(57)【要約】【課題】所要の抵抗値を有する抵抗器をエッチング形成された配線パターン内部に形成可能とする抵抗層積層体の製造方法、および抵抗層積層体を用いた部品の製造方法の提供。【解決手段】導電板２６と高分子板２４との間に抵抗層２５を介挿してなる抵抗層積層体２０の製造方法において、導電板２６および高分子板２４の接合予定面側を活性化処理し、導電板２６または高分子板２４の少なくとも一方に抵抗層２５を積層した後、導電板２６および高分子板２４を抵抗層２５が内側になるようにして当接して重ね合わせて積層接合を施すことによって、所要の抵抗値を有する抵抗器を配線パターン内部に形成可能とする抵抗層積層体を製造する。またこの抵抗層積層体２０を用いてプリント配線板、ＩＣパッケージなどに適用される部品を製造する。【選択図】　　　　図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電板と高分子板との間に抵抗層を介挿してなる抵抗層積層体の製造方法において、導電板および高分子板の接合予定面側を活性化処理し、導電板または高分子板の少なくとも一方に抵抗層を積層した後、導電板および高分子板を抵抗層が内側になるようにして当接して重ね合わせて積層接合することを特徴とする抵抗層積層体の製造方法。
【請求項２】
導電板と高分子板との間に導電層および抵抗層を介挿してなる抵抗層積層体の製造方法において、導電板および高分子板の接合予定面側を活性化処理し、導電板または高分子板の少なくとも一方に抵抗層を積層した後、さらに導電板または高分子板の少なくとも一方に導電層を積層し、導電板および高分子板を抵抗層、導電層が内側になるようにして当接して重ね合わせて積層接合することを特徴とする抵抗層積層体の製造方法。
【請求項３】
前記活性化処理が、不活性ガス雰囲気中でグロー放電を行わせて、前記導電板および高分子板の接合予定面側をスパッタエッチング処理することを特徴とする請求項１または２に記載の抵抗層積層体の製造方法。
【請求項４】
前記活性化処理と前記抵抗層積層処理および／または前記導電層積層処理が、近傍にてなされることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の抵抗層積層体の製造方法。
【請求項５】
導電板と高分子板との間に抵抗層、または抵抗層と導電層を介挿してなる抵抗層積層体を用いることを特徴とする部品の製造方法。
【請求項６】
前記部品の少なくとも一個所に、抵抗部を形成することを特徴とする請求項５に記載の部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明が属する技術分野】
本発明は、導電性に優れた導電板と基材となる高分子板との間に電気抵抗性を有する抵抗層、または電気抵抗性を有する抵抗層と導電性に優れた導電層を介挿してなる抵抗層積層体の製造方法、および抵抗層積層体を用いてなる部品の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、電子機器の小型化・軽量化に伴い実装基板の高密度化が進み、実装部品点数の削減が進んでいる。このような背景の中で基板自体に実装部品を埋め込む方法が各種提案されてきている。その１例として、特開平５−４１５７３号には、銅箔に所定のパターンで抵抗層となるＮｉ−Ｃｒ合金層をメッキして、接着剤を用いて基材に接着し、銅箔部分をエッチングして抵抗内蔵型のプリント配線板を製造する方法が開示されている。しかしながら接着剤を用いるとプリント配線板としての耐熱性が悪化してしまうという問題が生じる。本発明はこのような点に鑑みて、耐熱性を犠牲にせずに抵抗層介挿型基板を実現させようとするものである。また特開平１−２２４１８４号には、メッキなどによらずに金属板同士を接合する方法が開示されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、導電性に優れた導電板と基材となる高分子板との間に電気抵抗性を有する抵抗層、または電気抵抗性を有する抵抗層と導電性に優れた導電層を介挿してなる抵抗層積層体の製造方法、およびプリント配線板、ＩＣパッケージなどに適用できる抵抗層積層体を用いてなる部品の製造方法を提供することを課題とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】
