(57)【要約】【課題】反射率変動が少なく記録特性の高い光ディスクを欠陥無く製造する光ディスク用スタンパの製造方法及び光ディスク用基板を提供する。【解決手段】フォトレジスト層１の表面に導電皮膜６を形成する前に、フォトレジストの現像・洗浄後にベークを行わず、その後、窒素またはアルゴンガスといった不活性ガス中で紫外線照射を行う。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
原盤上にフォトレジストを塗布し、熱処理することによってフォトレジスト層を形成する工程と、
光ビームによって所定の情報パターンを前記フォトレジスト層へ露光する工程と、
前記露光済みフォトレジスト層を、アルカリ性現像液によって現像し、現像後の純水洗浄を行うことによって情報パタンを形成する工程と、
前記情報パターン形成後、前記フォトレジスト層表面に導電皮膜を形成する工程と、
前記導電皮膜上にニッケル電鋳を施し、前記フォトレジスト層の前記情報パターンと凹凸が逆転した情報パターンを有するニッケル層を積層させる工程と、
前記ニッケル層積層後、前記導電皮膜ごと前記原盤から剥離してスタンパとする工程と、
前記スタンパの情報パターン面側の付着残さを洗浄除去する工程と、
前記スタンパを裏面研磨・内外径加工してマスタスタンパ盤を製作する工程とを有し、
前記フォトレジスト層の現像後、前記導電皮膜を形成する前にベークを行わないことを特徴とする光ディスク用スタンパの製造方法。
【請求項２】
前記導電皮膜形成前に、前記原盤上の前記フォトレジスト層へ紫外線照射を行う場合に、酸素の存在しない雰囲気中で前記紫外線照射を行うことを特徴とする請求項１記載の光ディスク用スタンパの製造方法。
【請求項３】
前記紫外線照射時の雰囲気は、窒素雰囲気中であることを特徴とする請求項２記載の光ディスク用スタンパの製造方法。
【請求項４】
前記紫外線照射時の雰囲気は、アルゴンガス雰囲気中であることを特徴とする請求項２記載の光ディスク用スタンパの製造方法。
【請求項５】
前記ニッケル電鋳前に、導電被膜形成後の原盤を、電鋳液温度と同じ程度の温度の雰囲気中に放置しておくことを特徴とする請求項１記載の光ディスク用スタンパの製造方法。
【請求項６】
放置後のニッケル電鋳前の導電被膜表面へ、界面活性剤による親水化処理を行うことを特徴とする請求項５記載の光ディスク用スタンパの製造方法。
【請求項７】
前記界面活性剤の温度が、電鋳液温度と同じ程度であることを特徴とする請求項６記載の光ディスク用スタンパの製造方法。
【請求項８】
前記界面活性剤による前記親水化処理の後、該界面活性剤を流水純水によって完全に洗い流すことを特徴とする請求項６または７記載の光ディスク用スタンパの製造方法。
【請求項９】
前記流水純水の温度が、前記電鋳液温度と同じ程度であることを特徴とする請求項８記載の光ディスク用スタンパの製造方法。
【請求項１０】
前記流水純水による洗浄後、時間を置かずに前記原盤を電鋳装置にセットして電鋳槽内に浸漬することを特徴とする請求項８または９記載の光ディスク用スタンパの製造方法。
【請求項１１】
前記原盤の端部を面取りし、前記面取りした部分にも前記導電皮膜を形成することを特徴とする請求項１記載の光ディスク用スタンパの製造方法。
【請求項１２】
前記原盤の面取りした端部の前記導電皮膜に接するコンタクトリングにおいて、該コンタクトリングの前記原盤と接する端部、及び電鋳装置と導通を取る部分以外を、樹脂によって電気的絶縁することを特徴とする請求項１記載の光ディスク用スタンパの製造方法。
【請求項１３】
前記ニッケル層積層後、電鋳装置から取り出した前記原盤を室温状態まで徐冷することを特徴とする請求項１記載の光ディスク用スタンパの製造方法。
【請求項１４】
前記徐冷は３０度から４０度の室温雰囲気で、３０分から１時間程度放置することを特徴とする請求項１３記載の光ディスク用スタンパの製造方法。
【請求項１５】
請求項１から１４に記載の製造方法によって製造された光情報記録媒体用スタンパを用いて製造された光ディスク用基板。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
光情報記録媒体用スタンパ及び基板の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
