(57)【要約】【課題】  固形物を均等に形成でき、加工品と加工品キャリアとを簡単に分離できるという点で顕著な、加工品を処理するための簡単な方法を提供するとともに、この方法に特に用いられる加工品キャリアを提供する。【解決手段】  処理される加工品（５２）を固形物（６２）を用いて加工品キャリア（１０）に固定する方法について特に詳述する。この加工品キャリア（１０）は、気孔性物質（例えば気孔性セラミックス）からなる。この処理方法によって、処理する際にウェハーを簡単に使用することができる。さらに、この加工品（５２）を、加工品キャリア（１０）の溶媒を用いて簡単に分離できる。【選択図】  図３ 
2004202684.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
加工品（５２）の処理方法であって、
処理対象の加工品（５２）を、固形物（６２）を用いて、加工品キャリア（１０）に固定する工程を有し、
上記加工品キャリア（１０）は、気孔性物質を含んでいるか、または気孔性物質からなることを特徴とする加工品の処理方法。
【請求項２】
気体透過性の加工品キャリア（１０）を用い、
上記加工品を固定するために、上記加工品キャリア（１０）に対して負圧（６４）を与える工程を有し、
上記工程を、好ましくは上記固形物（６２）を液化した状態で形成した後、及び／又は、固形物（６２）が硬化する前に行うことを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
溶媒（９０）が加工品キャリア（１０）の孔（１４〜２０）に入り込むことによって、上記固形物（６２）が溶出され、加工品（５２）と加工品キャリア（１０）とを分離させる工程を有することを特徴とする、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
孔経路（２４、２６）を有するとともに、溶媒（９０）を透過させる性質を有する加工品キャリア（１０）を使用し、加工品（５２）と加工品キャリア（１０）とを分離させるために、
上記溶媒を、上記孔経路（２４、２６）を通過させ、１つの孔または複数の孔（１４〜２０）から、加工品キャリア（１０）を介して固形物（６２）まで到達させる工程を有することを特徴とする請求項３に記載の方法。
【請求項５】
上記溶媒を固形物まで到達させる工程は、毛管作用によって、または、正圧（１０４）または負圧（１０２）の付与によって、加工品（５２）から離れている側の、加工品キャリア（１０）の側面に到達させる工程であることを特徴とする、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
上記気孔性物質は、以下の（ａ）〜（ｇ）に記載の少なくともいずれか１つの要件を満たすことを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の方法。
（ａ）セラミックス、ガラス、ガラスセラミックス、金属、特に焼結させた金属、金属セラミックス、または、焼結物質である。
（ｂ）上記孔の平均的大きさは、２０μｍ〜５００μｍ、または５０μｍ〜１００μｍである
（ｃ）上記気孔性物質の気孔率が、２０％〜５０％である
（ｄ）上記気孔性物質の開放気孔率が、１０％〜６０％または２０％〜５０％である
（ｅ）上記孔の体積の少なくとも１０％または少なくとも２０％が、気孔性物質が貫通する孔経路（２４、２６）である
（ｆ）上記気孔性物質としてＰ６５またはＰ５５を使用する
（ｇ）上記孔（１４〜２２）が、不規則に配置される、または均等に分散・配置されている
【請求項７】
上記加工品キャリア（１０）上の加工品（５２）を、以下の(i)〜（vi）の少なくともいずれか１つの処理を行って、１００μｍよりも薄くする工程、
(i)研削処理
(ii)研磨処理
(iii)エッチング処理
(iv)湿潤化学的エッチング処理
(v)化学的エッチング処理
(vi)化学物理的エッチング処理
上記加工品キャリア（１０）上の加工品（５２）に対してリソグラフィー方法、特に照射を行う工程、
上記加工品キャリア（１０）上の加工品（５２）に対して層蒸着プロセスを行う工程、のうち、少なくともいずれか１つの工程を有することを特徴とする、請求項１〜６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
