(57)【要約】【課題】Ｓｂを主成分としつつＭｎの含有率を従来よりも高めるという全く新たな概念に基づいて構成した相変化型の記録層を備える光記録媒体を提供する。【解決手段】複数の元素によって構成される記録層３ｂを有する光記録媒体１であって、記録層３ｂは、Ｓｂを含有すると共に、記録層３ｂを構成するすべての元素の量を１００原子％としたときに２０原子％を超えて４０原子％以下の比率でＭｎを含有している。この構成によれば、従来では添加元素としての認識しかなかったＭｎを主成分として、カルコゲンを主成分とした記録層を有する光記録媒体と同様若しくはそれ以上に結晶化温度を高めることができると共に書換え速度も同様若しくはそれ以上に速めることができる。【選択図】　　　　図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の元素によって構成される記録層を有する光記録媒体であって、
前記記録層は、Ｓｂを含有すると共に、当該記録層を構成するすべての元素の量を１００原子％としたときに２０原子％を超えて４０原子％以下の比率でＭｎを含有している光記録媒体。
【請求項２】
前記記録層は、ＴｅおよびＧｅの少なくとも一方を含有する請求項１記載の光記録媒体。
【請求項３】
複数の元素によって構成される記録層を有する光記録媒体であって、
前記記録層は、Ｓｂ、ＭｎおよびＴｅを含有し、その組成比をＳｂａＭｎｂＴｅｃで表し、ａ、ｂおよびｃを原子％で表したときに、
２０≦ａ＜８０、
２０＜ｂ≦４０、
０≦ｃ≦４０、
ａ＋ｂ＋ｃ＝１００
を満たす条件で形成されている光記録媒体。
【請求項４】
前記記録層は、その組成比をＳｂａＭｎｄＴｅｅで表し、ｄおよびｅを原子％で表したときに、
−０．６４６ａ＋４９．４６≦ｄ≦−０．３５４ａ＋５０．５４、
−０．６４６ａ＋４９．４６≦ｅ≦−０．３５４ａ＋５０．５４、
ｄ≧０、
ｅ≧０、
ｄ＋ｅ＝１００−ａ
を満たす条件で形成されている請求項３記載の光記録媒体。
【請求項５】
前記記録層が、Ｉｎ、ＡｇおよびＧｅから選択される少なくとも１種の元素Ｍを添加元素として含有し、その組成比を（Ｓｂ（ＭｎＴｅ））１００−ｆＭｆで表し、ｆを原子％で表したときに、
０＜ｆ≦１５
を満たす条件で形成されている請求項１から４のいずれかに記載の光記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、相変化型の記録層を有する光記録媒体に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、高密度記録が可能で、しかも記録情報の追記や書換え（オーバーライト）が可能な光記録媒体が注目されている。この追記可能型や書換え可能型の光記録媒体のうちの相変化型光記録媒体は、レーザー光を照射することによって記録層の結晶状態を変化させて記録情報の記録が行われ、このような状態変化に伴う記録層の反射率変化を検出することによって記録情報の再生が行われる。この相変化型光記録媒体は、単一のレーザー光の強度を変調することによって書き換えが可能であり、また、光磁気記録媒体用の光学系と比較して単純な構造の光学系で記録情報を記録再生することが可能な点で特に注目されている。
【０００３】
一般的に、追記可能型や書換え可能型の相変化型光記録媒体に記録情報を記録する際には、まず、記録層全体を結晶質状態に初期化しておき、記録層を融点以上まで昇温し得る高パワー（記録パワー）のレーザー光を照射する。この際に、記録パワーのレーザー光が照射された部位では、記録層が溶融された後に急冷されることによって非晶質の記録マークが形成される。一方、書換え可能型の相変化型光記録媒体から記録マークを消去する際には、記録層の結晶化温度以上の温度まで昇温し得るパワー（消去パワー）のレーザー光を照射する。この際に、消去パワーのレーザー光が照射された部位では、記録層が結晶化温度以上まで加熱された後に徐冷されることによって記録マーク（非晶質部分）が結晶質に復帰（記録マークの消去）させられる。このように、書換え可能型の相変化型光記録媒体では、単一の光ビームの強度を変調することにより、書き換えが可能となっている。
