(57)【要約】【課題】ウェハ搬送時にウェハの反りを生じることなく、安定な搬送を実現し、かつ処理するウェハサイズの変更の要求があった場合に速やかに対応する。【解決手段】本発明では、被処理基板であるウェハを静電吸着機構を具備した搬送トレーに載置して搬送することにより、ウェハの反りとそれに伴う破損の問題を解決して安定な搬送と基板処理が可能となった。また、２００ｍｍウェハと３００ｍｍウェハ用のそれぞれの搬送トレーに対して、基板処理装置側に対する互換性を持たせ、制御装置によってウェハのサイズによってトレーの選択を自動的に行うシステムを構築することにより、生産性を向上させることが可能となった。【選択図】　　　　　図６
2004031449.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理基板を搬送トレー本体に載置して搬送されると共に、基板処理装置の固定機構によって前記基板処理装置の載置部に固定される搬送トレーにおいて、前記搬送トレー本体上端面に前記固定機構を構成する固定具が係合する窪み部分を設けたことを特徴とする搬送トレー。
【請求項２】
請求項１記載の搬送トレーにおいて、
前記基板処理装置に前記固定具によって固定された際に、前記固定具と前記搬送トレー本体の前記上端面が面一になるよう構成したことを特徴とする搬送トレー。
【請求項３】
請求項１または２記載の搬送トレーにおいて、
前記搬送トレー本体を貫通するよう形成されており、前記被処理基板と前記搬送トレー本体との間に前記被処理基板冷却のためのガスを導入する貫通穴を設けたことを特徴とする搬送トレー。
【請求項４】
請求項１乃至３いずれか一項記載の搬送トレーにおいて、
前記搬送トレー本体を貫通するよう形成されており、ガスを導入して加圧状態にすることにより前記搬送トレー本体に載置された前記被処理基板に対して前記搬送トレー本体から離れる方向の力を加える貫通穴を設けたことを特徴とする搬送トレー。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項記載の搬送トレーにおいて、
前記搬送トレー本体を貫通するよう形成されており、被処理基板を突き上げるための突き上げピンを挿通可能な構成とされた貫通穴を設けたことを特徴とする搬送トレー。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一項記載の搬送トレーにおいて、
絶縁膜を有した被処理基板を静電吸着する静電吸着機構をさらに設け、
該静電吸着機構の電圧印加部が前記搬送トレー本体の被処理基板載置面に露出した構成としたことを特徴とする搬送トレー。
【請求項７】
被処理基板を搬送する第１の搬送系と、
前記被処理基板を載置した搬送トレーを搬送する第２の搬送系と、
前記搬送トレーを保持するトレーストッカと、
前記搬送トレーに載置された前記被処理基板を処理する基板処理容器を有する基板処理装置において、
第１の搬送トレーと前記第１の搬送トレーと異なる第２の搬送トレーを保持するトレーストッカを設けたことを特徴とする基板処理装置。
【請求項８】
請求項６記載の搬送トレーにおいて、
前記絶縁膜は被処理基板に貼付された表面保護テープであることを特徴とする搬送トレー。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
被処理基板を載置してウェハを搬送する搬送トレーおよび搬送トレーを搬入して被処理基板を処理する基板処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、半導体ウェハは大口径化、薄膜化が急速に進んできている。半導体生産ラインでは未だ２００ｍｍウェハと３００ｍｍウェハが混在しているが、主流は既に３００ｍｍウェハにシフトしている。また、各種携帯用機器などの市場の拡大や積層型半導体の開発の要求から半導体素子の薄膜化が急務であり、従来は２００〜３００μｍ程度であったものが最近では５０μｍ程度の素子が登場してきており、さらに薄膜化が検討されている。
