(57)【要約】【課題】短時間でマルチ電子源の特性を調整し、画像表示の面内輝度特性を均一にする画像形成装置の製造方法を提供する。【解決手段】全ＳＣＥ素子に予備駆動電圧Ｖｐｒｅを印加後、通常駆動電圧Ｖｄｒｖ印加時の輝度を測定し、特性調整を行うときの輝度目標値を設定する段階（図１の予備駆動期間と特性調整期間の第一期間に対応）と、一部の素子を用いて素子に特性シフト電圧Ｖｓｈｉｆｔと通常駆動電圧Ｖｄｒｖを交互に印加したときの輝度変化量を導き出し、ルックアップテーブルを作製する段階と、特性調整のためのルックアップテーブルに応じて特性シフト電圧Ｖｓｈｉｆｔのパルス波形信号を印加すること及び特性調整が終了したかを判定するために通常駆動電圧Ｖｄｒｖを印加して電子放出特性を測定する段階（図１の特性調整期間の第二、第三期間に対応）と、からなる。【選択図】　図１
2004031336.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に複数の電子放出素子を配置してなるマルチ電子源と、該マルチ電子源からの電子ビームの照射により発光する蛍光部材と、を有する画像形成装置の製造方法であって、
所定数の前記電子放出素子に駆動電圧より大きい複数の波高値をもつパルスを印加したときの、該パルスの波高値及びパルス数に対する輝度の変化を測定する第１の測定工程と、
該第１の測定工程の測定結果に基づき、所定の輝度目標値へ特性をシフトさせるための前記パルスの波高値とパルス数を格納したルックアップテーブルを作成する工程と、
前記電子放出素子に駆動電圧を印加したときの輝度を測定する第２の測定工程と、
前記電子放出素子に、前記第２の測定工程の測定結果に基づいて、前記ルックアップテーブルより得られた前記パルスの波高値が２つ以上の値を有する複数のパルスからなる特性シフト電圧を印加する工程と、
を備えたことを特徴とする画像形成装置の製造方法。
【請求項２】
前記特性シフト電圧が第１のパルスと第２以降のパルスとからなり、第１のパルスを電子放出素子に印加した後、前記第２の測定工程を再度行い、前記第２の測定工程による測定結果に応じて決定された波高値を有する第２以降のパルスを印加することを特徴とする請求項１に記載の画像形成装置の製造方法。
【請求項３】
基板上に複数の電子放出素子を配置してなるマルチ電子源と、該マルチ電子源からの電子ビームの照射により発光する蛍光部材と、を有する画像形成装置の製造方法であって、
所定数の前記電子放出素子に駆動電圧より大きい複数の波高値をもつパルスを印加したときの、該パルスの波高値及びパルス数に対する輝度の変化を測定する第１の測定工程と、
該第１の測定工程の測定結果に基づき、所定の輝度目標値へ特性をシフトさせるための前記パルスの波高値とパルス数を格納したルックアップテーブルを作成する工程と、
前記電子放出素子に駆動電圧を印加したときの輝度を測定する第２の測定工程と、
前記電子放出素子に、前記第２の測定工程の測定結果に基づいて、前記ルックアップテーブルより得られた前記パルスのパルス幅が２つ以上の値を有する複数のパルスからなる特性シフト電圧を印加する工程と、
を備えたことを特徴とする画像形成装置の製造方法。
【請求項４】
前記特性シフト電圧が第１のパルスと第２以降のパルスとからなり、第１のパルスを電子放出素子に印加した後、前記第２の測定工程を再度行い、前記第２の測定工程による測定結果に応じて決定された波高値を有する第２以降のパルスを印加することを特徴とする請求項３に記載の画像形成装置の製造方法。
【請求項５】
基板上に複数の電子放出素子を配置してなるマルチ電子源と、該マルチ電子源からの電子ビームの照射により発光する蛍光部材と、を有する画像形成装置の製造方法であって、
所定数の前記電子放出素子に駆動電圧より大きい電圧値の異なる複数の特性シフト電圧群を印加したときの、各々の該特性シフト電圧に対する輝度の変化を測定して輝度調整率テーブルを作成する工程と、
前記電子放出素子に駆動電圧を印加したときの、輝度を測定して輝度目標値Ｌ０を設定すると共に最大輝度Ｌｍａｘを読み取る工程と、
該輝度の最大調整率Ｄｍａｘ＝Ｌ０／Ｌｍａｘから、前記輝度調整率テーブルより、最大調整シフト電圧及び該最大調整シフト電圧より電圧値の小さい複数の調整シフト電圧群を決定する工程と、前記電子放出素子に前記調整シフト電圧群より選択された調整シフト電圧を印加する工程と
を備えたことを特徴とする画像形成装置の製造方法。
【請求項６】
前記調整シフト電圧群は、以下の式１を満たすｎ個の調整シフト電圧よりなり、
該調整シフト電圧は、以下の式２を満たす調整率Ｄｓより前記輝度調整率テーブルを参照して決定されることを特徴とする請求項５に記載の画像形成装置の製造方法。
（式１）　ｎ≧（Ｌｍａｘ−Ｌ０）／ΔＬ
（但し、ΔＬは輝度目標値Ｌ０からの輝度のバラツキ許容範囲）
（式２）　　Ｄｓ＝１−（（Ｄｍａｘ）ｍ／ｎ）〔ｍ＝１…ｎ−１〕
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、多数の電子放出素子からなるマルチ電子源を備えた画像形成装置の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、マルチ電子源を構成する各電子放出素子の電子放出特性のばらつきを抑制する方法として、特許文献１及び特許文献２に開示されている特性調整方法が知られている。特許文献１には、表面伝導型電子放出素子（Ｓｕｒｆａｃｅ　ＣｏｎｄｕｃｔｉｏｎＥｌｅｃｔｒｏｎ　Ｅｍｉｔｔｅｒ）（以下「ＳＣＥ素子」という）をマトリクス状に配置したマルチ電子源において、表示駆動電圧より高い電圧値の測定電圧を印加して、各ＳＣＥ素子の電子放出特性として放出電流または発光輝度を測定し、その特性に基づいて、電子放出特性の基準値を求めた後、各ＳＣＥ素子の電子放出特性が基準値に応じた値となるように、測定電圧よりさらに高い電圧値の特性シフト電圧を決定し、各ＳＣＥ素子に印加することにより、各ＳＣＥ素子の電子放出特性が一様に揃えられることが開示されている。
【０００３】
さらに、特許文献２には、表示駆動電圧より高い電圧値の予備駆動電圧を全ＳＣＥ素子に印加する第１期間と、表示駆動電圧を印加して各ＳＣＥ素子の電子放出特性を測定する第２期間と、予備駆動電圧より高い電圧値の特性シフト電圧を各ＳＣＥ素子に印加する第３期間と、特性シフト電圧印加後に表示駆動電圧を印加して再度電子放出特性を測定する第４期間とからなる一連の特性調整プロセスが開示されている。
【０００４】
【特許文献１】
特開平１０−２２８８６７号公報
【特許文献２】
特開２０００−２４３２５６号公報
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記のような従来技術の基準値に応じた値になるように特性を調整する特性シフト電圧を印加する特性調整工程においては、素子毎に調整具合にバラツキが発生する可能性があった。
【０００６】
そして、この調整具合のバラツキの発生により、過度に特性シフト電圧が印加されて特性が基準値以下の値になったり、所望の時間だけ特性シフト電圧が印加された後でも基準値まで特性がシフトしていなかったりと、均一性が十分に改善されない可能性がある。
【０００７】
さらに、素子毎に同一の波高値を印加すると、シフト量が予め見積もっていたものより小さく、特性を目標値までシフトさせるまでの時間が長くなり、非現実的な長時間工程となる場合があった。
【０００８】
したがって、このような調整具合のバラツキに対応できるようなより汎用性が高く、さらには精度良く基準値へと特性をシフトさせる特性調整工程の確立が望まれている。
【０００９】
また、観測者が見た場合の視覚的なバラツキも防止することが望まれている。
【００１０】
本発明は上記の従来技術の課題を解決するためになされたもので、その目的とするところは、短時間でマルチ電子源の特性を調整し、画像表示の面内輝度特性を均一にする画像形成装置の製造方法を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために本発明にあっては、
基板上に複数の電子放出素子を配置してなるマルチ電子源と、該マルチ電子源からの電子ビームの照射により発光する蛍光部材と、を有する画像形成装置の製造方法であって、
所定数の前記電子放出素子に駆動電圧より大きい複数の波高値をもつパルスを印加したときの、該パルスの波高値及びパルス数に対する輝度の変化を測定する第１の測定工程と、
該第１の測定工程の測定結果に基づき、所定の輝度目標値へ特性をシフトさせるための前記パルスの波高値とパルス数を格納したルックアップテーブルを作成する工程と、
前記電子放出素子に駆動電圧を印加したときの輝度を測定する第２の測定工程と、
前記電子放出素子に、前記第２の測定工程の測定結果に基づいて、前記ルックアップテーブルより得られた前記パルスの波高値が２つ以上の値を有する複数のパルスからなる特性シフト電圧を印加する工程と、
を備えたことを特徴とする。
【００１２】
基板上に複数の電子放出素子を配置してなるマルチ電子源と、該マルチ電子源からの電子ビームの照射により発光する蛍光部材と、を有する画像形成装置の製造方法であって、
所定数の前記電子放出素子に駆動電圧より大きい複数の波高値をもつパルスを印加したときの、該パルスの波高値及びパルス数に対する輝度の変化を測定する第１の測定工程と、
該第１の測定工程の測定結果に基づき、所定の輝度目標値へ特性をシフトさせるための前記パルスの波高値とパルス数を格納したルックアップテーブルを作成する工程と、
前記電子放出素子に駆動電圧を印加したときの輝度を測定する第２の測定工程と、
前記電子放出素子に、前記第２の測定工程の測定結果に基づいて、前記ルックアップテーブルより得られた前記パルスのパルス幅が２つ以上の値を有する複数のパルスからなる特性シフト電圧を印加する工程と、
を備えたことを特徴とする。
【００１３】
基板上に複数の電子放出素子を配置してなるマルチ電子源と、該マルチ電子源からの電子ビームの照射により発光する蛍光部材と、を有する画像形成装置の製造方法であって、
所定数の前記電子放出素子に駆動電圧より大きい電圧値の異なる複数の特性シフト電圧群を印加したときの、各々の該特性シフト電圧に対する輝度の変化を測定して輝度調整率テーブルを作成する工程と、
前記電子放出素子に駆動電圧を印加したときの、輝度を測定して輝度目標値Ｌ０を設定すると共に最大輝度Ｌｍａｘを読み取る工程と、
該輝度の最大調整率Ｄｍａｘ＝Ｌ０／Ｌｍａｘから、前記輝度調整率テーブルより、最大調整シフト電圧及び該最大調整シフト電圧より電圧値の小さい複数の調整シフト電圧群を決定する工程と、前記電子放出素子に前記調整シフト電圧群より選択された調整シフト電圧を印加する工程と
を備えたことを特徴とする。
【００１４】
【発明の実施の形態】
以下に図面を参照して、この発明の好適な実施の形態を例示的に詳しく説明する。ただし、この実施の形態に記載されている構成部品の寸法、材質、形状、その相対配置などは、特に特定的な記載がない限りは、この発明の範囲をそれらのみに限定する趣旨のものではない。
【００１５】
（第１の実施形態）
図１〜図９を参照して、第１の実施形態について説明する。
【００１６】
第１の実施形態及び後述する第２、第３の実施形態においては、ＳＣＥ素子を配置した表示パネルを用いている。本発明を適用した画像形成装置の表示パネルの構成と製造法については、上記特許文献１及び特許文献２に詳述されているので省略する。
【００１７】
本実施の形態の具体的な構成について詳細に説明する。
【００１８】
本願発明者らは、製造工程において通常の駆動に先立ち、予備駆動処理を行うことで経時的な変化が低減することができることを見出している。
【００１９】
本実施の形態においては、予備駆動と電子源の特性調整を一本化して行ったので、最初に予備駆動について簡単に説明する。
尚、予備駆動の詳細は上記特許文献２に記載されている。
【００２０】
通常フォーミング処理、通電活性化処理を施した素子は、有機物分圧の低減した安定化状態に維持されている。このような真空雰囲気中の有機物の分圧を低減した雰囲気（安定化状態）で、通常の駆動に先立って施される通電処理が予備駆動である。
【００２１】
予備駆動電圧Ｖｐｒｅなる電圧でしばらく駆動を行った後、電界強度が小さくなるような通常駆動電圧Ｖｄｒｖで通常の駆動を行う。
【００２２】
