(57)【要約】【課題】歩留まり及び精度が優れた金属ビアホールを有する回路基板の製造方法及び回路基板を提供する。【解決手段】絶縁基板の相対する両面に導体パターン層が形成され、該両面に存在する導電パターンの一部が金属ビアホールにより電気的に接続されている金属ビアホールを有する回路基板の製造方法であって、絶縁基板に穴加工する加工工程と、加工された穴にメタライズする第一のメタライズ工程と、メタライズされた穴に金属ペーストを充填し焼結する工程と、焼結後に絶縁基板の表面をメタライズする第二のメタライズ工程とを含む。【効果】歩留まり及び精度向上。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板の相対する両面に導体パターン層が形成され、該両面に存在する導電パターンの一部が金属ビアホールにより電気的に接続されている金属ビアホールを有する回路基板の製造方法であって、
前記絶縁基板に穴加工する加工工程と、加工された穴にメタライズする第一のメタライズ工程と、メタライズされた穴に金属ペーストを充填し焼結する工程と、焼結後に前記絶縁基板の表面をメタライズする第二のメタライズ工程とを含む金属ビアホールを有する回路基板の製造方法。
【請求項２】
絶縁基板の相対する両面に導体パターン層が形成され、該両面に存在する導電パターンの一部が金属ビアホールにより電気的に接続されている金属ビアホールを有する回路基板の製造方法であって、
前記絶縁基板に穴を形成する加工工程と、前記穴に金属メタライズするメタライズ工程と、金属メタライズされた穴に金属ペーストを充填し焼結する充填焼結工程とを含み、
前記金属メタライズと該金属ペーストとの接合強度に基づく焼成温度及び該金属ペースト自体の緻密化に基づく焼成温度とから、前記充填焼結工程での焼結の焼成温度を設定して焼成することを特徴とする金属ビアホールを有する回路基板の製造方法。
【請求項３】
絶縁基板の相対する両面に導体パターン層が形成され、該両面に存在する導電パターンの一部が金属ビアホールにより電気的に接続されている金属ビアホールを有する回路基板の製造方法であって、
前記絶縁基板に穴を形成する加工工程と、前記穴に金属ペーストを充填し焼結する充填焼結工程とを含み、
前記充填焼結工程での焼結の焼成温度を、４００℃〜９００℃の範囲とすることを特徴とする金属ビアホールを有する回路基板の製造方法。
【請求項４】
請求項１又は請求項２に記載の金属ビアホールを有する回路基板の製造方法において、
前記金属ビアホールの焼結の焼成温度を、４００℃〜９００℃の範囲とすることを特徴とする金属ビアホールを有する回路基板の製造方法。
【請求項５】
請求項１〜請求項３の何れかに記載の金属ビアホールを有する回路基板の製造方法において、
前記金属ビアホールの焼結の焼成温度を、５５０℃〜８００℃の範囲とすることを特徴とする金属ビアホールを有する回路基板の製造方法。
【請求項６】
金属ビアホールを有する回路基板であって、
前記金属ビアホールと該絶縁基板との間に第一のメタライズ層が配置され、前記絶縁基板の両面に第二のメタライズ層が配置された金属ビアホールを有する回路基板。
【請求項７】
金属ビアホールを有する回路基板であって、
前記金属ビアホールと該絶縁基板との間に第一のメタライズ層が配置され、前記絶縁基板の両面に第二のメタライズ層が配置され、
前記第一のメタライズ層と前記第二のメタライズ層とは別体であって、且つ電気的に接続されている金属ビアホールを有する回路基板。
【請求項８】
絶縁基板の相対する両面に導体パターン層が形成され、該両面に存在する導電パターンの一部が金属ビアホールにより電気的に接続されている金属ビアホールを有する回路基板であって、
前記絶縁基板の穴にメタライズが施され、そのメタライズされた穴に金属ペーストが充填され、該絶縁基板の表面がメタライズされた金属ビアホールを有する回路基板。
【請求項９】
請求項６〜請求項８の何れかに記載の金属ビアホールを有する回路基板において、