上記加工品キャリア（１０）上の加工品（５２）を、以下の(i)〜（vi）の少なくともいずれか１つの処理を行って、２０μｍよりも薄くする工程を有することを特徴とする請求項７に記載の方法。
(i)研削処理
(ii)研磨処理
(iii)エッチング処理
(iv)湿潤化学的エッチング処理
(v)化学的エッチング処理
(vi)化学物理的エッチング処理
【請求項９】
上記固形物（６２）が、蝋または接着剤またはプラスチック物質または両面の接着テープを含んでいるか、または、これらの物質からなることを特徴とする、請求項１〜８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１０】
上記加工品（５２）が、半導体物質、特にシリコンを含んでいるか、または、半導体物質からなり、
及び／又は、上記加工品（５２）が、半導体ウェハーであることを特徴とする、請求項１〜９のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１１】
上記固形物（６２）が、加工品（５２）と加工品キャリア（１０）との間の全隙間を充填するか、
または、上記固形物（６２）が、加工品（５２）と加工品キャリア（１０）との間の隙間の１部分のみを充填し、特に隙間によって互いに分けられた複数の領域、または、充填されていない領域を取り囲む環状の領域のみを充填する工程を有することを特徴とする、請求項１〜１０のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１２】
加工品キャリア（１０）、特に請求項１〜１１のいずれか１項に記載の方法に用いられる、板またはディスクの形状をした加工品キャリア（１０）であって、
上記加工品キャリア（１０）が、気孔性物質を含んでいるか、または、気孔性物質からなることを特徴とする、加工品キャリア（１０）。
【請求項１３】
上記加工品キャリア（１０）が半導体ウェハー（５２）と略同じ輪郭を有し、
上記加工品キャリア（１０）の直径（ＤＭ１）が、半導体ウェハー（２５）の直径と略同じであることを特徴とする、請求項１０に記載の加工品キャリア（１０）。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、処理される加工品（Werkstueck、workpiece）を固形物（Feststoffes、固体）を用いて加工品キャリア（加工品支持材）（Werkstuecktraeger、work carrier）に固定する方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
この加工品とは、製造工程中の加工品のことであり、例えば半導体ディスク、つまりウェハーのことである。これらの加工品は、非常に薄い半導体ディスクに処理される。言い換えると、より分厚い半導体ディスクから、より薄い半導体ディスクが製造される。すなわち、ＳＯＩ技術（絶縁物上に形成した結晶シリコン）を用いることによって、半導体ディスクまたは他の基板（例えばガラスまたはセラミックス）は薄くなっている（例えば２０μｍ（マイクロメートル）よりも薄くなる）。
【０００３】
また、上記加工品を処理するために用いる固形物として、例えば接着剤（粘着物質）または蝋（ワックス、wax）が挙げられる。この接着剤等によって、加工品と加工品キャリアは、固形物と加工品との間または固形物と加工品キャリアとの間の粘着力のゆえに、および、固形物中の凝集力のゆえに、接合する。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
このような方法の課題は、例えば、固形物を平面に塗布する場合に生じる。特に、平らな表面を備えた加工品に対して固形物を均等に塗布（形成）することには困難性がある。さらに、加工品と加工品キャリアとを分離する際に、例えば、加工品が損傷してしまうという問題が生じる。また、この加工品を特に注意して切り離そうとすると、通常、分離に必要な時間が著しく長くなってしまうという問題点もある。
【０００５】
