(57)【要約】【課題】  単純な方式で静電気障害等の根本的解決を図ることができる基板処理装置、その基板処理方法及びその基板処理方法を用いた基板製造方法を提供すること。また、その基板製造方法等を用いた液晶装置の製造装置及びその液晶装置の製造方法を提供すること。【解決手段】  例えば基板処理装置１は、その処理室内の水分を除去する手段を具備することとしたので、載置台１４に設けられた静電チャック１９を使用する場合に静電チャック１９と基板２との接触面に水分が付着することがなく、水分が付着することにより比誘電率が高くなり残留吸着力が大きくなって、静電チャック１９からの基板２の離脱性が急激に悪化するということを防止できる。また、基板２の静電チャック１９からの離脱の際の表面電位が大幅に上昇し、基板２の処理側表面に放電して素子が破壊されるということも防止できる。【選択図】  図１
2004260142.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
密閉可能な空間と、
前記密閉可能な空間内に設けられ被処理基板を載置する載置台と、
前記載置台に設けられ前記被処理基板をクーロン力により前記載置台に吸着させる電極と、
少なくとも前記被処理基板と電極との間の水分を除去する手段と
を具備することを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
前記水分を除去する手段は、前記密閉可能な空間を減圧する手段であることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記減圧する手段は、少なくとも前記被処理基板が前記載置台から離脱するときに、前記密閉可能な空間が減圧されているように制御する手段を有するものであることを特徴とする請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記被処理基板が前記電極に対し所定の間隔を保持できるように前記被処理基板を保持する基板保持手段を更に有し、
前記減圧する手段は、少なくとも前記基板保持手段に前記被処理基板が保持されてから前記載置台から前記被処理基板が離脱するまで、前記密閉可能な空間が減圧されているように制御する手段を有するものであることを特徴とする請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記減圧する手段は、前記密閉可能な空間を１Ｐａ以下に減圧することを特徴とする請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記電極は、正電極及び負電極を有しそれらが互いに噛合うように櫛歯状に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項７】
密閉可能な空間内に設けられた載置台に被処理基板を載置する工程と、
前記載置台に設けられた電極で前記被処理基板をクーロン力により前記載置台に吸着させる工程と、
少なくとも前記被処理基板と電極との間の水分を除去する工程と
を具備することを特徴とする基板処理方法。
【請求項８】
前記水分を除去する工程は、少なくとも前記被処理基板が前記載置台から離脱するときに、前記密閉可能な空間が減圧されているように制御する工程を有するものであることを特徴とする請求項７に記載の基板処理方法。
【請求項９】
前記載置台に吸着させる工程の後に、前記載置台に吸着された前記被処理基板に所定の処理をする工程を更に具備することを特徴とする請求項７又は請求項８に記載の基板処理方法。
【請求項１０】
前記載置台に吸着させる工程の前に、前記被処理基板と電極との間の水分を除去する工程を更に具備することを特徴とする請求項７から請求項９のうちいずれか一項に記載の基板処理方法。
【請求項１１】
密閉可能な空間内に設けられた載置台に被処理基板を載置する工程と、
前記載置台に設けられた電極で前記被処理基板をクーロン力により前記載置台に吸着させる工程と、
前記載置台に吸着された前記被処理基板に所定の処理をする工程と、
少なくとも前記被処理基板と電極との間の水分を除去する工程と
を具備することを特徴とする基板製造方法。
【請求項１２】
前記水分を除去する工程は、少なくとも前記被処理基板が前記載置台から離脱するときに、前記密閉可能な空間が減圧されているように制御する工程を有するものであることを特徴とする請求項１１に記載の基板製造方法。
【請求項１３】
シール材を介して対向配置されてなる第１の基板及び第２の基板に液晶を挟持してなる液晶装置の製造装置であって、
前記第１及び第２の基板を収容し密閉可能な空間と、前記密閉可能な空間内に前記第１及び第２の基板を夫々支持可能な第１及び第２の支持部材と、前記第１及び第２の支持部材の少なくともいずれか一方に設けられ前記第１の基板又は第２の基板をクーロン力により前記第１又は第２の支持部材に吸着させる電極と、少なくとも前記一方の支持部材に支持される基板と前記電極との間の水分を除去する手段と、前記第１又は第２の支持部材を相対的に移動させ前記第１及び第２の基板を貼り合わせる手段とを有することを特徴とする液晶装置の製造装置。
【請求項１４】
シール材を介して対向配置されてなる第１の基板及び第２の基板に液晶を挟持してなる液晶装置の製造装置であって、
前記第１の基板及び第２の基板の少なくとも一方にシール材を閉じた環状に塗布するシール材塗布装置と、
前記第１の基板及び第２の基板の少なくとも一方に液晶を滴下する液晶滴下装置と、
前記第１及び第２の基板を収容し密閉可能な空間と、前記密閉可能な空間内に前記第１及び第２の基板を夫々支持可能な第１及び第２の支持部材と、前記第１及び第２の支持部材の少なくともいずれか一方に設けられ前記第１の基板又は第２の基板をクーロン力により前記第１又は第２の支持部材に吸着させる電極と、少なくとも前記一方の支持部材に支持される基板と前記電極との間の水分を除去する手段と、前記第１又は第２の支持部材を相対的に移動させ前記第１及び第２の基板を貼り合わせる手段とを有する基板処理装置と
を具備することを特徴とする液晶装置の製造装置。
【請求項１５】
前記電極は、前記第１及び第２の支持部材に設けられ前記第１及び第２の基板を夫々クーロン力により前記第１及び第２の支持部材に吸着させるものであることを特徴とする請求項１３又は請求項１４に記載の液晶装置の製造装置。
【請求項１６】
前記水分を除去する手段は、前記密閉可能な空間を減圧する手段であることを特徴とする請求項１３から請求項１５のうちいずれか一項に記載の液晶装置の製造装置。
【請求項１７】
前記減圧する手段は、少なくとも前記第１及び第２の基板のいずれか一方が前記第１又は第２の支持部材から離脱するときに、前記密閉可能な空間が減圧されているように制御する手段を有するものであることを特徴とする請求項１６に記載の液晶装置の製造装置。
【請求項１８】
前記第１及び第２の基板の少なくともいずれか一方が前記電極に対し所定の間隔を保持できるように前記第１の基板又は第２の基板を保持する基板保持手段を更に有し、
前記減圧する手段は、少なくとも前記基板保持手段に前記第１の基板又は第２の基板が保持されてから前記第１の支持部材又は第２の支持部材から前記第１の基板又は第２の基板が離脱するまで、前記密閉可能な空間が減圧されているように制御する手段を有するものであることを特徴とする請求項１６に記載の液晶装置の製造装置。
【請求項１９】
前記減圧する手段は、前記密閉可能な空間を１Ｐａ以下に減圧することを特徴とする請求項１６から請求項１８のうちいずれか一項に記載の液晶装置の製造装置。
【請求項２０】
シール材を介して対向配置されてなる第１の基板及び第２の基板に液晶を挟持してなる液晶装置の製造方法であって、
第１の基板及び第２の基板の少なくともいずれか一方にシール材を閉じた環状に塗布する工程と、
前記第１の基板及び第２の基板の少なくともいずれか一方に液晶を滴下する工程と、
前記第１及び第２の基板を収容し密閉可能な空間内に設けられた第１及び第２の支持部材により前記第１及び第２の基板を夫々支持する基板支持工程と、
前記第１及び第２の支持部材の少なくともいずれか一方に設けられた電極で、少なくとも前記第１及び第２の基板のいずれか一方をクーロン力により前記第１又は第２の支持部材に吸着させる基板吸着工程と、
少なくとも前記一方の支持部材に支持される基板と前記電極との間の水分を除去する工程と、
前記第１又は第２の支持部材を相対的に移動させ前記第１及び第２の基板を貼り合わせる工程と
を具備することを特徴とする液晶装置の製造方法。
【請求項２１】
前記水分を除去する工程は、少なくとも前記一方の支持部材に支持される基板が前記一方の支持部材から離脱するときに、前記密閉可能な空間が減圧されているように制御する工程を有するものであることを特徴とする請求項２０に記載の液晶装置の製造方法。
【請求項２２】
前記基板支持工程の前に、少なくとも前記第１又は第２の基板と前記電極との間の水分を除去する工程を具備することを特徴とする請求項２０又は請求項２１に記載の液晶装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば電気光学基板等を載置台に吸着させて処理する基板処理装置、その基板処理方法及びその基板処理方法を用いた基板製造方法に関する。また、液晶装置の製造装置及び液晶装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、例えば真空チャンバーで電気光学基板等を載置台に吸着させ処理する装置として、載置台に設けられた電極に電圧を印加し被処理基板をそのクーロン力により載置台に吸着させる基板処理装置が用いられていた。しかし従来は真空チャンバー内を大気でリークしてから被処理基板の離脱を行っていため、被処理基板と電極との間に水分を含んだ空気が入り込み、載置台と被処理基板との接触面に水分が付着し、比誘電率が高くなり残留吸着力が大きくなり載置台からの被処理基板の離脱性が急激に悪化するという問題があり、更に被処理基板の載置台からの離脱の際の表面電位も大幅に上昇し、被処理基板の処理側表面に放電して素子が破壊されるという問題もあった。そのため、交流電圧を電極に印加することによって残留電荷を消滅させることが行われている。（例えば、特許文献１参照。）。
【特許文献１】特開平９−１５３５４０号公報（段落［０００５］及び［００２７］、図１）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、例えば交流電圧を電極に印加する装置ではその問題解決方式等が複雑となるばかりか、載置台と被処理基板との接触面に水分が付着することで被処理基板の離脱のときに起こる静電気障害等の問題の根本的解決を図ることができない。
【０００４】
本発明は、上述の課題に鑑みてなされるもので、単純な方式で静電気障害等の根本的解決を図ることができる基板処理装置、その基板処理方法及びその基板処理方法を用いた基板製造方法を提供することを目的とする。また、その基板製造方法等を用いた液晶装置の製造装置及びその液晶装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の基板処理装置は、密閉可能な空間と、前記密閉可能な空間内に設けられ被処理基板を載置する載置台と、前記載置台に設けられ前記被処理基板をクーロン力により前記載置台に吸着させる電極と、少なくとも前記被処理基板と電極との間の水分を除去する手段とを具備することを特徴とする。
【０００６】
本発明のこのような構成によれば、少なくとも被処理基板と電極との間の水分を除去することとしたので、単純な方式で残留電荷をほとんど消滅させることができ、静電気障害等の根本的解決を図ることができる。すなわち、従来においては真空チャンバー内を大気でリークしてから被処理基板の離脱を行っていため、被処理基板と電極との間に水分を含んだ空気が入り込み、載置台と被処理基板との接触面に水分が付着し、載置台からの被処理基板の離脱性が急激に悪化するという問題があり、更に被処理基板の載置台からの離脱の際の表面電位も大幅に上昇し、被処理基板の処理側表面に放電して素子が破壊されるという問題もあった。これに対し、本発明においては例えば真空チャンバー内の水分を除去する手段を具備することとしたので、載置台と被処理基板との接触面に水分が付着しておらず、水分が付着して比誘電率が高くなり残留吸着力が大きくなって載置台からの被処理基板の離脱性が急激に悪化するということを防止できる。また、被処理基板の載置台からの離脱の際の表面電位が大幅に上昇し、被処理基板の処理側表面に放電して素子が破壊されるということも防止できる。更にはこれらの問題を改善するために交流電圧等の印加のような複雑な構成をとらずに、単純な方式で残留電荷をほとんど消滅させることができ、静電気障害等の問題の根本的解決を図ることができる。
