(57)【要約】【課題】積層される複数の半導体素子同士および整流素子同士を、電気的に確実に接続するとともに、振動等による影響を有効に阻止することを可能にする。【解決手段】圧接型半導体装置１０は、半導体素子積層体１４ａ〜１４ｃのコレクタを電気的に接続する第１板状導電部材３４と、前記半導体素子積層体１４ａ〜１４ｃのエミッタを電気的に接続する第２板状導電部材３６と、各ＩＧＢＴ１２ａ、１２ｂのエミッタとコレクタとの間を電気的に接続し、かつ各ダイオード１６ａ、１６ｂのアノードとカソードとの間を電気的に接続する第３板状導電部材３８ａ〜３８ｃとを備える。第１および第２板状導電部材３４、３６は、本体部６６、７２に挟持されることにより、半導体素子積層体１４ａ〜１４ｃおよび整流素子積層体１８ａ〜１８ｃに積層方向に圧接荷重が付与される。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の半導体素子を積層した半導体素子積層体と、複数の整流素子を積層した整流素子積層体とが、それぞれ複数配置されるとともに、積層方向に加圧保持される圧接型半導体装置であって、
各半導体素子積層体のコレクタを電気的に接続する第１板状導電部材と、
各半導体素子積層体のエミッタを電気的に接続する第２板状導電部材と、
積層されている各半導体素子のエミッタとコレクタとの間を電気的に接続し、かつ各整流素子のアノードとカソードとの間を電気的に接続する第３板状導電部材と、
前記第１および第２板状導電部材を挟持し、前記半導体素子積層体および前記整流素子積層体に積層方向に圧接荷重を付与する第１および第２圧接部材と、
を備えることを特徴とする圧接型半導体装置。
【請求項２】
請求項１記載の圧接型半導体装置において、前記第１乃至第３板状導電部材は、前記半導体素子および前記整流素子と同一形状の積層部と、
前記積層部同士を連結する変形可能な屈曲乃至湾曲形状の連結部と、
を備えることを特徴とする圧接型半導体装置。
【請求項３】
請求項１または２記載の圧接型半導体装置において、前記第１乃至第３板状導電部材は、銅板で形成されることを特徴とする圧接型半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、複数の半導体素子を積層した半導体素子積層体と、複数の整流素子を積層した整流素子積層体とが、それぞれ複数配置されるとともに、積層方向に加圧保持される圧接型半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
一般的に、複数のパワー用半導体素子および整流素子を用いた大電力用半導体装置が採用されている。この種の大電力用半導体装置として、例えば、ＩＧＢＴ（絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ）モジュールが知られている。
【０００３】
上記のＩＧＢＴモジュールでは、通常、絶縁基板の上に各素子（パワー用半導体素子および整流素子）を複数配置するとともに、各接続端子をワイヤボンディングによって接続し、導通させるように構成されている。ところが、大電力化に伴って、配線抵抗や内部インダクタンスの影響が顕著になるとともに、発熱量が増大してしまい、熱対策が必要となっている。
【０００４】
そこで、例えば、特許文献１に開示された半導体装置では、図８に示すように、下側の外部電力端子１に第１のＩＧＢＴチップ２ａのコレクタ側電極と第１のダイオードチップ３ａのカソード側電極とが接続されるとともに、前記第１のＩＧＢＴチップ２ａのエミッタ側電極と前記第１のダイオードチップ３ａのアノード側電極とが、中継電力端子４に接続されている。この中継電力端子４には、第２のＩＧＢＴチップ２ｂと第２のダイオードチップ３ｂとが接続されるとともに、前記第２のＩＧＢＴチップ２ｂと前記第２のダイオードチップ３ｂとに、上側の外部電力端子５が接続されている。
【０００５】
