(57)【要約】【課題】圧電基板１上にＡｌなどからなる電極を形成した後保護膜で覆う構成では、フォトレジストの現像時に現像液により電極表面が部分的にエッチングされ、電極の膜厚バラツキにより圧電基板掘れ量がばらつくため弾性表面波装置の励振中心周波数がばらつくという課題を有していた。【解決手段】圧電基板１１の電極パターンを形成する方の面に薄い方の第１の金属膜１３を形成し、その上にフォトレジストの現像液にエッチングされにくい第２の金属膜１５を形成した後に現像することにより、圧電基板１１の基板掘れ量を小さくし、励振中心周波数のバラツキを抑制する。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電基板に電極を設けてなる弾性表面波装置において、前記圧電基板上で前記電極を形成していない部分の基板掘れ量の差が小さい弾性表面波装置。
【請求項２】
基板掘れ量の差は、０．５ｎｍ以下である請求項１に記載の弾性表面波装置。
【請求項３】
電極は、複数種類の金属を積層したものである請求項１に記載の弾性表面波装置。
【請求項４】
少なくとも最上層の電極は、フォトレジストの現像液によりエッチングされにくい材質を主成分とする請求項３に記載の弾性表面波装置。
【請求項５】
最上層の電極は、組織が緻密である請求項４に記載の弾性表面波装置。
【請求項６】
少なくとも最上層の電極は、Ｔｉ、ＣｒまたはＭｏのうちのいずれか一つを主成分とするものである請求項５に記載の弾性表面波装置。
【請求項７】
弾性表面波装置の励振中心周波数は１ＧＨｚ以上である請求項１に記載の弾性表面波装置。
【請求項８】
圧電基板の全表面に第１の金属膜を形成する第１の工程と、
前記圧電基板の一方の面の前記第１の金属膜の上に第２の金属膜を形成する第２の工程と、
前記第２の金属膜上にレジストを塗布し、露光し、現像することにより前記レジストにパターンを形成する第３の工程と、
前記第１の金属膜および前記第２の金属膜をエッチングして電極パターンを形成する第４の工程と、
を含む弾性表面波装置の製造方法。
【請求項９】
第１の工程は、圧電基板の一方の平面に第１の金属膜を形成するステップと、前記圧電基板の他方の平面に前記第１の金属膜を形成するステップからなる請求項８に記載の弾性表面波装置の製造方法。
【請求項１０】
第１の金属膜は、圧電基板の一方の平面の膜厚が厚く他方の平面の膜厚が薄いものであって、前記膜厚の薄い方の平面に電極パターンを形成した請求項８に記載の弾性表面波装置の製造方法。
【請求項１１】
第１の金属膜のうち、薄い方の金属膜の膜厚は１０〜２５０ｎｍであり、かつ第２の金属膜の膜厚よりも厚い請求項１０に記載の弾性表面波装置の製造方法。
【請求項１２】
第１の金属膜のうち、厚い方の金属膜の膜厚は２５０〜１０００ｎｍである請求項１０に記載の弾性表面波装置の製造方法。
【請求項１３】
第２の金属膜は、最上層の金属膜であって、フォトレジストの現像液により第１の金属膜の材質よりもエッチングされにくい材質を主成分とするものである請求項８に記載の弾性表面波装置の製造方法。
【請求項１４】
第２の金属膜は、Ｔｉ、ＣｒまたはＭｏのうちのいずれか一つを主成分とするものである請求項１３に記載の弾性表面波装置の製造方法。
【請求項１５】
第２の金属膜の膜厚は、少なくともフォトレジストの現像液によりエッチングされて前記現像液が浸透しない厚みである請求項８に記載の弾性表面波装置の製造方法。
【請求項１６】
第２の金属膜の膜厚は、１〜１０ｎｍである請求項１５に記載の弾性表面波装置の製造方法。
【請求項１７】
第４の工程に続いて、第１の金属膜のうち、厚い方の金属膜を除去する第５の工程を設けた請求項８に記載の弾性表面波装置の製造方法。
【請求項１８】
弾性表面波装置の励振中心周波数は１ＧＨｚ以上である請求項８に記載の弾性表面波装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は通信機器などに用いられる弾性表面波装置およびその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来弾性表面波装置は、ＬｉＴａＯ３などからなる圧電基板の一方の平面にＡｌなどからなる金属膜をスパッタリングなどの方法で形成し、金属膜の上にフォトレジストなどを塗布、乾燥させ、所望のパターンを形成するためのフォトマスクを介して露光し、現像することにより所望の電極パターンを形成し、個片に切断して弾性表面波装置を製造している。
