(57)【要約】【課題】ヒートシンクの放熱作用を促進させることで発熱体の冷却効率を高めた発熱体の冷却機構及び実装基板を提供すること。【解決手段】発熱体２に密着される吸熱部と発熱体２から離間した冷却部とを有し内部が中空の固定ヒートシンク６と、この固定ヒートシンク６の中空部３６内に固定ヒートシンク６との間隙に熱伝導グリス８を介在させて配設される回転ヒートシンク７と、この回転ヒートシンク７を中空部３６内で回転させる回転手段とを備えている。【選択図】        図１
2004327884.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発熱体に密着される吸熱部と、前記発熱体から離間した冷却部とを有し内部が中空の固定ヒートシンクと、
前記固定ヒートシンクの中空部内に、前記固定ヒートシンクとの間隙に熱伝導グリスを介在させて配設される回転ヒートシンクと、
前記回転ヒートシンクにおいて前記吸熱部または前記冷却部に位置する部分をそれぞれ前記冷却部または前記吸熱部へと移動させるように、前記回転ヒートシンクを前記中空部内で回転させる回転手段とを備えている
ことを特徴とする発熱体の冷却機構。
【請求項２】
前記回転ヒートシンクの回転軌跡上に位置させて少なくとも１つのファンを前記固定ヒートシンク上に設けた
ことを特徴とする請求項１に記載の発熱体の冷却機構。
【請求項３】
前記固定ヒートシンクの前記冷却部における前記中空部内の壁面に、前記間隙に突出する突部を設けた
ことを特徴とする請求項１に記載の発熱体の冷却機構。
【請求項４】
前記回転ヒートシンクは、断熱材料からなる仕切部材によって熱伝導材料からなる領域が回転方向に沿って複数に分割されてなる
ことを特徴とする請求項１に記載の発熱体の冷却機構。
【請求項５】
発熱体と前記発熱体を冷却する冷却機構を実装した実装基板であって、
前記冷却機構は、前記発熱体に密着される吸熱部と、前記発熱体から離間した冷却部とを有し内部が中空の固定ヒートシンクと、
前記固定ヒートシンクの中空部内に、前記固定ヒートシンクとの間隙に熱伝導グリスを介在させて配設される回転ヒートシンクと、
前記回転ヒートシンクにおいて前記吸熱部または前記冷却部に位置する部分をそれぞれ前記冷却部または前記吸熱部へと移動させるように、前記回転ヒートシンクを前記中空部内で回転させる回転手段とを備えている
ことを特徴とする実装基板。
【請求項６】
前記回転ヒートシンクの回転軌跡上に位置させて少なくとも１つのファンを前記固定ヒートシンク上に設けた
ことを特徴とする請求項５に記載の実装基板。
【請求項７】
前記固定ヒートシンクの前記冷却部における前記中空部内の壁面に、前記間隙に突出する突部を設けた
ことを特徴とする請求項５に記載の実装基板。
【請求項８】
前記回転ヒートシンクは、断熱材料からなる仕切部材によって熱伝導材料からなる領域が回転方向に沿って複数に分割されてなる
ことを特徴とする請求項５に記載の実装基板。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、発熱体からの熱が低温側に流れることを利用した発熱体の冷却機構及び実装基板に関し、更に詳しくは、発熱体からの熱を受けるヒートシンクの構造を工夫して発熱体の冷却効率を高めた発熱体の冷却機構及び実装基板に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、発熱量の大きいＬＳＩやＣＰＵなどの半導体部品の表面にヒートシンクを取り付けて熱を空気中に放散させることが行われている。ヒートシンクは放熱効率の高いアルミニウムや銅からなると共に多数のフィンを持ち、発熱体である半導体部品の表面に、熱伝導性の優れたはんだや接着剤により一体的に固定される。また、ヒートシンクに加えてファンを取り付けて放熱効率を向上させることも従来より行われている。例えば特許文献１参照。
【０００３】
【特許文献１】
特許第２７２７９５７号公報
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
