(57)【要約】【課題】薄型の樹脂封止型半導体装置の耐湿性の向上を実現する。【解決手段】薄型の樹脂封止型半導体装置は、半導体チップ３の側面および表面と支持基板１表面が樹脂５で覆われ、しかも、露呈された半導体チップ３の裏面およびその両側面部の樹脂５が金属層７で覆われ、半導体チップ３はどの面も露呈しない。【選択図】  図１
2004158739.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
主面に電極を有する支持基板と、
第１主面に電極を有し、且つこの第１主面が前記支持基板の主面と対向配置された半導体チップと、
前記支持基板の電極と前記半導体チップの電極を接合するバンプと、
前記第１主面と相対向する半導体チップの第２主面を露呈させ、少なくとも、前記支持基板周辺部の主面部分および前記半導体チップの側面を覆う樹脂と、
前記半導体チップの第２主面およびその両側面部の前記樹脂の表面上に形成された導電性フィルムと、
を具備することを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
【請求項２】
主面に電極を有する支持基板と、
第１主面に電極を有し、且つこの第１主面が前記支持基板の主面と対向配置された半導体チップと、
前記支持基板の電極と前記半導体チップの電極を接合するバンプと、
前記第１主面と相対向する半導体チップの第２主面を露呈させ、少なくとも、前記支持基板周辺部の主面部分および前記半導体チップの側面を覆う樹脂と、
前記半導体チップの第２主面およびその両側面部の前記樹脂の表面上に形成された絶縁性フィルムと、
を具備することを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
【請求項３】
前記半導体チップの第２主面の面積が、第１主面の面積に比べて小さいことを特徴とする請求項１または２記載の樹脂封止型半導体装置。
【請求項４】
前記半導体チップの第１および第２主面の面積が、その両主面間の横断面積に比べて小さいことを特徴とする請求項１または２記載の樹脂封止型半導体装置。
【請求項５】
主面上に電極を有する支持基板と第１主面に電極を有する半導体チップとを、その両主面が相対向するように配置し、且つ両電極をバンプにより接合する工程と、
前記支持基板周辺部の主面部分、少なくとも前記半導体チップの両側面および前記第１主面と相対向する第２主面部分を樹脂モールドする工程と、
前記半導体チップの第２主面上の前記樹脂および前記第２主面側の半導体チップの一部を研磨する工程と、
前記半導体チップの第２主面およびその半導体チップの両側面部分の樹脂表面に導電性または絶縁性フィルムを形成する工程と、
を具備したことを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。
【請求項６】
主面上に電極を有する支持基板と、その第２主面の面積が第１主面の面積に比べて小さい半導体チップとを、その第１面が前記支持基板の主面と相対向するように配置し、且つ両電極をバンプにより接合する工程と、
前記支持基板周辺部の主面部分、少なくとも前記半導体チップの両側面および第１主面と相対向する第２主面部分とを樹脂モールドする工程と、
前記半導体チップの第２主面上の前記樹脂および前記半導体チップの一部を研磨する工程と、
前記半導体チップの第１主面と平行な第２主面およびその半導体チップの両側面部分の樹脂表面に導電性または絶縁性フィルムを形成する工程と、
を具備したことを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。
【請求項７】
主面上に電極を有する支持基板と、その第１および第２主面の面積がその両主面間の横断面積に比べて小さい半導体チップとを、その第１主面が前記支持基板の主面と相対向するように配置し、且つ両電極をバンプにより接合する工程と、
