(57)【要約】【課題】雰囲気湿度を確実かつ均一に所望値に制御してワークにスクラッチ等の欠陥が発生することを防ぐことができる研磨装置および研磨方法を提供する。【解決手段】研磨定盤と砥液供給手段とワーク保持手段と湿度制御手段を具備し、前記砥液供給手段は回転する前記研磨定盤上に砥液を供給し、前記ワーク保持手段は保持したワークを前記研磨定盤上に圧接することによりワークを研磨するようにされており、前記湿度制御手段は超音波発振器にてミストを発生させることにより前記研磨定盤上の雰囲気湿度を５５％以上に制御するワークの研磨装置。研磨定盤を回転させ、前記研磨定盤上に砥液を供給し、湿度計にて湿度を計測しつつ超音波発振器にてミストを発生させる湿度制御手段により前記研磨定盤上の雰囲気湿度を５５％以上に制御しつつ、前記研磨定盤上にワークを圧接してワークを研磨するワークの研磨方法。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ワークの研磨装置であって、少なくとも、ワークを研磨する回転可能な研磨定盤と、砥液を供給する砥液供給手段と、ワークを保持するワーク保持手段と、前記研磨定盤上の雰囲気湿度を制御する湿度制御手段を具備し、前記砥液供給手段は回転する前記研磨定盤上に砥液を供給し、前記ワーク保持手段は保持したワークを前記研磨定盤上に圧接することによりワークを研磨するようにされており、前記湿度制御手段は超音波発振器にてミストを発生させることにより前記研磨定盤上の雰囲気湿度を５５％以上に制御するものであることを特徴とするワークの研磨装置。
【請求項２】
前記湿度制御手段は、前記研磨定盤上の湿度を６５％〜８０％に制御するものであることを特徴とする請求項１に記載のワークの研磨装置。
【請求項３】
前記砥液供給手段は、コロイダルシリカを主成分とする砥液を供給するものであることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のワークの研磨装置。
【請求項４】
前記研磨するワークとしてＳｉＯ２基板またはＳｉ基板を研磨するものであることを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれか１項に記載のワークの研磨装置。
【請求項５】
請求項１ないし請求項４のいずれか１項に記載の装置によりワークを研磨することを特徴とするワークの研磨方法。
【請求項６】
ワークの研磨方法であって、研磨定盤を回転させ、前記研磨定盤上に砥液を供給し、湿度計にて湿度を計測しつつ超音波発振器にてミストを発生させる湿度制御手段により前記研磨定盤上の雰囲気湿度を５５％以上に制御しつつ、前記研磨定盤上にワークを圧接してワークを研磨することを特徴とするワークの研磨方法。
【請求項７】
前記研磨定盤上の湿度を６５％〜８０％に制御することを特徴とする請求項６に記載のワークの研磨方法。
【請求項８】
前記研磨定盤に供給する砥液は、コロイダルシリカを主成分とするものを用いることを特徴とする請求項６または請求項７に記載のワークの研磨方法。
【請求項９】
前記研磨するワークとしてＳｉＯ２基板またはＳｉ基板を研磨することを特徴とする請求項６ないし請求項８のいずれか１項に記載のワークの研磨方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体基板製造等の用途に用いられるワークの研磨装置およびワークの研磨方法に関し、特に、研磨されるワークがフォトマスク基板、液晶基板、ディスク基板などのシリカ（ＳｉＯ２）系基板やシリコンウエーハ等のＳｉ基板である研磨装置および研磨方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
半導体基板製造等で行われる研磨は精密研磨であり、研磨により生じたスクラッチなどの欠陥がない基板を得る必要がある。そのような欠陥発生の要因には、研磨で用いられる砥液中に混入しているパーティクルや凝集した研磨剤などの粗大粒子が一つの要因であり、一般的には図３で示すように、砥液タンク７から砥液ポンプ８にて研磨装置の研磨定盤５に砥液を供給する砥液供給管２の途中にフィルタ９を設けて、そのような砥液中に混入した粗大粒子を除去する方法がとられている。