該回路基板を少なくとも２つ接合し多層化された金属ビアホールを有する回路基板。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、金属ビアホールを有する回路基板の製造方法及び回路基板に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、絶縁基板のビアホールは、特開平９−３６２７４号公報や特開平８−２１３５１０号公報などに開示されているように、セラミックス材のビアホールへＷやＭｏなどの高融点金属材料を用いることで、絶縁基板の両平面の電気的導通を確保している。
【０００３】
この製造プロセスはコファイア法と呼ばれ、焼成温度が高いセラミックス材との適応性を考慮し金属ペーストの主材料として高融点金属が用いられる。
【０００４】
【特許文献１】
特開平９−３６２７４号公報
【特許文献２】
特開平８−２１３５１０号公報
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
基板に反りやクラックが発生したり、セラミックス材のスルーホール部内面と金属ペーストとの焼結接合が不十分となる可能性が有り、セラミックス基板には反りやクラックが発生したりして歩留まりも悪く、高精度な回路基板を製造することが困難であった。
【０００６】
本発明の目的は、歩留まり及び精度が優れた、金属ビアホールを有する回路基板の製造方法及び回路基板を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明は、絶縁基板の穴にメタライズする第一のメタライズ工程と、メタライズされた穴に金属ペーストを充填し焼結する工程と、焼結後に前記絶縁基板の表面をメタライズする第二のメタライズ工程とを含むことを特徴とする。
【０００８】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の形態は、金属ビアホールを有する半導体用の絶縁回路基板や放熱基板に係わり、特に低コスト化や製造歩留まりの向上に効果があり、かつ電気的導通特性に優れる金属ビアホールの構造と製造プロセスに関するものである。
【０００９】
絶縁基板のビアホール形成技術として、コファイア法があげられる。これは、セラミックス粉末とセルロースなどの有機結合材との混合物をドクターブレード法によりグリーンシートを作成し、セラミックスの焼成前に金型を用いたパンチングによりスルーホールをあけ、ＷやＭｏを主成分とする金属ペーストを充填し、その後、脱脂，焼成する。これは、セラミックスと金属ペーストを同時に焼結させる方法である。本方法はセラミックス材の焼成と金属ペーストの焼成の両方を兼ねているため、焼成温度が高いセラミックス材との適応性を考慮し金属ペーストの主材料として高融点金属が用いられる。このコファイア法の特徴はセラミックス材と金属ペーストを同時に焼成することにある。焼成によりセラミックス材や金属ペースト自体に収縮が発生するが、セラミックス材と金属ペースト材の熱膨張特性の相異によりセラミックス基板に反りやクラックが発生したり、セラミックス材のスルーホール部内面と金属ペーストとの焼結接合が不十分となる可能性が有る。そこで、セラミックス材と金属ペーストの熱膨張特性を近づけるために、金属ペーストの材質や組成を適正化する必要がある。たとえばセラミックス材がアルミナの場合、熱膨張率が６ｐｐｍ  であるので金属ペーストに用いる金属粉末は熱膨張特性が近似しているＭｏを用いる。またセラミックス材が窒化アルミや炭化珪素の場合は熱膨張率が４ｐｐｍ  であるため、金属粉末はＷを主体にＭｏ等を微量に混合した成分とするなどの工夫により、熱膨張特性の調整を行うが、焼結時の加熱過程においてはセラミックス材と金属ペーストの膨張特性を完全に一致させることは困難なため、セラミックス基板には反りやクラックが発生してしまう。またセラミックス材の収縮特性のばらつきにより、焼成後の金属ビアホール自体の寸法ばらつきや、セラミックス基板内の金属ビアホールの位置にばらつきが発生する。その結果、コファイア法では、寸法不良が発生し、歩留は大きく低下するので高精度な回路基板を製造することが困難であった。また、金属ビアホールは絶縁基板の両表面の電気的導通を確保するために設けるが、近年の情報量の増大により、回路基板の高周波特性を向上させる目的で、基板の一部に金属ビアホールを近接させ多数形成する必要がある。しかしコファイア法の場合、ビアホールを近接させるとセラミックスにクラックが発生しやすくなるため、この現象を回避するために金属ビアホールの形成位置や数に制限を加える必要がある。コファイア法はセラミックス材の焼成と金属ペーストの焼成の両方を兼ねているので製造コストを抑えることができると期待されるが、クラックの発生や、収縮特性のばらつきによる寸法不良が発生するので、歩留まりが低くなり、コスト高となっている。
