(57)【要約】【課題】レジスト層を除去する処理速度が大きく、かつ均一な処理が可能なレジスト処理装置および処理方法を提供することである。【解決手段】被処理基板３６と紫外線透過パネル３３との間に処理流体供給手段３４によって処理流体４５を供給する。このとき紫外線透過パネル３３を介して紫外線を被処理基板３６に照射することによって、処理流体４５ではオゾンが励起されて反応活性種が発生する。紫外線透過パネル３３に処理流体４５に干渉する干渉部６１を設け、前記処理流体４５の流れに乱れを発生することによって、紫外線の照射方向の上流側となる紫外線透過パネル３３付近で効率的に発生する反応性活種を、レジスト層３７が形成される被処理基板３６の近傍に拡散させることができ、レジストを分解して除去する処理速度を向上させることができるとともに、レジスト層３７を均一に除去することができる。【選択図】      図１
2004327943.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
オゾンを含む処理流体をレジスト層が形成された被処理基板に供給しながら、その被処理基板に紫外線を透過する紫外線透過パネルを介して紫外線を照射し、この紫外線の照射によって発生した反応活性種によって被処理基板のレジスト層のレジストを分解して除去するレジスト処理装置において、
前記紫外線透過パネルが設けられ、かつ前記紫外線透過パネルの下方に間隔をあけて配置される被処理基板が収容される処理空間を有する処理槽と、
処理槽の処理空間に被処理基板を保持する保持手段と、
処理槽の処理空間で前記保持手段によって保持される被処理基板と紫外線透過パネルとの間に、処理流体を供給する処理流体供給手段とを含み、
前記紫外線透過パネルには、処理流体供給手段から供給される処理流体の流れに干渉する干渉部が設けられることを特徴とするレジスト処理装置。
【請求項２】
前記干渉部は、紫外線透過パネルの前記保持手段に保持される被処理基板に臨む表面に設けられ、前記処理流体の流れに交差する方向に延びる複数の凸部から成ることを特徴とする請求項１記載のレジスト処理装置。
【請求項３】
前記干渉部は、紫外線透過パネルの前記保持手段に保持される被処理基板に臨む表面に設けられ、前記処理流体の流れに交差する方向に延びる複数の凹部から成ることを特徴とする請求項１記載のレジスト処理装置。
【請求項４】
前記保持手段は、被処理基板を処理空間で前記処理流体の流れに対して下流側から上流側へ移動させる駆動部を有することを特徴とする請求項１〜３のいずれか１つに記載のレジスト処理装置。
【請求項５】
前記紫外線透過パネルには、処理流体供給手段から供給される処理流体の流れの方向下流側から上流側になるにつれて被処理基板の前記紫外線透過パネルに臨む表面から離反する方向に傾斜する案内面が形成されることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１つに記載のレジスト処理装置。
【請求項６】
オゾンを含む処理流体をレジスト層が形成された被処理基板に供給しながら、その被処理基板に紫外線を透過する紫外線透過パネルを介して紫外線を照射し、この紫外線の照射によって発生した反応活性種によって被処理基板のレジスト層のレジストを分解して除去するレジスト処理方法において、
上部に前記紫外線透過パネルが設けられる処理槽の処理空間に、前記紫外線透過パネルから間隔をあけて配置される被処理基板を収容し、
処理槽に収容された被処理基板と紫外線透過パネルとの間に処理流体を供給し、
前記処理流体の流れを、被処理基板と紫外線透過パネルとの間に供給された処理流体の流れに乱れを発生させることを特徴とするレジスト処理方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体基板および液晶パネル用基板などの被処理基板の表面に形成された有機化合物によって形成されるレジスト層を除去するレジスト処理装置および処理方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体製造プロセスにおいては、半導体基板の表面に対してレジスト塗布、エッチングおよびレジスト剥離の工程が順番に繰り返される。前記レジスト剥離の工程は、たとえば有機溶剤から成る剥離液、および硫酸と過酸化水素とを含む硫酸／過酸化水素水混合液などの液体を用いるウェット処理と、プラズマを用いるドライ処理とに大別され、用途によってそれぞれ使い分けられている。両者を比較した場合、一般的にウェット処理の方が経済的である。
【０００３】
しかしながら、有機溶剤および酸など用いるウェット処理は、用いられる液体が総じて環境汚染物質であることから、ウェット処理で発生する排出ガスおよび排出液が環境を汚染しないように、環境面での問題に対処する必要がある。このため環境面での問題がないクリーンで経済的な代替方法として、オゾンを用いるレジスト処理が注目されている。オゾンは強力な酸化力を有しており、しかも分解して酸素になるため、環境汚染の懸念がなく、処理過程で発生する排出ガスおよび排出液が環境を汚染する問題がないことから、クリーンな酸化分解剤として認知されている。
【０００４】
オゾンを用いるレジスト処理においても、気相処理と液相処理とに大別される。気相処理では、オゾンを含むオゾンガスによって半導体基板の表面に形成されたレジスト層を除去する。また液相処理では、オゾンが溶解したいわゆるオゾン水によって半導体基板の表面に形成されたレジスト層を除去する。液相処理では、加熱雰囲気での反応に限界があるので、分解能力が小さい。ところがオゾン水は、紫外線を照射することでオゾンよりも酸化力の強い酸化性ラジカルを生成することが知られており、これによって酸化分解能力を高めることが可能である。
【０００５】
図１５は、オゾンを用いるレジスト処理を実現する第１の従来の技術のレジスト処理装置１の構成を模式的に示す図である。レジスト処理装置１では、ノズル２からレジスト層が形成された被処理基板３の一表面４にオゾンを含む処理流体５を供給しつつ、前記被処理基板３の一表面４に紫外線を照射している。
【０００６】
レジスト処理装置１では、軸線６回りに回転可能な載置台７上に配置された被処理基板３に、この被処理基板３の上方に設けられるノズル２から処理流体５を供給する。前記載置台６およびノズル２は、耐オゾン性の石英容器８に収納されている。処理流体５の供給とともに載置台７の上方からＵＶ（Ｕｌｔｒａ  Ｖｉｏｌｅｔ）ランプ９によって紫外線を照射する。これによって、オゾンの反応活性種を利用して、被処理基板３に形成されるレジスト層を、紫外線を照射しない場合と比較して高速に除去することができる（たとえば、特許文献１参照）。
【０００７】
しかしながらレジスト処理装置１では、被処理基板３に供給される処理流体５であるオゾン水の膜厚が、この被処理基板３の外周ほど小さくなる、つまり半径方向外側に向かうに連れて小さくなるため処理が不均一になる。またオゾン水が飛散すると、ＵＶランプ９によって照射された紫外線が散乱されて、被処理基板３の一表面４に十分な量の紫外線が導かれず、反応活性種を十分に発生させることができず、被処理基板３に形成されたレジスト層の除去効率が低下する、つまり処理速度が低下するという問題がある。
【０００８】
図１６は、第２の従来の技術のレジスト処理装置１０の構成を模式的に示す図である。レジスト処理装置１０において、前述した第１の従来の技術のレジスト処理装置１と同様な構成には、同様な参照符号を付す。前記述した問題に鑑み、第２の従来の技術のレジスト処理装置１０では、被処理基板３の表面に所定の間隔を隔てて透明な案内板１１を配置し、被処理基板３と案内板１１との間の空隙にオゾンを含む処理流体５を供給している。
【０００９】
