(57)【要約】【課題】熱磁気自発ホール効果を用いた磁気ＲＡＭ及びこれを用いたデータ記録及び再生方法を提供する。【解決手段】ＭＯＳトランジスタと、このソースと連結され、データの記録されるメモリ層と、メモリ層を加熱するための加熱手段と、データ記録時に前記メモリ層の加熱された領域の磁化状態を変えるため磁気場を印加するように備えられた記録ラインを備える。本発明により、高集積による保磁性の増加及びセルの熱的安定性問題を解消することができ、セル抵抗が小さくて超高速動作が可能であり、製造工程が単純で製造コストを低減することができる。また、メモリ層の磁化状態による自発ホール電圧差が大きいので、高いデータセンシングマージンを有する。【選択図】　　　図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＭＯＳトランジスタのソースと連結されるように前記ＭＯＳトランジスタ上に形成された加熱手段と、
一部が前記加熱手段上に形成されており、その一部にデータが記録されるメモリ層と、
前記メモリ層の前記データが記録される部分を通るビットラインと、
前記ビットライン及びメモリ層を覆う絶縁膜と、
少なくとも前記メモリ層の前記データが記録される部分にデータ記録に必要な磁気場が発生されるように前記絶縁膜上に形成されたデータ記録ラインとを備えることを特徴とする自発ホール効果を用いた磁気ＲＡＭ。
【請求項２】
前記加熱手段はＭＯＳトランジスタのゲートの真上に備えられたことを特徴とする請求項１に記載の自発ホール効果を用いた磁気ＲＡＭ。
【請求項３】
前記加熱手段は、電流により加熱可能な、ニッケル
とクロムを含む合金層、又はチタンアルミニウムナイトライド層であることを特徴とする請求項１に記載の自発ホール効果を用いた磁気ＲＡＭ。
【請求項４】
前記メモリ層は、非晶質希土類遷移金属層であることを特徴とする請求項１に記載の自発ホール効果を用いた磁気ＲＡＭ。
【請求項５】
データの記録されるメモリ層が備えられたメモリセルを選択する段階と、
前記メモリ層が常磁性になるまで前記メモリ層を加熱してデータを記録する段階とを含むことを特徴とするデータ記録方法。
【請求項６】
前記メモリ層を、その下部に備えられた加熱手段を用いて加熱することを特徴とする請求項５に記載のデータ記録方法。
【請求項７】
前記加熱手段に電流を通過させて前記メモリ層を加熱することを特徴とする請求項６に記載のデータ記録方法。
【請求項８】
前記メモリ層は非晶質希土類遷移金属層であることを特徴とする請求項５に記載のデータ記録方法。
【請求項９】
前記加熱手段はニッケルとクロムを含む合金層、又はチタンアルミニウムナイトライド層であることを特徴とする請求項６に記載のデータ記録方法。
【請求項１０】
データの記録されるメモリ層を備えるメモリセルを選択する段階と、
前記メモリ層が常磁性になるまで前記メモリ層を加熱して第１データを記録する段階と、
前記常磁性のメモリ層を強磁性に変えることによって第２データを記録する段階とを含むことを特徴とするデータ記録方法。
【請求項１１】
前記メモリ層を、その下部に備えられた加熱手段を用いて加熱することを特徴とする請求項１０に記載のデータ記録方法。
【請求項１２】
前記加熱手段に電流を通過させて前記メモリ層を加熱することを特徴とする請求項１１に記載のデータ記録方法。
【請求項１３】
前記メモリ層は非晶質希土類遷移金属層であることを特徴とする請求項１０に記載のデータ記録方法。
【請求項１４】
前記加熱手段はニッケルとクロムとを含む合金層、又はチタンアルミニウムナイトライド層であることを特徴とする請求項１１に記載のデータ記録方法。
【請求項１５】
前記メモリ層上に前記メモリ層と平行に電流を通過させて前記常磁性のメモリ層を強磁性に変化させることを特徴とする請求項１０に記載のデータ記録方法。
【請求項１６】
データが記録されたメモリ層を含むメモリセルを選択する段階と、
前記選択されたセルの前記メモリ層に再生電流を印加する段階と、