【０００７】
本発明の一の形態によれば、前記水分を除去する手段は、前記密閉可能な空間を減圧する手段であることを特徴とする。このような構成によれば、例えば真空ポンプ等により電極と被処理基板とを含む密閉可能な空間を減圧し、簡単且つ確実に電極と被処理基板との間を含め水分を除去でき、被処理基板の載置台からの離脱時の残留電荷をほとんど消滅させることができるので、静電気障害等の根本的解決を図ることができる。
【０００８】
本発明の一の形態によれば、前記減圧する手段は、少なくとも前記被処理基板が前記載置台から離脱するときに、前記密閉可能な空間が減圧されているように制御する手段を有するものであることを特徴とする。このような構成によれば、被処理基板が載置台から離脱するときに水分が基板等に付着していないので、水分が付着して比誘電率が高くなり残留吸着力が大きくなって、載置台からの被処理基板の離脱性が急激に悪化するということを防止できる。また、被処理基板の載置台からの離脱の際の表面電位も大幅に上昇し、被処理基板の処理側表面に放電して素子が破壊されるということも防止できる。
【０００９】
本発明の一の形態によれば、前記被処理基板が前記電極に対し所定の間隔を保持できるように前記被処理基板を保持する基板保持手段を更に有し、前記減圧する手段は、少なくとも前記基板保持手段に前記被処理基板が保持されてから前記載置台から前記被処理基板が離脱するまで、前記密閉可能な空間が減圧されているように制御する手段を有するものであることを特徴とする。このような構成によれば、載置台と被処理基板との接触面の水分を接触前に予備的に除去できるので、減圧による載置台と被処理基板との間の水分除去がより迅速化され且つ完全となる。
【００１０】
本発明の一の形態によれば、前記減圧する手段は、前記密閉可能な空間を１Ｐａ以下に減圧することを特徴とする。このような構成によれば、ほとんどの被処理基板の少なくとも離脱時の水分を除去でき、単純な方式で残留電荷をほとんど消滅させることができるので、静電気障害等の問題の根本的解決を図ることができる。
【００１１】
本発明の一の形態によれば、前記電極は、正電極及び負電極を有しそれらが互いに噛合うように櫛歯状に形成されていることを特徴とする。このような構成によれば、安定した静電吸着力を得ながら電圧の印加終了後の被処理基板と載置台との離脱性を向上させることができる。
【００１２】
本発明の基板処理方法は、密閉可能な空間内に設けられた載置台に被処理基板を載置する工程と、前記載置台に設けられた電極で前記被処理基板をクーロン力により前記載置台に吸着させる工程と、少なくとも前記被処理基板と電極との間の水分を除去する工程とを具備することを特徴とする。
【００１３】
本発明のこのような構成によれば、少なくとも被処理基板と電極との間の水分を除去することとしたので、単純な方式で残留電荷をほとんど消滅させることができ、静電気障害等の問題の根本的解決を図ることができる。すなわち、従来においては真空チャンバー内を大気でリークしてから被処理基板の離脱を行っていため、被処理基板と電極との間に水分を含んだ空気が入り込み、載置台と被処理基板との接触面に水分が付着し、載置台からの被処理基板の離脱性が急激に悪化するという問題があり、更に被処理基板の載置台からの離脱の際の表面電位も大幅に上昇し、被処理基板の処理側表面に放電して素子が破壊されるという問題もあった。これに対し、本発明においては例えば真空チャンバー内の水分を除去する工程を具備することとしたので、載置台と被処理基板との接触面に水分が付着しておらず、水分が付着し比誘電率が高くなり残留吸着力が大きくなって載置台からの被処理基板の離脱性が急激に悪化するということを防止できる。また、被処理基板の載置台からの離脱の際の表面電位の大幅上昇により、被処理基板の処理側表面に放電して素子が破壊されるということも防止できる。更にはこれらの問題を改善するために交流電圧等の印加のような複雑な構成をとらずに、単純な方式で残留電荷をほとんど消滅させることができ、静電気障害等の根本的解決を図ることができる。
【００１４】
本発明の一の形態によれば、前記水分を除去する工程は、少なくとも前記被処理基板が前記載置台から離脱するときに、前記密閉可能な空間が減圧されているように制御する工程を有するものであることを特徴とする。このような構成によれば、被処理基板が載置台から離脱するときに水分が基板等に付着していないので、水分が付着し比誘電率が高くなり残留吸着力が大きくなって、載置台からの被処理基板の離脱性が急激に悪化するということを防止できる。また、被処理基板の載置台からの離脱の際の表面電位の大幅上昇により、被処理基板の処理側表面に放電して素子が破壊されるということも防止できる。
【００１５】
本発明の一の形態によれば、前記載置台に吸着させる工程の後に、前記載置台に吸着された前記被処理基板に所定の処理をする工程を更に具備することを特徴とする。このような構成によれば、静電吸着での静電気障害等の根本的解決を図りながら、例えば薄膜トランジスタの絶縁膜、半導体層、金属膜等の基板処理が可能となる。
【００１６】
本発明の一の形態によれば、前記載置台に吸着させる工程の前に、前記被処理基板と電極との間の水分を除去する工程を更に具備することを特徴とする。このような構成によれば、載置台と被処理基板との接触面の水分を接触前に予備的に除去できるので、減圧による載置台と被処理基板との間の水分除去がより迅速化され且つ完全となる。
【００１７】
本発明の基板製造方法は、密閉可能な空間内に設けられた載置台に被処理基板を載置する工程と、前記載置台に設けられた電極で前記被処理基板をクーロン力により前記載置台に吸着させる工程と、前記載置台に吸着された前記被処理基板に所定の処理をする工程と、少なくとも前記被処理基板と電極との間の水分を除去する工程とを具備することを特徴とする。
【００１８】
本発明のこのような構成によれば、少なくとも前記被処理基板と電極との間の水分を除去することとしたので、単純な方式で残留電荷をほとんど消滅させることができ、静電気障害等の問題の根本的解決を図ると共に迅速且つ正確に基板を製造することができる。すなわち、従来においては真空チャンバー内を大気でリークしてから被処理基板の離脱を行っていため、被処理基板と電極との間に水分を含んだ空気が入り込み、載置台と被処理基板との接触面に水分が付着し、載置台からの被処理基板の離脱性が急激に悪化するという問題があり、更に被処理基板の載置台からの離脱の際の表面電位も大幅に上昇し、被処理基板の処理側表面に放電して素子が破壊されるという問題もあった。これに対し、本発明においては例えば真空チャンバー内の水分を除去する工程を具備することとしたので、載置台と被処理基板との接触面に水分が付着しておらず、水分が付着し比誘電率が高くなり残留吸着力が大きくなることによる載置台からの被処理基板の離脱性が急激に悪化するということを防止できる。また、被処理基板の載置台からの離脱の際に、処理側表面に放電して素子が破壊されるということも防止できる。更にはこれらの問題を改善するために交流電圧等の印加のような複雑な構成をとらずに、単純な方式で残留電荷をほとんど消滅させることができ静電気障害等の問題の根本的解決を図ると共に、迅速且つ正確に基板を製造することができる。
【００１９】
本発明の一の形態によれば、前記水分を除去する工程は、少なくとも前記被処理基板が前記載置台から離脱するときに、前記密閉可能な空間が減圧されているように制御する工程を有するものであることを特徴とする。このような構成によれば、被処理基板が載置台から離脱するときに水分が基板等に付着していないので、水分が付着し比誘電率が高くなり残留吸着力が大きくなって、載置台からの被処理基板の離脱性が急激に悪化するということを防止できる。また、被処理基板の載置台からの離脱の際の表面電位の大幅上昇により、被処理基板の処理側表面に放電して素子が破壊されるということも防止でき、迅速且つ適正な基板を製造することができる。
【００２０】
本発明の液晶装置の製造装置は、シール材を介して対向配置されてなる第１の基板及び第２の基板に液晶を挟持してなる液晶装置の製造装置であって、前記第１及び第２の基板を収容し密閉可能な空間と、前記密閉可能な空間内に前記第１及び第２の基板を夫々支持可能な第１及び第２の支持部材と、前記第１及び第２の支持部材の少なくともいずれか一方に設けられ前記第１の基板又は第２の基板をクーロン力により前記第１又は第２の支持部材に吸着させる電極と、少なくとも前記一方の支持部材に支持される基板と前記電極との間の水分を除去する手段と、前記第１又は第２の支持部材を相対的に移動させ前記第１及び第２の基板を貼り合わせる手段とを有することを特徴とする。ここで、「第１の基板」及び「第２の基板」は例えば一つのカラーフィルタ基板、対向基板等又はカラーフィルタ基板等を複数有するマザー基板等をいい、「第１及び第２の支持部材」とは例えば真空チャンバー内に設けられたガラス基板などを支持する板状の下側の支持部材（載置台）、上側で下側の支持部材（載置台）と向き合うようにガラス基板などを支持する板状の支持部材等をいう（以下同じ）。また、「一方の支持部材に支持される基板」とは、例えば支持される予定であるがまだ一方の支持部材に支持されていない基板及び現実に一方の支持部材に支持されている基板の双方を含むものとする（以下同じ）。
【００２１】
本発明のこのような構成によれば、少なくとも一方の支持部材に支持される基板と電極との間の水分を除去することとしたので、単純な方式で残留電荷をほとんど消滅させることができ、静電気障害等の根本的解決を図ることができる。すなわち、従来においては真空チャンバー内を大気でリークしてから第１及び第２の基板の離脱を行っていため、第１及び第２の基板と電極との間に水分を含んだ空気が入り込み、第１及び第２の支持部材と第１及び第２の基板との接触面に水分が付着し、第１及び第２の支持部材からの第１及び第２の基板の離脱性が急激に悪化するという問題があり、更に第１及び第２の基板の第１及び第２の支持部材からの離脱の際の表面電位も大幅に上昇し、第１及び第２の基板の処理側表面に放電して配線等が破壊されるという問題もあった。これに対し、本発明においては例えば真空チャンバー内の水分を除去することとすれば、第１及び第２の支持部材と第１及び第２の基板との接触面に水分が付着しておらず、水分が付着して比誘電率が高くなり残留吸着力が大きくなって、例えば両方に電極が設けられた場合に第１及び第２の支持部材からの第１及び第２の基板の離脱性が急激に悪化するということを防止できる。また、第１及び第２の基板の第１及び第２の支持部材からの離脱の際の表面電位が大幅に上昇し、第１及び第２の基板の処理側表面に放電して電極配線等が破壊されるということも防止できる。更にはこれらの問題を改善するために交流電圧等の印加のような複雑な構成をとらずに、単純な方式で残留電荷をほとんど消滅させることができ、静電気障害等の問題の根本的解決を図ることができる。
【００２２】
本発明の液晶装置の製造装置は、シール材を介して対向配置されてなる第１の基板及び第２の基板に液晶を挟持してなる液晶装置の製造装置であって、前記第１の基板及び第２の基板の少なくとも一方にシール材を閉じた環状に塗布するシール材塗布装置と、前記第１の基板及び第２の基板の少なくとも一方に液晶を滴下する液晶滴下装置と、前記第１及び第２の基板を収容し密閉可能な空間と、前記密閉可能な空間内に前記第１及び第２の基板を夫々支持可能な第１及び第２の支持部材と、前記第１及び第２の支持部材の少なくともいずれか一方に設けられ前記第１の基板又は第２の基板をクーロン力により前記第１又は第２の支持部材に吸着させる電極と、少なくとも前記一方の支持部材に支持される基板と前記電極との間の水分を除去する手段と、前記第１又は第２の支持部材を相対的に移動させ前記第１及び第２の基板を貼り合わせる手段とを有する基板処理装置とを具備することを特徴とする。