光ディスク用原盤には、スパイラル状又は同心円上に、トラッキング用やデータ記録再生用の微細溝パターンが予め形成されている。このような微細溝パターンは原盤となるガラス原盤上にフォトレジスト層を形成し、原盤露光装置の対物レンズで形成すべき溝パタンに応じて強度変調された光ビームを収束してフォトレジスト層を露光し、その後現像することによって得られる。上記方法によってパターン形成された原盤表面に導電皮膜を形成し、ニッケル電鋳によってニッケル層を約３００μｍ程度積層させた後、これを剥離して光ディスク製造用のスタンパを得る。
【０００３】
前記ニッケル電鋳時には、最終的に数１０Ａ（アンペア）〜百数１０Ａという大電流を通電させているため、フォトレジストの密着性が足りないと電流上昇中のショックによって導電被膜が剥離して、スタンパ欠陥が発生する。そのため、通常フォトレジストの密着性を上げるためには、現像後にプリベーク時の温度以上の温度でハードベークを行っている。但しハードベークを行うと、現像時に形成された溝形状が熱によって変形し、溝と溝の間の平坦部分（ランド）の高さが変動したり、ランド部断面における肩部がだれたりする（図２参照）。
【０００４】
上述のように、ランド高さが変動しているスタンパから作製された光ディスク用メディアでは、反射率が変動するためジッタ特性に悪影響を及ぼし、またランドが平坦でなく肩部がだれていると、隣接トラックからのクロストーク信号が増加し、やはりジッタ特性が低下する。このために、光ディスク用スタンパでは、ランド高さに変動が無く、且つランドの肩部のだれを抑える必要がある。
【０００５】
上記の問題を解決するために、以下のような技術例がある。光ディスクの原盤または基板に酸素雰囲気中で紫外線を照射することによって、これら原盤や基板表面に意図せずにできた微細な凹凸を無くして信号特性を向上させるようにし、更に紫外線照射によって接着性も向上させるという光ディスク用基板とその作成方法およびその作成装置がある（例えば、特許文献１参照）。また、導電皮膜を形成した光ディスク用原盤に電鋳を行ってスタンパを製造する際、電鋳開始時の電流密度を０．２Ａ／ｄｍ２〜１．０Ａ／ｄｍ２として、電流上昇時のショックによってスタンパ表面に欠陥が生じるのを防ぐようにした光ディスクスタンパの製造方法もある（例えば、特許文献２参照）。樹脂材料表面に波長３５０ｎｍ以下の紫外線を照射し、更に界面活性剤を吸着させることにより、無電解めっきの密着力を向上させる無電解メッキ方法もある（例えば、特許文献３参照）。また、エッチングにより水溶性樹脂膜に形成される溝の形状を矩形形状にし、フォトレジスト膜とフォトレジストカバー膜との同時除去により前記溝を保護することによって、トラックピッチの狭い大容量・高密度の光ディスクを成形する光ディスク原盤の製造方法もある（例えば、特許文献４参照）
【０００６】
【特許文献１】
特開２０００−２０７７８７号公報（１−４頁、図４）
【特許文献２】
特公平７−１０９６６７号公報（１−２頁、図１）
【特許文献３】
特開平１０−３１０８７３号公報（１−３頁、図１）
【特許文献４】
特開２００１−１８４７３３号公報（１−４頁、図１）
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、前記特許文献１及び特許文献３記載の方法のように、酸素の存在する雰囲気中で紫外線を照射すると、紫外線によって酸素が分解されてオゾンが発生する。特に原盤においてはフォトレジストでパターン形成を行っているがオゾンはフォトレジストのような有機物の樹脂材料に対する反応性が非常に高くせっかく形成された微細パターンが崩れてしまうという致命的な欠点を持つ。
【０００８】
また、特許文献２記載の方法に関しては、確かに開始時の電流密度を０．２Ａ／ｄｍ２〜１．０Ａ／ｄｍ２のように設定すれば、スタンパ欠陥が起きづらくはなるがフォトレジストパターン形成後の強化処理及び導電皮膜形成後の電鋳前処理については、電鋳開始時の電流密度を別段０．２Ａ／ｄｍ２〜１．０Ａ／ｄｍ２に設定する必要はない。更に、電鋳槽へ投入と同時にまだ導電皮膜表面が電鋳液になじまない状態のうちに通電を行えば、前記のような電流密度でもスタンパ欠陥が生じるおそれが大いにある。
【０００９】
また、特許文献４記載の方法は、光ビームのビームスポット径よりも微細な溝を水溶性樹脂膜に確実に形成することを目的としたものであり、ランド部の高さ変動や肩部のだれ、電鋳時スタンパ剥離の発生について解決するものではない。
