(57)【要約】【課題】エピダウン実装において、導電性ペーストと活性層とが近接することに付随して生じる耐久性劣化などを解消する発光装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】ＬＥＤが導電性ペースト層を介在させて実装基板に実装された発光装置であって、ｎ型ＺｎＳｅ基板１上に形成されたｎ型ＺｎＳｅ系化合物層２，３と、ｎ型ＺｎＳｅ基板１から見てｎ型ＺｎＳｅ系化合物層より遠い位置に位置するｐ型ＺｎＳｅ系化合物層５，７と、ｎ型ＺｎＳｅ系化合物層とｐ型ＺｎＳｅ系化合物層との間に位置する活性層４とを備え、ＬＥＤは、実装基板３１にエピダウン実装され、導電性ペースト層が、活性層に拡散侵入して非発光中心を形成するＡｇを含まない。【選択図】　　　　図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光素子が導電性ペーストを介在させて実装基板に実装された発光装置であって、
前記発光素子は、第１導電型ＺｎＳｅ基板上に形成された第１導電型ＺｎＳｅ系化合物層と、前記第１導電型ＺｎＳｅ基板から見て前記第１導電型ＺｎＳｅ系化合物層より遠い位置に位置する第２導電型ＺｎＳｅ系化合物層と、前記第１導電型ＺｎＳｅ系化合物層と第２導電型ＺｎＳｅ系化合物層との間に位置する活性層とを備え、
前記発光素子は、前記実装基板に第２導電型ＺｎＳｅ系化合物層ダウンの配置で実装され、前記導電性ペーストが、前記活性層に拡散侵入して非発光中心を形成する元素を含まない、ＺｎＳｅ系発光装置。
【請求項２】
前記導電性ペーストがＡｇを含まない、請求項１に記載のＺｎＳｅ系発光装置。
【請求項３】
前記導電性ペーストがＡｕを含む、請求項１または２に記載のＺｎＳｅ系発光装置。
【請求項４】
前記導電性ペーストの粘度が、４０パスカル秒（Ｐａ・ｓ）以下である、請求項１〜３のいずれかに記載のＺｎＳｅ系発光装置。
【請求項５】
前記導電性ペーストの前記発光素子の側面におけるはい上がり高さが７５μｍ以下である、請求項１〜４のいずれかに記載のＺｎＳｅ系発光装置。
【請求項６】
前記第１導電型ＺｎＳｅ基板の側面部に欠陥部が含まれ、その欠陥部にかぶらないように、前記導電性ペーストが配置されている、請求項１〜５のいずれかに記載のＺｎＳｅ系発光装置。
【請求項７】
第１導電型ＺｎＳｅ基板上に、第１導電型ＺｎＳｅ系化合物層、その上に形成された活性層およびその上に形成された第２導電型ＺｎＳｅ系化合物層を含む発光素子を、実装基板に実装する発光装置の製造方法であって、
前記実装基板に対して、Ａｇを含まない導電性ペーストを用い、前記発光素子を第２導電型ＺｎＳｅ系化合物層ダウンの配置で実装する、ＺｎＳｅ系発光装置の製造方法。
【請求項８】
前記実装工程において、Ａｕを含む導電性ペーストを用いて実装する、請求項７に記載のＺｎＳｅ系発光装置の製造方法。
【請求項９】
前記実装工程では、粘度４０パスカル秒以下の導電性ペーストを用いる、請求項７または８に記載のＺｎＳｅ系発光装置の製造方法。
【請求項１０】
前記実装工程では、前記発光素子の側面における前記導電性ペーストのはい上がり高さが７５μｍ以下となるようにして実装する、請求項７〜９のいずれかに記載のＺｎＳｅ系発光装置の製造方法。
【請求項１１】
前記実装工程において前記第１導電型ＺｎＳｅ基板の側面部に欠陥があるとき、前記導電性ペーストがその欠陥にかぶらないように、前記導電性ペーストを用いて実装する、請求項７〜１０のいずれかに記載のＺｎＳｅ系発光装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ＺｎＳｅ系発光装置およびその製造方法に関し、より具体的には、高輝度と耐久性とを両立させたＺｎＳｅ系発光装置およびその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
