(57)【要約】【課題】  磁石のＺ軸方向の両端は漏れ磁束が大きいため、組付け誤差等によってホール素子（磁気検出素子）の設定位置がＺ軸方向にずれると、ホール素子を通過する磁束密度が低下して回転角度の検出誤差を招いてしまう。【解決手段】  回転角度検出装置は、対向配置された磁束付与磁石６と磁束吸引磁石７の内部に同芯的に固定されたホールＩＣ３を備える。磁束付与磁石６および磁束吸引磁石７のＺ軸方向に沿う厚みは、中央Ａ1 が薄く、両端Ａ2 側が厚くなるように設けられている。このため、ホール素子２の設置位置がＺ軸方向へずれても、ずれた方向に厚くなった磁束付与磁石６および磁束吸引磁石７によって、ホール素子２を通過する磁束密度の低下が抑えられる。このため、組付け誤差等によって、ホール素子２の設置位置がＺ軸方向へずれても磁束密度は低下せず、回転角度の検出誤差の発生を防ぐことができる。【選択図】  図１
2004317486.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
回転軸上に配置された磁気検出素子と、
この磁気検出素子の両側に距離を隔てて対向配置され、前記磁気検出素子に向けて磁束を与える磁束付与磁石、およびこの磁束付与磁石から前記磁気検出素子に向けて与えられた磁束を吸引する磁束吸引磁石を備える磁束発生手段と、を具備し、
前記磁気検出素子と前記磁束発生手段の相対回転角度の変化を、前記磁気検出素子を通過する磁束密度によって検出する回転角度検出装置において、
前記磁束付与磁石と前記磁束吸引磁石が、回転軸と平行に配置される場合、
前記磁束付与磁石および前記磁束吸引磁石の少なくとも一方は、回転軸方向に沿う厚みが、前記磁気検出素子の設定位置の周囲が薄く、前記磁気検出素子の設定位置より離れる側が厚く設けられることを特徴とする回転角度検出装置。
【請求項２】
回転軸上に配置された磁気検出素子と、
この磁気検出素子の両側に距離を隔てて対向配置され、前記磁気検出素子に向けて磁束を与える磁束付与磁石、およびこの磁束付与磁石から前記磁気検出素子に向けて与えられた磁束を吸引する磁束吸引磁石を備える磁束発生手段と、を具備し、
前記磁気検出素子と前記磁束発生手段の相対回転角度の変化を、前記磁気検出素子を通過する磁束密度によって検出する回転角度検出装置において、
前記磁束付与磁石と前記磁束吸引磁石が、回転軸方向から見て回転方向に沿う円弧状を呈する場合、
前記磁束付与磁石および前記磁束吸引磁石の少なくとも一方は、回転軸方向から見た厚みが、中央が厚く、端側が薄く設けられることを特徴とする回転角度検出装置。
【請求項３】
回転軸上に配置された磁気検出素子と、
この磁気検出素子の両側に距離を隔てて対向配置され、前記磁気検出素子に向けて磁束を与える磁束付与磁石、およびこの磁束付与磁石から前記磁気検出素子に向けて与えられた磁束を吸引する磁束吸引磁石を備える磁束発生手段と、を具備し、
前記磁気検出素子と前記磁束発生手段の相対回転角度の変化を、前記磁気検出素子を通過する磁束密度によって検出する回転角度検出装置において、
前記磁束付与磁石と前記磁束吸引磁石が、回転軸方向から見て平行に配置される場合、  前記磁束付与磁石および前記磁束吸引磁石の少なくとも一方は、回転軸方向から見た厚みが、中央が薄く、端側が厚く設けられることを特徴とする回転角度検出装置。
【請求項４】
回転軸上に配置された磁気検出素子と、
この磁気検出素子の両側に距離を隔てて対向配置され、前記磁気検出素子に向けて磁束を与える磁束付与磁石、およびこの磁束付与磁石から前記磁気検出素子に向けて与えられた磁束を吸引する磁束吸引磁石を備える磁束発生手段と、を具備し、
前記磁気検出素子と前記磁束発生手段の相対回転角度の変化を、前記磁気検出素子を通過する磁束密度によって検出する回転角度検出装置において、
前記磁束付与磁石と前記磁束吸引磁石が、回転軸と平行に配置され、且つ回転軸方向から見て回転方向に沿う円弧状を呈する場合、
前記磁束付与磁石および前記磁束吸引磁石の少なくとも一方は、回転軸方向に沿う厚みが、前記磁気検出素子の設定位置の周囲が薄く、前記磁気検出素子の設定位置より離れる側が厚く設けられるとともに、
前記磁束付与磁石および前記磁束吸引磁石の少なくとも一方は、回転軸方向から見た厚みが、中央が厚く、端側が薄く設けられることを特徴とする回転角度検出装置。
【請求項５】
回転軸上に配置された磁気検出素子と、
この磁気検出素子の両側に距離を隔てて対向配置され、前記磁気検出素子に向けて磁束を与える磁束付与磁石、およびこの磁束付与磁石から前記磁気検出素子に向けて与えられた磁束を吸引する磁束吸引磁石を備える磁束発生手段と、を具備し、
前記磁気検出素子と前記磁束発生手段の相対回転角度の変化を、前記磁気検出素子を通過する磁束密度によって検出する回転角度検出装置において、
前記磁束付与磁石と前記磁束吸引磁石が、回転軸と平行に配置され、且つ回転軸方向から見て平行に配置される場合、
前記磁束付与磁石および前記磁束吸引磁石の少なくとも一方は、回転軸方向に沿う厚みが、前記磁気検出素子の設定位置の周囲が薄く、前記磁気検出素子の設定位置より離れる側が厚く設けられるとともに、
前記磁束付与磁石および前記磁束吸引磁石の少なくとも一方は、回転軸方向から見た厚みが、中央が薄く、端側が厚く設けられることを特徴とする回転角度検出装置。
【請求項６】
請求項１、請求項２、請求項４のいずれかに記載の回転角度検出装置において、
前記磁束付与磁石および前記磁束吸引磁石は、それぞれ半円筒形状を呈する１つの磁石によって構成され、前記磁束付与磁石と前記磁束吸引磁石で直径方向に分割された略円筒形状を呈することを特徴とする回転角度検出装置。
【請求項７】
請求項１、請求項２、請求項４のいずれかに記載の回転角度検出装置において、
前記磁束付与磁石および前記磁束吸引磁石は、それぞれ複数の磁石が回転軸方向から見て回転方向へ円弧状に並んで配置されることによって構成されることを特徴とする回転角度検出装置。
【請求項８】
請求項１、請求項３、請求項５のいずれかに記載の回転角度検出装置において、
前記磁束付与磁石および前記磁束吸引磁石は、それぞれ１つの磁石によって構成され、回転軸と平行に配置され、且つ回転軸方向から見て平行に配置されることを特徴とする回転角度検出装置。
【請求項９】
請求項１、請求項４、請求項５のいずれかに記載の回転角度検出装置において、
前記磁束発生手段の回転軸方向の中央に前記磁気検出素子が設置される場合、
前記磁束付与磁石および前記磁束吸引磁石の少なくとも一方の回転軸方向に沿う厚みは、回転軸方向の中央が薄く、回転軸方向の両端側が厚く設けられることを特徴とする回転角度検出装置。
【請求項１０】
請求項９に記載の回転角度検出装置において、
前記磁束付与磁石、前記磁束吸引磁石の回転軸方向に沿う厚みの変化は、回転軸方向の中央部分のみに設けられることを特徴とする回転角度検出装置。
【請求項１１】
請求項１〜請求項１０のいずれかに記載の回転角度検出装置において、
前記磁束付与磁石、前記磁束吸引磁石の厚みの変化は、前記磁気検出素子の設置位置がずれるのに応じて変化する前記磁気検出素子を通過する磁束密度の変化幅に基づいて設けられることを特徴とする回転角度検出装置。
【請求項１２】
請求項１〜請求項１１のいずれかに記載の回転角度検出装置において、
前記磁束付与磁石、前記磁束吸引磁石の厚みの変化は、前記磁気検出素子が配置される側の内面を窪ませて設けられることを特徴とする回転角度検出装置。
【請求項１３】
請求項１〜請求項１１のいずれかに記載の回転角度検出装置において、
前記磁束付与磁石、前記磁束吸引磁石の厚みの変化は、前記磁気検出素子が配置される側とは異なった側の外面を窪ませて設けられることを特徴とする回転角度検出装置。
【請求項１４】
請求項１〜請求項１３のいずれかに記載の回転角度検出装置において、
前記磁束付与磁石、前記磁束吸引磁石の少なくとも一方は、回転軸方向から見て前記磁気検出素子が配置される側の内面が、多次曲線を有する曲面に設けられることを特徴とする回転角度検出装置。
【請求項１５】
請求項１〜請求項１３のいずれかに記載の回転角度検出装置において、
前記磁束付与磁石、前記磁束吸引磁石の少なくとも一方は、回転軸方向から見て前記磁気検出素子が配置される側とは異なった側の外面が、多次曲線を有する曲面に設けられることを特徴とする回転角度検出装置。
【請求項１６】
請求項１〜請求項１３のいずれかに記載の回転角度検出装置において、
前記磁束付与磁石、前記磁束吸引磁石の少なくとも一方は、
