(57)【要約】【課題】視野角に寄らず色ムラが少なく、混色制御が極めて容易な多色発光を実現する半導体発光素子を提供する。【解決手段】積層方向に複数の発光部を有するモノリシックな半導体発光素子において、その半導体発光素子の４つの隅部に電極を有する構造として各発光部の面積を実質的に同一にし、発光層のバンドギャップが小さい構造から順に基板上へ積層しているため短波長発光が長波長発光層に吸収されること無く取り出すことにより、視野角に寄らず混色が均一な多色発光素子を実現する。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、２または３組のダブルヘテロ構造が絶縁層で分離されて積層され、ここに、該２または３組のダブルヘテロ構造の各々は第１導電型クラッド層、発光層および第２導電型クラッド層を含み；該発光層は該第１導電型クラッド層および該第２導電型クラッド層で挾持され；該２または３組のダブルへテロ構造は、互いに異なる波長の光を発光し；および、該２または３組のダブルへテロ構造は、実質的に同一の発光面積を有することを特徴とする半導体発光素子。
【請求項２】
該２または３組のダブルへテロ構造の各々を構成する第１導電型または第２導電型のいずれか１の導電型のクラッド層が、１の領域に、該基板からより遠い側に形成された層から露出した表面を有し、該２または３組のダブルへテロ構造の各々を構成する該いずれか１の導電型のクラッド層とは異なる導電型のクラッド層が、該１の領域とは異なる１ないし３の領域に、該基板からより遠い側に形成された層から露出した表面を有し、該いずれか１の導電型のクラッド層が有する露出した表面に連続して接触するように、共通電極が形成され、該異なる導電型のクラッド層が有する露出した表面の各々に接触するように、電極が個別に形成されている請求項１記載の半導体発光素子。
【請求項３】
該１の領域が素子の４つの隅部のうちのいずれか１の隅部であって、該異なる１ないし３の領域が、該１の隅部とは異なる１ないし３の隅部である請求項２記載の半導体発光素子。
【請求項４】
該ダブルヘテロ構造は、ＩＩＩ族窒化物系半導体またはＩＩ族酸化物半導体で構成されている請求項１〜３いずれか１記載の半導体発光素子。
【請求項５】
より大きなバンドギャップを有する発光層を含むダブルへテロ構造が基板からより遠い側に形成されている請求項１〜４いずれか１記載の半導体発光素子。
【請求項６】
該基板の裏面もしくは側面に、または該基板の裏面および側面の両方に発光を散乱するための凹凸が形成されている請求項１〜５いずれか１記載の半導体発光素子。
【請求項７】
請求項１〜６いずれか１記載の半導体発光素子が、金属反射面を有するリードフレームまたは反射板上に実装され、さらに絶縁性樹脂によって封止され、ここに、該絶縁性樹脂中には、該半導体発光素子から発光された光を散乱させる粒子が分散している半導体発光装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、発光ダイオード素子や半導体レーザ素子等の半導体発光素子に関し、さらに詳しくは、視野角による色ムラが少なく混色制御が極めて容易な多色発光を実現する半導体発光素子に関する。本発明は、多色発光を実現する半導体発光素子が実装された半導体発光装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、従来の化合物半導体材料では実現困難なデバイス特性を相補すべく、新規な発光材料として酸化物半導体が注目され、さかんに研究がなされている。
紫外から緑色以長の広域をカバーできる発光材料として、ワイドギャップ半導体であるＧａＮ系半導体等のＩＩＩ族窒化物系半導体の結晶成長およびデバイス技術が急速に発展している。中でも、発振波長が４００ｎｍ近傍にある青色発光素子は、高輝度な屋外用ディスプレイへの適用をはじめとして既に実用化がなされており、これを用いた種々の発光装置などが提案されている。
【０００３】
また、ＩＩ族酸化物系半導体である酸化亜鉛（ＺｎＯ）は、約３．４ｅＶのバンドギャップエネルギーを有する直接遷移型半導体で、励起子結合エネルギーが６０ｍｅＶと極めて高く、また原材料が安価、環境や人体に無害で成膜手法が簡便であるなどの特徴を有し、高効率・低消費電力で環境性に優れた発光デバイスを実現できる可能性がある。
