(57)【要約】【目的】高速プリンタにおいても安価な構成にて光量を可変に設定することができる発光素子の制御装置を提供すること。【構成】画像形成装置に用いられる発光素子の制御装置は、前記発光素子の制御を司る複数の制御信号と、前記発光素子の発光強度を制御する発光強度制御手段と、入力された制御信号に応じて基準電圧を決定し、且つ、前記基準電圧の保持又は変更が行われ、前記発光強度制御手段に発光強度制御のための基準電圧を供給する基準電圧供給手段と、前記複数の制御信号を入力され、前記複数制御信号に応じて前記発光素子の制御を司る制御手段へ制御信号を供給する制御信号供給手段と、を備える。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像形成装置に用いられる発光素子の制御装置であって、
前記発光素子の制御を司る複数の制御信号と、入力された制御信号に応じて前記発光素子の制御を司る制御手段と、前記発光素子の発光強度を制御する発光強度制御手段と、入力された制御信号に応じて基準電圧を決定し、且つ、前記基準電圧の保持又は変更が行われ、前記発光強度制御手段に発光強度制御のための基準電圧を供給する基準電圧供給手段と、前記複数の制御信号を入力され、前記複数の制御信号に応じて前記発光素子の制御を司る制御手段へ制御信号を供給する制御信号供給手段と、を備えたことを特徴とする発光素子の制御装置。
【請求項２】
画像形成装置に用いられる発光素子の制御装置であって、
前記発光素子の制御を司る複数の制御信号と、前記複数の制御信号を入力され、該制御信号に基づいて前記発光素子の制御を司る制御手段と、前記発光素子の発光強度を制御する発光強度制御手段と、前記複数の制御信号を入力され、該都制御信号に基づいて基準電圧を決定し、且つ、前記基準電圧の保持又は変更が行われ、前記発光強度制御手段に発光強度制御のための基準電圧を供給する基準電圧供給手段と、を備えたことを特徴とする発光素子の制御装置。
【請求項３】
前記基準電圧供給手段は、入力された複数の制御信号データをデジタルアナログ変換し、基準電圧として出力するデジタルアナログ変換器を有することを特徴とする請求項１又は２記載の発光素子の制御装置。
【請求項４】
前記基準電圧供給手段は、前記複数の制御信号とシリアル通信を行うシリアル通信手段を有し、前記複数の制御信号に応じてシリアル通信を行い、前記シリアル通信により入力されたデータにより基準電圧が設定されることを特徴とする請求項１〜３の何れかに記載の発光素子の制御装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電子写真プロセスを用いた画像形成装置等で用いられる半導体レーザ等の発光素子の制御装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
先ず、図８を用いてレーザビームプリンタの制御系の一般的な構成について説明する。
【０００３】
半導体レーザ３０１より前方に出射されたレーザビームは、コリメータレンズ３０２によりコリメートされて、回転多面鏡から成る偏向器３０３で偏向され、ｆθレンズ３０４により感光体ドラム３０５上に結像される。感光体ドラム３０５は、その表面が先に帯電器で一様に帯電されており、結像スポットが偏向器３０３の回転で感光体ドラム３０５の軸方向に反復して走査されるのに合わせて感光体ドラム３０５が回転することにより、感光体トラム３０５上の画像形成領域全面が走査される。
【０００４】
光検出器３０６は、レーザビームの走査路上で且つ画像形成領域外の１点に設けられ、偏向器３０３で偏向されたレーサービームを１走査毎に検出してＢＤ信号を発生する。
【０００５】
画像形成装置のコントローラ３０７は、画像信号を半導体レーサー制御回路３０８に印加するが、そのタイミングを光検出器３０６からのＢＤ信号に基づいて制御する。半導体レーザ制御回路３０８は、信号処理回路３０７からの画像信号により半導体レーザ３０１をオンオフ変調して感光体ドラム３０３上に静電潜像を形成し、この静電潜像は現像器で現像されて転写器で紙等に転写される。
