(57)【要約】【課題】本発明は新規な太陽電池用基板およびその製造方法、ならびにそれを用いた太陽電池を提供する。【解決手段】光吸収層として機能する半導体層を備える太陽電池用の基板であって、導電性の基体１１と基体１１上に形成された１つの多層膜１２とを備え、多層膜１２は、基体１１と接する第１の絶縁層１２ａと、基体１１側とは反対側の表面に配置された第２の絶縁層１２ｂとを含む。そして、第１の絶縁層１２ａの空隙率が第２の絶縁層１２ｂの空隙率よりも大きい。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
光吸収層として機能する半導体層を備える太陽電池用の基板であって、
導電性の基体と前記基体上に形成された１つの多層膜とを備え、
前記多層膜は、前記基体と接する第１の絶縁層と、前記基体側とは反対側の表面に配置された第２の絶縁層とを含み、
前記第１の絶縁層の空隙率が前記第２の絶縁層の空隙率よりも大きいことを特徴とする太陽電池用基板。
【請求項２】
前記第１の絶縁層がゾルゲル法で形成された層である請求項１に記載の太陽電池用基板。
【請求項３】
前記第２の絶縁層がスパッタ法または液相析出法によって形成された層である請求項１または２に記載の太陽電池用基板。
【請求項４】
前記第１の絶縁層が、粒径１０ｎｍないし１００ｎｍの粒子の凝集体を含む請求項１ないし３のいずれかに記載の太陽電池用基板。
【請求項５】
前記第１の絶縁層が、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３およびＴｉＯ２から選ばれる少なくとも１つからなる請求項１ないし３のいずれかに記載の太陽電池用基板。
【請求項６】
前記第２の絶縁層が酸化物、窒化物またはフッ化物からなる請求項１ないし３のいずれかに記載の太陽電池用基板。
【請求項７】
前記第２の絶縁層が、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、ＴｉＮおよびフッ化鉄から選ばれる少なくとも１つからなる請求項１ないし３のいずれかに記載の太陽電池用基板。
【請求項８】
前記基体が可撓性を有する請求項１ないし７のいずれかに記載の太陽電池用基板。
【請求項９】
光吸収層として機能する半導体層を備える太陽電池用の基板の製造方法であって、
（ｉ）導電性の基体上に、ゾルゲル法によって第１の絶縁層を形成する工程と、
（ｉｉ）前記第１の絶縁層に直接または間接的に積層された第２の絶縁層を形成する工程とを含む太陽電池用基板の製造方法。
【請求項１０】
前記第２の絶縁層をスパッタ法または液相析出法で形成する請求項９に記載の太陽電池用基板の製造方法。
【請求項１１】
前記第１の絶縁層が、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３およびＴｉＯ２から選ばれる少なくとも１つからなる請求項９または１０に記載の太陽電池用基板の製造方法。
【請求項１２】
前記第２の絶縁層が酸化物、窒化物またはフッ化物からなる請求項９ないし１１のいずれかに記載の太陽電池用基板の製造方法。
【請求項１３】
前記第２の絶縁層が、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、ＴｉＮおよびフッ化鉄から選ばれる少なくとも１つからなる請求項９ないし１１のいずれかに記載の太陽電池用基板の製造方法。
【請求項１４】
基板と、前記基板上に順に積層された導電層と光吸収層として機能する半導体層とを備える太陽電池であって、
前記基板が請求項１ないし８のいずれかに記載の太陽電池用基板であることを特徴とする太陽電池。
【請求項１５】
前記導電層がＭｏからなる請求項１４に記載の太陽電池。
【請求項１６】
前記導電層および前記半導体層が短冊状に分割されており、
前記基板上に直列接続された複数のユニットセルが形成されている請求項１４に記載の太陽電池。
【請求項１７】
前記太陽電池用基板に含まれる前記基体が、ステンレスまたはアルミニウム合金からなる請求項１４に記載の太陽電池。
【請求項１８】
前記半導体層が、Ｉｂ族元素とＩＩＩｂ族元素とＶＩｂ族元素とを含む半導体からなる請求項１４または１５に記載の太陽電池。
【請求項１９】
前記半導体が、Ｃｕと、ＩｎおよびＧａから選ばれる少なくとも１つの元素と、ＳｅおよびＳから選ばれる少なくとも１つの元素とを含む請求項１８に記載の太陽電池。