【０００４】
なお、本明細書において、ＩＩＩ族窒化物系半導体とは、ＧａＮ、ＡｌＮ、ＩｎＮおよびこれらの混晶を含めるものとし、ＧａＮおよびこれを母体としたＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮまたはＡｌＩｎＧａＮなどで表される混晶を「ＧａＮ系半導体」と略称する。
また、ＩＩ族酸化物系半導体とは、１種以上のＩＩ族元素（Ｚｎ、Ｍｇ、Ｃｄ、Ｂｅ）およびＯを少なくとも含む半導体であって、ＺｎＯおよびこれを母体としたＭｇＺｎＯ、ＣｄＺｎＯまたはＭｇＣｄＺｎＯなどで表される混晶を「ＺｎＯ系半導体」と略称する。
【０００５】
ＩＩＩ族窒化物系半導体を用いた半導体発光素子の一例として、特開平７−１８３５７６号公報（特許文献１）に開示されている窒化ガリウム系化合物半導体発光素子について説明する。
この半導体発光素子は、１チップで多色発光を可能にできる発光素子に関するものであり、図５に示すように、サファイア基板１上に、ｎ型Ａｌ０．２３Ｉｎ０．６６Ｇａ０．１１Ｎクラッド層２およびｐ型Ａｌ０．２３Ｉｎ０．６６Ｇａ０．１１Ｎクラッド層４、６、８でＡｌｘＩｎｙＧａ１−ｘ−ｙＮ活性層３、５、７を挾持したダブルヘテロ構造が積層されており、各クラッド層に設けられた電極α、β、γ、δに通電することにより、各活性層３、５、７が発光する構造としている。
また、図６に示されたもう１つの実施例では、前記３つのダブルヘテロ構造が半絶縁性のｉ型ＧａＮ層９により構造毎に分離され、各構造毎に１対設けられた電極間に通電することによって各発光層が発光する。
【０００６】
上記した従来技術の実施例では、活性層３、５、７のＡｌ／Ｉｎ組成比を各々０／０．８９（波長６２０ｎｍ）、０／０．６３（波長５３９ｎｍ）、０．１３／０．６３（波長４５９ｎｍ）とし、各電極に印加する駆動電圧を調整することにより、各活性層からの発光を混色させて多色発光を得られる旨が記載されている。
【０００７】
【特許文献１】
特開平７−１８３５７６号公報
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
図５および図６に示すように、特許文献１に記載された半導体発光素子の構造では、下側の構造から電極を取り出すために上側の構造を大きくエッチング加工する必要があり、上側の発光層ほど面積が小さくなる。このため、均一な混色が困難になると共に、見る角度によって各活性層の発光強度比が異なって見えるため、視野角による色ムラが大きくなるという問題があった。
本発明は以上の課題に鑑み、色ムラが少なく混色制御が極めて容易な多色発光を実現する半導体発光素子を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明者は、積層方向に複数の発光部を有するモノリシックな半導体発光素子において、その半導体発光素子の４つの領域に電極を有する構造として各発光部の面積を実質的に同一にすることにより、視野角に寄らず混色が均一な多色発光素子を実現できることを見い出し本発明に至った。
【００１０】
すなわち、本発明は、基板上に、２または３組のダブルヘテロ構造が絶縁層で分離されて積層され、ここに、該２または３組のダブルヘテロ構造の各々は第１導電型クラッド層、発光層および第２導電型クラッド層を含み；該発光層は該第１導電型クラッド層および該第２導電型クラッド層で挾持され；該２または３組のダブルへテロ構造は、互いに異なる波長の光を発光し；および、該２または３組のダブルへテロ構造は、実質的に同一の発光面積を有することを特徴とする半導体発光素子を提供する。
【００１１】
本明細書において、「第１導電型」および「第２導電型」は、それぞれ異なって、ｎ型またはｐ型を意味する。例えば、第１導電型がｎ型である場合、第２導電型はｐ型である。
【００１２】
本発明の半導体発光素子において、電極が形成された領域の面積を除けば、積層された発光部の発光面積が実質的に同一であるため、各発光部の発光強度は注入電流に比例して制御でき、また視野角に依らず混色が均一になる。
