(57)【要約】【課題】ラビング処理において配向膜の剥離を防止し、製品不良率の低減を図る。【解決手段】ＴＦＴ基板１０上に形成した複数の画素電極を配列してなる画素領域１０ａ以外の非画素領域であるＴＦＴ基板１０の外周に、配向膜１６に対し、配向膜１６に対して親和性を有する凸部１０ｂを複数形成し、凸部１０ｂにより配向膜１６を強固に密着させる。凸部１０ｂにより配向膜１６を強固に密着させることで、ラビング処理を行う際にラビングロール１１２からの摩擦力を受けても、配向膜１６の剥離を防止することができる。【選択図】図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に複数の画素電極を配列してなる画素領域を有し、
上記基板上に配向膜を設けた液晶装置用基板において、
上記基板上の非画素領域と上記配向膜との間に配向膜密着部材を介装したことを特徴とする液晶装置用基板。
【請求項２】
上記配向膜密着部材が複数の凸部で構成されていることを特徴とする請求項１記載の液晶装置用基板。
【請求項３】
上記配向膜密着部材が上記非画素領域の全面に形成されていることを特徴とする請求項１記載の液晶装置用基板。
【請求項４】
上記配向膜密着部材が上記配向膜に対して親和性を有していることを特徴とする請求項１〜３の何れか一項に記載の液晶装置用基板。
【請求項５】
基板上に複数の画素電極を配列してなる画素領域を有し、
上記画素領域を含む上記基板上に配向膜を設けた液晶装置用基板において、
上記基板上の非画素領域に上記画素領域よりも低い段差部を設けたことを特徴とする液晶装置用基板。
【請求項６】
上記段差部が上記配向膜にラビング処理を施す際のラビングロールが非接触或いは弱い摩擦力で接触する深さに形成されていることを特徴とする請求項５記載の液晶装置用基板。
【請求項７】
上記段差部が上記基板を切削して形成されることを特徴とする請求項５或いは６記載の液晶装置用基板。
【請求項８】
上記段差部が該段差部の周囲を積層して形成されることを特徴とする請求項５或いは６記載の液晶装置用基板。
【請求項９】
上記段差部が該段差部の周囲の配線パターンにより形成されることを特徴とする請求項５或いは６記載の液晶装置用基板。
【請求項１０】
基板上に複数の画素電極を配列してなる画素領域を形成する工程と、
上記基板上の非画素領域に配向膜密着部材を形成する工程と、
上記基板上に配向膜を形成する工程と、
上記配向膜にラビング処理を施す工程と
を備えることを特徴とする液晶装置用基板の製造方法。
【請求項１１】
上記配向膜密着部材はパターニングにより形成したことを特徴とする請求項１０記載の液晶装置用基板の製造方法。
【請求項１２】
上記配向膜密着部材はスクリーン印刷により形成したことを特徴とする請求項１０記載の液晶装置用基板の製造方法。
【請求項１３】
上記配向膜密着部材は上記配向膜に対して親和性を有する材料を用いて形成したことを特徴とする請求項１０〜１２の何れか一項に記載の液晶装置用基板の製造方法。
【請求項１４】
基板上に複数の画素電極を配列してなる画素領域を形成する工程と、
上記基板上の非画素領域に上記画素領域よりも低い段差部を切削する工程と、
上記基板上の上記画素領域を含む領域に配向膜を形成する工程と、
上記配向膜にラビング処理を施す工程と
を備えることを特徴とする液晶装置用基板の製造方法。
【請求項１５】
基板上の少なくとも画素領域に対応する部位を積層して非画素領域に該画素領域よりも低い段差部を形成する工程と、
上記基板上の上記画素領域に対応する部位に複数の画素電極を形成する工程と、
上記基板上に配向膜を形成する工程と、
上記配向膜にラビング処理を施す工程と
を備えることを特徴とする液晶装置用基板の製造方法。
【請求項１６】
上記段差部が上記ラビング処理を施す際にラビングロールが非接触或いは弱い摩擦力で接触する深さに形成されることを特徴とする請求項１３或いは１４記載の液晶装置用基板の製造方法。