【００２３】
本発明のこのような構成によれば、少なくとも一方の支持部材に支持される基板と電極との間の水分を除去することとしたので、単純な方式で残留電荷をほとんど消滅させることができ、静電気障害等の根本的解決を図ることができる。すなわち、従来においては真空チャンバー内を大気でリークしてから第１及び第２の基板の離脱を行っていため、第１及び第２の基板と電極との間に水分を含んだ空気が入り込み、第１及び第２の支持部材と第１及び第２の基板との接触面に水分が付着し、第１及び第２の支持部材からの第１及び第２の基板の離脱性が急激に悪化するという問題があり、更に第１及び第２の基板の第１及び第２の支持部材からの離脱の際の表面電位も大幅に上昇し、第１及び第２の基板の処理側表面に放電して配線等が破壊されるという問題もあった。これに対し、本発明においては例えば真空チャンバー内の水分を除去することとすれば、第１及び第２の支持部材と第１及び第２の基板との接触面に水分が付着しておらず、水分が付着して比誘電率が高くなり残留吸着力が大きくなって、例えば両方に電極が設けられた場合に第１及び第２の支持部材からの第１及び第２の基板の離脱性が急激に悪化するということを防止できる。また、第１及び第２の基板の第１及び第２の支持部材からの離脱の際の表面電位が大幅に上昇し、第１及び第２の基板の処理側表面に放電して電極配線等が破壊されるということも防止できる。更にはこれらの問題を改善するために交流電圧等の印加のような複雑な構成をとらずに、単純な方式で残留電荷をほとんど消滅させることができ、静電気障害等の問題の根本的解決を図ることができる。
【００２４】
また、第１の基板及び第２の基板の少なくとも一方に、例えば複数のカラーフィルタ基板上にシール材を閉じた環状に塗布するシール材塗布装置と、その第１の基板及び第２の基板の少なくとも一方に液晶を滴下する液晶滴下装置とを備えたので、液晶装置を製造する際に液晶注入口を設け注入する必要がなく、きわめて簡単に両基板の間の所定の場所に液晶を狭持できることとなる。更に高価な液晶を浪費することもなく且つ注入に長時間を費やすこともない。以下注入口を設けず一方の基板に閉じた環状にシール材を塗布し、例えば他方の基板に液晶を滴下して両方の基板を貼り合わせて液晶を狭持する方法等を液晶滴下法という。この液晶滴下法で液晶装置を製造するには、減圧下で両基板を貼り合わせなければならず、どうしても減圧下で載置台などの支持部材に両基板を固定する必要がある。かかる場合の固定方法として、静電チャックによることが望ましいが、その場合に従来生じる問題を水分を除去する手段を備えることにより根本的に解決した本発明の意義は大きい。
【００２５】
本発明の一の形態によれば、前記電極は、前記第１及び第２の支持部材に設けられ前記第１及び第２の基板を夫々クーロン力により前記第１及び第２の支持部材に吸着させるものであることを特徴とする。このような構成によれば、例えば第１及び第２の支持部材に基板を固定するためには上下いずれも機械的チャック装置等が不要となり、装置のコストを低減することができると共に装置を小型化できる。また、上下とも静電チャックで基板を固定できるので、基板を支持部材に平坦に固定でき、液晶装置としての精度を上げることがより可能となる。
【００２６】
本発明の一の形態によれば、前記水分を除去する手段は、前記密閉可能な空間を減圧する手段であることを特徴とする。このような構成によれば、例えば真空ポンプ等により電極と第１及び第２の基板とを含む密閉可能な空間を減圧し、簡単且つ確実に電極とその基板との間を含め水分を除去でき、その基板の支持部材からの離脱時の残留電荷をほとんど消滅させることができるので、静電気障害等の根本的解決を図ることができる。
【００２７】
本発明の一の形態によれば、前記減圧する手段は、少なくとも前記第１及び第２の基板のいずれか一方が前記第１又は第２の支持部材から離脱するときに、前記密閉可能な空間が減圧されているように制御する手段を有するものであることを特徴とする。このような構成によれば、少なくとも第１及び第２の基板のいずれか一方が第１又は第２の支持部材から離脱するときに水分が基板等に付着していないので、水分が付着して比誘電率が高くなり残留吸着力が大きくなって、第１又は第２の支持部材からの基板の離脱性が急激に悪化するということを防止できる。また、その基板の支持部材からの離脱の際の表面電位も大幅に上昇し、基板の処理側表面に放電して電極配線等が破壊されるということも防止できる。
【００２８】
本発明の一の形態によれば、前記第１及び第２の基板の少なくともいずれか一方が前記電極に対し所定の間隔を保持できるように前記第１の基板又は第２の基板を保持する基板保持手段を更に有し、前記減圧する手段は、少なくとも前記基板保持手段に前記第１の基板又は第２の基板が保持されてから前記第１の支持部材又は第２の支持部材から前記第１の基板又は第２の基板が離脱するまで、前記密閉可能な空間が減圧されているように制御する手段を有するものであることを特徴とする。このような構成によれば、支持部材と第１及び第２の基板の少なくともいずれか一方との接触面の水分を接触前に予備的に除去できるので、減圧による支持部材と基板との間の水分除去がより迅速化され且つ完全となる。
【００２９】
本発明の一の形態によれば、前記減圧する手段は、前記密閉可能な空間を１Ｐａ以下に減圧することを特徴とする。このような構成によれば、ほとんどの基板の少なくとも離脱時の水分を除去でき、単純な方式で残留電荷をほとんど消滅させることができるので、静電気障害等の問題の根本的解決を図ることができる。
【００３０】
本発明の液晶装置の製造方法は、シール材を介して対向配置されてなる第１の基板及び第２の基板に液晶を挟持してなる液晶装置の製造方法であって、第１の基板及び第２の基板の少なくともいずれか一方にシール材を閉じた環状に塗布する工程と、前記第１の基板及び第２の基板の少なくともいずれか一方に液晶を滴下する工程と、前記第１及び第２の基板を収容し密閉可能な空間内に設けられた第１及び第２の支持部材により前記第１及び第２の基板を夫々支持する基板支持工程と、前記第１及び第２の支持部材の少なくともいずれか一方に設けられた電極で、少なくとも前記第１及び第２の基板のいずれか一方をクーロン力により前記第１又は第２の支持部材に吸着させる基板吸着工程と、少なくとも前記一方の支持部材に支持される基板と前記電極との間の水分を除去する工程と、前記第１又は第２の支持部材を相対的に移動させ前記第１及び第２の基板を貼り合わせる工程とを具備することを特徴とする。
【００３１】
本発明のこのような構成によれば、少なくとも一方の支持部材に支持される基板と電極との間の水分を除去することとしたので、単純な方式で残留電荷をほとんど消滅させることができ、静電気障害等の根本的解決を図ることができる。すなわち、従来においては真空チャンバー内を大気でリークしてから第１及び第２の基板の離脱を行っていため、第１及び第２の基板と電極との間に水分を含んだ空気が入り込み、第１及び第２の支持部材と第１及び第２の基板との接触面に水分が付着し、第１及び第２の支持部材からの第１及び第２の基板の離脱性が急激に悪化するという問題があり、更に第１及び第２の基板の第１及び第２の支持部材からの離脱の際の表面電位も大幅に上昇し、第１及び第２の基板の処理側表面に放電して配線等が破壊されるという問題もあった。これに対し、本発明においては少なくとも一方の支持部材に支持される基板と電極との間の水分を除去する工程を具備することとしたので、例えば真空チャンバー内の水分を除去することとすれば、第１及び第２の支持部材と第１及び第２の基板との接触面に水分が付着しておらず、水分が付着して比誘電率が高くなり残留吸着力が大きくなって、例えば両方に電極が設けられた場合に第１及び第２の支持部材からの第１及び第２の基板の離脱性が急激に悪化するということを防止できる。また、第１及び第２の基板の第１及び第２の支持部材からの離脱の際の表面電位が大幅に上昇し、第１及び第２の基板の処理側表面に放電して電極配線等が破壊されるということも防止できる。更にはこれらの問題を改善するために交流電圧等の印加のような複雑な構成をとらずに、単純な方式で残留電荷をほとんど消滅させることができ、静電気障害等の問題の根本的解決を図ることができると共に、迅速且つ正確に液晶装置を製造することができる。
【００３２】
また、第１の基板及び第２の基板の少なくともいずれか一方にシール材を閉じた環状に塗布する工程と、その第１の基板及び第２の基板の少なくともいずれか一方に液晶を滴下する工程とを備えたので、液晶装置を製造する際に、液晶注入口を設け注入する必要がなく、きわめて簡単に両基板の間の所定の場所に液晶を狭持できることとなる。更に高価な液晶を浪費することもなく且つ注入に長時間を費やすこともない。この液晶滴下法で液晶装置を製造するには、減圧下で両基板を貼り合わせなければならず、どうしても減圧下で載置台などの支持部材に両基板を固定する必要がある。かかる場合の固定方法として、静電チャックによることが望ましいが、その場合に従来生じる問題を水分を除去する工程を備えることにより根本的に解決した本発明の意義は大きい。
【００３３】
本発明の一の形態によれば、前記水分を除去する工程は、少なくとも前記一方の支持部材に支持される基板が前記一方の支持部材から離脱するときに、前記密閉可能な空間が減圧されているように制御する工程を有するものであることを特徴とする。このような構成によれば、少なくとも一方の支持部材に支持される基板が該一方の支持部材から離脱するときに水分が基板等に付着していないので、水分が付着し比誘電率が高くなり残留吸着力が大きくなって、支持部材からの基板の離脱性が急激に悪化するということを防止できる。また、基板の支持部材からの離脱の際の表面電位の大幅上昇により、その基板の処理側表面に放電して電極配線等が破壊されるということも防止でき、精度の高い液晶装置を製造することができる。
【００３４】
本発明の一の形態によれば、前記基板支持工程の前に、少なくとも前記第１又は第２の基板と前記電極との間の水分を除去する工程を具備することを特徴とする。このような構成によれば、少なくとも第１又は第２の基板と電極との接触面の水分を接触前に予備的に除去できるので、減圧による電極と基板との間の水分除去がより迅速化され且つ完全となり、精度の高い液晶装置を製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３５】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づき説明する。尚、以下に実施形態を説明するにあたっては、各種の基板処理装置のうちプラズマＣＶＤ（ＣＨＥＭＩＣＡＬ  ＶＡＰＯＲ  ＤＥＰＯＳＩＴＩＯＮ）の処理を施す基板処理装置を例に挙げて説明するが、この処理に限られるものではなくエッチング等の処理を施す基板処理装置であっても良い。また、被処理基板として電気光学装置に用いられる基板を例に挙げて説明するが、勿論これに限られるものではない。
【００３６】
図１は本発明の第１の実施形態に係る基板処理装置の概略説明図、図２は載置台に設けられた櫛歯型電極を上方から見た説明図、図３は基板を載置台へ降ろすところの説明図、図４は基板処理装置のフローチャート図及び図５は基板処理装置の減圧状態の説明用グラフである。
【００３７】
図１に示すように、基板処理装置１は例えば基板２をＣＶＤ処理する基板処理装置本体３、基板処理装置本体３の処理室内を減圧するガス排出部４、基板処理装置本体３の処理室内に例えば窒素ガス（Ｎ２）を供給するガス供給部５、基板２を載置する載置台に設けられた正電極及び負電極に所定の電圧を供給する電源部６、ＣＶＤ処理後に基板処理装置本体３から搬出された基板２に残った電荷を最終的に除去するイオナイザー７及びそのガス排出部４や電源部６等を制御する制御部８等により構成されている。
【００３８】
