(57)【要約】【課題】基板貼り合わせ時における発光素子の劣化・破壊を防止する。【解決手段】ＥＬ基板３００は、透明性を有する基材３０１と、個別電極３０３と有機ＥＬ層３１３とを各々有すると共に、有機ＥＬ層３１３を挟んで個別電極３０３と対向する共通電極３２３を共通に有する複数の有機ＥＬ素子と、この有機ＥＬ素子を覆う電気絶縁性の封止層３６０と、封止層３６０を挟んで個別電極３０３と対向して設けられた接続端子３４０とを備える。一方、ＴＦＴ基板２００は、有機ＥＬ素子をそれぞれ駆動する画素駆動回路２５０と、接続端子３４０に対応して設けられ、画素駆動回路２５０と有機ＥＬ素子とを接続するための引出端子２４０とを備える。そして、ＥＬ基板３００とＴＦＴ基板２００とを、接続端子３４０および引出端子２４０同士が互いに一対一であって電気的に接続するように、異方性導電体４００を用いて貼り合わせる。【選択図】      図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板と第２基板とを有する電気光学装置であって、
前記第１基板は、
透明性を有する基材と、
個別電極と発光層とを各々有すると共に、前記発光層を挟んで前記個別電極と対向する共通電極を共通に有する複数の発光素子と、
前記発光素子を覆う電気絶縁性の封止層と、
前記封止層を挟んで前記個別電極と対向して設けられた第１の接続端子と、
前記封止層を貫通して設けられ、前記個別電極と前記第１の接続端子とを電気的に接続する導電部と
を備えてなり、
前記第２基板は、
前記複数の発光素子をそれぞれ駆動する駆動回路と、
前記第１の接続端子に対応して設けられ、前記駆動回路と前記複数の発光素子とを接続するための第２の接続端子と
を備えてなり、
前記第１基板に設けられた前記第１の接続端子と前記第２基板に設けられた前記第２の接続端子とが電気的に接続するように配置された電気光学装置。
【請求項２】
前記個別電極は、前記共通電極よりも前記基材側に位置する
請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記個別電極は透明性を有し、前記共通電極は反射性を有する
請求項２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記第１基板は前記発光層を仕切る隔壁を備え、
前記接続部は、前記封止層および前記隔壁を貫通して設けられてなる
請求項２に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記共通電極は、前記個別電極よりも前記基材側に位置する
請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項６】
前記共通電極は透明性を有し、前記個別電極は反射性を有する
請求項５に記載の電気光学装置。
【請求項７】
前記第１基板は前記発光層を仕切る隔壁を備え、
前記第１の接続端子の少なくとも一部は前記隔壁の上方に配置された
請求項５に記載の電気光学装置。
【請求項８】
前記発光層は、有機エレクトロルミネッセンス層を含み、
前記発光素子は、個別電極および共通電極のうち一方を陰極とし、他方を陽極とする有機ＥＬ素子である
請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項９】
前記第２基板は、互いに交差する複数の走査線と複数のデータ線とを有し、
前記駆動回路は、前記複数の走査線と前記複数のデータ線との交差部に対応して設けられ、
当該交差部に対応する走査線が選択されたときにオンするスイッチングトランジスタと、
前記スイッチングトランジスタがオンしたときに、当該交差部に対応するデータ線上の電気信号に応じた電荷を蓄積する容量素子と、
その一の端子が前記第２の接続端子と電気的に接続されるとともに、前記容量素子に蓄積された電荷に応じて、その動作状態が定まる駆動トランジスタと
を有する請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項１０】
前記駆動回路は、薄膜トランジスタを有する
請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項１１】
請求項１乃至１０のいずれかに記載の電気光学装置を備えた電子機器。
【請求項１２】
透明性を有する基材と、個別電極と発光層とを各々有すると共に、前記発光層を挟んで前記個別電極と対向する共通電極を共通に有する複数の発光素子と、前記発光素子を覆う電気絶縁性の封止層と、前記封止層を挟んで前記個別電極と対向して設けられた第１の接続端子と、前記封止層を貫通して設けられ、前記個別電極と前記第１の接続端子とを電気的に接続する導電部とを備えてなる基板と接続されて用いられる電気光学装置用基板であって、
前記複数の発光素子をそれぞれ駆動する駆動回路と、
前記第１の接続端子に接続可能に設けられ、前記駆動回路と前記複数の発光素子とを電気的に接続するための第２の接続端子と
を備えてなる電気光学装置用基板。
【請求項１３】
透明性を有する基材と、
個別電極と発光層とを各々有すると共に、前記発光層を挟んで前記個別電極と対向する共通電極を共通に有する複数の発光素子と、
前記発光素子を覆う電気絶縁性の封止層と、
前記封止層を挟み前記個別電極と対向して設けられた第１の接続端子と、
前記封止層を貫通して設けられ、前記個別電極と前記第１の接続端子とを電気的に接続する導電部とを備えてなる電気光学装置用基板。
【請求項１４】
透明性を有する基材に、
複数の個別電極、発光層、及び共通電極を積層して複数の発光素子を形成する工程と、
前記複数の発光素子を覆う封止層を形成する工程と、
少なくとも前記封止層を貫通し、前記複数の個別電極にそれぞれ導通する複数の第１の接続端子を形成する工程とを施す一方、
前記透明性を有する基材とは異なる基材に、
前記複数の発光素子をそれぞれ駆動する駆動回路を形成する工程と、
前記駆動回路と前記複数の発光素子とを接続するための第２の接続端子を、前記第１の接続端子に対応して形成する工程と
を施し、
前記第１の接続端子と前記第２の接続端子とを電気的に接続する工程を有する電気光学装置の製造方法。
【請求項１５】
前記第１の接続端子と前記第２の接続端子とを電気的に接続する工程は、異方性導電材を、前記第１の接続端子と前記第２の接続端子との間に付与する工程を含む請求項１４記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項１６】
前記複数の発光素子を形成する工程は、
前記複数の個別電極を形成する工程の後に、
前記複数の発光素子を仕切るための隔壁を形成する工程と、
前記隔壁で仕切られた領域に前記発光層を形成する工程と、
前記封止層の貫通が予定される予定領域を避けて前記共通電極を形成する工程とを有し、
前記第１の接続端子を形成する工程は、前記封止層および前記隔壁の、前記予定領域を開孔させて、前記個別電極の一部を露出させる工程を含む
請求項１４に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項１７】
前記複数の発光素子を形成する工程は、
前記複数の個別電極を形成する工程の後に、
前記複数の発光素子を仕切るための隔壁を、前記複数の個別電極にそれぞれ達する複数の開孔部を有するように形成する工程と、
前記複数の開孔部に導電材を付与する工程と、
前記隔壁で仕切られた領域に前記発光層を形成する工程と、
前記導電材とは接触しないように前記共通電極を形成する工程とを有し、
前記第１の接続端子を形成する工程は、
前記封止層を開孔させて、前記導電材の一部を露出させる工程を含む
請求項１４に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項１８】
前記複数の発光素子を形成する工程は、
前記共通電極を積層した後に、
