(57)【要約】【課題】ＬＥＣ法による化合物半導体の成長において、半導体単結晶における種付け部から定径部までの成長初期の段階での固液界面状況を再現性良く制御することにより、化合物半導体インゴットの単結晶収率を向上させる成長方法を提供する。【解決手段】るつぼ１１内を原料融液９０と液体封止剤９５の２層とし、原料融液９０へ断面１０ｍｍ角の種結晶７０を接触させてこれを引き上げ、定径部８３の結晶直径１００ｍｍ結晶長さ４００ｍｍのインゴットを製造したが、この時の引き上げ速度を、種付け部８１で２ｍｍ／ｈｒ、定径部８３が形成開始してから２０ｍｍの地点を通過以降の引き上げ速度を１０ｍｍ／ｈｒとし、種付け部８１より定径部８３が形成開始してから２０ｍｍの地点までにおける引き上げ速度の上昇割合を一定とした。【選択図】　　　図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
雰囲気として不活性ガスを充填したチャンバ内に、原料と封止剤とを収納したるつぼを設置して加熱し、前記原料と封止剤とを融解させた後、前記原料融液に種結晶を接触させて引き上げることにより単結晶を成長させる化合物半導体単結晶の成長方法であって、
前記種結晶とつながる種付け部と、前記種付け部とつながり結晶径が増加する増径部と、前記増径部とつながり結晶径が概ね一定である定径部とを有する化合物半導体単結晶を得るにあたり、
前記引き上げられつつある単結晶において、単結晶の固液界面で生成する凝固熱が、単結晶から放熱する熱量を上回ることのないように、単結晶からの放熱が少ない前記種付け部から前記定径部の所定の成長地点までの引き上げ速度を、前記所定の成長地点以降における引き上げ速度より遅くすることを特徴とする化合物半導体単結晶の成長方法。
【請求項２】
請求項１に記載の化合物半導体単結晶の成長方法であって、
前記種付け部から、前記定径部における所定の成長地点までの前記化合物半導体単結晶の引き上げ速度は一定の割合で増加し、
それ以降の引き上げ速度は一定であることを特徴とする化合物半導体単結晶の成長方法。
【請求項３】
請求項１または２に記載の化合物半導体単結晶の成長方法であって、
前記所定の成長地点とは、前記化合物半導体単結晶における定径部の形成初期段階の地点であることを特徴とする化合物半導体単結晶の成長方法。
【請求項４】
請求項３に記載の化合物半導体単結晶の成長方法であって、
前記化合物半導体単結晶の引き上げが、前記定径部の形成初期段階の地点に到達したとき、前記種付け部は、前記液体封止剤と前記雰囲気との界面を通過し終わっていることを特徴とする化合物半導体単結晶の成長方法。
【請求項５】
請求項１から４のいずれかに記載の化合物半導体とは、ＧａＡｓ、ＧａＰ、ＩｎＡｓ、ＩｎＰ、ＩｎＳｂのいずれかであることを特徴とする化合物半導体単結晶の成長方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、化合物半導体単結晶（以下、単結晶と記載する。）の成長方法に関し、特に、液体封止チョクラルスキー法（Ｌｉｑｕｉｄ　Ｅｎｃａｐｓｕｌａｔｅｄ　Ｃｚｏｃｈｒａｌｓｋｉ法、以下、ＬＥＣ法と記載する。）により単結晶のインゴットを製造する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
単結晶のインゴット（以下、インゴットと記載する。）を製造する主要な方法として、雰囲気として不活性ガスを充填したチャンバ内に、原料と封止剤とを収納したるつぼを設置して加熱し、前記原料と封止剤とを融解させた後、前記原料融液に種結晶を接触させて引き上げることにより、前記種結晶とつながる種付け部、この種付け部とつながり結晶径が増加する増径部、この増径部とつながり結晶径が概ね一定である定径部、そして終端部という順序でインゴットを製造するＬＥＣ法がある。
【０００３】
