(57)【要約】【課題】駆動ＴＦＴを飽和領域で動作させることによってＥＬ素子が劣化しても輝度が低下しにくくする。しかし高電圧となり、消費電力が高くなる、発熱が多くなる、などの問題が生ずる。また、駆動ＴＦＴを飽和領域で動作させた場合、駆動ＴＦＴのばらつきによって輝度むらが生ずる。【解決方法】駆動ＴＦＴとして、高階調では電流能力の高いＴＦＴを使い、低階調では電流能力の低いＴＦＴを使う。電流能力の高いＴＦＴはより低いＶｇｓでも大きな電流を供給できるため、Ｖｄｓが低くなっても線形領域になりにくい。このためＥＬ素子が劣化しても輝度低下を発生しにくく、低電圧で駆動できる。電流能力の低いＴＦＴはより高いＶｇｓを印加することで電流を供給する。Ｖｇｓが高いことでＴＦＴの特性ばらつき、特にＶｔｈのばらつきの影響を少なくすることができる。【選択図】  図１３
2004341368.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アナログ信号が入力される信号線と、走査線と、複数のトランジスタと、発光素子と、を少なくとも有する表示装置において、
前記第１の信号線と、前記走査線とに接続される第１のトランジスタと、
前記発光素子に接続される第１の駆動用トランジスタと、
前記第２の信号線と、前記走査線とに接続される第２のトランジスタと、
前記発光素子に接続される第２の駆動用トランジスタと、
を有することを特徴とする表示装置。
【請求項２】
アナログ信号が入力される信号線と、走査線と、複数のトランジスタと、発光素子と、を少なくとも有する表示装置において、
前記第１の信号線と、前記走査線とに接続される第１のトランジスタと、
前記第１のトランジスタと電源線とに接続される第１の容量素子と、
前記第１の容量素子にゲート電極が接続され、一方の電極が前記発光素子に接続される第１の駆動用トランジスタと、
前記第２の信号線と、前記走査線とに接続される第２のトランジスタと、
前記第２のトランジスタと電源線とに接続される第２の容量素子と、
前記第２の容量素子にゲート電極が接続され、一方の電極が前記発光素子に接続される第２の駆動用トランジスタと、
を有することを特徴とする表示装置。
【請求項３】
アナログ信号が入力される信号線と、走査線と、複数のトランジスタと、発光素子と、を少なくとも有する表示装置において、
前記第１の信号線と、前記走査線とに接続される第１のトランジスタと、
前記発光素子に接続される第１の駆動用トランジスタと、
前記第２の信号線と、前記走査線とに接続される第２のトランジスタと、
前記発光素子に接続される第２の駆動用トランジスタと、
を有し、
前記第１の駆動用トランジスタ電流能力と、前記第２の駆動用トランジスタとの電流能力とは異なることを特徴とする表示装置。
【請求項４】
アナログ信号が入力される信号線と、走査線と、複数のトランジスタと、発光素子と、を少なくとも有する表示装置において、
前記第１の信号線と、前記走査線とに接続される第１のトランジスタと、
前記第１のトランジスタと電源線とに接続される第１の容量素子と、
前記第１の容量素子にゲート電極が接続され、一方の電極が前記発光素子に接続される第１の駆動用トランジスタと、
前記第２の信号線と、前記走査線とに接続される第２のトランジスタと、
前記第２のトランジスタと電源線とに接続される第２の容量素子と、
前記第２の容量素子にゲート電極が接続され、一方の電極が前記発光素子に接続される第２の駆動用トランジスタと、
を有し、
前記第１の駆動用トランジスタ電流能力と、前記第２の駆動用トランジスタとの電流能力とは異なることを特徴とする表示装置。
【請求項５】
請求項３又は４において、前記第１の駆動用トランジスタ電流能力は、前記第２の駆動用トランジスタとの電流能力より高く、高階調表示を行うことを特徴とする表示装置。
【請求項６】
請求項３又は４において、前記第２の駆動用トランジスタ電流能力は、前記第１の駆動用トランジスタとの電流能力より低く、低階調表示を行うことを特徴とする表示装置。
【請求項７】
アナログ信号が入力される信号線と、走査線と、複数のトランジスタと、発光素子と、を少なくとも有する表示装置において、
前記第１の信号線と、前記走査線とに接続される第１のトランジスタと、
前記発光素子に接続される第１の駆動用トランジスタと、
前記第２の信号線と、前記走査線とに接続される第２のトランジスタと、
前記発光素子に接続される第２の駆動用トランジスタと、
を有し、
前記第１の駆動用トランジスタのゲートドレイン間電圧と、前記第２の駆動用トランジスタのゲートドレイン間電圧とは異なることを特徴とする表示装置。
【請求項８】
アナログ信号が入力される信号線と、走査線と、複数のトランジスタと、発光素子と、を少なくとも有する表示装置において、
前記第１の信号線と、前記走査線とに接続される第１のトランジスタと、
前記第１のトランジスタと電源線とに接続される第１の容量素子と、
前記第１の容量素子にゲート電極が接続され、一方の電極が前記発光素子に接続される第１の駆動用トランジスタと、
前記第２の信号線と、前記走査線とに接続される第２のトランジスタと、
前記第２のトランジスタと電源線とに接続される第２の容量素子と、
前記第２の容量素子にゲート電極が接続され、一方の電極が前記発光素子に接続される第２の駆動用トランジスタと、
を有し、
前記第１の駆動用トランジスタのゲートドレイン間電圧と、前記第２の駆動用トランジスタのゲートドレイン間電圧とは異なることを特徴とする表示装置。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか一に記載の表示装置であって、前記発光素子の輝度に応じて、前記発光素子に接続される複数の駆動用トランジスタを選択する手段を有することを特徴とする表示装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はトランジスタを有する表示装置に関する。本発明は特に、絶縁体上に作製した薄膜トランジスタ（以後、ＴＦＴと表記する）等とＥＬ素子を有する表示装置に関する。また、このような構成の表示装置を用いた電子機器に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、エレクトロルミネッセンス（Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ  ：  ＥＬ）素子等を始めとした発光素子を用いた表示装置の開発が活発化している。発光素子は、自らが発光するために視認性が高く、液晶表示装置（ＬＣＤ）等において必要なバックライトを必要としないために薄型化に適しているとともに、視野角にほとんど制限がない。