【０００６】
又、半導体レーザアレイ３０１から後方に出射されるレーサービームは、光検出器３０９に入射してその光強度が検出され、制御回路３１０が光検出器３０９の出力信号に応じて半導体レーザ制御回路３０８を制御して半導体レーザアレイ３０１の出力光量を目標値に調整し、半導体レーザアレイ３０１の各発光素子の駆動電流をそれぞれ外部信号により各発光素子の出力光量が一定になるように調整して保持する。
【０００７】
図２は従来のレーザ制御部の構成を示すブロック図であり、本図を用いて従来のレーザ制御部の動作を説明する。尚、図２では、２つの半導体レーザを駆動制御する制御部を示している。
【０００８】
レーザ制御部（レーザドライバ）２００は、画像形成装置本体制御部から送られてくる各制御信号（ＣＴＲ２，ＣＴＲ１，ＣＴＲ０，ＶＤＯ１，ＶＤＯ１Ｂ，ＶＤＯ２，ＶＤＯ２Ｂ）に従って動作する。又、光源としては、２個のレーザダイオード２０１，２０９と１個のフォトダイオード２０４とが同一パッケージ内に実装されている。
【０００９】
２１６は画像形成装置本体制御部からの信号ＣＴＲ０，ＣＴＲ１，ＣＴＲ２を入力され、これに応じた制御信号をレーザ制御部の各部に発信するロジック部であり、各制御信号入力との対応については後述するため、ここでの説明は省略する。
【００１０】
２１１は半導体レーザ２０１を駆動制御するためのレーザ１駆動部、２０２は抵抗であり、半導体レーザ２０１に供給される電流を制限するために設けられている。２１２は半導体レーザ１の発光光量（電流）を制御するＡＰＣ１制御部、２０３は半導体レーザ１のＡＰＣ発光時に蓄える電荷が決定されるサンプルホールドコンデンサである。２１３はＰＤ（フォトダイオードの略）モニタ部であり、フォトダイオード２０４に流れる電流を可変抵抗２０５又は２０６で電流電圧変換した値として検出する。
【００１１】
２１４は半導体レーザ２の発光光量（電流）を制御するＡＰＣ２制御部、２０７は半導体レーザ２のＡＡＰＣ発光時に蓄える電荷が決定されるサンプルホールドコンデンサである。２１５は半導体レーザ２０９を駆動制御するためのレーザ２駆動部、２０８は抵抗であり、半導体レーザ２０９に供給される電流を制限するために設けられている。
【００１２】
２１７はバンドギャップで、ＩＣ内部で作られる安定した電圧源であり、ＡＰＣ発光時にフォトダイオードのモニタ電流電圧変換値と比較される基準電圧等を供給する。
【００１３】
このような構成のレーザ制御部において、制御信号ＣＴＲ０，ＣＴＲ１，ＣＴＲ２に対応してロジック部がレーザ制御部の各部に発信する信号の対応を図３に示す。
【００１４】
モード１はディスチャージ（ｄｉｓｃｈａｒｇｅ  ）であり、サンプルホールドコンデンサ２０３，２０７の電荷を放電するとともに、レーザ発光を禁止する動作となる。モード２は画像データ入力であり、サンプルホールドコンデンサ２０３，２０７の電圧を基にして半導体レーザに供給する電流を決定し、画像信号（ＶＤＯ１，ＶＤＯ１Ｂ，ＶＤＯ２，ＶＤＯ２Ｂ）に応じて半導体レーザをオン／オフする動作を行う。
【００１５】
モード３はレーザ１強制発光（Ｌｏｎ１）であり、サンプルホールドコンデンサ２０４の電圧を基にして決定される半導体レーザへの供給電流にて半導体レーザを発光させる動作を行う。モード４はレーザ２強制発光（Ｌｏｎ２）であり、サンプルホールドコンデンサ２０４の電圧を基にして決定される半導体レーザへの供給電流にて半導体レーザを発光させる動作を行う。
【００１６】
モード５はレーザ１＆レーザ２強制発光であり、モード３とモード４を同時に行う。モード６はレーザ１ＡＰＣ（Ａｕｔｏ  Ｐｏｗｅｒ  Ｃｏｎｔｒｏｌの略）発光（Ｓｈ１）であり、フォトダイオード２０４からのモニタ電流を電流電圧変換する可変抵抗２０６の電圧がＢａｎｄ  ｇａｐ２１７の出力電圧Ｖｒｅｆ  になるようにし、この電流値に応じた電圧値をサンプルホールドコンデンサ２０３にチャージする動作を行う。
