(57)【要約】【課題】保管液を用いた保管状態の液滴吐出ヘッドを再稼働する際、液滴吐出動作に影響を及ぼさずに液滴吐出ヘッドを洗浄してパターン形成できるパターンの形成方法を提供する。【解決手段】本発明のパターンの形成方法は、機能液の液滴３０を基板Ｐ上に配置することにより膜パターン３３を形成する方法であって、液滴３０を配置可能な液滴吐出ヘッド１及び液滴吐出ヘッド１に機能液を供給する管部４０を含む流路４を純水で置換する第１置換工程ＳＡ１と、純水と機能液に含まれる溶媒との双方を溶解する溶媒で置換する第２置換工程ＳＡ２と、機能液に含まれる溶媒で置換する第３置換工程ＳＡ４と、基板Ｐ上に膜パターンに応じたバンクＢを形成するバンク形成工程と、バンクＢ、Ｂ間の溝部３４に液滴３０を液滴吐出ヘッド１により配置する材料配置工程とを有する。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
機能液の液滴を基板上に配置することにより膜パターンを形成するパターンの形成方法であって、
前記液滴を配置可能な液滴吐出ヘッド及び該液滴吐出ヘッドに機能液を供給する管部を含む流路を純水で置換する第１置換工程と、
前記純水と前記機能液に含まれる溶媒との双方を溶解する溶媒で置換する第２置換工程と、
前記機能液に含まれる溶媒で置換する第３置換工程と、
前記基板上に前記膜パターンに応じたバンクを形成するバンク形成工程と、
前記バンク間の溝部に前記液滴を前記液滴吐出ヘッドにより配置する材料配置工程とを有することを特徴とするパターンの形成方法。
【請求項２】
機能液の液滴を基板上に配置することにより膜パターンを形成するパターンの形成方法であって、
所定の保管液が充填された状態の液滴吐出ヘッド及び該液滴吐出ヘッドに機能液を供給する管部を含む流路を前記保管液を溶解する第１の溶媒で置換する第１置換工程と、
前記第１の溶媒と前記機能液に含まれる溶媒との双方を溶解する第２の溶媒で置換する第２置換工程と、
前記機能液に含まれる溶媒で置換する第３置換工程と、
前記基板上に前記膜パターンに応じたバンクを形成するバンク形成工程と、
前記バンク間の溝部に前記液滴を前記液滴吐出ヘッドにより配置する材料配置工程とを有することを特徴とするパターンの形成方法。
【請求項３】
前記第３置換工程の後に、前記流路を前記機能液で置換する工程を有することを特徴とする請求項１又は２記載のパターンの形成方法。
【請求項４】
前記機能液は熱処理又は光処理により導電性を発現することを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項記載の薄膜パターンの形成方法。
【請求項５】
基板上に膜パターンを形成する工程を有するデバイスの製造方法において、
請求項１〜請求項４のいずれか一項記載のパターンの形成方法により、前記基板上に膜パターンを形成することを特徴とするデバイスの製造方法。
【請求項６】
請求項５記載のデバイスの製造方法を用いて製造されたデバイスを備えることを特徴とする電気光学装置。
【請求項７】
請求項６記載の電気光学装置を備えることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、機能液の液滴を基板上に配置することにより膜パターンを形成するパターンの形成方法及びパターン形成装置、デバイスの製造方法、電気光学装置及び電子機器に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、半導体集積回路など微細な配線パターン（膜パターン）を有するデバイスの製造方法としてフォトリソグラフィ法が多用されているが、液滴吐出法を用いたデバイスの製造方法が注目されている（特許文献１、２参照）。この液滴吐出法は機能液の消費に無駄が少なく、基板上に配置する機能液の量や位置の制御を行いやすいという利点がある。また、液滴吐出法においては良好な吐出状態を得るために液滴吐出ヘッドを定期的に洗浄することが好ましく、従来より種々の洗浄方法が提案されている（特許文献３、４参照）。
【０００３】
【特許文献１】
特開平１１−２７４６７１号公報
【特許文献２】
特開２０００−２１６３３０号公報
【特許文献３】
特開平９−３９２６０号公報
【特許文献４】
特開平１０−３３７８８２号公報
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、デバイスを製造するために使用された液滴吐出装置を所定期間保管する際、液滴吐出ヘッドに水溶性保管液を充填した状態で保管する場合が多い。水溶性保管液とするのは蒸発のしずらさを考慮したためである。また、保管液を用いずにデバイスを製造するための機能液（インク）を充填した状態で保管することも考えられるが、この機能液が乾燥しやすいものであったり冷蔵保存（あるいは冷凍保存）が必要なものである場合、保管に適していないため、専用の保管液を用いて保管する。そして、保管した液滴吐出ヘッドを再使用（再稼働）する場合、水溶性保管液を取り除いて機能液を充填することになるが、機能液と保管液との相溶性が悪いと、固形分が析出して液滴吐出ヘッドを含む機能液の流路が詰まるなど液滴吐出動作に影響を及ぼしたり、あるいは機能液が変質する等の不都合が生じる可能性がある。
【０００５】
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであって、保管液を用いた保管状態の液滴吐出ヘッドを再稼働する際、液滴吐出動作に影響を及ぼさずに機能液を変質させずに、流路を円滑に機能液に置換して良好にパターン形成できるパターンの形成方法及びデバイスの製造方法を提供することを目的とする。更に本発明は、所望の機能を有する機能液で良好な液滴吐出動作のもとで形成された電気光学装置及び電子機器を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上記の課題を解決するため、本発明のパターンの形成方法は、機能液の液滴を基板上に配置することにより膜パターンを形成するパターンの形成方法であって、前記液滴を配置可能な液滴吐出ヘッド及び該液滴吐出ヘッドに機能液を供給する管部を含む流路を純水で置換する第１置換工程と、前記純水と前記機能液に含まれる溶媒との双方を溶解する溶媒で置換する第２置換工程と、前記機能液に含まれる溶媒で置換する第３置換工程と、前記基板上に前記膜パターンに応じたバンクを形成するバンク形成工程と、前記バンク間の溝部に前記液滴を前記液滴吐出ヘッドにより配置する材料配置工程とを有することを特徴とする。この場合において、前記第３置換工程の後に、前記流路を前記機能液で置換する工程を有することが好ましい。
本発明によれば、液滴吐出ヘッドを含む流路が水溶性保管液で保管されている場合、流路をまず純水で置換し、次いで純水と機能液に含まれる溶媒との双方を溶解する所定の溶媒で置換し、次いで機能液に含まれる溶媒で置換するようにしたので、固形分の析出や機能液の変質といった不都合の発生を防止しつつ、流路を洗浄して機能液に円滑に置換することができる。
【０００７】
