(57)【要約】【課題】アクティブ層にホットキャリアーを放電させるためのボディーコンタクト領域を形成してキンク効果を防ぐことのできる薄膜トランジスター及びそれを利用した平板表示装置を提供する。【解決手段】本発明は、キンク効果を除去することができる薄膜トランジスター及びこれを利用した平板表示装置を開示する。本発明の薄膜トランジスターは、絶縁基板上に形成され、チャンネル領域３５及びソース／ドレーン領域３１、３３を備えたアクティブ層３０と、前記アクティブ層３０のチャンネル領域３５上部に形成されたゲート電極５０と、前記アクティブ層３０のソース／ドレーン領域３１，３３上部にそれぞれ形成されたソース／ドレーン電極７１，７３と、前記チャンネル領域３５と接し前記ソース／ドレーン領域３１，３３とは分離するように前記アクティブ層に形成されたボディーコンタクト領域３７とを備える。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板上に形成され、チャンネル領域及びソース／ドレーン領域を少なくとも備えるアクティブ層を有し、
前記チャンネル領域で発生するホットキャリアを放電させるための所定の電圧が前記チャンネル領域に入力されることを特徴とする薄膜トランジスター。
【請求項２】
請求項１において、前記チャンネル領域には前記ソース／ドレーン領域のうち、一つに入力される電圧と等しい電圧が入力されることを特徴とする薄膜トランジスター。
【請求項３】
請求項１において、前記アクティブ層は、前記チャンネル領域と接し、前記ソース／ドレーン領域とは分離するようにアクティブ層内に形成されて、前記所定の電圧をチャンネル層に供給するための電源供給層をさらに含めることで、前記所定電圧は、前記電源供給層に直接供給されることを特徴とする薄膜トランジスター。
【請求項４】
請求項３において、前記電源供給層は、前記ソース／ドレーン領域と反対導電型を有し、前記ソース領域またはドレイン領域に入力される電圧と等しい電圧が入力されることを特徴とする薄膜トランジスター。
【請求項５】
請求項１において、前記アクティブ層は、
前記チャンネル領域と接し、前記ソース／ドレーン領域とは分離するようにアクティブ層内に形成された電源供給層と、
前記電源供給層に連結されて前記電源供給層を通じてチャンネル領域に所定の電圧を入力するためのコンタクト配線をさらに備え、
前記所定の電圧がコンタクト配線を通じて電源供給層に供給されることを特徴とする薄膜トランジスター。
【請求項６】
請求項５において、前記電源供給層は、前記ソース／ドレーン領域と反対導電型を有し、前記ソース領域またはドレーン領域に入力される電圧と等しい電圧が入力されることを特徴とする薄膜トランジスター。
【請求項７】
絶縁基板上に形成され、チャンネル領域及びソース／ドレーン領域を備えたアクティブ層と、
前記アクティブ層のチャンネル領域上部に形成されたゲート電極と、
前記アクティブ層のソース／ドレーン領域上部にそれぞれ形成されたソース／ドレーン電極と、
前記チャンネル領域と接し、前記ソース／ドレーン領域とは分離するように前記アクティブ層に形成されたボディーコンタクト領域とを備え、
前記チャンネル領域には、前記ボディーコンタクト領域を通じて所定の電圧が入力されることを特徴とする薄膜トランジスター。
【請求項８】
請求項７において、前記ボディーコンタクト領域は、前記ソース電極またはドレーン電極のうち、一つの電極に直接連結されて、前記チャンネル領域へ前記一つの電極に入力される電圧と等しい電圧を入力することを特徴とする薄膜トランジスター。
【請求項９】
請求項８において、前記ソース／ドレーン領域とボディーコンタクト領域は互いに反対導電型を有する不純物領域であり、前記チャンネル領域は真性領域であることを特徴とする薄膜トランジスター。
【請求項１０】
