(57)【要約】【課題】確実に区画される微小な電荷蓄積領域を有する電荷蓄積型の高密度記録媒体を提供する。【解決手段】ＮＯＳ型記録媒体は、シリコン基板と、シリコン基板上に互いに孤立して位置する第１の膜厚のシリコン酸化膜の記録領域と、前記第１の膜厚よりも厚い第２の膜厚を有し、前記記録領域を区画分離するシリコン酸化膜の分離領域と、記録領域および分離領域を覆うシリコン窒化膜とで構成される。第１の膜厚の記録領域と、この記録領域の上方に位置するシリコン窒化膜とで電荷蓄積領域を形成する。第１の膜厚は、電圧の印加によりトンネル電流が流れる厚さであり、第２の膜厚は、前記電圧の印加によりトンネル電流が流れない厚さである。【選択図】        図２
2004158054.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に互いに孤立して位置する第１の膜厚の記録領域と、
前記第１の膜厚よりも厚い第２の膜厚を有し、前記記録領域を区画分離する分離領域と、
前記記録領域および分離領域を被覆する誘電性薄膜と
を備え、前記第１の膜厚の記録領域と前記誘電性薄膜との界面に電荷が蓄積されることを特徴とする電荷蓄積型記録媒体。
【請求項２】
シリコン基板と、
前記シリコン基板上に互いに孤立して位置する第１の膜厚のシリコン酸化膜の記録領域と、
前記第１の膜厚よりも厚い第２の膜厚を有し、前記記録領域を区画分離するシリコン酸化膜の分離領域と、
前記第１の膜厚の記録領域および第２の膜厚の分離領域を覆うシリコン窒化膜と
を備え、前記第１の膜厚のシリコン酸化膜の記録領域と、この記録領域の上方に位置するシリコン窒化膜とで電荷蓄積領域を形成することを特徴とする電荷蓄積型記録媒体。
【請求項３】
前記第１の膜厚は、所定の電圧印加によりトンネル電流が流れる厚さであり、前記第２の膜厚は、前記所定の電圧印加によりトンネル電流が流れない膜厚であることを特徴とする請求項２に記載の電荷蓄積型記録媒体。
【請求項４】
シリコン基板上に、第１のシリコン酸化膜を形成する工程と、
前記第１のシリコン酸化膜に、前記シリコン基板表面が露出するように所定の径の開口を形成する工程と、
前記開口内に、前記第１のシリコン酸化膜よりも薄い第２のシリコン酸化膜を形成する工程と、
前記開口および基板全面にシリコン窒化膜を形成する工程と
を含む電荷蓄積型記録媒体の作製方法。
【請求項５】
前記開口の形成は、所定のビット径にしぼったビームによるスポット照射を含むことを特徴とする請求項４に記載の電荷蓄積型記録媒体の作製方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電荷蓄積型の高密度記録媒体に関し、特にＮＯＳ（Ｎｉｔｒｉｄｅ−Ｏｘｉｄｅ−Ｓｉｌｉｃｏｎ）媒体を用いた記録媒体の構造とその作製方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
次世代高密度記録方式として、ＡＦＭ（Ａｔｏｍｉｃ  Ｆｏｒｃｅ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ：原子間力顕微鏡）などの走査型プローブ顕微鏡のプローブ（探針）を利用した高密度の記録方式が提案されている。特に、これらのナノレベル顕微鏡のプローブを用いて電荷を蓄積するプローブ型ストレージ方式において、様々な手法が提案されてきている。
【０００３】
