(57)【要約】【課題】光学素子において、それぞれ同一方向に進行する２つのレーザ光の進行経路の離反間隔を狭くする。【解決手段】光学素子１は、第１レーザ光Ｌ１を中央方向に反射する第１反射面２ａと第２レーザ光Ｌ２を中央方向に反射する第２反射面２ｂとを有する溝反射部２と、第１反射面２ａと第２反射面２ｂとの間に位置して、第１反射面２ａで反射された第１レーザ光Ｌ１を溝方向に反射する第３反射面３ａと第２反射面２ｂで反射された第２レーザ光Ｌ２を第３反射面３ａで反射された第１レーザ光Ｌ１が進行する方向と同一方向に反射する第４反射面３ｂとを有する反射部３と、を備える。これにより、それぞれ同一方向に進行する２つのレーザ光Ｌ１，Ｌ２の進行経路の離反間隔（ｄ＜Ｄ）を狭くすることができる。【選択図】　　　　図１
2004031437.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に溝状に形成され、第１レーザ光を中央方向に反射する第１反射面と第２レーザ光を中央方向に反射する第２反射面とを有する溝反射部と、
前記第１反射面と前記第２反射面との間に位置して、前記第１反射面で反射された第１レーザ光を溝方向に反射する第３反射面と前記第２反射面で反射された第２レーザ光を前記第３反射面で反射された第１レーザ光が進行する方向と同一方向に反射する第４反射面とを有する反射部と、
を備える光学素子。
【請求項２】
前記溝反射部は、前記第１反射面と前記第２反射面との間に前記反射部を位置付けるための嵌合穴を有し、
前記反射部は、前記第３反射面と前記第４反射面とを外周面として角柱状に形成され、前記嵌合穴に嵌合して設けられている請求項１記載の光学素子。
【請求項３】
前記嵌合穴は、嵌合して設けられた前記反射部の少なくとも一つの角と内側面との間に空間が設けられるように形成されている請求項２記載の光学素子。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれか一記載の光学素子と、
第１レーザ光を出射するための出射面を有し、この出射面を前記光学素子の溝反射部に対向させて設けられ、第１レーザ光を出射する第１半導体レーザ素子と、
第２レーザ光を出射するための出射面を有し、この出射面を前記第１半導体レーザ素子の出射面と同一方向に向け前記光学素子の溝反射部に対向させて設けられ、第２レーザ光を出射する第２半導体レーザ素子と、
を備える半導体レーザ装置。
【請求項５】
第１レーザ光及び第２レーザ光を出射する請求項４記載の半導体レーザ装置と、
前記半導体レーザ装置から出射された第１レーザ光及び第２レーザ光を前記光記録媒体の記録面に導く光学系と、
前記光学系により前記光記録媒体の記録面に導かれて反射された第１レーザ光及び第２レーザ光がそれぞれ進行する進行経路を曲げる経路変更部と、
前記経路変更部により進行経路が曲げられた第１レーザ光及び第２レーザ光を検出する光検出部と、
を備える光ピックアップ。
【請求項６】
前記半導体レーザ装置と前記光検出部とは同一平面上に設けられている請求項５記載の光ピックアップ。
【請求項７】
前記半導体レーザ装置は前記光検出部に設けられている請求項５記載の光ピックアップ。
【請求項８】
光記録媒体を回転させる回転駆動機構と、
前記光記録媒体の記録面に対し第１レーザ光及び第２レーザ光を出射し、前記光記録媒体の記録面に反射された第１レーザ光及び第２レーザ光を受光する請求項５ないし７のいずれか一記載の光ピックアップと、
前記光記録媒体の種類に応じて前記光ピックアップに第１レーザ光と第２レーザ光とを択一的に選択出射させる選択出射手段と、
を備える光ディスク装置。
【請求項９】
光学素子を形成するための素子基板の表面に、この表面に対し４５°で傾斜してレーザ光を反射する反射面を有する第１溝部を形成する第１溝部形成工程と、
それぞれ垂直に位置してレーザ光を反射する２つの反射面を有する反射部材を２つの前記反射面が前記素子基板の表面に対し４５°で傾斜するように位置付ける第２溝部を前記素子基板の表面に前記第１溝部に直交させて形成する第２溝部形成工程と、
前記第２溝部が形成された２枚の前記素子基板を、互いの前記第２溝部が２つの反射面が前記第１溝部の溝方向に向けられた前記反射部材を挟んで互いの前記第１溝部の反射面が垂直に位置するように貼り合せる貼り合せ工程と、
前記反射部材を挟み込んで貼り合せられた２枚の前記素子基板を、垂直に位置する２つの前記第１溝部の反射面からなる溝反射部に対向する位置から出射されたレーザ光が前記溝反射部に入射するように切断する切断工程と、
を備える光学素子の製造方法。
【請求項１０】
前記素子基板は、表面が９°オフアングルの（１００）面である第１シリコン基板であり、
前記第１溝部形成工程は、前記第１シリコン基板の表面を異方性エッチングすることで現れた（１１１）面を反射面として前記第１溝部を形成する請求項９記載の光学素子の製造方法。
【請求項１１】
表面が（１１０）面である第２シリコン基板を用いて、その表面を一方の反射面として、前記第２シリコン基板の表面を異方性エッチングすることで前記第２シリコン基板の表面に垂直に現れた（１１１）面を他方の反射面として前記反射部材を形成する反射部材形成工程を備える請求項９又は１０記載の光学素子の製造方法。
【請求項１２】
前記第２溝部は断面Ｖ字形状の溝である請求項９、１０又は１１記載の光学素子の製造方法。
【請求項１３】
断面Ｖ字形状の前記第２溝部を形成する前記第２溝部形成工程は、Ｖ字型ブレードで前記素子基板の表面を削ることによって前記第２溝部を形成する請求項１２記載の光学素子の製造方法。
【請求項１４】
前記第２溝部は断面Ｙ字形状の溝である請求項９、１０又は１１記載の光学素子の製造方法。
【請求項１５】
断面Ｙ字形状の前記第２溝部を形成する前記第２溝部形成工程は、Ｖ字型ブレードで前記素子基板の表面を削ることにより断面Ｖ字形状の溝を形成し、この溝の中央を前記Ｖ字型ブレードのブレード幅より狭いブレード幅の矩形型ブレードで削ることにより断面矩形型の溝を形成することによって前記第２溝部を形成する請求項１４記載の光学素子の製造方法。
【請求項１６】
前記第２溝部は断面Ｔ字形状の溝である請求項９、１０又は１１記載の光学素子の製造方法。
【請求項１７】
断面Ｔ字形状の前記第２溝部を形成する前記第２溝部形成工程は、第１矩形型ブレードで前記素子基板の表面を削ることにより断面矩形状の溝を形成し、この溝の中央を前記第１矩形型ブレードのブレード幅より狭いブレード幅の第２矩形型ブレードで削ることにより断面矩形状の溝を形成することによって前記第２溝部を形成する請求項１６記載の光学素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光学素子、半導体レーザ装置、光ピックアップ、光ディスク装置及び光学素子の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年では、大記録容量を有する光記録媒体としてＤＶＤ（Ｄｉｇｉｔａｌ　Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ　Ｄｉｓｃ）が開発され様々な分野に普及している。このＤＶＤに記録されている情報は光ディスクドライブによって再生される。このようにＤＶＤを再生できる光ディスクドライブは、一般的にＣＤ（Ｃｏｍｐａｃｔ　Ｄｉｓｃ）に記録されている情報も再生することができる。これは、光ディスクドライブに、ＤＶＤ再生用に波長６３５ｎｍ又は６５０ｎｍのレーザ光を出射する赤色半導体レーザ素子とＣＤ再生用に波長７８０ｎｍのレーザ光を出射する近赤外半導体レーザ素子とが搭載されているためである。
【０００３】
一方、このような光ディスクドライブを小型化するためには、２種類の半導体レーザ素子を１つのパッケージに組み込んだ半導体レーザ装置やこの半導体レーザ装置と光検出器であるホトダイオードとを１つのパッケージに集積した光ピックアップ等が必要となる。
【０００４】
