(57)【要約】 【課題】  データ線の負荷を減少させて画質を向上し、データ線と基準電極との間のカップリングによる静電容量を減少してデータ線周辺の光漏れを減少させる。      【解決手段】  第１基板上に、ゲート線とデータ線とによって定義される画素領域に、第１切開部によって複数の小領域に分割されている画素電極と薄膜トランジスタとを形成し、第１基板と対向する第２基板に、第１切開部と共に画素電極を小領域に分割する第２切開部とデータ線と重なる開口部とを有する共通電極を形成し、複数の開口部を第２切開部と分離して形成することによって、データ線を通じて伝達される信号の負荷を減少させ、データ線にかかる液晶容量の変化量を縮少し、側面クロストークによる光漏れが減少して、開口率を増大させるこ。【選択図】      図２
2004341530.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁第１基板と、
前記第１基板上に形成されている第１配線と、
前記第１基板上に形成され、前記第１配線と絶縁されて交差している第２配線と、
前記第１配線と前記第２配線とが交差して定義する画素領域ごとに形成され、第１ドメイン分割手段によって複数の小部分に分割されている画素電極と、
前記第１配線、前記第２配線及び前記画素電極と連結されている薄膜トランジスタと、
前記第１基板と対向する絶縁第２基板と、
前記第２基板上に形成され、前記第１ドメイン分割手段と共に前記画素電極を複数の小ドメインに分割する第２ドメイン分割手段と、
前記第２ドメイン分割手段と分離され、前記第１配線または第２配線と重畳する開口部を有する共通電極と、
を含む液晶表示装置。
【請求項２】
前記第１ドメイン分割手段は前記画素電極が有する切開部であり、前記第２ドメイン分割手段は前記共通電極が有する切開部である、請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記第２ドメイン分割手段と前記開口部との間に位置する前記共通電極の幅は、３〜６μｍの範囲である、請求項２に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
絶縁第１基板と、
前記第１基板上の一方向に沿って形成され、ゲート電極を有するゲート線と、
前記ゲート線上に形成されているゲート絶縁膜と、
前記ゲート電極上部の前記ゲート絶縁膜上に形成されている半導体層と、
前記ゲート電極を中心に対向するソース電極及びドレーン電極と前記ソース電極を含み、前記ゲート線と交差するデータ線と、
前記ドレーン電極と連結され、液晶分子を分割配向するための第１切開部を有する画素電極と、
前記第１基板と対向する絶縁第２基板と、
前記第１切開部と共に前記液晶分子を分割配向するための第２切開部と、前記第２切開部と分離され、前記ゲート線またはデータ線上に前記ゲート線またはデータ線に沿って延びている開口部を有する共通電極と、
を含む液晶表示装置。
【請求項５】
前記第１基板上に前記ゲート線と同一層に形成され、前記画素電極と重畳して維持蓄電器を構成する維持電極線をさらに含む、請求項４に記載の液晶表示装置。
【請求項６】
前記開口部は、前記ゲート線またはデータ線に沿って少なくとも２つ以上に分離されて配列されている、請求項４に記載の液晶表示装置。
【請求項７】
前記第２切開部と前記開口部及び互いに隣接する前記開口部の間の前記共通電極の幅は、３〜６μｍの範囲である、請求項６に記載の液晶表示装置。
【請求項８】
前記半導体層と前記データ線及び前記ドレーン電極との間に形成されている抵抗性接触部材をさらに含む、請求項４に記載の液晶表示装置。
【請求項９】
前記半導体層と前記抵抗性接触部材とは、前記データ線及び前記ドレーン電極に沿って形成されている、請求項４または請求項８に記載の液晶表示装置。
【請求項１０】