【００１７】
モード７はレーザ２ＡＰＣ（Ａｕｔｏ  Ｐｏｗｅｒ  Ｃｏｎｔｒｏｌの略）発光（Ｓｈ２）であり、フォトダイオード２０４からのモニタ電流を電流電圧変換する可変抵抗２０５の電圧がＢａｎｄ  ｇａｐ２１７の出力電圧Ｖｒｅｆ  になるようにし、この電流値に応じた電圧値をサンプルホールドコンデンサ２０７にチャージする動作を行う。モード８は非動作（ｅｎａｂｌｅ）であり、サンプルホールドコンデンサ２０３，２０７の電圧を保ったままレーザ発光を禁止する動作を行う（例えば、特許文献１）。
【００１８】
【特許文献１】
特開２０００−７１５１４号公報
【００１９】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、前記特許文献１に記載されたいるような方式のレーザ制御（サンプルホールド方式）は、ＡＰＣ時にフォトダイオードのモニタ電流の電圧変換値とパンドギャップからのＶｒｅｆ  電圧のフィードバックループによりレーザ光量調整が行われるために精度良く、しかも、レーザ光量調整に要する時間は短く、回転多面鏡が高速回転したときの非画像領域においても十分ＡＰＣが可能であった。
【００２０】
しかし一方、設定光量を変化させようとした場合、可変抵抗２０５や２０６の抵抗値を変化させる必要がある。そのためには、可変抵抗２０５や２０６をネットワーク抵抗にすることや抵抗を並列接続し、各抵抗をスイッチでオン／オフする回路等が考えられるが、これらを行うためには、回路規模が増大し、或は制御信号が多くなる等、高価且つ複雑な構成となってしまう。
【００２１】
又、レーザ光量を変化させる方法として、公知技術であるフォトダイオードのモニタ電流の電流電圧変換値を検出し、この検出電圧が規定電圧値になるようアナログ電圧を変化させ出力しつつ調整する方式では、自由な光量設定が可能であるが、ＣＰＵ等のソフトを介して行うため、光量を安定させるためには時間が掛かってしまう。そのため、紙間等比較的長い時間連続してレーザを発光することができる場合にのみ適用可能で、昨今のプリントスピードの増加に伴う光走査速度の増加に対応することは困難であった。
【００２２】
本発明は上記問題に鑑みてなされたもので、その目的とする処は、高速プリンタにおいても安価な構成にて光量を可変に設定することができる発光素子の制御装置を提供することにある。
【００２３】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、請求項１記載の発明は、画像形成装置に用いられる発光素子の制御装置は、前記発光素子の制御を司る複数の制御信号と、入力された制御信号に応じて前記発光素子の制御を司る制御手段と、前記発光素子の発光強度を制御する発光強度制御手段と、入力された制御信号に応じて基準電圧を決定し、且つ、前記基準電圧の保持又は変更が行われ、前記発光強度制御手段に発光強度制御のための基準電圧を供給する基準電圧供給手段と、前記複数の制御信号を入力され、前記複数の制御信号に応じて前記発光素子の制御を司る制御手段へ制御信号を供給する制御信号供給手段と、を備えたことを特徴とする。
【００２４】
請求項２記載の発明は、画像形成装置に用いられる発光素子の制御装置は、前記発光素子の制御を司る複数の制御信号と、前記複数の制御信号を入力され、該制御信号に基づいて前記発光素子の制御を司る制御手段と、前記発光素子の発光強度を制御する発光強度制御手段と、前記複数の制御信号を入力され、該都制御信号に基づいて基準電圧を決定し、且つ、前記基準電圧の保持又は変更が行われ、前記発光強度制御手段に発光強度制御のための基準電圧を供給する基準電圧供給手段と、を備えたことを特徴とする。
【００２５】
請求項３記載の発明は、請求項１又は２記載の発明において、前記基準電圧供給手段は、入力された複数の制御信号データをデジタルアナログ変換し、基準電圧として出力するデジタルアナログ変換器を有することを特徴とする。
【００２６】
