(57)【要約】【課題】  結晶の位置および方位を決定することができる結晶膜の製造方法を提供する。【解決手段】  基板２１上に形成した半導体薄膜としてのアモルファスＳｉ膜２３に、単結晶材料からなる種結晶としてのＳｉ柱１３を有する種結晶基板１１を当接する。この状態でアモルファスＳｉ膜２３をレーザアニールして、Ｓｉ柱１３との接触部に、Ｓｉ柱１３と同一方位の単結晶を形成する。種結晶をくさび状にしてもよい。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成した半導体薄膜に、単結晶材料からなる種結晶を当接する工程と、
前記半導体薄膜をアニールする工程と、を備えた、結晶膜の製造方法。
【請求項２】
前記基板は、前記半導体薄膜よりレーザ光の吸収率が小さい材料で構成され、
前記半導体薄膜をアニールする工程においては、前記半導体薄膜に対して前記基板を介してレーザ光を照射することにより前記半導体薄膜をアニールする、請求項１に記載の結晶膜の製造方法。
【請求項３】
前記レーザ光を照射してアニールする工程においては、前記基板の前記半導体薄膜が形成されていない面に、レーザ光を透過する補強板を重ね合わせ、前記補強板と前記種結晶とを密着させる方向に荷重を加えながら前記補強板を介してレーザ光を照射する、請求項２に記載の結晶膜の製造方法。
【請求項４】
前記種結晶は、前記種結晶と同一材料で構成され、前記種結晶を支持する支持体に連続している、請求項１〜３のいずれかに記載の結晶膜の製造方法。
【請求項５】
前記種結晶は、前記支持体に対して線状または格子状に所定間隔で複数配列されている、請求項１〜４のいずれかに記載の結晶膜の製造方法。
【請求項６】
前記基板は、ガラスにより構成され、
前記半導体薄膜は、アモルファスＳｉまたは多結晶Ｓｉにより構成され、
前記種結晶は、単結晶Ｓｉにより構成されている、請求項１〜５のいずれかに記載の結晶膜の製造方法。
【請求項７】
前記種結晶を構成する単結晶Ｓｉの結晶面は、（１００）面およびこれと等価な面から±１０度の角度の範囲にある結晶面であり、
前記種結晶は、前記半導体薄膜と線状の接触部を形成し、
前記接触部は、＜１１０＞方向およびその等価な方向と±１０度以内の方向に沿っている、請求項６に記載の結晶膜の製造方法。
【請求項８】
前記種結晶を構成する単結晶Ｓｉの結晶面は、（１１０）面およびこれと等価な面から±１０度の角度の範囲にある結晶面であり、
前記種結晶は、前記半導体薄膜と線状の接触部を形成し、
前記接触部は、＜１１０＞方向およびその等価な方向と±１０度以内の方向に沿っている、請求項６に記載の結晶膜の製造方法。
【請求項９】
前記種結晶は、くさび型に構成されている、請求項１〜８のいずれかに記載の結晶膜の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、基板上に形成した半導体薄膜をアニールすることにより、基板上に結晶膜を形成する結晶膜の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶ディスプレイや有機ＥＬ（electroluminescence）ディスプレイに必要な多結晶ＴＦＴ（Thin-Film Transistor）をガラス基板上に形成するために、レーザアニールによるアモルファスＳｉの多結晶化が行なわれている。この多結晶Ｓｉを用いたＴＦＴにおいては、多結晶Ｓｉの粒径が大きくなるほど、トランジスタのチャネル内に存在する粒界が少なくなるので、ＴＦＴにおける電子の移動度が高くなることが知られている。
【０００３】
しかし、多結晶Ｓｉの粒径が、トランジスタのチャネルの幅程度に大きくなった場合に、チャネルの長さ方向に粒界が存在すると、粒界の数や結晶方位のばらつきの影響が大きくなり、ＴＦＴの特性をばらつかせる原因となる。この課題に対して結晶の位置や方位を決定することができる結晶膜の製造方法の確立が求められている。