前記複数の発光素子を仕切るための隔壁を形成する工程と、
前記隔壁で仕切られた領域に前記発光層を形成する工程と、
前記複数の個別電極をその少なくとも一部が前記隔壁の上方に位置するように形成する工程とを有し、
前記第１の接続端子を形成する工程は、
前記封止層を開孔させて、前記隔壁の上方に位置するように形成された個別電極の一部を露出させる工程を含む
請求項１４に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項１９】
前記発光層を形成する工程は、液体化した発光材料を、前記隔壁により仕切られた領域に付与する工程を有する
請求項１６乃至１８のいずれかに記載の電気光学装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ  Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）素子などの発光素子を用いた電気光学装置、電気光学装置用基板、電気光学装置の製造方法および電子機器に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、従来の液晶素子に代わる次世代の発光デバイスとして、有機ＥＬ素子が注目されている。有機ＥＬ素子は、２つの電極によって発光層を挟持した構造であり、両電極間に流れる電流に応じて自ら発光する自発光素子であるために、視野角依存性が少なく、また、バックライトが不要となる結果、低消費電力であるなど、表示素子として優れた特性を有している。
このような有機ＥＬ素子の駆動には、液晶素子と同様に、薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ、以下「ＴＦＴ」と省略する）などのような能動素子を用いるアクティブマトリクス方式と、能動素子を用いないパッシブマトリクス方式とに大別することができるが、駆動電圧が低くて済む等の理由により、後者に係るアクティブマトリクス方式が優れていると考えられている。
【０００３】
ところで、有機ＥＬ素子をアクティブマトリクス方式で駆動する場合において、能動素子と有機ＥＬ素子とを単一の基板において形成する構造は、歩留まりやスループットなどの製造的観点からいえば好ましくはない。このため、近年では、能動素子と有機ＥＬ素子とを別々の基板で形成した後に、２つの基板を貼り合わせる技術が提案されている（例えば、特許文献１、２参照）。
【０００４】
【特許文献１】
特開２００２−８２６３３号公報（図３参照）
【特許文献２】
特開２００１−１１７５０９号公報（図２、図３参照）
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、有機ＥＬ素子は、文字通り有機材料からなるので、有機溶媒や水分などによって劣化しやすく、また、発光層に応力が加わると、容易に破壊してしまう、という欠点を有する。上記公報に記載の技術は、基板同士が貼り合わせられる際の応力が有機ＥＬ素子を構成する電極に直接加わるために、有機ＥＬ素子の劣化および破壊を防止する観点からいえば、十分なものではなかった。
本発明は、このような事情に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、有機ＥＬ素子のような発光素子が形成された基板と、当該発光素子を駆動するための濃度素子が形成された基板とを貼り合わせる場合に、発光素子の劣化・破壊を抑止した電気光学装置、電気光学装置用基板、電気光学装置の製造方法および電子機器をそれぞれ提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために本発明に係る電気光学装置は、第１基板と第２基板とを有し、前記第１基板は、透明性を有する基材と、個別電極と発光層とを各々有すると共に、前記発光層を挟んで前記個別電極と対向する共通電極を共通に有する複数の発光素子と、前記発光素子を覆う電気絶縁性の封止層と、前記封止層を挟んで前記個別電極と対向して設けられた第１の接続端子と、前記封止層を貫通して設けられ、前記個別電極と前記第１の接続端子とを電気的に接続する導電部とを備えてなり、前記第２基板は、前記複数の発光素子をそれぞれ駆動する駆動回路と、前記第１の接続端子に対応して設けられ、前記駆動回路と前記複数の発光素子とを接続するための第２の接続端子とを備えてなり、前記第１基板に設けられた前記第１の接続端子と前記第２基板に設けられた前記第２の接続端子とが電気的に接続するように配置される。この電気光学装置によれば、第１基板の発光素子は封止層に覆われるので、発光素子の劣化が防止される。さらに、第２基板との貼り合わせ時に、応力が発光素子に直接加わらないので、発光素子の破壊も防止される。また、第１基板において封止層の表面には、第１の接続端子だけが露出するので、隣接する接続端子と接触しない限り、広くすることができる結果、接続端子同士の接触抵抗を低減することが可能となる。なお、ここでいう発光素子とは、上述した有機ＥＬ素子のほか、ＬＥＤや、電極間の放電によって発光するプラズマディスプレイのセルなどを含む。
【０００７】
この電気光学装置において、前記個別電極は、前記共通電極よりも前記基材側に位置する構成が好ましい。発光素子により発せられた光は、個別電極および第１基材のみを介するので、開口率を高めた明るい表示が可能となる。また、この構成において、前記個別電極は透明性を有し、前記共通電極は反射性を有する構成が好ましい。この構成によれば、共通電極を低抵抗化することができるので、表示ムラを防止することができる。また、発光素子により発せられた光は、共通電極で反射するので、光の利用効率も高められる。前記第１基板は前記発光層を仕切る隔壁を備え、前記接続部は、前記封止層および前記隔壁を貫通するように設けられても良い。
【０００８】
一方、この電気光学装置において、前記共通電極は、前記個別電極よりも前記基材側に位置する構成も好ましい。この構成では、導電部を設ける際に封止層を貫通する深さが浅くなるので、貫通に伴う欠けなどの不良を低減することができる。この構成において、前記共通電極は透明性を有し、前記個別電極は反射性を有しても良い。また、このような構成において、前記第１基板は前記発光層を仕切る隔壁を備え、前記第１の接続端子の少なくとも一部は前記隔壁の上方に配置されてもよい。隔壁の部分は盛り上がるので、この盛り上がりにより第１および第２の接続端子は、より確実に接触する。なお、この盛り上がりを平坦化すれば、電極同士の接触面積を広くすることができ、接触抵抗が低減される。
【０００９】
この電気光学装置において、前記発光層は、有機エレクトロルミネッセンス層を含み、前記発光素子は、個別電極および共通電極のうち一方を陰極とし、他方を陽極とする有機ＥＬ素子である構成が望ましい。
また、この電気光学装置において、前記第２基板は、互いに交差する複数の走査線と複数のデータ線とを有し、前記駆動回路は、前記複数の走査線と前記複数のデータ線との交差部に対応して設けられ、当該交差部に対応する走査線が選択されたときにオンするスイッチングトランジスタと、前記スイッチングトランジスタがオンしたときに、当該交差部に対応するデータ線上の電気信号に応じた電荷を蓄積する容量素子と、その一の端子が前記第２の接続端子と電気的に接続されるとともに、前記容量素子に蓄積された電荷に応じて、その動作状態が定まる駆動トランジスタとを有する構成が好ましい。
この構成によれば、スイッチングトランジスタがオフしたときであっても、容量素子に蓄積された電荷によって駆動トランジスタの導通状態が定められるので、発光素子に電流を供給し続けることができる。
なお、この電気光学装置において、前記駆動回路は、薄膜トランジスタを有しても良い。また、電子機器としては、このような電気光学装置を備えることが好ましい。
【００１０】
