(57)【要約】      （修正有）【課題】樹脂基板からの金属薄膜の剥離を防止することが可能な複合フィルムを提供する。【解決手段】樹脂基板上に、有機ケイ素化合物からなるバインダ膜を介して、金属膜が積層された複合フィルムである。複合フィルムの具体例として、ポリイミド基板１上に、ヘキサメチルジシロキサン（ＨＭＤＳＯ）モノマをプラズマ重合させたＨＭＤＳＯポリマからなるバインダ膜２Ａが形成され、このバインダ膜２Ａ上に、Ｃｕからなる金属薄膜３を形成したものが挙げられる。【選択図】    図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
樹脂基板上に、有機ケイ素化合物からなるバインダ膜を介して、金属薄膜が積層されたことを特徴とする複合フィルム。
【請求項２】
前記樹脂基板がポリイミドからなり、前記金属薄膜が銅からなる請求項１記載の複合フィルム。
【請求項３】
前記バインダ膜は、有機ケイ素化合物モノマが重合した有機ケイ素化合物ポリマから構成され、前記有機ケイ素化合物ポリマは、Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ結合、Ｓｉ−Ｎ−Ｓｉ結合、及び、Ｓｉ−Ｓｉ結合の少なくとも１種の結合を含む請求項１記載の複合フィルム。
【請求項４】
前記バインダ膜は、前記有機ケイ素化合物モノマがプラズマ重合して形成された前記有機ケイ素化合物ポリマから構成された請求項３記載の複合フィルム。
【請求項５】
前記有機ケイ素化合物モノマは、シラン化合物である請求項１記載の複合フィルム。
【請求項６】
前記シラン化合物は、一般式が、Ｒ１３ＳｉＯＳｉＲ２３（ただし、Ｒ１は、同種又は異種であって、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アリル基、アリール基、又はアルコキシ基であり、Ｒ２は、同種又は異種であって、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アリル基、アリール基、又はアルコキシ基である）で表される請求項５記載の複合フィルム。
【請求項７】
前記シラン化合物は、化学式が（ＣＨ３）３ＳｉＯＳｉ（ＣＨ３）３で表されるヘキサメチルジシロキサンである請求項６記載の複合フィルム。
【請求項８】
前記シラン化合物は、一般式が、Ｒ１３ＳｉＮＨＳｉＲ２３（ただし、Ｒ１は、同種又は異種であって、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アリル基、アリール基、又はアルコキシ基であり、Ｒ２は、同種又は異種であって、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アリル基、アリール基、又はアルコキシ基である）で表される請求項５記載の複合フィルム。
【請求項９】
前記シラン化合物は、一般式が（ＣＨ３）３ＳｉＮＨＳｉ（ＣＨ３）３で表されるヘキサメチルジシラザンである請求項８記載の複合フィルム。
【請求項１０】
前記シラン化合物は、一般式が、Ｒ１３ＳｉＳｉＲ２３（ただし、Ｒ１は、同種又は異種であって、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アリル基、アリール基、又はアルコキシ基であり、Ｒ２は、同種又は異種であって、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アリル基、アリール基、又はアルコキシ基である）で表される請求項５記載の複合フィルム。
【請求項１１】
前記シラン化合物は、化学式が（ＣＨ３）３ＳｉＳｉ（ＣＨ３）３で表されるヘキサメチルジシランである請求項１０記載の複合フィルム。
【請求項１２】
前記シラン化合物は、一般式が、Ｒ１ＳｉＲ２３、又は、Ｒ１２ＳｉＲ２２（ただし、Ｒ１は、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アリル基、アリール基、又はアルコキシ基であり、Ｒ１２ＳｉＲ２２におけるＲ１は同種又は異種であり、Ｒ２は、同種又は異種であって、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アリル基、アリール基、又はアルコキシ基である）で表される請求項５記載の複合フィルム。
【請求項１３】
前記シラン化合物は、化学式がＨＳｉ（ＯＣＨ３）３で表されるトリメトキシシランである請求項１２記載の複合フィルム。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、樹脂基板上に金属薄膜を成膜して形成される複合フィルムに関し、特に、ポリイミド基板上に銅薄膜を成膜して形成される複合フィルムに関する。
【０００２】
【従来の技術】
ポリイミドは、耐熱性、難燃性、機械的強度、寸法安定性、耐薬品性、電気絶縁性等において優れた特性を有しており、電気・電子機器等の印刷配線基板の基板として用いられる。例えば、フレキシブル性を有する印刷配線基板として、ポリイミド基板上に、エポキシ系接着剤、又は、アクリル系接着剤を介して、銅薄膜を接着させたものがある（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
【特許文献１】
特許第３２８６４６７号公報（第２頁、第３欄［０００３］）
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、接着剤では十分な耐熱性が得られないため、電気・電子部品の接続による実装工程の際の高温によって接着剤が劣化し、それゆえ、ポリイミド基板から銅薄膜が剥離する。また、経時変化によっても接着剤の密着性が低下して銅薄膜の剥離が生じるとともに、ポリイミド基板が水分を含有することによっても銅薄膜の剥離が生じる。それゆえ、このような複合フィルムを備える電気・電子機器等の信頼性が低下する。さらに、接着剤中には導電性不純物が存在するため、不純物によって電気的短絡が生じやすく、また、接着剤への銅のマイグレーションが生じる。このため、さらに信頼性が低下する。また、密着性を向上させるために接着剤層の厚さを厚くすると、印刷配線基板全体の厚さが厚くなるため、小型化及び軽量化の妨げとなるとともにフレキシブル性が低下する。
【０００５】
