(57)【要約】【課題】エステル部分が嵩高い基質を用いることなく、光学純度が高い光学活性α−フッ素化合物を製造する方法を提供すること。【解決する手段】一般式（１）2004010555.tif 000048（式中Ｒ１及びＲ２は、各々独立して、置換基を有してもよい鎖状または環状の炭化水素基などを表し、Ｘはアルキレン基などを示し、Ｒ３及びＲ４は、各々独立して、置換基を有してもよい鎖状または環状の炭化水素基などを示し、Ｑは電子吸引基を示す。ｎは０または１を表し、Ｒ１とＲ２または、Ｒ１とＱ、Ｒ２とＱは環を形成してもよい。）で表される化合物を、下記一般式（２）［Ｍ２ＬｐＡｑ］ｙ＋（Ｚ−）ｙ　　（２）で表されるし不斉遷移金属錯体触媒もしくは、下記一般式（３）ＭＬｒＢｓ　（Ｄ）ｃ　　（３）で表される不斉遷移金属錯体触媒の存在下にフッ素化剤と反応させる【選択図】　なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
一般式（１）
2004010555.tif 000046
（式中Ｒ１及びＲ２は、各々独立して、置換基を有してもよい鎖状または環状の炭化水素基、置換基を有してもよい複素環基、置換基を有してもよいアルコキシ基、置換基を有してもよいアミノ基、置換基を有してもよいアシルオキシ基を示し、Ｒ１及びＲ２のどちらかは水素原子でもよい。Ｘはアルキレン基、＝Ｎ−Ｈ、＝Ｎ−Ｒ３、＝Ｎ−ＯＨ、＝Ｎ−Ｏ−Ｒ４、酸素原子を示し、Ｒ３及びＲ４は、各々独立して、置換基を有してもよい鎖状または環状の炭化水素基もしくは置換基を有してもよい複素環基を示し、Ｗは電子吸引基を示す。ｎは０または１を示し、Ｒ１とＲ２、Ｒ１とＷ、またはＲ２とＷはそれぞれ共に結合して環を形成してもよい。）
で表される化合物を、下記一般式（２）
［Ｍ２ＬｐＡｑ］ｙ＋（Ｚ−）ｙ　　（２）
（式中、Ｌは不斉配位子を示し、Ｚ−は対アニオンを示し、Ａは一価のアニオン性配位子を示し、Ｍは遷移金属を示し、ｐは２または４、ｑは２、ｙは０または２である。）で表される不斉遷移金属錯体触媒もしくは、下記一般式（３）
ＭＬｒＢｓ　Ｄｃ　　（３）
（式中、Ｌ、Ｍは上記と同じであり、Ｂは水または中性配位子を示し、Ｄはアニオン性配位子または対アニオンを示し、ｒは１または２、ｓは０、１、２、４、または６、ｃは０、１、または２である。）
で表される不斉遷移金属錯体触媒の存在下にフッ素化剤と反応させることを特徴とする、一般式（４）
2004010555.tif 000047
（Ｒ１、Ｒ２、Ｘ、ｎ、Ｒ３、Ｒ４、Ｗは、各々、前記と同様のものを示す）
で表される光学活性フッ素化合物の製造方法。
【請求項２】
不斉配位子が不斉ホスフィン配位子または不斉窒素系配位子である請求項１記載の光学活性フッ素化合物の製造方法。
【請求項３】
遷移金属錯体が第８〜１１族の金属の錯体である請求項１記載の光学活性フッ素化合物の製造方法
【請求項４】
Ｗがアルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アミノカルボニル基、アシル基、ホルミル基であり、それぞれの基は置換基を有していてもよい請求項１記載の光学活性フッ素化合物の製造方法。
【請求項５】
Ｒ１が、水素原子、あるいは置換基を有していてもよい低級アルキル基、脂環族炭化水素基、芳香族炭化水素基から選ばれる基である請求項１記載の光学活性フッ素化合物の製造方法。
【請求項６】
Ｒ１が水素原子あるいは置換基を有していてもよい低級アルキル基、脂環族炭化水素基、芳香族炭化水素基から選ばれる基であり、Ｗがアルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アミノカルボニル基、アシル基、ホルミル基であり、それぞれの基は置換基を有していてもよい請求項１記載の光学活性フッ素化合物の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、特定の遷移金属錯体触媒を利用した特定の光学活性な化合物（以下、α−フッ素化合物という）の製造方法に関する。さらに詳しくは、この発明は、医薬、農薬、あるいは多くの汎用化学品の合成中間体等として有効な上記α−フッ素化合物の製造方法に関する。
【０００２】
【従来技術と解決すべき課題】従来から光学活性なフッ素含有化合物の合成についていろいろと研究されてきた。例えば、ケトエステルの不斉フルオロ化反応の例としては、光学活性なフッ素化剤Ｎ−フルオロスルタムと金属エノラートとを用いる反応（Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ　Ｌｅｔｔ．，　２９，　６０８７　（１９８８）やＮ−フルオロスルタム類縁体を用いた例がある（Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ　Ｌｅｔｔ．，　３４，　３９７１　（１９９３）。
さらに、触媒の存在下に、β―ケトエステル類を不斉フルオロ化反応させてα―フルオロ−β―ケトエステル類を得る方法として、次のような報告がある。
【０００３】
（１）ＴａＤＤＯＬ−Ｔｉ−ＣＨ３ＣＮ錯体を触媒として、β―ケトエステル類をｓｅｌｅｃｔｆｌｕｏｒと反応させてα―フルオロ−β―ケトエステル類を得る方法、（Ａｎｇｅｗ．　Ｃｈｅｍ．　Ｉｎｔ．　Ｅｄ．，　３９，　４３５９　（２０００））、および
（２）光学活性な相関移動触媒の存在下β―ケトエステル類をＮ−フルオロ−ベンゼンスルフォンイミドと反応させてα―フルオロ−β―ケトエステル類を得る方法、（Ｏｒｇ．　Ｌｅｔｔ．，　Ｖｏｌ．　４，　Ｎｏ．　４，　５４５　（２００２））。
【０００４】
前者は、基質としてエステル部分が嵩高い化合物を用いており、汎用性がある基質を用いているとはいえない。しかも一部の基質を除いてはあまり高い不斉収率を得ることができない。
その点後者はエステル部分が嵩高い基質を用いることなく反応を進めることができるが、あまり高い不斉収率を得ることができない。
【０００５】
そこで本発明の課題は、汎用性のある化合物を用いて光学純度が優れた光学活性α−フッ素化合物を製造することである。すなわち、エステル部分が嵩高い基質を用いることなく、光学純度が高い光学活性α−フッ素化合物を製造することである。また、一般性が高く、しかも安価で汎用性のある化合物を基質とし、光学活性なα−フッ素化合物を効率よく、高活性で、高選択的に製造するための方法を提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは上記課題を解決すべく鋭意研究した結果、特定の触媒を使用するとエステル部分が嵩高くはない基質でも反応が円滑に進行し、効率よく光学活性なα−フッ素化合物を得ることができるという知見を得た。そして、更に研究を重ね遂に本発明を完成させた。
即ち、本発明は、一般式（１）
2004010555.tif 000002
（式中Ｒ１及びＲ２は、各々独立して、置換基を有してもよい鎖状または環状の炭化水素基、置換基を有してもよい複素環基、置換基を有してもよいアルコキシ基、置換基を有してもよいアミノ基、置換基を有してもよいアシルオキシ基を示し、Ｒ１及びＲ２のどちらかは水素原子でもよい。Ｘはアルキレン基、＝Ｎ−Ｈ、＝Ｎ−Ｒ３、＝Ｎ−ＯＨ、＝Ｎ−Ｏ−Ｒ４、酸素原子を示し、Ｒ３及びＲ４は、各々独立して、置換基を有してもよい鎖状または環状の炭化水素基もしくは置換基を有してもよい複素環基を示し、Ｗは電子吸引基を示す。ｎは０または１を示し、Ｒ１とＲ２、Ｒ１とＷ、またはＲ２とＷはそれぞれ共に結合して環を形成してもよい。）
で表される化合物を、下記一般式（２）
［Ｍ２ＬｐＡｑ］ｙ＋（Ｚ−）ｙ　　（２）
（式中、Ｌは不斉配位子を示し、Ｚ−は対アニオンを示し、Ａは一価のアニオン性配位子を示し、Ｍは遷移金属を示し、ｙは０または２、ｑは２、ｐは２または４である。）
で表されるし不斉遷移金属錯体触媒もしくは、下記一般式（３）
ＭＬｒＢｓ　Ｄｃ　　（３）
（式中、Ｌ、Ｍは上記と同じであり、Ｂは水または中性配位子を示し、Ｄはアニオン性配位子または対アニオンを示し、ｒは１または２、ｓは０、１、２、４または６、ｃは０、１または２である。）
で表される不斉遷移金属錯体触媒の存在下にフッ素化剤と反応させることを特徴とする、一般式（４）
2004010555.tif 000003
（Ｒ１、Ｒ２、Ｘ、ｎ、Ｒ３、Ｒ４、Ｗは、各々、前記と同様のものを示す）
で表される光学活性フッ素化合物の製造方法、
該不斉配位子が不斉ホスフィン配位子または不斉窒素系配位子である上記光学活性フッ素化合物の製造方法、
【０００７】
遷移金属錯体が第８〜１１族の金属の錯体である上記光学活性フッ素化合物の製造方法、
一般式（１）で表される化合物におけるＷが、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アミノカルボニル基、アシル基、ホルミル基であり、それぞれ置換基を有していてもよい上記光学活性フッ素化合物の製造方法、
一般式（１）におけるＲ１が、置換基を有していてもよい低級アルキル基、脂環族炭化水素基、芳香族炭化水素基から選ばれる基である上記光学活性フッ素化合物の製造方法、
一般式（１）で表される化合物におけるＲ１およびＷが上記特定の官能基である上記光学活性フッ素化合物の製造方法、
を提供する。
【０００８】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を詳述する。
まずこの発明における出発原料、あるいは基質となる一般式（１）記載の化合物を説明する。この一般式（１）において、Ｒ１及びＲ２は、置換基を有してもよい鎖状または環状の炭化水素基、置換基を有してもよい複素環基、置換基を有してもよいアルコキシ基、置換基を有してもよいアミノ基、置換基を有してもよいアシルオキシ基を示し、Ｒ１及びＲ２のどちらかは水素原子でもよい。
【０００９】
Ｒ３及びＲ４は、各々、置換基を有してもよい鎖状または環状の炭化水素基または置換基を有してもよい複素環基を示し、Ｗは電子吸引基を示す。ｎは０または１を示し、Ｒ１とＲ２、Ｒ１とＷ、Ｒまたは２とＷはそれぞれ共に結合して環を形成してもよい。
【００１０】
上記、置換基を有してもよい鎖状または環状の炭化水素基は、脂肪族、脂環族、芳香族の飽和または不飽和の炭化水素基、あるいは置換基を持つこれらの各種の基であってよい。具体的には、例えばアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、シクロアルキル基、シクロアルケニル基等の炭化水素基が挙げられ、これら炭化水素基には、さらにアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、シクロアルキル基、アシル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、アシルオキシ基、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基等の許容される各種置換基を有していてもよい。
