(57)【要約】【課題】金属箔を使用するためにピンホールが無く、Ａｕ−Ａｕ接合あるいはＡｕ−Ｓｎ接合によるチップ実装時でも配線ずれが無く、アンダーフィル充填が可能となるポリイミド金属箔積層板を提供する。【解決手段】１層以上の非熱可塑性ポリイミド層の少なくとも片面に熱可塑性ポリイミド層が形成され、該熱可塑性ポリイミド層の表面に金属が積層されたポリイミド金属積層板において、熱可塑性ポリイミドの弾性率が、ガラス転移温度以上の温度で７．０×１０６（Ｐａ）以上１．０×１０９（Ｐａ）以下のものであることを特徴とするポリイミド金属積層板。【選択図】　　　　なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
１層以上の非熱可塑性ポリイミド層の少なくとも片面に、熱可塑性ポリイミド層が形成され、該熱可塑性ポリイミド層の表面に金属が積層されたポリイミド金属積層板において、熱可塑性ポリイミドの弾性率が、ガラス転移温度以上の温度で７．０×１０６（Ｐａ）以上１．０×１０９（Ｐａ）以下のものであることを特徴とするポリイミド金属積層板。
【請求項２】
１層以上の非熱可塑性ポリイミド層の少なくとも片面に、熱可塑性ポリイミド層が形成され、該熱可塑性ポリイミド層の表面に金属が積層されたポリイミド金属積層板において、熱可塑性ポリイミドの弾性率が、ガラス転移温度以上分解温度以下の温度範囲で７．０×１０６（Ｐａ）以上１．０×１０９（Ｐａ）以下の値を有することがあることを特徴とするポリイミド金属積層板。
【請求項３】
熱可塑性ポリイミドが、金属をエッチング後、先端形状がφ１ｍｍの円柱形であるペネトレーション試験棒を用いて加重５０ｇ、２５℃から昇温速度１０℃／分で熱可塑性ポリイミド側からペネトレーション試験を行った場合、３５０℃での沈み込み量が２．０μｍ以下となるものである請求項１又は２記載のポリイミド金属積層板。
【請求項４】
非熱可塑性ポリイミド層の総厚みが５〜２５０μｍであり、熱可塑性ポリイミド層の厚さが０．５〜５０μｍである請求項１乃至３記載のポリイミド金属積層板。
【請求項５】
金属が、銅、ニッケル、コバルト、クロム、亜鉛、アルミニウム及びステンレス鋼、並びにそれらの合金からなる群から選ばれた少なくとも１種の金属であり、その厚みが２〜１５０μｍである請求項１乃至４記載のポリイミド金属積層板。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ＴＡＢ（テープオートメーティッドボンディング）テープ加工ラインで広く使用されている、Ｃｈｉｐ　ｏｎ　Ｆｉｌｍ（以下、ＣＯＦと略記することがある）用ポリイミド金属積層板に関するものである。
【０００２】
詳しくは、インナーリードボンダを使用してＡｕ−Ａｕ接合、あるいはＡｕ−Ｓｎ接合により、チップと金属配線を接合する際に、チップの熱可塑性ポリイミドへの沈み込みが少なく、ＣＯＦ用基材に適するポリイミド金属積層板に関するものである。
【０００３】
【従来の技術】
従来から、ＣＯＦ用基材としては、主に非熱可塑性ポリイミド樹脂フィルムに金属をスパッタして得られるポリイミド金属積層板が使用されてきた。スパッタ方式の場合、金属層のピンホールにより歩留まりが悪化しやすいため、ピンホールがないポリイミド金属積層板が望まれている。
【０００４】
