(57)【要約】【課題】マイクロメーターやアクチュエーター等の大型な駆動部を使用することなく、小型で集積化可能な減衰量可変の光減衰器及び光減衰器アレイを実現すること。【解決手段】入力光を減衰させて出力光として出力する光減衰器において、一方の面に溝部が形成された基板と、一端から入力光が入力され他端から出力されると共に一端が基板上に固定され他端が溝部上に配置されるように設けられる第一導波路と、一端が溝部上で第一導波路の他端に対向配置されて第一導波路から出力された光が一端から入力し他端が基板上に固定され出力光が他端から出力されるように設けられる第二導波路と、第一導波路の一端及び第二導波路の一端の少なくとも一方を変位させる駆動手段、とを具備し、駆動手段により第一導波路の一端及び第二導波路の一端の少なくとも一方に駆動力を与えて対向する第一導波路の他端と第二導波路の他端の位置をずらすことにより、入力光を減衰させて出力光として出力することを特徴とする光減衰器。【選択図】      図１
2004317642.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入力光を減衰させて出力光として出力する光減衰器において、
一方の面に溝部が形成された基板と、
一端から前記入力光が入力され他端から出力されると共に一端が前記基板上に固定され他端が前記溝部上に配置されるように設けられる第一導波路と、
一端が前記溝部上で前記第一導波路の他端に対向配置されて前記第一導波路から出力された光が一端から入力し他端が前記基板上に固定され前記出力光が他端から出力されるように設けられる第二導波路と、
前記第一導波路の他端及び前記第二導波路の一端の少なくとも一方を変位させる駆動手段、とを具備し、
前記駆動手段により前記第一導波路の他端及び前記第二導波路の一端の少なくとも一方に駆動力を与えて対向する前記第一導波路の他端と前記第二導波路の他端の位置をずらすことにより、前記入力光を減衰させて前記出力光として出力することを特徴とする光減衰器。
【請求項２】
請求項１記載の光減衰器において、
前記第一導波路及び前記第二導波路は、ＳｉまたはＳｉ化合物からなるコアとこのコアを囲みＳｉまたはＳｉ化合物からなりコアよりも屈折率の小さいクラッドとを具備し、
前記駆動手段は、前記クラッド上に設けられた可動電極と前記溝部の底部に設けられた固定電極とを具備し、
前記駆動力は、前記可動電極と前記固定電極との間に電圧を印加することにより発生する静電力であることを特徴とする光減衰器。
【請求項３】
請求項１記載の光減衰器において、
前記第一導波路及び前記第二導波路は、ＳｉまたはＳｉ化合物からなるコアとこのコアを囲みＳｉまたはＳｉ化合物からなりコアよりも屈折率の小さいクラッドとを具備し、
前記駆動手段は、前記クラッド上に設けられた可動電極または前記クラッド上に設けられたバイモルフ及び可動電極を具備し、
前記駆動力は、前記可動電極に通電することにより発生する熱応力であることを特徴とする光減衰器。
【請求項４】
請求項１記載の光減衰器において、
前記基板に前記第一導波路及び前記第二導波路に接続するための光ファイバを固定する固定溝を設けたことを特徴とする光減衰器。
【請求項５】
請求項１から請求項４のいずれかに記載の光減衰器が同一基板上に複数個設けられたことを特徴とする光減衰器アレイ。
【請求項６】
入力光を減衰させて出力光として出力する光減衰器において、
一方の面に溝部が形成された基板と、
一端から前記入力光が入力され他端から前記出力光が出力され両端が前記基板上に固定され本体が溝部上に変位可能に配置される導波路と、
前記溝部の底部に設けられる漏洩用導波路と、
前記導波路の本体を前記漏洩用導波路の方向に変位させる駆動手段、とを具備し、
