(57)【要約】【解決課題】プロセスチャンバ洗浄用ガスとしてフッ素を再利用する方法及び装置を提供する。【解決手段】吸着剤床１３に近接してもしくは離隔して位置づけられている内蔵型フッ素前駆体源を提供することにより、フッ素を製造する方法及び装置。フッ素前駆体源は、フッ素源１０２及び吸着剤床１０４を含む交換可能なモジュールユニット１００内にあってもよい。フッ素は好ましくは三フッ化窒素源から誘導され、反応チャンバ１４内の堆積シリコン含有不純物を除去するために用いられ、三フッ化窒素源ガスの必要量を減少させる。分離塔１２吸着剤は、不活性ガス７１の逆流を用いてサイクル間に再生される。【選択図】　図５
2004010478.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
廃棄流からフッ素を回収する方法であって、
内面に付着した汚染物質を有する内面を有するプロセスチャンバを準備する工程と；
該プロセスチャンバへの流入ガス源からのフッ素含有ガス流を与える工程と；
該汚染物質を該フッ素含有ガスと接触させ、該プロセスチャンバ内面から該汚染物質を除去して、廃棄流を作る工程と；
該プロセスチャンバからの該廃棄流を、吸着剤を含み、約−１５０℃〜約２０℃の温度及び約３００ｔｏｒｒ〜約２０００ｔｏｒｒの圧力に維持されている吸着剤床を含む精製チャンバに送る工程と；
該精製チャンバ内で該吸着剤上に該廃棄流中の汚染物質を吸着させる工程と；
該廃棄流をリサイクルされたフッ素源流に変換させる工程と；
該精製チャンバからの該リサイクルされたフッ素源流を追加のフッ素源流として、該プロセスチャンバに送る工程と、
を含む方法。
【請求項２】
さらに、
前記吸着剤床に再生ガス源からの吸着剤床再生ガスのフローを送ることによって、前記吸着剤床を再生する工程と；
該吸着剤床からの汚染物質を洗浄して、該汚染物質を該再生ガスに送る工程と；
該精製チャンバからの汚染物質含有再生ガスを送る工程と；
を備える請求項１に記載の方法。
【請求項３】
さらに、
前記プロセスチャンバ内面から除去された不純物がプロセスチャンバ内に存在しない期間に、前記精製チャンバに不活性化合物のフローを送る工程と；
前記吸着剤から、吸着された不純物を除去する工程と；
前記精製チャンバから、該不純物及び該不活性化合物を排出する工程と；
を含む吸着剤再生サイクルを含む請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
前記吸着剤は、式ＣＦｘ（式中、ｘは約０．９〜約１．２である）を有する化合物及びポリテトラフルオロエチレンを重量比約９：１で含む請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記ｘは、１．１５である請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記吸着剤は、さらに、２−プロパノール、ヘキサデカフルオロヘプタン、パーフルオロ−含有化合物からなる群より選択されるポア形成剤化合物を約５０ｗｔ％の量で含む請求項４に記載の方法。
【請求項７】
前記吸着剤はペレット化されている請求項４に記載の方法。
【請求項８】
前記再生ガスは、アルゴン、キセノン、窒素及びこれらの混合物からなる群より選択される請求項２に記載の方法。
【請求項９】
前記フッ素含有ガスは、三フッ化窒素を含む請求項１〜４の何れか１項に記載の方法。
【請求項１０】
前記フッ素含有ガス源は、交換可能なモジュール内のフッ素ガス前駆体及び第２の吸着剤床を含む請求項１〜４の何れか１項に記載の方法。
【請求項１１】
さらに、多量の電解質が装填されていて、電極を含む電解槽を準備する工程と、
電源を準備し、該電源から該電解槽に電流を流す工程と、
該電解槽に、前記フッ素前駆体を送る工程と、
該電解槽の電極から第２の吸着剤床へ多量の不純なフッ素を集める工程と、
該第２の吸着剤床内の吸着剤上に不純なフッ素からの不純物を吸着し、精製されたフッ素を作り出す工程と、
該第２の吸着剤床から精製されたフッ素を送る工程と、
を含む請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
さらに、第１及び第２の吸着剤床から保持タンクへ又は直接、使用箇所へ、精製されたフッ素を送る工程を含む請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
反応チャンバからの不純物を洗浄する装置であって、
フッ素源と流体連通している少なくとも１の入口及び１の廃棄流出口を有するプロセスチャンバと、
該プロセスチャンバと流体連通状態にあり、該プロセスチャンバからフッ素含有化合物及び不純物を送るための廃棄流と、
入口及び出口を有する精製チャンバと、を具備し、該精製チャンバ入口は廃棄流出口と流体連通状態にあって且つ該プロセスチャンバから下流に位置づけられていて、該精製チャンバは多量の吸着剤を含み、該精製チャンバ出口は該精製チャンバから該プロセスチャンバへ精製フッ素を送るための経路と流体連通状態にあり、操作中、該精製チャンバの温度は約−１５０℃〜約２０℃の温度及び約３００ｔｏｒｒ〜約２０００ｔｏｒｒの圧力に維持されている、装置。
【請求項１４】
前記フッ素源は、三フッ化窒素を含む請求項１３に記載の装置。
【請求項１５】
さらに、吸着剤床を含む吸着剤床チャンバに近接して位置づけられているフッ素前駆体源を含む交換可能なモジュールと、
該フッ素前駆体源と流通状態にあり、且つ該吸着剤床チャンバと連通状態にあるフッ素ガスを製造するための電解槽と、
を含む請求項１３に記載の装置。
【請求項１６】
前記フッ素前駆体源はフッ化水素である請求項１５に記載の装置。
【請求項１７】
前記吸着剤は、式ＣＦｘ（式中ｘは約０．９〜約１．２である）を有する化合物と、ポリテトラフルオロエチレンと、を含み、ＣＦｘとポリテトラフルオロエチレンとの重量比は約９：１である、請求項１３又は１５に記載の装置。
【請求項１８】
前記吸着剤は、さらに、２−プロパノール、ヘキサデカフルオロヘプタン及びパーフルオロ含有化合物からなる群より選択される多量のポア形成剤化合物を含み、該増孔剤化合物は約５０ｗｔ％の量で存在する、請求項１７に記載の装置。
【請求項１９】
さらに、前記精製チャンバ出口と流体連通状態にあり、前記吸着剤床の再生を効果的にするために、該精製チャンバ出口を通して該精製チャンバに不活性化合物を導入する不活性ガス源を含み、該不活性化合物は、アルゴン含有化合物、キセノン含有化合物、窒素含有化合物及びこれらの混合物からなる群より選択される、請求項１３又は１５に記載の装置。
【請求項２０】
前記精製チャンバ入口は、前記精製チャンバからの不純物及び不活性化合物の排出を目的とする出口になるように、リバーシブルである、請求項１３又は１５に記載の装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ガス精製及びリサイクルの分野に関する。特に、本発明は、チャンバ表面を洗浄するための三フッ化窒素の補強としてのリサイクルされたフッ素の使用、フッ素ガスの精製及びフッ素ガスのリサイクルに関する。
【０００２】
【従来技術】
半導体チップ製造者は、種々の化学反応及び堆積プロセスがチップ製造中に起きる堆積物、例えば反応チャンバ壁上での酸化物堆積物の有害な効果をずっと認識している。チャンバ内壁などの反応チャンバ表面上に不純物が蓄積するにつれ、そのような不純物がターゲットワークピース表面、例えばコンピュータチップなどに共堆積するかもしれないリスクを増加させる。したがって、このようなチャンバは、チップ製造プロセスのサイクルを停止させている間に、周期的に洗浄しなければならない。