【０００３】
しかし、この方法では、ダイボンディングした時にダイボンディング材が電極に付着してショートしたり、硬化中に発生するガスなどにより弾性表面波装置の特性が劣化する。
【０００４】
一方、この問題を解決する手段として、図６に示したように圧電基板１表面にＡｌなどによる電極２をフォトリソグラフィー法などにより形成した後、このＡｌ電極２表面および側面を陽極酸化したりＳｉＯ２などの絶縁物からなる保護膜３で覆い、ダイボンディング後に保護膜３を除去するかまたは残しておくことにより電極間のショート、損傷を防止することにより耐久性を向上させる構成が用いられていた。
【０００５】
なお、この出願の発明に関連する先行技術文献情報としては、例えば、特許文献１が知られている。
【０００６】
【特許文献１】
特開平１−２７７０１１号公報
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来のように圧電基板１上にＡｌなどからなる電極２を形成した後に保護膜３で覆う構成では、電極２間のショートや損傷は防止することはできるが、フォトレジストの現像時に現像液によりフォトレジストがエッチングされるのと同時にＡｌ電極２表面が部分的にエッチングされ、Ａｌ電極２膜厚にバラツキが発生し、弾性表面波装置の励振中心周波数がばらつくという課題を有していた。
【０００８】
すなわち、現像工程において、フォトレジスト上に現像液を滴下すると、フォトレジストの感光した部分が分解するが、その際、分解したフォトレジスト直下の金属膜が現像液に直接触れる。従来例のような構成では現像の段階で金属膜が一部エッチングされ金属膜の膜厚が不均一となる。
【０００９】
図７（ａ）は従来の弾性表面波装置のフォトレジストを現像した後の状態を示す断面図であり、図７（ｂ）は図７（ａ）の後、金属膜をエッチングした後の状態を示す断面図である。
【００１０】
図７（ａ）において、従来の弾性表面波装置は、圧電基板３１の上に金属膜３２が形成され、その上にフォトレジスト３３が設けられ、現像液によりフォトレジスト３３の露光部分を分解、剥離している。
【００１１】
現像時に、金属膜３２の一部は現像液によってエッチングされるが、エッチングの程度は現像液と金属膜３２の接触状態、接触時間の影響を受け場所によって異なり、場所３４、場所３５、場所３８での金属膜３２のエッチングの程度は小さいが、現像液との接触状態が良好で、接触時間が長かった場所３６、場所３７での金属膜３２のエッチングの程度は大きくなる。このように従来の弾性表面波装置ではフォトレジストを現像した段階で既に金属膜３２の膜厚にバラツキが発生している。
【００１２】
次に、図７（ｂ）において、図７（ａ）の従来の弾性表面波装置をドライエッチングして金属膜３２の不要部分を除去し圧電基板３１上に電極パターン３９を形成する。
【００１３】
この時、フォトレジストを現像した段階で金属膜３２の膜厚が薄い場所、例えば場所３６、場所３７では場所３４、場所３５、場所３８に比べドライエッチングで金属膜３２が早く除去されるが、場所３４、場所３５、場所３８の金属膜３２が無くなるまでエッチングが継続される。そのため場所３６、場所３７では金属膜３２が無くなった後、圧電基板３１の表面がエッチングされ部分的に掘れるようになる。
【００１４】
従って、フォトレジストの現像段階で金属膜３２が少ししかエッチングされなかった場所３４、場所３５、場所３８では、ドライエッチング後の圧電基板３１の基板掘れ量は少なく、一方フォトレジストの現像段階で金属膜３２が大きくエッチングされた場所３６、場所３７では、ドライエッチング後の圧電基板３１の基板掘れ量は大きくなる。
【００１５】
このように従来の弾性表面波装置の構成では、フォトレジストの現像の際に生じた金属膜３２の厚みバラツキが最終的な圧電基板３１の基板掘れ量のバラツキに大きな影響を与え、最終的に得られる弾性表面波装置の励振中心周波数がばらつく原因になる。
【００１６】
本発明は上記の課題を解決するものであり、フォトレジストの現像時に現像液による電極のエッチングを防止し、電極膜厚のバラツキを抑制することにより励振中心周波数のバラツキを抑制した弾性表面波装置およびその製造方法を提供することを目的とするものである。
【００１７】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明は以下の構成を有するものである。