前記支持基板周辺部の主面部分と、少なくとも前記半導体チップの両側面および第１主面と相対向する第２主面部分とを樹脂モールドする工程と、
前記半導体チップの第２主面上の前記樹脂および前記第２主面側の半導体チップの一部を研磨する工程と、
前記半導体チップの第２主面およびその半導体チップの両側面部分の樹脂表面に導電性または絶縁性フィルムを形成する工程と、
を具備したことを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、薄型化に有利な樹脂封止型半導体装置およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、電子機器の小型化に対応するために、薄型で、且つ高信頼性の樹脂封止型半導体装置の開発が盛んにおこなわれている。
【０００３】
この種の樹脂封止型半導体装置としては、図９に示すものが知られている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００４】
図９は樹脂封止型半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図である。
【０００５】
この特許文献１に開示された樹脂封止型半導体装置では、まず図９（ａ）に示すように、表面上に電極１０２ａを有する支持基板１０１に対して、表面の電極１０２ｂ上に金属バンプ１０４を有する半導体チップ１０３を、その表面が支持基板１０１表面と向き合う、いわゆるフェースダウンに配置し、電極１０２ａとバンプ１０４とを接合した後、支持基板１０１の主面部分、半導体チップ１０３の両側面および裏面部分を樹脂１０５でモールドする。
【０００６】
次に、図９（ｂ）に示すように、グラインダー１０６にて、半導体チップ１０３の裏面上の樹脂１０５を研磨し、半導体チップ１０３の裏面を露呈させた後、更に、図９（ｃ）に示すように、半導体チップ１０３の裏面を、イニシャルチップ厚Ｔ３、例えば１５０〜３００ｕｍからファイナルチップ厚Ｔ５、例えば５０〜１００ｕｍまで研磨し、半導体チップ１０３を薄くする。
【０００７】
そして、図９（ｄ）に示すように、細長い方形状のダイシングソー１０８を用いて、半導体チップ１０３間の切断ラインＤ部分を研削し、図９（ｅ）に示すように、樹脂封止型半導体装置１２０を、個々に切り出す。この切り出し工程によって切り出された樹脂封止型半導体装置１２０は、半導体チップ１０３の裏面側が露呈され、半導体チップ１０３の側面および表面が樹脂１０５で覆われている。
【０００８】
【特許文献１】
特開２００１―５７４０４号公報（第８頁、第１図）
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
上述した従来の樹脂封止型半導体装置においては、半導体チップの厚さが薄く、しかも半導体チップの裏面が露呈されているため、半導体チップと支持基板との電極の接合部分に湿気が侵入し易く、半導体装置の信頼性、特に、耐湿性に劣るという問題がある。
【００１０】
本発明は、上記問題に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、耐湿性を改善して、高信頼性を確保できる薄型の樹脂封止型半導体装置およびその製造方法を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明の半導体装置は、主面に電極を有する支持基板と、第１主面に電極を有し、且つこの第１主面が前記支持基板の主面と対向配置された半導体チップと、前記支持基板の電極と前記半導体チップの電極を接合するバンプと、前記第１主面と相対向する半導体チップの第２主面を露呈させ、少なくとも、前記支持基板周辺部の主面部分および前記半導体チップの側面を覆う樹脂と、前記半導体チップの第２主面およびその両側面部の前記樹脂の表面上に形成された導電性フィルムとを具備することを特徴とする。