上記目的を達成するために本発明に係る電気光学装置用基板は、透明性を有する基材と、個別電極と発光層とを各々有すると共に、前記発光層を挟んで前記個別電極と対向する共通電極を共通に有する複数の発光素子と、前記発光素子を覆う電気絶縁性の封止層と、前記封止層を挟んで前記個別電極と対向して設けられた第１の接続端子と、前記封止層を貫通して設けられ、前記個別電極と前記第１の接続端子とを電気的に接続する導電部とを備えてなる基板と接続されて用いられる電気光学装置用基板であって、前記複数の発光素子をそれぞれ駆動する駆動回路と、前記第１の接続端子に接続可能に設けられ、前記駆動回路と前記複数の発光素子とを電気的に接続するための第２の接続端子とを備える。この電気光学装置用基板は、上記電気光学装置の第１基板として用いられる。
【００１１】
また、上記目的を達成するために本発明に係る電気光学装置用基板は、透明性を有する基材と、個別電極と発光層とを各々有すると共に、前記発光層を挟んで前記個別電極と対向する共通電極を共通に有する複数の発光素子と、前記発光素子を覆う電気絶縁性の封止層と、前記封止層を挟み前記個別電極と対向して設けられた第１の接続端子と、前記封止層を貫通して設けられ、前記個別電極と前記第１の接続端子とを電気的に接続する導電部とを備える。この電気光学装置用基板は、上記電気光学装置の第２基板として用いられる。
【００１２】
上記目的を達成するために本発明に係る電気光学装置の製造方法は、透明性を有する基材に、複数の個別電極、発光層、及び共通電極を積層して複数の発光素子を形成する工程と、前記複数の発光素子を覆う封止層を形成する工程と、少なくとも前記封止層を貫通し、前記複数の個別電極にそれぞれ導通する複数の第１の接続端子を形成する工程とを施す一方、前記透明性を有する基材とは異なる基材に、前記複数の発光素子をそれぞれ駆動する駆動回路を形成する工程と、前記駆動回路と前記複数の発光素子とを接続するための第２の接続端子を、前記第１の接続端子に対応して形成する工程とを施し、前記第１の接続端子と前記第２の接続端子とを電気的に接続する工程を有する。この製造方法によれば、第１基板の発光素子は封止層に覆われるので、発光素子の劣化が防止される。さらに、第２基板との貼り合わせ時に、応力が発光素子に直接加わらないので、発光素子の破壊も防止される。また、第１基板において封止層の表面には、第１の接続端子だけが露出するので、隣接する接続端子と接触しない限り、広くすることができる結果、接続端子同士の接触抵抗を低減することが可能となる。
【００１３】
この製造方法において、前記第１の接続端子と前記第２の接続端子とを電気的に接続する工程は、異方性導電材を、前記第１の接続端子と前記第２の接続端子との間に付与する工程を含むことが好ましい。これにより、第１および第２の接続端子同士を電気的に簡易に接続することが可能となる。
【００１４】
また、上記製造方法において、前記複数の発光素子を形成する工程は、前記複数の個別電極を形成する工程の後に、前記複数の発光素子を仕切るための隔壁を形成する工程と、前記隔壁で仕切られた領域に前記発光層を形成する工程と、前記封止層の貫通が予定される予定領域を避けて前記共通電極を形成する工程とを有し、前記第１の接続端子を形成する工程は、前記封止層および前記隔壁の、前記予定領域を開孔させて、前記個別電極の一部を露出させる工程を含むようにしても良い。封止層および隔壁を一括して開孔させるので、第１の接続端子を個別電極に導通させるため開孔が１回で済む。
【００１５】
また、上記製造方法において、前記複数の発光素子を形成する工程は、前記複数の個別電極を形成する工程の後に、前記複数の発光素子を仕切るための隔壁を、前記複数の個別電極にそれぞれ達する複数の開孔部を有するように形成する工程と、前記複数の開孔部に導電材を付与する工程と、前記隔壁で仕切られた領域に前記発光層を形成する工程と、前記導電材とは接触しないように前記共通電極を形成する工程とを有し、前記第１の接続端子を形成する工程は、前記封止層を開孔させて、前記導電材の一部を露出させる工程を含むようにしても良い。第１基板において、第１の接続端子から個別電極までを導通するための開孔は、隔壁および封止層のそれぞれの２回となるが、１回の開孔に必要な深さが浅くなるので、開孔に伴う欠けなどの不良を低減することができる。
【００１６】
また、上記製造方法において、前記複数の発光素子を形成する工程は、前記共通電極を積層した後に、前記複数の発光素子を仕切るための隔壁を形成する工程と、前記隔壁で仕切られた領域に前記発光層を形成する工程と、前記複数の個別電極をその少なくとも一部が前記隔壁の上方に位置するように形成する工程とを有し、前記第１の接続端子を形成する工程は、前記封止層を開孔させて、前記隔壁の上方に位置するように形成された個別電極の一部を露出させる工程を含むようにしても良い。第１基板において、第１の接続端子から個別電極までを導通するための開孔は、封止層の１回だけで済ませることができる。
【００１７】
ここで、開孔を１回または２回で形成する場合に、前記発光層を形成する工程は、液体化した発光材料を、前記隔壁により仕切られた領域に付与する工程を有することが望ましい。液体化した発光材料が吐出された際に、当該液体材料は、隔壁により画素内にとどまり、隣接する画素にまたがることがない。また、発光材料が選択的に形成されるので、フォトリソグラフィ技術を用いた形成方法よりも、無駄になる発光材料の量は少なくて済む。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の実施形態について説明する。
【００１９】
＜第１実施形態＞
まず、説明の便宜上、実施形態に係る電気光学装置を含む表示システムの全体について説明する。図１は、その表示システム１０の構成を示すブロック図である。
この図に示されるように、表示パネルとしての電気光学装置１００では、複数ｍ本の走査線２０２と複数ｎ本のデータ線２０４とが互いに直交するように（電気的には絶縁されている）延設されるとともに、その交差部の各々に、有機ＥＬ素子を有する画素回路１１０が設けられている。すなわち、この電気光学装置１００では、画素がｍ行ｎ列でマトリクス状に配列している。
画像メモリ１３０は、各画素に対応した記憶領域を有し、各記憶領域では、対応する画素の階調（輝度）を規定するデジタルデータＤｍｅｍが格納される。なお、このデジタルデータＤｍｅｍは、ＣＰＵ（図１では図示省略）などから供給されて、指定された記憶領域に書き込まれる。
【００２０】
走査線駆動回路１４０は、ｍ本の走査線２０２に走査信号を供給するものである。詳細には、走査線駆動回路１４０は、走査線２０２を１水平走査期間毎に１本ずつ順番に選択して、選択した走査線２０２にはアクティブレベル（Ｈレベル）の走査信号を、それ以外の走査線２０２には非アクティブレベル（Ｌレベル）である走査信号を、それぞれ１行目から最終ｍ行目までの走査線２０２に供給する。ここで、説明の便宜上、ｉ（ｉは、１≦ｉ≦ｍを満たす整数）行目の走査線２０２に供給される走査信号をＹｉと表記する。
制御回路１５０は、走査線駆動回路１４０による走査線２０２の選択を制御するとともに、走査線２０２の選択動作に同期させて、１列からｎ列までのデータ線２０４に対応するデジタルデータＤｐｉｘ−１〜Ｄｐｉｘ−ｎを画像メモリ１３０から読み出してデータ線駆動回路１６０に供給する。
【００２１】
データ線駆動回路１６０は、Ｄ／Ａ変換器をデータ線２０４毎に有する（図示省略）。ここで、ｊ（ｊは、１≦ｊ≦ｎを満たす整数）列目のＤ／Ａ変換器には、選択された走査線２０２とｊ列目のデータ線２０４との交差部に対応するデジタルデータＤｐｉｘ−ｊが供給される。そして、当該Ｄ／Ａ変換器は、供給されたデジタルデータＤｐｉｘ−ｊをアナログ電圧に変換し、データ信号Ｘｊとして対応するｊ列目のデータ線２０４に印加する。
したがって、例えば、３列目のデータ線２０４に印加されるデータ信号Ｘ３の電圧は、そのときに選択される走査線２０２と３列目のデータ線２０４との交差部に対応する画素のデジタルデータＤｐｉｘ−３を、アナログ電圧に変換したものとなる。