【請求項１７】
請求項１〜９の何れか一項に記載の液晶装置用基板を用いて構成したことを特徴とする液晶装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ラビング工程において発生する配向膜の剥がれを防止する液晶装置用基板及びその製造方法並びに液晶装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
液晶ライトバルブ等の液晶装置は、ガラス基板、石英基板等の２枚の基板間に液晶を封入して構成される。このような液晶装置は、一方の基板に、例えば薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）をマトリクス状に配置し、他方の基板に対向電極を配置して、両基板間に封止した液晶層の光学特性を画像信号に応じて変化させることで、画像表示を可能にする。
【０００３】
液晶層の光学特性は、液晶層に映像信号に基づく電圧を印加して、液晶分子の配列を変化させることで制御する。電圧無印加時の液晶分子の配列を規定するために、一方の基板（アクティブマトリクス基板）及び他方の基板（対向基板）の液晶層に接する面上に配向膜を形成し、この配向膜にラビング処理を施す。
【０００４】
すなわち、配向膜は、例えばポリイミド（ＰＩ）等の有機膜を約数十ナノメーターの膜厚で両基板の面上に形成したものであり、配向膜によって液晶分子を基板面に沿って配向処理することができる。更に、配向膜表面にラビング処理を施すことで、配向膜を配向異方性の膜にして液晶分子の配列を規定する。
【０００５】
具体的なラビング方法としては、先ず、ラビング装置のステージ上にポリイミド膜を有する基板をポリイミド膜を上にして配置する。次いで、ロールの周りにラビング布が取り付けられたラビングロールをポリイミド膜と接するように配置し、ラビングロールを回転させ、ラビングロールとステージとを相対移動させて、ポリイミド膜を擦ることにより、ラビング処理された配向膜を形成する。尚、ラビング方法については、特許文献１等に開示されている。
【０００６】
【特許文献１】
特開２００２−１５６６３６号公報
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、ラビング処理は基板全体に行うが、ラビング処理の際に配向膜の密着性が弱い部分は剥離して、画素領域内に再付着する場合がある。配向膜の密着性は対向する基板や画素電極等との親和性や表面の凹凸により左右される。すなわち、画素領域においては、複数の画素電極によって、基板表面に凹凸が形成されるために、それがアンカ効果となって配向膜を強固に保持しているが、非画素領域は、表面に凹凸が少ないためにアンカ効果が期待できず、しかも、その表面が配向膜に対して非親和性を有している場合は、密着性が弱く剥離し易くなる。
【０００８】
密着性の弱い部分で剥離した配向膜が画素領域内で再付着すると、配向膜の付着した部分では表面特性が他の部分と異なり、液晶を接触させた場合に液晶分子の配列構成が乱されて異常配向部ができてしまうため、製品不良となる。
【０００９】
本発明はかかる問題点に鑑みてなたれたものであって、ラビング処理において配向膜の剥離を未然に防止し、製品不良率の低減を実現することのできる液晶装置用基板及びその製造方法並びに液晶装置を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明は、基板上に複数の画素電極を配列してなる画素領域を有し、上記基板上に配向膜を設けた液晶装置用基板において、上記基板上の非画素領域と上記配向膜との間に配向膜密着部材を介装したことを特徴とする。
【００１１】
このような構成では、基板上の比較的平坦な非画素領域と配向膜との間に配向膜密着部材を介装することで、配向膜の密着性が良好となり、ラビング処理を施す際の配向膜の剥離を未然に防止することができる。
