晶注入口、４３２…封止剤、４３３…オーバーコート層、４３３ａ…第１オーバコート層、４３３ｂ…第２オーバーコート層、４４０…液晶、５３０…ダミーシール材
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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