このようなＶｐｒｅ電圧印加による駆動により素子の電子放出部を予め大きな電界強度で駆動を行うことで、経時特性の不安定の原因となる構造部材の変化を短期間に集中的に発現させ、低電界となる通常駆動電圧Ｖｄｒｖで長時間駆動時の変動要因を減少させることができると考えられる。
【００２３】
本実施の形態においては、画像形成装置での電子放出素子の使用に先立って通常駆動電圧Ｖｄｒｖで各電子放出素子の特性にバラツキがあった場合、そのバラツキを減らし均一な分布を持つように、各電子の特性調整を行った。
【００２４】
まず、特性調整用の駆動回路について説明する。
【００２５】
図３は、表示パネル３０１の各ＳＣＥ素子に特性調整用の波形信号を加えてマルチ電子源の個々のＳＣＥ素子の輝度特性を変えるための駆動回路の構成を示すブロック図である。
【００２６】
図３において、表示パネル３０１は、複数のＳＣＥ素子をマトリクス状に配設した基板と、その基板上に離れて設けられてＳＣＥ素子から放出される電子により発光する蛍光体を有するフェースプレート等を真空容器中に配設している。表示パネル３０１の各素子には特性調整に先立って、予備駆動電圧Ｖｐｒｅが印加されている。
【００２７】
端子３０２は、表示パネル３０１の蛍光体に高圧電源３１３から高電圧を印加するための端子である。
【００２８】
スイッチマトリクス３０３，３０４は、それぞれ行方向配線及び列方向配線を選択してパルス電圧を印加するための電子放出素子を選択する。
【００２９】
パルス発生回路３０６，３０７は、駆動用のパルス波形信号Ｐｘ，Ｐｙを発生させている。
【００３０】
輝度測定装置３０５は、表示パネル３０１の発光を捉えて光電センシングをするものであり、光学レンズ３０５ａとエリアセンサー３０５ｂとからなる。例えば、エリアセンサー３０５ｂとしてはＣＣＤを用いることができる。
【００３１】
この輝度測定装置３０５を用いて表示パネル３０１の発光の様子を２次元画像情報として電子化する。
【００３２】
演算装置３０８は、エリアセンサー３０５ｂの出力である２次元画像情報Ｉｘｙとスイッチマトリクス３０３，３０４に指定した位置情報Ａｘｙをスイッチマトリクス制御回路３１０から入力することで駆動されたＳＣＥ素子の一つ一つに対応した発光量の情報を算出し、Ｌｘｙとして制御回路３１２に出力する。
【００３３】
ロボットシステム３０９は、上記エリアセンサー３０５ｂを表示パネル３０１に対して相対移動させるものであり、不図示のボールネジとリニヤガイドとからなる。
【００３４】
パルス波高値設定回路３１１は、パルス設定信号Ｌｐｘ，Ｌｐｙを出力することにより、パルス発生回路３０６，３０７のそれぞれより出力されるパルス信号の波高値を決定している。
【００３５】
制御回路３１２は、特性調整フロー全体を制御し、パルス波高値設定回路３１１に波高値を設定するためのデータＴｖを出力している。制御回路３１２は、ＣＰＵ３１２ａ、輝度データ格納メモリ３１２ｂ、メモリ３１２ｃ及び特性調整ルックアップテーブル（ＬＵＴ）３１２ｄを有する。
【００３６】
ＣＰＵ３１２ａは、制御回路３１２の動作を制御している。
【００３７】
輝度データ格納メモリ３１２ｂは、各素子の特性調整のための各素子の発光特性を記憶する。具体的には、輝度データ格納メモリ３１２ｂは、通常駆動電圧Ｖｄｒｖ印加時に各素子から放出される電子によって発光した発光輝度に比例した発光データを格納している。
【００３８】
メモリ３１２ｃは、目標設定値にするために必要な特性シフト電圧を格納する。
【００３９】
特性調整ＬＵＴ３１２ｄは、詳細は後述するが、素子の特性調整を行うために参照するものである。
【００４０】
スイッチマトリクス制御回路３１０は、スイッチ切換え信号Ｔｘ、Ｔｙを出力してスイッチマトリクス３０３，３０４のスイッチの選択を制御することにより、パルス電圧を印加する電子放出素子を選択している。またどの素子を点灯させたかの位置情報Ａｘｙを演算装置３０８に出力している。
【００４１】
次に、この駆動回路の動作について説明する。この回路の動作は、表示パネル３０１の各ＳＣＥ素子の発光輝度を測定し調整目標値に達するために必要な輝度バラツキ情報を得る段階と、調整目標値に達するように特性シフト用のパルス波形信号を印加する段階と、を有する。
【００４２】
まず、発光輝度を測定する方法について述べる。最初にロボットシステム３０９により輝度測定装置３０５を計測したい表示パネル３０１上の対面に位置させるように移動する。次に、制御回路３１２からのスイッチマトリクス制御信号Ｔｓｗにより、スイッチマトリクス制御回路３１０がスイッチマトリクス３０３，３０４を用いて所定の行方向配線又は列方向配線を選択し、所望のアドレスのＳＣＥ素子が駆動できるように切換え接続される。
【００４３】
一方、制御回路３１２は、パルス波高値設定回路３１１に電子放出特性の測定用の波高値データＴｖを出力する。これによりパルス波高値設定回路３１１から波高値データＬｐｘ，Ｌｐｙがパルス発生回路３０６，３０７のそれぞれに出力される。この波高値データＬｐｘ，Ｌｐｙに基づいて、パルス発生回路３０６，３０７のそれぞれは駆動パルスＰｘ，Ｐｙを出力し、この駆動パルスＰｘ，Ｐｙがスイッチマトリクス３０３，３０４により選択された素子に印加される。
【００４４】
ここで、この駆動パルスＰｘ，Ｐｙは、ＳＣＥ素子に、特性測定のために印加される電圧（波高値）Ｖｄｒｖの１／２の振幅で、かつ互いに異なる極性のパルスとなるように設定されている。また同時に、高圧電源３１３により表示パネル３０１の蛍光体に所定の電圧を印加する。
【００４５】
このアドレス選択とパルス印加の工程を複数の行配線にわたって繰り返し表示パネル３０１の矩形領域を走査しながら駆動する。
【００４６】
そして、この繰り返しの工程の期間を示す信号Ｔｓｙｎｃを電子シャッターのトリガーとしてエリアセンサー３０５ｂに渡す。すなわち制御回路３１２は図３で示すようにＴｘ，Ｔｙに同期して駆動信号を出力し、Ｔｙを走査する行配線数分順次出力する。その複数個のＴｙ信号を覆うようにＴｓｙｎｃ信号を出力する。Ｔｓｙｎｃが論理Ｈｉｇｈの期間でエリアセンサー３０５ｂのシャッターが開かれるため、エリアセンサー３０５ｂには、光学レンズ３０５ａを通して縮小された点灯像が結像される。
【００４７】
その様子を図５に模式的に示す。１つの発光点５０１に対して複数のエリアセンサー３０５ｂの素子５０２上に結像されるように光学系の縮小倍率を設定しておく。
【００４８】
この撮像された像である２次元画像情報Ｉｘｙを演算装置３０８に転送する。駆動した素子の像が結像されているので、その割り当てられた素子分の和を計算すればその駆動された素子の発光量に比例した輝度値となる。これで駆動した矩形エリアの素子に対応した輝度値が得られるので、制御回路３１２にＬｘｙとして情報を送る。
【００４９】
蛍光体の残光時間の間も電子シャッターは開放しているが、発光点同士はエリアセンサー３０５ｂ上で空間的に分離されているので残光時間の影響が発光点間で生じることはなかった。
【００５０】
次に、特性調整方法を図１、図２、図６を参照して説明する。
【００５１】
図１は、マルチ電子源を構成するＳＣＥ素子の一つに注目し、一素子に印加した予備駆動及び特性シフト電圧の波形を示すグラフ図で、横軸に時間を、縦軸にはＳＣＥ素子に印加した電圧（以下、素子電圧Ｖｆと記す）を示している。
【００５２】
ここで駆動信号は、図１に示すように連続した矩形電圧パルスを用い、特性調整駆動期間の電圧パルスの印加期間を第１期間〜第３期間の３つに分け、各期間内においてはパルスを１〜１０００パルス印加する。素子によって、印加するパルス波高値は異なる。
【００５３】
ここで素子電圧Ｖｆは、予備駆動期間ではＶｆ＝Ｖｐｒｅとし、特性調整期間においては第一期間及び第三期間ではＶｆ＝Ｖｄｒｖとし、第二期間ではＶｆ＝Ｖｓｈｉｆｔ（Ｖｓｈｉｆｔは時間的に変動）とした。
【００５４】
これら素子電圧Ｖｐｒｅ、Ｖｄｒｖ、Ｖｓｈｉｆｔは、共にＳＣＥ型電子放出素子の電子放出しきい値電圧よりも大きい電圧である。かつ素子電圧Ｖｐｒｅ、Ｖｄｒｖ、Ｖｓｈｉｆｔは、Ｖｄｒｖ＜Ｖｐｒｅ≦Ｖｓｈｉｆｔの条件を満足するように設定した。但し、ＳＣＥ素子の形状や材料により電子放出しきい値電圧も異なるので、測定対象となるＳＣＥ素子に合わせて適宜設定した。
【００５５】
図１において特性調整期間の各期間の詳細を説明する。
【００５６】
（第一期間…動作電圧における特性評価期間）
第一期間は、予備駆動電圧印加後、駆動電圧を通常の動作電圧である通常駆動Ｖｄｒｖに下げた際の素子特性を評価する期間である。素子に通常駆動電圧（Ｖｄｒｖ）パルスを印加し、Ｖｄｒｖ電圧印加時の輝度Ｌｃを計測している。素子特性を測定するための波形パルスは１〜１０発程度印加することにより得られる。
【００５７】
（第二期間…特性シフト電圧印加期間）
第二期間は、電子放出特性の特性調整方法のために、電子放出特性のメモリ機能を用いて予備駆動電圧Ｖｐｒｅより大きな電圧値Ｖｓｈｉｆｔ（Ｖｓｈｉｆｔ１→Ｖｓｈｉｆｔ２→・・・・・→Ｖｓｈｉｆｔｎ）を印加して、素子の電子放出特性をシフトさせる。
【００５８】
したがって、特性調整を行う必要が無い素子に対しては、第二期間〜第三期間は適用されない。
【００５９】
素子の電子放出特性をシフトさせるための波形パルスは特性シフト電圧Ｖｓｈｉｆｔを変化させて適宜設定されたパルス数を印加する。ここで、パルス数は２〜１０００発程度であるとプロセス時間が長時間とならず適当である。
【００６０】
（第三期間…特性シフト電圧印加後、動作電圧における特性評価期間）
第三期間は、特性シフト電圧印加後、駆動電圧を通常の動作電圧である通常駆動電圧Ｖｄｒｖに下げた際の素子特性を評価する期間である。第一期間と同様に、素子に通常駆動電圧Ｖｄｒｖのパルスを印加し、Ｖｄｒｖ電圧印加時の輝度を計測している。なお、第三期間に関しては製造方法としては省略してもかまわない。
【００６１】
一つの素子に対して、上記の駆動を行った後、全ての素子に対して同様なプロセスを施すことで、マルチ電子源に対しての特性調整プロセスが完了する。
【００６２】
ここで、特性シフト電圧の印加は複数の電子放出素子に対して同時に行ってもかまわない。例えば、ある行方向配線に所望の電圧を印加し、この行方向配線に接続された各々の電子放出素子に必要な電圧が印加できるように各列方向配線に電圧を印加することにより、複数の素子に異なる電圧を同時に印加できる。
【００６３】
特性調整時に印加するシフト電圧の印加時間と輝度のシフト量には相関があり、図２は電子放出しきい値電圧値以上の大きさの、特性シフト電圧Ｖｓｈｉｆｔを印加したときの輝度とシフト電圧値及びシフト電圧の印加時間の相関を模式的に示すグラフである。図２のグラフのＸ軸にはシフト電圧印加時間を対数で表し、Ｙ軸には輝度を表している。
【００６４】
図２では、初期の輝度Ｌ１なる特性を有する電子放出素子に対して、Ｖｓｈｉｆｔ１なる特性シフト電圧を印加したときのシフト量の時間的変化を実線で示してある。また、Ｖｓｈｉｆｔ３なる特性シフト電圧を印加したときのシフト量の時間変化を破線で示してある。さらに、Ｔ１時間までＶｓｈｉｆｔ１の特性シフト電圧を印加して、その後Ｖｓｈｉｆｔ２なる特性シフト電圧を印加したときのシフト量の時間変化を一点破線で示してある。ここで、Ｖｓｈｉｆｔ１＞Ｖｓｈｉｆｔ２，Ｖｓｈｉｆｔ３の関係が成り立っている。
【００６５】
図２に示すように、シフト電圧値が大きいほど特性シフト量が増加し、かつ特性調整途中で特性シフト電圧を変えることによりシフト量の変化量が変わることがわかる。
【００６６】
また、輝度Ｌ０なる目標値を設定した場合、Ｖｓｈｉｆｔ１の特性シフト電圧のみで特性調整駆動を行うと、シフト電圧印加時間に対するシフト量変化が大きくなり、シフト電圧印加時間に対して厳密に制御を行わなければならない。さらに、わずかなシフト量の変化のバラツキによりシフト量が大きく異なることがわかる。
【００６７】
また、Ｖｓｈｉｆｔ３の特性シフト電圧のみで特性調整駆動を行うと、シフト電圧印加時間に対するシフト量変化が小さくなり輝度目標値Ｌ０まで特性をシフトさせるのに多くの時間を要する。
【００６８】
これに対して、あるシフト電圧印加時間Ｔ１までＶｓｈｉｆｔ１の電圧を印加後、Ｖｓｈｉｆｔ２に特性シフト電圧を変更することによって、輝度目標値Ｌ０近傍まで短時間でシフトし、その後Ｌ０近傍から輝度目標値Ｌ０までシフトする過程においては時間に対して緩やかなシフト量変動になり、印加時間の制御に対してマージンができ、かつシフト量の変化のバラツキに対するマージンが増える。この特性変化を用いると、素子に第二期間においてＶｓｈｉｆｔのパルスの印加電圧を増減し、第三期間における通常駆動電圧Ｖｄｒｖにおいての輝度を特定の値にすることができる。
