(57)【要約】【課題】ＳＥＭＩ　Ｅ８４規格のアクティブ装置を緊急停止させる。【解決手段】半導体製造システムは、パッシブ装置である半導体製造装置１００と、アクティブ装置であるＡＭＨＳ３００とを含む。半導体製造装置制御盤１２０は、ＥＳボタン１２４からの入力に応答して、半導体製造装置１００を停止させることなく、光Ｉ／Ｏを経由してＡＭＨＳ３００に出力されるＥＳ信号をオフにする回路を含む。ＡＭＨＳ３００は、光Ｉ／Ｏを介して入力されるＥＳ信号がオフになると、ＡＭＨＳ３００のビークル３２０およびハンド３３０を緊急停止させる回路を含む。【選択図】　　　　図１
2004031579.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体製造装置と、キャリアに格納されたウェハを前記半導体製造装置に搬送する搬送装置とを含む半導体製造システムの制御装置であって、前記半導体製造装置は、前記半導体製造装置を緊急停止させる回路を含む第１の制御回路を含み、前記搬送装置は、前記搬送装置を緊急停止させる回路を含む第２の制御回路を含み、前記第１の制御回路と前記第２の制御回路とは、オフであると前記第２の制御回路が前記搬送装置を緊急停止させるための信号を送信する信号線により接続され、
前記制御装置は、
前記第１の制御回路に接続され、前記搬送装置を緊急停止させる緊急停止信号を受信するための受信手段と、
前記緊急停止信号を受信したことに応答して、前記第１の制御回路への緊急停止指示の出力を禁止するとともに、前記信号線の信号をオフにするように制御するための制御手段とを含む、制御装置。
【請求項２】
前記受信手段に接続され、前記緊急停止信号を入力するための入力手段をさらに含む、請求項１に記載の制御装置。
【請求項３】
前記制御装置は、前記半導体製造装置と前記搬送装置との干渉の発生を検知して、前記干渉の発生を検知したことに応答して、前記受信手段に前記緊急停止信号を出力するための検知手段をさらに含む、請求項１に記載の制御装置。
【請求項４】
前記制御装置は、
前記第１の制御回路に接続され、前記搬送装置の緊急停止を解除させる解除信号を受信するための解除信号受信手段と、
前記解除信号を受信したことに応答して、前記信号線の信号をオンにするように制御するための解除制御手段とをさらに含む、請求項１〜３のいずれかに記載の制御装置。
【請求項５】
前記制御装置は、
前記受信手段に接続され、前記緊急停止信号を保持するための保持手段と、
前記解除信号を受信したことに応答して、前記保持を解除するための保持解除手段とを含む、請求項４に記載の制御装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体製造システムに関し、特に、半導体製造装置と搬送装置との間の規格化された通信Ｉ／Ｏを用いた制御装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体製造工程における装置開発や工場の立ち上げでの時間短縮、コスト削減および人件費の抑制を求めて、世界的な規格として、ＳＥＭＩ（Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ　Ｅｑｕｉｐｍｅｎｔ　ａｎｄ　Ｍａｔｅｒｉａｌ　Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ）により策定される規格がある。このような規格の中の１つとして、３００ｍｍウェハのキャリア搬送パラレルＩ／Ｏを規定するＳＥＭＩ　Ｅ８４規格、２００ｍｍウェハのキャリア搬送パラレルＩ／Ｏを規定するＳＥＭＩ　Ｅ２３規格がある。このＥ８４規格は、半導体製造装置のロードポートとＡＭＨＳ（Ａｕｔｏｍａｔｉｃ　Ｍａｔｅｒｉａｌ　Ｈａｎｄｌｉｎｇ　Ｓｙｓｔｅｍ）との間で、３００ｍｍウェハのキャリアを受渡しするための規格である。
【０００３】