【請求項２０】
前記太陽電池用基板に含まれる前記多層膜がＩａ族元素を含む請求項１９に記載の太陽電池。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、導電性の基体を用いた太陽電池用基板およびその製造方法、ならびにそれを用いた太陽電池に関する。
【０００２】
【従来の技術】
金属製の基板を用いた薄膜太陽電池は、基板の軽量性および可撓性（フレキシビリティー）という特徴から、広い用途への適用が可能である。さらに、金属製の基板は高温プロセスにも耐えうるという点で、太陽電池の高効率化が期待できる。
【０００３】
導電性の基板を用いた場合には、基板上で複数のユニットセルを直列接続し集積化することが困難になるという問題がある。これらの問題に対し、金属基板上に絶縁層を形成し、その上に電極層と光吸収層となるアモルファスＳｉ層とを形成する方法が開示されている（たとえば、特許文献１および２参照）。
【０００４】
一方、Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅ２（以下、ＣＩＧＳと記述する）に代表されるカルコパイライト構造半導体を光吸収層に用いた太陽電池が高い変換効率を示すことから注目されている。ＣＩＧＳを用いた太陽電池では、一般にガラス基板が基体として用いられている。また、軽量な太陽電池や可撓性を有する太陽電池の作製を目的として、ガラス基板以外にポリイミドやステンレスシートを用いた太陽電池も報告されている。
【０００５】
【特許文献１】
特開平０５−１２９６４１号公報
【０００６】
【特許文献２】
特開平１１−２６１０９０号公報
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
Ｉｂ族元素とＩＩＩｂ族元素とＶＩｂ族元素とを含む半導体（カルコパイライト構造半導体）を用いた太陽電池は、信頼性や特性のさらなる向上が求められている。
【０００８】
このような状況に鑑み、本発明は新規な太陽電池用基板およびその製造方法、ならびにそれを用いた太陽電池を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明の太陽電池用基板は、光吸収層として機能する半導体層を備える太陽電池用の基板であって、導電性の基体と前記基体上に形成された１つの多層膜とを備え、前記多層膜は、前記基体と接する第１の絶縁層と、前記基体側とは反対側の表面に配置された第２の絶縁層とを含み、前記第１の絶縁層の空隙率が前記第２の絶縁層の空隙率よりも大きいことを特徴とする。なお、「空隙率」とは、（空隙の体積）／（層全体の体積）の値を意味し、空隙率が０．５とは、層の半分が空隙で占められることを意味する。
【００１０】
上記太陽電池用基板では、前記第１の絶縁層がゾルゲル法で形成された層であってもよい。
【００１１】
上記太陽電池用基板では、前記第２の絶縁層がスパッタ法または液相析出法によって形成された層であってもよい。
【００１２】
上記太陽電池用基板では、前記第１の絶縁層が、粒径１０ｎｍないし１００ｎｍの粒子の凝集体を含んでもよい。この構成によれば、絶縁性が向上するため、特性および信頼性が高い太陽電池を製造できる基板が得られる。
【００１３】
上記太陽電池用基板では、前記第１の絶縁層が、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３およびＴｉＯ２から選ばれる少なくとも１つからなるものでもよい。
【００１４】
上記太陽電池用基板では、前記第２の絶縁層が酸化物、窒化物またはフッ化物からなるものでもよい。
【００１５】
上記太陽電池用基板では、前記第２の絶縁層が、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、ＴｉＮおよびフッ化鉄から選ばれる少なくとも１つからなるものでもよい。
【００１６】
上記太陽電池用基板では、前記基体が可撓性を有するものでもよい。
【００１７】
また、本発明の製造方法は、光吸収層として機能する半導体層を備える太陽電池用の基板の製造方法であって、
（ｉ）導電性の基体上に、ゾルゲル法によって第１の絶縁層を形成する工程と、
（ｉｉ）前記第１の絶縁層に直接または間接的に積層された第２の絶縁層を形成する工程とを含む。この方法によれば、基板上に形成される導電層（下部電極）と基体とが剥離しにくく、且つ基体と導電層との間の絶縁性が高い基板が得られる。
