(57)【要約】【課題】熱的および磁気的に高い安定性を示し、製造が容易な磁気抵抗効果型ヘッドを有する記録再生分離型磁気ヘッドを提供する。【解決手段】記録再生分離型磁気ヘッドは、基板１２の上に形成された下部磁気シールド１３と、下部ギャップ層２と、ＮｉＦｅＣｒの第１の下地層３と、Ｒｕの第２の下地層４と、自由磁性層５と、非磁性導電層６と、固定磁性層７と、反強磁性層８と、これらの積層体の両側に配置された磁区制御層１０と、電極層１１と、該電極層１１及び前記積層体の上に上部ギャップ層を介して形成された上部磁気シールド１４とを有する磁気抵抗効果型ヘッド１５と、該磁気抵抗効果型ヘッド１５の上に分離層２１を介して形成された誘導型磁気ヘッド２０とで構成される。【選択図】  図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の上に形成された下部磁気シールドと、下部ギャップ層と、ＮｉＦｅＣｒの第１の下地層と、Ｒｕの第２の下地層と、自由磁性層と、非磁性導電層と、固定磁性層と、反強磁性層と、これらの積層体の両側に配置された磁区制御層と、該磁区制御層の上に形成された電極層と、該電極層及び前記積層体の上に上部ギャップ層を介して形成された上部磁気シールドとを有する磁気抵抗効果型ヘッドと、該磁気抵抗効果型ヘッドの上に絶縁層を介して形成された誘導型磁気ヘッドとを具備することを特徴とする記録再生分離型磁気ヘッド。
【請求項２】
前記第１の下地層のＮｉＦｅＣｒにおいて、組成式（Ｎｉａ−Ｆｅｂ）ｘ−Ｃｒｙで表わされる各元素の含有量が、ａｔ％で４５＜ａ＜１００、０＜ｂ＜５５、５０＜ｘ＜８０、２０＜ｙ＜５０、ａ＋ｂ＝１００、ｘ＋ｙ＝１００
の範囲であることを特徴とする請求項１記載の記録再生分離型磁気ヘッド。
【請求項３】
基板の上に形成された下部磁気シールドと、下部ギャップ層と、ＮｉＣｒの第１の下地層と、Ｒｕの第２の下地層と、自由磁性層と、非磁性導電層と、固定磁性層と、反強磁性層と、これらの積層体の両側に配置された磁区制御層と、該磁区制御層の上に形成された電極層と、該電極層及び前記積層体の上に上部ギャップ層を介して形成された上部磁気シールドとを有する磁気抵抗効果型ヘッドと、該磁気抵抗効果型ヘッドの上に絶縁層を介して形成された誘導型磁気ヘッドとを具備することを特徴とする記録再生分離型磁気ヘッド。
【請求項４】
前記第１の下地層は、組成式Ｎｉｘ−Ｃｒｙで表わされる各元素の含有量がａｔ％で５０＜ｘ＜８０、２０＜ｙ＜５０、ｘ＋ｙ＝１００の範囲であることを特徴とする請求項３記載の記録再生分離型磁気ヘッド。
【請求項５】
前記第１の下地層の厚さは３．５ｎｍから５ｎｍであり、前記第２の下地層の厚さは０．３ｎｍから０．６ｎｍであることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の記録再生分離型磁気ヘッド。
【請求項６】
前記自由磁性層は、前記第２の下地層に隣接したＮｉＦｅ合金からなる磁性層を含むことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の記録再生分離型磁気ヘッド。
【請求項７】
前記第１の下地層の結晶構造はｂｃｃ構造であることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の記録再生分離型磁気ヘッド。
【請求項８】
前記第２の下地層及びその上の層の結晶構造はｆｃｃ構造であることを特徴とする請求項７記載の記録再生分離型磁気ヘッド。
【請求項９】
前記第１の下地層の（１１０）面は前記基板に平行に配向していることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の記録再生分離型磁気ヘッド。
【請求項１０】
前記第２の下地層の（１１１）面は前記基板に平行に配向していることを特徴とする請求項９記載の記録再生分離型磁気ヘッド。