前記課題に対する第１の解決手段として本発明の抵抗層積層体の製造方法は、導電板と高分子板との間に抵抗層を介挿してなる抵抗層積層体の製造方法において、導電板および高分子板の接合予定面側を活性化処理し、導電板または高分子板の少なくとも一方に抵抗層を積層した後、導電板および高分子板を抵抗層が内側になるようにして当接して重ね合わせて積層接合する方法とした。あるいは、導電板と高分子板との間に導電層および抵抗層を介挿してなる抵抗層積層体の製造方法において、導電板および高分子板の接合予定面側を活性化処理し、導電板または高分子板の少なくとも一方に抵抗層を積層した後、さらに導電板または高分子板の少なくとも一方に導電層を積層し、導電板および高分子板を抵抗層、導電層が内側になるようにして当接して重ね合わせて積層接合する方法とした。好ましくは活性化処理が、不活性ガス雰囲気中でグロー放電を行わせて、前記導電板および高分子板の接合予定面側をスパッタエッチング処理する方法とした。さらに好ましくは、前記活性化処理と前記抵抗層積層処理および／または前記導電層積層処理が、近傍にてなされる方法とした。
【０００５】
前記課題に対する第２の解決手段として本発明の部品の製造方法は、導電板と高分子板との間に抵抗層、または抵抗層と導電層を介挿してなる抵抗層積層体を用いる方法とした。また好ましくは、前記部品の少なくとも一個所に抵抗部を形成する方法とした。
【０００６】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明の製造方法を説明する。図１は、本発明の製造方法を用いた抵抗層積層体の一実施形態を示す概略断面図であり、高分子板２４と導電板２６との間に抵抗層２５を介挿した例を示している。図２は、本発明の製造方法を用いた抵抗層積層体の他の一実施形態を示す概略断面図であり、高分子板２４と導電板２６との間に抵抗層２５と導電層２７を介挿した例を示している。
【０００７】
高分子板２４の材質としては、抵抗層積層体を製造可能な素材であれば特にその種類は限定されず、抵抗層積層体の用途により適宜選択して用いることができる。例えば、プラスチックなどの有機高分子物質やプラスチックに粉末や繊維などを混ぜた混合体を適用することができる。抵抗層積層体をフレキシブルプリント基板などに適用する場合には、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリエチレンテレフタレートなどのポリエステル、ナイロンなどの芳香族ポリアミドなどや液晶ポリマーなどを用いることができる。
【０００８】
プラスチックとしては、例えば、アクリル樹脂、アミノ樹脂（メラミン樹脂、ユリア樹脂、ベンゾグアナミン樹脂など）、アリル樹脂、アルキド樹脂、ウレタン樹脂、液晶ポリマー、ＥＥＡ樹脂（Ｅｔｈｙｌｅｎｅ　Ｅｔｈｙｌａｃｒｙｌａｔｅ　樹脂）、ＡＡＳ樹脂（Ａｃｒｙｌｏｎｉｔｒｉｌｅ　Ａｃｒｙｌａｔｅ　Ｓｔｙｒｅｎｅ　樹脂）、ＡＢＳ樹脂（Ａｃｒｙｌｏｎｉｔｒｉｌｅ　Ｂｕｔａｄｉｅｎｅ　Ｓｔｙｒｅｎｅ樹脂）、ＡＣＳ樹脂（Ａｃｒｙｌｎｉｔｒｉｌｅ　Ｃｈｌｏｒｉｎａｔｅｄ　ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ　Ｓｔｙｒｅｎｅ　樹脂）、ＡＳ樹脂（Ａｃｒｙｌｏｎｉｔｒｉｌｅ　Ｓｔｙｒｅｎｅ　樹脂）、アイオノマー樹脂、エチレンポリテトラフルオロエチレン共重合体、エポキシ樹脂、珪素樹脂、スチレンブタジエン樹脂、フェノール樹脂、弗化エチレンプロピレン、弗素樹脂、ポリアセタール、ポリアリレート、ポリアミド（６ナイロン、１１ナイロン、１２ナイロン、６６ナイロン、６１０ナイロン、６１２ナイロンなど）、ポリアミドイミド、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルサルホン、ポリエステル（ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリシクロヘキンジメルテレフタレート、ポリトリメチレンテレフタレート、ポリトリメチレンナフタレートなど）、ポリオレフィン（ポリエチレン、ポリプロピレンなど）、ポリカーボネート、ポリクロロトリフルオロエチレン、ポリサルホン、ポリスチレン、ポリフェニレンサルファイド、ポリブタジエン、ポリブテン、ポリメチルペンテンなどを用いてもよい。