請求項４記載の発明は、請求項１〜３の何れかに記載の発明において、前記基準電圧供給手段は、前記複数の制御信号とシリアル通信を行うシリアル通信手段を有し、前記複数の制御信号に応じてシリアル通信を行い、前記シリアル通信により入力されたデータにより基準電圧が設定されることを特徴とする。
【００２７】
【発明の実施の形態】
以下に本発明の実施の形態を添付図面に基づいて説明する。
【００２８】
＜実施の形態１＞
図１は本発明の実施の形態１に係る電子写真方式のプリンタにおけるレーザ制御装置の構成を示すブロック図である。
【００２９】
図１において、レーザ制御部（レーザドライバ）２００の従来例との違いは、ＡＰＣ時の基準電圧Ｖｒｅｆ  をＢａｎｄ  ｇａｐからではなく、レーザ制御部２００の外部より供給することができるようにして点である。
【００３０】
ＰＷ信号は、レーザ制御装置に対してレーザ制御モードと基準電圧設定モードのうち一方のモードでの動作を指示する信号であり、制御信号切換部２１９に入力されている（ここで言うレーザ制御モードとは、従来例で説明した図３の動作を行うモードである）。
【００３１】
制御信号切換部２１９は、４本の信号（ＣＴＲ０，ＣＴＲ１，ＣＴＲ２，ＰＷ）を入力されるが、内部には３つのＡＮＤ回路が設けられており、ＰＷ信号が共通に入力され、それぞれのＡＮＤ回路にはＣＴＲ０，ＣＴＲ１，ＣＴＲ２信号がそれぞれ入力されている。従って、制御信号切換部２１９は、ＰＷ信号の論理に応じて７本の信号（ＣＴＲＬ０，ＣＴＲＬ１，ＣＴＲＬ２，ＣＬＫ，Ｄ０，Ｄ１，Ｄ２）を出力する。基準電圧出力部２１８の内部にはＤ／Ａコンバータが設けられており、４本の入力信号（ＣＬＫ，Ｄ０，Ｄ１，Ｄ２）に応じて決定されるＶｒｅｆ  電圧を出力する。
【００３２】
このように構成されたレーザ制御装置において、画像形成装置本体制御部から送信される４本の信号論理と制御モードとの対応を図４に示す。
【００３３】
モード１〜８は、ＰＷ信号が“Ｈｉｇｈ”のときを示している。制御信号切換部２１９からロジック部２１６に対しては、入力された制御コントロールコード（ＣＴＲ２，ＣＴＲ１，ＣＴＲ０）と同じコードが出力される。各入力コードの動作については、従来例にて説明した動作と同じ動作を行う。このとき、基準電圧出力部２１８に対するＣＬＫ信号は、ＰＷ信号がそのまま出力されるため“Ｈｉｇｈ”となる。
【００３４】
ＣＬＫ信号は、基準電圧出力部２１８に対する基準電圧設定動作を許可するか否かを決定する信号として設けられており、“Ｌｏｗ”のときは基準電圧設定動作を許可、“Ｈｉｇｈ”のときは基準電圧設定動作を禁止している。つまり、基準電圧出力部２１８は、ＣＬＫ信号が“Ｈｉｇｈ”のときには、基準電圧設定データ信号Ｄ２〜Ｄ０にどんなデータが入力されても、基準電圧の新たな設定は行わず、出力電圧Ｖｒｅｆ  を保持した状態となる。
【００３５】
モード９〜１６は、ＰＷ信号が“Ｌｏｗ”のときを示している。制御信号切換部２１９に設けられているＡＮＤ回路には共通して“Ｌｏｗ”論理の信号が入力されるため、ＡＮＤ回路の出力は全て“Ｌｏｗ”となり、ロジック部２１６に対しては、ディスチャージ動作のコードが出力される（ここでは、ディスチャージとしているものの、必ずしもその必要性はなく、モード１〜８のように入力コントロールコードと同じコードを出力しても良いが、半導体レーザを保護する上ではディスチャージが好ましい）。
【００３６】
基準電圧出力部２１８に対するＣＬＫ信号は“Ｌｏｗ”となるため、基準電圧出力部２１８は基準電圧設定動作を許可され、Ｄ２〜Ｄ０の入力データに応じた基準電圧値をＶｒｅｆ  として出力する。
【００３７】
本実施の形態においては、Ｄ２〜Ｄ０のデータコードに応じて、０Ｖ〜１．４ＶまでのＶｒｅｆ  電圧が出力できるよう構成されている。
【００３８】
以上のような構成により、サンプルホールド方式のＡＰＣ制御を行うレーザ制御部を備えたレーザ制御装置においても、ＡＰＣの基準電圧を多段階的に変化させることが可能となる。
