(57)【要約】【課題】  半導体チップの突起電極とフィルム基板のリードを高精度に接続する。【解決手段】  半導体チップの突起電極とフィルム基板のインナーリードを接続する際のリードピッチの変動を考慮し、フィルム基板を設計する段階であらかじめインナーリードのピッチに補正を加える。すなわち、チップ搭載領域Ｃの長辺方向に沿ったインナーリード全体の累積ピッチを増やし、中央部に近いインナーリードは、さらに増やす。また、液晶基板の電極とフィルム基板のアウターリードを接続する際のリードピッチの変動を考慮し、あらかじめアウターリードのピッチにも補正を加える。【選択図】  図１０
2004158895.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）主面と、前記主面上に配置された複数の突起電極とを有する半導体チップを用意する工程と、
（ｂ）絶縁体からなる薄膜ベースと、前記半導体チップの複数の突起電極のそれぞれに対応する複数のリードとを有する配線基板を用意する工程と、
（ｃ）前記複数の突起電極のそれぞれを、前記複数のリードのそれぞれに接合する工程と、
（ｄ）前記（ｃ）工程の後に、前記半導体チップと前記薄膜ベースとの間を、樹脂によって封止する工程とを有する半導体装置の製造方法であって、
前記複数のリードのそれぞれは、前記突起電極に接合される部分が、前記薄膜ベースに固着されており、
前記（ｃ）工程は、前記配線基板と前記半導体チップとが離間した状態で両者を所定の位置に位置決めする工程と、前記配線基板と前記半導体チップとが離間した状態で、前記突起電極と前記リードとを接合する領域の周囲の前記配線基板を治具で挟む工程と、前記配線基板と前記半導体チップとが離間した状態で、前記配線基板を前記治具によって押し、前記リードを前記突起電極に接触させる工程を含んでいることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造技術に関し、特に、突起電極を設けた半導体チップをフレキシブルフィルム基板にフェイスダウン実装する半導体装置に適用して有効な技術に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
Ａｕバンプなどの突起電極を設けた半導体チップをフレキシブルフィルム基板にフェイスダウン実装する半導体装置として、ＴＡＢ（Tape Automated Bonding）やＴＣＰ（Tape Carrier Package）が知られている。
【０００３】
上記ＴＡＢあるいはＴＣＰに用いられるフレキシブルフィルム基板は、一般に、ポリイミド樹脂などからなる絶縁フィルムの表面にＣｕからなる複数のリードを形成したものであることから、雰囲気中の湿気などに起因して絶縁フィルムが伸縮し、リードのピッチに誤差が生じることが知られている。
【０００４】
例えば、特開２００１−１４４１４４号公報（特許文献１）は、湿度の変化による絶縁フィルムの伸縮によって、リードのピッチが変動することを防止する対策として、湿度を６０％前後に維持することが重要であると指摘している。
【０００５】
また、特開２０００−１２４２５５号公報（特許文献２）は、雰囲気中の湿気や熱による絶縁フィルムの膨張によってリードのピッチに誤差が生じる対策として、あらかじめ絶縁フィルムの膨張によるリードピッチの増加量に相当する分だけ、リードのピッチを狭く補正する技術を開示している。
【特許文献１】特開２００１−１４４１４４号公報
【特許文献２】特開２０００−１２４２５５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明者らは、パソコンや移動体通信端末の液晶基板に実装する液晶ドライバを開発中である。この液晶ドライバは、絶縁フィルムの表面にＣｕのリードを形成したフィルム基板と液晶駆動用の半導体チップとからなり、半導体チップは、Ａｕバンプを介してフィルム基板のリードに接続される構造になっている。
