(57)【要約】【課題】ビアを介して電気的絶縁層の両面に形成された配線パターンが電気的に接続された配線基板を高精度にかつ効率的に製造可能とする。【解決手段】両面銅張り基板３０として、銅箔３１ｂ、３２ｂに剥離可能に銅キャリア３１ａ、３２ａを接着した銅キャリア付き銅箔３１、３２が、基材１０の両面に被着された基板を使用し、基材１０の一方の面に被着する銅キャリア付き銅箔３１の銅キャリア３１ａのみを剥離して除去した後、基板１０の一方の面側からレーザ加工を施して、基材１０の一方の面に被着する銅箔３１ｂを消失させるとともに、基材１０の他方の面側に被着された銅キャリア付き銅箔３２が底面に露出するビア穴１６を形成し、次いで、前記ビア穴１３に導体部を形成して、基材の両面に形成された配線パターンが前記導体部を介して電気的に接続された配線基板を形成する。【選択図】　　　　　図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気的絶縁性を有する基材の両面に銅箔を被着した両面銅張り基板にレーザ加工を施してビア穴を形成し、ビアを介して基材の両面に形成された配線パターンを電気的に接続した配線基板の製造方法において、
前記両面銅張り基板として、基材の両面に、銅箔に剥離可能に銅キャリアを接着した銅キャリア付き銅箔が被着された基板を使用し、
基材の一方の面に被着する銅キャリア付き銅箔の銅キャリアのみを剥離して除去した後、
基板の一方の面側からレーザ加工を施して、基材の一方の面に被着する銅箔を消失させるとともに、基材の他方の面側に被着された銅キャリア付き銅箔が底面に露出するビア穴を形成し、
次に、前記ビア穴に導体部を形成して、基材の両面に形成された配線パターンが前記導体部を介して電気的に接続された配線基板を形成することを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項２】
前記ビア穴に導体部を形成する際に、基材の他方の面側に被着する銅キャリア付き銅箔の銅キャリアを剥離し、
次いで、前記ビア穴の内面を含む基板の少なくとも一方の面にめっき給電層を形成し、該めっき給電層を給電層として基板に電解めっきを施すことにより、前記ビア穴の内面および基板の両面に導体部を形成することを特徴とする請求項１記載の配線基板の製造方法。
【請求項３】
前記ビア穴に導体部を形成する際に、基材の他方の面側に被着する銅キャリア付き銅箔をめっき給電層として基板に電解めっきを施して、ビア穴がめっきにより充填された導体部を形成し、
次いで、前記銅キャリア付き銅箔の銅キャリアを剥離して除去することを特徴とする請求項１記載の配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は配線基板の製造方法に関し、より詳細には電気的絶縁性を有する基材の両面に形成された導体層を層間で電気的に接続して形成する配線基板の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体素子を搭載して半導体装置を構成する配線基板には、電気的絶縁性を有する絶縁層を介して導体層を積層して形成た製品が提供されている。このような多層配線基板ではスルーホールを介して層間で導体層を電気的に接続するようにしたり、ビアを介して層間の導体層を電気的に接続するといったことがなされている。
しかしながら、絶縁層の両面に形成されている導体層を層間で電気的に接続して導体層を積層する製造工程は必ずしも容易な作業とはいえず、とくに配線パターンが高密度に形成される製品や、導体層を多層に形成する製品では、加工精度等の問題もあって導体層を層間で確実に電気的に接続することが困難であるという問題がある。
【０００３】