【００１１】
ここで、アルキル基とは、直鎖状、分岐状のいずれでもよく、例えば炭素数１〜３０のアルキル基、具体的にはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基、ヘキサデシル基、１４−メチルペンタデシル基、６−メチルペンタデシル基、オクタデシル基、イコシル基、テトラコシル基などが挙げられる。また、シクロアルキル基の具体例としては、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基を挙げることができる。
【００１２】
ここで、アルケニル基とは、直鎖状、分岐状のいずれでもよく、例えば炭素数２〜３０のアルケニル基、具体的にはアリル基、ビニル基、クロチル基、シンナミル基、１−ペンテン−１−イル基、２−ペンテン−１−イル基、３−ペンテン−１−イル基、１−ヘキセン−１−イル基、２−ヘキセン−１−イル基、３−ヘキセン−１−イル基、８−ヘプタデセン−１−イル基、８，１１，１４−ヘプタデカトリエン−１−イル基、４，７，１０，１３−ノナデカテトラエン−１−イル基などが挙げられる。また、シクロアルケニル基の具体例としては、２−シクロヘキセニル基、２−シクロペンテニル基を挙げることができる。
【００１３】
ここで、アルキニル基としては、例えば炭素数２〜３０のアルキニル基、具体的にはエチニル基、プロパルギル基、１−ペンチン−１−イル基、２−ペンチン−１−イル基、３−ペンチン−１−イル基、１−オクチン−１−イル基、８−ヘプタデシン−１−イル基などが挙げられる。
【００１４】
ここで、アリール基とは、ヘテロアリール基をも包含し、具体例としては、例えば炭素数２〜３０のアリール基、具体的にはフェニル基、ナフチル基、アンスラニル基、ピレニル基、ビフェニル基、インデニル基、テトラヒドロナフチル基、ピリジル基、ピリミジニル基、ピラジニル基、ピリダニジル基、ピペラジニル基、ピラゾリル基、イミダゾリル基、キニリル基、ピロリル基、インドリル基、フリル基などが挙げられる。
【００１５】
ここで、アシル基とは、アロイル基をも包有し、例えば炭素数２〜３０のアシル基、具体的にはアセチル基、プロピオニル基、イソプロピオニル基、ピバロイル基、オレオイル基、シクロヘキシルカルボニル基、アクロイル基、クロトノイル基、ベンゾイル基、ナフトイル基、ニコチノイル基などが挙げられる。
【００１６】
ここで、アルコキシ基とは、アリールオキシ基やアラルキルオキシ基をも包有し、直鎖状、分岐状、環状、いずれでもよく、例えば炭素数１〜３０のアルコキシ基、具体的にはメトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、ｔ−ブトキシ基、ベンジルオキシ基、フェノキシ基などが挙げられる。
【００１７】
ここで、アルコキシカルボニル基とは、アルコキシ基とカルボニル基が結合した原子団で、アルコキシ基としては前記と同様の基であってよい。具体的にはメトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、プロピルオキシカルボニル基、ｔ−ブトキシカルボニル基、ベンジルオキシカルボニル基、フェノキシカルボニル基などが挙げられる
【００１８】
ここで、アシルオキシ基とは、アシル基と酸素原子が結合した原子団で、アシル基としては前記と同様の基であってよい。具体的には、例えば炭素数２〜３０のアシルオキシ基、具体的にはアセトキシ基、プロピオニルオキシ基、イソプロピオニルオキシ基、ピバロイルオキシ基、オレオイルオキシ基、シクロヘキシルカルボニルオキシ基、アクロイルオキシ基、クロトノイルオキシ基、ベンゾイルオキシ基、ナフトイルオキシ基、ニコチノイルオキシ基などが挙げられる。
【００１９】
また、置換基を有してもよい鎖状または環状の炭化水素基として、置換基を有してもよい芳香族炭化水素基も含まれる。この芳香族炭化水素基は、単環または多環の芳香族もしくは芳香脂肪族の炭化水素基、あるいは置換基を持つこれらの各種のものであってよい。例えば、フェニル基、ナフチル基、フェニルアルキル基等の芳香族炭化水素基と、これら炭化水素基に、さらにアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、シクロアルキル基、アルコキシ基、アシルオキシ基、アシルオキシ基、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基等の許容される各種置換基を有するもののうちから選択される。
【００２０】
また、置換基を有してもよい複素環基は、脂肪族、脂環族の飽和または不飽和の炭化水素環基、あるいは単環または多環の芳香族もしくは芳香脂肪族の炭化水素環基中に、炭素原子以外に他の原子１個以上を含む環基、あるいは置換基を持つこれらの各種のものであってよい。例えば環状エーテル、ラクトン、ラクタム、ピリジン、ピリミジン、フラン、チオフェン、ピロール等の複素環化合物に対応する残基である複素環基を例示できる。これら複素環基には、さらにアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、シクロアルキル基、アルコキシ基、アシルオキシ基、アシルオキシ基、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基等の許容される各種置換基を有していてもよい。
【００２１】
ここで、置換基を有してもよいアルコキシ基とは、アリールオキシ基やアラルキルオキシ基をも包有し、例えば炭素数１〜３０のアルコキシ基、アリールオキシ基またはアラルキルオキシ基と、これらアルコキシ基に、さらにアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、シクロアルキル基、アルコキシ基、アシルオキシ基、アシル基、アシルオキシ基、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基等の許容される各種置換基を有するもののうちから選択されるものである。具体的にはメトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、ｔ−ブトキシ基、ベンジルオキシ基、フェノキシ基などが挙げられる。
【００２２】
ここで、置換基を有してもよいアミノ基とは、無置換アミノ基、あるいはアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、シクロアルキル基、シクロアルケニル基等の炭化水素基や芳香族基で置換されたアミノ基、あるいはアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、シクロアルキル基、シクロアルケニル基等の炭化水素基や芳香族基で置換されたアシル基で置換されたアミノ基、あるいはアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、シクロアルキル基、シクロアルケニル基等の炭化水素基や芳香族基で置換されたスルホニル基で置換されたアミノ基や、その他イミド基およびその誘導体をも包有する。具体的にはアミノ基、メチルアミノ基、エチルアミノ基、プロピルアミノ基、イソプロピルアミノ基、ブチルアミノ基、ｔ−ブチルアミノ基、ジメチルアミノ基、ジエチルアミの基、ジプロピルアミノ基、ベンジルアミノ基、フェニルアミノ基、ピリジルアミノ基、イミド基、スルホンイミド基、スルホンアミド基などが挙げられる。その中でも、アシル基置換アミノ基、イミド基、スルホンイミド基、スルホンアミド基など電子吸引性を有するアミノ基がとくに好ましい。
【００２３】
ここで、置換基を有してもよいアシルオキシ基とは、アシル基とカルボニル基が結合した原子団、あるいはこれらアシルオキシ基に、さらにアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、シクロアルキル基、アルコキシ基、アシルオキシ基、アシル基、アシルオキシ基、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基等の許容される各種置換基を有するもののうちから選択されるものである。具体的にはアセトキシ基、プロピオニルオキシ基、イソプロピオニルオキシ基、ピバロイルオキシ基、オレオイルオキシ基、シクロヘキシルカルボニルオキシ基、アクロイルオキシ基、クロトノイルオキシ基、ベンゾイルオキシ基、ナフトイルオキシ基、ニコチノイルオキシ基などが挙げられる。
【００２４】
一般式（１）での化合物におけるに、Ｒ１とＲ２、Ｒ１とＷ、またはＲ２とＷはそれぞれ共に結合して形成される環としては炭素環、あるいは複素環を例示することができる。この炭素環、あるいは複素環上にアルキル基、ハロゲン原子、ニトロ基、アミノ基（アシル基、アルキル基、シクロアルキル基等を有していてもよい）、シアノ基、ヒドロキシル基、カルボキシル基、カルバモイル基、アリール基、アルコキシ基、アラルキル基等の許容される各種置換基を有してもよい。
【００２５】
また、電子吸引基とは、水素原子と比べて、結合原子側から電子をひきつけやすい基を示す。例えばホルミル基、アシル基、シアノ基、アシルオキシ基、アミド基、ニトロ基、ニトロソ基、イミノ基、スルフリル基、スルフリルアミド基などが挙げられる。本発明においては、これら電子吸引基は置換基を有していてもよいが、電子吸引基が置換基を有する例として、上記電子吸引基を含む、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、シクロアルキル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、アシルオキシ基等を示すことができる。
【００２６】
本発明では一般式（１）で表される化合物において、Ｗとして、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アミノカルボニル基、アシル基、ホルミル基およびそれら電子吸引基を含むアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、シクロアルキル基が好ましい。
【００２７】
また、本発明では一般式（１）で表される化合物において、Ｒ１が、水素原子、あるいは置換基を有していてもよい低級アルキル基、脂環族炭化水素基、芳香族炭化水素基から選ばれる基であることが好ましい。ここでいうアルキル基は炭素数が１ないし５である飽和あるいは不飽和な炭化水素基であり、具体的にはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、ｉｓｏ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒ−ブチル基などを挙げることができる。その中でもエチル基およびｔｅｒｔ−ブチル基が好ましい。また、置換基としてはフェニル基、シクロアルキル基等が好ましいが、低級アルキル基でもよい。脂環族炭化水素基としては炭素数が５ないし７の炭化水素基、すなわちシクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基が好ましい。また、芳香族炭化水素基としては、フェニル基などが好ましい。
