(57)【要約】【課題】バラクタダイオード４１  に感度補正用インダクタ４３  を並列接続し、バラクタダイオード４１  の周波数制御感度を見掛け上高め、バラクタダイオード４１  を選択せずに電圧制御発振回路の制御感度を高めた電圧制御発振回路を提供する。【解決手段】発振周波数制御素子にバラクタダイオード４１  を用いるとともに、バラクタダイオード４１  に並列に感度補正用インダクタ４３  を接続し、感度補正用インダクタ４３  は、バラクタダイオード４１  に周波数制御電圧を供給して発振周波数を制御する際に、周波数制御電圧に対するバラクタダイオード４１  と感度補正用インダクタ４３  との並列回路の制御感度が高めるようなインダクタンス値に選択される。【選択図】        図１
2004328617.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発振周波数制御素子にバラクタダイオードを用いるとともに、前記バラクタダイオードに並列に感度補正用インダクタを接続し、前記感度補正用インダクタは、前記バラクタダイオードに周波数制御電圧を供給して発振周波数を制御する際に、前記周波数制御電圧に対する前記バラクタダイオードと前記感度補正用インダクタとの並列回路の制御感度が高めるようなインダクタンス値に選択されていることを特徴とする電圧制御発振回路。
【請求項２】
前記バラクタダイオードと前記感度補強用インダクタとの並列回路は、１個のバラクタダイオードとそれに並列接続された１個の感度補正用インダクタとからなることを特徴とする請求項１に記載の電圧制御発振回路。
【請求項３】
前記バラクタダイオードと前記感度補正用インダクタとの並列回路は、直列接続された２個のバラクタダイオードと直列接続された２個のバラクタダイオードに並列接続された１個の感度補正用インダクタとからなることを特徴とする請求項１に記載の電圧制御発振回路。
【請求項４】
前記バラクタダイオードと前記感度補正用インダクタとの並列回路は、前記バラクタダイオードのインピーダンスをＺＣ  、前記バラクタダイオードと前記感度補正用インダクタとの並列回路のインピーダンスをＺＬＣとしたとき、ＺＬＣ＞ＺＣ  を満たすように前記感度補正用インダクタのインダクタンス値が選択されることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の電圧制御発振回路。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電圧制御発振回路に係り、特に、発振周波数制御素子にバラクタダイオードを用い、そのバラクタダイオードに周波数制御電圧を供給して発振周波数を制御する際に、バラクタダイオードに並列に感度補正用インダクタを接続し、バラクタダイオードと感度補正用インダクタとの並列回路の周波数制御電圧に対する発振周波数変化の割合を高めるようにした電圧制御発振回路に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、電圧制御発振回路においては、発振周波数を制御設定する共振回路に、発振周波数制御素子となるバラクタダイオードが用いられているもので、そのバラクタダイオードに供給する周波数制御電圧を変化することによってバラクタダイオードのキャパシタンス値を変化させ、それによりバラクタダイオードとインダクタとからなる共振回路の共振周波数を変化させ、発振周波数を制御設定するようにしているものである。
【０００３】
図１１は、既知のこの種の電圧制御発振回路の構成の一例を示すもので、一例として、特開平２００２−２８０８３１号公報に開示されているものである。
【０００４】
図１１に示されるように、この電圧制御発振回路は、発振用トランジスタ５１と、発振用トランジスタ５１のベース・エミッタ間に接続された帰還コンデンサ５２、５３と、発振用トランジスタ５１のベースに結合コンデンサ５５を介して接続されたバラクタダイオード５４１  及びストリップ導体５４２  との直列回路からなる共振回路５４と、共振回路５４と周波数制御電圧供給端子５８との間に直列接続されたチョークインダクタ５６及び分路接続されたバイパスコンデンサ５７と、発振用トランジスタ５１のエミッタと接地間に接続されたエミッタ負荷抵抗５９と、発振用トランジスタ５１のベースと電源端子６４及び接地間にそれぞれ接続されたベースバイアス抵抗６０、６１と、発振用トランジスタ５１のエミッタと発振信号出力端子６３との間に接続された結合コンデンサ６２とからなっている。そして、これらの構成要素５１乃至６４は、図１１に図示されるように相互に接続されている。