本発明のパターンの形成方法は、機能液の液滴を基板上に配置することにより膜パターンを形成するパターンの形成方法であって、所定の保管液が充填された状態の液滴吐出ヘッド及び該液滴吐出ヘッドに機能液を供給する管部を含む流路を前記保管液を溶解する第１の溶媒で置換する第１置換工程と、前記第１の溶媒と前記機能液に含まれる溶媒との双方を溶解する第２の溶媒で置換する第２置換工程と、前記機能液に含まれる溶媒で置換する第３置換工程と、前記基板上に前記膜パターンに応じたバンクを形成するバンク形成工程と、前記バンク間の溝部に前記液滴を前記液滴吐出ヘッドにより配置する材料配置工程とを有することを特徴とする。この場合において、前記第３置換工程の後に、前記流路を前記機能液で置換する工程を有することが好ましい。
本発明によれば、液滴吐出ヘッドを含む流路が水溶性保管液以外の所定の保管液で保管されている場合であっても、流路をまず保管液を溶解する第１の溶媒で置換し、次いで第１の溶媒及び機能液に含まれる溶媒の双方を溶解する第２の溶媒で置換し、次いで機能液に含まれる溶媒で置換するようにしたので、固形分の析出や機能液の変質といった不都合の発生を防止しつつ、流路を洗浄して機能液に円滑に置換することができる。
【０００８】
本発明のパターンの形成方法において、前記機能液は熱処理又は光処理により導電性を発現することを特徴とする。本発明によれば、薄膜パターンを配線パターンとすることができ、各種デバイスに応用することができる。また、有機銀化合物や導電性微粒子の他に有機ＥＬ等の発光素子形成材料やＲ・Ｇ・Ｂのインク材料を用いることで、有機ＥＬ装置やカラーフィルタを有する液晶表示装置等の製造にも適用することができる。
【０００９】
本発明のデバイスの製造方法は、基板上に膜パターンを形成する工程を有するデバイスの製造方法において、上記記載のパターンの形成方法により、前記基板上に膜パターンを形成することを特徴とする。
本発明によれば、変質が防止され所望の機能を有する機能液で良好な液滴吐出動作のもとで所望のパターン形状に形成された膜パターンを有するデバイスを製造することができる。
【００１０】
本発明の電気光学装置は、上記記載のデバイスの製造方法を用いて製造されたデバイスを備えることを特徴とする。また、本発明の電子機器は、上記記載の電気光学装置を備えることを特徴とする。本発明によれば、所望の機能を有する機能液で良好な液滴吐出動作のもとで形成された電気伝導に有利な膜パターンを備えているので、良好な性能を発揮する電気光学装置及び電子機器を提供できる。ここで、電気光学装置としては、例えば、プラズマ型表示装置、液晶表示装置、及び有機エレクトロルミネッセンス表示装置等が挙げられる。
【００１１】
上記液滴吐出装置（インクジェット装置）の吐出方式としては、帯電制御方式、加圧振動方式、電気機械変換式、電気熱変換方式、静電吸引方式等が挙げられる。帯電制御方式は、材料に帯電電極で電荷を付与し、偏向電極で材料（機能液）の飛翔方向を制御して吐出ノズルから吐出させるものである。また、加圧振動方式は、材料に３０ｋｇ／ｃｍ２程度の超高圧を印加してノズル先端側に材料を吐出させるものであり、制御電圧をかけない場合には材料が直進して吐出ノズルから吐出され、制御電圧をかけると材料間に静電的な反発が起こり、材料が飛散して吐出ノズルから吐出されない。また、電気機械変換方式は、ピエゾ素子（圧電素子）がパルス的な電気信号を受けて変形する性質を利用したもので、ピエゾ素子が変形することによって材料を貯留した空間に可撓物質を介して圧力を与え、この空間から材料を押し出して吐出ノズルから吐出させるものである。また、電気熱変換方式は、材料を貯留した空間内に設けたヒータにより、材料を急激に気化させてバブル（泡）を発生させ、バブルの圧力によって空間内の材料を吐出させるものである。静電吸引方式は、材料を貯留した空間内に微小圧力を加え、吐出ノズルに材料のメニスカスを形成し、この状態で静電引力を加えてから材料を引き出すものである。また、この他に、電場による流体の粘性変化を利用する方式や、放電火花で飛ばす方式などの技術も適用可能である。液滴吐出法は、材料の使用に無駄が少なく、しかも所望の位置に所望の量の材料を的確に配置できるという利点を有する。なお、液滴吐出法により吐出される機能液（液体材料）の一滴の量は例えば１〜３００ナノグラムである。
【００１２】
機能液を含む液体材料とは、液滴吐出ヘッド（インクジェットヘッド）の吐出ノズルから吐出可能な粘度を備えた媒体をいう。水性であると油性であるとを問わない。ノズル等から吐出可能な流動性（粘度）を備えていれば十分で、固体物質が混入していても全体として流動体であればよい。また、液体材料に含まれる材料は、溶媒中に微粒子として分散されたものの他に、融点以上に加熱されて溶解されたものでもよく、溶媒の他に染料や顔料その他の機能性材料を添加したものであってもよい。また、基板はフラット基板のほか、曲面状の基板であってもよい。さらにパターン形成面の硬度が硬い必要はなく、ガラスやプラスチック、金属以外に、フィルム、紙、ゴム等可撓性を有するものの表面であってもよい。
【００１３】
【発明の実施の形態】
＜パターンの形成方法＞
以下、本発明のパターンの形成方法について図面を参照しながら説明する。図１及び図２は本発明のパターン形成方法の一実施形態を示すフローチャート図である。ここで、本実施形態ではガラス基板上に導電膜配線パターンを形成する場合を例にして説明する。導電膜配線パターンを形成するための機能液には、熱処理等により導電性を発現する材料を含む機能液を用い、具体的には、分散媒をテトラデカンとする銀微粒子を用いる。
【００１４】
本実施形態に係るパターンの形成方法は、所定の保管液を用いて保管されている状態の液滴吐出ヘッド及びこの液滴吐出ヘッドに機能液を供給する管部を含む流路を洗浄し、機能液に置換する洗浄工程と、この洗浄された液滴吐出ヘッドを用いてパターン形成するパターン形成工程とを有している。
図１において、本実施形態に係るパターンの形成方法の一部を構成する洗浄工程は、水溶性保管液が充填されている液滴吐出ヘッド及びこの液滴吐出ヘッドに機能液を供給する管部を含む流路を純水で置換する第１置換工程（ステップＳＡ１）と、純水とデバイス製造のための機能液に含まれる溶媒との双方を溶解する溶媒で置換する第２置換工程（ステップＳＡ２）と、機能液に含まれる溶媒で置換する第３置換工程（ステップＳＡ３）と、機能液で置換する第４置換工程（ステップＳＡ４）とを有している。
【００１５】
また、図２に示すように、パターン形成工程は、機能液の液滴が配置される基板上に配線パターンに応じたバンクを形成するバンク形成工程（ステップＳ１）と、バンク間の溝部の底部に親液性を付与する親液化処理工程（ステップＳ２）と、バンクに撥液性を付与する撥液化処理工程（ステップＳ３）と、バンク間の溝部に液滴吐出法に基づいて機能液の液滴を複数配置して膜パターンを形成（描画）する材料配置工程（ステップＳ４）と、基板上に配置された機能液の液体成分の少なくとも一部を除去する光・熱処理を含む中間乾燥工程（ステップＳ５）と、所定の膜パターンが形成された基板を焼成する焼成工程（ステップＳ７）とを有している。なお、中間乾燥工程の後、所定のパターン描画が終了したかどうかが判断され（ステップＳ６）、パターン描画が終了したら焼成工程が行われ、一方、パターン描画が終了していなかったら材料配置工程が行われる。
【００１６】
図３は本発明のパターンの形成方法に使用するパターン形成装置の一部を構成する液滴吐出装置の概略構成図である。
