(57)【要約】  【課題】  セラミック層と金属層とが交互に積層されたセラミック積層体において、焼成によって金属層の断裂が生じにくいセラミック積層体を提供する。  【解決手段】  金属元素を含む複数のセラミック層１２と、前記セラミック層１２の層間に配された複数の金属層１４ａ，１４ｂとを含むセラミック積層体であって、前記金属層１４ａ，１４ｂが、主成分としてＮｉ、Ｃｕ、Ａｇ、及びＰｄから選ばれた少なくとも一種を合計で５０ａｔｍ％以上含み、添加剤成分として前記セラミック層１２に含まれる前記金属元素のうちの少なくとも一種を１ａｔｍ％以上５０ａｔｍ％未満含む。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属元素を含む複数のセラミック層と、前記セラミック層の層間に配された複数の金属層とを含むセラミック積層体であって、
前記金属層が、主成分としてＮｉ、Ｃｕ、Ａｇ、及びＰｄから選ばれた少なくとも一種を合計で５０ａｔｍ％以上含み、添加剤成分として前記セラミック層に含まれる前記金属元素のうちの少なくとも一種を１ａｔｍ％以上５０ａｔｍ％未満含むことを特徴とするセラミック積層体。
【請求項２】
前記金属層がＮｉを５０ａｔｍ％以上含む請求項１に記載のセラミック積層体。
【請求項３】
前記セラミック層に含まれる前記金属元素がＢａ又はＴｉである請求項１に記載のセラミック積層体。
【請求項４】
前記金属層の少なくとも一方の表面に近いほど前記添加剤成分の含有量が多い請求項１に記載のセラミック積層体。
【請求項５】
前記金属層の両方の表面に近いほど前記添加剤成分の含有量が多い請求項１に記載のセラミック積層体。
【請求項６】
前記金属層の厚みが０．１μｍ以上２μｍ以下である請求項１に記載のセラミック積層体。
【請求項７】
前記金属層の結晶粒が厚さ方向に配列された柱状構造を有する請求項１に記載のセラミック積層体。
【請求項８】
前記金属層の結晶粒径が０．１μｍ以上である請求項１に記載のセラミック積層体。
【請求項９】
前記金属層の充填率が７０％以上である請求項１に記載のセラミック積層体。
【請求項１０】
前記金属層が針状粒子を含む請求項１に記載のセラミック積層体。
【請求項１１】
前記針状粒子が六方格子を形成する金属を含む請求項１０に記載のセラミック積層体。
【請求項１２】
前記針状粒子がＴｉを含む請求項１０に記載のセラミック積層体。
【請求項１３】
前記針状粒子の長さが前記金属層の厚みより長い請求項１０に記載のセラミック積層体。
【請求項１４】
前記針状粒子の長手方向の長さは、これと直交する方向の寸法の２倍以上である請求項１０に記載のセラミック積層体。
【請求項１５】
前記金属層が、前記針状粒子と接続した粒状粒子を更に有する請求項１０に記載のセラミック積層体。
【請求項１６】
金属層を無溶剤プロセスで形成する工程と、
前記金属層が積層されたセラミックグリーンシートを複数枚積層する工程と
を有するセラミック積層体の製造方法であって、
前記セラミックグリーンシートが金属元素を含み、
前記金属層が、主成分としてＮｉ、Ｃｕ、Ａｇ、及びＰｄから選ばれた少なくとも一種を合計で５０ａｔｍ％以上含み、添加剤成分として前記セラミックグリーンシートに含まれる前記金属元素のうちの少なくとも一種を１ａｔｍ％以上５０ａｔｍ％未満含むことを特徴とするセラミック積層体の製造方法。
【請求項１７】
支持体フィルム上に形成された前記金属層をセラミックグリーンシート上に転写することにより、前記金属層が積層されたセラミックグリーンシートを得る工程を更に備える請求項１６に記載のセラミック積層体の製造方法。
【請求項１８】
前記無溶剤プロセスが、多源蒸着法、多源スパッタ法、又は合金スパッタ法である請求項１６に記載のセラミック積層体の製造方法。
【請求項１９】
酸素を含む雰囲気で前記金属層を形成する請求項１８に記載のセラミック積層体の製造方法。
【請求項２０】
前記金属層の少なくとも一方の表面に近いほど前記添加剤成分の含有量が多くなるように前記金属層を形成する請求項１６に記載のセラミック積層体の製造方法。
【請求項２１】
前記金属層の両方の表面に近いほど前記添加剤成分の含有量が多くなるように前記金属層を形成する請求項１６に記載のセラミック積層体の製造方法。
【請求項２２】
走行する支持体フィルムの上流側に前記添加剤成分を含む薄膜形成源を、下流側に前記主成分を含む薄膜形成源を配置して、前記支持体フィルム上に前記添加剤成分と前記主成分とを含む金属層を多源蒸着法又は多源スパッタ法で形成する請求項１６に記載のセラミック積層体の製造方法。
【請求項２３】
前記主成分を含む薄膜形成源よりも、走行する前記支持体フィルムの下流側に、更に前記添加剤成分を含む薄膜形成源を配置する請求項２２に記載のセラミック積層体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、セラミック積層体及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
誘電体層としてのセラミック層と内部電極層とを交互に必要数だけ積み重ねてなるセラミックコンデンサが広く実用化されている。
【０００３】
このようなセラミックコンデンサの製造方法として、セラミックグリーンシート上に内部電極層となる導電性ペーストを印刷塗布したものを複数枚積層して焼成する方法が公知である。
【０００４】
これに対して、内部電極層の形成方法として、支持体フィルム上に金属薄膜を蒸着などの薄膜形成法で作成し、この金属薄膜をセラミックグリーンシート上に転写する方法が開発されている。この方法によれば、内部電極層を導電性ペーストを印刷塗布して形成する方法に比べて、内部電極層の厚みを格段に薄くできるため、セラミックコンデンサの小型化、大容量化が可能になると期待されている。
【０００５】