【０００３】
このような半導体素子の製造工程において、被処理基板であるウェハを搬送する手段としては搬送アームの上にウェハを載置して搬送する方法が一般的であった。しかし、特にウェハを薄くするバックグラインド工程後の薄いウェハに関しては、以下の問題が生じている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
前記のような大口径・薄膜化したウェハを、たとえばバックサイドエッチングの工程を行う際には、従来方法で搬送するとウェハに反りが発生しやすく、搬送中にウェハを破損しやすい問題があった。そこで前記破損の問題を解決するために搬送アームの保持部に真空吸着機構を利用してウェハを真空吸着して搬送するベルヌイチャックが提案されている。（例えば特開平８−５５８９６号公報参照）。しかし、真空の基板処理容器にウェハを搬入する際には真空吸着機構は使えないため、１処理毎に基板処理容器を大気開放する必要が生じ、生産性が著しく低下してしまう問題があった。
【０００５】
また、現状では２００ｍｍウェハと３００ｍｍウェハという大きさの異なるウェハが生産ラインで混在しているため、基板処理装置および搬送系などの生産設備を、ウェハの大きさごとに変更しなければならず、コストがかかっていた。
【０００６】
そこで、本発明では、被処理基板であるウェハを静電吸着機構を具備した搬送トレーに載置して搬送することにより、ウェハの反りとそれに伴う破損の問題を解決することを目的としている。
【０００７】
また、２００ｍｍウェハと３００ｍｍウェハ用のそれぞれの搬送トレーに、基板処理装置側に対する互換性を持たせることで、基板処理装置を２００ｍｍウェハと３００ｍｍウェハの双方の処理に用いることが可能となり、製造設備のコストが削減できる。更に制御装置によってウェハのサイズによってトレーの選択を自動的に行うシステムを構築することにより、更に生産性を向上させることが可能となる。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記の課題は、次に述べる各手段を講じることにより解決することができる請求項１の発明は、
被処理基板を搬送トレー本体に載置して搬送されると共に、基板処理装置の固定機構によって前記基板処理装置の載置部に固定される搬送トレーにおいて、前記搬送トレー本体上端面に前記固定機構を構成する固定具が係合する窪み部分を設けたことを特徴とする搬送トレーである
請求項２の発明は、
請求項１記載の搬送トレーにおいて、
前記基板処理装置に前記固定具によって固定された際に、前記固定具と前記搬送トレー本体の前記上端面が面一になるよう構成したことを特徴とする搬送トレーである。
【０００９】
請求項３の発明は、
請求項１または２記載の搬送トレーにおいて、
前記搬送トレー本体を貫通するよう形成されており、前記被処理基板と前記搬送トレー本体との間に前記被処理基板冷却のためのガスを導入する貫通穴を設けたことを特徴とする搬送トレーである。
【００１０】
請求項４の発明は、
請求項１乃至３いずれか一項記載の搬送トレーにおいて、
前記搬送トレー本体を貫通するよう形成されており、ガスを導入して加圧状態にすることにより前記搬送トレー本体に載置された前記被処理基板に対して前記搬送トレー本体から離れる方向の力を加える貫通穴を設けたことを特徴とする搬送トレーである。
【００１１】
請求項５の発明は、
請求項１乃至４のいずれか一項記載の搬送トレーにおいて、