本発明は、上記のような課題を解決するためになされたもので、樹脂基板からの金属薄膜の剥離を防止することが可能な複合フィルムを提供することを目的としている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本発明に係る複合フィルムは、樹脂基板上に、有機ケイ素化合物からなるバインダ膜を介して、金属薄膜が積層されたものである。
【０００７】
かかる構成によれば、樹脂基板とバインダ膜との間で良好な密着性が得られるとともに、金属薄膜とバインダ膜との間で良好な密着性が得られるため、接着剤を用いることなく、樹脂基板と金属薄膜との間で良好な密着性を実現することが可能となる。ここで、バインダ膜は、接着剤に比べて、優れた耐熱性を有するとともに経時変化における劣化が小さいため、高温下においても、樹脂基板と金属薄膜との間で安定して良好な密着性を実現することができる。それゆえ、樹脂基板から金属薄膜が剥離するのを防止することが可能となる。
【０００８】
前記樹脂基板がポリイミドからなり、前記金属薄膜が銅から構成されてもよい。
【０００９】
かかる構成によれば、ポリイミド基板と銅薄膜との間で、良好な密着性を実現することが可能となる。このような複合フィルムは、ポリイミド基板の物理・科学的特性、及び、電気的特性を活かして、フレキシブル印刷配線基板に利用することができる。
【００１０】
前記バインダ膜は、有機ケイ素化合物モノマが重合した有機ケイ素化合物ポリマから構成され、前記有機ケイ素化合物ポリマは、Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ結合、Ｓｉ−Ｎ−Ｓｉ結合、及び、Ｓｉ−Ｓｉ結合の少なくとも１種の結合を含み、例えば、前記バインダ膜は、前記有機ケイ素化合物モノマがプラズマ重合してなる前記有機ケイ素化合物ポリマから構成されてもよい。
【００１１】
かかる構成によれば、バインダ膜が重合により形成されているため、薄さが薄くてもバインダ膜は良好な密着性を有するとともに、優れた強度を有する。したがって、バインダ膜の薄膜化を図ることが可能となり、複合フィルム全体の薄型化及びフレキシブル性の向上を図ることが可能となる。また、重合体から構成されたバインダ膜は、水分を通しにくく、特に、メチル基等の疎水基を複数有すると、より水分を通しにくい性質を有する。したがって、例えば、水分を通しやすいポリイミド基板上にバインダ膜が形成されることにより、ポリイミド基板に与えられる水分の低減化が図れ、それにより、さらに剥離防止効果が得られる。
【００１２】
前記有機ケイ素化合物モノマは、シラン化合物であってもよく、前記シラン化合物は、一般式が、Ｒ１３ＳｉＯＳｉＲ２３（ただし、Ｒ１は、同種又は異種であって、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アリル基、アリール基、又はアルコキシ基であり、Ｒ２は、同種又は異種であって、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アリル基、アリール基、又はアルコキシ基である）で表されるもの、例えば、化学式が（ＣＨ３）３ＳｉＯＳｉ（ＣＨ３）３で表されるヘキサメチルジシロキサンであってもよい。また、一般式が、Ｒ１３ＳｉＮＨＳｉＲ２３（ただし、Ｒ１は、同種又は異種であって、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アリル基、アリール基、又はアルコキシ基であり、Ｒ２は、同種又は異種であって、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アリル基、アリール基、又はアルコキシ基である）で表されるもの、例えば、化学式が（ＣＨ３）３ＳｉＮＨＳｉ（ＣＨ３）３で表されるヘキサメチルジシラザンであってもよい。また、一般式が、Ｒ１３ＳｉＳｉＲ２３（ただし、Ｒ１は、同種又は異種であって、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アリル基、アリール基、又はアルコキシ基であり、Ｒ２は、同種又は異種であって、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アリル基、アリール基、又はアルコキシ基である）で表されるもの、例えば、化学式が（ＣＨ３）３ＳｉＳｉ（ＣＨ３）３で表されるヘキサメチルジシランであってもよい。また、一般式が、Ｒ１ＳｉＲ２３、又は、Ｒ１２ＳｉＲ２２（ただし、Ｒ１は、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アリル基、アリール基、又はアルコキシ基であり、Ｒ１２ＳｉＲ２２におけるＲ１２は同種又は異種であり、Ｒ２は、同種又は異種であって、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アリル基、アリール基、又はアルコキシ基である）で表されるもの、例えば、化学式がＨＳｉ（ＯＣＨ３）３で表されるトリメトキシシランであってもよい。
【００１３】
一般式Ｒ１３ＳｉＯＳｉＲ２３、Ｒ１３ＳｉＮＨＳｉＲ２３、Ｒ１３ＳｉＳｉＲ２３、Ｒ１ＳｉＲ２３、及び、Ｒ１２ＳｉＲ２２で表されるシラン化合物において、Ｒ１のＣ数は０〜３、特に３であることが好ましく、例えば、ＣＨ３等が挙げられる。また、Ｒ２のＣ数は０〜３、特に３であることが好ましく、例えば、ＣＨ３等が挙げられる。
【００１４】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面を参照しながら説明する。
（実施の形態１）
図１は、本発明の実施の形態１に係る複合フィルムの構成を模式的に示す断面図である。また、図２は、図１の複合フィルムを構成するバインダ膜の形成方法を示す模式図である。
【００１５】
図１に示すように、複合フィルムは、絶縁性のポリイミド基板１上に、ヘキサメチルジシロキサン（以下、ＨＭＤＳＯと呼ぶ）をプラズマ重合させて形成されたバインダ膜２Ａと、Ｃｕをマグネトロンスパッタして形成された金属薄膜３とが順次積層されて構成される。
【００１６】