【０００４】
たとえば非特許文献１記載のレーザアニールによる結晶膜の製造方法においては、結晶化の起点となる位置を決定するために、結晶化させるアモルファスＳｉ膜の下層に、直径が７０ｎｍ〜１００ｎｍ、深さが１μｍの穴を形成している。そして、この穴中のＳｉ結晶を起点として、結晶を成長させるようにすることで、形成される結晶の位置を決定し、ＴＦＴの動作において支障の少ない位置に単結晶有する結晶膜を形成している。
【非特許文献１】イシハラ他、「Single-Crystalline Si Thin-Film Transistors Fabricated with μ-Czochralski (Grain-Filter) Process」、Digest of AM-LCD'02、２００２年、５３〜５６頁
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記非特許文献１記載のレーザアニール方法によると、上述のようにアモルファスＳｉ膜内において、結晶化の起点となる位置を決定することはできるが、結晶方位を決定することはできない。そのためこのレーザアニール方法によると、下地層に依存して結晶が成長しやすい方位に優先的に結晶配向された多結晶膜が形成されることとなり、結晶方位が一定しないという問題がある。
【０００６】
したがって、この発明は、上記課題を解決するためになされたものであり、結晶の位置および方位を決定することができる結晶膜の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
この発明に基づいた結晶膜の製造方法に従えば、基板上に形成した半導体薄膜に、単結晶材料からなる種結晶を当接する工程と、上記半導体薄膜をアニールする工程とを備えている。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
（実施の形態１）
以下、本実施の形態における結晶膜の製造方法について、図１から図１２を参照しながら説明する。なお、図１から図３は、本実施の形態における結晶膜の製造方法を示す断面工程図であり、図４は、種結晶により形成した結晶膜を成長させる工程を示す断面工程図、図５は、種結晶を取り外す工程を示す断面工程図、図６は、種結晶の構造を示す斜視図であり、図７は、アモルファスＳｉ膜を加熱する工程において、種結晶とアモルファスＳｉ膜とを密着させるための構造を示す断面図、図８から図１２は、種結晶の製造方法を示す断面工程図である。
【０００９】
本実施の形態の結晶膜の製造方法は、基板２１上に形成した半導体薄膜としてのアモルファスＳｉ膜２３に、単結晶材料からなる種結晶としてのＳｉ柱１３を有する種結晶基板１１を当接する工程と、レーザ光５１を照射することによりアモルファスＳｉ膜２３をアニールする工程とを備えている。
【００１０】
（アモルファスＳｉ膜および基板の構造）
図１に示すように、ガラスからなる基板２１の表面には、ＳｉＯ2／ＳｉＮ膜からなる下地膜２２を介して半導体薄膜としてのアモルファスＳｉ膜２３が設けられている。これらの膜は、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）などの周知の方法により、基板２１上に堆積される。また、これらの膜厚は、下地膜２２であるＳｉＯ2／ＳｉＮ膜が２００ｎｍ／１００ｎｍ、アモルファスＳｉ膜２３が１５０ｎｍである。本実施の形態では、半導体薄膜がアモルファスＳｉ膜の場合について説明するが、半導体薄膜として多結晶Ｓｉ膜を用いても、アモルファスＳｉ膜を用いた場合と同様の結果を得ることができる。