請求項７において、前記ボディーコンタクト領域を前記ソース電極またはドレーン電極のうち、一つの電極に接続するためのコンタクト配線をさらに含め、前記ボディーコンタクト領域は、前記コンタクト配線を通じて前記一つの電極に入力される電圧と等しい電圧を前記チャンネル領域に供給することを特徴とする薄膜トランジスター。
【請求項１１】
請求項１０において、前記ソース／ドレーン領域とボディーコンタクト領域は、互いに反対導電型を有する不純物領域であり、前記チャンネル領域は真性領域であることを特徴とする薄膜トランジスター。
【請求項１２】
請求項７において、前記ボディーコンタクト領域に接続されるコンタクト配線と、
前記コンタクト配線と前記ソース電極またはドレーン電極のうち、一つの電極を連結するための連結配線とをさらに含め、
前記連結配線を通じて前記一つの電極から入力される電圧と等しい電圧をコンタクト配線を通じて前記ボディーコンタクト領域に供給することを特徴とする薄膜トランジスター。
【請求項１３】
ゲートライン、データライン及び電源供給ラインと、
前記ラインに接続される多数の画素を具備し、
各画素は、アクティブ層にチャンネル領域、ソース／ドレーン領域を備える少なくとも一つ以上の薄膜トランジスターを具備し、
前記薄膜トランジスターはチャンネル領域に所定の電圧が入力されることを特徴とする平板表示装置。
【請求項１４】
請求項１３において、前記薄膜トランジスターは、
前記チャンネル領域と接し、前記ソース／ドレーン領域とは分離するようにアクティブ層内に形成された電源供給層と、
前記電源供給層に接続されて前記チャンネル領域に所定の電圧を入力するためのコンタクト配線と、
をさらに備えることを特徴とする平板表示装置。
【請求項１５】
請求項１４において、前記電源供給層は、前記ソース／ドレーン領域と反対導電型を有し、前記コンタクト配線を通じて前記データーラインまたは電源供給ラインに接続されることを特徴とする平板表示装置。
【請求項１６】
マトリックス形態で配列されて、それぞれ少なくとも一つの薄膜トランジスターを備える多数の画素を含み、
各薄膜トランジスターは、チャンネル領域及びソース／ドレーン領域を備えるアクティブ層と、前記ソース／ドレーン領域に接続されるソース／ドレーン電極を少なくとも含め、
前記アクティブ層は、前記チャンネル領域に電源を供給するための電源供給層をさらに備えることを特徴とする平板表示装置。
【請求項１７】
請求項１６において、前記電源供給層は、前記ソース電極またはドレーン電極のうち、一つに直接接続され、前記一つの電極から電源が直接電源供給層に入力されることを特徴とする平板表示装置。
【請求項１８】
請求項１６において、前記薄膜トランジスターは、前記電源供給層を前記ソース電極またはドレーン電極のうち、一つの電極に接続するためのコンタクト配線をさらに含め、前記一つの電極から電源がコンタクト配線を通じて電源供給層に入力されることを特徴とする平板表示装置。
【請求項１９】
請求項１６において、前記電源供給層は、前記チャンネル領域と接し、前記ソース／ドレーン領域とは分離するように形成された不純物領域であることを特徴とする平板表示装置。
【請求項２０】
請求項１６において、前記電源供給層は、前記ソース／ドレーン領域とは反対導電型を有する不純物がドーピングされた領域であり、前記チャンネル領域は、真性領域であることを特徴とする平板表示装置。
【請求項２１】
絶縁基板上にアクティブ層を形成する段階と、
前記絶縁基板全面にゲート絶縁膜を形成する段階と、
前記アクティブ層内に互いに分離するソース／ドレーン領域とボディーコンタクト領域を形成し、前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する段階と、
前記絶縁基板全面に層間絶縁膜を形成する段階と、
前記層間絶縁膜上に前記ソース／ドレーン領域と電気的に接続されるソース／ドレーン電極を形成する段階とを含め、