【０００３】
反応チャンバ内壁から望ましくない堆積物を洗浄するための公知の方法の一つは、大気圧よりも低い圧力下で、反応チャンバ内にフッ素プラズマを発生させて、望ましくないシリコン含有酸化物堆積物をチャンバ内壁から取り除くことである。二原子フッ素（Ｆ２）はフッ素プラズマの源として優れた候補であるが、非常に反応活性である。したがって、例えばＮＦ３、ＣＦ４、Ｃ２Ｆ６、ＳＦ６などの他のフッ素含有化合物を解離することにより、フッ素プラズマをより安全に得ることができる。基本的に、活性フッ素種に分解することができるフッ素含有ガスは、潜在的にチャンバ洗浄のために用いることができる。
【０００４】
三フッ化窒素（ＮＦ３）は、反応のため及びプロトコール洗浄装置で用いるために、非常に安全で、有用で、多用途の元素状フッ素源であることは立証されている。しかし、ＮＦ３に対する需要が劇的に急上昇したことにより、この比較的高価ではない物質が実質、世界的に不足している。加えて、ＮＦ３を用いる洗浄プロセスの大半が、実際の洗浄操作においてＮＦ３に含まれているフッ素の約１５％を消費するだけではなく、残りのフッ素も排出され、処理され、中和され、最終的には廃棄されている。
【０００５】
サイクル的吸着プロセスは、一般に、フッ素リサイクルプロセスに用いられている。このような好ましいプロセスは、圧力スィング吸着（ＰＳＡ）及び温度スィング吸着（ＴＳＡ）サイクル又はこれらの組み合わせを含む。吸着は、平行に配置されていて異なる位相で作動する２個以上の吸着床内で行われるので、少なくとも１個の床が吸着している間に、他方の床は再生される。本発明を組み込むことができる特定のフッ素リサイクル用途としては、真空蒸着プロセスやエッチングチャンバ洗浄プロセスなどを挙げることができる。
【０００６】
チャンバ洗浄プロセスに用いるフッ素含有源化合物、任意の他の試薬、及び不活性ガスは、典型的には、洗浄プロセスを効果的に行う圧力コントローラとマスフローコントローラとの組み合わせを用いて、圧縮ガスとして供給され、チャンバに入る。洗浄プロセス自身が、プラズマをチャンバの上流に維持するか又はチャンバ内に維持して、フッ素含有源化合物を分解して、活性なフッ素イオン及びラジカルを存在させて洗浄化学を行う、ことを必要とする。プラズマを維持するために、真空ポンプを用いてチャンバを低圧、典型的には約１〜１０絶対ｔｏｒｒに維持し、ガス状廃棄物及び排ガスを含む未反応供給ガスを取り除く。チャンバ内の圧力は、典型的には、真空スロットルバルブ及びフィードバックコントローラを用いてチャンバ圧力を所望の設定値に維持することにより、チャンバからチャンバポンプへの排ガスのフローを調節することによって制御される。チャンバ洗浄操作は、堆積操作の間に断続的に行われる。典型的には、各洗浄操作の間に、１〜５回の堆積操作が行われる。
【０００７】
典型的な反応チャンバ洗浄装置において、反応ガスはＮＦ３及びアルゴンである。典型的には、ＮＦ３は、窒素及び活発なフッ素ラジカルに解離される。しかし、未使用のラジカルは、再結合してフッ素を形成し、フッ素は廃棄物としてシステムから設備低減装置（ｆａｃｉｌｉｔｙ　ａｂａｔｅｍｅｎｔ　ｄｅｖｉｃｅ）などに排出される。
【０００８】
フッ素を精製し、廃棄流中の不純物を捨てて、次いでフッ素をサイクルにて使用するために戻すことにより、フッ素廃棄物の一部を再利用することが有利であろう。しかし、伝統的な充填済みカラム分離技術は、フッ素と一緒に用いることに適しておらず信頼性もないことが立証されている。フッ素の高い活性度及び不安定度は、（分離塔内での吸着パッキングとして用いるための）吸着剤選択を非常に困難にしている。吸着剤は、燃焼するか、さもなければ、カラムを調製するために用いられる物質及び吸着剤床がフッ素と非反応性になるかあるいは安定なフッ化物層により保護されるまでに、時期尚早に且つ予測不能に反応してしまう。伝統的なスチールカラムは、反応活性過ぎることが多く、プラスチック容器及び床は容易に燃焼してしまう。シリカゲル及びモレキュラーシーブもまた、フッ素に暴露されたときに安定性に欠けるので、フッ素分離には不適切である。
【０００９】
【発明の概要】
一実施形態において、本発明は、汚染物を有する内面を有するプロセスチャンバを準備し、該プロセスチャンバに流入ガス源からのフッ素含有ガス流を提供することにより、廃棄流からフッ素をリサイクルする方法に関する。汚染物は、フッ素含有ガスと接触して、プロセスチャンバ内面から取り除かれて、廃棄流を作る。廃棄流は、プロセスチャンバから、廃棄流内の汚染物を吸着する吸着剤を含む吸着剤床を含む精製チャンバに送られる。廃棄流は、リサイクルされたフッ素源流に変換され、補給的フッ素源流として精製チャンバからプロセスチャンバに送られる。
【００１０】
別の実施形態において、本発明は、不純物をその内面上に有するプロセスチャンバを準備し、フッ素含有源からフッ素含有化合物のフローをプロセスチャンバに送ることにより、反応チャンバの内面からの不純物を洗浄する方法に関する。フッ素含有化合物からのフッ素は、プロセスチャンバの内面上の不純物と会合して解離される。フッ素は、会合した不純物と一緒に、プロセスチャンバから精製チャンバに送られ、洗浄チャンバは、不純物を吸着する多量の吸着剤を含む。精製されたフッ素は、精製チャンバからプロセスチャンバに送られ、フッ素含有源を補給する。
【００１１】
また別の実施形態において、本発明は、フッ素含有化合物のフローを、不純物が堆積している内面を有するプロセスチャンバに送り、フッ素含有化合物からフッ素を解離して、プロセスチャンバ内の不純物と会合することにより、吸着剤床にてフッ素含有流から不純物を吸着する方法に関する。不純物を伴うフッ素は、プロセスチャンバから、不純物を吸着する多量の吸着剤を含む精製チャンバに送られる。精製されたフッ素は、精製チャンバからフッ素貯蔵タンクに送られる。
【００１２】
加えて、本発明は、フッ素源と流体連通状態にある少なくとも１の入口及び１の廃棄流出口を有するプロセスチャンバ；プロセスチャンバと流体連通状態にあり、プロセスチャンバからのフッ素含有化合物及び不純物を送る廃棄流；及び廃棄流出口と流体連通状態にあり且つプロセスチャンバの好ましくは下流側に位置づけられている精製チャンバ入口及び精製されたフッ素を精製チャンバからプロセスチャンバへ送る経路と流体連通状態にある精製チャンバ出口を有し、多量の吸着剤を含む精製チャンバ、を有する反応チャンバからの不純物を洗浄する装置に関する。
【００１３】
さらに別の実施形態において、本発明は、交換可能なユニット内の吸着剤床に近接して位置づけられている内蔵型フッ素前駆体源と、多量の電解質が装填されていて電極を含む電解槽と、電源と、を設けることにより、フッ素を製造する方法に関する。電流は、電源から電解槽に送られて、次いで、フッ素前駆体が電解槽に送られる。多量の不純なフッ素は、電解槽の電解質から集められて、吸着剤床に送られ、ここで吸着剤床内の吸着剤上に不純なフッ素から不純物が吸着され、吸着剤床から新たに製造された精製フッ素を送る。
【００１４】
また別の実施形態において、本発明は、フッ素前駆体源と吸着剤床を有する吸着剤床チャンバとを含む交換可能なモジュールを含む精製フッ素を製造する装置に関する。チャンバは、フッ素前駆体源に近接して位置づけられている。チャンバ及びフッ素前駆体源は、フッ素ガスを製造するための電解槽と連通している。