【００１０】
従って、本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、反射率変動が少なく記録特性の高い光ディスクを欠陥無く製造する光ディスク用スタンパの製造方法及び光ディスク用基板を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
かかる目的を達成するために、請求項１記載の光ディスク用スタンパの製造方法は、反射率変動が少なく記録特性の高い光ディスク用スタンパを製造することを目的とし、原盤上にフォトレジストを塗布し、フォトレジスト層を熱処理（プリベーク）し、光ビームによって所定の情報パターンをフォトレジスト層へ露光し、露光済みフォトレジスト層を、アルカリ性現像液によって現像し、現像後の純水洗浄を行うことによって情報パターンを形成し、情報パターン形成後、フォトレジスト層表面に導電皮膜を形成し、導電皮膜上にニッケル電鋳を施し、フォトレジスト層の情報パターンと凹凸が逆転した情報パターンを有するニッケル層を積層させ、ニッケル層積層後、導電皮膜ごと原盤から剥離してスタンパとし、スタンパの情報パターン面側の付着残さを洗浄除去し、スタンパを裏面研磨・内外径加工してマスタスタンパ盤を製作し、導電皮膜を形成する前にフォトレジストの現像後ベーク（ハードベーク）を行わないことを特徴としている。
【００１２】
請求項２記載の光ディスク用スタンパの製造方法は、請求項１記載の光ディスク用スタンパの製造方法において、ランド部の高さ変動やランド肩部のだれを抑制するために、導電皮膜形成前に、原盤上のフォトレジスト層へ紫外線照射を行う場合、酸素の存在しない雰囲気中で紫外線照射を行うことを特徴としている。
【００１３】
請求項３記載の光ディスク用スタンパの製造方法は、請求項２記載の光ディスク用スタンパの製造方法において、ランド部の高さ変動やランド肩部のだれを抑制するために、紫外線照射時の雰囲気は、窒素雰囲気中とすることを特徴としている。
【００１４】
請求項４記載の光ディスク用スタンパの製造方法は、請求項２記載の光ディスク用スタンパの製造方法において、ランド部の高さ変動やランド肩部のだれを抑制するために、紫外線照射時の雰囲気は、アルゴンガス雰囲気中とすることを特徴としている。
【００１５】
請求項５記載の光ディスク用スタンパの製造方法は、請求項１記載の光ディスク用スタンパの製造方法において、電鋳液への投入時に起きるヒートショックを抑制するために、ニッケル電鋳前に、導電被膜形成後の原盤を、電鋳液温度と同じ程度の温度雰囲気中に放置しておくことを特徴としている。
【００１６】
請求項６記載の光ディスク用スタンパの製造方法は、請求項５記載の光ディスク用スタンパの製造方法において、電鋳液の投入時に導電皮膜表面全面が、均一且つ同時に電鋳液に良くなじむことによって、メッキ厚の面内変動を防止するために、放置後のニッケル電鋳前の導電被膜表面へ、界面活性剤による親水化処理を行うことを特徴としている。
【００１７】
請求項７記載の光ディスク用スタンパの製造方法は、請求項６記載の光ディスク用スタンパの製造方法において、電鋳液への投入時に起きるヒートショックを抑制するために、界面活性剤の温度が、電鋳液温度と同じ程度であることを特徴としている。
【００１８】
請求項８記載の光ディスク用スタンパの製造方法は、請求項６または７記載の光ディスク用スタンパの製造方法において、界面活性剤が過剰に電鋳液内に混入することによる悪影響を防止するために、界面活性剤による親水化処理の後、界面活性剤を流水純水によって完全に洗い流すことを特徴としている。
【００１９】
請求項９記載の光ディスク用スタンパの製造方法は、請求項８記載の光ディスク用スタンパの製造方法において、電鋳液への投入時に起きるヒートショックを抑制するために、流水純水の温度が、電鋳液温度と同じ程度であることを特徴としている。
【００２０】
請求項１０記載の光ディスク用スタンパの製造方法は、請求項８または９記載の光ディスク用スタンパの製造方法において、電鋳液への浸漬時に起きるヒートショックを抑制し、また、導電皮膜表面が電鋳液に良くなじむようにするために、流水純水洗浄後、時間を置かずに原盤を電鋳装置にセットして電鋳槽内に浸漬することを特徴としている。
【００２１】