このＥ８４規格においては、ＥＳ（Ｅｍｅｒｇｅｎｃｙ　Ｓｔｏｐ）信号が「この信号がオフのとき、アクティブ装置（ＡＭＨＳ）の活動をすぐに止めることを要求する」、「パッシブ装置（半導体製造装置）がＥＳ信号をオフにするのは危険な状況、つまりＥＳボタンが押される、移載インターロック異常などの状況が発生したとき」と規定されている。このＥＳ信号は、このような特定された用途にのみ用いられる。このほかにこのような信号は規定されていない。
【０００４】
図１２を参照して、ＳＥＭＩ　Ｅ８４規格に基づいてＥＳ信号によりＡＭＨＳを緊急停止させる、従来のシステムを説明する。図１２に示すように、このシステムは、半導体製造装置１００と、ハンド３３０でキャリア４００を把持して半導体製造装置１００にウェハを搬送するＡＭＨＳ３００と、非常停止ボタン１２８とを含む。通常、半導体製造装置１００とＡＭＨＳ３００とは、別々のメーカで製造されて、半導体製造工場に据え付けられる。半導体製造装置１００は、半導体製造装置１００を制御するためのコントローラ（プログラマブルコントローラ、シーケンサなど）が実装され、ＡＭＨＳ３００は、ＡＭＨＳ３００を制御するためのコントローラ（プログラマブルコントローラ、シーケンサなど）が実装されている。このときに、ＳＥＭＩ　Ｅ８４規格に基づいて、半導体製造装置１００のコントローラとＡＭＨＳ３００のコントローラとの間の通信が規定される。
【０００５】
非常停止ボタン１２８は、半導体製造装置１００で異常が発生したり、ＡＭＨＳ３００を緊急に停止させたい場合に作業者により操作される。この非常停止ボタン１２８が押されると、それに応答して、半導体製造装置１００のコントローラは、半導体製造装置１００自体を非常停止させるとともに、ＥＳ信号をオフ（正常時にはオン）にする。ＥＳ信号がオフになったことを、ＡＭＨＳ３００のコントローラが検知すると、ＡＭＨＳ３００の動作を停止させる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来の半導体製造システムによると、ＡＭＨＳ３００を緊急停止させるために、非常停止ボタン１２８を押してしまうと、ＡＭＨＳ３００を緊急停止させることができるが、同時に半導体製造装置１００に不具合が発生しているか否かに関わらず、半導体製造装置１００の動作も緊急停止してしまう。この場合、半導体製造装置１００に異常が発生していなくても、製造中のウェハに対する処理が中断して、製品として出荷できなくなり、その結果歩留まりが悪くなる。
【０００７】
本発明は、上述の課題を解決するためになされたものであって、ＳＥＭＩ　Ｅ８４規格、Ｅ２３規格などの規格に基づいて設計された半導体製造システムにおいて、アクティブ装置を緊急停止させるための、半導体製造システムの制御装置を提供することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
第１の発明に係る制御装置は、半導体製造装置と、キャリアに格納されたウェハを半導体製造装置に搬送する搬送装置とを含む半導体製造システムを制御する。半導体製造装置は、半導体製造装置を緊急停止させる回路を含む第１の制御回路を含む。搬送装置は、搬送装置を緊急停止させる回路を含む第２の制御回路を含む。第１の制御回路と第２の制御回路とは、オフであると第２の制御回路が搬送装置を緊急停止させるための信号を送信する信号線により接続される。この制御装置は、第１の制御回路に接続され、搬送装置を緊急停止させる緊急停止信号を受信するための受信手段と、緊急停止信号を受信したことに応答して、第１の制御回路への緊急停止指示の出力を禁止するとともに、信号線の信号をオフにするように制御するための制御手段とを含む。
【０００９】
