(57)【要約】【課題】同一ロット内の全てのウエハにつき、生成膜の形成から揮発処理までの時間を同一にすることができ、従ってバッチ内均一性の良好な膜除去を可能とする処理装置を提供する。【解決手段】この処理装置３１は、表面に除去対称となる膜が形成された複数のウエハ収容し、前記除去対称となる膜に反応性ガスを反応させて反応生成膜を形成するＮＯＲバッチチャンバ３７と、前記ＮＯＲバッチチャンバ３７で前記反応生成膜が形成された前記複数のウエハを収納し、前記反応生成膜を昇華させるＰＨＴバッチチャンバ６１と、前記ＮＯＲバッチチャンバ３７と前記ＰＨＴバッチチャンバ６１との間で前記複数のウエハを搬送する搬送装置３５とを備えている。【選択図】　図１
2004128380.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に除去対称となる膜が形成された複数の被処理体を収容し、前記除去対称となる膜に反応性ガスを反応させて反応生成膜を形成する第１の処理室と、
前記第１の処理室で前記反応生成膜が形成された前記複数の被処理体を収納し、前記反応生成膜を揮発させる第２の処理室と、
前記第１の処理室と前記第２の処理室との間で前記複数の被処理体を搬送する搬送機構と、
を備えたことを特徴とする処理装置。
【請求項２】
前記反応性ガスは、励起されたＨ２とＮ２によって活性化されたフッ素含有ガスであることを特徴とする請求項１に記載の処理装置。
【請求項３】
前記複数の被処理体を保持する保持具であって、前記搬送機構によって前記第１の処理室から前記第２の処理室へ搬送される保持具をさらに備えたことを特徴とする請求項１に記載の処理装置。
【請求項４】
前記第１の処理室は、前記複数の被処理体を保持する第１の保持具を有し、前記第２の処理室は、前記複数の被処理体を保持する第２の保持具を有し、前記搬送機構によって前記第１の保持具に保持された前記複数の被処理体を前記第２の保持具に搬送するようになされたことを特徴とする請求項１に記載の処理装置。
【請求項５】
前記複数の被処理体の数は、２５以下であることを特徴とする請求項１に記載の処理装置。
【請求項６】
前記第２の処理室で前記反応生成膜を揮発させた後、この第２の処理室でさらにその後の処理工程を行うことを特徴とする請求項１に記載の処理装置。
【請求項７】
第３の処理室をさらに備え、前記第２の処理室で前記反応生成膜を揮発させた後、前記複数の被処理体を前記第３の処理室に搬入して後工程を行うことを特徴とする請求項１に記載の処理装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、被処理体表面に形成された除去対称となる膜を除去する処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、ウエハに形成された微細なホール内の自然酸化膜を有効に除去する方法としては、例えば、以下のような表面処理方法がある。
【０００３】
すなわち、Ｎ２ガスとＨ２ガスの混合ガスをプラズマによって活性化して活性ガス種を形成し、この活性ガス種のダウンフローにＮＦ３ガスを添加してＮＦ３ガスを活性化する。その後、この活性化されたＮＦ３ガスをウエハ表面の自然酸化膜と反応させて生成膜を形成し、この生成膜をウエハを所定の温度に加熱することによって昇華させて除去する。
【０００４】
このような方法に使用される装置としては、図９に示すような処理装置１１が知られている。この処理装置１１は、真空引きができるようになされた処理容器１３を有しており、この処理容器１３内に処理されるウエハＷを載置する載置台１５が設けられている。一方、この処理容器１３の天井壁には、プラズマ形成管１７が設けられ、このプラズマ形成管１７を通って、プラズマによって活性化されたＮ２ガス、Ｈ２ガスが処理容器１３内に供給される。このプラズマ形成管１７の下端には、傘状に広がった覆い部材１９が接続されており、載置台１５上のウエハＷにガスを効率的に流下できるようになっている。
【０００５】
