(57)【要約】【課題】超臨界状態とする物質の液体とリンス液との置換をより効率的に行い、パターン倒れの発生を極力抑制した状態で超臨界乾燥が行えるようにすることを目的とする。【解決手段】圧力８ＭＰａの状態で、反応室１０２の内部が液化二酸化炭素で充填されたところで、圧力制御バルブ１１０を閉じる。次いで、圧力計１０５の圧力測定値により導入バルブ１０６の開度を制御し、圧送ポンプ１０４の排出側と導入バルブ１０６との間の配管１１２内の圧力（圧力計１０５の圧力測定値）が、１０ＭＰａとなるまで導入バルブ１０６を閉じた状態とし、圧力計１０５の測定値が１０ＭＰａとなったところで、導入バルブ１０６を開放する。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成された所定のパターンをリンス液に晒す第１の工程と、
前記基板を反応室内に配置し、前記反応室内に大気雰囲気では気体である第１物質の液体を圧送して前記反応室内を前記第１物質の液体で充填し、前記パターンに前記リンス液が付着している状態で前記パターンを前記第１物質の液体に晒す第２の工程と、
前記反応室内の前記第１物質が液体である状態を保持する条件で、前記反応室の内部を所定の圧力とする第３の工程と、
大気雰囲気では気体である第２物質を前記反応室の内部の圧力以上として前記反応室内に導入し、前記反応室の内部の圧力を一時的に上昇させる第４の工程と、
前記反応室内の前記第１物質を超臨界状態とする第５の工程と、
前記パターンに付着している超臨界状態の前記第１物質を気化させる第６の工程と
を少なくとも備えたことを特徴とする超臨界乾燥方法。
【請求項２】
請求項１記載の超臨界乾燥方法において、
前記第１物質は二酸化炭素であることを特徴とする超臨界乾燥方法。
【請求項３】
請求項１又は２記載の超臨界乾燥方法において、
前記第２物質は前記第１物質であることを特徴とする超臨界乾燥方法。
【請求項４】
請求２記載の超臨界乾燥方法において、
前記第２物質は窒素であることを特徴とする超臨界乾燥方法。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１項に記載の超臨界乾燥方法において、
前記第５の工程の前に、前記第４の工程を所定回数繰り返す
ことを特徴とする超臨界乾燥方法。
【請求項６】
処理対象基板を載置する反応室を備えた密閉可能な容器と、前記反応室内に大気雰囲気では気体である物質の液体を供給する液体供給手段と、
前記物質の液体を前記反応室内に圧送する圧送ポンプと、
この圧送ポンプから排出された液体を前記反応室内に輸送する配管と、
この配管に設けられた導入バルブと、
前記圧送ポンプの排出側と前記導入バルブとの間の前記配管の内部圧力を測定する圧力計と、
前記反応室内の温度を所定の温度に制御する温度制御手段と、
前記反応室内に導入された流体を排出する排出手段と
を備え、
前記導入バルブは、前記圧力計により開閉の状態を制御する
ことを特徴とする超臨界乾燥装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、リンス処理の後の乾燥におけるリンス液の表面張力による微細なパターンの倒れを抑制する超臨界乾燥方法及び装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
よく知られているように、ＬＳＩを始めとする大規模・高性能デバイスを作製するためには、極微細パターンが必要となる。この極微細パターンは、例えば、露光，現像，リンス処理を経て形成される、光やＸ線または電子線に感光性を有するレジストのパターンである。また、これらレジストパターンをマスクとした選択エッチングによる、エッチング，水洗，リンス処理を経て形成される酸化物などの無機材料からなるエッチングパターンである。
【０００３】
前述したレジストパターンは、有機材料である感光性レジストの膜をリソグラフィー技術で加工することにより形成できる。感光性レジストの膜に露光を行うと、露光された領域の分子量や分子構造が変化し、未露光の領域との間に現像液に対する溶解性に差が発生するので、この差を利用した現像処理により感光性レジストの膜より微細なパターンが形成できる。