【００２８】
本発明ではさらに一般式（１）で表される化合物において、Ｒ２が、置換基を有してもよいアミノ基であることが好ましい。このアミノ基はすでに（００２２）で説明してあるアミノ基から選択すればよい。
【００２９】
本発明ではさらに一般式（１）で表される化合物において、Ｒ１が、置換基を有していてもよい低級アルキル基脂環族炭化水素基、芳香族炭化水素基から選ばれる基であり、かつＷがアルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アミノカルボニル基、アシル基、ホルミル基およびそれら電子吸引基を含むアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、シクロアルキル基であることが好ましい。
【００３０】
本発明では、前記記載の一般式（１）で表される化合物の具体例として下記一般式（５）、（６）、（７）、（８）、（９）で表される化合物を例示することができる。
2004010555.tif 000004
2004010555.tif 000005
【００３１】
2004010555.tif 000006
2004010555.tif 000007
2004010555.tif 000008
（式中Ｒ１、Ｒ２、ｎは、前記と同じ意味である。Ｘ１はアルキレン基、＝Ｎ−Ｈ、＝Ｎ−Ｒ３、＝Ｎ−ＯＨ、＝Ｎ−Ｏ−Ｒ４、酸素原子を示す。Ｘ２、Ｘ３はそれぞれ独立に、＝Ｎ−Ｈ、＝Ｎ−Ｒ３、＝Ｎ−ＯＨ、＝Ｎ−Ｏ−Ｒ４、酸素原子を示す。Ｒ３、Ｒ４は、前記と同じ意味である。Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８は、各々、置換基を有してもよい、鎖状または環状の炭化水素基もしくは複素環基を示す。）
【００３２】
ここでいう置換基を有してもよい鎖状または環状の炭化水素基もしくは複素環基の具体例は、はすでに説明されている置換基を有してもよい鎖状または環状の炭化水素基もしくは複素環基の具体例と同様である。
【００３３】
本発明では、更に、前記記載の一般式（１）で表される化合物の具体例として下記一般式（１０）、（１１）、（１２）、（１３）、（１４）、（１５）、（１６）、（１７）、（１８）、（１９）、（２０）、（２１）、（２２）で表される化合物を例示することができる。
2004010555.tif 000009
2004010555.tif 000010
2004010555.tif 000011
2004010555.tif 000012
2004010555.tif 000013
2004010555.tif 000014
2004010555.tif 000015
【００３４】
2004010555.tif 000016
2004010555.tif 000017
2004010555.tif 000018
【００３５】
2004010555.tif 000019
2004010555.tif 000020
2004010555.tif 000021
（式中、Ｒ１、Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、ｎは、前記と同じ意味である。Ｒ９、Ｒ１０、Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ１３、Ｒ１４は、Ｒ１５、Ｒ１６、Ｒ１７、Ｒ１８、Ｒ１９、Ｒ２０、Ｒ２１はそれぞれ独立して置換基を有してもよい、アルキレン基、炭素原子と水素原子以外の原子を含むアルキレン基、二価の環状炭化水素基、炭素原子と水素原子以外の原子を含む二価の環状炭化水素基を示す。）
ここでいう置換基はすでに説明してある置換基と同様である。
【００３６】
（５）〜（２２）の化合物のなかで特に好ましい化合物の例としては例えば以下のものを挙げる事ができる。
２−オキソ−シクロペンタンカルボキシリックアシッド　メチルエステル、２−オキソ−シクロペンタンカルボキシリックアシッド　エチルエステル、２−オキソ−シクロペンタンカルボキシリックアシッド　ｔｅｒｔ−ブチルエステル、２−メチル−３−オキソ−３−フェニル−プロピオニックアシッド　メチルエステル、２−メチル−３−オキソ−３−フェニル−プロピオニックアシッド　エチルエステル、２−メチル−３−オキソ−３−フェニル−プロピオニックアシッド　ｔｅｒｔ−ブチルエステル、２−エチル−３−オキソ−３−フェニル−プロピオニックアシッド　メチルエステル、２−エチル−３−オキソ−３−フェニル−プロピオニックアシッドエチルエステル、２−エチル−３−オキソ−３−フェニル−プロピオニックアシッド　ｔｅｒｔ−ブチルエステル、３−シクロヘキシル−２−メチル−３−オキソ−プロピオニックアシッド　メチルエステル、３−シクロヘキシル−２−メチル−３−オキソ−プロピオニックアシッド　エチルエステル、３−シクロヘキシル−２−メチル−３−オキソ−プロピオニックアシッド　ｔｅｒｔ−ブチルエステル、２−メチル−３−オキソ−ブチリックアシッド　メチルエステル、２−メチル−３−オキソ−ブチリックアシッド　エチルエステル、２−メチル−３−オキソ−ブチリックアシッド　ｔｅｒｔ−ブチルエステル、
【００３７】
２−オキソ−シクロヘキサンカルボキシリックアシッド　メチルエステル、２−オキソ−シクロキサンカルボキシリックアシッド　エチルエステル、２−オキソ−シクロヘキサンカルボキシリックアシッド　ｔｅｒｔ−ブチルエステル、２−オキソ−シクロヘプタンカルボキシリックアシッド　メチルエステル、２−オキソ−シクロヘプタンカルボキシリックアシッド　エチルエステル、２−オキソ−シクロヘプタンカルボキシリックアシッド　ｔｅｒｔ−ブチルエステル、３−アセチルテトラヒドロピラン−２−オン、３−エチルカルボニルテトラヒドロピラン−２−オン、３−アセチルジヒドロフラン−２−オン、３−エチルカルボニルジヒドロフラン−２−オン、３−メチルジヒドロピラン−２，　４−ジオン、３−エチルジヒドロピラン−２，　４−ジオン、３−メチルフラン−２，　４−ジオン、　３−エチルフラン−２，　４−ジオン、１−ベンゾイル−３−オキソ−ピロリジン−２−カルボキシリックアシッド　メチルエステル、１−ベンゾイル−３−オキソ−ピロリジン−２−カルボキシリックアシッド　エチルエステル、１−ベンゾイル−３−オキソ−ピロリジン−２−カルボキシリックアシッド　ｔｅｒｔ−ブチルエステル、２，４−ジメチル−３−オキソ−ペンタノイックアシッド　メチルエステル、２，４−ジメチル−３−オキソ−ペンタノイックアシッド　エチルエステル、２，４−ジメチル−３−オキソ−ペンタノイックアシッド　ｔｅｒｔ−ブチルエステル、２−メチル−３−オキソ−５−フェニル−ペンタノイックアシッド　メチルエステル、２−メチル−３−オキソ−５−フェニル−ペンタノイックアシッド　エチルエステル、２−メチル−３−オキソ−４−フェニル−ペンタノイックアシッド　ｔｅｒｔ−ブチルエステル、
【００３８】
２−メチル−３−オキソ−５−シクロヘキシル−ペンタノイックアシッド　メチルエステル、２−メチル−３−オキソ−５−シクロヘキシル−ペンタノイックアシッド　エチルエステル、２−メチル−３−オキソ−５−シクロヘキシル−ペンタノイックアシッド　ｔｅｒｔ−ブチルエステル、２−メチル−３−オキソ−６−フェニル−ヘキサノイックアシッド　メチルエステル、２−メチル−３−オキソ−６−フェニル−ヘキサノイックアシッド　エチルエステル、２−メチル−３−オキソ−６−フェニル−ヘキサノイックアシッド　ｔｅｒｔ−ブチルエステル、２−メチル−３−オキソ−６−シクロヘキシル−ヘキサノイックアシッド　メチルエステル、２−メチル−３−オキソ−６−シクロヘキシル−ヘキサノイックアシッド　エチルエステル、２−メチル−３−オキソ−６−シクロヘキシル−ヘキサノイックアシッド　ｔｅｒｔ−ブチルエステル、２−（１，３−ジオキソ−１，３−ジヒドロ−イソインドール−２−イル）−３−オキソ−３−フェニル−プロピオニックアシッド　ｔｅｒｔ−ブチルエステル、３−（１−アセチル−１Ｈ−イミダゾール−４−イル）−２−（１，３−ジオキソ−１，３−ジヒドロ−イソインドール−２−イル）−３−オキソ−プロピオニックアシッド　ｔｅｒｔ−ブチルエステル、２−（１，３−ジオキソ−１，３−ジヒドロ−イソインドール−２−イル）−４−メチルスルファニル−３−オキソ−ブチリックアシッド　ｔｅｒｔ−ブチルエステル、２−（１，３−ジオキソ−１，３−ジヒドロ−イソインドール−２−イル）−４−メチル−３−オキソ−ペンタノイックアシッド　ｔｅｒｔ−ブチルエステル、２−（１，３−ジオキソ−１，３−ジヒドロ−イソインドール−２−イル）−３−オキソ−ブチリックアシッド　ｔｅｒｔ−ブチルエステル、３−（１−アセチル−１Ｈ−インドール−３−イル）−２−（１，３−ジオキソ−１，３−ジヒドロ−イソインドール−２−イル）−３−オキソ−プロピオニックアシッド　ｔｅｒｔ−ブチルエステル、３−オキソ−２−フェニル−プロピオニックアシッド　ｔｅｒｔ−ブチルエステルなどが挙げられる。もちろんこの発明に用いることの出来る原料はこれらに何ら限定されるものではない。
【００３９】
一般式（１）〜（２２）で表される化合物は、市販のものをそのまま使用することも出来るが、公知の方法［例えば、Ｃｈｅｍ．　Ｒｅｖ．，　９５，　１０６５　（１９９５）及びその引用文献記載の方法］に従って合成することも出来る。
【００４０】
次に、この発明で使用する不斉遷移金属錯体触媒について説明する。本発明で用いられる錯体は一般式（２）および（３）で表される錯体触媒である。
［Ｍ２ＬｐＡｑ］ｙ＋（Ｚ−）ｙ　　（２）
（式中、Ｌ、Ｚ−、Ａ、Ｍ、ｙ、ｑ、ｐは上記と同様である。）で示される不斉遷移金属錯体触媒もしくは、
【００４１】
下記一般式（３）
ＭＬｒＢｓ　Ｄｃ　　（３）
（式中、Ｌ、Ｄ、Ｂ、Ｍ、ｒ、ｓ、ｃは上記と同様である。）
で示される不斉遷移金属錯体触媒。
【００４２】
以下、本発明で使用できる錯体触媒を説明する。
上記一般式（２）、（３）中の遷移金属は８〜１１族の元素から選ばれる。例えばＡｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｉｒ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｔから挙げられるが、そのなかでもＩｒ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｔが好ましい。
