(57)【要約】【課題】基板に形成される隔壁の微細化が容易かつ高精度にでき、また製造工程が簡単になり低コスト化が可能なパネル式表示装置の製造方法及び表示パネル製造装置を提供する。【解決手段】スペーサ４を形成した基板３にペースト（隔壁材料）を塗布して隔壁材料層として流動性のあるペースト層５を基板３の表面に均一に形成する。エネルギビームとしてのレーザ光Ｌｆを照射して、エネルギビームの光トラップ効果（光ピンセット効果）により隔壁材料層を隆起させ隔壁パターン５ｐ（隔壁）を形成するものとする。【選択図】        図３
2004327251.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表示領域を分離画定する複数の隔壁を基板上に備えるパネル式表示装置の製造方法において、
前記基板の一面に前記隔壁を構成する隔壁材料層を形成する工程と、
前記隔壁材料層にエネルギビームを照射して、前記隔壁材料層を隆起させて隔壁を形成する工程と
を備えることを特徴とするパネル式表示装置の製造方法。
【請求項２】
前記隔壁を焼結する工程を備えることを特徴とする請求項１記載のパネル式表示装置の製造方法。
【請求項３】
前記隔壁は帯状又は格子状であることを特徴とする請求項１又は２記載のパネル式表示装置の製造方法。
【請求項４】
表示パネル用の基板に隔壁を形成する表示パネル製造装置において、
前記基板を載置するための載置部と、
前記隔壁を形成するためのエネルギビームを発生するエネルギビーム源と、
前記エネルギビームを複数の分散エネルギビームに分散して前記基板の表面に照射するためのビーム分散部と、
前記基板及び分散エネルギビームの間の相対位置を制御するための位置制御部と
を備えることを特徴とする表示パネル製造装置。
【請求項５】
前記ビーム分散部は前記分散エネルギビームをマトリックス状に分散させることを特徴とする請求項４記載の表示パネル製造装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えばプラズマディスプレイパネル（以下、ＰＤＰという）などのパネル式表示装置のように表示領域を分離画定するための隔壁を表示パネル用の基板上に備えるパネル式表示装置の製造方法及び表示パネル用の基板に隔壁を形成するための表示パネル製造装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
例えばＰＤＰはガラス板などからなる２枚の基板を微少な間隔で対向配置し、この２枚の基板の周囲を封止することにより内部に放電空間を形成して表示パネルとした自発光型のパネル式表示装置（平面型表示装置）である。内部に形成した放電空間を区分して表示領域を分離画定（例えばピクセルの形成、サブピクセルの形成）するために基板には帯状（ストライプ状）又は格子状の隔壁が形成される。隔壁形成の方法としてパターン印刷、又はホトリソグラフィによりマスクを形成した後サンドブラスト法でエッチングする方法（例えば特許文献１参照）などが知られている。
【０００３】
図１０は従来の方法により基板に隔壁を形成する工程を示す工程図である。なお、図の各部は断面を示すが断面を表す斜線は省略する。基板５３の端部に適宜パターニングしてスペーサ５４を形成する。次に、隔壁を構成する隔壁材料層としてのペースト層５５を形成する。スペーサ５４はペースト層５５を所定膜厚に維持するストッパとして作用する。次に、ペースト層５５の表面にホトレジスト（感光剤）５６を塗布する。次に、形成すべき隔壁に対応する所定のパターン５７ｐを有するマスク５７を介して紫外線５８をホトレジスト５６に照射して露光する。露光したホトレジスト５６をホトリソグラフィ技術により現像すると紫外線５８が照射された部分はホトレジス５６が消失し、ペースト層５５の表面にはパターン５７ｐに対応したレジストパターン５６ｐが形成される。このレジストパターン５６ｐをエッチング用マスクにしてペースト層５５をエッチングする。ペースト層５５をエッチングした後、レジストパターン５６ｐを除去すれば、隔壁を構成するペーストパターン５５ｐが形成される。形成したペーストパターン５５ｐを焼結して隔壁を形成する。