また、この覆い部材１９の内周側には、多数のガス孔２１を有するガス分散管２３が配設され、このガス分散管２３には連通管２５が接続されている。そして、この連通管２５を通ってＮＦ３ガスがガス分散管２３に供給され、多数のガス孔２１から覆い部材１９内に供給される。このようにして、この覆い部材１９内で、Ｎ２ガスＨ２ガスの活性ガス種によってＮＦ３ガスも活性化し、ウエハＷの自然酸化膜と反応して生成膜を形成する。この生成膜が形成されたウエハは、この処理容器１３から取り出される。このようにウエハに生成膜を形成する処理は枚葉処理で行われている。
【０００６】
処理容器１３から取り出されたウエハＷは、ウエハボートに順次収納され、所定量たまった時点で加熱炉に搬入され加熱処理される。そして、この生成膜を所定の温度で加熱することによって昇華させ、自然酸化膜を除去している。
【０００７】
上記従来の技術に関する特許文献としては、以下のものがある。
【０００８】
【特許文献１】
特開平１０−３３５３１６号公報
【特許文献２】
特開２００１−５３０５５号公報
【特許文献３】
特開平０４−１８８７２１号公報
【特許文献４】
国際公開第９７／１７７２８号パンフレット
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
このように上記方法にあっては、自然酸化膜を生成膜に変える処理を枚葉で処理している一方、その後の加熱処理をバッチで行っている。このため、同一ロット内において、ウエハによって、生成膜の形成から揮発処理までの時間に差が生じ、バッチ内におけるウエハ処理の均一性が低下する。
【００１０】
本発明は上記問題点を解決すべくなされたものであって、バッチ内均一性の良好な膜除去を可能とする処理装置を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明の第１の特徴は、表面に除去対称となる膜が形成された複数の被処理体を収容し、前記除去対称となる膜に反応性ガスを反応させて反応生成膜を形成する第１の処理室と、前記第１の処理室で前記反応生成膜が形成された前記複数の被処理体を収納し、前記反応生成膜を揮発させる第２の処理室と、前記第１の処理室と前記第２の処理室との間で前記複数の被処理体を搬送する搬送機構とを備えたことである。
【００１２】
本発明の第２の特徴は、前記反応性ガスは、励起されたＨ２とＮ２によって活性化されたフッ素含有ガスであることである。
【００１３】
本発明の第３の特徴は、前記複数の被処理体を保持する保持具であって、前記搬送機構によって前記第１の処理室から前記第２の処理室へ搬送される保持具をさらに備えたことである。
【００１４】
本発明の第４の特徴は、前記第１の処理室は、前記複数の被処理体を保持する第１の保持具を有し、前記第２の処理室は、前記複数の被処理体を保持する第２の保持具を有し、前記搬送機構によって前記第１の保持具に保持された前記複数の被処理体を前記第２の保持具に搬送するようになされたことである。
【００１５】
本発明の第５の特徴は、前記複数の被処理体の数は、２５以下であることである。
【００１６】
本発明の第６の特徴は、前記第２の処理室で前記反応生成膜を揮発させた後、この第２の処理室でさらにその後の処理工程を行うことである。
【００１７】
本発明の第７の特徴は、第３の処理室をさらに備え、前記第２の処理室で前記反応生成膜を揮発させた後、前記複数の被処理体を前記第３の処理室に搬入して後工程を行うことである。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図１ないし図８を参照して説明する。
【００１９】
図１ないし図４は、第１の実施形態である処理装置３１を示す。この処理装置３１は、その中央部に搬送室３３を有している。この搬送室３３には、ウエハを搬送する搬送装置３５が設けられている。この搬送室３３には、ＮＯＲバッチチャンバー３７がゲートバルブ３９を介して接続されている。
【００２０】
このＮＯＲバッチチャンバー３７は、図２に示すように、外側フレーム４１を有しており、この外側フレーム４１の内側には、垂直方向に円筒状に形成された反応管４３が設けられている。この反応管４３は、耐熱性材料、例えば石英から構成されている。この反応管４３の内側中央部には、石英からなるウエハボート４５が設けられている。このウエハボート４５は、２５枚のウエハを同時に平行状態で収納することができるものであって、回転軸４７上を回転できるようになっている。
【００２１】