ＺｎＳｅ系白色発光素子では、ｎ型ＺｎＳｅ基板上に形成されたｐｎ接合を含む活性層において青色光を発光し、さらに、ＺｎＳｅ基板における自己活性発光中心（ＳＡ（Ｓｅｌｆ−Ａｃｔｉｖａｔｅｄ）中心）がその青色光を受けて励起され黄色光を発光する。図１２は、ＺｎＳｅ系白色発光素子を示す構成概略図である。ＳＡ中心を有するｎ型ＺｎＳｅ基板１０１の上にｎ型ＺｎＳｅ系化合物エピタキシャル層１０３が形成され、その上に少なくとも１つのｐｎ接合を含む発光層である活性層１０４が形成されている。その上にはｐ型ＺｎＳｅ系化合物エピタキシャル層１０５が形成されている。活性層１０４で発光を生じさせるには、ｎ型ＺｎＳｅ基板１０１の裏面に設けたｎ型電極１１２と、ｐ型ＺｎＳｅ系化合物エピタキシャル層１０５の上に設けたｐ型電極１１０との間に電圧を印加する。電圧は、ｐｎ接合に順方向電圧がかかるように、ｐ型電極１１０に所定の電圧を、またｎ型電極１１２にそれより低い電圧を印加する。この電圧印加により、ｐｎ接合にキャリアが注入され、活性層１０４で発光が生じる。ＺｎＳｅ系化合物半導体の場合、活性層から発光される光は、活性層１０４のＺｎＳｅ系化合物層のバンドギャップに相当する波長の青色から青緑色の領域の色である。この青色発光は狭いバンド幅を有する。
【０００３】
この青色光は、上面側のｐ型ＺｎＳｅ系化合物エピタキシャル層を通り出射面から外に出射されるだけでなく、下側のｎ型ＺｎＳｅ基板１０１にも伝播する。ｎ型ＺｎＳｅ基板には、あらかじめ、ヨウ素、アルミニウム、塩素、臭素、ガリウム、インジウム等を１種類以上ドーピングしてｎ型導電性としている。このドーピングにより、ＺｎＳｅ基板にはＳＡ発光中心が形成される。上記の青色光を含む５１０ｎｍ以短の短波長域の光の照射により、ＳＡ発光中心から、５５０ｎｍ〜６５０ｎｍの長波長域に発光波長の光が発光される。この長波長域の光は、黄色または橙色の可視光である。上記のようなＳＡ発光中心から発光される光を蛍光とよぶことがある。
【０００４】
図１３は、上記の青色発光およびＳＡ発光のスペクトルを示す図である。ＳＡ発光は非常に広い範囲の波長を含むブロードな発光であり、青色発光は青色波長付近に位置する鋭いピークを有する発光である。この２つの発光を組み合わせることにより、白色発光を得ることができる。
【０００５】
図１４に上記のＺｎＳｅ系化合物発光素子の出射面付近の一例を示す。図示していないＺｎＳｅ／ＺｎＣｄＳｅ多重量子井戸活性層およびその上のｐ型ＺｎＭｇＳＳｅクラッド層の上に、０．２μｍ厚のｐ型ＺｎＳｅ層１０６、ＺｎＴｅとＺｎＳｅの積層超光子構造からなるｐ型コンタクト層１０７が順次設けられている。さらにその上に、６０ｎｍ厚のｐ型ＺｎＴｅ層１０８が設けられている。このような各エピタキシャル層の上に、２０ｎｍのＡｕ薄膜からなる上部電極１１０が形成されている。
【０００６】
ｐｎ接合での発光は電極からの電流密度が高い位置ほど強く発光するので、金（Ａｕ）膜は、電流がｐｎ接合全体に行き渡って流れるよう、上記のように、ｐ型ＺｎＳｅ系化合物エピタキシャル膜全体に重なるように形成されている。このｐ型電極および裏面のｎ型電極には、それぞれオーミック電極となるよう、下地層に不純物濃度の高い層が配置される。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記の構造の場合、ｐ型電極の金膜は光の吸収率が低くなく、光の出射面の全面にわたって形成されるので、光の透過を妨げ、発光素子の輝度を低下させてしまう。このため、金膜の厚みを薄くする検討もなされたが、金膜による光の吸収をゼロにすることはできない。