【００１５】
さらに別の実施形態において、本発明は、フッ素前駆体源及び吸着剤チャンバを含む交換可能なモジュールを少なくとも１個の入口及び１の廃棄流を有する上述のプロセスチャンバに送られるべきフッ素の製造の具現化に関する。
【００１６】
一実施形態において、本発明は、その場でのリアルタイムのフッ素含有ガスの精製及びリサイクルを実現し、結果的にＮＦ３の使用を減少させるチャンバ洗浄プロセスに関する。本方法及び装置は、用いられる元の化学試薬にかかわらず、未使用の活性フッ素種をリサイクルするために用いることができる。
【００１７】
さらに別の実施形態において、本発明は、ＣＦｘ（ｘは約０．９〜約１．２）とポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）とを約９：１（ＣＦｘ：ＰＴＦＥ）の比率で含む吸着剤物質に関する。さらに好ましい実施形態において、多量のポア（細孔）形成物質を組成物に添加する。
【００１８】
別の実施形態において、本発明は廃棄流からフッ素をリサイクルする方法に関する。プロセスチャンバは、精製チャンバと流体連通状態にある廃棄流を有し、この廃棄流は、不純物を含むフッ素含有混合物を含有する。精製チャンバは、廃棄流と流体連通状態にある。精製チャンバは、分離ゾーン内の多量のＣＦｘ（ｘは約０．９〜約１．２）吸着剤で充填されている。廃棄流は、プロセスチャンバから精製チャンバに送られ、精製チャンバ内で多量のフッ素がフッ素含有混合物から分離される。廃棄流中の不純物は、精製チャンバ内でＣＦｘ吸着剤上に吸着され、精製フッ素は精製チャンバから貯蔵タンクに送られるか、あるいは直接、プロセスチャンバに送られる。ＣＦｘ上に捕捉されるべき不純物の効率的な吸着は、好ましくは約−１５０℃〜約２０℃の範囲の温度、より好ましくは約−８０℃〜約１０℃の範囲の温度、最も好ましくは約−４０℃〜約−１０℃の範囲の温度で生じる。さらに、ＣＦｘ上での不純物の望ましい効率的な吸着は、約３００ｔｏｒｒ〜約２０００ｔｏｒｒの範囲の圧力、より好ましくは約５００ｔｏｒｒ〜約１２００ｔｏｒｒの範囲の圧力で生じる。
【００１９】
またさらに別の実施形態において、本発明は、反応チャンバの内面から不純物を洗浄する方法に関する。反応チャンバ又はプロセスチャンバは、内面に不純物を有するようになり、フッ素含有化合物は、フッ素含有源からプロセスチャンバに送られる。フッ素は、フッ素含有化合物から分離して、反応チャンバの内面上の不純物と会合して反応する。フッ素及び不純物は、好ましくは真空下で反応チャンバから出て、多量のＣＦｘ（ｘは約０．９〜約１．２）吸着剤（多量のＰＴＦＥを含む）が充填されている洗浄チャンバ外に送られる。不純物は、ＣＦｘ上に吸着されて、吸着剤床から精製フッ素が解放される。精製フッ素は、最終的に、精製チャンバからプロセスチャンバに送られ、プロセスチャンバ内にフッ素含有源を補給する。Ｃｘ吸着剤上に捕捉されるべき不純物の効果的な吸着は、好ましくは約−１５０℃〜約２００℃の範囲の温度、より好ましくは約−８０℃〜約１０℃の範囲の温度、最も好ましくは約−４０℃〜約−１０℃の範囲の温度で生じる。さらに、ＣＦｘ上での不純物の望ましい効率的な吸着は、好ましくは約３００ｔｏｒｒ〜約２０００ｔｏｒｒの範囲の圧力、より好ましくは約５００ｔｏｒｒ〜約１２００ｔｏｒｒの範囲の圧力で生じる。
【００２０】
さらに、本発明は、再生された吸着剤床内で、フッ素含有流から不純物を吸着する方法に関する。フッ素含有源からのフッ素含有化合物のフローは、プロセスチャンバ又は反応チャンバに送られる。フッ素は、フッ素含有化合物から分離される。フッ素は、例えばプロセスチャンバの内面上などで、プロセスチャンバ内の不純物と会合し反応する。不純物が混ぜ合わされているフッ素は、多量のＣＦｘ（ｘは約０．９〜約１．２）吸着剤（ＣＦｘは多量のＰＴＦＥを含有する）を含む精製チャンバに送られる。不純物は、ＣＦｘ上に吸着され、遊離・精製フッ素は精製チャンバからフッ素貯蔵タンクに送られる。オフサイクル中（プロセスチャンバが洗浄中でない）、精製チャンバ内のＣＦｘ吸着剤床の再生を促進するために、入口を通して不活性ガスのフローを洗浄チャンバに好ましくは送り、吸着された不純物及び不活性化合物をＣＦｘから取り除き、精製チャンバから排気する。
【００２１】
さらに、本発明は、少なくとも１個の入口及び１の廃棄流を有するプロセスチャンバからの不純物を洗浄するための装置に関する。プロセスチャンバ入口は、フッ素源と流体連通状態にある。プロセスチャンバからのフッ素含有化合物及び不純物を送る廃棄流は、プロセスチャンバ及び精製チャンバの両者と流体連通状態にある。精製チャンバは、入口及び出口を有し、入口は廃棄流と流体連通状態にあり、プロセスチャンバから下流に位置づけられている。精製チャンバは、不純物に対する吸着剤として、多量のＰＴＦＥと組み合わされた多量のＣＦｘ（ｘは約０．９〜約１．２）を好ましくは約９：１（ＣＦｘ：ＰＴＦＥ）のｗｔ％比で含む。精製チャンバ塔出口は、精製フッ素を精製チャンバからプロセスチャンバに送る経路と流体連通状態にある。
【００２２】
【好ましい実施形態】
以下、本発明の好ましい実施形態を示す添付図面を参照しながら、本発明をさらに詳細に説明する。しかし、本発明は、これらに制限されることなく、多くの異なる形態において具現化されてもよい。むしろ、これらの実施形態は、本開示を十分なものとして完全にするものであり、当業者に本発明の範囲を十分に伝えるように提供するものである。全体を通して同じ構成要素には同じ参照符号を付した。図面は、一般的な意味において本発明を記載するものであり、同一縮尺である必要はない。
【００２３】
図１は、典型的な反応チャンバ洗浄装置を示す説明図である。ブロックＡは、チャンバ洗浄ガス源マニフォールドを表す。典型的な構成において、用いられるガスは、ＮＦ３及びアルゴンである。ブロックＢは、リモートプラズマ発生器を表す。ブロックＣは、圧力読出機器である。ブロックＤは、反応チャンバであり、ここからの望ましくない堆積生成物が洗浄されるべきものである。ブロックＥは、拡幅喉部真空バルブ及び真空ポンプであり、ブロックＣと一緒に、反応チャンバ洗浄サイクル中、圧力を制御する。ブロックＦは、低減装置（ａｂａｔｅｍｅｎｔ　ｄｅｖｉｃｅ）へ導く排出ポートである。
【００２４】
典型的なチャンバ洗浄プロセスの間、チャンバ洗浄ガス源マニフォールド（Ａ）からの約１〜約６ｓｌｍの範囲のアルゴンフローを確立し、このフローをリモートプラズマ発生器（Ｂ）へ流す。リモートプラズマ発生器（Ｂ）内の圧力は、圧力読出機器（Ｃ）と拡幅喉部真空バルブ及び真空ポンプ（Ｅ）との間に確立されたフィードバックループによって、約１〜４ｔｏｒｒの間に維持される。プラズマを着火させて安定化させる。次に、通常、約１〜約６ｓｌｍの範囲でのチャンバ洗浄ガス源マニフォールド（Ａ）からのＮＦ３のフローを確立させる。通常、０〜ＮＦ３流速の２倍の範囲でのプロセス要求値に合致するように、アルゴンフローを調節する。流速が安定化したら、リモートプラズマ発生器（Ｂ）内の圧力を約１〜１０ｔｏｒｒの範囲に維持する。
【００２５】