【００１０】
本発明の実施の形態では、焼結された絶縁基板にレーザー法や、ショットブラスト法，超音波加工法によりスルーホール加工を実施し、このスルーホールへ金属ペーストを充填し金属ペーストを焼成するプロセスを採用している。
【００１１】
このプロセスは、スルーホール中へ金属ペーストを充填し焼成するだけでは、健全な金属ビアホールを形成できない。理由は金属ペーストには焼成時にペースト自体の収縮力が作用するが、この収縮力がスルーホール内面と金属ペーストの界面反応による接合力を上回る場合は、金属ペーストが剥離してしまうからである。
【００１２】
本発明の実施の形態では、スルーホール内面をメタライズした後、金属ペースト充填，焼成することで金属ペーストの剥離を回避する効果が得られる。更に、絶縁基板のスルーホール内面を金属ペーストと拡散接合性に優れる材質、たとえば金属ペーストと同材質や、金属ペーストと反応性に富む金属成分を含む材質でメタライズすることにより、金属ペーストとの焼結接合力を向上させることができる。
【００１３】
ここで、メタライズ層と金属ペーストとの適切な接合温度と、金属ペースト自身の適切な焼結温度はメタライズ材質が同材質の場合は比較的近似するが、異材質の場合は異なる。一般に異材質の接合温度は同材質の焼結温度より低い温度となる。これは合金の融点が単一金属の融点より低くなることと同様である。本発明の実施の形態では、歩留まりが高く、電気的導通特性に優れる金属ビアホール及びその製造方法を提供することにあるが、メタライズ層と金属ペーストが異材質である場合、まずメタライズ層と金属ペーストとの適切な加熱処理を実施することで、金属ペーストをスルーホール中の適正な位置で接合し、さらに適切な加熱処理により金属ペースト自身を焼結させることで、金属ペーストの緻密化を促進し電気的導通特性の向上を図ることが可能になる。
【００１４】
（実施例１）
炭化珪素製の絶縁基板へ金属ビアホールとして金ペースト２を用いた基板の製造方法について説明する。
【００１５】
本実施例では、メタライズを、チタン，白金，金の三層蒸着膜としている。このチタン，白金，金の三層蒸着膜によって、金ペースト２と炭化珪素基板１のスルーホール７との密着性を向上することができる。
【００１６】
まず、金ペースト２の収縮率やせん断強度を考慮した金ペースト２の焼成条件について説明する。まず、直径０．２ｍｍ，膜厚０．０１ｍｍの金ペースト２を、絶縁基板である炭化珪素基板１の表面に、スクリーン印刷によって形成する。次に、金ペースト２の焼成条件として、この炭化珪素基板１を大気焼成炉にて加熱速度２０℃／分にて昇温し、４００〜９００℃範囲の任意の焼成温度にて１０分間保持後、冷却して焼成を行った。この任意の焼成温度と金ペースト２の収縮率との関係を図４に示す。
【００１７】
図４は、焼成温度と金ペーストの収縮率の関係を示す図であり、金ペースト２の焼成前と焼成後の直径を比較し、各焼成温度における金ペースト２の収縮率を求めたものである。図４に示すように、金ペースト２の収縮率は、焼成温度が
４００℃〜５００℃の範囲において、５％以下であり、焼成温度が約５５０℃〜８００℃の範囲で１４〜１６％と次第に大きくなっている。そして、金ペースト２の収縮率は、焼成温度が９００℃では２０％以上であることがわかる。
【００１８】
次に、図２に示す構造にて、焼成条件の影響によるせん断強度の確認を行った。図２に示すように、炭化珪素基板１上に形成された焼成後の金ペースト２の表面に、２４０℃で金メタライズした０．５ｍｍ角，厚さ０．２ｍｍのＳｉチップ３を鉛はんだ４によって接合し、せん断強度を測定した。その結果、金ペーストの焼成温度が４００〜９００℃の範囲では、せん断強度が３５０〜４５０ｇで部材相当であり、充分な接合強度であることを確認できた。
【００１９】