回転軸方向から見て前記磁気検出素子が配置される側の内面が、多次曲線を有する曲面に設けられるとともに、
回転軸方向から見て前記磁気検出素子が配置される側とは異なった側の外面が、多次曲線を有する曲面に設けられることを特徴とする回転角度検出装置。
【請求項１７】
請求項１４〜請求項１６のいずれかに記載の回転角度検出装置において、
回転軸方向から見た内面、外面の少なくとも一方の多次曲線は、回転軸方向から見た左右の曲率変化が異なり、左右非対称に設けられることを特徴とする回転角度検出装置。
【請求項１８】
請求項１〜請求項１３のいずれかに記載の回転角度検出装置において、
前記磁束付与磁石、前記磁束吸引磁石の少なくとも一方は、回転軸方向に沿う前記磁気検出素子が配置される側の内面が、多次曲線を有する曲面に設けられることを特徴とする回転角度検出装置。
【請求項１９】
請求項１〜請求項１３のいずれかに記載の回転角度検出装置において、
前記磁束付与磁石、前記磁束吸引磁石の少なくとも一方は、回転軸方向に沿う前記磁気検出素子が配置される側とは異なった側の外面が、多次曲線を有する曲面に設けられることを特徴とする回転角度検出装置。
【請求項２０】
請求項１〜請求項１３のいずれかに記載の回転角度検出装置において、
前記磁束付与磁石、前記磁束吸引磁石の少なくとも一方は、
回転軸方向に沿う前記磁気検出素子が配置される側の内面が、多次曲線を有する曲面に設けられるとともに、
回転軸方向に沿う前記磁気検出素子が配置される側とは異なった側の外面が、多次曲線を有する曲面に設けられることを特徴とする回転角度検出装置。
【請求項２１】
請求項１８〜請求項２０のいずれかに記載の回転角度検出装置において、
回転軸方向に沿う内面、外面の少なくとも一方の多次曲線は、回転軸に直交する方向から見た前記磁気検出素子の設定位置の左右の曲率変化が異なり、回転軸に直交する方向から見た前記磁気検出素子の設定位置を基準にした左右非対称に設けられることを特徴とする回転角度検出装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、２つの部材（例えば、回転部材と非回転部材）の相対回転角度を検出する回転角度検出装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
（従来の技術）
従来の回転角度検出装置の概略構造を図２３（ａ）、（ｂ）を参照して説明する。
回転角度検出装置は、回転軸（以下、Ｚ軸と称す）上に配置された磁気検出素子Ｊ1 （例えば、ホールＩＣに内蔵されるホール素子）と、この磁気検出素子Ｊ1 に向けて磁束を与える半円筒形状の磁束付与磁石Ｊ2 と、この磁束付与磁石Ｊ2 から磁気検出素子Ｊ1 に向けて与えられた磁束を吸引する半円筒形状の磁束吸引磁石Ｊ3 とを具備する。
磁束付与磁石Ｊ2 と磁束吸引磁石Ｊ3 は、円筒形状を呈したヨークＪ4 の内周面に固定されたものであり、Ｚ軸に垂直な方向の厚さ、即ち磁束付与磁石Ｊ2 と磁束吸引磁石Ｊ3 の厚みは一定であった。
一方、磁気検出素子Ｊ1 は、磁束付与磁石Ｊ2 と磁束吸引磁石Ｊ3 に囲まれた状態で支持される。
【０００３】
磁束発生手段（磁束付与磁石Ｊ2 および磁束吸引磁石Ｊ3 ）と、磁気検出素子Ｊ1 との相対回転角度が変化すると、磁気検出素子Ｊ1 の磁気検出面と直交する方向の磁束密度が変化する。
具体的には、図２４（ａ）に示す相対回転角度（この回転角度を０°とする）から、図２４（ｂ）に示す相対回転角度（この回転角度を９０°とする）へ磁束発生手段を回転させることにより、磁気検出素子Ｊ1 の磁気検出面と直交する方向の磁束密度は図２５に示されるように変化する。
磁気検出素子Ｊ1 は、磁気検出面と直交する方向の磁束密度に応じた出力信号を発生するため、回転角度検出装置は、磁気検出素子Ｊ1 の出力信号に基づいて、磁束発生手段側の部材と、磁気検出素子Ｊ1 側の部材との相対回転角度を検出することができる（例えば、特許文献１〜４参照）。
【０００４】
（従来の技術の不具合）
上記構成を採用する従来の回転角度検出装置は、次の問題を有していた。
（１）磁束付与磁石Ｊ2 と磁束吸引磁石Ｊ3 は、Ｚ軸方向の両端側で漏れ磁束が大きくなる。このため、例えば、図２３（ｂ）に示す状態で、磁気検出素子Ｊ1 の設置位置が、Ｚ軸方向にずれると、磁気検出素子Ｊ1 の位置が漏れ磁束の大きい側へ移動する。即ち、図２６の破線に示す理想の磁束密度（磁気検出素子Ｊ1 の設置位置がＺ軸方向へずれても変化のない磁束密度）に対し、図２６の実線Ａ’に示されるように、磁気検出素子Ｊ1 の設置位置が中央からＺ軸方向へずれることによって磁気検出素子Ｊ1 を通過する磁束密度が低下する。
このように、組付け時の誤差等によって、磁気検出素子Ｊ1 の設定位置がＺ軸方向にずれると、磁気検出素子Ｊ1 を通過する磁束密度が低下して、磁気検出素子Ｊ1 から所定の出力が得られなくなり、回転角度の検出誤差が発生する。
【０００５】
（２）例えば、図２４（ｂ）に示す回転角度９０°の状態で、磁気検出素子Ｊ1 の設置位置が、磁気検出素子Ｊ1 の磁気不感方向（以下、Ｘ軸方向）にずれた場合、磁束付与磁石Ｊ2 および磁束吸引磁石Ｊ3 と、磁気検出素子Ｊ1 との距離が接近する。すると、図２７の破線に示す理想の磁束密度（磁気検出素子Ｊ1 の設置位置がＸ軸方向へずれても変化のない磁束密度）に対し、図２７の実線Ｂ’に示されるように、磁気検出素子Ｊ1 を通過する磁束密度が増加する。
このように、組付け時の誤差等によって、磁気検出素子Ｊ1 の設定位置がＸ軸方向にずれると、磁気検出素子Ｊ1 を通過する磁束密度が増加して、磁気検出素子Ｊ1 から所定以上の出力が発生し、回転角度の検出誤差が発生する。
【０００６】
（３）上記では、磁束付与磁石Ｊ2 および磁束吸引磁石Ｊ3 を、それぞれ１つの磁石で構成する例を示した。これに対して、図２８に示すように、磁束付与磁石Ｊ2 と磁束吸引磁石Ｊ3 のそれぞれを２つの平板磁石で構成して、Ｚ軸方向から見て回転方向に略円弧状に配置した場合について説明する。
この場合、図２８に示す回転角度９０°の状態で、磁気検出素子Ｊ1 の設置位置が、磁気検出素子Ｊ1 のＸ軸方向にずれた場合、磁束付与磁石Ｊ2 および磁束吸引磁石Ｊ3 と、磁気検出素子Ｊ1 との距離が接近する。すると、上記（２）と同様、図２７の破線に示す理想の磁束密度に対し、図２７の実線Ｂ’に示されるように、磁気検出素子Ｊ1 を通過する磁束密度が増加する。
このように、組付け時の誤差等によって、磁気検出素子Ｊ1 の設定位置がＸ軸方向にずれると、磁気検出素子Ｊ1 を通過する磁束密度が増加して、磁気検出素子Ｊ1 から所定以上の出力が発生し、回転角度の検出誤差が発生する。
【０００７】
（４）さらに、図２９に示すように、磁束付与磁石Ｊ2 と磁束吸引磁石Ｊ3 のそれぞれを１つの平板磁石で構成して、Ｚ軸方向から見て平行に配置する場合について説明する。  磁束付与磁石Ｊ2 と磁束吸引磁石Ｊ3 は、Ｘ軸方向の両端側で漏れ磁束が大きくなる。このため、図２９に示す回転角度９０°の状態で、磁気検出素子Ｊ1 の設置位置が、Ｘ軸方向にずれると、磁気検出素子Ｊ1 の位置が漏れ磁束の大きい側へ移動する。即ち、図３０の破線に示す理想の磁束密度（磁気検出素子Ｊ1 の設置位置がＸ軸方向へずれても変化のない磁束密度）に対し、図３０の実線Ｃ’に示されるように、磁気検出素子Ｊ1 の設置位置が中央からＸ軸方向へずれることによって磁気検出素子Ｊ1 を通過する磁束密度が低下する。
このように、組付け時の誤差等によって、磁気検出素子Ｊ1 の設定位置がＸ軸方向にずれると、磁気検出素子Ｊ1 を通過する磁束密度が低下して、磁気検出素子Ｊ1 から所定の出力が得られなくなり、回転角度の検出誤差が発生する。
【特許文献１】特許第３２０６２０４号公報
【特許文献２】特開平２−１２２２０５号公報
【特許文献３】特開平２−２９８８１５号公報
【特許文献４】特開昭６４−３７６０７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は上記の事情に鑑みてなされたものであり、次の３つの目的を有する。
第１の目的は、Ｚ軸方向に磁気検出素子の設置位置がずれた場合であっても、そのずれによる磁気検出素子を通過する磁束密度の低下をなくし、回転角度の検出誤差の発生を防ぐ。
第２の目的は、Ｘ軸方向に磁気検出素子の設置位置がずれた場合であっても、そのずれによる磁気検出素子を通過する磁束密度の増加または低下をなくし、回転角度の検出誤差の発生を防ぐ。
