(57)【要約】【課題】低誘電率の樹脂多孔質膜を絶縁層に用いることの利点を生かしながら、特性インピーダンスを整合させるための回路設計が容易になる高周波配線基板用絶縁材、並びにこれを絶縁層として備える金属箔積層板及び高周波用配線基板を提供する。【解決手段】樹脂多孔質層１１の少なくとも片面に接着性層１２が形成されており、前記樹脂多孔質層１１の１０ＧＨｚにおける誘電率と前記接着性層１２の１０ＧＨｚにおける誘電率との差が０．４以下である高周波配線基板用絶縁材。【選択図】　　　　図２
2004082372.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
樹脂多孔質層の少なくとも片面に接着性層が形成されており、前記樹脂多孔質層の１０ＧＨｚにおける誘電率と前記接着性層の１０ＧＨｚにおける誘電率との差が０．４以下である高周波配線基板用絶縁材。
【請求項２】
前記樹脂多孔質層の誘電率及び前記接着層の誘電率が、何れも１〜４の範囲内である請求項１に記載の高周波配線基板用絶縁材。
【請求項３】
前記樹脂多孔質層の１０ＧＨｚにおける誘電正接と前記接着性層の１０ＧＨｚにおける誘電正接との差が０．００８以下である請求項１又は２に記載の高周波配線基板用絶縁材。
【請求項４】
樹脂多孔質層の少なくとも片面に接着性層が形成されており、前記樹脂多孔質層の空孔率と前記接着性層の１０ＧＨｚにおける誘電率との関係が下記の条件を満たすものである高周波配線基板用絶縁材。
ε１−０．４≦〔（３＋２（１−Ｘ）（ε０−１））／（３ε０−（１−Ｘ）（ε０−１））〕×ε０≦ε１＋０．４
〔但し、ε１は接着性層の１０ＧＨｚにおける誘電率、ε０は樹脂多孔質層の素材の１０ＧＨｚにおける誘電率、Ｘは樹脂多孔質層の空孔率を示す。〕
【請求項５】
請求項１〜４いずれかに記載の高周波配線基板用絶縁材を絶縁層として備える金属箔積層板。
【請求項６】
請求項１〜４いずれかに記載の高周波配線基板用絶縁材を絶縁層として備える高周波用配線基板。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、周波数６００ＭＨｚ以上の高周波信号に対応した高周波用配線基板の絶縁層を形成するための高周波配線基板用絶縁材、並びにこれを絶縁層として備える金属箔積層板及び高周波用配線基板に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年の情報・通信機器における情報処理の高速化や通信電波の高周波数化などに伴い、電子部品等を実装する配線基板にも、高周波に対応できる性能が要求されている。例えば、配線基板の絶縁層には、優れた高周波伝送特性を発現すべく、高周波における誘電率及び誘電正接が小さいことなどが要求される。
【０００３】
すなわち、配線基板の回路内では誘電損失といわれる伝送過程におけるエネルギー損失が生じ、この誘電損失は、信号の周波数ｆと誘電率εの１／２乗と材料の誘電正接ｔａｎδの積に比例する。このため周波数ｆが大きい高周波用の配線基板では、特に誘電率εと誘電正接ｔａｎδとが小さい材料が要求される。また、信号の伝送速度は誘電率εの１／２乗に逆比例するため、この点からも高周波用途では、誘電率εの小さいものが望まれる。
【０００４】
このような低誘電率、低誘電正接の絶縁層を形成する方法として、樹脂材料自体が低い誘電率等を有するものを使用する方法が従来は一般的であった。このような低誘電率の樹脂材料としては、例えば、ポリテトラフルオロエチレンなどの含フッ素高分子やポリイミド樹脂などが知られている。また、材料樹脂自体の誘電率より更に低い誘電率の絶縁層を形成する方法として、絶縁層を多孔質構造とする技術も存在する（特開２０００−３１９４４２号公報など）。
【０００５】