レジスト装置１０は、被処理基板３を処理する処理空間を有する本体１２の内部に、被処理基板３を支持する載置台７設けている。載置台７の上方には、この載置台７に配置される被処理基板３の一表面４との間に所定の間隙を形成する案内板１１が設けられている。被処理基板３の側方には、ノズル２が設けられる。ノズル２からは、前記間隙に、オゾンを含む処理流体５が供給される。
【００１０】
前記案内板１１の上方には、案内板１１を介して被処理基板３の一表面４に紫外線を照射する光源が設けられる。
【００１１】
ノズル２は、被処理基板３の周辺部の側方から被処理基板３と案内板１１との間に開口している。ノズル２から供給される処理流体は、層流となるように案内板１１と被処理基板２とによって案内される。
【００１２】
処理流体４は、案内板と被処理基板３との間に形成される間隙に導かれるので、飛散することがなく、また被処理基板３の一方面４に対して均一に処理をすることができる（たとえば、特許文献２参照）。
【００１３】
【特許文献１】
特開２００１−２５９７１号公報
【特許文献２】
特開平８−２８８２６９号公報
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】
第２の従来の技術では、処理流体５中に励起される反応活性種は、紫外線を受けやすい案内板１１に近い領域で生成され、被処理基板３の一表面４よりの領域で十分な反応活性種が生成されないという問題がある。したがって、レジスト層の除去効率が十分ではなく、より処理速度が大きなレジスト処理装置が望まれている。
【００１５】
本発明の目的は、レジスト層を除去する処理速度が大きく、かつ均一な処理が可能なレジスト処理装置および処理方法を提供することである。
【００１６】
【課題を解決するための手段】
本発明は、オゾンを含む処理流体をレジスト層が形成された被処理基板に供給しながら、その被処理基板に紫外線を透過する紫外線透過パネルを介して紫外線を照射し、この紫外線の照射によって発生した反応活性種によって被処理基板のレジスト層のレジストを分解して除去するレジスト処理装置において、
前記紫外線透過パネルが設けられ、かつ前記紫外線透過パネルの下方に間隔をあけて配置される被処理基板が収容される処理空間を有する処理槽と、
処理槽の処理空間に被処理基板を保持する保持手段と、
処理槽の処理空間で前記保持手段によって保持される被処理基板と紫外線透過パネルとの間に、処理流体を供給する処理流体供給手段とを含み、
前記紫外線透過パネルには、処理流体供給手段から供給される処理流体の流れに干渉する干渉部が設けられることを特徴とするレジスト処理装置である。
【００１７】
本発明に従えば、処理槽の処理空間には、紫外線透過パネルおよび被処理基板が配置され、この被処理基板は保持手段によって保持され、前記紫外線パネルの下方に間隔をあけて配置される。処理流体供給手段から供給される処理流体は、被処理基板と紫外線透過パネルとの間の空隙を流れる。このとき紫外線透過パネルを介して紫外線を被処理基板に照射することによって、処理流体に紫外線が照射される。紫外線が照射されると、処理流体ではオゾンが励起されて反応活性種が発生する。紫外線透過パネルには、処理流体に干渉する干渉部が設けられるので、被処理基板と紫外線透過パネルとの間に供給される処理流体の流れに乱れを発生する。
【００１８】
これによって、紫外線の照射方向の上流側となる紫外線透過パネル付近で効率的に発生する反応性活種を、レジスト層が形成される被処理基板の近傍に拡散させることができる。したがって、被処理基板付近の処理流体に含まれる反応活性種の濃度を向上させることができとともに、処理流体に含まれる反応活性種の濃度むらの均一化を図ることができるので、レジスト層のレジストを分解して除去する処理速度を向上させることができるとともに、レジスト層を均一に除去することができる。
【００１９】
また本発明は、前記干渉部は、紫外線透過パネルの前記保持手段に保持される被処理基板に臨む表面に設けられ、前記処理流体の流れに交差する方向に延びる複数の凸部から成ることを特徴とする。
【００２０】
本発明に従えば、複数の凸部は、処理流体の流れに交差する方向に延びるので、被処理基板と紫外線透過パネルとの間で処理流体の流れる方向に沿って、処理流体の流路断面積を変化させることができる。このように流路断面積の変化させることによって、処理流体の流れに乱れを容易に生成することができる。
【００２１】
また処理流体が前記凸部に衝突すると、この凸部によって処理流体が被処理基板に向かって案内されるので、紫外線の照射方向の上流側となる紫外線透過パネル付近で効率的に発生する反応性活種を、レジスト層が形成される被処理基板の近傍に効率的に拡散させることができる。したがって、被処理基板付近の処理流体に含まれる反応活性種の濃度をより向上させることができ、レジスト層のレジストを分解して除去する処理速度をより向上させることができる。
【００２２】
また本発明は、前記干渉部は、紫外線透過パネルの前記保持手段に保持される被処理基板に臨む表面に設けられ、前記処理流体の流れに交差する方向に延びる複数の凹部から成ることを特徴とする。
【００２３】
本発明に従えば、複数の凹部は、処理流体の流れに交差する方向に延びるので、被処理基板と紫外線透過パネルとの間で処理流体の流れる方向に沿って、処理流体の流路断面積を変化させることができる。このように流路断面積の変化させることによって、処理流体の流れに乱れを容易に生成することができる。
【００２４】
また本発明は、前記保持手段は、被処理基板を処理空間で前記処理流体の流れに対して下流側から上流側へ移動させる駆動部を有することを特徴とする。
【００２５】
本発明に従えば、駆動部によって被処理基板を処理流体の流れに対して下流側から上流側へと移動させると、前記紫外線透過パネルの干渉部材が設けられる領域に対する被処理基板の相対位置を変更することができる。紫外線透過パネルの干渉部が設けられる領域と残余の領域とにおいて、処理流体の流れに生じる乱れに相違がある場合であっても、前述のように被処理基板の相対位置を変更することによって、被処理基板の全ての領域に同様な状態で処理流体を供給することができるので、レジスト層を均一に除去する精度が向上する。
【００２６】
また駆動部は、被処理基板を処理流体の流れに対して下流側から上流側へと移動させることによって、レジストが分解されて被処理基板から剥離した剥離体が、このレジストが除去された領域に再び付着することが防止される。
【００２７】
また本発明は、前記紫外線透過パネルには、処理流体供給手段から供給される処理流体の流れの方向下流側から上流側になるにつれて被処理基板の前記紫外線透過パネルに臨む表面から離反する方向に傾斜する案内面が形成されることを特徴とする。
【００２８】
本発明に従えば、処理流体供給手段からの処理流体を、案内面によって案内させて被処理基板と紫外線透過パネルとの間に供給することができる。したがって、処理流体の飛散を防止して、被処理基板と紫外線透パネルとの間に精度よく処理流体を供給することができる。
【００２９】
また処理流体の流れの方法上流側から下流側に向かって、流路断面積が小さくなるので、処理流体の流速が高くなり、処理流体が流動することによる物理的な作用によって、レジスト層を効率的に除去することができる。
【００３０】
また本発明は、オゾンを含む処理流体をレジスト層が形成された被処理基板に供給しながら、その被処理基板に紫外線を透過する紫外線透過パネルを介して紫外線を照射し、この紫外線の照射によって発生した反応活性種によって被処理基板のレジスト層のレジストを分解して除去するレジスト処理方法において、
上部に前記紫外線透過パネルが設けられる処理槽の処理空間に、前記紫外線透過パネルから間隔をあけて配置される被処理基板を収容し、
処理槽に収容された被処理基板と紫外線透過パネルとの間に処理流体を供給し、