【０００５】
前記電圧制御発振回路は、概要、次のように動作する。
【０００６】
周波数制御電圧供給端子５８に周波数制御電圧が印加されると、この周波数制御電圧は、チョークインダクタ５６を通して共振回路５４のバラクタダイオード５４１  に供給される。バラクタダイオード５４１  は、供給された電圧値に対応してそのキャパシタンス値が制御され、共振回路５４は、バラクタダイオード５４１  のキャパシタンス値とストリップ導体５４２  のインダスタンス値とにより決まる共振周波数に制御設定される。発振用トランジスタ５１は、ベース・エミッタ間に接続された２つの帰還コンデンサ５２、５３による帰還回路、及び、ベースに接続された共振回路５４により、共振回路５４の共振周波数に略等しい発振周波数の発振信号がそのエミッタに発生し、発生した発振信号は、発振信号出力端子６３から外部に導出される。
【０００７】
また、図１２は、既知のこの種の電圧制御発振回路の構成の他の一例を示すもので、共振回路に２個のバラクタダイオードを用いている例を示すものである。
【０００８】
図１２に示されるように、この電圧制御発振回路は、発振用トランジスタ７１と、発振用トランジスタ７１のベース・エミッタ間に接続された帰還コンデンサ７２、７３と、発振用トランジスタ７１のベースに直列結合コンデンサ７５及び分路チョークインダクタ８５からなる結合回路を介して接続された２個のバラクタダイオード７４１１、７４１２及び１個のストリップ導体７４２  との直列回路からなる共振回路７４と、共振回路７４と周波数制御電圧供給端子７８９との間に直列接続されたチョークインダクタ７６及び分路接続されたバイパスコンデンサ７７と、発振用トランジスタ７１のエミッタと接地間に接続されたエミッタ負荷抵抗７９と、発振用トランジスタ７１のベースと電源端子８４及び接地間にそれぞれ接続されたベースバイアス抵抗８０、８１と、発振用トランジスタ７１のエミッタと発振信号出力端子８３との間に接続された結合コンデンサ８２とからなっている。そして、これらの構成要素７１乃至８５は、図１２に図示されるように相互に接続されている。
【０００９】
前記電圧制御発振回路は、概要、次のように動作する。
【００１０】
周波数制御電圧供給端子７８に周波数制御電圧が印加されると、この周波数制御電圧は、チョークインダクタ７６を通して共振回路７４の２個のバラクタダイオード７４１１、７４１２に供給される。２個のバラクタダイオード７４１１、７４１２は、供給された電圧値に対応してそれらのキャパシタンス値が各別に制御され、共振回路７４は、２個のバラクタダイオード７４１１、７４１２のキャパシタンス値とストリップ導体７４２  のインダスタンス値とにより決まる共振周波数に制御設定される。発振用トランジスタ７１は、ベース・エミッタ間に接続された２つの帰還コンデンサ７２、７３による帰還回路、及び、ベースに接続された共振回路７４により、共振回路７４の共振周波数に略等しい発振周波数の発振信号がそのエミッタに発生し、発生した発振信号は発振信号出力端子８３から外部に導出される。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
一般に、発振周波数制御素子にバラクタダイオードを用いた電圧制御発振回路においては、バラクタダイオードに周波数制御電圧が供給された際に、バラクタダイオードにおける周波数制御感度、すなわち、バラクタダイオードに供給される周波数制御電圧の変化に対応したバラクタダイオードのキャパシタンス値の変化の割合は、それぞれのバラクタダイオードに固有のものである。そして、一度、バラクタダイオードを選択使用すると、その電圧制御発振回路の制御感度は、選択使用したバラクタダイオードの周波数制御感度に依存するようになる。
【００１２】
