(57)【要約】【課題】高出力の再生光に耐えることが可能なＧｅＳｂＴｅ系の光情報記録媒体を提供する。【解決手段】基板１上に、少なくとも反射層２、第一保護層３、相変化型光記録層４、第二保護層５をこの順に積層してなり、前記第二保護層５側からの光の照射により前記相変化型光記録層４を相変化させることにより情報の記録および消去を行なう光情報記録媒体１０であって、前記相変化型光記録層はＶｗＧｅｘＳｂｙＴｅｚより構成され、０．５≦ｗ≦２３．４≦ｘ≦１４．５２．１≦ｙ／ｚ≦４ｗ　＋ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００（原子比）であることを特徴とする。【選択図】　　図１
2004017342.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、少なくとも反射層、第一保護層、相変化型光記録層、第二保護層をこの順に積層してなり、前記第二保護層側からの光の照射により前記相変化型光記録層を相変化させることにより情報の記録および消去を行う光情報記録媒体であって、
前記相変化型光記録層はＶｗＧｅｘＳｂｙＴｅｚより構成され、
０．５≦ｗ≦２
３．４≦ｘ≦１４．５
２．１≦ｙ／ｚ≦４
ｗ　＋ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００（原子比）
であることを特徴とする光情報記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光の照射により記録層を構成する原子の配列が変化して情報の記録および消去が行なわれる光情報記録媒体（光ディスク）に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
レーザビームの照射による情報の記録、再生及び消去可能な光メモリー媒体の一つとして、結晶−非晶質間、あるいは結晶１−結晶２の２つの結晶相間の転移を利用する、いわゆる相変化型光記録媒体がよく知られている。
【０００３】
相変化記録方式に用いられる記録層材料としては、カルコゲン系合金薄膜を用いることが多い。その中で、ＧｅＳｂＴｅ系、ＡｇＩｎＳｂＴｅ系合金薄膜は、書き換え可能な光ディスクとして実用化されている。
【０００４】
記録原理は次の通りである。成膜直後の記録層は、非晶質状態で反射率は低い。まず、初めにレーザ光を照射して記録層を加熱し、ディスク全面を反射率の高い結晶状態にする。すなわち初期化を行う。通常この初期化は、数１０〜１００μｍ程度に絞ったレーザビームを回転する媒体に照射することにより行う。
【０００５】
初期化した光ディスクにレーザ光を局所的に照射して、記録層を溶融、急冷し、アモルファス状態に相変化させる。相変化に伴い記録層の光学的性質（反射率、透過率、複素屈折率等）が変化して、情報が記録される。
【０００６】
再生は、記録時より弱いレーザ光を照射して、結晶とアモルファスとの反射率差、または位相差を検出して行う。書き換えは、結晶化を引き起こす低エネルギーの消去パワーの上に重畳した記録ピークパワーを記録層に投入することにより、消去過程を経ることなくすでに記録された記録マーク上にオーバーライトする。
【０００７】
前記したＧｅＳｂＴｅ系で、実用化されている材料以外の系統では、ＳｂとＴｅの共晶組成でも結晶−非結晶状態が転移することがわかっている。
【０００８】
ところで、Ｓｂ７０、Ｔｅ３０に第３元素、特にＧｅを加えた組成範囲を含む公知資料としては、特開平１−１１５６８５号公報、特開平１−２５１３４２号公報、特開平１−３０３６４３号公報等を挙げることができる。
【０００９】
しかしながら、かかる公知の公開公報の内容によれば、本発明と一部その組成範囲として重なる部分はあるとしても、後述する如く、その具体的構成が異なるものであるから、かかる公知の公開公報の技術内容では、本発明が意図する十分な記録再生特性、コントラスト、かつ、再生光耐久性の高い、この種の光情報記録媒体を得ることは出来ないものである。
【００１０】
一方、相変化材料を使った光ディスクの記録方法は、これまでＤＶＤ−ＲＯＭで使われている波長６５０ｎｍ付近の赤色レーザ光、またはそれよりも波長の長いレーザ光を用いて行なわれてきた。しかし、近年、波長４００ｎｍ付近で発光する半導体レーザが市場に登場してきた。さらに対物レンズは、その開口数（ＮＡ）がより高くなりビームをより絞ることが出来るようになってきた。
【００１１】
これは、より短い波長のレーザと、高いＮＡの対物レンズとを組み合せて使うことが出来れば、ビームスポット径が小さくなり、それだけ光ディスクの記録密度を上げることが出来るからである。そこで、青色レーザを用いた光ディスクシステムの検討が、各社で進められている。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】
本発明者等は、青色レーザのシステムを使って従来の赤色レーザのシステムに比べて大きく性能が上回り、高密度記録を実現する光ディスクの研究・開発を行っている。このような光ディスクでは、波長の短い青色レーザに対応し、かつ、短いパルス幅でも十分に記録が可能であり、しかも、書き換えが出来ることが要求される。
【００１３】
従来の材料のうち、共晶組成近傍のＧｅＳｂＴｅ系の材料は、青色レーザのシステムである程度記録再生することが可能であることを、実験で確認している。また、記録再生特性を向上させるために、ＧｅＳｂＴｅ系材料の構成元素のうち、ＳｂとＴｅ量のバランスを調整することで結晶化速度を制御し、記録時の対応線速度を変えることが出来ることを実験で確認している。
【００１４】
また、Ｇｅの量は記録材料の安定性に大きく影響し、適度な範囲の量であればビーム径が小さくエネルギー密度の高い青色レーザに対する再生耐久性を向上することが出来る。
【００１５】
しかしながら、より高密度記録を行うためには、更なる記録再生特性の向上、すなわち、再生パワーのアップと、ジッタの減少化が必要であるが、記録材料としてＧｅＳｂＴｅ系材料を使った光ディスクでは、その点に関し、特性上に限界がある。
【００１６】
そこで本発明者等は、鋭意研究開発を進めた結果、相変化型光記録層としてのＧｅＳｂＴｅ系の材料において、ＳｂとＴｅのバランスを所定範囲に設定し、かつ、Ｇｅの量を特定し、更にこれらＧｅＳｂＴｅ系の材料に、新規にバナジウム（Ｖ）を適当量添加することで、ＧｅＳｂＴｅのみの記録材料に比べて、青色レーザを使ったシステムでの優れた記録再生特性を示す、再生光に対し強い耐久性を示す光ディスクを得ることができたものであり、かかる光ディスクを提供することを目的とするものである。
【００１７】
【課題を解決するための手段】
本発明は上記目的を達成するためになされたものであり、基板１上に、少なくとも反射層２、第一保護層３、相変化型光記録層４、第二保護層５をこの順に積層してなり、前記第二保護層５側からの光の照射により前記相変化型光記録層４を相変化させることにより情報の記録および消去を行う光情報記録媒体１０であって、
前記相変化型光記録層はＶｗＧｅｘＳｂｙＴｅｚより構成され、
０．５≦ｗ≦２
３．４≦ｘ≦１４．５
２．１≦ｙ／ｚ≦４
ｗ　＋ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００（原子比）
であることを特徴とする。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の好適な一実施例を添付図面に基づいて説明する。なお、以下に述べる実施例は本発明の好適な具体例であるから、技術的に好ましい種々の限定が付されているが、本発明の範囲は、以下の説明において特に本発明を限定する旨の記載がない限り、これらの態様に限られるものではない。
【００１９】
まず、本実施例になる光ディスクをより良く理解していただくために、その背景につき説明する。前記した公知の公開公報等でも理解できるように、初期化を行うには、かなり高出力のレーザが必要となるものである。そして、高出力のレーザにおいては、ビーム径が絞られているので少ないレーザパワーでもビーム光の密度は上がるものではあるが、数ミクロンのビーム径を走査しての初期化は、非常に時間を要していたものである。
【００２０】
そこで、より低パワーで初期化が可能な共晶系ではないＧｅＴｅとＧｅ２Ｓｂ３を組み合せて作るＧｅＳｂＴｅ系の材料が開発され、現在のＤＶＤ−ＲＡＭ系の商品が誕生したものである。そして、この材料に少し遅れてＡｇＩｎＳｂＴｅ系の材料が開発され、ＣＤ−ＲＷやＤＶＤ−ＲＷの誕生となったものである。
【００２１】
このＡｇＩｎＳｂＴｅ系材料は、ＲＡＭで使われるＧｅＳｂＴｅに比べてより強いレーザパワーが必要となる。そして、このあたりから、レーザの短波長化や高出力化が進み、初期化装置として高出力のレーザを搭載したものが登場してくるものである。
【００２２】
このような、高出力のレーザを搭載した初期化装置の出現によって、従来初期化が困難であった共晶系のＧｅＳｂＴｅの材料開発が進み、現在に至っているものである。
【００２３】
以下、本発明になる光ディスクの好適な一実施例について、図１を参照して説明する。なお本発明は、前記した如く以下に述べるような実施例の構造、使用物質に限定されるものではない。