【００１２】
この場合、上記配向膜密着部材を複数の凸部で構成することで、凸部と基板との段差を利用して、配向膜をアンカ効果により強固に密着させることができる。
【００１３】
又、上記配向膜密着部材を上記非画素領域の全面に形成することで、配向膜の密着性を高めることができる。
【００１４】
又、上記配向膜密着部材を上記配向膜に対して親和性を有する材質とすることで、配向膜のより高い密着性を得ることができる。
【００１５】
本発明は、基板上に複数の画素電極を配列してなる画素領域を有し、上記画素領域を含む上記基板上に配向膜を設けた液晶装置用基板において、上記基板上の非画素領域に上記画素領域よりも低い段差部を設けたことを特徴とする。
【００１６】
このような構成では、基板上の非画素領域に画素領域よりも低い段差部を設けたことで、段差部に設けられる配向膜は画素領域に設けられる配向膜よりも一段低くなるため段部に設けた配向膜に対するラビングロールが非接触或いは弱い摩擦力で接触するため、配向膜の剥離を未然に防止することができる。
【００１７】
この場合、上記段差部が上記配向膜にラビング処理を施す際のラビングロールが非接触或いは弱い摩擦力で接触する深さに形成することで、ラビングロールが非接触状態となる位置或いは配向膜が剥離しない程度の弱い摩擦力を一義的に設定することができる。
【００１８】
又、上記段差部を、上記基板の切削により形成することで、基板上の他の構成部品に対応する部位を切削する工程に続けて行うことができるため、作業効率が良くなる。
【００１９】
又、上記段差部を該段差部の周囲を積層して形成することで、他の構成を積層工程に続けて行うことができるため、作業効率が向上する。
【００２０】
又、上記段差部を該段差部の周囲に形成した配線パターンにより形成することで、段差部を特別に形成する工程が不要となり、作業工程を短縮させることができ、生産効率が向上する。
【００２１】
本発明による液晶装置用基板の製造方法は、基板上に複数の画素電極を配列してなる画素領域を形成する工程と、上記基板上の非画素領域に配向膜密着部材を形成する工程と、上記基板上に配向膜を形成する工程と、上記配向膜にラビング処理を施す工程とを備えることを特徴とする。
【００２２】
このような構成では、先ず、基板上に複数の画素電極を配列してなる画素領域を形成し、次いで、基板上の非画素領域に配向膜密着部材を形成し、その後、基板上に配向膜を形成する。そして、配向膜にラビング処理を施す。ラビング処理の際に、非画素領域上の配向膜がラビングロールにより擦られても、配向膜が配向膜密着部材を介して密着されているため、配向膜の剥離を未然に防止することができる。
【００２３】
この場合、上記配向膜密着部材をパターニングにより形成することで、配向膜部材の成形が容易となる。
【００２４】
又、上記配向膜密着部材をスクリーン印刷により形成することで、配向膜密着部材を簡単に形成することができる。
【００２５】
又、上記配向膜密着部材を上記配向膜に対して親和性を有する材料を用いて形成することで、配向膜のより高い密着性を得ることができる。
【００２６】
本発明による液晶装置用基板の製造方法は、基板上に複数の画素電極を配列してなる画素領域を形成する工程と、上記基板上の非画素領域に上記画素領域よりも低い段差部を切削する工程と、上記基板上の上記画素領域を含む領域に配向膜を形成する工程と、上記配向膜にラビング処理を施す工程とを備えることを特徴とする。
【００２７】
このような構成では、先ず、基板上に複数の画素電極を配列してなる画素領域を形成する。次いで、基板上の非画素領域に上記画素領域よりも低い段差部を切削し、その後、基板上の上記画素領域を含む領域に配向膜を形成する。そして、配向膜にラビング処理を施す。ラビング処理の際に、画素領域よりも低い段差部ではラビングロールが配向膜に対して非接触或いは弱い摩擦力で接触するため、配向膜の剥離を未然に防止することができる。
