(57)【要約】【課題】明暗部の混在した被写体についての高画質画像の撮像を可能とした撮像装置を提供する。【解決手段】受光素子の電気信号レベルとの比較値としての閾値電気信号レベルを時間（ｔ）とともに増加する関数Ｖｔｈ（ｔ）として設定し、低輝度光受光素子であっても短時間で閾値Ｖｔｈ（ｔ）との交錯を発生させて、受光素子の受光エネルギー量の算出を可能とした。また、明るさが時間変化する領域と、低輝度領域が混在する被写体の撮影において、輝度に応じて撮影間隔を変化させる構成としたので、明るさが急激に変化している物体が、時間とともにどのように変化しているかの情報をより正確に取得することが可能となり、かつ、暗い部分の投影像を真っ黒につぶれさせない画像を出力することが可能となる。【選択図】　図３
2004048610.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
受光強度に応じて出力ラインの電気信号レベルを変化させる受光素子と、
前記受光素子の出力ラインにおける電気信号レベルと、閾値電気信号との比較処理を実行し、前記受光素子の出力ラインの電気信号レベルが前記閾値電気信号レベルと交錯したことを条件として出力信号を送出する比較手段と、
クロック信号を入力し、前記比較手段からの出力信号の発生時刻情報を記録する記憶手段とを有し、
前記閾値電気信号を時間経過に伴って変化する閾値電気信号値（Ｖｔｈ（ｔ））として設定した構成を有することを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
前記受光素子は、イニシャライズ信号により初期設定電気信号（Ｖｉｎｉｔ）に設定され、受光強度に応じて前記出力ラインの電気信号レベルが低下する構成であり、
前記比較手段は、前記受光素子の出力ラインの電気信号レベルが、閾値電気信号（Ｖｔｈ（ｔ））以下となったことを条件として出力信号を送出する構成であり、
前記閾値電気信号（Ｖｔｈ（ｔ））は、時間経過に伴って増加する値として設定した構成を有することを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項３】
前記記憶手段は、
前記受光素子の露光により、前記出力ラインの初期設定電気信号（Ｖｉｎｉｔ）が前記閾値電気信号（Ｖｔｈ（ｔ））レベルと交錯するまでに要した時間情報（Ｔｎ）を記録する構成を有し、
前記撮像装置は、さらに、演算処理部を有し、
該演算処理部は、
前記記憶手段に記録された時間情報（Ｔｎ）とを入力し、前記受光素子の初期設定電気信号（Ｖｉｎｉｔ）と、閾値電気信号（Ｖｔｈ（ｔ））、および前記時間情報（Ｔｎ）に基づいて、受光素子の単位時間当たりの受光エネルギー値：（Ｖｉｎｉｔ−Ｖｔｈ（ｔ））／Ｔｎを計算し、該受光エネルギー値に基づいて画素値を算出する構成を有することを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項４】
前記比較手段は、
前記受光素子の電気信号レベルを増幅した電気信号レベルと、前記閾値電気信号（Ｖｔｈ（ｔ））との比較処理を実行する構成であることを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項５】
受光強度に応じて出力ラインの電気信号レベルを変化させる受光素子と、
前記受光素子の出力ラインにおける電気信号レベルと、閾値電気信号（Ｖｔｈ）との比較処理を実行し、前記受光素子の出力ラインの電気信号レベルが前記閾値電気信号（Ｖｔｈ）レベルと交錯したことを条件として出力信号を送出する比較手段と、
クロック信号を入力し、前記比較手段からの出力信号の発生時刻情報を記録する記憶手段と、
前記比較手段からの出力信号に基づいて、前記受光素子に対してリセット信号を入力し、前記出力ラインの電気信号レベルを初期設定電気信号（Ｖｉｎｉｔ）に設定するリセット信号入力手段と、
を有することを特徴とする撮像装置。
【請求項６】
前記記憶手段における時間情報記録処理、および、前記リセット信号入力手段における受光素子に対するリセット信号入力処理は、繰り返し実行され、
前記記憶手段は、
前記比較手段からの間欠的な複数の出力信号各々の発生時刻情報を連続して記録する構成を有することを特徴とする請求項５に記載の撮像装置。
【請求項７】
前記記憶手段は、
前記受光素子の露光により、前記出力ラインの初期設定電気信号（Ｖｉｎｉｔ）が前記閾値電気信号（Ｖｔｈ）レベルと交錯するまでに要した時間情報（Ｔｎ）を連続して記録する構成を有し、
前記撮像装置は、さらに、演算処理部を有し、
該演算処理部は、
前記記憶手段に記録された連続する２つの時間情報（Ｔｘ），（Ｔｙ）とを入力し、前記受光素子の初期設定電気信号（Ｖｉｎｉｔ）と、閾値電気信号（Ｖｔｈ）、および前記連続する２つの時間情報（Ｔｘ），（Ｔｙ）に基づいて、受光素子の単位時間当たりの受光エネルギー値：（Ｖｉｎｉｔ−Ｖｔｈ）／（Ｔｘ−Ｔｙ）を計算し、該受光エネルギー値に基づいて画素値を算出する構成を有することを特徴とする請求項５に記載の撮像装置。
【請求項８】
前記閾値電気信号を時間経過に伴って変化する閾値電気信号値（Ｖｔｈ（ｔ））として設定した構成を有することを特徴とする請求項５に記載の撮像装置。
【請求項９】
前記比較手段は、
前記受光素子の電気信号レベルを増幅した電気信号レベルと、前記閾値電気信号（Ｖｔｈ）との比較処理を実行する構成であることを特徴とする請求項５に記載の撮像装置。
【請求項１０】
受光強度に応じて出力ラインの電気信号レベルを変化させる受光素子と、
前記受光素子の出力ラインにおける電気信号レベルと、閾値電気信号（Ｖｔｈ）との比較処理を実行し、前記受光素子の出力ラインの電気信号レベルが前記閾値電気信号（Ｖｔｈ）レベルと交錯したことを条件として出力信号を送出する比較手段と、
クロック信号を入力し、前記比較手段からの出力信号の発生時刻情報を記録する第１の記憶手段と、
前記受光素子の出力ラインの電気信号レベルを連続的に記録し、前記比較手段からの出力信号の発生時刻における記録電気信号レベルを保持する第２の記憶手段と、
を有することを特徴とする撮像装置。
【請求項１１】
前記撮像装置は、さらに、
前記比較手段からの出力信号に基づいて、前記受光素子に対してリセット信号を入力し、前記出力ラインの電気信号レベルを初期設定電気信号（Ｖｉｎｉｔ）に設定するリセット信号入力手段を有することを特徴とする請求項１０に記載の撮像装置。
【請求項１２】
前記第１の記憶手段における時間情報記録処理、前記第２の記憶手段における電気信号レベル記録保持処理、および、前記リセット信号入力手段における受光素子に対するリセット信号入力処理は、繰り返し実行され、
前記第１の記憶手段は、
前記比較手段からの間欠的な複数の出力信号各々の発生時刻情報を連続して記録する構成を有し、
前記第２の記憶手段は、
前記比較手段からの間欠的な複数の出力信号各々の発生時刻における記録電気信号レベルを個別に保持する構成を有することを特徴とする請求項１０に記載の撮像装置。
【請求項１３】
前記第１の記憶手段は、
前記受光素子の露光により、前記出力ラインの初期設定電気信号（Ｖｉｎｉｔ）が前記閾値電気信号（Ｖｔｈ）レベルと交錯するまでに要した時間情報（Ｔｎ）を連続して記録する構成を有し、
前記撮像装置は、さらに、演算処理部を有し、
該演算処理部は、
前記第１の記憶手段に記録された連続する２つの時間情報（Ｔｘ），（Ｔｙ）と、前記第２の記憶手段に記録された時間情報（Ｔｘ）に対応する電気信号レベル（Ｖｘ）とを入力し、前記受光素子の初期設定電気信号（Ｖｉｎｉｔ）と、前記連続する２つの時間情報（Ｔｘ），（Ｔｙ）、および電気信号レベル（Ｖｘ）に基づいて、受光素子の単位時間当たりの受光エネルギー値：（Ｖｉｎｉｔ−Ｖｘ）／（Ｔｘ−Ｔｙ）を計算し、該受光エネルギー値に基づいて画素値を算出する構成を有することを特徴とする請求項１０に記載の撮像装置。
【請求項１４】
前記閾値電気信号を時間経過に伴って変化する閾値電気信号値（Ｖｔｈ（ｔ））として設定した構成を有することを特徴とする請求項１０に記載の撮像装置。
【請求項１５】
前記第２の記憶手段は、アナログ値を記憶するアナログメモリとして構成され、前記出力ラインの電気信号レベルをアナログ値として記録する構成であることを特徴とする請求項１０に記載の撮像装置。
【請求項１６】
前記第２の記憶手段は、
複数のデータ記録領域を有し、
前記比較手段からの間欠的な複数の出力信号各々の発生時刻における記録電気信号レベルを、前記複数のデータ記録領域に個別に保持する構成であることを特徴とする請求項１０に記載の撮像装置。
【請求項１７】
前記比較手段は、
前記受光素子の電気信号レベルを増幅した電気信号レベルと、前記閾値電気信号（Ｖｔｈ）との比較処理を実行する構成であることを特徴とする請求項１０に記載の撮像装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、撮像装置に関する。さらに詳細には、明るい部分と暗い部分、すなわち高輝度領域および低輝度領域の混在する被写体の撮影画像の画質向上を可能とし、さらに、輝度の変化する被写体の撮影画像における輝度変化の高精度な解析を可能とした撮像装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
昨今、デジタルカメラが一般的となってきた。デジタルカメラにおいては、撮影された画像信号をデジタル化した後、フラッシュメモリなどの記録媒体を媒介として、あるいはケーブル接続や赤外線通信などによりパーソナルコンピュータ（ＰＣ）などの情報処理装置に転送することが可能であり、データを受信したＰＣでは、画像をＣＲＴや液晶ディスプレイなどのモニタに表示することが可能である。
【０００３】
撮像装置により撮影された１枚の画像は、複数の画素データから構成される。例えば、ビデオカメラでは、横７２０画素、縦４８０画素に対応する７２０×４８０の受光素子各々の受光に基づいて画像が形成される。スチルカメラの場合は、例えば数十万から数百万画素であり、これら１つ１つの画素は、撮像装置内にある受光部の１つ１つの受光素子に対応している。各画素データの値（画素値）は、露出時間内に各受光素子に入射された光エネルギーの量に比例する。換言すれば、各画素の画素値は単位時間当たりに入射された光エネルギーの量に比例する。
【０００４】
１画素あたりに８ビットデータが割り当てられる場合、各画素データのとり得る画素値は０から２５５までの２５６段階である。０は最小輝度であり、受光素子に全く光エネルギーが来なかった、つまり、暗かったことを意味する。反対に、２５５は最大輝度、すなわち最も明るいことを意味する。画素データが２である画素は、画素データ１の画素に対して、単位時間当たり２倍の光エネルギーを受光したことを意味する。
【０００５】
前述のように、ビデオカメラでは、７２０×４８０画素、スチルカメラでは、数十万から数百万画素を有するが、画像を撮影する場合、これら多数の受光素子に対する露光時間（または露出時間）は全ての画素において共通の時間となる。
【０００６】
例えば、ある撮影画像−Ａのある画素に対応する受光素子の露出時間が、時刻Ｔ１から時刻Ｔ２であった場合、その撮影画像−Ａを構成する全ての画素において、露出時間は、時刻Ｔ１から時刻Ｔ２となる。なお、Ｔ２−Ｔ１は、およそ１／３０秒から１／１０００秒程度が一般的である。Ｔ２−Ｔ１が、画像−Ａを撮影したときの「撮影間隔」と呼ばれる。
【０００７】
例えば、およそ１／３０秒から１／１０００秒程度に１つの画像、すなわち１つのフレームを生成し、複数フレームを連続して撮影することで動画が撮影される。各フレームは、１つの画像から成り、１つのフレーム画像は、すべての画素が、特定の時刻から特定時間間隔（露出時間）の間、露光されて作成される。
【０００８】
このように、従来の撮像装置は、全ての画素において、露出間隔を同一にして撮影が行なわれる。そのため、いろいろな制約が発生し問題となっていた。その問題点について、以下に説明する。
【０００９】
例えば、ビデオカメラ、あるいはスチルカメラ等の撮像装置が、被写体の撮影を行なう場合、被写体に明るいところと、暗いところが混在する場合である。被写体の高輝度部の投影像が投影される受光素子の光エネルギーがオーバーフローしないように撮像装置の露出時間を短く設定すると、低輝度の投影像が投影される受光素子には十分な光エネルギーが得られず、真っ黒な投影像となってしまう。
【００１０】