さらに、光ピックアップを小型化するためには、光ピックアップが備える光学系を２種類の半導体レーザ素子が共用できるように２種類の半導体レーザ素子から出射されたレーザ光が進行するそれぞれの進行経路の離反間隔を狭くする必要がある。この離反間隔としては、１００μｍ以下が望まれる。なお、光学系は、レーザ光を光ディスクの記録面に導くための光学部品の集合体であり、光ディスクの記録面にレーザ光を集光する対物レンズや発散光を平行光にするコリメータレンズ等を有している。
【０００５】
ここで、２つのレーザ光が進行するそれぞれの進行経路の離反間隔を狭くする方法が特開平１１−３９６８４号公報に開示されている。図１０は従来の半導体レーザ装置１００に設けられた光学素子１０１の一例を示す側面図である。図１０に示すように、光学素子１０１の表面には、表面に対して４５°の傾斜面である反射面１０１ａ，１０１ｂからなる断面三角形の反射部１０１ｃが形成されており、２つの反射面１０１ａ，１０１ｂに対向する位置に２つの半導体レーザ素子１０２ａ，１０２ｂがそれぞれ設けられている。
【０００６】
このような構成において、２つの半導体レーザ素子１０２ａ，１０２ｂからそれぞれレーザ光Ｌ１００，Ｌ１０１が出射されると、それぞれのレーザ光Ｌ１００，Ｌ１０１は互いに近づいてから反射部１０１ｃの反射面１０１ａ，１０１ｂによって光学素子１０１の表面に対して垂直な同一方向に反射される。これにより、２つのレーザ光Ｌ１００，Ｌ１０１が進行する進行経路の離反間隔を狭く、例えば１００μｍ以下にすることができる。
【０００７】
なお、光学素子１０１はシリコン基板を異方性エッチングすることで形成されている。すなわち、表面が（１００）面であるシリコン基板の表面を異方性エッチングすることで現れた（１１１）面を反射面１０１ａ，１０１ｂとして、反射部１０１ｃは形成されている。このとき、反射面１０１ａ，１０１ｂは、エッチング速度が極めて遅い特殊なエッチング溶液を使用することで、シリコン基板の表面に対し４５°で傾斜する傾斜面として形成される。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、特開平１１−３９６８４号公報のように、２つの半導体レーザ素子１０２ａ，１０２ｂを互いに対向する位置に設置すると、２つの半導体レーザ素子１０２ａ，１０２ｂを並列に設置した場合に比べて、設置領域が一方向に広がってしまうので、高集積化が難しくなり、装置が大型化してしまうという問題がある。
【０００９】
また、特開平１１−３９６８４号公報のように、エッチング速度を調整するだけで、２つの反射面１０１ａ，１０１ｂをシリコン基板の表面に対し４５°に形成することは困難である。また、そのような製造方法では、表面に反射部１０１ｃを有する光学素子１０１を大量に製造することが難しい。
【００１０】
本発明の目的は、それぞれ同一方向に進行する２つのレーザ光の進行経路の離反間隔を狭くすることができ、さらに、装置の大型化を防止することができる光学素子及び半導体レーザ装置を提供することである。
【００１１】
本発明の目的は、光ディスクの記録面にレーザ光を導く光学系を２つの半導体レーザ素子が共用することができ、さらに、装置の大型化を防止することができる光ピックアップ及び光ディスク装置を提供することである。
【００１２】
本発明の目的は、それぞれ同一方向に進行する２つのレーザ光の進行経路の離反間隔を狭くすることができ、さらに、装置の大型化を防止することができる光学素子を簡単に大量に製造できる光学素子の製造方法を提供することである。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
請求項１記載の光学素子の発明は、表面に溝状に形成され、第１レーザ光を中央方向に反射する第１反射面と第２レーザ光を中央方向に反射する第２反射面とを有する溝反射部と、前記第１反射面と前記第２反射面との間に位置して、前記第１反射面で反射された第１レーザ光を溝方向に反射する第３反射面と前記第２反射面で反射された第２レーザ光を前記第３反射面で反射された第１レーザ光が進行する方向と同一方向に反射する第４反射面とを有する反射部と、を備える。
【００１４】
したがって、それぞれ同一方向に進行する第１レーザ光及び第２レーザ光が溝反射部に入射すると、第１レーザ光及び第２レーザ光の進行方向は溝反射部によって溝反射部の中央方向に曲げられ、反射部によって溝方向であって同一方向に曲げられることで、第１レーザ光及び第２レーザ光の進行経路の離反間隔は入射前に比べて狭くなり、さらに、光学素子の溝反射部に対向する位置に２つの半導体レーザ素子を並列に設けることが可能になる。
【００１５】
請求項２記載の発明は、請求項１記載の光学素子において、前記溝反射部は、前記第１反射面と前記第２反射面との間に前記反射部を位置付けるための嵌合穴を有し、前記反射部は、前記第３反射面と前記第４反射面とを外周面として角柱状に形成され、前記嵌合穴に嵌合して設けられている。
【００１６】
したがって、溝反射部に嵌合穴を設け、この嵌合穴に反射部を嵌合させて設けることによって、反射部は本体に一体化して確実に第１反射面と第２反射面との間に位置付けられる。
【００１７】
請求項３記載の発明は、請求項２記載の光学素子において、前記嵌合穴は、嵌合して設けられた前記反射部の少なくとも一つの角と内側面との間に空間が設けられるように形成されている。
【００１８】
したがって、嵌合穴の内側面と反射部の少なくとも一つの角との間に空間を設けるように嵌合穴を形成することによって、嵌合穴の内側面と反射部の少なくとも一つの角とが接しなくなり、反射部を嵌合穴に固着するときに接着剤を使用する場合に余分な接着剤がその空間に流れ込む。
【００１９】
請求項４記載の半導体レーザ装置の発明は、請求項１ないし３のいずれか一記載の光学素子と、第１レーザ光を出射するための出射面を有し、この出射面を前記光学素子の溝反射部に対向させて設けられ、第１レーザ光を出射する第１半導体レーザ素子と、第２レーザ光を出射するための出射面を有し、この出射面を前記第１半導体レーザ素子の出射面と同一方向に向け前記光学素子の溝反射部に対向させて設けられ、第２レーザ光を出射する第２半導体レーザ素子と、を備える。
【００２０】
したがって、それぞれ同一方向に進行する第１レーザ光及び第２レーザ光が溝反射部に入射すると、第１レーザ光及び第２レーザ光の進行方向は溝反射部によって溝反射部の中央方向に曲げられ、反射部によって溝方向であって同一方向に曲げられることで、第１レーザ光及び第２レーザ光の進行経路の離反間隔は入射前に比べて狭くなり、さらに、このような半導体レーザ装置を光ピックアップ等に搭載すると、半導体レーザ装置と同一平面内に光検出器、例えばホトダイオードを設けることが可能になる。
【００２１】
請求項５記載の光ピックアップの発明は、第１レーザ光及び第２レーザ光を出射する請求項４記載の半導体レーザ装置と、前記半導体レーザ装置から出射された第１レーザ光及び第２レーザ光を前記光記録媒体の記録面に導く光学系と、前記光学系により前記光記録媒体の記録面に導かれて反射された第１レーザ光及び第２レーザ光がそれぞれ進行する進行経路を曲げる経路変更部と、前記経路変更部で進行経路が曲げられた第１レーザ光及び第２レーザ光を検出する光検出部と、を備える。
【００２２】
したがって、それぞれ同一方向に進行する第１レーザ光及び第２レーザ光のそれぞれの進行経路の離反間隔が十分に狭い、例えば１００μｍ以下の半導体レーザ装置を搭載することによって、光記録媒体の記録面にレーザ光を導く光学系を共用することが可能になる。
【００２３】
請求項６記載の発明は、請求項５記載の光ピックアップにおいて、前記半導体レーザ装置と前記光検出部とは同一平面上に設けられている。
【００２４】
したがって、半導体レーザ装置と光検出部とを同一平面上に設けることによって、高集積化が実現される。
【００２５】
請求項７記載の発明は、請求項５記載の光ピックアップにおいて、前記半導体レーザ装置は前記光検出部に設けられている。