前記処理流体の流れを、被処理基板と紫外線透過パネルとの間に供給された処理流体の流れに乱れを発生させることを特徴とするレジスト処理方法である。
【００３１】
本発明に従えば、処理流体は、被処理基板と紫外線透過パネルと処理槽との間の空隙を流れる。このとき紫外線透過パネルを介して紫外線を被処理基板に照射することによって、処理流体に紫外線が照射される。紫外線が照射されると、処理流体ではオゾンが励起されて反応活性種が発生する。被処理基板と紫外線透過パネルとの間では、処理流体が乱れを発生して通過させるので、紫外線の照射方向の上流側となる紫外線透過パネル付近で効率的に発生する反応性活種を、レジスト層が形成される被処理基板の近傍に拡散させることができる。したがって、被処理基板付近の処理流体に含まれる反応活性種の濃度を向上させることができとともに、処理流体に含まれる反応活性種の濃度むらの均一化を図ることができるので、レジスト層のレジストを分解して除去する処理速度を向上させることができるとともに、レジスト層を均一に除去することができる。
【００３２】
【発明の実施の形態】
図１は、本発明の実施の一形態であるレジスト処理装置３０の構成を模式的に示す断面図である。レジスト処理装置３０は、処理槽３１と、保持手段３２と、紫外線透過パネル３３と、処理流体供給手段３４、光照射手段３５とを含んで構成される。レジスト処理装置３０は、たとえば半導体基板および液晶パネル用基板などの被処理基板３６に形成された有機化合物から成るレジスト層３７を除去する。
【００３３】
処理槽３１は、被処理基板３６の少なくとも一部を収容する処理空間３８を有する。処理槽３１は、たとえば石英などの耐オゾン性の材料によって形成される。
【００３４】
保持手段３２は、前記処理空間３８に、被処理基板３６の前記少なくとも一部が収容された状態で、被処理基板３６を保持する。保持手段３２は、処理槽３１の処理空間３８に設けられる。被処理基板３６は、そのレジスト層３７が形成された厚み方向一表面３６Ａを上方に臨ませて支持手段３２によって支持される。
【００３５】
保持手段３２は、駆動部４１を有する。駆動部４１は、複数の駆動ローラ４２を有する。レジスト処理装置１は、前記駆動部４１を駆動する駆動源４３を有する。駆動部４１の複数の駆動ローラ４２は、その転軸方向両端部が回転可能に支持される。複数の駆動ローラ４２は、その回転軸線を予め定める間隔あけて、平行に配置される。複数の駆動ローラ４２は、その軸線方向一端部および他端部の少なくとも一方が、ベルトおよび歯車などの駆動力伝達手段によって相互に回転可能に連結される。
【００３６】
駆動源４３は、たとえばモータによって実現される。駆動源４３によって、前記駆動ローラ４２のうちの１つに回転力を与えることによって、複数の駆動ローラ４２を回転駆動することができる。これによって、駆動ローラ４２に支持される被処理基板３６を搬送することができる。各駆動ローラ４２の被処理基板３６と相互に接触する外周部は、予め定める摩擦係数μを有する。これによって、駆動ローラ４２が空転することなく、被処理基板３６を円滑に搬送することができる。
【００３７】
紫外線透過パネル３３は、紫外線透過パネル３３は保持手段３４によって保持される被処理基板３６の上方に配置され、処理空間３８に設けられる。紫外線透過パネル３３は、紫外線を透過する。紫外線透過パネル３３は、たとえば処理槽３１に固定される。紫外線透過パネル３３は、板状の部材によって構成され、支持手段３２によって支持される被処理基板３６の一表面３６Ａである上面から、予め定める間隔Ｌ２をあけて、被処理基板３６に平行に配置される。前記予め定める間隔Ｌ２は、たとえば１ｍｍ以上５ｍｍ未満に選ばれる。本発明において平行とは、平行および平行からわずかな角度、たとえば０°よりも大きく５°よりも小さな角度だけ傾斜した状態を含む。
【００３８】
紫外線透過パネル３３の材質としては、紫外線透過性の点から石英ガラスが好ましい。このため本実施の形態では、紫外線透過パネル３３として石英ガラスを用いる。紫外線透過パネル３３の詳細な構成については後述する。
【００３９】
処理流体供給手段３４は、処理槽３１の処理空間３８に配置される被処理基板３６と紫外線透過パネル３３との間に処理流体４５を供給する。処理流体供給手段３４は、処理流体供給源５１と、配管５２と、ノズル部５３とを有する。処理流体供給源５１には、処理流体４５であるオゾン水が格納される。オゾン水は、オゾンが含まれる純水である。このオゾン水のオゾンの濃度は、たとえば１５０ｐｐｍである。
【００４０】
ノズル部５３は、処理槽３１の内部空間に配置され、このノズル部５３には、配管５４を介して処理流体供給源５１から処理流体４５が供給される。処理流体供給源５１には、配管５２の一端部が接続され、この配管５２の他端部はノズル部５３に接続される。ノズル部５３には、処理流体４５を被処理基板３６と紫外線透過パネル３３との間に供給するノズルが形成される。ノズル部５３は、紫外線透過パネル３３の側方であり、かつ被処理基板３６の搬送方向一方側である予め定める位置で固定される。
【００４１】
ノズル部５３は、保持手段３２に保持される被処理基板３６よりも上方に配置される。これによって、ノズル部５３が搬送手段４２によって搬送される被処理基板３６に接触することが防止される。
【００４２】
ノズル部５３は、被処理基板３６のレジスト層３７が形成される一表面３６Ａに対して、予め定める角度θ１傾斜した仮想一平面に沿って処理流体４５を吐出する。前記予め定める角度θ１は、たとえば５°以上６０°未満に選ばれる。これによって、紫外線透過パネル３３の側方から被処理基板３６と紫外線透過パネル３３との間に処理流体４５を円滑に供給することができる。被処理基板３６と紫外線透過パネル３３との間に供給される処理流体４５の単位面積あたりの流量は、たとえば５ｌ／ｍ以上２０ｌ／ｍ未満に選ばれる。
【００４３】
ノズル部５３のノズルは、前記駆動ローラ４２の軸線方向に平行な方向に被処理基板３６の全領域にわたって開口してもよく、前記駆動ローラ４２の軸線方向に平行な方向に、所定の間隔を設けて複数設けられてもよい。
【００４４】
光照射手段３５は、紫外線透過パネル３３を介して紫外線透過パネル３３と被処理基板３６との間の空間に紫外線を照射する。光照射手段３５は、複数の紫外線蛍光ランプ５５によって実現される。この紫外線蛍光ランプ５５には、電源５６から電力が供給される。複数の紫外線蛍光ランプ５５は、紫外線透過パネル３３の上方で、処理槽３１の処理空間３８に設けられ、この紫外線透過パネル３３に平行に配置される。これによって、予め定める紫外線照射領域Ｌ１で、紫外線透過パネル３３と被処理基板３６との間の空間に供給されるの処理流体４５に、ほぼ均等に紫外線が照射される。
【００４５】
光照射手段３５は、たとえば波長２５４ｎｍの紫外線を照射することによって、この処理流体４５に含まれるオゾンから、強い酸化分解力を有する水酸基ラジカルを生成することができる。これによって処理流体４５がオゾン水であっても、レジスト層３７のレジストを分解して除去することができる。前記紫外線蛍光ランプ５５は、前述した駆動ローラ４２の軸線方向と平行な方向の端部で、たとえば処理槽３１に固定して支持される。
【００４６】
紫外線透過パネル３３の光照射手段３５に臨む領域、つまり上面３３Ａは、平面に形成される。この平面は平滑に加工されており、これによって光照射手段３５から照射される紫外線を効率よく透過することができる。本発明の他の実施の形態では、前記紫外線透過パネル３３の上面３３Ａには、反射防止膜を形成してもよい。これによって、紫外線が紫外線透過パネル３３の上面３３Ａによって反射され、処理槽３１内で乱反射することを防止することができ、紫外線照射領域Ｌ１における紫外線照射量をより均一化することができる。
【００４７】