図３において、液滴吐出装置ＩＪは、機能液（インク）の液滴を吐出する液滴吐出ヘッド１と、吐出ヘッド１から吐出されるインクの液滴が配置される基板Ｐを支持するステージ２と、インクを収容する収容部であるタンク３と、タンク３と吐出ヘッド１とを接続しインクを流通可能な流路４の一部を形成する管部４０とを備えている。インクが流通する流路４は管部４０及び吐出ヘッド１を含んで構成されている。吐出ヘッド１の吐出動作を含む液滴吐出装置ＩＪの動作は制御装置ＣＯＮＴにより制御される。また、吐出ヘッド１、管部４０、及びタンク３を含む液滴吐出装置ＩＪ全体はチャンバＣの内部に収容され、チャンバＣの内部は温度調整装置６により温度管理されている。なお、チャンバＣ内部は、大気雰囲気に設定されていてもよいし窒素ガス等の不活性ガス雰囲気に設定されていてもよい。そして、チャンバＣ及びこのチャンバＣに収容されている液滴吐出装置ＩＪはクリーンルーム内に設けられておりパーティクル及びケミカル的にクリーン度を維持されている。
【００１７】
ここで、以下の説明において、水平面内における第１の方向をＸ軸方向、水平面内において第１の方向と直交する第２の方向をＹ軸方向、Ｘ軸方向及びＹ軸方向に垂直に交わる方向をＺ軸方向とする。また、Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸のそれぞれの軸まわり方向を、θＸ、θＹ、及びθＺ方向とする。
【００１８】
液滴吐出装置ＩＪは、基板Ｐの表面にインクの液滴を配置することによりインク中に含まれる材料からなる膜を成膜する。ここで、本実施形態におけるインクは例えばテトラデカン等の所定の分散媒に分散された銀微粒子を含んでおり、液滴吐出装置ＩＪはこのインクを基板Ｐ上に吐出することによりデバイスである配線パターン（導電膜パターン）を形成する。なお、液滴吐出装置ＩＪは液晶表示装置用のカラーフィルタ形成用材料を含むインクを吐出してカラーフィルタを製造することもできるし、有機ＥＬ装置等のデバイスを製造することもできる。
【００１９】
吐出ヘッド１はステージ２に支持されている基板Ｐに対してインクの液滴を定量的に吐出（滴下）するものであって、吐出ヘッド１のノズル形成面１Ｐには液滴を吐出する複数のノズルが設けられている。また、吐出ヘッド１にはこの吐出ヘッド１を移動可能に支持するヘッド移動装置１Ａが設けられている。ヘッド移動装置１Ａは吐出ヘッド１をＸ軸、Ｙ軸、及びＺ軸方向に移動するとともにθＸ、θＹ、及びθＺ方向に微動する。なお、吐出ヘッド１から吐出される液滴の温度は吐出ヘッド１に設けられた不図示の温度調整装置により制御され、温度調整装置は液滴を所望の粘度に調整する。ステージ２は基板Ｐを支持するものであって、基板Ｐを真空吸着する吸着保持装置（不図示）を備えている。ステージ２にはこのステージ２を移動可能に支持するステージ移動装置２Ａが設けられている。ステージ移動装置２Ａはステージ２をＸ軸、Ｙ軸、及びθＺ方向に移動する。
【００２０】
管部４０は、例えば合成樹脂製のチューブにより構成されており可撓性を有する。管部４０により形成された流路４は一端部４Ａを吐出ヘッド１に接続し、他端部４Ｂをタンク３に接続している。また、管部４０の他端部４ＢにはバルブＢが設けられている。バルブＢの開閉動作は制御装置ＣＯＮＴに制御されるようになっており、制御装置ＣＯＮＴはバルブＢを制御することにより流路４におけるインクの流通制御を行う。すなわち、制御装置ＣＯＮＴはバルブＢを制御することによりタンク３から吐出ヘッド１に対するインクの供給及び供給の停止を行う。なお、管部４０は可撓性部材により構成されているため、吐出ヘッド１のヘッド移動装置１Ａによる移動は妨げられない。
【００２１】
タンク３はインクを収容するものであって、タンク３内のインクには予め脱気処理が施されている。タンク３は管部４０を配置可能な穴部３Ｈを有しており、この穴部３Ｈに管部４０が配置されることによりタンク３は略密閉される。また、タンク３にはこのタンク３の内部空間の圧力を調整するタンク圧力調整装置８が設けられている。タンク圧力調整装置８の動作は制御装置ＣＯＮＴに制御されるようになっており、制御装置ＣＯＮＴはタンク圧力調整装置８を介してタンク３の内部の圧力を調整する。そして、タンク３の圧力が調整されることにより、流路４の他端部４Ｂにおける圧力が調整されることになる。なお、タンク３には、不図示であるが、タンク３に取り付けられタンク内のインクの温度を調整する温度調整装置と、タンク内のインクを攪拌する撹拌装置とが設けられている。タンク内のインクは温度調整装置で温度調整されることにより所望の粘度に調整される。
【００２２】
ステージ２のうち基板Ｐが載置される以外の位置には、吐出ヘッド１のインクを吸引可能な吸引装置９が設けられている。この吸引装置９は、吐出ヘッド１のうちノズルが形成されているノズル形成面１Ｐに密着し、ノズル形成面１Ｐとの間に密閉空間を形成するキャップ部９Ａと、キャップ部９Ａを昇降可能に支持するリフト部９Ｄと、前記密閉空間のガスを吸引することで吐出ヘッド１のノズルのインクを吸引するポンプ９Ｂと、吐出ヘッド１から吸引したインクを収容する排液収容部９Ｃとを備えている。ノズル形成面１Ｐとキャップ部９ＡとのＸＹ方向における位置合わせはヘッド移動装置１Ａ及びステージ移動装置２Ａに基づく吐出ヘッド１とステージ２との相対移動により行われる。また、吐出ヘッド１のノズル形成面１Ｐと吸引装置９のキャップ部９Ａとは、キャップ部９Ａが吐出ヘッド１に対して上昇することで密着される。吸引装置９の吸引動作は制御装置ＣＯＮＴに制御され、制御装置は吸引装置９を介して前記密閉空間の圧力を調整する。そして、ノズル形成面１Ｐとキャップ部９Ａとで形成される密閉空間の圧力が調整されることにより、流路４の一端部４Ａにおける圧力が調整されることになる。つまり、上記タンク圧力調整装置８及び吸引装置９により流路４の圧力を調整する圧力調整装置が構成されている。
【００２３】
次に、上述した液滴吐出装置ＩＪによりデバイスを製造方法について説明する。本実施形態では、液滴を配置可能な液滴吐出ヘッド１及びこの液滴吐出ヘッド１にインクを供給する管部４０を含む流路４は水溶性保管液であるポリエチレングリコール水溶液を充填された状態で保管されており、デバイスを製造するための吐出動作の前に、流路４の洗浄工程が行われる。
【００２４】
洗浄工程ではまず、管部４０の他端部４Ｂに純水（第１の溶媒）を収容したタンク３Ａが接続される。ここで、タンク３Ａはインクを収容するタンク３と同等の構成であり、タンク圧力調整装置８などを備えている。なおタンク３Ａ内の純水には予め脱気処理が施されている。このとき、第１の溶媒である純水は保管液であるポリエチレングリコール水溶液を溶解可能な物質であって、純水（第１の溶媒）と保管液とは相溶性を有する。純水を収容したタンク３Ａが管部４０の他端部４Ｂに接続されたら、制御装置ＣＯＮＴは、圧力調整装置としてのタンク圧力調整装置８及び吸引装置９を用いて、流路４の一端部４Ａと他端部４Ｂとを所定の圧力差に設定する。
【００２５】
