(57)【要約】【課題】無線通信端末機のＲＦ部に備えられた低いインダクタンス、低いインダクタンス変化を有する高周波インダクタ及びその製造方法を提供する。【解決手段】基板と所定間隔をおいて前記基板上に備えられるＲＦチップを前記基板と電気的に連結するように備えられたものであって低損失誘電物質で取り囲まれた第１インダクタ手段と、前記第１インダクタ手段と前記ＲＦチップとを連結する第２インダクタ手段と、を備えることを特徴とする無線通信端末機のＲＦ部に備えられたインダクタを提供する。これにより、基板損失が極小化されるので、高い忠実度が得られ、自己共振周波数を高められる。そして、反復工程によるインダクタの再現性に優れてインダクタ値の変化を最小化しうる。また、フリップチップボンディングを適用してワイヤーボンディングを用いた場合に比べてチップサイズを大幅に減らしうる。【選択図】  図３
2004327946.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と所定間隔をおいて前記基板上に備えられるＲＦチップを前記基板と電気的に連結するように備えられたものであって低損失誘電物質で取り囲まれた第１インダクタ手段と、
前記第１インダクタ手段と前記ＲＦチップとを連結する第２インダクタ手段と、を備えることを特徴とする無線通信端末機のＲＦ部に備えられたインダクタ。
【請求項２】
前記第１インダクタ手段は、一端が前記基板に連結され、他端が前記第２インダクタ手段に連結される導電性プラグであることを特徴とする請求項１に記載の無線通信端末機のＲＦ部に備えられたインダクタ。
【請求項３】
前記第２インダクタ手段は、前記導電性プラグの他端と接触するフリップチップバンプであることを特徴とする請求項２に記載の無線通信端末機のＲＦ部に備えられたインダクタ。
【請求項４】
前記低損失誘電物質と前記基板間に前記導電性プラグを取り囲む導電性接着膜がさらに備えられたことを特徴とする請求項３に記載の無線通信端末機のＲＦ部に備えられたインダクタ。
【請求項５】
前記導電性プラグは第３インダクタ手段を通じて前記基板と連結されたことを特徴とする請求項３に記載の無線通信端末機のＲＦ部に備えられたインダクタ。
【請求項６】
前記第３インダクタ手段と前記基板との間に導電性接着膜がさらに備えられたことを特徴とする請求項５に記載の無線通信端末機のＲＦ部に備えられたインダクタ。
【請求項７】
前記フリップチップバンプと前記導電性プラグとの間にも導電性接着膜がさらに備えられたことを特徴とする請求項６に記載の無線通信端末機のＲＦ部に備えられたインダクタ。
【請求項８】
前記第３インダクタ手段はフリップチップバンプであることを特徴とする請求項５または６に記載の無線通信端末機のＲＦ部に備えられたインダクタ。
【請求項９】
前記フリップチップバンプと前記導電性プラグとの間に導電性接着膜がさらに備えられたことを特徴とする請求項３に記載の無線通信端末機のＲＦ部に備えられたインダクタ。
【請求項１０】
前記導電性プラグと前記フリップチップバンプとの間に導電性接着膜がさらに備えられたことを特徴とする請求項４に記載の無線通信端末機のＲＦ部に備えられたインダクタ。
【請求項１１】
基板上に低損失の層間誘電体膜を形成する第１段階と、
前記層間誘電体膜に前記層間誘電体膜を貫通して前記基板と連結される第１インダクタ手段を形成する第２段階と、
前記層間誘電体膜上に所定間隔をおいてＲＦチップを形成するが、前記第１インダクタ手段及び前記ＲＦチップのパッド領域と連結される第２インダクタ手段を介して形成する第３段階と、を含むことを特徴とするインダクタの製造方法。
【請求項１２】
前記第２段階は、
前記層間誘電体膜に前記基板が露出されるコンタクトホールを形成する段階と、
前記コンタクトホールに前記第１インダクタ手段として導電性プラグを充填する段階と、をさらに含むことを特徴とする請求項１１に記載のインダクタの製造方法。
【請求項１３】
前記第３段階は、
前記ＲＦチップのパッド領域上にフリップチップボンディングのためのバンプを形成する段階と、
前記バンプが前記導電性プラグと１対１に対応すべく前記ＲＦチップを整列する段階と、
所定の温度及び圧力で前記基板及び前記ＲＦチップを圧着して両者をボンディングする段階と、をさらに含むことを特徴とする請求項１２に記載のインダクタの製造方法。