【０００９】
高分子板２４の厚みは、抵抗層積層体の用途により適宜選定される。例えば、１〜１０００μｍである。１μｍ未満の場合には高分子板としての製造が難しくなり、１０００μｍを超えると抵抗層積層体としての製造が難しくなる。例えば抵抗層積層体の用途がフレキシブルプリント基板などであれば、３〜３００μｍの範囲のものが好ましい。３μｍ未満の場合には機械的強度が乏しく、３００μｍを超えると可撓性が乏しくなる。好ましくは、１０〜１５０μｍである。より好ましくは、２０〜７５μｍである。
【００１０】
抵抗層２５の材質としては、抵抗層積層体を製造可能な素材で所要の比抵抗を有するものあれば特にその種類は限定されず、抵抗層積層体の用途により適宜選択して用いることができる。抵抗層の比抵抗としては、２０℃で、３０〜３００μΩ・ｃｍの範囲であることが好ましい。例えば、常温で固体であり所要の比抵抗を有する合金（例えば、ＪＩＳに規定の合金など）などが適用できる。抵抗層積層体の用途がプリント配線板などであれば、配線パターンに抵抗部を形成可能な所要の比抵抗を有する抵抗合金を適用することができる。抵抗合金としては、銅・マンガン系合金（例えば、マンガン１２〜１５％、ニッケル２〜４％、残部が銅の合金など）、銅−ニッケル合金などからなる銅・ニッケル系合金（例えば、銅５５％、ニッケル４５％からなる銅−ニッケル合金など）、ニッケル・クロム系合金（例えば、ニッケル８０％、クロム２０％からなるＮｉ−Ｃｒ合金などや、Ｎｉ−Ｃｒ−Ｆｅ合金など）、ニッケル・リン系合金（例えば、リン１〜２０％、残部がニッケルの合金など）、ニッケル・ホウ素・リン系合金（例えば、ホウ素２％、リン８〜１６％、残部がニッケルの合金など）、鉄・クロム系合金（例えば、クロム２０％、アルミニウム３％、残部が鉄のＦｅ−Ｃｒ−Ａｌ合金など）、鉄・ニッケル系合金（Ｆｅ−Ｎｉ合金や、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｒ合金など）、鉄・炭素系合金などを適用することができる。
【００１１】
また抵抗層２５の厚みは、抵抗層積層体を製造可能であれば特に限定はされず、抵抗層積層体の用途により適宜選定して用いることができる。抵抗層２５は、例えば０．０１〜１０μｍであることが好ましい。０．０１μｍ未満では抵抗層としての形成が難しくなり、安定した抵抗値を実現することが難しくなる。また１０μｍを超えると製造時間が長くなりすぎる。より好ましくは、０．１〜５μｍである。なお抵抗層は、抵抗層積層体の用途により、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、スパッタリング、真空蒸着、イオンプレーティングなどの乾式製膜手段から適宜選択して用いることができる。
【００１２】
導電板２６の材質としては、抵抗層積層体を製造可能な素材で導電性の優れたものであれば特にその種類は限定されず、抵抗層積層体の用途により適宜選択して用いることができる。導電板の比抵抗としては、２０℃で、１〜２０μΩ・ｃｍの範囲であることが好ましく、更に、１〜１０μΩ・ｃｍの範囲であることがより好ましい。例えば、常温で固体である導電性の優れた金属（例えば、Ａｌ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ａｕなど）や、これらの金属のうち少なくとも１種類を含む導電性の優れた合金（例えば、ＪＩＳに規定の合金など）などが適用できる。抵抗層積層体の用途がプリント配線板などであれば、導電板２６としては、導電性に優れた金属であるＣｕ、Ａｌなどや、これらの金属のうち少なくとも１種類を含む導電性の優れた合金などを適用することができる。すなわち銅板、アルミニウム板などを導電板２６として適用することが可能である。銅板としては、Ｃｕの他、ＪＩＳに規定の無酸素銅、タフピッチ銅、リン青銅、黄銅や、銅ベリリウム系合金（例えば、ベリリウム２％、残部が銅の合金など）、銅銀系合金（例えば、銀３〜５％、残部が銅の合金など）など、アルミニウム板としては、Ａｌの他、ＪＩＳに規定の１０００系、３０００系などのアルミニウム合金を適用することができる。