【００１８】
本発明の請求項１に記載の発明は、圧電基板に電極を設けてなる弾性表面波装置において、前記圧電基板上で前記電極を形成していない部分の基板掘れ量の差が小さいという構成を有しており、これにより圧電基板の各場所における励振状態を均一にすることができるため、弾性表面波装置の励振中心周波数のバラツキを小さくすることができるという作用効果が得られる。
【００１９】
本発明の請求項２に記載の発明は、基板掘れ量の差は、０．５ｎｍ以下であるという構成を有しており、これにより圧電基板の各場所における基板掘れ量を均一にすることができるため、弾性表面波装置の励振中心周波数のバラツキを小さくすることができるという作用効果が得られる。
【００２０】
本発明の請求項３に記載の発明は、電極は、複数種類の金属を積層したものであるという構成を有しており、これにより電極パターンの現像時に金属膜がエッチングされ膜厚に差異が生じるのを抑制することができるため、エッチングにより電極パターンを形成した際に圧電基板の各場所における基板掘れ量を均一にすることができるため、弾性表面波装置の励振中心周波数のバラツキを小さくすることができるという作用効果が得られる。
【００２１】
本発明の請求項４に記載の発明は、少なくとも最上層の電極は、フォトレジストの現像液によりエッチングされにくい材質を主成分とするという構成を有しており、これにより電極パターンの現像時に金属膜がエッチングされ膜厚に差異が生じるのを抑制することができるため、エッチングにより電極パターンを形成した際に圧電基板の各場所における基板掘れ量を均一にすることができ、弾性表面波装置の励振中心周波数のバラツキを小さくすることができるという作用効果が得られる。
【００２２】
本発明の請求項５に記載の発明は、最上層の電極は、組織が緻密であるという構成を有しており、これにより現像液が最上層の電極から内部に侵入し難くなるため、最上層の電極より内層にある金属膜が現像時に金属膜がエッチングされ膜厚に差異が生じるのを抑制することができ、エッチングにより電極パターンを形成した際に圧電基板の各場所における基板掘れ量を均一にすることができ、弾性表面波装置の励振中心周波数のバラツキを小さくすることができるという作用効果が得られる。
【００２３】
本発明の請求項６に記載の発明は、少なくとも最上層の電極は、Ｔｉ、ＣｒまたはＭｏのうちのいずれか一つを主成分とするものであるという構成を有しており、これにより電極パターンの現像時に金属膜がエッチングされ膜厚に差異が生じるのを抑制することができるため、エッチングにより電極パターンを形成した際に圧電基板の各場所における基板掘れ量を均一にすることができるため、弾性表面波装置の励振中心周波数のバラツキを小さくすることができるという作用効果が得られる。
【００２４】
本発明の請求項７に記載の発明は、弾性表面波装置の励振中心周波数は１ＧＨｚ以上であるという構成を有しており、これにより高周波数で用いられる弾性表面波装置の励振中心周波数のバラツキを小さくすることができるという作用効果が得られる。
【００２５】
本発明の請求項８に記載の発明は、圧電基板の全表面に第１の金属膜を形成する第１の工程と、前記圧電基板の一方の面の前記第１の金属膜の上に第２の金属膜を形成する第２の工程と、前記第２の金属膜上にレジストを塗布し、露光し、現像することにより前記レジストにパターンを形成する第３の工程と、前記第１の金属膜および前記第２の金属膜をエッチングして電極パターンを形成する第４の工程とを含むという方法であり、これにより電極パターンの現像時に金属膜がエッチングされ膜厚に差異が生じるのを抑制することができるため、エッチングにより電極パターンを形成した際に圧電基板の各場所における基板掘れ量を均一にすることができるため、弾性表面波装置の励振中心周波数のバラツキを小さくすることができるという作用効果が得られる。
【００２６】
本発明の請求項９に記載の発明は、第１の工程は、圧電基板の一方の平面に第１の金属膜を形成するステップと、前記圧電基板の他方の平面に前記第１の金属膜を形成するステップからなるという方法であり、これにより圧電基板の全面に第１の金属膜を形成することができるという作用効果が得られる。
【００２７】
本発明の請求項１０に記載の発明は、第１の金属膜は、圧電基板の一方の平面の膜厚が厚く他方の平面の膜厚が薄いものであって、前記膜厚の薄い方の平面に電極パターンを形成したという方法であり、これにより第１の金属膜の薄い方の平面に電極パターンを形成することができるという作用効果が得られる。