【０００７】
上記半導体チップをフィルム基板に搭載する工程では、ボンディング装置のステージ上に固定された半導体チップのＡｕバンプとフィルム基板の対応するリードを位置合わせした後、５００℃程度に加熱したボンディングツールとステージとによって上下両方向から半導体チップとフィルム基板とを挟み込み、所定の荷重を加えることによって、半導体チップに形成された全てのＡｕバンプとフィルム基板の対応するリードとを一括して接続する作業が行われる。
【０００８】
上記した工程では、Ａｕバンプとリードの接合時にリードの近傍の絶縁フィルムが高温に曝されて熱膨張し、これに追随してリードのピッチが変動するために、リードとＡｕバンプとが非接触になるオープン不良や、隣り合った２個のＡｕバンプが１本のリードを介して接触するショート不良などが発生することが問題となる。
【０００９】
特に、液晶ドライバは入出力端子の数が５００ピン前後と極めて多く、これに伴ってリードの幅やピッチが極めて狭くなっていることから、上記したリードピッチの変動に起因するリードとＡｕバンプとの接続不良が発生し易いという問題がある。
【００１０】
本発明の目的は、半導体チップの突起電極とフィルム基板のリードを高精度に接続することのできる技術を提供することにある。
【００１１】
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次のとおりである。
【００１３】
本発明による半導体装置の製造方法は、（ａ）主面と、前記主面上に配置された複数の突起電極とを有する半導体チップを用意する工程と、（ｂ）絶縁体からなる薄膜ベースと、前記半導体チップの複数の突起電極のそれぞれに対応する複数のリードとを有する配線基板を用意する工程と、（ｃ）前記複数の突起電極のそれぞれを、前記複数のリードのそれぞれに接合する工程と、（ｄ）前記（ｃ）工程の後に、前記半導体チップと前記薄膜ベースとの間を、樹脂によって封止する工程とを有し、前記複数のリードのそれぞれは、前記突起電極に接合される部分が、前記薄膜ベースに固着されており、前記（ｃ）工程は、前記配線基板と前記半導体チップとが離間した状態で両者を所定の位置に位置決めする工程と、前記配線基板と前記半導体チップとが離間した状態で、前記突起電極と前記リードとを接合する領域の周囲の前記配線基板を治具で挟む工程と、前記配線基板と前記半導体チップとが離間した状態で、前記配線基板を前記治具によって押し、前記リードを前記突起電極に接触させる工程を含んでいるものである。
【発明の効果】
【００１４】
本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば以下のとおりである。
【００１５】
半導体チップの突起電極と配線基板のリードを高精度に位置合わせできるので、突起電極とリードの接続信頼性が向上する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一の部材には原則として同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。
【００１７】
本実施の形態の半導体装置は、中継基板（インターポーザ）となるフィルム基板と、このフィルム基板に搭載された半導体チップとで構成されたチップオンフィルム(Chip On Film；ＣＯＦ)構造の液晶ドライバであり、例えばパソコンや移動体通信端末の液晶基板に実装して使用されるものである。
【００１８】
図１は、本実施の形態の液晶ドライバに搭載される半導体チップ（以下、単にチップという）１の平面図である。
【００１９】
このチップ１は、長辺×短辺が１４．６ｍｍ×１．３２ｍｍの単結晶シリコン基板からなり、その主面には図示しない液晶駆動回路が形成されている。また、チップ１の主面の周辺部には、合計４４９個のＡｕバンプ（突起電極）２が長辺方向および短辺方向に沿って一列に形成されている。