図２（ａ）に示すように、バインダ膜２Ａは、Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ結合を含み一般式（ＣＨ３）６Ｓｉ２Ｏで表されるＨＭＤＳＯモノマ粒子を、プラズマにより励起させてイオン化及びラジカル化（活性化）させ、これらをラジカル重合させて得られたＨＭＤＳＯのポリマから構成される。このＨＭＤＳＯポリマは、図２（ｂ）の式（１）で示される構成の繰り返し単位を有する。
【００１７】
このようなバインダ膜２Ａは、前記ラジカル重合の際に、ＨＭＤＳＯの主鎖方向（横方向）に重合が進行するとともに、分岐鎖方向（縦方向）にも重合が進行する。それにより、縦方向及び横方向に、上記繰り返し単位が複数つながっていく。したがって、このように縦方向及び横方向の両方向に重合が進行することにより、バインダ膜２Ａは、薄さが薄くても、高い強度を実現することが可能となる。また、例えば２５０℃程度までの高温下においても耐熱性にすぐれるとともに、経時変化に伴う劣化も低減されている。
【００１８】
また、バインダ膜２Ａは、高分子重合体から構成されるので水分を通しにくく、特に、疎水基であるメチル基を複数有しかつ該メチル基を外側に配置した状態で分子同士が結合しているため、より水分を通しにくい性質を有する。したがって、バインダ膜２Ａでは、水分の吸収及び含有が抑制されるとともに、ポリイミド基板１や金属薄膜３へ水分を移行させない。
【００１９】
かかる構成の複合フィルムにおいては、バインダ膜２Ａとポリイミド基板１との密着性が良好であり、かつ、バインダ膜２Ａと金属薄膜３との密着性が良好である。このため、フィルム全体において、良好な密着性を実現することが可能となり、接着剤を用いることなく、ポリイミド基板１に金属薄膜３を接着することが可能となる。このようなバインダ膜２Ａは、接着剤に比べて、耐熱性に優れるとともに経時変化に伴う劣化が小さく、よって、ポリイミド基板１と金属薄膜３との間では良好な密着性を安定して実現することが可能となる。それゆえ、接着剤を用いてポリイミド基板に金属薄膜を接着させる従来の複合フィルムに比べて、ポリイミド基板１からの金属薄膜３の剥離を防止することが可能となる。また、バインダ膜２Ａは、薄さが薄くても良好な密着性を有するとともに、優れた強度を有するため、複合フィルムでは、バインダ膜２Ａの薄膜化を図ることが可能となる。したがって、複合フィルム全体を薄型化することが可能となるとともに、良好なフレキシブル性を実現できる。
【００２０】
さらに、バインダ膜２Ａは、前述のように水分を通しにくい性質を有するので、バインダ膜２Ａを、水分を含みやすいポリイミド基板１上に形成することにより、ポリイミド基板１への水分の侵入を抑制することが可能となる。また、ここでは、バインダ膜２Ａを介してポリイミド基板１と金属薄膜３とが積層されているため、ポリイミド基板１上に金属薄膜３が直接形成される従来の複合フィルムのようにポリイミド基板１の水分が両者１，３の界面に溜まってＣｕを酸化させてしまうことがない。それゆえ、金属薄膜３の剥離をより抑制することが可能となり、高湿度下においても、良好な密着性を安定して実現できるとともに、フィルムの劣化が抑制される。
【００２１】
上記のような効果を奏する複合フィルムを用いて、例えば、フレキシブル印刷配線基板を作製した場合、製造過程における高温（２５０℃程度）下でもポリイミド基板１と金属薄膜３との剥離を防止することができるため、フレキシブル印刷配線基板の生産効率の向上が図られる。また、接着剤が不要となることから、接着剤中の導電性不純物による配線間の電気的短絡の発生、及び、銅のマイグレーション等が防止される。したがって、信頼性の高い配線基板が得られる。また、このような複合フィルムを用いたフレキシブル印刷配線基板を用いた電気・電子機器等では、小型化、軽量化、及びフレキシブル性の向上が図られる。フレキシブル印刷配線基板に用いられる複合フィルムとしては、例えば、厚さ２５〜５０μｍのポリイミド基板１上に、厚さ１００〜２００Åのバインダ膜２Ａと、厚さ１０〜２０μｍの金属薄膜３とが形成されたものが用いられる。
（実施の形態２）
図３は、本発明の実施の形態２に係る複合フィルムの構成を模式的に示す断面図である。また、図４は、図３の複合フィルムを構成するバインダ膜の形成方法を示す模式図である。
【００２２】
図３に示すように、複合フィルムは、絶縁性のポリイミド基板１上に、ヘキサメチルジシラザン（以下、ＨＭＤＳと呼ぶ）をプラズマ重合して形成されたバインダ膜２Ｂと、Ｃｕをマグネトロンスパッタして形成された金属薄膜３とが順次積層されて構成される。
【００２３】
図４（ａ）に示すように、バインダ膜２Ｂは、Ｓｉ−Ｎ−Ｓｉ結合を含み一般式（ＣＨ３）６Ｓｉ２ＮＨで表されるＨＭＤＳモノマ粒子を、プラズマにより励起させてイオン化及びラジカル化（活性化）させ、これらをラジカル重合させて得られたＨＭＤＳのポリマから構成される。このＨＭＤＳポリマは、図４（ｂ）の式（２）で示される構成の繰り返し単位を有する。
【００２４】
このようなバインダ膜２Ｂは、前記ラジカル重合の際に、実施の形態１のバインダ膜２Ａの場合と同様、縦方向及び横方向の両方向に重合が進行するため、薄くても高い強度を実現することが可能となり、また、耐熱性にすぐれるとともに、経時変化に伴う劣化が低減される。さらに、バインダ膜２Ｂは、バインダ膜２Ａと同様、水分を通しにくい性質を有しており、よって、水分の吸収及び含有が抑制されるとともに、ポリイミド基板１や金属薄膜３へ水分を移行させない。
【００２５】
このようなバインダ膜２Ｂを備えた複合フィルムにおいては、バインダ膜２Ａを備えた実施の形態１の複合フィルムと同様の効果が得られる。したがって、本実施の形態の複合フィルムをフレキシブル印刷配線基板に利用した場合には、実施の形態１の複合フィルムを利用した場合と同様の効果が得られる。
（実施の形態３）
図５は、本発明の実施の形態３に係る複合フィルムの構成を模式的に示す断面図である。また、図６は、図５の複合フィルムを構成するバインダ膜の形成方法を示す模式図である。
【００２６】
図５に示すように、複合フィルムは、絶縁性のポリイミド基板１上に、ヘキサメチルジシラン（以下、ＨＭＤＳＮと呼ぶ）をプラズマ重合して形成されたバインダ膜２Ｃと、Ｃｕをマグネトロンスパッタして形成された金属薄膜３とが順次積層されて構成される。
【００２７】