【００１８】
上記製造方法では、前記第２の絶縁層をスパッタ法または液相析出法で形成してもよい。
【００１９】
上記製造方法では、前記第１の絶縁層が、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３およびＴｉＯ２から選ばれる少なくとも１つからなるものでもよい。
【００２０】
上記製造方法では、前記第２の絶縁層が酸化物、窒化物またはフッ化物からなるものでもよい。
【００２１】
上記製造方法では、前記第２の絶縁層が、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、ＴｉＮおよびフッ化鉄から選ばれる少なくとも１つからなるものでもよい。
【００２２】
また、本発明の太陽電池は、基板と、前記基板上に順に積層された導電層と光吸収層として機能する半導体層とを備える太陽電池であって、前記基板が上記本発明の太陽電池用基板であることを特徴とする。この基板は、上記本発明の製造方法で製造された太陽電池用基板であってもよい。
【００２３】
上記太陽電池では、前記導電層がＭｏからなるものでもよい。
【００２４】
上記太陽電池では、前記導電層および前記半導体層が短冊状に分割されており、前記基板上に直列接続された複数のユニットセルが形成されていてもよい。この構成によれば、大面積で特性が高い太陽電池が得られる。
【００２５】
上記太陽電池では、前記太陽電池用基板に含まれる前記基体が、ステンレスまたはアルミニウム合金からなるものでもよい。
【００２６】
上記太陽電池では、前記半導体層が、Ｉｂ族元素とＩＩＩｂ族元素とＶＩｂ族元素とを含む半導体からなるものでもよい。
【００２７】
上記太陽電池では、前記半導体が、Ｃｕと、ＩｎおよびＧａから選ばれる少なくとも１つの元素と、ＳｅおよびＳから選ばれる少なくとも１つの元素とを含んでもよい。この場合、前記太陽電池用基板に含まれる前記多層膜がＩａ族元素を含むことが好ましい。
【００２８】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。
【００２９】
（実施形態１）
実施形態１では、本発明の太陽電池用基板について説明する。実施形態１の太陽電池用基板１０の断面図を図１に示す。
【００３０】
図１を参照して太陽電池用基板１０は、導電性の基体１１と、基体１１上に形成された１つの多層膜１２とを備える。多層膜１２は、基体１１と接触する第１の絶縁層１２ａと、基体１１側とは反対側の表面に配置された第２の絶縁層１２ｂとを備える。なお、多層膜１２は、第１の絶縁層１２ａと第２の絶縁層１２ｂとの間に配置された他の層を備えてもよい。
【００３１】
基体１１は、導電性を有する材料からなる。具体的には、基体１１は、金属を用いて形成でき、たとえば、ステンレス、またはデュラルミンなどのアルミニウム合金を用いて形成できる。基体１１は可撓性を有することが好ましい。可撓性を有する基体１１を用いた場合、基体１１をロール状にして連続的に太陽電池を形成できるため、太陽電池の生産が容易になる。
【００３２】
第１および第２の絶縁層１２ａおよび１２ｂは、共に絶縁性であり、それぞれの抵抗値はたとえば１ＭΩ以上である。第１の絶縁層１２ａは、酸化物を用いて形成できる。具体的には、酸化珪素（ＳｉＯ２）、Ａｌ２Ｏ３およびＴｉＯ２から選ばれる少なくとも１つを用いて形成でき、たとえばＳｉＯ２を主成分とする材料で形成できる。
【００３３】
第２の絶縁層１２ｂは、酸化物、窒化物およびフッ化物から選ばれる少なくとも１つを用いて形成できる。具体的には、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、ＴｉＮおよびフッ化鉄から選ばれる少なくとも１つを用いて形成でき、たとえば酸化珪素（ＳｉＯ２）を主成分とする材料、またはフッ化鉄を主成分とする材料で形成できる。２つの絶縁層の組み合わせとしては、たとえば、第１の絶縁層１２ａ／第２の絶縁層１２ｂがＡｌ２Ｏ３／ＳｉＯ２、ＴｉＯ２／ＳｉＯ２といった組み合わせが挙げられる。
【００３４】
多層膜１２を構成する層のうち少なくとも１つの層（たとえば第１の絶縁層１２ａおよび／または第２の絶縁層１２ｂ）は、Ｉａ族元素（たとえばＮａ）を含む材料で形成してもよく、たとえば、ソーダライムガラスのようなＮａの酸化物や、ＮａＦまたはＮａ２Ｓなどで形成してもよい。第１および第２の絶縁層１２ａおよび１２ｂは、それぞれ、平均厚さが０．０１μｍ以上１．０μｍ以下であることが好ましい。多層膜１２の厚さは、たとえば０．０２μｍ以上２μｍ以下である。