【００２４】
図１は、本実施例に係る光ディスクの基本構成の一実施例を示す断面図、図２は、記録時のストラテジのパターンを示す図、図３は、本実施例に係る光ディスクの基本構成における他の実施例を示す断面図、図４〜図１０は、記録層へＶを添加した記録層組成に対する再生光耐久性を示す図及び初期ジッタを示す図、図１１は、Ｖ添加記録層組成において、各サンプルにおけるＧｅの量を示す説明図、図１２は、同、Ｓｂ／Ｔｅの比を示す説明図、図１３は、本実施例になる記録条件である記録パワーとストラテジを示す説明図、図１４は、再生パワーを変化させた場合に於けるスチル開始直後と５分経過後の比較説明図である。
【００２５】
図１に示す如く、本実施例になる光ディスク１０は、基板１上に反射層２を、この反射層２上に第一保護層３を、この第一保護層３上に記録層４を、この記録層４上に第二保護層５を、この第二保護層５上に接着層６を介してカバーシート７を設けて構成したものである。本実施例になる光ディスク１０は、基板１上に記録層３を有し、前記基板１とは異なる側からの光の照射によりこの記録層３を構成する原子の配列が変化して、情報の記録および消去が行われる光ディスクがその前提である。
【００２６】
ここで、レーザビーム（光）は、カバーシート７側から入射するが、カバーシート７を設けず基板１側からレーザビームを入射しても良い。また、反射率が十分得られる場合には、前記した反射層２を設けない構成としてもよい。
【００２７】
図３は、基板１側からレーザビームを入射する他の実施例の断面図であり、この他の実施例になる光ディスク２０は、基板１上に第二保護層５を、この第二保護層５上に記録層４を、この記録層４上に第一保護層３を、この第一保護層３上に反射層２を、この反射層２上に保護コート８を設けて構成したものである。
【００２８】
本実施例等における光ディスク１０、２０に用いる基板１としては、ガラス、プラスチック、ガラス上に光硬化性樹脂を設けたもの等のいずれであってもよいが、コストを含む生産性の面ではプラスチックが好ましく、中でもポリカーボネート樹脂が好ましい。
【００２９】
記録層４の厚さとしては、特に限定するものではないが、３ｎｍ〜１００ｎｍである。特に記録、消去感度が高く、多数回の記録消去が可能であることから３ｎｍ以上３０ｎｍ以下とすることが好ましい。
【００３０】
誘電体層となる前記した第一、第二保護層３、５は、このように構成配置することによって、記録時に前記した基板１、記録層４などがレーザビームの照射熱によって変形し、記録特性が劣化することを防止するなど、基板１、記録層４を熱から保護する効果、光学的な干渉効果により、再生時の信号コントラストを改善する効果がある。
【００３１】
さらに、記録層４の結晶化を促進して、消去率を向上させる効果もある。この第一、第二保護層３、５としては、ＺｎＳ−ＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４、Ａｌ２Ｏ３などの無機薄膜がある。
【００３２】
特に、Ｓｉ、Ｇｅ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｔａなどの金属、あるいは半導体の酸化物の薄膜、Ｓｉ、Ｇｅ、Ａｌなどの金属、あるいは半導体の窒化物の薄膜、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｓｉなどの金属、あるいは半導体の炭化物の薄膜、ＺｎＳ、Ｉｎ２Ｓ３、ＴａＳ４、ＧｅＳ２等の金属、あるいは半導体の硫化物の薄膜、及びこれら化合物の２種類以上の混合物の膜が、耐熱性が高く、化学的に安定なことから好ましい。
【００３３】
さらに、記録層４への保護層を構成する第一、第二保護層３、５としては、原子の拡散がないものが好ましい。これらの酸化物、硫化物、窒化物、炭化物は必ずしも化学量論的組成をとる必要はなく、屈折率等の制御のために組成を制御したり、混合して用いることも有効である。
【００３４】
また、これらにＭｇＦ２などのフッ化物を混合してなる第一、第二保護層３、５も、膜（層）の残留応力が小さいことから好ましい。特にＺｎＳとＳｉＯ２の混合膜は、記録、消去の繰り返しによっても、記録感度、Ｃ／Ｎ、消去率などの劣化が起きにくいことから好ましい。第一、第二保護層３、５の厚さは、およそ５ｎｍ〜２００ｎｍである。
【００３５】
また、第一保護層３の厚さは、Ｃ／Ｎ、消去率などの記録特性、安定に多数回の書換えが可能なことから５ｎｍ〜３０ｎｍが好ましい。第二保護層５は、記録層４や接着層６から剥離し難く、クラックなどの欠陥が生じ難いことから、３０ｎｍ〜２００ｎｍが好ましい。第一、第二保護層３、５は、同一ではなく異なる化合物から構成されてもよい。
【００３６】
反射層２の材質としては、光反射性を有するＡｌ、Ａｕ、Ａｇなどの金属、及びこれらを主成分とし、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｐｄ、Ｃｕなどの添加元素を含む合金、及びＡｌ、Ａｕ、Ａｇなどの金属にＡｌ、Ｓｉなどの金属窒化物、金属酸化物、金属カルコゲン化物などの金属化合物を混合したものなどが挙げられる。Ａｌ、Ａｕ、Ａｇなどの金属、及びこれらを主成分とする合金は、光反射性が高く、かつ熱伝導率を高くできることから好ましい。前記した反射層５の厚さとしては、おおむね５ｎｍ以上３００ｎｍ以下である。
【００３７】
本実施例の光ディスク１０、２０の記録に用いる光源としては、レーザ光（レーザビーム）を用いることが好ましく、主に近赤外域の波長８３０ｎｍから紫外域の３００ｎｍの範囲にあるレーザ光である。１次光を２次高調波発生素子（ＳＨＧ素子）を用いて短波長化した光源を利用することもできる。
【００３８】
以下に本発明になる光ディスク１０の一実施例を説明するが、その前に図２を参照して記録時のストラテジについて説明する。本発明になる光ディスク１０への記録は、結晶状態の記録層４にレーザ光パルスなどを照射して加熱してから急冷した後に、アモルファスの記録マークを形成して行う。
【００３９】
実用的には、結晶化を引き起こす低エネルギーの消去パワー（Ｐ２）の上に重畳した記録ピークパワー（Ｐ１）を記録層４に投入することにより、消去過程を経ることなくすでに記録された記録マーク上にオーバーライトする。このときの記録レーザパルスは、記録マーク長より短い複数のパルスに分割される。
【００４０】
以下に具体的な実施例を示すが、前記した如く、本発明はこの実施例に限定されるものではない。本実施例では、波長４０５ｎｍのレーザダイオード、開口数ＮＡ＝０．８５の光学レンズ（対物レンズ）を搭載したシバソク社製光ディスクドライブテスタ（ＬＭ３３０Ａ）を用いて記録（１ビーム・オーバーライト）を行った。初期化装置は、シバソク社製イニシャライザ（ＬＫ２０１Ａ）を使用した。
【００４１】
以下に、実施例を説明するものであるが、前記した如く、共晶組成近傍のＧｅＳｂＴｅ系の材料は、青色レーザを使用してのシステムで、ある程度記録再生することが可能であることが実験で確認されている。また、記録再生特性を向上させるために、ＧｅＳｂＴｅ系材料の構成元素のうち、ＳｂとＴｅ量のバランスを調整することで結晶化速度を制御し、記録時の対応線速度を変えることが出来ることも実験で確認されている。
【００４２】
また、Ｇｅの量は記録材料の安定性に大きく影響し、適度な範囲の量であればビーム径が小さくエネルギー密度の高い青色レーザに対する再生耐久性を向上することが出来ることも、これ又実験で確認されているものである。
【００４３】
そこで、後述する図１５の比較例の説明において、前記したＧｅＳｂＴｅについて１８個のサンプルの実験を行った結果、ＧｅＳｂＴｅの組成量（原子比）と、Ｓｂ／Ｔｅ比が所定の範囲にある場合には、次世代青色レーザに対応し、かつ、短いパルス幅でも充分に記録が可能であり、しかも書き換えが出来る範囲と思われる、再生劣化が０．２ｄＢ以下で、かつ、初期ジッタも９％以下の範囲を満足するサンプル１２個を抽出した。
【００４４】
しかしながら、これら１２個のサンプルは、前記した如く次世代青色レーザに対応し、かつ、短いパルス幅でも充分に記録が可能であり、しかも書き換えが出来る範囲のものであるとしても、次世代青色レーザを使ってより高密度の記録を行うためには、前記した如く再生パワーのアップと、ジッタの低減化の点で満足できるものではなかった。すなわち、従来構成になる相変化型光記録層としてＧｅＳｂＴｅ系の材料を用いた光ディスクは、耐久再生パワー出力としては、せいぜい０．３６ｍＷ程度であるため、コントラストが取れず、従って、Ｃ／Ｎが悪くなり、ジッタの低減化にはつながらず、更なる記録再生特性の向上が必要なものであった。
【００４５】
本発明は、かかる点を解決するために、前記した如く相変化型光記録層としてＧｅＳｂＴｅ系の材料を元に新規にバナジウム（Ｖ）を適当量添加することで、ＧｅＳｂＴｅのみの記録材料に比べて、青色レーザを使ったシステムでの優れた記録再生特性を示すと共に、再生光に対し強い耐久性を示す光ディスクを得ることができたものであり、以下その点につき具体的に説明する。
【００４６】