第１の発明によると、受信手段が搬送装置を緊急停止させる緊急停止信号を受信すると、制御手段は、第１の制御回路と第２の制御回路とを接続する信号線を介して第１の制御回路から第２の制御回路に送信される、搬送装置を緊急停止させるための信号をオフにする。これにより、第２の制御回路は、この信号がオフであることにより、搬送装置を緊急停止させる。このとき、第１の制御回路へ、半導体製造装置を緊急停止させる指示の出力が禁止される。これにより、搬送装置が搬送するキャリアが半導体製造装置と衝突するなどの異常が発生する場合に、搬送装置を緊急停止させるともに、半導体製造装置を緊急停止させなくともよくなる。その結果、ＳＥＭＩ　Ｅ８４規格、Ｅ２３規格などの規格に基づいて設計された半導体製造システムにおいて、搬送装置であるアクティブ装置を緊急停止させるための、半導体製造システムの制御装置を提供することができる。
【００１０】
第２の発明に係る制御装置は、第１の発明の構成に加えて、受信手段に接続され、人が緊急停止信号を入力するための入力手段をさらに含む。
【００１１】
第２の発明によると、入力手段としてＥＳボタンを実装すると、半導体製造システムの作業者がそのＥＳボタンを押して、搬送装置を緊急停止させて、半導体製造装置を緊急停止させないようにできる。
【００１２】
第３の発明に係る制御装置は、第１の発明の構成に加えて、半導体製造装置と搬送装置との干渉の発生を検知して、干渉の発生を検知したことに応答して、受信手段に緊急停止信号を出力するための検知手段をさらに含む。
【００１３】
第３の発明によると、そのまま搬送装置がキャリアを半導体製造装置に搬送すると、干渉が発生して事故が発生することを、ビームセンサなどを用いて事前に検知して、搬送装置を緊急停止させることができる。
【００１４】
第４の発明に係る制御装置は、第１〜３のいずれかの発明の構成に加えて、第１の制御回路に接続され、搬送装置の緊急停止を解除させる解除信号を受信するための解除信号受信手段と、解除信号を受信したことに応答して、信号線の信号をオンにするように制御するための解除制御手段とを含む。
【００１５】
第４の発明によると、緊急停止させている状態において、緊急停止の必要がなくなると、解除信号が受信される。この解除信号が受信されると、第１の制御回路と第２の制御回路とを接続する信号線を介して第１の制御回路から第２の制御回路に送信される、搬送装置を緊急停止させるための信号がオンにされる。この信号がオンになると、搬送装置が緊急停止から復帰する。
【００１６】
第５の発明に係る制御装置は、第４の発明の構成に加えて、受信手段に接続され、緊急停止信号を保持するための保持手段と、解除信号を受信したことに応答して、保持を解除するための保持解除手段とを含む。
【００１７】
第５の発明によると、緊急停止させている状態においては、緊急停止信号が保持される。この保持は、緊急停止の必要がなくなり解除信号を受信するまで継続する。これにより、緊急停止信号を受信してから解除信号を受信するまでは緊急停止信号が一旦受信しなくなっても、緊急停止信号は保持されているので、緊急停止が解除されることがない。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照しつつ、本発明の実施の形態について説明する。以下の説明では、同一の部品には同一の符号を付してある。それらの名称および機能も同じである。したがってそれらについての詳細な説明は繰返さない。
【００１９】
＜第１の実施の形態＞
以下、本発明の第１の実施の形態に係る半導体製造システムについて説明する。図１を参照して、この半導体製造システムは、半導体製造装置１００と、半導体製造装置１００に、キャリア４００に収納されたウェハを搬送するＡＭＨＳ３００とを含む。ＡＭＨＳ３００により搬送されるキャリア４００は、半導体製造装置１００のウェハ出入口１１０近傍に設けられたロードボード２００に載置される。
【００２０】
半導体製造装置１００は、端子台１２２を有する半導体製造装置制御盤１２０により制御される。半導体製造装置１００には、半導体製造装置１００を非常停止させるための非常停止ボタン１２８が設けられている。また、半導体製造装置制御盤１２０には、ＥＳボタンボックス１２６に設けられたＥＳボタン１２４が接続される。
