(57)【要約】【課題】　容易に高出力化を図ることができる窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を用いた半導体レーザを提供する。【解決手段】　ｐ側コンタクト層４３とｐ側電極５２との間に、高抵抗層６４が、共振器方向Ａにおける活性層３０の両端部を除く他の領域に対応して設けられている。これにより、活性層３０の共振器方向Ａにおける両端部は電流不注入領域となっており、電流注入領域は共振器方向Ａにおける両端部を除く他の領域においてｐ側コンタクト層４３に対応した部分となっている。従って、共振器端面１ａ，１ｂおよびその近傍領域における非発光再結合が効果的に防止され、共振器端面１ａ，１ｂおよびその近傍領域の温度の上昇が抑制され、ＣＯＤが防止される。【選択図】　　　　図５
2004048079.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
　３Ｂ族元素のうちの少なくとも１種と５Ｂ族元素のうちの少なくとも窒素（Ｎ）とを含む窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体よりそれぞれなるｎ型半導体層，活性層およびｐ型半導体層が順次積層されると共に、前記ｎ型半導体層に対してｎ側電極がオーミック接触され、前記ｐ型半導体層に対してｐ側電極がオーミック接触された半導体レーザであって、前記ｐ型半導体層は、
　前記活性層の共振器方向における少なくとも一方の端部を除く領域に対応して設けられ、前記ｐ側電極とオーミック接触するｐ側コンタクト層と、
　前記ｐ側コンタクト層と前記ｐ側電極との間に、前記ｐ側コンタクト層に接し、かつ前記活性層の領域全体に対応するように設けられた下地層とを有し、
　前記活性層の共振器方向における少なくとも一方の端部は、前記ｐ側電極と前記下地層との間に絶縁層または高抵抗層とが介在することにより電流不注入領域となっており、
　かつ、前記絶縁層または高抵抗層の積層方向の厚みが前記ｐ側コンタクト層よりも薄く形成され、前記ｐ側電極の表面に、端部近傍が前記ｐ側コンタクト層に対応する領域よりも低い段差を有する
　ことを特徴とする半導体レーザ。
【請求項２】
　前記電流不注入領域の共振器方向における幅は、１００μｍ以内であることを特徴とする請求項１記載の半導体レーザ。
【請求項３】
　前記高抵抗層は、前記ｐ側コンタクト層を共振器端面の近傍まで形成したのち、前記共振器端面の近傍をドライエッチング（ＲＩＥ）により選択的に除去してダメージを与えることにより形成されたものであることを特徴とする請求項１記載の半導体レーザ。
【請求項４】
　前記ｐ側コンタクト層はｐ型窒化ガリウム（ＧａＮ）により形成され、また、前記ｐ側電極は、前記ｐ側コンタクト層および前記絶縁層または高抵抗層側からパラジウム（Ｐｄ），白金（Ｐｔ）および金（Ａｕ）を順次積層した構造を有することを特徴とする請求項１記載の半導体レーザ。
【請求項５】
　前記下地層はｐ型窒化アルミニウムガリウム（ＡｌＧａＮ）により形成されていることを特徴とする請求項１記載の半導体レーザ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
　本発明は、３Ｂ族元素のうちの少なくとも１種と５Ｂ族元素のうちの少なくとも窒素（Ｎ）とを含む窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を用いた半導体レーザに関する。
【背景技術】
【０００２】
　近年、光ディスク装置や光磁気ディスク装置などにおいては、記録・再生の高密度化または高解像度化の要求が高まっており、それを実現するために、青色波長帯域ないし紫外領域の短波長域で発光可能な半導体レーザ（laser diode ；ＬＤ）の研究開発が盛んに行われている。このような短波長域で発光可能な半導体レーザを構成するのに適した材料としては、ＧａＮ，ＡｌＧａＮ混晶あるいはＧａＩｎＮ混晶に代表される窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体が知られている。この窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を用いた半導体レーザにより書き換え可能なディスクの記録・再生を実現するためには、少なくとも３０ｍＷ程度の大きな光出力が必要とされる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