前記駆動手段により前記導波路を駆動して前記漏洩用導波路に接触させ前記導波路内の光を前記漏洩用導波路に漏洩させ、前記導波路と前記漏洩用導波路の接触長に応じて前記入力光を減衰させて前記出力光として出力することを特徴とする光減衰器。
【請求項７】
請求項６記載の光減衰器において、
前記導波路及び前記漏洩用導波路はＳｉまたはＳｉ化合物からなり、
前記駆動手段は、前記導波路上に設けられた可動電極と前記漏洩用導波路の下部に設けられた固定電極とを具備し、
前記駆動力は、前記可動電極と前記固定電極との間に電圧を印加することにより発生する静電力であることを特徴とする光減衰器。
【請求項８】
請求項６記載の光減衰器において、
前記導波路及び前記漏洩用導波路はＳｉまたはＳｉ化合物からなり、
前記駆動手段は、前記導波路上に設けられた可動電極または前記導波路上に設けられたバイモルフ及び可動電極を具備し、
前記駆動力は、前記可動電極に通電することにより発生する熱応力であることを特徴とする光減衰器。
【請求項９】
請求項６記載の光減衰器において、
前記基板に前記第一導波路及び前記第二導波路に接続するための光ファイバを固定する固定溝を設けたことを特徴とする光減衰器。
【請求項１０】
請求項６から請求項９のいずれかに記載の光減衰器が同一基板上に複数個設けられたことを特徴とする光減衰器アレイ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光通信システムに組込まれるＤＷＤＭ（高密度波長分割多重方式）システム、ＥＤＦＡ光増幅器（エルビウム添加ファイバアンプ）、光計測装置等の光信号強度の調整に使用される光減衰器に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
図１１、図１２は従来の光減衰器を説明するための図である。
図１１（ａ）に示した光減衰器は、２本の光ファイバー４０，４１が狭ギャップを隔てて同軸上に直線上に設置されて構成されており、例えば光ファイバー４０のコア４０ａから出射した光は、ある一定の結合効率を持って光ファイバ４１のコア４１ａに入射する。
【０００３】
そして、図１１（ｂ）に示すように、例えばマイクロメーター４２や電磁駆動のアクチュエーター等により光ファイバー４１を変位させると、光ファイバー４１のコア４１ａに入射する光量が変化するので、この変位量を制御することにより、入力光を任意の光強度に減衰させて出力することができる、
【０００４】
図１２（ａ）に示した光減衰器は、２本の光ファイバー５０，５１とミラー５２とが設けれれて構成されており、例えば光ファイバー５０のコア５０ａから出射した光は、ミラー５２によって反射され、ある一定の結合効率を持って光ファイバー５１のコア５１ａに入射する。
【０００５】
そして、図１２（ｂ）に示すように、例えばマイクロメーター５３や電磁駆動のアクチュエーター等によりミラー５２を傾けると、光ファイバー５１のコア５１ａに入射する光量が変化するので、この変位量を制御することにより、入力光を任意の光強度に減衰させて出力することができる、
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、このような減衰量可変の光減衰器においては次のような問題点があった。
光ファイバーやミラー等を動作させるために、マイクロメーターや電磁駆動のアクチュエーター等が必要となるが、それらの部品は大きく、光通信で求められている大容量、多チャンネル化を妨げる要因となっている。
【０００７】
また、多チャンネルの光信号を扱うために、複数の光減衰器を集積化する場合、個々の光減衰器にマイクロメーターや電磁駆動のアクチュエーター等が必要となり、装置全体が大型化、複雑化してしまう。
【０００８】