絶縁層の両面に形成されている導体層を層間で電気的に接続する構造を形成する方法として広く行われている方法に、電気的絶縁性材からなる基材の両面にあらかじめ銅箔が被着された両面銅張り基板を使用する方法がある。両面銅張り基板を使用して層間で導体層を電気的に接続する方法としては、基材の一方の面を被覆する銅箔をエッチングし、ビア穴を形成する部位の銅箔を除去してビア穴形成部分の基材を露出させ、レーザ光を照射し基材が露出している部位にビア穴を形成する方法がある。この場合、ビア穴を形成する部位の銅箔をエッチングした後の銅箔は、レーザ光に対するマスクとして作用する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
上記のように両面銅張り基板を使用して配線基板を製造する際に、ビア穴を形成する部位の基材部分を露出させるように銅箔をあらかじめエッチングするといった操作によって配線基板を形成する方法は、銅箔の厚さが厚いために高密度に微細な配線パターンを形成することができず、また銅箔をエッチングするといった工程が煩雑であり、製造工程中の基板の伸縮等により高精度の加工には向かないという問題がある。そこで、微細な配線パターンであってもより簡易にかつ精度よく形成する方法として、基材の表面に銅箔を被着したままレーザ加工してビア穴を形成する方法がある。
【０００５】
図６は、電気的絶縁性を有する基材１０の両面に銅箔１２ａ、１２ｂが被着された両面銅張り基板１４にレーザ加工を施してビア穴１６を形成し、層間で導体層を電気的に接続する加工方法を示す。この加工方法では、図６（ｂ）に示すように、両面銅張り基板１４の一方の面側からレーザ光を照射し、ビア穴１６を形成する部位の銅箔１２ａを除去するとともに基材１０を除去してビア穴１６を形成する。
【０００６】
しかしながら、この加工方法の場合は、銅箔１２ａをレーザ加工によって除去するため、エネルギーの高いレーザ光を使用するから、レーザ加工時に、ビア穴１６の底面に露出する銅箔１２ｂがレーザ光によって損傷を受けるという問題がある。図６（ｂ）でＡ部分が銅箔１２ｂの損傷を受けた部分である。微細な配線パターンを精度よく形成するには、まず、銅箔１２ａ、１２ｂを化学的にエッチングして銅箔１２ａ、１２ｂの厚さを薄くし（図６（ｃ））、エッチング後の銅箔１２ａ、１２ｂを利用して配線パターンを形成しなければならない。
ところが、銅箔１２ａ、１２ｂを必要な厚さにエッチングして薄くすると、ビア穴１６の底面で銅箔１２ｂの損傷を受けた部分に孔があいてしまい、次工程で配線パターンを所定の精度で形成できなくなる。図６（ｃ）で、Ｂ部分が孔があいた部位を示す。
【０００７】
図７は、両面銅張り基板１４を使用して配線基板を形成する他の方法を示す。この方法は、レーザ加工で使用するレーザ光のエネルギーを抑えるため、まず、基材１０の両面に被着している銅箔１２ａ、１２ｂをエッチングして厚さを薄くした後（図７（ｂ））、レーザ加工によってビア穴１６を形成する（図７（ｃ））。この方法の場合は、銅箔１２ａ、１２ｂの厚さを薄くしたことにより、レーザ光のエネルギーを抑えることができ、ビア穴１６の底面で露出する銅箔１２ｂは損傷を受けにくくなるのであるが、逆に、銅箔１２ｂが薄くなったためレーザ光が照射された際にビア穴の底部の銅箔１２ｂが簡単に加熱され、これによって銅箔１２が損傷を受けやすくなるという問題が生じる。ビア穴１６の底面で露出する銅箔１２ｂはレーザ光によって加熱されるが、銅箔１２ｂがある程度厚ければ、熱拡散によって銅箔１２ｂの過熱が抑えられるのに対し、銅箔１２ｂの厚さが薄いと簡単に銅箔１２ｂが加熱されてしまうからである。
【０００８】
上述した問題を回避する方法としては、両面銅張り基板にレーザ加工を施す際に、レーザ光を照射する一方の面についてはあらかじめ銅箔１２ａをエッチングして薄くするとともに、他方の面の銅箔１２ｂについてはそのままの厚さとすることで、レーザ光のエネルギーを抑えることができ、かつレーザ加工の際に他方の面の銅箔１２ｂから効果的に熱拡散させて銅箔１２ｂが損傷を受けることを防止するようにすることが可能である。しかしながら、この方法の場合は、レーザ加工を施した後、他方の面の銅箔１２ｂのみを片面エッチングする必要があり、エッチング作業が煩雑になるとともに、製造コストが高くなる。