【００２０】
上記Ａｕバンプ２は、チップ１の入出力端子（ボンディングパッド）上に、電解メッキ、無電解メッキ、蒸着あるいはスパッタリングなどの方法によって形成されたものである。
【００２１】
また、上記チップ１は、半導体ウエハの主面に区画された多数のチップ領域に周知の半導体製造技術を使って液晶駆動回路や入出力端子（ボンディングパッド）を形成し、次いで入出力端子上に上記の方法でＡｕバンプ２を形成した後、半導体ウエハをダイシングしてチップ領域を個片化することにより製造されたものである。
【００２２】
図２は、上記チップ１を搭載するフィルム基板３の一部を示す平面図、図３は、このフィルム基板３の製品（液晶ドライバ）１個分の領域を示す拡大平面図である。
【００２３】
フィルム基板３は、厚さ４０〜５０μｍのポリイミド樹脂からなる絶縁フィルム（薄膜ベース）４の一面に、厚さ１８〜２５μｍのＣｕからなる複数のリード５を形成したものであり、絶縁フィルム４の周辺部には、フィルム送り用の穴６が所定の間隔で形成されている。実際のフィルム基板３は、図２に示したものよりも遙かに長尺の多連フィルムであり、液晶ドライバの製造ラインでは、このフィルム基板３がリールに巻き取られた状態で最初の工程から最終工程まで搬送される。
【００２４】
上記複数のリード５は、絶縁フィルム４の表面に銅膜を蒸着し、フォトケミカルエッチング法によってパターンを形成したものである。これらのリード５は、絶縁フィルム４の表面に接着剤を介さずに固着されている。
【００２５】
図３に示すように、フィルム基板３の略中央部には、前記図１に示したチップ１を搭載する領域（チップ搭載領域Ｃ）が設けられている。図４は、このチップ搭載領域Ｃを拡大して示す平面図である。
【００２６】
フィルム基板３に形成された複数のリード５は、それらの一端がチップ搭載領域Ｃを取り囲むように配置されており、チップ搭載領域Ｃの内側に突出した先端部分がインナーリード５ａを構成している。インナーリード５ａの表面には、電解めっき、無電解めっき、蒸着あるいはスパッタリングなどの方法によってＳｎの被覆層が形成されている。
【００２７】
図４に示す矩形のチップ搭載領域Ｃの上側の長辺とその両側の短辺に沿って配置されたインナーリード５ａは、出力側の端子を構成している。これらのインナーリード５ａのピッチは、長辺の両端部近傍と短辺に位置するインナーリード５ａが６０μｍであり、長辺の中央部に位置するインナーリード５ａが４４μｍである。また、チップ搭載領域Ｃの下側の長辺に沿って配置されたインナーリード５ａのうち、両端部近傍に位置するピッチが狭い（６０μｍ）インナーリード５ａは出力側の端子を構成し、中央部に位置するインナーリード５ａは入力側の端子を構成している。液晶ドライバの入力端子数は出力端子数よりも少ないため、入力側の端子を構成するインナーリード５ａは、出力側よりも広いピッチで配置されている。
【００２８】
一方、上記複数のリード５の他端は、アウターリード５ｂを構成している。これらのアウターリード５ｂの一部（出力側端子）は、図３に示すフィルム基板３の左側端部に配置され、他の一部（入力側端子）は、同図に示すフィルム基板３の右側端部に配置されている。インナーリード５ａとアウターリード５ｂを除いたリード５の表面には、ソルダレジスト７が形成されている。後述するように、本実施の形態の液晶ドライバを液晶基板に実装する際には、上記アウターリード５ｂを液晶基板の電極に接続する。
【００２９】