反対に、受光部内の暗い側の投影像が投影される受光素子の光エネルギーが十分になるように露出時間を長く設定すると、明るい側の投影像が投影される受光素子には多すぎる光エネルギーが入射されてオーバーフローとなり、真っ白な投影像となってしまう。つまり、明るい部分の投影像をオーバーフローさせずに、かつ、暗い部分の投影像を真っ黒につぶれさせないようにすることは不可能であった。これを「従来構成の欠点１」とする。
【００１１】
さらに、「従来構成の欠点２」として以下のような問題がある。例えば、暗い背景の中で、明るさが急激に時間とともに変化している物体を連続撮影する場合である。明るさが急激に変化している物体が、時間とともにどのように変化しているかを、撮影された複数の画像フレームに基づいて解析するには、露出時間を短くして連続撮影することが必要となる。
【００１２】
しかし、このように露出時間を短くして連続撮影した場合、画像１枚１枚に着目すると、露出時間が短いため、暗い背景に対応する画像を受ける受光素子には十分な光エネルギーが入射されず、真っ黒な投影像となってしまい、暗部の良好な画像が取得できなくなる。
【００１３】
反対に、暗い背景に対応する暗い投影像が投影される受光素子の光エネルギーが十分になるように露出時間を長く設定して連続撮影すると、各画像フレームの時間間隔が長くなり、その結果、明るさが急激に変化している物体の明るさの変化の遷移を正確に解析することができなくなる。このように、明暗部のある画像を連続画像として撮影して、明るい部分の輝度変化の解析を行なおうとする場合において、明部、暗部ともに明瞭な画像を得ることができなくなる。これを「従来構成の欠点２」とする。
【００１４】
上述の、「従来構成の欠点１」を解決する撮像装置として、「Ｄａｖｉｄ　Ｓｔｏｐｐａ　ｅｔ　ａｌ．，　”Ａ　１３８ｄＢ　Ｄｙｎａｍｉｃ　Ｒａｎｇｅ　ＣＭＯＳ　Ｉｍａｇｅ　Ｓｅｎｓｏｒ　ｗｉｔｈ　Ｎｅｗ　Ｐｉｘｅｌ　Ａｒｃｈｉｔｅｃｔｕｒｅ”，　ＩＥＥＥ　Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ　Ｓｏｌｉｄ−Ｓｔａｔｅ　Ｃｉｒｃｕｉｔｓ　Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ　Ｄｉｇｅｓｔ　ｏｆ　Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ　Ｐａｐｅｒｓ，　ｐｐ．　４０−４１，　２００２」や、「特開２００１−３２６８５７：演算機能付き撮像素子」や、「吉村真一、“ＣＭＯＳ　イメージセンサの高画質化とアプリケーション”、信学技報ＩＣＤ２００１−９７」などが考案されている。
【００１５】
これらの文献において説明されている撮像装置の特徴は、以下のとおりである。まず、最初に、撮像装置の各受光素子においてあるレベルの電気信号が初期設定電気信号（Ｖｉｎｉｔ）レベル（例えば初期電位）としてセットされる。
【００１６】
その後、撮影により露光が始まる。露光され続けている間、各受光素子に設定された電気信号が流出し、電気信号はゼロに向かう。これは、光エネルギーが受光素子に届くと、それに比例して電気信号が流出するからである。電気信号がゼロに向かう速さは、その受光素子に入射される光エネルギーの量に比例する。
【００１７】
時々刻々と減衰していく電気信号を比較器において特定の閾値（Ｖｔｈ）と比較する。そして、各受光素子の電気信号レベルが閾値（Ｖｔｈ）を下回った瞬間の時刻（Ｔｃ）を記録する。各受光素子に対して、この時間Ｔｃを使って、（Ｖｉｎｉｔ−Ｖｔｈ）／Ｔｃを計算することで、その受光素子に入射される単位時間当たりの光エネルギーを知ることが出来る。
【００１８】
このように、各画素に対応する受光素子の受光エネルギーを計測して、過度な光エネルギー、あるいは過小な光エネルギーの受光時間を避けて、適度な光エネルギーの受光時間を各受光素子に設定することで、広ダイナミックレンジの撮像装置を提供できる。従って、オーバーフローが起こりにくくなり、明るい部分の投影像をオーバーフローさせずに、かつ、暗い部分の投影像を真っ黒につぶれさせないように撮影を行うことが出来る。この構成により、上述した「従来構成の欠点１」が克服される。
【００１９】
しかしながら、上述した構成においても、外部から入射される単位時間当たりの光エネルギーが非常に少ない受光素子では、なかなか電気信号が減衰しないので、Ｖｔｈを下回るまでかなりの時間がかかってしまうという欠点があった。これを「従来構成の欠点３」とする。
【００２０】
また、これらの改良された撮像装置を使っても、各受光素子は、Ｖｔｈを下回った時点での時刻を記録した後は、一番暗い受光素子の時刻記録が行われるまで、何もしないで待っていた。つまり、「全ての画素において、撮影間隔が同じであるという撮像装置」である。従って、依然として、「従来構成の欠点２」を解決するものとはっなていない。
【００２１】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、このような状況に鑑みてなされたものであり、高輝度領域としての明部、低輝度領域としての暗部が混在する被写体画像の撮影、または輝度変化のある被写体の撮影において、輝度の高い部分および輝度の低い部分の画像領域の双方を明瞭な画像として撮影することを可能とする撮像装置を提供することを目的とする。
【００２２】
さらに、本発明は、輝度が変化する領域と、低輝度領域が混在する被写体画像を撮影して、輝度変化領域の輝度変化情報を取得する構成において、より正確な輝度変化情報の取得を可能とした撮像装置を提供することを目的とする。
【００２３】
【課題を解決するための手段】
本発明の第１の側面は、
受光強度に応じて出力ラインの電気信号レベルを変化させる受光素子と、
前記受光素子の出力ラインにおける電気信号レベルと、閾値電気信号との比較処理を実行し、前記受光素子の出力ラインの電気信号レベルが前記閾値電気信号レベルと交錯したことを条件として出力信号を送出する比較手段と、
クロック信号を入力し、前記比較手段からの出力信号の発生時刻情報を記録する記憶手段とを有し、
前記閾値電気信号を時間経過に伴って変化する閾値電気信号値（Ｖｔｈ（ｔ））として設定した構成を有することを特徴とする撮像装置にある。
【００２４】
さらに、本発明の撮像装置の一実施態様において、前記受光素子は、イニシャライズ信号により初期設定電気信号（Ｖｉｎｉｔ）に設定され、受光強度に応じて前記出力ラインの電気信号レベルが低下する構成であり、前記比較手段は、前記受光素子の出力ラインの電気信号レベルが、閾値電気信号（Ｖｔｈ（ｔ））以下となったことを条件として出力信号を送出する構成であり、前記閾値電気信号（Ｖｔｈ（ｔ））は、時間経過に伴って増加する値として設定した構成を有することを特徴とする。
【００２５】
さらに、本発明の撮像装置の一実施態様において、前記記憶手段は、前記受光素子の露光により、前記出力ラインの初期設定電気信号（Ｖｉｎｉｔ）が前記閾値電気信号（Ｖｔｈ（ｔ））レベルと交錯するまでに要した時間情報（Ｔｎ）を記録する構成を有し、前記撮像装置は、さらに、演算処理部を有し、該演算処理部は、前記記憶手段に記録された時間情報（Ｔｎ）とを入力し、前記受光素子の初期設定電気信号（Ｖｉｎｉｔ）と、閾値電気信号（Ｖｔｈ（ｔ））、および前記時間情報（Ｔｎ）に基づいて、受光素子の単位時間当たりの受光エネルギー値：（Ｖｉｎｉｔ−Ｖｔｈ（ｔ））／Ｔｎを計算し、該受光エネルギー値に基づいて画素値を算出する構成を有することを特徴とする。
【００２６】
さらに、本発明の撮像装置の一実施態様において、前記比較手段は、前記受光素子の電気信号レベルを増幅した電気信号レベルと、前記閾値電気信号（Ｖｔｈ（ｔ））との比較処理を実行する構成であることを特徴とする。
【００２７】
さらに、本発明の第２の側面は、
受光強度に応じて出力ラインの電気信号レベルを変化させる受光素子と、
前記受光素子の出力ラインにおける電気信号レベルと、閾値電気信号（Ｖｔｈ）との比較処理を実行し、前記受光素子の出力ラインの電気信号レベルが前記閾値電気信号（Ｖｔｈ）レベルと交錯したことを条件として出力信号を送出する比較手段と、
クロック信号を入力し、前記比較手段からの出力信号の発生時刻情報を記録する記憶手段と、
前記比較手段からの出力信号に基づいて、前記受光素子に対してリセット信号を入力し、前記出力ラインの電気信号レベルを初期設定電気信号（Ｖｉｎｉｔ）に設定するリセット信号入力手段と、
を有することを特徴とする撮像装置にある。
【００２８】
さらに、本発明の撮像装置の一実施態様において、前記記憶手段における時間情報記録処理、および、前記リセット信号入力手段における受光素子に対するリセット信号入力処理は、繰り返し実行され、前記記憶手段は、前記比較手段からの間欠的な複数の出力信号各々の発生時刻情報を連続して記録する構成を有することを特徴とする。
【００２９】
さらに、本発明の撮像装置の一実施態様において、前記記憶手段は、前記受光素子の露光により、前記出力ラインの初期設定電気信号（Ｖｉｎｉｔ）が前記閾値電気信号（Ｖｔｈ）レベルと交錯するまでに要した時間情報（Ｔｎ）を連続して記録する構成を有し、前記撮像装置は、さらに、演算処理部を有し、該演算処理部は、前記記憶手段に記録された連続する２つの時間情報（Ｔｘ），（Ｔｙ）とを入力し、前記受光素子の初期設定電気信号（Ｖｉｎｉｔ）と、閾値電気信号（Ｖｔｈ）、および前記連続する２つの時間情報（Ｔｘ），（Ｔｙ）に基づいて、受光素子の単位時間当たりの受光エネルギー値：（Ｖｉｎｉｔ−Ｖｔｈ）／（Ｔｘ−Ｔｙ）を計算し、該受光エネルギー値に基づいて画素値を算出する構成を有することを特徴とする。
【００３０】
さらに、本発明の撮像装置の一実施態様において、前記閾値電気信号を時間経過に伴って変化する閾値電気信号値（Ｖｔｈ（ｔ））として設定した構成を有することを特徴とする。
【００３１】
さらに、本発明の撮像装置の一実施態様において、前記比較手段は、前記受光素子の電気信号レベルを増幅した電気信号レベルと、前記閾値電気信号（Ｖｔｈ）との比較処理を実行する構成であることを特徴とする。
【００３２】
さらに、本発明の第３の側面は、
受光強度に応じて出力ラインの電気信号レベルを変化させる受光素子と、
前記受光素子の出力ラインにおける電気信号レベルと、閾値電気信号（Ｖｔｈ）との比較処理を実行し、前記受光素子の出力ラインの電気信号レベルが前記閾値電気信号（Ｖｔｈ）レベルと交錯したことを条件として出力信号を送出する比較手段と、
クロック信号を入力し、前記比較手段からの出力信号の発生時刻情報を記録する第１の記憶手段と、
前記受光素子の出力ラインの電気信号レベルを連続的に記録し、前記比較手段からの出力信号の発生時刻における記録電気信号レベルを保持する第２の記憶手段と、
を有することを特徴とする撮像装置にある。
【００３３】
さらに、本発明の撮像装置の一実施態様において、前記撮像装置は、さらに、前記比較手段からの出力信号に基づいて、前記受光素子に対してリセット信号を入力し、前記出力ラインの電気信号レベルを初期設定電気信号（Ｖｉｎｉｔ）に設定するリセット信号入力手段を有することを特徴とする。
【００３４】
さらに、本発明の撮像装置の一実施態様において、前記第１の記憶手段における時間情報記録処理、前記第２の記憶手段における電気信号レベル記録保持処理、および、前記リセット信号入力手段における受光素子に対するリセット信号入力処理は、繰り返し実行され、前記第１の記憶手段は、前記比較手段からの間欠的な複数の出力信号各々の発生時刻情報を連続して記録する構成を有し、前記第２の記憶手段は、前記比較手段からの間欠的な複数の出力信号各々の発生時刻における記録電気信号レベルを個別に保持する構成を有することを特徴とする。
【００３５】
さらに、本発明の撮像装置の一実施態様において、前記第１の記憶手段は、前記受光素子の露光により、前記出力ラインの初期設定電気信号（Ｖｉｎｉｔ）が前記閾値電気信号（Ｖｔｈ）レベルと交錯するまでに要した時間情報（Ｔｎ）を連続して記録する構成を有し、前記撮像装置は、さらに、演算処理部を有し、該演算処理部は、前記第１の記憶手段に記録された連続する２つの時間情報（Ｔｘ），（Ｔｙ）と、前記第２の記憶手段に記録された時間情報（Ｔｘ）に対応する電気信号レベル（Ｖｘ）とを入力し、前記受光素子の初期設定電気信号（Ｖｉｎｉｔ）と、前記連続する２つの時間情報（Ｔｘ），（Ｔｙ）、および電気信号レベル（Ｖｘ）に基づいて、受光素子の単位時間当たりの受光エネルギー値：（Ｖｉｎｉｔ−Ｖｘ）／（Ｔｘ−Ｔｙ）を計算し、該受光エネルギー値に基づいて画素値を算出する構成を有することを特徴とする。
【００３６】
さらに、本発明の撮像装置の一実施態様において、前記閾値電気信号を時間経過に伴って変化する閾値電気信号値（Ｖｔｈ（ｔ））として設定した構成を有することを特徴とする。
