(57)【要約】【目的】　インダクタ導体が有する抵抗や浮遊容量を増やすことなくインダクタンスのみを増加させることができるインダクタ素子を提供すること。【構成】　半導体基板１０上にはその表面で隣接する位置にインダクタ導体１２が形成されている。このインダクタ導体１２は磁性体１４により覆われており、インダクタ導体１２のインダクタンスがこの磁性体１４の透磁率に比例して大きくなる。【選択図】　　　　図１
2004128525.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
　半導体基板上にほぼ平面状に形成されたインダクタ導体と、
　前記インダクタ導体の少なくとも一部を覆うことにより磁路を形成する絶縁性の磁性体と、
　を備え、前記磁性体で前記インダクタ導体の少なくとも一部を覆うことにより前記インダクタ導体に大きなインダクタンスを持たせることを特徴とするインダクタ素子。
【請求項２】
　半導体基板上にほぼ平面状に形成されたインダクタ導体と、
　前記インダクタ導体の少なくとも一部を絶縁膜を介して覆うことにより磁路を形成する導電性の磁性体と、
　を備え、前記磁性体で前記インダクタ導体の少なくとも一部を覆うことにより前記インダクタ導体に大きなインダクタンスを持たせることを特徴とするインダクタ素子。
【請求項３】
　請求項１または２において、
　前記インダクタ導体は渦巻き形状に形成されており、各周回部分の合間に非磁性体材料を充填することを特徴とするインダクタ素子。
【請求項４】
　請求項１〜３のいずれかにおいて、
　前記磁性体は、前記半導体基板の表面であって前記インダクタ導体との間に形成された第１の磁性体膜と、前記インダクタ導体の表面側であって前記第１の磁性体膜とほぼ対向して形成された第２の磁性体膜とにより構成されることを特徴とするインダクタ素子。
【請求項５】
　請求項１〜３のいずれかにおいて、
　前記磁性体は、前記半導体基板の表面であって前記インダクタ導体との間に形成された第１の磁性体膜により構成されることを特徴とするインダクタ素子。
【請求項６】
　請求項１〜３のいずれかにおいて、
　前記磁性体は、前記半導体基板上に形成された前記インダクタ導体のさらに表面側に形成された第２の磁性体膜により構成されることを特徴とするインダクタ素子。
【請求項７】
　請求項１〜６のいずれかにおいて、
　前記磁性体によって前記インダクタ導体を覆う面積を変えることにより、異なるインダクタンスを持たせることを特徴とするインダクタ素子。
【請求項８】
　請求項１〜７のいずれかにおいて、
　前記磁性体は、薄膜形成技術により形成することを特徴とするインダクタ素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
　本発明は、半導体基板上に形成したインダクタ素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
　一般に、コイルは重要な回路構成部品であり、構成する回路によっては必要不可欠な部品といえる。例えば、ＬＣ共振を利用した発振回路や送受信機に含まれる同調回路は、コイルを使用してはじめて実現できるものである。
【０００３】
　また、近年では回路の集積化が進んでおり、上述したコイル、すなわちインダクタ部分も含めて集積化することができれば回路全体の大幅な小型化が可能となる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
　ところで、上述したようにインダクタ部分を含めて集積化を行う場合には、半導体基板上でインダクタ部分が占める面積も小さくする必要があり、充分な特性が得られないおそれがある。
【０００５】
　図１２は、集積化により半導体基板上に形成したインダクタの等価回路を示す図であり、同図（Ａ）には理想的な場合が、同図（Ｂ）には実際の各種条件を加味した場合が示されている。
【０００６】