【００２６】
したがって、半導体レーザ装置を光検出部に設けることによって、高集積化が実現される。
【００２７】
請求項８記載の光ディスク装置の発明は、光記録媒体を回転させる回転駆動機構と、前記光記録媒体の記録面に対し第１レーザ光及び第２レーザ光を出射し、前記光記録媒体の記録面に反射された第１レーザ光及び第２レーザ光を受光する請求項５ないし７のいずれか一記載の光ピックアップと、前記光記録媒体の種類に応じて前記光ピックアップに第１レーザ光と第２レーザ光とを択一的に選択出射させる選択出射手段と、を備える。
【００２８】
したがって、光ディスク装置に小型の光ピックアップを搭載することによって、光ディスク装置は小型化される。
【００２９】
請求項９記載の光学素子の製造方法の発明は、光学素子を形成するための素子基板の表面に、この表面に対し４５°で傾斜してレーザ光を反射する反射面を有する第１溝部を形成する第１溝部形成工程と、それぞれ垂直に位置してレーザ光を反射する２つの反射面を有する反射部材を２つの前記反射面が前記素子基板の表面に対し４５°で傾斜するように位置付ける第２溝部を前記素子基板の表面に前記第１溝部に直交させて形成する第２溝部形成工程と、前記第２溝部が形成された２枚の前記素子基板を、互いの前記第２溝部が２つの反射面が前記第１溝部の溝方向に向けられた前記反射部材を挟んで互いの前記第１溝部の反射面が垂直に位置するように貼り合せる貼り合せ工程と、前記反射部材を挟み込んで貼り合せられた２枚の前記素子基板を、垂直に位置する２つの前記第１溝部の反射面からなる溝反射部に対向する位置から出射されたレーザ光が前記溝反射部に入射するように切断する切断工程と、を備える。
【００３０】
したがって、第２溝部が形成された２枚の素子基板を互いの第２溝部が反射部材を挟んで互いの第１溝部の反射面が垂直に位置するように貼り合せることによって、垂直に位置した２つの第１溝部の反射面からなる溝反射部が形成され、反射部材が確実に固定されて、さらに、貼り合わされた２枚の素子基板を切断することによって複数個の光学素子が切り出される。
【００３１】
請求項１０記載の発明は、請求項９記載の光学素子の製造方法において、前記素子基板は、表面が９°オフアングルの（１００）面である第１シリコン基板であり、前記第１溝部形成工程は、前記第１シリコン基板の表面を異方性エッチングすることで現れた（１１１）面を反射面として前記第１溝部を形成する。
【００３２】
したがって、素子基板である第１シリコン基板の表面を異方性エッチングすることで現れた（１１１）面を第１溝部の反射面とすることによって、反射面は、第１シリコン基板の表面に対し正確に４５°で傾斜する鏡面となる。
【００３３】
請求項１１記載の発明は、請求項９又は１０記載の光学素子の製造方法において、表面が（１１０）面である第２シリコン基板を用いて、その表面を一方の反射面として、前記第２シリコン基板の表面を異方性エッチングすることで前記第２シリコン基板の表面に垂直に現れた（１１１）面を他方の反射面として前記反射部材を形成する反射部材形成工程を備える。
【００３４】
したがって、第２シリコン基板の表面を一方の反射面として、第２シリコン基板の表面を異方性エッチングすることで第２シリコン基板の表面に垂直に現れた（１１１）面を他方の反射面として、反射部材を形成することによって、２つの反射面は互いに正確に垂直になる。
【００３５】
請求項１２記載の発明は、請求項９、１０又は１１記載の光学素子の製造方法において、前記第２溝部は断面Ｖ字形状の溝である。
【００３６】
したがって、第２溝部を断面Ｖ字形状の溝とすることによって、反射部は簡単に正確な位置に位置付けられる。
【００３７】
請求項１３記載の発明は、請求項１２記載の光学素子の製造方法において、断面Ｖ字形状の前記第２溝部を形成する前記第２溝部形成工程は、Ｖ字型ブレードで前記素子基板の表面を削ることによって前記第２溝部を形成する。
【００３８】
したがって、第２溝部を形成するためにブレードを使用することによって、第２溝部を形成するためにマスクを必要とするエッチング工程を行う場合に比べ工程数も少なくなり、簡単に第２溝部を形成することが可能になる。
【００３９】
請求項１４記載の発明は、請求項９、１０又は１１記載の光学素子の製造方法において、前記第２溝部は断面Ｙ字形状の溝である。
【００４０】
したがって、第２溝部を断面Ｙ字形状の溝とすることによって、第２溝部の底に反射部の角が接しない空間が形成され、反射部を溝部に固着するときに余分な接着剤がその空間に流れ込む。
【００４１】
請求項１５記載の発明は、請求項１４記載の光学素子の製造方法において、断面Ｙ字形状の前記第２溝部を形成する前記第２溝部形成工程は、Ｖ字型ブレードで前記素子基板の表面を削ることにより断面Ｖ字形状の溝を形成し、この溝の中央を前記Ｖ字型ブレードのブレード幅より狭いブレード幅の矩形型ブレードで削ることにより断面矩形型の溝を形成することによって前記第２溝部を形成する。
【００４２】
したがって、第２溝部を形成するためにブレードを使用することによって、第２溝部を形成するためにマスクを必要とするエッチング工程を行う場合に比べ工程数も少なくなり、簡単に第２溝部を形成することが可能になる。
【００４３】
請求項１６記載の発明は、請求項９、１０又は１１記載の光学素子の製造方法において、前記第２溝部は断面Ｔ字形状の溝である。
【００４４】
したがって、第２溝部を断面Ｔ字形状の溝とすることによって、第２溝部の底に反射部の角が接しない空間が形成され、反射部を溝部に固着するときに余分な接着剤がその空間に流れ込む。
【００４５】
請求項１７記載の発明は、請求項１６記載の光学素子の製造方法において、断面Ｔ字形状の前記第２溝部を形成する前記第２溝部形成工程は、第１矩形型ブレードで前記素子基板の表面を削ることにより断面矩形状の溝を形成し、この溝の中央を前記第１矩形型ブレードのブレード幅より狭いブレード幅の第２矩形型ブレードで削ることにより断面矩形状の溝を形成することによって前記第２溝部を形成する。
【００４６】
したがって、第２溝部を形成するためにブレードを使用することによって、第２溝部を形成するためにマスクを必要とするエッチング工程を行う場合に比べ工程数も少なくなり、簡単に第２溝部を形成することが可能になる。
【００４７】
【発明の実施の形態】
本発明の第一の実施の形態を図１ないし図３に基づいて説明する。本実施の形態は、例えば半導体レーザ装置や光ピックアップ等に搭載される光学素子１の一例である。
【００４８】
ここで、図１は本実施の形態の光学素子１を示し、（ａ）は外観斜視図、（ｂ）は正面図である。なお、第１レーザ光Ｌ１及び第２レーザ光Ｌ２が入射する面を正面とする（以下の実施の形態でも同様とする）。
【００４９】
図１に示すように、光学素子１は、正面に位置する表面に溝状に形成された溝反射部２とこの溝反射部２内に位置付けられた反射部３とを備えている。
【００５０】
溝反射部２は、断面をＶ字形状に形成され、第１レーザ光Ｌ１を中央方向に反射する第１反射面２ａと第２レーザ光Ｌ２を中央方向に反射する第２反射面２ｂとを内側面として有している。ここで、第１レーザ光Ｌ１と第２レーザ光Ｌ２とは互いに波長が異なるレーザ光であり、第１反射面２ａと第２反射面２ｂとは互いに垂直な面である。なお、溝反射部は、断面をＶ字形状にして形成されているが、これに限るものではなく、例えば、断面を台形状にして形成されても良い。
【００５１】
反射部３は、断面を正方形に形成された角柱であり、第１反射面２ａと第２反射面２ｂとの間に位置して、第１反射面２ａで反射された第１レーザ光Ｌ１を溝反射部２の溝方向に反射する第３反射面３ａと第２反射面２ｂで反射された第２レーザ光Ｌ２を第３反射面３ａで反射された第１レーザ光が進行する方向と同一方向に反射する第４反射面３ｂとを外周面として有する。ここで、第３反射面３ａと第４反射面３ｂとは互いに垂直な面である。なお、反射部３は、断面正方形の角柱に限るものではなく、例えば、断面三角形の角柱でも良い。
【００５２】
