(57)【要約】【課題】電気的特性検査において、ボール電極に傷、へこみが生じることを防止する。【解決手段】複数の素子電極を有する半導体素子と、複数の素子電極の少なくとも一つに電気的に接続されたボール電極２とを備え、ボール電極２に、電気的特性を検査するためのピン１を設けた。ピン１に検査治具を接触させることにより、半導体装置の特性検査、不良検査等を行うことができる。そのため、ボール電極２にコンタクトピン等の検査治具を接触させ加圧することにより発生する、ボール電極２の傷、へこみを解決できる。また、検査治具側にボール電極２から剥離した半田屑が付着し正しい検査が出来なくなるという不具合を解決できる。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の素子電極を有する半導体素子と、前記複数の素子電極の少なくとも一つに電気的に接続されたボール電極とを備え、前記ボール電極に、電気的特性を検査するためのピンを設けたことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
ピンは、電気的特性検査後に抜くことが可能である請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
ピンは、電気的特性検査後にボール電極表面から折ることが可能である請求項１記載の半導体装置。
【請求項４】
実装基板に実装する実装面に、ピンを設けたボール電極を含む複数のボール電極が二次元的に配列されている請求項１，２または３記載の半導体装置。
【請求項５】
ボール電極と少なくとも一つの素子電極とは、配線基板を介して電気的に接続され、前記配線基板の表面に前記半導体素子が接合され、前記配線基板の裏面に前記ボール電極が設けられている請求項１，２，３または４記載の半導体装置。
【請求項６】
配線基板の表面に複数の配線電極が形成され、複数の素子電極は前記半導体素子が前記配線基板に接合する面に設けられ、前記複数の素子電極と前記複数の配線電極とはそれぞれ突起電極により互いに電気的に接続されている請求項５記載の半導体装置。
【請求項７】
配線基板の表面に複数の配線電極が形成され、複数の素子電極は前記半導体素子が前記配線基板に接合する面とは異なる面に設けられ、前記複数の素子電極と前記複数の配線電極とはそれぞれ金属細線により互いに電気的に接続されている請求項５記載の半導体装置。
【請求項８】
配線基板は有機材料からなり、前記配線基板の裏面の前記ボール電極が設けられる位置に裏面電極が形成され、この裏面電極はフラックス処理が施され、または、裏面電極上にニッケルめっきと金めっきとが順に形成されている請求項５，６または７記載の半導体装置。
【請求項９】
配線基板はセラミック材料からなり、前記配線基板の裏面の前記ボール電極が設けられる位置に裏面電極が形成され、この裏面電極上にニッケルめっきと金めっきとが順に形成されている請求項５，６または７記載の半導体装置。
【請求項１０】
ボール電極と少なくとも一つの素子電極とは、銅系または鉄系リードフレームを介して電気的に接続され、半導体素子は前記リードフレームの一部に接合され、前記リードフレームのうち前記ボール電極が設けられる部位に裏面電極が形成され、この裏面電極上にニッケルめっきとパラジウムめっきと金めっきとが順に形成され、その上に前記ボール電極が載置されている請求項１，２，３または４記載の半導体装置。
【請求項１１】
ボール電極と少なくとも一つの素子電極とは、銅系または鉄系リードフレームを介して電気的に接続され、半導体素子は前記リードフレームの一部に接合され、前記リードフレームのうち前記ボール電極が設けられる部位に裏面電極が形成され、この裏面電極上に錫およびビスマスからなる合金めっきが形成され、その上に前記ボール電極が載置されている請求項１，２，３または４記載の半導体装置。
【請求項１２】
半導体素子に設けた複数の素子電極の少なくとも一つに電気的に接続されたボール電極に導通して電気的特性を検査する際、電気的特性検査治具を前記ボール電極に設けたピンに接触させて検査した後、前記ピンを除去することを特徴とする半導体装置の検査方法。