薄膜トランジスタのチャンネル領域を除いた前記半導体層は、前記データ線及び前記ドレーン電極と同一の平面形状を有する、請求項９に記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、垂直配向型液晶表示装置に関し、特に、ドメイン分割手段を利用して画素領域を複数の小ドメインに分割することによって広視野角を実現する垂直配向型液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置は、一般に、基準電極やカラーフィルターなどが形成されている上部表示板と薄膜トランジスタや画素電極などが形成されている下部表示板との間に液晶物質を注入し、画素電極と基準電極とに互いに異なる電位を印加することによって電界を形成して液晶分子の配列を変更させ、これにより光の透過率を調節して画像を表現する装置である。
【０００３】
その中でも、電界が印加されない状態で液晶分子の長軸が上下基板に対して垂直になるように配列された垂直配向型液晶表示装置は、コントラスト比が大きく、広視野角の実現が容易であるため、脚光を浴びている。
【０００４】
垂直配向型液晶表示装置における広視野角を実現するための手段として、電極に切開パターンを形成する方法や突起を形成する方法などがある。これらの方法は、全てが、フリンジフィールド（fringe field）を形成して液晶の傾斜方向を４方向に均一に分散させることにより広視野角を確保する方法である。このうち、電極に切開パターンを形成するＰＶＡ（patterned vertically aligned）モードは、ＩＰＳ（In Plane Switching）モードに代替される広視野角技術として認められている。
【０００５】
また、ＰＶＡモードは、液晶分子の動きによじれがなく、電界方向に垂直な方向にスプレー（splay）したり、或いは曲がる方向に対して弾力性による動きだけがあるので、ＴＮ（Twisted nematic）方式に比べて相対的に速い応答特性を示す。
【０００６】
ところが、液晶表示装置の薄膜トランジスタ表示板には、走査信号を伝達するゲート線や画像信号を伝達するデータ線など複数の配線が形成され、これらの配線は、自己の抵抗と周辺配線または上部基板の共通電極とのカップリングによる静電容量とを有する。このような自己の抵抗と静電容量とは、各配線に負荷として作用し、RC遅延などによって配線を通じて伝達される信号を歪曲させる。特に、データ線と共通電極との間のカップリングは、その２つの間に位置する液晶分子を駆動し、データ線周辺での光漏れを誘発して画質を低下させ、このような光漏れを遮断するためにブラックマトリックスを広く形成しなければならないため、開口率を低下させる原因になる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明が目的とする技術的課題は、データ線の負荷を減少させて画質を向上させることである。
【０００８】
本発明が目的とする他の技術的課題は、データ線と基準電極との間のカップリングによる静電容量を減少させてデータ線周辺での光漏れを減少させることである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
このような課題を解決するために、本発明では、データ線と重畳する共通電極の領域に開口部を形成する。さらに詳細には、本発明の実施例による液晶表示装置は、第１配線、第１配線と絶縁されて交差している第２配線、第１配線と第２配線とが交差して定義する画素領域ごとに形成され、第１ドメイン分割手段によって複数の小部分に分割されている画素電極、第１配線、第２配線、及び画素電極と連結されている薄膜トランジスタを有する第１基板と、第１基板と対向して、第１ドメイン分割手段と共に画素電極を複数の小ドメインに分割する第２ドメイン分割手段及び第２ドメイン分割手段と分離され、第２配線と重畳する開口部を有する共通電極が形成されている第２基板とを含む。
【００１０】
第１ドメイン分割手段は画素電極が有する切開部であり、第２ドメイン分割手段は共通電極が有する切開部である。
【００１１】
この時、第２ドメイン分割手段と開口部との間に位置する共通電極の幅は、３〜６μｍの範囲であるのが好ましい。
【００１２】
他の実施例による液晶表示装置は、一方向に沿って形成され、ゲート電極を有するゲート線、ゲート線上に形成されているゲート絶縁膜、ゲート電極上部のゲート絶縁膜上に形成されている半導体層、ゲート電極を中心に対向するソース電極及びドレーン電極とソース電極を含み、前記ゲート線と交差するデータ線、ドレーン電極と連結され、液晶分子を分割配向するための第１切開部を有する画素電極を有する第１基板と、第１基板と対向して、第１切開部と共に液晶分子を分割配向するための第２切開部及び第２切開部と分離され、データ線上部にデータ線に沿って延びている開口部を有する共通電極が形成されている第２基板とを含む。