基板処理装置本体３は、図１に示すように例えば基板２をＣＶＤ処理する処理室９を形成する筺体１０、その筺体１０の上部中央にＣＶＤ処理に使用する処理ガスを処理室内に供給する処理ガス供給部１１、更にその筺体１０の側壁上部に処理する基板２を出し入れする基板出し入れ口１２、その処理室９に基板出し入れ口１２から搬入された基板２を後述する載置台から浮くように処理室内の所定の位置に保持する基板保持部１３、搬入された基板２を例えばＣＶＤ処理するときに載置する載置台１４、その載置台１４の上に基板２を支持して降ろしたり上げたりする支持ピン１５及びその支持ピン１５を載置台１４に対し相対的に上下動させる昇降駆動装置１６等を有する。
【００３９】
ここで、処理ガス供給部１１は例えば制御部８の制御下ＣＶＤ処理で使用するガスを均一に処理室９内に供給するもので、これにより供給された処理ガスが高周波電力でプラズマガス化されることとなる。
【００４０】
また、基板出し入れ口１２は基板２を処理室９に出し入れするためのゲートであり、ゲートを閉めることにより処理室内が密閉される。
【００４１】
基板保持部１３は、図１に示すように基板２を所定の位置に保持する基板保持用冶具１７及びその基板保持用冶具１７を基板２に対して移動するように駆動する冶具駆動装置１８等を有する。これにより、支持ピン１５の上端に支持された基板２を処理室内の所定の位置で保持するときは、制御部８の制御下冶具駆動装置１８により基板保持用冶具１７が迫出し（例えば図１中のＣＣ´方向）、例えば３つの基板保持部１３の夫々の基板保持用冶具１７によって、そのまま載置台１４に下したときに処理するのに丁度いい位置となるように保持されることとなり、減圧時に基板２が動くことを防ぐことができる。また、基板２を載置台１４から浮かすように処理室内の所定の位置で保持したまま処理室内を減圧することができ、基板２を載置台１４に載置したときに基板２が接触する載置台１４の表面等の水分を容易に除去できることとなる。
【００４２】
更に冶具駆動装置１８は、支持ピン１５により基板２を降下させるときは例えば制御部８の制御下、図３に示すように基板保持用冶具１７を冶具駆動装置１８により基板２から離れさせることができる。
【００４３】
これにより、スムーズに基板２を支持ピン１５により載置台１４に降下させることができる。
【００４４】
また、載置台１４には図１及び図２に示すようにその上面に電気的クーロン力を利用して基板２を吸着する静電チャック１９及び基板２を支持する支持ピン１５が摺動自在に貫通できる貫通口２０が例えば４つ設けられている。
【００４５】
ここで、静電チャック１９には絶縁等を目的とする誘電体２１及びその誘電体２１に包まれるように正電極２２及び負電極２３等が形成されている。
【００４６】
正電極２２及び負電極２３は、例えば図１及び図２に示すように夫々櫛歯型に形成され相互に噛合うように誘電体２１内に配置されており、正電極２２に＋電圧（プラス電圧）が印加されるように配線Ｒ１により電源部６に接続され、負電極２３には−電圧（マイナス電圧）が印加されるように配線Ｒ２により電源部６に接続されている。また、正電極２２及び負電極２３を構成する金属材料としては例えば銅やアルミニウム等がある。
【００４７】
更に正電極２２及び負電極２３との間には誘電体２１が形成されており、その間隔及び各電極の幅は電極に電圧を印加したときに、最適な吸着力となりかつ絶縁破壊とならない等の条件を満たすものであることが必要である。
【００４８】
尚、図１及び図２では正電極２２及び負電極２３の櫛歯型電極の歯の部分が夫々２つとして示しているが、これは説明の都合上２つにしただけでその数に限られるものではなく、もっと多く形成しても勿論良い。数を多くすることによって、正電極２２及び負電極２３が静電チャック１９に密に配列された形状となりその吸着力が増加すると共に、静電チャック１９全面に亘ってより平均化できることとなる。
【００４９】
また、誘電体２１は例えば図１及び図２に示すように載置台１４の上面に静電チャック１９の一部として形成せられており、貫通口２０が例えば４つ設けられている。更に誘電体２１は絶縁等を目的とし、その構成材料として例えばポリイミド樹脂や窒化珪素等のセラミック系誘電体材料がある。
【００５０】
また、支持ピン１５は例えば棒状に形成されており、その下端は昇降駆動装置１６に繋がっている。また、支持ピン１５は載置台１４の例えば４つの貫通口２０に夫々摺動自在に挿通されている。
【００５１】
更に昇降駆動装置１６は、図１に示すように制御部８の制御下支持ピン１５を載置台１４に対し上下に（図１中のＢＢ´方向）駆動させ、基板２を載置台１４から浮かすように所定の高さで支持させ、更に基板２を載置台１４に載置させ或は載置台１４から離脱させるものである。
【００５２】
次に、ガス排出部４は筺体１０の例えば下部に設けられた図示しないガス排出口に接続された排出管２４、その排出管２４に設けられた排出用バルブ２５及び排出用の真空ポンプ２６、更に筺体１０の側面に設けられた図示しない処理室内の圧力を計測する圧力計測口に接続された真空計２７等を有する。
【００５３】
ここで、排出用バルブ２５は制御部８の制御下排出管２４を流れるガス量を調節するもので、例えば真空ポンプ２６の使用時には所定の開度になるよう付属のバルブ開閉モータ等によりバルブを開き、真空ポンプ２６の不使用時には処理室内を密閉するべく付属のバルブ開閉モータ等により、バルブを閉める。
【００５４】
また、真空ポンプ２６はドライポンプやターボ分子ポンプ等であって制御部８の制御下処理室内を少なくとも５Ｐａ以下、より好ましくは１Ｐａ以下にできるものである。これにより、例えば１Ｐａ以下にすることにより確実にほとんどの基板処理で水分の除去が可能となる。
【００５５】
真空計２７は、得られた処理室内の圧力情報を制御部８に送り、その圧力情報に基づき制御部８が排出用バルブ２５及び真空ポンプ２６の制御を行う。これにより、的確な処理室内の圧力制御が可能となり処理室内の水分を除去できることとなる。
【００５６】
更にガス供給部５は、筺体１０の例えば下部に設けられた図示しないガス供給口に接続された供給管２８及びその供給管２８に設けられた供給用バルブ２９等を有する。供給用バルブ２９は制御部８の制御下、供給管２８を流れるガス量を調節するもので、例えば窒素ガスで処理室内をパージするときに供給管２８を流れるガス量が所定のガス量となるように、付属のバルブ開閉モータ等によりバルブの開度を調整するものである。これにより、処理室内を一旦減圧状態から大気圧程度の状態にして基板出し入れ口１２を開くことができるので、外の空気やごみの処理室内への流入を防止できる。
【００５７】
また、電源部６は正電極２２及び負電極２３に配線Ｒ１、Ｒ２を介して直流の＋電圧及び−電圧を供給するものであり、制御部８の制御下所定の大きさの電位を供給できる。例えば＋１００Ｖ以上で＋５０００Ｖ以下或は−５０００Ｖ以上で−１００Ｖ以下の直流電圧を供給できる。これにより、必要な静電吸着力を得ることができると共に、印加電圧が高すぎて絶縁破壊することも防ぐことができる。
【００５８】
更にイオナイザー７は、例えば電気的エネルギーによりプラスマイナスの空気イオンを等量発生させ、微量の電荷が残っている基板表面に放出し残留電荷を消滅させるものである。これによって、わずかに基板２に電荷が残っていても完全に消去できることとなる。
【００５９】
また、制御部８は例えば図１に示すように演算と制御とをするＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ  Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ  Ｕｎｉｔ）３０、必要に応じて一時的に各種情報やソフト等を記録し、基板処理装置１の制御をより円滑に行うＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ）３１、ＲＯＭ（Ｒｅａｄ  Ｏｎｌｙ  Ｍｅｍｏｒｙ）３２及び電源部６から供給させる電圧の大きさ、直流電圧の印加時間の情報や真空ポンプ２６を運転する時間の情報等が記録されているデータ格納部３３等が備えられている。
【００６０】
更にＣＰＵ３０は、基板２の処理内容等から最適な吸着力及び吸着時間を判断し、データ格納部３３からその条件に合う印加電圧の大きさ及び印加時間等の情報を読み出し、印加電圧の大きさ等の制御情報を電源部６に送付し電源部６に該当する印加電圧を配線Ｒ１、Ｒ２を介し正電極２２及び負電極２３に出力させる。
【００６１】
また、ＣＰＵ３０は基板２の処理内容等から最適な処理ガス濃度等を判断し、データ格納部３３からその条件に合う処理ガス供給情報を読み出し、処理ガス供給部１１にその処理ガス供給情報を送り、処理ガス供給部１１に所定の処理ガスを処理室内に供給させる。
【００６２】
更にＣＰＵ３０は、キーボード等により入力された情報例えば電源部６から供給させる電圧の大きさ、直流電圧の印加時間の情報や真空ポンプ２６を運転する時間の情報等を新たにデータ格納部３３に記録させることもできる。これにより、多種多様な新たな基板処理に対応できることとなる。
【００６３】
次に、上述の基板処理装置１についてその動作を減圧動作を中心に説明する。
【００６４】
まず、図１に示すように基板処理装置１の電源の投入によりＣＰＵ３０は図示しない移動アーム等により基板出し入れ口１２から基板２を搬入させ（図１中のＡＡ´方向）（ＳＴ１０１）、載置台１４から離れた適当な高さで待っている支持ピン１５に基板２を受け渡す。すると、冶具駆動装置１８はＣＰＵ３０の制御下基板保持用冶具１７を移動し（例えば図１中のＣＣ´方向）基板２を載置台１４から浮いた状態で処理室内の所定位置に保持する。
【００６５】
更にＣＰＵ３０は、基板保持部１３からの情報により基板２が所定位置に保持されたか判断し（ＳＴ１０２）、所定位置に保持されたと判断したときは基板出し入れ口１２のゲートを閉めさせ処理室９を密閉する。また、ＣＰＵ３０は基板出し入れ口１２からの情報により基板出し入れ口１２のゲートが閉められたと判断したときは、真空計２７からＣＰＵ３０に送られた処理室内の圧力情報や、データ格納部３３から排出用バルブ２５の開度データ及び真空ポンプ２６の運転時間データ等を読み出し、それらの情報に基づき排出用バルブ２５に付属するバルブ開閉モータ等により排出用バルブ２５を所定の開度に開かせ、真空ポンプ２６を所定時間運転させ処理室内を図５（ａ）に示すように１Ｐａ以下、例えば０．１Ｐａまで減圧する（ＳＴ１０３）。
【００６６】
次に、ＣＰＵ３０は真空計２７からＣＰＵ３０に送られた圧力情報により処理室内が１Ｐａ以下（例えば０．１Ｐａ）であるか判断する（ＳＴ１０４）。そして、１Ｐａ以下（例えば０．１Ｐａ）であると判断したときは、真空ポンプ２６の運転を停止すると同時に排出用バルブ２５の開度をゼロとして、例えば１０秒間図５（ａ）（ｃ）に示すように基板２を載置台１４から上方に浮かした状態で処理室内の圧力を１Ｐａ以下（例えば０．１Ｐａ）の減圧状態に維持させる。これにより、基板２を載置台１４に載置したときは完全には露出しない基板２と載置台１４との接触面も、十分減圧雰囲気中に晒されることとなり基板２等の表面上の水分も水分子となって減圧雰囲気中に飛び出し、基板２等の表面上の水分が除去されることとなる。尚処理室内が１Ｐａ以下でないと判断したときは、１Ｐａ以下の圧力情報があるまで減圧を繰り返す。
【００６７】
また、ＣＰＵ３０は１Ｐａ以下（例えば０．１Ｐａ）であると判断し例えば１０秒間基板２を保持した後、図３に示すように冶具駆動装置１８により全ての基板保持用冶具１７を基板２から離れさせ、基板２の保持を解除させる。
【００６８】
更にＣＰＵ３０は、図５（ｃ）に示すように支持ピン１５に基板２を載せたまま昇降駆動装置１６により支持ピン１５を降下させ、基板２を載置台１４の上面の静電チャック１９の表面に載置させる。ＣＰＵ３０は、基板２が静電チャック１９の表面に載置されたと判断したときは、入力された基板処理内容及び処理対象から最適な吸着力及び吸着時間となるように、データ格納部３３からその条件に合う印加電圧の大きさ及び印加時間等の情報を読み出し、印加電圧の電位及び印加時間を決定する。
【００６９】
そして、ＣＰＵ３０はその制御情報を電源部６に送付し電源部６に該当する印加電圧を配線Ｒ１、Ｒ２を介して正電極２２及び負電極２３に出力させる。これにより、例えば図５（ｂ）に示すように正電極２２に＋１０００Ｖの直流電圧が印加され、負電極２３に−１０００Ｖの直流電圧が印加されることとなり、静電チャック１９に接触する基板表面に正電極２２に対しては逆電荷である−電荷がまた、負電極２３に対しては逆電荷である＋電荷が夫々生じ、そのクーロン力により基板２は正電極２２及び負電極２３が設けられた載置台１４に静電吸着されることとなる（ＳＴ１０５）。