なお、以下の本実施例の説明においては、前記した次世代青色レーザに対応し、かつ、短いパルス幅でも充分に記録が可能であり、しかも書き換えが出来る範囲に入っていた１２個のサンプルをベースとし、この１２個のうち更に７個を選択し、この選択した７個のサンプルにＶを添加することによって、従来構成では到底奏し得ず、本実施例構成によって初めて特有の効果を奏し得た点につき説明する。
【００４７】
まず、ｓａｍｐｌｅＮｏ．２につき図４を参照して説明する。なお、図４において、２は後述する図１５のｓａｍｐｌｅＮｏ．２を示し、２−ｖ１〜２−ｖ６は、このｓａｍｐｌｅＮｏ．２に対し、Ｖの量を変えていった時の耐久再生パワーと、平均初期ジッタの状態を示すものである。
【００４８】
（実施例１）
直径１２０ｍｍのポリカーボネート基板１にまず、反射層２としてＡｇ合金、第一保護層３としてＺｎＳ−ＳｉＯ２、さらに記録層４としてＶＧｅＳｂＴｅ、第二保護層５としてＺｎＳ−ＳｉＯ２を順にスパッタリング法により形成した。その後、ＵＶ硬化樹脂を接着層６として用い、その上にカバーシート７を貼りあわせた。この時の各層の膜厚は、反射層２を５０ｎｍ、第一保護層３を１０ｎｍ、記録層４を１８ｎｍ、第二保護層５を５０ｎｍとした。
【００４９】
また、記録層４の組成は、原子比でＶ０．５％、Ｇｅ３．４％、Ｓｂ７２．７％、Ｔｅ２３．４％とした。貼り合わせ後、接着層６を十分硬化させるためにＵＶ照射を行った。その後、レーザービームスポット径１２０μｍのイニシャライザで初期化条件を線速度４ｍ／ｓ、送りピッチ４０μｍに固定し、レーザ出力５７０ｍＷで初期化を行った。
【００５０】
ここで初期化のレーザ出力は、ＧｅＳｂＴｅを使った後述する比較例と同じとなったが、ＶＧｅＳｂＴｅに最適化した結果である。その後、１−７変調された情報信号を５．２８ｍ／ｓで、図２に示す如く、ストラテジで１Ｔ＝１５．１ｎｓｅｃとし、後述する図１３の記録条件一覧のｓａｍｐｌｅＮｏ．２に示す如く、Ｐ１＝５．２ｍＷ、Ｐ２＝２．７ｍＷ、Ｐ３＝０．１ｍＷ、Ｐ４＝０．１ｍＷ、ストラテジ（Ｔ）をＴ１＝０．４Ｔ、Ｔ２＝０．４Ｔ、Ｔ３＝０．６Ｔ、Ｔ４＝０．６Ｔでグルーブに記録し、再生信号の振幅の中心でスライスしてクロック・トゥー・データ・ジッタ（ｃｌｏｃｋ　ｔｏ　ｄａｔａ　ｊｉｔｔｅｒ）を測定した。
【００５１】
なお、図１３のｓａｍｐｌｅＮｏ．２〜ｓａｍｐｌｅＮｏ．１７は、本実施例等を含む各実施例のｓａｍｐｌｅＮｏ．２〜ｓａｍｐｌｅＮｏ．１７と対応しているものである。
【００５２】
ジッタは、タイムインターバルアナライザ（型式ＴＡ５２０：横河電機（株）製）により測定した。初回記録後の初期ジッタは、記録マークの始端で７．２％、記録マークの後端では７．０％であり、良好な記録が出来た（図４において、２−ｖ１参照）。なお、初期ジッタ値とは、光ディスクそのもののジッタであって、次世代青色レーザ規格では、装置（ハード）側を含めてのジッタ値は、１０％以下とされている。従って、少なくとも光ディスク単体での初期ジッタ値は、略７％程度に抑えられていることが好ましい。
【００５３】
また、同一ディスクに前記したストラテジで２Ｔ長の単一信号を記録した。記録したトラックをスチル再生し、Ｃ／Ｎを測定した。この時、再生パワーを０．３０ｍＷから０．４０ｍＷまで０．０１ｍＷ刻みで変えて、スチル再生開始直後と５分経過後のＣ／Ｎを測定した。ここで、スチル再生開始直後と５分経過後のＣ／Ｎ差が０．２ｄＢ以下の範囲内に収まる再生パワーの最大値を耐久再生パワーとした。Ｃ／Ｎは、スペクトラムアナライザをはじめとする測定誤差が０．２ｄＢ程度ある。
【００５４】
再生光による劣化がある場合、Ｃ／Ｎの変化は、スチル再生１分程度で変化が殆ど確認できる。５分経過後には、Ｃ／Ｎ劣化量は０．２ｄＢを確実に上回り、劣化したことを十分確認できる。そこで、再生光による劣化の判定基準をＣ／Ｎ差０．２ｄＢとした。
【００５５】
前記測定によると、この実施例１の光ディスクの開始直後のＣ／Ｎは、５０．３ｄＢ、５分経過した後のＣ／Ｎは、５０．３ｄＢであった。Ｃ／Ｎの測定は、スペクトラムアナライザを用い、１６個のデータを取り込みその平均値とした。
【００５６】
このように、この実施例１の光ディスクにおいては、スチル再生開始直後のＣ／Ｎと５分経過後のＣ／Ｎは何等変化がなく、すなわち、再生劣化がなく安定した性能を有する光ディスクであることが分かる。
【００５７】
ここで、再生光について説明する。記録するマークのうち、ジッタが最も悪いのは、記録するのが難しい最短マークである２Ｔマークである。これは、記録するときのレーザ照射時間、つまりマーク形成時間が最も短いため、マーク形成に手間取るからである。つまり、２Ｔマークのジッタを、例えば９％以下に抑えることが出来れば、全マークは確実に９％以下に抑えることができ、従って、総合したジッタを大きく低減する事が出来るからである。この２Ｔ単独のジッタが９％になるために必要なＣ／Ｎは、５１．０ｄＢであることが実験で分かっている。
【００５８】
ここで、Ｖが含有されていないＧｅＳｂＴｅを相変化記録層とした場合には、劣化しないであろう０．３ｍＷのパワーで再生すると、５０．０ｄＢのＣ／Ｎとなる。ここで、再生光を耐久パワー最大の０．３６ｍＷまで引き上げても、せいぜい５０．０ｄＢにとどまり、５１．０ｄＢには達しないことが実験的に確認されている。
【００５９】
一方、Ｖが含有されているＧｅＳｂＴｅを相変化記録層とした本実施例の場合は、耐久再生パワーは０．３８ｍＷ〜０．４０ｍＷである。これは、後述する如く、Ｖは高融点元素であり、熱的に非常に安定であること、相変化記録層を構成するＧｅ、Ｓｂ、Ｔｅとは反応せず、また、隣接する保護層を形成する材料とも反応しない安定した物質であること、適量の添加により、記録膜中でこのＶがアンカーとして働き、記録マーク形成時にマークエッジがより鋭くなることでジッタが低減すること、さらに、前記した如く高融点材料ということで熱的耐久性がよいため、再生光に対しより強いパワーまで耐えることができるからと思われる。
【００６０】
そして、劣化しないであろう０．３０ｍＷのパワーで再生した場合、Ｃ／Ｎは最大で５０．５ｄＢであるが、０．３８ｍＷまで再生パワーを上げることでＣ／Ｎは５１．０ｄＢに到達することが出来たものである。すなわち、記録するのが難しい最短マークである２Ｔマークの形成時でも、この２Ｔ単独のジッタが９％に抑えることが出来るものである。
【００６１】
ちなみに、再生パワーを０．３８ｍＷまで上げた場合のスチル再生開始直後のＣ／Ｎは５１．２ｄＢ、５分経過後のＣ／Ｎは同じく５１．２ｄＢであった。すなわち、前記した２Ｔ単独のジッタが９％になるために必要なＣ／Ｎ条件を、充分に満足しているものであった。（図１４参照）
【００６２】
次に、Ｇｅの量とＳｂ／Ｔｅの比を同じとし、ＳｂとＴｅの量を若干変化させ、更に、Ｖの量を１．０とした場合を２−ｖ２として実験を行ったが、耐久再生パワーとして、０．３８、平均初期ジッタとして６．９５と前記２−ｖ１を上回る実験結果が得られた。すなわち、この例に於ける光ディスクは、再生パワー出力、初期ジッタとして、次世代の規格を充分満足する光ディスクであることが分かる。
【００６３】
次に、Ｇｅの量とＳｂ／Ｔｅの比を同じとし、ＳｂとＴｅの量を若干変化させ、更に、Ｖの量を１．５とした場合を２−ｖ３として実験を行ったが、耐久再生パワーとして、前記と同様の０．３８、平均初期ジッタとして６．９３と前記２−ｖ２を更に上回る実験結果が得られた。すなわち、この例に於ける光ディスクも、再生パワー出力、初期ジッタとして、次世代の規格を充分満足する光ディスクであることが分かる。
【００６４】
次に、Ｇｅの量とＳｂ／Ｔｅの比を同じとし、ＳｂとＴｅの量を若干変化させ、更に、Ｖの量を２．０とした場合を２−ｖ４として実験を行ったが、耐久再生パワーとして、前記と同様の０．３８、平均初期ジッタとして６．９７と充分な実験結果が得られた。すなわち、この例に於ける光ディスクも、再生パワー出力、初期ジッタとして、次世代の規格を充分満足する光ディスクであることが分かる。
【００６５】
次に、Ｇｅの量とＳｂ／Ｔｅの比を同じとし、ＳｂとＴｅの量を若干変化させ、更に、Ｖの量を２．５とした場合を２−ｖ５として実験を行ったが、耐久再生パワーとして、前記と同様の０．３８、平均初期ジッタとして８．００とｓａｍｐｌｅＮｏ．２より悪い実験結果であった。すなわち、この例に於ける光ディスクは、再生パワー出力、初期ジッタとして、次世代の規格を満足しない光ディスクであることが分かる。
【００６６】
次に、Ｇｅの量とＳｂ／Ｔｅの比を同じとし、ＳｂとＴｅの量を若干変化させ、更に、Ｖの量を３．０とした場合を２−ｖ６として実験を行ったが、耐久再生パワーとして、前記と同様の０．３８、平均初期ジッタとして９．１２と前記２−ｖ５より更に悪い実験結果であった。すなわち、この例に於ける光ディスクも、再生パワー出力、初期ジッタとして、次世代の規格を満足しない光ディスクであることが分かる。
【００６７】
ここで、測定誤差として、０．２ｄＢ程度の誤差は生じるので、再生開始直後のＣ／Ｎ変化は、０．２ｄＢ以下であれば良好であると見なした。すなわち、スチル再生開始直後のＣ／Ｎと５分経過後のＣ／Ｎは実質的に変化がないということである。ここで、５分経過した後のＣ／Ｎ劣化が０．２ｄＢ以下で耐えられる再生パワーの強度を調べたところ、０．３８ｍＷまで耐久可能であった。このことより、実施例１になる光ディスク１０は、再生光に対して、強い耐久性を示しており、次世代の規格を満足している光ディスクであることが理解できる。