一方、高周波用配線基板では、回路パターンの伝送路上にインピーダンスの不連続点が存在すると、その場所で信号の反射による波形の乱れ、誤動作、動作効率の低下などが生じる。このため、配線基板の回路パターンを設計する上で、特性インピーダンスを整合させることが重要になる。この特性インピーダンスは、例えばストリップラインの場合、ライン幅、絶縁層の誘電率と厚みにより決定される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記のような樹脂多孔質膜を絶縁層に使用する場合、配線パターンとなる金属層を接着するための接着層が通常必要となり、樹脂多孔質層と接着層との誘電率等が各層で相違することになる。このように絶縁層が複層構造であり各層の誘電率が異なる場合には、各層の配置や厚みが配線基板の特性インピーダンスに影響するため、その計算が複雑になる。その結果、特性インピーダンスを整合させるための回路設計が困難になるという問題があった。
【０００７】
なお、低誘電率の接着性樹脂のみで絶縁層を形成する場合、絶縁層の厚み制御の問題や、材料コスト等の問題が生じ易い。
【０００８】
そこで、本発明の目的は、低誘電率の樹脂多孔質膜を絶縁層に用いることの利点を生かしながら、特性インピーダンスを整合させるための回路設計が容易になる高周波配線基板用絶縁材、並びにこれを絶縁層として備える金属箔積層板及び高周波用配線基板を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記目的は、下記の如き本発明により達成できる。
即ち、本発明の高周波配線基板用絶縁材は、樹脂多孔質層の少なくとも片面に接着性層が形成されており、前記樹脂多孔質層の１０ＧＨｚにおける誘電率と前記接着性層の１０ＧＨｚにおける誘電率との差が０．４以下であることを特徴とする。本発明において、１０ＧＨｚにおける誘電率等の物性は、具体的には実施例に記載の方法で測定を行った値である。
【００１０】
上記において、前記樹脂多孔質層の誘電率及び前記接着層の誘電率が、何れも１〜４の範囲内であることが好ましい。
【００１１】
また、前記樹脂多孔質層の１０ＧＨｚにおける誘電正接と前記接着性層の１０ＧＨｚにおける誘電正接との差が０．００８以下であることが好ましい。
【００１２】
一方、本発明の別の高周波配線基板用絶縁材は、樹脂多孔質層の少なくとも片面に接着性層が形成されており、前記樹脂多孔質層の空孔率と前記接着性層の１０ＧＨｚにおける誘電率との関係が下記の条件を満たすことを特徴とする。
【００１３】
ε１−０．４≦〔（３＋２（１−Ｘ）（ε０−１））／（３ε０−（１−Ｘ）（ε０−１））〕×ε０≦ε１＋０．４
〔但し、ε１は接着性層の１０ＧＨｚにおける誘電率、ε０は樹脂多孔質層の素材の１０ＧＨｚにおける誘電率、Ｘは樹脂多孔質層の空孔率を示す。〕
他方、本発明の金属箔積層板は、上記いずれかに記載の高周波配線基板用絶縁材を絶縁層として備えることを特徴とする。また、本発明の高周波用配線基板は、上記いずれかに記載の高周波配線基板用絶縁材を絶縁層として備えることを特徴とする。
【００１４】
［作用効果］
本発明の高周波配線基板用絶縁材によると、樹脂多孔質層を併用するため、絶縁層の厚み制御が行い易く、コスト面でも有利となる。しかも、樹脂多孔質層の空孔率を調整することで容易に誘電率を変化させることができ、接着性層の誘電率に近いもの（差が０．４以下）を得ることができる。その結果、各層の誘電率がより大きく相違するものとは異なり、誘電特性が均一な絶縁層と見なすことができ、特性インピーダンスを整合させるための回路設計を容易にすることができる。
【００１５】
前記樹脂多孔質層の誘電率及び前記接着層の誘電率が、何れも１〜４の範囲内である場合、絶縁層全体の誘電率を低くすることができ、高周波用配線基板としての誘電損失がより小さくなると共に、信号の伝送速度を向上させることができる。
【００１６】
前記樹脂多孔質層の誘電正接と前記接着性層の誘電正接との差が０．００８以下である場合、誘電率の場合と同様に、誘電正接が均一な絶縁層と見なし易くなり、高周波信号の伝送特性に関する設計が容易になる。
【００１７】
また、本発明の別の高周波配線基板用絶縁材によると、樹脂多孔質層を併用するため、絶縁層の厚み制御が行い易く、コスト面でも有利となる。しかも、樹脂多孔質層の空孔率Ｘが前記条件を満たすことにより、樹脂多孔質層の誘電率と接着性層の誘電率とが近づくことになる。即ち、前記条件の不等式のうち、Ｘとε０による関数が樹脂多孔質層の誘電率を算出するための経験式として新たに見出されたものであり、この経験式に従って、樹脂多孔質層の空孔率を調整することで接着性層の誘電率に近づけることができる。その結果、各層の誘電率がより大きく相違するものとは異なり、誘電特性が均一な絶縁層と見なすことができ、特性インピーダンスを整合させるための回路設計を容易にすることができる。
