(57)【要約】【課題】動作特性が改善されて画質不良が発生しない高品質の液晶表示装置を製作する。【解決手段】本発明は液晶表示装置用アレイ基板に構成されるゲート配線及びデータ配線のような金属配線を銅／モリブデン合金の二重層で構成することである。このような構成は、銅層がこの銅層の下にまず蒸着されたモリブデン合金層により接触特性が改善されて浮き上がる不良が発生しなくて、二階をエッチングする工程間エッチング溶液により基板の表面が削られる現象が発生しない。また、モリブデン合金層はモリブデン層だけを用いる時より耐化学性が強くて銅層の下部でオーバーエッチングされる不良が発生しない。したがって、基板表面が削られて発生するむら不良を解消できて高画質の液晶表示装置を製作できて、配線の浮き上がり不良を防止できて製品の収率が改善される長所がある。【選択図】図１０Ｅ
2004163901.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上にモリブデン合金（Ｍｏ−ａｌｌｏｙ）層と銅（Ｃｕ）が順次蒸着されてパターニングされたゲート電極及びゲート配線と；
前記基板上に形成されて前記ゲート電極とゲート配線を覆うゲート絶縁膜と；
前記ゲート電極上部のゲート絶縁膜上に順次配置したアクティブ層及びオーミックコンタクト層と；
前記オーミックコンタクト層の一側にかけて構成されたソース電極と、これとは所定間隔離隔されたオーミックコンタクト層のまた他の一側に形成されたドレーン電極と、ソース電極と連結して前記ゲート配線と垂直に交差して画素領域を定義するデータ配線と；
前記ソース及びドレーン電極とデータ配線の上部に構成されて、前記ドレーン電極の一部を露出するドレーンコンタクトホールが形成された保護膜と；
前記露出されたドレーン電極とドレーンコンタクトホールを通して接触しながら前記画素領域に配置する透明な画素電極とを含むことを特徴とする液晶表示装置用アレイ基板。
【請求項２】
前記モリブデン合金層（Ｍｏ−ａｌｌｏｙ）は、モリブデン（Ｍｏ）とタングステン（Ｗ）、ネオジム（Ｎｄ）、ニオブ（Ｎｂ）を含む合金可能な金属グループの中から選択された一つで形成されたことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置用アレイ基板。
【請求項３】
前記ゲート配線の上部にストレージ電極をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置用アレイ基板。
【請求項４】
前記ストレージ電極は、ゲート絶縁膜上に前記データ配線と共に形成されることを特徴とする請求項３に記載の液晶表示装置用アレイ基板。
【請求項５】
前記画素電極は、前記ストレージ電極と電気的に接触することを特徴とする請求項３に記載の液晶表示装置用アレイ基板。
【請求項６】
前記ソース及びドレーン電極とデータ配線とストレージ電極は、銅／モリブデン合金（Ｃｕ／Ｍｏ−ａｌｌｏｙ）の二重層で構成されたことを特徴とする請求項３に記載の液晶表示装置用アレイ基板。
【請求項７】
前記銅／モリブデン合金（Ｃｕ／Ｍｏ−ａｌｌｏｙ）の二重層のモリブデン合金（Ｍｏ−ａｌｌｏｙ）は、モリブデン（Ｍｏ）とタングステン（Ｗ）、ネオジム（Ｎｄ）、ニオブ（Ｎｂ）を含む合金可能な金属グループの中から選択された一つで形成されたことを特徴とする請求項６に記載の液晶表示装置用アレイ基板。
【請求項８】
前記ソース及びドレーン電極とデータ配線とストレージ電極は、銅（Ｃｕ）でなされた単一層で構成されたことを特徴とする請求項３に記載の液晶表示装置用アレイ基板。
【請求項９】
基板上にモリブデン合金（Ｍｏ−ａｌｌｏｙ）層と銅（Ｃｕ）を順次蒸着する段階と；
前記モリブデン合金（Ｍｏ−ａｌｌｏｙ）と銅（Ｃｕ）の銅／モリブデン合金（Ｃｕ／Ｍｏ−ａｌｌｏｙ）二重層をパターニングして、一方向に延びたゲート配線とこれに連結したゲート電極を基板上に形成する段階と；
前記ゲート配線とゲート電極が形成された基板の全面にゲート絶縁膜を形成する段階と；
