(57)【要約】【課題】低コスト化技術である薄膜の電解析出法による量産化技術を確立し、裏面への膜付着量を低減し、高性能かつ基板密着性に優れた電析膜を形成できる電析装置を提供する。【解決手段】導電性基板１０５を作用電極として用い、この導電性基板１０５と対向する対向電極１０４と、電源１０６とを有する電析装置であって、導電性基板１０５の非成膜面に付着する電析膜を低減する裏面膜付着防止部材１０３を有することを特徴とする。【選択図】　　　図１
2004010968.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも導電性基板を作用電極として用い、該導電性基板と対向する対向電極と、電源とを有する電析装置であって、該導電性基板の非成膜面に付着する電析膜を低減する裏面膜付着防止部材を有することを特徴とする電析装置。
【請求項２】
前記裏面膜付着防止部材が前記導電性基板から３０ｍｍ以内の距離に設けられていることを特徴とする請求項１に記載の電析装置。
【請求項３】
前記裏面膜付着防止部材が誘電体から形成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の電析装置。
【請求項４】
前記裏面膜付着防止部材が電析槽の一部を兼ねていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の電析装置。
【請求項５】
ロール間で長尺基板を掛け渡して搬送するロール・ツー・ロール装置が備えられていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の電析装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電析法（電解めっき法及び電解析出法）により酸化物、とりわけ酸化亜鉛を導電性基板上に形成する装置に係わり、特に基板の片面にのみ薄膜を形成する装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、真空プロセスに代わり水溶液中での電気化学反応を利用した成膜技術（以下、「電析法」という。）が注目されており、半導体素子への利用等も検討されている。
【０００３】
成膜技術に電析法を用いることには以下のような利点がある。
【０００４】
まず、スパッタリング装置などの真空装置と異なり、成膜が極めて簡便なことである。高価な真空ポンプを必要とせず、プラズマを使用するための電源や電極周りの設計に気を使うこともない。
【０００５】
次に、ほとんどの場合、ランニングコストが低いことである。これは、スパッタリング装置ではターゲットの作成に人手と装置を要し、費用がかかる上に、ターゲットの利用効率も２割程度以下であることに原因がある。また、装置のスループットがあがったり、膜厚を厚くしたりする場合には、ターゲット交換の作業がかなりのウエイトを占めるようになり、さらにランニングコストが低下することとなる。
【０００６】
また、スパッタリング以外のＣＶＤ法や真空蒸着法に対しても同様の理由から装置やランニングコストの面で優位に立つ。
【０００７】
また、多くの場合、膜が多結晶の微粒子であり、真空法で作るのと遜色ない導電特性・光学特性を示し、ゾルゲル法や有機物を用いたコーティング法、更にはスプレー・パイロリシス法などに比べても優位に立つ。
【０００８】
さらに、酸化物を形成する場合でもこれらのことが成り立つ上、廃液を簡単に処理することができ、環境に及ぼす影響も小さく、環境汚染防止のためのコストも低い。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、この電析法にはさらに解決すべき様々な課題が存在する。
【００１０】