現在、半導体集積回路の微細化と集積度の増加が進んでおり、またＣＰＵのクロック周波数は数ＧＨｚで動作するに至り、１チップの発熱量は数十Ｗにもなる。今後も、これはますます促進されると考えられ、こうしたことからより効果的な熱対策が重要になってくる。
【０００５】
これに対して、ファンを大型化したり高速回転させる対応が考えられるが、そうするとファンの騒音が問題となってくる。
【０００６】
本発明は上述の問題に鑑みてなされ、その目的とするところは、ヒートシンクの放熱作用を促進させることで発熱体の冷却効率を高めた発熱体の冷却機構及び実装基板を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
以上の課題を解決するにあたり、本発明の発熱体の冷却機構は、発熱体に密着される吸熱部と発熱体から離間した冷却部とを有し内部が中空の固定ヒートシンクと、この固定ヒートシンクの中空部内に固定ヒートシンクとの間隙に熱伝導グリスを介在させて配設される回転ヒートシンクと、この回転ヒートシンクを中空部内で回転させる回転手段とを備え、回転ヒートシンクにおいて吸熱部または冷却部に位置する部分をそれぞれ冷却部または吸熱部へと移動させるように回転ヒートシンクを回転させることを特徴としている。
【０００８】
また、以上の課題を解決するにあたり、本発明の実装基板は、発熱体とこの発熱体を冷却する冷却機構を実装し、冷却機構は、発熱体に密着される吸熱部と発熱体から離間した冷却部とを有し内部が中空の固定ヒートシンクと、この固定ヒートシンクの中空部内に固定ヒートシンクとの間隙に熱伝導グリスを介在させて配設される回転ヒートシンクと、この回転ヒートシンクを中空部内で回転させる回転手段とを備え、回転ヒートシンクにおいて吸熱部または冷却部に位置する部分をそれぞれ冷却部または吸熱部へと移動させるように回転ヒートシンクを回転させることを特徴としている。
【０００９】
固定ヒートシンクの吸熱部は発熱体（例えば、半導体部品、抵抗、コンデンサ、モータ、発光ダイオード）に密着され、発熱体からの熱はこの吸熱部に伝わる。例えば、熱伝導性のグリスや接着剤、はんだ、カーボンやシリコンなどからなる熱伝導シートを介在させて密着され、両者間に空気が介在しないようにされる。このことにより、発熱体からの熱を固定ヒートシンクの吸熱部に効率よく逃がすことができる。
【００１０】
固定ヒートシンクの吸熱部に伝わった熱は熱伝導グリスを介して回転ヒートシンクに伝わる。その回転ヒートシンクにおける、吸熱部に位置し発熱体からの熱を固定ヒートシンクを介して受けて高温となった部分は、回転ヒートシンクが回転されることで、発熱体のある吸熱部から移動され、発熱体から離間された冷却部で、回転ヒートシンクからの熱は熱伝導グリスを介して固定ヒートシンクに伝熱され固定ヒートシンクから外部に放熱される。そして、更なる回転ヒートシンクの回転によって、その放熱によって冷却された部分が再び吸熱部に移動し、この冷却された部分に発熱体からの熱を効率的に逃がすことができる。
【００１１】
回転ヒートシンクの回転に伴って以上のことが繰り返されることで、回転ヒートシンクにおける同じ部分が発熱体の配置された吸熱部にとどまることなく、次々と冷却部を通過してきた部分を吸熱部に位置させて発熱体の効率的な冷却を行える。
【００１２】
熱伝導グリスは、固定ヒートシンクと回転ヒートシンクとの間の空気を排除して、吸熱部において発熱体から固定ヒートシンクへと伝わった熱を固定ヒートシンクから回転ヒートシンクへと効率的に伝熱させる、あるいは冷却部において回転ヒートシンクの熱を固定ヒートシンクに効率的に伝熱させる機能を有する。例えば、シリコングリスや、シリコンに、銀、カーボン、金属酸化物、銀酸化物、ダイヤモンド等の熱伝導性の高い微粒子を配合させたもの、あるいは、酸化アルミニウムとポラゾン物質を主成分とするアルミグリスなどが挙げられる。
【００１３】
また、回転ヒートシンクを回転させる回転手段としては、回転ヒートシンクに磁性体を取り付け、外部で発生させた磁界による磁気吸引力を利用して非接触で回転ヒートシンクに回転力を与える構成や、あるいは、モータの回転をギアを介して回転ヒートシンクに伝達させる構成などが挙げられる。