【００６９】
マルチ電子源は、たくさんの素子で構成され、予備駆動印加後の特性もそれぞれ異なっている。本願発明者らは、予備駆動後の電子放出特性がそれぞれ異なっている素子に対して特性シフト電圧を印加した場合、どのように輝度が変化するかを鋭意研究した。
【００７０】
この結果、本願発明者らは、特性シフト電圧を印加した際の特性変化率は、シフト電圧印加前の輝度の多い少ないに依らず概ね一定であることを見出した。この特性を用いると、初期輝度が多少異なる素子に対しても同じ放出電流特性の変化曲線を適用し、素子特性の調整を行うことができる。
【００７１】
そこで、本実施の形態においては、先ずマルチ電子源の一部の素子を用いて、複数の特性シフト電圧に対する輝度の時間的変化曲線を取得し、さらに、一定時間特性シフト電圧を印加した後、異なる特性シフト電圧を印加したときの輝度の変化曲線を取得し、これらに基づいてマルチ電子源全体の特性調整を行うことができる。
【００７２】
つまり、プロセスフローは、表示パネル３０１の全ＳＣＥ素子に予備駆動電圧Ｖｐｒｅを印加後、通常駆動電圧Ｖｄｒｖ印加時の輝度を測定し、特性調整を行うときの輝度目標値を設定する段階（図１の予備駆動期間と特性調整期間の第一期間に対応）と、画像を表示する上でほとんど支障をきたさない所の一部の素子を用いて素子に特性シフト電圧Ｖｓｈｉｆｔと通常駆動電圧Ｖｄｒｖを交互に印加したときの輝度変化量を導き出し、ルックアップテーブルを作製する段階と、特性調整のためのルックアップテーブルに応じて特性シフト電圧Ｖｓｈｉｆｔのパルス波形信号を印加すること及び特性調整が終了したかを判定するために通常駆動電圧Ｖｄｒｖを印加して電子放出特性を測定する段階（図１の特性調整期間の第二、第三期間に対応）と、からなる。
【００７３】
まず、表示パネル３０１の全ＳＣＥ素子に予備駆動電圧Ｖｐｒｅを印加後、通常駆動電圧Ｖｄｒｖ印加時の輝度を測定し、特性調整を行うときの基準目標輝度を設定する段階（図１の予備駆動期間と特性調整期間の第一期間に対応）について説明する。
【００７４】
スイッチマトリクス制御信号Ｔｓｗを出力して、スイッチマトリクス制御回路３１０によりスイッチマトリクス３０３，３０４を切換えて表示パネル３０１からＳＣＥ素子を一つ選択する。
【００７５】
次に、選択された素子に印加する予め設定されていたパルス信号のデータＴｖをパルス波高値設定回路３１１に出力する。そして、パルス発生回路３０６，３０７によりスイッチマトリクス３０３，３０４を介して、選択されているＳＣＥ素子に予備駆動電圧値Ｖｐｒｅのパルス信号を印加する。
【００７６】
予備駆動を行った素子を通常駆動電圧Ｖｄｒｖに下げて駆動した時の輝度測定を行うために、選択された素子に印加する予め設定されていたパルス信号のデータＴｖとして通常駆動電圧値Ｖｄｒｖを設定する。そして、選択されているＳＣＥ型電子放出素子に通常駆動電圧値Ｖｄｒｖのパルス信号を印加する。その後、特性調整のためにＶｄｒｖ電圧における輝度を輝度データ格納メモリ３１２ｂに格納する。ここで、輝度の測定は前述したエリアセンサー３０５ｂを用いて行う。
【００７７】
全てのＳＣＥ素子に対する測定処理が終了したら、表示パネル３０１の全てのＳＣＥ素子に対し、通常駆動電圧Ｖｄｒｖにおける輝度を比較し、輝度目標値Ｌ０を設定する。
【００７８】
輝度目標値Ｌ０は、画像表示に用いる素子の中で、駆動電圧に対して最も小さい輝度を示す素子の輝度を輝度目標値とすることもできるが、本実施の形態においては、全素子の電子放出電流値を統計的に処理し、その平均輝度Ｌ−ａｖｅと標準偏差σ−Ｌを算出することにより、以下のように輝度目標値Ｌ０とした。
Ｌ０＝（Ｌ−ａｖｅ）−（σ−Ｌ）
【００７９】
輝度目標値Ｌ０をこのように設定することで、特性調整後のマルチ電子源の平均輝度を大きく低下させることなく、個々の素子の電子放出量バラツキを低減できる。
【００８０】
次に、表示パネル３０１で画像を表示する上でほとんど支障をきたさない所３０１ａの中の複数のＳＣＥ素子に複数の特性シフト電圧を印加（１〜１０００パルス）したときの輝度を計測する手順と、そのデータから特性調整をするためのルックアップテーブルを作製するための特性シフト電圧とシフト量の関係のデータを取得する段階について説明する。
【００８１】
はじめに、特性シフト電圧のパルス幅および特性シフト電圧の波高値、並びに個々の電子放出素子に異なる幾つかの波高値を何パルス数印加するかを適宜決定する。ここでは、特性シフト電圧として、異なる２つの波高値を１パルスと９パルス印加し、合計１０パルスで特性調整する場合を例にして説明する。
【００８２】
ルックアップテーブルを作製するためのデータを取得する際、まず、特性シフト電圧として４段階（Ｖｓｈｉｆｔ１〜Ｖｓｈｉｆｔ４）の離散的な電圧値を選択してそれぞれの電圧毎の特性シフト量を観測する。
【００８３】
その後、各々の特性シフト電圧とは異なる３段階（Ｖｓｈｉｆｔ１’〜Ｖｓｈｉｆｔ３’）の特性シフト電圧を印加して、その後の特性シフト量を観察した。
【００８４】
ここで、特性シフト電圧の範囲は、前述したように、Ｖｓｈｉｆｔ≧Ｖｐｒｅであり、Ｖｓｈｉｆｔ電圧の範囲は、ＳＣＥ素子の形状や材料により適宜設定するが、通常は１Ｖ程度のステップ幅で数ステップに分けて設定することで特性調整できる。
【００８５】
また、特性シフト電圧として４段階のＶｓｈｉｆｔと３段階のＶｓｈｉｆｔ’を設定したものについて説明するが、Ｖｓｈｉｆｔ、Ｖｓｈｉｆｔ’共に複数の段階からなっていればかまわない。
【００８６】
複数のＳＣＥ素子に４つの特性シフト電圧Ｖｓｈｉｆｔ１、Ｖｓｈｉｆｔ２、Ｖｓｈｉｆｔ３、Ｖｓｈｉｆｔ４の各々を印加して、その後、各々の特性シフト電圧とは異なる３段階の特性シフト電圧（Ｖｓｈｉｆｔ１’〜Ｖｓｈｉｆｔ３’）を印加したときの輝度の変化量を計測する手順を説明する。
【００８７】
まず、複数のＳＣＥ素子に４つの特性シフト電圧の各々を印加する領域、素子数、各特性シフト電圧値、パルス幅値及び印加パルス数を設定する。
【００８８】
複数のＳＣＥ素子に４×３通りの特性シフト電圧の各々を印加する表示パネル３０１内の領域は、画像を表示する上でほとんど支障をきたさない所３０１ａを選定し、素子数も１つの特性シフト電圧に対して２１素子とした。
【００８９】
スイッチマトリクス制御信号Ｔｓｗを出力して、スイッチマトリクス制御回路３１０によりスイッチマトリクス３０３，３０４を切換えて表示パネル３０１からＳＣＥ型電子放出素子を一つ選択する。
【００９０】
選択された素子に印加する予め設定されていたパルス信号のデータＴｖをパルス波高値設定回路３１１に出力する。特性シフト電圧用パルスの波高値は、予備駆動電圧値Ｖｐｒｅ、特性シフト電圧値Ｖｓｈｉｆｔ１、Ｖｓｈｉｆｔ２、Ｖｓｈｉｆｔ３、Ｖｓｈｉｆｔ４のいずれか１つの波高値と、Ｖｓｈｉｆｔ１’、Ｖｓｈｉｆｔ２’、Ｖｓｈｉｆｔ３’とのいずれかであり、パルス数は１以上で適宜決定される。
【００９１】
パルス発生回路３０６，３０７よりスイッチマトリクス３０３，３０４を介して、選択されているＳＣＥ型電子放出素子に、特性シフト電圧の初回として予備駆動電圧値Ｖｐｒｅパルス信号を印加する。
【００９２】
次に、特性シフト電圧印加を行った素子を通常駆動電圧Ｖｄｒｖに下げて駆動した時の輝度特性評価を行うために、選択された素子に印加する予め設定されていたパルス信号のデータＴｖを設定する。
【００９３】
そして、選択されているＳＣＥ素子に、通常駆動電圧値Ｖｄｒｖのパルス信号を印加する。特性シフト電圧印加に応じた輝度変化データとしてＶｄｒｖ電圧における輝度を輝度データ格納メモリ３１２ｂに格納する。
【００９４】
選択されているＳＣＥ素子に、特性シフト電圧を所定の回数印加したかどうかを調べ、そうでないときは特性シフト電圧を印加するステップに進む。一方、特性シフト電圧が所定の印加回数に達したときは、複数の所定のＳＣＥ素子に対して輝度変化測定を行ったかどうかを調べ、そうでないときは、次のＳＣＥ素子を選択するスイッチマトリクス制御信号Ｔｓｗを設定する。
【００９５】
一方、所定のＳＣＥ素子に対する測定処理が終了しているときは、複数の所定のＳＣＥ素子に４つの特性シフト電圧Ｖｓｈｉｆｔ１、Ｖｓｈｉｆｔ２、Ｖｓｈｉｆｔ３、Ｖｓｈｉｆｔ４の各々を印加（１パルス）したときの輝度の変化量、及びその後印加した特性シフト電圧Ｖｓｈｉｆｔ１’、Ｖｓｈｉｆｔ２’、Ｖｓｈｉｆｔ３’による輝度の変化量をグラフ化する。
【００９６】
図６は、複数のＳＣＥ素子に４つの特性シフト電圧Ｖｓｈｉｆｔ１、Ｖｓｈｉｆｔ２、Ｖｓｈｉｆｔ３、Ｖｓｈｉｆｔ４の各々を印加後の輝度変化量の関係と、４つの特性シフト電圧印加後にＶｓｈｉｆｔ１’、Ｖｓｈｉｆｔ２’、Ｖｓｈｉｆｔ３’を印加したときの輝度の変化量（平均値）を示したものである。なお、このときの輝度は、各特性シフト電圧を１パルス印加毎に通常駆動（Ｖｄｒｖ）したときに計測した値である。
【００９７】
次に、マルチ電子源全体を特性調整するプロセスについて説明する。図６に示すように特性シフト電圧印加パルス数を増やす又は特性シフト電圧を大きくすることで素子特性の変化量は大きくなる、即ち調整量は多くなる。図６に示す特性変化曲線を用いてマルチ電子源全体を特性調整するのは、以下の２ステップで行われる。
【００９８】
（１）…輝度計測結果から設定した輝度目標値Ｌ０より、特性シフト電圧を設定する。つまり、ここまでが、特性調整をするためのルックアップテーブルを作製する段階となる。
【００９９】
（２）…（１）で決めた設定値を基に、各素子毎に特性シフト電圧を設定する。そして、特性シフト電圧印加により特性を目標値までシフトさせる。即ち、特性調整のためのルックアップテーブルに応じて特性シフト電圧Ｖｓｈｉｆｔのパルス波形信号を印加する段階（図１の特性調整期間の第二に対応）となる。
【０１００】
ただし、前述したように、図６に示す特性変化曲線における特性シフト電圧に対する変化率が大きく異なった電子源も少数ではあるが存在する。このような電子源についても、大多数の電子源の特性調整（１）、（２）のステップに後述する対処方法を組み込むことによって、特性調整が可能となる。
【０１０１】
（１）、（２）のステップを詳細に説明する。
【０１０２】
（１）　予備駆動後計測した輝度Ｌ１を輝度目標値Ｌ０に到達させようとすると、必要なシフト量はＤ＝Ｌ０／Ｌ１となる。
【０１０３】
その後、必要なシフト量に対して若干小さな値、ここでは０．９×Ｄのシフト量を設定する。ここで、９０％のシフト量としたのは印加パルスに対する変化率が１割程度異なっても目標値以下にしないように設定したもので、この値は変化率のバラツキにより適宜設定される。
【０１０４】
図６（ｂ）のグラフを元に、０．９×Ｄのシフト量よりＶｓｈｉｆｔ電圧を決定する。
【０１０５】
以下のように求めたシフト量の範囲によりＶｓｈｉｆｔ電圧を決定することにより、ＳＣＥ型電子放出素子が初期の１パルスで目標値以下になってしまうことを抑制できる。
【０１０６】
つまり、Ｖｓｈｉｆｔ１は、Ｄ１≦０．９×Ｄ＜Ｄ２の範囲、
Ｖｓｈｉｆｔ２は、Ｄ２≦０．９×Ｄ＜Ｄ３の範囲、
Ｖｓｈｉｆｔ３は、Ｄ３≦０．９×Ｄ＜Ｄ４の範囲、
Ｖｓｈｉｆｔ４は、Ｄ４≦０．９×Ｄの範囲
で決定する。
【０１０７】
次に、図６（ｃ）に示すようなＶｓｈｉｆｔ電圧印加後にＶｓｈｉｆｔ’電圧を印加したときのシフト量より目的とするシフト量ＤとなるＶｓｈｉｆｔ’を算出する。
【０１０８】
以上のように、初期の輝度Ｌ１によりＶｓｈｉｆｔ、Ｖｓｈｉｆｔ’が決定できる。
【０１０９】
つまり、例えばＤなるシフト量が必要なＳＣＥ素子に対して、図６（ｂ）よりＤ×０．９は、Ｄ２＜Ｄ×０．９＜Ｄ３となり、Ｖｓｈｉｆｔ＝Ｖｓｈｉｆｔ２となる。
【０１１０】
ここで、Ｖｓｈｉｆｔとしては離散的な値、Ｖｓｈｉｆｔ’としてはアナログ的な値を設定する場合について説明したが、本実施の形態はこれに限らず共に離散的な値を用いてもかまわない。
【０１１１】
次に、図６（ｃ）によりＤとなる電圧を求めるとＶｓｈｉｆｔ’となりＤなるシフト量が必要なＳＣＥ素子に対しては、Ｖｓｈｉｆｔ２（１ｍｓｅｃ−１パルス）＋Ｖｓｈｉｆｔ’（１ｍｓｅｃ−９パルス）印加すれば良いことになる。
【０１１２】
以上のようにして初期輝度Ｌ１を特性調整するためのルックアップテーブルを作製する。
【０１１３】
（２）　ルックアップテーブルを参照して、各電子放出素子の特性に応じて個々に特性シフト電圧を印加することにより、駆動調整を行う。
【０１１４】