この反応管４３の頂部には、プラズマ形成管４９が接続されている。このプラズマ形成管４９には、プラズマキャビティ５１が接続されており、このプラズマキャビティ５１には、Ｈ２ガス、Ｎ２ガスを供給するガス供給管５３が接続されている。そして、ガス供給管５３を通ってプラズマキャビティ５１に供給されたＨ２、Ｎ２ガスにマイクロ波が供給され、ここでＨ２、Ｎ２ガスは励起され活性ガス種が形成される。
【００２２】
また、ウエハボート４５の傍らには、ウエハボート４５の長手方向に沿って垂直にガス分散管５５が立設されている。このガス分散管５５には、ガス供給管５７が接続されており、フッ素含有ガス例えばＮＦ３ガスを供給するようになっている。ガス分散管５５には、多数のノズルが垂直方向に配設されており、ウエハボート４５に載置された複数のウエハＷの側方からＮＦ３ガスを均等に噴射できるようになっている。
【００２３】
なお、反応管４３の下部には、排気管５９が設けられており、チャンバ内の排気及び真空引きができるようになっている。
【００２４】
搬送室３３には、また、ＰＨＴバッチチャンバー６１がゲートバルブ６３を介して接続されている。
【００２５】
このＰＨＴバッチチャンバ６１は、図３に示すように、外側フレーム６５を有しており、この外側フレーム６５の内側には、垂直方向に円筒状に形成された反応管６７が設けられている。この反応管６７は、耐熱性材料、例えば石英から構成されている。この反応管６７の内側中央部には、石英からなるウエハボート６９が設けられている。このウエハボート６９は、２５枚のウエハを同時に平行状態で装填することができるものであって、回転軸７１上を回転できるようになっている。
【００２６】
ウエハボート６９の傍らには、ウエハボート６９の長手方向に沿って垂直にガス分散管７３が立設されている。このガス分散管７３には、ガス供給管７５が接続されており、Ｎ２ガスを供給するようになっている。ガス分散管７３には、多数のノズルが垂直方向に配設されており、ウエハボート６９に載置された複数のウエハＷの側方からＮ２ガスを均等に噴射できるようになっている。
【００２７】
また、反応管６７の外側で外側フレーム６５の内周にはヒーター７７が設けられている。このヒーター７７は、ＮＯＲバッチチャンバ３７でウエハＷに形成された生成膜を加熱して昇華させるためのものである。
【００２８】
なお、反応管６７の下部には、排気管７９が設けられており、チャンバ内の排気及び真空引きができるようになっている。
【００２９】
搬送室３３には、また、後工程バッチチャンバー８１がゲートバルブ８３を介して接続されている。
【００３０】
この後工程バッチチャンバー８１は、図４に示すように、基本的にはＰＨＴバッチチャンバ６１と同様の構造からなる。後工程バッチチャンバ８１においては、図３のＰＨＴバッチチャンバ６１において、Ｎ２ガスを供給するガス分散管７３、ガス供給管７５の替わりに、Ｎ２以外にも、Ｏ２，Ｈ２，Ｈ２Ｏ，ＳｉＨ４等が供給されるガス分散管８３、ガス供給管８５が設けられている。後工程バッチチャンバ８１のその他の構成は、ＰＨＴバッチチャンバ６１と同じであるので説明を省略する。このチャンバでは、自然酸化膜が除去されたウエハに対して種々の処理が行われる。
【００３１】
また、搬送室３３の手前側には、搬入用ロードロック室９１と搬出用ロードロック室９３がそれぞれゲートバルブ９５，９７を介して接続されている。そして、ここから被処理体であるウエハを搬送室３３に搬入搬出できるようになっている。
【００３２】
このような構成からなる処理装置３１の動作について以下説明する。
【００３３】
まず、ゲートバルブ９５、３９を開け、搬入用ロードロック室９１中のウエハを搬送装置３５を使用してＮＯＲバッチチャンバー３７中のウエハボート４５に収納する。
【００３４】
ウエハボート４５に２５枚のウエハが装填されたら、ゲートバルブ３９を閉めＮＯＲバッチチャンバ３７を密閉し、内部を排気管５９を通して真空引きする。
【００３５】
その後、ガス供給管５３を通ってＮ２ガス、Ｈ２ガスを所定の流量供給し、この混合ガスはプラズマキャビティ５１に流入する。これと同時に、２．４５ＧＨｚのマイクロ波をプラズマキャビティ５１に供給する。
【００３６】
すると、Ｎ２ガスとＨ２ガスはマイクロ波によりプラズマ化されるとともに活性化され活性ガス種が形成される。この活性ガス種はプラズマ形成管４９を通って反応管４３に供給され、反応管４３内でダウンフローを形成する。
