(57)【要約】【課題】軽量でかつ高性能で精細度の高い表示素子およびその製造方法を提供することを可能にする。【解決手段】樹脂基板１２と第１のガラス基板１１とを接着層を介して接着され、第１のガラス基板に素子が形成された第１の表示領域、表示領域の外部に形成された信号接続部１５、および信号接続部と素子とを接続する配線１４を有する第１の基板１０と、樹脂基板２２と第２のガラス基板２１とを接着層を介して接着され、第２の表示領域を有し、第１のガラス基板及び第２のガラス基板を内側として第１の表示領域と第２の表示領域が対向して重なるように第１の基板と所定の間隔を有して保持され、端面が配線上に位置する第２の基板２０と、第２の基板の端面２５に対応する、第１の基板の配線上の位置に設けられた紫外領域のレーザー光を遮光する材料からなる材料膜１８とを備えている。【選択図】　図１
2004126054.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
樹脂基板と第１のガラス基板とを接着層を介して接着され、前記第１のガラス基板に素子が形成された第１の表示領域、前記表示領域の外部に形成された信号接続部、および前記信号接続部と前記素子とを接続する配線を有する第１の基板と、
樹脂基板と第２のガラス基板とを接着層を介して接着され、第２の表示領域を有し、前記第１のガラス基板及び前記第２のガラス基板を内側として前記第１の表示領域と前記第２の表示領域が対向して重なるように前記第１の基板と所定の間隔を有して保持され、端面が前記配線上に位置する第２の基板と、
前記第２の基板の前記端面に対応する、前記第１の基板の前記配線上の位置に設けられた紫外領域のレーザー光を遮光する材料からなる材料膜と
を備えたことを特徴とする表示素子。
【請求項２】
前記材料膜は、前記第１の基板側に絶縁層を介して形成された前記紫外領域のレーザー光を遮光する遮光層を備えていることを特徴とする請求項１記載の表示素子。
【請求項３】
前記材料膜は、前記第２の基板側に絶縁層を介して形成された前記紫外領域のレーザー光を遮光する遮光層を備えていることを特徴とする請求項１記載の表示素子。
【請求項４】
前記材料膜は、前記第１の基板の前記配線上の位置から前記第２の基板の前記端面に達するように形成された紫外領域のレーザー光を遮光する材料からなるスペーサであることを特徴とする請求項１記載の表示素子。
【請求項５】
素子が形成された第１の表示領域、前記表示領域の外部に形成された信号接続部、および前記信号接続部と前記素子とを接続する配線を有する第１の基板と、第２の表示領域を有し、前記第１の表示領域と前記第２の表示領域が対向して重なるように前記第１の基板と所定の間隔を有して保持され、切断線の少なくとも一部が前記配線上に位置する第２の基板と、
前記第２の基板の切断線に対応する、前記第１の基板の前記配線上の位置に形成された紫外領域のレーザー光を遮光する遮光層と
を備え、
前記第１の基板及び第２の基板として、樹脂基板とガラス基板とを接着層を介して接着し、夫々前記ガラス基板を内側としたパネルを形成し、
前記パネルの前記第２の基板に前記切断線に沿って紫外領域のレーザー光を照射し、切断することを特徴とする表示素子の製造方法。
【請求項６】
素子が形成された第１の表示領域、前記表示領域の外部に形成された信号接続部、および前記信号接続部と前記素子とを接続する配線を有する第１の基板と、第２の表示領域を有し、前記第１の表示領域と前記第２の表示領域が対向して重なるように前記第１の基板と所定の間隔を有して保持され、切断線の少なくとも一部が前記配線上に位置する第２の基板と、前記第２の基板の前記切断線の一部の近傍に形成された紫外領域のレーザー光を遮光する遮光層と
を備え、
前記第１の基板及び第２の基板として、樹脂基板とガラス基板とを接着層を介して接着し、夫々前記ガラス基板を内側としたパネルを形成し、前記パネルの前記第２の基板に前記切断線に沿って紫外領域のレーザー光を照射し、切断することを特徴とする表示素子の製造方法。
【請求項７】
素子が形成された第１の表示領域、前記表示領域の外部に形成された信号接続部、および前記信号接続部と前記素子とを接続する配線を有する第１の基板と、第２の表示領域を有し、前記第１の表示領域と前記第２の表示領域が対向して重なるように前記第１の基板と所定の間隔を有して保持され、切断線の少なくとも一部が前記配線上に位置する第２の基板と、前記第２の基板の前記切断線に対応する、前記第１の基板の前記配線上の位置に前記切断線に達するように形成された紫外領域のレーザー光を吸収する材料からなるスペーサとを備え、
前記第１の基板及び第２の基板として、樹脂基板とガラス基板とを接着層を介して接着し、夫々前記ガラス基板を内側としたパネルを形成し、前記パネルの前記第２の基板に前記切断線に沿って紫外領域のレーザー光を照射し、切断することを特徴とする表示素子の製造方法。
【請求項８】
素子が形成された第１の表示領域、前記表示領域の外部に形成された信号接続部、および前記信号接続部と前記素子とを接続する配線を有する第１の基板と、第２の表示領域を有し、前記第１の表示領域と前記第２の表示領域が対向して重なるように前記第１の基板と所定の間隔を有して保持され、切断線の少なくとも一部が前記配線上に位置する第２の基板とを備え、
前記第１の基板及び第２の基板として、樹脂基板とガラス基板とを接着層を介して接着し、夫々前記ガラス基板を内側としたパネルを形成し、前記パネルを、紫外領域のレーザー光を吸収する液体に浸し、前記パネルの前記第２の基板に前記切断線に沿って紫外領域のレーザー光を照射し、切断することを特徴とする表示素子の製造方法。
【請求項９】
素子が形成された第１の表示領域、前記表示領域の外部に形成された信号接続部、および前記信号接続部と前記素子とを接続する配線を有する第１の基板と、第２の表示領域を有し、前記第１の表示領域と前記第２の表示領域が対向して重なるように前記第１の基板と所定の間隔を有して保持され、切断線の少なくとも一部が前記配線上に位置する第２の基板とを備え、
前記第１の基板及び第２の基板として、樹脂基板とガラス基板とを接着層を介して接着し、夫々前記ガラス基板を内側としたパネルを形成し、前記パネルの前記第２の基板に紫外領域のレーザー光を前記切断線に沿って照射して切断する際に、前記切断線の少なくとも一部上では、前記配線の間にのみ紫外領域のレーザー光を照射することを特徴とする表示素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は表示素子およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
