(57)【要約】【課題】基板に良好な薄膜を形成することができる薄膜形成装置および薄膜形成方法を提供する。【解決手段】シートフィルムに形成されたＳＯＧ膜を未処理基板に転写することによって該基板上に薄膜を形成した（ステップＳ４、Ｓ５）後で、必要に応じて平坦化処理を行っている（ステップＳ６）。この平坦化処理では、ＳＯＧ膜が転写形成された基板をフェースアップ状態で基板用ハンドの基板支持ブロックで保持しながら剥離ユニットから塗布ユニットに搬送する。この塗布ユニットでは、基板に転写形成されたＳＯＧ膜上にＳＯＧ液が塗布されてＳＯＧ膜をさらに塗布する（ステップＳ６１：塗布処理）。そして、この基板を基板用ハンドにより乾燥ユニットに搬送して乾燥処理を施す（ステップＳ６２）。このように第２薄膜たるＳＯＧ膜を形成することで基板上の薄膜の平坦性を高めることができる。【選択図】        図１７
2004327579.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材に形成された薄膜を基板に転写することによって該基板上に薄膜を形成する薄膜形成装置において、
前記基板上の薄膜に対向配置した矯正部材を、前記基板上に形成された薄膜の全面にわたって前記薄膜に押し当てて前記薄膜を平坦化させる薄膜矯正手段を備えたことを特徴とする薄膜形成装置。
【請求項２】
第１基材に形成された第１薄膜を基板に転写することによって該基板に薄膜を形成する薄膜形成装置において、
前記基板に形成された第１薄膜上に第２薄膜をさらに形成して前記基板上の薄膜を平坦化する薄膜付加手段を備えたことを特徴とする薄膜形成装置。
【請求項３】
前記薄膜付加手段は、前記基板に形成された第１薄膜上に、塗布液を塗布して前記第２薄膜を形成する請求項２記載の薄膜形成装置。
【請求項４】
前記薄膜付加手段は、前記基板に形成された第１薄膜上に塗布液を塗布して第１塗布層を形成する第１塗布手段と、第２基材上に塗布液を塗布して第２塗布層を形成する第２塗布手段とを有し、前記第２基材上の前記第２塗布層を前記基板上の前記第１塗布層に転写することによって前記第１および第２塗布層を一体化させて前記第２薄膜を形成する請求項２記載の薄膜形成装置。
【請求項５】
第１基材に形成された薄膜を基板に転写することによって該基板に薄膜を形成する第１工程と、
前記基板に形成された薄膜を平坦化させる第２工程と
を備えたことを特徴とする薄膜形成方法。
【請求項６】
前記第２工程は、矯正部材を、前記基板に形成された薄膜の全面にわたって前記薄膜に押し当てて前記薄膜を平坦化させる工程を備えた請求項５記載の薄膜形成方法。
【請求項７】
前記第２工程は、前記基板に形成された薄膜上に塗布液を塗布して第１塗布層を形成することによって前記基板上の薄膜を平坦化する工程を備えた請求項５記載の薄膜形成方法。
【請求項８】
前記第２工程は、
第２基材上に塗布液を塗布して第２塗布層を形成する工程と、
前記第２基材上の前記第２塗布層を前記基板上の前記第１塗布層上に転写することによって前記基板上の薄膜を平坦化させる工程と
をさらに備える請求項７記載の薄膜形成方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、基板に薄膜を形成する薄膜形成装置および方法に関するものである。なお、この基板としては、半導体ウエハ、フォトマスク用ガラス基板、液晶表示用ガラス基板、プラズマ表示用ガラス基板、光ディスク用基板などの各種基板（以下、単に「基板」という）が含まれる。
【０００２】
【従来の技術】
近年、ＬＳＩの製造に用いるウエハの大口径化や液晶パネルなどの大面積化に伴い、大面積に適合した薄膜形成方法が必要となってきた。また、ＬＳＩ製造技術における多層配線技術の分野においては、多層配線を実現するために絶縁膜の表面を高い精度で平坦化する必要があり、大面積化に加えて、薄膜形成における表面の平坦化技術への要求も高まってきている。そこで、これらの要求を満足すべく、加圧転写方法によって基板に薄膜を形成する薄膜形成技術が提案されている。
【０００３】
この薄膜形成装置としては、例えば特許文献１に記載された装置がある。この薄膜形成方法では、図２５に示す薄膜形成手順で基板への薄膜形成を行っている。まず、同図（ａ）に示すように、半導体ウエハや液晶パネル用ガラス基板などの基板Ｗの表面に形成された電極配線１１１が上を向くように試料台に載置する。ここでは、電極配線１１１が形成された表面１１２が以下に説明する手順で薄膜を形成すべき薄膜形成面となっている。
【０００４】
次に、同図（ｂ）に示すように、試料台の上方に対向配置された転写板に、その表面に絶縁膜などの薄膜１２１が予め形成されたシートフィルムＦを装着する。ここでは、薄膜１２１が基板Ｗに転写すべき薄膜であり、この薄膜１２１が試料台に載置された基板Ｗの薄膜形成面１１２に対向配置されている。そして、試料台を転写板に向かって移動させ、基板ＷとシートフィルムＦとを相互に当接させた後、さらに一定時間、同図（ｂ）中の矢印で示すように相互に加重を加えるとともに、基板Ｗが所定の転写温度となるように加熱する。こうすることで、薄膜１２１を挟んでシートフィルムＦと基板Ｗとが密着して密着物が形成される。
【０００５】
こうして形成された密着物を薄膜形成室から取り出し、同図（ｃ）に示すようにシートフィルムＦを剥離することによって、同図（ｄ）に示すような薄膜１２１が形成された基板Ｗを得る。
【０００６】
【特許文献１】
特開２００１−１３５６３４号公報（第５頁、図４）
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
上記した特許文献１に記載の薄膜形成装置では、予めシートフィルムＦに薄膜を形成しておき、その後に基板ＷとシートフィルムＦとを相互に押し付けてシートフィルムＦ上の薄膜１２１を基板に転写している。このため、従来より周知のＳＯＧ（Ｓｐｉｎ−Ｏｎ−Ｇｌａｓｓ）法などに比べて、電極配線間に薄膜形成材料を埋め込むことができ、埋込み性を向上させることができるとともに、平坦性についても良好となっている。
【０００８】
しかしながら、シートフィルムＦに形成された薄膜１２１の状態を種々に設定しながら、薄膜の埋込み性や平坦性について詳細に調べたところ、次のようなことがわかった。すなわち、薄膜形成面に形成されたパターンが微細になるにしたがって埋込み性を確保するために薄膜１２１を構成する薄膜形成材料の成分を調整したり、転写プロセス条件（例えば加重重量や転写温度など）を調整する必要がある。そして、このような調整を行うことによって平坦性が劣化してしまう場合があった。逆に、平坦性のみを考慮すると、微細パターン、例えば高アスペクト比の凹部に薄膜形成材料を充填することができず、その凹部に空隙が残存してしまうなどの問題が生じる場合があった。つまり、薄膜の埋込み性と平坦性を同時に向上させることが困難となり、基板の材質、該基板上のパターンや薄膜形成材料などに組み合わせによっては、基板に薄膜を良好に形成することが困難となる場合があった。
【０００９】
この発明は上記課題に鑑みなされたものであり、基板に良好な薄膜を形成することができる薄膜形成装置および薄膜形成方法を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
この発明にかかる薄膜形成装置の一態様は、基材に形成された薄膜を基板に転写することによって該基板上に薄膜を形成する薄膜形成装置であって、上記目的を達成するため、基板上の薄膜に対向配置した矯正部材を、基板上に形成された薄膜の全面にわたって薄膜に押し当てて薄膜を平坦化させる薄膜矯正手段を備えている。
【００１１】
このように構成された発明では、基材に形成された薄膜を基板に転写することによって該基板上に形成された薄膜全面にわたって矯正部材が押し当てられて物理的な力により基板上の薄膜が平坦化される。したがって、薄膜の転写段階で平坦性を考慮することなく、埋込み性に適した条件で転写処理を行うことができ、種々の膜種について優れた埋込み性で薄膜を基板に転写形成することができる。しかも、転写処理によって平坦性が確保されずとも、最終的には薄膜が平坦化される。こうして、基板に良好な薄膜が形成される。
【００１２】
また、この発明にかかる薄膜形成装置の他の態様は、第１基材に形成された第１薄膜を基板に転写することによって該基板に薄膜を形成する薄膜形成装置であって、上記目的を達成するため、基板に形成された薄膜上に第２薄膜をさらに形成して基板上の薄膜を平坦化する薄膜付加手段を備えている。
【００１３】
このように構成された発明では、薄膜付加手段が、基材に形成された第１薄膜を基板に転写することによって該基板上に形成された薄膜上に第２薄膜を形成する。この第２薄膜の形成により基板上の薄膜が平坦化される。したがって、薄膜の転写段階で平坦性が確保されずとも、最終的には薄膜が平坦化されて基板に良好な薄膜が形成される。
【００１４】
ここで、薄膜付加手段として、基板に形成された薄膜上に塗布液を塗布して第２薄膜を形成するもの、例えばスピンコータ、ロールコータ、スリットコータなどの基板処理装置において従来より多用されている塗布装置を用いることができる。
【００１５】
ところで、基板に形成された薄膜上に塗布液を塗布したのみでは、基板の表面状態、例えば凹凸パターンの影響によって薄膜が十分に平坦化されない場合も考えられる。このような場合に対応するために、薄膜付加手段を次のように構成するようにしてもよい。すなわち、この薄膜付加手段が、基板に形成された薄膜上に塗布液を塗布して第１塗布層を形成する第１塗布手段と、第２基材上に塗布液を塗布して第２塗布層を形成する第２塗布手段とをさらに備え、第２基材上の第２塗布層を基板上の第１塗布層に転写することによって第１および第２塗布層を一体化させて第２薄膜を形成するように構成してもよい。この場合、第１塗布層に凹凸が存在したとしても、第２塗布層が第１塗布層の凹部に入り込んで薄膜が確実に平坦化される。
