(57)【要約】【課題】ＩＩＩ族窒化物半導体よりなる電界効果型トランジスタの特性の制御性を向上させる。【解決手段】ＩｎＧａＮ（混晶比０％〜１００％）層１０１上にＡｌＧａＮ層１０２が積層されており、そのＡｌＧａＮ層１０２上にゲート電極１０３およびオーミック電極１０４が形成されている。ゲート電極１０５の長手方向は［１１−２０］方向あるいは［２−１−１０］あるいは［−１２−１０］方向のいずれかである。これによって、ゲート電極近傍のストレスにより発生するピエゾ電荷量が一定となるので電界効果型トランジスタの特性を揃えることができる。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成されたＩＩＩ族窒化物半導体層よりなり、かつゲート電極およびオーミック電極が形成されている電界効果トランジスタであって、前記ゲート電極の長手方向が特定の方向に形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記特定の方向が、［１１−２０］方向、［２−１−１０］方向または［−１２−１０］方向のいずれかであることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記特定の方向が、［０１−１０］方向、［１０−１０］方向または［１−１００］方向のいずれかであることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項４】
基板上に形成されたＩＩＩ族窒化物半導体よりなり、かつゲート電極およびオーミック電極が形成されている電界効果トランジスタを複数個有し、そのうち前記ゲート電極の長手方向が［１１−２０］方向、［２−１−１０］方向または［−１２−１０］方向のいずれかである電界効果型トランジスタと、前記ゲート電極の長手方向が［０１−１０］方向、［１０−１０］方向または［１−１００］方向のいずれかである電界効果型トランジスタとが含まれることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
基板上に形成された第１および第２のＩＩＩ族窒化物半導体層よりなり、ゲート電極が前記第１のＩＩＩ族窒化物半導体層上に形成され、オーミック電極が前記第２のＩＩＩ族窒化物半導体層上に形成された電界効果トランジスタであって、前記ゲート電極の長手方向が特定の方向に形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
前記特定の方向が、［１１−２０］方向、［２−１−１０］方向または［−１２−１０］方向のいずれかであることを特徴とする請求項５記載の半導体装置。
【請求項７】
前記特定の方向が、［０１−１０］方向、［１０−１０］方向または［１−１００］方向のいずれかであることを特徴とする請求項５記載の半導体装置。
【請求項８】
基板上に形成された第１および第２のＩＩＩ族窒化物半導体層よりなり、ゲート電極が前記第１のＩＩＩ族窒化物半導体層上に形成され、オーミック電極が前記第２のＩＩＩ族窒化物半導体層上に形成された電界効果トランジスタを複数個有し、そのうち前記ゲート電極の長手方向が［１１−２０］方向、［２−１−１０］方向または［−１２−１０］方向のいずれかである電界効果型トランジスタと、前記ゲート電極の長手方向が［０１−１０］方向、［１０−１０］方向または［１−１００］方向のいずれかである電界効果型トランジスタとが含まれることを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、携帯電話に代表される高周波通信機器に使用される半導体装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年の携帯電話に代表される移動体通信機器においては、ＧａＡｓ系電界効果型トランジスタあるいはヘテロ接合バイポーラトランジスタが使用されており、揺るぎ無い地位を占めるに至っている。しかしながら、新材料による高性能化開発も精力的に推進されている。その中で、ＧａＮに代表される窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体すなわち一般式がＡｌｘＧａ１−ｘ−ｙＩｎｙＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）で表されるＩＩＩ族窒化物半導体は、ＧａＡｓ系に比較して１０倍のシートキャリア濃度を実現でき、かつ、高い絶縁破壊電圧を有するため、次世代の化合物半導体材料として極めて注目されている。
