(57)【要約】      （修正有）【課題】導波損失が低く、製作が容易な光導波路を備えた光インターコネクション回路を提供する。【解決手段】光導波路３０は、基板１０上に設けられるものであって、光を伝播するコア部３３と、コア部３３と基板１０との間に設けられた第１の金属反射膜３１と、コア部３３の曲面状表面に設けられた第２の金属反射膜３２とを備えている。【選択図】      図２
2004309770.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に設けられる光導波路であって、
光を伝播するコア部と、
前記コア部と前記基板との間に設けられた金属反射膜又は該コア部より低い屈折率を有する低屈折率膜とを備えることを特徴とする光導波路。
【請求項２】
前記金属反射膜又は前記低屈折率膜は、前記コア部に隣接して設けられていることを特徴とする請求項１記載の光導波路。
【請求項３】
前記コア部の表面に金属反射膜を備えることを特徴とする請求項１又は２記載の光導波路。
【請求項４】
前記コア部の表面に該コア部より低い屈折率を有する低屈折率膜を備えることを特徴とする請求項１又は２記載の光導波路。
【請求項５】
基板上にコア部を有する光導波路を設ける光導波路の製造方法であって、
前記基板上に前記コア部より低い屈折率を有する低屈折率膜を設ける第１工程と、前記第１工程で設けられた低屈折率膜の上に前記コア部を設ける第２工程とを有し、
前記第１及び第２工程のうち少なくともいずれか一方に液滴吐出法を用いることを特徴とする光導波路の製造方法。
【請求項６】
基板上に光導波路を設ける光導波路の製造方法であって、
前記基板上に金属反射膜を設ける第１工程と、前記第１工程で設けられた金属反射膜の上にコア部を設ける第２工程とを有し、
前記第１及び第２工程のうち少なくともいずれか一方に液滴吐出法を用いることを特徴とする光導波路の製造方法。
【請求項７】
前記コア部の表面に液滴吐出法を用いて低屈折率膜を設けることを特徴とする請求項５又は６記載の光導波路の製造方法。
【請求項８】
前記コア部の表面に液滴吐出法を用いて金属反射膜を設けることを特徴とする請求項５又は６記載の光導波路の製造方法。
【請求項９】
基板上に設けられ発光機能又は受光機能を備えた少なくとも２つの微小タイル状素子と、少なくとも２つの前記微小タイル状素子どうしを繋ぐように前記基板上に設けられた光導波路とを有し、
前記光導波路は、請求項１〜請求項４のいずれか一項記載の光導波路により構成されていることを特徴とする光インターコネクション回路。
【請求項１０】
基板上に発光機能又は受光機能を備えた少なくとも２つの微小タイル状素子を接着する工程と、少なくとも２つの前記微小タイル状素子どうしを光学的に結合する光導波路を設ける工程とを有し、
前記光導波路を設ける工程は、請求項５〜請求項８のいずれか一項記載の光導波路の製造方法を用いることを特徴とする光インターコネクション回路の製造方法。
【請求項１１】
請求項９記載の光インターコネクション回路を備えたことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光導波路及び光導波路の製造方法、光インターコネクション回路及び光インターコネクション回路の製造方法、電子機器に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、平面型表示装置として、エレクトロルミネッセンス表示装置、プラズマ型表示装置、及び液晶表示装置等が用いられている。これらの表示装置において、大型化及び大容量表示化に伴う信号の遅延等を解消するためにデータ伝達に光信号を利用する技術が検討されている。また、コンピュータにおいては集積回路の内部構造の微細化によりＣＰＵ内部の動作速度（動作クロック）が年々向上しているが、ＣＰＵと記憶装置等の周辺装置とを繋ぐバスにおけるデータ伝達速度はほぼ限界に達しつつあり、コンピュータの処理速度のボトルネックとなっている。このバスにおけるデータ伝達においても光信号を利用することができればコンピュータの処理速度の限界を著しく高めることができる。光信号を利用してデータ伝達するには発光素子から発光された光信号を所定の場所まで伝達して受光素子等に入力する光伝送手段が必要になる。このような光伝送手段の一つとして光導波路を利用した技術（例えば下記特許文献１〜３）がある。
【０００３】
【特許文献１】
特開平６−４５５８４号公報
【特許文献２】
特開平１１−２１１９２５号公報
【特許文献３】
特開２００１−４２１５０号公報
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
光伝送手段として光導波路を用いる場合、上記平面型表示装置やコンピュータに適用可能な程度に微細化されることが要望される。更に、導波損失が低く、製作が容易で任意の基板上に形成可能であり、発光素子と受光素子との光結合が容易である光導波路の実現が要望される。
【０００５】
本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、導波損失が低く、製作が容易な光導波路及び光導波路の製造方法、光インターコネクション回路及び光インターコネクション回路の製造方法、電子機器を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために、本発明の光導波路は、基板上に設けられる光導波路であって、光を伝播するコア部と、前記コア部と前記基板との間に設けられた金属反射膜又は該コア部より低い屈折率を有する低屈折率膜とを備えることを特徴とする。この場合において、前記金属反射膜又は前記低屈折率膜は、前記コア部に隣接して設けられていることが好ましい。本発明によれば、コア部と基板との間に金属反射膜を設けたので、基板に吸収される光成分を抑えることができる。したがって、導波損失を低くして光を効率良く伝達できる。基板としては、樹脂版、ガラス板、石英版、あるいはＳｉ、ＧａＡｓ、ＩｎＰ等の半導体基板が挙げられるが、これらの基板は光を僅かに吸収するため、光はコア部を伝播するうちにその一部を基板に吸収されて減衰する場合がある。しかしながら、これら基板より高い光反射率を有する金属反射膜をコア部と基板との間に設けたことにより、基板の光吸収を抑え、導波損失を低くすることができる。
【０００７】