リモートプラズマ発生器（Ｂ）において、ＮＦ３は窒素及び活性なフッ素ラジカルに分離される。よって、リモートプラズマ発生器（Ｂ）からの流出フローは、フッ素ラジカル、窒素、アルゴン及び未分離ＮＦ３を含むガス混合物を含む。このガス混合物は、反応チャンバ（Ｄ）に入る。反応チャンバ（Ｄ）において、活性なフッ素ラジカルは、シリコン含有酸化物などの望ましくない堆積生成物と反応し、望ましくない堆積物を含むチャンバを洗浄する。この反応は、望ましくない堆積生成物がチャンバから除去されるまで、典型的には１分〜数分の期間、進行する。幾つかの場合において、反応終点は光学的終点インジケータでモニターされる。
【００２６】
チャンバ洗浄中、利用可能なフッ素ラジカルの小さなフラクションだけが反応して、反応チャンバから望ましくない堆積生成物を除去する。実際、フッ素ラジカルの大半は再結合して、元素状フッ素を発生させる。このフッ素は、さらなる洗浄反応に関係しない。代わりに、このフッ素は、窒素、アルゴン、未分離ＮＦ３、酸素及び他の反応生成物と一緒に、拡幅喉部真空バルブ及び真空ポンプ（Ｅ）を通って、設備低減装置（ｆａｃｉｌｉｔｙ　ａｂａｔｅｍｅｎｔ　ｄｅｖｉｃｅ）（Ｆ）に排出される。
【００２７】
図２は、本発明の好ましい一実施形態を示す。図２に示すように、この実施形態において、本発明は、汎用プロセスチャンバ１４と流体連通状態にある洗浄チャンバ１２を具備する独立型リサイクルベース洗浄サポートシステム１０に関する。このリサイクルシステムは、洗浄チャンバからリサイクルされたフッ素ガスをプロセスチャンバに送る。洗浄ガスは、変動量のＮＦ３、ＣＦ４、リサイクルされたＦ２、他の源からのＦ２、ＳＦ６などの他のフッ素含有ガス、及び変動量のヘリウム又はアルゴンなどの不活性ガスを含む。リサイクルシステムは、低減及び／又は回収、精製、ブレンド、及び洗浄ガスのプロセスチャンバ１４への再導入を行って、プロセスチャンバ１４内で組成及び圧力設定値を達成しながら、洗浄中に典型的には真空下であるプロセスチャンバ１４からの排出ガスを除去する。終局的には、本発明のリサイクルシステムは、ツール洗浄プロセスの運転総費用を削減するように、利用可能なリソース（ツール廃棄物、供給ガス、電力）を処理する。
【００２８】
プロセスチャンバ１４は、リモートプラズマ発生器（図示せず）を含む。酸化物堆積に用いられるガス供給システム１６及びガス排出システム１８は、洗浄プロセスから離れて示されている。３方向切換バルブ２２は、プロセスチャンバ排出処理のために、プロセスガス真空ポンプ２４又はリサイクルポンプ２６のいずれかを選択する。バルブ２７及び２８が用いられると、プロセスガス供給システム１６及びプロセスガス真空ポンプ２４が隔離される。実際には、バルブ２７は、１個以上のバルブを代表するものであってもよいことに留意されたい。
【００２９】
バルブ３０は、好ましくは拡幅喉部真空バルブである。幾つかの制御の場合において、バルブ３０をスロットルバルブとして操作してもよい。この場合、圧力信号を圧力トランスデューサー（図示せず）から取り出して、プロセスチャンバ１４内の総圧力を制御するフィードバックループ内のバルブ３０の開放を調節するために用いる。他の制御の場合において、バルブ３０を一部開放スロットル位置に設定するか、あるいは単純に全開位置又は全閉位置に設定する。
【００３０】
リサイクルポンプ２６は、好ましくは、精製（ほぼ１００％）フッ素ガス流を用いることに対する互換性を有する大排気量真空ポンプ（ｌａｒｇｅ　ｄｉｓｐｌａｃｅｍｅｎｔ　ｖａｃｕｕｍ　ｐｕｍｐ）である。利用可能な排気量は、洗浄中に、プロセスチャンバ１４内に要求される真空レベルを送るように設計されている。一般に、ポンプ２６は、アルゴン、窒素及びヘリウムなどの乾燥不活性ガスによるパージを必要とする。
【００３１】
圧力トランスデューサー３６は、リサイクルポンプ２６の入口側３８の圧力（真空度）を検出する。マスフローコントローラ４０は、リサイクルポンプ２６のパージに用いられる不活性ガスを供給する。圧力トランスデューサー４２は、リサイクルポンプ２６の出口側４４の圧力（真空度）を検出する。チェックバルブ４６は、約１絶対気圧で運転されていると想定される低減システム（図示せず）へのリサイクルポンプ排気２０の排出を制御する。バルブ４６は、リサイクルポンプ排気２０の圧力が低減システム圧力よりも高い場合にはいつでも低減システムへの流を可能とするが、圧力トランスデューサー４２における圧力が低減システム圧力よりも低い場合には低減システムからの逆流を防止するチェックバルブとして示されている。バルブ４６は、機械的背圧調節器、又は圧力設定値を維持するために圧力トランスデューサー４２と一緒に作動するフィードバックコントローラを伴うスロットルバルブであってもよい。
【００３２】
バルブ５２及び５４は、リサイクルポンプ２６の出口４４から洗浄チャンバ１２の入口５６へのガスフローを制御する。好ましくは、バルブ５４は全フロー開／閉バルブ（ｆｕｌｌ　ｆｌｏｗ　ｏｐｅｎ／ｃｌｏｓｅ　ｖａｌｖｅ）であり、バルブ５２は制限されたフロー開／閉バルブ（ｒｅｓｔｒｉｃｅｄ　ｆｌｏｗ　ｏｐｅｎ／ｃｌｏｓｅ　ｖａｌｖｅ）である。このバルブの組合せに代えて、単一のスロットルバルブ（図示せず）を用いてもよいことは理解されるであろう。２個のバルブを用いることで、大きな差圧がある場合に洗浄チャンバ１２内の吸着剤床１３へのガスフローを制限し、「ソフトスタート（穏やかな開始）」を提供する。２個のバルブを用いることは、吸着サイクルの開始時に、リサイクルポンプ２６の出口４４が大気圧下にあり、吸着剤床１３が真空下にある場合には、不経済でもある。吸着剤床は、ＣＦｘ（ｘは約０．９〜約１．２）を含み、本明細書に記載されている方法に従ってペレット化されている。ＣＦｘは、さらに多量のＰＴＦＥと、場合によってはポア（細孔）形成剤を含む。
【００３３】
本発明によれば、吸着剤床再生サイクルの開始時に、リサイクルポンプ２６の入口３８が真空下であり、吸着剤床１３が加圧下である場合に、バルブ６０及び６２が用いられる。バルブ６０及び６２は、吸着剤床１２の入口５６からリサイクルポンプ２６の入口３８へののガスフローを制御する。好ましくは、バルブ６２は、全フロー開／閉バルブであり、バルブ６０は制限されたフロー開／閉バルブである。このバルブの組合せに代えて、単一のスロットルバルブ（図示せず）を用いてもよいことは理解されるであろう。２個のバルブ６０及び６２は、大きな差圧がある場合に、リサイクルポンプ２６へのガスフローを制限するように作動して、「ソフトスタート」を提供する。
【００３４】
熱交換器６４及び６６は、洗浄チャンバ１２へ入るガスが所望の吸着剤目標温度、好ましくは約−３０℃であることを保証する。熱交換器６４は任意である。圧力トランスデューサー６８は、吸着剤床１３内の圧力（真空度）を検出する。吸着剤床１３を通しての顕著な圧力降下はないので、圧力トランスデューサー６８は、床入口５６など、どこに置かれてもよい。
【００３５】
バルブ７０は、吸着剤床再生サイクル中に、窒素源（図示せず）からの窒素（もしくはアルゴン又はヘリウムなどの他の不活性ガス）を入れて、逆「洗（ｆｌｕｓｈ）」を提供する。バルブ７０は、例えばスロットルバルブ、固定オリフィスと連続する開／閉バルブ、調節可能なニードルバルブ、又は小さなマスフローコントローラなどの任意の有用なバルブでよいことは理解されるであろう。バルブ７２及びマスフローコントローラ７４は、精製フッ素を含有するリサイクルガス７６のプロセスチャンバ１４への逆流を制御する。幾つかの制御アプローチにおいて、バルブ７２は開／閉バルブであり、コントローラ７４は流速を測定し且つ制御する。他の制御アプローチ下にて、コントローラ７４は、流速を制御するだけであり（マスフロー測定はしない）、バルブ７２はない。また別の制御アプローチ下にて、コントローラ７４及びバルブ７２の両者が存在するが、コントローラ７４は流速を制御するだけである。