本発明の目的は、固形物を均等に塗布（形成）できるとともに、加工品と加工品キャリアとを簡単に分離できるという点で顕著な、加工品を処理するための方法を提供するとともに、この方法に特に用いられる加工品キャリアを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の目的を、特許請求項１に示した方法工程によって達成する。また、他の形態（Weiterbildungen）を従属請求項に示す。
【０００７】
すなわち、本発明に係る方法は、加工品（５２）の処理方法（Verfahren zum Bearbeiten eines Werkstuecks (52)、a method of processing a workpiece）であって、処理対象の加工品（５２）を、固形物（Feststoffes、solid）（６２）を用いて、加工品キャリア（１０）に固定する工程を有し、上記加工品キャリア（１０）は、気孔性物質を含んでいるか、または気孔性物質からなることを特徴としている。
【０００８】
また、上記方法において、気体透過性の加工品キャリア（１０）を用い、上記加工品を固定するために、加工品キャリア（１０）に対して負圧（Unterdruck、vacuum）（６４）を与える（発生させる）工程を、好ましくは上記固形物（６２）を液化した状態で形成した後、及び／又は、固形物（６２）が硬化する前に行うことが好ましい。
【０００９】
また、上記方法において、溶媒（９０）が加工品キャリア（１０）の孔（１４〜２０）に入り込むことによって、固形物（６２）が溶出され、加工品（５２）と加工品キャリア（１０）とを分離させることが好ましい。
【００１０】
上記方法において、孔経路（２４、２６）を有し、溶媒（９０）を透過させる性質を有する加工品キャリア（１０）を使用し、加工品（５２）と加工品キャリア（１０）とを分離させるために、溶媒を、上記孔経路（２４、２６）を通過させ、１つの孔または複数の孔（１４〜２０）から、加工品キャリア（１０）を介して固形物（６２）まで到達させて、好ましくは、毛管作用（毛細管作用）によって、または、正圧（Ueberdruckspositive pressure）（１０４）または負圧（１０２）の付与（発生）によって、特に加工品（５２）から離れている側（つまり、加工品と接しない側）の、加工品キャリア（１０）の側面に到達させることが好ましい。
【００１１】
また、上記気孔性物質とは、セラミックス、ガラス、ガラスセラミックス、金属、特に焼結させた金属、金属セラミックス、または、焼結物質のことであり、及び／又は、上記平均的な孔の大きさは、２０μｍ〜５００μｍ、または、５０μｍ〜１００μｍであり、及び／又は、上記気孔性物質の気孔率が、２０％〜５０％であり、及び／又は、上記気孔性物質の開放気孔率が、１０％〜６０％または２０％〜５０％であり、及び／又は、孔の体積の少なくとも１０％または少なくとも２０％が、気孔性物質が貫通する孔経路（２４,２６）であり、及び／又は、気孔性物質としてＰ６５またはＰ５５を使用し、及び／又は、上記孔（１４〜２２）が、不規則に配置され、及び／又は、均等に分散・配置されていることが好ましい。
【００１２】
すなわち、上記気孔性物質は、以下の（ａ）〜（ｇ）に記載の少なくともいずれか１つの要件を満たすことを特徴としている。
【００１３】
（ａ）セラミックス、ガラス、ガラスセラミックス、金属、特に焼結させた金属、金属セラミックス、または、焼結物質である。
【００１４】
（ｂ）上記孔の平均的大きさは、２０μｍ〜５００μｍ、または５０μｍ〜１００μｍである
（ｃ）上記気孔性物質の気孔率が、２０％〜５０％である
（ｄ）上記気孔性物質の開放気孔率が、１０％〜６０％または２０％〜５０％である
（ｅ）上記孔の体積の少なくとも１０％または少なくとも２０％が、気孔性物質が貫通する孔経路（２４、２６）である
（ｆ）上記気孔性物質としてＰ６５またはＰ５５を使用する
（ｇ）上記孔（１４〜２２）が、不規則に配置される、または均等に分散・配置されている