電源回路１７０は、各部に適切な電源を供給するものである。
【００２２】
なお、符号１００、１３０、１４０、１５０、１６０、１７０の各要素は、それぞれが独立した部品により構成される場合や、一部または全部が一体となって構成される場合など、実際には様々な形態をとる。例えば、走査線駆動回路１４０およびデータ線駆動回路１６０が一体となって、後述するＴＦＴ基板に、画素駆動回路とともに集積化される場合もある。このように集積化すると、周辺回路を別基板上に実装するタイプと比較して、装置全体の小型化や低コスト化を図る上で有利となる。
【００２３】
＜画素回路＞
次に、電気光学装置１００における画素回路１１０について説明する。図２は、その構成の一例を示す回路図である。なお、すべての画素回路１１０は、互いに同一構成であるが、ここでは、ｉ行目の走査線２０２とｊ列目のデータ線２０４との交差部分に設けられる画素回路１１０で代表させて説明することにする。
この図に示されるように、該走査線２０２と該データ線２０４との交差部分に設けられた画素回路１１０は、画素駆動回路２５０と、発光素子たる有機ＥＬ素子３１０とを有する構成となっている。
この電気光学装置１００は、詳細については後述するが、画素駆動回路２５０を有するＴＦＴ基板と、有機ＥＬ素子３１０を有するＥＬ基板との２枚で構成されるとともに、両者基板が画素回路１１０毎にＮ点を介して電気的に接続された構成となっている。
【００２４】
画素駆動回路２５０は、２個のＴＦＴ２１２、２１４、容量素子２２０を有する。このうち、スイッチングトランジスタとしてのＴＦＴ２１４は、ｎチャネル型であり、そのゲートは走査線２０２に接続され、そのソースは、データ線２０４に接続され、そのドレインは、ＴＦＴ２１２のゲートおよび容量素子２２０の一端に接続されている。駆動トランジスタとしてのＴＦＴ２１２はｐチャネル型であり、そのソースは、電源における高位側の電圧Ｖｄｄが印加された電源線２０９に接続される一方、そのドレインは、Ｎ点を介して、有機ＥＬ素子３１０の陽極に接続される。容量素子２２０の他端は、上記電源線２０９に接続されている。
有機ＥＬ素子３１０については、後述するように陽極と陰極の間に有機ＥＬ層が挟持されて、順方向電流に応じた輝度にて発光する。ここで、第１実施形態では、有機ＥＬ素子３１０の陰極は、すべての画素回路にわたって電気的に共通な電極であり、電源における低位（基準）電圧Ｇｎｄに接地されている。なお、後述する図１５で示されるように、有機ＥＬ素子３１０においては、陽極が共通電極となる場合もあり得る。
【００２５】
画素回路１１０において、ｉ行目の走査線２０２が選択されて、走査信号ＹｉがＨレベルになると、ｎチャネル型のＴＦＴ２１４が、ソースおよびドレインの間においてオン状態となるので、ＴＦＴ２１２のゲートには、データ信号Ｘｊの電圧が印加される。したがって、ＴＦＴ２１２のソースおよびドレイン間の導通状態は、データ信号Ｘｊの電圧に応じて定まる結果、有機ＥＬ素子３１０には、当該電圧に応じた電流が流れ、これにより有機ＥＬ素子３１０が発光する。一方、ＴＦＴ２１４がオン状態のとき、ＴＦＴ２１２のゲート電圧に応じた電荷が容量素子２２０に蓄積される。
【００２６】
次に、ｉ行目の走査線２０２の選択が終了して非選択となり、走査信号ＹｉがＬレベルになると、ＴＦＴ２１４はオフ状態になるが、ＴＦＴ２１２のゲート電圧は、容量素子２２０によって保持されているので、有機ＥＬ素子３１０には、ＴＦＴ２１４がオン状態となったときとほぼ等しい電流が引き続き流れる。このため、有機ＥＬ素子３１０は、ｉ行目の走査線２０２が非選択となっても、選択時の電流に応じた輝度で発光し続けることになる。
ここでは、ｉ行ｊ列の画素回路１１０についてのみについて説明しているが、ｉ行目の走査線２０２は、ｍ個の画素回路１１０に共用されているので、共用されるｍ個の画素回路１１０においても同様な動作が実行されることになる。
さらに、走査信号Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３、…、Ｙｍは、順番に排他的にＨレベルとなる。この結果、すべての画素回路１１０において、同様な動作が実行されて、１フレームの画像が表示される。そして、この表示動作は、１垂直走査期間毎に繰り返される。
なお、図２に示される画素回路１１０では、走査線２０２が選択されたときに、デジタルデータのディジタル値に応じた電圧がデータ線２０４に印加されるとして説明したが、当該輝度に応じた電流がデータ線２０４に供給される構成でも良い。このような構成であっても、ＴＦＴ２１２のゲート電圧が容量素子２２０に保持されるので、当該輝度に応じた電圧が印加される構成と同等な効果が得られる。
【００２７】
＜電気光学装置の構造＞
次に、電気光学装置１００の構造について説明する。図３（ａ）および図３（ｂ）は、電気光学装置１００の要部構成を示す断面図である。これらの図に示されるように、電気光学装置１００は、ＴＦＴ基板２００とＥＬ基板３００とを、互いに端子形成面を対向させるとともに、端子同士が電気的に接続されるように貼り合わせた構造となっている。ここで、端子同士は、異方性導電体４００によって電気的に接続される。詳細には、図３（ａ）に示されるように、第１に、ＴＦＴ基板２００とＥＬ基板３００とを、互いに端子形成面を対向させるとともに、その間に、表面が金属被膜に覆われたマイクロカプセル４１０をエポキシ等からなるシート状の接着材中に分散させた異方性導電体４００を挟持させ、第２に、ＴＦＴ基板２００とＥＬ基板３００とを熱圧着させると、図３（ｂ）に示されるように、端子同士がマイクロカプセル４１０を介して電気的に接続された状態となる。したがって、この端子同士の接続点が図２におけるＮ点である。
【００２８】
ＴＦＴ基板２００には、例えばプラスティックやガラスなどの基材２０１に、走査線２０２や、データ線２０４、電源線２０９、画素駆動回路２５０が形成され、さらに、これらの各部が絶縁層２６０で覆われた構造となっている。この絶縁層２６０には、コンタクトホール２３０が画素駆動回路２５０毎に設けられ、ＴＦＴ２１２のドレインまで開孔している。そして、引出端子（第２の接続端子）２４０が、絶縁層２６０の表面に形成されるととともに、コンタクトホール２３０を介して、ＴＦＴ２１２のドレイン、すなわち、画素駆動回路２５０の出力端に接続されている。
【００２９】
次に、ＴＦＴ基板２００における平面的な構成について説明する。図４は、説明のために、ＴＦＴ基板２００において、引出端子２４０および絶縁層２６０を除いた状態を示す平面図である。
まず、図４において、最下層は、ＴＦＴ２１２、２１４の半導体層であり、例えば結晶性のポリシリコン層をパターニングしたものである。次に、第２層は、例えばゲート電極層であり、ＴＦＴ２１２のゲート電極と、走査線２０２とに大別される。ここで、前者に係るＴＦＴ２１２のゲート電極は、容量素子２２０の一部を構成し、また、後者に係る走査線２０２は、ＴＦＴ２１４の側に分岐する部分も含む。そして、最下層の半導体層と、第２層のゲート電極層とが交差する部分が、ＴＦＴ２１２、２１４のチャネル領域となる。
続いて、第３層は、例えばアルミニウム層であり、ＴＦＴのソース、ドレインに接続するための配線と、データ線２０４と、電源線２０９とに大別される。なお、互いに異なる層からなる配線同士の接続、および、ＴＦＴのソース／ドレインと配線との接続は、図４において「×」印で示されるコンタクトホールを介して行われる。
また、容量素子２２０は、ＴＦＴ２１２のゲート電極の延長部分と、この延長部分を覆う絶縁膜（図示省略）と、電源線２０９の分岐部分との積層によって構成されている。
なお、図４においては、トップゲート構造のＴＦＴを例にとって説明したが、ボトムゲートであっても良いのは、もちろんである。
【００３０】