【００１８】
一方、本発明の金属箔積層板又は高周波用配線基板によると、上記の如き作用効果を奏する高周波配線基板用絶縁材を絶縁層として備えるため、低誘電率の樹脂多孔質膜を絶縁層に用いることの利点を生かしながら、特性インピーダンスを整合させるための回路設計が容易な配線基板を得ることができる。
【００１９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について、本発明の高周波配線基板用絶縁材、金属箔積層板、高周波用配線基板の順で説明する。
【００２０】
〔高周波配線基板用絶縁材〕
本発明の高周波配線基板用絶縁材は、樹脂多孔質層の少なくとも片面に接着性層が形成されており、両面に接着性層が形成されていてもよい（後述の図２参照）。本発明において、絶縁材とは絶縁層を形成するための材料（絶縁層形成材）、及び絶縁層そのものを意味する。
【００２１】
本発明において、前記樹脂多孔質層の１０ＧＨｚにおける誘電率と前記接着性層の１０ＧＨｚにおける誘電率との差は０．４以下であり、好ましくは０．３以下であり、より好ましくは０．２以下であり、更に好ましくは０．１以下である。このように両層の誘電率の差が小さくなるほど、誘電特性が均一な絶縁層と見なすことができ、特性インピーダンスを整合させるための回路設計を容易にすることができる。逆に、両層の誘電率の差が０．４を超えると、誘電特性が均一な絶縁層と見なすことができず、各層の誘電率が異なるものとして、各層の配置や厚みを考慮して特性インピーダンスを計算する必要性が生じる。
【００２２】
両層の誘電率の差を小さくする方法としては、樹脂多孔質層及び接着性層の少なくとも何れかの誘電率を調整すればよい。具体的には、接着性層については、分子構造の制御や樹脂の種類を変えることによって樹脂成分の誘電率を調整する方法、誘電率の異なる添加剤を配合する方法などが挙げられる。また、樹脂多孔質層については、接着性層と同様の方法の他、空孔率を変化させる方法が挙げられ、特に後者の方法が有効である。
【００２３】
空孔率を変化させる方法としては、製膜時に条件をコントロールして空孔率を調整する方法の他、製膜された樹脂多孔質膜の細孔組織表面に樹脂をコートすることにより空孔率を調整することも可能である。細孔組織表面（孔内）への樹脂のコートは、例えば所定濃度の樹脂溶液を樹脂多孔質膜へ塗布又は浸漬したのち、乾燥させる方法などが挙げられる。
【００２４】
図１（ａ）は、実施例で得られた樹脂多孔質膜の空孔率と誘電率の関係を示すものである。これによると、多孔質膜の空孔率と誘電率との関係は、次の式が略成立する。なお、実施例で使用した樹脂以外の樹脂についても、その樹脂の素材の誘電率ε０の値を代入すれば同じ式が略成立する。
【００２５】
多孔質膜の誘電率ε＝〔（３＋２（１−Ｘ）（ε０−１））／（３ε０−（１−Ｘ）（ε０−１））〕×ε０
〔但し、ε０は樹脂多孔質膜の素材の１０ＧＨｚにおける誘電率である３．３１、Ｘは樹脂多孔質膜の空孔率を示す。〕
従って、樹脂多孔質層の空孔率を調整して下記の条件を満たすことにより、接着性層の誘電率に近づけることができる。
【００２６】
ε１−０．４≦〔（３＋２（１−Ｘ）（ε０−１））／（３ε０−（１−Ｘ）（ε０−１））〕×ε０≦ε１＋０．４
〔但し、ε１は接着性層の１０ＧＨｚにおける誘電率、ε０は樹脂多孔質層の素材の１０ＧＨｚにおける誘電率、Ｘは樹脂多孔質層の空孔率を示す。〕
即ち、本発明の別の高周波配線基板用絶縁材は、樹脂多孔質層の少なくとも片面に接着性層が形成されており、前記樹脂多孔質層の空孔率と前記接着性層の１０ＧＨｚにおける誘電率との関係が上記の条件を満たすものである。
【００２７】
