(57)【要約】      （修正有）【課題】塗布液の基板への伸展中もしくは伸展後に、伸展された塗布液のエッジビード高さを低減し、面内平坦性を向上させることが出来、精密な塗布膜を得る方法を提供する。【解決手段】基板１上に塗布液を伸展させ、塗布液膜７を施し、ホットプレートなどの加熱手段にセットした後、乾燥フード３０を塗布液上の所定の距離にセットした後、送風管３１を通じて塗布液膜に向けて、空気、乾燥空気、ヘリウム、窒素等からなるキャリアガスを流す。送風管を流れるキャリアガスは、送風口から出ると、基板、塗布液膜の上面と、乾燥フードの下面からなる隙間に全方向的に広がり、基板の外周方向へ抜けて風速が小さくなり、外周においてはキャリアガスと溶媒蒸気層との置換が行なわれず、乾燥が抑制され、エッジビードの成長が抑制される。【選択図】        図１
2004330090.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持体に塗布液を伸展、乾燥工程を経て固定し、塗布膜を形成する塗布膜形成方法において、
該塗布液の伸展中もしくは伸展後、伸展された塗布液の少なくとも一部を、少なくとも一つの送風口を設けたフードにより覆い、この送風口よりなんらかの気体を送風しておこなうことを特徴とする塗布膜形成方法。
【請求項２】
送風口から送風する際に、風の進行方向に垂直のエネルギーを与えて行なう送風を使用する請求項１に記載の塗布膜形成方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、たとえば、画像表示装置、インクジェット記録装置等の部品、プリント基配線基板、その他のデバイスの部品等において、基板上に必要な平坦性をもった塗布膜の形成方法にかかわる。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、回路基板、液晶表示素子、画像形成装置、インクジェット記録装置等の製造方法では、基板上に金属、ガラス等の無機物、および樹脂等の有機物、あるいはこれらの混合物など様々な材料によって塗布膜を形成している。また、それぞれ製造工程中で塗布膜を使用し、あるいはまたこうした塗布膜を何層か重ね、多層構造としてデバイス化することにより、様々な機能を発現させている。このように、これらの塗布膜の製造、塗布膜の積層、もしくは塗布膜形成基板へのパターニングなど、多くのプロセスに於いて、塗布液を塗布する工程が必要となっている。
【０００３】
たとえば、プリント基板、あるいはＩＣ等の半導体装置の製造においては、基板上にフォトレジスト膜を形成後、該フォトレジスト膜を露光・現像して所定のパターンを形成し、該パターニングフォトレジスト膜をマスクに用いて機能膜を所定のパターンに加工する方法がとられる。
【０００４】
このフォトレジスト膜を形成するには、一般にスピンコーティング等の手法が用いられ、たとえば特開平３−２７８８５４号公報等に公報に開示されているような塗布装置、方法により塗布し成膜して製造される。
【０００５】
また、液体噴射記録ヘッドデバイスの製造においては、たとえば特開平５−３３００６６号公報に示されるように、いくつかの機能膜をスピンコート法などを用いて形成されることが知られている。
【０００６】
図１１に簡単にスピンコート法による成膜を示した。図１１（ａ）は、スピンコーティングの概略を示した模式図、図１１（ｂ）はスピンコーティングをにより形成した塗布膜の概略図である。図中１は基板、２は塗布液、３は塗布膜である。また、２０はスピンコーターの基板支持体、２１は塗布ヘッドである。
【０００７】
また、図１３に一般的な乾燥方法の概略図を示した。図中１３はホットプレート等の加熱手段、１４はプロキシ加熱を行なうためのピンである。
【０００８】