【０００３】
その砥液供給管２は、例えば、図２に示すようなワークの研磨装置２１に砥液を供給する。図２の研磨装置２１では、定盤３の上に研磨布４を設けた研磨定盤５の中央部に、砥液供給管２から砥液１を供給する。被研磨基板（不図示）は、基板保持ヘッド６に保持され、研磨定盤５の研磨布４に圧接され、研磨定盤５と基板保持ヘッド６がそれぞれ回転しながら研磨されるのが一般的な研磨装置である。
【０００４】
また、砥液以外にも外部環境から研磨系にパーティクルが混入するのを防ぐため、図４に示すように研磨装置の上方にＨＥＰＡフィルタ（Ｈｉｇｈ  Ｅｆｆｉｃｉｅｎｃｙ  Ｐａｒｔｉｃｕｌａｔｅ  Ａｉｒ  Ｆｉｌｔｅｒ）或いはＵＬＰＡフィルタ（Ｕｌｔｒａ  Ｌｏｗ  Ｐｅｎｅｔｒａｔｅ  Ａｉｒ  Ｆｉｌｔｅｒ）等のフィルタ３１を設けて研磨室３０全体の清浄度を保つことで、パーティクルの混入を防止するなどの方法がとられてきた。特にクリーンルーム内で研磨する場合、乾燥した研磨剤が浮遊するとそれ自体がパーティクルとなり、クリーンルーム全体の環境を汚染することになるため、研磨室３０を、研磨部全体を覆うクリーンユニットタイプ或いは箱物として、フィルタ３１にて清浄な空気を供給すると同時に排気３２をとり、閉じた系で環境汚染をなくす工夫もされている。
【０００５】
また、これらに加えて、砥液が乾燥固化し、粉塵となって飛散し、研磨装置の入った研磨室内を汚染することを防ぐため、研磨室内の湿度を制御する装置も提案されている。例えば、研磨定盤上にスプレーノズルを用いたスプレーノズル加湿器を配置し、そこから純水を霧状に噴射することにより、研磨定盤上と研磨室内を加湿し、雰囲気湿度を所望範囲内に制御する研磨装置が提案されている（例えば特許文献１参照）。このようなスプレーノズル式の加湿器は、小型化しやすく、比較的容易に高湿度を得ることができるという利点がある。
【０００６】
【特許文献１】
特開２００２−１９８３４０号公報
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
ところが上記のように、砥液供給系にフィルタを設け、研磨装置の入った研磨室にフィルタを設け雰囲気の清浄度を保ち、さらに上記のようなスプレーノズルによる加湿器を備えた装置により研磨室内の湿度を制御して研磨を行った場合でも、研磨された半導体基板等にスクラッチが発生することがあった。この場合、研磨室内の雰囲気湿度は、スプレーノズル加湿器により砥液が乾燥しない程度の湿度に保たれており、スクラッチ発生の原因は不明であった。
【０００８】
さらに、前述したようなスプレーノズルによる加湿器を備えた装置では、加湿器によって発生させたミスト径が大きかったり、スプレーノズル先端に液だまりが生じた場合は、その液滴が研磨定盤上に落ち、砥液濃度を局所的に薄めることがあった。このような場合、研磨の均一性を損なうこととなり、問題であった。
【０００９】
本発明は、上記問題点を解決するためになされたもので、研磨における雰囲気湿度を確実かつ均一に所望値に制御してワークにスクラッチ等の欠陥が発生することを防ぐことができ、加湿器からの液適の滴下等が生じないワークの研磨装置および研磨方法を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するための本発明は、ワークの研磨装置であって、少なくとも、ワークを研磨する回転可能な研磨定盤と、砥液を供給する砥液供給手段と、ワークを保持するワーク保持手段と、前記研磨定盤上の雰囲気湿度を制御する湿度制御手段を具備し、前記砥液供給手段は回転する前記研磨定盤上に砥液を供給し、前記ワーク保持手段は保持したワークを前記研磨定盤上に圧接することによりワークを研磨するようにされており、前記湿度制御手段は超音波発振器にてミストを発生させることにより前記研磨定盤上の雰囲気湿度を５５％以上に制御するものであることを特徴とするワークの研磨装置である（請求項１）。