図４は、圧力調整装置８及び９が流路４の一端部４Ａ及び他端部４Ｂの圧力調整を行っている状態を示す模式図である。図４に示すように、ステージ２が移動して、吐出ヘッド１と吸引装置９のキャップ部９ＡとがＸＹ方向において位置合わせされ、キャップ９Ａが上昇することにより、キャップ部９Ａと吐出ヘッド１のノズル形成面１Ｐとが密着される。そして、ポンプ９Ｂが駆動することにより、吐出ヘッド１のノズル形成面１Ｐとキャップ部９Ａとで形成される密閉空間が減圧され、流路４の一端部４Ａが圧力ｐ１に設定される。一方、タンク圧力調整装置８がタンク３内を加圧することにより、流路４の他端部４Ｂが圧力ｐ２に設定される。こうして、制御装置ＣＯＮＴは、タンク圧力調整装置８によりタンク３内の圧力を調整しつつ吸引装置９（ポンプ９Ｂ）による単位時間当たりの吸引量を調整することにより、流路４の一端部４Ａと他端部４Ｂとを所定の圧力差（ｐ２−ｐ１）に設定する。ここで、制御装置ＣＯＮＴはこの洗浄工程における前記圧力差（ｐ２−ｐ１）を、後の工程であるデバイスを製造するための吐出動作時における圧力差より大きく設定する。この状態においてバルブＢは開いており、吸引装置９はノズルから流路４に充填されている保管液を吸引し、吸引した保管液を排液収容部９Ｃに収容する。そして、更にタンク３Ａの加圧動作及び吸引装置９による吸引動作を行うことにより、タンク３Ａ内の純水が流路４に充填され、流路４が純水で置換される。吸引した純水（洗浄液）は排液収容部９Ｃに収容される。そして、この吸引動作を所定時間行い、流路４を純水で十分に置換し洗浄する（ステップＳＡ１）。
【００２６】
このとき、流路４の一端部４Ａと他端部４Ｂとは所定の圧力差に設定されているので、後の工程であるデバイスを製造するための吐出動作時に比べて、洗浄液（純水）は流路４を高速に流れる。したがって、洗浄処理を高速且つ十分に行うことができる。
【００２７】
流路４を純水で置換したら、タンク圧力調整装置８及び吸引装置９の駆動が停止された後、管部４０とタンク３Ａとの接続が解除されるとともに、管部４０の他端部４Ｂに対してイソプロピルアルコール（第２の溶媒）を収容したタンク３Ｂが接続される。なおタンク３Ｂは上述したタンク３及びタンク３Ａと同等の構成を有する。ここで、第２の溶媒であるイソプロピルアルコールは、第１の溶媒である純水と、インクに含まれる分散媒であるテトラデカンとの双方を溶解可能な溶媒である。換言すれば、第２の溶媒は純水及びインクに含まれる溶媒のそれぞれに対して相溶性を有する。なお、第２の溶媒としては極性溶媒であるイソプロピルアルコールを用いてもよい。また、タンク３Ｂ内のイソプロピルアルコールには予め脱気処理が施されている。イソプロピルアルコールを収容したタンク３Ｂが管部４０の他端部４Ｂに接続されたら、図４を参照して説明した手順同様、制御装置ＣＯＮＴは、圧力調整装置としてのタンク圧力調整装置８及び吸引装置９を用いて、流路４の一端部４Ａと他端部４Ｂとを所定の圧力差に設定し、流路４を第２の溶媒であるイソプロピルアルコールで置換する（ステップＳＡ２）。
【００２８】
流路４を第２の溶媒で置換したら、タンク圧力調整装置８及び吸引装置９の駆動が停止された後、管部４０とタンク３Ｂとの接続が解除されるとともに、管部４０の他端部４Ｂに対してインクに含まれる分散媒であるテトラデカンを収容したタンク３Ｃが接続される。なおタンク３Ｃは上述したタンク３、３Ａ、３Ｂと同等の構成を有する。ここで、テトラデカンは、第２の溶媒であるイソプロピルアルコールを溶解する溶媒であって、このイソプロピルアルコールに対して相溶性を有する。なお、テトラデカンは非極性溶媒である。タンク３Ｃ内のテトラデカンには予め脱気処理が施されている。テトラデカンを収容したタンク３Ｃが管部４０の他端部４Ｂに接続されたら、図４を参照して説明した手順同様、制御装置ＣＯＮＴは、圧力調整装置としてのタンク圧力調整装置８及び吸引装置９を用いて、流路４の一端部４Ａと他端部４Ｂとを所定の圧力差に設定し、流路４をインクに含まれる分散媒であるテトラデカンで置換する（ステップＳＡ３）。
【００２９】
なお、本実施形態におけるインクの分散媒はテトラデカンであるが、インクが複数種類の溶媒を含んでいる場合、ステップＳＡ３で置換する溶媒は、インクに含まれている複数種類の溶媒と完全に一致している必要はなく、これら複数種類の溶媒のうち任意の溶媒を用いることができる。ここで、用いる任意の溶媒は複数種類の溶媒のうち最も含有量の多い溶媒（主溶媒）を用いることが好ましい。
【００３０】
流路４をテトラデカンで置換したら、タンク圧力調整装置８及び吸引装置９の駆動が停止された後、管部４０とタンク３Ｃとの接続が解除されるとともに、管部４０の他端部４Ｂに対してインクを収容したタンク３が接続される。なおタンク３のインクには予め脱気処理が施されている。インクを収容したタンク３が管部４０の他端部４Ｂに接続されたら、図４を参照して説明した手順同様、制御装置ＣＯＮＴは、圧力調整装置としてのタンク圧力調整装置８及び吸引装置９を用いて、流路４の一端部４Ａと他端部４Ｂとを所定の圧力差に設定し、流路４をインクで置換する（ステップＳＡ４）。
【００３１】
このとき、チャンバＣ内部を温度調整する温度調整装置６や流路４を温度調整する温度調整装置（不図示）を用いてインクの温度を調整しつつ、流路４をインクで置換してもよい。例えばインクを加熱することによりインクの粘度が低下するため、置換動作を気泡の発生を抑えつつ円滑に行うことができる。また、管部４０を含む流路４を例えば超音波加振しながら流路４をインクで置換するようにしてもよい。こうすることにより、管部４０の内壁に付着している気泡やインク中の気泡など流路４に存在する気泡を吐出ヘッド１側から外部に排出することができる。
【００３２】
洗浄工程が終了したら、制御装置ＣＯＮＴは、吸引装置９による吸引動作を終了するとともに、タンク圧力調整装置８によるタンク３の加圧動作を終了する。そして、ステージ２が移動して基板Ｐを吐出ヘッド１の下に配置し、デバイスを製造するための吐出動作を開始する。ここで、制御装置ＣＯＮＴは、流路４の一端部４Ａと他端部４Ｂとの圧力差を、洗浄工程で設定した値より低い値にする。また、温度調整装置６も、チャンバＣ内部をデバイスを製造するための最適温度に調整する。そして、デバイスを製造するための液滴吐出動作が実行される。
【００３３】
なお本実施形態では、保管液として水溶性であるポリエチレングリコールが用いられているため、第１置換工程ＳＡ１では純水により洗浄する構成であるが、保管液が水溶性でない場合であっても本発明に係る洗浄工程を用いることができる。その場合、第１置換工程で用いる第１の溶媒として、保管液を溶解する溶媒を用いればよい。
【００３４】
以上、保管状態からインク液滴吐出可能状態までの洗浄工程について説明した。次に、インク液滴吐出動作終了後、液滴吐出ヘッド１及び管部４０を含む流路４を保管状態にするまでの手順について図５を参照しながら説明する。
デバイス製造のための液滴吐出動作が終了したら、保管処理の開始が指令される。まず、管部４０とインクを収容したタンク３との接続が解除され、管部４０の他端部４Ｂにインクに含まれる分散媒であるテトラデカンを収容するタンク３Ｃが接続される。テトラデカンを収容したタンク３Ｃが管部４０の他端部４Ｂに接続されたら、制御装置ＣＯＮＴは、圧力調整装置としてのタンク圧力調整装置８及び吸引装置９を用いて、流路４の一端部４Ａと他端部４Ｂとを所定の圧力差に設定し、流路４をテトラデカンで置換する（ステップＳＢ１）。
【００３５】