今日、液晶ディスプレイ（以下、ＬＣＤとも云う）や有機ＥＬディスプレイ（以下、ＯＬＥＤとも云う）は、ノート型パソコンやテレビ、携帯電話や携帯情報端末（以下、ＰＤＡとも云う）などのモバイル情報機器の表示端末として広く用いられている。しかし、現在用いられているＬＣＤやＯＬＥＤの大部分は厚さが０．７ｍｍ程度のガラス基板上に形成されている。このため、ＬＣＤやＯＬＥＤを含めた表示素子への要求として、更なる薄型化や、軽量化が求められている。
これらの要求を満たすため、厚さの薄いガラスや、熱硬化性樹脂、紫外線（以下、ＵＶとも云う）硬化性樹脂、熱可塑性樹脂など、ガラスより比重の小さいプラスチック材料などの材料がＬＣＤやＯＬＥＤの基板として用いられている。例えば、非特許文献１には、アモルファスシリコンからなる薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴとも云う）をプラスチック基板上に形成したＬＣＤが開示されている。
【０００３】
【非特許文献１】
ＳＩＤ　ＩＮＴＥＲＮＡＴＯＩＮＡＬ　ＳＹＭＰＯＳＩＵＭ　ＤＩＧＥＳＴ　ＯＦ　ＴＥＣＨＮＩＣＡＬ　ＰＡＰＥＲＳ，　Ｖｏｌ．　ＸＸＸＩＩＩ，　Ｎｕｍｂｅｒ　ＩＩ，　２００２，ｐ８０２−８０５．
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、熱可塑性樹脂は耐熱温度が２００℃以下であるものが多く、アモルファスシリコンや、ポリシリコンを用いた薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴとも云う）の製造に必要な３５０℃〜６００℃のプロセスには耐えられない。このため、製造されたＴＦＴの移動度が低く、高性能のＴＦＴを得ることができない。また、プラスチック基板は伸び縮みするので高精細にできない。したがって、熱可塑性樹脂からなる基板上に高性能で精細度の高いＴＦＴを含むアクティブマトリクス型のアレイ基板を形成することは非常に困難である。
【０００５】
本発明は、上記事情を考慮してなされたものであって、軽量でかつ高性能で精細度の高い表示素子およびその製造方法を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明の第１の態様による表示素子は、樹脂基板と第１のガラス基板とを接着層を介して接着され、前記第１のガラス基板に素子が形成された第１の表示領域、前記表示領域の外部に形成された信号接続部、および前記信号接続部と前記素子とを接続する配線を有する第１の基板と、樹脂基板と第２のガラス基板とを接着層を介して接着され、第２の表示領域を有し、前記第１のガラス基板及び前記第２のガラス基板を内側として前記第１の表示領域と前記第２の表示領域が対向して重なるように前記第１の基板と所定の間隔を有して保持され、端面が前記配線上に位置する第２の基板と、前記第２の基板の前記端面に対応する、前記第１の基板の前記配線上の位置に設けられた紫外領域のレーザー光を遮光する材料からなる材料膜とを備えたことを特徴とする。
【０００７】
なお、前記材料膜は、前記第１の基板側に絶縁層を介して形成された前記紫外領域のレーザー光を遮光する遮光層を備えていても良い。
【０００８】
なお、前記材料膜は、前記第２の基板側に絶縁層を介して形成された前記紫外領域のレーザー光を遮光する遮光層を備えても良い。
【０００９】
なお、前記材料膜は、前記第１の基板の前記配線上の位置から前記第２の基板の前記端面に達するように形成された紫外領域のレーザー光を遮光する材料からなるスペーサであっても良い。
【００１０】
また、本発明の第２の態様による表示素子の製造方法は、素子が形成された第１の表示領域、前記表示領域の外部に形成された信号接続部、および前記信号接続部と前記素子とを接続する配線を有する第１の基板と、第２の表示領域を有し、前記第１の表示領域と前記第２の表示領域が対向して重なるように前記第１の基板と所定の間隔を有して保持され、切断線の少なくとも一部が前記配線上に位置する第２の基板と、前記第２の基板の切断線に対応する、前記第１の基板の前記配線上の位置に形成された紫外領域のレーザー光を遮光する遮光層とを備え、前記第１の基板及び第２の基板として、樹脂基板とガラス基板とを接着層を介して接着し、夫々前記ガラス基板を内側としたパネルを形成し、前記パネルの前記第２の基板に前記切断線に沿って紫外領域のレーザー光を照射し、切断することを特徴とする。
【００１１】
また、本発明の第３の態様による表示素子の製造方法は、素子が形成された第１の表示領域、前記表示領域の外部に形成された信号接続部、および前記信号接続部と前記素子とを接続する配線を有する第１の基板と、第２の表示領域を有し、前記第１の表示領域と前記第２の表示領域が対向して重なるように前記第１の基板と所定の間隔を有して保持され、切断線の少なくとも一部が前記配線上に位置する第２の基板と、前記第２の基板の前記切断線の一部の近傍に形成された紫外領域のレーザー光を遮光する遮光層とを備え、前記第１の基板及び第２の基板として、樹脂基板とガラス基板とを接着層を介して接着し、夫々前記ガラス基板を内側としたパネルを形成し、前記パネルの前記第２の基板に前記切断線に沿って紫外領域のレーザー光を照射し、切断することを特徴とする。
【００１２】
また、本発明の第４の態様による表示素子の製造方法は、素子が形成された第１の表示領域、前記表示領域の外部に形成された信号接続部、および前記信号接続部と前記素子とを接続する配線を有する第１の基板と、第２の表示領域を有し、前記第１の表示領域と前記第２の表示領域が対向して重なるように前記第１の基板と所定の間隔を有して保持され、切断線の少なくとも一部が前記配線上に位置する第２の基板と、前記第２の基板の前記切断線に対応する、前記第１の基板の前記配線上の位置に前記切断線に達するように形成された紫外領域のレーザー光を吸収する材料からなるスペーサとを備え、前記第１の基板及び第２の基板として、樹脂基板とガラス基板とを接着層を介して接着し、夫々前記ガラス基板を内側としたパネルを形成し、前記パネルの前記第２の基板に前記切断線に沿って紫外領域のレーザー光を照射し、切断することを特徴とする。
【００１３】
また、本発明の第５の態様による表示素子の製造方法は、素子が形成された第１の表示領域、前記表示領域の外部に形成された信号接続部、および前記信号接続部と前記素子とを接続する配線を有する第１の基板と、第２の表示領域を有し、前記第１の表示領域と前記第２の表示領域が対向して重なるように前記第１の基板と所定の間隔を有して保持され、切断線の少なくとも一部が前記配線上に位置する第２の基板とを備え、前記第１の基板及び第２の基板として、樹脂基板とガラス基板とを接着層を介して接着し、夫々前記ガラス基板を内側としたパネルを形成し、前記パネルを、紫外領域のレーザー光を吸収する液体に浸し、前記パネルの前記第２の基板に前記切断線に沿って紫外領域のレーザー光を照射し、切断することを特徴とする。
【００１４】