前記ゲート電極上部のゲート絶縁膜上にアクティブ層とオーミックコンタクト層を積層する段階と；
前記オーミックコンタクト層上に所定間隔離隔されたソース電極及びドレーン電極と、前記ゲート配線と垂直に交差して画素領域を定義するデータ配線を形成する段階と；
前記データ配線とソース及びドレーン電極が形成された基板の全面に前記ドレーン電極の一部を露出するドレーンコンタクトホールを含む保護膜を形成する段階と；
前記ドレーンコンタクトホールを通して前記露出されたドレーン電極と接触しながら前記画素領域に配置する画素電極を形成する段階とを含むことを特徴とする液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。
【請求項１０】
前記ゲート絶縁膜と保護膜は、窒化シリコン（ＳｉＮX）と酸化シリコン（ＳｉＯ2）を含む無機絶縁物質グループの中から選択された一つで形成することを特徴とする請求項９に記載の液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。
【請求項１１】
前記ゲート絶縁膜と保護膜は、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）とアクリル系樹脂を含む有機絶縁物質グループの中から選択された一つで形成することを特徴とする請求項９に記載の液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。
【請求項１２】
前記モリブデン合金（Ｍｏ−ａｌｌｏｙ）は、モリブデン（Ｍｏ）とタングステン（Ｗ）、ネオジム（Ｎｄ）、ニオブ（Ｎｂ）を含む合金可能な金属グループの中から選択された一つで合金したことを特徴とする請求項９に記載の液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。
【請求項１３】
前記データ配線を形成する段階は、ゲート電極上部にストレージ電極を形成する段階を含むことを特徴とする請求項９に記載の液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。
【請求項１４】
前記ストレージ電極は、ゲート絶縁膜上部及び保護膜下部に配置するように形成することを特徴とする請求項１３に記載の液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。
【請求項１５】
前記画素電極は、前記ストレージ電極と電気的に接触するように形成することを特徴とする請求項１３に記載の液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。
【請求項１６】
前記ソース及びドレーン電極とデータ配線とストレージ電極は、銅／モリブデン合金（Ｃｕ／Ｍｏ−ａｌｌｏｙ）の二重層で構成することを特徴とする請求項１３に記載の液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。
【請求項１７】
前記銅／モリブデン合金（Ｃｕ／Ｍｏ−ａｌｌｏｙ）の二重層のモリブデン合金（Ｍｏ−ａｌｌｏｙ）は、モリブデン（Ｍｏ）とタングステン（Ｗ）、ネオジム（Ｎｄ）、ニオブ（Ｎｂ）を含む合金可能な金属グループの中から選択された一つで形成することを特徴とする請求項１６に記載の液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。
【請求項１８】
前記ソース及びドレーン電極とデータ配線とストレージ電極は、銅（Ｃｕ）からなる単一層で構成することを特徴とする請求項１３に記載の液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。
【請求項１９】
