(57)【要約】【課題】プラズマ化したターゲットから高速で集光ミラーに衝突するデブリや、集光ミラーに付着するようなデブリを効率よく回収することにより、チャンバ内の集光ミラーを含む光学機器の耐久性を向上させ、チャンバの真空度を維持し、ＥＵＶ光の出力低下を抑制する。【解決手段】レーザ光Ｌの照射方向と、ターゲット１の進行方向とが対向するように、レーザ光照射手段１０が配置される。ターゲット１の進行方向に、デブリ３を回収するデブリ回収手段３０が配置される。【選択図】  図１
2004327213.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザ光照射手段からレーザ光がターゲットに対して照射されることによってターゲットがプラズマ状態にされＥＵＶ光が発生するＥＵＶ光発生装置に適用され、プラズマが生成される過程で発生するデブリを回収するようにしたＥＵＶ光発生装置におけるデブリ回収装置において、
ターゲットの各面のうち、レーザ光が照射される照射面に対向させて、デブリを回収するデブリ回収手段が配置されていること
を特徴とするＥＵＶ光発生装置におけるデブリ回収装置。
【請求項２】
レーザ光照射手段からレーザ光が、進行するターゲットに対して照射されることによってターゲットがプラズマ状態にされＥＵＶ光が発生するＥＵＶ光発生装置に適用され、プラズマが生成される過程で発生するデブリを回収するようにしたＥＵＶ光発生装置におけるデブリ回収装置において、
レーザ照射方向と、ターゲット進行方向とが対向するように、レーザ光照射手段が配置され、
ターゲット進行方向に、デブリを回収するデブリ回収手段が配置されていること
を特徴とするＥＵＶ光発生装置におけるデブリ回収装置。
【請求項３】
ターゲットをプラズマ状態にする程度のエネルギーレベルのプラズマ生成用レーザ光をターゲットに照射するプラズマ生成用レーザ光照射手段と、
プラズマ状態にされたターゲットを加熱してＥＵＶ光を発生させる程度のエネルギーレベルのプラズマ加熱用レーザ光をターゲットに照射するプラズマ加熱用レーザ光照射手段と
が設けられ、
ターゲットの各面のうち、プラズマ生成用レーザ光が照射される照射面に対向させて、デブリ回収手段が配置されていること
を特徴とする請求項１記載のＥＵＶ光発生装置におけるデブリ回収装置。
【請求項４】
ターゲットをプラズマ状態にする程度のエネルギーレベルのプラズマ生成用レーザ光をターゲットに照射するプラズマ生成用レーザ光照射手段と、
プラズマ状態にされたターゲットを加熱してＥＵＶ光を発生させる程度のエネルギーレベルのプラズマ加熱用レーザ光をターゲットに照射するプラズマ加熱用レーザ光照射手段と
が設けられ、
プラズマ生成用レーザ光の照射方向と、ターゲット進行方向とが対向するように、プラズマ生成用レーザ光照射手段が配置されていること
を特徴とする請求項２記載のＥＵＶ光発生装置におけるデブリ回収装置。
【請求項５】
ターゲットをプラズマ状態にする程度のエネルギーレベルのプラズマ生成用レーザ光を先に、つぎにプラズマ状態にされたターゲットを加熱してＥＵＶ光を発生させる程度のエネルギーレベルのプラズマ加熱用レーザ光をそれぞれターゲットに照射するレーザ光照射手段
が設けられていること
を特徴とする請求項１記載のＥＵＶ光発生装置におけるデブリ回収装置。
【請求項６】
ターゲットをプラズマ状態にする程度のエネルギーレベルのプラズマ生成用レーザ光を先に、つぎにプラズマ状態にされたターゲットを加熱してＥＵＶ光を発生させる程度のエネルギーレベルのプラズマ加熱用レーザ光をそれぞれターゲットに照射するレーザ光照射手段
が設けられていること
を特徴とする請求項２記載のＥＵＶ光発生装置におけるデブリ回収装置。
【請求項７】
デブリ回収手段は、デブリが収容される空間を有する筒であって、当該筒に、レーザ光を通過させる空間が形成されていること
を特徴とする請求項１記載のＥＵＶ光発生装置におけるデブリ回収装置。
【請求項８】
デブリ回収手段は、デブリが収容される空間を有する筒であって、当該筒に、レーザ光を通過させる空間が形成されていること
を特徴とする請求項２記載のＥＵＶ光発生装置におけるデブリ回収装置。
【請求項９】
デブリ回収手段は、デブリが収容される空間を有する筒であって、当該筒の外側をレーザ光が通過するように光学系が配置されていること
を特徴とする請求項１記載のＥＵＶ光発生装置におけるデブリ回収装置。
【請求項１０】
デブリ回収手段は、デブリが収容される空間を有する筒であって、当該筒の外側をレーザ光が通過するように光学系が配置されていること
を特徴とする請求項２記載のＥＵＶ光発生装置におけるデブリ回収装置。
【請求項１１】
レーザ光照射手段からレーザ光が、進行するターゲットに対して照射されることによってターゲットがプラズマ状態にされＥＵＶ光が発生するＥＵＶ光発生装置に適用され、プラズマが生成される過程で発生するデブリを回収するようにしたＥＵＶ光発生装置におけるデブリ回収装置において、
前記デブリには荷電粒子が含まれ、
ターゲット進行方向に、デブリを回収するデブリ回収手段が配置され、
デブリ回収手段に荷電粒子を導く磁力線を生成する磁力線生成手段が設けられていること
を特徴とするＥＵＶ光発生装置におけるデブリ回収装置。
【請求項１２】
レーザ照射方向と、ターゲット進行方向とが対向するように、レーザ光照射手段が配置されていること
を特徴とする請求項１１記載のＥＵＶ光発生装置におけるデブリ回収装置。
【請求項１３】
ターゲットをプラズマ状態にする程度のエネルギーレベルのプラズマ生成用レーザ光をターゲットに照射するプラズマ生成用レーザ光照射手段と、
プラズマ状態にされたターゲットを加熱してＥＵＶ光を発生させる程度のエネルギーレベルのプラズマ加熱用レーザ光をターゲットに照射するプラズマ加熱用レーザ光照射手段と
が設けられ、
プラズマ生成用レーザ光の照射方向と、ターゲット進行方向とが対向するように、プラズマ生成用レーザ光照射手段が配置されていること
を特徴とする請求項１２記載のＥＵＶ光発生装置におけるデブリ回収装置。
【請求項１４】
ターゲットをプラズマ状態にする程度のエネルギーレベルのプラズマ生成用レーザ光を先に、つぎにプラズマ状態にされたターゲットを加熱してＥＵＶ光を発生させる程度のエネルギーレベルのプラズマ加熱用レーザ光をそれぞれターゲットに照射するレーザ光照射手段
が設けられていること
を特徴とする請求項１２記載のＥＵＶ光発生装置におけるデブリ回収装置。
【請求項１５】
デブリ回収手段は、デブリが収容される空間を有する筒であって、当該筒に、レーザ光を通過させる空間が形成されていること
を特徴とする請求項１２記載のＥＵＶ光発生装置におけるデブリ回収装置。
【請求項１６】
デブリ回収手段は、デブリが収容される空間を有する筒であって、当該筒の外側をレーザ光が通過するように光学系が配置されていること