【００２８】
本発明の請求項１１に記載の発明は、第１の金属膜のうち、薄い方の金属膜の膜厚は１０〜２５０ｎｍであり、かつ第２の金属膜の膜厚よりも厚いという方法であり、これにより第２の金属膜の膜厚よりも厚い第１の金属膜上に電極パターンを形成することができるため、エッチングなどによる第１の金属膜の膜厚変動の影響を小さくすると共に、エッチングにより電極パターンを形成した際に圧電基板の各場所における基板掘れ量を均一にすることができるため、弾性表面波装置の励振中心周波数のバラツキを小さくすることができるという作用効果が得られる。
【００２９】
本発明の請求項１２に記載の発明は、第１の金属膜のうち、厚い方の金属膜の膜厚は２５０〜１０００ｎｍであるという方法であり、これにより圧電基板の焦電性により発生する電荷を効率よく除電することができるため、弾性表面波装置の静電気などによる破壊を防止することができるという作用効果が得られる。
【００３０】
本発明の請求項１３に記載の発明は、第２の金属膜は、最上層の金属膜であって、フォトレジストの現像液により第１の金属膜の材質よりもエッチングされにくい材質を主成分とするものであるという方法であり、これにより電極パターンの現像時に金属膜がエッチングされ膜厚に差異が生じるのを抑制することができるため、エッチングにより電極パターンを形成した際に圧電基板の各場所における基板掘れ量を均一にすることができ、弾性表面波装置の励振中心周波数のバラツキを小さくすることができるという作用効果が得られる。
【００３１】
本発明の請求項１４に記載の発明は、第２の金属膜は、Ｔｉ、ＣｒまたはＭｏのうちのいずれか一つを主成分とするものであるという方法であり、これにより電極パターンの現像時に金属膜がエッチングされ膜厚に差異が生じるのを抑制することができるため、エッチングにより電極パターンを形成した際に圧電基板の各場所における基板掘れ量を均一にすることができ、弾性表面波装置の励振中心周波数のバラツキを小さくすることができるという作用効果が得られる。
【００３２】
本発明の請求項１５に記載の発明は、第２の金属膜の膜厚は、少なくともフォトレジストの現像液によりエッチングされて前記現像液が浸透しない厚みであるという方法であり、これによりフォトレジストを現像しても第２の金属膜により金属膜のエッチングを抑制することができるため、エッチングにより電極パターンを形成した際に圧電基板の各場所における基板掘れ量を均一にすることができ、弾性表面波装置の励振中心周波数のバラツキを小さくすることができるという作用効果が得られる。
【００３３】
本発明の請求項１６に記載の発明は、第２の金属膜の膜厚は、１〜１０ｎｍであるという方法であり、これによりフォトレジストを現像しても第２の金属膜により金属膜のエッチングを抑制することができるため、エッチングにより電極パターンを形成した際に圧電基板の各場所における基板掘れ量を均一にすることができ、弾性表面波装置の励振中心周波数のバラツキを小さくすることができるという作用効果が得られる。
【００３４】
本発明の請求項１７に記載の発明は、第４の工程に続いて、第１の金属膜のうち、厚い方の金属膜を除去する第５の工程を設けたという方法であり、これにより弾性表面波装置に発生する浮遊容量を小さくすることができるため、弾性表面波装置の通過帯域外減衰量を大きくすることができるという作用効果が得られる。
【００３５】
本発明の請求項１８に記載の発明は、弾性表面波装置の励振中心周波数は１ＧＨｚ以上であるという方法であり、これにより高周波数で用いられる弾性表面波装置の励振中心周波数のバラツキを小さくすることができるという作用効果が得られる。
【００３６】
【発明の実施の形態】
（実施の形態１）
以下に本発明の実施の形態１を用いて、本発明の請求項１〜１６、１８について説明する。
【００３７】
図１（ａ）〜（ｉ）は本発明の実施の形態１における弾性表面波装置の電極パターンの製造工程を示す断面図である。
【００３８】
以下に本発明の実施の形態１における弾性表面波装置の製造工程について説明する。
【００３９】
図１（ａ）において、１１は圧電基板である。図１（ｂ）に示したように、第１の工程は２つのステップからなり、第１ステップとして第１の工程としてＬｉＴａＯ３などからなる圧電基板１１の一方の表面にスパッタリングなどの方法によりＡｌ−Ｃｕ合金などの金属からなる第１の金属膜１２を形成した後、第２ステップとして圧電基板１１を裏返して再度スパッタリングし、圧電基板１１の他方の表面にＡｌ−Ｃｕ合金などの金属からなる第１の金属膜１２を形成する。