光導波路を形成する光導波路材としては、透明樹脂あるいはゾルゲルガラス等の透明材料を適用することができる。ゾルゲルガラスとはガラス成分を含む溶液を加熱する等して固体ガラスに変質させたものである。また、金属反射膜の形成材料としては、銀、銅、金、アルミニウム、ニッケル、チタン、クロム、及び亜鉛等、光を反射可能な材料であれば任意の材料を用いることができる。
【０００８】
本発明の光導波路において、前記コア部の表面に金属反射膜、あるいは、該コア部より低い屈折率を有する低屈折率膜を備える構成とすることができる。すなわち、コア部のうち基板に接する以外の部分（コア部の露出部）にも金属反射膜又は低屈折率膜を設けることにより、伝播する光をコア部に良好に閉じ込めることができる。また、例えば基板を保護するために光導波路を含むように基板表面を合成樹脂等でコーティングしたり、あるいは光導波路表面に別の材料や部材を接続する場合が考えられるが、このコーティング膜等により、コア部内部とコア部外部とで光屈折率差が十分に得られず、コア部は伝播する光を十分に閉じ込めることができなくなる場合が考えられる。あるいは、光導波路どうしを交差する場合、この交差部において光が漏洩してクロストークを生じる場合も考えられる。しかしながら、コア部の表面に金属反射膜あるいは低屈折率膜を設けておくことにより、伝播する光をコア部に十分に閉じ込めることができる。
【０００９】
本発明の光導波路において、前記基板の平面に沿って面状又は線状に形成されている構成とすることができる。これにより、例えば、発光機能を有する第１の微小タイル状素子（発光素子）と受光機能を有する第２の微小タイル状素子との間を面状又は線状に設けられた光導波路で繋ぐことで、光信号がその光導波路を伝播し、第１の微小タイル状素子と第２の微小タイル状素子との間で光信号を伝送することができる。また、例えば、発光機能を有する１つの第１の微小タイル状素子と受光機能を有する複数の第２の微小タイル状素子とを被うように光導波路を面状又は線状に設けることで、１つの第１の微小タイル状素子から出力された光信号を複数の第２のタイル状素子で同時に受信することができ、より高速な信号伝送を行うことができる。一方、発光機能を有する複数の第１の微小タイル状素子と受光機能を有する複数の第２微小タイル状素子とを被うように光導波路材を面状又は線状に設けることで、複数の第１の微小タイル状素子と複数の第２の微小タイル状素子との間で高速な信号伝達をすることもできる。ここで、各第１の微小タイル状素子毎に出力する光信号の光の波長を異なるものとすることで、光信号によるバスを簡易に構成することができる。
【００１０】
本発明の光導波路の製造方法は、基板上にコア部を有する光導波路を設ける光導波路の製造方法であって、前記基板上に前記コア部より低い屈折率を有する低屈折率膜を設ける第１工程と、前記第１工程で設けられた低屈折率膜の上に前記コア部を設ける第２工程とを有し、前記第１及び第２工程のうち少なくともいずれか一方に液滴吐出法を用いることを特徴とする。本発明によれば、基板とコア部との間に低屈折率膜を設けたことにより、基板への光吸収を抑え、光の導波損失を低くすることができる。そして、コア部あるいは低屈折率膜を形成するために液滴吐出法を用いることにより、材料消費の無駄を少なくし、基板上に配置する液体材料の量や位置を容易に制御でき、所望の形状にパターニングできる。
【００１１】
本発明の光導波路の製造方法において、前記コア部の表面に液滴吐出法を用いて低屈折率膜あるいは金属反射膜を設けることができる。これにより、伝播する光をコア部に良好に閉じ込めることができ、導波損失を低くすることができる。
【００１２】
本発明の光導波路の製造方法は、基板上に光導波路を設ける光導波路の製造方法であって、前記基板上に金属反射膜を設ける第１工程と、前記第１工程で設けられた金属反射膜の上にコア部を設ける第２工程とを有し、前記第１及び第２工程のうち少なくともいずれか一方に液滴吐出法を用いることを特徴とする。更に、前記コア部の表面に液滴吐出法を用いて低屈折率膜あるいは金属反射膜を設けることが好ましい。本発明によれば、導波損失を低くし、金属反射膜やコア部を所望の形状に容易にパターニングできる。
【００１３】
本発明の光インターコネクション回路は、基板上に設けられ発光機能又は受光機能を備えた少なくとも２つの微小タイル状素子と、少なくとも２つの前記微小タイル状素子どうしを繋ぐように前記基板上に設けられた光導波路とを有し、前記光導波路は、上記記載の光導波路により構成されていることを特徴とする。本発明によれば、微小タイル状素子からなる発光素子から発光した光信号は光導波路を伝播して受光機能を有する別の微小タイル状素子に到達することができ、微小タイル状素子間で低い導波損失で光信号の送受信を行うことができる。したがって、非常に高速な信号伝送手段を簡易に実現することができる。また、微小タイル状素子を非常に小さな形状（例えば、数百μｍ四方以下の面積と数十μｍ以下の厚さをもつもの）にすることで、非常に微細な光信号伝送手段を簡易に製造することができる。
【００１４】
ここで、微小タイル状素子は化合物半導体でもシリコン半導体でもよく、微小タイル状素子が接着される基板もシリコン半導体基板でも化合物半導体基板でもよい。したがって、従来、１つのモノリシック基板では形成することができなかった化合物半導体とシリコン半導体とが３次元に組み合わされたハイブリッド基板（面発光レーザの出力を高精度にモニタリングできる半導体集積回路など）を極めてコンパクトに形成することができる。ここで、微小タイル状素子としての発光機能を有する発光素子に面発光レーザを用いることができる。発光素子を面発光レーザにすることで、微小な発光素子を設けることができる。面発光レーザは、化合物半導体からなるものであるので、シリコンと格子整合せず、エピタキシーなどの半導体プロセスによって直接にシリコン集積回路上に形成することが非常に困難である。そこで、一旦、ガリウム・ヒ素基板に面発光レーザを形成し、次いで、その面発光レーザを微小タイル形状にチップ化することで形成する。このようにチップ化することで、シリコンなどの基板上の任意の位置に面発光レーザを配置することができる。また、微小タイル状素子としての受光機能を有する受光素子にフォトダイオードを用いることができる。受光素子をフォトダイオードにすることで、１つのモノリシック基板では形成することができない、面発光レーザとフォトダイオードとの組み合わせを有する半導体集積回路を極めてコンパクトにかつ容易に形成することができる。