ピンホールがないポリイミド金属積層板としては、圧延銅箔や電解銅箔とポリイミドを積層したフレキシブル回路基板がある。ポリイミド金属積層板はキャスティングやラミネート方式により金属箔上にポリイミドを積層して得られるが、接着力等を向上するために、熱可塑性ポリイミド層を金属箔上に形成するものもある。
【０００５】
ところで、チップ実装は、ＡＣＦ（Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ　Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ　Ｆｉｌｍ）、ＮＣＰ（Ｎｏｎ　Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ　Ｐａｓｔｅ）、超音波接合など低温で実装する方式から、Ａｕ−Ａｕ接合、Ａｕ−Ｓｎ接合など３００℃以上の高温で実装する方式があるが、ＴＡＢラインでの実装方式や、チップと配線の接続信頼性の点から、Ａｕ−Ａｕ接合、Ａｕ−Ｓｎ接合が現在でも多く採用されている。
【０００６】
スパッタ方式で得られるポリイミド積層板の場合、熱可塑性樹脂層がないため、３００℃以上のチップ実装時に金属配線がポリイミド層に沈み込むという現象は起こらなかった。
【０００７】
【解決しようとする課題】
しかし、金属箔上に熱可塑性ポリイミド層を積層した金属積層板にＡｕ−Ｓｎ接合によるチップ実装を行なった場合、該熱可塑性ポリイミドに配線およびチップのバンプが沈み込む、配線がずれる等の問題が起こった。配線の過度の沈み込みは、チップとポリイミド層の隙間が狭くなることから、アンダーフィルが入らない、エッジショートが発生するという問題が発生してしまう。また、配線ずれに関しては隣接する銅配線に接触し、ショートを起こす問題が発生した。これらの問題が発生しないためには、配線ずれが無く、沈み込み量が小さいものが望まれていた。
【０００８】
本発明の目的は、チップ実装後に配線ずれやエッジショートがなく、かつアンダーフィルを充填可能な、ポリイミド金属積層板に関するものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、検討の結果、熱可塑性ポリイミドをガラス転移温度以上の温度で特定弾性率のもの、即ち動性がある程度低いものにすることにより、上記課題が解決できることを見出し、本発明に到達した。
【００１０】
すなわち本発明は、１層以上の非熱可塑性ポリイミド層の少なくとも片面に熱可塑性ポリイミド層が形成され、該熱可塑性ポリイミド層の表面に金属が積層されたポリイミド金属積層板において、熱可塑性ポリイミドの弾性率が、ガラス転移温度以上の温度で７．０×１０６（Ｐａ）以上１．０×１０９（Ｐａ）以下のものであることを特徴とするポリイミド金属積層板、及び１層以上の非熱可塑性ポリイミド層の少なくとも片面に、熱可塑性ポリイミド層が形成され、該熱可塑性ポリイミド層の表面に金属が積層されたポリイミド金属積層板において、熱可塑性ポリイミドの弾性率が、ガラス転移温度以上分解温度以下の温度範囲で７．０×１０６（Ｐａ）以上１．０×１０９（Ｐａ）以下の値を有することがあることを特徴とするポリイミド金属積層板に関するものである。
【００１１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を詳細に説明する。
本発明のポリイミド金属積層板は、非熱可塑性ポリイミド層の少なくとも片面に熱可塑性ポリイミドまたは該熱可塑性ポリイミドの前駆体であるポリアミック酸を含むワニスを塗布し、乾燥・キュアして熱可塑性ポリイミド層を形成し、さらに熱可塑性ポリイミド層の表面に、金属の該面を熱圧着することにより製造される。