流路４をテトラデカンで置換したら、タンク圧力調整装置８及び吸引装置９の駆動が停止された後、管部４０とタンク３Ｃとの接続が解除されるとともに、管部４０の他端部４Ｂに対してイソプロピルアルコール（第２の溶媒）を収容したタンク３Ｂが接続される。イソプロピルアルコールを収容したタンク３Ｂが管部４０の他端部４Ｂに接続されたら、制御装置ＣＯＮＴは、圧力調整装置としてのタンク圧力調整装置８及び吸引装置９を用いて、流路４の一端部４Ａと他端部４Ｂとを所定の圧力差に設定し、流路４を第２の溶媒であるイソプロピルアルコールで置換する（ステップＳＢ２）。
【００３６】
流路４を第２の溶媒で置換したら、タンク圧力調整装置８及び吸引装置９の駆動が停止された後、管部４０とタンク３Ｂとの接続が解除されるとともに、管部４０の他端部４Ｂに対して純水を収容したタンク３Ａが接続される。純水を収容したタンク３Ａが管部４０の他端部４Ｂに接続されたら、制御装置ＣＯＮＴは、圧力調整装置としてのタンク圧力調整装置８及び吸引装置９を用いて、流路４の一端部４Ａと他端部４Ｂとを所定の圧力差に設定し、流路４を純水で置換する（ステップＳＢ３）。
【００３７】
流路４を純水で置換したら、タンク圧力調整装置８及び吸引装置９の駆動が停止された後、管部４０とタンク３Ａとの接続が解除されるとともに、管部４０の他端部４Ｂに対して水溶性保管液であるポリエチレングリコール水溶液を収容したタンクが接続される。保管液を収容したタンクが管部４０の他端部４Ｂに接続されたら、制御装置ＣＯＮＴは、圧力調整装置としてのタンク圧力調整装置８及び吸引装置９を用いて、流路４の一端部４Ａと他端部４Ｂとを所定の圧力差に設定し、流路４を保管液で置換する（ステップＳＢ４）。これにより流路４に保管液が充填され、保管処理が終了する。以上説明したように、保管処理では、洗浄工程と逆の手順で洗浄液を使用すればよい。
【００３８】
＜実施例１＞
保管液であるポリエチレングリコール１％水溶液により保管状態の流路４を複数の置換工程のそれぞれにおいて以下の溶媒（洗浄液）を用いて置換及び洗浄した。
第１置換工程：純水
第２置換工程：イソプロピルアルコール
第３置換工程：テトラデカン
その後、分散媒をテトラデカンとする銀微粒子を含むインク（機能液）を用いてパターン形成動作を行った。流路４には固形分が析出せず、液滴吐出動作を良好に行うことができた。
【００３９】
＜実施例２＞
保管液としてポリエチレングリコール１％水溶液により保管状態の流路４を複数の置換工程のそれぞれにおいて以下の溶媒（洗浄液）を用いて置換及び洗浄した。
第１置換工程：純水
第２置換工程：エチルアルコール
第３置換工程：エチレングリコール
その後、溶媒をジエチレングリコールとする有機銀化合物を含むインク（機能液）を用いてパターン形成動作を行った。流路４には固形分が析出せず、液滴吐出動作を良好に行うことができた。
【００４０】
以下、デバイスを製造するためのパターン形成工程について説明する。
＜バンク形成工程＞
まず、図６（ａ）に示すように、表面改質処理として基板Ｐに対してＨＭＤＳ処理が施される。ＨＭＤＳ処理はヘキサメチルジシラサン（（ＣＨ３）３ＳｉＮＨＳｉ（ＣＨ３）３）を蒸気状にして塗布する方法である。これにより、バンクと基板Ｐとの密着性を向上する密着層としてのＨＭＤＳ層３２が基板Ｐ上に形成される。バンクは仕切部材として機能する部材であり、バンクの形成はフォトリソグラフィ法や印刷法等、任意の方法で行うことができる。例えば、フォトリソグラフィ法を使用する場合は、スピンコート、スプレーコート、ロールコート、ダイコート、ディップコート等所定の方法で、図６（ｂ）に示すように、基板ＰのＨＭＤＳ層３２上にバンクの高さに合わせてバンク形成用材料である有機材料３１を塗布し、その上にレジスト層を塗布する。そして、バンク形状（配線パターン）に合わせてマスクを施しレジストを露光・現像することによりバンク形状に合わせたレジストを残す。最後にエッチングしてレジスト以外の部分の有機材料３１を除去する。また、下層が無機物で上層が有機物で構成された２層以上でバンクを形成してもよい。これにより、図６（ｃ）に示すように、配線パターン形成予定領域の周辺を囲むようにバンクＢ、Ｂが突設される。バンクを形成する有機材料としては、機能液（液体材料）に対して撥液性を示す材料でも良いし、後述するようにプラズマ処理による撥液化が可能で下地基板との密着性が良くフォトリソグラフィによるパターニングがし易い絶縁有機材料でも良い。例えば、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、オレフィン樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂等の高分子材料を用いることが可能である。
【００４１】
基板Ｐ上にバンクＢ、Ｂが形成されると、フッ酸処理が施される。フッ酸処理は、例えば２．５％フッ酸水溶液でエッチングを施すことでバンクＢ、Ｂ間のＨＭＤＳ層３２を除去する処理である。フッ酸処理では、バンクＢ、Ｂがマスクとして機能し、バンクＢ、Ｂ間に形成された溝部３４の底部３５にある有機物であるＨＭＤＳ層３２が除去される。これにより、図６（ｄ）に示すように、残渣であるＨＭＤＳが除去される。
【００４２】
＜親液化処理工程＞
次に、溝部３４の底部３５に親液性を付与する親液化処理工程が行われる。親液化処理工程としては、紫外線を照射することにより親液性を付与する紫外線（ＵＶ）照射処理や大気雰囲気中で酸素を処理ガスとするＯ２プラズマ処理等を選択できる。ここではＯ２プラズマ処理を実施する。
【００４３】
Ｏ２プラズマ処理は、基板に対してプラズマ放電電極からプラズマ状態の酸素を照射する。Ｏ２プラズマ処理の条件の一例として、例えばプラズマパワーが５０〜１０００Ｗ、酸素ガス流量が５０〜１００ｍＬ／ｍｉｎ、プラズマ放電電極に対する基板の相対移動速度が０．５〜１０ｍｍ／ｓｅｃ、基板温度が７０〜９０℃である。そして、基板がガラス基板の場合、その表面は機能液に対して親液性を有しているが、本実施形態のようにＯ２プラズマ処理や紫外線照射処理を施すことで、バンクＢ、Ｂ間で露出する基板Ｐ表面（底部３５）の親液性を高めることができる。ここで、バンク間の底部３５の機能液に対する接触角が１５度以下となるように、Ｏ２プラズマ処理や紫外線照射処理が行われることが好ましい。
【００４４】
なお、Ｏ２プラズマ処理や紫外線照射処理は、底部３５に存在する残渣の一部を構成するＨＭＤＳを除去する機能を有する。そのため、上述したフッ酸処理によりバンクＢ、Ｂ間の底部３５の有機物残渣（ＨＭＤＳ）が完全に除去されない場合が生じても、Ｏ２プラズマ処理あるいは紫外線照射処理を行うことによりこの残渣を除去できる。なおここでは、残渣処理の一部としてフッ酸処理を行うが、Ｏ２プラズマ処理あるいは紫外線照射処理によりバンク間の底部３５の残渣を十分に除去できるため、フッ酸処理は行わなくてもよい。またここでは、残渣処理としてＯ２プラズマ処理又は紫外線照射処理のいずれか一方を行うように説明したが、もちろん、Ｏ２プラズマ処理と紫外線照射処理とを組み合わせてもよい。
【００４５】
＜撥液化処理工程＞