【０００３】
一般に、ＥＬ素子に電流を流すことでＥＬ素子は発光する。そのためＬＣＤとは異なる画素構成が提案されている（非特許文献１参照）。
【０００４】
【非特許文献１】
「有機ＥＬディスプレイにおける材料技術と素子の作製」技術情報協会、２００２年１月、ｐ．１７９−１９５
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
上記非特許文献１では、駆動ＴＦＴを飽和領域で動作させることによってＥＬ素子が劣化しても輝度が低下しにくい。しかし劣化分を見越した電圧をあらかじめ印加する必要があるため高電圧となり、消費電力が高くなる、発熱が多くなる、などの問題が生ずる。また、駆動ＴＦＴを飽和領域で動作させた場合、駆動ＴＦＴのばらつきが生じ、その結果輝度むらが生ずる。本発明は上記欠点に鑑み、ＥＬ素子の劣化の影響が少なく、低電圧で動作可能であり、しかも駆動ＴＦＴのばらつきの影響を少なくする回路構成を用いた表示装置を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
ＴＦＴはソースとドレインが同じ構造で示せるため、本文では一方を第１の電極他方を第２の電極と呼ぶ。また本文ではＴＦＴのゲート−ソース間に閾値を超える電圧が印加され、ソース−ドレイン間に電流が流れる状態になることをＯＮすると呼ぶ。またＴＦＴのゲート−ソース間に閾値以下の電圧が印加され、ソース−ドレイン間に電流が流れない状態になることをＯＦＦすると呼ぶ。なお、本明細書においては表示装置を構成する素子の例としてＴＦＴを挙げているが、これに限定するものではない。例えば、ＭＯＳトランジスタ、有機トランジスタ、バイポーラトランジスタ、分子トランジスタ等を用いても良い。また、機械的スイッチを用いてもよい。
【０００７】
本明細書においては発光素子の例としてＥＬ素子を挙げているが、これに限定するものではない。例えば、発光ダイオード等を用いても良い。
【０００８】
図１に示す駆動ＴＦＴ１０１とＥＬ素子１０２が接続された表示装置において、駆動ＴＦＴ１０１のゲートは信号端子１０３と接続し、第１の端子は第１の電源端子１０４と接続し、第２の端子はＥＬ素子１０２の第１の端子と接続し、ＥＬ素子１０２の第２の端子は第２の電源端子１０５と接続している。上記表示装置は駆動ＴＦＴ１０１がＥＬ素子１０２に流れる電流を調節し、ＥＬ素子１０２の発光輝度を決定する。駆動ＴＦＴ１０１を飽和領域で動作させると、駆動ＴＦＴ１０１のゲートソース間電圧Ｖｇｓによってソースドレイン間電流Ｉｄｓを調節することができる。図１において、駆動ＴＦＴ１０１はＮｃｈＴＦＴでもよいしＰｃｈＴＦＴでもよい。
【０００９】
なお本明細書において便宜上端子と表記するが、実際に端子が設けられている必要はなく、配線と電気的に接続していればよい。また本明細書においては、ＴＦＴのゲートソース間電圧をＶｇｓ、ＴＦＴのソースドレイン間電圧をＶｄｓ、ＴＦＴのドレインソース間電流をＩｄｓ、ＴＦＴの閾値電圧をＶｔｈと呼ぶ。
【００１０】
ここで、駆動ＴＦＴ１０１を飽和領域で動作させる場合は下記の第１の問題と第２の問題が生ずる。またソース端子とドレイン端子は、駆動ＴＦＴ１０１に印加される電位に応じて決定されるため、図１において駆動ＴＦＴ１０１の第１の電源端子１０４側がソース端子でもドレイン端子でもよい。また、ソース端子とドレイン端子は、駆動ＴＦＴ１０１の第１の電極と第２の電極に印加される電圧と、駆動ＴＦＴ１０１がＮｃｈＴＦＴかＰｃｈＴＦＴかによって決定される。
【００１１】
第１の問題は、特にＥＬ素子１０２に流れる電流値の多い高階調では線形領域での動作となりやすいことである。図２では駆動ＴＦＴ１０１のＶｄｓ−Ｉｄｓ特性２０１ａ〜ｂとＥＬ素子１０２のＶ−Ｉ特性２０２ａ〜ｂについて負荷曲線で示している。特性２０１ａはＶｇｓが高くＩｄｓの多い高階調表示の場合、特性２０１ｂはＶｇｓが低くＩｄｓの少ない低階調表示の場合を示している。また、特性２０２ａはＥＬ素子１０２が劣化する前、特性２０２ｂはＥＬ素子１０２が劣化した場合を示している。特性２０１ａ〜ｂと特性２０２ａ〜ｂの交差点が動作点２０３ａ〜ｄとなる。ＥＬ素子１０２の劣化により特性２０２ａから特性２０２ｂに変化すると、動作点２０３ａ、ｂから動作点２０３ｃ、ｄに変化する。このとき駆動ＴＦＴ１０１のＶｄｓは低くなる。特に高階調での特性２０１ａではＶｄｓの低下によって、図２に示すように飽和領域である動作点２０３ａから線形領域である動作点２０３ｃに駆動状態が変化してしまう。これはＶｇｓが高いため、より低いＶｄｓから線形領域での動作となるためである。なお、Ｖｇｓ＝Ｖｄｓが線形領域と飽和領域の境界であり、図２では破線２０４で示している。線形領域ではＶｄｓの変化によってＩｄｓが著しく変化するため、ＥＬ素子１０２に流れる電流が変動して輝度が変化し、焼き付きなどの表示品位の低下原因となる。また、線形領域ではＶｇｓを変えてもＩｄｓがほとんど変化しないため、Ｖｇｓの制御による輝度調節が難しくなる。この問題を避けるためには、あらかじめ劣化を見越した充分な電圧を印加することで線形領域での動作になりにくくすればよいが、消費電力が高くなる、発熱が多くなる、ＴＦＴ素子の劣化が早まる、などの問題が生ずる。
【００１２】
Ｉｄｓが小さい低階調での特性２０１ｂではＶｄｓの低下によって、図２に示すように動作点２０３ｂから動作点２０３ｄに変化しても、駆動状態は飽和領域のままである。これはＶｇｓが低いため、より低いＶｄｓまで飽和領域となるためである。
【００１３】