【００１２】
また、上記目的を達成するために、本発明の半導体装置の製造方法は、主面上に電極を有する支持基板と第１主面に電極を有する半導体チップとを、その両主面が相対向するように配置し、且つ両電極をバンプにより接合する工程と、前記支持基板周辺部の主面部分、少なくとも前記半導体チップの両側面および前記第１主面と相対向する第２主面部分を樹脂モールドする工程と、前記半導体チップの第２主面上の前記樹脂および前記第２主面側の半導体チップの一部を研磨する工程と、前記半導体チップの第２主面およびその半導体チップの両側面部分の樹脂表面に導電性または絶縁性フィルムを形成する工程とを具備したことを特徴とする。
【００１３】
本発明によれば、半導体チップの第２主面およびその両側面部の樹脂表面が、導電性、または絶縁性フィルムですべて覆われているため、耐湿性の優れた薄型の樹脂封止型半導体装置が得られる。しかも、その製造方法はフィルムを形成するだけであり、非常に簡単である。
【００１４】
【発明の実施の形態】
以下本発明の実施形態について図面を参照しながら説明する。
【００１５】
（第１の実施の形態）
まず、本発明の第１の実施の形態に係わる樹脂封止型半導体装置およびその製造方法について、図１を参照して説明する。図１は本発明の第１の実施の形態の樹脂封止型半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図である。
【００１６】
図１（ａ）に示すように、表面上にＡｕ、Ｃｕ、およびＡｌ等の電極２ａを有するエポキシ基板、ポリイミド基板、およびセラミック基板等の支持基板１に対して、表面の電極２ｂ上にＰｂ系、Ｓｎ−Ａｇ系、およびＳｎ−Ｂｉ系半田、またはＡｕからなる金属バンプ４を有する半導体チップ３を、その半導体チップ３の表面（第１主面）が支持基板１の表面と向き合う、いわゆるフェースダウンに配置し、電極２ａとバンプ４とを接合した後、支持基板１の主面部分、半導体チップ３の両側面および裏面（第２主面）部分をエポキシ系樹脂５でモールドする。
【００１７】
この樹脂５のモールドに先立って、支持基板１の主面と半導体チップ３の表面との間をある一定の粘度を有する樹脂で覆っておいてもよい。
【００１８】
次に、図１（ｂ）に示すように、グラインダー６にて、半導体チップ３の裏面上の樹脂５を研磨し、半導体チップ３の裏面を露呈させた後、更に、図１（ｃ）に示すように、半導体チップ３の裏面を、イニシャルチップ厚Ｔ３、例えば２００ｕｍからファイナルチップ厚Ｔ５、例えば５０ｕｍまで表面と平行に研磨し、半導体チップ３を薄くする。この工程により、半導体チップ３の裏面とその両側面部の樹脂５の表面とは、同一平面に形成される。
【００１９】
つづいて、図１（ｄ）に示すように、半導体チップ３の裏面およびその両側面部の樹脂５の表面に、導電性フィルムとしての金属層７を形成する。この金属層７は、まず半導体チップ３との密着性を保つ目的で厚さ１００ｎｍのＴｉＮ層を形成し、次に連続的に厚さ５ｕｍのＡｕを形成した積層構造になっている。
【００２０】
ここで、金属層７にはＴｉＮ／Ａｕを用いているが、半導体チップ３との密着性を有する他のＴｉ、ＷＮ、ＷＳｉ、およびＢａＮｉ等の金属を用いてもよい。また、Ａｕの代わりにＣｕ、Ｗおよびその金属化合物を用いてもよい。
【００２１】
そして、図１（ｅ）に示すように、細長い方形状のダイシングソー８を用いて、半導体チップ３間の切断ラインＤ部分を研削し、図１（ｆ）に示すように、樹脂封止型半導体装置２０を、個々に切り出す。この切り出し工程によって切り出された樹脂封止型半導体装置２０は、半導体チップ３の裏面およびその両側部の樹脂５の表面が金属層７で覆われ、半導体チップ３の側面および表面と支持基板１の表面が樹脂５で覆われており、半導体チップ３は、どの面も露呈されていない。
【００２２】
しかも、基板厚Ｔ１と、接合部厚Ｔ２と、ファイナルチップ厚Ｔ５と、および金属層厚Ｔ６からなる半導体装置の厚さが２００ｕｍと薄くなっている。