【００１６】
また、この発明にかかる薄膜形成方法は、上記目的を達成するため、第１基材に形成された薄膜を基板に転写することによって該基板に薄膜を形成する第１工程と、基板に形成された薄膜を平坦化させる第２工程とを備えている。
【００１７】
このように構成された発明では、第１基材に形成された薄膜を基板に転写することによって該基板上に薄膜を形成した（第１工程）後で、該薄膜の平坦化を行っている（第２工程）。したがって、薄膜の転写段階で平坦性が確保されずとも、最終的には薄膜が平坦化されて基板に良好な薄膜が形成される。よって、第１工程においては埋込み性に適した条件で転写処理を行うことができ、種々の膜種について優れた埋込み性で薄膜を基板に転写形成することができる。しかも、第１工程によって形成された薄膜について平坦性が確保されずとも、第２工程においては平坦性に適した条件で平坦化処理を行うことができる。よって、基板に良好な薄膜が形成される。
【００１８】
なお、第２工程については、基板上の薄膜を平坦化することができる限り、任意の方法を用いていることができるが、次のようにして平坦化することで優れた平坦性が得られる。すなわち、矯正部材を、基板に形成された薄膜の全面にわたって薄膜に押し当てて薄膜を平坦化させるようにしてもよい。この場合、基板上に形成された薄膜全面にわたって矯正部材が押し当てられて物理的な力により基板上の薄膜が平坦化される。また、基板に形成された薄膜上に塗布液を塗布して第１塗布層を形成することによって基板上の薄膜を平坦化するようにしてもよい。さらに、第２基材上に形成された第２塗布層を基板上の第１薄膜上に転写することによって基板上の薄膜を平坦化させるようにしてもよい。
【００１９】
【発明の実施の形態】
Ｉ．第１実施形態
Ａ．装置レイアウト
図１は、この発明にかかる薄膜形成装置の第１実施形態を示すレイアウト図である。この薄膜形成装置では、図１に示すように上手側（図１の左側）にインデクサ部ＩＤが設けられる一方、インデクサ部ＩＤの下手側（図１の右手側）にシートフィルムを用いて基板に薄膜を形成するプロセス部ＰＰが設けられている。
【００２０】
このインデクサ部ＩＤでは、基板を収容するための基板収容カセット１１が４個Ｘ方向に一列で配置されるとともに、その配列方向Ｘに沿って従来より多用されている基板搬送ロボット１２が移動し、一の基板収容カセット１１に収容されている薄膜形成前の基板を取り出してプロセス部ＰＰに搬送したり、プロセス部ＰＰから薄膜形成済の基板を受け取って基板収容カセット１１に収容する。なお以下の説明便宜のために、各図には、上下方向Ｚと、基板収容カセット１１の配列方向Ｘとに直交する方向を「Ｙ方向」とするＸＹＺ直角座標軸が示されている。
【００２１】
インデクサ部ＩＤの（＋Ｙ）側に配置されたプロセス部ＰＰでは、センターロボット２の周囲に、塗布ユニット３、乾燥ユニット４、転写ユニット５、剥離ユニット６、フィルム供給ユニット７および反転ユニット８が配設されている。この実施形態では、転写ユニット５による転写処理を並行して行うために２台の転写ユニット５が設けられている。また、後述するようにインデクサ部ＩＤから受け取った基板については、反転ユニット８で反転させた後、いずれかの転写ユニット５に搬送するため、プロセス部ＰＰのうちインデクサ部ＩＤに隣接する領域に２台の転写ユニット５により反転ユニット８をサンドイッチするようにこれらがＸ方向に配列されている。また、各転写ユニット５に対して重ね合わせるように乾燥ユニット４が配置されて装置のフットプリントの低減を図っている。また、プロセス部ＰＰのうちインデクサ部ＩＤの反対側には塗布ユニット３および剥離ユニット６が配置されている。さらに、塗布ユニット３と転写ユニット５との間にシートフィルムを供給するフィルム供給ユニット７が介挿されている。このように、プロセス部ＰＰではセンターロボット２を中心として各処理ユニット３〜８が放射状に配置され、センターロボット２はプロセス部ＰＰのほぼ中央に固定されたまま次に説明するように、基板用ハンドを伸縮させて転写ユニット５、剥離ユニット６および反転ユニット８の間で基板を搬送することができる一方、フィルム用ハンドを伸縮させて塗布ユニット３、乾燥ユニット４、転写ユニット５およびフィルム供給ユニット７の間でシートフィルムを搬送することが可能となっている。
【００２２】
Ｂ．センターロボット（搬送機構）２
図２はセンターロボットを示す図であり、同図（ａ）は上方より見た平面図であり、同図（ｂ）は側面図である。このセンターロボット２は本発明にかかる搬送機構に相当する多関節ロボットであり、ロボット本体２１と、そのロボット本体２１の頂部に取り付けられた２本の多関節アーム２２，２３とを備えている。このロボット本体２１はプロセス部ＰＰの中央部に固定配置された状態で回転軸ＡＸ１回りに回転し、さらにＺ方向に伸縮自在となっている。
【００２３】
また、多関節アーム２２の先端部には基板Ｗを保持するための基板保持部として機能する基板用ハンド２４が取り付けられており、装置全体を制御する制御ユニット（後で説明する図１２中の符号１０）からの動作指令にしたがって多関節アーム２２の伸縮駆動およびロボット本体２１の回転軸ＡＸ１回りの回転およびＺ方向駆動を制御することによって基板Ｗを各ユニット３，５，６，８から搬出したり、逆に基板用ハンド２４で保持している基板Ｗを各ユニット３，５，６，８に搬入する。
【００２４】
図３は基板用ハンドの構成を示す図であり、同図（ａ）は基板用ハンドを上方より見た平面図であり、同図（ｂ）は同図（ａ）のＡ−Ａ線断面図である。この基板用ハンド２４は、同図に示すように、上下２枚のプレート２４１，２４２を重ね合わせてなるハンド本体２４３を備えている。このハンド本体２４３の先端部と中央部には、ハンド本体２４３の長手方向とほぼ直交する方向に延びるウイング部２４４が形成されている。そして、各ウイング部２４４の上面部に基板支持ブロック２４５が固着され、同図中の２点鎖線で示すように、基板Ｗの外側面を係止することでハンド本体２４３の上面側で基板Ｗを機械的に保持可能となっている。
【００２５】
また、下プレート２４２の中央部には３つの吸着孔２４６〜２４８が設けられるとともに、上プレート２４１の下面側に溝部２４９が形成されており、上下プレート２４１，２４２を一体化させることで溝部２４９によって３つの吸着孔２４６〜２４８が連通されている。また、この溝部２４９は図示を省略する真空ポンプなどの真空吸着機構と接続されており、真空吸着機構を作動させることで溝部２４９に負圧を与え、同図（ｂ）中の１点鎖線で示すように、ハンド本体２４３の下面側で基板Ｗを吸着保持可能となっている。
【００２６】
このように、この実施形態では、センターロボット２は基板Ｗを２つの保持態様、つまり上方側で機械的保持する態様および下方側で吸着保持する態様で保持しながら基板を搬送することが可能となり、基板Ｗの状態に応じて保持態様を切替えることができ、その基板Ｗの状態に適応し、しかも効率的に基板搬送を行うことが可能となる。また、同時に２枚の基板Ｗを搬送することも可能である。
【００２７】
もう一方の多関節アーム２３の先端部には、シートフィルムＦの表面周縁部を吸着保持するフィルム用ハンド２５が取り付けられており、制御ユニットからの動作指令にしたがって多関節アーム２３の伸縮駆動およびロボット本体２１の回転軸ＡＸ１回りの回転およびＺ方向駆動を制御することによってシートフィルムＦを各ユニット３〜５、７から搬出したり、逆にフィルム用ハンド２５で保持しているシートフィルムＦを各ユニット３〜５に搬入する。
【００２８】
図４はフィルム用ハンドの構成を示す図であり、同図（ａ）はフィルム用ハンドを下方からみた底面図であり、同図（ｂ）は同図（ａ）のＢ−Ｂ線断面図である。このフィルム用ハンド２５では、ハンド本体２５１の下面先端部にシートフィルムＦと同程度の外径を有するリング部材２５２が取り付けられるとともに、そのリング部材２５２の下面側にシートフィルムＦとほぼ同一形状のプレート部材２５３が取り付けられてハンド本体２５１とリング部材２５２とで内部空間２５４を形成している。なお、ハンド本体２５１およびプレート部材２５３の各中央部を補強するために、内部空間２５４に６本の支柱部材２５５が設けられている。
【００２９】
また、プレート部材２５３の周縁部には、１８個の貫通孔２５３ａが形成されるとともに、ゴムや樹脂などで形成されたパッキンシート２５６を介してプレート部材２５３にシートフィルムＦとほぼ同一外径を有するリングプレート２５７が取り付けられている。ここで、パッキンシート２５６にはプレート部材２５３の貫通孔２５３ａと対応して貫通孔２５６ａが形成されており、貫通孔２５３ａと１対１で対応するように配置されるとともに、リングプレート２５７には３個の貫通孔２５３ａに跨る吸着孔２５７ａが６個形成されており、３個の貫通孔２５３ａごとに１個の吸着孔２５７ａが対応するように配置されている。このようにして吸着孔２５７ａ、貫通孔２５６ａおよび２５３ａを介してリングプレート２５７の下面側と内部空間２５４とが相互に連通されている。
【００３０】
一方、ハンド本体２５１の上面には、同図（ｂ）に示すように、連通孔２５１ａが設けられ、排気管２５８を介して排気ブロア（図示省略）に接続されている。このため、排気ブロアを作動させることで内部空間２５４に負圧を与え、同図（ｂ）で示すように、リングプレート２５７の下面全体がシートフィルムＦの表面周縁部に当接しながら、その表面周縁部を吸着保持可能となっている。
