(57)【要約】【課題】研磨テーブルの上面に配置される研磨パッドの交換作業を効率的に行うことができるポリッシング装置を提供する。【解決手段】研磨テーブル２０と、研磨テーブル２０の上部に取り付けられた研磨工具１とを有し、研磨工具１に研磨液Ｑを供給しながら研磨対象物Ｗを研磨工具１に摺接させて研磨するポリッシング装置であって、研磨テーブル２０の上面に開口する流体流路４０を設け、流体流路４０内に真空を形成することにより研磨工具１を研磨テーブル２０に固定する。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
研磨テーブルと、該研磨テーブルの上部に取り付けられた研磨工具とを有し、前記研磨工具に研磨液を供給しながら研磨対象物を前記研磨工具に摺接させて研磨するポリッシング装置であって、
前記研磨テーブルの上面に開口する流体流路を設け、前記流体流路内に真空を形成することにより前記研磨工具を前記研磨テーブルに固定することを特徴とするポリッシング装置。
【請求項２】
前記研磨工具は研磨パッドと該研磨パッドが載置されるベースとを備え、前記研磨工具は複数の分割体に分割されていることを特徴とする請求項１に記載のポリッシング装置。
【請求項３】
前記ベースは樹脂製または金属製であることを特徴とする請求項２に記載のポリッシング装置。
【請求項４】
前記研磨パッドと前記ベースとは、同一の材質から形成されていることを特徴とする請求項２に記載のポリッシング装置。
【請求項５】
前記研磨液と気体とを分離させる気液分離器を、前記流体流路と前記流体流路内に真空を形成する真空源との間に配置したことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載のポリッシング装置。
【請求項６】
複数種の研磨液を供給するための複数の研磨液供給口を更に備えたことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載のポリッシング装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ポリッシング装置に係り、特に半導体ウェハなどの研磨対象物の被研磨面を平坦に研磨するためのポリッシング装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
半導体デバイスの製造工程においては、半導体デバイス表面の平坦化技術がますます重要になっている。この平坦化技術のうち、最も重要な技術は、化学的機械的研磨（ＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ））である。この化学的機械的研磨は、ポリッシング装置を用いて、シリカ（ＳｉＯ２）等の砥粒を含んだ研磨液を研磨面上に供給しつつ半導体ウェハなどの基板を研磨面に摺接させて研磨を行うものである。
【０００３】
この種のポリッシング装置は、上面にクロス（研磨パッド）が接着剤などにより貼り付けられた研磨テーブルと、半導体ウェハを保持するためのトップリング又はキャリアヘッド等と称される基板保持装置とを備えている。このようなポリッシング装置を用いて半導体ウェハの研磨を行う場合には、基板保持装置により半導体ウェハを保持しつつ、この半導体ウェハを研磨テーブルに対して所定の圧力で押圧する。このとき、クロスの上面に形成された研磨面に研磨液を供給しつつ研磨テーブルと基板保持装置とを相対運動させることにより半導体ウェハが研磨面に摺接し、半導体ウェハの表面が平坦かつ鏡面に研磨される。
【０００４】
上述したポリッシング装置において、ターンテーブル上のクロス（研磨パッド）の貼り替えは次のように行われる。すなわち、まず、ポリッシング装置の運転を停止し、研磨テーブルからクロスを剥がす。その後、研磨テーブルの上面に残留した接着剤等の付着物や研磨液を洗い落とし、研磨テーブルを乾燥させる。そして、新しいクロスを直接研磨テーブルの上面に接着剤などで貼り付けることによりクロスの貼り替え作業が終了する。
【０００５】
このように、従来のクロスの貼り替え作業は種々の工程を経てなされるため、作業性が悪いという欠点があった。また、クロスの貼り替え作業中は、ポリッシング装置の運転を停止させる必要があるため、クロスの貼り替え作業の時間が長くなるに従って、ポリッシング装置の単位時間当たりの生産ロット数が低下するという欠点があった。
