(57)【要約】【課題】結晶インゴットをスライスして得られるスライスウェハを多段階に亘り研磨して鏡面を有するウェハを製造する工程において、スピン乾燥装置を用いてウェハを乾燥する際、乾燥後のウェハに線状汚れを発生させることのないスピン乾燥装置を提供する。【解決手段】ウェハ１１をスピン乾燥装置３０に設置する際に用いるウェハ貼付部材として、ウェハ１１の貼付に使用されない中央部分１２を削除した形状を有する環型貼付プレート１０を作製した。この環型貼付プレート１０へ粗鏡面を有するウェハ１１を貼付し、メカノケミカル研磨および洗浄後にスピン乾燥装置３０へ設置し乾燥を行ったところ、乾燥後のウェハ１１に線状汚れは発生しなかった。【選択図】　　　図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウェハの乾燥に用いるスピン乾燥装置であって、
前記ウェハを、前記スピン乾燥装置に設置するためのウェハ貼付部材を有し、前記ウェハ貼付部材は、前記ウェハの貼付に使用されない中央部分が削除された形状を有していることを特徴とするスピン乾燥装置。
【請求項２】
前記ウェハ貼付部材が環形状を有していることを特徴とする請求項１に記載のスピン乾燥装置。
【請求項３】
スピン乾燥装置を用いたウェハの乾燥方法であって、
前記ウェハを前記スピン乾燥装置に設置するためのウェハ貼付部材として、前記ウェハの貼付に使用されない中央部分が削除された形状を有しているウェハ貼付部材を用いて乾燥をおこなうことを特徴とするウェハの乾燥方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体等のウェハを乾燥する際に用いられるスピン乾燥装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体分野において、化合物半導体がショットキーゲート電界効果トランジスタ（ＭＥＳＦＥＴ）、高移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）、ヘテロ接合バイポーラトランジスタ（ＨＢＴ）、および種々の受発光デバイスの作製に用いられている。これらのデバイス作製に用いられる化合物半導体は、その化合物半導体の鏡面を有するウェハ表面に、分子線エピタキシャル成長（ＭＢＥ）法、有機金属気相エピタキシャル成長（ＭＯＶＰＥ）法等により能動層を成膜することで作製される。
【０００３】
ここで、鏡面を有する化合物半導体ウェハは、結晶インゴットをスライスして得られるスライスウェハを多段階に亘り研磨してウェハ表面を高い平坦性を有する鏡面とした後、用いられた研磨材・研磨液を洗浄して作製される。この洗浄が完了したウェハは、スピン乾燥装置を用いて乾燥され後工程へ送られる。（例えば、特許文献１参照。）
【０００４】
【特許文献１】
特開２０００−５８４９７号公報
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら従来技術においては、前記乾燥後のウェハに線状の汚れが発生することがある。この線状の汚れについて、図２を用いて説明する。
【０００６】
図２は、従来の技術に係るスピン乾燥装置のウェハ貼付部材である円型貼付プレートの斜視図である。
【０００７】
従来の技術に係るスピン乾燥装置の円型貼付プレート２０は、貼付プレート回転中心２２を中心とした円盤状を有しており、その上面の外周部に粗鏡面を有する所定の枚数のウェハ１１が貼付される。
【０００８】
この円型貼付プレート２０に粗鏡面を有するウェハ１１を貼付し、メカノケミカル研磨により鏡面仕上げし、さらに洗浄の後、スピン乾燥装置へ設置する。そして、貼付プレート回転中心２２を中心として円型貼付プレート２０を回転することでウェハ１１を乾燥させる。
【０００９】
ところが、この乾燥の際、円型貼付プレート２０上のウェハ１１において貼付プレート回転中心２２から外周方向に向かう形で、線状汚れ２５が発生することがある。
【００１０】
このウェハ１１に発生した線状汚れ２５は、後工程でおこなわれるウェハの最終洗浄によっても完全に除去することが困難なため、さらに後工程のウェハ上へ能動層を成膜するためのエピタキシャル結晶成長工程において、結晶成長不良の原因となり、工程の歩留まりの低下を招いている。
【００１１】
そこで、本発明が解決しようとする課題は、乾燥後のウェハに線状汚れを発生させることのないスピン乾燥装置を提供することである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