【００３１】
Ｃ．フィルム供給ユニット（フィルム供給機構）７およびフィルム収容カセット７１
図５は、図１の薄膜形成装置に設けられたフィルム供給ユニットの構成を示す図である。このフィルム供給ユニット７は、シートフィルムＦを収容するフィルム収容カセット７１をカセット載置台７２に対して着脱自在となっている。また、カセット載置台７２は図示を省略する昇降機構によって上下方向Ｚに昇降され、カセット載置台７２に装着されたフィルム収容カセット７１を上下方向Ｚにおいて位置決め可能となっている。なお、この実施形態では、同図に示すように、３つのカセット載置台７２が設けられており、最大３つのフィルム収容カセット７１を同時に載置可能となっているが、カセット載置台７２の設置個数については「３」に限定されるものではなく任意である。
【００３２】
図６は、図１の薄膜形成装置に設けられたフィルム収容カセットの分解組立斜視図である。各フィルム収容カセット７１はシートフィルムＦの間に離形シートＳＨを介在させた状態で複数のシートフィルムＦをカセット本体７１１に収容可能となっている。また、このカセット本体７１１には、３本の位置決めピン７１２が立設されており、カセット本体７１１に収容されたシートフィルムＦおよび離形シートＳＨの周縁部と係合してシートフィルムＦおよび離形シートＳＨをカセット本体７１１に対して位置決めする。これによって、カセット本体７１１内では、シートフィルムＦおよび離形シートＳＨが常に整列された状態で収容され、後で説明するようにしてシートフィルムＦの取出処理や離形シートＳＨの除去処理を良好に行うことができる。
【００３３】
また、カセット本体７１１に対して保護カバー７１３が開閉自在に設けられている。より詳しく説明すると、保護カバー７１３の下端周縁部の４箇所に突起部７１４が取り付けられる一方、各突起部７１４に対応してカセット本体７１１に挿入孔７１５が設けられている。そして、突起部７１４のそれぞれを対応する挿入孔７１５に挿入させながら、保護カバー７１３をカセット本体７１１に装着することで保護カバー７１３は閉じた状態となり、カセット本体７１１に収容されたシートフィルムＦおよび離形シートＳＨを上方より覆って保護することとなる。これによって、シートフィルムＦの汚染を確実に防止することができる。一方、保護カバー７１３をカセット本体７１１から上方に移動させると、保護カバー７１３は開いた状態となり、カセット本体７１１に収容されたシートフィルムＦおよび離形シートＳＨを上方より搬出することができるようになる。
【００３４】
このように保護カバー７１３を開閉移動させるために、この実施形態にかかるフィルム供給ユニット７では、図５に示すように、カバー開閉駆動機構７３がカセット載置台７２の上方位置に配設されている。このカバー開閉駆動機構７３は、回動軸ＡＸ２回りに回動自在となっている回動アーム７３１と、その先端に取り付けられた把持部７３２とを備えており、図示を省略する駆動部により回動アーム７３１が１点鎖線矢印Ｐ１の方向に回動する。そして、カバー開閉駆動機構７３は所定のカバー開閉位置（図８（ａ））に位置決めされたフィルム収容カセット７１の保護カバー７１３に設けられた取っ手部７１６を把持部７３２により把持した後、回動アーム７３１を（−Ｐ１）方向に回動させることで図５の退避位置に移動させるように構成している。また、保護カバー７１３を閉じる場合には、これと逆の動作を行う。
【００３５】
このカバー開閉駆動機構７３の下方位置には、離形シートＳＨを取り除く離形シート除去機構７４が配設されている。この離形シート除去機構７４では、図５および図７に示すように、シートフィルムＦおよび離形シートＳＨの外径よりも広い間隔を隔てて２本の回動アーム７４１，７４２が配設されている。また、これらの回動アーム７４１，７４２の頂部には、水平方向に延びる連結ビーム７４３が掛け渡されている。また、この連結ビーム７４３の中央部には、離形シートＳＨを吸着する吸着プレート７４４が取り付けられており、図５および図７に示すように吸着位置において吸着プレート７４４の下面が吸着面７４４ａとなっている。そして、図８（ｂ）に示すように吸着面７４４ａを（−Ｚ）方向に向けたままの状態でカセット載置台７２を上昇させると、そのカセット載置台７２に載置されたフィルム収容カセット７１内の最上部に位置する離形シートＳＨが吸着面７４４ａに当接し、同図（ｃ）に示すように吸着プレート７４４に吸着保持される。なお、カセット載置台７２上に載置されているフィルム収容カセット７１同士の上下方向の間隔は、カバー開閉駆動機構７３が保護カバー７１３を着脱するとき、前記保護カバー７１３が通過するのに十分な間隔である。
【００３６】
また、回動アーム７４１，７４２には、図７に示すように、それぞれ（＋Ｙ）方向および（−Ｙ）方向に延びる軸部材７４５，７４６が取り付けられており、回動軸ＡＸ３を回動中心として回動自在となっている。そして、図示を省略する駆動部により回動アーム７４１，７４２が１点鎖線矢印Ｐ２の方向に回動可能となっている。このため、上記のようにして離形シートＳＨを吸着プレート７４４で吸着保持した後、回動アーム７４１，７４２を図９（ａ）に示す矢印方向（＋Ｐ２）に回動させると、吸着プレート７４４は除去位置に位置決めされる。そして、吸着プレート７４４による吸着を解除すると、吸着プレート７４４から離形シートＳＨが下方に落下する。
【００３７】
さらに、この実施形態では離形シートＳＨを回収する離形シート回収ボックス７６がフィルム供給ユニット７の底面部に配設されるとともに、上記のようにして落下してくる離形シートＳＨを離形シート回収ボックス７６に案内するガイド部材７７，７８がさらに設けられている。このように離形シート回収ボックス７６とガイド部材７７，７８とにより、離形シートＳＨを確実に離形シート回収ボックス７６に回収可能となっている。このため、フィルム供給ユニット７周囲への離形シートＳＨの散乱を効果的に防止することができる。
【００３８】
一方、離形シートＳＨをフィルム収容カセット７１から取り除くことによって最上部にシートフィルムＦが露出して該カセット７１からの搬出が可能となる。そこで、適当なタイミングでフィルム用ハンド２５がフィルム供給ユニット７に移動し、最上部のシートフィルムＦを吸着保持する（同図（ｂ））。そして、次の処理ユニット、つまり塗布ユニット３に搬送する。
【００３９】
なお、この実施形態では、図５に示すように離形シート除去機構７４の近傍にイオナイザー７９が設けられており、フィルム収容カセット７１からシートフィルムＦを搬出したり、離形シートＳＨを取り除く際に剥離帯電が発生するのを効果的に防止している。
【００４０】
Ｄ．塗布ユニット３
図１０は、図１の薄膜形成装置に設けられる塗布ユニットの構成を示す図である。この塗布ユニット３は、円板状のステージ３１と、このステージ３１を回転させるモータ（図示省略）の回転軸３２と、薄膜用塗布液である例えばＳＯＧ（Ｓｐｉｎ−ｏｎ−Ｇｌａｓｓ）液を塗布するためのＳＯＧ液用吐出ノズル３３と、エッジリンスを行うべくシートフィルムＦや基板Ｗの周縁部分に洗浄液を吐出する洗浄液用吐出ノズル３４と、塗布液や洗浄液等が塗布ユニット３の周辺に飛散するのを防止する飛散防止カップ３５とを備えている。この実施形態では、塗布ユニット３は、シートフィルムＦや剥離処理後の基板ＷにＳＯＧ液を塗布するものである。なお、以下の説明の便宜から、薄膜が全く形成されていない基板を「未処理基板」と称する一方、後述する剥離処理後の基板を「薄膜付基板」と称する。
【００４１】
このステージ３１の上面全体には、図示を省略する保持機構が設けられており、シートフィルムＦや薄膜付基板Ｗを保持可能となっている。そして、上記のようにフィルム用ハンド２５によりシートフィルムＦがフィルム供給ユニット７から塗布ユニット３に搬送され、ステージ３１上に載置された後、保持機構によってシートフィルムＦはステージ３１にしっかりと保持される。また、基板用ハンド２４により基板Ｗが剥離ユニット６から塗布ユニット３に搬送され、ステージ３１上に載置された後、保持機構によって基板Ｗはステージ３１にしっかりと保持される。なお、このように構成されたステージ３１の周囲を飛散防止カップ３５が取り囲む構成になっている。
【００４２】
このように構成された塗布ユニット３では、ステージ３１にシートフィルムＦがセットされて塗布処理の準備が完了すると、塗布ユニット３に設けられたモータ（図示省略）が作動し、図１０に示すように回転軸３２が回転し始め、この回転に伴って、ステージ３１、さらにはシートフィルムＦが回転軸ＡＸ４回りに回転される。また、この回転と同時、あるいは少し遅れてＳＯＧ液用吐出ノズル３３よりシートフィルムＦや薄膜付基板Ｗの中心点に向かってＳＯＧ液を供給する。すると、シートフィルムＦの回転に伴う遠心力によって、シートフィルムＦの中心から全面にわたってＳＯＧ液が薄膜状に塗布される。このとき、シートフィルムＦの外側に飛散したＳＯＧ液は飛散防止カップ３５、さらには図示を省略する排出管を介して塗布ユニット３の外部に排出される。
【００４３】
そして、シートフィルムＦの全面に対してＳＯＧ液の供給を行った後、エッジリンスを行う。即ち、洗浄液用吐出ノズル３４よりシートフィルムＦの周縁部分に向かって洗浄液が吐出される。ここでも、シートフィルムＦの回転は継続されているため、この回転によって、シートフィルムＦや薄膜付基板Ｗの周縁部分に付着していた塗布液が除去される。
【００４４】