所定の電圧が前記ソース／ドレーン領域間のアクティブ層のチャンネル領域に前記ボディーコンタクトを通じて入力されることを特徴とする薄膜トランジスターの製造方法。
【請求項２２】
請求項２１において、前記ボディーコンタクト領域は、前記ソース／ドレーン電極のうち、一つの電極に直接接続されて、所定電圧が前記一つの電極から前記ボディーコンタクト領域に直接入力されることを特徴とする薄膜トランジスターの製造方法。
【請求項２３】
請求項２１において、前記ソース／ドレーン電極形成時に前記ボディーコンタクト領域と電気的に接続されるコンタクト配線を形成する段階をさらに含むことを特徴とする薄膜トランジスターの製造方法。
【請求項２４】
請求項２３において、前記ボディーコンタクト領域は、前記コンタクト配線を通じて前記ソース／ドレーン電極のうち、一つの電極に接続されて、所定電圧が前記一つの電極から前記コンタクト配線を通じて前記ボディーコンタクト領域に入力されることを特徴とする薄膜トランジスターの製造方法。
【請求項２５】
請求項２１において、前記ソース／ドレーン領域及びボディーコンタクト領域とゲート絶縁膜を形成することは、
第１感光膜パターンを利用して前記アクティブ層に第１導電型の不純物をイオン注入してボディーコンタクト領域を形成する段階と、
前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する段階と、
第２感光膜パターンと前記ゲート電極をマスクにして第２導電型の不純物をアクティブ層にイオン注入してソース／ドレーン領域を形成する段階とを含め、
前記アクティブ層のうち、第１及び第２導電型の不純物がドーピングされてない部分は、チャンネル領域として作用し、前記チャンネルは前記ソース／ドレーン領域とボディーコンタクト領域と接し、互いに分離させられることを特徴とする薄膜トランジスターの製造方法。
【請求項２６】
請求項２１において、前記ソース／ドレーン領域及びボディーコンタクト領域とゲート絶縁膜を形成することは、
ゲート電極を形成する段階と、
第１感光膜パターン及び前記ゲート電極をマスクにして前記第１導電型の不純物をアクティブ層にイオン注入してソース／ドレーン領域を形成する段階と、
第２感光膜パターンを利用して第２導電型の不純物をアクティブ層にイオン注入してボディーコンタクト領域を形成する段階とを含み、
前記アクティブ層のうち、第１及び第２導電型の不純物領域がドーピングされてない部分は、チャンネル領域として作用し、前記チャンネル領域は、前記ソース／ドレーン領域とボディーコンタクト領域と接し、互いに分離させられることを特徴とする薄膜トランジスターの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置に使用される薄膜トランジスターに関する。更に詳しく説明すると、本発明は、アクティブ層にボディーコンタクト用不純物領域を形成してキンク効果を防ぐことのできる薄膜トランジスター及びこれを利用した平板表示装置（ＴＦＴ  ａｎｄ  Ｆｌａｔ  ｐａｎｅｌ  ｄｅｖｉｃｅ  ｕｓｉｎｇ  ｔｈｅ  ｓａｍｅ）に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の平板表示装置に使用されるポリシリコン薄膜トランジスターは、島形態のアクティブ層がフローティングされているフローティングボディー（ｆｌｏａｔｉｎｇ  ｂｏｄｙ）ＴＦＴである。フローティングボディーＴＦＴは、大きさが縮小されることによりドレーン側での強い横方向電界によるブレークダウン及びスレッショルド電圧が変動するなどといったキンク効果（ｋｉｎｋ  ｅｆｆｅｃｔ）が発生するという問題点があった。すなわち、フローティングボディーＴＦＴは、アクティブ層が島形態の構造を有するため、ドレーン側の強い横方向電界により発生された望んでもいないホットキャリアー（ｈｏｔ  ｃａｒｒｉｅｒ）、例えば、正孔を放電させる通路がないためキンク効果が発生するという問題があった。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