前記搬送トレー本体を貫通するよう形成されており、被処理基板を突き上げるための突き上げピンを挿通可能な構成とされた貫通穴を設けたことを特徴とする搬送トレーである。
【００１２】
請求項６の発明は、
請求項１乃至５のいずれか一項記載の搬送トレーにおいて、
絶縁膜を有した被処理基板を静電吸着する静電吸着機構をさらに設け、
該静電吸着機構の電圧印加部が前記搬送トレー本体の被処理基板載置面に露出した構成としたことを特徴とする搬送トレーである。
【００１３】
請求項７の発明は、
被処理基板を搬送する第１の搬送系と、
前記被処理基板を載置した搬送トレーを搬送する第２の搬送系と、
前記搬送トレーを保持するトレーストッカと、
前記搬送トレーに載置された前記被処理基板を処理する基板処理容器を有する基板処理装置において、
第１の搬送トレーと前記第１の搬送トレーと異なる第２の搬送トレーを保持するトレーストッカを設けたことを特徴とする基板処理装置である。
【００１４】
請求項８の発明は、
請求項６記載の搬送トレーにおいて、
前記絶縁膜は被処理基板に貼付された表面保護テープであることを特徴とする搬送トレーである。
【００１５】
【発明の実施の形態】
図１は被処理基板である２００ｍｍウェハを載置する２００ｍｍ用搬送トレー１０の断面図である。前記２００ｍｍ用搬送トレー上には被処理基板である２００ｍｍウェハＷ１が載置される。前記２００ｍｍ用搬送トレーは略円板状であり、円板の外周部に１１で示す段差形状が設けられており、前記段差からみてトレー上部１０ａ（直径Ｄａ）とトレー下部１０ｂ（直径Ｄｂ）から成る。これは後ほど図５で説明するが、基板処理装置に前記搬送トレーが搬送された後、トレー押し付けリング（後述）で基板処理装置のトレー載置部に押し付けられるためのトレー押し付けリングの受けのための段差形状で、トレー押し付けリングが、段差形状の上面１１ａに係合する。
【００１６】
前記２００ｍｍ用搬送トレー１０は前記ウェハＷ１を静電吸着するための誘電層を形成する例えば窒化アルミニウム１０ｃで形成されており、高電圧を印加するための電極１２ａ，１２ｂを含み、前記１２ａ，１２ｂに高電圧を印加するためのコンタクトポイント１ａ，１ｂから高電圧が印加され、ウェハＷ１は前記トレーに静電吸着される。また、前記電極１ａの外側端部から１ｂの外側端部の距離をＤ１とする。
【００１７】
また、１３ａ，１３ｂ，および１３ｃは、前記搬送トレーを貫く貫通穴であり、前記搬送トレーの中心に１３ａを配し、外側に１３ｂおよび１３ｃを配する。１３ｂと１３ｃの距離をＤ２とする。この前記貫通穴１３ａ〜１３ｃは以下の３つの用途で用いられる。Ａ）穴の下部から例えばＨｅなどのウェハ冷却のためのガスが供給され、前記搬送トレー１０の上面と前記ウェハＷ１の隙間に導入されることで前記ウェハＷが冷却される。Ｂ）ウェハ脱着の際に貫通穴の下部から例えばＨｅなどのガスを供給し、貫通穴の中を加圧することで、搬送トレーからのウェハの剥離を容易にする。Ｃ）ウェハ剥離の際に、ウェハ突き上げピン（図示せず）を穴下部から挿入して前記ウェハを突き上げることにより、ウェハを前記搬送トレーから剥離する。
【００１８】
また、これらＡ乃至Ｃの機能を持つ貫通穴は前記搬送トレーに任意の個数設置することができ、かつこれらＡ〜Ｃの機能の一つ以上三つ以下の任意の個数の機能を持たせることが可能である。
【００１９】
図２は被処理基板である３００ｍｍウェハを載置する３００ｍｍ用搬送トレー２０の断面図である。前記３００ｍｍ用搬送トレー上には被処理基板である３００ｍｍウェハＷ２が載置される。ただし図中、先に説明した部分には同一の参照符号を付し、説明を省略する。
【００２０】