【０００４】
表示パネルの表示密度を上げて高精細化を図るために、隔壁構造の微細化が求められている。隔壁構造の微細化を進めて、隔壁の配置間隔を１００μｍ程度に縮小すると、微細化に伴いホトレジストの強度が弱くなり、例えばサンドブラスト法を用いたペーストのエッチングではペーストパターンが消失してしまい、正確なペーストパターンを形成することができない状況が生じた。つまり、パターン不良の発生により所定のパターンを有する隔壁を形成することができないという問題があった。また、ホトレジストを用いるホトリソグラフィ技術は、ホトレジストを塗布した後、必ず露光、現像の工程が必要であり工程が多いことから高コストとなっていた。
【０００５】
【特許文献１】
特開平９−５０７６８号公報
【特許文献２】
特開２０００−２３２１８２号公報
【特許文献３】
特開平５−８８１０７号公報
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
上述したように、従来の隔壁形成方法では、隔壁の微細化が困難であり表示パネルの表示密度を上げて高精細化を図ることができないという問題があった。また、従来のホトリソグラフィ技術を用いる製造方法では工程が複雑となり高コストを招くという問題があった。
【０００７】
本発明は、斯かる問題に鑑みてなされたものであり、基板に形成される隔壁の微細化が容易かつ高精度にでき、また製造工程が簡単になり低コスト化が可能なパネル式表示装置の製造方法及び表示パネル製造装置を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明に係るパネル式表示装置の製造方法は、基板上に表示領域を分離画定するように延在する隔壁を備えるパネル式表示装置の製造方法において、基板の一面に隔壁材料層を形成した後、隔壁材料層にエネルギビームを照射して隔壁材料層を隆起させることにより隔壁パターン（隔壁）を形成することを特徴とする。
【０００９】
本発明にあっては、エネルギビームの光トラップ効果（光ピンセット効果）により隔壁材料層を隆起させることとしたので、微細化した隔壁パターン（隔壁）を簡単なプロセスで容易に形成することが可能となる。
【００１０】
本発明に係る表示パネル製造装置は、エネルギビームを発生するエネルギビーム源と、エネルギビームを複数の分散エネルギビームに分散して表示パネル用の基板に照射するビーム分散部と、基板及び分散エネルギビームの間の相対位置を制御するための位置制御部とを備えることを特徴とする。
【００１１】
本発明にあっては、エネルギビームを複数の分散エネルギビームに分散して基板に照射するビーム分散部と、基板及び分散エネルギビームの間の相対位置を制御するための位置制御部とを備えることとしたので、表示パネルを構成する基板に微細化した隔壁パターン（隔壁）を容易に形成することができる表示パネル製造装置が可能となる。
【００１２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明をその実施の形態を示す図面に基づいて説明する。