【０００４】
この場合、例えば特開平１０−３２６４３６号公報や特開平８−２２４９６１号公報において開示されているように、結晶質状態と非晶質状態とで反射率の差が大きい点、および非晶質状態の安定度が比較的高い点などから、相変化型の記録層として、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系材料やＡｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系材料などの、主成分としてのＳｂにＴｅやＳｅ等のカルコゲンを他の主成分として含有するカルコゲナイド系化合物が一般的に用いられている。このように、現在では、カルコゲンを主成分として相変化型の記録層を構成することが、当業者間において一般常識化している。また、前述の各公報（特開平１０−３２６４３６号公報等）において開示されているように、これらのＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系材料やＡｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系材料に対する添加元素としてＭｎを含めた種々元素を添加することも知られている。この場合、記録層への前記元素の添加理由は、それぞれの元素によって高速結晶化、経時安定性を高める等の効果が挙げられるが、添加量が多すぎると、他の特性を損なう等の問題が発生する。このため、前述のいずれの公報においても、添加量を２０原子％以下とするように記載されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、本発明者は、Ｓｂを主成分として含有する記録層における他の組成元素の種類や各組成元素の組成比を変えて相変化型の光記録媒体を種々作製して評価した際に、Ｍｎの含有率をさらに高め、従来の相変化型の記録層と同等若しくはそれ以上の記録特性（書換え速度や熱的安定性）を有する記録層を構成するのが可能であることを見出した。
【０００６】
本発明は、Ｓｂを主成分としつつＭｎの含有率を従来よりも高めるという全く新たな概念に基づいて構成した相変化型の記録層を備える光記録媒体を提供することを主目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成すべく本発明に係る光記録媒体は、複数の元素によって構成される記録層を有する光記録媒体であって、前記記録層は、Ｓｂを含有すると共に、当該記録層を構成するすべての元素の量を１００原子％としたときに２０原子％を超えて４０原子％以下の比率でＭｎを含有している。
【０００８】
この場合、前記記録層は、ＴｅおよびＧｅの少なくとも一方を含有するのが好ましい。
【０００９】
また、上記目的を達成すべく本発明に係る光記録媒体は、複数の元素によって構成される記録層を有する光記録媒体であって、前記記録層は、Ｓｂ、ＭｎおよびＴｅを含有し、その組成比をＳｂａＭｎｂＴｅｃで表し、ａ、ｂおよびｃを原子％で表したときに、２０≦ａ＜８０、２０＜ｂ≦４０、０≦ｃ≦４０、ａ＋ｂ＋ｃ＝１００を満たす条件で形成されている。
【００１０】
また、前記記録層は、その組成比をＳｂａＭｎｄＴｅｅで表し、ｄおよびｅを原子％で表したときに、−０．６４６ａ＋４９．４６≦ｄ≦−０．３５４ａ＋５０．５４、−０．６４６ａ＋４９．４６≦ｅ≦−０．３５４ａ＋５０．５４、ｄ≧０、ｅ≧０、ｄ＋ｅ＝１００−ａを満たす条件で形成することがより好ましい。
【００１１】
また、前記記録層は、Ｉｎ、ＡｇおよびＧｅから選択される少なくとも１種の元素Ｍを添加元素として含有し、その組成比を（Ｓｂ（ＭｎＴｅ））１００−ｆＭｆで表し、ｆを原子％で表したときに、０＜ｆ≦１５を満たす条件で形成することがより一層好ましい。