まず、基板１を基板支持体２０の上に密着させ、チャックする。塗布ヘッド２１から塗布液２を適宜、基板１上へ供給する。さらに基板支持体２０を条件に合った回転数で図に示すように回転させて塗布液２を基板１上に伸展させたのち、これを図１３に示すようにホットプレート等の加熱手段を用い乾燥させ、図１１（ｂ）に示すような塗布膜３を得る。
【０００９】
あるいは、塗布膜形成方法には近年、スピンコート法の他に、特開２０００−５６８２に示されるようにスリットコート法なども知られ用いられるようになってきた。
【００１０】
図１１、図１２を用いスリットコート法による塗布膜形成方法を説明する。
【００１１】
図１１はスリットコート法を行なっている概略の斜視図である。また図１２（ａ）から（ｅ）に簡単にスリットコート法による塗布プロセスを説明する側面模式図を示した。図中の１は基板、２は塗布液である。７は塗布液膜、９はビード、２１は塗布ヘッド、２２は塗布ヘッド先端である。
【００１２】
まず、図１２（ａ）に示すように、基板１上の塗布開始位置に塗布ヘッド２１を持っていき、塗布ヘッド先端２２より塗布液２を矢印で表すように吐出する。塗布ヘッド先端２２に図１２（ｂ）に示すように塗布液２が溜まってビード９と呼ばれる液溜まりを形成した後、図中の矢印の方向へ塗布ヘッド２１を移動し、基板１上に塗布液２を伸展させ、膜化する［図１２（ｃ）、（ｄ）、図１１］。
【００１３】
必要な大きさの伸展後、塗布ヘッド先端２２の先端の液を吸い込ませる（細矢印）。もしくは／同時に塗布ヘッド２１を基板面から垂直方向へ離すように移動させ（太矢印）、図１２（ｅ）で示すように、塗布液膜７が形成される。
【００１４】
このようなプロセスで形成された塗布液膜７は、スピンコート法によるものと同様、たとえば図１３に示す方法などにより乾燥し、塗布膜３を得る。
【００１５】
一般的に、このような方法により得られる塗布膜についても、図１０（ｂ）に示すスピンコート法による塗布膜とほぼ同様の形状となる。
【００１６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、以上に説明したような一般に用いられる塗布膜形成方法においては以下のような問題点を有している。
【００１７】
すなわち、図１０（ｂ）に示すように、塗布膜のエッジ部に膜厚の異常に盛り上がった部分（エッジビード）４が発生し、その内側にやや膜厚の薄い窪み部５が発生するという課題があった。エッジビード４および窪み部５が発生すると、膜厚の安定した平坦部６の面積が塗布膜３の面積よりも大幅に小さくなってしまう。そのため、１枚の基板から複数のデバイスチップを多数個取りする場合などは、得られるチップの個数が限られ、塗布膜や基板の大きさを有効に活かせなくなってしまう。また、結果的に塗布材料の使用効率が落ちてしまうことになり、コスト高となってしまう。
【００１８】
またスリットコートの場合、塗布膜のエッジビード４および窪み部５が発生することを予め考慮し、均一な膜厚が必要な平坦部に対して塗布面積を広くとることが考えられている。これにより、少なくとも均一な膜厚が必要な領域においては、均一な膜厚を確保することができる。しかしながら、デバイスが必要以上に大きくなってしまったり、後工程で行なう配線等を施す際にデバイス設計上の制約が生じてしまったりして事実上このような塗布方法の普及の妨げとなっていた。
【００１９】
さらに、塗布膜３にフォトリソなどによってパターニングを行ないたい場合は、エッジビード４が邪魔になり、マスクの位置合わせに影響が出ることがある。このため特開平３−２７８８５４号公報などに開示されているように、エアなどによりエッジビードを除去することも考えられている。
【００２０】
しかしながら、このようにエッジビードを除去する対応方法では平坦部６の面積を広げることは出来ず、デバイスの切り出し個数はこれらの不均一部分４、５の影響をどうしても受けてしまう。
【００２１】