以上の結果から、良好な接合強度が得られる金ペーストの焼成温度は、４００℃〜９００℃の範囲であることが望ましいことがわかった。更に、ばらつきが少なく安定したビヤホールを形成するに望ましい焼成温度は、金ペーストの収縮特性が大きくない８００℃以下が好ましい。また、５５０℃以下では収縮率が小さいので金ペーストの焼結温度が低くなり充分な導電特性が得られない。したがって、金ペーストの収縮特性や導電特性を考慮すると、金ペーストの焼成温度は、５５０℃〜８００℃の温度範囲が望ましいことがわかった。
【００２０】
次に、メタライズと金ペースト２の接合条件につき説明する。チタン，白金，金の三層蒸着膜を施した炭化珪素基板１の表面に、直径０．２ｍｍ，膜厚０．０１ｍｍでスクリーン印刷により金ペースト２を形成した。この基板を大気焼成炉にて、加熱速度２０℃／分にて昇温し、３００〜６００℃温度範囲及び６５０〜８００℃温度範囲の任意の温度にて１０分間保持し、冷却した。そして図２と同様に、せん断強度を測定した。その結果、金ペースト２の焼成温度が３００〜６００℃の範囲においては、せん断強度が３００〜５００ｇであり部材と同等であることを確認した。また、金ペースト２の焼成温度が６５０〜８００℃の範囲においては、せん断強度は１００ｇ以下であった。この原因は、薄膜メタライズが炭化珪素基板１の表面から剥離しているためである。このことから本実施例で適用した薄膜メタライズの耐熱性は６００℃以下であることが分かった。
【００２１】
次に、金属ビアホールを有する絶縁回路基板の製造方法を図３を用い説明する。前述したように、メタライズと金ペースト２との接合温度が３００〜６００℃の範囲で十分な強度が得られ、金ペースト２自体の適切な焼成温度が６００〜８００℃であることから、本実施例での製造方法では、金ペーストの焼結温度を６００℃で実施している。金属ビアホールを有する絶縁回路基板の製造方法は、主に、（１）基板形成工程、（２）基板のスルーホール形成工程、（３）スルーホールのメタライズ工程、（４）ビアホール材充填工程、（５）ビアホール材である金ペースト２の焼成工程、（６）基板表面のメタライズ工程、を含み、（７）回路基板形成にいたる。
【００２２】
（１）基板形成工程では、高精彩な回路を形成するため、基板表面が鏡面であることが重要である。絶縁基板としては炭化珪素基板１を用いた。基板寸法は５０ｍｍ角で板厚０．６ｍｍとし、その基板をダイヤモンド回転砥石により０．４ｍｍまで荒加工し、板厚０．３ｍｍ  まで鏡面加工した。この鏡面加工は、平均粒径１μｍのダイヤモンド粉末と研磨用オイルを混合させたラップ液により回転研磨法で実施した。
【００２３】
（２）基板のスルーホール形成工程では、ショットブラスト法にて、基板の片面から加工した。この方法は粒度４００番の炭化珪素の砥粒を１０気圧の圧縮空気とともに基板表面に噴射し加工する方法である。
【００２４】
図３の（ａ）に示すように、炭化珪素基板１を６０℃に加熱し、厚さ１００μｍのフィルムレジスト５を基板の片面に貼り付け、所定の位置にスルーホールを形成するために、ホトリソグラフィー法により径０．２ｍｍ  の窓をフィルムレジストに形成した。この基板をショットブラスト用治具に固定し、フィルムレジスト５の貼ってある基板面ヘショットブラスト６を行うことにより、炭化珪素基板１にスルーホール７を形成することができる。ショットブラスト法は、砥粒を衝突させる加工法であるため、穴加工が進むに従い、穴の中へ砥粒が入りづらくなるので、図３の（ａ）のような、すり鉢状のスルーホールとなる。このすり鉢状スルーホールの穴斜面の傾斜角度は、水平面に対して約７０°である。但し、開口後もブラスト処理を１０分程度継続することにより穴斜面の傾斜角度は、約８０°となった。このスルーホールの加工後、アルコール中で超音波洗浄を１０分間実施し、エアーブロー乾燥させ、附着した砥粒を除去した。
【００２５】
（３）スルーホールのメタライズ工程では、図３の（ｂ）に示すように、スルーホール内面へのメタライズを行う。蒸着膜であるメタライズ層８は、電子ビーム蒸着法による薄膜メタライズを適用した。具体的には、治具へ固定した炭化珪素基板１を真空中にて２００℃で加熱保持し、三層のメタライズを施した。図３の（ｂ）の三層のメタライズ部Ａの拡大したものを図３の（ｈ）に示す。本実施例では、三層のメタライズ層８は、基板表面から順次、チタン層８ａを０．１μｍ  、白金層８ｂを０．２μｍ、金層８ｃを０．５μｍで構成した。これら層状の蒸着膜は、基板表面全面に施すとともに、スルーホール７の内面にも、蒸発した金属が回り込み作用により形成できる。ここで、チタン層８ａは、炭化珪素基板１との密着性を確保する役割を果たしている。白金層８ｂは金層８ｃへのチタン原子の拡散抑止層の役割を果たす。金層８ｃは金ペースト２を充填して形成するビアホール材との拡散接合させる役割を果たしている。