前記画素電極は、インジウム−スズ−オキサイド（ＩＴＯ）とインジウム−ジンク−オキサイド（ＩＺＯ）を含む透明な導電性金属グループの中から選択された一つで形成したことを特徴とする請求項９に記載の液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示装置に係り、特に、液晶表示装置用アレイ基板に構成される金属配線及び金属電極の形成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
以下、図面を参照して一般的な液晶表示装置の構成とその動作特性に対して説明する。図１は、液晶表示装置を概略的に示した図面である。図示したように、液晶表示装置１１は、多数のサブカラーフィルター７、前記各カラーフィルター７間に構成されたブラックマトリックス６、及び前記カラーフィルターとブラックマトリックス上部に蒸着された共通電極１８が形成された上部基板５と、画素領域Ｐと画素領域上に形成された画素電極１７、スイッチング素子Ｔ、及びアレイ配線が形成された下部基板１０とで構成され、前記上部基板５と下部基板１０間には液晶９が充填されている。
【０００３】
前記下部基板１０は、アレイ基板（ａｒｒａｙ  ｓｕｂｓｔｒａｔｅ）とも称し、スイッチング素子である薄膜トランジスターＴをマトリックス形態（ｍａｔｒｉｘ  ｔｙｐｅ）で配置してなり、このような多数の薄膜トランジスターＴを交差するゲート配線１４とデータ配線２２が形成される。
【０００４】
ここで、前記画素領域Ｐは、前記ゲート配線１４とデータ配線２２が交差して定義される領域であり、前記画素領域Ｐ上には透明な画素電極１７が形成される。前記画素電極１７と共通電極１８は、インジウム−スズ−オキサイド（ｉｎｄｉｕｍ−ｔｉｎ−ｏｘｉｄｅ：ＩＴＯ）のように光の透過率が比較的優れた透明導電性金属を用いる。
【０００５】
図示しなかったが前記液晶パネル１１の下部にはバックライトを構成し、前記バックライトは電源が印加されれば点灯する。前記ゲート配線１４を通して薄膜トランジスターＴのゲート電極に走査信号が印加されれば、前記薄膜トランジスターＴのチャンネルが開かれ、前記データ配線２２から映像信号が薄膜トランジスターＴを経て前記画素電極１７に入力される。
【０００６】
前記画素電極に入力された映像信号によって画素電極１７と前記共通電極１８の間に電界（ｅｌｅｃｔｒｉｃ  ｆｉｅｌｄ）が分布するようになり、電界の強度によって前記液晶９の配列方向が変わる。この時、前記液晶９の配列方向によって前記バックライト（図示せず）から照射された光の出射量が変わるようになり、これによって、観察者は前記映像信号を画像として観察するようになる。
【０００７】
この時、液晶パネル１１の画質を決定する要素は非常に多様だが、その中、前記アレイ基板に構成されたゲート配線１４とデータ配線２２の抵抗は液晶パネルの画質を決定する非常に重要な要素である。すなわち、前記ゲート配線１４とデータ配線２２の抵抗が小さければ入力される信号の信号遅延を減らすことができ、それによって画質が改善される結果を得ることができる。
【０００８】
このために、従来は、ゲート配線１４またはデータ配線２２に低抵抗物質である銅を用いたが、前記銅をゲート配線として用いる場合には銅（Ｃｕ）が基板との接触特性がよくない問題点を発生した。これを解決するために、基板と銅（Ｃｕ）層間に金属バッファー層（ｍｅｔａｌ  ｂｕｆｆｅｒ  ｌａｙｅｒ）としてチタン（Ｔｉ）またはモリブデン（Ｍｏ）を用いていた。
【０００９】
以下、図２を参照して、前記アレイ基板の一画素に対する断面構造を説明する。図２は、図１のII−II′に沿って切断した断面図である。図示したように、基板１０上には相互に垂直に交差して画素領域Ｐを定義するゲート配線１４とデータ配線２２が構成されており、前記二配線１４、２２の交差地点には、ゲート電極３０とアクティブ層３４とオーミックコンタクト層３６とソース電極３８とドレーン電極４０を含む薄膜トランジスターＴが形成されている。アクティブ層３４とゲート電極３０間には絶縁物質で構成されたゲート絶縁膜３２が形成されていて、薄膜トランジスターＴの上部には絶縁物質である保護膜４２が形成されている。画素領域Ｐには前記ドレーン電極４０と接触する透明な画素電極１７が構成される。