【００１１】
（種結晶基板の構造）
本実施の形態で用いる種結晶基板１１は、図６に示すように、単結晶Ｓｉからなる支持体１２と、その表面に連続した単結晶ＳｉからなるＳｉ柱１３により構成している。Ｓｉ柱１３は全て同一の高さに構成し、Ｓｉ柱１３相互の間隔は、アニールにおいてＳｉ柱１３を起点とする結晶成長が可能な大きさに設定している。言い換えると、Ｓｉ柱１３相互の間隔を、Ｓｉ柱１３が設けられたエリアにおいてＳｉ柱１３以外の位置を起点とする結晶化が生じないような大きさに設定している。このようにすることで、Ｓｉ柱１３が配列されたエリアの全ての結晶を、同一方位の結晶で構成することができる。ここでは、Ｓｉ柱１３は、２μｍのピッチで配列しており、その先端径は３００ｎｍである。
【００１２】
（種結晶基板の製造方法）
この支持体１２とＳｉ柱１３からなる種結晶基板１１の製造方法を、図８から図１２を参照して以下に説明する。
【００１３】
図８を参照して、種結晶基板１１の材料となる単結晶Ｓｉウェハ１０１を熱酸化し、その表面に３００〜５００ｎｍの酸化膜１０２を形成し、さらにその表面にフォトレジスト膜１０３を塗布する。
【００１４】
図９を参照して、露光、現像などの工程を経てフォトレジスト膜１０３にパターンを形成する。このパターンは、直径１μｍの円を２μｍのピッチで格子状に配列したパターンとする。
【００１５】
図１０を参照して、円形のパターンを形成したフォトレジスト膜１０３をマスクとし、反応ガスとしてＣＨＦ3を用いたリアクティブイオンエッチングにより、酸化膜１０２の不要な箇所を除去する。このときエッチング条件をサイドエッチングが少なくなるように設定する。これにより酸化膜１０２をフォトレジスト膜１０３のパターンと同一の円形パターンにすることができる。
【００１６】
図１１を参照して、さらにこの円形パターンに形成された酸化膜１０２をマスクとして、反応ガスとしてＳＦ6を用いたリアクティブイオンエッチングを行なう。このとき、サイドエッチングの強いエッチング条件でエッチングを行なうことで、図１１に示すような尖頭状のＳｉ柱を形成することができる。
【００１７】
最後に図１２を参照して、エッチング終了後、ＨＦ溶液を用いて、酸化膜１０２を除去する。これにより、平らな先端部１４を有する尖頭状のＳｉ柱１３が支持体１２に連続するように複数形成された種結晶基板１１を形成することができる。
【００１８】
（レーザアニールの条件）
本実施の形態では、レーザアニールによりアモルファスＳｉ膜２３を結晶化させる。このとき照射するレーザ光５１としては、ＹＡＧ（Yttrium Aluminium Garnet）の第２高調波を用いる。レーザは、連続発振のレーザを用いてもよいが、ここではレーザパワーを効率的に利用するために、パワーが大きい短いパルスのレーザを使用している。レーザ光５１の波長は５３２ｎｍ、レーザ光５１のパルス幅は１００ｎｓｅｃ以下、照射エネルギ密度は約１Ｊ／ｃｍ2、ビーム幅は４０μｍ以下の細い線状ビームを用いている。
【００１９】
この線状のビーム形状をなすレーザ光５１を、図１乃至図３に示すように、ガラスからなる基板２１の下面側、すなわち基板２１のアモルファスＳｉ膜２３が形成されていない側から、基板２１を介して照射する。このときレーザ光５１の幅方向に少しずつずらしながらアモルファスＳｉ膜２３全体をスキャンすることにより、アモルファスＳｉ膜２３全体を多結晶化させることができる。このレーザ光５１のスキャンの条件としては、たとえばピッチを３μｍ、繰り返し周波数を２００Ｈｚに設定すればよい。
【００２０】