【００１１】
このようにワークの研磨装置であって、研磨定盤上の雰囲気湿度を制御する湿度制御手段を具備し、湿度制御手段が超音波発振器にてミストを発生させることにより前記研磨定盤上の雰囲気湿度を５５％以上に制御するものであれば、研磨定盤上の雰囲気湿度を確実かつ均一に、５５％以上に制御することができるため、砥液の蒸発、凝集、乾燥により粗大粒子が発生しにくくなり、ワークにスクラッチ等の欠陥が発生することを防止することができる。さらに、湿度制御手段は超音波発振器によりミストを発生させるものであるため、従来のスプレーノズルを用いた加湿器のように、ミスト径が大きくなったり、ノズル先端から液適が落ちることがない。
【００１２】
この場合、前記湿度制御手段は、前記研磨定盤上の湿度を６５％〜８０％に制御するものであることが好ましい（請求項２）。
このように湿度制御手段が、研磨定盤上の湿度を６５％以上に制御するものであれば、砥液の蒸発、凝集、乾燥を防止して、スクラッチ発生を防止する効果を一層向上するものとなる。また、湿度制御手段が、研磨定盤上の湿度を８０％以下に制御するものであれば、湿度が高すぎて、砥液の濃度が所定値から変わったり、研磨定盤周りの濡れにより作業性が悪化することがない。
【００１３】
この場合、前記砥液供給手段は、コロイダルシリカを主成分とする砥液を供給するものとすることができる（請求項３）。
本発明の研磨装置は、砥液の蒸発・凝集・乾燥を確実に防止することができるため、コロイダルシリカを主成分とする砥液のような、蒸発等により砥液中の研磨剤が粗大粒子化しやすい砥液を用いる場合に特に有効である。
【００１４】
この場合、前記研磨するワークとしてＳｉＯ２基板またはＳｉ基板を研磨するものとすることができる（請求項４）。
本発明の研磨装置は、砥液にＳｉＯ２基板やＳｉ基板の研磨に使われるコロイダルシリカを主成分とするものを用いても、砥液の蒸発・凝集・乾燥を防止しつつ研磨が行えるため、ＳｉＯ２基板またはＳｉ基板を研磨する場合に特に有効である。
【００１５】
そして、本発明の装置によりワークを研磨することを特徴とするワークの研磨方法は（請求項５）、例えば、ワークの研磨方法であって、研磨定盤を回転させ、前記研磨定盤上に砥液を供給し、湿度計にて湿度を計測しつつ超音波発振器にてミストを発生させる湿度制御手段により前記研磨定盤上の雰囲気湿度を５５％以上に制御しつつ、前記研磨定盤上にワークを圧接してワークを研磨することを特徴とするワークの研磨方法である（請求項６）。
【００１６】
このように、湿度計にて湿度を計測しつつ超音波発振器にてミストを発生させる湿度制御手段により前記研磨定盤上の雰囲気湿度を５５％以上に制御して、研磨を行えば、確実かつ均一に研磨定盤上の雰囲気湿度を５５％以上にすることができるため、砥液の蒸発、凝集、乾燥による粗大粒子が発生しにくくなり、ワークにスクラッチが発生することを確実に防止することができる。
【００１７】
この場合、前記研磨定盤上の湿度を６５％〜８０％に制御することが好ましい（請求項７）。
このように研磨定盤上の湿度を６５％〜８０％に制御すれば、砥液の蒸発、凝集、乾燥をより効果的に防止することができるとともに、湿度が高すぎて、砥液の濃度が所定値から変わったり、研磨定盤周りの濡れにより作業性が悪化することもない。
【００１８】
この場合、前記研磨定盤に供給する砥液は、コロイダルシリカを主成分とするものを用いることができる（請求項８）。
このように本発明の研磨方法は、砥液の蒸発・乾燥を確実に防止することができるため、コロイダルシリカを主成分とする砥液のような蒸発等により砥液中の研磨剤が粗大粒子化しやすい砥液を用いる場合に特に有効である。
【００１９】
この場合、前記研磨するワークとしてＳｉＯ２基板またはＳｉ基板を研磨することができる（請求項９）。