一般に、周知のＴＡＢ（Tape Automated Bonding）やＴＣＰ（Tape Carrier Package）の製造に用いられるフィルム基板は、チップ搭載領域の絶縁フィルムを抜き金型で打ち抜くことによってデバイスホールを形成し、このデバイスホールの内側にインナーリードを配置した構造になっている。しかし、このような構造は、インナーリードがフィルムに支持されないので、入出力端子の増加に伴ってインナーリードの線幅やピッチが極めて狭くなると、インナーリードが変形したり、ショートし易くなる欠点がある。そのため、本実施の形態のフィルム基板３は、チップ搭載領域Ｃの絶縁フィルム４にデバイスホールを設けていない。すなわち、リード５は、インナーリード５ａおよびアウターリード５ｂを含む全体が絶縁フィルム４の表面に固着されている。このような構造とすることにより、インナーリード５ａの線幅やピッチを極めて狭くした場合でも、インナーリード５ａの変形やショートが防止されるだけでなく、チップ１をフィルム基板３に搭載した後においても、インナーリード５ａへの応力集中が緩和されるので、温度サイクルの信頼性が向上する。
【００３０】
しかし、インナーリード５ａが絶縁フィルム４の表面に固着された構造は、後述するチップ１のボンディング工程でボンディングツールの熱がフィルム基板３に伝わり易い。また、デバイスホールを設けないために、フィルム基板３に伝わった熱が放熱され難い。
【００３１】
そのため、チップ１のボンディング時にインナーリード５ａの近傍の絶縁フィルム４が高温に曝されて熱膨張し、これに追随して絶縁フィルム４に固着されたインナーリード５ａのピッチが変動する結果、インナーリード５ａとそれに対応するチップ１のＡｕバンプ２とが合わせずれを引き起こす。
【００３２】
また、本実施の形態のフィルム基板３は、アウターリード５ｂが絶縁フィルム４の表面に固着されているため、アウターリード５ｂを液晶基板の電極に接続する際の熱によって、アウターリード５ｂの近傍の絶縁フィルム４が熱膨張し、これに追随して絶縁フィルム４に固着されたアウターリード５ｂのピッチが変動する結果、アウターリード５ｂとそれに対応した液晶基板の電極とが合わせずれを引き起こす。
【００３３】
そこで、本実施の形態では、上記した絶縁フィルム４の熱膨張に起因するインナーリード５ａとＡｕバンプ２の合わせずれ、およびアウターリード５ｂと電極の合わせずれを考慮し、フィルム基板３を設計する段階でインナーリード５ａのピッチおよびアウターリード５ｂのピッチを、上記した合わせずれ量に相当する分だけ補正しておく。この補正の内容については、以下に述べる液晶ドライバの製造方法において説明する。
【００３４】
図５は、本実施の形態の液晶ドライバの製造工程を示すフロー図である。この液晶ドライバを製造するには、まず前述したチップ１とフィルム基板３とを用意し、ＣＯＦボンダを使ってチップ１をフィルム基板３に搭載する。
【００３５】
図６は、ＣＯＦボンダ１００の要部を示す概略図である。このＣＯＦボンダ１００は、ヒータ１０１を内蔵したステージ１０２を備えており、ステージ１０２の上面には、真空吸着などによってチップ１が保持、固定される。チップ１は、その主面を上に向けた状態でステージ１０２の上面に保持、固定され、ヒータ１０１によって４００℃程度に加熱される。このチップ１の主面には、前記図１に示したような多数のＡｕバンプ２が形成されている。ステージ１０２の上方には、位置認識用のカメラ１０３と、ヒータ１０４を内蔵したボンディングツール１０５とが設置されている。
【００３６】
リールに巻き取られた状態でＣＯＦボンダ１００に装着されたフィルム基板３は、図６の左側から右側方向に送られ、チップ搭載領域Ｃがステージ１０２の真上に来たときにクランパ（治具）１０６とガイド（治具）１０７とによって上下両面から保持、固定される。図７の斜線で示す領域は、このとき、フィルム基板３と治具（クランパ１０６、ガイド１０７）とが接触する領域である。図示のように、治具（クランパ１０６、ガイド１０７）は、チップ搭載領域Ｃの周囲全体を保持する。
【００３７】
そして、この状態でチップ１のＡｕバンプ２とフィルム基板３のインナーリード５ａの正確な位置認識が行われ、この認識結果に基づいて両者の正確な位置補正が行われる。
【００３８】