図４においては、最上層に位置する引出端子２４０については、説明の便宜上、図示が省略されているので、図５において、引出端子２４０の形状および配列を示すことにする。図５に示されるように、引出端子２４０は、絶縁層２６０の表面において、矩形状に形成される。なお、この引出端子２４０は、コンタクトホール２３０を介し、画素駆動回路２５０におけるＴＦＴ２１４のドレインに接続されるので、画素回路１１０（画素駆動回路２５０）毎に、設けられることなる。
【００３１】
説明を再び図３（ａ）に戻すと、ＥＬ基板３００において、基材３０１は、例えばプラスティックやガラスなどであって、透明性を有するものである。この基材３０１の表面には、有機ＥＬ素子３１０（図２参照）の陽極たる個別電極３０３が、画素毎に矩形状に形成されている。この個別電極３０３は、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ：インジウム錫酸化物）などの透明導電体である。
バンク３０５は、個別電極３０３の間隙に跨るように、縦横の格子状に形成された隔壁である。このバンク３０５は、画素間の混色や光漏れを低減するためや、有機ＥＬ層３１３をインクジェット法により形成する際に、吐出されたインク組成物が隣接する画素にまで拡がるのを防止するためなどの理由で設けられる。
【００３２】
有機ＥＬ層３１３は、正孔輸送層、発光層および電子注入層により構成されるが、正孔輸送層、電子注入層は必ずしも必要ではない。このため、図３（ａ）においては、正孔輸送層および発光層の積層物を有機ＥＬ層３１３として図示し、電子注入層については図示を省略している。
また、共通電極３２３は、有機ＥＬ素子３１０の陰極として機能するものであり、各画素にわたって共通な反射性導電体である。
ここで、共通電極３２３は、バンク３０５および有機ＥＬ層３１３を覆うように形成されているが、いわゆるべた塗りの状態ではなく、バンク３０５の頂上部分であってコンタクトホール３３０が形成される部分では、当該コンタクトホール３３０を介する接続端子３４０に接触しないように、開口部３２５において開口している。
封止層３６０は、有機ＥＬ層３１３等を外気等から保護するために、絶縁性材料によって、共通電極３２３やバンク３０５を覆うように形成される。コンタクトホール３３０は、画素毎に設けられ、封止層３６０およびバンク３０５を貫通する導電部を介して個別電極３０３にまで達している。そして、接続端子（第１の接続端子）３４０が、コンタクトホール３３０（内の導電部）を介して、対応する個別電極３０３に接続されている。
【００３３】
ここで、ＥＬ基板３００における接続端子３４０の配置について図６を参照して説明する。なお、図６は、接続端子３４０の形状および配列を示す平面図であるので、有機ＥＬ素子３１０により発せられる光は、紙面裏側に向かう点に留意されたい。
図６に示されるように、接続端子３４０は、封止層３６０の表面において、ＴＦＴ基板２００における引出端子２４０とほぼ同形状に形成されている。また、接続端子３４０は、コンタクトホール３３０を介して、個別電極３０３（図３（ａ）または図３（ｂ）参照）に接続される。なお、接続端子３４０と個別電極３０３との層間には、共通電極３２３が存在するが、バンク３０５（および封止層３６０）に設けられたコンタクトホール３３０近傍では、共通電極３２３は開口部３２５によってコンタクトホール３３０を避けるように開口しているので、共通電極３２３と、接続端子３４０（個別電極３０３）とは、電気的に非接続状態である。
【００３４】
＜電気光学装置の製造工程＞
次に、電気光学装置１００の製造工程について基板毎に分けて説明する。図７は、この製造工程を示す図である。
ＴＦＴ基板２００について簡単に説明すると、まず、基材２０１に、画素駆動回路２５０などの素子・配線を形成する（工程（ａ）参照）。詳細には、基材２０１に、例えばアモルファスのシリコン層を堆積し、レーザアニール等により加熱処理して、シリコン層を結晶化させるとともに、パターニングして、第１層たる半導体層を形成する。次に、第２層たるゲート電極を成膜・パターニングして、走査線２０２等を形成する。さらに、ｐチャネル領域をレジストでマスクした後、ｎチャネル領域用にドーピングをして、レジストを剥離することによって、ｎチャネル型のＴＦＴ２１４を形成する。続いて、ｎチャネル領域をレジストでマスクし、ｐチャネル領域用にドーピングをして、レジストを剥離することによって、ｐチャネル型のＴＦＴ２１２を形成する。次に、層間絶縁膜を形成し、ＴＦＴ２１２、２１４のソース・ドレイン領域を開孔する。続いて、第３層たるアルミニウム等の金属膜を成膜・パターニングして、データ線２０４や電源線２０９等の配線を形成する。
なお、素子・配線を形成する工程は、良く知られているポリシリコンプロセス等を用いることができるので、これ以上の説明については省略する。
【００３５】
続いて、画素駆動回路２５０などが形成された領域を覆うように、例えばＳｉＯ２や、Ｓｉ３Ｎ４、ＳｉＯＮなどの絶縁層２６０を成膜する（工程（ｂ）参照）。なお、絶縁層２６０の表面には、配線やＴＦＴなどを反映して凹凸が発生するので、絶縁層２６０の表面をＣＭＰ（化学的機械研磨）などによって平坦化することが好ましい。また、絶縁層２６０については、アクリル樹脂やポリイミド樹脂により形成して、その表面を平坦化しても良い。
次に、コンタクトホール２３０を形成し、絶縁層２６０を開孔する（工程（ｃ）参照）。そして、アルミニウムなどの金属膜を成膜、パターニングして、引出端子２４０を形成する（工程（ｄ）参照）。これにより、ＴＦＴ基板２００が完成する。
【００３６】
一方、ＥＬ基板３００については、図７に加えて、図８および図９を参照して説明する。ここで、図８および図９は、それぞれＥＬ基板における製造プロセスを説明するための部分断面図であり、工程（１）〜（７）は、それぞれ図７に対応している。
まず、ガラスなどの透明性を有する基材３０１に、ＩＴＯなどの透明導電体を成膜した後、フォトリソグラフィ技術を用いてパターニングすることによって、矩形状の個別電極３０３を形成する（図７および図８における工程（１）参照）。この個別電極３０３に対しては、後述するインクジェット法により吐出されたインク組成物が均一な厚さで拡がるように、親水処理を施すのが好ましい。
次に、バンク３０５を形成する（図７および図８における工程（２）参照）。バンク３０５は、例えば、ＳｉＯ２、ＳｉＮなどの積層物を厚付けしたものである。
【００３７】
続いて、有機ＥＬ層３１３を構成する正孔輸送層および発光層を、インクジェット法を用いて形成する（図７および図８における工程（３）参照）。ここで、インクジェット法とは、層材料を、溶媒に溶解または分散させるとともに、そのインク組成物をインクジェットヘッドから吐出させ、さらに、乾燥・熱処理を経てパターン形成する、という方法である。
なお、正孔輸送層の材料としては、ＰＳＳ（ポリスチレンスルフォン酸）系の混合物が挙げられ、この混合物を極性溶媒に分散させたものが、インク組成物として用いられる。また、発光層の材料としては、ＰＰＶ（ポリパラフェニレンビニレン）などの有機材料が用いられる。
【００３８】
次に、開口部３２５となるべき領域をマスキングした状態で、アルミニウムなどの反射性金属を蒸着して、共通電極３２３を形成する（図７および図８における工程（４）参照）。ここで、共通電極３２３の形成時において、マスク蒸着を行う理由は、すでに形成した有機ＥＬ層３１３に対してエッチング処理をするのが、当該有機ＥＬ層３１３にとって望ましくないからである。
なお、有機ＥＬ層３１３に電子注入層を形成する場合には、共通電極３２３の下層に、共通電極３２３と同形状で、電子注入性の高い（仕事関数の低い）カルシウムやリチウムなどの金属薄膜を形成する。
【００３９】
続いて、有機ＥＬ層３１３を覆うように、例えばＳｉＯ２、ＳｉＯＮなどからなる封止層３６０を成膜し、この後、バンク３０５などを反映した起伏をなくすべく、封止層３６０の表面をＣＭＰなどによって平坦化処理する（図７および図９における工程（５）参照）。