図６（ａ）に示すように、バインダ膜２Ｃは、Ｓｉ−Ｓｉ結合を含み一般式（ＣＨ３）６Ｓｉ２で表されるＨＭＤＳＮモノマ粒子を、プラズマにより励起させてイオン化及びラジカル化（活性化）させ、これらをラジカル重合させて得られたＨＭＤＳＮのポリマから構成されるものである。このＨＭＤＳＮポリマは、図６（ｂ）の式（３）で示される構成の繰り返し単位を有する。
【００２８】
このようなバインダ膜２Ｃは、前記ラジカル重合の際に、実施の形態１のバインダ膜２Ａの場合と同様、縦方向及び横方向の両方向に重合が進行するため、薄くても高い強度を実現することが可能となり、また、耐熱性にすぐれるとともに、経時変化に伴う劣化が低減される。さらに、バインダ膜２Ｃは、バインダ膜２Ａと同様、水分を通しにくい性質を有しており、よって、水分の吸収及び含有が抑制されるとともに、ポリイミド基板１や金属薄膜３へ水分を移行させない。
【００２９】
このようなバインダ膜２Ｃを備えた複合フィルムにおいては、バインダ膜２Ａを備えた実施の形態１の複合フィルムと同様の効果が得られる。したがって、本実施の形態の複合フィルムをフレキシブル印刷配線基板に利用した場合には、実施の形態１の複合フィルムを利用した場合と同様の効果が得られる。
（実施の形態４）
図７は、本発明の実施の形態４に係る複合フィルムの構成を模式的に示す断面図である。また、図８は、図７の複合フィルムを構成するバインダ膜の形成方法を示す模式図である。
【００３０】
図７に示すように、複合フィルムは、絶縁性のポリイミド基板１上に、トリメトキシシラン（以下、ＴＭＳと呼ぶ）をプラズマ重合して形成されたバインダ膜２Ｄと、Ｃｕをマグネトロンスパッタして形成された金属薄膜３とが順次積層されて構成される。
【００３１】
図８（ａ）に示すように、バインダ膜２Ｄは、一般式ＨＳｉ（ＯＣＨ３）３で表されるＴＭＳモノマ粒子を、プラズマにより励起させてイオン化及びラジカル化（活性化）させ、これらをラジカル重合させて得られたＴＭＳのポリマから構成されるものである。このＴＭＳポリマは、図８（ｂ）の式（４）で示される構成の繰り返し単位を有する。
【００３２】
このようなバインダ膜２Ｄは、前記ラジカル重合の際に、実施の形態１のバインダ膜２Ａの場合と同様、縦方向及び横方向の両方向に重合が進行するため、薄くても高い強度を実現することが可能となり、また、耐熱性にすぐれるとともに、経時変化に伴う劣化が低減される。さらに、バインダ膜２Ｄは、バインダ膜２Ａと同様、水分を通しにくい性質を有しており、よって、水分の吸収及び含有が抑制されるとともに、ポリイミド基板１や金属薄膜３へ水分を移行させない。
【００３３】
このようなバインダ膜２Ｄを備えた複合フィルムにおいては、バインダ膜２Ａを備えた実施の形態１の複合フィルムと同様の効果が得られる。したがって、本実施の形態の複合フィルムをフレキシブル印刷配線基板に利用した場合には、実施の形態１の複合フィルムを利用した場合と同様の効果が得られる。
【００３４】
続いて、以下の実施の形態５〜８においては、上記の実施の形態１〜４に係る複合フィルムの成膜方法について説明する。ここでは、ＨＭＤＳＯをプラズマ重合させた実施の形態１のバインダ膜２Ａを有する複合フィルムを例に挙げ、その成膜方法について説明するが、ＨＭＤＳ、ＨＭＤＳＮ、及びＴＭＳをプラズマ重合させたバインダ膜２Ｂ〜２Ｄを有する実施の形態２〜４の複合フィルムも、同様の方法により作製される。
（実施の形態５）
図９は、複合フィルムの成膜に用いられる成膜装置の構成を示す模式図である。図９に示すように、成膜装置は、導電性部材からなる真空チャンバ１１と、成膜原料を真空チャンバ１１に供給するための原料供給装置１２および供給経路１３と、チャンバ内を真空にするための排気装置３４および排気経路１４と、カソード１５と、カソード１５の裏面（チャンバ外部側の面）に配設された電磁石２０と、基板ホルダ１７とを有する。供給経路１３および排気経路１４は、チャンバ内に連通している。
【００３５】
後述するように、カソード１５は、プラズマ重合およびマグネトロンスパッタに共通に用いられる。カソード１５は、一部がチャンバ外部に突出し、残りの部分がチャンバ内に配置される。真空チャンバ１１内では、このカソード１５の表面に、プラズマグネトロンスパッタのターゲット１６が配置される。ターゲット１６は、後述のプラズマ重合時においてカソードとして機能することが可能な材料から構成され、カソード１５がターゲット１６を兼ねた構成であってもよい。ここでは、カソード１５がターゲット１６を兼ねており、Ｃｕから構成される。
【００３６】
真空チャンバ１１内に配置される基板ホルダ１７は、円板状である。チャンバ底面に固定された支持構造（図示せず）により回転可能に支持される円板状の基板ホルダ１７が、チャンバ１１の底面に平行に配置される。基板ホルダ１７は、導電性部材から構成されてもよく、非導電性部材から構成されてもよい。導電性部材から構成される場合には、成膜時における異常放電を防止することが可能となる。この基板ホルダ１７に、円板状のポリイミド基板１が取り付けられる。
【００３７】
カソード１５のチャンバ外部突出部にはケーブルが接続され、このケーブルを通じて、カソード１５およびターゲット１６が高周波（ＨＦ）電源３１に接続されている。ここでは、真空チャンバ１１とカソード１５との間に絶縁部材（図示せず）が挿入されており、両者は絶縁されている。よって、この成膜装置では、真空チャンバ１１がアノードとなる。また、ＨＦ電源３１および真空チャンバ１１は、それぞれ接地されている。
【００３８】
カソード１５の裏面には、電磁石２０が配設される。電磁石２０は、磁石電源３２に接続され、この磁石電源３２のオン・オフ制御は、制御装置３３によって行われる。電磁石２０は、カソード１５の形状に応じた形状にコイル（図示せず）を巻回して構成される。例えば、電磁石２０は、カソード１５が円形であればリング状とし、カソード１５が矩形であればトラック形状とする。このような電磁石２０は、ターゲット１６の消耗した部分（エロージョン）の形状が均等になるように、カソード１５の裏面に配置される。
【００３９】
次に、この成膜装置の成膜動作について説明する。
【００４０】
