(57)【要約】【課題】半導体装置を構成する層間絶縁膜として利用する際、有機高分子膜の実効的な比誘電率の更なる低減が可能な有機高分子膜の作製方法を提供することにある。より具体的には、二種以上の原料モノマーを原料とし、それを気相より供給して、表面上で共重合して複数の有機モノマーの骨格に含む共重合高分子膜を製する方法を提供すること。【解決手段】気化させた複数の有機モノマーを、反応室１内に生成されたプラズマを介して、加熱した基板５の表面に吹き付け、複数の有機モノマーを骨格に含む共重合高分子膜を成膜させる。さらには、成膜時に原料として供給する複数の有機モノマー相互の比率を制御することで、得られる共重合高分子を構成する各有機モノマー由来の骨格ユニットの比率を広い範囲で制御可能であることを見出した。その結果、嵩密度の低くすることができ、比誘電率の小さな層間絶縁膜１３を成長させることが可能となる。【選択図】　　　図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
共重合高分子膜を気相成長法により作製する方法であって、前記共重合高分子膜は、少なくとも２種類以上の有機モノマーを骨格とする共重合高分子により構成され、前記有機モノマーは、少なくともある１種のモノマーは複数種類の重合反応部位を持ち、かつ少なくとも他の１種のモノマーは１種類しか重合反応部位を持たないものであり、原料として、前記少なくとも２種類以上の有機モノマー分子の蒸気を含む混合ガスを減圧下の反応室に供給する工程と、供給される前記混合ガスを、前記反応室内に設置する、加熱されている下地面上に吹き付ける工程と、加熱されている前記下地面上において、吹き付けられた前記混合ガス中に含有される少なくとも２種類以上の有機モノマー分子の重合反応を起こし、共重合高分子膜の成長を行う工程とを、少なくとも有することを特徴とする共重合高分子膜の作製方法。
【請求項２】
請求項１に記載の共重合高分子膜の作製方法において、前記混合ガスを減圧下の反応室に供給する工程と、前記加熱されている下地面上に吹き付ける工程との間に、更に、前記減圧下の反応室内において、前記混合ガスを反応室内に生成されているプラズマ中を通過させる過程を設けることを特徴とする共重合高分子膜の作製方法。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の共重合高分子膜の作製方法において、原料として利用する、前記２種類以上有機モノマーのうち、少なくとも、その二つは、下記化１式（（Ｉ）式）で示されるビニル基とシクロブテン基からなる２種類の重合反応部位を有するジビニルシロキサンビスベンゾシクロブテン　モノマーと、下記化２式（（ＩＩ）式）で示されるビニル基からなる１種類の重合反応部位を有するジビニルベンゼン　モノマーであることを特徴とする共重合高分子膜の作製方法。
【化１】
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【化２】
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【請求項４】
請求項１又は２に記載の共重合高分子膜の作製方法において、原料として利用する、前記２種類以上有機モノマーのうち、少なくとも、その二つは、下記化３式（（Ｉ）式））で示されるビニル基とシクロブテン基からなる２種類の重合反応部位を有するジビニルシロキサンビスベンゾシクロブテン　モノマーと、下記化４式（一般式（ＩＩＩ））で表されるビニル基からなる１種類の重合反応部位を有するジビニルベンゼン誘導体　モノマーであることを特徴とする共重合高分子膜の作製方法。
【化３】
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【化４】
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【請求項５】
請求項１乃至４の内のいずれか一つに記載の共重合高分子膜の作製方法において、原料として使用する、前記の少なくとも２種類以上の有機モノマーのうち、少なくとも１種の有機モノマーは、その分子内に、開環可能なシクロ環構造と、付加重合可能なエテン−１，２−ジイル（−ＣＨ＝ＣＨ−）構造とを有していることを特徴とする共重合高分子膜の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至５の内のいずれか一つに記載の共重合高分子膜の作製方法において、原料として使用する、前記の少なくとも２種類以上の有機モノマーのうち、少なくとも１種の有機モノマーは、その分子内に、シリコン原子を含んでいるものであり、また、少なくとも１種の有機モノマーは、その分子内に、シリコン原子を含んでいないものであることを特徴とする共重合高分子膜の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至６の内のいずれか一つに記載の共重合高分子膜の作製方法において、原料として使用する、前記の少なくとも２種類以上の有機モノマーのうち、少なくとも１種の有機モノマーは、その分子内に、シロキサン結合（Ｓｉ−Ｏ）構造を有していることを特徴とする共重合高分子膜の作製方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置を構成する絶縁膜として利用可能な共重合高分子膜の作製方法、前記形成方法で作製される共重合高分子膜、共重合高分子膜を利用する半導体装置に関し、より具体的には、二種以上の原料モノマーを原料とし、それを気相より供給して、表面上で共重合して共重合高分子膜を気相成長する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体集積回路の設計ルールは縮小を続けており、それに伴い、隣接する配線間の間隙も狭くなっている。その結果、配線間の寄生容量に起因する遅延も相対的に増し、この遅延よる高速動作性能の劣化が顕在化している。つまり、半導体集積回路において、配線信号遅延は配線ＣＲ時定数（Ｃ：配線容量、Ｒ：配線抵抗）に依存するが、配線幅の減少による配線抵抗の増大に加え、配線間隔の減少による配線間容量の増大も生じ、配線ＣＲ時定数が大幅に増すと、回路を構成するトランジスタのスイッチング速度の向上に対して、配線での信号伝達速度が十分に追従できない状態となることが懸念されている。従来、半導体集積回路の配線材料には、アルミ合金が主に使用されていたが、一層の高速な動作を目標とする、より集積度を増した集積回路では、配線幅の減少による配線抵抗の増大を回避するため、配線材料の低抵抗化を必要とし、現在、銅配線を使用している。
【０００３】
一方、配線間容量の増大を回避するために、配線間の絶縁膜として、従来から広く利用されているシリカ（ＳｉＯ２）系絶縁膜よりも、比誘電率の低い絶縁膜材料の採用が進められている。この半導体装置における配線間の絶縁膜として利用可能な、比誘電率の低い絶縁膜材料としては、フッ素添加シリカ（ＳｉＯＦ）やポーラスシリカ、さらには、有機高分子膜（有機絶縁膜）の利用が行われている。