また、前述したように、特性シフト電圧に対する変化率が大きく異なる電子放出素子に対処する方法について説明する。
【０１１５】
まず、このような特性調整未完となってしまう電子源であるかどうかを推測するために、初回の特性シフト電圧を印加した後に通常駆動電圧Ｖｄｒｖを印加して測定した輝度Ｌ１’から算出したシフト量と想定していたシフト量とを比べることとした。想定していたシフト量Ｄｎとして、実際のシフト量Ｄｒは初期の輝度Ｌ１と特性シフト電圧Ｖｓｈｉｆｔを１パルス印加後の輝度Ｌ１’よりＤｒ＝Ｌ１’／Ｌ１となる。
【０１１６】
シフト量の差ΔＤを、ΔＤ＝Ｄｎ−Ｄｒで記載する。
【０１１７】
シフト量が異なる電子源は、シフト電圧値に対してほぼ同様の割合でシフト量が異なっていることがわかっている。そこで、目標とするシフト量にＤｎ／Ｄｒを掛けた値Ｄ×Ｄｎ／Ｄｒをシフト量補正値として想定して、図６（ｃ）より特性シフト電圧Ｖｓｈｉｆｔ’を決定する。また、ここですでに目標輝度Ｌ０以下となったものに関しては、Ｖｓｈｉｆｔ’を印加することをしない。
【０１１８】
以上のようにすることにより、特性シフト電圧に対して変化率が大きく異なる電子放出素子を含めて均一化が図れる。
【０１１９】
また、ここで、実際のシフト量の測定を初回に行う場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、実際のシフト量から補正する工程は特性シフト電圧印加中にいつ、何回行ってもかまわない。
【０１２０】
尚、本実施の形態においては、表示パネル３０１毎に特性調整ルックアップテーブルを作製し、その特性調整ルックアップテーブルを基に特性調整を行う手順としたが、本実施形態及び後述する第２の実施形態においては、同一ロット内の表示パネル３０１でＳＣＥ素子の輝度目標値Ｌ０を同じにして特性調整を行う場合は、最初の１枚目の表示パネルのみ特性調整ルックアップテーブルを作製し、２枚目以降の表示パネルにおいては、表示パネル３０１の全ＳＣＥ素子に予備駆動電圧Ｖｐｒｅを印加後、通常駆動電圧Ｖｄｒｖ印加時の電子放出特性の測定結果がＳＣＥ素子の輝度目標値Ｌ０に設定可能な範疇であれば、図６又は図１０に示す特性変化曲線を取得しなくても、最初の１枚目の表示パネルの特性調整ルックアップテーブルを用いて特性調整を行うことも可能であり、２枚目以降の表示パネルに対する特性調整プロセスの処理時間を削減することができる。
【０１２１】
さらに、本実施の形態においては、ルックアップテーブル作成のための評価用素子として、表示パネル３０１内３０１ａの画像表示エリ
アの素子を用いたが、本実施形態及び後述する第２の実施形態においては、画像表示の際には駆動が行われないダミー素子を作り込んでおいて、ここでデータを取得するようにしてもよい。
【０１２２】
また、本実施の形態では、特性シフト電圧を２段階に設定したが、図４に示すように３段階以上の電圧を設定してもかまわない。
【０１２３】
【実施例１】
本実施例では、９００×３００個のＳＣＥ素子よりなる表示パネルに関して、本実施の形態の製造方法を用いて駆動調整を行った。ここでは、ルックアップテーブルの作製及び特性シフト電圧の印加について説明する。その他の表示パネルの作製などについては、特許文献１及び２に記載されているので説明を省略する。
【０１２４】
まず、第１の実施の形態で説明したように輝度目標値Ｌ０を平均輝度及び標準偏差により設定した。
【０１２５】
本実施例では、目標輝度はＬ０＝９６００（ａ．ｕ．）となった。なお、輝度の値はＣＣＤから得られる輝度と対応する値である。
【０１２６】
次に、パルス幅１ｍｓｅｃ、周期１０ｍｓｅｃとし、Ｖｐｒｅ＝１６Ｖ、Ｖｄｒｖ＝１４．５Ｖ、Ｖｓｈｉｆｔ１＝１６．５Ｖ、Ｖｓｈｉｆｔ２＝１７Ｖ、Ｖｓｈｉｆｔ３＝１７．５Ｖ、Ｖｓｈｉｆｔ４＝１８Ｖ、Ｖｓｈｉｆｔ１’＝１６Ｖ、Ｖｓｈｉｆｔ２’＝１６．５Ｖ、Ｖｓｈｉｆｔ３’＝１７Ｖとした。そして、第１の実施の形態で述べたようにルックアップテーブルを作製した。
【０１２７】
以下特性調整方法の手順に関して、図７のフロー図を用いて説明する。
【０１２８】
まず、ステップＳ１で、表示パネル３０１中の特性調整を実施するＳＣＥ型電子放出素子の１素子に対して特性調整時に印加する印加パルス数を設定する。印加パルス数は、１０パルスとした。
【０１２９】
次に、ステップＳ２で、スイッチマトリクス制御信号Ｔｓｗを出力して、スイッチマトリクス制御回路３１０によりスイッチマトリクス３０３，３０４を切換えて表示パネル３０１からＳＣＥ素子を一つ選択する。
【０１３０】
ステップＳ３で、選択された素子について予備駆動後の通常駆動電圧Ｖｄｒｖを印加時の輝度値Ｌ１を読み出す。
【０１３１】
ステップＳ４で特性調整ルックアップテーブルを読み出す。
【０１３２】
ステップＳ５では、ステップＳ３で読み出した選択された素子の輝度値Ｌ１を特性調整における輝度目標値Ｌ０と比較し、特性調整を実施するか否かを判断する。
【０１３３】
ステップＳ３で読み出した選択された素子の輝度値Ｌ１が特性調整における輝度目標値Ｌ０以下の場合は、特性調整を実施せずステップＳ１６に進む。
【０１３４】
ステップＳ３で読み出した選択された素子の輝度値Ｌ１が特性調整における輝度目標値Ｌ０よりも大きい場合は、ステップＳ４で読み出した特性調整ルックアップテーブルを参照して選択された素子の輝度値に対応した特性シフト電圧値Ｖｓｈｉｆｔ１〜Ｖｓｈｉｆｔ４のいずれかとＶｓｈｉｆｔ’とをメモリ３１２ｃに設定した。
【０１３５】
そして、ステップＳ６で、選択された素子に印加するメモリ３１２ｃに設定されていたパルス信号の波高値及びパルス幅値のデータＴｖをパルス波高値設定回路３１１に出力する。
【０１３６】
ステップＳ７で、パルス発生回路３０６，３０７よりスイッチマトリクス３０３，３０４を介して、ステップＳ２で選択されているＳＣＥ素子に特性シフト電圧値Ｖｓｈｉｆｔ１〜Ｖｓｈｉｆｔ４のいずれかのパルス信号を印加した。
【０１３７】
その後、ステップＳ１５の設定パルス数に対する累積パルス印加数チェックへ進む。
【０１３８】
累積パルス印加数が特性調整駆動印加パルス数設定値に達していない場合は前回のパルス印加と同様にパルス印加するためにステップＳ６へ進み、達した場合はステップＳ１６へ進む。
【０１３９】
ステップＳ１６では、表示パネル３０１の全てのＳＣＥ型電子放出素子に対して特性調整を行ったかどうかを調べ、そうでないときはステップＳ１７に進み、次のＳＣＥ素子を選択し、スイッチマトリクス制御信号Ｔｓｗを出力してステップＳ２に進む。
【０１４０】
ステップＳ１６で全ての素子に対して、フローが終了すると特性調整が完了し、全ての素子の輝度が均一化する。
【０１４１】
その後、均一性を評価するために、Ｖｄｒｖ電圧を印加して全ＳＣＥ素子の輝度を測定した。その結果、標準偏差／輝度は３．２％となり、動画を表示するには問題のない均一性が得られた。また、特性調整するのに要する時間は１時間であった。
【０１４２】
【比較例１】
比較例１は、特性シフト電圧として、各々の輝度特性を有するＳＣＥ素子に対して１０パルスで目標値に達する各々１つの電圧値を設定し、特性調整を行った。その結果、明らかに、輝度が減少した素子が発生し、動画を表示する上で、十分な均一性を確保することができなかった。このときの特性調整に要した時間は１時間であった。
【０１４３】
【実施例２】
前述したように、図６に示す特性変化曲線における印加パルス数に対する変化率が大きく異なった電子源も少数ではあるが存在する。本実施例では、このような電子源についても、大多数の電子源の特性調整（１）、（２）のステップに後述する対処方法を組み込むことによって、特性調整を可能にした。
【０１４４】
ここでは、実施例１とは異なる特性シフト電圧の設定法及び特性調整方法について説明する。他の部分については実施例１と同様の手法によって行ったので説明を省略する。また、用いたＳＣＥ素子および電圧設定は実施例１と同一にした。さらに、輝度目標値Ｌ０も９６００（ａ．ｕ）となった。
【０１４５】
実施例１の手法により特性調整を実施したにもかかわらず目標輝度近傍にならなかった電子源としては、１つはシフト量が少なく目標輝度に達しなかった電子源であり、もう１つは特性調整中に目標輝度を下回ってしまった電子源ということになる。即ち、図６に示す特性変化曲線における変化率が大きく異なった電子源であったことを意味する。
【０１４６】
そして、このような特性調整未完の電子源を少なくするため方法を以下に述べる。先ず、このような特性調整未完となってしまう電子源であるかどうかを推測するために、初回の特性シフト電圧を印加した後に通常駆動電圧Ｖｄｒｖを印加して測定した輝度Ｌ１’から算出したシフト量と想定していたシフト量とを比べることとした。想定していたシフト量Ｄｎとして、実際のシフト量Ｄｒは初期の輝度Ｌ１と特性シフト電圧Ｖｓｈｉｆｔを１パルス印加後の輝度Ｌ１’よりＤｒ＝Ｌ１’／Ｌ１となる。
【０１４７】
シフト量の差ΔＤをΔＤ＝Ｄｎ−Ｄｒで記載する。
【０１４８】
シフト量が異なる電子源は、シフト電圧値に対してほぼ同様の割合でシフト量が異なっていることがわかっている。そこで、目標とするシフト量にＤｎ／Ｄｒを掛けた値Ｄ×Ｄｎ／Ｄｒをシフト量補正値として想定して、図６（ｃ）より特性シフト電圧Ｖｓｈｉｆｔ’を決定する。また、ここですでに目標輝度Ｌ０以下となったものに関しては、Ｖｓｈｉｆｔ’を印加することをしない。
【０１４９】
以下に図８のフロー図を用いて特性調整方法を説明する。
【０１５０】
まず、ステップＳ１で、表示パネル３０１中の特性調整を実施する各々のＳＣＥ素子に対して特性調整時に印加する印加パルス数を設定する。印加パルス数は、１０パルスとした。
【０１５１】
次に、ステップＳ２で、スイッチマトリクス制御信号Ｔｓｗを出力して、スイッチマトリクス制御回路３１０によりスイッチマトリクス３０３，３０４を切換えて表示パネル３０１からＳＣＥ素子を一つ選択する。
【０１５２】
ステップＳ３で、選択された素子について、予備駆動後の通常駆動電圧Ｖｄｒｖ印加時の輝度値Ｌ１を読み出す。
【０１５３】
ステップＳ４で、特性調整ルックアップテーブルを読み出す。
【０１５４】
ステップＳ５では、ステップＳ３で読み出した選択された素子の輝度値Ｌ１を特性調整における輝度目標値Ｌ０と比較し、特性調整を実施するか否かを判断する。
【０１５５】
ステップＳ３で読み出した選択された素子の輝度値Ｌ１が特性調整における輝度目標値Ｌ０以下の場合は、特性調整を実施せずステップＳ１６に進む。
【０１５６】
ステップＳ３で読み出した選択された素子の輝度値Ｌ１が特性調整における輝度目標値Ｌ０よりも大きい場合は、ステップＳ４で読み出した特性調整ルックアップテーブルを参照して選択された素子の輝度値に対応した特性シフト電圧値Ｖｓｈｉｆｔ１〜Ｖｓｈｉｆｔ４のいずれかとＶｓｈｉｆｔ’とのパルス幅１ｍｓｅｃをメモリ３１２ｃに設定する。
【０１５７】
そしてステップＳ６で、選択された素子に印加するメモリ３１２ｃに設定されていたパルス信号の波高値及びパルス幅値のデータＴｖをパルス波高値設定回路３１１に出力する。
【０１５８】
ステップＳ７で、パルス発生回路３０６，３０７よりスイッチマトリクス３０３，３０４を介して、ステップＳ２で選択されているＳＣＥ素子に特性シフト電圧値Ｖｓｈｉｆｔ１〜Ｖｓｈｉｆｔ４のいずれかのパルス信号を印加する。
【０１５９】
ステップＳ１１では、パルス印加が初回であったかどうかをチェックし、初回の場合は、ステップＳ８に進み、パルス印加が２回目以降の場合は、ステップＳ１５の設定パルス数に対する累積パルス印加数チェックへに進む。
【０１６０】
ステップＳ８では、特性調整を行った素子を通常駆動電圧Ｖｄｒｖに下げて駆動した時の素子特性評価を行うために、選択された素子に印加するメモリ３１２ｃに予め設定されていたパルス信号の波高値及びパルス幅値のデータＴｖとして通常駆動電圧値Ｖｄｒｖ、パルス幅は１ｍｓｅｃを設定する。
【０１６１】
そして、ステップＳ９で、ステップＳ２で選択されているＳＣＥ素子に通常駆動電圧値Ｖｄｒｖのパルス電圧を印加する。この時の輝度Ｌ１’をステップＳ１０で計測しメモリへ格納する。
【０１６２】
ステップＳ１２では、ステップＳ１０で計測された輝度Ｌ１’が特性調整における輝度目標値Ｌ０以下にならない場合はステップＳ１３の初回シフト量チェックへ進む。ステップＳ１０で計測された素子の輝度Ｌ１’が特性調整における輝度目標値Ｌ０と等しいかそれ以下の場合は、特性調整を実施せずステップＳ１６に進む。
【０１６３】