本発明の研磨方法は、砥液にコロイダルシリカ等を用いても、砥液の蒸発・凝集・乾燥を防止しつつ研磨が行えるため、ＳｉＯ２基板またはＳｉ基板を研磨する場合に特に有効である。
【００２０】
以下、本発明についてさらに詳述するが、本発明はこれに限定されるものではない。
本発明者らは、従来の研磨装置において生じていたスクラッチ発生の原因について鋭意検討した。その結果、従来の装置では、研磨定盤上の湿度制御が不十分なため、研磨定盤に供給された砥液が研磨定盤上で凝集し、それが粗大粒子となり、スクラッチ発生の原因になっていることが判った。
【００２１】
前述したように一般的に粗大粒子は、砥液タンクからポンプにて研磨定盤に供給する際には、フィルタにて除去するため、ある一定の大きさのものは除去される。また、研磨室に除塵フィルタ等を設け雰囲気の清浄度を保ち、外部環境からの汚染も防止される。
【００２２】
しかし、従来のスプレーノズルを用いた加湿器を持つ装置では、ミスト径が大きいため、雰囲気にミストがすぐに溶け込むことができず、研磨定盤まわりの空間にむらなく拡散させることができない。そのため研磨定盤上には、局所的に湿度の低い場所ができ、それにより砥液が蒸発、凝集、乾燥して粗大粒子化することが考えられた。そして、このようにして発生する粗大粒子は除去することはできず、それがスクラッチ要因となっていると考えられた。
【００２３】
研磨定盤上で砥液が凝集や乾燥する原因はいくつか挙げられるが、第一には、図５（ａ）に示すように研磨定盤上にある研磨剤４１を含む砥液表面４０が蒸発し、図５（ｂ）のように砥液表面４０の研磨剤４１の濃度が局所的に上がり、凝集や乾燥しやすくなり、粗大粒子４２が形成されることが考えられる。フィルタ等を通して空気を供給する場合、研磨定盤上の砥液がより蒸発しやすくなり、排気を強制的に行っている場合は、より風量が強くなるため、さらに蒸発が促進され、凝集や乾燥しやすくなることになる。また、砥液中の研磨剤濃度が高濃度であれば、より凝集や乾燥しやすくなる。
【００２４】
第二には、図２で示すように、研磨定盤５の中央に砥液１を供給すると砥液は放射状に拡がるため、研磨定盤５の周辺部では、次第に砥液量が少なくなり乾燥し易い状態になることが考えられる。この場合、砥液を大量に供給しても砥液は放射状に拡がるため限界がある。また砥液供給量が多くなることは、研磨速度が上昇する点では好ましいが、研磨コストがかかるため量産製造の立場からは好ましくない。
【００２５】
第３には、研磨定盤から使用済み砥液が排出溝に入るが、先述したとおり、砥液は放射状に拡がるため、砥液量が少なくなり、ここもまた砥液が蒸発・乾燥しやすい箇所となることが考えられる。
第４には、研磨する際に被研磨基板が研磨布を押し、瞬間的に水分を押し出すため、それにより研磨剤濃度が高くなり、これもまた、砥液中の研磨剤を凝集させる一因と思われる。
【００２６】
このような砥液中の研磨剤が粗大粒子化する場合でも、研磨定盤上の雰囲気がむらなく加湿されていれば、砥液の蒸発・凝集・乾燥は起こりにくく、研磨剤の粗大粒子化も防ぐことができるが、従来、研磨装置に備えられた加湿器では、前述のようにむらなく加湿することが難しい。
【００２７】
そして、上記のように研磨剤が凝集し、さらには乾燥するとこれはパーティクルとして浮遊することになる。これはクリーンルームを汚染するばかりでなく、この浮遊パーティクルが砥液に戻ると粗大粒子となって、スクラッチ発生の起因となるのである。
【００２８】
そのため、砥液を蒸発や乾燥させないためには、研磨定盤上をむらなく所定の雰囲気湿度に保つことが重要となる。そこで本発明者は、超音波発振器によりミストを発生させることにより湿度を制御する方法を適用することを発想した。この方式の加湿器は、例えば、超音波発生源としてセラミック系の超音波発振器を水面下数ｃｍに設置し、超音波振動により水の表面に噴水状の水柱を形成し、その先端部から水が霧化し、ミスト状の水が散布されるというものである。噴霧されるミスト径は非常に小さく、空気中で蒸発しやすく吸収されやすい。