【０００４】
上述した現像処理では、現像を続けていけば、やがて未露光の領域も現像液に溶解し始めてパターンが消滅してしまうので、リンス液によるリンス処理を行って現像を停止している。最終的に、乾燥してリンス液を除去することで、加工マスクとしてのレジストパターンがレジスト膜に形成できる。
このような微細パターン形成における乾燥時の大きな問題点として、図６（ａ）〜図６（ｃ）の工程図に示すようなパターンの倒れがある。
【０００５】
アスペクト比の大きい微細なレジストのパターンは、現像を施した後でリンス洗浄，乾燥を経て形成される。レジスト以外でもアスペクト比の大きな微細パターンは形成される。例えば、レジストパターンをマスクに基板をエッチングし、高アスペクト比の基板パターンを形成する場合、エッチングの後で洗浄し、図６（ａ）に示すように、基板６０１と共に基板パターン６０２を水６０３に浸漬してリンス洗浄する。この後、乾燥を行うことになる。
【０００６】
ところが、図６（ｂ）に示すように、乾燥時には、基板パターン６０２の間に残った水６０３と、外部の空気６０４との圧力差により、曲げ力（毛細管力）６０５が働く。この結果、図６（ｃ）に示すように、基板６０１上で基板パターン６０２のパターン倒れが発生する。この倒れる現象はパターンが高アスペクト比になるほど顕著になる。上記毛細管力は、水などのリンス液とパターンとの間での気液界面で生じる表面張力に依存することが報告されている（非特許文献１参照）。
【０００７】
この毛細管力は、有機材料からなるレジストパターンを倒すだけでなく、無機材料であるシリコンなどのより丈夫なパターンをも歪める力を有しているため、上述したリンス液による表面張力の問題は重要となっている。この毛細管力による問題は、表面張力の小さなリンス液を用いて処理を行うようにすれば解決できる。例えば、リンス液として水を用いた場合、水の表面張力は約７２×１０−３Ｎ／ｍだが、メタノールの表面張力は約２３×１０−３Ｎ／ｍなので、水を直接乾燥するよりも、水をエタノールに置換した後でエタノールを乾燥する方が、パターン倒れの程度は抑制される。
【０００８】
さらに、表面張力が２０×１０−３Ｎ／ｍのパーフロロカーボンを用い、パーフロロカーボン液でリンス液を置換してからパーフロロカーボンを乾燥させるようにすれば、パターン倒れ抑制にはより効果的である。しかしながら、表面張力の低いリンス液を用いればパターン倒れの発生を低減できるが、液体を用いている限りはある程度の表面張力を持つためパターン倒れをなくすことはできない。パターン倒れの問題を解決するためには、表面張力がゼロのリンス液を用いるか、リンス液を表面張力がゼロの液体で置換した後で、置換した液体を乾燥することが必要となる。
【０００９】
上記の表面張力がゼロの液体として超臨界流体がある。超臨界流体は、臨界温度及び臨界圧力を超えた温度及び圧力下の物質であり、液体に近い溶解力を持つが、張力や粘度は気体に近い性質を示すもので、気体の状態を保った液体といえる。この、超臨界流体は、気液界面を形成しないため、表面張力はゼロになる。したがって、超臨界状態で乾燥すれば、表面張力の概念はなくなるため、パターン倒れはなくなることになる。
【００１０】
超臨界流体は、気体の拡散性と液体の溶解性（高密度性）を兼ね備えたもので、液体から気体へ平衡線を介さずに状態変化できる。このため、超臨界流体で満たされた状態から徐々にこの超臨界流体を放出すると、液体／気体の界面が形成されないことから、乾燥対象の超微細パターンに表面張力を作用させずに乾燥させることができる。
【００１１】
超臨界流体としては、多くの場合臨界点が低く安全な二酸化炭素が使われている。超臨界流体を乾燥に用いる場合、最終的にアルコールをリンスとして用いたリンス処理を行い、この後、基板表面に付着しているリンス液を、密閉された容器内において液化二酸化炭素に置換することで開始される。二酸化炭素は、６ＭＰａ程度に加圧すれば常温で液化するため、上記置換は、容器内の圧力を６ＭＰａ程度に圧力上昇させた状態で行う。基板に付着していたリンス液が完全に液化二酸化炭素に置換された後、容器内を二酸化炭素の臨界点以上の温度と圧力（二酸化炭素の臨界点；３１度、７．３ＭＰａ）にして液化二酸化炭素を超臨界二酸化炭素に変換する。