　しかしながら、この種の半導体レーザでは、共振器方向において対向する一対の端面近傍において光学損傷（Catastrophic Optical Damage ；ＣＯＤ）が生じてしまい、高出力化が難しいという問題があった。このＣＯＤは、高密度の界面準位が存在する端面近傍において電子と正孔との非発光再結合が内部よりも多く発生し、キャリア密度が減少してしまい、端面近傍で光が吸収され温度が上昇すると共に、これによりバンドギャップが減少して光吸収が生じ更に温度が上昇するといった連鎖的な一連の現象により発生することが知られている。
【０００４】
　なお、上述した問題を解決する手段の１つとして、活性層に電流を供給するオーミック電極の共振器方向の長さを共振器の長さよりも短くした窒化ガリウム系半導体レーザ素子が提案されている（特許文献１参照）。しかしながら、この半導体レーザ素子では、作製工程が複雑になるという問題があった。
【特許文献１】特開平１１−３４０５７３号公報
【０００５】
　本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、容易に高出力化を図ることができる窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を用いた半導体レーザを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
　本発明による半導体レーザは、３Ｂ族元素のうちの少なくとも１種と５Ｂ族元素のうちの少なくとも窒素（Ｎ）とを含む窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体よりそれぞれなるｎ型半導体層，活性層およびｐ型半導体層が順次積層されると共に、前記ｎ型半導体層に対してｎ側電極がオーミック接触され、前記ｐ型半導体層に対してｐ側電極がオーミック接触されたものであって、前記ｐ型半導体層は、前記活性層の共振器方向における少なくとも一方の端部を除く領域に対応して設けられ、前記ｐ側電極とオーミック接触するｐ側コンタクト層と、前記ｐ側コンタクト層と前記ｐ側電極との間に、前記ｐ側コンタクト層に接し、かつ前記活性層の領域全体に対応するように設けられた下地層とを有し、前記活性層の共振器方向における少なくとも一方の端部は、前記ｐ側電極と前記下地層との間に絶縁層または高抵抗層とが介在することにより電流不注入領域となっており、かつ、前記絶縁層または高抵抗層の積層方向の厚みが前記ｐ側コンタクト層よりも薄く形成され、前記ｐ側電極の表面に、端部近傍が前記ｐ側コンタクト層に対応する領域よりも低い段差を有するように構成したものである。
【０００７】
　本発明による半導体レーザでは、電流不注入領域として、ｐ側電極と下地層（ｐ側クラッド層）との間の共振器方向における少なくとも一方の端部に絶縁層または高抵抗層からなる電流不注入領域を有することから、動作中における端部近傍での温度上昇が抑制される。また、絶縁層または高抵抗層の積層方向の厚みが前記ｐ側コンタクト層よりも薄くなっており、ｐ側電極の表面に段差が形成されている。すなわち、ｐ側電極の端部近傍がｐ側コンタクト層に対応する領域よりも低くなっており、そのため、実装時において反転し、サブマウントに半田付けする際に、余った半田が端面にはみ出し、活性層に至る虞がなくなる。
【発明の効果】
【０００８】
　本発明の半導体レーザによれば、ｐ側電極と下地層（ｐ側クラッド層）との間の共振器方向における少なくとも一方の端部に絶縁層または高抵抗層からなる電流不注入領域を設けると共に、絶縁層または高抵抗層の積層方向の厚みをｐ側コンタクト層よりも薄くしてｐ側電極の表面に段差を設けるようにしたので、動作中における端部近傍での温度上昇が抑制され、端部におけるＣＯＤの発生を防ぐことができると共に、容易に高出力化を図ることが可能となる。加えて、サブマウントに実装する際に、余った半田が端面にはみ出して活性層に至る虞がなくなるので、実装作業を円滑に行うことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
　以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。