図２を参照するに、前記３００ｍｍ用搬送トレー２０の外縁形状を規定する、Ｄａ，Ｄｂ，１０ａ，１０ｂ，１１および１１ａは前記２００ｍｍ用搬送トレー１０と同一である。また、高電圧を印加するコンタクトポイント１ａ、１ｂも同一であり、高電圧の印加方法も同一で行うことができる。このため、前記２００ｍｍ用搬送トレー１０と、前記３００ｍｍ用搬送トレー２０は、同一の基板処理装置に載置して基板処理を行うことができ、基板処理装置を共用できるメリットがあり、半導体製造コスト低減に効果が大きい。
【００２１】
また、中心部の貫通穴１３ａは、前記２００ｍｍ用搬送トレーと前記３００ｍｍ用搬送トレーの場合で同一であるが、端部の貫通穴２３ｂ，２３ｃは前記１３ｂ，１３ｃに比較して中心部から遠い方向に設置してあり、前記Ｄ２に比較して２３ｂ，２３ｃの距離を示すＤ３は大きくなっている。これはウェハの冷却を考えた場合、ウェハの周辺部が効率よく冷却されて、冷却の均一性が向上するように、３００ｍｍウェハの場合はＨｅなどのガス冷却のための貫通穴を、ウェハ周辺に近い部分に設置したためである。Ｈｅなどによるガス冷却の導入方法は、後ほど図５にて説明する。
【００２２】
また、前記３００ｍｍ用搬送トレー２０の場合は、高電圧を印加する電極２２ａの外側端部から高電圧を印加する電極２２ｂの外側端部までの距離Ｄ３が、前記２００ｍｍ用搬送トレー１０の前記Ｄ１より大きくなっている。これは、３００ｍｍウェハを、ウェハ周辺部まで確実に静電吸着し、ウェハの反りによる影響がでることのないようにするためである。
【００２３】
図３は、図１の前記２００ｍｍ用搬送トレー１０の変更例の搬送トレー３０である。ただし図中、先に説明した部分には同一の参照符号を付し、説明を省略する。
【００２４】
図３を参照するに、高電圧を印加する電極３２ａ，３２ｂが搬送トレーの上部表面にむき出しになっている。これは、前記搬送トレー１０の場合に前記電極１２ａおよび１２ｂが誘電層１０ｃで覆われている場合と異なっている。これは、静電吸着のために必要な誘電層として、前記搬送トレー３０の上部に載置される被処理基板であるウェハＷ１に積層された絶縁膜Ｗａを用いるためである。絶縁層Ｗａに関してはＣＶＤ膜（化学気相成長膜）、もしくはＳＯＤ（スピンオンコートによる塗布絶縁膜）でもよい。
【００２５】
また、半導体製造工程において、ウェハ裏面を研削してウェハを薄くする処理（バックグラインド処理）をする際に、ウェハ表面に形成された半導体素子を保護するために保護テープを用いることがあるが、前記絶縁層としてこの前記保護テープを用いることも可能である。
【００２６】
図４は、前記３００ｍｍ用搬送トレー２０の変更例である搬送トレー４０の例である。ただし図中、先に説明した部分には同一の参照符号を付し、説明を省略する。
【００２７】
図４を参照するに図３の場合と同様に、高電圧を印加するための電極４２ａ，４２ｂが、前記図３の場合と同様に１０ａの誘電層で覆われずに、搬送トレーの上部表面にむき出しになっている。
【００２８】
前記図３のＷａの場合と同様に、絶縁層Ｗｂに関して、ＣＶＤ膜（化学気相成長膜）、ＳＯＤ（スピンオンコートによる塗布絶縁）、もしくは前記した保護テープを用いることが可能である。
【００２９】
次に、前記２００ｍｍ用搬送トレー１０が基板処理容器に搬送されて基板処理容器に載置された例を、図５に示す。ただし図中、先に説明した部分には同一の参照符号を付し、説明を省略する。
【００３０】
図５は、前記２００ｍｍ用搬送トレー１０が、基板処理容器５０に載置されたときの断面図である。前記基板処理容器５０は、容器壁５０ａと処理ガス導入部５０ｂおよび真空排気部５０ｃを有し、容器内を前記５０ｃで真空排気し、前記５０ｂによって処理ガスを導入して基板処理を行う。前記ウェハＷ１を上部に載置した前記２００ｍｍ用搬送トレー１０が、前記基板処理容器５０に搬入されると、処理容器中心部に凸状に形成された搬送トレー載置部５１の上面５１ａに載置される。次に、上下機構（図示せず）を付した支持部５２ａによって上下に可動するリング状のトレー押さえリング５２が、下に可動して前記５２の下部面と前記１１ａが係合し、さらに所定の力で押し付けられることによって、前記搬送トレー１０は前記搬送トレー載置部上面５１ａに押し付けられて載置される。
