(57)【要約】【課題】加熱面の温度分布を均一にする。【解決手段】板状体の一方の面に発熱体のパターンが形成され、板状体の内部に熱伝導率の高いプレーン層を設けた。【選択図】　　　図３
2004031340.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
板状体の一方の面が加熱面となり、該加熱面の反対側面もしくは板状体の内部に発熱体のパターンが形成されてなり、前記板状体の内部であって、発熱体のパターンと加熱面との間に、前記板状体よりも熱伝導率の高い材料からなるプレーン層が形成されてなることを特徴とするヒータ。
【請求項２】
前記板状体は、セラミック、樹脂から選ばれる少なくとも１種以上である請求項１に記載のヒータ。
【請求項３】
前記発熱体は、金属粒子および金属酸化物を焼結して形成した焼結金属、導電ペースト、金属蒸着体、金属めっき膜から選ばれる少なくとも１種以上からなる請求項１に記載のヒータ。
【請求項４】
前記発熱体の表面は、金属層で被覆されてなる請求項１に記載のヒータ。
【請求項５】
前記プレーン層の厚さは、１〜１０４　μｍである請求項１に記載のヒータ。
【請求項６】
前記板状体は、発熱体が設けられた面の反対面とプレーン層との間に静電チャック用の導体層を形成してなる請求項１に記載のヒータ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本願発明は、主に半導体産業において使用される、ホットプレートや静電チャックにおいて使用されるヒータに関し、特には、表面温度が均一なヒータに関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体製品は、シリコンウエハー上に感光性樹脂をエッチングレジストとして形成し、シリコンウエハーをエッチングすることにより製造される。
感光性樹脂は、液状でスピンコーターなどでシリコンウエハー表面に塗布されるのであるが、塗布後に乾燥させなければならず、塗布したシリコンウエハーをヒータ上に載置して加熱することになる。
従来このようなヒータとしては、特開平１１−４０３３０号にあるように、窒化物セラミック板の裏面に発熱体を配線したものが採用されている。このヒータは、ヒータ板自体が薄く温度追従性に優れるものである。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、このようなヒータは次のような未解決の課題があった。
ヒータの裏面には図１のような発熱体のパターンが形成されているが、高温になると加熱面に発熱体のパターンに相似した温度分布が形成されてしまうのである。
【０００４】
本願発明は、加熱面に温度分布が生じることなく、均一な温度分布が達成されるヒータを提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本願発明者らは、高温領域で加熱面に発熱体のパターンに相似した温度分布が発生する理由を解析したところ、高温領域で窒化物セラミックの熱伝導率が低下し、図２のように発熱体のパターン２上にのみ熱が伝導してしまい、その結果発熱体に相似した温度分布が発生してしまうことを見出した。
本発明者らはさらに研究を進め、板状体の内部に前記板状体よりも熱伝導率の高い材料からなるプレーン層を形成することにより、上記の問題を解決できることを見出した。
【０００６】
また、窒化物セラミックに限らず、セラミック全般、樹脂などの絶縁体を板状体に使用した場合も同様であることをも知見した。
【０００７】
本願発明は、板状体の一方の面が加熱面となり、該加熱面の反対側面もしくは板状体の内部に発熱体のパターンが形成されてなり、前記板状体の内部であって、発熱体のパターンと加熱面との間に、前記板状体よりも熱伝導率の高い材料からなるプレーン層が形成されてなることを特徴とするヒータである。