【００２９】
そして、超音波発振器によりミストを発生させる加湿器によれば、超音波発振器は微細なミストを発生させることができるため、雰囲気にミストがすぐに溶け込み、研磨定盤まわりの空間の湿度をむらなく制御することができる。この場合、ミスト径は微細であるため、砥液濃度を局所的に薄めるようなことはない。また、ノズルを用いない方式であるため、スプレーノズル方式のようにノズル先端に、液だまりができ、その液適が落ちて砥液濃度を局所的に薄めるようなこともないという利点もある。
【００３０】
以上の観点から、本発明者は研磨装置に超音波発振器によりミストを発生させる湿度制御手段を適用することにした。これにより、従来の装置では防止することができなかったワークのスクラッチの問題を大幅に改善することができる。
【００３１】
上記のような超音波加湿器を用いて、研磨定盤上の雰囲気湿度を制御する場合は、湿度があまり低いと、研磨定盤上の風量が変わったりした場合などの環境の変化に対応できないことと、雰囲気は極力湿り気がある方が砥液の蒸発の抑制により効果を発揮するため、雰囲気湿度は５５％以上、好ましくは６５％以上であることが望ましい。
一方、湿度が高いことは、基本的に砥液の蒸発抑制に関しては好ましいが、結露などで研磨部が濡れ、砥液の濃度が変わったり、研磨定盤まわりに濡れが発生し作業性が悪化することがあるので、現実的には８０％以下がより好ましい。
本発明はこのような基本思想に基づき、諸条件を検討の結果、完成したものである。
【００３２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
図１は本発明に係るワークの研磨装置の構造の一例を示す図である。図１に示すように、本発明の研磨装置２０は、図２の装置と同様に、ワークを研磨する回転可能な研磨定盤５と、砥液供給手段である砥液供給管２と、ワーク保持手段である基板保持ヘッド６を具備している。研磨定盤５は、定盤３とその上に設けられた研磨布４から構成される。
【００３３】
本発明の研磨装置２０では、超音波加湿器１０と湿度計１１と制御手段１２から構成される湿度制御手段１３が設けられている。このように研磨装置の湿度制御手段として、超音波発振器によりミストを発生させる方式の加湿器を採用したことが本発明の装置の特徴である。このため、研磨定盤５上の雰囲気をむらなく均一に加湿することができ、砥液の蒸発・凝集・乾燥を防ぎ、研磨されるワークにスクラッチが発生することを防ぐことができる。超音波加湿器１０と湿度計１１は共に制御手段１２に接続され、制御手段１２は湿度計１１からの情報により超音波加湿器１０の加湿量を制御することができるようにされている。なお、超音波加湿器１０には、パーティクル対策を考慮し、フィルタを通した超純水を供給する。
【００３４】
この装置を用いて、例えばＳｉＯ２基板を研磨する際には、ＳｉＯ２基板（不図示）を基板保持ヘッド６により保持し、研磨定盤５および基板保持ヘッド６を所定の回転速度で回転させる。そして、湿度計１１により計測された湿度値に基づき制御手段１２によって制御された超音波加湿器１０は、超音波発振器によりミストを発生させ、研磨定盤５上の雰囲気湿度を所定の範囲内に制御する。この場合、前述した理由により、研磨定盤５上の雰囲気湿度は５５％以上、より好ましくは６５〜８０％に制御する。
【００３５】
砥液供給管２からは、ＳｉＯ２基板を研磨するのに適したコロイダルシリカを主成分とする砥液を供給する。これとともにＳｉＯ２基板を保持した基板保持ヘッド６は、ＳｉＯ２基板を、回転する研磨定盤５の研磨布４に所定圧力で圧接することによりＳｉＯ２基板を研磨する。
【００３６】
この場合において、研磨定盤５上の雰囲気湿度は、少なくとも５５％以上の湿度に保たれるため、砥液が乾燥・蒸発して、砥液中の研磨剤が粗大粒子化し、研磨される基板にスクラッチ等の欠陥が生じることを防止することができる。
【００３７】
