(57)【要約】【課題】本発明は、半導体製造用露光装置におけるマーク位置検出方法に関し、複数のアライメント検出系で同時にアライメントマークを撮像する場合においても、全てのアライメント検出系においてアライメントマークを合焦位置またはその近傍で撮像してマーク位置検出を行うことにより、マーク位置検出の精度を保つ事を目的とする。【解決手段】本発明は同時に撮像する検出系が複数（直線上にある３個または４個以上）であっても、各検出系で観察するアライメントマークを合焦位置近傍に置くための検出物体姿勢を算出し、例えばステージをチルトする事で各検出系の合焦位置の差を吸収するものである。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
検出物体上の複数のマーク像を複数の検出系で同時に撮像しマークの位置を検出するマーク位置検出方法において、
各検出系において各マークが合焦状態となる検出系光軸方向位置を計測する合焦位置計測工程と、
各マークが合焦位置計測工程で計測した検出系光軸方向位置またはその近傍に位置するように検出物体の検出系光軸方向位置および姿勢を決定する検出物体姿勢決定工程と
検出物体姿勢算出工程で算出した検出系光軸方向位置および姿勢に検出物体を置き各マーク位置を検出する位置検出工程
を有する事を特徴とするマーク位置検出方法。
【請求項２】
検出物体姿勢算出工程は、各マークが合焦状態となる検出系光軸方向位置からの距離が小さくなる平面を算出し、
検出物体の光軸方向位置および姿勢を決定する事を特徴とする請求項１のマーク位置検出方法。
【請求項３】
検出物体姿勢算出工程は、各マークが合焦状態となる検出系光軸方向位置からの距離が小さくなる平面を最小二乗法により算出し、
検出物体の光軸方向位置および姿勢を決定する事を特徴とする請求項３のマーク位置検出方法。
【請求項４】
検出物体上の複数のマーク像を複数の検出系で同時に撮像しマークの位置を検出するマーク位置検出装置において、
各検出系において各マークが合焦状態となる検出系光軸方向位置を計測する合焦位置計測手段と、
各マークが合焦位置計測手段で計測した検出系光軸方向位置またはその近傍に位置するように検出物体の検出系光軸方向位置および姿勢を決定する検出物体姿勢決定手段と
検出物体姿勢算出手段で算出した検出系光軸方向位置および姿勢に検出物体を置き各マーク位置を検出する位置検出手段
を有する事を特徴とするマーク位置検出装置。
【請求項５】
複数の検出系は異なる特性の検出系を含む事を特徴とする請求項７のマーク位置検装置。
【請求項６】
検出物体上の複数のマーク像を複数の検出系で同時に撮像しマークの位置を検出する半導体露光装置において、
各検出系において各マークが合焦状態となる検出系光軸方向位置を計測する合焦位置計測手段と、
各マークが合焦位置計測手段で計測した検出系光軸方向位置またはその近傍に位置するように検出物体の検出系光軸方向位置および姿勢を決定する検出物体姿勢決定手段と
検出物体姿勢算出手段で算出した検出系光軸方向位置および姿勢に検出物体を置き各マーク位置を検出する位置検出手段
を有する事を特徴とする半導体露光装置。
【請求項７】
複数の検出系は、露光光と同じかもしくはほぼ同じ波長の光を照明し、原板と投影レンズを介して基板上のマークまたは装置上のマークを観察する１つまたは複数の検出系を含む事を特徴とする請求項７の半導体露光装置。
【請求項８】
複数の検出系は、露光光と同じかもしくはほぼ同じ波長の光を照明し、装置上のマークと投影レンズを介して基板上のマークまたは装置上のマークを観察する１つまたは複数の検出系を含む事を特徴とする請求項７の半導体露光装置。
【請求項９】
複数の検出系は、非露光光を照明し、基板上のマークまたは装置上のマークを観察する１つまたは複数の検出系を含む事を特徴とする請求項７の半導体露光装置。
【請求項１０】
複数の検出系は、非露光光を照明し、投影レンズを介して基板上のマークまたは装置上のマークを観察する１つまたは複数の検出系を含む事を特徴とする請求項７の半導体露光装置。
【請求項１１】
複数の検出系は、露光光または非露光光を照明し、原板上のマークと装置上のマークを観察する１つまたは複数の検出系を含む事を特徴とする請求項７の半導体露光装置。
【請求項１２】
検出物体はステージであり、ステージに構成したレベリングステージにより、検出物体姿勢算出手段で算出した検出系光軸方向位置および姿勢にステージを駆動する事を特徴とする請求項７から請求１２の半導体露光装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、マーク位置検出方法およびそれを用いた装置に関する。