また、上記加工品キャリア（１０）上の加工品（５２）を薄くし、特に、１００μｍよりも薄く、または、２０μｍよりも薄く、好ましくは研削し、及び／又は、研磨し、及び／又は、エッチング、特に湿潤化学的（wet-chemical）、化学または化学物理的にエッチングを行う工程と、及び／又は、加工品キャリア（１０）上の加工品（５２）に対してリソグラフィー方法（lithografischen Verfahren、lithographic process）、特に照射を行う工程と、及び／又は、加工品キャリア（１０）上の加工品（５２）に対して層蒸着プロセス（Schichtabscheidungsprozess、layer deposition process）を行う工程を有することが好ましい。
【００１５】
つまり、上記加工品キャリア（１０）上の加工品（５２）を、以下の(i)〜（vi）の少なくともいずれか１つの処理を行って、１００μｍよりも薄くする工程、
(i)研削処理
(ii)研磨処理
(iii)エッチング処理
(iv)湿潤化学的エッチング処理
(v)化学的エッチング処理
(vi)化学物理的エッチング処理
上記加工品キャリア（１０）上の加工品（５２）に対してリソグラフィー方法、特に照射を行う工程、上記加工品キャリア（１０）上の加工品（５２）に対して層蒸着プロセスを行う工程、のうち、少なくともいずれか１つの工程を有することが好ましい。
【００１６】
また、上記加工品キャリア（１０）上の加工品（５２）を、以下の(i)〜（vi）の少なくともいずれか１つの処理を行って、２０μｍよりも薄くする工程を有することが好ましい。
【００１７】
(i)研削処理
(ii)研磨処理
(iii)エッチング処理
(iv)湿潤化学的エッチング処理
(v)化学的エッチング処理
(vi)化学物理的エッチング処理
また、上記固形物（６２）が、蝋または接着剤またはプラスチック物質または両面の接着テープを含んでいるか、または、これらの物質からなることが好ましい。
【００１８】
また、上記加工品（５２）が、半導体物質、特にシリコンを含んでいるか、または、半導体物質からなり、及び／又は、上記加工品（５２）が、半導体ウェハーであることが好ましい。
【００１９】
また、上記固形物（６２）が、加工品（５２）と加工品キャリア（１０）との間の全隙間を充填するか、または、上記固形物（６２）が、加工品（５２）と加工品キャリア（１０）との間の隙間の１部分のみを充填し、特に隙間によって互いに分けられた複数の領域、または、充填されていない領域を取り囲む環状の領域のみを充填することが好ましい。
【００２０】
また、本発明に係る加工品キャリアは、加工品キャリア（１０）、特に請求項１〜９のいずれか１項に記載の方法に用いられる、板またはディスクの形状をした加工品キャリア（１０）であって、上記加工品キャリア（１０）が、気孔性物質を含んでいるか、または、気孔性物質からなることを特徴としている。
【００２１】
また、上記加工品キャリア（１０）が半導体ウェハー（５２）の同じ輪郭（外形、Umriss、outline）を有し、上記加工品キャリア（１０）の直径（ＤＭ１）が、半導体ウェハー（２５）の直径と同じであることが好ましい。なお、上記「同じ」とは、物理的に完全に同一という意味ではなく、ほぼ同じ形状、または、ほぼ同じ大きさであればよいという意である。
【００２２】
本発明では、加工品キャリアとして、一方では固形物を用いて加工品と加工品キャリアとの接合を促進する物質、他方では加工品と加工品キャリアとを簡単に分離できる物質からなるか、または、それらの物質を含むという概念を基本としている。つまり、本発明の方法では、気孔性物質を含むか、または、さらに、気孔性物質からなる加工品キャリアを使用する。気孔性とは、加工品キャリアが複数の空洞を内部と加工品の表面とに含んでいるという意味である。また、これらの空洞は、孔（Poren）とも呼ばれている。気孔性の面と固形物との接着特性は、平面と固形物とのそれよりもよい。さらに、気孔性加工品は多数存在しているので、適切な気孔性加工品を選択することができる。
【００２３】
また、本発明の方法の他の形態では、気体に対して透過性の加工品キャリアを使用する。この気体は、互いに連結された孔または長く伸びた孔から経路を介して流れる。この他の形態では、加工品を加工品キャリアに固定する際に、接着を促進する負圧が、加工品キャリアで発生する。したがって、ある形態（Ausgestaltung）では、固形物を液化した状態で塗布した後で、かつ、固形物が硬化する前に、負圧が発生する。この負圧によって、孔経路の開口部の固形物が中に吸い込まれる。固形物の粘度に応じて、全硬化時間の間、負圧を保つ必要はなく、例えば硬化の始めのみ保っていればよい。