また、本発明の第６の態様による表示素子の製造方法は、素子が形成された第１の表示領域、前記表示領域の外部に形成された信号接続部、および前記信号接続部と前記素子とを接続する配線を有する第１の基板と、第２の表示領域を有し、前記第１の表示領域と前記第２の表示領域が対向して重なるように前記第１の基板と所定の間隔を有して保持され、切断線の少なくとも一部が前記配線上に位置する第２の基板とを備え、前記第１の基板及び第２の基板として、樹脂基板とガラス基板とを接着層を介して接着し、夫々前記ガラス基板を内側としたパネルを形成し、前記パネルの前記第２の基板に紫外領域のレーザー光を前記切断線に沿って照射して切断する際に、前記切断線の少なくとも一部上では、前記配線の間にのみ紫外領域のレーザー光を照射することを特徴とする。
【００１５】
【発明の実施の形態】
本発明の実施形態を以下に図面を参照して詳細に説明するが、本発明はこれらの実施形態に限定されるものではない。
【００１６】
まず、本発明の各実施形態の前提となる表示素子を説明する。
【００１７】
表示素子を軽量化するために、薄いガラスと薄いプラスチックの積層基板を用いることが考えられる。この積層基板を用いるとＴＦＴの特性を低下させずに軽く、曲げが可能なＬＣＤを得ることができると予想される。そして、この場合、積層基板を用いるのは、アレイ基板ばかりでなく、対向基板も積層基板を用いる。これは、積層基板を用いないと、そりが生じるためである。
【００１８】
薄いガラスと薄いプラスチックからなる積層基板を、アレイ基板および対向基板に用いた場合、配線部分を出すために、機械的に切断すると、切断面が滑らかでないことから、クラックなどが伸展し易い。このため、削りかすが出て液晶を封入する際にこの削りかす液晶に混入する可能性がある。
【００１９】
このため、基板が吸収する波長領域のレーザー光を用いて所定の寸法に切り出すことが考えられる。ガラスやプラスチックの場合、紫外領域で光を吸収するので、波長が紫外線領域のレーザー光を用いて加工することが可能となっている。
【００２０】
なお、ここでいうレーザー光の波長とは、レーザー光の発振波長の他に、入射レーザー光が光学変換素子により変換された後の波長も含めており、例えばＹＡＧレーザー（発振波長：１．０６４μｍ）の３次高調波（波長：３５５ｎｍ）や４次高調波（波長：２６６ｎｍ）も、波長が紫外線領域のレーザー光に含まれているものとする。なお、ガラスとプラスチックからなる積層基板を赤外レーザーを用いて切断すると、赤外レーザーは、加熱溶断するので温度が上がり、ガラスとプラスチックの膨張率が異なることから、ガラスに熱応力が印加されて割れが生じるという問題がある。紫外領域のレーザー（以下、ＵＶレーザーとも云う）は、分子間の結合を切断する分子破壊であるので、これが用いられる。
【００２１】
厚さが薄い熱可塑性樹脂基板とガラス基板を重ね合わせた基板を用いたアクティブマトリクス型液晶表示素子の液晶パネルを、波長が紫外線領域のレーザー光を用いて所定の形状に切断する方法について、図１９乃至図２２を参照して説明する。図１９はアレイ基板１０と、対向基板２０を重ね合わせた液晶パネルの断面図を示し、図２０は図１９に示す切断線Ａ−Ａで切断したときの断面図を示す。この液晶パネルは、それぞれ厚さが０．１ｍｍのガラス基板１１と熱可塑性樹脂基板１２が接着されたアレイ基板１０と、それぞれ厚さが０．１ｍｍのガラス基板２１と熱可塑性樹脂基板２２が接着された対向基板２０とを備えている。これらのアレイ基板１０および対向基板２０は、ガラス基板１１、２１の面が対向して配置され、かつスペーサ３１によって所定の間隔を保持するように形成された構造となっている。アレイ基板１０を構成するガラス基板１１の表示領域上には、複数の走査線（図示せず）と、これらの複数の走査線に交差する複数の信号線（図示せず）と、走査線と信号線との交差点に設けられた画素電極（図示せず）と、画素電極に対応して設けられて対応する走査線によって開閉動作し一端が対応する信号線に接続され他端が対応する画素電極に接続されるＴＦＴ（図示せず）とが形成されている。また、アレイ基板１０上の表示領域より外側には、信号接続部１５が形成されており、これらの信号接続部１５は配線１４を介して上記信号線および走査線と接続されている。
【００２２】
一方、対向基板２０を構成するガラス基板２１の、上記表示領域に対応する領域には、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ−Ｔｉｎ　Ｏｘｉｄｅ）　からなる対向電極が設けられている。そして、アレイ基板１０と対向基板２０との間の上記表示領域には液晶３５が挟持されている。この液晶３５は上記表示領域の周囲に塗布されたシール材３２によって封止されている。
【００２３】
アレイ基板１０、対向基板２０のそれぞれに対し、樹脂基板１２、２２側から波長２４０ｎｍ〜２７０ｎｍの紫外線領域のレーザー光５０を照射すると、樹脂基板１２、２２およびガラス基板１１、２１とも上記波長領域で光を吸収するため、基板１０、２０を切断することができる。図１９に示すように、アレイ基板１０は表示領域の外側でかつ信号接続部１５の領域の外側を切断線４０に沿って切断すれば良く、対向基板２０は表示領域の外側を、信号接続部１５の領域を含まないように切断線４１に沿って切断すれば良い。切断線４０、４１に沿って基板１０、２０を切断すると、図２１、２２に示すアクティブマトリクス型液晶表示素子を得ることができる。
【００２４】
上記のような切断方法により基板を加工した場合、信号接続部１５を含まない辺に対してはアレイ基板１０と対向基板２０を同じ位置で切断すれば良いが、信号接続部１５を含む辺に対しては、アレイ基板１０の方を対向基板２０より外側で切断することになる。対向基板２０を切断する際に、レーザー光５０が対向基板２０の熱可塑性樹脂基板およびガラス基板で十分吸収されない場合には、レーザー光５０は対向基板２０を通り抜け、アレイ基板１０上まで到達するため、アレイ基板１０上に形成された配線部にダメージを与え、配線１４が断線し、映像信号を表示できなくなるという問題が生じる。
【００２５】
また、上述のような薄いガラスや樹脂からなる基板を用いた場合、基板の剛性が十分でないため、平坦度を保つことが難しくなる。例えばＬＣＤにおいては２枚の基板をある一定の間隔で重ね合わせて保持しておく必要があり、その間隔は約５μｍと非常に狭いため、表示領域内ではスペーサ３１により、表示領域外ではシール材３２によりその間隔を精度よく保っている。
【００２６】
剛性が小さい基板は反りやすく、特に信号接続部１５の近傍には幅や間隔の小さい配線が密集しているため、図２３に示すように対向基板２０が反ってアレイ基板１０上の配線１４をこすり、配線１４のオープンやショートが発生しやすい、という問題が生じる。
【００２７】
そこで、本発明の各実施形態においては、配線が断線またはショートするのを防止することのできる表示素子およびその製造方法について説明する。