【００１２】
【発明の実施の形態】
本発明に係る光記録媒体は、少なくともＳｂおよびＭｎを含有し、さらにＴｅを含有する記録層を備えている。具体的には、この光記録媒体の記録層は、その組成比が下記の（１）式で表される。この場合、同式では、ａ、ｂおよびｃを原子％で表している。
ＳｂａＭｎｂＴｅｃ　・・・（１）式
ここで、ａ，ｂ，ｃは、以下の条件に規定される。
２０≦ａ＜８０、
２０＜ｂ≦４０、
０≦ｃ≦４０、
ａ＋ｂ＋ｃ＝１００
【００１３】
上記（１）式において、Ｓｂの含有率ａが小さ過ぎる場合、結晶転移速度が急激に遅くなって記録情報の消去、つまり書き換えが困難となる。このため、Ｓｂの含有率ａは２０原子％以上とすることが好ましい。一方、含有率ａが大き過ぎる場合、相変化に伴う反射率差が小さくなって変調度が小さくなることが知られている。
【００１４】
また、上記（１）式において、Ｍｎの含有率ｂが小さい場合、熱的安定性を向上させる効果が不十分となり、保存特性が低下する。この場合、Ｍｎの含有率ｂが２０原子％を超える場合、十分な熱的安定性を確実に確保することができる。一方、含有率ｂが大き過ぎる場合、結晶転移速度が遅くなって記録情報の消去が困難となる。この場合、良好な熱的安定性を確保しつつ、十分な結晶転移速度を確保するためにはＭｎの含有率ｂを４０原子％以下とすることが好ましい。
【００１５】
さらに、上記（１）式において、Ｔｅの含有率ｃが大き過ぎる場合、結晶転移速度が低くなり過ぎるため、消去が困難となる。したがって、十分な結晶転移速度を確保するためには、含有率ｃを４０原子％以下とするのが好ましい。
【００１６】
以上のことから、Ｍｎ添加によって十分に熱的安定性を向上させるためには、２０原子％を超えるＭｎを含有させる必要上、Ｓｂの含有率ａを８０原子％未満にする必要がある。
【００１７】
また、Ｍｎの含有率ｂを高めた記録層によれば、Ｓｂの含有率ａが低下して結晶転移速度が遅くなる。ただし、このＭｎの含有率ｂを高くしたときの結晶転移速度の低下は、Ｔｅを含有させることによって改善することができる。この場合、Ｔｅは、Ｍｎの含有率ｂの上昇に伴う結晶転移速度の低下傾向を抑制する。このため、その含有率ｃについては、Ｍｎの含有率ｂの増加に応じて増加させることが好ましい。具体的には、記録層の組成比をさらに上記（１）式とは異なる観点で下記の（２）式で表し、
ＳｂａＭｎｄＴｅｅ　・・・（２）式
ｄおよびｅを原子％で表したときに、
−０．６４６ａ＋４９．４６≦ｄ≦−０．３５４ａ＋５０．５４、
−０．６４６ａ＋４９．４６≦ｅ≦−０．３５４ａ＋５０．５４、
ｄ≧０、
ｅ≧０、
ｄ＋ｅ＝１００−ａ
となるように、ＭｎおよびＴｅの相互間の組成比を設定する。この設定によれば、結晶転移速度のさらなる高速化（つまり書換え速度の高速化）と良好な熱的安定性とを両立させることができる。したがって、結晶化温度を２００℃以上に維持しつつ書換え速度を１００Ｍｂｐｓ前後から約２００Ｍｂｐｓまでの範囲内にまで高めることができる結果、高速書換えが可能であって、しかも保存特性に優れた記録層を実現することができる。
【００１８】
一方、上記の記録層の材料としては、上記した元素に加えて、必要に応じて他の元素を添加することもできる。このような添加元素としては、Ｇｅ、ＩｎおよびＡｇから選択される少なくとも１種の元素（元素Ｍ）が挙げられる。これらの添加元素は、結晶化温度を高めて保存特性をさらに向上させる機能を有している。なお、記録層を構成する全材料に対するこれらの添加元素の含有率が高すぎる場合には、相変化に伴う反射率変化が小さくなって十分な変調度を得にくくなる。したがって、記録層を構成する全材料に対するこれらの添加元素の含有率（ｆ）としては、０原子％を超えて１５原子％以下であるのが好ましい。
【００１９】