【請求項１１】
前記第１の下地層の膜面内方向に測定した平均結晶粒径は少なくとも１０ｎｍであることを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の記録再生分離型磁気ヘッド。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は磁気ディスク装置に用いられる記録再生分離型磁気ヘッドに係り、特に、再生感度が高く、再生安定性および製造歩留りの高いスピンバルブ型磁気ヘッドに関する。
【０００２】
【従来の技術】
再生用磁気ヘッドにおいて再生感度を高めるために、基板上に非磁性層を挟んで一対の磁性層を積層したサンドイッチ構造のスピンバルブ膜からなる磁気抵抗効果型ヘッドが開発されている。スピンバルブ膜は、一方の磁性層（固定磁性層）の磁化が、それに隣接する反強磁性層との交換結合磁界により素子の高さ方向に固定されるのに対し、他方の磁性層（自由磁性層）の磁化は、一般に永久磁石の磁界を利用したハードバイアス法により、素子のトラック幅方向に単磁区化され、外部磁界により自由に回転する。このスピンバルブ膜を利用したスピンバルブ型磁気ヘッドは、反強磁性層によりピン止めされた固定磁性層の磁化方向と、外部磁界による自由磁性層の磁化方向との相対角度の変化によって電気抵抗が変化する形式の磁気抵抗効果型ヘッドである。
【０００３】
反強磁性層による一方向異方性磁界が大きいほど、固定磁性層を良好に単磁区化することができ、またその磁化が十分に固定されるほど、外部磁界に対する磁気応答の線形性が確保され、再生特性が向上する。そこで、従来より様々な反強磁性材料が提案されている。また、反強磁性材料は、その下地の材料によって特性が変化することが知られている。
【０００４】
特許文献１には、ＮｉＦｅＣｒを下地層として用いた場合、その上に順次成長する自由磁性層、非磁性層、固定磁性層、反強磁性層の結晶粒径が大きくなるため、層間の拡散が抑制され、熱的安定性が向上するとの記載がある。さらには、膜全体のシート抵抗が下がり、抵抗変化量及び抵抗変化率が大きくなるため、高感度化にも有利であるとの記載がある。
【０００５】
特許文献２には、基板上にＴａの第１下地層、ＮｉＦｅＣｒの第２の下地層を積層して設け、そのＮｉＦｅＣｒ膜がｆｃｃ構造を有し、かつ（１１１）配向することで、その上に形成される自由磁性層、非磁性導電層、固定磁性層、反強磁性層の（１１１）配向を強くすることが記載されている。その結果として、一方向異方性磁界を大きくして、両磁性層間の相互作用磁界を小さくでき、熱的及び磁気的に高い安定性が得られ、高い磁気抵抗変化率及び磁気抵抗変化の線形性など、磁気変換特性が向上するとしている。
【０００６】
【特許文献１】
米国特許第６１４１１９１号明細書（第６−７欄、Ｆｉｇ．５）
【特許文献２】
特開２０００−１５０２３５号公報（第３頁、図１）
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
高記録密度に対応するため、狭トラック化に伴って、より高感度化が要求され、かつノイズの低減も重要となってきている。このノイズを低減するために、自由磁性層の磁区制御を強くすることが有効であるが、自由磁性層の磁化が動きにくくなる。また副次的効果として縦バイアス磁界が固定磁性層の磁化方向に影響を与えやすくなり、再生出力の低下を引き起こす。したがって、再生安定性と再生感度を両立することが困難となっている。
【０００８】
この問題を解決するために、ＮｉＦｅＣｒ層もしくはＮｉＣｒ層を下地層として用いることで、一方向異方性磁界が大きくなり、抵抗変化率も大きくなり、熱的安定性も向上することから、再生安定性と再生感度を両立する方法として、検討が進められている。
【０００９】
