(57)【要約】【課題】導波光の横方向の広がりが均一となり、導波光が回折格子から受ける実効的反射率が一定範囲に制御できる半導体レーザを提供する。【解決手段】半導体基板６上に形成された第１クラッド層７と、第１クラッド層７上に形成された活性層８と、活性層８上に形成された第２クラッド層９と、第２クラッド層９上に形成された電流を狭窄する電流ブロック層１３と、第２クラッド層９上に形成されたリッジ構造を有する第３クラッド層１１とを備え、レーザ発振に必要な利得を得る利得領域、発振波長を制御する位相制御領域、及び発振波長を調整するＤＢＲ領域が構成されて、単一縦モードのレーザ光発振を行う。そして、電流ブロック層１３は、第３クラッド層１１の両側面に沿って形成され、ＤＢＲ領域において、第２クラッド層９上かつ第３クラッド層１１の側部に回折格子１７が形成されている。【選択図】　図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上に形成された第１クラッド層と、前記第１クラッド層上に形成された活性層と、前記活性層上に形成された第２クラッド層と、前記第２クラッド層上に形成された電流を狭窄する電流ブロック層と、前記第２クラッド層上に形成されたリッジ構造を有する第３クラッド層とを備え、レーザ発振に必要な利得を得る利得領域、発振波長を制御する位相制御領域、及び発振波長を調整するＤＢＲ領域が構成されて、単一縦モードのレーザ光発振を行う半導体レーザであって、
前記電流ブロック層は、前記第３クラッド層の両側面に沿って形成され、
前記ＤＢＲ領域において、第２クラッド層上かつ前記第３クラッド層の側部に回折格子が形成されていることを特徴とする半導体レーザ。
【請求項２】
前記電流ブロック層と前記第３クラッド層の上に、前記電流ブロック層よりも等価実効屈折率が小さい第４クラッド層が形成されている請求項１に記載の半導体レーザー。
【請求項３】
ｐｎ接合と平行、かつ、共振器方向と垂直な方向の実効屈折率が、前記第３クラッド層において最大となり、前記第３クラッド層から外に向かうに従い段階的に小さくなる請求項２に記載の半導体レーザー。
【請求項４】
複数の等価実効屈折率段差を有する請求項３に記載の半導体レーザー。
【請求項５】
レーザ発振に必要な利得を得る利得領域、発振波長を制御する位相制御領域、及び発振波長を調整するＤＢＲ領域が構成されて、単一縦モードのレーザ光発振を行う半導体レーザの製造方法であって、
半導体基板上に、第１クラッド層、活性層、第２クラッド層、光導波層、及び第３クラッド層をこの順で形成する工程と、
前記第２クラッド層上に、前記光導波層と第３クラッド層をそれぞれエッチングして前記光導波層と第３クラッド層からなるリッジ構造を形成する工程と、
前記第２クラッド層上の前記ＤＢＲ領域において、前記光導波層をエッチングして当該光導波層に回折格子を形成する工程と、
前記リッジ構造の両側面に沿うように電流ブロック層を形成し、さらに、その上から第４クラッド層とコンタクト層をこの順で形成する工程を含むことを特徴とする半導体レーザの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体レーザ及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