第２の問題は、特にＥＬ素子１０２に流れる電流値の少ない低階調ではＴＦＴの特性ばらつきの影響を受けやすいことである。図３では駆動ＴＦＴ１０１のＶｄｓ−Ｉｄｓ特性３０１ａ〜ｂとＥＬ素子１０２のＶ−Ｉ特性３０２について負荷曲線で示している。特性３０１ａと特性３０１ｂは駆動ＴＦＴ１０１の特性がばらついた場合を示している。特性３０１ａ〜ｂと特性３０２の交差点が動作点３０３ａ〜ｂとなる。ＴＦＴの特性は一定ではなく、Ｖｔｈのばらつきなどの特性ばらつきを持つ。駆動ＴＦＴ１０１の特性ばらつきにより特性３０１ａから特性３０１ｂに変化すると、動作点３０３ａから動作点３０３ｂに変化し、Ｉｄｓが変化する。Ｉｄｓは（Ｖｇｓ−Ｖｔｈ）２に比例するが、特にＩｄｓが少ない低階調ではＶｇｓが小さいためＶｔｈのばらつきの影響が大きい。この影響は表示装置での輝度むらとして表われ、表示品位の低下原因となる。
【００１４】
Ｉｄｓが大きい高階調では、Ｖｇｓが大きいためＶｔｈのばらつきの影響は小さくなる。
【００１５】
本発明では駆動ＴＦＴとして、高階調（表示）では電流能力の高いＴＦＴを使い、低階調（表示）では電流能力の低いＴＦＴを使うことを特徴とする。
【００１６】
高階調では駆動ＴＦＴとして電流能力の高いＴＦＴを使う理由は、電流能力の高いＴＦＴはより低いＶｇｓでも大きな電流を供給できるため、Ｖｄｓが低くなっても線形領域になりにくい。このためＥＬ素子が劣化しても輝度低下を発生しにくく、またより低い電圧で駆動できるため低消費電力で低発熱であり、またＴＦＴ素子の劣化を防ぐことができる。
【００１７】
低階調では駆動ＴＦＴとして電流能力の低いＴＦＴを使う理由は、電流能力の低いＴＦＴはより高いＶｇｓを印加することで電流を供給する。Ｖｇｓが高いことでＴＦＴの特性ばらつき、特にＶｔｈのばらつきの影響を少なくすることができる。特にＶｇｓが低くなる低階調において効果が大きく、表示品位を高めることができる。また、電流能力を低くするためにＴＦＴのＬ長を長くすることで、特性ばらつきを少なくすることができる。
【００１８】
本発明の構成を以下に記す。
【００１９】
本発明の表示装置は、アナログ信号が入力される信号線と、走査線と、複数のトランジスタと、発光素子と、を少なくとも有する表示装置において、前記第１の信号線と、前記走査線とに接続される第１のトランジスタと、前記発光素子に接続される第１の駆動用トランジスタと、前記第２の信号線と、前記走査線とに接続される第２のトランジスタと、前記発光素子に接続される第２の駆動用トランジスタと、を有することを特徴としている。
【００２０】
本発明の表示装置は、アナログ信号が入力される信号線と、走査線と、複数のトランジスタと、発光素子と、を少なくとも有する表示装置において、前記第１の信号線と、前記走査線とに接続される第１のトランジスタと、前記第１のトランジスタと電源線とに接続される第１の容量素子と、前記第１の容量素子にゲート電極が接続され、一方の電極が前記発光素子に接続される第１の駆動用トランジスタと、前記第２の信号線と、前記走査線とに接続される第２のトランジスタと、前記第２のトランジスタと電源線とに接続される第２の容量素子と、前記第２の容量素子にゲート電極が接続され、一方の電極が前記発光素子に接続される第２の駆動用トランジスタと、を有することを特徴としている。
【００２１】
本発明の表示装置は、アナログ信号が入力される信号線と、走査線と、複数のトランジスタと、発光素子と、を少なくとも有する表示装置において、前記第１の信号線と、前記走査線とに接続される第１のトランジスタと、前記発光素子に接続される第１の駆動用トランジスタと、前記第２の信号線と、前記走査線とに接続される第２のトランジスタと、前記発光素子に接続される第２の駆動用トランジスタと、を有し、前記第１の駆動用トランジスタ電流能力と、前記第２の駆動用トランジスタとの電流能力とは異なることを特徴としている。
【００２２】
本発明の表示装置は、アナログ信号が入力される信号線と、走査線と、複数のトランジスタと、発光素子と、を少なくとも有する表示装置において、前記第１の信号線と、前記走査線とに接続される第１のトランジスタと、前記第１のトランジスタと電源線とに接続される第１の容量素子と、前記第１の容量素子にゲート電極が接続され、一方の電極が前記発光素子に接続される第１の駆動用トランジスタと、前記第２の信号線と、前記走査線とに接続される第２のトランジスタと、前記第２のトランジスタと電源線とに接続される第２の容量素子と、前記第２の容量素子にゲート電極が接続され、一方の電極が前記発光素子に接続される第２の駆動用トランジスタと、を有し、前記第１の駆動用トランジスタ電流能力と、前記第２の駆動用トランジスタとの電流能力とは異なることを特徴としている。
【００２３】
本発明の表示装置は、第１の駆動用トランジスタ電流能力は、第２の駆動用トランジスタとの電流能力より高く、高階調表示を行うことを特徴としている。
【００２４】
本発明の表示装置は、前記第２の駆動用トランジスタ電流能力は、前記第１の駆動用トランジスタとの電流能力より低く、低階調表示を行うことを特徴としている。
【００２５】
本発明の表示装置は、アナログ信号が入力される信号線と、走査線と、複数のトランジスタと、発光素子と、を少なくとも有する表示装置において、前記第１の信号線と、前記走査線とに接続される第１のトランジスタと、前記発光素子に接続される第１の駆動用トランジスタと、前記第２の信号線と、前記走査線とに接続される第２のトランジスタと、前記発光素子に接続される第２の駆動用トランジスタと、を有し、前記第１の駆動用トランジスタのゲートドレイン間電圧と、前記第２の駆動用トランジスタのゲートドレイン間電圧とは異なることを特徴としている。
【００２６】
本発明の表示装置は、アナログ信号が入力される信号線と、走査線と、複数のトランジスタと、発光素子と、を少なくとも有する表示装置において、前記第１の信号線と、前記走査線とに接続される第１のトランジスタと、前記第１のトランジスタと電源線とに接続される第１の容量素子と、前記第１の容量素子にゲート電極が接続され、一方の電極が前記発光素子に接続される第１の駆動用トランジスタと、前記第２の信号線と、前記走査線とに接続される第２のトランジスタと、前記第２のトランジスタと電源線とに接続される第２の容量素子と、前記第２の容量素子にゲート電極が接続され、一方の電極が前記発光素子に接続される第２の駆動用トランジスタと、を有し、前記第１の駆動用トランジスタのゲートドレイン間電圧と、前記第２の駆動用トランジスタのゲートドレイン間電圧とは異なることを特徴としている。