ここで、溝反射部２は、第１反射面２ａと第２反射面２ｂとの間に反射部３を位置付けるための嵌合穴４を有しており、反射部３は嵌合穴４に嵌合して設けられ第１反射面２ａと第２反射面２ｂとの間に位置付けられている。
【００５３】
第１ないし第４の全ての反射面２ａ，２ｂ，３ａ，３ｂには、アルミ、銀、誘電体多層膜等による反射膜が形成されている。
【００５４】
このような構成において、それぞれ同一方向に進行する第１レーザ光Ｌ１及び第２レーザ光Ｌ２が光学素子１にそれぞれ入射した場合について説明する。このとき、第１レーザ光Ｌ１を出射する第１半導体レーザ素子と第２レーザ光Ｌ２を出射する第２半導体レーザ素子とは、レーザ光Ｌ１，Ｌ２を出射するための出射面をそれぞれ同一方向に向けて設けられ、第１レーザ光Ｌ１が溝反射部２の第１反射面２ａに入射角４５°で入射し、第２レーザ光Ｌ２が溝反射部２の第２反射面２ｂに入射角４５°で入射する位置に位置付けられている。
【００５５】
第１レーザ光Ｌ１が溝反射部２の第１反射面２ａに入射角４５°で入射すると、第１レーザ光Ｌ１は第１反射面２ａで反射され、その進行方向は溝反射部２の中央方向に９０°曲げられる。そして、この第１レーザ光Ｌ１は反射部３の第３反射面３ａで反射され、その進行方向は溝反射部２の溝方向に９０°曲げられる。同様に、第２レーザ光Ｌ２が溝反射部２の第２反射面２ｂに入射角４５°で入射すると、第２レーザ光Ｌ２は第２反射面２ｂで反射され、その進行方向は溝反射部２の中央方向に９０°曲げられる。そして、この第２レーザ光Ｌ２が反射部３の第４反射面３ｂで反射され、その進行方向は、反射部３の第３反射面３ａにより反射された第１レーザ光Ｌ１が進行する方向と同じ方向に９０°曲げられる。
【００５６】
これにより、それぞれ同一方向に進行する２つのレーザ光Ｌ１，Ｌ２の進行経路の離反間隔（ｄ＜Ｄ）を狭くすることができる。さらに、光学素子１の溝反射部２に対向する位置に２つの半導体レーザ素子を並列に設けることが可能になるので、装置の大型化を防止することができる。
【００５７】
本実施の形態の光学素子１を製造する製造方法を図２及び図３に基づいて説明する。ここで、図２は本実施の形態の光学素子１を形成する形成工程を示す外観斜視図、図３は本実施の形態の光学素子１を形成する形成工程を示す側面図である。
【００５８】
図２（ａ）に示すように、光学素子１を形成するための素子基板として表面１０ａが９°オフアングルの（１００）面である第１シリコン基板１０の表面１０ａに、この表面に対し４５°で傾斜してレーザ光Ｌ１，Ｌ２を反射する反射面を有する溝としての第１溝部１１を形成する。これが、第１溝部形成工程である。
【００５９】
詳述すると、第１シリコン基板１０の表面１０ａを異方性エッチングすることで、第１シリコン基板１０の表面１０ａに対し４５°で傾斜する（１１１）面１２が現れる。このとき、第１シリコン基板１０の表面１０ａには、（１１１）面１２を有して断面台形状の第１溝部１１が形成される。この（１１１）面１２が第１反射面２ａ又は第２反射面２ｂとして使用される。
【００６０】
ここで、異方性エッチングするときには、第１シリコン基板１０の表面１０ａを一定間隔でマスクするマスク工程を行うことで、第１シリコン基板１０の表面１０ａにエッチングされない領域を形成する。また、エッチング溶液としては、ＫＯＨ（水酸化カリウム）やＴＭＡＨ（ハイドロオキサイド）等が使用される。
【００６１】
なお、第１反射面２ａ又は第２反射面２ｂとして使用される（１１１）面１２には、反射膜が蒸着法等により形成されるが、これに限るものではない。この反射膜を形成する材料としては、レーザ光Ｌ１，Ｌ２の波長に合わせて反射面の反射率を高くする材料が使用される。
【００６２】
図２（ｂ）に示すように、それぞれ垂直に位置してレーザ光Ｌ１，Ｌ２を反射する２つの反射面を有する断面正方形の反射部材１３を２つの反射面が第１シリコン基板１０の表面１０ａに対し４５°で傾斜するように位置付ける溝としての第２溝部１４を第１シリコン基板１０の表面１０ａに第１溝部１１に直交させて形成する。これが、第２溝部形成工程である。なお、反射部材１３が反射部３となる。
【００６３】
第２溝部１４は、第１シリコン基板１０の表面１０ａに対し４５°で傾斜する２つの傾斜面を内側面として有する断面Ｖ字形状の溝である。このＶ字形状の第２溝部１４は、Ｖ字型ダイヤモンドブレードで第１シリコン基板１０の表面１０ａを削ることによって形成されている。
【００６４】
図３（ａ）に示すように、第２溝部１４が形成された２枚の第１シリコン基板１０を、互いの第２溝部１４が反射部材１３を挟んで互いの第１溝部１１の反射面、すなわち（１１１）面１２が垂直に位置するように接着剤等により貼り合せる。これが、貼り合せ工程である。このとき、反射部材１３は２つの反射面が第１溝部１１の溝方向に向けられている。
【００６５】
最後に、図３（ｂ）に示すように、反射部材１３を挟み込んで貼り合せられた２枚の第１シリコン基板１０を２つの第１溝部１１の反射面、すなわち（１１１）面１２からなる溝反射部２に対向する位置から出射されたレーザ光Ｌ１，Ｌ２が溝反射部２に入射するように切断する。これが、切断工程である。すなわち、図３（ｂ）において破線からダイシングして光学素子１を切り出す。これにより、図３（ｃ）に示すように、複数個の光学素子１が製造される。
【００６６】
したがって、第１溝部１１と第２溝部１４とが形成された２枚の第１シリコン基板１０を、互いの第２溝部１４が反射部材１３を挟んで互いの第１溝部１１の反射面が垂直に位置するように貼り合せることによって、垂直に位置した２つの第１溝部１１の反射面、すなわち（１１１）面１２からなる溝反射部２が形成され、反射部材１３が確実に固定されて、さらに、貼り合わされた２枚の第１シリコン基板１０を切断することによって複数個の光学素子１が切り出されるので、それぞれ同一方向に進行する２つのレーザ光Ｌ１，Ｌ２の進行経路の離反間隔を狭くすることができ、さらに、装置の大型化を防止することができる光学素子１を簡単に大量に製造することができる。
【００６７】
また、第２溝部１４を形成するためにブレードを使用することによって、第２溝部１４を形成するためにマスクを必要とするエッチング工程を行う場合に比べ工程数も少なくなり、簡単に第２溝部１４を形成することが可能になるので、光学素子１の製造コストを抑えることができる。
【００６８】
一方、２つの反射面を有する反射部材１３は、表面が（１１０）面である第２シリコン基板を用いて形成されている。すなわち、第２シリコン基板の表面を一方の反射面として、第２シリコン基板の表面を異方性エッチングすることで第２シリコン基板の表面に垂直に現れた（１１１）面を他方の反射面として反射部材を形成するようにしている。これが、反射部材形成工程である。
【００６９】
詳述すると、第２シリコン基板の表面を異方性エッチングすることで、表面に対し垂直な（１１１）面が現れる。このとき、第２シリコン基板の表面には、（１１１）面を有する第３溝部が形成される。この（１１１）面と第２シリコン基板の表面、すなわち（１１０）面とが第３反射面３ａ及び第４反射面３ｂとして使用される。なお、貼り合せ工程では、これらの第３反射面３ａ及び第４反射面３ｂを第１溝部１１の溝方向に向けて反射部材１３が第２溝部１４によって挟まれる。
【００７０】
ここで、異方性エッチングするときには、第２シリコン基板の表面を一定間隔でマスクするマスク工程を行うことで、第２シリコン基板の表面にエッチングされない領域を形成する。また、エッチング溶液としては、ＫＯＨ（水酸化カリウム）やＴＭＡＨ（ハイドロオキサイド）等が使用される。
【００７１】
なお、第３反射面３ａ及び第４反射面３ｂとして使用される（１１１）面及び（１１０）面には、反射膜が蒸着法等により形成されるが、これに限るものではない。この反射膜を形成する材料としては、レーザ光Ｌ１，Ｌ２の波長に合わせて反射面３ａ，３ｂの反射率を高くする材料が使用される。
【００７２】
