(57)【要約】【課題】出力部を形成する際の不純物を導入する工程において、レジスト膜の残留物が撮像部に残存することを防止して、白キズを低減することができる固体撮像装置の製造方法を提供する。【解決手段】出力部４を形成する際の不純物を導入する際に、撮像部２にマスク層５２を形成し、出力部４に不純物の導入のためのパターンをもつレジスト膜５３を形成する。そして、マスク層５２およびレジスト膜５３をマスクとして、不純物を導入する。このとき、不純物の導入後にレジスト膜５３の表面に硬化層が形成される場合がある。出力部４に形成されたレジスト膜５３を除去する際に、撮像部２はマスク層５２により覆われているため、撮像部２にレジスト膜５３の除去の際の残留物が付着することが防止される。レジスト膜５３の除去後、撮像部２を覆うマスク層５２を除去する。【選択図】図１１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
撮像部により生成され転送された信号電荷を検出して外部に出力する出力部を有する固体撮像装置の製造方法であって、
前記出力部を形成する際の不純物を導入する工程は、
前記撮像部にマスク層を形成する工程と、
前記出力部に前記不純物の導入のためのパターンをもつレジスト膜を形成する工程と、
前記マスク層および前記レジスト膜をマスクとして、前記不純物を導入する工程と、
前記レジスト膜を除去する工程と、
前記マスク層を除去する工程と
を有する固体撮像装置の製造方法。
【請求項２】
前記撮像部にマスク層を形成する工程の前に、後に前記マスク層を除去する際のストッパとなるストッパ層を前記撮像部および前記出力部に形成する工程をさらに有し、
前記マスク層を除去する工程の後に、前記ストッパ層を除去する工程をさらに有する
請求項１記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項３】
前記レジスト膜を形成する工程において、前記出力部を構成するトランジスタのソースあるいはドレインとなる領域に前記不純物を導入するためのパターンをもつ前記レジスト膜を形成する
請求項１記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項４】
前記マスク層を形成する工程において、無機材料からなる前記マスク層を形成する
請求項１記載の固体撮像装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、固体撮像装置の製造方法に関し、特にＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ  Ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｄｅｖｉｃｅ）固体撮像装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ＣＣＤに代表される固体撮像装置は、光電変換を行う受光部およびＣＣＤレジスタからなる垂直転送部を有する撮像部と、垂直転送部から転送された信号電荷を出力部へ転送するＣＣＤレジスタからなる水平転送部と、光電変換された電荷を出力するための出力部とから成り立っている。
【０００３】
上記の出力部は、トランジスタで構成されており、このトランジスタの形成の際、ソース・ドレイン領域に注入するイオンおよびコンタクト抵抗低減のために注入されるイオンは、高いドーズ量で注入される。例えば、ドーズ量は、１×１０１５／ｃｍ２  程度となる。このとき、注入するイオンの阻止能力およびパターンサイズからレジストマスクを使用している。
【０００４】
１×１０１５／ｃｍ２  程度の高いドーズ量でイオンが注入されると、レジストマスクは、イオンとの衝撃により炭化物の様な変質物が形成され、表面に硬化層が形成されてしまう。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、このような硬化層が表面に形成されたレジストマスクは、レジスト剥離液等では剥離することができない。そのため、アッシング処理によりレジストマスクを分解除去しているが、このアッシング時の熱（２３０〜２５０℃）により硬化層が弾ける、いわゆるポッピングという現象が起きる。
【０００６】
ポッピングにより形成されたレジストマスクの残留物は汚染等の影響を受けやすい受光部等を有する撮像部にも残留する。その結果、その後の工程まで残留物が残ることとなり、残留物に含まれる不純物の影響により白キズを悪化させてしまうという問題がある。