を特徴とする請求項１２記載のＥＵＶ光発生装置におけるデブリ回収装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、露光装置などの光源に用いられるＥＵＶ光発生装置に関し、特にＥＵＶ光が発生する際に生成されるデブリを回収する装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
回路パターンを半導体ウェーハ上に光転写する光リソグラフィ技術は、ＬＳＩの集積化を図る上で重要である。光リソグラフィに用いられる露光装置は、主に、ステッパと呼ばれる縮小投影露光方式によるものが使用されている。すなわち照明光源により照らされた原画（レチクル）パターンの透過光を縮小投影光学系により半導体基板上の光感光性物質に投影して回路パターンを形成するというものである。この投影像の分解能は、用いられる光源の波長で制限される。このためパターン線幅をより微細化したいとの要求に伴って、光源の波長は紫外領域へと次第に短波長化してきている。
【０００３】
近年は深紫外領域の光（ＤＵＶ光）を発振するＫｒＦエキシマレーザ（波長２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザ（波長１９３ｎｍ）が光源として使用され、あるいは真空紫外領域の光（ＶＵＶ光）を発振するＦ２レーザ（波長１５７ｎｍ）が光源として開発されている。
【０００４】
現在では更なる微細加工を行うべく極端紫外領域（Ｅｘｔｒｅｍｅ  Ｕｌｔｒａ  Ｖｉｏｌｅｔ）の光（以下ＥＵＶ光）を出力するＥＵＶ光源（波長１３．５ｎｍ）を、光リソグラフィの光源とする試みがなされている。
【０００５】
ＥＵＶ光を発生させる方式の１つに、ＬＰＰ（レーザ励起プラズマ）方式がある。ＬＰＰ方式ＥＵＶ光源では、短パルスレーザ光をターゲットに照射してターゲットをプラズマ状態に励起してＥＵＶ光を発生させこれを集光レンズで集光して外部にＥＵＶ光を出力する。
【０００６】
図１１は露光装置の光源として用いられるＥＵＶ光発生装置の構成を概念的に示している。
【０００７】
チャンバ４の内部にはＥＵＶ光を集光する集光ミラー４１が設けられている。集光ミラー４１で集光されたＥＵＶ光は、チャンバ４外の図示しない照明光学系に伝送されＥＵＶ光を使用して半導体回路パターンが半導体ウェーハ上に形成される。
【０００８】
チャンバ４の内部は真空ポンプ等により真空引きされており、真空状態にされている。これはＥＵＶ光は波長が１３．５ｎｍと短く真空中でないと効率よく伝搬しないからである。
【０００９】
ノズル４０からは、ＥＵＶ光発生物質である液体のターゲット１が滴下される。ターゲット１としては、たとえば液体のキセノン（Ｘｅ）が使用される。ターゲット１の径は１０μｍ程度である。
【００１０】
レーザ発振器１０はたとえばＹＡＧレーザであり、近赤外線のレーザ光Ｌがパルス発振される。レーザ光Ｌはターゲット１に向けて照射される。レーザ光Ｌの照射方向は、ターゲット１の進行方向に対して垂直となっている。
【００１１】
ターゲット１にレーザ光Ｌが照射されると、ターゲット１がプラズマ状態に励起されＥＵＶ光が発生する。生成されるプラズマ２は、数１０μｍ〜１ｍｍ程度の径である。発生したＥＵＶ光はプラズマ２を中心に全方位に発散する。プラズマ２を取り囲むように集光ミラー４１が配置されている。全方位に発散するＥＵＶ光は、集光ミラー４１により集光され、集光したＥＵＶ光を反射して前記照明光学系に導かれる。
【００１２】
ターゲット１の一部はプラズマ発生時の衝撃波等により分裂、飛散しデブリ３となる。デブリ３は、高速イオン、プラズマにならなかった残滓を含む。
【００１３】
ターゲット１の進行方向には、回収筒１３０が設けられている。回収筒１３０は、ターゲット１の燃え残りやパルスレーザ光Ｌが照射されなかったターゲット１を回収するために設けられている。回収筒１３０に付設して回収機構１３１が設けられている。回収機構１３１は、フィルタや真空ポンプ等により構成されており、回収筒１３０内に回収されたデブリ３をトラップしたり真空引きして外部に排出する等する。
【００１４】
しかしデブリ３は、回収筒１３０に殆ど回収されることなく、チャンバ４内に浮遊する。デブリ３をチャンバ４内に放置すると、ＥＵＶ光発生装置の耐久性上、光出力の効率上望ましくない。
【００１５】
すなわち高速イオンのデブリ３は、集光ミラー４１等の光学機器に衝突して集光ミラー４１等の平滑な反射面をキズを付けて、光学系の耐久性を損なわせる。
【００１６】
またデブリ３が集光ミラー４１等の光学機器に付着すると、ＥＵＶ光の反射率が低下して、ＥＵＶ光の出力が低下する。
【００１７】
またデブリ３がガス化することでチャンバ４内の真空度が低下し、ＥＵＶ光の伝搬効率が低下して、ＥＵＶ光の出力が低下する。
【００１８】
デブリを回収することに関して、以下の従来技術がある。
【００１９】
【従来技術１】
下記特許文献１には、クライオターゲット（常温で気体の物質）から発生するデブリを、真空ポンプによってチャンバ外に排気するという技術が記載されている。
【００２０】
【従来技術２】
下記特許文献２には、照明光学系の折り返しミラーの入射面側に透過フィルタを配置して、集光ミラーで反射されたＥＵＶ光路に含まれるデブリを、透過フィルタで吸着または吸収するという技術が記載されている。
【００２１】
【特許文献１】
特開２００２−２８９３９７号公報
【特許文献２】
特開２０００−３４９００９号公報
【発明が解決しようとする課題】
上記従来技術１は、ガス状のデブリを事後的に真空ポンプによってチャンバ外に排気して回収するという技術であり、プラズマ化したターゲットから高速で集光ミラーに衝突するデブリに対しては、効果が薄く、デブリの回収効率が低いという問題が予想される。
【００２２】
また上記従来技術２は、集光ミラーで反射したＥＵＶ光路のデブリを、透過フィルタで事後的に回収するという技術であり、集光ミラーに衝突したり付着したりするデブリについては回収することはできない。
【００２３】
本発明はこうした実状に鑑みてなされたものであり、プラズマ化したターゲットから高速で集光ミラーに衝突するデブリや、集光ミラーに付着するようなデブリを効率よく回収することにより、チャンバ内の集光ミラーを含む光学機器の耐久性を向上させ、チャンバの真空度を維持し、ＥＵＶ光の出力低下を抑制することを解決課題とするものである。
【００２４】
【課題を解決するための手段および効果】
第１発明は、
レーザ光照射手段からレーザ光がターゲットに対して照射されることによってターゲットがプラズマ状態にされＥＵＶ光が発生するＥＵＶ光発生装置に適用され、プラズマが生成される過程で発生するデブリを回収するようにしたＥＵＶ光発生装置におけるデブリ回収装置において、
ターゲットの各面のうち、レーザ光が照射される照射面に対向させて、デブリを回収するデブリ回収手段が配置されていること