これにより、ワイヤボンディング等の配線金属に起因する配線抵抗および自己インダクタンスを低減させ、さらに熱放散を良好にした大電力用半導体装置を提供することができる、としている。
【０００６】
【特許文献１】
特開２００２−２６２５１号公報（段落［００１８］〜［００２１］、図１）
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記の特許文献１では、外部電力端子１と中継電力端子４との間に、第１のＩＧＢＴチップ２ａおよび第１のダイオードチップ３ａが挟持されるとともに、前記中継電力端子４と外部電力端子５との間に、第２のＩＧＢＴチップ２ｂおよび第２のダイオードチップ３ｂが挟持されるだけである。このため、外部電力端子１、５間に、第１および第２のＩＧＢＴチップ２ａ、２ｂと、第１および第２のダイオードチップ３ａ、３ｂとを確実に圧接させることができない。
【０００８】
従って、外部電力端子１、５および中継電力端子４と、第１および第２のＩＧＢＴチップ２ａ、２ｂと、第１および第２のダイオードチップ３ａ、３ｂとは、所望の圧接状態を維持することができず、熱抵抗や電気抵抗が増加して安定した素子特性が得られないという問題が指摘されている。
【０００９】
しかも、特許文献１では、例えば、第１のＩＧＢＴチップ２ａのコレクタ側電極と第１のダイオードチップ３ａのカソード側電極とが、外部電力端子１に一体的に接続される一方、前記第１のＩＧＢＴチップ２ａのエミッタ側電極と前記第１のダイオードチップ３ａのアノード側電極とが、中継電力端子４に一体的に接続されている。このため、熱による膨張が発生した際に、第１のＩＧＢＴチップ２ａや第１のダイオードチップ３ａに熱応力が作用し易く、破損するおそれがあるという問題がある。
【００１０】
さらに、この種の半導体装置を電気自動車やハイブリットカーの駆動部に組み込む場合、走行時の振動等により、例えば、第１のＩＧＢＴチップ２ａや第１のダイオードチップ３ａに慣性力が作用し易い。これにより、第１のＩＧＢＴチップ２ａや第１のダイオードチップ３ａに破損等が惹起されるという問題がある。
【００１１】
本発明はこの種の問題を解決するものであり、積層される複数の半導体素子同士および整流素子同士を電気的に確実に接続するとともに、振動等の外力による影響を有効に阻止することが可能な圧接型半導体装置を提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る圧接型半導体装置では、複数の半導体素子を積層した各半導体素子積層体のコレクタが第１板状導電部材により電気的に接続されるとともに、前記各半導体素子積層体のエミッタが第２板状導電部材により電気的に接続されている。さらに、各半導体素子のエミッタとコレクタとの間および各整流素子のアノードとカソードとの間は、第３板状導電部材により電気的に接続されている。そして、第１および第２板状導電部材は、第１および第２圧接部材を介して挟持され、半導体素子積層体および整流素子積層体に積層方向に圧接荷重を付与している。
【００１３】
このため、半導体素子積層体および整流素子積層体は、第１乃至第３板状導電部材に電気的に確実に接続することができ、半導体素子および整流素子は、電気抵抗が有効に減少して安定した素子特性が得られ、コンパクトな構成で、大電力化が確実に図られる。
【００１４】
また、第１乃至第３板状導電部材は、半導体素子および整流素子と同一形状の積層部と、前記積層部同士を連結する変形可能な屈曲乃至湾曲形状の連結部とを備えている。これにより、連結部は、熱膨張や熱収縮が発生した際に、または振動が発生した際に、変形する逃げ部として機能し、積層部に配置されている半導体素子および整流素子に熱応力や振動等の外力が作用することを有効に抑制することができる。従って、半導体素子および整流素子を確実に保護することが可能になる。
【００１５】
さらにまた、第１乃至第３板状導電部材は、銅板で形成されており、簡単な構成で、所望の導電性と放熱性とを備えることができる。
【００１６】
【発明の実施の形態】