【００１３】
導電板２６の厚みは、抵抗層積層体を製造可能であれば特に限定はされず、抵抗層積層体の用途により適宜選定して用いることができる。導電板２６は、例えば１〜１０００μｍであることが好ましい。１μｍ未満では導電板としての製造が難しくなり、１０００μｍを超えると抵抗層積層体としての製造が難しくなる。より好ましくは、１０〜５００μｍである。なお導電板２６は、電解箔や圧延箔などの板材であってもよいし、板材にめっきや蒸着などによる膜材を予め積層したものであってもよいし、クラッド材などの積層体でもよい。例えば、銅−アルミニウム構造のクラッド材などである。
【００１４】
導電層２７の材質としては、抵抗層積層体を製造可能な素材で導電性の優れたものであれば特にその種類は限定されず、抵抗層積層体の用途により適宜選択して用いることができる。例えば、導電板２６に適用できる材質である。導電層２７は、導電板２６と同種の材質でもよいし異なっていてもよい。また抵抗層２５と導電板２６との間の悪影響を抑制する目的であればＴａ、Ｍｏ、Ｗなどの高融点材料を用いてもよい。
【００１５】
また導電層２７の厚みは、抵抗層積層体を製造可能であれば特に限定はされず、抵抗層積層体の用途により適宜選定して用いることができる。導電層２７は、例えば０．０１〜１０μｍであることが好ましい。０．０１μｍ未満では導電層としての形成が難しくなり、１０μｍを超えると製造時間が長くなりすぎる。より好ましくは、０．０５〜３μｍである。なお導電層は、抵抗層積層体の用途により、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、スパッタリング、真空蒸着、イオンプレーティングなどの乾式製膜手段から適宜選択して用いることができる。
【００１６】
図１に示す抵抗層積層体２０の製造方法について説明する。図４に示すように、真空槽５２内において、巻き戻しリール６２に設置された高分子板２４の接合予定面側を、活性化処理装置７０で活性化処理する。同様にして巻き戻しリール６４に設置された導電板２６の接合予定面側を、活性化処理装置８０で活性化処理する。
【００１７】
活性化処理は、以下のようにして実施する。すなわち、真空槽５２内に装填された高分子板２４、導電板２６をそれぞれアース接地された一方の電極Ａと接触させ、絶縁支持された他の電極Ｂとの間に、１０〜１×１０−３Ｐａの極低圧不活性ガス雰囲気中で、１〜５０ＭＨｚの交流を印加してグロー放電を行わせ、グロー放電によって生じたプラズマ中に露出される電極Ａと接触した高分子板２４、導電板２６のそれぞれの面積が、実効的に電極Ｂの面積の１／３以下となるようにスパッタエッチング処理する。不活性ガスとしては、アルゴン、ネオン、キセノン、クリプトンなどやこれらを含む混合体を適用することができる。好ましくはアルゴンである。なお不活性ガス圧力が１×１０−３Ｐａ未満では安定したグロー放電が行いにくく高速エッチングが困難であり、１０Ｐａを超えると活性化処理効率が低下する。印加する交流は、１ＭＨｚ未満では安定したグロー放電を維持するのが難しく連続エッチングが困難であり、５０ＭＨｚを超えると発振し易く電力の供給系が複雑となり好ましくない。また、効率よくエッチングするためには電極Ａと接触した高分子板２４、導電板２６のそれぞれの面積を実効的に電極Ｂの面積より小さくする必要があり、実効的１／３以下とすることにより充分な効率でエッチング可能となる。
【００１８】