例えば、レチクル等の原板に形成されたＩＣやＬＳＩ等の回路パターンを投影レンズを介してウエハ等の基板面上に投影する半導体製造用露光装置において、原板と基板の位置合わせのために、原板や基板や装置上に形成したアライメントマークを観察し、それぞれの位置情報を得る場合に好適なマーク位置検出方法およびそれを用いた装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、投影露光装置において、原板や基板や装置上に形成したアライメントマークを観察する事によりそれぞれの位置情報を得て、基板と原板の位置合わせを行っている。ここで、アライメントマークの位置を検出する際には、アライメントマークをアライメント検出系の合焦位置に置いて観察する。
その理由の１つとして、できるだけコントラストの高いアライメントマーク像を撮像してマーク位置を計測した方が、計測精度の面から有利である事があげられる。これは、アライメントマークをアライメント検出系で撮像しデジタルデータに変換する時に、わずかではあるが照明光の変動や電気的なノイズ等の変動成分の混入が避けられず、出来るだけコントラストの高いアライメントマーク像を入力して変動成分の影響を受けにくくするためである。
【０００３】
このため、アライメントマークの位置を検出する前に、アライメントマークに対するアライメント検出系の合焦位置を求めておく必要がある。例えば、アライメント検出系の光軸方向にアライメントマークを駆動しながら、アライメントマーク像を入力し、入力したマーク像のコントラストが最大となるアライメント検出系光軸方向の位置を合焦位置として求めていた。
【０００４】
一方、ＩＣ、ＬＳＩの微細化が加速度的に進んでおり、半導体製造装置においても年々より高い装置性能が求められている。
このため、半導体製造装置で用いるアライメントマークの位置検出においても、２個所でアライメントマークの位置検出を行い、計測値を平均化する事により検出精度を向上させる等の手法が用いられている。また、装置上に形成された２箇所のアライメントマーク位置検出を行い、装置の変動要因を計測および補正する事により、装置性能の安定を図る手法等も用いられている。
【０００５】
また、近年ＤＲＡＭに代表される半導体の需要拡大に伴う生産性向上への要望も大きく、半導体製造装置に対しては精度向上だけで無くスループット向上も合わせて求められている。このため、上述したアライメントマークの位置検出を行う場合であっても、なるべく半導体製造装置のスループットが落ちない様に、２つのアライメント検出系を用いて同時にアライメントマーク像を撮像する手法も合わせて用いられている。
【０００６】
しかし、この様に２つのアライメント検出系で同時にアライメントマーク像を撮像する場合、各アライメント検出系で合焦位置が異なるとともに、アライメントマークが同一物体上にあると、全てのアライメント検出系で同時にアライメントマークを合焦位置に置く事が困難となる。従来これに対して、同時に撮像するアライメント検出系はアライメントマークを同時に合焦位置に置ける様に装置を調整するとともに、各アライメント検出系の合焦位置の平均的な位置にアライメントマークを置いてアライメントマーク像を撮像する方法や、アライメントマークのある位置検出対象（例えば、ウエハやステージ）を２つのアライメントマークを結ぶ直線の方向で合焦位置の差だけ傾ける事によりアライメントマークを各アライメント検出合焦位置に置いて撮像する方法等により、アライメントマークの合焦位置からのずれを最小にして、半導体機器を製造するのに十分な精度を保ってきた。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
従来、上述した様に、２つのアライメント検出系を用いて同時にアライメントマークの位置検出を行う場合においても、各アライメント検出系の合焦位置を高精度に調整する事により、半導体装置を製造するのに十分な精度を確保してきた。しかし、更なる装置性能やスループットの向上が求められている中、更に多くのアライメント検出系でアライメントマークを同時に撮像しマーク位置検出を行う事も求められてきている。この様に、複数のアライメント検出系を用いて同時にアライメントマークの位置検出を行う場合においては、各アライメント検出系の合焦位置を高精度に調整する事はより困難となり、装置の調整だけで半導体装置を製造するのに十分な精度を確保するには限界がある。更に、原板や基板上のアライメントマークには、原板や基板作成上の都合で各アライメントマークの高さ（トポグラフィー）が異なる場合もあり、精度の確保が更に困難となる。