プローブ型ストレージ方式のひとつに、ＮＯＳ（Ｎｉｔｒｉｄｅ−Ｏｘｉｄｅ−Ｓｉｌｉｃｏｎ）媒体にプローブ先端から電位を印加することによって、絶縁層界面に電荷を蓄積する電荷蓄積型記録方式がある。電荷蓄積型記録に用いられるＮＯＳ媒体は、数百ミクロンの厚さのシリコン（Ｓｉ）基板に、膜厚が数ｎｍのシリコン酸化（ＳｉＯ２  ）膜を堆積し、その上に、シリコン窒化（ＳｉＮ）膜を数十ｎｍの厚さに堆積したものである。このＮＯＳ媒体のＳｉ基板とＳｉＮ膜の間に、走査型プローブ顕微鏡のプローブを用いて電圧を印加すると、Ｓｉ基板内の電荷がＳｉＯ２  膜とＳｉＮ膜の界面に移動し、電荷がトラップされる。トラップされた電荷の有無によって、データの０、１が決定される（たとえば、特許文献１および特許文献２参照）。
【０００４】
ここで、トラップされた電荷の占める領域が小さいほど、高密度にデータを蓄積することが可能となる。ところが図７に示すように、電圧を印加するプローブ１００５の先端から電気力線が放射状態に拡がるため、ＳｉＯ２  膜１００２とＳｉＮ膜１００３の界面における電荷蓄積領域は、必ずしもプローブ先端の接触面積と一致しない。通常はビット径が拡がってしまい、蓄積領域の直径を１００ｎｍ以下にすることは非常に困難な状況にある。
【０００５】
また、プローブ先端も磨耗により徐々にその先端径が増大する。さらに、ＮＯＳ媒体の局所的な不均一性、接触面の汚れなどもビット径を大きくする要因となっている。
【０００６】
一方、電荷蓄積領域を島状に形成するなど、電荷蓄積領域を物理的に区切ることによって、ビット径の拡がりを制限する方法が知られている（たとえば、特許文献３および特許文献４参照）。しかし、従来提案されている方法で物理的に孤立させた１００ｎｍ径以下の微小領域を作製することは容易ではなく、作製費用もかかる。
【０００７】
【特許文献１】
特開平１０−３３４５２５号公報
【特許文献２】
特開平９−１２０５９３号公報
【特許文献３】
特開平８−０４５１２２号公報
【特許文献４】
特開平３−０９５７３９号公報
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
図１は、従来の物理的に離隔された電荷蓄積領域の構造をＮＯＳ媒体に適用したときの断面形状を示す。図１（ａ）の構成例では、シリコン（Ｓｉ）基板１００１上に、ＳｉＯ２  膜１００２とＳｉＮ膜１００３で構成されるそれぞれ島状に孤立した微小領域が記録領域として形成される。この例では、プローブに接触するシリコン窒化（ＳｉＮ）膜１００３とシリコン酸化（ＳｉＯ２  ）膜１００２を一体として記録ビットを独立させたものである。しかし、このような島状孤立領域を直径が１００ｎｍ以下になるようにＮＯＳ媒体に形成するのは困難である。また、加工により露出したシリコン基板１００１の表面に自然酸化膜が形成され、ＳｉＯ２  領域が連続してしまうという問題がある。
【０００９】
一方、図１（ｂ）に示す例では、シリコン酸化（ＳｉＯ２  ）膜１００２のみを孤立させ、ＳｉＯ２  の孤立領域およびシリコン基板１００１全体を覆って、連続するシリコン窒化（ＳｉＮ）膜１００３を形成する。この構成では、図１（ａ）の構成に比較すると自然酸化膜の問題は低減する。しかし、シリコン酸化（ＳｉＯ２  ）膜１００２をエッチングして島状に孤立した微小領域を残したとしても、エッチング面であるシリコン（Ｓｉ）基板１００１表面には、すぐに自然酸化膜ができてしまうという懸念が依然として残る。このため、作製工程途中の取り扱いが難しくなるという別の問題が生じる。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