しかし、前記特許文献１記載の発明では、実際の磁気ヘッドへの応用を考えた場合、ＮｉＦｅＣｒの単層下地では、基板材料や面粗さに依存して、特性が変わりやすく、また、最適な組成範囲が狭いために、安定して同じ特性を得ることが難しい。
【００１０】
一方、前記特許文献２記載の発明のように、基板とＮｉＦｅＣｒもしくはＮｉＣｒの間にＴａを挿入した、Ｔａ／ＮｉＦｅＣｒもしくはＴａ／ＮｉＣｒの２層下地では、基板の影響は排除できるが、必要膜厚が厚くなる問題が明らかとなってきた。また、良好な組成範囲も狭く、自由磁性層の保磁力も大きい点も問題であった。
【００１１】
本発明の目的は、熱的および磁気的に高い安定性を示し、製造が容易な磁気抵抗効果型ヘッドを具備する記録再生分離型磁気ヘッドを提供することである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
前記目的を達成するために本発明の記録再生分離型磁気ヘッドは、基板の上に形成された下部磁気シールドと、下部ギャップ層と、ＮｉＦｅＣｒの第１の下地層と、Ｒｕの第２の下地層と、自由磁性層と、非磁性導電層と、固定磁性層と、反強磁性層と、これらの積層体の両側に配置された磁区制御層と、該磁区制御層の上に形成された電極層と、該電極層及び前記積層体の上に上部ギャップ層を介して形成された上部磁気シールドとを有する磁気抵抗効果型ヘッドと、該磁気抵抗効果型ヘッドの上に絶縁層を介して形成された誘導型磁気ヘッドとを具備する。
【００１３】
前記第１の下地層のＮｉＦｅＣｒにおいて、組成式（Ｎｉａ−Ｆｅｂ）ｘ−Ｃｒｙで表わされる各元素の含有量は、ａｔ％で４５＜ａ＜１００、０＜ｂ＜５５、５０＜ｘ＜８０、２０＜ｙ＜５０、ａ＋ｂ＝１００、ｘ＋ｙ＝１００
の範囲である。
【００１４】
前記目的を達成するために本発明の記録再生分離型磁気ヘッドは、基板の上に形成された下部磁気シールドと、下部ギャップ層と、ＮｉＣｒの第１の下地層と、Ｒｕの第２の下地層と、自由磁性層と、非磁性導電層と、固定磁性層と、反強磁性層と、これらの積層体の両側に配置された磁区制御層と、該磁区制御層の上に形成された電極層と、該電極層及び前記積層体の上に上部ギャップ層を介して形成された上部磁気シールドとを有する磁気抵抗効果型ヘッドと、該磁気抵抗効果型ヘッドの上に絶縁層を介して形成された誘導型磁気ヘッドとを具備する。
【００１５】
前記第１の下地層は、組成式Ｎｉｘ−Ｃｒｙで表わされる各元素の含有量はａｔ％で５０＜ｘ＜８０、２０＜ｙ＜５０、ｘ＋ｙ＝１００の範囲である。
【００１６】
前記第１の下地層の厚さは３．５ｎｍから５ｎｍであり、前記第２の下地層の厚さは０．３ｎｍから０．６ｎｍである。
【００１７】
前記自由磁性層は、前記第２の下地層に隣接したＮｉＦｅ合金からなる磁性層を含む。
【００１８】
前記第１の下地層の結晶構造はｂｃｃ構造である。
【００１９】
前記第２の下地層及びその上の層の結晶構造はｆｃｃ構造である。
【００２０】
前記第１の下地層の（１１０）面は前記基板に平行に配向している。
【００２１】
前記第２の下地層の（１１１）面は前記基板に平行に配向している。
【００２２】
前記第１の下地層の膜面内方向に測定した平均結晶粒径は少なくとも１０ｎｍである。
【００２３】
【発明の実施の形態】
以下に本発明の実施例について説明する。図１は記録再生分離型磁気ヘッドを浮上面から見た斜視図である。記録再生分離型磁気ヘッドは再生用の磁気抵抗効果型ヘッド１５と記録用の誘導型磁気ヘッド２０で構成されている。磁気抵抗効果型ヘッド１５は、基板１２の上に形成された下部磁気シールド１３と、その上に下部ギャップ層２（図２参照）を介して形成された磁気抵抗効果膜（スピンバルブ膜）１と、スピンバルブ膜１の両側に配置された磁区制御層（ハードバイアス層）１０と、その上に積層されたスピンバルブ膜１にセンス電流を供給するための電極層１１と、これらの上に上部ギャップ層（図示せず）を介して形成された上部磁気シールド１４とを有する。