【０００９】
そこで、本発明はこれらの課題を解決すべくなされたものであり、その目的とするところは、電気的絶縁性を有する基材の両面に形成された導体層が確実に電気的に接続され、微細な配線パターンであっても高精度に形成することができ、簡易でかつ確実な製造方法によることで、製造コストを抑えて歩留まり良く製品を製造することができる配線基板の製造方法を提供するにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記目的を達成するため次の構成を備える。
すなわち、電気的絶縁性を有する基材の両面に銅箔を被着した両面銅張り基板にレーザ加工を施してビア穴を形成し、ビアを介して基材の両面に形成された配線パターンを電気的に接続した配線基板の製造方法において、前記両面銅張り基板として、基材の両面に、銅箔に剥離可能に銅キャリアを接着した銅キャリア付き銅箔が被着された基板を使用し、基材の一方の面に被着する銅キャリア付き銅箔の銅キャリアのみを剥離して除去した後、基板の一方の面側からレーザ加工を施して、基材の一方の面に被着する銅箔を消失させるとともに、基材の他方の面側に被着された銅キャリア付き銅箔が底面に露出するビア穴を形成し、次に、前記ビア穴に導体部を形成して、基材の両面に形成された配線パターンが前記導体部を介して電気的に接続された配線基板を形成することを特徴とする。
【００１１】
また、前記ビア穴に導体部を形成する際に、基材の他方の面側に被着する銅キャリア付き銅箔の銅キャリアを剥離し、次いで、前記ビア穴の内面を含む基板の少なくとも一方の面にめっき給電層を形成し、該めっき給電層を給電層として基板に電解めっきを施すことにより、前記ビア穴の内面および基板の両面に導体部を形成することを特徴とする。
また、前記ビア穴に導体部を形成する際に、基材の他方の面側に被着する銅キャリア付き銅箔をめっき給電層として基板に電解めっきを施して、ビア穴がめっきにより充填された導体部を形成し、次いで、前記銅キャリア付き銅箔の銅キャリアを剥離して除去することを特徴とする。
【００１２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の好適な実施の形態について添付図面にしたがって詳細に説明する。
図１、２、３は本発明に係る配線基板の製造方法の一実施形態を示す説明図である。図１は電気的絶縁性を有する基材１０の両面に銅キャリア付き銅箔３１、３２を被着した基板３０に対してレーザ加工を施す製造工程、図２はビア穴１６が形成された基板の両面に配線パターンを形成する製造工程、図３は配線パターンのランドに外部接続端子を接合して外部接続端子付きの配線基板を製造する工程を示す。
【００１３】
図１に示すように、本発明に係る配線基板の製造方法においては、基材１０の両面に銅キャリア付き銅箔３１、３２を被着した両面銅張り基板３０を使用する。基材１０としては、ガラスエポキシ基板等の電気的絶縁性を有する樹脂材が使用される。
図４に基材１０の一方の面に被着されている銅キャリア付き銅箔３１の構成を拡大して示す。銅キャリア付き銅箔３１は銅キャリア３１ａと銅箔３１ｂとを剥離可能に接着して形成されている。３４が銅キャリア３１ａと銅箔３１ｂとを剥離可能に接着している剥離層である。銅キャリア３１ａは銅箔３１ｂを支持するキャリアとして作用するもので、銅箔３１ｂにくらべてはるか厚く形成されている。本実施形態の銅キャリア付き銅箔３１は、銅キャリア３１ａの厚さが３５μｍ、銅箔３１ｂの厚さが３μｍである。
【００１４】
銅キャリア３１ａと銅箔３１ｂとが剥離層３４を介して接着されていることにより、銅キャリア付き銅箔３１から銅キャリア３１ａのみを簡単に剥離して除去することが可能である。