第３の目的は、Ｚ軸方向に磁気検出素子の設置位置がずれたり、Ｘ軸方向に磁気検出素子の設置位置がずれた場合であっても、回転角度の検出誤差の発生を防ぐ。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
〔請求項１の手段〕
請求項１の手段を採用する回転角度検出装置は、磁束付与磁石と磁束吸引磁石が、Ｚ軸と平行に配置される場合、磁束付与磁石および磁束吸引磁石の少なくとも一方のＺ軸方向に沿う厚みを、磁気検出素子の設定位置の周囲が薄く、磁気検出素子の設定位置より離れる側が厚く設けるものである。
このように設けられることにより、磁気検出素子の設置位置がＺ軸方向にずれた場合、ずれた方向に厚くなった磁石（磁束付与磁石および磁束吸引磁石の少なくとも一方）によって、ずれによる磁気検出素子を通過する磁束密度の低下をなくすことができ、結果的に回転角度の検出誤差の発生を防ぐことができる。
即ち、上記第１の目的を達成することができる。
【００１０】
〔請求項２の手段〕
請求項２の手段を採用する回転角度検出装置は、磁束付与磁石と磁束吸引磁石が、Ｚ軸方向から見て回転方向に沿う円弧状を呈する場合、磁束付与磁石および磁束吸引磁石の少なくとも一方のＺ軸方向から見た厚みを、中央が厚く、端側が薄く設けるものである。
このように設けられることにより、磁気検出素子の設置位置がＸ軸方向にずれた場合、端側が薄く設けられた磁石（磁束付与磁石および磁束吸引磁石の少なくとも一方）によって、ずれによる磁気検出素子を通過する磁束密度の増加をなくすことができ、結果的に回転角度の検出誤差の発生を防ぐことができる。
即ち、上記第２の目的を達成することができる。
【００１１】
〔請求項３の手段〕
請求項３の手段を採用する回転角度検出装置は、磁束付与磁石と磁束吸引磁石が、Ｚ軸方向から見て平行に配置される場合、磁束付与磁石および磁束吸引磁石の少なくとも一方のＺ軸方向から見た厚みを、中央が薄く、端側が厚く設けるものである。
このように設けられることにより、磁気検出素子の設置位置がＸ軸方向にずれた場合、ずれた方向に厚くなった磁石（磁束付与磁石および磁束吸引磁石の少なくとも一方）によって、ずれによる磁気検出素子を通過する磁束密度の低下をなくすことができ、結果的に回転角度の検出誤差の発生を防ぐことができる。
即ち、上記第２の目的を達成することができる。
【００１２】
〔請求項４の手段〕
請求項４の手段を採用する回転角度検出装置は、磁束付与磁石と磁束吸引磁石が、Ｚ軸と平行に配置され、且つＺ軸方向から見て回転方向に沿う円弧状を呈する場合、磁束付与磁石および磁束吸引磁石の少なくとも一方のＺ軸方向に沿う厚みを、磁気検出素子の設定位置の周囲が薄く、磁気検出素子の設定位置より離れる側が厚く設けるとともに、磁束付与磁石および磁束吸引磁石の少なくとも一方のＺ軸方向から見た厚みを、中央が厚く、端側が薄く設けるものである。
【００１３】
このように設けられることにより、磁気検出素子の設置位置がＺ軸方向にずれた場合、ずれた方向に厚くなった磁石（磁束付与磁石および磁束吸引磁石の少なくとも一方）によって、ずれによる磁気検出素子を通過する磁束密度の低下をなくすことができ、結果的に回転角度の検出誤差の発生を防ぐことができる。
また、磁気検出素子の設置位置がＸ軸方向にずれた場合、端側が薄く設けられた磁石（磁束付与磁石および磁束吸引磁石の少なくとも一方）によって、ずれによる磁気検出素子を通過する磁束密度の増加をなくすことができ、結果的に回転角度の検出誤差の発生を防ぐことができる。
即ち、上記第３の目的を達成することができる。
【００１４】
〔請求項５の手段〕
請求項５の手段を採用する回転角度検出装置は、磁束付与磁石と磁束吸引磁石が、Ｚ軸と平行に配置され、且つＺ軸方向から見て平行に配置される場合、磁束付与磁石および磁束吸引磁石の少なくとも一方のＺ軸方向に沿う厚みを、磁気検出素子の設定位置の周囲が薄く、磁気検出素子の設定位置より離れる側が厚く設けるとともに、磁束付与磁石および磁束吸引磁石の少なくとも一方のＺ軸方向から見た厚みを、中央が薄く、端側が厚く設けるものである。
【００１５】
このように設けられることにより、磁気検出素子の設置位置がＺ軸方向にずれた場合、ずれた方向に厚くなった磁石（磁束付与磁石および磁束吸引磁石の少なくとも一方）によって、ずれによる磁気検出素子を通過する磁束密度の低下をなくすことができ、結果的に回転角度の検出誤差の発生を防ぐことができる。
また、磁気検出素子の設置位置がＸ軸方向にずれた場合、ずれた方向に厚くなった磁石（磁束付与磁石および磁束吸引磁石の少なくとも一方）によって、ずれによる磁気検出素子を通過する磁束密度の低下をなくすことができ、結果的に回転角度の検出誤差の発生を防ぐことができる。
即ち、上記第３の目的を達成することができる。
【００１６】
〔請求項６の手段〕
請求項６の手段を採用する回転角度検出装置の磁束付与磁石および磁束吸引磁石は、それぞれ半円筒形状を呈する１つの磁石によって構成され、磁束付与磁石と磁束吸引磁石で直径方向に分割された略円筒形状を呈するものである。
【００１７】
〔請求項７の手段〕
請求項７の手段を採用する回転角度検出装置の磁束付与磁石および磁束吸引磁石は、それぞれ複数の磁石がＺ軸方向から見て回転方向へ円弧状に並んで配置されることによって構成されるものである。
【００１８】
〔請求項８の手段〕
請求項８の手段を採用する回転角度検出装置の磁束付与磁石および磁束吸引磁石は、それぞれ１つの磁石によって構成され、Ｚ軸と平行に配置され、且つＺ軸方向から見て平行に配置されるものである。
【００１９】
〔請求項９の手段〕
請求項９の手段を採用する回転角度検出装置は、磁束発生手段のＺ軸方向の中央に磁気検出素子が設置される場合、磁束付与磁石および磁束吸引磁石の少なくとも一方のＺ軸方向に沿う厚みを、Ｚ軸方向の中央が薄く、Ｚ軸方向の両端側が厚く設けるものである。
【００２０】
〔請求項１０の手段〕
請求項１０の手段を採用する回転角度検出装置の磁束付与磁石、磁束吸引磁石のＺ軸方向に沿う厚みの変化は、Ｚ軸方向の中央部分のみに設けられるものである。
【００２１】
〔請求項１１の手段〕
請求項１１の手段を採用する回転角度検出装置の磁束付与磁石、磁束吸引磁石の厚みの変化は、磁気検出素子の設置位置がずれるのに応じて変化する磁気検出素子を通過する磁束密度の変化幅に基づいて設けられるものである。
【００２２】
〔請求項１２の手段〕
請求項１２の手段を採用する回転角度検出装置の磁束付与磁石、磁束吸引磁石の厚みの変化は、内面を窪ませて設けられるものである。
【００２３】
〔請求項１３の手段〕
請求項１３の手段を採用する回転角度検出装置の磁束付与磁石、磁束吸引磁石の厚みの変化は、外面を窪ませて設けられるものである。
【００２４】
〔請求項１４の手段〕
請求項１４の手段を採用する回転角度検出装置の磁束付与磁石、磁束吸引磁石の少なくとも一方は、回転軸方向から見た内面が、多次曲線を有する曲面に設けられるものである。
【００２５】
〔請求項１５の手段〕
請求項１５の手段を採用する回転角度検出装置の磁束付与磁石、磁束吸引磁石の少なくとも一方は、回転軸方向から見た外面が、多次曲線を有する曲面に設けられるものである。
【００２６】
〔請求項１６の手段〕
請求項１６の手段を採用する回転角度検出装置の磁束付与磁石、磁束吸引磁石の少なくとも一方は、回転軸方向から見た内面が、多次曲線を有する曲面に設けられるとともに、回転軸方向から見た外面が、多次曲線を有する曲面に設けられるものである。
【００２７】
〔請求項１７の手段〕
請求項１７の手段を採用する回転角度検出装置の回転軸方向から見た内面、外面の少なくとも一方の多次曲線は、回転軸方向から見た左右の曲率変化が異なり、左右非対称に設けられるものである。
【００２８】
〔請求項１８の手段〕
請求項１８の手段を採用する回転角度検出装置の磁束付与磁石、磁束吸引磁石の少なくとも一方は、回転軸方向に沿う内面が、多次曲線を有する曲面に設けられるものである。  
【００２９】
〔請求項１９の手段〕
請求項１９の手段を採用する回転角度検出装置の磁束付与磁石、磁束吸引磁石の少なくとも一方は、回転軸方向に沿う外面が、多次曲線を有する曲面に設けられるものである。  
【００３０】
〔請求項２０の手段〕
請求項２０の手段を採用する回転角度検出装置の磁束付与磁石、磁束吸引磁石の少なくとも一方は、回転軸方向に沿う内面が、多次曲線を有する曲面に設けられるとともに、回転軸方向に沿う外面が、多次曲線を有する曲面に設けられるものである。
【００３１】
〔請求項２１の手段〕