【００１４】
また、回転ヒートシンクの回転軌跡上に位置させて少なくとも１つのファンを固定ヒートシンク上に設ければ、放熱作用に加えて、ファンによる空冷作用によって、より効果的に固定ヒートシンク及び回転ヒートシンクの冷却を行える。もちろん、ファンを吸熱部に設ければ発熱体の冷却効果も高めることができる。
【００１５】
また、固定ヒートシンクの冷却部における中空部内の壁面に、回転ヒートシンクとの間隙に突出する突部を設ければ、回転ヒートシンクに張り付くようにして回転ヒートシンクと共に回転方向に沿って移動しようとする熱伝導グリスを突部で遮るようにして冷却部に停滞させることができる。これにより、吸熱部で高温となった熱伝導グリスが十分に冷え切らないうちに回転ヒートシンクに張りいて再び吸熱部に戻ってくることを抑制でき、吸熱部での冷却効率の低下を防げる。
【００１６】
また、回転ヒートシンクを、断熱材料からなる仕切部材によって熱伝導材料からなる領域が回転方向に沿って複数に分割される構成とすれば、吸熱部で吸収された熱は仕切部材によって吸熱部以外（冷却部）にある他の領域に拡散することが防げ、他の領域における冷却効率の低下を阻止できる。
【００１７】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の一例としての実施の形態について図面を参照して説明する。
【００１８】
（第１の実施の形態）
図１は第１の実施の形態に係る発熱体の冷却機構及び実装基板の平面図を、図２はその側面図を示す。
【００１９】
実装基板１上には発熱体２が実装されている。発熱体２は例えば半導体部品であり、実装基板１の表面に形成された配線に電気的に接続されて固定されている。この発熱体２の上に冷却機構が配設されている。また、実装基板１上には図示しないその他の部品やコネクタなどが実装される。
【００２０】
冷却機構は、固定ヒートシンク６と回転ヒートシンク７からなる２重構造のヒートシンク５と、このヒートシンク５の上に配設される２つのファン３、４と、回転ヒートシンク７を回転させるための回転手段（図５参照）を備えている。
【００２１】
ヒートシンク５の平面図を図３に、図３における［４］−［４］線方向の断面図を図４に示す。
【００２２】
固定ヒートシンク６は、円形リング状のベース９と、このベース９の一表面側に垂直に突き出て形成された例えば５個のフィン１１ａ〜１１ｅとからなる。各フィン１１ａ〜１１ｅはベース９に沿って円形リング状に延在し、径内方側から順にフィン１１ａ、１１ｂ、１１ｃ、１１ｄ、１１ｅが同心的に配列されている。各フィン１１ａ〜１１ｅ間には径方向に関して所定間隔が空けられている。固定ヒートシンク６の内部は中空状になっている。
【００２３】
回転ヒートシンク７は、円形リング状のベース１０と、このベース１０の一表面側に垂直に突き出て形成された例えば５個のフィン１２ａ〜１２ｅとからなる。各フィン１２ａ〜１２ｅはベース１０に沿って円形リング状に延在し、径内方側から順にフィン１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄ、１２ｅが同心的に配列されている。各フィン１２ａ〜１２ｅ間には径方向に関して所定間隔が空けられている。回転ヒートシンク７の内部は中実状になっていが、固定ヒートシンク６と同様中空状にしてもよい。
【００２４】
回転ヒートシンク７の外形寸法は、固定ヒートシンク６内の中空部３６に収まるように固定ヒートシンク６よりも小さくなっている。
【００２５】
フィン１１ａ〜１１ｅ、１２ａ〜１２ｅを設けることによって、各ヒートシンク６、７の表面積を大きくして放熱効率を高めるようにしている。また、各フィン１１ａ〜１１ｅ、１２ａ〜１２ｅの数は５個に限らず、それ以下であったり、それ以上でもよい。
【００２６】
各ヒートシンク６、７は、例えばその断面形状であるくし型をした孔から溶けたアルミニウムを押し出して切る一体成型によって得られる。あるいは、打ち抜きによって得られたフィン１１ａ〜１１ｅ、１２ａ〜１２ｅをベース９、１０にはめ込むはめ込み成型によって得るようにしてもよい。また、材料もアルミニウムに限らずその他の高熱伝導材料（例えば銅、銀、など）を用いてもよい。