電極が形成された領域の面積は、発光部全体の面積と比較して小さいので、発光強度に影響することはない。その意味において、各ダブルへテロ構造は実質的に同一の発光面積を有する。
このことにより、視野角による色ムラが少なく混色制御が極めて容易な多色発光素子を実現できる。
【００１３】
本発明による半導体発光素子において、該２または３組のダブルへテロ構造の各々を構成する第１導電型または第２導電型のいずれか１の導電型のクラッド層が、１の領域に、該基板からより遠い側に形成された層から露出した表面を有し、該２または３組のダブルへテロ構造の各々を構成する該いずれか１の導電型のクラッド層とは異なる導電型のクラッド層が、該１の領域とは異なる１ないし３の領域に、該基板からより遠い側に形成された層から露出した表面を有し、該いずれか１の導電型のクラッド層が有する露出した表面に連続して接触するように、共通電極が形成され、該異なる導電型のクラッド層が有する露出した表面の各々に接触するように、電極が個別に形成されている。
【００１４】
特に、該１の領域が素子の４つの隅部のうちのいずれか１の隅部であって、該異なる１ないし３の領域が、該１の隅部とは異なる１ないし３の隅部である。
４つの隅部に電極を形成することにより、各発光層の面積を実質的に同一にできると共に、重なる面積を大きく取ることができるので、混色均一化と輝度向上を両立して実現できる。
【００１５】
本発明による半導体発光素子において、該ダブルヘテロ構造は、ＩＩＩ族窒化物系半導体またはＩＩ族酸化物半導体で構成されている。
ＩＩＩ族窒化物系半導体またはＩＩ族酸化物半導体は、３ｅＶ以上のバンドギャップを有する直接遷移型半導体であり、混晶化によって幅広いバンドギャップを制御できるため、同一の材料系で紫〜赤に至る可視発光波長を得ることができる。
特に、ＩＩ族酸化物系半導体に属するＺｎＯ系半導体は量子効率の極めて高い励起子発光が得られるため、少ない消費電力で高輝度な発光得られる発光装置を実現できる。また、ＩＩＩ族窒化物系半導体およびＺｎＯ系半導体はいずれもウルツ鉱結晶構造を有し格子定数が極めて近いため、相互にエピタキシャル成長することも可能である。すなわち物性定数や結晶成長条件の大きく異なる異種半導体をモノリシックに積層する場合に比べ、極めて結晶性に優れた半導体発光素子を作製することができる。
【００１６】
本発明による半導体発光素子において、より大きなバンドギャップを有する発光層を含むダブルへテロ構造が基板からより遠い側に形成されている。
より大きなバンドギャップを有する発光層、すなわち、より短波長の光を発光する発光層をより基板から遠い側に形成するので、短波長の発光が上層に吸収されて取り出し効率が低下することがなく、また長波長の発光は効率良く上層の発光と混色され、混色制御が極めて容易となる。
【００１７】
本発明による半導体発光素子において、該基板の裏面もしくは側面に、または該基板の裏面および側面の両方に発光を散乱するための凹凸が形成されている。基板の裏面や側面に凹凸が形成されていると、素子内部でこれら面に達した発光が多重反射を起こさずに乱反射して、素子外部に取り出しやすくなる。また、複数の発光波長を混色させる場合には、各発光が乱反射することによって混色の効率が向上する。
【００１８】
また、本発明は、本発明による半導体発光素子が、金属反射面を有するリードフレームまたは反射板上に実装され、さらに絶縁性樹脂によって封止され、ここに、該絶縁性樹脂中に、該半導体発光素子から発光された光を散乱させる粒子が分散していることを特徴とする半導体発光装置も提供する。
半導体発光素子の裏面や側面に凹凸を形成し、さらに、半導体発光素子をモールドする絶縁性樹脂中に散乱剤を分散させることにより、発光を混色し易くなるので、色ムラが抑制された半導体発光装置を得ることができる。
【００１９】
【発明の実施の形態】
まず、本発明の半導体発光素子の実施形態を図面に基づいて、具体的に説明する。本発明による半導体発光素子は、基板上に、２または３組のダブルへテロ構造が絶縁層で分離されて積層され、該２または３組のダブルへテロ構造は、互いに異なる波長の光を発光し、実質的に同一の発光面積を有することを特徴とする。この半導体発光素子において、該２または３組のダブルヘテロ構造の各々は第１導電型クラッド層、発光層および第２導電型クラッド層を含み、該発光層は該第１導電型クラッド層および該第２導電型クラッド層で挾持されている。
