(57)【要約】【課題】基板を載置する電極の絶縁性を劣化させることなく、長期にわたって継続的に使用することが可能なプラズマ処理方法及び装置を提供すること。【解決手段】真空容器内にガスを供給しつつ真空容器内を排気し、前記真空容器内を所定の圧力に制御しながら、プラズマソースまたは真空容器内の電極の少なくとも一方に高周波電力を供給することにより、真空容器内にプラズマを発生させ、真空容器内の電極上に載置された基板を処理するプラズマ処理方法であって、前記基板は、無機絶縁層で被覆され、前記無機絶縁層を有機絶縁層によって被覆された電極上に載置された状態で処理されることで解決できる。【選択図】　図１
2004128128.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空容器内にガスを供給しつつ真空容器内を排気し、前記真空容器内を所定の圧力に制御しながら、プラズマソースまたは真空容器内の電極の少なくとも一方に高周波電力を供給することにより、真空容器内にプラズマを発生させ、真空容器内の電極上に載置された基板を処理するプラズマ処理方法であって、
前記基板は、無機絶縁層で被覆され、前記無機絶縁層を有機絶縁層によって被覆された電極上に載置された状態で処理されること
を特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項２】
前記有機絶縁層を処理の合間に交換することを特徴とする請求項１記載のプラズマ処理方法。
【請求項３】
前記電極をはずすことなく前記有機絶縁層の交換を行うことを特徴とする請求項１または２記載のプラズマ処理方法。
【請求項４】
真空容器内にガスを供給しつつ真空容器内を排気し、前記真空容器内を所定の圧力に制御しながら、プラズマソースまたは真空容器内の電極の少なくとも一方に高周波電力を供給することにより、真空容器内にプラズマを発生させ、真空容器内の電極上に載置された基板を処理するプラズマ処理方法であって、
前記基板は、表面及びエッジ部が無機絶縁層と有機絶縁層で被覆された電極上に載置された状態で処理されること
を特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項５】
真空容器内にガスを供給しつつ真空容器内を排気し、前記真空容器内を所定の圧力に制御しながら、プラズマソースまたは真空容器内の電極の少なくとも一方に高周波電力を供給することにより、真空容器内にプラズマを発生させ、真空容器内の電極上に載置された基板を処理するプラズマ処理方法であって、
前記電極のうち基板を載置する設置面が前記基板より小さく、かつ、前記電極の周囲は絶縁物カバーで覆われ、その表面が基板より大きな有機絶縁層で被覆された電極に基板が載置された状態で処理すること
を特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項６】
真空容器内にガスを供給しつつ真空容器内を排気し、前記真空容器内を所定の圧力に制御しながら、プラズマソースまたは真空容器内の電極の少なくとも一方に高周波電力を供給することにより、真空容器内にプラズマを発生させ、真空容器内の電極上に載置された基板を処理するプラズマ処理方法であって、
前記電極の周囲を高さが電極の高さより高い絶縁物カバーで覆われ、前記基板との設置面が基板より小さい電極に基板が載置された状態で処理すること
を特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項７】
真空を維持することが可能な真空容器と、前記真空容器内にあり、プラズマによって処理される基板が載置される電極と、プラズマソースまたは前記電極の少なくとも一方に高周波電力を印加する高周波電源と、真空容器内にガスを供給しつつ排気するガス供排気装置からなるプラズマ処理装置であって、
その表面を無機絶縁層で被覆され、前記無機絶縁層を有機絶縁層によって被覆された電極を有すること
を特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項８】
前記有機絶縁層は接着材によって電極に密着しており、必要に応じて剥離することが可能であること
を特徴とする請求項７記載のプラズマ処理装置。
【請求項９】
前記有機絶縁層を保持し、前記電極の上方より前記電極の表面まで昇降させる機構を有すること
を特徴とする請求項７記載のプラズマ処理装置。
【請求項１０】