【００１２】
また、金属上に熱可塑性ポリイミドまたは該熱可塑性ポリイミドの前駆体であるポリアミック酸を含むワニスを塗布し、乾燥・キュアして熱可塑性ポリイミド層を形成し、さらにその上に該非熱可塑性ポリイミドの前駆体であるポリアミック酸を含むワニスを塗布し、乾燥・キュアして非熱可塑性ポリイミド層を形成しても良い。
【００１３】
本発明で使用する金属としては、銅、ニッケル、コバルト、クロム、亜鉛、アルミニウム及びステンレス鋼、並びにそれらの合金からなる群から選ばれた少なくとも一種の金属であり、より好ましくは、銅及び銅合金、ステンレス鋼及びその合金、ニッケル及びニッケル合金（４２合金も含む）、アルミニウム及びアルミニウム合金等が挙げられる。さらに好ましくは銅及び銅合金である。
【００１４】
また、金属箔の厚みは、テープ状に利用できる厚みであれば制限はないが、２〜１５０μｍが好ましく利用できる。
【００１５】
ポリイミド金属積層板の構成としては、１層以上の非熱可塑性ポリイミド層の少なくとも片面に熱可塑性ポリイミド層が形成されていれば良く、具体的にはポリイミド層に金属箔層が１層のみの片面板または、金属箔がポリイミドの表裏に積層された両面板のどちらでも良い。
【００１６】
片面板時のポリイミド層の構成としては、金属箔表面に少なくとも１層の熱可塑性ポリイミド層、その次に少なくとも１層の非熱可塑性ポリイミド層が積層され、好ましくは非熱可塑性ポリイミド層が線膨張係数の異なる２層以上からなることが好ましく、金属箔側から、２０ｐｐｍ／℃以下の低線膨張係数ポリイミド、２０ｐｐｍ／℃超える高線膨張係数ポリイミドの順番にすることで反りをコントロールし易くなる。また、別の片面板の構成としては、金属箔表面に少なくとも１層の熱可塑性ポリイミド層、少なくとも１層の非熱可塑性ポリイミド層、少なくとも１層の熱可塑性ポリイミド層になるように積層されている例を挙げることができ、この構成が好ましい。
【００１７】
両面板時は、具体的構成としては、金属箔、少なくとも１層の熱可塑性ポリイミド層、少なくとも１層の非熱可塑性ポリイミド層、少なくとも１層の熱可塑性ポリイミド層、金属箔の構成を例として挙げることができる。
【００１８】
熱可塑性ポリイミド層を形成する熱可塑性ポリイミドとしては、ガラス転移温度（Ｔｇ）以上で流動せず、弾性率を保持していることが好ましい。熱可塑性ポリイミドのＴｇは、３５０℃を超えると金属積層体とした場合、金属箔との接着力が発現しにくくなる為、好ましくは１５０℃以上３５０℃以下である。
【００１９】
また、弾性率の測定温度としてはＴｇ以上であれば良いが、好ましくはポリイミドの分解温度以下、より好ましくは使用される環境に近い条件、例えばチップと配線を接合する用途に使用される場合は、測定温度は実装温度付近であることが好ましい。具体的測定温度としては実装方式がＡＣＦやＮＣＰ、超音波方式の場合には１５０℃以上２５０℃以下、好ましくは２００℃以上２５０℃以下であり、Ａｕ−Ｓｎ共晶やＡｕ−Ａｕ接合の場合には２５０℃以上３５０℃以下、好ましくは３００℃以上３５０℃以下であり、最高でもポリイミドの分解が進行し始める４００℃程度以下であればよい。
【００２０】