図１は本発明に適用するレーザ光による微粒子の捕捉作用の原理を模式的に示す模式図である。１は操作対象（捕捉対象）の微粒子であり、例えば透明な材料で構成されている。２はエネルギビーム（放射圧発生ビーム）としてのビーム状のレーザ光（光線Ｌａ、Ｌｂを代表的に示す）を微粒子１に照射し、微粒子を捕捉するための対物レンズである。光線Ｌａは対物レンズ２から微粒子１の内部に位置する対物レンズ２の焦点ｆに向けて光路を形成する。光路中のＰ１は光線Ｌａが微粒子１に入射する入射点であり、光路中のＰ２は光線Ｌａが微粒子１から出射する出射点である。つまり、微粒子１は透明であることから、光線Ｌａは入射点Ｐ１で屈折して、微粒子１の内部を進行して出射点Ｐ２から出射するが、出射点Ｐ２でも再度屈折する。光線Ｌａの方向が変化するということは、光の運動量が変化することであり、運動量保存の法則から光の変化した運動量を相殺するように微粒子１は運動量を受けることになる。この微粒子１が受ける運動量は放射圧と呼ばれる。放射圧を利用すれば微粒子１を操作（捕捉、移動など）することができる。
【００１３】
光線Ｌａについて考えると、運動量を保存するために透明な微粒子１は放射圧として、入射点Ｐ１及び出射点Ｐ２において法線方向に力Ｆａ１及び力Ｆａ２を受ける。なお、微粒子１の接線方向に作用する力は偶力として作用することから無視できるので、ここでは考えない。つまり、光線Ｌａの屈折により力Ｆａ１と力Ｆａ２の合力Ｆａが微粒子１に作用する。他方、光線Ｌｂの屈折により同様に合力Ｆｂが微粒子１に作用する。したがって、合力Ｆａ及び合力Ｆｂの合力Ｆが微粒子１に作用する力となり、ここでは上向きの力として作用するから例えば微粒子１を上方向へ引き上げることが可能となる。
【００１４】
図２は本発明に適用する２本のレーザ光による微粒子の捕捉作用を模式的に示す模式図である。操作対象の微粒子１が不透明（鏡面）の場合での捕捉作用を説明する。ビーム状のレーザ光Ｌｃ、Ｌｄ（光線Ｌｃａ、Ｌｃｂ、Ｌｄａ、Ｌｄｂを代表的に示す）を対物レンズ２ｃ、２ｄを介して微粒子１に照射する。光線Ｌｃａ、Ｌｃｂは対物レンズ２ｃから微粒子１の表面近辺にある焦点ｆに向けて光路を形成する。光路中のＰ３は光線Ｌｃｂが微粒子１により反射される反射点であり、光路中のＰ４は光線Ｌｃａが微粒子１により反射される点である。つまり、微粒子１は鏡面であることから、光線Ｌｃｂは反射点Ｐ３で反射し、光線Ｌｃａは反射点Ｐ４で反射する。図１の場合と同様に微粒子１は光線Ｌｃａ、Ｌｃｂの光路の変化に伴い法線方向に力を受ける。反射点Ｐ３では光線Ｌｃｂの反射により内向きの力Ｆｃ１が作用し、反射点Ｐ４では光線Ｌｃａの反射により内向きの力Ｆｃ２が作用する。力Ｆｃ１と力Ｆｃ２の合力Ｆｃが微粒子１に作用する。
【００１５】
他方、光線Ｌｄａ、Ｌｄｂにおいても同様に光路の変化に伴い反射点Ｐ５では力Ｆｄ１、反射点Ｐ６では力Ｆｄ２が作用する。つまり、図上右側に配置されたレーザ光Ｌｃによって、微粒子１は左側に向かう合力Ｆｃを受け、左側に配置されたレーザ光Ｌｄによって、微粒子１は右側に向かう合力Ｆｄを受ける。したがって、微粒子１はレーザ光Ｌｃ、Ｌｄが形成する空間部（空洞）に捕捉されることになる。なお、図において、合力Ｆｃ及び合力Ｆｄの合力Ｆが下向きの力として示されるが、２本のレーザ光Ｌｃ及びレーザ光Ｌｄにより形成する空洞より小さい微粒子の場合には、その空洞（図中微粒子１の内側で微粒子１の半径より小さい半径の領域）内に捕捉することが可能であり、この場合には屈折率の高低や反射に関係なく捕捉した微粒子を操作して移動させることができる。
【００１６】