従って、本発明は前記したような従来技術の問題点を解決するためのものとして、アクティブ層にホットキャリアーを放電させるためのボディーコンタクト領域を形成してキンク効果を防ぐことのできる薄膜トランジスター及びそれを利用した平板表示装置を提供することにその目的がある。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
前述したような目的を達成するために、本発明は絶縁基板上に形成され、チャンネル領域及びソース／ドレーン領域を少なくとも備えるアクティブ層を含み、前記チャンネル領域で発生するホットキャリアーを放電させるための所定の電圧が前記チャンネル領域に入力される薄膜トランジスターを提供することを特徴とする。前記アクティブ層は、前記チャンネル領域と接し、前記ソース／ドレーン領域とは分離するようにアクティブ層内に形成された電源供給層と；前記電源供給層に連結されて前記チャンネル領域に所定の電圧を入力するためのコンタクト配線とをさらに備える。前記電源供給層は、前記ソース／ドレーン領域と反対導電型を有し、前記ソース領域またはドレーン領域に入力される電圧と同一な電圧が入力されることを特徴とする。
【０００５】
また、本発明は絶縁基板上に形成され、チャンネル領域及びソース／ドレーン領域を備えたアクティブ層と；前記アクティブ層のチャンネル領域上部に形成されたゲート電極と、前記アクティブ層のソース／ドレーン領域上部にそれぞれ形成されたソース／ドレーン電極と；前記チャンネル領域と接し、前記ソース／ドレーン領域とは分離するように前記アクティブ層に形成されたボディーコンタクト領域を備え、前記チャンネル領域には前記ボディーコンタクト領域を通じて所定の電圧が入力される薄膜トランジスターを提供することを特徴とする。
【０００６】
前記ボディーコンタクト領域は、前記ソース電極、またはドレーン電極中、一つの電極に直接連結されて、前記チャンネル領域に前記一つの電極に入力される電圧と等しい電圧を入力する。前記薄膜トランジスターは、前記ボディーコンタクト領域を前記ソース電極またはドレーン電極中、一つの電極に連結するためのコンタクト配線をさらに含み、前記ボディーコンタクト領域は前記コンタクト配線を通じて前記一つの電極に入力される電圧と等しい電圧を前記チャンネル領域に提供する。
【０００７】
また、本発明はゲートライン、データーライン及び電源供給ラインと、前記ラインなどに連結される多数の画素を備え、各画素はアクティブ層にチャンネル領域、ソース／ドレーン領域を備える少なくとも一つ以上の薄膜トランジスターを備え、前記薄膜トランジスターはチャンネル層に所定の電圧が入力される平板表示装置を提供することを特徴とする。前記薄膜トランジスターは、前記チャンネル層と接し、前記ソース／ドレーン領域とは分離するようにアクティブ層内に形成された電源供給層と；前記電源供給層に連結されて前記チャンネル領域に所定の電圧を入力するためのコンタクト配線をさらに備える。前記電源供給層は前記ソース／ドレーン領域と反対導電型を有し、前記データーラインまたは電源供給ラインに連結されることを特徴とする。
【０００８】
更に、本発明はマトリックス形態に配列されて、それぞれ少なくとも一つの薄膜トランジスターを備える多数の画素を含み、各薄膜トランジスターはチャンネル領域及びソース／ドレーン領域を備えるアクティブ層と、前記ソース／ドレーン領域にそれぞれ連結されるソース／ドレーン電極を少なくとも含み、前記アクティブ層は前記チャンネル領域に電源を提供するための電源供給層をさらに備える平板表示装置を提供することを特徴とする。
【０００９】