　当然ながら、同図（Ａ）に示すように所定のインダクタンスを有するインダクタ９０のみが得られれば、このインダクタを回路の一部として使用して所望の回路を容易に構成することができる。しかし、一般的なプロセスルールを用いて集積化を行って微小なインダクタ導体を形成した場合には、上述したインダクタ９０が有するインダクタンスＬは小さくなり、これに対してインダクタ導体が有する抵抗Ｒ１およびインダクタ導体と半導体基板との間に生じる浮遊容量Ｃが相対的に大きくなる。また、半導体基板上にチャネルが形成される場合にはその抵抗Ｒ２も加わることになる。したがって、インダクタ導体に入力された信号（特に高周波信号）は、抵抗Ｒ１およびＲ２によって信号の周波数に関係なく減衰するとともに、その一部が信号の周波数に応じて容量Ｃ側に分岐してしまうため、インダクタ９０には残りのわずかしか信号が伝わらず、インダクタ９０の特性を充分引き出すことができない。あるいは、別の見方をすれば、インダクタ自体の性能はＬ／Ｒが大きいほど良いといえるが、上述した抵抗Ｒ１，Ｒ２が大きくインダクタンスＬが小さい場合にはこのＬ／Ｒの値が小さくなり、インダクタンスによる特性が充分現れないことになる。
【０００７】
　実際に、一般的なプロセスルールを用いてインダクタ導体を形成する場合には、その線幅が１μｍ前後になるためインダクタ導体が有する抵抗が大きくなってしまい、高周波領域で使用する場合であってもリアクタンスの殆どを抵抗成分が占めることになる。一方、抵抗成分を小さくしようとすると、インダクタ導体の断面積を大きくして、しかもインダクタ導体の全長を短くする必要があるが、断面積を大きくした場合にはインダクタ導体の占有面積が大きくなるためコスト高を招くとともに浮遊容量が大きくなり、全長を短くした場合にはそれに伴いインダクタンスも小さくなってしまう。
【０００８】
　本発明は、このような点に鑑みて創作されたものであり、その目的は、インダクタ導体が有する抵抗や浮遊容量を増やすことなくインダクタンスのみを増加させることができるインダクタ素子を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
　上述した課題を解決するために、請求項１のインダクタ素子は、
　半導体基板上にほぼ平面状に形成されたインダクタ導体と、
　前記インダクタ導体の少なくとも一部を覆うことにより磁路を形成する絶縁性の磁性体と、
　を備え、前記磁性体で前記インダクタ導体の少なくとも一部を覆うことにより前記インダクタ導体に大きなインダクタンスを持たせることを特徴とする。
【００１０】
　請求項２のインダクタ素子は、
　半導体基板上にほぼ平面状に形成されたインダクタ導体と、
　前記インダクタ導体の少なくとも一部を絶縁膜を介して覆うことにより磁路を形成する導電性の磁性体と、
　を備え、前記磁性体で前記インダクタ導体の少なくとも一部を覆うことにより前記インダクタ導体に大きなインダクタンスを持たせることを特徴とする。
【００１１】
　請求項３のインダクタ素子は、請求項１または２のインダクタ素子において、前記インダクタ導体は渦巻き形状に形成されており、各周回部分の合間に非磁性体材料を充填することを特徴とする。
【００１２】
　請求項４のインダクタ素子は、請求項１〜３のいずれかのインダクタ素子において、
　前記磁性体は、前記半導体基板の表面であって前記インダクタ導体との間に形成された第１の磁性体膜と、前記インダクタ導体の表面側であって前記第１の磁性体膜とほぼ対向して形成された第２の磁性体膜とにより構成されることを特徴とする。
【００１３】
　請求項５のインダクタ素子は、請求項１〜３のいずれかのインダクタ素子において、前記磁性体は、前記半導体基板の表面であって前記インダクタ導体との間に形成された第１の磁性体膜により構成されることを特徴とする。
【００１４】
　請求項６のインダクタ素子は、請求項１〜３のいずれかのインダクタ素子において、前記磁性体は、前記半導体基板上に形成された前記インダクタ導体のさらに表面側に形成された第２の磁性体膜により構成されることを特徴とする。
【００１５】
　請求項７のインダクタ素子は、請求項１〜６のいずれかのインダクタ素子において、前記磁性体によって前記インダクタ導体を覆う面積を変えることにより、異なるインダクタンスを持たせることを特徴とする。