【０００４】
例えば、フッ素添加シリカは、現在、既に一部の市販製品で使用されているものの、フッ素添加シリカ膜自身の一層の低誘電率化を図る目的で、含有されるフッ素濃度を高くすると、水分あるいは水素との反応によって生じるフッ化水素による配線金属の腐食が発生したり、あるいは、フッ素が脱離する結果、比誘電率が増大するといった新たな課題が生じる。加えて、半導体集積回路技術の更なる進歩により、配線絶縁膜に対する低誘電率化の要求は、既にフッ素添加シリカ（ＳｉＯＦ）膜で得られる３．３程度の比誘電率では、十分には応えられなくなってきている。すなわち、比誘電率が３以下と非常に小さな絶縁材料の利用が注目されている。この観点では、ポーラスシリカは、その比誘電率を２以下とすることも可能である点から、期待される材料の一つである。ただし、その構造上、微小空孔の中へ水分が凝縮すると、比誘電率が増大し、また、絶縁耐圧が低下したりすることもある。また、ポーラス構造ゆえ、機械的強度が弱く、化学的機械研磨（ＣＭＰ）や、ワイヤーボンディングといった工程において、その物理的ストレスに耐えられないといった課題を有することも少なくない。
【０００５】
現在、半導体集積回路上の多層配線間を絶縁する層間絶縁膜として利用する上で必要となる、耐熱性・耐吸湿性に優れた有機高分子膜の開発が急がれている。有機高分子膜において、優れた耐吸湿性を達成するためには、かかる有機高分子の構成ユニットとなる、有機モノマー中に親水基が含まれていないことが肝要である。また、有機高分子膜をその骨格たる有機モノマーの重合反応で形成する際、その重合反応中に水分子を生成させる脱水縮合反応を経ないことが望ましいとされている。ここで、有機モノマーとは、かかる有機モノマーを構成単位として重合反応によって、目的とする有機高分子（有機ポリマー）を形成する原料化合物を指す。
【０００６】
層間絶縁膜のような、機能性有機高分子膜の成膜方法として、原料の有機モノマーをスピンコーティングした後、その被膜層中で重合反応を起こさせ、高分子膜とするスピンコーティング法がある。このスピンコーティング法は、有機高分子膜の成膜に広く用いられている方法である。この方法では、スピンコーティングするため、有機モノマーは溶媒に溶解されており、被膜層を形成した後、成膜過程では、含まれる溶媒を蒸発・除去するとともに、残留する有機モノマーを加熱によりモノマー相互の重合反応を進行させる。最終的に、重合反応により、有機モノマーを構成単位とする、２次元あるいは３次元の網目構造膜や、高分子膜が形成される。形成される有機高分子自体は、絶縁性材料であり、有機絶縁膜として機能する。なお、このスピンコーティング法で作製される有機絶縁膜の組成、構造は、スピンコーティングに用いる有機溶剤中に溶解させている有機モノマー自体の構造、ならびに、複数種の有機モノマーの含有比率により決まる。
【０００７】
例えば、ＲＥＡＬ−ＴＩＭＥ　ＦＴ−ＩＲ　ＳＴＵＤＩＥＳ　ＯＦ　ＴＨＥ　ＲＥＡＣＴＩＯＮ　ＫＩＮＥＴＩＣＳ　ＦＯＲ　ＴＨＥ　ＰＯＬＹＭＥＲＩＺＡＴＩＯＮ　ＯＦ　ＤＩＶＩＮＹＬ　ＳＩＬＯＸＡＮＥ　ＢＩＳ　ＢＥＮＺＯＣＹＣＬＯ　ＢＵＴＥＮＥ　ＭＯＮＯＭＥＲＳ，Ｍａｔｅｒｉａｌ　Ｒｅｓｅａｒｃｈ　Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ　Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇ，　Ｖｏｌ．２２７　ｐ．１０３，１９９１）Ｔ．Ｍ．Ｓｔｏｋｉｃｈ，　Ｊｒ．，　Ｗ．Ｍ．Ｌｅｅ，　Ｒ．Ａ．Ｐｅｔｅｒｓ（以下、参考文献１と呼ぶ）には、ジビニルシロキサンビスベンゾシクロブテン　モノマーを溶媒メシチレンに溶解させた溶液をスピン塗布した後、１００℃でベークして、塗布被膜中の溶媒メシチレンを除去し、その後、さらに３００℃〜３５０℃まで加熱すると、原料モノマー分子中のベンゾシクロブテン骨格中の炭素四員環の熱開環重合反応で、下記化５式（式（ＩＶ））に示すジビニルシロキサンビスベンゾシクロブテン　モノマーを骨格とした３次元的分子鎖からなる有機高分子膜の成膜についての記述がなされている。
【０００８】
【化５】
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【０００９】
スピンコーティング法では、有機モノマーを有機溶媒に溶かし、この溶液をスピン塗布するので、このスピンコーティング塗布工程に用いる溶液の９０％程度は、基板外に飛ばされる。従って、出発原料の有機モノマーに関しては、その使用効率が低い方法である。それに伴い、出発原料の有機モノマーの製造コストに占める比率は、相対的に高いものとなる。
【００１０】
また、スピン塗布膜をベーク炉中で加熱して、まず有機溶媒を蒸発・除去した後、さらに高温で加熱して、有機モノマーの重合反応を起こして、目的の有機高分子膜を形成する際、ベーク炉内に酸素分子が存在すると、この酸素分子が有機モノマーの一部と反応を起こし、結果的に目的とする構造の有機高分子膜にはならない場合もある。この種の副次的反応を防止する上では、ベーク炉内に残留する酸素分子を予め除くため、全体を窒素ガスなど、不活性ガスで置換する必要があり、この作業は付加的な製造コストの要因となり、低コスト化を困難とする原因の一つともなる。
【００１１】
さらに、場合によっては、利用する有機溶媒中に溶け込んでいる溶存酸素が、有機モノマーとベーク時に反応を起こすことも想定され、この懸念を払拭するためには、溶液の調製、スピンコーティング工程を含めて、厳密な雰囲気制御が必要となる。スピンコーティング法を利用する際、その全ての工程において、厳密な雰囲気制御を行うことは困難である。その他、レジスト塗布と同様に、有機モノマーのスピン塗布は、有機溶媒を使用するため、クリーンな環境下、局所排気されたスピン塗布室で行うものの、その際、浮遊している微細な塵埃粒子や、飛散して、乾燥、固化した有機モノマーの微粒子などが、形成されるスピン塗布膜に混入することもある。レジストの場合、一連の工程が終了した時点では最終的には除去されるため、仮に、これら微粒子の混入があっても、半導体素子中に残ることはない。一方、層間絶縁膜などに利用される有機高分子膜では、これらの微粒子の周辺では、形成される有機高分子膜の微視的構造が異なり、例えば、長期間動作を継続する間に、局所的なリーク経路を形成し、耐圧特性を損なうなど、有機絶縁膜の膜質を劣化させる要因となる場合もある。勿論、スピン塗布の場合、大量の揮発性有機溶媒を使用するので、局所排気された環境下で作業し、有機溶媒蒸気の回収を図るものの、ごく微量の散逸が生じることも少なくなく、環境負荷が大きいといった本質的な課題も有している。
【００１２】
本発明者らは、特願平０９−１６４６８８号（特開平１１−０１７００６号公報）にて、気相成長法を利用する機能性有機高分子膜の成膜方法として、有機モノマーの蒸発法を提案している。この有機高分子膜の気相成長方法は、原料となる有機モノマーを蒸発させて、気相からモノマー分子を供給し、基板上においてモノマー分子相互の熱重合をおこなって、有機高分子膜を得る方法である。
