(57)【要約】【課題】新規ホスフィン化合物を提供することを目的とし、さらに上記触媒の配位子として有用な新規ホスフィン化合物を提供すること。また、不斉合成反応、特に不斉水素化反応の触媒として優れた性能（化学選択性、エナンチオ選択性、触媒活性）を有する新規な触媒を提供すること【解決する手段】一般式（１）（１）2004010500.tif 000016（式中、Ｒ１，Ｒ２は、各々独立に、低級アルキル基、シクロアルキル基、非置換もしくは置換フェニル基、または五員複素芳香環残基を示す。）で表されるジホスフィン化合物【選択図】　　　なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
一般式（１）
（１）
2004010500.tif 000013
（式中、Ｒ１，Ｒ２は、各々独立に、低級アルキル基、シクロアルキル基、非置換もしくは置換フェニル基、または五員複素芳香環残基を示す。）で表されるジホスフィン化合物。
【請求項２】
一般式（２）
（２）
2004010500.tif 000014
（式中、ｎは１から３の整数である）で表される化合物。
【請求項３】
一般式（３）
（３）
2004010500.tif 000015
（式中、Ｒ３，Ｒ４は、各々独立に、ヒドロキシ基、保護されたヒドロキシ基、低級アルコキシル基、塩素原子または臭素原子を示す。）で表される化合物。
【請求項４】
請求項１記載の化合物であって光学活性な化合物と、ロジウム、ルテニウム、イリジウム、パラジウム及びニッケルからなる群から選ばれる遷移金属とを含有する遷移金属錯体。
【請求項５】
一般式（４）
ＭｍＬｎＸｐＱｑ　（４）
で表される遷移金属錯体を含む触媒。
（式中、Ｍはロジウム、ルテニウム、イリジウム、パラジウムおよびニッケルから選ばれる遷移金属を、Ｌは請求項１記載の化合物であって光学活性なジホスフィン化合物を示し、ＸはＣｌ、Ｂｒ、Ｉ、アセトキシ基、メタリル基及びπ−アリル基からなる群から選ばれ、ＱはＮＥｔ３（式中、Ｅｔはエチル基を示す）及びジアルキルアンモニウムイオンからなる群から選ばれる。
ただし、
Ｍ　＝　Ｒｈのとき、Ｘ　＝　Ｃｌ、Ｂｒ又はＩで、ｍ　＝　２、ｎ　＝　２、ｐ　＝　２、ｑ　＝　０であり、
Ｍ　＝　Ｒｕで、Ｘ　＝アセトキシ基のとき、ｍ　＝　１、ｎ　＝　１、ｐ　＝　２、ｑ　＝　０であり、
Ｍ　＝　Ｒｕで、Ｘ　＝メタリル基のとき、ｍ　＝　１、ｎ　＝　１、ｐ　＝　２、ｑ　＝　０であり、
Ｍ　＝　Ｒｕで、Ｘ　＝　Ｃｌ、Ｂｒ又はＩで、Ｑ　＝　ＮＥｔ３のとき、ｍ　＝　２、ｎ　＝　２、ｐ　＝　４、ｑ　＝　１であり、
Ｍ　＝　Ｒｕで、Ｘ　＝　Ｃｌ、Ｂｒ又はＩで、Ｑ　＝ジアルキルアンモニウムイオンのとき、ｍ　＝
ｎ　＝　２、ｐ　＝　５、ｑ　＝　１であり、
Ｍ　＝　Ｉｒのとき、Ｘ　＝　Ｃｌ、Ｂｒ又はＩで、ｍ　＝　２、ｎ　＝　２、ｐ　＝　２、ｑ　＝　０であり、
Ｍ　＝　Ｐｄで、Ｘ　＝　Ｃｌ、Ｂｒ又はＩのとき、ｍ　＝　１、ｎ　＝　１、ｐ　＝　２、ｑ　＝　０であり、
Ｍ　＝　Ｐｄで、Ｘ　＝π−アリル基のとき、ｍ　＝　２、ｎ　＝　２、ｐ　＝　２、ｑ　＝　０であり、
Ｍ　＝　Ｎｉのとき、Ｘ　＝　Ｃｌ、Ｂｒ又はＩで、ｍ　＝　１、ｎ　＝　１、ｐ　＝　２、ｑ　＝　０である。）
【請求項６】
一般式（５）
［ＭｍＬｎＸｐＺｑ］Ｙｒ　（５）
で表される遷移金属錯体を含む触媒。
（式中、Ｍはロジウム、ルテニウム、イリジウム、パラジウム及びニッケルから選ばれる遷移金属を、Ｌは請求項１記載の化合物であって光学活性なジホスフィン化合物を示し、Ｘはπ−アリル、ｃｏｄ、ｎｂｄ、Ｃｌ、Ｂｒ及びＩからなる群から選ばれ、Ｚはベンゼン又はパラシメンを示し、ＹはＢＦ４、ＣｌＯ４、ＰＦ６、ＢＰｈ４、Ｃｌ、Ｂｒ及びＩからなる群から選ばれ、ｃｏｄは１，５−シクロオクタジエン、ｎｂｄはノルボルナジエン、Ｐｈはフェニル基を示す）。
ただし、
Ｍ　＝　Ｒｈのとき、Ｘ　＝　ｃｏｄ又はｎｂｄで、Ｙ　＝　ＢＦ４、ＣｌＯ４、ＰＦ６又はＢＰｈ４で、ｍ　＝　１、ｎ　＝１、ｐ　＝　１、ｑ　＝　０、ｒ　＝　１であり、
Ｍ　＝　Ｒｕで、Ｙ　＝　Ｃｌ、Ｂｒ又はＩのとき、Ｘ　＝　Ｃｌ、Ｂｒ又はＩで、Ｚ　＝ベンゼン又はパラシメンで、ｍ　＝　１、ｎ　＝　１、ｐ　＝　１、ｑ　＝　１、ｒ　＝　１であり、
Ｍ　＝　Ｒｕで、Ｙ　＝　ＢＦ４、ＣｌＯ４、ＰＦ６又はＢＰｈ４のとき、ｍ　＝　１、ｎ　＝　１、ｐ　＝　０、ｑ　＝　０、ｒ　＝　２であり、
Ｍ　＝　Ｉｒのとき、Ｘ　＝　ｃｏｄ又はｎｂｄで、Ｙ　＝　ＢＦ４、ＣｌＯ４、ＰＦ６又はＢＰｈ４で、ｍ　＝　１、ｎ　＝１、ｐ　＝　１、ｑ　＝　０、ｒ　＝　１であり、
Ｍ　＝　Ｐｄで、Ｘ　＝π−アリルのとき、Ｙ　＝　Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＢＦ４、ＣｌＯ４、ＰＦ６又はＢＰｈ４で、ｍ　＝　１、ｎ　＝　１、ｐ　＝　１、ｑ　＝　０、ｒ　＝　１であり、
Ｍ　＝　Ｐｄで、ｐ　＝　０のとき、Ｙ　＝　ＢＦ４、ＣｌＯ４、ＰＦ６又はＢＰｈ４で、ｍ　＝　１、ｎ　＝　１、ｑ　＝　０、ｒ　＝　１であり、
Ｍ　＝　Ｎｉのとき、Ｘ　＝　Ｃｌ、Ｂｒ又はＩで、ｍ　＝　１、ｎ　＝　１、ｐ　＝　２、ｑ　＝　０、ｒ　＝　０である。）
【請求項７】
請求項４記載の遷移金属錯体を含む不斉水素化触媒。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は新規なジホスフィン化合物、その製造中間体、該ジホスフィン化合物を配位子とする遷移金属錯体、並びに種々の不斉合成反応の触媒として有用な遷移金属錯体触媒に関する。
【０００２】
【従来技術】従来から、不斉水素化反応、不斉異性化反応、不斉ヒドロシリル化反応等の不斉合成に利用できる遷移金属錯体については、数多くの報告がなされている。なかでもルテニウム、ロジウム、イリジウム、パラジウム等の遷移金属錯体に光学活性な三級ホスフィン化合物が配位した錯体は、不斉合成反応の触媒として優れた性能を有するものである。