本発明は上述した問題点を解決するためになされたものであり、マイクロメーターやアクチュエーター等の大型な駆動部を使用することなく、小型で集積化可能な減衰量可変の光減衰器及び光減衰器アレイを実現することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明の請求項１においては、入力光を減衰させて出力光として出力する光減衰器において、一方の面に溝部が形成された基板と、一端から前記入力光が入力され他端から出力されると共に一端が前記基板上に固定され他端が前記溝部上に配置されるように設けられる第一導波路と、一端が前記溝部上で前記第一導波路の他端に対向配置されて前記第一導波路から出力された光が一端から入力し他端が前記基板上に固定され前記出力光が他端から出力されるように設けられる第二導波路と、前記第一導波路の他端及び前記第二導波路の一端の少なくとも一方を変位させる駆動手段、とを具備し、前記駆動手段により前記第一導波路の他端及び前記第二導波路の一端の少なくとも一方に駆動力を与えて対向する前記第一導波路の他端と前記第二導波路の他端の位置をずらすことにより、前記入力光を減衰させて前記出力光として出力することを特徴とする光減衰器である。
【００１０】
本発明の請求項２においては、請求項１記載の光減衰器において、前記第一導波路及び前記第二導波路は、ＳｉまたはＳｉ化合物からなるコアとこのコアを囲みＳｉまたはＳｉ化合物からなりコアよりも屈折率の小さいクラッドとを具備し、前記駆動手段は、前記クラッド上に設けられた可動電極と前記溝部の底部に設けられた固定電極とを具備し、前記駆動力は、前記可動電極と前記固定電極との間に電圧を印加することにより発生する静電力であることを特徴とする光減衰器である。
【００１１】
本発明の請求項３においては、請求項１記載の光減衰器において、前記第一導波路及び前記第二導波路は、ＳｉまたはＳｉ化合物からなるコアとこのコアを囲みＳｉまたはＳｉ化合物からなりコアよりも屈折率の小さいクラッドとを具備し、前記駆動手段は、前記クラッド上に設けられた可動電極または前記クラッド上に設けられたバイモルフ及び可動電極を具備し、前記駆動力は、前記可動電極に通電することにより発生する熱応力であることを特徴とする光減衰器である。
【００１２】
本発明の請求項４においては、請求項１記載の光減衰器において、前記基板に前記第一導波路及び前記第二導波路に接続するための光ファイバを固定する固定溝を設けたことを特徴とする光減衰器である。
【００１３】
本発明の請求項５においては、請求項１から請求項４のいずれかに記載の光減衰器が同一基板上に複数個設けられたことを特徴とする光減衰器アレイである。
【００１４】
本発明の請求項６においては、入力光を減衰させて出力光として出力する光減衰器において、一方の面に溝部が形成された基板と、一端から前記入力光が入力され他端から前記出力光が出力され両端が前記基板上に固定され本体が溝部上に変位可能に配置される導波路と、前記溝部の底部に設けられる漏洩用導波路と、前記導波路の本体を前記漏洩用導波路の方向に変位させる駆動手段、とを具備し、前記駆動手段により前記導波路を駆動して前記漏洩用導波路に接触させ前記導波路内の光を前記漏洩用導波路に漏洩させ、前記導波路と前記漏洩用導波路の接触長に応じて前記入力光を減衰させて前記出力光として出力することを特徴とする光減衰器である。
【００１５】
本発明の請求項７においては、請求項６記載の光減衰器において、前記導波路及び前記漏洩用導波路はＳｉまたはＳｉ化合物からなり、前記駆動手段は、前記導波路上に設けられた可動電極と前記漏洩用導波路の下部に設けられた固定電極とを具備し、前記駆動力は、前記可動電極と前記固定電極との間に電圧を印加することにより発生する静電力であることを特徴とする光減衰器である。
【００１６】
本発明の請求項８においては、請求項６記載の光減衰器において、前記導波路及び前記漏洩用導波路はＳｉまたはＳｉ化合物からなり、前記駆動手段は、前記導波路上に設けられた可動電極または前記導波路上に設けられたバイモルフ及び可動電極を具備し、前記駆動力は、前記可動電極に通電することにより発生する熱応力であることを特徴とする光減衰器である。