請求項２１の手段を採用する回転角度検出装置の回転軸方向に沿う内面、外面の少なくとも一方の多次曲線は、回転軸に直交する方向から見た磁気検出素子の設定位置の左右の曲率変化が異なり、回転軸に直交する方向から見た磁気検出素子の設定位置を基準にした左右非対称に設けられるものである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３２】
本発明の最良の形態を、複数の実施例と変形例を用いて説明する。
なお、実施例１〜５は第１発明（請求項１）に対応した実施例であり、実施例６、７は第２発明（請求項２）に対応した実施例であり、実施例８は第３発明（請求項３）に対応した実施例であり、実施例９、１０は第４発明（請求項４）に対応した実施例であり、実施例１１は第５発明（請求項５）に対応した実施例である。
また、実施例１２、１３は、請求項１４〜請求項２１に対応した実施例である。
【実施例１】
【００３３】
図１〜図３を用いて実施例１を説明する。まず、図１を参照して回転角度検出装置の基本構成を説明する。なお、図１（ａ）は回転角度検出装置をＺ軸方向から見た図であり、図１（ｂ）は回転角度検出装置のＺ軸方向に沿う断面図である。
この実施例に示す回転角度検出装置は、例えばスロットルバルブの回転角度（開度）を検出するためのものであり、スロットルバルブと図示しない部材を介して一体に回転するロータ１（回転部材）と、ホール素子２（磁気検出素子の一例）を内蔵するホールＩＣ３とを備える。このホールＩＣ３は、図示しない固定部材（非回転部材）によって支持されて、ホール素子２がロータ１のＺ軸上に配置される。
【００３４】
ロータ１は、ホールＩＣ３の周囲に同芯的に配置されたものであり、円筒形状を呈したヨーク４と、ホールＩＣ３を通過する磁束を発生させる磁束発生手段５とを備える。
この磁束発生手段５は、ホール素子２に磁束を与える磁束付与磁石６と、磁束付与磁石６からホール素子２に向けて与えられた磁束を吸引する磁束吸引磁石７とによって構成される。即ち、磁束付与磁石６の内周面がＮ極の極性で、磁束吸引磁石７の内周面がＳ極の極性を持つように配置されている。
【００３５】
磁束付与磁石６と磁束吸引磁石７は、ホール素子２の両側に距離を隔てて対向配置される。この実施例の磁束付与磁石６と磁束吸引磁石７は、それぞれ半円筒形状を呈するものであり、磁束付与磁石６と磁束吸引磁石７によって直径方向に分割された略円筒形状を呈する。そして、磁束付与磁石６と磁束吸引磁石７の円弧端が対向する部分には所定のエアギャップが形成される。そして、磁束付与磁石６と磁束吸引磁石７は、ヨーク４内に固定されて、ホール素子２を囲んで配置される。
【００３６】
ロータ１の中心に同芯的に配置されたホールＩＣ３は、ホール素子２と信号処理回路等を一体化した周知のＩＣであり、ホール素子２の磁気検出面に対して直交する方向の磁束密度に応じた電圧信号を出力する。
【００３７】
上記構成における回転角度検出装置の作動を、図２を参照して説明する。
なお、以下では、図１に示されるように、ロータ１の回転軸をＺ軸とし、このＺ軸と直交する方向で、且つホール素子２の磁気不感方向（磁気検出面に沿う方向）をＸ軸とし、上記Ｚ軸と直交する方向で、且つホール素子２の磁気検出方向（磁気検出面に直交する方向）をＹ軸として説明する。
ここで、磁束付与磁石６と磁束吸引磁石７との間のエアギャップの中心がＹ軸方向に向くロータ１の回転角度を０°、磁束付与磁石６と磁束吸引磁石７との間のエアギャップの中心がＸ軸方向に向くロータ１の回転角度を９０°（図１参照）とする。
【００３８】
回転角度検出装置は、磁束付与磁石６→ホールＩＣ３（ホール素子２）→磁束吸引磁石７という経路で磁束が流れる磁気回路が形成される。そして、スロットルバルブとともにロータ１が回転すると、ホール素子２の磁気検出面と直交する磁束が変化する。
即ち、図１（ａ）に示すように、磁束付与磁石６と磁束吸引磁石７との間のエアギャップの中心がＸ軸方向に向く位置（回転角度９０°）の時にホール素子２の磁気検出面に直交する磁束密度が最大になり、ロータ１の回転角度が９０°より増加しても、逆に９０°より減少しても、回転角度に応じてホール素子２の磁気検出面に直交する磁束量が減少する。
そして、磁束付与磁石６と磁束吸引磁石７との間のエアギャップの中心がＹ軸方向に向く位置（回転角度０°）では、ホール素子２の磁気検出面と直交する磁束が０になる。
【００３９】
さらに、回転角度が０°よりもマイナス側に回転すると、回転角度に応じてホール素子２の磁気検出面と直交する反対方向の磁束量が増加する。そして、ロータ１の回転角度が−９０°の時にホール素子２の磁気検出面と直交する逆向きの磁束密度が最大になる。
回転角度が−９０°よりもさらにマイナス側に回転すると、回転角度に応じて磁気検出面と直交する反対方向の磁束量が減少を始め、ホール素子２を通過する逆向きの磁束密度が減少する。
【００４０】
［実施例の特徴］
スロットルバルブの開度を検出する回転角度検出装置では、微小開度（アイドリング付近）を高い精度で検出する要求があるために、磁束密度０付近をスロットルバルブの０°位置として使用する場合がある。このため、スロットルバルブの開度を検出する回転角度検出装置は、通常、回転角度０°〜９０°の範囲において使用される。
【００４１】
しかし、背景技術の項の（１）でも説明したように、磁束付与磁石６と磁束吸引磁石７のＺ軸方向の両端Ａ2 側は、漏れ磁束が大きくなる特性がある。
このため、ホール素子２が磁束付与磁石６および磁束吸引磁石７のＺ軸方向の中央に設置される回転角度検出装置では、ホール素子２の設置位置がＺ軸方向にずれた場合、図３の実線Ａ’に示すように、そのズレ量が大きくなるに従い、ホール素子２を通過する磁束密度が低下する。すると、ホール素子２から所定の出力が得られなくなり、回転角度の検出誤差を招いてしまう。
【００４２】
そこでこの実施例では、上記の不具合を解決するために、磁束付与磁石６と磁束吸引磁石７のＺ軸方向に沿うそれぞれの厚みが、ホール素子２の設定位置の周囲が薄く、ホール素子２の設定位置より離れる側が厚くなるように設けられている。
具体的には、この実施例のように、ホール素子２の設置位置が、磁束付与磁石６および磁束吸引磁石７のＺ軸方向の中央にある場合、図１（ｂ）に示されるように、磁束付与磁石６および磁束吸引磁石７のＺ軸方向の中央Ａ1 が薄く、Ｚ軸方向の両端Ａ2 側が厚くなるように設けられる。磁束付与磁石６および磁束吸引磁石７の厚みの変化は、ホール素子２の設置位置がＺ軸方向へずれるのに応じて変化するホール素子２を通過する磁束密度の変化幅に基づいて設定される。即ち、ホール素子２の設置位置がＺ軸方向へずれても、ホール素子２を通過する磁束密度が変化しないように設定される。
なお、この実施例１では、磁束付与磁石６および磁束吸引磁石７の内周面のＺ軸方向に円弧を描く内向窪みαを設けることで磁束付与磁石６および磁束吸引磁石７の厚みに変化を持たせている。
【００４３】
本実施例の回転角度検出装置は、上記のように設けられることにより、回転角度検出装置の組付け誤差等によって、ホール素子２の設置位置がＺ軸方向へずれても、ずれた方向に厚くなった磁束付与磁石６および磁束吸引磁石７によって、ずれによるホール素子２を通過する磁束密度の低下をなくすことができる。具体的には、図３の実線Ａに示されるように、ホール素子２の設置位置が中央からＺ軸方向へずれても磁束密度は低下せず、ほぼ理想の磁束密度を得ることができる。
即ち、回転角度検出装置の組付け誤差等によって、ホール素子２の設置位置がＺ軸方向へずれても磁束密度は低下しないため、回転角度の検出誤差の発生を防ぐことができる。
【実施例２】
【００４４】
図４を用いて実施例２を説明する。なお、図４は回転角度検出装置のＺ軸方向に沿う断面図である。なお、この実施例２以降における実施例１と同一符号は、特に説明を加えない限り同一機能物を示すものである。
上記の実施例１では、磁束付与磁石６と磁束吸引磁石７の内周面に内向窪みαを設けることで磁束付与磁石６と磁束吸引磁石７のＺ軸方向の厚みに変化を持たせた。これに対し、この実施例２は、磁束付与磁石６と磁束吸引磁石７の外周面に外向窪みβを設けて磁束付与磁石６と磁束吸引磁石７のＺ軸方向の厚みに変化を持たせたものである。
このように設けても、実施例１と同様の作用効果が得られる。
【実施例３】
【００４５】
図５を用いて実施例３を説明する。なお、図５は回転角度検出装置のＺ軸方向に沿う断面図である。
上記の実施例１では、磁束付与磁石６と磁束吸引磁石７の両方の内周面に内向窪みαを設ける例を示した。これに対し、この実施例３は、磁束付与磁石６または磁束吸引磁石７の一方のみに、内向窪みαを設けたものである。