を特徴とする。
【００２５】
本発明は、デブリ３は、ターゲット１（プラズマ２）の各面のうちレーザ光Ｌが照射される照射面側（照射面に対し垂直な方向）に最も大量に発生するという知見に基づきなされたものである。
【００２６】
第１発明では、図４に示すように、ターゲット１の各面のうち、レーザ光Ｌが照射される照射面に対向させて、デブリを回収するデブリ回収手段３０が配置されている。レーザ光Ｌの照射面側にデブリ３が最も大量に発生するため、大量に発生したデブリ３が、レーザ照射面に対向して配置された回収手段（回収筒）３０により効率よく回収される。デブリ３は集光ミラー４１等のチャンバ４内の光学機器に衝突したり付着することなく効率よく回収される。このためチャンバ４内の集光ミラー４１を含む光学機器の耐久性が向上し、チャンバ４の真空度が維持され、ＥＵＶ光の出力低下が抑制される。
【００２７】
第２発明は、
レーザ光照射手段からレーザ光が、進行するターゲットに対して照射されることによってターゲットがプラズマ状態にされＥＵＶ光が発生するＥＵＶ光発生装置に適用され、プラズマが生成される過程で発生するデブリを回収するようにしたＥＵＶ光発生装置におけるデブリ回収装置において、
レーザ照射方向と、ターゲット進行方向とが対向するように、レーザ光照射手段が配置され、
ターゲット進行方向に、デブリを回収するデブリ回収手段が配置されていること
を特徴とする。
【００２８】
第２発明では、図１に示すように、レーザ光Ｌの照射方向と、ターゲット１の進行方向とが対向するように、レーザ光照射手段１０が配置されている。そしてターゲット１の進行方向に、デブリ３を回収するデブリ回収手段３０が配置されている。
【００２９】
第２発明によれば、ターゲット１の進行方向に対向するようにレーザ光Ｌが照射されるので、ターゲット１の照射面側であるターゲット１の進行方向側に最も大量にデブリ３が発生し、この大量に発生したデブリ３がターゲット１の進行方向側でデブリ３が回収される。
【００３０】
デブリ３は、レーザ光Ｌが照射された際のターゲット１の進行速度を初期速度としてデブリ回収手段３０側に進行しつつ拡散していく。デブリ３がターゲット１の進行速度に応じた速度でデブリ回収手段３０側に速やかに進行するためデブリ３が広範囲に拡散する前にデブリ３をデブリ回収手段３０に到達させることができる。このため第１発明と比較してデブリ３の回収効率が更に向上する。
【００３１】
またターゲット１を加速することによってデブリ３がデブリ回収手段３０に到達する時間を更に短くすることができ、更にデブリ３の回収効率を高めることができる。
【００３２】
第３発明は、第１発明において、
ターゲットをプラズマ状態にする程度のエネルギーレベルのプラズマ生成用レーザ光をターゲットに照射するプラズマ生成用レーザ光照射手段と、
プラズマ状態にされたターゲットを加熱してＥＵＶ光を発生させる程度のエネルギーレベルのプラズマ加熱用レーザ光をターゲットに照射するプラズマ加熱用レーザ光照射手段と
が設けられ、
ターゲットの各面のうち、プラズマ生成用レーザ光が照射される照射面に対向させて、デブリ回収手段が配置されていること
を特徴とする。
【００３３】
本発明は、デブリ３の発生量はレーザ照射初期が最も多く、レーザ光Ｌの照射エネルギーが小さいほどデブリ３が発生しにくくなり、レーザ照射初期における照射エネルギーを小さくすればデブリ３の発生量を抑制できるという知見に基づきなされたものである。
【００３４】
第３発明によれば、図５に示すように、プラズマ生成用レーザ光照射手段１１から、ターゲット１をプラズマ状態にする程度のエネルギーレベルのプラズマ生成用レーザ光Ｌ１がターゲット１に照射される。つぎにプラズマ加熱用レーザ光照射手段１２から、プラズマ状態にされたターゲット１を加熱してＥＵＶ光を発生させる程度のエネルギーレベルのプラズマ加熱用レーザ光Ｌ２がターゲット１に照射される。ターゲット１の各面のうち、プラズマ生成用レーザ光Ｌ１が照射される照射面に対向させて、デブリ回収手段３０が配置されている。
【００３５】
比較的エネルギーレベルの低いプラズマ生成用レーザ光Ｌ１がターゲット１に照射されることによって、初期的なデブリ３の発生量を低減させることができる。そして第１発明と同様に、発生したデブリ３が、ターゲット１の照射面側に配置されたデブリ回収手段３０によって効率良く回収される。なお比較的エネルギーレベルの高いプラズマ加熱用レーザ光Ｌ２をプラズマ状態にされたターゲット１に照射することで、ＥＵＶ光が発生する。
【００３６】
第４発明は、第２発明において、
ターゲットをプラズマ状態にする程度のエネルギーレベルのプラズマ生成用レーザ光をターゲットに照射するプラズマ生成用レーザ光照射手段と、
プラズマ状態にされたターゲットを加熱してＥＵＶ光を発生させる程度のエネルギーレベルのプラズマ加熱用レーザ光をターゲットに照射するプラズマ加熱用レーザ光照射手段と
が設けられ、
プラズマ生成用レーザ光の照射方向と、ターゲット進行方向とが対向するように、プラズマ生成用レーザ光照射手段が配置されていること
を特徴とする。
【００３７】
第４発明によれば、図５に示すように、プラズマ生成用レーザ光照射手段１１から、ターゲット１をプラズマ状態にする程度のエネルギーレベルのプラズマ生成用レーザ光Ｌ１がターゲット１に照射される。つぎにプラズマ加熱用レーザ光照射手段１２から、プラズマ状態にされたターゲット１を加熱してＥＵＶ光を発生させる程度のエネルギーレベルのプラズマ加熱用レーザ光Ｌ２がターゲット１に照射される。プラズマ生成用レーザ光Ｌ１の照射方向と、ターゲット１の進行方向とが対向するように、プラズマ生成用レーザ光照射手段１１が配置されている。
【００３８】
比較的エネルギーレベルの低いプラズマ生成用レーザ光Ｌ１がターゲット１に照射されることによって、初期的なデブリ３の発生量を低減させることができる。そして第２発明と同様に、デブリ３がターゲット１の進行速度に応じた速度をもってデブリ回収手段３０側に速やかに進行するためデブリ３が広範囲に拡散する前にデブリ３をデブリ回収手段３０に到達させることができ、デブリ３の回収効率が更に向上する。なお比較的エネルギーレベルの高いプラズマ加熱用レーザ光Ｌ２をプラズマ状態にされたターゲット１に照射することで、ＥＵＶ光が発生する。
【００３９】
第５発明は、第１発明において、
ターゲットをプラズマ状態にする程度のエネルギーレベルのプラズマ生成用レーザ光を先に、つぎにプラズマ状態にされたターゲットを加熱してＥＵＶ光を発生させる程度のエネルギーレベルのプラズマ加熱用レーザ光をそれぞれターゲットに照射するレーザ光照射手段
が設けられていること
を特徴とする。
【００４０】
第５発明によれば、図７に示すように、レーザ光照射手段１０から、プラズマ生成用レーザ光Ｌ１と、プラズマ加熱用レーザ光Ｌ２とが時間をおいてターゲット１に照射される。