【００２４】
固形物が吸い込まれることによって、固形物は簡単に均等に分散する。また、気泡が吸い出されて、固形物が全面に付着する。
【００２５】
液化された固形物の入り込む深さが、平均的な孔の幅を上回るように、この負圧を設定することが好ましい。これにより、固形物と加工品キャリアとの間の接着力が上昇する。それにもかかわらず、この固形物を、簡単に加工品キャリアから再び切り離すことができる。
【００２６】
本発明の方法の他の他の形態では、加工品と加工品キャリアとを分離するために、溶媒（例えば、アセトン、アルコール、エーテルまたはイソプロパノールのような有機的溶媒）を用いて固形物を溶出する。孔が存在しているために、固形物を加工品キャリアから切り離すことができ、そして加工品を加工品キャリアから切り離すことができる。特に、これは、固形物に隣接しており、かつ経路によって互いに接続されている孔によって、促進される。この経路は、固形物からはじまって固形物で再びおわらせるために、加工品キャリアに設けられている延長された孔によっても形成できる。また、固形物によって完全には充填されていない孔、または、固形物に隣接している他の孔に、孔経路を介して接続されている孔が、固形物の下に位置する場合には、この溶出が加速される。
【００２７】
次の他の形態では、溶媒に適した透過性の加工品キャリアを使用する。つまり、互いに接続されている孔または長く伸びている孔によって、例えば毛管作用または正圧または負圧の発生によって、気孔性の加工品キャリア中に経路（中には、溶媒を運搬する経路も）が形成されている。この形態では、経路は、固形物に隣接している加工品キャリアの側面から、この側面と向かい合う加工品キャリアの側面まで延びている。これらの経路の支線が、加工品キャリアの側面に延びている場合もある。特に、分枝した孔網を有する加工品キャリアを使用することが好ましい。
【００２８】
次の他の形態では、気孔性物質は、セラミックス、ガラス、ガラスセラミックス、金属、特に焼結された金属（焼結製品金属）（Sintermetall、sinterd metal）、または、金属セラミックスである。この気孔性物質には、一般的に、焼結物質（Sintermaterialien）が適している。この物質を製造する際、乾燥した物質微粒子を添加することによって、これらの物質を製造する際に孔の形成を促進できる。本発明の方法に用いられる加工品を、孔材料（例えば孔ケラミックスまたは孔ガラス）とも呼ぶ。
【００２９】
本発明に係る一形態では、平均的な孔の大きさは、２０〜５００μｍであり、好ましくは５０〜１００μｍである。毛管作用のよい孔経路の直径は、言及した後者の範囲である。
【００３０】
次の他の形態では、気孔性物質の気孔率は、２０％〜５０％である。ここでは、気孔率とは、孔の全体積を含んだ材料の全体積に対する孔の体積の割合のことである。上述の範囲が、孔の数と加工品キャリアの残りの安定性との間のよい妥協点（Kompromiss）である。
【００３１】
次の他の形態では、気孔性物質の開放気孔率は、１０％〜６０％であり、特に２０％〜５０％であることが好ましい。ここでは、開放気孔率とは、孔の全体積を含んだ全体積に対する、孔経路を介して気孔性物質の縁（へり、周辺）に接続されている孔、または、気孔性物質の表面に位置する孔の体積の割合のことである。この場合、孔経路が貫通して延びているか、または片側のみ延びている（つまり、いわゆる貫通していない経路（Blindkanaele、ブラインド経路））かによって、異なっているのではない。上述の範囲が、加工品キャリアにおける固形物の接着範囲、可溶性の高さ、および、加工品キャリアの安定性の高さに関する、よい妥協点である。
【００３２】
他の形態では、孔の体積の少なくとも１０％または少なくとも２０％が、気孔性物質を通り抜けられる孔経路である。この形態では、確実に充分な量の溶媒を固形物に到達させることができる。
【００３３】
他の形態では、気孔性物質に、ＤＩＮ（ドイツ工業規格）ＥＮ（ヨーロッパ規格）６２３−２（１９９２）またはＤＩＮ５１０５６（１９８５）のセラミックスを使用することもできる。例えば、特に「Rauschert technisches Glas」社が製造しているセラミックスＰ６５またはＰ５５を使用することが好ましい。