【００２３】
本実施の形態の樹脂封止型半導体装置においては、半導体チップ３の側面および表面と支持基板１の表面が樹脂５で覆われ、しかも露呈された半導体チップ３の裏面およびその両側面部の樹脂５の表面が金属層７で覆われ、半導体チップ３は、どの面も露呈されておらず、耐湿性が向上し、あわせて、半導体チップ３の裏面に、直接、金属層７が形成されていることから、その放熱効果により装置の熱抵抗も改善され、信頼性が向上する。
【００２４】
また、露呈された半導体チップ３の裏面およびその両側面部の樹脂５の表面に金属層７を形成するだけであり、製造方法も簡単である。
【００２５】
（第１の実施の形態の変形例）
次に、本発明の第１の実施の形態の変形例に係わる樹脂封止型半導体装置およびその製造方法について、図２を参照して説明する。図２はその樹脂封止型半導体装置の断面図である。
【００２６】
この変形例は、第１の実施の形態の金属層７を絶縁性フィルムとしてのコーテイング膜１１に変更した点で異なり、それ以外の構成・工程順については同一であり、以下、異なる点のみ説明する。すなわち、ゴム系、シリコーン系、エポキシ系、テフロン（Ｒ）系、およびウレタン系の樹脂、またはＡｌ２Ｏ３（アルミナ）、ＡｌＮ（窒化アルミ）、ＳｉＣ、およびＳＯＧ（スピンオングラス）を含めたガラス等からなるコーテイング膜１１を上記第１の実施の形態の金属層７に代えて、膜厚数ｕｍから約１０ｕｍ程度形成してなる。
【００２７】
本実施の形態の樹脂封止型半導体装置においては、半導体チップ３の側面および表面と支持基板１の表面が樹脂５で覆われ、しかも、露呈された半導体チップ３の裏面およびその両側面部の樹脂５の表面がコーテイング膜１１で覆われ、半導体チップ３はどの面も露呈されておらず、耐湿性が向上する。また、露呈された半導体チップ３の裏面およびその両側面部の樹脂５の表面にコーテイング膜１１を形成するだけであり、製造方法も簡単である。
【００２８】
（第２の実施の形態）
次に、本発明の第２の実施の形態に係わる樹脂封止型半導体装置およびその製造方法について、図３及び図４を参照して説明する。図３は本発明の第２の実施の形態の樹脂封止型半導体装置に用いられる半導体チップの製造方法を工程順に示す断面図であり、図４は本発明の第２の実施の形態の樹脂封止型半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図である。
【００２９】
本実施の形態は、第１の実施の形態と半導体チップ３ａの形状およびその形成方法が異なり、それ以外の構成・工程順については同一である。
【００３０】
本実施の形態における半導体チップ３ａは、まず、図３（ａ）に示すように、研磨され厚さ２００ｕｍのウエーハ９の表面に、ダイシングテープ１０を貼り付けた後、図３（ｂ）に示すように、ウエーハ９の裏面側からウエーハ９の切断ラインＥ部分を、刃先に角度をもたせた形状のダイシングソー８ａを用いて、深さ１７０ｕｍまで研削する。
【００３１】
引き続いて、図３（ｃ）に示すように、連続的にウエーハ９の切断ラインＥ部分を、細長い方形状のダイシングソー８を用いて、ダイシングテープ１０の表面まで研削し、個々に分離する。
【００３２】
ここで、ダイシングする場所の特定方法としては、ウエーハ９の裏面側からウエーハ９の表面側のパターンが識別できる波長を用いた顕微鏡システムにて、ダイシング予定部分を確認し、研削する。例えばシリコンウエーハでは、１３６０ｎｍの単一波長を有するレーザー顕微鏡システムを用いることができる。また、刃先に角度をもたせた形状のダイシングソー８ａと細長い方形状のダイシングソー８による２回のダイシングをデユアルダイサー装置により連続的にダイシングすれば、ダイシングする場所ずれが防止できる。
【００３３】