また、ステップＳ１３では、選択された素子が図６に示す特性シフト量が大きく異なった電子源であるかどうかの判定するために、前述したメモリ３１２ｃから選択された素子に印加されている特性シフト電圧に対応したシフト量を読み出す。そして、選択された素子について予備駆動後の通常駆動電圧Ｖｄｒｖ印加時の輝度Ｌ１とステップＳ１０で計測された輝度Ｌ１’と比較する。予想したシフト量と実際のシフト量を比較し、シフト量が許容範囲内かどうかを判別する。
【０１６４】
許容値内であればステップＳ６に進み、予め設定されたＶｓｈｉｆｔ’電圧を印加する。
【０１６５】
許容範囲外の場合は、ステップＳ１４に進み、シフト量補正値を設定し、ルックアップテーブルを参照し、シフト量補正値に適合するＶｓｈｉｆｔ’電圧値を決定し、ステップＳ６へ進む。
【０１６６】
一方、ステップＳ１５では、２回目以降のパルス印加に対して選択された素子への累積パルス印加数が特性調整駆動印加パルス数設定値に達したかどうかをチェックし、達していない場合は前回のパルス印加と同様にパルス印加するためにステップＳ６へ進み、達した場合はステップＳ１６へ進む。
【０１６７】
ステップＳ１６では、表示パネル３０１の全てのＳＣＥ素子に対して特性調整を行ったかどうかを調べ、そうでないときはステップＳ１７に進み、次のＳＣＥ素子を選択しスイッチマトリクス制御信号Ｔｓｗを出力してステップＳ２に進む。
【０１６８】
ステップＳ１６で全ての素子に対して、フローが終了すると特性調整が完了し、全ての素子の輝度が均一化する。
【０１６９】
その後、均一性を評価するために、Ｖｄｒｖ電圧を印加して全ＳＣＥ型電子放出素子の輝度を測定した。その結果、標準偏差／輝度は３．０％となり、動画を表示するには問題のない均一性が得られた。また、特性調整するのに要する時間は１．３時間程度であった。
【０１７０】
【実施例３】
本実施例では実施例２で行った特性電圧の補正を各パルス毎に行った。ここでは、実施例１とは異なる特性シフト電圧の設定法及び特性調整方法について説明する。他の部分については実施例１と同様の手法によって行ったので説明を省略する。
【０１７１】
特性シフト電圧パルスを印加する前後のＶｄｒｖ印加時の輝度Ｌｐ（印加前）、Ｌｐ’（印加後）から算出したシフト量と想定していたシフト量とを比べることとした。想定していたシフト量Ｄｎとして、実際のシフト量Ｄｒは特性シフト電圧パルス印加前の輝度Ｌｐと特性シフト電圧パルス印加後の輝度Ｌｐ’より、Ｄｒ＝Ｌｐ’／Ｌｐとなる。
【０１７２】
シフト量の差ΔＤをΔＤ＝Ｄｎ−Ｄｒで記載する。
【０１７３】
これにより、ΔＤ＞０の場合には設定電圧を上げ、ΔＤ＜０の場合には設定電圧を下げる必要があることがわかる。ここで、Ｖｓｈｉｆｔ’以降の電圧設定はΔＤ＞０の場合は０．２５Ｖ電圧をあげ、ΔＤ＜０の場合は０．２５Ｖ電圧を下げた。また、Ｖｓｈｉｆｔ印加後に対する補正は実施例２と同様な方法で特性シフト電圧を決定した。
【０１７４】
ここまでが、特性シフト電圧を決定する手法であり、以下に図９のフロー図を用いて特性調整方法を説明する。
【０１７５】
まず、ステップＳ１で、表示パネル３０１中の特性調整を実施するＳＣＥ素子の１素子に対して特性調整時に印加する印加パルス数を設定する。印加パルス数は、１０パルスとした。
【０１７６】
次に、ステップＳ２で、スイッチマトリクス制御信号Ｔｓｗを出力して、スイッチマトリクス制御回路３１０によりスイッチマトリクス３０３，３０４を切換えて表示パネル３０１からＳＣＥ素子を一つ選択する。
【０１７７】
ステップＳ３で、選択された素子について予備駆動後の通常駆動電圧Ｖｄｒｖ印加時の輝度値Ｌｐを読み出す。
【０１７８】
ステップＳ４で、特性調整ルックアップテーブルを読み出す。
【０１７９】
ステップＳ５では、ステップＳ３で読み出した選択された素子の輝度値Ｌｐを特性調整における輝度目標値Ｌ０と比較し、特性調整を実施するか否かを判断する。
【０１８０】
ステップＳ３で読み出した選択された素子の輝度値Ｌｐが特性調整における輝度目標値Ｌ０以下の場合は、特性調整を実施せずステップＳ１６に進む。
【０１８１】
ステップＳ３で読み出した選択された素子の輝度値Ｌｐが特性調整における輝度目標値Ｌ０よりも大きい場合は、ステップＳ４で読み出した特性調整ルックアップテーブルを参照して選択された素子の輝度値に対応した特性シフト電圧値Ｖｓｈｉｆｔ１〜Ｖｓｈｉｆｔ４のいずれかとＶｓｈｉｆｔ’とをパルス幅１ｍｓｅｃでメモリ３１２ｃに設定する。
【０１８２】
そして、ステップＳ６で、選択された素子に印加するメモリ３１２ｃに設定されていたパルス信号の波高値及びパルス幅値のデータＴｖをパルス波高値設定回路３１１に出力する。
【０１８３】
ステップＳ７で、パルス発生回路３０６，３０７よりスイッチマトリクス３０３，３０４を介して、ステップＳ２で選択されているＳＣＥ素子に特性シフト電圧値Ｖｓｈｉｆｔ１〜Ｖｓｈｉｆｔ４のいずれかのパルス信号を印加する。
【０１８４】
次に、ステップＳ１５ではパルス印加に対して選択された素子への累積パルス印加数が特性調整駆動印加パルス数設定値に達したかどうかをチェックし、達していない場合はステップＳ８へ進み、達した場合はステップＳ１６へ進む。
【０１８５】
ステップＳ８では、特性調整を行った素子を通常駆動電圧Ｖｄｒｖに下げて駆動した時の素子特性評価を行うために、選択された素子に印加するメモリ３１２ｃに予め設定されていたパルス信号の波高値及びパルス幅値のデータＴｖとして通常駆動電圧値Ｖｄｒｖ、パルス幅は１ｍｓｅｃを設定する。
【０１８６】
そして、ステップＳ９で、ステップＳ２で選択されているＳＣＥ素子に通常駆動電圧値Ｖｄｒｖのパルス電圧を印加する。この時の輝度Ｌｐ’をステップＳ１０で計測し、メモリ３１２ｃへ格納する。
【０１８７】
ステップＳ１２では、ステップＳ１０で計測された輝度Ｌｐ’が特性調整における輝度目標値Ｌ０以下にならない場合はステップＳ１３のシフト量チェックへ進む。ステップＳ１０で計測された素子の輝度Ｌｐ’が特性調整における輝度目標値Ｌ０と等しいかそれ以下の場合は、特性調整を実施せずステップＳ１６に進む。
【０１８８】
また、ステップＳ１３では、選択された素子が図６に示す特性シフト量が大きく異なった電子源であるかどうかの判定するために、前述したメモリ３１２ｃから選択された素子に印加されている特性シフト電圧に対応したシフト量を読み出す。そして、選択された素子について１回前の通常駆動電圧Ｖｄｒｖ印加時の輝度ＬｐとステップＳ１０で計測された輝度Ｌｐ’とを比較する。予想したシフト量と実際のシフト量を比較し、許容範囲内かどうかを判別する。
【０１８９】
許容値内であればステップＳ６に進み、予め設定された特性シフト電圧を印加する。
【０１９０】
許容範囲外の場合は、ステップＳ１４に進み、シフト量補正値を設定し、ルックアップテーブルを参照し、シフト量補正値に適合する特性シフト電圧値を決定し、ステップＳ６へ進む。
【０１９１】
一方、ステップＳ１６では、表示パネル３０１の全てのＳＣＥ型電子放出素子に対して特性調整を行ったかどうかを調べ、そうでないときはステップＳ１７に進み、次のＳＣＥ型電子放出素子を選択し、スイッチマトリクス制御信号Ｔｓｗを出力してステップＳ２に進む。
【０１９２】
ステップＳ１６で全ての素子に対して、フローが終了すると特性調整が完了し、全ての素子の輝度が均一化する。
【０１９３】
その後、均一性を評価するために、Ｖｄｒｖ電圧を印加して全ＳＣＥ型電子放出素子の輝度を測定した。その結果、標準偏差／輝度は３．０％となり、動画を表示するには問題のない均一性が得られた。また、特性調整するのに要する時間は２．５時間程度であった。
【０１９４】
（第２の実施の形態）
図１０〜図１２には、第２の実施の形態が示されている。上記第１の実施の形態では、特性調整期間の第二期間においてＶｓｈｉｆｔのパルスの印加電圧を増減していた。しかし、本実施の形態では、特性調整期間の第二期間においてＶｓｈｉｆｔのパルスの印加時間を増減するものである。
【０１９５】
その他の構成および作用については第１の実施の形態と同一なので、同一の構成部分については同一の符号を付して、その説明は省略する。
【０１９６】
特性シフト電圧Ｖｓｈｉｆｔのパルス幅をＴｓｈｉｆｔとした時、同一のＶｓｈｉｆｔでパルス幅を短くすると印加パルスが多くなり長時間のパルス印加時間となり、パルス幅を長くすると第１のパルスによる特性変化率が大きくなり、発光特性値が所望の発光特性目標値以下になってしまう電子放出素子が存在してしまうことになる。
【０１９７】
したがって、特性シフト電圧パルスにおける第１のパルス幅Ｔｓｈｉｆｔ１と、第２パルス以降のパルス幅Ｔｓｈｉｆｔ２〜Ｔｓｈｉｆｔｍを変更することにより、目標値Ｌ０近傍まで短時間でシフトし、その後Ｌ０までシフトする過程においては、時間に対してマージンができ、かつシフト量の変化のバラツキに対するマージンが増える。この特性変化を用いると、素子に第二期間においてＶｓｈｉｆｔのパルスの印加時間を増減し、第三期間における通常駆動電圧Ｖｄｒｖにおいての輝度を特定の値にすることができる。
【０１９８】
輝度目標値の設定方法については、第１の実施形態と等しいので説明は省略する。
【０１９９】
表示パネル３０１で画像を表示する上でほとんど支障をきたさない所３０１ａの中の複数のＳＣＥ型電子放出素子に複数の特性シフト電圧を印加（１〜１０００パルス）したときの輝度を計測する手順と、そのデータから特性調整をするためのルックアップテーブルを作製するための特性シフト電圧とシフト量の関係のデータを取得する段階について説明する。
【０２００】
はじめに、特性シフト電圧のパルス幅および特性シフト電圧の波高値、並びに個々の電子放出素子に異なる幾つかの波高値を何パルス数印加するかを適宜決定する。ここでは、特性シフト電圧として、異なる２つの波高値を１パルスと９パルス印加し、合計１０パルスで特性調整する場合を例にして説明する。
【０２０１】
ルックアップテーブルを作製するためのデータを取得する際、まず、特性シフト電圧として４段階（Ｖｓｈｉｆｔ１〜Ｖｓｈｉｆｔ４）の離散的な電圧値を選択してそれぞれの電圧毎の特性シフト量を観測する。
【０２０２】
その後、各々の特性シフト電圧とは異なる特性シフト電圧Ｖｓｈｉｆｔ’を印加して、その後の特性シフト量を観察した。
【０２０３】
ここで、特性シフト電圧の範囲は、前述したように、Ｖｓｈｉｆｔ≧Ｖｐｒｅであり、Ｖｓｈｉｆｔ電圧の範囲は、ＳＣＥ型電子放出素子の形状や材料により適宜設定するが、通常は１Ｖ程度の範囲で数ステップに分けて設定することで特性調整できる。
【０２０４】
また、パルス幅が小さく、４段階の特性シフト電圧Ｖｓｈｉｆｔと、Ｖｓｈｉｆｔに比べてパルス幅の長い特性シフト電圧Ｖｓｈｉｆｔ’を設定したものについて説明するが、Ｖｓｈｉｆｔ、Ｖｓｈｉｆｔ’共に複数の段階からなっていればよい。
【０２０５】
複数のＳＣＥ型電子放出素子にパルス幅の短い４つの特性シフト電圧Ｖｓｈｉｆｔ１、Ｖｓｈｉｆｔ２、Ｖｓｈｉｆｔ３、Ｖｓｈｉｆｔ４の各々を印加して、その後、各々の特性シフト電圧とはパルス幅の異なる特性シフト電圧Ｖｓｈｉｆｔ’を印加したときの輝度の変化量を計測する手順を説明する。
【０２０６】
まず、複数のＳＣＥ型電子放出素子に４つの特性シフト電圧の各々を印加する領域、素子数、各特性シフト電圧値、パルス幅値及び印加パルス数を設定する。
【０２０７】
複数のＳＣＥ型電子放出素子に４×１通りの特性シフト電圧の各々を印加する表示パネル３０１内の領域は、画像を表示する上でほとんど支障をきたさない所３０１ａを選定し、素子数も１つの特性シフト電圧に対して２１素子とした。
【０２０８】
スイッチマトリクス制御信号Ｔｓｗを出力して、スイッチマトリクス制御回路３１０によりスイッチマトリクス３０３，３０４を切換えて表示パネル３０１からＳＣＥ型電子放出素子を一つ選択する。
【０２０９】
選択された素子に印加する予め設定されていたパルス信号のデータＴｖをパルス波高値設定回路３１１に出力する。特性シフト電圧用パルスの波高値は、予備駆動電圧値Ｖｐｒｅ、特性シフト電圧値Ｖｓｈｉｆｔ１、Ｖｓｈｉｆｔ２、Ｖｓｈｉｆｔ３、Ｖｓｈｉｆｔ４のいずれか１つの波高値と、Ｖｓｈｉｆｔよりパルス幅の長いＶｓｈｉｆｔ’であり、パルス数は１以上で適宜決定される。
【０２１０】
パルス発生回路３０６，３０７よりスイッチマトリクス３０３，３０４を介して、選択されているＳＣＥ型電子放出素子に、特性シフト電圧の初回として予備駆動電圧値Ｖｐｒｅパルス信号を印加する。
【０２１１】
