(57)【要約】【課題】従来の量産タイプの回路モジュールにおける側面部のシールド効果を改善して、電磁界等の対応に最適なシールド構造を有する回路モジュールを提供すること。【解決手段】封止樹脂部の形成工程で、上金型３３に分離ラインに沿い突条３５を設けて封止樹脂部１３に溝２０が形成されるようになし、該溝と封止樹脂部上にシールド層１６を形成した後、集合基板の分離工程では、前記溝２０の幅より狭いブレード２６を用いて集合基板２１を切断することにより、前記封止樹脂部１３を包被するシールド層１６の側面が分離面に露出されるようにして、回路モジュールの側面部にも優れたシールド効果を持つシールド構造が形成されるようにした。【選択図】      図１１
2004260103.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に複数の部品が配置された回路モジュールにおいて、前記基板上に設置された金属ポストと、
前記金属ポストを介して前記部品の上方に設置されるシールド層と
を具備することを特徴とする回路モジュール。
【請求項２】
前記基板と前記金属ポストと前記シールド層の端面が同一平面上に位置することを特徴とする請求項１記載の回路モジュール。
【請求項３】
前記金属ポストは、前記複数の部品の周囲に配置されることを特徴とする請求項１記載の回路モジュール。
【請求項４】
前記複数の部品を被覆する樹脂層をさらに具備し、前記シールド層は前記樹脂層上面に設けられることを特徴とする請求項１記載の回路モジュール。
【請求項５】
前記シールド層は板状部材で形成され、前記金属ポストによって支持されることを特徴とする請求項１記載の回路モジュール。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、材料の無駄及び製造工程を削減可能な回路モジュールに関し、より詳しくは量産化に対応できるようにしつつ、ダイシング装置により個片化される回路モジュールにおいて、電子部品を封止する封止樹脂の外表面部を金属等のシールド材で被覆するようにして、電磁界、放熱等から電子部品を保護するようにした回路モジュールのシールド構造に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、基板上に複数の電子部品を搭載してなる小型の回路モジュールが急速に普及してきた。この種の回路モジュールには、ＩＣやハイブリッドモジュール等のように樹脂によって封止或いはモールドされたもの又は金属製キャップで部品を覆ったもの、金属製キャップに収納されたものが存在する（図示せず）。
【０００３】
上記金属製キャップに収納されたモジュールタイプの回路モジュールの製造においては、個々の回路モジュール毎に基板を作成し、この基板上に電子部品を実装した後に、樹脂を用いた封止又はモールドした後、金属製キャップの装着を行っている。
【０００４】
また、量産タイプのものとしては、図２９に示すように、電子部品を集合基板の上面に実装し、これを封止樹脂層で覆い更にその上に金属層を形成した回路モジュールがある（例えば、特許文献１参照）。
【０００５】
この量産タイプの回路モジュールについて、図２８、２９に基づいて説明すると、１０は回路モジュールで、プリント配線が形成された基板１１と、基板１１の部品実装面に実装された複数の電子部品１２と、電子部品１２を覆うように基板１１の上面に形成された封止樹脂層（封止樹脂部）１３と、封止樹脂層１３の上面に形成された金属層１６と、基板１１の下面に装着された複数のリード端子１５とから構成されている。
【０００６】
基板１１は、例えば上面が長方形を成す厚さ１ｍｍのセラミック基板からなり、その上面に部品実装用のランド（図示せず）が形成され、下面には対向する２つの辺に沿ってリード端子１５を接続するためのランドが３つずつ形成されている。ここでは、６つのランドが形成され、それぞれにリード端子１５が接続されている。ここで、リード端子１５は、基板１１の辺に直交して基板１１の側面側に突出するように半田付けされている。また、６つのリード端子１５のうちの３つはＧＮＤ用、１つが電源供給用、１つが信号入力用、１つが信号出力用に割り当てられている。
【０００７】
封止樹脂層１３は、例えば、絶縁性、防水性又は耐熱性を有する熱硬化性樹脂或いは紫外線硬化性樹脂からなる。また、基板１１はセラミック基板に限らず、ガラスエポキシ基板、紙エポキシ基板、紙フェノール基板等が使用される。
【０００８】
複数の回路モジュール１０の基板１１がマトリクス状に連設された集合基板２１（図２９参照）を形成し、ここでは１６個の基板１１を４×４のマトリクス状に配置している。集合基板２１の上面側に封止樹脂層１３を形成し、この封止樹脂層１３の上面に金属層１６を形成する。次に、金属層１６を形成した集合基板２１をダイシング装置等を用いて切断する。このとき、個々の基板１１間の境界線に沿ってマトリクス状に切断することにより回路モジュール１０の本体が得られる。このようにダイシング装置を用いて切断すると切断面が非常に滑らかな面になり、バリ取り等の整形を同時に行うことができる。この後、回路モジュール１０の本体にリード端子１５を接続して回路モジュール１０が完成する。
【０００９】
この量産タイプの回路モジュールにおいては、封止樹脂層１３の上面に金属層１６が形成されていることにより、電磁界シールド効果を持たせることができ、ＥＭＣ（Ｅｌｅｃｔｒｏ−Ｍａｇｎｅｔｉｃ  Ｃｏｍｐａｔｉｂｉｌｉｔｙ）対策に効果を発揮することができるものである。
【００１０】
これとは別に、配線パターンおよびグランドパターンが形成された電気絶縁性基板の内部に、前記配線パターンに電気的に接続された回路部品が配置されてなる回路部品内蔵モジュールであって、前記電気絶縁性基板の主面および内部の少なくとも一方には、シールド体が形成され、前記シールド体は、該シールド体と同一材料からなる接続部を介して前記グランドパターンと電気的に接続されている回路部品内蔵モジュールがある（例えば、特許文献２参照）。
【００１１】
この特許文献２に記載の回路部品内蔵モジュール４００（同文献図５参照）は、電気絶縁性基板を形成する熱硬化性樹脂４０１を備えており、この熱硬化性樹脂４０１の一方の主面には、配線パターン４０２およびグランドパターン４０３が形成されており、他方の主面には、シールド体としての導電性樹脂４０４が形成されている。この熱硬化性樹脂４０１の内部には、前記パターン４０２，４０３に接続された回路部品４０６が配置されている。前記導電性樹脂４０４は、該シールド体と同一材料が充填されてなる貫通穴（スルーホール）４０５を介して前記グランドパターン４０３と電気的に接続されている。
【００１２】
【特許文献１】
特開２０００−２４３１２公報（第７−９頁、第８−９図）
【特許文献２】
特開２００１−２３７５８６公報（第１０−１１頁、図５）
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の電子部品の被覆に金属製キャップを用いた上記モジュールタイプのものは、金属製キャップで電子部品を包むように構成されているので電磁界シールドができると共に基板上の電子部品を保護できるという優れた効果を有する反面、個々の基板に金属製キャップを装着する工程を必要とする。個々のモジュールの電磁界シールドの形成には、金属製のキャップを基板に半田付けし、更にそこから回路を通じてグランドに落とすことで前記シールド効果を持たせているが、この構造では搭載部品と金属製キャップ等のシールドケースの接触によるショートを防止するために部品−シールドケース間に最低でも数百μｍのクリアランスが必要であることで製品の小型化に制約と限界をかけており、また、一つ一つの製品にシールドケースを被せるためにコスト、タクトが大幅にかかっている。更には、シールドケースの寸法精度及び実装精度によっては個々の電子部品のモジュールとしての寸法精度が出し難く、製造コスト等削減の障害になっていた。
【００１４】
また、特許文献２の回路部品内蔵モジュールにおいては、シールド体が電磁波の遮蔽と同時に、グランドパターンとの電気的接続も行なっているので、回路部品内蔵モジュールの安定化を図るとともに、工程数の削減と低コスト化を実現できるものであるが、前記電気絶縁性基板を形成する熱硬化性樹脂の上面に前記シールド体としての導電性樹脂（金属層）を加圧し、接続部としての貫通孔（スルーホール）に充填しなければならず、このような樹脂充填工程が必要であり、量産化には問題がある。
【００１５】
本発明者は、このような集合基板タイプの利点として有する、ダイシングによる切断面の面一で非常に滑らかな面として形成される有利な点を維持しつつ、上記問題点を克服するため、鋭意工夫を重ねた結果、ダイシングする際のブレードの機能に着目し、この機能を積極的に利用することで上記問題を解決することを見出した。
【００１６】
本発明の目的は、上記従来の量産タイプの回路モジュールにおけるシールド効果上の弱点を克服するため、量産化に対応できる構成を基本的に維持することを前提として、個々のモジュールタイプのものと同程度のシールド効果が得られる量産タイプの回路モジュールの電磁界等の対応に最適なシールド構造を提供することを課題とするものである。
【００１７】
【課題を解決するための手段】本発明は上記の目的を達成するために次の手段を講じた。
【００１８】
請求項１では、基板上に複数の部品が配置された回路モジュールにおいて、前記基板上に設置された金属ポストと、前記金属ポストを介して前記部品の上方に設置されるシールド層とを具備する回路モジュールを提案する。
【００１９】
（作用）該構成により、金属ポストを介してシールド層とグランドとの接続がとれるので、電磁界等の対応に最適なシールド構造を有する量産タイプの回路モジュールを得ることができる。
【００２０】