【００１０】
一般的に、前記ゲート配線１４とゲート電極３０は同一層に同一物質で形成されて、前記データ配線２２は前記ソース及びドレーン電極３８、４０と同一層に同一物質で形成される。この時、データ配線２２とゲート配線１４間にはゲート絶縁膜３２を配置する。
【００１１】
前述した構成において、前記ゲート電極３０とソース及びドレーン電極３８、４０を銅／チタン（Ｃｕ／Ｔｉ）または銅／モリブデン（Ｃｕ／Ｍｏ）の二重層で構成することができる。この時、前記銅膜のエッチングは、オキソネ（ＯＸＯＮＥ）（２ＫＨＳＯ5・ＫＨＳＯ4、・Ｋ2ＳＯ4）で実施されるが、二重層の銅／チタン（Ｃｕ／Ｔｉ）二重膜の場合、チタンのエッチングのために前記オキソネ（ＯＸＯＮＥ）と弗酸（ＨＦ）とフッ化アンモニウム（ＮＨ4Ｆ）を混合した混合液を用いた。
【００１２】
前記銅／チタン（Ｃｕ／Ｔｉ）構造の配線を前述したエッチング溶液を利用して湿式エッチングを進行した場合には、前記エッチング溶液成分にフッ化イオン（Ｆ-）が含まれているために、前記二重層の金属をゲート配線に適用する場合には下部のガラス基板の表面がエッチングされる問題が発生し、このような不均一なエッチングにより液晶パネルにおけるむら不良を誘発する。
【００１３】
また、前記二重層の金属をデータ配線２２に適用する場合には、下部のゲート絶縁膜が必然的にエッチングされ、このようなゲート絶縁膜の不均一なエッチング状態も液晶パネルにおけるむら不良を誘発する。
【００１４】
以下、図３と図４は、ガラス基板に前記二重層（銅／チタン）の金属を蒸着してパターニングした以後、結果を走査電子顕微鏡で撮った写真である。図３に示したように、前記二重層の金属５２をパターニングした結果を見れば、エッチング溶液により露出された基板５０の表面５４が非常に粗くなったことを観察できる。
【００１５】
前記基板５０の削られた状態をさらに詳細に拡大した写真が図４である。図４に示したように、基板５０上にチタン層５２ａと銅層５２ｂが蒸着されていて、前記チタン（Ｔｉ）層５２ａ下部にガラス基板５０が侵食されていることを観察できる。このようなエッチングは前記ガラス基板５０の表面から約４００Å程度削られることに測定された。
【００１６】
反面、銅／モリブデン（Ｃｕ／Ｍｏ）の二重層である場合に、銅／モリブデン（Ｃｕ／Ｍｏ）をパターニングするエッチング溶液はガラス基板に影響は与えないが、モリブデン（Ｍｏ）金属自体が損傷を負うようになってむしろ銅（Ｃｕ）層を浮き上がるようにする不良を誘発する。
【００１７】
以下、図５と図６を参照して説明する。図５と図６は、ガラス基板に前記二重層の銅／モリブデン（Ｃｕ／Ｍｏ）金属を蒸着してパターニングした結果を走査電子顕微鏡で撮った写真である。図５に示したように、ガラス基板５０上に蒸着された銅／モリブデン（Ｃｕ／Ｍｏ）層６０をパターニングした結果、下部のガラス基板５０の表面は損傷を負わなくて非常に平坦な状態であることを観察できる。反面、図６に示したように、銅層６０ａと基板５０間に配置するモリブデン（Ｍｏ）層６０ｂが内側に削られている浮き上がった状態Ａであることを観察できる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１８】
前記図３ないし図６により、前記銅層の下部にバッファー層として使われる金属がチタン（Ｔｉ）の場合には、前記銅／チタン（Ｃｕ／Ｔｉ）をエッチングするエッチング溶液によりガラス基板の表面が甚だしい損傷を負うようになることが分かる。前記銅層下部にモリブデン（Ｍｏ）が形成されて銅／モリブデン（Ｃｕ／Ｍｏ）の二重層である場合にはモリブデン（Ｍｏ）層自体が甚だしく削られてむしろ銅層を基板から浮き上がるようにする問題があることが分かった。
【００１９】