なお、ここではシートフィルムＦにＳＯＧ液を塗布液として塗布して本発明の「薄膜」、「第１薄膜」に相当するＳＯＧ膜を形成しているが、薄膜付基板Ｗがステージ３１にセットされて塗布処理の準備が完了すると、シートフィルムＦの場合と同様にして、薄膜付基板ＷにＳＯＧ液を塗布液として塗布して本発明の「第２薄膜」に相当するＳＯＧ膜を形成する。
【００４５】
こうしてシートフィルムＦに対する塗布処理が完了すると、フィルム用ハンド２５が塗布ユニット３に進入し、シートフィルムＦを吸着保持する一方、保持機構によるシートフィルムＦの保持が解除される。そして、フィルム用ハンド２５によってＳＯＧ膜（薄膜）が形成されたシートフィルムＦが塗布ユニット３から搬出され、次の処理ユニット、つまり乾燥ユニット４に搬送される。また、薄膜付基板Ｗに対する塗布処理が完了した場合には、基板用ハンド２４によって薄膜付基板Ｗが乾燥ユニット４に搬送される。
【００４６】
なお、この実施形態における塗布ユニット３では、塗布液としてＳＯＧ液を用いたが、半導体のフォトリソグラフィに用いられるフォトレジスト液等に例示されるように、基板Ｗに対して形成すべき薄膜を構成する塗布液ならば、特に限定されるものではない。また、この実施形態では、塗布処理後にシートフィルムＦを次に説明する乾燥ユニット４に搬送し、乾燥処理を施しているが、乾燥処理を行わず直接転写ユニット５に搬送するようにしてもよい。さらに、薄膜付基板Ｗに第２薄膜を形成した後、乾燥ユニット４に搬送し、乾燥処理を施しているが、乾燥処理を行わず直接反転ユニット８に搬送し、さらにインデクサ部ＩＤの基板搬送ロボット１２によって基板収容カセット１１に収容するようにしてもよい。
【００４７】
Ｅ．乾燥ユニット４
図１１は、図１の薄膜形成装置に設けられる乾燥ユニットを示す図である。この乾燥ユニット４は、その内部が処理チャンバー４１１となっている処理容器４１と、その処理チャンバー４１１の内底部に配置されたホットプレート（ステージ）４２とを備えている。なお、同図中の符号１２１は上記塗布ユニット３によりシートフィルムＦの表面上に形成されたＳＯＧ膜（薄膜）を示している。
【００４８】
この処理容器４１の底部には２箇所の窒素ガス導入口４１２，４１３が設けられており、図示を省略する窒素ガス供給源から窒素ガス（Ｎ２ガス）が上記導入口４１２，４１３を介して処理チャンバー４１１内に供給される。また、処理容器４１の天井部には、排気口４１４が設けられており、処理チャンバー４１１内の気体成分を処理チャンバー４１１から排気可能となっている。このため、処理チャンバー４１１は窒素ガス雰囲気に満たされ、この雰囲気で乾燥処理が行われる。
【００４９】
また、ホットプレート４２はヒータ４２１を内蔵しており、制御ユニットから与えられる電気信号によりヒータ４２１が発熱するように構成されている。また、ホットプレート４２には、塗布ユニット３のステージ３１と同様に、ホットプレート４２の上面全体には、図示を省略する吸着孔が複数個設けられるとともに、真空ポンプ（図示省略）と接続されている。そして、上記のようにフィルム用ハンド２５によりシートフィルムＦが乾燥ユニット４に搬送され、ホットプレート４２上に載置された後、真空ポンプを作動させることでシートフィルムＦはホットプレート４２にしっかりと真空吸着される。また、こうしてホットプレート４２により真空吸着された状態で乾燥処理が開始される。
【００５０】
そして、所定時間だけシートフィルムＦが加熱されて乾燥処理が完了すると、フィルム用ハンド２５が乾燥ユニット４に進入し、シートフィルムＦを吸着保持する一方、真空ポンプが停止してホットプレート４２による真空吸着が解除される。そして、フィルム用ハンド２５によって乾燥処理が施されたシートフィルムＦが乾燥ユニット４から搬出され、次の処理ユニット、つまり転写ユニット５に搬送される。
【００５１】
なお、この乾燥ユニット４はシートフィルムＦに対してのみ乾燥処理を施すものではなく、薄膜付基板Ｗに対してもシートフィルムＦの場合と同様にして乾燥処理を施す。すなわち、上記のように基板用ハンド２４により薄膜付基板Ｗが乾燥ユニット４に搬送され、ホットプレート４２上に載置された後、真空ポンプを作動させることで薄膜付基板Ｗはホットプレート４２にしっかりと真空吸着される。また、こうしてホットプレート４２により真空吸着された状態で乾燥処理が開始される。そして、所定時間だけ薄膜付基板Ｗが加熱されて乾燥処理が完了すると、基板用ハンド２４が乾燥ユニット４から乾燥処理が施された薄膜付基板Ｗ搬出する。そして、この薄膜付基板Ｗは反転ユニット８に搬送され、さらにインデクサ部ＩＤの基板搬送ロボット１２によって基板収容カセット１１に収容される。
【００５２】
Ｆ．転写ユニット５
図１２は、図１の薄膜形成装置に設けられた転写ユニットを示す概略断面図である。同図において、この転写ユニット５は、その内部が真空排気可能となっており、ＳＯＧ膜（薄膜）の転写処理を実行するためのチャンバ５１１を形成する処理容器５１を備えている。この処理容器５１の側面部には排気口５１２が設けられるとともに、その排気口５１２に真空ポンプ５２が接続されている。この真空ポンプ５２は装置全体を制御する制御ユニット１０に電気的に接続されており、制御ユニット１０からの動作指令に応じて作動して排気口５１２を介してチャンバ５１１内を真空排気することができるようになっている。
【００５３】
また、チャンバ５１１内には、第１および第２プレート５４，５５と、第１プレート５４の第２プレート５５に対する傾きを自動的に補正し薄膜形成対象である基板ＷとシートフィルムＦに形成されているＳＯＧ膜が全面にわたって等しい圧力で押し付けられるようにする機構（以下、傾斜補正機構という）５８が配設されている。
【００５４】
第１プレート５４は、第２プレート５５の上方にこれと軸線が一致するように傾斜補正機構５８を介して吊設され、第２プレート５５と対向する面（下面）に基板Ｗが装着されることにより基板用プレートを構成している。このため、第１プレート５４の下面は、平坦性を確保するために研磨された石英板（図示省略）が設けられており、この石英板に基板Ｗが固定される。このように石英板を用いた理由は、石英が、基板Ｗを汚染する物質を含まないこと、および加工性がよく必要とする平坦性が容易に得られることなどから、基板Ｗを装着する材料として優れているからである。また、第１プレート５４は、内部に加熱手段として加熱ヒータ５４１を具備している。この加熱ヒータ５４１はヒータコントローラ５４２と電気的に接続されており、制御ユニット１０からの基板温度情報に基づき作動するヒータコントローラ５４２によって制御され、２５°Ｃ〜３００°Ｃの間で加熱制御される。
【００５５】
もう一方のプレート、つまり第２プレート５５は、第１プレート５４の下方に配設され、上面にシートフィルムＦが装着されることによりフィルム用プレートを構成している。また、この第２プレート５５は、シートフィルムＦが載置される石英製のステージと、シートフィルムＦを加熱する加熱台とから構成されるとともに、その加熱台の内部に加熱手段として加熱ヒータ５５１が内蔵されている。この加熱ヒータ５５１はヒータコントローラ５５２と電気的に接続されており、制御ユニット１０からの基板温度情報に基づき作動するヒータコントローラ５５２によって制御され、２５°Ｃ〜３００°Ｃの間で加熱制御される。また、加熱台の下面中央には、軸５５３が一体に垂設されている。この軸５５３は軸受５９１によって上下動自在に軸支され、加重機構としての加重モータ５９２によって移動方向Ｚに沿って上下動されるように構成されている。
【００５６】
次に、傾斜補正機構５８の構成について図１２ないし図１４を参照しつつ詳述する。図１３は図１２のＣ−Ｃ線断面図である。また、図１４は傾斜補正機構を示す部分切欠斜視図である。この実施形態では、傾斜補正機構５８は、第１プレート５４の外周を取り囲むように配設され、移動方向Ｚに対してほぼ直交する第１方向Ｘに延びる第１軸部材５８１を介して第１プレート５４に連結され、第１回動軸ＡＸ５を中心として第１プレート５４を回動自在に支持するリング状の第１支持体５８２と、第１支持体５８２の外周に配設され、移動方向Ｚおよび第１方向Ｘに対してほぼ直交する第２方向Ｙに延びる第２軸部材５８３を介して第１支持体５８２に連結され、第２回動軸ＡＸ６を中心として第１支持体５８２を回動自在に支持する第２支持体５８４とを備えている。なお、この実施形態では、図１４に示すように、第１プレート５４に装着された基板Ｗの表面、つまり薄膜形成面１１２の面内に第１および第２回動軸ＡＸ５、ＡＸ６が存在するように、各軸部材５８１，５８３が設けられている。
【００５７】
このように構成された傾斜補正機構５８では、第１プレート５４は第１支持体８２により第１回動軸ＡＸ５回りに回動自在に支持されるとともに、第２支持体５８４により第２回動軸ＡＸ６回りに回動自在に支持されており、いわゆる軸回動によって第１プレート５４は移動方向Ｚに対して傾斜可能となっている。
【００５８】
また、傾斜補正機構５８の第２支持体５８４は、図１４に示すように、第１支持体５８２をＹ方向において挟み込むように方向Ｚに延びる２本のコラム部５８４ａ，５８４ｂと、両コラム部５８４ａ，５８４ｂの上部を連結するビーム部５８４ｃとで構成されている。そして、ビーム部５８４ｃの中央部から上方に支柱部５８４ｄが延設され、チャンバ５１１内で吊設されている。より詳しく説明すると、この支柱部５８４ｄは、軸受５９３によって上下動自在に枢支され、上端には下方への落下を防止するフランジ５９４が一体に突設されている。なお、図１２中の符号５９５はフランジ５９４に対応して設けられた加重センサであり、基板ＷとシートフィルムＦとの間に印加される加重を検出し、その加重値を制御ユニット１０に与える。