高密度光ディスク用として、光ディスク上において集光スポット径が小さくなる短波長域で発光し、光ディスクの再生・記録密度が向上する青色レーザ光が要望されている。
【０００３】
青色レーザ光を得るための有効な手段として、赤外レーザ光を第２高調波発生（ＳＨＧ：Ｓｅｃｏｎｄ　Ｈａｒｍｏｎｉｃ　Ｇｅｎｅｒａｔｉｏｎ）技術により、青色域の短波長に変換する方法がある。現在、ＳＨＧによる半導体素子（以下、ＳＨＧ素子という。）には、ＬｉＮｂＯ３に代表される非線形光学材料が広く用いられている。このＬｉＮｂＯ３材料には、入力される赤外レーザ光の波長に合わせて、イオン交換技術により分布反転構造が形成されている。この分布反転構造は、導波路における赤外光の波長、青色レーザ光の導波路における波長、及び、分布反転構造の周期が整数比となるように構成されている。
【０００４】
励起源の赤外レーザ光の有効波長は、ＳＨＧ素子によって狭い領域に限定されるため、赤外レーザ光源としては、通常、発振波長の選択性が高く、単一縦モードで発振し、さらに、温度によって変化する発振波長を一定値に調整することのできるＤＢＲ（Ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄ　Ｂｒａｇｇ　Ｒｅｆｌｅｃｔｏｒ）レーザが用いられる。
【０００５】
図４に、従来技術によるＤＢＲレーザの構造の一例を示す。ｎ型ＧａＡｓ基板１０１上に、ｎ型Ａｌ０．５Ｇａ０．５Ａｓ第１クラッド層１０２、Ａｌ０．１２Ｇａ０．８８Ａｓ活性層１０３、ｐ型Ａｌ０．５Ｇａ０．５Ａｓ第２クラッド層１０４、ｐ型Ｇａ０．７Ａｌ０．３Ａｓ第１光ガイド層１０５がこの順で形成されている。
【０００６】
ｐ型Ｇａ０．７Ａｌ０．３Ａｓ第１光ガイド層１０５と回折格子１０５ａ上に、ｐ型Ａｌ０．５Ｇａ０．５Ａｓ第３クラッド層１０６が形成されている。さらに、ｐ型Ａｌ０．５Ｇａ０．５Ａｓ第３クラッド層１０６上に、ｐ型Ａｌ０．２Ｇａ０．８Ａｓエッチングストップ層１０７とｐ型Ａｌ０．５Ｇａ０．５Ａｓ第４クラッド層１０８が形成され、これらによって、ストライプ状のリッジ構造１０９が形成されている。
【０００７】
ｐ型Ｇａ０．７Ａｌ０．３Ａｓ第１光ガイド層１０５上において、リッジ構造１０９が形成された領域下以外の領域であって、ＤＢＲ領域に相当する領域には、回折格子１０５ａが形成されている。
【０００８】
ｐ型Ａｌ０．５Ｇａ０．５Ａｓ第１クラッド層１０６上のリッジ構造１０９が形成された領域以外の領域には、ｎ型Ａｌ０．６Ｇａ０．４Ａｓ電流ブロック層１１０が形成され、ｎ型Ａｌ０．６Ｇａ０．４Ａｓ電流ブロック層１１０とｐ型Ａｌ０．５Ｇａ０．５Ａｓ第４クラッド層１０８の上に、ｐ型ＧａＡｓコンタクト層１１１が形成されている。
【０００９】
このＤＢＲレーザにおいて、ｐｎ接合と平行、かつ共振器方向と垂直な方向（以下、横方向という。）の導波光の光分布は、リッジ構造を中心として数〜数１０μｍ広がった分布を示している。そして、横方向に広がった導波光が、ＤＢＲ領域２００における回折格子１０５ａを通過するとき、回折格子１０５ａにより反射を受け、単一波長で発振する。この際導波光の横方向の広がりが変動すると、回折格子１０５ａを通過する導波光の光量が変化し、導波光が回折格子１０５ａから受ける実効的反射率が変化する。
【００１０】
