(57)【要約】【課題】複数機種の基板におけるパターンの密集部の面積が異なる場合に、各機種の基板に対する適正なクランプ圧を確保して、不良の発生を防止する。【解決手段】下型１と上型２とにより基板Ｂ１，Ｂ２が各々クランプされ、基板Ｂ１，Ｂ２の上面３においては、ワイヤ用パッド４とそこから引き回される配線パターン５とが形成され、チップ６が装着され、チップ６の電極（図示なし）とワイヤ用パッド４とがワイヤ７により接続され、基板Ｂ１，Ｂ２の下面８においては、外部接続用パッド９が形成される。配線パターン５及び外部接続用パッド９からなるパターンは所定厚の銅箔から構成されている。下型１と上型２とにおいては、基板Ｂ１，Ｂ２のパターンの密集部に重なるとともにパターンによる基板厚の増大量にほぼ等しくなるように、各々凹部１２，１３，１５，１６が形成されている。これにより、基板Ｂ１，Ｂ２に対するクランプ圧が適正に均一化される。【選択図】    図１
2004158755.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
パターンを有する基板上に装着されたチップ状の電子部品を前記基板が挟持された状態で樹脂封止することにより、パッケージを製造する際に使用される樹脂封止金型であって、
前記樹脂封止金型が前記基板を挟持する型面において、少なくとも前記基板における前記パターンが密集している密集部に重なるようにして設けられた凹部を備えるとともに、
前記凹部は、前記密集部における基板厚の増大量にほぼ等しい深さを有することを特徴とする樹脂封止金型。
【請求項２】
パターンを有する基板上に装着されたチップ状の電子部品を前記基板が挟持された状態で樹脂封止することにより、パッケージを製造する際に使用される樹脂封止金型であって、
前記樹脂封止金型が前記基板を挟持する型面において、前記基板における前記パターンが密集している密集部に重ならないようにして前記型面から所定の突出量だけ突出して設けられた凸部を備えるとともに、
前記凸部は前記樹脂封止金型に組み込まれた別部材からなり、前記突出量は前記密集部における基板厚の増大量にほぼ等しくなるように調整可能であることを特徴とする樹脂封止金型。
【請求項３】
請求項２記載の樹脂封止金型において、
前記凸部は、前記樹脂封止金型が型締めされた状態で、弾性を利用して前記別部材の頂部が後退することにより前記増大量にほぼ等しい量だけ前記型面から突出していることを特徴とする樹脂封止金型。
【請求項４】
パターンを有する基板上に装着されたチップ状の電子部品を前記基板が挟持された状態で樹脂封止することにより、パッケージを製造する際に使用される樹脂封止金型であって、
前記樹脂封止金型が前記基板を挟持する型面のうち少なくとも一方の型面において、少なくとも前記基板における前記パターンが密集している密集部に重なるようにして設けられた突出領域を備えるとともに、
前記密集部のうち前記突出領域に重なる部分は、異なる複数機種の基板において共通していることを特徴とする樹脂封止金型。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、プリント基板に装着されたチップ状の電子部品（以下「チップ」という。）を樹脂封止してパッケージを製造する際に使用される、樹脂封止金型に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、金属板からなるリードフレーム上に装着されたチップを樹脂封止してパッケージを製造する場合には、金型によってリードフレームをクランプした状態で、金型に設けられたキャビティに溶融樹脂を注入し、これを硬化させている。この場合には、リードフレームがクランプされることによって、リードフレームと金型との間に隙間が生じない。したがって、リードフレームの上に樹脂が漏出してばりが発生することが防止される。
【０００３】
しかし、近年、リードフレームに代えて、ガラスエポキシ板等の樹脂板をベース材に使用した多層のプリント基板（以下「基板」という。）が広く使用されている。この場合にも、リードフレームの場合と同様に、金型によって基板をクランプした状態で、金型に設けられたキャビティに溶融樹脂を注入し、これを硬化させている。ここで、基板の脆弱性から、適正なクランプ圧で基板をクランプすることにより、基板の変形や破損等と、金型・基板間における隙間の発生とを防止する必要がある。