【０００６】
このような欠点を解決するために、特許文献１に開示されているように、金属等から製作された台座（ベース）とクロス（研磨布）とから構成されるクロスカートリッジを研磨テーブル上にボルトにより着脱可能に取り付ける方法が行われている。この方法によれば、クロスカートリッジの簡易な交換作業のみでクロスを交換することができるので、クロス交換作業の時間を短縮させることができる。したがって、ポリッシング装置の運転を停止させる時間を短くすることができ、ポリッシング装置の単位時間当たりの生産ロッド数を上げることができる。
【０００７】
しかしながら、研磨対象物である半導体ウェハの径が大きくなるに従い、クロスカートリッジの径も大きくなり、このために、クロスカートリッジの取り扱いが困難となるという問題があった。
【０００８】
【特許文献１】
特開平８−１１８２３１号公報
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上述した従来の問題点に鑑みてなされたもので、研磨テーブルの上面に配置される研磨パッドの交換作業を効率的に行うことができるポリッシング装置を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上述した目的を達成するために、本発明は、研磨テーブルと、該研磨テーブルの上部に取り付けられた研磨工具とを有し、前記研磨工具に研磨液を供給しながら研磨対象物を前記研磨工具に摺接させて研磨するポリッシング装置であって、前記研磨テーブルの上面に開口する流体流路を設け、前記流体流路内に真空を形成することにより前記研磨工具を前記研磨テーブルに固定することを特徴とする。
この場合において、前記研磨工具は研磨パッドと該研磨パッドが載置されるベースとを備え、前記研磨工具は複数の分割体に分割されていることが好ましい。
【００１１】
このように構成された本発明によれば、流体流路内の真空を開放することにより研磨工具を研磨テーブルから簡単に取り外すことができる。また、分割体の着脱作業を１つずつ行うことができるので、研磨工具（研磨パッド及びベース）の交換作業を容易に行うことができ、作業効率を向上させることが可能となる。
【００１２】
本発明の好ましい態様は、前記ベースは樹脂製または金属製であることを特徴とする。
このように構成された本発明によれば、使用済みの研磨工具（研磨パッド及びベース）をそのまま廃棄することが可能となる。したがって、ベースのゆがみの原因となっていた、使用済みの研磨パッドをベースから剥がし、このベースの上に新しい研磨パッドを貼り付ける、といった作業を省略することができる。
【００１３】
本発明の好ましい態様は、前記研磨パッドと前記ベースとは、同一の材質から形成されていることを特徴とする。
このように構成された本発明によれば、研磨工具を廃棄するときに、研磨パッドとベースとを分別することが不要となる。
【００１４】
本発明の好ましい態様は、前記研磨液と気体とを分離させる気液分離器を、前記流体流路と前記流体流路内に真空を形成する真空源との間に配置したことを特徴とする。
【００１５】
上述したように、複数の分割体から構成される研磨工具は、流体流路内に形成された真空により研磨テーブルに固定されるが、この構成では、真空となった流体流路内に研磨液が周囲雰囲気の気体と共に流入し、研磨液が真空源に吸入されてしまうことが予想される。上述のように構成された本発明によれば、研磨液が流体流路内に流入した場合でも、研磨液が真空源に吸入される前にこの研磨液を気液分離器により捕集することができる。これにより、研磨液が真空源に吸入されてしまうことが防止できる。
【００１６】
本発明の好ましい態様は、複数種の研磨液を供給するための複数の研磨液供給口を更に備えたことを特徴とする。
一般に、研磨プロセスを変更する際には研磨液を変更する必要があり、クロスコンタミネーションを防ぐ目的で研磨工具を研磨プロセスに応じて交換する必要がある。このため、従来では、１台のポリッシング装置で複数の研磨プロセスを行うことは困難であった。これに対し、上述のように構成された本発明によれば、研磨プロセスの変更に応じて研磨パッドを容易に交換することが可能となる。したがって、研磨液供給口から所望の研磨液を研磨工具に供給し、これによって、複数の研磨プロセスを１台のポリッシング装置で行うことが可能となる。