即ち、電析法により薄膜を形成する際、基板として導電性のものを使用すると基板の成膜面（＝表面）だけでなく、非成膜面（＝裏面）にもある程度膜が堆積されてしまう。基板の裏面に堆積される膜（以後、「裏面膜」と記す。）は、堆積される条件の違いにより（主に電界のかかりかた等により）、基板の表面に堆積される膜と異質の膜となる場合がある。具体的には、表面凹凸形状や機械的強度が異なる、低密度でもろい膜となる場合がある。このような裏面膜がある程度以上存在すると、例えば太陽電池等の半導体素子を形成する際に以下のような問題が起こる。
【００１１】
（１）電解析出により薄膜を形成した基板を光起電力素子の製造工程に供給した際、真空装置内での脱ガスによる太陽電池特性低下を招く惧れがある。特に裏面膜は密度が小さく表面積が大きくなり易いため、酸素、窒素、水、その他の吸着ガスを真空装置内へ持ち込む危険性が高くなる。
【００１２】
（２）真空装置内で基板を搬送する際に、裏面膜が剥がれ落ちダストとなって真空装置内を汚染する場合がある。
【００１３】
（３）ロール・ツー・ロール形式を用いた場合、巻取り工程において裏面膜も同時に巻き取られることになり、巻取り時に剥がれ落ちて異物として基板間に混入する可能性がある。この場合、表面に堆積した薄膜に異物が接触し、損傷を与える危険性がある。
【００１４】
（４）裏面膜の存在による摩擦係数のばらつきから巻きずれや、搬送不具合が発生する可能性がある。
【００１５】
（５）薄膜形成後に、後加工として裏面での半田溶接や接着被覆等を行う場合、基板裏面の膜付着が、溶接不良や密着性低下等の作業性悪化の原因となりうる。
【００１６】
一方、特開平１１−２８６７９９号公報には裏面膜付着防止電極を用いて裏面に堆積した膜を電気分解によってエッチングする方法が開示されている。この方法によって裏面への膜の付着は大幅に改善することが可能である。しかし、基板と電析膜との間に銀などの酸化性液体と反応性のある金属膜を用いた場合、例えば従来以上に堆積速度を上げるためにより強い電界を印加すると、裏面に堆積した電析膜だけでなく、表に堆積させた電析膜さらには銀などの金属膜にまで電気化学的な反応がおよび、変色や溶解などの不具合が発生する可能性がある。
【００１７】
また、特開平１０−２５９４９６号公報には、電析により酸化亜鉛膜を形成する際に基板の裏面に酸化亜鉛膜を堆積させない技術が提案されている。具体的には硝酸イオン及び亜鉛イオンを含有する水溶液中に浸漬された長尺導電性基板の一方の面を被覆しつつ該基板を搬送する回転ベルトを設けることによって基板の裏面に不要な酸化亜鉛膜を堆積させない技術が開示されている。この方法によれば裏面膜の堆積を効果的に抑制することが可能であるが、基板の裏面を被覆する部材が必須であるため、装置構成が複雑になると同時に、コストアップにつながる可能性がある。
【００１８】
本発明の目的は以上のような課題を克服して、低コスト化技術である薄膜の電解析出法による量産化技術を確立し、裏面への膜付着量を低減し、高性能かつ基板密着性に優れた電析膜を形成できる電析装置を提供するものである。
【００１９】
【課題を解決するための手段】
本発明者は、上述した目的を達成するために、導電性基板上に薄膜を形成する際に発生する裏面への膜付着を低減させる方法について鋭意検討した結果、以下に述べる知見を得た。
【００２０】
すなわち、基板の裏面に裏面膜が形成される主な原因は、形成浴中に存在する電気力線の影響にあり、裏面に回り込んだ電気力線が導電性基板上で電気化学反応を起こして裏面膜を形成するというものである。
【００２１】
基板裏面に回りこむ電気力線による裏面膜の形成と、その裏面膜形成の低減方法について更に詳述すると以下のようになる。
【００２２】