【００２８】
（第１実施形態）
本発明の第１の実施形態による液晶表示素子を図１および図２を参照して説明する。図１は、本実施形態による液晶表示素子の構成を示す断面図であり、図２は、図１に示す切断線Ａ−Ａで切断したときの断面図である。
【００２９】
本実施形態による液晶表示素子は、それぞれ厚さが０．１ｍｍのガラス基板１１と熱可塑性樹脂基板１２が接着されたアレイ基板１０と、それぞれ厚さが０．１ｍｍのガラス基板２１と熱可塑性樹脂基板２２が接着された対向基板２０とを備えている。これらのアレイ基板１０および対向基板２０は、ガラス基板１１、２１の面が対向して配置され、かつスペーサ３１によって所定の間隔を保持するように形成された構造となっている。アレイ基板１０を構成するガラス基板１１の表示領域上には、複数の走査線（図示せず）と、これらの複数の走査線に交差する複数の信号線（図示せず）と、走査線と信号線との交差点に設けられた画素電極（図示せず）と、画素電極に対応して設けられて対応する走査線によって開閉動作し一端が対応する信号線に接続され他端が対応する画素電極に接続されるＴＦＴ（図示せず）とが形成されている。また、ガラス基板１１上の表示領域より外側には、信号接続部１５が形成されており、これらの信号接続部１５は配線１４を介して上記信号線および走査線と接続されている。そして、対向基板２０の切断された端面２５に対応する、各配線１４の領域上には、絶縁層１７と金属遮光層１８からなる積層膜が設けられた構成となっている。
【００３０】
一方、対向基板２０を構成するガラス基板２１の、上記表示領域に対応する領域には、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ−Ｔｉｎ　Ｏｘｉｄｅ）　からなる対向電極が設けられている。そして、アレイ基板１０と対向基板２０との間の上記表示領域には液晶３５が挟持されている。この液晶３５は上記表示領域の周囲に塗布されたシール材３２によって封止されている。
【００３１】
次に、本実施形態による液晶表示素子の製造方法を、図３および図４を参照して説明する。
【００３２】
上記液晶表示素子は、必要なサイズより大きいサイズのアレイ基板１０および対向基板２０上にパターン形成などを行った後、切断線４０、４１に沿ってレーザー光を照射することで液晶表示素子として必要な外形寸法に切り出すことにより製造される。図３は、パターンは形成されたが、レーザー光を照射することにより液晶表示素子として必要な外形寸法に切り出す前の液晶パネルの断面図を示し、図４は、図３に示す切断線Ｂ−Ｂで切断したときの断面図を示す。
【００３３】
まず、通常の製造工程を用いて、アレイ基板１０を構成する厚さが０．１ｍｍのガラス基板１１の表示領域上に、複数の走査線（図示せず）、これらの複数の走査線に交差する複数の信号線（図示せず）、走査線と信号線との交差点に設けられた画素電極（図示せず）、画素電極に対応して設けられて対応する走査線によって開閉動作し一端が対応する信号線に接続され他端が対応する画素電極に接続される例えばポリシリコンからなるＴＦＴ（図示せず）を形成する。また、ガラス基板１１上の表示領域より外側に、信号接続部１５と、これらの信号接続部１５に上記信号線および走査線を介して接続される配線１４を形成する。そして、レーザー光を照射することにより切断される対向基板２０の端面２５に対応する、各配線１４の領域上に、絶縁層１７と金属遮光層１８からなる積層膜を形成する。更に、表示領域内にスペーサ３１を形成する。
【００３４】
その後、それぞれ厚さが０．１ｍｍのガラス基板１１と熱可塑性樹脂基板１２を接着剤で接着し、アレイ基板１０を形成する（図３参照）。
【００３５】
一方、対向基板２０を構成するガラス基板２１の、上記表示領域に対応する領域に、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ−Ｔｉｎ　Ｏｘｉｄｅ）　からなる対向電極を形成する。その後、それぞれ厚さが０．１ｍｍのガラス基板２１と熱可塑性樹脂基板２２を接着剤で接着し、対向基板２０を形成する（図３参照）。
【００３６】
そして、アレイ基板１０を構成するガラス基板１１の表示領域の周囲にシール材３１を塗布し、上記ガラス基板１１と対向基板を構成するガラス基板２１とが向かい合いかつスペーサ３１によって所定の間隔に保持されるように、アレイ基板１０と、対向基板２０とを張り合わせる。
【００３７】
その後、図示しない注入口から、上記表示領域に液晶３５を注入し、上記注入口を例えば紫外線硬化樹脂を塗布し、紫外線を照射することにより上記紫外線硬化樹脂を硬化させ、液晶３５を封止する。これにより、図３に示す液晶パネルが完成する。
【００３８】
このように形成された液晶パネルにおいては、図３に示すように、アレイ基板１０の信号接続部１５のない辺では、アレイ基板１０の切断線４０と対向基板２０の切断線４１とは平面的に重なるが、信号接続部１５のある辺では、対向基板２０の切断線４１はアレイ基板１０の信号接続部１５より内側に位置し、アレイ基板１０上の配線１４と交差する部分が生じる。配線１４と対向基板２０の切断線４１が交差する、配線１４の領域上に絶縁層１７を介して金属遮光層１８が積層されている。
【００３９】
次に、アレイ基板１０の樹脂基板１２側から切断線４０に沿ってＹＡＧレーザーの４次高調波（波長：２６６ｎｍ）を照射する。ガラス基板１１、樹脂基板１２ともにＹＡＧレーザーの４次高調波の光５０を吸収するため、アレイ基板１０を所定の形状に切り出すことができる。同様に、対向基板２０の樹脂基板２２側から切断線４１に沿ってＹＡＧレーザーの４次高調波の光５０を照射し、対向基板２０を所定の形状に切り出す。これにより、図３および図４に示すように、アレイ基板１０の辺端部に形成された信号接続部１５を露出させることができる。
【００４０】
この際、アレイ基板１０上の配線１４と、対向基板２０の切断線４１が交差する配線１４上には、絶縁層１７を介して金属遮光層１８が形成されているので、対向基板２０を切断するときに対向基板２０を通り抜けてきたレーザー光５０は金属遮光層１８を透過しないために、配線１４が損傷を受けず、走査線または信号線と信号接続部１５との電気的接続を保ったまま、対向基板２０を所定の形状に切り出すことができる。
【００４１】
以上説明したように、本実施形態によれば、遮光層を設けたことにより、ＵＶレーザーを用いて積層基板を切断した場合に配線が断線またはショートするのを防止することができる。
【００４２】
（第２実施形態）
次に、本発明の第２実施形態による液晶表示素子を、図５および図６を参照して説明する。図５は、本実施形態による液晶表示素子の構成を示す断面図であり、図６は、図５に示す切断線Ａ−Ａで切断したときの断面図である。
【００４３】