【０００８】
本願発明では、図３のように板状体１（ヒータ板）の内部に板状体１よりも熱伝導率の高い材料からなるプレーン層４を設ける。
このため、発熱体のパターン２から板状体１の厚み方向に伝搬した熱はこのプレーン層４で、拡散して均一な温度となり、さらに発熱体のパターン２が形成された面の反対面（加熱面６）に伝搬するのである。このため、加熱面の温度を高温領域でも均一にすることが可能である。
なお、プレーン層は、連続した平面が望ましいが、本発明の目的を達成できる範囲で複数に分割されていてもよく、また円形、方形の各種の開口を設けたメッシュであってもよい。
本発明で使用されるプレーン層は、その厚みが１〜１０４　μｍであることが望ましい。この理由は、薄すぎると温度均一化の効果がなく、厚すぎるとプレーン層自体に温度分布が生じてしまい、やはり表面温度を均一化することができないからである。
また、プレーン層は、ヒータの使用温度領域において板状体の材料よりも熱伝導率が高ければよく、金属またはセラミックを使用できる。具体的には、各温度領域にて次のものを使用できる。
使用温度領域：２５〜２００℃
板状体として、樹脂またはセラミックを使用する。板状体として樹脂を使用した場合は、プレーン層は金属またはセラミックを使用できる。板状体としてアルミナ、ジルコニアなどの酸化物セラミックを使用した場合は、プレーン層としては、タングステン、モリブデンから選ばれる金属、タングステンカーバイド、シリサイド、窒化アルミニウム、窒化硼素から選ばれるセラミックを使用できる。また、板状体として窒化アルミニウム、窒化珪素などの窒化物セラミックを使用した場合は、プレーン層としては、タングステン、モリブデンから選ばれる金属、金属カーバイド、シリサイド、窒化硼素から選ばれるセラミックを使用できる。
使用温度領域：２００〜１０００℃
板状体として、セラミックを使用する。板状体としてアルミナ、ジルコニアなどの酸化物セラミックを使用した場合は、プレーン層としては、タングステン、モリブデン、コバールから選ばれる金属、タングステンカーバイド、シリサイド、窒化アルミニウム、窒化硼素から選ばれるセラミックを使用できる。高温領域では、窒化アルミニウムの熱伝導率は低下するが、アルミナなどの酸化物セラミックの熱伝導率もそれ以上に低下するため、プレーン層としてセラミックを使用することができる。
板状体として窒化アルミニウム、窒化珪素などの窒化物セラミックを使用した場合は、プレーン層としては、タングステン、モリブデン、コバールから選ばれる金属、金属カーバイド、シリサイド、窒化硼素から選ばれるセラミックを使用できる。
プレーン層は、１層でもよく複数層でもよい。
本発明では、板状体は、絶縁体であれば使用でき、セラミック、樹脂から選ばれる少なくとも１種以上が望ましい。
セラミックとしては、絶縁性の窒化物セラミックまたは酸化物セラミックからなることが望ましい。これらは耐熱性に優れるためである。
また、窒化物セラミックまたは酸化物セラミックは、熱膨張係数が金属より小さく、薄くしても、加熱によりそったり、歪んだりしない。このためヒータを構成する板状体を薄くて軽いものとすることができる。また、板状体の熱伝導率が高く、また板状体自体薄いため、ヒータの表面温度が、発熱体の温度変化に迅速に追従する。即ち、電圧、電流量を変えて発熱体の温度を変化させることにより、ヒータの表面温度を制御できる。
【０００９】
前記絶縁性の窒化物セラミックは、金属窒化物セラミック、例えば、窒化アルミニウム、窒化ケイ素、窒化ホウ素から選ばれる少なくとも１種以上が望ましい。
また、酸化物セラミックは、金属酸化物セラミック、例えば、酸化ケイ素、酸化ジルコニウム、酸化チタン、ムライトから選ばれる少なくとも１種以上が望ましい。