そこで、本発明では確実に区画される均一なビット径の電荷蓄積領域を有する電荷蓄積型記録媒体を提供することを目的とする。
【００１１】
また、互いに独立した電荷蓄積領域の形成を格段に容易にする、電荷蓄積型記録媒体の作製方法を提供することも目的とする。
【００１２】
上記目的を達成するために、本発明の第１の側面において、電荷蓄積型記録媒体は、基板と、基板上に互いに孤立して位置する第１の膜厚の記録領域と、第１の膜厚よりも厚い第２の膜厚を有して記録領域を区画分離する分離領域と、記録領域および分離領域を被覆する誘電性薄膜とを備え、第１の膜厚の記録領域と前記誘電性薄膜との界面に電荷が蓄積されることを特徴とする。
【００１３】
この電荷蓄積型記録媒体は、膜厚の相違により物理的に区画制限された微細な記録領域を備える。したがって、プローブの接触面積や汚れなどに左右されることなく、一定サイズの電荷蓄積領域を確保することができる。
【００１４】
記録領域およびこれを区画分離する分離領域は、酸化膜で構成される。このとき、記録領域の第１の膜厚は、所定の電圧印加によりトンネル電流が流れる厚さであり、分離領域の第２の膜厚は、この所定の電圧印加によりトンネル電流が流れない厚さである。
【００１５】
この構成により、最適化された電圧が印加されたとき、膜厚の薄い記録領域では電子がトンネリングして誘電性薄膜との界面に電子を蓄積し、膜厚の厚い分離領域では電子がトンネリングせずに、電荷の蓄積が行われない。このように、電荷蓄積領域と非蓄積領域が明確に区画され、記録の信頼性が向上する。
【００１６】
第２の側面では、上述した電荷蓄積記録媒体をＮＯＳ媒体に適用する。すなわち、電荷蓄積記録媒体（あるいはＮＯＳ型記録媒体）は、シリコン基板と、シリコン基板上に互いに孤立して位置する第１の膜厚のシリコン酸化膜の記録領域と、第１の膜厚よりも厚い第２の膜厚を有し前記記録領域を区画分離するシリコン酸化膜の分離領域と、第１の膜厚の記録領域および第２の膜厚の分離領域を覆うシリコン窒化膜とを備え、第１の膜厚の記録領域と、記録領域の上方に位置するシリコン窒化膜とで電荷蓄積領域を形成する。
【００１７】
この場合も、第１の膜厚は、所定の電圧印加によりトンネル電流が流れる厚さであり、第２の膜厚は、前記所定の電圧印加によりトンネル電流が流れない膜厚である。
【００１８】
上述した電荷蓄積型記録媒体において、電荷蓄積領域は、アレイ状に配置される。これにより、高密度化を促進する。
【００１９】
第３の側面では、上述した電荷蓄積型記録媒体の作製方法を提供する。電荷蓄積型記録媒体の作製方法は、以下の工程を含む。
（ａ）シリコン基板上に、第１のシリコン酸化膜を形成する；
（ｂ）第１のシリコン酸化膜に、所定の径の開口を前記シリコン基板が露出するように形成する；
（ｃ）開口内に、第１のシリコン酸化膜よりも薄い第２のシリコン酸化膜を形成する；そして
（ｄ）記開口および基板全面にシリコン窒化膜を形成する。
【００２０】
開口の形成は、所定のビット径に絞ったビームによるスポット照射を含む。スポット照射を受けた微小部分に開口が形成され、記録領域が形成される。このような方法によれば、一定の面積（あるいは径）の微細な記録領域の区画分離が格段に簡素化される。
【００２１】
第２のシリコン酸化膜は、自然酸化、熱酸化、プラズマＣＶＤ、減圧ＣＶＤ、スパッタリング、硝酸液などにより形成される。この方法によれば、非記録領域でシリコン基板上に生じる自然酸化の問題を解消し、動作の信頼性の高い電荷蓄積型の記録媒体が作製される。