更に、支持体フィルム上に形成した金属薄膜のセラミックグリーンシートへの転写性を改良する方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特許第３０９７００７号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、薄膜形成法で作成した金属薄膜を転写したセラミックグリーンシートを複数層積層して焼成する工程で、金属薄膜が焼結し断裂してしまうと言う問題があった。この問題は、金属薄膜の厚みが薄くなるほど顕著である。
【０００７】
小型大容量のセラミックコンデンサを実現するためには、内部電極層の薄膜化は不可避であり、焼成時に断裂が生じない内部電極層が求められる。
【０００８】
本発明は、上記の従来の問題点を解決するものであり、セラミック層と金属層とが交互に積層されたセラミック積層体において、焼成などの熱処理によって金属層の断裂が生じにくいセラミック積層体及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記の目的を達成するために、本発明のセラミック積層体は、金属元素を含む複数のセラミック層と、前記セラミック層の層間に配された複数の金属層とを含むセラミック積層体であって、前記金属層が、主成分としてＮｉ、Ｃｕ、Ａｇ、及びＰｄから選ばれた少なくとも一種を合計で５０ａｔｍ％以上含み、添加剤成分として前記セラミック層に含まれる前記金属元素のうちの少なくとも一種を１ａｔｍ％以上５０ａｔｍ％未満含むことを特徴とする。
【００１０】
また、本発明のセラミック積層体の製造方法は、金属層を無溶剤プロセスで形成する工程と、前記金属層が積層されたセラミックグリーンシートを複数枚積層する工程とを有するセラミック積層体の製造方法であって、前記セラミックグリーンシートが金属元素を含み、前記金属層が、主成分としてＮｉ、Ｃｕ、Ａｇ、及びＰｄから選ばれた少なくとも一種を合計で５０ａｔｍ％以上含み、添加剤成分として前記セラミックグリーンシートに含まれる前記金属元素のうちの少なくとも一種を１ａｔｍ％以上５０ａｔｍ％未満含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、焼成などの熱処理によって金属層の断裂が生じにくいセラミック積層体及びその製造方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
図１は、本発明のセラミック積層体１０の一例の概略構成を示した断面図である。図１において、１２はセラミック層、１４ａ，１４ｂはセラミック層１２の各層間に配された金属層、１６ａ，１６ｂは積層体１０の対向する２側面に設けられた外部電極である。金属層１４ａと金属層１４ｂとはセラミック層１２を挟んで交互に配置され、金属層１４ａは一方の外部電極１６ａと電気的に接続され、金属層１４ｂは他方の外部電極１６ｂと電気的に接続される。この結果、このセラミック積層体１０は、セラミック層１２を誘電体層とし、金属層１４ａ，１４ｂを内部電極とするコンデンサとして機能する。
【００１３】
本発明のセラミック積層体１０の構成は図１に限定されず、例えば外部電極１６ａ，１６ｂはその用途によっては省略できる。
【００１４】
セラミック層１２は、周知の方法、例えばチタン酸バリウムなどの誘電体粉末を含むスラリーを用いたセラミックグリーンシートを用いて得たものである。
【００１５】
セラミック層１２に含まれる金属元素はＢａ又はＴｉであることが好ましい。これらは汎用されている誘電体粉末に含まれている元素であるので、所望する誘電特性や温度安定性を有するセラミック積層体を得ることができる。
【００１６】
金属層１４ａ，１４ｂは、主成分としてＮｉ、Ｃｕ、Ａｇ、及びＰｄから選ばれた少なくとも一種を合計で５０ａｔｍ％以上含み、添加剤成分としてセラミック層１２に含まれる金属元素のうちの少なくとも一種を１ａｔｍ％以上５０ａｔｍ％未満含む。
【００１７】
金属層１４ａ，１４ｂは、主成分としてＮｉ、Ｃｕ、Ａｇ、及びＰｄから選ばれた少なくとも一種を含み、これらの金属元素の合計含有量は５０ａｔｍ％以上である。これらの金属元素の合計含有量が５０ａｔｍ％未満であると金属層１４ａ，１４ｂの導電性が低下する。金属層１４ａ，１４ｂは、特に、Ｎｉを５０ａｔｍ％以上含むことが好ましい。コスト、特性の経時的安定性、耐熱性、加工性などに優れるからである。
【００１８】
また、金属層１４ａ，１４ｂは、添加剤成分として、セラミック層１２に含まれる金属元素のうちの少なくとも一種を含む。これにより、焼成時の金属層１４ａ，１４ｂの断裂を防止することができる。添加剤成分の含有量が１ａｔｍ％未満であると、焼成時の金属層１４ａ，１４ｂの断裂防止効果が低下する。また、添加剤成分の含有量が５０ａｔｍ％を越えると、金属層１４ａ，１４ｂの導電性が低下する。
【００１９】
金属層１４ａ，１４ｂは、その少なくとも一方の表面に近いほど前記添加剤成分の含有量が多いことが好ましい。特に、金属層１４ａ，１４ｂの両方の表面に近いほど前記添加剤成分の含有量が多いことがより好ましい。セラミック層１２と接する金属層１４ａ，１４ｂの表面近傍で、添加剤成分、すなわちセラミック層１２に含まれる金属元素と同一の金属元素の含有量を多くすることで、焼成時に金属層１４ａ，１４ｂが断裂するのをより一層防止することができる。一方、セラミック層１２と接しない金属層１４ａ，１４ｂの厚さ方向の中央部で添加剤成分の含有量を少なくし、主成分の含有量を多くすることで、金属層１４ａ，１４ｂに、内部電極として必要な導電性を確保することができる。
【００２０】
金属層１４ａ，１４ｂの厚みは特に限定されないが、その下限値は０．１μｍ、特に０．２μｍであり、上限値は２μｍ、特に１．５μｍであることが好ましい。金属層１４ａ，１４ｂの厚みがこの下限値より薄いと、焼成時に金属層の断裂が生じやすい。また、電気伝導性が低下する。一方、金属層１４ａ，１４ｂの厚みがこの上限値より厚いと、金属層１４ａ，１４ｂに残留した内部応力により、セラミック層１２との剥離が生じやすくなる。また、セラミック積層体１０の小型化、高性能化が困難となり、例えばコンデンサとして使用する場合には、小型且つ大容量のコンデンサの実現が困難となる。