【００４０】
第１ステップにおいて形成した薄い方の第１の金属膜１３の膜厚は２００ｎｍであり、第２ステップにおいて形成した厚い方の第１の金属膜１４の膜厚は７５０ｎｍであった。
【００４１】
第１ステップと第２ステップで形成する金属膜の材質は異なるものであってもよく、例えば第２ステップで形成した厚い方の第１の金属膜１４はＡｌを用いてもかまわない。
【００４２】
第１ステップ、第２ステップを連続して行うことにより均質な第１の金属膜１２を得ることができると共に、圧電基板１１の側面部分にも同時に第１の金属膜１２が形成され、圧電基板１１の全面に第１の金属膜１２を形成することができる。また、薄い方の第１の金属膜１３と厚い方の第１の金属膜１４を形成する順序はどちらが先でもかまわない。
【００４３】
図１（ｃ）に示したように、第２の工程として薄い方の第１の金属膜１３の上にスパッタリングなどの方法によりＴｉなどの金属からなる膜厚５ｎｍの第２の金属膜１５を形成する。
【００４４】
図１（ｄ）に示したように、第３の工程として第２の金属膜１５の上にポジ型のフォトレジスト１６を塗布し、１００℃で乾燥させる。
【００４５】
次に図１（ｅ）に示したように、所望の電極パターンを形成したフォトマスク１７を圧電基板１１の薄い方の第１の金属膜１３の上に合わせ、ステッパーなどの露光装置を用いて所望の電極パターンを露光する。
【００４６】
さらに図１（ｆ）に示したように、現像装置などを用いて露光した圧電基板１１にアルカリ性の現像液を滴下し、不要な部分のフォトレジストを溶解した後に純水などで洗浄し、スピンコーターなどで純水を除去する。
【００４７】
図１（ｇ）に示したように、第４の工程としてドライエッチング装置などを用いて薄い方の第１の金属膜１３および第２の金属膜１５をエッチングし、所望の電極パターンを形成する。
【００４８】
図１（ｈ）に示したように、残ったフォトレジストを除去した後、図１（ｉ）に示したように、ダイシング装置などを用いて切断し、個片の弾性表面波装置を得る。このようにして得られた弾性表面波装置の励振中心周波数は１．８ＧＨｚであった。
【００４９】
図２は図１で示した弾性表面波装置を用いた電子部品の断面図である。
【００５０】
図１で示した弾性表面波装置の入、出力用のパッド２２にＡｕなどからなるバンプ２３を形成し、凹部２４を有し、凹部内底面に外部接続端子２５と接続した電極２６を有するパッケージ２７に弾性表面波装置２１をフェイスダウン実装し、パッケージ２７の開口部を予めＡｕ−Ｓｎ合金などからなる接続部材２８を担持させたＡｌなどからなる蓋体２９などで封止し、電子部品３０を得る。
【００５１】
図１（ｆ）の現像する工程において、フォトレジスト１６上に現像液を滴下すると、フォトレジスト１６の感光した部分が分解するが、その際分解したフォトレジスト直下の第２の金属膜１５が現像液に直接触れる。第２の金属膜１５は最外層にあって、フォトレジストの現像液によりエッチングされにくい材質が主成分であるため、現像液によりエッチングされることはないが、従来例のように第２の金属膜１５がない構成では現像の段階で金属膜が一部エッチングされ金属膜の膜厚が不均一となる。
【００５２】
図３（ａ）は本発明の実施の形態１の弾性表面波装置のフォトレジストを現像した後の状態を示す断面図であり、図３（ｂ）は図３（ａ）の後、金属膜をエッチングした後の状態を示す断面図である。
【００５３】
本実施の形態１における圧電基板１１の基板掘れ量は同一圧電基板１１上で０．１ｎｍ〜０．５ｎｍであり、平均値は０．３ｎｍであったが、第２の金属膜１５を設けずに同様の条件で処理した場合、同一圧電基板上での基板掘れ量は１．２ｎｍ〜６．５ｎｍであり、平均値は２．９ｎｍであった。
【００５４】
基板の掘れ量は１．０ｎｍを越えると弾性表面波の励振中心周波数に影響が無視できないものとなる。本実施の形態１の条件ではバラツキを考慮しても基板の掘れ量を０．５ｎｍ以下に抑制することができ、弾性表面波の励振中心周波数への影響を小さくすることができる。
【００５５】