図１は、本実施形態に係る圧接型半導体装置１０の要部概略斜視説明図であり、図２は、前記圧接型半導体装置１０の一部断面側面図であり、図３は、前記圧接型半導体装置１０のモジュール回路図である。
【００１７】
圧接型半導体装置１０は、ＩＧＢＴモジュールを構成しており、複数、例えば、それぞれ２つのＩＧＢＴ（半導体素子）１２ａ、１２ｂを積層した半導体素子積層体１４ａ、１４ｂおよび１４ｃと、複数、例えば、それぞれ２つのダイオード（整流素子）１６ａ、１６ｂを積層した整流素子積層体１８ａ、１８ｂおよび１８ｃとを備える。
【００１８】
半導体素子積層体１４ａ〜１４ｃおよび整流素子積層体１８ａ〜１８ｃの積層方向（矢印Ａ方向）両端には、絶縁材（Ｓｉ３Ｎ４板やＡｌＮ板）２０ａ、２０ｂを介装して第１冷却機構２２と第２冷却機構２４とが配置される。第１冷却機構２２には、複数配置された各半導体素子積層体１４ａ〜１４ｃおよび各整流素子積層体１８ａ〜１８ｃに対し、それぞれ積層方向に均等な荷重を付与するための加圧機構２６が設けられる。
【００１９】
半導体素子積層体１４ａ〜１４ｃおよび整流素子積層体１８ａ〜１８ｃは、基本的には、図３に示すように構成される。半導体素子積層体１４ａ〜１４ｃでは、ＩＧＢＴ１２ａ、１２ｂが矢印Ａ方向（鉛直方向）に積層されており、前記ＩＧＢＴ１２ａ、１２ｂは、コレクタ２８、エミッタ３０およびゲート３２を備える。ＩＧＢＴ１２ａ、１２ｂは、エミッタ３０を上方にして積層され、ダイオード１６ａ、１６ｂは、アノードを上方にして積層される。
【００２０】
各ＩＧＢＴ１２ａのコレクタ２８と各ダイオード１６ａのカソードとは、第１板状導電部材３４に電気的に接続されるとともに、各ＩＧＢＴ１２ｂのエミッタ３０と各ダイオード１６ｂのアノードとは、第２板状導電部材３６を介して電気的に接続される。矢印Ｂ方向に３列に配置される各ＩＧＢＴ１２ａ、１２ｂのエミッタ３０とコレクタ２８との間および各ダイオード１６ａ、１６ｂのアノードとカソードとの間は、第３板状導電部材３８ａ、３８ｂおよび３８ｃを介して電気的に接続される。第３板状導電部材３８ａ〜３８ｃは、例えば、図示しないモータの三相配線（Ｕ、ＶおよびＷ）に接続される。
【００２１】
図２および図４に示すように、ＩＧＢＴ１２ａ、１２ｂの下面（コレクタ面）には、導電性緩衝部材、例えば、モリブデン板４０ａが配置される一方、前記ＩＧＢＴ１２ａ、１２ｂの上面（エミッタ面）には、モリブデン板４０ｂが配置される。同様に、ダイオード１６ａ、１６ｂの下面（カソード側）には、モリブデン板４２ａが配置されるとともに、前記ダイオード１６ａ、１６ｂの上面（アノード側）には、モリブデン板４２ｂが配置される。
【００２２】
モリブデン板４０ａ、４２ａ、４０ｂ、４２ｂは、シリコンで形成された半導体と同一の熱膨張係数を有しており、ＩＧＢＴ１２ａ、１２ｂおよびダイオード１６ａ、１６ｂにクラックが発生することを防止する機能を有する。ＩＧＢＴ１２ａ、１２ｂおよびダイオード１６ａ、１６ｂには、沿面距離や空間距離を得るための絶縁材４４が設けられている。
【００２３】
図４に示すように、第１板状導電部材３４は、矢印Ｂ方向に配置されて各ＩＧＢＴ１２ａのコレクタ面が載置され、前記ＩＧＢＴ１２ａと同一形状の積層部４６ａ、４６ｂおよび４６ｃと、矢印Ｂ方向に配置されて各ダイオード１６ａのカソード面が載置され、前記ダイオード１６ａと同一形状の積層部４８ａ、４８ｂおよび４８ｃと、前記積層部４６ａに矢印Ｂ方向に併設される第１外部電力端子５０とを備える。
【００２４】
積層部４６ａと第１外部電力端子５０、前記積層部４６ａと積層部４６ｂおよび前記積層部４６ｂと積層部４６ｃとは、変形可能な、例えば、Ｓ字状に湾曲する湾曲形状（または屈曲形状）の連結部５２を介して連結される。積層部４６ａと４８ａ、積層部４６ｂと４８ｂおよび積層部４６ｃと４８ｃとは、同様に変形可能な湾曲形状乃至屈曲形状の連結部５４を介して連結される。
【００２５】