【００７０】
次に、ＣＰＵ３０は入力された基板処理内容及び処理対象から最適な処理ガスによる減圧状態となるように制御情報を処理ガス供給部１１に伝え、処理ガス供給部１１によって処理室内を、例えば図５（ａ）に示すように１０Ｐａ圧力の所定の処理ガス雰囲気中にセットし（ＳＴ１０６）、所定の基板処理を開始させる（ＳＴ１０７）。例えば図示しない高周波電力発生装置により処理ガスがプラズマガス化されて、基板２がプラズマＣＶＤ処理され薄膜トランジスタの絶縁膜、半導体層、金属膜等の成膜処理されることとなる。また、ＣＰＵ３０は例えばプラズマＣＶＤ処理が所定時間例えば６０秒なされたと判断したときは高周波電力発生装置等による基板処理を終了させる（ＳＴ１０８）。
【００７１】
次に、ＣＰＵ３０は真空計２７からＣＰＵ３０に送られた処理室内の圧力情報が１Ｐａ以下であるか判断し（ＳＴ１０９）、１Ｐａより圧力が高くなっていたとき例えば図５（ａ）に示すように１０Ｐａとなっていたときは、データ格納部３３から排出用バルブ２５の開度データ及び真空ポンプ２６の運転時間データ等を読み出し、それらの情報に基づき排出用バルブ２５に付属するバルブ開閉モータ等により排出用バルブ２５を所定の開度に開かせ、真空ポンプ２６を所定時間運転させ処理室内を図５（ａ）に示すように１Ｐａ以下、例えば０．１Ｐａまで減圧する（ＳＴ１１０）。
【００７２】
そして、ＣＰＵ３０は真空計２７からＣＰＵ３０に送られた圧力情報により処理室内が１Ｐａ以下（例えば０．１Ｐａ）であると判断したときは、真空ポンプ２６の運転を停止すると同時に排出用バルブ２５の開度をゼロとして、図５（ｂ）に示すように、ＣＰＵ３０は電源部６に正電極２２及び負電極２３への直流電圧の印加を終了させ、静電チャック１９による基板２の載置台１４への吸着を終了させて、処理室内の圧力を１Ｐａ以下（例えば０．１Ｐａ）の減圧状態で例えば２０秒間維持させ、表面電位を降下させると共に更に基板２等から水分を除去する。その後、図５（ｃ）に示すように昇降駆動装置１６により支持ピン１５を所定位置まで上昇させ（ＳＴ１１１）、基板２を載置台１４から離脱させることとなる（ＳＴ１１２）。
【００７３】
このとき、基板２と載置台１４との接触面に付着していた水分が１Ｐａ以下の減圧雰囲気下で、容易に水分表面から水分子となって気相部分に飛び出し気化され除去されているので、基板２と載置台１４との接触面の比誘電率が小さく、基板２の残留吸着力が大きくなることもなく離脱性も良好である。更に基板離脱時の表面電位の上昇もなく、基板処理側の表面に放電して素子が破壊されることもない。
【００７４】
次に、ＣＰＵ３０は基板２が載置台１４から離れ、移動アームに受け渡す高さに上昇したと判断したときは、データ格納部３３に記録された供給用バルブ２９の開度情報等を読み出し、その開度情報等に基づき供給用バルブ２９に付属するバルブ開閉モータ等により供給用バルブ２９の開度を所定の開度とする。これによりＣＰＵ３０は、供給管２８から例えば窒素ガスを処理室内に供給させて処理室内をパージさせる（ＳＴ１１３）。
【００７５】
更にＣＰＵ３０は、真空計２７からＣＰＵ３０に送られた処理室内の圧力情報が処理室外の圧力例えば大気圧以上となったか判断する（ＳＴ１１４）。ＣＰＵ３０は図５（ａ）に示すように処理室外の圧力以上となったと判断したきは、供給用バルブ２９に付属するバルブ開閉モータ等により供給用バルブ２９の開度をゼロとして処理室内のパージを終了させ、基板出し入れ口１２のゲートを開放させる。尚処理室外の圧力以上になっていないと判断したときは、ＳＴ１１３に戻り更に処理室内のパージを続けることとなる。
【００７６】
また、ＣＰＵ３０は基板出し入れ口１２のゲートを開放させたときは、例えば処理済の基板２を支持ピン１５から移動アーム等により処理室９外に搬出させ（ＳＴ１１５）、基板出し入れ口１２の付近に配置されていたイオナイザー７により処理済の基板２の周囲にイオンを発生させて、基板２の表面にわずかに残っていた帯電を除去し（ＳＴ１１６）、基板処理装置１による動作を終了させることとなる。
【００７７】
尚、図５（ａ）は処理室内の圧力を縦軸に、時間を横軸に採ったものであり、太い実線は処理室内の圧力の変化を表している。また、図５（ｂ）は正電極２２及び負電極２３への印加電圧を縦軸に、図５（ａ）の時間軸と同期させた時間軸を横軸に採ったものであり、太い実線は印加電圧の変化を表している。更に図５（ｃ）は基板２の位置を縦軸に、図５（ａ）（ｂ）の時間軸と同期させた時間軸を横軸に採ったものであり、太い実線は基板２の位置（上下方向）の変化を表している。
【００７８】
このように本実施形態によれば、例えば基板処理装置１はその処理室内の水分を除去する手段を具備することとしたので、載置台１４に設けられた静電チャック１９を使用する場合に、静電チャック１９と基板２との接触面に水分が付着することがなく、水分が付着することにより比誘電率が高くなり残留吸着力が大きくなって静電チャック１９からの基板２の離脱性が急激に悪化するということを防止できる。また、基板２の静電チャック１９からの離脱の際の表面電位が大幅に上昇し、基板２の処理側表面に放電して素子が破壊されるということも防止できる。更にはこれらの問題を改善するために交流電圧等の印加のような複雑な構成をとらずに、単純な方式で残留電荷をほとんど消滅させることができ、静電気障害等の問題の根本的解決を図ることができる。
【００７９】
また、水分を除去する手段として密閉可能な空間例えば処理室内を減圧することとしたので、例えば真空ポンプ等により載置台１４と基板２とを含む処理室内を減圧し、簡単且つ確実に載置台１４に設けられた静電チャック１９と基板２との間を含め水分を除去でき、基板２の静電チャック１９からの離脱時の残留電荷をほとんど消滅させることができるので、静電気障害等の根本的解決を図ることができる。
【００８０】
更に、基板２が載置台１４に対し所定の間隔を保持できるように基板２を保持する基板保持部１３を設け、少なくともその基板保持部１３に基板２が保持されてから載置台１４から基板２が離脱するまで、処理室内が１Ｐａ以下に減圧されているように制御部８により制御することとしたので、載置台１４と基板２との接触面の水分を接触前に予備的に除去できるので、減圧による載置台１４と基板２との間の水分除去がより迅速化され且つ完全となる。
【００８１】
また、処理室内を１Ｐａ以下に減圧することとしたので、ほとんど全ての基板処理で水分を除去できると共に、真空度が高いので静電チャック１９への電圧の印加終了後の帯電の抜けが良くなり、静電チャック１９による静電気障害をより防止できることとなる。
【００８２】
更に静電チャック１９内の電極が正電極２２及び負電極２３を有しそれらが互いに噛合うように櫛歯状に形成されているので、安定した静電吸着力を得ながら電圧の印加終了後の基板２と載置台１４との離脱性を向上させることができる。
【００８３】
（第２の実施形態）
【００８４】
次に、本発明に係る第２の実施形態について説明する。本実施形態においては、第１の実施形態と略同様な方法により基板を減圧下支持部材に着脱し液晶装置を製造する液晶装置の製造装置及びその製造装置を用いた液晶装置の製造方法について説明する。従って、第１の実施形態の構成要素と共通する構成要素については、第１の実施形態の構成要素と同一の符号を付しその説明を省略する。また、液晶装置として具体的には反射半透過型のパッシブマトリックス方式の液晶装置について説明するがこれに限られるものではない。
【００８５】
図６は本発明の第２の実施形態に係る液晶装置の製造装置の模式化された概略説明図、図７は基板処理装置の概略説明図、図８は上支持部材に設けられた櫛歯型電極の説明図及び図９は下支持部材に設けられた櫛歯型電極の説明図である。
【００８６】
図６に示すように、液晶装置の製造装置１０１は例えば第１の基板である第１のマザー基板１０２及び第２の基板である第２のマザー基板１０３を夫々収納する収納部１０４，１０５、その第１のマザー基板１０２または第２のマザー基板１０３の表面にシール材１０６を閉じた環状に塗布するシール材塗布装置１０７、その第１のマザー基板１０２または第２のマザー基板１０３の表面に液晶１０８を滴下する液晶滴下装置１０９、そのシール材１０６が塗布された基板及び液晶１０８が滴下された基板を減圧下貼り合わせる基板処理装置１１０、貼りあわされた基板のシール材１０６を硬化させるシール材硬化装置１１１、硬化されたマザー基板であるマザーパネル基板１１２を収納するマザーパネル基板収納部１１３、基板を搬送する基板搬送体１１４及び左右に配置された各装置の間に設けられ基板搬送体１１４が移動する搬送路１１５等を有する。
【００８７】
収納部１０４は、図６に示すように例えば図面上搬送路１１５の上側に配置されており、第１のマザー基板１０２が複数収納されている。また、収納部１０５は図６に示すように例えば図面上搬送路１１５を挟んで収納部１０４と対向して配置されており、例えば第２のマザー基板１０３が複数収納されている。
【００８８】
ここで、第１のマザー基板１０２は例えば８０個ぐらいのカラーフィルタ基板１１６を有し、第２のマザー基板１０３は第１のマザー基板１０２と同数の図示しない例えば対向基板１１７を有している。
【００８９】
また、カラーフィルタ基板１１６は図示しないが例えばその表面にセグメント電極、オーバーコート層、配向膜、反射層、着色層及び光遮蔽層等が形成されており、対向基板１１７には図示しないが例えばその表面にコモン電極、オーバーコート層及び配向膜等が形成されている。
【００９０】
更に第１及び第２のマザー基板１０２，１０３は例えばガラスや合成樹脂といった光透過性材料から形成された板状部材である。
【００９１】
次に、シール材塗布装置１０７は図示しないが例えば基板を載せるステージ、ステージを駆動させるステージ駆動機構、シール材１０６を吐出するシール材ディスペンサー、シール材ディスペンサーにシール材１０６を供給するシール材供給部及びシール材ディスペンサー駆動機構等を有する。これにより、ステージに載置された例えば第１のマザー基板１０２中の夫々のカラーフィルタ基板１１６にシール材１０６を閉じた環状に塗布することができる。なお、シール材１０６を塗布する方法としてはこれに限られるものではなく、例えばスクリーン印刷でシール材１０６を塗布してもよい。
【００９２】
ここで、シール材１０６としては例えば熱硬化型のエポキシ樹脂や紫外線硬化型の樹脂、その両方の性質を有する併用タイプもある。
【００９３】
また、液晶滴下装置１０９は図示しないが例えば基板を載せるステージ、ステージを駆動させるステージ駆動機構、液晶１０８を吐出する液晶ディスペンサー、液晶ディスペンサーに液晶１０８を供給する液晶供給部及び液晶ディスペンサー駆動機構等を有する。これにより、ステージに載置された例えば第２のマザー基板１０３中の夫々の対向基板１１７に液晶１０８を滴下することができる。
【００９４】
ここで、液晶１０８としては例えばＳＴＮ（Ｓｕｐｅｒ  Ｔｗｉｓｔｅｄ  Ｎｅｍａｔｉｃ）型等が用いられる。
【００９５】
次に、基板処理装置１１０は例えば図７に示すように第１及び第２のマザー基板１０２，１０３を所定の減圧下貼り合わせる基板処理装置本体３、基板処理装置本体３の処理室内を減圧するガス排出部４、基板処理装置本体３の処理室内に例えば窒素ガス（Ｎ２）を供給するガス供給部５、マザー基板を支持する支持部材に設けられた正電極及び負電極に所定の電圧を供給する電源部６，２０６、貼り合わせ後に基板処理装置本体３から搬出されたマザーパネル基板１１２に残った電荷を最終的に除去するイオナイザー７及びそのガス排出部４や電源部６，２０６等を制御する制御部８等により構成されている。
【００９６】