【００１３】
図４はかかる直接気化させた有機モノマー原料蒸気を利用する有機高分子膜の気相成長方法に基づく成膜装置の概要を示す図である。
【００１４】
図４に示すように、タンク１０１中の有機モノマー１０２を減圧下で加熱して蒸発させる。一方、反応室１０３は、排気ポンプ１０４により減圧に保ちつつ、気化原料配管１０５を通して、蒸発した有機モノマー分子１０６を反応室１０３に送る。供給される有機モノマー分子１０６は、予め半導体集積回路を形成した半導体基板１０７の表面に吸着する。その際、半導体基板１０７は、基板加熱部１０８によって加熱されており、その温度において、熱エネルギーによって、有機モノマー分子相互の重合反応が進行し、架橋構造を形成し有機絶縁膜１１０が形成される。この特願平０９−１６４６８８号（特開平１１−０１７００６号公報）に記載される有機モノマーの蒸発法と称される有機高分子膜の成膜方法は、スピンコーティング法と異なり、有機溶媒を利用してなく、また、減圧反応室で成膜を行うため、雰囲気に酸素が存在していない。従って、スピンコーティング法で散見される、酸素分子との反応や、被膜中に残留している有機溶媒の気化に伴う気泡、ボイドの発生など膜質を低下させる要因を原理的に有していない点で優れていた。なお、重合度を増す、あるいは、重合反応速度を増す目的で基板温度を上げると、一旦吸着した有機モノマー分子の再離脱速度が増し、実効的な基板上への吸着速度が減少し、結果的に、目標とする成長速度の向上が達成されないといった技術な課題を残していた。
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】
本発明者らは、特願平１０−１７００１６号（特開２０００−０１２５３２号公報；以下、参考文献２と呼ぶ）において、前記の有機モノマーの蒸発法を更に発展させた、機能性有機高分子膜の成膜方法として、ＭＶＰ（Ｍｏｎｏｍｅｒ−ｖａｐｏｒ　Ｐｏｌｙｍｅｒｉｚａｔｉｏｎ）法を提案している。
【００１６】
このＭＶＰ方法においては、重合反応速度を増すことを目的として、高分子膜の骨格たる有機モノマーを直接気化させて、この有機モノマー蒸気を、キャリアガスを用いて輸送し、加えて、減圧反応室中に形成されているＨｅプラズマなどのプラズマを介して、加熱基板表面に吹き付けることで、基板表面に有機高分子膜を形成するものである。具体的には、前記Ｈｅプラズマなどのプラズマ環境を通過する際、原料有機モノマー分子は励起を受け、より反応性を増した状態となって、基板表面に到達する。予め励起がなされた有機モノマー分子は、比較的に僅かな熱エネルギーを加えるのみで、容易に重合反応を起こすので、基板温度が比較的に低くしても、目標とする重合速度の向上が達成できる利点を有している。
【００１７】
それに対して、通常のＣＶＤ法では、例えば、液体有機シリカソースであるＴＥＯＳ（テトラエチルオルソシリケイト：Ｓｉ（ＯＣＨ２ＣＨ３）４）を気化させて、その蒸気を原料として減圧された反応室内でシリコン酸化膜を作製する際、反応室内において、別配管径路より供給されるオゾンや酸素と気相中で化学反応を行わせて、基板表面にＳｉＯ２膜を成膜する。すなわち、出発原料（ＴＥＯＳ）の化学構造は、反応の結果失われ、その原料分子中の構造を全く留めない別種の構造を有する膜（ＳｉＯ２）が成膜する。
【００１８】
一方、参考文献２に開示するＭＶＰ法では、気相輸送された有機モノマー自体が基板上で重合反応を起こすため、基板上に形成される膜は、出発原料の有機モノマーの構造を骨格とした膜であり、その膜厚は、供給される有機モノマー量を制御するのみで、高い再現性で、高精度に制御できるという顕著な効果を奏するのである。従来のＣＶＤ法と区別するため、特願平１０−１７００１６号（特開２０００−０１２５３２号公報）に記載する、プラズマによる重合反応の促進を行う有機高分子膜の成膜方法を、特に、プラズマ重合法と呼ぶ。例えば、原料の有機モノマーとして、ジビニルシロキサンビスベンゾシクロブテン（ＤＶＳ−ＢＣＢ）モノマーを用い、このプラズマ重合法により得られた有機高分子膜では、比誘電率２．５〜２．７のものが得られているが、さらに低い誘電率を達成することは、このＤＶＳ−ＢＣＢモノマーから得られるプラズマ重合膜では困難であった。
【００１９】
すなわち、さらに低い誘電率を達成する上では、得られる有機高分子膜の嵩密度を小さくすることが有効な手段であるが、前記のＤＶＳ−ＢＣＢから得られるプラズマ重合膜では、それ以上に嵩密度を小さくすることは困難であり、有機高分子膜中に、更に立体障害基を有する有機骨格を導入することが必要であった。
【００２０】
本発明は、前記の課題を解決するもので、本発明の目的は、有機高分子膜を半導体装置を構成する層間絶縁膜として利用する際、有機高分子膜全体の実効的な比誘電率の更なる低減が可能な有機高分子膜の作製方法を提供することにある。
【００２１】
より具体的には、本発明の目的は、その成膜方法において、上記のＭＶＰ法、なかでも、プラズマ重合法の原理を活用しつつ、複数の有機モノマーを原料として、複数の有機モノマーの骨格に含む共重合高分子膜を作製する方法を提供することにある。
【００２２】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、上記の課題を解決すべく、検討を重ねた結果、有機高分子膜を気相成長法、例えば、上記のＭＶＰ法、なかでも、プラズマ重合法の原理を活用して作製する際、用いる原料として、複数の有機モノマーを利用することで、その複数の有機モノマーが共重合してなる共重合高分子膜を作製でき、加えて、その際、原料として供給する複数の有機モノマー相互の比率を制御することで、得られる共重合高分子を構成する各有機モノマー由来の骨格ユニットの比率を広い範囲で制御可能であることを見出した。かつかかる有機モノマーの構造を特定することで、より具体的には反応部位の数を、少なくともある１種の有機モノマーは重合反応部位を複数種有し、かつ少なくとも他の１種の有機モノマーは重合反応部位を１種類しか持たないものにすることで、反応の種類を制限し、共重合後の構造を特定化し、さらには共重合後のポリマー構造から不規則性の要素を低減することが可能となる。かかる知見に加えて、有機高分子膜全体の実効的な比誘電率の更なる低減が可能な有機高分子膜の作製が、高い再現性、操作性、加えて、より広範囲な利用形態に対応できることを、本発明者らは確認して、本発明を完成するに至った。
【００２３】
本発明では、少なくともある１種の有機モノマーは重合反応部位を複数種有し、かつ少なくとも他の１種の有機モノマーは重合反応部位を１種類しか持たないものにすること、すなわち、本発明の共重合高分子膜の作製方法は、共重合高分子膜を気相成長法により作製する方法であって、前記共重合高分子膜は、少なくとも２種類以上の有機モノマーを骨格とする共重合高分子により構成され、前記有機モノマーは反応部位が少なくともある１種のモノマーは複数種類の重合反応部位を持ち、かつ少なくとも１種のモノマーは１種類しか重合反応部位をしか持たないものであり、原料として、前記少なくとも２種類以上の有機モノマー分子の蒸気を含む混合ガスを減圧下の反応室に供給する工程と、供給される前記混合ガスを、前記反応室内に設置する、加熱されている下地面上に吹き付ける工程と、加熱されている前記下地面上において、吹き付けられた前記混合ガス中に含有される少なくとも２種類以上の有機モノマー分子の重合反応を起こし、共重合高分子膜の成長を行う工程とを少なくとも有することを特徴とする共重合高分子膜の作製方法である。