【００４３】
本発明における不斉配位子としては光学活性ホスフィン配位子、光学活性窒素系配位子等が挙げられ、また、二座不斉配位子あるいは単座不斉配位子が好ましい。さらに好ましくは光学活性二座ホスフィン配位子や、光学活性ビスオキサゾリン配位子、光学活性ジアミン配位子、光学活性ビスピリジン配位子などの光学活性窒素系配位子等が挙げられる。
【００４４】
光学活性二座ホスフィン配位子の具体例としては、ＢＩＮＡＰ　：　２，２’−ビス−（ジフェニルホスフィノ）−１，１’−ビナフチル、およびＢＩＮＡＰのナフチル環にアルキル基やアリール基等の置換基を持つＢＩＮＡＰ誘導体、例えばＨ８−ＢＩＮＡＰ、ＢＩＮＡＰのリン原子上ベンゼン環１個につきアルキル基置換基を１〜５個有するＢＩＮＡＰ誘導体、例えば、Ｔｏｌｌ−ＢＩＮＡＰ　：　２，２’−ビス−（ジ−ｐ−トリルホスフィノ）−１，１’−ビナフチル、キシリル−ＢＩＮＡＰ　：　２，２’−ビス［ビス（３，５−ジメチルフェニル）ホスフィノ］−１，１’−ビナフチル、ＢＩＣＨＥＰ　：　２，２’−ビス−（ジシクロヘキシルホスフィノ）−６，６−ジメチル−１，１’−ビナフチル、ＢＰＰＦＡ　：　１−　［１’，２−ビス（ジフェニルホスフィノフェロセニル）エチルジアミン、ＣＨＩＲＡＰＨＯＳ　：　２，３−ビス−（ジフェニルホスフィノ）ブタン、ＣＹＣＰＨＯＳ　：　１−シクロヘキシル−１，２−ビス−（ジフェニルホスフィノ）エタン、ＤＥＧＰＨＯＳ　：　１−置換−３，４−ビス−（ジフェニルホスフィノ）ピロリジン、ＤＩＯＰ　：　２，３−Ｏ−イソプロピリデン−２，３−ジヒドロキシ−１，４−ビス−（ジフェニルホスフィノ）ブタン、ＤＩＰＡＭＰ　：　１，２−ビス［（ｏ−メトキシフェニル）フェニルホスフィノ］エタン、Ｄｅｌｐｈｏｓ　：　（置換−１，２−ビス（ホスホラノ）ベンゼン）、ＮＯＲＰＨＯＳ　：　５，６−ビス−（ジフェニルホスフィノ）−２−ノルボルネン、ＰＮＮＰ　：　Ｎ，Ｎ’−ビス−（ジフェニルホスフィノ）−Ｎ，　Ｎ’−ビス［１−フェニル］エチレンジアミン、ＰＲＯＰＨＯＳ　：　１，２−ビス−（ジフェニルホスフィノ）プロパン、ＳＫＥＷＰＨＯＳ　：　２，４−ビス−（ジフェニルホスフィノ）ペンタンなどが挙げられる。
【００４５】
光学活性ビスオキサゾリン配位子としては、２，２’−ビス［４−ｔｅｒｔ−ブチル］オキサゾール−２−イル］−１，１’−ビナフチル、２，２’−ビス［４−イソプロピル］オキサゾール−２−イル］−１，１’−ビナフチル、２，２’−ビス［４−フェニル］オキサゾール−２−イル］−１，１’−ビナフチル、２，２’−ビス［４−ベンジル］オキサゾール−２−イル］−１，１’−ビナフチル、２，２−ビス［２−［４−フェニル−１，３−オキサゾリニル］］プロパン、ＤＢＦＯＸ　：　４，６−ジベンゾフランジイル−２，２’−ビス（４−フェニルオキサゾリン）、２，２’−イソプロピリデンビス（４−フェニルオキサゾリン）、２，２’−イソプロピリデンビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルオキサゾリン）などが挙げられる。
【００４６】
光学活性ジアミン配位子としては、ＤＰＥＮ　：　１，２−ジフェニル−エタン−１，２−ジアミン、ＤＡＩＰＥＮ　：　３−メチル−１，１−ジフェニル１−ブタン−１，２−ジアミン、Ｎ−（４−ｔ−ブチルベンゼンスルフォニル）−１，２−ジフェニルエチレンジアミンＴなどが挙げられる。
【００４７】
光学活性ビスピリジン配位子としては、ＢＤＰＴＺ：１，４−ビス（２，２−ジピリジルメチル）−フタラジン、ＢＰＡＮ：２，７−ビス［２−（２−ピリジルエチル）アミノメチル］−１，８−ナフチリジン、ＴＥＲＰＹ：２，２’：６’，２’’−テルビリジン、Ｎ，Ｎ−ビス［２−（２−ピリジル）エチル］−２−フェニルエチルアミンなどのピリジル環含有配位子等が挙げられる。
この発明に用いることの出来る配位子は上記例示された配位子に何ら限定されるものではない。
【００４８】
アニオン性配位子また対アニオンとしては、Ｈ−、ＯＨ−，　［ＯＲ２２］−、　［Ｒ２３ＨＮ］−、　［Ｒ２４Ｒ２５Ｎ］−、　Ｈ２Ｎ−、　［Ｒ２６Ｒ２７Ｒ２８ＳｉＯ］−、　Ｆ−、　Ｂｒ−、　Ｃｌ−、　Ｉ−、　Ｉ３−、　ＣＯ−、ＣＨ３ＣＯＯ−、　ＣＦ３ＣＯＯ−、　ＣＦ３ＣＦ２ＣＯＯ−、　ＣＦ３ＣＦ２ＣＦ２ＣＯＯ−、　ＣＦ３ＳＯ３−、　ｐ−ＣＨ３Ｃ６Ｈ４ＳＯ３−、　ＣｌＯ４−、　ＮＯ３−、　ＳＯ４２−、　ＣＯ３２−、　ＰＯ４３−、　ＢＦ４−、Ｂ（Ｃ６Ｈ５）４−、　Ｂ［３、５−（ＣＦ３）２Ｃ６Ｈ３］３−、　ＰＦ６−、　ＳｂＦ６−、　ＡｓＦ６−、　（ＣＨ３ＣＯＣＨＣＯＣＨ３）−などが挙げられる。ここでＲ２２、　Ｒ２３、　Ｒ２４、　Ｒ２５、　Ｒ２６、　Ｒ２７、　Ｒ２８は、置換基を有してもよい、アルキル基、ヘテロアルキル基、シクロアルキル基、シクロヘテロアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、アラルキル基、ヘテロアラルキル基を表す。
【００４９】
また上記一般式（３）でのＤのアニオン性配位子としては、Ｃｌ−、Ｂｒ−、Ｆ−、Ｉ−などがあり、Ｄの対アニオンとしては、上記対アニオンと同様である。なお、本発明ではＤのアニオン性配位子は遷移金属にＣｌ−、Ｂｒ−などのアニオンが直接結合している場合のときのアニオン性配位子をいい、Ｄの対アニオンはカチオン部分に対してカウンターアニオンとして存在しているときのアニオンをいう。
【００５０】
上記一般式（２）中のアニオン性配位子としては、水酸基、アミド機基、アルコキシ基、ハロゲン原子等が挙げられる。
【００５１】
上記一般式（３）中の中性配位子としては、１，５−シクロオクタジエン、シクロペンタジエン、ペンタメチルシクロペンタジエン、ノルボルナジエン、ベンゾニトリル、ｐ−サイメン等の芳香族化合物、エチレン等のオレフィン化合物やその他Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、アセトニトリル、アセトン、クロロホルム等が挙げられる。
【００５２】
本発明においては、上記一般式（３）記載の錯体は、後述されている各種公知の錯体が含まれる。それら錯体は遷移金属、不斉配位子、アニオン性配位子から構成されるいわゆる不斉遷移金属錯体触媒やカチオン部である［ＭＬｒＢｓ］と対アニオン（Ｚ−）から構成される錯体のほかに、遷移金属に対し高い配位能を持つものが直接遷移金属に結合した状態の錯体をも含み、例えばアセテート錯体、トリフルオロアセテート錯体、トリフラート錯体、アセチルアセトナト錯体などが挙げられる。
【００５３】
上記一般式（２）および（３）記載の錯体の中では次の錯体が好ましい。
ＭがＰｄでＬが単座不斉配位子の場合、ｐ　＝　４、ｑ　＝　ｙ　＝　２、ｒ　＝　ｃ　＝　２、ｓ　＝　０または２であり、またＬが二座不斉配位子の場合、ｐ　＝　ｑ　＝　ｃ　＝　ｙ　＝　２、ｒ　＝　１、ｃ　＝　２、ｓ
＝　０または２であり、
ＭがＮｉでＬが単座不斉配位子の場合ｒ　＝　ｃ　＝　２、ｓ　＝　０、２、４、または６であり、またＬが二座不斉配位子の場合、ｒ　＝　１、ｃ＝　２、ｓ　＝　０、　４、または６であり、
ＭがＰｔで　Ｌが単座不斉配位子の場合　ｐ　＝　４、ｑ　＝　ｙ　＝　２、ｒ　＝　ｃ　＝　２、ｓ　＝　０であり、またＬが二座不斉配位子の場合、ｒ　＝　１、ｐ　＝　ｑ　＝　ｙ　＝　２、ｃ　＝　２、ｓ　＝　０である。なお、このＰｔ錯体では、ひとつの対アニオンはＰｔに直接結合しており、もうひとつの対アニオンはカウンターアニオンとして存在する錯体も知られており、このような錯体では、Ｌが単座不斉配位子の場合、ｒ　＝　ｃ　＝　２、ｓ　＝　１であり、Ｌが二座不斉配位子の場合、ｃ　＝　２、ｒ　＝　ｓ　＝　１である。
【００５４】
ＭがＩｒあるいはＲｈであり、Ｌが単座不斉配位子の場合、ｐ　＝４、ｑ　＝　２、ｙ　＝　０、ｒ　＝　２、ｓ　＝　ｃ　＝　１であり、またＬが二座不斉配位子の場合ｐ　＝　ｑ　＝　２、ｙ　＝　０、ｒ　＝　ｓ　＝
ｃ　＝　１であり、
ＭがＲｕのとき、（ｉ）　ＡはＣｌ−、Ｂｒ−またはＩ−で、Ｂは中性配位子である芳香族化合物やオレフィン化合物を示し、Ｚ−はＣｌ−、Ｂｒ−、Ｉ−、Ｉ３−、　ＣＦ３ＳＯ３−、　ｐ−ＣＨ３Ｃ６Ｈ４ＳＯ３−で、Ｌが単座不斉配位子の場合ｓ　＝　１、ｒ　＝　２、ｃ　＝　０または２であり、Ｌが二座不斉配位子の場合ｃ　＝　２または０、　ｓ　＝　ｒ　＝　１であり、（ｉｉ）　Ｚ−はＢＦ４−、ＣｌＯ４−、ＯＴｆ−、ＰＦ６−、ＳｂＦ６−またはＢＰｈ４−で、Ｌが単座不斉配位子の場合ｒ　＝　ｃ＝　２、ｓ　＝　０であり、Ｌが二座不斉配位子の場合ｒ　＝　１、ｓ　＝　０、ｃ　＝　２であり、（ｉｉｉ）　ＺはＨでＬが単座不斉配位子の場合ｃ　＝　２、ｒ　＝　４であり、Ｌが二座不斉配位子の場合ｃ　＝　ｒ　＝　２であり、（ｉｖ）　ＺはＨおよびＣＯでＬが単座不斉配位子の場合ｃ　＝　ｒ＝　２であり、Ｌが二座不斉配位子の場合ｃ　＝　２、ｒ　＝　１であり、
ＭがＦｅのとき（ｉ）Ｂは中性配位子である芳香族化合物やオレフィン化合物でＬが二座不斉配位子の場合ｃ　＝　ｓ　＝　ｒ　＝　１であり、Ｌが単座不斉配位子の場合ｃ　＝　ｓ　＝　１、ｒ＝　２であり、（ｉｉ）Ｂが存在せずＬが二座不斉配位子の場合ｃ　＝　３、ｓ　＝　０あるいは６、ｒ　＝　１であり、Ｌが単座不斉配位子の場合ｃ　＝　３、ｓ　＝　０あるいは６、ｒ　＝　２であり、
【００５５】
ＭがＣｏのとき、（ｉ）Ｂは中性配位子である芳香族化合物やオレフィン化合物を示し、Ｌが二座不斉配位子の場合ｃ　＝　０、ｓ　＝　ｒ　＝　１であり、Ｌが単座不斉配位子の場合ｃ　＝　０、ｓ　＝　１、ｒ　＝　２であり、（ｉｉ）Ｂが存在せずＬが二座不斉配位子の場合ｃ　＝　２、ｓ　＝　０、ｒ　＝　１であり、Ｌが単座不斉配位子の場合ｃ　＝　ｒ　＝　２、ｓ　＝　０であり、
ＭがＣｕのとき、（ｉ）Ｃｕが二価のときで　Ｌが単座不斉配位子の場合ｐ　＝　４、ｑ　＝　ｙ　＝　２、ｒ　＝　ｃ　＝　２、ｓ　＝　０または１であり、Ｌが二座不斉配位子の場合、ｐ　＝　ｑ　＝　ｙ　＝　２、ｒ　＝　１、ｃ　＝　２、ｓ　＝　１であり、（ｉｉ）Ｃｕが一価のときでＬが二座不斉配位子の場合ｓ　＝　０、ｒ　＝　ｃ　＝　１、であり、Ｌが単座不斉配位子の場合ｓ　＝　０、ｃ　＝　１、ｒ　＝　２であり、
ＭがＡｇ、Ａｕのとき、Ｌが二座不斉配位子の場合ｒ　＝　ｃ　＝　１、ｓ　＝　０または１であり、Ｌが単座不斉配位子の場合ｒ　＝　２、ｃ　＝　１、ｓ　＝　０または１で表される。
【００５６】
なお、ＭがＩｒあるいはＲｈのとき、Ｂは１，５−シクロオクタジエン、ノルボルナジエン、ＺはＢＦ４、ＣｌＯ４、ＯＴｆ、ＰＦ６、ＳｂＦ６、ＯＨまたはＢＰｈ４である錯体が好ましい。また、ＭがＮｉでＬが三座配位子あるいは六座配位子のときには、Ｎｉ錯体は一般式［ＮｉｅＬｐＡｑＨｆ］ｙ＋（Ｚ−）ｙ　と書き表される。ただし、式中、Ａ、Ｚ−は上記と同じであり、Ｈは水を示し、ｅは２または４、ｐは１、２、または４、ｑは１または２、ｆは１ないし４の整数、ｙは２ないし４の整数である。