まず、基板処理装置本体３は、図７に示すように例えば第１及び第２のマザー基板１０２，１０３を所定の減圧下貼り合わせる処理室９を形成する筐体１０、その筺体１０の側壁上部に処理する基板を出し入れする基板出し入れ口１２、その処理室９に基板出し入れ口１２から搬入されたマザー基板を後述する支持部材から離れて処理室内の所定の位置に保持する基板保持部１３、搬入されたマザー基板を例えば貼り合わせ処理するときに支持する上支持部材１１８及び下支持部材１１９、その上支持部材１１８を上下動させる上支持部材駆動装置１２０、更にその下支持部材１１９を貼り合わせ等のときに例えば水平面上でＸＹ軸方向及びθ方向（回転方向）に移動させる下支持部材駆動装置１２１、その下支持部材１１９の上にマザー基板を支持して降ろしたり上げたりする支持ピン１５及びその支持ピン１５を下支持部材１１９に対し相対的に上下動させる昇降駆動装置１６等を有する。
【００９７】
ここで、基板保持部１３は、例えば図７に示すように第１のマザー基板１０２を所定の位置に保持する基板保持用冶具１７及び基板保持用冶具１７を第１のマザー基板１０２に対して移動するように駆動する冶具駆動装置１８等を有する。これにより、後述する移動アームにより処理室内に搬入された例えば第１のマザー基板１０２を受け取り、制御部８の制御下、冶具駆動装置１８により基板保持用冶具１７が迫出し（例えば図７中のＣＣ´方向）、例えば３つの基板保持部１３の夫々の基板保持用冶具１７によって、上支持部材１１８から離し或は後述する静電チャックによる吸着に丁度よい水平位置となるように保持される。これにより、マザー基板を上支持部材１１８から離した状態で処理室内を減圧することができ、マザー基板を上支持部材１１８に支持したときにマザー基板が接触する上支持部材１１８の表面等の水分を容易に除去できることとなる。
【００９８】
更に冶具駆動装置１８は、上支持部材駆動装置１２０により上支持部材１１８を下降させるときは例えば制御部８の制御下、基板保持用冶具１７をマザー基板から離れさせることができる。これにより、スムーズに第１のマザー基板１０２を降下する上支持部材１１８と一緒に、下で待ち受ける第２のマザー基板１０３に降下させることができる。
【００９９】
また、上支持部材１１８には図７及び図８に示すようにその上面（上支持部材１１８及び下支持部材１１９が互いに向き合う面）に電気的クーロン力を利用して吸着する静電チャック２１９が、下支持部材１１９には図７及び図９に示すようにその上面（上支持部材１１８及び下支持部材１１９が互いに向き合う面）に電気的クーロン力を利用して吸着する静電チャック１９が夫々設けられており、下支持部材１１９には更にマザー基板を支持する支持ピン１５が摺動自在に貫通できる貫通口２０が例えば４つ設けられている。
【０１００】
ここで、静電チャック２１９は静電チャック１９と同様の構成であり、例えば絶縁等を目的とする誘電体２１及びその誘電体２１に包まれるように正電極２２及び負電極２３等が形成されている。
【０１０１】
また、誘電体２１は例えば図７、図８及び図９に示すように上支持部材及び下支持部材１１８，１１９の上面に静電チャック１９，２１９の一部として形成されており、下支持部材１１９側の静電チャック１９には更に貫通口２０が例えば４つ設けられている。また、誘電体２１は絶縁等を目的とし、その構成材料として例えばポリイミド樹脂や窒化珪素等のセラミック系誘電体材料がある。
【０１０２】
更に支持ピン１５は例えば棒状に形成されており、その下端は昇降駆動装置１６に繋がっている。また、支持ピン１５は下支持部材１１９の例えば４つの貫通口２０に夫々摺動自在に挿通されている。
【０１０３】
また、昇降駆動装置１６は、図７に示すように制御部８の制御下支持ピン１５を下支持部材１１９に対し上下に（図７中のＢＢ´方向）駆動させ、例えば第２のマザー基板１０３を下支持部材１１９から浮かすように所定の高さで支持させ、更に第２のマザー基板１０３を下支持部材１１９に載置させ或は下支持部材１１９から離脱させるものである。
【０１０４】
更に電源部６，２０６は正電極２２及び負電極２３に配線Ｒ１、Ｒ２を介して直流の＋電圧及び−電圧を供給するものであり、制御部８の制御下所定の大きさの電位を供給できる。例えば＋１００Ｖ以上で＋５０００Ｖ以下或は−５０００Ｖ以上で−１００Ｖ以下の直流電圧を供給できる。これにより、必要な静電吸着力を得ることができると共に、印加電圧が高すぎて絶縁破壊することも防ぐことができる。
【０１０５】
また、イオナイザー７は、例えば電気的エネルギーによりプラスマイナスの空気イオンを等量発生させ、微量の電荷が残っている基板表面に放出し残留電荷を消滅させるものである。これによって、わずかにマザー基板等に電荷が残っていても完全に消去できることとなる。
【０１０６】
更に制御部８は例えば図７に示すように演算と制御とをするＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ  Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ  Ｕｎｉｔ）３０、必要に応じて一時的に各種情報やソフト等を記録し、基板処理装置１１０の制御をより円滑に行うＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ）３１、ＲＯＭ（Ｒｅａｄ  Ｏｎｌｙ  Ｍｅｍｏｒｙ）３２及び電源部６，２０６から供給させる電圧の大きさ、直流電圧の印加時間の情報や真空ポンプ２６を運転する時間の情報等が記録されているデータ格納部３３等が備えられている。
【０１０７】
また、ＣＰＵ３０は、マザー基板等の処理内容等から最適な吸着力及び吸着時間を判断し、データ格納部３３からその条件に合う印加電圧の大きさ及び印加時間等の情報を読み出し、印加電圧の大きさ等の制御情報を電源部６，２０６に送付し電源部６，２０６に該当する印加電圧を配線Ｒ１、Ｒ２を介し正電極２２及び負電極２３に出力させる。
【０１０８】
更にＣＰＵ３０は、キーボード等により入力された情報例えば電源部６，２０６から供給させる電圧の大きさ、直流電圧の印加時間の情報や真空ポンプ２６を運転する時間の情報等を新たにデータ格納部３３に記録させることもできる。これにより、多種多様な新たな基板処理に対応できることとなる。
【０１０９】
次に、シール材硬化装置１１１は図示しないが例えば貼り合わされたマザー基板を載置するステージ、その上に紫外線を照射する紫外線ランプ、液晶１０８や駆動素子等をカバーし紫外線から保護するマスク及び熱風を循環させ加熱或は熱風を吹き付けるガスブローにより加熱する加熱装置等を有する。なお、本実施形態ではシール材１０６として紫外線硬化及び熱硬化の併用タイプを用いるので上述のようにシール材硬化装置１１１を構成したが、紫外線硬化型のシール材を用いるときは加熱装置はなくても良い。勿論、熱硬化型の場合は紫外線ランプ等は不要となる。
【０１１０】
また、マザーパネル基板収納部１１３は例えば図６に示すように搬送路１１５に面し図中の一番左端に配置されており、シール材硬化装置１１１によりシール材１０６が硬化されたマザー基板であるマザーパネル基板１１２を収容するものである。
【０１１１】
更に基板搬送体１１４は、例えば図示しない移動アーム等により構成されマザー基板等を傷つけないように掴み、各装置及び収納部間を移動し、掴んだマザー基板等を各装置及び収納部に出し入れするものである。また、搬送路１１５は例えば図６に示すように左右に配置された各装置及び収納部の間に延設され、その上を基板搬送体が移動するものである。なお、図６では一本の搬送路とその上に配置された一つの基板搬送体を表したが、これに限られるものでなく、例えば平行に２本の搬送路とその上を効率よく移動する一つずつの基板搬送体をもうけてもよい。これにより、例えば第１のマザー基板１０２を第１の基板搬送体でシール材塗布装置１０７に搬入しているときに、第２のマザー基板１０３を第２の基板搬送体で液晶滴下装置１０９に搬入でき、より基板処理時間を短縮できる。
【０１１２】
また、図７では基板保持部は一つだけ表したが上下に２つ設けてもよい。これにより、例えば第１のマザー基板１０２は第１の基板保持部（上側）により上支持部材１１８から所定の距離はなして保持し、第２のマザー基板１０３は第２の基板保持部（下側）により下支持部材１１９から所定の距離はなして保持できることとなる。勿論、第２のマザー基板１０３は支持ピン１５で下支持部材１１９から所定の距離はなしてもよい。
【０１１３】
（液晶装置の製造方法）
【０１１４】
次に、液晶装置の製造方法を上述の液晶装置の製造装置の動作を中心に簡単に説明する。なお、マザー基板の減圧下での貼り合わせ、特に静電チャックの動作などについては第１の実施形態と共通するので、その説明をできるだけ省略し異なる点を中心に説明する。
【０１１５】
図１０は液晶装置の製造方法のフローチャート図、図１１はシール材が塗布された状態のマザー基板の説明図、図１２は第２のマザー基板が処理室内に搬入された状態の説明図、図１３は第１のマザー基板が静電吸着された状態の説明図、図１４は第１及び第２のマザー基板が静電吸着された状態の説明図、図１５は第１のマザー基板と第２のマザー基板とが貼り合わされた状態の説明図及び図１６は貼り合わされたマザー基板が支持ピンにより下支持部材から離脱した状態の説明図である。
【０１１６】
まず、図１０に示すように第１のマザー基板１０２を製造する（ＳＴ２０１）。例えばガラス基板等の上に樹脂材料をスピンコートにより塗布等して下地層を形成し、その上にスパッタリング法等によってアルミニウム等を薄膜状に成膜し、これをフォトリソグラフィ法を用いてパターニングすることにより一部に開口部を有するように反射層を形成する。
【０１１７】
また、形成された反射層及び開口部の上に各色の着色層をスピンコートにより塗布し、これをフォトリソグラフィ法を用いてパターニングし順次例えば青色の着色層、緑色の着色層及び赤色の着色層及び光遮蔽層を形成する。
【０１１８】
更に上述の着色層及び光遮蔽層の上にセグメント電極の材料であるＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）等をスパッタリング法により被着し、フォトリソグラフィ法によってパターニングして一方方向でストライプ状に、セグメント電極を形成する。また、その上にオーバーコート層を形成し、更にその上に配向膜を形成し、ラビング処理を施して第１のマザー基板１０２が形成される（ＳＴ２０１）。
【０１１９】
次に、第２のマザー基板１０３を製造する（ＳＴ２０２）。例えばガラス基板等の上に樹脂材料をスピンコートにより塗布等して下地層を形成し、その上にＩＴＯ等をスパッタリング法により被着し、フォトリソグラフィ法によってパターニングしてセグメント電極と直交するように一方方向でストライプ状に、コモン電極を形成する。また、その上にオーバーコート層を形成し、更にその上に配向膜を形成し、ラビング処理を施して第２のマザー基板１０３が形成される（ＳＴ２０２）。
【０１２０】
このように製造された第１のマザー基板１０２が収納部１０４に収納され、第２のマザー基板１０３が収納部１０５に収納されることとなる。
【０１２１】
そして、基板搬送体１１４が搬送路１１５を例えば図６中の右端に移動し収納部１０４に収納された第１のマザー基板１０２を傷つけないように移動アーム等により取り出し、シール材塗布装置１０７の前へ移動しその中のステージに第１のマザー基板１０２を載置する。
【０１２２】
この後、シール材塗布装置１０７のステージ駆動機構、シール材ディスペンサー、シール材供給部及びシール材ディスペンサー駆動機構等により、例えば図１１に示すように第１のマザー基板１０２の中の夫々のカラーフィルタ基板１１６の周縁部にシール材１０６を閉じた環状になるように塗布する。この際、個々のカラーフィルタ基板１１６の周縁部に形成された複数のシール材の全体を囲むように、第１のマザー基板の周縁部にやはり閉じた環状となるように外周シール材１２２を形成する。
【０１２３】
これにより、基板処理装置１１０でマザー基板を貼り合わせた後、内外の圧力差により更に貼り合わされたマザー基板を所定のセル厚にすることが可能となる。
【０１２４】
また、上述の外周シール材１２２の塗布と同時に例えば図１１に示すように外周シール材１２２の更に外側に仮止めＵＶ（Ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ）１２３として６箇所ぐらいＵＶ（Ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ）樹脂を塗布する。これにより、後述するように基板処理装置１１０でマザー基板を貼り合わせたときに、この仮止めＵＶに紫外線を照射し第１のマザー基板１０２と第２のマザー基板１０３とを仮止めすることができる。