なお、図４では基材１０の一方の面に被着されている銅キャリア付き銅箔３１の構成を示すが、基材１０の他方の面に被着されている銅キャリア付き銅箔３２についても、その構成は銅キャリア付き銅箔３１とまったく同じであり、銅キャリア３２ａに剥離層３４を介して銅箔３２ｂを剥離可能に接着して形成されている。したがって、基材１０の他方の面に被着されている銅キャリア付き銅箔３２についても、銅キャリア３２ａのみを簡単に剥離して除去することができる。
【００１５】
図４で３５は銅箔３１ｂの表面に形成されているレーザ光の吸収層である。この吸収層３５は銅箔３１ｂにレーザ光を照射した際にレーザ光を反射させずに吸収しやすくする処理を施した層である。この吸収層３５を設けたことにより、銅箔３１ｂはレーザ光を吸収しやすくなり、レーザ光を照射した部位の銅箔３１ｂが容易に消失するようになる。なお、銅キャリア付き銅箔３２の銅箔３２ｂの表面に、必要に応じて同様にレーザ光の吸収層３５を設けてもよい。
【００１６】
図１（ａ）に示す両面銅張り基板３０は、基材１０の両面に、上述した３層ないし４層構造からなる銅キャリア付き銅箔３１、３２が、銅箔３１ｂ、３２ｂを基材１０と一体に積層して提供される。この両面銅張り基板３０は配線基板等を製造する素材として従来提供されている量産品であり、低コストで使用できるという利点がある。
【００１７】
図１（ｂ）は、レーザ加工を開始する前に、基材１０のレーザ光が照射される面側である一方の面に被着されている銅キャリア付き銅箔３１から銅キャリア３１ａを剥離して取り去った状態を示す。上述したように、銅キャリア３１ａは剥離層３４から簡単に剥離することができ、銅キャリア３１ａを除去した状態で基材１０の一方の面には銅箔３１ｂのみが残る。銅箔３１ｂの表面にはレーザ光の吸収層３５が露出する。本実施形態では基材１０のレーザ光を照射する面に被着する銅キャリア付き銅箔３１についてのみ銅キャリア３１ａを除去し、基材１０の他方の面に被着する銅キャリア付き銅箔３２についてはそのままとしてレーザ加工を施す。
【００１８】
図１（ｃ）は、基材１０の一方の面側からビア穴１６を形成する部位に向けてレーザ光を照射してビア穴１６を形成した状態を示す。基材１０の一方の面には銅箔３１ｂのみが被着し、銅箔３１ｂはきわめて薄い（厚さ３μｍ）から低エネルギーのレーザ光を使用して銅箔３１ｂを消失させることができる。
銅キャリア付き銅箔３１を使用した場合は、銅箔３１ｂの厚さのばらつきがなく基材１０の表面に均等に銅箔３１ｂが形成されていることから、レーザ加工によって銅箔３１ｂを消失させる処理がきわめて安定的に、ばらつきなく行うことができ、これによって高精度のビア穴１６を形成することが可能になるという利点がある。
【００１９】
従来のように肉厚の銅箔をまずエッチングして所要の厚さにまで薄くした後にレーザ加工によって銅箔を消失させる処理を行う方法による場合は、エッチング後の銅箔の厚さを正確に制御することが難しく、ロットごとに厚さがばらつき、また、１枚の基板内でも場所によって厚さがばらつくことが避けられない。このように、銅箔の厚さがばらついた状態でレーザ加工によってビア穴を形成する場合は、レーザ光の照射精度が高くてもビア穴を形成する場所によって銅箔の消失時間等がばらつき、精度よくビア穴１６を形成することが困難になる。
これに対して、本実施形態の銅キャリア付き銅箔３１を被着した両面銅張り基板３０の場合は、銅箔３１ｂの厚さが均等であることから、高精度にレーザ加工することが可能となり、ビア穴１６をあらかじめ設定した寸法精度に正確に形成することができる。また、銅箔３１ｂの表面にレーザ光の吸収層３５が設けられていることから、効率的に銅箔３１ｂを消失させることができ、ビア穴１６を形成する効率を向上させることができる。
【００２０】