【００３４】
次の他の形態では、孔には、不規則に配置されているものと、均等に分散・配置されているものとがある。また、格子形状に配置された細い穴（Bohrung）とは違って、製造コストが軽減されると共に、加工品と加工品キャリアとの接合、または、加工品と加工品キャリアとの分離を促進する孔が、均等に分散されている。
【００３５】
次の他の形態では、加工品キャリアに固定された加工品を、処理時に、特に、１００μｍよりも薄く、または、２０μｍよりも薄くする。例えば、除去速度が１μｍ／ｓ（例えば３μｍ／ｓ）よりも速い研削方法を実行する。さらにその後、加工品を乾燥・研磨するか、または、ＣＭＰ（化学的機械研磨）方法によって研磨する。この場合、除去速度は例えば約１μｍ／ｓである。研磨箇所は、例えばドライエッチング、ウェットエッチング、または、化学的方法（例えばプラズマエッチングまたは反応性イオンエッチング）によって、完全に平らにエッチングされる。次に、こうして薄くなった加工品（例えばウェハー）にリソグラフィー方法を施す。また、薄くなった加工品の上に層を蒸着することによっても、半導体構成素子または導線路(Leitbahnen)を形成できる。これらの処理工程の間、薄くなった加工品をももともと厚い加工品のように扱い、特に運搬し、処理機械に挿入・装着し、処理機械から取り出すことができる。
【００３６】
上述の接着剤または蝋に加えて、次の他の形態では、プラスチック材料または双方に接着する接着テープ（両面の接着テープ）を、固形物として利用する。
【００３７】
また、固形物を用いて、加工品と加工品キャリアとの間の全ての隙間を簡単に充填する、他の形態がある。それに代わるものとして、固形物は、加工品と加工品キャリアとの間の隙間の一部（例えば隙間によって互いに分けられた複数の領域、または、充填されていない領域を取り巻く環状の領域）のみを充填している。このような部分的な充填によって、固形物をさらに簡単に溶出できる。
【００３８】
本発明は、他の観点から見ると、板またはディスクの形状をした加工品キャリアに関するものである。加工品キャリアは、気孔性物質を含んでいるか、または、その気孔性物質からなる。したがって、上述の技術的効果は、この加工品キャリアにも同様に有効である。特に、複数の他の形態において、この加工品キャリアは、本発明の方法またはそれらの他の形態に用いられる加工品キャリアであるという特徴を有する。また、特に、この加工品キャリアを用いて、簡単に、薄くなった加工品をも保持、運搬、または、操作できる。
【００３９】
他の形態では、加工品キャリアは、半導体ウェハーの外形を有している。つまり、必要な場合、平面（Flat）も有している（つまり、結晶方向を識別する（Kennzeichnung）ために平板化（Abflachung）している）。また、加工品キャリアの直径は、半導体ウェハーの直径と同じである。つまり、１”（１ツォル（Zoll）または１インチ（inch）＝２５．４ｍｍ）、２”等から、直径１２”または１３”等までである。このように直径を選択することによって、半導体ウェハーの縁は突き出ないことが補償される。さらに、加工品キャリアは、半導体ウェハーの大きさを超えては突き出ていない。このことが、例えば、負圧の発生を起こりにくくする。
【００４０】
次に、本発明の方法の他の形態を、図面に基づいて詳述する。図１は、加工品キャリアを示す平面図である。図２は、加工品キャリアを示す断面図である。図３は、加工品キャリアに半導体ウェハーを固定した図である。図４は、加工品キャリアに固定された半導体ウェハーを薄くした図である。図５は、溶媒を用いて半導体ウェハーと加工品キャリアとを分離した図である。
【００４１】
図１に、セラミックスＲＡＰＯＲ  Ｐ６５からなる加工品キャリア１０の平面図を示す。この加工品キャリア１０は、直径ＤＭ１が１２”（１ツォルは２５．４ｍｍと同じ、つまり約３００ｍｍ）のディスク型をしている。加工品キャリアに固定されるウェハーの平面にあわせるために（nachzubilden、simulate a flat）、加工品キャリア１０の側面１２が平板化されている。この加工品キャリア１０には、ウェハーが固定されるべき表面に複数の孔１４,１６が形成されている。
【００４２】