前記メモリ層の自発ホール電圧を測定して前記メモリ層に記録されたデータを読み取る段階とを含むことを特徴とするデータ再生方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は磁気ＲＡＭ（Ｍａｇｎｅｔｉｃ　ＲＡＭ）及びこれを用いたデータ記録及び再生方法に係り、より詳しくは熱磁気自発ホール効果（ｔｈｅｒｍｏ−ｍａｇｎｅｔｉｃ　ｓｐｏｎｔａｎｅｏｕｓ　ｈａｌｌ　ｅｆｆｅｃｔ）を用いた磁気ＲＡＭ及びこれを用いたデータ記録及び再生方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
巨大磁気抵抗（ＧＭＲ）現象は、電子が隣り合った磁性層を通過する時、その隣り合う磁性層の磁化配列が平行であるか或いは反平行であるかにより薄膜の抵抗が変化することに起因する。前記ＧＭＲ現象はスピン依存散乱によって説明が可能である。
二つ磁性層の間に金属ではないアルミニウム酸化膜（Ａｌ２Ｏ３）のような絶縁膜が存在する場合にもスピン依存散乱現象が現れる。これを透過磁気抵抗（Ｔｕｎｎｅｌｉｎｇ　Ｍａｇｎｅｔｏ−Ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ；ＴＭＲ）現象という。
【０００３】
従来の磁気ＲＡＭは、こうしたＧＭＲ現象やＴＭＲ現象を用いた不揮発性メモリ（ＭＲＡＭ）素子である。従って、磁気ＲＡＭに記録された情報はＤＲＡＭやＳＲＡＭのようなメモリ素子とは違って、電源が消えた状態でも消失しない。
【０００４】
ＧＭＲメモリ素子は保磁力が大きいピンドレイヤー（ｐｉｎｎｅｄ　ｌａｙｅｒ）と保磁力が小さい自由層とから構成されたスピンバルブ構造を有している。前記ＧＭＲメモリ素子で情報の記録は、ワードライン及びビットラインに加えられる電流により生成される磁気場で前記自由層のスピン方向を変えることにより成される。そして情報の判読は、ワードラインに電流を加え、ビットラインを通じて抵抗を測定することにより成される。
【０００５】
ＴＭＲメモリ素子はＧＭＲメモリ素子に比べて磁気抵抗が大きい。そのため、ＴＭＲメモリ素子を使用すれば大きい信号を得ることができ、電力消費も減らすことができる。その反面、抵抗が１０６Ωμｍ２程度と非常に大きいので、サイズが小さくなる場合、動作時間が延び、ノイズが増えるという短所がある。
【０００６】
こうした従来の磁気ＲＡＭは、セルサイズをサブミクロン以下に小さくする場合、保磁性が増加され、セルの熱的安定性が低くなって高集積化が極めて難しいという問題がある。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、高集積及び超高速動作が可能であり、また、製造工程も簡易にすることで、製造コストも低減することができる熱磁気自発ホール効果を用いた磁気ＲＡＭを提供することである。
本発明の第２の目的は、こうした磁気ＲＡＭを用いたデータ記録方法を提供することである。
本発明の第３の目的は、前記磁気ＲＡＭを用いたデータ再生方法を提供することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
前記目的を達成するために、本発明は絶縁膜を挟んでＭＯＳトランジスタのソースと連結された加熱手段と、前記加熱手段上に形成されて“１”又は“０”が記録されるメモリ層と、前記メモリ層上に形成されており、前記加熱手段を通るように形成されたビットラインと、ビットラインとメモリ層とを覆う層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜上に形成されて前記メモリ層の少なくとも前記加熱手段上に形成された部分にデータ記録のための磁気場を発生させるデータ記録ラインとを備えることを特徴とする自発ホール効果を用いた磁気ＲＡＭを提供する。
【０００９】
前記加熱手段は、ＭＯＳトランジスタのゲートと連結されたワードラインの上側に備えられている。
【００１０】
前記加熱手段は電流により加熱される物質層であって、ニッケルとクロムとを含む合金層（ＮｉＣｒ）又はチタンアルミニウムナイトライド（ＴｉＡｌＮ）層である。
【００１１】