【００２１】
また、金属層１４ａ，１４ｂの結晶粒が厚さ方向に配列された柱状構造を有することが好ましい。これにより、焼成時に金属層１４ａ，１４ｂが断裂するのを一層防止できる。結晶粒を厚さ方向に配列された柱状構造とするための一手法として、金属層１４ａ，１４ｂを構成する主成分及び添加剤成分が上記の通りとなるように蒸着法又はスパッタ法にて形成する方法を例示することができる。
【００２２】
また、金属層１４ａ，１４ｂの結晶粒径が０．１μｍ以上であることが好ましく、更には０．３μｍ以上であることがより好ましい。これにより、焼成時に金属層１４ａ，１４ｂが断裂するのを一層防止できる。結晶粒径を前記の範囲とするための一手法として、金属層１４ａ，１４ｂを構成する主成分及び添加剤成分が上記の通りとなるように蒸着法又はスパッタ法にて形成する方法を例示することができる。
【００２３】
また、金属層１４ａ，１４ｂの充填率が７０％以上であることが好ましく、更には９０％以上であることがより好ましい。これにより、焼成時に金属層１４ａ，１４ｂが断裂するのを一層防止できる。充填率を前記の範囲とするための一手法として、金属層１４ａ，１４ｂを構成する主成分及び添加剤成分が上記の通りとなるように蒸着法又はスパッタ法にて形成する方法を例示することができる。
【００２４】
また、金属層１４ａ，１４ｂが針状粒子を含んでいてもよい。これにより、焼成によって金属層１４ａ，１４ｂに仮に断裂が生じたとしても、針状粒子が断裂片間を架橋して電気的に接続することができるので、金属層１４ａ，１４ｂの導電性を確保できる。
【００２５】
この場合において、前記針状粒子が六方格子を形成する金属を含むことが好ましい。これにより、針状粒子を容易に形成できる。
【００２６】
例えば、前記針状粒子がＴｉを含むことが好ましい。Ｔｉは六方格子を形成しやすいからである。また、Ｔｉは、セラミック層１２中にその構成材料として含有されることが多く、異種元素としての弊害が少ない。
【００２７】
また、前記針状粒子の長さが前記金属層１４ａ，１４ｂの厚みより長いことが好ましい。これにより、針状粒子は、その長手方向を金属層１４ａ，１４ｂの面方向にほぼ一致させて、金属層１４ａ，１４ｂ内に存在することになる。したがって、焼成によって金属層１４ａ，１４ｂに断裂が生じたとしても、針状粒子が断裂片間を電気的に接続しやすくなるので、金属層１４ａ，１４ｂの導電性の確保が容易になる。
【００２８】
また、前記針状粒子の長手方向の長さは、これと直交する方向の寸法の２倍以上であることが好ましい。これにより、焼成によって金属層１４ａ，１４ｂに断裂が生じたとしても、針状粒子が断裂片間を電気的に接続しやすくなるので、金属層１４ａ，１４ｂの導電性の確保が容易になる。
【００２９】
また、金属層１４ａ，１４ｂが、前記針状粒子と接続した粒状粒子を更に有することが好ましい。これにより、焼成によって金属層１４ａ，１４ｂに断裂が生じたとしても、断裂片を構成する粒状粒子間を針状粒子が架橋して電気的に接続するので、金属層１４ａ，１４ｂの導電性を確保できる。
【００３０】
このようなセラミック積層体１０は、少なくとも、金属層を無溶剤プロセスで形成する工程と、前記金属層が積層されたセラミックグリーンシートを複数枚積層する工程とを経て製造される。
【００３１】
無溶剤プロセスとは、溶剤を使用しない製造方法を意味する。したがって、例えば、導電性粉末を溶剤中に分散したものを塗布したり印刷したりして金属層を形成する方法は含まれない。これらの方法は、薄く、均一で、特性の安定した金属層を形成することが困難であるからである。また、溶剤の有機成分を分解するための酸化雰囲気での加熱処理が無溶剤プロセスでは不要になり、工程を簡素化できる。
【００３２】
無溶剤プロセスの中でも真空プロセスが好ましく、抵抗加熱蒸着法、電子ビーム加熱蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法がより好ましく、電子ビーム加熱蒸着法、スパッタリング法が特に好ましい。均一で特性の良好な金属層を安定して製造できるからである。
【００３３】
そして、金属層は、主成分としてＮｉ、Ｃｕ、Ａｇ、及びＰｄから選ばれた少なくとも一種を合計で５０ａｔｍ％以上含み、添加剤成分としてセラミックグリーンシートに含まれる金属元素のうちの少なくとも一種を１ａｔｍ％以上５０ａｔｍ％未満含む。
【００３４】
セラミックグリーンシート上に金属層を積層する方法としては、セラミックグリーンシート上に直接金属層を無溶剤プロセスで形成する方法であってもよいが、支持体フィルム上に金属層を無溶剤プロセスで形成し、これをセラミックグリーンシートに転写する方法がより好ましい。これにより、欠陥の少ない金属層を安定して製造できる。
【００３５】
金属層を形成する無溶剤プロセスは、多源蒸着法、多源スパッタ法、又は合金スパッタ法であることが好ましい。これにより、金属層に含まれる主成分及び添加剤成分の組成比率の変更が容易となる。このとき、酸素を含む雰囲気で金属層を形成してもよい。
【００３６】
また、金属層の少なくとも一方の表面に近いほど添加剤成分の含有量が多くなるように金属層を形成することが好ましい。後述する実施例１，３のように、金属層の一方の面がセラミックグリーンシートと接し、他方の面が接着剤層などを介してセラミックグリーンシートと接する場合には、少なくともセラミックグリーンシートと直接接する表面側で添加剤成分の含有量を多くすることが好ましい。
【００３７】
特に、金属層の両方の表面に近いほど添加剤成分の含有量が多くなるように金属層を形成することがより好ましい。例えば、後述する実施例２のように、金属層の両方の面がセラミックグリーンシートと直接接する場合には、両表面側で添加剤成分の含有量を多くすることが好ましい。
【００３８】
金属層の表面近傍において添加剤成分の含有量が多いと、これと接するセラミックグリーンシートとの密着性が良好になるので、焼成時に金属層が断裂するのを一層防止することができる。
【００３９】