【００２１】
ＡＭＨＳ３００は、レール３１０に懸架して走行するビークル３２０と、ビークル３２０に設けられたハンド３３０とからなる。キャリア４００を把持したハンド３３０を有するビークル３２０がレール３１０に沿って走行する。ビークル３２０が走行して、ロードボード２００の位置にビークル３２０が停止すると、ハンド３３０が下方に延びてキャリア４００をロードボード２００に載置する。ロードボード２００に載置されたキャリア４００からウェハが取出され、ウェハ出入口１１０から半導体製造装置１００の内部に搬入される。ＡＭＨＳ３００は、図示しない制御盤により制御される。
【００２２】
半導体製造装置制御盤１２０と、ＡＭＨＳ３００との接続について説明する。半導体製造装置制御盤１２０から光パラレルＩ／Ｏ接続用レセクタブル３３６および光パラレルＩ／Ｏ接続用コネクタ３３４を介して、光パラレルＩ／Ｏ３３２にＥＳ信号が送信される。光パラレルＩ／Ｏ３３２から、ビークル３２０に設けられたビークル側光パラレルＩ／Ｏ３３３へＥＳ信号が送信される。ＥＳ信号を受信したビークル３２０は、その制御装置により緊急停止する。このＥＳ信号は、常時オンの信号であり、半導体製造装置制御盤１２０から出力されたＥＳ信号がオフになると、ビークル側光パラレルＩ／Ｏ３３２にてＥＳ信号がオフにされたことを検知して、ビークル３２０が停止したり、ビークル３２０に設けられたハンド３３０の動作が緊急停止する。
【００２３】
このＥＳ信号に対応するＥＳボタン１２４は、ロードボード２００の近傍等に設けられる。ＥＳボタン１２４が押されることにより、半導体製造装置制御盤１２０がそれを検知して、光パラレルＩ／Ｏ接続用レセクタブル３３６、光パラレルＩ／Ｏ接続用コネクタ３３４、光パラレルＩ／Ｏ３３２およびビークル側光パラレルＩ／Ｏ３３３を介して、ビークル３２０にＥＳ信号が送信される。
【００２４】
図２を参照して、本実施の形態に係る半導体製造システムにおける半導体製造装置１００およびＡＭＨＳ３００で実行されるプログラムの制御構造について説明する。
【００２５】
ステップ（以下、ステップをＳと略す。）１００にて、半導体製造装置１００は、ＥＳボタン１２４からの入力を検知したか否かを判断する。ＥＳボタン１２４からの入力を検知すると（Ｓ１００にてＹＥＳ）、処理はＳ１０２へ移される。もしそうでないと（Ｓ１００にてＮＯ）、処理はＳ１００へ戻され、ＥＳボタン１２４からの入力を待つ。
【００２６】
Ｓ１０２にて、半導体製造装置１００は、ＥＳ信号リレー（内部リレー）を自己保持する。Ｓ１０４にて、半導体製造装置１００は、ＥＳ信号出力をオフにする。
【００２７】
Ｓ１０６にて、半導体製造装置１００は、ＥＳボタン解除の入力を検知したか否かを判断する。この判断は、ＥＳボタン１２４とは別に設けられたＥＳ復帰ボタンが押されることなどにより行なわれる。または、ＥＳボタン１２４を、プッシュロックターンリターン方式のラッチ機能を有するボタンを用いてもよい。このボタンは、一旦押すとロックがかかり、ボタンを回すことによりそのロックが解除される。ＥＳ復帰ボタンを押す代わりにボタンを回してロックを外されると、ＥＳボタン解除の入力を検知したと判断される。ＥＳボタン解除の入力を検知すると（Ｓ１０６にてＹＥＳ）、処理はＳ１０８へ移される。もしそうでないと（Ｓ１０６にてＮＯ）、処理はＳ１０６へ戻され、ＥＳボタン解除の入力を検知するまで待つ。
【００２８】
Ｓ１０８にて、半導体製造装置１００は、ＥＳ信号リレー（内部リレー）の自己保持を解除する。Ｓ１１０にて、半導体製造装置１００は、ＥＳ信号出力をオンにする。
【００２９】
Ｓ２００にて、ＡＭＨＳ３００は、光パラレルＩ／Ｏ３３２を経由して、半導体製造装置１００から送信されるＥＳ信号のオフを検知したか否かを判断する。ＥＳ信号のオフを検知すると（Ｓ２００にてＹＥＳ）、処理はＳ２０２へ移される。もしそうでないと（Ｓ２００にてＮＯ）、処理はＳ２００へ戻され、半導体製造装置１００から送信されるＥＳ信号がオフになるまで待つ。