【００２７】
回転ヒートシンク７は固定ヒートシンク６の中空部３６内に配設される。具体的には、固定ヒートシンク６のベース９の中空部内に回転ヒートシンク７のベース１０が位置し、固定ヒートシンク６のフィン１１ａの中空部内に回転ヒートシンク７のフィン１２ａが位置し、固定ヒートシンク６のフィン１１ｂの中空部内に回転ヒートシンク７のフィン１２ｂが位置し、固定ヒートシンク６のフィン１１ｃの中空部内に回転ヒートシンク７のフィン１２ｃが位置し、固定ヒートシンク６のフィン１１ｄの中空部内に回転ヒートシンク７のフィン１２ｄが位置し、固定ヒートシンク６のフィン１１ｅの中空部内に回転ヒートシンク７のフィン１２ｅが位置する。
【００２８】
固定ヒートシンク６の中空部３６には、固定ヒートシンク６と回転ヒートシンク７との間隙を埋めるようにして、粘性を有する液体状の熱伝導グリス８が介在されている。すなわち、回転ヒートシンク７は固定ヒートシンク６の中空部３６内を満たす熱伝導グリス８中に浸漬されるようにして配設されている。
【００２９】
熱伝導グリス８は例えばシリコングリスであり、発熱体２から固定ヒートシンク６へと伝わった熱を固定ヒートシンク６から回転ヒートシンク７へと伝熱させる、あるいは回転ヒートシンク７の熱を固定ヒートシンク６に伝熱させる機能を有する。その他、熱伝導グリスとして、シリコンに、銀、カーボン、金属酸化物、銀酸化物、ダイヤモンド等の熱伝導性の高い微粒子を配合させたものを用いてもよい。あるいは、酸化アルミニウムとポラゾン物質を主成分とするアルミグリスを用いてもよい。
【００３０】
図１、２に示すように、固定ヒートシンク６のベース９下面の一部分は、実装基板１上に実装された発熱体２の上面に密着されている。例えば、熱伝導性を有するグリスや接着剤、はんだなどによって密着固定される。これによって、発熱体２からの熱は効率よく固定ヒートシンク６に伝わり、この密着部は固定ヒートシンク６における吸熱部として機能する。
【００３１】
固定ヒートシンク６の各フィン１１ａ〜１１ｅ上には２つのファン３、４が配設されている。ファン３は発熱体２の直上位置に配設され、ファン４はファン３から周方向に１８０゜隔てた位置に配設されている。すなわち、ファン３とファン４は、両ヒートシンク６、７の中心Ｃ１を挟んで対向する位置関係で配設されている。ファン３、４は固定ヒートシンク６上に例えばねじ止めにて固定される。
【００３２】
固定ヒートシンク６において、発熱体２と密着していない部分は冷却部として機能する。その冷却部において、図１で１点鎖線で囲まれるファン４の近傍箇所Ａの横断面図を図６に示す。固定ヒートシンク６のフィン１１ｄの内壁面には、熱伝導グリス８の満たされた回転ヒートシンク７との間の間隙に突出する複数の突部２３が形成されている。各突部２３はフィン１１ｄのベース９からの立設方向に沿って延在している。あるいは、その立設方向に沿って間欠的に存在するように形成してもよい。
【００３３】
また、突部２３は、例えば固定ヒートシンク６の円周方向に関してファン４の設置領域を含む１／２ほどの領域（図１において下半分ほどの領域）にわたって形成されている。あるいは、ファン４の設置領域のみに形成してもよいし、ファン４の設置領域を含む１／２の領域よりも狭い領域にわたって形成してもよい。なお、図６では固定ヒートシンク６のフィン１１ｄの内壁面に形成した例を示しているが、他のフィン１１ａ〜１１ｃ、１１ｅにも同様に形成される。
【００３４】
次に、図５を参照して、回転ヒートシンク７を回転させる回転手段について説明する。
【００３５】
固定ヒートシンク６の各フィン１１ａ〜１１ｅ上の一部分に磁界発生器２０が配設されている。磁界発生器２０は、コアにコイルが巻回されて構成される５つの極２２ａ〜２２ｅを有する。各極２２ａ〜２２ｅは径方向にそって配列され、極２２ａはフィン１１ａ上に位置し、極２２ｂはフィン１１ｂ上に位置し、極２２ｃはフィン１１ｃ上に位置し、極２２ｄはフィン１１ｄ上に位置し、極２２ｅはフィン１１ｅ上に位置する。各極２２ａ〜２２ｅはそのコイルに電流が供給されると磁界を発生させる。