第１実施形態の液晶表示素子においては、アレイ基板１０の配線１４と対向基板２０の切断線４１が交差する位置に設けられる絶縁層および金属遮光層からなる積層膜は、アレイ基板１０の配線１４上に形成されていたが、本実施形態においては、上記積層膜を対向基板側に設けた構成となっている。すなわち、図５および図６に示すように、対向基板２０を構成するガラス基板２１の表示領域の外の、アレイ基板１０の配線１４と対向基板２０の切断線が交差する位置に、絶縁層２３および金属遮光層２４からなる積層膜が形成されている。上記積層膜以外は第１実施形態による液晶表示素子と同じ構成となっている。
【００４４】
次に、次に、本実施形態による液晶表示素子の製造方法を、図７および図８を参照して説明する。
【００４５】
上記液晶表示素子は、必要なサイズより大きいサイズのアレイ基板１０および対向基板２０上にパターン形成などを行った後、切断線４０、４１に沿ってレーザー光を照射することで液晶表示素子として必要な外形寸法に切り出すことにより製造される。図７は、パターンは形成されたが、レーザー光を照射することにより液晶表示素子として必要な外形寸法に切り出す前の液晶パネルの断面図を示し、図８は、図７に示す切断線Ｂ−Ｂで切断したときの断面図を示す。
【００４６】
まず、通常の製造工程を用いて、アレイ基板１０を構成するガラス基板１１の表示領域上に、複数の走査線（図示せず）、これらの複数の走査線に交差する複数の信号線（図示せず）、走査線と信号線との交差点に設けられた画素電極（図示せず）、画素電極に対応して設けられて対応する走査線によって開閉動作し一端が対応する信号線に接続され他端が対応する画素電極に接続される例えばポリシリコンからなるＴＦＴ（図示せず）を形成する。また、ガラス基板１１上の表示領域より外側に、信号接続部１５と、これらの信号接続部１５に上記信号線および走査線を介して接続される配線１４を形成する。更に、表示領域内にスペーサ３１を形成する。その後、第１実施形態の場合と同様にして、それぞれ厚さが０．１ｍｍのガラス基板１１と熱可塑性樹脂基板１２を接着剤で接着し、アレイ基板１０を形成する（図７参照）。
【００４７】
一方、対向基板２０を構成するガラス基板２１の、上記表示領域に対応する領域に、ＩＴＯからなる対向電極を形成する。そして、レーザー光５０が照射される切断線４１と、アレイ基板１０の配線１４が交差する、ガラス基板２１の位置上に、絶縁層２３と金属遮光層２４からなる積層膜を形成する。続いて、それぞれ厚さが０．１ｍｍのガラス基板２１と熱可塑性樹脂基板２２を接着剤で接着し、対向基板２０を形成する（図７参照）。
【００４８】
その後、アレイ基板１０を構成するガラス基板１１の表示領域の周囲にシール材３１を塗布し、上記ガラス基板１１と対向基板を構成するガラス基板２１とが向かい合いかつスペーサ３１によって所定の間隔に保持されるように、アレイ基板１０と、対向基板２０とを張り合わせる。
【００４９】
その後、図示しない注入口から、上記表示領域に液晶３５を注入し、上記注入口を例えば紫外線硬化樹脂を塗布し、紫外線を照射することにより上記紫外線硬化樹脂を硬化させ、液晶３５を封止する。これにより、図７に示す液晶パネルが完成する。
【００５０】
このように形成された液晶パネルにおいては、図７に示すように、アレイ基板１０の信号接続部１５のない辺では、アレイ基板１０の切断線４０と対向基板２０の切断線４１とは平面的に重なるが、信号接続部１５のある辺では、対向基板２０の切断線４１はアレイ基板１０の信号接続部１５より内側に位置し、アレイ基板１０上の配線１４と交差する部分が生じる。配線１４と対向基板２０の切断線４１が交差する、対向基板２０の位置上に絶縁層１７を介して金属遮光層１８が積層されている。
【００５１】
次に、アレイ基板１０の樹脂基板１２側から切断線４０に沿ってＹＡＧレーザーの４次高調波（波長：２６６ｎｍ）を照射する。ガラス基板１１、樹脂基板１２ともにＹＡＧレーザーの４次高調波の光５０を吸収するため、アレイ基板１０を所定の形状に切り出すことができる。同様に、対向基板２０の樹脂基板２２側から切断線４１に沿ってＹＡＧレーザーの４次高調波の光５０を照射し、対向基板２０を所定の形状に切り出す。これにより、図７および図８に示すように、アレイ基板１０の辺端部に形成された信号接続部１５を露出させることができる。
【００５２】
この際、アレイ基板１０上の配線１４と、対向基板２０の切断線４１が交差する、対向基板２０の位置上には、絶縁層２３を介して金属遮光層２４が形成されているので、対向基板２０を切断するときに対向基板２０を通り抜けてきたレーザー光５０は金属遮光層２４を透過しないために、配線１４が損傷を受けず、走査線または信号線と信号接続部１５との電気的接続を保ったまま、対向基板２０を所定の形状に切り出すことができる。
【００５３】
この際、アレイ基板１０の信号接続部１５のある辺での対向基板２０の切断線４１上およびその近傍には金属遮光層２４が形成されており、薄い基板だけの場合と比較して強度が強くなっており、クラックが発生しにくく、基板が割れにくい。
【００５４】
以上説明したように、本実施形態によれば、遮光層を設けたことにより、ＵＶレーザーを用いて積層基板を切断した場合に配線が断線またはショートするのを防止することができる。
【００５５】
（第３実施形態）
次に、本発明の第３実施形態による液晶表示素子を、図９および図１０を参照して説明する。図１は本実施形態による液晶表示素子の構成を示す断面図であり、図１０は図９に示す切断線Ａ−Ａで切断したときの断面図である。
【００５６】
この実施形態の液晶表示素子は、第１実施形態の液晶表示素子において、信号接続部１５のある辺での対向基板２０の切断線４１と重なる部分に、絶縁層１７および金属遮光層１８からなる積層膜を設ける代わりに、対向基板２０に達する遮光体からなるスペーサ３７を設けた構成となっている。
【００５７】
次に、本実施形態による液晶表示素子の製造方法を、図１１および図１２を参照して説明する。
【００５８】
上記液晶表示素子は、必要なサイズより大きいサイズのアレイ基板１０および対向基板２０上にパターン形成などを行った後、切断線４０、４１に沿ってレーザー光を照射することで液晶表示素子として必要な外形寸法に切り出すことにより製造される。図１１は、パターンは形成されたが、レーザー光を照射することにより液晶表示素子として必要な外形寸法に切り出す前の液晶パネルの断面図を示し、図１２は、図１１に示す切断線Ｂ−Ｂで切断したときの断面図を示す。
【００５９】