このＬＥＣ法において、インゴットの引き上げ速度は、引き上げ開始から完了まで一定速度にておこなわれるのが一般的である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、上述のＬＥＣ法による単結晶の成長は、前記原料と封止剤との加熱手段であるホットゾーンと呼ばれるヒーターおよび熱遮蔽筒等の部材（以下、ＨＺと記載する。）の配置、形状、材質等により様々な影響を受ける。
【０００５】
このため、結晶欠陥を含まず、前記種付け部より終端部まで全域が単結晶（Ａｌｌ　Ｓｉｎｇｌｅ）である単結晶収率の高い良質なインゴットを、再現性良く製造できる条件を得るのは困難であった。
【０００６】
上述のような課題を解決するため、前記ＨＺの配置、形状および材質等が検討されてきたが、本願発明者らは、良質な単結晶を成長させるための大きなポイントは、固化した単結晶と原料融液との界面（以下、固液界面と記載する。）の形状を如何に制御するかであることに想到した。
【０００７】
従来は、前記固液界面の形状を、再現性良く制御することがおこなわれておらず、これがＬＥＣ法において良質なインゴットの収率が低下する原因となっていたのである。
【０００８】
特に、単結晶における結晶欠陥のリネージ、亜粒界の集積は、前記種付け部から定径部の引き上げに至る成長初期の段階で発生している場合が多いのだが、この成長初期の段階において、前記固液界面状況を再現性良く制御することは困難であった。
【０００９】
そこで、本願発明が解決しようとする課題は、ＬＥＣ法による単結晶の成長において、前記種付け部より増径部を経て定径部の所定の成長地点までの引き上げに至る成長初期の段階の前記固液界面状況を再現性良く制御することにより、結晶欠陥を含まず、単結晶収率の高い良質なインゴットを製造することのできる、単結晶の成長方法を提供することである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上記の課題を解決するために、本願発明者らは、単結晶引き上げ時の前記固液界面状況について研究を実施し、引き上げの速度が、この固液界面状況に大きな影響を及ぼすとの解明結果を得た。
【００１１】
以下、この解明結果について図２〜図４を用いて説明する。但し、説明を単純化するため、ヒーター２０による加熱は一定の状態であるとし、るつぼ等の回転による効果も省いて説明する。
【００１２】
図２は増径部が形成されつつある単結晶を０に近い速度で引き上げた際の状態を示す模式図、図３は増径部が形成されつつある単結晶を速い速度で引き上げた場合の状態を示す模式図、図４は定径部における所定の成長地点を通過した後、速い速度で単結晶を引き上げている状態を示す模式図である。
【００１３】
図２〜図４において、るつぼ１０の外側および底部には図示していないＨＺが設けられ、るつぼ１０を適宜に加熱している。るつぼ１０内には、単結晶８０の原料となる融液９０が充填され、さらに融液９０の上層には三酸化硼素等の液体封止剤９５が存在する。るつぼ１０の中心軸上には、引き上げ軸３０が配設されており、引き上げ軸３０には保持具３１を介して種結晶７０が設置されている。ここで、融液９０に浸せきした種結晶７０を引き上げ軸３０によって引き上げることにより、種結晶７０の下端から単結晶８０を成長させることができる。るつぼ１０は、図示していないチャンバ内に収納されており、チャンバ内の雰囲気５５は不活性ガスにより構成されている。
【００１４】
図２、図３に示す、増径部が形成されつつある単結晶８０は、種付け部８１、増径部８２および固液界面８４ａまたは８４ｂを有しており、図４に示す単結晶８０は、種付け部８１、増径部８２、定径部８３および固液界面８４ａを有している。
【００１５】
まず図２を用いて、単結晶を０に近い速度で引き上げた際の、固液界面の形状について説明する。
【００１６】
ここで、Ｈ１（図面中、破線で示した。）は、融液９０より単結晶８０へ流入する熱を示し、Ｈ２（図面中、実線で示した。）は、固液界面８４ａにて発生し単結晶８０へ流入する凝固熱を示し、Ｈ３（図面中、一点鎖線で示した。）は、融液９０近傍の液体封止剤９５から単結晶８０へ流入する熱を示し、Ｈ４（図面中、二点鎖線で示した。）は、単結晶８０から不活性ガスの雰囲気５５近傍の液体封止剤９５へ放出される熱を示している。