本発明では、前述の理由より、樹脂多孔質層の１０ＧＨｚにおける誘電正接と前記接着性層の１０ＧＨｚにおける誘電正接との差が０．００８以下であることが好ましく、誘電正接との差が０．００５以下であることがより好ましい。誘電正接についても、図１（ｂ）に示すように、樹脂多孔質層の空孔率を変えることで、誘電正接の値を調整することができる。
【００２８】
また、本発明では、樹脂多孔質層の誘電率及び接着層の誘電率が、何れも１〜４の範囲内であることが好ましく、何れも１〜３の範囲内であることがより好ましい。従って、誘電率の調整が行いにくい接着性層には、低誘電率の樹脂を使用するのが好ましい。
【００２９】
このような好ましい低誘電率の樹脂としては、変性ポリイミド系樹脂などのポリイミド系樹脂、フッ素樹脂、ポリフェニレンオキサイド、ポリフェニレンエーテル、ビスマレイミドトリアジンなどが使用できる。また、それ以外の樹脂として、エポキシ樹脂、フェノール樹脂や、これらの変性物も使用できる。
【００３０】
接着性層は、樹脂多孔質層等との接着性を確保する観点より、厚みが２〜５０μｍが好ましく、５〜２５μｍがより好ましい。接着性層を形成する方法としては、予めシート状に形成し、それらを加熱プレス、ラミネート等により積層一体化する方法や、樹脂多孔質膜の表面に接着剤を塗布形成する方法等が挙げられる。従って、樹脂多孔質層には接着性層が一部含浸されていてもよく、仮着状態であってもよい。
【００３１】
一方、樹脂多孔質層では空孔率の調整により低誘電率にできるため、樹脂多孔質層を形成する樹脂には、比較的幅広い範囲の誘電率の樹脂が使用できる。このような樹脂としては、良好な耐熱性と機械的強度を有する樹脂が好ましく、ポリイミド、ポリエステル、ポリアミド、特に芳香族ポリアミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルイミド、ポリエーテルサルホン、ポリエーテルエーテルケトン等の各種樹脂を採用することができる。これら樹脂のなかでもポリイミド系樹脂が絶縁性、耐熱性が良好であり好ましい。また、芳香族ポリアミドも絶縁性、耐熱性が良好であり、低熱線膨張率であるため好ましい。
【００３２】
樹脂多孔質層としては、空孔率１０〜９０％の範囲内で空孔率が調整され、平均孔径０．０１〜３μｍのものが好ましい。樹脂多孔質層の厚みは、２〜１００μｍが好ましく、５〜５０μｍがより好ましい。このような樹脂多孔質層は、予め多孔質膜として湿式凝固法、延伸法、乾式凝固法などで製膜したものを使用することができる。
【００３３】
湿式凝固法では、一般的に、溶剤に樹脂と添加剤等を溶解した製膜原液（ドープ）を調製し、これを製膜基材に塗布（キャスト）したものを凝固液に浸漬して溶剤置換させることで、樹脂を凝固（ゲル化）させ、その後、凝固液等を乾燥除去するなどして多孔質膜を得る。製膜基材としては、ポリエステルなどの樹脂シート等が使用されるが、接着性層（接着性シート）に対して樹脂多孔質膜を製膜・付着させてもよい。湿式凝固法で多孔質膜を製膜する場合、製膜原液の樹脂濃度、凝固速度（ゲル化速度）、添加剤などで空孔率を調整することができる。
【００３４】
ポリイミド系樹脂としては、酸残基とアミン残基とがイミド結合した繰り返し単位を主体とするするものであれば、他の共重合成分やブレンド成分を含むものでもよい。好ましくは、耐熱性、吸湿性、機械的強度の点から、主鎖に芳香族基を有するポリイミドであり、芳香族テトラカルボン酸成分と芳香族ジアミン成分の重合物からなるポリイミドを挙げることができる。特に、０．５５〜３．００、好ましくは０．　６０〜０．８５の極限粘度（３０℃での測定値）有している高分子であることが望ましい。上記範囲の極限粘度を有するものは、多孔質膜の形成を湿式凝固法で行う場合に、溶剤への溶解性が良好で、機械的強度が大きく自立性の多孔質膜となる。
【００３５】
ポリイミド系樹脂は、当該重合体またはその前駆体（ポリアミド酸）を製膜に用いることができるが、ポリアミド酸はポリイミドと比較して溶解性が高いために、分子構造上の制約が少ないという利点がある。なお、重合体としては、完全にイミド化しているものがよいが、イミド化率が７０％以上のものでも良い。イミド化率が比較的高いものをドープに用いる場合、ブタンテトラカルボン酸二無水物等の屈曲性の高い成分を繰り返し単位に含む重合体を使用するのが好ましい。