【請求項１３】
半導体素子に設けた複数の素子電極の少なくとも一つに電気的に接続されたボール電極に導通して電気的特性を検査する際、電気的特性検査治具を前記ボール電極に接触させて検査した後、前記ボール電極を溶融することを特徴とする半導体装置の検査方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、特に、複数のボール電極が二次元的に配列されたＢＧＡ（ボール・グリッド・アレイ）型の半導体装置および半導体装置の検査方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来のＢＧＡパッケージにおける電気的特性検査方法を図８に示す。この半導体装置の検査方法としては、検査装置のコンタクトピン１０を半導体装置１２のボール電極１１に直接接触させて、電気的接続を行うことで検査を行うものであった（特許文献１参照）。
【０００３】
【特許文献１】
特開平７−３５７７１号公報
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら従来方法では、電気的特性検査の際にボール電極１１にコンタクトピン１０を接触させ加圧することにより、図９に示すようにボール電極１１に傷、へこみ９が発生するという問題があった。また、コンタクトピン１０側にボール電極１１から剥離した半田屑が付着し正しい検査が出来なくなるという不具合が生じることがあった。
【０００５】
したがって、この発明の目的は、上記課題を解決するもので、電気的特性検査において、ボール電極に傷、へこみが生じることを防止する半導体装置および半導体装置の検査方法を提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するためにこの発明の請求項１記載の半導体装置は、複数の素子電極を有する半導体素子と、前記複数の素子電極の少なくとも一つに電気的に接続されたボール電極とを備え、前記ボール電極に、電気的特性を検査するためのピンを設けた。
【０００７】
このように、ボール電極に、電気的特性を検査するためのピンを設けたので、このピンに検査治具を接触させることにより、半導体装置の特性検査、不良検査等を行うことができる。そのため、ボール電極にコンタクトピン等の検査治具を接触させ加圧することにより発生する、ボール電極の傷、へこみを解決できる。また、検査治具側にボール電極から剥離した半田屑が付着し正しい検査が出来なくなるという不具合を解決できる。
【０００８】
請求項２記載の半導体装置は、請求項１記載の半導体装置において、ピンは、電気的特性検査後に抜くことが可能である。このように、ピンは、電気的特性検査後に抜くことが可能であるので、半導体装置を実装基板に実装する際にはピンを抜くことでボール電極を実装基板に接続できる。
【０００９】
請求項３記載の半導体装置は、請求項１記載の半導体装置において、ピンは、電気的特性検査後にボール電極表面から折ることが可能である。このように、ピンは、電気的特性検査後にボール電極表面から折ることが可能であるので、半導体装置を実装基板に実装する際にはピンを折ることでボール電極を実装基板に接続できる。
【００１０】
請求項４記載の半導体装置は、請求項１，２または３記載の半導体装置において、実装基板に実装する実装面に、ピンを設けたボール電極を含む複数のボール電極が二次元的に配列されている。このように、実装基板に実装する実装面に、ピンを設けたボール電極を含む複数のボール電極が二次元的に配列されているので、複数のボール電極が二次元的に配列されたＢＧＡパッケージにおける電気的特性検査に際し同様の作用効果が得られる。なお、ボール電極には、検査不要のボール電極や例えば補強ランドのように電気が通らずに補強の目的のためだけのボールも含まれる。
【００１１】