【０１２５】
以上でシール材の塗布が終了する（ＳＴ２０３）。
【０１２６】
次に、基板搬送体１１４が搬送路１１５を例えば図６中の右端に移動し収納部１０５に収納された第２のマザー基板１０３を傷つけないように移動アーム等により取り出し、液晶滴下装置１０９の前へ移動しその中のステージに載置する。
【０１２７】
この後、ステージに載置された第２のマザー基板１０３の表面に（例えばコモン電極が形成されている面）ギャップ材である図示しないスペーサを散布する（ＳＴ２０４）。
【０１２８】
更に液晶滴下装置１０９のステージ駆動機構、液晶ディスペンサー、液晶供給部及び液晶ディスペンサー駆動機構等により、例えば第２のマザー基板１０３中の夫々の対向基板１１７に液晶１０８が適量滴下される（ＳＴ２０５）。
【０１２９】
次に、基板搬送体１１４が搬送路１１５を液晶滴下装置１０９の前に移動し、液晶滴下装置１０９のステージに載置された液晶が滴下された第２のマザー基板１０３を傷つけないように移動アーム等により取り出す。そして、基板搬送体１１４は基板処理装置１１０の前へ移動し基板処理装置１１０のＣＰＵ３０によりゲートが開けられた基板出し入れ口１２から基板処理装置内に搬入し（図１２のＡＡ´方向）（ＳＴ２０６）、処理室内で待っている支持ピン１５に例えば図１２で示すように第２のマザー基板１０３を液晶１０８が滴下された面を図面上、上向きになるように受け渡す。
【０１３０】
するとＣＰＵ３０は、例えば第２のマザー基板１０３が支持ピン１５に受け渡らされたとの情報を受取ると、昇降駆動装置１６により支持ピン１５を下降させ下支持部材１１９から所定の距離はなれた位置に第２のマザー基板１０３を保持させる。
【０１３１】
次に、基板搬送体１１４が搬送路１１５をシール材塗布装置１０７の前に移動しシール材塗布装置１０７のステージに載置されたシール材１０６が塗布された第１のマザー基板１０２を傷つけないように移動アーム等により取り出す。そして、基板搬送体１１４は基板処理装置１１０の前へ移動し、開いている基板出し入れ口１２から基板処理装置内に搬入し（図７のＡＡ´方向）（ＳＴ２０６）、処理室内で待っている基板保持部１３の基板保持用冶具１７に例えば図７で示すように、第１のマザー基板１０２をシール材１０６が塗布された面が図面上、下向きになるように受け渡す。このとき、冶具駆動装置１８はＣＰＵ３０の制御下基板保持用冶具１７を移動させ（例えば図７のＣＣ´方向）、第１のマザー基板１０２を上支持部材１１８から所定の距離はなして保持する（ＳＴ２０７）。
【０１３２】
更にＣＰＵ３０は、昇降駆動装置１６及び基板保持部１３からの情報により第２のマザー基板１０３及び第１のマザー基板１０２が所定の位置に保持されたか判断し、所定の位置に保持されたと判断したときは基板出し入れ口１２のゲートを閉めさせ処理室９を密閉する。また、ＣＰＵ３０は基板出し入れ口１２からの情報により基板出し入れ口１２のゲートが閉められたと判断したときは、真空計２７からＣＰＵ３０に送られた処理室内の圧力情報や、データ格納部３３から排出用バルブ２５の開度データ及び真空ポンプ２６の運転時間データ等を読み出し、それらの情報に基づき排出用バルブ２５に付属するバルブ開閉モータ等により排出用バルブ２５を所定の開度に開かせ、真空ポンプ２６を所定時間運転させ処理室内を１Ｐａ以下、例えば０．１Ｐａまで減圧する（ＳＴ２０８）。
【０１３３】
次に、ＣＰＵ３０は真空計２７からＣＰＵ３０に送られた圧力情報により処理室内が１Ｐａ以下（例えば０．１Ｐａ）であるか判断する。そして、１Ｐａ以下（例えば０．１Ｐａ）であると判断したときは、真空ポンプ２６の運転を停止すると同時に排出用バルブ２５の開度をゼロとする。そして、ＣＰＵ３０は例えば１０秒間、第１及び第２のマザー基板１０２，１０３を夫々上支持部材１１８及び下支持部材１１９から所定距離はなした状態で処理室内の圧力を１Ｐａ以下（例えば０．１Ｐａ）の減圧状態に維持させる。これにより、マザー基板が上支持部材１１８や下支持部材１１９で支持されたときは完全には露出しない接触面も、十分減圧雰囲気中に晒されることとなる。更にマザー基板等の表面上の水分も水分子となって減圧雰囲気中に飛び出し、マザー基板等の表面上の水分が除去されることとなる。尚、ＣＰＵ３０は処理室内が１Ｐａ以下でないと判断したときは、１Ｐａ以下の圧力情報があるまで減圧を繰り返させる。
【０１３４】
また、ＣＰＵ３０は１Ｐａ以下（例えば０．１Ｐａ）で例えば１０秒間たったと判断したときは、図１３に示すように上支持部材駆動装置１２０により上支持部材１１８を下降させ（図１３中のＤＤ´方向）、その上支持部材１１８の表面の静電チャック２１９を第１のマザー基板１０２に接触させる。なお、図１３に示すように基板保持用冶具１７はその上端が第１のマザー基板１０２の上側表面より少し低く形成されており、下降してきた静電チャック２１９等に当接しない。
【０１３５】
更に上支持部材１１８の下降と同時にＣＰＵ３０は、例えば支持ピン１５を図１４に示すように第２のマザー基板１０３を載せたまま昇降駆動装置１６により下降させ、第２のマザー基板１０３を下支持部材１１９の上面の静電チャック１９の表面に支持（載置）させる。
【０１３６】
次に、ＣＰＵ３０は第１及び第２のマザー基板１０２，１０３が夫々静電チャック２１９，１９の表面に支持されたと判断したときは、入力された基板処理内容及び処理対象から最適な吸着力及び吸着時間となるように、データ格納部３３からその条件に合う印加電圧の大きさ及び印加時間等の情報を読み出し、印加電圧の電位及び印加時間を決定する。
【０１３７】
そして、ＣＰＵ３０はその制御情報を電源部６，２０６に送付し電源部６，２０６に該当する印加電圧を配線Ｒ１、Ｒ２を介して正電極２２及び負電極２３に出力させる。これにより、例えば正電極２２に＋１０００Ｖの直流電圧が印加され、負電極２３に−１０００Ｖの直流電圧が印加されることとなり、静電チャック１９，２１９に接触するマザー基板表面に正電極２２に対しては逆電荷である−電荷が、また、負電極２３に対しては逆電荷である＋電荷が夫々生じ、そのクーロン力により第１及び第２のマザー基板１０２，１０３は正電極２２及び負電極２３が設けられた上支持部材１１８及び下支持部材１１９に例えば図１４に示すように夫々静電吸着されることとなる（ＳＴ２０９）。
【０１３８】
また、ＣＰＵ３０は例えば第１のマザー基板１０２が上支持部材１１８に静電吸着され、第２のマザー基板１０３が下支持部材１１９に静電吸着されたと判断したときは、図１５に示すように冶具駆動装置１８により全ての基板保持用冶具１７を上支持部材１１８の移動に邪魔にならない位置まで後退させる（図１５中のＣＣ´方向）。
【０１３９】
そして、ＣＰＵ３０は基板保持部１３からの情報により全ての基板保持用冶具１７が十分後退したと判断したときは、上支持部材駆動装置１２０により上支持部材１１８を第１のマザー基板１０２を静電吸着したまま下降させ（図１５中のＤＤ´方向）（ＳＴ２１０）、下で待っている第２のマザー基板１０３に第１のマザー基板１０２を貼り合わせさせる（ＳＴ２１１）。
【０１４０】
このとき、下支持部材１１９はＣＰＵ３０の制御下、例えば予めマークされていたアライメントマーク（図示しない）等を利用して、下支持部材駆動装置１２１により図１４に示すように水平面上でＸＹ軸及びθ回転方向に移動され、第１のマザー基板１０２の個々のカラーフィルタ基板１１６と第２のマザー基板１０３の個々の対向基板１１７が全て正確にアライメントできるように位置調整される。
【０１４１】
正確にアライメントできたとＣＰＵ３０が判断したとき、上支持部材駆動装置１２０により第２のマザー基板１０３に第１のマザー基板１０２が貼り合わせられ、加圧される。
【０１４２】
これにより、第１のマザー基板１０２の夫々のカラーフィルタ基板１１６に塗布されたシール材１０６が第２のマザー基板１０３の夫々の対向基板１１７に正確に接着され、夫々の対向基板１１７とカラーフィルタ基板１１６との間に密閉された空間が形成されることとなる。そして、その夫々の対向基板１１７中に滴下されていた液晶１０８は、夫々の対向基板１１７とカラーフィルタ基板１１６との間の密閉された空間の全ての部分に充満していることとなる。
【０１４３】
また、このときに第１のマザー基板１０２に形成されていた仮止めＵＶ１２３も第２のマザー基板１０３に接着するが、ＣＰＵ３０は第１のマザー基板１０２及び第２のマザー基板１０３が十分加圧されたと判断したときは、その仮止めＵＶ１２３に紫外線を図示しない光ファイバー等で照射し、仮止めＵＶ１２３を硬化させ第１のマザー基板１０２と第２のマザー基板１０３とを仮止めさせる。
【０１４４】
次に、ＣＰＵ３０は上述の仮止めが終了した後、電源部６，２０６に正電極２２及び負電極２３への直流電圧の印加を終了させ、静電チャック１９，２１９によるマザー基板の上支持部材１１８及び下支持部材１１９への吸着を終了させる。その後、処理室内の圧力を１Ｐａ以下（例えば０．１Ｐａ）の減圧状態で例えば２０秒間維持させ、静電チャックやマザー基板の表面電位を降下させると共に更にマザー基板等から水分を除去する。
【０１４５】
そして、図１６に示すようにＣＰＵ３０は例えば上支持部材駆動装置１２０により上支持部材１１８を上昇させ（図１６中のＤＤ´方向）、もとの位置に戻させると共に、昇降駆動装置１６により支持ピン１５を所定位置まで上昇させる（図１６中のＢＢ´方向）。これにより、貼り合わされた第１のマザー基板１０２及び第２のマザー基板１０３は夫々上支持部材１１８及び下支持部材１１９から離脱することとなる（ＳＴ２１２）。
【０１４６】
このとき、マザー基板と上支持部材１１８及び下支持部材１１９との接触面に付着していた水分が１Ｐａ以下の減圧雰囲気下で、容易に水分表面から水分子となって気相部分に飛び出し気化され除去されているので、マザー基板と上支持部材１１８及び下支持部材１１９との接触面の比誘電率が小さく、マザー基板の残留吸着力が大きくなることもなく離脱性も良好である。
【０１４７】
次に、例えば図１６に示すようにＣＰＵ３０は第１のマザー基板１０２と第２のマザー基板１０３とが貼り合わされたマザー基板が上支持部材１１８及び下支持部材１１９から離れ、支持ピン１５の上昇により移動アームに受け渡す高さに上昇したと判断したときは、データ格納部３３に記録された供給用バルブ２９の開度情報等を読み出し、その開度情報等に基づき供給用バルブ２９に付属するバルブ開閉モータ等により供給用バルブ２９の開度を所定の開度とする。これによりＣＰＵ３０は、供給管２８から例えば窒素ガスを処理室内に供給させて処理室内をパージさせる（ＳＴ２１３）。
【０１４８】
更にＣＰＵ３０は、真空計２７からＣＰＵ３０に送られた処理室内の圧力情報が処理室外の圧力例えば大気圧以上となったか判断し、処理室外の圧力以上となったと判断したきは、供給用バルブ２９に付属するバルブ開閉モータ等により供給用バルブ２９の開度をゼロとして処理室内のパージを終了させ、基板出し入れ口１２のゲートを開放させる。尚処理室外の圧力以上になっていないと判断したときは、ＳＴ２１３に戻り更に処理室内のパージを続けることとなる。
【０１４９】
また、ＣＰＵ３０は基板出し入れ口１２のゲートを開放させたときは、例えば貼り合わされたマザー基板を支持ピン１５から移動アーム等により処理室９外に搬出させる（ＳＴ２１４）。そして、基板出し入れ口１２の付近に配置されていたイオナイザー７により貼り合わされたマザー基板の周囲にイオンを発生させて、貼り合わされたマザー基板の表面にわずかに残っていた帯電を除去させる。
【０１５０】
次に、基板搬送体１１４が搬送路１１５をシール材硬化装置１１１の前に移動し、その中のステージに貼り合わされたマザー基板を載置する。
【０１５１】
この後、液晶１０８や駆動素子等をカバーするマスクで貼り合わされたマザー基板を覆い、シール材硬化装置１１１の紫外線ランプを照射すると共に、加熱装置により加熱して貼り合わされたマザー基板のシール材１０６を硬化させる（ＳＴ２１５）。勿論、紫外線硬化及び熱硬化の併用タイプでないときは紫外線照射或は加熱だけとなる。
【０１５２】