【００３７】
さらに、本発明の撮像装置の一実施態様において、前記第２の記憶手段は、アナログ値を記憶するアナログメモリとして構成され、前記出力ラインの電気信号レベルをアナログ値として記録する構成であることを特徴とする。
【００３８】
さらに、本発明の撮像装置の一実施態様において、前記第２の記憶手段は、複数のデータ記録領域を有し、前記比較手段からの間欠的な複数の出力信号各々の発生時刻における記録電気信号レベルを、前記複数のデータ記録領域に個別に保持する構成であることを特徴とする。
【００３９】
さらに、本発明の撮像装置の一実施態様において、前記比較手段は、前記受光素子の電気信号レベルを増幅した電気信号レベルと、前記閾値電気信号（Ｖｔｈ）との比較処理を実行する構成であることを特徴とする。
【００４０】
【作用】
本発明の一実施構成においては、受光素子の電気信号レベルとの比較値として設定される閾値電気信号レベルを時間（ｔ）とともに増加する関数Ｖｔｈ（ｔ）として設定したので、低輝度光の受光素子においても、電気信号レベルと閾値Ｖｔｈ（ｔ）の交錯をより短時間で発生させて、受光素子の受光した単位時間当たりの光エネルギー量の対応値として、（Ｖｉｎｉｔ−Ｖｔｈ（ｔ））／Ｔ３の値を算出することが可能となり、低輝度光を受光する受光素子に対応する画素の画素値の算出が可能となり、高輝度領域、低輝度領域の混在した被写体の撮影画像の高画質化が実現される。
【００４１】
さらに、本発明一実施構成における輝度に応じた撮影間隔の変化構成により、比較的高輝度で明るさが時間変化する領域と、低輝度領域が混在する被写体の撮影において、明るさが急激に変化している物体が、時間とともにどのように変化しているかの情報をより正確に取得することが可能となり、かつ、暗い部分の投影像を真っ黒につぶれさせない画像を出力することが可能となる。
【００４２】
さらに、本発明の電気信号レベル記録する構成例によれば、閾値電気信号（Ｖｔｈ）以下となった時点の受光素子の電気信号レベルを正確に記録することが可能となり、その記録値に基づいて、受光素子の単位時間当たりの受光エネルギーを算出し、各受光素子に対応する画素値をより正確に求めることが可能となる。
【００４３】
本発明のさらに他の目的、特徴や利点は、後述する本発明の実施例や添付する図面に基づくより詳細な説明によって明らかになるであろう。
【００４４】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照しながら、本発明の撮像装置について説明する。なお、本発明の撮像装置は、上述の従来技術の欄で説明した１つの撮像装置構成、すなわち、撮像装置の各受光素子に、あるレベルの電気信号を初期設定電気信号（Ｖｉｎｉｔ）としてセットし、露光による減衰電気信号を比較器において閾値電気信号（Ｖｔｈ）と比較して、各受光素子の受光エネルギーを解析する構成を適用したものである。
【００４５】
本発明の撮像装置は、さらに、高輝度領域としての明部、低輝度領域としての暗部が混在する被写体画像の撮影、または輝度変化のある被写体の撮影において、輝度の高い部分および輝度の低い部分の画像領域の双方を明瞭な画像として撮影することを可能とした構成を有する。以下、本発明の撮像装置について、３つの実施例に分けてそれぞれを順次、説明する。
【００４６】
第１の実施例は、撮像装置の各受光素子の露光による減衰電気信号との比較器における比較値として設定される閾値電気信号（Ｖｔｈ）を可変にした構成である。本実施例構成によって、従来技術の欄で説明した「従来構成の欠点３」の問題を発生させることなく、「従来構成の欠点１」の問題点が解決される。すなわち、高輝度領域、低輝度領域の混在する画像を明瞭に、かつ、時間のロスを発生させずに撮影することが可能となる。
【００４７】
第２の実施例は、高輝度領域（明るい部分）を投影する受光素子は、低輝度領域（暗い部分）を投影する受光素子よりも早い間隔での撮影処理を行なう。例えば、高輝度領域（明るい部分）を投影する受光素子は、低輝度領域（暗い部分）を投影する受光素子の１回の撮影の間に複数回撮影を行う構成例である。この構成により、「従来構成の欠点１」および「従来構成の欠点２」の両方を克服することが出来る。すなわち、高輝度領域、低輝度領域の混在する画像を明瞭に撮影可能となるとともに、明暗部のある画像を連続画像として撮影して、明るい部分の輝度変化の解析を行なう構成において、明部、暗部ともに明瞭な画像を得ることが可能となる。
【００４８】
なお、第２実施例の撮像装置構成は、画素ごとに撮影間隔が違う構成であり、１つの画像においてフレームという概念はない。従って、「画像全体の撮影時間間隔」ではなく、「各画素毎の撮影時間間隔」の設定の下で画像撮影を行なう構成である。
【００４９】
第３の実施例は、実施例２の一部の構成を変更した撮像装置であり、各受光素子の単位時間当たりの光エネルギーの量を正確に算出することを可能とし、精度の高い画素データを求めることを可能とした構成例である。
【００５０】
以下、各実施例の構成の詳細について説明するが、これらの実施例の構成は、それぞれに独立して実施することは勿論、融合した構成として実施することも可能である。すなわち、以下で説明する実施例１〜３の構成を併せ持つ撮像装置も可能である。
【００５１】
［実施例１］
まず、本発明の第１の実施例について説明を行う。図１に、本発明の第１の実施例の撮像装置内に構成される各撮像素子の信号処理部の回路構成を示す。
【００５２】
図１（ａ）に示すように、撮像装置の受光部１０には、横ｍ画素、縦ｎ画素に対応するｍ×ｎ個の受光素子を有する。図１（ｂ）は、１画素分に相当する信号処理部１００を示す図である。撮像装置には、図１（ｂ）に示す信号処理部が「画素数分：ｍ×ｎ」個、構成される。
【００５３】
信号処理部１００は、受光素子１０１、比較器１０２、記憶部１０３を有する。必要に応じて、受光素子１０１の出力に対する増幅回路を設けてもよい。受光素子１０１は、例えばフォトダイオードであり、露光期間に受光する光エネルギーの量に応じた電気信号を比較器１０２に出力する出力ライン上に発生させる。
【００５４】
受光素子１０１は、リセット端子（Ｒｅｓｅｔ）を有し、外部から付与されるイニシャライズ信号（Ｉｎｉｔｉａｌｉｚｅ）が、受光素子１０１のリセット端子に伝えられ、受光素子１０１のリセット処理が行われる。
【００５５】
受光素子１０１は、リセットが行われると、０でない所望の電気信号レベル、すなわち初期設定電気信号（Ｖｉｎｉｔ）レベルが、受光素子１０１の比較器１０２に対する出力ライン上にセットされる。初期設定電気信号（Ｖｉｎｉｔ）レベルは、例えば電圧値としての初期電位を示す。被写体の撮影の開始、すなわち露光が開始されると、受光素子１０１に光が入射され、光エネルギーの量に応じて電気信号が出力し、初期設定電気信号（Ｖｉｎｉｔ）レベルは、受光する光エネルギーの量に応じて減衰して行く。
【００５６】
受光素子１０１からの電気信号は、比較器１０２に入力される。一方の入力端子には、閾値電気信号（Ｖｔｈ）が入力される。閾値電気信号（Ｖｔｈ）は、例えば電圧値としての閾値電位値である。なお、詳細は後述するが、本実施例の撮像装置においては、この閾値電気信号（Ｖｔｈ）の値は、時間（ｔ）とともに変化していく値、すなわち、Ｖｔｈ＝Ｖｔｈ（ｔ）として示される。
【００５７】
比較器１０２の他方の入力端子には、受光素子１０１での電気信号の値が入力される。比較器１０２では、これら２つの入力端子からの値の比較が常に行われ、閾値電気信号（Ｖｔｈ）レベルよりも受光素子１０１からの出力ラインの入力電気信号レベルが小さくなったときに、記憶部（デジタルメモリ）１０３に対する出力信号を出力する。
【００５８】
記憶部（デジタルメモリ）１０３は、クリア端子（Ｃｌｅａｒ）を有し、外部から付与されるイニシャライズ信号（Ｉｎｉｔｉａｌｉｚｅ）が、記憶部（デジタルメモリ）１０３のクリア端子（Ｃｌｅａｒ）に入力されると、記憶部（デジタルメモリ）１０３の内容は消去される。
【００５９】
記憶部（デジタルメモリ）１０３は、時刻（デジタルデータ）を記録する。すなわち、記憶部（デジタルメモリ）１０３のクリア端子（Ｃｌｅａｒ）からの信号を受けた後に、クロックＡ端子（ＣｌｋＡ）から入力されるクロック数をカウントして、比較器１０２からの出力信号が、はじめて出力されたときに、そのクロック数を記録する。すなわち、記憶部１０３は、受光素子１０１の露光により、受光素子１０１の出力ラインの初期設定電気信号（Ｖｉｎｉｔ）が閾値電気信号（Ｖｔｈ）レベルと交錯するまでに要した時間情報（Ｔｎ）を記録する。
【００６０】
記憶部（デジタルメモリ）１０３において、記録されたクロック数は、演算処理部１１１に出力される。演算処理部は、受光部１０を構成するｍ×ｎ個の受光素子に対応する信号処理回路から、各画素毎のクロック数を入力し、クロック数に応じた輝度値を算出し、算出輝度値に応じた画像を構成して画像出力部１１２において画像を出力する。
【００６１】
図１に示す信号処理部１００の動作を、図２に示す信号処理部１００における各信号のタイミングチャートを用いて説明する。図２のタイミングチャートは、上段から、受光素子１０１および、記憶部１０３に入力されるイニシャライズ信号（Ｉｎｉｔｉａｌｉｚｅ）、記憶部１０３に入力されるクロック信号、比較器１０２から記憶部１０３に対する出力信号を示している。
【００６２】
記憶部１０３に入力されるクロック信号（ＣｌｋＡ）により各信号の制御タイミングが決定される。まず、露光開始時刻である時刻０までに、イニシャライズ信号（Ｉｎｉｔｉａｌｉｚｅ）が受光素子１０１および、記憶部１０３に入力される。
【００６３】
受光素子の露光により、受光素子から電気信号が発生し、電気信号レベルが低下する。その結果、受光素子１０１から比較器１０２に接続されたラインにおける電気信号レベルが、閾値電気信号（Ｖｔｈ）レベルと等しくなると、比較器１０２から、出力信号が出力される。図２中では、時刻Ｔ１−１からＴ１の間において、比較器１０２から、出力信号が出力されている。
【００６４】
比較器１０２から、出力信号が出力された直後のクロックＡ（ＣｌｋＡ）の立ち上がりにより、記憶部（デジタルメモリ）１０３に、それまでのクロック数（即ち、Ｔ１という値）が記録される。なお、記憶部（デジタルメモリ）１０３は、時刻Ｔ１において一度時刻（Ｔ１）の記録を行なうと、その記憶データは、イニシャライズ信号（Ｉｎｉｔｉａｌｉｚｅ）によりクリアされない限り、新たな時刻データは記憶しない。記憶部（デジタルメモリ）１０３の記録データは、演算処理部１１１に出力され、記録クロック数に応じた輝度値（画素値）が算出される。
【００６５】
信号処理動作を規定するクロック、すなわち図２のクロックＡ（ＣｌｋＡ）のクロック動作速度は、受光素子１０１の電気信号の変化に比べて、十分に早いクロック動作速度とする。従って、受光素子１０１の電気信号の変化を十分な精度でクロック数に対応させることが可能となる。すなわち、受光素子１０１から比較器１０２に対する入力電気信号レベルが、閾値電気信号（Ｖｔｈ）レベルと等しくなり、比較器１０２が信号を出力して、その信号出力タイミングにおいて記憶部１０３が記録するクロック数は、受光素子の電気信号の変化、すなわち露光量としての受光エネルギー量を精度よく反映したクロック数とすることができる。従って、演算処理部１１１では、記録クロック数に応じた輝度値（画素値）を精度よく算出することが可能となる。
【００６６】
図３を参照して、本実施例の特徴である閾値電気信号レベルの時間的変化の態様、および、記憶部におけるクロックカウント処理について説明する。
【００６７】
図３は、Ｘ軸に時間（ｔ）経過、Ｙ軸に電気信号レベル（例えば電圧値）を示し、３つの異なる輝度レベルの光を受光する３つの受光素子の電気信号レベルの時間的推移３０３〜３０５と、本発明の撮像装置における比較器１０２に入力する閾値電気信号レベルＶｔｈ（ｔ）の時間的推移３０１と、従来の一定値の閾値電気信号レベルＶｔｈ’３０２を示している。
【００６８】
図３に示す時間軸の時間間隔は、図２に示す時間軸の時間間隔に比べてとても長いので、図３においては時間方向に対して連続的に動作が行われるように説明している。図２は、ミクロ的な動作を説明していて、図３はマクロ的な動作を説明していると考えても良い。
【００６９】
図３において、実線３０１が本発明の撮像装置において、比較器１０２に入力する閾値電気信号レベルＶｔｈ（ｔ）の値である。実線３０１で表されるＶｔｈは、図に示すように時間（ｔ）とともに増加する関数である。そこで、時間を表すパラメータをｔとして、Ｖｔｈがｔの関数であることを明示的に表すために、Ｖｔｈ（ｔ）と書くことにする。Ｖｔｈ（ｔ）は既知である。