前記メモリ層は非晶質希土類遷移金属層（Ａｍｏｒｐｈｏｕｓ　ｒａｒｅ　ｅａｒｔｈ（ＲＥ）−Ｔｒａｎｓｉｔｉｏｎ　ｍｅｔａｌ（ＴＭ）ｌａｙｅｒ）であることが望ましい。
【００１２】
前記第２の目的を達成するために、本発明はデータの記録されるメモリ層が備えられたメモリセルを選択する段階と、前記メモリ層の磁化状態が常磁性になるまで前記メモリ層を加熱してデータを記録する段階とを含むことを特徴とするデータ記録方法を提供する。
【００１３】
また、前記第２の目的を達成するために、本発明は、データの記録されるメモリ層を備えるメモリセルを選択する段階と、前記メモリ層が常磁性になるまで前記メモリ層を加熱して第１データを記録する段階と、前記常磁性のメモリ層を強磁性に変えることで第２データを記録する段階とを含むことを特徴とするデータ記録方法を提供する。
【００１４】
さらに、前記した第３の目的を達成するために、データが記録されたメモリ層を含むメモリセルを選択する段階と、前記選択されたセルの前記メモリ層に再生電流を印加する段階と、前記メモリ層の自発ホール電圧（ＶＨ）を測定して前記メモリ層に記録されたデータを読み取る段階とを含むことを特徴とするデータ再生方法を提供する。
こうした本発明を用いれば、高集積による保磁性の増加及びセルの熱的安定性の問題を解消することができ、セル抵抗が小さく超高速動作が可能であり、さらに既存の半導体製造工程で簡単に製造できるので製造コストを低減することができる。また、メモリ層の磁化状態による自発ホール電圧差が大きいことを利用して磁気ＲＡＭがデータの記録再生をしているので、高いデータセンシングマージンを有する。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の熱磁気自発ホール効果を用いた磁気ＲＡＭ及びこれを用いたデータ記録及び再生方法の実施形態について添付した図面を参照して詳細に説明する。
本発明の実施形態による磁気ＲＡＭは、磁性物質である非晶質希土類遷移金属（以下、非晶質ＲＥ−ＴＭという）にデータの記録されるメモリ層を形成したものである。前記メモリ層の磁化状態により変わる自発ホール効果を用いている。すなわち、前記メモリ層の磁化状態により前記メモリ層のホール電圧が変わる。本実施形態による磁気ＲＡＭはデータを記録し、再生するにあたってこの自発ホール効果を用いる。
【００１６】
前記自発ホール効果は磁性物質の固有特性であって、磁性物質内の自由電子と磁気モーメントの相互作用であるスピン軌道相互作用に起因する。磁性物質内での自発ホール効果はローレンツ力によるホール効果（以下、正常ホール効果という）に比べて相当に大きい。特に、非晶質ＲＥ−ＴＭでの自発ホール効果は正常ホール効果に比べてはるかに大きいので、本発明の実施例で正常ホール効果によるホール電圧は無視できる。
【００１７】
前記メモリ層での自発ホール効果はメモリ層の磁化状態により変わる。即ち、前記メモリ層の自発ホール効果は、前記メモリ層の磁化状態が常磁性状態か、強磁性状態かで大きく違う。
【００１８】
前記メモリ層が非晶質ＲＥ−ＴＭで形成された場合に前記メモリ層がキュリー点以上に加熱されれば、前記メモリ層の磁化状態は電子のスピン方向が任意方向になる常磁性状態になり、前記メモリ層の自発ホール効果に起因した自発ホール電圧は低くなる。このように、前記メモリ層の磁化状態が常磁性状態である時、外部から磁気場を印加する場合、前記メモリ層の電子は前記外部磁気場に沿って特定方向に整列される。即ち、前記メモリ層内の電子のスピン方向は前記外部磁気場の方向と平行になって、前記メモリ層の磁化状態は強磁性状態になる。その結果、前記メモリ層の自発ホール効果に起因した自発ホール電圧は、前記メモリ層の磁化状態が常磁性状態の時に比べてはるかに高くなる。
【００１９】
本発明は前記メモリ層のこうした特性を用いてデータ“０”又は“１”を記録又は再生する磁気メモリ素子及びこれを用いたデータ記録及び再生方法に関する。
【００２０】
先ず、本発明の実施形態に係る磁気ＲＡＭについて説明する。