このように設けても、実施例１と同様の作用効果が得られる。
なお、図５では、一例として磁束付与磁石６のみに内向窪みαを設ける例を示すが、もちろん磁束吸引磁石７のみに内向窪みαを設けても良い。
【実施例４】
【００４６】
図６を用いて実施例４を説明する。なお、図６は回転角度検出装置のＺ軸方向に沿う断面図である。
上記の実施例２では、磁束付与磁石６と磁束吸引磁石７の両方の外周面に外向窪みβを設ける例を示した。これに対し、この実施例４は、磁束付与磁石６または磁束吸引磁石７の一方のみに、外向窪みβを設けたものである。
このように設けても、実施例１と同様の作用効果が得られる。
なお、図６では、一例として磁束付与磁石６のみに外向窪みβを設ける例を示すが、もちろん磁束吸引磁石７のみに外向窪みβを設けても良い。
【実施例５】
【００４７】
図７を用いて実施例５を説明する。なお、図７は回転角度検出装置のＺ軸方向に沿う断面図である。
上記の実施例１では、Ｚ軸方向の比較的広い範囲に亘って磁束付与磁石６および磁束吸引磁石７の厚みを変化させた例を示した。これに対し、この実施例５は、Ｚ軸方向の中央Ａ1 のみが薄くなるように厚みの変化を設けたものである。具体的にこの実施例５では、磁束付与磁石６および磁束吸引磁石７の内周面のＺ軸方向の中央Ａ1 のみに内向窪みαを設けるものである。
組付け誤差の比較的少ない回転角度検出装置では、ホール素子２のＺ軸方向へのずれ量も少ない。このため、この実施例５のように、磁束付与磁石６および磁束吸引磁石７のＺ軸方向の中央Ａ1 のみを薄く設けることで、実施例１と同様の作用効果が得られる。
【００４８】
なお、この実施例５では、磁束付与磁石６と磁束吸引磁石７の両方の内周面の中央Ａ1 に内向窪みαを設けたが、実施例２のように磁束付与磁石６と磁束吸引磁石７の外周面の中央Ａ1 に外向窪みβを設けても良く、また実施例３のように磁束付与磁石６または磁束吸引磁石７の一方の内周面のみの中央Ａ1 に内向窪みαを設けても良く、さらに実施例４のように磁束付与磁石６または磁束吸引磁石７の一方の外周面のみの中央Ａ1 に外向窪みβを設けても良い。
【実施例６】
【００４９】
図８、図９を用いて実施例６を説明する。なお、図８（ａ）は回転角度検出装置をＺ軸方向から見た図であり、図８（ｂ）は回転角度検出装置のＺ軸方向に沿う断面図である。  背景技術の項の（２）でも説明したように、ロータ１の回転角度９０°の状態で、ホール素子２の設置位置がＸ軸方向へずれた場合、磁束付与磁石６および磁束吸引磁石７と、ホール素子２との距離が接近するため、ホール素子２を通過する磁束密度が増加する（図９の実線Ｂ’参照）。このため、組付け時の誤差等によって、ホール素子２の設定位置がＸ軸方向にずれると、ホール素子２を通過する磁束密度が増加して、ホール素子２から所定以上の出力が発生し、回転角度の検出誤差を招いてしまう。
【００５０】
そこでこの実施例６では、上記の不具合を解決するために、磁束付与磁石６と磁束吸引磁石７をＺ軸方向から見た厚み、即ち円弧方向（回転方向と同義）に沿う厚みを、図８（ａ）に示すように、円弧方向の中央Ｂ1 が厚く、円弧方向の端Ｂ2 側が薄くなるように設けている。これにより、磁束付与磁石６と磁束吸引磁石７の内周面とホール素子２との距離が、端Ｂ2 に向かうにつれて次第に大きくなるように構成される。この磁束付与磁石６および磁束吸引磁石７の厚みの変化は、ホール素子２の設置位置がＸ軸方向へずれるのに応じて変化するホール素子２を通過する磁束密度の変化幅に基づいて設定される。つまり、ホール素子２の設置位置がＸ軸方向へずれても、ホール素子２を通過する磁束密度が変化しないように設定される。
【００５１】
本実施例の回転角度検出装置は、上記のように設けられることにより、回転角度検出装置の組付け誤差等によって、ホール素子２の設置位置が磁束付与磁石６と磁束吸引磁石７の中心からＸ軸方向へずれても、ずれた方向に薄くなった磁束付与磁石６と磁束吸引磁石７によって、ずれによるホール素子２を通過する磁束密度の増加をなくすことができる。具体的には、図９の実線Ｂに示されるように、ホール素子２の設置位置が中央からＸ軸方向へずれても磁束密度は増加せず、ほぼ理想の磁束密度を得ることができる。
即ち、回転角度検出装置の組付け誤差等によって、ホール素子２の設置位置がＸ軸方向へずれても磁束密度は低下しないため、回転角度の検出誤差の発生を防ぐことができる。  
【００５２】
なお、この実施例６では、磁束付与磁石６および磁束吸引磁石７の円弧方向の端Ｂ2 側を薄くする手段として、磁束付与磁石６および磁束吸引磁石７の内周面を削った形状（内面を窪ませた形状）に設けた例を示したが、逆に、磁束付与磁石６および磁束吸引磁石７の外周面を削った形状（外面を窪ませた形状）に設けても、実施例６と同様の効果を得ることができる。
【００５３】
また、この実施例６では、磁束付与磁石６および磁束吸引磁石７の両方の厚みを変化させる例を示したが、磁束付与磁石６または磁束吸引磁石７の一方のみの厚みを変化させても良い。例えば、図１０に示すように、磁束付与磁石６または磁束吸引磁石７の一方のみの円弧方向の中央Ｂ1 を厚く、円弧方向の端Ｂ2 側を薄く設けて、磁束付与磁石６または磁束吸引磁石７の他方の円弧方向に沿う厚みを一定に設けても良い。即ち、磁束付与磁石６と磁束吸引磁石７のＺ軸側の曲率をそれぞれ変えても良い。このように設けても、実施例６と同様の効果を得ることができる。
【実施例７】
【００５４】
図１１を用いて実施例７を説明する。なお、図１１（ａ）は回転角度検出装置をＺ軸方向から見た図であり、図１１（ｂ）は回転角度検出装置のＺ軸方向に沿う断面図である。  上記の各実施例では、半円筒形を呈する磁束付与磁石６および磁束吸引磁石７を例に示した。それに対してこの実施例７は、図１１（ａ）に示すように、磁束付与磁石６を複数（この実施例では２つ）の磁石６ａを組み合わせてＺ軸方向から見て略円弧状を呈するように配置するとともに、磁束吸引磁石７も複数（この実施例では２つ）の磁石７ａを組み合わせてＺ軸方向から見て略円弧状を呈するように配置したものである。
【００５５】
背景技術の項の（３）でも説明したように、ロータ１の回転角度９０°の状態で、ホール素子２の設置位置がＸ軸方向へずれた場合、磁束付与磁石６および磁束吸引磁石７と、ホール素子２との距離が接近するため、ホール素子２を通過する磁束密度が増加する（図９の実線Ｂ’参照）。このため、組付け時の誤差等によって、ホール素子２の設定位置がＸ軸方向にずれると、ホール素子２を通過する磁束密度が増加して、ホール素子２から所定以上の出力が発生し、回転角度の検出誤差を招いてしまう。
【００５６】
そこで、この実施例７は、上記の不具合を解決するために、それぞれが２つの磁石６ａ、７ａによって構成される磁束付与磁石６および磁束吸引磁石７のそれぞれの回転方向に沿う厚みを、図１１（ａ）に示すように、回転方向の中央Ｂ1 が厚く、回転方向の端Ｂ2 側が薄くなるように設けている。即ち、磁束付与磁石６および磁束吸引磁石７の内周面とホール素子２との距離が、回転方向の端Ｂ2 に向かうにつれて次第に大きくなるように構成されている。それぞれが２つの磁石６ａ、７ａによって構成される磁束付与磁石６および磁束吸引磁石７の厚みの変化は、ホール素子２の設置位置がＸ軸方向へずれるのに応じて変化するホール素子２を通過する磁束密度の変化幅に基づいて設定される。つまり、ホール素子２の設置位置がＸ軸方向へずれても、ホール素子２を通過する磁束密度が変化しないように設定される。
【００５７】
本実施例の回転角度検出装置は、上記のように設けられることにより、回転角度検出装置の組付け誤差等によって、ホール素子２の設置位置が磁束付与磁石６および磁束吸引磁石７の中心からＸ軸方向へずれても、ずれた方向に薄くなった磁束付与磁石６および磁束吸引磁石７によって、ずれによるホール素子２を通過する磁束密度の増加をなくすことができる。具体的には、上記実施例６で示した図９の実線Ｂのように、ホール素子２の設置位置が中央からＸ軸方向へずれても磁束密度は増加せず、ほぼ理想の磁束密度を得ることができる。
即ち、実施例６と同様、回転角度検出装置の組付け誤差等によって、ホール素子２の設置位置がＸ軸方向へずれても磁束密度は低下しないため、回転角度の検出誤差の発生を防ぐことができる。
【００５８】