【００１６】
　請求項８のインダクタ素子は、請求項１〜７のいずれかのインダクタ素子において、前記磁性体は、薄膜形成技術により形成することを特徴とする。
【００１７】
　［作用］
　請求項１または２の発明では、半導体基板上にインダクタ導体を形成するとともにさらにその少なくとも一部を絶縁性あるいは導電性の磁性体で覆っている。一般に、磁性体は非磁性体に比べて透磁率が大きく、しかも磁性体に覆われたインダクタ導体のインダクタンスはこの透磁率に比例するため、大きなインダクタンスを得ることができる。
【００１８】
　特に、磁性体によってインダクタ導体を覆う場合には、インダクタ導体が有する抵抗や浮遊容量をほとんど変えることなくインダクタンスのみを増加させることができる。
【００１９】
　また、請求項３の発明では、インダクタ導体を渦巻形状に形成するとともに、この渦巻形状の各周回部分の合間に非磁性体を充填しているため、各周回部分間に生じる漏れ磁束を最小限に抑えることができ、さらに大きなインダクタンスを得ることができる。
【００２０】
　また、請求項４の発明では、上述した絶縁性あるいは導電性の磁性体を第１および第２の磁性体膜により構成しており、これら第１および第２の磁性体膜によってインダクタ導体の両面の少なくとも一部を覆っており、半導体基板上に第１の磁性体膜、インダクタ導体、第２の磁性体膜の順に形成すればよいことから、製造工程の簡略化が可能となる。
【００２１】
　また、請求項５または６の発明では、請求項４の第１の磁性体膜あるいは第２の磁性体膜のみを用いて磁性体を構成しており、インダクタ導体の片側の面のみをいずれかの磁性体膜で覆った場合であっても、この磁性体膜の透磁率に応じてインダクタ導体が有するインダクタンスが増加する。また、この場合には、インダクタ導体を形成する前あるいは後に磁性体膜を形成する工程を１工程追加するだけでよいため、製造工程の簡略化が可能となる。
【００２２】
　また、請求項７の発明では、インダクタ導体を覆う磁性体の面積を変えることにより、同一のインダクタ導体を用いた場合であっても、異なるインダクタンスを持たせることが可能になり、大きさがほぼ同じでインダクタンスが異なる製品体系を形成しやすくなる。
【００２３】
　また、請求項８の発明では、上述した絶縁性あるいは導電性の磁性体を薄膜形成技術により形成している。したがって、ＩＣやＬＳＩ等の半導体基板上に超小型のインダクタ導体を形成するような場合であっても、容易に製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
　以下、本発明を適用した一実施例のインダクタ素子について、図面を参照しながら具体的に説明する。
【００２５】
　図１は、半導体基板上に形成された本実施例のインダクタ素子１００の概略を示す図である。
【００２６】
　図１に示すように、本実施例の半導体基板１０表面には、ほぼ平面状に渦巻形状のインダクタ導体１２が形成されており、さらにこのインダクタ導体１２が絶縁性の磁性体１４により覆われている。
【００２７】
　上述した半導体基板１０は、例えばｎ形シリコン基板（ｎ−Ｓｉ基板）やその他の半導体材料（例えばゲルマニウムやアモルファスシリコン等の非晶質材料）が用いられる。また、インダクタ導体１２は、アルミニウムや金等の金属薄膜あるいはポリシリコン等の半導体材料を渦巻き形状に形成している。
【００２８】
　なお、図１に示した半導体基板１０には、インダクタ導体１２以外にもトランジスタ，ダイオード等の能動素子や抵抗，コンデンサ等の受動素子が形成されており、インダクタ導体１２と他の各素子とが配線されてＩＣやＬＳＩ等が構成されているが、説明を簡単なものとするため、インダクタ導体１２のみに着目して図示してある。
【００２９】
　図２は、図１に示したインダクタ導体部分の断面を示す図である。
【００３０】