真空を維持することが可能な真空容器と、前記真空容器内にあり、プラズマによって処理される基板が載置される電極と、プラズマソースまたは前記電極の少なくとも一方に高周波電力を印加する高周波電源と、真空容器内にガスを供給しつつ排気するガス供排気装置からなるプラズマ処理装置であって、
表面及びエッジ部が無機絶縁層と有機絶縁層で被覆された電極を有すること
を特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項１１】
前記有機絶縁層が無機絶縁層の上に積層されていることを特徴とする請求項１０記載のプラズマ処理装置。
【請求項１２】
前記無機絶縁層の厚みが、２０μｍ〜１００μｍであることを特徴とする請求項１０または１１記載のプラズマ処理装置。
【請求項１３】
前記無機絶縁層が金属酸化膜であることを特徴とする請求項１０〜１２の何れか一項に記載されたプラズマ処理装置。
【請求項１４】
前記無機絶縁層がアルマイトであることを特徴とする請求項１０〜１２の何れか一項に記載されたプラズマ処理装置。
【請求項１５】
前記無機絶縁層の最大結晶粒径が、５μｍ〜１５μｍであることを特徴とする請求項１０〜１４の何れか一項に記載されたプラズマ処理装置。
【請求項１６】
前記有機絶縁層厚みが、２０μｍ〜１００μｍであることを特徴とする請求項１０〜１５の何れか一項に記載されたプラズマ処理装置。
【請求項１７】
前記有機絶縁層がフッ素樹脂であることを特徴とする請求項１０〜１６の何れか一項に記載されたプラズマ処理装置。
【請求項１８】
前記フッ素樹脂がパウダー状材料の焼成によって被覆されたものであること
を特徴とする請求項１７記載のプラズマ処理装置。
【請求項１９】
前記有機絶縁層がポリイミドであることを特徴とする請求項１０〜１６の何れか一項に記載されたプラズマ処理装置。
【請求項２０】
前記ポリイミドが熱可塑性を有し、熱圧着によって被覆されたものであること
を特徴とする請求項１９記載のプラズマ処理装置。
【請求項２１】
真空を維持することが可能な真空容器と、前記真空容器内にあり、プラズマによって処理される基板が載置される電極と、プラズマソースまたは前記電極の少なくとも一方に高周波電力を印加する高周波電源と、真空容器内にガスを供給しつつ排気するガス供排気装置からなるプラズマ処理装置であって、
前記電極のうち基板を載置する設置面が前記基板より小さく、かつ、前記電極の周囲は絶縁物カバーで覆われ、その表面が基板より大きな有機絶縁層で被覆された電極を有すること
を特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項２２】
前記有機絶縁層がポリイミドであることを特徴とする請求項２１記載のプラズマ処理装置。
【請求項２３】
前記有機絶縁層がフッ素樹脂であることを特徴とする請求項２１記載のプラズマ処理装置。
【請求項２４】
前記有機絶縁層と絶縁物カバーが接着されてあることを特徴とする請求項２１〜２３の何れか一項に記載されたプラズマ処理装置。
【請求項２５】
真空を維持することが可能な真空容器と、前記真空容器内にあり、プラズマによって処理される基板が載置される電極と、プラズマソースまたは前記電極の少なくとも一方に高周波電力を印加する高周波電源と、真空容器内にガスを供給しつつ排気するガス供排気装置からなるプラズマ処理装置であって、
前記電極のうち基板を載置する設置面が前記基板より小さく、かつ、前記電極の周囲は絶縁物カバーで覆われ、前記絶縁物カバーの高さが電極の高さより高いこと
を特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項２６】
前記絶縁物カバーと電極の高さの差が０．１ｍｍ〜２ｍｍであること
を特徴とする請求項２５記載のプラズマ処理装置。
【請求項２７】
前記絶縁物カバーと電極の高さの差をスペーサにより、変更可能としたこと
を特徴とする請求項２５または２６記載のプラズマ処理装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体、液晶などの電子デバイスの製造に利用されるドライエッチング、スパッタリング、プラズマＣＶＤ等のプラズマ処理方法及び装置に関し、特に基板を設置する電極に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、半導体などの電子デバイスは、急速に細密化が進んでおり、高精度の加工処理が求められている。このような微細加工技術では、プラズマ処理方法を利用した加工処理が一般的となっており、例えば、ドライエッチング法、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法などが用いられる。