【００７０】
図３において、点線３０２が従来の閾値電気信号レベルＶｔｈ’、即ち、時間とともに変化しない一定値として設定された閾値である。この従来の閾値電気信号レベルＶｔｈ’を、本発明の閾値電気信号レベルＶｔｈ（ｔ）と区別するため、Ｖｔｈ’と書くことにする。Ｖｔｈ’は一定で、Ｖｔｈ’＝Ｖｔｈ（０）である。
【００７１】
なお、ｔ＝０において、図２を用いて説明したように、各受光素子は特定の初期設定電気信号（Ｖｉｎｉｔ）レベルの電気信号がセットされるとしている。
【００７２】
各受光素子はｔ＝０から露光が始まる。ここで３つの受光素子（第１の受光素子と第２の受光素子と第３の受光素子）について着目する。第１の受光素子には、撮影対象のうち明るい部分（高輝度部）が投影されているとする。第２の受光素子には、対称物体のうち中程度の明るさを持つ部分（中輝度部）が投影されているとする。第３の受光素子には、対称物体のうちとても暗い部分（低輝度部）が投影されているとする。
【００７３】
従って、各受光素子の電気信号のレベルは、時間とともに、図３の第１の受光素子（高輝度光受光素子）の電気信号変化３０３、第２の受光素子（中輝度光受光素子）の電気信号変化３０４、第３の受光素子（低輝度光受光素子）の電気信号変化３０５で示されるように変化していく。第１の受光素子のレベルは、入射される単位時間当たりの光エネルギーが多いためかなり急峻にゼロへと向かう（図３の３０３）。第２の受光素子のレベルは、比較的ゆるやかにゼロへと向かう（図３の３０４）。第３の受光素子のレベルは、ほとんど光エネルギーが入射されないため、傾きはとてもゆるやかである（図３の３０５）。
【００７４】
ここで、従来の場合の動作について簡単に述べておく。各受光素子の電気信号は、各時刻においてＶｔｈ’と比較され、その電気信号がＶｔｈ’以下になる時刻を求めることで、その受光素子に投影されている単位時間当たりの光エネルギーを知ることができる。具体的には、第１の受光素子（高輝度光受光素子）の電気信号の変化は、図３の３０３に示されているが、この電気信号がＶｔｈ’以下となる瞬間は、図３に示した時刻Ｔ１’である。（Ｖｉｎｉｔ−Ｖｔｈ’）／Ｔ１’を計算し、その値に基づいて対応する画素の画素値が設定される。
【００７５】
同様に、第２の受光素子（中輝度光受光素子）の電気信号の変化は、図３の３０４に示されているが、この電気信号がＶｔｈ’以下となる瞬間は、図３に示した時刻Ｔ２’である。（Ｖｉｎｉｔ−Ｖｔｈ’）／Ｔ２’を計算し、その値を、対応する画素データの値としている。このことは、「吉村真一、“ＣＭＯＳ　イメージセンサの高画質化とアプリケーション”、信学技報ＩＣＤ２００１−９７」の図１１にも述べられている。
【００７６】
第３の受光素子（低輝度光受光素子）の電気信号の変化は、図３の３０５に示されているが、傾きはほとんどゼロであり、この装置の最大撮影時間（Ｔｚ）内に、従来の撮像装置における閾値電気信号レベル：Ｖｔｈ’と交わることはない。そのため、第３の受光素子に対応する画素データは暗すぎるために測定不能ということになる。
【００７７】
一方、本発明の撮像装置において設定される時間経過によって変化する（時間（ｔ）とともに増加する関数）閾値電気信号レベルＶｔｈ（ｔ）を適用した場合について説明する。各受光素子の電気信号は、各時刻においてＶｔｈ（ｔ）と比較され、その電気信号がＶｔｈ（ｔ）以下になる時刻を求めることで、その受光素子に投影されている単位時間当たりの光エネルギーを知ることができる。
【００７８】
具体的には、第１の受光素子（高輝度光受光素子）の電気信号の変化３０３が、閾値電気信号レベルＶｔｈ（ｔ）以下となる瞬間は、図３に示した時刻Ｔ１である。この時刻Ｔ１という時間は、図１を参照して説明した信号処理部１００における記憶部１０３に記録され、記録値が演算処理部１１１に出力され、演算処理部１１１において、受光素子（高輝度光受光素子）の受光した単位時間当たりの光エネルギー量の対応値として（Ｖｉｎｉｔ−Ｖｔｈ（Ｔ１））／Ｔ１が計算されて、その計算の結果値に基づいて対応画素の画素値が設定され、画像出力部１１２において出力表示される。なお、演算処理部１１１において算出される（Ｖｉｎｉｔ−Ｖｔｈ（Ｔ１））／Ｔ１は、第１の受光素子に入射する単位時間当たりの光エネルギーの量を表している。
【００７９】
同様に、第２の受光素子（中輝度光受光素子）の電気信号の変化３０４が、電気信号が閾値電気信号レベルＶｔｈ（ｔ）以下となる瞬間は、図３に示した時刻Ｔ２である。この時刻Ｔ２という時間は、図１を参照して説明した信号処理部１００における記憶部１０３に記録され、記録値が演算処理部１１１に出力され、演算処理部１１１において、受光素子（中輝度光受光素子）の受光した単位時間当たりの光エネルギー量の対応値として、（Ｖｉｎｉｔ−Ｖｔｈ（Ｔ２））／Ｔ２が計算されて、その計算の結果値に基づいて対応画素の画素値が設定され、画像出力部１１２において出力表示される。
【００８０】
さて、第３の受光素子（低輝度光受光素子）の電気信号の変化に着目する。第３の受光素子（低輝度光受光素子）の電気信号の変化３０５の傾きはほとんどゼロであるが、時間が経過するにつれて閾値電気信号レベルＶｔｈ（ｔ）が大きくなるので、時刻Ｔ３において、第３の受光素子（低輝度光受光素子）の電気信号レベルは、閾値電気信号レベルＶｔｈ（ｔ）を下回る。時刻Ｔ３は、この装置の最大撮影時間（Ｔｚ）内である。
【００８１】
この時刻Ｔ３という時間は、図１を参照して説明した信号処理部１００における記憶部１０３に記録され、記録値が演算処理部１１１に出力され、演算処理部１１１において、受光素子（低輝度光受光素子）の受光した単位時間当たりの光エネルギー量の対応値として、（Ｖｉｎｉｔ−Ｖｔｈ（Ｔ３））／Ｔ３を計算し、その計算の結果値に基づいて対応画素の画素値が設定され、画像出力部１１２において出力表示される。
【００８２】
このように、本実施例の撮像装置では、受光素子の電気信号レベルとの比較値として設定される閾値電気信号レベルを時間（ｔ）とともに増加する関数Ｖｔｈ（ｔ）として設定したので、従来、受光レベルが低すぎて最大撮影時間（Ｔｚ）内に、受光素子の電気信号レベルの低下が閾値以下に至らず、受光量の測定が不可能となり、実質的に撮影不能とされていた低輝度光の受光素子においても、その電気信号レベルは、時間（ｔ）とともに増加する閾値Ｖｔｈ（ｔ）と交錯することになり、受光素子の受光した単位時間当たりの光エネルギー量の対応値として、（Ｖｉｎｉｔ−Ｖｔｈ（Ｔ３））／Ｔ３の値を算出することが可能となり、低輝度光を受光する受光素子に対応する画素の画素値の算出が可能となる。
【００８３】
このように、本発明の第１実施例の構成によれば、高輝度領域、低輝度領域の混在した被写体の撮影において、それぞれの画素値をすべて高精度に算出することが可能となり、明瞭な画像を取得することが可能となる。すなわち、従来技術の欄で説明した「吉村真一、“ＣＭＯＳ　イメージセンサの高画質化とアプリケーション”、信学技報ＩＣＤ２００１−９７」と同様に「従来構成の欠点１」の克服が可能となる。
【００８４】
さらに、本実施例構成は、従来の一定の閾値Ｖｔｈ’を適用した構成に比較して、低輝度光の受光素子の電気信号レベルと閾値Ｖｔｈ（ｔ）との交錯までの時間が短縮されることになる。従って、従来技術の欄で説明した「従来構成の欠点３」、すなわち、外部から入射される単位時間当たりの光エネルギーが非常に少ない受光素子において、閾値Ｖｔｈを下回るまでかなりの時間がかかるという欠点についても、本実施例構成は解決するものとなる。
【００８５】
なお、本実施例の撮像装置は、上述の説明において示した第１の受光素子、第２の受光素子、および、第３の受光素子を含む撮像装置の全ての受光素子に対応して、図１に示す信号処理部が構成され、それぞれの信号処理部の比較器に対して時間とともに増加する閾値電気信号Ｖｔｈ（ｔ）を入力する構成を持つ。
【００８６】
［実施例２］
次に、本発明の第２実施例の構成の詳細について説明する。第２実施例は、高輝度領域（明るい部分）を投影する受光素子が、低輝度領域（暗い部分）を投影する受光素子よりも早い間隔での撮影処理を行なう構成である。本実施例の構成によれば、高輝度領域、低輝度領域の混在する画像を明瞭に撮影可能となるとともに、明暗部のある画像を連続画像として撮影して、明るい部分の輝度変化の解析を行なう構成において、輝度変化のより緻密な解析が可能となり、かつ明部、暗部ともに明瞭な画像を得ることが可能となる。
【００８７】
輝度変化の解析処理を行なう撮像装置例について図４を参照して説明する。絵画４５１に光点滅による情報送信を行なう情報出力用の光点滅手段４５２が構成され、撮像手段４５５が絵画および光点滅手段４５２を撮影し、光点滅手段の点滅パターンを解析する。点滅パターン解析により、情報、例えば絵画に関する作者情報、説明等の各種情報を取得することができる。このような構成では、絵画自体の輝度は低輝度であり、光点滅手段４５２は高輝度〜低輝度となるが、低輝度画像を明瞭に撮像し、かつ点滅パターンの輝度変化を正確に取得することが必要となる。
【００８８】
図５に、本発明の第２実施例の撮像装置内に構成される各撮像素子の信号処理部の回路構成を示す。図５（ａ）に示すように、撮像装置の受光部４０には、横ｍ画素、縦ｎ画素に対応するｍ×ｎ個の受光素子を有する。図５（ｂ）は、１画素分に相当する信号処理部４００を示す図である。撮像装置には、図５（ｂ）に示す信号処理部が「画素数分：ｍ×ｎ」個、構成される。
【００８９】
信号処理部４００は、受光素子４０１、比較器４０２、フリップフロップ（ＦＦ）４０３、ＯＲ論理回路４０５、記憶部４０５、ＯＲ論理回路４０６、ＡＮＤ論理回路４０７を有する。必要に応じて、受光素子１０１の出力に対する増幅回路を設けてもよい。受光素子４０１は、例えばフォトダイオードであり、露光期間に受光する光エネルギーの量に応じて電気信号を出力ラインを介して比較器４０２に出力する。
【００９０】
比較器４０２は、閾値電気信号（Ｖｔｈ）レベルと受光素子４０１の電気信号レベルとの比較、例えば双方の電圧値比較が行われる。受光素子４０１の電気信号レベルは、前述の実施例１と、同様、露光時間の経過に従って低下する。
【００９１】
比較器４０２は、受光素子４０１の電気信号レベルが低下し、閾値電気信号（Ｖｔｈ）レベル以下になったときに、出力をフリップフロップ４０３に出力する。
【００９２】
フリップフロップ４０３は、１ビットのフリップフロップであり、クロックＢ端子（ＣｌｋＢ）から与えられる信号の立ち上がりにより比較器４０２の比較結果を取り込み保持する。
【００９３】
ＯＲ論理演算を実行するオア回路４０４は、ネクスト端子（Ｎｅｘｔ）から入力される信号と、フリップフロップ４０３の出力とのＯＲ論理演算結果を出力する。ネクスト端子（Ｎｅｘｔ）から入力される信号は通常０に設定される。ネクスト端子（Ｎｅｘｔ）からの入力信号が１となるのは、比較器４０１からの出力信号が出力されない場合でも強制的に出力信号が出力されたとして処理する場合のみである。従って、通常は、フリップフロップ４０３の出力が、オア回路４０４から出力されていると考えてよい。以降の説明でも、オア回路４０４は、フリップフロップ４０３からの出力がそのまま出力されているとして説明していく。
【００９４】
記憶部４０５は、デジタルメモリである。イニシャル端子から与えられる外部からのイニシャライズ信号（Ｉｎｉｔｉａｌｉｚｅ）が、記憶部（デジタルメモリ）４０５のクリア端子（Ｃｌｅａｒ）に入力されており、このイニシャライズ信号により記憶部（デジタルメモリ）４０５の内容はすべて消去される。記憶部（デジタルメモリ）４０５は、時刻（デジタルデータ）を複数記録しておくことが出来る。即ち、記憶部（デジタルメモリ）４０５のクリア端子（Ｃｌｅａｒ）からの信号を受けた後に、クロックＡ端子（ＣｌｋＡ）から入力されるクロック数をカウントして、オア回路４０４（即ち、フリップフロップ４０３）からの出力信号が出力される度に、その時のクロック数を記録する。
【００９５】
なお、先に説明した実施例１の構成の記憶部１０３（図１参照）は時刻データを１つしか記録できなかったが、この実施例２における記憶部（デジタルメモリ）４０５は、複数の時刻データを記録できる。
【００９６】
ＯＲ論理演算を実行するオア回路４０６は、前述したイニシャル端子から与えられる外部からのイニシャライズ信号（Ｉｎｉｔｉａｌｉｚｅ）とオア回路４０４（即ち、フリップフロップ４０３）の出力とのＯＲ論理演算を実行して演算結果をアンド回路４０７に出力する。
【００９７】