【００６８】
また、この２−ｖ１〜２−ｖ６より、Ｖの量は、０．５〜２．０の範囲のものが初期ジッタとして良好なものであるということが理解できる。
【００６９】
次に、ｓａｍｐｌｅＮｏ．４につき図５を参照して説明する。なお、図５において、４は後述する図１５のｓａｍｐｌｅＮｏ．４を示し、４−ｖ１〜４−ｖ６は、このｓａｍｐｌｅＮｏ．４に対し、Ｖの量を変えていった時の耐久再生パワーと、平均初期ジッタの状態を示すものである。
【００７０】
（実施例２）
直径１２０ｍｍのポリカーボネート基板１に、前記した実施例１と同様の方法で反射層２、第一保護層３、記録層４、第二保護層５を順次スパッタリング法により形成した。その後、ＵＶ硬化樹脂を接着層６として用い、その上にカバーシート７を貼りあわせた。この時の各層の膜厚は、反射層２を５０ｎｍ、第一保護層３を１０ｎｍ、記録層４を１８ｎｍ、第二保護層５を５０ｎｍとした。
【００７１】
また、記録層４の組成は、原子比でＶ０．５％、Ｇｅ４．３％、Ｓｂ６４．５％、Ｔｅ３０．７％とした。貼り合わせ後、接着層６を十分硬化させるためにＵＶ照射を行った。その後、レーザービームスポット径１２０μｍのイニシャライザで初期化条件を線速度４ｍ／ｓ、送りピッチ４０μｍを固定し、レーザ出力５７０ｍＷで初期化を行った。
【００７２】
ここで初期化のレーザ出力は、ＧｅＳｂＴｅを使った後述する比較例と同じとなったが、ＶＧｅＳｂＴｅに最適化した結果である。その後、１−７変調された情報信号を５．２８ｍ／ｓで、図２に示す如く、ストラテジで１Ｔ＝１５．１ｎｓｅｃとし、後述する図１３の記録条件一覧のｓａｍｐｌｅＮｏ．４に示す如く、Ｐ１＝５．２ｍＷ、Ｐ２＝２．４ｍＷ、Ｐ３＝０．１ｍＷ、Ｐ４＝０．１ｍＷ、ストラテジＴを、Ｔ１＝０．４Ｔ、Ｔ２＝０．４Ｔ、Ｔ３＝０．６Ｔ、Ｔ４＝０．６Ｔでグルーブに記録し、再生信号の振幅の中心でスライスしてクロック・トゥー・データ・ジッタ（ｃｌｏｃｋ　ｔｏ　ｄａｔａ　ｊｉｔｔｅｒ）を測定した。
【００７３】
ジッタは、タイムインターバルアナライザ（型式ＴＡ５２０：横河電機（株）製）により測定した。初回記録後のジッタは、記録マークの始端で７．３４％、記録マークの後端では７．３０％であり、良好な記録が出来た。（図５において、４−ｖ１参照）
【００７４】
また、同一ディスクに前記したストラテジで２Ｔ長の単一信号を記録した。記録したトラックをスチル再生し、Ｃ／Ｎを測定した。この時、再生パワーを０．３０ｍＷから０．４０ｍＷまで変えて、スチル再生開始直後と５分経過後のＣ／Ｎを測定した。開始直後のＣ／Ｎは、５０．１ｄＢ、５分経過した後のＣ／Ｎは、５０．０ｄＢであった。Ｃ／Ｎの測定は、スペクトラアナライザを用い、１６個のデータを取り込みその平均値とした。
【００７５】
さらに、再生パワーを０．３８ｍＷまで上げた場合のスチル再生開始直後のＣ／Ｎは５１．１ｄＢ、５分経過後のＣ／Ｎは同じく５１．１ｄＢであった。すなわち、前記した２Ｔ単独のジッタが９％になるために必要なＣ／Ｎ条件を、充分に満足しているものであった。（図１４参照）
【００７６】
このように、この実施例２の光ディスクにおいては、スチル再生開始直後のＣ／Ｎと５分経過後のＣ／Ｎは殆ど変化がなく、すなわち、再生劣化がなく安定した性能を有する光ディスクであることが分かる。
【００７７】
次に、Ｇｅの量とＳｂ／Ｔｅの比を同じとし、ＳｂとＴｅの量を若干変化させ、更に、Ｖの量を１．０とした場合を４−ｖ２として実験を行ったが、耐久再生パワーとして、０．３８、平均初期ジッタとして７．１０と前記４−ｖ１を上回る実験結果が得られた。すなわち、この例に於ける光ディスクは、再生パワー出力、初期ジッタとして、次世代の規格を充分満足する光ディスクであることが分かる。
【００７８】
次に、Ｇｅの量とＳｂ／Ｔｅの比を同じとし、ＳｂとＴｅの量を若干変化させ、更に、Ｖの量を１．５とした場合を４−ｖ３として実験を行ったが、耐久再生パワーとして、前記と同様の０．３８、平均初期ジッタとして７．０５と前記４−ｖ２を更に上回る実験結果が得られた。すなわち、この例に於ける光ディスクも、再生パワー出力、初期ジッタとして、次世代の規格を充分満足する光ディスクであることが分かる。
【００７９】
次に、Ｇｅの量とＳｂ／Ｔｅの比を同じとし、ＳｂとＴｅの量を若干変化させ、更に、Ｖの量を２．０とした場合を４−ｖ４として実験を行ったが、耐久再生パワーとして、前記と同様の０．３８、平均初期ジッタとして７．１３と充分な実験結果が得られた。すなわち、この例に於ける光ディスクも、再生パワー出力、初期ジッタとして、次世代の規格を充分満足する光ディスクであることが分かる。
【００８０】
次に、Ｇｅの量とＳｂ／Ｔｅの比を同じとし、ＳｂとＴｅの量を若干変化させ、更に、Ｖの量を２．５とした場合を４−ｖ５として実験を行ったが、耐久再生パワーとして、前記と同様の０．３８、平均初期ジッタとして８．６５とｓａｍｐｌｅＮｏ．４より悪い実験結果であった。すなわち、この例に於ける光ディスクは、再生パワー出力、初期ジッタとして、次世代の規格を満足しない光ディスクであることが分かる。
【００８１】
次に、Ｇｅの量とＳｂ／Ｔｅの比を同じとし、ＳｂとＴｅの量を若干変化させ、更に、Ｖの量を３．０とした場合を４−ｖ６として実験を行ったが、耐久再生パワーとして、前記と同様の０．３８、平均初期ジッタとして９．８２と前記４−ｖ５より更に悪い実験結果であった。すなわち、この例に於ける光ディスクも、再生パワー出力、初期ジッタとして、次世代の規格を満足しない光ディスクであることが分かる。
【００８２】
ここで、測定誤差として、０．２ｄＢ程度の誤差は生じるので、再生開始直後のＣ／Ｎ変化は、０．２ｄＢ以下であれば良好であると見なした。ここで、５分経過した後のＣ／Ｎ劣化が０．２ｄＢ以下で耐えられる再生パワーの強度を調べたところ、０．３８ｍＷまで耐久可能であった。このことより、実施例２になる光ディスク１０は、再生光に対して強い耐久性を示しており、次世代の規格を満足している光ディスクであることが理解できる。
【００８３】
また、この、４−ｖ１〜４−ｖ６より、Ｖの量は、０．５〜２．０の範囲のものが初期ジッタとして良好なものであるということが理解できる。
【００８４】
次に、ｓａｍｐｌｅＮｏ．７につき図６を参照して説明する。なお、図６において、７は後述する図１５のｓａｍｐｌｅＮｏ７を示し、７−ｖ１〜７−ｖ６は、このｓａｍｐｌｅＮｏ７に対し、Ｖの量を変えていった時の耐久再生パワーと、平均初期ジッタの状態を示すものである。
【００８５】
（実施例３）
直径１２０ｍｍのポリカーボネート基板１に、前記した実施例１と同様の方法で反射層２、第一保護層３、記録層４、第二保護層５を順次スパッタリング法により形成した。その後、ＵＶ硬化樹脂を接着層６として用い、その上にカバーシート７を貼りあわせた。この時の各層の膜厚は、反射層２を５０ｎｍ、第一保護層３を１０ｎｍ、記録層４を１８ｎｍ、第二保護層５を５０ｎｍとした。
【００８６】
また、記録層４の組成は、原子比でＶ０．５％、Ｇｅ４．６％、Ｓｂ７５．９％、Ｔｅ１９．０％とした。貼り合わせ後、接着層６を十分硬化させるためにＵＶ照射を行った。その後、レーザービームスポット径１２０μｍのイニシャライザで初期化条件を線速度４ｍ／ｓ、送りピッチ４０μｍを固定し、レーザ出力５７０ｍＷで初期化を行った。
【００８７】
ここで初期化のレーザ出力は、ＧｅＳｂＴｅを使った後述する比較例と同じとなったが、ＶＧｅＳｂＴｅに最適化した結果である。その後、１−７変調された情報信号を５．２８ｍ／ｓで、図２に示す如く、ストラテジで１Ｔ＝１５．１ｎｓｅｃとし、後述する図１３の記録条件一覧のｓａｍｐｌｅＮｏ７に示す如く、Ｐ１＝５．２ｍＷ、Ｐ２＝３．１ｍＷ、Ｐ３＝０．１ｍＷ、Ｐ４＝０．１ｍＷ、ストラテジＴを、Ｔ１＝０．５Ｔ、Ｔ２＝０．５Ｔ、Ｔ３＝０．８Ｔ、Ｔ４＝０．８Ｔでグルーブに記録し、再生信号の振幅の中心でスライスしてクロック・トゥー・データ・ジッタ（ｃｌｏｃｋ　ｔｏ　ｄａｔａ　ｊｉｔｔｅｒ）を測定した。
【００８８】
ジッタは、タイムインターバルアナライザ（型式ＴＡ５２０：横河電機（株）製）により測定した。初回記録後のジッタは、記録マークの始端で７．３０％、記録マークの後端では７．１０％であり、良好な記録が出来た。（図６において、７−ｖ１参照）
【００８９】
また、同一ディスクに前記したストラテジで２Ｔ長の単一信号を記録した。記録したトラックをスチル再生し、Ｃ／Ｎを測定した。この時、再生パワーを０．３０ｍＷから０．４０ｍＷまで変えて、スチル再生開始直後と５分経過後のＣ／Ｎを測定した。開始直後のＣ／Ｎは、５０．２ｄＢ、５分経過した後のＣ／Ｎは、５０．２ｄＢであった。Ｃ／Ｎの測定は、スペクトラアナライザを用い、１６個のデータを取り込みその平均値とした。
【００９０】
さらに、再生パワーを０．３８ｍＷまで上げた場合のスチル再生開始直後のＣ／Ｎは５１．２ｄＢ、５分経過後のＣ／Ｎは同じく５１．１ｄＢであった。すなわち、前記した２Ｔ単独のジッタが９％になるために必要なＣ／Ｎ条件を、充分に満足しているものであった。（図１４参照）
【００９１】
このように、この実施例３の光ディスクにおいては、スチル再生開始直後のＣ／Ｎと５分経過後のＣ／Ｎは殆ど変化がなく、すなわち、再生劣化がなく安定した性能を有する光ディスクであることが分かる。