【００２７】
本発明の表示装置は、前記発光素子の輝度に応じて、前記発光素子に接続される複数の駆動用トランジスタを選択する手段を有することを特徴としている。
【００２８】
【発明の実施の形態】
（実施の形態１）
図４に、本発明の一実施形態を示す。一以上の画素４０６により構成された表示装置で、画素４０６はＥＬ素子４０２ａ、４０２ｂと、ＥＬ素子４０２ａ、４０２ｂを駆動する駆動ＴＦＴ４０１ａ、４０１ｂと、駆動ＴＦＴ４０１ａ、４０１ｂのゲートと接続した信号端子４０３ａ、４０３ｂと、駆動ＴＦＴ４０１ａ、４０１ｂの第１の端子と接続した第１の電源端子４０４ａ、４０４ｂと、ＥＬ素子４０２ａ、４０２ｂの第２の端子と接続した第２の電源端子４０５ａ、４０５ｂとを有する。駆動ＴＦＴ４０１ａ、４０１ｂの第２の端子はＥＬ素子４０２ａ、４０２ｂの第１の端子と接続している。
【００２９】
駆動ＴＦＴ４０１ａと駆動ＴＦＴ４０１ｂは異なる特性とする。異なる特性のＴＦＴを用いることで、高階調表示と低階調表示の両方に適した駆動が可能となる。ＴＦＴを異なる特性とする方法は、ＴＦＴのサイズや形状を異なるものとする、ＴＦＴのドーパントやドーピング量を異なるものとする、ＴＦＴの並列数や直列数を異なるものとする、などがある。
【００３０】
なお、駆動ＴＦＴ４０１ａ、４０１ｂのゲートと信号端子４０３ａ、４０３ｂとの間、駆動ＴＦＴ４０１ａ、４０１ｂの第１の端子と第１の電源端子４０４ａ、４０４ｂとの間、ＥＬ素子４０２ａ、４０２ｂの第２の端子と第２の電源端子４０５ａ、４０５ｂとの間、駆動ＴＦＴ４０１ａ、４０１ｂの第２の端子とＥＬ素子４０２ａ、４０２ｂの第１の端子との間に、別の素子を挿入しても良い。例えば、駆動ＴＦＴ４０１ａ、４０１ｂの第１の端子と第１の電源端子４０４ａ、４０４ｂとの間にスイッチを挿入すれば、信号端子４０３ａ、４０３ｂの状態に関わりなくＥＬ素子４０２ａ、４０２ｂの表示と非表示を制御できる。
【００３１】
また、駆動ＴＦＴ４０１ａ、４０１ｂはＮｃｈＴＦＴでもＰｃｈＴＦＴでも良い。
【００３２】
また、ＥＬ素子４０２ａ、４０２ｂと、第１の電源端子４０４ａ、４０４ｂと、第２の電源端子４０５ａ、４０５ｂは、通常それぞれ共通とすることができるが、分けても良い。分けることで、高階調と低階調でのＴＦＴの動作状態を別に制御することができる。例えばＥＬ素子４０２ａとＥＬ素子４０２ｂを、高階調用と低階調用として別にして、例えば素子面積をＥＬ素子４０２ａは広く、ＥＬ素子４０２ｂは狭く作成する。素子面積が狭いほど一般に抵抗値は高くなり、また低階調ほどＥＬ素子に流れる電流値は小さくなるため、ＥＬ素子での電圧降下が高階調と低階調で近くなる。駆動ＴＦＴ４０１ａ、４０１ｂのＶｄｓは、第１の電源端子４０４ａ、４０４ｂと第２の電源端子４０５ａ、４０５ｂの差からＥＬ素子４０２ａ、４０２ｂでの電圧降下分を引いた値となる。ここでＥＬ素子での電圧降下が高階調と低階調で近ければ、駆動ＴＦＴ４０１ａ、４０１ｂのＶｄｓは高階調と低階調で近い値となる。一般にＴＦＴは飽和領域においてもＶｄｓの上昇によってＩｄｓが多少上昇する傾向にあり、正確な輝度調整の妨げとなる。ここでＶｄｓを高階調と低階調で近い値とすることで、より正確な輝度調整ができるようになる。
【００３３】
また、信号端子４０３ａ、４０３ｂは、別に分ける。しかし共通にしても良い。
【００３４】
図５を用いて、動作について説明する。
【００３５】
図５（Ａ）は、駆動ＴＦＴ４０１ａ〜ｂのＶｇｓとＩｄｓとの関係を示している。ここでは例として駆動ＴＦＴ４０１ａに電流能力の高いＴＦＴを使用し、駆動４０１ｂに電流能力の低いＴＦＴを使用する。特性５０１ａが駆動ＴＦＴ４０１ａのＶｇｓ−Ｉｄｓ特性、特性５０１ｂが駆動ＴＦＴ４０１ｂのＶｇｓ−Ｉｄｓ特性である。なお、図４でＩｄｓはＥＬ素子４０２ａ、４０２ｂに流れる。
【００３６】
ＥＬ素子は一般に電流値と輝度が比例関係にある。そのためＩｄｓを制御することで輝度を制御することができる。表示装置の輝度はＥＬ素子４０２ａ〜ｂに流れる電流値の和となる。
【００３７】
ここで駆動ＴＦＴ４０１ａと駆動ＴＦＴ４０１ｂのＶｇｓをそれぞれ個別に制御する。ここで駆動ＴＦＴ４０１ａのＶｇｓをＶｇｓａ、駆動ＴＦＴ４０１ｂのＶｇｓをＶｇｓｂとする。個別に制御された駆動ＴＦＴ４０１ａ、４０１ｂはそれぞれＶｇｓａ、Ｖｇｓｂに応じた電流Ｉｄｓａ、ＩｄｓｂをＥＬ素子４０２ａ、４０２ｂに供給し、電流Ｉｄｓａ＋Ｉｄｓｂが表示装置の輝度を決定する。
【００３８】
輝度の高い高階調では駆動ＴＦＴ４０１ａのＶｇｓをより高くし、輝度の低い低階調では駆動ＴＦＴ４０１ｂのＶｇｓをより高くする。
【００３９】
図６に、駆動ＴＦＴ４０１ａと駆動ＴＦＴ４０１ｂのゲートを異なる電圧にする例を示す。ＶｇｓａとＶｇｓｂは以下の関係になるよう決定する。
【００４０】
【数１】
2004341368.tif 000003
【００４１】
特性６０１ａ’は駆動ＴＦＴ４０１ａのゲートにＶｇｓａを印加した場合を示し、特性６０１ｂは駆動ＴＦＴ４０１ｂのゲートにＶｇｓｂを印加した場合を示す。なお特性６０１ａ’は駆動ＴＦＴ４０１ａのゲートにＶｇｓｂを印加した特性特性６０１ａをＶｄｉｆｆだけ電圧シフトした特性となる。
【００４２】
飽和領域での電流値Ｉｄｓは、駆動ＴＦＴ４０１ａのドレイン電流をＩｄｓａ’、駆動ＴＦＴ４０１ｂのドレイン電流をＩｄｓｂとしたとき、以下の式であらわされる。
【００４３】
【数２】
2004341368.tif 000004
【００４４】
ここでＷａ、Ｗｂ、Ｌａ、Ｌｂ、μａ、μｂ、Ｃａ、Ｃｂ、Ｖｔｈａ、Ｖｔｈｂ、はそれぞれ駆動ＴＦＴ４０１ａと駆動ＴＦＴ４０１ｂのゲート幅、ゲート長、移動度、酸化膜の単位面積当たり容量、閾値電圧である。
【００４５】
ＥＬ素子４０２ａと４０２ｂに流れる電流値の和Ｉｅｌは、以下の式であらわされる。