また、基板が加熱される際に、ガラスエポキシ板と金属との熱膨張係数の差に起因して生じる反りを吸収して、金型・基板間における隙間の発生を防止する必要がある。この目的で、金型において、基板を挟持する挟持部と、基板を挟持しない被固定部とを設けている（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
【特許文献１】
特開平１０−２８４５２７号公報（第５−８頁、図１−図４）
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、金型・基板間における隙間の発生を防止するための上記従来の技術によれば、次のような問題がある。それは、基板における配線パターン及び外部接続用パッド（以下併せて「パターン」という。）の密度のばらつきに起因して、基板に対する適正なクランプ圧が確保されないおそれがあるという問題である。特に、近年広く使用されているＢＧＡ（Ｂａｌｌ    Ｇｒｉｄ    Ａｒｒａｙ）  と呼ばれるパッケージでは、製品の多様化等に伴い基板のパターンについても粗いタイプから密なタイプまで、言い換えれば、パターンの密集部の面積が小さい基板から大きい基板まで多様化しているので、この問題が顕著になっている。以下、図４と図５とを参照して、発明が解決しようとする課題を説明する。
【０００６】
図４（１）及び（２）は、ＢＧＡを製造する従来の場合における、パターンの密集部の面積が大きい基板と金型との位置関係をそれぞれ示す、平面図及びそのＡ−Ａ線における部分断面図である。図５（１）及び（２）は、ＢＧＡを製造する従来の場合における、パターンの密集部の面積が小さい基板と金型との位置関係をそれぞれ示す、平面図及びそのＢ−Ｂ線における部分断面図である。
【０００７】
図４及び図５に示されているように、下型５１と上型５２とによって、基板Ｂ１及びＢ２がそれぞれクランプされる。基板Ｂ１及びＢ２の上面５３には、後述するワイヤが接続されるワイヤ用パッド５４とそこから引き回される配線パターン５５とが形成され、チップ５６が装着されている。チップ５６上の電極（図示なし）とワイヤ用パッド５４とは、ワイヤ５７により電気的に接続されている。基板Ｂ１及びＢ２の下面５８には、突起状電極（図示なし）が接続される外部接続用パッド５９が形成されている。ワイヤ用パッド５４、配線パターン５５、及び外部接続用パッド５９は、例えば、厚さ１８μｍ又は３５μｍの銅箔から構成されている。また、配線パターン５５上には、ソルダーレジストと呼ばれる絶縁膜（図示なし）が形成されている。
上型５２には、チップ５６とワイヤ５７とが収容されるようにキャビティ６０が設けられ、キャビティ６０に連通して、溶融樹脂（図示なし）が流動する樹脂流路６１が設けられている。
【０００８】
図４に示されている基板Ｂ１は、上面５３における配線パターン５５と下面５８における外部接続用パッド５９とが、いずれも密に形成されている。そして、上面５３における配線パターン５５は密集部６２に密集しており、その密集部６２は、上面５３におけるキャビティ６０及び樹脂流路６１以外の大部分を占めている。また、外部接続用パッド５９は、下面５８のほぼ全面にわたって設けられており、いわゆる全面配置型の構成を採っている。
一方、図５に示されている基板Ｂ２は、上面５３における配線パターン５５と下面５８における外部接続用パッド５９とが、いずれも粗く形成されている。そして、上面５３における配線パターン５５は密集部６３に密集しており、その密集部６３は、上面５３におけるチップ５６の四辺に対応して設けられたワイヤ用パッド５４と基板Ｂ２の外縁との間にのみ設けられている。また、外部接続用パッド５９は、下面５８の周辺部に設けられており、いわゆる周辺配置型の構成を採っている。
【０００９】
ここで、それぞれ下型５１と上型５２とによって、同じクランプ圧により基板Ｂ１及びＢ２が型締めされた場合を考える。基板Ｂ１では、上面５３と下面５８とにおいてそれぞれ密に形成された配線パターン５５と外部接続用パッド５９とに対して、言い換えれば、大きい面積に対してクランプ圧が加えられる。一方、基板Ｂ２では、上面５３と下面５８とにおいてそれぞれ粗く形成された配線パターン５５と外部接続用パッド５９とに対して、言い換えれば、小さい面積に対してクランプ圧が加えられる。