【請求項１４】
前記第３段階は、
前記層間誘電体膜上に前記導電性プラグと接触するバンプを形成する段階と、前記ＲＦチップのパッド領域が前記バンプと１対１に対応すべく前記ＲＦチップを整列する段階と、
所定の温度及び圧力で前記基板及び前記ＲＦチップを圧着して両者をフリップチップボンディングする段階と、をさらに含むことを特徴とする請求項１２に記載のインダクタの製造方法。
【請求項１５】
前記層間誘電体膜を形成する前に導電性接着膜を先に形成することを特徴とする請求項１３または１４に記載のインダクタの製造方法。
【請求項１６】
前記基板と前記ＲＦチップとを圧着する前に前記層間誘電体膜上に前記導電性プラグの露出面を覆う導電性接着膜をさらに形成することを特徴とする請求項１３に記載のインダクタの製造方法。
【請求項１７】
貫通する第１インダクタ手段を含む低誘電率の層間誘電体膜を形成する第１段階と、
基板と前記第１インダクタ手段とを連結する第２インダクタ手段を介して前記基板上に所定距離をおいて前記層間誘電体膜を位置させる第２段階と、
前記層間誘電体膜上に所定距離をおいてＲＦチップを位置させるが、前記第１インダクタ手段と前記ＲＦチップのパッド領域とを連結する第３インダクタ手段を介して位置させる第３段階と、を含むことを特徴とするインダクタの製造方法。
【請求項１８】
前記第１段階は、
第１基板上に前記層間誘電体膜を形成する段階と、
前記層間誘電体膜に前記第１基板が露出されるコンタクトホールを形成する段階と、
前記コンタクトホールに前記第１インダクタ手段で導電性プラグを充填する段階と、
前記層間誘電体膜を前記第１基板から分離させる段階と、をさらに含むことを特徴とする請求項１７に記載のインダクタの製造方法。
【請求項１９】
前記第２及び第３インダクタ手段はフリップチップバンプであることを特徴とする請求項１７に記載のインダクタの製造方法。
【請求項２０】
前記第２段階は、
前記ＲＦチップのパッド領域の間隔及び面積を考慮して前記基板上に前記フリップチップバンプを形成する段階と、
前記導電性プラグと前記フリップチップバンプとが１対１に対応すべく前記層間誘電体膜を整列する段階と、
所定の温度及び圧力で前記基板と前記層間誘電体膜とを圧着してフリップチップボンディングする段階と、をさらに含むことを特徴とする請求項１９に記載のインダクタの製造方法。
【請求項２１】
前記第２段階は、
前記層間誘電体膜の一面に前記導電性プラグと接触するフリップチップバンプを形成する段階と、
所定の温度及び圧力で前記基板と前記層間誘電体膜とを圧着してボンディングする段階と、をさらに含むことを特徴とする請求項１９に記載のインダクタの製造方法。
【請求項２２】
前記第３段階は、
前記ＲＦチップパッド領域上に前記フリップチップバンプを形成する段階と、
前記フリップチップバンプと前記導電性プラグとが１対１に対応すべく前記ＲＦチップを整列する段階と、
所定の温度及び圧力で前記ＲＦチップと前記層間誘電体膜とを圧着してボンディングする段階と、をさらに含むことを特徴とする請求項２０または２１に記載のインダクタの製造方法。
【請求項２３】
前記基板と前記層間誘電体膜とをフリップチップボンディングする前に前記基板上に導電性接着膜を形成することを特徴とする請求項２２に記載のインダクタの製造方法。
【請求項２４】
前記層間誘電体膜と前記ＲＦチップとをフリップチップボンディングする前に前記層間誘電体膜上に前記導電性プラグの露出面を覆う導電性接着膜を形成することを特徴とする請求項２２または２３に記載のインダクタの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は無線通信端末機のＲＦ部に備えられたインダクタに係り、特にインダクタンス値が低く、その値の変化が少ないインダクタに関する。
【０００２】
【従来の技術】
現在の無線通信端末機は初期の製品に比べて軽薄短小化されており、消費電力と製品コストも大幅に低減されている。それにも拘わらず、無線通信端末機の大きさ、消費電力及び製造コストを低減することは依然として良質の無線通信端末機の製造に際してまず最初に取り組むべき課題となっている。
【０００３】