【００４１】
まず比較的エネルギーレベルの低いプラズマ生成用レーザ光Ｌ１がターゲット１に照射されることによって、初期的なデブリ３の発生量を低減させることができ、つぎに比較的エネルギーレベルの高いプラズマ加熱用レーザ光Ｌ２をプラズマ状態にされたターゲット１に照射することで、ＥＵＶ光が発生する。
【００４２】
そして第１発明と同様に、発生したデブリ３が、ターゲット１の照射面側に配置されたデブリ回収手段３０によって効率良く回収される。
【００４３】
第５発明では、同一のレーザ光照射手段１０からプラズマ生成用レーザ光Ｌ１と、プラズマ加熱用レーザ光Ｌ２とがターゲット１に照射されるので、第３発明と比較して、装置構成を簡易なものとすることができる。
【００４４】
第６発明は、第２発明において、
ターゲットをプラズマ状態にする程度のエネルギーレベルのプラズマ生成用レーザ光を先に、つぎにプラズマ状態にされたターゲットを加熱してＥＵＶ光を発生させる程度のエネルギーレベルのプラズマ加熱用レーザ光をそれぞれターゲットに照射するレーザ光照射手段
が設けられていること
を特徴とする。
【００４５】
第６発明によれば、図７に示すように、レーザ光照射手段１０から、プラズマ生成用レーザ光Ｌ１と、プラズマ加熱用レーザ光Ｌ２とが時間をおいてターゲット１に照射される。
【００４６】
まず比較的エネルギーレベルの低いプラズマ生成用レーザ光Ｌ１がターゲット１に照射されることによって、初期的なデブリ３の発生量を低減させることができ、つぎに比較的エネルギーレベルの高いプラズマ加熱用レーザ光Ｌ２をプラズマ状態にされたターゲット１に照射することで、ＥＵＶ光が発生する。
【００４７】
そして第２発明と同様に、デブリ３がターゲット１の進行速度に応じた速度でデブリ回収手段３０側に速やかに進行するためデブリ３が広範囲に拡散する前にデブリ３をデブリ回収手段３０に到達させることができ、デブリ３の回収効率が更に向上する。
【００４８】
第７発明は、第１発明において、
デブリ回収手段は、デブリが収容される空間を有する筒であって、当該筒に、レーザ光を通過させる空間が形成されていること
を特徴とする。
【００４９】
第７発明は、第１発明のデブリ回収手段３０を回収筒３０に技術的に限定したものであり、図４に示すように、回収筒３０に形成された空間をレーザ光Ｌが通過してターゲット１に照射され、回収筒３０に形成された空間にデブリ３が回収される。
【００５０】
第８発明は、第２発明において、
デブリ回収手段は、デブリが収容される空間を有する筒であって、当該筒に、レーザ光を通過させる空間が形成されていること
を特徴とする。
【００５１】
第８発明は、第２発明のデブリ回収手段３０を回収筒３０に技術的に限定したものであり、図１に示すように、回収筒３０に形成された空間３３をレーザ光Ｌが通過してターゲット１に照射され、回収筒３０に形成された空間３２にデブリ３が回収される。
【００５２】
第９発明は、第１発明において、
デブリ回収手段は、デブリが収容される空間を有する筒であって、当該筒の外側をレーザ光が通過するように光学系が配置されていること
を特徴とする。
【００５３】
第９発明は、第１発明を技術的に限定したものであり、図３に示すように、デブリ回収手段３０は、デブリ３が収容される空間を有する回収筒３０であり、光学系２１、２２を介して回収筒３０の外側をレーザ光Ｌが通過してターゲット１に照射される。
【００５４】
第９発明によれば、回収筒３０に、レーザ光Ｌを通過させる空間を形成する必要がなく、その分を回収用の空間として使用することができるのでデブリ３の回収効率を更に高めることができる。
【００５５】
第１０発明は、第２発明において、
デブリ回収手段は、デブリが収容される空間を有する筒であって、当該筒の外側をレーザ光が通過するように光学系が配置されていること
を特徴とする。
【００５６】
第１０発明は、第２発明を技術的に限定したものであり、図３に示すように、デブリ回収手段３０は、デブリ３が収容される空間を有する回収筒３０であり、光学系２１、２２を介して回収筒３０の外側をレーザ光Ｌが通過してターゲット１に照射される。
【００５７】
第１０発明によれば、回収筒３０に、レーザ光Ｌを通過させる空間を形成する必要がなく、その分を回収用の空間として使用することができるのでデブリ３の回収効率を更に高めることができる。
【００５８】
第１１発明は、
レーザ光照射手段からレーザ光が、進行するターゲットに対して照射されることによってターゲットがプラズマ状態にされＥＵＶ光が発生するＥＵＶ光発生装置に適用され、プラズマが生成される過程で発生するデブリを回収するようにしたＥＵＶ光発生装置におけるデブリ回収装置において、
前記デブリには荷電粒子が含まれ、
ターゲット進行方向に、デブリを回収するデブリ回収手段が配置され、
デブリ回収手段に荷電粒子を導く磁力線を生成する磁力線生成手段が設けられていること
を特徴とする。
【００５９】
第１１発明によれば、図８に示すようにデブリ３は速度ｖをもって拡散する。一方、磁力線生成手段５０によって磁力線５１が形成される。ここでデブリ３の速度ｖは、磁力線５１に垂直な方向の成分の速度ｖ１と磁力線５１に平行な方向の成分の速度ｖ２とを合成したものである。荷電粒子であるデブリ３にはローレンツ力が付与され磁力線５１に捕捉される。すなわちデブリ３は、垂直成分速度ｖ１に応じた半径でサイクトロン運動をしつつ磁力線５１と平行な方向に平行成分速度ｖ２で移動して、デブリ回収手段３０に導かれる。
【００６０】
第１１発明によれば、本来であれば拡散されてしまい回収困難であったデブリ３を磁力線５１に確実に捕捉してデブリ回収手段３０に確実に導びくことができるのでデブリ３の回収効率を高めることができる。
【００６１】
第１２発明は、第１１発明において、
レーザ照射方向と、ターゲット進行方向とが対向するように、レーザ光照射手段が配置されていること
を特徴とする。
【００６２】
第１２発明によれば、図８（ａ）に示すように、ターゲット１の進行方向に対向するようにレーザ光Ｌが照射されるので、ターゲット１の照射面側であるターゲット１の進行方向側に最も大量にデブリ３が発生する。
【００６３】
この大量に発生したデブリ３は、ターゲット１の進行方向の運動量を保存して速度ｖで拡散する。デブリ３の磁力線５１と平行な方向の成分の速度ｖ２は、ターゲット１の進行速度に応じて大きくなる。デブリ３がターゲット１の進行速度に応じた速度ｖ２で磁力線５１に沿って進行しデブリ回収手段３０側に速やかに進行するためデブリ３が広範囲に拡散する前にデブリ３をデブリ回収手段３０に到達させることができる。このため第１１発明と比較してデブリ３の回収効率が更に向上する。またターゲット１を加速することによってデブリ３がデブリ回収手段３０に到達する時間を短くすることができ、更にデブリ３の回収効率を高めることができる。
【００６４】
第１３発明は、第１２発明において、