したがって、仮に、基板Ｂ１に対して適正なクランプ圧になるように設定した場合には、基板Ｂ２に加えられるクランプ圧が過大になる。この場合には、基板Ｂ２の変形や破損、配線パターン５５の断線等の問題が発生する。また、仮に、基板Ｂ２に対して適正なクランプ圧になるように設定した場合には、基板Ｂ１に加えられるクランプ圧が過小になる。この場合には、基板Ｂ１と上型５２との間に隙間が生じて、基板Ｂ１の上に溶融樹脂が漏出してばりが発生するおそれがある。
【００１０】
本発明は、上述の課題を解決するためになされたものであり、複数の機種の基板において形成されたパターンの密集部の面積が異なる場合において、基板に対する適正なクランプ圧を確保して、不良の発生を防止する樹脂封止金型を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上述した技術的課題を解決するために、本発明に係る樹脂封止金型は、パターンを有する基板上に装着されたチップ状の電子部品を基板が挟持された状態で樹脂封止することにより、パッケージを製造する際に使用される樹脂封止金型であって、樹脂封止金型が基板を挟持する型面において、少なくとも基板におけるパターンが密集している密集部に重なるようにして設けられた凹部を備えるとともに、凹部は、密集部における基板厚の増大量にほぼ等しい深さを有することを特徴とする。
【００１２】
これによれば、基板におけるパターンの密集部が、樹脂封止金型の型面に設けられた凹部に収容されるとともに、その凹部の深さは、密集部における基板厚の増大量にほぼ等しい。したがって、複数機種の基板において密集部の面積が異なる場合であっても、各機種の基板が挟持される圧力、すなわちクランプ圧が均一化される。
【００１３】
また、本発明に係る樹脂封止金型は、上述の樹脂封止金型において、パターンを有する基板上に装着されたチップ状の電子部品を基板が挟持された状態で樹脂封止することにより、パッケージを製造する際に使用される樹脂封止金型であって、樹脂封止金型が基板を挟持する型面において、基板におけるパターンが密集している密集部に重ならないようにして型面から所定の突出量だけ突出して設けられた凸部を備えるとともに、凸部は樹脂封止金型に組み込まれた別部材からなり、突出量は密集部における基板厚の増大量にほぼ等しくなるように調整可能であることを特徴とする。
【００１４】
これによれば、基板におけるパターンの密集部に重ならないようにして型面から所定の突出量だけ突出して設けられた凸部の突出量は、密集部における基板厚の増大量にほぼ等しくなるように調整可能になっている。したがって、複数機種の基板において、密集部の面積が異なる場合、又は基板厚の増大量が異なる場合であっても、各機種の基板に対するクランプ圧が均一化される。
【００１５】
また、本発明に係る樹脂封止金型は、上述の樹脂封止金型において、凸部は、樹脂封止金型が型締めされた状態で、弾性を利用して別部材の頂部が後退することにより増大量にほぼ等しい量だけ型面から突出していることを特徴とする。
【００１６】
これによれば、樹脂封止金型が型締めされた状態で、凸部は、弾性を利用して基板厚の増大量にほぼ等しい量だけ型面から突出している。したがって、複数機種の基板において、密集部の面積が異なる場合、又は基板厚の増大量が異なる場合であっても、各機種の基板厚の増大量に合わせて突出量を調整することなく、各機種の基板に対するクランプ圧が均一化される。
【００１７】
また、本発明に係る樹脂封止金型は、パターンを有する基板上に装着されたチップ状の電子部品を基板が挟持された状態で樹脂封止することにより、パッケージを製造する際に使用される樹脂封止金型であって、樹脂封止金型が基板を挟持する型面のうち少なくとも一方の型面において、少なくとも基板におけるパターンが密集している密集部に重なるようにして設けられた突出領域を備えるとともに、密集部のうち突出領域に重なる部分は、異なる複数機種の基板において共通していることを特徴とする。
【００１８】
これによれば、密集部のうち異なる複数機種の基板において共通している部分が、凸部によって挟持される。したがって、複数機種の基板において、密集部の面積が異なる場合、又は基板厚の増大量が異なる場合であっても、各機種の基板に対するクランプ圧が均一化される。
【００１９】
【発明の実施の形態】
（第１の実施形態）
以下、本発明の第１の実施形態に係る樹脂封止金型を、図１を参照して説明する。図１（１）及び（２）は、本実施形態に係る樹脂封止金型が、パターンの密集部の面積が大きい基板及び小さい基板に対して適用される状態を、それぞれ示す部分断面図である。
【００２０】