最後に、第３溝部が形成された第２シリコン基板の表面と第３溝部の（１１１）面とが外周面になるように第２シリコン基板から反射部材１３を切り出す。これにより、反射部材１３が製造される。
【００７３】
したがって、第２シリコン基板の表面、すなわち（１１０）面と（１１１）面とが外周面になるように反射部材１３を形成し、（１１０）面と（１１１）面とを反射面３ａ，３ｂとすることによって、２つの反射面３ａ，３ｂは互いに正確に垂直になるので、反射面３ａ，３ｂとなる２つの外周面が互いに正確に垂直な反射部材１３を簡単に製造することができる。
【００７４】
本発明の第二の実施の形態を図４に基づいて説明する。ここで、図４（ａ）は本実施の形態の光学素子１を示す正面図、図４（ｂ）は本実施の形態の光学素子１を形成する形成工程の一部を示す外観斜視図である。なお、第一の実施の形態において説明した部分と同一部分は同一符号で示し、説明も省略する（以下の実施の形態も同様とする）。
【００７５】
図４（ａ）に示すように、本実施の形態の基本的な構造は、第一の実施の形態と同じであり、第一の実施の形態との相違点は、嵌合して設けられた反射部３の対向する２つの角と嵌合穴４の内側面との間に空間２０が設けられるように嵌合穴４が形成されていることである。
【００７６】
これにより、反射部３の対向する２つの角と嵌合穴４の内側面とが接しなくなり、光学素子１を製造するときに使用される接着剤の余剰分は空間２０に流れ込むので、余剰な接着剤により反射面２ａ，２ｂ，３ａ，３ｂが曇るという不具合を防止することができる。
【００７７】
本実施の形態の光学素子１を製造する製造方法を図４（ｂ）に基づいて説明する。本実施の形態の光学素子１を製造する製造方法は、第一の実施の形態の光学素子１を製造する製造方法と基本的に同じであり（図２及び図３参照）、第一の実施の形態との相違点は、図４（ｂ）に示すように、反射部３の位置を固定するための第２溝部１４を断面がＹ字形状になるように形成することである。
【００７８】
詳述すると、断面Ｙ字形状の第２溝部１４は、Ｖ字型ダイヤモンドブレードとこのダイヤモンドブレードのブレード幅より狭いブレード幅の矩形型ダイヤモンドブレードとを用いて、ステップカット法により形成される。すなわち、ステップカット法では、Ｖ字型ダイヤモンドブレードで第１シリコン基板１０の表面１０ａを削ることによって表面１０ａに断面Ｖ字形状の溝を形成し、その後、矩形型ダイヤモンドブレードでその断面Ｖ字形状の溝の中央を削ることによって断面Ｖ字形状の溝の中央に断面矩形状の溝を形成する。これにより、第１シリコン基板１０の表面１０ａには、断面Ｙ字形状の第２溝部１４が形成される。
【００７９】
したがって、例えば、第一の実施の形態の光学素子１の場合には、断面Ｖ字形状の第２溝部１４を形成するときに使用するＶ字型ダイヤモンドブレードの切削摩耗により、断面Ｖ字形状の第２溝部１４の底部に対する削りが鈍くなると、第２溝部１４に反射部３が嵌合しなくなり、２枚の第１シリコン基板１０の貼り合わせに不具合が生じてしまうが、本実施の形態では、第２溝部１４を断面Ｙ字形状に形成することによって、２枚の第１シリコン基板１０を確実に貼り合せることができ、反射部３を規定の位置に確実に固定することができる。さらに、２枚の第１シリコン基板１０を貼り合わせるときに発生した接着剤の余剰分は、この断面Ｙ字形状の第２溝部１４の底に流れ込むので、余剰な接着剤により反射面２ａ，２ｂ，３ａ，３ｂが曇るという不具合を防止することができる。また、第２溝部１４を形成するためにブレードを使用することによって、第２溝部１４を形成するためにマスクを必要とするエッチング工程を行う場合に比べ工程数も少なくなり、簡単に第２溝部１４を形成することが可能になるので、光学素子１の製造コストを抑えることができる。
【００８０】
本発明の第三の実施の形態を図５に基づいて説明する。ここで、図５（ａ）は本実施の形態の光学素子１の正面図、図５（ｂ）は本実施の形態の光学素子１を形成する形成工程の一部を示す外観斜視図である。
【００８１】
図５（ａ）に示すように、本実施の形態の基本的な構造は、第一の実施の形態と同じであり、第一の実施の形態との相違点は、嵌合して設けられた反射部３の外周面と嵌合穴４の内側面との間に空間３０が設けられるように嵌合穴４が形成されていることである。
【００８２】
これにより、反射部３の外周面と嵌合穴４の内側面とがほとんど接しなくなり、光学素子１を製造するときに使用される接着剤の余剰分は空間３０に流れ込むので、余剰な接着剤により反射面２ａ，２ｂ，３ａ，３ｂが曇るという不具合を防止することができる。
【００８３】
本実施の形態の光学素子１を製造する製造方法を図５（ｂ）に基づいて説明する。本実施の形態の光学素子１を製造する製造方法は、第一の実施の形態の光学素子１を製造する製造方法と基本的に同じであり（図２及び図３参照）、第一の実施の形態との相違点は、図５（ｂ）に示すように、反射部３の位置を固定するための第２溝部１４を断面がＴ字形状になるように形成することである。
【００８４】
詳述すると、断面Ｔ字形状の第２溝部１４は、第１矩形型ダイヤモンドブレードとこの第１矩形型ダイヤモンドブレードのブレード幅より狭いブレード幅の第２矩形型ダイヤモンドブレードとを用いて、ステップカット法により形成される。すなわち、ステップカット法では、第１矩形型ダイヤモンドブレードで第１シリコン基板１０の表面１０ａを削ることによって表面１０ａに断面矩形状の溝を形成し、その後、第２矩形型ダイヤモンドブレードでその断面矩形状の溝の中央を削ることによって断面矩形状の溝の中央にさらに断面矩形状の溝を形成する。これにより、第１シリコン基板１０の表面１０ａには、断面Ｔ字形状の第２溝部１４が形成される。
【００８５】
したがって、本実施の形態においては、第二の実施の形態と同様の効果が得られ、さらに、第二の実施の形態に比べて余剰な接着剤によって反射面２ａ，２ｂ，３ａ，３ｂが曇るという不具合をより確実に防止することができる。
【００８６】
本発明の第四の実施の形態を図６に基づいて説明する。本実施の形態は、第一ないし第三のいずれか一つの実施の形態の光学素子１を搭載する半導体レーザ装置４０の一例である。ここで、図６は本実施の形態の半導体レーザ装置４０を示す外観斜視図である。
【００８７】
図６に示すように、半導体レーザ装置４０は、第一ないし第三のいずれか一つの実施の形態の光学素子１と、第１レーザ光Ｌ１を出射するための出射面４１ａを有して第１レーザ光Ｌ１を出射する第１半導体レーザ素子４１と、第２レーザ光Ｌ２を出射するための出射面４２ａを有して第２レーザ光Ｌ２を出射する第２半導体レーザ素子４２と、から構成されている。
【００８８】
第１半導体レーザ素子４１と第２半導体レーザ素子４２とは、それぞれの出射面４１ａ，４２ａを同一方向に向けて、さらに光学素子１の溝反射部２に対向させてサブマウント４３の表面に設けられている。詳述すると、第１半導体レーザ素子４１は、第１レーザ光Ｌ１が光学素子１の第１反射面２ａに対して４５°の入射角で入射する位置に位置付けられ、第２半導体レーザ素子４２は、第２レーザ光Ｌ２が光学素子１の第２反射面２ｂに対して４５°の入射角で入射する位置に位置付けられている。
【００８９】
ここで、例えば、出射面４１ａ，４２ａの横幅が３００μｍである２つの半導体レーザ素子４１，４２を３０μｍ隔て、さらに、それぞれの出射面４１ａ，４２ａを同一方向に向けてサブマウント４３の表面に設けた場合に、レーザ光Ｌ１，Ｌ２の発光点が出射面４１ａ，４２ａの中央にあると仮定すれば、これらの半導体レーザ素子４１，４２から出射されるレーザ光Ｌ１，Ｌ２のそれぞれの進行経路の離反間隔は３３０μｍとなる。
【００９０】
このように配設された２つの半導体レーザ素子４１，４２をＣＤ及びＤＶＤを再生するための光源とするためには、進行経路の離反間隔を１００μｍ以下にする必要がある。これは、溝反射部２の開口幅を少なくとも３３０μｍ以上にして、図１（ｂ）に示すように、反射部３の角Ａから反射面２ａ，２ｂ上の５０√２μｍ以内の範囲にレーザ光Ｌ１，Ｌ２が入射するように２つの半導体レーザ素子４１，４２及び光学素子１の相対位置関係を設定することで実現される。