ターゲットをプラズマ状態にする程度のエネルギーレベルのプラズマ生成用レーザ光をターゲットに照射するプラズマ生成用レーザ光照射手段と、
プラズマ状態にされたターゲットを加熱してＥＵＶ光を発生させる程度のエネルギーレベルのプラズマ加熱用レーザ光をターゲットに照射するプラズマ加熱用レーザ光照射手段と
が設けられ、
プラズマ生成用レーザ光の照射方向と、ターゲット進行方向とが対向するように、プラズマ生成用レーザ光照射手段が配置されていること
を特徴とする。
【００６５】
第１３発明は、第１２発明と、第４発明とを組み合わせたものであり、デブリ３の初期的な発生量を減らすことができる。
【００６６】
第１４発明は、第１２発明において、
ターゲットをプラズマ状態にする程度のエネルギーレベルのプラズマ生成用レーザ光を先に、つぎにプラズマ状態にされたターゲットを加熱してＥＵＶ光を発生させる程度のエネルギーレベルのプラズマ加熱用レーザ光をそれぞれターゲットに照射するレーザ光照射手段
が設けられていること
を特徴とする。
【００６７】
第１４発明は、第１２発明と、第６発明とを組み合わせたものであり。デブリ３の初期的な発生量を減らすことができるとともに、構成を簡易なものとすることができる。
【００６８】
第１５発明は、第１２発明において、
デブリ回収手段は、デブリが収容される空間を有する筒であって、当該筒に、レーザ光を通過させる空間が形成されていること
を特徴とする。
【００６９】
第１５発明によれば、第８発明と同様に、回収筒３０に形成された空間をレーザ光Ｌが通過してターゲット１に照射され、回収筒３０に形成された空間にデブリ３が回収される。
【００７０】
第１６発明は、第１２発明において、
デブリ回収手段は、デブリが収容される空間を有する筒であって、当該筒の外側をレーザ光が通過するように光学系が配置されていること
を特徴とする。
【００７１】
第１６発明によれば、第１０発明と同様に、光学系を介して回収筒３０の外側をレーザ光Ｌが通過してターゲット１に照射される。
【００７２】
第１６発明によれば、回収筒３０に、レーザ光Ｌを通過させる空間を形成する必要がなく、その分を回収用の空間として使用することができるのでデブリ３の回収効率を更に高めることができる。
【００７３】
【発明の実施の形態】
以下図面を参照して本発明に係るＥＵＶ光発生装置におけるデブリ回収装置の実施の形態について説明する。
【００７４】
（実施例１）
図１（ａ）は実施例１のＥＵＶ光発生装置の構成を示している。
【００７５】
チャンバ４の内部にはＥＵＶ光を集光する集光ミラー４１が設けられている。集光ミラー４１で集光されたＥＵＶ光は、チャンバ４外の図示しない照明光学系に伝送されＥＵＶ光を使用して半導体回路パターンが半導体ウェーハ上に形成される。
【００７６】
チャンバ４の内部は真空ポンプ等により真空引きされており、真空状態にされている。これはＥＵＶ光は波長が１３．５ｎｍと短く真空中でないと効率よく伝搬しないからである。
【００７７】
ノズル４０からは、ＥＵＶ光発生物質である液体のターゲット１が滴下される。ターゲット１としては、たとえば液体のキセノン（Ｘｅ）が使用される。ターゲット１の径は１０μｍ程度である。なおターゲット１としては、スズを含んだ液体、インジウムを含んだ液体などを使用することができる。
【００７８】
またノズル４０からターゲット１を滴下する代わりに、ノズル４０からターゲット１を噴出させてもよい。
【００７９】
レーザ発振器１０はたとえばＹＡＧレーザであり、近赤外線のレーザ光Ｌがパルス発振される。レーザ光Ｌがターゲット１の進行方向に対向する方向に照射されるように、レーザ発振器１０、ミラー２０が配置されている。
【００８０】
ターゲット１の進行方向には、回収筒３０が設けられている。
【００８１】
すなわち回収筒３０の図中下方にはミラー２０が配置されている。ミラー２０の図中右方にはレーザ発振器１０が配置されている。レーザ発振器１０からレーザ光Ｌが図中左方向に出射されミラー２０に入射される。レーザ光Ｌはミラー２０で反射されて９０゜向きが変えられ図中上方向に進行する。
【００８２】
なお図１（ａ）ではミラー２０を設けることによってレーザ発振器１０を、回収筒３０の側方に配置可能としているが、レーザ発振器１０を回収筒３０の直下に配置し、ミラー２０を介することなく直接上向きにレーザ光Ｌを出射してもよい。
【００８３】
図１（ａ）の構成によれば、レーザ発振器１０を、回収筒３０の側方に配置できるため、装置の上下方向の場積を小さくすることができる。
【００８４】
図１（ｂ）は回収筒３０の断面を示している。回収筒３０には、レーザ光Ｌが通過する空間であるレーザ光通過孔３３が上下方向に貫通するように形成されている。
【００８５】
レーザ光Ｌは回収筒３０のレーザ光通過孔３３を通過して、図中下方向に滴下されるターゲット１の下面に照射される。
【００８６】
ターゲット１にレーザ光Ｌが照射されると、ターゲット１がプラズマ状態に励起されＥＵＶ光が発生する。生成されるプラズマ２は、数１０μｍ〜１ｍｍ程度の径である。発生したＥＵＶ光はプラズマ２を中心に全方位に発散する。プラズマ２を取り囲むように集光ミラー４１が配置されている。全方位に発散するＥＵＶ光は、集光ミラー４１により集光され、集光したＥＵＶ光を反射して照明光学系に導かれる。
【００８７】
ターゲット１の一部はプラズマ発生時の衝撃波等により分裂、飛散し、デブリ３となる。デブリ３は、荷電粒子である高速イオン、プラズマにならなった残滓を含む。
【００８８】
図１（ｂ）に示すように、回収筒３０には、デブリ３を回収する空間であるデブリ回収穴３２が形成されている。また回収筒３０に付設して回収機構３１が設けられている。回収機構３１は、フィルタや真空ポンプ等により構成されており、回収筒３０内に回収されたデブリ３をトラップしたり真空引きして外部に排出する等する。
【００８９】
本発明者は、デブリ３は、ターゲット１（プラズマ２）の各面のうちレーザ光Ｌが照射される照射面側（照射面に対し垂直な方向）に最も大量に発生するという知見を得た。
【００９０】
実施例１によれば、
（ａ）ターゲット１の各面のうち、レーザ光照射面（ターゲット１の下面）に対向させて、回収筒３０が設けられている。
【００９１】
このためターゲット１のレーザ光照射面側に大量に発生したデブリ３が、回収筒３０のデブリ回収穴３２に効率よく回収される。デブリ３は集光ミラー４１等のチャンバ４内の光学機器に衝突したり付着することなく効率よく回収されることになる。このためチャンバ４内の集光ミラー４１を含む光学機器の耐久性が向上し、チャンバ４の真空度が維持され、ＥＵＶ光の出力低下が抑制される。
【００９２】
また実施例１によれば、
（ｂ）ターゲット１の進行方向に、回収筒３０が配置されている。
【００９３】
