(57)【要約】【課題】基板の間隔が高精度かつ均一に調整できると共に、冷却効果が高い液晶表示装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】ＴＦＴ基板２、対向基板３またはマイクロレンズ基板２７、液晶４及び枠体１２とを有し、対向基板またはマイクロレンズ基板の端部が高熱伝導性樹脂１３を介して枠体と接する液晶表示装置１であって、対向基板またはマイクロレンズ基板は、ＴＦＴ基板の表示領域内における画素開口部の周辺領域に対応する領域及びＴＦＴ基板の周辺領域に対応する領域に高熱伝導体層８が形成されると共に、ＴＦＴ基板の表示領域内における画素開口部の周辺領域に対応する領域に形成された高熱伝導体層は、液晶の注入領域の外側領域である対向基板の端部またはマイクロレンズ基板の端部にまで延伸する。【選択図】    図１
2004309819.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画素がマトリクス状に形成されたＴＦＴ基板と、該ＴＦＴ基板と所定の間隙を介して対面配置された対向基板またはマイクロレンズ基板と、前記ＴＦＴ基板及び対向基板またはマイクロレンズ基板の間隙内に保持された液晶と、前記ＴＦＴ基板及び対向基板またはマイクロレンズ基板とを取り付ける枠体とを有し、前記対向基板またはマイクロレンズ基板の端部が高熱伝導性樹脂を介して前記枠体と接する液晶表示装置であって、
前記対向基板またはマイクロレンズ基板は、前記ＴＦＴ基板の表示領域内における画素開口部の周辺領域に対応する領域及び前記ＴＦＴ基板の周辺領域に対応する領域に高熱伝導体層が形成されると共に、
前記ＴＦＴ基板の表示領域内における画素開口部の周辺領域に対応する領域に形成された前記高熱伝導体層は、対向基板またはマイクロレンズ基板の端部まで延伸する
液晶表示装置。
【請求項２】
前記ＴＦＴ基板の表示領域内における画素開口部の周辺領域に対応する領域に形成された前記高熱伝導体層は、ストライプ状またはマトリクス状である
請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記高熱伝導体層は、前記ＴＦＴ基板の画素開口部に対応する領域には形成されない
請求項１または請求項２に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記高熱伝導体層は、前記対向基板またはマイクロレンズ基板の表面全体に液晶ギャップ幅よりも薄い高熱伝導体層を形成した後に、少なくともＴＦＴ基板の画素開口部に対応する領域の高熱伝導体層を除去することによって形成された
請求項１、請求項２または請求項３に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記高熱伝導体層は、前記対向基板またはマイクロレンズ基板の表面全体に液晶ギャップ幅よりも薄い高熱伝導体層を形成した後に、少なくともＴＦＴ基板の画素開口部に対応する領域及び所定のシール領域の高熱伝導体層を除去することによって形成された
請求項１、請求項２または請求項３に記載の液晶表示装置。
【請求項６】
前記ＴＦＴ基板と対向基板またはマイクロレンズ基板とを重ね合わせるシール領域以外の領域において、前記高熱伝導体層の上層に、その最表面が前記ＴＦＴ基板の最表面に当接して液晶ギャップ幅を形成する低熱伝導体層が形成された
請求項１、請求項２または請求項３に記載の液晶表示装置。
【請求項７】
前記高熱伝導体層及び低熱伝導体層は、前記対向基板またはマイクロレンズ基板の表面全体に高熱伝導体層及び低熱伝導体層を形成した後に、少なくともＴＦＴ基板の表示領域内に対応する領域及びシール領域の低熱伝導体層を除去し、少なくともＴＦＴ基板の画素開口部に対応する領域の高熱伝導体層を除去することによって形成された
請求項６に記載の液晶表示装置。
【請求項８】
前記高熱伝導体層及び低熱伝導体層は、前記対向基板またはマイクロレンズ基板の表面全体に高熱伝導体層及び低熱伝導体層を形成した後に、少なくともＴＦＴ基板の表示領域内に対応する領域及びシール領域の低熱伝導体層を除去し、少なくともＴＦＴ基板の画素開口部に対応する領域及び所定のシール領域の高熱伝導体層を除去することによって形成された
請求項６に記載の液晶表示装置。
【請求項９】
前記高熱伝導体層及び低熱伝導体層は、前記対向基板またはマイクロレンズ基板の表面全体に高熱伝導体層及び低熱伝導体層を形成した後に、少なくともＴＦＴ基板の画素開口部に対応する領域及びシール領域の低熱伝導体層を除去し、少なくともＴＦＴ基板の画素開口部に対応する領域の高熱伝導体層を除去することによって形成された
請求項６に記載の液晶表示装置。
【請求項１０】
前記高熱伝導体層及び低熱伝導体層は、前記対向基板またはマイクロレンズ基板の表面全体に高熱伝導体層及び低熱伝導体層を形成した後に、少なくともＴＦＴ基板の画素開口部に対応する領域及びシール領域の低熱伝導体層を除去し、少なくともＴＦＴ基板の画素開口部に対応する領域及び所定のシール領域の高熱伝導体層を除去することによって形成された
請求項６に記載の液晶表示装置。
【請求項１１】
前記高熱伝導体層及び低熱伝導体層は、前記対向基板またはマイクロレンズ基板の表面全体に高熱伝導体層及び低熱伝導体層を形成した後に、少なくともＴＦＴ基板の画素開口部に対応する領域及びＴＦＴ基板の周辺領域に対応する領域の低熱伝導体層を除去し、少なくともＴＦＴ基板の画素開口部に対応する領域の高熱伝導体層を除去することによって形成された
請求項６に記載の液晶表示装置。
【請求項１２】
前記高熱伝導体層及び低熱伝導体層は、前記対向基板またはマイクロレンズ基板の表面全体に高熱伝導体層及び低熱伝導体層を形成した後に、少なくともＴＦＴ基板の画素開口部に対応する領域及びＴＦＴ基板の周辺領域に対応する領域の低熱伝導体層を除去し、少なくともＴＦＴ基板の画素開口部に対応する領域及び所定のシール領域の高熱伝導体層を除去することによって形成された