ビア穴１６は、ビア穴１６を形成する部位の銅箔３１ｂを消失させる処理に続いて絶縁層である基材１０をレーザ光によって消失させて形成される。本実施形態では銅箔３１ｂを消失させる処理が均等に行えることから、基材１０に対しても均等にレーザ光が照射され、確実にかつ効率的にビア穴１６を形成することができる。たとえば、基材１０に過度にレーザ光が照射されると、基材１０が横方向に侵食されてビア穴１６の穴径が規定値よりも広がるといったことが起こり得るが、基材１０にレーザ光が均等に照射されることによってビア穴１６が広がったりせず、所定精度にビア穴１６を形成することができる。
また、本実施形態では、レーザ加工で使用するレーザ光のエネルギーを低く抑えることができるから、レーザ光による基材１０に対する侵食作用が抑えられ、ビア穴１６の形成精度を高めることができる。
【００２１】
また、本実施形態では、基材１０の他方の面については銅キャリア付き銅箔３２を被着したままとしているから、ビア穴１６の底面に銅キャリア付き銅箔３２が露出し、レーザ光が直接、銅キャリア付き銅箔３２に照射されても、銅キャリア３２ａによって熱が効果的に拡散され、銅箔３２ｂが過度に熱せられることがなく、銅キャリア付き銅箔３２が損傷を受けることを防止することができるという利点がある。
【００２２】
図１（ｄ）は、ビア穴１６を形成した後、基材１０の他方の面に被着されている銅キャリア付き銅箔３２から銅キャリア３２ａを剥離して除去した状態を示す。銅キャリア付き銅箔３２から銅キャリア３２ａを剥離することにより、基材１０の他方の面には銅箔３２ｂのみが残る。ビア穴１６を形成するレーザ加工によって銅キャリア付き銅箔３２が損傷を受けていないから、基材１０の他方の面には一様に銅箔３２ｂが残り、ビア穴１６の底面で孔があいたりせず良好な状態で銅箔３２ｂが被着されて残る。
本実施形態では、基材１０の他方の面に銅箔３２ｂを残す操作が、銅キャリア３２ａを銅キャリア付き銅箔３２から剥離する操作によるから、従来のように銅箔をエッチングして薄く形成する作業にくらべてきわめて簡単である。また、基材１０の表面に残る銅箔３２ｂの厚さが均一であり、従来のように銅箔の厚さにばらつきがない点でも有効である。
【００２３】
図１（ｄ）に示すように、ビア穴１６を形成した状態で、基材１０の両面に薄い銅箔３１ｂ、３２ｂを残すようにするのは、これらの銅箔３１ｂ、３２ｂを使用して基材１０の両面に微細な配線パターンを高精度に形成するためである。
図２は、上記のようにして形成した基板の両面にセミアディティブ法によって配線パターンを形成する方法を示す。
図２（ａ）は、基材１０の両面に銅箔３１ｂ、３２ｂが被着形成された基板である。この基板に対し、まず、ビア穴１６を含む全面に無電解銅めっきを施し、あるいはビア穴１６の開口面側から銅のスパッタリングを施して、ビア穴１６の内壁面、底面および銅箔３１ｂの表面にめっき給電層となる導体層３６を形成する（図２（ｂ））。
【００２４】
次に、導体層３６の表面と銅箔３２ｂの表面にレジストパターン３８を形成する（図２（ｃ））。レジストパターン３８は導体層３６および銅箔３２ｂをめっき給電層として配線パターンの導体となる導体部を形成するためのもので、基材１０の両面に感光性レジストをラミネートし、露光および現像して導体層３６と銅箔３２ｂの表面で、配線パターンを形成する部位を露出させるように形成する。本実施形態では、基材の両面にレジストパターン３８を形成して、基材１０の両面に一度に配線パターンを形成するようにしている。
【００２５】
図２（ｄ）は、導体層３６と基材１０の他方の面に被着する銅箔３２ｂをめっき給電層として電解銅めっきを施し、導体層３６と銅箔３２ｂの露出面上に銅を盛り上げ、導体部４０を形成した状態である。
図２（ｅ）は、次に、レジストパターン３８を剥離して除去した状態で、レジストパターン３８によって被覆されていた部位で、導体層３６と銅箔３２ｂとが露出した状態を示す。
