(57)【要約】【課題】逆メサ型水晶振動片の強度を確保しつつ、エネルギー閉じ込め効果を得ることが可能な、水晶振動片およびその製造方法の提供を目的とする。【解決手段】水晶振動片における所定部位の表面に金属被膜を形成し、前記金属被膜の表面に低融点金属を配置し、加熱して前記低融点金属を溶融させることにより、前記所定部位を双晶化する構成としたので、水晶振動片の所定部位を、選択的かつ確実に双晶化することができる。そして、逆メサ型水晶振動片２０の励振電極２６形成部分の周辺部に、双晶部３０を形成した構成としたので、逆メサ型水晶振動片２０の強度を確保しつつ、エネルギー閉じ込め効果を得ることができる。【選択図】　　図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
水晶基板の表面に金属被膜を形成し、前記金属被膜の表面に低融点金属を配置し、加熱して前記低融点金属を溶融させることにより、前記金属被膜下の前記水晶基板を双晶化することを特徴とする双晶の形成方法。
【請求項２】
請求項１に記載の双晶の形成方法において、前記低融点金属は融点が水晶のαβ転移点未満の温度であることを特徴とする双晶の形成方法。
【請求項３】
請求項１または２に記載の双晶の形成方法において、前記低融点金属ははんだであることを特徴とする双晶の形成方法。
【請求項４】
水晶振動片における所定部位の表面に金属被膜を形成し、前記金属被膜の表面に低融点金属を配置し、加熱して前記低融点金属を溶融させることにより、前記所定部位を双晶化することを特徴とする水晶振動片の製造方法。
【請求項５】
請求項４に記載の双晶の形成方法において、前記低融点金属は融点が水晶のαβ転移点未満の温度であることを特徴とする水晶振動片の製造方法。
【請求項６】
請求項項４または５に記載の双晶の形成方法において、前記低融点金属ははんだであることを特徴とする水晶振動片の製造方法。
【請求項７】
請求項４ないし６のいずれかに記載の水晶振動片の製造方法において、
前記所定部位は、逆メサ型水晶振動片の励振電極形成部分の周辺部であることを特徴とする水晶振動片の製造方法。
【請求項８】
請求項４ないし６のいずれかにに記載の水晶振動片の製造方法において、
前記所定部位は、厚みすべり水晶振動片の端部であることを特徴とする水晶振動片の製造方法。
【請求項９】
逆メサ型水晶振動片の励振電極形成部分の周辺部に、双晶部を形成したことを特徴とする水晶振動片。
【請求項１０】
厚みすべり水晶振動片の端部に、双晶部を形成したことを特徴とする水晶振動片。
【請求項１１】
請求項４ないし８のいずれかに記載の水晶振動片の製造方法を使用して製造したことを特徴とする水晶振動片。
【請求項１２】
請求項９ないし１１のいずれかに記載の水晶振動片を使用して製造したことを特徴とする水晶デバイス。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、双晶の形成方法、水晶振動片の製造方法、水晶振動片および水晶デバイスに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
電気回路において一定の周波数を得るため、水晶振動片が広く利用されている。水晶振動片は、水晶表面に励振電極を形成したものである。
【０００３】
図５に逆メサ型水晶振動片の説明図を示す。なお、同図（１）は平面図であり、同図（２）はＥ−Ｅ線における断面の拡大図である。一般に、ＡＴカット水晶振動片では、水晶平板の厚さが薄いほど共振周波数が高くなる。そこで、水晶平板１２１の中央部に凹部（逆メサ部）１２４を形成して水晶を薄肉化し、その逆メサ部１２４の表面に励振電極１２６を形成した、逆メサ型水晶振動片１２０が開発されている。
【０００４】