また、記録層の厚さは、４ｎｍ以上５０ｎｍ以下の範囲内が好ましく、５ｎｍ以上３０ｎｍ以下の範囲内であるのがより好ましい。この場合、記録層が薄すぎるときには、結晶相の成長が困難となり、相変化に伴う反射率変化が不十分となる。逆に、記録層が厚すぎるときには、記録層の熱容量が大きくなると共に反射率および変調度が低くなる結果、記録が困難となる。
【００２０】
なお、記録層の組成は、ＥＰＭＡやＸ線マイクロアナリシス、ＩＣＰなどにより測定することができる。また、記録層についてはスパッタ法によって形成するのが好ましい。この場合、スパッタ条件は特に限定されず、例えば、複数の元素を含む材料をスパッタする際には、合金ターゲットを用いてもよく、ターゲットを複数個用いる多元スパッタ法を用いてもよい。
【００２１】
また、本発明では、記録層の組成以外、すなわち、光記録媒体の構造は特に限定されない。例えば、一般的な相変化型の光記録媒体１の構成例としては、図１に示すように、基体２上に、反射層３、第２誘電体層４ｂ、記録層５、第１誘電体層４ａおよび光透過層６を順次積層したものが挙げられる。この光記録媒体１では、光透過層６を介して記録再生用のレーザー光が照射される。また、基体を介して記録再生用のレーザー光を照射する構成を採用することもできる。この場合、図示はしないが、基体側から、第１誘電体層、記録層、第２誘電体層、反射層および保護層をその順序で積層する。
【００２２】
【実施例】
次に、実施例を挙げて本発明を詳細に説明する。
【００２３】
（実験１）
射出成形によってグルーブを同時形成した直径１２０ｍｍ、厚さ１．１ｍｍのポリカーボネート製ディスクを基体２として用い、その表面に、図１に示すように、反射層３、第２誘電体層４ｂ、記録層５、第１誘電体層４ａおよび光透過層６を順次形成した光記録ディスクのサンプルを複数作製した。各サンプルＮｏ．１〜Ｎｏ．２７における前記（１）式で表される記録層５の各組成を図２に示す。このうちサンプルＮｏ．３，Ｎｏ．４，Ｎｏ．８，Ｎｏ．９，Ｎｏ．１３〜Ｎｏ．１５，Ｎｏ．１９〜Ｎｏ．２１，Ｎｏ．２５，Ｎｏ．２６が実施例である。一方、サンプルＮｏ．１，Ｎｏ．２，Ｎｏ．５〜Ｎｏ．７，Ｎｏ．１０〜Ｎｏ．１２，Ｎｏ．１６〜Ｎｏ．１８，Ｎｏ．２２〜Ｎｏ．２４，Ｎｏ．２７が比較例である。
【００２４】
反射層３は、Ａｒ雰囲気中においてスパッタ法によって形成した。ターゲットには、Ａｇ，Ｐｄ，Ｃｕ＝９８：１：１を用いた。また、反射層３の厚さは１００ｎｍとした。
【００２５】
第２誘電体層４ｂは、Ａｌ２Ｏ３ターゲットを用いてＡｒ雰囲気中でスパッタ法によって形成した。また、第２誘電体層４ｂの厚さは７ｎｍとした。記録層５は、Ｓｂ，Ｍｎ，Ｔｅ各元素のターゲットを用い、Ａｒ雰囲気中で３元スパッタ法によって形成した。また、記録層５の厚さは１４ｎｍとした。第１誘電体層４ａは、ＺｎＳ（８０モル％）−ＳｉＯ２（２０モル％）ターゲットを用いてＡｒ雰囲気中でスパッタ法によって形成した。また、第１誘電体層４ａの厚さを１１０ｎｍとした。光透過層６は、紫外線硬化性アクリル樹脂を用いて、スピンコート法によって形成した。
【００２６】
これらのサンプルの各記録層５をバルクイレーザーにより初期化（結晶化）した後、光記録媒体評価装置に順次載せ、レーザー波長：４０５ｎｍ、開口数ＮＡ：０．８５、記録信号：（１，７）ＲＬＬ変調信号の条件で記録を行った。記録・消去の線速度は、各サンプルにおいて最適な状態に変化させた。次に、データを記録した各サンプルに対して線速度を変化させながらレーザー光を照射してデータ消去を行い、−３０ｄＢにまで消去されたときの線速度を測定することにより、最大の書換え速度（Ｍｂｐｓ）を算出した。各サンプルにおける最大の書換え速度を図２に示す。さらに、図２に基づいて、記録層５の組成と書換え速度との関係を示す３成分組成図（図３参照）を作成した。
【００２７】