次に高分子板２４の表面に、膜形成ユニット９０により抵抗層２５を形成する。膜形成方法として、スパッタリングを用いた場合について説明する。膜形成ユニット９０では、前記活性化処理装置とは逆に高分子板２４側の面積を実効的に大きくすることによりスパッタリング処理を行うことができる。すなわち、真空槽５２内に装填された高分子板２４をアース接地された一方の電極Ａと接触させ、絶縁支持された他の電極Ｃとの間に、１０〜１×１０−３Ｐａの極低圧不活性ガス雰囲気中で、１〜５０ＭＨｚの交流を印加してグロー放電を行わせ、グロー放電によって生じたプラズマ中に露出される電極Ａと接触した高分子板２４の面積が、実効的に電極Ｃの面積の３倍以上となるようにスパッタリング処理する。
不活性ガスとしては、アルゴン、ネオン、キセノン、クリプトンなどやこれらを含む混合体を適用することができる。好ましくはアルゴンである。なお不活性ガス圧力が１×１０−３Ｐａ未満では安定したグロー放電が行いにくく、１０Ｐａを超えるとスパッタリング効率が低下する。印加する交流は、１ＭＨｚ未満では安定したグロー放電を維持するのが難しく連続スパッタリングが困難であり、５０ＭＨｚを超えると発振し易く電力の供給系が複雑となり好ましくない。また、効率よくスパッタリングするためには電極Ａと接触した高分子板２４の面積を実効的に電極Ｃの面積より大きくする必要があり、３倍以上とすることにより充分な効率で膜形成が可能となる。
【００１９】
スパッタリングを用いる膜形成ユニット９０は、例えば図７に示すように、電気的にフローティング状態にされたターゲット電極９４と、アース接地された水冷の電極ロール７２との組み合わせで構成される。ターゲット電極９４には抵抗層２５を形成するターゲット９２が設置され、またマグネット９８を設置して磁場によりスパッタリングの効率を向上させている。さらにターゲット９２の異常加熱を防止するために、ターゲット電極９４を水冷できるようにしてある。ターゲット電極９４−電極ロール７２間に高周波電源９６を印加することで、プラズマを発生させてターゲット９２にイオン衝撃を与え、これにより放出されたターゲット物質を高分子板２４上に積層させて抵抗層２５を形成させ、膜積層材２２を得ることができる。
【００２０】
その後、活性化処理された導電板２６と、高分子板２４に抵抗層２５を形成させた膜積層材２２を積層接合する。積層接合は、膜積層材２２、導電板２６の接合予定面が対向するようにして両者を当接して重ね合わせ圧接ユニット６０で冷間圧接を施すことによって達成される。この際の積層接合は低温度で可能であり、膜積層材２２、導電板２６ならびに接合部に組織変化や合金層の形成などといった悪影響を軽減または排除することが可能である。Ｔを膜積層材、導電板の温度（℃）とするとき、０℃＜Ｔ＜３００℃で良好な圧接状態が得られる。０℃以下では特別な冷却装置が必要となり、３００℃以上では組織変化などの悪影響が生じてくるため好ましくない。より好ましくは、０℃＜Ｔ＜２００℃である。さらに好ましくは、０℃＜Ｔ＜１５０℃である。また圧延率Ｒ（％）は、０．０１％≦Ｒ≦３０％であることが好ましい。０．０１％未満では充分な接合強度が得られず、３０％を超えると変形が大きくなり加工上好ましくない。より好ましくは、０．１％≦Ｒ≦３％である。さらに好ましくは、１％＜Ｒ≦３％である。
【００２１】
このように積層接合することにより、所要の層厚みを有する抵抗層積層体２０を形成することができ、巻き取りロール６６に巻き取られる。さらに必要により所定の大きさに切り出して、図１に示すような抵抗層積層体２０を製造することができる。またこのようにして製造された抵抗層積層体２０に、必要により残留応力の除去または低減などのために問題が生じない範囲で熱処理を施してもよいし、さらに半田めっきなどの導電性膜材などを積層してもよい。
【００２２】
また図５に示すように膜形成ユニット９１を追加して導電層２７を形成させるようにすると、高分子板２４−抵抗層２５−導電層２７の構造を有する膜積層材を得ることができ、導電板２６と積層接合させることにより図２に示すような抵抗層積層体２１を製造することができる。さらに、膜形成ユニットは一方の活性化処理装置側のみならず、図６に示すように双方の活性化処理装置側にも配置することが可能である。