ガラスからなる基板２１および下地膜２２は、レーザ光５１を透過する。そのためこれらを介してレーザ光５１をアモルファスＳｉ膜２３に照射しても、基板２１の下面や、基板２１と下地膜２２の界面および下地膜２２とアモルファスＳｉ膜２３との界面での反射による損失はあるものの、ガラスからなる基板２１や下地膜２２の内部においてレーザ光５１はほとんど減衰することがなくアモルファスＳｉ膜２３に届く。そして、アモルファスＳｉ膜２３に吸収され、他の部分をほとんど加熱することなく、アモルファスＳｉ膜２３を高温に加熱することができる。
【００２１】
（種結晶の当接方法）
本実施の形態では、アモルファスＳｉ膜２３の表面に、上述の種結晶基板１１のＳｉ柱１３を押し当てた状態でレーザアニール行なう。このときＳｉ柱１３を、アモルファスＳｉ膜２３の表面に確実に押し当てるために、図１〜図３に示すように両者を密着させる方向に荷重５２を加える必要がある。図７は、その荷重５２を加えるための構成を示している。基板２１の表面には結晶化が必要な複数の位置に、上記の種結晶基板１１が複数配列されている。これら配列した全ての種結晶基板１１に跨るように、種結晶基板１１の表面に荷重を加えるための荷重板４１を載置する。荷重板４１は、各種結晶基板１１ごとに載置するようにしても良い。
【００２２】
このとき、通常の液晶ディスプレイなどに用いられる基板２１を構成するガラス板は、その厚さが１ｍｍ程度である。そのためそのまま荷重を加えたのでは破損する恐れがあるので、基板２１の下面側に、基板２１より厚いガラス板からなる補強板４２を重ね合わせるように配設する。図７に示すように、この補強板４２の下面側を支持すると共に荷重板４１により荷重５２を加えることで、基板２１に過大な負担をかけることなく、基板２１と種結晶基板１１とを密着させることができる。
【００２３】
レーザアニールにおいては、レーザ光５１が補強板４２を介して照射されるが、補強板４２をガラス板で構成することにより、その減衰を最小限にすることができる。しかし、補強板４２と基板２１との隙間によりレーザ光５１が干渉されると、照射エネルギ分布が不均一となる。そのため基板２１の下面と、補強板４２の表面を十分にクリーニングすると共に、適切な荷重５２を加えることにより、その隙間をレーザ光５１の波長５３２ｎｍの１／４以下にする。また、この隙間に、基板２１および補強板４２を構成するガラスに屈折率が近似する、アルコールや水などの液体を充填することで、この隙間での干渉を少なくすることができる。
【００２４】
（結晶膜の製造方法）
上述したアモルファスＳｉ膜および基板の構造、種結晶基板、レーザアニールの条件および種結晶の当接方法を用いて、基板２１上に形成したアモルファスＳｉ膜２３をアニールして結晶膜を形成する工程について、図１から図５を参照して説明する。
【００２５】
まず、上記のような基板２１のアモルファスＳｉ膜２３の表面の適宜位置に種結晶基板１１を配列し、上記のように荷重５２を加えることで種結晶であるＳｉ柱１３をアモルファスＳｉ膜２３に押圧する。その種結晶基板１１を配置する位置は、ＴＦＴなどを形成する位置を考慮して適切な位置を選択する。その状態を維持しながら、上述したような条件で、基板２１の下面側からレーザ光５１を照射する。このレーザ光５１は、基板２１および下地膜２２を透過して、アモルファスＳｉ膜２３に達し、アモルファスＳｉ膜２３が加熱される。レーザ光５１においては、その幅方向の中央部の照射エネルギ密度が高いので、レーザ光５１の幅方向の中央部に対応するアモルファスＳｉ膜２３が完全溶融する。レーザ光５１の照射により溶融したアモルファスＳｉは、照射の終了後固化を始める。
【００２６】
アモルファスＳｉ膜２３の表面においては、Ｓｉ柱１３を当接した接触部を除き大気に接している。Ｓｉ柱の熱伝導率は大気よりはるかに高い。また、Ｓｉ柱１３は、それに連続する支持体１２に配列されているので、Ｓｉ柱１３に伝わった熱は、支持体１２の側に逃がされ、Ｓｉ柱１３の先端部１４が低温に保たれる。これらの結果、アモルファスＳｉ膜２３の表面においては、その接触部から固化が開始する。このように、アモルファスＳｉ膜２３の表面において、接触部から固化が開始するためには、Ｓｉ柱１３の熱伝導率が大気より大きければよい。