測定はＴＭＡ（Ｔｈｅｒｍｏｍｅｃｈａｎｉｃａｌ　Ａｎａｌｙｓｙｓ）や粘弾性測定機等、従来用いられている装置が使用可能で、熱可塑性ポリイミドフィルムのみの粘弾性を測定した場合、弾性率（正しくは貯蔵弾性率　Ｅ’）が７．０×１０６（Ｐａ）以上であることが重要である。弾性率が７．０×１０６（Ｐａ）未満である場合は、チップ接合時に熱可塑性ポリイミドが変形し、熱可塑性ポリイミドとチップが接着してしまう、銅配線がずれる、という問題点がある。また、弾性率が１．０×１０９（Ｐａ）以上の場合には金属箔と接着強度が発現しにくくなり、好ましくない。その為、好ましい弾性率の範囲は７．０×１０６以上１．０×１０９（Ｐａ）以下である。更には、前述した配線ずれやチップとの接触といった致命的な問題以外にも、３００℃以上の高温でチップを実装する用途に関しては、メッキの潜り込みや剥離などの現象が起こることが指摘されており、今後の微細配線用途には信頼性の観点から改善することが好ましいとされ、そうした用途については金属箔との接着の指標であるピール強度や半田耐熱性などを向上させるためにも弾性率の範囲がより好ましくは１．０×１０７以上８．０×１０８（Ｐａ）以下、更に好ましくは４．０×１０７以上５．０×１０８（Ｐａ）以下、より更に好ましくは５．５×１０７以上４．０×１０８（Ｐａ）以下であることが望ましい。
【００２１】
尚、本発明においては、熱可塑性ポリイミドの弾性率が、ガラス転移温度以上分解温度以下の温度範囲で少なくとも一点以上７．０×１０６（Ｐａ）以上１．０×１０９（Ｐａ）以下の値を有していればよく、例えば、ガラス転移温度が２４０℃であり、測定温度３００℃で２．２×１０７（Ｐａ）であれば、その後４００℃にて１．０×１０６（Ｐａ）程度に弾性率が低下しても本発明範囲に入るものである。
【００２２】
更に熱可塑性ポリイミドは、金属をエッチング後、先端形状がφ１ｍｍの円柱形であるペネトレーション試験棒を用いて加重５０ｇ、２５℃から昇温速度１０℃／分で熱可塑性ポリイミド側からペネトレーション試験を行った場合、３５０℃での沈み込み量が２μｍ以下になるようなものが好ましい。熱可塑性ポリイミド樹脂の厚みは、上記条件を満たすものであれば制限はされないが、０．５μｍから５０μｍが好ましく利用できる。
【００２３】
金属のエッチング方法は、通常行われている方法であれば特に限定されないが、一例を挙げると、約４０℃に加温した塩化第二鉄溶液（４０ボーメ）をスプレー式ノズルから吐出させる方式で、金属箔が完全になくなるまで数分程度処理し、水洗後、室温で乾燥し、ポリイミドフィルムを得る方法を挙げることができる。
【００２４】
熱可塑性ポリイミド層を形成する熱可塑性ポリイミドとしては、弾性率がガラス転移温度以上の温度で７．０×１０６Ｐａ以上のものであれば特に限定されないが、使用可能な熱可塑性ポリイミドの例として、原料のジアミンが、１，３−ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼン（以下、ＡＰＢと略す）、４，４−ビス（３−アミノフェノキシ）ビフェニル（以下、ｍ−ＢＰと略す）及び、３，３’−ジアミベンゾフェノン（以下、ＤＡＢＰと略す）、ｐ−フェニレンジアミン（ＰＰＤ）、４，４’−ジアミノジフェニルエーテル（ＯＤＡ）から選ばれた少なくとも一種のジアミンが好ましい。
【００２５】