【０００３】この性能を更に高めるために、様々な構造のホスフィン化合物がこれまでに多数開発されている（日本化学会編　化学総説　３２　有機金属錯体の化学　２３７−２３８ページ　昭和５７年）（”Ａｓｙｍｍｅｔｒｉｃ　Ｃａｔａｌｙｓｉｓ　Ｉｎ　Ｏｒｇａｎｉｃ　Ｓｙｎｔｈｅｓｉｓ　”，野依良治著，　Ａ　Ｗｉｌｅｙ−Ｉｎｔｅｒｓｃｉｅｎｃｅ　Ｐｕｂｌｉｃａｔｉｏｎ）。とりわけ、２，２’−ビス（ジフェニルホスフィノ）−１，１’−ビナフチル（以下、「ＢＩＮＡＰ」という）は優れた光学活性ホスフィンのひとつであり、このＢＩＮＡＰを配位子としたロジウム錯体（特開昭５５−６１９３７号公報）、及びルテニウム錯体（特公平４−８１５９６号公報）が既に報告されている。更に、２，２’−ビス（ジ−（ｐ−トリル）ホスフィノ）−１，１’−ビナフチル（以下、「ｐ−ＴｏｌＢＩＮＡＰ」という）を配位子としたロジウム錯体（特公平１−４２９５９号公報）、及びルテニウム錯体（特公平４−８１５９６号公報）についても、不斉水素化反応、不斉異性化反応において良好な結果をあたえることが報告されている。さらには、２，２’−ビス（ジ−（３，５−ジアルキルフェニル）ホスフィノ）−１，１’−ビナフチルのルテニウム錯体が、β−ケトエステル類の不斉水素化反応に優れた結果をあたえることが、特公平７−６８２６０号公報に報告されている。
【０００４】しかしながら、対象とする反応またはその反応基質によっては選択性（化学選択性、エナンチオ選択性）、触媒活性が充分ではなく、触媒改良の必要に迫られる場合がある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、新規ホスフィン化合物を提供することを目的とし、さらに上記触媒の配位子として有用な新規ホスフィン化合物を提供することを目的とする。また、本発明は、不斉合成反応、特に不斉水素化反応の触媒として優れた性能（化学選択性、エナンチオ選択性、触媒活性）を有する新規な触媒を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記課題を解決するために、鋭意開発を重ねた結果、特定の構造を有するジホスフィン化合物の光学活性体を配位子とする遷移金属錯体が不斉水素化反応に関与する触媒成分として有効であることを見いだした。また、この遷移金属錯体が、不斉水素化反応において優れた触媒活性、エナンチオ選択性を発揮することを見いだし、さらに検討を重ね、本発明を完成した。
【０００７】
【発明の実施の態様】以下、本発明を詳細に説明する。
本発明のジホスフィン化合物は、下記一般式（１）で表される化合物である。
（１）
2004010500.tif 000002
（式中、Ｒ１，Ｒ２は、各々独立に、低級アルキル基、シクロアルキル基、非置換もしくは置換フェニル基、または五員複素芳香環残基を示す。）
上記Ｒ１，Ｒ２の低級アルキル基とは、炭素数が１〜５のアルキル基であり、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉｓｏ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｉｓｏ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｉｓｏ−ペンチル基、ネオペンチル基などが挙げられる。シクロアルキル基は、例えばシクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基などがあげられる。
置換フェニル基の置換基としては、炭素数が１〜５のアルキル基、炭素数が１〜５のアルコキシ基、ジ（低級アルキル）アミノ基、ハロゲン原子が好ましい。ここでいう炭素数１〜５のアルキル基は、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉｓｏ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｉｓｏ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｉｓｏ−ペンチル基、ネオペンチル基などがあげられる。炭素数が１〜５のアルコキシ基は、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉｓｏ−プロポキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、ペンチルオキシ基などが挙げられる。ジ（低級アルキル）アミノ基の低級アルキルとは、炭素数が１〜５のアルキル基であり、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉｓｏ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｉｓｏ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｉｓｏ−ペンチル基、ネオペンチル基などが挙げられる。
ハロゲン原子は、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子などが挙げられる。
五員複素芳香環残基は２−フリル基、３−フリル基、２−ベンゾフリル基、３−ベンゾフリル基などが好ましい。
【０００８】これらの化合物のなかで、好ましい化合物は、一般式（６）である。
（６）
2004010500.tif 000003
（式中、Ｒ５，Ｒ６は各々独立に、水素原子、炭素数が１〜５のアルキル基、炭素数が１〜５のアルコキシ基を示し、Ｒ７は水素原子、炭素数が１〜５のアルキル基、炭素数が１〜５のアルコキシ基、ジ（低級アルキル）アミノ基を示す。ここでいう低級アルキル基とは炭素数が１〜５のアルキル基である。なお、炭素数が１〜５のアルキル基、炭素数が１〜５のアルコキシ基は、上記に例示されたものと同様な官能基である。）