このような金属層を形成するための方法として、例えば以下の方法がある。すなわち、走行する支持体フィルムの上流側に添加剤成分を含む薄膜形成源を、下流側に主成分を含む薄膜形成源を配置して、支持体フィルム上に添加剤成分と主成分とを含む金属層を多源蒸着法又は多源スパッタ法で形成する。これにより、添加剤成分の含有量が支持体フィルム側の表面に近いほど多く、その反対側表面に近いほど少ない金属層を形成することができる。
【００４０】
この場合において、主成分を含む薄膜形成源よりも、走行する支持体フィルムの下流側に、更に添加剤成分を含む薄膜形成源を配置してもよい。これにより、添加剤成分の含有量が両表面に近いほど多く、中央部で少ない金属層を形成することができる。
【実施例】
【００４１】
以下、本発明を具体的な実施例を示しながら更に詳細に説明する。
【００４２】
［実施例１］
以下の工程（１）〜（６）を経て、セラミック積層体を製造した。
【００４３】
（１）内部電極パターンに対応して離型処理を施したフィルム支持体上に、真空プロセスにより金属薄膜を形成する（金属薄膜形成工程）。
【００４４】
（２）キャリアフィルム上にセラミックグリーンシートを形成する（セラミックグリーンシート形成工程）。
【００４５】
（３）上記（２）で得たセラミックグリーンシート上に、内部電極パターンに対応して接着剤を塗布する（接着剤付与工程）。
【００４６】
（４）上記（３）で得たセラミックグリーンシート上に、上記（１）で得た、フィルム支持体上に形成した上記金属薄膜を押圧する。これにより、内部電極パターンに対応した部分の金属薄膜のみをセラミックグリーンシートに転写する（金属薄膜転写工程）。
【００４７】
（５）別のセラミックグリーンシート上に、上記（４）で得た金属薄膜を転写したグリーンシートを圧着して積み重ねる（積層工程）。
【００４８】
（６）上記（５）で得た積層物を、必要に応じて切断した後、焼成する（焼成工程）。
【００４９】
以下に、上記各工程を順に説明する。
【００５０】
（１）金属薄膜形成工程
フィルム支持体上に金属薄膜を形成する装置の一例を図２に示す。
【００５１】
真空槽１３０内は、隔壁１３２により上下に２部屋に分割されている。隔壁１３２より上側の部屋には支持体フィルム１０２の搬送装置が配置され、隔壁１３２より下側の部屋には薄膜形成装置が配置されている。
【００５２】
搬送装置は、支持体フィルム１０２を巻き出す巻き出しローラ１０４、支持体フィルム１０２を巻き取る巻き取りローラ１０６、キャンローラ１１０、ガイドローラ１１２，１１４を有する。巻き出しローラ１０４から巻き出された支持体フィルム１０２はガイドローラ１１２、キャンローラ１１０、ガイドローラ１１４で順に搬送されて巻き取りローラ１０６に巻き取られる。
【００５３】
薄膜形成装置は、第１薄膜形成源１２１と第２薄膜形成源１２２とを有する。これらは、隔壁１３２の開口１３４の下部に、キャンローラ１１０によって搬送される支持体フィルム１０２に対向して配置されている。支持体フィルム１０２の走行方向に沿って、上流側に第１薄膜形成源１２１が、下流側に第２薄膜形成源１２２が配置されている。
【００５４】
上記の搬送装置及び薄膜形成装置は真空槽１３０内に収納され、隔壁１３２より下側の部屋に接続された真空ポンプ１３７により所定の真空度に維持される。
【００５５】
以上のような装置を用いて、以下の３通りの金属薄膜を支持体フィルム１０２上に形成した。
【００５６】
・実施例１−ａ（Ｎｉ及びＴｉの２源電子ビーム蒸着）
第１薄膜形成源１２１として、Ｔｉを水冷銅ハースに入れた２７０度偏向型電子ビーム蒸発源を用いた。また、第２薄膜形成源１２２として、Ｎｉをマグネシア坩堝に入れた２７０度偏向型電子ビーム蒸発源を用いた。Ｎｉ及びＴｉを、それぞれ加速電圧１０ｋＶの電子ビームを照射して加熱し溶解させ蒸発させ、支持体フィルム１０２上にＮｉ及びＴｉを含む厚さ０．６μｍの金属薄膜を形成した。なお、電子ビーム源としては、上記のような偏向型電子銃に限定されず、直進型電子銃（ピアス銃）を使用することもできる。
【００５７】
支持体フィルム１０２の走行方向に沿って、上流側にＴｉ蒸発源１２１が、下流側にＮｉ蒸発源１２２が配置されているために、支持体フィルム１０２上に形成されるＮｉ及びＴｉからなる金属薄膜は、支持体フィルム１０２側ほどＴｉ含有量が多く、その反対側ほどＮｉ含有量が多くなる。得られた金属薄膜を表面からエッチングしながらオージエ電子分光分析を行ったところ、金属薄膜のＮｉ及びＴｉの含有量がこのように厚さ方向に変化していることを確認した。
【００５８】
両蒸発源１２１，１２２の電子ビームのエミッション電流を変えることにより、金属薄膜内のＮｉ及びＴｉの組成比率を変更した。組成比率は、ＩＣＰ発光分光分析により測定した。
【００５９】
支持体フィルム１０２としては、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）シートを用いた。フィルム支持体１０２の金属薄膜を形成する側の面には、予め所定パターンで離型処理を施してある。離型処理としては、シリコン系樹脂を印刷塗布した。なお、フィルム支持体１０２としては、上記のようなＰＥＴシートに限定されず、それ以外樹脂シートであってもよい。また、離型剤としては、エポキシ系樹脂を用いることもできる。
【００６０】
図３Ａは、金属薄膜が形成された支持体フィルム１０２の部分拡大断面図、図３Ｂは、これを図３Ａの矢印３Ｂの方向から見た部分拡大平面図である。図示したように、支持体フィルム１０２上に、コンデンサの内部電極パターンに対応して離型剤層１４０が形成され、これを覆うように金属薄膜２４が形成されている。
【００６１】
・実施例１−ｂ（Ｎｉ−Ｂａ合金をターゲットとする合金スパッタ）
第１薄膜形成源１２１として、Ｎｉ−Ｂａ合金をターゲットとするＲＦマグネトロンスパッタ装置（１３．５６ＭＨｚ、２ｋＷ）を用いた。第２薄膜形成源１２２は使用しなかった。フィルム支持体１０２の温度が１０℃になるように、キャンローラ１１０を冷却した。支持体フィルム１０２の搬送速度は３ｎｍ／ｓとした。これにより、支持体フィルム１０２上にＮｉ及びＢａを含む厚さ０．６μｍの金属薄膜を形成した。