このような課題の解決方案として無線通信端末機のＲＦ端をワンチップ（ｏｎｅ  ｃｈｉｐ）化する方法がある。この方法では、無線通信端末機のＲＦ端を構成する電子素子の大きさ、特にチップ内部に含まれたインダクタの小型化が何より重要である。その上、インダクタの忠実度（Ｑ−ｆａｃｔｏｒ）を高く保ちつつインダクタンスを安定に保つことが重要である。
【０００４】
無線通信端末機のＲＦ端に使われるインダクタはほとんどが螺旋状インダクタあるいはボンドワイヤーインダクタである。
【０００５】
従来の技術による螺旋状インダクタは、図１に示すように平面上で金属線を螺旋状に数回巻いたものであって、その一端は入力端子１０に、他端は出力端子１２に各々連結される。参照番号１６は、寄生キャパシタを示す。
【０００６】
図１の等価回路である図２を参照すれば、インダクタの入力端子１０と出力端子１２との間に金属線１８が形成されており、金属線１８に第１寄生キャパシタ２２が存在する。そして、金属線１８と基板２０との間に第２寄生キャパシタ２４が存在する。
【０００７】
このような第１及び第２寄生キャパシタ２２、２４によりインダクタの自己共振周波数（ｓｅｌｆ−ｒｅｓｏｎａｎｔ  ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ：ＳＲＦ）が低くなって忠実度も低くなる。特に、基板２０がシリコン基板である場合、入力端子１０に流入する入力信号が前記基板２０に漏れるために、基板損失が大きくなる。
【０００８】
一方、ボンドワイヤーよりなるインダクタはベアチップ（図示せず）を前記基板上にパッケージする時に用いるワイヤーを用いてインダクタを具現したものであって、忠実度が大きく、低い値のインダクタを作ることができる。しかし、パッケージのための占有面積が広いので、ＲＦチップ全体の面積が広くなってしまうとともに、工程によってワイヤーの形状及び長さが少しずつ変わるので、インダクタンスも少しずつ変わってしまう。
【０００９】
インダクタンスの低いインダクタが必要な場合、たとえインダクタンス変化量が少なくてもその影響は大きく現れるが、無線通信端末機の低雑音増幅器（Ｌｏｗ  Ｎｏｉｓｅ  Ａｍｐｌｉｆｉｅｒ：ＬＮＡ）の場合がこれに該当する。即ち、無線通信端末機のＬＮＡの入力インピーダンスは最初のトランジスタのソースインダクタにより決定されるが、その値は周波数が高くなればなるほど小さくなることが要求される。例えば、無線ＬＡＮ  ＵＳＩＩバンド（５．７２５−５．８２５ＧＨｚ）のＬＮＡにおいてソースインダクタは主にボンドワイヤーが使われるが、その値は約０．５ｎＨである。この場合、工程上の変化によって前記ソースインダクタのインダクタンス値は約０．１ｎＨの誤差を有する。しかし、この誤差によって入力反射は１０ｄＢ以上悪化する。このような結果はＬＮＡを設計するにあたって大きな問題となる。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
本発明が解決しようとする技術的な課題は、前記問題点を改善するためのものであって、基板損失による忠実度の低下、及び寄生キャパシタによる自己共振周波数（ＳＲＦ）の低下を防止して、インダクタンスが小さく、かつインダクタンスの変化を最小化し、ＲＦチップ面積を大幅に低減できる無線通信端末機のＲＦ部に備えられたインダクタを提供することである。
【００１１】
本発明が解決しようとする他の技術的課題は、前記のようなインダクタの製造方法を提供するところにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
前記技術的課題を達成するために本発明は、基板と所定間隔をおいて前記基板上に備えられるＲＦチップを前記基板と電気的に連結するように備えられたものであって低損失誘電物質で取り囲まれた第１インダクタ手段と、前記第１インダクタ手段と前記ＲＦチップとを連結する第２インダクタ手段と、を備えることを特徴とする無線通信端末機のＲＦ部に備えられたインダクタを提供する。
【００１３】
前記第１インダクタ手段は、導電性プラグであり、導電性プラグの一端は前記基板に連結され、他端は前記第２インダクタ手段に連結されている。前記導電性プラグの他端と接触する前記第２インダクタ手段はフリップチップバンプである。
【００１４】
前記低損失誘電物質と前記基板間に前記導電性プラグを取り囲む導電性接着膜をさらに備えることができる。また、前記導電性プラグは第３インダクタ手段を通じて前記基板と連結することができる。第３インダクタ手段は、フリップチップバンプとすることができる。