図３によれば、実施例として作製した各サンプル（同図中のドットを付した領域内のサンプル）のように、Ｓｂを含有すると共に、２０原子％を超えて４０原子％以下の比率でＭｎを含有している記録層５であったとしても、Ｔｅの含有率ｃを０≦ｃ≦４０の範囲内としたときには、その書換え速度が１０Ｍｂｐｓを超えている。このため、主成分としてのＳｂにＴｅやＳｅ等のカルコゲンを他の主成分として含有する従来の記録層と同様にして、データの書換えが可能なことが明らかである。また、サンプルＮｏ．３，Ｎｏ．４のように、カルコゲンを含有させずに、ＳｂおよびＭｎのみで記録層５を構成したとしても、カルコゲンを他の主成分として含有する従来の記録層と同様にして、データの書換えが可能なことが明らかである。
【００２８】
さらに、図３によれば、全サンプルＮｏ．１〜Ｎｏ．２７のうちの書換え速度が極めて高速（約１４０Ｍｂｐｓ前後以上）なサンプルに着目した場合、同図中の右下隅から中央部分にかけて、ＭｎとＴｅの相互間の組成比（ｄ：ｅ）が５０：５０となる直線を中心として分布し、特に、Ｍｎの含有率が２０原子％を超える領域では、この直線近傍に集中している。したがって、２０原子％を超えて４０原子％以下の比率でＭｎを含有している記録層５では、ＭｎとＴｅの相互間の組成比（ｄ：ｅ）を５０：５０近傍に設定することにより、極めて高速の書換え速度を実現し得る（１４０Ｍｂｐｓ前後から約２００Ｍｂｐｓまでの範囲内に向上できる）のが理解される。サンプルＮｏ．１３，Ｎｏ．１９，Ｎｏ．２０およびサンプルＮｏ．２１がこれに該当する。また、図３において、書換え速度が高速な１００Ｍｂｐｓ前後以上のサンプルに着目した場合、これらの各サンプルは、上記した書換え速度が極めて高速なサンプルを中心として分布し、かつ同図中における２本の破線（ＭｎおよびＴｅの各下限値＝−０．６４６Ｓｂ＋４９．４６と、ＭｎおよびＴｅの各上限値＝−０．３５４Ｓｂ＋５０．５４を示す２本の破線）で挟まれた領域内にほぼ含まれている。したがって、この記録層５では、ＭｎとＴｅの各含有率ｄ，ｅを、上記の下限値＝−０．６４６Ｓｂ＋４９．４６以上各上限値＝−０．３５４Ｓｂ＋５０．５４以下に設定することにより、高速の書換え速度を実現し得る（１００Ｍｂｐｓ前後以上に向上できる）のが理解される。サンプルＮｏ．８，Ｎｏ．１４およびＮｏ．２６がこれに該当する（図２，３参照）。
【００２９】
ただし、ＭｎとＴｅの相互間の組成比（ｄ：ｅ）を５０：５０近傍に設定したとしても、Ｓｂの含有率を４０原子％以下に設定すると書換え速度が低下し、Ｓｂの含有率を３０原子％以下に設定すると書換え速度がさらに低下する。したがって、Ｓｂの含有率を２０原子％以上、好ましくは３０原子％を超え、より好ましくは４０原子％を超えるように設定する。
【００３０】
（実験２）
上記サンプルＮｏ．６〜Ｎｏ．１４，Ｎｏ．１６〜Ｎｏ．２０，Ｎｏ．２２を加熱ステージに載せ、３０℃／分で昇温しながら基体２を通してレーザー光を照射し、反射率が変化する温度を測定することによって記録層５の結晶化温度（単位℃）を算出した。また、昇温速度を、２０℃／ｍｉｎ、５０℃／ｍｉｎ、６０℃／ｍｉｎと変化させて結晶化温度を測定し、その結果からアレニウス法によって記録層５の活性化エネルギー（単位ｅＶ）を算出した。各サンプルにおける結晶化温度および活性化エネルギーを図２に示す。また、結晶化温度および活性化エネルギーと、記録層５の組成との関係を示す３成分組成図（図４参照）を作成した。
【００３１】