【０００３】
以下、前述したプラズマ処理方法のうち、特にドライエッチング法（以下、「Ｄ／Ｅ法」と称す）を取り上げ説明する。
【０００４】
図８は従来のドライエッチング装置の概略図である。
【０００５】
このドライエッチング装置は、真空維持が可能な真空容器８１、真空容器８１の天井壁を構成する誘電体板８２、真空容器８１内を真空排気する真空ポンプ８３、真空容器８１内にガスを供給するガス供給手段８４、誘電体板８２上に配設されたプラズマソース用のコイルまたはアンテナ８５、コイルまたはアンテナ８５に高周波電力を印加する高周波電源８６、コイルまたはアンテナ８５に対向して真空容器８１内の下部に配置された電極８７、電極８７に高周波電力を印加する高周波電源８８、基板１０の周囲に配設された均一化リング８９で構成され、電極８７上に基板１０が載置される。
【０００６】
一般に、基板１０を載置する電極８７は、金属を母材としたアルマイトなどの無機絶縁物で被覆されている場合が多い。これは、絶縁物の分極によって発生する静電吸着力による基板の固定や、真空容器８１内の金属部材と電極８７を絶縁することによる異常放電防止、更には、ドライエッチングにおけるエッチングガスによる金属部材の腐食防止などの効果を有するためである。
【０００７】
また、特許文献１で開示された技術のように、電極表面にポリイミド、テフロン（Ｒ）などのフィルムで覆うものもある。
【０００８】
以下、同図を参照しながら、Ｄ／Ｅ法の具体的な動作手順を説明する。
【０００９】
まず、真空容器８１内にガス供給手段８４から所定流量のガスを導入し、同時にガス排気装置である真空ポンプ８３で真空容器８１内の排気を行なう。続けて、真空容器８１内を所定の圧力に制御しながら、電極８７に対向して設置されたコイルまたはアンテナ８５や電極８７にそれぞれ高周波電源８６，８８により、高周波電力を供給することによって、真空容器８１内にプラズマを発生させる。このように発生させたプラズマの作用によって、電極８７上に配置された基板１０をエッチングすることができる。
【００１０】
【特許文献１】
特許第３０１０６８３号公報
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、アルマイトなどの無機絶縁物は多結晶材料であるため、結晶の境界を有し、無機絶縁物を長期に使用すると、結晶の境界部分でクラックやピンホールが発生し、それによって電極表面と金属母材との絶縁性の低下、エッチングガスがクラック、ピンホール、に浸透することによる金属母材の腐食などが生じる可能性がある。また、有機絶縁物に関しては、材料としての強度が比較的弱いため、破損されやすいという問題を生じることになる。
【００１２】
このような問題の発生によって、電極表面の絶縁物の静電容量は局所的に変化し、その結果、電極上のプラズマ電位は電極全面で不均一となってしまうことになる。
【００１３】
更に、プラズマ電位が電極全面で不均一であると、プラズマ処理自体が不均一になり、製造される電子デバイスの性能劣化を引き起こす原因となる。特に、液晶パネルなどの表示装置は電極の劣化によって起こる処理の不均一が、目に見えるムラとなるため、致命的な不良になり兼ねない。
【００１４】
この場合、絶縁性が低下した電極を交換するなどの対応を講じてきたが、電極の交換には、長いメンテナンス時間による設備稼働率の低下や、電極自体の費用が掛かり、大きなコストロスが生じるなどの問題が生じることになる。
【００１５】
今後の技術動向が、一層の高輝度、高精彩、無欠陥の表示装置が求められる昨今、μｍ単位の電極劣化が問題となり得ることから、電極の絶縁性を劣化させることなく、長期に渡って継続的な使用が可能なプラズマ処理が今後の電子デバイスの製造に取って重要な要因となる。しかし、前述するような従来技術の構成では、電極の絶縁性を劣化させることなく、長期に渡って継続的に使用することが難しいのが現実である。
【００１６】
本発明は、前記従来の問題点を解決するもので、電極の絶縁性を劣化させることなく、長期に渡って継続的に使用することが可能なプラズマ処理方法及び装置を提供することを目的とする。
【００１７】