図３は本発明により基板に隔壁を形成する工程を示す工程図である。パネル式表示装置における表示パネル用の基板（例えば図７のＰＤＰの背面基板１５参照）である基板３の表面端部（表面周囲）に適宜パターニングしてペースト保持枠としてのスペーサ４を樹脂で形成する（スペーサ形成の工程）。基板３は例えばガラス、石英、シリコンなどの基板の他に、これらの基板上に電極、絶縁膜、誘電体膜、保護膜などを必要に応じて形成した基板も含まれる。ＰＤＰの背面基板（図７の背面基板１５参照）の場合には、下地膜、アドレス電極、誘電体層などが形成された後の状態の基板が対象となる。スペーサ４を形成した基板３にペースト（隔壁材料）を塗布して隔壁材料層としてのペースト層５を基板３の表面（一面）に均一に形成する（ペースト塗布の工程）。スペーサ４はペースト層５の膜厚（高さ）を規定することになるので予め適宜な値を求めて必要な厚さに形成する。また、スペーサ４は流動性のあるペースト層５が基板３の外へ流れることを防止する。スペーサ４は例えばポリエチレンテレフタレートを材料として、厚さ約３００μｍ程度に形成した。スペーサ４の材料としては上述の機能を果たすものであればどのようなものでも良く、例えばポリエチレンナフタレート、ポリイミドなどの樹脂を適用することができる。
【００１７】
ペーストは低融点ガラス粉末、酸化アルミニウム（アルミナ）、溶剤、樹脂などを含有する流動性の良いものとして構成される。溶剤、樹脂などは流動性を確保するためのものであり、適宜調整して所望の流動性を得る。ペースト層５の厚さは約２５０〜３００μｍ程度とした。塗布方法としては公知のスクリーン印刷法を用いたがこれに限るものではない。低融点ガラス粉末としては、アルミナの他に例えば酸化鉛、酸化ビスマス、酸化リチウム、酸化ナトリウム、酸化カリウムを含有したガラス粉末などが適用可能である。更に酸化シリコン（２酸化ケイ素）などを含んでも良い。ガラス成分以外に荷重熱軟化温度が６００℃以上のガラスやセラミックスなどを含んでも良い。ガラス成分以外の材料はフィラー（充填剤）として機能し、隔壁の強度を向上することができる。ペースト層５の粘度は約１０００Ｐ（ポアズ）以下としたが、約１００〜７５０Ｐ程度が好ましい。また、隔壁材料に対する透明物質（例えばアルミナなど）の添加量は約２〜１１質量％程度が熱膨張係数の制御の点からも妥当である。
【００１８】
ペースト層５を乾燥させず流動性を維持した状態で、図１、図２の原理で述べたようにエネルギビーム（放射圧発生ビーム）としてのレーザ光Ｌｆを照射してペーストを操作し、隔壁パターン５ｐ（工程の説明上、隔壁パターンと表現するが隔壁ともいえる）を形成する（ペースト引き上げの工程）。レーザ光Ｌｆの光源としてＹＡＧレーザを用いたが、放射圧を生じるものであればどのようなものでも良い。簡単のためにレーザ光は白抜き矢符Ｌｆとして示し、レーザ光Ｌｆによる加工方向（ペースト層５の隆起方向）を矢符Ｌｕで示す。レーザ光Ｌｆは図２において示したように２本のレーザ光による空洞を有する構成としてあるので、その空洞にペースト層５を捕捉することができる。捕捉された状態のペースト層５と基板３との相対的な位置を矢符Ｌｕで示す方向に変えることにより、捕捉したペースト層５を上方向へ引き上げて所定パターンの隔壁パターン５ｐを衝立状に形成することができる。
【００１９】
ペースト引き上げの工程について更に説明する。レーザ光Ｌｆによる加工は２段階照射により行う。第１段階の照射では、ペースト層５の表面にレーザ光Ｌｆを照射し、レーザ光Ｌｆの熱によりペースト層５の表面の溶剤を蒸発させて固体化した核（皮膜）を形成する。この核は固体化（溶剤の蒸発）により体積が減少することから、ペースト層５の表面に数μｍ程度の窪みを生じるように形成され、数μｍ〜１０μｍ平方程度の捕捉可能な微粒子として形成される。
【００２０】