本発明は前述したような問題を解決するための目的で案出されたものであって、本発明による液晶表示装置用アレイ基板は、前記ゲート配線とデータ配線を銅／モリブデン合金（Ｃｕ／Ｍｏ−ａｌｌｏｙ）の二重層で形成する。このようにすれば、前記モリブデン合金（Ｍｏ−ａｌｌｏｙ）が耐化学的に強いためにエッチング液により過度に削られる問題が発生しなくて、もちろんガラス基板の損傷も発生しない。これにより、動作特性が改善されて画質不良が発生しない高品質の液晶表示装置を製作できる。
【課題を解決するための手段】
【００２０】
前述した目的を達成するための本発明による液晶表示装置用アレイ基板は、基板上にモリブデン合金（Ｍｏ−ａｌｌｏｙ）層と銅（Ｃｕ）が順次蒸着されてパターニングされたゲート電極及びゲート配線と；前記基板上に形成されて前記ゲート電極とゲート配線を覆うゲート絶縁膜と；前記ゲート電極上部のゲート絶縁膜上に順次的に配置したアクティブ層及びオーミックコンタクト層と；前記オーミックコンタクト層の一側にかけて構成されたソース電極と、これとは所定間隔離隔されたオーミックコンタクト層のまた他の一側に形成されたドレーン電極と、ソース電極と連結して前記ゲート配線と垂直に交差して画素領域を定義するデータ配線と；前記ソース及びドレーン電極とデータ配線の上部に構成されて、前記ドレーン電極の一部を露出するドレーンコンタクトホールが形成された保護膜と；前記露出されたドレーン電極とドレーンコンタクトホールを通して接触しながら前記画素領域に配置する透明な画素電極を含むことを特徴とする。
【００２１】
前記モリブデン合金層（Ｍｏ−ａｌｌｏｙ）は、モリブデン（Ｍｏ）とタングステン（Ｗ）、ネオジム（Ｎｄ）、ニオブ（Ｎｂ）を含む合金可能な金属グループの中から選択された一つで形成されることを特徴とする。
【００２２】
前記液晶表示装置用アレイ基板は、前記ゲート配線の上部にストレージ（ｓｔｏｒａｇｅ）電極をさらに含むことを特徴とし、前記ストレージ電極はゲート絶縁膜上に前記データ配線と一緒に形成されることを特徴とする。前記画素電極は前記ストレージ電極と電気的に接触し、前記ソース及びドレーン電極とデータ配線とストレージ電極は銅／モリブデン合金（Ｃｕ／Ｍｏ−ａｌｌｏｙ）の二重層で構成されることを特徴とし、この銅／モリブデン合金（Ｃｕ／Ｍｏ−ａｌｌｏｙ）の二重層のモリブデン合金（Ｍｏ−ａｌｌｏｙ）はモリブデン（Ｍｏ）とタングステン（Ｗ）、ネオジム（Ｎｄ）、ニオブ（Ｎｂ）を含む合金可能な金属グループの中から選択された一つで形成されることを特徴とする。
【００２３】
前記液晶表示装置用アレイ基板のソース及びドレーン電極とデータ配線とストレージ電極は銅（Ｃｕ）からなる単一層で構成されることができる。
【００２４】
本発明の特徴による液晶表示装置用アレイ基板の製造方法は、基板上にモリブデン合金（Ｍｏ−ａｌｌｏｙ）層と銅（Ｃｕ）を順次蒸着する段階と；前記モリブデン合金（Ｍｏ−ａｌｌｏｙ）と銅（Ｃｕ）の銅／モリブデン合金（Ｃｕ／Ｍｏ−ａｌｌｏｙ）二重層をパターニングして、一方向に延びたゲート配線とこれに連結したゲート電極を基板上に形成する段階と；前記ゲート配線とゲート電極が形成された基板の全面にゲート絶縁膜を形成する段階と；前記ゲート電極上部のゲート絶縁膜上にアクティブ層とオーミックコンタクト層を積層する段階と；前記オーミックコンタクト層上に所定間隔離隔されたソース電極及びドレーン電極と、前記ゲート配線と垂直に交差して画素領域を定義するデータ配線を形成する段階と；前記データ配線とソース及びドレーン電極が形成された基板の全面に前記ドレーン電極の一部を露出するドレーンコンタクトホールを含む保護膜を形成する段階と；前記ドレーンコンタクトホールを通して前記露出されたドレーン電極と接触しながら前記画素領域に配置する画素電極を形成する段階を含むことを特徴とする。
【００２５】