【０００８】
一方、上記位置検出対象をアライメントマークを結ぶ直線方向で合焦位置の差だけ傾ける事によりアライメントマークを各アライメント検出合焦位置に置いて撮像する方法も、複数（３つ以上）のアライメント検出系でアライメントマークを同時に撮像する場合は、位置検出対象において３つのアライメントマークが直線上に並ぶ場合や、アライメントマークが４つ以上ある場合等各アライメント検出系の合焦位置が同一平面上に無い場合には、そのままこの手法を適用する事はできない。
【０００９】
このことから、本発明では、複数のアライメント検出系で同時にアライメントマークを撮像する場合においても、全てのアライメント検出系においてアライメントマークを合焦位置またはその近傍で観察してマーク位置検出を行うマーク位置検出方法およびそれを用いた装置を提供することを目的とするものである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために、本発明のマーク位置検出方法は、検出物体上の複数のマーク像を複数の検出系で同時に撮像しマークの位置を検出するマーク位置検出方法において、各検出系において各マークが合焦状態となる検出系光軸方向位置を計測する合焦位置計測工程と、各マークが合焦位置計測工程で計測した検出系光軸方向位置またはその近傍に位置するように検出物体の検出系光軸方向位置および姿勢を決定する検出物体姿勢決定工程と検出物体姿勢算出工程で算出した検出系光軸方向位置および姿勢に検出物体を置き各マーク位置を検出する位置検出工程を有する事を特徴とする。
【００１１】
また、上記の目的を達成するために、本発明のマーク位置検出方法を用いた装置は、検出物体上の複数のマーク像を複数の検出系で同時に撮像しマークの位置を検出するマーク位置検出装置において、各検出系において各マークが合焦状態となる検出系光軸方向位置を計測する合焦位置計測手段と、各マークが合焦位置計測手段で計測した検出系光軸方向位置またはその近傍に位置するように検出物体の検出系光軸方向位置および姿勢を決定する検出物体姿勢決定手段と検出物体姿勢算出手段で算出した検出系光軸方向位置および姿勢に検出物体を置き各マーク位置を検出する位置検出手段を有する事を特徴とする。
【００１２】
【発明の実施の形態】
本発明の実施例について説明する。
図１は本発明のマーク位置検出方法およびその装置を適用した投影露光装置の部分概略図である。
尚ここでは、図１の横方向をＸ方向（Ｘ軸）、図１の紙面に垂直な方向をＹ方向（Ｙ軸）、図１の縦方向をＺ方向（Ｚ軸）として説明する。
【００１３】
図１において、１は投影レンズであり、その光軸は図中ＡＸであるとともに、その像面は図中ＡＸ方向と垂直な関係にある。照明系２はｉ線、エキシマレーザ光等の光を照明する。
原板であるレチクル３はレチクルステージ４上に保持され、レチクル３のパターンは投影レンズ１の倍率で投影されその像面に像を形成する。５は表面にレジストが塗布された基板であるウエハである。
６はウエハを載置するステージで、ウエハ５をウエハステージ６に吸着・固定するチャック、Ｘ軸方向とＹ軸方向に各々水平移動可能なＸＹステージ、３軸のΖ方向アクチエーターやＺ方向位置検出センサにより制御され投影レンズ１の光軸方向であるΖ軸方向への移動およびＸ軸、Ｙ軸方向に水平な軸の回りに回転可能なレベリングステージ、前記Ζ軸に水平な軸の回りに回転可能な回転ステージ等により構成されており、レチクルパターン像をウエハ上の被露光領域に合致させるための補正系を構成している。また、ウエハステージ上にはアライメントマーク等が刻まれたステージマーク７が構成される。
図１においてはＴＴＲアライメント検出系８、８’、８’’とオフアクシスアライメント検出系９の２種類のアライメント検出系がある。
【００１４】
図２にＴＴＲアライメント検出系を装置上方から見た概略図を示す。ＴＴＲアライメント検出系８、８’、８’’は露光光と同じかもしくはほぼ同じ波長の光によってレチクル３と投影レンズ１を介してウエハ５上のウエハマークまたはステージマーク７を照明し、該マークからの反射光は同じ経路を通りＴＴＲアライメント検出系８、８’、８’’に戻る。反射光はＴＴＲアライメント検出系内の撮像素子上に結像し画像として撮像されて画像処理部１１に取り込まれる。さらに、画像処理部１１においてレチクル３上のレチクルマークとウエハマークまたはステージマークの相対位置が検出される。ＴＴＲアライメント検出系内の切り替えミラーはウエハ露光中は照明系の露光域外に逃げ、ＴＴＲアライメント検出系８、８’、８’’から投影レンズ１を介してウエハステージ６上を観測する時のみ露光域内に移動する。