【００１０】
［第１の実施の形態］
　図１は、本発明の第１の実施の形態に係る半導体レーザ１の構成を表すものである。この半導体レーザ１は、基板１１の一面側に、基板１１側から順に積層されたｎ型半導体層２０，活性層３０およびｐ型半導体層４０を有している。基板１１は、例えば、積層方向における厚さ（以下、単に厚さという。）が８０μｍ程度のサファイア（α−Ａｌ2 Ｏ3 ）により構成されており、ｎ型半導体層２０，活性層３０およびｐ型半導体層４０などは基板１１のｃ面に形成されている。ｎ型半導体層２０，活性層３０およびｐ型半導体層４０は、短周期型周期律表における３Ｂ族元素のうちの少なくとも１種と短周期型周期律表における５Ｂ族元素のうちの少なくとも窒素とを含む窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体によりそれぞれ構成されている。
【００１１】
　ｎ型半導体層２０は、例えば、基板１１の側から順に積層されたｎ側コンタクト層２１，ｎ型クラッド層２２およびｎ型ガイド層２３を有している。ｎ側コンタクト層２１は、例えば、厚さが３μｍであり、ｎ型不純物としてケイ素（Ｓｉ）を添加したｎ型ＧａＮにより構成されている。ｎ型クラッド層２２は、例えば、厚さが１μｍであり、ｎ型不純物としてケイ素を添加したｎ型ＡｌＧａＮ混晶により構成されている。ｎ型ガイド層２３は、例えば、厚さが０．１μｍであり、ｎ型不純物としてケイ素を添加したｎ型ＧａＮにより構成されている。
【００１２】
　活性層３０は、例えば、厚さが３０ｎｍであり、組成の異なるＧａx Ｉｎ1-x Ｎ（但し、ｘ≧０）混晶層を積層した多重量子井戸構造を有している。
【００１３】
　ｐ型半導体層４０は、例えば、活性層３０の側から順に積層されたｐ型ガイド層４１，ｐ型クラッド層４２およびｐ側コンタクト層４３を有している。ｐ型ガイド層４１は、例えば、厚さが０．１μｍであり、ｐ型不純物としてマグネシウム（Ｍｇ）を添加したｐ型ＧａＮにより構成されている。ｐ型クラッド層４２は、例えば、厚さが０．８μｍであり、ｐ型不純物としてマグネシウムを添加したｐ型ＡｌＧａＮ混晶により構成されている。ｐ側コンタクト層４３は、例えば、厚さが０．５μｍであり、ｐ型不純物としてマグネシウムを添加したｐ型ＧａＮにより構成されている。なお、ｐ型クラッド層４２の一部およびｐ側コンタクト層４３は、共振器方向Ａに延長された細い帯状とされており、電流狭窄を行うようになっている。
【００１４】
　また、ｐ側コンタクト層４３は、共振器方向Ａにおける活性層３０の少なくとも一方の端部、例えば両端部を除く他の領域に対応して設けられている。これにより、活性層３０の共振器方向Ａにおける少なくとも一方の端部は電流不注入領域となっており、発光部として機能する電流注入領域は共振器方向Ａにおける少なくとも一方の端部を除く他の領域においてｐ側コンタクト層４３に対応した部分となっている。なお、ここで電流不注入領域とは、電流が全く流れない領域を意味するのではなく、積極的に電流を注入しない領域を意味している。電流不注入領域の共振器方向Ａにおける幅は、１００μｍ以内とされることが好ましい。それよりも大きいと、ｐ側コンタクト層４３と後述するｐ側電極５２との接触部分が少なくなってしまい、駆動電圧が上昇すると共に、ｐ側電極５２からｐ側コンタクト層４３へ均一に電流が注入されず閾値電流が大きくなるからである。また、電流不注入領域の共振器方向Ａにおける幅は、１０μｍ〜５０μｍの範囲内であればより好ましい。この範囲内であれば、半導体レーザ１の動作特性がより安定するからである。
【００１５】
　なお、この半導体レーザ１では、共振器方向Ａに対して垂直な方向におけるｎ側コンタクト層２１の幅が、他のｎ型クラッド層２２，ｎ型ガイド層２３，活性層３０およびｐ型半導体層４０よりも広くなっており、ｎ側コンタクト層２１の一部にｎ型クラッド層２２，ｎ型ガイド層２３，活性層３０およびｐ型半導体層４０が積層されている。
【００１６】