ＡＮＤ論理演算を実行するアンド回路４０７は、クロックＣ端子（ＣｌｋＣ）から入力される信号とオア回路４０６の出力とのＡＮＤ論理演算を実行する。アンド回路４０７の出力は、受光素子４０１のリセット信号として使用される。
【００９８】
記憶部（デジタルメモリ）４０３において、記録されたクロック数は、演算処理部４１１に出力される。演算処理部は、受光部４０を構成するｍ×ｎ個の受光素子に対応する信号処理回路から、各画素毎のクロック数を入力し、クロック数に応じた輝度値を算出し、算出輝度値に応じた画像を構成して画像出力部４１２において画像を出力する。
【００９９】
図５に示す信号処理部４００の動作を、図６に示す信号処理部４００における各信号のタイミングチャートを用いて説明する。図６のタイミングチャートは、上段から、記憶部４０５、およびオア回路４０６に入力されるイニシャライズ信号（Ｉｎｉｔｉａｌｉｚｅ）、記憶部４０５に入力されるクロック信号Ａ（ＣｌｋＡ）、フリップフロップ（ＦＦ）４０３に入力されるクロック信号Ｂ（ＣｌｋＢ）、アンド回路４０７に入力されるクロック信号Ｃ（ＣｌｋＣ）、比較器４０２からフリップフロップ（ＦＦ）４０３に対する出力信号、フリップフロップ（ＦＦ）４０３の出力信号、オア回路４０６の出力信号、受光素子４０１に対するリセット信号としてのアンド回路４０７からの出力信号を、それぞれ示している。
【０１００】
図６は、図５に示す１画素分の回路の動作を示すタイミングチャートである。時間の単位は、クロック信号Ａ（ＣｌｋＡ）、クロック信号Ｂ（ＣｌｋＢ）、クロック信号Ｃ（ＣｌｋＣ）により制御される。まず、時刻０において、初期化処理として、イニシャライズ信号（Ｉｎｉｔｉａｌｉｚｅ）が与えられる。
【０１０１】
イニシャライズ信号（Ｉｎｉｔｉａｌｉｚｅ）により、オア回路４０６の出力は図６の時刻０近辺に示すようにＨｉ（ハイ）の出力値となり、アンド回路４０７におけるクロック信号Ｃ（ＣｌｋＣ）とのアンドにより、クロック信号Ｃ（ＣｌｋＣ）の立上がりに応じて、図６の時刻０近辺に示すように、アンド回路４０７からの出力がＨｉｇｈ（ハイ）となり、これにより、受光素子４０１のリセット処理がなされる。このリセット処理により、受光素子４０１の電気信号は初期設定電気信号（Ｖｉｎｉｔ）レベルに設定される。
【０１０２】
受光素子４０１での電気信号は、露光によって入射される光エネルギーにより、初期設定電気信号（Ｖｉｎｉｔ）レベルから徐々に減衰されていく。比較器４０２は、受光素子４０１の電気信号レベルと、閾値（Ｖｔｈ）との比較が行われ、受光素子４０１の電気信号レベルが閾値（Ｖｔｈ）以下となった時刻（図中では、時刻Ｔ１１近辺）において、信号を出力する。
【０１０３】
この比較器４０２の出力信号は、時刻Ｔ１１において、クロックＢ（ＣｌｋＢ）の立ち上がりで、フリップフロップ４０３に取り込まれ、さらに、オア回路４０６、アンド回路４０７を経て、受光素子４０１をリセットすることになる。また記憶部（デジタルメモリ）４０５に、イニシャライズ処理時（ｔ＝０）からカウントしたそれまでのクロック数（即ち、Ｔ１１という値）が記録される。
【０１０４】
受光素子４０１のリセット処理により、受光素子４０１は、再度、初期設定電気信号（Ｖｉｎｉｔ）レベルに設定されるので、比較器４０２からの信号は停止する。すなわち、図６の時刻Ｔ１１近辺における比較器４０２の出力部分に示すように、比較器４０２の出力がＬｏｗ（ロー）となる。
【０１０５】
さらに、時間が経過し、受光素子４０１の露光により受光素子４０１の比較器４０２に対する入力である受光素子４０１の電気信号レベルが低下し、閾値（Ｖｔｈ）以下となった状態を示すのが、図６の時刻Ｔ１２や時刻Ｔ１３近辺である。
【０１０６】
図６に示す時刻Ｔ１２や時刻Ｔ１３近辺においては、時刻Ｔ１１近辺での処理と同様の処理が行われる。すなわち、比較器４０２の出力、記憶部４０５における時刻（Ｔ１２，Ｔ１３）の記録、および、受光素子４０１のリセット処理が実行される。このようにして、記憶部４０５には、連続する露光処理において、受光素子４０１の電気信号レベルの低下により閾値以下となった時刻データ：Ｔ１１、Ｔ１２、Ｔ１３…が、順次、シーケンシャルに記録されることになる。
【０１０７】
信号処理動作を規定するクロック、すなわち図６のクロックＡ〜Ｃ（ＣｌｋＡ〜Ｃ）のクロック動作速度は、受光素子４０１の電気信号の変化に比べて、十分に早いクロック動作速度とする。従って、受光素子４０１の電気信号の変化を十分な精度で、記憶部４０５の記録するクロック数に対応させることが可能となる。すなわち、受光素子４０１から比較器４０２に対する入力電気信号レベルが、閾値電気信号（Ｖｔｈ）レベルと等しくなり比較器４０２から出力信号が出力され、フリップフロップ４０３、オア回路４０４を介した出力に基づいて記憶部４０５が記録するクロック数は、受光素子の電気信号の変化、すなわち露光量としての受光エネルギー量を精度よく反映したクロック数とすることができる。従って、演算処理部４１１では、記録クロック数に応じた輝度値（画素値）を精度よく算出して、画像出力部４１２に出力することが可能となる。
【０１０８】
図７を参照して、本実施例の特徴である閾値電気信号レベルの時間的変化の態様、および、記憶部におけるクロックカウント処理について説明する。
【０１０９】
図７は、Ｘ軸に時間（ｔ）経過、Ｙ軸に電気信号レベル（例えば電圧値）を示し、２つの異なる輝度レベルの光を受光する２つの受光素子の電気信号レベルの時間的推移６０２，６０３と、本実施例の撮像装置における比較器４０２に入力する一定置の閾値電気信号レベルＶｔｈ６０１を示している。
【０１１０】
図７に示す時間軸の時間間隔は、図６に示す時間軸の時間間隔に比べてとても長いので、図７においては時間方向に対して連続的に動作が行われるように説明している。図６は、ミクロ的な動作を説明していて、図７はマクロ的な動作を説明していると考えても良い。
【０１１１】
図７において、直線６０１が本実施例の撮像装置において、比較器４０２に入力する閾値電気信号（Ｖｔｈ）レベルの値である。直線６０１で表されるＶｔｈは、時間とともに変化しない一定値としている。もちろん、Ｖｔｈは、先に説明した第１実施例と同様、時間とともに増加する関数として設定しても良いが、ここでは、簡単のため、一定レベルを維持したの閾値電気信号（Ｖｔｈ）とした例について説明する。
【０１１２】
なお、ｔ＝０において、図６を用いて説明したように、各受光素子は特定の初期設定電気信号（Ｖｉｎｉｔ）レベルの電気信号がセットされるとしている。
【０１１３】
各受光素子はｔ＝０から露光が始まる。ここで２つの受光素子（第４の受光素子と第５の受光素子）について着目する。第４の受光素子には、撮影対象のうちとても明るくなったりある程度明るくなったりする部分（時間とともに明るさが変わる部分＝輝度変化領域）が投影されているとする。第５の受光素子には、撮影対称の暗い部分（低輝度部）が投影されているとする。
【０１１４】
露光により、各受光素子の電気信号のレベルは、時間とともに、図７で示されるように変化していく。第４の受光素子（輝度変化部受光素子）の電気信号レベルは、受光素子に入射される単位時間当たりの光エネルギーが多いためかなり急峻にゼロへと向かう（図７の６０２−１、６０２−２、６０２−３、６０２−４、…）。しかし、第４の受光素子は、輝度の変化する領域の光を受光しているため、電気信号レベルがゼロへ向かう早さは、時間とともに変動する。つまり、図７に示すように傾きが一定でない。
【０１１５】
一方、第５の受光素子（低輝度光受光素子）のレベルは、比較的ゆるやかにゼロへと向かう（図７の６０３−１、６０３−２、６０３−３、…）。
【０１１６】
各受光素子の電気信号は、各時刻において比較器に入力されて閾値電気信号（Ｖｔｈ）レベルと比較され、その受光素子からの電気信号レベルが閾値電気信号（Ｖｔｈ）レベル以下になる時刻が記憶部に記録され、記録データ（時刻）に基づいて、その受光素子に投影されている単位時間当たりの光エネルギーを知ることができる。
【０１１７】
さらに、受光素子からの電気信号レベルが閾値電気信号（Ｖｔｈ）レベル以下になると自動的に、受光素子のリセット処理が実行される。すなわち、各受光素子は特定の初期設定電気信号（Ｖｉｎｉｔ）レベルの電気信号がセットされる。なお、このことは、図６を用いて説明済みである。
【０１１８】
具体的には、第４の受光素子（輝度変化部受光素子）の電気信号の変化は、図７の６０２−１に示されているが、この電気信号が閾値電気信号（Ｖｔｈ）レベル以下となる瞬間は、図７に示した時刻Ｔ１１である。この時刻Ｔ１１という時間は、図５に示す記憶部（デジタルメモリ）４０５に記録され、記録値が演算処理部４１１に出力され、演算処理部４１１において、受光素子（輝度変化部受光素子）の受光した単位時間当たりの光エネルギー量の対応値として（Ｖｉｎｉｔ−Ｖｔｈ）／Ｔ１１が計算されて、その計算の結果値に基づいて対応画素の画素値が設定され、画像出力部４１２において出力表示される。
【０１１９】
なお、（Ｖｉｎｉｔ−Ｖｔｈ）／Ｔ１１は、時刻０、正確に言うならば、時刻０から時刻Ｔ１１までにおける第４の受光素子（輝度変化部受光素子）に入射する単位時間当たりの光エネルギーの量を表している。
【０１２０】
さらに、時刻Ｔ１１において、記憶部４０５における時刻（Ｔ１１）の記録処理に並行して、第４の受光素子（輝度変化部受光素子）のリセット処理が実行され、第４の受光素子（輝度変化部受光素子）の電気信号レベルが初期設定電気信号（Ｖｉｎｉｔ）レベルにセットされる。
【０１２１】
このセットが行われた後も、第４の受光素子は、光エネルギーを受けるので、電気信号は、再度、減衰していく（図７の６０２−２）。この電気信号が閾値電気信号（Ｖｔｈ）レベル以下となる瞬間は、図７に示した時刻Ｔ１２である。
【０１２２】
この時刻Ｔ１２という時間は、図５に示す記憶部（デジタルメモリ）４０５に記録され、記録値が演算処理部４１１に出力され、演算処理部４１１において、受光素子（輝度変化部受光素子）の受光した単位時間当たりの光エネルギー量の対応値として（Ｖｉｎｉｔ−Ｖｔｈ）／（Ｔ１２−Ｔ１１）が計算されて、その計算の結果値に基づいて対応画素の画素値が設定され、画像出力部４１２において出力表示される。
【０１２３】
なお、（Ｖｉｎｉｔ−Ｖｔｈ）／（Ｔ１２−Ｔ１１）は、時刻Ｔ１１、正確に言うならば、時刻Ｔ１１から時刻Ｔ１２までにおける第４の受光素子（輝度変化部受光素子）に入射する単位時間当たりの光エネルギーの量を表している。
【０１２４】
さらに、時刻Ｔ１２において、記憶部４０５における時刻（Ｔ１２）の記録処理に並行して、第４の受光素子（輝度変化部受光素子）のリセット処理が実行され、第４の受光素子（輝度変化部受光素子）の電気信号レベルが初期設定電気信号（Ｖｉｎｉｔ）レベルにセットされる。
【０１２５】
このセットが行われた後も、第４の受光素子は、光エネルギーを受けるので、電気信号は減衰していく（図７の６０２−３）。この電気信号が閾値電気信号（Ｖｔｈ）レベル以下となる瞬間は、図７に示した時刻Ｔ１３である。この時刻Ｔ１３という時間は、図５に示す記憶部（デジタルメモリ）４０５に記録され、記録値が演算処理部４１１に出力され、演算処理部４１１において、受光素子（輝度変化部受光素子）の受光した単位時間当たりの光エネルギー量の対応値として（Ｖｉｎｉｔ−Ｖｔｈ）／（Ｔ１３−Ｔ１２）が計算されて、その計算の結果値に基づいて対応画素の画素値が設定され、画像出力部４１２において出力表示される。
【０１２６】
なお、（Ｖｉｎｉｔ−Ｖｔｈ）／（Ｔ１３−Ｔ１２）は、時刻Ｔ１２、正確に言うならば、時刻Ｔ１２から時刻Ｔ１３までにおける第４の受光素子（輝度変化部受光素子）に入射する単位時間当たりの光エネルギーの量を表している。
【０１２７】
さらに、時刻Ｔ１３において、記憶部４０５における時刻（Ｔ１３）の記録処理に並行して、第４の受光素子（輝度変化部受光素子）のリセット処理が実行され、第４の受光素子（輝度変化部受光素子）の電気信号レベルが初期設定電気信号（Ｖｉｎｉｔ）レベルにセットされる。
【０１２８】
このセットが行われた後も、第４の受光素子は、光エネルギーを受けるので、電気信号は減衰していく（図７の６０２−４）。同様にして、次々と、第４の受光素子（輝度変化部受光素子）の電気信号レベルが、閾値電気信号（Ｖｔｈ）レベル以下となる時刻を、記憶部にシーケンシャルに記録し、記録処理に並行して受光素子のリセットによる初期設定電気信号（Ｖｉｎｉｔ）の再セットが行われる。
【０１２９】
これは、ある一定の期間（図示省略した時刻Ｔｘ）まで行われる。なお、図７の６０２−１、６０２−２、６０２−３、６０２−４が直線でないのは、第４の受光素子には、撮影対象のうちとても明るくなったりある程度明るくなったりする部分（時間とともに明るさが変わる部分）が投影されているからである。