【００１３】
そして、第１基板上に前記ゲート線と同一層に形成され、画素電極と重畳して維持蓄電器を構成する維持電極線をさらに含む構成とすることができる。この時、開口部は、データ線に沿って少なくとも２つ以上に分離されて配列されているのが好ましく、第２切開部と開口部及び互いに隣接する開口部の間の共通電極の幅は、３〜６μｍの範囲であるのが好ましい。
【００１４】
そして、半導体層と前記データ線及び前記ドレーン電極との間に形成されている抵抗性接触部材をさらに含むことができ、半導体層と抵抗性接触部材とは、データ線及びドレーン電極に沿って形成されることができる。この時、薄膜トランジスタのチャンネル領域を除いた半導体層は、データ線及びドレーン電極と同一の平面形状を有する構成とすることができる。
【発明の効果】
【００１５】
本発明では、データ線上の共通電極を除去してデータ線開口部を形成することによって、配線の負荷が減少し、配線にかかる液晶容量の変化量が縮少し、側面クロストークによる光漏れが減少して、開口率を増大させることができる。配線の負荷が減少すれば、データ線として用いられる導電物質の選択及び解像度の面における限界を克服することができる。また、配線にかかる液晶容量の変化量が縮少すれば、充電率が低い時に最も最初に発生する縦筋クロストークの問題が改善されるため、充電率における限界を克服することができる。この他にも、側面クロストークによる光漏れの減少と開口率の増大により、優れた画質の液晶表示装置を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、添付した図面を参照して、本発明の実施例に対して、本発明の属する技術分野における通常の知識を有する者が容易に実施することができるように詳細に説明する。しかし、本発明は多様な形態で実現することができ、ここで説明する実施例に限定されない。
【００１７】
図面は、各種層及び領域を明確に表現するために厚さを拡大して示している。明細書全体を通じて類似した部分については同一の図面符号を付けている。層、膜、領域、板などの部分が他の部分の“上に”あるとする時には、他の部分の“すぐ上に”ある場合に限らず、その中間に更に他の部分がある場合も含む。逆に、ある部分が他の部分の“すぐ上に”あるとする時には、中間に他の部分がない場合を意味する。
【００１８】
以下、図面を参照して、本発明の実施例による液晶表示装置の構造について説明する。
【００１９】
図１は本発明の第１実施例による液晶表示装置用薄膜トランジスタ表示板の配置図であり、図２は本発明の第１実施例による液晶表示装置用色フィルター表示板の配置図であり、図３は本発明の第１実施例による液晶表示装置の配置図であり、図４は図３の液晶表示装置のIV-IV'線の断面図である。
【００２０】
液晶表示装置は、下側の薄膜トランジスタ表示板１００、これに対向している上側の対向表示板２００及びこれらの間に形成され、２つの表示板１００、２００に対してほぼ垂直に配向されている液晶分子３１０を含む液晶層３からなる。
【００２１】
ガラスなどの透明な絶縁物質からなる薄膜トランジスタ表示板１００には、ＩＴＯ（indium tin oxide）やＩＺＯ（indium zinc oxide）などの透明な導電物質からなり、切開部１９１、１９２、１９３を有する画素電極１９０が形成されており、各画素電極１９０は、薄膜トランジスタに連結されて画像信号電圧の印加を受ける。この時、薄膜トランジスタは、走査信号を伝達するゲート線１２１及び画像信号を伝達するデータ線１７１に各々連結され、走査信号によって画素電極１９０をオン・オフする。また、薄膜トランジスタ表示板１００下面には下部偏光板１２が取り付けられている。ここで反射型液晶表示装置の場合には、画素電極１９０が透明でない物質で形成される場合もあり、その場合には下部偏光板１２も不要になる。
【００２２】