【００２４】
誘導型磁気ヘッド２０は、磁気抵抗効果型磁気ヘッド１５の上に絶縁体の分離層２１を介して形成された、下部磁性層２２と、この下部磁性層２２とで浮上面側に磁気ギャップを形成し、後部で下部磁性層２２に接続されて磁気回路を形成する上部磁性層２４と、下部磁性層２２と上部磁性層２４の間に絶縁層（図示せず）を介して形成された導電コイル２３とを有する。
【００２５】
図２は磁気抵抗効果型ヘッド１５の素子部を浮上面側から見た図である。スピンバルブ膜１はアルミナ等の酸化絶縁体からなる下部ギャップ層２の上に、厚さ４．２ｎｍのＮｉＦｅＣｒからなる第１の下地層３、厚さ０．４５ｎｍのＲｕからなる第２の下地層４、厚さ２ｎｍのＮｉＦｅと厚さ１ｎｍのＣｏＦｅが積層された自由磁性層５、厚さ２ｎｍのＣｕからなる非磁性導電層６、厚さ２ｎｍのＣｏＦｅと厚さ０．８ｎｍのＲｕと厚さ１．５ｎｍのＣｏＦｅが積層された固定磁性層７、厚さ１２ｎｍのＰｔＭｎからなる反強磁性層８、厚さ２ｎｍのＴａからなる保護層９が積層されて構成される。固定磁性層７は、Ｒｕからなる非磁性層７ｃによって隔てられた２層のＣｏＦｅからなる磁性層７ａと７ｂで構成され、シンセティック・フェリ結合している。２層の磁性層７ａと７ｂの磁気モーメントは反平行となっている。
【００２６】
スピンバルブ膜１の両端は所定のトラック幅に合わせてエッチングにより除去され、ＣｏＣｒＰｔ等からなるハードバイアス層１０が形成され、ハードバイアス層１０の上にはスピンバルブ膜１にセンス電流を流すためのＴａ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ等からなる一対の導電リードを構成する電極層１１が形成される。
【００２７】
スピンバルブ膜１は、成膜後に真空磁界中で所定の熱処理を施すことにより、反強磁性層８を規則化させ、かつ固定磁性層７に一方向性異方性を与えて、その磁化方向を固定する。ＮｉＦｅＣｒからなる第１の下地層３はｂｃｃ構造を示し、かつ（１１０）配向しており、その上に形成される層は結晶粒径が大きくｆｃｃ構造を有し、ＮｉＦｅＣｒとエピタキシャル的に成長する為（１１１）面が基板と平行に配向する。このため、スピンバルブ膜１が熱的及び磁気的に高い安定性を示し、高い抵抗変化率が得られる。
【００２８】
以上の説明では２層下地の上の自由磁性層５をＮｉＦｅ／ＣｏＦｅの積層膜としたが、非磁性層を自由磁性層５を構成する磁性層間に挿入した、いわゆるシンセティック・フェリ結合の自由磁性層においても前記実施例と同様に２層下地の効果が得られる。
【００２９】
図３（ａ）及び（ｂ）に前記実施例で説明したＮｉＦｅＣｒ／Ｒｕ２層下地を用いたスピンバルブ膜１の、第１下地層（ＮｉＦｅＣｒ層）３の厚さと抵抗変化率ｄＲ／Ｒ、交換結合磁場Ｈｅｘとの関係を示す。スピンバルブ膜１の磁気特性としては、抵抗変化率と交換結合磁場は大きい方が再生感度が向上する。ＮｉＦｅＣｒ層の厚さが概ね３．５から５ｎｍの時に抵抗変化率ｄＲ／Ｒ、交換結合磁場Ｈｅｘ、共に良好な特性を示していることがわかる。また、良好な特性を示す厚さの範囲が広くなっている。
【００３０】
図４に比較例としてＮｉＦｅＣｒ単層下地を用いたスピンバルブ膜の、ＮｉＦｅＣｒ層の厚さと抵抗変化率ｄＲ／Ｒ、交換結合磁場Ｈｅｘとの関係を示す。ＮｉＦｅＣｒ単層下地の場合、抵抗変化率ｄＲ／Ｒ、交換結合磁場Ｈｅｘともに良好な特性を示しているのはＮｉＦｅＣｒ膜の厚さが概ね３から３．５ｎｍの範囲であり、前記本発明の実施例に比べて狭い範囲である。
【００３１】
図５に前記本発明の実施例におけるＮｉＦｅＣｒ／Ｒｕ２層下地を用いたスピンバルブ膜１の、第２の下地層４（Ｒｕ層）の厚さと抵抗変化率ｄＲ／Ｒ、交換結合磁場Ｈｅｘとの関係を示す。第１下地層３であるＮｉＦｅＣｒ層の厚さは４．２ｎｍとした。Ｒｕ層の厚さが０．３から０．６ｎｍの時に抵抗変化率ｄＲ／Ｒ、交換結合磁場Ｈｅｘともに、良好な特性を示していることがわかる。