請求項５記載の半導体装置は、請求項１，２，３または４記載の半導体装置において、ボール電極と少なくとも一つの素子電極とは、配線基板を介して電気的に接続され、前記配線基板の表面に前記半導体素子が接合され、前記配線基板の裏面に前記ボール電極が設けられている。このように、ボール電極と少なくとも一つの素子電極とは、配線基板を介して電気的に接続され、配線基板の表面に半導体素子が接合され、配線基板の裏面にボール電極が設けられているので、配線基板上に半導体素子を搭載し、半導体素子と反対側にボール電極を有するＢＧＡパッケージにおける電気的特性検査に際し同様の作用効果が得られる。
【００１２】
請求項６記載の半導体装置は、請求項５記載の半導体装置において、配線基板の表面に複数の配線電極が形成され、複数の素子電極は前記半導体素子が前記配線基板に接合する面に設けられ、前記複数の素子電極と前記複数の配線電極とはそれぞれ突起電極により互いに電気的に接続されている。このように、配線基板の表面に複数の配線電極が形成され、複数の素子電極は半導体素子が配線基板に接合する面に設けられ、複数の素子電極と複数の配線電極とはそれぞれ突起電極により互いに電気的に接続されているので、半導体素子と配線基板が突起電極により例えばバンプ接続される形態において好適に実施できる。
【００１３】
請求項７記載の半導体装置は、請求項５記載の半導体装置において、配線基板の表面に複数の配線電極が形成され、複数の素子電極は前記半導体素子が前記配線基板に接合する面とは異なる面に設けられ、前記複数の素子電極と前記複数の配線電極とはそれぞれ金属細線により互いに電気的に接続されている。このように、配線基板の表面に複数の配線電極が形成され、複数の素子電極は半導体素子が配線基板に接合する面とは異なる面に設けられ、複数の素子電極と複数の配線電極とはそれぞれ金属細線により互いに電気的に接続されているので、半導体素子と配線基板が金属細線により例えばワイヤボンディングされる形態において好適に実施できる。
【００１４】
請求項８記載の半導体装置は、請求項５，６または７記載の半導体装置において、配線基板は有機材料からなり、前記配線基板の裏面の前記ボール電極が設けられる位置に裏面電極が形成され、この裏面電極はフラックス処理が施され、または、裏面電極上にニッケルめっきと金めっきとが順に形成された構成である。このように、配線基板は有機材料からなり、配線基板の裏面のボール電極が設けられる位置に裏面電極が形成され、この裏面電極はフラックス処理が施され、または、裏面電極上にニッケルめっきと金めっきとが順に形成されているので、配線基板が有機材料からなる場合に、ボール電極を裏面電極に確実に接続できる。
【００１５】
請求項９記載の半導体装置は、請求項５，６または７記載の半導体装置において、配線基板はセラミック材料からなり、前記配線基板の裏面の前記ボール電極が設けられる位置に裏面電極が形成され、この裏面電極上にニッケルめっきと金めっきとが順に形成されている。このように、配線基板はセラミック材料からなり、配線基板の裏面のボール電極が設けられる位置に裏面電極が形成され、この裏面電極はニッケルめっきと金めっきとが順に形成されているので、配線基板がセラミック材料からなる場合に、ボール電極を裏面電極に確実に接続できる。
【００１６】
請求項１０記載の半導体装置は、請求項１，２，３または４記載の半導体装置において、ボール電極と少なくとも一つの素子電極とは、銅系または鉄系リードフレームを介して電気的に接続され、半導体素子は前記リードフレームの一部に接合され、前記リードフレームのうち前記ボール電極が設けられる部位に裏面電極が形成され、この裏面電極上にニッケルめっきとパラジウムめっきと金めっきとが順に形成され、その上に前記ボール電極が載置されている。このように、ボール電極と少なくとも一つの素子電極とは、銅系または鉄系リードフレームを介して電気的に接続され、半導体素子はリードフレームの一部に接合され、リードフレームのうちボール電極が設けられる部位に裏面電極が形成され、この裏面電極上にニッケルめっきとパラジウムめっきと金めっきとが順に形成され、その上にボール電極が載置されているので、銅系または鉄系のリードフレームに半導体素子が搭載される構成において、リードフレームの裏面電極にボール電極を確実に接続できる。