ガラスなどの透明な絶縁物質からなる対向表示板２００には、画素の縁で発生する光漏れを防止するためのブラックマトリックス２３０、赤、緑、青の色フィルター２４０及びＩＴＯまたはＩＺＯなどの透明な導電物質からなる基準電極２７０が形成されている。ここで、基準電極２７０には、切開部２７１、２７２、２７３と開口部２７９とが形成されている。ブラックマトリックス２３０は、画素領域の周囲部分だけでなく、基準電極２７０の切開部２７１、２７２、２７３と重畳する部分にも形成することも可能である。これは、切開部２７１、２７２、２７３によって生じる光漏れを防止するためである。
【００２３】
それでは、第１実施例による液晶表示装置について詳細に説明する。
【００２４】
薄膜トランジスタ表示板１００には、下部絶縁基板１１０上に横方向にゲート線１２１が形成されている。ゲート線１２１には、ゲート電極１２３が突起状に形成されており、ゲート線１２１の一端の付近に位置した部分１２５は外部からのゲート信号をゲート線１２１に伝達する。絶縁基板１１０上には、ゲート線１２１に沿って維持電極線１３１が形成されている。維持電極線１３１は、縦方向に形成されている２つの維持電極１３３a、１３３bと連結され、これら２つの維持電極１３３a、１３３bは横方向に形成されている維持電極１３３cによって互いに連結されている。この時、維持電極線１３１は２つ以上設けることもできる。ゲート線１２１、ゲート電極１２３、維持電極線１３１及び維持電極１３３は、アルミニウムまたはクロムなどの金属で形成される。この時、これらは単一層に形成することもでき、クロム層とアルミニウム層とを連続積層して構成した二重層に形成することもできる。その他にも、多様な金属を用いてゲート配線及び共通配線を形成することができる。
【００２５】
ゲート線１２１、維持電極線１３１及び維持電極１３３a、１３３b上には、窒化ケイ素（SiNx）などからなるゲート絶縁膜１４０が形成されている。
【００２６】
ゲート絶縁膜１４０上には、縦方向にデータ線１７１が形成されている。データ線１７１には、分枝としてソース電極１７３が形成され、ソース電極１７３に隣接してドレーン電極１７５が形成され、データ線１７１の一端付近に位置した部分１７９は外部からの画像信号をデータ線１７１に伝達する。また、ゲート絶縁膜１４０上には、データ線１７１及び重畳橋部金属片１７２が形成されている。データ線１７１、ドレーン電極１７５及び橋部金属片１７２もゲート線１２１と同様にクロムやアルミニウムなどの導電物質を含む導電膜で形成し、単一層または多重層に形成することができる。
【００２７】
ソース電極１７３及びドレーン電極１７５下部には、薄膜トランジスタのチャンネル部として用いられる非晶質シリコン層１５１が形成され、データ線１７１下にもチャンネル部非晶質シリコン層１５１が縦に長く連結されている。非晶質シリコン層１５１上には、ソース及びドレーン電極１７３、１７５とチャンネル部非晶質シリコン層１５１との間の接触抵抗を減少させるための抵抗性接触部材１６３、１６５が形成されている。接触部材１６３もデータ線１７１に沿ってその下部にのび、n型不純物で高濃度にドーピングされた非晶質シリコンを用いる。
【００２８】
データ線１７１などの上には、窒化ケイ素などの無機絶縁物や樹脂などの有機絶縁物質からなる保護膜１８０が形成されている。保護膜１８０には、ドレーン電極１７５を露出させる接触孔１８５が形成されている。
【００２９】
保護膜１８０上には、切開部１９１、１９２、１９３を有する画素電極１９０が形成されている。画素電極１９０は、ＩＴＯやＩＺＯなどのような透明導電体やアルミニウム（Al）のような光反射特性の優れた不透明導電体を用いて形成する。画素電極１９０に形成されている切開部１９１、１９２、１９３は、画素電極１９０を上下に両分する位置に横方向に形成されている横切開部１９２と、両分された画素電極１９０の上下に各々斜線方向に形成されている斜線開口部１９１、１９３とを含む。この時、上下の斜線開口部１９１、１９３は互いに垂直をなしている。これは、フリンジフィールドの方向を４方向に均一に分散させるためである。
【００３０】
なお、画素電極１９０と同一層には、ゲート線１２１を介して互いに隣接する画素の維持電極１３３aと維持電極線１３１とを連結する維持配線連結橋９１が形成されている。維持配線連結橋９１は、保護膜１８０とゲート絶縁膜１４０とにかけて形成されている接触孔１８３、１８４を通じて維持電極１３３a及び維持電極線１３１に接触している。維持配線連結橋９１は、橋部金属片１７２と重畳しており、これらは互いに電気的に連結されることもできる。維持配線連結橋９１は、下部基板１１０上の維持配線全体を電気的に連結する役割をしている。このような維持配線は、必要に応じてゲート線１２１やデータ線１７１の欠陥修理に利用することができ、橋部金属片１７２は、このような修理のためにレーザーを照射する時にゲート線１２１と維持配線連結橋９１との電気的連結を補助するために形成する。