ところで、水晶の薄肉化とともに、不要なスプリアス振動を抑制するため、励振電極の厚さを薄くする必要がある。しかし、励振電極の厚さを薄くすると、励振電極形成部分におけるエネルギー閉じ込め効果が十分に得られなくなる。一方、励振電極形成部分における水晶の共振周波数は、その周辺部における共振周波数より低くなる。ここで、励振電極形成部分の共振周波数よりその周辺部の共振周波数が高くなると、励振電極形成部分の周辺部がエネルギーバリアとして機能し、励振電極形成部分におけるエネルギー閉じ込め効果が得られる。そこで、励振電極１２６形成部分の周辺部に溝部１３０を形成して、周辺部における水晶の共振周波数をより高周波化している。これにより、励振電極１２６形成部分の共振周波数より溝部１３０の共振周波数がより高くなり、すなわち共振周波数の差を大きくして、励振電極形成部分におけるエネルギー閉じ込め効果を得ている。以下、このような関係において、共振周波数の差、と表現する。
【０００５】
また、図６にコンベックス加工を施した水晶振動片の説明図を示す。なお、同図（１）は斜視図であり、同図（２）はＦ−Ｆ線における断面図である。一般に、低周波数のＡＴカット水晶振動片１５０では、水晶平板１５１の肉厚に対する励振電極１５２の膜厚の比率が小さいので、エネルギー閉じ込め効果が十分に得られない。しかし、水晶平板１５１をレンズ状（コンベックス形状）に形成することにより、水晶平板の端部が薄肉化され、当該端部と励振電極形成部分との共振周波数の差が大きくなって、エネルギー閉じ込め効果を得ることができる。そこで、図６に示すように、厚みすべり水晶振動片１５０の両端部に、面取り加工（コンベックス加工）１５５を施している。面取りはバレル加工によって行う。バレル加工は、一例としては、パイプ状のポットの中に水晶振動片と研磨剤とを入れ、ポットをその中心軸のまわりに回転させることによって、水晶平板の角部に面取りを施すものである。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
図５に示す逆メサ型水晶振動片１２０の逆メサ部１２４は、例えば１０μｍ程度の薄さに形成されている。そして、エネルギー閉じ込め効果を得るため、逆メサ部１２４における励振電極１２６形成部分の周辺部に溝部１３０を形成すると、溝部における水晶が極端に薄くなって、強度の確保が困難になるという問題がある。そこで本発明は、強度を確保しつつエネルギー閉じ込め効果を得ることが可能な、水晶振動片の製造方法および水晶振動片の提供を目的とする。
【０００７】
また、図６に示す水晶振動片１５０の面取り１５５を、バレル加工によって形成する場合には、加工精度の確保が困難であり、安定したエネルギー閉じ込め効果を得ることができないという問題がある。そこで本発明は、安定したエネルギー閉じ込め効果を得ることが可能な、水晶振動片の製造方法および水晶振動片の提供を目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明は、水晶基板の表面に金属被膜を形成し、前記金属被膜の表面に低融点金属を配置し、加熱して前記低融点金属を溶融させることにより、金属被膜下の水晶基板を双晶化することができるという知見に基づいている。一般に、水晶は５７３℃にαβ転移点を有し、これを越えると双晶化することが知られている。もっとも、水晶基板の所定部位のみを５７３℃以上とし、それ以外の部位を５７３℃未満とするように、厳密に区別するのは不可能であるから、水晶を選択的に双晶化することはできなかった。しかし、本願発明者は、上述した方法を使用すれば、金属被膜や溶融した低融点金属による蓄熱効果等により、５７３℃以下の加熱温度でも水晶が双晶化することを見出した。これは、水晶基板の一部のみを選択的に双晶化し得ることを意味する。そして、水晶が双晶化すると共振周波数が高くなる。
これにより、水晶を薄肉化した場合と同様の効果を得ることができるのである。