　図２において、インダクタ導体１２近傍に着目すると、半導体基板１０表面に絶縁性の磁性体膜１６ａを介してインダクタ導体１２が形成されており、さらにその表面に絶縁性の磁性体膜１６ｂが被覆形成されている。これら２つの磁性体膜１６ａ，１６ｂによって図１に示した磁性体１４が構成される。
【００３１】
　図３は、図２に示したインダクタ導体１２近傍の磁束の流れを示す図であり、インダクタ導体１２近傍の断面を拡大した図である。
【００３２】
　同図に示すように、両面に形成された磁性体膜１６ａ，１６ｂによってインダクタ導体１２が覆われており、これら２つの磁性体膜１６ａ，１６ｂによって磁路が形成される。したがって、インダクタ導体１２とほぼ垂直方向に発生した磁束は、これら２つの磁性体膜１６ａ，１６ｂの内部を通って再びインダクタ導体１２に戻ってくる。このため、空気等に比べて透磁率が大きな磁性体膜１６ａ，１６ｂによって磁路が形成されるため、インダクタ導体１２が有するインダクタンスがこの透磁率に比例して増加する。
【００３３】
　図４は、インダクタ導体の両側に磁性体膜を形成する製造工程を示す図であり、薄膜形成技術によってインダクタ導体の両面に磁性体膜を形成する場合が示されている。
【００３４】
　（１）まず、半導体基板１０を用意し（図４（Ａ））、その表面に絶縁性の磁性体膜２０を各種薄膜形成技術を利用して形成する（図４（Ｂ））。
【００３５】
　例えば、磁性体膜２０としては、ガンマ・フェライトやバリウム・フェライト等の各種磁性体膜を用いることができる。特に、磁気記憶媒体として一般的なガンマ・フェライトは、半導体基板１０の面方向と平行に微小磁石を並べたような磁化方向を有しており、図３に示したような磁路を形成する際に好都合となる。また、バリウム・フェライトを用いる場合には、塗布により磁性体膜を形成することができるため、製造が容易となる。
【００３６】
　なお、磁性体膜の材質や形成方法については各種のものが考えられ、例えばＦｅＯ等を真空蒸着して磁性体膜を形成する方法や、その他分子線エピタキシー法（ＭＢＥ法），化学気相成長法（ＣＶＤ法），スパッタ法等を用いて磁性体膜を形成する方法等が考えられる。
【００３７】
　（２）次に、このようにして半導体基板１０上に形成した磁性体膜２０の不必要な部分を除去して、インダクタ導体１２よりも一回り大きな下側の磁性体膜１６ａを形成し（図４（Ｃ））、さらにその表面にインダクタ導体１２と同じ材質の金属薄膜１３を形成する（図４（Ｄ））。
【００３８】
　（３）次に、この金属薄膜１３の不要な部分をフォトリソグラフィ等によって除去して、所定形状のインダクタ導体１２を形成する（図４（Ｅ））。インダクタ導体１２は、最も一般的な場合には渦巻き形状に形成されており、所定のインダクタンスを有する形状とする。
【００３９】
　なお、インダクタ導体１２は、一般には金属薄膜によって形成されるため上述した金属薄膜１３を用いたが、ポリシリコン等の半導体材料で形成するようにしてもよい。
【００４０】
　（４）次に、インダクタ導体１２の各周回部分の合間に絶縁性の非磁性体材料１７を充填する（図５（Ｆ））。このように、インダクタ導体１２の各周回部分の合間を絶縁性の非磁性体材料１７で覆って磁性体膜１６ａあるいはこれから形成する磁性体膜１６ｂを排除することにより、各周回部分間に生じる漏れ磁束を最小限に抑えることができるため、インダクタ導体１２が発生する磁束を有効に利用して大きなインダクタンスを得ることができる。
【００４１】
　（５）次に、インダクタ導体１２および露出した磁性体膜１６ａあるいは半導体基板１０の表面に絶縁性の磁性体膜２２を形成する（図５（Ｇ））。
【００４２】
　（６）最後に、インダクタ導体１２および磁性体膜１６ａを覆う部分を残して、磁性体膜２２を部分的に除去して、磁性体膜１６ａとほぼ同じ面積を有する磁性体膜１６ｂを形成する（図５（Ｈ））。
【００４３】
　なお、上述した磁性体膜２０，２２を部分的に除去する手法としては、半導体製造工程の一部として汎用されているエッチングによる方法やレーザ光照射による方法が考えられる。エッチングによる方法は、半導体製造工程に含ませることができるため、半導体製造工程によってインダクタ導体１２やその他の部品を含むＩＣやＬＳＩを製造する際に同時に磁性体膜２０，２２の部分的除去も行うことができ、製造工程の簡略化が可能となる利点がある。また、レーザ光照射による方法は、磁性体膜２０，２２の一部を正確な寸法精度で除去することができる利点がある。