請求項２では、請求項１の回路モジュールにおいて、前記基板と前記金属ポストと前記シールド層の端面が同一平面上に位置する回路モジュールを提案する。
【００２１】
（作用）該構成により、請求項１の回路モジュールの作用に加えて、基板と金属ポストとシールド層の端面とを、ダイサーカットにより、同一平面上に位置するように切断することができるので、回路モジュールの確実なシールド構造と共に回路モジュールの量産化とを達成することができる。
【００２２】
請求項３では、請求項１の回路モジュールにおいて、前記金属ポストは、前記複数の部品の周囲に配置される回路モジュールを提案するを提案する。
【００２３】
（作用）該構成により、請求項１の回路モジュールの作用に加えて、複数の部品の周囲に前記金属ポストを密着配置すると、ダイサーカットによるカット面には側面シールド構造が形成されるので、確実なシールド性を備えると共に量産化をも達成することができる回路モジュールを得ることができる。
【００２４】
請求項４では、請求項１の回路モジュールにおいて、前記複数の部品を被覆する樹脂層をさらに具備し、前記シールド層は前記樹脂層上面に設けられる回路モジュールを提案する。
【００２５】
（作用）該構成により、請求項１の回路モジュールの作用に加えて、前記基板上に実装する複数の部品を樹脂層により被覆するようにしたので、前記シールド層は該樹脂層の上に形成することとなるから、確実で安定なシールド層の形成ができると共に部品間の絶縁も確実で量産化が可能な回路モジュールを得ることができる。
【００２６】
請求項５では、請求項１の回路モジュールにおいて、前記シールド層は板状部材で形成され、前記金属ポストによって支持される回路モジュールを提案する。
【００２７】
（作用）該構成により、請求項１の回路モジュールの作用に加えて、回路モジュールの天板を形成するシールド層の板状部材が前記金属ポストによって支持される構造としたので、前記基板上に実装される複数の部品に対して、非モールドタイプの構造で形成される堅牢な回路モジュールを得ることができる。
【００２８】
【用語の定義】本発明で、電子部品とは、半導体素子、コネクタ、スイッチ、フィルター、共振子、振動子などの電子デバイスをいう。本発明でシールド層とは、静電遮蔽及び磁気遮蔽をする電磁界シールド層のほか、発熱などにより電子部品に影響を与える要因から電子部品を保護するために設ける伝熱層、金属層等を含む層をいう。
【００２９】
【発明の実施の形態】以下、図面に基づいて本発明の実施形態を説明する。図１は、本発明の第１の実施形態における回路モジュールを示す外観斜視図、図２はその封止樹脂層とシールド層を除く外観斜視図、図において、１０は回路モジュールで、所定厚さ（例えば厚さ４ｍｍ）の直方体形状を成し、プリント配線が形成された基板１１と、基板１１の部品実装面（一方の主面：上面）に実装された複数の電子部品１２と、電子部品１２を覆うように基板１１の上面に形成された封止樹脂層（封止樹脂部）１３と、搭載する電子部品及び電子部品種よりも背が高く、前記封止樹脂層１３の上面に頭が露出するように基板１１上に配設された端子電極（ポストリード）１４と、封止樹脂層１３の表面に形成された電磁界からの影響を遮蔽するシールド層（電磁界シールド層）１６とから構成されている。ポストリード１４は、柱状のものであれば、円柱、管柱、角柱、多角柱など、いかなる形状のものでもよく、また、球状のものでもよい。基板１１は、例えば上面が長方形を成す厚さ１ｍｍのセラミック基板からなる。
封止樹脂層１３は、例えば、絶縁性、防水性又は耐熱性を有する熱硬化性樹脂或いは紫外線硬化性樹脂からなる。耐薬品性を有する樹脂、例えば、電池に使用する電解液漏れによる化学変化を防止するような樹脂等、耐アルカリ性、耐酸性、耐食性のある樹脂を用いても良い。また、例えばフェライトのフィラーを含む樹脂でも良い。また、基板１１はセラミック基板に限らず、ガラスエポキシ基板、紙エポキシ基板、紙フェノール基板等でも良い。
【００３０】
なお、図示の本実施形態では、各図面において、回路モジュール１０は、電子部品１２を封止樹脂層１３により被覆した形態のものを示しているが、本発明の回路モジュール１０において、該封止樹脂層１３を形成することは、必ずしも必須の要件ではないことに留意すべきである。すなわち、該封止樹脂層１３を形成しない回路モジュール１０にあっては、封止樹脂層１３の形成部分は空間となるものであり、搭載する電子部品がショートしないように配設することにより、軽量でかつシールド性と量産性の高い回路モジュール１０を得ることができるものである。
【００３１】
図３は、図１に示した回路モジュール１０のＡ−Ａ断面図で、ポストリード１４とシールド層１６の断面構造を示す。ポストリード１４の上面は、封止樹脂層１３の上面に露出してシールド層１６の裏面と接触して導電接続する構造となっている。また、基板１１、封止樹脂層１３及びシールド層１６の各側面は面一に形成されている。前記シールド層１６は、ポストリード１４を介して基板１１に導電接続される構造であるので、回路モジュール１０の表面は外部に対して十分なシールド効果を有する構造に形成される。この構造により、量産向けに適した構造を有する回路モジュール１０が提供できる。
【００３２】
図４は、第１の実施形態における回路モジュール１０の製造工程の説明図である。
まず、複数の回路モジュール１０の基板１１がマトリクス状に連設された集合基板２１を形成する（集合基板製造工程）。ここでは１６個の基板１１を４×４のマトリクス状に配置した集合基板２１を形成した。
【００３３】
次いで、この集合基板２１の上面に電子部品１２を実装する（電子部品実装工程）。次いで、ポストリード（端子電極）１４を実装する（ポストリード実装工程）。
【００３４】
この後、通常行われるバッキング工程は必ずしも必要ではないが、その必要があれば、集合基板２１の上面に電子部品１２を覆うようにバッキング剤をコーティングし、少なくともポストリード１４の頭（頂面）にバッキング剤が塗布されない範囲で適宜行えばよい。
【００３５】
次いで、集合基板２１の上面側にＦＡＭＥ（Ｆｉｌｍ  Ａｓｓｉｓｔ  Ｍｏｌｄｉｎｇ  Ｅｑｕｉｐｍｅｎｔ）法を用いて封止樹脂層１３を形成する（封止樹脂層形成工程）。ＦＡＭＥ法による封止樹脂層１３の形成は、フィルムを使用した樹脂成形方法であり、図５ａに示すように、集合基板２１が水平状態で嵌入することが可能な基台３１に集合基板２１を装着し、５ｔｏｒｒの真空にして脱泡を行う（準備工程）。次いで、集合基板２１の上面側に前述した樹脂を供給する。この状態では集合基板２１上の電子部品１２の周囲には気泡状の空間が形成されていることが多い。
【００３６】
この後、真空度を例えば１５０ｔｏｒｒ程度まで上げて差圧を発生させ、上記電子部品１２の周囲空間に樹脂を充填させる（樹脂充填工程）。
【００３７】
次いで、集合基板２１の上面側をフィルム３０で覆い、上金型３３の吸着穴３４からの吸引によりフィルム３０を吸着して、前述した樹脂を供給して硬化させる（ＦＡＭＥ工程）。樹脂を硬化させてから、基台３１から集合基板２１を取り外して、封止樹脂層形成工程を終了する（封止樹脂層形成工程）。なお、封止樹脂層の形成には真空印刷法（図５ｂ参照）を用いてもよい。
【００３８】
次に、封止樹脂層１３の上面にシールド層１６を形成する（シールド層形成工程）。シールド層１６を形成する材料としては、導電性を有する材料であればよく、金属板や金属膜などの材料の他に金属フィラーを含む樹脂等導電性を有する材料を型に流し込んで形成するか、又は金属性メッキを用いて形成することができる。
ここでは、封止樹脂層１３の上面に、金属フィラーを分散させた樹脂を塗布して硬化させることによりシールド層（金属層）１６を形成した。
【００３９】
次に、封止樹脂層１３とシールド層１６とを形成した集合基板２１をダイシング装置等を用い、基板１１の境界線に沿ってマトリクス状に切断する（分離工程）。これにより回路モジュール１０が完成する。集合基板２１を切断する際に、個々の基板１１、封止樹脂層１３及びシールド層１６の各側面が面一に形成された回路モジュール１０が得られる。
【００４０】
上述した第１の実施形態の製造方法によれば、簡単な工程により効率よく表面部のシールド構造を形成することができ、また、複数の基板がマトリクス状に連設された集合基板２１を用いているので、従来例のような基板材料の無駄を大幅に低減することができる。
【００４１】
さらに、集合基板２１の状態で封止樹脂層１３を形成すると共に集合基板２１の分離と共にバリ取り等の整形を同時に行うことができるので、集合基板を用いずに従来の個々の基板を用いて製造する場合に比べて工程数が削減される。また、樹脂成形技術として知られているＦＡＭＥ法樹脂成形技術を用いて封止樹脂層１３を形成した場合、基板上へのフラッシュバリ抑制でバリ取り工程不要、圧痕不良低減、チップダメージ低減、樹脂選択容易、離型剤不要、などの利点があり、リード露出タイプパッケージにおける樹脂バリ抑制効果に有効である。
【００４２】
このように、封止樹脂層１３をＦＡＭＥ法によって形成すると、電子部品１２の周囲に隙間無く封止樹脂層１３を形成することができ、回路モジュール１０の耐久性を高めることができる。
【００４３】
また、上記回路モジュール１０は、封止樹脂層１３がＦＡＭＥ法によって形成されるため、封止樹脂層１３の表面を平滑に形成できるので自動装着機による吸着が容易である。さらに、高密度実装が容易に可能である。
【００４４】
また、集合基板の切断に、ダイシング装置を用いたが、これに限らず、レーザ、ウォーター、ワイヤー等で集合基板を各基板に切断しても良い。この場合、基板形状を丸形、三角形、その他の多角形、或いは本発明の回路モジュールを収納するケースに合わせて柔軟に整形することができる。
【００４５】
また、本実施形態では回路モジュール１０の機能を特に限定していないが、本発明は種々の回路モジュールに適用可能である。例えば、高周波パワーアンプ、電子ボリューム、ＤＣ／ＤＣコンバータ、ＦＥＴスイッチ、小電力テレメータ、キーレス送信機、インバータ、等の回路モジュールに適用可能である。