基板掘れ量は第１の金属膜１３および第２の金属膜１５の膜厚バラツキがなくドライエッチングによる第１の金属膜１３および第２の金属膜のエッチング量をバラツキなく制御できる場合理論上ゼロにできるはずであるが、現実には膜厚バラツキやドライエッチング量にバラツキがあるため、これらのバラツキを考慮して除去すべき金属膜の厚み以上にエッチングする必要があり、圧電基板の基板掘れをなくすことは困難である。
【００５６】
本発明の構成及び方法を用いることにより基板掘れ量を小さくすることができ、従来のように第２の金属膜を設けない構成での弾性表面波装置の励振中心周波数のバラツキが０．６％あったものを０．１％以内に抑制することができる。
【００５７】
図３（ａ）において本発明の実施の形態１の弾性表面波装置は圧電基板１１の上面に薄い方の第１の金属膜１３を設け、圧電基板１１の下面に厚い方の第１の金属膜１４が形成され、薄い方の第１の金属膜１３の上に第２の金属膜１５を設け、その上にフォトレジスト１６が設けられ、現像液によりフォトレジスト１６の露光部分を溶解、除去している。
【００５８】
現像時に、フォトレジスト１６の下には現像液にエッチングされにくい材質からなる第２の金属膜１５が存在するためほとんどエッチングされず、場所によるエッチングの程度のバラツキもほとんどない。
【００５９】
次に、図３（ｂ）において、図３（ａ）の本発明の実施の形態１の弾性表面波装置をドライエッチングして第１の金属膜１３および第２の金属膜１５の不要部分を除去し圧電基板１１上に電極パターン４６を形成する。
【００６０】
この時、フォトレジストを現像した段階で第１の金属膜１３および第２の金属膜１５は場所による膜厚のバラツキがほとんど無いため、ドライエッチングにより第１の金属膜１３および第２の金属膜１５の不要部分をエッチングして除去した後、圧電基板１１がエッチングされたとしても場所による圧電基板１１の掘れ量の差は小さくなる。
【００６１】
従って本発明の実施の形態１における弾性表面波装置の構成では、フォトレジストの現像の際に生じる第１の金属膜１３および第２の金属膜１５の厚みバラツキが小さく、最終的な圧電基板１１の基板掘れ量のバラツキは小さく、最終的に得られる弾性表面波装置の励振中心周波数のバラツキを小さくすることができる。
【００６２】
なお、第１の金属膜の材質としてはＡｌ−Ｃｕ合金を用いたが、それ以外にＡｌ、Ａｌとその他の金属との合金などを用いてもかまわない。
【００６３】
また、第２の金属膜の材質としてはＴｉを用いたが、それ以外に第１の金属膜の材質であるＡｌ、Ａｌ合金などよりも現像液によりエッチングされにくい金属例えばＣｒ、Ｍｏなどの金属を用いることができる。
【００６４】
また、第２の金属膜は緻密な組織であると現像液が内部に侵入し難いため第１の金属膜のエッチングをさらに効率よく抑制することができる。さらに、金属膜の組織はその他の例えば絶縁物の膜に比べ緻密であるため第１の金属膜のエッチング抑制に効果的であるが、第２の金属膜と同様の効果を持つ物質として緻密な組織のものであれば金属以外にＳｉＣやＳｉ３Ｎ４といった現像液によりエッチングされにくい絶縁物を用いてもかまわない。
【００６５】
第１の金属膜の膜厚は、電極パターンを形成する薄い方の膜厚が薄いほど金属膜の全厚みに対するエッチングされた膜厚の比率が大きくなるため、最終的に得られる弾性表面波装置の励振中心周波数のバラツキへの影響が大きくなる。また、第１の金属膜の膜厚が２５０ｎｍ以下の場合、最終的に得られる弾性表面波装置の中心周波数は１ＧＨｚ以上となり、ＲＦ帯域で用いられる弾性表面波装置の励振中心周波数のバラツキ抑制のためには、フォトレジスト現像時の金属膜のエッチング抑制が効果的である。
【００６６】
一方、電極パターンを形成する薄い方の膜厚が２５０ｎｍ以上に厚くなると、現像工程で金属膜の表面が現像液でエッチングされたとしても金属膜の全厚みに対するエッチングされた膜厚の比率が小さくなり、弾性表面波装置の励振中心周波数が１ＧＨｚ未満の場合は、最終的に得られる弾性表面波装置の励振中心周波数への影響が小さくなり、フォトレジスト現像時の金属膜のエッチング抑制の効果は小さい。
【００６７】
また、第１の金属膜の膜厚が第２の金属膜の膜厚よりも薄くなると、最終的に得られる弾性表面波装置の励振中心周波数が第２の金属膜の膜厚の影響を受け易くなるため周波数の制御が困難になる。
【００６８】
第２の金属膜はフォトレジストの現像液に対してエッチングされ難いものであるが、このような性質の金属は一般的に質量が大きいため、第２の金属膜の膜厚が１０ｎｍ以上に大きくなると電極の総質量が大きくなり、弾性表面波装置の励振中心周波数が低周波数のみしか得られなくなり、１ｎｍ以下になると第２の金属膜に欠陥を生じ易くなり、現像液が第２の金属膜の欠陥を通して侵入し、第１の金属膜がエッチングされ、最終的に得られる弾性表面波装置の励振中心周波数のバラツキが大きくなる。