【０００９】上記一般式（６）の中でも、さらに好ましい化合物は、Ｒ５及び　Ｒ６が同一でかつ、水素原子、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉｓｏ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基から選ばれ、Ｒ７が水素原子、メトキシ基、エトキシ基、ｉｓｏ−プロポキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基から選ばれたものである。
【００１０】下記一般式（２）で表される化合物も、本発明に属する化合物である。
（２）
2004010500.tif 000004
（式中、ｎは１から３の整数である）
上記一般式（２）で表される化合物は、一般式（１）や（６）などで表されるジホスフィン化合物の製造中間体である。
【００１１】さらに、下記一般式（３）で表される化合物も本発明に属する化合物である。
（３）
2004010500.tif 000005
（式中、Ｒ３，Ｒ４は、各々独立に、ヒドロキシ基、保護されたヒドロキシ基、低級アルコキシル基、塩素原子または臭素原子を示す。）
式中のヒドロキシ基の保護基としては、通常のエーテル形成基、例えばベンジル、アリル、ベンジルオキシメチル、低級アルコキシメチル基等があげられる。ここでいう低級アルコキシメチル基とは、炭素数１〜５のアルコキシメチルであり、例えばメトキシメチル基、ｔｅｒｔ−ブトキシメチル基、メトキシエトキシメチル基などが挙げられる。Ｒ３、Ｒ４で用いられる低級アルコキシル基は、炭素数１〜５であり、例えば、メトキシ基、エトキシ基、ｉｓｏ−プロポキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、ペンチルオキシ基などがあげられる。
一般式（３）で表される化合物は、一般式（２）で表される化合物の製造中間体である。
【００１２】さらに、上述した本発明の化合物のラセミ体、メソ体、光学活性体も、本発明に含まれる化合物である。
【００１３】これらの化合物の製法について以下に説明する。
以下、煩雑さを避けるために、本発明の化合物の中から、下記式（７）で表される化合物（以下、ＤＡＮＰということもある）の光学活性体であって（−）−体である化合物（８）（以下、（−）−ＤＡＮＰということもある）を例にして、本発明の化合物の製法を具体的に説明する。ただし、本発明の製造法は、この例に限定されるものではない。
（７）
2004010500.tif 000006
（式中、Ｐｈはフェニル基である）
【００１４】
上記化合物は、例えば、以下の製法で合成される。
すなわち、７−ベンジルオキシ−ナフタレン−２−オール（９）を塩化銅、ｔ−ブチルアミンの存在下二量化して化合物（１０）とし、キニーネを使用して光学分割を行い、光学活性体（Ｒ）−（−）−（１０）を得る。この光学活性体（Ｒ）−（−）−（１０）をジイソプロピルエチルアミン存在下、クロロメチルメチルエーテル（ＭＯＭＣｌ）と反応せしめ化合物（１１）とし、これを、５％パラジウム炭素とギ酸アンモニウムとの存在下脱ベンジル化させて化合物（１２）を得る。ついで該化合物（１２）を炭酸セシウム存在下、ｐ−キシリレンジブロミドと反応せしめて化合物（１３）とし、引き続き塩酸を添加して化合物（１３）を脱保護させて化合物（１４）を得る。ピリジン存在下、化合物（１４）をトリフルオロメタンスルホン酸無水物と反応させ化合物（１５）とし、パラジウム触媒存在下、化合物（１５）をジフェニルホスフィンと反応させ、目的とする化合物（−）−ＤＡＮＰ（８）が製造できる。
その工程をスキーム１に示す。
【００１５】
（スキーム１）
2004010500.tif 000007
Ｂｎはベンジル基を、ｔＢｕはｔｅｒ−ブチル基を、ＭＯＭはメトキシメチル基（−ＣＨ２ＯＣＨ３）を、Ｔｆはトリフラート基（ＣＦ３ＳＯ２−）を、Ｐｈはフェニル基を、ｄｂａはジベンジリデンアセトンを、ｄｐｐｐは１，３−ビス（ジフェニルホスフィノ）プロパンを、ｉＰｒはｉｓｏ−プロピル基を、Ｅｔはエチル基を示す。
【００１６】また、上記式（７）で表される化合物の光学活性体であって（＋）−体のもの（（＋）−ＤＡＮＰという）は、上記スキーム１において化合物（１０）の光学分割をキニジンの存在下にて行い、（＋）−対の化合物を得、以降同様の操作をすることにより得られる。
【００１７】さらに、請求項１記載のジホスフィン化合物であって、Ｒ１及びＲ２が置換フェニル基である化合物は、例えば、上記スキーム１の方法において、ジフェニルホスフィンの代わりに、対応する置換基を有するジフェニルホスフィン誘導体を利用することにより製造することができる。
さらに、請求項１記載のジホスフィン化合物であって、Ｒ１及びＲ２がフェニル基や置換フェニル基以外の基である化合物も上記スキーム１の方法と同様な方法、即ち、ジフェニルホスフィンの代わりに、対応するホスフィン誘導体を利用することにより製造することができる。
【００１８】本発明の化合物の中で、化合物（１）、その中でもとくに光学活性な化合物は、遷移金属錯体の配位子として有用である。さらに、化合物（２）は、化合物（１）の製造中間体として有用である。また、化合物（３）は、化合物（２）の製造中間体として有用である。
【００１９】
以下、遷移金属錯体について説明する。
好ましい遷移金属錯体として、次の化合物を挙げることができる。
一般式（４）
ＭｍＬｎＸｐＱｑ　（４）
（式中、Ｍはロジウム、ルテニウム、イリジウム、パラジウムおよびニッケルから選ばれる遷移金属を、Ｌは請求項１記載の化合物であって光学活性なジホスフィン化合物を示し、ＸはＣｌ、Ｂｒ、Ｉ、アセトキシ基、メタリル基及びπ−アリル基からなる群から選ばれ、ＱはＮＥｔ３（Ｅｔはエチル基を示す）及びジアルキルアンモニウムイオンからなる群から選ばれる。ジアルキルアンモニウムイオンのアルキル基は、炭素数１〜５のアルキル基である。
ただし、