【００３１】
この前記したように搬送トレーが押し付けられた状態で、前記トレー押さえリング５２の上面と、前記搬送トレーの上面は略同一平面状にある。その結果、基板処理時に処理ガスを導入した際、ウェハ周囲でガス流れが前記トレー押さえリング５２および前記段差形状１１は、基板処理に悪影響を及ぼすことなく前記搬送トレー１０を前記基板載置部５１に載置することができる。
【００３２】
また、前記トレー載置部５１ａには直流電源５５に接続された電源接続５４ａ，５４ｂがあり、前記搬送トレー載置部上面には前記コンタクトポイント１ａ，１ｂと接触して前記電極１２ａ，１２ｂに高電圧を印加するための、コンタクトポイント受け５４ａ，５４ｂがある。前記１ａと５４ａの間、および１ｂと５４ｂの間には電気的な接触抵抗が存在する。しかし、前記トレー押さえリング５２によって前記搬送トレー１０が所定の力で下向きに押し付けられることにより、前記コンタクトポイント１ａが前記コンタクトポイント受け５４ａに、また前記コンタクトポイント１ｂが前記コンタクトポイント受け５４ｂに押し付けられ、接触面積が増大することで前記接触抵抗が低減し、かつ安定する。その結果、前記電極１２ａおよび１２ｂに効率よくかつ安定に高電圧を印加することが可能になる。
【００３３】
また、前記電源接続５４ａ，５４ｂから高周波電力も投入可能であり、高周波電源５６との接続例を示す。高周波を用いる場合は前記１ａと５４ａの間、および１ｂと５４ｂの間の接触抵抗によるロスが直流の場合より大きいため、前記したようにトレー押さえリング５２によって電源供給部の接触抵抗を低下させてかつ安定に電力を供給する構造は有効である。
【００３４】
また、同様に前記トレー押さえリング５２によって前記搬送トレー１０が下向きに押さえられることによって前記搬送トレー１０の下面と、前記搬送トレー載置部上面５１ａの接触面積が増大し、かつ接触面積が安定する。そのために前記５１ａと前記１０下面との熱抵抗が小さくかつ安定になる。そのため、例えば前記搬送トレー載置部５１を冷却した場合に、前記搬送トレー１０が、効率よくかつ安定に冷却されることになる。前記搬送トレー上部に載置されたウェハＷ１は、前記搬送トレー１０を通じて冷却されるため、前記ウェハＷ１は効率よく、かつ安定に冷却されることが可能となる。
【００３５】
また、前記搬送トレー載置部には、ガス供給穴５３ａ、５３ｂ，５３ｃ，５３ｄ，５３ｅが設けられている。前記ガス供給穴５３ａ〜５３ｅは、前記基板処理容器５０の外部で、たとえばＨｅなどの冷却ガス供給系（図示せず）と接続されている。前記搬送トレー１０が前記トレー載置部５１に載置されることによって前記５３ａ，５３ｂおよび５３ｃはそれぞれ前記１３ａ，１３ｂおよび１３ｃに接続され、前記ウェハＷ１の裏面に、たとえばＨｅなどの冷却ガスを導入して前記Ｗ１を冷却することができる。なお、この場合前記５３ｄ，５３ｅは前記搬送トレー１０の下部面で塞ぎ、使用しない。
【００３６】
前記処理容器に前記３００ｍｍ用搬送トレー２０を搬入した場合も、前記した２００ｍｍ用搬送トレーと同様に基板処理を行うことが可能である。その場合前記５３ａ，５３ｄおよび５３ｅはそれぞれ前記１３ａ，２３ｂおよび２３ｃに接続され、前記ウェハＷ１の裏面に、たとえばＨｅなどの冷却ガスを導入して前記Ｗ１を冷却することができる。なお、この場合前記５３ｂ，５３ｃは前記搬送トレー２０の下部面で塞ぎ、使用しない。