【００３６】
回転ヒートシンク７の各フィン１２ａ〜１２ｅ上には磁性体２１ａ〜２１ｅが固定されている。磁性体２１ａはフィン１２ａ上に固定され、磁性体２１ｂはフィン１２ｂ上に固定され、磁性体２１ｃはフィン１２ｃ上に固定され、磁性体２１ｄはフィン１２ｄ上に固定され、磁性体２１ｅはフィン１２ｅ上に固定されている。
【００３７】
各磁性体２１ａ〜２１ｅは円周方向に関して位置がずらされ、径方向に沿って各磁性体２１ａ〜２１ｅが重ならない位置関係となっている。例えば、磁性体２１ｄは磁性体２１ｅよりも矢印で示される回転方向側にずれて位置し、磁性体２１ｃは磁性体２１ｄよりも回転方向側にずれて位置し、磁性体２１ｂは磁性体２１ｃよりも回転方向側にずれて位置し、磁性体２１ａは磁性体２１ｂよりも回転方向側にずれて位置している。
【００３８】
なお、回転ヒートシンク７の各フィン１２ａ〜１２ｅにおいて、図５に示されない他の領域の上面にも、図５と同じ配置関係で各磁性体２１ａ〜２１ｅが固定されている。フィン１２ａ上には複数の磁性体２１ａが所定間隔で周方向に沿って固定され、フィン１２ｂ上には複数の磁性体２１ｂが所定間隔で周方向に沿って固定され、フィン１２ｃ上には複数の磁性体２１ｃが所定間隔で周方向に沿って固定され、フィン１２ｄ上には複数の磁性体２１ｄが所定間隔で周方向に沿って固定され、フィン１２ｅ上には複数の磁性体２１ｅが所定間隔で周方向に沿って固定されている。すなわち、図５に示す並びの磁性体２１ａ〜２１ｅが周方向に沿って繰り返されている。
【００３９】
以上の磁界発生器２０と磁性体２１ａ〜２１ｅとから、回転ヒートシンク７を固定ヒートシンク６の中空部３６内で回転させるための回転手段が構成される。
【００４０】
なお、磁界発生器２０の各極２２ａ〜２２ｅや、上述したファン３、４は図示しないケーブルを介して実装基板１上に形成された配線と接続され、その配線及びケーブルを通じて各極２２ａ〜２２ｅやファン３、４に電流が供給される。
【００４１】
次に、以上のように構成される冷却機構の動作及び作用について説明する。
【００４２】
実装基板１上の発熱体（半導体部品）２が通電されて動作されると、これに伴って、磁界発生器２０の各極２２ａ〜２２ｅのうち何れかの極のコイルが選択的に通電される。なお、ファン３及び４も回転される。
【００４３】
各極２２ａ〜２２ｅのコイルに電流が供給されたときにその極２２ａ〜２２ｅの近傍に磁性体２１ａ〜２１ｅが存在すると、各極２２ａ〜２２ｅとそれに対応する各磁性体２１ａ〜２１ｅとの間に磁気吸引力が生じる。例えば、図５においては、極２２ｃのコイルに電流が供給されて磁性体２１ｃとの間に磁気吸引力を生じさせた状態を示す。
【００４４】
この磁気吸引力によって磁性体２１ｃと一体的な回転ヒートシンク７は矢印で示す回転方向に引っ張られて移動する。次いで、極２２ｄのコイルに電流を供給すると、先の移動により極２２ｄの近傍に移動されてきた磁性体２１ｄと極２２ｄとの間に磁気吸引力が生じ回転ヒートシンク７は矢印で示す回転方向に引っ張られて移動する。
【００４５】
以下、極２２ｅ、極２２ａ、極２２ｂ、・・・・、と通電を選択的に切り替えて繰り返すことで、回転ヒートシンク７は図１に示す固定ヒートシンク６及び回転ヒートシンク７の中心Ｃ１を中心に中空部３６内を回転する。
【００４６】
これにより、回転ヒートシンク７において吸熱部に位置する部分は、固定ヒートシンク６及び熱伝導グリス８を介して発熱体２からの熱が伝熱されて高温になるが、上記回転により、吸熱部すなわち発熱体２から離間した領域（冷却部）へと移動され、この冷却部にて、発熱体２からの熱の影響を受けることなく、熱伝導グリス８及び固定ヒートシンク６を介して外部に放熱される。更に、ファン４の配置領域に至るとファン４による強制空冷を受ける。
【００４７】
そして、以上のように吸熱部から離れた領域で冷却された部分は、回転ヒートシンク７の回転により、再び発熱体２の配置位置である吸熱部に戻され、発熱体２から熱を吸熱し、再び発熱体２から離間され、この離間に入れ替わるように他の冷却された部分が吸熱部に戻ってくる。以上のことの繰り返しにより、回転ヒートシンク７が発熱体２から熱を奪う吸熱率を高めることができ、この結果、発熱体２の冷却効果を高めることができる。