Ｍ　＝　Ｒｈのとき、Ｘ　＝　Ｃｌ、Ｂｒ又はＩで、ｍ　＝　２、ｎ　＝　２、ｐ　＝　２、ｑ　＝　０であり、
Ｍ　＝　Ｒｕで、Ｘ　＝アセトキシ基のとき、ｍ　＝　１、ｎ　＝　１、ｐ　＝　２、ｑ　＝　０であり、
Ｍ　＝　Ｒｕで、Ｘ　＝メタリル基のとき、ｍ　＝　１、ｎ　＝　１、ｐ　＝　２、ｑ　＝　０であり、
Ｍ　＝　Ｒｕで、Ｘ　＝　Ｃｌ、Ｂｒ又はＩで、Ｑ　＝　ＮＥｔ３のとき、ｍ　＝　２、ｎ　＝　２、ｐ　＝　４、ｑ　＝　１であり、
Ｍ　＝　Ｒｕで、Ｘ　＝　Ｃｌ、Ｂｒ又はＩで、Ｑ　＝ジアルキルアンモニウムイオンのとき、ｍ　＝
ｎ　＝　２、ｐ　＝　５、ｑ　＝　１であり、
Ｍ　＝　Ｉｒのとき、Ｘ　＝　Ｃｌ、Ｂｒ又はＩで、ｍ　＝　２、ｎ　＝　２、ｐ　＝　２、ｑ　＝　０であり、
Ｍ　＝　Ｐｄで、Ｘ　＝　Ｃｌ、Ｂｒ又はＩのとき、ｍ　＝　１、ｎ　＝　１、ｐ　＝　２、ｑ　＝　０であり、
Ｍ　＝　Ｐｄで、Ｘ　＝π−アリル基のとき、ｍ　＝　２、ｎ　＝　２、ｐ　＝　２、ｑ　＝　０であり、
Ｍ　＝　Ｎｉのとき、Ｘ　＝　Ｃｌ、Ｂｒ又はＩで、ｍ　＝　１、ｎ　＝　１、ｐ　＝　２、ｑ　＝　０である。）で表される遷移金属錯体。
一般式（５）
［ＭｍＬｎＸｐＺｑ］Ｙｒ　（５）
（式中、Ｍはロジウム、ルテニウム、イリジウム、パラジウム及びニッケルから選ばれる遷移金属を、Ｌは請求項１記載の化合物であって光学活性なジホスフィン化合物を表し、Ｘは１，５−シクロオクタジエン（以下、ｃｏｄと記載する）、ノルボルナジエン（以下、ｎｂｄと記載する）、π−アリル、Ｃｌ、Ｂｒ及びＩからなる群から選ばれ、Ｚはベンゼン又はパラシメンを示し、ＹはＢＦ４、ＣｌＯ４、ＰＦ６、ＢＰｈ４、Ｃｌ、Ｂｒ及びＩからなる群から選ばれる（Ｐｈはフェニル基を示す）。
ただし、
Ｍ　＝　Ｒｈのとき、Ｘ　＝　ｃｏｄ又はｎｂｄで、Ｙ　＝　ＢＦ４、ＣｌＯ４、ＰＦ６又はＢＰｈ４で、ｍ　＝　１、ｎ　＝１、ｐ　＝　１、ｑ　＝　０、ｒ　＝　１であり、
Ｍ　＝　Ｒｕで、Ｙ　＝　Ｃｌ、Ｂｒ又はＩのとき、Ｘ　＝　Ｃｌ、Ｂｒ又はＩで、Ｚ　＝ベンゼン又はパラシメンで、ｍ　＝　１、ｎ　＝　１、ｐ　＝　１、ｑ　＝　１、ｒ　＝　１であり、
Ｍ　＝　Ｒｕで、Ｙ　＝　ＢＦ４、ＣｌＯ４、ＰＦ６又はＢＰｈ４のとき、ｍ　＝　１、ｎ　＝　１、ｐ　＝　０、ｑ　＝　０、ｒ　＝　２であり、
Ｍ　＝　Ｉｒのとき、Ｘ　＝　ｃｏｄ又はｎｂｄで、Ｙ　＝　ＢＦ４、ＣｌＯ４、ＰＦ６又はＢＰｈ４で、ｍ　＝　１、ｎ　＝１、ｐ　＝　１、ｑ　＝　０、ｒ　＝　１であり、
Ｍ　＝　Ｐｄで、ｐ　＝　０のとき、Ｙ　＝　ＢＦ４、ＣｌＯ４、ＰＦ６又はＢＰｈ４で、ｍ　＝　１、ｎ　＝　１、ｑ　＝　０、ｒ　＝　１であり、
Ｍ　＝　Ｐｄで、Ｘ　＝π−アリルのとき、Ｙ　＝　Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＢＦ４、ＣｌＯ４、ＰＦ６又はＢＰｈ４で、ｍ　＝　１、ｎ　＝　１、ｐ　＝　１、ｑ　＝　０、ｒ　＝　１であり、
Ｍ　＝　Ｎｉのとき、Ｘ　＝　Ｃｌ、Ｂｒ又はＩで、ｍ　＝　１、ｎ　＝　１、ｐ　＝　２、ｑ　＝　０、ｒ　＝　０である。）で表される遷移金属錯体。
【００２０】本発明でいう錯体を形成する遷移金属としては、ロジウム、ルテニウム、イリジウム、パラジウム、ニッケル等が挙げられる。
これらの遷移金属錯体は、公知の方法を用いて製造することができる。
なお、以下に示す遷移金属錯体の式中において使用されている記号を説明すると、Ｌは本発明の化合物（１）の中で光学活性な化合物を示し、ｃｏｄは１，５−シクロオクタジエンを、ｎｂｄはノルボルナジエンを、Ｐｈはフェニル基を、Ａｃはアセチル基をそれぞれ示す。
【００２１】以下、具体的に説明すると、
ロジウム錯体：
ロジウム錯体を製造する具体的な例としては、日本化学会編「第４版実験化学講座」、第１８巻、有機金属錯体、１９９１年丸善　３３９−３４４頁に記載の方法に従い、ビス（シクロオクタ−１，　５−ジエン）ロジウム（Ｉ）テトラフルオロホウ酸塩と本発明のジホスフィン化合物であるＤＡＮＰとを反応せしめる合成法を挙げることができる。ロジウム錯体の具体例として、例えば以下のものを挙げることができる。
［Ｒｈ（Ｌ）Ｃｌ］２、［Ｒｈ（Ｌ）Ｂｒ］２、［Ｒｈ（Ｌ）Ｉ］２、
［Ｒｈ（ｃｏｄ）（Ｌ）］ＢＦ４、［Ｒｈ（ｃｏｄ）（Ｌ）］ＣｌＯ４、［Ｒｈ（ｃｏｄ）（Ｌ）］ＰＦ６、［Ｒｈ（ｃｏｄ）（Ｌ）］ＢＰｈ４、
［Ｒｈ（ｎｂｄ）（Ｌ）］ＢＦ４、［Ｒｈ（ｎｂｄ）（Ｌ）］ＣｌＯ４、［Ｒｈ（ｎｂｄ）（Ｌ）］ＰＦ６、［Ｒｈ（ｎｂｄ）（Ｌ）］ＢＰｈ４
【００２２】ルテニウム錯体：
ルテニウム錯体を製造する方法としては、文献（Ｔ．　Ｉｋａｒｉｙａ，　Ｙ．　Ｉｓｈｉｉ，　Ｈ．　Ｋａｗａｎｏ，　Ｔ．　Ａｒａｉ，　Ｍ．　Ｓａｂｕｒｉ，　Ｓ．　Ｙｏｓｈｉｋａｗａ，　ａｎｄ　Ｓ．　Ａｋｕｔａｇａｗａ，　Ｊ．　Ｃｈｅｍ．　Ｓｏｃ．，Ｃｈｅｍ．　Ｃｏｍｍｕｎ．，　９２２（１９８５））に記載のように、［Ｒｕ（ｃｏｄ）Ｃｌ２］ｎ（ポリマー状のもの）と本発明のジホスフィン化合物であるＤＡＮＰをトリエチルアミンの存在下にトルエン溶媒中で加熱還流する調製法がある。また、文献（Ｋ．　Ｍａｓｈｉｍａ，　Ｋ．　Ｋｕｓａｎｏ，　Ｔ．　Ｏｈｔａ，　Ｒ．　Ｎｏｙｏｒｉ，　Ｈ．　Ｔａｋａｙａ，　Ｊ．　Ｃｈｅｍ．　Ｓｏｃ．，　Ｃｈｅｍ．　Ｃｏｍｍｕｎ．，　１２０８（１９８９））に記載の方法であって　［Ｒｕ（ｐ−ｃｙｍｅｎｅ）Ｉ２］２とＤＡＮＰとを塩化メチレンとエタノール中で加熱撹拌することによる調製法もある。ルテニウム錯体の具体例として、例えば以下のものを挙げることができる。
Ｒｕ（ＯＡｃ）２（Ｌ）、
Ｒｕ２Ｃｌ４（Ｌ）２ＮＥｔ３、Ｒｕ２Ｂｒ４（Ｌ）２ＮＥｔ３、
Ｒｕ（ｍｅｔｈａｌｌｙｌ）２（Ｌ）、
［｛ＲｕＣｌ（Ｌ）｝２（μ−Ｃｌ）３］［Ｍｅ２ＮＨ２］、［｛ＲｕＣｌ（Ｌ）｝２（μ−Ｃｌ）３］［Ｅｔ２ＮＨ２］、
［ＲｕＣｌ（ｂｅｎｚｅｎｅ）（Ｌ）］Ｃｌ、［ＲｕＢｒ（ｂｅｎｚｅｎｅ）（Ｌ）］Ｂｒ、［ＲｕＩ（ｂｅｎｚｅｎｅ）（Ｌ）］Ｉ、