次に、特性シフト電圧印加を行った素子を通常駆動電圧Ｖｄｒｖに下げて駆動した時の輝度特性評価を行うために、選択された素子に印加する予め設定されていたパルス信号のデータＴｖを設定する。
【０２１２】
そして、選択されているＳＣＥ型電子放出素子に、通常駆動電圧値Ｖｄｒｖのパルス信号を印加する。特性シフト電圧印加に応じた輝度変化データとしてＶｄｒｖ電圧における輝度を輝度データ格納メモリ３１２ｂに格納する。
【０２１３】
選択されているＳＣＥ型電子放出素子に、特性シフト電圧を所定の回数印加したかどうかを調べ、そうでないときは特性シフト電圧を印加するステップに進む。一方、特性シフト電圧が所定の印加回数に達したときは、複数の所定のＳＣＥ型電子放出素子に対して輝度変化測定を行ったかどうかを調べ、そうでないときは、次のＳＣＥ型電子放出素子を選択するスイッチマトリクス制御信号Ｔｓｗを設定する。
【０２１４】
一方、所定のＳＣＥ型電子放出素子に対する測定処理が終了しているときは、複数の所定のＳＣＥ型電子放出素子に４つの特性シフト電圧Ｖｓｈｉｆｔ１、Ｖｓｈｉｆｔ２、Ｖｓｈｉｆｔ３、Ｖｓｈｉｆｔ４の各々を印加（１パルス）したときの輝度の変化量、及びその後印加した特性シフト電圧Ｖｓｈｉｆｔ’による輝度の変化量をグラフ化する。
【０２１５】
図１０は、複数のＳＣＥ型電子放出素子に４つの特性シフト電圧Ｖｓｈｉｆｔ１、Ｖｓｈｉｆｔ２、Ｖｓｈｉｆｔ３、Ｖｓｈｉｆｔ４の各々を印加後の輝度変化量の関係と、４つの特性シフト電圧（Ｖｓｈｉｆｔ１、Ｖｓｈｉｆｔ２、Ｖｓｈｉｆｔ３、Ｖｓｈｉｆｔ４）印加後にＶｓｈｉｆｔ１’を印加したときの輝度の変化量（平均値）を示したものである。なお、このときの輝度は、各特性シフト電圧を１パルス印加毎に通常駆動（Ｖｄｒｖ）したときに計測した値である。
【０２１６】
次に、マルチ電子源全体を特性調整するプロセスについて説明する。図１０に示すように特性シフト電圧印加パルス数を増やす又は特性シフト電圧を大きくすることで素子特性の変化量は大きくなる、即ち調整量は多くなる。図１０に示す特性変化曲線を用いてマルチ電子源全体を特性調整するのは、以下の２ステップで行われる。
【０２１７】
（３）…輝度計測結果から設定した目標輝度Ｌ０より、特性シフト電圧を設定する。つまり、ここまでが、特性調整をするためのルックアップテーブルを作製する段階となる。
【０２１８】
（４）…（３）で決めた設定値を基に、各素子毎に特性シフト電圧を設定する。そして、特性シフト電圧印加により特性を目標値までシフトさせる。即ち、特性調整のためのルックアップテーブルに応じて特性シフト電圧を印加することとなる。
【０２１９】
（３）、（４）のステップを詳細に説明する。
【０２２０】
（３）　予備駆動後計測した輝度Ｌ１を目標値Ｌ０に到達させようとすると、必要なシフト量はＤ＝Ｌ０／Ｌ１となる。
【０２２１】
その後、必要なシフト量に対して若干小さな値、ここでは０．９×Ｄのシフト量を設定する。ここで、９０％のシフト量としたのは印加パルスに対する変化率が１割程度異なっても目標値以下にしないように設定したもので、この値は変化率のバラツキにより適宜設定される。
【０２２２】
図１０（ｂ）のグラフを基に、０．９×Ｄのシフト量よりＶｓｈｉｆｔ電圧を決定する。
【０２２３】
以下のように求めたシフト量の範囲によりＶｓｈｉｆｔ電圧を決定することにより、ＳＣＥ型電子放出素子の輝度が初期の１パルスで目標値以下になってしまうことを抑制できる。
【０２２４】
つまり、Ｖｓｈｉｆｔ１は、Ｄ１≦０．９×Ｄ＜Ｄ２の範囲、
Ｖｓｈｉｆｔ２は、Ｄ２≦０．９×Ｄ＜Ｄ３の範囲、
Ｖｓｈｉｆｔ３は、Ｄ３≦０．９×Ｄ＜Ｄ４の範囲、
Ｖｓｈｉｆｔ４は、Ｄ４≦０．９×Ｄの範囲
で決定する。
【０２２５】
次に、図１０（ｂ）のグラフを基に、０．９×Ｄのシフト量により決定されたＶｓｈｉｆｔ電圧のパルス幅よりも長いパルス幅を有する特性シフト電圧Ｖｓｈｉｆｔ’を印加し、シフト量を測定することで、電子放出素子に対してパルス幅の短いＴｓｈｉｆｔ（１パルス）＋パルス幅の長いＴｓｈｉｆｔ’（９パルス）が印加されることとなる。
【０２２６】
以上のようにして初期輝度Ｌ１を特性調整するためのルックアップテーブルを作製する。
【０２２７】
（４）　ルックアップテーブルを参照して、各電子放出素子の特性に応じて個々に特性シフト電圧を印加することにより、駆動調整を行う。
【０２２８】
以上のようにすることにより、特性シフト電圧に対して特性シフト量が大きい電子放出素子において初期印加パルス（１パルス）による、過度の特性シフトを防ぐことができる。
【０２２９】
したがって、マルチ電子源内における複数の電子放出素子に対して過度の特性シフトをさせることなく、より均一化な特性シフトを図ることができる。
【０２３０】
また、ここで、実際のシフト量の測定を初回に行う場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、実際のシフト量から補正する工程は特性シフト電圧印加中にいつ、何回行ってもかまわない。
【０２３１】
【実施例４】
本実施例では、９００×３００個のＳＣＥ素子よりなる表示パネルに関して、本実施の形態の製造方法を用いて駆動調整を行った。ここでは、ルックアップテーブルの作製及び特性シフト電圧の印加について説明する。その他の表示パネルの作製などについては、特許文献１及び２に記載されている。
【０２３２】
まず、上記で説明したように目標輝度Ｌ０を平均輝度及び標準偏差により設定した。
【０２３３】
本実施例では、輝度目標値はＬ０＝９６００（ａ．ｕ．）となった。なお、輝度の値はＣＣＤから得られる輝度と対応する値である。
【０２３４】
次に、Ｖｓｈｉｆｔ１〜Ｖｓｈｉｆｔ４における第１の特性シフト電圧パルスのパルス幅Ｔｓｈｉｆｔを５００μｓｅｃ、周期１０ｍｓｅｃとし、各特性シフト電圧Ｖｓｈｉｆｔ１〜Ｖｓｈｉｆｔ４の電圧波高値をＶｓｈｉｆｔ１＝１６．５Ｖ、Ｖｓｈｉｆｔ２＝１７Ｖ、Ｖｓｈｉｆｔ３＝１７．５Ｖ、Ｖｓｈｉｆｔ４＝１８Ｖとし、Ｖｐｒｅ＝１６Ｖ、Ｖｄｒｖ＝１４．５Ｖ、第２以降の特性シフト電圧パルスＶｓｈｉｆｔ’のパルス幅Ｔｓｈｉｆｔ’＝１ｍｓｅｃとした。なお、各電子放出素子に印加されるＶｓｈｉｆｔ’の電圧波高値は、各々の電子放出素子に対して定められた特性シフト電圧Ｖｓｈｉｆｔ１〜Ｖｓｈｉｆｔ４の各電圧波高値と同じ値とし、パルス幅のみを変えることとする。そして、第２の実施の形態で述べたようにルックアップテーブルを作製した。
【０２３５】
以下特性調整方法の手順に関して、図１１のフロー図を用いて説明する。
【０２３６】
まず、ステップＳ２１で、表示パネル３０１中の特性調整を実施するＳＣＥ型電子放出素子の１素子に対して特性調整時に印加する印加パルス数を設定する。Ｖｓｈｉｆｔの印加パルス数を１パルス、Ｖｓｈｉｆｔ’の印加パルス数を９パルスとし、印加パルス数の合計は、１０パルスとした。
【０２３７】
次に、ステップＳ２２で、スイッチマトリクス制御信号Ｔｓｗを出力して、スイッチマトリクス制御回路３１０によりスイッチマトリクス３０３，３０４を切換えて表示パネル３０１からＳＣＥ素子を一つ選択する。
【０２３８】
ステップＳ２３で、選択された素子について予備駆動後の通常駆動電圧Ｖｄｒｖを印加時の輝度値Ｌ１を読み出す。
【０２３９】
ステップＳ２４で特性調整ルックアップテーブルを読み出す。
【０２４０】
ステップＳ２５では、ステップＳ３で読み出した選択された素子の輝度値Ｌ１を特性調整における輝度目標値Ｌ０と比較し、特性調整を実施するか否かを判断する。
【０２４１】
ステップＳ２３で読み出した選択された素子の輝度値Ｌ１が特性調整における輝度目標値Ｌ０以下の場合は、特性調整を実施せずステップＳ３６に進む。
【０２４２】
ステップＳ２３で読み出した選択された素子の輝度値Ｌ１が特性調整における輝度目標値Ｌ０よりも大きい場合は、ステップＳ２４で読み出した特性調整ルックアップテーブルを参照して選択された素子の輝度値に対応した特性シフト電圧値Ｖｓｈｉｆｔ１〜Ｖｓｈｉｆｔ４のいずれかとＶｓｈｉｆｔ１〜Ｖｓｈｉｆｔ４の各シフト電圧と同電圧のＶｓｈｉｆｔ’とをメモリ３１２ｃに設定した。
【０２４３】
そして、ステップＳ２６で、選択された素子に印加するメモリ３１２ｃに設定されていたパルス信号の波高値及びパルス幅値のデータＴｖをパルス波高値設定回路３１１に出力する。
【０２４４】
ステップＳ２７で、パルス発生回路３０６，３０７よりスイッチマトリクス３０３，３０４を介して、ステップＳ２２で選択されているＳＣＥ素子に特性シフト電圧値Ｖｓｈｉｆｔ１〜Ｖｓｈｉｆｔ４のいずれかのパルス信号を印加した。さらに、パルス幅のみを変えたＶｓｈｉｆｔ１〜Ｖｓｈｉｆｔ４の各シフト電圧と同電圧のＶｓｈｉｆｔ’のパルス信号を印加した。
【０２４５】
その後、ステップＳ３５の設定パルス数に対する累積パルス印加数チェックに進む。
【０２４６】
累積パルス印加数が特性調整駆動印加パルス数設定値に達していない場合は前回のパルス印加と同様にパルス印加するためにステップＳ２６へ進み、達した場合はステップＳ３６へ進む。
【０２４７】
ステップＳ３６では、表示パネル３０１の全てのＳＣＥ素子に対して特性調整を行ったかどうかを調べ、そうでないときはステップＳ３７に進み、次のＳＣＥ素子を選択し、スイッチマトリクス制御信号Ｔｓｗを出力してステップＳ２２に進む。
【０２４８】
ステップＳ３６で全ての素子に対して、フローが終了すると特性調整が完了し、全ての素子の輝度が均一化する。
【０２４９】
その後、均一性を評価するために、Ｖｄｒｖ電圧を印加して全ＳＣＥ素子の輝度を測定した。その結果、標準偏差／輝度は３．２％となり、動画を表示するには問題のない均一性が得られた。また、特性調整するのに要する時間は１時間であった。
【０２５０】
【比較例２】
比較例２は、特性シフト電圧として、各々の輝度特性を有するＳＣＥ素子に対して１０パルスで目標値に達するパルス幅を１ｍｓｅｃに固定した各々１つの特性シフト電圧を設定し、特性調整を行った。その結果、特性シフト電圧における第１のパルス印加で輝度が目標値以下となる電子放出素子の割合が全体に対して２３％発生し、マルチ電子源全体の輝度バラツキが増加したために、動画を表示する上で十分な均一性を確保することができなかった。このときの特性調整に要した時間は１時間であった。
【０２５１】
【実施例５】
次に実施例５について説明する。本実施例では、実施例４で行った特性シフト電圧の各パルス印加毎にＶｄｒｖ電圧を印加して特性シフトを行ったＳＣＥ素子の輝度を測定する。それにより求められた輝度目標値との差に応じて残りの印加パルス数を印加するかどうかを決定する。
【０２５２】
ここでは、実施例４とは異なる特性シフト電圧の設定法及び特性調整方法について説明する。他の部分については実施例４と同様の手法によって行ったので説明を省略する。
【０２５３】
以下特性調整方法の手順に関して、図１２のフロー図を用いて説明する。
【０２５４】
まず、ステップＳ２１で、表示パネル３０１中の特性調整を実施するＳＣＥ素子の１素子に対して特性調整時に印加する印加パルス数を設定する。Ｖｓｈｉｆｔの印加パルス数を１パルス、Ｖｓｈｉｆｔ’の印加パルス数を９パルスとし、印加パルス数の合計は、１０パルスとした。
【０２５５】
次に、ステップＳ２２で、スイッチマトリクス制御信号Ｔｓｗを出力して、スイッチマトリクス制御回路３１０によりスイッチマトリクス３０３，３０４を切換えて表示パネル３０１からＳＣＥ素子を一つ選択する。
【０２５６】
ステップＳ２３で、選択された素子について予備駆動後の通常駆動電圧Ｖｄｒｖを印加時の輝度値Ｌ１を読み出す。
【０２５７】
ステップＳ２４で特性調整ルックアップテーブルを読み出す。
【０２５８】
ステップＳ２５では、ステップＳ２３で読み出した選択された素子の輝度値Ｌ１を特性調整における輝度目標値Ｌ０と比較し、特性調整を実施するか否かを判断する。
【０２５９】
ステップＳ２３で読み出した選択された素子の輝度値Ｌ１が特性調整における輝度目標値Ｌ０以下の場合は、特性調整を実施せずステップＳ３６に進む。
【０２６０】
ステップＳ２３で読み出した選択された素子の輝度値Ｌ１が特性調整におけるｋ度目標値Ｌ０よりも大きい場合は、ステップＳ２４で読み出した特性調整ルックアップテーブルを参照して選択された素子の輝度値に対応した特性シフト電圧値Ｖｓｈｉｆｔ１〜Ｖｓｈｉｆｔ４のいずれかのパルス信号をメモリ３１２ｃに設定した。
【０２６１】
そして、ステップＳ２６で、選択された素子に印加するメモリ３１２ｃに設定されていたパルス信号の波高値及びパルス幅値のデータＴｖをパルス波高値設定回路３１１に出力する。