【００４８】
なお、回転ヒートシンク７の回転速度を決定するに際しては、発熱体２からの発熱量や、回転ヒートシンク７の径や材質などを考慮したうえで効率的な冷却を行えるべく設定される。また、熱伝導グリス８の粘性抵抗よりも大きいトルクが出るように且つ熱伝導グリス８との間で回転に伴う摩擦熱が生じないようにする。例えば、１回転／分を回転速度の一例として挙げることができる。
【００４９】
以上のように本実施の形態によれば、ファンの大型化や高速回転化を図ることなく、ヒートシンク自体の作用による冷却効率の向上を実現でき、ファン３、４の静穏化が図れる。なお、両ファン３、４の回転数や大きさは同じでなくてもよい。例えば、発熱体２の上に配置されるファン３に比べて、発熱体２から離れた冷却部に配置されるファン４の方はファン３に比べて小型、低速回転のものであってもよい。
【００５０】
また、熱伝導グリス８は粘性を有するので回転ヒートシンク７に張り付くようにして回転ヒートシンク７と共に回転してしまうことが考えられる。そうすると、吸熱部で高温となった熱伝導グリス８が十分に冷え切らないうちに再び吸熱部に戻ってくるおそれがあり、発熱体２の冷却効率の低下をまねく。
【００５１】
そこで、本実施の形態では、図６に示されるように、吸熱部から離れた冷却部に位置する固定ヒートシンク６の内壁面に突部２３を形成して、矢印で示される回転ヒートシンク７の回転方向に沿って移動しようとする熱伝導グリス８をその突部２３で遮るようにしている。
【００５２】
これにより、熱伝導グリス８を発熱体２から離れた冷却部で停滞させることができ、この間に十分な冷却を行うことができる。
【００５３】
（第２の実施の形態）
次に、本発明の第２の実施の形態について説明する。なお、上記第１の実施の形態と同じ構成部分には同一の符号を付し、その詳細な説明は省略する。
【００５４】
図７は本実施の形態に係る回転ヒートシンク２７の平面図を示す。回転ヒートシンク２７は、全体としては、上記第１の実施の形態の回転ヒートシンク７と同様、円形リング状のベースと、このベースの一表面側に垂直に突き出て形成された例えば５個のフィン３２ａ〜３２ｅとからなり、各フィン３２ａ〜３２ｅはベースに沿って円形リング状に延在し、径内方側から順にフィン３２ａ、３２ｂ、３２ｃ、３２ｄ、３２ｅが所定間隔を空けて同心的に配列されている。
【００５５】
上記第１の実施の形態と異なるのは、回転ヒートシンク２７は、例えばセラミックやガラスなどの断熱材料からなる仕切部材４０（図８に示す）によって、例えばアルミニウムや銅などの熱伝導材料からなる領域Ａ１〜Ａ４が回転方向に沿って複数に分割（図示の例では４分割）されている点である。なお、仕切部材４０と熱伝導材料からなる領域Ａ１〜Ａ４とを一体的構成にしてもよいし、仕切部材４０を別体として各領域Ａ１〜Ａ４間で挟み込むようにしてもよい。
【００５６】
このような構成とすることにより、各領域Ａ１〜Ａ４の何れかが吸熱部で吸熱しているときに、冷却部にある他の領域Ａ１〜Ａ４に熱が拡散して伝わるのが防げる。この結果、冷却部での冷却を吸熱部からの熱の影響を受けることなく効率的に行える。なお、この第２の実施の形態の構造を固定ヒートシンク６に適用してもよい。
【００５７】
（第３の実施の形態）
次に、本発明の第３の実施の形態について説明する。なお、上記第１の実施の形態と同じ構成部分には同一の符号を付し、その詳細な説明は省略する。
【００５８】
本実施の形態では、図９に示すように、別途配設されたモータの回転軸に連結されたギア２４の歯２５と、回転ヒートシンク７の最外周に位置するフィン１２’ｅに形成された歯２６とを噛み合わせて回転ヒートシンク７の回転手段が構成される。
【００５９】
ギア２４は、固定ヒートシンク６の最外周側に位置するフィン１１’ｅに径外方に突出して形成されたギア配置部１３内の中空部に配置される。固定ヒートシンク６のフィン１１’ｅ内の中空部に配置された回転ヒートシンク７の最外周側のフィン１２’ｅにおいて、ギア２４周面に形成された歯２６と対向する部分には歯２６が形成されギア２４の歯２５と噛み合っている。