デブリ３は、レーザ光Ｌが照射された際のターゲット１の運動量を保存して拡散していく。デブリ３は、レーザ光Ｌが照射された際のターゲット１の進行速度を初期速度として回収筒３０側に進行しつつ拡散していく。デブリ３がターゲット１の進行速度に応じた速度で回収筒３０側に速やかに進行するためデブリ３が広範囲に拡散する前にデブリ３を回収筒３０に到達させることができる。このためデブリ３の回収効率を高めることができる。
【００９４】
ここで本出願人に係る先願（特願２００２−１０３９７５号）では、
（ｃ）ターゲット１を加速器によって加速することによって、ターゲット１の進行速度を、プラズマ２の拡散速度以上にする技術
を開示している。
【００９５】
実施例１に、この技術を組み合わせて実施してもよい。
【００９６】
ターゲット１を加速することによってデブリ３が回収筒３０に到達するまでの時間を更に短くすることができ、デブリ３が拡散する前にデブリ３を回収筒３０で回収することができ、更にデブリ３の回収効率を高めることができる。
【００９７】
図１の構成によれば、デブリ３の一部がデブリ回収穴３２に回収されずに、レーザ光通過孔３３を通りミラー２０に付着することが予測される。
【００９８】
そこでデブリ３がミラー２０に付着することを防止するために、図２のように構成してもよい。
【００９９】
図２では、回収筒３０とミラー２０との間にガス室５０が設けられる。ガス室５０には、ガス導入用管路５１、真空引き用管路５２、レーザ光用管路５３が接続されている。真空引き用管路５２は真空ポンプの吸込み口に連通している。レーザ光Ｌは、レーザ光用管路５３を介してガス室５０に導かれミラー２０に入射され、ガス室５０を通過して回収筒３０のレーザ光通過孔３３に導かれる。
【０１００】
パージ用のガスはガス導入用管路５１を介してガス室５０に導かれる。レーザ光通過孔３３を通りガス室５０に侵入したデブリ３は、パージガスととともにガス室５０から真空引き用管路５２を介して排出される。つまりデブリ３は、ミラー２０に付着することなくガス室５０外にパージされることになる。
【０１０１】
（実施例２）
上述した実施例１では、回収筒３０にレーザ光通過孔３３を形成してレーザ光Ｌが回収筒３０内を通過させるようにしているが、回収筒３０内をレーザ光Ｌが通過することなく、回収筒３０の外側をレーザ光Ｌが通過するように構成してもよい。
【０１０２】
図３（ａ）は図１（ａ）に対応する図であり、回収筒３０の外側をレーザ光Ｌが通過するように構成した実施例２を示している。図３（ｂ）は図３（ａ）のＡ−Ａ断面を示している。実施例１と共通する部分については適宜説明を省略する。
【０１０３】
図３に示すように回収筒３０内にはデブリ回収穴３２が形成されており図１と異なりレーザ光通過孔３３は形成されていない。回収筒３０の外周には、円環状の凹面ミラー２２が鉛直軸に対して斜めに配置されている。
【０１０４】
レーザ発振器１０の後段にはレーザ光分岐光学系２１が設けられている。レーザ光分岐光学系２１は、レーザ光Ｌを複数本のレーザ光Ｌ′に分岐して凹面ミラー２２の全周の各部位に入射させる。
【０１０５】
なお図３ではレーザ光Ｌを複数本のレーザ光Ｌ′に分岐することでレーザ光Ｌ′を凹面ミラー２２の全周にわたり照射させているが、レーザ光Ｌを断面が略円形となるように凹面ミラー２２に面照射することで、凹面ミラーの全周の各部位に入射させてもよい。
【０１０６】
凹面ミラー２２に複数本のレーザ光Ｌ′が入射されると複数本のレーザ光Ｌ′は図中上方つまりターゲット１の進行方向に対向する方向に反射されて、収束する。複数本のレーザ光Ｌ′が収束する点でこれらレーザ光Ｌ′がターゲット１に照射される。
【０１０７】
この実施例２によれば、回収筒３０に、レーザ光Ｌを通過させる空間（レーザ光通過孔３３）を形成する必要がなく、その分を回収用の空間（デブリ回収穴３２）として使用することができるのでデブリ３の回収効率を更に高めることができる。
【０１０８】
この実施例２においても、実施例１と同様な構成（ａ）、（ｂ）を備えているので実施例１と同様に、デブリ回収効率が高まるという効果が得られる。また実施例２に構成（ｃ）を組み合わせて、更にデブリ回収効率を高める実施も可能である。
【０１０９】
（実施例３）
上述した実施例１、実施例２は、「ターゲット１の進行方向に、回収筒３０が配置される」という構成（ｂ）を備えている。
【０１１０】
しかしこの構成（ｂ）を省略した実施も可能であり、その実施例を図４に実施例３として示す。
【０１１１】
同図４に示すように、実施例３では、図１１に示す構成と同様に、ターゲット１の進行方向に垂直な方向に、レーザ光Ｌが照射されるようにレーザ発振器１０、ミラー２０が配置されている。
【０１１２】
すなわちノズル４０の左側方には回収筒３０が設けられている。回収筒３０の図中左方向にはミラー２０が配置されている。ミラー２０の図中下方にはレーザ発振器１０が配置されている。レーザ発振器１０からレーザ光Ｌが図中上方向に出射されミラー２０に入射される。レーザ光Ｌはミラー２０で反射されて９０゜向きが変えられ図中右方向に進行する。
【０１１３】
レーザ光Ｌは回収筒３０のレーザ光通過孔３３を通過して、図中下方向に滴下されるターゲット１の左面に照射される。
【０１１４】
なお図１（ａ）ではミラー２０を設けることによってレーザ発振器１０を、回収筒３０の下側に配置可能としているが、回収筒３０と同じ高さ位置で回収筒３０の左側にレーザ発振器１０を配置して、ミラー２０を介することなくレーザ発振器１０から直接右方向にレーザ光Ｌを出射してもよい。
【０１１５】
実施例３によれば、
（ａ）ターゲット１の各面のうち、レーザ光照射面（左面）に対向させて、回収筒３０が設けられている。
【０１１６】
このためターゲット１のレーザ光照射面側に大量に発生したデブリ３が、回収筒３０のデブリ回収穴３２に効率よく回収される。デブリ３は集光ミラー４１等のチャンバ４内の光学機器に衝突したり付着することなく効率よく回収されることになる。このためチャンバ４内の集光ミラー４１を含む光学機器の耐久性が向上し、チャンバ４の真空度が維持され、ＥＵＶ光の出力低下が抑制される。
【０１１７】
実施例３において、図３と同様に、回収筒３０の外側をレーザ光Ｌが通過するように構成してもよい。また実施例３に構成（ｃ）を組み合わせて、更にデブリ回収効率を高める実施も可能である。
【０１１８】
（実施例４）
本発明者は、デブリ３の発生量はレーザ照射初期が最も多く、レーザ光Ｌの照射エネルギーが小さいほどデブリ３が発生しにくくなり、レーザ照射初期における照射エネルギーを小さくすればデブリ３の発生量を抑制できるという知見を得た。そこでレーザ照射初期における照射エネルギーを小さくしてデブリ３の発生量を抑制できる実施例４について図５を参照して説明する。
【０１１９】