【００１７】
本発明の請求項９においては、請求項６記載の光減衰器において、前記基板に前記第一導波路及び前記第二導波路に接続するための光ファイバを固定する固定溝を設けたことを特徴とする光減衰器である。
【００１８】
本発明の請求項１０においては、請求項６から請求項９のいずれかに記載の光減衰器が同一基板上に複数個設けられたことを特徴とする光減衰器アレイである。
【００１９】
【発明の実施の形態】
次に、本発明の実施例について図面を用いて説明する。
図１は本発明による光減衰器の構成を示す図である
図１において、光減衰器は、Ｓｉ基板１上に、第一導波路２、第二導波路３、光ファイバ４，５が設けられて構成されている。
【００２０】
第一導波路２は、コア２ａとこのコア２ａを囲みコア２ａよりも屈折率の小さいクラッド２ｂとからなり、同様に第二導波路３は、コア３ａとこのコア３ａを囲みコア３ａよりも屈折率の小さいクラッド３ｂとから構成されている。
【００２１】
例えば、コア２ａ，３ａの屈折率をｎ３、クラッド２ｂ，３ｂの屈折率をｎ４とすると、例えばｎ３に対してｎ４が０．１％から１％程度小さい（例えばｎ３＝１．５、ｎ４＝１．４８）場合に、コア２ａ，３ａ内に光が閉じ込められて第一導波路２及び第二導波路３は光導波路として機能する。
【００２２】
コア２ａ，３ａ、クラッド２ｂ，３ｂの材料は、例えば単結晶Ｓｉ（屈折率約３．４）、多結晶Ｓｉ（屈折率約３．４）、またはＳｉＮ（屈折率約２．０）等のＳｉ化合物から選択され、これらの材料の屈折率の値は、成膜条件を制御することにより光導波路として機能するための屈折率となるように調整することが可能である。
【００２３】
Ｓｉ基板１にはエッチングにより溝部１ａが形成されており、第一導波路２の一方の端部２ｃはＳｉ基板１上の溝部１ａの縁に固定されて他方の端部２ｄは溝部１ａ上に配置され、第一導波路２は片持ち梁状にＳｉ基板１に固定されている。
【００２４】
第二導波路３の一方の端部３ｃは溝部１ａ上で第一導波路２の端部２ｄに対向配置され、他方の端部３ｄがＳｉ基板１上の溝部１ａの縁に固定されており、第二導波路３は片持ち梁状にＳｉ基板１に固定されている。
【００２５】
そして、第二導波路３と対向する溝部１ａの底部には例えば不純物が高濃度にドープされて固定電極６が形成されている。
また、第二導波路３のクラッド３ｂ上にはアルミ、金、クロム、チタン、白金等の金属がパターニングされて可動電極７が形成されている。
尚、第二導波路３のクラッド３ｂがＳｉの場合は、クラッド３ｂに不純物を高濃度にドープして可動電極を形成するようにしても良い。
【００２６】
そして、Ｓｉ基板１の第一導波路２及び第二導波路３が固定される縁には、例えばＶ字状の固定溝１ｂ，１ｃが形成されており、固定溝１ｂ，１ｃにはそれぞれ光ファイバー４，５が固定されている。
光ファイバー４，５はそれぞれコア４ａ，５ａ、クラッド４ｂ，５ｃから構成されている。
【００２７】
この場合、固定溝１ｂは、固定溝１ｂに光ファイバー４を固定することにより、光ファイバ４のコア４ａと第一導波路２のコア２ａとが同軸上に並ぶように、光ファイバー４のクラッド４ｂの径に合わせてその深さ、Ｖ字角度等の形状が予め設計されて形成されている。
【００２８】
同様に、固定溝１ｃは、固定溝１ｃに光ファイバー５を固定することにより、光ファイバ５のコア５ａと第二導波路３のコア３ａとが同軸上に並ぶように、予め光ファイバー５のクラッド５ｂの径に合わせてその深さ、Ｖ字角度等の形状が設計されて形成されている。
【００２９】
次に、図１に示した光減衰器の動作を説明する。
光ファイバー４の一端から入力された入力光は、光ファイバー４の他端に接続された第一導波路２を通り、さらに、所定の結合効率で第一導波路２に対向配置される第二導波路３に入射され、第二導波路３に接続された光ファイバー５から出力光として出力される。