【０００７】
本発明は上記の事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、出力部を形成する際の不純物を導入する工程において、レジスト膜の残留物が撮像部に残存することを防止して、白キズを低減することができる固体撮像装置の製造方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するため、本発明の固体撮像装置の製造方法は、撮像部により生成され転送された信号電荷を検出して外部に出力する出力部を有する固体撮像装置の製造方法であって、前記出力部を形成する際の不純物を導入する工程は、前記撮像部にマスク層を形成する工程と、前記出力部に前記不純物の導入のためのパターンをもつレジスト膜を形成する工程と、前記マスク層および前記レジスト膜をマスクとして、前記不純物を導入する工程と、前記レジスト膜を除去する工程と、前記マスク層を除去する工程とを有する。
【０００９】
前記撮像部にマスク層を形成する工程の前に、後に前記マスク層を除去する際のストッパとなるストッパ層を前記撮像部および前記出力部に形成する工程をさらに有し、前記マスク層を除去する工程の後に、前記ストッパ層を除去する工程をさらに有する。
【００１０】
前記レジスト膜を形成する工程において、前記出力部を構成するトランジスタのソースあるいはドレインとなる領域に前記不純物を導入するためのパターンをもつ前記レジスト膜を形成する。
【００１１】
前記マスク層を形成する工程において、無機材料からなる前記マスク層を形成する。
【００１２】
上記の本発明の固体撮像装置の製造方法では、出力部を形成する際の不純物を導入する際に、撮像部にマスク層を形成し、出力部に不純物の導入のためのパターンをもつレジスト膜を形成する。
そして、マスク層およびレジスト膜をマスクとして、不純物を導入する。このとき、不純物の導入後にレジスト膜の表面に硬化層が形成される場合がある。
出力部に形成されたレジスト膜を除去する際に、撮像部はマスク層により覆われているため、撮像部にレジスト膜の除去の際の残留物が付着することが防止される。
レジスト膜の除去後、撮像部を覆うマスク層を除去する。このとき、レジスト膜の除去の際の残留物がマスク層上に存在してしても、マスク層とともに除去される。
【００１３】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明の固体撮像装置の製造方法の実施の形態について、図面を参照して説明する。
【００１４】
図１は、本実施形態に係る固体撮像装置の一例を示す概略構成図である。
本実施形態に係る固体撮像装置１は、撮像部２、水平転送部３、出力部４を有する。
【００１５】
撮像部２は、光電変換を行う受光部５、読み出しゲート部６および垂直転送部７からなる画素８を、平面マトリックス状に多数配置させて構成されている。
各画素８間は、図示せぬチャネルストッパで電気的に干渉しないように分離されている。
【００１６】
受光部５は、ｐｎ接合を中心とした領域で光電変換を行って信号電荷を発生させ、信号電荷を一定期間蓄積する。読み出しゲート部６は、受光部５において一定期間蓄積された信号電荷を所定のタイミングで垂直転送部７へ読み出す。
【００１７】
垂直転送部７は、受光部５の列ごとに共通化され所定の本数、配置されている。撮像部２に、垂直転送部７を駆動する４相のクロック信号φＶ１，φＶ２，φＶ３，φＶ４が入力される。水平転送部３に、これを駆動する２相のクロック信号φＨ１，φＨ２が入力される。
【００１８】
上記の水平転送部３および垂直転送部７は、半導体基板内の表面側に不純物が導入されて形成されたマイノリティキャリアの電位井戸と、絶縁膜を介在させて基板上に互いに絶縁分離して形成された複数の電極（転送電極）とから構成されている。
転送部３，７には、その転送電極に対して上記したクロック信号φＶ１，φＶ２，φＶ３，φＶ４，φＨ１，φＨ２がそれぞれ周期的に位相をずらして印加される。
【００１９】
転送部３，７は、転送電極に印加されるクロック信号に制御されて上述した電位井戸のポテンシャル分布が順次変化し、この電位井戸内の電荷をクロック信号の位相ずれ方向に転送する、いわゆるシフトレジスタとして機能する。
上記の垂直転送部７により信号電荷が水平転送部３に転送されると、水平転送部３により信号電荷が出力部４に転送される。
【００２０】
出力部４は、水平転送部３により転送された信号電荷を画素ごとに電圧に変換し増幅して時系列の撮像信号として外部に出力する。