【０２６２】
ステップＳ２７で、パルス発生回路３０６，３０７よりスイッチマトリクス３０３，３０４を介して、ステップＳ２２で選択されているＳＣＥ素子に特性シフト電圧値Ｖｓｈｉｆｔ１〜Ｖｓｈｉｆｔ４のいずれかのパルス信号を印加した。さらに、パルス幅のみを変えたＶｓｈｉｆｔ１〜Ｖｓｈｉｆｔ４の各シフト電圧と同電圧のＶｓｈｉｆｔ’のパルス信号を１パルスのみ印加した。
【０２６３】
ステップＳ２８で、選択された素子について予備駆動後の通常駆動電圧Ｖｄｒｖを印加する。
【０２６４】
ステップＳ２９で、選択された素子についてステップＳ２８において通常駆動電圧Ｖｄｒｖを印加した時の輝度値Ｌ１を読み出す。
【０２６５】
ステップＳ３０で特性調整ルックアップテーブルを読み出す。
【０２６６】
その後、ステップＳ３５では、ステップＳ２９で読み出した選択された素子の輝度値Ｌ１を特性調整における輝度目標値Ｌ０と比較し、特性調整を実施するか否かを判断する。
【０２６７】
ステップＳ２９で読み出した選択された素子の輝度値Ｌ１が特性調整における輝度目標値Ｌ０以下の場合は、残りのＶｓｈｉｆｔ’のパルス信号におけるパルスを印加せずステップＳ３６に進む。
【０２６８】
ステップＳ２９で読み出した選択された素子の輝度値が特性調整における輝度目標値Ｌ０よりも大きい場合は、ステップＳ３０で読み出した特性調整ルックアップテーブルを参照して選択された素子の輝度値に対応した特性シフト電圧値Ｖｓｈｉｆｔ１〜Ｖｓｈｉｆｔ４のいずれかのパルス信号をメモリ３１２ｃに設定した。さらに、ステップＳ２６に進む。そして、ステップＳ２６からステップＳ２７に行き、残りのＶｓｈｉｆｔ’のパルス信号におけるパルスを１パルスだけ印加し、ステップＳ２８からステップＳ３０を経てまたステップＳ３５での輝度値Ｌ１と輝度目標値Ｌ０との比較を行う。
【０２６９】
このように、Ｖｓｈｉｆｔ’のパルス信号におけるパルスを１パルスだけ印加する毎に、ステップＳ３５の輝度値Ｌ１と輝度目標値Ｌ０との比較を行い、各特性シフト電圧を印加した電子放出素子の輝度値Ｌ１を輝度目標値Ｌ０と比較することで、残りのＶｓｈｉｆｔ’のパルス信号におけるパルス幅Ｔｓｈｉｆｔ’を変更するか否かを決定する。
【０２７０】
そして、ステップＳ３６では、表示パネル３０１の全てのＳＣＥ素子に対して特性調整を行ったかどうかを調べ、そうでないときはステップＳ３７に進み、次のＳＣＥ素子を選択し、スイッチマトリクス制御信号Ｔｓｗを出力してステップＳ２２に進む。
【０２７１】
ステップＳ３６で全ての素子に対して、フローが終了すると特性調整が完了し、全ての素子の輝度が均一化する。
【０２７２】
その後、均一性を評価するために、Ｖｄｒｖ電圧を印加して全ＳＣＥ素子の輝度を測定した。その結果、標準偏差／輝度は３．０％となり、動画を表示するには問題のない均一性が得られた。また、特性調整するのに要する時間は１時間であった。
【０２７３】
（第３の実施の形態）
図１３〜図２０には、第３の実施の形態が示されている。上記第１、第２の実施の形態では、特性調整期間の第二期間においてＶｓｈｉｆｔのパルスの印加電圧を増減したり、Ｖｓｈｉｆｔのパルスの印加時間を増減したりしていた。しかし、本実施の形態では、電子放出素子の調整のために最大の調整シフト電圧を決定し、印加する調整シフト電圧値も離散的に何段階か選んで印加することによって特性調整を行うものである。
【０２７４】
その他の構成および作用については第１の実施の形態と同一なので、同一の構成部分については同一の符号を付して、その説明は省略する。
【０２７５】
図１３は、マルチ電子源を構成するＳＣＥ素子の一つに注目し、一素子に印加した予備駆動及び特性調整駆動信号の電圧波形を示す図で、横軸に時間を、縦軸には表面伝導型放出素子に印加した電圧（以下、素子電圧Ｖｆと記す）を示している。
【０２７６】
ここで駆動信号は、同図（ａ）に示すように連続した矩形電圧パルスを用い、特性調整駆動期間の電圧パルスの印加期間を第１期間〜第３期間の３つに分け、各期間内においてパルスを１〜１０パルス印加した。素子によって、印加するパルス波高値は異なる。
【０２７７】
図１３（ａ）の電圧パルスの波形の一部を、同図（ｂ）に拡大して示す。
【０２７８】
具体的な駆動条件としては、駆動信号のパルス幅をＴ１＝１ｍｓｅｃ、パルス周期をＴ２＝１０ｍｓｅｃとした。
【０２７９】
なお、ＳＣＥ型電子放出素子に実効的に印加される電圧パルスの立ち上がり時間Ｔｒおよび立ち下がり時間Ｔｆが１００ｎｓ以下となるように、駆動信号源からＳＣＥ素子までの配線路のインピーダンスを十分に低減して駆動した。
【０２８０】
ここで素子電圧Ｖｆは、予備駆動期間ではＶｆ＝Ｖｐｒｅとし、特性調整期間においては第１期間と第３期間ではＶｆ＝Ｖｄｒｖとし、第２期間ではＶｆ＝Ｖｓｈｉｆｔとした。
【０２８１】
これら素子電圧Ｖｐｒｅ、Ｖｄｒｖ、Ｖｓｈｉｆｔは共に、ＳＣＥ素子の電子放出しきい値電圧よりも大きい電圧であって、かつ、Ｖｄｒｖ＜Ｖｐｒｅ≦Ｖｓｈｉｆｔの条件を満足するように設定した。
【０２８２】
図１３（ａ）において特性調整期間の各期間の詳細を説明する。
第一期間及び第三期間については、前述した第一の実施形態と同じなので、説明を省略する。
【０２８３】
（第二期間…特性シフト電圧印加期間）
第二期間は、輝度特性の特性調整方法のために、電子放出特性のメモリ機能を用いて予備駆動電圧Ｖｐｒｅより大きな電圧値Ｖｓを印加して、電子ビームの照射により蛍光体が発光する輝度をシフトさせる。
【０２８４】
したがって、特性調整を行う必要が無い素子に対しては、第二期間〜第三期間は適用されない。
【０２８５】
第二期間において、所定の時間内で調整できるように、全ての素子において１０発印加し、輝度特性をシフトさせるための波高値は最大調整率を必要とする素子において最大調整シフト電圧Ｖｓｍａｘを印加し、それ以下の素子に対しては、適宜調整シフト電圧（Ｖｓ１〜Ｖｓｍａｘ−１）が設定される。
【０２８６】
一つの素子に対して、上記の各駆動を行った後、全ての素子に対して同様なプロセスを施すことで、マルチ電子源に対しての特性調整プロセスが完了する。
【０２８７】
同一のパルスで特性調整をする場合、特性調整時に印加するシフト電圧値の差によって特性のシフト量には相関がある。図１４はＶｄｒｖ以上の大きさのある特性シフト電圧Ｖｓｈｉｆｔを印加したときの特性シフト量Ｓｈｉｆｔとシフト電圧値の相関を模式的に示すグラフである。グラフのＸ軸にはシフト電圧値を示し、Ｙ軸には輝度特性シフト量Ｓｈｉｆｔを示している。図１４に示すようにシフト電圧値に対して輝度特性のシフト量は増加する。
【０２８８】
図１５は、図１４の関係を別の面からみたもので、第二期間において、Ｖｆ＝Ｖｓｈｉｆｔの電圧値が高くなるに従って、発光輝度特性が右方向にシフトしていくことを示したものである。
【０２８９】
図１５に示すように、シフトパルス印加前Ｌｃ（１）の特性を示した素子は、Ｖｓｈｉｆｔ１を印加した状態Ｌｃ（２）に変化する。Ｖｓｈｉｆｔ２を印加したとき発光輝度特性カーブはＬｃ（３）となり、Ｖｓｈｉｆｔ３を印加したとき発光輝度特性カーブはＬｃ（５）となる。
【０２９０】
また、特性シフトパルス印加時の発光輝度カーブＬｃ（２）は通常駆動電圧Ｖｄｒｖにおいて発光輝度Ｌ２となり、Ｌｃ（３）は通常駆動電圧Ｖｄｒｖにおいて発光輝度Ｌ３となる。
【０２９１】
この特性変化を用いると、第二期間における素子へのＶｓｈｉｆｔ電圧を増減し所望の放出電流特性カーブに変化させることによって、第三期間における通常駆動電圧Ｖｄｒｖにおける発光輝度を特定の値にすることができる。
【０２９２】
そこで、本実施の形態においては、特性調整前に、輝度測定装置３０５及び演算装置３０８により、通常駆動電圧Ｖｄｒｖ印加時における、各電子放出素子の輝度を測定し、該輝度から輝度目標値Ｌ０を設定する工程と、最大輝度信号Ｌｍａｘを読み取る工程と、調整のために電子放出素子に印加する最大調整シフト電圧を、該輝度信号の最大調整率Ｄｍａｘ＝Ｌ０／Ｌｍａｘから、予め別の電子放出素子において取得した、特性シフト電圧群における輝度の調整率テーブルより決定し、印加する調整シフト電圧値も離散的に何段階か選んで印加する工程によってマルチ電子源全体の特性調整を行うことができる。
【０２９３】
マルチ電子源を構成する個々のＳＣＥ素子の輝度特性を調整するプロセスフローを図１６、図１７及び図２０のフローチャートを用いて説明する。本実施の形態においては、予備駆動と輝度特性調整駆動を一体化して行ったので、両方の駆動プロセスを含めて説明する。
【０２９４】
プロセスフローとしては、画像表示エリアの一部の素子または画像表示に用いられない画像表示エリア外の素子さらには別の画像形成装置の素子を用いて、それらの素子に駆動電圧より大きい電圧値の異なる複数の特性シフト電圧Ｖｓｈｉｆｔと通常駆動電圧Ｖｄｒｖを交互に印加したときの発光輝度変化量からルックアップテーブルを作成する第１段階（図１７のフロー図、図１３（ａ）の特性調整期間の第二、第三期間に対応）と、表示パネル３０１の全ＳＣＥ素子に予備駆動電圧Ｖｐｒｅを印加後、通常駆動電圧Ｖｄｒｖ印加時の輝度特性を測定し、特性調整を行うときの輝度目標値Ｌ０を設定する第２段階（図１６のフロー図、図１３（ａ）の予備駆動期間と特性調整期間の第一期間に対応）と、特性調整のためのルックアップテーブルに応じて最大調整シフト電圧Ｖｓｍａｘ及び輝度目標値からの許容輝度範囲ΔＬにより、ｎ≧（Ｌｍａｘ−Ｌ０）／ΔＬを算出し、各調整率Ｄｓ＝１−（（Ｄｍａｘ−１）ｍ／ｎ）〔ｍ＝１…ｎ−１〕から求めた、ｎ個のＶｓｍａｘ以下の離散的な調整シフト電圧を印加する工程及び特性調整が終了したかを判定するために通常駆動電圧Ｖｄｒｖを印加して発光輝度特性を測定する第３段階（図２０のフロー図、図１３（ａ）の特性調整期間の第二、第三期間に対応）とからなる。
【０２９５】
まず、第１段階について説明する。
【０２９６】
ルックアップテーブルを作成する際、特性シフト電圧群として１０段階（Ｖｓｈｉｆｔ１〜Ｖｓｈｉｆｔ１０）の離散的な電圧値を選択してそれぞれの電圧毎に特性シフト量を観測した。特性シフト電圧の範囲は、前述したように、Ｖｓｈｉｆｔ≧Ｖｐｒｅであり、Ｖｓｈｉｆｔ電圧の範囲は、ＳＣＥ素子の形状や材料により適宜設定するが、通常は１Ｖ程度の範囲で数ステップに分けて設定することで特性調整できる。
【０２９７】
まず、図１７のフロー図で、複数のＳＣＥ素子に１１種類の特性シフト電圧Ｖｓｈｉｆｔ０、Ｖｓｈｉｆｔ１、Ｖｓｈｉｆｔ２、Ｖｓｈｉｆｔ３、Ｖｓｈｉｆｔ４…Ｖｓｈｉｆｔ１０の各々を印加（１０パルス）したときの輝度Ｌの変化量を計測する手順を説明する。
【０２９８】
ステップＳ５１で、複数のＳＣＥ素子に１１種類の特性シフト電圧の各々を印加する領域、素子数、各特性シフト電圧値及び印加パルス数を設定する。素子数も１つの特性シフト電圧に対して１００素子とした。
【０２９９】
ステップＳ５２で、スイッチマトリクス制御信号Ｔｓｗを出力して、スイッチマトリクス制御回路３１０によりスイッチマトリクス３０３，３０４を切換えて表示パネル３０１からＳＣＥ素子を一つ選択する。
【０３００】
ステップＳ５３で、選択された素子に印加するパルス信号の波高値のデータＴｖをパルス波高値設定回路３１１に出力する。
【０３０１】
特性シフト電圧用パルスの波高値は、予備駆動電圧値Ｖｐｒｅ＝１６Ｖ、特性シフト電圧値Ｖｓｈｉｆｔ１＝１６．２５Ｖ、Ｖｓｈｉｆｔ２＝１６．５Ｖ、Ｖｓｈｉｆｔ３＝１６．７５Ｖ、Ｖｓｈｉｆｔ４＝１７Ｖ…Ｖｓｈｉｆｔ１０＝１８．５Ｖのいずれかである。
【０３０２】
そしてステップＳ５４で、パルス発生回路３０６，３０７よりスイッチマトリクス３０３，３０４を介して、ステップＳ５１で選択されているＳＣＥ型電子放出素子に、特性シフト電圧の初回として予備駆動電圧値Ｖｐｒｅパルス信号を印加する。
【０３０３】
ステップＳ５５では、特性シフト電圧印加を行った素子を通常駆動電圧Ｖｄｒｖに下げて駆動した時の輝度の特性評価を行うために、選択された素子に印加するパルス信号の波高値のデータＴｖとして通常駆動電圧値Ｖｄｒｖ＝１４．５Ｖを設定する。
【０３０４】
そしてステップＳ５６で、ステップＳ５２で選択されているＳＣＥ素子に、通常駆動電圧値Ｖｄｒｖパルス信号を印加する。
【０３０５】
ステップＳ５７で特性シフトに応じた輝度の変化データとしてＶｄｒｖ電圧における輝度を輝度データ格納メモリ３１２ｂに格納する。
【０３０６】
ステップＳ５８では、複数の所定のＳＣＥ素子に対して輝度の変化測定を行ったかどうかを調べ、そうでないときはステップＳ５９に進み、次のＳＣＥ素子を選択するスイッチマトリクス制御信号Ｔｓｗを設定してステップＳ５２に進む。