【００２０】
図１は、半導体発光素子１００の斜視図を示し、図２はその上面図を示し、図３は、図１に示された半導体発光素子１００を手前から見た端面の側面図を示す。半導体発光素子１００は、基板１０１上に、ｎ型第１クラッド層１０２ａ、ｎ型第１発光層１０２ｂ、ｐ型第１クラッド層１０２ｃ、ノンドープｉ型第１分離層１０５ａ、ｎ型第２クラッド層１０３ａ、ｎ型第２発光層１０３ｂ、ｐ型第２クラッド層１０３ｃ、ノンドープｉ型第２分離層１０５ｂ、ｎ型第クラッド層１０４ａ、ｎ型第３発光層１０４ｂ、ｐ型第３クラッド層１０４ｃを順次積層することによって構成されている。
【００２１】
本発明の半導体発光素子は、「ＧａＮ系半導体」のごときＩＩＩ族窒化物系半導体や「ＺｎＯ系半導体」のごときＩＩ族酸化物系半導体を用いて、構成することができる。
なお、ＺｎＯ系半導体としてＣｄＺｎＯ混晶を用いる場合、ＣｄＺｎＯ混晶はＣｄ組成の増大に伴って結晶性が悪化し、層分離を生じやすいので、ＺｎＳＯ、ＺｎＳｅＯあるいはＺｎＴｅＯなどと混晶化する際に生じるバンドギャップボウイング現象を利用してバンドギャップを狭くしたＩＩ族酸化物半導体を発光層に用いてもよい。
【００２２】
半導体発光層の組成を変化させてバンドギャップを制御することによって、任意の発光波長を得ることができる。
例えば、発光層１０２ｂ、１０３ｂおよび１０４ｂが、それぞれ、赤色、緑色および青色発光するように、発光層の組成を制御することができる。
【００２３】
バンドギャップの異なる３つの発光層１０２ｂ、１０３ｂおよび１０４ｂは、ｎ型、ｐ型あるいはノンドープ層であってもよい。また、いずれの層も、例えば、ＡｌＩｎＧａＮまたはＭｇＣｄＺｎＯのごとき４元混晶で構成されていてよい。
【００２４】
本発明の半導体発光素子において、基板にサファイアを用いることができるが、良好なＧａＮ結晶をエピタキシャル成長できるスピネルやＬｉＧａＯ２、ＮａＡｌＯ２などの基板を用いてもよい。また、ＧａＮ、ＳｉＣ、ＺｎＯなど発光に対して透光性を有する導電性基板を用いてよく、その場合ｎ型共通電極１０６が基板と導通を有するように形成して、基板裏面にも別途電極を形成し、これを配線するようにすれば、接触抵抗が低減しキャリア注入も発光面に対して均一に行われるようになるので好ましい。
基板１０１の裏面や側面には、発光を散乱させるために、研磨やエッチング等の公知の手法により任意形状の凹凸を形成することができる。
【００２５】
本発明の半導体発光素子は、素子の４つの領域に、独立して、４つの電極を配置することによって各発光部の面積を実質的に同一にしたことを特徴とする。
電極を形成する領域は、限定されないが、ボンディングワイヤが発光面を遮ることなく、連続して広い発光面を得ることができ、また、電極同士の接触を防止するのには、素子の隅部であることが好ましい。特に、４つの電極を４つの隅部の各々に形成することがより好ましい。
【００２６】
本発明の半導体発光素子は、より小さいバンドギャップを有する発光層を含むダブルへテロ構造から順に基板上へ積層して構成されていることを特徴とする。すなわち、より長波長の光を発光する発光層が、基板に近い側に形成されているので、短波長発光が長波長発光層に吸収されることなく取り出され、視野角に寄らず混色が均一な多色発光素子を実現できる。
【００２７】
図１および図３に示されるように、ｎ型電極１０６はｐ型クラッド層や発光層の端面に接触しているが、ｎ型クラッド層への接触面積に比べ、接触面積が大きく異なるので、発光層へのキャリア注入に障害となることはない。もちろん、ｎ型クラッド層の電極を共通電極とせず、各々のｎ型クラッド層上に個別に電極を形成してもよい。
【００２８】
本発明の半導体発光素子において、４つの電極に印加する電圧を適宜調整することにより、青色〜赤色に至る任意の発光色を混色性良く得ることができる。
【００２９】