これらのセラミックの中で窒化アルミニウムが最も好適である。熱伝導率が１８０Ｗ／ｍ・Ｋと最も高いからである。
なお、窒化物セラミックを使用する場合は、表面に保護層を設けておいてもよい。窒化物セラミックは、空気中の水と反応してアンモニアを発生し、これが半導体ウエハを汚染するからである。
保護層としては、ＳｉＯ２　、Ａｌ２　Ｏ３　、ポリイミドから選ばれる少なくとも１種以上が望ましい。特に耐水性に優れたＳｉＯ２　が最適である。
保護層の厚さは、１００オングストロームから１μｍが最適である。薄すぎると保護層が形成されない部分が生じ、厚すぎると熱膨張率の相違からクラックが発生し、いずれにせよアンモニア発生を抑制できないからである。
保護層は、発熱体上に形成されていてもよく（図５）、また保護層上に発熱体が形成されていてもよい（図３、図４）。また、保護層は、板状体全部を被覆するだけでなく、一部分を被覆しておいてもよい。
本発明では、板状体として使用する樹脂としては耐熱性樹脂が望ましく、熱硬化性樹脂やエンジニアリングプラスチックがよい。たとえばエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ビスマレイミドートリアジン樹脂から選ばれる少なくとも１種以上やポリエーテルスルフォン、ポリフェニレンスルフィド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリスルフォンから選ばれる少なくとも１種以上を使用できる。
【００１０】
前記板状体は、０．１〜３０ｍｍであれば使用でき、セラミックを使用した場合は、０．５〜５ｍｍ程度がよい。薄すぎると破損しやすくなるからである。
【００１１】
本発明では、板状体は、図４のように発熱体２が設けられた面の反対面（即ち加熱面６）とプレーン層４との間に静電チャック用の導体層５を形成してもよい。静電チャックにより半導体ウエハを固定しながら加熱することができるからである。
本願発明では、発熱体は導電ペースト中の金属粒子を焼結して形成したものであることが望ましい。加熱焼成によりセラミック板表面に焼き付けることができるからである。なお、焼結は、金属粒子同士、金属粒子とセラミックが融着していれば十分である。
図１に示すように発熱体２は、板状体１全体の温度を均一にする必要があることから、同心円状のパターンがよい。また、発熱体２のパターンの厚さは、１〜２０μｍが望ましく、幅は０．５〜５ｍｍが望ましい。厚さ、幅により抵抗値を変化させることができるが、この範囲が最も実用的だからである。抵抗値は、薄く、細くなるほど大きくなる。
また、図４に示すように、発熱体２は板状体の内部に埋め込まれたものであってもよい。
【００１２】
導電ペーストは、金属粒子の他、樹脂、溶剤、増粘剤などを含むものが一般的である。金属粒子としては、金、銀、白金、パラジウム、鉛、タングステン、ニッケルから選ばれる少なくとも１種以上がよい。これらの金属は比較的酸化しにくく、発熱するに十分な抵抗値を有するからである。これら金属粒子の粒径は、０．１〜１００μｍであることが望ましい。微細すぎると酸化しやすく、大きすぎると焼結しにくくなり、抵抗値が大きくなるからである。
【００１３】
導電ペーストに使用される樹脂としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂などがよい。また、溶剤としては、イソプロピルアルコールなどが使用される。増粘剤としては、セルロースなどが挙げられる。
【００１４】
前記導電ペーストには、金属粒子に加えて金属酸化物を含ませて、発熱体を金属粒子および金属酸化物を焼結させたものとすることが望ましい。この理由は、窒化物セラミックまたは炭化物セラミックと金属粒子を密着させるためである。金属酸化物により、窒化物セラミックまたは炭化物セラミックと金属粒子との密着性が改善される理由は明確ではないが、金属粒子表面および窒化物セラミックまたは炭化物セラミックの表面はわずかに酸化膜が形成されており、この酸化膜同士が金属酸化物を介して焼結して一体化し、金属粒子と窒化物セラミックまたは炭化物セラミックが密着するのではないかと推定している。