次にレーザ光Ｌｆの出力を調整して第２段階の照射を行う。第２段階の照射では窪みに焦点を合わせることにより第１段階で形成した核を捕捉し、レーザ光Ｌｆに捕捉された核の位置と基板３の相対位置を制御して核を基板３に対して上方へと移動（隆起）させることにより所定パターンの隔壁パターン５ｐを衝立状に形成することができる。つまり、各レーザ光Ｌｆはそれぞれ光トラップレーザとして同様に作用する。なお、核の位置と基板３の相対位置を制御する場合に、レーザ光Ｌｆの位置を移動させるように制御しても良いし、また基板３の位置を移動させるように制御しても良い。
【００２１】
レーザ光Ｌｆが光トラップレーザとして作用することから、隔壁材料層としてのペースト層５を所定のパターンに応じて隆起させ、隔壁パターン５ｐを形成することができる。この際周囲のペースト層５は粘性（表面張力）により隔壁パターン５ｐに吸着されて付随して移動するので隔壁パターン５ｐの周囲のペースト層５はエッチングされたのと同様の状態となる。つまり、隔壁パターン５ｐの部分にのみ隔壁材料が配置形成された状態となる。このときの隔壁パターン５ｐは高さ約１５０μｍ、幅約６０μｍ、配列ピッチ約１００μｍであった。なお、ペースト層５の流動性からレーザ光Ｌｆの照射を停止したときに隔壁パターン５ｐにダレが生じる虞があるが、レーザ光Ｌｆの照射熱により変形しにくい適宜の粘度に仮硬化させておく。
【００２２】
レーザ光Ｌｆは適宜の分散手段（図９のビーム分散部４５参照）を用いることにより複数のレーザ光Ｌｆとすることができ、ここでは５組のレーザ光Ｌｆに分散させた場合を示す。この５組において同時に同様な加工を行うことができる。レーザ光Ｌｆによる加工を紙面手前側から紙面背面側へと連続的に行うことにより、基板３の上に帯状（紙面手前側から紙面背面側へと続くストライプ状）の隔壁パターン５ｐを形成する。なお、この加工時のレーザ光Ｌｆの出力は約９０〜１１０ｍＪ／パルス程度とした。
【００２３】
形成した隔壁パターン５ｐのペーストを乾燥させる（ペースト乾燥の工程）。乾燥工程により溶剤を蒸発させ隔壁パターン５ｐを固体化する。基板３を乾燥炉に搬入し、約７０〜１００℃の温度で、１５〜３０分程度にわたって徐々に乾燥させることが好ましい。この乾燥工程を入れることにより隔壁パターン５ｐでのクラックの発生を防止することができる。しかし、この予熱工程は必ず必要なわけではなく、以降の処理条件によっては省略することも可能である。
【００２４】
スペーサ４を除去した後、乾燥した隔壁パターン５ｐを焼結して隔壁５ｗを形成する（ペースト焼結の工程）。焼結の際の雰囲気や温度は基板３、ペースト（隔壁材料）の種類などにより異なるが、通常は空気中又は窒素雰囲気中で焼結する。温度は約５００〜５５０℃程度とした。なお、隔壁パターン５ｐの表面張力は約１５〜２０（ｄｙｎ／ｃｍ）程度であり、焼結後の隔壁５ｗの表面張力は約４０（ｄｙｎ／ｃｍ）程度に上昇していると考えられる。焼結工程により隔壁の強度を確実に向上することができる。得られた隔壁５ｗは高さ約１００μｍ、幅約４０μｍ、配列間隔約６０μｍ（配列ピッチ約１００μ）であった。つまり、焼結により体積が収縮し、形成した隔壁パターン５ｐの約７０〜８０％の寸法になった。
【００２５】
図４は本発明により基板に形成した平面視直線帯状の隔壁を示す斜視図である。つまり、図３で説明した方法により基板３の表面に直線帯状の隔壁６（隔壁パターン）を形成した場合を示す。図５は本発明により基板に形成した格子状の隔壁を示す斜視図である。つまり、図３で説明した方法により基板３の表面に格子状の隔壁７（隔壁パターン）を形成した場合を示す。図４、図５では、例えば４２インチの基板３の表面に高さ約１００〜１５０μｍ、配列間隔（隔壁相互間の空間の幅）約６０〜１００μｍのストライプ状及び格子状のパターンが形成できた。このように微細化した隔壁を有する基板を表示パネルに用いれば、大面積、かつ高精細な表示が可能なパネル式表示装置を製造できる。
【００２６】