請求項１１記載の光ディスク用スタンパの製造方法は、請求項１記載の光ディスク用スタンパの製造方法において、導電皮膜付き原盤とコンタクトリングを端面同士で接触させることによって通電不良を防止し、電鋳時スタンパ剥離が起きるのを防止するために、原盤の端部を面取りし、この部分にも導電皮膜を形成することを特徴としている。
【００２２】
請求項１２記載の光ディスク用スタンパの製造方法は、請求項１記載の光ディスク用スタンパの製造方法において、電鋳時にニッケルが原盤の導電皮膜部分以外に析出するのを防止するために、原盤の面取りした端部の導電皮膜に接するコンタクトリングにおいて、該コンタクトリングの原盤と接する端部、及び電鋳装置と導通を取る部分以外を、樹脂等によって電気的絶縁することを特徴としている。
【００２３】
請求項１３記載の光ディスク用スタンパの製造方法は、請求項１記載の光ディスク用スタンパの製造方法において、ヒートショックによってスタンパが変形し、特にノイズ特性が悪化するのを防止するために、ニッケル積層後、電鋳装置から取り出した原盤を室温状態まで徐冷することを特徴としている。
【００２４】
請求項１４記載の光ディスク用スタンパの製造方法は、請求項１３記載の光ディスク用スタンパの製造方法において、徐冷は３０度から４０度の室温雰囲気で、３０分から１時間程度放置することを特徴としている。
【００２５】
請求項１５記載の光ディスク用基板は、大容量の光ディスク用基板を低欠陥・低コストで製造するために、請求項１から１４に記載の製造方法によって製造されることを特徴としている。
【００２６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について、添付図面を参照しながら詳細に説明する。
【００２７】
本発明による原盤からスタンパ製作までの工程を図１に示す。まず、原盤洗浄について説明する。原盤材料としては、研磨したガラスが一般的に用いられるが、もちろん金属やシリコン等を研磨したものでもかまわない。原盤（円盤状）に対するフォトレジストの塗布性を向上させるために、ＵＶ／Ｏ３と呼ばれる紫外線オゾン処理装置で約２分間表面処理することにより、原盤表面の有機物の除去と表面に酸化皮膜を形成する（図１には図示せず）。この効果で、原盤に対するフォトレジストの塗れ性が向上し、フォトレジストの膜厚を均一化できると共に、フォトレジストと原盤の密着性が強まる。
【００２８】
その後、高圧純水シャワーや超音波を印加した純水シャワーによって、原盤表面に浮いた不純物を完全に洗浄除去したあと、高速回転振り切り及びＮ２  ブローによって乾燥させる（図１には図示せず）。
【００２９】
最後にシランカップリング剤（例として：ヘキサメチルジシラザン等）をベーパー蒸着やスピンコート等によって原盤表面に塗布することによって、フォトレジストと原盤の密着性をより強固なものとする。
【００３０】
次に、フォトレジスト層塗布について説明する。上述で原盤洗浄した原盤２の表面に、フォトレジストをスピンコートし、加熱乾燥（プリベーク）・冷却することによってフォトレジスト層１を形成する（図１（ａ）フォトレジスト層形成を参照）。プリベーク条件は、オーブンで９０℃〜１３０℃、加熱時間は３０分である。フォトレジスト材料としては例として東京応化製のポジ型ｉ線系フォトレジストといった高解像度タイプが適している。
【００３１】
次に、露光について説明する。上述のフォトレジスト層塗布で製作した原盤２をＫｒガスレーザ１０により露光する。原盤２を回転横送りしながら露光することにより、フォトレジスト層１にはスパイラル状の潜像５が形成される（図１（ｂ）露光を参照）。露光光量の調整で、フォトレジスト層１に形成される溝の幅を制御できる。なお、露光装置の光学系の概略図を図４に示す。
【００３２】
次に、現像・洗浄について説明する。露光された原盤２をアルカリ性の現像液で現像し、純水で洗浄・高速回転で振り切り乾燥を行う。現像処理によってフォトレジスト層１の露光された部分（潜像５が形成された部分）が除去され、要求されるパターンに対応した溝パターンが形成される（図１（ｃ）現像を参照）。最後に高速回転で振り切り乾燥をする。
【００３３】
通常この後、フォトレジスト層自体の強化と原盤に対する密着性を向上させるために、プリベーク時以上の温度でハードベークを行う。しかし、ハードベークを行うことでフォトレジストの熱架橋による体積収縮が起こるため、溝と溝との間のランド部分の高さが変動したり、ひどい時にはランド部断面における肩部がだれたりする（図２（ｃ）参照）。更にハードベークによるランド高さの変動に関しては、原盤内で一定の時もあれば、ばらつくこともあって、制御が非常に難しい（図２（ｂ）参照）。