【００２２】
本発明のその他の特徴は、図面を参照して述べる以下の詳細な説明でいっそう明確になるものである。
【００２３】
【発明の実施の形態】
図２は、電荷蓄積型の高密度記録媒体の一例として、ＮＯＳ型記録媒体１０の断面形状を示す。図３は、図２のＮＯＳ型記録媒体１０の電荷蓄積領域２１の平面配置構成例を示す図である。図２の断面図は、たとえば図３（ａ）のマトリクス型配置のＡ−Ａ’ラインに沿って切り取った図である。
【００２４】
ＮＯＳ型記録媒体１０は、シリコン（Ｓｉ）基板１１と、シリコン基板１１上に互いに孤立して位置する第１の膜厚のシリコン酸化（ＳｉＯ２  ）膜の記録領域１２と、第１の膜厚よりも厚い第２の膜厚を有し記録領域１２を区画分離するシリコン酸化（ＳｉＯ２  ）膜の分離領域１４と、記録領域１２および分離領域１３を覆うシリコン窒化（ＳｉＮ）膜１３とで構成され、前記第１の膜厚のＳｉＯ２  記録領域１２と、記録領域１２の上方に位置するシリコン窒化（ＳｉＮ）膜１３とで電荷蓄積領域（すなわち記録ビット）２１を形成する。
【００２５】
ＮＯＳ型記録媒体１０はまた、シリコン基板１１の底面に、電圧印加用の電極１５を有する。
【００２６】
第１の膜厚は、記録／再生時の電圧印加によりトンネル電流が容易に流れる厚さであり、たとえば１ｎｍ〜数ｎｍの膜厚である。
【００２７】
第２の膜厚は、記録領域１２を明確に区画するとともに、トンネル電流を阻止するに十分な厚さであり、たとえば数１０ｎｍの膜厚である。
【００２８】
記録時には、所定の電荷蓄積領域２１のＳｉＮ膜１３に接触させたプローブ（図２では不図示）と、シリコン基板１１の底面に形成した電極１５の間に電圧を印加する。電圧印加により、この電荷蓄積領域２１を構成するＳｉＮ膜１３とＳｉＯ２  記録領域１２との界面に電荷が蓄積される。
【００２９】
なお、図２の例では、上層のシリコン窒化（ＳｉＮ）膜１３は一定の膜厚を有し、ＳｉＯ２  記録領域１２とＳｉＯ２  分離領域１４の膜厚の違いによる凹凸に対応する凹凸を有しているが、表面を研磨して平坦化してもよい。
【００３０】
第２の膜厚を有するＳｉＯ２  分離領域１４で区画される電荷蓄積領域２１の配置として、図３（ａ）の例では、帯状のＮＯＳ型記録媒体１０上に、電荷蓄積領域２１をマトリクス状に配置する。一方、図３（ｂ）の例では、図２の構成を回転型媒体１０’に適用し、電荷蓄積領域２１を円周に沿って配置する。図示のごとくスパイラル状に電荷蓄積領域２１を配置するだけではなく、磁気ディスクのように、同心円状にも配置可能であることはいうまでもない。また、本発明のＮＯＳ型記録媒体はこれらの形状に限定されるものではなく、連続的に書き込み、読み出しのできる任意の形状に適用される。
【００３１】
このような電荷蓄積型ＮＯＳ媒体は、シリコン基板１１表面の自然酸化膜の問題を回避し、シリコン酸化（ＳｉＯ２  ）膜の厚さを異ならせることによって、ＳｉＯ２  記録領域とＳｉＯ２  分離領域とを明確に区画する。これにより、プローブの先端径や接触圧に依存しないで、独立した一定の電荷蓄積領域が形成され、高密度の記録媒体が実現する。
【００３２】