【００２７】
アモルファスＳｉ膜２３の厚み方向について観察すると、種結晶として当接したＳｉ柱１３は、基板２１を構成するガラスより、熱伝導率がはるかに高い。また、前述のようにＳｉ柱１３の先端は低温に保たれる。これによりアモルファスＳｉ膜２３の基板２１側よりも、アモルファスＳｉ膜２３のＳｉ柱１３に接触した側が先に冷却され、図１に示すように、この接触部から固化が開始する。
【００２８】
このとき、Ｓｉ柱１３との接触部に形成される結晶膜２４は、Ｓｉ柱１３に密着していることにより、Ｓｉ柱１３の先端部１４の結晶方位に従う単結晶となる。このように形成された単結晶を起点として結晶を成長させることで、結晶膜２４が形成される。
【００２９】
また、種結晶基板１１は、上述のように単結晶Ｓｉウェハを用いて製造されているので、種結晶基板１１の全てのＳｉ柱１３は、同一方位の単結晶で構成されている。その結果、Ｓｉ柱１３が接触している、アモルファスＳｉ膜２３の接触部には、全て同一の方位を有する結晶が形成される。
【００３０】
さらに、種結晶基板１１を当接したエリアにレーザ光５１の照射を続けると、図２に示すように、Ｓｉ柱１３との当接部に形成された単結晶を起点として結晶が成長し、図３に示すように、Ｓｉ柱１３が当接されたエリア全体に結晶膜２４が形成される。このとき、上述のように、Ｓｉ柱１３のピッチは、Ｓｉ柱１３相互間において、他の箇所を起点とする結晶化が生じないような間隔に設定されているので、Ｓｉ柱１３が当接されているエリアにおいて、Ｓｉ柱１３の結晶の方位と異なる方位の結晶が成長することはない。したがって複数のＳｉ柱１３が当接されたエリアには、結晶方位の揃った結晶膜２４が形成される。
【００３１】
図４を参照して、種結晶基板１１が載置されていない箇所にも、レーザ光５１を照射してアニールを行なう。レーザ光５１を少しずつずらしながらスキャンし、また、レーザ光５１のエネルギ密度を十分高くして、ビーム中央の照射部分のＳｉを完全に溶融させるようにレーザ光５１を照射する、いわゆるSequential Lateral Solidificationの技術を用いることで、上記の工程で形成された結晶方位の揃った結晶膜２４を徐々に成長させることができる。このようにして、結晶を任意の方向に伸張させ、結晶方位の揃った結晶膜２４が必要な大きさに成長したら、図５に示すように、種結晶基板１１を引き剥がす。このとき、種結晶基板１１を当接していたエリアの結晶には損傷ができるので、そのエリアを除く結晶膜２４にＴＦＴなどを構築するようにする。
【００３２】
（作用・効果）
上記結晶膜の製造方法によれば、結晶方位の揃った結晶膜を任意の位置に形成することができる。また、種結晶の結晶方位をコントロールすることにより、結晶方位を任意に設定することができる。
【００３３】
上記実施の形態においては、種結晶基板１１の支持体１２に対しＳｉ柱１３を格子状に配列するようにしたが、Ｓｉ柱１３を所定間隔で直線状に配列するようにしてもよい。また、Ｓｉ柱を一つだけ当接するようにしてもよい。
【００３４】
（実施の形態２）
次に、上記実施の形態２について、図１３から１６を参照して説明する。なお、図１３は、本実施の形態の種結晶の構造を示す斜視図、図１４は、種結晶を製造する工程に用いるレジストパターンを示す平面図、図１５は、本実施の形態の種結晶の変形例の構造を示す斜視図、図１６は、結晶膜の製造方法を示す断面工程図である。
【００３５】
（種結晶の結晶方位）