図６は本発明により基板に形成した蛇行帯状の隔壁を示す平面図である。つまり、図３で説明した方法により基板３の表面に蛇行帯状の隔壁８（隔壁パターン）を形成した場合を示す。この場合も図４、図５の場合と同様にレーザ光（不図示）の位置と基板３の相対位置を制御することにより容易に形成することができる。例えば４２インチの基板３の表面に高さ約１００〜１５０μｍの蛇行帯状のパターンが形成できた。このように微細化した隔壁を有する基板を表示パネルに用いれば、大面積、かつ高精細な表示が可能なパネル式表示装置を製造できる。
【００２７】
図７は本発明により製造した基板を備えるＰＤＰを示す斜視図である。本発明が適用可能なパネル式表示装置の例としてＰＤＰの内部構造を模式的に示す。このＰＤＰは３電極面放電構造をしている。ＰＤＰの表示面に対応する前面基板１１及び背面基板１５が表示パネル用の基板を構成している。前面基板１１の内面には行方向に延在するサステイン電極（表示電極）１２を構成するＸ電極１２ｘ、Ｙ電極１２ｙが形成される。行方向はＰＤＰの画面での水平方向のセルを構成し、１対のサステイン電極１２（Ｘ電極１２ｘ、Ｙ電極１２ｙ）は列方向において１行分を画定し、ここでは２行分を例示する。Ｘ電極１２ｘ、Ｙ電極１２ｙは基板１１の内面に形成されたＩＴＯからなる透明電極膜と外部との接続用に透明電極膜に接続されたＣｒ−Ｃｕ−Ｃｒからなる金属膜（バス電極）とで構成される。透明電極膜は厚さ約３０μｍ程度の低融点ガラスで構成される誘電体層１３により被覆される。誘電体層１３の表面は放電から誘電体層１３を保護するために厚さ数１００ｎｍ程度のマグネシア（ＭｇＯ）で構成される保護層１４により被覆される。
【００２８】
前面基板１１に対向して配置された背面基板１５の内面には下地層１６が形成され、下地層１６の上には行方向と交差する列方向に延在するアドレス電極１７が形成される。下地層１６及びアドレス電極１７を被覆して厚さ約１０μｍ程度の誘電体層１８が形成される。誘電体層１８の上には高さ約１５０μｍ程度に形成された隔壁１９が本発明に係る製造方法により形成されている。隔壁１９はここでは平面視直線帯状に形成され、アドレス電極１７の間に１つずつ設けられている。隔壁１９により、各アドレス電極１７に対応して放電空間２０が形成され、放電空間２０の幅（行方向での寸法）が規定されている。各放電空間２０は行方向において後述するピクセル２２及びサブピクセル２２ｓを区分（分離画定）している。なお、隔壁１９はコントラストを高めるために頂上部を暗色に着色し、他の部分は白色に着色して可視光の反射率を高める構成とすることが好ましい。着色は材料のガラスペーストに所定色の顔料を添加することにより行う。
【００２９】
放電空間２０ではアドレス電極１７の上方、隔壁１９の側面を含めて背面基板１５側の内面を被覆するように、カラー表示のためのＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）３色の蛍光体が個別に塗布形成された蛍光体層２１Ｒ、２１Ｇ、２１Ｂが交互に形成される。３色の配置パターンは列方向のピクセルの発光色は同一で、隣接する列は異なる発光色となるように３色を交互に配置する。放電空間２０には例えば、主成分のネオンにキセノンを混合した放電ガスを封入圧力約５００Ｔｏｒｒ（１Ｔｏｒｒは約１３３Ｐａ）で充填する。蛍光体層２１Ｒ、２１Ｇ、２１Ｂは放電時にキセノンが放出する紫外線によって励起され、蛍光体に応じた色を発光する。なお、逆スリット（前面基板１１の放電空間２０に面する部分）には、非発光時に白色に近い色を示す蛍光体層２１Ｒ、２１Ｇ、２１Ｂを隠すために、前面基板１１の外面側又は内面側に遮光膜（不図示）を形成する。
【００３０】