次に、本発明の半導体発光素子を実装した半導体発光装置について、説明する（図示せず）。本発明の半導体発光素子を配線用支持部に実装し、半導体発光素子を発光に対して透光性を有する樹脂で封止して、例えば、ドーム形状の発光部を有する半導体発光装置を作製することができる。
本明細書において、「配線用支持部」とはリードフレーム、反射板、プリント基板等を意味し、例えば、本発明の半導体発光素子を、金属反射面を有するリードフレームに搭載したり、反射板上に並べて実装しアレイを形成することができる。
【００３０】
また、該透光性樹脂中には、様々な目的で微細な粒子を分散させることが容易に行え、特に、該半導体発光素子から発光された光を散乱させる粒子を分散させることができる。該透光性樹脂中に、発光された光を散乱させる微粒子が分散されていることにより、半導体発光装置の視認性が向上する。例えば、１０μｍ径のＳｉ微粒子のごとき無機微粒子を分散させることによって、半導体発光素子から放射された光が乱反射され、半導体発光装置の発光部の表面全体が均一に発光するので、視野角が広がり視認性が向上する。
かくして、本発明によれば、発光の混色が良好で、視野角による色ムラが抑制された半導体発光装置を得ることができる。
【００３１】
【実施例】
実施例１
この実施例は、ＩＩＩ族窒化物系半導体であるＧａＮ系半導体を用いて、本発明の半導体発光素子を構成した例を説明する。
図１は、半導体発光素子１００の斜視図を示し、図２はその上面図を示し、図３は、図１に示された半導体発光素子１００を手前から見た端面の側面図を示す。
【００３２】
この実施例において、ＧａＮ系半導体発光素子１００は、サファイア基板１０１上に、ｎ型Ａｌ０．２Ｇａ０．８Ｎ第１クラッド層１０２ａ、ｎ型Ｉｎ０．９Ｇａ０．１Ｎ第１発光層１０２ｂ、ｐ型Ａｌ０．２Ｇａ０．８Ｎ第１クラッド層１０２ｃ、ノンドープｉ型ＧａＮ第１分離層１０５ａ、ｎ型Ａｌ０．２Ｇａ０．８Ｎ第２クラッド層１０３ａ、ｎ型Ｉｎ０．６Ｇａ０．４Ｎ第２発光層１０３ｂ、ｐ型Ａｌ０．２Ｇａ０．８Ｎ第２クラッド層１０３ｃ、ノンドープｉ型ＧａＮ第２分離層１０５ｂ、ｎ型Ａｌ０．２Ｇａ０．８Ｎ第クラッド層１０４ａ、ｎ型Ｉｎ０．２Ｇａ０．８Ｎ第３発光層１０４ｂ、ｐ型Ａｌ０．２Ｇａ０．８Ｎ第３クラッド層１０４ｃを順次積層することによって作製した。
【００３３】
この実施例においては、発光層１０２ｂ、１０３ｂおよび１０４ｂが、それぞれ、中心波長６１５ｎｍ、５４５ｎｍおよび４５０ｎｍの光を発光するようにＩｎＧａＮ組成を制御した。
【００３４】
半導体発光素子１００の４つの隅部の各々には、ｎ型電極１０６、ならびにｐ型第１電極１０２ｄ、ｐ型第２電極１０３ｄおよびｐ型第３電極１０４ｄが、独立して形成した。
【００３５】
すなわち、この実施例において、ｎ型電極１０６、ｐ型第１電極１０２ｄ、ｐ型第２電極１０３ｄおよびｐ型第３電極１０４ｄの４つの電極を、独立して、半導体発光素子の４つの隅部に配置することによって各発光部の面積を実質的に同一にした。また、バンドギャップが小さい発光層、すなわち、発光波長が長い発光層を含むダブルへテロ構造から順に基板上へ積層した。
【００３６】
次に、ｎ型電極１０６を共通電極として、ｐ型第１電極１０２ｄ、ｐ型第２電極１０３ｄおよびｐ型第３電極１０４ｄに通電することにより、各々、ｎ型Ｉｎ０．９Ｇａ０．１Ｎ第１発光層１０２ｂ、ｎ型Ｉｎ０．６Ｇａ０．４Ｎ第２発光層１０３ｂおよびｎ型Ｉｎ０．２Ｇａ０．８Ｎ第３発光層１０４ｂを発光させた。
上記４つの電極に印加する電圧を適宜調整することにより、青色〜赤色に至る任意の発光色を混色性良く得ることができた。この半導体発光素子に対する発光スペクトルを図４に示す。
なお、このスペクトル図は、半導体発光素子１００の発光波長の範囲を示すための一例であって、本発明の半導体発光素子の発光スペクトルを限定する意図はない。すなわち、各ピーク波長の強度比や全体的なスペクトル形状は、半導体層の組成、層厚、各発光層を駆動する電流値等の様々な因子を変化させることによって、制御することができる。
【００３７】
以上の結果から、本発明によれば、４つの電極を、独立して、半導体発光素子の４つの隅部に配置したので、各発光部の面積を実質的に同一することができ、発光がボンディングワイヤにより遮蔽されることなく、効率よく発光を取り出すことができることが確認された。