【００２４】
その際、前記混合ガスを減圧下の反応室に供給する工程と、前記加熱されている下地面上に吹き付ける工程との間に、前記減圧下の反応室内において、前記混合ガスを反応室内に生成されているプラズマ中を通過させる過程を設けることを特徴とする共重合高分子膜の作製方法とすることもできる。
【００２５】
上記の構成を有する本発明の共重合高分子膜の作製方法は、例えば、原料として利用する、前記２種類以上有機モノマーのうち、少なくとも、その二つは、下記化６式（式（Ｉ））で示されるビニル基とシクロブテン基からなる２種類の重合反応部位を有するジビニルシロキサンビスベンゾシクロブテン　モノマーと、下記化７式（式（ＩＩ））で示されるビニル基からなる１種類の重合反応部位を有するジビニルベンゼン　モノマーであることを特徴とする共重合高分子膜の作製方法とするとができる。
【００２６】
【化６】
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【００２７】
【化７】
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【００２８】
また、例えば原料として使用する、前記２種類以上有機モノマーのうち、少なくとも、その二つは、下記化８式（式（Ｉ））で示されるビニル基とシクロブテン基からなる２種類の重合反応部位を有するジビニルシロキサンビスベンゾシクロブテン　モノマーと、下記化９式（一般式（ＩＩＩ））で表されるビニル基からなる１種類の重合反応部位を有するジビニルベンゼン誘導体　モノマーであることを特徴とする共重合高分子膜の作製方法とすることもできる。
【００２９】
【化８】
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【００３０】
【化９】
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【００３１】
さらには、例えば、原料として使用する、前記の少なくとも２種類以上の有機モノマーのうち、少なくとも１種の有機モノマーは、その分子内に、開環可能なシクロ環構造と、付加重合可能なエテン−１，２−ジイル（−ＣＨ＝ＣＨ−）構造とを有していることを特徴とする共重合高分子膜の作製方法とすることができる。
【００３２】
あるいは、原料として使用する、前記の少なくとも２種類以上の有機モノマーのうち、少なくとも１種の有機モノマーは、その分子内に、シリコン原子を含んでいるものであり、また、少なくとも１種の有機モノマーは、その分子内に、シリコン原子を含んでいないものであることを特徴とする共重合高分子膜の作製方法とすることができる。同様に、例えば、原料として使用する、前記の少なくとも２種類以上の有機モノマーのうち、少なくとも１種の有機モノマーは、その分子内に、シロキサン結合（Ｓｉ−Ｏ）構造を有していることを特徴とする共重合高分子膜の作製方法とすることができる。
【００３３】
【発明の実施の形態】
まず、本発明においては、有機絶縁膜として利用可能な有機高分子膜を、例えば、上でその原理を説明したＭＶＰ法、なかでも、プラズマ重合法などの手段を更に発展させた気相成長法を利用して作製する際、重合反応が可能な原料として、複数の有機モノマーを用いることにより、複数のモノマーに由来する骨格ユニットを含む高分子構造の採用が可能となり、従来単一種の原料モノマーを用いていた際には到底達成することができなかった、幅広い機能性を有する有機高分子膜を得ることが可能となった。単一のモノマーを利用した場合に対して、構造的に低密度化を促進する有機モノマーユニットの導入により嵩密度を１０％〜６５％程度低減させることが可能となる。従って、共重合高分子膜全体として実効的な誘電率を大幅に低減させることが可能となる。
【００３４】
以下に、本発明をより詳細に図１を用いて説明する。
【００３５】
図１は、本発明の方法を実施する際に利用される成長装置の一例の概要を模式的に示す図である。図１を参照すると、成長装置１０において、反応室１は、真空ポンプ２により減圧されており、反応室１の内部には基板加熱部３が設けられる。共重合高分子膜をその上に作製する下地として、半導体基板５が基板加熱部３上に固定される。原料とする、有機モノマーＡと有機モノマーＢは、それぞれ気化供給システム６、７内において気化され、その蒸気はキャリアガスとともに気化原料供給配管８Ａ、８Ｂ、バルブ９Ａ、９Ｂを介して、合流して反応室１へ供給される。気化原料供給配管８Ａ，８Ｂ合流部分には、クリーニングガス４５を供給するための気体流量制御器４３とバルブ１７を備えた供給管が接続されている。
【００３６】
反応室１には、排気バルブ３６を備えた排気配管１５が設けられ、この排気配管１５は、冷却トラップ１４を介して真空ポンプ２に接続されている。
【００３７】
また、排気配管１５には，廃液Ａ，Ｂを流入する廃液配管３７が設けれている。
【００３８】
反応室１に達するまで、気化原料供給配管８Ａ、８Ｂの管壁は、備えられているヒータ１１により加熱され、配管８Ａ，８Ｂ内を夫々通過する有機モノマーＡ、有機モノマーＢの分圧が、その配管壁の温度における各平衡蒸気圧よりも、常に低くなる温度に維持されている。それぞれキャリアガスとともに輸送された有機モノマーＡと有機モノマーＢの蒸気は、反応室１内のシャワーヘッド１２へ供給されて混合された後、基板５の表面に吹き付けられる。一方、シャワーヘッド１２と基板加熱部３との間には、ＲＦ電源１４からマッチングボックス４１及びＲＦケーブルを介してＲＦ電力が印加され、プラズマが誘起されている。尚、符号３８及び３９は夫々アース線である。
【００３９】
従って、有機モノマーＡと有機モノマーＢの分子は、ともに、発生しているプラズマ空間を通過する際、励起を受け、活性化がなされた状態で基板表面に到達する。その後、基板加熱部３により加熱されている基板５の表面に吸着し、予め活性化がなされている有機モノマーＡと有機モノマーＢの分子は、さらに熱エネルギーが付与される結果、速やかに共重合反応を起こし、半導体基板５表面上に共重合高分子絶縁膜１３が成長する。
【００４０】
なお、活性化がなされている有機モノマーＡと有機モノマーＢの分子の一部は、基板表面に付着した後、再離脱するものがある。この「再離脱」の確率は、熱的過程だけを用いる場合（「ＭＶＰ法」）おいては、より顕著になり、複数のモノマーを用いる際、各モノマーの再離脱確率が異なるため共重合高分子内おける含有比率の制御は、必ずしも容易ではない。
【００４１】
しかしながら、「プラズマ重合法」では予め活性化がなされている有機モノマーＡと有機モノマーＢの分子が吸着するため速やかに共重合反応を起こす。この観点から「プラズマ重合法」を応用することがより望ましい。