図４は、本発明の電荷蓄積型ＮＯＳ媒体１０における記録／再生の原理を説明するための図である。まず記録時に、ＳＰＭプローブを所定の電荷蓄積領域２１のシリコン窒化（ＳｉＮ）膜１３に接触させながら、パルス電圧を印加する。電圧の印加により、Ｓｉ基板１１から電子がＳｉＯ２  記録領域１２の絶縁膜をトンネルして、ＳｉＯ２／ＳｉＮの界面に捕獲される。このとき、印加する電圧は電荷蓄積領域２１におけるＳｉＯ２  絶縁膜をトンネリングするのに必要な電圧であり、その値はＳｉＯ２  絶縁膜１２の膜厚に依存する。本実施形態の場合、ＳｉＯ２  記録領域１２の第１の膜厚に基づいて電圧値が最適化される。この最適化された電圧値において、電荷蓄積領域２１を取り巻く第２の膜厚のＳｉＯ２  分離領域１４では、電子はトンネリングすることができない。この結果、電荷蓄積領域２１にのみ電荷が蓄積されることになる。
【００３３】
プローブ２０は、たとえばＳＴＭ（走査型トンネル顕微鏡）やＡＦＭ（原子間力顕微鏡）に用いられるプローブと同等のものである。具体的には、絶縁体で構成されるカンチレバー（不図示）の先端に突起（チップ）を有する形状とし、突起およびカンチレバーの突起側の表面に金属電極が形成されたものを用いることができる。
【００３４】
なお、図２および図４に示すように、上層のシリコン窒化（ＳｉＮ）膜１３の表面に凹凸を残す場合、プローブ２０を所望の電荷蓄積領域２１へ移動させる際に、ＮＯＳ媒体表面の凹部が、電荷蓄積領域２１へのプローブ２０の位置決め作用を促進する。
【００３５】
電圧印加後、シリコン窒化（ＳｉＮ）膜１３の表面からプローブ２０を取り除いても、電子はＳｉＯ２／ＳｉＮ界面にトラップされたまま残る。
【００３６】
読み出し時には、プローブ２０の先端をシリコン窒化（ＳｉＮ）膜１３およびトラップされた電子に十分近づけ、トンネル電流が発生するように、プローブ２９とシリコン基板１１の間に電圧を印加する。このときプローブ２０にかけるバイアスは、記録時とは逆の極性である。測定されたトンネル電流がＳｉＯ２／ＳｉＮ界面における蓄積電荷の有無を示す。
【００３７】
図５および図６は、図２に示すＮＯＳ型記録媒体１０の作製工程を示す図である。
【００３８】
まず、図５（Ａ）に示すように、厚さ数百ミクロンのＳｉ基板１１上に、数十ｎｍの膜厚ｔでＳｉＯ２  膜１４を形成する。ＳｉＯ２  膜１４の形成葉、熱酸化、プラズマＣＶＤ，減圧ＣＶＤ，スパッタリングなどの方法で堆積されるが、その方法については特に限定しない。
【００３９】
次に、図５（Ｂ）に示すように、ＳｉＯ２  膜１４のパターニングを行う。具体的には、ＳｉＯ２  膜１４上にレジスト１６を塗布し、パターンを描画する。パターン描画は、ＵＶ光や電子ビームにより行われるが、本実施形態のように、１００ｎｍ以下の微細な電荷蓄積領域２１の作製を目的とする場合は、電子ビーム露光が望ましい。このときの露光は、電子ビーム径を所望のビット径にしぼってレジスト１６表面の所望の箇所にポイント照射するだけでよい。従来のように、基板上に孤立した島状の電荷蓄積領域を形成する場合とは異なり、レジストパターニング用のフォトマスク（ステンシルマスク）は不要となる。露光後、現像をおこない、ＲＩＥなどにより電荷蓄積領域２１となる部分のＳｉＯ２  膜１４を選択的にエッチング除去する。エッチングは、シリコン基板１１に到達する時点で終了する。
【００４０】
図５（Ｃ）は、エッチングによりできたパターンの断面形状を示す。レジスト１６で覆われていた部分が、電荷蓄積領域を区画するＳｉＯ２  分離領域１４として残る。一方、エッチングにより除去された微小開口１７に、後工程で電荷蓄積領域が形成されることになる。
【００４１】