請求項６に記載の液晶表示装置。
【請求項１３】
前記表示領域内に形成された低熱伝導体層は、ＴＦＴ部を除く配線上に形成された
請求項６、請求項９、請求項１０、請求項１１または請求項１２に記載の液晶表示装置。
【請求項１４】
前記高熱伝導体層及び低熱伝導体層は、前記ＴＦＴ基板の画素開口部に対応する領域には形成されない
請求項６、請求項９、請求項１０、請求項１１、請求項１２または請求項１３に記載の液晶表示装置。
【請求項１５】
前記ＴＦＴ基板の周辺領域に対応する領域の全面に前記高熱伝導体層が形成された
請求項１、請求項２、請求項３、請求項４、請求項６、請求項７、請求項９、請求項１１、請求項１３または請求項１４に記載の液晶表示装置。
【請求項１６】
前記ＴＦＴ基板の表示領域内における画素開口部の周辺領域に対応する領域に形成される前記高熱伝導体層は、液晶注入口側では前記ＴＦＴ基板と対向基板またはマイクロレンズ基板とを重ね合わせるシール剤に接しない
請求項１、請求項２、請求項３、請求項４、請求項５、請求項６、請求項７、請求項８、請求項９、請求項１０、請求項１１、請求項１２、請求項１３、請求項１４または請求項１５に記載の液晶表示装置。
【請求項１７】
前記高熱伝導体層は、白系金属膜から成る
請求項１、請求項２、請求項３、請求項４、請求項５、請求項６、請求項７、請求項８、請求項９、請求項１０、請求項１１、請求項１２、請求項１３、請求項１４、請求項１５または請求項１６に記載の液晶表示装置。
【請求項１８】
前記低熱伝導体層は樹脂材料から成る
請求項６、請求項７、請求項８、請求項９、請求項１０、請求項１１、請求項１２、請求項１３、請求項１４、請求項１５、請求項１６または請求項１７に記載の液晶表示装置。
【請求項１９】
複数の画素がマトリクス状に形成されたＴＦＴ基板と、該ＴＦＴ基板と所定の間隙を介して対面配置された対向基板またはマイクロレンズ基板と、前記ＴＦＴ基板及び対向基板またはマイクロレンズ基板の間隙内に保持された液晶と、前記ＴＦＴ基板及び対向基板またはマイクロレンズ基板とを取り付ける枠体とを有する液晶表示装置の製造方法であって、
前記対向基板またはマイクロレンズ基板に、前記ＴＦＴ基板の表示領域内における画素開口部の周辺領域に対応する領域に形成する高熱伝導体層が対向基板またはマイクロレンズ基板の端部まで延伸する様に、前記ＴＦＴ基板の表示領域内における画素開口部の周辺領域に対応する領域及び前記ＴＦＴ基板の周辺領域に対応する領域に高熱伝導体層を形成する工程と、
前記対向基板またはマイクロレンズ基板と前記枠体との間隙に高熱伝導性樹脂を充填する工程とを備える
液晶表示装置の製造方法。
【請求項２０】
前記ＴＦＴ基板の表示領域内における画素開口部の周辺領域に対応する領域に、ストライプ状またはマトリクス状の高熱伝導体層を形成する請求項１９に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項２１】
前記ＴＦＴ基板の画素開口部に対応する領域には、前記高熱伝導体層を形成しない
請求項１９または請求項２０に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項２２】
前記高熱伝導体層は、前記対向基板またはマイクロレンズ基板の表面全体に液晶ギャップ幅よりも薄い高熱伝導体層を形成した後に、少なくともＴＦＴ基板の画素開口部に対応する領域の高熱伝導体層を除去することによって形成する
請求項１９、請求項２０または請求項２１に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項２３】
前記高熱伝導体層は、前記対向基板またはマイクロレンズ基板の表面全体に液晶ギャップ幅よりも薄い高熱伝導体層を形成した後に、少なくともＴＦＴ基板の画素開口部に対応する領域及びシール領域の高熱伝導体層を除去することによって形成する
請求項１９、請求項２０または請求項２１に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項２４】
前記ＴＦＴ基板と対向基板またはマイクロレンズ基板とを重ね合わせるシール領域以外の領域において、前記高熱伝導体層の上層に、その最表面が前記ＴＦＴ基板の最表面に当接して液晶ギャップ幅を形成する低熱伝導体層を形成する工程を備える
請求項１９、請求項２０または請求項２１に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項２５】
前記高熱伝導体層及び低熱伝導体層は、前記対向基板またはマイクロレンズ基板の表面全体に高熱伝導体層及び低熱伝導体層を形成した後に、少なくともＴＦＴ基板の表示領域内に対応する領域及びシール領域の低熱伝導体層を除去し、少なくともＴＦＴ基板の画素開口部に対応する領域の高熱伝導体層を除去することによって形成する
請求項２４に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項２６】
前記高熱伝導体層及び低熱伝導体層は、前記対向基板またはマイクロレンズ基板の表面全体に高熱伝導体層及び低熱伝導体層を形成した後に、少なくともＴＦＴ基板の表示領域内に対応する領域及びシール領域の低熱伝導体層を除去し、少なくともＴＦＴ基板の画素開口部に対応する領域及び所定のシール領域の高熱伝導体層を除去することによって形成する
請求項２４に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項２７】