【００４２】
さらに、実際にはプラズマ中で一部のモノマーが重合し、ダイマーやトリマーとして基板の表面に吸着するものがある。この場合、モビリティの大きい高真空中で有機モノマーＡと有機マノマーＢとの混合が生じるので、有機モノマーＡと有機モノマーＢとが均一に配合された共重合高分子絶縁膜が得られる。
【００４３】
特に、平衡蒸気圧（飽和蒸気圧）が桁違いに異なる複数のモノマーを用いる際には、プラズマ中で一部共重合反応を生じさせてダイマーやトリマーを積極的に形成させれば、各モノマーの平衡蒸気圧（飽和蒸気圧）の３桁に程度の差違があっても、実用上の問題が無い。この観点からも「プラズマ重合法」を応用することが望ましい。
【００４４】
なお、利用される有機モノマー複数種は、基板５の表面に混合ガスとして吹き付けるが、その際、基板表面のいずれの部分でも、吹き付けられる混合ガス中に含有される有機モノマー複数種の比率は同じとすることが必要である。その均一混合は、上記のように、反応室１内に設けるシャワーヘッド１２における混合など、反応室１内において均一混合を行うこともでき、また、反応室１内に導入されるまでに、その流路途中で、予め均一混合を終えた後、反応室１内に導入することもできる。この流路途中で、予め均一混合を行う手段としては、図１に示す配管流路を合流させる方法の他、ミキシングチャンバーを設け、そのチャンバー内にガスが滞留する間に混合を果す方法を採用することもできる。
【００４５】
なお、未反応の原料モノマーは、反応室１が真空ポンプ２により減圧されており、また、その壁面も気化原料供給配管８Ａ、８Ｂと同様に保温されているので、壁面上に付着・凝集することなく、気体状態のまま、ヒータ１１により加熱されている配管排気配管１５を経て冷却トラップ１６へ到達する。冷却トラップ１６内では、トラップ面の温度が十分に低いため、気体状の原料モノマーＡ、Ｂはともに、そのトラップ面上に凝集し、冷却トラップ１６内で液化あるいは固化を起こす。その結果、未反応の原料モノマーは、冷却トラップ１６内で回収・除去され、排気ポンプ２には、原料モノマーが除去されたキャリアガス、プラズマ生成に利用されたガスのみが送られる。
【００４６】
図２は、本発明に利用する有機モノマーが液体である際、液体状の有機モノマーを気化し、キャリアガスとともに供給する気化供給システムの構成を模式的に示す図である。図２を参照すると、有機モノマーＡ用のタンク２１Ａから、気化制御器において気化され、反応室へ供給される直前までを示す。なお、以下の説明では単量体である有機モノマーを例に説明するが、二量体である有機オリゴマーでも、その原理は同様である。
【００４７】
有機モノマーＡ　２２Ａは、バルブ２３Ａ、液体流量指示器Ａ　２４Ａ、バルブ２５Ａを介して気化制御器Ａ　２６Ａに供給される。さらに、有機モノマーＡ用液体流量指示器２４Ａからフィードバック制御されている気化制御バルブＡ　２７Ａと気化制御機Ａ　２６Ａ内バルブ２８Ａを介し、気化室Ａ　２９Ａに供給される。
【００４８】
一方、キャリアガスＡ　３１Ａは、気体流量制御器３４Ａを通り、遺留バルブ３２Ａを経て，気化制御器２６Ａへ供給される。したがって、気化室Ａ　２９Ａの直前で液体原料モノマーＡ　２２ＡとキャリアガスＡ　３１Ａは混合される。キャリアガスＡ　３１Ａと混合状態で気化室Ａ　２９Ａへ供給される液体原料モノマーＡ　２２Ａは、ヒータ３３Ａにより受ける熱エネルギーにより加熱され、また、気化室２９Ａは減圧されているので、連続的に気化する。すなわち、気化熱として消費される熱エネルギー、ならびに、急激な圧力減少によるキャリアガスの体積膨張による冷却作用は、ヒータ３３Ａによる加熱で供給される熱エネルギーにより補完がなされている。従って、気化された原料モノマーＡは、そのガス温度は上昇された上で、ヒータ１１で保温されている気化原料供給配管８Ａ、バルブ９Ａを介して反応室１へ供給される。
【００４９】
尚、洗浄溶剤Ａ　５１を蓄える洗浄溶剤Ａタンク５２Ａから、バルブ４７Ａを介して、液体流量指示器５４Ａ又はバルブ４８Ａを介して液体流量指示器２４Ａから気化制御器２６Ａ内へ、洗浄溶剤を送ことができ、また、有機モノマーＡ用液体指示器２９Ａから、弁５５Ａ及び配管５６Ａを介して排気Ａとして回収することもできる。
【００５０】
図３は、本発明に利用する有機モノマーが固体である際、有機モノマー蒸気を発生させ、供給するシステム（気化供給システム）の構成を模式的に示す図である。図３を参照すると、キャリアガス３１Ｂが供給される有機モノマーＢタンク２１Ｂから、反応室への供給に利用される気化原料供給配管８Ｂまでを示す。なお、以下の説明では、単量体である有機モノマーを例に説明するが、二量体である有機オリゴマーでも、その原理は同様である。
【００５１】
キャリアガスＢ　３１Ｂは、気体流量制御器３４Ｂにおいて流量を制御されながら、バルブ３２Ｂを介して有機モノマーＢタンク　２１Ｂへ供給される。有機モノマーＢタンク　２１Ｂは、一定温度に加熱されている。この温度は、有機モノマーＢ　２２Ｂが溶融状態から気化して、あるいは固相状態から昇華して、十分な飽和蒸気圧が得られる温度に選択される。気化したモノマーＢ蒸気は、供給されるキャリアガスＢ　３１Ｂに混合され、バルブ２３Ｂ、気体流量指示器Ｂ　３４Ｂ、バルブ２５Ｂを介して、気化原料供給配管８Ｂへ供給される。さらに、バルブ３５Ｂを介して反応室１へと供給される。その際、有機モノマーＢタンク２１Ｂ内では、キャリアガスＢ　３１Ｂ中に含まれる有機モノマーＢ気体分子の分圧は、その温度における平衡蒸気圧（飽和蒸気圧）と実質的に等しくなり、単位時間当たりの有機モノマーＢ　２２Ｂの供給量は、キャリアガスＢ　３１Ｂ流量により決定される。尚、気化原料供給配管８Ｂには、弁５５Ｂが設けられた配管５６Ｂが設けられており、ここからは排気Ｂとして排気される。
【００５２】
以上のように、原料に用いる有機モノマーは、常温で液体でも、固体であっても、それに応じて、適切な気化供給システムを選択することで、反応室へ、気体状態の有機モノマーを、目的とする供給量に速やかに変化させつつ、供給することが可能である。なお、仮に、常温で既に気体状態となっている有機モノマーを利用できる場合には、通常の気体原料ガスと同様の供給形態をとればよい。
【００５３】
なお、本発明において、有機モノマーの供給に用いられるキャリアガスには、ヘリウムガス、アルゴンガス、ネオンガス等、混入する有機モノマーに対して不活性なガスを適宜使用することができる。
【００５４】
本発明の共重合高分子膜の作製方法においては、利用される有機モノマーのうち、重合反応部位を複数種類の反応部位を持つモノマーは、その重合反応に関与する活性構造として、開環可能なシクロ環構造と、ビニレン基などの付加重合可能なエテン−１，２−ジイル（−ＣＨ＝ＣＨ−）構造とを有している場合は、その間で重合反応を起こし、単独の有機モノマー間でも容易に重合反応を行え、適するものの一つである。その他、半導体装置内で使用する絶縁膜に応用する上では、作製される共重合高分子膜は、他の半導体材料に対する密着性を有するものであることが望ましく、かかる密着性を付与する構造、例えば、シリコン原子を含む構造、より具体的には、シロキサン結合（Ｓｉ−Ｏ）の構造を有することが望ましい。その観点では、利用される有機モノマーのいすれかに、その分子内にシリコン原子を含むもの、あるいは、シロキサン結合（Ｓｉ−Ｏ）の構造を有するものを利用することで、作製される共重合高分子膜に、密着性を付与する構造を導入することが可能となる。
