(57)【要約】【課題】高信頼性化、高密度化および低コスト化に対応し、更に接合不良を低減したバンプを用いた電子部品を提供する。【解決手段】基板１上に形成されたパッド電極部３上に形成された柱状構造の固相拡散接合用バンプを備えたフリップチップ接続方式の電子部品で、バンプは主体層５を備え、また、高さ方法の少なくとも一部に接合不良等を低減するた空隙部７を備える。【効果】本発明によるバンプを有する電子部品によれば、電子機器のより一層の高信頼性化および高密度化に対応することが可能となり、基板への実装時における接合不良等を低減することが可能となる。また基板に対するダメージ低減効果も有することから、基板のクラックの発生抑制も可能となる。また、バンプの形成に係る製造コストの低コスト化を実現することが可能となる。【選択図】　　　　　　図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成された複数のパッド電極と、前記パッド電極上に形成された柱状構造の固相拡散接合用バンプを備えたフリップチップ接続方式の電子部品であって、
前記柱状構造の固相拡散接合用バンプは、高さ方向の少なくとも一部において、空隙部を有する横断面形状を備えたことを特徴とする電子部品。
【請求項２】
前記電子部品は、弾性表面波を利用したデバイスであることを特徴とする、請求項１に記載の電子部品。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、固相拡散接合用バンプを用いた電子部品、例えば携帯電話等の移動体通信分野やテレビジョン等の電子回路に用いられる固相拡散接合用バンプを用いた電子部品に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、電子機器の小型化・薄型化および信号処理速度の高速化が急速に進むなか、更に電子機器を小型化しようとする動きも活発に進められている。電子機器の小型化をより一層進展させるためには、電子部品の実装密度を如何に向上させるかが重要なポイントの一つとなる。このような中で、最近では、パッケージを用いないでプリント配線基板に直接電子部品を実装するベアチップ実装方式の展開が進められている。
【０００３】
このベアチップ実装は、大きく２つの実装方式が提案されている。一つは、ワイヤーボンディング方式を用いた実装方式であり、実装基板上にベアチップの能動面を上にして接着し、ベアチップ上の電極と基板上の配線電極とを、例えばＡｕのワイヤーで接続する方式である。二つめは、フリップチップ実装方式と呼ばれるもので、ベアチップの能動面に設けられたバンプと基板上の配線電極とをフェイスダウンにして接続するものである。
【０００４】
しかし、集積回路の多様化、高密度化がますます増大し、外部回路との接続を行う端子の数が急速に増大し、また複雑になってきている。このため、ベアチップの周辺に設けたボンディングパッドとの接続により、外部との接続を行うワイヤーボンディング方式は、既にその限界に達している。また、ワイヤーボンディング方式は、内部領域の配線を周辺部のボンディングパッドまで引き回す形となるため、配線長が長くなり、信号伝播速度が遅延する欠点を有する。これは、高速動作が要求される電子部品の実装方式としては不向きである。
【０００５】
このような理由からも、接続領域をチップ上に限定することが出来るフリップチップ実装方式が注目されている。フリップチップ実装方式は、ワイヤーボンディング実装方式に比べてチップ上の配線長を短く出来るので、高速化を促進できる利点も備える。
【０００６】
フリップチップ実装方式は、ベアチップ部品に接合用のバンプを備える構造となるが、用いられるバンプ形成工法としては、スタッドバンプ法、またはボールバンプ法等が一般に知られている。また、バンプは基板との接合法から熱溶融接合用バンプと固相拡散接合用バンプに分類され、接合時の熱拡散等が少なく、より高い信頼性を有するバンプとしては、固相拡散接合用バンプが挙げられる。
【０００７】