【００３６】
マスフローコントローラ７８及び８０は、それぞれ、洗浄プロセスサイクル中、プロセスチャンバ１４への図示しない源からのガスの供給８４及び８２（リサイクルガスを除く）を制御する。詳細なプロセス始動要求に応じて、不活性ガス８４が要求されても要求されなくてもよい。一般に、１種以上のガス８２又は８４の流速は、リサイクルガス７６がプロセスチャンバに戻る際に、減少するであろう。バルブ９０は、堆積中などに、プロセスチャンバ１４を洗浄ガス流入流８２、８４及び７６から隔離する。圧力トランスデューサー３２は、プロセスチャンバ１４内部の圧力（真空度）を検出し、洗浄プロセスサイクル中に、プロセスチャンバ圧力を制御するための入力信号として用いられる。制御は、フィードバックコントローラを用いて、真空ポンプ速度（バルブ３０又はリサイクルポンプ２６を制御することにより）又は洗浄ガス混合物供給速度（コントローラ７４、７８、８０を制御することにより）のいずれかを調節することにより、もしくはポンプ２６及びコントローラ７４、７８、８０の両者を制御することにより、達成される。
【００３７】
以下の操作モードにおいて、本発明は、供給ガス組成及び流速を第１の制御目的物として制御し、第２の制御目的物として利用可能なリサイクルガス７６の１００％を受け入れる。この操作モードにおいて、プロセスチャンバ内の圧力は、圧力トランスデューサー３２による測定及び真空スロットルバルブ３０の位置を制御するフィードバックループを用いて、制御される。吸着剤床１３内の圧力は、最初に０（再生条件の終点）にて始まる。適当な時間で、バルブ５２を開いて、制御された速度にて洗浄チャンバ１２内の吸着剤床１３を減圧する。圧力トランスデューサー６８により測定された圧力がトランスデューサー４２と等しくなった時に、バルブ５４を開く。次いで、吸着剤床１３内の圧力をバルブ４６を通しての圧力降下により決定する。プロセスチャンバ１４への供給ガス組成及び流速は、個々のマスフローコントローラ上で流速を設定することにより制御される。これらのマスフローコントローラ設定値は、時間と共に変動する。例えば、コントローラ７４は、０にて始まり、リサイクルガス７６が利用可能になるにつれて増加する。他のマスフローコントローラに対する設定値は、リサイクルガス７６のフローに基づいて、及び真空スロットルバルブ３０が開き過ぎないようにすることによって、減少する。トランスデューサー６８が目標吸着圧力よりも増加した場合に、リサイクルガスは利用可能となる。リサイクルガス７６は、トランスデューサー６８がある最小値以下に落ちる流速まで、吸着剤床１３から抜き出すことができる。リサイクル用に精製されないリサイクルポンプ２６からの過剰の排出ガス２０は、バルブ４６を通して排出され低減される。サイクルは、完全に再生され、排気され、隔離された吸着剤床条件から始まると仮定すると、以下の工程が生じる。好ましくは、プロセスチャンバ圧力制御は、トランスデューサー３２、フィードバックループ及びバルブ３０を用いて可能となる。供給ガス８４からのプラズマ着火ガスのフローは、約１〜６ｓｌｍの範囲のアルゴンで確立され、プラズマが着火される。ＮＦ３のフローは、約１〜６ｓｌｍの範囲の供給ガス８２から確立される。フローは安定化され、次いで、供給ガス８２及び８４はプロセスチャンバ１４内での洗浄条件に調節される。次いで、適切なガス組成及び圧力が、リサイクルポンプ２６の出口４４にて達成される。バルブ５２が開き、次いでバルブ５４を開く。洗浄チャンバ１２内で適切な圧力が得られた後、圧力トランスデューサー６８をモニターする。制御されたリサイクルガス７６のフローは、コントローラ７４を通してプロセスチャンバ１４に送られ、新しいフッ素含有洗浄ガス８２のフローを減少させる。コントローラ７４がＰＳＡ床生成速度を過剰に引き出していないことを確かめるために、トランスデューサー６８をモニターする。コントローラ７８、８０及び７４は、プロセスチャンバ洗浄サイクルの終点まで、供給ガス８４、８２及び７６をそれぞれ制御するように調節される。次いで、供給ガスフローであるプラズマ源を遮断して（バルブ９０、コントローラ７４、７８、８０、バルブ７２を閉じる）、バルブ５２及び５４を閉じる。次いで、バルブ３０を閉じて、プロセスチャンバ１４を洗浄ガスリサイクルシステムから隔離する。プロセス真空ポンプ２４を選択するように、３方向切換バルブ２２を設定する。次いで、バルブ２８を開いて、プロセスチャンバ１４を排気する。さて、プロセスチャンバ洗浄サイクルが完了したので、今やプロセスチャンバ１４を堆積に用いることができ、プロセスチャンバ１４内で堆積を行いながら、並行して、オンラインで、チャンバ１２内の吸着剤床１３を再生可能である。バルブ６０を開いて、ソフトスタートのためにトランスデューサー６８の圧力がトランスデューサー３６の圧力に十分に近づいたら、バルブ６２を開く。次いで、バルブ７０を開いて、制御された流速のフラッシュガス７１（窒素もしくはアルゴン又はヘリウムなどの他の不活性ガス）を入れて、吸着剤床１３を逆洗する。バルブ７０を閉じて、洗浄チャンバ１２を排気する。次いで、バルブ６０及び６２を閉じて、洗浄チャンバ１２内の吸着剤床１３を隔離する。
【００３８】
以下の操作モードは、第１の制御目的物として利用可能なリサイクルガスの１００％を利用し、第２の制御目的物として供給ガス組成及び流速の制御を行う。この操作モードにおいて、プロセスチャンバ排気バルブ３０は、固定位置に設定されている。プロセスチャンバ１４内の圧力は、トランスデューサー３２による測定及び新鮮なフッ素を含む洗浄ガスのフロー８２を制御するフィードバックループを用いることによって、制御される。供給ガス組成は、ガスフロー８２設定値を間接的に増加又は減少させるように、コントローラ７８（不活性ガスフロー）及びバルブ３０を調節することによって制御される。吸着剤床１３内の圧力は、最初は０（床再生条件の終点）にて始まる。適切な時間にて、バルブ５２を開いて、制御された速度で吸着剤床１３を加圧し始める。トランスデューサー６８により測定された圧力がトランスデューサー４２により示される圧力と等しい場合に、バルブ５４を開く。吸着剤床１３内の圧力は増加し続ける。ＰＳＡ吸着に対する圧力設定値がトランスデューサー６８で示された値に達した場合に、バルブ７２を開いて、ＰＩＤループを用いてコントローラ７４（又はコントローラバルブ位置）の設定値を制御して、ＰＳＡ圧力設定値を維持する。この態様において、利用可能なリサイクルガスの１００％が、プロセスチャンバ１４への供給物として戻される。プロセスチャンバ圧力制御ループは、コントローラ８０を通るフローを減少させて、プロセスチャンバ１４の圧力を補償して維持する。完全に再生され、排気され、隔離された吸着剤床状態から始まると仮定すると、以下の工程が生じる。バルブ３０を目標スロットルバルブ位置まで開く。プラズマ着火ガスのフローを確立し、プラズマを着火する。トランスデューサー３２、フィードバックループ、及びフローコントローラ８０を用いるプロセスチャンバ圧力制御を可能とする。バルブ３０をコントローラ７８と一緒に、洗浄モードに調節する。適切なガスの組合せ及び圧力は、リサイクルポンプ２６の出口４４にて達成される。バルブ５２及び５４を順次開く。次いで、バルブ７２を開いて、圧力トランスデューサー６８、ＰＩＤループ、及びコントローラ７４を用いる吸着剤床圧力制御を可能とする。