【００１７】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。
図１は本発明の第１の実施形態におけるポリッシング装置を示す概略断面図である。図２（ａ）は図１に示すクロスカートリッジを示す平面図であり、図２（ｂ）は図２（ａ）に示す分割体の断面図であり、図２（ｃ）は図１に示すクロスカートリッジの分解斜視図である。図３は本発明の第１の実施形態における研磨テーブルを示す平面図である。
【００１８】
図１に示すように、本実施形態に係るポリッシング装置は、上面にクロスカートリッジ（研磨工具）１が取り付けられた研磨テーブル２０と、研磨対象物である半導体ウェハＷを保持してクロスカートリッジ１の上面に押圧するトップリング３０とを備えている。クロスカートリッジ１は、クロス（研磨パッド）１０とベース（台座）１１とから基本的に構成されている。ここで、クロス１０の上面は、半導体ウェハＷと摺接する研磨面を構成している。なお、微細な砥粒（ＣｅＯ２等からなる）を樹脂等のバインダで固めた固定砥粒板の上面を研磨面として構成することもできる。
【００１９】
研磨テーブル２０は、その下方に配置されるモータ（図示せず）に連結されており、矢印で示すようにその軸心回りに回転可能になっている。また、研磨テーブル２０の上方には第１の研磨液供給ノズル（研磨液供給口）２２Ａが設置されており、この第１の研磨液供給ノズル２２Ａからクロス１０上に研磨液（スラリ）Ｑが供給されるようになっている。さらに、研磨テーブル２０の上方には第２の研磨液供給ノズル（研磨液供給口）２２Ｂが設置されており、この第２の研磨液供給ノズル２２Ｂからは、研磨液Ｑとは異なる種類の研磨液がクロス１０上に供給されるようになっている。なお、クロス１０に供給すべき研磨液は、研磨プロセスに応じて適宜選択される。
【００２０】
トップリング３０は、トップリングシャフト３２に連結されており、このトップリングシャフト３２を介してモータ及び昇降シリンダ（図示せず）に連結されている。これによりトップリング３０は、矢印で示すように昇降可能かつトップリングシャフト３２回りに回転可能となっている。また、トップリング３０はその下面にポリウレタン等の弾性マット３４を備えており、この弾性マット３４の下面に、研磨対象物である半導体ウェハＷが真空等によって保持される。
【００２１】
このような構成により、トップリング３０は自転しながら、その下面に保持した半導体ウェハＷをクロス１０に対して任意の圧力で押圧することができるようになっている。なお、トップリング３０の下部外周部には、半導体ウェハＷの外れ止めを行うガイドリング３６が設けられている。
【００２２】
トップリング３０とトップリングシャフト３２とは自在継手部により連結されている。この自在継手部は、トップリング３０及びトップリングシャフト３２とを互いに傾動可能とする球面軸受機構４３と、トップリングシャフト３２の回転をトップリング３０に伝達する回転伝達機構４４とを備えており、トップリングシャフト３２からトップリング３０に対して互いの傾動を許容しつつ押圧力及び回転力を伝達する。
【００２３】
上述の構成を有するポリッシング装置において、トップリング３０の下面に保持された半導体ウェハＷは、回転している研磨テーブル２０の上面のクロス１０に押圧される。このとき、研磨液供給ノズル２２Ａからはクロス１０上に研磨液Ｑが供給される。これによって、半導体ウェハＷの被研磨面（下面）とクロス１０との間に研磨液Ｑが存在した状態でポリッシングが行われる。
【００２４】
図２（ａ）乃至図２（ｃ）に示すように、クロスカートリッジ１は４つの分割体１Ａ，１Ｂ，１Ｃ，１Ｄに分割されている。すなわち、クロスカートリッジ１は、４つの扇形のベース片１１Ａ，１１Ｂ，１１Ｃ，１１Ｄと、これらのベース片１１Ａ，１１Ｂ，１１Ｃ，１１Ｄの上面にそれぞれ接着剤などにより固定される扇形のクロス片１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃ，１０Ｄとを備えている。なお、ベース片１１Ａ，１１Ｂ，１１Ｃ，１１Ｄは硬質の樹脂（例えば、ＰＶＣ（ポリ塩化ビニル））から形成されている。また、クロス片１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃ，１０Ｄは樹脂シート等の研磨布である。なお、ステンレスなどの金属によりベース片（ベース）を構成してもよい。