【００４６】
次に、本発明の第２の実施形態における回路モジュールについて説明する。図６は、本発明の第２の実施形態における回路モジュールを示す外観斜視図、図７はその封止樹脂層とシールド層を除く外観斜視図、図において、１０は回路モジュールで、所定厚さ（例えば厚さ４ｍｍ）の直方体形状を成し、プリント配線が形成された基板１１と、基板１１の部品実装面（一方の主面：上面）に実装された複数の電子部品１２と、電子部品１２を覆うように基板１１の上面に形成された封止樹脂層（封止樹脂部）１３と、搭載する電子部品及び電子部品種よりも背が高く、前記封止樹脂層１３の上面に頭が露出するように基板１１上に配設された端子電極（ポストリード）１４と、封止樹脂層１３の表面に形成された電磁界からの影響を遮蔽するシールド層（電磁界シールド層）１６とから構成されている。ポストリード１４は、柱状のものであれば、円柱、管柱、角柱、多角柱など、いかなる形状のものでもよく、また、球状のものでもよい。
【００４７】
基板１１は、例えば上面が長方形を成す厚さ１ｍｍのセラミック基板からなる。封止樹脂層１３は、例えば、絶縁性、防水性又は耐熱性を有する熱硬化性樹脂或いは紫外線硬化性樹脂からなる。耐薬品性を有する樹脂、例えば、電池に使用する電解液漏れによる化学変化を防止するような樹脂等、耐アルカリ性、耐酸性、耐食性のある樹脂を用いても良い。また、例えばフェライトのフィラーを含む樹脂でも良い。また、基板１１はセラミック基板に限らず、ガラスエポキシ基板、紙エポキシ基板、紙フェノール基板等でも良い。
【００４８】
なお、図示の本実施形態では、各図面において、回路モジュール１０は、電子部品１２を封止樹脂層１３により被覆した形態のものを示しているが、本発明の回路モジュール１０において、該封止樹脂層１３を形成することは、必ずしも必須の要件ではないことに留意すべきである。すなわち、該封止樹脂層１３を形成しない回路モジュール１０にあっては、封止樹脂層１３の形成部分は空間となるものであり、搭載する電子部品がショートしないように配設することにより、軽量でかつシールド性と量産性の高い回路モジュール１０を得ることができるものである。
【００４９】
図８は、図６に示した回路モジュール１０のＢ−Ｂ断面図で、ポストリード１４とシールド層１６の断面構造を示す。ポストリード１４の上面は、封止樹脂層１３の上面に露出してシールド層１６の裏面と接触して導電接続する構造となっている。シールド層１６は、上面が平坦面であり、平坦面の周囲には側縁から鉛直下方に延長する側面を持ち、該側面は前記平坦面部分の厚みを超える高さに形成されており、少なくとも電磁界シールド効果を生ずるに十分な高さに形成されている。また、シールド層１６の各側面１６´は、基板１１と封止樹脂層１３の側面と面一に形成されており、その側面１６´の下端部（エッジ）が基板１１に達するよう構成されている。前記シールド層１６の側面１６´の下端部（エッジ）が基板１１に達するように形成されているので、回路モジュールの側面は外部に対して完全に遮蔽された構造に形成される。この場合は、個別モジュールタイプの金属製ケースと同等のシールド効果を有する量産向けの回路モジュールが提供できる。
【００５０】
次に、上述した回路モジュール１０の製造方法を図９に示す工程説明図を参照して説明する。本実施形態の製造工程においては、図示の集合基板製造工程、電子部品実装工程、ポストリード実装工程、封止樹脂層形成工程までは、前記第１の実施形態と同じであるので、説明は省略する。
封止樹脂層形成工程の後に、図１０に示すように、固体化した封止樹脂層１３の上面に縦方向にライン状に幅広のダイシングブレード２５で切削して溝２０を形成し、次に同じく横方向を切削して溝を形成する（溝切削工程、図１０ａ，ｂ参照）。ここで切削する深さは、封止樹脂層１３の厚みとする。
【００５１】
さらに、切削した後、封止樹脂層１３の上面にシールド層１６を形成する（シールド層形成工程、図１０ｃ参照）。シールド層１６を形成する材料としては、導電性を有する材料であればよく、金属板や金属膜などの材料の他に金属フィラーを含む樹脂等導電性を有する材料を型に流し込んで形成するか、又は金属性メッキを用いて形成することができる。ここでは、封止樹脂層１３の上面に、金属フィラーを分散させた樹脂を塗布して硬化させることによりシールド層（金属層）１６を形成した。
【００５２】
次に、シールド層１６を形成した集合基板２１をダイシング装置等を用いて切断する。このとき、前記封止樹脂層１３の切削に使用したダイシングブレード２５よりも幅の狭いダイシングブレード２６を使用する。そして、個々の基板１１間の境界線の前記ラインに沿ってマトリクス状に切断することにより回路モジュール１０の本体が得られる（分離工程、図１０ｄ参照）。
【００５３】
このようにダイシング装置を用いて前記溝２０の幅よりも狭いダイシングブレード２６で切断すると、切断後においてはシールド層１６が側面に露出して封止樹脂層１３を包み込むようにして被覆した構造に形成できる。この切断されたシールド層１６の側面１６´は、基板１１の側面と面一に形成できると共に切断面が非常に滑らかな面になり、バリ取り等の整形を同時に行うことができる。
さらに、封止樹脂層１３が防水性を有しているので、湿式の切断方法を用いることも可能である。
このようにして、回路モジュール１０が完成する。
【００５４】
上述した第２の実施形態の製造方法によれば、簡単な工程により効率よく側面部のシールド構造を形成することができ、また、複数の基板がマトリクス状に連設された集合基板２１を用いているので、従来例のような基板材料の無駄を大幅に低減することができる。
【００５５】
さらに、集合基板２１の状態で封止樹脂層１３を形成すると共に集合基板２１の分離と共にバリ取り等の整形を同時に行うことができるので、集合基板を用いずに従来の個々の基板を用いて製造する場合に比べて工程数が削減される。また、樹脂成形技術として知られているＦＡＭＥ法樹脂成形技術を用いて封止樹脂層１３を形成した場合、基板上へのフラッシュバリ抑制でバリ取り工程不要、圧痕不良低減、チップダメージ低減、樹脂選択容易、離型剤不要、などの利点があり、リード露出タイプパッケージにおける樹脂バリ抑制効果に有効である。
【００５６】
このように、封止樹脂層１３をＦＡＭＥ法によって形成すると、電子部品１２の周囲に隙間無く封止樹脂層１３を形成することができ、回路モジュール１０の耐久性を高めることができる。
【００５７】
また、上記回路モジュール１０は、封止樹脂層１３がＦＡＭＥ法によって形成されるため、封止樹脂層１３の表面を平滑に形成できるので自動装着機による吸着が容易である。さらに、高密度実装が容易に可能である。
【００５８】
また、集合基板の切断に、ダイシング装置を用いたが、これに限らず、レーザ、ウォーター、ワイヤー等で集合基板を各基板に切断しても良い。この場合、基板形状を丸形、三角形、その他の多角形、或いは本発明の回路モジュールを収納するケースに合わせて柔軟に整形することができる。
【００５９】
また、本実施形態では回路モジュール１０の機能を特に限定していないが、本発明は種々の回路モジュールに適用可能である。例えば、高周波パワーアンプ、電子ボリューム、ＤＣ／ＤＣコンバータ、ＦＥＴスイッチ、小電力テレメータ、キーレス送信機、インバータ、等の回路モジュールに適用可能である。
【００６０】
次に、本発明の第３の実施形態を説明する。
第３の実施形態により形成される回路モジュール１０の構造は前述した図６の第２の実施形態によるものと同一構成のものであるから、その説明を省略する。また、第３の実施形態と第２の実施形態との製造方法の相違点は、封止樹脂層１３上面の溝の成形を切削による形成に代えて、金型により成形するようにしたことである。
【００６１】
この実施形態において、図１１に示すように、封止樹脂層の形成に使用する金型は、上金型３３の成型面に個々の基板の境界に対応する位置に格子状に配置した突条３５を予め形成した金型を用いる。
【００６２】
そして、電子部品１２とポストリード（端子電極）１４とを実装した集合基板２１を基台３１にセットしてから、前述した樹脂を集合基板２１の上面側に供給して、第１の実施形態と同様にＦＡＭＥ法により前記突条３５により形成された凹状の２０溝を有する封止樹脂層１３を形成する（封止樹脂形成工程、図１１ａ，ｂ，ｃ参照）。
【００６３】
次いで、シールド層形成に使用する金型（図示せず）の基台上面に前記凹状溝を上にして封止樹脂層１３を載置し、その上方部の空間にシールド層１６を形成する導電性樹脂等のシールド材を供給する（シールド層形成工程、図１１ｄ参照）。その際、前記溝２０にシールド材が流れ込むと共にシールド層１６が封止樹脂層１３と一体的に形成される。その後、第１の実施形態と同様に、シールド層１６を形成した集合基板２１をダイシング装置等を用いて切断して分離する（分離工程、図１１ｅ参照）。このとき、ダイシング等の切断に使用するダイシングブレードは、前記封止樹脂層１３に形成した前記溝２０の幅よりも狭い幅のダイシングブレード２６を使用する。そして、個々の基板１１間の境界線のラインに沿ってマトリクス状に切断することにより回路モジュール１０の本体が得られる。
【００６４】
このようにダイシング等により切断された回路モジュール１０は、シールド層１６の側面（エッジ）１６´が分離切断により露出して封止樹脂層１３を包み込むようにして被覆した構造に形成でき、しかも基板１１の側面と面一に形成できると共に切断面が非常に滑らかな面になり、バリ取り等の整形をも同時に行うことができる。そして、シールド面となる前記溝等の形成が金型により形成できるので、量産向けに好適な製造方法が提供できる。
【００６５】
次に、本発明の第４の実施形態を説明する。