固相拡散接合用バンプの形成法としてのスタッドバンプ法は、半導体チップのパッド電極上にバンプを形成するために、キャピラリー先端から導出された、例えばＡｕの金属ワイヤーの先端に膨頭部を形成し、チップ上の接続用パッド電極部に押し当て、先端部の膨頭部を押し潰し圧着する。次に金属ワイヤーでループ形状を形成し、押し潰された膨頭部に圧着することで、接合用パッド電極部上にバンプを形成する（例えば、特許文献１参照。）。
【０００８】
また、微細なピッチの接合を突起形状のバンプと半導体素子の電極部に設けた穴とを接合することで接続が実現でき、また設けた穴に逃げ部を設けることで、接合時に生じる物理的なストレスの少ない実装性を向上させた製造方法が提案されている。この突起形状のバンプは、ワイヤーボンディングで基板と接続後、引き千切り方式により、円錐形状の突起バンプを形成することが提案されている（例えば、特許文献２参照。）。
【０００９】
一方、基板との接続時に導通不良を発生させることなく高密度な実装を容易に、また接合時の物理的なストレスなく接合するために、突起形状のバンプを形成することが提案されている。その突起形状のバンプを形成するために、Ｓｎ膜を形成した逆突起形状の孔に、ワイヤーボンディング法を用いて形成したバンプを熱圧着することで、母材をＡｕ、表面層をＳｎからなる合金化した複数の突起形状のバンプをチップ上に配列された各パッド電極上に形成する（例えば、特許文献３参照。）。
【００１０】
【特許文献１】
特開平７−１８３３０３号公報
【特許文献２】
特開２０００−２８６３０４号公報
【特許文献３】
特開２００２−９３８４２号公報
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記説明した従来技術によるバンプを備える電子部品には、以下の問題が存在する。
【００１２】
特許文献１においては、キャピラリー先端から導出した金属ワイヤーの先端部をパッド上に押し当てて先端部を潰し圧着する。次に金属ワイヤーでループ形状を形成し、押し潰された膨頭部に圧着することで、接合用パッド電極部上にバンプを形成する。その後、金属ワイヤーを切断し、バンプを形成することから、接続用パッド電極上に形成されたバンプの形状は、大きな高さバラツキが存在する。またバンプ形状の安定に欠けるために、基板との接続時に導通不良を引き起こすという課題を有している。また、バンプ電極の形成がキャピラリーを用いた形成であることから、バンプの形成を一つ一つ行う必要があるため、多量にバンプを形成する時には、製造コスト要因の一つとなり、今後の低価格化に対し課題を有する。更に、小型化に対応した微小なバンプの形成に対しては、適用不可であることは明らかである。
【００１３】
また、特許文献２においては、ワイヤーボンディングにより基板と接合後、引き千切り方式により円錐状のバンプを形成することから、バンプ形状および高さに大きなバラツキを有する。またバンプの形成がキャピラリーを用いた形成であることから、バンプの形成を一つ一つ行う必要があるため、多量にバンプを形成する時には、製造コスト要因の一つとなり、今後の低価格化に対し課題を有する。更に、電子部品等の小型化に対応する微小なバンプの形成において、限界があることは明らかである。
【００１４】
また、特許文献３においては、突起形状のバンプを形成するために、突起形状に対向した別な基板に孔形状を設ける等、多数の工程を有することになり製造コスト面において大きな課題を有する。更に対向した孔形状によりバンプ形状を決定することから、電子部品等の小型化に対応する微小なバンプ形成に対して大きな課題を有する。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
上記問題を解決すべく本発明は、基板上に形成された複数のパッド電極と、パッド電極上に形成された柱状構造の固相拡散接合用バンプを備えたフリップチップ接続方式の電子部品で、柱状構造の固相拡散接合用バンプは、高さ方向に少なくとも一部に、空隙部を有する横断面形状を備えたバンプを用いた電子部品である。
【００１６】
以上のような本発明のバンプを用いた電子部品によれば、より一層の高信頼性化および高密度化に対応し、また、接合不良等を低減することができ、更に、バンプの形成及び製造コストの低コスト化を実現することができる。
【００１７】