さらに、コンタクトホール３３０を形成し、本実施形態では、封止層３６０およびバンク３０５を開孔する（図７および図９における工程（６）参照）。この後、アルミニウムなどの金属膜を成膜、パターニングして、コンタクトホール３３０内の導電部と、接続端子３４０とを形成する（図７および図９における工程（７）参照）。これにより、ＥＬ基板３００が完成する。
【００４０】
そして、完成したＴＦＴ基板２００およびＥＬ基板３００を、上述したように、互いに端子形成面を対向させるとともに、両基板間に異方性導電体４００を挟持させ、引出端子２４０および接続端子３４０同士が一体一に対向するように位置合わせした状態で熱圧着する。この熱圧着状態では、異方性導電体４００の接着材が溶融するとともに、引出端子２４０および接続端子３４０の各組において、１つ以上のマイクロカプセル４１０が残留すれば、当該マイクロカプセル４１０の金属皮膜を介して、引出端子２４０および接続端子３４０同士は電気的に接続される。そして、熱圧着を停止させると、接着材が硬化して、引出端子２４０および接続端子３４０同士の電気的接続が保たれた状態で、ＴＦＴ基板２００およびＥＬ基板３００が互いに貼り合わせられる（図３（ｂ）参照）。
【００４１】
この電気光学装置１００において、陽極たる個別電極３０３から陰極たる共通電極３２３に電流が流れると、有機ＥＬ層３１３の発光層は、キャリアとなる正孔と電子との結合によって光を発する。この光のうち、図３（ｂ）において紙面下向きの光は、そのまま透明な個別電極３０３および基材３０１を通過して観察者に視認される。一方、有機ＥＬ層３１３から発せられた光のうち、紙面上向きの光は、反射性を有する共通電極３２３で反射し、有機ＥＬ層３１３、個別電極３０３および基材３０１を通過して、同様に観察者に視認される。このため、観察者には、それだけ多くの光が視認される。さらに、本実施形態において、個別電極３０３と基材３０１との間に介在するものが存在しないので、開口率を容易に高めることができる。このように光の利用効率と高開口率とが相俟って、電気光学装置１００では、明るい表示が可能となる。
【００４２】
また、共通電極３２３には、ＩＴＯなどのような比較的高抵抗の導電体ではなく、アルミニウムなど低抵抗の導電体を用いることができるので、画素位置によって発光層に流れる電流が相違することに起因する表示ムラを抑えることができる。
さらに、ＥＬ基板３００では、有機ＥＬ層３１３は封止層３６０によって完全に覆われるので、以降の工程、例えばＴＦＴ基板２００との貼り合わせ工程を、不活性環境で行う必要がないし、製造後において水分等による劣化も防止される。
くわえて、有機ＥＬ層３１３は封止層３６０に覆われ、また、接続端子３４０も封止層３６０およびバンク３０５を貫通して個別電極３０３に接続されているので、ＥＬ基板３００の有機ＥＬ層３１３には、ＴＦＴ基板２００との貼り合わせ時に応力が直接かからない。このため、基板同士の貼り合わせ時において、有機ＥＬ層３１３（有機ＥＬ素子３１０）が破壊される、といった不具合も低減される。
【００４３】
＜第２実施形態＞
次に、本発明の第２実施形態について説明する。この第２実施形態は、第１実施形態におけるＥＬ基板３００のコンタクトホール３３０を２回に分けて開孔した点にある。このため、電気光学装置１００の構造的には同一であるので、ＥＬ基板の製造プロセスについて相違点を中心に説明することにする。
図１０は、第２実施形態に係る電気光学装置の製造工程を示す図であり、図１１および図１２は、それぞれＥＬ基板における製造プロセスを説明するための部分断面図である。なお、図１１および図１２における工程（２）〜（８）は、それぞれ図１０に対応し、工程（１）については、第１実施形態と同一なので、省略している。すなわち、ガラスなどの透明性を有する基材３０１に、ＩＴＯなどの透明導電体を矩形状にパターニングして個別電極３０３を形成する点は、第１実施形態と同様である。
【００４４】
次に、個別電極３０３を形成した基材３０１に例えば感光性アクリル樹脂などを塗布した後、フォトリソグラフィ技術を用いてパターニングすることによって、バンク３０５を形成する。このようなバンク３０５のパターニングの際に、個別電極３０３に達する開孔部３０７についても同時に形成する（図１０および図１１における工程（２）参照）。
ここで、バンク３０５を構成する材料としては、有機ＥＬ層３１３のインク組成物の溶媒に対し耐久性を有するものであれば良いが、フロロカーボンガスプラズマ処理によって撥水処理することが可能である点を考慮すると、上述した感光性アクリル樹脂や感光性ポリイミドなどの有機材料が好ましい。また、画素間の混色や光漏れの低減という特性をバンク３０５に要求するのであれば、黒色に着色することも好ましい。なお、バンク３０５については、密着性を向上させるなどの観点から、ＳｉＯ２などの無機材料を下層とした積層構造としても良い点は、第１実施形態と同様である。
【００４５】
続いて、アルミニウムなどの比較的低抵抗の導電体を導通層としてスパッタリングなどにより成膜し、この後、パターニングして、導通材３０９として開孔部３０７に充填する（図１０および図１１における工程（３）参照）。
この後、第１実施形態における工程（３）〜（５）と同様に、有機ＥＬ層３１３、共通電極３２３および封止層３６０を、それぞれ形成する（図１０および図１１における工程（４）〜（６）参照）。
ここで、有機ＥＬ層３１３をインクジェット法により形成するに際し、個別電極３０３への親水処理だけでなく、バンク３０５への撥水処理との併用によって、バンク３０５にかからないようにインク組成物が個別電極３０３上に均一に形成される。
【００４６】
次に、コンタクトホール３３０を形成して、第２実施形態では、封止層３６０だけを開孔する（図１０および図１２における工程（７）参照）。この後、アルミニウムなどの金属膜を成膜、パターニングして、接続端子３４０を形成する。これにより接続端子３４０は、バンク３０５に充填された導通材３０９を介して個別電極３０３と電気的に接続される（図１０および図１２における工程（８）参照）。
そして、第１実施形態と同様に、完成したＴＦＴ基板２００およびＥＬ基板３００を、互いに端子形成面を対向させるとともに、両基板間に異方性導電体４００を挟持させ、引出端子２４０および接続端子３４０同士が一体一に対向するように位置合わせした状態で熱圧着して、両基板を貼り合わせる。
【００４７】
この第２実施形態では、第１実施形態と同様に、光の利用効率の向上と高開口率とによって明るい表示が可能となり、また、共通電極３２３として金属電極を使用することによる表示ムラの低減や、封止層３６０によって有機ＥＬ層の劣化や破壊を防止することが可能である。さらに、第２実施形態によれば、第１実施形態と比較して、接続端子３４０から個別電極３０３への導通を図るための開孔が、バンク３０５および封止層３６０のそれぞれについて２回に分けて行われるので、１回の開孔に必要な深さが浅くなり、開孔に伴う欠けや、コンタクトホールのテーパーによる孔径の拡大などの不良・不具合を低減することができる。
【００４８】
＜第３実施形態＞
次に、本発明の第３実施形態について説明する。図１３（ａ）および図１３（ｂ）は、第３実施形態に係る電気光学装置１００の要部構成を示す断面図である。これらの図に示されるように、第３実施形態では、ＴＦＴ基板２００の構造が同一である点と、当該ＴＦＴ基板２００とＥＬ基板３００とを、互いに端子形成面を対向させ、端子同士が電気的に接続されるように貼り合わせた点とにおいて、第１実施形態と共通であるが、第１実施形態では、ＥＬ基板３００の基材３０１から順番に、個別電極３０３、有機ＥＬ層３１３および共通電極３２３を積層した構造であったのに対し、この第３実施形態では、逆の順番で積層した点において、第３実施形態は第１実施形態と相違している。すなわち、第３実施形態では、ＥＬ基板３００の基材３０１から順番に、共通電極３２３、有機ＥＬ層３１３および個別電極３０３を積層した構造となっている。ここで、画素毎に設けられる個別電極３０３は、画素に対応する有機ＥＬ層３１３とは、封止層３６０だけを開孔するコンタクトホール３３０（内の導電部）を介して、電気的に接続されている。