【００１５】
本発明の光インターコネクション回路の製造方法は、基板上に発光機能又は受光機能を備えた少なくとも２つの微小タイル状素子を接着する工程と、少なくとも２つの前記微小タイル状素子どうしを光学的に結合する光導波路を設ける工程とを有し、前記光導波路を設ける工程は、上記記載の光導波路の製造方法を用いることを特徴とする。本発明によれば、低い導波損失を有する光導波路を用いて微小タイル状素子どうしで光伝達できる光インターコネクション回路を、既存の製造技術を用いて簡易に製造することができる。また本発明によれば、上記光インターコネクション回路を容易にコンパクト化することができる。
【００１６】
本発明の電子機器は、上記記載の光インターコネクション回路を備えたことを特徴とする。本発明によれば、導波損失の低い光導波路を有する光インターコネクション回路を構成要素とする電子機器を安価に提供できる。そして、例えば集積回路に本発明の光インターコネクション回路を適用することで高速に信号処理でき且つコンパクトな電子機器を安価に提供できる。また、本発明によれば、例えば表示装置に光インターコネクション回路を適用することで高品位な画像を表示できる電気機器を提供できる。
【００１７】
液滴吐出法（インクジェット法）は、液体材料の液滴を定量的に吐出してパターニングする方法であって、液滴を吐出する吐出ノズルを有する液滴吐出ヘッドを備えた液滴吐出装置により行われる。液滴吐出装置は、インクジェット装置を含み、例えば１滴あたり１〜３００ナノグラムの液体材料を定量的に断続して滴下可能な装置である。なお、液滴吐出装置としてはディスペンサー装置であってもよい。上記液滴吐出装置（インクジェット装置）の吐出方式としては、帯電制御方式、加圧振動方式、電気機械変換式、電気熱変換方式、静電吸引方式等が挙げられる。帯電制御方式は、材料に帯電電極で電荷を付与し、偏向電極で材料（機能液）の飛翔方向を制御して吐出ノズルから吐出させるものである。また、加圧振動方式は、材料に３０ｋｇ／ｃｍ２程度の超高圧を印加してノズル先端側に材料を吐出させるものであり、制御電圧をかけない場合には材料が直進して吐出ノズルから吐出され、制御電圧をかけると材料間に静電的な反発が起こり、材料が飛散して吐出ノズルから吐出されない。また、電気機械変換方式は、ピエゾ素子（圧電素子）がパルス的な電気信号を受けて変形する性質を利用したもので、ピエゾ素子が変形することによって材料を貯留した空間に可撓物質を介して圧力を与え、この空間から材料を押し出して吐出ノズルから吐出させるものである。また、電気熱変換方式は、材料を貯留した空間内に設けたヒータにより、材料を急激に気化させてバブル（泡）を発生させ、バブルの圧力によって空間内の材料を吐出させるものである。静電吸引方式は、材料を貯留した空間内に微小圧力を加え、吐出ノズルに材料のメニスカスを形成し、この状態で静電引力を加えてから材料を引き出すものである。また、この他に、電場による流体の粘性変化を利用する方式や、放電火花で飛ばす方式などの技術も適用可能である。液滴吐出法は、材料の使用に無駄が少なく、しかも所望の位置に所望の量の材料を的確に配置できるという利点を有する。
【００１８】
液体材料とは、液滴吐出ヘッド（インクジェットヘッド）の吐出ノズルから吐出可能な粘度を備えた媒体をいう。水性であると油性であるとを問わない。ノズル等から吐出可能な流動性（粘度）を備えていれば十分で、固体物質が混入していても全体として流動体であればよい。また、液体材料に含まれる材料は、溶媒中に微粒子として分散されたものの他に、融点以上に加熱されて溶解されたものでもよく、溶媒の他に染料や顔料その他の機能性材料を添加したものであってもよい。また、基板はフラット基板のほか、曲面状の基板であってもよい。さらにパターン形成面の硬度が硬い必要はなく、ガラスやプラスチック、金属以外に、フィルム、紙、ゴム等可撓性を有するものの表面であってもよい。
【００１９】
上記金属反射膜又は低屈折率膜の形成方法としては、液滴吐出法（インクジェット法及びディスペンサー法を含む）の他に、スプレーコート法、スクリーン印刷法、メッキ法、蒸着法、及びパッド印刷法が挙げられる。このうちパッド印刷法は、凹版上の液体材料を一旦軟らかい例えばシリコンラバー製のパッドに転移し、次にパッドを被印刷物である基板に押しつけてパッド上の液体材料を転移し、印刷を完了する方法である。これによれば、基板表面が曲面であったり立体的であっても液体材料を基板上に良好に配置することができる。
【００２０】
また、上記コア部の形成方法としては、液滴吐出法（インクジェット法及びディスペンサー法を含む）の他に、光硬化樹脂を前記基板にコーティングし、その後、所望のパターン領域にのみ光を照射することでパターニングして設ける方法を採用できる。あるいは、所望の樹脂を基板にコーティングし、その後、フォトリソグラフィ法を用いて所望の形状にパターニングすることで設ける方法も可能である。ここで、コーティングは、スピンコート法、ロールコート法及びスプレイコート法のうちの一つの方法を用いて行うことが好ましい。あるいは、コア部はスタンパを用いたパターン転写法により設けられる構成であってもよい。あるいは、コア部はスクリーン印刷法を用いて設けられる構成であってもよい。あるいは、コア部は、スリット状の隙間から液状の樹脂を吐出するスリットコート法を用いて設けられる構成であってもよい。
【００２１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の光導波路及び光インターコネクション回路について図面を参照しながら説明する。
＜第１実施形態＞
図１は本発明の光導波路を有する光インターコネクション回路の第１実施形態に係る概略構成図であって、図１（ａ）は側断面図、図１（ｂ）は平面図である。また、図２は図１（ｂ）のＡ−Ａ線断面矢視図である。本実施形態に係る光インターコネクション回路は、基板１０の表面に接着された第１微小タイル状素子２１及び第２微小タイル状素子２２と、第１微小タイル状素子２１と第２微小タイル状素子２２を繋ぐように基板１０の表面に形成された光導波路材からなる光導波路３０とを備えている。光導波路材としては、透明樹脂あるいはゾルゲルガラスを適用することができる。基板１０としては、ガラスエポキシ、セラミック、プラスチック、ポリイミド、シリコン又はガラスなど任意のものを適用することができる。