【０００９】
なお、水晶基板の表面に金属被膜を形成する方法には、蒸着法やスパッタ法、ＣＶＤ法、めっき法等を単独で、または複合して採用することができる。なお、ハードマスクや、フォトリソグラフィによりパターニングされたレジストマスクなどを介して、蒸着法やスパッタ法を行うことにより、水晶基板表面の所定部位に金属被膜を形成することができる。また、水晶基板の表面全体に金属被膜を形成した後に、フォトリソグラフィによりパターニングしたレジストをマスクとして、前記金属被膜のエッチングを行うことによっても、水晶基板表面の所定部位に金属被膜を形成することができる。一方、金属被膜の表面に低融点金属を配置する方法には、乾式メッキ（蒸着法、スパッタ法等）や湿式メッキ、スクリーン印刷方式等を採用することができる。なお、金属皮膜の表面に、部分的に固体の低融点金属を配置してもよく、低融点金属のメッキなど表面に低融点金属の付着した線材等を配置してもよい。さらに、加熱して前記低融点金属を溶融させる方法には、熱風の吹き付けや、低融点金属に吸収されやすい波長のレーザを照射する方法を採用することができる。
【００１０】
上述した知見をふまえて、本発明に係る水晶振動片の製造方法は、水晶振動片における所定部位の表面に金属被膜を形成し、前記金属被膜の表面に低融点金属を配置し、加熱して前記低融点金属を溶融させることにより、前記所定部位を双晶化する構成とした。これにより、水晶振動片の所定部位を選択的かつ確実に双晶化することができる。
【００１１】
また、請求項４に記載の水晶振動片の製造方法において、前記所定部位は、逆メサ型水晶振動片の励振電極形成部分の周辺部である構成とした。これにより、水晶振動片の強度を確保しつつ、エネルギー閉じ込め効果を得ることができる。
【００１２】
また、請求項４に記載の水晶振動片の製造方法において、前記所定部位は、厚みすべり水晶振動片の端部である構成とした。これにより、安定したエネルギー閉じ込め効果を得ることができる。
【００１３】
一方、本発明に係る水晶振動片は、逆メサ型水晶振動片の励振電極形成部分の周辺部を双晶化した構成とした。これにより、水晶振動片の強度を確保しつつ、エネルギー閉じ込め効果を得ることができる。
【００１４】
また、厚みすべり水晶振動片の端部を双晶化した構成とした。これにより、安定したエネルギー閉じ込め効果を得ることができる。
【００１５】
また、請求項４ないし８のいずれかに記載の水晶振動片の製造方法を使用して製造した構成とした。これにより、水晶振動片の所定部位を選択的かつ確実に双晶化することができる。
【００１６】
一方、本発明に係る水晶デバイスは、請求項９ないし１１のいずれかに記載の水晶振動片を使用して製造した構成とした。これにより、上記効果をともなった水晶デバイスを提供することができる。
【００１７】
【発明の実施の形態】
本発明に係る双晶の形成方法、水晶振動片の製造方法、水晶振動片および水晶デバイスの好ましい実施の形態を、添付図面に従って詳細に説明する。なお以下に記載するのは本発明の実施形態の一態様にすぎず、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００１８】
最初に、第１実施形態について説明する。図１に、第１実施形態に係る水晶振動片の説明図を示す。なお、同図（１）は平面図であり、同図（２）はＡ−Ａ線における断面の拡大図である。第１実施形態に係る水晶振動片は、逆メサ型水晶振動片の励振電極形成部分の周辺部に、双晶部を形成したものである。
【００１９】