図１２は、第４の実施形態における回路モジュール６０を示す外観斜視図である。図において、前述した第１の実施形態と同一構成部分は同一符号をもって表しその説明を省略する。また、第４の実施形態と第１の実施形態との相違点は、基板１１の境界に沿って連続的に端子電極１４を配置し、該端子電極１４が封止樹脂層１３の側面部に露出するように構成したことである（図１３参照）。また、シールド層１６は第１の実施形態のような平坦面だけで形成されている。これにより、回路モジュール６０の側面に該端子電極１４の端面１４´とシールド層１６とで封止樹脂層１３を包み込むように被覆したシールド構造が形成される。このようにシールド層１６と端子電極１４とでシールド面を形成することにより、電子部品を完全に被覆して、強力な電磁界シールド効果を持たせることができ、ＥＭＣ（Ｅｌｅｃｔｒｏ−Ｍａｇｎｅｔｉｃ  Ｃｏｍｐａｔｉｂｉｌｉｔｙ）対策に効果を発揮することができる。
【００６６】
上記回路モジュール６０は次のようにして製造する。
図１４，図１５に示すように、複数の回路モジュール６０の基板１１がマトリクス状に連設された集合基板２１を形成する（集合基板製造工程）。
【００６７】
次いで、この集合基板２１の上面に電子部品１２を実装すると共に、端子電極１４となる端子電極部材６２を実装する（電子部品実装工程）。端子電極部材６２は、柱状の端子電極部材で、基板１１に搭載する電子部品１２よりも背が高く形成されたものであるが、ここでは、封止樹脂層１３の厚みと同じ長さを有する円柱形状を成している。この端子電極部材６２は、基板間に基板境界線を跨ぐようにして連続的な配置で実装される。
【００６８】
次いで、集合基板２１の上面側にＦＡＭＥ法又は真空印刷法により封止樹脂層１３を形成する（封止樹脂層形成工程）。
【００６９】
さらに、封止樹脂層１３の上面に金属層（シールド層）１６を形成する（金属層形成工程）。ここでは、封止樹脂層１３の上面に、金属フィラーを分散させた樹脂を塗布して硬化させることにより金属層１６を形成した。
【００７０】
次に、封止樹脂層１３と金属層１６とを形成した集合基板２１をダイシング装置等を用い、基板１１の境界線に沿ってマトリクス状に切断することにより回路モジュール６０が完成する。集合基板２１を切断する際に、端子電極部材６２も切断され、端子電極部材６２の切断面が回路モジュール６０の側面に露出する。なお、各端子電極部材６２の外周面にはバッキングにより絶縁膜が形成されており、端子電極部材同士は絶縁されているものである。
【００７１】
上記製造方法によれば、集合基板２１を個々の基板１１に対応して分離する工程において端子電極部材６２が両断されるので、封止樹脂層１３の切断面に端子電極部材６２の切断面１４´が露出され、端子電極１４で構成される回路モジュール６０の側面はシールド構造として機能するものである。
【００７２】
したがって、端子電極１４の端面１４´を基板１１の側面を含む平面内に形成する加工を極めて容易に行うことができる。これにより、端子電極１４の端面１４´が露出した側面を親回路基板に対向させて実装する際の安定性を高めることができる。したがって、該側面はシールド層としての機能を有効に発揮することができるので、搭載電子部品に対する静電遮蔽や磁気遮蔽に有効な電磁界シールド効果を有するものである。
【００７３】
また、シールド層は、金属層に限らず耐薬品性を有する層を形成することも容易である。例えば、耐アルカリ性、耐酸性又は耐食性を有する部材で本発明の回路モジュールの周囲をコーディングして保護層を形成しても良い。この場合、電池やバッテリーの近くに配置したときの、信頼性の低下を防止することができる。
【００７４】
前述の構成よりなる回路モジュール６０は、その側面を親回路基板に対向させて実装することができ、実装面積の削減及び高密度実装を可能にする。また、自動実装機を使用した親回路基板への実装も容易に行えることは前述と同様である。
【００７５】
なお、この第４実施例では、端子電極１４を基板１１の側面全周に密着配置した実施例について説明したが、基板１１の一部の側面のみに端子電極１４を配置してもよく、シールド性を必要とする方向等に応じて適宜選択することができるものである。
【００７６】
次に、本発明の第５の実施形態を説明する。
図１６は、第５の実施形態における回路モジュール５０を示す外観斜視図、図１７はその封止樹脂層とシールド層を除く外観斜視図である。図において、前述した第４の実施形態と同一構成部分は同一符号をもって表しその説明を省略する。また、第５の実施形態と第４の実施形態との相違点は、第４の実施形態における側面に基板１１の境界に跨って連続的に隣接配置された端子電極部材６２に代えて断続的に配置した端子電極部材５２を設けたことである。
【００７７】
即ち、第４の実施形態における基板１１の上面（部品実装面）に端子電極接続用のランド（図示省略）が形成されている基板１１´を用いた。それぞれのランドに円柱裁断形状の端子電極５１の一端が半田付けされて、基板１１´の辺に沿って配置されている。さらに、端子電極５１の他端面は、封止樹脂層１３の表面で外部に露出している。
【００７８】
前述の構成よりなる回路モジュール５０は、基板１１´の側面やシールド層１６の上面を親回路基板に対向させて実装したり、コネクタを用いたプラグイン式の接続によって実装することができる。また、自動実装機を使用した親回路基板への実装も容易に行えることは前述と同様である。
【００７９】
次に、上記回路モジュール５０の製造方法を図１８に示す工程説明図を参照して説明する。本実施形態においても図１９に示すような集合基板を用いた。図１９は、部品実装した集合基板２１´の外観を示している。
【００８０】
まず、複数の回路モジュール５０の基板１１´がマトリクス状に連設された集合基板２１´を形成する（集合基板製造工程）。ここでは、１６個の基板１１´を４×４のマトリクス状に配置した集合基板２１´を形成した。
【００８１】
次いで、この集合基板２１´の上面に電子部品１２を実装すると共に、端子電極部材５２を実装する（電子部品実装工程）。ここで、端子電極部材５２は円柱形状を成している。この端子電極部材５２は、その端面がランド（図示省略）に面接触するように半田付けによって実装される。
【００８２】
この後、集合基板２１´の上面に電子部品１２及び端子電極部材５２（頭部を除く）を覆うようにバッキング剤をコーティングする（バッキング工程）。
【００８３】
次いで、集合基板２１´の上面側にＦＡＭＥ法又は真空印刷法を用いて封止樹脂層１３を形成して、封止樹脂層１３の表層部分に端子電極部材５２の頭部を露出させる（封止樹脂層形成工程）。
【００８４】
さらに、封止樹脂層１３の上面に金属層（シールド層）１６を形成する（金属層形成工程）。ここでも、封止樹脂層１３の上面に、金属フィラーを分散させた樹脂を塗布して硬化させることにより金属層１６を形成した。
【００８５】
次に、封止樹脂層１３と金属層１６と共に集合基板２１´をダイシング装置等を用い、基板１１´の境界線に沿ってマトリクス状に切断することにより回路モジュール５０が完成する。
【００８６】
上記製造方法によれば、集合基板２１´を切断する際に、端子電極部材５２も両断され、端子電極部材５２の切断面１４´が露出する。そして、回路モジュール５０の側面には、封止樹脂層１３の側面と端子電極５１の端面１４´とが交互に表れるシールド構造となる。
【００８７】
これにより、端子電極５１の固定の強化及び端面加工を極めて容易に行うことができる。
【００８８】
また、基板１１の主面に垂直な面に端子電極端面１４´を露出させているので、回路モジュール５０を親回路基板に固着し端子電極５１を半田付けなどによって導電接続することにより、実装密度を高めることができる。さらに、コネクタ等に回路モジュール５０を挿入して端子電極５１をコネクタピンと接続することも可能になる。
【００８９】
次に、本発明の第６の実施形態を説明する。
図２０は、第６の実施形態における回路モジュール７０を示す外観図、図２１はその封止樹脂部及びシールド層（金属層）を除く外観斜視図である。図において、前述した第５の実施形態と同一構成部分は同一符号をもって表しその説明を省略する。また、第６の実施形態と第２ないし５の実施形態との相違点は、端子電極と熱伝導部材とを組合せ配置した回路モジュール７０の側面のシールド構造を形成したことである。図２１に示すように基板７１の上面に発熱性電子部品等を実装し、さらにランド（図示せず）と金属層１６とを端子電極７４によって導電接続し、発熱性電子部品の熱を熱伝導部材７５を介して金属層１６に熱伝導できるようにしたものである。
【００９０】
この第６の実施形態では、熱伝導部材７５及び端子電極７４として金属を使用しているが、これに限定されることはなく、製造しやすく効率良く上記効果を発揮できる部材を適宜選択して使用することが好ましい。なお、ここでは熱伝導部材７５と端子電極７４とを交互に配設した例を示したが、この配設形態は適宜選択されるものである。また、熱伝導部材７５と端子電極７４の外周面はバッキング等により相互に絶縁されている。
【００９１】
このように金属層１６と端子電極７４と熱伝導部材７５とで発熱性電子部品を封止した封止樹脂部１３を包被することにより、電磁界シールド効果をより高めることができＥＭＣ（Ｅｌｅｃｔｒｏ−Ｍａｇｎｅｔｉｃ  Ｃｏｍｐａｔｉｂｉｌｉｔｙ）対策に大きな効果を発揮することができる。また、発熱性電子部品から発生した熱を金属層１６に熱伝導させることにより、金属層１６の面積に応じて放熱効果を高めることができる。さらに、発熱性電子部品から発生した熱は金属層１６及び端子電極７４を介して親回路基板へも熱伝達可能になるので、さらに放熱効果を高めることができる。本実施例におけるシールド層の製造工程は、前述の各実施形態において述べた製造工程と同じ工程により実施できる。
【００９２】
（変形例）本発明の実施の形態の変形例としては、次のようなものがある。
【００９３】