酸二無水物として特に限定はなく、公知の酸二無水物が使用可能であるが、３，３’，４，４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物（以下、ＢＴＤＡと略す）、ピロメリット酸二無水物（ＰＭＤＡ）、３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物（ＢＰＤＡ）が好ましい。ジアミン成分とテトラカルボン酸二無水物の反応モル比は、通常、０．７５〜１．２５の範囲である。
【００２６】
非熱可塑性ポリイミド層を形成する非熱可塑ポリイミドは、特定のジアミンと特定のテトラカルボン酸二無水物から合成される組成物が利用できる。特定のジアミンとして、ｏ−フェニレンジアミン、ｐ−フェニレンジアミン、ｍ−フェニレンジアミン、４，４’−ジアミノフェニルエーテル、３，４−ジアミノジフェニルエーテル、３，４’−ジアミノジフェニルエーテル、３，３’−ジアミノジフェニルエーテル等が挙げられる。これらは、単独または２種類以上使用しても良い。また、前記のアミン化合物を併用する場合、特定のジアミン成分の使用量は、少なくとも７０モル％以上、好ましくは８０モル％以上である。
【００２７】
特定のテトラカルボン酸二無水物として、ピロメリット酸二無水物、３，３’，４，４’―ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２，２’，３，３’−ビフェニルテトラカルボン酸等が挙げられる。これらは、単独または、二種類以上使用してもよい。
【００２８】
また、非熱可塑性ポリイミドとして、市販の非熱可塑性ポリイミドフィルムも使用できる。例えば、ユーピレックス（登録商標）Ｓ、ユーピレックス（登録商標）ＳＧＡ、ユーピレックス（登録商標）ＳＮ（宇部興産株式会社製、商品名）、カプトン（登録商標）Ｈ、カプトン（登録商標）Ｖ、カプトン（登録商標）ＥＮ（東レ・デュポン株式会社製、商品名）、アピカル（登録商標）ＡＨ、アピカル（登録商標）ＮＰＩ、アピカル（登録商標）ＨＰ（鐘淵化学工業株式会社製、商品名）等が挙げられる。非熱可塑性ポリイミドの表面はプラズマ処理、コロナ放電処理等を施しもよい。
【００２９】
非熱可塑性ポリイミド層の厚みは、目的により特に制限はないが、総厚みが５〜２５０μｍの範囲が好適に利用できる。
さらに、市販の非熱可塑性ポリイミドフィルムの、熱可塑性ポリイミド層を積層しない側に、構造の異なる非熱可塑性ポリイミドを積層してもよい。
【００３０】
本発明により提供されるポリイミド金属積層板は、金属箔を使用するためにピンホールが無く、熱可塑性ポリイミド樹脂層があってもＡｕ−Ａｕ接合あるいはＡｕ−Ｓｎ接合によるチップ実装時でも配線ずれが無く、アンダーフィル充填が可能となる。
【００３１】
【実施例】
以下、本発明を実施例によりさらに詳細に説明する。
なお、実施例に示した熱可塑性フィルムの弾性率及びガラス転移温度、ポリイミド金属積層体の金属をエッチング後、ペネトレーション試験、チップ搭載時の配線沈み込み量測定、ピール強度については下記の方法により測定した。
【００３２】
（１）熱可塑性ポリイミド弾性率及びガラス転移温度（Ｔｇ）
幅４ｍｍ、長さ２０ｍｍの単層の熱可塑性ポリイミド試料をマックサイエンス株式会社製ＴＭＡ−４０００にセットし、２５℃から３００℃まで昇温し、弾性率測定を行なった。
尚、熱可塑性ポリイミドの単層フィルムは、ワニスをガラス板に最終厚さが２５〜５０μｍになるようにアプリケーターにより塗布し、窒素にて置換したオーブン中で５０℃から３５０℃まで約７℃／ｍｉｎで昇温後、１５分保持したのち冷却し、温水中で数時間浸漬後単層フィルムを剥離することで得た。
【００３３】