【００３５】
第１の絶縁層１２ａの空隙率は、第２の絶縁層１２ｂの空隙率よりも大きい。具体的には、第１の絶縁層の空隙率は０．５以上で０．９以下であることが好ましく、第２の絶縁層の空隙率は０．３以下であることが好ましい。また、第１の絶縁層１２ａは、粒径１０ｎｍないし１００ｎｍの粒子の凝集体を含んでもよい。また、第１の絶縁層１２ａは、アルキル基およびアルコキシ基を含んでもよい。このような構成は、たとえば、第１の絶縁層１２ａをゾルゲル法で形成し、第２の絶縁層１２ｂをスパッタ法や液相析出法といった方法で形成することによって実現できる。
【００３６】
実施形態１の太陽電池用基板では、第１の絶縁層１２ａの空隙率が第２の絶縁層１２ｂの空隙率よりも大きい。この太陽電池用基板によれば、第２の絶縁層１２ｂ上に形成される金属膜（太陽電池の下部電極膜）が、基板から剥離することを防止できる。そのため、この基板を用いることによって、特性および信頼性が高い太陽電池が得られる。この効果は、特に、第１の絶縁層１２ａをゾルゲル法によって形成することによって得られる。また、この太陽電池用基板では、導電性を有する基体上に多層の絶縁層が形成されているため、基体上で高い絶縁性を確保でき、直列接続された複数のユニットセルを基板上に形成できる。
【００３７】
（実施形態２）
実施形態２では、実施形態１で説明した太陽電池用基板１０の製造方法について説明する。まず、導電性の基体１１上に、ゾルゲル法によって第１の絶縁層１２ａを形成する。
【００３８】
次に、第１の絶縁層１２ａに直接または間接的に積層された第２の絶縁層１２ｂを液相析出法またはスパッタ法によって形成する。なお、第１の絶縁層１２ａと第２の絶縁層１２ｂとの間に他の層を形成してもよい。液相析出法で第２の絶縁層１２ａを形成する場合は、たとえば、金属のフッ化水素酸液にホウ酸などを添加することによる析出反応を用いる。また、スパッタ法で第２の絶縁層１２ｂを形成する場合は、一般的なスパッタ法で形成できる。
【００３９】
このようにして上述した多層膜１２を形成できる。第１の絶縁層１２ａをゾルゲル法で形成することによって、その空隙率を０．５以上とすることができる。また、液相析出法またはスパッタ法で第２の絶縁層１２ｂを形成することによって、その空隙率を０．３以下とすることができる。
【００４０】
（実施形態３）
実施形態３では、実施形態１で説明した太陽電池用基板１０（以下、基板１０という場合がある）を用いた本発明の太陽電池について一例を説明する。実施形態３の太陽電池２０の断面図を図２に示す。
【００４１】
太陽電池２０は、基板１０と、基板１０の上に順に形成された導電層２３、半導体層（光吸収層）２４、第１の半導体層２５、第２の半導体層２６および透明導電層２７とを備える。
【００４２】
導電層２３と、半導体層（半導体層２４、第１の半導体層２５および第２の半導体層２６）と、透明導電層２７とは、それぞれ、ストライプ状の溝２３ａと２４ａと２７ａとによって短冊状に分割されている。短冊状に分割された各層は、複数のユニットセル２８を形成しているすなわち、各ユニットセル２８は、それぞれ短冊状に形成された導電層２３、半導体層および透明導電層２７を備える。各ユニットセル２８の透明導電層２７は、隣接するユニットセル２８の導電層２３と、溝２４ａを通じて接続されている。このようにして、直列接続された複数のユニットセル２８が基板上に形成されている。
【００４３】
基板１０は、実施形態１で説明した本発明の基板であり、導電性の基体１１と、基体１１上に形成された多層膜１２とを備える。
【００４４】
導電層２３は電極である。導電層２３は、金属を用いて形成でき、たとえば、Ｍｏを用いて形成できる。
【００４５】
半導体層２４は、第２の絶縁層１２ｂの上方に配置される。半導体層２４は、Ｉｂ族元素とＩＩＩｂ族元素とＶＩｂ族元素とを含む半導体で形成できる。具体的には、カルコパイライト（ｃｈａｌｃｏｐｙｒｉｔｅ）と同様の結晶構造を有する半導体を用いることができる。より具体的には、Ｃｕと、ＩｎおよびＧａから選ばれる少なくとも１つの元素と、ＳｅおよびＳから選ばれる少なくとも１つの元素とを含む半導体を用いることができる。たとえば、ＣｕＩｎＳｅ２、ＣｕＩｎ（Ｓｅ，Ｓ）２、Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅ２、または、Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）（Ｓｅ，Ｓ）２を用いることができる。半導体層２４としてこれらの半導体を用いる場合には、多層膜１２がＩａ族元素（たとえばＮａ）を含むことが好ましい。