また、エッジビードが除去される際に、除去するために使用する溶剤が膜の平坦部６の外周部分から塗布膜３に浸透し、膜を溶かす結果、膜の縁に新たな盛り上がりが出来たり、膜の構造に影響を与えたりするなど、新たな問題の原因となる場合もある。
【００２２】
これらのエッジビード４および窪み部５の形状は、塗布膜のエッジ部分から通常数ｍｍ〜１０ｍｍ程度入ったところに形成される。ただし、塗布液２の粘度、乾燥性などの性質や、塗布膜３の厚さ、乾燥等により塗布された塗布液膜７を固定する方法などの影響を受けるため、それらの条件によって、塗布膜３のエッジ部分から１０ｍｍ以上の領域にまで及ぶこともある。この塗布膜３の周囲に発生するエッジビード４および窪み部５の低減が精密デバイスのローコスト生産のために必要となっている。
【００２３】
あるいはまた、従来の塗布膜形成方法には次のような問題点も有している。すなわち、塗布膜３上に部分的に窪みや凸部が発生し、膜欠陥となることがある。このような場合も、述べてきたような理由により、デバイスのチップの取り個数を減らし、コスト低減の妨げとなる。
したがって、このような突発的な膜欠陥についても、できる限り低減することが必須となっている。
【００２４】
【課題を解決するための手段】
前記課題を解決するため、本発明は、基板に塗布液を伸展および固定し、塗布膜を形成する塗布膜形成方法において、該塗布液の伸展中もしくは伸展後に、伸展された塗布液膜の少なくとも一部に乾燥フードを接近させて乾燥させる乾燥方法を用いて塗布膜を形成する塗布膜形成方法を提案している。
【００２５】
これは、塗布直後から開始される乾燥中に乾燥雰囲気を容易に制御し、塗布液の固定を進行させる塗布膜形成方法である。
【００２６】
【発明の実施の形態】
まず、図４から図７を用いてエッジビードが形成される原理について述べる。
【００２７】
図４はスリットコート法などを用いて塗布液を塗布する場合の理想的な膜形状の断面図の一部である。図中１は基板、３は塗布膜、７は塗布液膜である。図４（ａ）は塗布直後の塗布液膜７の断面図であり、図４（ｂ）は塗布液膜７を乾燥もしくは化学反応、物理反応により塗布膜化した塗布膜３の断面図である。塗布液膜７は、乾燥等により揮発成分等が蒸発して塗布膜化し、塗布膜３となるため、塗布膜３の膜厚は塗布液膜７に対して薄くなる。
【００２８】
塗布液２を基板１上に塗布した場合、固体である基板１の上面と、液体である塗布液２と、これらを取り巻く気体とがそれぞれの界面張力で釣り合うこととなる。重力を考慮すると、図５に矢印（４ａ、４ｂ、４ｃ）で示した状態となる。図５の矢印５ａに示すように、一般的な表面エネルギーを持つ固体（基板１）に対して、液体（塗布液２）は９０度以下の接触角を以って安定する。
【００２９】
したがって、塗布液膜７の端部では、界面のバランスを保つためには、図５（ａ）に示す矢印（５ａ、５ｂ、５ｃ）の方向に力が加わる。しかしながら、重力を考慮すると塗布液膜７の側面は、塗布液膜７の内側方向に傾斜を持つように変形して安定する。また、その際、塗布液膜７の基板１との接触面は容積の変化がないとすると、塗布液が外方向へスライドした状態となる。
【００３０】
次に、この実際の液膜をそのまま乾燥させていく過程を図７を用いて説明する。図７（ａ）は図６（ｂ）で塗布液膜７の乾燥状態を模式的に表したものである。図中の矢印で示したように、塗布液膜７は表面および端部から溶媒が揮発し、乾燥していく。この場合、破線の円で示した１６の部分の表面、および端部から乾燥が進み、他の部分と比較し溶質の含有率が高くなる。その結果、図７（ｂ）に示すように、この部分における塗布液膜７の表面張力が他の部分に比べて高くなり、その表面張力の不均衡によって、塗布液膜７の中で物質の移動が起こる。その結果この部分を中心に図７（ｃ）に示すような形状の特異点が形成され、更にこの部分の乾燥が進んでエッジビード４が形成されると共に、その周囲に平均膜厚より膜厚の薄い膜の窪み部が形成される。
【００３１】