【課題を解決するための手段】
本発明のプラズマ処理方法は、真空容器内にガスを供給しつつ真空容器内を排気し、前記真空容器内を所定の圧力に制御しながら、プラズマソースまたは真空容器内の電極の少なくとも一方に高周波電力を供給することにより、真空容器内にプラズマを発生させ、真空容器内の電極上に載置された基板を処理するプラズマ処理方法であって、前記基板は、無機絶縁層で被覆され、前記無機絶縁層を有機絶縁層によって被覆された電極上に載置された状態で処理されるために、有機絶縁層を無機絶縁層の上に被覆することによって、無機絶縁層の結晶境界でクラックやピンホールが発生するのを抑制できると共に、比較的損傷しやすい有機絶縁層を電極を取り外すことなく交換可能としていることで、メンテナンス時間を飛躍的に短縮し、長期にわたって安定した処理を行なうことができる。
【００１８】
また、他のプラズマ処理方法は、真空容器内にガスを供給しつつ真空容器内を排気し、前記真空容器内を所定の圧力に制御しながら、プラズマソースまたは真空容器内の電極の少なくとも一方に高周波電力を供給することにより、真空容器内にプラズマを発生させ、真空容器内の電極上に載置された基板を処理するプラズマ処理方法であって、前記基板は、表面及びエッジ部が無機絶縁層と有機絶縁層で被覆された電極上に載置された状態で処理されるために、有機絶縁層と無機絶縁層を積層被覆しているため、無機絶縁層の結晶境界でクラックやピンホールが発生するのを抑制できるとともに、有機絶縁層が損傷しても、無機絶縁層によって電極の絶縁性が保たれるため、長期にわたって安定した処理を行なうことができる。
【００１９】
また、他のプラズマ処理方法は、真空容器内にガスを供給しつつ真空容器内を排気し、前記真空容器内を所定の圧力に制御しながら、プラズマソースまたは真空容器内の電極の少なくとも一方に高周波電力を供給することにより、真空容器内にプラズマを発生させ、真空容器内の電極上に載置された基板を処理するプラズマ処理方法であって、前記電極のうち基板を載置する設置面が前記基板より小さく、かつ、前記電極の周囲は絶縁物カバーで覆われ、その表面が基板より大きな有機絶縁層で被覆された電極に基板が載置された状態で処理するために、基板より大きな有機絶縁物で、電極のコーナー及びエッジ部をプラズマから遮断するため、電極の劣化を起こすことなく、長期にわたって安定した処理を行なうことができる。
【００２０】
また、別のプラズマ処理方法は、真空容器内にガスを供給しつつ真空容器内を排気し、前記真空容器内を所定の圧力に制御しながら、プラズマソースまたは真空容器内の電極の少なくとも一方に高周波電力を供給することにより、真空容器内にプラズマを発生させ、真空容器内の電極上に載置された基板を処理するプラズマ処理方法であって、前記電極の周囲を高さが電極の高さより高い絶縁物カバーで覆われ、前記基板との設置面が基板より小さい電極に基板が載置された状態で処理するために、絶縁物カバーと基板により電極のコーナー及びエッジ部をプラズマから遮断するため、電極の劣化を起こすことなく、長期にわたって安定した処理を行なうことができる。
【００２１】
本発明のプラズマ処理装置は、真空を維持することが可能な真空容器と、前記真空容器内にあり、プラズマによって処理される基板が載置される電極と、プラズマソースまたは前記電極の少なくとも一方に高周波電力を印加する高周波電源と、真空容器内にガスを供給しつつ排気するガス供排気装置からなるプラズマ処理装置であって、その表面を無機絶縁層で被覆され、前記無機絶縁層を有機絶縁層によって被覆された電極を有するために、前記有機絶縁シートが接着材によって電極に密着しており、必要に応じて、剥離することが可能であるため、シートが何らかの外的影響によって損傷した場合や、消耗した場合に取り外すことが可能である。シートの交換は電極本体の交換に対しては比較的安価であるため、低コストで設備のメンテナンスが行なえる。
【００２２】
また、前記有機絶縁シートを保持し、電極の上方より、電極表面まで昇降させる機構を有しているため、シートを保持する機構により新しいシートを電極上に固定し、昇降させる機構によって、電極上に下降させることができるので、電極を装置につけたまま、シートの張替え作業を可能にしているため、電極表面の張替え時間を短縮し、設備の稼働率を上げることができる。
【００２３】