【００４６】
第１の半導体層２５は、ＣｄＳ、またはＺｎを含む化合物によって形成できる。Ｚｎを含む化合物としては、Ｚｎ（Ｏ，Ｓ）やＺｎＭｇＯなどが挙げられる。第２の半導体層２６は、ＺｎＯ、またはＺｎＯを含む材料によって形成できる。なお、本発明の太陽電池では、第１の半導体層２５および第２の半導体層２６のいずれかを省略することも可能である。
【００４７】
透明導電層２７は、ＡｌなどのＩＩＩ族元素をドープしたＺｎＯや、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）を用いて形成できる。
【００４８】
以下、太陽電池２０の製造方法の一例について説明する。まず、基板１０上に導電層２３を形成する。次に、導電層２３の一部をストライプ状に除去して、導電層２３を複数の短冊状の導電層に分割する。導電層２３は、たとえばリフトオフ法や、レーザビームを用いたパターニングや、メカニカルパターニングによって分割できる。
【００４９】
次に、導電層２３上に半導体層２４、第１の半導体層２５および第２の半導体層２６を順次形成する。半導体層２４は、たとえば各元素毎の蒸着源を用いた多元蒸着法で形成できる。第１および第２の半導体層２５および２６は、それぞれ、たとえばスパッタ法で形成できる。次に、これらの半導体層の一部をストライプ状に除去して溝２４ａを形成することによって、これらの半導体層を短冊状に分割する。これらの半導体層は、たとえばレーザビームを照射することによってパターニングできる。
【００５０】
その後、透明導電層２７をたとえばスパッタ法で形成し、この透明導電層２７を短冊状に分割する。透明導電層２７は、たとえばレーザビームを用いたパターニングや、メカニカルパターニングによって分割できる。このようにして太陽電池２０を形成できる。
【００５１】
なお、太陽電池２０は、本発明の太陽電池の一例であり、本発明の太陽電池は太陽電池２０に限定されない。たとえば、第２の半導体層２６は省略してもよい。また、本発明の太陽電池は、１つの基板上に１つのセルのみが形成されているものであってもよい。このような太陽電池の一例の断面図を図３に示す。図３の太陽電池は、基板１０と、基板１０の上に順に形成された導電層２３、半導体層（光吸収層）２４、第１の半導体層２５、第２の半導体層２６および透明導電層２７と、導電層２３の上に形成された取り出し電極３８と、透明導電層２７の上に形成された取り出し電極３９とを備える。導電層２３、半導体層（光吸収層）２４、第１の半導体層２５、第２の半導体層２６および透明導電層２７は、分割されていないことを除いて上述した各層と同様である。取り出し電極３８および３９は、それぞれ、導電性が高い金属を用いて形成できる。
【００５２】
【実施例】
以下、実施例を用いて本発明をさらに詳細に説明する。なお、以下の実施例では、基体としてステンレスシートを用いているが、デュラルミンなどのアルミニウム化合物からなる基体を用いてもよい。
【００５３】
（実施例１）
実施例１では、図３に示した太陽電池３０を作製した一例について説明する。
【００５４】
まず、ゾルゲル法によって片面にＳｉＯ２層（第１の絶縁層１２ａ）が形成された、可撓性を有するステンレスシート（厚さ：１００μｍ）を準備した。
【００５５】
次に、ＲＦスパッタリングによって、第１の絶縁層１２ａ上にＳｉＯ２層（第２の絶縁層１２ｂ）を形成した。次に、ＲＦスパッタリングによって、第１および第２の絶縁層上にＭｏ層（導電層２３）を形成した。第１および第２の絶縁層の厚さはそれぞれ０．１μｍおよび０．５μｍとし、Ｍｏ層の厚さは０．４μｍとした。
【００５６】