【００４９】
また、第３実施形態におけるＥＬ基板３００は、特に図示はしないが、おおよそ次のようなプロセスによって製造される。すなわち、基材３０１の表面に共通電極３２３を透明導電体により成膜した後に、バンク３０５を形成し、当該バンク３０５で仕切られた領域に発光層を形成し、さらに、一部がバンク３０５の上方に位置するように、かつ、反射性の金属膜により個別電極３０３を形成し、これらを覆うように封止層３６０を形成する。そして、コンタクトホール３３０を形成して、封止層３６０を開孔するとともに、バンク３０５の上方に位置する個別電極を露出させ、この後、アルミニウムなどの金属膜を成膜、パターニングして、接続端子３４０を形成する。
【００５０】
この第３実施形態では、第１、第２実施形態と同様に、光の利用効率の向上と高開口率とによって明るい表示が可能となるだけでなく、封止層３６０によって有機ＥＬ層の劣化や破壊を防止することが可能である。ここで、上述したように、有機ＥＬ層３１３において発せられた光は、基材３０１を介して紙面下向きに放射されるので、第３実施形態では、個別電極３０３に反射性が要求される一方、共通電極３２３に透明導電性が要求される。このため、第３実施形態では、共通電極３２３として比較的高抵抗のＩＴＯなどを用いざるを得ないので、第１実施形態と比較すると、表示ムラが発生しやすいと考えられる点において若干不利である。
しかしながら、接続端子３４０から個別電極３０３への導通を図るために、封止層３６０だけを１回開孔するだけで済むので、封止層３６０およびバンク３０５を１度に開孔する第１実施形態や、２回に分けて開孔する第２実施形態と比較すると有利となる。
なお、第３実施形態では、コンタクトホール３３０を、バンク３０５の頂上部分に設けたが、個別電極３０３に接続される部分であれば、どこでも良い。
【００５１】
＜応用・変形＞
本発明は、上述した第１、第２および第３実施形態に限られず、種々の応用・変形が可能である。例えば、第１、第２および第３実施形態におけるプロセスや構成要素を次に説明するようなものとしても良い。
【００５２】
＜貼り合わせ＞
上述した実施形態では、異方性導電体４００によって、ＴＦＴ基板２００とＥＬ基板３００との貼り合わせ、および、端子同士の電気的接続を図ったが、このほかにも、種々の態様が想定される。例えば、引出端子２４０または接続端子３４０の一方に突起電極（バンプ）を例えば金（Ａｕ）などにより形成し、熱融着して端子同士の電気的接続とともに、基板同士を貼り合わせても良い。
【００５３】
＜コンタクトホールの導通＞
上述した実施形態では、コンタクトホール３３０内の導電部を、接続端子３４０と一括して形成したが、別々に形成しても良い。すなわち、コンタクトホール３３０内に導通材を充填して導電部を形成した後に、接続端子３４０となる金属膜を成膜・パターニングして、個別電極３０３との導通を図っても良い。
【００５４】
＜絶縁層の平坦化処理＞
また、上述した実施形態では、ＴＦＴ基板２００の絶縁層２６０についても、ＥＬ基板３００の封止層３６０についても、その表面をそれぞれ平坦化したが、どちらか一方だけを平坦化しても良い。例えば、ＥＬ基板３００の封止層３６０を平坦化しない場合、バンク３０５の部分が盛り上がるとともに、この盛り上がり部分に接続端子３４０が形成されると考えられる。このため、平坦化された引出端子２４０に、盛り上がり部分を有する接続端子３４０を押し当てる形となるので、接触の確実性が増すと考えられる。また、盛り上がり部分だけが接触するために、ＴＦＴ基板２００とＥＬ基板３００との貼り合わせ時に、端子同士が多少位置ズレしても、隣接する画素の端子に接触する可能性も少ない。
ただし、端子同士の接触面積が少なくなるので、接触抵抗が無視できない場合には、実施形態のように、両者を平坦化するとともに端子同士の対向面積を大きくする構成が望ましい。
【００５５】
＜画素駆動回路＞
上述した実施形態にあっては、画素駆動回路２５０を含む画素回路１１０を図２に示される構成としたが、本発明は、これに限られず、様々な構成の画素回路が適用可能である。例えば、図１４は、本発明に適用可能が画素回路の一例を示す図である。
図１４に示される画素回路１１０が、図２に示した画素回路と相違する点は、ＴＦＴ２１２におけるゲート周辺の接続を変更した点と、ＴＦＴ２１６、２１８および発光制御線２０８を加えている点とである。そこで以下の相違点を中心に説明すると、まず、ｎチャネル型のＴＦＴ２１８のゲートは、ｉ行目の走査線２０２に接続され、そのドレインは、ＴＦＴ２１２のゲートおよび容量素子２２０の一端にそれぞれ接続され、そのソースは、ＴＦＴ２１２のドレインに接続されている。このため、ＴＦＴ２１８は、走査信号ＹｉがＨレベルになるとオンして、ＴＦＴ２１２のゲートおよびドレインの間を短絡させる結果、当該ＴＦＴ２１２をダイオードとして機能させる。
次に、ｎチャネル型のＴＦＴ２１６は、ＴＦＴ２１２のドレインおよび有機ＥＬ素子３１０の陽極の間に介挿されている。詳細には、ＴＦＴ２１６のゲートは、発光制御線２０８に接続され、そのドレインは、ＴＦＴ２１２、２１４のドレインに接続され、そのソースは、有機ＥＬ素子３１０の陽極に接続されて、ｉ行目に位置する発光制御線２０８への信号Ｖｇｉの論理レベルに応じてオンオフする構成となっている。
【００５６】
ここで、発光制御線２０８は各行に設けられ、ｉ行目の発光制御線２０８には、走査信号Ｙｉの論理レベルを反転した信号Ｖｇｉが供給される。また、ｊ列目のデータ線２０４には、ｉ行目の走査線２０２が選択されたときに、ｉ行ｊ列の画素の輝度に応じた電流Ｉｏｕｔが流れる。このため、図１４に示される画素回路が適用される場合、データ線駆動回路１６０においてデータ線２０４毎に設けられるＤ／Ａ変換器は、供給されたデジタルデータに応じた電流Ｉｏｕｔを流す定電流源１６２として機能する。
また、図１４に示した画素回路１１０では、ＴＦＴ２１２、２１４、２１６、２１８および容量素子２２０が画素駆動回路２５０として、ＴＦＴ基板２００に形成されることになる。
【００５７】
次に、図１４に示した画素回路１１０の動作について説明する。まず、走査信号ＹｉがＨレベルになると、ＴＦＴ２１８が、ソースおよびドレインの間においてオン状態となるので、ＴＦＴ２１２はダイオードとして機能する。走査信号ＹｉがＨレベルになると、ＴＦＴ２１４も、ＴＦＴ２１８と同様にオン状態となるので、結局、電流Ｉｏｕｔが、電源線２０９→ＴＦＴ２１２→ＴＦＴ２１４→データ線２０４という経路で流れるとともに、このときに、ＴＦＴ２１２のゲート電圧に応じた電荷が容量素子２２０に蓄積される。
続いて、走査信号ＹｉがＬレベルになると、ＴＦＴ２１４、２１８はともにオフ状態になるが、容量素子２２０における電荷の蓄積状態は変化しないので、ＴＦＴ２１２のゲートは、電流Ｉｏｕｔが流れたときの電圧に保持されることになる。
また、走査信号ＹｉがＬレベルになると、発光制御信号ＶｇｉがＨレベルとなり、ＴＦＴ２１６がオンするので、ＴＦＴ２１２のソースおよびドレインの間には、そのゲート電圧に応じた電流が流れる。詳細には、この電流は、電源線２０９→ＴＦＴ２１２→ＴＦＴ２１６→有機ＥＬ素子３１０という経路で流れる。
【００５８】
このときに有機ＥＬ素子３１０に流れる電流は、ＴＦＴ２１２のゲート電圧で定まるが、そのゲート電圧は、走査信号ＹｉがＨレベルとなって、電流Ｉｏｕｔがデータ線２０４に流れたときに、容量素子２２０によって保持された電圧である。このため、発光制御信号ＶｇｉがＨレベルになったときに、有機ＥＬ素子３１０に流れる電流は、直前に流れた電流Ｉｏｕｔにほぼ一致するので、有機ＥＬ素子３１０は、発光制御信号ＶｇｉがＨレベルである限り、該電流値に応じた輝度で発光し続けることになる。