前記高熱伝導体層及び低熱伝導体層は、前記対向基板またはマイクロレンズ基板の表面全体に高熱伝導体層及び低熱伝導体層を形成した後に、少なくともＴＦＴ基板の画素開口部に対応する領域及びシール領域の低熱伝導体層を除去し、少なくともＴＦＴ基板の画素開口部に対応する領域の高熱伝導体層を除去することによって形成する
請求項２４に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項２８】
前記高熱伝導体層及び低熱伝導体層は、前記対向基板またはマイクロレンズ基板の表面全体に高熱伝導体層及び低熱伝導体層を形成した後に、少なくともＴＦＴ基板の画素開口部に対応する領域及びシール領域の低熱伝導体層を除去し、少なくともＴＦＴ基板の画素開口部に対応する領域及び所定のシール領域の高熱伝導体層を除去することによって形成する
請求項２４に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項２９】
前記高熱伝導体層及び低熱伝導体層は、前記対向基板またはマイクロレンズ基板の表面全体に高熱伝導体層及び低熱伝導体層を形成した後に、少なくともＴＦＴ基板の画素開口部に対応する領域及びＴＦＴ基板の周辺領域に対応する領域の低熱伝導体層を除去し、少なくともＴＦＴ基板の画素開口部に対応する領域の高熱伝導体層を除去することによって形成する
請求項２４に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項３０】
前記高熱伝導体層及び低熱伝導体層は、前記対向基板またはマイクロレンズ基板の表面全体に高熱伝導体層及び低熱伝導体層を形成した後に、少なくともＴＦＴ基板の画素開口部に対応する領域及びＴＦＴ基板の周辺領域に対応する領域の低熱伝導体層を除去し、少なくともＴＦＴ基板の画素開口部に対応する領域及び所定のシール領域の高熱伝導体層を除去することによって形成する
請求項２４に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項３１】
前記表示領域内に形成する低熱伝導体層は、ＴＦＴ部を除く配線上に形成する
請求項２４、請求項２７、請求項２８、請求項２９または請求項３０に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項３２】
前記高熱伝導体層及び低熱伝導体層は、前記ＴＦＴ基板の画素開口部に対応する領域には形成されない
請求項２４、請求項２７、請求項２８、請求項２９、請求項３０または請求項３１に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項３３】
前記ＴＦＴ基板の周辺領域に対応する領域の全面に前記高熱伝導体層を形成する
請求項１９、請求項２０、請求項２１、請求項２２、請求項２４、請求項２５、請求項２７、請求項２９、請求項３１または請求項３２に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項３４】
前記ＴＦＴ基板の表示領域内における画素開口部の周辺領域に対応する領域に、液晶注入口側では前記ＴＦＴ基板と対向基板またはマイクロレンズ基板とを重ね合わせるシール剤と接しない高熱伝導体層を形成する
請求項１９、請求項２０、請求項２１、請求項２２、請求項２３、請求項２４、請求項２５、請求項２６、請求項２７、請求項２８、請求項２９、請求項３０、請求項３１、請求項３２または請求項３３に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項３５】
前記高熱伝導体層は白系金属膜から成る
請求項１９、請求項２０、請求項２１、請求項２２、請求項２３、請求項２４、請求項２５、請求項２６、請求項２７、請求項２８、請求項２９、請求項３０、請求項３１、請求項３２、請求項３３または請求項３４に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項３６】
前記低熱伝導体層は樹脂材料から成る
請求項２４、請求項２５、請求項２６、請求項２７、請求項２８、請求項２９、請求項３０、請求項３１、請求項３２、請求項３３、請求項３４または請求項３５に記載の液晶表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は液晶表示装置及びその製造方法に関する。詳しくは、相対向する一対の基板間に液晶物質を保持した構造を有する液晶表示装置及びその製造方法に係るものである。
【０００２】
【従来の技術】
液晶表示装置による画像表示は、所定の間隙を介して対面配置された一対の基板間に電圧を印加し、基板の間隙内に保持された液晶物質の複屈折特性に基づいて光透過率を制御することによって行っており、対面配置された基板の間隔が画面内で均一でない場合には対向する電極間にかかる電界強度が画面内で相違し、画質上大きな問題となってしまうために、従来は間隔保持材として微細なガラスビーズを一方の基板上に所定量散布し、液晶物質内にガラスビーズが分散した状態とすることにより基板の間隔の調整を行っていた。
【０００３】
しかし、ガラスビーズを一方の基板上に均一に散布することは非常に困難であり、場合によりガラスビーズが画面内において偏在し、画質の劣化を招くという問題があった。
【０００４】
そこで近年は、相対的に良好な位置精度、寸法精度及び形状精度を実現できるフォトリソグラフィー技術やエッチング技術を用いて、基板の間隔が高精度かつ均一に調整された表示品質の良好な液晶表示装置を低コストで生産性良く製造できる様に、図１１で示す様に、ＴＦＴ基板１０１の平坦化膜１０２表面でかつブラックマトリクス１０３の位置に、平坦化膜と同じ有機材料から成り、ＴＦＴ基板と対向基板１０４の間に所定間隔を形成する突起部１０５が形成された液晶表示装置が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００５】