図２は、紫外線透過パネル３３の構成を示す斜視図である。前述した紫外線透過パネル３３には、処理流体供給手段３４から供給される処理流体４５の流れに干渉する干渉部６１が設けられる。干渉部６１は、紫外線透過パネル３３の前記保持手段４２に保持される被処理基板３６に臨む表面６２に設けられ、前記処理流体４５の流れに交差する方向に延びる複数の凹部６３から成る。凹部６３は、前記紫外線照射領域Ｌ１の全領域にわたって設けられる。
【００４８】
本実施の形態のレジスト除去装置３０では、被処理基板３６の搬送方向の寸法よりも、前記搬送方向の紫外線照射領域Ｌの寸法は小さく構成される。
【００４９】
凹部６３は、処理流体４５の流れの方向、つまり被処理基板３６の搬送方向に平行であり、かつ被処理基板３６の厚み方向に平行な仮想一平面による断面形状がほぼ矩形状の溝６４が形成されることによって構成される。前記凹部６３は、処理流体４５の流れに交差する方向に延び、この方向で被処理基板３６に対向する全領域にわたって形成される。本実施の形態では、前記処理流体４５の流れに交差する方向は、処理流体４５の流れの方向に垂直な方向、つまり駆動ローラ４２の軸線方向に平行な方向であり、凹部６３は直線状に延びる。
【００５０】
凹部６３の溝６４は、予め定める深さＨ１、および予め定める幅Ｗ１を有する。前記Ｈ１は、たとえば０．５ｍｍ以上２ｍｍ未満に選ばれ、Ｗ１は、たとえば０．５ｍｍ以上５ｍｍ未満に選ばれる。また、隣あう溝６４との間隔Ｌ３は、たとえば０．５ｍｍ以上１ｍｍ未満に選ばれる。
【００５１】
前記各溝６４の表面および各溝６４の間の表面６５は、平滑に形成される。前記凹部６３は、所望の形状のバイトを用いる切削加工によって形成される。切削に用いるバイトには、超音波振動が印加される。これによって、切削抵抗が軽減され、面粗度の小さい良好な加工面の溝６４を形成することができる。
【００５２】
レジスト処理装置１では、駆動部４１によって被処理基板３６が紫外線透過パネル３３の下方に搬送されると、処理流体供給手段３４によって被処理基板３６と紫外線透過パネル３３との間に処理流体４５が供給され、同時に光照射手段３５から紫外線が照射される。処理流体供給手段３４から供給される処理流体４５は、保持手段３２に保持される被処理基板３６と紫外線透過パネル３３と処理槽３１との間の空間を流れる。紫外線透過パネル３３を介して紫外線を被処理基板３６に照射することによって、処理流体４５に紫外線が照射される。光照射手段３５が光紫外線を照射する紫外線照射領域Ｌは、少なくとも紫外線透過パネル３３の干渉部６１が被処理基板３６に臨む領域を含む。
【００５３】
紫外線が照射されると、処理流体４５ではオゾンが励起されて反応活性種が発生する。紫外線透過パネル３３には、処理流体４５に干渉する干渉部６１が設けられるので、被処理基板３６と紫外線透過パネル３３との間に供給される処理流体４５の流れに乱れを発生する。
【００５４】
これによって、紫外線の照射方向の上流側となる紫外線透過パネル３３付近で効率的に発生する反応性活種を、レジスト層３７が形成される被処理基板３６の一方面３６Ａの近傍に拡散させることができる。したがって、被処理基板３６付近の処理流体４５に含まれる反応活性種の濃度を向上させることができとともに、処理流体４５に含まれる反応活性種の濃度むらの均一化を図ることができるので、紫外線照射領域Ｌ１において、レジスト層３７のレジストを分解する処理速度を向上させることができるとともに、レジスト層３７を均一に分解することができる。
【００５５】
また処理流体４５が被処理基板３６と紫外線透過パネル３３との間で流動することによる物理的な作用によって、被処理基板３６から剥離した酸化されたレジストである剥離体を、処理流体４５とともに処理流体４５の流れの方向の下流側へと排出するので、紫外線照射領域Ｌ１において、レジスト層３７を効率的に除去することができる。
【００５６】
レジスト除去装置３０では、駆動部４１によって被処理基板３６を搬送しながらレジストの除去を行う。したがって被処理基板３６の一表面３６Ａの全領域のレジスト層を均一に除去することができる。
【００５７】
前述した駆動部４１によって被処理基板３６を処理流体４５の流れに対して下流側から上流側へと移動させると、前記紫外線透過パネル３５の干渉部６１が設けられる領域に対する被処理基板３６の相対位置を変更することができる。紫外線透過パネル３３の干渉部６１が設けられる領域と残余の領域とにおいて、処理流体４５の流れに生じる乱れに相違がある場合であっても、前述のように被処理基板３６の相対位置を変更することによって、被処理基板３６の全ての領域に同様な状態で処理流体４５を供給することができるので、レジスト層３７を均一に除去する精度がさらに向上する。
【００５８】
また、被処理基板３６を処理流体４５の流れに対して下流側から上流側へと移動させながらレジスト除去処理を行うことによって、レジストが分解されて被処理基板３６から剥離した剥離体が、このレジストが除去された領域に再び付着することを防止することができる。
【００５９】
駆動部４１による被処理基板３６の搬送速度は、たとえば５００ｍｍ／ｍｉｎ以上５０００ｍｍ／ｍｉｎ未満に選ばれる。
【００６０】
また凹部６３は、処理流体４５の流れに交差する方向に延びるので、被処理基板３６と紫外線透過パネル３３との間で処理流体４５の流れる方向に沿って、処理流体４５の流れる流路の流路断面積を変化させることができる。このように流路断面積の変化させることによって、処理流体４５の流れに乱れを容易に生成することができる。
【００６１】
前記紫外線透過パネル３３には、案内面４６が形成される。前記案内面４６は、処理流体供給手段３４から供給される処理流体４５の流れの方向下流側から上流側になるにつれて被処理基板３６の前記紫外線透過パネル３３に臨む一表面３６Ａから離反する方向に傾斜する。案内面４６は、処理流体４５の流れ方向上流側の紫外線透過パネル３３の端部６６に形成される。
【００６２】
案内面４６を形成することによって、紫外線透過パネル３３の側方に設けられるノズル部５３から供給される処理流体４５を、被処理基板３６と紫外線透過パネル３３との間に精度よく、かつ円滑に供給することができ、処理流体４５の周囲への飛散が緩和される。したがって、処理流体４５が飛散することによって発生する紫外線の照射を妨げる飛沫を防ぐことができるので、光照射手段３５を処理槽３１の処理空間３８に配置して問題が生じない。
【００６３】
被処理基板３６と紫外線透過パネル３３との間の間隔が狭い場合には、この被処理基板３６を紫外線透過パネル３３との間にノズル部５３を設けないと、隙間に処理流体４５を供給することが困難になる場合がある。このような場合であっても、案内面４６を形成することによって、被処理基板３６と紫外線透過パネル３３との間にノズル部５３を挿入させなくても、処理流体４５を円滑に供給することができる。案内面４３を設けることによって、ノズル部５３を紫外線透過パネル３３の側方に配置することができるので、処理流体４５の供給量にあわせてノズル部５３を形成することができ、またノズル部５３の配置の自由度が向上する。
【００６４】
前記案内面４６は、たとえは平面であって、この案内面４６の被処理基板３６の一表面３６Ａに対する傾斜角度θ２は、たとえば５°以上６０°未満に選ばれる。
【００６５】
さらに案内面４６が形成される領域では、処理流体４５の流れの方向上流側から下流側に向かって、案内面４６と被処理基板３６とによって形成される流路断面積が小さくなる。これによって、前記下流側に向かうにつれて処理流体４５の流速が高くなり、処理流体４５が流動することによって生じる物理的な作用による剥離体の除去をより効率的に行うことができる。
【００６６】
また保持手段３２が駆動部４１を有することによって、被処理基板３６を搬送しながらレジスト層３７を除去することができるので、複数の被処理基板３６において、その大きさが異なる場合であっても、紫外線透過パネル３３の寸法を変更し、また光照射手段３５の配置などを変更する必要がなく、同じ構成でレジスト処理を実行することができる。このように、様々な大きさの被処理基板３６を処理する場合であっても、同様な効果を達成することができる。