【００２６】
（４）ビアホール材充填工程では、図３の（ｃ）に示すように、金ペースト９はスクリーン印刷法によりスルーホール部へ充填され、大気中で１５分間の放置により安定化させ、その後、１２５℃の大気加熱炉内で３０分間保持し、乾燥させた。
【００２７】
（５）金ペースト２の焼成工程では、ベルト炉にて焼成を実施した。炭化珪素基板１の加熱速度は１０℃／分とし、６００℃で１０分保持し、金ペースト９とメタライズ層８との相互拡散処理と金ペースト２自体の焼結処理を兼ねて実施した。その後、１００℃まで３０分冷却した。
【００２８】
図３の（ｄ）に、焼成後の基板を示す。金ペースト１０は焼成収縮により基板表面からスルーホールの内部に移動しているが、スルーホール側面は完全に金ペースト１０を固着させることができた。スルーホール側面に施すメタライズの効果の確認として、メタライズなしの基板へ金ペーストを印刷法により充填し、
６００℃で焼成した場合のものを図７の（ｅ）に示す。このようなメタライズ無しの基板を観察したところ、金ペースト１１は、収縮によりスルーホールから完全に剥離している。これに対して、図３の（ｄ）のような本実施例によるメタライズの効果が確認できた。
【００２９】
（６）次に基板表面のメタライズ工程（第二のメタライズ工程）を説明する。図３の（ｄ）の基板の表面をダイヤモンド砥石にて板厚０．２ｍｍ  まで両面とも鏡面加工した。さらにアルコールによる超音波洗浄を行い、図３の（ｆ）に示すように真空中にて基板を２００℃で加熱保持し、チタンを０．１μｍ、白金を０．２μｍ、金を０．５μｍ  の順で三層のメタライズ１２を施した。炭化珪素基板１の表面の回路パターニングのためにレジストパターニングとイオンミリング法を適用し、チタン，白金，金の三層膜のパターン１３を形成した。
【００３０】
基板表面の蒸着メタライズとパターニングを基板両面ともに実施し、幅０．１ｍｍのダイヤモンドブレードにて基板を１ｍｍ角に切断した。
【００３１】
（７）図３の（ｇ），図１に完成した金属ビアホール１０を有する回路基板を示す。この回路基板の金属ビアホール１０で電気的につながった両表面のパターンの導通低抗を測定したところ、０．１Ω以下であり良好な結果が得られた。
【００３２】
以上のような本実施例によって、健全な金属ビアホールを形成でき、歩留まり向上が図れる。また、絶縁基板の両表面の電気的導通を良好に確保することができる。また、スルーホールのメタライズ工程（第一のメタライズ工程）と、基板表面のメタライズ工程とを含むので、更に、絶縁基板の両表面の電気的導通を良好に確保することができる。そのため、回路基板の高精度化が可能となる。
【００３３】
また、本実施例による回路基板では、ビアホールの焼成により回路基板にクラックの発生や、ビアホールの位置のばらつきが発生しないので製造歩留まりが高く、クラック防止のために基板内でのビアホールの配置や数に制限を加える必要が無いため、自由に回路設計が可能になり優れた回路基板を提供することが出来る。
【００３４】
（実施例２）
アルミナ製の絶縁基板へ金属ビアホールとして銅ペーストを用いる場合について説明する。ここでは、銅ペーストとアルミナ基板のスルーホールとの密着性を向上させるためのメタライズとして、クロム，ニッケル，金の三層蒸着膜を適用した。アルミナ基板の寸法は５０ｍｍ角で板厚０．６ｍｍ  のものをダイヤモンド回転砥石により０．５ｍｍまで荒加工し、鏡面加工により板厚０．４ｍｍとした。この鏡面加工は、平均粒径１μｍのアルミナ粉末と水を混合させたラップ液により回転研磨法で実施した。基板のスルーホール形成は、レーザ法により、基板の片面から加工した。この方法はＸＹテーブルヘアルミナ基板を固定し、基板の所定の位置へ直接ＹＡＧレーザを照射することで、穴加工を行うもので、ＹＡＧレーザーのエネルギーにより加工部のアルミナは昇華することにより除去され穴が形成される。レーザー加工により穴径０．３ｍｍ  のスルーホールをピッチ１ｍｍの間隔で形成した。