また、別のプラズマ処理装置は、真空を維持することが可能な真空容器と、前記真空容器内にあり、プラズマによって処理される基板が載置される電極と、プラズマソースまたは前記電極の少なくとも一方に高周波電力を印加する高周波電源と、真空容器内にガスを供給しつつ排気するガス供排気装置からなるプラズマ処理装置であって、表面及びエッジ部が無機絶縁層と有機絶縁層で被覆された電極を有するために、有機絶縁層を無機絶縁層の上にを積層被覆しているため、無機絶縁層の結晶境界でクラックやピンホールが発生するのを抑制できるとともに、有機絶縁層が損傷しても、無機絶縁層によって電極の絶縁性が保たれるため、長期にわたって安定した処理を行なうことができる。
【００２４】
また、前記無機絶縁層及び、有機絶縁層の厚みを２０μｍ〜１００μｍとしているため、極端な、静電吸着力や、プラズマ電位の変化を起こすことが少ないので、安定したプロセスを提供することができる。無機絶縁層が最大結晶粒径が５μｍ〜１５μｍの金属酸化膜、特にアルマイトにすることによって、比較的安価に絶縁性の高い無機絶縁層が提供できる。
【００２５】
有機絶縁層がフッ素樹脂であり、パウダー状材料の焼成によって被覆されたもの、もしくは、ポリイミドであり、熱可塑性を有し、熱圧着によって被覆されたものであると、無機絶縁層の結晶境界を埋めるように、被覆される、高い絶縁性を保てるので好適である。
【００２６】
また、別のプラズマ処理装置は、真空を維持することが可能な真空容器と、前記真空容器内にあり、プラズマによって処理される基板が載置される電極と、プラズマソースまたは前記電極の少なくとも一方に高周波電力を印加する高周波電源と、真空容器内にガスを供給しつつ排気するガス供排気装置からなるプラズマ処理装置であって、前記電極のうち基板を載置する設置面が前記基板より小さく、かつ、前記電極の周囲は絶縁物カバーで覆われ、その表面が基板より大きなポリイミド、フッ素樹脂などの有機絶縁層で被覆された電極を有するために、最も、プラズマによる損傷が発生しやすい電極のエッジ部にプラズマが回り込むことを防止し、電極エッジ部が損傷することを防止し、長期にわたって安定したプロセスを提供することができる。
【００２７】
有機絶縁層と絶縁物カバーが接着されてあるとさらにプラズマの回り込みを防止できるので好適である。
【００２８】
また、別のプラズマ処理装置は、真空を維持することが可能な真空容器と、前記真空容器内にあり、プラズマによって処理される基板が載置される電極と、プラズマソースまたは前記電極の少なくとも一方に高周波電力を印加する高周波電源と、真空容器内にガスを供給しつつ排気するガス供排気装置からなるプラズマ処理装置であって、前記電極のうち基板を載置する設置面が前記基板より小さく、かつ、前記電極の周囲は絶縁物カバーで覆われ、前記絶縁物カバーの高さが電極の高さより高く設定され、絶縁物カバーと電極の高さの差が０．１ｍｍ〜２ｍｍになるようになっているため、カバー及び、基板によってプラズマによる損傷が発生しやすい電極のエッジ部にプラズマが回り込むことを防止し、電極エッジ部が損傷することを防止し、長期にわたって安定したプロセスを提供することができる。
【００２９】
また、スペーサにより、絶縁物カバーと電極の高さの差を変更可能としているため、最適な高さを容易に選択することができる。
【００３０】
【発明の実施の形態】
以下、本発明のプラズマ処理方法及び装置の実施形態について、図１〜図７を参照しながら説明する。
【００３１】
（第１の実施形態）
本発明の第１の実施形態に係るプラズマ処理装置について、図１及び図２を参照して説明する。
【００３２】
図１は、第１の実施形態におけるプラズマ処理装置の構成要件を示している。１は真空維持が可能な真空容器、２は真空容器１の天井壁を構成する誘電体板、３は真空容器１内を真空排気する真空ポンプ、４は真空容器１内にガスを供給するガス供給手段、５は誘電体板２上に配設されたプラズマソース用のコイルまたはアンテナ、６はコイルまたはアンテナに高周波電力を印加する高周波電源、７は真空容器１内の下部に配設された電極、８は電極７に高周波電力を印加する高周波電源、９は後述する基板の周囲に配設された均一化リング、１０は電極７上に載置される基板である。
【００３３】
また、１１及び１２は絶縁体で製造された電極カバーであり、１３は均一化リング９用の昇降機構である。更に、１４，１５はそれぞれ電極７を被覆する無機絶縁層及び有機絶縁層である。
【００３４】