また、本発明は、絶縁基板上にアクティブ層を形成する段階と、基板全面にゲート絶縁膜を形成する段階と、前記アクティブ層内に互いに分離するソース／ドレーン領域とボディーコンタクト領域と、を形成し、前記ゲート絶縁膜上にゲートを形成する段階と、基板全面に層間絶縁膜を形成する段階と、前記層間絶縁膜上に前記ソース／ドレーン領域と電気的に連結されるソース／ドレーン電極形成する段階と、を含め、所定の電圧が前記ソース／ドレーン領域間のチャンネル層に前記ボディーコンタクトを通じて入力される薄膜トランジスターの製造方法を提供することを特徴とする。
【００１０】
前記ボディーコンタクト領域は、前記ソース／ドレーン電極中、一つの電極に直接連結されて、所定電圧が前記一つの電極から前記ボディーコンタクトに直接入力される。また、前記ソース／ドレーン電極形成時、前記ボディーコンタクト領域と電気的に連結されるコンタクト配線を形成する段階とさらに含め、前記ボディーコンタクト領域は前記コンタクト配線を通じて前記ソース／ドレーン電極中、一つの電極に連結されて、所定電圧が前記一つの電極から前記コンタクト配線を通じて前記ボディーコンタクト領域に入力される。
【００１１】
前記ソース／ドレーン領域及びボディーコンタクト領域とゲートを形成することは、第１感光膜パターンを利用して前記アクティブ層に第１導電型の不純物をイオン注入してボディーコンタクト領域を形成する段階と、前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する段階と、第２感光膜パターンと前記ゲート電極をマスクにして第２導電型の不純物をアクティブ層にイオン注入してソース／ドレーン領域を形成する段階と、を含め、前記アクティブ層中、第１及び第２導電型の不純物がドーピングされていない部分はチャンネル領域として作用し、前記チャンネル領域はソース／ドレーン領域とボディーコンタクト領域と接して互いに分離させる。
【００１２】
前記ソース／ドレーン領域及びボディーコンタクト領域とゲートを形成することは、ゲート電極を形成する段階と；第１感光膜パターン及び前記ゲート電極をマスクにして前記第１導電型の不純物をアクティブ層にイオン注入してソース／ドレーン領域を形成する段階と；第２感光膜パターンを利用して第２導電型の不純物をアクティブ層にイオン注入してボディーコンタクト領域を形成する段階を含め、前記アクティブ層中、第１及び第２導電型の不純物がドーピングされていない部分は、チャンネル領域として作用し、前記チャンネル領域は前記ソース／ドレーン領域とボディーコンタクト領域と接して互いに分離させる。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によると、アクティブ領域にホットキャリアーを放電させるためのボディーコンタクト領域を形成することによって、キンク効果をより効果的に減少させることができ、これによりＴＦＴの特性を向上させられるメリットがある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
図１は、本発明の実施の形態による薄膜トランジスターの平面図であり、図２は、図１の薄膜トランジスターにおいて、アクティブ層の平面図を示すものである。
【００１５】
図１及び図２を参照すると、本発明の実施例による薄膜トランジスターは、アクティブ層３０、ゲート電極５０及びソース／ドレーン電極７１、７３を備える。前記アクティブ層３０は、チャンネル領域３５を間において形成されたソース／ドレーン領域３１、３３と、前記ソース／ドレーン領域３１、３３と分離して形成されたボディーコンタクト領域３７を備える。
【００１６】
前記ゲート電極５０は、前記アクティブ層３０のチャンネル領域３５に対応して形成される。前記ソース電極７１は、前記ソース領域３１に対応して形成されて、コンタクト６１を通じてソース用不純物領域３１と電気的に接続される。
【００１７】