図１０は、バインダ膜２Ａの成膜の様子を示す模式図である。図９及び図１０に示すように、複合フィルムの製造時には、まず、ポリイミド基板１上に、プラズマ重合法によりＨＭＤＳＯのポリマを堆積させる。ここでは、ポリイミド基板１を基板ホルダ１７に取り付ける。この時、原料供給装置１２、排気装置３４、ＨＦ電源３１および磁石電源３２は停止させた状態とする。磁石電源３２がオフ状態であることから、電磁石２０は停止しており磁界５０が発生しない（消滅している）。次に、排気装置３４を動作させ、排気経路１４を通して真空チャンバ１１内の排気を行い、チャンバ内を所定の真空状態（例えば５×１０−１Ｐａ）とする。
【００４１】
続いて、基板ホルダ１７を回転させてポリイミド基板１を回転させるとともに、ＨＦ電源３１を動作させ、ＨＦ電圧、すなわち２０ｋＨｚ以上３５０ｋＨｚ未満の高周波電圧をケーブルを介してカソード１５および真空チャンバ１１に与える。それにより、カソード１５と真空チャンバ１１との間でグロー放電が起こり、真空チャンバ１１内のＯ２ガスが、イオンと電子に電離して、プラズマが形成される。ここでは、カソード１５の表面に配置されたターゲット１６が、カソード１５とともに電極として機能する。なお、ここでは、真空チャンバ１１内のＯ２ガスを利用してプラズマを発生させるが、プラズマ発生用のガスとして、真空チャンバ１１内にＯ２ガス又はＡｒガスを供給してもよい。
【００４２】
上記のプラズマを用いて、ＨＭＤＳＯモノマをプラズマ重合させてバインダ膜２Ａを形成する。すなわち、前述のプラズマを発生させた状態で、原料供給装置１２から供給経路１３を通して真空チャンバ１１内に、プラズマ重合の原料たるＨＭＤＳＯガスを供給する。すると、図１０に示すように、ＨＭＤＳＯのモノマ粒子は、プラズマにより励起されてイオン化およびラジカル化（活性化）され、このラジカル化されたＨＭＤＳＯのモノマ粒子が、ラジカル重合反応をへて、ＨＭＤＳＯのポリマとなる。
【００４３】
上記のラジカル重合によりポリマとなったＨＭＤＳＯは、ポリイミド基板１の表面で拡散して堆積する。それにより、ポリイミド基板１の表面に、バインダ膜２Ａが形成される。
【００４４】
上記のプラズマ重合によるバインダ膜２Ａの成膜の後、マグネトロンスパッタによりＣｕを用いて金属薄膜３の成膜を連続して行う。マグネトロンスパッタによる成膜時には、前述のＨＭＤＳＯガスの供給を停止する。また、制御装置３３により、磁石電源３２がオフ状態からオン状態に切り替わる。それにより、電磁石２０が通電されて、カソード１５の周囲に磁界５０が発生する。このように、プラズマを形成させた状態でカソード１５の周囲に磁界５０を発生させることにより、その磁界５０に電子５１がトラップされて、カソード１５の周囲にイオンが集中する。そして、Ｃｕからなるターゲット１６にイオンが衝突してマグネトロンスパッタが行われる。このようにして、バインダ膜２Ａ上に、Ｃｕからなる金属薄膜３が形成される。
【００４５】
以上のように、本実施の形態に係る装置によれば、制御装置３３によって電磁石２０の磁石電源３２を制御することにより、カソード１５の周囲における磁界５０の発生および消滅の切り替えを制御して切り替えることができる。このため、共通のカソード１５を用いてプラズマ重合成膜およびマグネトロンスパッタ成膜とを行うことが可能となり、電磁石２０を切り磁界５０を消滅させて行うプラズマ重合と、電磁石２０により磁界５０を発生させて行うマグネトロンスパッタとを、制御装置３３により容易に切り替えることが可能となる。それゆえ、同一の装置を用いて、プラズマ重合による成膜とマグネトロンスパッタによる成膜とを連続して行うことができる。このため、プラズマ重合による成膜とマグネトロンによる成膜とを異なる装置を用いて行う場合のように装置間でポリイミド基板１を搬送する必要がなくなり、それゆえ、生産タクトの向上を図ることが可能となるとともに、装置コストの低減化および装置のコンパクト化を図ることが可能となる。
【００４６】
さらに、共通のカソード１５を用いてプラズマ重合による成膜とマグネトロンスパッタによる成膜とを行うと、プラズマ重合成膜時にカソード１５に付着した汚れを、マグネトロンスパッタ成膜時において除去することが可能となる。このため、プラズマ重合成膜時にカソード１５に付着した汚れが及ぼす電極特性への影響を抑制することが可能となり、良好な電極特性を保つことが可能となる。
【００４７】
なお、上記においては、ＨＦすなわち２０〜３５０ｋＨｚの高周波によりプラズマ重合成膜およびマグネトロンスパッタ成膜を行っているが、本実施の形態の変形例として、ＤＣ、又は、ＲＦ（すなわち１３．５６ＭＨｚ）の高周波によりプラズマ重合成膜を行い、ＤＣ、又は、ＲＦによりマグネトロンスパッタ成膜を行ってもよい。なお、上記のようにＨＦによりプラズマ重合成膜およびマグネトロンスパッタ成膜を行う場合には、両成膜時におけるＨＦ電源３１への投入電力を変える。
【００４８】
上記の方法により作製した複合フィルムの金属薄膜３を、所定の形状にパターニングして配線パターンを形成することにより、フレキシブル印刷配線基板が作製される。配線パターンの形成方法としては、通常の方法、すなわち、フルアディティブ法、セミアディティブ法、サブトラクティブ法等が用いられる。
（実施の形態６）
図１１は、本発明の実施の形態６に係る成膜装置の構成を示す模式図である。本実施の形態の成膜装置は、実施の形態５の成膜装置と同様の構造を有するが、以下のようにカソードが対になっている点が異なっている。
【００４９】
すなわち、本実施の形態の成膜装置は、一対のカソード１５Ａ，１５Ｂを有し、各カソード１５Ａ，１５Ｂは、一部がチャンバ内に配置されるとともに残りがチャンバ外部に配置される。カソード１５Ａ，１５Ｂと真空チャンバ１１とは、絶縁部材により絶縁されている。カソード１５Ａ，１５Ｂは、中心１９を含む基板ホルダ１７の直径の延長線４５に対して対称で、かつ、カソード１５Ａ，１５Ｂの主面の法線が前記延長線４５に対して所定の角度傾斜して配置される。このカソード１５Ａ，１５Ｂの傾斜角度θＡ，θＢは、プラズマ重合およびマグネトロンスパッタによる成膜に最適な角度に設定されており、例えば１５度程度である。各カソード１５Ａ，１５Ｂの表面（チャンバ内部側）には、ターゲット１６が配設される。各カソード１５Ａ，１５Ｂおよびターゲット１６は、ケーブルを介して、共通のＨＦ電源３１に接続されている。また、各カソード１５Ａ，１５Ｂの裏面には、電磁石２０ａ，２０ｂがそれぞれ配設されており、電磁石２０ａ，２０ｂは、ケーブルを介して共通の磁石電源３２に接続されている。
【００５０】