図１に示すように、逆メサ型水晶振動片２０では、水晶平板２１の中央部に凹部（逆メサ部）２４を設けて、当該部分における水晶の厚さを周縁部より薄く形成する。一例をあげれば、板厚１００μｍのウエハより周波数１６７ＭＨｚの逆メサ型水晶振動片を形成する場合、周縁部の厚さを１００μｍのままで、逆メサ部の厚さを１０μｍに形成する。なお図１では、水晶振動片２０の両側に逆メサ部２４を設けているが、片側のみに逆メサ部を設けてもよい。そして、逆メサ部の表面に励振電極２６を形成する。励振電極２６は、水晶振動片２０の表裏両面に相対して形成する。さらに、水晶振動片２０の一辺における両端角部には接続電極２７を設けて、それぞれ表裏の励振電極２６との導通を確保する。
【００２０】
また、励振電極形成部分の周辺部には、励振電極２６を取り囲むように、双晶部３０を形成する。なお、水晶の表層のみに双晶を形成してもよいし、厚さ方向全体に双晶を形成してもよい。上述したように、水晶が双晶化すると共振周波数が高くなるので、励振電極２６形成部分と双晶部３０との共振周波数の差が大きくなり、双晶部がエネルギーバリアとして機能する。これにより、励振電極形成部分におけるエネルギー閉じ込め効果を得ることができる。
【００２１】
上述した水晶振動片の製造方法について、図１を用いて説明する。なお逆メサ型水晶振動片２０は、水晶ウエハにおいて複数個を同時に形成する。
【００２２】
最初に、逆メサ型水晶振動片２０の逆メサ部２４を形成する。具体的には、まず水晶ウエハの表面全体に、Ａｕ／Ｃｒ等の耐蝕膜を、スパッタリング等により形成する。次に、耐蝕膜の表面全体にレジストを塗布し、露光および現像して、逆メサ部形成部分のレジストを除去する。次に、残したレジストをマスクとして耐蝕膜をエッチングし、逆メサ部形成部分の耐蝕膜を除去する。そして、残した耐蝕膜をマスクとして、水晶ウエハをエッチングし、逆メサ部を形成する。なお、水晶ウエハのエッチングは、エッチング液としてフッ酸とフッ化アンモニウムの混合液を使用したウエットエッチングによって行い、時間管理を伴ったハーフエッチングとする。その後、残したレジストおよび耐蝕膜を除去すれば、逆メサ型水晶振動片２０の逆メサ部２４が完成する。
【００２３】
次に、励振電極２６形成部分の周辺部に双晶部を形成する。図２に双晶部形成工程の説明図を示す。なお図２の各図は、図１のＡ−Ａ線に相当する部分の断面の拡大図である。まず、図２（１）に示すように、水晶ウエハ４０の表面にハードマスク４１を配置する。なお、このハードマスク４１には、双晶部に相当する部分に、開口部４１ａが形成されている。そして、このハードマスク４１を介して蒸着やスパッタリング等を行うことにより、双晶部形成部分の表面に金属被膜４２を形成する。金属被膜４２は２層構造（不図示）とするのが好ましい。この場合、下層には水晶との密着性に優れたＣｒまたはＮｉ被膜を形成し、上層には次述するはんだの濡れ性に優れたＡｕまたはＡｇ被膜を形成する。さらに、同じハードマスク４１を介して蒸着やスパッタリング等を行うことにより、金属被膜４２の表面にはんだ４４を配置する。なお、本実施形態では、双晶の形成に、組成がＳｎ５０％、Ｐｂ５０％のはんだ４４を使用するが、融点が水晶のαβ転移点である５７３℃未満の低融点金属であれば双晶を形成することができる。次に、図２（２）に示すように、水晶ウエハ４０の表面に熱風４５を吹き付ける。熱風４５の温度は３５０〜４００℃程度とする。はんだの融点は２１５℃程度であるから、熱風４５による加熱ではんだ４４が溶融して、金属被膜４２の表面に濡れ広がる。さらに、はんだ４４の熱が金属被膜４２を介して水晶ウエハ４０に伝達され、金属被膜４２の下に選択的に蓄熱される。これにより、金属被膜４２の下の水晶が双晶化して、双晶部３０が形成される。その後、はんだ４４および金属被膜４２を除去すれば、図２（３）に示す状態となる。
【００２４】