【０００３】
ＩＩＩ族窒化物半導体装置で特に注目されるのは、ＡｌＧａＮ／ＧａＮヘテロ接合を用いたＭＯＤＦＥＴ（Ｍｏｄｕｌａｔｉｏｎ  Ｄｏｐｅｄ  Ｆｉｅｌｄ  Ｅｆｆｅｃｔ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）である。ＧａＡｓ系ＭＯＤＦＥＴとの最大の違いは、ショットキー層であるＡｌＧａＮ層に不純物をドーピングすることなくＧａＡｓ系ＭＯＤＦＥＴの１０倍ものシートキャリア濃度を実現できる点である。ＡｌＧａＮ／ＧａＮ間のストレスによってＡｌＧａＮにピエゾ効果による分極が発生し、その結果、ＡｌＧａＮ／ＧａＮ界面に二次元電子が蓄積されることが、キャリア発生の機構である。
【０００４】
そのためストレスは非常に重要なパラメータであり、ＡｌＧａＮ／ＧａＮ間のストレスと誘起されるシートキャリア濃度は精力的に研究されている。例えば、非特許文献１において、二次元電子ガスのシートキャリア濃度をストレスから定量的に計算している。図９に従来のＡｌＧａＮ／ＧａＮ    ＭＯＤＦＥＴの実施例を示す。この図面には、上面からの見取り図とＭＯＤＦＥＴの断面図が示されている。１０１はＩｎＧａＮ層、１０２はＡｌＧａＮ層であって、ＩｎＧａＮ／ＡｌＧａＮ間に２次元電子ガスが蓄積する。１０３はゲート電極、１０４はオーミック電極である。
【０００５】
【非特許文献１】
Ｏ．Ａｍｂａｃｈｅｒ  ｅｔ．  ａｌ．；Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ａｐｐｌｉｅｄ  Ｐｈｙｓｉｃｓ，  Ｖｏｌ  ８５，  Ｎｏ．（１９９９）ｐ．３２２２−ｐ．３２３３．
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
窒化物系電界効果型トランジスタのキャリア蓄積の機構を鑑みると、ゲート電極周辺のストレスは非常に重要である。にもかかわらず、従来技術においては、ＩｎＧａＮ／ＡｌＧａＮ間のストレスについて検討がなされているのみで、ゲート電極およびオーミック電極周辺に発生するストレスに関しては全く注意を払われてこなかった。そのため、ＭＯＤＦＥＴの特性予測には誤差が発生しており、さらに、特性がばらつくといった課題があった。
【０００７】
上記課題に鑑み、本発明は、ゲート電極およびオーミック電極のストレスを考慮して、その電界効果型トランジスタの閾値特性を正確に制御できる構造を提供することを目的とするものである。
【０００８】
なお、本発明者らは、窒化物系電界効果型トランジスタにおいて、本発明で議論されるゲート電極の方位に関する優位性をはじめて明らかにした。それにより本発明に至ったものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本発明の半導体装置は、基板上に形成されたＩＩＩ族窒化物半導体層よりなり、かつゲート電極およびオーミック電極が形成されている電界効果トランジスタであって、前記ゲート電極の長手方向が特定の方向に形成されているものである。
【００１０】
この構成により、ゲート電極の長手方向が特定の方向に形成されているので、ゲート電極のストレスによるピエゾ電荷の発生を制御することができる。
【００１１】
本発明の半導体装置は、さらに前記特定の方向が、［１１−２０］方向、［２−１−１０］方向または［−１２−１０］方向のいずれかであることが好ましい。この好ましい構成によれば、ゲート電極のストレスによるピエゾ電荷の発生が少ないことから温度特性を鈍感にすることができる。
【００１２】
なお、ここで例えば［１１−２０］について−２の“マイナス”は、“バー”の意味である。これについては他の方向についても同様である。
【００１３】
本発明の半導体装置は、さらに前記特定の方向が、［０１−１０］方向、［１０−１０］方向または［１−１００］方向のいずれかであることが好ましい。この好ましい構成によれば、ゲート電極のストレスによるピエゾ電荷の発生が多いことから閾値電圧が温度に敏感にすることができる。
【００１４】