基板処理工程終了後は、前記トレー押さえリング５２が上下機構（図示せず）を付した前記支持部５２ａによって上昇し、前記２００ｍｍ用搬送トレー１０は、処理済の前記ウェハＷ１を載置したまま前記基板処理容器５０の外へ搬出される。
【００３７】
次に、前記基板処理容器５０に処理基板を搬入・搬出する例を示す。
【００３８】
図６は前記基板処理容器５０を含む、基板処理装置６０である。前記基板処理装置６０は、前記基板処理容器５０、ウェハ受け渡しエリアＡ、搬送アームＢ１を含む搬送エリアＢ、ウェハ脱着アリアＣ、搬送アームＤ１を含む搬送エリアＤ、２００ｍｍ用搬送トレーストックエリアＥ１，３００ｍｍ用搬送トレーストックエリアＥ２を含むトレーストックエリアＥおよび制御装置６０ａからなる。
【００３９】
前記ウェハ受け渡しエリアＡでは、搬送されてきた未処理のウェハを前記搬送アームＢ１にて受け取る、または処理の終わったウェハを前記搬送アームＢ１にて後工程に渡す作業を行う。
【００４０】
前記搬送エリアＢでは、処理前のウェハに関しては、前記搬送アームＢ１によってウェハ受け渡しエリアＡからウェハ脱着エリアＣに搬送して、エリアＣに載置されている２００ｍｍまたは３００ｍｍ用搬送トレー上に載置する作業を行う。処理済みのウェハに関しては、ウェハ脱着エリアＣにて搬送トレーから後述の方法で剥離された処理済ウェハを、前記受け渡しエリアＡに搬送する作業を行う。
【００４１】
ウェハ脱着エリアＣでは、処理終了後の２００ｍｍまたは３００ｍｍ用搬送トレーの上に載置されたウェハを、搬送トレーから剥離する作業が行われる。剥離の際は前記貫通穴１３ａ，１３ｂ，１３ｃまたは１３ａ，１３ｄ，１３ｅより脱着エリア下部に設置されたガス供給部（図示せず）から、例えばＨｅガスを導入され、貫通穴内を加圧して脱着が容易になるようにし、更に脱着エリア下部に設置された突き上げピン（図示せず）が、貫通穴を通してウェハを突き上げることによってウェハが搬送トレーより剥離される。
【００４２】
次に、搬送エリアＤでは、処理前のウェハに関しては、ウェハが載置された２００ｍｍまたは３００ｍｍ用搬送トレーを前記搬送アームＤ１によって前記処理容器５０に搬送する作業を行う。また処理済のウェハに関しては前記処理容器５０からウェハを載置した２００ｍｍまたは３００ｍｍ用搬送トレーをウェハ脱着エリアＣに搬送する作業を行う。
【００４３】
また、さらに搬送エリアＤでは、後に図７〜９で説明するように必要に応じて２００ｍｍまたは３００ｍｍ用の搬送トレーを、トレーストックエリアＥから前記ウェハ脱着エリアＣまで搬送する。もしくはウェハ脱着エリアから前記２００ｍｍもしくは３００ｍｍ用搬送トレーを前記トレーストックエリアＥに搬送する作業を行う。
【００４４】
トレーストックエリアＥには、２００ｍｍ用搬送トレーストックエリアＥ１，３００ｍｍ用搬送トレーストックエリアＥ２があり、それぞれ前記２００ｍｍ用搬送トレー、３００ｍｍ用搬送トレーが載置してある。
【００４５】
また、これら一連の動作は制御装置６０ａによって制御されている。
【００４６】
このように、ウェハを搬送トレーに載置して搬送し、基板処理容器に搬入して基板処理を行うことにより、薄膜ウェハを搬送する際の、ウェハの反りによる破損が生じることなく、安定した基板処理が可能となる。
【００４７】
次に、前記基板処理装置６０を使って、実際に基板処理を行う際の流れを、図７のフローチャートに示す。
［第１実施例］
図７は、前記基板処理装置６０を用いて行われる２００ｍｍウェハを処理する工程を示すフローチャートである。
【００４８】
図７を参照するに、まず工程１０（図中ではＳ１０と表記している。以下同様に工程をＳと表記する）において、搬送アームＤ１によって、２００ｍｍ搬送用トレーが、前記搬送トレーストッカエリアＥの２００ｍｍ用搬送トレーストックエリアＥ１からウェハ脱着エリアＣに搬送される。
【００４９】