【０００８】
上記のようなｐ型電極による吸収を避ける方策として、図１５に示すように、エピダウン（基板アップ）実装がある。この呼び方は、上記第１および第２導電型ＺｎＳｅ系化合物層がいずれもエピタキシャル膜であることに由来している。すなわち、エピダウンとは、エピタキシャル層を実装基板に固定することをさす。
【０００９】
図１５において、ｎ型ＺｎＳｅ基板１０１の上面に接して基板１０１よりも高濃度にｎ型不純物を含む高濃度ＺｎＳｅ膜１１５が設けられている。この高濃度ＺｎＳｅ膜１１５の上面に接してＴｉ／Ａｕからなる電極１１２が設けられている。この高濃度ＺｎＳｅ膜１１５は、Ｔｉ／Ａｕ電極１１２がオーミック電極となることが容易となるように設けられている。この高濃度ＺｎＳｅ膜１１５は、またこの発光装置における出射面１１６を形成する。
【００１０】
ＺｎＳｅ基板の下面側には、順に、ｎ型ＺｎＳｅバッファ層１０２と、ｎ型ＺｎＭｇＳＳｅクラッド層１０３と、ＺｎＳｅ／ＺｎＣｄＳｅ多重量子井戸活性層１０４と、ｐ型ＺｎＭｇＳＳｅクラッド層１０５およびｐ型ＺｎＴｅ／ＺｎＳｅ超格子コンタクト層１０７が配置されている。ｐ型ＺｎＴｅ／ＺｎＳｅ超格子コンタクト層１０７には格子状のＴｉ／Ａｕ電極１１０ｂと、その格子状電極で囲まれた中に金膜からなるｐ型電極１１０ａとを備えている。Ｔｉ／Ａｕ電極１１０ｂと金膜１１０ａとから構成されるｐ型電極１１０は、実装基板１３１の側に向いて実装されている。
【００１１】
上記の構造によれば、エピダウン実装がなされ、光の出射面はＺｎＳｅ基板の表面（底面）となる。この配置の場合、青色光が活性層の全面で発生さえすれば、ｎ型ＺｎＳｅ基板に設けられる電極はどのような形状でもよい。すなわち、活性層に近いｐ型電極はｐ型ＺｎＳｅ系化合物層全面に設けることが必須であるが、活性層から遠い位置にあるｎ型ＺｎＳｅ基板に設けられる電極は必ずしも全面を覆う必要がない。ｐ型ＺｎＳｅ系化合物層全面を覆うｐ型電極と組み合わせて、活性層の各領域に所定の電圧が印加されればよい。このため、たとえば、ＺｎＳｅ基板表面には小さなドット状電極を形成すればよい。
【００１２】
このため、活性層の短波長域の青色光およびＳＡ発光（蛍光発光）の黄色光ともに、ｐ型電極を構成する金膜によって吸収されることがなくなり、発光装置の輝度を高めることができる。
【００１３】
しかしながら、上記のエピダウン実装には、次の問題がある。すなわち、一般的にＬＥＤなどの発光素子の実装に用いられる銀ペースト中のＡｇは、ＺｎＳｅ中に拡散しやすい。さらに、ＺｎＳｅ系発光素子の活性層中にＡｇが拡散侵入した場合、そのＡｇが活性層中で非発光中心を形成し、そのために素子の発光効率が著しく低下してしまうという問題がある。エピダウン実装の場合、活性層と銀ペーストとの距離は１μｍしかない。このため、上記Ａｇの拡散侵入の影響が問題になる。一方、エピアップ実装の場合には、活性層と銀ペーストとの距離は２００μｍ程度もあり、銀ペーストの影響が問題になることはなかった。
【００１４】
このため、エピダウンの場合に導電性ペーストによる悪影響を受けにくいＺｎＳｅ系発光装置の開発が要望されていた。
【００１５】
本発明は、輝度を向上させるためにエピダウン実装構造としたとき、導電性ペーストと活性層とが近接することに付随して生じる耐久性劣化などを生じにくいＺｎＳｅ系発光装置およびその製造方法を提供することを目的とする。
【００１６】
【課題を解決するための手段】