【００２２】
図２に示すように、光導波路３０は、光を伝播するコア部３３と、コア部３３と基板１０との間に設けられた第１の金属反射膜３１と、コア部３３の表面に設けられた第２の金属反射膜３２とを備えている。コア部３３は透明樹脂あるいはゾルゲルガラスにより形成されている。また、第１、第２の金属反射膜３１、３２は、例えば銀、銅、金、アルミニウム、ニッケル、チタン、クロム、及び亜鉛等、光を反射可能な金属材料により形成されている。ここで、第１、第２の金属反射膜３１、３２は同じ材料により構成されてもよいし、異なる材料により構成されてもよい。本実施形態において、光導波路３０（コア部３３）は半円筒形状に形成されており、第１の金属反射膜３１はコア部３３の下面に隣接するように設けられており、一方、第２の金属反射膜３２は、コア部３３の下面以外の表面（半円筒形状の曲面部分である曲面状表面）に設けられている。すなわち、コア部３３は金属反射膜で全て覆われた構成となっている。また、第１の金属反射膜３１は基板１０表面に設けられている。
【００２３】
なお、コア部３３の下面と第１の金属反射膜３１との間に、これらコア部３３及び第１の金属反射膜３１とは別の材料層が介在していてもよい。すなわち、コア部３３は第１の金属反射膜３１に隣接していなくてもよい。また、第１の金属反射膜３１と基板１０との間にも別の材料層が介在していてもよい。
【００２４】
第１微小タイル状素子２１及び第２微小タイル素子２２は、微小なタイル形状の半導体デバイス（微小タイル状素子）である。この微小タイル状素子は、例えば、厚さが２０μｍ以下であり、縦横の大きさが数十μｍから数百μｍの板状部材である。第１微小タイル状素子２１は、発光機能をもつ発光部２１ａを備えている。第２微小タイル状素子２２は、受光機能をもつ受光部２２ｂを備えている。そして光導波路３０をなす光導波路材は、少なくとも第１微小タイル状素子２１の発光部２１ａと第２微小タイル状素子２２の受光部２２ｂとを被うように形成されている。このような構成により、第１微小タイル状素子２１の発光部２１ａから放射された光は、光導波路３０を伝播し、第２微小タイル状素子２２の受光部２２ｂに到達する。そこで、発光部２１ａの発光動作を制御して光信号を発光部２１ａから放射すると、その光信号が光導波路３０を伝播し、光導波路３０を伝播してきた光信号を受光部２２ｂが検出することができる。
【００２５】
光信号が光導波路３０のコア部３３を伝播（導波）する際、コア部３３は金属反射膜３１、３２に覆われているので、コア部３３外部への光の漏洩や、基板１０に対する光の吸収を抑えることができる。したがって、導波損失を低く抑えた状態で光信号を良好に伝達することができる。
【００２６】
また、第１微小タイル状素子２１から放射された光信号は、光導波路３０を伝播して第２微小タイル状素子２２に入射するとともに、第２微小タイル状素子２２の上を通過する。これにより、１個の第１微小タイル状素子２１から複数個の第２微小タイル状素子２２へ略同時に光信号を送信することができる。ここで、第２微小タイル状素子２２の厚さを２０μｍ以下とすることにより、基板との段差が十分小さくなるため、段差を乗り越えて連続的に光導波路３０を形成できる。段差部において連続的に光導波路３０を形成しても、段差が小さいため散乱などの光の伝達損失はほとんど無視できる。そのため段差部に段差緩和のための特別な構造や光学素子を必要としない。よって低コストかつ簡便に作製できる。また、光導波路３０をなす光導波路材の厚さを数十μｍ以下にすることができる。
【００２７】
第１微小タイル状素子２１は発光素子であって、例えば、ＬＥＤ、ＶＣＳＥＬ（面発光レーザ）又は電界吸収変調器内蔵のＤＦＢ（Ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄ  Ｆｅｅｄｂａｃｋ）レーザを備えるものとする。発光デバイスとして、ＬＥＤはもっとも構造が単純で作製が容易であるが、光信号の変調速度が数百Ｍｂｐｓ程度と遅い。これに対してＶＣＳＥＬは、１０Ｇｂｐｓを超える非常に高速な変調が可能であるうえ、しきい値電流が小さく発光効率が高いので低消費電力で駆動できる。ＤＦＢレーザは、変調速度は１Ｇｂｐｓ程度と面発光レーザには及ばないものの、微小タイル形状の端部から基板１０の平面と平行な方向、すなわち光導波路３０に沿った方向へレーザ光を出射するため、面発光レーザより効率よく光信号を伝播することができる。
【００２８】
第２微小タイル状素子２２は受光素子であって、例えば、フォトダイオード又はフォトトランジスタを備えるものとする。ここで、フォトダイオードとしては、ＰＩＮ型フォトダイオード、ＡＰＤ（アバランシェフォトダイオード）、ＭＳＭ型フォトダイオードを用途に応じて選ぶことができる。ＡＰＤは、光感度、応答周波数ともに高い。ＭＳＭ型フォトダイオードは、構造が単純で増幅用トランジスタとともに集積化しやすい。
【００２９】
また、受光素子からなる第３微小タイル状素子（図示せず）を第１微小タイル状素子２１に重ねるように形成することもできる。こうすれば第１微小タイル状素子２１の発光量を第３微小タイル状素子でモニタし、その値を第１微小タイル状素子２１へフィードバックさせることでＡＰＣ（Ａｕｔｏ  Ｐｏｗｅｒ  Ｃｏｎｔｒｏｌ）機能（自動出力制御機能）を持たせることが可能となり、安定した光データ伝送を実現できる。あるいは第１微小タイル状素子２１そのものにＡＰＣ機能を内蔵させてもよい。また、第２微小タイル状素子２２は、検出した信号を増幅する回路などを備えることが望ましい。こうすることにより、装置をさらに高性能化することができる。
【００３０】
そして、第１微小タイル状素子２１及び第２微小タイル状素子２２は、基板１０に設けられた集積回路、又はＥＬ表示回路、プラズマディスプレイ、液晶表示回路などの電子回路（図示せず）と電気的に接続されている。これにより、集積回路などからなるコンピュータシステムをコンパクトでありながら従来よりも高速にすることができる。また、基板１０に設けられた平面ディスプレイなどの走査信号を本実施形態の光インターコネクション回路によって高速に伝送することができ、平面ディスプレイ装置における画面の大型化及び高品位化を促進することができる。
【００３１】