そして、図３（ｄ）に示すように、ダイシングされ、個々に分離された半導体チップ３ａは、ダイシングテープ１０から剥離される。この個々に分離された半導体チップ３ａは、裏面の両端がカットされたテ−パ形状を有し、表面の面積に比べて裏面の面積が小さい台形状を有する。ここでは、半導体チップ３ａは、裏面の両端部分がカットされたテーパ形状を有するが、裏面の両端部分を階段状にカットされた形状でもよい。
【００３４】
次に、図３（ｅ）に示すように、表面の電極２ｂ上に金属バンプ４を形成することにより、半導体チップ３ａが完成する。
【００３５】
そして、図４（ａ）に示すように、表面上に電極２ａを有する支持基板１に対して、表面の電極２ｂ上に金属バンプ４を有する半導体チップ３ａを、その半導体チップ３ａの表面（第１主面）が支持基板１の表面と向き合う、いわゆるフェースダウンに配置し、電極２ａとバンプ４とを接合した後、支持基板１の主面部分、半導体チップ３ａの両側面および裏面（第２主面）部分をエポキシ系樹脂５でモールドする。
【００３６】
次に、図４（ｂ）に示すように、グラインダー６にて、半導体チップ３ａの裏面上の樹脂５を研磨し、半導体チップ３ａの裏面を露呈させた後、更に、図４（ｃ）に示すように、半導体チップ３ａの裏面を、イニシャルチップ厚Ｔ３、例えば２００ｕｍからファイナルチップ厚Ｔ５、例えば５０ｕｍまで表面と平行に研磨し、半導体チップ３ａを薄くする。この工程により、半導体チップ３ａの裏面とその両側面部の樹脂５の表面とは、同一平面に形成される。
【００３７】
つづいて、図４（ｄ）に示すように、半導体チップ３ａの裏面およびその両側面部の樹脂５の表面に、金属層７を形成する。この金属層７は、まず半導体チップ３ａとの密着性を保つ目的で厚さ１００ｎｍのＴｉＮ層を形成し、次に連続的に厚さ５ｕｍのＡｕを形成した積層構造になっている。そして、細長い方形状のダイシングソー８を用いて、半導体チップ３ａ間の切断ラインＤ部分を研削し、図４（ｅ）に示すように、樹脂封止型半導体装置２０を、個々に切り出す。この切り出し工程によって切り出された樹脂封止型半導体装置２０は、半導体チップ３ａの裏面およびその両側部の樹脂５の表面が金属層７で覆われ、半導体チップ３ａの側面および表面と支持基板１の表面が樹脂５で覆われており、半導体チップ３ａは、どの面も露呈されていない。
【００３８】
しかも、基板厚Ｔ１と、接合部厚Ｔ２と、ファイナルチップ厚Ｔ５と、及び金属層厚Ｔ６からなる半導体装置の厚さが２００ｕｍと薄くなっている。
【００３９】
本実施の形態の半導体装置においては、半導体チップ３ａの側面および表面と支持基板１の表面が樹脂５で覆われ、しかも、露呈された半導体チップ３ａの裏面およびその両側面部の樹脂５が金属層７で覆われ、半導体チップ３ａはどの面も露呈されておらず、耐湿性が向上し、あわせて、半導体チップ３ａの裏面に、直接金属層７が形成されていることから、その放熱効果により装置の熱抵抗も改善され、信頼性が向上する。
【００４０】
さらに、半導体チップ３ａの裏面の両端部分がカットされたテーパー形状を有し、この両端部上に樹脂５が形成されていることから、支持基板１と樹脂５の熱膨張係数の差に起因する半導体チップ３ａの剥離現象が抑制され、いわゆるアンカー効果が生じ、熱サイクルに対しても強い。また、格別な工程を必要とせず、製造方法も簡単である。
【００４１】
（第２の実施の形態の変形例）
次に、本発明の第２の実施の形態の変形例に係わる樹脂封止型半導体装置およびその製造方法について、図５を参照して説明する。図５はその樹脂封止型半導体装置の断面図である。
【００４２】
この変形例は、第２の実施の形態の金属層７をコーテイング膜１１に変更した点で異なり、それ以外の構成・工程順については同一であり、以下、異なる点のみ説明する。すなわち、第２の実施の形態の金属層７に代えて、上記第１の実施の形態の変形例と同じコーテイング膜１１を膜厚数ｕｍから約１０ｕｍ程度形成してなる。
【００４３】