【００１２】
最後に、上記温度を保持したまま、容器の一部を開放して超臨界二酸化炭素を外部に放出し、容器内を大気圧にまで減圧し、容器内の超臨界二酸化炭素を気化させることで乾燥を終了する。この減圧時には、二酸化炭素は液化せずに気化するため、表面張力が作用する気液界面は基板上に形成されない。このため、基板上の超微細パターンに倒れを発生させることなく、これらを乾燥させることができる。
【００１３】
上記の超臨界乾燥のための装置としては、例えば図７に示すように、密閉可能な容器７０１内の反応室７０２に、ボンベ７０３より封入してある液化二酸化炭素をポンプ７０４により圧送する装置がある。この装置では、液化二酸化炭素導入側のバルブ７０５を開けることで、容器７０１内に液化二酸化炭素を導入し、バルブ７０５に連通している導入口７０６先端より液化二酸化炭素を吐出し、反応室７０２内に載置されている基板の上に液化二酸化炭素を注入する。
【００１４】
このとき、例えば、ボンベ７０３内の液化二酸化炭素をポンプ７０４により反応室７０２内に圧送し、この状態で排出側のバルブ７０７の開度を調節して反応室７０２から排出される液化二酸化炭素の量を制限することで、反応室７０２内の圧力を制御している。排出側のバルブ７０７に、例えば自動圧力弁などを用いれば、上記圧力制御が可能となる。
【００１５】
上述したように、液化二酸化炭素を導入口７０６により基板の上に注入している状態で、容器７０１を例えば３１℃程度に加温し、反応室７０２内の圧力を７．５ＭＰａ以上とすれば、反応室７０２内の基板上に注入された液化二酸化炭素が超臨界状態となる。反応室７０２内の圧力は、例えば、ポンプ７０４による圧送量を増加し、また、バルブ７０７を調節して反応室７０２から排出される液化二酸化炭素の量を減ずることで、上昇させることができる。
この後、バルブ７０５を閉じてバルブ７０７を開放し、反応室７０２内の圧力を低下させ、反応室７０２内の基板上に注入された超臨界状態の二酸化炭素を気化させれば、超臨界乾燥が終了する。
【００１６】
【特許文献１】
特願２００１−１７６８３７号公報
【特許文献２】
特願２００１−１６５５６８号公報
【特許文献３】
特願２００１−３１９９１７号公報
【特許文献４】
特願２００１−３２４２６８号公報
【非特許文献１】
アプライド・フィジクス・レターズ、６６巻、２６５５−２６５７頁、１９９５年
【００１７】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、超臨界流体で乾燥を行う場合、ノズルなどを用いて反応室内の基板上に液化二酸化炭素を注入しても、基板上のパターンに付着しているリンス液が液化二酸化炭素に置換しきれない場合があった。このように、リンス液が残存すると、超臨界乾燥を行ったとしても、リンス液の表面張力によりパターン倒れが発生してしまう。
【００１８】
例えば、図８（ａ）に示すように、パターン８０１ａが形成された基板８０１をリンス液８０２に浸漬してリンス処理をした後、基板８０１を所定の密閉可能な容器の反応室（図示せず）内に載置し、この反応室内に液化二酸化炭素を導入し、図８（ｂ）に示すように、パターン８０１ａが液化二酸化炭素８０４に浸漬した状態とする。
【００１９】
ところが、この段階で、リンス液８０２の一部が、パターン８０１ａの間などに残ってしまう場合がある。このように、リンス液８０２の一部が残っていると、液化二酸化炭素を超臨界状態とした段階で、図８（ｃ）に示すように、超臨界二酸化炭素８０５とリンス液８０２の界面に表面張力が発生し、パターン８０１ａを倒す力８０６が発生してしまう。この結果、超臨界乾燥の後で、図８（ｄ）に示すように、パターン８０１ａの倒れが発生してしまう。
【００２０】
上述した液化二酸化炭素に置換しきれない上記リンス液の残存は、パターンの間隔が狭くなるほど増加する。また、超臨界乾燥の対象となる基板が大きくなると、液化二酸化炭素の置換不足によるリンス液の残存が、より多く発生するようになる。