次に、図６（Ｄ）に示すように、微小開口１７の底部で露出するシリコン基板１１上に、シリコン酸化（ＳｉＯ２  ）膜の薄膜１２を再度成長させる。この微小開口１７底部のＳｉＯ２  薄膜１２が、先に形成したＳｉＯ２  分離領域１４で区画されるＳｉＯ２  記録領域１２となる。ＳＯ２  薄膜１２は、熱酸化、プラズマＣＶＤ、減圧ＣＶＤ、スパッタリング、硝酸液、自然酸化などにより形成される。ＳｉＯ２  薄膜は、周囲のＳｉＯ２  分離領域１４の膜厚ｔよりも薄く、たとえば数ｎｍの厚さである。
【００４２】
次に、図６（Ｅ）に示すように、基板全面にシリコン窒化（ＳｉＮ）膜１３を形成する。シリコン窒化（ＳｉＮ）膜は、プラズマＣＶＤ，減圧ＣＶＤ、スパッタリングなどにより堆積される。膜厚の薄いＳｉＯ２  記録領域１２と、記録領域１２上に位置するシリコン窒化（ＳｉＮ）膜１３とで、電荷蓄積領域２１が構成される。このような電荷蓄積領域２１は、たとえば図３（ａ）に示すようにアレイ状に配置される。最後に、シリコン基板１１の底面に金属電極（不図示）を形成して、ＮＯＳ型記録媒体が完成する。
【００４３】
上述したＮＯＳ型記録媒体の作製方法によれば、電子ビームを所定のビット径にしぼってレジスト表面に直接ポイント照射するだけで記録領域を形成することができ、所定のサイズに制限された記録領域の作製が格段に簡素化される。換言すると、一定のビット径を有する微細な電荷蓄積領域を、簡単な工程で作成することが可能になる。工程が簡素化された分、製造コストも低減し、安価な作製が実現する。
【００４４】
また、露出したシリコン基板表面に、自然酸化も含めてＳｉＯ２  薄膜１２が記録領域として形成されるので、従来のように、非電荷蓄積領域で生じる自然酸化の問題が解消される。
【００４５】
上述した実施形態では、ＮＯＳ媒体を用いた電荷蓄積型記録媒体を例にとって説明したが、支持体としての基板はシリコン基板に限定されず、たとえば化合物半導体基板を用いてもよい。トンネル電流を誘発する酸化膜もシリコン酸化（ＳｉＯ２  ）膜に限定されない。また、酸化膜（たとえばＳｉＯ２  膜）との界面に電子をトラップする誘電性薄膜も、シリコン窒化（ＳｉＮ）膜に限定されず、たとえばｈｉｇｈ−ｋ素材などを用いることができる。
【００４６】
また、図５および６に示す作製工程では、電子ビームによるスポット照射によりレジストのパターニングを行い、これをマスクにしてシリコン酸化膜のエッチングを行ったが、開口径によっては、細くしぼった集束イオンビームによるスポット照射で、直接シリコン酸化膜のエッチング加工を行ってもよい。
【００４７】
最後に、以上の説明に関して、以下の付記を開示する。
（付記１）  基板と、基板上に互いに孤立して位置する第１の膜厚の記録領域と、第１の膜厚よりも厚い第２の膜厚を有し記録領域を区画分離する分離領域と、前記記録領域および分離領域を被覆する誘電性薄膜とを備え、第１の膜厚の記録領域と前記誘電性薄膜との界面に電荷が蓄積されることを特徴とする電荷蓄積型記録媒体。
（付記２）  前記記録領域および分離領域は、酸化膜で構成され、前記第１の膜厚は、所定の電圧印加によりトンネル電流が流れる厚さであり、前記第２の膜厚は前記所定の電圧印加によりトンネル電流が流れない厚さであることを特徴とする付記１に記載の電荷蓄積型記録媒体。
（付記３）  シリコン基板と、シリコン基板上に互いに孤立して位置する第１の膜厚のシリコン酸化膜の記録領域と、第１の膜厚よりも厚い第２の膜厚を有し、前記記録領域を区画分離するシリコン酸化膜の分離領域と、第１の膜厚の記録領域および第２の膜厚の分離領域を覆うシリコン窒化膜とを備え、第１の膜厚の記録領域と、この記録領域の上方に位置するシリコン窒化膜とで電荷蓄積領域を形成することを特徴とする電荷蓄積型記録媒体。