これに対して、電圧制御発振回路においては、限られた変化範囲の周波数制御電圧を用いて、広い範囲にわたる周波数の発振信号を得たいという欲求が多々ある。この場合、かかる欲求を満たす制御感度の高い電圧制御発振回路を得るためには、共振回路に使用されるバラクタダイオードとして周波数制御感度の高いもの、具体的には、電圧制御発振回路の製造時に、共振回路に使用するバラクタダイオードを、多くのバラクタダイオードの中から周波数制御感度の高いものだけ個別に選択して使用する必要がある。しかるに、電圧制御発振回路を製造するときに、このようなバラクタダイオードの選択を行うことは、極めて作業効率が悪いといわざるを得ず、その結果、電圧制御発振回路の製造コストが上昇するという事態を招くことになる。
【００１３】
本発明は、このような技術的背景に鑑みてなされたもので、その目的は、バラクタダイオードに感度補正用インダクタを並列接続し、バラクタダイオードの周波数制御感度を見掛け上高めたことにより、バラクタダイオードを選択せずに電圧制御発振回路の制御感度を高めることを可能にした電圧制御発振回路を提供することにある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
前記目的を達成するために、本発明による電圧制御発振回路は、発振周波数制御素子にバラクタダイオードを用いるとともに、バラクタダイオードに並列に感度補正用インダクタを接続し、感度補正用インダクタは、バラクタダイオードに周波数制御電圧を供給して発振周波数を制御する際に、周波数制御電圧に対するバラクタダイオードと感度補正用インダクタとの並列回路の制御感度が高めるようなインダクタンス値に選択されている手段を備える。
【００１５】
前記手段によれば、電圧制御発振回路の共振回路に、発振周波数制御素子として用いられるバラクタダイオードに並列に感度補正用インダクタを接続し、この感度補正用インダクタのインダクタンス値を、周波数制御電圧に対するバラクタダイオードと感度補正用インダクタとの並列回路の制御感度を高めるような値に選択しているので、バラクタダイオードの周波数制御感度が見掛け上高めることができ、それにより電圧制御発振回路の製造時に周波数制御特性が良好なバラクタダイオードをいちいち選択することなく、高い制御感度を有する電圧制御発振回路を得ることが可能になる。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面を参照して説明する。
【００１７】
図１は、本発明による電圧制御発振回路の第１の実施の形態を示すもので、その要部構成を示す回路図である。
【００１８】
図１に示されるように、第１の実施の形態による電圧制御発振回路は、発振用トランジスタ１と、発振用トランジスタ１のベース・エミッタ間に接続された第１帰還コンデンサ２及び発振用トランジスタ１のエミッタと接地間に接続された第２帰還コンデンサ３と、発振用トランジスタ１のベースに接続された第１結合コンデンサ５と、第１結合コンデンサ５の他端と接地間に接続された共振回路４と、共振回路４と周波数制御電圧供給端子８との間に接続されたチョークインダクタ６と、周波数制御電圧供給端子８と接地間に接続されたバイパスコンデンサ７と、発振用トランジスタ１のエミッタと接地間に接続されたエミッタ負荷抵抗９と、発振用トランジスタ１のエミッタと信号出力端子１０との間に接続された第２結合コンデンサ１１と、発振用トランジスタ１のベースと電源端子１２との間に接続された第１ベースバイアス抵抗１３及び発振用トランジスタ１のベースと接地間に接続された第２ベースバイアス抵抗１４と、電源端子１２と接地間に接続されたバイパスコンデンサ１５とからなっている。
【００１９】
そして、共振回路４は、バラクタダイオード４１  と、それに直列接続されたストリップ導体４２  と、バラクタダイオード４１  に並列接続された感度補正用インダクタ４３  と直流阻止コンデンサ４４  の直列回路とからなっている。この場合、感度補正用インダクタ４３  は、そのインダクタンス値が後述するような値を示すように選択される。
【００２０】
前記構成を有する第１の実施の形態の電圧制御発振回路は、次のように動作する。
【００２１】