【００３７】
一方、反応管４３には、ガス供給管５７を通ってＮＦ３ガスが供給される。このＮＦ３ガスは、ウエハボート４５に沿って立設されたガス分散管５５のノズルからウエハボート４５に保持されたウエハに向かって均一に供給される。
【００３８】
これらＮＦ３ガスは、反応管４３内をダウンフローを形成しているＮ２、Ｈ２の活性ガス種により活性化される。そして、ウエハ上に形成されていた自然酸化膜と反応して、反応生成膜を形成する。この際、回転軸４７によってウエハボートを回転させ、活性化されたＮＦ３ガスと自然酸化膜の反応が均一に行われるようにする。なお、この反応中はウエハはなんら加熱されておらず、室温の状態で反応生成膜を形成する。ここで、反応中にウエハを室温に維持するために、冷却機構を設けてもよい。
【００３９】
このようにして、反応生成膜の形成が完了したら、Ｈ２ガス、Ｎ２ガス、ＮＦ３ガスの供給を停止するとともに、マイクロ波の供給も停止する。そして、排気管５９を通して反応管４３内を真空引きし、残留ガスを排出する。
【００４０】
このような状態にしてから、ゲートバルブ３９と６３を開状態にして、搬送装置３５を駆動し、ウエハをＮＯＲバッチチャンバー３７のウエハボート４５からＰＨＴバッチチャンバー６１のウエハボート６９に搬送する。
【００４１】
ウエハをＰＨＴバッチチャンバー６１のウエハボート６９に搬送した後、ゲートバルブ６３を閉め、反応管６７内を排気管７９を通して真空引きする。また、必要に応じて、ガス供給管７５を通してＮ２ガスを供給し、反応管６７内を不活性雰囲気にする。
【００４２】
真空引き後、ヒーター７７を作動させ、ウエハを例えば１００℃以上に加熱する。この際、回転軸７１によってウエハボートを回転させ、ウエハ上の温度にむらが生じないようにする。この加熱により、反応生成膜は昇華し、ウエハの自然酸化膜が除去され、ウエハ表面にＳｉ面が現れることになる。
【００４３】
このようにして自然酸化膜除去が完了したら、搬送装置３５を作動させ、ＰＨＴバッチチャンバー６１のウエハボート６９上のウエハを後工程バッチチャンバ８１に搬送する。そして、ここで所定の後工程を行う。この後工程終了後、処理済みウエハを搬送装置３５によって搬送し、搬出用ロードロック室９３に収納する。このようにして一連の処理を終了する。
【００４４】
このように、この処理装置３１にあっては、自然酸化膜が形成された複数のウエハを収容し、自然酸化膜に活性化されたＮＦ３ガスを反応させて反応生成膜を形成するＮＯＲバッチチャンバ３７と、このＮＯＲバッチチャンバ３７で反応生成膜が形成された複数のウエハを収納し、反応生成膜を加熱して昇華させるＰＨＴバッチチャンバ６１とを備え、ＮＯＲバッチチャンバ３７及びＰＨＴバッチチャンバ６１のそれぞれが複数のウエハを保持するウエハボート４５，６９を有し、ＮＯＲバッチチャンバ３７のウエハボート４５とＰＨＴバッチチャンバ６１のウエハボート６９との間で複数のウエハを搬送する搬送装置３５とを備えているから、自然酸化膜を反応生成膜に変化させる処理をバッチ処理で行うことができる。従って、同一ロット内のすべてのウエハにつき、生成膜の形成から揮発処理までの時間を同一にすることができ、従ってバッチ内均一性の良好な膜除去を可能とすることができる。
【００４５】
また、この処理装置３１にあっては、後工程バッチチャンバ８１をさらに備え、ＰＨＴバッチチャンバ６１で反応生成膜を加熱して昇華させた後、複数のウエハを後工程バッチチャンバ８１に搬入して後工程を行うことができるから、後工程との間にウエハが酸化する可能性を大幅に削減することができ、処理効率の向上を図ることができる。
【００４６】
次に、本発明の第２の実施形態について図５及び図６を参照して説明する。
【００４７】
図５において、符号１０１は処理装置を示す。この処理装置１０１は、図１に示したＰＨＴバッチチャンバ６１と後工程バッチチャンバ８１の替わりに共用バッチチャンバ１０３を設けたものである。なお、その他の部分は処理装置１０１と同一構成であるので、同一の符号を付してその説明を省略する。
【００４８】
この共用バッチチャンバ１０３は、図３に示すＰＨＴバッチチャンバ６１と図４に示す後工程バッチチャンバ８１との機能を合わせ持ったものであり、図６に示すように、ウエハボート６９の傍らに、第１及び第２のガス分散管１０５，１０７が設けられている。