（付記４）  第１の膜厚は、所定の電圧印加によりトンネル電流が流れる厚さであり、第２の膜厚は、前記所定の電圧印加によりトンネル電流が流れない膜厚であることを特徴とする付記３に記載の電荷蓄積型記録媒体。
（付記５）  前記電荷蓄積領域は、アレイ状に配置されることを特徴とする付記１または３に記載の電荷蓄積型記録媒体。
（付記６）  シリコン基板上に、第１のシリコン酸化膜を形成する工程と、
第１のシリコン酸化膜に、前記シリコン基板表面が露出するように所定の径の開口を形成する工程と、
前記開口内に、前記第１のシリコン酸化膜よりも薄い第２のシリコン酸化膜を形成する工程と、
前記開口および基板全面にシリコン窒化膜を形成する工程と
を含むＮＯＳ型記録媒体の作製方法。
（付記７）  前記開口の形成は、所定のビット径に絞ったビームによるスポット照射を含むことを特徴とする付記６に記載の電荷蓄積型記録媒体の作製方法。
（付記８）  前記第２のシリコン酸化膜は、自然酸化、熱酸化、プラズマＣＶＤ、減圧ＣＶＤ、スパッタリング、硝酸液のいずれかにより形成されることを特徴とする付記６に記載の電荷蓄積型記録媒体の作製方法。
（付記９）  前記第２のシリコン酸化膜は、所定の電圧印加により当該第２のシリコン酸化膜にトンネル電流が流れる厚さに形成されることを特徴とする付記６に記載の電荷蓄積型記録媒体の作製方法。
（付記１０）  前記第１のシリコン酸化膜は、前記所定の電圧印加により当該第１のシリコン酸化膜にトンネル電流が流れない厚さに形成されることを特徴とする付記９に記載の電荷蓄積型記録媒体の作製方法。
【００４８】
【発明の効果】
確実に区画分離される微小な電荷蓄積領域を有する電荷蓄積型の高密度記録媒体が得られる。
【００４９】
簡素化された工程で、確実に分離される微小な電荷蓄積領域を形成することが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来の孤立する電荷蓄積領域の構成をＮＯＳ媒体に適用した例を示す図である。
【図２】本発明の一実施形態に係るＮＯＳ型記録媒体の断面図である。
【図３】本発明のＮＯＳ型記録媒体の平面構成例を示す図であり、図３（ａ）は帯状のＮＯＳ媒体に電荷蓄積領域がアレイ状に配置された例を示し、図３（ｂ）は、円盤状のＮＯＳ媒体に電荷蓄積領域が円周に沿って配置された例を示す図である。
【図４】本発明の一実施形態に係るＮＯＳ型記録媒体に対する動作原理を説明するための図である。
【図５】図２に示すＮＯＳ型記録媒体の作製工程を示す図（その１）である。
【図６】図２に示すＮＯＳ型記録媒体の作製工程を示す図（その２）であり、図５（Ｃ）に引き続く工程を示す図である。
【図７】従来のプローブ型記録方式の問題点を説明するための図である。
【符号の説明】
１０  ＮＯＳ型記録媒体
１１  シリコン基板
１２  ＳｉＯ２  薄膜（ＳｉＯ２  記録領域）
１３  ＳｉＮ膜
１４  ＳｉＯ２  分離領域
１５  電極
１６  レジスト
１７  微小開口
２０  プローブ
２１  電荷蓄積領域
【図１】
2004158054.tif 000003
【図２】
2004158054.tif 000004
【図３】
2004158054.tif 000005
【図４】
2004158054.tif 000006
【図５】
2004158054.tif 000007
【図６】
2004158054.tif 000008
【図７】
2004158054.tif 000009