実施例４では、図１（ａ）と同様な配置態様で、回収筒３０の下方にミラー２０が配置され、ミラー２０の右方に、図１（ａ）のレーザ発振器１０の代わりにプラズマ生成用レーザ発振器１１が配置される。プラズマ生成用レーザ発振器１１からは、ターゲット１をプラズマ状態にする程度のエネルギーレベルのプラズマ生成用レーザ光Ｌ１が出射される。
【０１２０】
またターゲット１の進行方向に垂直な方向にプラズマ加熱用レーザ光Ｌ２が照射されるように、プラズマ加熱用レーザ発振器１２が回収筒３０の右側方に配置されている。プラズマ加熱用レーザ発振器１２からは、プラズマ状態にされたターゲット１を加熱してＥＵＶ光を発生させる程度のエネルギーレベルのプラズマ加熱用レーザ光Ｌ２が出射される。
【０１２１】
まずプラズマ生成用レーザ発振器１１からプラズマ生成用レーザ光Ｌ１が図中左方向に出射されミラー２０に入射される。プラズマ生成用レーザ光Ｌ１はミラー２０で反射されて９０゜向きが変えられ図中上方向に進行する。
【０１２２】
なお図５ではミラー２０を設けることによってプラズマ生成用レーザ発振器１１を、回収筒３０の側方に配置可能としているが、プラズマ生成用レーザ発振器１１を回収筒３０の直下に配置し、ミラー２０を介することなく直接上向きにプラズマ生成用レーザ光Ｌ１を出射してもよい。
【０１２３】
図５の構成によれば、プラズマ生成用レーザ発振器１１を、回収筒３０の側方に配置できるため、装置の上下方向の場積を小さくすることができる。
【０１２４】
プラズマ生成用レーザ光Ｌ１は回収筒３０のレーザ光通過孔３３を通過して、図中下方向に滴下されるターゲット１の下面に照射される。
【０１２５】
比較的エネルギーレベルの低いプラズマ生成用レーザ光Ｌ１がターゲット１に照射されることによって、ターゲット１はプラズマ２′となるが、このプラズマ２′はＥＵＶ光を発生できる程度に高温とはなっていない。比較的エネルギーレベルの低いプラズマ生成用レーザ光Ｌ１をターゲット１に照射することで、初期的なデブリ３の発生量を低減させることができる。
【０１２６】
プラズマ生成用レーザ光Ｌ１の出射から時間をおいて、プラズマ加熱用レーザ発振器１２からプラズマ加熱用レーザ光Ｌ２が図中左方に出射され、プラズマ化されたターゲット１の右面にプラズマ加熱用レーザ光Ｌ２が照射される。
【０１２７】
プラズマ化されたターゲット１に、比較的エネルギーレベルの高いプラズマ加熱用レーザ光Ｌ２が照射されると、ＥＵＶ光を発生できる程度のプラズマ２となり、ＥＵＶ光が発生する。発生したＥＵＶ光はプラズマ２を中心に全方位に発散する。全方位に発散するＥＵＶ光は、集光ミラー４１により集光され、集光したＥＵＶ光を反射して照明光学系に導かれる。
【０１２８】
この実施例４によれば、実施例１と同様な構成（ａ）、（ｂ）を備えているので実施例１と同様に、デブリ３の回収効率を高めるという効果が得られる。
【０１２９】
更にこの実施例４によれば、
（ｄ）まず、ターゲット１をプラズマ状態にする程度のエネルギーレベルのプラズマ生成用レーザ光Ｌ１をターゲット１に照射し、つぎにプラズマ状態にされたターゲット１を加熱してＥＵＶ光を発生させる程度のエネルギーレベルのプラズマ加熱用レーザ光Ｌ２を出射する。
【０１３０】
という構成を備えている。このため、デブリ３の初期的な発生量を減らすことができ、デブリ３の回収効率を更に向上させることができる。
【０１３１】
また実施例４に構成（ｃ）を組み合わせて、更にデブリ回収効率を高める実施も可能である。また実施例４において、図３と同様に、回収筒３０の外側をレーザ光Ｌが通過するように構成してもよい。
【０１３２】
上述した実施例４は、「ターゲット１の進行方向に、回収筒３０が配置される」という構成（ｂ）を備えているが、この構成（ｂ）を省略し構成（ａ）、（ｄ）のみとする実施も可能である。すなわち図４のレーザ発振器１０と同様な配置態様でプラズマ生成用レーザ発振器１１を配置して、プラズマ生成用レーザ光Ｌ１をターゲット１の進行方向に垂直な方向に照射するような実施も可能である。
【０１３３】
（実施例５）
実施例４に対しては種々の変形が可能である。
【０１３４】
図６は、実施例５の構成を示しており、プラズマ加熱用レーザ発振器１２が、図５のプラズマ生成用レーザ発振器１１と同一位置に配置され、プラズマ生成用レーザ光Ｌ１とプラズマ加熱用レーザ光Ｌ２の両方が、ターゲット１の進行方向に対向する方向に照射される。
【０１３５】
また実施例５に構成（ｃ）を組み合わせて、更にデブリ回収効率を高める実施も可能である。また実施例５において、図３と同様に、回収筒３０の外側をレーザ光Ｌが通過するように構成してもよい。
【０１３６】
この実施例５は、「ターゲット１の進行方向に、回収筒３０が配置される」という構成（ｂ）を備えているが、この構成（ｂ）を省略し構成（ａ）、（ｄ）のみとする実施も可能である。すなわち図４のレーザ発振器１０と同様な配置態様でプラズマ生成用レーザ発振器１１、プラズマ加熱用レーザ発振器１２を配置して、プラズマ生成用レーザ光Ｌ１、プラズマ加熱用レーザ光Ｌ２の両方をターゲット１の進行方向に垂直な方向に照射するような実施も可能である。
【０１３７】
（実施例６）
図７は、実施例６の構成を示しており、レーザ発振器１０が、図５のプラズマ生成用レーザ発振器１１と同一位置に配置され、レーザ発振器１０からプラズマ生成用レーザ光Ｌ１とプラズマ加熱用レーザ光Ｌ２の両方が出射され、ターゲット１の進行方向に対向する方向に照射される。
【０１３８】
すなわち、レーザ発振器１０から、まず比較的エネルギーレベルの低いプラズマ生成用レーザ光Ｌ１が出射されターゲット１に照射される。これにより初期的なデブリ３の発生量を低減させることができる。つぎにプラズマ生成用レーザ光Ｌ１の出射から時間をおいてレーザ発振器１０から比較的エネルギーレベルの高いプラズマ加熱用レーザ光Ｌ２が出射され、プラズマ状態にされたターゲット１に照射される。これによりＥＵＶ光が発生する。そして実施例４、実施例５と同様に、発生したデブリ３が、ターゲット１の照射面側に配置された回収筒３０によって効率良く回収される。
【０１３９】
この実施例６では、同一のレーザ発振器１０からプラズマ生成用レーザ光Ｌ１と、プラズマ加熱用レーザ光Ｌ２とが出射されターゲット１に照射されるので、レーザ発振器を別々に設けた実施例４、実施例５と比較して、装置構成を簡易なものとすることができる。
【０１４０】
また実施例６に構成（ｃ）を組み合わせて、更にデブリ回収効率を高める実施も可能である。また実施例６において、図３と同様に、回収筒３０の外側をレーザ光Ｌが通過するように構成してもよい。
【０１４１】
この実施例６は、「ターゲット１の進行方向に、回収筒３０が配置される」という構成（ｂ）を備えているが、この構成（ｂ）を省略し構成（ａ）、（ｄ）のみとする実施も可能である。すなわち図４と同様な配置態様でプラズマ生成用レーザ光Ｌ１、プラズマ加熱用レーザ光Ｌ２の両方をターゲット１の進行方向に垂直な方向に照射するような実施も可能である。
【０１４２】
（実施例７）