本実施形態に係る磁気ＲＡＭは、ビット単位でデータが記録される複数の単位セルから構成される。図１は、単位セルの構成を示す。
【００２１】
図１を参照すれば、本発明の実施例による磁気ＲＡＭを構成する単位セルは上部及び下部構造物Ｐ１，Ｐ２から構成される。上部及び下部構造物Ｐ１，Ｐ２の間には、加熱手段５０が備えられている。
【００２２】
下部構造物Ｐ２は、ＭＯＳトランジスタ（例えば、ＮＭＯＳトランジスタ）と前記ＭＯＳトランジスタの不純物領域、例えばソース領域Ｓと加熱手段５０とを電気的に連結する金属配線４４を含む。金属配線４４は、多様な導電性配線で構成することができる。例えば、アルミニウム配線又はドーピングされたポリシリコン配線で構成することができる。下部構造物Ｐ２のうち参照符号Ｇ及びＤは、各々前記ＭＯＳトランジスタのゲート及びドレーンを示す。又、符合ＷＬはゲートＧに連結されたワードラインを、符合４０及び４２は、各々前記ＭＯＳトランジスタが形成された基板及びドレーンＤに連結された接地線を示す。加熱手段５０と連結された金属配線４４とワードラインＷＬとの間には、第１絶縁膜４６が形成されている。
【００２３】
上部構造物Ｐ１は、メモリ層５２、ビットラインＢＬ、第２絶縁膜５４、記録ライン５６を含む。メモリ層５２は、データ“０”、“１”が記録される領域５２ａを有し、ワードラインＷＬと平行になっている。ビットラインＢＬは、メモリ層５２と垂直に備えられ、メモリ層５２の記録されたデータをスイッチングさせる。第２絶縁層５４は、メモリ層５２とビットラインＢＬを覆う。記録ライン５６は、第２絶縁層５４上に備えられ、メモリ層５２と平行になっている。メモリ層５２のデータが記録される領域５２ａ（データ記録領域という）にデータを記録するためには、加熱手段５０によりデータ記録領域５２ａを与えられた温度以上に（望ましくはキュリー点以上に）加熱する。その後、記録しようとするデータによりデータ記録領域５２ａの磁化状態を決定してデータ記録領域５２ａの自発ホール電圧を決定しなければならない。
【００２４】
例えば、記録しようとするデータが“１”である場合、データ記録領域５２ａの磁化状態を強磁性状態としてデータ記録領域５２ａの自発ホール電圧を大きくする。一方、記録しようとするデータが“０”である場合、データ記録領域５２ａの磁化状態を常磁性状態にしてデータ記録領域５２ａの自発ホール電圧を小さくする。前記二つ場合は互いに反対にすることができる。即ち、記録しようとするデータが“１”である場合にデータ記録領域５２ａの自発ホール電圧を小さくし、データが“０”である場合にデータ記録領域５２ａの自発ホール電圧を大きくすることもできる。
【００２５】
このように、メモリ層５２のデータ記録領域５２ａにデータを記録する過程で、データ記録領域５２ａの磁化状態は記録ライン５６により決定される。そのため、結局データ記録領域５２ａの自発ホール電圧も記録ライン５６により決定される。
【００２６】
即ち、データ記録領域５２ａにデータ“１”を記録する時、与えられた温度以上に加熱されたデータ記録領域５２ａの磁化状態を強磁性状態にするため記録ライン５６に与えられた値の電流を印加する。この結果、記録ライン５６の周りに与えられた電流値に比例する強度を有する磁気場が形成され、データ記録領域５２ａは前記磁気場内に置かれる。前記加熱されたデータ記録領域５２ａの磁化状態は常磁性状態である。前記磁気場が前記常磁性状態のデータ記録領域５２ａを通過する場合、データ記録領域５２ａの電子のスピン方向は前記磁気場に沿って整列される。この結果、データ記録領域５２ａの磁化状態は前記常磁性状態から強磁性状態になって自発ホール電圧が大きくなり、データ記録領域５２ａにデータ“１”が記録されたことと見なされる。
【００２７】
一方、データ記録領域５２ａにデータ“０”を記録する時は、記録ライン５６に電流が印加されない。したがって、記録ライン５６の周りに磁気場が形成されない。このように、データ“１”を記録する時とは違って、データ“０”を記録する時はデータ記録領域５２ａを通過する磁気場はない。そのため、データ記録領域５２ａの磁化状態は、加熱された時の常磁性状態がそのまま維持されて、データ記録領域５２ａの自発ホール電圧は低くなる。このようにデータ記録領域５２の自発ホール電圧が低くなった状態から、データ記録領域５２にデータ“０”が記録されたことがわかる。