【０１３０】
次に、第５の受光素子（低輝度光受光素子）の電気信号レベルの変化およびデータ記録処理について説明する。第５の受光素子（低輝度光受光素子）の電気信号の変化は、図７の６０３−１に示されているが、この電気信号が閾値電気信号（Ｖｔｈ）レベル以下となる瞬間は、図７に示した時刻Ｔ２１である。この時刻Ｔ２１という時間は、図５に示す記憶部（デジタルメモリ）４０５に記録され、記録値が演算処理部４１１に出力され、演算処理部４１１において、受光素子（低輝度光受光素子）の受光した単位時間当たりの光エネルギー量の対応値として（Ｖｉｎｉｔ−Ｖｔｈ）／Ｔ２１が計算されて、その計算の結果値に基づいて対応画素の画素値が設定され、画像出力部４１２において出力表示される。
【０１３１】
（Ｖｉｎｉｔ−Ｖｔｈ）／Ｔ２１は、時刻０、正確に言うならば、時刻０から時刻Ｔ２１までにおける第５の受光素子（低輝度光受光素子）に入射する単位時間当たりの光エネルギーの量を表している。
【０１３２】
さらに、時刻Ｔ２１において、記憶部４０５における時刻（Ｔ２１）の記録処理に並行して、第５の受光素子（低輝度光受光素子）のリセット処理が実行され、第５の受光素子（低輝度光受光素子）の電気信号レベルが初期設定電気信号（Ｖｉｎｉｔ）レベルにセットされる。
【０１３３】
このセットが行われた後も、第５の受光素子は、光エネルギーを受けるので、電気信号は減衰していく（図７の６０３−２）。この電気信号が閾値電気信号（Ｖｔｈ）レベル以下となる瞬間は、図７に示した時刻Ｔ２２である。この時刻Ｔ２２という時間は、図５に示す記憶部（デジタルメモリ）４０５に記録され、記録値が演算処理部４１１に出力され、演算処理部４１１において、受光素子（低輝度光受光素子）の受光した単位時間当たりの光エネルギー量の対応値として（Ｖｉｎｉｔ−Ｖｔｈ）／（Ｔ２２−Ｔ２１）が計算されて、その計算の結果値に基づいて対応画素の画素値が設定され、画像出力部４１２において出力表示される。
【０１３４】
（Ｖｉｎｉｔ−Ｖｔｈ）／（Ｔ２２−Ｔ２１）は、時刻Ｔ２１、正確に言うならば、時刻Ｔ２１から時刻Ｔ２２までにおける第５の受光素子（低輝度光受光素子）に入射する単位時間当たりの光エネルギーの量を表している。
【０１３５】
さらに、時刻Ｔ２２において、記憶部４０５における時刻（Ｔ２２）の記録処理に並行して、第５の受光素子（低輝度光受光素子）のリセット処理が実行され、第５の受光素子（低輝度光受光素子）の電気信号レベルが初期設定電気信号（Ｖｉｎｉｔ）レベルにセットされる。
【０１３６】
このセットが行われた後も、第５の受光素子は、光エネルギーを受けるので、電気信号は減衰していく（図７の６０２−３）。同様にして、次々と、第５の受光素子（低輝度光受光素子）の電気信号レベルが、閾値電気信号（Ｖｔｈ）レベル以下となる時刻を、記憶部にシーケンシャルに記録し、記録処理に並行して受光素子のリセットによる初期設定電気信号（Ｖｉｎｉｔ）の再セットが行われる。
【０１３７】
これは、ある一定の期間（図示省略した時刻Ｔｘ）まで行われる。なお、図７の６０３−１、６０３−２、６０３−３が、６０２−１、６０２−２、６０２−３、６０２−４に比べて、傾きが緩やかなのは、第５の受光素子には、対称物体のうちある程度暗い部分が投影されているからである。
【０１３８】
なお、第４の受光素子、および、第５の受光素子の動作を説明するにあたり、同じ図（図５）を用いて説明したが、先に説明したように、第４の受光素子、および、第５の受光素子は、それぞれ、その受光素子毎に図５に示す信号処理部を持っている。
【０１３９】
さて、以上の説明から分かるように、第４の受光素子（輝度変化部受光素子）に対応する画素に関するデータとして、
「時刻０において入射する単位時間当たりの光エネルギーの量」、
「時刻Ｔ１１において入射する単位時間当たりの光エネルギーの量」、
「時刻Ｔ１２において入射する単位時間当たりの光エネルギーの量」、…
が求まることになる。
【０１４０】
このことは、時刻０、時刻Ｔ１１、時刻Ｔ１２、…という短い時間間隔で、第４の受光素子（輝度変化部受光素子）へ入射してくる光を測定できることを意味するものである。つまり、暗い背景の中で、明るさが急激に時間とともに変化している物体を撮影する場合において、明るさが急激に変化している物体が、時間とともにどのように変化しているかを短い測定時間間隔で知ることが可能となり、正確な輝度変化情報の取得が可能となる。
【０１４１】
さらに、第５の受光素子（輝度変化部受光素子）に対応する画素に関するデータとして、
「時刻０における入射する単位時間当たりの光エネルギーの量」、
「時刻Ｔ２１における入射する単位時間当たりの光エネルギーの量」、…
が求まることになる。
【０１４２】
このことは、時刻０、時刻Ｔ２１、…という長い時間間隔で、第５の受光素子へ入射してくる光を測定できることを意味する。これら時刻における値の平均値を求めれば、時刻０から時刻Ｔｘまでの間に入射する単位時間当たりの光エネルギーの量」を知ることが出来る。つまり、暗い背景の中で、明るさが急激に時間とともに変化している物体を撮影する場合において、暗い部分の投影像を真っ黒につぶれさせないで、正確に画素データを求めることが出来る。
【０１４３】
このように、実施例２の構成によれば、比較的高輝度で明るさが時間変化する領域と、低輝度領域が混在する被写体の撮影において、明るさが急激に変化している物体が、時間とともにどのように変化しているかを、より正確に知ることができ、かつ、暗い部分の投影像を真っ黒につぶれさせない画像を出力することが可能となる。このことは、従来技術の欄で述べた「従来構成の欠点２」を克服することを意味する。
【０１４４】
なお、明るい部分が投影されている画素（第４の受光素子に対応する画素）においては、時刻０から時刻Ｔｘまでの平均的な明るさも時刻０、時刻Ｔ１１、時刻Ｔ１２、…における平均値よりオーバーフローすることもなく求めることが出来る。このことは、「従来構成の欠点１」の克服を意味する。
【０１４５】
［実施例３］
最後に、本発明の第３の実施例について説明を行う。第３の実施例は、上述した実施例２の一部の構成を変更した撮像装置であり、各受光素子の単位時間当たりの光エネルギーの量を正確に算出することを可能とし、精度の高い画素データを求めることを可能とした構成例である。
【０１４６】
図８に、本発明の第３の実施例の撮像装置内に構成される各撮像素子の信号処理部の回路構成を示す。先の実施例と同様、撮像装置の受光部には、横ｍ画素、縦ｎ画素に対応するｍ×ｎ個の受光素子を有し、図８は、１画素分に相当する信号処理部を示す図である。撮像装置には、図８に示す信号処理部が「画素数分：ｍ×ｎ」個、構成される。
【０１４７】
図８において、先に説明した実施例２の図５の構成要素と同一の構成要素については、同一の番号を付してある。本実施例３の信号処理部は、受光素子４０１、比較器４０２、フリップフロップ（ＦＦ）４０３、ＯＲ論理回路４０５、記憶部４０５、ＯＲ論理回路４０６、ＡＮＤ論理回路４０７を有する。必要に応じて、受光素子１０１の出力に対する増幅回路を設けてもよい。受光素子４０１は、例えばフォトダイオードであり、露光期間に受光する光エネルギーの量に応じて電気信号を出力ラインを介して比較器４０２に出力する。必要に応じて、受光素子１０１の出力に対する増幅回路を設けてもよい。これらの構成は、実施例２と同様の構成である。
【０１４８】
実施例３の信号処理部は、さらに、カウンタ７０１、Ｎ個のアンド回路７０２−０〜（Ｎ−１）、および、Ｎ個のアナログメモリ７０３−０〜（Ｎ−１）が付け加えられている。なお、アンド回路７０２−３〜（Ｎ−２）と、アナログメモリ７０３−３〜（Ｎ−２）は、図示省略している。また、Ｎは、任意の正の整数値である。Ｎ個のアナログメモリ７０３−０〜（Ｎ−１）は、受光素子４０１の電気信号レベルをアナログ値として読み取り記録する。記録処理については、後述する。
【０１４９】
図８の構成中、４０１〜４０７の構成要素は、実施例２と同様であり、受光素子４０１の電気信号レベルがまず、初期設定電気信号（Ｖｉｎｉｔ）レベルに設定され、露光による電気信号レベルの低下により閾値（Ｖｔｈ）以下となったとき、比較器４０２の出力が発生し、記憶部４０５における時刻記録、および、受光素子４０１のリセット処理が実行される。
【０１５０】
カウンタ７０１は、外部から与えられるイニシャライズ信号（Ｉｎｉｔｉａｌｉｚｅ）により、リセットが行われることで［０］が設定される。また、オア回路４０４（即ち、フリップフロップ４０３）からの出力信号が立ち下がる度に、インクリメント信号が入力され、カウンタ値が１ずつインクリメントされる。
【０１５１】
Ｎ個のアンド回路７０２−０〜（Ｎ−１）の各々は、図９に示す条件の下に、ライトイネーブル信号（Ｗｒｉｔｅ　Ｅｎａｂｌｅ）の入力に基づいて、各アンド回路に対応して個別に設定されたアナログメモリ７０３−０〜（Ｎ−１）に対して信号の出力を行なう。すなわち、
ＡＮＤ回路７０２−０：カウンタ値［０］のとき、アナログメモリ７０３−０に出力。
ＡＮＤ回路７０２−１：カウンタ値［１］のとき、アナログメモリ７０３−１に出力。
ＡＮＤ回路７０２−２：カウンタ値［２］のとき、アナログメモリ７０３−２に出力。
ＡＮＤ回路７０２−３：カウンタ値［３］のとき、アナログメモリ７０３−３に出力。
以下、ＡＮＤ回路７０２−４〜（Ｎ−１）のそれぞれが、カウンタ値［４］〜［Ｎ−１］である場合にそれぞれの対応アナログメモリ７０３−４〜（Ｎ−１）に出力を行なう。
【０１５２】
アナログメモリ７０３−０は、カウンタ７０１のカウンタ値が［０］であることを条件としてアンド回路７０２−０から出力される信号に基づいて、受光素子４０１で発生される電気信号を非破壊的に記録する。「非破壊的」とは、受光素子４０１で発生されている電気信号の値に変化を与えずに、同じ電気信号の値を、アナログメモリ７０３−０に書き込むということである。具体的な非破壊的な回路の例は、「吉村真一、“ＣＭＯＳ　イメージセンサの高画質化とアプリケーション”、信学技報ＩＣＤ２００１−９７」の図８の「受光部とフレームメモリ部」を参照されたい。
【０１５３】
同様に、アナログメモリ７０３−１は、カウンタ７０１のカウンタ値が［１］であることを条件としてアンド回路７０２−１から出力される信号に基づいて、受光素子４０１で発生される電気信号を非破壊的に記録する。アナログメモリ７０３−２は、カウンタ７０１のカウンタ値が［２］であることを条件としてアンド回路７０２−２から出力される信号に基づいて、受光素子４０１で発生される電気信号を非破壊的に記録する。
【０１５４】
他のアナログメモリ７０３−３〜（Ｎ−１）も同様であり、それぞれカウンタ７０１のカウンタ値が［３］〜［Ｎ−１］であることを条件としてアンド回路７０２−３〜（Ｎ−１）から出力される信号に基づいて、受光素子４０１で発生される電気信号を非破壊的に記録する。
【０１５５】
図８に示す信号処理部の動作を、図１０に示す各信号のタイミングチャートを用いて説明する。図１０のタイミングチャートは、上段から、記憶部４０５、オア回路４０６、およびカウンタ７０１に入力されるイニシャライズ信号（Ｉｎｉｔｉａｌｉｚｅ）、記憶部４０５に入力されるクロック信号Ａ（ＣｌｋＡ）、フリップフロップ（ＦＦ）４０３に入力されるクロック信号Ｂ（ＣｌｋＢ）、アンド回路４０７に入力されるクロック信号Ｃ（ＣｌｋＣ）、比較器４０２からフリップフロップ（ＦＦ）４０３に対する出力信号、フリップフロップ（ＦＦ）４０３の出力信号、オア回路４０６の出力信号、受光素子４０１に対するリセット信号としてのアンド回路４０７からの出力信号、アンド回路７０２−０〜（Ｎ−１）に出力されるライトイネーブル信号、カウンタ７０１の出力を、それぞれ示している。
【０１５６】
図１０に示すタイミングチャートにおいて、先に説明した実施例２における図６のタイミングチャートと異なる部分に絞って説明する。
【０１５７】
ライトイネーブル信号（Ｗｒｉｔｅ　Ｅｎａｂｌｅ）は、毎クロック毎に発せられ、アンド回路７０２−０〜（Ｎ−１）に出力される。また、時刻０において、図８のイニシャライズ信号（Ｉｎｉｔｉａｌｉｚｅ）が出力され、イニシャライズ信号（Ｉｎｉｔｉａｌｉｚｅ）をリセット信号として入力するカウンタ７０１の値は０にリセットされる。
【０１５８】
受光素子４０１の電気信号レベルがまず、初期設定電気信号（Ｖｉｎｉｔ）レベルに設定され、露光による電気信号レベルの低下により閾値（Ｖｔｈ）以下となったとき、比較器４０２の出力が発生し、オア回路４０４（即ち、フリップフロップ４０３）からの出力信号が出力される度に、カウンタ７０１の値は１ずつインクリメントされる。