本発明は、以上のような問題点を解消するためになされたものであり、超臨界状態とする物質の液体とリンス液との置換をより効率的に行い、パターン倒れの発生を極力抑制した状態で超臨界乾燥が行えるようにすることを目的とする。
【００２１】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る超臨界乾燥方法は、基板上に形成された所定のパターンをリンス液に晒す第１の工程と、基板を反応室内に配置し、反応室内に大気雰囲気では気体である第１物質の液体を圧送して反応室内を第１物質の液体で充填し、パターンにリンス液が付着している状態でパターンを第１物質の液体に晒す第２の工程と、反応室内の第１物質が液体である状態を保持する条件で、反応室の内部を所定の圧力とする第３の工程と、大気雰囲気では気体である第２物質を反応室の内部の圧力以上として反応室内に導入し、反応室の内部の圧力を一時的に上昇させる第４の工程と、反応室内の第１物質を超臨界状態とする第５の工程と、パターンに付着している超臨界状態の第１物質を気化させる第６の工程とを少なくとも備えたものである。
この乾燥方法によれば、第４の工程による反応室内の圧力変動により、反応室内の流体が攪拌された状態となる。
【００２２】
上記超臨界乾燥方法において、第１物質として、二酸化炭素を用いるようにすればよい。また、第２物質は第１物質であってもよい。また、第１物質は、窒素であってもよい。また、第５の工程の前に、第４の工程を所定回数繰り返すようにするようにしてもよい。
【００２３】
また、本発明に係る超臨界乾燥装置は、処理対象基板を載置する反応室を備えた密閉可能な容器と、反応室内に大気雰囲気では気体である物質の液体を供給する液体供給手段と、物質の液体を反応室内に圧送する圧送ポンプと、この圧送ポンプから排出された液体を反応室内に輸送する配管と、この配管に設けられた導入バルブと、圧送ポンプの排出側と導入バルブとの間の配管の内部圧力を測定する圧力計と、反応室内の温度を所定の温度に制御する温度制御手段と、反応室内に導入された流体を排出する排出手段とを備え、導入バルブは、圧力計により開閉の状態を制御する。
この装置によれば、例えば、反応室内部が物質の液体で充填された後、圧送ポンプを動作させた状態で導入バルブを閉じることで、圧力計の測定値が反応室内部の圧力以上となるまで、圧送ポンプと導入バルブとの間の配管内の圧力を上昇させることが可能となる。
【００２４】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図を参照して説明する。
［実施の形態１］
図１は、本発明の第１の実施の形態における超臨界乾燥装置の構成例を示す概略的な構成図である。この装置は、密閉可能な容器１０１と、容器１０１内に設けられた反応室１０２と、大気雰囲気では気体である物質として液化二酸化炭素を収容したボンベ（液体供給手段）１０３と、ボンベ１０３に配管を介して接続された圧送ポンプ１０４を備えている。なお、大気雰囲気とは、一般的に標準大気とよばれる状態の雰囲気であり、例えば、地球上（地上）気圧１０１３．２５ｈＰａ，地上気温１５℃の状態である。
【００２５】
また、本装置は、圧送ポンプ１０４の吐出側圧力を測定する圧力計１０５と、圧送ポンプ１０４と反応室１０２との間の配管に設けられた導入バルブ１０６と、反応室１０２の内部に液化二酸化炭素を導入するための導入口１０７と、反応室１０２の内部の圧力を測定する圧力計１０８と、反応室１０２の底部側より反応室１０２内の流体を排出する排出口１０９と、排出口の途中に設けられた圧力制御バルブ１１０とを備えている。反応室１０２の内部には、処理対象となる基板１１１が配置される。
【００２６】
この超臨界乾燥装置では、ボンベ１０３より吐出された液化二酸化炭素は、圧送ポンプ１０４により加圧され、配管１１２を通過して導入口１０７より反応室１０２内に圧送される。圧送ポンプ１０４と反応室１０２との間の配管１１２には、導入バルブ１０６が設けられ、導入バルブ１０６は、圧力計１０５の圧力測定結果により開度を制御し、反応室１０２内に導入される液化二酸化炭素の量を制御する。導入バルブ１０６を通過した液化二酸化炭素は、導入口１０７より反応室１０２の内部に供給される。