続いて、バンクＢに対し撥液化処理を行い、その表面に撥液性を付与する。撥液化処理としては、大気雰囲気中で四フッ化炭素（テトラフルオロメタン）を処理ガスとするプラズマ処理法（ＣＦ４プラズマ処理法）を採用することができる。ＣＦ４プラズマ処理の条件は、例えばプラズマパワーが１００〜８００Ｗ、四フッ化炭素ガス流量が５０〜１００ｍＬ／ｍｉｎ、プラズマ放電電極に対する基板搬送速度が０．５〜１０２０ｍｍ／ｓｅｃ、基板温度が７０〜９０℃とされる。なお、処理ガスとしては、四フッ化炭素に限らず、他のフルオロカーボン系のガスを用いることもできる。このような撥液化処理を行うことにより、バンクＢ、Ｂにはこれを構成する樹脂中にフッ素基が導入され、高い撥液性が付与される。なお、上述した親液化処理としてのＯ２プラズマ処理は、バンクＢの形成前に行ってもよいが、アクリル樹脂やポリイミド樹脂等は、Ｏ２プラズマによる前処理がなされた方がより撥液化（フッ素化）されやすいという性質があるため、バンクＢを形成した後にＯ２プラズマ処理することが好ましい。
【００４６】
なお、バンクＢ、Ｂに対する撥液化処理により、先に親液化処理したバンク間の基板Ｐ露出部に対し多少は影響があるものの、特に基板Ｐがガラス等からなる場合には、撥液化処理によるフッ素基の導入が起こらないため、基板Ｐの親液性、すなわち濡れ性が実質上損なわれることはない。また、バンクＢ、Ｂについては、撥液性を有する材料（例えばフッ素基を有する樹脂材料）によって形成することにより、その撥液化処理を省略するようにしてもよい。
【００４７】
＜材料配置工程＞
次に、本実施形態の材料配置工程について説明する。材料配置工程は、図７（ｅ）、（ｆ）に示すように、配線パターン形成用材料を含む機能液の液滴３０を液滴吐出装置の液滴吐出ヘッド１より吐出してバンクＢ、Ｂ間の溝部３４に配置することにより基板Ｐ上に線状の膜パターン（配線パターン）を形成する工程である。本実施形態において、機能液は分散媒をテトラデカンとする有機銀化合物を含むものである。
【００４８】
材料配置工程では、液滴吐出ヘッド１０から吐出される液滴３０は、バンクＢ、Ｂ間の溝部３４に配置される。このとき、液滴が吐出される配線パターン形成予定領域（すなわち溝部３４）はバンクＢ、Ｂに囲まれているので、液滴が所定位置以外に拡がることを阻止できる。また、バンクＢ、Ｂには撥液性が付与されているため、吐出された液滴の一部がバンクＢ上に乗っても、バンク表面が撥液性となっていることによりバンクＢからはじかれ、バンク間の溝部３４に流れ落ちるようになる。さらに、基板Ｐが露出している溝部３４の底部３５は親液性を付与されているため、吐出された液滴が底部３５にてより拡がり易くなり、これにより機能液は所定位置内で均一に配置される。
【００４９】
なお、液滴吐出の条件としては、例えば、インク重量４ｎｇ／ｄｏｔ、インク速度（吐出速度）５〜７ｍ／ｓｅｃで行うことできる。また、液滴を吐出する雰囲気は、温度６０℃以下、湿度８０％以下に設定されていることが好ましい。これにより、液滴吐出ヘッド１０の吐出ノズルが目詰まりすることなく安定した液滴吐出を行うことができる。
【００５０】
＜中間乾燥工程＞
基板Ｐに液滴を吐出した後、分散媒の除去及び膜厚確保のため、必要に応じて乾燥処理をする。乾燥処理は、例えば基板Ｐを加熱する通常のホットプレート、電気炉などによる処理の他、ランプアニールによって行なうこともできる。ランプアニールに使用する光の光源としては、特に限定されないが、赤外線ランプ、キセノンランプ、ＹＡＧレーザ、アルゴンレーザ、炭酸ガスレーザ、ＸｅＦ、ＸｅＣｌ、ＸｅＢｒ、ＫｒＦ、ＫｒＣｌ、ＡｒＦ、ＡｒＣｌなどのエキシマレーザなどを光源として使用することができる。これらの光源は一般には、出力１０Ｗ以上５０００Ｗ以下の範囲のものが用いられるが、本実施形態では１００Ｗ以上１０００Ｗ以下の範囲で十分である。そして、この中間乾燥工程と上記材料配置工程とを繰り返し行うことにより、図７（ｇ）に示すように、機能液の液滴が複数層積層され、膜厚の厚い配線パターン（膜パターン）３３Ａが形成される。
【００５１】
＜焼成工程＞
吐出工程後の導電性材料は、例えば有機銀化合物の場合、導電性を得るために熱処理を行い、有機銀化合物の有機分を除去し銀粒子を残存させる必要がある。そのため、吐出工程後の基板には熱処理及び／又は光処理が施される。熱処理及び／又は光処理は通常大気中で行なわれるが、必要に応じて、窒素、アルゴン、ヘリウムなどの不活性ガス雰囲気中で行なうこともできる。熱処理及び／又は光処理の処理温度は、分散媒の沸点（蒸気圧）、雰囲気ガスの種類や圧力、微粒子の分散性や有機銀化合物、酸化性等の熱的挙動、コーティング材の有無や量、基材の耐熱温度などを考慮して適宜決定される。たとえば、有機銀化合物の有機物を除去するためには、約２００℃で焼成することが必要である。また、プラスチックなどの基板を使用する場合には、室温以上１００℃以下で行なうことが好ましい。以上の工程により吐出工程後の導電性材料（有機銀化合物）は、銀粒子の残留により、図７（ｈ）に示すように、導電性膜（配線パターン）３３に変換される。
【００５２】
なお、焼成工程の後、基板Ｐ上に存在するバンクＢ、Ｂをアッシング剥離処理により除去することができる。アッシング処理としては、プラズマアッシングやオゾンアッシング等を採用できる。プラズマアッシングは、プラズマ化した酸素ガス等のガスとバンクとを反応させ、バンクを気化させて剥離・除去するものである。バンクは炭素、酸素、水素から構成される固体の物質であり、これが酸素プラズマと化学反応することでＣＯ２、Ｈ２Ｏ、Ｏ２となり、全て気体として剥離することができる。一方、オゾンアッシングの基本原理はプラズマアッシングと同じであり、Ｏ３（オゾン）を分解して反応性ガスのＯ＋（酸素ラジカル）に変え、このＯ＋とバンクとを反応させる。Ｏ＋と反応したバンクは、ＣＯ２、Ｈ２Ｏ、Ｏ２となり、全て気体として剥離される。基板Ｐに対してアッシング剥離処理を施すことにより、基板Ｐからバンクが除去される。
【００５３】
なお、上記実施形態において、導電膜配線用の基板としては、ガラス、石英ガラス、Ｓｉウエハ、プラスチックフィルム、金属板など各種のものを用いることができる。また、これら各種の素材基板の表面に半導体膜、金属膜、誘電体膜、有機膜などが下地層として形成されたものも含む。
【００５４】
導電膜配線用の機能液として、上記実施形態では有機銀化合物を含む導電性材料を溶媒に溶解したものであるが、導電性微粒子を分散媒に分散させた分散液を用いることができ、これは水性であると油性であるとを問わない。ここで用いられる導電性微粒子は、金、銀、銅、パラジウム、及びニッケルのうちのいずれかを含有する金属微粒子の他、導電性ポリマーや超電導体の微粒子などが用いられる。これらの導電性微粒子は、分散性を向上させるために表面に有機物などをコーティングして使うこともできる。
【００５５】
導電性微粒子の粒径は５ｎｍ以上０．１μｍ以下であることが好ましい。０．１μｍより大きいと、上記液滴吐出ヘッドのノズルに目詰まりが生じるおそれがある。また、５ｎｍより小さいと、導電性微粒子に対するコーテイング剤の体積比が大きくなり、得られる膜中の有機物の割合が過多となる。
【００５６】
導電性微粒子を含有する液体の分散媒としては、室温での蒸気圧が０．００１ｍｍＨｇ以上２００ｍｍＨｇ以下（約０．１３３Ｐａ以上２６６００Ｐａ以下）であるものが好ましい。蒸気圧が２００ｍｍＨｇより高い場合には、吐出後に分散媒が急激に蒸発し、良好な膜を形成することが困難となる。また、分散媒の蒸気圧は０．００１ｍｍＨｇ以上５０ｍｍＨｇ以下（約０．１３３Ｐａ以上６６５０Ｐａ以下）であることがより好ましい。蒸気圧が５０ｍｍＨｇより高い場合には、インクジェット法で液滴を吐出する際に乾燥によるノズル詰まりが起こりやすい。一方、室温での蒸気圧が０．００１ｍｍＨｇより低い分散媒の場合、乾燥が遅くて膜中に分散媒が残留しやすくなり、後工程の熱・光処理後に良質の導電膜が得られにくい。