電解析出による電析膜の形成は、導電性基板である作用電極と、対向電極との間に通電することにより行われる。主な反応は対向電極と向き合った作用電極の表面で行われるが、形成浴中における電気力線の回り込みにより作用電極の裏面でも反応が生じて電析膜の形成が起こる。裏面に回り込んだ電気力線は表面の電気力線と異なるため、裏面に形成された電析膜は表面に形成された電析膜と比べて構成や特性が異なる低密度のもろい膜となり、これらの裏面膜が形成された導電性基板を半導体素子や光起電力素子の基板として使用した際に弊害が生じることは前述の通りである。
【００２３】
これらを解決するためには裏面に回り込む電気力線を制限することが有効であると考え検討を行った。具体的には、空間的に電界の回り込みを小さくするという観点から対策を検討した。
【００２４】
そして本発明者は、裏面膜の付着を低減する部材（以後、「裏面膜付着防止部材」と記す。）を設け、電気力線が基板裏面に回り込む空間を小さくして裏面膜の堆積を効果的に低減することを可能とした。
【００２５】
本発明はこれらの知見に基づいて完成されたものであり、以下の構成を有するものである。
【００２６】
即ち、本発明は、少なくとも導電性基板を作用電極として用い、該導電性基板と対向する対向電極と、電源とを有する電析装置であって、該導電性基板の非成膜面（該対向電極に対向する面と反対側の面）に付着する電析膜を低減する裏面膜付着防止部材を有することを特徴とする電析装置である。
【００２７】
本発明の電析装置によれば、導電性基板の裏面に回り込む電界の影響を低減することができるため、基板裏面への電析膜の付着を低減させることができる。これにより、本発明の電析装置を用いて形成した薄膜を光起電力素子の製造に応用すれば、真空装置内での脱ガス、不純物の混入による太陽電池の特性低下のない高性能な素子基板を効率的に製造できる。また、ロール・ツー・ロール形式による連続成膜で光起電力素子とする際、搬送制御を容易に行うことができる。更に、半田溶接性、接着剤の密着性等が向上することによって後工程での作業性が向上する。
【００２８】
本発明の電析装置においては、前記裏面膜付着防止部材が前記導電性基板から３０ｍｍ以内の距離に設けられていることが望ましい。これにより、溶液の電界が導電性基板の裏面に回り込むことを効果的に防ぐことができ、裏面に電析膜が付着することを低減できる。裏面膜付着防止部材と導電性基板との距離は３０ｍｍ以内であれば本発明の効果を十分得ることができるが、電気力線の回り込み低減効果を更に高めるためには２０ｍｍ以内が望ましく、最適には１５ｍｍ以内が望ましい。裏面膜付着防止部材と導電性基板との距離の下限については特に制限はないが、基板裏面と対向する面とが接触すると表面の電析膜形成に悪影響を与える場合があるため、お互い接触しない範囲で短い方（例えば５ｍｍ程度）が望ましい。
【００２９】
また、前記裏面膜付着防止部材が誘電体から形成されていることが望ましい。これにより、前記裏面膜付着防止部材を通って前記導電性基板の裏面に回り込む電界をより一層効果的に低減させることができ、基板裏面への電析膜の付着を低減することができる。
【００３０】
また、前記裏面膜付着防止部材が電析槽の一部を兼ねていることが望ましい。これにより、装置の省部材化が図れ、コストダウンにつながる。
【００３１】
また、ロール間で長尺基板を掛け渡して搬送するロール・ツー・ロール装置が備えられていることが望ましい。このことにより、基板を搬送しながら電析膜を連続成膜することができ大面積で成膜を行うことができる。
【００３２】
【発明の実施の形態】
まず、本発明の基本となる電析装置の一例を図１に基づいて説明する。なお、図面に示される電析装置は導電性基板に電析膜を電析プロセスを用いて形成するだけの機能に単純化したものである。
【００３３】
図１において、１０１は電析槽、１０２は電析浴、１０３は裏面膜付着防止部材、１０４は対向電極、１０５は導電性基板（作用電極）、１０６は電源、１０７は射出口、１０８は吸入口、１０９は吸入溶液パイプ、１１０は射出溶液パイプ、１１１は溶液循環ポンプ、１１２はヒーター、１１３は温度計、１１４は可変抵抗である。