それぞれの放電空間２０は蛍光体層２１Ｒ、２１Ｇ、２１Ｂに対応するサブピクセル２２ｓを構成し、１組の蛍光体層２１Ｒ、２１Ｇ、２１Ｂに対応する３個のサブピクセル２２ｓによりピクセル２２が構成される。１つのサブピクセル２２ｓが最小単位セル（最小単位の表示素子）を構成する。図では、１２個のサブピクセル２２ｓで４個のピクセル２２を構成する例を示す。
【００３１】
図８はレーザ光を走査させて隔壁を形成する状態を示す概要図である。本発明に係る表示パネル製造装置におけるエネルギビームとしてのレーザ光を照射する状態を概略的に示す。表示パネル製造装置はエネルギビーム源としてのレーザ光源３０、基板３を載置する載置部３１、レーザ光源３０と基板３との相対位置を変更制御する位置制御部（不図示）を備える。ここでは、レーザ光源３０を矢符Ａで示す方向に走査させる場合を示すが、レーザ光源３０を固定し、載置部３１を反対方向に移動させても同様にレーザ光源３０と基板３との相対位置を制御できる。
【００３２】
流動性を有するペースト層５が形成された基板３を載置部３１に載置し、レーザ光源３０から２本のレーザ光（図２のレーザ光Ｌｃ、Ｌｄに対応し、光トラップレーザともいえる）を発生させて焦点をペースト層５に合わせる。レーザ光による加工は２段階照射により行う。第１段階の照射では、レーザ光の出力を調整してペースト層５の表面に核５ｃを形成する。この際、レーザ光源３０を走査することにより直線帯状に分布した核５ｃとすることができる。第２段階の照射では、形成した核５ｃを捕捉してペースト層５を衝立状に隆起させる（不図示）。ペースト層５を隆起させるために、基板３の表面に垂直な方向でレーザ光源３０を上方へ移動させるか又は載置部３１を下方へ移動させる。つまり、第１段階の照射では平面的な相対位置の制御を行い、第２段階の照射ではこれに加えて、立体的な相対位置の制御を行う。また、隆起させる部分を核５ｃに沿って徐々に移動させることにより核５ｃに重ねて直線帯状の隔壁パターンすなわち隔壁（不図示）を形成できる。
【００３３】
図９は本発明に係る表示パネル製造装置の概略構成を示す構成図である。表示パネル製造装置は、載置部４０、位置制御部４１、載置部制御機構４２、エネルギビーム源４３、反射鏡４４、ビーム分散部４５、ハーフミラー４６、撮像装置４７、画像処理部４８、演算処理部４９などを構成要素として備える。光学系に含まれる載置部４０、反射鏡４４、ビーム分散部４５、ハーフミラー４６は適宜の筐体５０に収納される。載置部４０に表示パネル用の基板３が載置された状態を示す。基板３の表面には隔壁材料層（不図示）が形成されている。載置部４０は、位置制御部４１から与えられた位置制御信号に従って動作する載置部制御機構４２によりＸ方向、Ｙ方向、Ｚ方向への移動を制御される。載置部４０の位置を３次元で変更できることから、分散エネルギビームとしての分散レーザ光ＬＢｓと基板３との相対位置を容易に制御することができる。
【００３４】
エネルギビーム源４３は例えばレーザ光源であり、エネルギビーム源４３からエネルギビームとしてのレーザ光ＬＢが出射される。レーザ光ＬＢは反射鏡４４により反射され方向を９０度変換してビーム分散部４５に入射される。ビーム分散部４５は例えばガラスファイバグレーティングで構成され、入射されたレーザ光ＬＢを例えばマトリックス状に分散して分散エネルギビームとしての分散レーザ光ＬＢｓを出射させる。分散レーザ光ＬＢｓはハーフミラー４６を介して基板３へ照射される。一対（２本のレーザ光で構成される光トラップレーザ）の分散レーザ光ＬＢｓがＸ方向に４組構成された状態を示す。載置部制御機構４２を例えばＸ方向、Ｚ方向に移動させることにより、４組の光トラップレーザが基板３の表面をＸ方向、Ｚ方向に移動することになり、Ｘ方向において隔壁パターンを例えば直線帯状に形成することができる。ビーム分散部４５によりレーザ光ＬＢを広い面積にわたって分散させることができるので、大面積の表示パネルにおいても容易に隔壁（隔壁パターン）を形成することができる。なお、Ｘ方向と交差するＹ方向においては、分散レーザ光ＬＢが同様に形成されているのでＹ方向での分散した数に対応した隔壁を同時に形成することができる。