吸着剤床圧力が目標ＰＳＡ圧力に達したら、利用可能なリサイクルガス７６の１００％をプロセスチャンバ１４に送る。プロセルチャンバ１４への供給ガスフローの増加は、プロセスチャンバ圧力を増加させ、コントローラ８０を通しての新しいフッ素を含有する洗浄ガス供給物８２の流速を減少させる。コントローラ７８及びバルブ３０をスロットル位置に設定し、プロセスチャンバ洗浄サイクルの終点まで、チャンバ圧力制御設定値を供給ガスフローに設定する。次いで、プラズマ発生器並びに供給ガスのフローを遮断する。これは、バルブ９０及び７２並びにコントローラ７４、７８及び８０を閉じることによって達成される。次いで、バルブ５２及び５４を閉じる。次いで、バルブ３０を閉じて、プロセスチャンバ１４を洗浄ガスリサイクルシステムから隔離する。プロセス真空ポンプ２４を選択するように、３方向切換バルブ２２を設定する。次いで、バルブ２８を開いて、プロセスチャンバ１４を排気する。こうして、プロセスチャンバ１４は、意図する操作、例えば堆積などに用いることができるようになる。このとき、吸着剤床１３の再生が起きることが望ましい。トランスデューサー６８における圧力がトランスデューサー３６における圧力と近い場合に、バルブ６０及び６２を順次開く。次いで、バルブ７０を開いて、フラッシュガス源（図示せず）からのフラッシュガス（窒素もしくはアルゴン又はヘリウムなどの他の不活性ガス）の流速を制御し、吸着剤床１３を逆洗する。次いで、バルブ７０を閉じて、チャンバ１２を排気する。次いで、バルブ６０及び６２を閉じて、吸着剤床１３を隔離する。
【００３９】
図３は、本発明の吸着サイクルを示すグラフである。記号（△）は、吸着剤床チャンバ１２の出口５８におけるＳｉＦ４濃度を表す。試験中、サイクルの初期においては、約−３０℃にて約６００ｔｏｒｒに等しい運転圧力が吸着剤床１３内に達成されるまで、出口５８におけるＳｉＦ４濃度は、比較的高いレベルにある。運転圧力に達すると、リサイクルプロセスのこの相の間、ＳｉＦ４は吸着剤床１３内のＣＦｘ吸着剤に吸着されるので、吸着剤床出口５８におけるＳｉＦ４濃度はかなり低下する、ことをグラフは示している。図３に示すように、吸着剤床１３内の圧力が減少するにつれ、吸着剤床１３の出口５８におけるＳｉＦ４濃度は、予想されるように、サイクルの初期に見られた比較的高いレベルまで再び増加し始める。典型的な反応チャンバ洗浄プロセスは、約１〜約２．５ｓｌｍの範囲のＮＦ３及び約０〜約５ｓｌｍの範囲のアルゴンを流す。ＮＦ３チャンバ洗浄プロセスの所要時間は、約５０〜約３００秒の範囲である。
【００４０】
図４及び図５によれば、精製フッ素システム９８の好ましい実施形態が示されている。新規なモジュール型交換可能ユニット１００は、フッ素前駆体源、好ましくはフッ化水素（ＨＦ）シリンダ１０２と、吸着剤床１０４とを含むことを意図している。好ましくは、吸着剤床１０４は、ＣＦｘ、ＮａＦ又はこれらの組合せを含む。吸着剤床１０４は、好ましくは、ＳｉＦ４、ＡｓＦ３、ＡｓＦ５などのＨＦから生じるであろう低レベル汚染物質を捕捉するように、冷却される。ＨＦシリンダ１０２は、精製フッ素ガス生成物に必要なフッ素源前駆体を含む。ＨＦシリンダ１０２は、好ましくはＫＦ−２（ＨＦ）電解質１０８を含む電解槽チャンバ１０６に連結されている。炭素電極１１０は、電解質１０８内に置かれ、電源１０９からの電流は電極（アノード）１１０及び電解槽チャンバ１０６外部の間に印加される。次いで、フッ素はアノード表面１１０上で発生し、水素はチャンバ壁１１２上で発生する。水素は、経路１１４を通してシステムから出て、圧力制御・希釈タンク１１６内で好ましくは窒素で希釈される。発生したフッ素は、ＨＦ、ＫＦ及び他の不純物を含み、交換可能なモジュール１００内の吸着剤床１０４に送られる。ＨＦ及び他の不純物は、吸着剤床１０４により吸着される。次いで、精製フッ素は、フッ素が図５に示すようにフッ素源８２として図２のプロセスに送られる準備ができるまで、吸着剤床１０４からフッ素サージタンク１１８に送られる。用語「精製フッ素」とは、吸着剤床への暴露により約１００％フッ素に近づくので、不純物を含まないものであることが、ガス製造及び精製の分野の当業者には理解されるであろう。フッ素製造システム９８を用いることで、Ｎ２が発生せず、よってチャンバ１４に送られる高濃度フッ素をもたらす。これは、さらに、プロセス１０の吸着剤床チャンバ１３への総ガスフローを減少させることで、リモートプラズマチャンバ洗浄の高いコストを削減する。加えて、精製フッ素システム９８は、ＮＦ３の使用を好ましくは排斥することができる。
【００４１】
図４及び図５は、さらに、ユニット１００が精製フッ素システム９８から取り外し可能なものとして示されているように、ＨＦシリンダ１０２及び吸着剤床チャンバ１０４のモジュール特性を示す。図５は、図２の独立型リサイクルベース洗浄サポートシステム１０と共同して用いられる精製フッ素供給システムを図示する。
【００４２】
好ましくは、吸着剤床は、約−３０℃に冷却されて、ＳｉＦ４などの製造中のフッ素からの汚染物質を効果的に除去する。モジュールは、ＨＦ源内のＨＦが枯渇した場合に、周期的に除かれる。次いで、ＨＦ源が再充填されてもよいし、例えばシステムから吸着されたＨＦ及び他の汚染物質を取り除くため約１５０℃〜約３００℃に加熱することによって吸着剤を再生してもよい。ＨＦ容量は、好ましくは約１０〜７５ｌｂｓの範囲である。
【００４３】
好ましい一実施形態において、図４に示すようなフッ素発生システムは、全体の反応器寸法に従ってサイズが決められ設計される。７０ｇ／ｈｏｕｒのフッ素発生速度が１００アンペア電解槽で可能となる。製造されてフッ素発生器を出る製造物フッ素は、約０ｐｓｉｇ〜約３０ｐｓｉｇにおける精製フッ素であろう。
【００４４】
好ましい一実施形態において、プロセスチャンバ内で起きている半導体洗浄プロセスは、３分間の堆積時間で、約１．５分間、運転される。この全体で４．５分間のサイクル時間の間、フッ素はフッ素サージタンク内に収容される。フッ素内容物が消費され、システムがフッ素発生器により製造されているフッ素を消費し始めるまで、サージタンク内の圧力は解放されている。
【００４５】
図４及び図５に示すモジュールは、ＨＦ及びフッ素に対して定格化された安全定格ガスキャビネットであり、安全規則及び建築規則に合致するようにモジュールに適切に換気設備が設けられていると考えられる。ＨＦシリンダの内容物は、ゲージ又はスケールによってモニターされ、低レベルＨＦの場合にはオペレータに警告する。ＨＦが枯渇した場合には、モジュール全体を取り除いて、吸着剤床再生及びＨＦ再充填又は取り換えのために、供給元に送り返してもよい。この態様において、エンドユーザーは、フッ素使用時システム内に置換すべき新たに再生された吸着剤床及び再充填されたＨＦシリンダを受け取る。
【００４６】
本発明によれば、閉鎖系内の反応チャンバ洗浄プロセスに要求されるＮＦ３反応物質の量を減少させる新規なフッ素分離・精製・再循環プロセスが、本発明の新規なＣＦｘを吸着剤床内の床材料として用いることにより、初めて可能となる。本発明の好ましいＣＦｘは、ｘが約１であり、より好ましくはｘが約０．９〜約１．２であり、最も好ましくはｘが約１．１５であるようになされる。本発明を最適に行うために、好ましいＣＦｘペレットは、市販のＣＦｘ粉末（ＡｄｖａｎｃｅｄＲｅｓｅａｒｃｈ　Ｃｈｅｍｉｃａｌｓ，　Ｃａｔｏｏｓａ，　ＯＫ）から製造される。特に、本発明において用いることができる好ましい吸着剤物質の一つは、３ｍｍ×１０ｍｍ押出ペレットの形態で、９０％のＣＦｘと１０％のポリテトラフロオロエチレン（ＰＴＦＥ）の組成物を含む。本発明のＣＦｘとして特に好ましい配合は以下の実施例に示す。本発明は、以下の実施例によりさらに説明される。以下の実施例において、特に断らない限り、部、％及び比率は、重量比すなわち質量系で表される。