［ＲｕＣｌ（ｐ−ｃｙｍｅｎｅ）（Ｌ）］Ｃｌ、［ＲｕＢｒ（ｐ−ｃｙｍｅｎｅ）（Ｌ）］Ｂｒ、［ＲｕＩ（ｐ−ｃｙｍｅｎｅ）（Ｌ）］Ｉ、
［Ｒｕ（Ｌ）］（ＢＦ４）２、［Ｒｕ（Ｌ）］（ＣｌＯ４）２、［Ｒｕ（Ｌ）］（ＰＦ６）２、［Ｒｕ（Ｌ）］（ＢＰｈ４）２
【００２３】イリジウム錯体：
イリジウム錯体は、文献（Ｋ．　Ｍａｓｈｉｍａ，　Ｔ．　Ａｋｕｔａｇａｗａ，　Ｘ．　Ｚｈａｎｇ，　Ｔ．　Ｔａｋｅｔｏｍｉ，Ｈ．　Ｋｕｍｏｂａｙａｓｈｉ，　Ｓ．　Ａｋｕｔａｇａｗａ，　Ｊ．　Ｏｒｇａｎｏｍｅｔ．　Ｃｈｅｍ．，　１９９２，　４２８，　２１３．）に記載の方法に従い、本発明のジホスフィン化合物であるＤＡＮＰと［Ｉｒ（ｃｏｄ）（ＣＨ３ＣＮ）２］ＢＦ４とを、テトラヒドロフラン中にて撹拌下に反応させることにより調製できる。イリジウム錯体の具体例として、例えば以下のものを挙げることができる。
［Ｉｒ（Ｌ）Ｃｌ］２、［Ｉｒ（Ｌ）Ｂｒ］２、［Ｉｒ（Ｌ）Ｉ］２、
［Ｉｒ（ｃｏｄ）（Ｌ）］ＢＦ４、　［Ｉｒ（ｃｏｄ）（Ｌ）］ＣｌＯ４、［Ｉｒ（ｃｏｄ）（Ｌ）］ＰＦ６、［Ｉｒ（ｃｏｄ）（Ｌ）］ＢＰｈ４、
［Ｉｒ（ｎｂｄ）（Ｌ）］ＢＦ４、［Ｉｒ（ｎｂｄ）（Ｌ）］ＣｌＯ４、［Ｉｒ（ｎｂｄ）（Ｌ）］ＰＦ６、［Ｉｒ（ｎｂｄ）（Ｌ）］ＢＰｈ４
【００２４】パラジウム錯体：
パラジウム錯体は、文献（Ｙ．　Ｕｏｚｕｍｉ　ａｎｄ　Ｔ．　Ｈａｙａｓｈｉ，　Ｊ．　Ａｍ．　Ｃｈｅｍ．　Ｓｏｃ．，　１９９１，　１１３，　９８８７．）に記載の方法に従って、本発明のジホスフィン化合物であるＤＡＮＰとπ−アリルパラジウムクロリドを反応させることにより調製できる。パラジウム錯体の具体例として、例えば以下のものを挙げることができる。
ＰｄＣｌ２（Ｌ）、ＰｄＢｒ２（Ｌ）、ＰｄＩ２（Ｌ）、
［（π−アリル）ｐｄ（Ｌ）］２、
［Ｐｄ（Ｌ）］ＢＦ４、［Ｐｄ（Ｌ）］ＣｌＯ４、［Ｐｄ（Ｌ）］ＰＦ６、［Ｐｄ（Ｌ）］ＢＰｈ４、
［（π−アリル）Ｐｄ（Ｌ）］Ｃｌ、［（π−アリル）Ｐｄ（Ｌ）］ＢＦ４、［（π−アリル）Ｐｄ（Ｌ）］ＣｌＯ４、
［（π−アリル）Ｐｄ（Ｌ）］ＰＦ６、［（π−アリル）Ｐｄ（Ｌ）］ＢＰｈ４
【００２５】ニッケル錯体：
ニッケル錯体は、例えば、日本化学会編「第４版実験化学講座」第１８巻、有機金属錯体、１９９１年、３７６頁、丸善の方法で調製できるが、または文献（Ｙ．　Ｕｏｚｕｍｉ　ａｎｄ　Ｔ．　Ｈａｙａｓｈｉ，　Ｊ．　Ａｍ．　Ｃｈｅｍ．　Ｓｏｃ．，　１９９１，　１１３，　９８８７）に記載の方法に従って、本発明のジホスフィン化合物であるＤＡＮＰと塩化ニッケルとを、イソプロパノールとメタノールの混合溶媒に溶解し、加熱撹拌することにより調製できる。ニッケル錯体の具体例として、例えば以下のものを挙げることができる。
ＮｉＣｌ２（Ｌ）、ＮｉＢｒ２（Ｌ）、ＮｉＩ２（Ｌ）
【００２６】かくして得られた新規光学活性ジホスフィン化合物を配位子とする遷移金属錯体は、不斉水素化反応の触媒として有用である。本発明の錯体を触媒として使用する場合は、錯体の純度を高めてから使用してもよいが、また、錯体を精製することなく使用してもよい。
前記、遷移金属錯体の中では、特に、ルテニウムと光学活性ジホスフィン化合物であるＤＡＮＰを配位子として含む錯体が、デヒドロナプロキセンの不斉水素化反応において、ＢＩＮＡＰやｐ−ＴｏｌＢＩＮＡＰ等のルテニウム錯体より高いエナンチオ選択性を与えることが可能である。
【００２７】前記遷移金属錯体を用いて不斉水素化反応させる場合、不斉水素化反応させる基質としては、カルボニル化合物、イミン類、オレフィン類などが挙げられる。具体的には、α−ケトエステル類、β−ケトエステル類、γ−ケトエステル、α−ヒドロキシケトン、β−ヒドロキシケトン、エナミド類、エノールエステル類、アリルアルコール類、α，β−不飽和カルボン酸類が挙げられる。より具体的には、α，β−不飽和カルボン酸類が挙げられ、好ましくはデヒドロナプロキセンが挙げられる。
【００２８】
以下、本発明の遷移金属錯体を用いて不斉水素化反応を行うときの反応条件を説明する。これら条件は用いる基質、錯体などにより変わりうるので一概にはいえないが、通常、１０〜８０℃の反応温度にて、１０気圧〜６０気圧の水素圧下、５時間〜２４時間反応させる。上記基質に対する上記錯体の使用量は、１／５００〜１／５０００（モル比）程度である。反応溶媒は、安定なものであり、基質や生成物に影響を与えない限りどのようなもの使用可能であるが、具体的には、メタノールやエタノールなどの低級アルコール、テトラヒドロフランなどのエーテル類、メチレンクロリド、クロルベンゼンなどのハロゲン化炭化水素などが用いられる。その使用量は基質の溶解度などにより変わりうるので一概にはいえないが、通常、基質の重量に対して０．１〜１００倍容量（ｍｌ／ｇ）程度用いられる。
【００２９】
【発明の効果】
本発明の新規なジホスフィン化合物は、とくに遷移金属錯体の配位子として有用である。また、該遷移金属錯体は不斉水素化反応の触媒として有用である。この触媒を使用することにより、光学純度が高い不斉水素化物を収率よく得ることができ、産業的にも極めて有用である。
【００３０】
【実施例】
以下に実施例を挙げ、本発明を詳細に説明するが、本発明はこれらによってなんら限定されるものではない。
なお、各実施例における物性の測定に用いた装置は次の通りである。
１Ｈ　ＮＭＲ　　　Ｂｒｕｋｅｒ社製　ＤＲＸ５００　（５００ＭＨｚ）
３１Ｐ　ＮＭＲ　　Ｂｒｕｋｅｒ社製　ＤＲＸ５００　（２０２ＭＨｚ）
融点　　　　Ｙａｎａｃｏ社製　ＭＰ−５００Ｄ
旋光度　　　日本分光社製　ＤＩＰ−４
ガスクロマトグラフィー　　　　Ｈｅｗｌｅｔｔ　Ｐａｃｋａｒｄ社製　５８９０−ＩＩ
高速液体クロマトグラフィー　　Ｈｅｗｌｅｔｔ　Ｐａｃｋａｒｄ社製　ＨＰ１１００
質量分析　　日立製作所　Ｍ−８０Ｂ
【００３１】
【実施例１】化合物（１３）の合成
（１３）
2004010500.tif 000008
（ａ）　（±）−７，７’−ビス−ベンジルオキシ−［１，１’］−ビナフタレン−２，２’−ジオール