【００１５】
前記金属酸化物としては、酸化鉛、酸化亜鉛、シリカ、酸化ホウ素（Ｂ２　Ｏ３）、アルミナ、イットリア、チタニアから選ばれる少なくとも１種以上がよい。これらの酸化物は、発熱体の抵抗値を大きくすることなく、金属粒子と窒化物セラミックまたは炭化物セラミックとの密着性を改善できるからである。
【００１６】
本願発明では、発熱体の表面は、金属層で被覆されてなることが望ましい。発熱体は、金属粒子の焼結体であり、露出していると酸化しやすく抵抗値が変化してしまう。そこで、表面を金属層で被覆することにより、酸化を防止できるのである。金属層の厚さは、０．１〜１０μｍが望ましい。発熱体の抵抗値を変化させることなく、発熱体の酸化を防止できる範囲だからである。
【００１７】
被覆に使用される金属は、非酸化性の金属であればよい。具体的には、金、銀、パラジウム、白金、ニッケルから選ばれる少なくとも１種以上がよい。なかでもニッケルが好適である。発熱体には電源と接続するための端子が必要であり、この端子は、ろう材を介して発熱体に取り付けるが、ニッケルはろう材の熱拡散を防止するからである。接続端子は、コバール製の端子ピンを使用することができる。
【００１８】
また、ろう材は銀−鉛、鉛−スズ、ビスマス−スズなどの合金を使用することができる。なお、ろう材層の厚さは、０．１〜５０μｍが望ましい。ろう材による接続を確保するに充分な範囲だからである。
本願発明では、必要に応じてヒーター板に熱電対を埋め込んでおくことができる。熱電対によりヒーター板の温度を測定し、そのデータをもとに電圧、電流量を変えて、ヒーター板の温度を制御することができるからである。
【００１９】
また、板状体に貫通孔を複数設けてその貫通孔に支持ピンを挿入し、半導体ウエハーをそのピン上に載置することができる。また、支持ピンを上下させて半導体ウエハーを搬送機に渡したり、搬送機から半導体ウエハーを受け取ったりすることができる。
【００２０】
ついで、ヒータの製造方法について説明する。
（１−０）板状体を得る工程。
窒化物セラミック、酸化物セラミックなどのセラミックの粉体をバインダーおよび溶剤と混合して生成形体を得る。
前述したセラミック粉体としては窒化アルミニウム、アルミナなどを使用でき、必要に応じてイットリアなどの焼結助剤などを加えてもよい。
また、バインダとしては、アクリル系バインダ、エチルセルロース、ブチルセロソルブ、ポリビニラールから選ばれる少なくとも１種以上が望ましい。
さらに、溶媒としては、α−テルピオーネ、グリコールから選ばれる少なくとも１種以上が望ましい。
これらを混合して得られるペーストをドクターブレード法でシート状に成形して生成形体を製造する。
生成形体に、必要に応じて半導体ウエハーの支持ピンを挿入する貫通孔や熱電対を埋め込む凹部を設けておくことができる。
【００２１】
次に、この生成形体にプレーン層となる金属層を形成する。金属層は、金属ペーストを印刷することにより形成する。
金属ペースト中には金属粒子が含まれており、このような金属粒子としてはタングステンまたはモリブデンが最適である。線熱膨張係数がセラミックと同じだからである。
タングステン粒子またはモリブデン粒子の平均粒子径は０．５〜１．５μｍがよい。大きすぎても小さすぎてもペーストを印刷しにくいからである。
このようなペーストとしては、タングステン粒子またはモリブデン粒子８５〜９７重量部、アクリル系、エチルセルロース、ブチルセロソルブ、ポリビニラールから選ばれる少なくとも１種以上のバインダ１．５〜１０重量部、α−テルピオーネ、グリコールから選ばれる少なくとも１種以上の溶媒を１．５〜１０重量部混合して調製したタングステンペーストまたはモリブデンペーストが最適である。