　ｎ側コンタクト層２１の表面およびｐ型半導体層４０の表面には、例えば二酸化ケイ素（ＳｉＯ2 ）よりなる絶縁膜１２が形成されている。この絶縁膜１２にはｎ側コンタクト層２１およびｐ側コンタクト層４３に対応して開口がそれぞれ設けられており、ｎ側コンタクト層２１およびｐ側コンタクト層４３の上には、これらの開口に対応してｎ側電極５１およびｐ側電極５２がそれぞれ形成されている。ｎ側電極５１は、例えばチタン（Ｔｉ）およびアルミニウム（Ａｌ）を順次積層して熱処理により合金化した構造を有しており、ｎ側コンタクト層２１とオーミック接触している。ｐ側電極５２は、例えばパラジウム（Ｐｄ），白金　（Ｐｔ）および金（Ａｕ）が順次積層された構造を有しており、ｐ側コンタクト層４３とオーミック接触している。なお、ｐ側コンタクト層４３は、絶縁膜１２の開口を介して全面が露出されており、ｐ側電極５２と全面においてオーミック接触している。
【００１７】
　また、この半導体レーザ１では、共振器方向Ａにおいて活性層３０に対応して対向する一対の側面が共振器端面１ａ，１ｂとなっており、一対の共振器端面１ａ，１ｂには図示しない一対の反射鏡膜がそれぞれ形成されている。これら一対の反射鏡膜のうち一方は低反射率となるように、他方は高反射率となるように反射率がそれぞれ調整されている。これにより、活性層３０において発生した光は一対の反射鏡膜の間を往復して増幅され、低反射率の反射鏡膜からレーザビームとして出射するようになっている。なお、ｐ側コンタクト層４３が共振器方向Ａにおける活性層３０の一方の端部を除く他の領域に対応して設けられており、この一方の端部のみを電流不注入領域とする場合には、この電流不注入領域とされた端部側を低反射率の反射鏡膜とすることが好ましい。
【００１８】
　このような構成を有する半導体レーザ１は、次のようにして製造することができる。なお、ここでは複数の半導体レーザ１を製造する場合を例に挙げて説明する。
【００１９】
　図２および図３は、その製造工程を１つの半導体レーザ形成領域について表すものである。なお、図２（Ａ），（Ｂ）および図３（Ａ）は共振器方向Ａに対して垂直方向の断面構造を表し、図３（Ｂ）は共振器方向Ａにそってｐ側コンタクト層４３を含むように切断した断面構造を表している。まず、例えば、複数の半導体レーザ形成領域を有すると共に、厚さ４００μｍ程度のサファイアよりなる基板１１を用意する。次いで、この基板１１の例えばｃ面に、図２（Ａ）に示したように、例えばＭＯＣＶＤ法により、ｎ型ＧａＮよりなるｎ側コンタクト層２１，ｎ型ＡｌＧａＮ混晶よりなるｎ型クラッド層２２，ｎ型ＧａＮよりなるｎ型ガイド層２３，ＧａＩｎＮ混晶よりなる活性層３０、ｐ型ＧａＮよりなるｐ型ガイド層４１，ｐ型ＡｌＧａＮ混晶よりなるｐ型クラッド層４２およびｐ型ＧａＮよりなるｐ側コンタクト層４３を順次成長させる。
【００２０】
　なお、ＭＯＣＶＤを行う際、ガリウムの原料ガスとしては例えばトリメチルガリウム（（ＣＨ3 ）3 Ｇａ）、アルミニウムの原料ガスとしては例えばトリメチルアルミニウム（（ＣＨ3 ）3 Ａｌ）、インジウムの原料ガスとしては例えばトリメチルインジウム（（ＣＨ3 ）3 Ｉｎ）、窒素の原料ガスとしては例えばアンモニア（ＮＨ3 ）をそれぞれ用いる。また、ケイ素の原料ガスとしては例えばモノシラン（ＳｉＨ4 ）を用い、マグネシウムの原料ガスとしては例えばビス＝シクロペンタジエニルマグネシウム（（Ｃ5 Ｈ5 ）2 Ｍｇ）を用いる。
【００２１】
　ｐ側コンタクト層４３を成長させたのち、例えば、蒸着法を用いてｐ側コンタクト層４３の上に二酸化ケイ素よりなる図示しないストライプ状のマスクを形成する。続いて、図２（Ｂ）に示したように、このマスクを利用してｐ側コンタクト層４３およびｐ型クラッド層４２の一部をＲＩＥ（Reactive Ion Etching）などにより選択的にエッチングし、ｐ型クラッド層４２の上部およびｐ側コンタクト層４３を細い帯状とする。そののち、マスクを除去する。
【００２２】
　次いで、例えば、蒸着法を用いてｐ側コンタクト層４３およびｐ型クラッド層４２の上に二酸化ケイ素よりなる図示しないマスクを選択的に形成する。続いて、図３（Ａ）に示したように、このマスクを利用してｐ型クラッド層４２，ｐ型ガイド層４１，活性層３０，ｎ型ガイド層２３，ｎ型クラッド層２２およびｎ側コンタクト層２１の一部を順次ＲＩＥなどによりエッチングし、ｎ側コンタクト層２１を表面に露出させる。そののち、マスクを除去する。
【００２３】
　マスクを除去したのち、全面に例えば蒸着法により二酸化ケイ素よりなる図示しないマスクを形成する。続いて、フォトリソグラフィ技術を用いて、共振器方向Ａと垂直方向における半導体レーザ形成領域の分割面に対応して、図示しないマスクに開口を形成する。次いで、図３（Ｂ）に示したように、この開口が形成されたマスクを利用して例えばＲＩＥを行い、ｐ側コンタクト層４３を共振器方向Ａと垂直方向における半導体レーザ形成領域の少なくとも一方の端部、例えば両端部が除去された形状とする。そののち、マスクを除去する。