【００６９】
また、厚い方の第１の金属膜１４は圧電基板１１の焦電性から発生する静電気を除電し易くするためのものである。最終的に得られる弾性表面波装置の励振中心周波数が大きくなる程電極パターンの間隔が狭くなり、低い電圧の静電気でも電極間がショートし易くなる傾向がある。このため、圧電基板１１の電極パターンを形成する平面とは反対側の平面に金属膜を設けることにより除電し易くしている。
【００７０】
また、厚い方の第１の金属膜１４の膜厚は、少なくとも電極パターンを形成する薄い方の第１の金属膜１３の膜厚よりも厚くすることにより厚い方の第１の金属膜１４のインピーダンスを低くし、静電気を除電し易くすることができる。
【００７１】
１ＧＨｚ以上の高周波に対応する弾性表面波装置から発生する静電気を効率よく除電するためには厚い方の第１の金属膜１４の膜厚が２５０ｎｍ以上必要であり、１０００ｎｍを越えると厚い金属膜を形成するための製造工数が大きくなり、弾性表面波装置の製造効率が悪くなる。
【００７２】
以上のように本実施の形態によれば、圧電基板上に第１の金属膜を設け、第１の金属膜の上にフォトレジストの現像液によりエッチングされにくい材質からなる第２の金属膜を設け、その後に現像、エッチングして電極パターンを形成することにより、現像後の第１および第２の金属膜の膜厚バラツキを小さくし、圧電基板の基板掘れ量を小さくすることができるため、励振中心周波数のバラツキが小さい弾性表面波装置および電子部品を製造することができる。
【００７３】
（実施の形態２）
以下に本発明の実施の形態２を用いて、本発明の請求項３について説明する。
【００７４】
図４は、本発明の実施の形態２における弾性表面波装置の構成を示す断面図である。
【００７５】
図４において実施の形態１の図１で説明したものと同一のものは同一番号を付与し、詳細な説明は省略する。
【００７６】
本実施の形態２の図４と実施の形態１の図１（ｉ）とで相違する点は、第１の工程において薄い方の第１の金属膜１３と圧電基板１１との間に第２の金属膜１５と同じ材質からなる第３の金属膜４５を設けたことである。
【００７７】
すなわち、実施の形態１においては、圧電基板１１の電極パターンを形成する方の面に薄い方の第１の金属膜１３を形成し、その上に第２の金属膜１５を形成する構成になっているが、本実施の形態２においては、第１の工程において圧電基板１１の電極パターンを形成する方の面に第２の金属膜１５と同じ材質の第３の金属膜４５を形成し、その上に薄い方の第１の金属膜１３を形成し、さらにその上に第２の金属膜１５を形成した構成にしたものであり、それ以外は実施の形態１と同様にして弾性表面波装置および電子部品を製造した。
【００７８】
図４において、圧電基板１１上に第２の金属膜１５と同じ材質のＴｉなどからなる第３の金属膜４５を設け、その上にＡｌ−Ｃｕ合金などからなる第１の金属膜１３を形成することにより、第１の金属膜１３の結晶性を高め結晶の方位を揃えることができるため、最終的に得られる弾性表面波装置の耐電力性を高めることができる。また、第２の金属膜１５により現像後の第１および第２の金属膜の膜厚バラツキを小さくし、圧電基板の基板掘れ量を小さくすることができるため、励振中心周波数のバラツキが小さい弾性表面波装置を得ることができる。
【００７９】
また、第１の金属膜１３の部分を、第２の金属膜１５と同じ材質からなる金属膜と第１の金属膜１３により複数層積層する構成にすることにより第１の金属膜１３の結晶性をさらに高めることができるため、最終的に得られる弾性表面波装置の耐電力性をさらに高めることができる。
【００８０】
従って、実施の形態１と比較すると、第１の工程において薄い方の第１の金属膜１３と圧電基板１１との間に第２の金属膜１５と同じ材質からなる第３の金属膜４５を設けることにより、第１の金属膜１３の結晶性を高めることができるため、弾性表面波装置の励振中心周波数のバラツキを小さくすると共に、耐電力性に優れた弾性表面波装置および電子部品を製造することができる。
【００８１】
（実施の形態３）
以下に本発明の実施の形態３を用いて、本発明の請求項１７について説明する。
【００８２】
図５は、本発明の実施の形態３における弾性表面波装置の構成を示す断面図である。