（変形例１）第２、第３の実施形態において、図２２，図２３に示すように、個々の基板１１の境界に沿う集合基板８１上面に格子状の突条８２を形成する集合基板８１の構造とする。所要の成形工程後に、ダイシング加工により個々の基板に分離する。こうして得られる回路モジュールは、基板の側面から上方に立ち上がるエッジ８２´が前記突条８２の切断により形成されるので、このエッジ８２´とシールド層１６のエッジ１６´によりシールド面が形成される。この場合、基板１１とシールド層１６の両エッジとが突合わされるようにした構造は、ポストリードが省略できる。
【００９４】
（変形例２）上記変形例１において、基板１１の前記突条８２の切断により形成される前記エッジ８２´とシールド層１６のエッジ１６´との付き合せた面に封止樹脂の連通穴が形成されるように、集合基板８１の形成工程において前記突条８２に凹部を形成する集合基板の構造とする。この場合は、樹脂層の成形工程において，基板間の連絡が形成されるので、樹脂層間の結合が強まり、以後の成形加工が容易となる。
【００９５】
（変形例３）第４，５の実施形態において、個々の基板の境界に沿って端子電極を配置する場合、端子電極の配置に沿う部分のみに封止樹脂部を形成してもよい。このようにしても端子電極の端面を底面として回路モジュールを親回路基板に実装可能となる。
【００９６】
（変形例４）第４の実施形態において、集合基板上面に個々の基板の境界に沿って柱状の端子電極（ポストリード）１４を配置するのに代えて、図２４，図２５に示すように、棒状の端子電極２４を使用して基板１１の側面に沿ってシールド層１６と基板１１との間に通して横置きに配設してもよい。
【００９７】
（変形例５）変形例５は、図２６に示すように、上述の実施形態とはポストリード（端子部品）１４の配置態様が若干異なり、ポストリード１４を封止樹脂層１３の端面に露出させ、シールド層１６の端面と接触する構造とし、シールド層１６の天井面には達しないように構成したことを特徴とする。この構成により、シールド層１６の天井面を低くして回路モジュール１０を一層薄い構造とすることができるので、小型化に貢献することができる。
【００９８】
（変形例６）変形例６は、変形例５の製造方法であり、図２７に示すように、ポストリード（端子部品）１４を集合基板２１に実装する際、分離ラインを跨るように配置して実装し、その上に封止樹脂をモールドして前記ポストリード１４を埋没させて封止樹脂層１３を形成し固体化させる工程を経た後、分離ラインに沿って少なくとも集合基板２１表面までダイシング装置等により切削して、第１の実施形態と同様の溝２０を形成するハーフカット工程（図１０参照）を置き、その後にシールド層形成工程で該溝を埋めるように封止樹脂層１３上に導電性樹脂などから成るシールド材を流し込んでシールド層１６を形成し、最後の分離工程では、前記溝２０の幅よりも狭いダイシングブレードなどにより個々の基板に分離切断する。これにより、シールド層１６が端面にも露出するように個片化して回路モジュール１０を得るものである。この変形例の製造方法によれば、ポストリード１４がシールド層１６とハーフカット断面で接触されるように形成できるので、シールド層１６とポストリード１４との確実な導通が達成できる。
【００９９】
（変更例）なお、本発明の実施の形態は上記に限定されるものではなく、例えば次のように変更してもよい。
【０１００】
変更例１では、集合基板を形成する工程と、前記集合基板に電子部品を実装する工程と、前記集合基板に端子電極部材を実装する工程と、前記部品が実装された集合基板上に封止樹脂部を形成する工程と、前記封止樹脂部の表層にシールド層を形成する工程と、前記封止樹脂部及びシールド層が形成された集合基板を個々の基板に分離する工程とを有し、前記封止樹脂部の形成工程では、前記端子電極部材の上端面が該封止樹脂部に埋没することなく該封止樹脂部上面の同一平面内に露出するとともに、前記シールド層の形成工程では、前記端子電極部材の前記上端面が該シールド層に接触して導電接続されるように形成する工程とから成る回路モジュールの製造方法において、前記集合基板を個々の基板に分離する工程では、前記封止樹脂部を包被する前記シールド層の周側面が分離面に露出されるように切断することを特徴とする回路モジュールの製造方法を提案する。
【０１０１】
該回路モジュールの製造方法によれば、複数の基板がマトリクス状に連設された集合基板を用い、最終的にこの集合基板を分離して回路モジュールを得るので、その分離工程により、シールド層が封止樹脂部の周側面を包被するように形成されるため、前記電子部品が該シールド層により遮蔽されることになり、電子部品に対する静電や磁気などの電磁界の影響をほとんど皆無となるように阻止できる。そして、端子電極部材を利用してシールド層とグランドとの導通をとる仕組みとした配置構造を採用したことにより、封止樹脂部上面の平坦部をシールド層を形成する土台として利用できるものであるから、導電接続の安定性と確実性が図れるものである。また、ダイシング装置による切断であるため、基板材料の無駄が大幅に低減され、さらに、集合基板の分離と共に、バリ取り等の整形を同時に行うことが可能である。また、集合基板の状態で前記封止樹脂部を形成するので、集合基板を用いずに個々の基板を用いて製造する場合に比べて工程数が削減される。さらにまた、前記封止樹脂部及び前記シールド層によって前記電子部品は外部から保護される。
【０１０２】
また、変更例２では、変更例１記載の回路モジュールの製造方法において、前記封止樹脂部の形成工程では、分離工程での切断位置に対応する該封止樹脂部に、ライン状の溝が格子状に形成されるように、予め突条を設けた形成金型を用いて前記封止樹脂部を形成する回路モジュールの製造方法を提案する。
【０１０３】
該回路モジュールの製造方法によれば、封止樹脂部の形成が金型の使用によりシールド層の形成が効率よく、しかも高精度に製造できるので、量産化のメリットが十分に活用できる。また、これにより、回路モジュールの側面部における高能率の電磁界シールド効果等を図ることができる。
【０１０４】
また、変更例３では、変更例１記載の回路モジュールの製造方法において、前記封止樹脂部を形成して固体化した後に、分離工程での切断位置に対応する該封止樹脂部に、ライン状の溝を切削により形成する回路モジュールの製造方法を提案する。
【０１０５】
該回路モジュールの製造方法によれば、前記封止樹脂部を固体化した後に、前記溝を切削して形成するので溝の加工が容易であり、精度よく加工でき、かつ量産化にも適している。
【０１０６】
また、変更例４では、変更例２に記載の回路モジュールの製造方法において、前記金型は上型上面に前記突条が形成されている回路モジュールの製造方法を提案する。
【０１０７】
該回路モジュールの製造方法によれば、前記突条は金型の成型面に形成されており、封止樹脂部の成形に金型を使用するので、量産化に適している。
【０１０８】
また、変更例５では、変更例１記載の回路モジュールの製造方法において、前記封止樹脂部に溝を形成する工程の後で、前記シールド層を形成する工程では、前記封止樹脂層に形成した前記溝を埋設するようにシールド材料を流し込んでシールド層を形成し、しかる後、個々の基板に対応して分離する工程においてダイシング手段により前記溝を両断するようにして個片化する回路モジュールの製造方法を提案する。
【０１０９】
該回路モジュールの製造方法によれば、シールド層の形成において、切削加工した後の前記溝に対する導電性樹脂等の材料の流し込みが容易にでき、量産化も十分に可能である。また、前記電子部品に対して静電遮蔽及び磁気遮蔽する前記電磁界シールド層或いは放熱層、金属層の成形も容易である。
【０１１０】
また、変更例６では、変更例５記載の回路モジュールの製造方法において、前記封止樹脂層に溝を設ける工程を、該溝をダイシング手段によるハーフカットにより形成し、前記分離工程ではダイシング手段によるフルカットにて個片化するようにして、ダイシング工程を２段階に分けて行うようにした回路モジュールの製造方法を提案する。
【０１１１】
該回路モジュールの製造方法によれば、前記封止樹脂部を固体化した後に行う前記溝の切削がダイシング装置によるハーフカットで加工するので、切削のための特別な装置を別に準備する必要がなく、その溝の深さ調整も容易に行うことができる。また、ハーフカットにより溝を基板面まで切削するので、集合基板の分離後に露出される回路モジュールの側面は、外部から完全に遮蔽された構造に形成することができる。
【０１１２】
また、変更例７では、変更例６記載の回路モジュールの製造方法において、前記封止樹脂層に溝を設ける工程で、分離に使用するダイシング手段のブレードより幅広のブレードにて溝を形成するようにした回路モジュールの製造方法を提案する。
【０１１３】
該回路モジュールの製造方法によれば、前記溝の切削に使用するダイシング手段のブレードは、分離工程において使用するブレードと交換するだけで良いので、作業が効率良く行うことができ、また溝幅の加工寸法等の調整も容易に行うことができる。
【０１１４】
また、変更例８では、集合基板を形成する工程と、前記集合基板に電子部品を実装する工程と、前記集合基板に端子電極部材を実装する工程と、前記部品が実装された集合基板上に封止樹脂部を形成する工程と、前記封止樹脂部の表層にシールド層を形成する工程と、前記封止樹脂部及びシールド層が形成された集合基板を個々の基板に分離する工程とを有し、前記封止樹脂部の形成工程では、前記端子電極部材の上端面が該封止樹脂部に埋没することなく該封止樹脂部上面の同一平面内に露出するとともに、前記シールド層の形成工程では、前記端子電極部材の前記上端面が該シールド層に接触して導電接続されるように形成する工程とから成る回路モジュールの製造方法において、前記端子電極部材の実装工程では、前記集合基板上面の所定の分離位置に対応し、かつ隣接する基板の境界線に交叉するように該隣接基板に跨って前記端子電極部材を実装し、前記封止樹脂部及び前記シールド層が形成された集合基板を個々の基板に対応して分離する工程において前記端子電極部材を両断することを特徴とする回路モジュールの製造方法を提案する。