【００３０】
そして、図２に示すように、固定電極６と可動電極７の間に駆動電圧を印加すると、両電極間に静電引力が加わり、第二導波路３の端部３ｃは溝部１ａの方向に変位する。
結果として、対向する第一導波路２の端部２ｄと第二導波路３の端部３ｃの位置がずれるので、第一導波路２から第二導波路３への光結合効率が低下するので、入力光は減衰されて出力光として出力される。
【００３１】
そして、駆動電圧の大きさを制御して第一導波路２の端部２ｄと第二導波路３の端部３ｃの位置のずれの大きさを制御することにより、入力光の減衰量を制御することができる。
【００３２】
このような光減衰器を動作させる場合は、マイクロメーターや電磁駆動のアクチュエーター等を必要としないため、光減衰器を小型化させることができる。
【００３３】
次に、本発明の他の実施例について説明する。
尚、以下の図面において、図１と重複する部分は同一番号を付してその説明は適宜に省略する。
図３は、バイメタル効果による熱応力を駆動力とした光減衰器の構成を示す断面図である。
【００３４】
図３において、光減衰器は、図１に示した光減衰器の第二導波路３のクラッド３ｂ上に金属やＳｉ材料を用いたバイモルフ８が設けられ、このバイモルフ８上にバイモルフ８と熱膨張係数の異なる可動電極７が設けられると共に、固定電極が取り除かれて構成されている。
尚、バイモルフ８を設けずに、クラッド３ｂ上に直接、可動電極７を設けるようにしても良い。
【００３５】
バイモルフは、例えばその構造体に通電することにより、その構造体の熱膨張係数の差によって変形する性質をもったものである。
【００３６】
図３において、可動電極７に通電すると、可動電極７の温度が上昇し、可動電極７とバイモルフ８の間、バイモルフ８を設けない場合は可動電極７とクラッド３ｂとの間に熱応力が発生し、図４に示すように第二導波路３は溝部１ａの方向に、または溝部１ａと反対方向に変位する。
【００３７】
結果として、対向する第一導波路２の端部２ｄと第二導波路３の端部３ｃの位置がずれるので、第一導波路２から第二導波路３への光結合効率が低下し、入力光は減衰されて出力光として出力される。
【００３８】
そして、駆動する電力の大きさを制御して第一導波路２の端部２ｄと第二導波路３の端部３ｃの位置のずれの大きさを制御することにより、入力光の減衰量を制御することができる。
【００３９】
図５は、光を漏洩させて光減衰効果を得るようにした光減衰器の構成を示す断面図である。
図５において、光減衰器は、Ｓｉ基板１上に、導波路９、漏洩用導波路１０、光ファイバ４，５が設けられて構成されている。
【００４０】
導波路９の一方の端部９ａ及び他方の端部９ｂはＳｉ基板１上の溝部１ａの縁に固定され、導波路９は両持ち梁状にＳｉ基板１に固定されている。
【００４１】
導波路９は、例えば単結晶Ｓｉ（屈折率約３．４）、多結晶Ｓｉ（屈折率約３．４）、またはＳｉＮ（屈折率約２．０）等のＳｉ化合物からなっている。
例えば、コアをＳｉ（屈折率＝３．４）とした場合、溝部１ａを満たしている空気の屈折率は１であり導波路９の屈折率よりも小さいので、導波路９内に光が閉じ込められて光導波路として機能する。
【００４２】
そして、導波路９と対向する溝部１ａの底部には、例えばＳｉＯ２等のＳｉ化合物からなる漏洩用導波路１０が形成されている。
この漏洩用導波路１０は、例えばＳＯＩ基板のＳｉ基板とＳｉ活性層との間に設けられた絶縁層を利用して作成することが可能である。
【００４３】
そして、漏洩用導波路１０の下部には、例えば不純物が高濃度にドープされて固定電極１１が形成され、導波路９の上部にはアルミ、金、クロム、チタン、白金等の金属がパターニングされて可動電極１２が形成されている。
尚、導波路９がＳｉの場合は、導波路９に不純物を高濃度にドープして可動電極を形成するようにしても良い。
【００４４】