なお、この実施例７では、それぞれが２つの磁石６ａ、７ａによって構成される磁束付与磁石６および磁束吸引磁石７の回転方向の端Ｂ2 側を薄くする手段として、磁束付与磁石６および磁束吸引磁石７の内周面を削った形状（内面を窪ませた形状）に設けた例を示したが、逆に、磁束付与磁石６および磁束吸引磁石７の外周面を削った形状（外面を窪ませた形状）に設けても良い。
また、この実施例７では、磁束付与磁石６と磁束吸引磁石７の両方の厚みを変化させる例を示したが、図１２に示すように、磁束付与磁石６または磁束吸引磁石７の一方のみの厚みを変化させても良い。
なお、図１２では、一例として磁束付与磁石６のみの厚みを変化させる例を示したが、磁束吸引磁石７のみの厚みを変化させても良い。
【実施例８】
【００５９】
図１３、図１４を用いて実施例８を説明する。なお、図１３（ａ）は回転角度検出装置をＺ軸方向から見た図であり、図１３（ｂ）は回転角度検出装置のＺ軸方向に沿う断面図である。
上記第６、実施例７では、Ｚ軸方向から見て磁束付与磁石６および磁束吸引磁石７が円弧状を呈する例を示した。これに対し、この実施例８は、Ｚ軸方向から見て磁束付与磁石６および磁束吸引磁石７が平行に配置されるものである。
【００６０】
背景技術の項の（４）でも説明したように、磁束付与磁石６および磁束吸引磁石７のそれぞれを平板磁石で構成して、Ｚ軸方向から見て平行に配置する場合、磁束付与磁石６および磁束吸引磁石７のＸ軸方向の両端側は漏れ磁束が大きいため、ホール素子２の設置位置がＸ軸方向にずれると、図１４の実線Ｃ’に示すように、そのズレ量が大きくなるに従って、ホール素子２を通過する磁束密度が低下する。すると、ホール素子２から所定の出力が得られなくなり、回転角度の検出誤差を招いてしまう。
【００６１】
そこで、この実施例８では、上記の不具合を解決するために、磁束付与磁石６および磁束吸引磁石７の厚みを、図１３（ａ）に示すように、Ｚ軸方向から見た場合、中央Ｂ1 が薄く、端Ｂ2 側が厚くなるように設けている。即ち、磁束付与磁石６および磁束吸引磁石７の内周面と、ホール素子２との距離が、端Ｂ2 に向かうにつれて次第に小さくなるように構成されている。この磁束付与磁石６および磁束吸引磁石７の厚みの変化は、ホール素子２の設置位置がＸ軸方向へずれるのに応じて変化するホール素子２を通過する磁束密度の変化幅に基づいて設定される。つまり、ホール素子２の設置位置がＸ軸方向へずれても、ホール素子２を通過する磁束密度が変化しないように設定される。
【００６２】
本実施例の回転角度検出装置は、上記のように設けられることにより、回転角度検出装置の組付け誤差等によって、ホール素子２の設置位置が磁束付与磁石６および磁束吸引磁石７の中心からＸ軸方向へずれても、ずれた方向に厚くなった磁束付与磁石６および磁束吸引磁石７によって、ずれによるホール素子２を通過する磁束密度の低下をなくすことができる。具体的には、図１４の実線Ｃに示されるように、ホール素子２の設置位置が中央からＸ軸方向へずれても磁束密度は低下せず、ほぼ理想の磁束密度を得ることができる。  即ち、回転角度検出装置の組付け誤差等によって、ホール素子２の設置位置がＸ軸方向へずれても磁束密度は低下しないため、回転角度の検出誤差の発生を防ぐことができる。  
【００６３】
なお、この実施例８では、磁束付与磁石６と磁束吸引磁石７の中央Ｂ1 を薄くする手段として、磁束付与磁石６および磁束吸引磁石７の内周面を削った形状（内面を窪ませた形状）に設けた例を示したが、逆に、磁束付与磁石６および磁束吸引磁石７の外周面を削った形状（外面を窪ませた形状）に設けても、実施例８と同様の効果を得ることができる。  
【００６４】
また、この実施例８では、磁束付与磁石６と磁束吸引磁石７の両方の厚みを変化させる例を示したが、図１５に示すように、磁束付与磁石６および磁束吸引磁石７の一方のみの厚みを変化させても良い。即ち、磁束付与磁石６および磁束吸引磁石７の一方の中央Ｂ1 を薄く、端Ｂ2 側を厚く設けて、磁束付与磁石６および磁束吸引磁石７の他方の厚みを一定に設けても良い。このように設けても、実施例８と同様の効果を得ることができる。
なお、図１５では、一例として磁束付与磁石６のみの厚みを変化させる例を示したが、磁束吸引磁石７のみの厚みを変化させても良い。
【実施例９】
【００６５】
図１６を用いて実施例９を説明する。なお、図１６（ａ）は回転角度検出装置をＺ軸方向から見た図であり、図１６（ｂ）は回転角度検出装置のＺ軸方向に沿う断面図である。  この実施例９は、上述した実施例１と実施例６を組み合わせたものである。即ち、磁束付与磁石６および磁束吸引磁石７のＺ軸方向に沿う厚みは、図１６（ｂ）に示すように、両端Ａ2 側が厚く、中央Ａ1 が薄く設けられるとともに、磁束付与磁石６および磁束吸引磁石７をＺ軸方向から見た厚みは、図１６（ａ）に示すように、円弧方向の中央Ｂ1 が厚く、円弧方向の端Ｂ2 側が薄く設けられたものである。
【００６６】
このように設けることにより、上述した実施例１と実施例６の両方の効果を奏することができる。
即ち、回転角度検出装置の組付け誤差等によって、ホール素子２の設置位置がＺ軸方向へずれても磁束密度は低下せず、またホール素子２の設置位置がＸ軸方向へずれても磁束密度は増加しない。このため、回転角度検出装置の組付け誤差等によって、ホール素子２の設置位置がＺ軸方向へずれても、Ｘ軸方向へずれても磁束密度は変化しないため、回転角度の検出誤差の発生を防ぐことができる。
【００６７】
なお、この実施例９では、上述した実施例１と実施例６を組み合わせた例を示したが、第２〜実施例５のいずれか１つと、実施例６を組み合わせても、この実施例９と同様の効果を得ることができる。
【実施例１０】
【００６８】
図１７を用いて実施例１０を説明する。なお、図１７（ａ）は回転角度検出置をＺ軸方向から見た図であり、図１７（ｂ）は回転角度検出装置のＺ軸方向に沿う断面図である。  この実施例１０は、上述した実施例１と実施例７を組み合わせたものである。即ち、磁束付与磁石６および磁束吸引磁石７のＺ軸方向に沿う厚みは、図１７（ｂ）に示すように、両端Ａ2 側が厚く、中央Ａ1 が薄く設けられるとともに、磁束付与磁石６および磁束吸引磁石７をＺ軸方向から見た厚みは、図１７（ａ）に示すように、回転方向の中央Ｂ1 が厚く、回転方向の端Ｂ2 側が薄くなるように設けられたものである。
【００６９】
このように設けることにより、上述した実施例１と実施例７の両方の効果を奏することができる。
即ち、上記実施例９と同様、回転角度検出装置の組付け誤差等によって、ホール素子２の設置位置がＺ軸方向へずれても磁束密度は低下せず、またホール素子２の設置位置がＸ軸方向へずれても磁束密度は増加しない。このため、回転角度検出装置の組付け誤差等によって、ホール素子２の設置位置がＺ軸方向へずれても、Ｘ軸方向へずれても磁束密度は変化しないため、回転角度の検出誤差の発生を防ぐことができる。
【００７０】
なお、この実施例１０では、上述した実施例１と実施例７を組み合わせた例を示したが、第２〜実施例５のいずれか１つと、実施例７を組み合わせても、この実施例１０と同様の効果を得ることができる。
【実施例１１】
【００７１】
図１８を用いて実施例１１を説明する。なお、図１８（ａ）は回転角度検出置をＺ軸方向から見た図であり、図１８（ｂ）は回転角度検出装置のＺ軸方向に沿う断面図である。  この実施例１１は、上述した実施例１と実施例８を組み合わせたものである。即ち、磁束付与磁石６および磁束吸引磁石７のＺ軸方向に沿う厚みは、図１８（ｂ）に示すように、両端Ａ2 側が厚く、中央Ａ1 が薄く設けられるとともに、磁束付与磁石６および磁束吸引磁石７をＺ軸方向から見た厚みは、図１８（ａ）に示すように、中央Ｂ1 が薄く、端Ｂ2 側が厚くなるように設けられたものである。
【００７２】
このように設けることにより、上述した実施例１と実施例８の両方の効果を奏することができる。
即ち、回転角度検出装置の組付け誤差等によって、ホール素子２の設置位置がＺ軸方向へずれても磁束密度は低下せず、またホール素子２の設置位置がＸ軸方向へずれても磁束密度は低下しない。このため、回転角度検出装置の組付け誤差等によって、ホール素子２の設置位置がＺ軸方向へずれても、Ｘ軸方向へずれても磁束密度は変化しないため、回転角度の検出誤差の発生を防ぐことができる。
【００７３】
なお、この実施例１１では、上述した実施例１と実施例８を組み合わせた例を示したが、第２〜実施例５のいずれか１つと、実施例８を組み合わせても、この実施例１１と同様の効果を得ることができる。
【実施例１２】
【００７４】