【００２５】
各ベース片１１Ａ，１１Ｂ，１１Ｃ，１１Ｄの中心側の先端部には通孔１２が形成されており、これらの通孔１２には、図１に示すように、ピン１３が挿通されている。ピン１３の下端は研磨テーブル２０に設けられた挿入孔（図示せず）に挿通され、ピン１３の上端は研磨テーブル２０に着脱可能に取り付けられた固定部材１４に固定されている。これらのピン１３を通孔１２及び研磨テーブル２０の挿入孔に挿通させることにより、各分割体１Ａ，１Ｂ，１Ｃ，１Ｄの研磨テーブル２０に対する相対位置が固定される。
【００２６】
図１に示すように、研磨テーブル２０の内部には流体流路４０が形成されている。この流体流路４０は研磨テーブル２０の上面で開口し、図３に示すように、研磨テーブル２０の上面のほぼ全体に亘って複数の開口部４０ａが均一に形成されている。流体流路４０は研磨テーブル２０を貫通し、流体流路４０の下端は気液分離槽（気液分離器）４２に接続されている。この気液分離槽４２は、液体と気体とを分離し、分離された液体を内部に貯留し、気体のみを通過させるように構成されている。
【００２７】
気液分離槽４２は真空ポンプなどの真空源４５に接続されており、真空源４５を駆動させることにより、気液分離槽４２を介して流体流路４０内に真空（負圧）が形成されるようになっている。このような構成により、流体流路４０内に形成された真空によってクロスカートリッジ１が研磨テーブル２０の上面に吸着され固定される。
【００２８】
上述のように構成されたクロスカートリッジ１を交換する作業は次のように行われる。すなわち、まず、トップリング３０を研磨テーブル２０から退避させると共に、研磨テーブル２０の回転を停止させる。次に、真空源４５を停止させ、流体流路４０内に形成されている真空を開放する。これにより、クロスカートリッジ１の研磨テーブル２０への固定状態が解除される。その後、固定部材１４及びピン１３を研磨テーブル２０から取り外し、クロスカートリッジ１を研磨テーブル２０から取り除く。そして、新たなクロスカートリッジ（図示せず）を研磨テーブル２０に載置し、ピン１３及び固定部材１４を研磨テーブル２０に取り付け、クロスカートリッジ（分割体）の位置を固定する。その後、真空源４５を駆動させ、これによりクロスカートリッジが研磨テーブル２０の上面に固定される。
【００２９】
上述したように、クロスカートリッジ１は４つの分割体１Ａ，１Ｂ，１Ｃ，１Ｄから構成され、これらの４つの分割体１Ａ，１Ｂ，１Ｃ，１Ｄは研磨テーブル２０にそれぞれ着脱可能に取り付けられているので、クロスカートリッジ１の交換は、分割体１Ａ，１Ｂ，１Ｃ，１Ｄごとに行うことができる。従って、クロスカートリッジ１の交換作業が容易になり、作業効率を向上させることが可能となる。なお、本実施形態では、クロスカートリッジは４つの分割体から構成されているが、これに代えて、２つ又は３つの分割体から構成することもできる。
【００３０】
上述の構成において、流体流路４０に真空を形成した際、クロスカートリッジ１の分割体１Ａ，１Ｂ，１Ｃ，１Ｄ同士の微小な隙間から研磨液が吸入され、周囲雰囲気の気体と共に流体流路４０に流入する場合がある。流体流路４０に流入した研磨液は気液分離槽４２に導かれ、気液分離槽４２にて研磨液と気体とが分離される。分離された研磨液は気液分離槽４２内に貯留され、気体のみが気液分離槽４２から真空源４５に吸入される。したがって、真空源４５に研磨液が流入することが防止され、これにより、研磨液の流入に起因する真空源４５の故障が防止される。
【００３１】
また、本実施形態によれば、１台のポリッシング装置により複数の研磨プロセスを行うことができる。すなわち、第１の研磨液供給ノズル２２Ａからクロス１０に研磨液Ｑを供給しながら半導体ウェハの研磨を行う（第１の研磨プロセス）。次に、クロスカートリッジ１を別のクロスカートリッジ（図示せず）に交換し、第２の研磨液供給ノズル２２Ｂから研磨液Ｑとは異なる種類の研磨液を供給しながら半導体ウェハの研磨を行う（第２の研磨プロセス）。第２の研磨プロセスが行われている間、第１の研磨プロセスで使用されたクロスカートリッジ１は、図４に示す保管槽４６にて保管される。