次に、図１に示す励振電極２６や接続電極２７等の電極を形成する。具体的には、まず水晶ウエハの表面全体に、Ａｕ／Ｃｒ等の電極膜を、蒸着やスパッタリング等により形成する。次に、電極膜の表面全体にレジストを塗布し、露光および現像して、電極形成部分以外の部分のレジストを除去する。そして、残したレジストをマスクとして電極膜をエッチングし、電極形成部分以外の部分の電極膜を除去する。その後、残したレジストを除去すれば、励振電極２６や接続電極２７等の電極が完成する。
【００２５】
最後に、水晶ウエハから各水晶振動片を分離する。分離方法には、ダイシング、ブレーキング、水晶エッチング等の方法がある。以上により、第１実施形態に係る水晶振動片が完成する。
【００２６】
上記のように形成した第１実施形態に係る水晶振動片は、水晶振動子等の水晶デバイスに使用することができる。図３に、本実施形態に係る水晶振動片を実装した水晶振動子の説明図を示す。同図（１）はＣ−Ｃ線における平面断面図であり、同図（２）はＢ−Ｂ線における側面断面図である。図３の水晶振動子１では、水晶振動片２０を、パッケージ５のキャビティ６内に実装している。パッケージ５はセラミックシート等を積層して形成する。また、キャビティ６の底面にはマウント電極８を形成して、パッケージ５の裏面に形成した外部端子９との導通を確保する。そして、マウント電極８上に導電性接着剤７を塗布した上で、水晶振動片２０の接続電極２７を配置して、水晶振動片２０を片持ち状態で実装する。なお、接続電極２７は励振電極２６と導通しているので、上記により、外部端子９から励振電極２６に対して通電可能となる。なお、パッケージ５の上部には蓋部材１０を装着し、キャビティ６の内部を必要に応じて窒素雰囲気等に保持する。
【００２７】
また、第１実施形態に係る水晶振動片は、水晶発振器等の水晶デバイスにも使用することができる。水晶発振器は、発振回路を構成する集積回路素子と水晶振動子とを組み合わせたものである。例えば、図３に示す水晶振動子１と集積回路素子（不図示）とを、配線パターンを形成したモジュール基板上に実装することにより、水晶発振器モジュールを形成することができる。また、図３に示すパッケージ５の内部に、水晶振動片２０とともに集積回路素子を実装することにより、水晶発振器パッケージを形成することができる。
【００２８】
上述した第１実施形態に係る水晶振動片により、逆メサ型水晶振動片の強度を確保しつつ、エネルギー閉じ込め効果を得ることができる。この点、従来の逆メサ型水晶振動片では、励振電極形成部分の周辺部に溝部を形成して、エネルギー閉じ込め効果を得ていた。この場合、逆メサ部に溝部を形成するので、溝部における水晶が極端に薄くなり、強度の確保が困難であった。
【００２９】
しかし、第１実施形態に係る水晶振動片では、励振電極形成部分の周辺部に双晶部を形成して、エネルギー閉じ込め効果を得る構成とした。この場合、逆メサ部における水晶の肉厚がさらに薄くなることはないので、強度を確保することができる。また、第１実施形態に係る水晶振動片の製造方法では、励振電極形成部分の周辺部の表面に金属被膜を形成し、金属被膜の表面にはんだを配置し、加熱して前記はんだを溶融させることにより、励振電極形成部分の周辺部を双晶化する構成とした。これにより、励振電極形成部分の周辺部のみを選択的かつ確実に双晶化することができる。
【００３０】
なお、第１実施形態では、水晶をエッチングして逆メサ部を形成することにより、水晶を薄肉化して水晶振動片を高周波化したが、水晶を双晶化することによっても水晶振動片を高周波化することが可能である。そこで、逆メサ部を形成する代わりに、水晶振動片の振動部（逆メサ部に相当する部分）に双晶部を形成してもよい。その方法は、水晶振動片における振動部の表面に金属被膜を形成し、前記金属被膜の表面にはんだを配置し、加熱して前記はんだを溶融させることにより、前記振動部を双晶化する。これにより、水晶振動片に薄肉部がなくなるので、水晶振動片の強度を向上させることができる。
【００３１】