【００３４】
そして、ランド高さが変動しているスタンパから作製された光ディスク用メディアでは、反射率が変動するためジッタ特性に悪影響を及ぼし、またランドが平坦でなく肩部がだれていると、隣接トラックからのクロストーク信号が増加し、やはりジッタ特性が低下する。
【００３５】
上述のような理由により、本発明による実施例では、ランド高さに変動が無く、且つランドの肩部にだれの無い状態の溝形状となるように、現像後にハードベークを行っていない。更にハードベークを行わなければ、現像時に形成されたフォトレジスト層の膜厚が、そのまま要求される光ディスクメディアの溝深さと同じとなるので、ハードベークによる膜厚の目減りを考慮する必要が無くなる。
【００３６】
しかし、ハードベークを行わないと、フォトレジストの原盤に対する密着力がそれほど強くならず、またフォトレジスト膜そのものも強固ではないため、次に記述する方法によってフォトレジスト自体及び密着力の強化を行い、電鋳時スタンパ剥離を防止している。
【００３７】
次に、紫外線照射処理について説明する。現像・洗浄したフォトレジスト層１の面に紫外線を照射することによってフォトレジスト層１を強力に架橋重合させ、原盤２に対する密着力及びフォトレジスト膜そのものも強化する（図１（ｄ）紫外線照射を参照）。
【００３８】
但しこの場合、酸素の存在する雰囲気中で紫外線を照射すると、フォトレジストの架橋重合に特に強力に関与する波長２５４ｎｍ以下の紫外線が酸素分子に吸収されてしまい、紫外線照射の効果が半減してしまう。更に、紫外線によって分解された酸素からオゾンが発生し、フォトレジストを強力に浸食して微細な溝形状を著しく損なってしまう。
【００３９】
そこで、本発明の実施例の紫外線照射は、窒素またはアルゴンガスといった不活性ガスの雰囲気中で行うことによってオゾンの発生を防ぎ、且つ波長２５４ｎｍ以下の紫外線が到達できるようにすることによって、フォトレジストの溝形状を変化させたり、損なったりすることなく、原盤に対する密着力及びフォトレジスト層そのものも強化することができる。
【００４０】
次に、導電皮膜形成について説明する。現像・洗浄した原盤２の表面に、後のニッケル電鋳時に必要な導電皮膜６を形成する（図１（ｅ）導電皮膜形成を参照）。導電皮膜６は次工程で行うニッケル電鋳と同材質が望ましいため、ニッケル皮膜を形成する。形成手段としては、Ａｒ等の不活性ガスによるニッケルスパッタや、ニッケル蒸着、無電解ニッケルめっきなどを利用する。
【００４１】
なお導電皮膜の膜厚は、薄すぎては後のニッケル電鋳時に、電流上昇時のショックによって剥離を起こす場合があり、また厚すぎては内部応力によるクラックが発生するため、５０ｎｍ〜１５０ｎｍの範囲内とする。
【００４２】
次に、ニッケル電鋳前処理について説明する。紫外線照射処理した導電皮膜付き原盤へニッケル電鋳処理を施す前に、以下に記す前処理を施す必要がある（図１には図示せず）。すなわち、通常の室温雰囲気（２０℃前後）にある導電皮膜付き原盤を、いきなり５０℃以上あるニッケル電鋳液に浸漬するとかなりのヒートショックが生じ、場合によってはフォトレジストが原盤から剥離することによってスタンパ欠陥が起きるおそれが大いにある。
【００４３】
更にそのままニッケル電鋳液に浸漬すると、導電皮膜の塗れ性不足から気泡が付着したまま電鋳が始まるおそれがあり、そうなるとその部分のニッケル析出開始が遅れてニッケル膜厚が他の部分に比べて薄くなり、そうしたスタンパからできた光ディスクメディアの信号特性が低下してしまう。
【００４４】
上述のような問題を解決するため、まず、紫外線照射処理の導電皮膜付き原盤を、電鋳前に電鋳液と同程度の温度雰囲気中にしばらく放置して、電鋳液に浸漬したときのヒートショックが起きないようにする。具体的な実施例としては、たとえば電鋳液温度が５０℃とした場合には、５０℃−１５℃以上の温度雰囲気中であるとし、これは原盤の厚さによって放置時間が違ってくるが、５ｍｍ厚の原盤の場合には、５分以上放置して温度雰囲気になじむようにすると良い。
【００４５】