ついで、生成形体をさらに積層して加熱焼成し、焼結させてセラミック製の板状体を製造する。加熱焼成の際、加圧することにより気孔のないヒーター板を製造することができる。加熱焼成は、焼結温度以上であればよいが、窒化物セラミックまたは炭化物セラミックでは、９００〜２５００℃である。
プレーン層を複数設ける場合は、金属ペーストを印刷した生成形体を複数層積層すればよい。
また、金属ペーストを印刷する方法以外に、金属箔を生成形体に積層し、生成形体をさらに積層して加熱焼成し、焼結させてセラミック製の板状体を製造してもよい。
さらに必要に応じて保護層を設ける。保護層の形成方法としては、金属アルコキシドをアルコール、水、および酸とともに混合して調製したゾル溶液をスピンコート法などで塗布し、乾燥後、３００〜１０００℃で焼成する。
触媒により金属アルコキシドが加水分解重合反応を起こしてゾルが形成されており、これを乾燥させることによりゲルが生じ、焼成することによって金属酸化膜の被覆層を設けることができるのである。
前記ゾル溶液としては、金属アルコシキド１０〜５０重量部、アルコール１００〜５００重量部、水１〜５０重量部、酸０．１〜０．５重量部の混合物が望ましい。
金属アルコキシドとしては、シラン系アルコキシド、アルミニウム系アルコキシドを使用できる。シラン系アルコキシドとしては、テトラエトキシシラン、テトラメトキシシランが望ましい。また、アルミニウム系アルコキシドとしてはアルミニウムイソプロポキシドが望ましい。
アルコールとしては、メタノール、エタノールなどを使用できる。
また、本発明で使用できる保護層としては、ポリイミドなどの樹脂を使用してもよい。
【００２２】
（２−０）板状体に発熱体を設ける工程。
板状体に金属粒子からなる導電ペーストを印刷する。
導電ペーストは、一般に、金属粒子、樹脂、溶剤からなる粘度の高い流動物である。この導電ペーストをスクリーン印刷などで発熱体を設けようとする部分に印刷する。発熱体は、ヒーター板全体を均一な温度にする必要があることから、図１に示すような同心円からなるパターンに印刷することが望ましい。
導電ペーストとしては、銀ペースト、銀／鉛ペースト、前述のタングステンペーストまたはモリブデンペーストを使用することができる。
【００２３】
さらに、加熱して導電ペーストを焼結させて、セラミック製の板状体の表面に発熱体を設ける。
導電ペーストを加熱焼成して、樹脂、溶剤を除去するとともに、金属粒子を焼結させる。加熱焼成温度は、５００〜１０００℃である
導電ペースト中に金属酸化物を添加しておくと、金属粒子、セラミック製の板状体および金属酸化物が焼結して一体化するため、発熱体とセラミック製の板状体との密着性が向上する。発熱体は、この他にもスパッタリングやめっきによって形成することができる。スパッタリングやめっきされる金属は、金、銀、白金、パラジウム、鉛、タングステン、ニッケルから選ばれる少なくとも１種以上が望ましい。
【００２４】
さらに発熱体表面に金属層を被覆することが望ましい。被覆は、電解めっき、無電解めっき、スパッタリングにより行うことができるが、量産性を考慮すると無電解めっきが最適である。
発熱体のパターンの端部に電源との接続のための端子をろう材にて取りつける。　金属層としてはニッケル、コバルト、クロムから選ばれる少なくとも１種以上が望ましい。
【００２５】
取りつけ部位にろう材のペーストを印刷した後、端子を乗せて、加熱してリフローする。加熱温度は、２００〜５００℃が好適である。
さらに、必要に応じて熱電対を埋め込むことができる。熱電対としてはクロメル−アルメル、銅−コンスタンタン、クロメル−コンスタンタンがよい。