前記ドレーン電極７３は、前記ドレーン領域３３に対応して形成されて、コンタクト６３を通じてドレーン用不純物領域３３と電気的に接続される。一方、前記ボディーコンタクト領域３７に対応してコンタクト配線７７が形成されるが、前記コンタクト配線７７は、コンタクト６７を通じて前記ボディーコンタクト領域３７と電気的に接続され、また前記ソース電極７１と直接接続される。
【００１８】
本発明の実施例で、前記ソース／ドレーン領域３１、３３とボディーコンタクト領域３７は、互いに違う導電型を持つ。例えば、ソース／ドレーン領域３１、３３が高濃度のｎ型不純物領域になると、ボディーコンタクト領域３７は高濃度のｐ型不純物領域となる。その反面、ソース／ドレーン領域３１、３３が高濃度のｐ型不純物領域になると、ボディーコンタクト領域３７は高濃度のｎ型不純物領域となる。この時、アクティブ層３０のチャンネル領域３５は、第１または第２導電型の不純物がドーピングされない真性領域である。
【００１９】
また、本発明の実施例では、前記ボディーコンタクト領域３７に電源を入力するためのコンタクト配線７７を、図１のようにソース電極７１と一体で形成させたが、ソース電極７１と分離形成し別途の配線を利用してソース電極７１とコンタクト配線７７を接続してソース電極７１に入力される電源と等しい電源を入力することもできる。また、コンタクト配線７７を形成せず、前記ボディーコンタクト領域３７にコンタクト６７を通じてソース電極７１を直接接続してソース電極７１から直接所定の電圧をボディーコンタクトに入力することもできる。一方、本発明の好ましい実施の形態ではコンタクト配線７７がソース電極７１と接続されるように形成されたが、ドレーン電極７３に接続させることもできる。
【００２０】
図３及び図４は、図１のＩＩＡ−ＩＩＡ’線とＩＩＢ−ＩＩＢ’線に沿った断面構造をそれぞれ示したものである。図３及び図４を参照して本発明の薄膜トランジスターの製造方法を次のように説明する。
【００２１】
まず、絶縁基板１０上にバッファー層２０を形成し、バッファー層２０上に非晶質シリコン膜を蒸着した後、通常的な結晶化方法を利用してポリシリコン膜で結晶化し、ポリシリコン膜をパターニングして図２のような島形態のアクティブ層３０を形成する。続いて、前記アクティブ層３０中、ボディーコンタクト領域３７が形成される部分だけが露出するように第１感光膜（図面上には示されてない）を形成する。前記第１感光膜をマスクにして露出されたアクティブ層に第１導電型の高濃度不純物をイオン注入してボディーコンタクト領域３７を形成する。前記ボディーコンタクト領域３７は、その一側面に前記チャンネル層（図１ではチャンネル領域）３５と接するように形成されて、前記チャンネル層３５によって前記ソース／ドレーン領域３１、３３と互いに分離するように形成される。
【００２２】
次に、基板全面にゲート絶縁膜４０を形成し、ゲート絶縁膜４０上に金属物質のような導電性物質を蒸着した後、パターニングしてゲート電極５０を形成する。ゲート絶縁膜４０中、前記ボディーコンタクト領域３７に対応する部分に第２感光膜（図面上には示されてない）を形成し、ゲート電極５０と第２感光膜をマスクにして前記ボディーコンタクト領域３７とは反対導電型を有する第２導電型の不純物を前記アクティブ層３０にイオン注入してソース／ドレーン領域３１、３３を形成する。
【００２３】
基板全面に層間絶縁膜６０を蒸着した後、層間絶縁膜６０とゲート絶縁膜４０を食刻して前記ソース／ドレーン領域３１、３３及びボディーコンタクト領域３７をそれぞれ露出させるコンタクト６１、６３及び６７を形成する。続いて、基板全面に金属物質のような導電性物質を蒸着した後、パターニングしてコンタクト６１、６３を通じて前記ソース／ドレーン領域３１、３３にそれぞれ連結されるソース／ドレーン電極７１、７３を形成し、また前記ソース／ドレーン電極７１、７３中一つ、例えば、ソース電極７１に直接連結され、コンタクト６７を通じて前記ボディーコンタクト領域３７に電気的に接続されるコンタクト配線７７を形成する。
【００２４】