【００４６】
【数３】
2004341368.tif 000005
【００４７】
またＩｅｌは図６で特性６０２のように示すことができる。このＩｅｌが表示装置の輝度を決定する。
【００４８】
駆動ＴＦＴ４０１ｂよりも駆動ＴＦＴ４０１ａの方が電流能力が高い。また消費電流の多い高階調表示ではＩｄｓａ’の比率が高く、消費電流が少なくばらつきの影響を小さくしたい低階調表示ではＩｄｓｂの比率が高くなる。駆動ＴＦＴを階調に応じて使い分けることで、ＥＬ素子４０２ａ〜ｂの劣化の影響が少なく、消費電力が少なく、ばらつきの影響の小さい表示装置となる。
【００４９】
｜Ｖｇｓｂ−Ｖｄｉｆｆ−Ｖｔｈａ｜≦０ではＩｄｓａ’はほぼ０となるため、表示装置の輝度はほとんど駆動ＴＦＴ４０１ｂの供給する電流によって発生する。また、ＶｇｓａとＶｇｓｂが高くなるほど駆動ＴＦＴ４０１ａの供給する電流のＩｅｌに占める割合は多くなる。以上のように、低階調では駆動ＴＦＴ４０１ｂの供給する電流が多く、高階調では駆動ＴＦＴ４０１ａの供給する電流を多くする。
【００５０】
高階調で電流能力の高いＴＦＴを用いた場合の利点を図７（Ａ）で負荷曲線で示す。駆動ＴＦＴ４０１ａとして、電流能力の高いＴＦＴを用いた場合のＶｄｓ−Ｉｄｓ特性を特性７０１ａとすると、電流能力の低いＴＦＴを用いた場合のＶｄｓ−Ｉｄｓ特性は特性７０１ｂのようになる。またＥＬ素子４０２ａの劣化前のＶ−Ｉ特性を特性７０２ａ、劣化後のＶ−Ｉ特性を特性７０２ｂとする。特性７０１ａ〜ｂと特性７０２ａ〜ｂの交点が動作点７０３ａ〜ｃとなる。このとき、特性７０１ａと特性７０１ｂで、動作点７０３ａでのＩｄｓが同じになるように駆動ＴＦＴのＶｇｓを調整する。電流能力の高いＴＦＴでは、線形領域での電流値の立上り特性が急峻になる。同時により低いＶｄｓから飽和領域となっているため、ＥＬ素子４０２ａが劣化してＶｄｓが低下しても線形領域での動作となりにくい。図７（Ａ）ではＥＬ素子４０２ａが劣化した場合の動作点の例として、電流能力の高いＴＦＴを用いた場合の動作点を動作点７０３ｂ、電流能力の低いＴＦＴを使った場合の動作点を動作点７０３ｃとして示す。
【００５１】
低階調で電流能力の低いＴＦＴを用いた場合の利点を図７（Ｂ）で負荷曲線で示す。駆動ＴＦＴ４０１ｂとして、電流能力の高いＴＦＴを用いた場合のＶｄｓ−Ｉｄｓ特性が特性７１１ａから特性７１１ｄまでの範囲でばらついたとすると、電流能力の低いＴＦＴを用いた場合のＶｄｓ−Ｉｄｓ特性は特性７１１ｂから特性７１１ｃまでの範囲のばらつきとなり、ばらつきの範囲は狭くなる。またＥＬ素子４０２ｂのＶ−Ｉ特性を特性７１２とする。特性７１１ａ〜ｄと特性７１２の交点が動作点７１３ａ〜ｄとなる。動作点は電流能力の高いＴＦＴを用いた場合は７１３ａから７１３ｄの範囲でばらつくが、電流能力の低いＴＦＴを用いた場合は７１３ｂから７１３ｃの範囲でのばらつきとなり、ばらつきの範囲は狭くなる。
【００５２】
電流能力の低いＴＦＴを用いることで、ばらつきの範囲が狭くなる理由を説明する。飽和領域でのＴＦＴのＩｄｓは以下の式で示すことができる。
【００５３】
【数４】
2004341368.tif 000006
【００５４】
ここでＷ、Ｌ、μ、Ｃ、ＶｔｈはそれぞれＴＦＴのゲート幅、ゲート長、移動度、酸化膜の単位面積当たり容量、閾値電圧である。ここで例えばＷ／Ｌを小さくすることで、電流能力が低くなる。上記式より駆動ＴＦＴ４０１ｂの電流能力が低いほど、同じＩｄｓでもより高いＶｇｓを印加することとなる。より高いＶｇｓを印加することでＶｔｈのばらつきのＩｄｓへの影響を小さくすることが出来、Ｉｄｓのばらつきを小さくすることができる。
【００５５】
高階調ではもともとＶｇｓが高くなるためＶｔｈの影響は小さいため、駆動ＴＦＴ４０１ａに電流能力の高いＴＦＴを用いても問題になることはない。また低階調ではＶｇｓが低いため飽和領域となりやすく、駆動ＴＦＴ４０１ｂに電流能力の低いＴＦＴを用いても問題になることはない。
【００５６】
本実施形態では、高階調では電流能力の高い駆動ＴＦＴ４０１ａを電流源として主に用い、低階調では電流能力の低い駆動ＴＦＴ４０１ｂを電流源として主に用いる。階調に応じてＴＦＴを使い分けることで、ＥＬ素子４０２ａ〜ｂが劣化しても輝度が低下しにくく、またＴＦＴのばらつきの影響が少ない表示装置とすることができる。
【００５７】
第１の電源端子４０４ａ、４０４ｂと第２の電源端子４０５ａ、４０５ｂとの間には、ＥＬ素子４０２ａ、４０２ｂの駆動電圧と駆動ＴＦＴ４０１ａ、４０１ｂの飽和領域までの電圧の他に、ＥＬ素子４０２ａ、４０２ｂが劣化した場合のＥＬ素子４０２ａ、４０２ｂの抵抗増による電圧降下分をあらかじめ印加している。こうすることでＥＬ素子４０２ａ、４０２ｂでの電圧降下が増加して駆動ＴＦＴ４０１ａ、４０１ｂのＶｄｓが低くなっても、駆動ＴＦＴ４０１ａ、４０１ｂが線形領域での動作とならず、輝度低下の原因とならないようにしている。しかしＥＬ素子４０２ａ、４０２ｂの抵抗増による電圧降下分をあらかじめ印加することは、電源電圧を高くすることであり、消費電力が増加する原因となる。本実施形態では高階調で電流能力の高い駆動ＴＦＴを主に用いることで、より低いＶｄｓまで飽和領域としている。より低いＶｄｓまで飽和領域となっているため、電源端子４０４ａ、４０４ｂと電源端子４０５ａ、４０５ｂとの間をより低い電圧に設定しても、ＥＬ素子４０２ａ、４０２ｂの劣化の影響が発生しにくくなる。以上により消費電力が低く、また発熱が少なく、ＴＦＴの劣化が生じにくくできる。
【００５８】
ＶｇｓａとＶｇｓｂに電位差Ｖｄｉｆｆを与える方法の一例を示す。両端に電位差を持った容量素子を、駆動ＴＦＴ４０１ａ、４０１ｂのどちらか一方または両方の、ゲートと信号端子４０３ａ、４０３ｂの間に挿入する。結果として容量素子を挿入した駆動ＴＦＴ４０１ａ、４０１ｂのゲートには、信号端子４０３ａ、４０３ｂの電圧と容量素子の両端の電位差の和が印加される。この例では、信号端子４０３ａ、４０３ｂを共通にしても、容量素子を使うことで駆動ＴＦＴ４０１ａ、４０１ｂのゲートに電位差Ｖｄｉｆｆを与えることが可能である。信号端子４０３ａ、４０３ｂを共通に出来れば、駆動ＴＦＴ４０１ａ、４０１ｂの制御が容易になる。