本発明のＺｎＳｅ系発光装置は、発光素子が導電性ペースト層を介在させて実装基板に実装された発光装置である。上記の発光素子は、第１導電型ＺｎＳｅ基板上に形成された第１導電型ＺｎＳｅ系化合物層と、第１導電型ＺｎＳｅ基板から見て第１導電型ＺｎＳｅ系化合物層より遠い位置に位置する第２導電型ＺｎＳｅ系化合物層と、第１導電型ＺｎＳｅ系化合物層と第２導電型ＺｎＳｅ系化合物層との間に位置する活性層とを備え、発光素子は、実装基板にエピダウン実装され、前記導電性ペースト層が、活性層に拡散侵入して非発光中心を形成する元素を含まない。
【００１７】
この構造によれば、エピダウン実装して活性層と導電性ペーストとが近接しても、活性層の発光性能がダメージを受けることがなくなる。この結果、エピダウン実装した発光装置の耐久性を高めることができる。上記の導電性ペーストは、通常、接着性樹脂中に金属粒が分散したものである。接着性樹脂としては、エポキシを含む樹脂などを用いることができる。上記の「活性層に拡散侵入して非発光中心を形成する元素」は導電性ペースト中に、通常、金属粒として含まれる。
【００１８】
上記元素はＡｇに限定されないが、とくに、上記の導電性ペーストがＡｇを含まないようにできる。このため、ＺｎＳｅ層中を高い拡散速度で拡散し、非発光中心を形成するＡｇに起因する活性層の損傷を避けることができる。
【００１９】
また、上記の導電性ペーストがＡｕを含んでもよい。このため、Ａｇ粒の代わりにＡｕ粒によって導電性を付与することができる。
【００２０】
上記の導電性ペーストの粘度は、４０パスカル秒以下であることが望ましい。上記のように、粘度を所定値以下にすることにより、導電性ペーストのせり上がり高さを制限することができる。
【００２１】
また、上記の導電性ペーストの発光素子の側面におけるはい上がり高さを７５μｍ以下でとすることが望ましい。はい上がり高さを７５μｍ以下とすることにより、発光素子における短絡を防止することができる。
【００２２】
さらに、第１導電型ＺｎＳｅ基板の側面部に欠陥部が含まれ、その欠陥部にかぶらないように、導電性ペーストが配置されるようにできる。この欠陥部としては、ｎ型ＺｎＳｅ基板側面に入ったヒビなどの欠陥Ｄをあげることができる。
【００２３】
【発明の実施の形態】
次に図面を用いて本発明の実施の形態について説明する。
【００２４】
（実施の形態１）
図１は、本発明の実施の形態１におけるＺｎＳｅ系発光装置を示す断面図である。本実施の形態における特徴は、発光素子を実装基板３１に実装する導電性ペーストに、銀ペーストを用いないで、金粒を含む金ペースト２０を用いている点にある。金ペースト２０を用いることにより、輝度を高めるためにエピダウン実装しても使用時間の経過にともない活性層が損傷を受けることがなく、高度の耐久性を確保することができる。
【００２５】
図１において、ｎ型ＺｎＳｅ基板１の上面に接して基板１よりも高濃度にｎ型不純物を含む高濃度ＺｎＳｅ膜１５が設けられている。この高濃度ＺｎＳｅ膜１５の上面に接してＴｉ／Ａｕからなる電極１２が設けられている。
【００２６】
ｎ型ＺｎＳｅ基板には、ｎ型不純物であるヨウ素、アルミニウム、塩素、臭素、ガリウム、インジウム等を１種類以上ドーピングし、５１０ｎｍ以短の波長の光の照射により５５０ｎｍ〜６５０ｎｍの範囲に発光波長の中心をもつＳＡ発光中心を形成している。このＳＡ発光の光を蛍光と呼ぶこともある。なお、以後、ＺｎＳｅ基板に形成される各層はいずれもエピタキシャル層であるが、エピタキシャル層であることを一々断らない。
【００２７】