【００３２】
図４は本発明の第１の実施形態におけるクロスカートリッジを保管するための保管槽を示す斜視図である。図４に示すように、保管槽４６内には水４７が貯留されている。第１の研磨プロセスで使用されたクロスカートリッジ１の分割体１Ａ，１Ｂ，１Ｃ，１Ｄは保管槽４６に搬送され、水４７中に浸漬される。これにより、クロス１０上に付着している研磨液（スラリ）が乾燥することが防止され、また、分割体１Ａ，１Ｂ，１Ｃ，１Ｄを研磨テーブル２０に再び取り付けたときの慣らし運転の時間を短縮することができる。
【００３３】
次に、本発明の第２の実施形態について説明する。図５は本発明の第２の実施形態における気液分離槽を示す模式図である。図６（ａ）乃至図６（ｃ）は本発明の第２の実施形態における気液分離槽の動作を説明するための図である。本実施形態に係るポリッシング装置は２つの気液分離槽を備えている点で、１つの気液分離槽のみを備えている第１の実施形態におけるポリッシング装置と異なっている。なお、特に説明しない構成及び動作は第１の実施形態と同様であるので、その重複する説明を省略する。
【００３４】
図５に示すように、第１の気液分離槽４２Ａ及び第２の気液分離槽４２Ｂは並列に配置されており、配管５０を介して流体流路４０（図１参照）にそれぞれ接続されている。この配管５０には逆止弁５２，５２が設けられており、この逆止弁５２，５２によって流体流路４０に形成された真空が維持されるようになっている。第１及び第２の気液分離槽４２Ａ，４２Ｂは、それぞれ配管５４，５６を介して真空源４５に接続されている。第１の気液分離槽４２Ａに接続される配管５４には第１のバルブ５８Ａが設けられ、第２の気液分離槽４２Ｂに接続される配管５６には第２のバルブ５８Ｂが設けられている。そして、第１及び第２のバルブ５８Ａ，５８Ｂを操作することにより、第１及び第２の気液分離槽４２Ａ，４２Ｂと真空源４５との連通状態が独立して制御可能になっている。
【００３５】
第１及び第２の気液分離槽４２Ａ，４２Ｂには、その内部に溜まった研磨液の量が所定の値を超えたか否かを検出するセンサ６０がそれぞれ設けられている。第１及び第２の気液分離槽４２Ａ，４２Ｂの下端には、その内部に溜まった研磨液を排出するためのドレン配管６２Ａ，６２Ｂが設けられ、第１及び第２の気液分離槽４２Ａ，４２Ｂの上端には、その内部と外部とを連通させる連通配管６４Ａ，６４Ｂが設けられている。第１の気液分離槽４２Ａに接続されるドレン配管６２Ａ及び連通配管６４Ａには第１のドレンバルブ６６Ａ，６６Ａが設けられ、第２の気液分離槽４２Ｂに接続されるドレン配管６２Ｂ及び連通配管６４Ｂには第２のドレンバルブ６６Ｂ，６６Ｂが設けられている。そして、第１のドレンバルブ６６Ａ，６６Ａ及び第２のドレンバルブ６６Ｂ，６６Ｂを操作することにより、第１及び第２の気液分離槽４２Ａ，４２Ｂ内の研磨液がドレン配管６２Ａ，６２Ｂから排出されるようになっている。なお、上記センサ６０としては液面センサなどが好適に用いられる。
【００３６】
次に、図６（ａ）乃至図６（ｃ）を参照して本実施形態に係る気液分離槽の動作について説明する。なお、図６（ａ）乃至図６（ｃ）に示す矢印は気体の流れを示している。また、図６（ａ）乃至図６（ｃ）において、黒のバルブ及びドレンバルブは閉じた状態を示し、白のバルブ及びドレンバルブは開いた状態を示している。
【００３７】
図６（ａ）に示すように、第１のバルブ５８Ａ及び第２のドレンバルブ６６Ｂ，６６Ｂは閉じられ、第２のバルブ５８Ｂ及び第１のドレンバルブ６６Ａ，６６Ａは開かれている（以下、この状態をＳ１という）。すなわち、第２の気液分離槽４２Ｂのみが真空源４５に連通している。このとき、第１の気液分離槽４２Ａに溜まった研磨液が排出される。
【００３８】
第２の気液分離槽４２Ｂに配置されたセンサ６０により研磨液の量が所定の値に達したことが検出されると、図６（ｂ）に示すように、第１のドレンバルブ６６Ａ，６６Ａが閉じられると共に、第１のバルブ５８Ａが開かれる。すなわち、第１及び第２のバルブ５８Ａ，５８Ｂは開かれ、第１のドレンバルブ６６Ａ，６６Ａ及び第２のドレンバルブ６６Ｂ，６６Ｂは閉じられている（以下、この状態をＳ２という）。これにより、第１及び第２の気液分離槽４２Ａ，４２Ｂと真空源４５とが連通される。このとき、研磨液の排出は行われない。