【００５７】
上記分散媒としては、上記の導電性微粒子を分散できるものであって凝集を起こさないものであれば特に限定されない。本実施形態ではテトラデカンを用いているが、例えば、水、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノールなどのアルコール類、ｎ−ヘプタン、ｎ−オクタン、デカン、トルエン、キシレン、シメン、デュレン、インデン、ジペンテン、テトラヒドロナフタレン、デカヒドロナフタレン、シクロヘキシルベンゼンなどの炭化水素系化合物、またエチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールメチルエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル、１，２−ジメトキシエタン、ビス（２−メトキシエチル）エーテル、ｐ−ジオキサンなどのエーテル系化合物、さらにプロピレンカーボネート、γ−ブチロラクトン、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、シクロヘキサノンなどの極性化合物を例示できる。これらのうち、微粒子の分散性と分散液の安定性、また液滴吐出法への適用の容易さの点で、水、アルコール類、炭化水素系化合物、エーテル系化合物が好ましく、より好ましい分散媒としては、水、炭化水素系化合物を挙げることができる。これらの分散媒は、単独で使用してもよく、２種以上の混合物として使用してもよい。
【００５８】
上記導電性微粒子を分散媒に分散する場合の分散質濃度は１質量％以上８０質量％以下であり、所望の導電膜の膜厚に応じて調整するとよい。なお、８０質量％を超えると凝集をおこしやすく、均一な膜が得にくい。
【００５９】
上記導電性微粒子の分散液の表面張力は０．０２Ｎ／ｍ以上０．０７Ｎ／ｍ以下の範囲内であることが好ましい。液滴吐出法にて液体材料を吐出する際、表面張力が０．０２Ｎ／ｍ未満であると、液体材料のノズル面に対する濡れ性が増大するため飛行曲りが生じやすくなり、０．０７Ｎ／ｍを超えるとノズル先端でのメニスカスの形状が安定しないため吐出量や、吐出タイミングの制御が困難になる。
【００６０】
表面張力を調整するため、上記分散液には、基板との接触角を大きく低下させない範囲で、フッ素系、シリコーン系、ノニオン系などの表面張力調節剤を微量添加するとよい。ノニオン系表面張力調節剤は、液体の基板への濡れ性を向上させ、膜のレベリング性を改良し、膜の微細な凹凸の発生などの防止に役立つものである。上記分散液は、必要に応じて、アルコール、エーテル、エステル、ケトン等の有機化合物を含んでもよい。
【００６１】
上記分散液の粘度は１ｍＰａ・ｓ以上５０ｍＰａ・ｓ以下であることが好ましい。液滴吐出法を用いて液体材料を液滴として吐出する際、粘度が１ｍＰａ・ｓより小さい場合にはノズル周辺部が液体材料の流出により汚染されやすく、また粘度が５０ｍＰａ・ｓより大きい場合は、ノズル孔での目詰まり頻度が高くなり円滑な液滴の吐出が困難となる。
【００６２】
＜プラズマ処理装置＞
図８は上述した親液化処理（Ｏ２プラズマ処理）あるいは撥液化処理（ＣＦ４プラズマ処理）する際に用いるプラズマ処理装置の一例を示す概略構成図である。図８に示すプラズマ処理装置は、交流電源４１に接続された電極４２と、接地電極である試料テーブル４０とを有している。試料テーブル４０は試料である基板Ｐを支持しつつＹ軸方向に移動可能となっている。電極４２の下面には、移動方向と直交するＸ軸方向に延在する２本の平行な放電発生部４４，４４が突設されているとともに、放電発生部４４を囲むように誘電体部材４５が設けられている。誘電体部材４５は放電発生部４４の異常放電を防止するものである。そして、誘電体部材４５を含む電極４２の下面は略平面状となっており、放電発生部４４及び誘電体部材４５と基板Ｐとの間には僅かな空間（放電ギャップ）が形成されるようになっている。また、電極４２の中央にはＸ軸方向に細長く形成された処理ガス供給部の一部を構成するガス噴出口４６が設けられている。ガス噴出口４６は、電極内部のガス通路４７及び中間チャンバ４８を介してガス導入口４９に接続している。ガス通路４７を通ってガス噴出口４６から噴射された処理ガスを含む所定ガスは、前記空間の中を移動方向（Ｙ軸方向）の前方及び後方に分かれて流れ、誘電体部材４５の前端及び後端から外部に排気される。これと同時に、電源４１から電極４２に所定の電圧が印加され、放電発生部４４，４４と試料テーブル４０との間で気体放電が発生する。そして、この気体放電により生成されるプラズマで前記所定ガスの励起活性種が生成され、放電領域を通過する基板Ｐの表面全体が連続的に処理される。本実施形態では、前記所定ガスは、処理ガスである酸素（Ｏ２）あるいは四フッ化炭素（ＣＦ４）と、大気圧近傍の圧力下で放電を容易に開始させ且つ安定に維持するためのヘリウム（Ｈｅ）、アルゴン（Ａｒ）等の希ガスや窒素（Ｎ２）等の不活性ガスとを混合したものである。特に、処理ガスとして酸素を用いることにより、上述したように、親液化や有機物残渣の除去が行われ、処理ガスとして四フッ化炭素を用いることにより撥液化が行われる。また、このＯ２プラズマ処理を例えば有機ＥＬ装置における電極に対して行うことにより、この電極の仕事関数を調整することができる。
【００６３】
＜電気光学装置＞
次に本発明の電気光学装置の一例としてプラズマ型表示装置について説明する。図９は本実施形態のプラズマ型表示装置５００の分解斜視図を示している。プラズマ型表示装置５００は、互いに対向して配置された基板５０１、５０２、及びこれらの間に形成される放電表示部５１０を含んで構成される。放電表示部５１０は、複数の放電室５１６が集合されたものである。複数の放電室５１６のうち、赤色放電室５１６（Ｒ）、緑色放電室５１６（Ｇ）、青色放電室５１６（Ｂ）の３つの放電室５１６が対になって１画素を構成するように配置されている。
【００６４】
基板５０１の上面には所定の間隔でストライプ状にアドレス電極５１１が形成され、アドレス電極５１１と基板５０１の上面とを覆うように誘電体層５１９が形成されている。誘電体層５１９上には、アドレス電極５１１、５１１間に位置しかつ各アドレス電極５１１に沿うように隔壁５１５が形成されている。隔壁５１５は、アドレス電極５１１の幅方向左右両側に隣接する隔壁と、アドレス電極５１１と直交する方向に延設された隔壁とを含む。また、隔壁５１５によって仕切られた長方形状の領域に対応して放電室５１６が形成されている。また、隔壁５１５によって区画される長方形状の領域の内側には蛍光体５１７が配置されている。蛍光体５１７は、赤、緑、青の何れかの蛍光を発光するもので、赤色放電室５１６（Ｒ）の底部には赤色蛍光体５１７（Ｒ）が、緑色放電室５１６（Ｇ）の底部には緑色蛍光体５１７（Ｇ）が、青色放電室５１６（Ｂ）の底部には青色蛍光体５１７（Ｂ）が各々配置されている。
【００６５】