【００２８】
メモリ層５２は非晶質のＲＥ−ＴＭ層であって、望ましくはテルビウム（Ｔｂ）とコバルト（Ｃｏ）を含む合金層（ＴｂＣｏ）である。メモリ層５２の前記データが記録される領域５２ａは、加熱手段５０の真上に位置し、加熱手段５０と接触している。第２絶縁膜５４はシリコン酸化膜であるが、異なる絶縁膜でもよい。加熱手段５０は、下部構造物Ｐ２のＭＯＳトランジスタから加熱手段５０及びビットラインＢＬを通じて流れる電流により加熱され、メモリ層５２のデータ記録領域５２ａを加熱させる物質層である。望ましくは、加熱手段５０は、データ記録領域５２ａを与えられた時間に与えられた温度以上に（例えば、メモリ層５２がテルビウムとコバルトの合金層である場合２５０℃以上に）、さらに望ましくは短時間内にキュリー点以上に加熱させることが望ましい。一例として、加熱手段５０はニッケルクロム（ＮｉＣｒ）合金層やチタンアルミニウムナイトライド（ＴｉＡｌＮ）層とするとができる。
【００２９】
次に、前述したような磁気ＲＡＭにデータを記録する方法と記録されたデータを再生する方法を、図２及び図３を参照しながら順次説明する。
データ“１”を記録する方法
図２は、データ“１”が記録される過程を示す概念図で、図１に示した磁気ＲＡＭの加熱手段５０を加熱するため印加される電流Ｉｈの流れと、記録ライン５６に印加される電流Ｉｗによりデータ記録領域５２ａに形成される磁気場Ｂとを示す。
【００３０】
図２を参照してわかるように、下部構造物Ｐ２のＭＯＳトランジスタから加熱手段５０を通ってビットラインＢＬに流れる電流Ｉｈ（以下、加熱電流という）を印加する。この際、加熱電流Ｉｈは、メモリ層５２が少なくともキュリー点以上に加熱される程度に印加することが望ましい。例えば、メモリ層５２がＴｂＣｏ層である場合、加熱電流Ｉｈは、加熱手段５０によりメモリ層５２が少なくとも２５０℃で、与えられた時間中、加熱される程度に印加することが望ましい。加熱電流Ｉｈにより加熱手段５０が加熱されて、データ記録領域５２ａがそのキュリー点温度以上に加熱されれば、記録ライン５６に与えられた電流Ｉｗ（以下、記録電流という）を印加して記録ライン５６の周りに磁気場Ｂを形成する。この際、加熱されて常磁性状態であるデータ記録領域５２ａの磁化状態を強磁性状態に変えるため、充分な強度の磁気場Ｂをデータ記録領域５２ａに形成する程度に記録ライン５６に記録電流Ｉｗを印加するのが望ましい。図２で参照符号Ｓｄは、こうした磁気場Ｂにより磁気場Ｂの方向に整列されたデータ記録領域５２ａの電子のスピン方向を示す。このように、データ記録領域５２ａの電子のスピン方向が磁気場Ｂの方向に沿って整列されることにより、データ記録領域５２ａの磁化状態は強磁性状態になる。そして、データ記録領域５２ａの自発ホール電圧は、データ記録領域５２ａが常磁性である時よりはるかに大きくなる。このように、データ記録領域５２ａの自発ホール電圧が大きくなった状態が、データ“１”が記録されたことを示す。
【００３１】
データ“０”を記録する方法
図３に示したように、加熱電流Ｉｈを流して加熱手段５０を加熱する。すると、加熱された加熱手段５０により、メモリ層５２のデータ記録領域５２ａが与えられた温度以上に加熱される。この過程は、データ記録領域５２ａが加熱された後、記録ライン５６に別途の電流を印加しないことを除いては、前記したデータ“１”を記録する時と同一である。即ち、加熱されたデータ記録領域５２ａには、磁気場を印加しない。これにより、データ記録領域５２ａの磁化状態は電子のスピン方向が特定方向に整列されない状態、即ち常磁性状態になる。常磁性状態のデータ記録領域５２ａの自発ホール電圧は、強磁性状態である時に比べてはるかに小さい。このように、データ記録領域５２ａの自発ホール電圧が小さくなった状態が、データ“０”が記録されたことを示す。
【００３２】