【００６２】
ターゲットとして、Ｂａ組成比率が０，１，５，１０，３０，４９ａｔｍ％のＮｉ−Ｂａ合金を用いて、金属薄膜内のＮｉ及びＢａの組成比率を変更した。組成比率は、ＩＣＰ発光分光分析により確認した。いずれの場合もターゲットの組成比率とほぼ同一組成の金属薄膜が得られた。
【００６３】
支持体フィルム１０２としては、実施例１−ａの場合と同じ離型処理を施したＰＥＴシートを用いた。
【００６４】
・実施例１−ｃ（Ｎｉ及びＴｉをターゲットとする２源スパッタ）
第１薄膜形成源１２１として、ＴｉをターゲットとするＤＣスパッタ装置を用いた。また、第２薄膜形成源１２２として、ＮｉをターゲットとするＤＣスパッタ装置を用いた。フィルム支持体１０２の温度が１０℃になるように、キャンローラ１１０を冷却した。これにより、支持体フィルム１０２上にＮｉ及びＴｉを含む厚さ０．８μｍの金属薄膜を形成した。
【００６５】
支持体フィルム１０２の走行方向に沿って、上流側にＴｉスパッタ装置１２１が、下流側にＮｉスパッタ装置１２２が配置されているために、支持体フィルム１０２上に形成されるＮｉ及びＴｉからなる金属薄膜は、支持体フィルム１０２側ほどＴｉ含有量が多く、その反対側ほどＮｉ含有量が多くなる。得られた金属薄膜を表面からエッチングしながらオージエ電子分光分析を行ったところ、金属薄膜のＮｉ及びＴｉの含有量がこのように厚さ方向に変化していることを確認した。
【００６６】
両スパッタ装置１２１，１２２に投入するパワーを変えることにより、金属薄膜内のＮｉ及びＴｉの組成比率を変更した。組成比率は、ＩＣＰ発光分光分析により測定した。
【００６７】
支持体フィルム１０２としては、実施例１−ａの場合と同じ離型処理を施したＰＥＴシートを用いた。
【００６８】
（２）セラミックグリーンシート形成工程
チタン酸バリウムを主成分とする誘電体粉末１２０重量部、ポリビニルブチラール樹脂３０重量部、ブチルカルビトール１５０重量部、フタル酸ジオクチル４重量部を配合し混練し、セラミック誘電体スラリーを作成した。これをキャリアフィルム上にリバースロール法で塗布してセラミックグリーンシートを形成した。
【００６９】
（３）接着剤付与工程
上記の（２）で得たセラミックグリーンシート上に内部電極パターンに対応して接着剤を印刷法により塗布した。接着剤としてはブチラール系樹脂を用いた。図４Ａは接着剤が塗布されたグリーンシートの部分拡大断面図、図４Ｂは図４Ａの矢印４Ｂの方向から見た部分拡大平面図である。図４Ａ、図４Ｂにおいて、１４２はキャリアフィルム、２２はセラミックグリーンシート、１４４は接着剤層を示す。接着剤層１４４の塗布パターンは図３Ａ、図３Ｂに示した離型剤層１４０の付与パターンと同一である。
【００７０】
なお、接着剤としては、ブチラール系樹脂に限られず、例えばフェノール系樹脂を使用することもできる。
【００７１】
（４）金属薄膜転写工程
図５に示すように、下押圧板１４６上に、上記（３）で得た“キャリアフィルム１４２／セラミックグリーンシート２２／接着剤層１４４”の積層体を載置し、この上に、上記（１）で得た“支持体フィルム１０２／離型剤層１４０／金属薄膜２４”の積層体を、接着剤層１４４と金属薄膜２４とが接し、且つ、接着剤層１４４と離型剤層１４０とを位置合わせして載置した。更にこれらの上に上押圧板１４８を載せ、下押圧板１４６及び上押圧板１４８を１１０℃に加熱して４９×１０6Ｐａ（５００ｋｇ／ｃｍ2）の圧縮荷重を付与した。なお、加熱加圧条件はこれに限定されず、通常、１００〜１２０℃で、９．８×１０6〜７８．４×１０6Ｐａ（１００〜８００ｋｇ／ｃｍ2）の範囲内で適宜変更することができる。
【００７２】
その後、支持体フィルム１０２を剥離した。このとき、接着剤層１４４と金属薄膜２４との間の接着力が、離型剤層１４０と金属薄膜２４との間の接着力より大きいから、接着剤層１４４と離型剤層１４０との間に挟まれた領域内の金属薄膜２４のみが接着剤層１４４側に転写され、その他の領域内の金属薄膜２４は支持体フィルム１０２側に付着したまま支持体フィルム１０２とともに除去された。
【００７３】
かくして、キャリアフィルム１４２上にセラミックグリーンシート２２が積層され、この上に接着剤層１４４を介して金属薄膜２４が積層された積層体が得られた。
【００７４】
このような金属薄膜２４付きのセラミックグリーンシート２２を必要枚数作成した。
【００７５】
（５）積層工程
上記（２）と同様にして得た別のセラミックグリーンシート上に、上記（４）で得たセラミックグリーンシート２２を、金属薄膜２４側を下側にして積層し、キャリアフィルム１４２を剥離した。この上に、同様にして、必要な枚数だけ上記（４）で得たセラミックグリーンシート２２を金属薄膜２４側を下側にして積層した。このとき、金属薄膜２４の位置を一層ごとに所定量だけ左右にずらして積層した。
【００７６】
このとき、実施例１−ａ，１−ｃでは、金属薄膜２４を構成するＮｉ及びＴｉの厚み方向の含有率分布は、接着剤層１４４側に近いほどＮｉ含有量が多く、セラミックグリーンシートと直接接する側ほどＴｉ含有量が多くなる。
【００７７】
（６）焼成工程
上記（５）で得た積層体を積層方向に所定の位置で切断した後、１２５０℃で焼成した。
【００７８】
その後、対向する両側面に導電性ペーストを塗布して加熱して、金属薄膜２４と電気的に接続された外部電極を形成しして、セラミックコンデンサを得た。
【００７９】
なお、焼成温度は、上記に限定されず１２００〜１３００℃の範囲内で適宜設定することができる。
【００８０】
（評価方法）
（ａ）金属薄膜内の添加剤成分元素の含有量
ＩＰＣ発光分光分析により測定した。
【００８１】
（ｂ）フリー面観察
金属薄膜が転写されたセラミックグリーンシート２２を、上記の積層工程を行うことなく、上記の焼成工程と同様の条件で焼成して、金属薄膜２４の断裂状態を観察し、金属薄膜２４の導電性の確保の観点から以下のＡ〜Ｄの４段階で評価した。この条件では、金属薄膜が露出したまま焼成されるので、セラミックグリーンシートで覆われた状態で焼成される場合に比べて、金属薄膜の断裂はより生じやすい。