上記の課題を解決するための第１の手段は、ウェハの乾燥に用いるスピン乾燥装置であって、
前記ウェハを、前記スピン乾燥装置に設置するためのウェハ貼付部材を有し、前記ウェハ貼付部材は、前記ウェハの貼付に使用されない中央部分が削除された形状を有していることを特徴とするスピン乾燥装置である。
【００１３】
スピン乾燥装置を用いてウェハを乾燥する際、ウェハ貼付に使用されないウェハ貼付部材の中央部分を削除した形状を有しているウェハ貼付部材を有するスピン乾燥装置を作製したところ、ウェハのスピン乾燥の際、ウェハに線状汚れが発生するのを回避することができた。
【００１４】
第２の手段は、前記ウェハ貼付部材が環形状を有していることを特徴とする第１の手段に記載のスピン乾燥装置である。
【００１５】
前記ウェハ貼付部材の形状を環形状としたところ、ウェハをスピン乾燥する際のウェハ貼付部材の回転を容易に安定化できた。
【００１６】
第３の手段は、スピン乾燥装置を用いたウェハの乾燥方法であって、
前記ウェハを前記スピン乾燥装置に設置するためのウェハ貼付部材として、前記ウェハの貼付に使用されない中央部分が削除された形状を有しているウェハ貼付部材を用いて乾燥をおこなうことを特徴とするウェハの乾燥方法である。
【００１７】
スピン乾燥装置を用いてウェハの乾燥を行う際、前記ウェハの貼付に使用されない中央部分が削除された形状を有しているウェハ貼付部材を用いてスピン乾燥装置へ設置し乾燥をおこなうことで、ウェハの線状汚れの発生を回避することができた。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態例について、図１を参照しながら説明する。
【００１９】
図１は、本発明に係るスピン乾燥装置の要部の斜視図である。
【００２０】
本発明に係るスピン乾燥装置３０は、回転駆動部（図示していない）に接続された回転軸３１と、回転軸３１に接続されたスピンナーテーブル３２を有している。スピンナーテーブル３２はその上面に、真空チャック等の適宜な手段（図示していない）を用いてウェハ貼付部材を脱着自在に固定する。このウェハ貼付部材である環型貼付プレート１０について、さらに詳細に説明する。
【００２１】
本実施の形態例に係るウェハ貼付部材である環型貼付プレート１０は、貼付プレート回転中心２２を中心とした半径Ｒ１の円盤より、同じく貼付プレート回転中心２２を中心とした円盤状を有する半径Ｒ２の中央部分１２を削除した、扁平な環形状を有している。環型貼付プレート１０が環形状を有していると回転軸３１により高速で回転させられる際、回転の状態が安定し易いので好ましい。さらに環型貼付プレート１０は高精度に仕上げられた表面平坦度を有しており、所定の枚数のウェハ１１が貼付される。
【００２２】
ここで、環型貼付プレート１０において中央部分１２の半径Ｒ２は、ウェハ１１の貼付に支障のない限り、大きい方が好ましい。また中央部分１２の外周の形状は、本実施の形態例に示すような円型に限る必要はなく、環型貼付プレート１０の回転に支障のない限り、例えば、ウェハ１１の外径に沿った多角形状、星形形状等であってもよい。
【００２３】
次に、環型貼付プレート１０を有するスピン乾燥装置３０を用いて、鏡面を有するウェハを作製する手順の一例について説明する。
【００２４】
まず所望の結晶インゴットをスライスし、スライスウェハを切り出す。この切り出されたスライスウェハの表裏面を、＃８００〜＃３０００のアルミナ砥粒により粗研磨して平坦性の高いウェハを得る。この平坦性の高いウェハを、不織布研磨布が貼付された上下定盤に設置し、砥粒の入った次亜塩素酸系水溶液を供給しながらウェハの表裏面を研磨し、さらに平坦性を高めて粗鏡面を有するウェハ１１を得る。この粗鏡面を有するウェハ１１を、ワックス等を用いて環型貼付プレート１０に貼り付ける。
【００２５】
ウェハ１１が貼付された環型貼付プレート１０へ、砥粒の入っていない次亜塩素酸系水溶液を研磨液として供給しながら、研磨布として表面に多孔質層を有する不織布を用いてメカノケミカル研磨を行い、ウェハ１１の表面をＨａｚｅフリーの鏡面に仕上げる。このウェハ１１の表面を鏡面に仕上げる研磨が完了したら、ウェハ１１および環型貼付プレート１０上の研磨液を素早く水洗し、スピン乾燥装置３０に設置する。尚、本発明に係るスピン乾燥装置３０のスピンナーテーブル３２は、環型貼付プレート１０を脱着自在、且つ十分に固定できるよう、真空チャック等の固定手段が適宜に配置されている。