【００６０】
ギア２４がその回転中心Ｃ２を中心に例えば図において時計方向に回転すると、この回転力は歯２５及び２６を介して回転ヒートシンク７のフィン１２’ｅに伝達され、フィン１２’ｅとベースを介して一体的な内周側の他のフィンも含めて回転ヒートシンク７は矢印の方向に回転する。
【００６１】
以上、本発明の各実施の形態について説明したが、勿論、本発明はこれらに限定されることなく、本発明の技術的思想に基づいて種々の変形が可能である。
【００６２】
上記第１の実施の形態の回転ヒートシンク７において、各フィン１２ａ〜１２ｅは一体的でなくても構わない。各フィン１２ａ〜１２ｅを個々に分割すれば、図５に示す各極２２ａ〜２２ｅのコイルに選択的に通電を行うことにより、各フィン１２ａ〜１２ｅを独立して個別に回転させることができる。
【００６３】
このような構成とすれば、例えば他のフィンに比べ発熱量の大きい部分を通るようなフィンについてはその回転速度を他より大きくするというように、各フィンごとの個別制御が可能になる。
【００６４】
また、ファン３、４の個数やその配設位置については上記実施の形態に示した例に限らない。あるいは、発熱体２の発熱量がそれほど大きくなかったり、ヒートシンク６、７の径を比較的大きくとれる場合や、その材料の放熱性が大きい場合などには冷却部に配置するファン４は設けずに自然冷却（放熱）のみでもよい。もちろん、場合によっては発熱体２に配置するファン３も設けなくてもよい。
【００６５】
また、本発明の冷却機構を、実装基板上の部品の冷却以外にも、例えば液晶表示装置のバックライトの光源として用いられる蛍光管や発光ダイオードなどの冷却に用いてもよい。
【００６６】
【発明の効果】
以上述べたように、本発明によれば、回転ヒートシンクにおける、吸熱部に位置し発熱体からの熱を固定ヒートシンクを介して受けて高温となった部分は、回転ヒートシンクが回転されることで、発熱体のある吸熱部から移動され、発熱体から離間された状態で効率的な放熱を行える。そして、回転ヒートシンクの回転によって、その放熱によって冷却された部分は再び吸熱部に移動し、この冷却された部分に発熱体からの熱を効率的に逃がすことができる。これが回転ヒートシンクの回転に伴って繰り返されることで、回転ヒートシンクにおける同じ部分が発熱体の配置された吸熱部にとどまることなく、次々と冷却部を通過してきた部分を吸熱部に位置させて発熱体の効率的な冷却を行える。この結果、ファンに依存せずにヒートシンク側での作用によって冷却効率の向上が図れ、ファンの静穏化が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態に係る発熱体の冷却機構及びこれを実装した実装基板の平面図である。
【図２】同発熱体の冷却機構及びこれを実装した実装基板の側面図である。
【図３】図１に示す２重構造ヒートシンクの平面図である。
【図４】図３における［４］−［４］線方向の断面図である。
【図５】回転ヒートシンクの回転手段を示す平面図である。
【図６】冷却部におけるヒートシンクの横断面図である。
【図７】第２の実施の形態に係るヒートシンクの平面図である。
【図８】図７に示す仕切部材の斜視図である。
【図９】回転ヒートシンクの回転手段の変形例を示す平面図である。
【符号の説明】
１…実装基板、２…発熱体、３…ファン、４…ファン、５…ヒートシンク、６…固定ヒートシンク、７…回転ヒートシンク、８…熱伝導グリス、９…ベース、１０…ベース、１１ａ〜１１ｅ…フィン、１１’ｅ…フィン、１２ａ〜１２ｅ…フィン、１２’ｅ…フィン、２０…磁界発生器、２１ａ〜２１ｅ…磁性体、２２ａ〜２２ｅ…極、２３…突部、２７…回転ヒートシンク、３２ａ〜３２ｅ…フィン、３６…中空部、４０…仕切部材。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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