また、本発明のバンプを用いた電子部品は、弾性波を用いたデバイスである。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施例について添付図にもとづいて詳細に説明する。
【００１９】
図１は、本発明の電子部品における一実施例、その中でも、電子部品として弾性表面波装置の断面図を示す。図１において基板１と、基板１の上面にＩＤＴやバスバー等の配線電極２と、基板１の上面に形成された、上記配線電極２に接続されるパッド電極３を含む固相拡散接合用バンプを構成するイ部を有する。尚、以下の説明では、パッド電極を含む固相拡散接合用バンプを構成するイ部の例として説明する。
【００２０】
図２（ａ）は、本発明の電子部品における柱状構造をした空隙部を備える固相拡散接合用バンプ、その中でも、市松模様をした固相拡散接合用バンプ構造を示す平面図、図２（ｂ）は図２（ａ）におけるＡ−Ａ部断面図、また図３は、その固相拡散接合用バンプ形成における概略プロセスフローをそれぞれ示す。尚、以下の説明では、電子部品として弾性表面波装置を例として説明する。
【００２１】
図２（ａ）、（ｂ）において、基板１と、基板１の上面にＩＤＴやバスバー等の配線電極（図示せず）と共に形成されたパッド電極部３と、固相拡散接合用バンプ２０として、パッド電極３の上面に市松模様状に形成された接着層４と、接着層４の上面に形成された主体層５と、最表面に表面酸化防止層６を有する。接着層４、主体層５、表面酸化防止層６は、複数の柱状に形成され、それらの間には、空隙部６が存在する。これら詳細を図３の概略プロセスフローを用いて説明する。
【００２２】
先ず図３（ａ）に示すように、基板１、例えば圧電基板であるＬｉＴａＯ３の上面に、フォトリソグラフィー技術を用いて、ＩＤＴやバスバー等の配線電極膜（図示せず）と共にパッド電極部３、例えばＡｌを形成する。尚、目的に応じて基板１は、水晶、ＬｉＮｂＯ３等の圧電基板を用い、配線電極材料としては、Ａｕ、Ｃｕ、Ｎｉ、ＴａおよびＷ等の金属材料を用いることもある。
【００２３】
次に図３（ｂ）に示すように、固相拡散接合用バンプ２０を形成するために、パッド電極部３の上面に、フォトリソグラフィー技術を用いて、所望の固相拡散接合用バンプ形状を形成する部分が開口したレジスト８を形成する。この時、バンプ総高さが５０μｍとする場合、このレジスト８の膜厚を５０μｍとする。また、現状のフォトリソグラフィー技術を用いれば、アライメント精度は０．５μｍ以下に抑えることが可能であり、また、レジスト開口部の寸法バラツキは、±１μｍ以下に抑えることが可能である。レジスト８は、スピンコーター等を用いて、所定の膜厚のレジストを塗布し、所定のパターンが形成されたフォトリソマスクを介してレジストを露光し、現像処理することによりパターン形成される。ここで、レジスト８のパターンは、リフトオフを考慮して逆テーパー形状になることが好ましい。
【００２４】
次に図３（ｃ）に示すように、パッド電極部３の上面にパッド電極部３と主体層５との密着力を確保するための接着層４として、例えばＴｉを０．１μｍ形成する。接着層４は、Ｔｉに限らずＮｉ−ＣｒやＣｒ等でもよい。次にバンプの主体層５として、例えばＣｕを４０μｍ形成する。ここで、主体層５は、Ｃｕに限らずＡｕ、またはＡｌ等、比抵抗の小さい金属材料を用いるとよい。また、主体層５は、固相拡散接合用バンプ総高さの５１％以上を占めることが固相拡散接合用バンプとしては望ましい。次に最表面層に表面酸化防止層６として、例えばＡｕを０．１μｍ形成する。表面酸化防止層６はＡｕに限らず、常温の大気中で表面酸化膜を殆ど形成しないＰｔ、Ｐｄ等も適している。
【００２５】
これらバンプを構成する各層は真空蒸着法で形成され、真空を破らずに連続で成膜することが好ましい。尚、真空蒸着法を成膜工法としてを用いるため、形成するバンプの高さバラツキを±３％以下、また、基板内での高さバラツキを±１％以下で形成することが可能で、更に例えば、１チップのサイズが２．０×２．０ｍｍのものでは、このチップ内におけるバンプ高さバラツキを、±０．０１％以下に抑制することも可能である。
【００２６】