図１９〜図２１を用いて実施例１２を説明する。図１９（ａ）は回転角度検出装置をＺ軸方向から見た図であり、図１９（ｂ）は回転角度検出装置のＺ軸方向に沿う断面図である。なお、図１９（ａ）に示す破線は最も窪んだ磁石の内面を示すものである。
（回転角度検出装置をＺ軸方向から見た磁石形状の説明）
背景技術の項の（２）でも説明したように、ロータ１の回転角度９０°の状態で、ホール素子２の設置位置がＸ軸方向へずれた場合、磁束付与磁石６および磁束吸引磁石７と、ホール素子２との距離が接近するため、ホール素子２を通過する磁束密度が増加する（図２０の破線Ｂ’参照）。このため、組付け時の誤差等によって、ホール素子２の設定位置がＸ軸方向にずれると、ホール素子２を通過する磁束密度が増加して、ホール素子２から所定以上の出力が発生し、回転角度の検出誤差を招いてしまう。
【００７５】
そこで、上記の実施例６、７、９、１０では、磁束付与磁石６と磁束吸引磁石７のＺ軸方向から見た厚みを、中央Ｂ1 が厚く、端Ｂ2 側が薄くなるように設けている。ここで、（Ａ）磁束付与磁石６および磁束吸引磁石７の厚みの変化は、ホール素子２の設置位置がＸ軸方向へずれるのに応じて変化するホール素子２を通過する磁束密度の変化幅に基づいて設定される。これによって、ホール素子２の設置位置がＸ軸方向へずれても、ホール素子２を通過する磁束密度が変化しないように設定される。
【００７６】
上記（Ａ）を具体的に説明する。磁束付与磁石６と磁束吸引磁石７のＺ軸方向から見た内面形状、外面形状を、単純な円弧（一定の半径で描かれる円弧、楕円の円弧）で描く場合、着磁方向のバラツキ、磁石を形成する磁性体密度のバラツキ、あるいはヨーク４を用いずに磁石のみで磁気回路を構成する場合等により、Ｘ軸に付与される磁束分布が変化する場合がある。そのような変化が生じた場合、ホール素子２の設置位置がＸ軸方向へずれると、ホール素子２を通過する磁束密度が僅かながら変化してしまう（図２０の破線Ｂ”参照）。
磁束付与磁石６、磁束吸引磁石７をＺ軸方向から見た厚みが、中央Ｂ1 に対して左右対称形状である場合、Ｘ軸に付与される磁束分布は、回転中心（本実施例ではホール素子２の基準設定位置）を頂点とした多次曲線で近似させることができる。この規則性を利用して磁束付与磁石６、磁束吸引磁石７の内面、外面の少なくとも一方の磁石形状を回転中心（ホール素子２の基準設定位置）を頂点とした多次曲線（曲率）を持つ磁石形状にすることで、ホール素子２の設置位置が所定の範囲内でＸ軸方向へずれても、ホール素子２を通過する磁束密度を変化させなくすることができる。
【００７７】
具体的に、この実施例では、着磁方向のバラツキ等によるＸ軸に付与される磁束分布の変化を考慮して、磁束付与磁石６と磁束吸引磁石７のＺ軸方向から見た外面形状の曲率Ａ、内面形状の曲率Ｂを次式で表される曲率として、ホール素子２の設置位置の範囲内でＸ軸に付与される磁束分布を略一定にしている（図２０の実線Ｂ参照）。
Ａ＝ａ1 Ｘn ＋ｂ1 Ｘn-1 ・・・c1
Ｂ＝ａ2 Ｘn ＋ｂ2 Ｘn-1 ・・・c2
なお、c1、c2式の変数Ｘは、磁石のＸ軸方向の長さを示すものである。
このように、この実施例では、磁束付与磁石６、磁束吸引磁石７の内面、外面の磁石形状を多次曲線（曲率）を持つ磁石形状にすることで、着磁方向のバラツキ、磁石を形成する磁性体密度のバラツキ、あるいはヨーク４を用いずに磁石のみで磁気回路を構成する場合等により、Ｘ軸に付与される磁束分布の変化を相殺することができ、ホール素子２の設置位置が所定の範囲内でＸ軸方向へずれても、ホール素子２を通過する磁束密度を変化させなくすることができる。
【００７８】
なお、この実施例では、Ｚ軸方向から見た磁束付与磁石６、磁束吸引磁石７の内面、外面の磁石形状を多次曲線（曲率）を持つ磁石形状にした例を示したが、磁束付与磁石６、磁束吸引磁石７の内面または外面の一方だけを多次曲線（曲率）を持つ磁石形状にしても良い。
【００７９】
（回転角度検出装置のＺ軸方向に沿う磁石形状の説明）
背景技術の項の（１）でも説明したように、磁束付与磁石６と磁束吸引磁石７のＺ軸方向の両端Ａ2 側は、漏れ磁束が大きくなる特性がある。
このため、ホール素子２が磁束付与磁石６および磁束吸引磁石７のＺ軸方向の中央に設置される回転角度検出装置では、ホール素子２の設置位置がＺ軸方向にずれた場合、そのずれ量が大きくなるに従い、ホール素子２を通過する磁束密度が低下する（図２１の破線Ａ’参照）。すると、ホール素子２から所定の出力が得られなくなり、回転角度の検出誤差を招いてしまう。
【００８０】
そこで、上記の実施例１〜５では、磁束付与磁石６と磁束吸引磁石７のＺ軸方向に沿うそれぞれの厚みが、ホール素子２の設定位置の周囲が薄く、ホール素子２の設定位置より離れる側が厚くなるように設けている。ここで、（Ｂ）磁束付与磁石６および磁束吸引磁石７の厚みの変化は、ホール素子２の設置位置がＺ軸方向へずれるのに応じて変化するホール素子２を通過する磁束密度の変化幅に基づいて設定される。これによって、ホール素子２の設置位置がＺ軸方向へずれても、ホール素子２を通過する磁束密度が変化しないように設定される。
【００８１】
上記（Ｂ）を具体的に説明する。磁束付与磁石６と磁束吸引磁石７のＸ軸方向から見た内面形状、外面形状を、単純な円弧（一定の半径で描かれる円弧、楕円の円弧）で描く場合、着磁方向のバラツキ、磁石を形成する磁性体密度のバラツキ、あるいはヨーク４を用いずに磁石のみで磁気回路を構成する場合等により、Ｚ軸に付与される磁束分布が変化する場合がある。そのような変化が生じた場合、ホール素子２の設置位置がＺ軸方向へずれると、ホール素子２を通過する磁束密度が僅かながら変化してしまう（図２１の破線Ａ”参照）。
磁束付与磁石６、磁束吸引磁石７をＸ軸方向から見た厚みが、中央Ａ1 に対して左右対称形状である場合、Ｚ軸に付与される磁束分布は、ホール素子２の基準設定位置を頂点とした多次曲線で近似させることができる。この規則性を利用して磁束付与磁石６、磁束吸引磁石７の内面、外面の少なくとも一方の磁石形状を、ホール素子２の基準設定位置を頂点とした多次曲線（曲率）を持つ磁石形状にすることで、ホール素子２の設置位置が所定の範囲内でＺ軸方向へずれても、ホール素子２を通過する磁束密度を変化させなくすることができる。
【００８２】
具体的に、この実施例では、着磁方向のバラツキ等によるＺ軸に付与される磁束分布の変化を考慮して、磁束付与磁石６と磁束吸引磁石７のＸ軸方向から見た外面形状の曲率Ｃ、内面形状の曲率Ｄを次式で表される曲率として、ホール素子２の設置位置の範囲内でＺ軸に付与される磁束分布を略一定にしている（図２１の実線Ａ参照）。
Ｃ＝ａ3 Ｚn ＋ｂ3 Ｚn-1 ・・・ｃ3 
Ｄ＝ａ4 Ｚn ＋ｂ4 Ｚn-1 ・・・ｃ4 
なお、ｃ3 、ｃ4 式の変数Ｚは、磁石のＺ軸方向の長さを示すものである。
このように、この実施例では、磁束付与磁石６、磁束吸引磁石７の内面、外面の磁石形状を多次曲線（曲率）を持つ磁石形状にすることで、着磁方向のバラツキ、磁石を形成する磁性体密度のバラツキ、あるいはヨーク４を用いずに磁石のみで磁気回路を構成する場合等により、Ｚ軸に付与される磁束分布の変化を相殺することができ、ホール素子２の設置位置が所定の範囲内でＺ軸方向へずれても、ホール素子２を通過する磁束密度を変化させなくすることができる。
【００８３】
なお、この実施例では、Ｚ軸方向に沿う磁束付与磁石６、磁束吸引磁石７の内面、外面の磁石形状を多次曲線（曲率）を持つ磁石形状にした例を示したが、磁束付与磁石６、磁束吸引磁石７の内面または外面の一方だけを多次曲線（曲率）を持つ磁石形状にしても良い。
【実施例１３】
【００８４】
図２２を用いて実施例１３を説明する。図２２（ａ）は回転角度検出装置をＺ軸方向から見た図であり、図２２（ｂ）は回転角度検出装置のＺ軸方向に沿う断面図である。なお、図２２（ａ）に示す破線は最も窪んだ磁石の内面を示すものである。
（回転角度検出装置をＺ軸方向から見た磁石形状の説明）
上記の実施例１２では、Ｚ軸方向から見た磁束付与磁石６、磁束吸引磁石７の外面の磁石形状を１つの多次曲線（曲率）を持つ磁石形状にし、磁束付与磁石６、磁束吸引磁石７の内面の磁石形状も１つの多次曲線（曲率）を持つ磁石形状にした例を示した。
これに対し、この実施例は、図２２（ａ）に示すように、磁束付与磁石６、磁束吸引磁石７をＺ軸方向から見て、中央Ｂ1 に対して左側の外面の磁石形状の曲率Ｅ（多次曲線）と、右側の外面の磁石形状の曲率Ｆ（多次曲線）とを異ならせるとともに、中央Ｂ1 に対して左側の内面の磁石形状の曲率Ｇ（多次曲線）と、右側の内面の磁石形状の曲率Ｈ（多次曲線）とを異ならせるものである。