【００５５】
次に本発明の具体例について説明する。なお、これら具体例は、本発明の最良の実施の形態の一例ではあるものの、本発明はこれらの具体例により限定を受けるものではない。
【００５６】
（第１の例）
以下、有機モノマーＡに式（Ｉ）のＤＶＳ−ＢＣＢモノマー（ジビニルシロキサンビスベンゾシクロブテンモノマー）を用い、有機モノマーＢに式（ＩＩ）のＤＶＢモノマー（ジビニルベンゼンモノマー）を用い、これらの気化混合ガスから、ＤＶＳ−ＢＣＢガスとＤＶＢガスの共重合高分子膜成膜にいたる一連のプロセスを説明する。
【００５７】
ＤＶＳ−ＢＣＢモノマーには、重合反応に関与する構造として、ベンベンゾシクロブテン基とエテン−１，２−ジイル基（−ＣＨ＝ＣＨ−；ビニレン基）の２種類が含まれている。またＤＶＢモノマーには、重合反応に関与する構造として、ベンゾシクロブテン基とエテン−１，２−ジイル基（−ＣＨ＝ＣＨ−；ビニレン基）のみが含まれている。その重合過程は下記の経路で進行すると考えられる。まず、下記化１０式（式（Ｖ））に示す反応が起こり、ベンゾシクロブテン基の炭素４員環が開環して、隣接する２つのアルキリデン構造（ＣＨ２＝）が形成する。
【００５８】
【化１０】
2004031582.tif 000008
【００５９】
次いで、隣接する２つのアルキリデン構造（ＣＨ２＝）となった開環部と、エテン−１，２−ジイル基（−ＣＨ＝ＣＨ−）との反応により、６員環構造が形成され、下記化１１式（式（ＶＩ））に示す重合反応が進行する。
【００６０】
【化１１】
2004031582.tif 000009
【００６１】
なお、ＤＶＳ−ＢＣＢモノマーは、その分子内にベンゾシクロブテン基およびエテン−１，２−ジイル基（−ＣＨ＝ＣＨ−；ビニレン基）の２種類の重合反応部位を有しているため、単独で用いた際にも、そのモノマーを骨格とするホモ高分子膜、すなわち、ＤＶＳ−ＢＣＢポリマー膜が成長する。なお、ＤＶＳ−ＢＣＢモノマーの分子内には、シロキサン結合（Ｓｉ−Ｏ）を有する構造が含まれており、一方、ＤＶＢモノマーには、かかる構造は存在していない。このシロキサン構造は、重合反応後にも、保持されており、また、半導体材料表面に作用して、密着性に大きな貢献をしめす。
【００６２】
前記のベンゾシクロブテン基とビニレン構造との間で起こる、開環・付加の反応は、加熱のみでも生じるが、予めプラズマエネルギーにより、例えば、ベンゾシクロブテン基部分を励起した状態とすると、少ない熱的エネルギーを加えるのみで、その反応を進行させることが可能となる。従って、これらＤＶＳ−ＢＣＢモノマーガスとＤＶＢモノマーガスとの混合ガスを、基板に吹き付ける直前に、プラズマ中を通過させ、プラズマエネルギーによって活性化を行うことで、加熱されている基板上に達した際、その熱的エネルギーによって、ベンゾシクロブテン基の開環反応と、それに続く、ビニレン構造との付加的環形成反応は速やかに進行して、下記化１２式（式（ＶＩＩ））で示されるような、網目構造をとるＤＶＳ−ＢＣＢとＤＶＢとを骨格とする共重合高分子膜（ＤＶＳ−ＢＣＢ／ＤＶＢ共重合高分子膜）が形成される。
【００６３】
【化１２】
2004031582.tif 000010
【００６４】
ここで、ＤＶＢには異性体、具体的にはビニル基からなる１種類の重合反応部位がメタ配位の次の化１３式で示されるｍ−ＤＶＢやビニル基からなる１種類の重合反応部位がパラ配位の次の化１４式で示されるｐ−ＤＶＢが存在するがここではｍ−ＤＶＢモノマーを用いて共重合高分子膜を形成した場合について示した。
【００６５】
【化１３】
2004031582.tif 000011
【００６６】
【化１４】
2004031582.tif 000012
【００６７】
ｐ−ＤＶＢを用いた場合、下記化１５式（式（ＶＩＩＩ））で示されるような、網目構造をとるＤＶＳ−ＢＣＢとｐ−ＤＶＢとを骨格とする共重合高分子膜（ＤＶＳ−ＢＣＢ／ｐ−ＤＶＢ共重合高分子膜）が形成される。
【００６８】
【化１５】
2004031582.tif 000013
【００６９】
なお、図中には未開環のシクロブテン環が複数存在しているが、実際には十分な共重合反応が生じ未反応のシクロブテン環はＦＴＩＲスペクトルで確認できない程度である。さらに、下記化１６式及び化１７式に示すようにシロキサン基中のＳｉ−ＣＨ３結合がＳｉ−Ｈ結合に置換されたり、ベンゼン環の一部が開環した構造も認められる場合もある。実際には、プラズマによる活性化過程でシクロブテン環の開環とビニレン基の付加・挿入以外の反応も生じており、これらの反応と並行してプラズマによる活性化と基板加熱による熱的な過程による共重合反応が進行しているものと考えられる。
【００７０】
【化１６】
2004031582.tif 000014
【００７１】
【化１７】
2004031582.tif 000015
【００７２】
この反応の特徴は、原料モノマー以外の分子が重合反応に関与せず、また重合反応による副生成物が形成されないことにある。ＤＶＳ−ＢＣＢモノマーとＤＶＢモノマーはともに、気相中で予め混合されるため、基板面上に吸着した後の表面拡散速度も大きく、ほぼ、理想的に両者が混合された共重合高分子膜が得られる。なお、得られるＤＶＳ−ＢＣＢ／ＤＶＢ共重合高分子膜は、ＤＶＳ−ＢＣＢモノマーガスとＤＶＢモノマーガスのモル供給量が等しい際には、ＤＶＳ−ＢＣＢモノマーのみから得られるホモ高分子膜と比較して、シロキサン構造（−Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ−）の含有密度は半分となる。このシロキサン構造は、例えば、下地のシリカ膜との密着性や高分子膜の機械強度の向上には適しているものの、それ自体、シリコン原子と酸素原子を含むため、その分極率は大きく、誘電率の低減を阻む要因となる。
【００７３】
例えば、プラズマ重合ＤＶＳ−ＢＣＢ高分子膜の比誘電率（ｋ）が２．６であるのに対し、ＤＶＳ−ＢＣＢ／ＤＶＢ共重合高分子膜（６６％：３３％）ではｋ＝２．２〜２．０となる。上記式（ＶＩＩＩ）の構造からＤＶＳ−ＢＣＢ／ｐ−ＤＶＢ共重合高分子膜の分子体積を分子体積計算プログラム（Ｔｉｎｋｅｒ）によりシミュレーションし、その密度を計算した場合、ＤＶＳ−ＢＣＢ単体の重合膜に比べて、密度が約２０％低減すると見積もられた。これは単純にＤＶＳ−ＢＣＢのみの重合膜に空隙が２０％導入されたとした場合、ほぼ合致した値となっている。
【００７４】
次に、本発明の共重合高分子膜の製造について、ＤＶＳ−ＢＣＢモノマーガスとＤＶＢモノマーガスを用いた共重合高分子膜成膜プロセスを、図１にしめす共重合高分子膜の成長装置を用いる場合を例にとり、詳しく説明する。尚、以下の図１乃至図３を用いた説明において、有機モノマーＡ及びＢの両方に用いられている部材は、符号からＡ，Ｂを除いた数字で示す。