【００５７】
なお、このＰｔ錯体に限らずＲｈ錯体、Ｐｄ錯体など多くの遷移金属錯体では、ひとつの対アニオンは遷移金属に直接結合しており、もうひとつの対アニオンはカウンターアニオンとして存在する錯体も知られている。
【００５８】
上記一般式（２）および（３）記載の錯体をより具体的に説明する。
尚、以下に示す遷移金属錯体の式中で使用されている記号は、それぞれ、Ｌは不斉配位子を、ｃｐｄはシクロペンタジエンを、ｃｏｄは１，５−シクロオクタジエンを、ｎｂｄはノルボルナジエンを、Ｔｆはトリフラート基（ＳＯ２ＣＦ３）を、Ｐｈはフェニル基を、Ａｃはアセチル基を、ａｃａｃはアセチルアセトナト基、ＯＴｓはｐ−トルエンスルホネート基、ｐ−ｃｙｍｅｎｅはパラ１−サイメン基、Ｃｐ＊はペンタメチルシクロペンタジエン基を示す。また、具体例としては煩雑さを避けるために不斉配位子として原則的には二座配位子を用いたものを挙げる。
【００５９】
ロジウム錯体：
ロジウム錯体を製造する具体的な例としては、日本化学会編「第４版　実験化学講座」、第１８巻、有機金属錯体、１９９１年（丸善）３３９３４４頁に記載の方法あるいは文献（Ｊ．　Ａｍ．Ｃｈｅｍ．　Ｓｏｃ．，　２００２，　５０５２）に従い、ビス（シクロオクタ−１，５−ジエン）ロジウム（Ｉ）テトラフロロホウ酸塩と不斉配位子を反応せしめて合成することができる。ロジウム錯体の具体例として、例えば以下のものを挙げることができる。
［Ｒｈ（Ｌ）Ｃｌ］２、［Ｒｈ（Ｌ）Ｂｒ］２、［Ｒｈ（Ｌ）Ｉ］２、［Ｒｈ（Ｌ）（μ−ＯＨ）］２、［Ｒｈ（ｃｏｄ）（Ｌ）］（ＢＦ４）、
［Ｒｈ（ｃｏｄ）（Ｌ）］（ＣｌＯ４）、［Ｒｈ（Ｌ）Ｃｐ＊］２、
［Ｒｈ（ｃｏｄ）（Ｌ）］ＰＦ６、［Ｒｈ（ｃｏｄ）（Ｌ）］ＢＰｈ４、［Ｒｈ（ｃｏｄ）（Ｌ）］ＯＴｆ、
［Ｒｈ（ｎｂｄ）（Ｌ）］ＢＦ４、［Ｒｈ（ｎｂｄ）（Ｌ）］ＣｌＯ４、
［Ｒｈ（ｎｂｄ）（Ｌ）］ＰＦ６、［Ｒｈ（ｎｂｄ）（Ｌ）］ＢＰｈ４、［Ｒｈ（ｎｂｄ）（Ｌ）］ＯＴｆ
【００６０】
ルテニウム錯体：
ルテニウム錯体を製造する方法としては、文献（Ｊ．　Ｃｈｅｍ．　Ｓｏｃ．，　Ｃｈｅｍ．　Ｃｏｍｍｕｎ．，１９８８，　９２２）に記載のように、［Ｒｕ（ｃｏｄ）Ｃｌ２］ｎと不斉配位子をトリエチルアミンの存在下にトルエン溶媒中で加熱還流することで調製できる。また、文献（Ｊ．　Ｃｈｅｍ．　Ｓｏｃ．，　Ｃｈｅｍ．　Ｃｏｍｍｕｎ．，　１９８９，　１２０８）に記載の方法で　［Ｒｕ（ｐ−ｃｙｍｅｎｅ）Ｉ２］２と不斉配位子とを塩化メチレンとエタノール中で加熱撹拌することにより調整することができる。ルテニウム錯体の具体例として、例えば以下のものを挙げることができる。
Ｒｕ（ＯＡｃ）２（Ｌ）、Ｒｕ２Ｃｌ４（Ｌ）２ＮＥｔ３、ＲｕＨ２（Ｌ）２、ＲｕＨ（ＣＯ）（Ｌ）、［Ｒｕ（ｐ−ｃｙｍｅｎｅ）（Ｌ）］、
［ＲｕＣｌ（ｂｅｎｚｅｎｅ）（Ｌ）］Ｃｌ、［ＲｕＢｒ（ｂｅｎｚｅｎｅ）（Ｌ）］Ｂｒ、［ＲｕＩ（ｂｅｎｚｅｎｅ）（Ｌ）］Ｉ、
［ＲｕＣｌ（ｐ−ｃｙｍｅｎｅ）（Ｌ）］Ｃｌ、［ＲｕＢｒ（ｐ−ｃｙｍｅｎｅ）（Ｌ）］Ｂｒ、［ＲｕＩ（ｐ−ｃｙｍｅｎｅ）（Ｌ）］Ｉ、
［Ｒｕ（Ｌ）］（ＢＦ４）２、［Ｒｕ（Ｌ）］（ＣｌＯ４）２、［Ｒｕ（Ｌ）］（ＰＦ６）２、［Ｒｕ（Ｌ）］（ＢＰｈ４）２、［Ｒｕ（Ｌ）］（ＯＴｆ）２
【００６１】
イリジウム錯体：
イリジウム錯体は、文献（Ｊ．　Ｏｒｇａｎｏｍｅｔ．　Ｃｈｅｍ．，　１９９２，　４２８，　２１３あるいはＪ．　Ａｍ．Ｃｈｅｍ．　Ｓｏｃ．，　１９９７，　１０８５７）に記載の方法に従って、不斉配位子と［Ｉｒ（ｃｏｄ）（ＣＨ３ＣＮ）２］ＢＦ４とを、テトラヒドロフラン中にて撹拌下に反応させることにより調製できる。イリジウム錯体の具体例として、例えば以下のものを挙げることができる。
［Ｉｒ（Ｌ）Ｃｌ］２、［Ｉｒ（Ｌ）Ｂｒ］２、［Ｉｒ（Ｌ）Ｉ］２、［Ｉｒ（Ｌ）（μ−ＯＨ）］２、［Ｉｒ（Ｌ（Ｃｐ＊）］２、
［Ｉｒ（ｃｏｄ）（Ｌ）］ＢＦ４、［Ｉｒ（ｃｏｄ）（Ｌ）］ＣｌＯ４、
［Ｉｒ（ｃｏｄ）（Ｌ）］ＰＦ６、［Ｉｒ（ｃｏｄ）（Ｌ）］ＢＰｈ４、［Ｉｒ（ｃｏｄ）（Ｌ）］ＯＴｆ、
［Ｉｒ（ｎｂｄ）（Ｌ）］ＢＦ４、［Ｉｒ（ｎｂｄ）（Ｌ）］ＣｌＯ４、
［Ｉｒ（ｎｂｄ）（Ｌ）］ＰＦ６、［Ｉｒ（ｎｂｄ）（Ｌ）］ＢＰｈ４、［Ｉｒ（ｎｂｄ）（Ｌ）］ＯＴｆ
【００６２】
パラジウム錯体：
パラジウム錯体は、文献（Ｊ．　Ａｍ．Ｃｈｅｍ．　Ｓｏｃ．，　１９９９，　５４５０）に記載の方法に従って、調製単離したものを用いる。パラジウム錯体の具体例として、例えば以下のものを挙げることができる。
ＰｄＣｌ２（Ｌ）、［Ｐｄ（Ｌ）］（ＢＦ４）２、［Ｐｄ（Ｌ）］（ＣｌＯ４）２、［Ｐｄ（Ｌ）］（ＰＦ６）２、［Ｐｄ（Ｌ）］（ＢＰｈ４）２、［Ｐｄ（Ｌ）］（ＣｌＯ４）２、　［Ｐｄ（Ｌ）］（ＯＴｆ）２、［Ｐｄ（Ｌ）（ａｃａｃ）］（ＯＴｆ）、［Ｐｄ（Ｌ）（Ｈ２Ｏ）２］（ＢＦ４）２、［Ｐｄ（Ｌ）（Ｈ２Ｏ）２］（ＣｌＯ４）２、［Ｐｄ（Ｌ）（Ｈ２Ｏ）２］（ＰＦ６）２、［Ｐｄ（Ｌ）（Ｈ２Ｏ）２］（ＢＰｈ４）２、［Ｐｄ（Ｌ）（Ｈ２Ｏ）２］（ＣｌＯ４）２、［Ｐｄ（Ｌ）（Ｈ２Ｏ）２］（ＯＴｆ）２、［｛Ｐｄ　（Ｌ）　（μ−ＯＨ）｝２］（ＢＦ４）２、［｛Ｐｄ　（Ｌ）　（μ−ＯＨ）｝２］（ＣｌＯ４）２、［｛Ｐｄ　（Ｌ）（μ−ＯＨ）｝２］（ＰＦ６）２、［｛Ｐｄ　（Ｌ）　（μ−ＯＨ）｝２］（ＢＰｈ４）２、［｛Ｐｄ（Ｌ）（μ−ＯＨ）｝２］（ＣｌＯ４）２、　［｛Ｐｄ（Ｌ）（μ−ＯＨ）｝２］（ＯＴｆ）２
【００６３】
ニッケル錯体：
ニッケル錯体は、例えば、日本化学会編「第４版　実験化学講座」第１８巻、有機金属錯体、１９９１年（丸善）３７６頁の方法で調製できるが、また、文献（Ｊ．　Ａｍ．　Ｃｈｅｍ．　Ｓｏｃ．，　１９９１，　１１３，　９８８７、Ｊ．　Ａｍ．　Ｃｈｅｍ．　Ｓｏｃ．，　２００１，　１２３，　１１１６８−１１１７８、Ｊ．Ａｍ．　Ｃｈｅｍ．　Ｓｏｃ．，　２０００，　１２２，　１８４−１８５、Ｊ．　Ａｍ．　Ｃｈｅｍ．　Ｓｏｃ．，　１９９８，　１２０，　１０５６７−１０５６８、Ｊ．　Ａｍ．　Ｃｈｅｍ．　Ｓｏｃ．，　１９９９，　１２１，　１１７５１−１１７５７）に記載の方法に従って、不斉配位子と塩化ニッケルとを、２−プロパノールとメタノールの混合溶媒に溶解し、加熱撹拌することにより調製できる。ニッケル錯体の具体例として、
例えば以下のものを挙げることができる。
ＮｉＣｌ２（Ｌ）、ＮｉＢｒ２（Ｌ）、ＮｉＩ２（Ｌ）、Ｎｉ（ＯＡｃ）２（Ｌ）（Ｈ２Ｏ）４、Ｎｉ（Ｃｌ）２（Ｌ）（Ｈ２Ｏ）６、Ｎｉ（ＯＡｃ）２（Ｌ）、［Ｎｉ（ａｃａｃ）（Ｌ）］（ＯＴｆ）、［Ｎｉ（Ｌ）（Ｈ２Ｏ）２］（ＣｌＯ４）２、［Ｎｉ２（Ｌ）（ＯＡｃ）２（Ｈ２Ｏ）］（ＣｌＯ４）２、［｛Ｎｉ　（Ｌ）　（μ−ＯＨ）｝２（Ｈ２Ｏ）］（ＣｌＯ４）２、［Ｎｉ２（Ｌ）（Ｈ２Ｏ）４］（ＯＴｓ）４、［Ｎｉ２　（Ｌ）
（μ−ＯＨ）（Ｈ２Ｏ）３］（ＯＴｓ）３、［Ｎｉ２　（Ｌ）　（μ−ＯＨ）２］（Ｈ２Ｏ）］４（ＯＴｓ）４
【００６４】
白金錯体：
白金錯体は、例えば、日本化学会編「第４版　実験化学講座」第１８巻、有機金属錯体、１９９１年（丸善）４１２頁の方法で調製できるが、また、文献（Ｏｒｇａｎｏｍｅｔａｌｌｉｃｓ，　１９９５，　５２８１，　Ｊ．　Ｏｒｇ．　Ｃｈｅｍ．Ｄａｌｔｏｎ．　ｔｒａｎｓ，　１９８９，　４０３あるいはＪ．　Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，　１９９８，　１００３２）に記載の方法に従って調製できる。白金錯体の具体例として、例えば以下のものを挙げることができる。
ＰｔＣｌ２（Ｌ）、ＰｔＢｒ２（Ｌ）、ＰｔＩ２（Ｌ）、［Ｐｔ（μ−ＯＨ）（Ｌ）］２（ＮＯ３）２、［Ｐｔ（μ−ＯＨ）（Ｌ）］２（ＣｌＯ４）２
Ｐｔ（ＯＨ）２（Ｌ）、［Ｐｔ（Ｌ）（Ｈ２Ｏ）（ＯＴｆ）］（ＯＴｆ）、［Ｐｔ（Ｌ）（Ｈ２Ｏ）（ＯＨ）］（ＯＴｆ）、［Ｐｔ（ａｃａｃ）（Ｌ）］（ＯＴｆ）
、
【００６５】
鉄錯体：
鉄錯体は、例えば、日本化学会編「第４版　実験化学講座」第１８巻、有機金属錯体、１９９１年（丸善）２１２頁の方法で調製できる。鉄錯体の具体例として、例えば以下のものを挙げることができる。
［Ｆｅ（ｃｐｄ）（Ｌ）］Ｃｌ、［ＦｅＣｌ３（Ｌ）］（Ｈ２Ｏ）６、［Ｆｅ（ａｃａｃ）３（Ｌ）］
【００６６】
コバルト錯体：
コバルト錯体は、例えば、日本化学会編「第４版　実験化学講座」第１８巻、有機金属錯体、１９９１年（丸善）２９５頁の方法で調製できる。コバルト錯体の具体例として、例えば以下のものを挙げることができる。
［Ｃｏ（ｃｐｄ）（Ｌ）］、［Ｃｏ（ＯＡｃ）２（Ｌ）］、［Ｃｏ（ａｃａｃ）２（Ｌ）］
【００６７】
金錯体：
金錯体は、例えば、日本化学会編「第４版　実験化学講座」第１８巻、有機金属錯体、１９９１年（丸善）４５５頁の方法で調製できる。金錯体の具体例として、例えば以下のものを挙げることができる。
ＡｕＣｌ（Ｌ）
【００６８】
銀錯体：
銀錯体は、例えば、日本化学会編「第４版　実験化学講座」第１８巻、有機金属錯体、１９９１年（丸善）４５０頁の方法で調製できる。銀錯体の具体例として、例えば以下のものを挙げることができる。
Ａｇ（ｃｐｄ）（Ｌ）　（ＯＴｆ）
【００６９】
銅錯体：
銅錯体は、例えば、日本化学会編「第４版　実験化学講座」第１８巻、有機金属錯体、１９９１年（丸善）４４０頁の方法で調製できるが、また、文献（Ｉｎｏｒｇ．　Ｃｈｅｍ．，　１９６５，　１３８２）に記載の方法に従って調製できる。銅錯体の具体例として、例えば以下のものを挙げることができる。
Ｃｕ（ＮＯ３）（Ｌ）、Ｃｕ（ａｃａｃ）（Ｌ）、Ｃｕ（ＯＡｃ）２（Ｌ）（Ｈ２Ｏ）、［Ｃｕ（Ｌ）］（ＯＴｆ）２、［Ｃｕ（μ−ＯＨ）（Ｌ）］２（ＮＯ３）２、［Ｃｕ（μ−ＯＨ）（Ｌ）］２（ＣｌＯ４）２などが挙げられる。
【００７０】
もちろんこの発明に用いることの出来る遷移金属錯体は上記具体的な錯体に何ら限定されるものではない。
【００７１】
これらの遷移金属錯体は公知の方法を用いて製造することができる。とくに、錯体の配位子交換法、即ち弱い中性配位子から光学活性ホスフィン配位子または光学活性窒素配位子へ、あるいはハロゲン配位子を銀塩で処理して所望のアニオン性配位子または、カウンターアニオンを有する錯体を作る）によって合成できる
。
【００７２】
不斉遷移金属錯体触媒の公知の製造方法としてＪ．　Ａｍ．　Ｃｈｅｍ．　Ｓｏｃ．，　１２１，　５４５０　（１９９９）の方法やＪ．　Ｏｒｇ．　Ｃｈｅｍ．，　６０，　２６４８　（１９９５）の方法などがあり、これらの方法により調製単離した錯体を用いる。この最、精製して得られた錯体を触媒として使用してもよいが、とくに精製処理をせずに触媒として利用してもよい。また、錯体の出発原料を反応系内に添加した状態で不斉フルオロ化反応を進めてもよい。
【００７３】
次にフッ素化剤について説明する。この発明で使用するフッ素化剤はとくに限定されない。具体的には以下の化合物あるいは一般式で表される化合物がが挙げられる。