周波数制御電圧供給端子８に周波数制御電圧が印加されると、この周波数制御電圧は、チョークインダクタ６を通して共振回路４のバラクタダイオード４１  に供給される。このとき、バラクタダイオード４１  は、供給された周波数制御電圧の電圧値に対応してそのキャパシタンス値が制御される。それにより、共振回路４は、並列接続されたバラクタダイオード４１  のキャパシタンス値Ｃ１  と感度補正用インダクタ４３  のインダクタンス値Ｌ３  で決まる総合キャパシタンス値Ｃｔｏｌ  と、ストリップ導体４２  のインダスタンス値Ｌ２  とで決まる共振周波数に制御設定される。発振用トランジスタ１は、ベース・エミッタ間に接続された第１及び第２の帰還コンデンサ２、３による帰還回路による帰還作用、及び、ベースに接続された共振回路４により、共振回路４の共振周波数に略等しい発振周波数の発振信号がそのエミッタに形成される。発振用トランジスタ１のエミッタに形成された発振信号は、第２結合コンデンサ１１を通して発振信号出力端子１０に供給され、発振信号出力端子１０から外部に導出される。
【００２２】
ところで、第１の実施の形態の電圧制御発振回路に用いられる感度補正用インダクタ４３  は、バラクタダイオード４１  の制御感度を高めるために、次のようなインダクタンス値を選択することが好ましい。
【００２３】
いま、バラクタダイオード４１  のキャパシタンス値をＣ、感度補正用インダクタ４３  のインダクタンス値をＬとすると、バラクタダイオード４１  単独時のインピーダンスＺＣ  を求めると、ＺＣ  ＝−ｊ／ωＣになり、バラクタダイオード４１  と感度補正用インダクタ４３  との並列接続回路のインピーダンスＺＬＣを求めると、ＺＬＣ＝−ｊωＬ／（ω２  ＬＣ−１）になる。
【００２４】
また、バラクタダイオード４１  単独時の容量変化に対するインピーダンス変化の割合をＺＣ  ’＝ｄＺＣ  ／ｄＣ、バラクタダイオード４１  と感度補正用インダクタ４３  との並列接続回路の容量変化に対するインピーダンス変化の割合をＺＬＣ’＝ＺＬＣ／ｄＣとすれば、ＺＣ  ’＝ｊ／ω２  Ｃ、ＺＬＣ’＝ｊω３  Ｌ２  ／（ω２  ＬＣ−１）２  になる。
【００２５】
ここで、バラクタダイオード４１  と感度補正用インダクタ４３  との並列接続回路の容量変化に対するインピーダンス変化の割合ＺＬＣ’が、バラクタダイオード４１  単独時の容量変化に対するインピーダンス変化の割合ＺＣ  ’よりも大きければ、バラクタダイオード４１  の制御電圧感度（ＫＶ）を高めることができる。
【００２６】
すなわち、ＺＬＣ’＞ＺＣ  ’の関係から、ｊω３  Ｌ２  ／（ω２  ＬＣ−１）２  ＞ｊ／ω２  Ｃになり、この式を整理すれば、ω４  Ｌ２  Ｃ２  ＞（ω２  ＬＣ−１）２  になり、Ｌ＞１／２ω２  Ｃの関係が導出され、感度補正用インダクタ４３  のインダクタンス値Ｌを（１／２ω２  Ｃ）よりも大きくなるように選べば、バラクタダイオード４１  の制御電圧感度（ＫＶ）を高めることができるようになる。また、バラクタダイオード４１  の制御電圧感度（ＫＶ）が最大になる感度補正用インダクタ４３  のインダクタンス値Ｌは、１／（ω２  Ｃ）のときである。
【００２７】
具体的な実例として、電圧制御発振回路の発振周波数範囲が３乃至４ＧＨｚであり、バラクタダイオード４１  単独時の容量変化範囲が２乃至５ｐＦのバラクタダイオード４１  を用いた場合、感度補正用インダクタ４３  として２乃至１５ｎＨの範囲内のインダクタンス値Ｌを有するものを用いることができる。
【００２８】
このように、第１の実施の形態の電圧制御発振回路によれば、電圧制御発振回路の共振回路４に、バラクタダイオード４１  に並列に感度補正用インダクタ４３  を接続し、この感度補正用インダクタ４３  のインダクタンス値を、周波数制御電圧に対するバラクタダイオードと感度補正用インダクタとの並列回路の制御電圧感度を高めるような値に選択するようにしたので、バラクタダイオード４１  の周波数制御感度を見掛け上高めることができる。
【００２９】
図２は、第１の実施の形態の電圧制御発振回路における周波数制御電圧に対する制御電圧感度の関係を示す特性図であって、比較のために既知のこの種の電圧制御発振回路における同関係を併記している。
【００３０】
図２において、横軸は周波数制御電圧Ｖｃｔｌ（ｖ）、縦軸は制御電圧感度ＫＶ（ＭＨｚ／ｖ）であって、特性曲線ａは第１の実施の形態の電圧制御発振回路の特性を示し、特性曲線ｂは既知の電圧制御発振回路の特性を示している。
【００３１】