【００３１】
保護膜１８０上には、ゲート接触補助部材９５とデータ接触補助部材９７とが形成されている。ゲート接触補助部材９５は、保護膜１８０とゲート絶縁膜１４０とにかけて形成されている接触孔１８２を通じてゲート線の端部１２５に連結されており、データ接触補助部材９７は、保護膜１８０に形成されている接触孔１８３を通じてデータ線の端部１７９に連結されている。
【００３２】
対向表示板２００には、上部絶縁基板２１０に画素の縁での光漏れを防止するためのブラックマトリックス２３０が形成されている。ブラックマトリックス２３０上には、赤、緑、青の色フィルター２４０が形成されている。色フィルター２３０上には、全面的に平坦化膜２５０が形成され、その上には、切開部２７１、２７２、２７３及び開口部２７９を有する基準電極２７０が形成されている。基準電極２７０は、ＩＴＯまたはＩＺＯなどの透明な導電体から形成される。
【００３３】
基準電極２７０の切開部２７１、２７２、２７３は、画素電極１９０の斜線開口部１９１、１９３を間に挟んでおり、これと並ぶ斜線部と画素電極１９０の辺と重なっている屈折部とを含む。この時、屈折部は縦方向屈折部と横方向屈折部とに分けられる。また、データ線１７１に対応する基準電極２７０には、データ線１７１に沿って複数の開口部２７９が形成されている。
【００３４】
この時、開口部２７９と切開部２７１、２７１、２７３の縦方向屈折部との間の間隔（b）、及びデータ線１７１上部で互いに隣接する開口部２７９の間の間隔（a）は、製造工程における写真エッチング工程で用いられる露光器の解像度より広いのが好ましく、通常３〜６μｍ以上であるのが良い。このような構造は、開口部２７９と切開部２７１、２７１、２７３の縦方向屈折部との間の間隔（b）とデータ線１７１上部で互いに隣接する開口部２７９の間の間隔（a）とで基準電極２７０を連結することにより、基準電極２７０に印加される基準電圧の経路を様々な方向に確保することができる。
【００３５】
前記のような本発明の実施例の構造では、データ線１７１と重畳する基準電極２７０に開口部２７９を設けることで、データ線に伝達されるデータ信号に対して遅延を最少化することができるので、表示装置の特性を向上させることができる。また、データ線１７１と基準電極２７０との間のカップリングによる静電容量を減少させ、データ線１７１周辺で発生する光漏れ現象を最少化することができる。
【００３６】
以上のような構造の薄膜トランジスタ基板と色フィルター基板とを位置合わせして結合し、その間に液晶物質を注入して垂直配向すれば、本発明による液晶表示装置の基本構造が形成される。薄膜トランジスタ基板と色フィルター基板とを位置合わせする時に、画素電極１９０の切開部１９１、１９２、１９３と基準電極２７０の切開部２７１、２７２、２７３とは画素領域を複数の小ドメインに分割する。これらの小ドメインは、その内部に位置する液晶分子の平均長軸方向によって４種類に分類される。
【００３７】
次に、このような構造と効果を有する本発明の実施例による液晶表示装置用薄膜トランジスタ表示板を製造する方法について説明する。
【００３８】
まず、基板１１０上に物理化学的特性が優れたCrまたはMo合金、またはアルミニウムを含む導電膜などを蒸着した後に、マスクを用いた写真エッチング工程でパターニングし、ゲート線１２１、維持電極１３３a、１３３b、及び維持電極線１３１を形成する。
【００３９】
次に、窒化ケイ素からなるゲート絶縁膜１４０、非晶質シリコン層、ドーピングされた非晶質シリコン層の３層膜を連続積層し、非晶質シリコン層とドーピングされた非晶質シリコン層とを共にマスクを用いた写真エッチング工程でパターニングし、ゲート電極１２３上のゲート絶縁膜１４０上に半導体層１５１及びその上の抵抗性接触層を形成する（第２マスク）。
【００４０】