図１においては、第１微小タイル状素子２１と第２微小タイル状素子２２とがそれぞれ一つづつ、一本の光導波路３０に結合されているが、第２微小タイル状素子２２の個数は複数個であってもよい。この場合、一つの第１微小タイル状素子２１から送信された光信号は、一本の光導光路３０を伝播して、複数の第２微小タイル状素子２２で同時に検出されることができる。これは一対多のバスラインと同じである。また第１微小タイル状素子２１と第２微小タイル状素子２２ともに複数個であってもよい。ここで、各第１微小タイル状素子２１は、放射する光の波長が異なるものとしてもよい。また、各第２微小タイル状素子２２は、少なくとも１つの第１微小タイル状素子２１が放射する光の波長に対応して、波長選択機能をもつ受光手段であることが好ましい。これらにより、複数の第１微小タイル状素子２１からそれぞれ送信された複数の光信号が、１つの光導波路３０を同時に伝播して、複数の第２微小タイル素子２２それぞれに検出されることができる。したがって、複数の光信号を並列に送受信することができるバスを、簡易に構成することができる。
【００３２】
また、光導波路３０は、図１においては直線状に形成されているが、曲線状に形成したり複数に分岐させることもできる。また、ループ状に形成してもかまわない。また、複数のタイル状素子を覆うようにシート状に形成してもよい。もちろん一つの基板１０の表面に複数の組の第１微小タイル状素子２１と第２微小タイル状素子２２及び光導波路３０を形成してもかまわない。さらに、基板１０の表裏両面に第１微小タイル状素子２１と第２微小タイル状素子２２及び光導波路３０を形成することもできる。
【００３３】
本実施形態では、コア部３３の曲面状表面に金属反射膜を設ける構成であるが、この曲面状表面にコア部３３に対して低い屈折率を有する材料からなる低屈折率膜を設ける構成であってもよい。この低屈折率膜形成材料としては所定の合成樹脂を用いることができる。こうすることによっても、コア部３３を導波する光を良好に閉じ込めることができる。また、基板１０とコア部３３との間に介在させる層を金属反射膜のかわりに合成樹脂等からなるコア部３３より低屈折率な低屈折率膜としてもよい。
【００３４】
そして、コア部３３を金属反射膜あるいは低屈折率膜で覆うことにより、例えば光導波路どうしを交差する場合においてもこの交差部での光の漏洩を抑えてクロストークの発生を防止できる。また、例えば基板１０を保護するために光導波路３０を含むように基板表面を合成樹脂等でコーティングしたり、あるいは光導波路表面に別の材料や部材を接続する場合においても、これらコーティング膜や部材の影響を抑えてコア部３３を伝播する光を十分に閉じ込めることができる。
【００３５】
また、本実施形態のコア部３３は基板上に設けられ、半円筒形状であるが、例えば図３に示すように、コア部３３を金属製の保持部材３４に埋め込む構成であってもよい。つまり、図３において、保持部材３４は断面視矩形状であって基板１０上で所定方向に延在する線状部材であって、その内部に保持部材３４の長手方向に延在する穴部３５を備えている。そして、コア部３３がこの穴部３５に配置されている構成である。なお図３に示す例では、コア部３３は断面視矩形状であるが、もちろん断面視円形状でも半円形状でもよい。このような構成であっても、コア部３３を導波する光を良好に閉じ込めることができ、導波損失を低く抑えることができる。また、保持部材３４はコア部３３より低い屈折率を有する合成樹脂等の所定材料により形成されてもよい。
【００３６】
＜第２実施形態＞
次に、本発明の光導波路を備えた光インターコネクション回路の第２実施形態について図４〜図６を参照しながら説明する。ここで、以下の説明において、上述した第１実施形態と同一又は同等の構成部分についてはその説明を簡略若しくは省略する。本実施形態に係るチップ間光インターコネクション回路は、基板１０上に実装された複数の集積回路チップ（ＩＣチップ、ＬＳＩチップなど）相互間を光導波路３０を介して接続するものである。図４は本実施形態に係るチップ間光インターコネクション回路を示す概略斜視図である。図５は図４に示すチップ間光インターコネクション回路の要部断面図である。図６は図５の要部平面図である。
【００３７】
基板１０の上面には、複数のＬＳＩ２０１ｅ，２０１ｆと、複数の光導波路３０が設けられている。ＬＳＩ２０１ｅ，２０１ｆは、集積回路チップからなり、図５に示すように、表面（ＬＳＩ回路形成面）を下にしてフリップチップ実装されている。そして、ＬＳＩ２０１ｅ，２０１ｆの表面（ＬＳＩ回路形成面）には、図５及び図６に示すように、発光機能又は受光機能を有する微小タイル状素子２００が貼り付けられている。この微小タイル状素子２００は、例えば数百μｍ四方以下の面積と数十μｍ以下の厚さをもつものとする。
【００３８】
ＬＳＩ２０１ｅ，２０１ｆへの微小タイル状素子２００の実装は、例えばシリコンウェハからＬＳＩ２０１ｅ，２０１ｆなどをダイシングする前に、各ＬＳＩ２０１ｅ，２０１ｆに微小タイル状素子２００を接着することとしてもよい。基板１０としては、ガラスエポキシ基板、セラミック、ガラス、プラスチック、半導体基板、シリコンなど任意のものを適用することができる。ＬＳＩ２０１ｅ，２０１ｆの表面（ＬＳＩ回路形成面）に貼り付けられた微小タイル状素子２００は、そのＬＳＩ回路と配線２１１を介して電気的に接続されている。ＬＳＩ２０１ｅ，２０１ｆは、基板１０上の所望位置に設けられたボンディングパッド（図示せず）と、凸形状の導電部材であるバンプ２１２とを介して、基板１０上にフリップチップ実装されている。したがって、ＬＳＩ２０１ｅ，２０１ｆは、ボンディングパッド及びバンプ２１２を介して、基板１０に設けられた回路と電気的に接続されている。また、図６に示すように平面的に見ると、ＬＳＩ２０１ｅ（２０１ｆ）に貼り付けられた微小タイル状素子２００と光導波路３０とが重なるように、微小タイル状素子２００の直下に光導波路３０が配置されている。光導波路３０は、基板１０の表面に形成された光導波路材からなるものである。そして、光導波路３０は、ＬＳＩ２０１ｅの微小タイル状素子２００とＬＳＩ２０１ｆの微小タイル状素子２００とを繋ぐように基板１０上に形成され、ＬＳＩ２０１ｅの微小タイル状素子２００とＬＳＩ２０１ｆの微小タイル状素子２００とを光学的に接続する。光導波路３０をなす光導波路材としては、透明樹脂あるいはゾルゲルガラスを適用することができる。
【００３９】