一般に、ＤＢＲレーザの製造工程において、エッチング速度の不規則性によるリッジ構造の横幅の変動や結晶層組成の不均一性による屈折率差Δｎの変動により導波光の横方向の広がりが不均一となり、これにより、得られるＤＢＲレーザにおいて、導波光が回折格子１０５ａから受ける実効的反射率が不安定化し易い。
【００１１】
導波光が回折格子１０５ａから受ける実効的反射率が小さくなると、レーザ発振のための注入電流のしきい値が高くなる等のデバイス特性の劣化が生じることがあり、反対に、実効的反射率が大きくなると、少数の回折格子で導波光が反射されるようになり、発振波長の単一波長性が低下する。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】
以上のように、半導体レーザ、特にＤＢＲレーザにおいては、導波光の横方向の広がりを均一にし、導波光が回折格子から受ける実効的反射率を一定範囲に制御することが重要になる。
【００１３】
本発明の目的は、導波光の横方向の広がりが均一となり、導波光が回折格子から受ける実効的反射率が一定範囲に制御できる半導体レーザを提供することにある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明の半導体レーザにおいては、半導体基板上に形成された第１クラッド層と、第１クラッド層上に形成された活性層と、活性層上に形成された第２クラッド層と、第２クラッド層上に形成された電流を狭窄する電流ブロック層と、第２クラッド層上に形成されたリッジ構造を有する第３クラッド層とを備え、レーザ発振に必要な利得を得る利得領域、発振波長を制御する位相制御領域、及び発振波長を調整するＤＢＲ領域が構成されて、単一縦モードのレーザ光発振を行う。そして、電流ブロック層は、第３クラッド層の両側面に沿って形成され、ＤＢＲ領域において、第２クラッド層上かつ第３クラッド層の側部に回折格子が形成されている。
【００１５】
この構成により、導波光の横方向の広がりが均一となり、導波光が回折格子から受ける実効的反射率が一定範囲に制御できる。
【００１６】
また、本発明の半導体レーザにおいては、電流ブロック層と第３クラッド層の上に、電流ブロック層よりも等価実効屈折率が小さい第４クラッド層が形成されていることが好ましい。
【００１７】
この構成により、レーザー光の横方向における光分布を、回折格子層に十分届くように広げることができる。
【００１８】
本発明の半導体レーザにおいては、ｐｎ接合と平行、かつ、共振器方向と垂直な方向の実効屈折率が、第３クラッド層において最大となり、第３クラッド層から外に向かうに従い段階的に小さくなることが好ましい。
【００１９】
この構成により、レーザー光の横方向における光分布をさらに広げることができる。
【００２０】
また、上記目的を達成するために、本発明の半導体レーザの製造方法においては、半導体基板上に、第１クラッド層、活性層、第２クラッド層、光導波層、及び第３クラッド層をこの順で形成する工程と、第２クラッド層上に、光導波層と第３クラッド層をそれぞれエッチングして光導波層と第３クラッド層からなるリッジ構造を形成する工程と、第２クラッド層上のＤＢＲ領域において、光導波層をエッチングして当該光導波層に回折格子を形成する工程と、リッジ構造の両側面に沿うように電流ブロック層を形成し、さらに、その上から第４クラッド層とコンタクト層をこの順で形成する工程を含む。