ＦＣｌＯ３、Ｆ２、ＸｅＦ２、ＣＦ３ＯＦ、
2004010555.tif 000022
2004010555.tif 000023
2004010555.tif 000024
【００７４】
（式中、Ｒ２９は鎖状または環状の炭化水素基、芳香族炭化水素基、もしくは複素環基である。Ｒ３０，　Ｒ３１は、同じであっても互いに異なっていてもよく、水素、置換基を有してもよい炭化水素基、置換基を有してもよいカルボニル基、あるいは、置換基を有してもよいスルホニル基であり、Ｒ３０とＲ３１が一緒になって置換基を有してもよい環を形成してもよい。Ｒ３２、　Ｒ３３、　Ｒ３４は、同じであっても互いに異なっていてもよく、水素、置換基を有してもよい炭化水素基であり、Ｒ３２とＲ３３、　Ｒ３３と　Ｒ３４、Ｒ３２と　Ｒ３４、Ｒ３２と　Ｒ３３と　Ｒ３４それぞれが一緒になって置換基を有してもよい炭化水素環を形成してもよい。Ｚ−は対アニオンを示す。）
【００７５】
ここで上記一般式（２７）〜（２９）中の置換基を有してもよい炭化水素基、置換基を有してもよい芳香族炭化水素基あるいは置換基を有してもよい複素環基はすでに説明してある基から選ばれる。
置換基を有してもよいカルボニル基は、カルボニル基にさらにアルキル基、アルケニル基、シクロアルキル基、アリール基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、アシルオキシ基、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基等の許容される各種置換基を有するスルホニル基から選択される。
置換基を有してもよいスルホニル基はスルホニル基にさらにアルキル基、アルケニル基、シクロアルキル基、アリール基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、アシルオキシ基、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基等の許容される各種置換基を有するスルホニル基から選択される。
【００７６】
そして、Ｒ３０とＲ３１が共に結合し形成される環としては、炭化水素から構成される単環あるいは縮合環、さらには異種原子を含む複素環縮合環を例示できる。これら環には、アルキル基、アルケニル基、シクロアルキル基、アリール基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、アシルオキシ基、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基等の許容される各種置換基を有していてもよい。
【００７７】
また、Ｒ３２とＲ３３、　Ｒ３３と　Ｒ３４、Ｒ３２と　Ｒ３４、Ｒ３２と　Ｒ３３と　Ｒ３４それぞれが一緒になって形成される炭化水素環には、さらにアルキル基、アルケニル基、シクロアルキル基、アリール基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、アシルオキシ基、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基等の許容される各種置換基を有していてもよい。
【００７８】
本発明では、下記一般式（３０）、（３１）、（３２）、（３３）で表されるフッ素化剤を採用することが好ましい。
2004010555.tif 000025
2004010555.tif 000026
2004010555.tif 000027
2004010555.tif 000028
【００７９】
（式中、Ｒ３５〜Ｒ４２は、同じであっても互いに異なっていてもよく、水素、置換基を有してもよい、鎖状または環状の炭化水素基、芳香族炭化水素基、もしくは複素環基であり、Ｒ３５とＲ３６、Ｒ３７とＲ３８、Ｒ３９とＲ４０、Ｒ４１とＲ４２が一緒になって置換基を有してもよい炭素環を形成してもよい。）
【００８０】
ここで上記一般式（３０）〜（３３）中の置換基を有してもよい、鎖状または環状の炭化水素基、芳香族炭化水素基、もしくは複素環基の具体例はすでに説明してある基から選択すればよい。
【００８１】
本発明ではまた下記一般式（３４）、（３５）、（３６）で表されるフッ素化剤を用いることも好適である。
2004010555.tif 000029
2004010555.tif 000030
2004010555.tif 000031
（式中、Ｒ４３〜　Ｒ６０は、同じであっても互いに異なっていてもよく、水素基もしくは、置換基を有してもよい、鎖状または環状の炭化水素基、芳香族炭化水素基、もしくは複素環基であり、Ｚ−は対アニオンを示す。）
【００８２】
ここで上記一般式（３４）〜（３６）中の置換基を有してもよい鎖状または環状の炭化水素基、芳香族炭化水素基、もしくは複素環基の具体例はすでに説明してある基から選択すればよい。
【００８３】
上記一般式（２９）、（３４）〜（３６）中の対アニオンとしては、ＯＨ−、　［ＯＲ２２］−、　［Ｒ２３ＨＮ］−、　［Ｒ２４Ｒ２５Ｎ］−、　Ｈ２Ｎ−、　［Ｒ２６Ｒ２７Ｒ２８ＳｉＯ］−、　Ｆ−、　Ｂｒ−、　Ｃｌ−、　Ｉ−、　Ｉ３−、　ＣＨ３ＣＯＯ−、　ＣＦ３ＣＯＯ−、　ＣＦ３ＣＦ２ＣＯＯ−、　ＣＦ３ＣＦ２ＣＦ２ＣＯＯ−、　ＣＦ３ＳＯ３−、　ｐ−ＣＨ３Ｃ６Ｈ４ＳＯ３−、　ＣｌＯ４−、　ＮＯ３−、　ＳＯ４２−、　ＣＯ３２−、　ＰＯ４３−、　ＢＦ４−、　Ｂ（Ｃ６Ｈ５）４−、　Ｂ［３，５−（ＣＦ３）２Ｃ６Ｈ３］３−、　ＰＦ６−、　ＳｂＦ６−、　ＡｓＦ６−などが挙げられる。ここでＲ２２、　Ｒ２３、　Ｒ２４、　Ｒ２５、　Ｒ２６、　Ｒ２７、　Ｒ２８は、前記と同じ意味である。
【００８４】
上記フッ素化剤は、市販のものをそのまま使用することも出来るが、公知の方法に従って合成することも出来る。また、一般式（２３）〜（３６）で表される親電子性フッ素化剤は、市販のものをそのまま使用することも出来るが、公知の方法［Ｃｈｅｍ．　Ｒｅｖ．，　９６，　１７３７　（１９９６）及びその引用文献記載の方法］に従って合成することも出来る。
【００８５】
以下、本発明の一般式（４）で表される光学活性化合物の製造方法について説明する。
一般式（４）で表される光学活性化合物は、一般式（１）で表される化合物と一般式（２３）〜（３６）で表されるフッ素化剤を、一般式（２）、（３）で表される不斉遷移金属錯体、もしくは反応系中で調整した不斉遷移金属錯体からなる触媒の存在下反応させることにより製造できる。
反応に用いられるフッ素化剤の使用量は基質に対して１〜２当量、好ましくは１〜１．５当量である。
【００８６】
反応に用いる溶媒としては、反応に関与しない不活性な溶媒であればよく、例えば、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、ホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（ＤＭＡ）、１−メチル−２−ピロリジノン（ＮＭＰ）、ヘキサメチル燐酸トリアミド（ＨＭＰＡ）などのアミド系溶媒、テトラメチルウレア（ＴＭＵ）、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン（ＤＭＩ）などのウレア系溶媒、アセトニトリルなどのニトリル系溶媒、ジメチルスルホキシドなどのスルホキシド系溶媒、ジクロロメタン、１，２−ジクロロエタン、クロロホルム、四塩化炭素、ベンゾトリフルオリドなどのハロゲン化炭化水素系溶媒、ペンタン、ヘキサン、ベンゼン、トルエンなどの炭化水素系溶媒、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、テトラヒドロフラン、１，４−ジオキサン、ジオキソランなどのエーテル系溶媒、アセトンなどのケトン系溶媒、メタノール、エタノール、イソプロパノールなどのアルコール系溶媒、水、１−ブチル−３−メチル−１Ｈ−イミダゾール−テトラフルオロボレートなどのイオン性液体等、あるいはそれらの混合溶媒が用いられ、好ましくはケトン系溶媒、エーテル系溶媒等を挙げることが出来る。
【００８７】
反応の用いられる不斉遷移金属錯体触媒の使用量は触媒量でよく、基質に対して０．１〜３０モル％、好ましくは５〜２０モル％の触媒が用いられる。
【００８８】
反応は−２０℃から溶媒の沸点までの適切な温度で行うことができ、−１０℃〜３０℃が好ましい。以下、実施例により本発明を詳細に説明するが、本発明はこれらに限定するものではないことは言うまでも無い。
【００８９】
なお、本発明では、とくに記載がない限り、アルキル基は炭素数が１ないし５の飽和炭化水素基を示し、アルケニル基は二重結合を有する炭素数が１ないし５の炭化水素基を示し、アルキニル基は三重結合を有する炭素数が１ないし５の炭化水素基を示し、シクロアルキル基は炭素数が５ないし７の飽和環状炭化水素基を示し、シクロアルケニル基は二重結合を有する炭素数が５ないし７の環状炭化水素基を示し、アルコキシ基は炭素数が１ないし５のアルコキシ基を示し、アシル基は炭素数が１ないし２０のアシル基を示す。
【００９０】
【実施例】以下実施例で本発明を説明する。鏡像体過剰率はガスクロマトグラフィー（ＧＣ）分析（ＣＨＩＲＡＳＩＬ−ＤＥＸ−ＣＢ、Ｃｈｉｒａｌ　Ｄｅｘ　Ｂ−ＴＡあるいは、ＣＨＩＲＡＬ　ＤＥＸ−Ｇ−ＴＡ）及び光学異性体分離カラムを用いた高速液体クロマトグラフィー（カラム：ＣＨＩＲＡＬＰＡＫ　ＡＤ、　ｈｅｘａｎｅ　／イソプロピルアルコール＝１４９　／　１、流速０．４４　ｍｌ／ｍｉｎ、　２８０　ｎｍ）により決定した。
【００９１】参考例１
ＰｄＣｌ２（（Ｒ）−ｂｉｎａｐ）の合成　（Ｊ．　Ａｍ．　Ｃｈｅｍ．　Ｓｏｃ．，　１２１，　５４５０　（１９９９）に従って合成）
2004010555.tif 000032
【００９２】
ジクロロビス（アセトニトリル）パラジウム（９２０　ｍｇ，　３．５５　ｍｍｏｌ）のベンゼン（４０　ｍｌ）懸濁液に、（Ｒ）−（＋）−２，　２’−ビス（ジフェニルホスフィノ）−１，１’−ビナフチル（２．２１　ｇ、　３．５５　ｍｍｏｌ）を加え室温で１３時間撹拌した。反応液をろ過した後、結晶を乾燥して目的物を黄色結晶（２．８０　ｇ）として得た。
【００９３】参考例２
［Ｐｄ（（Ｒ）−ｂｉｎａｐ）（ＯＨ２）２］２＋（ＯＴｆ−）２の合成（Ｊ．　Ａｍ．　Ｃｈｅｍ．　Ｓｏｃ．，　１２１，　５４５０　（１９９９）に従って合成）
2004010555.tif 000033
【００９４】
参考例１により調製されたＰｄＣｌ２（（Ｒ）−ｂｉｎａｐ）（２．８０　ｇ，　３．５０　ｍｍｏｌ）とトリフルオロメタンスルフォン酸銀（１．８０　ｇ、　７．０　ｍｍｏｌ）にアセトン（１５７　ｍｌ）と蒸留水（０．７８　ｍｌ）の混合溶液を加え、室温で４０分間撹拌した後、１０分間静置した。析出した銀塩をろ過した後、濾液を濃縮して目的物を黄色結晶（３．４０　ｇ）として得た。
１９ＦＮＭＲ　（５００ＭＨｚ）　：δ（ＣＤＣｌ３）　３５．１１６　ｐｐｍ