【００３９】
＜実施の形態２＞
前記実施の形態１では、基準電圧出力部と制御信号切換部をレーザ制御部の外部に設ける構成としたが、本実施の形態では、これらをレーザ制御部の内部に設けた形態としている。
【００４０】
図５は本実施の形態に係るレーザ制御装置の構成を示すブロック図である。
【００４１】
レーザ制御部２００の内部には基準電圧出力部２１８が設けられており、各制御信号（ＣＴＲ０，ＣＴＲ１，ＣＴＲ２，ＰＷ）がロジック制御部２１６と基準電圧出力部２１８にそれぞれ入力されている。ロジック制御部２１６の内部にはＡＮＤ回路が設けられており、片側の端子には共通のＰＷ信号が入力されている。
【００４２】
又、同時にＰＷ，ＣＴＲ０，ＣＴＲ１，ＣＴＲ２信号は、基準電圧制御部２１８にも入力されている。これらの制御信号に応じたロジック部、基準電圧出力部の動作については、前記実施の形態１で説明した動作と同じであるため、再度の説明は省略する。
【００４３】
以上のような構成により、画像形成装置本体制御部からの信号線を直接レーザ制御部に入力してもレーザ光量を多段的に設定することが可能となる。
【００４４】
＜実施の形態３＞
これまで、基準電圧の設定は、デジタルアナログ変換器により行っていたため、入力される制御信号の本数によりその設定数が決定されていた。例えば、前記実施の形態では３本としていたため、２３  つまり８通りの設定となっていた。本実施の形態では、基準電圧設定をシリアル通信により行い、より多段階の設定を行うものである。基本的な構成は図５と同じである。
【００４５】
前記実施の形態との違いは、基準電圧出力部２１８の内部にシリアル通信により入力されたデータを蓄えるためのシフトレジスタを備えた点である。これを図７に示す。
【００４６】
図６において、２１８ａはシフトレジスタであり、２１８ｂはデジタルアナログ変換器である。本実施の形態では、シフトレジスタ２１８ａに入力されるシリアル通信データは８ビット構成となっているため、デジタルアナログ変換器２１８ｂの入力も８ビット構成となっている。従って、デジタルアナログ変換器２１８ｂは２５６通りの基準電圧を出力する。
【００４７】
シフトレジスタ２１８ａには、ＲＷ信号がＥＮＢＬ端子に入力されている。ＥＮＢＬ端子は、入力された信号論理に基づいてシフトレジスタの動作を行うか否かを決定する信号入力部出あり、本実施の形態では、“Ｌｏｗ”論理時に動作するものとしている。又、ＣＴＲ１信号はＳＩ信号端子に入力されている。ＳＩ信号端子は、シリアルデータ入力端子であり、後述するＳＣＬＫ信号に同期してデータがシフトレジスタ内部に取り込まれて記憶される。
【００４８】
ＣＴＲ２信号は、ＳＣＬＫ端子に入力されている。ＳＣＬＫ端子は、シリアル通信を行うための同期クロックを入力される端子である。ＣＴＲ０信号は、ＣＬＲ端子に入力されている。ＣＬＲ端子は、シフトレジスタ２１８ａの内部のフリップフロップをリセットするための端子であり、“Ｌｏｗ”でリセット動作となる。
【００４９】
デジタルアナログ変換器（Ｄ／Ａコンバータ）２１８ｂは、ＰＷ信号がＣＬＫ端子に入力されているが、“Ｌｏｗ”論理のときのみＤ０〜Ｄ７に入力されるシフトレジスタ２１８ａの出力ＱＡ〜ＱＨのデータが反映されてＤ／Ａ変換された電圧値を出力する。“Ｈｉｇｈ”論理のときには、出力電圧値を保持する。
【００５０】
これらの基準電圧を設定するときのシリアル通信の動作を図７のタイミングチャートを用いて説明する。
【００５１】
基準電圧を設定するため、ＰＷ信号が“Ｌｏｗ”となり、シフトレジスタの動作が許可され、レーザ制御ロジック部はディスチャージモードでの動作となり、Ｄ／Ａコンバータ２１８ｂが保持モードから入力データＤ０〜Ｄ７のデータに応じた出力モードへと切り換わる。
【００５２】
次に、ＣＲＬ信号が一定時間以上“Ｌｏｗ”レベルとなり、シフトレジスタ２１８ｂ内部のフリップフロップがリセットされる。次に、シリアルデータ信号ＳＩが入力され、その直後にクロック信号ＳＣＬＫが“Ｌｏｗ”から“Ｈｉｇｈ”に立ち上がる。本シリアル通信は、クロック信号ＳＣＬＫの立ち上がりエッジにてデータを取り込むシフトレジスタとなっている。