【００２１】
この構成により、結晶層組成の不均一性による屈折率差Δｎの変動が改善され、さらに、光損失の少ない半導体レーザを安定して製造することができる。
【００２２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。
【００２３】
図１に、本実施の形態のＤＢＲレーザを示す。本実施の形態のＤＢＲレーザは、レーザ光発振に必要な利得を得る利得領域、発振波長を制御する位相制御領域、及び発振波長を調整するＤＢＲ領域の３つの領域が構成されている。６はｎ型ＧａＡｓ基板、７はｎ型Ａｌ０．５Ｇａ０．５Ａｓ第１クラッド層、８はレーザ光を発生するｐ型Ａｌ０．１２Ｇａ０．８８Ａｓ活性層、９はｐ型Ａｌ０．５Ｇａ０．５Ａｓ第２クラッド層、１０はｐ型Ａｌ０．２Ｇａ０．８Ａｓ光導波層、１１はｐ型Ａｌ０．５Ｇａ０．５Ａｓ第３クラッド層、１２はｐ型Ａｌ０．２Ｇａ０．８Ａｓ光導波層１０とｐ型Ａｌ０．５Ｇａ０．５Ａｓ第３クラッド層１１から構成されるリッジ構造、１３はｎ型Ａｌ０．５Ｇａ０．５Ａｓ電流ブロック層、１４は電流ブロック層１３よりも等価実効屈折率が小さいｐ型Ａｌ０．７Ｇａ０．３Ａｓ第４クラッド層、１５はｐ型ＧａＡｓコンタクト層である。ｐ型ＧａＡｓコンタクト層１５は、利得領域、位相制御領域、ＤＢＲ領域にそれぞれ対応して、ｐ型ＧａＡｓコンタクト層１５ａ、ｐ型ＧａＡｓコンタクト層１５ｂ、ｐ型ＧａＡｓコンタクト層１５ｃに電気的に分離されている。さらに、各コンタクト層上にｐ型電極１、ｐ型電極２、ｐ型電極３が設けられている。１７はｐ型Ａｌ０．２Ｇａ０．８Ａｓからなる回折格子であり、また、ｎ型ＧａＡｓ基板６下にｎ型電極４が設けられている。５はレーザ光が出射されるレーザ出射端面である。
【００２４】
本実施の形態のＤＢＲレーザでは、位相制御領域とＤＢＲ領域における活性層のバンドギャップとレーザ出射端面５の近傍の活性層のバンドギャップを、利得領域で発生するレーザ発振光のエネルギーよりも大きくするのが好ましい。これにより、位相制御領域とＤＢＲ領域におけるレーザ発振光の吸収が減少し、レーザ発振のための注入電流のしきい値を低下させることができる。また、レーザ出射端面５の近傍におけるレーザ発振光の吸収が少なくなり、レーザ光によりレーザ出射端面５が溶融破壊される現象であるＣＯＤ（Ｃａｔａｓｔｒｏｐｈｉｃ　　Ｏｐｔｉｃａｌ　Ｄａｍａｇｅ）が起こりにくくなる。
【００２５】
また、本実施の形態のＤＢＲレーザでは、リッジ構造１２は、利得領域、位相制御領域、及びＤＢＲ領域において、共振器方向に平行なストライプ状に形成されているが、ＤＢＲ領域の一箇所において、リッジ構造１２を、共振器方向に対して５°傾斜させることが好ましい。これにより、レーザ出射端面５と対面するレーザ光反射面で反射されたレーザ光が再び導波路に帰還される割合が減少し、ＤＢＲ領域における回折格子１６の分布ブラッグ反射による波長選択性が高められ、発振波長の単一波長性がさらに向上する。
【００２６】