【００１７】
また、ニッケルとパラジウムと金めっきは、ほとんどが銅系リードフレームに使われており、緻密なめっき表面を形成できる。また、半導体組立工程に投入する前にめっきを付けられるので、工程内にめっき工程が要らず、リードタイムが短縮できる。
【００１８】
請求項１１記載の半導体装置は、請求項１，２，３または４記載の半導体装置において、ボール電極と少なくとも一つの素子電極とは、銅系または鉄系リードフレームを介して電気的に接続され、半導体素子は前記リードフレームの一部に接合され、前記リードフレームのうち前記ボール電極が設けられる部位に裏面電極が形成され、この裏面電極上に錫およびビスマスからなる合金めっきが形成され、その上に前記ボール電極が載置されている。このように、ボール電極と少なくとも一つの素子電極とは、銅系または鉄系リードフレームを介して電気的に接続され、半導体素子はリードフレームの一部に接合され、リードフレームのうちボール電極が設けられる部位に裏面電極が形成され、この裏面電極上に錫およびビスマスからなる合金めっきが形成され、その上にボール電極が載置されているので、銅系または鉄系のリードフレームに半導体素子が搭載される構成において、リードフレームの裏面電極にボール電極を確実に接続できる。
【００１９】
また、錫とビスマスめっきは、銅系にも鉄系にも使われるが、先にめっきをかけることが不可能なため、半導体組立工程内にめっき工程を設けねばならず製造リードタイムが長くなる。反面リードフレームが請求項１０に比較して安価になる。
【００２０】
請求項１２記載の半導体装置の検査方法は、半導体素子に設けた複数の素子電極の少なくとも一つに電気的に接続されたボール電極に導通して電気的特性を検査する際、電気的特性検査治具を前記ボール電極に設けたピンに接触させて検査した後、前記ピンを除去する。
【００２１】
このように、半導体素子に設けた複数の素子電極の少なくとも一つに電気的に接続されたボール電極に導通して電気的特性を検査する際、電気的特性検査治具をボール電極に設けたピンに接触させて検査した後、ピンを除去するので、ボール電極に接触させないで、半導体装置の特性検査、不良検査等を行うことができる。そのため、請求項１と同様にボール電極の傷、へこみを解決でき、また電気特性検査治具に半田屑が付着せず検査の精度が向上する。また、検査後のピンは除去されることにより、ボール電極を実装基板に接続する際に支障をきたすことはない。
【００２２】
請求項１３記載の半導体装置の検査方法は、半導体素子に設けた複数の素子電極の少なくとも一つに電気的に接続されたボール電極に導通して電気的特性を検査する際、電気的特性検査治具を前記ボール電極に接触させて検査した後、前記ボール電極を溶融する。
【００２３】
このように、半導体素子に設けた複数の素子電極の少なくとも一つに電気的に接続されたボール電極に導通して電気的特性を検査する際、電気的特性検査治具をボール電極に接触させて検査した後、ボール電極を溶融するので、検査傷をなくすことができる。そのため、請求項１と同様にボール電極の傷、へこみを解決できる。
【００２４】
【発明の実施の形態】
この発明の第１の実施の形態を図１〜図５に基づいて説明する。図１はこの発明の第１の実施の形態の半導体装置の側面図、図２はその要部拡大図である。
【００２５】
図１および図２に示すように、この半導体装置は、複数の素子電極を有する半導体素子（図示せず）と、複数の素子電極の少なくとも一つに電気的に接続されたボール電極２とを備え、ボール電極２に、電気的特性を検査するためのピン１を設けている。
【００２６】
ボール電極２と少なくとも一つの素子電極とは、配線基板（インターポーザ）３を介して電気的に接続され、配線基板３の表面に半導体素子が接合され、配線基板３の裏面にボール電極２が設けられている。半導体装置を実装基板に実装する実装面に、ピン１を設けたボール電極２を含む複数のボール電極が二次元的（マトリクス状）に配列されている。
【００２７】