図２に示されるように、第１の実施の形態の電圧制御発振回路が示す特性曲線ａは、既知のこの種の電圧制御発振回路が示す特性曲線ｂに比べ、使用される周波数制御電圧Ｖｃｔｌの全範囲において、制御電圧感度ＫＶが高くなっていることが判る。
【００３２】
次に、図３は、本発明による電圧制御発振回路の第２の実施の形態を示すもので、その要部構成を示す回路図であり、主として共振回路４の近傍の回路部分のみを示したものである。
【００３３】
図３において、図１に示された構成要素と同じ構成要素については同じ符号を付けている。
【００３４】
この第２の実施の形態の電圧制御発振回路は、第１の実施の形態の電圧制御発振回路と比べ、共振回路４を除いた部分の構成に変わりがなく、また、共振回路４についても、構成要素の配置状態が異なっているだけで、実質的な構成は同じである。すなわち、第１の実施の形態の電圧制御発振回路の共振回路４は、バラクタダイオード４１  と感度補正用インダクタ４３  との並列回路が第１結合コンデンサ５側に、ストリップ導体４２  が接地側にそれぞれ接続配置されているのに対し、第２の実施の形態の電圧制御発振回路の共振回路４は、ストリップ導体４２  が第１結合コンデンサ５側に、バラクタダイオード４１  と感度補正用インダクタ４３  との並列回路が接地側にそれぞれ接続配置されているものである。
【００３５】
この場合、第２の実施の形態の電圧制御発振回路の動作は、共振回路４の実質的な構成が第１の実施の形態の電圧制御発振回路の共振回路４と同じであるので、第１の実施の形態の電圧制御発振回路と同じ動作が行われ、第１の実施の形態の電圧制御発振回路で得られる作用効果と同様の作用効果を得ることができる。このため、第２の実施の形態の電圧制御発振回路の動作については、これ以上の説明を省略する。
【００３６】
次いで、図４は、本発明による電圧制御発振回路の第３の実施の形態を示すもので、その要部構成を示す回路図であり、主として共振回路４の近傍の回路部分のみを示したものである。
【００３７】
図４において、４２１、４２２は２分割されたストリップ導体であり、その他、図１に示された構成要素と同じ構成要素については同じ符号を付けている。
【００３８】
第３の実施の形態の電圧制御発振回路は、第１の実施の形態の電圧制御発振回路と比べ、共振回路４を除いた部分の構成に変わりがなく、また、共振回路４についても、等価な構成を有しているものである。すなわち、第１の実施の形態の電圧制御発振回路の共振回路４は、バラクタダイオード４１  と感度補正用インダクタ４３  との並列回路に、１つのストリップ導体４２  が直列接続されているのに対し、第３の実施の形態の電圧制御発振回路の共振回路４は、ストリップ導体４２  が２つのストリップ導体４２１、４２２とに分割され、その中の１つのストリップ導体４２１がバラクタダイオード４１  と感度補正用インダクタ４３  との並列回路の一端側に直列接続され、他の１つのストリップ導体４２２がバラクタダイオード４１  と感度補正用インダクタ４３  との並列回路の他端側に直列接続されているものである。
【００３９】
この場合、第３の実施の形態の電圧制御発振回路の動作は、共振回路４が第１の実施の形態の電圧制御発振回路の共振回路４と等価な構成になるので、第１の実施の形態の電圧制御発振回路と同じ動作が行われ、第１の実施の形態の電圧制御発振回路で得られる作用効果と同様の作用効果を得ることができる。このため、第３の実施の形態の電圧制御発振回路の動作については、これ以上の説明を省略する。
【００４０】
続いて、図５は、本発明による電圧制御発振回路の第４の実施の形態を示すもので、その要部構成を示す回路図であり、主として共振回路４の近傍の回路部分のみを示したものである。
【００４１】
図５において、図１に示された構成要素と同じ構成要素については同じ符号を付けている。
【００４２】
第４の実施の形態の電圧制御発振回路は、第１の実施の形態の電圧制御発振回路と比べ、共振回路４を除いた部分の構成に変わりがなく、また、共振回路４についても、感度補正用インダクタ４３  の接続配置が若干異なっているものの、直流阻止コンデンサ４４  を含んだ全体回路を見ると、等価な構成を有しているものである。すなわち、第１の実施の形態の電圧制御発振回路の共振回路４は、バラクタダイオード４１  と感度補正用インダクタ４３  及び直流阻止コンデンサ４４  の直列回路との並列接続回路の一端にチョークインダクタ６が接続されているのに対し、第４の実施の形態の電圧制御発振回路の共振回路４は、感度補正用インダクタ４３  と直流阻止コンデンサ４４  の直列回路がバラクタダイオード４１  に並列接続される際に、感度補正用インダクタ４３  と直流阻止コンデンサ４４  の接続点にチョークインダクタ６が接続されているものである。