【００４４】
　次に、磁性体１４の透磁率をどの程度に設定すればよいかを検討した結果を説明する。
【００４５】
　図６は、検討に使用したインダクタ導体１２の平面図である。また、図７は図６のＡ−Ａ線拡大断面図である。これらの図に示すように、検討に使用したインダクタ導体１２は二層メタルの製造プロセスを用いて形成する場合を考える。これは、一層メタルの場合にはインダクタ導体１２の中心部からの配線の引出しが困難であり、ジャンパ線や半導体基板１０内に形成したチャネルを利用しなければならないからである。
【００４６】
　上述した二層メタルとした場合には、製造プロセスにもよるが、図７に示すように第１層メタル３０の膜厚ｄの方が第２層メタル３２の膜厚ｂよりも薄くなる。したがって、図６に示すように、第２層メタル３２をインダクタ導体１２のスパイラル部分に使用し、第１層メタル３０をインダクタ導体１２の引出し部分に使用する。但し、第１層メタル３０の引出し部分以外は第２層メタル３２と多数のコンタクトホール３４（図６では一部を除いて省略してある）を介して接続されており、スパイラル部分の抵抗値をできるだけ少なくするようになっている。
【００４７】
　このような構造を有するインダクタ導体１２において、図７に示す各種寸法を例えばａ＝１．２μｍ、ｂ＝１．１５μｍ、Ｃ＝１．０μｍ、Ｄ＝０．６μｍ、Ｅ＝１．５μｍとして考える。
【００４８】
　ここで、インダクタ導体１２と半導体基板１０との間の浮遊容量を考える場合、第１層メタル３０と半導体基板１０の対向する部分間（図７において第１層メタルの一点鎖線を付した部分と半導体基板１０の表面との間）に生じる容量Ｃ１の他、第１層メタル３０および第２層メタル３２の各サイド部分と半導体基板１０との間（図７において第１層メタル３０および第２層メタル３２の２点鎖線を付した部分と半導体基板１０の表面との間）に生じる容量Ｃ２を考慮する必要がある。
【００４９】
　例えば、上述した各種寸法を適用した場合には、第１層メタル３０と半導体基板１０の対向する部分の単位面積あたりの容量は、約０．４×１０−４ｐＦ／μｍ２となる。一方、第１層メタル３０および第２層メタル３２の各サイド部分と半導体基板１０との間の単位長さあたり（インダクタ導体１２の長手方向の単位長さあたり）の容量Ｃ２は、約１．０×１０−４ｐＦ／μｍとなる。
【００５０】
　図８は、図６及び図７に示す構造を有するインダクタ導体１２を用いた場合において、所望のインダクタスンを得ようとすると他の素子定数がどのようになるかを示したものであり、浮遊容量については上述したＣ１とＣ２を別々に計算している。
【００５１】
　図８に示すように、例えばインダクタンスＬを２５０ｎＨにしようとした場合には、浮遊容量Ｃ１は約６００ｍｐＦ、浮遊容量Ｃ２は約１４００ｍｐＦ、抵抗Ｒは約１００Ωとなる。１ＧＨｚ程度の高周波信号を考えた場合には、浮遊容量や抵抗によるリアクタンスは、インダクタンスによるリアクタンスの数十倍程度であることがわかる。したがって、このインダクタ導体１２に信号を入力してもそのほとんどが浮遊容量に吸収されたり、抵抗によって減衰したりして、インダクタとしての機能を充分に果たすことができない。
【００５２】
　このため、浮遊容量や抵抗値そのものを小さくすることが望まれる。ところが、プロセスルールを変更したり、インダクタ導体１２と半導体基板１０との間に形成する酸化膜を他の材質に変更する等により、浮遊容量や抵抗値を５分の１程度に小さくすることは可能であるが、その程度の特性改善では本質的な解決策にはならず、しかも一般に汎用されているプロセス以外を使用することになるためコストの上昇は避けられない。
【００５３】