【００２１】
図２は、水平転送部および出力部における断面図である。
図２に示すように、ｎ型シリコンウエハなどの半導体基板１０内にｐ型のウェル１１が形成され、ｐ型ウェル１１内に信号電荷が転送されるｎ型の転送チャネル領域１２が形成されている。転送チャネル領域１２上に酸化シリコンなどからなる誘電体膜２０が形成され、誘電体膜２０上に各種電極が形成されている。
【００２２】
水平転送部３においては、第１層目のポリシリコンからなる第１水平転送電極３１が所定間隔をおいて転送方向に繰り返し配置されている。第１水平転送電極３１の表面には、図示しない絶縁膜が形成されている。第１水平転送電極３１間の各スペースにおける絶縁膜上に、第２層目のポリシリコンからなる第２水平転送電極３２が配置されている。第２水平転送電極３２は、その両端部が第１水平転送電極３１の端部における絶縁膜２０上に重ねられている。
第１，第２水平転送電極対を単位に、位相が異なる２つの水平転送クロックφＨ１，φＨ２が交互に印加され、水平転送部内の電荷転送が行われる。
【００２３】
第２水平転送電極３２下方の転送チャネル領域１２の表面部分に、比較的低濃度のｐ型不純物領域１３が形成されている。このｐ型不純物領域１３の存在により、水平転送クロックφＨ１またはφＨ２の印加時に、ペアとなって電位制御される転送チャネル領域部分、すなわち図２におけるｐ型不純物領域１３と左側に隣接する転送チャネル領域部分に対し、ｐ型不純物領域１３下方の転送チャネル領域部分のポテンシャルが低くなる。このため、信号電荷が転送方向側に容易に移動し転送効率が向上する。
【００２４】
出力部４において、水平転送部３側に転送チャネル領域１２を深さ方向に貫いて比較的高濃度のｎ型不純物が導入され、これによりフローティングディフュージョンＦＤが形成されている。フローティングディフュージョンＦＤは、同じ半導体基板に集積化され、この断面図に現れていないソースフォロワ増幅器４０の入力に接続されている。
【００２５】
ソースフォロワ増幅器４０は、フローティングディフュージョンＦＤに送られた信号電荷による電位変化を検出して増幅する。ソースフォロワ増幅器４０の出力は、撮像信号の出力端子に接続され、この出力端子から時系列の撮像信号が順次出力される。
【００２６】
フローティングディフュージョンＦＤと離れた箇所に、転送チャネル領域１２を深さ方向に貫いて比較的高濃度のｎ型不純物が導入され、これによりリセットディフュージョンＲＤが形成されている。リセットディフュージョンＲＤは、一定電圧ＶＤで保持される。
【００２７】
このリセットディフュージョンＲＤとフローティングディフュージョンＦＤとの間に残された転送チャネル領域１２上に誘電体膜２０が延在し、この誘電体膜２０上にリセットゲートＲＧが形成されている。リセットゲートＲＧは、第１あるいは第２層目のポリシリコンから構成されている。一画素分の信号電荷の検出が終了するとリセットゲートＲＧにリセットパルスφＲＧが印加され、２つのディフュージョンＦＤ，ＲＤが導通する。これにより、フローティングディフュージョンＦＤ内の信号電荷がリセットディフュージョンＲＤに掃き捨てられる。
上記した信号電荷の検出および増幅と、このリセット動作とを画素ごとに繰り返すことにより前記した撮像信号が生成される。
【００２８】
この出力部への信号電荷の入力を制御する手段として、水平出力ゲート部（ＨＯＧ部）が水平転送部３と出力部４との間に設けられている。ＨＯＧ部の水平出力ゲート３３は、第２層目のポリシリコンからなり、その端部が水平転送部の第１水平転送電極３１の端部に対し絶縁膜を介在させた状態で重ねられている。
【００２９】
出力部で電荷量の検出時またはリセット時には、水平出力ゲート３３に水平出力クロックφＨＯＧが印加されない。このとき、水平出力ゲート３３直下の転送チャネル領域１２の電位障壁が高く、次の画素に対応した信号電荷は水平転送部端に溜まっている。
出力部でリセット動作が終了すると、水平出力ゲート３３に水平出力クロックφＨＯＧが印加され、ＨＯＧ部の電位障壁の高さが下げられ、フローティングディフュージョンＦＤに移送される。
【００３０】
図３は、ソースフォロワ増幅器の構成の一例を示す回路図である。
図３に示すように、１組の駆動トランジスタ４１および定電流トランジスタ４２を一段のソースフォロワ増幅器とする、３段のソースフォロワ増幅器が形成されている。
【００３１】