【００１５】
本実施例においては、同様のＴＴＲアライメント検出系が３つあり（図中８、８’、８’’）、これらのアライメント検出系が同時にアライメントマークの像を撮像し、レチクルマークとウエハマークまたはステージマークの相対位置を検出する。同時に検出した相対位置は精度向上のために平均化して用いるか、相対位置の差から投影レンズの倍率変化を検出する等に用いる。
オフアクシスアライメント検出系９は非露光光をウエハ５上のウエハマークまたはステージマーク７に照明し、マーク像をオフアクシスアライメント検出系内の撮像素子上に結像する。マーク像は、画像として撮像されて画像処理部１１に取り込まれ、画像処理部１１においてウエハマークまたはステージマークの位置が検出される。
【００１６】
本実施例ではこれらのアライメント検出系を用いてレチクルとウエハの投影レンズ像面方向の相対位置を検出する。例えば、ＴＴＲアライメント検出系でレチクルマークとウエハマークを計測した場合は、その相対位置からレチクルとウエハの相対位置を検出する。また、ＴＴＲアライメント検出系でレチクルマークとステージマークの相対位置を検出し、さらにオフアクシスアライメント検出系９でウエハマークとステージマークの位置をそれぞれ検出してウエハマークとステージマークの相対位置を検出した場合は、それぞれのマークの相対位置からレチクルとウエハの相対位置を検出する。
【００１７】
図１に示すフォーカス検出系１０（１０’はその投光系）は、ウエハ面の光軸方向の位置を計測する検出系であり、光束を放射する投光系及びウエハ５からの反射光を撮像する撮像系から構成されている。これらによりウエハ面の光軸方向の位置および傾きを検出する。
図１に示すメイン制御部１２はレチクル３の像をウエハ５の所定領域に露光するように、装置全体の制御を行うものである。すなわち、レチクルステージ３の位置を計測する図示しない干渉計とウエハステージ５の位置を計測する図示しない干渉計の位置データとアライメント検出系８、８’  、８’’、９、フォーカス検出系１０から得られるウエハとレチクルの相対的な位置関係により、レチクルステージやウエハステージの駆動制御する。
【００１８】
次に、アライメント検出系におけるマーク位置検出に本発明のマーク位置検出方法を適用した場合の１例として、ＴＴＲアライメント検出系８、８’、８’’を用い、各検出系で同時にアライメントマーク像を撮像し、レチクルマークとステージマークの相対位置検出を行う方法について述べる。
本実施例では、マークの位置検出に先立って、レチクルマークの合焦状態を各ＴＴＲアライメント検出系内の対物レンズを駆動して合わせた後に、ステージマークの検出系光軸方向位置およびステージ姿勢を決定する。
レチクルマークは、各ＴＴＲアライメント検出系において、対物レンズを駆動しながらレチクルマーク像のコントラストを計測し、コントラストが最大となる位置に対物レンズを置く事で合焦状態とする。
【００１９】
次に、ステージマークの検出系光軸方向位置およびステージ姿勢の決定方法について述べる。
本発明では、同時に位置検出を行う各検出系（ここでは、ＴＴＲアライメント検出系８、８’、８’’において、それぞれのアライメントマークをそれぞれの合焦位置で撮像できるように、ステージの検出系光軸方向位置およびステージ姿勢を算出する。
【００２０】
図３はマーク位置検出時のステージの検出系光軸方向位置およびステージ姿勢決定のフローチャートである。
本実施例では、最初に同時に位置検出を行う検出系（ここでは、ＴＴＲアライメント検出系８、８’、８’’）において、複数の検出系光軸方向位置におけるアライメントマーク像のコントラスト変化を計測し、各マークの合焦位置を算出する（ステップＳ１０１）。
ステップ１０２では、ステップ１０１で計測した各マークの合焦位置から各マークの合焦位置を通る平面を算出し、ステージの検出系光軸方向位置およびステージ姿勢を決定する。
ステップ１０３では、ステップ１０２で決定した検出系光軸方向位置および姿勢にステージ６を駆動し、各検出系で同時にレチクルマークおよびステージマークの像を撮像し、マーク位置を検出して相対位置を計測する。
【００２１】
最初に、ステップＳ１０１で行う合焦位置の計測方法について述べる。
図４に合焦位置の計測方法のフローチャートを示す。