本発明の実施例で、ボディーコンタクト領域３７は、前記チャンネル層３５に所定の電圧が入力されるようにして前記チャンネル層３５で発生するホットキャリアーを放電させるための電源供給層の役割をする。故に、前記アクティブ層３０の構造及びアクティブ層３０中で、ボディーコンタクト領域３７が形成される位置は、図１及び図２でのように限定されるのではない。従って、前記ボディーコンタクト領域３７が前記チャンネル層３５に接し、前記ソース／ドレーン領域３１、３３とは分離するようにアクティブ層３０に形成されて、ボディーコンタクト領域３７を通じてチャンネル層３５に所定の電圧を入力することにより、ドレーン側のチャンネル層３５で発生する望んでいないホットキャリアーを放電させる構造はすべて可能である。
【００２５】
また、本発明の実施例では、ボディーコンタクト領域３７を形成し、ソース／ドレーン領域３１、３３を形成したが、第２感光膜パターンとゲート電極５０をマスクにして第２導電型のソース／ドレーン領域３１、３３を形成した後、ゲート絶縁膜４０の中でボディーコンタクト領域３７に対応する部分だけが露出するようにゲート絶縁膜４０上に第１感光膜を形成し、第１感光膜をマスクとしてアクティブ層３０に前記ソース／ドレーン領域３１、３３と反対導電型である第１導電型の不純物をイオン注入してボディーコンタクト領域３７を形成することもできる。
【００２６】
また、本発明の実施例では、ソース／ドレーン領域３１、３３が高濃度不純物領域となる薄膜トランジスターにボディーコンタクト領域３７を形成することに関して説明したが、ソース／ドレーン領域３１、３３が高濃度不純物領域と低濃度不純物領域のＬＤＤ構造を有する薄膜トランジスターにも適用可能である。
【００２７】
前述のような構造を有する本発明の薄膜トランジスターは、動作中にドレーン領域の横方向電界によりドレーン領域３３とチャンネル領域３５の境界部分で発生するホットキャリアーがボディーコンタクト領域３７を通じて抜け出るようにすることによって、ホットキャリアー（ホットエレクトロン）がソース領域３１に移動するのを防ぎキンク効果を防ぐことができる。
【００２８】
図５は、本発明の実施例によるボディーコンタクト領域を備えた薄膜トランジスターを利用した有機電界発光表示装置の平面図を示したものであり、一つの画素に限定して示したものである。
【００２９】
図５を参照すると、本発明の有機電界発光表示装置１００はゲートライン１１０と、データーライン１２０及び電源供給ライン１３０と、前記ゲートライン１１０、データーライン１２０及び電源供給ライン１３０に接続された画素を備える。前記画素は、スイッチングトランジスター２００、キャパシター３００、駆動トランジスター４００及び画素電極５００を備えたＥＬ素子を備える。
【００３０】
前記スイッチングトランジスター２００はソース／ドレーン領域２３１、２３３及びボディーコンタクト領域２３７を備えるアクティブ層２３０と、前記ゲートライン１１０に接続されるゲート電極２５０と、前記データーライン１２０に接続されコンタクト２６１を通じて前記ソース領域２３１に接続されるソース電極２７１と、コンタクト２６３を通じて前記ドレーン領域２３３に連結されるドレーン電極２７３を備える。また、スイッチングトランジスター２００は、前記データーライン１２０及びソース電極２７１に直接連結され、コンタクト２６７を通じて前記ボディーコンタクト領域２３７に連結されるコンタクト配線２７７をさらに備える。
【００３１】
前記キャパシター３００は、コンタクト３１１を通じて前記スイッチングトランジスター２００のドレーン電極２７３に連結される下部電極３１０と、前記電源供給ライン１３０に連結される上部電極３２０を備える。
【００３２】