【００５９】
（実施の形態２）
図８にて、本発明の一実施形態を説明する。駆動ＴＦＴ４０１ａと駆動ＴＦＴ４０１ｂのＶｇｓを異なる電圧に設定するする方法として、実施形態１では駆動ＴＦＴ４０１ａのＶｇｓを電圧シフトさせた。図８（Ａ）に駆動ＴＦＴ４０１ａのＶｇｓと、駆動ＴＦＴ４０１ｂのＶｇｓとの関係を示す。ここで駆動ＴＦＴ４０１ａのＶｇｓをＶｇｓａ、駆動ＴＦＴ４０１ｂのＶｇｓをＶｇｓｂとする。ＶｇｓａとＶｇｓｂとして等しい電圧を印加する場合を特性８１１とすると、実施形態１では特性８１２となる。本実施形態では実施形態１と異なる電圧設定方法を示す。
【００６０】
Ｖｇｓｂに対してＶｇｓａが低階調では低くなるように設定し、高階調になるほどＶｇｓａに対してＶｇｓｂが近い電圧となるよう設定する。特性８１３で本実施形態での電圧設定を示す。
【００６１】
図８（Ｂ）に上記Ｖｇｓを印加した駆動ＴＦＴ４０１ａのＶｇｓ−Ｉｄｓ特性８０１ａと、駆動ＴＦＴ４０１ｂのＶｇｓ−Ｉｄｓ特性８０１ｂと、駆動ＴＦＴ４０１ａと駆動ＴＦＴ４０１ｂの合計電流の特性８０２を示す。低階調では駆動ＴＦＴ４０１ｂのＩｄｓの比率が高く、また高階調では駆動ＴＦＴ４０１ａのＩｄｓの比率が高くなる。ＥＬ素子４０１ａ、４０１ｂが劣化しても輝度が低下しにくく、また駆動ＴＦＴ４０１ａ、４０１ｂのばらつきの影響が少ない表示装置を作ることができる。
【００６２】
ＥＬ素子４０１ａ、４０１ｂの劣化によって輝度が変化しないためには、駆動ＴＦＴ４０２ａ、４０２ｂの飽和領域がより低いＶｄｓから始まるようにする。このとき飽和領域はＶｄｓ＝ＶｇｓとなるＶｄｓから始まるため、ＥＬ素子４０１ａ、４０１ｂの劣化の影響を避けるにはＶｇｓが低いほどよい。Ｖｇｓは階調によって変化し、最高階調でＶｇｓが最大値となる。つまり最高階調での駆動ＴＦＴ４０２ａと駆動ＴＦＴ４０２ｂ  のＶｇｓを極力低くすることが有効となる。最高階調では駆動ＴＦＴ４０２ａと駆動ＴＦＴ４０２ｂの電流値を最大にしつつＶｇｓを最も低くするためには、最高階調でのＶｇｓを等しくすればよい。
【００６３】
本実施形態により、低階調でＴＦＴのばらつきの影響が少なく、高階調でＥＬ素子の劣化の影響が少なくできる。さらに劣化の影響を最も受ける階調でのＶｇｓをできるだけ低くすることが可能となるため、より劣化の影響を受けにくくなる。
【００６４】
（実施の形態３）
図９にて、本発明の一実施形態を説明する。実施形態１と２では駆動ＴＦＴ４０１ａと駆動ＴＦＴ４０１ｂのＶｇｓを異なる電圧に設定した。本実施形態では駆動ＴＦＴ４０１ａと駆動ＴＦＴ４０１ｂのＶｇｓを等しくした場合でも、高階調で駆動ＴＦＴ４０１ａを主に使い、低階調で駆動ＴＦＴ４０１ｂを主に使う動作とできる。
【００６５】
駆動ＴＦＴ４０１ａの供給する電流をＩｄｓａ、駆動ＴＦＴ４０１ｂの供給する電流をＩｄｓｂとする。本実施形態ではＩｄｓａから一定電流Ｉｄｉｆｆを引いた電流をＥＬ素子４０２ａに供給する。ＥＬ素子１０２ａ〜ｂに供給される電流Ｉｅｌは、以下の式であらわされる。
【００６６】
【数５】
2004341368.tif 000007
【００６７】
図９でＶｇｓを印加した駆動ＴＦＴ４０１ａのＶｇｓ−Ｉｄｓ特性９０１ａと、特性９０１ａからＩｄｉｆｆを引いた特性９０１ａ’と、駆動ＴＦＴ４０１ｂのＶｇｓ−Ｉｄｓ特性９０１ｂと、特性９０１ａ’と特性９０１ｂの和の特性９０２を示す。ここで特性９０１ａがＩｄｓａで、特性９０１ｂがＩｄｓｂで、特性９０２がＩｅｌである。低階調では駆動ＴＦＴ４０１ｂのＩｄｓの比率が高く、また高階調では駆動ＴＦＴ４０１ａのＩｄｓの比率が高くなる。これによりＥＬ素子４０１ａ〜ｂが劣化しても輝度が低下しにくく、また駆動ＴＦＴ４０１ａ、４０１ｂのばらつきの影響が少ない表示装置を作ることができる。
【００６８】
駆動ＴＦＴ４０１ａのＶｇｓを電圧シフトさせる実施形態１の方法や、駆動ＴＦＴ４０１ａと駆動ＴＦＴ４０１ｂのＶｇｓをそれぞれ個別に制御する実施形態２の方法と異なり、本実施形態では駆動ＴＦＴ４０１ａと駆動ＴＦＴ４０１ｂのＶｇｓが等しい。Ｖｇｓが等しければ信号端子４０３ａ、４０３ｂを共通化でき、階調の制御が簡略化できる。
【００６９】
（実施の形態４）
実施形態１から３において、駆動ＴＦＴを三つ以上使ってもよい。例えば駆動ＴＦＴを三つ使う場合は、低階調、中階調、高階調と階調を三領域に分け、それぞれに適した特性の駆動ＴＦＴを配置する。駆動ＴＦＴを三つ以上使うことにより、微小輝度発光でも高輝度発光でも劣化とばらつきの影響を抑えることができる。
【００７０】
特に携帯機器のように暗環境でも明環境でも利用する表示装置の場合、暗環境では微小輝度領域での発光、明環境では高輝度領域での発光が要求される。例えば駆動ＴＦＴを三つ使う場合は、微小輝度領域と高輝度領域でそれぞれ二つの駆動ＴＦＴを使う。微小輝度領域での発光の場合、電流能力の弱い第１の駆動ＴＦＴと電流能力が中程度の第２の駆動ＴＦＴを使い、微小輝度領域の中でも低階調は第１の駆動ＴＦＴを、微小輝度領域の高階調は第２の駆動ＴＦＴを使う。また高輝度領域での発光の場合、電流能力が中程度の第２の駆動ＴＦＴと電流能力の強い第３の駆動ＴＦＴを使い、高輝度領域の中でも低階調は第２の駆動ＴＦＴを、高輝度領域の高階調は第３の駆動ＴＦＴを使う。また微小輝度領域ではＶｄｓが低くても飽和領域を維持するため電源電圧を低くすることができ、消費電力の低減が可能である。以上により三つ以上の駆動ＴＦＴを使うことで、輝度領域に関わらず最適な駆動が可能となる。もちろん三つ以上の駆動ＴＦＴを単一の輝度領域で同時に使ってもよい。
【００７１】
【実施例】
以下に、本発明の実施例について記載する。
【００７２】
［実施例１］
本実施例においては、実施形態１で示した表示装置の構成例について説明する。図１０に表示装置の構成例を示す。複数の画素１００６がｍ行ｎ列のマトリクス状に配置された画素部１０１２を有し、画素部１０１２周辺には、信号線駆動回路１０１３、行選択線駆動回路１０１４を有している。Ｓ１〜Ｓｎで表記された信号線１０２３は画素１００６と列に対応して接続しており、また信号線駆動回路１０１３に接続している。Ｇ１〜Ｇｍで表記された行選択線１０２４は画素１００６と行に対応して接続しており、また行選択線駆動回路１０１４に接続している。その他に電源線などを有するが図１０では省略する。