【００２３】
膜形成ユニットは活性化処理装置の近傍であることが好ましく、膜形成ユニットを活性化処理装置の近傍に配置することで、製造装置のコンパクト化などを図ることが可能である。例えば、図４〜７に図示しているように活性化処理装置の電極ロールと膜形成ユニットの電極ロールを共用化する形態などや、さらに活性化処理装置と膜形成ユニットをそれぞれ共用の電極ロールの外周上に配置する形態などである。このような形態を採ることで一体化した処理が可能となる。なお近傍とは、活性化処理された導電板面が吸着や反応などにより再び不活性化されて膜形成に悪影響を与えない範囲あるいは状態のことである。
【００２４】
なお抵抗層積層体の製造にはバッチ処理を用いることができる。すなわち真空槽内に予め所定の大きさに切り出された導電板を複数枚装填して活性化処理装置に搬送して垂直または水平など適切な位置に処理すべき面を対向または並置した状態などで設置または把持して固定して活性化処理や膜形成処理を行い、さらに導電板を保持する装置が圧接装置を兼ねる場合には活性化処理後に設置または把持したまま圧接し、導電板を保持する装置が圧接装置を兼ねない場合にはプレス装置などの圧接装置に搬送して圧接を行うことにより達成される。なお活性化処理や膜形成処理は、導電板を絶縁支持された一方の電極Ａとし、アース接地された他の電極Ｂとの間で行うことが好ましい。
【００２５】
本発明の部品の製造方法は、導電性に優れた導電板と基材となる高分子板との間に電気抵抗性を有する抵抗層、または電気抵抗性を有する抵抗層と導電性に優れた導電層を介挿してなる抵抗層積層体を用いる方法である。本発明の製造方法を用いた部品とは、抵抗層積層体にエッチング加工などの加工を施したもの、さらにこれに樹脂などで被覆あるいは固定したものや、抵抗層積層体を接着剤などを用いて高分子や金属、合金などからなる基材や基板に積層したもの、さらにビア加工やスルーホール加工などにより基板の層間導通処理などを施したものなどである。例えば、図３に示すようなプリント配線板などの部品などである。
【００２６】
図３に示すようなプリント配線板などの部品は、例えば図１に示すような高分子板２４−抵抗層２５−導電板２６の３層構造の抵抗層積層体２０に対し、導電板２６−抵抗層２５の部分にエッチング加工などを施して導電配線部３２や抵抗配線部３４などを形成することにより製造することができる。このとき配線部は、導電板部が残存する２層の良導体部（導電配線部３２）と、導電板部が除去され抵抗層のみの１層の抵抗部（抵抗配線部３４）を適宜選択的に形成することができる。さらにエッチング液や抵抗層２５材質を適切に選定することにより、この抵抗層２５をエッチングストップ層として機能させることができ、精度よくエッチング処理することが可能であるため、抵抗層２５部のみの抵抗配線部３４を形成することが容易となり、所要の抵抗値を有する抵抗部を配線内部に設けることができる。
【００２７】
この３層構造の抵抗層積層体２０は、例えば液晶ポリマー２４−ＮｉＣｒ合金層２５−銅箔２６構造などであり、液層ポリマー２４に活性化処理してＮｉ−Ｃｒ合金層２５をスパッタリングで積層し、さらに銅箔２６を活性化処理して積層接合することなどにより達成することができる。また銅箔およびＮｉ−Ｃｒ系合金層を逐次または一括にエッチング加工を施すことにより導電配線部３２を形成し、また銅箔のみをエッチング加工することにより抵抗配線部３４を形成することができる。
【００２８】
なお本発明の製造方法を用いた抵抗層積層体に抵抗層部分のみの配線部を形成させることにより終端抵抗やブリーダ抵抗などの抵抗器として機能させることができるため、プリント配線板の埋め込み抵抗や、抵抗アレイ、抵抗ネットワーク、抵抗ラダーなどの集合抵抗などにも適用してもよい。この抵抗値は抵抗層の材質によって決まる比抵抗と膜厚みおよび配線パターンの幅や長さを適宜選択して製造することができる。逆に抵抗器として機能させたくない場合には、抵抗層部分のみの配線部分の幅を大きくして実質的な抵抗値を下げるか、もしくは抵抗層の少なくとも片面に導電板を残すようなエッチング処理を行うか、あるいは抵抗層部分のみの配線部分に蒸着などで導電層を形成させることによって達成することが可能である。このため今までプリント配線板に取り付けられていた抵抗器を削減もしくは不要とすることが可能となり、プリント配線板の高密度化などに効果がある。