【００３５】
ハーフミラー４６は基板３の表面からの反射光Ｌｒを撮像装置４７へ反射させるので、基板３の表面状態を撮像装置４７により観察することができる。撮像装置４７からの撮像信号を画像処理部４８で処理して基板３の表面状態信号として演算処理部４９へ入力する。演算処理部４９は表面状態信号に基づいてエネルギビーム源４３、位置制御部４１を制御する。エネルギビーム源４３の制御によりレーザ光ＬＢの強度を制御し、位置制御部４１の制御により分散レーザ光ＬＢｓと基板３との相対位置を制御する。レーザ光ＬＢの制御により２段階照射が容易にでき、また分散レーザ光ＬＢｓと基板３との相対位置の制御により基板３の表面に所望のパターンの隔壁を形成することができる。
【００３６】
【発明の効果】
以上に詳述した如く、本発明にあっては、ホトリソグラフィ技術、サンドブラスト法によるエッチングなどを用いないので、微細化した場合でも隔壁パターンが消失することがなく微細化した隔壁を備えた高精細な表示密度の表示パネル用の基板を製造でき、高精細な表示密度の高いパネル式表示装置を製造することができる。
【００３７】
本発明にあっては、ホトリソグラフィ技術、サンドブラスト法によるエッチングなどを用いないので、ホトレジスト塗布工程、露光工程、エッチング工程などが不要になることから製造工程が簡単になり低コストで表示パネル用の基板を製造でき、低コストのパネル式表示装置を製造することができる。
【００３８】
本発明にあっては、分散レーザ光を発生する表示パネル製造装置とするので、基板上の広い面積にわたって複数の箇所で同時に光トラップレーザを照射できるので大面積の表示パネルの製造が容易となり、また生産効率を向上することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に適用するレーザ光による微粒子の捕捉作用の原理を模式的に示す模式図である。
【図２】本発明に適用する２本のレーザ光による微粒子の捕捉作用を模式的に示す模式図である。
【図３】本発明により基板に隔壁を形成する工程を示す工程図である。
【図４】本発明により基板に形成した直線帯状の隔壁を示す斜視図である。
【図５】本発明により基板に形成した格子状の隔壁を示す斜視図である。
【図６】本発明により基板に形成した蛇行帯状の隔壁を示す平面図である。
【図７】本発明により製造した基板を備えるＰＤＰを示す斜視図である。
【図８】レーザ光を走査させて隔壁を形成する状態を示す概要図である。
【図９】本発明に係る表示パネル製造装置の概略構成を示す構成図である。
【図１０】従来の方法により基板に隔壁を形成する工程を示す工程図である。
【符号の説明】
３  基板
５  ペースト層（隔壁材料層）
５ｐ  隔壁パターン
５ｗ  隔壁
６、７、８、１９  隔壁
３０  レーザ光源（エネルギビーム源）
３１、４０  載置部
４１  位置制御部
４３  エネルギビーム源
４５  ビーム分散部
ＬＢ  レーザ光（エネルギビーム）
ＬＢｓ  分散レーザ光（分散エネルギビーム）
Ｌｆ  レーザ光（エネルギビーム）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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