【００２８】
本発明による液晶装置用基板の製造方法は、基板上の少なくとも画素領域に対応する部位を積層して非画素領域に該画素領域よりも低い段差部を形成する工程と、上記基板上の上記画素領域に対応する部位に複数の画素電極を形成する工程と、上記基板上に配向膜を形成する工程と、上記配向膜にラビング処理を施す工程とを備えることを特徴とする。
【００２９】
このような構成では、先ず、基板上の少なくとも画素領域に対応する部位を積層して非画素領域に該画素領域よりも低い段差部を形成する。次いで、基板上の画素領域に対応する部位に複数の画素電極を形成する。その後、基板上に配向膜を形成する。そして、配向膜にラビング処理を施す。ラビング処理の際に、画素領域よりも低い段差部ではラビングロールが配向膜に対して非接触或いは弱い摩擦力で接触するため、配向膜の剥離を未然に防止することができる。
【００３０】
この場合、上記段差部が上記ラビング処理を施す際にラビングロールが非接触或いは弱い摩擦力で接触する深さに形成することで、ラビングロールが非接触状態となる位置或いは配向膜が剥離しない程度の弱い摩擦力を一義的に設定することができる。
【００３１】
本発明による液晶装置は、上記液晶装置用基板を用いて構成したことを特徴とする。
【００３２】
このような構成では、配向膜の密着性が良好であるため、ラビング処理を施す際の配向膜の剥離を未然に防止することができる装置を得ることができる。
【００３３】
【発明の実施の形態】
以下、図面に基づいて本発明の一実施の形態を説明する。
【００３４】
（第１実施の形態）
図１〜図７に本発明の第１実施の形態を示す。図１は液晶装置用基板を用いて構成した液晶装置をその上に形成された各構成要素と共に対向基板側から見た平面図、図２は素子基板と対向基板とを貼り合わせて液晶を封入する組立工程終了後の液晶装置を、図１のＨ−Ｈ’線の位置で切断して示す断面図、図３は図１及び図２の液晶装置用基板の画素領域を構成する複数の画素における各種素子、配線等の等価回路図、図４は画素領域を構成する各画素の概略構成図、図５は配向膜となるポリイミドを塗布する前の液晶装置用基板の平面図、図６は図４のＩ−Ｉ’線で切断した部位に相当するラビング工程時におけるＴＦＴ基板の要部拡大断面図、図７はラビング装置を示す模式図である。
【００３５】
先ず、図１〜図４を参照して本実施の形態で採用する液晶装置用基板を用いて構成した液晶装置の全体構成について説明する。
【００３６】
図１、図２に示すように、液晶装置は、例えば、石英基板、ガラス基板、シリコン基板からなるＴＦＴ基板１０と、これに対向配置される、例えばガラス基板や石英基板からなる対向基板２０との間に液晶５０を封入して構成される。対向配置されたＴＦＴ基板１０と対向基板２０とは、シール材５２によって貼り合わされている。
【００３７】
ＴＦＴ基板１０上には画素を構成する画素電極（ＩＴＯ）９ａ等がマトリクス状に配置される。又、対向基板２０上には全面に対向電極（ＩＴＯ）２１が設けられる。ＴＦＴ基板１０上には、ラビング処理が施された配向膜１６が、全面に渡って積層されている。一方、対向基板２０上に形成された対向電極２１上にも、ラビング処理が施された配向膜２２が全面に渡って積層されている。各配向膜１６，２２は、ポリイミド系の高分子樹脂からなる透明な有機膜で構成されている。
【００３８】
一方、図３に示すように、ＴＦＴ基板１０上の画素領域１０ａにおいては、複数本の走査線１１ａと複数本のデータ線６ａとが交差するように配線され、走査線１１ａとデータ線６ａとで区画された領域に画素電極９ａがマトリクス状に配置される。そして、走査線１１ａとデータ線６ａの各交差部分に対応してＴＦＴ３０が設けられ、このＴＦＴ３０に画素電極９ａが接続される。
【００３９】