【００３６】
ポリイミド系樹脂又はその前駆体を溶解させる溶剤は、これらを溶解する物であれば特に限定されないが、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド等の非プロトン性極性溶剤が溶解性の面や、多孔質膜の形成を湿式凝固法で行う場合の凝固溶剤との溶剤置換スピードの点で好ましく使用できる。好ましい例として、Ｎ−メチル−２−ピロリドンを例示することができる。また、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル等の溶剤を混合して、前記湿式凝固法における溶剤置換の速度を調整してもよい。
【００３７】
一方、芳香族ポリアミドとしては、いわゆるパラ型アラミドやメタ型アラミドの他、骨格の一部をジフェニルエーテル、ジフェニルプロパン、ジフェニルメタン、ジフェニルケトン、ジフェニルスルホキシド、ビフェニル等で置換したものや、芳香環の水素基をメチル基、ハロゲン原子等で置換したものなどが挙げられる。
【００３８】
パラ型アラミドとしては、ポリｐ−フェニレンテレフタラミド等が挙げられるが、このポリマーのように剛直な成分のみで構成されたアラミドは、特殊な薬剤で溶解させる必要がある。従って、多孔質膜に用いる芳香族ポリアミドとしては、屈曲性を付与する成分で骨格の一部を置換したアラミドやメタ型アラミドを少なくとも一部に使用することが好ましい。屈曲性を付与する成分としては、ｍ−フェニレン、２，７−ナフタレン、ジフェニルエーテル、２，２−ジフェニルプロパン、ジフェニルメタンなどが挙げられる。このような成分は、ジカルボン酸モノマー又はジアミンモノマーとして、共重合に使用されて骨格に導入されるが、当該成分の共重合比が大きいものほど、一般に溶剤に対する溶解性が高くなる。
【００３９】
芳香族ポリアミドを溶解する溶剤は、溶解性の観点から、例えば、テトラメチル尿素、ヘキサメチルホスホルアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン，Ｎ−メチルピペリドン−２、Ｎ，Ｎ−ジメチルエチレン尿素、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルアロン酸アミド、Ｎ−メチルカプロラクタム、Ｎ−アセチルピロリジン、Ｎ，Ｎ−ジエチルアセトアミド、Ｎ−エチルピロリドン−２、Ｎ，Ｎ−ジメチルプロピオン酸アミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルイソブチルアミド、Ｎ−メチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルプロピレン尿素及びそれらの混合系が挙げられる。更に、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド等の非プロトン性極性溶剤が溶解性の面や、凝固溶剤との溶剤置換スピードの点で好ましく使用できる。特に好ましい例として、Ｎ−メチル−２−ピロリドンを例示することができる。
【００４０】
また、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジブチルエーテル、等の溶剤を混合して、溶剤置換の速度を調整してもよい。
【００４１】
湿式凝固法におけるドープは、好ましくは−２０〜４０℃の温度範囲で塗布される。また、凝固液としては用いる樹脂を溶解せずに、上記溶剤と相溶性を有するものであれば、限定されないが、水やメタノール、エタノール、イソプロピルアルコール等のアルコール類及びこれらの混合液が用いられ、特に水が好適に用いられる。浸漬時の凝固液の温度は特に限定されないが、好ましくは０〜９０℃の温度である。
【００４２】
製膜原液のポリマー濃度は、５重量％から２５重量％の範囲が好ましく、７重量％から２０重量％がより好ましい。濃度が高すぎると、粘度が高くなりすぎて取り扱いが困難になるし、濃度が低すぎると多孔質膜が形成しにくくなる傾向がある。
【００４３】