次に、図８に示すように、チップ１のＡｕバンプ２がフィルム基板３のインナーリードａに接触しないように間隔を設け、チップ１をフィルム基板３の直下に配置する（ダウンセット）。このとき、Ａｕバンプ２とインナーリードａとの間に間隔を設けるのは、チップ１をフィルム基板３の下に配置する過程で両者が接触し、あらかじめ補正されたＡｕバンプ２とインナーリード５ａの位置がずれるのを防ぐためである。
【００３９】
次に、図９に示すように、チップ１をダウンセットした状態でボンディングツール１０５をフィルム基板３の裏面（上面）に押し付け、２００℃程度に加熱されたボンディングツール１０５と５００℃程度に加熱されたステージ１０２とによって上下両方向からチップ１とフィルム基板３とを挟み込む。そして、所定の荷重を２秒程度加えることによって、チップ１に形成された全てのＡｕバンプ２とフィルム基板３の対応するインナーリード５ａとをＡｕ−Ｓｎ共晶接合によって同時に一括して接続する。
【００４０】
Ａｕバンプ２とインナーリード５ａの接合を４００℃程度の高温で行うのは、Ａｕ−Ｓｎ共晶の融点が２８５℃と高く、かつ絶縁フィルム４が焼損しないような短時間で高速に接合を行う必要があるためである。
【００４１】
しかし、この温度は２３０℃程度のガラス転移点（Ｔｇ）を有するポリイミド樹脂製の絶縁フィルム４にとっては非常に高温であり、しかも前述したように、インナーリード５ａが絶縁フィルム４の表面に固着された構造は、ボンディングツール１０５の熱が絶縁フィルム４に伝わり易い。そのため、Ａｕバンプ２とインナーリード５ａの接合時にインナーリード５ａの近傍の絶縁フィルム４が高温に曝されて熱膨張し、これに追随して絶縁フィルム４に固着されたインナーリード５ａのピッチが変動する。
【００４２】
図１０は、このとき、チップ搭載領域Ｃの絶縁フィルム４が熱膨張する方向を矢印で示したものである。
【００４３】
Ａｕバンプ２とインナーリード５ａの接合時には、チップ搭載領域Ｃの内側の絶縁フィルム４に高温のボンディングツール１０５が接触するため、絶縁フィルム４は、チップ搭載領域Ｃを中心としてその外側に放射状に膨張しようとする。しかし、チップ搭載領域Ｃの周囲は治具（クランパ１０６、ガイド１０７）によって保持、固定されており、かつ高温のボンディングツール１０５によってチップ１が加熱されるため、絶縁フィルム４は外側方向への膨張が制約され、チップ搭載領域Ｃの中心方向に向かって膨張する。すなわち、チップ搭載領域Ｃの内側では、見かけ上、絶縁フィルム４が収縮するように見える。また、この見かけの収縮量は、チップ搭載領域Ｃの中央部で最大となり、長辺方向の端部付近では小さくなる。
【００４４】
この結果、インナーリード５ａのピッチは、絶縁フィルム４の収縮に追随して収縮し、チップ搭載領域Ｃの中央部に近いインナーリード５ａ程、ピッチの縮小量が大きくなる。本発明者らの実測によると、チップ搭載領域Ｃの長辺方向に沿ったインナーリード５ａの累積ピッチの縮小量は、２μｍであった。また、チップ搭載領域Ｃの中央部に近いインナーリード５ａでは、累積ピッチの縮小量が５μｍであった。
【００４５】
そこで本実施の形態では、ボンディング時におけるインナーリードピッチの縮小を考慮し、フィルム基板３を設計する段階でインナーリード５ａのピッチに（＋）の補正を加える。すなわち、チップ搭載領域Ｃの長辺方向に沿ったインナーリード５ａ全体の累積ピッチを２μｍ増やし、中央部に近いインナーリード５ａは、さらに３μｍ増やして５μｍとする。また、前記図９に示したように、チップ１をダウンセットした状態でフィルム基板３の裏面をボンディングツール１０５で押すため、チップ搭載領域Ｃの四隅の近傍では絶縁フィルム４が引っ張られ、インナーリード５ａのピッチがボンディング前に比べて広くなる。すなわち、絶縁フィルム４の熱膨張に伴う影響よりも、絶縁フィルム４が引っ張られることによる影響の方が大きい。そこで、最終的なインナーリード５ａのピッチがボンディング前に比べて広くなるチップ搭載領域Ｃの四隅の近傍では、インナーリード５ａのピッチに（−）の補正を加える。