Ｅ＝ａ5 Ｘn ＋ｂ5 Ｘn-1 ・・・ｃ5 
Ｆ＝ａ6 Ｘn ＋ｂ6 Ｘn-1 ・・・ｃ6 
Ｇ＝ａ7 Ｘn ＋ｂ7 Ｘn-1 ・・・ｃ7 
Ｈ＝ａ8 Ｘn ＋ｂ8 Ｘn-1 ・・・ｃ8 
なお、ｃ5 、ｃ6 、ｃ7 、ｃ8 式の変数Ｘは、磁石のＸ軸方向の長さを示すものである。
このように、Ｚ軸方向から見た磁束付与磁石６、磁束吸引磁石７の内外面の磁石形状の曲率を、左右で異ならせることにより、着磁方向のバラツキ、磁石を形成する磁性体密度のバラツキ、あるいはヨーク４を用いずに磁石のみで磁気回路を構成する場合等により、Ｘ軸に付与される磁束分布の変化を相殺することができ、Ｘ軸に付与される磁束分布を高精度で均一化できる。
【００８５】
なお、この実施例では、Ｚ軸方向から見た磁束付与磁石６、磁束吸引磁石７の内面、外面の両方の左右の曲率を変えた例を示したが、磁束付与磁石６、磁束吸引磁石７の内面または外面の一方だけを左右異なる曲率にしても良い。
【００８６】
（回転角度検出装置のＺ軸方向に沿う磁石形状の説明）
上記の実施例１２では、磁束付与磁石６、磁束吸引磁石７のＺ軸方向に沿う外面の磁石形状を１つの多次曲線（曲率）を持つ磁石形状にし、磁束付与磁石６、磁束吸引磁石７の内面の磁石形状も１つの多次曲線（曲率）を持つ磁石形状にした例を示した。
これに対し、この実施例は、図２２（ｂ）に示すように、磁束付与磁石６、磁束吸引磁石７をＸ軸方向から見て、中央Ａ1 に対して左側の外面の磁石形状の曲率Ｉ（多次曲線）と、右側の外面の磁石形状の曲率Ｊ（多次曲線）とを異ならせるとともに、中央Ａ1 に対して左側の内面の磁石形状の曲率Ｋ（多次曲線）と、右側の内面の磁石形状の曲率Ｌ（多次曲線）とを異ならせるものである。
Ｉ＝ａ9 Ｚn ＋ｂ9 Ｚn-1 ・・・ｃ9 
Ｊ＝ａ10Ｚn ＋ｂ10Ｚn-1 ・・・ｃ10
Ｋ＝ａ11Ｚn ＋ｂ11Ｚn-1 ・・・ｃ11
Ｌ＝ａ12Ｚn ＋ｂ12Ｚn-1 ・・・ｃ12
なお、ｃ9 、ｃ10、ｃ11、ｃ12式の変数Ｚは、磁石のＺ軸方向の長さを示すものである。
このように、Ｘ軸方向から見た磁束付与磁石６、磁束吸引磁石７の内外面の磁石形状の曲率を、左右で異ならせることにより、着磁方向のバラツキ、磁石を形成する磁性体密度のバラツキ、あるいはヨーク４を用いずに磁石のみで磁気回路を構成する場合等により、Ｚ軸に付与される磁束分布の変化を相殺することができ、Ｚ軸に付与される磁束分布を高精度で均一化できる。
【００８７】
なお、この実施例では、Ｚ軸方向に沿う磁束付与磁石６、磁束吸引磁石７の内面、外面の両方の左右の曲率を変えた例を示したが、磁束付与磁石６、磁束吸引磁石７の内面または外面の一方だけを左右異なる曲率にしても良い。
【００８８】
〔変形例〕
上記の実施例では、固定部材を固定し、ロータ１を回転させた例を示したが、逆にロータ１に相当する部材を固定し、磁気検出素子（実施例ではホール素子２を内蔵するホールＩＣ３）を支持する部材を回転させる構造を採用しても良い。言い換えれば、磁気検出素子を回転させ、磁束付与磁石６および磁束吸引磁石７を固定して磁気検出素子の出力から回転角度を検出しても良い。
【００８９】
上記の実施例では、磁気検出素子（実施例ではホール素子２を内蔵するホールＩＣ３）を１つ搭載した例を示したが、複数個配置しても良い。また、ホールＩＣ３を構成するホール素子２のみを磁束発生手段５（磁束付与磁石６と磁束吸引磁石７）の内部に配置し、信号処理回路を磁束発生手段５の外部に配置しても良い。つまり、例えば、ホール素子２の信号処理回路を回転角度検出装置から離れた制御装置内に設けても良い。
上記の実施例では、回転角度検出装置の具体的な一例としてスロットルバルブの開度を検出する例を示したが、産業ロボットのアーム部の回転角度等、他の回転角度を検出するように設けても良い。
上記の実施例では、磁束付与磁石６と磁束吸引磁石７の外側周囲にヨーク４を設置した例を示したが、ヨーク４をなくした構成でも良い。
【図面の簡単な説明】
【００９０】
【図１】回転角度検出装置をＺ軸方向から見た図およびＺ軸方向に沿う断面図である（実施例１）。
【図２】磁束密度と回転角度の関係を示すグラフである（実施例１）。
【図３】磁気検出素子のＺ軸方向ずれ量と磁束密度の関係を示すグラフである（実施例１）。
【図４】回転角度検出装置のＺ軸方向に沿う断面図である（実施例２）。
【図５】回転角度検出装置のＺ軸方向に沿う断面図である（実施例３）。
【図６】回転角度検出装置のＺ軸方向に沿う断面図である（実施例４）。
【図７】回転角度検出装置のＺ軸方向に沿う断面図である（実施例５）。
【図８】回転角度検出装置をＺ軸方向から見た図およびＺ軸方向に沿う断面図である（実施例６）。
【図９】磁気検出素子のＸ軸方向ずれ量と磁束密度の関係を示すグラフである（実施例６）。
【図１０】回転角度検出装置をＺ軸方向から見た図およびＺ軸方向に沿う断面図である（実施例６の変形例）。
【図１１】回転角度検出装置をＺ軸方向から見た図およびＺ軸方向に沿う断面図である（実施例７）。
【図１２】回転角度検出装置をＺ軸方向から見た図である（実施例７の変形例）。
【図１３】回転角度検出装置をＺ軸方向から見た図およびＺ軸方向に沿う断面図である（実施例８）。
【図１４】磁気検出素子のＸ軸方向ずれ量と磁束密度の関係を示すグラフである（実施例８）。
【図１５】回転角度検出装置をＺ軸方向から見た図である（実施例８の変形例）。
【図１６】回転角度検出装置をＺ軸方向から見た図およびＺ軸方向に沿う断面図である（実施例９）。
【図１７】回転角度検出装置をＺ軸方向から見た図およびＺ軸方向に沿う断面図である（実施例１０）。
【図１８】回転角度検出装置をＺ軸方向から見た図およびＺ軸方向に沿う断面図である（実施例１１）。
【図１９】回転角度検出装置をＺ軸方向から見た図およびＺ軸方向に沿う断面図である（実施例１２）。
【図２０】磁気検出素子のＸ軸方向ずれ量と磁束密度の関係を示すグラフである（実施例１２）。
【図２１】磁気検出素子のＺ軸方向ずれ量と磁束密度の関係を示すグラフである（実施例１２）。
【図２２】回転角度検出装置をＺ軸方向から見た図およびＺ軸方向に沿う断面図である（実施例１３）。
【図２３】回転角度検出装置をＺ軸方向から見た図およびＺ軸方向に沿う断面図である（従来例）。
【図２４】ロータの回転角度の説明図である（従来例）。
【図２５】磁束密度と回転角度の関係を示すグラフである（従来例）。
【図２６】磁気検出素子のＺ軸方向ずれ量と磁束密度の関係を示すグラフである（従来例）。
【図２７】磁気検出素子のＸ軸方向ずれ量と磁束密度の関係を示すグラフである（従来例）。
【図２８】回転角度検出装置をＺ軸方向から見た図およびＺ軸方向に沿う断面図である（従来例）。
【図２９】回転角度検出装置をＺ軸方向から見た図およびＺ軸方向に沿う断面図である（従来例）。
【図３０】磁気検出素子のＸ軸方向ずれ量と磁束密度の関係を示すグラフである（従来例）。
【符号の説明】
【００９１】
１    ロータ
２    ホール素子（磁気検出素子）
３    ホールＩＣ
４    ヨーク
５    磁束発生手段
６    磁束付与磁石
７    磁束吸引磁石
Ａ1   磁束付与磁石および磁束吸引磁石のＺ軸方向の中央
Ａ2   磁束付与磁石および磁束吸引磁石のＺ軸方向の端
Ｂ1   Ｚ軸方向から見た磁束付与磁石および磁束吸引磁石の中央
Ｂ2   Ｚ軸方向から見た磁束付与磁石および磁束吸引磁石の端
【図１】
2004317486.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
2004317486.tif 000007
【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
2004317486.tif 000019
【図１８】
2004317486.tif 000020
【図１９】
2004317486.tif 000021
【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
2004317486.tif 000026
【図２５】
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【図２６】
2004317486.tif 000028
【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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