図１において、下型１と上型２とによって、基板Ｂ１及びＢ２がそれぞれクランプされる。基板Ｂ１及びＢ２の上面３には、後述するワイヤが接続されるワイヤ用パッド４とそこから引き回される配線パターン５とが形成され、チップ６が装着されている。チップ６上の電極（図示なし）とワイヤ用パッド４とは、ワイヤ７を使用したワイヤボンディングにより電気的に接続されている。基板Ｂ１及びＢ２の下面８には、突起状電極（図示なし）が接続される外部接続用パッド９が形成されている。ワイヤ用パッド４、配線パターン５、及び外部接続用パッド９は、例えば、厚さ１８μｍ又は３５μｍの銅箔から構成されている。また、配線パターン５上には、ソルダーレジストと呼ばれる絶縁膜（図示なし）が形成されている。
上型２には、チップ６とワイヤ７とワイヤ用パッド４とが収容されるようにして、キャビティ１０が設けられている。また、キャビティ１０に連通して、溶融樹脂（図示なし）が流動する樹脂流路１１が設けられている。そして、溶融樹脂は、ポットにおいてプランジャ（いずれも図示なし）によって押圧されることにより、樹脂流路１１を経由してキャビティ１０に注入される。
【００２１】
図１（１）に示されている基板Ｂ１は、図４に示されている基板Ｂ１と同じ基板である。すなわち、基板Ｂ１には、上面３における配線パターン５と下面８における外部接続用パッド９とがいずれも密に形成されているので、基板Ｂ１はこれらパターンの密集部の面積が大きい基板である。
このようなパターンの密集部の面積が大きい基板Ｂ１に対して、図１（１）の下型１と上型２とには、それぞれ凹部１２，１３が形成されている。凹部１２，１３の範囲は、それぞれ配線パターン５と外部接続用パッド９とが形成された範囲である。言い換えれば、凹部１２，１３は、平面視した場合に、基板Ｂ１におけるパターンの密集部に重なるようにして、設けられている。また、凹部１２，１３の深さは、それぞれ配線パターン５と外部接続用パッド９とによる基板厚の増大量にほぼ等しくなるようにして、設けられている。
【００２２】
一方、図１（２）に示されている基板Ｂ２は、図５に示されている基板Ｂ２と同じ基板である。すなわち、基板Ｂ２には、上面３における配線パターン５と下面８における外部接続用パッド９とがいずれも粗く形成されているので、基板Ｂ２はこれらのパターンの密集部の面積が小さい基板である。また、基板Ｂ２は、いわゆる周辺配置型の構成を採っており、下面８の中央部１４には外部接続用パッド９が形成されていない。
このようなパターンの密集部の面積が小さい基板Ｂ２に対して、図１（２）の下型１と上型２とには、それぞれ凹部１５，１６が、基板厚の増大量にほぼ等しくなるようにして形成されている。
【００２３】
ここで、本実施形態に係る樹脂封止金型の特徴は、第１に、各基板Ｂ１，Ｂ２におけるパターンの密集部に応じて、それらの密集部にそれぞれ重なるようにして凹部１２，１３，１５，１６が設けられていることである。第２に、各凹部１２，１３，１５，１６は、密集部における基板厚の増大量にほぼ等しい深さを有することである。
これにより、パターンの密集部の面積が大きい基板Ｂ１と、密集部の面積が小さい基板Ｂ２とのいずれにおいても、金型の型面は、密集部におけるパターンのすべての部分と基板における密集部以外の部分とを併せた部分に対して、接触する。言い換えれば、それぞれ基板Ｂ１と基板Ｂ２とが型締めされる際に、クランプされる部分の面積には大差がないことになる。したがって、複数機種の基板に対して、パターンの密集部の面積によらず適正なクランプ圧が確保されるので、基板Ｂ１におけるばりの発生や、基板Ｂ２における変形、破損、及び配線パターン５の断線等が、防止される。
【００２４】
（第２の実施形態）
以下、本発明の第２の実施形態に係る樹脂封止金型を、図２を参照して説明する。図２（１）及び（２）は、本実施形態に係る樹脂封止金型が、パターンの密集部の面積が大きい基板及び小さい基板に対して適用される状態を、それぞれ示す部分断面図である。
【００２５】
図２（１）に示されているように、本実施形態においては、基板Ｂ１に対して第１の実施形態における凹部１２，１３は設けられていない。これらに代えて、パターンのない部分、例えば、基板Ｂ１の外周近傍、又は四隅において、下型１と上型２とにはそれぞれ貫通穴１７が設けられ、各貫通穴１７には昇降自在な可動ピン１８が設けられている。同様に、基板Ｂ２に対しても、第１の実施形態における凹部１５，１６に代えて、下型１と上型２とにはそれぞれ貫通穴１７が設けられ、各貫通穴１７には昇降自在な可動ピン１８が設けられている。