しかしながら、ポリイミド等の配向膜の形成及びラビング処理は、突起部が形成された後に行われるために、この突起部を無闇に形成すると、突起部自体の凹凸形状に起因して配向膜の形成時に視認できる様な膜厚ムラやラビングムラが発生し、液晶の配向異常を引き起こし、画像品位が極端に劣化するという問題があった。
【０００６】
上記の様な問題に対応して、突起部の配置密度を１００〜２０００個／ｍｍ２、突起部の断面積を１〜１００μｍ２とし、その配置は図１２（ａ）で示す様な突起部を各画素電極１０６に対し等価に配列、図１２（ｂ）で示す様な突起部を各画素電極に対し市松模様に配列及び図１２（ｃ）で示す様な任意の突起部とそれに隣接する複数の突起部との距離が略一定である配列とする液晶表示装置が提案されている（例えば、特許文献２参照。）。
【０００７】
しかしながら、ラビングバフ材の密度や長さ、ラビング時の押圧の微調整が困難であり、突起部が倒れて傾きを生じ、スジ発生等の画質不良が発生し、歩留り及び品質の低下を招いている。
【０００８】
また、近年の液晶表示装置の高輝度化に伴う入射光量の増大により、液晶表示装置の冷却が重要となってきており、図１３で示す様に、ＴＦＴ基板の表示領域に対応する対向基板の領域である図１３中符号Ｂで示す領域に図１３（ａ）で示す様なストライプ状または図１３（ｂ）で示す様なマトリクス状のアルミニウム膜１０７を形成し、ＴＦＴ基板の表示領域内における画素開口部の周辺領域に入射する、不必要な入射光を反射することによって液晶表示装置の冷却を行っている。
【０００９】
更に、厚手の石英ガラスやネオセラムガラス（日本電気硝子製）等の透明結晶化ガラスを対向基板及びＴＦＴ基板に貼り合わせて、表面積を大きくすることによって冷却機能を高めると共に、付着ゴミのフォーカスをぼかす防塵効果を得る対策を行っている。
【００１０】
【特許文献１】
特開２０００−２０６５４１号公報  （第２−９頁、第１図）
【００１１】
【特許文献２】
特開２００１−３１８３８３号公報  （第２−４頁、第２図）
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、画素開口部の周辺領域に入射する光を反射することによる冷却や、石英ガラス及び透明結晶化ガラスをＴＦＴ基板及び対向基板に貼り合わせることによる冷却ではその冷却効果が充分で無く、ますますの液晶表示装置の高輝度化に対応しきれていない。
なお、対向基板及びＴＦＴ基板に貼り合わせるガラス材としてサファイア等の高熱伝導性ガラスを用いることも検討されてはいるが、高価であり汎用性が低い。
【００１３】
本発明は以上の点に鑑みて創案されたものであって、高い冷却効果による長寿命化の液晶表示装置及びその製造方法を提供することを目的とするものである。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために、本発明に係る液晶表示装置は、複数の画素がマトリクス状に形成されたＴＦＴ基板と、該ＴＦＴ基板と所定の間隙を介して対面配置された対向基板またはマイクロレンズ基板と、前記ＴＦＴ基板及び対向基板またはマイクロレンズ基板の間隙内に保持された液晶と、前記ＴＦＴ基板及び対向基板またはマイクロレンズ基板とを取り付ける枠体とを有し、前記対向基板またはマイクロレンズ基板の端部が高熱伝導性樹脂を介して前記枠体と接する液晶表示装置であって、前記対向基板またはマイクロレンズ基板は、前記ＴＦＴ基板の表示領域内における画素開口部の周辺領域に対応する領域及び前記ＴＦＴ基板の周辺領域に対応する領域に高熱伝導体層が形成されると共に、前記ＴＦＴ基板の表示領域内における画素開口部の周辺領域に対応する領域に形成された前記高熱伝導体層は、対向基板またはマイクロレンズ基板の端部まで延伸する。
【００１５】
ここで、対向基板またはマイクロレンズ基板が、ＴＦＴ基板の表示領域内における画素開口部の周辺領域に対応する領域及びＴＦＴ基板の周辺領域に対応する領域に高熱伝導体層が形成されると共に、ＴＦＴ基板の表示領域内における画素開口部の周辺領域に対応する領域に形成された高熱伝導体層が対向基板またはマイクロレンズ基板の端部まで延伸することによって、高熱伝導性樹脂を介して枠体に放熱を行うことができる。
【００１６】
また、上記の目的を達成するために、本発明に係る液晶表示装置の製造方法は、複数の画素がマトリクス状に形成されたＴＦＴ基板と、該ＴＦＴ基板と所定の間隙を介して対面配置された対向基板またはマイクロレンズ基板と、前記ＴＦＴ基板及び対向基板またはマイクロレンズ基板の間隙内に保持された液晶と、前記ＴＦＴ基板及び対向基板またはマイクロレンズ基板とを取り付ける枠体とを有する液晶表示装置の製造方法であって、前記対向基板またはマイクロレンズ基板に、前記ＴＦＴ基板の表示領域内における画素開口部の周辺領域に対応する領域に形成する高熱伝導体層が対向基板またはマイクロレンズ基板の端部まで延伸する様に、前記ＴＦＴ基板の表示領域内における画素開口部の周辺領域に対応する領域及び前記ＴＦＴ基板の周辺領域に対応する領域に高熱伝導体層を形成する工程と、前記対向基板またはマイクロレンズ基板と前記枠体との間隙に高熱伝導性樹脂を充填する工程とを備える。
【００１７】
ここで、対向基板またはマイクロレンズ基板に、ＴＦＴ基板の表示領域内における画素開口部の周辺領域に対応する領域に形成する高熱伝導体層が対向基板またはマイクロレンズ基板の端部まで延伸する様に、ＴＦＴ基板の表示領域内における画素開口部の周辺領域に対応する領域及びＴＦＴ基板の周辺領域に対応する領域に高熱伝導体層を形成し、対向基板またはマイクロレンズ基板と枠体との間隙に高熱伝導性樹脂を充填することによって、高熱伝導性樹脂を介して枠体に放熱を行うことができる。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面を参照しながら説明し、本発明の理解に供する。