孔径形状や孔径コントロールのために硝酸リチウムのような無機物やポリビニルピロリドンのような有機物を添加することもできる。添加物の濃度は溶液中に１重量％から１０重量％まで添加するのが好ましい。硝酸リチウムを添加すると溶剤と凝固液との置換速度が速く、スポンジ構造の中にフィンガーボイド構造（指状にボイドを有する構造）を形成できる。ポリビニルピロリドンのような凝固スピードを遅くする添加剤を加えると、スポンジ構造が均一に広がった多孔質膜を得ることができる。
【００４４】
製膜原液は一定の厚みに塗布し、水等の凝固液中に浸積して凝固させたり、水蒸気雰囲気下に放置して凝固した後、水中に浸積するなどして、脱溶剤され多孔質膜となる。多孔質膜の形成後、凝固液から取り出した後、乾燥する。乾燥温度は特に制限されないが、２００℃以下での乾燥が望ましい。
【００４５】
ポリイミド系樹脂の多孔質層を形成する際、その前駆体（ポリアミド酸）を用いる場合には、最終的に２００〜５００℃で熱処理して、前駆体（ポリアミド酸）を加熱閉環させてポリイミドとする。
【００４６】
〔金属箔積層板〕
本発明の金属箔積層板は、図２に示すように、以上のような高周波配線基板用絶縁材を絶縁層１０として備える。即ち、樹脂多孔質層１１の少なくとも片面に接着性層１２が形成されており、樹脂多孔質層１１の誘電率と接着性層１２の誘電率との差が０．４以下である絶縁層１０を備える。或いは、樹脂多孔質層１１の空孔率と接着性層１２の誘電率との関係が前記の条件式を満たすものである。本発明の金属箔積層板は、図２（ａ）に示すように、樹脂多孔質層１１の片面に接着性層１２が形成されていても、図２（ｂ）に示すように、樹脂多孔質層１１の両面に接着性層１２が形成されていてもよい。
【００４７】
本発明の金属箔積層板は、絶縁層１０の少なくとも片面に金属箔１，２が接着されている。図２（ａ）に示すように、樹脂多孔質層１１を接着性層１２を介さずに金属箔１に付着させる方法としては、金属箔１を基材として、湿式凝固法により樹脂多孔質膜を製膜・付着させるのが好ましい。
【００４８】
金属箔１，２としては、配線パターンとしての導電性、加工性等の点から、銅、銅合金、銅表面にメッキしたもの等が好ましい。金属箔１，２の厚さは好ましくは１〜５０μｍである。金属箔の表面には、接着性層との密着性を高めるために、粗面化処理、黒色処理などの物理的又は化学的な各種表面処理を行ってもよい。
【００４９】
接着性層１２に対して金属箔１，２を接着する方法としては、接着性層１２に金属箔１，２を積層配置した状態で、加熱プレスによる接着、加熱による接着などを行えばよい。加熱プレスには、真空プレス装置、熱プレス装置、連続プレス装置などの各種プレス装置が利用でき、また、加熱プレスの温度、圧力は、接着剤の硬化反応が生じるような、従来公知の条件が何れも適用できる。
【００５０】
本発明の金属箔積層板は、必要によりパターン形成された後に、高周波用の両面配線基板、多層配線基板のコア基板や積層用基板として使用することができる。
【００５１】
〔高周波用配線基板〕
本発明の高周波用配線基板は、図３に示すように、前述した高周波配線基板用絶縁材を絶縁層１０として備えるものであり、金属箔１，２は必要によりパターン形成されている。パターン形成は、例えばエッチング液を用いたエッチング等により行われ、エッチングは金属の種類に応じたエッチング液が使用できる。パターンエッチングには、ドライフィルムレジスト等が使用できる。
【００５２】
図３（ａ）に示すものは、金属箔２が信号線２ａとしてパターン形成されており、グランド層又は電源層となる金属箔１と共、マイクロストリップラインを形成している例である。
【００５３】
図３（ｂ）に示すものは、図３（ａ）と同様に、金属箔２が信号線２ａとしてパターン形成され、更に、樹脂多孔質層１１の両面に接着性層１２が形成されている絶縁層１０により金属箔２が接着されている例である。この例では両表面においてグランド層又は電源層となる金属箔１，２と、信号線２ａにより、ストリップラインを形成している。このような構造は、本発明の高周波用配線基板に複数層形成されていてもよい。
【００５４】
また、本発明の高周波用配線基板は、配線層間の導電接続を行ったものでもよい。導電接続は、スルホールメッキの形成、導電性ペーストの充填、導電性突起を有する突起付金属箔を使用する方法などによって行うことができる。