次に図３（ｄ）に示すように、剥離液への浸漬、揺動等によってレジスト８を剥離（リフトオフ）し、柱状構造の固相拡散接合用バンプ２０が形成される。ここで、バンプ内には、実装時の衝撃を吸収、接合不良の低減を目的とする空隙部６が形成される。このように固相拡散接合用バンプ２０は、複数の柱状構造部と空隙部７を開けて並べたような構造となっているため、横断面形状においても空隙部を有することになる。一方、バンプとしての構成は、ここに示した多層バンプに限らず、更に幅広い選定が可能であり、単層バンプでもよい。
【００２７】
また、空隙部７は、基板１、実装する基板の状態や実装装置の並行度等の要因から、最適値を見積もり形成すれば良く、固相拡散接合用バンプの高さ方向の一部に備えることにより、その効果が得られる。
【００２８】
次に図４（ａ）は、本発明の電子部品における柱状構造をした空隙部を備える固相拡散接合用バンプ、その中でも、上部が市松模様で、下部にて一体化した固相拡散接合用バンプ構造を示す平面図、図４（ｂ）は図４（ａ）におけるＢ−Ｂ部断面図、また図５は、その固相拡散接合用バンプ形成における概略プロセスフローをそれぞれ示す。尚、以下の説明でも、電子部品として弾性表面波装置を例として説明する。
【００２９】
図４（ａ）、（ｂ）において、基板１と、基板１の上面に形成されたＩＤＴやバスバー等の配線電極（図示せず）と共に形成されたパッド電極部３と、パッド電極３の上面に形成された接着層４と、接着層４の上面に形成された主体層９と、最表面に表面酸化防止層６を有する。接着層４、主体層９、表面酸化防止層６は、上部において複数の柱状に形成され、それらの間には、空隙部１０が存在する。これら詳細を図５の概略プロセスフローを用いて説明する。
【００３０】
先ず図５（ａ）に示すように、基板１、例えば圧電基板であるＬｉＴａＯ３の上面に、フォトリソグラフィー技術を用いてＩＤＴやバスバー等の配線電極膜（図示せず）と共にパッド電極３、例えばＡｌを形成する。尚、目的に応じて基板１は、水晶、ＬｉＮｂＯ３等の圧電基板を用い、配線電極材料としては、Ａｕ、Ｃｕ、Ｎｉ、ＴａおよびＷ等の金属材料を用いることもある。
【００３１】
次に図５（ｂ）に示すように、固相拡散接合用バンプ３０の下層部を形成するために、基板１およびパッド電極部３の上面に、フォトリソグラフィー技術を用いて、所望の固相拡散接合用バンプの下部層を形成する部分が開口したレジスト１４を形成する。レジスト１４は、スピンコーター等を用いて、所定の膜厚のレジストを塗布し、所定のパターンが形成されたフォトリソマスクを介してレジストを露光し、現像処理することによりパターン形成される。ここで、レジスト１４のパターンは、リフトオフを考慮して逆テーパー形状になることが好ましい。
【００３２】
次に図５（ｃ）に示すように、パッド電極部３の上面にパッド電極部３と主体層８との密着力を確保するための接着層４として、例えばＴｉを０．１μｍ形成する。接着層４は、Ｔｉに限らずＮｉ−ＣｒやＣｒ等でもよい。次にバンプの主体層８として、例えばＣｕを形成する。ここで、主体層８は、Ｃｕに限らず、Ａｕ、またはＡｌ等、比抵抗の小さい金属材料を用いる。
【００３３】
次に図５（ｄ）に示すように、剥離液への浸漬、揺動等によってレジスト１４を剥離（リフトオフ）し、固相拡散接合用バンプ３０の下部層が形成される。
【００３４】
次に図５（ｅ）に示すように、固相拡散接合用バンプ３０の上層部を形成するために、基板１、パッド電極部３およびバンプ下層部の上面に、フォトリソグラフィー技術を用いて、所望の固相拡散接合用バンプ３０を形成する部分が開口したレジスト１５を形成する。また、現状のフォトリソグラフィー技術を用いれば、アライメント精度は０．５μｍ以下に抑えることが可能であり、また、レジスト開口部の寸法バラツキは、±１μｍ以下に抑えることが可能である。レジスト８は、スピンコーター等を用いて、所定の膜厚のレジストを塗布し、所定のパターンが形成されたフォトリソマスクを介してレジストを露光し、現像処理することによりパターン形成される。ここで、レジスト１５のパターンは、リフトオフを考慮して逆テーパー形状になることが好ましい。
【００３５】