まず、通常の製造工程を用いて、アレイ基板１０を構成するガラス基板１１の表示領域上に、複数の走査線（図示せず）、これらの複数の走査線に交差する複数の信号線（図示せず）、走査線と信号線との交差点に設けられた画素電極（図示せず）、画素電極に対応して設けられて対応する走査線によって開閉動作し一端が対応する信号線に接続され他端が対応する画素電極に接続される例えばポリシリコンからなるＴＦＴ（図示せず）を形成する。また、ガラス基板１１上の表示領域より外側に、信号接続部１５と、これらの信号接続部１５に上記信号線および走査線を介して接続される配線１４を形成する。そして、レーザー光を照射することにより切断される対向基板２０の端面に対応する、各配線１４の領域上に、絶縁層１７と金属遮光層１８からなる積層膜を形成する。更に、表示領域内にスペーサ３１を形成する。このスペーサ３１を形成する際に、アレイ基板１０の信号接続部１５のある辺での対向基板２０の切断線４１と重なる部分に、遮光体からなるスペーサ３７を形成する。その後、それぞれ厚さが０．１ｍｍのガラス基板１１と熱可塑性樹脂基板１２を接着剤で接着し、アレイ基板１０を形成する（図１１参照）。
【００６０】
一方、対向基板２０を構成するガラス基板２１の、上記表示領域に対応する領域に、ＩＴＯからなる対向電極を形成する。その後、それぞれ厚さが０．１ｍｍのガラス基板２１と熱可塑性樹脂基板２２を接着剤で接着し、対向基板２０を形成する（図１１参照）。
【００６１】
そして、アレイ基板１０を構成するガラス基板１１の表示領域の周囲にシール材３１を塗布し、上記ガラス基板１１と対向基板を構成するガラス基板２１とが向かい合いかつスペーサ３１、３７によって所定の間隔に保持されるように、アレイ基板１０と、対向基板２０とを張り合わせる。なお、スペーサ３７は、波長が紫外線領域のレーザー光を吸収する材料から構成されている。
【００６２】
その後、図示しない注入口から、上記表示領域に液晶３５を注入し、上記注入口を例えば紫外線硬化樹脂を塗布し、紫外線を照射することにより上記紫外線硬化樹脂を硬化させ、液晶３５を封止する。これにより、図１１に示す液晶パネルが完成する。
【００６３】
このように形成された液晶パネルにおいては、図１１に示すように、アレイ基板１０の信号接続部１５のない辺では、アレイ基板１０の切断線４０と対向基板２０の切断線４１とは平面的に重なるが、信号接続部１５のある辺では、対向基板２０の切断線４１はアレイ基板１０の信号接続部１５より内側に位置し、アレイ基板１０上の配線１４と交差する部分が生じる。配線１４と対向基板２０の切断線４１が交差する、配線１４の領域上に絶縁層１７を介して金属遮光層１８が積層されている。
【００６４】
次に、アレイ基板１０の樹脂基板１２側から切断線４０に沿ってＹＡＧレーザーの４次高調波（波長：２６６ｎｍ）を照射する。ガラス基板１１、樹脂基板１２はともにＹＡＧレーザーの４次高調波の光５０を吸収するため、アレイ基板１０を所定の形状に切り出すことができる。同様に、対向基板２０の樹脂基板２２側から切断線４１に沿ってＹＡＧレーザーの４次高調波の光５０を照射し、対向基板２０を所定の形状に切り出す。これにより、図１１および図１２に示すように、アレイ基板１０の辺端部に形成された信号接続部１５を露出させることができる。この際、アレイ基板１０上の配線１４と、対向基板２０の切断線４１が交差する配線１４上には、レーザー光を吸収する材料からなるスペーサ３７が形成されているので、対向基板２０を切断するときに対向基板２０を通り抜けてきたレーザー光５０はスペーサ３７を透過しないために、配線１４が損傷を受けず、走査線または信号線と信号接続部１５との電気的接続を保ったまま、対向基板２０を所定の形状に切り出すことができる。
【００６５】
以上説明したように、本実施形態によれば、配線が断線またはショートするのを防止することができる。
【００６６】
また、本実施形態の液晶表示素子によれば、対向基板２０所定の形状に切り出す際には、アレイ基板１０で信号接続部１５のある辺での対向基板２０の切断線４１上およびその近傍にはスペーサ３７が形成されており、ギャップが一定に保たれているため、剛性の小さい基板を用いても基板の反りが発生しないために、対向基板２０が反ってアレイ基板１０に接することによる配線のオープンやショートの発生を抑えることができる。
【００６７】
（第４実施形態）
次に、本発明の第４実施形態による液晶表示素子の製造方法を、図１３乃至図１５を参照して説明する。
【００６８】
この実施形態による液晶表示素子の製造方法は、まず図１３に示す液晶パネル、すなわち、図１９に示す液晶パネルを形成する。
【００６９】
次に、この液晶パネルを形成した後、信号接続部１５のある辺の端部を、紫外線領域の光を吸収したり散乱したりすることにより透過させない液体６５中に浸す。この液体６５は、容器６０内に保持されている。液体６５の例としては、溶剤中にブラックカーボンや、黒、赤などの色素や顔料を溶かしたものを入れる。
液体６５は毛細管現象により２枚の基板１０、２０に挟まれた領域に入り込む。
【００７０】
その後、図１５に示すように、対向基板２０の樹脂基板２２側から切断線４１に沿ってＹＡＧレーザーの４次高調波の光５０を照射し、対向基板２０を所定の形状に切り出す。このとき、信号接続部１５のある辺ではレーザー光５０が液体６５により吸収されたり散乱されたりして強度が弱まるため、アレイ基板１０上の配線１４が損傷を与えなない。なお、アレイ基板１０の切断は切断線４０に沿って行う。
【００７１】
最後に、清浄な空気洗浄を行うことにより、上記液体６５を除去し、液晶表示素子を完成する。
【００７２】
以上説明したように、本実施形態によれば、配線が断線またはショートするのを防止することのできる。
【００７３】
（第５実施形態）
次に、本発明の第５実施形態による液晶表示素子の製造方法を、図１６乃至図１８を参照して説明する。
【００７４】
この実施形態による液晶表示素子の製造方法は、まず図１６に示す液晶パネル、すなわち、図１９に示す液晶パネルを形成する。
【００７５】
この液晶パネルは、アレイ基板１０で信号接続部１５のない辺では、アレイ基板１０の切断線４０と、対向基板２０の切断線４１とは平面的に重なるが、信号接続部１５のある辺では、対向基板２０の切断線４１はアレイ基板１０の信号接続部１５より内側に位置し、アレイ基板１０上の配線１４と交差する部分が生じる。切断線４１と交差する部分の配線１４は、図１７に示すように、一定間隔で配置されている部分を含み、配線１４の太さＬ１は２０μｍ〜５００μｍ、隣接する配線１４間の間隔Ｌ２は３０μｍ〜５００μｍ程度となっている。
【００７６】
なお、この液晶パネルにおいては、信号接続部１５は１辺のみに形成されているが、複数の辺に形成されていても同様である。
【００７７】
続いて、ＹＡＧレーザーの４次高調波（波長：２６６ｎｍ）の光５０を照射することでアレイ基板１０、対向基板２０を切断線４０、４１に沿って、所定の形状に切り出す。ガラス、プラスチックフィルムともにＹＡＧレーザーの４次高調波の光５０を吸収するため、基板を加工することができる。図１８に示すように、照射されるレーザービームのスポット径５１は１０μｍ〜２０μｍ程度、照射エネルギーは１００ｍＷ〜１０００ｍＷ程度である。上記切り出しは、まず、アレイ基板１０の樹脂基板１２側からＹＡＧレーザーの４次高調波の光５０を切断線４０に沿って照射し、アレイ基板１０を所定の形状に切り出す。この場合、切断線４０上を途切れないように連続的にレーザーを照射しても良いし、切断線４０上を間引いて不連続的に照射しても良い。