最初にステップＳ２０１ではステージ６をコントラストを計測する検出系光軸方向位置にフォーカス検出系１０で位置をモニタしながら駆動する。
【００２２】
次に、ステップＳ２０２でアライメントマーク像を撮像する。
さらに、ステップＳ２０３で、アライメントマーク像のコントラストを計測する。
例えば、アライメントマーク像のコントラストは、デジタルデータに変換したアライメントマーク像の各画素での最大微分値をコントラストとする。
以上のステップＳ２０１からステップＳ２０３の動作を既定の回数だけ繰り返し（ステップＳ２０４）、検出系光軸方向位置に対するコントラスト変化を計測する。
このコントラスト変化の計測は、各検出系光軸方向位置において複数の検出系のアライメントマーク像を同時に撮像しても良いし、個別に撮像しても構わない。
最後に、ステップＳ２０５でコントラストが最大となる検出系光軸方向位置を求めて、マークの合焦位置を計測する。
コントラストが最大となる位置を求める方法としては、コントラスト値を二次関数等で近似する方法や重心位置を算出する方法等の既知の方法で算出する。
【００２３】
次にステップＳ１０１で計測した各検出系の合焦位置からステージの位置および姿勢を決定する方法（ステップＳ１０２）について述べる。
本発明では、アライメントマークの合焦位置またはその近傍を通る平面を算出する事で、ステージの位置および姿勢を決定する。
【００２４】
最初に、本実施例の様に３つのアライメントマークを位置検出対象において直線上に配置した場合の、ステージの位置および姿勢の決定方法について述べる。ここでは、説明を簡単にするため、各アライメントマークのｙ方向の座標が同じ場合について述べる。図５に示す様に、アライメントマークｍ１の座標を（ｘ１，ｙ１）、合焦位置をｚ１、アライメントマークｍ２の座標を（ｘ２，ｙ１）、合焦位置をｚ２、アライメントマークｍ３の座標を（ｘ３，ｙ１）、合焦位置をｚ３とする。
ここで、アライメントマークｍ１，ｍ２，  ｍ３の合焦位置を通る平面ｌ（図５上では直線）を
ｚ  ＝  ａ  ｘ  ＋  ｃ
と表し、アライメントマークｍ１，ｍ２，  ｍ３と平面ｌの距離が小さくなる平面ｌを、例えば最小自乗法を用いて求める。
具体的には、以下の式からａ，  ｃを算出する事で平面ｌを求める事ができる。
【００２５】
【数１】
2004158688.tif 000003
【００２６】
次に、平面ｌから、ｘ軸のチルトθｘ、ステージ原点におけるｚ０  を以下の式で算出して、ステージの検出系光軸方向位置および姿勢を算出する。
θｘ  ＝  ａｔａｎ（ａ）
ｚ０  ＝  ａ  ｘ０    ＋  ｃ
【００２７】
ここで、同時に撮像するアライメントマークが４点以上ある場合についての、ステージの位置および姿勢の決定方法についても述べる。
例えば、装置上方から見た概略図を図６に示す様に４つのＴＴＲアライメント検出系８，  ８’，  ８’’，  ８’’’’がある場合等である。
この様に４つ以上検出系でアライメントマークを同時に撮像する場合についても、各検出系の合焦位置が同一平面上には無いので、各検出系の合焦位置からのステージ平面への距離が小さくなるステージの位置および姿勢を決定する。
【００２８】
ここで、求める平面ｌを
ｚ  ＝  ａ  ｘ  ＋  ｂ  ｙ  ＋  ｃ
と表し、アライメントマークと平面ｌの距離が小さくなる平面ｌを、例えば最小自乗法を用いて求める。
ｎ個のアライメント検出系で観察するアライメントマークｍｉ  （Ｉ＝１−ｎ）の合焦位置を（ｘｉ，ｙｉ，ｚｉ）とすると、以下の式からａ，  ｂ，  ｃを算出する事で平面ｌを求める事ができる。
【００２９】
【数２】
2004158688.tif 000004
【００３０】
次に、平面ｌから、ｘ軸のチルトθｘ、Ｙ軸のチルトθｙ、ステージ原点におけるｚ０  を以下の式で算出して、ステージの検出系光軸方向位置および姿勢を算出する。
θｘ  ＝  ａｔａｎ（ａ）
θｙ  ＝  ａｔａｎ（ｂ）
ｚ０  ＝  ａ  ｘ０  ＋  ｂ  ｙ０  ＋  ｃ
【００３１】
以上、位置検出に先立って行うウエハマークの検出系光軸方向位置決定の手順について説明した。
これらの、検出系光軸方向位置決定は、必ずしもマーク位置検出前に行う必要は無く、事前に決定した値を記憶し、その値を用いても構わない。
最後に、ステップＳ１０３でにおいて、決定した検出系光軸方向位置および姿勢にステージ６を駆動し、各検出系で同時にレチクルマークおよびステージマークの像を撮像し、マーク位置を検出して相対位置を計測する。ここで、ステージ６の検出系光軸方向位置および姿勢は、ステージ６に構成しているΖ軸方向への移動およびＸ軸、Ｙ軸方向に水平な軸の回りに回転可能なレベリングステージにより制御する。