【００５５】
【実施例】
以下、本発明の構成と効果を具体的に示す実施例等について説明する。なお、多孔質膜の各評価値は、次のようにして測定した。
【００５６】
（１）多孔質膜の平均孔径
多孔質膜の表面について、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いて、写真撮影を行い、その写真のコンピュータによる画像解析から平均孔径を求めた。
【００５７】
（２）多孔質膜の空孔率
多孔質膜の容積と重量を測定し、多孔質膜の比重を求め、これと素材の比重より、下式：
空孔率（−）＝１−（多孔質膜の比重／素材比重）
により、空孔率を求めた。
【００５８】
（３）多孔質膜の誘電率（ε）、誘電正接
１０ＧＨｚの領域において、ベクトルネットワークアナライザー（ＨＰ８７２２０）と空洞共振器（関東電子（株））を用いて、摂動法により測定し、各測定点１０回の平均より求めた。
【００５９】
多孔質膜の製造例
ＢＰＤＡ（３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物）とジアミン混合物（ｐ−フェニレンジアミン／４，４’−ジアミノジフェニルエーテル＝８５／１５）を略等モル重合させて得られたポリアミド酸１９重量部と、Ｎ−メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ）８１重量部からなる製膜溶液を、銅箔（厚み１８μｍ）の表面上に、バーコートの要領にて１００μｍで均一な厚さに塗布した。塗布後に３５℃×ＲＨ１００％×３０秒で吸湿させた後に６０℃の純水中に浸漬し、ポリアミド酸を凝固させて多孔質膜とした。引き続き１時間、温度４０℃の純水中で水洗を行い、その後、１２０℃で３０分間乾燥させた。乾燥後、多孔質膜を窒素雰囲気中にて４３０℃で３０分間熱処理し、ポリアミド酸をイミド転化させ、銅箔上に形成されたポリイミド多孔質膜を得た。得られた多孔質膜は、厚み２０μｍで、スポンジ構造となっており、断面の平均孔径０．２μｍであった。また、多孔質膜の空孔率は０．４であった。
【００６０】
また、上記において、ポリアミド酸の濃度、吸湿条件、凝固温度を変化させることにより、空孔率を０．２〜０．７まで変化させた多孔質膜を得た。これらの多孔質膜の誘電率と誘電正接を測定した結果を図１に示す。
【００６１】
図１の結果が示すように、多孔質膜の空孔率を変化させることによって、誘電率と誘電正接とを調整することができる。また、多孔質膜の空孔率と誘電率との関係は、次の式が略成立する。
【００６２】
多孔質膜の誘電率ε＝〔（３＋２（１−Ｘ）（ε０−１））／（３ε０−（１−Ｘ）（ε０−１））〕×ε０
〔但し、ε０は樹脂多孔質膜の素材の１０ＧＨｚにおける誘電率である３．３１、Ｘは樹脂多孔質膜の空孔率を示す。〕
実施例
接着剤（宇部興産株式会社製、ユピタイトＵＰＡ−８５）を表面離型処理したポリエチレンテレフタレートフィルムに塗布し、９０℃で乾燥・半硬化させて厚み２０μｍの接着性シートを得た。この接着性シートの誘電率と誘電正接を測定したところ、誘電率が２．８、誘電正接が０．００８であった。
【００６３】
前記製造例で得られた多孔質膜のうち、空孔率０．２のものが誘電率２．７（誘電率の差は０．１）であるため、これと前記接着性シートを１４０℃で仮着して本発明の高周波配線基板用絶縁材を得た。この高周波配線基板用絶縁材の全体の誘電率は、約２．８であった。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施例で得られた樹脂多孔質膜の空孔率と誘電特性の関係を示すグラフ
【図２】本発明の金属箔積層板の一例を示す断面図
【図３】本発明の高周波用配線基板の一例を示す断面図
【符号の説明】
１　　　金属箔
２　　　金属箔
２ａ　　信号線
１０　　　絶縁層
１１　　　樹脂多孔質層
１２　　　接着性層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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