【０１１５】
該回路モジュールの製造方法によれば、前記集合基板を個々の基板に対応して分離する工程において、隣接する基板の境界線に交叉するように該隣接基板に跨って配設した端子電極部材が両断するように切断分離されるので、前記封止樹脂部の切断面に前記端子電極部材の露出面を極めて容易に形成することができる。これにより、端子電極の加工を容易に行えると共に、該方法によって製造された回路モジュールの側面すなわち前記切断面を親回路基板に対向させて実装することが可能になる。
【０１１６】
また、変更例９では、変更例１又は８記載の回路モジュールの製造方法において、前記封止樹脂部を形成する工程以前に、前記集合基板上に熱伝導部材を実装する工程を有すると共に、前記封止樹脂部を形成する工程では、前記熱伝導部材の少なくとも一部の上端面が前記シールド層に接触接続するように前記封止樹脂部を形成する回路モジュールの製造方法を提案する。
【０１１７】
該回路モジュールの製造方法によれば、前記発熱性電子部品から発せられた熱を効率よく発散できる回路モジュールを容易に製造できる。即ち、前記発熱性電子部品から発生した熱は前記熱伝導部材を伝達し、前記シールド層の表面部分から効率良く外部に発散される。
【０１１８】
また、変更例１０では、変更例１又は８記載の回路モジュールの製造方法において、前記シールド層は、前記熱伝導部材に接触する放熱層及び金属層の少なくとも１つから成る回路モジュールの製造方法を提案する。
【０１１９】
該回路モジュールの製造方法によれば、さらに放熱効果の高い回路モジュールを容易に製造できる。即ち、前記熱伝導部材を伝達する熱は前記放熱層或いは金属層に熱伝達され、これらの表面積に応じて効率よく発散される。
【０１２０】
また、変更例１１は、変更例１又は８記載の回路モジュールの製造方法において、前記封止樹脂部を形成する工程では、前記集合基板の主面全域に真空印刷法又はＦＡＭＥ法を用いて所定厚さの前記封止樹脂部を形成する回路モジュールの製造方法を提案する。
【０１２１】
該回路モジュールの製造方法によれば、前記封止樹脂層は真空印刷法又はＦＡＭＥ法によって形成されるので、電子部品の周囲に隙間無く封止樹脂部を形成することができる。
【０１２２】
また、変更例１２では、変更例１又は８記載の回路モジュールの製造方法において、前記ＦＡＭＥ法を用いて封止樹脂部を形成する工程では、上型面又は下型面をフィルムで覆い、端子電極部材の前記他端が前記封止樹脂部に埋没することなく、前記シールド層に対する導電接続部が露出して形成されるようにした回路モジュールの製造方法を提案する。
【０１２３】
該回路モジュールの製造方法によれば、ＦＡＭＥ法による形成に前記端子電極部材の上表面を覆うようにフィルムを使用すると、端子面が保護されて樹脂バリ取りや型離れも良く、したがって、シールド層に対する導電接続性が良く精度の高い導電接続部を形成することができる。
【０１２４】
また、変更例１３では、変更例１又は８記載の回路モジュールの製造方法において、前記封止樹脂部を形成する工程は、真空状態で前記基板主面上の前記少なくとも１つの電子部品とその周囲所定空間とを含む領域内に、他の領域から分離して樹脂を配置する工程と、その後、非真空状態にして前記電子部品の周囲所定空間内に前記領域内に配置された樹脂を充填する工程とを含む回路モジュールの製造方法を提案する。
【０１２５】
該回路モジュールの製造方法によれば、真空状態で前記少なくとも１つの電子部品の周囲所定空間を含む領域内に配置された樹脂は、真空状態から非真空状態にされると、前記電子部品の周囲に樹脂が充填されない部分が生じていても外気圧によってこの部分に樹脂が押し込まれ、前記電子部品の周囲には隙間無く樹脂が充填される。
【０１２６】
また、変更例１４では、変更例１又は８記載の回路モジュールの製造方法において、前記封止樹脂部の表面に電磁界シールド層、放熱層及び金属層のうちの少なくとも１つを形成する工程を有する回路モジュールの製造方法を提案する。
【０１２７】
該回路モジュールの製造方法によれば、前記封止樹脂部の表面に形成された電磁界シールド層或いは金属層によって電磁界が遮蔽されるので、電磁界シールド膜の形成を容易に行うことができる。さらに、該電磁界シールド膜がＥＭＣ対策に効果を発揮する。また、前記封止樹脂部の表面に形成されたシールド層である放熱層或いは金属層によって放熱効果が高まるので、放熱効果の高い回路モジュールを容易に製造できる。
【０１２８】
また、変更例１５では、変更例１４記載の回路モジュールの製造方法において、  前記電磁界シールド層は、フェライトフィラー及び金属フィラーの少なくとも１つを分散した樹脂を用いて形成する回路モジュールの製造方法を提案する。
【０１２９】
該回路モジュールの製造方法によれば、フェライトフィラー或いは金属フィラーを分散した樹脂を用いて前記電磁界シールド層を形成するので、前記電磁界シールド層を容易に形成することができる。
【０１３０】
また、変更例１６では、変更例１又は８記載の回路モジュールの製造方法において、絶縁性樹脂を用いて前記封止樹脂部を形成する回路モジュールの製造方法を提案する。
【０１３１】
該回路モジュールの製造方法によれば、前記封止樹脂部を絶縁性樹脂を用いて形成するので、封止樹脂部の形成を容易に行うことができる。
【０１３２】
また、変更例１７では、変更例１又は８記載の回路モジュールの製造方法において、フェライトフィラー及び金属フィラーの少なくとも１つを分散した樹脂を用いて前記封止樹脂部を形成する回路モジュールの製造方法を提案する。
【０１３３】
該回路モジュールの製造方法によれば、前記封止樹脂部自体によって電磁界シールド層を形成することができる。
【０１３４】
また、変更例１８では、変更例１又は８記載の回路モジュールの製造方法において、前記封止樹脂部及びシールド層が形成された集合基板を個々の基板に対応して分離する工程では、ダイシング装置を用いて集合基板を切断する回路モジュールの製造方法を提案する。
【０１３５】
該回路モジュールの製造方法によれば、ダイシング装置を用いて前記封止樹脂部及びシールド層が形成された集合基板を切断するので、非常に簡単に且つ切断面を綺麗に切断することができる。
【０１３６】
また、変更例１９では、変更例１８記載の回路モジュールの製造方法において、前記封止樹脂部を形成する工程は、前記真空印刷法又はＦＡＭＥ法を用いて封止樹脂部を形成した後に該封止樹脂部の表面に非真空状態及び真空状態の何れか一方でさらに封止樹脂層を形成する回路モジュールの製造方法を提案する。
【０１３７】
該回路モジュールの製造方法によれば、真空印刷法又はＦＡＭＥ法を用いて形成した封止樹脂部の表面に非真空状態或いは真空状態でさらに封止樹脂層を形成するので、前記封止樹脂層の表面が平坦化される。これにより製造された回路モジュールは吸着型自動実装機を用いて容易に親回路基板への実装を行うことができる。
【０１３８】
また、変更例２０では、変更例１又は８記載の回路モジュールの製造方法において、防水性を有する材料を用いて前記封止樹脂部を形成する回路モジュールの製造方法を提案する。
【０１３９】
該電子部品の製造方法によれば、前記封止樹脂部が防水性を有しているので、個々の基板単位に分離する工程において湿式の切断装置を用いることができる。
【０１４０】
また、変更例２１では、変更例１又は８記載の回路モジュールの製造方法において、前記集合基板を個々の基板に対応して分離する工程は、前記封止樹脂部が形成された集合基板を前記マトリクスの第１の方向に切断し、該第１の方向に２つ以上の前記基板が連結されている分離集合基板を得る工程と、前記分離集合基板を前記マトリクスの第１の方向とは異なる第２の方向に切断して個々の基板に分離する工程とを含む回路モジュールの製造方法を提案する。
【０１４１】
該回路モジュールの製造方法によれば、前記封止樹脂部が形成された集合基板を前記マトリクスの第１の方向に切断して得られた分離集合基板に対してリード端子電極を接続する際などの場合に基板を容易に固定することができると共に、基板方向の確認も容易に行うことができる。
【０１４２】
また、変更例２２では、変更例１ないし７記載の回路モジュールの製造方法において、前記集合基板を形成する工程では、該集合基板上面に個々の基板の分離ラインに対応する位置に所定高さの格子状の突条を予め形成する回路モジュールの製造方法を提案する。
【０１４３】
該回路モジュールの製造方法によれば、集合基板の上面に予め分離ラインに対応する位置に格子状の突条を形成するものであるので、該突条の形成加工が容易であり、搭載電子部品等の実装も自動実装機を使用して行えるので、量産にも適している。前記基板に形成する突条の高さは、前記封止樹脂層の厚みの範囲内において、適宜選択することができる。
【０１４４】
変更例２３では、変更例２２記載の回路モジュールの製造方法において、前記シールド層の形成工程では、前記分離ラインに対応する位置に前記封止樹脂部を包被する格子状の突条が前記シールド層に形成される回路モジュールの製造方法を提案する。
【０１４５】
該回路モジュールの製造方法によれば、上記した集合基板の突条と共に、シールド層に形成した前記突条とにより、封止樹脂部を包被した状態で分離切断することができるので、精度よく加工でき、量産にも適した製造方法が提供できる。
【０１４６】
また、変更例２４では、変更例２３記載の回路モジュールの製造方法において、前記集合基板を個々の基板に分離する工程では、互いに前記封止樹脂部を包被する前記基板の前記突条における切断面と前記シールド層の周側面の切断面とが同一面内に露出するように前記集合基板を個々の基板に分離するようにした回路モジュールの製造方法を提案する。