【００２４】
　マスクを除去したのち、全面に例えば蒸着法により二酸化ケイ素よりなる絶縁膜１２を形成する。続いて、全面に図示しないレジスト膜を形成し、ｎ側電極５１の形成位置に対応して開口を有する図示しないレジストパターンを作製する。そののち、このレジストパターンをマスクとしてエッチングを行い、絶縁膜１２を選択的に除去して絶縁膜１２に開口を形成する。次いで、全面（すなわち、絶縁膜１２が選択的に除去されたｎ側コンタクト層２１および図示しないレジスト膜の上）に例えばチタンおよびアルミニウムを順次蒸着し、図示しないレジスト膜をその上に蒸着された各金属と共に除去（リフトオフ）して、ｎ側電極５１を形成する。続いて、加熱処理を行い、ｎ側電極５１を合金化する。
【００２５】
　加熱処理を行ったのち、全面に図示しないレジスト膜を形成し、ｐ側コンタクト層４３に対応して開口を有する図示しないレジストパターンを作製する。そののち、このレジストパターンをマスクとしてエッチングを行い、絶縁膜１２を選択的に除去して絶縁膜１２に開口を形成する。続いて、全面（すなわち、絶縁膜１２，ｐ型クラッド層４２の露出面，ｐ側コンタクト層４３およびｎ側電極５１の上）に図示しないレジスト膜を形成し、ｐ側電極５２の形成位置に対応して開口を有する図示しないレジストパターンを作製する。そののち、全面（すなわち、ｐ型クラッド層４２の露出面，ｐ側コンタクト層４３および図示しないレジスト膜の上）に、例えばパラジウム，白金および金を順次蒸着し、図示しないレジスト膜をその上に蒸着された各金属と共に除去（リフトオフ）する。これにより、ｐ側電極５２が形成される。
【００２６】
　ｐ側電極５２を形成したのち、基板１１を例えば８０μｍ程度の厚さとなるように研削する。次いで、隣接するｐ側コンタクト層４３間において共振器方向Ａに対して垂直に分割する。これにより、共振器端面１ａ，１ｂが形成される。そののち、共振器端面１ａ，１ｂに図示しない反射鏡膜をそれぞれ形成する。更に、各半導体レーザ１の形成領域に対応させて共振器方向Ａと平行に分割する。これにより、図１に示した半導体レーザ１が複数完成する。
【００２７】
　次に、この半導体レーザ１の作用効果について説明する。
【００２８】
　この半導体レーザ１では、ｎ側電極５１とｐ側電極５２との間に所定の電圧が印加されると、活性層３０に電流が注入され、電子−正孔再結合により発光が起こる。この光は、図示しない反射鏡膜により反射され、その間を往復しレーザ発振を生じ、レーザビームとして外部に出射される。ここでは、ｐ側コンタクト層４３が共振器方向Ａにおける活性層３０の少なくとも一方の端部を除く他の領域に対応して設けられているので、活性層３０の共振器方向Ａにおける少なくとも一方の端部は電流不注入領域となっている。従って、少なくとも一方の共振器端面およびその近傍領域における非発光再結合が効果的に防止される。よって、この共振器端面およびその近傍領域の温度の上昇が抑制され、ＣＯＤが防止される。
【００２９】
　このように本実施の形態に係る半導体レーザ１によれば、ｐ側電極５２とオーミック接触するｐ側コンタクト層４３を共振器方向Ａにおける活性層３０の少なくとも一方の端部を除く他の領域に対応して設け、活性層３０の共振器方向Ａにおける少なくとも一方の端部を電流不注入領域としたので、この端部側の共振器端面およびその近傍領域における電子と正孔との非発光再結合を容易に防止することができる。よって、共振器端面１ａ，１ｂおよびその近傍領域の温度上昇を抑制することができ、共振器端面１ａ，１ｂおよびその近傍領域におけるＣＯＤの発生を防ぐことができる。従って、容易に高出力化を図ることが可能となる。また、本実施の形態では、ｐ側電極５２の表面に段差が形成され、ｐ側電極５２の端部近傍がｐ側コンタクト層４３に対応する領域よりも低くなっており、そのため、実装時において反転してサブマウントに半田付けする際に、余った半田が端面にはみ出してしまい活性層、更にｎ側の半導体層に至って短絡するような虞がなくなる。
【００３０】