このような構成により、例えば、ＬＳＩ２０１ｅの出力信号は、配線２１１を介して、ＬＳＩ２０１ｅに貼り付けられた微小タイル状素子２００に送られる。その出力信号は微小タイル状素子２００で光パルス信号に変換される。微小タイル状素子２００から放射された光パルス信号は、微小タイル状素子２００の直下にある光導波路３０に入射し、その光導波路３０を伝播する。ここで、光導波路３０の第２の金属反射膜３２のうち、微小タイル状素子２００の直下には、光を入射可能な金属反射膜非形成部である穴部３６が形成されている。微小タイル状素子２００から放射された光パルス信号は、この穴部３６を介して光導波路３０のコア部３３に入射し、伝播する。光導波路３０を伝播した光パルス信号は、光導波路３０の端部であってＬＳＩ２０１ｆに貼り付けられた微小タイル状素子（図示せず）に入射し、その微小タイル状素子で電気信号に変換され、ＬＳＩ２０１ｆの入力信号となる。したがって、本実施形態によれば、ＬＳＩ２０１ｅ，２０１ｆに微小タイル状素子２００を貼り付けたことにより、ＬＳＩ２０１ｅ，２０１ｆの外形をほとんど大きくさせずに、ＬＳＩ２０１ｅ，２０１ｆの入出力信号を光信号に変換して極めて高速に伝送することができる。また、本実施形態によれば、ＬＳＩ２０１ｅ，２０１ｆに貼り付けた微小タイル状素子２００と光導波路３０とが重なるように配置しているので、簡便で極めて製造し易い構成でありながら、極めてコンパクト化することができるチップ間光インターコネクション回路を提供することができる。
【００４０】
本実施形態において、１つの光導波路３０に、受光機能をもつ複数の微小タイル状素子２００を接続して、光バスを形成してもよい。また、例えば複数のＬＳＩ２０１ｅ，２０１ｆで共有されるクロック信号の配信を光導波路３０を用いて行ってもよい。また、本実施形態において、受光機能をもつ微小タイル状素子２００の代わりに、例えば、ＬＳＩｅ，２０１ｆに形成した受光機能をもつ半導体素子を用いてもよい。ここで、受光機能をもつ半導体素子としては、例えばシリコン−フォトダイオード、シリコン−フォトトランジスタなどが挙げられる。
【００４１】
＜光導波路の製造方法＞
次に、上記実施形態に係る光インターコネクション回路における光導波路３０の製造方法について、図７を参照しながら説明する。
先ず、基板１０の上面に上記第１微小タイル状素子及び第２微小タイル状素子を接着しておく。その後、光導波路３０の製造工程に入る。そして、図７（ａ）に示すように、基板１０の上面と第１微小タイル状素子及び第２微小タイル状素子（図示せず）の上面全体に、撥液処理を施して撥液表面５１を設ける。次いで、図７（ｂ）に示すように、撥液表面５１における所望パターン領域に紫外線を照射することなどして、撥液表面５１のなかに所望パターンの親液表面５２を設ける。ここで、親液表面５２は形成すべき光導波路３０に応じた領域に設けられる。
【００４２】
次いで、図７（ｃ）に示すように、基板１０上の親液表面５２に対して、液滴吐出ヘッド（インクジェットヘッド）５３により、金属反射膜形成用材料を含む液体材料の液滴が配置される。そして、基板１０上に配置された液体材料に対して乾燥処理あるいは焼成処理を行うことにより、第１の金属反射膜３１が基板Ｐ上に形成される（第１工程）。なお、第１の金属反射膜３１を形成するに際し、液滴吐出動作と乾燥動作とを複数回繰り返すことで、第１の金属反射膜３１を所望の厚さに形成することができる。また、液滴吐出動作を複数回繰り返す際、先に基板上に形成されている金属反射膜の表面を表面改質処理、具体的には親液化処理してから次の液体材料の液滴を配置するようにしてもよい。
【００４３】
次いで、図７（ｄ）に示すように、基板１０上の金属反射膜３１の上に、コア部形成用材料を含む液体材料の液滴が液滴吐出ヘッド５３により配置される。コア部形成用材料としては、上述したように透明合成樹脂やゾルゲルガラスが挙げられる。そして、基板１０上に配置された液体材料に対して乾燥処理あるいは焼成処理を行うことにより、第１の金属反射膜３１上にコア部３３が形成される（第２工程）。ここでも、コア部３３を形成するに際し、液滴吐出動作と乾燥動作とを複数回繰り返すことで、コア部３３を所望の厚さに形成することができる。また、液滴吐出動作を複数回繰り返す際、先に基板上に形成されているコア部の表面を表面改質処理、具体的には親液化処理してから次の液体材料の液滴を配置するようにしてもよい。なおゾルゲルガラスでコア部３３を形成する場合は、金属アルコキシドに酸を加えて加水分解した溶液などを液的吐出ヘッド５３から吐出する。そして、第１の金属反射膜３１上に配置した液体材料に熱などのエネルギーを加えてガラス化しコア部３３とする。
【００４４】
次いで、図７（ｅ）に示すように、コア部３３の曲面状表面に、第２の金属反射膜形成用材料を含む液体材料の液滴が液滴吐出ヘッド５３により配置される。そして、コア部３３の曲面状表面に配置された液体材料に対して乾燥処理あるいは焼成処理を行うことにより、コア部３３の曲面状表面に第２の金属反射膜３２が形成される。ここでも、第２の金属反射膜３２を形成するに際し、液滴吐出動作と乾燥動作とを複数回繰り返すことで、第２の金属反射膜３２を所望の厚さに形成することができる。また、液滴吐出動作を複数回繰り返す際、先に基板上に形成されている第２の金属反射膜の表面を表面改質処理、具体的には親液化処理してから次の液体材料の液滴を配置するようにしてもよい。
【００４５】
なお、図７を参照して説明した例では、金属反射膜形成用材料を含む液体材料を液滴吐出ヘッド５３より吐出するように説明したが、コア部３３と基板１０との間に合成樹脂等からなる低屈折率膜を設ける場合には、液滴吐出ヘッド５３からは上記低屈折率膜形成用材料を含む液体材料の液滴が吐出され、同様に、コア部３３の曲面状表面に低屈折率膜を設ける場合にも、液滴吐出ヘッド５３からは低屈折率膜形成用材料を含む液体材料の液滴が吐出される。
【００４６】
コア部３３の製造方法は、図７を参照して説明した液滴吐出法の他に、光硬化樹脂を前記基板にコーティングし、その後、所望のパターン領域にのみ光を照射することでパターニングして設ける方法、所望の樹脂を基板にコーティングし、その後、フォトリソグラフィ法を用いて所望の形状にパターニングすることで設ける方法、スタンパを用いたパターン転写法により設ける方法、スクリーン印刷又はオフセット印刷法等の印刷法を用いて設ける方法、及びスリット状の隙間から液状の樹脂を吐出するスリットコート法により設ける方法、等を用いて製造することができる。スリットコート法としては、毛細管現象を用いて樹脂などの所望材料を基板１０上に設ける手法を採用してもよい。