前述したデータ記録方法において、データ“１”を記録する方法でデータ“０”を記録することができ、その反対も同様である。即ち、データ記録領域５２ａの自発ホール電圧が大きい場合をデータ“０”が記録されたこととし、自発ホール電圧が小さい場合をデータ“１”が記録されたこととしても差し支えない。
【００３３】
次に、図１に示した磁気ＲＡＭのデータ記録領域５２ａに記録されたデータを再生（ｒｅａｄ）する方法に対して説明する。この際、データ記録領域５２ａの自発ホール電圧が大きい場合をデータ“１”が記録されたこととし、自発ホール電圧が小さい場合をデータ“０”が記録されたこととする。これと反対である場合も差し支えない。
【００３４】
データ“１”を再生する方法
図４に示したように、記録ライン５６に再生電流Ｉｒを印加した後、データ記録領域５２ａの上部及び下部の間の自発ホール電圧Ｖｈを測定する。この際、データ記録領域５２ａの電子スピン方向Ｓｄはデータ“１”を記録する時印加された磁気場の方向に整列されているので、データ記録領域５２ａの磁化状態は強磁性状態である。従って、前記測定されたデータ記録領域５２ａの自発ホール電圧Ｖｈは大きい値で測定される。
【００３５】
データ“０”を再生する方法
図５に示したように、記録ライン５６に再生電流Ｉｒを印加した後、データ記録領域５２ａの上部及び下部の間の自発ホール電圧Ｖｈ１を測定する。この際、データ記録領域５２ａにはデータ“１”が記録された場合とは違って電子の整列されたスピン方向がない。即ち、データ“０”が記録された場合、データ記録領域５２ａの電子のスピン方向は任意であるので、データ記録領域５２ａは特定方向に整列された電子スピンを有しない。そのため、データ記録領域５２ａは常磁性状態になる。したがって、データ記録領域５２の自発ホール電圧Ｖｈ１は、データ“１”を測定した時よりはるかに小さい値で測定される。
【００３６】
前記した説明で多くの事項が具体的に記載されているが、それらは発明の範囲を限定するものではなく、望ましい実施例の例示として理解しなければならない。例えば、本発明の属する技術分野で通常の知識を持つ者なら、下部構造物でＭＯＳトランジスタを多様ものと代替することができ、上部及び下部構造物で絶縁膜を多層膜で構成することもできる。こうした本発明の多様な変形可能性のため本発明の範囲は、説明した実施形態により決められることではなく、特許請求の範囲に記載された技術的思想により決められなければならない。
【００３７】
【発明の効果】
前述したように、本発明に係る磁気ＲＡＭは高集積による保磁性の増加及びセルの熱的安定性問題を改善することができ、セル抵抗が小さいので、超高速動作が可能である。そして、既存の半導体製造工程をそのまま適用することができる単純な構造なので製造コストを低減することができる。また、メモリ層の磁化状態による自発ホール電圧差が大きいという事実を利用してデータを記録し、又再生するので高いデータセンシングマージンを有する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態に係る熱磁気自発ホール効果を用いた磁気ＲＡＭを構成する単位メモリセルの斜視図である。
【図２】図１に示した単位メモリセルにデータ“１”及び“０”を記録する過程を説明するための図面である。
【図３】図１に示した単位メモリセルにデータ“１”及び“０”を記録する過程を説明するための図面である。
【図４】図１に示した単位メモリセルに記録されたデータ“１”及び“０”を再生する（読み取る）過程を説明するための図面である。
【図５】図１に示した単位メモリセルに記録されたデータ“１”及び“０”を再生する（読み取る）過程を説明するための図面である。
【符号の説明】
４４：金属配線
４６：第１絶縁膜
５０：加熱手段
５２：メモリ層
５２ａ：データ記録領域
５４：第２絶縁膜
５６：記録ライン
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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