【００１５】
前記第３インダクタ手段と前記基板との間にまたは／及びフリップチップバンプと前記導電性プラグとの間に導電性接着膜がさらに備えられている。
【００１６】
前記他の技術的課題を達成するために本発明は、基板上に低損失の層間誘電体膜を形成する第１段階と、前記層間誘電体膜に前記層間誘電体膜を貫通して前記基板と連結される第１インダクタ手段を形成する第２段階と、前記層間誘電体膜上に所定間隔をおいてＲＦチップを形成するが、前記第１インダクタ手段及び前記ＲＦチップのパッド領域と連結される第２インダクタ手段を介して形成する第３段階と、を含むことを特徴とするインダクタの製造方法を提供する。
【００１７】
前記第２段階は、前記層間誘電体膜に前記基板が露出されるコンタクトホールを形成する段階と、前記コンタクトホールに前記第１インダクタ手段として導電性プラグを充填する段階と、をさらに含む。
【００１８】
前記第３段階は、前記ＲＦチップのパッド領域上にフリップチップボンディングのためのバンプを形成する段階と、前記バンプが前記導電性プラグと１対１に対応すべく前記ＲＦチップを整列する段階と、所定の温度及び圧力で前記基板及び前記ＲＦチップを圧着して両者をボンディングする段階と、をさらに含む。
【００１９】
本発明の他の実施例によれば、前記第３段階は、前記層間誘電体膜上に前記導電性プラグと接触するバンプを形成する段階と、前記ＲＦチップのパッド領域が前記バンプと１対１に対応すべく前記ＲＦチップを整列する段階と、所定の温度及び圧力で前記基板及び前記ＲＦチップを圧着して両者をフリップチップボンディングする段階と、をさらに含む。
【００２０】
一方、前記他の技術的課題を達成するために本発明は、貫通する第１インダクタ手段を含む低誘電率の層間誘電体膜を形成する第１段階と、基板と前記第１インダクタ手段とを連結する第２インダクタ手段を介して前記基板上に所定距離をおいて前記層間誘電体膜を位置させる第２段階と、前記層間誘電体膜上に所定距離をおいてＲＦチップを位置させるが、前記第１インダクタ手段と前記ＲＦチップのパッド領域とを連結する第３インダクタ手段を介して位置させる第３段階と、を含むことを特徴とするインダクタの製造方法を提供する。
【００２１】
前記第１段階は、第１基板上に前記層間誘電体膜を形成する段階と、前記層間誘電体膜に前記第１基板が露出されるコンタクトホールを形成する段階と、前記コンタクトホールに前記第１インダクタ手段で導電性プラグを充填する段階と、前記層間誘電体膜を前記第１基板から分離させる段階と、をさらに含む。
【００２２】
前記第２及び第３インダクタ手段はフリップチップバンプである。
【００２３】
前記第２段階は、前記ＲＦチップのパッド領域の間隔及び面積を考慮して前記基板上に前記フリップチップバンプを形成する段階と、前記導電性プラグと前記フリップチップバンプとが１対１に対応すべく前記層間誘電体膜を整列する段階と、所定の温度及び圧力で前記基板と前記層間誘電体膜を圧着してフリップチップボンディングする段階と、をさらに含む。
【００２４】
本発明の他の実施例によれば、前記第２段階は、前記層間誘電体膜の一面に前記導電性プラグと接触するフリップチップバンプを形成する段階と、所定の温度及び圧力で前記基板と前記層間誘電体膜とを圧着してボンディングする段階と、をさらに含む。
【００２５】
また、前記第３段階は、前記ＲＦチップパッド領域上に前記フリップチップバンプを形成する段階と、前記フリップチップバンプと前記導電性プラグとが１対１に対応すべく前記ＲＦチップを整列する段階と、所定の温度及び圧力で前記ＲＦチップと前記層間誘電体膜とを圧着してボンディングする段階と、をさらに含む。
【００２６】
前記基板と前記層間誘電体膜とをフリップチップボンディングする前に前記基板上に導電性接着膜を形成する。
【００２７】
このような本発明を用いれば、基板損失が極小化されるので、高い忠実度が得られ、自己共振周波数を高めることができる。そして、反復工程によるインダクタの再現性に優れてインダクタ値の変化を最小化することができる。また、フリップチップボンディングを適用してチップ全体サイズを減少することもできる。