　特に、電流不注入領域とされた端部側に形成する反射鏡膜の反射率を低くなるようにすれば、レーザビームが出射する方の共振器端面およびその近傍領域の温度上昇を抑制することができ、共振器端面およびその近傍領域におけるＣＯＤの発生を防ぐことができるので、より効果的である。
【００３１】
　なお、図１ではｐ側電極５２が共振器方向Ａにおける活性層３０の両端部に対応する領域にも設けられている場合について示したが、図４に示したように、ｐ側コンタクト層４３と同様に、共振器方向Ａにおける活性層３０の両端部を除く他の領域に対応してｐ側電極５２Ａを設けるようにしてもよい。その場合、ｐ側電極５２Ａを形成する際に作製するレジストパターンの形状を変更すればよい。このように、ｐ側コンタクト層４３と共にｐ側電極５２Ａについても共振器方向Ａにおける活性層３０の両端部を除く他の領域に対応して設ける場合には、製造時にｐ側電極５２が垂れ下がってｎ型半導体層２０に接触することにより生じる短絡を防止することができる。
【００３２】
［第２の実施の形態］
　図５は、本発明の第２の実施の形態に係る半導体レーザ２の構成を表すものである。この半導体レーザ２は、共振器方向Ａにおける少なくとも一方の端部、例えば両端部に、ｐ側コンタクト層４３に対応して高抵抗層６４を備えたことを除き、他は第１の実施の形態と同様の構成，作用および効果を有している。よって、ここでは同一の構成要素には同一の符号を付し、その詳細な説明を省略する。
【００３３】
　高抵抗層６４は、例えば、ｐ型半導体層が外部からの衝撃などによりダメージを受けて抵抗が高くなっているものである。よって、本実施の形態においても、活性層３０の共振器方向Ａにおける両端部は電流不注入領域となっている。
【００３４】
　この半導体レーザ２は、例えば、ｐ型クラッド層４２の上にｐ側コンタクト層４３を成長させたのち、ＲＩＥ法などのエッチング法により、ｐ側コンタクト層４３の共振器方向Ａにおける少なくとも一方の端部、例えば両端部に選択的にダメージを与え、高抵抗層６４を形成することを除き、第１の実施の形態と同様にして製造することができる。また、エッチングではなく、酸素，オゾンあるいはプラズマを照射することによりダメージを与え、高抵抗層６４を形成するようにしてもよい。但し、この場合は、図５に示したようにｐ側コンタクト層４３のｐ側電極側の一部が削られることはなく、また、削られたとしてもごくわずかとなる。これらの製造方法によれば容易に高抵抗層６４を形成することができ、活性層３０の共振器方向における少なくとも一方の端部を容易に電流不注入領域とすることができる。特に、ＲＩＥ、または酸素，オゾンあるいはプラズマの照射によれば、より簡単に高抵抗層を形成することができる。
【００３５】
　なお、本実施の形態においては、ｐ側コンタクト層４３を共振器方向Ａにおける活性層３０の少なくとも一方の端部を除く他の領域に対応して形成するようにしたが、図６に示したように、ｐ側コンタクト層４３のうちｐ側電極５２側の一部にダメージを与え、共振器方向Ａの少なくとも一方の端部におけるｐ側コンタクト層４３とｐ側電極５２との間に高抵抗層６４を設けるようにしてもよい。
【００３６】
［第３の実施の形態］
　図７は、本発明の第３の実施の形態に係る半導体レーザ３の構成を表すものである。なお、図７は、共振器方向Ａにおいてｐ側コンタクト層４３を含むように切断した断面構造を表している。この半導体レーザ３は、共振器方向Ａにおける少なくとも一方の端部、例えば両端部に、ｐ側コンタクト層４３に対応して絶縁層７４を備えたことを除き、他は第１の実施の形態と同様の構成，作用および効果を有している。よって、ここでは同一の構成要素には同一の符号を付し、その詳細な説明を省略する。
【００３７】
　絶縁層７４は、例えば、酸素，アルミニウムあるいはホウ素などの抵抗を高くすることが可能な元素、またはケイ素などのｎ型不純物を添加した窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体により構成されている。よって、本実施の形態においても、活性層３０の共振器方向Ａにおける両端部は電流不注入領域となっている。
【００３８】