【００３４】
導電性基板１０５と対向電極１０４は電源１０６につながれており、作用電極である導電性基板１０５と対向電極１０４の間に通電すると導電性基板１０５上で電解析出がおき電析膜が形成される。この時、裏面膜付着防止部材１０３を用いることによって、電気力線が導電性基板１０５の裏面側に回り込むことを防ぎ、裏面膜の付着を効果的に低減することができる。
【００３５】
図２にロール・ツー・ロール装置を用いた場合の電析装置を示す。図中、２０１は電析装置、２０２は電析槽、２０３は導電性基板（作用電極）、２０４は対向電極、２０５は電析浴、２０６は裏面膜付着防止部材、２０７は電源、２０８は水洗槽、２０９は水洗浴、２１０は乾燥炉、２１１は送り出しローラー、２１２は巻き取りローラー、２１３は合紙、２１４は合紙巻き上げローラー、２１５は給電ローラー、２１６は搬送ローラー、２１７は合紙繰り出しローラーである。
【００３６】
導電性基板２０３はロール状の荷姿で送り出しローラー２１１にセットされる。通常、表面保護の為に合紙２１３が巻き入れられているので、合紙巻き上げローラー２１４で巻き取りつつ導電性基板２０３を引き出し、連続的に搬送する。引き出された導電性基板２０３は給電ローラー２１５を経て電析槽２０２中に入り、電析膜の形成が行われる。次いで水洗槽２０８で洗浄を行い、ヒーター２１０で乾燥した後、合紙２１７と共に基板巻き取りローラー２１２に巻き取られる。
【００３７】
上述のようなロール間で長尺基板を掛け渡して搬送するロール・ツー・ロール装置を備える電析装置においても、電析槽２０２内に裏面膜付着防止部材２０６を導電性基板２０３の裏面側に設けることにより、基板裏面側への電気力線の回り込みを防ぎ、裏面膜の付着を効果的に抑制することができる。
【００３８】
以下、本発明における導電性基板、電析槽、裏面膜付着防止部材について説明する。
【００３９】
（導電性基板）
本発明で用いられる導電性基板の材質は、導電性が有り電析浴に侵されないものなら何でもよく、ＳＵＳ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｃｒ等の金属を用いることができる。また金属コーティングした樹脂フィルムも使用可能である。これらの中で、後工程で素子化を行うような場合には、ＳＵＳが比較的安価で防食性にも優れている。
【００４０】
導電性基板の表面は、円滑でも良いし、粗面でも良い。また導電性基板上には別の導電性材料による膜が形成されてもよく、電析の目的に応じて選択される。
【００４１】
（電析槽）
本発明に適用可能な電析槽としては、金属においてはＳＵＳ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｃｒ、真鍮などが耐熱性・加工性の良さから利用でき、防食性の点からはＳＵＳが好ましい。ＳＵＳはマルテンサイト系、フェライト系、オーステナイト系いずれも適用可能である。保温性が必要とされる場合には二重構造とし、間に断熱材を充填することができる。断熱材としては、断熱性能及び簡便性の点から空気、油脂、ガラスウール、ウレタン樹脂等が好ましい。
【００４２】
（裏面膜付着防止部材）
本発明に用いられる裏面膜付着防止部材は導電性基板の裏面に回り込む電気力線を防ぐものであれば何でも良いが、より効果的に電気力線の回り込みを防止するためには誘電体の部材を用いることが望ましい。