（（±）−（１０））　の合成
７−ベンジルオキシ−ナフタレン−２−オール　５５．８　ｇ　（０．２２３　ｍｏｌ）、塩化銅（ＩＩ）６０．０　ｇ　（０．４４６　ｍｏｌ）、メタノール（１．５Ｌ）の混合物にｔ−ブチルアミン　１３０．５　ｇ　（１．７８ｍｏｌ）のメタノール　（５００　ｍＬ）溶液を滴下し、室温で２０時間撹拌した。反応液を氷浴にて冷却し、６Ｎ塩酸５００　ｍＬを加えたのちメタノールを減圧留去した。残渣を酢酸エチル（１．５　Ｌ）に溶かし、飽和食塩水にて洗浄した。溶媒を減圧留去し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、表題化合物４７．３ｇを得た。収率８５％。
ＥＩ−ＭＳ　ｍ／ｚ　４９８　（Ｍ＋）
１Ｈ−ＮＭＲ　（ＣＤＣｌ３）：δ　４．６９　（２Ｈ，　ｄ，　Ｊ＝１１．６　Ｈｚ），　４．８３　（２Ｈ，　ｄ，　Ｊ＝１１．６　Ｈｚ），　４．９９　（２Ｈ，　ｓ），　６．４８　（２Ｈ，　ｄ，　Ｊ＝２．４　Ｈｚ），　７．０７−７．２５　（１４Ｈ，　ｍ），　７．８０　（２Ｈ，　ｄ，　Ｊ＝９．０　Ｈｚ），　７．８９　（２Ｈ，　ｄ，　Ｊ＝９．０Ｈｚ）
【００３２】
（ｂ）　（±）−７，７’−ビス−ベンジルオキシ−［１，１’］−ビナフタレン−２，２’−ジオール
（（±）−（１０））　の光学分割
（ａ）で得られた（±）−７，７’−ビス−ベンジルオキシ−［１，１’］−ビナフタレン−２，２’−ジオール（（±）−（１０））　　４３．０６　ｇ　（０．０８６　ｍｏｌ）、キニーネ　３０．８１　ｇ　（０．１２０　ｍｏｌ）、エタノール　１Ｌの混合物を加熱還流下、３０分撹拌した。生じた固体を濾取し、ジクロロメタンに溶解した。有機層を１Ｎ塩酸、水で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。溶媒を減圧留去し、（Ｒ）−（−）−７，７’−ビス−ベンジルオキシ−［１，１’］−ビナフタレン−２，２’−ジオール　（（Ｒ）−（−）−（１０））　１７．７６　ｇ　（９９．５％　ｅｅ）を得た。
［α］Ｄ２４−２３２．０°　（ｃ　＝　１．００，　ＣＨＣ３）
ｍｐ．：６６−６８℃
【００３３】
（ｃ）　（Ｒ）−（−）−７，７’−ビス−ベンジルオキシ−２，２’−ビス−メトキシメトキシ［１，１’］−ビナフタレン　（１１）の合成
窒素気流下、（ｂ）で得られた（Ｒ）−（−）−７，７’−ビス−ベンジルオキシ−［１，１’］−ビナフタレン−２，２’−ジオール（（Ｒ）−（−）−（１０））　４２．４２　ｇ　（０．０８５　ｍｏｌ）、ジイソプロピルエチルアミン　４５　ｍＬ　（０．２５８　ｍｏｌ）、ジクロロメタン　４２０　ｍＬの混合物を４℃に冷却し、クロロメチルメチルエーテル　４５　ｍＬ　（０．２５８　ｍｏｌ）を加え室温で一晩撹拌した。反応液を１Ｎ塩酸、水の順に洗浄し無水硫酸ナトリウムで乾燥後、溶媒を減圧した。残渣をシリカゲルろ過し、表題化合物　４９．５　ｇを得た。収率９９％。
［α］Ｄ２４−１０１．４°（ｃ　＝　０．５０，　ＣＨＣＣ３）
ＥＩ−ＭＳ　ｍ／ｚ　５８６　（Ｍ＋）
１Ｈ−ＮＭＲ　（ＣＤＣｌ３）：δ　３．１３　（６Ｈ，　ｓ），　４．７０　（４Ｈ，ｓ），　４．８９　（２Ｈ，　ｄ，　Ｊ＝６．６　Ｈｚ），　４．９７　（２Ｈ，　ｄ，　Ｊ＝６．６　Ｈｚ），　６．４７　（２Ｈ，　ｄ，　Ｊ＝２．４　Ｈｚ），　７．１０−７．２１　（１０Ｈ，　ｍ），　７．４０　（２Ｈ，　ｄ，　Ｊ＝　９．０Ｈｚ），　７．７８　（２Ｈ，　ｄ，　Ｊ＝９．０Ｈｚ），　７．８６　（２Ｈ，　ｄ，　Ｊ　＝　９．０Ｈｚ）
【００３４】
（ｄ）　（Ｒ）−（−）−２，２’−ビス−メトキシメトキシ［１，１’］−ビナフタレン−７，７’−ジオール　（１２）の合成
（ｃ）で得た（Ｒ）−（−）−７，７’−ビス−ベンジルオキシ−２，２’−ビス−メトキシメトキシ［１，１’］−ビナフタレン　（１１）　４５．０　ｇ　（０．０７６ｍｏｌ）、５％パラジウム−炭素　４５　ｇ、ギ酸アンモニウム　１１５　ｇ　（１．８２　ｍｏｌ）、メタノール　８００　ｍＬの混合物を、６時間加熱還流した。反応液をセライトで濾過し、濾液を濃縮した。残渣を酢酸エチルに溶かし、水、飽和食塩水の順で洗浄した。無水硫酸ナトリウムで乾燥後、シリカゲル濾過を行い、表題化合物３０．２　ｇを得た。収率９８％。
［α］Ｄ２４−４３．８°　（ｃ　＝　０．５０，　ＣＨ３ＯＨ）
ｍｐ　：　１８９−１９０℃
ＥＩ−ＭＳ　ｍ／ｚ　４０６　（Ｍ＋）
１Ｈ−ＮＭＲ　（ＣＤＣｌ３）：δ　３．２０　（６Ｈ，ｓ），　５．０１　（２Ｈ，　ｄ，　Ｊ　＝　６．８　Ｈｚ），　５．１２　（２Ｈ，ｄ，　Ｊ　＝　６．８　Ｈｚ），　６．４７（２Ｈ，　ｄ，　Ｊ　＝　２．４Ｈｚ），　６．９５（２Ｈ，　ｄｄ，　Ｊ　＝　８．８，　２．４　Ｈｚ），　７．４０（２Ｈ，　ｄ，　Ｊ　＝　９．０　Ｈｚ），　７．７７（２Ｈ，　ｄ，　Ｊ　＝　８．８Ｈｚ），　７．８６　（２Ｈ，　ｄ，　Ｊ　＝　８．８　Ｈｚ）
【００３５】
（ｅ）　化合物（１３）の合成
（１３）
2004010500.tif 000009
窒素気流下、（ｄ）で得られた（Ｒ）−（−）−２，２’−ビス−メトキシメトキシ［１，１’］−ビナフタレン−７，７’−ジオール　（１２）　２９．７５　ｇ　（７３．２　ｍｍｏｌ）、炭酸セシウム　３７．４３　ｇ　（１１５　ｍｍｏｌ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド　７５０ｍＬの混合物を６０℃で加熱撹拌している中に、ｐ−キシリレンジブロミド　２０．５０　ｇ　（７７．７　ｍｍｏｌ）のＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド　７５０ｍＬ溶液を滴下し、同温度で一晩撹拌した。反応液を濾過し、溶媒を減圧留去した。残渣をクロロホルムに溶かし、水で洗浄した後、溶媒を減圧留去した。残渣に酢酸エチル　１２０ｍｌを加え、１時間加熱還流した。生じた固体を濾取し、表題化合物　２９．３３　ｇを得た。収率７８．６％。