【００６７】
またレジスト処理装置３０では、被処理基板３６を搬送しながらレジスト層３７を除去するので、紫外線透過パネル３３および光照射手段３５の前記被処理基板３６の搬送方向の寸法を、被処理基板３６の大きさにあわせて形成する必要がなく、これらを搬送方向の被処理基板３６の寸法よりも小さく構成することができる。したがってレジスト処理装置１を小形化することができ、設置スペースを小さくすることができる。
【００６８】
また搬送手段４２は、複数の駆動ローラ４２によって被処理基板３６を搬送することによって、被処理基板３６の一表面３６Ａに供給される後述する処理流体４５が、たとえば被処理基板３６の駆動ローラ４２に当接する他表面３６Ｂに回り込んだとしても、前記回り込んだ処理流体４５を下方に落下させることができる。これによって、被処理基板３６と搬送手段４２との間に処理流体４５が入り込み、これらが密着してしまうことが防止される。
【００６９】
また支持手段３２は、被処理基板３６を下方から支持する。被処理基板３６を下方から支持することによって、被処理基板３６のレジスト層３７が形成される一表面３６Ａを覆うことがないので、この領域に照射される紫外線を妨げない。
【００７０】
また駆動部４１によって、被処理基板３６を移動させながら、レジスト処理を行うので、複数の被処理基板３６を連続して処理することができる。したがって、たとえばロボットアームなどによって、被処理基板３６を１枚ずつ処理空間３８に収容させる場合と比較して、レジスト処理の効率が向上する。
【００７１】
また本実施の形態では、前記紫外線透過パネル３３およびノズル部５３は、所定の位置に固定されているが、本発明の他の実施の形態において、紫外線透過パネル３３およびノズル部５３は、予め定める範囲で変位自在に固定されてもよい。これによって、多様な被処理基板３６のレジスト処理に対応することができる。
【００７２】
また本実施の形態では、駆動部４１によって被処理基板３６を搬送する構成としているが、本発明の他の実施の形態において、被処理基板３６は所定位置に静止させて、ノズル部５３、紫外線透過パネル３３および紫外線蛍光ランプ５５を移動させる構成としてもよい。このような構成であっても、前述したレジスト装置１と同様の効果を達成することができる。
【００７３】
本発明の実施の他の形態では、凹部６３の溝６４に臨む面は、完全に平滑にしなくてもよい。この場合であっても光照射手段３５から照射される紫外線は、溝６４の加工を施していない各溝６４の間の表面６５を透過するので、同様の効果を達成することができる。
【００７４】
図３は、本発明の実施の他の形態のレジスト除去装置の紫外線透過パネル７０を示す断面図である。本実施の形態のレジスト除去装置は、前述した実施の形態のレジスト除去装置３０と同様な構成を有し、紫外線透過パネルの構成のみが異なる。したがって、前述したレジスト除去装置３０と同様な構成には、同様の参照符号を付してその説明を省略する。
【００７５】
本実施の形態のレジスト除去装置の紫外線透過パネル７０と、前述のレジスト除去装置３０の紫外線透過パネル３３とは、干渉部の構成のみが異なる。紫外線透過パネル７０の干渉部７１は、紫外線透過パネル７０の前記保持手段３２によって保持される被処理基板３６に臨む表面７２に設けられ、前記処理流体４５の流れに交差する方向に延びる複数の凹部７３から成る。凹部７３は、前記紫外線照射領域Ｌ１の全領域にわたって設けられる。
【００７６】
凹部７３は、処理流体４５の流れの方向、つまり被処理基板３６の搬送方向に平行であり、かつ被処理基板３６の厚み方向に平行な仮想一平面による断面形状がほぼ楔形状の溝７４が形成されることによって構成される。前記凹部７３は、処理流体４５の流れに交差する方向に延び、この方向で被処理基板３６に対向する全領域にわたって形成される。本実施の形態では、前記処理流体４５の流れに交差する方向は、処理流体４５の流れの方向に垂直な方向、つまり駆動ローラ４２の軸線方向に平行な方向であり、凹部７３は直線状に延びる。
【００７７】
凹部７３の溝７４は、予め定める深さＨ２、および予め定める幅Ｗ２を有する。前記Ｈ２は、たとえば０．５ｍｍ以上２ｍｍ未満に選ばれ、Ｗ２は、たとえば０．５ｍｍ以上５ｍｍ未満に選ばれる。また、隣あう溝６４との間隔Ｌ４は、たとえば０．５ｍｍ以上１ｍｍ未満に選ばれる。
【００７８】
これによって前述した実施の形態のレジスト除去装置１と同様の効果を達成することができることができる。
【００７９】
前記各溝７４の表面および各溝７４の間の表面７５は、平滑に形成される。前記凹部７３は、所望の形状のバイトを用いる切削加工によって形成される。切削に用いるバイトには、超音波振動が印加される。これによって、切削抵抗が軽減され、面粗度の小さい良好な加工面の溝７４を形成することができる。
【００８０】
本発明の実施の他の形態では、凹部７３の溝７４に臨む面は、完全に平滑にしなくてもよい。この場合であっても光照射手段３５から照射される紫外線は、溝７４の加工を施していない各溝７４の間の表面７５を透過するので、同様の効果を達成することができる。
【００８１】
図４は、本発明の実施の他の形態のレジスト除去装置の紫外線透過パネル８０を示す断面図である。本実施の形態のレジスト除去装置は、前述した実施の形態のレジスト除去装置３０と同様な構成を有し、紫外線透過パネルの構成のみが異なる。したがって、前述したレジスト除去装置３０と同様な構成には、同様の参照符号を付してその説明を省略する。
【００８２】
本実施の形態のレジスト除去装置の紫外線透過パネル８０と、前述のレジスト除去装置３０の紫外線透過パネル３３とは、干渉部の構成のみが異なる。紫外線透過パネル８０の干渉部８１は、紫外線透過パネル８０の前記保持手段３２によって保持される被処理基板３６に臨む表面８２に設けられ、前記処理流体４５の流れに交差する方向に延びる複数の凹部８３から成る。凹部８３は、前記紫外線照射領域Ｌ１の全領域にわたって設けられる。凹部８３の溝８４に臨む面８３Ａは、曲面形状を有する。
【００８３】
凹部８３は、処理流体４５の流れの方向、つまり被処理基板３６の搬送方向に平行であり、かつ被処理基板３６の厚み方向に平行な仮想一平面による断面形状がほぼ半円弧形状の溝８４が形成されることによって構成される。前記凹部８３は、処理流体４５の流れに交差する方向に延び、この方向で被処理基板３６に対向する全領域にわたって形成される。本実施の形態では、前記処理流体４５の流れに交差する方向は、処理流体４５の流れの方向に垂直な方向、つまり駆動ローラ４２の軸線方向に平行な方向であり、凹部８３は直線状に延びる。
【００８４】
凹部８３の溝８４は、予め定める深さＨ３、および予め定める幅Ｗ３を有する。前記Ｈ３は、たとえば０．５ｍｍ以上２ｍｍ未満に選ばれ、Ｗ３は、たとえば０．５ｍｍ以上５ｍｍ未満に選ばれる。また、隣あう溝６４との間隔Ｌ５は、たとえば０．５ｍｍ以上１ｍｍ未満に選ばれる。
【００８５】
これによって前述した実施の形態のレジスト除去装置１と同様の効果を達成することができる。
【００８６】
前記各溝８４の表面および各溝８４の間の表面８５は、平滑に形成される。前記凹部８３は、所望の形状のバイトを用いる切削加工によって形成される。切削に用いるバイトには、超音波振動が印加される。これによって、切削抵抗が軽減され、面粗度の小さい良好な加工面の溝８４を形成することができる。
【００８７】
本発明の実施の他の形態では、凹部８３の溝８４に臨む面８３Ａは、完全に平滑にしなくてもよい。この場合であっても光照射手段３５から照射される紫外線は、溝８４の加工を施していない各溝８４の間の表面８５を透過するので、同様の効果を達成することができる。