【０１５９】
従って、比較器４０２の出力が発生する時刻Ｔ３１までは、カウンタ７０１の値は［０］に維持され、この間、ＡＮＤ回路７０２−０は、入力するライトイネーブル信号（Ｗｒｉｔｅ　Ｅｎａｂｌｅ）の入力毎にアナログメモリ７０３−０に対して信号を出力し、アナログメモリ７０３−０は、信号入力毎に受光素子４０１の電気信号レベルをアナログ値として記録する。この記録値は、逐次上書きされるので、アナログメモリ７０３−０は、最終的には、時刻Ｔ３１、すなわち、カウンタ７０１のカウンタ値が［１］に変更される直前の時刻Ｔ３１における受光素子４０１の電気信号レベルを記録値として保持する。
【０１６０】
このカウンタ７０１の更新（インクリメント）は、受光素子４０１の電気信号レベルが露光による低下により閾値（Ｖｔｈ）以下となったときの比較器４０２の出力に基づいて行われる。従って、アナログメモリ７０３−０は、受光素子４０１の電気信号レベルが、閾値（Ｖｔｈ）以下となり、その後のクロックタイミングで、カウンタ７０１がインクリメントされる直前のタイミングにおける受光素子４０１の電気信号レベルを記録することになる。
【０１６１】
さらに、その後、時刻Ｔ３２までは、カウンタ７０１の値は［１］に維持され、この間、ＡＮＤ回路７０２−１は、入力するライトイネーブル信号（Ｗｒｉｔｅ　Ｅｎａｂｌｅ）の入力毎にアナログメモリ７０３−１に対して信号を出力し、アナログメモリ７０３−１は、信号入力毎に受光素子４０１の電気信号レベルをアナログ値として記録する。この記録値は、逐次上書きされるので、アナログメモリ７０３−１は、最終的には、時刻Ｔ３２、すなわち、カウンタ７０１のカウンタ値が［２］に変更される直前の時刻Ｔ３２における受光素子４０１の電気信号レベルを記録値として保持する。
【０１６２】
さらに、その後、時刻Ｔ３３までは、カウンタ７０１の値は［２］に維持され、この間、ＡＮＤ回路７０２−２は、入力するライトイネーブル信号（Ｗｒｉｔｅ　Ｅｎａｂｌｅ）の入力毎にアナログメモリ７０３−２に対して信号を出力し、アナログメモリ７０３−２は、信号入力毎に受光素子４０１の電気信号レベルをアナログ値として記録する。この記録値は、逐次上書きされるので、アナログメモリ７０３−２は、最終的には、時刻Ｔ３３、すなわち、カウンタ７０１のカウンタ値が［３］に変更される直前の時刻Ｔ３３における受光素子４０１の電気信号レベルを記録値として保持する。
【０１６３】
以下、カウンタ７０１の値［３］〜［Ｎ−１］に応じて、ＡＮＤ回路７０２−３〜（ｎ−１）が順次、出力を行ない、それぞれ、アナログメモリ７０３−３〜（Ｎ−１）に対して、カウンタ更新直前の受光素子４０１の電気信号レベルを記録値として保持する。
【０１６４】
先に説明した第２実施例の説明において、動作クロック（図６のクロックＡ、Ｂ、Ｃの１クロック分）は、受光素子の電気信号の変化に比べて十分に早く、受光素子の電気信号レベルが閾値（Ｖｔｈ）以下になった時点の時刻を正確に記録することができると説明したが、装置構成によっては、動作クロックを早めることが出来ない場合もある。このような場合に、ここで説明した第３実施例は有効である。
【０１６５】
図１１を参照して、本実施例の特徴である閾値電気信号レベルの時間的変化の態様、および、アナログメモリ７０３−３〜（Ｎ−１）における電気信号レベル記録処理について説明する。
【０１６６】
図１１は、Ｘ軸に時間（ｔ）経過、Ｙ軸に電気信号レベル（例えば電圧値）を示し、受光素子の電気信号レベルの時間的推移９０２と、比較器４０２に入力する一定置の閾値電気信号レベルＶｔｈ９０１を示している。
【０１６７】
図１１に示す時間軸の時間間隔は、アンド回路７０２−１〜（Ｎ−１）に入力するライトイネーブル信号（Ｗｒｉｔｅ　Ｅｎａｂｌｅ）の出力タイミングを規定する動作クロックを時間の基準とし、これを時刻ｔ＝０、１、２、…という整数で示す。すなわち、ライトイネーブル信号（Ｗｒｉｔｅ　Ｅｎａｂｌｅ）は、時刻ｔ＝０、１、２、…のタイミングでアンド回路７０２−１〜（Ｎ−１）に、ライトイネーブル信号（Ｗｒｉｔｅ　Ｅｎａｂｌｅ）を出力する。
【０１６８】
図１１において、直線９０１が本実施例の撮像装置において、比較器４０２に入力する閾値電気信号（Ｖｔｈ）レベルの値である。直線９０１で表されるＶｔｈは、時間とともに変化しない一定値としている。もちろん、Ｖｔｈは、先に説明した第１実施例と同様、時間とともに増加する関数として設定しても良いが、ここでは、簡単のため、一定レベルを維持したの閾値電気信号（Ｖｔｈ）とした例について説明する。
【０１６９】
なお、ｔ＝０において、図１０を用いて説明したように、各受光素子は特定の初期設定電気信号（Ｖｉｎｉｔ）レベルの電気信号がセットされるとしている。この時点で、カウンタ７０１の値もリセットされ、カウンタ値は０に設定される。
【０１７０】
各受光素子はｔ＝０から露光が始まる。ここで、ある１つの受光素子（第６の撮像素子）について着目する。第６の受光素子には、撮影対象のうちとても明るくなったりある程度明るくなったりする部分（時間とともに明るさが変わる部分）が投影されているとする。従って、受光素子の電気信号のレベルは、時間とともに、図１１で示されるように変化していく。第６の受光素子のレベルは、入射される単位時間当たりの光エネルギーが多いためかなり急峻にゼロへと向かう（図１１の９０２−１、９０２−２、９０２−３、９０２−４、…）。そして、ゼロへ向かう早さは、時間とともに変動する（つまり、図１１において傾きが一定でない）。
【０１７１】
各受光素子の電気信号は、各時刻（時刻ｔ＝０、１、２、３、…）において比較器４０２において、閾値電気信号（Ｖｔｈ）レベルと比較される。また、各時刻において、その受光素子の電気信号は、アナログメモリに記録される。この記録の際に、新規書き込みデータが過去の記録データに対して上書きされ、最新の記録データのみが保持される。
【０１７２】
なお、アナログメモリ７０３−０〜（Ｎ−１）は、図１０に示すようにＮ個あるが、受光素子の電気信号レベルの記録処理を実行するのは、カウンタ７０１のカウンタ値によって決定される１つのアナログメモリである。イニシャライズ後の最初時点では、カウンタ７０１が［０］を示しているので、第０番目のアナログメモリ７０３−０に記録される。
【０１７３】
受光素子４０１は露光により、電気信号は減衰して行く。その電気信号が比較器４０２における比較値としての閾値電気信号（Ｖｔｈ）以下になる時刻を求めることで、その受光素子に投影されている単位時間当たりの光エネルギーを知ることができる。ここで言う時刻とは、０、１、２、…と離散的であり、動作クロックよりも精度良く時刻を求めることは出来ない。しかし、受光素子４０１の電気信号は動作クロック毎にアナログメモリに記録されているので、記録データから詳細情報を得ることが出来る。
【０１７４】
また、受光素子４０１の電気信号レベルが閾値電気信号（Ｖｔｈ）以下になると、受光素子４０１のリセット処理が実行され、受光素子４０１は、初期手前記信号（Ｖｉｎｉｔ）レベルに設定される。さらに、このリセット処理に並列してカウンタ７０１の値が１だけインクリメントされる。
【０１７５】
カウンタ７０１のインクリメント処理により、アンド回路７０２−０の出力が停止し、アンド回路７０２−１の出力が開始する。従って、アナログメモリ７０３−０に最終的に記録保持されるデータは、受光素子４０１の電気信号レベルが閾値電気信号（Ｖｔｈ）以下になって、カウンタの更新が実行される直前の電気信号レベルとなる。カウンタが［１］となった以降は受光素子４０１の電気信号はアナログメモリ７０３−１に記録されるようになる。
【０１７６】
上述の処理は、受光素子４０１の電気信号が減衰して、閾値電気信号（Ｖｔｈ）以下になる時刻（０、１、２、…など離散的な時刻）において行われる。従って、「電気信号がＶｔｈ以下になる複数の時刻」がデジタルメモリ４０５に記録されるとともに、カウンタ７０１がインクリメントされていき、アナログメモリ７０３−０〜（Ｎ−１）に順番に「電気信号がＶｔｈ以下になる時刻における電気信号」の値が保持されることになる。
【０１７７】
具体的には、第６の受光素子の電気信号の変化は、図１１の９０２−１に示されているが、この電気信号レベルが閾値電気信号（Ｖｔｈ）以下となる瞬間は、図１１に示した時刻Ｔ３１である。ここで、Ｔ３１は整数である。つまり、正確に言うと、「電気信号がＶｔｈ以下となる時刻は一般的には少数部を含む有理数であるが、この有理数を超える最小となる整数」がＴ３１である。
【０１７８】
時刻Ｔ３１−１では、第６の受光素子の電気信号レベルは、閾値電気信号（Ｖｔｈ）以上であり、時刻Ｔ３１では閾値電気信号（Ｖｔｈ）以下である。この時刻Ｔ３１という時間は、図８に示す記憶部（デジタルメモリ）４０１に記録される。また、時刻Ｔ３１までは、カウンタ７０１の値は０を示しているので、時刻ｔ＝０、１、２、…、Ｔ３１において、アナログメモリ７０３−０に、受光素子の電気信号が記録される。時刻Ｔ３１では、カウンタ７０１がインクリメントされて、１という値となる。アナログメモリ７０３−０は、時刻Ｔ３１まで毎回上書きされつづけているので、最後に書かれた値である「時刻Ｔ３１における受光素子の電気信号レベル（Ｖ３１）」が保持されることになる。
【０１７９】
アナログメモリ７０３−０の記録した電気信号レベル（Ｖ３１）と、記憶部（デジタルメモリ）４０５に記録された時刻（Ｔ３１）は、演算処理部に出力され、演算処理部において、受光素子４０１の受光した単位時間当たりの光エネルギー量の対応値として（Ｖｉｎｉｔ−Ｖ３１）／Ｔ３１が計算されて、その計算の結果値に基づいて対応画素の画素値が設定され、画像出力部において出力表示される。
【０１８０】
なお、（Ｖｉｎｉｔ−Ｖ３１）／Ｔ３１は、時刻０、正確に言うならば、時刻０から時刻Ｔ３１までにおける第６の受光素子に入射する単位時間当たりの光エネルギーの量を表している。
【０１８１】
さらに、時刻Ｔ３１において、第６の受光素子のリセット処理が実行され、第６の受光素子の電気信号レベルが初期設定電気信号（Ｖｉｎｉｔ）レベルにセットされる。このセットが行われた後も、第６の受光素子は、光エネルギーを受けるので、電気信号は減衰していく（図１１の９０２−２）。この電気信号レベルが、閾値電気信号（Ｖｔｈ）レベル以下となる瞬間は、図１１に示した時刻Ｔ３２である。
【０１８２】
ここで、Ｔ３２は整数である。つまり、正確に言うと、「電気信号がＶｔｈ以下となる時刻は一般的には少数部を含む有理数であるが、この有理数を超える最小となる整数」がＴ３２である。時刻Ｔ３２−１ではＶｔｈ以上であり、時刻Ｔ３２ではＶｔｈ以下である。この時刻Ｔ３２という時間は、図８の記憶部（デジタルメモリ）４０５に記録される。また、時刻Ｔ３２までは、カウンタ７０１の値は［１］を示しているので、時刻ｔ＝Ｔ３１＋１、Ｔ３１＋２、Ｔ３１＋３、…、Ｔ３２において、アナログメモリ７０３−１に、受光素子４０１の電気信号が記録される。時刻Ｔ３２では、カウンタ７０１がインクリメントされて、［２］となる。
【０１８３】
アナログメモリ７０３−１は、時刻Ｔ３２まで毎回上書きされつづけているので、最後に書かれた値である「時刻Ｔ３２における受光素子の電気信号（Ｖ３２）」が保持されることになる。
【０１８４】
アナログメモリ７０３−１の記録した電気信号レベル（Ｖ３２）と、記憶部（デジタルメモリ）４０５に記録された時刻（Ｔ３２）は、演算処理部に出力され、演算処理部において、受光素子４０１の受光した単位時間当たりの光エネルギー量の対応値として（Ｖｉｎｉｔ−Ｖ３２）／（Ｔ３２−Ｔ３１）が計算されて、その計算の結果値に基づいて対応画素の画素値が設定され、画像出力部において出力表示される。
【０１８５】
なお、（Ｖｉｎｉｔ−Ｖ３２）／（Ｔ３２−Ｔ３１）は、時刻Ｔ３１、正確に言うならば、時刻Ｔ３１から時刻Ｔ３２までにおける第６の受光素子に入射する単位時間当たりの光エネルギーの量を表している。
【０１８６】
さらに、時刻Ｔ３２において、第６の受光素子のリセット処理が実行され、第６の受光素子の電気信号レベルが初期設定電気信号（Ｖｉｎｉｔ）レベルにセットされる。このセットが行われた後も、第６の受光素子は、光エネルギーを受けるので、電気信号は減衰していく（図１１の９０２−３）。この電気信号レベルが閾値電気信号（Ｖｔｈ）レベル以下となる瞬間は、図１１に示した時刻Ｔ３３である。
【０１８７】