前記液晶表示装置用アレイ基板製造方法において、前記ゲート絶縁膜と保護膜は窒化シリコン（ＳｉＮX）と酸化シリコン（ＳｉＯ2）を含む無機絶縁物質グループの中から選択された一つで形成したり、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）とアクリル（ａｃｒｙｌ）系樹脂（ｒｅｓｉｎ）を含む有機絶縁物質グループの中から選択された一つで形成することを特徴とする。前記モリブデン合金（Ｍｏ−ａｌｌｏｙ）はモリブデン（Ｍｏ）とタングステン（Ｗ）、ネオジム（Ｎｄ）、ニオブ（Ｎｂ）を含む合金可能な金属グループの中から選択された一つで合金することを特徴とする。
【００２６】
前記データ配線を形成する段階は、ゲート電極上部にストレージ電極を形成する段階を含み、前記ストレージ電極はゲート絶縁膜上部及び保護膜下部に配置するように形成されることを特徴とする。
【００２７】
前記画素電極は、前記ストレージ電極と電気的に接触するように形成し、前記ソース及びドレーン電極とデータ配線とストレージ電極は銅／モリブデン合金（Ｃｕ／Ｍｏ−ａｌｌｏｙ）の二重層で構成することを特徴とする。
【００２８】
この銅／モリブデン合金（Ｃｕ／Ｍｏ−ａｌｌｏｙ）の二重層のモリブデン合金（Ｍｏ−ａｌｌｏｙ）はモリブデン（Ｍｏ）とタングステン（Ｗ）、ネオジム（Ｎｄ）、ニオブ（Ｎｂ）を含む合金可能な金属グループの中から選択された一つで形成することを特徴とする。また、前記ソース及びドレーン電極とデータ配線とストレージ電極は銅（Ｃｕ）からなる単一層で構成することもできる。
【００２９】
前記画素電極はインジウム−スズ−オキサイド（ＩＴＯ）とインジウム−ジンク−オキサイド（ＩＺＯ）を含む透明な導電性金属グループの中から選択された一つで形成する。
【発明の効果】
【００３０】
本発明による銅／モリブデン合金二重層にゲート配線とデータ配線を形成すれば、ガラス基板の表面やゲート配線上部のゲート絶縁膜に損傷（ｄａｍａｇｅ）が発生しなくて製品の収率を改善する長所がある。また、前述した二重金属層構成により、配線を抵抗が低い銅配線で形成することが可能になるために高画質の液晶表示装置を製作できる効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３１】
以下、添附した図面を参照しながら本発明の望ましい実施の形態を説明する。本発明の特徴は、液晶表示装置用アレイ基板を構成するゲート配線とデータ配線を形成する時、銅／モリブデン合金（Ｃｕ／Ｍｏ−ａｌｌｏｙ）の二重層で形成することを特徴とする。
【００３２】
図７と図８は、ガラス基板上にモリブデン合金（Ｍｏ−ａｌｌｏｙ）と銅（Ｃｕ）を順次蒸着した以後、エッチング（ｅｔｃｈｉｎｇ）した試片を走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）を通して撮った平面を示した写真と断面を示した写真である。
【００３３】
図７に示したように、ガラス基板１００上にモリブデン合金（Ｍｏ−ａｌｌｏｙ）層１０２と銅（Ｃｕ）層１０４を順次蒸着してパターニングした結果、露出されたガラス基板１００の表面が滑らかな状態であることが分かる。この時、前記モリブデン合金層は、大体１０Å〜５００Åの厚さで蒸着して、前記銅は５００Å〜５０００Åの厚さで蒸着する。
【００３４】
さらに詳細には、図８に示したように、ガラス基板１００上にモリブデン合金層１０２と銅層１０４が順次積層されたことが見え、前記銅層１０４と基板１００間に構成されたモリブデン合金層１０２は銅層１０４の下部に侵食しなかったことが分かる。すなわち、金属層１０２、１０４の側面Ｂがテーパー（ｔａｐｅｒ）になるようにエッチングされたことが分かる。
【００３５】
結果的に、前記銅層１０４の下部に金属バッファー層としてモリブデン合金層１０２を先に蒸着するようになれば、エッチング液によりガラス基板１００の表面とパターニングされた金属自体が損傷される不良が発生しない。この時、前記モリブデン（Ｍｏ）と合金される物質としては、タングステン（Ｗ）、ネオジム（Ｎｄ）、ニオブ（Ｎｂ）等がある。
【００３６】