その後、導電被膜表面の濡れ性を向上させ電鋳液へなじみやすくさせるため、界面活性剤による親水化処理を行う。界面活性剤は、電鋳液にピット防止剤として投入されているものと同じものが望ましい。本実施例では、日鉱メタルプレーティング（株）のＵＰ−Ｓを、２ｍｌ／ｌで純水に希釈したもので１分〜３分程度浸漬して行っている。この時の液温度も、上記と同じように、電鋳液温度と同じ程度になるようにして、ヒートショックを防ぐようにする。
【００４６】
最後に、界面活性剤処理後、純水の流水で界面活性剤を完全に洗い流すようにする。これは、界面活性剤を必要以上に電鋳液内に混入すると、電鋳時剥離といった欠陥が起こるためである。なおこの時の純水温度も、上記と同じように電鋳液温度と同程度となるようにして、ヒートショックを防ぐようにする。更にこの純水洗浄中に、原盤を電鋳用治具にセットしておき、洗浄終了後原盤温度が下がらない内に、時間を置かずに電鋳装置に設置して電鋳槽内に浸漬できるようにしておく。本実施例では、１分以内として行っている。
【００４７】
次に、ニッケル電鋳について説明する。紫外線照射処理した導電皮膜付き原盤へニッケル電鋳処理を施し、ニッケルを積層させてスタンパ化する（図１（ｆ）ニッケル電鋳を参照）。前記原盤を入槽してから３分間〜５分間０．２Ａ／ｄｍ２  未満の弱電流密度で弱通電することで、導電皮膜をニッケル電鋳液に馴染ませて濡れ性を向上させ、ピット発生や電鋳時剥離を防ぐことができる。
【００４８】
そして、弱通電終了後に通電電流値を上昇させ、最終的に、１２Ａ／ｄｍ２  〜２０Ａ／ｄｍ２  程度まで電流値を上昇させてから一定に保ち、所定の電鋳膜厚（３００μｍ程度）を得るまで通電を続ける。
【００４９】
なお、原盤端部は図３に示すように面取りされていて、この面取り部分とコンタクトリング２１の端面とが接触するようになっている。このように端面同士で接触させることによって通電不良を防止し、接触部から発生する電鋳時スタンパ剥離が起きるのを防止することができる。更にコンタクトリング２１の原盤と接する端部、及び電鋳装置と導通を取る部分以外を、樹脂等によって絶縁することによってコンタクトリング２１にニッケルが析出するのを防ぐことができ、電鋳終了後スタンパから取り外したコンタクトリング２１の端面を研磨するのみで再利用が可能となり、コスト的に有利となる。
【００５０】
次に、電鋳後徐冷について説明する。電鋳終了後、ニッケル電鋳の原盤をいきなり室温雰囲気に出してしまうと、原盤とニッケル電鋳スタンパとの熱収縮率の違いから、ニッケル電鋳スタンパに歪みが生じ、スタンパの信号特性、特にノイズ特性を悪化させるおそれがある。
【００５１】
そこで本実施例では、電鋳槽から取り出したニッケル電鋳の原盤は３０℃〜４０℃程度の雰囲気で３０分〜１時間程度放置して、原盤温度を電鋳液温度からゆっくりと低下させる。その後、室温雰囲気で３０分程度放置して室温雰囲気に十分なじませてから、純水流水で洗浄する（図１には図示せず）。
【００５２】
次に、スタンパ剥離について説明する。ニッケル電鋳の終わった原盤からスタンパ８を剥離する。この時、スタンパに応力が加わって、スタンパ８を曲げてしまわないように注意する（図１（ｇ）スタンパ剥離参照）。
【００５３】
次に、スタンパ洗浄について説明する。原盤２から剥離した前記スタンパ８の情報パタン面側に付着したフォトレジストの残さ９を除去する。溶剤や剥離液で洗浄しただけでは残さを完全に取り去ることができないため、原盤洗浄にて記述したＵＶ／Ｏ３による紫外線オゾン処理を施してから（図１には図示せず）、溶剤洗浄→水洗を行う。
【００５４】
紫外線オゾン処理が終了したら、イソプロピルアルコール、アセトン、といった溶剤でフォトレジストを除去した後、純水による流水洗浄を行い、フォトレジスト残さ９を完全に洗い流す（図１には図示せず）。なお、溶剤以外にもニッケルを侵さないタイプのフォトレジスト剥離液であれば使用可能である（例として、東京応化製：剥離液１０４等）。流水洗浄が終了したら、高速回転で振り切り乾燥を行う。
【００５５】
次に、マスタスタンパ化について説明する。スタンパ洗浄のスタンパの情報パターン面側に、プラスチックコートで保護膜をつけ、裏面研磨を行う。ここで、スタンパ剥離でのスタンパ剥離行程の前に裏面研磨をしても良い。この場合、保護膜を付ける必要がなくなる。この後、内外径を所望の寸法にプレス加工することで、マスタスタンパが完成する（図１（ｈ）マスタスタンパ化を参照）。
【００５６】