また、実施例２以降については、レオメトリックス社製ＲＳＡＩＩにより単層の熱可塑性ポリイミド試料を引張りモードにて窒素中、１Ｈｚ、３℃／ｍｉｎで、２５℃から５００℃まで昇温し、弾性率（貯蔵弾性率　Ｅ’）測定を行ない、同時に、損失弾性率（Ｅ’’）のピークをＴｇとして求めた。
【００３４】
（２）ペネトレーション試験
マックサイエンス株式会社製ＴＭＡ−４０００の使用して測定を行なった。ポリイミド金属積層体の金属をエッチングし、熱可塑性ポリイミド樹脂と先端形状がφ１ｍｍの円柱形である石英製ペネトレーション試験棒が接するように試料を試料台にセットした。加重５０ｇ、２５℃から昇温速度１０℃／分で熱可塑性ポリイミド側からペネトレーション試験を行った。一方、測定器の熱変形による誤差を考慮するため、試料なしでもペネトレーション試験を行ない、試料をセットした場合の測定値とセットしない場合の測定値の差を試験結果とした。
尚、金属のエッチングは約４０℃に加温した塩化第二鉄溶液（４０ボーメ）をスプレー式ノズルから吐出させる方式で、金属箔が完全になくなるまで数分程度処理し、水洗後、室温で乾燥し、ポリイミドフィルムを得た。
【００３５】
（３）配線沈み込み量測定
チップ搭載後、試料を樹脂包理後、研磨し、バンプと配線接合部断面を日本光学製金属顕微鏡で観察を行なった。金属配線と熱可塑製ポリイミド層の界面と、非熱可塑性ポリイミド層と熱可塑製ポリイミド層の界面の最少隙間を測定し、配線沈み込み量とした。
（４）ピール強度（ｋＮ／ｍ）
長さ５０ｍｍ、幅２ｍｍの導体を、金属箔をエッチングすることにより形成し、ＪＩＳ　Ｃ−６４７１に規定される方法に従い、短辺の端から金属導体側をポリイミド層から剥離し、その応力を測定する。剥離角度を９０°、剥離速度を５０ｍｍ／ｍｉｎとした。
【００３６】
また、実施例に用いた溶剤、酸二無水物、ジアミンの略称は以下の通りである。
ＤＭＡｃ：Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド
ＮＭＰ：Ｎ−メチル−２−ピロリドン
ＡＰＢ：１，３−ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼン
ＢＴＤＡ：３，３’，４，４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物
ＰＰＤ：ｐ−フェニレンジアミン
ＯＤＡ：４，４’−ジアミノジフェニルエーテル
３，４’−ＯＤＡ：３，４’−ジアミノジフェニルエーテル
ｍ−ＢＰ：４，４’−ビス（３−アミノフェノキシ）ビフェニル
ＤＡＢＰ：３，３’−ジアミベンゾフェノン
ＰＭＤＡ：ピロメリット酸二無水物
ＢＰＤＡ：３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物
【００３７】
合成例１
＜熱可塑性ポリイミド樹脂の前駆体の合成＞
撹拌機及び窒素導入管を備えた容器に、溶媒としてＤＭＡｃ１７１８．６ｇを加え、これにＡＰＢ１４６．２ｇを加え、溶解するまで室温にて撹拌を行った。その後、ＢＴＤＡ１５７．１ｇを加え、６０℃において撹拌を行い、ポリアミック酸溶液を得た。得られたポリアミック酸溶液はポリアミック酸の含有率が１５重量％であり、２５℃でのＥ型粘度は０．５Ｐａ・ｓであった。
【００３８】
合成例２
＜熱可塑性ポリイミド樹脂の前駆体の合成＞