この場合、インターポーザ３上にチップ（図示せず）を搭載し、金属細線や金属突起（たとえばバンプ接続）などにより電気的接続を行った後モールド樹脂４で被覆し、モールド樹脂４の対面側には、前記チップと電気的に導通されているボール電極２を有するＢＧＡ（ボールグリッドアレイ）パッケージ５があり、ボール電極２には電気的特性検査を行うためのピン１が埋め込まれている。一般的にボール電極２はインターポーザ３上の導体配線（またはランド）６に接続しており、導体配線６は前記チップと電気的に接続されており、インターポーザ３を湿的環境などから保護するためにレジスト７に一部が被覆されている。
【００２８】
また、チップの接続に際して、インターポーザ３の表面に複数の配線電極が形成され、複数の素子電極はチップがインターポーザ３に接合する面に設けられ、複数の素子電極と複数の配線電極とはそれぞれ突起電極により互いに電気的に接続されている。あるいは、複数の素子電極はチップがインターポーザ３に接合する面とは異なる面に設けられ、複数の素子電極と複数の配線電極とはそれぞれ金属細線により互いに電気的に接続されている。
【００２９】
インターポーザ３は有機材料からなり、インターポーザ３の裏面のボール電極２が設けられる位置に裏面電極が形成され、この裏面電極はフラックス処理が施され、または、裏面電極上にニッケルめっきと金めっきとが順に形成されている。なお、インターポーザ３はセラミック材料からなり、裏面電極上にニッケルめっきと金めっきとが順に形成される構成にしてもよい。
【００３０】
次にこの実施の形態の電気的特性検査方法について説明する。図３はこの発明の第１の実施の形態の半導体装置の検査方法の説明図、図４はその検査方法においてピンを除去する説明図である。
【００３１】
図３に示すように、電気的特性検査治具８をボール電極２に設けたピン１に接触させることにより、ＢＧＡパッケージ５の特性検査、不良検査などを行う。ピン１は、ボール電極２を取り付ける際に同時に取り付けられるものであっても構わない。また、ボール電極２が搭載された後の工程で、ボール電極２内に埋め込むものであっても構わない。その場合は、ボール電極２を熱的に溶融しながらピン１を埋め込むのが望ましい。また、電気的特性検査治具８は、ピン１を保持可能な保持部８ａを有する。保持部８ａは先端側が分岐した形状であり、その内部にピン１を挿入することで圧接する。
【００３２】
次に電気的特性検査後のピン１の除去方法を示す。この場合、ピン１は、電気的特性検査後にボール電極２表面から折ることが可能である。そのため、図４に示すように、電気的特性検査治具８によりピン１を折って物理的に除去する。この際、ピン１の一部がボール電極２内に残ることが考えられるため、ピン１とボール電極２は金属組成を合わせることが望ましい。もしくはピン１はボール電極２が溶融した際に影響が少ない組成にすることが望ましい。
【００３３】
図５はこの実施の形態の検査方法においてピンを除去する他の例を示す説明図である。この場合、ピン１は、電気的特性検査後に抜くことが可能である。そのため、図５に示すように、電気的特性検査治具８により、ピン１をボール電極２から抜いて完全に除去する。ピン１除去後はボール電極２の中心部に穴が存在するが信頼性には何ら問題無い。
【００３４】
以上のようにこの実施の形態によれば、ボール電極２に接触させないで、半導体装置の特性検査、不良検査等を行うことができる。そのため、ボール電極２の傷、へこみを解決でき、また電気特性検査治具８に半田屑が付着せず検査の精度が向上する。
【００３５】
この発明の第２の実施の形態を図６および図７に基づいて説明する。図６はこの発明の第２の実施の形態の半導体装置の側面図、図７はこの発明の第２の実施の形態の半導体装置の検査方法の説明図である。
【００３６】
この半導体装置は、第１の実施の形態と同様のＢＧＡパッケージ５であるが、電気的特性を検査するためのピンはない。
【００３７】
この実施の形態の電気的特性検査方法については、半導体素子に設けた複数の素子電極の少なくとも一つに電気的に接続されたボール電極２に導通して電気的特性を検査する際、電気的特性検査治具をボール電極２に接触させて検査した後、ボール電極２を溶融する。電気的特性検査治具は、従来例と同様にコンタクトピンを用いる。