【００３０】
Ｓ２０２にて、ＡＭＨＳ３００は、ビークル３２０を緊急停止させる。このとき、ビークル３２０とともにハンド３３０も緊急停止される。
【００３１】
Ｓ２０４にて、ＡＭＨＳ３００は、半導体製造装置１００から送信されるＥＳ信号のオンを検知したか判断する。ＥＳ信号のオンを検知すると（Ｓ２０４にてＹＥＳ）、処理はＳ２０６へ移される。もしそうでないと（Ｓ２０４にてＮＯ）、処理はＳ２０４へ戻され、半導体製造装置１００から光パラレルＩ／Ｏ３３２を経由して送信されるＥＳ信号のオンを検知するまで待つ。
【００３２】
Ｓ２０６にて、ＡＭＨＳ３００は、ビークル３２０を緊急停止から復帰させる。これにより、ビークル３２０およびハンド３３０が通常の状態に復帰し、動作を再開する。
【００３３】
なお、図２に示したフローチャートの中で、緊急停止させる対象をビークル３２０およびハンド３３０に限定したが、本発明はこれに限定されるものではない。
【００３４】
以上のような構造およびフローチャートに基づく、本実施の形態に係る半導体製造システムの動作について説明する。半導体製造装置１００の近傍に設けられたＥＳボタン１２４が作業者により押されると（Ｓ１０２にてＹＥＳ）、半導体製造装置１００の内部リレーであるＥＳ信号リレーが自己保持される（Ｓ１０２）。半導体製造装置１００からＡＭＨＳ３００に送信されるＥＳ信号の出力がオフにされる（Ｓ１０４）。このときの状態を図３に示す。すなわち、ＥＳボタンが押下げられたタイミングで、ＥＳ信号リレーが自己保持される。それとともに、ＥＳ信号の出力がオンからオフ状態に変化する。
【００３５】
ＥＳ信号は、光パラレルＩ／Ｏ３３２を経由してＡＭＨＳ３００に送信される。ＡＭＨＳ３００は、ＥＳ信号のオフを検知すると（Ｓ２００にてＹＥＳ）、ビークル３２０およびハンド３３０を緊急停止させる（Ｓ２０２）。このとき、図３に示すように、ハンドリング装置であるＡＭＨＳ３００がＥＳ信号の出力の立下がりに対応して作動状態から非作動状態に移行する。
【００３６】
半導体製造装置１００の近傍における作業者が、ＥＳボタン１２４を押した後、ＡＭＨＳ３００の動作を再開したい場合には、ＥＳボタン解除の入力を行なう（Ｓ１０６にてＹＥＳ）。ＥＳ信号リレーの内部保持が解除され（Ｓ１０８）、ＥＳ信号出力がオフ状態からオン状態に変更される（Ｓ１１０）、ＥＳ信号出力がオンになると光パラレルＩ／Ｏ３３２を経由してＡＭＨＳ３００に送信され、ＡＭＨＳ３００はＥＳ信号のオンを検知する（Ｓ２０４にてＹＥＳ）。その後ビークル３２０およびハンド３３０が緊急停止状態から復帰する（Ｓ２０６）。このとき図３に示すように、ＥＳ復帰ボタンの立上がりで、内部リレーであるＥＳ信号リレーがオフになり、ＥＳ信号出力がオンになる。このＥＳ信号の出力がオンになるとビークル３２０およびハンド３３０の動作が非作動状態から作動状態に移行する。
【００３７】
図３に示すように、ＥＳボタンの立上がりによっては、半導体製造装置１００の半導体製造装置制御盤１２０へは、緊急停止信号が送信されない。したがって、半導体製造装置１００においては、ＥＳボタン１２４が押されたことにより何ら影響を受けない。したがって、ＥＳボタン１２４の状態とは関係なく、半導体製造装置１００は、半導体ウェハの製造を継続して行なう。
【００３８】
以上のようにして、本実施の形態に係る半導体製造システムによると、作業者がアクティブ装置であるＡＭＨＳを停止させたいときＥＳボタンを押すと、ＥＳ復帰ボタンが押されるまで、ＥＳ信号リレーがオン状態となり、ＥＳ信号出力がオフ状態となる。ＥＳ信号出力がオフになると、ＳＥＭＩ　Ｅ８４規格で規定されているようにアクティブ装置であるＡＭＨＳ３００が緊急に停止する。これにより、アクティブ装置であるＡＭＨＳを緊急停止させるとともに、パッシブ装置である半導体製造装置の動作を継続して行なわせることができる。
【００３９】
＜第２の実施の形態＞