本例の装置では、実施の形態５の場合と同様にしてプラズマ重合成膜およびマグネトロンスパッタ成膜が行われるが、以下の点が実施の形態５と異なっている。
【００５１】
すなわち、本例では、プラズマ重合成膜時およびマグネトロンスパッタ成膜時において、ケーブルを通してＨＦ電源３１からＨＦ電圧が、カソード１５Ａ，１５Ｂに与えられる。すると、カソード１５Ａ，１５Ｂは交互に駆動して交互に放電の負極と正極とをなし、カソード１５Ａ，１５Ｂの間で放電、すなわち、プラズマ重合成膜時にはグロー放電、マグネトロンスパッタ成膜時にはマグネトロン放電が行われる。それにより、プラズマ重合成膜およびマグネトロンスパッタ成膜が行われる。
【００５２】
ここで、カソード１５Ａ，１５Ｂは、前述のように交互に駆動するため、カソードが１つの場合に比べて、ＨＦ電源３１に投入できる電力量（パワー）が増加する。したがって、ＨＦ電源３１に投入する電力を増加させることが可能となり、その結果、プラズマ重合成膜時およびマグネトロンスパッタ成膜時における成膜レートを効果的に向上させることが可能となる。したがって、プラズマ重合およびマグネトロンスパッタによる成膜において、成膜時間の短縮をさらに図ることが可能となるため、実施の形態５において前述した効果に加えて、装置の構成を大きく変化させることなく生産タクトの向上をさらに図ることが可能となる。また、対になったカソード１５Ａ，１５Ｂを用いることにより、絶縁物のスパッタも可能となる。
（実施の形態７）
図１２は、本発明の実施の形態７に係る成膜装置の構成を示す模式図である。図１２に示すように、本実施の形態の成膜装置は、カソードが対になって配設された実施の形態６と同様の構造を有するが、カソードが複数対配置される点が異なっている。
【００５３】
すなわち、本実施の形態の成膜装置では、真空チャンバ１１の外部に、ＨＦ電源３１の他にＨＦ電源３１’が配設され、ＨＦ電源３１に接続される１対のカソード１５Ａ，１５Ｂと、ＨＦ電源３１’に接続される１対のカソード１５Ｃ，１５Ｄとが配設される。
【００５４】
カソード１５Ｃとカソード１５Ｄとは、カソード１５Ａとカソード１５Ｂとの対称軸である前述の基板ホルダ１７の直径の延長線４５に対して対称である。そして、カソード１５Ａ，１５Ｂと同様に、一部がチャンバ内に配置されるとともに残りがチャンバ外部に配置され、かつ、カソード１５Ｃ，１５Ｄの主面の法線が前記延長線４５に対して所定の角度傾斜して配置される。その傾斜角度は、プラズマ重合およびプラズマスパッタによる成膜に最適な角度に設定され、例えば１５度程度である。ここでは、カソード１５Ａ，１５Ｂの前記傾斜角度と、カソード１５Ｃ，１５Ｄの前記傾斜角度とが等しい。また、カソード１５Ｃ，１５Ｄと真空チャンバ１１とは、絶縁部材により絶縁されている。
【００５５】
各カソード１５Ｃ，１５Ｄの表面（チャンバ内部側）には、ターゲット１６が配設される。各カソード１５Ｃ，１５Ｄおよびターゲット１６は、ケーブルを介して、ＨＦ電源３１’に接続されている。また、各カソード１５Ｃ，１５Ｄの裏面には、電磁石２０’ｃ，２０’ｄがそれぞれ配設されており、この電磁石２０’ｃ，２０’ｄは、ケーブルを介して、磁石電源３２’に接続されている。磁石電源３２’は、制御装置３３’によって制御される。
【００５６】
カソード１５Ａとカソード１５Ｃとは、前述のカソード１５Ｃ，１５Ｄの対称軸と直交する基板ホルダの直径の延長線に対して対称である。また、カソード１５Ｂとカソード１５Ｄとは、前述のカソード１５Ａ，１５Ｃの対称軸に対して対称となっている。したがって、２対のカソード１５Ａ，１５Ｂと１５Ｃ，１５Ｄとは、基板ホルダ１７を挟んで対向して配置される。
【００５７】
本実施の形態の成膜装置においては、以下のようにして、プラズマ重合による成膜と、マグネトロンスパッタによる成膜とを行う。
【００５８】
すなわち、磁石電源３２および磁石電源３２’をオフにして電磁石２０ａ，２０ｂ，２０’ｃ，２０’ｄによる磁界の発生を停止させた状態で、ＨＦ電源３１からケーブルを通してカソード１５Ａ，１５Ｂに高周波電圧を与えるとともに、ＨＦ電源３１’からケーブルを通してカソード１５Ｃ，１５Ｄに高周波電圧を与える。それにより、カソード１５Ａ，１５Ｂが交互に駆動して交互に放電の正極と負極とをなし、カソード１５Ａ，１５Ｂでグロー放電が行われてプラズマ重合成膜が行われる。また、カソード１５Ｃ，１５Ｄが交互に駆動して交互に放電の正極と負極とをなし、カソード１５Ｃ，１５Ｄでグロー放電が行われてプラズマ重合成膜が行われる。
【００５９】
この場合、実施の形態７において前述したように、カソード１５Ａ，１５Ｂが対になっているため、カソードが１つの場合に比べて、ＨＦ電源３１に投入する電力量を増加させることが可能となる。また、カソード１５Ｃ，１５Ｄについても、同様に電力量を増加させることが可能となる。このため、各カソード対を用いたプラズマ重合において、それぞれ成膜レートの向上を図ることが可能となる。
したがって、例えば膜厚の大きな膜を、短時間で作製することが可能となる。
【００６０】
上記のようにカソード１５Ａ，１５Ｂおよびカソード１５Ｃ，１５Ｄを用いてプラズマ重合によるバインダ膜２Ａの成膜を行った後、磁石電源３２をオンにして電磁石２０ａ，２０ｂによりカソード１５Ａ，１５Ｂの周囲に磁界を発生させるとともに、磁石電源３２’をオンにして電磁石２０’ｃ，２０’ｄによりカソード１５Ｃ，１５Ｄの周囲に磁界を発生させる。そして、ＨＦ電源３１からケーブルを通してカソード１５Ａ，１５Ｂに高周波電圧を与える。それにより、カソード１５Ａ，１５Ｂが交互に駆動して交互に放電の正極と負極とをなし、カソード１５Ａ，１５Ｂの間でマグネトロン放電が行われてマグネトロンスパッタによる成膜が行われる。また、ＨＦ電源３１’からケーブルを通してカソード１５Ｃ，１５Ｄに高周波電圧を与える。それにより、カソード１５Ｃ，１５Ｄが交互に駆動して交互に放電の正極と負極とをなし、カソード１５Ｃ，１５Ｄの間でマグネトロン放電が行われてマグネトロンスパッタによる成膜が行われる。
【００６１】
この場合、実施の形態６において前述したように、カソード１５Ａ，１５Ｂが対になっているため、カソードが１つの場合に比べて、ＨＦ電源３１に投入する電力量を増加させることが可能となる。また、カソード１５Ｃ，１５Ｄについても、同様に電力量を増加させることが可能となる。このため、各カソード対を用いたマグネトロンスパッタにおいて、それぞれ成膜レートの向上を図ることが可能となる。