ＴＦＴ３０は走査線１１ａのＯＮ信号によってオンとなり、これにより、データ線６ａに供給された画像信号が画素電極９ａに供給される。この画素電極９ａと対向基板２０に設けられた対向電極２１との間の電圧が液晶５０に印加される。又、画素電極９ａと並列に蓄積容量７０が設けられており、蓄積容量７０によって、画素電極９ａの電圧はソース電圧が印加された時間よりも例えば３桁も長い時間の保持が可能となる。蓄積容量７０によって、電圧保持特性が改善され、コントラスト比の高い画像表示が可能となる。
【００４０】
図４に示すように、画素電極９ａは、ＴＦＴ基板１０上に、マトリクス状に複数設けられており、ＴＦＴ基板１０の表面は、画素電極９ａの膜厚によって凹凸が形成されている。又、画素電極９ａの縦横の境界に各々沿ってデータ線６ａ及び走査線１１ａが設けられている。データ線６ａは、アルミニウム膜等を含む積層構造からなり、走査線１１ａは、例えば導電性のポリシリコン膜等からなる。
【００４１】
走査線１１ａとデータ線６ａとの交差する箇所にはそれぞれ、走査線１１ａに接続されたゲート電極とチャネル領域（何れも図示せず）とが対向配置されて画素スイッチング用のＴＦＴ３０が構成されている。尚、図示しないが、ＴＦＴ基板１０上には、ＴＦＴ３０や画素電極９ａの他、これらを含む各種の構成が積層構造をなして備えられている。
【００４２】
又、図１、図２に示すように、対向基板２０には画素領域１０ａやや内周に設定されている表示領域を区画する額縁としての遮光膜５３が設けられている。対向基板２０の全面には、上述したように、ＩＴＯ等の透明導電性膜が対向電極２１として形成され、更に、対向電極２１の全面にはポリイミド系の配向膜２２が形成される。配向膜２２は、液晶分子に所定のプレティルト角を付与するように、所定方向にラビング処理が施されている。
【００４３】
画素領域１０ａの領域には液晶を封入するシール材５２が、ＴＦＴ基板１０と対向基板２０間に形成されている。シール材５２は対向基板２０の輪郭形状に略一致するように配置され、ＴＦＴ基板１０と対向基板２０を相互に固着する。シール材５２は、ＴＦＴ基板１０の１辺の一部において欠落しており、貼り合わされたＴＦＴ基板１０及び対向基板２０相互の間隙には、液晶５０を注入するための液晶注入口１０８が形成される。液晶注入口１０８より液晶が注入された後、液晶注入口１０８を封止材１０９で封止する。
【００４４】
シール材５２の外側の領域には、データ線６ａに画像信号を所定のタイミングで供給することにより該データ線６ａを駆動するデータ線駆動回路１０１及び外部回路との接続のための外部接続端子１０２がＴＦＴ基板１０の一辺に沿って設けられている。この一辺に隣接する二辺に沿って、走査線１１ａ及びゲート電極３ａに走査信号を所定のタイミングで供給することによりゲート電極３ａを駆動する走査線駆動回路１０４が設けられている。走査線駆動回路１０４は、シール材５２の内側の遮光膜５３に対向する位置においてＴＦＴ基板１０上に形成される。又、ＴＦＴ基板１０上には、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４、外部接続端子１０２及び上下導通端子１０７を接続する配線１０５が、遮光膜５３の３辺に対向して設けられている。
【００４５】
上下導通端子１０７は、シール材５２のコーナー部の４箇所のＴＦＴ基板１０上に形成される。そして、ＴＦＴ基板１０と対向基板２０相互間には、下端が上下導通端子１０７に接触し、上端が対向電極２１に接触する上下導通材１０６が設けられており、上下導通材１０６によって、ＴＦＴ基板１０と対向基板２０との間で電気的な導通がとられている。
【００４６】
更に、ＴＦＴ基板１０の画素領域１０ａ及び複数の外部接続端子１０２が配列されている領域以外の領域（以下、「非画素領域」と称する）を構成する外縁部に、ＴＦＴ基板１０の表面に配向膜密着部材としての凸部１０ｂが所定間隔毎に複数形成されている。凸部１０ｂは、ＴＦＴ基板１０に対する配向膜１６の密着性を高めるためにＴＦＴ基板１０の表面に段差を形成するもので、更に、配向膜１６の材料であるポリイミドに対して親和性を有する材質を有している。尚、親和性を有する材質としては、ＩＴＯ以外に、Ａｌ（アルミニュウム），Ｗ（タングステン），ＳｉＯ２（酸化シリコン）等がある。