そして、光ファイバ４、５は、コア４ａ，５ａと導波路９とが同軸上に並ぶように、固定溝１ｂ、１ｃにそれぞれ固定されている。
【００４５】
次に、図５に示した光減衰器の動作を説明する。
光ファイバー４の一方の端部に入力された入力光は、光ファイバー４の他方の端部に一方の端部９ａが接続された導波路９を通り、導波路９の他の端部９ｂに接続された光ファイバー５から出力光として出力される。
【００４６】
そして、図６に示すように、固定電極１１と可動電極１２の間に駆動電圧を印加すると、両電極間に静電引力が加わり、導波路９は溝部１ａの方向に変位して漏洩用導波路１０に接触する。
【００４７】
導波路９と漏洩用導波路１０が接触することにより、導波路９内の光の一部が漏洩用導波路１０に漏洩するので、導波路９内の光が減衰されて出力光として出力される。
【００４８】
そして、漏洩用導波路１０に漏洩する光量は導波路９と漏洩用導波路１０との接触長が長くなるにしたがって増加し、出力光の光量が減少する。
したがって、駆動電圧を制御して導波路９と漏洩用導波路１０との接触長を制御することにより、入力光の減衰量を制御することができる。
【００４９】
図７は、バイメタル効果による熱応力を駆動力とし、光を漏洩させて光減衰効果を得るようにした光減衰器の構成を示す断面図である。
尚、図５と重複する部分は同一番号を付してその説明は適宜に省略する。
【００５０】
図７において、光減衰器は、図５に示した光減衰器の導波路９上に金属やＳｉ材料を用いたバイモルフ１３が設けられ、このバイモルフ１３上にバイモルフ１３と熱膨張係数の異なる可動電極１２が設けられると共に、固定電極が取り除かれて構成されている。
尚、バイモルフ１３を設けずに、導波路９上に直接、可動電極１２を設けるようにしても良い。
【００５１】
図７において、可動電極１２に通電すると、可動電極１２の温度が上昇し、可動電極１２とバイモルフ１３の間、バイモルフ１３を設けない場合は可動電極１２と導波路９との間に熱応力が発生し、図８に示すように導波路９は溝部１ａの方向に変位する。
【００５２】
そして、導波路９と漏洩用導波路１０とを接触させることにより、導波路９から漏洩用導波路１０へ光が漏洩するので、入力光は減衰されて出力光として出力される。
【００５３】
そして、駆動する電力の大きさを制御して導波路９と漏洩用導波路１０の接触長を制御することにより、入力光の減衰量を制御することができる。
【００５４】
次に、上述のような光減衰器を使用した光減衰器アレイについて説明する。
図９は、本発明による光減衰器アレイの上面図であり、図３に示した光減衰器をアレイ化したものである。
尚、以下の図面において、図３と重複する部分は同一番号を付してその説明は適宜に省略する。
【００５５】
図９において、光減衰器アレイ２０は、複数の光減衰器２１ａ，２１ｂ，２１ｃ，２１ｄ，２１ｅが同一のＳｉ基板２２上に並列に形成されて構成されている。
【００５６】
図３に示した光減衰器は半導体製造技術によって作成されるので、一つの製造プロセスにおいて光減衰器を複数個並列にＳｉ基板に形成することにより、図９に示すような光減衰器アレイ２０を容易に作製することができる。
【００５７】
尚、図９においては、一例として図３に示した光減衰器をアレイ化したものを示したが、図１、図５、図７に示した光減衰器についても半導体製造技術によって作成されるので、同様に同一基板上にアレイ化することが可能である。
【００５８】
また、このような光減衰器アレイにおいては、個々の光減衰器にマイクロメーターや電磁駆動のアクチュエーター等を必要とすることがないため、装置全体を小型化することができる。
【００５９】
図１０は、図９に示した光減衰器アレイの使用例を示す構成図である。
図１０において、波長フィルター３０は、入力光を複数の波長の光信号に分割し、複数のアンプ３１ａ，３１ｂ，３１ｃ，３１ｄは分割された光信号をそれぞれ個別に増幅する。