【００７８】
同様に、対向基板２０の樹脂基板２２側から切断線４１に沿ってＹＡＧレーザーの４次高調波の光５０を照射し、対向基板２０を所定の形状に切り出す。このとき、アレイ基板１０で信号接続部１５のない辺での対向基板２０の切断は、アレイ基板１０と同様に，　切断線４１上を途切れないように連続的にレーザーを照射しても良いし、切断線４１上を間引いて不連続的に照射しても良い。しかし、アレイ基板１０で信号接続部１５のある辺での対向基板２０の切断は、レーザー照射によりアレイ基板１０上の配線１４に損傷を与えないように、図１８に示すように、隣接する配線１４の間にのみレーザー光５０が照射されるようにすれば良い。
【００７９】
以上説明したように、本実施形態によれば、配線が断線またはショートするのを防止することのできる。
【００８０】
次に、薄いガラス基板とプラスチックフィルムからなる樹脂基板が接着剤で接着された基板を用いて液晶パネルを形成する方法としては、板厚が厚い２枚のガラス基板を用いて液晶パネルを形成後、それぞれのガラス基板の裏面をエッチングして薄くし、プラスチックフィルムからなる樹脂基板を接着する方法や、２枚のガラス基板のそれぞれを裏面からエッチングして薄くした後、プラスチックフィルムからなる樹脂基板を接着し、更にそれらを組み合わせて液晶パネルを形成する方法などがある。それぞれについて説明する。
【００８１】
（ａ）パネル形成後ガラス基板をエッチングする場合
まず、硼珪酸ガラスなどの無アルカリガラスからなる第１のガラス基板上にＴＦＴ、配線、接続パッドなどのパターンを形成する。これらの形成方法はポリシリコンをＴＦＴに用いた従来のアクティブマトリックス型ＬＣＤにおけるアレイ基板の形成方法を用いることができる。第１のガラス基板の厚さは０．７ｍｍ乃至１．１ｍｍ程度であり、上記パターンを形成する際のプロセスにおいて割れにくいための十分な強度を有している。
【００８２】
第１のガラス基板上の表示領域にはポリシリコンからなるＴＦＴがマトリクス状に配列されている。また、ＴＦＴには、このＴＦＴに信号を入力するための厚さ４００ｎｍのＡｌからなる信号線、ＴＦＴを駆動するための厚さ３００ｎｍのＭｏ−Ｗ合金からなるゲート線、ＩＴＯなどの透明導電体材料からなる画素電極、などが接続されている。
【００８３】
表示領域の周囲には、ポリシリコンからなるＴＦＴを含む駆動回路が形成されており、更に、第１のガラス基板の端部には、信号入出力用に信号接続部が配置されている。表示領域と駆動回路との間や、駆動回路と信号接続部との間はＡｌやＭｏ−Ｗなどの配線により接続されている。これらの配線はゲート線や信号線を形成するのと同時に形成しても良い。
【００８４】
次に、硼珪酸ガラスなどの無アルカリガラスからなる第２のガラス基板上のうち、表示領域に相当する部分にＩＴＯなどの透明導電体材料からなる対向電極を形成する。第２のガラス基板の厚さは０．７ｍｍ乃至１．１ｍｍ程度であり、上記対向電極を形成する際のプロセスにおいて割れにくいための十分な強度を有している。
【００８５】
続いて、第１のガラス基板と第２のガラス基板のうちの一方の基板の上に有機樹脂からなるスペーサを形成し、表示領域の外側には接着性を持つ材料からなるシールを形成した後、第１のガラス基板と第２のガラス基板を重ねあわせ、約５μｍの間隔となるよう保持する。さらに第１のガラス基板と第２のガラス基板に挟まれ、シールに囲まれた領域に液晶を注入する。このようにして第１のガラス基板と第２のガラス基板を含む液晶パネルが完成する。
【００８６】
続いて、上の方法で作製した液晶パネルの第１のガラス基板および第２のガラス基板を裏面より研磨し、それぞれのガラス基板の厚さを０．０１ｍｍ〜０．２ｍｍ程度まで薄くする。０．０１ｍｍ以上とすることにより水分等の侵入を防止して高い信頼性を得ることができ、０．２ｍｍ以下とすることにより軽量で曲げが可能となる。研磨の方法としては、砥石や研磨剤を用いた機械的研磨、薬液を用いてガラスを溶かす化学的エッチング、およびその組み合わせがある。ガラスを溶かす薬液としては、弗酸や弗酸を含む混酸がある。薬液を用いてガラスを研磨する場合には、上記シールが薬液にさらされてダメージを受けることがないように、セルの端面を保護しておく必要がある。
【００８７】
さらに、上記の方法で薄くした第１のガラス基板および第２のガラス基板に接着剤を用いてプラスチックフィルムを貼り付ける。接着剤としては紫外線硬化接着剤、アクリル接着剤、エポキシ樹脂、熱硬化接着剤などを用いればよい。また、プラスチックフィルムとしては０．０２５ｍｍ〜０．４ｍｍ程度の厚さのものが望ましく、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリアリレート、ポリエーテルイミド（ＰＥＩ）、ポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、ポリイミド（ＰＩ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリオレフィンなどがよい。また、上記実施形態のように液晶ディスプレイとして用いる場合は可視領域で透明で、屈折率の異方性が小さいものがより望ましい。
【００８８】
このようなプロセスにより、薄いガラス基板と樹脂基板が貼りついた基板からなるパネルが得られる。
【００８９】
（ｂ）ガラス基板をエッチング後にパネルを形成する場合
まず、硼珪酸ガラスなどの無アルカリガラスからなる第１のガラス基板上にＴＦＴ、配線、接続パッドなどのパターンを形成する。これらの形成方法はポリシリコンをＴＦＴに用いた従来のアクティブマトリクス基板の形成方法を用いることができる。第１のガラス基板の厚さは０．７ｍｍ乃至１．１ｍｍ程度であり、上記パターンを形成する際のプロセスにおいて割れにくいための十分な強度を有している。
【００９０】
第１のガラス基板上のうち、表示領域にはポリシリコンからなるＴＦＴがマトリクス状に配列されている。ＴＦＴには、ＴＦＴに信号を入力するための厚さ４００ｎｍのＡｌからなる信号線、ＴＦＴを駆動するための厚さ３００ｎｍのＭｏ−Ｗ合金からなるゲート線、ＩＴＯなどの透明導電体材料からなる画素電極、などが接続されている。
【００９１】
表示領域の周囲には、ポリシリコンのＴＦＴを含む駆動回路が形成されており、更に、第１のガラス基板の端部には、信号入出力用に信号接続部が配置されている。表示領域と駆動回路との間や、駆動回路と信号接続部との間はＡｌやＭｏ−Ｗなどの配線により接続されている。これらの配線はゲート線や信号線を形成するのと同時に形成しても良い。
【００９２】