図２に、加工品キャリア１０の断面図を示す。加工品キャリア１０の厚さＤ１は、この実施例では、７７０μｍである。この厚さは、シリコンからなるウェハーの厚さ１２”に相当する。加工品キャリア１０の内部にも、複数の孔２０、２２が位置している。近接した孔は、加工品キャリア１０の内部では、上面３０（つまり、ウェハーを固定するための側面）から加工品キャリア１０の裏面３２まで延びる複数の孔経路２４、２６によって互いに接合されている。孔経路２４は比較的直線的であり、他方、孔経路２６は曲がりくねって伸びている。
【００４３】
図３に、半導体ウェハー５２と加工品キャリア１０との接合に用いられる保持装置５０を貫く断面図を示す。この保持装置５０は、保持環５６を固定する基板（Grundplatte）５４を備えている。この保持環５６の上部の内部直径は、直径ＤＭ１に相当する。その下部では、保持環５６の直径が少し短いので、加工品キャリア１０用の支え面（座面）が形成される。保持環５６上に配置された加工品キャリア１０と基板５４との間には、空洞５８が生じる。空洞５８の中央には、基板５４中に、負圧ポンプに接続された吸い込み経路６０が配置されている。
【００４４】
加工品キャリア１０を保持環５６上に配置した後、加工品キャリア１０の上面３０に接着剤（例えばエポキシ樹脂基剤（Epoxydharzbasis）の（auf）接着剤）を塗布する。接着剤６２を塗布した後、負圧ポンプのスイッチを入れると、空洞５８に負圧が発生する（矢印６４参照）。負圧によって、接着剤６２は、上面３０に位置する孔に（つまり、孔１４,１６に、および、孔経路２４,２６の開口部に）吸い込まれる。続いて、負圧がさらに保持されている状態で、厚さＤ２が７５０μｍである１２”半導体ウェハー５２を接着剤層６２の上に配置し、場合によっては軽く押し付ける。そして、接着剤６２が硬化した後、負圧ポンプのスイッチを切る。
【００４５】
この実施例では、加工品キャリア１０および接着剤６２の側面を完全に覆い、半導体ウェハー５２の側面を部分的に覆うように、保持環５６の高さを決定する。これにより、保持環５６用に充填される物質を適切に選択する際、二次空気を誘発しない。その結果、半導体ウェハー５２は均等に接着剤６２に接着する。なお、理解しやすいように、図３では、接着剤６２からなる層を、加工品キャリア１０または半導体ウェハー５２の層厚と比較して、著しく拡大して描いている。
【００４６】
そして、接着剤が硬化した後、加工品キャリア１０に固定された半導体ウェハー５２を、保持装置５０から取り出し、運搬装置（例えばウェハーカセット）を用いて研削機械（研磨機）に運搬する。そして、研削機械を用いて、半導体ウェハー５２を、７５０μｍから１０５μｍに薄く研削する。研削している間、半導体ウェハー５２を保持装置中の加工品キャリア１０に保持させている。研削後、薄くなった半導体ウェハー５２を、図４に示したＣＭＰ機械７０（化学的機械研磨）に運搬し、そこで保持環７２に入れる。
【００４７】
図４に示したように、保持環７２は、ＣＭＰ機械７０の基板７４上に固定されている。研削工具７６および研磨剤（スラリ：図示せず）を用いて、半導体ウェハー５２を例えば５μｍほど薄くする。薄くなった半導体ウェハー５２ａの厚さは、１００μｍである。研削工具７６は、回転方向を示す矢印８１によって示された方向に回転する駆動軸８０と、研削ディスク８２と、研削ディスク８２に固定された研磨布８４とを備えている。
【００４８】
他の実施例では、ＣＭＰ機械７０中の加工品キャリア１０を、負圧または真空状態によって保持する。ここでは、ＣＭＰ機械７０の保持装置が、保持装置５０のように形成されている。つまり、保持装置５０と同様に、側面充填材、段のある保持環の保持面、および、少なくとも１つの吸い込み経路が備えられている。
【００４９】
半導体ウェハー５２ａを薄くした後、複数の他の方法工程を、加工品キャリア１０に接合された半導体ウェハー５２ａ面で実施できる。例えば、半導体ウェハー５２ａの上に複数のトランジスタを形成する工程などを挙げることができる。こうして、半導体ウェハー５２ｂが生じる。
【００５０】