既に述べた実施の形態１では種結晶を柱状に構成したが、本実施の形態では、図１３に示すように種結晶をくさび状に構成する。ここで、くさび状とは、先端に向かって収束し、その先端が線状に延びる形状を意味する。この種結晶を構成する単結晶Ｓｉからなるくさび１３１は、上記実施の形態におけるＳｉ柱の製造方法と基本的に同一の工程により製造することができる。くさび１３１を製造する場合には、図９のレジストパターン１０３を、円形ではなく図１４に示す長円形とすればよい。また、くさび１３１の長さはレーザのスポットの幅よりも長くする。
【００３６】
単結晶Ｓｉにおいては、（１１１）面が最も原子の面密度が多く、この面の成長速度が最も遅くなるため、結晶成長面は＜１１１＞方向が現れやすい。この知見に基づき、（１１１）面を、レーザで溶融したときの固液界面に完全に一致もしくは概略一致するように配置すれば、最も安定して長く結晶が成長することを見出した。
【００３７】
図１３に示すようなくさび１３１を用いる場合には、種結晶基板１１の表面を（１００）面とし、くさび１３１に平行な図１３に示す方向１５を、＜１１０＞方向±１０度とする。レーザアニール時の温度分布は、くさび１３１と接触部する部分が最も低温となり、くさび１３１と直交方向に温度が上がる分布となるため、結晶の固液界面はくさび１３１と平行な面となる。方向１５を＜１１０＞方向とすると、膜面内において固液界面が（１１１）面と概略一致するので、結晶が最も成長しやすい。これにより、ガラス基板２１の全面にわたって表面が（１００）面の単結晶Ｓｉからなる結晶膜を得ることができる。
【００３８】
また他の例としては、単結晶Ｓｉからなる種結晶基板１１の表面を（１１０）面として、くさび１３１に平行な方向１５を＜１１０＞方向±１０度としてもよい。この場合も前述と同様な理由で、固液界面が（１１１）面と膜面内において概略一致するので、やはり結晶が成長しやすく、ガラス基板２１の全面にわたって表面が（１１０）面の単結晶Ｓｉからなる結晶膜を得ることができる。
【００３９】
種結晶の変形例として、図１５に示す様に、単結晶Ｓｉ基板の角を研磨して、鋭いエッジ１５１を形成したものを用いても良い。これを図１６に示す様にアモルファスＳｉ膜または多結晶Ｓｉ膜に当接させれば、Ｓｉ柱の場合と同様に種結晶と同一方位の単結晶Ｓｉ膜を作成することができる。
【００４０】
この種結晶についても、種結晶基板１１の表面の結晶方位を（１００）面とし、エッジ１５１に平行な方向１５の方位は＜１１０＞方向±１０度とするか、種結晶基板１１の表面の結晶方位を（１１０）面とし、エッジ１５１に平行な方向１５の方位を＜１１０＞方向±１０度とする。
【００４１】
上記いずれの場合にも、種結晶の結晶方位をＳｉ薄膜に転写した後の結晶成長は、くさび１３１またはエッジ１５１に平行な方向での照射エネルギ密度が均一なレーザビームで、くさび１３１またはエッジ１５１に直交する方向１６にスキャンすることにより、結晶は安定して成長する。
【００４２】
上記の実施の形態では、種結晶の結晶方位を（１００）または（１１０）面から±１０度の範囲とし、線状の接触部の方向を＜１１０＞から±１０度の範囲内とした。固液界面は（１１１）面と完全に一致させる必要はない。概略一致していれば種結晶からの結晶成長はある程度は長く持続する。また、完全に一致させた場合でも、単結晶の成長は無限に長くは持続しない。上記実施の形態では、単結晶の成長距離は約１００ｍｍであった。
【００４３】
これは、Ｓｉ膜の溶融時、Ｓｉとガラス基板（ＳｉＯ2）の熱膨張率の差により、固化冷却時にＳｉ膜に歪み（引っ張り応力）が発生し、結晶成長が持続するにつれ歪みが蓄積し、この蓄積した歪みを解消するためにある距離で単結晶の成長が終了するからである。完全に一致させた場合に比べて、固液界面と（１１１）面が１０度ずれた場合、成長した単結晶の長さは２０％減少する程度である。