【００３２】
以上ＴＴＲアライメント検出系における、レチクルマークとステージマークの相対位置検出方法について述べた。
また、本実施例では３つのＴＴＲアライメント検出系において同時にアライメントマークを撮像する場合について述べたが、アライメント検出系が３つ以上であっても構わない。さらに、同時に方式の異なるアライメント検出系でアライメントマークを撮像する場合にも適用可能であると供に、より本発明の効果が期待できる。
【００３３】
ここで、図１の例では１つオフアクシスアライメント検出系９で構成されているが、複数のオフアクシスアライメント検出系９を用いて同時にアライメントマーク位置を検出する場合は、前述したＴＴＲアライメント検出系におけるマーク位置検出方法が適用可能である。
また、図１の例においても、ＴＴＲアライメント検出系とオフアクシスアライメント検出系９を用いて同時にアライメントマーク位置を検出する場合にも本発明は適用可能である。
【００３４】
さらに、オフアクシスアライメント検出系９の代わりに、図７に示す投影レンズ１を介して非露光光により照明されたウエハ５上のウエハマークまたはステージマーク７の像を検出系内の撮像素子上に結像するＴＴＬオフアクシスアライメント検出系１３、１３’、１３’’を用い、ウエハマークまたはステージマークの位置を検出する場合においても、本発明は適用可能である。
また、図８に示す、露光光または非露光光を照明し、レチクル４上のマークと装置上のマーク１４、１４’  、１４’’の像を撮像素子上に結像するレチクルアライメント検出系１５、１５’、１５’’を用い、レチクルマークと装置との相対位置を検出する場合においても、本発明は適用可能である。
また、図９に示す様に、装置上のマーク１４、１４’、１４’’の像とウエハマークまたはステージマーク７を撮像素子上に結像する様にＴＴＲアライメント検出系のミラーを駆動し、装置上のマーク１４、１４’、１４’’とウエハマークまたはステージマーク７の相対位置を検出する場合においても、本発明は適用可能である。
【００３５】
以上、上述した様に、上記検出物体の検出系光軸方向位置および姿勢の決定方法は、複数の検出系を用いて同時にマーク像を撮影する場合においても、各マークを合焦位置またはその近傍で観察でき、各アライメント検出系における検出精度を保つ効果が期待できる。
【００３６】
【発明の効果】
本発明は上述のとおり構成されているので、以下に記載するような効果を奏する。
複数のアライメント検出系で同時にアライメントマークを撮像する場合において、各アライメント検出系における検出精度を保った状態でマーク位置を検出できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明を適用した投影露光装置の部分概略図。
【図２】本発明を適用した投影露光装置の部分概略図。
【図３】本発明を適用したマーク位置検出方法のフローチャート。
【図４】合焦位置計測のフローチャート。
【図５】３つのアライメントマークを直線上に配置した場合の説明図。
【図６】４つのＴＴＲアライメント検出系を備えた投影露光装置の部分概略図。
【図７】ＴＴＬオフアクシスアライメント検出系の概略図。
【図８】レチクルアライメント検出系の概略図。
【図９】装置上のマークとウエハマークまたはステージマークを観察する時のＴＴＲアライメント検出系の概略図。
【符号の説明】
１  投影レンズ
２  照明系
３  レチクル
４  レチクルステージ
５  ウエハ
６  ウエハステージ
７  ステージマーク
８  ＴＴＲアライメント検出系
９  オフアクシスアライメント検出系
１０  フォーカス検出系
１１  画像処理部
１２  メイン制御部
１３  ＴＴＬオフアクシスアライメント検出系
１４  装置上のマーク
１５  レチクルアライメント検出系
【図１】
2004158688.tif 000005
【図２】
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【図３】
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【図４】
2004158688.tif 000008
【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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