このように発生するエッジビードを抑制する塗布膜形成方法には、たとえば特開平０６−０２３３１５に示されるように、塗布中および塗布後の雰囲気に塗布液に含まれる溶媒蒸気を供給し、部分的に乾燥を進めない手法がある。
【００３２】
しかしながら、この方法によれば、塗布液膜が乾燥する際に膜の中央部から離れるに従って乾燥が進みやすく、その乾燥状態の差によって塗布液中の物質移動が発生し膜厚にむらが生ずることは抑制できない。また、塗布液中から溶媒を揮発させ乾燥させる工程において、雰囲気にその溶媒を新たに供給することは、物理現象として乾燥を遅らせることから工程タクトを延長する原因となり、結果的に工程コストアップという課題を生む。
【００３３】
次に、面内に突発的な膜の凹凸が発生し、膜欠陥となる原理を説明する。
【００３４】
図１３は塗布工程の後、基板を加熱手段により乾燥する工程の一例を示した模式図である。
【００３５】
図８は、たとえば図１３に破線で示した１５の基板１、塗布液膜７、および溶剤蒸気層を表した断面図であり、乾燥中の基板のエッジ部から離れた一部分を示した模式図である。
【００３６】
図中で、１は基板、３は塗布膜、７は塗布液膜、８は塗布液膜凸部、１０は塗布膜凸部、１１は溶剤蒸気層、１２は蒸気層凸部を表す。
【００３７】
図８（ａ）は、乾燥中の基板１と、その上に施された塗布液膜７、更にこの塗布液膜が加熱され液中の溶剤が揮発して高濃度に溶剤が存在する溶剤蒸気層１１である。
【００３８】
加熱により、液膜７中に含まれる溶剤が揮発するが、溶剤分子はそのまま気中に拡散していくのではなく、初めは加熱などのエネルギーによって一端は揮発した分子が揮発によりエネルギーを失って再び液膜２−２へ戻る。この現象が繰り返され、塗布液膜７および周辺に熱が蓄えられると、やがて溶媒分子は気中への揮発後も気中に漂うだけのエネルギーを得られることになり、揮発と着たい溶媒分子の運動による液中への戻りが平衡して、溶剤蒸気層１１を形成する。
【００３９】
この溶剤蒸気層１１は気体である為、溶剤蒸気層１１周辺の雰囲気のわずかな揺らぎで発生した溶剤蒸気層１１自身のゆらぎにより、蒸気層表面に凸部１２が発生する［図８（ｂ）］。
【００４０】
この蒸気層凸部１２に、溶剤蒸気層１１に含まれる溶剤蒸気の特にエネルギーの高いものが集まることにより、やがて平衡が崩れて図８（ｃ）、（ｄ）に示すように入道雲状に溶剤蒸気層１１の一部が層１１から離脱する。この際、この溶剤蒸気層１１自身が大きく揺らぐことから、該溶剤蒸気層１１の下にある塗布液膜７の表面に揺らぎが伝わり、図８（ｄ）のように、塗布液膜７の表面に塗布液膜凸部８を形成する。
【００４１】
このようにして乾燥した塗布膜３を模式図８（ｆ）に示す。
【００４２】
該塗布膜３上には、塗布液膜凸部８が原因で出来た塗布膜凸部１０が示される。あるいはまた、同様の原因によって、塗布液膜７に出来た凸部８が原因で、塗布液膜の表面が波として揺らぎ、これが原因で、小さい範囲で、膜荒れが発生することもある（図示せず）。この場合も、前記、乾燥時に発生する塗布液膜７付近の、溶剤蒸気層１１の乱れが主な原因となって起こる。
【００４３】
次に、図９を用いて、本発明による塗布膜形成方法における、エッジビード発生の抑制原理、および、膜荒れの低減原理について説明する。
【００４４】
図９は、乾燥時の基板の断面図の一部を示している。基板の中央から周までの、断面の左半分である。図中、１は基板、７は塗布液膜、１１は塗布液膜から揮発した溶媒の蒸気層であり、説明のため、基板中央部から基板の外周までを分割し、便宜上、１１ａ、１１ｂ、１１ｃ、１１ｄと示した。
【００４５】
本発明において、用いる乾燥フードにより、この溶媒蒸気層を含む乾燥時の雰囲気をすべて基板中央部から外周部へ向けて移動させる。すなわち、基板中央から周へ送風を行なう。
【００４６】