次に図５（ｆ）に示すように、バンプの主体層８として、例えばＣｕを形成する。ここで、主体層８は、Ｃｕに限らず、Ａｕ、またはＡｌ等、比抵抗の小さい金属材料を用いる。また、主体層８は、固相拡散接合用バンプ総高さの５１％以上を占めることが固相拡散接合用バンプとしては望ましい。次に最表面層に表面酸化防止層６として、例えばＡｕを０．１μｍ形成する。表面酸化防止層６はＡｕに限らず、常温の大気中で表面酸化膜を殆ど形成しないＰｔ、Ｐｄ等も適している。
【００３６】
これら層の形成は、真空蒸着法を成膜工法としてを用いるため、形成するバンプの高さバラツキを±３％以下、また、基板内での高さバラツキを±１％以下で形成することが可能で、更に例えば、１チップのサイズが２．０×２．０ｍｍのものでは、このチップ内におけるバンプ高さバラツキを、±０．０１％以下に抑制することも可能である。
【００３７】
次に図５（ｇ）に示すように、剥離液への浸漬、揺動等によってレジストを剥離（リフトオフ）し、固相拡散接合用バンプ３０が形成される。ここで、バンプ内には、実装時の衝撃を吸収、接合不良の低減を目的とする空隙部１０が形成される。このように固相拡散接合用バンプ３０は、上層部において複数の柱状構造部と空隙部１０を開けて並べたような構造となっているため、高さ方向の少なくとも一部の横断面形状においても空隙部を有することになる。一方、バンプとしての構成は、ここに示した多層バンプに限らず、更に幅広い選定が可能であり、単層バンプでもよい。また、空隙部１０は、基板１、実装する基板の状態や実装装置の並行度等の要因から、最適値を見積もり形成すれば良く、固相拡散接合用バンプの高さ方向の一部に備えることにより、その効果が得られる。
【００３８】
次に図６（ａ）は、本発明の電子部品における柱状構造した空隙部を備える固相拡散接合用バンプ、その中でも、煙突形状した固相拡散接合用バンプ構造を示す平面図、図６（ｂ）は図６（ａ）におけるＣ−Ｃ部断面図をそれぞれ示す。尚、以下の説明でも、電子部品として弾性表面波装置を例として説明する。
【００３９】
図６（ａ）、（ｂ）において、基板１と、基板１の上面に形成されたＩＤＴやバスバー等の配線電極（図示せず）と共に形成されたパッド電極部３と固相拡散接合用バンプ４０として、パッド電極３上面に煙突形状に形成された接着層１１と、接着層１１の上面に形成された主体層１２と、最表面に表面酸化防止層１３を有する。接着層１１、主体層１２、表面酸化防止層１３は、煙突形状に形成され、それらの中央部に空隙部１４が存在する。
【００４０】
図６（ａ）、（ｂ）に示すように、基板１、例えば圧電基板であるＬｉＴａＯ３の上面に、フォトリソグラフィー技術を用いて形成されたＩＤＴやバスバー等の配線電極膜（図示せず）と共にパッド電極３、例えばＡｌを形成する。尚、目的に応じて基板１は、水晶、ＬｉＮｂＯ３等の圧電基板を用い、配線電極材料としては、Ａｕ、Ｃｕ、Ｎｉ、ＴａおよびＷ等の金属材料を用いることもある。
【００４１】
次に固相拡散接合用バンプ４０を形成するために、パッド電極部３の上面に、フォトリソグラフィー技術を用いて、所望の固相拡散接合用バンプ形状を形成する部分が開口したレジストを形成する。この時、バンプ総高さが５０μｍとする場合、このレジストの膜厚を５０μｍとする。また、現状のフォトリソグラフィー技術を用いれば、アライメント精度は０．５μｍ以下に抑えることが可能であり、また、レジスト開口部の寸法バラツキは、±１μｍ以下に抑えることが可能である。レジストは、スピンコーター等を用いて、所定の膜厚のレジストを塗布し、所定のパターンが形成されたフォトリソマスクを介してレジストを露光し、現像処理することによりパターン形成される。ここで、レジストのパターンは、リフトオフを考慮して逆テーパー形状になることが好ましい。
【００４２】
次にパッド電極部３の上面にパッド電極部３と主体層１２との密着力を確保するための接着層１１として、例えばＴｉを０．１μｍ形成する。接着層１１は、Ｔｉに限らずＮｉ−ＣｒやＣｒ等でもよい。次にバンプの主体層１１として、例えばＣｕを４０μｍ形成する。ここで、主体層１２は、Ｃｕに限らず、Ａｕ、またはＡｌ等、比抵抗の小さい金属材料を用いる。また、主体層１１は、固相拡散接合用バンプ総高さの５１％以上を占めることが固相拡散接合用バンプとしては望ましい。次に最表面層に表面酸化防止層１３として、例えばＡｕを０．１μｍ形成する。表面酸化防止層１３はＡｕに限らず、常温の大気中で表面酸化膜を殆ど形成しないＰｔ、Ｐｄ等も適している。