【０１４７】
該回路モジュールの製造方法によれば、集合基板からの分離工程では、前記シールド層と集合基板とが同時に切断されるので、その回路モジュールの側面部となる露出面が簡単かつ平滑で外観も綺麗に切断することができる。これにより、親回路基板への実装と導電接続が確実に行える。
【０１４８】
また、変更例２５では、基板と、該基板上に実装された電子部品と、該電子部品の周囲所定空間を充填するように前記基板の主面に形成された封止樹脂部と、前記封止樹脂部の表面に形成されたシールド層と、一端が前記基板と他端が前記シールド層との間で直接的に導電接続する柱状又は球状の端子電極部材とから成り、前記封止樹脂部は前記基板の主面に所定厚さに形成された直方体形状を成し、前記シールド層の周側面は前記封止樹脂部の周側面を包被し、且つ前記シールド層の周側面と前記基板の周側面とが同一平面内に位置するようにした回路モジュールを提案する。
【０１４９】
該回路モジュールによれば、前記シールド層が封止樹脂部を包被して周側面が分離切断により露出するように形成されるため、回路モジュール内に搭載された電子部品が外部から完全にシールドされることになり、電磁界や静電の影響をほとんど皆無となるように阻止できる。また、この回路モジュールは集合基板の状態で前記封止樹脂部を形成できるので、集合基板を用いずに個々の基板を用いて製造する場合に比べて工程数が削減されると共に、基板材料の無駄が大幅に低減される構造であるので、量産向けの利点を損なうこともない。さらにまた、前記封止樹脂部及び前記シールド層によって搭載する電子部品は外部から保護される。また、電子部品が樹脂によって保護されている複数の基板がマトリクス状に連設されている集合基板を用いた製造が容易となる。
【０１５０】
また、変更例２６では、変更例２５記載の回路モジュールにおいて、前記シールド層が電磁界シールド層である回路モジュールを提案する。
【０１５１】
該回路モジュールによれば、電磁界シールド層によって電磁界が遮蔽され、該回路モジュール内部に搭載した電子部品が保護される。
【０１５２】
また、変更例２７では、変更例２５記載の回路モジュールにおいて、前記シールド層が放熱層或いは金属層である回路モジュールを提案する。
【０１５３】
該回路モジュールによれば、前記シールド層が放熱層或いは金属層としたことによって前記電子部品からの発熱を効率よく発散可能となる。
【０１５４】
また、変更例２８では、変更例２５記載の回路モジュールにおいて、前記柱状又は球状の端子電極部材の周面領域に封止樹脂部が形成されている回路モジュールを提案する。
【０１５５】
該回路モジュールによれば、柱状又は球状の端子電極部材の周面に封止樹脂部が充填されているので、回路モジュール内に確実に固定され、シールド層等に対して安定した導電接続が図れる。
【０１５６】
また、変更例２９では、基板と、該基板に実装された電子部品と、該電子部品の周囲所定空間を充填するように前記基板の上面に形成された封止樹脂部と、前記封止樹脂部の表面に形成されたシールド層と、一端が前記基板主面と他端が前記シールド層との間で直接的に導電接続する多数の柱状又は球状の端子電極部材とから成り、前記封止樹脂部は前記基板の主面に所定厚さに形成された略直方体形状を成し、前記端子電極部材の少なくとも一つの面は該封止樹脂部における側面部境界に露出するように配設され、且つ前記シールド層の周側面と前記端子電極部材の前記露出する面が前記基板の側面と同一平面内に位置するようにした回路モジュールを提案する。
【０１５７】
該回路モジュールによれば、前記端子電極を回路モジュールの側面部境界に配設されるので、電子部品に対する電磁界等の影響からの保護対策を効果的に行うことができる。また、前記端子電極を分離切断により側面部に露出させた構造は、前記側面を親回路基板に対向させた表面実装を容易に行うことが可能になると共に、端子電極の露出位置によって実装方向を確認しやすくなる。
【０１５８】
また、変更例３０では、変更例２９記載の回路モジュールにおいて、前記端子電極部材は前記封止樹脂部に埋設され且つその側面が前記封止樹脂部の側面に連続的に隣接配設され、且つ前記基板の側面と同一面内に露出する回路モジュールを提案する。
【０１５９】
該回路モジュールによれば、前記端子電極を回路モジュールの側面部境界に連続的に隣接配設されるので、電子部品に対する電磁界等の影響を個々のモジュールタイプのものと同等のシールド効果を生じることができるものであり、従来の量産タイプの前記課題を解決することができる。
【０１６０】
また、変更例３１では、変更例２９記載の回路モジュールにおいて、前記端子電極部材は前記封止樹脂部に埋設され且つ前記封止樹脂部の側面に断続的に隣接配設されている回路モジュールを提案する。
【０１６１】
該回路モジュールによれば、電子部品に対する電磁界等の影響による対策を適宜断続的に配置する前記端子電極の個数を調整することにより行うことができる。
【０１６２】
また、変更例３２では、変更例２５又は２９記載の回路モジュールにおいて、前記基板と前記電子部品との間に間隙を有し、前記封止樹脂部は前記間隙を含む前記電子部品の周囲所定空間に形成されている回路モジュールを提案する。
【０１６３】
該回路モジュールによれば、前記基板と電子部品との間の間隙にも樹脂が充填されているので、前記電子部品は確実に固定され耐久性に優れたものとなる。
【０１６４】
また、変更例３３では、変更例２５又は２９記載の回路モジュールにおいて、前記基板は所定厚さの直方体形状をなしている回路モジュールを提案する。
【０１６５】
該回路モジュールによれば、前記基板が所定厚さの直方体形状をなしているので、マトリクス状の集合基板を用いた製造が容易である。
【０１６６】
また、変更例３４では、変更例２５又は２９記載の回路モジュールにおいて、前記基板の側面が露出している回路モジュールを提案する。
【０１６７】
該回路モジュールによれば、前記基板側面に封止樹脂層が形成されていないので、封止樹脂層の材料の無駄を省くことができる。
【０１６８】
また、変更例３５では、変更例２５又は２９記載の回路モジュールにおいて、前記封止樹脂部はフェライトフィラー及び金属フィラーのうちの少なくとも１つを分散した樹脂からなる回路モジュールを提案する。
【０１６９】
該回路モジュールによれば、製造時において前記封止樹脂層を容易に且つ所望の形状に形成することができると共に、前記封止樹脂部が放熱機能や静電遮蔽或いは磁気遮蔽の機能の強化に貢献する。
【０１７０】
また、変更例３６では、変更例２５又は２９記載の回路モジュールにおいて、前記封止樹脂部は絶縁性又は耐熱性の樹脂からなる回路モジュールを提案する。
該回路モジュールによれば、前記封止樹脂部に絶縁性樹脂を用いたときは前記基板の主面及び電子部品の間を前記封止樹脂部によって絶縁可能となり、前記封止樹脂部に耐熱性樹脂を用いたときは前記電子部品を外部の熱から保護することができる。
【０１７１】
また、変更例３７では、  変更例２５又は２９記載の回路モジュールにおいて、前記封止樹脂部は防水性又は耐薬品性の樹脂からなる回路モジュールを提案する。
【０１７２】
該回路モジュールによれば、前記封止樹脂部に防水性樹脂を用いたときは前記電子部品に対する水分の付着が前記封止樹脂部によって防止され、前記封止樹脂部に耐薬品性樹脂、例えば耐アルカリ性、耐酸性、耐食性の樹脂を用いたときは前記電子部品に対してこれらの性質の薬品が付着したときに、前記封止樹脂部によって前記電子部品が保護される。
【０１７３】
また、変更例３８では、変更例２５又は２９記載の回路モジュールにおいて、前記基板の主面に実装された発熱性の電子部品と、該発熱性電子部品に接触して設けられると共に前記封止樹脂部の表面に一部が露出している熱伝導性部材を備えている回路モジュールを提案する。
【０１７４】
該回路モジュールによれば、前記発熱性の電子部品から発生された熱は前記熱伝導性部材を伝達し、前記熱伝導性部材の露出部分から外部に効率よく発散される。
【０１７５】
また、変更例３９では、変更例３８記載の回路モジュールにおいて、  前記封止樹脂部の表面には前記熱伝導性部材の露出部を含む所定領域に放熱層及び金属層の少なくとも一方が形成されている回路モジュールを提案する。
【０１７６】
該回路モジュールによれば、前記熱伝導性部材を伝達する熱は前記放熱層或いは金属層によってその面積に応じた効率で発散される。
【０１７７】
また、変更例４０では、変更例３８記載の回路モジュールにおいて、
前記端子電極部材と前記熱伝導性部材とが基板側面部に配置され、かつその露出面は交互に前記基板の側面とシールド層の側面とを含む同一平面内に配置されている回路モジュールを提案する。
【０１７８】
該回路モジュールによれば、前記端子電極を回路モジュールの側面部境界に配設されるので、電子部品に対する電磁界等の影響を個々のモジュールタイプのものと同等のシールド効果を生じることができるものであり、従来の量産タイプの前記課題を解決することができる。また、側面部に配置された端子電極部材により親回路基板に対する高密度実装が図れると共に、熱伝導性部材の配設により速やかな熱放散が可能となり、電子部品に対する高い保証が実現できる。
【０１７９】
また、変更例４１では、基板と、該基板上に実装された電子部品と、該電子部品の周囲所定空間を充填するように前記基板上に形成された封止樹脂部と、前記封止樹脂部の表面に形成されたシールド層と、一端が前記基板と他端が前記シールド層との間で直接的に導電接続する導電部材とから成り、前記基板には、各側面に形成された前記基板主面上の側縁から鉛直上方に延長する側壁（エッジ）を有し、前記封止樹脂部は前記基板の主面に所定厚さに形成された直方体形状を成し、前記シールド層の周側面は前記封止樹脂部の周側面を包被し、かつ前記シールド層の該周側面と前記基板の側壁（エッジ）とが同一平面内に露出して位置している回路モジュールを提案する。