また、金属反射膜又は低屈折率膜の製造方法としては、液滴吐出法の他に、スプレーコート法、スクリーン印刷法、メッキ法、蒸着法、及びパッド印刷法が挙げられる。
【００４７】
＜微小タイル状素子の製造方法＞
次に、上記第１微小タイル状素子２１及び第２微小タイル状素子２２をなす微小タイル状素子の製造方法について図８〜図１７を参照して説明する。本製造方法では、微小タイル状素子としての化合物半導体デバイス（化合物半導体素子）を基板となるシリコン・ＬＳＩチップ上に接合する場合について説明するが、半導体デバイスの種類及びＬＳＩチップの種類に関係なく本発明を適用することができる。なお、本実施形態における「半導体基板」とは、半導体物資から成る物体をいうが、板形状の基板に限らず、どのような形状であっても半導体物資であれば「半導体基板」に含まれる。
【００４８】
（第１工程）
図８は微小タイル状素子の製造方法の第１工程を示す概略断面図である。図８において、基板１１０は、半導体基板であり、例えばガリウム・ヒ素化合物半導体基板とする。基板１１０における最下位層には、犠牲層１１１を設けておく。犠牲層１１１は、アルミニウム・ヒ素（ＡｌＡｓ）からなり、厚さが例えば数百ｎｍの層である。例えば、犠牲層１１１の上層には機能層１１２を設ける。機能層１１２の厚さは、例えば１μｍから１０（２０）μｍ程度とする。そして、機能層１１２において半導体デバイス（半導体素子）１１３を作成する。半導体デバイス１１３としては、例えば発光ダイオード（ＬＥＤ）、面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ）、フォトダイオード（ＰＤ）、ＤＦＢレーザなどが挙げられる。これらの半導体デバイス１１３は、何れも基板１１０上に多層のエピタキシャル層を積層して素子が形成されたものである。また、各半導体デバイス１１３には、電極も形成し、動作テストも行う。
【００４９】
（第２工程）
図９は微小タイル状素子の製造方法の第２工程を示す概略断面図である。本工程においては、各半導体デバイス１１３を分割するように分離溝１２１を形成する。分離溝１２１は、少なくとも犠牲層１１１に到達する深さをもつ溝とする。例えば、分離溝の幅及び深さともに、１０μｍから数百μｍとする。また、分離溝１２１は、後述するところの選択エッチング液が当該分離溝１２１を流れるように、行き止まりなく繋がっている溝とする。さらに、分離溝１２１は、碁盤のごとく格子状に形成することが好ましい。また、分離溝１２１相互の間隔を数十μｍから数百μｍとすることで、分離溝１２１によって分割・形成される各半導体デバイス１１３のサイズを、数十μｍから数百μｍ四方の面積をもつものとする。分離溝１２１の形成方法としては、フォトリソグラフィとウェットエッチングによる方法、またはドライエッチングによる方法を用いる。また、クラックが基板に生じない範囲でＵ字形溝のダイシングで分離溝１２１を形成してもよい。
【００５０】
（第３工程）
図１０は微小タイル状素子の製造方法の第３工程を示す概略断面図である。本工程においては、中間転写フィルム１３１を基板１１０の表面（半導体デバイス１１３側）に貼り付ける。中間転写フィルム１３１は、表面に粘着剤が塗られたフレキシブルな帯形状のフィルムである。
【００５１】
（第４工程）
図１１は微小タイル状素子の製造方法の第４工程を示す概略断面図である。本工程においては、分離溝１２１に選択エッチング液１４１を注入する。本工程では、犠牲層１１１のみを選択的にエッチングするために、選択エッチング液１４１として、アルミニウム・ヒ素に対して選択性が高い低濃度の塩酸を用いる。
【００５２】
（第５工程）
図１２は微小タイル状素子の製造方法の第５工程を示す概略断面図である。本工程においては、第４工程での分離溝１２１への選択エッチング液１４１の注入後、所定時間の経過により、犠牲層１１１のすべてを選択的にエッチングして基板１１０から取り除く。
【００５３】
（第６工程）
図１３は微小タイル状素子の製造方法の第６工程を示す概略断面図である。第５工程で犠牲層１１１が全てエッチングされると、基板１１０から機能層１１２が切り離される。そして、本工程において、中間転写フィルム１３１を基板１１０から引き離すことにより、中間転写フィルム１３１に貼り付けられている機能層１１２を基板１１０から引き離す。これらにより、半導体デバイス１１３が形成された機能層１１２は、分離溝１２１の形成及び犠牲層１１１のエッチングによって分割されて、所定の形状（例えば、微小タイル形状）の半導体素子（上記実施形態の「微小タイル状素子」）とされ、中間転写フィルム１３１に貼り付け保持されることとなる。ここで、機能層の厚さが例えば１μｍから８μｍ、大きさ（縦横）が例えば数十μｍから数百μｍであるのが好ましい。
【００５４】
（第７工程）
図１４は微小タイル状素子の製造方法の第７工程を示す概略断面図である。本工程においては、（微小タイル状素子１６１が貼り付けられた）中間転写フィルム１３１を移動させることで、最終基板１７１の所望の位置に微小タイル状素子１６１をアライメントする。ここで、最終基板１７１は、例えば、シリコン半導体（図１における基板１０）からなり、ＬＳＩ領域１７２が形成されている。また、最終基板１７１の所望の位置には、微小タイル状素子１６１を接着するための接着剤１７３を塗布しておく。
【００５５】
（第８工程）
図１５は微小タイル状素子の製造方法の第８工程を示す概略断面図である。本工程においては、最終基板１７１の所望の位置にアライメントされた微小タイル状素子１６１を、中間転写フィルム１３１越しに裏押しピン１８１で押しつけて最終基板１７１に接合する。ここで、所望の位置には接着剤１７３が塗布されているので、その最終基板１７１の所望の位置に微小タイル状素子１６１が接着される。
【００５６】
（第９工程）
図１６は微小タイル状素子の製造方法の第９工程を示す概略断面図である。本工程においては、中間転写フィルム１３１の粘着力を消失させて、微小タイル状素子１６１から中間転写フィルム１３１を剥がす。中間転写フィルム１３１の粘着剤は、紫外線（ＵＶ）又は熱により粘着力が消失するものにしておく。ＵＶ硬化性の粘着剤とした場合は、裏押しピン１８１を透明な材質にしておき、裏押しピン１８１の先端から紫外線（ＵＶ）を照射することで中間転写フィルム１３１の粘着力を消失させる。熱硬化性の接着剤とした場合は、裏押しピン１８１を加熱すればよい。あるいは第６工程の後で、中間転写フィルム１３１を全面紫外線照射するなどして粘着力を全面消失させておいてもよい。粘着力が消失したとはいえ実際には僅かに粘着性が残っており、微小タイル状素子１６１は非常に薄く軽いので中間転写フィルム１３１に保持される。