【００５９】
次に、上記した転写ユニット５を使用した転写処理手順について説明する。本実施の形態においては、後で説明する反転ユニット８から、薄膜形成面１１２（電極配線などが形成され、薄膜を形成すべき面）が下方を向いた状態で基板Ｗが基板用ハンド２４の基板支持ブロック２４５で機械的に保持されたまま転写ユニット５に搬送され、第１プレート５４の下面に基板Ｗが薄膜形成面１１２を下に向けて装着される。また、第２プレート５５上には、その表面に予め塗布ユニット３によってＳＯＧ膜１２１（図１１参照）を形成してなるシートフィルムＦがＳＯＧ膜１２１を上に向けて装着される。そして、制御ユニット１０が装置各部を以下のように制御して薄膜シートフィルムＦ上の薄膜を基板Ｗに転写する。
【００６０】
まず、ヒータコントローラ５４２によって加熱ヒータ５４１に通電して第１プレート５４を加熱して基板Ｗを所望の温度に加熱するとともに、ヒータコントローラ５５２によって加熱ヒータ５５１に通電して第２プレート５５を加熱してシートフィルムＦを所望の温度に加熱する。
【００６１】
また、真空ポンプ５２によってチャンバ５１１内が所望の真空度となるように真空排気する。そして、チャンバ５１１内が所望の真空度になった後、制御ユニット１０より加重モータ５９２に駆動信号が送られ、加重操作を開始する。これによって、第２プレート５５が移動方向Ｚに沿って上昇してシートフィルムＦを基板Ｗに押し付ける。このとき、第１プレート５４と傾斜補正機構５８は、第２プレート５５によって一体に押し上げられる。
【００６２】
この押上時に、第１プレート５４が第２プレート５５に対して傾斜しているときは、第２プレート５５が第１プレート５４に当たったとき、傾斜補正機構５８によって第１プレート５４の傾斜が自動的に補正される。すなわち、第１プレート５４は傾斜補正機構５８によって移動方向Ｚに対して傾斜可能に保持されているので、例えば図１２において左方に小角度傾斜しているとすると、先ず第２プレート５５の左端側が第１プレート５４に接触して第１プレート５４を押し上げる。このため、第１プレート５４は基板Ｗの表面内に存在する第１回動軸ＡＸ５を回動中心として時計方向に回動して基板ＷとシートフィルムＦとの接触面積が右方に徐々に広がっていく。そして、第１プレート５４の傾斜が完全に補正され第２プレート５５と平行になると、基板ＷとシートフィルムＦが全面にわたって等しい圧力で押し付けられる。
【００６３】
そして、加重モータ５９２によって加重を続け、加重センサ５９５によって所望の加重が検知されると、制御ユニット１０は一定時間、その加重が継続されるように加重モータ５９２を制御する。その間も基板ＷとシートフィルムＦは所定の温度となるように加熱されている。
【００６４】
また、上記した一連の加重操作が終了すると、加重の状態が零となるように制御ユニット１０は加重モータ５９２に信号を送る。このとき真空排気も停止するように制御される。
【００６５】
なお、上記のようにして転写ユニット５において基板ＷへのＳＯＧ膜１２１の転写が完了すると、基板ＷはＳＯＧ膜（薄膜）を挟んでシートフィルムＦと一体となっており、転写ユニット５に進入してきた基板用ハンド２４の吸着孔２４６〜２４８で一体化状態のまま基板Ｗを吸着保持する。つまり、基板用ハンド２４の下方側保持機構を用いて密着物（後の図１５中の符号Ｍに示すものであり、ＳＯＧ膜１２１を介して相互に密着された基板ＷおよびシートフィルムＦである）を吸着保持する。そして、その吸着保持状態のまま基板用ハンド２４はチャンバ５１１から剥離ユニット６に密着物を搬送する。
【００６６】
Ｇ．剥離ユニット６
図１５は、図１の薄膜形成装置に設けられた剥離ユニットを示す図である。この剥離ユニット６は、その内部が処理チャンバー６１１となっている処理容器６１と、その処理チャンバー６１１の下方に配置されて上記転写ユニット５により形成された密着物ＭのシートフィルムＦを真空吸着する吸着プレート６２と、処理チャンバー６１１において、吸着プレート６２の上方に設けられ、吸着プレート６２上に載置された密着物Ｍの基板Ｗを吸着可能で、上下方向（Ｚ方向）および、Ｘ方向に沿った軸ＡＸ７周りに回動する基板吸着部６３とを備えている。なお、同図中の符号１１１は基板Ｗの薄膜形成面１１２に形成された電極配線を示している。
【００６７】
また、基板吸着部６３には該基板吸着部６３を軸ＡＸ７周りに回動させるため、ロータリ型のエアシリンダなどを用いた回動機構６４が接続されている。また、基板吸着部６３には昇降機構６５が設けられている。
【００６８】
昇降機構６５は、エアシリンダなどの駆動部材６６によって、基板吸着部６３における基板Ｗとの接触面に対して進退するピン６７を有する。そして、基板Ｗが上方を向いた状態になるよう基板吸着部６３が回動したとき、ピン６７を上昇させることにより基板Ｗを基板吸着部６３の上方に上昇させることが可能である。
【００６９】
処理容器６１の処理チャンバー６１１には、図示を省略する除電器が設けられており、処理チャンバー６１１内においてオゾン（Ｏ３）雰囲気を形成可能となっている。
【００７０】
次に、上記のように構成された剥離ユニット６の動作について説明する。転写ユニット５によりＳＯＧ膜１２１を介してシートフィルムＦが貼り合わされた基板Ｗ、つまり密着物Ｍがセンターロボット２の基板用ハンド２４により吸着保持されながら剥離ユニット６の処理チャンバー６１１内に搬入される。このとき、基板吸着部６３は上方に退避している。そして、基板用ハンド２４は、シートフィルムＦが吸着プレート６２と接触するように、密着物Ｍを吸着プレート６２に載置した後、処理容器６１外に退避する。
【００７１】
そして、吸着プレート６２がシートフィルムＦを吸着する一方、上方に退避していた基板吸着部６３が下降し基板Ｗの裏面（非薄膜形成面）を吸着する。また、処理容器６１を密閉し、除電器を作動させて処理チャンバー６１１内をオゾン雰囲気の状態にする。このようにシートフィルムＦを吸着することで該シートフィルムＦを介してＳＯＧ膜１２１中の溶媒を排出してＳＯＧ膜１２１を乾燥させる。この乾燥処理によりシートフィルムＦとＳＯＧ膜１２１との界面では、基板ＷとＳＯＧ膜１２１との界面に比べ、ＳＯＧ膜１２１の乾燥が促進されて剥がれ易くなる。そして、所定時間後、基板吸着部６３が上昇すると、シートフィルムＦとＳＯＧ膜１２１との界面が剥離して、シートフィルムＦから基板ＷへＳＯＧ膜が転写されることになる。
【００７２】
次に、上昇した基板吸着部６３は回動機構６４によって軸ＡＸ７周りに回動し、基板Ｗの薄膜形成面１１２が上方を向いて水平姿勢になるような状態、つまりフェースアップ状態で停止する。その後、基板吸着部６３は基板Ｗの吸着を解除するとともに、昇降機構６５が基板Ｗを上昇させる。すなわち、駆動部材６６によってピン６７を上昇させることによって、基板Ｗを基板吸着部６３との接触面から上昇させる。
【００７３】
そして、上昇した基板Ｗは基板用ハンド２４によって次に説明する反転ユニット８に搬送され、さらにインデクサ部ＩＤの基板搬送ロボット１２によって基板収容カセット１１に収容される。
【００７４】
Ｈ．反転ユニット８
図１６は、図１の薄膜形成装置に設けられた反転ユニットの構成を示す図であり、同図（ａ）は反転ユニットを上方より見た平面図であり、同図（ｂ）は同図（ａ）のＤ−Ｄ線断面図である。この反転ユニット８はセンターロボット２の基板用ハンド２４との間で基板Ｗを受渡すための一対の基板チャック８１，８１を有している。この基板チャック対８１，８１は互いに対向して離間配置されている。また、各基板チャック８１はロータリーシリンダ８２のロッド８３の先端部に取付けられており、ロッド８３のＸ方向移動に伴いＸ方向に移動し、またロッド８３の回転動作に伴いロッド８３回りに１８０゜回転する。
【００７５】
このため、相互に離間している基板チャック対８１，８１の間に未処理の基板Ｗがインデクサ部ＩＤの基板搬送ロボット１２によって搬送されてくると、両ロッド８３が伸長して同図に示すように基板チャック対８１，８１が基板Ｗを挟持した後、基板搬送ロボット１２が退避する。そして、両ロッド８３が１８０゜回転する。これによって、フェースアップ状態、つまり薄膜形成面１１２に形成された電極配線１１１を上方に向けた状態で搬送されてきた基板Ｗは反転されてフェースダウン状態となる。
【００７６】
一方、上記のように剥離ユニット６からフェースアップ状態で基板用ハンド２４で機械的に保持されたままセンターロボット２により、薄膜形成済の基板Ｗが反転ユニット８に搬送されてくると、両ロッド８３が伸長して同図に示すように基板チャック対８１，８１が基板Ｗを挟持しするのみで、反転処理を行わず、そのまま基板搬送ロボット１２に受け渡す。
【００７７】
Ｉ．動作
図１７は上記のように構成された薄膜形成装置の全体動作を示す図であり、同図中の実線矢印は基板Ｗの搬送順序を示し、１点鎖線矢印はシートフィルムＦの搬送順序を示し、白抜矢印は密着物Ｍの搬送を示している。この薄膜形成装置では、その表面に電極配線１１１が形成された基板Ｗが基板収容カセット１１に収容される一方、シートフィルムＦがフィルム収容カセット７１に収容されている。そして、フィルム収容カセット７１の最上部に位置しているシートフィルムＦをフィルム用ハンド２５により塗布ユニット３に搬送し、そのシートフィルムＦの表面にＳＯＧ膜１２１を塗布する（ステップＳ１：塗布処理）。ここで、フィルム収容カセット７１の最上部に離形シートＳＨが位置している場合には上記「Ｃ．フィルム供給ユニット（フィルム供給機構）７およびフィルム収容カセット７１」の項で説明した動作手順で最上部の離形シートＳＨを取り除いてシートフィルムＦを最上部に位置させた後で、上記した塗布ユニット３へのシートフィルムＦの搬送、ならびに塗布ユニット３による塗布処理を実行する。