図３に示すように、ＣＣＤレジスタからなる水平転送部３および垂直転送部７と同一チップ上には、駆動トランジスタ４１や定電流トランジスタ４２等のＭＯＳトランジスタが形成されており、ソースフォロワ増幅器の駆動トランジスタ４１のゲート電極がフローディングディフュージョンＦＤに接続された構造となっている。
【００３２】
フローディングディフュージョンＦＤに転送されてきた信号電荷量をＱ、フローディングディフュージョンＦＤの容量をＣとすると、フローディングディフュージョンＦＤの電圧変化量ΔＶはΔＶ＝Ｑ／Ｃで表される。この電圧変化量ΔＶは３段の３段のソースフォロワ増幅器を経て、出力電圧Ｖｏｕｔとして得られる。
【００３３】
図４は、本実施形態に係る固体撮像装置の出力部に形成されたトランジスタの断面図である。
図４に示すように、ｎ型シリコンウエハなどの半導体基板１０内にｐ型ウェル１１が形成され、半導体基板１０上には、ゲート絶縁膜４３が形成されている。なお、ゲート絶縁膜４３は、図２に示す誘電体膜２０と同時形成されたものであってもよい。
【００３４】
ゲート絶縁膜４３上には、ポリシリコン等からなるゲート電極４４が形成されている。ｐ型ウェル１１内には、トランジスタのソースあるいはドレインとなるｎ型の高濃度不純物領域４５が形成されている。
【００３５】
上記のｎ型の高濃度不純物領域４５は、図２に示す転送チャネル領域１２等に比べてｎ型不純物を高いドーズ量で注入することにより形成される。図５に示すように、高濃度不純物領域４５を形成する領域に開口を有するパターンのレジスト膜５３を形成し、ｎ型不純物をイオン注入することにより形成される。なお、このような高濃度不純物領域４５は、トランジスタのソースあるいはドレインに限られず、出力部４を構成する回路において、コンタクト抵抗を低減するために形成される場合もある。
【００３６】
次に、出力部に高濃度不純物領域を形成する工程について、図６〜図１３を参照して説明する。各図において、（ａ）は断面図であり、（ｂ）は平面図である。
図面の簡略化のため、図６に示すように、出力部４に図示するような高濃度不純物領域４５を形成する例を説明する。図示はしていないが、出力部４に高濃度不純物領域４５を形成する際には、垂直転送部７および水平転送部３の各転送電極や、受光部５等は既に形成されており、また、出力部４において、図４に示すゲート絶縁膜４３やゲート電極４４も形成されている。
【００３７】
図７に示すように、撮像部２、水平転送部３および出力部４を被覆して全面に、例えばＣＶＤ法により窒化シリコンを成膜して、エッチングストッパ膜５１を形成する。ここで、形成するエッチングストッパ膜５１は、イオン注入に影響を及ぼさない膜厚、すなわち、注入イオンを阻止しない膜厚とする。後に説明するが、このエッチングストッパ膜５１は、マスク層を除去する際のストッパとなる。例えば、ｎ型不純物のリンを、注入エネルギー１５０ｋｅＶ、ドーズ量１×１０１５／ｃｍ２  で注入する場合には、エッチングストッパ膜５１の膜厚は数ｎｍ程度となる。
【００３８】
次に、図８に示すように、撮像部２、水平転送部３および出力部４を被覆して全面に、例えばプラズマＣＶＤ法により酸化シリコンを成膜して、マスク層５２を形成する。マスク層５２の膜厚は、注入イオンを十分阻止できる膜厚にする。例えば、ｎ型不純物のリンを、注入エネルギー１５０ｋｅＶ、ドーズ量１×１０１５／ｃｍ２  で注入する場合には、酸化シリコンからなるマスク層５２の膜厚は１００ｎｍ程度となる。
【００３９】
次に、図９に示すように、出力部４に開口５２ａを有し撮像部２および水平転送部３を被覆するパターンにマスク層５２をエッチング加工する。これは、リソグラフィ技術により出力部４に開口するパターンをもつレジストパターンを形成し、当該レジストパターンをマスクとして、マスク層５２をＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ  Ｉｏｎ  Ｅｔｃｈｉｎｇ）  等でエッチングすることにより行う。
【００４０】
次に、図１０に示すように、出力部４に形成する高濃度不純物領域に開口５３ａを有するパターンのレジスト膜５３を形成する。レジスト膜５３の形成は、レジスト塗布、露光、現像プロセスにより行われる。この時、出力部のみにレジスト膜５３を形成する。但し、位置擦れによりレジスト膜５３とマスク層５２との間への間隙の発生を防止するため、マスク層５２と一部重なるようにレジスト膜５３をパターン形成してもよい。
【００４１】