［α］Ｄ２４−３５２．０°　（ｃ　＝　０．５０，　ＣＨＣ３）
ｍｐ　：　２２０−２２１．５℃
ＥＩ−ＭＳ　ｍ／ｚ　５０８　（Ｍ＋）
１Ｈ−ＮＭＲ　（ＣＤＣｌ３）：δ　３．０５　（６Ｈ，ｓ），　４．８４　（２Ｈ，　ｄ，　Ｊ　＝　６．６Ｈｚ），　４．８７　（２Ｈ，　ｄ，　Ｊ　＝　１１．６　Ｈｚ），　４．９５　（２Ｈ，ｄ，　Ｊ　＝　６．６　Ｈｚ），　５．０６　（２Ｈ，　ｄ，　Ｊ　＝　１１．６　Ｈｚ），　５．８６　（２Ｈ，　ｄ，　Ｊ　＝　２．２　Ｈｚ），　６．４８　（２Ｈ，　ｄｄ，　Ｊ　＝　７．８，　１．６　Ｈｚ），６．９７　（２Ｈ，　ｄｄ，　Ｊ　＝　７．６，　１．６　Ｈｚ），　７．２５　（２Ｈ，　ｄｄ，　Ｊ　＝　８．８，　２．４　Ｈｚ），　７．３８　（２Ｈ，　ｄ，　Ｊ　＝　９．０　Ｈｚ），　７．８３　（４Ｈ，　ｄ，　Ｊ　＝　８．８　Ｈｚ）
【００３６】
【実施例２】化合物（１４）の合成
（１４）
2004010500.tif 000010
実施例１の（ｅ）で得られた化合物（１３）２８．８　ｇ　（５６．６　ｍｍｏｌ）、テトラヒドロフラン　２Ｌ、３５％塩酸　３０ｍＬの混合物をで２時間加熱還流した。反応液を濃縮後、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、表題化合物　２２．０２　ｇを得た。収率９２．６％。
［α］Ｄ２８−４５５．１°　（ｃ　＝　０．５０，　ＣＨＣ３）
ｍｐ　：　９６−９７℃
ＥＩ−ＭＳ　ｍ／ｚ　４２０　（Ｍ＋）
１Ｈ−ＮＭＲ　（ＣＤＣｌ３）：δ　　４．８９　（２Ｈ，　ｄ，　Ｊ　＝　１１．６　Ｈｚ），　５．０９　（２Ｈ，　ｄ，　Ｊ　＝　１１．６　Ｈｚ），　５．７９　（２Ｈ，　ｄ，　Ｊ　＝　２．２　Ｈｚ），　６．４９　（２Ｈ，　ｄｄ，　Ｊ　＝　８．２，　１．４　Ｈｚ），　６．９８　（２Ｈ，　ｄｄ，　Ｊ　＝　８．０，　１．４　Ｈｚ），　７．２０　（２Ｈ，　ｄ，　Ｊ　＝　８．８　Ｈｚ），　７．２４−７．２９　（４Ｈ，　ｍ），　７．８３　（２Ｈ，　ｄ，　Ｊ　＝　２．６　Ｈｚ），　７．８７　（２Ｈ，　ｄ，　Ｊ　＝　２．６　Ｈｚ）
【００３７】
【実施例３】化合物（１５）の合成
（１５）
2004010500.tif 000011
窒素気流下、実施例２で得られた化合物（１４）１．１２　ｇ　（２．６６　ｍｍｏｌ）、ジクロロメタン　１２ｍＬ、ピリジン　１．１　ｍＬ　（１３．６　ｍｍｏｌ）の混合物を氷浴で冷却し、トリフルオロメタンスルホン酸無水物　１．１　ｍＬ　（６．５２　ｍｍｏｌ）を加え、室温で８７時間撹拌した。反応液をジクロロメタンで希釈し、１Ｎ塩酸、水の順で洗浄した。有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥し、溶媒を減圧留去した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、表題化合物　１．４８　ｇを得た。収率８１．２　％。
［α］Ｄ２４−３１８．９°　（ｃ　＝　０．５０，　ＣＨＣ３）
ｍｐ　：　８６−８８℃
ＥＩ−ＭＳ　ｍ／ｚ　６８４　（Ｍ＋）
１Ｈ−ＮＭＲ　（ＣＤＣｌ３）：δ　　４．９６　（２Ｈ，　ｄ，　Ｊ　＝　１１．９　Ｈｚ），　５．１２　（２Ｈ，　ｄ，　Ｊ　＝　１１．９　Ｈｚ），　５．９５　（２Ｈ，　ｄ，　Ｊ　＝　２．１　Ｈｚ），　６．５５　（２Ｈ，　ｄｄ，　Ｊ　＝　７．８，　１．６　Ｈｚ），　７．０１　（２Ｈ，　ｄｄ，　Ｊ　＝　７．８，　１．６　Ｈｚ），　７．４２　（２Ｈ，　ｄ，　Ｊ　＝　９．０　Ｈｚ），　７．４８　（２Ｈ，　ｄｄ，　Ｊ　＝　９．０，　２．２Ｈｚ），　７．９５　（２Ｈ，　ｄ，　Ｊ　＝　９．０　Ｈｚ），　８．０１　（２Ｈ，　ｄ，　Ｊ　＝　９．０　Ｈｚ）
【００３８】
【実施例４】化合物（８）（（−）−ＤＡＮＰ）の合成
窒素気流下、実施例３で得られた化合物（１５）４．００　ｇ　（５．８４　ｍｍｏｌ）、Ｐｄ２（ｄｂａ）３・ＣＨＣｌ３３１７．０　ｍｇ　（０．３１　ｍｍｏｌ）、１，３−ビスジフェニルホスフィノプロパン　２７１．２　ｍｇ　（０．６６　ｍｍｏｌ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド　４０ｍＬ、ジイソプロピルエチルアミン　３．０　ｍＬ　（１７．２　ｍｍｏｌ）の混合物を１００℃で加熱撹拌している中に、ジフェニルホスフィン　２．６　ｍＬ　（１．５　ｍｍｏｌ）を加え同温度で３日間撹拌した。反応液をジクロロメタンで希釈し、１Ｎ塩酸、水の順で洗浄した。有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥し、溶媒を減圧留去した。残渣をシリカゲル濾過した後、メタノールから再沈殿を行い、表題化合物２．３５　ｇを得た。収率　５３．３％。（ｄｂａ　＝ジベンジリデンアセトン
［α］Ｄ２４−６２．７°　（ｃ　＝　０．２４４，　ＣＨＣの３）
ｍｐ　：　２９５℃　（分解）
ＣＩ−ＭＳ　ｍ／ｚ　７５７　（Ｍ＋＋１）
１Ｈ−ＮＭＲ　（ＣＤＣｌ３）：δ　４．７７　（２Ｈ，　ｄ，　Ｊ　＝　１１．９　Ｈｚ），　４．８５　（２Ｈ，　ｄ，　Ｊ　＝　１１．９　Ｈｚ），　５．４３　（２Ｈ，　ｄ，　Ｊ　＝　２．３　Ｈｚ），　６．３２　（２Ｈ，　ｄｄ，　Ｊ　＝　７．８，　１．７　Ｈｚ），　６．７９　（２Ｈ，　ｄｄ，　Ｊ　＝　７．８，　１．７　Ｈｚ），　６．８７　（４Ｈ，　ｍ），　７．０４−７．２５　（２０Ｈ，　ｍ），　７．７５　（４Ｈ，　ｄ，　Ｊ　＝　８．８　Ｈｚ）
３１Ｐ−ＮＭＲ　（ＣＤＣｌ３）　：δ　−１２．８
【００３９】
【実施例５】化合物（１６）（以下、（−）−ＤＭ−ＤＡＮＰという）の合成
（１６）
2004010500.tif 000012