【００９１】
このような構成において、それぞれ同一方向に進行する第１レーザ光Ｌ１及び第２レーザ光Ｌ２が光学素子１にそれぞれ入射した場合について説明する。
【００９２】
第１レーザ光Ｌ１が溝反射部２の第１反射面２ａに入射角４５°で入射すると、第１レーザ光Ｌ１は第１反射面２ａで反射され、その進行方向は溝反射部２の中央方向に９０°曲げられる。そして、この第１レーザ光Ｌ１は反射部３の第３反射面３ａで反射され、その進行方向は溝反射部２の溝方向に９０°曲げられる。同様に、第２レーザ光Ｌ２が溝反射部２の第２反射面２ｂに入射角４５°で入射すると、第２レーザ光Ｌ２は第２反射面２ｂで反射され、その進行方向は溝反射部２の中央方向に９０°曲げられる。そして、この第２レーザ光Ｌ２が反射部３の第４反射面３ｂで反射され、その進行方向は、反射部３の第３反射面３ａにより反射された第１レーザ光Ｌ１が進行する方向と同じ方向に９０°曲げられる。
【００９３】
これにより、それぞれ同一方向に進行する２つのレーザ光Ｌ１，Ｌ２の進行経路の離反間隔（ｄ＜Ｄ）を狭くすることができ、さらに、このような半導体レーザ装置４０を光ピックアップ等に搭載すると、半導体レーザ装置４０と同一平面内に光検出器、例えばホトダイオードを設けることが可能になり、光ピックアップが備える光学系を共用することが可能になるので、装置の大型化を防止することができる。さらに、半導体レーザ装置４０は、例えばレーザプリンタやデジタル複写機の複数ビーム書き込み用光源としても使用することができる。
【００９４】
本発明の第五の実施の形態を図７に基づいて説明する。本実施の形態は、第四の実施の形態の半導体レーザ装置４０を搭載する光ピックアップ５０の一例である。ここで、図７は本実施の形態の光ピックアップ５０を示す外観斜視図である。
【００９５】
図７に示すように、光ピックアップ５０は、第１レーザ光Ｌ１及び第２レーザ光Ｌ２を出射する第四の実施の形態の半導体レーザ装置４０と、この半導体レーザ装置４０から出射された第１レーザ光Ｌ１及び第２レーザ光Ｌ２を光記録媒体としての光ディスクＤの記録面に導く光学系（図示せず）と、この光学系により光ディスクＤの記録面に導かれて反射された第１レーザ光Ｌ１及び第２レーザ光Ｌ２が進行する進行経路を曲げる経路変更部としてのホログラム素子５１と、このホログラム素子５１により進行経路が曲げられた第１レーザ光Ｌ１及び第２レーザ光Ｌ２を検出する光検出部としてのホトダイオード５２と、から構成されている。
【００９６】
ホトダイオード５２は、光ディスクＤ側の表面に第１レーザ光Ｌ１及び第２レーザ光Ｌ２を受光する受光部５２ａを有し、この受光部５２ａにより第１レーザ光Ｌ１及び第２レーザ光Ｌ２を検出している。また、半導体レーザ装置４０とホトダイオード５２とは、同一平面上に設けられている。
【００９７】
なお、光ピックアップ５０が備える光学系は、光ディスクＤの記録面に第１レーザ光Ｌ１及び第２レーザ光Ｌ２を集光する対物レンズや発散光を平行光にするコリメータレンズ等を有しているが、これに限るものではない。
【００９８】
ここで、第四の実施の形態の半導体レーザ装置４０において、第１半導体レーザ素子４１は、ＤＶＤを再生するための波長６３５ｎｍ又は６５０ｎｍの第１レーザ光Ｌ１を出射する赤色半導体レーザ素子である。また、第２半導体レーザ素子４２は、ＣＤを再生するための波長７８０ｎｍの第２レーザ光Ｌ２を出射する近赤外半導体レーザ素子である。
【００９９】
このような構成において、ＤＶＤ及びＣＤを再生する場合の光ピックアップ５０の動作について説明する。半導体レーザ装置４０がＤＶＤを再生するために第１レーザ光Ｌ１を出射すると、第１レーザ光Ｌ１はホログラム素子５１を通過して光学系により導かれ、光ディスクＤの記録面に入射する。そして、この光ディスクＤの記録面で反射された第１レーザ光Ｌ１は、ホログラム素子５１によってホトダイオード５２に導かれ、ホトダイオード５２の受光部５２ａによって検出される。これにより、ＤＶＤが再生される。同様にして、半導体レーザ装置４０がＣＤを再生するために第２レーザ光Ｌ２を出射すると、第２レーザ光Ｌ２はホログラム素子５１を通過して光学系により導かれ、光ディスクＤの記録面に入射する。そして、この光ディスクＤの記録面で反射された第２レーザ光Ｌ２は、ホログラム素子５１によってホトダイオード５２に導かれ、ホトダイオード５２の受光部５２ａによって検出される。これにより、ＣＤが再生される。
【０１００】
したがって、それぞれ同一方向に進行する２つのレーザ光Ｌ１，Ｌ２の進行経路の離反間隔が十分に狭い、例えば１００μｍ以下の半導体レーザ装置４０を搭載することによって、光ディスクＤの記録面にレーザ光Ｌ１，Ｌ２を導くための光学系を共用することが可能になるので、装置の大型化を防止することができる。さらに、半導体レーザ装置４０とホトダイオード５２とを同一平面上に設けることによって、装置の大型化を防止することができる。
【０１０１】
本発明の第六の実施の形態を図８に基づいて説明する。本実施の形態は、第四の実施の形態の半導体レーザ装置４０を搭載する光ピックアップ５０の一例である。ここで、図８は本実施の形態の光ピックアップ５０を示す外観斜視図である。
【０１０２】
本実施の形態の基本的な構造は、第五の実施の形態と同じであり、第五の実施の形態との相違点は、図８に示すように、第四の実施の形態の半導体レーザ装置４０がホトダイオード５２の受光部５２ａ側の面に設けられていることである。
【０１０３】
したがって、本実施の形態においては、第五の実施の形態と同様な効果が得られ、第五の実施の形態に比べてさらに高集積化ができる。
【０１０４】
なお、本実施の形態においては、サブマウント４３に２つの半導体レーザ素子４１，４２を設けているが、これに限るものではなく、ホトダイオード５２の表面に２つの半導体レーザ素子４１，４２を直接設け、これらの半導体レーザ素子４１，４２の出射面４１ａ，４２ａ側に位置付けて第一ないし第三のいずれか一つの実施の形態の光学素子１をホトダイオード５２の表面に埋め込んで設けても良い。このとき、ホトダイオード５２の表面に凹部が形成され、この凹部に光学素子１が設けられる。これにより、サブマウント４３が必要なくなるので、部品数を低減し、コストを抑えることができる。
【０１０５】
本発明の第七の実施の形態を図９に基づいて説明する。本実施の形態は、第五又は第六の実施の形態の光ピックアップ５０を搭載する光ディスク装置６０の一例である。図９は本実施の形態における光ディスク装置６０が備える各部の電気的接続を概略的に示すブロック図である。
【０１０６】
図９に示すように、光ディスク装置６０は、光ディスクＤを任意の回転速度で回転させる回転駆動機構の主要部を構成するスピンドルモータ６１、このスピンドルモータ６１の制御を行う回転制御部６２、光ディスクＤの記録面に対し第１レーザ光Ｌ１及び第２レーザ光Ｌ２を出射して光ディスクＤの記録面に反射された第１レーザ光Ｌ１及び第２レーザ光Ｌ２を受光する光ピックアップ５０、この光ピックアップ５０を光ディスクＤの半径方向に移動させるスライダモータ６３、このスライダモータ６３の制御を行うスライダモータ制御部６４、光ピックアップ５０の制御を行う光ピックアップ制御部６５、光ピックアップ５０からの信号を処理する信号処理部６６、各種プログラム及び格納データを演算処理し各部の動作を制御するＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ　Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ　Ｕｎｉｔ）６７、リード／ライト処理プログラムや制御プログラム等の固定的データを予め格納する記憶媒体であるＲＯＭ（Ｒｅａｄ　Ｏｎｌｙ　Ｍｅｍｏｒｙ）６８、光ディスクＤから読み出したリードデータ及び光ディスクＤに書き込むライトデータ等を一時的に格納する記憶手段であるＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ　Ａｃｃｅｓｓ　Ｍｅｍｏｒｙ）６９等を備えている。このような光ディスク装置６０は、外部インターフェース（図示せず）を介して上位装置であるホストコンピュータ７０に接続されている。