【００２８】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施例に係る無線通信端末機のＲＦ部に備えられたインダクタ及びその製造方法を添付した図面に基づいて詳細に説明する。図面中、層や領域の厚さは、説明の明確性のために誇張して示した。
【００２９】
まず、図３〜図８を参照しつつ、無線通信端末機のＲＦ部に備えられたインダクタについて説明する。図３は、本発明の第１実施例による無線通信端末機のＲＦ部に備えられたインダクタの断面図である。図４は、図３に示したインダクタの一部とこれに対応する等価回路を示す。図５ないし図８は、それぞれ、本発明の第２ないし第５実施例による無線通信端末機のＲＦ部に備えられたインダクタの断面を示す断面図である。
【００３０】
＜第１実施例＞
図３を参照し、本発明の第１実施例のインダクタについて説明する。図３に示すように、基板４０上に所定厚さの層間誘電体膜４２が形成されている。基板４０としては、印刷回路基板（ＰＣＢ）、セラミック基板、ガラス基板、シリコン基板などを使用することが可能であるが、チップのパッケージが可能であれば他の基板を用いても良い。層間誘電体膜４２は、誘電定数、導電率及び損失角が全て小さいものが望ましい。層間誘電体膜４２に基板４０を露出するコンタクトホール４４が形成されている。コンタクトホール４４は導電性プラグ４６で充填されている。導電性プラグ４６は第１インダクタ手段として用いられている。層間誘電体膜４２上に導電性プラグ４６の上部全面を覆うフリップチップバンプ４８ａが形成されている。フリップチップバンプ４８ａは第２インダクタ手段として用いられている。層間誘電体膜４２の表面から上方に所定間隔をおいて能動及び受動素子などを含むＲＦチップ５０が備えられている。ＲＦチップ５０は、パッドを有し、そのパッド（図示せず）と接触するフリップチップバンプ４８ａにより支持されている。フリップチップバンプ４８ａは層間誘電体膜４２とＲＦチップ５０との間で導電性プラグ４６とＲＦチップ５０のパッドとを連結する役割を担っている。
【００３１】
導電性プラグ４６とフリップチップバンプ４８ａはインダクタ成分だけでなく、抵抗成分とキャパシタ成分とを含んでいる。これは導電性プラグ４６とフリップチップバンプ４８ａとを等価回路として示した図４を参照することによってさらに明確になる。
【００３２】
図４の等価回路において第１抵抗Ｒ１及び第１インダクタＬ１はフリップチップバンプ４８ａによるものであって、キャパシタＣと並列に構成された第２抵抗Ｒ２及び第２インダクタＬ２はコンタクトホール４４に充填された導電性プラグ４６によるものである。そして、キャパシタＣは導電性プラグ４６、基板４０及び層間誘電体膜４２で構成されるキャパシタを示す。
【００３３】
＜第２実施例＞
図５を参照し、本発明の第２実施例のインダクタについて説明する。図５に示すように、基板４０上に導電性接着膜５２及び層間誘電体膜４２が順次に形成されている。導電性接着膜５２は基板４０と層間誘電体膜４２間の付着力を高めるためのものである。導電性接着膜５２及び層間誘電体膜４２に基板４０の所定領域が露出されるコンタクトホール４４が形成されており、コンタクトホール４４は導電性プラグ４６で充填されており、層間誘電体膜４２上で導電性プラグ４６の露出された全面はフリップチップバンプ４８ａと接触されている。フリップチップバンプ４８ａの上部はＲＦチップ５０のパッド領域と接触されている。フリップチップバンプ４８ａによってＲＦチップ５０と層間誘電体膜４２はフリップチップバンプ４８ａの高さに該当する距離だけ離隔されている。
【００３４】
＜第３実施例＞
図６を参照し、本発明の第３実施例のインダクタについて説明する。第３実施例は、層間誘電体膜４２の上下にフリップチップバンプが備えられたことを特徴とする。
【００３５】
具体的に、図６を参照すれば、基板４０上に第１フリップチップバンプ５４ａが形成されている。第１フリップチップバンプ５４ａを支持台として基板４０上に層間誘電体膜４２が形成されている。層間誘電体膜４２に第１フリップチップバンプ５４ａが露出されるコンタクトホール４４が形成されている。コンタクトホール４４は導電性プラグ４６で充填されている。層間誘電体膜４２上には導電性プラグ４６に接触されるフリップチップバンプ４８ａが形成されている。フリップチップバンプ４８ａを支持台として層間誘電体膜４２の上側にＲＦチップ５０が備えられている。