【０１８０】
該回路モジュールによれば、基板側壁（エッジ）とシールド層の周側面とで電子部品を保護する封止樹脂部を包被した回路モジュールのシールド構造が実現できると共に、搭載部品とシールド層とのショートも確実に防止できる。
【０１８１】
また、変更例４２では、変更例４１記載の回路モジュールにおいて、前記基板の側壁（エッジ）と前記シールド層の側縁下端部（エッジ）とが突合せ接合している回路モジュールを提案する。
【０１８２】
該回路モジュールによれば、基板の前記側壁（エッジ）とシールド層の側縁下端部（エッジ）との突合せ接合した構造により、回路モジュール側部が完全に遮蔽された構造が実現できるので、個々のモジュールタイプのものと同等のシールド効果が得られると共に、半田付けなどの工数も必要としないので、量産化にも十分に適合できる。
【０１８３】
また、変更例４３では、基板と、該基板に実装された電子部品と、該電子部品の周囲所定空間を充填するように前記基板の上面に形成された封止樹脂部と、前記封止樹脂部の表面に形成されたシールド層と、一端が前記基板主面と他端が前記シールド層の内側面との間で直接的に導電接続する単数又は複数の柱状又は球状の端子電極部材とから成り、前記封止樹脂部は前記基板の主面に所定厚さに形成された略直方体形状を成し、前記端子電極部材の少なくとも一つの面は該封止樹脂部における側面部境界に露出するように配設され、且つ前記シールド層の周側面が前記基板の側面と同一平面内に位置する電子装置を提案する。
【０１８４】
該電子装置によれば、シールド層とグランドとの導通は必ずしも柱状又は球状の端子電極部材の上端面でシールド層との導通をとらなくてもよい場合の例であり、該端子電極部材を封止樹脂層の端面に露出させ、シールド層の端面と接触する構造とし、シールド層の天井面には達しないように構成したことにより、シールド層の天井面を低くして電子装置を一層薄い構造とすることができるので、小型化に貢献することができる。
【０１８５】
【発明の効果】以上に説明したように、本発明は次に記載するような効果を有するものである。
１．請求項１の発明では、基板上に複数の部品が配置された回路モジュールにおいて、前記基板上に設置された金属ポストと、前記金属ポストを介して前記部品の上方に設置されるシールド層とを備えた回路モジュールの構成により、前記金属ポストを介してシールド層とグランドとの接続がとれるので、電磁界等の対応に最適なシールド構造を有する量産タイプの回路モジュールを得ることができる。また、この発明の回路モジュールにおいては、従来の回路モジュールにあっては基板上に搭載する電子部品を被覆するために形成していた封止樹脂層は必ずしも要しないシールド構造であるので、この封止樹脂層の形成部分は空間とすることができ、軽量でかつシールド性と量産性の高い回路モジュールを得ることができるものである。
２．請求項２の発明では、請求項１の回路モジュールにおいて、前記基板と前記金属ポストと前記シールド層の端面が同一平面上に位置する回路モジュールの構成により、請求項１の回路モジュールの効果に加えて、基板と金属ポストとシールド層の端面とを、ダイサーカットにより、同一平面上に位置するように切断することができるので、回路モジュールの確実なシールド構造と共に回路モジュールの量産化とを達成することができる。
３．請求項３の発明では、請求項１の回路モジュールにおいて、前記金属ポストは、前記複数の部品の周囲に配置される回路モジュールの構成により、請求項１の回路モジュールの効果に加えて、複数の部品の周囲に前記金属ポストを密着配置すると、ダイサーカットによるカツト面には側面シールド構造が形成されるので、確実なシールド性を備えると共に量産化をも達成することができる回路モジュールを得ることができる。
４．請求項４の発明では、請求項１の回路モジュールにおいて、前記複数の部品を被覆する樹脂層をさらに具備し、前記シールド層は前記樹脂層上面に設けられる回路モジュールの構成により、前記金属ポストを介してシールド層とグランドとの接続がとれるので、電磁界等の対応に最適なシールド構造が得られることに加えて、前記基板上に実装する複数の部品を樹脂層により被覆するようにしたので、前記シールド層は該樹脂層の上に形成することとなるから、確実で安定なシールド層の形成ができると共に部品間の絶縁も確実で量産化が可能な回路モジュールを得ることができる。
５．請求項５の発明では、請求項１の回路モジュールにおいて、前記シールド層は板状部材で形成され、前記金属ポストによって支持される回路モジュールの構成により、請求項１の回路モジュールの効果に加えて、回路モジュールの天板を形成するシールド層の板状部材が前記金属ポストによって支持される構造としたので、前記基板上に実装される複数の部品に対して、非モールドタイプの構造で形成される対衝撃性に強い堅牢な回路モジュールを得ることができる。また、シールド層は板状部材で形成するので、その表面は平滑な面にすることができるため、部品を搬送する際のチャッキングが確実かつ容易である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施形態における回路モジュールを示す外観斜視図である。
【図２】本発明の第１の実施形態における回路モジュールの封止樹脂層とシールド層を除く外観斜視図である。
【図３】図１におけるＡ−Ａ断面図である。
【図４】本発明の第１の実施形態における回路モジュールの製造方法を説明する工程説明図である。
【図５】本発明の第１の実施形態における樹脂層形成工程を説明する図である。
【図６】本発明の第２の実施形態における回路モジュールを示す外観斜視図である。
【図７】本発明の第２の実施形態における回路モジュールの封止樹脂層とシールド層を除く外観斜視図である。
【図８】図６におけるＢ−Ｂ断面図である。
【図９】本発明の第２の実施形態における回路モジュールの製造方法を説明する工程説明図である。
【図１０】本発明の第２の実施形態におけるシールド層形成を説明する工程説明図である。
【図１１】本発明の第３の実施形態における回路モジュールの製造方法を説明する工程説明図である。
【図１２】本発明の第４の実施形態における回路モジュールを示す外観斜視図である。
【図１３】本発明の第４の実施形態における回路モジュールの封止樹脂層とシールド層を除く外観斜視図である。
【図１４】本発明の第４の実施形態における部品を実装した集合基板を示す外観斜視図である。
【図１５】本発明の第４の実施形態における回路モジュールの製造方法を説明する工程説明図である。
【図１６】本発明の第５の実施形態における回路モジュールを示す外観斜視図である。
【図１７】本発明の第５の実施形態における回路モジュールの封止樹脂層とシールド層を除く外観斜視図である。
【図１８】本発明の第５の実施形態における回路モジュールの製造方法を説明する工程説明図である。
【図１９】本発明の第５の実施形態における部品を実装した集合基板を示す外観斜視図である。
【図２０】本発明の第６の実施形態における回路モジュールを示す外観図である。
【図２１】本発明の第６の実施形態における封止樹脂部とシールド層を除く外観斜視図である。
【図２２】本発明の変形例１の回路モジュールの断面図である。
【図２３】本発明の変形例１の回路モジュールの集合基板の上にシールド層を設けた外観斜視図である。
【図２４】本発明の変形例４の回路モジュールの断面説明図である。
【図２５】本発明の変形例４の封止樹脂部を除く回路モジュールの外観斜視図である。
【図２６】本発明の変形例５の回路モジュールの断面説明図である。
【図２７】本発明の変形例６の回路モジュールの製造工程説明図である。
【図２８】従来例の回路モジュールの外観斜視図である。
【図２９】従来例の回路モジュールの工程説明図である。
【符号の説明】
１０，５０，６０，７０  回路モジュール
１１，１１´，７１      基板
１２                    電子部品
１３                    封止樹脂層（封止樹脂部）
１４，２４，５１，７４  端子電極
１４´                  端子電極の切断面
１６                    シールド層（金属層）
１６´                  シールド層の側面
２０                    溝
２１，２１´，８１      集合基板
３１                    基台
２５，２６              ダイシングブレード
５２，６２              端子電極部材
７５                    熱伝導部材
【図１】
2004260103.tif 000003
【図２】
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【図３】
2004260103.tif 000005
【図４】
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【図５】
2004260103.tif 000007
【図６】
2004260103.tif 000008
【図７】
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【図８】
2004260103.tif 000010
【図９】
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【図１０】
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【図１１】
2004260103.tif 000013
【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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