以上の構成において、真空容器１内にガス供給手段４により所定流量のガスを導入しつつ真空ポンプ３により排気して真空容器１内を所定の圧力に保ちながら、コイルまたはアンテナ５及び電極７に高周波電力を供給すると、真空容器１内にプラズマが発生し、電極７上に載置された基板１０に対してプラズマ処理が行われる。
【００３５】
図２は第１の実施形態において、有機絶縁層の交換を実施する構成を示している。１６は有機絶縁シートであり、１７のシート保持治具により、電極７上方で保持されており、昇降機構１３により電極７表面に下降させることができる。
【００３６】
以上の構成において、使用済みの有機絶縁層１５を剥離後、保持治具１７に新規の有機絶縁シート１６に張力を持たせて取り付ける。そして、昇降機構１３により下降させ、電極７の表面まで下降させると貼り付けることができる。このとき、大気雰囲気中での実施も可能ではあるが、真空容器１内を真空雰囲気にして実施するほうが、有機絶縁シート１６と電極７の間に気泡、ごみなどが入ることなく行なえるので好適である。
【００３７】
具体的には、図１において、真空容器１内にガス供給手段４により所定流量のＣｌ２を含むガスを導入しつつ、真空ポンプ３により排気して真空容器１内を所定の圧力に保ちながら、コイルまたはアンテナ５及び電極７に高周波電力を供給し、真空容器１内にプラズマを発生させ、電極７上に載置された５５０×６７０ｍｍの液晶用基板１０に対してプラズマ処理を行った。
【００３８】
図２において、有機絶縁シート１６として厚さ約５０μｍ、接着層約３０μｍの面積９００×１０００ｍｍのポリイミドシートを用い、１７のシート保持治具に装着し、電極７上方に設置した。このまま一旦真空容器１を真空排気し、およそ１×１０−２Ｐａになった時に、昇降機構１３により保持治具１７に装着したシート１６を電極７の表面に下降シートを接着した。
【００３９】
その後、真空容器１を大気開放し、シート１６を保持治具１７よりはずし、シート１６の不必要部を取り除き、電極７の再度部エッジ部には、別のシートを貼り付け、電極７の高周波電力供給部以外の表面をシートで覆った。
【００４０】
この状態で、長期間のプラズマ処理を実施したが従来例では約５時間程度の累積放電時間で１０点以上の表示ムラが発生していたが、本発明の実施例においてはほとんどムラは発生していなかった。また、電極近辺での異常な放電、基板温度の異常も見られてない。
【００４１】
（第２の実施形態）
次に、本発明の第２の実施形態のプラズマ処理方法及び装置について、図３を参照して説明する。なお、第１の実施形態と同一の構成要素については同一参照符号を付して説明を省略し、相違点のみを説明する。
【００４２】
具体例では、図３において、真空容器１内にガス供給手段４により所定流量のＣｌ２を含むガスを導入しつつ真空ポンプ３により排気して真空容器１内を所定の圧力に保ちながら、コイルまたはアンテナ５及び電極７に高周波電力を供給し、真空容器１内にプラズマを発生させ、電極７上に載置された５５０×６７０ｍｍの液晶用基板１０に対してプラズマ処理をおこなった。
【００４３】
このとき、電極７はアルミ合金製で無機絶縁層１４はアルマイト約６０μｍであった。有機絶縁層１５はフッ素樹脂とし約５０μｍの厚さである。フッ素樹脂とはテフロン（Ｒ）、ＰＦＡ，ＰＴＦＥなどを含む。
【００４４】
この状態で、長期間のプラズマ処理を実施したが従来例では約５時間程度の累積放電時間で１０点以上の表示ムラが発生していたが、本発明の実施例においてはほとんどムラは発生していなかった。また、電極近辺での異常な放電、基板温度の異常も見られてない。
【００４５】
また、有機絶縁層１５としてポリイミド厚さ２５μｍを２枚積層して、熱圧着した物も用いたが同様の効果が得られた。
【００４６】
（第３の実施形態）
次に、本発明の第３の実施形態のプラズマ処理方法及び装置について、図４、図５を参照して説明する。なお、第１の実施形態と同一の構成要素については同一参照符号を付して説明を省略し、相違点のみを説明する。
【００４７】
図４において、無機絶縁層１４上に基板より面積の大きな有機絶縁シート１８を設置している。図５は、電極７部分の拡大図であるが、有機絶縁シート１８により、電極７のエッジ部が覆われていることがわかる。
【００４８】
具体的には、図４において、真空容器１内にガス供給手段４により所定流量のＣｌ２を含むガスを導入しつつ真空ポンプ３により排気して真空容器１内を所定の圧力に保ちながら、コイルまたはアンテナ５及び電極７に高周波電力を供給し、真空容器１内にプラズマを発生させ、電極７上に載置された５５０×６７０ｍｍの液晶用基板１０に対してプラズマ処理をおこなった。