【００８８】
また前記凹部８３は、エッチング処理によって形成されてもよい。
図５は、エッチング処理を用いて紫外線透過パネル８０の凹部８３を形成する工程を説明するための断面図である。図５（１）は、第１の工程終了後の紫外線透過パネル８０を示す断面図である。第１の工程では、紫外線透過パネル８０である基材８４の表面にレジスト８６を塗布成膜して、スリット状の開口８７をフォトリソグラフィーなどによってパターニングする。
【００８９】
図５（２）は、第２の工程終了後の紫外線透過パネル８０を示す断面図である。第２の工程では、前記スリット状の開口８７を介して基材８４をエッチング処理する。基材８４が石英ガラスの場合には、フッ酸系のエッチャントを用いることができる。このエッチング処理によって、曲面８３Ａを有する凹部８３が形成される。
【００９０】
図５（３）は、第３の工程終了後の紫外線透過パネル８０を示す断面図である。第２の工程終了後に、レジスト８６を除去することによって、凹部８３を紫外線透過パネル８０に形成することができる。このように半導体作成工程において一般的な処理工程によって、干渉部８１を容易に形成することができる。
【００９１】
図６は、本発明の実施の他の形態のレジスト除去装置の紫外線透過パネル９０を示す断面図である。本実施の形態のレジスト除去装置は、前述した実施の形態のレジスト除去装置３０と同様な構成を有し、紫外線透過パネルの構成のみが異なる。したがって、前述したレジスト除去装置３０と同様な構成には、同様の参照符号を付してその説明を省略する。
【００９２】
本実施の形態のレジスト除去装置の紫外線透過パネル９０と、前述のレジスト除去装置３０の紫外線透過パネル３３とは、干渉部の構成のみが異なる。紫外線透過パネル９０の干渉部９１は、紫外線透過パネル９０の前記保持手段３２によって保持される被処理基板３６に臨む表面９２に設けられ、前記処理流体４５の流れに交差する方向に延びる複数の凸部９３から成る。凸部９３は、前記紫外線照射領域Ｌ１の全領域にわたって設けられる。つまり紫外線透過パネル９０が、図１に示した紫外線透過パネル３３と異なる点は、干渉部９１が凸部９３によって構成されることである。
【００９３】
処理流体４５の流れの方向、つまり被処理基板３６の搬送方向に平行であり、かつ被処理基板３６の厚み方向に平行な仮想一平面による凸部９３の断面形状は矩形状である。前記凸部９３は、処理流体４５の流れの方向に交差する方向に延び、この方向で被処理基板３６に対向する全領域にわたって形成される。本実施の形態では、前記処理流体４５の流れに交差する方向は、処理流体４５の流れの方向に垂直な方向、つまり駆動ローラ４２の軸線方向に平行な方向であり、凸部９３は直線状に延びる。
【００９４】
凸部９３は、予め定める高さＨ４、および予め定める幅Ｗ４を有する。前記Ｈ４は、たとえば０．５ｍｍ以上２ｍｍ未満に選ばれ、Ｗ４は、たとえば０．５ｍｍ以上１ｍｍ未満に選ばれる。また、隣あう凸部９３との間隔Ｌ６は、たとえば０．５ｍｍ以上５ｍｍ未満に選ばれる。
【００９５】
凸部９３は、処理流体３５の流れに交差する方向に延びるので、被処理基板３６と紫外線透過パネル３３との間で処理流体４５の流れる方向に沿って、処理流体４５の流路断面積を変化させることができる。このように流路断面積の変化させることによって、処理流体４５の流れに乱れを容易に生成することができる。これによって前述した実施の形態のレジスト除去装置１と同様の効果を達成することができる。
【００９６】
また処理流体４５が前記凸部９３に衝突すると、この凸部９３によって処理流体４５が被処理基板３６に向かって案内されるので、紫外線の照射方向の上流側となる紫外線透過パネル３３付近で効率的に発生する反応性活種を、レジスト層３７が形成される被処理基板３６の近傍に効率的に拡散させることができる。したがって、被処理基板３６付近の処理流体４５に含まれる反応活性種の濃度をより向上させることができ、レジスト層３７のレジストを分解して除去する処理速度をより向上させることができる。
【００９７】
前記各凸部９３の表面および各凸部９３の間の表面９５は、平滑に形成される。前記凸部９３は、所望の形状のバイトを用いる切削加工によって形成される。切削に用いるバイトには、超音波振動が印加される。これによって、切削抵抗が軽減され、面粗度の小さい良好な加工面の凸部９３を形成することができる。
【００９８】
前記凸部９３は、たとえばリフトオフ法によって形成されてもよい。
図７は、リフトオフ法を用いて紫外線透過パネル９０の干渉部９１を作成する工程を説明する断面図である。図７（１）は、第１の工程終了後の紫外線透過パネル９０を示す断面図である。第１の工程では、紫外線透過パネル９０である基材９４の表面にレジスト９６を塗布成膜して、スリット状の開口９７をフォトリソグラフィーなどによってパターニングする。
【００９９】
図７（２）は、第２の工程終了後の紫外線透過パネル９０を示す断面図である。第２の工程では、成膜物質９８をスパッタリングおよび蒸着などの成膜手法により成膜する。これによって、スリット状の開口９７を介して基材９４表面に成膜物質９８がリフトオフされる。前記成膜物質９８は、紫外線を透過する物質であり、たとえばＳｉＯ２スパッタ膜によって実現される。
【０１００】
図７（３）は、第３の工程終了後の紫外線透過パネル９０を示す断面図である。第２の工程終了後に、レジスト９６を除去することによって、矩形状の凸部９３が紫外線透過パネル９０に設けられる。このように半導体作成工程において一般的な処理工程によって、干渉部９１を容易に形成することができる。
【０１０１】
本発明の実施の他の形態では、凸部９３の表面は、完全に平滑にしなくてもよい。この場合であっても光照射手段３５から照射される紫外線は、各凸部９３の間の表面９５を透過するので、同様の効果を達成することができる。
【０１０２】
図８は、本発明の実施の他の形態のレジスト除去装置の紫外線透過パネル１００を示す断面図であり、図９は紫外線透過パネル１００の斜視図である。本実施の形態のレジスト除去装置は、前述した実施の形態のレジスト除去装置３０と同様な構成を有し、紫外線透過パネル４５の構成のみが異なる。したがって、前述したレジスト除去装置３０と同様な構成には、同様の符号を付してその説明を省略する。
【０１０３】
本実施の形態のレジスト除去装置の紫外線透過パネル１００と、前述のレジスト除去装置３０の紫外線透過パネル３３とは、干渉部の構成のみが異なる。紫外線透過パネル１００の干渉部１０１は、紫外線透過パネル１００の前記保持手段３２によって保持される被処理基板３６に臨む表面１０２に設けられ、前記処理流体４５の流れに交差する方向に延びる複数の凸部１０３から成る。凸部１０３は、前記紫外線照射領域Ｌ１の全領域にわたって設けられる。
【０１０４】
処理流体４５の流れの方向、つまり被処理基板３６の搬送方向に平行であり、かつ被処理基板３６の厚み方向に平行な仮想一平面による凸部１０３の断面形状は楔形状である。前記凸部１０３は、駆動ローラ４２の軸線方向に平行な方向、つまり処理流体４５の流れの方向に垂直な方向に延び、この方向で被処理基板３６に対向する全領域にわたって形成される。本実施の形態では、前記処理流体４５の流れに交差する方向は、処理流体４５の流れの方向に垂直な方向、つまり駆動ローラ４２の軸線方向に平行な方向であり、凸部１０３は直線状に延びる。
【０１０５】
凸部１０３は、予め定める高さＨ５、および予め定める幅Ｗ５を有する。前記Ｈ５は、たとえば０．５ｍｍ以上２ｍｍ未満に選ばれ、Ｗ５は、たとえば０．５ｍｍ以上１ｍｍ未満に選ばれる。また、隣あう凸部１０３との間隔Ｌ７は、たとえば０．５ｍｍ以上５ｍｍ未満に選ばれる。
【０１０６】
これによって前述した各実施の形態のレジスト除去装置と同様の効果を達成することができる。
【０１０７】