具体的には、アルミナ、マグネシア、カルシア、窒化珪素、炭化珪素をはじめとするセラミックス、鉛カリ、鉛カリソーダ、亜鉛ホウケイ酸、アルミノ珪酸、ホウケイ酸、バリウムホウケイ酸、アルカリバリウムなどのガラス、ＡＡＳ（アクリロニトリル・アクレート・スチレン）、ＡＢＳ（アクリロニトリル・ブタジエン・スチレン）、ＡＣＳ（アクリロニトリル・塩化ポリエチレン・スチレン）、ＡＥＳ（アクリロニトリル・エチレン・スチレン）、ＡＳ（アクリロニトリル・スチレン）等のスチレン系樹脂、ＥＶＣ（エチレン・ビニル・クロライド）、ＥＶＡ（エチレン・ビニル・アセテート）、ＰＶＣ（ポリ塩化ビニル）、ＶＰ（プロピオン酸ビニル）、ＰＶＢ（ポリビニルブチラール）、ＰＶＦ（ポリビニルフォルマール）等のビニル系樹脂、ＰＴＦＥ（ポリ四フッ化エチレン）、ＦＥＰ（フッ化エチレン・ポリプロピレン）、ＰＦＡ（四フッ化エチレン・パーフルオロアルキルビニルエーテル）、ＥＴＦＥ（四フッ化エチレン・エチレン）、ＣＴＦＥ（ポリクロロトリフルオロエチレン）、ＰＶＤＦ（ポリフッ化ビニリデン）、ＥＣＴＦＥ（三フッ化塩化エチレン・エチレン）、ＰＶＦ（ポリフッ化ビニル）等のフッ素樹脂、ポリアセタール樹脂、ナイロンをはじめとするポリアミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリアリレート樹脂、ポリイミド樹脂、ＬＤＰＥ（低密度ポリエチレン）、ＬＬＤＰＥ（直鎖状低密度ポリエチレン）、ＨＤＰＥ（高密度ポリエチレン）、ＵＨＭＷＰＥ（超高分子量ポリエチレン）等のポリエチレン樹脂、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）、ＰＢＴ（ポリブチレンテレフタレート）、ポリカーボネート等のポリエステル樹脂、ポリスチレン、ポリパラメチルスチレン等のスチローラー樹脂、ポリプロピレン等のプロピレン樹脂、ＰＭＭＡ（ポリメチルメタクリレート）等のアクリル樹脂、ＢＰＡ（ビスフェノールＡ）等のエポキシ樹脂、ＤＡＰ（ジアリルフタレート）等のアリル樹脂、ベークライト等のフェノール樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、フルフリルアルコール・ポリマー、フルフリルアルコール・フルフラール・コポリマー、フルフラール・フェノール・コポリマー、フルフラール・ケトン・コポリマーのフラン樹脂、ウレタン樹脂、尿素樹脂が適用可能である。更にこれらの材料の混合物や、繊維との複合材料とすることもできる。樹脂を用いる場合で、特に電析浴の使用温度が高く、耐腐食性を高めたいときにはフッ素樹脂の使用が好ましい。
【００４３】
【実施例】
以下、実施例により本発明を詳しく説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
【００４４】
（実施例１）
本実施例では図１に示される装置を用いて電析膜（酸化亜鉛膜）を形成した。導電性基板（作用電極）１０５としては厚さ０．１２ｍｍ、幅５０ｍｍ、長さ５０ｍｍのステンレス４３０−２Ｄ板に、銀を１００ｎｍスパッタしたものを用い、対向電極１０４としては、厚さ１ｍｍ、幅５０ｍｍ、長さ５０ｍｍの４−Ｎ（９９．９９％）の亜鉛板を使用した。また、導電性基板１０５の裏面側に裏面膜付着防止部材１０３として厚さ０．２ｍｍ、幅５５ｍｍ、長さ５５ｍｍのステンレス４３０−２Ｄ板を使用した。
【００４５】
導電性基板１０５の裏面と裏面膜付着防止部材１０３との距離は２０ｍｍとした。形成浴１０２は８０℃、０．１５ｍｏｌ／ｌの硝酸亜鉛形成浴で電導度は５０ｍＳ／ｃｍとした。電流は、対向電極１０４を正として導電性基板１０５との間に３．０ｍＡ／ｃｍ２（０．３Ａ／ｄｍ２：７５ｍＡ）を通電し、電解析出を行った。
【００４６】
作用電極である導電性基板１０５で得られた酸化亜鉛膜の光学特性（日本分光（株）Ｖ−５７０）の波形から光干渉法を用いて膜厚を測定した。更に裏面膜付着状態（裏面回り込み）を目視にて確認したが裏面膜の付着は少量であった。
【００４７】
さらに基板裏面の比抵抗を測定したところ、酸化亜鉛膜を形成する前の導電性基板との相対値で１．５であった。
【００４８】
本発明者の検討の結果、基板裏面の比抵抗と、目視による裏面膜付着状態（裏面回り込み）との関係は良い一致を示すことが明らかになった。このため、酸化亜鉛膜の形成前と形成後の基板裏面の比抵抗の相対値で裏面回り込みの評価を行った。この評価結果を表１に示す。