【００４９】
このとき、電極７はアルミ合金製で無機絶縁層１４はアルマイト約６０μｍであった。有機絶縁シート１８は厚さ約５０μｍ、接着層約３０μｍの面積６００×７２０ｍｍのポリイミドシートを用い、カバーと接着した。
【００５０】
この状態で、長期間のプラズマ処理を実施したが従来例では約５時間程度の累積放電時間で１０点以上の表示ムラが発生していたが、本発明の実施例においてはほとんどムラは発生していなかった。また、電極近辺での異常な放電、基板温度の異常も見られてない。
【００５１】
（第４の実施形態）
次に、本発明の第４の実施形態のプラズマ処理方法及び装置について、図６、図７を参照して説明する。なお、第１の実施形態と同一の構成要素については同一参照符号を付して説明を省略し、相違点のみを説明する。
【００５２】
図６において、電極カバー１１と電極カバー１２の間にスペーサ１９が設置されている。図７は、電極７部分の拡大図であるが、スペーサ１９により、電極カバー１１が基板よりも高くなったことで電極７のエッジ部が覆われていることがわかる。
【００５３】
具体的には、図６において、真空容器１内にガス供給手段４により所定流量のＣｌ２を含むガスを導入しつつ真空ポンプ３により排気して真空容器１内を所定の圧力に保ちながら、コイルまたはアンテナ５及び電極７に高周波電力を供給し、真空容器１内にプラズマを発生させ、電極７上に載置された５５０×６７０ｍｍの液晶用基板１０に対してプラズマ処理をおこなった。
【００５４】
このとき、電極７はアルミ合金製で無機絶縁層１４はアルマイト約６０μｍであった。スペーサ１９は０．２ｍｍのものを３枚重ね合わせ、カバー１９と電極７の高さの差が約０．３ｍｍとした。
【００５５】
この状態で、長期間のプラズマ処理を実施したが従来例では約５時間程度の累積放電時間で１０点以上の表示ムラが発生していたが、本発明の実施例においてはほとんどムラは発生していなかった。また、電極近辺での異常な放電、基板温度の異常も見られてない。
【００５６】
【発明の効果】
本発明のプラズマ処理方法及び装置は、電極上に有機絶縁層を無機絶縁層の上に被覆するので、無機絶縁層の結晶境界でクラックやピンホールが発生するのを抑制できると共に、比較的損傷しやすい有機絶縁層を電極を取り外すことなく交換可能としていることで、メンテナンス時間を飛躍的に短縮し、長期にわたって安定した処理を行なうことができる。
【００５７】
また、表面及びエッジ部が無機絶縁層と有機絶縁層で被覆された電極を有するために、無機絶縁層の結晶境界でクラックやピンホールが発生するのを抑制できるとともに、有機絶縁層が損傷しても、無機絶縁層によって電極の絶縁性が保たれるため、長期にわたって安定した処理を行なうことができる。
【００５８】
また、基板より大きな有機絶縁物で、電極のコーナー及びエッジ部をプラズマから遮断するため、電極の劣化を起こすことなく、長期にわたって安定した処理を行なうことができる。
【００５９】
更に、絶縁物カバーと基板により電極のコーナー及びエッジ部をプラズマから遮断するため、電極の劣化を起こすことなく、長期にわたって安定した処理を行なうことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施形態に係るプラズマ処理装置の縦断面図
【図２】同実施形態におけるシート交換時のプラズマ処理装置の縦断面図
【図３】本発明の第２の実施形態に係るプラズマ処理装置の縦断面図
【図４】本発明の第３の実施形態に係るプラズマ処理装置の縦断面図
【図５】同実施形態のプラズマ処理装置の電極周辺構成図
【図６】本発明の第４の実施形態に係るプラズマ処理装置の縦断面図
【図７】同実施形態のプラズマ処理装置の電極周辺構成図
【図８】従来例のプラズマ処理装置の縦断面図
【符号の説明】
１　真空容器
２　誘電体板
３　真空ポンプ（排気手段）
４　ガス供給手段
５　コイルまたはアンテナ
６，８　高周波電源
７　電極
９　均一化リング
１０　基板
１１，１２　絶縁物カバー
１３　昇降機構
１４　無機絶縁物
１５　有機絶縁物
１６　有機絶縁シート
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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