次に、基板成形について説明する。次いで、射出成形によって光ディスク基板を成形する（図５を参照）。つまり、接離自在に設けられた金型としての固定金型１９と可動金型２０との接合部に形成されるキャビティ内にマスタスタンパ化までの製造法によって製造されたスタンパ８を固定し、そのキャビティ内に溶融樹脂を射出充填し、固定金型１９と可動金型２０で圧縮する。
【００５７】
その後、固定金型１９と可動金型２０を分離して、冷却固化後の樹脂を取り出すことによって、光ディスク基板が得られる。この光ディスク基板に、記録層、誘電体層、反射層、保護層等を成膜・形成することによって、光ディスクとして使用できるようになる。
【００５８】
【発明の効果】
以上の説明から明らかなように、請求項１記載の光ディスク用スタンパの製造方法は、原盤上にフォトレジストを塗布し、フォトレジスト層を熱処理（プリベーク）し、光ビームによって所定の情報パターンをフォトレジスト層へ露光し、露光済みフォトレジスト層を、アルカリ性現像液によって現像し、現像後の純水洗浄を行うことによって情報パターンを形成し、情報パターン形成後、フォトレジスト層表面に導電皮膜を形成し、導電皮膜上にニッケル電鋳を施し、フォトレジスト層の情報パターンと凹凸が逆転した情報パターンを有するニッケル層を積層させ、ニッケル層積層後、導電皮膜ごと原盤から剥離してスタンパとし、スタンパの情報パターン面側の付着残さを洗浄除去し、スタンパを裏面研磨・内外径加工してマスタスタンパ盤を製作する光ディスク用スタンパの製造方法であって、導電皮膜を形成する前に、フォトレジストの現像後のベーク（ハードベーク）を行わないことを特徴としているので、溝と溝との間のランド部分の高さが変動したり、ランド部断面における肩部がだれたりすることが起きず、ランド高さを常に一定の高さに制御できるため、反射率変動が少なく記録特性の高い光ディスク用スタンパを製造できる。
【００５９】
請求項２記載の光ディスク用スタンパの製造方法は、請求項１記載のディスク用スタンパの製造方法において、導電皮膜形成前に、原盤上のフォトレジスト層へ紫外線照射を行う場合、露光、現像後に、フォトレジスト層へ酸素の存在しない雰囲気中で紫外線照射を行うことを特徴としているので、ランド部の高さ変動やランド肩部のだれを抑制でき、フォトレジスト層のオゾンによるダメージを受けず、溝形状を損なうことなくフォトレジスト層の強化ができる。
【００６０】
請求項３記載の光ディスク用スタンパの製造方法は、請求項２記載の光ディスク用スタンパの製造方法において、紫外線照射時の雰囲気は、窒素雰囲気中とし、露光、現像後に、フォトレジスト層へ窒素雰囲気中で紫外線照射を行うことを特徴としているので、ランド部の高さ変動やランド肩部のだれを抑制でき、フォトレジスト層のオゾンによるダメージを受けず、溝形状を損なうことなくフォトレジスト層の強化ができる。
【００６１】
請求項４記載の光ディスク用スタンパの製造方法は、請求項２記載の光ディスク用スタンパの製造方法において、紫外線照射時の雰囲気は、アルゴンガス雰囲気中とし、露光、現像後に、フォトレジスト層へアルゴンガス雰囲気中で紫外線照射を行うことを特徴としているので、ランド部の高さ変動やランド肩部のだれを抑制でき、フォトレジスト層のオゾンによるダメージを受けず、溝形状を損なうことなくフォトレジスト層の強化ができる。
【００６２】
請求項５記載の光ディスク用スタンパの製造方法は、請求項１記載の光ディスク用スタンパの製造方法において、ニッケル電鋳前に、導電被膜形成後の原盤を、電鋳液温度と同じ程度の温度の雰囲気中にしばらく放置しておくことを特徴としているので、電鋳液に浸漬時にヒートショックが起きず、電鋳時スタンパ剥離の発生を防ぐことができる。
【００６３】
請求項６記載の光ディスク用スタンパの製造方法は、請求項５記載の光ディスク用スタンパの製造方法において、ニッケル電鋳前に導電被膜表面へ界面活性剤による親水化処理を行い、ニッケル析出が面内で同時且つ均一に始まることを特徴としているので、ニッケルメッキ膜厚を面内均一化でき、その結果光ディスクメディアの信号特性の低下を防ぐことができる。
【００６４】
請求項７記載の光ディスク用スタンパの製造方法は、請求項６記載の光ディスク用スタンパの製造方法において、界面活性剤温度が電鋳液温度と同じ程度であることを特徴としているので、電鋳液に浸漬時にヒートショックが起きず、電鋳時スタンパ剥離の発生を防ぐことができる。