【００２６】
図２（ｆ）は、銅のエッチング液を使用して、外面に露出している部位の導体層３６と銅箔３２ｂとを溶解除去し、基材１０の両面に配線パターン４２ａ、４２ｂを形成した状態を示す。導体部４０が数十μｍ程度の厚さに形成されるのに対して、導体層３６、銅箔３１ｂ、３２ｂの厚さははるかに薄いから、銅のエッチング液を用いたエッチング操作により、導体部４０によって被覆されていない部位の導体層３６と銅箔３１ｂ、３２ｂは簡単に除去されて図２（ｆ）に示すような独立した配線パターン４２ａ、４２ｂを得ることができる。
ビア穴１６の内壁面、底面に被着して形成された導体部４０は、基材１０の両面に形成された配線パターン４２ａ、４２ｂを電気的に接続するビア４４となる。こうして、電気的絶縁性を有する基材１０の両面に形成された配線パターン４２ａ、４２ｂがビア４４を介して電気的に接続された配線基板が得られる。
【００２７】
図３は、基材１０の両面に配線パターン４２ａ、４２ｂが形成された基板（図３（ａ））に外部接続端子を形成する工程を示す。
図３（ｂ）は、ビア穴１６を形成した部位にはんだボール等の外部接続端子を接合して配線基板とする例で、外部接続端子を形成するビア穴１６の部位を除いてソルダーレジスト等の保護膜４６により基板の両面を被覆した状態を示す。
図３（ｃ）は、ビア穴１６に外部接続端子４８を接合し、外部接続端子付きの配線基板を形成した状態を示す。ビア穴１６の開口部の周囲にランド部分を形成しておき、はんだボールをビア穴１６に位置合わせし、はんだリフローすることにより、図３（ｃ）に示すようにビア穴１６に外部接続端子４８を接合することができる。
【００２８】
図３（ｄ）、（ｅ）は、配線パターン４２ａ、４２ｂに外部接続用のランドを形成し、ランドに外部接続端子４８を接合して配線基板とする場合の例である。図３（ｄ）は外部接続端子を接合するランド４３を除いて基板の両面をソルダーレジスト等の保護膜４６によって被覆した状態を示す。
図３（ｅ）は、次に、ランド４３にはんだボール等の外部接続端子４８を接合し、基板の両面に外部接続端子４８を備えた配線基板を形成した状態を示す。基板の両面の外部接続端子４８はそれぞれ配線パターン４２ａ、４２ｂに接続し、両面の配線パターン４２ａ、４２ｂはビア４４を介して電気的に接続する。
【００２９】
図３（ｃ）に示す配線基板は、配線パターン４２ｂを形成した基材１０の一方の面側に半導体素子を搭載することによって、外部接続端子４８を備えた半導体装置として提供することができる。
また、図３（ｅ）に示す配線基板は、基材１０の両面に形成された配線パターン４２ａ、４２ｂが外部接続端子４８を介して電気的に接続されることから、配線基板を電気的に接続して積層する際に使用するインターポーザとして利用することができる。
【００３０】
上述した実施形態では、基材１０にビア穴１６を形成した後、ビア穴１６の内面に導体層を形成してビア４４としたが、ビア穴１６をめっきにより充填してビアとなる導体部を形成することも可能である。図５は、ビア穴１６をめっきによって充填して配線基板を製造する方法を示す。
図５（ａ）は、基材１０にレーザ光を照射してビア穴１６を形成した状態である。図５（ａ）は図１（ｃ）の状態と同一の状態であり、基材１０にビア穴１６を形成するまでの工程は、上述した図１（ａ）〜（ｃ）までの工程と同一である。図５（ｂ）は、基材１０の他方の面に被着した銅キャリア付き銅箔３２をめっき給電層とする電解銅めっきを施して、ビア穴１６を銅５０によって充填した状態を示す。なお、電解銅めっきは銅キャリア付き銅箔３２の下面にも付着する。
【００３１】
図５（ｃ）は、銅キャリア付き銅箔３２から銅キャリア３２ａを剥離して除去し、銅キャリア３２ａの外面（下面）に付着した銅５０を銅キャリア３２ａとともに除去し、基材１０の他方の面に銅箔３２ｂのみを残した状態である。ビア穴１６には銅５０が充填されている。