【０１０７】
なお、光ピックアップ制御部６５及びＣＰＵ６７が光ピックアップ５０に光ディスクＤの種類に応じて第１レーザ光Ｌ１と第２レーザ光Ｌ２とを択一的に選択出射させる選択出射手段として機能する。すなわち、選択出射手段は、光ピックアップ５０中の第１半導体レーザ素子４１及び第２半導体レーザ素子４２を光ディスクＤの種類に応じて択一的に選択駆動する。
【０１０８】
このような構成において、光ディスク装置６０による光ディスクＤに対するデータのリード／ライト動作について説明する。ホストコンピュータ７０から光ディスク装置６０にリード／ライトコマンドが入力されると、光ディスク装置６０のＣＰＵ６７は、ＲＯＭ６８に格納されたリード／ライト処理プログラムに基づいてリード／ライト処理を実行する。
【０１０９】
ＣＰＵ６７は、回転制御部６２によりスピンドルモータ６１を駆動制御して光ディスクＤを回転させ、スライダモータ制御部６４によりスライダモータ６３を駆動制御して光ピックアップ５０を光ディスクＤの半径方向に移動させながら、光ピックアップ制御部６５により光ピックアップ５０を駆動制御して光ディスクＤの記録面に対しレーザ光Ｌ１，Ｌ２を出射し、光ディスクＤの記録面に反射されたれレーザ光Ｌ１，Ｌ２を受光してリード／ライトを実行する。このとき、ＣＰＵ６７は、一時的にＲＡＭ６９に格納されたリードデータをホストコンピュータ７０に送信し、ライトデータをホストコンピュータ７０から一時的にＲＡＭ６９に格納する処理も行う。
【０１１０】
なお、光ディスクＤがＤＶＤである場合には、選択出射手段により第１半導体レーザ素子４１が選択駆動されて第１レーザ光Ｌ１が出射され、光ディスクＤがＣＤである場合には、選択出射手段により第２半導体レーザ素子４２が選択駆動されて第２レーザ光Ｌ２が出射される。
【０１１１】
したがって、第五又は第六の実施の形態の小型の光ピックアップ５０を光ディスク装置６０に搭載することによって、光ディスク装置６０は小型化されるので、光ディスク装置６０の大型化を防止することができる。
【０１１２】
【発明の効果】
請求項１記載の光学素子の発明によれば、表面に溝状に形成され、第１レーザ光を中央方向に反射する第１反射面と第２レーザ光を中央方向に反射する第２反射面とを有する溝反射部と、前記第１反射面と前記第２反射面との間に位置して、前記第１反射面で反射された第１レーザ光を溝方向に反射する第３反射面と前記第２反射面で反射された第２レーザ光を前記第３反射面で反射された第１レーザ光が進行する方向と同一方向に反射する第４反射面とを有する反射部と、を備えることから、それぞれ同一方向に進行する第１レーザ光及び第２レーザ光が溝反射部に入射すると、第１レーザ光及び第２レーザ光の進行方向は溝反射部によって溝反射部の中央方向に曲げられ、反射部によって溝方向であって同一方向に曲げられることで、第１レーザ光及び第２レーザ光の進行経路の離反間隔は入射前に比べて狭くなるので、それぞれ同一方向に進行する２つのレーザ光の進行経路の離反間隔を狭くすることができ、さらに、光学素子の溝反射部に対向する位置に２つの半導体レーザ素子を並列に設けることが可能になるので、装置の大型化を防止することができる。
【０１１３】
請求項２記載の発明によれば、請求項１記載の光学素子において、前記溝反射部は、前記第１反射面と前記第２反射面との間に前記反射部を位置付けるための嵌合穴を有し、前記反射部は、前記第３反射面と前記第４反射面とを外周面として角柱状に形成され、前記嵌合穴に嵌合して設けられていることから、反射部は本体に一体化して確実に第１反射面と第２反射面との間に位置付けられるので、簡単に光学素子を製造することができる。
【０１１４】
請求項３記載の発明によれば、請求項２記載の光学素子において、前記嵌合穴は、嵌合して設けられた前記反射部の少なくとも一つの角と内側面との間に空間が設けられるように形成されていることから、嵌合穴の内側面と反射部の少なくとも一つの角とが接しなくなり、反射部を嵌合穴に固着するときに接着剤を使用する場合に余分な接着剤がその空間に流れ込むので、余分な接着剤が反射面を曇らせることを防止することができる。
【０１１５】
請求項４記載の半導体レーザ装置の発明によれば、請求項１ないし３のいずれか一記載の光学素子と、第１レーザ光を出射するための出射面を有し、この出射面を前記光学素子の溝反射部に対向させて設けられ、第１レーザ光を出射する第１半導体レーザ素子と、第２レーザ光を出射するための出射面を有し、この出射面を前記第１半導体レーザ素子の出射面と同一方向に向け前記光学素子の溝反射部に対向させて設けられ、第２レーザ光を出射する第２半導体レーザ素子と、を備えることから、それぞれ同一方向に進行する第１レーザ光及び第２レーザ光が溝反射部に入射すると、第１レーザ光及び第２レーザ光の進行方向は溝反射部によって溝反射部の中央方向に曲げられ、反射部によって溝方向であって同一方向に曲げられることで、第１レーザ光及び第２レーザ光の進行経路の離反間隔は入射前に比べて狭くなるので、それぞれ同一方向に進行する２つのレーザ光の進行経路の離反間隔を狭くすることができ、さらに、このような半導体レーザ装置を光ピックアップ等に搭載すると、半導体レーザ装置と同一平面内に光検出器、例えばホトダイオードを設けることが可能になるので、装置の大型化を防止することができる。
【０１１６】
請求項５記載の光ピックアップの発明によれば、第１レーザ光及び第２レーザ光を出射する請求項４記載の半導体レーザ装置と、前記半導体レーザ装置から出射された第１レーザ光及び第２レーザ光を前記光記録媒体の記録面に導く光学系と、前記光学系により前記光記録媒体の記録面に導かれて反射された第１レーザ光及び第２レーザ光がそれぞれ進行する進行経路を曲げる経路変更部と、前記経路変更部で進行経路が曲げられた第１レーザ光及び第２レーザ光を検出する光検出部と、を備えることから、それぞれ同一方向に進行する第１レーザ光及び第２レーザ光のそれぞれの進行経路の離反間隔が十分に狭い、例えば１００μｍ以下の半導体レーザ装置を搭載することによって、光記録媒体の記録面にレーザ光を導く光学系を共用することが可能になるので、装置の大型化を防止することができる。
【０１１７】
請求項６記載の発明によれば、請求項５記載の光ピックアップにおいて、前記半導体レーザ装置と前記光検出部とは同一平面上に設けられていることから、高集積化が実現されるので、装置の大型化を防止することができる。
【０１１８】
請求項７記載の発明によれば、請求項５記載の光ピックアップにおいて、前記半導体レーザ装置は前記光検出部に設けられていることから、半導体レーザ装置を光検出部に設けることによって、高集積化が実現されるので、装置の大型化を防止することができる。
【０１１９】
請求項８記載の光ディスク装置の発明によれば、光記録媒体を回転させる回転駆動機構と、前記光記録媒体の記録面に対し第１レーザ光及び第２レーザ光を出射し、前記光記録媒体の記録面に反射された第１レーザ光及び第２レーザ光を受光する請求項５ないし７のいずれか一記載の光ピックアップと、前記光記録媒体の種類に応じて前記光ピックアップに第１レーザ光と第２レーザ光とを択一的に選択出射させる選択出射手段と、を備えることから、光ディスク装置に小型の光ピックアップを搭載することによって、光ディスク装置は小型化されるので、光ディスク装置の大型化を防止することができる。
【０１２０】