以下、本発明の第２の実施の形態に係る半導体製造システムについて説明する。なお、本実施の形態に係る半導体製造システムにおいて、前述の第１の実施の形態に係る半導体製造システムと同一の構造については、ここでの詳細な説明は繰返さない。
【００４０】
図４を参照して、本実施の形態に係る半導体製造システムは、前述の第１の実施の形態に係る半導体製造システムの構成に加えて、半導体製造装置１００自体の異常を検知する、半導体製造装置異常検知センサ１５０と、ウェハ出入口１１０近傍に発生したウェハの出入動作に関する異常を検知するウェハ出入口異常検知センサ２５０と、ロードボード２００近傍に設置され、ロードボード２００自体の動作に関する異常を検知するロードボード異常検知センサ２５２とをさらに含む。半導体製造装置異常検知センサ１５０、ウェハ出入口異常検知センサ２５０およびロードボード異常検知センサ２５２は、いずれも半導体製造装置制御盤盤１２０に入力される。なお、これらのセンサから信号が入力される場合は、アクティブ装置であるＡＭＨＳ３００を緊急停止させたい場合であって、パッシブ装置である半導体製造装置１００を緊急停止させたくない場合である。
【００４１】
図５を参照して、本実施の形態に係る半導体製造システムの半導体製造装置１００およびＡＭＨＳ３００で実行されるプログラムの制御構造について説明する。なお、図５に示すフローチャートの中で、前述の図２に示したフローチャートと同じ処理については同じステップ番号を付してある。それらについての処理も同じである。したがって、それらについての詳細な説明はここでは繰返さない。
【００４２】
Ｓ１２０にて、半導体製造装置１００は、異常検知センサの入力を検知したか否かを判断する。この判断は、半導体製造装置異常検知センサ１５０、ウェハ出入口異常検知センサ２５０およびロードボード異常検知センサ２５２のいずれかのセンサからの異常検知信号を入力したか否かにより行なわれる。異常検知センサの入力を検知すると（Ｓ１２０にてＹＥＳ）、処理はＳ１２２へ移される。もしそうでないと（Ｓ１２０にてＮＯ）、処理はＳ１２０へ戻され、異常検知センサの入力を検知するまで待つ。Ｓ１２２にて、半導体製造装置１００は、異常検知リレー（内部リレー）を自己保持する。
【００４３】
Ｓ１２４にて、半導体製造装置１００は、異常復帰の入力を検知したか否かを判断する。異常復帰への入力を検知すると（１２４にてＹＥＳ）、処理はＳ１２６へ移される。もしそうでないと（Ｓ１２４にてＮＯ）、処理はＳ１２４へ戻され、異常復帰の入力を検知するまで待つ。Ｓ１２６にて、半導体製造装置１００は、異常検知リレー（内部リレー）の自己保持を解除する。
【００４４】
以上のような構造およびフローチャートに基づく、本実施の形態に係る半導体製造システムの動作について説明する。
【００４５】
ＡＭＨＳ３００を停止させるべき異常が、半導体製造装置１００に発生すると、半導体製造装置異常検知センサ１５０がそれを検知する。ウェハ出入口内部に設置されたウェハの出入動作の関する異常が発生すると、ウェハ出入口異常検知センサ２５０がそれを検知する。ロードボード４００自体の動作に関する異常を検知すると、ロードボード異常検知センサ２５２が、それを検知する。いずれかの異常検知センサからの入力を検知すると（Ｓ１２０にてＹＥＳ）、内部リレーである異常検知リレーが自己保持される（Ｓ１２２）。
【００４６】
それと同時にＥＳ信号の出力がそれと同時にＥＳ信号の出力がオフになる（Ｓ１０４）。このときの状態を図６のタイミングチャートを用いて説明する。異常検知センサは、チャタリングなどによりオンとオフを繰返すが、異常検知センサの最初の立上がりに対応して、内部リレーである異常検知リレーが立上がって自己保持される。これとともに、ＥＳ信号の出力がオフにされる。ＡＭＨＳ３００にはＥＳ信号のオフが検知され（Ｓ２００にてＹＥＳ）、ビークル３２０およびハンド３３０が緊急停止する（Ｓ２０２）。
【００４７】