次に、第２実施形態について説明する。図４に、第２実施形態に係る水晶振動片の断面図を示す。なお図４は、図６のＦ−Ｆ線に相当する部分における断面図である。第２実施形態に係る水晶振動片は、矩形状ＡＴカット水晶振動片の長手方向両端部に、双晶部を形成したものである。なお、第１実施形態と同様の構成となる部分については、その説明を省略する。
【００３２】
図４に示す矩形状ＡＴカット水晶振動片５０では、水晶平板５１の中央部に励振電極５２を形成するとともに、長手方向両端部に双晶部５５を形成している。なお、水晶平板５１の表面のみに双晶部５５を形成してもよいし、厚さ方向全体に双晶部を形成してもよい。第１実施形態で述べたように、水晶が双晶化すると共振周波数が高くなるので、励振電極５２の形成部分と双晶部５５との共振周波数の差が大きくなり、励振電極形成部分におけるエネルギー閉じ込め効果を得ることができる。
【００３３】
第２実施形態に係る水晶振動片の製造方法は、矩形状ＡＴカット水晶振動片５０の長手方向両端部の表面に金属被膜を形成し、その金属被膜の表面にはんだを配置し、加熱して前記はんだを溶融させることにより、長手方向両端部を双晶化して双晶部５５を形成する。その具体的な方法は、第１実施形態と同様である。
【００３４】
そして、第２実施形態に係る水晶振動片により、安定したエネルギー閉じ込め効果を得ることができる。この点、低周波の矩形状ＡＴカット水晶振動片では、その長手方向両端部にバレル加工により面取りを施して、エネルギー閉じ込め効果を得ていた。具体的には、周波数が４〜１５ＭＨｚであって、長辺の長さが５〜８ｍｍであり、短辺の長さが１．５〜２ｍｍである矩形状ＡＴカット水晶振動片では、コンベックス加工が必要となる。ところが、バレル加工は加工精度の確保が困難であり、安定したエネルギー閉じ込め効果を得ることはできなかった。
【００３５】
しかし、第２実施形態に係る水晶振動片では、矩形状ＡＴカット水晶振動片の長手方向両端部に、双晶部を形成した構成とした。この場合、フォトリソグラフィ等を用いて精度よく双晶部を形成できるので、双晶部では安定した共振周波数を得ることができる。したがって、安定したエネルギー閉じ込め効果を得ることができる。また、第２実施形態に係る水晶振動片の製造方法では、矩形状ＡＴカット水晶振動片の長手方向両端部の表面に金属被膜を形成し、金属被膜の表面にはんだを配置し、加熱して前記はんだを溶融させることにより、矩形状ＡＴカット水晶振動片の長手方向両端部を双晶化する構成とした。これにより、矩形状ＡＴカット水晶振動片の長手方向両端部のみを選択的かつ確実に双晶化することができる。
【００３６】
なお、第２実施形態では、矩形状ＡＴカット水晶振動片の長手方向両端部を双晶化する場合について述べたが、ＢＴ、ＦＣ、ＩＴ、ＳＣカットなど、ＡＴカット以外の厚みすべり水晶振動片の場合にも同様に適用することができる。
【００３７】
なお、第１から第２実施形態では、水晶基板の表面に金属被膜を形成し、その金属被膜の表面にはんだを配置し、加熱して前記はんだを溶融させることにより、金属被膜下の水晶基板を双晶化する方法を採用した。しかし、低融点金属を介することなく、水晶基板を双晶化することも可能である。すなわち、水晶基板の表面に金属被膜を形成し、その金属被膜を直接加熱することにより、前記金属被膜下の水晶基板を双晶化するのである。この場合、金属被膜を加熱する方法には、熱風の吹き付けや、金属被膜に吸収されやすい波長のレーザを照射する方法などを採用することができる。上記の方法により、はんだが不要となり、またはんだ塗布工程が不要となるので、製造コストを削減することができる。
【００３８】