　これに対し、図１に示すように、インダクタ導体１２を磁性体１４で覆った場合には、上述した浮遊容量や抵抗値をほとんど変えることなく（正確には、磁性体１４を介在させることにより誘電率が変わるため浮遊容量も変化する）、磁性体１４の透磁率に比例してインダクタ導体１２が有するインダクタンスのみを上げることができる。したがって、比透磁率が数百程度の磁性体材料（例えば、フェライトの透磁率が数百程度）を用いることによりインダクタンスを数百倍に上げることができ、インダクタンスによるリアクタンスを浮遊容量や抵抗によるリアクタンスの十倍以上にすることが可能となり、インダクタ導体１２を歪が少ない実用的な素子として使用することができる。
【００５４】
　このように、本実施例のインダクタ素子１００は、インダクタ導体１２を磁性体１４で覆うことにより、インダクタ導体１２が有するインダクタンスをこの磁性体１４の透磁率に比例して数百倍（磁性体材料の透磁率によってはそれ以上）大きくすることが可能であり、インダクタ導体の抵抗や浮遊容量に隠れていたインダクタ本来の特性を引き出すことが可能となる。
【００５５】
　図９は、本実施例の変形例を示す図であり、図２および図３に対応する断面が示されている。
【００５６】
　図９（Ａ）では、半導体基板１０表面に直接インダクタ導体１２が形成されており、さらにその表面に絶縁性の磁性体膜１６ｂが被覆形成されている。したがって、図２に示した磁性体膜１６ａが省略されたものであり、インダクタ導体１２の表面側の片面のみに、磁性体膜１６ｂが形成されている。
【００５７】
　このような構造は、例えば図４および図５に示した工程を用いて製造することができ、その中で図４（Ａ），（Ｂ）に示した磁性体膜２０（磁性体膜１６ａ）を形成する工程を省略すればよい。
【００５８】
　図９（Ｂ）は、同図（Ａ）に示したインダクタ導体近傍の磁束の流れを示す図であり、一方のインダクタ導体１２近傍の断面を拡大したものである。同図（Ｂ）に示すように、インダクタ導体１２の表面側のみに形成された磁性体膜１６ｂが磁路となるため、この磁路に沿った磁束分布となり、インダクタ導体１２によって発生した磁束はこの磁路を含む近傍の領域を通ってインダクタ導体１２に戻ってくる。このように、磁路の一部にのみ磁性体膜１６ｂを形成した場合であっても、この磁性体膜１６ｂの透磁率に応じてインダクタ導体１２が有するインダクタンスを大きくすることができる。
【００５９】
　図１０は、本実施例の他の変形例を示す図であり、図９に示した場合とは反対に半導体基板１０とインダクタ導体１２との間に挟み込むように形成した磁性体膜１６ａのみを残して、図２に示した磁性体膜１６ｂを省略した場合が示されている。
【００６０】
　図１０（Ａ）に示すように、半導体基板１０表面に絶縁性の磁性体膜１６ａが形成されており、さらにその上にインダクタ導体１２が形成されている。このとき同図（Ｂ）に示すように、磁性体膜１６ａの一部を掘り下げて凹部を形成した後にインダクタ導体１２を形成するようにしてもよい。
【００６１】
　このような構造は、例えば図４および図５に示した工程を用いて製造することができ、その中で図５（Ｇ），（Ｈ）に示した磁性体膜２２（磁性体膜１６ｂ）を形成する工程のみを省略すればよい。また、磁性体膜１６ａの一部を掘り下げる場合には、図４（Ｂ）あるいは同図（Ｃ）に示した磁性体膜２０あるいは磁性体膜１６ａを形成した後インダクタ導体１２等に対応する部分のみエッチング等により若干掘り下げればよい。
【００６２】
　図１０（Ｃ）は、同図（Ｂ）に示したインダクタ導体近傍の磁束の流れを示す図であり、インダクタ導体１２近傍の断面を拡大したものである。
【００６３】
　同図（Ｃ）に示すように、半導体基板１０とインダクタ導体１２との間に形成された磁性体膜１６ａが磁路となるため、この磁路に沿った磁束分布となり、インダクタ導体１２によって発生した磁束はこの磁路を含む近傍の領域を通ってインダクタ導体１２に戻ってくる。このように、磁路の一部にのみ磁性体膜１６ａを形成した場合であっても、この磁性体膜１６ａの透磁率に応じてインダクタ導体１２が有するインダクタンスを大きくすることができる。
【００６４】