図２（ａ）に、本実施の形態のＤＢＲレーザにおいて、利得領域と位相制御領域における共振器方向と垂直な方向の断面図を示す。ｎ型ＧａＡｓ基板６上に、ｎ型Ａｌ０．５Ｇａ０．５Ａｓ第１クラッド層７、Ａｌ０．１２Ｇａ０．８８Ａｓ活性層８、ｐ型Ａｌ０．５Ｇａ０．５Ａｓ第２クラッド層９がこの順で形成されている。また、ｐ型Ａｌ０．５Ｇａ０．５Ａｓ第２クラッド層９上に、ｐ型Ａｌ０．２Ｇａ０．８Ａｓ光導波層１０とｐ型Ａｌ０．５Ｇａ０．５Ａｓ第３クラッド層１１からなるリッジ構造１２が形成されている。ｐ型Ａｌ０．５Ｇａ０．５Ａｓ第２クラッド層９上に、リッジ構造１２の両側面に沿ってｎ型Ａｌ０．５Ｇａ０．５Ａｓ電流ブロック層１３が形成されている。ｎ型Ａｌ０．５Ｇａ０．５Ａｓ電流ブロック層１３とリッジ構造１２上に、電流ブロック層１３よりも等価実効屈折率が小さいｐ型Ａｌ０．７Ｇａ０．３Ａｓ第４クラッド層１４、ｐ型ＧａＡｓコンタクト層１５がこの順で形成されている。なお、ｐ型ＧａＡｓコンタクト層１５の表面は研磨されて平坦となっている。
【００２７】
図２（ｃ）に、本実施の形態のＤＢＲレーザにおいて、ＤＢＲ領域における共振器方向と垂直な方向の断面図を示す。ｐ型Ａｌ０．５Ｇａ０．５Ａｓ第２クラッド層９上に、リッジ構造１２の側部にｐ型Ａｌ０．２Ｇａ０．８Ａｓ回折格子層１６ａが形成され、ｐ型Ａｌ０．２Ｇａ０．８Ａｓ回折格子層１６ａ上にリッジ構造１２の両側面に沿ってｎ型Ａｌ０．５Ｇａ０．５Ａｓ電流ブロック層１３が形成されている。これにより、レーザー光の横方向における光分布を回折格子層１６ａに十分届くように広げることができる。
【００２８】
図２（ｂ）に示すように、本実施の形態のＤＢＲレーザは、横方向に、２つの等価実効屈折率段差を有する。このように、実効屈折率は、第３クラッド層１１において最大となり、第３クラッド層１１から外に向かうに従い段階的に小さくなっている。これにより、レーザー光の横方向における光分布をさらに広げることができる。
【００２９】
これら２つの等価実効屈折率段差を、レーザ発光中心から見て近い順に、第１の等価実効屈折率段差、第２の等価実効屈折率段差と呼ぶことにすると、第１の等価実効屈折率段差は、ｐ型Ａｌ０．２Ｇａ０．８Ａｓ光導波層１０の幅に、第２の等価実効屈折率段差は、ｐ型Ａｌ０．２Ｇａ０．８Ａｓ光導波層１０の端部とｐ型Ａｌ０．７Ｇａ０．３Ａｓ第４クラッド層１４の屈曲部との距離にそれぞれ対応する。このように、複数の等価実効屈折率段差を有することで、エッチング速度の不安定性によるリッジ構造１２の横幅の変動に起因する、横モード光の閉じ込め効果の不規則性が低減され、導波光の横方向の広がりが均一となる。さらに、図２（ｃ）に示したように、ＤＢＲ領域において、ｐ型Ａｌ０．２Ｇａ０．８Ａｓ回折格子層１６ａがリッジ構造１２の側部に形成されている。これにより、回折格子層１６ａ中に形成された回折格子を通過する導波光の光量が一定となり、導波光が回折格子から受ける実効的反射率を一定範囲に制御することができるようになる。
【００３０】
本実施の形態のＤＢＲレーザによれば、発振波長の単一波長性を安定して実現できる。また、導波光の横方向の広がりが安定化するため、出射されるレーザ光の放射角のバラツキが緩和されて良好な遠視野像が得られ、ＤＢＲレーザをＳＨＧ素子と組み合わせて、信頼性の高い第２高調波変換素子を構成することができる。
【００３１】
以下、本実施の形態におけるＤＢＲレーザの製造方法の一例について、図３を参照しながら説明する。
【００３２】