【００８２】
Ａ：金属薄膜２４の断裂は見られず、連続している（図６Ａ参照）。
【００８３】
Ｂ：金属薄膜２４の一部に断裂が見られるが、導電性はほぼ全面にわたって確保されていると考えられる（図６Ｂ参照）。
【００８４】
Ｃ：金属薄膜２４がかなり断裂しているが、断裂片間の導電性はほぼ確保されていると考えられる（図６Ｃ参照）。
【００８５】
Ｄ：金属薄膜２４が完全に断裂しており、個々の断裂片は電気的にほぼ絶縁されていると考えられる（図６Ｄ参照）。
【００８６】
図６Ａ〜図６Ｄは一例であり、金属薄膜２４が針状粒子を含む場合には、後述する図９のような断裂状態を示すことがある。この場合には、針状粒子が断裂片間を架橋して電気的に接続しているか否かを考慮して上記のＡ〜Ｄの４段階に評価した。
【００８７】
（ｃ）積層断面観察
得られたセラミックコンデンサを厚み方向に切断し、切断面における内部電極１４ａ，１４ｂ（すなわち、金属薄膜２４）の状態を観察し、以下のＡ〜Ｃの３段階で評価した。
【００８８】
Ａ：内部電極１４ａ，１４ｂの断裂は見られず、連続している（図７Ａ参照）。
【００８９】
Ｂ：内部電極１４ａ，１４ｂの一部に断裂が見られる（図７Ｂ参照）。
【００９０】
Ｃ：内部電極１４ａ，１４ｂがかなり断裂している（図７Ｃ参照）。
【００９１】
（ｄ）容量達成度
得られたセラミックコンデンサの容量値を測定し、設計容量値に対する割合を求めた。内部電極が断裂すると測定容量値は小さくなり、容量達成度は低下する。
【００９２】
（ｅ）微細構造
得られたセラミックコンデンサを厚さ方向に切断し、内部電極の切断面を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）にて観察した。結晶構造が、図８Ａのように積層方向を長手方向として大きく成長している場合を「柱状構造」とし、図８Ｂのように微細な粒状である場合を「粒状構造」とした。なお、柱状構造と粒状構造のいずれとも判断し難い場合は「柱状〜粒状」と表記した。
【００９３】
（ｆ）結晶粒径
得られたセラミックコンデンサを厚さ方向に切断し、内部電極の切断面を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）にて観察した。金属結晶の積層方向の平均粒径を結晶粒径とした。
【００９４】
（ｇ）充填率
金属薄膜形成工程で得たフィルム支持体上の金属薄膜の厚みを走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いて測定した。また、この金属薄膜を所定の大きさに切断して化学定量法で質量を測定した。これらより、金属薄膜の充填率を計算により求めた。
【００９５】
（評価結果）
実施例１−ａ，１−ｂ，１−ｃのそれぞれについて、金属薄膜の組成比率を変更して、上記の評価項目について評価した。結果を、順に表１，表２，表３に示す。
【００９６】
【表１】
2004158834.tif 000003
【００９７】
【表２】
2004158834.tif 000004
【００９８】
【表３】
2004158834.tif 000005
表１〜表３から明らかなように、金属薄膜が、セラミック層に含まれるＴｉ又はＢａを１ａｔｍ％以上５０ａｔｍ％未満含有する場合には、セラミックグリーンシートの焼成工程で金属薄膜がほとんど断裂せず、その結果、設計値に近い容量のコンデンサが得られた。
【００９９】
［実施例２］
以下の工程（１）〜（５）を経て、セラミック積層体を製造した。
【０１００】
（１）内部電極パターンに対応して離型処理を施したフィルム支持体上に、真空プロセスにより金属薄膜を形成する（金属薄膜形成工程）。
【０１０１】
（２）キャリアフィルム上にセラミックグリーンシートを形成する（セラミックグリーンシート形成工程）。
【０１０２】
（３）上記（２）で得たセラミックグリーンシート上に、上記（１）で得た、フィルム支持体上に形成した上記金属薄膜を押圧する。これにより、内部電極パターンに対応した部分の金属薄膜のみをセラミックグリーンシートに転写する（金属薄膜転写工程）。
【０１０３】
（４）別のセラミックグリーンシート上に、上記（３）で得た金属薄膜を転写したグリーンシートを圧着して積み重ねる（積層工程）。
【０１０４】
（５）上記（４）で得た積層物を、必要に応じて切断した後、焼成する（焼成工程）。
【０１０５】
本実施例２のセラミック積層体の製造工程は、実施例１において接着剤付与工程がない点を除いて実施例１と同様である。
【０１０６】
以下に、上記各工程を順に説明する。
【０１０７】
（１）金属薄膜形成工程
図２に示す装置を用いて実施例１と同様にしてフィルム支持体１０２上に金属薄膜を形成した。
【０１０８】
・実施例２−ａ（Ｎｉ及びＴｉの２源電子ビーム蒸着）
金属薄膜の厚みを０．４μｍとした以外は実施例１−ａと同様にして支持体フィルム１０２上にＮｉ及びＴｉを含む金属薄膜を形成した。
【０１０９】
・実施例２−ｂ（Ｎｉ−Ｂａ合金をターゲットとする合金スパッタ）
金属薄膜の厚みを０．４μｍとした以外は実施例１−ｂと同様にして支持体フィルム１０２上にＮｉ及びＢａを含む金属薄膜を形成した。
【０１１０】
（２）セラミックグリーンシート形成工程
実施例１と同様にしてキャリアフィルム１４２上にリバースロール法で塗布してセラミックグリーンシート２２を形成した。
【０１１１】
（３）金属薄膜転写工程
実施例１と同様にして、上記（２）で得た“キャリアフィルム１４２／セラミックグリーンシート２２”の積層体上に、上記（１）で得た“支持体フィルム１０２／離型剤層１４０／金属薄膜２４”の積層体を、セラミックグリーンシート２２と金属薄膜２４とが接するようにして載置した。そして、実施例１と同様に下押圧板１４６及び上押圧板１４８を１１０℃に加熱して４９×１０6Ｐａ（５００ｋｇ／ｃｍ2）の圧縮荷重を付与した。