図５（ｄ）〜（ｈ）は、基材１０の両面にセミアディティブ法によって配線パターン４２ａ、４２ｂを形成する方法を示す。この製造工程は上述した実施形態と同様である。すなわち、基材１０の両面に銅箔３１ｂ、３２ｂが被着された基板に無電解銅めっきを施して基板の両面にめっき給電層となる導体層３６を形成する（図５（ｄ））。次に、導体層３６の表面にレジストパターン３８を形成する（図５（ｅ））。レジストパターン３８は配線パターンを形成する部位を露出させて形成したものである。次に、導体層３６をめっき給電層として基板に電解銅めっきを施し、導体層３６と銅箔３２ｂの露出面上に銅を盛り上げ、導体部４０を形成する（図５（ｆ））。図５（ｇ）は、レジストパターン３８を剥離して除去した状態で、レジストパターン３８によって被覆されていた部位の導体層３６を露出させた状態である。
【００３２】
図５（ｈ）は、銅のエッチング液を使用して、基板の外面に露出している導体層３６の部位を溶解除去し、基材１０の両面に配線パターン４２ａ、４２ｂを形成した状態である。導体層３６と銅箔３１ｂ、３２ｂは導体部４０にくらべてはるかに薄いからエッチング液によって簡単にエッチングされ、導体部４０が形成された部位のみが基板上に残り、基板の両面に所要の配線パターン４２ａ、４２ｂが形成される。こうして、ビア穴１６に充填された銅５０がビアとなり、基材１０の両面に形成された配線パターン４２ａ、４２ｂが電気的に接続された配線基板を得ることができる。本実施形態の製造方法によって得られた配線基板も、上述した配線基板と同様に、配線パターン４２ａ、４２ｂに外部接続端子を接合する等により、実装用基板あるいはインターポーザ等として利用することができる。
【００３３】
【発明の効果】
本発明に係る配線基板の製造方法によれば、上述したように、銅キャリア付き銅箔を被着した両面銅張り基板を使用し、基材の一方の面側の銅キャリアを剥離して銅箔のみを残した状態でレーザ加工することによって、ビア穴部分での銅箔を損傷させることなく、きわめて精度よくビア穴を形成することができる。また、銅キャリア付き銅箔を被着した両面銅張り基板を使用することによって製造作業を簡素化することができ、製造コストの低減を図ることができる等の著効を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る配線基板の製造方法において、ビア穴を加工する工程を示す説明図である。
【図２】本発明に係る配線基板の製造方法において、基材の両面に配線パターンを形成する工程を示す説明図である。
【図３】本発明に係る配線基板の製造方法において、基板に外部接続端子を接合する工程を示す説明図である。
【図４】銅キャリア付き銅箔の構成を示す断面図である。
【図５】配線基板の製造方法の他の実施形態を示す説明図である。
【図６】基材の両面に設けられる導体層を電気的に接続するための従来の加工方法を示す説明図である。
【図７】基材の両面に設けられる導体層を電気的に接続するための従来の他の加工方法を示す説明図である。
【符号の説明】
１０　基材
１２、１２ａ、１２ｂ　銅箔
１６　ビア穴
３０　両面銅張り基板
３１、３２　銅キャリア付き銅箔
３１ａ、３２ａ　銅キャリア
３１ｂ、３２ｂ　銅箔
３４　剥離層
３５　吸収層
３６　導体層
３８　レジストパターン
４０　導体部
４２ａ、４２ｂ　　　配線パターン
４３　ランド
４４　ビア
４６　保護膜
４８　外部接続端子
５０　銅
【図１】
2004031710.tif 000003
【図２】
2004031710.tif 000004
【図３】
2004031710.tif 000005
【図４】
2004031710.tif 000006
【図５】
2004031710.tif 000007
【図６】
2004031710.tif 000008
【図７】
2004031710.tif 000009