請求項９記載の光学素子の製造方法の発明によれば、光学素子を形成するための素子基板の表面に、この表面に対し４５°で傾斜してレーザ光を反射する反射面を有する第１溝部を形成する第１溝部形成工程と、それぞれ垂直に位置してレーザ光を反射する２つの反射面を有する反射部材を２つの前記反射面が前記素子基板の表面に対し４５°で傾斜するように位置付ける第２溝部を前記素子基板の表面に前記第１溝部に直交させて形成する第２溝部形成工程と、前記第２溝部が形成された２枚の前記素子基板を、互いの前記第２溝部が２つの反射面が前記第１溝部の溝方向に向けられた前記反射部材を挟んで互いの前記第１溝部の反射面が垂直に位置するように貼り合せる貼り合せ工程と、前記反射部材を挟み込んで貼り合せられた２枚の前記素子基板を、垂直に位置する２つの前記第１溝部の反射面からなる溝反射部に対向する位置から出射されたレーザ光が前記溝反射部に入射するように切断する切断工程と、を備えることから、第２溝部が形成された２枚の素子基板を互いの第２溝部が反射部材を挟んで互いの第１溝部の反射面が垂直に位置するように貼り合せることによって、垂直に位置した２つの第１溝部の反射面からなる溝反射部が形成され、反射部材が確実に固定されて、さらに、貼り合わされた２枚の素子基板を切断することによって複数個の光学素子が切り出されるので、それぞれ同一方向に進行する２つのレーザ光の進行経路の離反間隔を狭くすることができ、さらに、装置の大型化を防止することができる光学素子を簡単に大量に製造することができる。
【０１２１】
請求項１０記載の発明によれば、請求項９記載の光学素子の製造方法において、前記素子基板は、表面が９°オフアングルの（１００）面である第１シリコン基板であり、前記第１溝部形成工程は、前記第１シリコン基板の表面を異方性エッチングすることで現れた（１１１）面を反射面として前記第１溝部を形成することから、反射面は、第１シリコン基板の表面に対し正確に４５°で傾斜する鏡面となるので、第１シリコン基板の表面に対し正確に４５°で傾斜する反射面を簡単に形成することができる。
【０１２２】
請求項１１記載の発明によれば、請求項９又は１０記載の光学素子の製造方法において、表面が（１１０）面である第２シリコン基板を用いて、その表面を一方の反射面として、前記第２シリコン基板の表面を異方性エッチングすることで前記第２シリコン基板の表面に垂直に現れた（１１１）面を他方の反射面として前記反射部材を形成する反射部材形成工程を備えることから、２つの反射面は互いに正確に垂直になるので、反射面となる２つの外周面が互いに正確に垂直な反射部材を簡単に製造することができる。
【０１２３】
請求項１２記載の発明によれば、請求項９、１０又は１１記載の光学素子の製造方法において、前記第２溝部は断面Ｖ字形状の溝であることから、反射部は簡単に正確な位置に位置付けられるので、簡単に光学素子を製造することができる。
【０１２４】
請求項１３記載の発明によれば、請求項１２記載の光学素子の製造方法において、断面Ｖ字形状の前記第２溝部を形成する前記第２溝部形成工程は、Ｖ字型ブレードで前記素子基板の表面を削ることによって前記第２溝部を形成することから、第２溝部を形成するためにブレードを使用することで、第２溝部を形成するためにマスクを必要とするエッチング工程を行う場合に比べ工程数も少なくなり、簡単に第２溝部を形成することが可能になるので、光学素子の製造コストを抑えることができる。
【０１２５】
請求項１４記載の発明によれば、請求項９、１０又は１１記載の光学素子の製造方法において、前記第２溝部は断面Ｙ字形状の溝であることから、第２溝部の底に反射部の角が接しない空間が形成され、反射部を溝部に固着するときに余分な接着剤がその空間に流れ込むので、余分な接着剤が反射面を曇らせることを防止することができる。
【０１２６】
請求項１５記載の発明によれば、請求項１４記載の光学素子の製造方法において、断面Ｙ字形状の前記第２溝部を形成する前記第２溝部形成工程は、Ｖ字型ブレードで前記素子基板の表面を削ることにより断面Ｖ字形状の溝を形成し、この溝の中央を前記Ｖ字型ブレードのブレード幅より狭いブレード幅の矩形型ブレードで削ることにより断面矩形型の溝を形成することによって前記第２溝部を形成することから、第２溝部を形成するためにブレードを使用することで、第２溝部を形成するためにマスクを必要とするエッチング工程を行う場合に比べ工程数も少なくなり、簡単に第２溝部を形成することが可能になるので、光学素子の製造コストを抑えることができる。
【０１２７】
請求項１６記載の発明によれば、請求項９、１０又は１１記載の光学素子の製造方法において、前記第２溝部は断面Ｔ字形状の溝であることから、第２溝部の底に反射部の角が接しない空間が形成され、反射部を溝部に固着するときに余分な接着剤がその空間に流れ込むので、余分な接着剤が反射面を曇らせることを防止することができる。
【０１２８】
請求項１７記載の発明によれば、請求項１６記載の光学素子の製造方法において、断面Ｔ字形状の前記第２溝部を形成する前記第２溝部形成工程は、第１矩形型ブレードで前記素子基板の表面を削ることにより断面矩形状の溝を形成し、この溝の中央を前記第１矩形型ブレードのブレード幅より狭いブレード幅の第２矩形型ブレードで削ることにより断面矩形状の溝を形成することによって前記第２溝部を形成することから、第２溝部を形成するためにブレードを使用することで、第２溝部を形成するためにマスクを必要とするエッチング工程を行う場合に比べ工程数も少なくなり、簡単に第２溝部を形成することが可能になるので、光学素子の製造コストを抑えることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第一の実施の形態の光学素子を示し、（ａ）は外観斜視図、（ｂ）は正面図である。
【図２】第一の実施の形態の光学素子を形成する形成工程を示す外観斜視図である。
【図３】第一の実施の形態の光学素子を形成する形成工程を示す側面図である。
【図４】（ａ）は本発明の第二の実施の形態の光学素子を示す正面図、（ｂ）は第二の実施の形態の光学素子を形成する形成工程の一部を示す外観斜視図である。
【図５】（ａ）は本発明の第三の実施の形態の光学素子を示す正面図、（ｂ）は第三の実施の形態の光学素子を形成する形成工程の一部を示す外観斜視図である。
【図６】本発明の第四の実施の形態の半導体レーザ装置を示す外観斜視図である。
【図７】本発明の第五の実施の形態の光ピックアップを示す外観斜視図である。
【図８】本発明の第六の実施の形態の光ピックアップを示す外観斜視図である。
【図９】本発明の第七の実施の形態の光ディスク装置が備える各部の電気的接続を概略的に示すブロック図である。
【図１０】従来の半導体レーザ装置に設けられた光学素子の一例を示す側面図である。
【符号の説明】
１　　　　　　光学素子
２　　　　　　溝反射部
２ａ　　　　　第１反射面
２ｂ　　　　　第２反射面
３　　　　　　反射部
３ａ　　　　　第３反射面
３ｂ　　　　　第４反射面
４　　　　　　嵌合穴
１０　　　　　第１シリコン基板
１１　　　　　第１溝部
１２　　　　　（１１１）面
１３　　　　　反射部材
１４　　　　　第２溝部
２０　　　　　空間
３０　　　　　空間
４０　　　　　半導体レーザ装置
４１　　　　　第１半導体レーザ素子
４１ａ　　　　出射面
４２　　　　　第２半導体レーザ素子
４２ａ　　　　出射面
５０　　　　　光ピックアップ
５１　　　　　経路変更部（ホログラム素子）
５２　　　　　光検出部（ホトダイオード）
６０　　　　　光ディスク装置
６１　　　　　回転駆動機構（スピンドルモータ）
６５，６７　　選択出射手段（光ピックアップ制御部，ＣＰＵ）
Ｌ１　　　　　第１レーザ光
Ｌ２　　　　　第２レーザ光
【図１】
2004031437.tif 000003
【図２】
2004031437.tif 000004
【図３】
2004031437.tif 000005
【図４】
2004031437.tif 000006
【図５】
2004031437.tif 000007
【図６】
2004031437.tif 000008
【図７】
2004031437.tif 000009
【図８】
2004031437.tif 000010
【図９】
2004031437.tif 000011
【図１０】
2004031437.tif 000012