【００４３】
これらバンプを構成する各層は真空蒸着法で形成され、真空を破らずに連続で成膜することが好ましい。尚、真空蒸着法を成膜工法としてを用いるため、形成するバンプの高さバラツキを±３％以下、また、基板内での高さバラツキを±１％以下で形成することが可能で、更に例えば、１チップのサイズが２．０×２．０ｍｍのものでは、このチップ内におけるバンプ高さバラツキを、±０．０１％以下に抑制することも可能である。
【００４４】
次に剥離液への浸漬、揺動等によってレジストを剥離（リフトオフ）し、固相拡散接合用バンプ４０が形成される。ここで、バンプ内には、実装時の衝撃を吸収、接合不良の低減を目的とする空隙部１４が形成される。このように固相拡散接合用バンプ４０は、中央部に空隙部１４を有する煙突形状した構造となっているため、横断面形状においても空隙部を有することになる。一方、バンプとしての構成は、ここに示した多層バンプに限らず、更に幅広い選定が可能であり、単層バンプでもよい。また、空隙部１４は、基板１、実装する基板の状態や実装装置の並行度等の要因から、最適値を見積もり形成すれば良く、固相拡散接合用バンプの高さ方向の一部に備えることにより、その効果が得られる。
【００４５】
また、以上の実施形態では、固相拡散接合バンプ形成法として蒸着リフト法を用いたが、電解めっき法を用いてもよい。
【００４６】
次に図７に接合不良の多い材料とされるピュアなＣｕバンプを用いた固相拡散接合用バンプに、空隙部を備えた時のその効果を示す。バンプの層構成を同等とし、バンプ内に本発明である空隙を有する、例えば図２にて示した固相拡散接合用バンプと従来の空隙部を有さないバンプとの比較となる。図７から、接合不良に対する空隙部の効果が明確に確認でき、空隙部を備えることにより接合不良の発生率が低下する。空隙部の存在は、接合時の衝撃の吸収と共に接合における信頼性および安定性を向上させることを示すものである。
【００４７】
このようにして固相拡散接合用バンプが形成された基板は、ダイシングカットソー等を用い、所望する電子部品として機能するチップ別に小片化され、それぞれのチップをＡｕ配線等の施されたアルミナ基板等に接合する。更にそれらをセラミックスパッケージでシーム溶接封止等を施し、最終的に電子部品を得る。
【００４８】
【発明の効果】
以上のように本発明によるバンプを有する電子部品によれば、電子機器のより一層の高信頼性化および高密度化に対応することが可能となり、基板への実装時における接合不良等を低減することが可能となる。また基板に対するダメージ低減効果も有することから、基板のクラックの発生抑制も可能となる。
【００４９】
また、バンプの形成に係る製造コストの低コスト化を実現することができる電子部品を提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の電子部品における一実施例を示す断面図である。
【図２】本発明の電子部品における固相拡散接合用バンプの一実施例を示す平面図および断面図である。
【図３】図２の固相拡散接合用バンプの形成方法を示す概略プロセスフローである。
【図４】本発明の電子部品における固相拡散接合用バンプの別の実施例を示す平面図および断面図である。
【図５】図４の固相拡散接合用バンプの形成方法を示す概略プロセスフローである。
【図６】本発明の電子部品における固相拡散接合用バンプの更に別の実施例を示す平面図および断面図である。
【図７】本発明の固相拡散接合用バンプの接合不良発生率に対する効果を示す図である。
【符号の説明】
１…基板
２…配線電極
３…パッド電極
４、１１…接着層
５、９、１２…主体層
６、１３…表面酸化防止層
７、１０、１４…空隙部
８、１５…レジスト
２０、３０、４０…固相拡散接合用バンプ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
2004128161.tif 000007
【図６】
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【図７】
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