【００７５】
ここで、有機モノマーＡに、ジビニルシロキサンビスベンゾシクロブテンモノマー（ＤＶＳ−ＢＣＢモノマー）を用い、有機モノマーＢに、ジビニルベンゼン（ＤＶＢ）モノマーを用いた場合について示す。キャリアガス３１、パージガスおよび圧力送出ガス５３は、いずれもヘリウム（Ｈｅ）である。反応室内のクリーニングに利用するクリーニングガス４５は、ＮＦ３、あるいはＳＦ６と酸素あるいはオゾンの混合気体である。また、ＣＦ４やＣ２Ｆ６といったフルオロカーボンガスと酸素あるいはオゾンの混合気体を用いてもよい。有機モノマーの気化に関しては、ここではＤＶＳ−ＢＣＢモノマーのみを詳細に説明する。
【００７６】
まず、共重合高分子膜の成長装置（図１）の気化制御器の初期状態では、気化制御器２６内のバルブ２８、バルブ３５およびバルブ３６を通じるようにし、排気ポンプ２で、反応室１、排気配管１５、廃液配管３７、気化室２９、気化原料供給配管８を真空引きする。気化温度は、有機モノマーの必要供給量を確保するために必要な温度が望ましいが、気化させる有機モノマーを気化室へ供給する配管部において、有機モノマー自体の分解や重合等の変質、それに起因する配管の閉塞等を伴わない温度であることが必要である。また、ヒータ１１により加熱される気化原料供給配管８などの配管部材は、それらの加熱温度に耐えられるものとすること、あるいは、加熱温度を用いる配管部材の耐熱温度範囲に設定すること可能な条件を選択することが必要である。また、加熱されている配管の温度は、配管各所に設置された熱電対によりモニターし、常に設定温度となるよう配管加熱ヒータの出力を制御する。
【００７７】
図２に示す、気化供給システムのバルブ３２を開放し、キャリアガス供給配管３７よりキャリアガス（Ｈｅ）３１を気体流量制御器３４を介して気化制御器２６に供給し、さらに気化原料供給配管８、９を介して反応室１に流し、排気配管１５を介して排気ポンプ１６で装置外に排気する。ここの工程では、気化温度を２１０℃に加熱する。また、Ｈｅキャリアガス流量５００ｓｃｃｍとした。この条件では、気化制御器の全圧Ｐは、７Ｔｏｒｒであり、反応室１内圧は２．０Ｔｏｒｒであった。また、反応室１内に設置された基板加熱部６により、半導体集積回路が形成されたシリコン基板（半導体基板）５を４００℃に加熱した。なお、ＤＶＳ−ＢＣＢモノマーとＤＶＢモノマーを用いる場合、成膜時の基板加熱温度は、２００℃〜４５０℃の範囲に選択するのが適当である。
【００７８】
図１に示すような有機モノマー気化供給システム６，７により、ＤＶＳ−ＢＣＢモノマーとＤＶＢモノマーは、それぞれＨｅキャリアガスとともに、それぞれの気化原料供給配管８Ａ、８Ｂを介し反応室１へ供給され、混合される。反応室１内のシャワーヘッド１２において、ＤＶＳ−ＢＣＢモノマーとＤＶＢモノマーを含む混合ガスを分散させて、基板５表面に吹き付ける。このシャワーヘッド１２には、接地されている基板加熱部３表面に対して、１３．５６ＭＨｚのＲＦパワーが印加されており、シャワーヘッド７下に、キャリアガスに用いているＨｅのプラズマを発生させた。その際、ＲＦパワーは、ＤＶＳ−ＢＣＢモノマーとＤＶＢモノマーの分子内に存在する重合基（ベンゾブテン炭素４員環またはビニレン基）の活性化のみを行う程度のプラズマエネルギーに留めることが肝要である。ＤＶＳ−ＢＣＢモノマーとＤＶＢモノマーの混合ガスは、かかるＨｅプラズマを通して半導体基板５上に吹き付ける間に、含まれるモノマーの活性化がなされる。４００℃に加熱された基板表面上で、予め活性化されているＤＶＳ−ＢＣＢモノマーとＤＶＢモノマーは、共重合反応を起こし、ＤＶＳ−ＢＣＢモノマーとＤＶＢモノマー由来の骨格ユニットで構成される共重合高分子膜（有機絶縁膜）１３が形成される。この際、排気配管３７には、未反応のＤＶＳ−ＢＣＢモノマーおよびＤＶＢモノマーが含まれているキャリアガスが達するが、排気ポンプの前に挿入されている、冷却により２０℃程度に冷やされた冷却トラップ１６にて、含有されていたＤＶＳ−ＢＣＢモノマーとＤＶＢモノマーは再液化され、排気ポンプ２には入り込まない。延べ供給量が所定量に達するまで、ＤＶＳ−ＢＣＢモノマーとＤＶＢモノマーを供給して、成膜を継続した後、それぞれの供給を停止し、反応室内の半導体基板５を取り出す。
【００７９】
この例では、有機モノマーＢとして、ＤＶＢモノマーを用いたが、例えば、ＤＶＢモノマーに代えて、下記化１８式（一般式（ＩＩＩ））で表されるビニル基からなる１種類の重合反応部位を有するジビニルベンゼンモノマーのブタジエン−１，４−ジイル基（−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ＝ＣＨ−）に、さらに、不飽和炭化水素基が付加されたＤＶＢモノマー誘導体を用いることもできる。
【００８０】
【化１８】
2004031582.tif 000016
【００８１】
さらに、ここに示したＲ１からＲ６の基は、メトキシ基（ＣＨ３Ｏ−）、エトキシ基（Ｃ２Ｈ５Ｏ−）、プロポキシル基（Ｃ３Ｈ７Ｏ−）、といった酸素含有基でも良い。
【００８２】
さらに、一般式ＣｘＦ２ｘ＋１−ｙＨｙ（ｘは０又は正の整数、ｙは０又は２ｘ＋１を超えない正の整数）であらわされる、フッ素含有基でも良い。
【００８３】
さらには、一般式ＳｉＲ７Ｒ８Ｒ９（Ｒ７，Ｒ８，Ｒ９は水素または炭化水素基、または先に示したフッ素含有基ＣｘＦ２ｘ＋１−ｙＨｙ）で示されるシリコン含有基でも良い。
【００８４】
（第２の例）
この例では、原料の有機モノマーとして、下記化１９式で示すビニル基とベンゾシクロブテン基からなる２種類の重合反応部位を持つＤＶＳ−ＢＣＢモノマーとシクロブテン環からなる１種類の重合反応部位を有するジメチルトリシクロデカトリエンモノマーとの組み合わせを選択して、ＤＶＳ−ＢＣＢとジメチルトリシクロデカトリエンとの共重合高分子膜の成膜について説明する。
【００８５】
【化１９】
2004031582.tif 000017
【００８６】
このジメチルトリシクロデカトリエンも、その分子内に２つのシクロブテン環構造を有しており、このシクロブテン環構造と、ＤＶＳ−ＢＣＢモノマーのビニレン基部分との間で、上で説明した開環、付加反応による、６員環形成の反応が生じ、下記化２０式（式（Ｘ））に示される、ＤＶＳ−ＢＣＢとＤＭＴＣＤＴとの共重合高分子膜を、上記の第１の例において説明したプラズマ重合法に準じて、気相成長することができる。
【００８７】
【化２０】
2004031582.tif 000018
【００８８】
また、ここに示したＤＭＴＣＤＴに置換基が付加されたモノマー原料として、組み合わせても良い。
【００８９】
置換基としては、メトキシ基（ＣＨ３Ｏ−）、エトキシ基（Ｃ２Ｈ５Ｏ−）、プロポキシル基（Ｃ３Ｈ７Ｏ−）、といった酸素含有基でも良い。
【００９０】
さらに、一般式ＣｘＦ２ｘ＋１−ｙＨｙ（ｘは０又は正の整数、ｙは０又は２ｘ＋１を超えない正の整数）であらわされる、フッ素含有基でも良い。