ＺｎＳｅ基板の他の面には、順に、ｎ型ＺｎＳｅバッファ層２と、ｎ型ＺｎＭｇＳＳｅクラッド層３と、ＺｎＳｅ／ＺｎＣｄＳｅ多重量子井戸活性層４と、ｐ型ＺｎＭｇＳＳｅクラッド層５およびｐ型ＺｎＴｅ／ＺｎＳｅ超格子コンタクト層７が配置されている。ｐ型ＺｎＴｅ／ＺｎＳｅ超格子コンタクト層７には格子状のＴｉ／Ａｕ電極１０ｂと、その格子状電極で囲まれた中に金膜からなるｐ型電極１０ａとを備えている。Ｔｉ／Ａｕ電極１０ｂと金膜１０ａとから構成されるｐ型電極１０は、上述したように金ペースト２０を介在させて、実装基板３１の側に向いて実装されている。
【００２８】
図２にｐ型電極１０の分解斜視図を示す。図２に示すように、枠状（格子状）のＴｉ／Ａｕ膜１０ｂと、その中に位置する金膜１０ａとによって、ｐ型電極１０が構成されている。また、図３に示すように、ｎ型電極は、小さいドット状のＴｉ／Ａｕ膜１２から構成される。
【００２９】
上記の構造によれば、基板アップ（エピダウン）実装がなされ、光の出射面はＺｎＳｅ基板の表面（底面）となる。この配置の場合、青色光が活性層の全面で発生さえすれば、ｎ型ＺｎＳｅ基板に設けられる電極はどのような形状でもよい。すなわち、活性層に近いｐ型電極はｐ型ＺｎＳｅ系化合物層全面に設けることが必須であるが、活性層から遠い位置にあるｎ型ＺｎＳｅ基板に設けられる電極は必ずしも全面を覆う必要がない。ｐ型ＺｎＳｅ系化合物層全面を覆うｐ型電極と組み合わせて、活性層の各領域に所定の電圧が印加されればよい。このため、たとえば、ＺｎＳｅ基板表面には小さなドット状電極を形成すればよい。
【００３０】
このため、活性層の短波長域の青色光およびＳＡ発光（蛍光）の黄色光ともに、ｐ型電極を構成する金膜によって吸収されることがなくなり、発光装置の輝度を高めることができる。
【００３１】
（実施例１）
図１に示すように、金ペースト２０を用いて上記のエピダウン実装したＺｎＳｅ系白色ＬＥＤについて、耐久性の調査を行った。結果を図４に示す。図４には、比較例として銀ペーストを用いたＺｎＳｅ系白色ＬＥＤについての試験結果も示している。図４によれば、比較例では初期輝度３ｍＷから急激に輝度が低下して２５０時間程度で輝度ゼロとなる。これに比して、金ペーストを用いた本発明例では、エピダウン実装の効果により初期輝度も３ｍＷと高く、さらに時間の経過にともなう輝度の低下は非常に緩やかである。このため、通常の使用目的には問題なく適用できることを確認することができた。
【００３２】
図５（ａ）は、本発明例で１０００時間経過した後の出射面の強度分布を示す図である。図５（ａ）では、とくに暗点が大きく形成されている箇所はない。これに対して、銀ペーストを用いた比較例の２５０時間経過後の出射面における強度分布は、図５（ｂ）に示すように、暗点が出射面全体に認められた。この暗点は、銀ペースト中の銀粒から銀原子がＺｎＳｅ層中に拡散侵入して、非発光中心のクラスタを形成したためと考えられる。
【００３３】
（実施例２）
ＺｎＳｅ系白色ＬＥＤチップとして、面内方向のサイズが４００μｍ角、厚みが２００μｍ厚であるものを使用した。図６および７に示す配置でＺｎＳｅ系ＬＥＤチップを実装基板上に、金ペースト２０を用いて実装した。このとき、金ペーストの粘度を変えることによって、ＬＥＤ側面のはい上がり高さｈを変動させた。ＬＥＤを実装するディスペンサ径は、どの場合も一定の６００μｍとした。金ペーストの粘度（熱硬化前の粘度）は、６０Ｐａ・ｓ、３０Ｐａ・ｓおよび１５Ｐａ・ｓの３種類とした。
【００３４】
結果を表１に示す。表１によれば、たとえ金ペーストを用いても、はい上がり高さｈが高くなるにつれ、ｐ型電極とｎ型ＺｎＳｅ基板とのペーストによる短絡発生頻度が高くなる。はい上がり高さｈが５０μｍにおける短絡発生頻度１／１００は許容できる歩留りといえる。しかし、はい上がり高さｈが１００μｍにおける短絡発生頻度４／１００は、製造上支障をきたすので、ここまではい上がり高さを高くすることは避けなければならない。