【００４９】
（実施例２）
作用電極である導電性基板の裏面と裏面膜付着防止電極との距離を３ｍｍ、５ｍｍ、１０ｍｍ、１５ｍｍ、３０ｍｍとしたこと以外は実施例１と同様にして酸化亜鉛膜を形成した。
【００５０】
本実施例における導電性基板の非成膜面（裏面）に発生した裏面回り込みの評価結果を表１に示す。評価方法は基板裏面の比抵抗を測定し、酸化亜鉛膜を形成する前の導電性基板との相対値で判断した。
【００５１】
表１から明らかなように、導電性基板裏面と裏面膜付着防止部材との距離を３０ｍｍ以下とすることにより本発明の効果が得られ、特に導電性基板裏面と裏面膜付着防止部材との距離が１５ｍｍ以下の時に顕著な効果が得られることがわかった。
【００５２】
（実施例３）
裏面膜付着防止部材を誘電体であるＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）にしたこと以外は実施例１及び実施例２と同様にして酸化亜鉛膜を形成した。
【００５３】
本実施例における導電性基板の非成膜面（裏面）に発生した裏面回り込みの評価結果を表１に示す。表１から明らかなように、裏面膜付着防止部材を誘電体とすることにより本発明の効果が顕著に得られることがわかった。
【００５４】
（比較例１）
導電性基板１０５の裏面と裏面膜付着防止部材との距離を４０ｍｍとしたこと以外は実施例１と同様にして酸化亜鉛膜を形成し、導電性基板の非成膜面（裏面）に発生した裏面回り込みの評価を行った。その結果を表１に示す。
【００５５】
【表１】
2004010968.tif 000003
【００５６】
［判定基準］
×：比抵抗の相対値が２．０以上
○：比抵抗の相対値が１．２以上２．０未満
◎：比抵抗の相対値が１．２未満
【００５７】
（実施例４）
電析槽の一部の壁面が裏面膜付着防止部材を兼ねていること以外は実施例１と同様にして酸化亜鉛膜の形成を行い、目視にて裏面膜の付着を確認したが付着の程度は実施例１と同程度であり、裏面膜の付着は少量であった。
【００５８】
本実施例では電析槽の一部が裏面膜付着防止部材を兼ねることにより、別部材の裏面膜付着防止部材を設ける必要がないため装置の省部材化ができコストダウンにつなげることができた。
【００５９】
（実施例５）
導電性基板であるロール状のステンレス４３０−２Ｄ板にロール対応のＤＣマグネトロンスパッタ装置で金属層として銀を１００ｎｍ、酸化亜鉛膜を２００ｎｍ堆積し、図２に示すロール・ツー・ロール方式で酸化亜鉛膜を形成した。
【００６０】
導電性基板２０３は送り出しローラー２１１から搬送ローラー２１６、電析槽２０２及び水洗槽２０８を経て巻取りローラー２１２に巻き取られる。電析浴２０５は、水１リットル中に硝酸亜鉛６水和塩７０ｇ、デキストリン０．５ｇを含んでなり（電導度は９０ｍＳ／ｃｍ）、浴中を攪拌するために液循環処理がなされている。浴２０５の液温は８５℃の温度に保たれており、ｐＨは４．０〜６．０に保持される。浴２０５中には対向電極２０４としての表面をバフ研磨した幅１２０ｍｍ、長さ１５００ｍｍの亜鉛板が設けられている。ＰＦＡ（四フッ化エチレン・パーフルオロアルキルビニルエーテル）からなる裏面膜付着防止部材２０６と導電性基板ロール２０３の裏面との距離は１０ｍｍとした。作用電極となる導電性基板ロール（幅１２０ｍｍ、液中長さ３０００ｍｍ）２０３と対向電極２０４との間に対向電極を正とし１５．０ｍＡ／ｃｍ２（１．５Ａ／ｄｍ２：２７０００ｍＡ）を通電し、電解析出を行った。
【００６１】
膜形成速度は３ｎｍ／ｓｅｃであり、導電性基板ロール２０３の裏面に酸化亜鉛膜が堆積することなく、膜厚２０００ｎｍの酸化亜鉛膜が形成された。
【００６２】