　この半導体レーザ３は、例えば、ｐ型クラッド層４２の上にｐ側コンタクト層４３を成長させたのち、酸素あるいはオゾンをラジカル状態で照射することにより、またはイオン注入法あるいは不純物拡散法などにより、ｐ側コンタクト層４３の共振器方向Ａにおける少なくとも一方の端部、例えば両端部に、抵抗を高くすることが可能な元素またはｎ型不純物を選択的に添加して絶縁層７４を形成することを除き、第１の実施の形態と同様にして製造することができる。これらの製造方法によれば容易に絶縁層７４を形成することができ、活性層３０の共振器方向における少なくとも一方の端部を容易に電流不注入領域とすることができる。中でも、酸素あるいはオゾンの照射によれば、より簡単に絶縁層を形成することができる。
【００３９】
　なお、本実施の形態においては、ｐ側コンタクト層４３を共振器方向Ａにおける活性層３０の少なくとも一方の端部を除く他の領域に対応して形成するようにしたが、図８に示したように、ｐ側コンタクト層４３のうちｐ側電極５２側の一部に抵抗を高くすることが可能な元素またはｎ型不純物を選択的に添加し、共振器方向Ａの少なくとも一方の端部におけるｐ側コンタクト層４３とｐ側電極５２との間に絶縁層７４を設けるようにしてもよい。
【００４０】
［第４の実施の形態］
　図９は、本発明の第４の実施の形態に係る半導体レーザ４の構成を表すものである。この半導体レーザ４は、第１の実施の形態に係る半導体レーザ１のｐ側コンタクト層４３および絶縁膜１２に代えて、これらと形状がそれぞれ異なるｐ側コンタクト層８３および絶縁膜９２を備えたことを除き、他は半導体レーザ１と同様の構成を有している。よって、ここでは同一の構成要素には同一の符号を付し、その詳細な説明を省略する。
【００４１】
　ｐ側コンタクト層８３は、共振器方向Ａに延長されており、共振器方向Ａにおける活性層３０の少なくとも一方の端部、例えば両端部に対応する領域にも設けられている。絶縁膜９２は、ｐ側半導体層８０およびｎ側コンタクト層２１に隣接して設けられており、共振器方向Ａにおける活性層３０の少なくとも一方の端部を除く他の領域に対応して開口９２ａを有している。これにより、ｐ側コンタクト層８３とｐ側電極５２とのオーミック接触部が共振器方向Ａにおける活性層３０の少なくとも一方の端部を除く他の領域に制限されている。従って、本実施の形態においても、活性層３０の共振器方向Ａにおける少なくとも一方の端部は電流不注入領域となっている。この電流不注入領域の共振器方向Ａにおける幅は、第１の実施の形態と同様に、１００μｍ以内とされることが好ましく、より好ましくは１０μｍ〜５０μｍの範囲内である。なお、絶縁膜９２には、第１の実施の形態と同様に、ｎ側コンタクト層２１に対応する開口も設けられている。
【００４２】
　このような構成を有する半導体レーザ４は、次のようにして製造することができる。
【００４３】
　まず、第１の実施の形態と同様にして、基板１１の例えばｃ面に、ｎ型半導体層２０，活性層３０およびｐ型半導体層８０を順次成長させ、ｐ型クラッド層４２の上部およびｐ側コンタクト層７３を細い帯状としたのち、ｎ側コンタクト層２１を表面に露出させる。次いで、全面に例えば蒸着法により二酸化ケイ素よりなる絶縁膜９２を形成したのち、第１の実施の形態と同様にして、ｎ側電極５１を形成する。
【００４４】
　続いて、絶縁膜９２に共振器方向Ａにおける活性層３０の少なくとも一方の端部、例えば両端部を除く他の領域に対応して開口９２ａを形成する。そののち、第１の実施の形態と同様にしてｐ側電極５２を形成する。それ以降の工程は、第１の実施の形態と同様である。
【００４５】
　なお、この半導体レーザ４の作用は、第１の実施の形態に係る半導体レーザ１と同様である。
【００４６】
　このように本実施の形態に係る半導体レーザ４によれば、共振器方向Ａにおける活性層３０の両端部を除く他の領域に対応して開口９２ａを有する絶縁膜９２をｐ型半導体層８０と隣接して配設し、ｐ側電極５２とｐ側コンタクト層８３とを絶縁膜９２の開口９２ａを介してオーミック接触させ、活性層３０の共振器方向Ａにおける少なくとも一方の端部を電流不注入領域としたので、第１の実施の形態と同様に、共振器端面およびその近傍領域における電子と正孔との非発光再結合を容易に防止することができる。
【００４７】