一方、基板５０２には、先のアドレス電極５１１と直交する方向に複数の表示電極５１２がストライプ状に所定の間隔で形成されている。さらに、これらを覆うように誘電体層５１３、及びＭｇＯなどからなる保護膜５１４が形成されている。基板５０１と基板５０２とは、前記アドレス電極５１１…と表示電極５１２…を互いに直交させるように対向させて相互に貼り合わされている。上記アドレス電極５１１と表示電極５１２は図示略の交流電源に接続されている。各電極に通電することにより、放電表示部５１０において蛍光体５１７が励起発光し、カラー表示が可能となる。
【００６６】
本実施形態では、上記アドレス電極５１１、及び表示電極５１２がそれぞれ本発明のパターンの形成方法に基づいて形成されている。なお本実施形態では、バンクＢはアッシング処理により除去されている。
【００６７】
次に、本発明の電気光学装置の他の例として液晶装置について説明する。図１０は本実施形態に係る液晶装置の第１基板上の信号電極等の平面レイアウトを示すものである。本実施形態に係る液晶装置は、この第１基板と、走査電極等が設けられた第２基板（図示せず）と、第１基板と第２基板との間に封入された液晶（図示せず）とから概略構成されている。
【００６８】
図１０に示すように、第１基板３００上の画素領域３０３には、複数の信号電極３１０…が多重マトリクス状に設けられている。特に各信号電極３１０…は、各画素に対応して設けられた複数の画素電極部分３１０ａ…とこれらを多重マトリクス状に接続する信号配線部分３１０ｂ…とから構成されており、Ｙ方向に伸延している。また、符号３５０は１チップ構造の液晶駆動回路で、この液晶駆動回路３５０と信号配線部分３１０ｂ…の一端側（図中下側）とが第１引き回し配線３３１…を介して接続されている。また、符号３４０…は上下導通端子で、この上下導通端子３４０…と、図示しない第２基板上に設けられた端子とが上下導通材３４１…によって接続されている。また、上下導通端子３４０…と液晶駆動回路３５０とが第２引き回し配線３３２…を介して接続されている。
【００６９】
本実施形態では、上記第１基板３００上に設けられた信号配線部分３１０ｂ…、第１引き回し配線３３１…、及び第２引き回し配線３３２…がそれぞれ、本発明のパターンの形成方法に基づいて形成されている。また、大型化した液晶用基板の製造に適用した場合においても、配線用材料を効率的に使用することができ、低コスト化が図れる。なお、本発明が適用できるデバイスは、これらの電気光学装置に限られず、例えば導電膜配線が形成される回路基板や、半導体の実装配線等、他のデバイス製造にも適用が可能である。
【００７０】
図１１は液晶表示装置の画素毎に設けられるスイッチング素子である薄膜トランジスタ４００を示す図であって、基板Ｐには上記実施形態のパターンの形成方法によりゲート配線６１が基板Ｐ上のバンクＢ、Ｂ間に形成されている。ゲート配線６１上には、ＳｉＮｘからなるゲート絶縁膜６２を介してアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）層からなる半導体層６３が積層されている。このゲート配線部分に対向する半導体層６３の部分がチャネル領域とされている。半導体層６３上には、オーミック接合を得るための例えばｎ＋型ａ−Ｓｉ層からなる接合層６４ａ及び６４ｂが積層されており、チャネル領域の中央部における半導体層６３上には、チャネルを保護するためのＳｉＮｘからなる絶縁性のエッチストップ膜６５が形成されている。なお、これらゲート絶縁膜６２、半導体層６３、及びエッチストップ膜６５は、蒸着（ＣＶＤ）後にレジスト塗布、感光・現像、フォトエッチングを施されることで、図示されるようにパターニングされる。さらに、接合層６４ａ、６４ｂ及びＩＴＯからなる画素電極１９も同様に成膜するとともに、フォトエッチングを施されることで、図示するようにパターニングされる。そして、画素電極１９、ゲート絶縁膜６２及びエッチストップ膜６５上にそれぞれバンク６６…を突設し、これらバンク６６…間に上述したパターン形成装置１００を用いて、有機銀化合物の液滴を吐出することでソース線、ドレイン線を形成することができる。
【００７１】
＜電子機器＞
次に、本発明の電子機器の例について説明する。図１２は上述した実施形態に係る表示装置を備えたモバイル型のパーソナルコンピュータ（情報処理装置）の構成を示す斜視図である。同図において、パーソナルコンピュータ１１００は、キーボード１１０２を備えた本体部１１０４と、上述した電気光学装置１１０６を備えた表示装置ユニットとから構成されている。このため、発光効率が高く明るい表示部を備えた電子機器を提供することができる。
【００７２】
なお、上述した例に加えて、他の例として、携帯電話、腕時計型電子機器、液晶テレビ、ビューファインダ型やモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、電子ペーパー、タッチパネルを備えた機器等が挙げられる。本発明の電気光学装置は、こうした電子機器の表示部としても適用できる。なお、本実施形態の電子機器は液晶装置を備えるもの、有機エレクトロルミネッセンス表示装置、プラズマ型表示装置等、他の電気光学装置を備えた電子機器とすることもできる。
【００７３】
以上、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施の形態例について説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。上述した例において示した各構成部材の諸形状や組み合わせ等は一例であって、本発明の主旨から逸脱しない範囲において設計要求等に基づき種々変更可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のデバイスの製造方法の一部を構成する洗浄工程の一実施形態を示すフローチャート図である。
【図２】本発明のパターンの形成方法の一実施形態を示すフローチャート図である。
【図３】本発明のパターン形成装置の一実施形態を示す模式図である。
【図４】本発明のパターン形成装置により洗浄動作が行われている状態を示す模式図である。
【図５】本発明のパターンの形成方法の他の実施形態を示すフローチャート図である。
【図６】本発明のパターンの形成手順の一例を示す模式図である。
【図７】本発明のパターンの形成手順の一例を示す模式図である。
【図８】プラズマ処理装置の一例を示す模式図である。
【図９】本発明の電気光学装置の一例を示す図であってプラズマ型表示装置を示す模式図である。
【図１０】本発明の電気光学装置の一例を示す図であって液晶表示装置を示す模式図である。
【図１１】本発明のデバイスの製造方法により製造されたデバイスの一例を示す図であって薄膜トランジスタを示す模式図である。
【図１２】本発明の電子機器の具体例を示す図である。
【符号の説明】
１…液滴吐出ヘッド（液滴吐出装置）、４…流路、３０…液滴（機能液）、
３３…配線パターン（膜パターン）、３４…溝部、３５…底部、４０…管部、
ＩＪ…液滴吐出装置（パターン形成装置）、Ｂ…バンク、Ｐ…基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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