【００３５】
【表１】
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【００３６】
この結果より、はい上がり高さｈを７５μｍ以下とすることにより、製造上許容できる短絡発生頻度にできる見通しを得ることができた。本実施例では、ディスペンス法によるペーストの供給をした例を示したが、プリント法によるペーストの供給でも結果は同等となる。
【００３７】
（実施例３）
次に、金ペーストの粘度を３０Ｐａ・ｓとして、ＬＥＤ実装のディスペンサ径を１００、３００および６００μｍの３種類変化させ、はい上がり高さｈ、短絡発生頻度および後工程でのＬＥＤチップ剥がれ頻度を調査した。図８（ａ）はディスペンサ径が１００μｍの場合、また図８（ｂ）はディスペンサ径がそれより大きい場合の断面模式図である。結果を表２に示す。
【００３８】
【表２】
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【００３９】
表２によれば、ディスペンサ径が１００μｍから６００μｍへと大きくなるにつれて、はい上がり高さｈは０から５０μｍへと増大する。また、この程度の範囲内のはい上がり高さでは、短絡発生頻度は１／１００以下であり、許容範囲内である。しかし、ディスペンサ径が１００μｍで、はい上がり高さｈがほぼ０の場合、後工程でのＬＥＤの剥がれ頻度が１２／１００と非常に剥離しやすくなる。この結果より、はい上がり高さｈは、剥離防止のために２０μｍ程度以上は必要であり、また実施例２の結果も併せて短絡発生防止のために７５μｍ以下とする必要があることが分った。
【００４０】
上記の実施例によれば、ＺｎＳｅ系ＬＥＤのエピダウン実装にあたり銀ペーストを用いず、たとえば金ペーストを用いることにより、高輝度と耐久性とを共に備えたＺｎＳｅ系発光装置を得ることができる。また、たとえば金ペーストを用いる場合、はい上がり高さを所定の範囲内にすることより、ＬＥＤチップの剥離を防止し、またＬＥＤのｐ型層とｎ型層との短絡を防止することができる。
【００４１】
（実施の形態２）
１．　　銀ペーストの影響
銀ペーストがＺｎＳｅ系発光素子に及ぼす影響について調査した。図９は、ＺｎＳｅ基板上に形成したホモエピタキシャルＺｎＳｅ系白色発光素子を、銀ペーストを用いてプリント基板に、（ａ１）エピダウン実装した場合、および（ａ２）エピアップ実装した場合の出力の推移を示す図である。図９によれば、銀ペーストを用いると、エピダウン実装の場合、初期出力はエピアップ実装に比較して１．５倍程度高い。しかし、使用開始から急激に出力（輝度）が低下して、２５０時間程度でほとんど発光しなくなる。一方、エピアップ実装の場合、初期出力は低いが、その出力は１０００時間経過しても、０．１ｍＷ程度しか低下せず、耐久性に優れていることが分る。
【００４２】
したがって、エピダウン実装の場合、耐久性をいちじるしく劣化させるので、銀ペーストを用いることはできない。上記の銀ペーストのＺｎＳｅ系発光素子に及ぼす影響が明確にされたのは、これが初めてである。
【００４３】
２．　　導電性ペーストによる短絡