　図１１は、本実施例の他の変形例を示す図である。同図に示すインダクタ素子は、インダクタ導体１２を覆う磁性体１４の面積を変えており、同図（Ａ）には磁性体１４の面積を１／２にしたインダクタ素子が、同図（Ｂ）には磁性体１４の面積を１／４にしたインダクタ素子が、同図（Ｃ）には磁性体１４の面積を３／４より若干小さくしたインダクタ素子がそれぞれ示されている。このように、インダクタ導体１２を覆う磁性体１４の面積を変えることにより、インダクタ導体１２が有するインダクタンスもその面積に応じて変化する。
【００６５】
　したがって、インダクタンスが異なる数種類のインダクタ素子を製造する場合には、図１１に示すようにインダクタ導体１２は同じものを使用し、磁性体１４の面積のみを変えるだけでよく、インダクタンスが異なる製品体系が形成しやすいという利点がある。
【００６６】
　なお、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、本発明の要旨の範囲内で種々の変形実施が可能である。
【００６７】
　例えば、上述した実施例においては、インダクタ導体１２の形状は渦巻き形状としたが、高周波信号を使用する場合等においては必ずしも渦巻き形状に限定する必要はなく、蛇行形状や曲線形状あるいはほぼ直線形状でもよく、磁性体１４で覆った後に所望のインダクタンスを得られればよい。
【００６８】
　また、上述した実施例では、磁性体膜１６ａ，１６ｂとして絶縁性材料を用いたが、メタル粉（ＭＰ）のような導電性材料を用いるようにしてもよい。但し、このような導電性の磁性体膜を上述した絶縁性の磁性体膜１６ａ等に置き換えて使用すると、インダクタ導体１２の各周回部分が短絡されてインダクタ導体として機能しなくなるため、インダクタ導体と導電性の磁性体膜との間を電気的に絶縁する必要がある。この絶縁方法としては、インダクタ導体１２を酸化して絶縁酸化膜を形成する方法や、化学気相法等によりシリコン酸化膜あるいは窒化膜を形成する方法等がある。このような各種の方法により絶縁膜を形成するには、例えば図４および図５を用いて説明した製造工程において、絶縁性磁性体膜を導電性磁性体膜に置き換えるとともに、磁性体膜を形成する工程とインダクタ導体を形成する工程との間に絶縁膜を製造する工程を挿入すればよい。
【００６９】
　特に、メタル粉等の導電性材料は、ガンマ−フェライト等の絶縁性材料に比べると透磁率が大きいため、大きなインダクタンスを確保することができる利点がある。
【００７０】
　また、上述した実施例では、インダクタ導体１２を半導体基板１０の表面に形成する場合を例にとり説明したが、各インダクタ導体１２等は半導体基板１０の一部をエッチング等により掘り下げて埋没させるようにしてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００７１】
【図１】本実施例のインダクタ素子の概略構造を示す図である。
【図２】図１に示したインダクタ導体部分の断面を示す図である。
【図３】図２に示したインダクタ導体近傍の磁束の流れを示す図である。
【図４】インダクタ導体の両側に磁性体膜を形成する製造工程を示す図である。
【図５】インダクタ導体の両側に磁性体膜を形成する製造工程を示す図である。
【図６】浮遊容量や抵抗値とインダクタンスとの比較検討に使用したインダクタ導体の平面図である。
【図７】図６のＡ−Ａ線拡大断面図である。
【図８】浮遊容量や抵抗値とインダクタンスとの比較結果を示す図である。
【図９】本実施例の変形例を示す図である
【図１０】本実施例の他の変形例を示す図である。
【図１１】本実施例の他の変形例を示す図である。
【図１２】集積化により半導体基板上に形成したインダクタの等価回路を示す図である。
【符号の説明】
【００７２】
　１０　半導体基板
　１２　インダクタ導体
　１４　磁性体
　１６ａ，１６ｂ　磁性体膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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