【００４６】
これにより、ボンディングツール１０５から加わる熱によってチップ搭載領域Ｃの絶縁フィルム４が膨張、あるいは見かけ上収縮したときに、インナーリード５ａとそれに接続されるべきＡｕバンプ２の位置が高い精度で一致するようになるので、インナーリード５ａとＡｕバンプ２とが非接触になるオープン不良や、隣り合った２個のＡｕバンプ２が１本のインナーリード５ａを介して接触するショート不良を確実に防止することが可能となる。
【００４７】
このようにして、フィルム基板３のチップ搭載領域Ｃに一個ずつチップ１を搭載した後、図１１に示すように、接続部の補強のためにチップ１とフィルム基板３との隙間にディスペンサ１０８などを使ってポッティング樹脂８を充填する。その後、図５のフローに従ってマーキング、テスティングを行うことにより、本実施の形態の液晶ドライバが完成する。図１２は、液晶ドライバの完成状態を示す断面図である。
【００４８】
次に、本実施の形態の液晶ドライバを液晶基板に実装する方法を図１３のフローに従って説明する。液晶ドライバを液晶基板に実装するには、まずリールに巻き取られた長尺のフィルム基板３を抜き金型で打ち抜くことによって、フィルム基板３を個片化する。
【００４９】
次に、図１４に示すように、個片化したフィルム基板３をガラス製の液晶基板２０上に位置決めし、フィルム基板３のアウターリード５ｂと液晶基板２０の対応する電極２１との間に異方性導電性樹脂（ＡＣＦ）２２を介在させる。そして、この状態でフィルム基板３の上面に１６０〜１９０℃程度に加熱された加熱ヘッド２３を押し付け、異方性導電性樹脂（ＡＣＦ）２２を軟化させることによって、アウターリード５ｂと電極２１とを電気的に接続する。
【００５０】
上記したアウターリード５ｂと電極２１との接合時には、アウターリード５ｂの近傍の絶縁フィルム４が高温に曝されて熱膨張し、これに追随して絶縁フィルム４に固着されたアウターリード４ｂのピッチが変動する。
【００５１】
図１５は、このとき、アウターリード５ｂの近傍の絶縁フィルム４が熱膨張する方向を矢印で示したものである。前述したＡｕバンプ２とインナーリード５ａの接合時とは異なり、フィルム基板３はクランプなどの治具で固定されていないので、絶縁フィルム４は、フィルム基板３の周辺方向に膨張する。この結果、アウターリード５ｂのピッチは、絶縁フィルム４の膨張に追随して増加する。
【００５２】
そこで本実施の形態では、アウターリード５ｂと電極２１との接合時におけるアウターリードピッチの増加を考慮し、フィルム基板３を設計する段階でアウターリード５ｂのピッチに（−）の補正を加える。すなわち、アウターリード５ｂ全体の累積ピッチを減らす補正を行う。
【００５３】
これにより、加熱ヘッド２３から加わる熱によってアウターリード５ｂの近傍Ｃの絶縁フィルム４が膨張したときに、アウターリード５ｂとそれに接続されるべき電極２１の位置が高い精度で一致するようになるので、アウターリード５ｂと電極２１とを確実に接合することが可能となる。
【００５４】
このようにして液晶基板２０に実装された液晶ドライバは、チップ１から信号を出力して液晶パネルの表示素子をオン／オフし、バックライトを透過あるいは遮断する駆動を行う。
【００５５】
以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
【００５６】
チップとリードの接続は、Ａｕ−Ｓｎ共晶接合に限定されるものではなく、例えばＡｕ−Ａｕ接合によって接続してもよい。
【００５７】
フィルム基板は、ポリイミド樹脂フィルムにＣｕリードを形成したものに限定されず、銅配線ガラスエポキシ基板、銅配線ガラスポリイミド基板、銅配線ＢＴレジン、銅配線フッ素樹脂基板、銅配線アラミド基板など、可撓性を有する絶縁性の薄膜ベースにリードを形成した各種ものが使用できる。