本発明の半導体装置は、基板上に形成されたＩＩＩ族窒化物半導体よりなり、かつゲート電極およびオーミック電極が形成されている電界効果トランジスタを複数個有し、そのうち前記ゲート電極の長手方向が［１１−２０］方向、［２−１−１０］方向または［−１２−１０］方向のいずれかである電界効果型トランジスタと、前記ゲート電極の長手方向が［０１−１０］方向、［１０−１０］方向または［１−１００］方向のいずれかである電界効果型トランジスタとが含まれるものである。
【００１５】
この構成により、ゲート電極のストレスによるピエゾ電荷の発生が多いゲート方位と少ない方位が混在するので、温度特性の異なるトランジスタを組み合わせることにより、回路設計に大きな自由度を与えることができる。
【００１６】
本発明の半導体装置は、基板上に形成された第１および第２のＩＩＩ族窒化物半導体層よりなり、ゲート電極が前記第１のＩＩＩ族窒化物半導体層上に形成され、オーミック電極が前記第２のＩＩＩ族窒化物半導体層上に形成された電界効果トランジスタであって、前記ゲート電極の長手方向が特定の方向に形成されているものである。
【００１７】
この構成により、ゲート電極の長手方向が特定の方向に形成されているので、ゲート電極のストレスによるピエゾ電荷の発生を制御して温度特性を制御できるとともに、第２のＩＩＩ族窒化物半導体層のストレスによりその制御性をより一層向上させることができる。
【００１８】
本発明の半導体装置は、さらに前記特定の方向が、［１１−２０］方向、［２−１−１０］方向または［−１２−１０］方向のいずれかであることが好ましい。この好ましい構成によれば、ゲート電極のストレスによるピエゾ電荷の発生が少ないことから温度特性を鈍感にすることができる。
【００１９】
本発明の半導体装置は、さらに前記特定の方向が、［０１−１０］方向、［１０−１０］方向または［１−１００］方向のいずれかであることが好ましい。この好ましい構成によれば、ゲート電極のストレスによるピエゾ電荷の発生が多いことから閾値電圧が温度に敏感にすることができる。
【００２０】
本発明の半導体装置は、基板上に形成された第１および第２のＩＩＩ族窒化物半導体層よりなり、ゲート電極が前記第１のＩＩＩ族窒化物半導体層上に形成され、オーミック電極が前記第２のＩＩＩ族窒化物半導体層上に形成された電界効果トランジスタを複数個有し、そのうち前記ゲート電極の長手方向が［１１−２０］方向、［２−１−１０］方向または［−１２−１０］方向のいずれかである電界効果型トランジスタと、前記ゲート電極の長手方向が［０１−１０］方向、［１０−１０］方向または［１−１００］方向のいずれかである電界効果型トランジスタとが含まれるものである。
【００２１】
この構成により、ゲート電極のストレスによるピエゾ電荷の発生が多いゲート方位と少ない方位が混在するので、温度特性の異なるトランジスタを組み合わせることにより、回路設計に大きな自由度を与えることができる。さらに、第２のＩＩＩ族窒化物半導体層のストレスにより第２のＩＩＩ族窒化物半導体層のストレスによりピエゾ電荷の制御性をより一層向上させることができる。
【００２２】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の形態について、図面を用いて以下に説明する。
【００２３】
ＳｉＣ基板の上にＡｌＮ層、ＧａＮ層およびＡｌＧａＮ層が順次形成されてなる電界効果型トランジスタのゲート電極の長手方向を特定の方向に向ける構成にする。ゲート電極の長手方向と閾値電圧の関係を本発明者が初めて測定した結果、得られたグラフを図７に示す。閾値電圧はゲート方位依存性を示しており、［１０−１０］方向で最も深い閾値電圧となることがわかる。
【００２４】
さらに上記電界効果トランジスタについて閾値電圧の基板温度依存性を図８に示す。温度係数もまたゲート方向依存性を有することがわかる。これにより、ゲート電極あるいはオーミック電極周辺に発生するピエゾ電荷の電荷量を一定にすることにより、電界効果型トランジスタの閾値特性を揃えることが可能となる。
【００２５】
また、ゲート電極周辺およびオーミック電極周辺のストレスを可変させることによって、閾値電圧を制御することが可能となる。
【００２６】
なお、本実験について、基板として４Ｈ−ＳｉＣを用いて検討を行ったが、６Ｈ−ＳｉＣ基板やサファイア基板等、他の基板についても同様な効果が得られる。
【００２７】
また、電界効果トランジスタを構成するＩＩＩ族窒化物半導体層の組み合わせは、ＩｎＧａＮ層／ＡｌＧａＮ層に限らず、他の組み合わせでも同様な効果が得られる。