第２板状導電部材３６は、上記の第１板状導電部材３４と同様に構成されており、同一の構成要素には同一の参照符号を付して、その詳細な説明は省略する。この第２板状導電部材３６は、第１外部電力端子５０に対応して第２外部電力端子５６を備える。
【００２６】
第３板状導電部材３８ａ〜３８ｃは、ＩＧＢＴ１２ａ、１２ｂ間に介装されて前記ＩＧＢＴ１２ａ、１２ｂと同一形状の積層部５８と、ダイオード１６ａ、１６ｂ間に介装されて前記ダイオード１６ａ、１６ｂと同一形状の積層部６０と、第３外部電力端子６２とを備える。積層部５８と積層部６０との間および前記積層部６０と第３外部電力端子６２との間は、変形可能な湾曲形状乃至屈曲形状の連結部６４を介して連結される。
【００２７】
図２に示すように、第２冷却機構２４は、銅材製の本体部６６（第２圧接部材）を備える。この本体部６６内には、各ＩＧＢＴ１２ａおよび各ダイオード１６ａの圧接部位に沿って冷却媒体（例えば、冷却水）を通流させるための冷却通路（スプライン孔部）６８が形成される。この本体部６６の底面側には、ＳＵＳ製の蓋部材７０が配置される。
【００２８】
第１冷却機構２２は、図５に示すように、銅材製の本体部（第１圧接部材）７２を備える。この本体部７２には、半導体素子積層体１４ａ〜１４ｃおよび整流素子積層体１８ａ〜１８ｃとの接触部位（圧接部位）に対応して矩形状の開口部７４が矢印Ａ方向に貫通形成される。本体部７２内には、この本体部７２の矢印Ｂ方向一端面に設けられたポート７６ａ、７６ｂに連通し、各開口部７４に連通する略Ｕ字状の冷却通路７８が形成される。ポート７６ａおよび７６ｂは、冷却媒体の入口および出口を構成している。
【００２９】
各開口部７４には、各半導体素子積層体１４ａ〜１４ｃおよび各整流素子積層体１８ａ〜１８ｃに偏荷重が作用することを阻止するために、複数（６つ）の偏荷重吸収部８０が所定角度傾動（揺動）可能に収容される。偏荷重吸収部８０は、略立方体形状を有するとともに、冷却通路７８に連通して冷却媒体を通流させるためのスプライン孔部８２を設ける。なお、冷却通路７８の屈曲部に対応して配置される２つの偏荷重吸収部８０には、スプライン孔部８２と、このスプライン孔部８２に直交するスプライン孔部８２ａとが形成される。
【００３０】
本体部７２の上下両面に蓋部材８６が取り付けられることにより、冷却通路７８および開口部７４が閉塞されて冷却媒体の漏れを阻止している。蓋部材８６は、変形可能でかつ熱伝導性に優れる部材（例えば、リン青銅の薄板）で構成されており、偏荷重吸収部８０の下部８０ａが下側の蓋部材８６を変形可能に構成している。
【００３１】
加圧機構２６は、図６に示すように、板状の本体部９０を備える。この本体部９０には、半導体素子積層体１４ａ〜１４ｃおよび整流素子積層体１８ａ〜１８ｃとの圧接部位に対応した形状（矩形状）の加圧部９２が形成される。
【００３２】
この加圧部９２の底面は、相当に肉薄な変形部９４を構成している（例えば、切削による薄肉形成、または薄板の接合による形成）。本体部９０の上面には、各加圧部９２を連通する略Ｕ字状の溝部９６が形成されるとともに、矢印Ｂ１方向先端側の加圧部９２は、前記本体部９０の側面に形成されたポート９８ａ、９８ｂに連通している。本体部９０の上面には、各加圧部９２および溝部９６を囲繞してガスケット用溝部１００ａ、１０２ａが形成される。ガスケット用溝部１００ａ、１０２ａには、ガスケット１００、１０２が配置され、前記ガスケット１００、１０２に積層して蓋部材１０４が配置される。
【００３３】
ポート９８ａまたは９８ｂからは、耐熱性の液状加圧媒体（例えば、圧油）が供給され、前記ポート９８ａ、９８ｂが、例えば、図示しない盲栓により閉塞されることによって、各加圧部９２および溝部９６に前記液状加圧媒体が封入される。本体部９０および蓋部材１０４は、例えば、ＳＵＳ材で形成される。
【００３４】