次に、以下に示す方法によって、Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅ２層（半導体層２４）を形成した。まず、Ｉｎ、ＧａおよびＳｅを電離真空計で圧力を制御しながらＭｏ層上に堆積させた。このとき、基板温度を３５０℃とした。堆積時において、Ｓｅの圧力を２．６６×１０−３Ｐａ（２×１０−５Ｔｏｒｒ）とし、Ｉｎの圧力を１．０６４×１０−４Ｐａ（８×１０−７Ｔｏｒｒ）とし、Ｇａの圧力を３．９９×１０−５Ｐａ（３×１０−７Ｔｏｒｒ）とした。その後、基板温度を６００℃に上げ、Ｓｅの圧力が２．６６×１０−３Ｐａ（２×１０−５Ｔｏｒｒ）、Ｃｕの圧力が３．９９×１０−５Ｐａ（３×１０−７Ｔｏｒｒ）となる条件で、ＳｅおよびＣｕを堆積させた。その後、基板温度を６００℃に保ったままＩｎ、ＧａおよびＳｅを堆積させた。このようにして、Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅ２層を形成した。
【００５７】
次に、化学浴析出法によって、Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅ２層上にＣｄＳ層（第１の半導体層２５）を形成し、これによってｐｎ接合を形成した。次に、ＺｎＯ層（第２の半導体層２６）と、ＩＴＯ層（透明導電層２７）とをスパッタリング法で順次形成した。最後に、Ａｕからなる取り出し電極を形成した。このようにして、実施形態３の太陽電池を作製した。
【００５８】
この太陽電池について、Ａｉｒ  Ｍａｓｓ（ＡＭ）＝１．５、１００ｍＷ／ｃｍ２の擬似太陽光を用いて特性を測定した。その結果、短絡電流密度が３２．３ｍＡ／ｃｍ２、開放端電圧が０．６１０Ｖ、曲線因子（Ｆｉｌｌ  Ｆａｃｔｏｒ）が０．７５０、変換効率が１４．８％の太陽電池が得られた。
【００５９】
このように、実施例１の太陽電池は良好な特性を示した。また、絶縁層を積層することよって、Ｍｏ層とステンレスシート（基体）とが剥離することを防止できた。
【００６０】
（実施例２）
実施例２では、図３に示した太陽電池３０を作製した他の一例について説明する。
【００６１】
まず、ゾルゲル法によって片面にＡｌ２Ｏ３層（第１の絶縁層１２ａ）が形成された、可撓性を有するステンレスシート（厚さ：１００μｍ）を準備した。
【００６２】
次に、液相析出法によって、第１の絶縁層３２ａ上にＳｉＯ２層（第２の絶縁層１２ｂ）を形成した。
【００６３】
次に、ＲＦスパッタリングによって、第１および第２の絶縁層上にＭｏ層（導電層２３）を形成した。第１および第２の絶縁層の厚さはそれぞれ０．１μｍおよび０．５μｍとし、Ｍｏ層の厚さは０．４μｍとした。
【００６４】
次に、実施例１と同様の方法によって、Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅ２層、ＣｄＳ層、ＺｎＯ層、ＩＴＯ層、および取り出し電極を形成した。このようにして、実施形態３の太陽電池を作製した。
【００６５】
上記方法で作製した太陽電池の特性を測定した結果、実施例１の太陽電池と同様に、良好な特性が得られた。また、絶縁層を積層することよって、Ｍｏ層とステンレスシート（基体）とが剥離することを防止できた。
【００６６】
以上、本発明の実施の形態について例を挙げて説明したが、本発明は、上記実施の形態に限定されず本発明の技術的思想に基づき他の実施形態に適用することができる。
【００６７】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の太陽電池用基板およびその製造方法ならびにそれを用いた太陽電池によれば、特性および信頼性が高い太陽電池が得られる。また、可撓性を有する薄い基体を用いることによって、可撓性を有し軽量な太陽電池を形成できる。さらに、本発明の太陽電池用基板は、導電性を有する基体上に絶縁層が形成されているため、基板上に複数のユニットセルを直列接続することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の太陽電池用基板について一例を示す断面図である。
【図２】本発明の太陽電池について一例を示す断面図である。
【図３】本発明の太陽電池について他の一例を示す断面図である。
【符号の説明】
１０  太陽電池用基板
１１  基体
１２  多層膜
１２ａ  第１の絶縁層
１２ｂ  第２の絶縁層
２０、３０  太陽電池
２３  導電層
２４  半導体層（光吸収層）
２５  第１の半導体層
２６  第２の半導体層
２７  透明導電層
２８  ユニットセル
３８、３９  取り出し電極
【図１】
2004158511.tif 000003
【図２】
2004158511.tif 000004
【図３】
2004158511.tif 000005