さらに、発光波長が長い発光層を含むダブルへテロ構造から順に基板上へ積層したので、短波長発光が長波長発光層に吸収されることなく取り出され、視野角に寄らず混色が均一な多色発光素子を実現できた。
【００３８】
実施例２
この実施例では、ＩＩＩ族窒化物系半導体に代えてＩＩ族酸化物系半導体であるＺｎＯ系半導体を用い、実施例１で説明した半導体発光素子と同構造の半導体発光素子を構成した。
すなわち、ＺｎＯ系半導体発光素子１００は、ＺｎＯ基板１０１上に、ｎ型Ｍｇ０．１Ｚｎ０．９Ｏ第１クラッド層１０２ａ、ｎ型Ｃｄ０．５Ｚｎ０．５Ｏ第１発光層１０２ｂ、ｐ型Ｍｇ０．１Ｚｎ０．９Ｏ第１クラッド層１０２ｃ、ノンドープｉ型ＺｎＯ第１分離層１０５ａ、ｎ型Ｍｇ０．１Ｚｎ０．９Ｏ第２クラッド層１０３ａ、ｎ型Ｃｄ０．２５Ｚｎ０．７５Ｏ第２発光層１０３ｂ、ｐ型Ｍｇ０．１Ｚｎ０．９Ｏ第２クラッド層１０３ｃ、ノンドープｉ型ＺｎＯ第２分離層１０５ｂ、ｎ型Ｍｇ０．１Ｚｎ０．９Ｏ第３クラッド層１０４ａ、ｎ型Ｉｎ０．０５Ｚｎ０．９５Ｏ第３発光層１０４ｂ、ｐ型Ｍｇ０．１Ｚｎ０．９Ｏ第クラッド層１０４ｃを順次積層することによって作製した。
【００３９】
この実施例においては、発光層１０２ｂ、１０３ｂおよび１０４ｂが、それぞれ、中心波長６１５ｎｍ、５４５ｎｍおよび４５０ｎｍの光を発光するようにＣｄＺｎＯ組成を制御した。
【００４０】
ＺｎＯ系半導体発光素子においても、４つの電極に印加する電圧を適宜調整することにより、青色〜赤色に至る任意の発光色を混色性良く得ることができた。この半導体発光素子においても、図４で示したものと同様の発光スペクトルが得られた。
【００４１】
実施例３
この実施例は、本発明の半導体発光素子を実装した半導体発光装置を構成した例を説明する（図示せず）。
この実施例において、半導体発光素子１００を、金属反射面を有するリードフレーム２００に搭載し、半導体発光素子１００の各電極をリードフレームのリードに導通する導電部の各々にボンディングワイヤーを用いて接続した。
さらに半導体発光素子１００を絶縁性の透明樹脂によって封止して半導体発光装置を作製した。
【００４２】
各リードを介して半導体発光素子１００に電流を流したところ、半導体発光装置は、混色が良好で、均一に白色発光した。
すなわち、本発明の半導体発光素子を用いることによって、視野角が広く視認性のよい半導体発光装置が得られた。
【００４３】
【発明の効果】
本発明の半導体発光素子によると、基板上に、発光層が第１導電型および第２導電型のクラッド層で挾持されたダブルヘテロ構造が絶縁層で分離されて２種あるいは３種積層され、前記ダブルヘテロ構造は各々発光波長が異なると共に、電極を除き発光面積が実質的に同一であるので、視野角による色ムラが少なく混色制御が極めて容易な多色発光素子を実現できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による半導体発光素子の斜視図。
【図２】本発明による半導体発光素子の上面図。
【図３】本発明による半導体発光素子の１の端面の側面図。
【図４】本発明による半導体発光素子の発光スペクトル。
【図５】従来の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の断面図。
【図６】従来の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の断面図。
【符号の説明】
１００・・・半導体発光素子、
１０１・・・基板、
１０２ａ、１０３ａ、１０４ａ・・・ｎ型クラッド層、
１０２ｂ、１０３ｂ、１０４ｂ・・・発光層、
１０２ｃ、１０３ｃ、１０４ｃ・・・ｐ型クラッド層、
１０５ａ、１０５ｂ・・・ノンドープｉ型分離層。
【図１】
2004260111.tif 000003
【図２】
2004260111.tif 000004
【図３】
2004260111.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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