【００６２】
以上のように、本実施の形態では、複数配設されたカソード対の全部を用いてプラズマ重合成膜を行い、その後、前記カソード対の全部を用いて、マグネトロンスパッタ成膜を行うため、１対のカソードを用いてプラズマ重合成膜およびマグネトロンスパッタ成膜を行う場合に比べて、プラズマ重合成膜およびマグネトロンスパッタ成膜の成膜レートの向上を効果的に図ることが可能となる。したがって、生産タクトの向上がより図られる。なお、本実施の形態の変形例として、カソード対を２対以上配設してもよい。
【００６３】
実施の形態５〜７において、カソードの位置は上記に限定されるものではない。また、基板ホルダを配設せずに、例えば、基板自体に回転軸を取り付けて基板を回転可能とした構成としてもよい。
【００６４】
また、実施の形態５〜７においては、カソードの裏面に電磁石を配設し、この電磁石への通電を制御することにより、カソード周囲における磁界を制御しているが、これ以外に、カソード周囲の磁界を適宜制御することが可能な構造を有するのであれば、カソードの裏面に電磁石に代わって永久磁石を配置してもよい。例えば、カソードの裏面に永久磁石を配設するとともに、この永久磁石によりカソード周囲に発生する磁界がプラズマ重合成膜時に成膜に影響を及ぼさないように、前記磁界を制御する磁界制御構造を有してもよい。磁界制御構造は、例えば、プラズマ重合成膜時に、永久磁石を移動させてカソードから離すことにより、カソード周囲の磁界を消滅させる磁石退避構造であってもよく、あるいは、プラズマ重合成膜時に、磁石の磁界を封じ込んで磁力線を遮断することが可能な材料から構成される磁石閉じこめ用部材を、カソードと永久磁石との間に挿入することにより、カソード周囲の磁界を制御する磁力遮断構造であってもよい。
【００６５】
さらに、実施の形態５においては、真空チャンバ１１がアノードとして機能しているが、アノードを別に設けた構成であってもよい。例えば、真空チャンバ１１内に、アノードとして平板状の電極を配設してもよい。あるいは、基板ホルダ１７を真空チャンバ１１から電気的に浮かせる（絶縁する）とともに、この基板ホルダ１７に高周波のコールド端子を接続することにより、基板ホルダ１７をアノードとして機能させてもよい。
（実施の形態８）
本発明の実施の形態８に係る成膜方法は、プラズマ重合によりバインダ膜２Ａを形成するとともに、イオンプレーティング法により金属薄膜３を形成するものである。具体的には、実施の形態５において前述した成膜装置を用いてプラズマ重合によりバインダ膜２Ａを成膜した後、通常のイオンプレーティング装置にポリイミド基板１を移し、Ｃｕを原料とする通常のイオンプレーティング法により金属薄膜３を成膜する。なお、バインダ膜２Ａは、実施の形態５のプラズマ重合の方法以外に、実施の形態６又は実施の形態７のプラズマ重合の方法によって成膜してもよい。また、本実施の形態では、イオンプレーティング法により金属薄膜３が形成される場合について説明したが、本実施の形態の変形例として、イオンプレーティング法以外の方法、例えば蒸着法により、金属薄膜３を形成してもよい。
【００６６】
上記においては、複合フィルムのバインダ膜２Ａ〜２Ｄが、ＨＭＤＳＯ、ＨＭＤＳ、ＨＭＤＳＮ、及び、ＴＭＳのプラズマ重合体から構成される場合について説明したが、バインダ膜の構成成分はこれに限定されるものではなく、これ以外の有機ケイ素化合物のプラズマ重合体から構成されてもよい。
【００６７】
例えば、上記以外のシラン化合物、具体的には、メチルトリエトキシシラン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリクロロシラン、ジメチルジエトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジクロロシラン、ヘキシルトリエトキシシラン、ヘキシルトリメトキシシラン、ヘキシルトリクロロシラン、オクチルトリエトキシシラン、オクチルトリメトキシシラン、オクチルトリクロロシラン、デシルトリエトキシシラン、デシルトリメトキシシラン、デシルトリクロロシラン、テトラエトキシシラン、トリメチルクロロシラン、メチルジクロロシラン、ジメチルジクロロシラン、ジメチルジメトキシシラン、トリメチルメトキシシラン、イソブチルトリメトキシシラン等のプラズマ重合体からバインダ膜が構成されてもよい。また、バインダ膜は、１種類の有機ケイ素化合物が重合して構成されてもよく、また、複数種類の有機ケイ素化合物が重合して構成されてもよい。
【００６８】
また、上記の実施の形態５〜８においては、複合フィルムのバインダ膜２Ａ〜２Ｄがプラズマ重合により成膜される場合について説明したが、本発明の複合フィルムのバインダ膜２Ａ〜２Ｄは、プラズマ以外の方法、例えば熱等によってモノマを励起させて重合させることにより成膜されたものであってもよい。また、バインダ膜２Ａ〜２Ｄにおける有機化合物の重合度は、特に限定されるものではなく、例えば１００以上である。バインダ膜２Ａ〜２Ｄの成膜時には、プラズマ重合の条件に従って重合が適宜進行し、重合度が大きくなると、より水分を通しにくくなるので好ましい。
【００６９】
また、上記においては、複合フィルムの金属薄膜３がＣｕから構成される場合について説明したが、金属薄膜３はＣｕ以外の金属から構成されてもよく、また、２種類以上の金属から構成されてもよい。例えば、金属薄膜３は、Ｃｕ薄膜の上にＮｉ薄膜が積層された構成を有してもよい。このような多層構造を有する金属薄膜３を形成する場合には、例えば、カソード対が複数設けられた実施の形態７の方法によりマグネトロンスパッタを行うことが好ましい。この場合には、カソード対ごとに異なる材料をターゲットに用いることにより、容易に多層構造を形成することが可能となる。また、マグネトロンスパッタやイオンプレーティング法により金属薄膜３の基となる膜を成膜した後に、通常のメッキ法により、この膜を所定の厚さまで成長させて金属薄膜３を形成してもよい。
【００７０】
さらに、上記においては、複合フィルムがポリイミド基板１を有する場合について説明したが、ポリイミド以外の樹脂から構成される基板を用いてもよい。上記のようにポリイミド基板１を用いた場合には、ポリイミドの有する優れた耐熱性、難燃性、機械的強度、寸法安定性、耐薬品性、電気絶縁性等の特性を、複合フィルムにおいて活かすことができる。また、本発明に係る複合フィルムは、フレキシブル印刷配線板以外の用途に適用可能である