【００９２】
次に、Ｇｅの量とＳｂ／Ｔｅの比を同じとし、ＳｂとＴｅの量を若干変化させ、更に、Ｖの量を１．０とした場合を７−ｖ２として実験を行ったが、耐久再生パワーとして、０．３８、平均初期ジッタとして７．１５と前記７−ｖ１を上回る実験結果が得られた。すなわち、この例に於ける光ディスクは、再生パワー出力、初期ジッタとして、次世代の規格を充分満足する光ディスクであることが分かる。
【００９３】
次に、Ｇｅの量とＳｂ／Ｔｅの比を同じとし、ＳｂとＴｅの量を若干変化させ、更に、Ｖの量を１．５とした場合を７−ｖ３として実験を行ったが、耐久再生パワーとして、前記と同様の０．３８、平均初期ジッタとして７．０７と前記７−ｖ２を更に上回る実験結果が得られた。すなわち、この例に於ける光ディスクも、再生パワー出力、初期ジッタとして、次世代の規格を充分満足する光ディスクであることが分かる。
【００９４】
次に、Ｇｅの量とＳｂ／Ｔｅの比を同じとし、ＳｂとＴｅの量を若干変化させ、更に、Ｖの量を２．０とした場合を７−ｖ４として実験を行ったが、耐久再生パワーとして、前記と同様の０．３８、平均初期ジッタとして７．１８と充分な実験結果が得られた。すなわち、この例に於ける光ディスクも、再生パワー出力、初期ジッタとして、次世代の規格を充分満足する光ディスクであることが分かる。
【００９５】
次に、Ｇｅの量とＳｂ／Ｔｅの比を同じとし、ＳｂとＴｅの量を若干変化させ、更に、Ｖの量を２．５とした場合を７−ｖ５として実験を行ったが、耐久再生パワーとして、前記と同様の０．３８、平均初期ジッタとして８．２５とｓａｍｐｌｅＮｏ．７とほぼ同等の結果であった。すなわち、この例に於ける光ディスクは、再生パワー出力、初期ジッタとして、次世代の規格を満足しない光ディスクであることが分かる。
【００９６】
次に、Ｇｅの量とＳｂ／Ｔｅの比を同じとし、ＳｂとＴｅの量を若干変化させ、更に、Ｖの量を３．０とした場合を７−ｖ６として実験を行ったが、耐久再生パワーとして、前記と同様の０．３８、平均初期ジッタとして９．３４と前記７−ｖ６より更に悪い実験結果であった。すなわち、この例に於ける光ディスクも、再生パワー出力、初期ジッタとして、次世代の規格を満足しない光ディスクであることが分かる。
【００９７】
ここで、測定誤差として、０．２ｄＢ程度の誤差は生じるので、再生開始直後のＣ／Ｎ変化は、０．２ｄＢ以下であれば良好であると見なした。ここで、５分経過した後のＣ／Ｎ劣化が０．２ｄＢ以下で耐えられる再生パワーの強度を調べたところ、０．３８ｍＷまで耐久可能であった。このことより、実施例３になる光ディスク１０は、再生光に対して、強い耐久性を示しており、次世代の規格を満足している光ディスクであることが理解できる。
【００９８】
また、この７−ｖ１〜７−ｖ６より、Ｖの量は、０．５〜２．０の範囲のものが初期ジッタとして良好なものであるということが理解できる。
【００９９】
次に、ｓａｍｐｌｅＮｏ．９につき図７を参照して説明する。なお、図７において、９は後述する図１５のｓａｍｐｌｅＮｏ９を示し、９−ｖ１〜９−ｖ６は、このｓａｍｐｌｅＮｏ９に対し、Ｖの量を変えていった時の耐久再生パワーと、平均初期ジッタの状態を示すものである。
【０１００】
（実施例４）
直径１２０ｍｍのポリカーボネート基板１に、前記した実施例１と同様の方法で反射層２、第一保護層３、記録層４、第二保護層５を順次スパッタリング法により形成した。その後、ＵＶ硬化樹脂を接着層６として用い、その上にカバーシート７を貼りあわせた。この時の各層の膜厚は、反射層２を５０ｎｍ、第一保護層３を１０ｎｍ、記録層４を１８ｎｍ、第二保護層５を５０ｎｍとした。
【０１０１】
また、記録層４の組成は、原子比でＶ０．５％、Ｇｅ６．２％、Ｓｂ６８．７％、Ｔｅ２４．６％とした。貼り合わせ後、接着層６を十分硬化させるためにＵＶ照射を行った。その後、レーザービームスポット径１２０μｍのイニシャライザで初期化条件を線速度４ｍ／ｓ、送りピッチ４０μｍを固定し、レーザ出力５７０ｍＷで初期化を行った。
【０１０２】
ここで初期化のレーザ出力は、ＧｅＳｂＴｅを使った後述する比較例と同じとなったが、ＶＧｅＳｂＴｅに最適化した結果である。その後、１−７変調された情報信号を５．２８ｍ／ｓで、図２に示す如く、ストラテジで１Ｔ＝１５．１ｎｓｅｃとし、後述する図１３の記録条件一覧のｓａｍｐｌｅＮｏ９に示す如く、Ｐ１＝５．２ｍＷ、Ｐ２＝２．７ｍＷ、Ｐ３＝０．１ｍＷ、Ｐ４＝０．１ｍＷ、ストラテジＴを、Ｔ１＝０．４Ｔ、Ｔ２＝０．４Ｔ、Ｔ３＝０．６Ｔ、Ｔ４＝０．６Ｔでグルーブに記録し、再生信号の振幅の中心でスライスしてクロック・トゥー・データ・ジッタ（ｃｌｏｃｋ　ｔｏ　ｄａｔａ　ｊｉｔｔｅｒ）を測定した。
【０１０３】
ジッタは、タイムインターバルアナライザ（型式ＴＡ５２０：横河電機（株）製）により測定した。初回記録後のジッタは、記録マークの始端で７．１０％、記録マークの後端では７．００％であり、良好な記録が出来た。（図７において、９−ｖ１参照）
【０１０４】
また、同一ディスクに前記したストラテジで２Ｔ長の単一信号を記録した。記録したトラックをスチル再生し、Ｃ／Ｎを測定した。この時、再生パワーを０．３０ｍＷから０．４０ｍＷまで変えて、スチル再生開始直後と５分経過後のＣ／Ｎを測定した。開始直後のＣ／Ｎは、５０．２ｄＢ、５分経過した後のＣ／Ｎは、５０．１ｄＢであった。Ｃ／Ｎの測定は、スペクトラアナライザを用い、１６個のデータを取り込みその平均値とした。
【０１０５】
さらに、再生パワーを０．３８ｍＷまで上げた場合のスチル再生開始直後のＣ／Ｎは５１．２ｄＢ、５分経過後のＣ／Ｎは同じく５１．２ｄＢであった。すなわち、前記した２Ｔ単独のジッタが９％になるために必要なＣ／Ｎ条件を、充分に満足しているものであった。（図１４参照）
【０１０６】
このように、この実施例４の光ディスクにおいては、スチル再生開始直後のＣ／Ｎと５分経過後のＣ／Ｎは殆ど変化がなく、すなわち、再生劣化がなく安定した性能を有する光ディスクであることが分かる。
【０１０７】
次に、Ｇｅの量とＳｂ／Ｔｅの比を同じとし、ＳｂとＴｅの量を若干変化させ、更に、Ｖの量を１．０とした場合を９−ｖ２として実験を行ったが、耐久再生パワーとして、０．３９、平均初期ジッタとして６．９７と前記９−ｖ１を上回る実験結果が得られた。すなわち、この例に於ける光ディスクは、再生パワー出力、初期ジッタとして、次世代の規格を充分満足する光ディスクであることが分かる。
【０１０８】
次に、Ｇｅの量とＳｂ／Ｔｅの比を同じとし、ＳｂとＴｅの量を若干変化させ、更に、Ｖの量を１．５とした場合を９−ｖ３として実験を行ったが、耐久再生パワーとして、前記と同様の０．３９、平均初期ジッタとして６．９２と前記９−ｖ２を更に上回る実験結果が得られた。すなわち、この例に於ける光ディスクも、再生パワー出力、初期ジッタとして、次世代の規格を充分満足する光ディスクであることが分かる。
【０１０９】
次に、Ｇｅの量とＳｂ／Ｔｅの比を同じとし、ＳｂとＴｅの量を若干変化させ、更に、Ｖの量を２．０とした場合を９−ｖ４として実験を行ったが、耐久再生パワーとして、前記と同様の０．３９、平均初期ジッタとして７．０２と充分な実験結果が得られた。すなわち、この例に於ける光ディスクも、再生パワー出力、初期ジッタとして、次世代の規格を充分満足する光ディスクであることが分かる。
【０１１０】
次に、Ｇｅの量とＳｂ／Ｔｅの比を同じとし、ＳｂとＴｅの量を若干変化させ、更に、Ｖの量を２．５とした場合を９−ｖ５として実験を行ったが、耐久再生パワーとして、前記と同様の０．３９、平均初期ジッタとして８．３７とｓａｍｐｌｅＮｏ．９より悪い結果であった。すなわち、この例に於ける光ディスクは、再生パワー出力、初期ジッタとして、次世代の規格を満足しない光ディスクであることが分かる。
【０１１１】
次に、Ｇｅの量とＳｂ／Ｔｅの比を同じとし、ＳｂとＴｅの量を若干変化させ、更に、Ｖの量を３．０とした場合を９−ｖ６として実験を行ったが、耐久再生パワーとして、前記と同様の０．３９、平均初期ジッタとして９．４３と前記９−ｖ６より更に悪い実験結果であった。すなわち、この例に於ける光ディスクも、再生パワー出力、初期ジッタとして、次世代の規格を満足しない光ディスクであることが分かる。
【０１１２】
ここで、測定誤差として、０．２ｄＢ程度の誤差は生じるので、再生開始直後のＣ／Ｎ変化は、０．２ｄＢ以下であれば良好であると見なした。ここで、５分経過した後のＣ／Ｎ劣化が０．２ｄＢ以下で耐えられる再生パワーの強度を調べたところ、０．３９ｍＷまで耐久可能であった。このことより、実施例４になる光ディスク１０は、再生光に対して、強い耐久性を示しており、次世代の規格を満足している光ディスクであることが理解できる。
【０１１３】
また、この９−ｖ１〜９−ｖ６より、Ｖの量は、０．５〜２．０の範囲のものが初期ジッタとして良好なものであるということが理解できる。
【０１１４】
次に、ｓａｍｐｌｅＮｏ．１５につき図８を参照して説明する。なお、図８において、１５は後述する図１５のｓａｍｐｌｅＮｏ．１５を示し、１５−ｖ１〜１５−ｖ６は、このｓａｍｐｌｅＮｏ．１５に対し、Ｖの量を変えていった時の耐久再生パワーと、平均初期ジッタの状態を示すものである。