前記各凸部１０３の表面および各凸部１０３の間の表面１０５は、平滑に形成される。前記凸部１０３は、所望の形状のバイトを用いる切削加工によって形成される。切削に用いるバイトには、超音波振動が印加される。これによって、切削抵抗が軽減され、面粗度の小さい良好な加工面の凸部１０３を形成することができる。また凸部１０３の加工面はできるだけ平滑に形成し、紫外線透過率を向上するため、切削加工後の粗面にスピンオンガラス（Ｓｐｉｎ  Ｏｎ  Ｇｌａｓｓ：略称ＳＯＧ）を塗布し、焼成して平滑化処理してもよい。
【０１０８】
このような凸部１０３によって、光照射手段３３から照射される紫外線を屈折させて、凸部１０３の下方に集めることができ、反応部分、つまり処理流体４５で照射される紫外線される領域のオゾンの光励起を促進することができる。
【０１０９】
図１０は、紫外線透過パネル１００の凸部１０３を拡大して示す断面図であり、凸部１０３によって紫外線が集められる様子を示している。光照射手段３３によって照射された紫外線は、紫外線透過パネル１００内に侵入し、この紫外線透過パネル１００内から外部に出るときに、紫外線透過パネル１００の処理流体４５との屈折率の相異によって、屈折される。紫外線透過パネル１００の屈性率ｎ１を、処理流体４５の屈折率ｎ２よりも大きく（ｎ１＞ｎ２）することによって、図１０の仮想線で示すように、紫外線を凸部１０３の下方の領域に集めることができる。
【０１１０】
また処理流体４５が前記凸部１０３に衝突すると、この凸部１０３によって処理流体４５が被処理基板３６に向かって案内されるので、図１０の矢符Ｃで示すように紫外線の照射方向の上流側となる紫外線透過パネル３３付近で効率的に発生する反応性活種を、レジスト層３７が形成される被処理基板３６の近傍に効率的に拡散させることができる。また、凸部１０３の下方の領域における紫外線の照度を大きくすることができるので、この領域での反応活性種の生成を促進することができる。したがって、被処理基板３６付近の処理流体４５に含まれる反応活性種の濃度をさらに向上させることができ、レジスト層３７のレジストを分解して除去する処理速度をより向上させることができる。
【０１１１】
図１１は、本発明の実施の他の形態のレジスト除去装置の紫外線透過パネル１１０を示す断面図である。本実施の形態のレジスト除去装置は、前述した実施の形態のレジスト除去装置３０と同様な構成を有し、紫外線透過パネルの構成のみが異なる。したがって、前述したレジスト除去装置３０と同様な構成には、同様の符号を付してその説明を省略する。
【０１１２】
本実施の形態のレジスト除去装置の紫外線透過パネル１１０と、前述のレジスト除去装置３０の紫外線透過パネル３３とは、干渉部の構成のみが異なる。紫外線透過パネル１１０の干渉部１１１は、紫外線透過パネル１００の前記保持手段３２によって保持される被処理基板３６に臨む表面１１２に設けられ、前記処理流体４５の流れに交差する方向に延びる複数の凸部１１３から成る。凸部１１３は、前記紫外線照射領域Ｌ１の全領域にわたって設けられる。
【０１１３】
凸部１１３の表面１１３Ａは、曲面形状を有する。処理流体４５の流れの方向、つまり被処理基板３６の搬送方向に平行であり、かつ被処理基板３６の厚み方向に平行な仮想一平面による凸部１１３の断面形状は半円弧形状である。前記凸部９３は、処理流体４５の流れの方向に交差する方向に延び、この方向で被処理基板３６に対向する全領域にわたって形成される。本実施の形態では、前記処理流体４５の流れに交差する方向は、処理流体４５の流れの方向に垂直な方向、つまり駆動ローラ４２の軸線方向に平行な方向であり、凸部１１３は直線状に延びる。
【０１１４】
凸部１１３は、予め定める高さＨ６、および予め定める幅Ｗ７を有する。前記Ｈ６は、たとえば０．５ｍｍ以上２ｍｍ未満に選ばれ、Ｗ７は、たとえば０．５ｍｍ以上１ｍｍ未満に選ばれる。また、隣あう凸部１１３との間隔Ｌ８は、たとえば０．５ｍｍ以上５ｍｍ未満に選ばれる。
【０１１５】
これによって前述した各実施の形態のレジスト除去装置と同様の効果を達成することができる。
【０１１６】
前記各凸部１１３の表面および各凸部１１３の間の表面１１５は、平滑に形成される。前記凸１１３は、所望の形状のバイトを用いる切削加工によって形成される。切削に用いるバイトには、超音波振動が印加される。これによって、切削抵抗が軽減され、面粗度の小さい良好な加工面の凸部１１３を形成することができる。また凸部１１３の加工面はできるだけ平滑に形成し、紫外線の透過率を向上するため、切削加工後の粗面にスピンオンガラス（Ｓｐｉｎ  Ｏｎ  Ｇｌａｓｓ：略称ＳＯＧ）を塗布し、焼成して平滑化処理してもよい。
【０１１７】
このような凸部１１３によって、光照射手段３３から照射される紫外線を屈折させて、凸部１１３の下方に集めることができ、反応部分、つまり処理流体４５で照射される紫外線される領域のオゾンの光励起を促進することができる。
【０１１８】
図１２は、紫外線透過パネル１１０の凸部１１３を拡大して示す断面図であり、凸部１１３によって紫外線が集められる様子を示している。光照射手段３３によって照射された紫外線は、紫外線透過パネル１１０内に侵入し、この紫外線透過パネル１１０内から外部に出るときに、紫外線透過パネル１１０の処理流体４５との屈折率の相異によって、屈折される。紫外線透過パネル１１０の屈性率ｎ１を、処理流体４５の屈折率ｎ２よりも大きく（ｎ１＞ｎ２）することによって、図１２の仮想線で示すように、紫外線を凸部１１３の下方の領域に集めることができる。したがって、凸部１１３の下方の領域における紫外線の照度を大きくすることができる。
【０１１９】
また処理流体４５が前記凸部１１３に衝突すると、この凸部１１３によって処理流体４５が被処理基板３６に向かって案内されるので、図１２の矢符Ｄで示すように紫外線の照射方向の上流側となる紫外線透過パネル３３付近で効率的に発生する反応性活種を、レジスト層３７が形成される被処理基板３６の近傍に効率的に拡散させることができる。また、凸部１０３の下方の領域における紫外線の照度を大きくすることができるので、この領域での反応活性種の生成を促進することができる。したがって、被処理基板３６付近の処理流体４５に含まれる反応活性種の濃度をさらに向上させることができ、レジスト層３７のレジストを分解して除去する処理速度をより向上させることができる。
【０１２０】
前記凸部１１３は、たとえばリフトオフと研磨とによって形成されてもよい。
図１３は、リフトオフと研磨と用いて紫外線透過パネル１１０に干渉部１１１を形成する工程を説明する断面図である。図１３（１）〜図１３（３）は、第１〜第３の工程終了後の紫外線透過パネル１００をそれぞれ示す断面図であり、第１〜第３の工程は、前述した図７（１）〜図７（３）に示す紫外線透過パネル９０を作成する工程と同じであるので説明を省略する。
【０１２１】
図１３（４）は、第４の工程終了後の紫外線透過パネル１００を示す断面図である。第４の工程では、紫外線透過パネル１１０に形成された成膜物質を研磨処理する。曲面形状を有する凸部１１３が形成される。
【０１２２】
前記凹部１１３は、たとえばシャドウマスク法によって形成されてもよい。
図１４は、シャドウマスク法を用いて紫外線透過パネル１１０に干渉部１１１を形成する工程を説明する断面図である。図１４（１）は、第１の工程終了後の紫外線透過パネル１１０を示す断面図である。まず第１の工程では、薬剤によってエッチング除去可能な、たとえば純アルミニウムなどの被膜からなる犠牲層１２１の形成された紫外線透過パネル１１０である基材１１４に、レジスト１１５を塗布成膜し、スリット状の開口１１６をフォトリソグラフィーなどによってパターニングする。
【０１２３】
図１４（２）は、第２の工程終了後の紫外線透過パネル１１０を示す断面図である。第２の工程では、スリット状の開口１１６を通して犠牲層１２１のエッチングを行う。これによって、犠牲層１２１が除去され、スリット状の開口１１６よりもスリット幅の大きいエッチング開口１２２形成される。