次に、図１１に示すように、レジスト膜５３およびマスク層５２をマスクとしてイオン注入を行い、出力部４に高濃度不純物領域４５を形成する。高濃度不純物領域４５は、上述したように、出力部のトランジスタのソース・ドレイン領域や、コンタクト領域等である。例えば、ｎ型不純物のリンを、注入エネルギー１５０ｋｅＶ、ドーズ量１×１０１５／ｃｍ２  で注入する。ここで、出力部４以外の撮像部２や水平転送部３は、マスク層５２で覆われているため、イオンが注入されることはない。また、出力部４においても、開口５３ａが形成された領域以外は、レジスト膜５３で覆われているため、イオンが注入されることはない。
本工程でのイオン注入により、レジスト膜５３の表面には硬化層が形成される。
【００４２】
次に、図１２に示すように、レジスト剥離液によるウェット処理やアッシング等により、レジスト膜５３を除去する。レジスト膜５３の除去の際に、硬化層に起因するレジストの残留物が撮像部２へ進入しても、撮像部２はマスク層５２で覆われているため、撮像部２にレジスト膜の除去の際の残留物が付着することが防止される。
【００４３】
次に、図１３に示すように、出力部４以外の撮像部２や水平転送部３を覆うマスク層５２を除去する。マスク層５２が酸化シリコンからなる場合には、フッ酸を用いたウェットエッチングによりマスク層５２を除去する。このとき、フッ酸は、窒化シリコンからなるエッチングストッパ膜５１に対して、酸化シリコンからなるマスク層５２を高い選択比でエッチング可能である。従って、マスク層５２の除去のためのエッチングにおいて、エッチングストッパ膜５１の下層は保護される。このとき、レジスト膜の除去の際の残留物がマスク層上に存在していても、マスク層５２とともに除去される。
【００４４】
最後に、撮像部２、水平転送部３、出力部４の全面を被覆するエッチングストッパ膜５１を除去することにより、図６に示すように、出力部４に高濃度不純物領域４５が形成される。エッチングストッパ膜５１が窒化シリコンからなる場合には、リン酸を用いたウェットエッチングによりエッチングストッパ膜５１を除去する。
【００４５】
以上により、出力部４へ高濃度不純物領域４５のためのイオン注入工程が完了する。なお、出力部４に高いドーズ量でさらにイオン注入する場合には、図７から図１３に示す工程を繰り返し行う。
【００４６】
上記の本実施形態に係る固体撮像装置の製造方法では、出力部４へ高いドーズ量でイオン注入する際に、有機材料からなるレジスト膜５３と無機材料からなるマスク層５２の２種類のマスクを用いている。
すなわち、撮像部２に無機材料のマスク層５２を形成し、出力部４にイオン注入のためのパターンをもつレジスト膜５３を形成している。
そして、マスク層５２およびレジスト膜５３をマスクとして、出力部４の所望の領域に高濃度にイオン注入している。このとき、イオン注入後には、レジスト膜５３の表面に硬化層が形成される。
出力部４に形成されたレジスト膜５３を除去する際に、撮像部２はマスク層５２により覆われているため、撮像部２にレジスト膜５３の除去の際の残留物が付着することが防止される。
そして、レジスト膜５３の除去後に、撮像部２を覆うマスク層５２を除去している。このとき、レジスト膜５３の除去の際の残留物がマスク層５２上に存在しても、マスク層５２とともに除去される。
【００４７】
以上のように、本実施形態に係る固体撮像装置の製造方法によれば、出力部４に高いドーズ量でイオン注入を行った後のレジスト膜５３の剥離が困難であっても、出力部４以外はマスク層５２で覆っていることから、レジスト膜５３の剥離後の残留物は、受光部５や垂直転送部７を有する撮像部２や、水平転送部３に残存することはない。従って、レジストの残留物に含まれる不純物の影響がなく、白キズを低減することができる。
【００４８】
本実施形態において、無機材料からなるマスク層５２のみを用いてイオン注入せずに、レジスト膜５３も併用しているのは以下の理由からである。
すなわち、撮像部２および水平転送部３以外の出力部４はＭＯＳトランジスタ等の複雑な回路が形成されているため、高濃度不純物領域を形成するパターンは非常に微細である。
ＲＩＥ等のエッチングを用いて加工するマスク層５２に比べて、リソグラフィ技術で加工するレジスト膜５３の方が、加工精度が高いことから、微細なパターンに適している。
以上の理由から、本実施形態では、出力部４以外の撮像部２および水平転送部３を覆うだけでよいラフなパターンをマスク層５２により形成し、出力部４の中の所望の領域にイオン注入するための微細なパターンをレジスト膜５３により形成している。
【００４９】