次に、CrまたはMo合金、またはアルミニウムまたはアルミニウム合金などの導電膜を蒸着し、マスクを用いた写真エッチング工程でパターニングし、ゲート線１２１と交差するデータ線１７１、データ線１７１と連結されてゲート電極１２１上部まで延びているソース電極１７３、及びソース電極１７３と分離され、ゲート電極１２１を中心にソース電極１７３と対向するドレーン電極１７５を形成する。
【００４１】
次に、データ線１７１及びドレーン電極１７５によって覆われないドーピングされた非晶質シリコン層をエッチングして、ゲート電極１２３を中心に両側に位置する抵抗性接触部材１６３、１６５を完成し、両側のドーピングされた非晶質シリコン層１６３、１６５の間の半導体層１５１を露出させる。その後、露出された半導体層１５１の表面を安定化するために酸素プラズマ処理を実施するのが好ましい。
【００４２】
次に、a-Si:C:O膜またはa-Si:O:F膜を化学気相蒸着（ＣＶＤ）法によって成長させたり、窒化ケイ素などの無機絶縁膜を蒸着したり、アクリル系物質などの有機絶縁膜を塗布して、保護膜１８０を形成する。この時、a-Si:C:O膜の場合には、気体状態のSiH（CH３）３、SiO２（CH３）４、（SiH）４O４（CH３）４、Si（C２H５O）４などを基本ソースとして用いて、N２OまたはO２などの酸化剤とArまたはHeなどとを混合した気体を流しながら蒸着する。また、a-Si:O:F膜の場合には、SiH４、SiF４などにO２を添加した気体を流しながら蒸着する。この時、フッ素の補助ソースとしてCF４を添加することもできる。
【００４３】
次に、写真エッチング工程でゲート絶縁膜１４０と共に保護膜１８０をパターニングし、ゲート線の端部１２５、ドレーン電極１７５、及びデータ線の端部１７９を露出する接触孔１８１、１８２、１８３を形成する。ここで、接触孔１８１、１８２、１８３は角のある形状や円形状に形成することもでき、パッド１２５、１７９を露出する接触孔１２５、１７９の形状寸法は２mm×６０μｍを超えず、０.５mm×１５μｍ以上であるのが好ましく、接触孔１８１、１８２、１８３の側壁はテーパ構造であるのが好ましい。
【００４４】
最後に、ＩＴＯまたはＩＺＯ膜を蒸着して写真エッチングして、接触孔１８１を通じてドレーン電極１７５と連結される画素電極１９０と、接触孔１８２、１８３を通じてゲート線の端部１２５及びデータ線の端部１７９と各々連結されるゲート接触補助部材９５及びデータ接触補助部材９７とを形成する。ＩＴＯやＩＺＯを積層する前の予熱（pre-heating）工程で使用する気体としては、窒素が好ましい。これは、接触孔１８１、１８２、１８３を通じて露出されている金属膜上部に金属酸化膜が形成されるのを防止するためである。
【００４５】
以下、図５及び図６を参照して、本発明の第２実施例による薄膜トランジスタ表示板を含む液晶表示装置の構造について詳細に説明する。
【００４６】
図５は本発明の第２実施例による薄膜トランジスタ表示板を含む液晶表示装置の構造を示す配置図であり、図６は図５の液晶表示装置のVI-VI'線の断面図である。
【００４７】
図５及び図６に示すように、薄膜トランジスタ表示板には、横方向にのびているゲート線１２１と縦方向にのびているデータ線１７１とが交差して画素領域を定義し、各画素領域には、薄膜トランジスタと切開パターン１９１、１９２、１９３、１９４、１９５、１９６、１９７、１９８を有する画素電極１９０とが形成されている。薄膜トランジスタ表示板と対向する対向表示板２００には、切開パターン２７１、２７２、２７３、２７４、２７５、２７６、２７７、２７８を有する共通電極２７０が形成されている。画素電極１９０の切開パターン１９１、１９２、１９３、１９４、１９５、１９６、１９７、１９８と共通電極２７０の切開パターン１９１、１９２、１９３、１９４、１９５、１９６、１９７、１９８とは、第１実施例のように、互いに交互に配置され、画素領域を複数の小ドメインに分割する。前記では、ドメイン分割手段として切開パターンを例として挙げたが、突起や溝もドメイン分割手段として使用することができる。
【００４８】
図５及び図６のように、本発明の第２実施例による薄膜トランジスタ表示板１００は、図３及び図４とほぼ類似している。しかし、複数の線状半導体１５１及び複数の抵抗性接触部材１６３、１６５が備えられている。
【００４９】