【００２７】
また、反応室１０２の内部の液化二酸化炭素や超臨界状態とされた二酸化炭素及びリンスなどの流体は、排出口１０９より外部に排出される。排出口１０９には、圧力制御バルブ１１０が設けられ、圧力制御バルブ１１０は、圧力計１０８の圧力測定結果により開度を制御し、排出口１０９より排出する流体の量を制御する。
【００２８】
つぎに、図１の装置を用いた本実施の形態における超臨界乾燥方法について説明する。以下では、基板上に電子線ポジ型レジストＺＥＰ−７０００（日本ゼオン製）を用いてパターンを形成し、このパターン形成におけるリンス処理の後、超臨界乾燥を行う場合について説明する。パターンは、上記レジストを膜厚２５０ｎｍ程度に基板に塗布して形成した。パターン幅とパターン間隔は、２０ｎｍと３０ｎｍとし、これらを複数個形成した。また、リンス処理では、リンス液として２−プロパノールを用いた。
【００２９】
まず、図２（ａ）に示すように、リンス処理によりリンス液２０１すなわち２−プロパノールで濡れている基板１１１を基板載置台（図示せず）上に載置し、反応室１０２を密閉状態とする。リンス処理は、例えばリンス液中に基板１１１を浸漬することにより行える。リンス液中に基板１１１を浸漬することで、基板１１１上のパターン１１１ａは、リンス液２０１に晒された状態となる。
リンス処理を行った基板１１１を反応室１０２内に配置した後、圧送ポンプ１０４を動作させかつ導入バルブ１０６を開放し、ボンベ１０３より液化二酸化炭素を導入口１０７に圧送し、導入口１０７先端より液化二酸化炭素を例えば約１００ミリリットル／分で吐出させる。
【００３０】
また、圧力計１０８の圧力測定値により圧力制御バルブ１１０の開度を制御することで、反応室１０２内の圧力、すなわち基板１１１及びパターン１１１ａ周囲の圧力を８ＭＰａとし、加えて、反応室１０２内の温度は２３℃とする。
引き続いて導入口１０７より液化二酸化炭素を吐出させて反応室１０２の内部に充填させ、基板１１１が液化二酸化炭素２０２に浸漬し、パターン１１１ａが液化二酸化炭素に晒された状態とする。
【００３１】
これらのことは、基板１１１の表面がリンス液２０１で濡れている状態で行い、リンス液２０１により濡れている状態のパターン１１１ａが、液化二酸化炭素に晒された状態とする。
ここで、上述した圧力８ＭＰａの状態で、反応室１０２の内部が液化二酸化炭素で充填されたところで、圧力制御バルブ１１０を閉じる。
【００３２】
つぎに、圧力計１０５の圧力測定値により導入バルブ１０６の開度を制御し、圧送ポンプ１０４の排出側と導入バルブ１０６との間の配管１１２内の圧力（圧力計１０５の圧力測定値）が、１０ＭＰａとなるまで導入バルブ１０６を閉じた状態とする。圧送ポンプ１０４を動作させた状態で導入バルブ１０６を閉じておけば、圧送ポンプ１０４の排出側と導入バルブ１０６との間の配管１１２内の圧力は瞬時に上昇する。
【００３３】
次いで、圧力計１０５の測定値が１０ＭＰａとなったところで、導入バルブ１０６を開放する。このことにより、高い圧力とされた配管１１２内の液化二酸化炭素が反応室１０２内に導入され、反応室１０２の内部圧力は瞬時に上昇する。しかしながら、圧力計１０８の圧力測定値により、反応室１０２内の内部圧力が８ＭＰａとなるように圧力制御バルブ１１０の開度を制御しているので、反応室１０２の内部圧力は、直ちに８ＭＰａ程度に低下する。
【００３４】
反応室１０２内の圧力が８ＭＰａ程度に低下したことは、導入バルブ１０６を開放しているので、圧力計１０５にも検出される。圧力計１０５の測定値が８ＭＰａとなったところで、再度、導入バルブ１０６を閉じる。このことにより、再び、圧送ポンプ１０４の排出側と導入バルブ１０６との間の圧力は瞬時に上昇する。一方、反応室１０２の内部は、圧力計１０８と圧力制御バルブ１１０とにより、８ＭＰａ程度に維持されている。
【００３５】
再度導入バルブ１０６を閉じることにより、圧力計１０５の圧力測定値が１０ＭＰａとなるまで、圧送ポンプ１０４の排出側と導入バルブ１０６との間の圧力を上昇させ、この後、直ちに導入バルブ１０６を開放させる。このことにより、再度、反応室１０２の内部圧力は瞬時に上昇する。