【００１９】
図１は本発明を適用した液晶表示装置の一例を説明するための模式的な図、図２は本発明を適用した液晶表示装置の一例を説明するための模式的な部分拡大図、図３は本発明を適用した液晶表示装置の一例における対向基板の構成を説明するための模式的な図であり、ここで示す液晶表示装置１はシール剤１１によって約２．０μｍの間隙を介して重ね合わせられたＴＦＴ基板２及び対向基板３と、これらＴＦＴ基板及び対向基板の間隙内に保持された液晶４とを備えている。また、ＴＦＴ基板及び対向基板が黒化処理された金属枠１２に取り付けられており、金属枠とＴＦＴ基板及び対向基板との隙間には高熱伝導性樹脂１３が充填されている。
【００２０】
上記したＴＦＴ基板は、画素開口部、ＴＦＴ、配線等を形成する有効領域に対応する表示領域と、表示領域外の全ての領域であり、周辺回路領域とシール領域及びその外側領域に対応する周辺領域とを有し、表示領域には、多数の画素がマトリクス状に設けられており、互いに隣り合う画素の間には、行方向に沿って配列されたスキャンラインや列方向に沿って配列されたデータラインといった信号線５が設けられ、これらスキャンラインとデータラインとが交差する付近に薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）等からなる液晶駆動用のスイッチング素子が形成されている。なお、ＴＦＴ基板の液晶側表面に平坦化膜６及びＩＴＯ（インジウム−錫系透明導電膜）やＩＺＯ（インジウム−酸化亜鉛系透明導電膜）等から成る１３０〜１５０ｎｍの透明画素電極２１が形成され、透明画素電極の上層には配向膜（１）７が形成されて配向処理されている。
【００２１】
また、対向基板の液晶側表面には、ＴＦＴ基板におけるデータラインの配列位置に対応する個所及びＴＦＴ基板の周辺領域に対応する領域の全領域に膜厚が約１．０μｍのアルミニウム膜８が形成されている。なお、ＴＦＴ基板の表示領域内に対応する領域に形成されたアルミニウム膜（以下、内側アルミニウム膜と言う）は、液晶注入口９側ではシール剤と接しない様に形成されている。
【００２２】
また、図３（ａ）で表す模式的な断面図及び図３（ｂ）で表す模式的な平面図で示す様に、内側アルミニウム膜上の任意の個所に突起形状の樹脂膜２０が形成されると共に、ＴＦＴ基板の周辺領域に対応する領域に形成されたアルミニウム膜（以下、外側アルミニウム膜と言う。）上のシール領域を除く全面に樹脂膜が形成され、樹脂膜上を含む全面に膜厚が１３０〜１５０ｎｍである透明電極１６が形成され、この透明電極の上層全面に配向膜（２）１７が形成されて配向処理されている。なお、樹脂膜はＴＦＴ基板と対向基板との間に約２．０μｍの液晶間隙が形成できる様に厚さが約１．０μｍに調整されている。即ち、樹脂膜は、約１．０μｍというアルミニウム膜厚を考慮した上で、ＴＦＴ基板及び対向基板の液晶間隙が約２．０μｍとなる様にその厚さが約１．０μｍに調整されている。なお、外側アルミニウム膜上のシール剤塗布領域には配向膜（２）１７を形成しないようにしてもよい。
【００２３】
ここで、ＴＦＴ基板と対向基板との間に約２．０μｍの液晶間隙ができる様に厚さが約１．０μｍである樹脂膜が形成されているのであるが、必ずしも樹脂膜が内側アルミニウム膜上の任意の個所及び外側アルミニウム膜上のシール領域を除く全面に形成される必要は無く、図４（ａ）で示す様に内側アルミニウム膜上には樹脂膜が形成されることなく厚みが約１．０μｍである樹脂膜が外側アルミニウム膜上のシール領域を除く全面のみに形成されることによってＴＦＴ基板と対向基板との液晶間隙を調整しても良いし、図４（ｂ）で示す様に外側アルミニウム膜上には樹脂膜が形成されることなく厚みが約１．０μｍである樹脂膜が内側アルミニウム膜上の任意の個所のみに形成されることによってＴＦＴ基板と対向基板との液晶間隙を調整しても良い。なお、樹脂膜は必ずしも形成されなければならないものではなく、図４（ｃ）で示す様に、樹脂膜が形成されることなくアルミニウム膜のみが形成されても良いが、ＴＦＴ基板と対向基板との液晶間隙を調整するためにスペーサとして機能する樹脂膜が形成された方が好ましい。
【００２４】
また、内側アルミニウム膜は、外側アルミニウム膜を介して高熱伝導性樹脂と接する様に形成されれば良く、内側アルミニウム膜は必ずしもＴＦＴ基板におけるデータラインの配列位置に対応する個所に形成された液晶注入方向の縦型ストライプ状である必要は無く、図５（ａ）で表す模式的な断面図及び図５（ｂ）で表す模式的な平面図で示す様に、内側アルミニウム膜がＴＦＴ基板におけるスキャンラインの配列位置に対応する個所に形成された横型ストライプ状や、図６（ａ）で表す模式的な断面図及び図６（ｂ）で表す模式的な平面図で示す様に、内側アルミニウム膜がＴＦＴ基板におけるデータライン及びスキャンラインの配列位置に対応する個所に形成されたマトリクス状であっても構わない。
【００２５】
同様に、外側アルミニウム膜は、内側アルミニウム膜と高熱伝導性樹脂とが接する様に形成されれば良く、必ずしもＴＦＴ基板の周辺領域に対応する領域の全領域に形成される必要は無く、部分的に形成されていても構わない。但し、周辺回路等が形成されるＴＦＴ基板の周辺領域に対応する領域の全領域を外側アルミニウム膜で遮光することによって、光漏れによるＴＦＴリークトラブルを抑制でき、見切り板が不要となりコスト削減が図れると考えられるために、外側アルミニウム膜はＴＦＴ基板の周辺領域に対応する領域の全領域に形成された方が好ましい。
【００２６】
なお、シール剤として紫外線（以後、ＵＶと略する）照射硬化型接着剤またはＵＶ照射硬化型接着剤及び熱硬化型接着剤が用いられる場合において、ＴＦＴ基板のシール領域が配線等によって光透過が不充分である場合には、外側アルミニウム膜はＴＦＴ基板の周辺領域に対応する領域の全領域に形成されるのではなく、少なくとも対向基板側からＵＶ照射してシール剤が硬化する程度の隙間が外側アルミニウム膜に形成される必要がある。