【０１１２】
その後、支持体フィルム１０２を剥離した。実施例１と異なり、本実施例２ではセラミックグリーンシート２２上に接着剤層が塗布されていないが、セラミックグリーンシート２２と金属薄膜２４との間の接着力が、離型剤層１４０と金属薄膜２４との間の接着力より大きいから、離型剤層１４０上に形成された金属薄膜２４のみがセラミックグリーンシート２２側に転写され、これ以外の領域内の金属薄膜２４は支持体フィルム１０２側に付着したまま支持体フィルム１０２とともに除去された。
【０１１３】
かくして、キャリアフィルム１４２上にセラミックグリーンシート２２が積層され、この上に内部電極パターンに対応して金属薄膜２４が積層された積層体が得られた。
【０１１４】
このような金属薄膜２４付きのセラミックグリーンシート２２を必要枚数作成した。
【０１１５】
（４）積層工程
上記（２）と同様にして得た別のセラミックグリーンシート上に、上記（３）で得たセラミックグリーンシート２２を、実施例１と同様にして必要な枚数だけ積層した。
【０１１６】
（５）焼成工程
実施例１と同様に切断し焼成し外部電極を形成してセラミックコンデンサを得た。
【０１１７】
（評価結果）
実施例２−ａ，２−ｂのそれぞれについて、金属薄膜の組成比率を変更して、実施例１と同じ評価項目について評価した。結果を、順に表４，表５に示す。
【０１１８】
【表４】
2004158834.tif 000006
【０１１９】
【表５】
2004158834.tif 000007
表４〜表５から明らかなように、金属薄膜が、セラミック層に含まれるＴｉ又はＢａを１ａｔｍ％以上５０ａｔｍ％未満含有する場合には、セラミックグリーンシートの焼成工程で金属薄膜がほとんど断裂せず、その結果、設計値に近い容量のコンデンサが得られた。
【０１２０】
［実施例３］
以下の工程（１）〜（６）を経て、セラミック積層体を製造した。
【０１２１】
（１）フィルム支持体上に、真空プロセスにより金属薄膜を形成する（金属薄膜形成工程）。
【０１２２】
（２）キャリアフィルム上にセラミックグリーンシートを形成する（セラミックグリーンシート形成工程）。
【０１２３】
（３）上記（２）で得たセラミックグリーンシート上に、内部電極パターンに対応して接着剤を塗布する（接着剤付与工程）。
【０１２４】
（４）上記（３）で得たセラミックグリーンシート上に、上記（１）で得た、フィルム支持体上に形成した上記金属薄膜を押圧する。これにより、内部電極パターンに対応した部分の金属薄膜のみをセラミックグリーンシートに転写する（金属薄膜転写工程）。
【０１２５】
（５）別のセラミックグリーンシート上に、上記（４）で得た金属薄膜を転写したグリーンシートを圧着して積み重ねる（積層工程）。
【０１２６】
（６）上記（５）で得た積層物を、必要に応じて切断した後、焼成する（焼成工程）。
【０１２７】
本実施例３のセラミック積層体の製造工程は、実施例１において金属薄膜形成工程において、フィルム支持体に離型処理を施さない点を除いて実施例１と同様である。
【０１２８】
以下に、上記各工程を順に説明する。
【０１２９】
（１）金属薄膜形成工程
フィルム支持体１０２として離型処理を施していないＰＥＴシートを用いた点を除いて実施例１と同様にして、図２に示す装置を用いて、フィルム支持体１０２上に金属薄膜を形成した。
【０１３０】
・実施例３−ａ（Ｎｉ及びＴｉをターゲットとする２源スパッタ）
金属薄膜の厚みを０．３μｍとした以外は実施例１−ｃと同様にして支持体フィルム１０２上にＮｉ及びＴｉを含む金属薄膜を形成した。
【０１３１】
（２）セラミックグリーンシート形成工程
実施例１と同様にしてキャリアフィルム１４２上にリバースロール法で塗布してセラミックグリーンシート２２を形成した。
【０１３２】
（３）接着剤付与工程
実施例１と同様に、上記の（２）で得たセラミックグリーンシート２２上に内部電極パターンに対応して接着剤を印刷法により塗布した。
【０１３３】
（４）金属薄膜転写工程
実施例１と同様にして、上記（３）で得た“キャリアフィルム１４２／セラミックグリーンシート２２／接着剤層１４４”の積層体上に、上記（１）で得た“支持体フィルム１０２／金属薄膜２４”の積層体を、接着剤層１４４と金属薄膜２４とが接するようにして載置した。そして、実施例１と同様に下押圧板１４６及び上押圧板１４８を１１０℃に加熱して４９×１０6Ｐａ（５００ｋｇ／ｃｍ2）の圧縮荷重を付与した。
【０１３４】
その後、支持体フィルム１０２を剥離した。実施例１と異なり、本実施例３では支持体フィルム１０２上に離型剤層が塗布されていないが、接着剤層１４４と金属薄膜２４との間の接着力が、支持体フィルム１０２と金属薄膜２４との間の接着力より大きいから、接着剤層１４４に接した領域内の金属薄膜２４のみが接着剤層１４４側に転写され、これ以外の領域内の金属薄膜２４は支持体フィルム１０２側に付着したまま支持体フィルム１０２とともに除去された。
【０１３５】
かくして、キャリアフィルム１４２上にセラミックグリーンシート２２が積層され、この上に接着剤層１４４を介して金属薄膜２４が積層された積層体が得られた。
【０１３６】
このような金属薄膜２４付きのセラミックグリーンシート２２を必要枚数作成した。
【０１３７】
（５）積層工程
上記（２）と同様にして得た別のセラミックグリーンシート上に、上記（４）で得たセラミックグリーンシート２２を、実施例１と同様にして必要な枚数だけ積層した。
【０１３８】
本実施例でも、実施例１−ａ，１−ｃと同様に、金属薄膜２４を構成するＮｉ及びＴｉの厚み方向の含有率分布は、接着剤層１４４側に近いほどＮｉ含有量が多く、セラミックグリーンシートと直接接する側ほどＴｉ含有量が多くなる。
【０１３９】
（６）焼成工程
実施例１と同様に切断し焼成し外部電極を形成してセラミックコンデンサを得た。
【０１４０】
（評価結果）
実施例３−ａについて、金属薄膜の組成比率を変更して、実施例１と同じ評価項目について評価した。結果を、表６に示す。
【０１４１】
【表６】