【００３８】
この場合、ＢＧＡパッケージ５が有するボール電極２の表面に、電気的特性検査のコンタクトピンにより傷９が発生する。この傷９を除去するため、ボール電極２が溶融する液相点を超える熱を与えることにより、ボール電極２が再溶融し、傷９が除去されるものである。また、ボール電極２の脱落防止のため、加熱前にボール電極２に適したフラックス材料を塗布するとより効果的である。
【００３９】
以上のようにこの実施の形態によれば、検査傷をなくすことができ、第１の実施の形態と同様の作用効果が得られる。ただし、第２の実施の形態ではコンタクトピンに半田屑が付着する可能性もある。
【００４０】
なお、第１および第２の実施の形態において、ボール電極と少なくとも一つの素子電極とは、銅系または鉄系リードフレームを介して電気的に接続され、半導体素子はリードフレームの一部に接合され、リードフレームのうちボール電極が設けられる部位に裏面電極が形成され、この裏面電極上にニッケルめっきとパラジウムめっきと金めっきとが順に形成され、その上にボール電極が載置されている構成にしてもよい。あるいは、裏面電極上に錫およびビスマスからなる合金めっきが形成される構成にしてもよい。
【００４１】
【発明の効果】
この発明の請求項１記載の半導体装置によれば、ボール電極に、電気的特性を検査するためのピンを設けたので、このピンに検査治具を接触させることにより、半導体装置の特性検査、不良検査等を行うことができる。そのため、ボール電極にコンタクトピン等の検査治具を接触させ加圧することにより発生する、ボール電極の傷、へこみを解決できる。また、検査治具側にボール電極から剥離した半田屑が付着し正しい検査が出来なくなるという不具合を解決できる。
【００４２】
請求項２では、ピンは、電気的特性検査後に抜くことが可能であるので、半導体装置を実装基板に実装する際にはピンを抜くことでボール電極を実装基板に接続できる。
【００４３】
請求項３では、ピンは、電気的特性検査後にボール電極表面から折ることが可能であるので、半導体装置を実装基板に実装する際にはピンを折ることでボール電極を実装基板に接続できる。
【００４４】
請求項４では、実装基板に実装する実装面に、ピンを設けたボール電極を含む複数のボール電極が二次元的に配列されているので、複数のボール電極が二次元的に配列されたＢＧＡパッケージにおける電気的特性検査に際し同様の作用効果が得られる。
【００４５】
請求項５では、ボール電極と少なくとも一つの素子電極とは、配線基板を介して電気的に接続され、配線基板の表面に半導体素子が接合され、配線基板の裏面にボール電極が設けられているので、配線基板上に半導体素子を搭載し、半導体素子と反対側にボール電極を有するＢＧＡパッケージにおける電気的特性検査に際し同様の作用効果が得られる。
【００４６】
請求項６では、配線基板の表面に複数の配線電極が形成され、複数の素子電極は半導体素子が配線基板に接合する面に設けられ、複数の素子電極と複数の配線電極とはそれぞれ突起電極により互いに電気的に接続されているので、半導体素子と配線基板が突起電極により例えばバンプ接続される形態において好適に実施できる。
【００４７】
請求項７では、配線基板の表面に複数の配線電極が形成され、複数の素子電極は半導体素子が配線基板に接合する面とは異なる面に設けられ、複数の素子電極と複数の配線電極とはそれぞれ金属細線により互いに電気的に接続されているので、半導体素子と配線基板が金属細線により例えばワイヤボンディングされる形態において好適に実施できる。
【００４８】
請求項８では、配線基板は有機材料からなり、配線基板の裏面のボール電極が設けられる位置に裏面電極が形成され、この裏面電極はフラックス処理が施され、または、裏面電極上にニッケルめっきと金めっきとが順に形成されているので、配線基板が有機材料からなる場合に、ボール電極を裏面電極に確実に接続できる。
【００４９】