【００９５】参考例３　　　ＰｄＣｌ２（（Ｓ）−ｄｍ−ｂｉｎａｐ）の合成
2004010555.tif 000034
式中、Ａｒ１は３，５−ジメチル−フェニル基を示す。以下同じ。
【００９６】
ジクロロビス（アセトニトリル）パラジウム（９２０　ｍｇ、　３．５５　ｍｍｏｌ）のベンゼン（４０　ｍｌ）懸濁液に、（Ｓ）−（−）−２，　２’−ビス（ジ（３，　５−ジメチルフェニル）ホスフィノ）−１，　１’−ビナフチル（２．６１　ｇ、　３．５５　ｍｍｏｌ）を加え室温で１３時間撹拌した。反応液を濃縮して目的物をオレンジ色の結晶（３．２４　ｇ）として得た。
【００９７】参考例４　　［Ｐｄ（（Ｓ）−ｄｍ−ｂｉｎａｐ）（ＯＨ２）２］２＋（ＯＴｆ−）２の合成
2004010555.tif 000035
【００９８】
ＰｄＣｌ２（（Ｓ）−ｄｍ−ｂｉｎａｐ）（３．２４　ｇ、　３．５５　ｍｍｏｌ）とトリフルオロメタンスルフォン酸銀（１．８２　ｇ、　７．１０　ｍｍｏｌ）にアセトン（１８１　ｍｌ）と蒸留水（０．９　ｍｌ）の混合溶液を加え、室温で４０分間撹拌した後、１０分間静置した。析出した銀塩をろ過した後、濾液を濃縮して目的物をオレンジ色の結晶（３．８８　ｇ）として得た。
１９ＦＮＭＲ　（５００ＭＨｚ）　：δ（ＣＤＣｌ３）　３５．８５９　ｐｐｍ
【００９９】参考例５　ＰｄＣｌ２（（Ｒ）−ｓｅｇｐｈｏｓの合成
2004010555.tif 000036
【０１００】
クロロビス（アセトニトリル）パラジウム（９２０　ｍｇ、　３．５５　ｍｍｏｌ）のベンゼン（４０　ｍｌ）懸濁液に、（Ｒ）−（＋）−（４，　４’−ビ−１，　３−ベンゾジオキソール）−５，　５’−ジイル−ビス（ジフェニルホスフィン）（２．１７　ｇ、　３．５５　ｍｍｏｌ）を加え室温で１３時間撹拌した。反応液をろ過した後、結晶を乾燥して目的物を黄色結晶目的物を黄色結晶（２．７９　ｇ）として得た。
【０１０１】参考例６　［Ｐｄ（（Ｒ）−ｓｅｇｐｈｏｓ）（ＯＨ２）２］２＋（ＯＴｆ−）２の合成
2004010555.tif 000037
【０１０２】ＰｄＣｌ２（（Ｒ）−ｓｅｇｐｈｏｓ）（２．７９　ｇ、　３．５４　ｍｍｏｌ）とトリフルオロメタンスルフォン酸銀（１．８２　ｇ、　７．０８ｍｍｏｌ）にアセトン（１５６　ｍｌ）と蒸留水（０．７８　ｍｌ）の混合溶液を加え、室温で４０分間撹拌した後、１０分間静置した。析出した銀塩をろ過した後、濾液を濃縮して目的物をオレンジ色の結晶（３．７２　ｇ）として得た。
１９ＦＮＭＲ　（５００ＭＨｚ）　：δ（ＣＤＣｌ３）　３３．４９８　ｐｐｍ
【０１０３】参考例７　ＰｄＣｌ２（（Ｒ）−ｄｔｂｍ−ｓｅｇｐｈｏｓ）の合成
2004010555.tif 000038
式中、Ａｒ２は３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−メトキシ−フェニル基を示す。以下同じ。
【０１０４】
クロロビス（アセトニトリル）パラジウム（９２０　ｍｇ、　３．５５　ｍｍｏｌ）のベンゼン（４０　ｍｌ）懸濁液に、（Ｒ）−（−）−（４，　４’−ビ−１，　３−ベンゾジオキソール）−５，　５’−ジイル−ビス（ジ（４−メトキシ−３，　５−ジターシャリーブチルフェニル）ホスフィン）（４．１８　ｇ、　３．５５　ｍｍｏｌ）を加え室温で１３時間撹拌した。反応液を濃縮して目的物を黄色結晶（４．８１　ｇ）として得た。
【０１０５】参考例８　［Ｐｄ（（Ｒ）−ｄｔｂｍ−ｓｅｇｐｈｏｓ）（ＯＨ２）２］２＋（ＯＴｆ−）２の合成
2004010555.tif 000039
【０１０６】ＰｄＣｌ２（（Ｒ）−ｄｔｂｍ−ｓｅｇｐｈｏｓ）（４．８１　ｇ、　３．５５　ｍｍｏｌ）とトリフルオロメタンスルフォン酸銀（１．８２　ｇ、　７．１０　ｍｍｏｌ）にアセトン（２６９　ｍｌ）と蒸留水（１．３５　ｍｌ）の混合溶液を加え、室温で４０分間撹拌した後、１０分間静置した。析出した銀塩をろ過した後、濾液を濃縮して目的物を黄色結晶（５．６０　ｇ）として得た。
１９ＦＮＭＲ　（５００ＭＨｚ）　：δ（ＣＤＣｌ３）　３４．３５３　ｐｐｍ
【０１０７】参考例９　　［｛Ｐｄ（（Ｒ）−ｄｔｂｍ−ｓｅｇｐｈｏｓ）（μ−ＯＨ）｝２］２＋（ＯＴｆ−）２の合成
2004010555.tif 000040
【０１０８】
［Ｐｄ（（Ｒ）−ｄｔｂｍ−ｓｅｇｐｈｏｓ）（ＯＨ２）２］２＋（ＯＴｆ−）２（３４０　ｍｇ、　０．２１　ｍｍｏｌ）の塩化メチレン（４．４２　ｍｌ）溶液に０．１　Ｎ　ＮａＯＨ水溶液（２．１　ｍｌ、　０．２１　ｍｍｏｌ）を加え、室温で４時間撹拌した後、分液し有機層を蒸留水（２　ｍｌ）で更に分液した。有機層を濃縮して目的物をオレンジ色の結晶（２８１．５　ｍｇ）として得た。
１９ＦＮＭＲ　（５００ＭＨｚ）　：δ（ＣＤＣｌ３）　３０．８０１　ｐｐｍ
【０１０９】実施例１　　１−フルオロ−２−オキソ−シクロペンタンカルボキシリックアシッド　ｔｅｒｔ−ブチルエステルの合成
2004010555.tif 000041
【０１１０】窒素雰囲気下、［｛Ｐｄ（（Ｒ）−ｄｔｂｍ−ｓｅｇｐｈｏｓ）（μ−ＯＨ）｝２］２＋（ＯＴｆ−）２（２９．２　ｍｇ、　０．０２　ｍｍｏｌ）をアセトン（０．２　ｍｌ）に溶解し５℃に冷却する。そこへ２−オキソ−シクロペンタンカルボキシリックアシッド　ｔｅｒｔ−ブチルエステル（３７　ｍｇ、　０．２　ｍｍｏｌ）を加え１０分間撹拌する。窒素気流下Ｎ−フルオロベンゼンスルフォンイミド（９５　ｍｇ、　０．３　ｍｍｏｌ）を加え、５℃で３９時間撹拌した。反応終了後、反応液に飽和塩化アンモニウム水溶液を加え、酢酸エチルで抽出する。有機層を減圧下に留去した後、得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン：ジエチルエーテル＝５：１）で分離精製し、目的の１−フルオロ−２−オキソ−シクロペンタンカルボキシリックアシッド　ｔｅｒｔ−ブチルエステル（３２　ｍｇ、　７９％）を得た。この鏡像体過剰率は、光学異性体分離カラムを用いたガスクロマトグラフィー（カラム：Ｃｈｉｒａｌ　Ｄｅｘ　Ｂ−ＴＡ）を用いて測定したところ、９５．６％　ｅｅであった。得られたフッ素化合物のスペクトルデータは次のとおりであった。フッ素化合物：１ＨＮＭＲ　（４００ＭＨｚ）　：δ（ＣＤＣｌ３）　１．５０　（９Ｈ，　ｓ），　２．０８−２．１５（２Ｈ，　ｍ），　２．２２−２．３２（１Ｈ，　ｍ），　２．４５−２．４８（２Ｈ，　ｍ），　２．４５−２．５５（１Ｈ，　ｍ）
【０１１１】実施例２　　１−フルオロ−２−オキソ−シクロペンタンカルボキシリックアシッド　ｔｅｒｔ−ブチルエステルの合成
窒素雰囲気下、［Ｐｄ（（Ｒ）−ｄｔｂｍ−ｓｅｇｐｈｏｓ）（ＯＨ２）２］２＋（ＯＴｆ−）２　（１６．３　ｍｇ、　０．０１　ｍｍｏｌ）をＴＨＦ（０．２　ｍｌ）に溶解し−２０℃に冷却する。そこへ２−オキソ−シクロペンタンカルボキシリックアシッド　ｔｅｒｔ−ブチルエステル（３７　ｍｇ、　０．２　ｍｍｏｌ）を加え１０分間撹拌する。窒素気流下Ｎ−フルオロベンゼンスルフォンイミド（９５　ｍｇ、　０．３　ｍｍｏｌ）を加え、０℃で７２時間撹拌した。反応終了後、反応液に飽和塩化アンモニウム水溶液を加え、酢酸エチルで抽出する。有機層を減圧下に留去した後、得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン：ジエチルエーテル＝５：１）で分離精製し、目的の１−フルオロ−２−オキソ−シクロペンタンカルボキシリックアシッド　ｔｅｒｔ−ブチルエステル（３６　ｍｇ、　８９％）を得た。この鏡像体過剰率は、光学異性体分離カラムを用いたガスクロマトグラフィー（カラム：Ｃｈｉｒａｌ　Ｄｅｘ　Ｂ−ＴＡ）を用いて測定したところ、８９．７％　ｅｅであった。得られたフッ素化合物のスペクトルデータは実施例１のデータと一致した。
【０１１２】実施例３　　１−フルオロ−２−オキソ−シクロペンタンカルボキシリックアシッド　ｔｅｒｔ−ブチルエステルの合成
窒素雰囲気下、［Ｐｄ（（Ｓ）−ｄｍ−ｂｉｎａｐ）（ＯＨ２）２］２＋（ＯＴｆ−）２　（１１．８　ｍｇ、　０．０１　ｍｍｏｌ）をＴＨＦ（０．２　ｍｌ）に溶解し−２０℃に冷却する。そこへ２−オキソ−シクロペンタンカルボキシリックアシッド　ｔｅｒｔ−ブチルエステル（３７　ｍｇ、　０．２　ｍｍｏｌ）を加え１０分間撹拌する。窒素気流下Ｎ−フルオロベンゼンスルフォンイミド（９５　ｍｇ、　０．３　ｍｍｏｌ）を加え、−２０℃で３９時間撹拌した。反応終了後、反応液に飽和塩化アンモニウム水溶液を加え、酢酸エチルで抽出する。有機層を減圧下に留去した後、得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン：ジエチルエーテル＝５：１）で分離精製し、目的の１−フルオロ−２−オキソ−シクロペンタンカルボキシリックアシッド　ｔｅｒｔ−ブチルエステル（４０．２　ｍｇ、　９９％）を得た。この鏡像体過剰率は、光学異性体分離カラムを用いたガスクロマトグラフィー（カラム：Ｃｈｉｒａｌ　Ｄｅｘ　Ｂ−ＴＡ）を用いて測定したところ、８７．９％　ｅｅであった。得られたフッ素化合物のスペクトルデータは実施例１のデータと一致した。
【０１１３】実施例４　　１−フルオロ−２−オキソ−シクロペンタンカルボキシリックアシッド　ｔｅｒｔ−ブチルエステルの合成
窒素雰囲気下、［Ｐｄ（（Ｒ）−ｂｉｎａｐ）（ＯＨ２）２］２＋（ＯＴｆ−）２　（１０．６　ｍｇ、　０．０１　ｍｍｏｌ）をＴＨＦ（０．２　ｍｌ）に溶解し−２０℃に冷却する。そこへ２−オキソ−シクロペンタンカルボキシリックアシッド　ｔｅｒｔ−ブチルエステル（３７　ｍｇ、　０．２　ｍｍｏｌ）を加え１０分間撹拌する。窒素気流下Ｎ−フルオロベンゼンスルフォンイミド（９５　ｍｇ、　０．３　ｍｍｏｌ）を加え、−２０℃で１２時間撹拌した。反応終了後、反応液に飽和塩化アンモニウム水溶液を加え、酢酸エチルで抽出する。有機層を減圧下に留去した後、得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン：ジエチルエーテル＝５：１）で分離精製し、目的の１−フルオロ−２−オキソ−シクロペンタンカルボキシリックアシッド　ｔｅｒｔ−ブチルエステル（２９　ｍｇ、　７２％）を得た。この鏡像体過剰率は、光学異性体分離カラムを用いたガスクロマトグラフィー（カラム：Ｃｈｉｒａｌ　Ｄｅｘ　Ｂ−ＴＡ）を用いて測定したところ、７９．２％　ｅｅであった。得られたフッ素化合物のスペクトルデータは実施例１のデータと一致した。
【０１１４】実施例５　　１−フルオロ−２−オキソ−シクロペンタンカルボキシリックアシッド　ｔｅｒｔ−ブチルエステルの合成