【００５８】
本発明は、液晶ドライバに限定されるものではなく、一般に、突起電極を設けたチップをフレキシブルフィルム基板にフェイスダウン実装する各種半導体装置に適用することができる。
【産業上の利用可能性】
【００５９】
本発明は、例えば液晶ドライバのような、突起電極を設けた半導体チップをフレキシブルフィルム基板にフェイスダウン実装する半導体装置の製造に適用して有用な技術である。
【図面の簡単な説明】
【００６０】
【図１】本発明の一実施の形態である液晶ドライバに搭載される半導体チップの平面図である。
【図２】本発明の一実施の形態である液晶ドライバのフィルム基板を示す要部平面図である。
【図３】図２に示すフィルム基板の拡大平面図である。
【図４】図２に示すフィルム基板のチップ搭載領域を示す拡大平面図である。
【図５】本発明の一実施の形態である液晶ドライバの製造工程を示すフロー図である。
【図６】本発明の一実施の形態である液晶ドライバの製造に用いるＣＯＦボンダの要部を示す概略図である。
【図７】図６に示すＣＯＦボンダのクランパとフィルム基板とが接触する領域を示す平面図である。
【図８】本発明の一実施の形態である液晶ドライバの製造に用いるＣＯＦボンダの要部を示す概略図である。
【図９】本発明の一実施の形態である液晶ドライバの製造に用いるＣＯＦボンダの要部を示す概略図である。
【図１０】チップ搭載領域の絶縁フィルムが熱膨張する方向を示する説明図である。
【図１１】本発明の一実施の形態である液晶ドライバのアンダーフィル塗布工程を示す概略断面図である。
【図１２】本発明の一実施の形態である液晶ドライバの完成状態を示す断面図である。
【図１３】本発明の一実施の形態である液晶ドライバを液晶基板に実装する工程を示すフロー図である。
【図１４】本発明の一実施の形態である液晶ドライバを液晶基板に実装する工程を示す要部断面図である。
【図１５】アウターリード近傍の絶縁フィルムが熱膨張する方向を示する説明図である。
【符号の説明】
【００６１】
１  半導体チップ
２  Ａｕバンプ（突起電極）
３  フィルム基板
４  絶縁フィルム（薄膜ベース）
５  リード
５ａ  インナーリード
５ｂ  アウターリード
６  穴
７  ソルダレジスト
８  ポッティング樹脂
２０  液晶基板
２１  電極
２２  異方性導電性樹脂（ＡＣＦ）
２３  加熱ヘッド
１００  ＣＯＦボンダ
１０１  ヒータ
１０２  ステージ
１０３  カメラ
１０４  ヒータ
１０５  ボンディングツール
１０６  クランパ（治具）
１０７  ガイド（治具）
１０８  ディスペンサ
Ｃ  チップ搭載領域
【図１】
2004158895.tif 000003
【図４】
2004158895.tif 000004
【図５】
2004158895.tif 000005
【図６】
2004158895.tif 000006
【図７】
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【図８】
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【図９】
2004158895.tif 000009
【図１０】
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【図１１】
2004158895.tif 000011
【図１２】
2004158895.tif 000012
【図１３】
2004158895.tif 000013
【図１４】
2004158895.tif 000014
【図２】
2004158895.tif 000015
【図３】
2004158895.tif 000016
【図１５】
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