なお、スパッタ法を行う際に雰囲気温度が上昇することを利用して、上述した加熱工程を省略しても、水晶基板を双晶化することができる。すなわち、水晶基板の表面に、金属被膜をスパッタリングにより連続的に形成することにより、前記金属被膜下の水晶基板を双晶化するのである。一例を挙げれば、金属被膜をＡｕ／Ｃｒの２層構造とし、まず、Ｃｒの下層を１２０オングストローム程度の厚さに形成する。次に、Ａｕの上層を、１８００オングストローム以上となるまで、連続的にスパッタリングにより形成する。ここで、Ａｕの厚さが１８００オングストローム未満で１０００オングストローム以上の場合には双晶の形成が不安定となり、１０００オングストローム未満の場合には本願の効果を奏するに足る双晶が形成されないことが確認されている。また、断続的にスパッタリングした場合には、本願の効果を奏するに足る双晶が形成されないことが確認されている。なお、スパッタリングの条件は、真空度３．８×１０−１Ｐａ、Ａｒガス流量２０ｓｃｃｍ、電流１Ａ、および電力０．６４ｋＷである。この方法により、加熱手段が不要となり、また加熱工程が不要となるので、製造コストを削減することができる。
【００３９】
なお、第１、２実施形態中では、双晶を形成する低融点金属として組成がＳｎ５０％、Ｐｂ５０％のはんだを使用した場合について説明したが、この低融点金属は、融点が水晶のαβ転移点である５７３℃未満の低融点金属であればよい。そのような低融点金属としては、例えばＳｎ、Ｐｂ、Ｚｎ等の単体金属の他、Ａｕ−Ｓｎ系合金、Ａｕ−Ｓｉ系合金、Ａｕ−Ｇｅ系合金、Ｓｎ−Ｐｂ系合金で代表される低融点のろうづけ用合金の総称であるはんだ等の合金がある。
【００４０】
水晶振動片における所定部位の表面に金属被膜を形成し、前記金属被膜の表面に低融点金属を配置し、加熱して前記低融点金属を溶融させることにより、前記所定部位を双晶化する構成としたので、水晶振動片の所定部位を選択的かつ確実に双晶化することができる。
【００４１】
また、逆メサ型水晶振動片の励振電極形成部分の周辺部を双晶化した構成としたので、水晶振動片の強度を確保しつつ、エネルギー閉じ込め効果を得ることができる。
【００４２】
また、厚みすべり水晶振動片の端部を双晶化した構成としたので、安定したエネルギー閉じ込め効果を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１実施形態に係る水晶振動片の説明図であり、（１）は平面図であり、（２）はＡ−Ａ線における断面の拡大図である。
【図２】双晶化工程の説明図である。
【図３】本実施形態に係る水晶振動片を実装した水晶振動子の説明図であり、（１）はＣ−Ｃ線における平面断面図であり、（２）はＢ−Ｂ線における側面断面図である。
【図４】第２実施形態に係る水晶振動片の断面図である。
【図５】従来技術に係る水晶振動片の説明図であり、（１）は平面図であり、（２）はＥ−Ｅ線における断面の拡大図である。
【図６】従来技術に係る水晶振動片の断面図である。
【符号の説明】
１………水晶振動子
５………パッケージ
６………キャビティ
７………導電性接着剤
８………マウント電極
９………外部端子
１０………蓋部材
２０………逆メサ型水晶振動片
２１………水晶平板
２４………逆メサ部
２６………励振電極
２７………接続電極
３０………双晶部
４０………水晶ウエハ
４１………ハードマスク
４１ａ………開口部
４２………金属被膜
４４………はんだ
４５………熱風
５０………ＡＴカット水晶振動片
５１………水晶平板
５２………励振電極
５５………双晶部
１２０………逆メサ型水晶振動片
１２１………水晶平板
１２４………逆メサ部
１２６………励振電極
１３０………溝部
１５０………ＡＴカット水晶振動片
１５１………水晶平板
１５２………励振電極
１５５………面取り
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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