本実施の形態の半導体装置およびその製造方法においては、半導体チップ３ａの側面および表面と支持基板１の表面が樹脂５で覆われ、しかも、露呈された半導体チップ３ａ裏面およびその両側面部の樹脂５がコーテイング膜１１で覆われ、半導体チップ３ａはどの面も露呈されておらず、耐湿性が向上する。
【００４４】
さらに、半導体チップ３ａの裏面の両端部分がカットされたテーパー形状を有し、この両端部上に樹脂５が形成されていることから、支持基板１と樹脂５の熱膨張係数の差に起因する半導体チップ３ａの剥離現象が抑制され、いわゆるアンカー効果が生じ、熱サイクルに強い。また、格別な工程も必要とせず、製造方法も簡単である。
【００４５】
（第３の実施の形態）
次に、本発明の第３の実施の形態に係わる樹脂封止型半導体装置およびその製造方法について、図６及び図７を参照して説明する。図６は本発明の第３の実施の形態の樹脂封止型半導体装置に用いられる半導体チップの製造方法を工程順に示す断面図であり、図７は本発明の第３の実施の形態の樹脂封止型半導体装置を示す断面図である。
【００４６】
本実施の形態は、第１の実施の形態と半導体チップ３ｂの形状およびその形成方法が異なり、それ以外の構成・工程順については同一である。
【００４７】
本実施の形態における半導体チップ３ｂは、まず、図６（ａ）に示すように、研磨され厚さ２００ｕｍのウエーハ９の裏面に、ダイシングテープ１０を貼り付けた後、図６（ｂ）に示すように、ウエーハ９の表面側からウエーハ９の切断ラインＤ部分を、刃先に角度をもたせた形状のダイシングソー８ａを用いて、深さ２０ｕｍまでウエーハ９を研削し、三角形状の溝３０ａを形成する。
【００４８】
つづいて、図６（ｃ）に示すように、ダイシングテープ１０を剥離し、再度ウエーハ９の表面側にダイシングテープ１０を貼り付けた後、図６（ｄ）に示すように、ウエーハ９の切断ラインＤ部分を、ウエーハ９の裏面側から刃先に角度をもたせた形状のダイシングソー８ａを用いて、深さ１６０ｕｍまでウエーハ９を研削し、三角形状の溝３０ｂを形成する。引き続いて、図６（ｅ）に示すように、細長い方形状のダイシングソー８を用いて、溝３０ｂを貫いてダイシングテープ１０表面に達するまで研削し、図６（ｆ）に示すように、半導体チップ３ｂは、完全にダイシングカットされる。
【００４９】
さらに、図６（ｇ）に示すように、ダイシングされ、個々に分離された半導体チップ３ｂは、ダイシングテープ１０から剥離される。この個々に分離された半導体チップ３ｂは、表面の面積に比べて裏面の面積が小さく、表面および裏面の両端部がテーパー状にカットされ、且つ表面および裏面の面積が、その表面および裏面間の横断面積に比べて小さい構造を有する。ここでは、半導体チップ３ｂは、表面および裏面の両端部分がテーパー状にカットされた構造を有するが、表面および裏面の両端部分が階段状にカットされた構造であってもよい。
【００５０】
次に、図６（ｈ）に示すように、表面の電極２ｂ上に金属性のバンプ４を形成することにより、半導体チップ３ｂが完成する。この後、第１の実施の形態における図１と同様な各工程を経て個々の半導体装置２０を得る。
【００５１】
そして、個々に切り出された半導体装置２０は、図７に示すように、半導体チップ３ｂの裏面およびその両側面部の樹脂５が金属層７で覆われ、半導体チップ３ｂ側面および表面と支持基板１表面が樹脂５で覆われており、半導体チップ３ｂはどの面も露呈されていない。しかも、半導体チップ３ｂの表面および裏面の両端部分は、カットされ、基板厚Ｔ１、接合部厚Ｔ２、ファイナルチップ厚Ｔ５および及び金属層厚Ｔ６からなる半導体装置２０の厚さが２００ｕｍと薄くなっている。
【００５２】
本実施の形態の半導体装置においては、半導体チップ３ｂの側面および表面と支持基板１の表面が樹脂５で覆われ、しかも、露呈された半導体チップ３ｂの裏面およびその両側面部の樹脂５が金属層７で覆われ、半導体チップ３ｂはどの面も露呈されておらず、耐湿性が向上し、あわせて、半導体チップ３ｂの裏面に、直接、金属層７が形成されていることから、その放熱効果により装置の熱抵抗も改善され、信頼性が向上する。