撹拌機及び窒素導入管を備えた容器に、溶媒としてＤＭＡｃ１６３６ｇを加え、これにＡＰＢ１４６．２ｇを加え、溶解するまで室温にて撹拌を行った。その後、ＢＰＤＡ１４２．５ｇを加え、６０℃において撹拌を行ってポリアミック酸溶液を得た。得られたポリアミック酸溶液はポリアミック酸の含有率が１５重量％であり、２５℃でのＥ型粘度は０．５５Ｐａ・ｓであった。
【００３９】
合成例３
＜非熱可塑性ポリイミド樹脂の前駆体の合成＞
撹拌機及び窒素導入管を備えた容器に、溶媒としてＤＭＡｃ８４６．９ｇとＮＭＰ３６２．９ｇを加え、これにＰＰＤ１６．２ｇ（３０ｍｏｌ％）、及び、ＯＤＡ４９．１ｇ（４９ｍｏｌ％）を加え、撹拌しながら５０〜６０℃に加熱して溶解させた。その後、氷で約３０℃になるまで冷却した後、ＢＰＤＡ２５．１ｇを加え６０℃に加熱し約２時間撹拌を行った。さらに、ｍ−ＢＰ３８．７ｇ（２１ｍｏｌ％）を加え６０℃に温度を保ちながら撹拌を行った。最後にＰＭＤＡ８４．４ｇを加え６０℃で２時間撹拌を行い、ポリアミック酸溶液を得た。得られたポリアミック酸溶液はポリアミック酸の含有率が１５重量％であり、２５℃でのＥ型粘度は０．４Ｐａ・ｓであった。
【００４０】
合成例４〜１４
ジアミン、酸無水物の種類、比率を変えた以外は合成例１と同様にポリアミック酸溶液（表１）を得た。
【００４１】
【表１】
2004082719.tif 000002
【００４２】
実施例１
市販のポリイミド樹脂フィルム（東レ・デュポン株式会社製、商品名：カプトン（登録商標）１００ＥＮ）を用い、第一面に合成例１のポリアミック酸溶液（以下ワニスと呼ぶ）をロールコーターにより乾燥後の厚さで４μｍになるように塗布し、１５０℃で２分乾燥後、第二面に合成例３のワニスをロールコーターにより乾燥後の厚さで５μｍになるように塗布し、７０℃で５分、１１０℃で５分乾燥後、１４０℃で２分、１８０℃で５分、２６５℃で２分、エアーフロート方式の乾燥炉にて乾燥を行い、第一面が熱可塑性ポリイミド樹脂層である絶縁フィルムを得た。その後、市販の銅箔（古河サーキットフォイル（株）製、商品名：Ｆ０−ＷＳ（厚み９μｍ））に、ロールラミネーターにより２４０℃で圧力１．５ＭＰａの条件で、金属箔と絶縁フィルムを張り合わせ、その後、バッチ式のオートクレーブにて温度２８０℃で４時間窒素雰囲気下でアニールを行い、フレキシブル金属積層体を得た。
その後、回路加工・チップ搭載メーカにてチップ搭載を行なった。チップ搭載後の外観を５００倍、１２５０倍の顕微鏡にてポリイミド層側より観察した結果、バンプ付近の回路部分数十μｍに渡り、銅箔とポリイミド層界面にＳｎの潜り込みが観察された。
【００４３】
熱可塑性ポリイミド弾性率；７．７×１０６（Ｐａ）　（２３０℃）
熱可塑性ポリイミドガラス転移温度；１９５℃
ペネトレーション試験結果；２μｍ
チップ搭載結果；２μｍ
アンダーフィル充填；可
配線ずれ；観察されない。
Ｓｎ潜り込み；有
ピール強度；０．８ｋＮ／ｍ
【００４４】
実施例２
市販のポリイミド樹脂フィルム（東レ・デュポン株式会社製、商品名：カプトン（登録商標）１５０ＥＮ）を用い、第一面に合成例４のポリアミック酸溶液（以下ワニスと呼ぶ）をロールコーターにより乾燥後の厚さで３μｍになるように塗布し、１５０℃で２分乾燥後、第二面に合成例３のワニスをロールコーターにより乾燥後の厚さで３μｍになるように塗布し、７０℃で５分、１１０℃で５分乾燥後、１４０℃で２分、１８０℃で５分、２６５℃で２分、エアーフロート方式の乾燥炉にて乾燥を行い、第一面が熱可塑性ポリイミド樹脂層である絶縁フィルムを得た。その後、市販の銅箔（古河サーキットフォイル（株）製、商品名：Ｆ０−ＷＳ（厚み９μｍ））に、プレス機により圧力１０ＭＰａ、温度２００〜４００℃まで約２時間で昇温し、その後４００℃で１５分放置後冷却しフレキシブル金属積層体を得た。