【００４７】
本発明のプロセスで用いられるフッ素互換性リサイクルポンプは、半導体産業において用いられている大半のポンプとは異なる。最も粗い真空ポンプは、鋳鉄製であり、最良の熱安定性、ノイズ減衰、強度及び物質性能を与えるように考えられている。アルミニウムはこれらの点において劣っているが、軽量であることが重要で、釣り合いの問題（ｃｏｍｍｅｎｓｕｒａｔｅ　ｐｒｏｂｌｅｍｓ）を考慮しなくてもよい真空ポンプ用途において用いられる。典型的には、このような用途としては、空気又は不活性ガスのポンピングだけが挙げられる。しかし、ガス流中に高レベルのフッ素を含む用途に対しては、アルミニウムは鋳鉄よりもフッ素に対する反応性が低いので有利である。加えて、有利なことに、アルミニウムは、フッ素と緩慢に反応して、フッ素とのさらなる反応を防止又は最小化するアルミニウムフッ化物不動態化層を望ましく形成する。これは、典型的な公知のフッ素用途とは非常に異なるので、比較的高レベルの固有振動を伴い、ダイアフラムからの漏洩を検知する必要性を伴うステンレススチールダイアフラムポンプが用いられていた。本発明においては、比較的高い流速は、ステンレススチールダイアフラムポンプの使用を排除する。
【００４８】
本発明の好ましいプロセスによれば、ポンプは、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）を含浸するアルミニウムを含む。ＰＴＦＥは、かじり（ｇａｌｌｉｎｇ）の影響を受けにくい比較的低い摩擦表面を形成する。フッ素用途において、フッ素耐性を有するＰＴＦＥコーティングは、アルミニウムに対する保護層を提供する。これは、フッ素でポンプの内面を緩慢に不動態化する必要性を最小化する。フッ素用途において、単一シャフトポンプを用いることが有利である。単一シャフトポンプは、ギアに関連するノイズを発生しない。さらに、単一シャフト設計は、良好に制御された低レベルの振動を与え、オンツールマウンティング（ｏｎ−ｔｏｏｌ　ｍｏｕｎｔｉｎｇ）に適切である。ポンプの設計は、ロータリーシャフトシール又は可撓性ダイアフラムと直接接触しないようにして、ポンプ中にフッ素を密閉する。フッ素を収容するように機能するすべてのシールは、静的（ｓｔａｔｉｃ）であるから、信頼性があり予測性がある。
【００４９】
加えて、フッ素用途に対して、真空系にベアリングを有していないポンプを用いることは、有利である。真空系内にベアリングがないことにより、フッ素流から潤滑剤を離隔できる。このことから結果的に、ポンプ潤滑剤がフッ素と反応せず、ポンプ潤滑剤からプロセスチャンバの汚染物質が発生せず、ポンプ潤滑剤からリサイクルされたフッ素ガス流の汚染物質が発生せず、フッ素で汚染されたポンプ部品のメンテナンスの必要性がない、ことになる。
【００５０】
本発明によれば、好ましいポンプ装置は、約２０ｍ３／ｈ〜約１００ｍ３／ｈのポンピング速度を有し、約０．０１ｍｂａｒ〜約１０００ｍｂａｒの圧力を達成し得る真空ポンプである。公知の乾式真空ポンプ技術は、不活性ガスデルタＰを用い、ドライブケーシングに対するガスフローを制限するように公差を近似させる。これらの設計は、シャフト周りの環状クリアランスを横断する圧力降下を制御する狭い幾何学的クリアランスに依拠し、圧力調節装置との組合せで、ドライブケーシングの圧力及び／又は不活性ガスの最小流速を伴うポンプの最終工程の圧力よりも高い不活性ガスの圧力を達成する。本発明のプロセスの好ましい実施形態によれば、これは、フッ素がポンプドライブケーシングに入ることを防止し、リサイクルされたフッ素ガス流の希釈を最小化するという利点を有する。
【００５１】
図２に示すように、本発明の好ましい実施形態によれば、ＮＦ３がプロセスチャンバ１４を通過する際に、ガスは、フッ素ラジカル、Ｎ２：Ｆ２の比率が１：３であるフッ素ガス及び窒素ガスに変換される。したがって、Ｆ２の最大濃度は７５％である。しかし、ガスがポンピングリサイクルプロセスに用いられる必要なアルゴン／窒素パージガスで希釈されるようになるので、この濃度は減少し得る。したがって、本発明のさらなる実施形態（図５）によれば、精製Ｆ２の濃度を連続的に７５％程度の高濃度に操作することができる。この態様において、Ｆ２濃度は、ＮＦ３供給物が用いられる場合にリサイクルシステム内で減少するだけである。上述したように、シリンダフッ素の使用（このような圧縮シリンダ内での最大容積は４００ｐｓｉである）は、安全性の理由から実用的ではない。したがって、本発明のフッ素発生システム９８は、フッ素ガス前駆体を供給する合理的で標準的なＨＦシリンダのみの要求により無制限量のフッ素を供給することができるので、有用である。図４及び図５に示す本発明のプロセスは、所望であれば、ガスがリサイクルポンプ２６を通過する際に、フッ素濃度を１００％程度に高くすることができる。フッ素濃度は、所望に応じて、リサイクルポンプ２６に供給されたアルゴン／窒素ガスを提供することにより、１００％フッ素から任意の所望のフッ素濃度へ変動させることができる。したがって、精製フッ素発生システム９８を用いる図４及び図５に示された本発明は、ＮＦ３単独を用いることが可能ではない条件であっても、プロセスチャンバ１４に入るであろう広範囲のフッ素濃度を作り出すことができる。システムに入るＦ２の流速は、好ましくは約１Ｌ／ｍｉｎ〜約６Ｌ／ｍｉｎの範囲にある。
【００５２】
実施例１
ポア（細孔）形成を伴うＣＦｘ吸着剤形成
本発明の吸着剤ペレットを調製するために用いた好ましいＣＦｘ化合物の一例は、Ａｄｖａｎｃｅｄ　Ｒｅｓｅａｒｃｈ　Ｃｈｅｍｉｃａｌ（ＡＲＣ、Ｃａｔｏｏｓａ、ＯＫ）により粉末として製造されている市販の「ＣａｒｂｏｆｌｕｏｒＴＭ　ＣＦｘ、ｇｒａｄｅ　２０６５」（ｘは約１．１５である）である。ＰＴＦＥ成分は、粉末として製造されている「Ｄｙｎｅｏｎ、ｇｒａｄｅ　ＴＦＴＭ　２０７１」である。ＰＴＦＥは、ペレットに対するバインダとして作用すると考えられる。加えて、イソプロパノール又はＣ７Ｆ１６であるＦＣ−８４（３Ｍ　Ｃｏｍｐａｎｙ、Ｍｉｎｎｅａｐｏｌｉｓ、ＭＮ）を押出前に混合物に添加して、押出後に熱又は真空を適用することによって除去した。イソプロパノールの添加は、ポア（細孔）形成を補助すると考えられる。イソプロパノールは、好ましくは他の成分との組合せ重量中６４ｍｌ／１００ｇの量で添加した。９：１のプレスウェイ比（ｐｒｅｓｓｗａｙ　ｒａｔｉｏ）で、Ａｍａｎｄｕｓ　Ｋａｈｌ（Ｈａｍｂｕｒｇ、Ｇｅｒｍａｎｙ）３ｍｍダイを用いるＡｍａｎｄｕｓ　Ｋａｈｌ　Ｌ　１７５ラボラトリーペレットプレスで、ペレットを押し出した。下記Ｔａｂｌｅ　Ｉは、本発明のペレットに対する推奨組成の一例を示す。
【００５３】
【表１】
2004010478.tif 000003
【００５４】
ＡＲＣ　ＣａｒｂｏｆｌｕｏｒＴＭ，　Ｇｒａｄｅ　２０６５が好ましいが、任意の高度にフッ化されたＣＦｘも、ｘが約１．１５であり、化合物が顕著な吸着性能（例えば、Ｎ２ＢＥＴ表面積測定値が３４０ｍ２／ｇ）である限り、理論的には用いることができる。Ｔａｂｌｅ　２には、ＡＲＣ　２０６５に見出された望ましい特性を挙げる。