エピダウン実装の場合、導電性ペーストの使用量や粘度に関連する問題がある。エピダウン実装の場合、活性層のｐｎ接合部と導電性ペースト部とが近接するため、使用する導電性ペースト量が多いと、導電性ペーストのかぶりが生じる。このかぶりが生じたとき、ＺｎＳｅ基板１に、ヒビ等の欠陥Ｄが存在すると、導電性ペースト２０による接合の短絡、すなわちリーク現象が起こりやすい。通常、図１０に示すように、ｐ型電極とオーミック接触し、ｎ型ＺｎＳｅ基板と非オーミック接触する場合には、上記導電性ペーストのかぶりが生じても問題は生じない。しかし、図１１に示すように、ｎ型ＺｎＳｅ基板にヒビなどの欠陥Ｄがあると、導電性ペーストのかぶり部分はｎ型ＺｎＳｅ基板とも擬似オーミック接触をする可能性がある。この場合には、上記リーク現象が生じやすい。上記の擬似オーミック接触は、銀ペーストに限らず金ペーストにおいても生じる。
【００４４】
上記のように、ＺｎＳｅ系発光素子の側部に、ヒビなどの欠陥Ｄがある場合、導電性ペーストのかぶりがあると擬似オーミック接触が生じ、短絡を生じることを確認したのは、これが初めてである。
【００４５】
上記において、本発明の実施の形態について説明を行なったが、上記に開示された本発明の実施の形態はあくまで例示であって、本発明の範囲はこれら発明の実施の形態に限定されない。本発明の範囲は、特許請求の範囲の記載によって示され、さらに特許請求の範囲の記載と均等の意味および範囲内でのすべての変更を含むことを意図するものである。
【００４６】
【発明の効果】
本発明のＺｎＳｅ系発光装置およびその製造方法によれば、高輝度を得るためのエピダウン実装により導電性ペーストと活性層とが近接することに伴なう耐久性劣化などの問題を解消することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態におけるＺｎＳｅ系発光装置を示す図である。
【図２】実装面側の電極を示す図である。
【図３】出射面側の電極を示す図である。
【図４】本発明の実施例１におけるＺｎＳｅ系発光装置の輝度の時間推移を示す図である。
【図５】（ａ）は本発明例のＺｎＳｅ系発光装置の出射面における光強度分布を示す図であり、（ｂ）は比較例のＺｎＳｅ系発光装置の出射面における光強度分布を示す図である。
【図６】本発明の実施例２のＺｎＳｅ系発光装置の実装における金ペーストの形状を示す図である。
【図７】本発明の実施例２のＺｎＳｅ系発光装置の実装における平面図である。
【図８】（ａ）はディスペンサ径が５０μｍの場合、また図８（ｂ）はディスペンサ径がそれより大きい場合の断面模式図である。
【図９】銀ペーストを用いた従来のＺｎＳｅ系発光装置の輝度の時間推移を示す図である。
【図１０】導電性ペーストがはい上がり高さが生じても問題を生じない場合の実装構造を示す図である。
【図１１】導電性ペーストがはい上がり高さが生じることにより問題を生じる実装構造を示す図である。
【図１２】従来のＺｎＳｅ系発光装置を示す図である。
【図１３】図１２の発光装置の活性層から出射される青色光およびＳＡ発光からの光の波長分布を示す図である。
【図１４】従来のＺｎＳｅ系発光装置におけるｐ型電極を示す図である。
【図１５】従来のＺｎＳｅ系発光装置における実装構造を示す図である。
【符号の説明】
１　ｎ型ＺｎＳｅ基板、２　ｎ型ＺｎＳｅバッファ層、３　ｎ型ＺｎＭｇＳＳｅクラッド層、４　ＺｎＳｅ／ＺｎＣｄＳｅ多重量子井戸活性層、５　ｐ型ＺｎＭｇＳＳｅクラッド層、７　ｐ型ＺｎＴｅ／ＺｎＳｅ超格子コンタクト層、８　ｐ型ＺｎＴｅ層、１０　ｐ型電極、１０ａ　Ａｕ膜、１０ｂ　格子状Ｔｉ／Ａｕ膜、１２　ｎ型電極、１５　ｎ＋型ＺｎＳｅ層、１６　出射面、２０　金ペースト、３１　実装基板、ＳＡ　自己活性中心、ｈ　はい上がり高さ、Ｄ　欠陥。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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