【００４３】
この場合、第４の実施の形態の電圧制御発振回路の動作は、発振用トランジスタ１のベースから共振回路４側を見たときの構成と、第１の実施の形態の電圧制御発振回路の発振用トランジスタ１のベースから共振回路４側を見たときの構成と等価になるので、第１の実施の形態の電圧制御発振回路と実質的に同じ動作が行われ、第１の実施の形態の電圧制御発振回路で得られる作用効果と同様の作用効果を得ることができる。このため、第４の実施の形態の電圧制御発振回路の動作については、これ以上の説明を省略する。
【００４４】
次に、図６は、本発明による電圧制御発振回路の第５の実施の形態を示すもので、その要部構成を示す回路図であり、主として共振回路４の近傍の回路部分のみを示したものである。
【００４５】
図６において、図１に示された構成要素と同じ構成要素については同じ符号を付けている。
【００４６】
第５の実施の形態の電圧制御発振回路は、第１の実施の形態の電圧制御発振回路と比べ、共振回路４を除いた部分の構成に変わりがなく、また、共振回路４についても、直流阻止コンデンサ４４  の接続配置が若干異なっているものの、感度補正用インダクタ４３  を含んだ全体回路を見ると、等価な構成を有しているものである。すなわち、第１の実施の形態の電圧制御発振回路の共振回路４は、バラクタダイオード４１  と感度補正用インダクタ４３  及び直流阻止コンデンサ４４  の直列回路との並列接続回路の一端に第１結合コンデンサ５が接続されているのに対し、第５の実施の形態の電圧制御発振回路は、感度補正用インダクタ４３  と直流阻止コンデンサ４４  の直列回路がバラクタダイオード４１  に並列接続される際に、感度補正用インダクタ４３  と直流阻止コンデンサ４４  の接続点に第１結合コンデンサ５が接続されているものである。
【００４７】
この場合、第５の実施の形態の電圧制御発振回路の動作は、発振用トランジスタ１のベースから共振回路４側を見たときの構成と、第１の実施の形態の電圧制御発振回路の発振用トランジスタ１のベースから共振回路４側を見たときの構成と等価になるので、第１の実施の形態の電圧制御発振回路と実質的に同じ動作が行われ、第１の実施の形態の電圧制御発振回路で得られる作用効果と同様の作用効果を得ることができる。このため、第５の実施の形態の電圧制御発振回路の動作についても、これ以上の説明を省略する。
【００４８】
これまでに述べた各実施の形態においては、発振周波数制御素子として１つのバラクタダイオード４１  を用いた例についてのものであるが、以下の各実施の形態に示すように、発振周波数制御素子として直列接続した２つのバラクタダイオード４１１、４１２を用いることも可能である。この場合、２つのバラクタダイオード４１１、４１２に並列に感度補正用インダクタ４３  が接続され、直流阻止コンデンサ４４  の接続を省略することができる。
【００４９】
ここで、図７は、本発明による電圧制御発振回路の第６の実施の形態を示すもので、２つのバラクタダイオードを用いた例であって、その要部構成を示す回路図であり、主として共振回路４の近傍の回路部分のみを示したものである。
【００５０】
図７において、４１１、４１２は背中合せに直列接続した第１及び第２のバラクタダイオードであり、その他、図１に示された構成要素と同じ構成要素については同じ符号を付けている。
【００５１】
第６の実施の形態の電圧制御発振回路は、第１の実施の形態の電圧制御発振回路と比べ、共振回路４を除いた部分の構成に変わりがないが、共振回路４については、第１及び第２のバラクタダイオード４１１、４１２のカソードが共通接続され、その共通接続したカソードにチョークインダクタ６が、第１のバラクタダイオード４１１のアノードに第１結合コンデンサ５が、第２のバラクタダイオード４１２のアノードにストリップ導体４２  がそれぞれ接続され、直列接続した第１及び第２のバラクタダイオード４１１、４１２に並列に感度補正用インダクタ４３  が接続されているものである。そして、第６の実施の形態の電圧制御発振回路の共振回路４は、第１の実施の形態の電圧制御発振回路の共振回路４と若干構成が異なっているものの、発振用トランジスタ１のべースから共振回路４側を見たとき、第１の実施の形態の電圧制御発振回路における発振用トランジスタ１のべースから共振回路４側を見たときと等価なもので、同じ機能を達成するものである。