【００４４】
このように結晶面や接触部の方向がずれている場合は、結晶成長距離に合わせて、接触部となる、くさび１３１の先端の配置間隔を調整すれば、ガラス基板全面にわたって単結晶Ｓｉ膜を形成することができる。
【００４５】
また、図１６に示すように、種結晶基板１１のエッジ１５１を接触させる場合は、結晶の成長距離と同じ長さ分種結晶基板１１を移動させて再度接触させてレーザを照射することを繰り返すことで、ガラス基板全面にわたって単結晶Ｓｉかならる結晶膜を形成することができる。
【００４６】
上述のいずれの例も種結晶基板１１の表面を（１００）面とする場合と（１１０）面とする場合とを望ましいとしたが、種結晶基板１１の表面を（１００）面とすると、ＴＦＴを製作したときにゲート酸化膜との界面での準位が少なく良好な特性が得られるという利点がある。
【００４７】
なお、今回開示した上記実施の形態はすべての点で例示であって、限定的な解釈の根拠となるものではない。したがって、本発明の技術的範囲は、上記した実施の形態のみによって解釈されるのではなく、特許請求の範囲の記載に基づいて画定される。また、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれる。
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１】この発明に基づいた実施の形態１における結晶膜の製造方法の第１工程を示す断面工程図である。
【図２】この発明に基づいた実施の形態１における結晶膜の製造方法の第２工程を示す断面工程図である。
【図３】この発明に基づいた実施の形態１における結晶膜の製造方法の第３工程を示す断面工程図である。
【図４】この発明に基づいた実施の形態１における種結晶により形成した結晶膜を成長させる工程を示す断面工程図である。
【図５】この発明に基づいた実施の形態１における種結晶を取り外す工程を示す断面工程図である。
【図６】この発明に基づいた実施の形態１における種結晶の構造を示す斜視図である。
【図７】この発明に基づいた実施の形態１におけるアモルファスＳｉ膜を加熱する工程において、種結晶とアモルファスＳｉ膜とを密着させるための構造を示す断面図である。
【図８】この発明に基づいた実施の形態１における種結晶の製造方法の第１工程を示す断面工程図である。
【図９】この発明に基づいた実施の形態１における種結晶の製造方法の第２工程を示す断面工程図である。
【図１０】この発明に基づいた実施の形態１における種結晶の製造方法の第３工程を示す断面工程図である。
【図１１】この発明に基づいた実施の形態１における種結晶の製造方法の第４工程を示す断面工程図である。
【図１２】この発明に基づいた実施の形態１における種結晶の製造方法の第５工程を示す断面工程図である。
【図１３】この発明に基づいた実施の形態２における種結晶の構造を示す斜視図である。
【図１４】この発明に基づいた実施の形態２における種結晶を製造する工程に用いるレジストパターンを示す平面図である。
【図１５】この発明に基づいた実施の形態２における種結晶の変形例の構造を示す斜視図である。
【図１６】この発明に基づいた実施の形態２における結晶膜の製造方法を示す断面工程図である。
【符号の説明】
【００４９】
１２  支持体  １３  Ｓｉ柱（種結晶）、２１  基板、２３  アモルファスＳｉ膜（半導体薄膜）、２４  結晶膜、４２  補強板、５１  レーザ光、５２  荷重、１３１  くさび（種結晶）、１５１  エッジ（種結晶）。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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