以下、図９は、液晶表示装置用アレイ基板の一部を拡大した拡大平面図である。図示したように、基板２００上に相互に垂直に交差して画素領域（サブピクセル（ｓｕｂ−ｐｉｘｅｌ）領域）を定義するゲート配線２０２とデータ配線２１２を形成する。前記二配線２０２、２１２の交差地点には、ゲート電極２０４とアクティブ層２０８とソース電極２１４とドレーン電極２１６を含む薄膜トランジスターＴを形成する。
【００３７】
前記画素領域Ｐには前記ドレーン電極２１６と接触する透明な画素電極２２６が構成され、前記画素領域Ｐを定義するゲート配線２０２の一部上部にはストレージキャパシターＣを構成する。この時、前記ストレージキャパシター（ｓｔｏｒａｇｅ  ｃａｐａｃｉｔｏｒ）Ｃの第１ストレージ電極は、前記ゲート配線２０２の一部であり、第２ストレージ電極は、前記画素電極２２６と接触するストレージ電極２１８である。
【００３８】
前述した構成において、前記ゲート配線２０２とデータ配線２１２は、銅／モリブデン合金（Ｃｕ／Ｍｏ−ａｌｌｙ）層で形成されたことを特徴とする。ここで、前記データ配線は銅（Ｃｕ）だけで形成することができる。また、ゲート配線２０２及びデータ配線２１２の銅／モリブデン合金（Ｃｕ／Ｍｏ−ａｌｌｏｙ）二重層において、前記銅（Ｃｕ）の代わりに、銀（Ａｇ）、銀合金（Ａｇ−ａｌｌｏｙ）または銅合金（Ｃｕ−ａｌｌｏｙ）への代替が可能である。
【００３９】
以下、図１０Ａないし図１０Ｅを参照して、前述したような金属層で製作された配線を含む液晶表示装置用アレイ基板の製造工程の工程順序を図９のＸ−Ｘ′に沿って切断して説明した工程断面図である。
【００４０】
図１０Ａに示したように、絶縁基板（ガラス基板）２００上にモリブデン合金（Ｍｏ−ａｌｌｏｙ）と銅（Ｃｕ）を順次積層してパターニングし、ゲート配線２０２とこれに連結したゲート電極２０４を形成する。この時、前記モリブデン合金（Ｍｏ−ａｌｌｏｙ）層は、大略１０Å〜５００Åの厚さで蒸着して、前記銅は大体５００Å〜５０００Åの厚さで蒸着して形成する。
【００４１】
次に、前記ゲート配線２０２とゲート電極２０４が形成された基板２００の全面に、酸化シリコン（ＳｉＯ2）と窒化シリコン（ＳｉＮX）を含む無機絶縁物質グループの中から選択された一つを蒸着してゲート絶縁膜２０６を形成する。
【００４２】
図１０Ｂに示したように、前記ゲート絶縁膜２０６が形成された基板２００の全面に、非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）を蒸着し、前記非晶質シリコンの表面に、不純物イオン（ｎ+またはｐ+）をドーピングしたり、別途の不純物非晶質シリコン（ｎ+またはｐ+ａ−Ｓｉ：Ｈ）を蒸着したりしてパターニングし、前記ゲート電極２０４上部のゲート絶縁膜２０６上にアクティブ層２０８とオーミックコンタクト層２１０を形成する。
【００４３】
次に、図１０Ｃに示したように、前記アクティブ層２０８とオーミックコンタクト層２１０が形成された基板２００の全面に、先に説明したモリブデン合金（Ｍｏ−ａｌｌｏｙ）物質と銅（Ｃｕ）を順次蒸着してパターニングして、前記ゲート配線２０２とは垂直に交差して画素領域Ｐを定義するデータ配線２１２と、前記データ配線２１２から前記ゲート電極２０４の一側上部に延びたソース電極２１４とこれとは所定間隔離隔されたドレーン電極２１６を形成する。
【００４４】
同時に、前記画素領域Ｐを定義するゲート配線２０２の一部上部にストレージ電極２１８を形成する。この時、前記データ配線２１２は、銅／モリブデン合金（Ｃｕ／Ｍｏ−ａｌｌｏｙ）だけでなく、銅だけを蒸着して形成することもできる。前記モリブデン合金（Ｍｏ−ａｌｌｏｙ）は、前記アクティブ層との接触特性が良好な特性を有して、シリコンイオンが銅に拡散することを防止する目的に使われる。
【００４５】
次に、図１０Ｄに示したように、前記データ配線２１２とソース及びドレーン電極２１４、２１６が形成された基板２００の全面に、窒化シリコン（ＳｉＮX）と酸化シリコン（ＳｉＯ2）を含む無機絶縁物質またはベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）とアクリル系樹脂を含む有機絶縁物質グループの中から選択された一つを蒸着または塗布して保護膜２２０を形成する。