【００３６】
第３実施例において第１フリップチップバンプ５４ａはインダクタ手段として用いられている。
【００３７】
＜第４実施例＞
図７を参照し、本発明の第４実施例のインダクタについて説明する。図７に示すように、層間誘電体膜４２とフリップチップバンプ４８ａとの間に導電性プラグ４６の露出された全面と層間誘電体膜４２の全面とを覆う導電性接着膜５６が形成されている。この際、導電性接着膜５６は圧力が加えられる方向に電気的抵抗が低くなる非等方性導電性接着膜（Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ａｄｈｅｓｉｖｅ  ｆｉｌｍ）や等方性導電性接着膜（Ｉｓｏｔｒｏｐｉｃ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ａｄｈｅｓｉｖｅ  ｆｉｌｍ）、非導電性接着膜（Ｎｏｎ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ａｄｈｅｓｉｖｅ  ｆｉｌｍ）等であることが望ましい。即ち、導電性接着膜５６においてフリップチップバンプ４８ａにより押される部分５６ａは他の部分５６ｂに比べて電気的抵抗が低くなって電気的信号はフリップチップバンプ４８ａから導電性プラグ４６にのみ伝えられる。
【００３８】
＜第５実施例＞
図８を参照し、本発明の第５実施例のインダクタについて説明する。図８に示すように、第３実施例における基板４０と第１フリップチップバンプ５４ａ間に導電性接着膜５８が備えられた場合である。この場合の導電性接着膜５８は図７に示した第４実施例の導電性接着膜５６と同一であることが望ましい。
【００３９】
次いで、図９ないし図２２を参照し、前記本発明の実施例による無線通信端末機のＲＦ部に使われるインダクタに関する製造方法を説明する。
【００４０】
＜第１実施例＞
図９ないし図１３を参照し、本発明の第１実施例によるインダクタの製造方法を説明する。図９ないし図１３は、第１実施例によるインダクタの製造方法を段階別に示す断面図である。まず、図９に示すように基板４０上に層間誘電体膜４２を形成する。基板４０は印刷回路基板（ＰＣＢ）、セラミック基板、ガラス基板、シリコン基板等よりなることが望ましいが、パッケージ可能な他の基板を用いても良い。層間誘電体膜４２は誘電損失の低い誘電体膜よりなることが望ましい。
【００４１】
次いで、図１０に示すように層間誘電体膜４２に基板４０が露出されるコンタクトホール４４を形成する。このようなコンタクトホール４４を導電性プラグ４６で充填する（図１１）。この過程で結果物の表面を平坦化する。導電性プラグ４６は第１インダクタ手段として使用する。
【００４２】
一方、図１２に示すように、能動及び受動素子よりなる送信部及び受信部を含むＲＦチップ５０のパッド領域６０上にフリップチップボンディングのためのバンプ部材４８を形成する。このようなＲＦチップ５０をひっくり返した後、バンプ部材４８と導電性プラグ４６とが１対１に対応すべく整列し、図１３に示すようにＲＦチップ５０を基板４０にフリップチップボンディングする。このようにし、第１実施例によるインダクタが形成される。この過程でバンプ部材４８は所定の温度及び圧力を受けて溶融されてＲＦチップ５０のパッド領域６０と導電性プラグ４６との間にフリップチップバンプ４８ａが形成される。フリップチップバンプ４８ａは第２インダクタ手段として使用する。このようにして、ＲＦチップ５０の入出力端に必要な小さいインダクタンスを有するインダクタが形成される。
【００４３】
前述したようにバンプ部材４８と導電性プラグ４６とは１対１に対応するために、コンタクトホール４４の間隔及び直径はＲＦチップ５０のパッド領域６０の間隔及びバンプ部材４８の大きさを考慮して設定することが望ましい。
【００４４】
他の一方、バンプ部材４８を層間誘電体膜４２上に導電性プラグ４６と接触さるべく形成した後、ＲＦチップ５０のパッド領域６０がバンプ部材４８と１対１に対応すべくＲＦチップ５０を整列した後、所定の温度及び圧力でＲＦチップ５０及び基板４０を圧着させて両者をボンディングすることができる。
【００４５】
＜第２実施例＞