（実施例）
実施例として、バインダ膜２Ａを有する実施の形態１の複合フィルム（図１）における金属薄膜３の密着力の評価を行った。また、比較例として、バインダ膜２Ａを介さずに、ポリイミド基板１上に、直接、金属薄膜３が形成された複合フィルム（比較例１）、及び、バインダ膜２Ａの代わりに厚さ２５μｍの接着剤層が形成された複合フィルム（比較例２）における金属薄膜３の密着力の評価を行った。
【００７１】
ここでは、実施の形態８の成膜方法を用いて、実施例の複合フィルムを作製した。具体的には、ポリイミド基板１として、厚さが５０μｍであるポリイミドフィルム（東レ・デュポン社製「カプトン」）を用い、これを、デュアル電極を有するプラズマ重合成膜装置（図９）の基板ホルダ１７に配置した。そして、真空チャンバ１１内が圧力２．６×１０−２Ｐａとなるまで真空引きした。次に、隔膜式圧力計にて測定した真空チャンバ１１内の圧力が３．９×１０−１ＰａとなるまでＨＭＤＳＯをチャンバ内に供給するとともに、ＨＦ電源３１にて１Ｋｗの電力をカソード１５Ａ，１５Ｂに投入し、ＨＭＤＳＯをプラズマ重合させた。ここでは、３０秒間プラズマ重合を行い、ＨＭＤＳＯポリマから構成される厚さ９２０Åのバインダ膜２Ａを成膜した。
【００７２】
バインダ膜２Ａを成膜した後、プラズマ重合成膜装置を停止させ、ここからポリイミド基板１を取り出してイオンプレーティング装置（図示せず）内に移した。そして、イオンプレーティング装置にて、Ｃｕを用いて通常のイオンプレーティング法により、バインダ膜２Ａ上に、Ｃｕからなる金属薄膜３を形成した。ここでは、チャンバ内の圧力を２．６×１０−２  Ｐａに保ち、ＲＦ電源にて０．６Ｋｗの電力をポリイミド基板１に印加してイオンプレーティングを行い、厚さ２０μｍの金属薄膜３を成膜した。
【００７３】
上記のようにして複合フィルムを製造した後、ＪＩＳ  Ｃ  ５０１６に基づき、複合フィルムにおける金属薄膜３の引き剥がし強さを求めた。ここでは、完成時のフィルム、及び、温度１５０℃・湿度０．５％の下で３日間置いたフィルムについて、それぞれ試験を行った。
【００７４】
バインダ膜２Ａが形成されていない比較例１の複合フィルムは、バインダ膜２Ａを成膜するためのプラズマ重合を行わずに、ポリイミド基板１上に、直接、実施の形態５に示す方法に従ってマグネトロンスパッタを行ってＣｕを堆積させ、上記実施例と同じ膜厚の金属薄膜３を成膜した。また、バインダ膜２Ａの代わりに接着剤層が形成された比較例２の複合フィルムとしては、市販品を用いた。そして、比較例１及び比較例２の複合フィルムを用いて、上記の実施例の場合と同様の方法により、引き剥がし強さを求めた。
【００７５】
図１３は、実施例及び比較例１，２の剥離試験の結果を示す表である。図１３に示すように、バインダ膜２Ａが形成された実施例の複合フィルムでは、高温条件下においても、比較例１の複合フィルムに比べて良好な密着性を安定して実現可能であり、接着剤層に比べて非常に薄い厚さで比較例２の複合フィルムと同等の引き剥がし強さを示すことが明らかとなった。
【００７６】
【発明の効果】
本発明は、以上に説明したような形態で実施され、以下のような効果を奏する。
【００７７】
すなわち、かかる構成の複合フィルムにおいては、バインダ膜を介することにより、接着剤を用いることなくポリイミド基板と金属薄膜との間で良好な密着性を安定して実現することが可能となる。このため、接着剤を用いてポリイミド基板に金属薄膜を接着させる従来の複合フィルムに比べて、ポリイミド基板からの金属薄膜の剥離を防止することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態１に係る複合フィルムの構成を模式的に示す断面図である。
【図２】図１の複合フィルムのバインダ膜の成膜方法を示す模式図である。
【図３】本発明の実施の形態２に係る複合フィルムの構成を模式的に示す断面図である。
【図４】図３の複合フィルムのバインダ膜の成膜方法を示す模式図である。
【図５】本発明の実施の形態３に係る複合フィルムの構成を模式的に示す断面図である。
【図６】図５の複合フィルムのバインダ膜の成膜方法を示す模式図である。
【図７】本発明の実施の形態４に係る複合フィルムの構成を模式的に示す断面図である。
【図８】図７の複合フィルムのバインダ膜の成膜方法を示す模式図である。
【図９】本発明の実施の形態５に係る成膜装置の構成を示す模式図である。
【図１０】図９の成膜装置におけるプラズマ重合反応の機構を説明するための模式図である。
【図１１】本発明の実施の形態６に係る成膜装置の構成を示す模式図である。
【図１２】本発明の実施の形態７に係る成膜装置の構成を示す模式図である。
【図１３】実施例及び比較例の剥離試験の結果を示す図である。
【符号の説明】
１          ポリイミド基板
２Ａ〜２Ｄ  バインダ膜
３          金属薄膜
１１        真空チャンバ
１２        原料供給装置
１３        供給管
１４        排気管
１５，１５Ａ，１５Ｂ，１５Ｃ，１５Ｄ  カソード
１６        ターゲット
１７        基板ホルダ
１９        ホルダ中心
２０，２０ａ，２０ｂ，２０’ｃ，２０’ｄ  電磁石
３１，３１’  高周波（ＨＦ）電源
３２，３２’  磁石電源
３３，３３’  制御装置
３４          排気装置
【図１】
2004330611.tif 000003
【図２】
2004330611.tif 000004
【図３】
2004330611.tif 000005
【図４】
2004330611.tif 000006
【図５】
2004330611.tif 000007
【図６】
2004330611.tif 000008
【図７】
2004330611.tif 000009
【図８】
2004330611.tif 000010
【図９】
2004330611.tif 000011
【図１０】
2004330611.tif 000012
【図１１】
2004330611.tif 000013
【図１２】
2004330611.tif 000014
【図１３】
2004330611.tif 000015