即ち、シール剤としてＵＶ照射硬化型接着剤またはＵＶ照射硬化型接着剤及び熱硬化型接着剤が用いられる場合において、図７（ａ）で示す様に外側アルミニウム膜がＴＦＴ基板の周辺領域に対応する領域の全領域に形成されると、対向基板側からＵＶを照射してシール剤を硬化することができないために、シール剤を硬化させＴＦＴ基板と対向基板の重ね合わせを行うべくＵＶをＴＦＴ基板側から照射する必要があるが、ＴＦＴ基板のシール領域の光透過が不充分である場合にはシール剤が充分に硬化できないということになってしまう。従って、対向基板側からＵＶを照射することによりシール剤を硬化することができる様に、例えば、図７（ｂ）で示す様にシール領域にストライプ状に形成された内側アルミニウム膜と同ピッチの隙間を形成するといった具合に、外側アルミニウム膜に隙間が形成される必要がある。なお、シール剤として熱硬化型接着剤が用いられる場合にはこの様な対策は不要である。
【００２７】
また、内側アルミニウム膜及び外側アルミニウム膜は、高熱伝導性樹脂と接することによって高熱伝導性樹脂及び金属枠への放熱を行うことができれば充分であり、必ずしも液晶注入口側においてシール剤と接しない様に形成される必要は無いが、液晶の注入をスムーズに行うことができる様に、即ち、内側アルミニウム膜が液晶注入の邪魔にならない様に、液晶注入口側の内側アルミニウム膜はシール剤と接しない様に形成された方が好ましい。なお、液晶はシール剤で囲まれた内側領域に注入される。
【００２８】
ここで、内側アルミニウム膜に形成された凸部１８は、ＴＦＴ基板に設けられたＴＦＴ部を遮光するために形成されているのであるが、凸部が形成されることがなくてもＴＦＴ部を遮光することができる場合には、図５や図６で示す様に内側アルミニウム膜に凸部が形成される必要は無い。
【００２９】
また、内側アルミニウム膜上全面に約１．０μｍの突起部が形成されることによって、ＴＦＴ基板と対向基板との液晶間隙を約２．０μｍに調整しても構わないが、内側アルミニウム膜上全面に突起部が形成される場合には、液晶の注入の都合上、内側アルミニウム膜は横型ストライプ状やマトリクス状では無く、液晶注入方向の縦型ストライプ状に形成される必要がある。
【００３０】
また、低熱伝導体層は厚さが約１．０μｍに調整されることによってＴＦＴ基板と対向基板との液晶間隙を約２．０μｍに調整することができれば充分であり、必ずしも樹脂によって形成される必要は無く、チタン等の金属によって形成されても構わない。但し、ＴＦＴ基板と対向基板とを重ね合わせる際に、ＴＦＴ基板の損傷を最小限に抑えると共に、重ね合わせの際の液晶間隙修正を考慮すると低熱伝導体層は樹脂によって形成された方が好ましい。なお、アルミニウム膜上にスペーサ層として機能する樹脂膜が形成されたとしても、アルミニウム膜厚が充分にあることから冷却効果に支障はない。
【００３１】
また、高熱伝導体層は高熱伝導性樹脂を介して金属枠に放熱を行うことができれば充分であり、必ずしもアルミニウム膜である必要は無く、金属膜（アルミニウム−Ｓｉ合金、クロム、モリブデン、モリブデン−タンタル合金、銀、銀合金、ニッケル、ニッケル合金、チタン、チタン合金等）や、金属微粉末を混入した樹脂膜（銀、アルミニウム等の数μｍ粒を７０〜８０重量％含有するエポキシ、アクリル等の耐光性樹脂）や、セラミックス膜であっても良いが、不要な入射光であるＴＦＴ基板の表示領域内における画素開口部の周辺領域に入射する光を反射することができる様に、アルミニウム、アルミニウム合金、銀、銀合金等の白系金属膜が好ましい。
【００３２】
また、対向基板材としては、石英ガラス、アルミノけい酸ガラス、ほうけい酸ガラス、透過性結晶化ガラス（ネオセラム、クリアセラム、ゼロデュアなど）、透過性ＹＡＧセラミックス、透過性マグネシア（焼結ＭｇＯ）などのいずれでもよい。
【００３３】
なお、上記した液晶表示装置では、ＴＦＴ基板及び対向基板にガラス材が貼り合わせられていないが、表面積を大きくすることによって冷却機能を高めると共に、付着ゴミのフォーカスをぼかすべく、図８で示す様にその表面に低反射膜２２が形成された防塵ガラス２３がＴＦＴ基板及び対向基板に耐光性透明接着剤によって貼り合わせられた方が好ましい。
【００３４】
以下、上記した本発明を適用した液晶表示装置の一例の製造方法について説明する。即ち、本発明を適用した液晶表示装置の製造方法の一例について説明する。
【００３５】
本発明を適用した液晶表示装置の製造方法の一例では、先ず、石英ガラス基板１９の表面にスパッタリングや真空蒸着等により膜厚が約１．０μｍであるアルミニウム膜を形成した後に、アルミニウム膜の上層に膜厚が約１．０μｍであるフォトレジスト膜２０を形成する。
【００３６】
次に、図９（ａ）で示す様に、ＴＦＴ基板の画素開口部周辺に対応する領域内のアルミニウム膜上の任意の個所及び外側アルミニウム膜上のシール領域を除く全面にフォトレジスト膜２０が残存する様に、汎用のフォトリソグラフィー技術で露光現像を行い、更に、汎用のエッチング技術によってアルミニウム膜をテーパーエッチングして台形状にする。この内側アルミニウム膜の下部は１μｍ以上の幅で、ＴＦＴ基板の画素開口部周辺のストライプ形状或いはマトリックス形状の幅（例えば２μｍ）以下とする。またエッチングはドライエッチング、ウェットエッチングのいずれでも良いが、ドライエッチングの方がテーパーエッチングで台形状にし易い。なお、内側アルミニウム膜は、液晶注入口側でシール剤と接しない様に形成する。
【００３７】