【００３９】
Ｓ２の状態で所定時間が経過した後、図６（ｃ）に示すように、第２のバルブ５８Ｂが閉じられると共に、第２のドレンバルブ６６Ｂ，６６Ｂが開かれる。すなわち、第１のバルブ５８Ａ及び第２のドレンバルブ６６Ｂ，６６Ｂは開かれ、第２のバルブ５８Ｂ及び第１のドレンバルブ６６Ａ，６６Ａは閉じられている（以下、この状態をＳ３という）。このとき、第２の気液分離槽４２Ｂ内に溜まった研磨液が排出される。
【００４０】
第１の気液分離槽４２Ａに配置されたセンサ６０により研磨液の量が所定の値を超えたことが検出されると、第２のドレンバルブ６６Ｂ，６６Ｂが閉じられると共に、第２のバルブ５８Ｂが開かれ、Ｓ２の状態になる。さらに、所定時間経過後、Ｓ１の状態となる。このようにして、Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、Ｓ２、Ｓ１を１サイクルとした研磨液の排出動作が行われる。
【００４１】
このように、２つの気液分離槽４２Ａ，４２Ｂを交互に真空源４５に連通させることにより、流体流路４０内に形成された真空状態を破壊することなく気液分離槽４２Ａ，４２Ｂ内の研磨液を排出することができる。したがって、気液分離槽４２Ａ，４２Ｂから研磨液を排出するためにポリッシング装置の運転を停止させる必要がなくなる。
【００４２】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、流体流路内の真空を開放することにより研磨工具を研磨テーブルから簡単に取り外すことができる。また、分割体の着脱作業を１つずつ行うことができるので、研磨工具（研磨パッド及びベース）の交換作業を容易に行うことができ、作業効率を向上させることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施形態におけるポリッシング装置を示す概略断面図である。
【図２】図２（ａ）は図１に示すクロスカートリッジを示す平面図であり、図２（ｂ）は図２（ａ）に示す分割体の断面図であり、図２（ｃ）は図１に示すクロスカートリッジの分解斜視図である。
【図３】本発明の第１の実施形態における研磨テーブルを示す平面図である。
【図４】本発明の第１の実施形態におけるクロスカートリッジを保管するための保管槽を示す斜視図である。
【図５】本発明の第２の実施形態における気液分離槽を示す模式図である。
【図６】図６（ａ）乃至図６（ｃ）は本発明の第２の実施形態における気液分離槽の動作を説明するための図である。
【符号の説明】
１      クロスカートリッジ（研磨工具）
１Ａ，１Ｂ，１Ｃ，１Ｄ  分割体
１０      クロス（研磨パッド）
１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃ，１０Ｄ  クロス片
１１      ベース
１１Ａ，１１Ｂ，１１Ｃ，１１Ｄ    ベース片
１２      通孔
１３      ピン
１４      固定部材
２０      研磨テーブル
２２Ａ，２２Ｂ    研磨液供給ノズル（研磨液供給口）
３０      トップリング
３２      トップリングシャフト
３４      弾性マット
３６      ガイドリング
４０      流体流路
４２      気液分離槽（気液分離器）
４２Ａ    第１の気液分離槽
４２Ｂ    第２の気液分離槽
４３      球面軸受機構
４４      回転伝達機構
４５      真空源
４６      保管槽
４７      水
５０，５４，５６  配管
５２      逆止弁
５８Ａ    第１のバルブ
５８Ｂ    第２のバルブ
６０      センサ
６２Ａ，６２Ｂ    ドレン配管
６４Ａ，６４Ｂ    連通配管
６６Ａ    第１のドレンバルブ
６６Ｂ    第２のドレンバルブ
Ｑ    研磨液
Ｗ    半導体ウェハ（研磨対象物）
【図１】
2004330326.tif 000003
【図２】
2004330326.tif 000004
【図３】
2004330326.tif 000005
【図４】
2004330326.tif 000006
【図５】
2004330326.tif 000007
【図６】
2004330326.tif 000008