【００７８】
また、このシートフィルムＦの搬出および塗布処理と並行して、インデクサ部ＩＤにおいて、基板搬送ロボット１２によって基板収容カセット１１に収容されている基板Ｗをフェースアップ状態のまま取り出し、反転ユニット８に搬送する。そして、反転ユニット８により基板Ｗを反転してフェースダウン状態にする（ステップＳ２：反転処理）。そして、基板用ハンド２４の基板支持ブロック２４５で反転ユニット８から基板Ｗを受取り、転写ユニット５に搬送し、転写ユニット５の第１プレート５４の下面に装着する。このように、この実施形態では基板用ハンド２４の上方側保持機構によって基板Ｗを保持して反転ユニット８から転写ユニット５に搬送している。
【００７９】
一方、塗布処理が完了すると、フィルム用ハンド２５によってシートフィルムＦを塗布ユニット３から乾燥ユニット４に搬送し、この乾燥ユニット４においてシートフィルムＦ上のＳＯＧ膜１２１を乾燥させる（ステップＳ３：乾燥処理）。ここで、乾燥処理を必要としない場合には、フィルム用ハンド２５によってシートフィルムＦを塗布ユニット３から直接転写ユニット５に搬送し、第２プレート５５上にシートフィルムＦを装着する。
【００８０】
こうして、転写ユニット５において基板ＷおよびシートフィルムＦがそれぞれ第１および第２プレート５４，５５にセットされると、上記「Ｆ．転写ユニット５」の項で詳述した動作手順で基板ＷへのＳＯＧ膜１２１の転写を行う（ステップＳ４：転写処理）。
【００８１】
次に、基板用ハンド２４を転写ユニット５に進入させ、ハンド本体２４３の下面側で基板Ｗを吸着保持した後、その吸着状態のまま密着物Ｍを剥離ユニット６に搬送する。このように、転写ユニット５から剥離ユニット６への密着物Ｍの搬送については、基板用ハンド２４の下方側保持機構を用いている。
【００８２】
そして、剥離ユニット６に搬送された密着物ＭからシートフィルムＦのみを選択的に剥離させる（ステップＳ５：剥離処理）。こうすることで薄膜形成面１１２にＳＯＧ膜１２１のみが形成された基板、つまり薄膜付基板Ｗを得ることができる。ここで、剥離されたシートフィルムＦについては廃却する。一方、薄膜付基板Ｗについては、上記のようにして形成されたＳＯＧ膜１２１が基板Ｗに対して優れた埋込み性で、しかも優れた平坦性で形成されている場合には、この薄膜付基板Ｗをフェースアップ状態で基板用ハンド２４の基板支持ブロック２４５で保持しながら反転ユニット８に搬送する。また、上記した転写処理によって十分な平坦性が得られない場合には、次に説明する平坦化処理（ステップＳ６）を薄膜付基板Ｗに対して施した後で、反転ユニット８に搬送する。
【００８３】
図１８は図１の薄膜形成装置における平坦化処理を示す図である。この実施形態では、薄膜付基板Ｗをフェースアップ状態で基板用ハンド２４の基板支持ブロック２４５で保持しながら剥離ユニット６から塗布ユニット３に搬送する。この塗布ユニット３では、基板Ｗに転写形成されたＳＯＧ膜１２１上にＳＯＧ液が塗布されて本発明の「第２薄膜」に相当するＳＯＧ膜をさらに塗布する（ステップＳ６１：塗布処理）。そして、この基板Ｗを基板用ハンド２４により乾燥ユニット４に搬送して乾燥処理を施した（ステップＳ６２）後、反転ユニット８に搬送する。このように第２薄膜たるＳＯＧ膜を形成することで基板Ｗ上の薄膜（ＳＯＧ膜）の平坦性を高めることができる。このように第１実施形態では、塗布ユニット３は単にシートフィルムＦに薄膜を形成するのみならず、薄膜付基板ＷのＳＯＧ膜１２１上にＳＯＧ膜をさらに形成して基板薄膜を平坦化する手段、つまり本発明の「薄膜付加手段」として機能している。
【００８４】
なお、上記のようにして反転ユニット８に戻された薄膜形成済の基板Ｗについては、インデクサ部ＩＤで基板搬送ロボット１２を用いて基板収容カセット１１に収容される。
【００８５】
Ｊ．作用効果
以上のように、この実施形態によれば、シートフィルムＦに形成されたＳＯＧ膜を未処理基板Ｗに転写することによって該基板Ｗ上に薄膜を形成した（ステップＳ４、Ｓ５）後で、必要に応じて平坦化処理を行っている（ステップＳ６）。したがって、シートフィルムＦを剥離した段階で平坦性が確保されずとも、最終的には基板Ｗ上の薄膜（ＳＯＧ膜）が平坦化されて基板Ｗに良好な薄膜が形成される。このように、未処理基板Ｗに薄膜を形成する際には、埋込み性に適した条件で転写処理を行うことができる。したがって、ここでは薄膜としてＳＯＧ膜を基板Ｗに形成する場合について説明しているが、その他の薄膜形成材料からなる薄膜を形成する場合には、その膜種に対応した条件で転写処理を実行すればよく、種々の膜種に対して優れた埋込み性で薄膜を未処理基板Ｗに形成することができる。しかも、シートフィルムＦの剥離によって基板Ｗの表面で露出した薄膜の平坦性が確保されないとしても、平坦性に適した条件で平坦化処理（ステップＳ６）を行うことで基板Ｗ上の薄膜の平坦性を向上させることができる。こうして、埋込み性および平坦性に優れた良好な薄膜を基板Ｗに形成することができる。
【００８６】
ＩＩ．第２実施形態
図１９は、この発明にかかる薄膜形成装置の第２実施形態を示すレイアウト図である。この薄膜形成装置が第１実施形態と大きく相違する点は、シートフィルムＦに対する塗布処理と、薄膜付基板Ｗに対する塗布処理とをそれぞれ異なるユニットで実行している点である。すなわち、この第２実施形態では、同図に示すように、シートフィルムＦに塗布液を塗布するフィルム用塗布ユニット３Ｆと、薄膜付基板Ｗに塗布液を塗布する基板用塗布ユニット３Ｗとがプロセス部ＰＰに設けられている。
【００８７】
そして、シートフィルムＦにＳＯＧ膜１２１を塗布する（ステップＳ１）際には、フィルム収容カセット７１の最上部に位置しているシートフィルムＦをフィルム用ハンド２５によりフィルム用塗布ユニット３Ｆに搬送し、そのシートフィルムＦの表面にＳＯＧ膜１２１を塗布する。一方、薄膜付基板ＷのＳＯＧ膜１２１上にさらにＳＯＧ膜を形成して平坦化する（ステップＳ６１）際には、剥離ユニット６から薄膜付基板Ｗをフェースアップ状態で基板用ハンド２４の基板支持ブロック２４５で保持しながら基板用塗布ユニット３Ｗに搬送する。そして、基板Ｗに転写形成されたＳＯＧ膜１２１上にＳＯＧ液を塗布して本発明の「第２薄膜」に相当するＳＯＧ膜をさらに塗布する。このように第２実施形態では、基板用塗布ユニット３Ｗが本発明の「薄膜付加手段」として機能している。
【００８８】
なお、第２実施形態では、塗布ユニットについてフィルム用塗布ユニット３Ｆと基板用塗布ユニット３Ｗとの２種類を設けているが、乾燥ユニットについてもフィルム用乾燥ユニットと基板用乾燥ユニットとの２種類を設けるようにしてもよい。
【００８９】
ＩＩＩ．第３実施形態
図２０は、この発明にかかる薄膜形成装置の第３実施形態の動作を示す図である。この薄膜形成装置が第１実施形態と大きく相違する点は平坦化処理（ステップＳ６）の内容である。すなわち、この第３実施形態では、第１実施形態と同様にして薄膜付基板ＷにＳＯＧ膜をさらに塗布するのみならず、さらにシートフィルムＦを用いてＳＯＧ膜を転写して平坦性をさらに向上させている。より詳しくは、以下のようにして平坦化処理を実行している。なお、装置構成については、第１実施形態と同一であるため、ここでは構成に関する説明は省略する。
【００９０】
まず、薄膜付基板Ｗを剥離ユニット６から塗布ユニット３に搬送した後、該基板ＷのＳＯＧ膜１２１上にさらにＳＯＧ液を塗布してＳＯＧ膜を本発明の「第１塗布層」として形成する（ステップＳ６１：塗布処理）。このようにして薄膜付基板ＷにＳＯＧ膜を形成する塗布ユニット３が本発明の「第１塗布手段」として機能する。そして、この基板Ｗを基板用ハンド２４により乾燥ユニット４に搬送して乾燥処理を施した（ステップＳ６２：乾燥処理）後、反転ユニット８に搬送する。この反転ユニット８によって薄膜付基板Ｗを反転してフェースダウン状態にする（ステップＳ６３：反転処理）。そして、基板用ハンド２４の基板支持ブロック２４５で反転ユニット８から基板Ｗを受取り、転写ユニット５に搬送し、転写ユニット５の第１プレート５４の下面に装着する。
【００９１】
また、これに並行して、フィルム収容カセット７１の最上部に位置しているシートフィルムＦをフィルム用ハンド２５により塗布ユニット３に搬送し、そのシートフィルムＦの表面にＳＯＧ膜を本発明の「第２塗布層」として塗布する（ステップＳ６４：塗布処理）。このように、この第３実施形態では塗布ユニット３が本発明の「第２塗布手段」としても機能する。なお、この第３実施形態では、複数の塗布ユニット３を設け、いずれの塗布ユニット３も、シートフィルムＦにも薄膜付基板ＷにもＳＯＧ膜を形成するように構成している。しかしながら、一の塗布ユニットを基板用塗布ユニットとして構成して「第１塗布手段」として機能させる一方、他の塗布ユニットをフィルム用塗布ユニットとして構成して「第２塗布手段」として機能させるようにしてもよい。
【００９２】
塗布処理が完了すると、フィルム用ハンド２５によってシートフィルムＦを塗布ユニット３から乾燥ユニット４に搬送し、この乾燥ユニット４においてシートフィルムＦ上のＳＯＧ膜１２１を乾燥させる（ステップＳ６５：乾燥処理）。それに続いて、シートフィルムＦを転写ユニット５に搬送し、第２プレート５５上にシートフィルムＦを装着する。ここで、乾燥処理を必要としない場合には、フィルム用ハンド２５によってシートフィルムＦを塗布ユニット３から直接転写ユニット５に搬送し、第２プレート５５上にシートフィルムＦを装着する。