図１４ないし図１７を順次に参照しつつ、本発明の第２実施例によるインダクタの製造方法を説明する。図１４ないし図１７は、第２実施例によるインダクタの製造方法を段階別に示す断面図である。図１４ないし図１７を順次に参照すれば、基板４０上に導電性接着膜５２及び層間誘電体膜４２を順次に形成する（図１４）。導電性接着膜５２は層間誘電体膜４２と基板との付着力を高めるための物質層であって基板の配線と電気的に連結されうる。導電性接着膜５２及び層間誘電体膜４２に基板４０が露出されるコンタクトホール４４ａを形成する（図１５）。コンタクトホール４４ａを導電性プラグ４６で充填し、その結果物の表面を平坦にする（図１６）。図１７に示した後続工程は第１実施例と同一に進行する。このようにして、図５に示した第２実施例によるインダクタが形成される。
【００４６】
＜第３実施例＞
図１８ないし図２２を順次に参照しつつ、本発明の第３実施例によるインダクタの製造方法を説明する。図１８ないし図２２は、第３実施例によるインダクタの製造方法を段階別に示す断面図である。図１８に示すように、基板６２上に層間誘電体膜４２を形成する。層間誘電体膜４２に基板６２が露出されるコンタクトホール４４を形成する。コンタクトホール４４に導電性プラグ４６を充填する。導電性プラグ４６が充填された結果物の表面を平坦化する。以後、図１９に示すようにコンタクトホール４４が導電性プラグ４６で充填された層間誘電体膜４２を基板６２から分離する。分離された層間誘電体膜４２の一面上に導電性プラグ４６と接触する、望ましくは導電性プラグ４６の全面を覆うバンプ部材５４を形成する（図２０）。層間誘電体膜４２のバンプ部材５４が形成された面を基板４０に向けてバンプ５４を用いて両者をボンディングする。この過程でバンプ部材５４は所定の温度及び圧力を受け、その結果、基板４０と層間誘電体膜４２間に両者を連結する第１フリップチップバンプ５４ａが形成される（図２１）。基板４０とフリップチップボンディングされた層間誘電体膜４２上にＲＦチップ５０をフリップチップボンディングする過程は第１実施例と同一に進行する。このようにして、図６に示した本発明の第３実施例によるインダクタが形成される。この場合にインダクタは２つのフリップチップバンプ４８ａ、５４ａとこれらを連結する導電性プラグ４６とで構成される。
【００４７】
一方、図示しなかったが、図７及び図８に示した第４及び第５実施例によるインダクタの製造方法は、各々第１実施例によるインダクタの製造方法において導電性プラグ４６を含む層間誘電体膜４２とフリップチップバンプ４８ａ間に導電性接着膜５６を形成する工程を含み、第３実施例によるインダクタの製造方法において基板４０とフリップチップバンプ５４ａ間に導電性接着膜５８を形成する工程を含む点にその特徴がある。
【００４８】
他の一方、前記第５実施例によるインダクタの製造方法において層間誘電体膜４２及び導電性プラグ４６の露出された全面に導電性接着膜を形成した後、前記導電性接着膜にフリップチップバンプ４８ａを通じてＲＦチップ５０を形成する方法がさらにあり得る。
【００４９】
また、導電性接着膜形成工程を含む第２実施例に係るインダクタの製造方法において層間誘電体膜４２及び導電性プラグ４６の露出された全面に導電性接着膜を形成した後、前記導電性接着膜にフリップチップバンプ４８ａを通じてＲＦチップ５０を形成する方法がさらにあり得る。
【００５０】
【発明の効果】
前述したように、インダクタを構成する要素の１つである導電性プラグが誘電率及び導電率が低く、損失角の小さい誘電層により取り囲まれているために、基板損失が極小化される。その結果、高い忠実度が得られる。そして、寄生キャパシタのキャパシタンスが極めて小さいために、高い自己共振周波数が得られる。また、半導体製造工程を用いてフリップチップバンプと共に短い導電性プラグを再現性高く形成できるために、所望の小さいインダクタンスを有しつつその値の変化は最小化できるインダクタが得られる。また、フリップチップボンディングを用いるために、チップサイズをワイヤーボンディングを用いたチップの３０％以下に減らせる。
【００５１】