図１に示すように、第１冷却機構２２、第２冷却機構２４および加圧機構２６には、矢印Ａ方向に貫通して複数のロッド挿入用孔部１０６が形成される。このロッド挿入用孔部１０６は、各半導体素子積層体１４ａ〜１４ｃおよび各整流素子積層体１８ａ〜１８ｃを避ける位置に設定されており、各ロッド挿入用孔部１０６に締め付け用ロッド１０８が挿入される。各締め付け用ロッド１０８の先端にナット１１０が螺合することにより、圧接型半導体装置１０全体には、矢印Ａ方向に所定の締め付け荷重が付与される。
【００３５】
このように構成される圧接型半導体装置１０の動作について、以下に説明する。
【００３６】
まず、圧接型半導体装置１０を組み付ける作業について説明する。図４に示すように、第１板状導電部材３４の積層部４６ａ〜４６ｃの上面には、ＩＧＢＴ１２ａのコレクタ２８側が載置され、前記第１板状導電部材３４の積層部４８ａ〜４８ｃの上面には、ダイオード１６ａのカソード側が同様に位置決めされて載置される。
【００３７】
矢印Ｂ方向に３列に配列された各ＩＧＢＴ１２ａと各ダイオード１６ａとは、第３板状導電部材３８ａ〜３８ｃを介して接続される。具体的には、矢印Ｂ１方向先端に配置されるＩＧＢＴ１２ａのエミッタ３０側が、第３板状導電部材３８ａの積層部５８の下面に接続されるとともに、ダイオード１６ａのアノード側が積層部６０の下面に接続される。同様に、中央列および矢印Ｂ１方向後端に配置される各ＩＧＢＴ１２ａのエミッタ３０側および各ダイオード１６ａのアノード側は、第３板状導電部材３８ｂ、３８ｃの積層部５８、６０の下面に、それぞれ接続される。
【００３８】
各第３板状導電部材３８ａ〜３８ｃの各積層部５８、６０の上面には、前記下層の組み立てと同様に、各ＩＧＢＴ１２ｂのコレクタ２８側と各ダイオード１６ｂのカソード側とが接合される。さらに、矢印Ｂ方向に配列される各ＩＧＢＴ１２ｂのエミッタ３０側が第２板状導電部材３６の積層部４６ａ〜４６ｃの下面に接合される一方、矢印Ｂ方向に配列される各ダイオード１６ｂのアノード側が前記第２板状導電部材３６の積層部４８ａ〜４８ｃの下面に接合される。
【００３９】
これにより、図１に示すように、矢印Ａ方向に積層された半導体素子積層体１４ａ〜１４ｃおよび整流素子積層体１８ａ〜１８ｃが、それぞれ矢印Ｂ方向に３列に配列されて固定される。
【００４０】
次いで、半導体素子積層体１４ａ〜１４ｃおよび整流素子積層体１８ａ〜１８ｃの上方には、絶縁材２０ｂを介装して第１冷却機構２２と加圧機構２６とが配置される。
【００４１】
そこで、第２冷却機構２４、第１冷却機構２２および加圧機構２６に矢印Ａ方向に貫通して形成される複数のロッド挿入用孔部１０６に締め付け用ロッド１０８が挿入され、前記締め付け用ロッド１０８の先端には、前記加圧機構２６側からナット１１０が螺着される。なお、底面の蓋部材７０に予めねじ孔を形成しておき、このねじ孔に締め付け用ロッド１０８の先端を螺着してもよい。
【００４２】
その際、第１冷却機構２２および加圧機構２６と第２冷却機構２４との間には、図示しない締め付け機構を介して所定の締め付け荷重が付与されている。このため、各締め付け用ロッド１０８にナット１１０を螺着することによって、半導体素子積層体１４ａ〜１４ｃおよび整流素子積層体１８ａ〜１８ｃには、矢印Ａ方向に所定の締め付け荷重が付与される。
【００４３】
このように構成される圧接型半導体装置１０では、第３板状導電部材３８ａ〜３８ｃが、例えば、図示しない電気自動車やハイブリッドカーのモータに三相配線（Ｕ、ＶおよびＷ）されて運転が行われる。
【００４４】
この場合、本実施形態では、半導体素子積層体１４ａ〜１４ｃおよび整流素子積層体１８ａ〜１８ｃの積層方向両側に、第１および第２板状導電部材３４、３６が配置されるとともに、ＩＧＢＴ１２ａ、１２ｂ間およびダイオード１６ａ、１６ｂ間に第３板状導電部材３８ａ〜３８ｃが介装されている。この状態で、第１および第２板状導電部材３４、３６は、第１および第２冷却機構２２、２４を構成する本体部７２、６６を介して挟持されている。
【００４５】
このため、第１および第２板状導電部材３４、３６の間には、積層方向に圧縮荷重が付与されており、半導体素子積層体１４ａ〜１４ｃおよび整流素子積層体１８ａ〜１８ｃは、第１板状導電部材３４、第２板状導電部材３６および第３板状導電部材３８ａ〜３８ｃに電気的に確実に接続される。