【００１７】
この状態のとき、略円錐形を有している単結晶８０の底面および底面に近い側面において、熱Ｈ１、Ｈ２、Ｈ３とが単結晶８０へ流入し、熱Ｈ４として単結晶８０より液体封止剤９５へ放出されて熱収支のバランスがとられている。
【００１８】
このとき、引き上げ速度は０に近いためＨ２の値は小さく、単結晶８０の底面の温度分布は熱Ｈ１とＨ３の流入により決まるので、固液界面は融液９０の径方向の温度分布とほぼ等しい形状を呈し、融液側に凸の８４ａの形をとることができる。
【００１９】
次に、図３を用いて、単結晶８０の引き上げ速度を速めるに従い、固液界面が次第に融液側に凹の８４ｂの状態となるメカニズムについて説明する。
【００２０】
但し、Ｈ１’は融液９０より単結晶８０へ流入する熱を示し、Ｈ２’は、固液界面８４ｂにて発生し単結晶８０へ流入する凝固熱を示し、Ｈ３’は、融液９０近傍の液体封止剤９５から単結晶８０へ流入する熱を示し、Ｈ４’は、単結晶８０から不活性ガスの雰囲気５５近傍の液体封止剤９５へ放出される熱を示している。
【００２１】
増径部８２が形成中の単結晶８０の引き上げ速度を速めるに従い、固液界面における単位時間当たりの融液９０の凝固量および凝固面積が増加するために、Ｈ２’の値は図１に示したＨ２と比較して大きく増加するが、Ｈ１’、Ｈ３’、Ｈ４’はＨ１、Ｈ３、Ｈ４と比較してほとんど増加しないので、（Ｈ１’＋Ｈ２’＋Ｈ３’）とＨ４’とのバランスが崩れ、Ｈ４’に比較して（Ｈ１’＋Ｈ２’＋Ｈ３’）の値が大きくなり、熱が単結晶８０中へ蓄積していくと考えられる。この結果、単結晶８０の底面の温度分布において中央部分の温度が高くなるため、固液界面は次第に融液側に凹の８４ｂの状態となると考えられる。
【００２２】
そして、固液界面が融液側に凹の８４ｂの状態となると、結晶欠陥であるリネージ、亜粒界等が発生し、さらにＡｌｌ　Ｓｉｎｇｌｅのインゴットが得られなくなることにつながるのである。
【００２３】
従って、単結晶８０の固液界面を融液側に凸の８４ａの状態を保つには、単結晶８０の引き上げ速度を遅くしてＨ２の増加を抑え、底面の中央部分の温度上昇を回避すればよいことに想到した。しかし引き上げ速度を遅くすることは、インゴットの生産コストの観点からは好ましくない。
【００２４】
そこで、さらに研究を進めた結果、本願発明者らは、単結晶８０の引き上げにおいて所定の成長地点まで速度を遅くして引き上げをおこなえば、それ以降は、より速い速度で引き上げることが可能であることに想到した。
【００２５】
この研究結果について、図４を用いて説明する。
【００２６】
但し、Ｈ１’’は、融液９０より単結晶８０へ流入する熱を示し、Ｈ２’’は、固液界面８４ａにて発生し単結晶８０へ流入する凝固熱を示し、Ｈ３’’は、融液９０近傍の液体封止剤９５から単結晶８０へ流入する熱を示し、Ｈ４’’は、単結晶８０から不活性ガスの雰囲気５５近傍の液体封止剤９５へ放出される熱を示し、Ｈ５’’（図面中、三点鎖線で示した。）は、単結晶８０から不活性ガスの雰囲気５５へ放出される熱を示している。
【００２７】
Ｈ２’’は、図３にて説明したように、単結晶８０の引き上げ速度に比例するので図２のＨ２と比較して大きな値となるが、単結晶８０の径は最早増加しないので、その増加の割合は図３のＨ２’より小さい。
【００２８】
同時に、単結晶８０の形状増大に伴ない、Ｈ１’’、Ｈ２’’とも絶対値はＨ１、Ｈ２より大きくなるが、その値はほぼ一定化する。
【００２９】
これに対し、単結晶８０からの熱放出であるＨ４’’の値は、単結晶８０の形状増大に比例して大きくなり、さらに単結晶８０の種付け部８１が液体封止剤９５と不活性ガス５５との気液界面を通過すれば、単結晶８０から不活性ガスの雰囲気５５への熱放出Ｈ５’’も加わり、単結晶８０からの熱の放出量はさらに大きくなる。
【００３０】
従って、速い引き上げ速度のためにＨ２’’が増加しても、この増加分はＨ４’’とＨ５’’とにより単結晶８０より放出されてしまうので、最早、単結晶８０の底面における中央部の温度上昇は抑制され、固液界面は融液側に凹８４ｂの状態とはならないのだと考えられる。