次に工程１１において、搬送アームＢ１によって未処理の２００ｍｍウェハがウェハ受け渡しエリアＡで受け取られ、ウェハ脱着エリアＣに搬送されて、前記工程１０にて搬送済みの２００ｍｍ用搬送トレーの上に載置される。
【００５０】
次に工程１２において搬送アームＤ１によって、未処理ウェハを載置した２００ｍｍ用搬送トレーがウェハ脱着エリアＣから処理容器５０に搬送される。
【００５１】
工程１３においては処理容器５０において、２００ｍｍ用搬送トレー上の２００ｍｍウェハの処理が行われる。
【００５２】
次に工程１４において、搬送アームＤ１によって、処理済ウェハを載置した２００ｍｍ用搬送トレーが処理容器５０からウェハ脱着エリアＣに搬送される。
【００５３】
次に工程１５においてウェハ脱着エリアＣにおいて、２００ｍｍ用搬送トレーからウェハが剥離される。この際、前記したように、脱着の際は搬送トレーの前記貫通穴１３ａ，１３ｂ，１３ｃより脱着エリア下部に設置されたガス供給部（図示せず）から、例えばＨｅガスが導入され、貫通穴内を加圧して脱着が容易になるようにし、更に脱着エリア下部に設置された上下駆動が可能な突き上げピン（図示せず）が、貫通穴を通してウェハを突き上げることによってウェハが前記搬送トレーより剥離される。
【００５４】
次に工程１６において、搬送アームＢ１によって処理済ウェハがウェハ脱着エリアＣからウェハ受け渡しエリアＡに搬送され、次の工程に渡される。
【００５５】
また、前記工程１６終了後、工程１１に戻って工程１１〜１６を繰り返すことによって、ウェハの処理が連続的に行われる。
［第２実施例］
次に、３００ｍｍウェハを処理する場合の工程に関して、図８にフローチャートを示す。
【００５６】
まず工程２０において、搬送アームＤ１によって、３００ｍｍ搬送用トレーが、前記搬送トレーストッカエリアＥの３００ｍｍ用搬送トレーストックエリアＥ２からウェハ脱着エリアＣに搬送される。
【００５７】
次に工程２１において、搬送アームＢ１によって未処理の２００ｍｍウェハがウェハ受け渡しエリアＡで受け取られ、ウェハ脱着エリアＣに搬送されて、前記工程２０にて搬送済みの３００ｍｍ用搬送トレーの上に載置される。
【００５８】
次に工程２２において搬送アームＤ１によって、未処理ウェハを載置した３００ｍｍ用搬送トレーがウェハ脱着エリアＣから処理容器５０に搬送される。
【００５９】
工程２３においては処理容器５０において、３００ｍｍ用搬送トレー上の３００ｍｍウェハの処理が行われる。
【００６０】
次に工程２４において、搬送アームＤ１によって、処理済ウェハを載置した３００ｍｍ用搬送トレーが処理容器５０からウェハ脱着エリアＣに搬送される。
【００６１】
次に工程２５においてウェハ脱着エリアＣにおいて、３００ｍｍ用搬送トレーからウェハが剥離される。この際、前記したように、脱着の際は搬送トレーの前記貫通穴１３ａ，１３ｄ，１３ｅより脱着エリア下部に設置されたガス供給部（図示せず）から、例えばＨｅガスが導入され、貫通穴内を加圧して脱着が容易になるようにし、更に脱着エリア下部に設置された上下駆動が可能な突き上げピン（図示せず）が、貫通穴を通してウェハを突き上げることによってウェハが前記搬送トレーより剥離される。
【００６２】
次に工程２６において、搬送アームＢ１によって処理済ウェハがウェハ脱着エリアＣからウェハ受け渡しエリアＡに搬送され、次の工程に渡される。
【００６３】
また、前記工程２６終了後、工程１ｂに戻って工程２１〜２６を繰り返すことによって、ウェハの処理が連続的に行われる。
［第３実施例］
次に第３の実施例として、２００ｍｍのウェハを連続処理中に制御装置が処理すべきウェハサイズを２００ｍｍから３００ｍｍに変更する指令の信号を受け取り、処理の途中から２００ｍｍウェハを処理する工程から３００ｍｍウェハを処理する工程に移行する際のフローチャートの例を図９に示す。ただし図中、先に説明した部分には同一の参照符号を付し、説明を省略する。