【００５７】
（第１０工程）
本工程は、図示していない。本工程においては、加熱処理などを施して、微小タイル状素子１６１を最終基板１７１に本接合する。
【００５８】
（第１１工程）
図１７は微小タイル状素子の製造方法の第１１工程を示す概略断面図である。本工程においては、微小タイル状素子１６１の電極と最終基板１７１上の回路を配線１９１により電気的に繋ぎ、一つのＬＳＩチップなど（光インターコネクション回路用の集積回路チップ）を完成させる。最終基板１７１としては、シリコン半導体のみならず、石英基板又はプラスチックフィルムを適用してもよい。
【００５９】
＜応用例＞
以下、本発明に係る光インターコネクション回路の応用例について説明する。
第１の応用例としては、上記実施形態の光インターコネクション回路をオプトエレクトロニクス集積回路の信号伝送手段として用いる。オプトエレクトロニクス集積回路としては、例えばコンピュータが挙げられる。そして、ＣＰＵを形成する集積回路内での信号処理は電気信号を用いて行うが、ＣＰＵと記憶手段などの間でデータを伝送するバスに上記実施形態の光インターコネクション回路を適用する。これらにより、本応用例によれば、簡易な構成でありながら、コンピュータの処理速度のボトルネックとなっているバスにおける信号伝達速度を従来よりも大幅に高めることが可能となる。また、本応用例によれば、コンピュータなどを大幅に小型化することが可能となる。
第２の応用例としては、電気光学装置である液晶ディスプレイ、プラズマディスプレイ又は有機ＥＬ（エレクトロ・ルミネッセンス）ディスプレイなどの平面ディスプレイ装置に上記実施形態の光インターコネクション回路を用いる。例えば、平面ディスプレイ装置における走査線に上記光インターコネクション回路を用いる。すると、走査信号を高速に伝送することができるので、平面ディスプレイ装置における画面の大型化及び高品位化を促進することができる。また、平面ディスプレイ装置における金属配線パターンに重ねて光導波路３０を設けることにより、開口率を大きくすることができ、高品質な画像を表示することが可能となる。
【００６０】
＜電子機器＞
上記実施形態の光インターコネクション回路を備えた電子機器の例について説明する。図１８は上述した実施形態に係る表示装置を備えたモバイル型のパーソナルコンピュータ（情報処理装置）の構成を示す斜視図である。同図において、パーソナルコンピュータ１１００は、キーボード１１０２を備えた本体部１１０４と、上述した表示装置ユニット１１０６とから構成されている。図１８に示す電子機器は、上記実施形態の光インターコネクション回路を備えているので、導波損失が低い光導波路を用いてコンパクトな光インターコネクション回路を構成要素とする電子機器を安価に提供できる。そして、例えば集積回路に本発明の光インターコネクション回路を適用することで高速に信号処理でき且つコンパクトな電子機器を安価に提供できる。また、本発明によれば、例えば表示装置に光インターコネクション回路を適用することで高品位な画像を表示できる電気機器を提供できる。
【００６１】
なお、上述した例に加えて、他の例として、携帯電話、腕時計型電子機器、液晶テレビ、ビューファインダ型やモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、電子ペーパー、タッチパネルを備えた機器等が挙げられる。本発明の電気光学装置は、こうした電子機器の表示部としても適用できる。なお、本実施形態の電子機器は液晶装置を備えるもの、有機エレクトロルミネッセンス表示装置、プラズマ型表示装置等、他の電気光学装置を備えた電子機器とすることもできる。
【００６２】
以上、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施の形態例について説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。上述した例において示した各構成部材の諸形状や組み合わせ等は一例であって、本発明の主旨から逸脱しない範囲において設計要求等に基づき種々変更可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の光導波路を備えた光インターコネクション回路の第１実施形態を示す概略図であって、（ａ）は側断面図、（ｂ）は平面図である。
【図２】図１（ｂ）のＡ−Ａ矢視図である。
【図３】光導波路の他の実施形態を示す図である。
【図４】本発明の光導波路を備えた光インターコネクション回路の第２実施形態を示す概略斜視図である。
【図５】図４の要部拡大断面図である。
【図６】図４の要部拡大平面図である。
【図７】光導波路の製造工程の一例を説明するための図である。
【図８】微小タイル状素子の製造方法の第１工程を示す概略断面図である。
【図９】同上の製造方法の第２工程を示す概略断面図である。
【図１０】同上の製造方法の第３工程を示す概略断面図である。
【図１１】同上の製造方法の第４工程を示す概略断面図である。
【図１２】同上の製造方法の第５工程を示す概略断面図である。
【図１３】同上の製造方法の第６工程を示す概略断面図である。
【図１４】同上の製造方法の第７工程を示す概略断面図である。
【図１５】同上の製造方法の第８工程を示す概略断面図である。
【図１６】同上の製造方法の第９工程を示す概略断面図である。
【図１７】同上の製造方法の第１１工程を示す概略断面図である。
【図１８】本発明の電子機器の一例を示す図である。
【符号の説明】
１０…基板、２１…第１微小タイル状素子（発光素子）、２１ａ…発光部、
２２…第２微小タイル素子（受光素子）、２２ｂ…受光部、
３０…光導波路、３１…第１の金属反射膜、３２…第２の金属反射膜、
３３…コア部、３４…保持部材、３５…穴部、３６…穴部、
５３…液滴吐出ヘッド、２００…微小タイル状素子、２１１…配線、
２１２…バンプ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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