【００９１】
さらには、一般式ＳｉＲ７Ｒ８Ｒ９（Ｒ７，Ｒ８，Ｒ９は水素または炭化水素基、または先に示したフッ素含有基ＣｘＦ２ｘ＋１−ｙＨｙ）で示されるシリコン含有基でも良い。
【００９２】
（第３の例）
この例では、原料の有機モノマーとして、下記化２１式で示すＤＶＳ−ＢＣＢモノマーとシス−スチルベン（エテンジイルビスベンゼン）モノマーとの組み合わせを選択して、ＤＶＳ−ＢＣＢとＢＶ−ＢＣＢとの共重合高分子膜の成膜について説明する。
【００９３】
【化２１】
2004031582.tif 000019
【００９４】
この二種の有機モノマーの組み合わせでも、シス−スチルベンは、その分子内に有するビニレン基構造を利用して、ＤＶＳ−ＢＣＢと共重合反応を行い、下記化２２式（式（ＸＩＩ））で示される構造の共重合高分子膜が気相成長する。
【００９５】
【化２２】
2004031582.tif 000020
【００９６】
なお、この共重合高分子膜では、シス−スチルベンは、重合に関与できる構造が前記ビニレン構造１の一種類のみであるため、架橋密度が小さくなり、空隙率が大きいものとなる。その結果、得られる共重合高分子膜は、比誘電率２以下の膜となる。なお、シス−スチルベン以外に、シススチルベンの構造異性体であり、やはりビニル基からなる１種類の重合反応部位を有するトランス−スチルベンを用いることもできる。なお、下記化２３式で示すトランススチルベンは常温で固体であるため、その気化には、図３に示す構成の気化供給システムを利用した。
【００９７】
【化２３】
2004031582.tif 000021
【００９８】
また、ここで示したシス−スチルベンに、置換基がついたモノマーを原料として組み合わせても良い。
【００９９】
置換基としては、メトキシ基（ＣＨ３Ｏ−）、エトキシ基（Ｃ２Ｈ５Ｏ−）、プロポキシル基（Ｃ３Ｈ７Ｏ−）、といった酸素含有基でも良い。
【０１００】
さらに、一般式ＣｘＦ２ｘ＋１−ｙＨｙ（ｘは０又は正の整数、ｙは０又は２ｘ＋１を超えない正の整数）であらわされる、フッ素含有基でも良い。
【０１０１】
さらには、一般式ＳｉＲ７Ｒ８Ｒ９（Ｒ７，Ｒ８，Ｒ９は水素または炭化水素基、または先に示したフッ素含有基ＣｘＦ２ｘ＋１−ｙＨｙ）で示されるシリコン含有基でも良い。
【０１０２】
この化２３式で示される例のように、本発明の共重合高分子膜の成長方法を用いることで、ＤＶＳ−ＢＣＢモノマーとＤＶＢモノマーとを原料として、共重合高分子膜を形成する気相成長系において、それぞれの骨格モノマーの含有比率を変化させることができる。従って、ＵＬＳＩ多層配線のように各配線層の配線層間絶縁膜に対して、要求される膜物性、例えば、機械強度や密着性や比誘電率が異なる場合でも、用いる有機モノマーガスの供給比を制御することで、各骨格モノマーの含有比率を変化させることが可能となる利点がある。
【０１０３】
以上に例示した共重合高分子膜の成長例では、複数種の有機モノマーの一つをＤＶＳ−ＢＣＢとしているが、これだけでなく、本発明では、少なくともある１種のモノマーは複数種類の重合反応部位を持ち、かつ少なくとも他の１種のモノマーは１種類しか重合反応部位をしか持たないものであり、それぞれの供給量を独立に制御することで、その組成を広い範囲で変化させた共重合高分子膜を気相成長すること可能である。さらに、前記有機モノマー２種以上を含む混合ガスに対して、さらに、アセチレンやエチレンといった重合補助ガスを添加して、共重合高分子膜を気相成長させることもできる。
【０１０４】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の共重合高分子膜の作製方法では、例えば、上でその原理を説明したＭＶＰ法、なかでも、プラズマ重合法などの手段を更に発展させた気相成長法を利用して作製する際、重合反応が可能な原料として、複数の有機モノマーを用いることにより、複数のモノマーに由来する骨格ユニットを含む共重合高分子構造を作製することが可能となり、かつ有機モノマーの構造を特定することで、より具体的には、少なくともある１種の有機モノマーは重合反応部位を複数種有し、かつ少なくとも他の１種の有機モノマーは１種類しか重合反応部位を持たないものにすることで、反応の種類を制限し、共重合後の構造を特定化し、さらには共重合後のポリマー構造から不規則性の要素を低減することが可能となる。これらのことにより、従来、単一種の原料モノマーを用いていた際には、到底達成することができなかった、幅広い機能性を有する有機高分子膜を得ることが可能となった。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の共重合高分子膜の作製方法の実施に利用可能な高分子膜成膜装置構成の一例を模式的に示す図である。
【図２】本発明の共重合高分子膜の作製方法に利用される、液体状の有機モノマーの気化供給に利用可能な気化制御器の構成の一例を模式的に示す図である。
【図３】本発明の共重合高分子膜の作製方法に利用される、固体状の有機モノマーの気化供給に利用可能な気化制御器の構成の一例を模式的に示す図である。
【図４】本発明の共重合高分子膜の作製方法に利用される、ＭＶＰ法の原理を説明する図である。
【符号の説明】
１　　反応室
２　　真空ポンプ
３　　基板加熱部
５　　半導体基板
６　　有機モノマーＡ気化供給システム
７　　有機モノマーＢ気化供給システム
８Ａ　　気化原料Ａ供給配管
８Ｂ　　気化原料Ｂ供給配管
９Ａ，９Ｂ　　バルブ
１１　　配管加熱ヒータ
１２　　シャワーヘッド
１３　　共重合高分子膜
１４　　ＲＦ電源
１５　　排気配管
１６　　冷却トラップ
２１Ａ　　有機モノマーＡタンク
２１Ｂ　　有機モノマーＢタンク
２２Ａ　　有機モノマーＡ
２２Ｂ　　有機モノマーＢ
２４Ａ　　有機モノマーＡ用液体流量指示器
２６Ａ　　気化制御器Ａ
２７Ａ　　気化制御バルブＡ
２８Ａ　　気化制御器Ａ内バルブ
２９Ａ　　気化室
３１Ａ　　キャリアガスＡ
３１Ｂ　　キャリアガスＢ
３３Ａ，３３Ｂ　　ヒータ
３４Ａ　　気体流量制御器Ａ
３４Ｂ　　気体流量制御器Ｂ
３５Ａ，３５Ｂ，４８Ａ　　バルブ
３７　　廃液配管
３７Ａ　　キャリアガスＡ供給配管
３７Ｂ　　キャリアガスＢ供給配管
３８，３９　　アース線
４１　　マッチングボックス
４２　　ＲＦケーブル
４３　　気体流量制御器
４４　　バルブ
４５　　クリーニングガス
５１Ａ　　洗浄溶剤Ａ
５２Ａ　　洗浄溶剤Ａタンク
４６，５３　　圧力送出ガス
５４Ａ　　洗浄溶剤Ａ用液体流量指示器
５６Ａ　　洗浄溶剤制御バルブＡ
５７Ａ　　気化原料Ａ排気配管
５７Ｂ　　気化原料Ｂ排気配管
５８Ａ，５８Ｂ　　バルブ
６２　　反応室加熱ヒータ
１０１　　タンク
１０３　　反応室
１０４　　排気ポンプ
１０５　　気化原料配管
１０７　　半導体基板
１０８　　基板加熱部
１１０　　有機絶縁膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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