【００６４】
まず工程１０からスタートした２００ｍｍウェハ処理工程において、工程１３の基板処理中に、制御装置６０ａがウェハサイズ変更の信号を受け取ったものとする。処理工程は工程１５までは、図７の場合と同様に進行する。工程１６において、前記搬送アームＢ１が処理済ウェハをウェハ脱着エリアＣから搬送すると同時に、工程１７がスタートし、搬送アームＤ１によって２００ｍｍ用搬送トレーがウェハ脱着エリアＣから、トレーストッカエリアＥの２００ｍｍ用搬送トレーストッカエリアＥ１に搬送される。その後、３００ｍｍウェハ処理工程に移行して、前記した図８における工程２０が行われ、その後工程２１，２２と進行し、図８で示した３００ｍｍウェハ処理工程と同様のフローチャートで示される処理工程となる。
【００６５】
このように、本発明の基板処理装置では、ウェハサイズ変更の信号を制御装置がうけとると、自動的にウェハサイズに対応した搬送トレーを選択することができる。その結果、ウェハサイズ変更の要求に速やかに対応することが可能となり、生産性を向上させることが可能となる。
【００６６】
【発明の効果】
本発明では、被処理基板であるウェハを静電吸着機構を具備した搬送トレーに載置して搬送することにより、ウェハの反りとそれに伴う破損の問題を解決して安定な搬送と基板処理が可能となった。
【００６７】
また、２００ｍｍウェハと３００ｍｍウェハ用のそれぞれの搬送トレーに対して、基板処理装置側に対する互換性を持たせた。その結果、同一の基板処理装置で２００ｍｍウェハと３００ｍｍウェハの処理を行うことが可能となり、製造設備のコスト削減が可能となった。また、更に制御装置によってウェハのサイズによってトレーの選択を自動的に行うシステムを構築することにより、生産性を向上させることが可能となった。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による２００ｍｍウェハ用搬送トレーの断面図である。
【図２】本発明による３００ｍｍウェハ用搬送トレーの断面図である。
【図３】２００ｍｍウェハ用搬送トレーの変更例である。
【図４】３００ｍｍウェハ用搬送トレーの変更例である。
【図５】本発明による搬送トレーを基板処理容器に載置した例である。
【図６】本発明による基板処理装置の構成例である。
【図７】本発明の基板処理装置による２００ｍｍウェハの処理フリーチャートである。
【図８】本発明の基板処理装置による３００ｍｍウェハの処理フローチャートである。
【図９】本発明の基板処理装置において、処理工程中に処理されるウェハサイズを変更する場合のウェハの処理フローチャートである。
【符号の説明】
Ｗ１，Ｗ２　ウェハ
Ｗａ，Ｗｂ　誘電層
１０，２０，３０，４０　搬送トレー
１０ａ　搬送トレー上部
１０ｂ　搬送トレー下部
１０ｃ　搬送トレー誘電層形成材質
１１　段差形状
１１ａ　段差形状上部面
１２ａ，１２ｂ，２２ａ、２２ｂ，３２ａ，３２ｂ，４２ａ，４２ｂ　高電圧印加電極
１ａ，１ｂ　コンタクトポイント
１３ａ，１３ｂ，１３ｃ，１３ｄ，１３ｅ　貫通穴
Ｄａ　搬送トレー下部直径
Ｄｂ　搬送トレー下部直径
Ｄ１，Ｄ３　高電圧印加電極外縁部距離
Ｄ２，Ｄ４　貫通穴距離
５２　搬送トレー押さえリング
５２ａ　支持部
５３ａ、５３ｂ，５３ｃ，５３ｄ，５３ｅ　ガス供給穴
５４ａ，５４ｂ　コンタクトポイント受け
５５　直流電源
５６　高周波電源
６０　基板処理装置
６０ａ　制御装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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