【００５２】
この場合、第６の実施の形態の電圧制御発振回路の動作は、共振回路４が第１の実施の形態の電圧制御発振回路の共振回路４と等価であり、同じ機能を達成するので、第１の実施の形態の電圧制御発振回路と同じ動作が行われ、第１の実施の形態の電圧制御発振回路で得られる作用効果と同様の作用効果を得ることができるとともに、第１及び第２のバラクタダイオード４１１、４１２を用いたことにより、信号対干渉雑音比（Ｃ／Ｎ）を良好にすることができる。このため、第６の実施の形態の電圧制御発振回路の動作についても、これ以上の説明を省略する。
【００５３】
次に、図８は、本発明による電圧制御発振回路の第７の実施の形態を示すもので、同じく２つのバラクタダイオードを用いた例であって、その要部構成を示す回路図であり、主として共振回路４の近傍の回路部分のみを示したものである。
【００５４】
図８において、４３１は感度補正用ストリップ導体であり、その他、図７に示された構成要素と同じ構成要素については同じ符号を付けている。
【００５５】
第７の実施の形態の電圧制御発振回路は、第６の実施の形態の電圧制御発振回路と比べ、共振回路４を除いた部分の構成に変わりがなく、共振回路４については、感度補正用インダクタ４３  の代わりに感度補正用ストリップ導体４３１を用いいている点だけが異なっているが、感度補正用インダクタ４３  と感度補正用ストリップ導体４３１とは、インダクタとして見たとき全く等価なものであり、同じ機能を達成するものである。
【００５６】
この場合、第７の実施の形態の電圧制御発振回路の動作は、共振回路４が第６の実施の形態の電圧制御発振回路の共振回路４と等価であり、同じ機能を達成するので、第６の実施の形態の電圧制御発振回路と同じ動作が行われ、第６の実施の形態の電圧制御発振回路で得られる作用効果と同様の作用効果を得ることができる。このため、第７の実施の形態の電圧制御発振回路の動作についても、これ以上の説明を省略する。
【００５７】
次いで、図９は、本発明による電圧制御発振回路の第８の実施の形態を示すもので、２つのバラクタダイオードを用いた例であって、その要部構成を示す回路図であり、主として共振回路４の近傍の回路部分のみを示したものである。
【００５８】
図９において、図７に示された構成要素と同じ構成要素については同じ符号を付けている。
【００５９】
第８の実施の形態の電圧制御発振回路は、第６の実施の形態の電圧制御発振回路と比べ、共振回路４を除いた部分の構成に変わりがなく、共振回路４については、構成要素の配置状態が異なっているだけで、実質的な構成は同じである。すなわち、第６の実施の形態の電圧制御発振回路の共振回路４は、第１及び第２のバラクタダイオード４１１、４１２と感度補正用インダクタ４３  と並列接続回路が第１結合コンデンサ５側に、ストリップ導体４２  が接地側にそれぞれ接続配置されているのに対し、第８の実施の形態の電圧制御発振回路の共振回路４は、ストリップ導体４２  が第１結合コンデンサ５側に、第１及び第２のバラクタダイオード４１１、４１２と感度補正用インダクタ４３  と並列接続回路が接地側にそれぞれ接続配置されているものである。
【００６０】
この場合、第８の実施の形態の電圧制御発振回路の動作は、発振用トランジスタ１のベースから共振回路４側を見たときの共振回路４の機能と、第６の実施の形態の電圧制御発振回路において発振用トランジスタ１のベースから共振回路４側を見たときの共振回路４の機能とが等価であるので、第６の実施の形態の電圧制御発振回路と同じ動作が行われ、第６の実施の形態の電圧制御発振回路で得られる作用効果と同様の作用効果を得ることができる。このため、第８の実施の形態の電圧制御発振回路の動作についても、これ以上の説明を省略する。
【００６１】