【０３０７】
一方、ステップＳ５８で所定のＳＣＥ素子に対する測定処理が終了しているときは、複数の所定のＳＣＥ素子に１１種類の特性シフト電圧Ｖｓｈｉｆｔ０（＝Ｖｐｒｅ）、Ｖｓｈｉｆｔ１、Ｖｓｈｉｆｔ２、Ｖｓｈｉｆｔ３、Ｖｓｈｉｆｔ４…Ｖｓｈｉｆｔ１０の各々を印加（１０パルス）したときの輝度の変化量をグラフ化する。
【０３０８】
図１８は、複数のＳＣＥ素子に１１種類の特性シフト電圧Ｖｓｈｉｆｔ０（＝Ｖｐｒｅ）、Ｖｓｈｉｆｔ１、Ｖｓｈｉｆｔ２、Ｖｓｈｉｆｔ３、Ｖｓｈｉｆｔ４…Ｖｓｈｉｆｔ１０を印加（１０パルス）したときの輝度の変化量（平均値）を示したものである。
【０３０９】
１１種類の特性シフト電圧の関係は、Ｖｓｈｉｆｔ１０＞…Ｖｓｈｉｆｔ４＞Ｖｓｈｉｆｔ３＞Ｖｓｈｉｆｔ２＞Ｖｓｈｉｆｔ１＞Ｖｐｒｅである。
【０３１０】
図１８に示すように特性シフト電圧を大きくすることで輝度の変化量は大きく、すなわち調整量は多くなる。
【０３１１】
第２段階については、第１の実施形態と同じなので、省略する。
【０３１２】
ここでは、第１の実施形態と同様に輝度目標値Ｌ０は、Ｌ０＝（Ｌ−ａｖｅ）−（σ−Ｌ）とした。
【０３１３】
次に、図１８に示す特性変化曲線から輝度の調整量と特性シフト電圧の関係を図２２のようにグラフ化し、調整用ルックアップテーブルとして用いる。調整は、以下の３ステップで行われる。
【０３１４】
（１）…図１６の輝度計測結果から設定した目標輝度Ｌ０及び最大輝度Ｌｍａｘょり、最大調整率Ｄｍａｘ＝Ｌ０／Ｌｍａｘを求め、図１９の調整用ルックアップテーブルを用いて所望の最大調整シフト電圧を設定する。
【０３１５】
（２）…調整シフト電圧群の数＝ｎは輝度目標値からの許容輝度範囲ΔＬにより、ｎ≧（Ｌｍａｘ−Ｌ０）／ΔＬの式から算出し、最大調整率からｎ等分に必要な各調整率ＤｓをＤｓ＝１−（（Ｄｍａｘ−１）ｍ／ｎ）〔ｍ＝１…ｎ−１〕から求め、各調整率に必要なシフト電圧をｎ個選択する。
【０３１６】
（３）…（１），（２）で決めた設定値を基に、各素子毎に調整シフト電圧印加と輝度特性計測を繰り返し、特性を目標値までシフトさせる。すなわち、特性調整のためのルックアップテーブルに応じて調整シフト電圧値を印加すること、及び特性調整が終了したかを判定するために通常駆動電圧Ｖｄｒｖを印加して輝度Ｌを測定する段階（図２０のフロー図、図１３（ａ）の特性調整期間の第二、第三期間に対応）である。
【０３１７】
さらに上記工程について詳細に説明する。
【０３１８】
（１）　図１６で計測した輝度Ｌの一番大きいものをＬｍａｘ値とし、図１９で設定した目標Ｌｔから最大調整率Ｄｍａｘを、Ｄｍａｘ＝Ｌ０／Ｌｍａｘから求める。
【０３１９】
輝度目標値Ｌ０＝１．０（ａｒｂ．ｕ．）、Ｌｍａｘ＝２．０（ａｒｂ．ｕ．）とすると、Ｄｍａｘ＝０．５が必要になる。このとき図１８より最大シフト電圧としてＶｓｈｉｆｔ５を印加しても１０パルスでは、全てを調整できないことがわかる。そこで、本実施の形態においては、各電子放出素子に対して各々１０パルスの印加によって特性シフトを行うようにすることを目標に最大シフト電圧を図１９から設定した。
【０３２０】
前述したように最大調整率Ｄｍａｘが０．５の場合、図１９から最大シフト電圧は１８．２Ｖとすることができる。
【０３２１】
この設定により調整幅が大きい素子でも確実に調整することができ、このプロセスに要する時間は１０パルス印加時間と輝度目標値Ｌ０以上を有する素子数の積で見積もることができる。
【０３２２】
（２）　調整シフト電圧群の数＝ｎは輝度目標値からの許容輝度範囲ΔＬにより、ｎ≧（Ｌｍａｘ−Ｌ０）／ΔＬの式から算出し、最大調整率からｎ等分に必要な各調整率ＤｓをＤｓ＝１−（（Ｄｍａｘ−１）ｍ／ｎ）〔ｍ＝１…ｎ−１〕から求め、各調整率に必要なシフト電圧をｎ個選択する。
【０３２３】
ΔＬが０．２の許容値に設定すると、（Ｌｍａｘ−Ｌ０）／ΔＬからｎは５となり、必要な最大調整率がＤｍａｘ＝０．５のとき、以下調整率Ｄｓは０．６、０．７、０．８、０．９の合わせて５段階になる。
【０３２４】
それぞれの調整シフト電圧は図１９より、
Ｄｓ１＝０．９のとき、Ｖｓ１＝１６．０Ｖ、
Ｄｓ２＝０．８のとき、Ｖｓ２＝１６．７Ｖ、
Ｄｓ３＝０．７のとき、Ｖｓ３＝１７．３Ｖ、
Ｄｓ４＝０．６のとき、Ｖｓ４＝１７．８Ｖ、
Ｄｍａｘ＝０．５のとき、Ｖｓｍａｘ＝１８．２Ｖと決定した。
【０３２５】
これらの各々の発光輝度上限値から特性調整するため５段階に分けて調整を実施した。それぞれに必要な各調整率がＤｓ１＝０．９、Ｄｓ２＝０．８、Ｄｓ３＝０．７、Ｄｓ４＝０．６、Ｄｍａｘ＝０．５なので、輝度信号最大値＝２．０（ａｒｂ．ｕ．）のとき、各々の調整シフト電圧を印加する素子の輝度Ｌの範囲は、Ｌｔ＜Ｌ１≦１．２（ａｒｂ．ｕ．）（＠Ｖｓ１）、１．２＜Ｌ２≦１．４（ａｒｂ．ｕ．）（＠Ｖｓ２）、１．４＜Ｌ３≦１．６（ａｒｂ．ｕ．）（＠Ｖｓ３）、１．６＜Ｌ４≦１．８（ａｒｂ．ｕ．）（＠Ｖｓ４）、１．８（ａｒｂ．ｕ．）＜Ｌｍａｘ（＠Ｖｓｍａｘ）となる。
【０３２６】
次に、図２０のフロー図を用いて全体の流れを説明する。
【０３２７】
まずステップＳ６１で、表示パネル３０１中の特性調整を実施するＳＣＥ素子の１素子に対して特性調整時に印加する所定パルス数を設定する。所定印加パル数は１０パルスとした。
【０３２８】
次にステップＳ６２で、スイッチマトリクス制御信号Ｔｓｗを出力して、スイッチマトリクス制御回路３１０によりスイッチマトリクス３０３，３０４を切換えて表示パネル３０１からＳＣＥ素子を一つ選択する。
【０３２９】
ステップＳ６３で、選択された素子について、予備駆動後の通常駆動電圧Ｖｄｒｖ印加時の輝度Ｌを読み出す。
【０３３０】
ステップＳ６４で特性調整ルックアップテーブルを読み出す。
【０３３１】
ステップＳ６５ではステップＳ６３で読み出した選択された素子の輝度を特性調整における輝度目標値Ｌ０と比較し、特性調整を実施するか否かを判断する。
【０３３２】
ステップＳ６３で読み出した選択された素子の輝度Ｌが特性調整における輝度目標値Ｌ０と等しいかそれ以下の場合は、特性調整を実施せずステップＳ７１に進む。
【０３３３】
ステップＳ６３で読み出した選択された素子の輝度が特性調整における目標値Ｌ０よりも大きい場合は、ステップＳ６４で読み出した特性調整ルックアップテーブルを参照して選択された素子の輝度に対応した調整シフト電圧値Ｖｓ１〜Ｖｓｍａｘのいずれかを設定する。
【０３３４】
そしてステップＳ６６で、選択された素子に印加するパルス信号の波高値のデータＴｖをパルス波高値設定回路３１１に出力する。
【０３３５】
ステップＳ６７で、パルス発生回賂３０６，３０７よりスイッチマトリクス３０３，３０４を介して、ステップＳ６２で選択されているＳＣＥ素子に、調整シフト電圧値Ｖｓ１〜Ｖｓｍａｘのいずれかのパルス信号を１０パルス印加した。
【０３３６】
ステップＳ６８では、特性調整を行った素子を通常駆動電圧Ｖｄｒｖに下げて駆動した時の輝度の評価を行うために、選択された素子に印加するパルス信号の波高値のデータＴｖとして通常駆動電圧値Ｖｄｒｖを設定する。
【０３３７】
そしてステップＳ６９で、ステップＳ６２で選択されているＳＣＥ素子に、通常駆動電圧値Ｖｄｒｖパルス電圧を印加する。この時の輝度をステップＳ７０で計測し輝度格納メモリ３１２ｂヘ格納する。
【０３３８】
ステップＳ７１では、表示パネル３０１の全てのＳＣＥ素子に対して特性調整を行ったかどうかを調べ、そうでないときはステップＳ７２に進み、次のＳＣＥ素子を選択しスイッチマトリクス制御信号Ｔｓｗを出力してステップＳ６２に進む。
【０３３９】
ステップＳ７２で全ての素子に対して、フローが終了すると特性調整が完了し、全ての素子に対応する輝度が均一化する。これにて輝度特性の調整が終了する。このときプロセスに要する時間は、概ね初期輝度が輝度目標値Ｌ０よりも大きな素子の数と１０パルスのシフト電圧印加時間の積が時間となる。
【０３４０】
このようにして調整した、画像形成装置の各画素の輝度バラツキは、輝度Ｌ−σ／輝度Ｌ−ａｖｅ＝２．５％であり、バラツキ感の少ない高品位な画像を表示することができた。
【０３４１】
なお、本実施の形態においては輝度特性のデータの取得を実際に調整する画像形成装置と同じ製造工程で作成された画像形成装置で行っており、繰り返し同じ調整ルックアップテーブルを使用することも可能であり、さらに調整時間を短縮することができる。
【０３４２】
また、これまでの実施の形態ではＳＣＥ素子を備えた画像形成装置の調整方法について述べたが、メモリ性を有するＦＥ型、ＭＩＭ型の電子放出素子を備えた画像形成装置においても個別の画素輝度を同様に特性調整することができる。
【０３４３】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明は、複数の電子放出素子が配設されたマルチ電子源を有する画像形成装置において、ほぼ一定の調整時間で各電子放出素子の特性を均一化することが可能となり、従って、画像形成装置の製造工程時間が均一化されることにより、製造工程の管理が容易となる。
【０３４４】
また、長時間プロセスにならずに、過剰に劣化する素子を抑制でき、表示画像の均一性を向上でき、また特性調整による輝度の低下も抑制できる。
【０３４５】
さらに、電子放出素子の特性シフト電圧に対する変化率のバラツキがあっても特性シフト電圧値に補正を行うことで、均一性をより向上することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１の実施の形態に係るＳＣＥ素子の特性調整信号の一例を示す図である。
【図２】輝度とシフト電圧の印加時間の相関を模式的に示すグラフである。
【図３】第１の実施の形態に係る特性調整信号をマルチ電子源を用いた画像形成装置に印加する装置の概略構成図である。
【図４】第１の実施の形態に係るＳＣＥ素子の特性調整信号の一例を示す図である。
【図５】第１の実施の形態に係る画像形成装置上の輝点がエリアセンサー上に投影された様子を示す模式図である。
【図６】数種類の駆動電圧毎に素子に連続印加したときの輝度の変化量を説明する特性曲線図である。
【図７】実施例１の電子源の各ＳＣＥ素子の特性調整フローチャートである。
【図８】実施例２の電子源の各ＳＣＥ素子の特性調整フローチャートである。
【図９】実施例３の電子源の各ＳＣＥ素子の特性調整フローチャートである。
【図１０】数種類の駆動電圧毎に素子に連続印加したときの輝度の変化量を説明する特性曲線図である。
【図１１】実施例４の電子源の各ＳＣＥ素子の特性調整フローチャートである。
【図１２】実施例５の電子源の各ＳＣＥ素子の特性調整フローチャートである。
【図１３】第３の実施の形態に係るＳＣＥ素子の特性調整信号の一例を示す図である。
【図１４】シフト電圧値と輝度シフト量との関係を示すグラフである。
【図１５】ＳＣＥ素子の駆動電圧に対する輝度特性を説明する図である。
【図１６】電子源の各ＳＣＥ素子の特性調整フローチャートである。
【図１７】電子源の各ＳＣＥ素子の図１６に続く特性調整フローチャートである。
【図１８】数種類の特性シフト電圧毎に素子に連続印加したときの輝度値の変化量を説明する特性曲線図である。
【図１９】特性調整するために印加する離散的なシフト電圧に対する各々のＳＣＥ型電子放出素子に対応した輝度範囲を示した図である。
【図２０】電子源の各ＳＣＥ素子の図１７に続く特性調整フローチャートである。
【符号の説明】
３０１　表示パネル
３０２　端子
３０３，３０４　スイッチマトリクス
３０５　輝度測定装置
３０５ａ　光学レンズ
３０５ｂ　エリアセンサー
３０６，３０７　パルス発生回路
３０８　演算装置
３０９　ロボットシステム
３１０　スイッチマトリクス制御回路
３１１　パルス波高値設定回路
３１２　制御回路
３１２ａ　ＣＰＵ
３１２ｂ　輝度データ格納メモリ
３１２ｃ　メモリ
３１３　高圧電源
５０１　発光点
５０２　素子
【図１】
2004031336.tif 000003
【図２】
2004031336.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
2004031336.tif 000010
【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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