【００２８】
上記特性を有する半導体装置について、以下の実施形態にて説明する。
【００２９】
以下の実施形態において、基板としては、４Ｈ−ＳｉＣ基板、６Ｈ−ＳｉＣ基板、サファイア基板等を用いることができる。
【００３０】
（第１の実施形態）
第１の実施形態に係る半導体装置は、基板上にＩｎＧａＮ（混晶比０％〜１００％）とＡｌＧａＮ（混晶比０％〜１００％）が順次形成されており、ゲート電極およびオーミック電極が形成されている電界効果型半導体装置であって、前記ゲート電極の長手方向が［１１−２０］方向あるいは［２−１−１０］あるいは［−１２−１０］方向のいずれかであるものであり、ゲート電極のストレスによるピエゾ電荷の発生が少ないことから温度特性を鈍感にすることができる。
【００３１】
この半導体装置について、上面図および断面構造図を具体的に図１に示す。図１において、１０１はＩｎＧａＮ層（混晶比０％〜１００％）であり２次元電子ガスが走行する。１０２はＡｌＧａＮ層でありショットキー層として機能する。１０３はゲート電極であり例えばＰｄＳｉ／Ａｕが使用される。１０４はオーミック電極であり例えばＴｉ／Ａｌが使用される。１０５はゲート電極であり、長手方向が［１１−２０］方向あるいは［２−１−１０］あるいは［−１２−１０］方向のいずれかである。
【００３２】
ゲート電極がこの方向にある場合、ゲート電極直下のピエゾ電荷が少ないために、閾値電圧の温度変動が小さく、そのため安定な温度特性を実現することができる。
【００３３】
（第２の実施形態）
第２の実施形態に係る半導体装置は、基板上にＩｎＧａＮ（混晶比０％〜１００％）とＡｌＧａＮ（混晶比０％〜１００％）が順次形成されており、ゲート電極およびオーミック電極が形成されている電界効果トランジスタであって、前記ゲート電極の長手方向が［０１−１０］方向あるいは［１０−１０］あるいは［１−１００］方向のいずれかであるものであり、これによりゲート電極のストレスによるピエゾ電荷の発生が多いことから閾値電圧が温度に敏感にすることができる。
【００３４】
この半導体装置について、上面図および断面構造図を具体的に図２に示す。図２において、１０１はＩｎＧａＮ層（混晶比０％〜１００％）であり２次元電子ガスが走行する。１０２はＡｌＧａＮ層でありショットキー層として機能する。１０３はゲート電極であり例えばＰｄＳｉ／Ａｕが使用される。１０４はオーミック電極であり例えばＴｉ／Ａｌが使用される。１０５はゲート電極であり、長手方向が［０１−１０］方向あるいは［１０−１０］あるいは［１−１００］方向のいずれかである。
【００３５】
ゲート電極がこの方向にある場合、ゲート電極直下のピエゾ電荷が多いために、閾値電圧の温度変動が大きく、そのため温度に敏感な特性を実現することができる。
【００３６】
（第３の実施形態）
第３の実施形態に係る半導体装置は、基板上にＩｎＧａＮ（混晶比０％〜１００％）とＡｌＧａＮ（混晶比０％〜１００％）が順次形成されており、ゲート電極およびオーミック電極が形成されている電界効果型半導体装置であって、前記ゲート電極の長手方向が［１１−２０］方向あるいは［２−１−１０］あるいは［−１２−１０］方向のいずれかである電界効果型トランジスタと、前記ゲート電極の長手方向が［０１−１０］方向あるいは［１０−１０］あるいは［１−１００］方向のいずれかである電界効果型トランジスタが混在することを特徴とする半導体装置であり、ゲート電極のストレスによるピエゾ電荷の発生が多いゲート方位と少ない方位が混在するので、温度特性の異なるトランジスタを組み合わせることにより、回路設計に大きな自由度を与えるという作用を有する。
【００３７】
この半導体装置について、上面図および断面構造図を具体的に図３に示す。図３において、１０１はＩｎＧａＮ層（混晶比０％〜１００％）であり２次元電子ガスが走行する。１０２はＡｌＧａＮ層でありショットキー層として機能する。１０３はゲート電極であり例えばＰｄＳｉ／Ａｕが使用される。１０４はオーミック電極であり例えばＴｉ／Ａｌが使用される。１０５はゲート電極であり、長手方向が［１１−２０］方向あるいは［２−１−１０］あるいは［−１２−１０］方向のいずれかである電界効果型トランジスタと、前記ゲート電極の長手方向が［０１−１０］方向あるいは［１０−１０］あるいは［１−１００］方向のいずれかである電界効果型トランジスタが混在している。