窒素雰囲気下、［Ｐｄ（（Ｒ）−ｓｅｇｐｈｏｓ）（ＯＨ２）２］２＋（ＯＴｆ−）２　（１０．６　ｍｇ、　０．０１　ｍｍｏｌ）をＴＨＦ（０．２　ｍｌ）に溶解し−２０℃に冷却する。そこへ２−オキソ−シクロペンタンカルボキシリックアシッド　ｔｅｒｔ−ブチルエステル（３７　ｍｇ、　０．２　ｍｍｏｌ）を加え１０分間撹拌する。窒素気流下Ｎ−フルオロベンゼンスルフォンイミド（９５　ｍｇ、　０．３　ｍｍｏｌ）を加え、−２０℃で３９時間撹拌した。反応終了後、反応液に飽和塩化アンモニウム水溶液を加え、酢酸エチルで抽出する。有機層を減圧下に留去した後、得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン：ジエチルエーテル＝５：１）で分離精製し、目的の１−フルオロ−２−オキソ−シクロペンタンカルボキシリックアシッド　ｔｅｒｔ−ブチルエステル（３３．１　ｍｇ、　８２％）を得た。この鏡像体過剰率は、光学異性体分離カラムを用いたガスクロマトグラフィー（カラム：Ｃｈｉｒａｌ　Ｄｅｘ　Ｂ−ＴＡ）を用いて測定したところ、７１．１％　ｅｅであった。得られたフッ素化合物のスペクトルデータは実施例１のデータと一致した。
【０１１５】実施例６　　２−フルオロ−２−メチル−３−オキソ−３−フェニル−プロピオニックアシッド　エチルエステルの合成
2004010555.tif 000042
【０１１６】窒素雰囲気下、［Ｐｄ（（Ｓ）−ｄｍ−ｂｉｎａｐ）（ＯＨ２）２］２＋（ＯＴｆ−）２　（１１．８　ｍｇ、　０．０１　ｍｍｏｌ）をＴＨＦ（０．２　ｍｌ）に溶解し−２０℃に冷却する。そこへ２−メチル−３−オキソ−３−フェニル−プロピオニックアシッド　エチルエステル（４５　ｍｇ、　０．２２　ｍｍｏｌ）を加え１０分間撹拌する。窒素気流下Ｎ−フルオロベンゼンスルフォンイミド（９５　ｍｇ、　０．３　ｍｍｏｌ）を加え、５℃で２２時間撹拌した後２０℃まで昇温し、さらに７６時間撹拌した。反応終了後、反応液に飽和塩化アンモニウム水溶液を加え、酢酸エチルで抽出する。有機層を減圧下に留去した後、得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン：ジエチルエーテル＝５：１）で分離精製し、目的の２−フルオロ−２−メチル−３−オキソ−３−フェニル−プロピオニックアシッド　エチルエステル（４４　ｍｇ、　９０％）を得た。この鏡像体過剰率は、光学異性体分離カラムを用いたガスクロマトグラフィー（カラム：ＣＨＩＲＡＳＩＬ−ＤＥＸ−ＣＢ）を用いて測定したところ、６７．３％　ｅｅであった。得られたフッ素化合物のスペクトルデータは次のとおりであった。
フッ素化合物：１ＨＮＭＲ　（２００ＭＨｚ）　：δ（ＣＤＣｌ３）　１．２０　（３Ｈ、　ｔ，　Ｊ　＝　７．２Ｈｚ），　１．８７　（３Ｈ，　ｄ，　Ｊ　＝　２２．６Ｈｚ），　４．２６　（２Ｈ，　ｑ，　Ｊ　＝　７．２Ｈｚ），　７．４２−７．６３　（３Ｈ，　ｍ），　８．０２−８．０８　（２Ｈ，　ｍ）
【０１１７】実施例７　　２−フルオロ−２−メチル−３−オキソ−３−フェニル−プロピオニックアシッド　ｔｅｒｔ−ブチルエステルの合成
2004010555.tif 000043
【０１１８】窒素雰囲気下、［Ｐｄ（（Ｓ）−ｄｍ−ｂｉｎａｐ）（ＯＨ２）２］２＋（ＯＴｆ−）２　（１１．８　ｍｇ，　０．０１　ｍｍｏｌ）をＴＨＦ（０．２　ｍｌ）に溶解し５℃に冷却する。そこへ２−メチル−３−オキソ−３−フェニル−プロピオニックアシッド　ｔｅｒｔ−ブチルエステル（４７　ｍｇ、　０．２　ｍｍｏｌ）を加え１０分間撹拌する。窒素気流下Ｎ−フルオロベンゼンスルフォンイミド（９５　ｍｇ、　０．３　ｍｍｏｌ）を加え、２０℃で４２時間撹拌した後３０℃まで昇温し、さらに２１３時間撹拌した。反応終了後、反応液に飽和塩化アンモニウム水溶液を加え、酢酸エチルで抽出する。有機層を減圧下に留去した後、得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン：ジエチルエーテル＝５：１）で分離精製し、目的の２−フルオロ−２−メチル−３−オキソ−３−フェニル−プロピオニックアシッド　ｔｅｒｔ−ブチルエステル（３４　ｍｇ、　６３％）を得た。この鏡像体過剰率は、光学異性体分離カラムを用いたガスクロマトグラフィー（カラム：ＣＨＩＲＡＳＩＬ−ＤＥＸ−ＣＢ）を用いて測定したところ、８１．９％　ｅｅであった。得られたフッ素化合物のスペクトルデータは次のとおりであった。
【０１１９】フッ素化合物：１ＨＮＭＲ　（２００ＭＨｚ）　：δ（ＣＤＣｌ３）　１．３７　（９Ｈ、　ｓ），　１．８２（３Ｈ，　ｄ，　Ｊ　＝　２２．４Ｈｚ），　７．２６−７．５８　（３Ｈ，　ｍ），　８．０１−８．０６　（２Ｈ，　ｍ）
【０１２０】実施例８　　２−フルオロ−２−メチル−３−オキソ−ブチリックアシッド　ｔｅｒｔ−ブチルエステルの合成
2004010555.tif 000044
【０１２１】窒素雰囲気下、［Ｐｄ（（Ｓ）−ｄｍ−ｂｉｎａｐ）（ＯＨ２）２］２＋（ＯＴｆ−）２　（１１．８　ｍｇ、　０．０１　ｍｍｏｌ）をＴＨＦ（０．２　ｍｌ）に溶解し５℃に冷却する。そこへ２−メチル−３−オキソ−ブチリックアシッド　ｔｅｒｔ−ブチルエステル　（３５　ｍｇ、　０．２　ｍｍｏｌ）を加え１０分間撹拌する。窒素気流下Ｎ−フルオロベンゼンスルフォンイミド（９５　ｍｇ、　０．３ｍｍｏｌ）を加え、２０℃で４６時間撹拌した。反応終了後、反応液に飽和塩化アンモニウム水溶液を加え、酢酸エチルで抽出する。有機層を減圧下に留去した後、得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン：ジエチルエーテル＝５：１）で分離精製し、目的の２−フルオロ−２−メチル−３−オキソ−ブチリックアシッド　ｔｅｒｔ−ブチルエステル（１６　ｍｇ、　４１％）を得た。この鏡像体過剰率は、光学異性体分離カラムを用いたガスクロマトグラフィー（カラム：ＣＨＩＲＡＬＤＥＸ−Ｇ−ＴＡ）を用いて測定したところ、８０．５％　ｅｅであった。得られたフッ素化合物のスペクトルデータは次のとおりであった。
フッ素化合物：１ＨＮＭＲ　（２００ＭＨｚ）　：δ（ＣＤＣｌ３）　１．４８　（９Ｈ，　ｓ），　１．６３　（３Ｈ，　ｄ，　Ｊ　＝　２２．２Ｈｚ），　２．３０　（３Ｈ，　ｄ，　Ｊ　＝　４．４Ｈｚ）
【０１２２】実施例９　　２−フルオロ−２−メチル−３−オキソ−ブチリックアシッド　ｔｅｒｔ−ブチルエステルの合成
窒素雰囲気下、［Ｐｄ（（Ｒ）−ｄｔｂｍ−ｓｅｇｐｈｏｓ）（ＯＨ２）２］２＋（ＯＴｆ−）２　（１６．３　ｍｇ、　０．０１　ｍｍｏｌ）をｔＢｕＯＨ（０．２　ｍｌ）に溶解し３０℃に加温する。そこへ２−メチル−３−オキソ−ブチリックアシッド　ｔｅｒｔ−ブチルエステル　（３５　ｍｇ、　０．２　ｍｍｏｌ）を加え１０分間撹拌する。窒素気流下Ｎ−フルオロベンゼンスルフォンイミド（９５　ｍｇ、　０．３　ｍｍｏｌ）を加え、３０℃で１３６時間撹拌した。反応終了後、反応液に飽和塩化アンモニウム水溶液を加え、酢酸エチルで抽出する。有機層を減圧下に留去した後、得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン：ジエチルエーテル＝５：１）で分離精製し、目的の２−フルオロ−２−メチル−３−オキソ−ブチリックアシッド　ｔｅｒｔ−ブチルエステル（１７　ｍｇ、　４６％）を得た。この鏡像体過剰率は、光学異性体分離カラムを用いたガスクロマトグラフィー（カラム：ＣＨＩＲＡＬＤＥＸ−Ｇ−ＴＡ）を用いて測定したところ、８９．２％　ｅｅであった。得られたフッ素化合物のスペクトルデータは実施例８のデータと一致した。
【０１２３】実施例１０　　１−フルオロ−２−オキソ−シクロヘキサンカルボキシリックアシッド　ｔｅｒｔ−ブチルエステルの合成
【０１２４】
2004010555.tif 000045
【０１２５】窒素雰囲気下、［Ｐｄ（（Ｒ）−ｂｉｎａｐ）（ＯＨ２）２］２＋（ＯＴｆ−）２　（１０．６　ｍｇ、　０．０１　ｍｍｏｌ）をＴＨＦ（０．２　ｍｌ）に溶解し−１０℃に冷却する。そこへ２−オキソ−シクロヘキサンカルボキシリックアシッド　ｔｅｒｔ−ブチルエステル（４０　ｍｇ、　０．２　ｍｍｏｌ）を加え１０分間撹拌する。窒素気流下Ｎ−フルオロベンゼンスルフォンイミド（７６　ｍｇ、　０．２４　ｍｍｏｌ）を加え、−１０℃で５０時間撹拌した。反応終了後、反応液に飽和塩化アンモニウム水溶液を加え、塩化メチレンで抽出する。有機層を減圧下に留去した後、得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン：ジエチルエーテル＝２０：１）で分離精製し、目的の１−フルオロ−２−オキソ−シクロヘキサンカルボキシリックアシッド　ｔｅｒｔ−ブチルエステル（４０　ｍｇ、　９３％）を得た。この鏡像体過剰率は、光学異性体分離カラムを用いた高速液体クロマトグラフィー（カラム：ＣＨＩＲＡＬＰＡＫ　ＡＤ、　ｈｅｘａｎｅ　／イソプロピルアルコール＝１４９　／１，流速０．４４　ｍｌ／ｍｉｎ，　２８０　ｎｍ）を用いて測定したところ、８０％　ｅｅであった。フッ素化合物：１ＨＮＭＲ　（４００ＭＨｚ）　：δ（ＣＤＣｌ３）　１．５１　（９Ｈ，　ｓ），　１．８０−２．１１　（５Ｈ，　ｍ），　２．４０−２．５１（１Ｈ，　ｍ），　２．５５−２．６２　（１Ｈ，　ｍ），　２．６５−２．７２　（１Ｈ，　ｍ）
【０１２６】実施例１１　　１−フルオロ−２−オキソ−シクロヘキサンカルボキシリックアシッド　ｔｅｒｔ−ブチルエステルの合成
窒素雰囲気下、［Ｐｄ（（Ｒ）−ｂｉｎａｐ）（ＯＨ２）２］２＋（ＯＴｆ−）２　（１０．６　ｍｇ、　０．０１　ｍｍｏｌ）をアセトン（０．２　ｍｌ）に溶解し０℃に冷却する。そこへ２−オキソ−シクロヘキサンカルボキシリックアシッド　ｔｅｒｔ−ブチルエステル（４０　ｍｇ、　０．２　ｍｍｏｌ）を加え１０分間撹拌する。窒素気流下Ｎ−フルオロベンゼンスルフォンイミド（７６　ｍｇ、　０．２４　ｍｍｏｌ）を加え、０℃で７２時間撹拌した。反応終了後、反応液に飽和塩化アンモニウム水溶液を加え、塩化メチレンで抽出する。有機層を減圧下に留去した後、得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン：ジエチルエーテル＝２０：１）で分離精製し、目的の１−フルオロ−２−オキソ−シクロヘキサンカルボキシリックアシッド　ｔｅｒｔ−ブチルエステル（３７　ｍｇ、　８６％）を得た。この鏡像体過剰率は、光学異性体分離カラムを用いた高速液体クロマトグラフィー（カラム：ＣＨＩＲＡＬＰＡＫ　ＡＤ，　ｈｅｘａｎｅ　／イソプロピルアルコール＝１４９　／　１，流速０．４４　ｍｌ／ｍｉｎ，　２８０　ｎｍ）を用いて測定したところ、７８％　ｅｅであった。得られたフッ素化合物のスペクトルデータは実施例１０のデータと一致した。
【０１２７】
【発明の効果】本発明により、光学活性ホスフィン配位子の遷移金属錯体の存在下に汎用性の高い基質から光学純度の高い光学活性なα−フッ素化合物を簡単に調製できるの製造方法が提供された。この方法により、安価で汎用性のある基質を出発物質として、従来より飛躍的に優れた不斉収率で目的物を得ることが出来る。この光学活性なα−フッ素化合物はいろいろな用途があるが、とくに各種医薬、農薬、あるいは多くの汎用化学品の合成中間体として有効である。