線状半導体１５１は、ソース電極１７３とドレーン電極１７５との間にある薄膜トランジスタのチャンネル領域を除けば、複数のデータ線１７１及び複数のドレーン電極１７５とほぼ同一の平面形状である。つまり、チャンネル領域においてデータ線１７１とドレーン電極１７５とは互いに分離されているが、線状半導体１５１はここで切れずに連結されて薄膜トランジスタのチャンネル領域を形成する。抵抗性接触部材１６３、１６５は、各々データ線１７１及びドレーン電極１７５と同一の形状である。
【００５０】
ゲート線１２１、半導体１５１、及び抵抗性接触部材１６３、１６５は、テーパ構造を有する。
【００５１】
このような本発明の第２実施例による薄膜トランジスタ表示板の製造方法において、データ線１７１、ドレーン電極１７５、及び半導体層１５１は、１つの感光膜パターンを用いた写真エッチング工程でパターニングする。この時、感光膜パターンは、互いに異なる厚さの第１部分と第２部分とを含むが、第２部分は薄膜トランジスタのチャンネル領域に位置し、第１部分はデータ線及びドレーン電極領域に位置し、第２部分は第１部分より薄い厚さを有する。ここで、第１及び第２部分は半導体層１５１をパターニングするためのエッチングマスクとして用いられ、第１部分はデータ線及びドレーン電極をパターニングするためのエッチングマスクとして用いられる。このように位置によって感光膜パターンの厚さを異ならせる方法としては様々な方法があるが、例えば、光マスクに透明領域（transparent area）及び遮光領域（light blocking area）の他に半透明領域（translucent area）を設ける方法がある。半透明領域には、スリット（slit）パターン、格子パターン（lattice pattern）、または透過率が中間であるか厚さが中間である薄膜が備えられる。スリットパターンを利用する時には、スリットの幅やスリットの間の間隔が写真工程に用いられる露光器の分解能（resolution）より小さいのが好ましい。その他の例としては、リフローが可能な感光膜を用いる方法がある。つまり、透明領域及び遮光領域だけを有する通常のマスクでリフロー可能な感光膜パターンを形成した後にリフローして、感光膜が残留しない領域に流すことによって、薄い部分を形成するのである。
【００５２】
第２実施例の効果は、第１実施例の効果と同一である。つまり、配線の負荷が減少し、配線にかかる液晶容量の変化量が縮少され、側面クロストークによる光漏れが減少して、開口率が増大する。
【００５３】
また、本発明の実施例では、データ線に対応する基準電極に開口部を形成したが、他の実施例では、ゲート線に対応する基準電極に開口部を追加することもできる。
【００５４】
以上で、本発明の好ましい実施例について詳細に説明したが、本発明の実施例は、該当技術分野の熟練した当業者が、特許請求の範囲に記載された本発明の思想及び領域を超えない範囲内で多様に変形及び改良できることが理解できるであろう。特に、画素電極と共通電極とに形成する切開部の配置は多様に変形することができ、切開部を形成する代わりに突起を設ける等の変形も可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】本発明の第１実施例による液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板の配置図である。
【図２】本発明の第１実施例による液晶表示装置用色フィルター基板の配置図である。
【図３】本発明の第１実施例による液晶表示装置の配置図である。
【図４】図３のIV-IV'線の断面図である。
【図５】本発明の第２実施例による薄膜トランジスタ表示板を含む液晶表示装置の構造を示す配置図である。
【図６】図５の液晶表示装置のVI-VI'線の断面図である。
【符号の説明】
【００５６】
１２１  ゲート線
１２３  ゲート電極
１７１  データ線
１７３  ソース電極
１７５  ドレーン電極
１９０  画素電極
１９１、１９２、１９３  切開部
１５１、１５３  非晶質シリコン層
２７０  基準電極  
２７９  開口部    
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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