【００９３】
こうして、転写ユニット５において基板ＷおよびシートフィルムＦがそれぞれ第１および第２プレート５４，５５にセットされると、ステップＳ４、Ｓ５と同様にして、薄膜付基板ＷにＳＯＧ膜を転写形成する（ステップＳ６６、Ｓ６７）。そして、この薄膜付基板Ｗをフェースアップ状態で基板用ハンド２４の基板支持ブロック２４５で保持しながら反転ユニット８に搬送し、インデクサ部ＩＤで基板搬送ロボット１２を用いて基板収容カセット１１に収容する。
【００９４】
以上のように、この第３実施形態では、スピンコートにより薄膜付基板ＷのＳＯＧ膜１２１にＳＯＧ膜を形成するのみならず、さらに該ＳＯＧ膜上に別のＳＯＧ膜を転写形成しているので、薄膜の平坦性をさらに向上させることができる。すなわち、基板Ｗに形成された薄膜上にＳＯＧ液（塗布液）を塗布したのみでは、基板Ｗの表面状態、例えば凹凸パターンの影響によって薄膜が十分に平坦化されない場合がある。しかしながら、スピンコートによるＳＯＧ膜（第１塗布層）に凹凸が存在したとしても、シートフィルムＦを用いてＳＯＧ膜（第２塗布層）をさらに転写形成すると、そのＳＯＧ膜（第２塗布層）が凹部に入り込んで薄膜が確実に平坦化される。
【００９５】
なお、上記した第１ないし第３実施形態では、基板Ｗに形成されたＳＯＧ膜１２１上にさらに別のＳＯＧ膜を本発明の「第２薄膜」として形成しているが、「第２薄膜」の膜種については、これに限定されるものではなく、別の膜種でも良い。
【００９６】
ＩＶ．第４実施形態
図２１は、この発明にかかる薄膜形成装置の第４実施形態を示すレイアウト図である。この薄膜形成装置が第１実施形態と大きく相違する点は、平坦化処理を実行するために薄膜矯正ユニット９をプロセス部ＰＰに設けている点であり、その他の構成はほぼ同一である。
【００９７】
図２２は、第４実施形態にかかる薄膜形成装置に装備された薄膜矯正ユニットの概観構成を示す斜視図である。また、図２３は図２２の薄膜矯正ユニットの内部構造を示す図である。この薄膜矯正ユニット９のハウジング９０２の内底部には、ベース部材９０４が配置されるとともに、このベース部材９０４上にホットプレート９０６および膜厚矯正機構９０８が配置されている。
【００９８】
このハウジング９０２の先端側面部には開口部９１０が設けられている。そして、この開口部９１０を介して剥離ユニット６からの薄膜付基板Ｗがセンターロボット２によってハウジング９０２内に搬入され、ホットプレート９０６上に載置可能となっている。
【００９９】
このホットプレート９０６は基板Ｗよりも大きな平面サイズを有しており、その上面で基板Ｗの裏面全体を保持するように構成されている。また、ホットプレート９０６の内部には基板用ヒータ９１２が内蔵されており、装置全体を制御する制御部から基板用ヒータ９１２に通電されると、該ヒータ９１２により基板Ｗを裏面側より加熱して薄膜の温度を平坦化に適した温度に調整することができる。なお、この実施形態では基板Ｗを直接ホットプレート９０６に載置しているが、ホットプレート９０６から微小距離だけ浮かせた状態で加熱する、いわゆるプロキシミティ加熱を行うように構成してもよい。
【０１００】
このように構成されたホットプレート９０６の上方位置では、膜厚矯正機構９０８が基板Ｗの表面に沿って移動可能に配置されている。この膜厚矯正機構９０８では、アーチ状の支持部材９１４がベース部材９０４上に固着された２本のガイドレール９１６、９１６に沿って基板Ｗの長さ方向に往復移動可能となっており、図示を省略するローラ移動駆動部が制御ユニットからの動作指令に応じて作動することで支持部材９１４を長さ方向に移動する。
【０１０１】
また、この支持部材９１４の２本の柱部９１８、９１８の間にローラ支持体９２０が配置されるとともに、そのローラ支持体９２０の両端部が柱部９１８、９１８に回転自在に支持されている。そして、ローラ支持体９２０の一方端（図２３の左手側端部）に回転シリンダ９２２が連結されており、制御ユニットからの回転指令に応じて回転シリンダ９２２が作動すると、ローラ支持体９２０が長さ方向と直交する幅方向に延びる回転軸ＡＸ９１回りに回転駆動される。また、ローラ支持体９２０にはローラ昇降駆動部（図示省略）が接続されており、制御ユニットからの位置決め指令に応じて作動すると、ローラ９２８を高さ方向において位置決めすることができるように構成されている。すなわち、図２３（ｂ）に示すように、ローラ９２８をホットプレート９０６上に載置保持された基板Ｗの表面ＷＳから所定距離Ｄだけ離間された状態に位置決めすることができる。そして、この状態でローラ９２８を平行移動させると、ローラ９２８が基板表面ＷＳに形成されたＳＯＧ膜１２１を加圧して厚み変動を矯正してＳＯＧ膜１２１を平坦化する。このように、この実施形態ではローラ９２８が本発明の「矯正部材」として機能する。
【０１０２】
なお、図２２中の符号９３０はローラ９２８を洗浄するための洗浄ユニットである。この洗浄ユニット９３０では、同図に示すように、ローラ９２８の表面を洗浄する洗浄液を貯留した洗浄槽９３２が設けられるとともに、その洗浄槽９３２の上方位置にローラ９２８を乾燥するための乾燥部９３４が配置されている。
【０１０３】
このように構成された第４実施形態では、第１実施形態と同様に、ステップＳ１〜Ｓ５が実行されて基板ＷへのＳＯＧ膜１２１の転写形成が完了すると、この薄膜付基板Ｗをフェースアップ状態で基板用ハンド２４の基板支持ブロック２４５で保持しながら剥離ユニット６から薄膜矯正ユニット９に搬送する。この薄膜矯正ユニット９では、上記のように平坦化処理に適した温度に基板Ｗが加熱されるとともに、ローラ９２８を基板表面ＷＳから所定距離Ｄだけ離間したままローラ９２８を平行移動させてＳＯＧ膜１２１の平坦化を行う（ステップＳ６）。
【０１０４】
その後、この基板Ｗを基板用ハンド２４により薄膜矯正ユニット９から反転ユニット８に搬送し、インデクサ部ＩＤで基板搬送ロボット１２を用いて基板収容カセット１１に収容する。
【０１０５】
以上のように、この第４実施形態によれば、シートフィルムＦに形成されたＳＯＧ膜１２１を基板Ｗに転写することによって該基板Ｗ上に形成された薄膜全面にわたってローラ（矯正部材）９２８が押し当てられて物理的な力により基板Ｗ上のＳＯＧ膜（薄膜）１２１が平坦化される。したがって、第１実施形態と同様の作用効果が得られる。すなわち、シートフィルムＦを剥離した段階で平坦性が確保されずとも、それに続いて実行される平坦化処理（ステップＳ６）によって基板Ｗ上の薄膜（ＳＯＧ膜）が平坦化されて基板Ｗに良好な薄膜が形成される。このように、未処理基板Ｗに薄膜を形成する際には、埋込み性に適した条件で転写処理を行うことができ、種々の膜種に対して優れた埋込み性で薄膜を未処理基板Ｗに形成することができる。しかも、シートフィルムＦの剥離によって基板Ｗの表面で露出した薄膜の平坦性が確保されないとしても、平坦性に適した条件で平坦化処理（ステップＳ６）を行うことで基板Ｗ上の薄膜の平坦性を向上させることができる。こうして、埋込み性および平坦性に優れた良好な薄膜を基板Ｗに形成することができる。
【０１０６】
なお、上記第４実施形態では、ローラ９２８をＳＯＧ膜１２１に押し当てて平坦化処理を行っているが、ローラ９２８の代わりに板状あるいはシート状の矯正部材を基板表面に押し当てて膜厚矯正を行うようにしてもよい。すなわち、本発明の「矯正部材」としては、薄膜全面にわたって薄膜に押し当てることができるものであれば、その形状や大きさについては特に限定されるものではない。なお、シート状の矯正部材を用いる実施形態については後で詳述する（第５実施形態）。
【０１０７】
また、上記第４実施形態では、ローラ９２８をＳＯＧ膜１２１に押し当てると同時にＳＯＧ膜１２１を加熱しているが、その押当前にＳＯＧ膜１２１を加熱してＳＯＧ膜１２１の流動性を高めるようにしてもよい。また、ＳＯＧ膜１２１の流動性を高めるためには、加熱以外にローラをＳＯＧ膜１２１に押し当てると同時あるいは押当前にＳＯＧ膜１２１に超音波振動を加えるようにしてもよい。
【０１０８】
また、上記第４実施形態では、所定のシーケンスにしたがってローラ９２８をＳＯＧ膜１２１に押し当てているが、上記したようにＳＯＧ膜１２１の流動性と矯正処理の効率化との間には密接な関連が存在するため、ＳＯＧ膜１２１の流動性を測定しておき、ＳＯＧ膜１２１の流動性が一定値になった時点よりローラ９２８を押し当てるようにしてもよい。すなわち、押当タイミングを制御することで好適なタイミングで矯正処理を実行することができる。
【０１０９】
Ｖ．第５実施形態
図２４は、この発明にかかる薄膜形成装置の第５実施形態の動作を示す図である。この薄膜形成装置が第１実施形態と大きく相違する点は、シートフィルムＦそのものを矯正部材とし、転写ユニット５において薄膜付基板ＷのＳＯＧ膜１２１にシートフィルムＦを押し当てて該ＳＯＧ膜１２１の平坦化を図っている点であり、その他の構成はほぼ同一である。より詳しくは、以下のようにして平坦化処理を実行している。なお、装置構成については、第１実施形態と同一であるため、ここでは構成に関する説明は省略する。
【０１１０】
まず、薄膜付基板Ｗを剥離ユニット６から反転ユニット８に搬送し、この反転ユニット８によって薄膜付基板Ｗを反転してフェースダウン状態にする（ステップＳ６３：反転処理）。そして、基板用ハンド２４の基板支持ブロック２４５で反転ユニット８から基板Ｗを受取り、転写ユニット５に搬送し、転写ユニット５の第１プレート５４の下面に装着する。
【０１１１】