前記駆動トランジスター４００は、ソース／ドレーン領域４３１、４３３及びボディーコンタクト領域４３７を備えたアクティブ層４３０と、前記キャパシター３００の下部電極３１０に連結されたゲート電極４５０と、前記電源供給ライン１３０に連結されコンタクト４６１を通じて前記ソース領域４３１に連結されるソース電極４７１と、コンタクト４６３を通じて前記ドレーン領域４３３に連結されるドレーン電極４７３を備える。また、前記駆動トランジスター４００は、電源供給ライン１３０と前記ソース電極４７１に直接連結されコンタクト４６７を通じて前記ボディーコンタクト領域４３７に連結されるコンタクト配線４７７をさらに備える。
【００３３】
前記ＥＬ素子は、図面上には示されてないが、前記駆動トランジスター４００のドレーン電極４７３とビアホール４８０を通じて連結される画素電極５００である下部電極と、ホール注入層、ホール輸送層、発光層、ホール障壁層、電子輸送層及び電子注入層中、少なくとも一つを備えた有機薄膜層及び下部電極を備える。
【００３４】
本発明の実施例による薄型平板表示装置は、一つの画素が二つの薄膜トランジスターと一つのキャパシター及びＥＬ素子で構成される構造で限定したが、アクティブ層にボディーコンタクト領域が形成された薄膜トランジスターを備えるすべての画素構造に適用可能である。
【００３５】
図６及び図７は、従来のフローティングボディーＴＦＴと本発明のボディーコンタクト領域を備えたＴＦＴの動作特性図を示したものである。図６は、Ｗ／Ｌ＝４μｍ／４μｍであり、ＬＤＤ領域の幅が１μｍであるｎ型薄膜トランジスターの場合において、本発明と従来のＴＦＴのＩＤ−ＶＤ特性を示したものである。図７は、Ｗ／Ｌ＝４μｍ／４μｍであるｐ型薄膜トランジスターの場合において、本発明と従来のＴＦＴのＩＤ−ＶＤ特性を示したものである。
【００３６】
図６及び図７を参照すると、従来のアクティブ層がフローティングされているＴＦＴより本発明のアクティブ層にボディーコンタクト領域を備えたＴＦＴのキンクフリー（Ｋｉｎｋ  ｆｒｅｅ）特性が優れていることがわかる。この時、ｎ型ＴＦＴとｐ型ＴＦＴのＩＤ−ＶＤ特性の差は、正孔のインパクトイオン化特性（Ｉｍｐａｃｔ  ｉｏｎｉｚａｔｉｏｎ）が電子より少ないためである。
【００３７】
図８は、従来のフローティングボディーＴＦＴと本発明のボディーコンタクト領域を備えたＴＦＴにおいて、ドレーン電圧によるスレッショルド電圧の変化を示したものである。図８を参照すると、従来のＴＦＴより本発明のＴＦＴがドレーン電圧によるスレッショルド電圧の変化が少なくより安全であることがわかる。
【００３８】
前記では、本発明の望ましい実施例を参照して説明したが、該当技術分野の熟練された当業者は、前記の特許請求の範囲に記載された本発明の思想及び領域からはみ出さない範囲内で本発明を多様に修正及び変更させることができることを理解できるであろう。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】本発明の実施例による薄膜トランジスターの平面図である。
【図２】本発明の実施例による薄膜トランジスターのアクティブ層の平面図である。
【図３】図１のＩＩＡ−ＩＩＡ’線に沿った本発明の薄膜トランジスターの断面構造図である。
【図４】図１のＩＩＢ−ＩＩＢ’線に沿った本発明の薄膜トランジスターの断面構造図である。
【図５】本発明の実施例による他のボディーコンタクト領域を備えた薄膜トランジスターを利用した平板表示装置の平面図である。
【図６】従来のフローティングボディーＴＦＴと本発明のボディーコンタクト領域を備えたＴＦＴの動作特性図を示した図面である。
【図７】従来のフローティングボディーＴＦＴと本発明のボディーコンタクト領域を備えたＴＦＴの動作特性図を示した図面である。
【図８】従来のフローティングボディーＴＦＴと本発明のボディーコンタクト領域を備えたＴＦＴにおいて、ドレーン電圧によるスレッショルド電圧の変換を示した図面である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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