【００８３】
図５において実施の形態１の図１で説明したものと同一のものは同一番号を付与し、詳細な説明は省略する。
【００８４】
本実施の形態３の図５と実施の形態１の図１（ｉ）とで相違する点は、第４の工程で第１の金属膜１３および第２の金属膜１５をエッチングして電極パターンを形成した後、第５の工程として圧電基板１１の電極パターンを形成していない面に形成された厚い方の第１の金属膜１４を除去したことである。
【００８５】
すなわち、実施の形態１においては、第４の工程で第１の金属膜１３および第２の金属膜１５をエッチングして電極パターンを形成した後、ダイシング装置などを用いて切断し、個片の弾性表面波装置を得ているが、本実施の形態３においては、第４の工程の後に第５の工程として圧電基板１１の電極パターンを形成していない面に形成された厚い方の第１の金属膜１４をドライエッチングなどの方法により除去し、その後ダイシング装置などを用いて切断し、個片の弾性表面波装置を得るようにしたものであり、それ以外は実施の形態１と同様にして弾性表面波装置および電子部品を製造した。
【００８６】
なお、厚い方の第１の金属膜１４をドライエッチングする際には薄い方の第１の金属膜１３の上をレジストなどにより保護してから行う方が望ましい。
【００８７】
図５において、圧電基板１１の電極パターンを形成していない面に形成された厚い方の第１の金属膜１４を除去することにより、圧電基板１１を挟んで発生する浮遊容量を小さくすることができるため、弾性表面波装置の通過帯域外減衰量を大きくすることができる。
【００８８】
これにより、第２の金属膜１５により現像後の第１および第２の金属膜の膜厚バラツキを小さくし、圧電基板の基板掘れ量を小さくすることができるため、励振中心周波数のバラツキを小さくすると共に、弾性表面波装置の通過帯域外減衰量を大きくすることができる。
【００８９】
従って、実施の形態１と比較すると、第４の工程の後に第５の工程として圧電基板１１の電極パターンを形成していない面に形成された厚い方の第１の金属膜１４を除去することにより、弾性表面波装置の浮遊容量を小さくすることができ、通過帯域外減衰量に優れた弾性表面波装置を製造することができる。
【００９０】
【発明の効果】
以上のように本発明によれば、圧電基板の電極パターンを形成する方の面に薄い方の第１の金属膜を形成し、その上にフォトレジストの現像液にエッチングされにくい第２の金属膜を形成した後に現像することにより、圧電基板の基板掘れ量を小さくすることができるため、励振中心周波数のバラツキが小さい弾性表面波装置を簡単に製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態１における弾性表面波装置の電極パターンの製造工程を示す断面図
【図２】本発明の実施の形態１における弾性表面波装置を用いた電子部品の断面図
【図３】（ａ）本発明の実施の形態１の弾性表面波装置のフォトレジストを現像した後の状態を示す断面図
（ｂ）図３（ａ）の後、金属膜をエッチングした後の状態を示す断面図
【図４】本発明の実施の形態２における弾性表面波装置の構成を示す断面図
【図５】本発明の実施の形態３における弾性表面波装置の構成を示す断面図
【図６】従来例における弾性表面波装置の構成を示す断面図
【図７】（ａ）従来の弾性表面波装置のフォトレジストを現像した後の状態を示す断面図
（ｂ）図７（ａ）の後、金属膜をエッチングした後の状態を示す断面図
【符号の説明】
１  圧電基板
２  電極
３  保護膜
１１  圧電基板
１２  第１の金属膜
１３  薄い方の第１の金属膜
１４  厚い方の第１の金属膜
１５  第２の金属膜
１６  フォトレジスト
１７  フォトマスク
２１  弾性表面波装置
２２  パッド
２３  バンプ
２４  凹部
２５  外部接続端子
２６  電極
２７  パッケージ
２８  接続部材
２９  蓋体
３０  電子部品
３１  圧電基板
３２  金属膜
３３  フォトレジスト
３４  場所
３５  場所
３６  場所
３７  場所
３８  場所
３９  電極パターン
４０  場所
４１  場所
４２  場所
４３  場所
４４  場所
４５  第３の金属膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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