【００４９】
第１のガス分散管１０５は、ウエハボート６９の側部にウエハボート６９の長手方向に沿って垂直に立設されている。この第１のガス分散管１０５には第１のガス供給管１０９が接続されており、Ｎ２ガスを供給するようになっている。第１のガス分散管１０５には、多数のノズルが垂直方向に配設されており、ウエハボート６９に載置された複数のウエハＷの側方からＮ２ガスを均等に噴射できるようになっている。
【００５０】
この第１のガス分散管１０５は、この共用バッチチャンバ１０３をＰＨＴバッチチャンバとして用いる場合に使用するもので、ＮＯＲバッチチャンバ３７でウエハに形成された生成膜を加熱して昇華させるステップで使用される。
【００５１】
第２のガス分散管１０７は、ウエハボート６９の側部にウエハボート６９の長手方向に沿って垂直に立設されている。この第２のガス分散管１０７には第２のガス供給管１１１が接続されており、Ｏ２，Ｈ２、Ｈ２Ｏ、ＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６、ＳｉＨ２Ｃｌ２等のガスを供給するようになっている。第２のガス分散管１０７には、多数のノズルが垂直方向に配設されており、ウエハボート６９に載置された複数のウエハＷの側方からガスを均等に噴射できるようになっている。
【００５２】
この第２のガス分散管１０７は、この共用バッチチャンバ１０３を後工程バッチチャンバとして用いる場合に使用するもので、自然酸化膜が除去されたウエハに対して種々の後処理を施すステップで使用される。
【００５３】
なお、共用バッチチャンバ１０３の上記以外の構成は、ＰＨＴバッチチャンバ６１、後工程バッチチャンバ８１と同様であるのでその説明を省略する。
【００５４】
このような処理装置１０１においても、まずＮＯＲバッチチャンバ３７で、ウエハの自然酸化膜に活性化されたＮＦ３を反応させて反応生成膜を生成する。
【００５５】
次いで、この反応性成膜が形成されたウエハを、搬送装置３５を用いて、ＮＯＲバッチチャンバ３７から共用バッチチャンバ１０３に搬送する。
【００５６】
この共用バッチチャンバ１０３内において、まず反応管６７内を真空引きし、また必要に応じて、第１のガス供給管１０９、第１のガス分散管１０５を通してＮ２ガスを供給し、反応管６７内を不活性雰囲気にする。
【００５７】
真空引き後、ヒーター７７を作動させ、ウエハを例えば１００℃以上に加熱する。この加熱により、反応生成膜は昇華し、ウエハの自然酸化膜が除去され、ウエハ表面にＳｉ面が現れることになる。
【００５８】
このようにして自然酸化膜除去が完了したら、再度反応管６７内を真空排気する。その後、反応管６７内を所定の温度にするとともに、第２のガス供給管１１１，第２のガス分散管１０７を通して反応管６７内にＯ２、Ｈ２，Ｈ２Ｏ、ＳｉＨ４等のガスを所定量供給する。そして、所定の後工程を行う。
【００５９】
この後工程終了後、処理済みウエハを搬送装置３５によって搬出し、搬出用ロードロック室９３に収納する。このようにして一連の処理を終了する。
【００６０】
このように、この処理装置１０１にあっては、共用バッチチャンバ１０３でウエハの反応生成膜を加熱して昇華させた後、さらにその後の処理工程を行うようにしているから、ウエハを移動させることなく１つのチャンバ内で２つ以上の工程を処理することができる。従って、ウエハ搬送中に生じやすい再酸化を防止することができ、自然酸化膜除去の効率をさらに向上させることができる。また、一のチャンバから他のチャンバへのウエハの搬送時間を省略することができ、従って、処理全体をより短時間に行うことが可能になる。
【００６１】
なお、上記第１及び第２の実施の形態における処理装置３１、１０１においては、搬入用ロードロック室９１と搬出用ロードロック室９３は、それぞれウエハの搬入、搬出に用いられているが、これに限る必要はなく、搬入用ロードロック室９１でウエハの搬出を、搬出用ロードロック室９３でウエハの搬入を行ってもよい。
【００６２】
次に、本発明の第３の実施形態について図７及び図８を参照して説明する。
【００６３】