前記説明において多くの事項が具体的に記載されているが、これらは発明の範囲を限定するものではなく、望ましい実施例を例示するものである。例えば、本発明が属する技術分野で当業者であれば新たなフリップチップバンプの形成工程を開発して本発明の実施例によるインダクタの製造方法に適用でき、層間誘電体膜４２をできるだけ誘電率の低い複数の誘電体膜で形成することもできる。また、コンタクトホール４４の形態も多様に変化させうる。例えば、本発明の実施例において説明したような一定した直径のコンタクトホールでなく、部分的にまたは順次的に異なる直径を有する階段型コンタクトホールを備え、ここにインダクタ要素として導電性プラグを充填しても良い。よって、本発明の範囲は特許請求の範囲に記載された技術的思想によってのみ決まるべきである。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来の技術による螺旋状インダクタの平面図である。
【図２】図１に示す従来の技術によるインダクタの断面等価回路図である。
【図３】本発明の第１実施例による無線通信端末機のＲＦ部に備えられたインダクタの断面を示す断面図である。
【図４】図３に示されたインダクタの一部とこれに相応する等価回路を示す図面である。
【図５】本発明の第２実施例による無線通信端末機のＲＦ部に備えられたインダクタの断面を示す断面図である。
【図６】本発明の第３実施例による無線通信端末機のＲＦ部に備えられたインダクタの断面を示す断面図である。
【図７】本発明の第４実施例による無線通信端末機のＲＦ部に備えられたインダクタの断面を示す断面図である。
【図８】本発明の第５実施例による無線通信端末機のＲＦ部に備えられたインダクタの断面を示す断面図である。
【図９】本発明の第１実施例によるインダクタの製造方法における、基板上に層間誘電体膜を形成する工程を示す断面図である。
【図１０】本発明の第１実施例によるインダクタの製造方法における、層間誘電体膜に基板を露出させるコンタクトホールを形成する工程を示す断面図である。
【図１１】本発明の第１実施例によるインダクタの製造方法における、コンタクトホールを導電性プラグで充填する工程を示す断面図である。
【図１２】本発明の第１実施例によるインダクタの製造方法における、ＲＦチップのパッド領域部にフリップチップボンディングのためのバンプ部材を形成する工程を示す断面図である。
【図１３】本発明の第１実施例によるインダクタの製造方法における、ＲＦチップをフリップチップボンディングする工程を示す断面図である。
【図１４】本発明の第２実施例によるインダクタの製造方法における、基板上に導電性接着膜及び層間誘電体膜を順次形成する工程を示す断面図である。
【図１５】本発明の第２実施例によるインダクタの製造方法における、導電性接着膜及び層間誘電体膜に基板を露出させるためのコンタクトホールを形成する工程を示す断面図である。
【図１６】本発明の第２実施例によるインダクタの製造方法における、コンタクトホールを導電性プラグで充填し、その表面を平坦化する工程を示す断面図である。
【図１７】本発明の第２実施例によるインダクタの製造方法において、パッド領域部にバンプ部材を形成したＲＦチップを、図１６の表面にフリップチップボンディングした状態を示す断面図である。
【図１８】本発明の第３実施例によるインダクタの製造方法において、基板上に形成した層間誘電体膜に基板を露出させるコンタクトホールを形成し、導電性プラグを充填して、表面を平坦化した状態を示す断面図である。
【図１９】本発明の第３実施例によるインダクタの製造方法において、コンタクトホールに導電性プラグを充填した層間誘電体膜の基板から分離した状態を示す断面図である。
【図２０】本発明の第３実施例によるインダクタの製造方法において、図１９の層間誘電体膜の一面上にバンプ部材を形成した状態を示す断面図である。
【図２１】本発明の第３実施例によるインダクタの製造方法における、図２０に示す工程によって形成されたバンプ部材で層間誘電体膜を基板にボンディングした状態を示す断面図である。
【図２２】本発明の第３実施例によるインダクタの製造方法によって形成された無線通信端末機のＲＦ部に備えられたインダクタを示す断面図である。
【符号の説明】
４０    基板
４２    層間誘電体膜
４４    コンタクトホール
４６    導電性プラグ
４８ａ  フリップチップバンプ
５０    ＲＦチップ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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