以上のことを繰り返すことで、反応室１０２の内部圧力を、変動させることができる。例えば、図３に示すように、時間の経過とともに、時点Ａで導入バルブ１０６を閉じて時点Ｂで導入バルブ１０６を開放することを繰り返し、反応室１０２における内部圧力の変動を繰り返させる。
【００３６】
このような圧力変動により、反応室１０２内の液化二酸化炭素は、攪拌された状態となり、パターン１１１ａ間のリンス液２０１が、効率よく液化二酸化炭素２０２に置換されるようになる。なお、液化二酸化炭素で満たされた反応室１０２の内部に、例えば、高圧窒素などの大気雰囲気では気体である物質を、反応室１０２内部圧力以上として導入し、反応室１０２の内部圧力を変動させ、反応室１０２の内部の液化二酸化炭素が攪拌される状態としてもよい。
【００３７】
この結果、図２（ｂ）に示すように、パターン１１１ａが、液化二酸化炭素２０２に晒された状態、すなわち、パターン１１１ａの周囲が液化二酸化炭素２０２だけとなった状態にする。以上に示したように、本実施の形態では、二酸化炭素などの大気雰囲気では気体である物質を反応室１０２の内部の圧力以上として反応室１０２内に導入し、反応室１０２の内部の圧力を一時的に上昇させることで、反応室１０２内に圧力変動を生じさせ、反応室１０２内に攪拌状態を形成した。
【００３８】
これに対し、圧力制御バルブ１１０より排出される液化二酸化炭素の量を一時的に増大させて反応室１０２内の圧力を一時的に低下させることで、反応室１０２内に圧力変動を生じさせることもできる。しかしながら、この場合、反応室１０２内の圧力低下の状態を制御することが容易ではなく、圧力変動を起こさせる制御が難しい。これに対し、前述した本実施の形態による方法では、反応室１０２内の圧力変動の制御が容易である。
【００３９】
以上のようにして置換処理を行った後、反応室１０２内の圧力を８ＭＰａのままとし、加えて液化二酸化炭素の温度を３５℃とし、反応室１０２内の液化二酸化炭素２０２を超臨界状態にする。この結果、図２（ｃ）に示すように、パターン１１１ａは、超臨界二酸化炭素２０３に浸漬した状態、すなわち、パターン１１１ａの周囲が超臨界二酸化炭素２０３だけとなった状態にする。
【００４０】
この後、例えば、圧送ポンプ１０４の動作を停止し、導入バルブ１０６を閉じ、圧力制御バルブ１１０の開放量を増大させ、反応室１０２内の圧力を低下させて超臨界二酸化炭素２０３を気化させれば、図２（ｄ）に示すように、パターン１１１ａ間にリンス液が残ることなく、パターン倒れのない状態で、パターン１１１ａが形成された基板１１１が乾燥できる。
【００４１】
ところで、図４に示すように、反応室１０２の内部に複数のフィンが固定された整流機構４０１を設け、上述した圧力変動による攪拌をより効果的に行うようにしてもよい。整流機構４０１は、例えば、図５の斜視図に示すように、基板１１１と同一の平面に配置されたリング状の枠体上に、複数のフィンが直立して固定されたものである。導入口１０７より導入された流体は、例えば、図４（ｂ）の平面図に点線で示すように、整流機構４０１により流れる方向が変更されて基板１１１の上に流れ込む。
【００４２】
このように、反応室１０２の内部において整流機構４０１を用い、基板１１１の上に供給される液化二酸化炭素などの流体を整流することで、基板１１１上に残留しているリンス液などを供給した流体へと、効率よく置換することができる。また、高い圧力として導入口１０７より供給する液化二酸化炭素の流速が早いほど、整流機構４０１の効果が向上する。
【００４３】
例えば、前述した実施の形態における寸法２０ｎｍのパターンの場合、導入口１０７より供給する液化二酸化炭素の流速を、１００ミリリットル／分とした場合、パターンの倒れは確認されなかった。これに対し、上記流速を２０ミリリットル／分として場合、一部パターン倒れが確認された。
【００４４】
なお、整流機構は、基板１１１の全周を囲うように設けられている必要はなく、導入口１０７の付近に部分的に配置されていてもよい。導入口１０７より導入された流体が、基板１１１上を曲線的に流れるように整流する機構であれば、どのような整流機構を設けるようにしてもよい。