ここで、本発明を適用した液晶表示装置の製造方法の一例では、低熱伝導体層として非感光性の樹脂膜を使用している場合は、汎用のフォトリソグラフィー技術及びエッチング技術によって加工を施しているが、低熱伝導体層として感光性の樹脂膜を使用する場合には、露光現像後にベーキングを行うことによって加工を行う。なお、低熱伝導体層としてチタン等の金属を用いる場合にも非感光性の樹脂膜と同様に汎用のフォトリソグラフィー技術及びエッチング技術によって加工を行う。
【００３８】
また、本発明を適用した液晶表示装置の製造方法の一例では、高熱伝導体層として金属膜（アルミニウム膜）を使用しているために、スパッタリングや真空蒸着等によりアルミニウム膜を形成した後に、汎用のフォトリソグラフィー技術及びエッチング技術によってテーパーエッチングして台形状に加工しているが、高熱伝導体層として金属微粉末を混入した樹脂膜を使用する場合には、銀、アルミニウム等の数μｍ粒を７０〜８０重量％含有するエポキシ、アクリル等の感光性樹脂薄膜を汎用のフォトリソグラフィー技術でパターニングし、ポストキュアで台形状に加工を行い、高熱伝導体層としてセラミックス膜を使用する場合には、スパッタリングによってセラミックス薄膜を形成し、汎用のフォトリソグラフィー技術及びエッチング技術またはリフトオフ技術で台形状に加工を行う。
【００３９】
更に、上記した本発明を適用した液晶表示装置の製造方法の一例では、アルミニウム膜の上層に樹脂膜を形成した後に、少なくともＴＦＴ基板の画素開口部に対応する領域及びシール領域の樹脂膜をエッチング除去し、更に、少なくともＴＦＴ基板の画素開口部に対応する領域のアルミニウム膜をエッチング除去して内側アルミニウム膜上の任意の個所及び外側アルミニウム膜上のシール領域を除く全面に樹脂膜を形成したが、アルミニウム膜の上層に樹脂膜を形成した後に、少なくともＴＦＴ基板の表示領域に対応する領域及びシール領域の樹脂膜をエッチング除去し、更に、少なくともＴＦＴ基板の画素開口部に対応する領域のアルミニウム膜をエッチング除去して図４（ａ）で示す様な外側アルミニウム膜上のシール剤の塗布領域を除く全面に樹脂膜を形成しても良いし、アルミニウム膜の上層に樹脂膜を形成した後に、少なくともＴＦＴ基板の画素開口部に対応する領域及びＴＦＴ基板の周辺領域に対応する領域の樹脂膜をエッチング除去し、更に、少なくともＴＦＴ基板の画素開口部に対応する領域のアルミニウム膜をエッチング除去して図４（ｂ）で示す様に内側アルミニウム膜上の任意の個所に樹脂膜を形成しても良い。
【００４０】
続いて、図９（ｂ）で示す様に、樹脂膜を含む全面に厚さが１３０〜１５０ｎｍのＩＴＯやＩＺＯ等から成る透明電極を形成する。次に、有機系または無機系の配向膜（２）を透明電極の上層全面に形成し、配向処理を施すことによって図９（ｃ）で示す様な対向基板を得ることができる。
【００４１】
ここで、配向膜（２）としてポリイミド等のラビング用有機配向膜またはノンラビング用光有機配向膜を用いる場合には、ロールコーティングやスピンコーティングで塗布を行った後に、図９（ａ）中符号Ａで示す縦型ストライプ状にエッチングされた内側アルミニウム膜と同方向にラビング、または基板に対して斜め方向から偏光ＵＶ照射を行うことによって配向処理を施す。また、配向膜（２）として無機配向膜を用いる場合には、図９（ａ）中符号Ａで示す縦型ストライプ状にエッチングされた内側アルミニウム膜と同方向にＳｉＯ斜方蒸着することによって配向処理を施したり、ＤＬＣ膜の斜方蒸着及びイオンブローの場合には図９（ａ）中符号Ａで示す縦型ストライプ状にエッチングされた内側アルミニウム膜と同方向に斜方蒸着しイオンブローすることによって配向処理を施したりする。
【００４２】
次に、図９（ｄ）で示す様に、表示領域に多数の画素がマトリクス状に設けられており、互いに隣り合う画素の間には、行方向に沿って配列されたスキャンラインや列方向に沿って配列されたデータラインといった信号線が設けられ、これらスキャンラインとデータラインとが交差する付近にＴＦＴ等からなる液晶駆動用のスイッチング素子が形成されると共に、液晶側表面に平坦化膜及び透明画素電極が形成され、透明画素電極の上層に配向膜（１）が形成されて配向処理されたＴＦＴ基板と前記対向基板とをシール剤を用いて所定の液晶間隔で重ね合わせる。
【００４３】
ここで、ＴＦＴ基板と対向基板との重ね合わせは、ＴＦＴ基板に形成されたデータラインの配列位置と対向基板に形成した内側アルミニウム膜の位置が合致するように行う。また対向基板に樹脂膜を形成した個所、即ち、内側アルミニウム膜上の任意の個所及び外側アルミニウム膜上のシール領域を除く全面においてＴＦＴ基板と対向基板が当接する様に重ね合わせる。更に、内側アルミニウム膜に形成された凸部がＴＦＴ部を遮光するように、重ね合わせを行う。
【００４４】
なお、配向膜（１）としてポリイミド等のラビング用有機配向膜またはノンラビング用光有機配向膜を用いる場合には、ロールコーティングやスピンコーティングで塗布を行った後に、対向基板のラビング方向と４５°または９０°の方向にラビングまたは対向基板の偏光ＵＶ照射配向方向に対して４５°または９０°の方向にＴＦＴ基板に対して斜め方向から偏光ＵＶ照射して配向処理を施す。また、配向膜（１）として無機配向膜を用いる場合には、対向基板の斜方蒸着方向と４５°または９０°の方向にＳｉＯ斜方蒸着することによって配向処理を施したり、ＤＬＣ膜の斜方蒸着及びイオンブローの場合には図９（ａ）中符号Ａで示す縦型ストライプ状にエッチングされた内側アルミニウム膜と同方向に斜方蒸着しイオンブローすることによって配向処理を施したりする。
【００４５】
次に、シール剤で囲まれた領域に例えばネマティック液晶｛ツイストネマティック（ＴＮ）型液晶、垂直配向型液晶など｝の注入封止及び熱処理での液晶配向処理を行って、フレキシブル基板１０を取り付けた後に、高熱伝導性樹脂でＴＦＴ基板及び対向基板をアルミニウムやチタン等から成る乱反射光の悪影響を抑制すべく黒化処理が施された金属枠に取り付け、ＴＦＴ基板及び対向基板と金属枠との隙間に高熱伝導性樹脂を注入することによって図１で示す様な液晶表示装置を得ることができる。