次に、硼珪酸ガラスなどの無アルカリガラスからなる第２のガラス基板上のうち、表示領域に相当する部分にＩＴＯなどの透明導電体材料からなる対向電極を形成する。第２のガラス基板の厚さは０．７ｍｍ乃至１．１ｍｍ程度であり、上記パターンを形成する際のプロセスにおいて割れにくいための十分な強度を有している。
【００９３】
続いて、上の第１のガラス基板および第２のガラス基板のそれぞれを裏面より研磨し、それぞれのガラスの厚さを０．０１ｍｍ〜０．２　ｍｍ程度まで薄くする。研磨の方法としては、砥石や研磨剤を用いた機械的研磨、薬液を用いてガラスを溶かす化学的エッチング、およびその組み合わせがある。ガラスを溶かす薬液としては、弗酸や弗酸を含む混酸がある。薬液を用いてガラスを研磨する場合には、第１のガラス基板や第２のガラス基板の表面や端面が薬液にさらされてダメージを受けることがないように保護しておく必要がある。
【００９４】
さらに、上記の方法で薄くした第１のガラス基板および第２のガラス基板の裏面に接着剤を用いてプラスチックフィルムを貼り付ける。接着剤としては紫外線硬化接着剤、アクリル接着剤、エポキシ樹脂、熱硬化接着剤などを用いればよい。また、プラスチックフィルムとしては０．０２５ｍｍ〜０．４ｍｍ程度の厚さのものが望ましく、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリアリレート、ポリエーテルイミド（ＰＥＩ）、ポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、ポリイミド（ＰＩ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリオレフィンなどがよい。また、上記実施形態のように液晶ディスプレイとして用いる場合は可視領域で透明で、屈折率の異方性が小さいものがより望ましい。
【００９５】
このようなプロセスにより、薄ガラスとプラフィルムが貼りついた第１の基板と第２の基板が得られる。
【００９６】
続いて、第１の基板と第２の基板のうちの一方の基板の上に有機樹脂からなるスペーサを形成し、表示領域の外側には接着性を持つ材料からなるシールを形成した後、第１の基板と第２の基板を重ねあわせ、約５μｍの間隔となるよう保持する。さらに第１の基板と第２の基板に挟まれ、シールに囲まれた領域に液晶を注入する。
【００９７】
このようなプロセスにより、薄ガラスとプラ基板が貼りついた基板からなる液晶パネルが得られる。
【００９８】
なお、ＵＶレーザーは１ｎｍ〜４００ｎｍ程度の波長のものをいい、上記各実施形態においては、ＵＶレーザーとして、波長が１５０ｎｍ〜４００ｎｍのものを用いることが好ましい。この波長範囲とすることにより、切断に十分なパワーを持ち、ガラスに吸収されない紫外領域のレーザーを用いることができる。
【００９９】
なお、上記各実施形態において、金属遮光層としては、Ａｌ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｗもしくはこれらの合金が用いられる。また、Ｃｒからなる金属遮光層を対向基板側に形成した場合には、ＢＭ（Ｂｌａｃｋ　Ｍａｔｒｉｘ）と一緒に形成することができるので、工程数が削減される。
【０１００】
なお、本願発明においては、配線の断線やショートを防ぐことができれば良く、遮光層において、レーザーを完全に遮光できなくとも良い。例えば、遮光層自体にダメージがあっても良い。
【０１０１】
また、スペーサとしては、スペーサ柱とスペーサ球がある。スペーサ柱を形成するために、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミドなどが用いられる。プロセス的には、感光性が有る方が工程数が少なくてすむため、感光性アクリル樹脂、感光性ポリイミドなどが用いられる。特に、スペーサを遮光用に用いる場合には、表示面内のスペーサと一緒に形成することができるので、工程数を削減することができる。また、スペーサ球としては、ジビニルベンゼン共重合体（商品名：ミクロパール）、シリカ（ＳｉＯ２）、またはシリカの周りにジビニルベンゼンを被覆したもの等が用いられる。
【０１０２】
【発明の効果】
以上述べたように本発明によれば、配線が断線またはショートするのを防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施形態による液晶表示素子の構成を示す断面図。
【図２】図１に示す切断線Ａ−Ａで切断したときの第１実施形態による液晶表示素子の断面図。
【図３】第１実施形態による液晶表示素子の液晶パネルを示す断面図。
【図４】図３に示す切断線Ｂ−Ｂで切断したときの第１実施形態による液晶表示素子の断面図。
【図５】本発明の第２実施形態による液晶表示素子の構成を示す断面図。
【図６】図５に示す切断線Ａ−Ａで切断したときの第２実施形態による液晶表示素子の断面図。
【図７】第２実施形態による液晶表示素子の液晶パネルを示す断面図。
【図８】図７に示す切断線Ｂ−Ｂで切断したときの第２実施形態による液晶表示素子の断面図。
【図９】本発明の第３実施形態による液晶表示素子の構成を示す断面図。
【図１０】図９に示す切断線Ａ−Ａで切断したときの第３実施形態による液晶表示素子の断面図。
【図１１】第３実施形態による液晶表示素子の液晶パネルを示す断面図。
【図１２】図１１に示す切断線Ｂ−Ｂで切断したときの第３実施形態による液晶表示素子の断面図。
【図１３】本発明の第４実施形態による液晶表示素子の製造方法に用いられる液晶お亜ネルの構成を示す断面図。
【図１４】第４実施形態による製造方法を説明する図。
【図１５】第４実施形態による製造方法を説明する図。
【図１６】第５実施形態による液晶表示素子の製造方法に用いられる液晶パネルの構成を示す断面図。
【図１７】第５実施形態の製造方法に用いられる液晶パネルに係る信号接続部に接続される配線間の関係を説明する図。
【図１８】第５実施形態による製造方法を説明する図。
【図１９】液晶表示素子構成を示す断面図。
【図２０】図１９に示す切断線Ａ−Ａで切断したときの液晶表示素子の断面図。
【図２１】液晶表示素子の液晶パネルを示す断面図。
【図２２】図２１に示す切断線Ｂ−Ｂで切断したときの液晶表示素子の断面図。
【図２３】剛性が小さい対向基板を用いたときの問題を説明する図。
【符号の説明】
１０　アレイ基板
１１　ガラス基板
１２　樹脂基板
１４　配線
１５　信号接続部
１７　絶縁層
１８　金属遮光層
２０　対向基板
２１　ガラス基板
２２　樹脂基板
２３　絶縁層
２４　金属遮光層
２５　端面
３１　スペーサ
３２　シール材
３５　液晶
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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