図３（ａ）に示すように、第１の結晶成長工程において、ＭＯＣＶＤ（有機金属気相成長）法によって、ｎ型ＧａＡｓ基板６上に、ｎ型Ａｌ０．５Ｇａ０．５Ａｓ第１クラッド層７、Ａｌ０．１２Ｇａ０．８８Ａｓ活性層８、ｐ型Ａｌ０．５Ｇａ０．５Ａｓ第２クラッド層９、ｐ型Ａｌ０．２Ｇａ０．８Ａｓ光導波層１０、及びｐ型Ａｌ０．５Ｇａ０．５Ａｓ第３クラッド層１１をこの順で形成する。
【００３３】
次に、図３（ｂ）に示すように、ｐ型Ａｌ０．５Ｇａ０．５Ａｓ第３クラッド層１１上にストライプ状の絶縁膜であるリッジマスク１７を形成する。リッジマスク１７としては、ＳｉＯ２又はＳｉ３Ｎ４を用いることができる。
【００３４】
次いで、図３（ｃ）に示すように、リッジマスク１７をマスクとして用い、ｐ型Ａｌ０．２Ｇａ０．８Ａｓ光導波層１０をエッチングストップ層として、ｐ型Ａｌ０．５Ｇａ０．５Ａｓ第３クラッド層１１をエッチングしてリッジ型に成形する。このとき、エッチャントとして、ｐ型Ａｌ０．５Ｇａ０．５Ａｓ第３クラッド層１１はエッチングし、ｐ型Ａｌ０．２Ｇａ０．８Ａｓ光導波層１０をエッチングしない選択性エッチャント、例えば、塩酸系エッチャントを用いることが必要である。
【００３５】
続いて、ＤＢＲ領域におけるｐ型Ａｌ０．２Ｇａ０．８Ａｓ光導波層１０に、二光束干渉露光法又はＥＢ露光法により、回折格子用のレジストパターニングを形成する。尚、それ以外の領域、即ち、利得領域と位相制御領域ではレジストパターニングを形成しない。
【００３６】
そして、ｐ型Ａｌ０．５Ｇａ０．５Ａｓ第２クラッド層９をエッチングストップ層に用い、ＤＢＲ領域以外の領域においてｐ型Ａｌ０．２Ｇａ０．８Ａｓ光導波層１０をエッチングして除去する。このとき、エッチャントとして、ｐ型Ａｌ０．２Ｇａ０．８Ａｓ光導波層１０はエッチングし、ｐ型Ａｌ０．５Ｇａ０．５Ａｓ第２クラッド層９をエッチングしない選択性エッチャント、例えば、アンモニア過水系エッチャントを用いることが必要である。
【００３７】
これにより、ＤＢＲ領域では、図３（ｄ）に示すように、ｐ型Ａｌ０．５Ｇａ０．５Ａｓ第２クラッド層９上であって、リッジ構造１２の側部において、導波光に対して分布ブラッグ反射作用を有するｐ型Ａｌ０．２Ｇａ０．８Ａｓ回折格子層１６ａ（選択波長８２０ｎｍ）が形成され、それ以外の領域ではｐ型Ａｌ０．５Ｇａ０．５Ａｓ第２クラッド層９が露出した状態となる。
【００３８】
次に、第２の結晶成長工程において、ＭＯＣＶＤ法により、ＤＢＲ領域では、図３（ｅ）に示すように、ｐ型Ａｌ０．２Ｇａ０．８Ａｓ回折格子層１６ａ上に、それ以外の領域では、ｐ型Ａｌ０．５Ｇａ０．５Ａｓ第２クラッド層９上に、それぞれリッジ構造１２の両側面に沿うようにｎ型Ａｌ０．５Ｇａ０．５Ａｓ電流ブロック層１３を形成する。
【００３９】
次いで、リッジマスク１７をウェットエッチングにより除去し、第３の結晶成長工程において、ＭＯＣＶＤ法により、図３（ｆ）に示すように、ＭＯＣＶＤ法により、ｐ型Ａｌ０．７Ｇａ０．３Ａｓ第４クラッド層１４、ｐ型ＧａＡｓコンタクト層１５をこの順で形成する。
【００４０】
そして、ｐ型ＧａＡｓコンタクト層１５の表面を研磨して平坦化する。ここで、ｐ型電極とのオーミックコンタクトをとるため、ｐ型ＧａＡｓコンタクト層１５のキャリア密度は１×１０１９ｃｍ−３とする。
【００４１】
その後、ウェットエッチングにより、ｐ型ＧａＡｓコンタクト層１５において、利得領域、位相制御領域、ＤＢＲ領域のそれぞれの間に分離溝を形成し、各領域を電気的に分離し、それぞれの領域のコンタクト層上にｐ型電極を形成する。