これらの方法工程後に、図５に示したように、ウェル９２に存在する液状の溶媒９０を用いて半導体ウェハー５２ｂを除去する。このウェル９２は、貫通経路（Durchlasskanal）が貫通している基部９４を備えている。貫通経路９６を中心として、基板９４上には、保持環５６・７２のように、加工品キャリア１０の縁のカーブにそって（つまり、特に平面１３とあわせた形状で）、保持環９８が固定されている。この保持環９８の上部領域の直径は、直径ＤＭ１に相当する。その下部領域の直径は、もっと短く形成されている。この結果、加工品キャリア１０用の支え面が形成される。加工品キャリア１０と基板９４との間には、保持環９８によって空洞１００が形成される。溶媒を、貫通経路９６を介してポンプで注入する（矢印１０２参照）。溶媒は、孔経路２４・２６を介して接着剤６２まで達する。保持環９８の上縁は、加工品キャリア１０の側壁の半分あたりまでしか達していないため、溶媒は側面からウェル９２に漏れ出てしまう。この漏れ出た溶媒は、外から、接着剤６２を充填した接着接合部に達し、溶液工程をさらに促進する。他の実施例では、溶媒を、貫通経路９６を介して吸い出す（矢印１０４参照）。この場合も、溶媒はウェル９２から加工品キャリア１０の孔システム（Porensystem、pore system）を介して加工品キャリア１０の上面を通って接着剤層６２に達する。
【００５１】
他の実施例では、半導体ウェハー５２ｂを加工品キャリア１０からはがす前に、半導体ウェハー５２ｂの露出した面に、加工品キャリア１０のように形成されている他の加工品キャリアを固定する。この場合、半導体ウェハー５２ｂの処理を、その裏面において進めることができる。
【００５２】
図１〜図５に沿って詳述してきた方法工程によって、簡単で、効率のよい、特に損傷率が低く他に破損なく実行できる処理を行うことが可能となる。溶出工程にかかる時間は、非常に短い。さらに、加工品キャリア１０（つまり、セラミックス板）は、半導体ウェハー５２ｂをはがした後ですぐに再使用できる。
【００５３】
また、本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、それぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。
【産業上の利用可能性】
【００５４】
以上のように、本発明に係る処理方法、および加工品キャリアによれば、固形物を均等に形成でき、加工品と加工品キャリアとを簡単に分離でき、加工品を簡易に処理することができる。それゆえ、種々の固形物加工に利用可能であるが、特に、半導体ウェハーや半導体装置の製造業およびその関連産業に利用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】本実施の形態に係る加工品キャリアを示す平面図である。
【図２】本実施の形態に係る加工品キャリアを示す断面図である。
【図３】本実施の形態に係る加工品キャリアに半導体ウェハーを固定した図である。
【図４】本実施の形態に係る加工品キャリアに固定された半導体ウェハーを薄くした図である。
【図５】本実施の形態に係る溶媒を用いて半導体ウェハーと加工品キャリアとを分離した図である。
【符号の説明】
【００５６】
１０      加工品キャリア
ＤＭ１    直径
１２      側面
１３      平面
１４〜２２    孔
Ｄ１〜Ｄ３    厚さ
２４,２６     孔経路
３０      上面
３２      裏面
５０      保持装置
５２,５２ａ,５２ｂ    半導体ウェハー
５４      基板
５６      保持環
５８      空洞
６０      吸い込み経路
６２      接着剤
６４      矢印
７０      ＣＭＰ機械
７２      保持環
７４      基板
７６      研削工具
８０      駆動軸
８１      回転方向矢印
８２      研削ディスク
８４      研磨布
９０      溶媒
９２      ウェル
９４      基部
９６      貫通経路
９８      保持環
１００    空洞
１０２,１０４    矢印
【図１】
2004202684.tif 000003
【図２】
2004202684.tif 000004
【図３】
2004202684.tif 000005
【図４】
2004202684.tif 000006
【図５】
2004202684.tif 000007