以上のようにして、本実施の形態に係る半導体製造システムによると、第１の実施の形態に係る半導体製造システムのＥＳボタンに加えて、各種センサによりＡＭＨＳを緊急停止させなければならない状態を検知する。センサによる異常な状態が検知されると、光パラレルＩ／Ｏを経由してＡＭＨＳに送信されるＥＳ信号がオフにされる。ＥＳ信号がオフになると、ＡＭＨＳはその動作を緊急停止させる。このようにして、本実施の形態に係る半導体製造システムによると、第１の実施の形態に係るＥＳボタンに加えて、アクティブ装置であるＡＭＨＳを緊急停止させるためのセンサを配置し、そのセンサからの入力があるとＥＳ信号をオフにするようにした。これにより、作業者がＥＳボタンを押すことに加えて、センサが異常を検知すると、ＥＳ信号をオフにすることにより、アクティブ装置であるＡＭＨＳを緊急停止させることができる。
【００４８】
＜第３の実施の形態＞
以下、本発明の第３の実施の形態に係る半導体製造システムについて説明する。なお、本実施の形態に係る半導体製造システムの構造において、前述の第１の実施の形態に係る半導体製造システムおよび第２の実施の形態に係る半導体製造システムと同じ構成については同じ参照符号を付してある。これらの機能も同じである。したがって、それらについての詳細な説明はここでは繰返さない。
【００４９】
図７を参照して、本実施の形態に係る半導体製造システムは、キャリア４００が載置されるロードボード２００に設けられた投光側ビームセンサ２６０と、受光側ビームセンサ２７０とを含む。投光側ビームセンサ２６０と受光側ビームセンサ２７０とは、ロードボード２００上にキャリア４００の障害物がある場合に投光側ビームセンサ２６０から投光された光が遮光されて、障害物を検知する。投光側ビームセンサ２６０および受光側ビームセンサ２７０の検知信号は、半導体製造装置制御盤１２０に入力される。なお、投光側ビームセンサ２６０および受光側ビームセンサ２７０はそれぞれＮ個の投光素子および受光素子から構成されるものとする。
【００５０】
本実施の形態に係る半導体製造システムにおいて実行されるプログラムの制御構造は、前述の第２の実施の形態に係る半導体製造システムにおいて実行されるプログラムの制御構造（図５のフローチャート）と同じであるため、ここでの詳細な説明は繰返さない。
【００５１】
以上のような構造およびフローチャートに基づく、本実施の形態に係る半導体製造システムの動作について説明する。投光側ビームセンサ２６０および受光側ビームセンサ２７０のＮ個の中のいずれかの異常検知センサが遮光状態を検知すると、図８に示すように、内部リレーである異常検知リレーが自己保持される。このとき、図８に示すように、ビームセンサの中の、第２の異常検知センサが遮光状態になったことに対応して、異常検知リレーが自己保持される。異常検知リレーが自己保持されるとともに、ＥＳ信号の出力がオン状態からオフ状態にされる。ＥＳ信号がオフ状態にされるのに対応して、ビークル３２０およびハンド３３０が非作動状態に移行する。
【００５２】
以上のようにして、本実施の形態に係る半導体製造システムによると、複数の異常検知センサを組合せたビームセンサにより、キャリアの干渉物となる障害物を検知し、アクティブ装置であるＡＭＨＳを緊急停止させることができる。
【００５３】
＜第４の実施の形態＞
図９を参照して、本実施の形態に係る半導体製造システムにおけるＥＳボタンの構造について説明する。図９に示すように、ＥＳボタン１２４に加えてリセットボタン１３０と、自己保持回路１３２とを有する。前述の実施の形態においては、自己保持を、半導体製造装置制御盤１２０の内部リレーで実行していたが、本実施の形態に係る半導体製造システムにおいてＥＳボタンの自己保持は、外部の自己保持回路１３２により実行される。
【００５４】
＜第５の実施の形態＞
以下、本発明の第５の実施の形態に係るＥＳボタンについて説明する。本実施の形態に係る半導体製造システムにおいては、キャリア４００の置き場所が、ロードボード２００に５箇所あるものと想定する。