【００３１】
しかし、所定の成長地点まで遅い速度で引き上げをおこない、それ以降は速い速度で引き上げるとはいっても、この地点で急激な引き上げ速度の変化があると、これが結晶欠陥発生の原因となる。そこで、遅い速度の引き上げの際に引き上げ速度を一定の割合で増加させ、速い速度の引き上げへスムーズに移行させることが好ましい。
【００３２】
また、単結晶８０と不活性ガスの雰囲気５５との温度差が大きいことより、Ｈ５’’による熱放出の効率が高いことを考えると、単結晶８０が定径部８３の所定の成長地点（例えば、定径部の開始地点から２０ｍｍ程度の地点）に到達したとき、単結晶の種付け部８１は液体封止剤９５と不活性ガスの雰囲気５５との界面を通過し終わっていることが好ましい。
【００３３】
以上の解明結果に基づき、上述の課題を解決するための第１の手段は、雰囲気として不活性ガスを充填したチャンバ内に、原料と封止剤とを収納したるつぼを設置して加熱し、前記原料と封止剤とを融解させた後、前記原料融液に種結晶を接触させて引き上げることにより単結晶を成長させる化合物半導体単結晶の成長方法であって、
前記種結晶とつながる種付け部と、前記種付け部とつながり結晶径が増加する増径部と、前記増径部とつながり結晶径が概ね一定である定径部とを有する化合物半導体単結晶を得るにあたり、
前記引き上げられつつある単結晶において、単結晶の固液界面で生成する凝固熱が、単結晶から放熱する熱量を上回ることのないように、単結晶からの放熱が少ない前記種付け部から前記定径部の所定の成長地点までの引き上げ速度を、前記所定の成長地点以降における引き上げ速度より遅くすることを特徴とする化合物半導体単結晶の成長方法である。
【００３４】
第２の手段は、第１の手段に記載の化合物半導体単結晶の成長方法であって、前記種付け部から、前記定径部における所定の成長地点までの前記化合物半導体単結晶の引き上げ速度が一定の割合で増加し、それ以降の引き上げ速度は一定であることを特徴とする化合物半導体単結晶の成長方法である。
【００３５】
第３の手段は、第１または第２の手段に記載の化合物半導体単結晶の成長方法であって、
前記所定の成長地点とは、前記化合物半導体単結晶における定径部の形成初期段階の地点であることを特徴とする化合物半導体単結晶の成長方法である。
【００３６】
上述の構成により、引き上げ速度の遅い領域を種付け部から定径部の形成初期段階の地点までとすることで、化合物半導体インゴットの単結晶収率を向上させると伴に、生産性を確保することができる。
【００３７】
第４の手段は、第３の手段に記載の化合物半導体単結晶の成長方法であって、前記化合物半導体単結晶の引き上げが前記定径部の形成初期段階の地点に到達したとき、前記種付け部は、前記液体封止剤と前記雰囲気との界面を通過し終わっていることを特徴とする化合物半導体単結晶の成長方法である。
【００３８】
第５の手段は、第１から第４のいずれかの手段に記載の化合物半導体とは、ＧａＡｓ、ＧａＰ、ＩｎＡｓ、ＩｎＰ、ＩｎＳｂのいずれかであることを特徴とする化合物半導体単結晶の成長方法である。
【００３９】
【発明の実施の形態】
以下、本願発明に係る実施の形態例について、図面を参照しながら説明する。
【００４０】
図１は、本願発明に係る単結晶成長方法によりインゴットを製造する結晶成長装置１の装置例の模式的断面図である。
【００４１】
図１において、るつぼ１０は有底円筒状をなすＰＢＮ製の内層容器１１と内層容器１１の外側を保持すべく嵌合された同じく有底円筒状の黒鉛製の外層保持容器１２にて構成されている。るつぼ１０の外側には、例えば抵抗加熱式ヒーター２０が同心円状に配設されており、ヒーター２０の外側には保温筒６１が同心円状に配設され、底部には保温板６２が配設されＨＺを構成している。
【００４２】
るつぼ１０内には、所定重量の原料をヒーター２０により溶融させた融液９０が充填され、さらに融液９０の上層には三酸化硼素等の液体封止剤９５が存在する。