【００４５】
また、上述では、反応室１０２内が液化二酸化炭素である状態で攪拌を行うようにしたが、これに限るものではない。反応室１０２内に、大気雰囲気では気体である物質として液化二酸化炭素を導入した後、反応室１０２内を超臨界状態とし、例えば二酸化炭素を反応室１０２の内部の圧力以上として反応室１０２内に導入し、１０２反応室の内部の圧力を一時的に上昇させ、攪拌状態を得るようにしてもよい。
【００４６】
［実施例１］
以下、実施例に基づいて詳細に説明する。
まず、基板１１１の上に電子線レジストであるＺＥＰ−７０００をスピン塗布し、膜厚２５０ｎｍのレジスト膜を形成した。次いで、形成したレジスト膜に電子線を露光して所望の潜像を形成した後、酢酸ノルマルヘキシルによる現像処理と、２−プロパノール（リンス液）によるリンス処理を行い、基板１１１の上にレジストパターンを形成した。形成したパターン幅は、２０〜１００ｎｍであった。
【００４７】
この後、レジストパターンがリンス液で濡れた状態が維持できる時間内に、基板１１１を反応室１０２の内部の図示しない基板台上に載置し、反応室１０２を密閉した後、圧力制御バルブ１１０を閉じた状態で、ボンベ１０３内の液化二酸化炭素を圧送ポンプ１０４で反応室１０２内に圧送し、反応室１０２内が液化二酸化炭素で充填された状態とした。このとき、図示しない容器温度調節手段の制御により、反応室１０２の温度は２３℃とした。
【００４８】
次いで、圧送ポンプ１０４による二酸化炭素の圧送圧力・圧送量の制御と、圧力制御バルブ１１０の開放度の制御とにより、反応室１０２内の圧力を７．０ＭＰａとした。反応室１０２内の圧力が７．０ＭＰａとなった後、導入バルブ１０６を閉じて圧送ポンプ１０４の排出側と導入バルブ１０６との間の圧力を上昇させ、圧力計１０５の圧力測定値が８．０ＭＰａまで上昇したら導入バルブ１０６を開放する、反応室１０２内の圧力を変動させる動作を連続して５分間行った。
【００４９】
この後、前述した容器温度調節手段により反応室１０２内の温度を３５℃に上昇させ、かつ、反応室１０２内の圧力を７．５ＭＰａとし、反応室１０２内の液化二酸化炭素を超臨界状態とした。反応室１０２の内部の液化二酸化炭素が超臨界二酸化炭素に変化した後、反応室１０２内の温度を３５℃とした状態を保持し、この状態で、圧送ポンプ１０４による液化二酸化炭素の圧送を停止して導入バルブ１０６を閉じ、圧力制御バルブ１１０の開放度を制御して二酸化炭素を排出し、反応室１０２内の圧力を低下させた。このとき、基板１１１上では、超臨界状態となった二酸化炭素が気化し、超臨界乾燥が行われた状態となる。
この超臨界乾燥の結果得られた基板１１１上のレジストパターンには、パターン倒れはなく、良好なパターン形状が得られた。
【００５０】
［実施例２］
つぎに、他の実施例について説明する。
まず、ＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ  ｏｎ  Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板を用意し、この基板１１１上に電子線レジストであるＺＥＰ−７０００をスピン塗布し、膜厚５０ｎｍのレジスト膜を形成した。次いで、形成したレジスト膜に電子線を露光して所望の潜像を形成した後、酢酸ノルマルヘキシルによる現像処理と、２−プロパノール（リンス液）によるリンス処理を行い、基板１１１の上に部分的に開口部を有するレジストパターンを形成した。次いで、形成したレジストパターンをマスクとして基板１１１のＳＯＩ層をエッチングし、ＳＯＩ層に開口部を形成した。
【００５１】
基板１１１のＳＯＩ層に開口部を形成し、レジストパターンを除去した後、この基板１１１の埋め込み酸化層を、開口部が形成されたＳＯＩ層をマスクとしてフッ酸水溶液でエッチングした。このエッチング処理により、上記開口部からＳＯＩ層下の横方向に埋め込み酸化層を除去し、基板１１１のＳＯＩ層の下に中空部を形成した。フッ酸水溶液によるウエットエッチングの後は、通常水洗などの処理を行って乾燥させるが、この乾燥の処理において、上記中空構造の内部に進入した液体の表面張力により、中空構造が潰れて破壊される。