【００３５】
スルーホールの加工後、アルコール中で超音波洗浄を１０分間実施し、エアーブロー乾燥させ、附着した砥粒を除去した。スルーホール内面へのメタライズは電子ビーム蒸着法による薄膜メタライズを適用した。基板を基板固定治具へ固定し真空中にて基板を２００℃で加熱保持しクロムを０．１μｍ、ニッケルを０．４μｍ、金を１μｍの順で三層のメタライズを施した。蒸着膜は、基板の表面全体に施すとともに、スルーホール内面へも蒸着した金属が回り込みにより形成できる。クロム層は、アルミナ基板との密着性を確保することを目的としている。ニッケル層は金層へのチタン原子の拡散抑止層である。金層は銅ペーストを充填してなるビアホール材との拡散接合させることを目的とする。
【００３６】
銅ペーストはスクリーン印刷法によりスルーホール部へ充填し、大気中で１５分間の放置により安定化させ、その後、１２５℃の大気加熱炉内で３０分間保持し、乾燥させた。
【００３７】
銅ペースト焼成は、窒素雰囲気のベルト炉にて実施した。基板の加熱速度は毎分１０℃とし、３００℃を１０分保持することで、薄膜メタライズのＡｕ層と銅ペーストとの相互拡散処理を実施した。金と銅は低温で相互拡散が進むためスルーホール側面に銅ペーストを完全に固着させることができた。その後、更に同じ加熱速度で温度を上昇させ、７５０℃を１０分保持し銅ペーストの焼結処理を実施した。その後、１００℃まで４０分冷却した。
【００３８】
基板表面をアルミナ砥石にて両面ともに鏡面加工した。更にアルコールによる超音波洗浄実施し、真空中にて基板を２００℃で加熱保持しチタンを０．１μｍ  、白金を０．２μｍ、金を０．５μｍの順で三層のメタライズを施した。炭化珪素基板表面の回路パターニングのためにレジストパターンとイオンミリング法を適用し、チタン，白金，金の三層膜のパターンを形成した。
【００３９】
基板表面の蒸着メタライズとパターニングを基板正面とも実施することで、金属ビアホールを有する回路基板を形成することが出来る。この回路基板の金属ビアホールでつながった寮表面のパターンの導通抵抗を測定したところ、０．１Ω以下であり良好な結果が得られた。
【００４０】
（実施例３）
実施例１で製作したダイシング前の回路基板を２枚をはんだによる接合し図５に示す多層配線基板を製作する方法を説明する。
【００４１】
ホトリソグラフィーのリフトオフ法を適用し、回路基板１ａの三層膜パターン１３上にスパッタ法により金ゲルマニウム１４を共晶成分のものを膜厚６ミクロン形成した。
【００４２】
コバール材の固定治具にて２枚の回路基板同士の位置合わせを行い、窒素雰囲気のベルト炉を用い、加熱速度２０℃／分，４００℃保持１０秒，荷重１００ｇ／ｃｍ２  により接合した。その後、ダイシングすることで多層配線基板を製作した。
【００４３】
本実施例による回路基板では、ビアホールの焼成により回路基板にクラックの発生や、ビアホールの位置のばらつきが発生しないので製造歩留まりが高く、クラック防止のために基板内でのビアホールの配置や数に制限を加える必要が無いため、自由に回路設計が可能になり優れた回路基板を提供することが出来る。
【００４４】
【発明の効果】
本発明によると、歩留まり及び精度が優れた、金属ビアホールを有する回路基板の製造方法及び回路基板を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】金ビアホール付回路基板の斜視図。
【図２】金ペーストのせん断強度測定構成図。
【図３】金ビアホール付回路基板の製造工程を示す図。
【図４】金ペーストの焼成温度と収縮率の関係を示す図。
【図５】ビアホール付基板を接合した多層配線基板の断面を示す図。
【符号の説明】
１…炭化珪素基板、２，９，１０，１１…金ペースト、３…Ｓｉチップ、４…鉛はんだ、５…フィルムレジスト、６…ショットブラスト、７…スルーホール、８…メタライズ層、８ａ…チタン層、８ｂ…白金層、８ｃ…金層、１２…三層のメタライズ、１３…三層膜のパターン、１４…金ゲルマニウム。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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