【００３２】
なお、図３乃至図５の例において第２下地膜４の上に形成したその他のスピンバルブ膜１の構成は、前記図２で説明した実施例と同じである。熱処理は、１．１ＭＡ／ｍ（１４ｋＯｅ）の磁界中に２７０℃で３時間保持とした。
【００３３】
図６（ａ）及び（ｂ）にＮｉＦｅＣｒ／Ｒｕ２層下地のＮｉＦｅＣｒ層厚を４．２ｎｍ、Ｒｕ層厚を０．４５ｎｍとしたスピンバルブ膜１の自由磁性層５ＮｉＦｅ（ｘ）／ＣｏＦｅ（ｙ）における抵抗変化率ｄＲ／Ｒ、自由磁性層５の保磁力Ｈｃとの関係、図６（ｃ）及び（ｄ）に比較例としてＮｉＦｅＣｒ単層下地のＮｉＦｅＣｒ層厚を３．４ｎｍとしたスピンバルブ膜の自由磁性層５ＮｉＦｅ（ｘ）／ＣｏＦｅ（ｙ）におけると抵抗変化率ｄＲ／Ｒ、自由磁性層５の保磁力Ｈｃとの関係を示す。自由磁性層５のＮｉＦｅの飽和磁束密度Ｂｓは１Ｔ、ＣｏＦｅの飽和磁束密度Ｂｓは２Ｔとした。なお、図６（ｅ）に図６（ａ）〜（ｄ）における自由磁性層５の磁化量（Ｂｓ・Ｔ）、ＮｉＦｅ層の厚さ、ＣｏＦｅ層の厚さを示す。
【００３４】
図６（ｃ）及び（ｄ）に示すように、ＮｉＦｅＣｒ単層下地の場合、自由磁性層５の同じ磁化量（Ｂｓ・Ｔ）においてＣｏＦｅの割合を増加させて抵抗変化率ｄＲ／Ｒを向上させると、自由磁性層５の保磁力Ｈｃが単調に増加しており、良好なＧＭＲ特性と軟磁気特性を両立できない。つまり、磁気ヘッドとしては保磁力Ｈｃは小さいほうが軟磁気特性が良いのである。
【００３５】
図６（ａ）及び（ｂ）に示すように、ＮｉＦｅＣｒ／Ｒｕ２層下地の場合は、Ｒｕ層に隣接してＮｉＦｅ層を配置すれば、自由磁性層５の同じ磁化量（Ｂｓ・Ｔ）においてＣｏＦｅの割合を増加させて、抵抗変化率ｄＲ／Ｒを向上させても、自由磁性層５の保磁力Ｈｃは増加せず、良好なＧＭＲ特性と軟磁気特性を両立可能である。
【００３６】
図７は、前述の実施例に適用したＮｉＦｅＣｒ層のＸ線回折パターンを示す。測定には、通常のθ−２θ法と、θ軸を面内から低角度固定し２θ軸のみを移動させ膜面に平行でない回折面のピークを検出できる方法の２種類を用いた。その結果、ＮｉＦｅＣｒ層はｂｃｃ構造を示し、かつ（１１０）面が膜面に平行に配向していることがわかった。この（１１０）面配向がその上に積層されるｆｃｃ構造を示す各層の（１１１）配向性を高める効果がある。
【００３７】
図８に、スピンバルブ膜１の膜面方向から見た場合の、ＮｉＦｅＣｒ第１下地層３、ＮｉＦｅとＣｏＦｅからなる自由磁性層５、ＰｔＭｎ反強磁性層８の結晶配列を、各々（ａ）（ｂ）（ｃ）として示す。Ｘ線回折による結晶構造解析の結果より、ｂｃｃ構造を示すＮｉＦｅＣｒ層の（１１０）面上に、ｆｃｃ構造を示す第２の下地層４及び自由磁性層５の（１１１）面が成長する。その際、格子のミスマッチを小さくするため、（ａ）と（ｂ）においては、間隔が約０．４４ｎｍ同士の辺が重なるように成長する。一方、（ａ）とｆｃｃ構造の（ｃ）の関係は、間隔が約０．５４ｎｍ同士の辺が重なる場合にミスフィットが小さくできる。第１の下地層３のＮｉＦｅＣｒの膜面内方向に測定した平均結晶粒径は、約１０ｎｍであった。
【００３８】
上述したスピンバルブ膜１の第１の下地層３であるＮｉＦｅＣｒにおいて、組成式（Ｎｉａ−Ｆｅｂ）ｘ−Ｃｒｙで表わされる各元素の含有量は、ａｔ％で４５＜ａ＜１００、０＜ｂ＜５５、５０＜ｘ＜８０、２０＜ｙ＜５０、ａ＋ｂ＝１００、ｘ＋ｙ＝１００の範囲である。
【００３９】
また、第１の下地層３としてＮｉＦｅＣｒの代わりにＮｉＣｒを用いることができる。第１の下地層３としてＮｉＣｒを用いた場合においては、組成式Ｎｉｘ−Ｃｒｙで表わされる各元素の含有量が、ａｔ％で５０＜ｘ＜８０、２０＜ｙ＜５０、ｘ＋ｙ＝１００の範囲であり、かつ、その膜厚が３．５ｎｍから５ｎｍの範囲であることが望ましい。ＮｉＣｒ層の膜面内方向に測定した平均結晶粒径は約１０ｎｍであった。また、結晶構造はｂｃｃ構造であり、（１１０）面が膜面に平行に配向していることがわかった。