【００４６】
これにより、各ＩＧＢＴ１２ａ、１２ｂおよび各ダイオード１６ａ、１６ｂは、電気抵抗が有効に減少して、安定した素子特性が得られ、圧接型半導体装置１０全体として、コンパクトな構成で大電力化が確実に図られるという効果が得られる。
【００４７】
さらに、図４に示すように、第１板状導電部材３４は、各ＩＧＢＴ１２ａおよび各ダイオード１６ａと同一形状の積層部４６ａ〜４６ｃおよび４８ａ〜４８ｃを備え、積層部４６ａ〜４６ｃが変形可能なＳ字状の連結部５２を介して連結されるとともに、積層部４６ａ〜４６ｃと積層部４８ａ〜４８ｃとが、同様に変形可能な連結部５４を介して連結されている。
【００４８】
これにより、連結部５２、５４は、熱膨張や熱収縮が発生した際に、または、振動が発生した際に、変形する逃げ部として機能することができる（図７中、二点鎖線参照）。従って、積層部４６ａ〜４６ｃおよび４８ａ〜４８ｃに配置されているＩＧＢＴ１２ａおよびダイオード１６ａに熱応力や振動等の外力が作用することを有効に抑制し、前記ＩＧＢＴ１２ａおよびダイオード１６ａを確実に保護して耐久性の向上を図ることが可能になるという効果が得られる。
【００４９】
さらにまた、第１板状導電部材３４は、銅板で形成されており、コンパクトな構成で所望の導電性と放熱性とを備えることができる。なお、第２板状導電部材３６および第３板状導電部材３８ａ〜３８ｃは、上記の第１板状導電部材３４と同様の効果を得ることができ、その詳細な説明は省略する。
【００５０】
【発明の効果】
本発明に係る圧接型半導体装置では、第１および第２板状導電部材が、第１および第２圧接部材を介して挟持されるため、半導体素子積層体および整流素子積層体には、積層方向に所望の圧接荷重が付与されている。これにより、半導体素子積層体および整流素子積層体は、第１乃至第３板状導電部材に対して電気的に確実に接続することができ、半導体素子および整流素子は、電気抵抗が有効に減少して安定した素子特性が得られ、コンパクトな構成で、大電力化が確実に図られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態に係る圧接型半導体装置の要部概略斜視説明図である。
【図２】前記圧接型半導体装置の一部断面側面図である。
【図３】前記圧接型半導体装置のモジュール回路図である。
【図４】前記圧接型半導体装置の要部分解斜視図である。
【図５】前記圧接型半導体装置を構成する第１冷却機構の分解斜視説明図である。
【図６】前記圧接型半導体装置を構成する加圧機構の分解斜視説明図である。
【図７】第１乃至第３板状導電部材の動作説明図である。
【図８】従来技術に係る半導体装置の断面説明図である。
【符号の説明】
１０…圧接型半導体装置            １２ａ、１２ｂ…ＩＧＢＴ
１４ａ〜１４ｃ…半導体素子積層体  １６ａ、１６ｂ…ダイオード
１８ａ〜１８ｃ…整流素子積層体    ２０ａ、２０ｂ、４４…絶縁材
２２、２４…冷却機構              ２６…加圧機構
２８…コレクタ                    ３０…エミッタ
３２…ゲート
３４、３６、３８ａ〜３８ｃ…板状導電部材
４６ａ〜４６ｃ、４８ａ〜４８ｃ、５８、６０…積層部
５０、５６、６２…外部電力端子    ５２、５４、６４…連結部
６６、７２、９０…本体部          ６８、７８…冷却通路
７０、８６、１０４…蓋部材        ７４…開口部
８０…偏荷重吸収部                ８２、８２ａ…スプライン孔部
９２…加圧部                      ９６…溝部
１０８…締め付け用ロッド
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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