なお、以上説明した本発明のワークの研磨装置では、図１に示すように、研磨定盤上に超音波加湿器から成る湿度制御手段を直接設けた態様を示したが、本発明はこれに限定されず、例えば、研磨装置全体を、図４に示すような研磨部全体を覆うクリーンユニットタイプとし、超音波加湿器を設け、室内全体の湿度を制御することにより、研磨定盤上の雰囲気湿度を制御するようにすることもできる。
【００３８】
【実施例】
以下、実施例及び比較例を示して本発明をより具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
（実施例１）
図１に示すような研磨装置により、ワークの研磨を行い、研磨により生じたスクラッチの有無を測定した。研磨環境として、研磨室内の研磨定盤上にＨＥＰＡフィルタを塔載し、ダウンフローになるように設定して、排気をとるように設定した。
砥液としてコロイダルシリカ３０％のものを使用して、供給量５００ｍｌ／ｍｉｎで研磨定盤上に供給した。研磨布はＩＣ１０００／ＳＵＢＡ４００（ロデール社）のものを使用した。ワークとして、石英ガラス基板（１５２ｍｍ×１５２ｍｍ×６．３５ｍｍｔ）を使用した。
【００３９】
研磨中は、超音波加湿器にてミストを発生させ、研磨定盤より上１ｃｍのところに湿度計を設置し、研磨定盤上の雰囲気湿度を測定して湿度を制御しながら研磨を実施した。この実施例１では、湿度を７０％に制御して実施した。研磨時間は５分で、５０枚の石英ガラス基板の研磨を実施した。
【００４０】
研磨した石英ガラス基板について、欠陥検査装置にて研磨で生じたスクラッチを測定した。なお、感度は≧０．２μｍである。
測定結果を表１に示す。表１に示すように、実施例１で研磨した基板はスクラッチが生じなかったものが多いことが判る。
【００４１】
【表１】
2004330338.tif 000003
【００４２】
（実施例２）
実施例１と同様に石英ガラス基板の研磨を行い、研磨により生じたスクラッチの有無を測定した。ただし、研磨定盤上の雰囲気湿度は６０％に制御して実施した。
結果を表１に併記した。表１に示すように、実施例２で研磨した基板はスクラッチが生じなかったものが多いことが判る。
【００４３】
（実施例３）
実施例１と同様に、石英ガラス基板の研磨を行い、研磨により生じたスクラッチの有無を測定した。ただし、砥液のコロイダルシリカ濃度は１０％とし、研磨定盤上の雰囲気湿度は６０％に制御して実施した。
結果を表１に併記した。表１に示すように、実施例３で研磨した基板はスクラッチが生じなかったものが多いことが判る。
【００４４】
（実施例４）
実施例１と同様に、石英ガラス基板の研磨を行い、研磨により生じたスクラッチの有無を測定した。ただし、砥液のコロイダルシリカ濃度は２０％とし、研磨定盤上の雰囲気湿度は６０％に制御して実施した。
結果を表１に併記した。表１に示すように、実施例４で研磨した基板はスクラッチが生じなかったものが多いことが判る。
【００４５】
（実施例５）
実施例１と同様に、石英ガラス基板の研磨を行い、研磨により生じたスクラッチの有無を測定した。ただし、砥液のコロイダルシリカ濃度は３０％とし、研磨定盤上の雰囲気湿度は５５％に制御して実施した。
結果を表１に併記した。表１に示すように、実施例５で研磨した基板はスクラッチが生じなかったものが多いことが判る。
【００４６】
（比較例１）
実施例１と同様に石英ガラス基板の研磨を行い、研磨により生じたスクラッチの有無を測定した。ただし、超音波加湿器による湿度制御は行わないで研磨を行った。このとき、湿度計で研磨定盤上の雰囲気湿度を計測したところ、湿度は４５％であった。
結果を表２に示した。表２に示すように、比較例１で研磨した基板はスクラッチが生じなかったものが少なく、研磨された基板に多くのスクラッチが生じていることが判る。
【００４７】
【表２】
2004330338.tif 000004
【００４８】
（比較例２）
比較例１と同様に、超音波加湿器による湿度制御は行わないで石英ガラス基板の研磨を行い、研磨により生じたスクラッチの有無を測定した。ただし、砥液のコロイダルシリカ濃度は１０％とした。また、このとき、湿度計で研磨定盤上の雰囲気湿度を計測したところ、湿度は４５％であった。