【００５３】
次に、クロック信号の立ち下がりにてデータが切り換わり、次のクロック信号の立ち上がりでデータを取り込む。以降、この動作が繰り返され、８ビット分のデータがシフトレジスタに取り込まれた後、ＰＷ信号が“Ｈｉｇｈ”レベルになり、Ｄ／Ａコンバータの出力が固定され、シフトレジスタの動作が禁止状態となる。
【００５４】
このように、シリアル通信を用いて基準電圧を設定することによって、制御信号数に関係なく多段階の基準設定を行うことが可能となる。
【００５５】
【発明の効果】
以上の説明で明らかなように、請求項１記載の発明によれば、発光素子の制御を司る複数の制御信号と、入力された制御信号に応じて発光素子の制御を司る制御手段と、発光素子の発光強度を制御する発光強度制御手段と、入力された制御信号に応じて基準電圧を決定し、且つ、基準電圧の保持又は変更が行われ、発光強度制御手段に発光強度制御のための基準電圧を供給する基準電圧供給手段と、複数の制御信号を入力され、複数の制御信号に応じて発光素子の制御を司る制御手段へ制御信号を供給する制御信号供給手段と、を備えたため、発光素子の制御信号と発光強度設定信号を同一信号で行うことができ、安価な構成で発光強度設定が可能となる。
【００５６】
請求項２記載によれば、発光素子の制御を司る複数の制御信号と、複数の制御信号を入力され、該制御信号に基づいて発光素子の制御を司る制御手段と、発光素子の発光強度を制御する発光強度制御手段と、複数の制御信号を入力され、該都制御信号に基づいて基準電圧を決定し、且つ、基準電圧の保持又は変更が行われ、発光強度制御手段に発光強度制御のための基準電圧を供給する基準電圧供給手段と、を備えたため、制御信号供給手段なしにより安価に発光強度の設定が可能となる。
【００５７】
請求項３記載の発明によれば、基準電圧供給手段は、入力された複数の制御信号データをデジタルアナログ変換し、基準電圧として出力するデジタルアナログ変換器を有することにより、制御信号数に応じた分解能での基準電圧の設定が可能となるため、様々な光量設定が可能となる。
【００５８】
請求項４記載の発明によれば、基準電圧供給手段が複数の制御信号とシリアル通信を行うシリアル通信手段を有し、複数の制御信号に応じてシリアル通信を行い、シリアル通信により入力されたデータにより基準電圧が設定されるため、基準電圧の設定数が制御信号数に依存せず、更なる多段階での基準電圧設定が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態１に係る発光素子の制御装置の構成を示すブロック図である。
【図２】従来の発光素子の制御装置の構成を示すブロック図である。
【図３】従来の発光素子の制御装置の制御信号の対応を説明する図である。
【図４】本発明の実施の形態１における制御信号ロジックを説明する図である。
【図５】本発明の実施の形態２に係る発光素子の制御装置の構成を示すブロック図である。
【図６】本発明の実施の形態３における基準電圧出力部の構成を示す図である。
【図７】本発明の実施の形態３における制御タイミングを示す図である。
【図８】レーザビームプリンタの制御系の一般的な構成を示す図である。
【符号の説明】
２００    発光素子制御部
２０１    半導体レーザ１
２０４    フォトダイオード
２０９    半導体レーザ２
２１６    レーザ制御部内のロジック部
２１８    基準電圧出力部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
2004330586.tif 000008
【図７】
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【図８】
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