図４によれば、Ｔｅの含有率ｃが一定の場合、Ｍｎの含有率ｂを高めることで、結晶化温度を高められることが理解される。つまり、記録層５中のＭｎの含有率ｂを高めることで、結晶化温度を高められることが理解される。特に、Ｍｎの含有率ｂが２０原子％を超える場合、結晶化温度が確実に２００℃を超えて十分な熱的安定性を確保できることが理解される。また、図４によれば、Ｍｎの含有率ｂを高めていくと、ある程度までは、結晶化温度と同時に活性化エネルギーも高めることができ、含有率ｂをさらに高めた場合、活性化エネルギーを好ましいレベル（２．０ｅＶ以上）に維持できることが理解される。活性化エネルギーは、アモルファスがより安定な状態である結晶に遷移するのに必要なエネルギーである。このため、結晶化温度だけがいくら高いとしても、活性化エネルギーが低下した場合には、レーザー光照射によって形成したアモルファスの熱的安定性が損なわれることになる。したがって、結晶化温度と同時に活性化エネルギーもある程度まで高めることができ、これにより、優れた熱的安定性を確保できることが理解される。
【００３２】
さらに、図３，４によれば、２０原子％を超えるようにＭｎの含有率ｂを設定すると共に、ＭｎとＴｅの相互間の組成比（ｂ：ｃ）を約５０：５０近傍に設定することにより、結晶化温度が２００℃以上で、しかも書換え速度が２００Ｍｂｐｓを超える記録層５を実現できることがわかる。
【００３３】
なお、上記した発明の実施では、書換え型光記録媒体を例に挙げて説明したが、本発明は、結晶転移速度が一層低速であってもよい追記型光記録媒体にも適用することができるのは勿論である。
【００３４】
【発明の効果】
以上のように、本発明に係る光記録媒体によれば、Ｓｂを含有させると共に、２０原子％を超えて４０原子％以下の比率でＭｎを含有させて記録層を形成したことにより、従来では添加元素としての認識しかなかったＭｎを用いて、カルコゲンを主成分とした記録層を有する光記録媒体と同様若しくはそれ以上に結晶化温度を高めることができると共に書換え速度も同様若しくはそれ以上に速めることができる。
【００３５】
また、本発明に係る光記録媒体によれば、ＴｅおよびＧｅの少なくとも一方を記録層に含有させたことにより、書換え速度をさらに速めることができる。
【００３６】
また、本発明に係る光記録媒体によれば、記録層の組成比をＳｂａＭｎｂＴｅｃで表し、ａ、ｂおよびｃを原子％で表したときに、２０≦ａ＜８０、２０＜ｂ≦４０、０≦ｃ≦４０、ａ＋ｂ＋ｃ＝１００としたことにより、従来では添加元素としての認識しかなかったＭｎを用いて、カルコゲンを主成分とした記録層を有する光記録媒体と同様若しくはそれ以上に結晶化温度を高めることができると共に書換え速度も同様若しくはそれ以上に速めることができる。
【００３７】
さらに、記録層の組成比をＳｂａＭｎｄＴｅｅで表し、ｄおよびｅを原子％で表したときに、−０．６４６ａ＋４９．４６≦ｄ≦−０．３５４ａ＋５０．５４、−０．６４６ａ＋４９．４６≦ｅ≦−０．３５４ａ＋５０．５４、ｄ≧０、ｅ≧０、ｄ＋ｅ＝１００−ａとすることにより、１００Ｍｂｐｓ前後から約２００Ｍｂｐｓまでの範囲内の一層高速な書換え速度の光記録媒体を提供することができる。
【００３８】
また、本発明に係る光記録媒体によれば、記録層にＩｎ、ＡｇおよびＧｅから選択される少なくとも１種の元素Ｍを添加元素として含有させ、記録層の組成比を（Ｓｂ（ＭｎＴｅ））１００−ｆＭｆで表し、ｆを原子％で表したときに、０＜ｆ≦１５を満たす条件で形成したことにより、保存特性をさらに向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】記録媒体１の構成を示す断面図である。
【図２】サンプル毎の記録層の組成と、書換え速度、結晶化温度および活性化エネルギーとの関係を示す実験結果図である。
【図３】記録層５の組成と書換え速度との関係を示す３成分組成図である。
【図４】記録層５の組成と、結晶化温度および活性化エネルギーとの関係を示す３成分組成図である。
【符号の説明】
１　光記録媒体
２　基体
３　反射層
４ａ　第２誘電体層
４ｂ　第１誘電体層
５　記録層
６　光透過層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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