したがって、仮に、画素回路１１０のすべてにわたって、駆動トランジスタとしてのＴＦＴ２１２の特性にバラツキが生じても、各画素回路１１０に含まれる有機ＥＬ素子３１０に対しほぼ同じ大きさの電流を供給することができるので、該バラツキに起因する表示ムラを抑えることが可能となる。
【００５９】
なお、図１４に示される画素回路１１０では、走査線２０２が選択されたときに、デジタルデータのディジタル値に応じた電流Ｉｏｕｔがデータ線２０４に供給されるとして説明したが、当該輝度に応じた電圧がデータ線２０４に印加される構成でも良い。
また、図２、図１４に示される画素回路１１０においては、いずれも、画素毎に設けられる個別電極３０３が有機ＥＬ素子３１０の陽極であり、画素にわたって共通の共通電極３２３が有機ＥＬ素子３１０の陰極であった。
ここで、複数あるＴＦＴのチャネル型を統一して、ドーピングプロセスを簡略化する観点から言えば、図１５に示されるように、ＴＦＴ２１２をｎチャネル型とする構成も考えられる。この構成では、図でも判るように、画素毎に設けられる個別電極が有機ＥＬ素子３１０の陰極となり、画素にわたって共通の共通電極が有機ＥＬ素子３１０の陽極となる。
すなわち、本願発明における個別電極は、有機ＥＬ素子３１０を駆動する駆動トランジスタのチャネル型などによっては、図２、図１４に示される画素回路のように陽極となる場合もあるし、図１５に示される画素回路のように陰極となる場合もある。反対に、本願発明における共通電極は、図２、図１４に示されるように陰極となる場合もあるし、図１５に示されるように陽極となる場合もある。
【００６０】
＜シリコン基板等＞
ＥＬ基板３００において、発光層から発せられた光を透過する基材３０１には透明性が要求されるが、ＴＦＴ基板２００の基材２０１には、透明性が要求されない。このため、基材２０１には、透明性を有しない基板、例えばシリコン基板を用いることができる。このようにシリコン基板を用いると、トランジスタとして、ＴＦＴではなく、ＭＯＳ（Ｍｅｔａｌ  Ｏｘｉｄｅ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）トランジスタを用いることができるので、高速動作が可能となり、高解像度表示の場合に有利となるだけでなく、走査線駆動回路１４０や、データ線駆動回路１６０などの周辺回路を一体化して集積化することが容易となる。
また、ＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ｏｎ  Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）の技術を適用し、サファイヤや、石英、ガラスなどの絶縁性基板にシリコン単結晶膜を形成して、ここに各種能動素子を作り込んでも良い。
【００６１】
＜カラー表示等＞
また、単色の画素だけではなく、３つの画素の各々に対して、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）にて発色するように発光層を選択するとともに、これらの３画素により１ドットとして、カラー表示を行うとしても良い。
一方、有機ＥＬ素子３１０に替えて、ＬＥＤなどの他の発光素子を用いても良い。すなわち、発光素子が画素毎の個別電極と画素にわたって共通の共通電極とによって発光層を挟持する構成であれば、本発明は、適用可能である。
【００６２】
＜電子機器＞
次に、上述した表示システム１０を、具体的な電子機器に組み込んだ例について説明する。図１６は、電子機器の一例として想定するモバイル型のパーソナルコンピュータの電気的な構成を示すブロック図であり、図１７は、このパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。
図１７に示されるように、パーソナルコンピュータ２１００は、キーボード２１０２を備えた本体２１０４と、表示ユニットとしての電気光学装置１００とを備えている。また、図１６において、ＣＰＵ２０は、バス２１を介して各部を制御する。ＲＯＭ２２は、基本入出制御プログラム（ＢＩＯＳ）などを記憶し、ＲＡＭ２４は、ＣＰＵ２０のワークエリアとして用いられる。ＨＤＤ（ハードディスクドライブ）２６は、オペレーションシステムや各種のアプリケーションプログラムを記憶する。操作部２８は、キーボード２１０２の操作状態を検出して、その操作内容を示す信号を、ＣＰＵ２０に出力する。
このパーソナルコンピュータ２１００では、ＣＰＵ２０が、キーボード２１０２の操作状態やアプリケーションプログラムの実行等に伴ってデジタルデータＤｍｅｍを生成し、表示システム１０における画像メモリ１３０の記憶内容を書き換える。したがって、電気光学装置１００の各画素における有機ＥＬ素子３１０は、それぞれ画像メモリ１３０において対応する記憶領域に格納されたデジタルデータで規定された輝度で発光し、これにより画像が表示されることになる。
【００６３】
なお、電気光学装置１００が適用される電子機器としては、図１６および図１７に示されるパーソナルコンピュータの他にも、携帯電話や、デジタルスチルカメラデジタルテレビ、ビューファインダ型またはモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等などが挙げられる。そして、これらの各種電子機器の表示ユニットとして、上述した電気光学装置１００が適用可能であることは言うまでもない。
【００６４】
以上説明したように、発光素子が形成された基板と当該発光素子を駆動するための濃度素子が形成された基板とを貼り合わせる場合に、発光素子の劣化・破壊を抑止することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施形態に係る電気光学装置を含むシステム構成を示す図である。
【図２】同電気光学装置における画素回路の構成を示す回路図である。
【図３】同電気光学装置の要部構成を示す断面図である。
【図４】同電気光学装置におけるＴＦＴ基板の構成を示す平面図である。
【図５】同ＴＦＴ基板における接続面を示す図である。
【図６】同電気光学装置のＥＬ基板における接続面を示す図である。
【図７】同電気光学装置の製造工程図である。
【図８】その製造プロセスを示す図である。
【図９】その製造プロセスを示す図である。
【図１０】別の製造工程図である。
【図１１】その製造プロセスを示す図である。
【図１２】その製造プロセスを示す図である。
【図１３】同電気光学装置の別構成を示す断面図である。
【図１４】同画素回路の別構成を示す回路図である。
【図１５】同画素回路の別構成を示す回路図である。
【図１６】同電気光学装置を用いたパソコンの構成を示す図である。
【図１７】同電気光学装置を用いたパソコンの構成を示す図である。
【符号の説明】
１００…電気光学装置、２００…ＴＦＴ基板（第２基板）、２０２…走査線、２０４…データ線、２０９…電源線、２１２…ＴＦＴ（駆動トランジスタ）、２１４…ＴＦＴ（スイッチングトランジスタ）、２２０…容量素子、２４０…引出端子（第２の接続端子）、２５０…画素駆動回路（駆動回路）、３００…ＥＬ基板（第１基板）、３０１…基材、３０３…個別電極、３０５…バンク（隔壁）、３０７…開孔部、３０９…導通材、３１０…有機ＥＬ素子、３１３…有機ＥＬ層、３２３…共通電極、３２５…開口部、３３０…コンタクトホール、３４０…接続端子（第１の接続端子）、３６０…封止層、４００…異方性導電体、４１０…マイクロカプセル、２１００…パーソナルコンピュータ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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