結果を表２に併記した。表２に示すように、比較例２で研磨した基板はスクラッチが生じなかったものが少なく、研磨された基板に多くのスクラッチが生じていることが判る。
【００４９】
（比較例３）
比較例１と同様に、超音波加湿器による湿度制御は行わないで石英ガラス基板の研磨を行い、研磨により生じたスクラッチの有無を測定した。ただし、砥液のコロイダルシリカ濃度は２０％とした。また、このとき、湿度計で研磨定盤上の雰囲気湿度を計測したところ、湿度は４５％であった。
結果を表２に併記した。表２に示すように、比較例３で研磨した基板はスクラッチが生じなかったものが少なく、研磨された基板に多くのスクラッチが生じていることが判る。
【００５０】
（比較例４）
比較例１と同様に、超音波加湿器による湿度制御は行わないで石英ガラス基板の研磨を行い、研磨により生じたスクラッチの有無を測定した。ただし、砥液のコロイダルシリカ濃度は３０％とした。また、このとき、湿度計で研磨定盤上の雰囲気湿度を計測したところ、湿度は５０％であった。
結果を表２に併記した。表２に示すように、比較例４で研磨した基板はスクラッチが生じなかったものが少なく、研磨された基板に多くのスクラッチが生じていることが判る。
【００５１】
（比較例５）
スプレーノズル方式の加湿器を配置された研磨装置を用い、それ以外は実施例１と同じ条件で、研磨定盤上の雰囲気湿度を７０％に制御して石英ガラス基板の研磨を行い、研磨により生じたスクラッチの有無を測定した。
結果を表２に併記した。表２に示すように、比較例５で研磨した基板は、研磨定盤上の雰囲気湿度を７０％に制御して研磨を行ったにもかかわらず、実施例と比較して基板にスクラッチが生じなかったものが少なく、研磨された基板に多くのスクラッチが生じていることが判る。これは、研磨定盤上の雰囲気湿度が均一にむらなく制御されなかったため、砥液が局所的に蒸発して砥液内の研磨剤が粗大粒子化したためと考えられる。
【００５２】
なお本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は単なる例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
【００５３】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、ワークの研磨において、研磨定盤上の雰囲気湿度を確実かつ均一に、スクラッチを防止できる湿度である５５％以上とすることができる。そのため、砥液の蒸発、凝集、乾燥を防止でき、それにより粗大粒子の発生を抑制でき、スクラッチの発生を低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係るワークの研磨装置の構造の一例を示す図である。
【図２】従来におけるワークの研磨装置の構造の一例を示す図である。
【図３】ワークの研磨装置に砥液を供給する系統の一例を示す図である。
【図４】ワークの研磨装置を収容する研磨室の一例を示す図である。
【図５】（ａ）（ｂ）は、砥液中の研磨剤が粗大粒子化する様子を示した図である。
【符号の説明】
１…砥液、  ２…砥液供給管、  ３…定盤、  ４…研磨布、  ５…研磨定盤、６…基板保持ヘッド、  ７…砥液タンク、  ８…砥液ポンプ、  ９…フィルタ、  １０…超音波加湿器、  １１…湿度計、  １２…制御手段、  １３…湿度制御手段、  ２０，２１…研磨装置、  ３０…研磨室、  ３１…フィルタ、  ３２…排気、  ４０…砥液表面、  ４１…研磨剤、  ４２…粗大粒子。
【図１】
2004330338.tif 000005
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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