【００４２】
本実施の形態のＤＢＲレーザの製造方法によれば、結晶成長工程が合計３回と少ない回数であるため、結晶層組成の不均一性による屈折率差Δｎの変動が改善され、さらに、光損失の少ないＤＢＲレーザを安定して製造することができる。
【００４３】
【発明の効果】
本発明の半導体レーザによれば、ｐｎ接合と平行、かつ、共振器方向と垂直な方向に複数の等価実効屈折率段差を有することから、導波光の横方向の広がりが均一となり、また、リッジ構造の側部に分布ブラッグ反射を行う回折格子が形成されていることから、導波光が回折格子から受ける実効的反射率を一定範囲に制御することができる。この結果、発振波長の単一波長性を安定して実現できる。また、導波光の横方向の広がりが安定化するため、出射されるレーザ光の放射角のバラツキが緩和されて良好な遠視野像が得られ、ＳＨＧ素子と組み合わせて、信頼性の高い第２高調波変換素子を構成することができる。
【００４４】
また、本発明の半導体レーザの製造方法によれば、結晶成長工程が合計３回と少ない回数となるため、結晶層組成の不均一性による屈折率差Δｎの変動が改善され、さらに、光損失の少ない半導体レーザを安定して製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のＤＢＲレーザの斜視断面図
【図２】本発明のＤＢＲレーザの各領域における断面図
【図３】本発明のＤＢＲレーザの製造方法を示す工程断面図
【図４】従来技術のＤＢＲレーザを示す斜視図
【符号の説明】
１　ｐ型電極（利得領域）
２　ｐ型電極（位相制御領域）
３　ｐ型電極（ＤＢＲ領域）
４　ｎ型電極
５　レーザ出射端面
６　ｎ型ＧａＡｓ基板
７　ｎ型Ａｌ０．５Ｇａ０．５Ａｓ第１クラッド層
８　ｐ型Ａｌ０．１２Ｇａ０．８８Ａｓ活性層
９　ｐ型Ａｌ０．５Ｇａ０．５Ａｓ第２クラッド層
１０　ｐ型Ａｌ０．２Ｇａ０．８Ａｓ光導波層
１１　ｐ型Ａｌ０．５Ｇａ０．５Ａｓ第３クラッド層
１２、１０９　リッジ構造
１３　ｎ型Ａｌ０．５Ｇａ０．５Ａｓ電流ブロック層
１４　ｐ型Ａｌ０．７Ｇａ０．３Ａｓ第４クラッド層
１５　ｐ型ＧａＡｓコンタクト層
１５ａ　ｐ型ＧａＡｓコンタクト層（利得領域）
１５ｂ　ｐ型ＧａＡｓコンタクト層（位相制御領域）
１５ｃ　ｐ型ＧａＡｓコンタクト層（ＤＢＲ領域）
１６　回折格子
１６ａ　ｐ型Ａｌ０．２Ｇａ０．８Ａｓ回折格子層
１７　リッジマスク
１０１　ｎ型ＧａＡｓ基板
１０２　ｎ型Ａｌ０．５Ｇａ０．５Ａｓ第１クラッド層
１０３　Ａｌ０．１２Ｇａ０．８８Ａｓ活性層
１０４　ｐ型Ａｌ０．５Ｇａ０．５Ａｓ第２クラッド層
１０５　ｐ型Ｇａ０．７Ａｌ０．３Ａｓ第１光ガイド層
１０５ａ　ｐ型Ｇａ０．８Ａｌ０．２Ａｓ回折格子層
１０６　ｐ型Ａｌ０．５Ｇａ０．５Ａｓ第３クラッド層
１０７　ｐ型Ａｌ０．２Ｇａ０．８Ａｓエッチングストップ層
１０８　ｐ型Ａｌ０．５Ｇａ０．５Ａｓ第４クラッド層
１１０　ｎ型Ａｌ０．６Ｇａ０．４Ａｓ電流ブロック層
１１１　ｐ型ＧａＡｓコンタクト層
２００　ＤＢＲ領域
【図１】
2004031522.tif 000003
【図２】
2004031522.tif 000004
【図３】
2004031522.tif 000005
【図４】
2004031522.tif 000006