ここで、Ｔ３３は整数である。つまり、正確に言うと、「電気信号がＶｔｈ以下となる時刻は一般的には少数部を含む有理数であるが、この有理数を超える最小となる整数」がＴ３３である。時刻Ｔ３３−１ではＶｔｈ以上であり、時刻Ｔ３３ではＶｔｈ以下である。この時刻Ｔ３３という時間は、図８の記憶部（デジタルメモリ）４０５に記録される。また、時刻Ｔ３３までは、カウンタ７０１の値は［２］を示しているので、時刻ｔ＝Ｔ３２＋１、Ｔ３２＋２、Ｔ３２＋３、…、Ｔ３３において、アナログメモリ７０３−２に、受光素子４０１の電気信号が記録される。時刻Ｔ３３では、カウンタ７０１がインクリメントされて［３］となる。
【０１８８】
アナログメモリ７０３−２は、時刻Ｔ３３まで毎回上書きされつづけているので、最後に書かれた値である「時刻Ｔ３３における受光素子の電気信号（Ｖ３３）」が保持されることになる。
【０１８９】
アナログメモリ７０３−１の記録した電気信号レベル（Ｖ３３）と、記憶部（デジタルメモリ）４０５に記録された時刻（Ｔ３３）は、演算処理部に出力され、演算処理部において、受光素子４０１の受光した単位時間当たりの光エネルギー量の対応値として（Ｖｉｎｉｔ−Ｖ３３）／（Ｔ３３−Ｔ３２）が計算されて、その計算の結果値に基づいて対応画素の画素値が設定され、画像出力部において出力表示される。
【０１９０】
なお、（Ｖｉｎｉｔ−Ｖ３３）／（Ｔ３３−Ｔ３２）は、時刻Ｔ３２、正確に言うならば、時刻Ｔ３２から時刻Ｔ３３までにおける第６の受光素子に入射する単位時間当たりの光エネルギーの量を表している。
【０１９１】
さらに、時刻Ｔ３３において、第６の受光素子のリセット処理が実行され、第６の受光素子の電気信号レベルが初期設定電気信号（Ｖｉｎｉｔ）レベルにセットされる。このセットが行われた後も、第６の受光素子は、光エネルギーを受けるので、電気信号は減衰していく（図１１の９０２−４）。同様にして、次々と、受光素子４０１が、閾値電気信号（Ｖｔｈ）レベル以下となる時刻の記録部４０５における記録処理と、アナログメモリ７０３−０〜（Ｎ−１）における、その時刻の受光素子４０１の電気信号レベルの記録処理が行われる。
【０１９２】
受光素子４０１の電気信号レベルが閾値電気信号（Ｖｔｈ）レベル以下になる時刻における電気信号値は、アナログメモリ７０３−０〜（Ｎ−１）に順番に記録されていく。これは、ある一定の期間（図示省略した時刻Ｔｙ）まで行われる。なお、図１１の９０２−１、９０２−２、９０２−３、９０２−４が直線でないのは、第６の受光素子には、撮影対象のうちとても明るくなったりある程度明るくなったりする部分（時間とともに明るさが変わる部分）が投影されているからである。
【０１９３】
第２の実施例と第３の実施例についての違いについて説明する。今、動作クロックの間隔（上述では、０、１、２、…という整数）が、受光素子の電気信号の減衰する速さに比べて、それほど早くない場合について考えている。同じ状況下で撮影した場合、第２の実施例を用いた装置では、第６の受光素子の部分で、（Ｖｉｎｉｔ−Ｖｔｈ）／Ｔ３１、（Ｖｉｎｉｔ−Ｖｔｈ）／（Ｔ３２−Ｔ３１）、および、（Ｖｉｎｉｔ−Ｖｔｈ）／（Ｔ３３−Ｔ３２）が計算されて、その値を、対応する画素データの時刻０、Ｔ３１およびＴ３２における値としている。
【０１９４】
しかし、実際には、これらは、図１１に表されている電気信号の減衰速度を正確には表現していない。これは、電気信号がＶｔｈ以下となる時刻は一般的には少数部を含む有理数であるが、この有理数を超える最小となる整数（Ｔ３１、Ｔ３２、および、Ｔ３３）しか求まっていないからである。一方、第３の実施例においては、動作クロックが整数であることは同じであるが、Ｖｔｈの代わりに、時刻Ｔ３１、Ｔ３２、および、Ｔ３３における電気信号の量（Ｖ３１、Ｖ３２、および、Ｖ３３）を用いているので、正確に、図１１に表されている電気信号の減衰速度を表している。これにより、第３の実施例の方が、第２の実施例に比べて、さらに正確に「単位時間当たりの光エネルギーの量」を求めることが出来る。つまり、撮影時に正確に画素データを求めることが出来る。
【０１９５】
なお、図１１において、７０３−０〜（Ｎ−１）で示されるアナログメモリは、全部でＮ個としている。時刻Ｔｙまで繰り返されえる受光素子のセットと減衰の回数よりもＮは大きくしておく必要があるので、Ｎ（アナログメモリの総数）として十分に大きな値にしておく事が望ましい。
【０１９６】
また、時刻Ｔｙが過ぎた後に、記憶部（デジタルメモリ）４０５から時刻Ｔ３１、Ｔ３２、Ｔ３３・・の時刻データが読み出され、かつ、アナログメモリ７０３−０〜（Ｎ−１）からＶ３１、Ｖ３２、Ｖ３３・・の電気信号レベルデータが読み出され、演算処理部において、（Ｖｉｎｉｔ−Ｖ３１）／Ｔ３１、（Ｖｉｎｉｔ−Ｖ３２）／（Ｔ３２−Ｔ３１）および（Ｖｉｎｉｔ−Ｖ３３）／（Ｔ３３−Ｔ３２）・・を計算し、これら計算値に基づいてを、対応する画素データの時刻０、Ｔ３１およびＴ３２における値を設定して画像出力を行なう。
【０１９７】
この演算処理は、高速に行う必要はない。なぜなら、撮影が終わった後に行えばよいからである。これは、記憶部４０５およびアナログメモリ７０３−１〜（Ｎ−１）から演算処理手段に対するデータ出力は低速動作で良いことを意味している。
【０１９８】
上述したように、実施例３の構成によれば、受光素子４０１の電気信号レベルが閾値電気信号（Ｖｔｈ）以下となった時点の電気信号値を正確に記録することが可能となり、その記録値に基づいて、受光素子の単位時間当たりの受光エネルギーを算出する構成としたので、各受光素子に対応する画素値をより正確に求めることが可能となる。
【０１９９】
なお、実施例３の説明において、受光素子の電気信号レベルを記録するメモリとして、アナログメモリ７０３−１〜（Ｎ−１）を用いた構成例について説明したが、受光素子４０１の電気信号レベルをデジタル値に変換するＡ／Ｄ変換器を設け、デジタル値に変換したデジタルデータを記録するデジタルメモリを適用する構成も可能である。
【０２００】
以上、本発明に係る撮像装置の実施例について説明してきたが、各実施例において、図１、図５、および、図８を参照して説明した１画素毎の信号処理回路内の素子や回路は、画素ごとに１つの場所に局在している必要はない。例えば、各図における記憶部は、撮像装置の有する画素数分のデータをまとめて記憶する記憶部として設定する構成としてもよい。例えば、半導体チップにより構成する場合、受光部分で１つのチップ、記憶部で別の１つのチップという構成でも良い。また、図に示された素子や回路は論理的集合構成であり、各構成要素が同一の筐体内にあると限定するものではない。
【０２０１】
また、第２実施例および第３実施例において説明した撮像装置は、明るい部分が投影されている受光素子では、短い時間で１回分の測定が終わり、かつ、複数回の測定を可能としている。そして、暗い部分が投影されている受光素子では、比較的長い時間をかけて１回分測定し、かつ、比較的少ない回数の測定を行っている。このように、画面全体において統一された撮影時間、撮影間隔、あるいはフレームという概念は存在せず、画素ごとに撮影間隔が違い、「各画素について、撮影された時間間隔はいくらであるか」という概念のみが存在することになる。
【０２０２】
上述した説明から理解されるように、本発明の撮像装置は、２つのポイント、すなわち、
（１）比較器で比較する基準信号であるＶｔｈを可変にした点、
（２）明るい部分を投影している受光素子は、暗い部分を投影している受光素子よりも早い間隔で複数回撮影を行う点、
のいずれかを有し、この２つのポイントの少なくとも１つを具現化した撮像装置全般に、本発明は適用されるものである。
【０２０３】
以上、特定の実施例を参照しながら、本発明について詳解してきた。しかしながら、本発明の要旨を逸脱しない範囲で当業者が該実施例の修正や代用を成し得ることは自明である。すなわち、例示という形態で本発明を開示してきたのであり、限定的に解釈されるべきではない。本発明の要旨を判断するためには、冒頭に記載した特許請求の範囲の欄を参酌すべきである。
【０２０４】
【発明の効果】
以上、説明したように、本発明の第１実施例の構成に従えば、受光素子の電気信号レベルとの比較値として設定される閾値電気信号レベルを時間（ｔ）とともに増加する関数Ｖｔｈ（ｔ）として設定したので、従来、受光レベルが低すぎて最大撮影時間（Ｔｚ）内に、受光素子の電気信号レベルの低下が閾値以下に至らず、受光量の測定が不可能となり、実質的に撮影不能とされていた低輝度光の受光素子においても、電気信号レベルと閾値Ｖｔｈ（ｔ）の交錯をより短時間で発生させて、受光素子の受光した単位時間当たりの光エネルギー量の対応値として、（Ｖｉｎｉｔ−Ｖｔｈ（Ｔ３））／Ｔ３の値を算出することが可能となり、低輝度光を受光する受光素子に対応する画素の画素値の算出が可能となる。
【０２０５】
従って、第１実施例の構成によれば、高輝度領域、低輝度領域の混在した被写体の撮影において、それぞれの画素値をすべて高精度に算出することが可能となり、明瞭な画像を取得することが可能となる。さらに、第１実施例の構成は、従来の一定の閾値Ｖｔｈ’を適用した構成に比較して、低輝度光の受光素子において閾値Ｖｔｈ’以下になる時間が短縮されることになる。従って、外部から入射される単位時間当たりの光エネルギーが非常に少ない受光素子においても短時間で、受光量の計測および画素値算出が可能となる。
【０２０６】
さらに、本発明の実施例２の構成によれば、比較的高輝度で明るさが時間変化する領域と、低輝度領域が混在する被写体の撮影において、輝度に応じて撮影間隔を変化させる構成としたので、明るさが急激に変化している物体が、時間とともにどのように変化しているかの情報をより正確に取得することが可能となり、かつ、暗い部分の投影像を真っ黒につぶれさせない画像を出力することが可能となる。
【０２０７】
また、本発明の実施例２の構成によれば、明るい部分が投影されている画素について、閾値レベルまでの時間毎にリセット処理を行ない、それぞれの時間を計測する構成であるので、高輝度部の投影画素でっあっても、オーバーフローすることなく、正確な画素値を求めることが可能となる。
【０２０８】
さらに、本発明の実施例３の構成によれば、閾値電気信号（Ｖｔｈ）以下となった時点の受光素子の電気信号レベルを正確に記録することが可能となり、その記録値に基づいて、受光素子の単位時間当たりの受光エネルギーを算出する構成としたので、各受光素子に対応する画素値をより正確に求めることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施例における撮像装置の信号処理部構成を示す図である。
【図２】第１実施例の撮像装置における信号処理部の信号遷移を示すタイミングチャート図である。
【図３】第１実施例の撮像装置における信号処理部のマクロ的な信号遷移を示すタイミングチャート図である。
【図４】輝度変化部を有する被写体の撮影構成例について説明する図である。
【図５】本発明の第２実施例における撮像装置の信号処理部構成を示す図である。
【図６】第２実施例の撮像装置における信号処理部の信号遷移を示すタイミングチャート図である。
【図７】第２実施例の撮像装置における信号処理部のマクロ的な信号遷移を示すタイミングチャート図である。
【図８】本発明の第３実施例における撮像装置の信号処理部構成を示す図である。
【図９】本発明の第３実施例における撮像装置のアンド回路の出力条件を説明する図である。
【図１０】第３実施例の撮像装置における信号処理部の信号遷移を示すタイミングチャート図である。
【図１１】第３実施例の撮像装置における信号処理部のマクロ的な信号遷移を示すタイミングチャート図である。
【符号の説明】
１０　受光部
１００　信号処理部
１０１　受光素子
１０２　比較器
１０３　記憶部
１１１　演算処理部
１１２　画像出力部
４０　受光部
４００　信号処理部
４０１　受光素子
４０２　比較器
４０３　フリップフロップ
４０４　オア回路
４０５　記憶部
４０６　オア回路
４０７　アンド回路
４１１　演算処理部
４１２　画像出力部
４５１　絵画
４５２　光点滅手段
４５５　撮像装置
７０１　カウンタ
７０２　アンド回路
７０３　アナログメモリ
【図１】
2004048610.tif 000003
【図２】
2004048610.tif 000004
【図３】
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【図４】
2004048610.tif 000006
【図５】
2004048610.tif 000007
【図６】
2004048610.tif 000008
【図７】
2004048610.tif 000009
【図８】
2004048610.tif 000010
【図９】
2004048610.tif 000011
【図１０】
2004048610.tif 000012
【図１１】
2004048610.tif 000013