なお、第１のマザー基板には図１１に示すように外周シール材１２２が設けられているので、ＳＴ２１３で処理室内がパージされるとその外周シール材１２２の内側とその外側とで圧力差が生じ、貼り合わされた第１のマザー基板１０２と第２のマザー基板１０３とが更に強く加圧され所定のセルギャップとなり、そのまま加圧された状態でシール材１０６が硬化されるので、所定のセルギャップで複数のパネル基板を有するマザーパネル基板１１２が完成することとなる。
【０１５３】
次に、基板搬送体１１４の移動アーム等により完成したマザーパネル基板１１２をシール材硬化装置１１１から搬出し、搬送路１１５をマザーパネル基板収納部１１３の前まで移動しマザーパネル基板１１２をマザーパネル基板収納部１１３に収納する。
【０１５４】
この後、マザーパネル基板１１２をスクライブブレイク及びセル洗浄して（ＳＴ２１６）、更に電子部品や照明装置、ケース等を取り付けて（ＳＴ２１７）、液晶装置が完成する（ＳＴ２１８）。
【０１５５】
このように本実施形態によれば、例えば液晶装置の製造装置１０１は少なくとも第１のマザー基板１０２または第２のマザー基板１０３と電極を有する静電チャック１９，２１９との間の水分を除去することとしたので、単純な方式で残留電荷をほとんど消滅させることができ、静電気障害等の根本的解決を図ることができる。例えば両方に静電チャックの電極が設けられた場合に、真空チャンバー内の水分を除去することとすれば、第１及び第２の支持部材である上支持部材１１８及び下支持部材１１９と第１及び第２のマザー基板１０２，１０３との接触面に水分が付着しておらず、水分が付着して比誘電率が高くなり残留吸着力が大きくなって、上支持部材１１８及び下支持部材１１９からの第１及び第２のマザー基板１０２，１０３の夫々の離脱性が急激に悪化するということを防止できる。
【０１５６】
更にはこれらの問題を改善するために交流電圧等の印加のような複雑な構成をとらずに、単純な方式で残留電荷をほとんど消滅させることができ、静電気障害等の問題の根本的解決を図ることができる。
【０１５７】
また、第１のマザー基板１０２の例えば複数のカラーフィルタ基板上にシール材１０６を閉じた環状に塗布するシール材塗布装置１０７と、その第１のマザー基板又は第２のマザー基板上に液晶を滴下する液晶滴下装置１０９とを備えたので、液晶装置を製造する際に液晶注入口を設け注入する必要がなく、きわめて簡単に両マザー基板の間の所定の場所に液晶を狭持できることとなる。更に高価な液晶１０８を浪費することもなく且つ注入に長時間を費やすこともない。また、液晶滴下法で液晶装置を製造するには、減圧下で両基板例えばマザー基板を貼り合わせなければならず、どうしても減圧下で載置台などの支持部材に両基板を固定する必要がある。かかる場合の固定方法として、静電チャックによることが望ましいが、その場合に従来生じる問題を水分を除去する手段を備えることにより根本的に解決した本発明の意義は大きい。
【０１５８】
更に基板処理装置１１０の静電チャックが、上支持部材１１８及び下支持部材１１９の両方に設けられているので、例えば上支持部材１１８及び下支持部材１１９にマザー基板等を固定するためには上下いずれも機械的チャック装置等が不要となり、装置のコストを低減することができると共に装置を小型化できる。また、上下とも静電チャックでマザー基板等を固定できるので、上支持部材１１８及び下支持部材１１９に平坦に固定でき液晶装置としての精度を上げることがより可能となる。
【０１５９】
また、水分を除去する手段として、例えば真空ポンプ等により静電チャックの電極と第１及び第２のマザー基板１０２，１０３とを含む密閉可能な空間を減圧し、簡単且つ確実に静電チャックの電極とそのマザー基板との間を含め水分を除去でき、そのマザー基板の上支持部材及び下支持部材１１８，１１９からの離脱時の残留電荷をほとんど消滅させることができるので、静電気障害等の根本的解決を図ることができる。
【０１６０】
更に減圧を、少なくとも第１及び第２のマザー基板１０２，１０３のいずれか一方が上支持部材または下支持部材から離脱するときに、密閉可能な空間が減圧されているように制御する手段を有するので、少なくとも第１及び第２のマザー基板１０２，１０３のいずれか一方が上支持部材または下支持部材から離脱するときに水分がマザー基板等に付着しておらず、水分が付着して比誘電率が高くなり残留吸着力が大きくなって、上支持部材または下支持部材からのマザー基板等の離脱性が急激に悪化するということを防止できる。
【０１６１】
また、第１及び第２のマザー基板の少なくともいずれか一方が静電チャックの電極に対し所定の間隔を保持できるように第１のマザー基板１０２又は第２のマザー基板１０３を保持する基板保持部等を更に有し、少なくとも基板保持部等に前記第１のマザー基板１０２又は第２のマザー基板１０３が保持されてから上支持部材１１８又は下支持部材１１９から第１のマザー基板１０２又は第２のマザー基板１０３が離脱するまで、密閉可能な空間が減圧されているように制御する手段を有することとしたので、上支持部材或は下支持部材と第１及び第２のマザー基板の少なくともいずれか一方との接触面の水分を接触前に予備的に除去でき、減圧による上支持部材及び下支持部材とマザー基板等との間の水分除去がより迅速化され且つ完全となる。
【０１６２】
更に密閉可能な空間を１Ｐａ以下に減圧することとしたので、ほとんどのマザー基板の少なくとも離脱時の水分を除去でき、単純な方式で残留電荷をほとんど消滅させることができるので、静電気障害等の問題の根本的解決を図ることができる。
【０１６３】
以上、好ましい実施形態を挙げ本発明を説明したが、本発明は上述した実施形態に限定されず、本発明の技術思想の範囲内で適宜変更して実施できる。
【０１６４】
例えば、上述の実施形態では被処理基板として電気光学装置に用いられる基板を例に挙げ説明したが、これに限られるものでなく全般のＦＰＤ基板（フラット・パネル・ディスプレー基板）、半導体ウェハ等の基板にも適用可能である。これにより、半導体ウェハ等の基板処理でも静電気障害等の根本的な解決を図ることができ、半導体ウェハ等の基板の製造を迅速且つ適確にできる。
【０１６５】
また、上述の実施形態では基板保持部１３によって載置台１４から離した状態で減圧したが、これに限られるものでなく例えば十分水分が除去できるのであれば載置台１４に載置した状態から減圧しても良い。これにより、載置台１４からの離脱性を向上させ、且つ静電気放電を簡単に防止しながらより基板処理の迅速化が図れる。
【０１６６】
更に上述の実施形態では、少なくとも基板２と載置台１４との間の水分を除去する方法として１Ｐａ以下に処理室内を減圧することとしたが、これに限られるものでなく例えばドライエアーの様にきわめて乾燥したガスを処理室内に供給しても良い。これによって、より多様な基板処理に対応できることとなる。
【０１６７】
また、上述の実施形態では処理室内を１Ｐａ以下に減圧することとしたが、これに限られるものでなく例えば少なくとも５Ｐａ以下の減圧でもよい。これによっても、ある程度処理室内の水分を除去でき静電チャック使用時の静電気障害等を解消できる。ただし、真空度が高いほうが静電チャックでの電圧印加終了後の帯電の抜け等が良いので、好ましくは１Ｐａ以下であることは言うまでもない。
【０１６８】
更に上述の実施形態では、１Ｐａ以下の減圧の例として０．１Ｐａで説明したがこれに限られるものではなくこれより真空度が高くても勿論良い。また、基板２を載置台１４に載置する前の水分除去時間としての１Ｐａ以下での１０秒及び静電チャック１９への電圧の印加終了後の表面電位降下等の為の待ち時間等としての２０秒はいずれも、正電極２２及び負電極２３等の材料や形状等によって異なるものであり単なる例示として説明したものであって、これらに限られるものでは勿論ない。更に、プラズマＣＶＤ処理時間の６０秒やその圧力としての１０Ｐａのいずれも処理内容により異なるものであり、単なる例示として説明したものであって、これらに限られるものでは勿論ない。
【０１６９】
また、上述の実施形態ではマザー基板同士を貼り合わせたがこれに限られるものではなく、例えば第１のマザー基板１０２を構成する個々のカラーフィルタ基板１１６を一つずつシール材を塗布し、第２のマザー基板１０３に夫々貼り合わせてもよい。
【０１７０】
更に上述の実施形態では第１のマザー基板１０２を上支持部材１１８に支持させ、第２のマザー基板１０３を下支持部材１１９に支持させることとしたがこれに限られるものではなく、例えば第２のマザー基板１０３を上支持部材１１８に支持させ、第１のマザー基板１０２を下支持部材１１９に支持させてもよい。これにより、多種多様な貼り合わせが可能となりよりコストを軽減し液晶装置の精度を向上できる。
【図面の簡単な説明】
【０１７１】
【図１】図１は本発明の第１の実施形態に係る基板処理装置の概略説明図である。
【図２】図２は本発明の第１の実施形態に係る載置台に設けられた櫛歯型電極を上方から見た説明図である。
【図３】図３は本発明の第１の実施形態に係る基板を載置台へ降ろすところの説明図である。
【図４】図４は本発明の第１の実施形態に係る基板処理装置のフローチャート図である。
【図５】図５は本発明の第１の実施形態に係る基板処理装置の減圧状態の説明用グラフである。
【図６】第２の実施形態に係る液晶装置の製造装置の模式化された概略説明図である。
【図７】基板処理装置の概略説明図である。
【図８】上支持部材に設けられた櫛歯型電極の説明図である。
【図９】下支持部材に設けられた櫛歯型電極の説明図である。
【図１０】液晶装置の製造方法のフローチャート図である。
【図１１】シール材が塗布された状態のマザー基板の説明図である。
【図１２】第２のマザー基板が処理室内に搬入された状態の説明図である。
【図１３】第１のマザー基板が静電吸着された状態の説明図である。
【図１４】第１及び第２のマザー基板が静電吸着された状態の説明図である。
【図１５】マザー基板が貼り合わされた状態の説明図である。
【図１６】貼り合わされたマザー基板が下支持部材から離脱した状態の説明図である。
【符号の説明】
【０１７２】
１  基板処理装置、２  基板、３  基板処理装置本体、４  ガス排出部、５  ガス供給部、６，２０６  電源部、７  イオナイザー、８  制御部、９  処理室、１０  筺体、１１  処理ガス供給部、１２  基板出し入れ口、１３  基板保持部、１４  載置台、１５  支持ピン、１６  昇降駆動装置、１７  基板保持用冶具、１８  冶具駆動装置、１９，２１９  静電チャック、２０  貫通口、２１  誘電体、２２  正電極、２３  負電極、２４  排出管、２５  排出用バルブ、２６  真空ポンプ、２７  真空計、２８  供給管、２９  供給用バルブ、３０  ＣＰＵ、３１  ＲＡＭ、３２  ＲＯＭ、３３  データ格納部、１０１  液晶装置の製造装置、１０２  第１のマザー基板、１０３  第２のマザー基板、１０４，１０５  収納部、１０６  シール材、１０７  シール材塗布装置、１０８  液晶、１０９  液晶滴下装置、１１０  基板処理装置、１１１  シール材硬化装置、１１２  マザーパネル基板、１１３  マザーパネル基板収納部、１１４  基板搬送体、１１５  搬送路、１１６  カラーフィルタ基板、１１７  対向基板、１１８  上支持部材、１１９  下支持部材、１２０  上支持部材駆動装置、１２１  下支持部材駆動装置、１２２  外周シール材、１２３  仮止めＵＶ
【図１】
2004260142.tif 000003
【図２】
2004260142.tif 000004
【図３】
2004260142.tif 000005
【図４】
2004260142.tif 000006
【図５】
2004260142.tif 000007
【図６】
2004260142.tif 000008
【図７】
2004260142.tif 000009
【図８】
2004260142.tif 000010
【図９】
2004260142.tif 000011
【図１０】
2004260142.tif 000012
【図１１】
2004260142.tif 000013
【図１２】
2004260142.tif 000014
【図１３】
2004260142.tif 000015
【図１４】
2004260142.tif 000016
【図１５】
2004260142.tif 000017
【図１６】
2004260142.tif 000018