この送風により強制的に溶媒蒸気層１１が移動させられ、その結果、塗布液膜７と溶媒蒸気層１１との界面における液層−気層間の溶媒分子移動の平衡が崩れ、乾燥が早まる。また、送風される雰囲気は、常に１１ａから１１ｄの方向へ順に送られていくため、外周部に向かうほど溶媒の分圧が高くなり、外周では液層−気相間の溶媒分子移動は、内部より揮発しにくくなる。
【００４７】
このため、エッジ部周辺では、揮発が進みにくいため、図７を用いて説明してきたエッジビードを発生する局所的な乾燥が起こりにくく、その結果、エッジビードの成長が抑制される。また、本発明において用いる雰囲気の溶媒は、塗布液膜自身から放出された溶媒を用いており、外部から溶媒を与えて乾燥時間を引き延ばすことなくエッジビードの抑制が可能である。また、送風方向を溶媒蒸気濃度傾斜の必要な方向と一致させているため、乾燥を通常より促進させたい中央部については雰囲気の置換により乾燥が促進され、乾燥を抑制したいエッジ部分においては、塗布液膜の中央部付近からの揮発溶媒を含み、溶媒蒸気濃度が上がった雰囲気にさらされることにより乾燥が抑制される機構となっている。
【００４８】
また、塗布液膜７の上部につねに弱い送風があり、溶媒蒸気層１１中の溶媒分子を常に一方向へ排気しているため、図８を用いて説明した、気層中への溶媒と熱エネルギーの供給が過剰に行なわれ発生するランダムな溶媒層の離脱が抑制される。これらは、強制的に行なわれる送風により、常に同じように排気されていき、その結果、突発的な膜のみだれは発生しない。
【００４９】
次に、図面を参照して本発明の実施の形態を説明する。
【００５０】
（第１の実施の形態）
図１は本発明の１の実施の形態を説明する乾燥機構の斜視図である。図中１は金属薄膜、硝子、シリコン、樹脂等からなる基板、７は塗布液が液体のまま基板上に塗り広げられた状態である塗布液膜、３０は乾燥フード、３１は送風管を表す。
【００５１】
乾燥フード３０は塗布液膜上で自由に位置を変更でき、図では塗布液膜７を施した基板１を加熱手段（図示せず）に載せた状態で、該乾燥フード３０を塗布液膜７上に接近させた状態を表している。
【００５２】
図２は本発明の１の実施の形態を説明する乾燥機構の断面図である。図中で３２は送風口である。図２（ａ）は、図１の状態の断面図である。３０は乾燥フード、３１は送風管である。
【００５３】
基板１上に塗布液を伸展させ、塗布液膜７を施し、ホットプレートなどの加熱手段にセットした後、該乾燥フード３０を塗布液膜７に接近させる。図２（ｂ）は送風管から送風を行なう様子を模式的に表した。乾燥フード３０を塗布液膜７上の所定の距離にセットした後、送風管３１を通じて塗布液膜７へ向けて、空気、乾燥空気、ヘリウム、窒素等からなるキャリアースを流す。送風管３１を流れるキャリアガスは、送風口３２から出ると、基板１、塗布液膜７の上面と、乾燥フード３０の下面からなる隙間に全方向的に広がり、やがて、基板１の外周方向へ抜けていく。
【００５４】
このとき、乾燥フード３０を図２（ｂ）に示すように、基板の中心付近から外周へ向かうにつれて塗布液膜７との距離が大きくなる形状とすることで、キャリアガスの流速と流れの方向がコントロールされ、より良い効果がある。すなわち、距離の小さい部分においては、風速が大きく、塗布液膜に沿った送風が行なわれるため、溶媒蒸気層とキャリアガスの置換が進み、乾燥が促進される。外周に近付くにつれ距離を大きくすると、風速が小さくなり、またフードの形状に沿ってキャリアガスが広がる方向へ送風が行なわれる。この結果、外周においてはキャリアガスと溶媒蒸気層との置換が行なわれず、乾燥が抑制され、エッジビードの成長が抑制される。
（第２の実施の形態）
図３は本発明の第２の実施の形態を示す乾燥機構の断面図である。図中３０は乾燥フード、３１は送風管、３２は送風口、３３は気流調節口、３４は排気口、３５はスクリュー溝をあらわす。
【００５５】