つぎに、荷電粒子を含むデブリ３を、効率よく回収できる実施例７について説明する。
【０１４３】
図８（ａ）は実施例７の構成を示し、図１（ａ）と同様な配置態様で、回収筒３０、ミラー２０、レーザ発振器１０が配置されている。円環状のコイル５０は、回収筒３０が同コイル５０の円環中心軸上に位置されるように配置されている。円環状コイル５０は電流が通電されることによって超伝導マグネットとして機能し、円環状コイル５０の通電方向の周囲に、磁力線５１が形成される。磁力線５１は回収筒３０のデブリ回収穴３２に収束されるように形成される。ここで磁力線５１を回収筒３０の上端面に収束させるためには、回収筒３０の上端面を円環状コイル５０の中心の水平面よりも僅かにノズル４０側にオフセットさせて配置することが望ましい。
【０１４４】
ターゲット１にレーザ光Ｌが照射されるとデブリ３が発生し、デブリ３は速度ｖをもって図中下方に拡散する。
【０１４５】
図８（ｂ）に示すように、デブリ３の速度ｖは、磁力線５１に垂直な方向の成分の速度ｖ１と磁力線５１に平行な方向の成分の速度ｖ２とを合成したものである。荷電粒子であるデブリ３には、電荷と速度ｖ１と磁束密度とで定まるローレンツ力が付与され磁力線５１に捕捉される。すなわちデブリ３は、垂直成分速度ｖ１に応じた半径でサイクトロン運動をしつつ磁力線５１と平行な方向に平行成分速度ｖ２で移動して、回収筒３０に導かれる。
【０１４６】
実施例７によれば、
（ｅ）磁力線５１によってデブリ３を捕捉して回収筒３０に導く。
【０１４７】
という構成を備えているので、本来であれば拡散されてしまい回収困難であったデブリ３を、磁力線５１に確実に捕捉して回収筒３０に確実に導くことができるので、デブリ３の回収効率を高めることができる。
【０１４８】
また、この実施例７は、ターゲット１の進行方向に、回収筒３０が配置され、かつレーザ照射方向と、ターゲット１の進行方向とを対向させており、実施例１と同様な構成（ａ）、（ｂ）を備えている。
【０１４９】
実施例７によれば、図８（ａ）に示すように、ターゲット１の進行方向に対向するようにレーザ光Ｌが照射されるので、ターゲット１の照射面側であるターゲット１の進行方向側に最も大量にデブリ３が発生する。
【０１５０】
この大量に発生したデブリ３は、ターゲット１の進行方向の運動量を保存して速度ｖで拡散する。デブリ３の磁力線５１と平行な方向の成分の速度ｖ２は、ターゲット１の進行速度に応じて大きくなる。デブリ３がターゲット１の進行速度に応じた速度ｖ２で磁力線５１に沿って進行し回収筒３０側に速やかに進行するためデブリ３が広範囲に拡散する前にデブリ３を回収筒３０に到達させることができる。このためデブリ３の回収効率が更に向上する。
【０１５１】
また実施例７に構成（ｃ）を組み合わせて、更にデブリ回収効率を高める実施も可能である。
【０１５２】
図１０（ａ）、（ｂ）は、ターゲット１を加速しない場合（図１０（ａ））と、加速器を用いてターゲット１を加速する場合（図１０（ｂ））とを比較して示している。
【０１５３】
ターゲット１を加速することによって、ターゲット１の進行速度はそうでない場合の速度ＶからＶ′へと大きくなり、その速度変化に応じて、磁力線５１と平行な方向成分のデブリ３の速度がｖ２からｖ′２へと大きくなる。このためデブリ３が回収筒３０に到達するまでの時間を、より短くすることができ、デブリ３が拡散する前にデブリ３を回収筒３０で回収することができ、デブリ３の回収効率を一層高めることができる。
【０１５４】
また実施例７において、図３と同様に、回収筒３０の外側をレーザ光Ｌが通過するように構成してもよい。これにより回収筒３０に、レーザ光Ｌを通過させる空間（レーザ光通過孔３３）を形成する必要がなくなり、その分を回収用の空間（デブリ回収穴３２）として使用することができるのでデブリ３の回収効率を更に高めることができる。
【０１５５】
実施例７では、レーザ照射方向と、ターゲット１の進行方向とを対向させているが、レーザ照射方向は任意であり必ずしもターゲット１の進行方向と対向させる必要はなく、ターゲット１の進行方向に回収筒３０があればよい。たとえばターゲット１の進行方向に垂直な方向にレーザ光Ｌを照射してもよい。
【０１５６】
また実施例７と、図５で説明した実施例４とを組み合わせた実施も可能である。ターゲット１に比較的エネルギーレベルの低いプラズマ生成用レーザ光Ｌ１を照射することでデブリ３の初期的な発生量を減らすことができ、より一層デブリ３の回収効率を高めることができる。
【０１５７】
また実施例７と、図６で説明した実施例５を組み合わせて実施してもよく、図７で説明した実施例６とを組み合わせて実施してもよい。実施例６と組み合わせて実施することで、デブリ３の初期的な発生量を減らすことができ、より一層デブリ３の回収効率を高めることができるとともに、同一のレーザ発振器１０で両レーザ光Ｌ１、Ｌ２を出射でき装置構成を簡易なものとすることができる。
【０１５８】
回収筒３０に、レーザ光Ｌを通過させる空間を形成する必要がなく、その分を回収用の空間として使用することができるのでデブリ３の回収効率を更に高めることができる。
【０１５９】
図９は装置の外観を例示している。同図９は、チャンバ４の外側に円環状コイル５０を設けた構成例を示している。しかしチャンバ４の内部に円環状コイル５０を設ける実施も可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１（ａ）、（ｂ）は実施例１の構成例を示す図である。
【図２】図２は図１のミラーにデブリが付着することを防止するための構成を例示した図である。
【図３】図３（ａ）、（ｂ）は実施例２の構成例を示す図である。
【図４】図４は実施例３の構成例を示す図である。
【図５】図５は実施例４の構成例を示す図である。
【図６】図６は実施例５の構成例を示す図である。
【図７】図７は実施例６の構成例を示す図である。
【図８】図８（ａ）、（ｂ）は実施例７の構成例を示す図である。
【図９】図９は実施例７として示す装置の外観を例示した図である。
【図１０】図１０（ａ）、（ｂ）は実施例７においてターゲットを加速しない場合と加速した場合とを比較して示す図である。
【図１１】図１１はＥＵＶ光発生装置の構成を説明するために用いた図である。
【符号の説明】
１  ターゲット
２  プラズマ
３  デブリ
１０  レーザ発振器
１１  プラズマ生成用レーザ発振器
１２  プラズマ加熱用レーザ発振器
３０  回収筒
５０  円環状コイル
５１  磁力線
【図１】
2004327213.tif 000003
【図２】
2004327213.tif 000004
【図３】
2004327213.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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