【００２９】
また本発明の製造方法を用いた抵抗層積層体の抵抗層は、抵抗器として機能させるばかりでなく、発熱体やヒューズとして機能させることも可能である。本発明の製造方法を用いた抵抗層積層体には耐熱性を阻害する要因となる接着層がないため、従来より高温での用途が可能である。このため、プリント配線板（リジットプリント配線板やフレキシブルプリント配線板など）などに好適であり、ＩＣカード、ＣＳＰ（チップサイズパッケージまたはチップスケールパッケージ）やＢＧＡ（ボールグリッドアレイ）などのＩＣパッケージなどにも応用が可能である。
【００３０】
【実施例】
以下に、実施例を図面に基づいて説明する。高分子板２４として厚み５０μｍの液晶ポリマーを用い、導電板２６として厚み３５μｍの圧延銅箔を用い、抵抗層２５としてＮｉ−Ｃｒ合金層を用いた。液晶ポリマー、圧延銅箔を抵抗層積層体製造装置５０にセットし、真空槽５２内の活性化処理ユニット７０および８０でスパッタエッチング法によりそれぞれ活性化処理（アルゴンガス雰囲気、０．１Ｐａ）した。活性化処理された液晶ポリマーにスパッタリングを用いた膜形成ユニット９０でＮｉ−２０％Ｃｒ合金層（厚み２μｍ）を形成させて膜積層材２２とし、これに活性化処理させた圧延銅箔を圧延ユニット６０で圧接して積層接合して抵抗積層材２０を製造した。
【００３１】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の抵抗層積層体の製造方法は、導電板と高分子板との間に抵抗層、または抵抗層と導電層を介挿する方法であり、本発明の部品の製造方法は、抵抗層積層体を用いる方法である。このため抵抗層積層体の抵抗層に抵抗部を形成させることにより回路を形成する部品点数を削減することが可能であり、プリント配線板などへの適用も好適である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の製造方法を用いた抵抗層積層体の一実施形態を示す概略断面図である。
【図２】本発明の製造方法を用いた抵抗層積層体の他の一実施形態を示す概略断面図である。
【図３】本発明の製造方法を用いた部品の一実施形態を示す概略断面図である。
【図４】本発明の製造方法に用いる装置の一実施形態を示す概略断面図である。
【図５】本発明の製造方法に用いる装置の他の一実施形態を示す概略断面図である。
【図６】本発明の製造方法に用いる装置のさらに他の一実施形態を示す概略断面図である。
【図７】本発明の製造方法に用いる膜形成ユニットの一実施形態を示す概略断面図である。
【符号の説明】
２０　　抵抗層積層体
２１　　抵抗層積層体
２２　　膜積層材
２４　　高分子板
２５　　抵抗層
２６　　導電板
２７　　導電層
３０　　部品
３２　　導電配線部
３４　　抵抗配線部
５０　　抵抗層積層体製造装置
５２　　真空槽
５４　　真空ポンプ
６０　　圧接ユニット
６２　　巻き戻しリール
６４　　巻き戻しリール
６６　　巻き取りロール
７０　　活性化処理装置
７２　　電極ロール
７４　　電極
７６　　電極
７８　　電極
８０　　活性化処理装置
８２　　電極ロール
８４　　電極
８６　　電極
９０　　膜形成ユニット
９１　　膜形成ユニット
９２　　ターゲット
９４　　ターゲット電極
９５　　膜形成ユニット
９６　　高周波電源
９８　　マグネット
Ａ　　　電極Ａ
Ｂ　　　電極Ｂ
Ｃ　　　電極Ｃ
【図１】
2004128460.tif 000003
【図２】
2004128460.tif 000004
【図３】
2004128460.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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