窒素気流下、実施例３で得られた化合物（１５）１．１０　ｇ　（１．６０　ｍｍｏｌ）、Ｐｄ２（ｄｂａ）３・ＣＨＣｌ３１６７．２　ｍｇ　（０．１６　ｍｍｏｌ）、１，３−ビスジフェニルホスフィノプロパン　１４４．０　ｍｇ　（０．３５　ｍｍｏｌ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド　１０ｍＬ、ジイソプロピルエチルアミン　０．８７　ｍＬ　（５．０　ｍｍｏｌ）の混合物を１００℃で加熱撹拌している中に、ジ（３，５−ジメチルフェニル）ホスフィン　１．２　ｇ　（５．０　ｍｍｏｌ）を加え同温度で８４時間撹拌した。反応液をジクロロメタンで希釈し、１Ｎ塩酸、水の順で洗浄した。有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥し、溶媒を減圧留去した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、表題化合物０．６５　ｇを得た。収率　４６．８％。（ｄｂａ　＝ジベンジリデンアセトン化
［α］Ｄ２４−３９．６°　（ｃ　＝　０．５０，　ＣＨＣＤ３）
ｍｐ　：　１４０−１４２℃
ＣＩ−ＭＳ　ｍ／ｚ　８６９　（Ｍ＋＋１）
１Ｈ−ＮＭＲ　（ＣＤＣｌ３）：δ　２．０３　（１２Ｈ，　ｓ），　２．１２　（１２Ｈ，　ｓ），　４．７９　（２Ｈ，　ｄ，　Ｊ　＝　１１．９　Ｈｚ），　４．８８　（２Ｈ，　ｄ，　Ｊ　＝　１１．９　Ｈｚ），　５．５７　（２Ｈ，　ｄ，　Ｊ　＝　２．２　Ｈｚ），　６．３３　（２Ｈ，　ｄｄ，　Ｊ　＝　７．７，　１．８　Ｈｚ），　６．５５　（２Ｈ，　ｄ，　Ｊ　＝　６．５　Ｈｚ），　６．７１−６．７８　（１０Ｈ，　ｍ），　７．２８　（２Ｈ，　ｄｄ，　Ｊ　＝　８．８，　２．３　Ｈｚ），　７．３５　（２Ｈ，　ｄｄ，　Ｊ　＝　８．４，　２．６　Ｈｚ），　７．７４　（２Ｈ，　ｄ，　Ｊ　＝８．３　Ｈｚ），　７．７９　（２Ｈ，　ｄ，　Ｊ　＝　８．８　Ｈｚ）
３１Ｐ−ＮＭＲ　（ＣＤＣｌ３）　：　δ　−１２．５
【００４０】
【実施例６】［ＲｕＣｌ（ｐ−ｃｙｍｅｎｅ）（（−）−ＤＡＮＰ）］Ｃｌの調製
２０ｍｌシュレンク管中で、［Ｒｕ（ｐ−ｃｙｍｅｎｅ）Ｃｌ２］２（３０．８ｍｇ，　０．０５ｍｍｏｌ）、実施例４で得られた（−）−ＤＡＮＰ　７６．２　ｍｇ　（０．１０ｍｍｏｌ）、塩化メチレン　４ｍｌ、エタノール　４ｍｌの混合物を５０℃で３時間撹拌した。溶媒を減圧留去後、真空乾燥し、表題化合物１０７．０　ｍｇを得たｄ
３１Ｐ−ＮＭＲ　（ＣＤ２Ｃｌ２）　：δ　４２．９　（ｄ，　Ｊ　＝　６２．８　Ｈｚ），　２７．１（ｄ，　Ｊ　＝　６２．８　Ｈｚ）
【００４１】
【実施例７】［Ｒｕ（ＯＡｃ）２（（−）−ＤＡＮＰ）］の調製　（式中、Ａｃはアセチル基を示す）
窒素気流下、２０ｍｌシュレンク管中で、実施例６で得られた［ＲｕＣｌ（ｐ−ｃｙｍｅｎｅ）（（−）−ＤＡＮＰ）］Ｃｌ　　１０６．２　ｍｇ　（０．１０　ｍｍｏｌ）、酢酸ナトリウム１６４．２　ｍｇ　（２．０　ｍｍｏｌ）、１，４−ジオキサン５ｍｌの混合物を、１６時間加熱還流した。セライト濾過後、溶媒を減圧留去し、表題化合物９７．０　ｍｇを得た。
３１Ｐ−ＮＭＲ　（ＣＤ２Ｃｌ２）　：　δ　６４．９（ｓ）
【００４２】
【実施例８】［ＲｕＣｌ（ｐ−ｃｙｍｅｎｅ）（（−）−ＤＭ−ＤＡＮＰ）］Ｃｌの調製
２０ｍｌシュレンク管で、［Ｒｕ（ｐ−ｃｙｍｅｎｅ）Ｃｌ２］２（７０．５　ｍｇ，　０．１１５ｍｍｏｌ）、実施例５で得られた（−）−ＤＭ−ＤＡＮＰ　２００．５　ｍｇ　（０．２３０ｍｍｏｌ）、塩化メチレン４　ｍｌ、エタノール４　ｍｌの混合物を５０℃で３時間撹拌した。溶媒を減圧留去後、真空乾燥し、表題化合物２７１．０　ｍｇを得た流
３１Ｐ−ＮＭＲ　（ＣＤ２Ｃｌ２）　：δ　４０．７　（　ｄ，　Ｊ　＝　６１．７　Ｈｚ），　２９．８（ｄ，　Ｊ　＝　６１．７　Ｈｚ）
【００４３】
【実施例９】［Ｒｕ（ＯＡｃ）２（（−）−ＤＭ−ＤＡＮＰ）］の調製　　（式中、Ａｃはアセチル基を示す）
窒素気流下、２０ｍｌシュレンク管に、実施例８で得られた［ＲｕＣｌ（ｐ−ｃｙｍｅｎｅ）（（−）−ＤＭ−ＤＡＮＰ）］Ｃｌ　　１１７．１　ｍｇ　（０．１０　ｍｍｏｌ）、酢酸ナトリウム１６４．２　ｍｇ　（２．０　ｍｍｏｌ）、１，４−ジオキサン５ｍｌを入れ、１６時間加熱還流した。セライト濾過後、溶媒を減圧留去し、表題化合物１０９．０　ｍｇを得た。
３１Ｐ−ＮＭＲ　（ＣＤ２Ｃｌ２）　：δ　６４．９　（ｓ）
【００４４】
【使用例１】デヒドロナプロキセンの不斉水素化反応
実施例７で得られた錯体２．１ｍｇ　（０．００２２　ｍｍｏｌ）、デヒドロナプロキセン０．５　ｇ（２．２ｍｍｏｌ）　、メタノール　３　ｍｌをステンレスオートクレーブに入れ、１５℃、水素圧５０ａｔｍで、１９時間加熱撹拌すると、光学活性ナプロキセンが得られた。得られた光学活性ナプロキセンの転化率及び光学純度を高速液体クロマトグラフィーにて測定したところ、転化率が９６．８％以上で、光学純度は８５．７％　ｅｅであった。
転化率、光学純度の測定は、以下の条件で行った。
ＳＵＭＩＣＨＩＲＡＬ　ＯＡ−２５００　（４．６ｍｍ　Ｘ　２５０ｍｍ）
Ｅｌｕｅｎｔ　：　０．０５　Ｍ酢酸アンモニウムメタノール溶液
Ｆｌｏｗ　：　１．０　ｍｌ／ｍｉｎ．
Ｄｅｔｅｃｔ　：２５４　ｎｍ
【００４５】
【使用例２】デヒドロナプロキセンの不斉水素化反応
実施例９で得られた錯体（４．８　ｍｇ，　０．００４４　ｍｍｏｌ）、デヒドロナプロキセン（０．５ｇ，　２．２　ｍｍｏｌ）、メタノール　３　ｍｌをステンレスオートクレーブに入れ、１５℃、水素圧５０ａｔｍで、７時間加熱撹拌すると、光学活性ナプロキセンが得られた。得られた光学活性ナプロキセンの転化率及び光学純度を高速液体クロマトグラフィーにて測定したところ、転化率が９９％以上で、光学純度は９２．３％　ｅｅであった。なお、転化率と光学純度の測定は、使用例１と同様の方法により行った。
【００４６】
【比較例１】ルテニウム錯体をＲｕ２Ｃｌ４［（Ｒ）−ｐ−Ｔｏｌｂｉｎａｐ］２ＮＥｔ３に代えた以外は使用例１と同様にデヒドロナプロキセンの不斉水素化反応行ったところ、光学活性ナプロキセンが得られた。転化率は９３．１％であり、光学純度は８７．０％ｅｅであった。