【００４６】
なお、上記では、ＴＦＴ基板及び対向基板を重ね合わせた液晶表示装置を例に挙げて説明を行ったが、図１０で示す様に、支持基板２４、マイクロレンズアレイ領域２５及びスタック基板２６を備えるマイクロレンズ基板２７とＴＦＴ基板とを重ね合わせた液晶表示装置の場合においても、スタック基板の液晶側表面に、ＴＦＴ基板の表示領域内における画素開口部の周辺領域に対応する領域及びＴＦＴ基板の周辺領域に対応する領域に高熱伝導体層或いは高熱伝導体層及び低熱伝導体層が形成されることによって、ＴＦＴ基板及び対向基板を重ね合わせた液晶表示装置と同様に後述する様な効果を得ることができると共に、マイクロレンズ基板の画素間光漏れを低減できるためにコントラストが向上し、更なる高精細化、高輝度化を実現することができる。
【００４７】
【発明の効果】
上記した本発明を適用した液晶表示装置では、高熱伝導体層と低熱伝導体層との積層膜が液晶ギャップに相当する高さ（厚み）を有しており、この積層膜が形成された対向基板またはマイクロレンズ基板とＴＦＴ基板とを重ね合わせるために、ギャップ寸法が高精度かつ均一に調整され、品質表示が良好である。
【００４８】
また、少なくとも高熱伝導体層がＴＦＴ基板の表示領域内に対応する領域のみならず、シール剤を超えて対向基板端またはマイクロレンズ基板端まで形成されているために、対向基板またはマイクロレンズ基板と金属枠との隙間に注入された高熱伝導性樹脂を介して金属枠に放熱を行うことが可能であり、冷却効果が高く、液晶表示装置の長寿命化を実現できる。
【００４９】
更に、周辺回路領域、シール領域及びシール領域以外の領域といった画素開口部以外の全ての領域を少なくとも高熱伝導体層で覆っているために、上記した高熱伝導性樹脂を介しての金属枠への放熱をより一層促進することができ、液晶表示装置の一層の長寿命化を図ることができる。また、周辺回路全域を遮光しているために、光漏れによるＴＦＴリークトラブルが無く、見切り板が不要でコストの削減を図ることができる。更には、画素開口部周囲を遮光しているためにコントラスト向上が出来る。
【００５０】
また、縦型ストライプ状にエッチングされた少なくとも高熱伝導体層と同方向にバフラビングを行うことにより配向処理を施しているために、少なくとも高熱伝導体層を形成することによる配向ムラの心配も無い。更に、液晶注入口側は少なくとも高熱伝導体層がシール剤に接していないために、液晶注入の際の邪魔になることもなく生産性が良い。
【００５１】
また、ＴＦＴ基板の表示領域内に対応する領域に形成された高熱伝導体層がＴＦＴ基板におけるデータラインの配列位置に対応する個所に形成されているので、高熱伝導体層或いは高熱伝導体層及び低熱伝導体層によって画素開口部の開口率を低下させることが無く、光透過を妨げることにはならない。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明を適用した液晶表示装置の一例を説明するための模式的な図である。
【図２】本発明を適用した液晶表示装置の一例を説明するための模式的な部分拡大図である。
【図３】本発明を適用した液晶表示装置の一例における対向基板の構成を説明するための模式的な図である。
【図４】高熱伝導体層及び低熱伝導体層の変形例を説明するための模式的な図である。
【図５】内側アルミニウム膜（高熱伝導体層）の変形例を説明するための模式的な図である。
【図６】内側アルミニウム膜（高熱伝導体層）の他の変形例を説明するための模式的な図である。
【図７】外側アルミニウム膜（高熱伝導体層）の変形例を説明するための模式的な図である。
【図８】防塵ガラスを貼り合わせた液晶表示装置を説明するための模式的な断面図である。
【図９】本発明を適用した液晶表示装置の製造方法の一例を説明するための模式的な図である。
【図１０】ＴＦＴ基板とマイクロレンズ基板を重ね合わせた液晶表示装置を説明するための模式的な断面図である。
【図１１】従来の液晶表示装置を説明するための模式的な部分断面図である。
【図１２】従来の液晶表示装置における突起部の配列パターンを説明するための模式的な図である。
【図１３】従来の液晶表示装置における対向基板を説明するための模式的な平面図である。
【符号の説明】
１    液晶表示装置
２    ＴＦＴ基板
３    対向基板
４    液晶
５    信号線
６    平坦化膜
７    配向膜（１）
８    アルミニウム膜
９    液晶注入口
１０    フレキシブル基板
１１    シール剤
１２    金属枠
１３    高熱伝導性樹脂
１６    透明電極
１７    配向膜（２）
１８    凸部
１９    石英ガラス基板
２０    樹脂膜
２１    透明画素電極
２２    低反射膜
２３    防塵ガラス
２４    支持基板
【図１】
2004309819.tif 000003
【図２】
2004309819.tif 000004
【図３】
2004309819.tif 000005
【図４】
2004309819.tif 000006
【図５】
2004309819.tif 000007
【図６】
2004309819.tif 000008
【図７】
2004309819.tif 000009
【図８】
2004309819.tif 000010
【図９】
2004309819.tif 000011
【図１０】
2004309819.tif 000012
【図１１】
2004309819.tif 000013
【図１２】
2004309819.tif 000014
【図１３】
2004309819.tif 000015