以上は、セラミックを板状体に使用した場合の製造方法である。ついで樹脂を板状体に使用した場合について説明する。
（１−１）板状体を得る工程。
未硬化のエポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂をガラスクロスに含浸させてＢステージとしたプリプレグを用意する。厚さとしては、０．１〜２ｍｍ程度が望ましい。このプリプレグ１枚または複数枚と厚さ５〜２０μｍの銅箔を積層し、１００〜２００℃で０．１〜３時間加熱プレスする。熱硬化性樹脂は硬化して内部に銅層を有する板状体が得られる。
（２−１）板状体に発熱体を設ける工程。
熱硬化性樹脂表面を酸化剤などで粗化処理する。粗化処理により発熱体との密着性を改善できるからである。
酸化剤はクロム酸、過マンガン酸カリウムのアルカリ性溶液などを使用する。感光性ドライフィルムを貼付し、露光、現像処理してレジストを設け、無電解ニッケルめっきを施す。
レジストを塩基性水溶液で除去してニッケルパターン（発熱体のパターン）が得られる。
以下は、セラミックを用いた場合と同様にして端子等をろう付けするのである。
さらに、実施例に沿って説明する。
【００２６】
【実施例】
（実施例１）　窒化アルミニウムセラミック板
（１）窒化アルミニウム粉末（平均粒径１．１μｍ）１００重量部、イットリア（酸化イットリウムのこと　平均粒径０．４μｍ）４重量部、アクリルバイダー５重量部およびアルコールからなる組成物を、ドクターブレードで形成して厚さ１．５ｍｍの生成形体を得た。
【００２７】
（２）生成形体にドリル加工して、半導体ウエハー支持ピンを挿入する孔、図示しないが、熱電対を埋め込むための凹部を設けた。
（３）平均粒子径１μｍのタングステン粒子９０重量部、アクリル系バインダ５重量部、α−テルピオーネ溶媒を５重量を混合してタングステンペーストとした。
このタングステンペーストを生成形体のほぼ全面に印刷し、さらに同様にしてタングステンペーストを印刷した別の生成形体を積層し、さらに、タングステンペーストを印刷しない生成形体を上下に１層づつ積層した後、１８００℃、圧力２３０ｋｇ／ｃｍ２　でホットプレスし、厚さ３ｍｍの窒化アルミニウム板状体を得た。これを直径２３０ｍｍの円状に切り出して内部にプレーン層４を２層有するセラミック製の板状体１とした。
さらに、テトラエトキシシラン２０．８重量部、エタノール１３８重量部、水２３．５重量部、塩酸０．３重量部を添加してシリカゾル溶液を調製した。
このシリカゾル溶液をセラミック製の板状体１の表面にスピンコータで１５００ｒｐｍで２０秒の条件で塗布し、乾燥後、５００℃、９５０℃でそれぞれ１時間づつ焼成し、厚さ０．１μｍのＳｉＯ２　の保護層を形成した。
【００２８】
（４）（３）で得た板状体１に、スクリーン印刷にて導電ペーストを印刷した。印刷パターンは、図１に示すような同心円のパターンとした。導電ペーストは、徳力化学研究所製のソルベストＰＳ６０３を使用した。この導電ペーストは、銀／鉛ペーストであり、金属酸化物を含むものである。
（５）導電ペーストを印刷した板状体を７８０℃で加熱焼成して、導電ペースト中の銀、鉛を焼結させるとともに板状体１に焼き付けた。銀−鉛の焼結体によるパターンは、厚さが５μｍ、幅２．４ｍｍであった。
【００２９】
（６）硫酸ニッケル８０ｇ／ｌ、次亜リン酸ナトリウム２４ｇ／ｌ、酢酸ナトリウム１２ｇ／ｌ、ほう酸８ｇ／ｌ、塩化アンモニウム６ｇ／ｌの濃度の水溶液からなる無電解ニッケルめっき浴に（５）の板状体を浸漬して、銀−鉛の焼結体の表面に厚さ１μｍのニッケル層５を析出させて発熱体２とした。
【００３０】
（７）電源との接続を確保するための端子を取りつける部分に、スクリーン印刷１より、銀−鉛ろう材ペースト（田中貴金属製）を印刷してろう材層を形成した。ついで、ろう材層の上にコバール製の端子ピン（図示しない）を載置して、７００℃で加熱リフローし、端子ピンを発熱体の表面に取りつけた。