【００５２】
これに対し、水洗処理を行った基板１１１を、つぎに示すようにして超臨界乾燥を行ったところ、中空構造が破壊されずに乾燥を行うことができた。以下、超臨界乾燥について説明すると、上記水洗処理による濡れた状態が維持できる時間内に反応室１０２の内部の図示しない基板台上に載置し、反応室１０２を密閉した後、圧力制御バルブ１１０を閉じた状態で、ボンベ１０３内の液化二酸化炭素を圧送ポンプ１０４で反応室１０２内に圧送し、反応室１０２内が液化二酸化炭素で充填された状態とした。このとき、図示しない容器温度調節手段の制御により、反応室１０２の温度は４０℃とした。
【００５３】
次いで、圧送ポンプ１０４による二酸化炭素の圧送圧力・圧送量の制御と、圧力制御バルブ１１０の開放度の制御とにより、反応室１０２内の圧力を８．０ＭＰａとした。反応室１０２内の圧力が８．０ＭＰａとなった後、導入バルブ１０６を閉じて圧送ポンプ１０４の排出側と導入バルブ１０６との間の圧力を上昇させ、圧力計１０５の圧力測定値が１０．０ＭＰａまで上昇したら導入バルブ１０６を開放する。この、反応室１０２内の圧力を変動させる動作を、連続して５分間行った。
【００５４】
ここで、予め二酸化炭素もしくは水洗処理に用いる水に界面活性剤を溶解させておき、水と二酸化炭素との間に相溶性を持たせるようにすれば、上述したことにより、基板に付着している水を二酸化炭素に置換することができる。
この後、圧送ポンプ１０４による液化二酸化炭素の圧送を停止して導入バルブ１０６を閉じ、圧力制御バルブ１１０の開放度を制御して二酸化炭素を排出した。このとき、基板１１１上では、超臨界状態となった二酸化炭素が気化し、超臨界乾燥が行われた状態となる。この超臨界乾燥の結果得られた、ＳＯＩ構造の基板１１１に形成された中空構造は、潰れることなく形成された。
【００５５】
ところで、上述した実施例では、レジストとして電子線レジストであるＺＥＰ−７０００を用い、現像液として酢酸ノルマルヘキシルを用い、リンス液として２−プロパノールを用いるようにしたが、これに限定されるものではない。液化二酸化炭素に相溶性を有するリンス液に対しては、本発明が適用できることは勿論である。
また、上述では超臨界流体として二酸化炭素を用いるようにしたが、これに限るものではなく、ＣＨＦ３やＮＯ２などの臨界点を有する物質を用いるようにしても良い。
【００５６】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、反応室の内部の圧力以上とした物質の液体を反応室内に導入して反応室の内部の圧力を変動させ、反応室内部に充填されている超臨界状態となる物質の液体を攪拌するようにしたので、超臨界状態とする物質の液体とリンス液との置換がより効率的に行えるようになり、パターン倒れの発生を極力抑制した状態で超臨界乾燥が行えるようなる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態における超臨界乾燥装置の概略的な構成を示す構成図である。
【図２】本発明の実施の形態における超臨界乾燥方法を説明する工程図である。
【図３】圧力変動のタイミングを示すタイミングチャートである。
【図４】本発明の他の実施の形態における超臨界乾燥装置の概略的な構成を示す構成図（ａ）と平面図（ｂ）である。
【図５】本発明の他の実施の形態における超臨界乾燥装置の一部構成を示す斜視図である。
【図６】気液界面に働く表面張力を説明する工程図である。
【図７】従来よりある超臨界乾燥装置の構成を示す構成図である。
【図８】従来の超臨界乾燥方法を示す工程図である。
【符号の説明】
１０１…容器、１０２…反応室、１０３…ボンベ（液体供給手段）、１０４…圧送ポンプ、１０５…圧力計、１０６…導入バルブ、１０７…導入口、１０８…圧力計、１０９…排出口、１１０…圧力制御バルブ、１１１…基板、１１１ａ…パターン、１１２…配管。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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