請求項９では、配線基板はセラミック材料からなり、配線基板の裏面のボール電極が設けられる位置に裏面電極が形成され、この裏面電極はニッケルめっきと金めっきとが順に形成されているので、配線基板がセラミック材料からなる場合に、ボール電極を裏面電極に確実に接続できる。
【００５０】
請求項１０では、ボール電極と少なくとも一つの素子電極とは、銅系または鉄系リードフレームを介して電気的に接続され、半導体素子はリードフレームの一部に接合され、リードフレームのうちボール電極が設けられる部位に裏面電極が形成され、この裏面電極上にニッケルめっきとパラジウムめっきと金めっきとが順に形成され、その上にボール電極が載置されているので、銅系または鉄系のリードフレームに半導体素子が搭載される構成において、リードフレームの裏面電極にボール電極を確実に接続できる。
【００５１】
請求項１１では、ボール電極と少なくとも一つの素子電極とは、銅系または鉄系リードフレームを介して電気的に接続され、半導体素子はリードフレームの一部に接合され、リードフレームのうちボール電極が設けられる部位に裏面電極が形成され、この裏面電極上に錫およびビスマスからなる合金めっきが形成され、その上にボール電極が載置されているので、銅系または鉄系のリードフレームに半導体素子が搭載される構成において、リードフレームの裏面電極にボール電極を確実に接続できる。
【００５２】
この発明の請求項１２記載の半導体装置の検査方法によれば、半導体素子に設けた複数の素子電極の少なくとも一つに電気的に接続されたボール電極に導通して電気的特性を検査する際、電気的特性検査治具をボール電極に設けたピンに接触させて検査した後、ピンを除去するので、ボール電極に接触させないで、半導体装置の特性検査、不良検査等を行うことができる。そのため、請求項１と同様にボール電極の傷、へこみを解決でき、また電気特性検査治具に半田屑が付着せず検査の精度が向上する。また、検査後のピンは除去されることにより、ボール電極を実装基板に接続する際に支障をきたすことはない。
【００５３】
この発明の請求項１３記載の半導体装置の検査方法によれば、半導体素子に設けた複数の素子電極の少なくとも一つに電気的に接続されたボール電極に導通して電気的特性を検査する際、電気的特性検査治具をボール電極に接触させて検査した後、ボール電極を溶融するので、検査傷をなくすことができる。そのため、請求項１と同様にボール電極の傷、へこみを解決できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の第１の実施の形態の半導体装置の側面図である。
【図２】図１の要部拡大図である。
【図３】この発明の第１の実施の形態の半導体装置の検査方法の説明図である。
【図４】第１の実施の形態の検査方法においてピンを除去する説明図である。
【図５】第１の実施の形態の検査方法においてピンを除去する他の例を示す説明図である。
【図６】この発明の第２の実施の形態の半導体装置の側面図である。
【図７】この発明の第２の実施の形態の半導体装置の検査方法の説明図である。
【図８】従来の半導体装置の検査方法を示す拡大図である。
【図９】従来の半導体装置の特性検査後のボール電極の問題点を示す説明図である。
【符号の説明】
１  ピン
２  ボール電極
３  インターポーザ
４  モールド樹脂
５  ＢＧＡパッケージ
６  導体配線（またはランド）
７  レジスト
８  電気的特性検査治具
９  傷
１０  コンタクトピン
【図１】
2004163309.tif 000003
【図２】
2004163309.tif 000004
【図３】
2004163309.tif 000005
【図４】
2004163309.tif 000006
【図５】
2004163309.tif 000007
【図６】
2004163309.tif 000008
【図７】
2004163309.tif 000009
【図８】
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【図９】
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