【００４６】
次に、前記保護膜２２０をパターニングして前記ドレーン電極２１６と前記ストレージ電極２１８の一部を露出するドレーンコンタクトホール２２２とストレージコンタクトホール２２４を形成する。
【００４７】
図１０Ｅに示したように、前記保護膜２２０の上部に、インジウム−スズ−オキサイド（ＩＴＯ）とインジウム−ジンク−オキサイド（ＩＺＯ）を含む透明な導電性金属グループの中から選択された一つを蒸着してパターニングし、前記露出されたドレーン電極２１６とストレージ電極２１８と接触しながら画素領域Ｐに配置する画素電極２２６を形成する。
前述したような工程を通して本発明による液晶表示装置用アレイ基板を製作できる。
【産業上の利用可能性】
【００４８】
本発明による銅／モリブデン合金二重層にゲート配線とデータ配線を形成すれば、ガラス基板の表面やゲート配線上部のゲート絶縁膜に損傷（ｄａｍａｇｅ）が発生しなくて製品の収率を改善する長所がある。また、前述した二重金属層構成により、配線を抵抗が低い銅配線で形成することが可能になるために高画質の液晶表示装置を製作できる。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】一般的な液晶表示装置を概略的に示した図面である。
【図２】図１のII-II′を切断した断面図である。
【図３】ガラス基板上に銅／チタンを蒸着してパターニングした以後、拡大平面と拡大断面を撮った走査顕微鏡写真である。
【図４】ガラス基板上に銅／チタンを蒸着してパターニングした以後、拡大平面と拡大断面を撮った走査顕微鏡写真である。
【図５】ガラス基板上に銅／モリブデンを蒸着してパターニングした以後、拡大平面と拡大断面を撮った走査顕微鏡写真である。
【図６】ガラス基板上に銅／モリブデンを蒸着してパターニングした以後、拡大平面と拡大断面を撮った走査顕微鏡写真である。
【図７】ガラス基板上に本発明による銅／モリブデン合金を蒸着してパターニングした後、拡大平面と拡大断面を撮った走査顕微鏡写真である。
【図８】ガラス基板上に本発明による銅／モリブデン合金を蒸着してパターニングした後、拡大平面と拡大断面を撮った走査顕微鏡写真である。
【図９】本発明による液晶表示装置用アレイ基板の一部を示した拡大平面図である。
【図１０Ａ】図９のＸ−Ｘ′に沿って切断して、本発明の工程順序によって示した工程断面図である。
【図１０Ｂ】本発明の工程順序によって示した工程断面図である。
【図１０Ｃ】本発明の工程順序によって示した工程断面図である。
【図１０Ｄ】本発明の工程順序によって示した工程断面図である。
【図１０Ｅ】本発明の工程順序によって示した工程断面図である。
【符号の説明】
【００５０】
２００：基板（ガラス基板）、２０２：ゲート配線、２０４：ゲート電極、２０６：ゲート絶縁膜、２０８：アクティブ層、２１０：オーミックコンタクト層、２12：データ配線、２１４：ソース電極、２１６：ドレーン電極、２１８：ストレージ電極、２２０：保護膜、２２６：画素電極。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０Ａ】
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【図１０Ｂ】
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【図１０Ｃ】
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【図１０Ｄ】
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【図１０Ｅ】
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