【００４７】
この凸部１０ｂは、例えば、ＴＦＴ基板１０の表面に、凸部１０ｂを形成するための薄膜を上述した親和性を有する材質で形成し、エッチング等によりパターニングして形成したものであり、各凸部１０ｂの配列パターンは、外縁部のみに限らず、非画素領域全体に渡ってランダムに形成されていても良い。又、各凸部１０ｂの平面形状は、四角形に限らず、三角形、五角形等の多角形、或いは円形、ドーナツ形等であっても良く、それらを非画素領域にランダムに配列するようにしても良い。
【００４８】
ところで、ＴＦＴ基板１０の表面に積層した配向膜１６は、図７に示すようなラビング装置によってラビング処理が施される。
【００４９】
ラビング装置の構成について簡単に説明する。尚、以下の説明では、ＴＦＴ基板１０の表面に配向膜１６が積層されている基板を、液晶装置用基板１１１と称して、ＴＦＴ基板１０と区別する。
【００５０】
ラビング装置は、複数の液晶装置用基板１１１を保持する枠部１２１を有すると共に水平方向へ移動するパレット１２０と、パレット１２０の搬送路の上方に配設したラビングロール１１２とを備えている。ラビングロール１１２の外周にラビング布１１３が取り付けられている。パレット１２０の移動により、液晶装置用基板１１１を、所定速度で回転するラビングロール１１２方向へ搬送して通過させると、ラビング布１１３の毛先１１４が液晶装置用基板１１１の表面を擦ってラビング処理が行われる。
【００５１】
（製造プロセス）
次に、このような構成による本実施の形態の製造プロセスについて簡単に説明する。
【００５２】
先ず、ＴＦＴ基板１０に各種の構成を積層して、ＴＦＴ３０や所定パターンの走査線１１ａ、所定パターンのデータ線６ａ、及び外部接続端子１０２等を所定に形成する。次いで、スパッタ処理等により、ＩＴＯ膜等の透明導電性膜を積層し、フォトリソグラフィ及びエッチングにより、画素領域１０ａ（図５の一点鎖線で示す領域）に画素電極９ａをマトリクス状に形成する。
【００５３】
その後、ＴＦＴ基板１０の上面に凸部１０ｂを形成するための薄膜を積層する。そして、この薄膜をエッチング等によりパターニングして複数の凸部１０ｂ（尚、図５では、凸部１０ｂを、外部接続端子１０２と区別するためにハッチングで示す）を非画素領域に所定に形成する。凸部１０ｂを形成するための薄膜は、配向膜１６となるポリイミドに対して親和性を有する材質（ＩＴＯ，Ａｌ，Ｗ，ＳｉＯ２等）を有している。
【００５４】
尚、各凸部１０ｂは、後述する第２実施の形態に示すスクリーン印刷版を用いて形成するようにしても良い。
【００５５】
次に、このように構成されたＴＦＴ基板１０の全面に、配向膜１６となるポリイミドを塗布する。そして、ＴＦＴ基板１０表面の配向膜１６に対し、図７に示すラビング装置を用いてラビング処理を施す。
【００５６】
ラビング処理においては、図６に示すように、ラビングロール１１２の外周に巻き付けたラビング布１１３の毛先１１４によって、配向膜１６の表面が擦られるため、配向膜１６の密着性が弱いと剥離し易いが、ＴＦＴ基板１０の密着性が比較的弱い非画素領域には、複数の凸部１０ｂにより凹凸が形成されており、しかも、この凸部１０ｂが配向膜１６の素材であるポリイミドに対して親和性を有する材質で形成されているため、配向膜１６が、凸部１０ｂ周囲の段差によるアンカ効果に加え、配向膜１６を強固に密着させて、配向膜１６の剥離を有効に防止することができる。
【００５７】