【００６５】
請求項８記載の光ディスク用スタンパの製造方法は、請求項６または７記載の光ディスク用スタンパの製造方法において、界面活性剤による親水化処理の後、界面活性剤を流水純水によって完全に洗い流すことを特徴としているので、界面活性剤を必要以上に電鋳液内に混入させることがなく、そういった不手際から電鋳時剥離といった欠陥が起きるのを防止することができる。
【００６６】
請求項９記載の光ディスク用スタンパの製造方法は、請求項８記載の光ディスク用スタンパの製造方法において、洗浄用流水純水温度が電鋳液温度と同じ程度であることを特徴としているので、電鋳液に浸漬時にヒートショックが起きず、電鋳時スタンパ剥離の発生を防ぐことができる。
【００６７】
請求項１０記載の光ディスク用スタンパの製造方法は、請求項８または９記載の光ディスク用スタンパの製造方法において、界面活性剤処理の流水洗浄後、時間を置かずに原盤をセットして電鋳槽内に浸漬することを特徴としているので、洗浄終了後、原盤温度が下がらず、且つ親水化の高い状態なので、電鋳液への浸漬時に起きるヒートショックを抑制でき、且つ導電皮膜表面が電鋳液に良くなじみ、電鋳時欠陥を防ぐことができる。
【００６８】
請求項１１記載の光ディスク用スタンパの製造方法は、請求項１記載の光ディスク用スタンパの製造方法において、原盤の端部を面取りし、面取り部分にも導電皮膜を形成し、導電皮膜付き原盤とコンタクトリングとを端面同士で接触させることを特徴としているので、通電不良を防止し、接触部から発生する電鋳時スタンパ剥離が起きるのを防止することができる。
【００６９】
請求項１２記載の光ディスク用スタンパの製造方法は、請求項１記載の光ディスク用スタンパの製造方法において、コンタクトリングの原盤と接する端部、及び電鋳装置と導通を取る部分以外を、樹脂等によって電気的絶縁することを特徴としているので、電鋳時にコンタクトリングにニッケルが析出するのを防ぐことができ、電鋳終了後スタンパから取り外したコンタクトリングの端面を研磨するのみで再利用が可能となり、コスト的に有利となる。
【００７０】
請求項１３記載の光ディスク用スタンパの製造方法は、請求項１記載の光ディスク用スタンパの製造方法において、電鋳終了後、電鋳装置から取り出した原盤を室温状態までスタンパ付き原盤を徐冷することを特徴としているので、原盤とニッケル電鋳スタンパとの熱収縮率の違いにより、ニッケル電鋳スタンパに歪みが生じることもなく、スタンパの信号特性、特にノイズ特性の悪化を防止できる。
【００７１】
請求項１４記載の光ディスク用スタンパの製造方法は、請求項１３記載の光ディスク用スタンパの製造方法において、徐冷は３０度から４０度の室温雰囲気で、３０分から１時間程度放置することを特徴としているので、原盤とニッケル電鋳スタンパとの熱収縮率の違いにより、ニッケル電鋳スタンパに歪みが生じることもなく、スタンパの信号特性、特にノイズ特性の悪化を防止できる。
【００７２】
請求項１５記載の光ディスク用基板は、請求項１から１４による製造方法にて製造したスタンパを用いて射出成形を行っているので、大容量でありながら低コスト・低欠陥の光ディスクを製造できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例における原盤からスタンパ製造までの工程を示すフォトレジストランド断面形状の概略図である。
【図２】フォトレジストランド断面形状の例を示す概略図である。
【図３】原盤とコンタクトリングとの接触状態の概略図である。
【図４】原盤露光用光学系の概略図である。
【図５】光ディスク基板射出成形の概略図である。
【符号の説明】
１  フォトレジスト層
２  原盤
３  露光ビーム
４  対物レンズ
５  潜像
６  導電皮膜層
７  ニッケル電鋳層
８  スタンパ
９  フォトレジスト残さ
１０  Ｋｒガスレーザ
１１  スタビライザ
１２  変調器
１３  偏向器
１４  ミラー
１５  対物レンズ
１６  ターンテーブル
１７  回転モータ
１８  スライダ
１９  固定金型
２０  可動金型
２１  コンタクトリング
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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