【００５３】
さらに、半導体チップ３ｂの表面および裏面の両端部分がカットされたテーパー形状を有し、この両端部上に樹脂５が形成されていることから、支持基板１と樹脂５の熱膨張係数の差に起因する半導体チップ３ｂの剥離現象が抑制され、いわゆるアンカー効果が生じ、さらに熱サイクルに対して強い。また、格別な工程を必要とせず、製造方法も簡単である。
【００５４】
（第３の実施の形態の変形例）
次に、本発明の第３の実施の形態の変形例に係わる樹脂封止型半導体装置およびその製造方法について、図８を参照して説明する。図８はその樹脂封止型半導体装置の断面図である。
【００５５】
この変形例は、第３の実施の形態の金属層７をコーテイング膜１１に変更した点で異なり、それ以外の構成・工程順については同一であり、以下、異なる点にのみ説明する。すなわち、上記第３の実施の形態の金属層７に代えて、第１の実施の形態の変形例と同じコーテイング膜１１を膜厚数ｕｍから約１０ｕｍ程度形成してなる。
【００５６】
本実施の形態の半導体装置においては、半導体チップ３ｂの側面および表面と支持基板１表面が樹脂５で覆われ、しかも、露呈された半導体チップ３ｂ裏面およびその両側面部の樹脂５がコーテイング膜１１で覆われ、半導体チップ３ｂはどの面も露呈されておらず、耐湿性が向上する。
【００５７】
さらに、半導体チップ３ｂの表面および裏面の両端部分がカットされたテーパー形状を有し、この両端部上に樹脂５が形成されていることから、支持基板１と樹脂５の熱膨張係数の差に起因する半導体チップ３ｂの剥離現象が抑制され、いわゆるアンカー効果が生じ、上記実施の形態よりもさらに熱サイクルに対して強い。また、格別な工程も必要とせず、製造方法も簡単である。
【００５８】
【発明の効果】
本発明によれば、耐湿性に優れた高信頼性を有する薄型の樹脂封止型半導体装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係わる樹脂封止型半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図。
【図２】本発明の第１の実施の形態の変形例に係わる樹脂封止型半導体装置を示す断面図。
【図３】本発明の第２の実施の形態に用いられる半導体チップの製造方法を工程順に示す断面図。
【図４】本発明の第２の実施の形態に係わる樹脂封止型半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図。
【図５】本発明の第２の実施の形態の変形例に係わる樹脂封止型半導体装置を示す断面図。
【図６】本発明の第３の実施の形態に用いられる半導体チップの製造方法を工程順に示す断面図。
【図７】本発明の第３の実施の形態に係わる樹脂封止型半導体装置を示す断面図。
【図８】本発明の第３の実施の形態の変形例に係わる樹脂封止型半導体装置を示す断面図。
【図９】従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図。
【符号の説明】
１、１０１  支持基板
２ａ、２ｂ、１０２ａ、１０２ｂ  電極
３、３ａ、３ｂ、１０３  半導体チップ
４、１０４  バンプ
５、１０５  樹脂
６、１０６  グラインダー
７  金属層
８、８ａ、１０８  ダイシングソー
９  ウエーハ
１０  ダイシングテープ
１１  コーテイング膜
２０、１２０  樹脂封止型半導体装置
３０ａ、３０ｂ  溝
Ｄ、Ｅ  切断ライン
Ｔ１  基板厚
Ｔ２  接合部厚
Ｔ３  イニシャルチップ厚
Ｔ４  樹脂厚
Ｔ５  ファイナルチップ厚
Ｔ６  金属層厚
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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