【０１１５】
（実施例５）
直径１２０ｍｍのポリカーボネート基板１に、前記した実施例１と同様の方法で反射層２、第一保護層３、記録層４、第二保護層５を順次スパッタリング法により形成した。その後、ＵＶ硬化樹脂を接着層６として用い、その上にカバーシート７を貼りあわせた。この時の各層の膜厚は、反射層２を５０ｎｍ、第一保護層３を１０ｎｍ、記録層４を１８ｎｍ、第二保護層５を５０ｎｍとした。
【０１１６】
また、記録層４の組成は、原子比でＶ０．５％、Ｇｅ８．７％、Ｓｂ６９．２％、Ｔｅ２１．６％とした。貼り合わせ後、接着層６を十分硬化させるためにＵＶ照射を行った。その後、レーザービームスポット径１２０μｍのイニシャライザで初期化条件を線速度４ｍ／ｓ、送りピッチ４０μｍを固定し、レーザ出力５７０ｍＷで初期化を行った。
【０１１７】
ここで初期化のレーザ出力は、ＧｅＳｂＴｅを使った後述する比較例と同じとなったが、ＶＧｅＳｂＴｅに最適化した結果である。その後、１−７変調された情報信号を５．２８ｍ／ｓで、図２に示す如く、ストラテジで１Ｔ＝１５．１ｎｓｅｃとし、後述する図１３の記録条件一覧のｓａｍｐｌｅＮｏ．１５に示す如く、Ｐ１＝５．２ｍＷ、Ｐ２＝２．７ｍＷ、Ｐ３＝０．１ｍＷ、Ｐ４＝０．１ｍＷ、ストラテジＴを、Ｔ１＝０．４Ｔ、Ｔ２＝０．４Ｔ、Ｔ３＝０．６Ｔ、Ｔ４＝０．６Ｔでグルーブに記録し、再生信号の振幅の中心でスライスしてクロック・トゥー・データ・ジッタ（ｃｌｏｃｋ　ｔｏ　ｄａｔａ　ｊｉｔｔｅｒ）を測定した。
【０１１８】
ジッタは、タイムインターバルアナライザ（型式ＴＡ５２０：横河電機（株）製）により測定した。初回記録後のジッタは、記録マークの始端で６．９０％、記録マークの後端では６．８０％であり、良好な記録が出来た。（図８において、１５−ｖ１参照）
【０１１９】
また、同一ディスクに前記したストラテジで２Ｔ長の単一信号を記録した。記録したトラックをスチル再生し、Ｃ／Ｎを測定した。この時、再生パワーを０．３０ｍＷから０．４０ｍＷまで変えて、スチル再生開始直後と５分経過後のＣ／Ｎを測定した。開始直後のＣ／Ｎは、５０．５ｄＢ、５分経過した後のＣ／Ｎは、
５０．５ｄＢであった。Ｃ／Ｎの測定は、スペクトラアナライザを用い、１６個のデータを取り込みその平均値とした。
【０１２０】
さらに、再生パワーを０．３８ｍＷまで上げた場合のスチル再生開始直後のＣ／Ｎは５１．５ｄＢ、５分経過後のＣ／Ｎは同じく５１．５ｄＢであった。すなわち、前記した２Ｔ単独のジッタが９％になるために必要なＣ／Ｎ条件を、充分に満足しているものであった。（図１４参照）
【０１２１】
このように、この実施例５の光ディスクにおいては、スチル再生開始直後のＣ／Ｎと５分経過後のＣ／Ｎは変化がなく、すなわち、再生劣化がなく安定した性能を有する光ディスクであることが分かる。
【０１２２】
次に、Ｇｅの量とＳｂ／Ｔｅの比を同じとし、ＳｂとＴｅの量を若干変化させ、更に、Ｖの量を１．０とした場合を１５−ｖ２として実験を行ったが、耐久再生パワーとして、０．３９、平均初期ジッタとして６．９０と前記１５−ｖ１とほぼ同等の実験結果が得られた。すなわち、この例に於ける光ディスクは、再生パワー出力、初期ジッタとして、次世代の規格を充分満足する光ディスクであることが分かる。
【０１２３】
次に、Ｇｅの量とＳｂ／Ｔｅの比を同じとし、ＳｂとＴｅの量を若干変化させ、更に、Ｖの量を１．５とした場合を１５−ｖ３として実験を行ったが、耐久再生パワーとして、前記と同様の０．３９、平均初期ジッタとして６．８５と前記１５−ｖ２を更に上回る実験結果が得られた。すなわち、この例に於ける光ディスクも、再生パワー出力、初期ジッタとして、次世代の規格を充分満足する光ディスクであることが分かる。
【０１２４】
次に、Ｇｅの量とＳｂ／Ｔｅの比を同じとし、ＳｂとＴｅの量を若干変化させ、更に、Ｖの量を２．０とした場合を１５−ｖ４として実験を行ったが、耐久再生パワーとして、前記と同様の０．３９、平均初期ジッタとして６．９０と充分な実験結果が得られた。すなわち、この例に於ける光ディスクも、再生パワー出力、初期ジッタとして、次世代の規格を充分満足する光ディスクであることが分かる。
【０１２５】
次に、Ｇｅの量とＳｂ／Ｔｅの比を同じとし、ＳｂとＴｅの量を若干変化させ、更に、Ｖの量を２．５とした場合を１５−ｖ５として実験を行ったが、耐久再生パワーとして、前記と同様の０．３９、平均初期ジッタとして８．２０とｓａｍｐｌｅＮｏ．１５より悪い結果であった。すなわち、この例に於ける光ディスクは、再生パワー出力、初期ジッタとして、次世代の規格を満足しない光ディスクであることが分かる。
【０１２６】
次に、Ｇｅの量とＳｂ／Ｔｅの比を同じとし、ＳｂとＴｅの量を若干変化させ、更に、Ｖの量を３．０とした場合を１５−ｖ６として実験を行ったが、耐久再生パワーとして、前記と同様の０．３９、平均初期ジッタとして９．１０と前記１５−ｖ６より更に悪い実験結果であった。すなわち、この例に於ける光ディスクも、再生パワー出力、初期ジッタとして、次世代の規格を満足しない光ディスクであることが分かる。
【０１２７】
ここで、測定誤差として、０．２ｄＢ程度の誤差は生じるので、再生開始直後のＣ／Ｎ変化は、０．２ｄＢ以下であれば良好であると見なした。ここで、５分経過した後のＣ／Ｎ劣化が０．２ｄＢ以下で耐えられる再生パワーの強度を調べたところ、０．３９ｍＷまで耐久可能であった。このことより、実施例５になる光ディスク１０は、再生光に対して、強い耐久性を示しており、次世代の規格を満足している光ディスクであることが理解できる。
【０１２８】
また、この１５−ｖ１〜１５−ｖ６より、Ｖの量は、０．５〜２．０の範囲のものが初期ジッタとして良好なものであるということが理解できる。
【０１２９】
次に、ｓａｍｐｌｅＮｏ．１６につき図９を参照して説明する。なお、図９において、１６は後述する図１５のｓａｍｐｌｅＮｏ．１６を示し、１６−ｖ１〜１６−ｖ６は、このｓａｍｐｌｅＮｏ．１６に対し、Ｖの量を変えていった時の耐久再生パワーと、平均初期ジッタの状態を示すものである。
【０１３０】
（実施例６）
直径１２０ｍｍのポリカーボネート基板１に、前記した実施例１と同様の方法で反射層２、第一保護層３、記録層４、第二保護層５を順次スパッタリング法により形成した。その後、ＵＶ硬化樹脂を接着層６として用い、その上にカバーシート７を貼りあわせた。この時の各層の膜厚は、反射層２を５０ｎｍ、第一保護層３を１０ｎｍ、記録層４を１８ｎｍ、第二保護層５を５０ｎｍとした。
【０１３１】
また、記録層４の組成は、原子比でＶ０．５％、Ｇｅ１１．１％、Ｓｂ６８．８％、Ｔｅ１９．６％とした。貼り合わせ後、接着層６を十分硬化させるためにＵＶ照射を行った。その後、レーザービームスポット径１２０μｍのイニシャライザで初期化条件を線速度４ｍ／ｓ、送りピッチ４０μｍを固定し、レーザ出力５７０ｍＷで初期化を行った。
【０１３２】
ここで初期化のレーザ出力は、ＧｅＳｂＴｅを使った後述する比較例と同じとなったが、ＶＧｅＳｂＴｅに最適化した結果である。その後、１−７変調された情報信号を５．２８ｍ／ｓで、図２に示す如く、ストラテジで１Ｔ＝１５．１ｎｓｅｃとし、後述する図１３の記録条件一覧のｓａｍｐｌｅＮｏ．１６に示す如く、Ｐ１＝５．２ｍＷ、Ｐ２＝３．１ｍＷ、Ｐ３＝０．１ｍＷ、Ｐ４＝０．１ｍＷ、ストラテジＴを、Ｔ１＝０．５Ｔ、Ｔ２＝０．５Ｔ、Ｔ３＝０．８Ｔ、Ｔ４＝０．８Ｔでグルーブに記録し、再生信号の振幅の中心でスライスしてクロック・トゥー・データ・ジッタ（ｃｌｏｃｋ　ｔｏ　ｄａｔａ　ｊｉｔｔｅｒ）を測定した。
【０１３３】
ジッタは、タイムインターバルアナライザ（型式ＴＡ５２０：横河電機（株）製）により測定した。初回記録後のジッタは、記録マークの始端で７．１９％、記録マークの後端では７．１７％であり、良好な記録が出来た。（図９において、１６−ｖ１参照）
【０１３４】
また、同一ディスクに前記したストラテジで２Ｔ長の単一信号を記録した。記録したトラックをスチル再生し、Ｃ／Ｎを測定した。この時、再生パワーを０．３０ｍＷから０．３９ｍＷまで変えて、スチル再生開始直後と５分経過後のＣ／Ｎを測定した。開始直後のＣ／Ｎは、５０．２ｄＢ、５分経過した後のＣ／Ｎは、５０．２ｄＢであった。Ｃ／Ｎの測定は、スペクトラアナライザを用い、１６個のデータを取り込みその平均値とした。
【０１３５】
さらに、再生パワーを０．３８ｍＷまで上げた場合のスチル再生開始直後のＣ／Ｎは５１．１ｄＢ、５分経過後のＣ／Ｎは同じく５１．１ｄＢであった。すなわち、前記した２Ｔ単独のジッタが９％になるために必要なＣ／Ｎ条件を、充分に満足しているものであった。（図１４参照）
【０１３６】
このように、この実施例６の光ディスクにおいては、スチル再生開始直後のＣ／Ｎと５分経過後のＣ／Ｎは変化がなく、すなわち、再生劣化がなく安定した性能を有する光ディスクであることが分かる。
【０１３７】
次に、Ｇｅの量とＳｂ／Ｔｅの比を同じとし、ＳｂとＴｅの量を若干変化させ、更に、Ｖの量を１．０とした場合を１６−ｖ２として実験を行ったが、耐久再生パワーとして、０．４０、平均初期ジッタとして７．０２と前記１６−ｖ１を上回る実験結果が得られた。すなわち、この例に於ける光ディスクは、再生パワー出力、初期ジッタとして、次世代の規格を充分満足する光ディスクであることが分かる。