【００５５】
図１０に示すように、多接点ボックス１４０は、半導体製造装置１００に対して１つ設けられる。多接点ボックス１４０は、たとえばＢ接点が５つから構成され、１つのＥＳボタン１２０が押されるとオフにされる。多接点ボックス１４０からの出力は、端子台１２２にそれぞれ接続されている。このようにすることにより、ロードボード２００に設けられたキャリア４００のそれぞれの載置場所に対応してＥＳボタンを多数設ける必要がない。多接点ボックスでなくリレーを用いて信号を分割してもよい。
【００５６】
＜第６の実施の形態＞
以下、本発明の第６の実施の形態に係る半導体製造システムにおける光パラレルＩ／Ｏ接続用コネクタ３３４について説明する。本実施の形態においては、端子台１２２を光パラレルＩ／Ｏ接続用コネクタ３３４に設けた。
【００５７】
図１１に示すように、光パラレルＩ／Ｏ接続用コネクタ３３４から出たケーブルは、光パラレルＩ／Ｏ３３２に接続される。コネクタ内部の接続部３３４２は、光パラレルＩ／Ｏ接続用レセクタブル３３６に接続される。コネクタ内部の接続ピン３３４３は、ＥＳ信号のピンである。光パラレルＩ／Ｏ接続用コネクタ３３４には、開口部３３４１が設けられて、その開口部３３４１からＥＳコネクタ３３４４に接続される信号線がコネクタの外部に引き出されている。ＥＳコネクタ３３４４は半導体製造装置制御盤１２０に接続される。上述した実施の形態においては、端子台１２２は、半導体製造装置制御盤１２０に取りつけていたが、取りつける場所は、これに限定されない。たとえば、半導体製造装置１００の上部、外部あるいはロードポート２００に取りつけてもよい。本実施の形態においては、光パラレルＩ／Ｏ接続用コネクタ３３４に、ＥＳコネクタ３３４４を取りつけている。ただし、小型のコネクタに端子台を取付けることが困難であるので、ＥＳコネクタ３３４４を取りつけるようにしている。
【００５８】
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る半導体製造システムの外観図である。
【図２】図１のシステムにおいて実行されるプログラムの制御構造を示すフローチャートである。
【図３】図１のシステムにおけるタイミングチャートである。
【図４】本発明の第２の実施の形態に係る半導体製造システムの外観図である。
【図５】図４のシステムにおいて実行されるプログラムの制御構造を示すフローチャートである。
【図６】図４のシステムにおけるタイミングチャートである。
【図７】本発明の第３の実施の形態に係る半導体製造システムの外観図である。
【図８】図７のシステムにおけるタイミングチャートである。
【図９】本発明の第４の実施の形態に係るＥＳボタンの外観図である。
【図１０】本発明の第５の実施の形態に係るＥＳボタンの断面図である。
【図１１】本発明の第６の実施の形態に係る光パラレルＩ／Ｏ接続用コネクタの外観図である。
【図１２】従来の半導体製造システムの外観図である。
【符号の説明】
１００　半導体製造装置、１１０　ウェハ搬入搬出口、１２０　半導体製造装置制御盤、１２２　端子台、１２４　ＥＳボタン、１２６　ＥＳボタンボックス、１２８　非常停止ボタン、１５０　半導体製造装置異常検知センサ、２００　ロードボード、２５０　ウェハ出入口異常検知センサ、２５２　ロードボード異常検知センサ、２６０　投光側ビームセンサ、２７０　受光側ビームセンサ、３００　ＡＭＨＳ、３１０　レール、３２０　ビークル、３３０　ハンド、３３２光パラレルＩ／Ｏ、３３３　ビークル側光パラレルＩ／Ｏ、３３４　光パラレルＩ／Ｏ接続用コネクタ、３３６　光パラレルＩ／Ｏ接続用レセクタブル、４００　キャリア。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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