【００２６】
ウェハ１１が貼付された環型貼付プレート１０をスピン乾燥装置３０に設置したら、環型貼付プレート１０を回転させてウェハ１１を乾燥させる。このときウェハ１１上に、貼付プレート中心２２から外周方向に向かう線状の汚れが発生することはなかった。
【００２７】
この環型貼付プレート１０を用いることで、ウェハ１１上に線状の汚れが発生するのを回避できたのは、次の理由によると考えられる。
【００２８】
すなわち、図２に示す、従来の技術に係る円型貼付プレート２０の中央部分においては、乾燥時に塵埃が発生し、この発生した塵埃が円型貼付プレート２０の回転に伴う遠心力によりウェハ１１表面を横切ることにより、ウェハ１１上に線状の汚れ２５が発生していた。そこで、この中央部分であって、ウェハ１１の貼付に使用されていない部分を削除することにより、塵埃の発生を回避し得たと考えられる。
【００２９】
ここで図１に戻る。ウェハ１１の乾燥が完了したら環型貼付プレート１０上より取り外し、上述したウェハ貼付用のワックス等を洗浄して除去し中間的な検査を行った。この中間的な検査において、ウェハ上に線状の汚れは観察されなかった。そして、この中間的な検査の後、最終的な洗浄および最終的な検査を行い、線状汚れのない鏡面を有する高品質なウェハを得た。
【００３０】
さらに、この洗浄汚れのない鏡面を有するウェハ上へ、分子線エピタキシャル成長（ＭＢＥ）法、有機金属気相エピタキシャル成長（ＭＯＶＰＥ）法等により能動層を成膜したところ、良好なエピタキシャル結晶を成長させることができ、各種デバイスの製造歩留まりを上げることができた。
【００３１】
（実施例）
ウェハ試料として、粗鏡面を有する直径１００ｍｍのＧａＡｓウェハを準備した。
【００３２】
これらのウェハ試料を、本発明に係る環型貼付プレート上に１０枚、および従来の技術に係る円盤状の円型貼付プレート上に１０枚、それぞれウェハ貼付用のワックスを用いて貼付した。そして、１０枚のウェハ試料が貼付された環型および円型の貼付プレートを、それぞれ１０枚準備した。準備した全てのウェハ試料に対し、同一条件にてメカノケミカル研磨を行い、研磨完了後に水洗を行った。
【００３３】
水洗後の環型および円型の貼付プレートを、各々スピン乾燥装置に設置し、回転させてスピン乾燥法によりウェハ試料を乾燥させた。
【００３４】
本実施例においては、スピン乾燥が完了した時点で、貼付プレート上にウェハを貼付したまま高照度の集光器を用いてウェハ試料を観察する中間的な検査を行った。
【００３５】
すると、本発明に係るスピン乾燥装置の環型貼付プレートに貼付されたウェハ試料における線状汚れの発生率が０％であったのに対し、従来の技術に係るスピン乾燥装置の円型貼付プレートに貼付されたウェハ試料の線状汚れの発生率は２０％であった。
【００３６】
中間的な検査の後、貼付プレート上よりウェハ試料を取り外し、前記ワックス等を洗浄して除去して最終の洗浄を行い、再度、高照度の集光器を用いてウェハ試料を観察する最終的な検査を行った。すると、本発明に係るスピン乾燥装置を用いた場合は、ウェハ試料の線状汚れの発生率が０％であったのに対し、従来の技術に係るスピン乾燥装置を用いた場合は、ウェハ試料の線状汚れの発生率が６％であった。
【００３７】
【発明の効果】
以上、詳述したように本発明は、ウェハの乾燥に用いるスピン乾燥装置であって、前記ウェハを、前記スピン乾燥装置に設置するためのウェハ貼付部材を有し、前記ウェハ貼付部材は、前記ウェハの貼付に使用されない中央部分が削除された形状を有していることを特徴とするスピン乾燥装置である。このスピン乾燥装置を用いてウェハの乾燥を行ったところ、ウェハに線状汚れが発生するのを回避することができた。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係るスピン乾燥装置の要部の斜視図である。
【図２】従来の技術に係る円型貼付プレートの斜視図である。
【符号の説明】
１０　環型貼付プレート（ウェハ貼付部材）
１１　ウェハ
１２　中央部分
２２　貼付プレート回転中心
３０　スピン乾燥装置
３１　転軸
３２　スピンナーテーブル
【図１】
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【図２】
2004128178.tif 000004