【００３８】
ゲート電極がこれらの方向にある場合、異なる特性を有するトランジスタを混在させることができるため、回路設計に大きな自由度が生まれる。つまり、これを積極的に利用した回路を実現することができる。
【００３９】
（第４の実施形態）
第４の実施形態に係る半導体装置は、基板上にＩｎＧａＮ（混晶比０％〜１００％）と第１のＡｌＧａＮ（混晶比０％〜１００％）が順次形成されており、ゲート電極が前記第１のＡｌＧａＮ上に形成されており、前記第１のＡｌＧａＮ上の一部に第２のＡｌＧａＮとオーミック電極が形成されている電界効果型半導体装置であって、前記ゲート電極の長手方向が［１１−２０］方向あるいは［２−１−１０］あるいは［−１２−１０］方向のいずれかであることを特徴とする半導体装置であり、ゲート電極のストレスによるピエゾ電荷の発生が少ないことから温度特性を鈍感にする作用を有する。さらに、第２のＡｌＧａＮのストレスによりその作用をより一層大きくすることができる。
【００４０】
この半導体装置について、上面図および断面構造図を具体的に図４に示す。図４において、４０１はＩｎＧａＮ層（混晶比０％〜１００％）であり２次元電子ガスが走行する。４０２は第１のＡｌＧａＮ層でありショットキー層として機能する。４０３はゲート電極であり例えばＰｄＳｉ／Ａｕが使用される。４０６は第１のＡｌＧａＮ層上の一部に形成された第２のＡｌＧａＮ層であり、この上にオーミック電極４０４が形成される。オーミック電極４０４は例えばＴｉ／Ａｌが使用される。４０５はゲート電極であり、長手方向が［１１−２０］方向あるいは［２−１−１０］あるいは［−１２−１０］方向のいずれかである。
【００４１】
ゲート電極がこの方向にある場合、ゲート電極直下のピエゾ電荷が少ないために、閾値電圧の温度変動が小さく、そのため安定な温度特性を実現することができる。さらに、第２のＡｌＧａＮ層によりストレスを制御することにより、その効果をより一層高めることができる。
【００４２】
（第５の実施形態）
第５の実施形態に係る半導体装置は、基板上にＩｎＧａＮ（混晶比０％〜１００％）と第１のＡｌＧａＮ（混晶比０％〜１００％）が順次形成されており、ゲート電極が前記第１のＡｌＧａＮ上に形成されており、前記第１のＡｌＧａＮ上の一部に第２のＡｌＧａＮとオーミック電極が形成されている電界効果型半導体装置であって、前記ゲート電極の長手方向が［０１−１０］方向あるいは［１０−１０］あるいは［１−１００］方向のいずれかであることを特徴とする半導体装置であり、ゲート電極のストレスによるピエゾ電荷の発生が多いことから閾値電圧が温度に敏感にする作用を有する。さらに、第２のＡｌＧａＮのストレスによりその作用をより一層大きくすることができる。
【００４３】
この半導体装置について、上面図および断面構造図を具体的に図５に示す。図５において、４０１はＩｎＧａＮ層（混晶比０％〜１００％）であり２次元電子ガスが走行する。４０２は第１のＡｌＧａＮ層でありショットキー層として機能する。４０３はゲート電極であり例えばＰｄＳｉ／Ａｕが使用される。４０６は第１のＡｌＧａＮ層上の一部に形成された第２のＡｌＧａＮ層であり、この上にオーミック電極４０４が形成される。オーミック電極４０４は例えばＴｉ／Ａｌが使用される。４０５はゲート電極であり、長手方向が［０１−１０］方向あるいは［１０−１０］あるいは［１−１００］方向のいずれかである。
【００４４】
ゲート電極がこの方向にある場合、ゲート電極直下のピエゾ電荷が多いために、閾値電圧の温度変動が大きく、そのため温度に敏感な特性を実現することができる。さらに、第２のＡｌＧａＮ層によりストレスを制御することにより、その効果をより一層高めることができる。
【００４５】
（第６の実施形態）
第６の実施形態に係る半導体装置は、基板上にＩｎＧａＮ（混晶比０％〜１００％）と第１のＡｌＧａＮ（混晶比０％〜１００％）が順次形成されており、ゲート電極が前記第１のＡｌＧａＮ上に形成されており、前記第１のＡｌＧａＮ上の一部に第２のＡｌＧａＮとオーミック電極が形成されている電界効果型半導体装置であって、前記ゲート電極の長手方向が［１１−２０］方向あるいは［２−１−１０］あるいは［−１２−１０］方向のいずれかである電界効果型トランジスタと、前記ゲート電極の長手方向が［０１−１０］方向あるいは［１０−１０］あるいは［１−１００］方向のいずれかである電界効果型トランジスタが混在することを特徴とする半導体装置であり、ゲート電極のストレスによるピエゾ電荷の発生が多いゲート方位と少ない方位が混在できるというしていることから、温度特性の異なるトランジスタを組み合わせることにより、回路設計に大きな自由度を与えるという作用を有する。さらに、第２のＡｌＧａＮのストレスによりその作用をより一層大きくすることができる。