第１の実施の形態同様に塗布液膜７に乾燥フードを接近させ、送風する。送風管にスクリュー溝を切ることで、送風されたキャリアガスは渦を以ってフード内に入り、内部での平面状の拡散がより均一に行なわれる。拡散したキャリアガスは外周に向かうにつれ溶媒蒸気を含み、該周の乾燥を抑制する。そして、排気口３４を通って外部に放出される。
【００５６】
このように塗布液膜を覆って乾燥する乾燥フード３０を用いれば、乾燥時の外気の乱れの影響を全く受けないため、乾燥プロセスは一層一定化することが出来、膜荒れのない塗布膜を得る。
【００５７】
また、本発明においても塗布膜の断面は外周部で完全に矩形になることはなく、わずかに上に凸の形状を残すが、図３に示す乾燥フード３０では、排気口３４を塗布液膜７に接近させることにより、ここを通ってキャリアガスが排気される際に、塗布液膜上で凸になろうとする塗布液を図３中で３６で示す矢印のように外周下方へ向けて風圧が発生しこれが液体をおすことによって、わずかな形状の抑制が行なえ、さらに均一な形状となる。
【００５８】
以下に、本発明の実施態様例を示す。
【００５９】
（実施態様例１）
支持体に塗布液を伸展、乾燥工程を経て固定し、塗布膜を形成する塗布膜形成方法において、該塗布液の伸展中もしくは伸展後、伸展された塗布液の少なくとも一部を、少なくとも一つの送風口を設けたフードにより覆い、この送風口よりなんらかの気体を送風しておこなうことを特徴とする塗布膜形成方法
（実施態様例２）
送風口から送風する際に、風の進行方向に垂直のエネルギーを与えて行なう送風を使用する実施態様例１に記載の塗布膜形成方法。
【００６０】
（実施態様例３）
前記送風方法に、送風口につながる管の内部にスクリュー溝を切ることにより行なう実施態様例２に記載の塗布膜形成方法。
【００６１】
（実施態様例４）
前記送風方法に、プロペラを用いた送風を用いることによる実施態様例２に記載の塗布膜形成方法。
【００６２】
（実施態様例５）
実施形態例１に記載のフードに、塗布膜の外周付近の少なくとも一箇所に排気口を設置したフードを用いることを特徴とする実施態様例１から４に記載の塗布膜形成方法。
【００６３】
（実施態様例６）
実施態様例１から５に記載のフードを用いた塗布膜乾燥機構。
【００６４】
（実施態様例７）
前記塗布膜乾燥機構を用いてなる塗布膜形成物。
【００６５】
（実施例）
以下に、実施例をあげて、本発明をさらに詳細に説明する。
【００６６】
ただしここに挙げた実施例は、本発明の一実施例を示すものであり、これによって本発明を限定するものではない。
【００６７】
［実施例１］
本実施例においては、図１２に説明した塗布方法を用いて塗布膜を形成し、図１および２に説明した乾燥フードを用いて乾燥を行ない、基板１に塗布膜３を形成した。基板１は１２５ｍｍφ、厚さ７００μｍのガラスを用いた。塗布液２は、環化ゴムのキシレン溶液（溶剤分８８重量部）を用いた。
【００６８】
図１２の塗布方法で、該基板１の全面におよそ３０μｍの厚さに塗布液膜７を施し、この基板１をホットプレート上に載せ、同時にこの塗布液膜から３ｍｍの距離まで乾燥フード３０を接近させた。
【００６９】
乾燥フード３０は、直径が１５０ｍｍφで、中央部の高さ（基板等からの距離）を０ｍｍとすると、中心から３０ｍｍの位置では高さが２ｍｍ、４０ｍｍでは３ｍｍ、５０ｍｍでは４．２ｍｍ、６０ｍｍでは５．５ｍｍ、７０ｍｍでは１０ｍｍの高さとなる形状のものを用いた。
【００７０】
このホットプレートは、８０℃で１００μｍのプロキシで、該基板１を１０分間加熱し、同時に乾燥フードに取り付けた送風管から５００ｍｌ／分の乾燥空気を注入した。その後、ホットプレートを１００℃にし、同様の条件で、６０分間加熱した。その後、基板１に形成された塗布膜３の外周部に形成されるエッジビードの高さ、外周５ｍｍより内側の膜について、平均粗さおよびＲｐｖを測定した。高さについては１０箇所測定した結果の平均値、粗さＲａについては２０ｍｍのラインの結果の１０箇所の平均、Ｒｙについては１０箇所の測定の最も大きい値について表１に示す。