【００７３】
図１１に画素１００６の構成例を示す。駆動ＴＦＴ１１０１ａ、１１０１ｂと、ＥＬ素子１１０２と、書込用スイッチ１１０３と、第１の容量素子（画素容量）１１０４と、電圧シフト容量用スイッチ１１０５ａ〜ｂと、第２の容量素子（電圧シフト容量）１１０６とを有する。ＥＬ素子１１０２の第２の端子はカソード１１２６と接続し、駆動ＴＦＴ１１０１ａ、１１０１ｂのドレインはＥＬ素子１１０２の第１の端子と接続し、ソースはアノード１１２５と接続する。駆動ＴＦＴ１１０１ａのゲートは電圧シフト容量１１０６の第２の端子と接続し、かつ電圧シフト容量用スイッチ１１０５ａを介して配線（画素容量線）１１２２と接続する。駆動ＴＦＴ１１０１ｂのゲートと電圧シフト容量１１０６の第１の端子は書込用スイッチ１１０３を介して信号線１０２３と接続し、かつ電圧シフト容量用スイッチ１１０５ｂを介してアノード１１２５と接続し、かつ画素容量１１０４の第１の端子と接続している。画素容量１１０４の第２の端子は画素容量線１１２２と接続している。書込用スイッチ１１０３は走査線（行選択線）１０２４で制御し、電圧シフト容量用スイッチ１１０５ａ〜ｂは配線（電圧シフト容量制御信号線）１１２１で制御する。
【００７４】
本実施例における画素１００６の動作について説明する。
【００７５】
まず電圧シフト容量１１０６に任意の電圧Ｖｄｉｆｆを印加する。なお電圧Ｖｄｉｆｆは駆動ＴＦＴ１１０１ａ、１１０１ｂのＶｇｓの差となる。アノード１１２５と画素容量線１１２２にＶｄｉｆｆの電位差を与え、電圧シフト容量制御信号線１１２１により電圧シフト容量用スイッチ１１０５ａ〜ｂをＯＮする。電圧シフト容量１１０６に電圧Ｖｄｉｆｆ分の電荷が充電された後、電圧シフト容量制御信号線１１２１により電圧シフト容量用スイッチ１１０５ａ〜ｂをＯＦＦする。以上の動作により電圧シフト容量１１０６の両端に電位差Ｖｄｉｆｆが印加できる。なお、これらの動作時には書込用スイッチ１１０３はＯＦＦすることが望ましいがこれに限らない。
【００７６】
次に電圧シフト容量１１０６の両端に電位差Ｖｄｉｆｆが印加された状態で、行選択線１０２４により書込用スイッチ１１０３をＯＮする。このとき信号線１０２３にＥＬ素子１１０２の発光輝度に見合う電圧Ｖｓｉｇｎａｌを印加する。画素容量１１０４の第１の端子がＶｓｉｇｎａｌに達した後、行選択線１０２４により書込用スイッチ１１０３をＯＦＦする。以上の動作により駆動ＴＦＴ１１０１ｂのゲートにはＶｓｉｇｎａｌが印加され、駆動ＴＦＴ１１０１ａのゲートにはＶｓｉｇｎａｌ−Ｖｄｉｆｆが印加される。
【００７７】
以上の動作により、ＥＬ素子１１０２は発光する。ここで駆動ＴＦＴ１１０１ａと駆動ＴＦＴ１１０１ｂの特性が異なり、かつ駆動ＴＦＴ１１０１ａと駆動ＴＦＴ１１０１ｂのＶｇｓが異なるため、実施形態１で示した特徴を持つ表示装置とすることができる。
【００７８】
また、比較的単純な方法で駆動ＴＦＴ１１０１ａと駆動ＴＦＴ１１０１ｂに異なるＶｇｓを与えることができる。
【００７９】
電圧シフト容量１１０６に電位差を与えるために、アノード１１２５と画素容量線１１２２の電位差を用いた理由を示す。アノード１１２５はＥＬ素子１１０２の特性によって調整する必要がある。またＶｄｉｆｆも駆動ＴＦＴ１１０１ａ〜ｂとＥＬ素子１１０２の特性によって調整する必要がある。しかし画素容量線１１２２の電位は一般に任意であり、適当な電位に設定してもよく、アノード１１２５とＶｄｉｆｆに応じて決めることが可能でだからである。
【００８０】
［実施例２］
本実施例においては、実施形態２で示した表示装置の構成例について説明する。図１２に表示装置の構成例を示す。複数の画素１２０６がｍ行ｎ列のマトリクス状に配置された画素部１２１２を有し、画素部１２１２周辺には、信号線駆動回路１２１３、行選択線駆動回路１２１４を有している。Ｓ１〜Ｓｎで表記された信号線１２２３ａ〜ｂは画素１２０６と列に対応して接続しており、また信号線駆動回路１２１３に接続している。Ｇ１〜Ｇｍで表記された行選択線１２２４は画素１２０６と行に対応して接続しており、また行選択線駆動回路１２１４に接続している。その他に電源線などを有するが図１２では省略する。
【００８１】
図１３に画素１２０６の構成例を示す。駆動ＴＦＴ１３０１ａ、１３０１ｂと、ＥＬ素子１３０２と、書込用スイッチ１３０３ａ、１３０３ｂと、画素容量１３０４ａ〜ｂとを有する。ＥＬ素子１３０２の第２の端子はカソード１３２６と接続し、駆動ＴＦＴ１３０１ａ、１３０１ｂのドレインはＥＬ素子１３０２の第１の端子と接続し、ソースはアノード１３２５と接続する。駆動ＴＦＴ１３０１ａ、１３０１ｂのゲートはそれぞれ画素容量１３０４ａ、１３０４ｂの第１の端子と接続し、かつそれぞれ書込用スイッチ１３０３ａ、１３０３ｂを介してそれぞれ信号線１０２３ａ、１０２３ｂと接続している。画素容量１３０４ａ、１３０４ｂの第２の端子は画素容量線１３２２と接続している。書込用スイッチ１３０３ａ、１３０３ｂは行選択線１２２４で制御する。
【００８２】
画素１２０６の動作について説明する。
【００８３】
行選択線１２２４により書込用スイッチ１３０３ａ、１３０３ｂをＯＮする。このとき信号線１２２３ａ、１２２３ｂにＥＬ素子１３０２の発光輝度に見合う電圧Ｖｓｉｇｎａｌａ、Ｖｓｉｇｎａｌｂを印加する。このときＶｓｉｇｎａｌａとＶｓｉｇｎａｌｂは異なる電圧に設定する。画素容量１３０４ａ、１３０４ｂの第１の端子がＶｓｉｇｎａｌａ、Ｖｓｉｇｎａｌｂに達した後、行選択線１２２４により書込用スイッチ１３０３ａ、１３０３ｂをＯＦＦする。以上の動作により駆動ＴＦＴ１３０１ａ、１３０１ｂのゲートにはＶｓｉｇｎａｌａ、Ｖｓｉｇｎａｌｂが印加される。
【００８４】
以上の動作により、ＥＬ素子１３０２は発光する。ここで駆動ＴＦＴ１３０１ａと駆動ＴＦＴ１３０１ｂの特性が異なり、かつ駆動ＴＦＴ１３０１ａと駆動ＴＦＴ１３０１ｂのＶｇｓが異なるため、実施形態２で示した特徴を持つ表示装置とすることができる。
【００８５】