【００４５】
次に、回路幅約２０〜３０μｍになるように回路加工し、無電解Ｓｎメッキ液（シプレイ社　ＬＴ３４）にて温度７０℃×３分間メッキし、水洗後１００〜１２０℃程度で約６０分間乾燥することでＬＳＩチップを実装可能なテープを作成した。次にＬＳＩチップ（日立超ＬＳＩ社製　ＴＥＧチップ　フェーズ０　Ａｕメッキバンプ）をパルスボンダーにてチップ側４５０℃、テープ側１００℃、圧力１２０ＭＰａ、２秒にてチップ搭載を行なった。
【００４６】
熱可塑性ポリイミド弾性率；７．１×１０６（Ｐａ）　（３５０℃）
熱可塑性ポリイミドガラス転移温度；２５０℃
ペネトレーション試験結果；＜１μｍ
チップ搭載結果；＜１μｍ
アンダーフィル充填；可
配線ずれ；観察されない。
Ｓｎ潜り込み；有
ピール強度；０．７ｋＮ／ｍ
【００４７】
実施例３〜１１
合成例４のワニスをそれぞれ表２に示すワニスに代えた以外は実施例２と同様にしてフレキシブル金属積層体を得た。また、評価結果も併せて表２に示す。
【００４８】
比較例１
市販のポリイミド樹脂フィルム（東レ・デュポン株式会社製、商品名：カプトン（登録商標）１００ＥＮ）を用い、第一面に合成例２のポリアミック酸溶液（以下ワニスと呼ぶ）をロールコーターにより乾燥後の厚さで４μｍになるように塗布し、１５０℃で２分乾燥後、第二面に合成例３のワニスをロールコーターにより乾燥後の厚さで５μｍになるように塗布し、７０℃で５分、１１０℃で５分乾燥後、１４０℃で２分、１８０℃で５分、２６５℃で２分、エアーフロート方式の乾燥炉にて乾燥を行い、第一面が熱可塑性ポリイミド樹脂層である絶縁フィルムを得た。その後、市販の銅箔（古河サーキットフォイル（株）製、商品名：Ｆ０−ＷＳ（厚み９μｍ））に、ロールラミネーターにより２４０℃で圧力１．５ＭＰａの条件で、金属箔と絶縁フィルムを張り合わせ、その後、バッチ式のオートクレーブにて温度２８０℃で４時間窒素雰囲気下でアニールを行い、フレキシブル金属積層体を得た。
その後、実施例１と同条件で回路加工・チップ搭載メーカにてチップ搭載を行なった。
【００４９】
熱可塑性ポリイミド弾性率；弾性率が小さいため、測定時にフィルムが伸びきり、測定　不可（２３０℃）
熱可塑性ポリイミドガラス転移温度；２００℃
ペネトレーション試験結果；４μｍ
チップ搭載結果；４μｍ
アンダーフィル充填；不可
配線ずれ；発生
Ｓｎ潜り込み；有
ピール強度；０．９ｋＮ／ｍ
【００５０】
比較例２
合成例４のワニスをそれぞれ表２に示すワニスに代えた以外は実施例２と同様にしてフレキシブル金属積層体を得た。また、評価結果も併せて表２に示す。ピール強度が低く実用上使用できない。
【００５１】
【表２】
2004082719.tif 000003
【００５２】
＊１）ペネトレーション法
＊２）チップ搭載後断面観察
＊３）○：配線ズレ無、×：配線ズレ有
＊４）○：充填可能、×：充填不可
【００５３】
【発明の効果】
本発明により熱可塑性ポリイミド樹脂で接着された金属箔を使用するためにピンホールが無く、Ａｕ−Ａｕ接合あるいはＡｕ−Ｓｎ接合によるチップ実装時でも配線ずれが無く、アンダーフィル充填が可能となるポリイミド金属積層板を提供できる。