続いて、図１０は、本発明による電圧制御発振回路の第９の実施の形態を示すもので、２つのバラクタダイオードを用いた例であって、その要部構成を示す回路図であり、主として共振回路４の近傍の回路部分のみを示したものである。
【００６２】
図１０において、図８に示された構成要素と同じ構成要素については同じ符号を付けている。
【００６３】
第９の実施の形態の電圧制御発振回路は、第７の実施の形態の電圧制御発振回路と比べ、共振回路４を除いた部分の構成に変わりがなく、共振回路４については、感度補正用インダクタ４３  の代わりに感度補正用ストリップ導体４３１を用いいている点だけが異なっているが、感度補正用インダクタ４３  と感度補正用ストリップ導体４３１とは、インダクタとして見たとき全く等価なもので、同じ機能を達成するものである。
【００６４】
この場合、第９の実施の形態の電圧制御発振回路の動作は、共振回路４が第７の実施の形態の電圧制御発振回路の共振回路４と等価であり、同じ機能を達成するので、第７の実施の形態の電圧制御発振回路と同じ動作が行われ、第７の実施の形態の電圧制御発振回路で得られる作用効果と同様の作用効果を得ることができる。このため、第９の実施の形態の電圧制御発振回路の動作についても、これ以上の説明を省略する。
【００６５】
【発明の効果】
以上のように、本発明によれば、電圧制御発振回路の共振回路に、発振周波数制御素子として用いられるバラクタダイオードに並列に感度補正用インダクタを接続し、この感度補正用インダクタのインダクタンス値を、周波数制御電圧に対するバラクタダイオードと感度補正用インダクタとの並列回路の制御感度を高めるような値に選択しているので、バラクタダイオードの周波数制御感度が見掛け上高めることができ、それにより電圧制御発振回路の製造時に周波数制御特性が良好なバラクタダイオードをいちいち選択することなく、高い制御感度を有する電圧制御発振回路を得ることが可能になるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による電圧制御発振回路の第１の実施の形態を示すもので、その要部構成を示す回路図である。
【図２】第１の実施の形態の電圧制御発振回路における周波数制御電圧に対する制御電圧感度の関係を示す特性図である。
【図３】本発明による電圧制御発振回路の第２の実施の形態を示すもので、その要部構成を示す回路図である。
【図４】本発明による電圧制御発振回路の第３の実施の形態を示すもので、その要部構成を示す回路図である。
【図５】本発明による電圧制御発振回路の第４の実施の形態を示すもので、その要部構成を示す回路図である。
【図６】本発明による電圧制御発振回路の第５の実施の形態を示すもので、その要部構成を示す回路図である。
【図７】本発明による電圧制御発振回路の第６の実施の形態を示すもので、その要部構成を示す回路図である。
【図８】本発明による電圧制御発振回路の第７の実施の形態を示すもので、その要部構成を示す回路図である。
【図９】本発明による電圧制御発振回路の第８の実施の形態を示すもので、その要部構成を示す回路図である。
【図１０】本発明による電圧制御発振回路の第９の実施の形態を示すもので、その要部構成を示す回路図である。
【図１１】既知のこの種の電圧制御発振回路の構成の一例を示すもので、その要部構成を示す回路図である。
【図１２】既知のこの種の電圧制御発振回路の構成の他の一例を示すもので、その要部構成を示す回路図である。
【符号の説明】
１  発振用トランジスタ
２  第１帰還コンデンサ
３  第２帰還コンデンサ
４  共振回路
４１    バラクタダイオード
４１１  第１のバラクタダイオード
４１２  第２のバラクタダイオード
４２    ストリップ導体
４３    感度補正用インダクタ
４３１  感度補正用ストリップ導体
４４    直流阻止用コンデンサ
５  第１結合コンデンサ
６  チョークインダクタ
７  バイパスコンデンサ
８  周波数制御電圧供給端子
９  エミッタ負荷抵抗
１０  信号出力端子
１１  第２結合コンデンサ
１２  電源端子
１３  第１ベースバイアス抵抗
１４  第２ベースバイアス抵抗
１５  バイパスコンデンサ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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