図７において、符号１２１は処理装置を示す。この処理装置１２１は、搬送室１２３を有している。この搬送室１２３には、未処理ウエハ又は処理済みウエハを収納しておくロードロック室１２５が接続されている。この搬送室１２３には、その底部にターンテーブル１２７が設けられており、このターンテーブル１２７には、周方向に１８０°離間した位置に２つの昇降装置１２９が設けられている。この昇降装置１２９は、その上にウエハボートを載置するとともに昇降させ、後述するチャンバに対してウエハボートを挿抜できるようになっている。なお、この搬送室１２３には、Ｎ２供給管が接続されており、搬送室１２３にＮ２ガスを供給できるようになっている。また、この搬送室１２３には、排気管１３３が接続されており、搬送室１２３の内部雰囲気を真空排気できるようになっている。
【００６４】
搬送室１２３の上部両端部には、ＮＯＲバッチチャンバ１３５と共用バッチチャンバ１３９が設けられている。
【００６５】
ＮＯＲバッチチャンバ１３５は、図２に示すＮＯＲバッチチャンバ３７と基本的には同様の構成のため、同一構成の部分については、同一符号付して説明を省略する。このＮＯＲバッチチャンバ１３５は、図２に示すＮＯＲバッチチャンバ３７と同様に、Ｎ２ガス、Ｈ２ガスの活性種によってＮＦ３ガスを活性化させ、この活性化されたＮＦ３ガスを自然酸化膜に反応させて反応生成膜を形成するためのものである。このＮＯＲバッチチャンバ１３５においては、ウエハボート１３７を外側フレーム４１の下側から挿抜できるようになっている。すなわち、ターンテーブル１２７上の昇降装置１２９に載置されたウエハボート１３７は、この昇降装置１２９によってＮＯＲバッチチャンバ１３５に挿抜できるようになっている。
【００６６】
共用バッチチャンバ１３９は、図６に示す共用バッチチャンバ１０３と基本的には同様の構成のため、同一構成部分については、同一符号付して説明を省略する。この共用バッチチャンバ１３９は、図６に示す共用バッチチャンバ１０３と同様に、ウエハに形成された反応生成膜を加熱して昇華させるためのものである。この共用バッチチャンバ１３９においては、ウエハボート１３７を外側フレーム６５の下側から挿抜できるようになっている。すなわち、ターンテーブル１２７上の昇降装置１２９に載置されたウエハボート１３７は、この昇降装置１２９によって共用バッチチャンバ１３９に挿抜できるようになっている。
【００６７】
このような構成からなる処理装置１２１の動作について以下説明する。
【００６８】
まず、搬送室１２３内のターンテーブル１２７を回動して昇降装置１２９に載置されたウエハボート１３７がロードロック室１２５の前に来るようにする。
【００６９】
次に、搬送装置（図示せず）によってロードロック室１２５中のウエハをウエハボート１３７に移し替える。
【００７０】
ウエハをウエハボート１３７に移し替えたら、ターンテーブル１２７を回動して、このウエハボート１３７をＮＯＲバッチチャンバ１３５の真下に移動させる。
【００７１】
そして、昇降装置１２９を作動させてウエハボート１３７をＮＯＲバッチチャンバ１３５中に装填する。
【００７２】
このＮＯＲバッチチャンバ１３５におけるウエハに対する処理は、図２に示すＮＯＲバッチチャンバ３７と同じである。すなわち、Ｎ２ガス、Ｈ２ガスの活性種によってＮＦ３ガスを活性化させ、この活性化されたＮＦ３ガスをウエハの自然酸化膜に反応させて反応生成膜を形成する。
【００７３】
ウエハに反応生成膜が形成されたら、昇降装置１２９を作動させ、ウエハボート１３７をＮＯＲバッチチャンバ１３５から引き抜き、ターンテーブル１２７上まで下降させる。
【００７４】
その後、ターンテーブル１２７を回動させ、ウエハボート１３７を共用バッチチャンバ１３９の真下に位置させる。
【００７５】
そして、昇降装置１２９を作動させ、ウエハボート１３７を上昇させて、共用バッチチャンバ１３９中に装填する。
【００７６】
この共用バッチチャンバ１３９におけるウエハに対する処理は、図６に示す共用バッチチャンバ１０３と同じである。すなわち、反応生成膜が形成されたウエハをヒータ７７で加熱することによって反応生成膜は昇華し、ウエハの自然酸化膜が除去され、ウエハ表面にＳｉ面が現れることになる。このようにして自然酸化膜除去が完了したら所定の後工程を行う。
【００７７】
この後工程終了後、昇降装置１２９を作動させ、ウエハボート１３７を共用バッチチャンバ１３９から引き抜き、ターンテーブル１２７上まで下降させる。
【００７８】