2004158834.tif 000008
表６から明らかなように、金属薄膜が、セラミック層に含まれるＴｉを１ａｔｍ％以上５０ａｔｍ％未満含有する場合には、セラミックグリーンシートの焼成工程で金属薄膜がほとんど断裂せず、その結果、設計値に近い容量のコンデンサが得られた。
【０１４２】
上記の実施例１−ａ，１−ｃ，２−ａ，３−ａでは、支持体フィルム１０２の走行方向に沿って第１薄膜形成源１２１と第２薄膜形成源１２２とを配置することにより、厚さ方向において、一方の面側では第２薄膜形成源による材料含有量が多く、他方の面側では第１薄膜形成源による材料含有量が多い金属薄膜を形成した。しかし、本発明はこれに限定されない。支持体フィルム１０２の走行方向に沿って、第１薄膜形成源１２１、第２薄膜形成源１２２、第１薄膜形成源１２１をこの順に配置することにより、厚さ方向において、両表面近傍で第１薄膜形成源による材料含有量が多く、中央部で第２薄膜形成源による材料含有量が多い金属薄膜を形成することもできる。この構成は、金属薄膜の両表面が接着剤層を介することなくセラミックグリーンシートと接する実施例２−ａにおいて特に有効である。
【０１４３】
また、金属薄膜に加える元素を適当に選ぶことにより、焼成後の金属薄膜を、図９に一例を示す如く、針状粒子３０を含む構造にすることが出来る。針状粒子３０を含むことにより、焼成によって仮に金属薄膜の断裂が起きたとしても、破断片３２間を針状粒子３０が架橋して電気的に接続するので、金属薄膜の電気抵抗の上昇を軽減することができる。針状粒子３０は六方格子を形成する金属を含む場合に生成されやすく、例えばＴｉを含む金属薄膜を焼成した後に針状粒子の存在を確認した。金属薄膜が焼成により破断すると、針状粒子３０以外の断裂片３２は、その投影形状が円状又は楕円状である粒状焼結粒子である場合が多い。このような個々の断裂片３２間を針状粒子３０が架橋して電気的に接続するためには、針状粒子３０の長さが金属薄膜の厚みより長いことが好ましい。これにより、針状粒子３０はその長手方向を金属薄膜が含まれる面に対して平行又は斜めにして金属薄膜内に存在することになるので、針状粒子３０による断裂片３２間の架橋が生じやすい。また、針状粒子３０の形状は、長手方向の長さのこれと直交する方向の寸法に対する比（針状比）が大きい形状、即ち長細い形状が好ましい。具体的には、この比が２以上、特に３以上であることが好ましい。これにより、針状粒子３０による断裂片３２間の架橋効果が発揮されやすくなる。なお、金属薄膜は針状粒子３０のみで形成される必要はない。少なくとも針状粒子３０が含まれていることにより、図９に示すように、針状粒子３０とその周囲の粒状の断裂片３２とが相互に接続されるので、焼成による断裂により生じる金属薄膜の電気抵抗の上昇を防止することができる。
【０１４４】
また、上記の説明ではセラミック積層体をコンデンサに応用した例を中心に説明した。しかしながら、本発明のセラミック積層体はコンデンサに限られず、セラミック絶縁層上に金属層で回路形成した配線基板やコイルなど他の用途にも適用することができ、上記と同様の効果を得ることができる。
【産業上の利用可能性】
【０１４５】
本発明の利用分野は特に限定されないが、本発明によれば、焼成等の熱処理によって金属層の断裂が生じにくいセラミック積層体を得ることができるので、セラミック層を絶縁層とし、金属層を電極層又は配線層とした電子部品や配線基板などに利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【０１４６】
【図１】図１は、本発明のセラミック積層体の一例の概略構成を示した断面図である。
【図２】図２は、本発明の実施例で使用した、金属薄膜を形成するための装置の概略構成図である。
【図３】図３Ａは、本発明の実施例１の、金属薄膜が形成された支持体フィルムの部分拡大断面図である。図３Ｂは、これを図３Ａの矢印３Ｂの方向から見た部分拡大平面図である。
【図４】図４Ａは、本発明の実施例１の、接着剤が塗布されたセラミックグリーンシートの部分拡大断面図である。図４Ｂは、これを図４Ａの矢印４Ｂの方向から見た部分拡大平面図である。
【図５】図５は、本発明の実施例１の金属薄膜転写工程を示した側面断面図である。
【図６】図６Ａ〜図６Ｄは、本発明の実施例において、フリー面観察の判断基準を示した平面図である。
【図７】図７Ａ〜図７Ｃは、本発明の実施例において、積層断面観察の判断基準を示した断面図である。
【図８】図８Ａは、柱状構造を有する内部電極の結晶構造を示した模式図である。図８Ｂは、粒状構造を有する内部電極の結晶構造を示した模式図である。
【図９】図９は、針状粒子を有する金属薄膜が形成されたセラミックグリーンシートを焼成した後の金属薄膜の状態の一例を図６のフリー面観察と同様に示した模式図である。
【符号の説明】
【０１４７】
１０  セラミック積層体
１２  セラミック層
１４ａ，１４ｂ  金属層
１６ａ，１６ｂ  外部電極
２２  セラミックグリーンシート
２４  金属薄膜
３０  針状粒子
３２  断裂片（粒状粒子）
１０２  支持体フィルム
１０４  巻き出しローラ
１０６  巻き取りローラ
１１０  キャンローラ
１１２，１１４  ガイドローラ
１２１  第１薄膜形成源
１２２  第２薄膜形成源
１３０  真空槽
１３２  隔壁
１３４  開口
１３７  真空ポンプ
１４０  離型剤層
１４２  キャリアフィルム
１４４  接着剤層
１４６  下押圧板
１４８  上押圧板
【図１】
2004158834.tif 000009
【図２】
2004158834.tif 000010
【図３】
2004158834.tif 000011
【図４】
2004158834.tif 000012
【図５】
2004158834.tif 000013
【図６】
2004158834.tif 000014
【図７】
2004158834.tif 000015
【図８】
2004158834.tif 000016
【図９】
2004158834.tif 000017