【０１２４】
図１４（３）は、第３の工程終了後の紫外線透過パネル１１０を示す断面図である。第３の工程では、成膜物質１１８をスパッタリングおよび蒸着などの手法によって成膜すると、スリット状の開口１１６およびエッチング開口１２２を通して基材１１４の表面に成膜物質９８がリフトオフされる。このとき、基材１１４の表面から予め定める距離だけ離れた位置にスリット状の開口１１６が形成されているため、成膜物質９８は、スリット状の開口１１６の真下で膜厚が最も大きくなり、両端部に向かうほど膜厚が小さくなる。これによって図１４（３）に示すように、膜厚に分布をもって成膜されることになる。
【０１２５】
図１４（４）は、第４の工程終了後の紫外線透過パネル１１０を示す断面図である。第４の工程では、エッチング処理によって、レジスト１１５および犠牲層１２１を除去する。これによって、紫外線透過パネル１１０に成膜物質から成る凸部１１３を設けることができる。このように半導体作成工程において一般的な処理工程によって、干渉部１１１を容易に形成することができる。
【０１２６】
本発明の他の実施の形態では、前記駆動部４１は、ベルトコンベアによって実現されてもよい。
【０１２７】
本発明の他の実施の形態では、前述した各紫外線透過パネルの干渉部は、前述した凹部および凸部を組合わせて設けてもよい。また前記凹部または凸部は、紫外線透過パネルの被処理基板３６に臨む面にランダムに設けられてもよい。
【０１２８】
また前述した各実施の形態において、前記凹部および凸部の延びる方向は、前記処理流体４５の流れに垂直な方向から所定の角度傾斜した方向であってもよく、また、凹部および凸部は、曲線状に延びてもよい。
【０１２９】
また本発明の実施の他の形態では、紫外線透過パネル３３は、被処理基板３６に対して、処理流体４５の流れの方向にわずかに傾斜して設けられてもよい。
【０１３０】
本発明の実施の他の形態では、処理流体４５の流れに乱れを発生する手段は、前述した紫外線照射パネルでなくてもよい。たとえば処理流体供給手段５３によって、処理流体４５を乱流にして被処理基板３６と紫外線照射パネル３３との間に供給してもよい。
【０１３１】
また本発明の実施の他の形態では、前記処理流体４５は、オゾンを含む気体であってもよい。
【０１３２】
【発明の効果】
以上のように本発明によれば、紫外線の照射方向の上流側となる紫外線透過パネル付近で効率的に発生する反応性活種を、レジスト層が形成される被処理基板の近傍に拡散させることができる。したがって、被処理基板付近の処理流体に含まれる反応活性種の濃度を向上させることができとともに、処理流体に含まれる反応活性種の濃度むらの均一化を図ることができるので、レジスト層のレジストを分解して除去する処理速度を向上させることができるとともに、レジスト層を均一に除去することができる。
【０１３３】
また本発明によれば、複数の凸部は、処理流体の流れに交差する方向に延びるので、被処理基板と紫外線透過パネルとの間で処理流体の流れる方向に沿って、処理流体の流路断面積を変化させることができる。このように流路断面積の変化させることによって、処理流体の流れに乱れを容易に生成することができる。
【０１３４】
また処理流体が前記凸部に衝突すると、この凸部によって処理流体が被処理基板に向かって案内されるので、紫外線の照射方向の上流側となる紫外線透過パネル付近で効率的に発生する反応性活種を、レジスト層が形成される被処理基板の近傍に効率的に拡散させることができる。したがって、被処理基板付近の処理流体に含まれる反応活性種の濃度をより向上させることができ、レジスト層のレジストを分解して除去する処理速度をより向上させることができる。
【０１３５】
また本発明によれば、複数の凹部は、処理流体の流れに交差する方向に延びるので、被処理基板と紫外線透過パネルとの間で処理流体の流れる方向に沿って、処理流体の流路断面積を変化させることができる。このように流路断面積の変化させることによって、処理流体の流れに乱れを容易に生成することができる。
【０１３６】
また本発明によれば、紫外線透過パネルの干渉部が設けられる領域と残余の領域とにおいて、処理流体の流れに生じる乱れに相違がある場合であっても、前述のように被処理基板の相対位置を変更することによって、被処理基板の全ての領域に同様な状態で処理流体を供給することができるので、レジスト層を均一に除去する精度が向上する。
【０１３７】
また、被処理基板を処理流体の流れに対して下流側から上流側へと移動させることによって、レジストが分解されて被処理基板から剥離した剥離体が、このレジストが除去された領域に再び付着することが防止される。
【０１３８】
また本発明によれば、処理流体の飛散を防止して、被処理基板と紫外線透パネルとの間に精度よく処理流体を供給することができる。
【０１３９】
また処理流体の流れの方法上流側から下流側に向かって、流路断面積が小さくなるので、処理流体の流速が高くなり、処理流体が流動することによる物理的な作用によって、レジスト層を効率的に除去することができる。
【０１４０】
また本発明によれば、被処理基板付近の処理流体に含まれる反応活性種の濃度を向上させることができとともに、処理流体に含まれる反応活性種の濃度むらの均一化を図ることができるので、レジスト層のレジストを分解して除去する処理速度を向上させることができるとともに、レジスト層を均一に除去することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の一形態であるレジスト処理装置３０の構成を模式的に示す断面図である。
【図２】紫外線透過パネル３３の構成を示す斜視図である。
【図３】本発明の実施の他の形態のレジスト除去装置の紫外線透過パネル７０を示す断面図である。
【図４】本発明の実施の他の形態のレジスト除去装置の紫外線透過パネル８０を示す断面図である。
【図５】紫外線透過パネル８０の凹部８３をエッチング処理によって形成する工程を説明するための断面図である。
【図６】本発明の実施の他の形態のレジスト除去装置の紫外線透過パネル９０を示す断面図である。
【図７】リフトオフを用いて紫外線透過パネル９０の干渉部９１を作成する工程を説明する断面図である。
【図８】本発明の実施の他の形態のレジスト除去装置の紫外線透過パネル１００を示す断面図である。
【図９】紫外線透過パネル１００の斜視図である。
【図１０】紫外線透過パネル１００の凸部１０３を拡大して示す断面図である。
【図１１】本発明の実施の他の形態のレジスト除去装置の紫外線透過パネル１１０を示す断面図である。
【図１２】紫外線透過パネル１１０の凸部１１３を拡大して示す断面図である。
【図１３】リフトオフと研磨と用いて紫外線透過パネル１１０に干渉部１１１を形成する工程を説明する断面図である。
【図１４】シャドウマスク法を用いて紫外線透過パネル１１０に干渉部１１１を形成する工程を説明する断面図である。
【図１５】第１の従来の技術のレジスト処理装置１の構成を模式的に示す図である。
【図１６】第２の従来の技術のレジスト処理装置１０の構成を模式的に示す図である。
【符号の説明】
３０  レジスト処理装置
３１  処理槽
３２  保持手段
３３，７０，８０，９０，１００，１１０  紫外線透過パネル
３４  処理流体供給手段
３５  光照射手段
３６  被処理基板
３７  レジスト層
３８  処理空間
４１  駆動部
４５  処理流体
４６  案内面
６１，７１，８１，９１，１０１，１１１  干渉部
６３，７３，８３  凹部
９３，１０３，１１３  凸部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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