【０１３８】
次に、Ｇｅの量とＳｂ／Ｔｅの比を同じとし、ＳｂとＴｅの量を若干変化させ、更に、Ｖの量を１．５とした場合を１６−ｖ３として実験を行ったが、耐久再生パワーとして、前記と同様の０．４０、平均初期ジッタとして６．９８と前記１６−ｖ２を更に上回る実験結果が得られた。すなわち、この例に於ける光ディスクも、再生パワー出力、初期ジッタとして、次世代の規格を充分満足する光ディスクであることが分かる。
【０１３９】
次に、Ｇｅの量とＳｂ／Ｔｅの比を同じとし、ＳｂとＴｅの量を若干変化させ、更に、Ｖの量を２．０とした場合を１６−ｖ４として実験を行ったが、耐久再生パワーとして、前記と同様の０．４０、平均初期ジッタとして７．１４と充分な実験結果が得られた。すなわち、この例に於ける光ディスクも、再生パワー出力、初期ジッタとして、次世代の規格を充分満足する光ディスクであることが分かる。
【０１４０】
次に、Ｇｅの量とＳｂ／Ｔｅの比を同じとし、ＳｂとＴｅの量を若干変化させ、更に、Ｖの量を２．５とした場合を１６−ｖ５として実験を行ったが、耐久再生パワーとして、前記と同様の０．４０、平均初期ジッタとして８．４８とサンプル１６より悪い結果であった。すなわち、この例に於ける光ディスクは、再生パワー出力、初期ジッタとして、次世代の規格を満足しない光ディスクであることが分かる。
【０１４１】
次に、Ｇｅの量とＳｂ／Ｔｅの比を同じとし、ＳｂとＴｅの量を若干変化させ、更に、Ｖの量を３．０とした場合を１６−ｖ６として実験を行ったが、耐久再生パワーとして、前記と同様の０．４０、平均初期ジッタとして９．７２と前記１６−ｖ６より更に悪い実験結果であった。すなわち、この例に於ける光ディスクも、再生パワー出力、初期ジッタとして、次世代の規格を満足しない光ディスクであることが分かる。
【０１４２】
ここで、測定誤差として、０．２ｄＢ程度の誤差は生じるので、再生開始直後のＣ／Ｎ変化は、０．２ｄＢ以下であれば良好であると見なした。ここで、５分経過した後のＣ／Ｎ劣化が０．２ｄＢ以下で耐えられる再生パワーの強度を調べたところ、０．３９ｍＷまで耐久可能であった。このことより、実施例６になる光ディスク１０は、再生光に対して、強い耐久性を示しており、次世代の規格を満足している光ディスクであることが理解できる。
【０１４３】
また、この１６−ｖ１〜１６−ｖ６より、Ｖの量は、０．５〜２．０の範囲のものが初期ジッタとして良好なものであるということが理解できる。
【０１４４】
次に、ｓａｍｐｌｅＮｏ．１７につき図１０を参照して説明する。なお、図１０において、１７は後述する図１５のｓａｍｐｌｅＮｏ．１７を示し、１７−ｖ１〜１７−ｖ６は、このｓａｍｐｌｅＮｏ．１７に対し、Ｖの量を変えていった時の耐久再生パワーと、平均初期ジッタの状態を示すものである。
【０１４５】
（実施例７）
直径１２０ｍｍのポリカーボネート基板１に、前記した実施例１と同様の方法で反射層２、第一保護層３、記録層４、第二保護層５を順次スパッタリング法により形成した。その後、ＵＶ硬化樹脂を接着層６として用い、その上にカバーシート７を貼りあわせた。この時の各層の膜厚は、反射層２を５０ｎｍ、第一保護層３を１０ｎｍ、記録層４を１８ｎｍ、第二保護層５を５０ｎｍとした。
【０１４６】
また、記録層４の組成は、原子比でＶ０．５％、Ｇｅ１４．５％、Ｓｂ６４．８％、Ｔｅ２０．２％とした。貼り合わせ後、接着層６を十分硬化させるためにＵＶ照射を行った。その後、レーザービームスポット径１２０μｍのイニシャライザで初期化条件を線速度４ｍ／ｓ、送りピッチ４０μｍを固定し、レーザ出力５７０ｍＷで初期化を行った。
【０１４７】
ここで初期化のレーザ出力は、ＧｅＳｂＴｅを使った後述する比較例と同じとなったが、ＶＧｅＳｂＴｅに最適化した結果である。その後、１−７変調された情報信号を５．２８ｍ／ｓで、図２に示す如く、ストラテジで１Ｔ＝１５．１ｎｓｅｃとし、後述する図１３の記録条件一覧のｓａｍｐｌｅＮｏ．１７に示す如く、Ｐ１＝５．２ｍＷ、Ｐ２＝２．７ｍＷ、Ｐ３＝０．１ｍＷ、Ｐ４＝０．１ｍＷ、ストラテジＴを、Ｔ１＝０．４Ｔ、Ｔ２＝０．４Ｔ、Ｔ３＝０．６Ｔ、Ｔ４＝０．６Ｔでグルーブに記録し、再生信号の振幅の中心でスライスしてクロック・トゥー・データ・ジッタ（ｃｌｏｃｋ　ｔｏ　ｄａｔａ　ｊｉｔｔｅｒ）を測定した。
【０１４８】
ジッタは、タイムインターバルアナライザ（型式ＴＡ５２０：横河電機（株）製）により測定した。初回記録後のジッタは、記録マークの始端で７．０９％、記録マークの後端では７．０７％であり、良好な記録が出来た。（図１０において、１７−ｖ１参照）
【０１４９】
また、同一ディスクに前記したストラテジで２Ｔ長の単一信号を記録した。記録したトラックをスチル再生し、Ｃ／Ｎを測定した。この時、再生パワーを０．３０ｍＷから０．４０ｍＷまで変えて、スチル再生開始直後と５分経過後のＣ／Ｎを測定した。開始直後のＣ／Ｎは、５０．３ｄＢ、５分経過した後のＣ／Ｎは、５０．２ｄＢであった。Ｃ／Ｎの測定は、スペクトラアナライザを用い、１６個のデータを取り込みその平均値とした。
【０１５０】
さらに、再生パワーを０．３８ｍＷまで上げた場合のスチル再生開始直後のＣ／Ｎは５１．３ｄＢ、５分経過後のＣ／Ｎは同じく５１．２ｄＢであった。すなわち、前記した２Ｔ単独のジッタが９％になるために必要なＣ／Ｎ条件を、充分に満足しているものであった。（図１４参照）
【０１５１】
このように、この実施例６の光ディスクにおいては、スチル再生開始直後のＣ／Ｎと５分経過後のＣ／Ｎは殆ど変化がなく、すなわち、再生劣化がなく安定した性能を有する光ディスクであることが分かる。
【０１５２】
次に、Ｇｅの量とＳｂ／Ｔｅの比を同じとし、ＳｂとＴｅの量を若干変化させ、更に、Ｖの量を１．０とした場合を１７−ｖ２として実験を行ったが、耐久再生パワーとして、０．４０、平均初期ジッタとして６．９７と前記１７−ｖ１を上回る実験結果が得られた。すなわち、この例に於ける光ディスクは、再生パワー出力、初期ジッタとして、次世代の規格を充分満足する光ディスクであることが分かる。
【０１５３】
次に、Ｇｅの量とＳｂ／Ｔｅの比を同じとし、ＳｂとＴｅの量を若干変化させ、更に、Ｖの量を１．５とした場合を１７−ｖ３として実験を行ったが、耐久再生パワーとして、前記と同様の０．４０、平均初期ジッタとして７．０３と１７−ｖ１を上回る実験結果が得られた。すなわち、この例に於ける光ディスクも、再生パワー出力、初期ジッタとして、次世代の規格を充分満足する光ディスクであることが分かる。
【０１５４】
次に、Ｇｅの量とＳｂ／Ｔｅの比を同じとし、ＳｂとＴｅの量を若干変化させ、更に、Ｖの量を２．０とした場合を１７−ｖ４として実験を行ったが、耐久再生パワーとして、前記と同様の０．４０、平均初期ジッタとして７．０７と充分な実験結果が得られた。すなわち、この例に於ける光ディスクも、再生パワー出力、初期ジッタとして、次世代の規格を充分満足する光ディスクであることが分かる。
【０１５５】
次に、Ｇｅの量とＳｂ／Ｔｅの比を同じとし、ＳｂとＴｅの量を若干変化させ、更に、Ｖの量を２．５とした場合を１７−ｖ５として実験を行ったが、耐久再生パワーとして、前記と同様の０．４０、平均初期ジッタとして８．１４とサンプル１７より悪い結果であった。すなわち、この例に於ける光ディスクは、再生パワー出力、初期ジッタとして、次世代の規格を満足しない光ディスクであることが分かる。
【０１５６】
次に、Ｇｅの量とＳｂ／Ｔｅの比を同じとし、ＳｂとＴｅの量を若干変化させ、更に、Ｖの量を３．０とした場合を１７−ｖ６として実験を行ったが、耐久再生パワーとして、前記と同様の０．４０、平均初期ジッタとして９．４９と前記１７−ｖ５より更に悪い実験結果であった。すなわち、この例に於ける光ディスクも、再生パワー出力、初期ジッタとして、次世代の規格を満足しない光ディスクであることが分かる。
【０１５７】
ここで、測定誤差として、０．２ｄＢ程度の誤差は生じるので、再生開始直後のＣ／Ｎ変化は、０．２ｄＢ以下であれば良好であると見なした。ここで、５分経過した後のＣ／Ｎ劣化が０．２ｄＢ以下で耐えられる再生パワーの強度を調べたところ、０．４０ｍＷまで耐久可能であった。このことより、実施例７になる光ディスク１０は、再生光に対して強い耐久性を示しており、次世代の規格を満足している光ディスクであることが理解できる。
【０１５８】
また、この１７−ｖ１〜１７−ｖ６より、Ｖの量は、０．５〜２．０の範囲のものが初期ジッタとして良好なものであるということが理解できる。
【０１５９】
なお、図１１は、Ｖ添加記録層組成において、各サンプルにおけるＧｅの量を示す説明図、図１２は、同、Ｓｂ／Ｔｅの比を示す説明図、図１３は、本実施例になる記録条件である記録パワーとストラテジを示す説明図である。
【０１６０】
次に、本実施例になる記録層の各構成要素の性質について説明する。Ｖは、Ｇｅ、Ｓｂ、Ｔｅの融点が７００Ｋ〜１２００Ｋであるのに比べて、２０００Ｋを越える高融点元素であり、熱的に非常に安定である。また、本実施例の光ディスクを構成する記録層に含有するＧｅ、Ｓｂ、Ｔｅとは反応せず、また隣接する保護層を形成する材料とも反応しない安定した物質である。
【０１６１】