【００４３】
尚、原料としては、ＧａＡｓ、ＩｎＰ、ＧａＰ、ＩｎＡｓ等が適用可能である。
【００４４】
るつぼ１０の中心軸上には、支持軸４０と同一軸心で逆方向あるいは同方向に所定の速度で回転する引き上げ軸３０が配設されており、引き上げ軸３０には保持具３１を介して種結晶７０が設置されている。ここで、融液９０に浸せきした種結晶７０を引き上げ軸３０によって引き上げることにより、種結晶７０の下端から単結晶８０を成長させることができる。
【００４５】
中空円筒状のチャンバ５０は円筒状をなすメインチャンバ５１とメインチャンバ５１に連接固定された円筒状のプルチャンバ５２から構成されている。そしてチャンバ５０内の雰囲気５５は不活性ガスにより構成されている。
【００４６】
引き上げ途中にある単結晶８０は、種付け部８１、増径部８２、定径部８３および固液界面を有している。この固液界面には、後述する単結晶成長の成長条件により、図面中一点鎖線で示す融液側に凸８４ａの場合と、または図面中破線で示す融液側に凹８４ｂの場合とがある。
【００４７】
次に、単結晶を成長させてインゴットを製造する方法について説明する。
【００４８】
ＬＥＣ法においては、生産コストの観点より生産目的物である単結晶８０の結晶断面積より小さな断面積を有する結晶を種結晶７０として用い、これを融液９０へ浸せきした後引き上げて種付け部８１、増径部８２、定径部８３、終端部と結晶成長をおこなってインゴットを製造するのが一般的であり、本実施の形態においてもこの構成を採っている。
【００４９】
さらに通常のＬＥＣ法においては、前記単結晶の成長地点が、上述した種付け部８１から、増径部８２、定径部８３を経て終端部に至るまで、一定の速度で引き上げをおこなうが、本実施の形態においては、種結晶７０の種付け地点から所定の成長地点までにおける単結晶８０の引き上げ速度を、前記所定の成長地点以降における単結晶８０の引き上げ速度より遅くしている。この結果、固液界面の形状を融液側に凸８４ａの形に再現性良く保つことができた。
【００５０】
また、前記種付け部から、前記定径部における所定の成長地点までの前記化合物半導体単結晶の引き上げ速度を一定の割合で増加させて、前記化合物半導体単結晶の成長が前記定径部における所定の成長地点に到達したとき、前記一定の割合で増加した引き上げ速度を、それ以降の引き上げ速度とほぼ等しくさせることで、前記遅い速度の引き上げから速い速度の引き上げへ、スムーズに移行することで固液界面の形状を融液側に凸８４ａの形に安定に保つことができた。
【００５１】
そして上述の所定の成長地点以降における単結晶８０の引き上げは、通常のＬＥＣ法と同様の操作を行うことで、結晶の種付け部から結晶成長終端部まで全域が単結晶であるＡｌｌ　Ｓｉｎｇｌｅのインゴットが高い確率で製造できた。
【００５２】
ここで、前記所定の成長地点を、単結晶８０における定径部８３の形成初期段階の地点とすることで、結晶欠陥の発生を回避すると同時に、インゴットの生産性が低下するのを抑制することができる。
【００５３】
さらに、単結晶８０の引き上げが定径部８３の形成初期段階の地点に到達したとき、種付け部８１は、液体封止剤と前記雰囲気との界面を通過し終わっているように液体封止剤９５の量を設定しておくことにより、単結晶８０からの余分な熱の放出を実現し、Ａｌｌ　Ｓｉｎｇｌｅのインゴットが製造できる確率を高めることができた。
【００５４】
以上の実施の形態のもとで、インゴットの成長完了後の固液界面形状を観察したところ、従来技術で製造した単結晶の固液界面形状に比較して融液側への凸の度合いが大きくなっており、中でも、増径部における固液界面形状の融液側への凸の度合いは、定径部における凸の度合いよりさらに大きいことが確認できた。
【００５５】
さらに加えて、本願発明に係るインゴットは、従来法で製造されたインゴットと比較して、Ａｌｌ　Ｓｉｎｇｌｅのインゴットである確率が高いのみでなく、転移の集積部が少ないことも判明した。すなわち従来法のインゴットは、Ａｌｌ　Ｓｉｎｇｌｅとは言っても、リネージ、亜粒界には至らない転移が集積していたものであったが、本願発明に係るインゴットでは、これらの転移の集積部も低減していることが判明した。