また、これに並行して、フィルム収容カセット７１の最上部に位置しているシートフィルムＦをフィルム用ハンド２５によりそのまま転写ユニット５に搬送し、第２プレート５５上にシートフィルムＦを装着する。このように、この第５実施形態では、シートフィルムＦをそのまま第１プレート５４に装着された基板ＷのＳＯＧ膜１２１に対向させて配置する。
【０１１２】
こうして、転写ユニット５において基板ＷおよびシートフィルムＦがそれぞれ第１および第２プレート５４，５５にセットされると、薄膜付基板ＷのＳＯＧ膜１２１の全面にシートフィルムＦが押し当てられて物理的な力により基板Ｗ上のＳＯＧ膜（膜膜）１２１が平坦化される（ステップＳ６８：押当処理）。このように、本実施形態では、シートフィルムＦが本発明の「矯正部材」として機能している。
【０１１３】
この転写ユニット５においてシートフィルムＦを基板Ｗ上のＳＯＧ膜１２１に押し当てることによりシートフィルムＦが基板Ｗと密着される。そこで、押当処理に続いて、ステップＳ５と同様にして、密着物（薄膜付基板Ｗ＋シートフィルムＦ）からシートフィルムＦのみを選択的に剥離させる（ステップＳ６７：剥離処理）。こうすることで平坦化されたＳＯＧ膜１２１を有する基板が得られる。ここで、剥離されたシートフィルムＦについては廃却する。一方、平坦化処理された基板Ｗについては、フェースアップ状態で基板用ハンド２４の基板支持ブロック２４５で保持しながら反転ユニット８に搬送し、インデクサ部ＩＤで基板搬送ロボット１２を用いて基板収容カセット１１に収容する。
【０１１４】
以上のように、この第５実施形態によれば、基板Ｗ上に形成された薄膜全面にわたってシートフィルム（矯正部材）Ｆが押し当てられて物理的な力により基板Ｗ上のＳＯＧ膜（薄膜）１２１が平坦化される。したがって、第１実施形態と同様の作用効果が得られる。すなわち、ステップＳ５でシートフィルムＦを剥離した段階で平坦性が確保されずとも、それに続いて実行される平坦化処理（ステップＳ６）によって基板Ｗ上の薄膜（ＳＯＧ膜）が平坦化されて基板Ｗに良好な薄膜が形成される。このように、未処理基板Ｗに薄膜を形成する際には、埋込み性に適した条件で転写処理を行うことができ、種々の膜種に対して優れた埋込み性で薄膜を未処理基板Ｗに形成することができる。しかも、シートフィルムＦの剥離によって基板Ｗの表面で露出した薄膜の平坦性が確保されないとしても、平坦性に適した条件で平坦化処理（ステップＳ６）を行うことで基板Ｗ上の薄膜の平坦性を向上させることができる。こうして、埋込み性および平坦性に優れた良好な薄膜を基板Ｗに形成することができる。
【０１１５】
なお、この実施形態では、平坦化処理のためにシートフィルムＦを用いており、押当処理（ステップＳ６８）後にシートフィルムＦを剥離させる際（ステップＳ６７）、剥離処理によって薄膜の平坦性が劣化することも考えられるが、次の理由から平坦性の劣化はほとんど発生しない。というのも、この実施形態では基板ＷにＳＯＧ膜１２１を転写した後、その薄膜付基板Ｗを再度転写ユニット５に搬送するまでの間に、ＳＯＧ膜１２１の乾燥がある程度進行している。そして、その乾燥進行状態にあるＳＯＧ膜１２１にシートフィルムＦが押し当てられたとしても、ＳＯＧ膜１２１とシートフィルムＦとの密着性は低い。したがって、後の剥離処理（ステップＳ６７）でシートフィルムＦを基板ＷのＳＯＧ膜１２１から剥離させたとしても、シートフィルムＦがＳＯＧ膜１２１の平坦性に悪影響を及ぼすことなく、簡単に剥離させることができる。
【０１１６】
この第５実施形態では、転写ユニット５は、シートフィルムＦ上の薄膜を基板Ｗに転写する転写手段として機能するのみならず、本発明の「薄膜矯正手段」としても機能している。もちろん、シートフィルムＦを薄膜付基板Ｗ上の薄膜に押し当てて平坦化処理を行う専用のユニットを別途設けてもよいことはいうまでもない。
【０１１７】
ＶＩ．その他
本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。例えば、上記実施形態では、ＳＯＧ膜を基板Ｗに形成する薄膜形成装置に本発明を適用しているが、本発明の適用対象はこれに限定されるものではなく、ＳＯＧ膜以外の薄膜、例えばＳＯＤ（Ｓｐｉｎ−ｏｎ−Ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ）膜などの層間絶縁膜、コンタクトホールなどの穴や溝形状を有する基板に埋め込む導電性の薄膜などを基板に形成する薄膜形成装置に対しても本発明を適用することができる。
【０１１８】
また、上記実施形態では、本発明の「基材」としてシートフィルムＦを用いているが、他の基材、例えば不撓性の板状部材（例えば金属平板や石英板など）を用いてもよい。
【０１１９】
また、上記実施形態では、例えば図１、図１９および図２１に示すようにセンターロボット２を中心として処理ユニット３、３Ｆ、３Ｗ、４〜９を放射状に配置しているが、センターロボット２および各処理ユニット３、３Ｆ、３Ｗ、４〜９の配置レイアウトはこれに限定されるものではなく、任意である。例えば、センターロボット２が所定の搬送経路に沿って移動自在に構成するとともに、その搬送経路に沿って、その搬送経路の両側あるいは片側に処理ユニット３〜８を配置するようにしてもよい。
【０１２０】
また、上記実施形態では、シートフィルムＦに対する処理を行うユニットとして、塗布処理を行う塗布ユニット３、３Ｆ、乾燥処理を行う乾燥ユニット４、転写処理を行う転写ユニット５、および剥離処理を行う剥離ユニット６を設けているが、これらのユニット以外に別の処理ユニット、例えばシートフィルムＦに対して親水性の表面処理を施す親水性処理用ユニットをさらに組み込んだり、逆に一部のユニットを削除したりしてもよく、シートフィルムＦを取り扱うユニットを設けた薄膜形成装置全般に本発明を適用することができる。また、各処理ユニットの個数についても任意である。
【０１２１】
また、上記実施形態では、転写手段に相当する転写ユニット５と、剥離手段に相当する剥離ユニット６とを相互に異なる別ユニットで構成しているが、これらのユニット５，６の代わりに転写手段と剥離手段とを兼ね備えたユニットを設けた薄膜形成装置に対して本発明を適用するようにしてもよい。
【０１２２】
また、この発明は、半導体ウエハや液晶パネル用ガラス基板以外に、フォトマスク用ガラス基板、プラズマ表示用ガラス基板、光ディスク用基板などの基板に薄膜を形成する場合のみならず、さらにはＩＣカードや太陽電池装置の製造などにも適用することができる。
【０１２３】
【発明の効果】
以上のように、この発明によれば、（第１）基材に形成された薄膜を基板に転写することによって該基板上に薄膜を形成した後で、該薄膜の平坦化を行うように構成しているので、埋込み性と平坦性とに優れた薄膜を基板に形成することができ、基板に良好な薄膜を形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明にかかる薄膜形成装置の第１実施形態を示すレイアウト図である。
【図２】センターロボットを示す図である。
【図３】図２のセンターロボットを構成する基板用ハンドの構成を示す図である。
【図４】図２のセンターロボットを構成するフィルム用ハンドの構成を示す図である。
【図５】図１の薄膜形成装置に設けられたフィルム供給ユニットの構成を示す図である。
【図６】図１の薄膜形成装置に設けられたフィルム収容カセットの分解組立斜視図である。
【図７】図５のフィルム供給ユニットに設けられた離形シート除去機構を示す斜視図である。
【図８】図５のフィルム供給ユニットの動作を示す図である。
【図９】図５のフィルム供給ユニットの動作を示す図である。
【図１０】図１の薄膜形成装置に設けられる塗布ユニットの構成を示す図である。
【図１１】図１の薄膜形成装置に設けられる乾燥ユニットを示す図である。
【図１２】図１の薄膜形成装置に設けられた転写ユニットを示す概略断面図である。
【図１３】図１２のＣ−Ｃ線断面図である。
【図１４】図１２の転写ユニットに設けられた傾斜補正機構を示す部分切欠斜視図である。
【図１５】図１の薄膜形成装置に設けられた剥離ユニットを示す図である。
【図１６】図１の薄膜形成装置に設けられた反転ユニットの構成を示す図である。
【図１７】図１の薄膜形成装置の全体動作を示す図である。
【図１８】図１の薄膜形成装置における平坦化処理を示す図である。
【図１９】この発明にかかる薄膜形成装置の第２実施形態を示すレイアウト図である。
【図２０】この発明にかかる薄膜形成装置の第３実施形態の動作を示す図である。
【図２１】この発明にかかる薄膜形成装置の第４実施形態を示すレイアウト図である。
【図２２】第４実施形態にかかる薄膜形成装置に装備された薄膜矯正ユニットの概観構成を示す斜視図である。
【図２３】図２２の薄膜矯正ユニットの内部構造を示す図である。
【図２４】この発明にかかる薄膜形成装置の第５実施形態の動作を示す図である。
【図２５】従来の薄膜形成装置における薄膜形成手順を示す図である。
【符号の説明】
３…塗布ユニット（薄膜付加手段）
３Ｆ…フィルム用塗布ユニット（薄膜付加手段、第２塗布手段）
３Ｗ…基板用塗布ユニット（薄膜付加手段、第１塗布手段）
５…転写ユニット（薄膜矯正手段）
９…薄膜矯正ユニット（薄膜矯正手段）
１２１…ＳＯＧ膜（薄膜）
９２８…ローラ（矯正部材）
Ｆ…シートフィルム（基材、矯正部材）
Ｗ…基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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