【００５５】
【表２】
2004010478.tif 000004
【００５６】
下記Ｔａｂｌｅ　３に示す特性ゆえに、Ｄｙｎｅｏｎ　ＴＦＴＭ　２０７１　ＰＴＦＥが好ましいバインダである。実質的に同様の特性を有するバインダをＤｙｎｅｏｎ　ＴＦＴＭ　２０７１　ＰＴＦＥの代わりに用いることができることは理解されよう。
【００５７】
【表３】
2004010478.tif 000005
【００５８】
実施例２
ポア（細孔）なしのＣＦｘ吸着剤ペレット形成
別の好ましい吸着剤床ペレットを、実施例１に示すＣＦｘ及びＰＴＦＥ成分を用いて調製した。しかし、実施例１に示す設備及びプロトコールを用いてペレットに形成したこの好ましい吸着剤は、イソプロパノールを組み込まず、ポア（細孔）形成を必要としなかった。本発明の吸着剤床ペレットを調製するために用いたＣＦｘは、Ａｄｖａｎｃｅｄ　Ｒｅｓｅａｒｃｈ　Ｃｈｅｍｉｃａｌ（ＡＲＣ、Ｃａｔｏｏｓａ、ＯＫ）により粉末として製造されている市販の「ＣａｒｂｏｆｌｕｏｒＴＭ　ＣＦｘ，　ｇｒａｄｅ　２０６５」（ｘは約１．１５）であった。ＰＴＦＥ成分は、粉末として市販されている「Ｄｙｎｅｏｎ　ＴＦＴＭ　２０７１」であった。ＰＴＦＥは、ペレットに対するバインダとして作用すると考えられる。９：１（ＣＦｘ：ＰＴＦＥ）のプレスウェイ比（ｐｒｅｓｓｗａｙ　ｒａｔｉｏ）で、Ａｍａｎｄｕｓ　Ｋａｈｌ（Ｈａｍｂｕｒｇ、Ｇｅｒｍａｎｙ）３ｍｍダイを用いるＡｍａｎｄｕｓ　Ｋａｈｌ　Ｌ　１７５ラボラトリーペレットプレスで、ペレットを押し出した。上記Ｔａｂｌｅ　Ｉは、本発明のペレットに対する推奨組成の一例を示す。上記Ｔａｂｌｅ　３に示す特性ゆえに、Ｄｙｎｅｏｎ　ＴＦＴＭ　２０７１　ＰＴＦＥが好ましいバインダである。実質的に同様の特性を有するバインダをＤｙｎｅｏｎ　ＴＦＴＭ　２０７１　ＰＴＦＥの代わりに用いることができることは理解されよう。
【００５９】
ポア（細孔）形成剤なしで製造されたペレットによる不純物破過試験は、低い不純物実効容量及び緩慢な不純物の取り込み（ｕｐｔａｋｅ）を示した。ペレット押出（加熱による除去を伴う）前に、混合物にイソプロパノール又は（ＮＨ４）２ＣＯ３を添加することによるポア（細孔）形成剤を用いて製造されたペレット（実施例１）による不純物破過試験は、Ｔａｂｌｅ　４に示すように、不純物実効容量及び不純物取り込みの速度を改良した。
【００６０】
【表４】
2004010478.tif 000006
【００６１】
これらの結果に基づくと、イソプロパノール（ＩＰＡ）又は２−プロパノールが最も好ましいポア（細孔）形成剤である。加えて、パーフルオロカーボン含有化合物などを含む他の有機化合物、例えばＦＣ−８４（主成分：Ｃ７Ｆ１６）、ＦＣ−７２（主成分：Ｃ６Ｆ１４）、ＦＣ−７７（主成分：Ｃ８Ｆ１８）、ＦＣ３２８３（主成分：Ｃ９Ｆ２０）及びこれらの混合物などを用いることも予測される。上述のＦＣ化合物は、３Ｍ　Ｃｏｍｐａｎｙ（Ａｍｉｎｎｅａｐｏｌｉｓ，　ＭＮ）から入手することができる。
【００６２】
本発明によれば、実施例に示されるように、本発明の吸着剤床に用いるペレット製造は、混合／ブレンド工程、押出工程、ポア（細孔）形成及び乾燥工程、平滑化工程、不動態化工程及び試験工程を含む。はじめに、ＣＦｘ、ＰＴＦＥ及びポア（細孔）形成剤成分を所望の割合で混合して、実質的に均一な混合物にブレンドする。次に、この混合物を、好ましくは成形型を通して押し出してペレットを形成する。次に、ペレットを乾燥Ｎ２の大気圧フローで、１２０℃で数時間かけて乾燥させる。こうして、ポア（細孔）形成剤を混合物のマトリックスから取り除いて、所望のポア（細孔）を残す。次に、ペレットを好ましくは容器内で回転させて、粗いエッジを取り除く。ペレットをリンスして、さらにＦＣ−８４（３Ｍ，　Ｍｉｎｎｅａｐｏｌｉｓ，　ＭＮ）等の溶剤で乾燥させて、ゴミ及び残渣物を取り除いてもよい。最後に、大気圧下でフッ素流中、１５０℃まで、ペレットを不動態化する。
【００６３】
上述のように、公知のサイクル的吸着プロセスは、典型的には２個以上の吸着床を用いて行うことができるので、一方の床の再生中に、他方の床を吸着に用いることができる。本発明の好ましい一実施形態によれば、１個だけの吸着剤床が必要である。これは、チャンバ洗浄工程（この間、能動吸着が生じる）と１以上の堆積工程（吸着剤床の脱着及び再生が生じる）とを交互に行うことにより達成される。この態様において、堆積チャンバが洗浄されていないサイクル中に、吸着剤床を再生する。すなわち、プロセスチャンバ洗浄相と、吸着剤床再生サイクルは、位相をずらして行われる。この好ましい単一床配置は、伝統的な二重床配置よりも、費用、時間及び設置空間の点において、より経済的である。
【００６４】
プロセスチャンバ洗浄工程の間、吸着剤床は能動吸着相にある。反応チャンバからの排気フローは、リサイクルポンプを通して吸着剤床に送られ、変動量のＦ２、ＮＦ３、Ｎ２、Ａｒ、ＳｉＦ４及びＨＦを含み得る。吸着剤床の運転圧力に達すると、吸着剤床チャンバからの排気フローは、不純物（すなわちＳｉＦ４、ＨＦ）がＣＦｘ吸着剤上に吸着されてしまって減少した状態で、プロセスチャンバに戻される。残りの活性ガスは、プロセスチャンバ内のさらなるチャンバ洗浄反応に加わることができる。このリサイクルプロセスは、プロセスチャンバ洗浄工程の継続中、連続する。よって、プロセスチャンバ洗浄のために必要となる新鮮なＮＦ３洗浄ガスの量を大幅に減少することができる。
【００６５】
チャンバ洗浄工程の最後、及び堆積工程の間、吸着剤床は再生される。プロセスチャンバ洗浄工程中に吸着された成分は、チャンバ洗浄工程の間、廃棄するためにリサイクルポンプを通る排気フローとは逆方向に、不活性パージガスのフローを送ることによって脱着される、といえる。不活性パージガスの流速は、吸着剤床内に粘性のフローレジムを発生させるように選択される。好ましくは、堆積工程の終点の前に、不活性パージガスのフローを中断して、吸着した床を排気する。
【００６６】
Ｔａｂｌｅ　５は、チャンバ洗浄工程（吸着モード）及び堆積工程（脱着モード）に対する典型的な運転条件（圧力、温度、継続時間）を示す。
【００６７】
【表５】
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【００６８】
当業者には、本発明の多くの変更や他の実施形態が思い浮かぶであろう。よって、本発明は、開示された特定の実施形態に制限されず、変更及び他の実施形態も本発明の範囲に含まれることは理解されるであろう。本明細書中、特定の用語を用いているが、これらは一般的な意味及び記述的な意味において用いられており、本発明を何ら限定するものではない。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は、典型的な反応チャンバ洗浄プロセスのブロックダイアグラムである。
【図２】図２は、本発明の好ましいプロセスの概略代表図である。
【図３】図３は、本発明の代表的なプロセスの反応サイクルを示すグラフである。
【図４】図４は、モジュラー型ＨＦ源及び吸着剤床を示す本発明の好ましい実施形態の概略代表図である。
【図５】図５は、モジュラー型ＨＦ源及び吸着剤床を示す本発明の好ましい実施形態の概略代表図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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