そのため、大量に入れてしまうと記録時の記録層への結晶−アモルファス間の相変化を阻害してしまうが、適当な量を添加することで、記録膜中でＶがアンカーとして働き、記録マーク形成時にマークエッジがより鋭くなることでジッタが低減し、また、高融点材料ということから熱的耐久性が良いため、再生光に対し、より強いパワーまで耐えることができるとものと考えられる。
【０１６２】
（比較例）
直径１２０ｍｍのポリカーボネート基板１に、まず、反射層２としてＡｇ合金、第一保護層３としてＺｎＳ−ＳｉＯ２、さらに記録層４としてＧｅＳｂＴｅ、第二保護層５としてＺｎＳ−ＳｉＯ２をこの順にスパッタリング法により形成した。その後、ＵＶ硬化樹脂を接着層６として、カバーシート７を貼りあわせた。この時の各層の膜厚は、反射層２を２００ｎｍ、第一保護層３を９．５ｎｍ、記録層４を１５ｎｍ、第二保護層５を３６ｎｍとした。
【０１６３】
また、記録層４の組成は、原子比でＧｅ８．７％、Ｓｂ６９．７％、Ｔｅ２１．６％とした。貼り合わせ後、接着層６を十分硬化させるためにＵＶ照射を行った。その後、レーザービームスポット径１２０μｍのイニシャライザで初期化条件を線速度４ｍ／ｓ、送りピッチ４０μｍを固定し、レーザ出力５７０ｍＷで初期化を行った。
【０１６４】
その後、１−７変調された情報信号を線速度５．２８ｍ／ｓで、図２に示すストラテジで記録再生を行った。１Ｔ＝１５．１ｎｓｅｃとし、Ｐ１＝５．２ｍＷ、Ｐ２＝２．７ｍＷ、Ｐ３＝０．１ｍＷ、Ｐ４＝０．１ｍＷ、Ｔ１＝０．４Ｔ、Ｔ２＝０．４Ｔ、Ｔ３＝０．６Ｔ、Ｔ４＝０．６Ｔでグルーブに記録し、再生信号の振幅の中心でスライスしてクロック・トゥー・データ・ジッタ（ｃｌｏｃｋ　ｔｏ　ｄａｔａ　ｊｉｔｔｅｒ）を測定した。
【０１６５】
ジッタは、タイムインターバルアナライザ（型式ＴＡ５２０：横河電機（株）製）により測定した。初回記録後のジッタは、記録マークの始端で７．７％、記録マークの後端では７．９％であり、通常の記録が出来た。
【０１６６】
また、同一ディスクに前記したストラテジで２Ｔ長の単一信号を記録した。記録したトラックをスチル再生し、Ｃ／Ｎを測定した。この時、再生パワーをディスクが劣化しない値である０．３０ｍＷとし、スチル再生開始直後と５分経過後のＣ／Ｎを測定した。開始直後のＣ／Ｎは５０．０ｄＢ、５分経過後のＣ／Ｎは変わらず５０．０ｄＢであった。
【０１６７】
ここで、再生パワーを耐久パワー最大の０．３６ｍＷまで引き上げても５０．０ｄＢにとどまり、前記した２Ｔ単独のジッタが０．９％になるために必要なＣ／Ｎの５１．０ｄＢに到達することはなかった。
【０１６８】
Ｃ／Ｎの測定はスペクトラムアナライザーを用い、１６回データを取り込み、その平均値とした。ここで測定誤差として０．２ｄＢ程度の誤差は生じ得るので、再生劣化試験開始前後のＣ／Ｎ変化は０．２ｄＢ以下であれば良好であると見なした。
【０１６９】
また、前記した記録層４の組成以外の組成を検討した。検討した組成を図１５に示す。
【０１７０】
この図１５より明らかな如く、相変化型光記録層４としてＧｅＳｂＴｅ系の材料を用い、青色レーザを使った光ディスクシステムに対応すると共に、再生光に対し強い耐久性を示す光ディスク１０としては、Ｇｅ、Ｓｂ、Ｔｅの組成範囲は、原子比でＧｅ３．４％以上１４．５％以下、かつ、Ｓｂ／Ｔｅが２．１以上４以下であり、再生パワー０．３０ｍＷによるスチル再生でＣ／Ｎの劣化が０．２ｄＢ以内であり、初期ジッタが９％以下であることがわかる。
【０１７１】
なお、この好適な組成範囲は、劣化が始まる初期であることが種々実験した結果判明している。以下、その点につき詳述する。まず、Ｇｅの範囲について説明する。
【０１７２】
Ｇｅの量は、それを増加させるとコントラストの向上や、環境負荷の耐性が強くなるなどの効果が出てくる。最小値は３．４％（原子比）としたが、測定誤差を考慮すると、若干ずれることもある。なお、Ｇｅの量が少ない場合は、特にジッタが低減できないという実験結果が出ている。しかしながら、Ｇｅの量は多ければ多いほど良いというものではない。
【０１７３】
すなわち、Ｇｅの量はそれが増えた場合は、相対的にＳｂの量が減るために結晶化速度が遅くなる。すなわち、速い線速度での記録、書き換えが出来ないことにつながる。また、同じＳｂ／Ｔｅの比でも、Ｓｂの原子比（量）が少ない方が、結晶化速度が遅くなるという実験結果が出ている。従って、この場合は書き換えによる消し残りが出来てしまうことになる。
【０１７４】
一方、Ｇｅの量の増加は、結晶化速度を上昇させる。高い温度で結晶化させた記録膜は、記録しても再生劣化が非常に少ない高耐久性を示すが、結晶化温度を上げすぎると、初期化自体が困難になってしまうものである。実験可能な範囲では、１４．５％（原子比）が上限となった。
【０１７５】
次に、Ｓｂ／Ｔｅの比について説明する。前記した如く、Ｓｂ／Ｔｅの比は、結晶化速度に影響する。この比が大きいと、結晶化速度は速くなり、より速い線速度で記録、書き換えが可能となる。逆に、この比が小さいと結晶化速度は遅くなる。本実施例では、遅い限界を２．１としたが、このあたりで初期化工程の結晶化が困難となったからである。また、２．１を切った場合、結晶化状態が不安定ということもあり、記録時のコントラストが悪くなることや、オーバーライトができなくなるなどの弊害も発生してしまうものである。
【０１７６】
一方、速い限界を４としたが、この比率が上がると結晶化し易いため、記録時にアモルファスマークの形成が十分に行われない。また、形成できたとしても記録したアモルファスマークが再生光に対する強度が悪く、記録したところをスチル再生した場合、記録したマークが消えていってしまうことになる。
【０１７７】
比較例で実験した、図１５のｓａｍｐｌｅＮＯ．１５の組成は、それ自体は良好な特性を示し、再生パワーは０．３５ｍＷまで耐えることが出来たが、前記した如く、耐久再生パワーでは、せいぜい５０．０ｄＢ止まりであるので、２Ｔ単独のジッタ９％以下は望む事は出来ないものである。すなわち、本発明が意図している、次世代の規格を満足する高出力の再生光に耐えることが可能で、より低いジッタでの記録が可能な光情報記録媒体を得ることができないものである。
【０１７８】
以上詳述したことから明らかなように、本実施例の構成によれば、ＧｅＳｂＴｅのみの記録材料では到到底達成できない有利な特性結果が得られることが理解できる。
【０１７９】
【発明の効果】
本発明は、基板上に、少なくとも反射層、第一保護層、相変化型光記録層、第二保護層をこの順に積層してなり、前記第二保護層側からの光の照射により前記相変化型光記録層を相変化させることにより情報の記録および消去を行なう光情報記録媒体であって、前記相変化型光記録層はＶｗＧｅｘＳｂｙＴｅｚより構成され、０．５≦ｗ≦２　３．４≦ｘ≦１４．５、２、１≦ｙ／ｚ≦４、ｗ＋ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００（原子比）であるようにしたことにより、ＧｅＳｂＴｅ系の記録材料では達成することが出来なかった高出力の再生光に耐えることが可能になり、より低いジッタでの記録が可能な光情報記録媒体が得られるものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る光ディスクの基本構成の一実施例を示す断面図である。
【図２】記録時のストラテジのパターンを示す図である。
【図３】本発明に係る光ディスクの基本構成の他の実施例を示す断面図である。
【図４】記録層へＶを添加した記録層組成に対する再生光耐久性を示す図及び初期ジッタを示す第１実施例の説明図である。
【図５】記録層へＶを添加した記録層組成に対する再生光耐久性を示す図及び初期ジッタを示す第２実施例の説明図である。
【図６】記録層へＶを添加した記録層組成に対する再生光耐久性を示す図及び初期ジッタを示す第３実施例の説明図である。
【図７】記録層へＶを添加した記録層組成に対する再生光耐久性を示す図及び初期ジッタを示す第４実施例の説明図である。
【図８】記録層へＶを添加した記録層組成に対する再生光耐久性を示す図及び初期ジッタを示す第５実施例の説明図である。
【図９】記録層へＶを添加した記録層組成に対する再生光耐久性を示す図及び初期ジッタを示す第６実施例の説明図である。
【図１０】記録層へＶを添加した記録層組成に対する再生光耐久性を示す図及び初期ジッタを示す第７実施例の説明図である。
【図１１】Ｖ添加記録層組成において、各サンプルにおけるＧｅの量を示す説明図である。
【図１２】Ｖ添加記録層組成において、各サンプルにおけるＳｂ／Ｔｅの比を示す説明図である。
【図１３】本実施例になる記録条件である記録パワーとストラテジを示す説明図である。
【図１４】再生パワーを変化させた場合に於けるスチル開始直後と５分経過後の比較説明図である。
【図１５】比較例の記録層組成に対する再生劣化、記録再生特性等との関連を示す図である。
【符号の説明】
１　　基板
２　　反射層
３　　第一保護層
４　　記録層
５　　第ニ保護層
６　　接着層
７　　カバーシート
８　　保護コート
１０　　光情報記録媒体
２０　　光情報記録媒体
【図１】
2004017342.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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