（８）温度制御のための複数熱電対を埋め込み、ヒーター１００を得た。
【００３１】
（実施例２）
アルミナセラミック板実施例１と基本的に同様であるが、平均粒径１．０μｍのアルミナ粉末１００重量部、アクリルバイダー５重量部およびアルコールからなる組成物を使用し生成形体を調製し、焼結温度を１６００℃とした。
【００３２】
（実施例３）　エポキシ樹脂板
（１）ＤＭＤＧ（ジエチレングリコールジメチルエーテル）に溶解させた６０ｗｔ％のクレゾールノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬製）を４６．６７　重量部、ＭＥＫ　に溶解させた８０ｗｔ％　のビスフェノールＡ　型エポキシ樹脂（　油化シェル製、エピコート１００１）６．６６６重量部、同ビスフェノールＡ　型エポキシ樹脂（　油化シェル製、エピコートＥ−１００１−Ｂ８０）６．６６６重量部、イミダゾール硬化剤（四国化成製、２Ｅ４ＭＺ−ＣＮ）１．６　重量部を混合し、これをガラスクロスに含浸させて８０℃で２４時間乾燥させて厚さ０．２ｍｍのプリプレグとした。
（２）このプリプレグ１０枚と厚さ１２μｍの銅箔を、プリプレグ４枚目と５枚目の間に銅箔が配置されるように積層し、１０ｋｇ／ｃｍ２　、１２０℃で６０分加熱プレスし、板状体とした。さらに熱電対を埋めるための穴をドリルで開口した。
（３）板状体表面を８００ｇ／ｌのクロム酸で粗化した。
（４）感光性ドライフィルムを貼付し、紫外線露光、１％ＫＯＨ水溶液で現像処理し、めっきレジストを設けた後、塩化ニッケル３０ｇ／ｌ、次亜リン酸ナトリウム１０ｇ／ｌ、クエン酸ナトリウム１０ｇ／ｌからなるｐＨ＝５の無電解ニッケルめっき液に２０分間浸漬して、開口部に厚さ５μｍのニッケルめっき層を形成し、発熱体とした。ついで５％ＮａＯＨ水溶液でめっきレジストを除去した。
（５）電源との接続を確保するための端子を取りつける部分に、スクリーン印刷１より、錫−鉛ペースト（日本ハンダ製）を印刷してろう材層を形成した。ついで、ろう材層の上にコバール製の端子ピン（図示しない）を載置して、２００℃で加熱リフローし、端子ピンを発熱体の表面に取りつけた。
（８）温度制御のための複数熱電対を埋め込み、ヒーターを得た。
（比較例）　プレーン層なし
実施例１と同様であるが、（３）でタングステンペーストを印刷せず、プレーン層を設けなかった。
実施例１、２、比較例のヒータについて、発熱体２が設けられていない面、即ち加熱面の温度分布を熱電対で測定した。
【００３３】
ヒータに電圧を印加して、加熱面温度が６００℃となるように設定したところ、実施例１、２のヒータは発熱体の直上の部分と発熱体がない部分の温度差がそれぞれ２℃であった。これに対して比較例では、８℃であった。
さらに、実施例３についても加熱面温度が１５０℃となるように設定したところ、実施例３のヒータは発熱体の直上の部分と発熱体がない部分の温度差がそれぞれ１℃であった。
【００３４】
【発明の効果】
以上説明のように、本願発明のヒータは、加熱面温度の均一性に優れる。
【図面の簡単な説明】
【図１】発熱体のパターンの模式図
【図２】従来のヒータの断面模式図
【図３】本発明のヒータの断面模式図
【図４】本発明のヒータ（静電チャック用導電層）の断面模式図
【図５】本発明のヒータの断面模式図
【符号の説明】
１　セラミック製の板状体
２　発熱体
３　保護層
４　プレーン層
５　静電チャック用導電層
１００，１０１，１０２　ヒータ
６　加熱面
【図１】
2004031340.tif 000003
【図２】
2004031340.tif 000004
【図３】
2004031340.tif 000005
【図４】
2004031340.tif 000006
【図５】
2004031340.tif 000007