その後、ターンテーブル１２７を回動させ、ウエハボート１３７をロードロック室１２５の前に位置させる。
【００７９】
そして、ウエハボート１３７上の処理済みのウエハを、搬送装置（図示せず）によってロードロック室１２５に移し替えて作業を完了する。
【００８０】
このように、この処理装置１２１にあっては、両バッチチャンバ１３５，１３９に共通のウエハボート１３７を、ターンテーブル１２７によって搬送するとともに、昇降装置１２９によってバッチチャンバへ挿抜することができるようにしているから、一度ウエハをウエハボート１３７に装填すれば、ウエハボートごとバッチチャンバ間を移動することができる。従って、バッチチャンバ間の搬送のたびに、ウエハを一枚ずつ一方のウエハボートから他方のウエハボートに移し替える必要がなく、ウエハの移送に要する時間を大幅に短縮することができ、作業効率を向上させることができる。また、バッチチャンバ間のウエハの移動に要する時間を大幅に短縮できることから、移送中にウエハが酸化される可能性を大幅に削減することができる。
【００８１】
なお、上記処理装置１２１においては、ターンテーブル１２７上に２つの昇降装置１２９を設けているが、これに限る必要はなく複数のウエハボート昇降装置１２９を周方向に離間してターンテーブル１２７上に設けてもよい。また、ロードロック室１２５を１つだけ設けているが、これに限る必要はなく、搬送室１２３の外周に複数個設けてもよい。
【００８２】
また、上記処理装置１２１の動作説明においては、１つのウエハボート１３７の動きのみについて説明しているが、複数のウエハボート１３７が同時に複数の昇降装置１２９に載置され、一方のウエハボートについてＮＯＲバッチチャンバ１３５中で処理が行われている間に、他方のウエハボートについて共用バッチチャンバ１３９で他の処理が行われるようにしてもよい。このようにすれば、バッチチャンバ１３５、１３９を連続的に使用することができ、装置の利用効率をさらに向上させることができる。
【００８３】
さらに、以上説明した３つの実施の形態においては、被処理体として、ウエハを例にとって説明しているが、これに限定されるものではなく、ＬＣＤ基板、ガラス基板、ＣＤ基板、フォトマスク、プリント基板、セラミック基板等でも可能である。
【００８４】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の処理装置にあっては、表面に除去対称となる膜が形成された複数の被処理体を収容し、前記除去対称となる膜に反応性ガスを反応させて反応生成膜を形成する第１の処理室と、前記第１の処理室で前記反応生成膜が形成された前記複数の被処理体を収納し、前記反応生成膜を揮発させる第２の処理室と、前記第１の処理室と前記第２の処理室との間で前記複数の被処理体を搬送する搬送機構とを備えているから、同一ロット内の全てのウエハにつき、生成膜の形成から揮発処理までの時間を同一にすることができ、従ってバッチ内均一性の良好な膜除去を可能とすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態である処理装置の概略を示す平面図。
【図２】図１に示す処理装置のＮＯＲバッチチャンバーの概略を示す断面図。
【図３】図１に示す処理装置のＰＨＴバッチチャンバーの概略を示す断面図。
【図４】図１に示す処理装置の後工程バッチチャンバーの概略を示す断面図。
【図５】本発明の第２の実施の形態である処理装置の概略を示す平面図。
【図６】図５に示す処理装置の共用バッチチャンバーの概略を示す断面図。
【図７】本発明の第３の実施の形態である処理装置の概略を示す断面図。
【図８】図７に示す処理装置の概略を示す平面図。
【図９】従来のＮＯＲ装置を示す図。
【符号の説明】
３１　処理装置
３５　搬送機構
３７　ＮＯＲバッチチャンバー
４５　ウエハボート
６１　ＰＨＴバッチチャンバー
６９　ウエハボート
８１　後工程バッチチャンバー
１０１　処理装置
１２１　処理装置
１２７　ターンテーブル
１２９　昇降装置
１３５　ＮＯＲバッチチャンバ
１３９　共用バッチチャンバ
１３７　ウエハボート
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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