以上のようにして酸化亜鉛膜を形成した導電性基板２０３上に、ダブル構造の半導体層をロール対応のＣＶＤ装置にて形成した。まず、シランとフォスフィンと水素の混合ガスを用い、導電性基板２０３上に形成した金属層と酸化亜鉛層を３００℃に加熱し、１３．５６ＭＨｚのＲＦを投入してｎ型層を形成し、シランと水素の混合ガスを用い、基板温度を３００℃に加熱し６０ＭＨｚのＶＨＦを投入してｉ型層を形成し、更に基板温度を２００℃として三フッ化ボロンとシランと水素の混合ガスを用いてｐ型層を形成し、ボトムｐｉｎ層とした。更に同様の手順でｉ型層をシランと水素を用いてトップｐｉｎ層を形成した。この後、ロール対応スパッタ装置によりＩＴＯを透明導電性層として堆積せしめた。しかるのち、銀ペーストで集電電極を作成して光起電力素子を得た。
【００６３】
ソーラーシュミレーター（ＡＭ１．５、１００ｍＷ／ｃｍ２、表面温度２５℃）を用いてこの素子の最適動作電流、光電変換効率を測定した。
【００６４】
また、ロール対応の半導体形成装置及び透明電極形成装置での１００ｍ成膜中の搬送ＮＧ（端部が基準値より±３ｍｍずれることによる非常停止）は０回であった。以上の結果を表２に示すが、特性等に問題は発生しなかった。
【００６５】
（比較例２）
導電性基板２０３の裏面と裏面膜付着防止部材との距離を１００ｍｍとしたこと以外は実施例５と同様にして酸化亜鉛膜を形成した後、同様に光起電力素子を形成した。
【００６６】
ソーラーシュミレーター（ＡＭ１．５、１００ｍＷ／ｃｍ２、表面温度２５℃）を用いてこの素子の最適動作電流、光電変換効率を測定した。その結果、光起電力素子を形成する際の真空装置内に、裏面膜に吸着されたガスが混入したことによると思われる太陽電池特性（最適動作電流、光電変換効率）の劣化が見られた。
【００６７】
また、ロール対応の半導体形成装置及び透明電極形成装置での１００ｍ成膜中の搬送ＮＧ（端部が基準値より±３ｍｍずれることによる非常停止）は１８回であった。以上の結果を実施例５との相対比較で表２に示す。
【００６８】
【表２】
2004010968.tif 000004
【００６９】
表２の結果からもわかるように、本発明の電析装置は、ロール・ツー・ロール方式においても搬送ＮＧがなく、電析膜の特性改善に十分に効果がある。
【００７０】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の電析装置によれば、導電性基板裏面への膜付着を低減できる。また、本発明の電析装置を太陽電池作成装置として導入することにより、太陽電池の電気特性さらには収率特性及び耐久性を向上させる。また、スパッタ法や蒸着法と比べて材料コスト、ランニングコスト等を大幅に削減できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明を適用した電析装置の概略構成図である。
【図２】本発明を適用したロール・ツー・ロール装置が備えられている電析装置の概略構成図である。
【符号の説明】
１０１　電析槽
１０２　電析浴
１０３　裏面膜付着防止部材
１０４　対向電極
１０５　導電性基板（作用電極）
１０６　電源
１０７　射出口
１０８　吸入口
１０９　吸入溶液パイプ
１１０　射出溶液パイプ
１１１　溶液循環ポンプ
１１２　ヒーター
１１３　温度計
１１４　可変抵抗
２０１　電析装置
２０２　電析槽
２０３　導電性基板（作用電極）
２０４　対向電極
２０５　電析浴
２０６　裏面膜付着防止部材
２０７　電源
２０８　水洗槽
２０９　水洗浴
２１０　乾燥炉
２１１　送り出しローラー
２１２　巻き取りローラー
２１３　合紙
２１４　合紙巻き上げローラー
２１５　給電ローラー
２１６　搬送ローラー
２１７　合紙繰り出しローラー
【図１】
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【図２】
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