　以上、実施の形態を挙げて本発明を説明したが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、種々変形可能である。例えば、上記第１の実施の形態では、ｐ側コンタクト層４３のみを共振器方向Ａにおける活性層３０の少なくとも一方の端部を除く他の領域に対応して設けるようにしたが、ｐ側コンタクト層４３に加えてｐ型クラッド層４２の少なくとも一部についても共振器方向Ａにおける活性層３０の少なくとも一方の端部を除く他の領域に対応して設けるようにしてもよい。この場合も、半導体レーザ１の特性を劣化させることなく、本発明の効果を得ることができる。同様に、上記第２の実施の形態ではｐ側コンタクト層４３のみにダメージを与え、上記第３の実施の形態では、ｐ側コンタクト層４３のみに抵抗を大きくすることが可能な元素またはｎ型不純物を添加するようにしたが、ｐ側コンタクト層４３に加えてｐ型クラッド層４２の少なくとも一部にもダメージを与えるようにしてもよく、それらを添加するようにしてもよい。
【００４８】
　また、上記実施の形態では、ｎ側コンタクト層２１，ｎ型クラッド層２２，ｎ型ガイド層２３，活性層３０，ｐ型ガイド層４１，ｐ型クラッド層４２およびｐ側コンタクト層４３，８３を構成する半導体についてそれぞれ具体的な例を挙げて説明したが、これらの各層を、３Ｂ族元素のうちの少なくとも１種と窒素とを含む他のＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体により構成するようにしてもよい。
【００４９】
　更に、上記実施の形態では、ｎ側コンタクト層２１，ｎ型クラッド層２２，ｎ型ガイド層２３，活性層３０，ｐ型ガイド層４１，ｐ型クラッド層４２およびｐ側コンタクト層４３，８３を順次積層するようにしたが、本発明は、他の構造を有する半導体レーザについても同様に適用することができる。例えば、ｎ型ガイド層２３およびｐ型ガイド層４１を備えていなくてもよく、活性層３０とｐ型ガイド層４１との間に劣化防止層を備えていてもよい。更に、上記実施の形態では、ｐ型クラッド層４２の一部およびｐ側コンタクト層４３，８３を細い帯状とすることにより電流狭窄するようにしたが、他の構造により電流狭窄するようにしてもよい。また、上記実施の形態では、利得導波型と屈折率導波型とを組み合わせたリッジ導波型の半導体レーザを例に挙げて説明したが、利得導波型の半導体レーザおよび屈折率導波型の半導体レーザについても同様に適用することができる。
【００５０】
　また、上記実施の形態では、基板１１をサファイアにより構成するようにしたが、窒化ガリウム，炭化ケイ素（ＳｉＣ），スピネル（ＭｇＡｌ2 Ｏ4 ）あるいはガリウムヒ素（ＧａＡｓ）などの他の材料により構成するようにしてもよい。
【００５１】
　加えて、上記実施の形態では、ｎ型半導体層２０，活性層３０およびｐ型半導体層４０，６０，７０，８０をＭＯＣＶＤ法により形成する場合について説明したが、ＭＢＥ法やハイドライド気相成長法などの他の気相成長法により形成するようにしてもよい。なお、ハイドライド気相成長法とは、ハロゲンが輸送または反応に寄与する気相成長法のことをいう。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る半導体レーザの構成を一部破断して表す斜視図である。
【図２】図１に示した半導体レーザの製造工程を表す断面図である。
【図３】図２に続く製造工程を表す断面図である。
【図４】図１に示した半導体レーザの変形例に係る半導体レーザの構成を表す斜視図である。
【図５】本発明の第２の実施の形態に係る半導体レーザの構成を一部破断して表す斜視図である。
【図６】図５に示した半導体レーザの変形例に係る半導体レーザの構成を一部破断して表す斜視図である。
【図７】本発明の第３の実施の形態に係る半導体レーザの構成を表す斜視図である。
【図８】図７に示した半導体レーザの変形例に係る半導体レーザの構成を一部破断して表す斜視図である。
【図９】本発明の第４の実施の形態に係る半導体レーザの構成を一部破断して表す斜視図である。
【符号の説明】
【００５３】
　１，２，３，４…半導体レーザ、１ａ，１ｂ…共振器端面、１１…基板、１２，９２…絶縁膜、２０…ｎ型半導体層、２１…ｎ側コンタクト層、２２…ｎ型クラッド層、２３…ｎ型ガイド層、３０…活性層、４０，６０，７０，８０…ｐ型半導体層、４１…ｐ型ガイド層、４２…ｐ型クラッド層、４３，８３…ｐ側コンタクト層、５１…ｎ側電極、５２，５２Ａ…ｐ側電極、６４…高抵抗層、７４…絶縁層、９２ａ…開口、Ａ…共振器方向
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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