そして、光減衰器アレイ２０のそれぞれのチャンネルには、アンプ３１ａ，３１ｂ，３１ｃ，３１ｄにより増幅された光信号が入力される。
【００６０】
制御回路３２は光減衰器アレイ２０に接続されており、それぞれのチャンネルに対応する光減衰器を個別に制御することにより、所望の光減衰量となるように各入力光を減衰させて出力させる。
光量モニター３３は光減衰器アレイ２０に接続されており、チャンネル毎に減衰されて出力された光信号の光量をモニターする。
【００６１】
光通信の分野において、多チャンネルの各光信号の強度をそろえる必要がある場合、光量モニター３３により各チャンネルの出力信号の強度（光量）をモニターし、各チャンネル間の光量が等しくなるように制御回路３２によって光減衰器アレイ２０の個々の光減衰器を制御する。
【００６２】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、半導体基板に光導波路を形成して静電力または熱応力によって、光結合効率または漏洩する光量を制御するようにしたので、マイクロメーターやアクチュエーター等の大型な駆動部を使用することなく、小型で集積化可能な減衰量可変の光減衰器を実現することができる。
【００６３】
また、本発明によれば、光減衰器を半導体製造技術によって半導体基板上に作製するので、同一半導体基板上に複数の光減衰器を集積させることができ、マイクロメーターやアクチュエーター等の大型な駆動部を使用することのない減衰量可変の光減衰器アレイを容易に実現することができる。
【００６４】
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による光減衰器の構成を示す断面図である。
【図２】図１に示した光減衰器の動作を説明するための図である。
【図３】バイメタル効果による応力を駆動力とした光減衰器の構成を示す断面図である。
【図４】図３に示した光減衰器の動作を説明するための図である。
【図５】光を漏洩させて光減衰効果を得るようにした光減衰器の構成を示す断面図である。
【図６】図５に示した光減衰器の動作を説明するための図である。
【図７】バイメタル効果による応力を駆動力とし光を漏洩させて光減衰効果を得るようにした光減衰器の構成を示す断面図である。
【図８】図７に示した光減衰器の動作を説明するための図である。
【図９】本発明による光減衰器アレイの構成を示す上面図である。
【図１０】光減衰器アレイの使用例を示す図である。
【図１１】従来の光減衰器の構成概略図である。
【図１２】従来の光減衰器の構成概略図である。
【符号の説明】
１  Ｓｉ基板
１ａ  溝部
１ｂ，１ｃ  固定溝
２  第一導波路
２ａ  コア
２ｂ  クラッド
２ｃ，２ｄ  端部
３  第二導波路
３ａ  コア
３ｂ  クラッド
３ｃ，３ｄ  端部
４，５  光ファイバー
６  固定電極
７  稼動電極
９  導波路
９ａ，９ｂ  端部
１０  漏洩用導波路
１１  固定電極
１２  可動電極
２０  光減衰器アレイ
２１ａ，２１ｂ，２１ｃ，２１ｄ，２１ｅ  光減衰器
２２  Ｓｉ基板
【図１】
2004317642.tif 000003
【図２】
2004317642.tif 000004
【図３】
2004317642.tif 000005
【図４】
2004317642.tif 000006
【図５】
2004317642.tif 000007
【図６】
2004317642.tif 000008
【図７】
2004317642.tif 000009
【図８】
2004317642.tif 000010
【図９】
2004317642.tif 000011
【図１０】
2004317642.tif 000012
【図１１】
2004317642.tif 000013
【図１２】
2004317642.tif 000014