【００２６】
各可動ピン１８は、ばね等の弾性体（図示なし）を介して、それぞれ下型１と上型２とに、昇降自在に取り付けられている。また、各可動ピン１８は、平面視した場合に、基板Ｂ１，Ｂ２においてパターンのない部分に重なるようにして、設けられている。そして、図２（１），（２）において、これらの可動ピン１８は次のように動作する。
【００２７】
まず、下型１と上型２とが型開きした状態では、各可動ピン１８はばね等の弾性体によって押圧される。これにより、各可動ピン１８の先端が、一定量だけ型面から突出する。
【００２８】
次に、下型１上に基板Ｂ１又は基板Ｂ２が載置された状態で下型１と上型２とが型締めする。そして、可動ピン１８は、基板Ｂ１又は基板Ｂ２を、パターンのない部分において所定のクランプ圧で、上下両方向からクランプする。
【００２９】
以上説明したように、本実施形態によれば、パターンの密集部の面積が大きい基板Ｂ１と、密集部の面積が小さい基板Ｂ２とのいずれもが、パターンの密集部においては下型１と上型２とにより、可動ピン１８が接触する部分においては可動ピン１８により、それぞれクランプされる。これにより、第１の実施形態と同様に、基板Ｂ１，Ｂ２との間ではクランプされる部分の面積に大差がないことになるので、パターンの密集部の面積によらず適正なクランプ圧が確保される。したがって、基板Ｂ１におけるばりの発生や、基板Ｂ２における変形、破損、及び配線パターン５の断線等が、防止される。
【００３０】
なお、本実施形態の説明では、可動ピン１８を使用することとした。これに限らず、可動ピン１８に代えて固定ピン又はブロック状の部材を、型面から基板厚の増大量にほぼ等しい量だけ突出するように調整して固定してもよい。ここで、基板厚の増大量は、配線パターン５及び外部接続用パッド９を形成する銅箔の厚さ（例えば、１８μｍ又は３５μｍ）に応じて、予め想定できる。したがって、固定ピン又はブロック等の固定部材を、銅箔の厚さに応じた量だけ型面から突出させるように調整して固定することにより、同様の効果が得られる。
【００３１】
また、可動ピン１８を、可撓性を有する材料から構成してもよい。この場合には、可動ピン１８は、下型１と上型２とが型締めした状態で、その可動ピン１８ピン自体の可撓性によって変形することにより、基板Ｂ１，Ｂ２を上下両方からクランプする。
【００３２】
（第３の実施形態）
以下、本発明の第３の実施形態に係る樹脂封止金型を、図３を参照して説明する。図３（１）及び（２）は、本実施形態に係る樹脂封止金型が、パターンの密集部の面積が大きい基板及び小さい基板に対して適用される状態を、それぞれ示す平面図である。
【００３３】
図３（１）に示されている基板Ｂ１は、図４に示されている基板Ｂ１と同じ基板であって、上面３において、大面積であるパターンの密集部１９を有する。この密集部１９は、基板Ｂ１の上面３におけるキャビティ１０及び樹脂流路１１以外の大部分を占めている。
一方、図３（２）に示されている基板Ｂ２は、図５に示されている基板Ｂ２と同じ基板であって、上面３において、小面積であるパターンの密集部２０を有する。この密集部２０は、基板Ｂ２の上面３において、チップ６の四辺に対応して設けられたワイヤ用パッド４と基板Ｂ２の外縁との間にのみ設けられている。また、密集部２０は、基板Ｂ１における密集部１９に含まれる。更に、密集部２０は、同一サイズのキャビティが使用される同一サイズの基板であれば、基板Ｂ１及び基板Ｂ２だけでなく他の機種の基板においても、パターンが密集する部分として共通する部分である。
【００３４】
本実施形態に係る樹脂封止金型、すなわち下型１と上型２とは、図３（１），（２）にそれぞれ示されているように、基板Ｂ１，Ｂ２に対して共通するクランプ部２１を有する。このクランプ部２１は、基板Ｂ１と基板Ｂ２との上面３からそれぞれ所定の突出量だけ突出する領域であって、キャビティ１０及び樹脂流路１１の近傍をそれぞれクランプする。また、クランプ部２１は、チップ６の四辺と、基板Ｂ１及び基板Ｂ２を含む複数機種の基板の外縁との間において、共通する密集部２０の大部分をクランプする。
【００３５】