【００７１】
［実施例２］
本実施例は、図３に説明した乾燥フードをもちいて基板１に塗布膜３を形成した。基板、塗布液は実施例１とどうようであり、塗布エリア、厚さについても実施例１と同様の条件で塗布を施した。用いた乾燥フードは図３に説明した乾燥フードを用い、径８ｍｍφの送風管の内側に深さ３ｍｍのスクリュー溝を切ったものを用いた。また、乾燥フードは図３に示すように、フードの外周部分がフードの中央部分の距離を０ｍｍとすると−１ｍｍとなる形状をもったものを用いた。このフードの径は、１２８ｍｍである。また、フードの形状は３０ｍｍの位置では高さが２ｍｍ、４０ｍｍでは３ｍｍ、５０ｍｍでは４．２ｍｍ、６０ｍｍでは５．５ｍｍ、６４ｍｍで−１ｍｍとなる。
【００７２】
塗布方法、およびホットプレートの加熱条件は実施例１と同様に行ない、これにより得られた塗布膜３の形状についても実施例１と同様の測定を行なって結果を表１に示した。
【００７３】
［比較例１］
実施例１と同様の基板、塗布液を使用して、同様の塗布膜を形成した。
【００７４】
装置は、実施例１で使用したものを用い、乾燥時は乾燥フードおよび送風は行なわず、その他の条件は全く同様に行なった。この結果について、実施例１と全く同様に評価した結果を表１に示す。
【００７５】
【表１】
2004330090.tif 000003
【００７６】
表１に示す通り、実施例１、２と比較例１を比較すると、実施例１および２は比較例１に比べ、塗布膜周辺に発生するエッジビードの高さが抑制されていることがわかる。また面内の粗さＲａ、最大高さＲｙが小さくなっていることが分かる。
【００７７】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、塗布液の基板への伸展中もしくは伸展後に伸展された塗布液の上部にフードを被せ、送風して乾燥させることにより、エッジビード高さを低減し、面内平坦性を向上させることが出来、精密な塗布膜を得るために非常に有効である。
【００７８】
これにより基板から効率よくチップを切り出すことができる。またエッジビードを除去することなく後工程に取り掛かることができることから、作業工程を短縮でき、作業コストを軽減することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態の乾燥フードを示す斜視図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態の乾燥フードの効果を説明する断面図である。
【図３】本発明の第２の実施の形態の乾燥フードを示す断面図。
【図４】塗布物の乾燥する状態を説明した断面図。
【図５】理想的な塗布液膜の状態について説明した断面図。
【図６】塗布液膜の状態について説明した断面図。
【図７】塗布液膜の乾燥状態の原理について説明した断面図。
【図８】塗布液膜の乾燥時に発生する膜欠陥の発生原理について説明した断面図。
【図９】本発明の塗布膜の乾燥状態の原理について説明した断面図。
【図１０】従来技術の塗布膜形成方法を説明した断面図。
【図１１】従来技術の塗布膜形成装置を示す斜視図。
【図１２】従来技術の塗布膜形成方法を説明する断面図。
【図１３】従来技術の塗布膜形成方法における乾燥装置の一例を説明する断面図。
【符号の説明】
１  基板
２  塗布液
３  塗布膜
４  エッジビード
５  窪み部
６  平坦部
７  塗布液膜
８  塗布液膜凸部
９  ビード
１０  塗布膜凸部
１１  溶剤蒸気層
１２  蒸気層凸部
１３  加熱手段
１４  ピン
２０  基板支持体
２１  塗布ヘッド
２２  塗布ヘッド先端部
３０  乾燥フード
３１  送風管
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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