その後、洗浄工程にてラビング処理によって生じた塵埃を除去する。そして、シール材５２を形成した後、ＴＦＴ基板１０と、ＴＦＴ基板１０と同様の工程を経て各種の構成が積層されている対向基板２０とを貼り合わせ、アライメントを施しながら圧着し、シール材５２を硬化させる。最後に、シール材５２の一部に切欠き形成した液晶注入口１０８から液晶を封入し、所定に注入後、液晶注入口１０８を封止材１０９で封止する。
【００５８】
このように、本実施の形態では、各種の構成が積層されたＴＦＴ基板１０の非画素領域に、配向膜１６の素材であるポリイミドに対して親和性を有する材料で形成された凸部１０ｂを複数形成したので、配向膜１６が、凸部１０ｂ周囲の段差によるアンカ効果と凸部１０ｂに対する親和性とにより、高い密着性が発生し、ラビング処理の際の摩擦を受けても配向膜１６が剥離することがなく、製品不良率を低減することができる。
【００５９】
（第２実施の形態）
図８、図９に本発明の第２実施の形態を示す。図８は配向膜となるポリイミドを塗布する前のＴＦＴ基板の平面図、図９は図８のＪ−Ｊ’線で切断した部位に相当するラビング工程時におけるＴＦＴ基板の要部拡大断面図である。
【００６０】
第１実施の形態では、ＴＦＴ基板１０の非画素領域に、複数の凸部１０ｂを形成することで、配向膜１６のＴＦＴ基板１０に対する密着性を高めるようにしたが、本実施の形態では、ＴＦＴ基板１０の非画素領域と配向膜１６との間に密着膜１３０を設けることで、密着性を高めるようにしたものである。密着膜１３０は、ＴＦＴ基板１０の表面と配向膜１６との双方に対して親和性を有する材質で形成されている。尚、親和性を有する材料としては、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂等がある。
【００６１】
例えばアクリル樹脂やポリイミド樹脂を、ＴＦＴ基板１０の表面に塗布する手段として、スクリーン印刷がある。スクリーン印刷は、ステンレス、ナイロン、シルク等の微細なメッシュ状のスクリーンに形成された乳剤層に、画素領域１０ａと複数の外部接続端子１０２が形成されている領域以外の領域に対応する部位に開孔部を写真製版してスクリーン印刷版を作成する。そして、このスクリーン印刷版をＴＦＴ基板１０に所定に位置決めした状態で当接し、ゴム製のスキージ等によってアクリル樹脂やポリイミド樹脂からなるペーストを開孔部からＴＦＴ基板１０の表面に塗布することで密着膜１３０を形成する。尚、ＴＦＴ基板１０が一度に複数作成される場合は、それに合わせたスクリーン印刷版を作成する。
【００６２】
スクリーン印刷では、図８にハッチングで示すように、ＴＦＴ基板１０上の画素領域１０ａと複数の外部接続端子１０２が配設されている領域とを除いた領域にアクリル樹脂による密着膜１３０が形成される。
【００６３】
尚、密着膜１３０の膜厚は画素電極９ａと同じ膜厚で有ることが望ましい。密着膜１３０と画素電極９ａとの膜厚を同一にすることで、ＴＦＴ基板１０上に配向膜１６をほぼ均一の厚さで塗布することができる。
【００６４】
このように、本実施の形態では、ＴＦＴ基板１０と配向膜１６との間の、画素領域１０ａと複数の外部接続端子１０２を配設する領域以外の領域に密着膜１３０を形成し、この密着膜１３０により配向膜１６の密着性を高めるようにしたので、図９に示すように、ラビング工程において、配向膜１６の表面を、ラビングロール１１２の外周に巻き付けたラビング布１１３の毛先１１４によって擦っても、配向膜１６が強固に密着されているため、剥離を未然に防止することができる。
【００６５】
又、印刷により密着膜１３０を形成したので、画素領域１０ａと外部接続端子１０２とを除く全領域に密着膜１３０を形成するができるため、配向膜１６のより高い密着性を得ることができる。
【００６６】
尚、図８においては、密着膜１３０が画素領域１０ａと外部接続端子１０２以外の領域全体に形成されているが、複数の凸部を点在させるように印刷しても良い。この場合、各凸部の形状及び配列は、第１実施の形態で示した凸部１０ｂと同様にする。
【００６７】
（第３実施の形態）