以上説明したように、本実施形態によれば、パターンの密集部の面積が大きい基板Ｂ１と密集部の面積が小さい基板Ｂ２とが、共通する密集部２０において下型１と上型２とによってクランプされる。更に、これらの基板Ｂ１，Ｂ２と同一サイズのキャビティが使用される同一サイズの基板も、共通する密集部２０においてクランプされる。これにより、パターンの密集部の面積が異なる複数機種の基板に対して、共通する密集部２０において同一面積でクランプされることにより、適正なクランプ圧が確保される。したがって、パターンの密集部の面積が大きい基板Ｂ１におけるばりの発生や、密集部の面積が小さい基板Ｂ２における変形、破損、配線パターン５の断線等が、防止される。
【００３６】
なお、ここまでの各実施形態においては、上型２にキャビティ１０を設けた。これに限らず、下型１にキャビティを設けてもよい。また、下型１と上型２との双方にキャビティ１０を設けることもできる。
【００３７】
また、下型１と上型２とが対向する構成の金型だけでなく、水平方向に対向する金型等、相対向する金型に対して本発明を適用することができる。
【００３８】
また、チップ６上の電極（図示なし）とワイヤ用パッド４との電気的な接続をワイヤボンディングにより行うこととした。これに限らず、他の接続方法、例えば、フリップチップボンディングによって行うこともできる。
【００３９】
また、１個のキャビティ１０に１個のチップ６が収容される場合について説明したが、多数個取り基板を使用して、１個の大型キャビティに１列又はマトリックス状に配置された複数個のチップが収容される場合においても、本発明を適用することができる。この場合には、その大型キャビティの周辺において、金型に凹部、可動ピン、固定部材、又はクランプ部を適宜設ければよい。
【００４０】
また、基板を、樹脂板をベース材に使用した多層のプリント基板であることとした。これに限らず、シリコン基板、セラミックベース基板等にも、本発明を適用することができる。
【００４１】
また、本発明は、上述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内で、必要に応じて、任意にかつ適宜に組合せ・変更・選択を行って採用できるものである。
【００４２】
【発明の効果】
本発明によれば、樹脂封止金型の型面に設けられた所定の凹部、凸部、又は突出領域により、複数機種の基板においてパターンの密集部の面積が異なる場合であっても、その面積の大小によらず、各機種の基板が挟持される圧力、すなわちクランプ圧が均一化される。したがって、パターンの密集部の面積が大きい基板におけるばりの発生や、密集部の面積が小さい基板における基板の変形、破損、及び配線パターンの断線等が、防止される。これにより、本発明は、基板に対する適正なクランプ圧を確保して、不良の発生を防止する樹脂封止金型を提供できるという、優れた実用的な効果を奏するものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１（１）及び（２）は、本発明の第１の実施形態に係る樹脂封止金型が、パターンの密集部の面積が大きい基板及び小さい基板に対して適用される状態を、それぞれ示す部分断面図である。
【図２】図２（１）及び（２）は、本発明の第２の実施形態に係る樹脂封止金型が、パターンの密集部の面積が大きい基板及び小さい基板に対して適用される状態を、それぞれ示す部分断面図である。
【図３】図３（１）及び（２）は、本発明の第３の実施形態に係る樹脂封止金型が、パターンの密集部の面積が大きい基板及び小さい基板に対して適用される状態を、それぞれ示す平面図である。
【図４】図４（１）及び（２）は、ＢＧＡを製造する従来の場合における、パターンの密集部の面積が大きい基板と金型との位置関係をそれぞれ示す、平面図及びそのＡ−Ａ線における部分断面図である。
【図５】図５（１）及び（２）は、ＢＧＡを製造する従来の場合における、パターンの密集部の面積が小さい基板と金型との位置関係をそれぞれ示す、平面図及びそのＢ−Ｂ線における部分断面図である。
【符号の説明】
１  下型
２  上型
３  上面
４  ワイヤ用パッド
５  配線パターン（パターン）
６  チップ（電子部品）
７  ワイヤ
８  下面
９  外部接続用パッド（パターン）
１０  キャビティ
１１  樹脂流路
１２，１３，１５，１６  凹部
１４  中央部
１７  貫通穴
１８  可動ピン（凸部）
１９，２０  密集部
２１  クランプ部（突出領域）
Ｂ１，Ｂ２  基板
【図１】
2004158755.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
2004158755.tif 000007