また、駆動ＴＦＴ１３０１ａと駆動ＴＦＴ１３０１ｂのＶｇｓを、階調に応じて個別に設定できるため、制御の自由度が高い。また構造が単純であるため信頼性が高い。
【００８６】
［実施例３］
本実施例においては、実施形態３で示した表示装置の構成について説明する。表示装置の構成例については図１０と実施例１で示した。ただし実施例１とは画素１００６の構成が異なる。
【００８７】
図１４に画素１００６の構成例を示す。駆動ＴＦＴ１４０１ａ、１４０１ｂと、ＥＬ素子１４０２ａ、１４０２ｂと、書込用スイッチ１４０３と、画素容量１４０４とを有する。ＥＬ素子１４０２ａ、１４０２ｂの第２の端子はカソード１４２６と接続し、駆動ＴＦＴ１４０１ａ、１４０１ｂのドレインはそれぞれＥＬ素子１４０２ａ、１４０２ｂの第１の端子と接続し、ソースはアノード１４２５と接続する。ＥＬ素子１４０２ａの第１の端子はさらに電流源１４０９と接続している。電流源は画素容量線１４２２と接続しているが、これに限らない。駆動ＴＦＴ１４０１ａ、１４０１ｂのゲートは画素容量１４０４の第１の端子と接続し、かつ書込用スイッチ１４０３を介して信号線１０２３と接続している。画素容量１４０４の第２の端子は画素容量線１４２２と接続している。書込用スイッチ１４０３は行選択線１０２４で制御する。
【００８８】
本実施例における画素１００６の動作について説明する。
【００８９】
行選択線１０２４により書込用スイッチ１４０３をＯＮする。このとき信号線１０２３にＥＬ素子１４０２ａ、１４０２ｂの発光輝度に見合う電圧Ｖｓｉｇｎａｌを印加する。画素容量１４０４の第１の端子がＶｓｉｇｎａｌに達した後、行選択線１０２４により書込用スイッチ１４０３をＯＦＦする。以上の動作により駆動ＴＦＴ１４０１ａ、１４０１ｂのゲートにはＶｓｉｇｎａｌが印加される。
【００９０】
以上の動作により、ＥＬ素子１４０２ａ、１４０２ｂは発光する。ここで駆動ＴＦＴ１４０１ａと駆動ＴＦＴ１４０１ｂの特性が異なり、かつ駆動ＴＦＴ１４０１ａのドレインに接続した電流源１４０９によりＥＬ素子１４０２ａへの電流供給が減るため、実施形態３で示した特徴を持つ表示装置とすることができる。
【００９１】
また、比較的単純な方法で駆動ＴＦＴ１４０１ａと駆動ＴＦＴ１４０１ｂを高階調と低階調で使い分けることができる。
【００９２】
電流源１４０９はＴＦＴを使うことで容易に実現できる。ＴＦＴのＶｇｓを飽和領域で動作するように設定することで、駆動ＴＦＴ１４０１ａのドレイン電圧に関わりなく電流を減らすことができる。また、駆動ＴＦＴ１４０１ａの供給電流が少ないとドレイン電圧が低下し、電流源１４０９のＴＦＴは線形領域で動作するようになり減らす電流値も少なくなる。
【００９３】
実施例２から３において、容量線とアノードは共通にしてもよい。また実施例１から３において、駆動ＴＦＴを３つ以上使ってもよい。
【００９４】
［実施例４］
本発明の表示装置には様々な用途がある。本実施例では、本発明の適用が可能な電子機器の例について説明する。
【００９５】
このような電子機器には、携帯情報端末（電子手帳、モバイルコンピュータ、携帯電話等）、ビデオカメラ、デジタルカメラ、パーソナルコンピュータ、テレビ等が挙げられる。それらの一例を図７に示す。
【００９６】
図１５（Ａ）はＥＬディスプレイであり、筐体３３０１、支持台３３０２、表示部３３０３等を含む。本発明の表示装置は表示部３３０３にて用いることが出来る。
【００９７】
図１５（Ｂ）はビデオカメラであり、本体３３１１、表示部３３１２、音声入力部３３１３、操作スイッチ３３１４、バッテリー３３１５、受像部３３１６等を含む。本発明の表示装置は表示部３３１２にて用いることが出来る。
【００９８】
図１５（Ｃ）はパーソナルコンピュータであり、本体３３２１、筐体３３２２、表示部３３２３、キーボード３３２４等を含む。本発明の表示装置は表示部３３２３にて用いることが出来る。
【００９９】
図１５（Ｄ）は携帯情報端末であり、本体３３３１、スタイラス３３３２、表示部３３３３、操作ボタン３３３４、外部インターフェイス３３３５等を含む。本発明の表示装置は表示部３３３３にて用いることが出来る。
【０１００】
図１５（Ｅ）は携帯電話であり、本体３４０１、音声出力部３４０２、音声入力部３４０３、表示部３４０４、操作スイッチ３４０５、アンテナ３４０６を含む。本発明の表示装置は表示部３４０４にて用いることが出来る。
【０１０１】
図１５（Ｆ）はデジタルカメラであり、本体３５０１、表示部（Ａ）３５０２、接眼部３５０３、操作スイッチ３５０４、表示部（Ｂ）３５０５、バッテリー３５０６を含む。本発明の表示装置は、表示部（Ａ）３５０２、表示部（Ｂ）３５０５にて用いることが出来る。
【０１０２】
以上の様に、本発明の適用範囲は極めて広く、あらゆる分野の電子機器に用いることが可能である。
【発明の効果】
本発明によると、特性の異なる駆動ＴＦＴを複数使うことで、ＥＬ素子の劣化の影響が少なく、低電圧で動作可能であり、しかも駆動ＴＦＴのばらつきの影響を少なくすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】ＥＬ素子の発光方法を示す図。
【図２】図１の特性を示す負荷曲線図。
【図３】図１の特性を示す負荷曲線図。
【図４】本発明の表示装置の構成を示す図。
【図５】駆動ＴＦＴの特性を示す図。
【図６】本発明の表示装置の動作を示す図。
【図７】本発明の表示装置の動作を示す負荷曲線図。
【図８】本発明の表示装置の動作を示す図。
【図９】本発明の表示装置の動作を示す図。
【図１０】本発明の実施例を示す図。
【図１１】本発明の実施例を示す図。
【図１２】本発明の実施例を示す図。
【図１３】本発明の実施例を示す図。
【図１４】本発明の実施例を示す図。
【図１５】本発明が適用可能な電子機器の例を示す図。
【図１】
2004341368.tif 000008
【図２】
2004341368.tif 000009
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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