【００４０】
第１の下地層３であるＮｉＦｅＣｒ又はＮｉＣｒと組み合わせる第２の下地層４であるＲｕ下地層４は、その膜厚が０．３ｎｍから０．６ｎｍの範囲であることが望ましい。
【００４１】
【発明の効果】
以上説明したとおり、本発明の記録再生分離型磁気ヘッドのスピンバルブ型磁気ヘッドにおいては、ＮｉＦｅＣｒもしくはＮｉＣｒからなる第１の下地層をｂｃｃ構造の（１１０）配向させて、スピンバルブ膜の結晶粒径を大きくし、ｆｃｃ構造の（１１１）配向を向上させるため、熱的及び磁気的に高い安定性が得られ、高い磁気抵抗変化率及び磁気抵抗変化の線形性など、磁気変換特性の向上を達成することができる。また、第１及び第２下地層の膜厚の範囲が広く再生変動の少ないスピンバルブ型磁気ヘッドを容易に実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例による記録再生分離型磁気ヘッドの浮上面から見た斜視図である。
【図２】本発明の実施例によるスピンバルブヘッドの素子部の構造を示す正面図である。
【図３】本発明の実施例によるＮｉＦｅＣｒ／Ｒｕ２層下地のＮｉＦｅＣｒ層の厚さと抵抗変化率、交換結合磁場の関係を示すグラフである。
【図４】ＮｉＦｅＣｒ単層下地膜の厚さと抵抗変化率、交換結合磁場の関係を示すグラフである。
【図５】本発明の実施例によるＮｉＦｅＣｒ／Ｒｕ２層下地のＲｕ層の厚さと抵抗変化率、交換結合磁場の関係を示すグラフである。
【図６】本発明の実施例によるＮｉＦｅＣｒ／Ｒｕ２層下地及び比較例のＮｉＦｅＣｒ単層下地の自由磁性層の抵抗変化率、保持力の関係を示すグラフである。
【図７】本発明の実施例によるＮｉＦｅＣｒ層のＸ線回折パターンを示す図である。
【図８】本発明の実施例によるＮｉＦｅＣｒ下地層、ＮｉＦｅ／ＣｏＦｅ自由磁性層、ＰｔＭｎ反強磁性層の結晶配列を示す図である。
【符号の説明】
１    スピンバルブ膜                          ２    下部ギャップ層
３    第１の下地層（ＮｉＦｅＣｒ／ＮｉＣｒ）
４    第２の下地層（Ｒｕ）
５    自由磁性層                              ６    非磁性導電層
７    固定磁性層                              ７ａ  第１の固定磁性層
７ｂ  非磁性層                                ７ｃ  第２の固定磁性層
８    反強磁性層                              ９    保護層
１０  ハードバイアス層                        １１  電極層
１２  基板                                    １３  下部磁気シールド
１４  上部磁気シールド
１５  磁気抵抗効果型ヘッド                    ２０  誘導型磁気ヘッド
２１  分離層                                  ２２  下部磁性層
２３  導体コイル                              ２４  上部磁性層
【図１】
2004164725.tif 000003
【図２】
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【図３】
2004164725.tif 000005
【図４】
2004164725.tif 000006
【図５】
2004164725.tif 000007
【図６】
2004164725.tif 000008
【図７】
2004164725.tif 000009
【図８】
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