【００５６】
この結果、本願発明により製造されたインゴットから切り出されるウェーハを用いて、各種の素子を作製した場合、前記転移に起因する素子の歩留まりの低下を防止できることから、素子の工業的生産における経済的効果は多大なものとなる。
【００５７】
（実施例１）
直径が２８０ｍｍのＰＢＮるつぼへ、原料としてＧａＡｓ、さらに液体封止剤として三酸化硼素を装填する。チャンバ内を不活性ガス雰囲気とした後、るつぼをヒーターにて加熱しるつぼ内を原料融液と液体封止剤の２層とする。
【００５８】
前記原料融液へ断面１０ｍｍ角の種結晶を接触させ、定径部の結晶直径１００ｍｍ結晶長さ４００ｍｍの単結晶成長と引き上げを５０回実施した。
【００５９】
この時の引き上げ速度は、種付け部で２ｍｍ／ｈｒ、増径部の形成を経て定径部が形成開始してから２０ｍｍの地点を通過した以降の引き上げ速度を１０ｍｍ／ｈｒとし、前記種付け部より増径部の形成を経て定径部が形成開始してから２０ｍｍの地点までの引き上げ速度の上昇割合を一定とした。
【００６０】
また、本実施例において、定径部が形成開始してから２０ｍｍの地点を通過の際、前記種付け部は液体封止剤と雰囲気との界面を通過していた。
【００６１】
その結果、結晶の種付け部から結晶成長終端部まで全域が単結晶であるＡｌｌ　Ｓｉｎｇｌｅのインゴットが９５％以上の確率で製造できた。
【００６２】
（実施例２）
定径部が形成開始してから２０ｍｍの地点を通過の際、前記種付け部が液体封止剤中に存在する以外は、実施例１と同様の試験をおこなった。
【００６３】
その結果、結晶の種付け部から結晶成長終端部まで全域が単結晶であるＡｌｌ　Ｓｉｎｇｌｅのインゴットが約８０％以下の確率で製造できた。
【００６４】
（実施例３）
原料として、ＧａＡｓに替えてＩｎＰ、ＧａＰ、ＩｎＡｓ等のＬＥＣ法にてインゴット製造をおこなう材料について、実施例１および２に記載する試験をおこなったところ、これらとほぼ同様の確率をもって、結晶の種付け部から結晶成長終端部まで全域が単結晶であるＡｌｌ　Ｓｉｎｇｌｅのインゴットが製造できた。
【００６５】
（比較例）
種付け部から結晶成長終端部までの引き上げ速度を、１０ｍｍ／ｈｒと設定した以外は、実施例１と同様の試験をおこなった。
【００６６】
その結果、結晶の種付け部から結晶成長終端部まで全域が単結晶であるＡｌｌ　Ｓｉｎｇｌｅのインゴットが得られる確率は５０％以下であった。
【００６７】
【発明の効果】
以上、詳述したように本願発明はＬＥＣ法による化合物半導体単結晶の成長方法であって、引き上げられつつある単結晶において、単結晶の固液界面で生成する凝固熱が、単結晶から放熱する熱量を上回ることのないように、単結晶からの放熱が少ない前記種付け部から前記定径部の所定の成長地点までの引き上げ速度を、前記所定の成長地点以降における引き上げ速度より遅くすることで成長初期段階の固液界面状況を再現性良く制御し、単結晶収率の高い良質なインゴットを高い確率で製造することが可能となった。
【図面の簡単な説明】
【図１】本願発明に係る単結晶成長方法を実施中の結晶成長装置の模式的断面図である。
【図２】増径部が形成されつつある単結晶を、０に近い速度で引き上げた際の状態を示す模式図である。
【図３】増径部が形成されつつある単結晶を、速い速度で引き上げた場合の状態を示す模式図である。
【図４】定径部における所定の成長地点を通過した後、速い速度で単結晶を引き上げている状態を示す模式図である。
【符号の説明】
１０　るつぼ
５０　チャンバ
５５　不活性ガスの雰囲気
７０　種結晶
８０　単結晶
８１　種付け部
８２　増径部
８３　定径部
９０　原料融液
９５　液体封止剤
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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