図１０、図１１に本発明の第３実施の形態を示す。図１０は配向膜となるポリイミドを塗布する前のＴＦＴ基板の平面図、図１１は図１０のＫ−Ｋ’線で切断した部位に相当するラビング工程時におけるＴＦＴ基板の要部拡大断面図である。
【００６８】
本実施の形態では、ＴＦＴ基板１０の画素領域１０ａと外部接続端子１０２の領域とを除く領域（図１０のハッチングで示す領域）に、一段低い段差部１３１を形成したものである。
【００６９】
図１１に示すよう、段差部１３１の深さは、配向膜１６を塗布した後、ラビング工程においてラビングロール１１２によりラビングを行う際に、ラビング布１１３の毛先１１４が接触しないか、或いは接触しても配向膜１６が剥離しない程度の摩擦力に抗し得る位置に設定されている。
【００７０】
段差部１３１を形成する工程は、画素電極９ａやデータ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４に対応する部位を切削する際に続けて行うことで、作業効率を高めることができる。
【００７１】
この場合、逆に、ＴＦＴ基板１０を段差部１３１に対応する膜厚とし、段差部１３１の周囲を積層により一段高く形成することで、相対的に低くなる部位を段差部１３１としても良い。尚、ＴＦＴ基板１０に対する積層は、他の構成を積層する工程に続けて行うことができるため、作業効率が向上する。
【００７２】
或いは、ＴＦＴ基板１０の製造に際しては、一般にデータ線６ａ等の配線の高さを回りの高さと同一面とするために、配線領域に対応する部位を切削する工程がある。この切削工程を行なわないことで、データ線６ａ等の配線パターンにより、ＴＦＴ基板１０の外周に、配線部分よりも低い段差部１３１を形成するようにしても良い。
【００７３】
このように本実施の形態では、ＴＦＴ基板１０に形成した段差部１３１により、ラビング工程における配向膜１６の剥離を防止するようにしたので、新たな材料を調達する必要が無く、現在の設備で充分に対応することができ、設備費を軽減することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１実施の形態による液晶装置用基板を用いて構成した電気光学装置である液晶装置をその上に形成された各構成要素と共に対向基板側から見た平面図である。
【図２】同、素子基板と対向基板とを貼り合わせて液晶を封入する組立工程終了後の液晶装置を、図１のＨ−Ｈ’線の位置で切断して示す断面図である。
【図３】同、図１及び図２の液晶装置の画素領域を構成する複数の画素における各種素子、配線等の等価回路図である。
【図４】同、図４は画素領域を構成する各画素の概略構成図である。
【図５】同、配向膜となるポリイミドを塗布する前のＴＦＴ基板の平面図である。
【図６】同、図４のＩ−Ｉ’線で切断した部位に相当するラビング工程時におけるＴＦＴ基板の要部拡大断面図である。
【図７】同、ラビング装置を示す模式図である。
【図８】第２実施の形態による配向膜となるポリイミドを塗布する前のＴＦＴ基板の平面図である。
【図９】同、図８のＪ−Ｊ’線で切断した部位に相当するラビング工程時におけるＴＦＴ基板の要部拡大断面図である。
【図１０】第３実施の形態による配向膜となるポリイミドを塗布する前のＴＦＴ基板の平面図である。
【図１１】同、図１０のＫ−Ｋ’線で切断した部位に相当するラビング工程時におけるＴＦＴ基板の要部拡大断面図である。
【符号の説明】
６ａ  データ線（配線パターン）、９ａ  画素電極、１０  ＴＦＴ基板、１０ａ  画素領域、１０ｂ  凸部（配向膜密着部材）、１６  配向膜、１１１  液晶装置用基板、１１２  ラビングロール、１３０  密着膜（配向膜密着部材）、１３１  段差部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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