【００４６】
この半導体装置について、上面図および断面構造図を具体的に図６に示す。図６において、４０１はＩｎＧａＮ層（混晶比０％〜１００％）であり２次元電子ガスが走行する。４０２は第１のＡｌＧａＮ層でありショットキー層として機能する。４０３はゲート電極であり例えばＰｄＳｉ／Ａｕが使用される。４０６は第１のＡｌＧａＮ層上の一部に形成された第２のＡｌＧａＮ層であり、この上にオーミック電極４０４が形成される。オーミック電極４０４は例えばＴｉ／Ａｌが使用される。４０５はゲート電極であり長手方向が［１１−２０］方向あるいは［２−１−１０］あるいは［０１−１０］方向のいずれかである電界効果型トランジスタと、前記ゲート電極の長手方向が［０１−１０］方向あるいは［１０−１０］あるいは［１−１００］方向のいずれかである電界効果型トランジスタが混在させる。
【００４７】
ゲート電極がこの方向にある場合、閾値電圧の温度変動が大きいトランジスタと小さいトランジスタを混在させることができる。そのため回路設計に大きな自由度が生まれる。つまり、これを積極的に利用した回路を実現することができる。さらに、第２のＡｌＧａＮ層によりストレスを制御することにより、その効果をより一層高めることができる。
【００４８】
なお、上記実施形態において電界効果トランジスタを構成するＩＩＩ族窒化物半導体層の組み合わせは、ＩｎＧａＮ層／ＡｌＧａＮ層に限らず、ＡｌｘＧａ１−ｘ−ｙＩｎｙＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）についてｘ、ｙの値を選んでなる複数のＡｌＧａＩｎＮ層の組み合わせであっても同様の効果が得られる。
【００４９】
なお、上記実施の形態については、ついては、電界効果トランジスタを例に説明したが、電界効果トランジスタに限らず、電界効果を利用した半導体装置すなわち電界効果型半導体装置に本発明を用いても同様な効果が得られる。
【００５０】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によればＡｌＧａＮ／ＩｎＧａＮ電界効果型トランジスタにおいて、ピエゾ効果を積極的に利用して、特性を揃える、あるいは温度特性が大きいあるいは小さいトランジスタを実現し、さらにはそれを混在させて回路設計の自由度を広げることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施形態を示す上面図および断面図
【図２】本発明の第２の実施形態を示す上面図および断面図
【図３】本発明の第３の実施形態を示す上面図および断面図
【図４】本発明の第４の実施形態を示す上面図および断面図
【図５】本発明の第５の実施形態を示す上面図および断面図
【図６】本発明の第６の実施形態を示す上面図および断面図
【図７】閾値電圧のゲート電極長手方向を示す図
【図８】閾値電圧の温度特性に関するゲート電極長手方向依存性を示す図
【図９】従来例を示す上面図および断面図
【符号の説明】
１０１    ＩｎＧａＮ層
１０２    ＡｌＧａＮ層
１０３    ゲート電極
１０４    オーミック電極
１０５    ゲート電極
４０１    ＩｎＧａＮ層
４０２    第１のＡｌＧａＮ層
４０３    ゲート電極
４０４    オーミック電極
４０５    ゲート電極
４０６    第２のＡｌＧａＮ層
【図１】
2004327766.tif 000003
【図２】
2004327766.tif 000004
【図３】
2004327766.tif 000005
【図４】
2004327766.tif 000006
【図５】
2004327766.tif 000007
【図６】
2004327766.tif 000008
【図７】
2004327766.tif 000009
【図８】
2004327766.tif 000010
【図９】
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