出力部４はレジスト膜５３で覆っているため、出力部４にはレジスト膜５３の残留物が残存する恐れもある。しかしながら、通常のＭＯＳトランジスタをもつ半導体装置においては、さらに高いドーズ量で繰り返しイオン注入を行って形成しているため、出力部４の回路への影響はほとんどないと考えられる。
【００５０】
また、本実施形態では、マスク層５２およびレジスト膜５３の下層に、エッチングストッパ膜５１を形成している。このエッチングストッパ膜５１はマスク層５２のエッチングのためのストッパとしてだけでなく、出力部４にも残しておくことにより、エッチングストッパ膜５１の除去の際に、エッチングストッパ膜５１上に残存したレジストの残留物をも除去するという効果も奏する。
【００５１】
本発明は、上記の実施形態の説明に限定されない。
例えば、本発明では、マスク層５２を酸化シリコンで形成し、エッチングストッパ膜５１を窒化シリコンで形成した例について説明したが、これに限られるものではない。例えば、マスク層５２を窒化シリコンやポリシリコンで形成してもよい。この場合、エッチングストッパ膜５１は、マスク層５２とのエッチング選択比を考慮して種々の材料を適用可能である。また、成膜方法も、プラズマＣＶＤの他、熱ＣＶＤで形成してもよい。
【００５２】
また、本実施形態では、インターライントランスファ（ＩＴ）方式のＣＣＤ固体撮像装置を例に説明したが、転送方式に限定はなく、例えば、フレームトランスファ（ＦＴ）方式や、フレームインターライントランスファ（ＦＩＴ）方式であってもよい。
【００５３】
また、本実施形態では、出力部４の回路の一例について説明したが、トランジスタを含む回路であれば、どのような回路構成でもよい。また、フローティングディフュージョンアンプではなく、フローティングゲートアンプにより出力部４を形成してもよい。
その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の変更が可能である。
【００５４】
【発明の効果】
本発明によれば、出力部を形成する際の不純物を導入する工程において、レジスト膜の残留物が撮像部に残存することを防止して、白キズが低減された固体撮像装置を製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本実施形態に係る固体撮像装置の一例を示す概略構成図である。
【図２】水平転送部および出力部における断面図である。
【図３】ソースフォロワ増幅器の構成の一例を示す回路図である。
【図４】本実施形態に係る固体撮像装置の出力部に形成されたトランジスタの断面図である。
【図５】図４に示すトランジスタのソース・ドレイン領域の形成のためのイオン注入工程を示す図である。
【図６】出力部に高濃度不純物領域を形成する工程を説明するための図である。
【図７】出力部に高濃度不純物領域を形成する工程において、エッチングストッパ膜の形成後の図である。
【図８】出力部に高濃度不純物領域を形成する工程において、マスク層の堆積後の図である。
【図９】出力部に高濃度不純物領域を形成する工程において、マスク層の加工後の図である。
【図１０】出力部に高濃度不純物領域を形成する工程において、レジスト膜の形成後の図である。
【図１１】出力部に高濃度不純物領域を形成する工程において、イオン注入後の図である。
【図１２】出力部に高濃度不純物領域を形成する工程において、レジスト膜の除去後の図である。
【図１３】出力部に高濃度不純物領域を形成する工程において、マスク層の除去後の図である。
【符号の説明】
１…固体撮像装置、２…撮像部、３…水平転送部、４…出力部、５…受光部、６…読み出しゲート部、７…垂直転送部、８…画素、１０…半導体基板、１１…ｐ型ウェル、１２…転送チャネル領域、１３…ｐ型不純物領域、２０…誘電体膜、３１…第１水平転送電極、３２…第２水平転送電極、３３…水平出力ゲート、４０…ソースフォロワ増幅器、４１…駆動トランジスタ、４２…定電流トランジスタ、４３…ゲート絶縁膜、４４…ゲート電極、４５…高濃度不純物領域、５１…エッチングストッパ膜、５２…マスク層、５２ａ…開口、５３…レジスト膜、５３ａ…開口、ＦＤ…フローティングディフュージョン、ＲＤ…リセットディフュージョン、ＲＧ…リセットゲート、φＨ１，φＨ２…水平転送クロック、φＨＯＧ…水平出力クロック、φＲＧ…リセットクロック。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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