(57)【要約】【課題】活性領域に入射する光を遮光する半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】ソース電極１０２上に半導体膜１０３が形成され、半導体膜１０３の中央部にはソース領域１０３ａが形成されている。ソース電極１０２が設けられたガラス基板１０１上に第１層間絶縁膜１０４が形成され、第１層間絶縁膜１０４上にゲート電極１０５が遮光性を有する金属膜により形成される。ゲート電極１０５が設けられた第１層間絶縁膜１０４上に第２層間絶縁膜１０６が形成されている。第１層間絶縁膜１０４、ゲート電極１０５および第２層間絶縁膜１０６を貫通するコンタクトホール１０７にゲート絶縁膜１０８を介して半導体が埋め込まれ、活性領域１０９が形成され、活性領域１０９の上にドレイン領域１１０ａが設けられ、ドレイン領域１１０ａが設けられた第２層間絶縁膜１０６上にドレイン電極１１１が遮光性を有する金属膜により形成されている。【選択図】　図１
2004031612.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明基板上に設けられた複数の画素電極に対する電圧をそれぞれ制御するために、該透明基板上に設けられた半導体装置であって、
該透明基板上に設けられた第１の電極と、
該第１の電極上に設けられた半導体の第１拡散領域と、
該第１拡散領域を覆うように設けられた第１の絶縁膜と、
該第１の絶縁膜上に設けられた第２の電極と、
該第２の電極上に設けられた第２の絶縁膜と、
該第２の絶縁膜と、該第２の電極と、該第１の絶縁膜とを貫通して、前記第１拡散領域に達するように形成されたコンタクトホールと、
該コンタクトホールの内面を被覆する第３の絶縁膜と、
該コンタクトホール内の第３の絶縁膜内に設けられた半導体層と、
該半導体層に設けられた半導体の第２拡散領域と、
該第２拡散領域を覆うように前記第２の絶縁膜上に設けられた第３の電極と、
を具備する半導体装置。
【請求項２】
前記第１の電極、第２の電極および第３の電極が遮光性を有している請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第１拡散領域および第２拡散領域が、ポリシリコンに不純物がイオン注入されて形成されている請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第１拡散領域がソース領域、前記第２拡散領域がドレイン領域である請求項１に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記第１拡散領域がドレイン領域、前記第２拡散領域がソース領域である請求項１に記載の半導体装置。
【請求項６】
透明基板上に設けられた画素電極に対する電圧を制御するために、該透明基板上に設けられた半導体装置の製造方法であって、
該透明基板上に有する第１の電極を形成する工程と、
該第１の電極上に半導体膜を形成する工程と、
該半導体膜を覆うように第１の絶縁膜を形成する工程と、
該第１の絶縁膜上に第２の電極を形成する工程と、
該第２の電極を覆うように第２の絶縁膜を形成する工程と、
該第２の絶縁膜と、該第２の電極と、該第１の絶縁膜とを貫通して、前記半導体膜に達するようにコンタクトホールを形成する工程と、
該コンタクトホールの内面を被覆する第３の絶縁膜を形成する工程と、
該コンタクトホールを介して前記半導体膜に不純物を注入して第１拡散領域を形成する工程と、
該コンタクトホール内の第３の絶縁膜内に半導体を堆積して、半導体層を形成する工程と、
該半導体層上および第２の絶縁膜上に半導体層を形成する工程と、
該半導体層上の半導体層に不純物を注入して、第２拡散領域を形成する工程と、
該第２拡散領域を残して第２の絶縁膜上の半導体層を除去する工程と、
該第２拡散領域を覆うように前記第２の絶縁膜上に第３の電極を形成する工程と、
を包含する半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、投影表示装置に利用される液晶表示パネル等に設けられる半導体装置およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
液晶表示パネルは、複数の画素がマトリクス状に配置されたアクティブマトリクス基板と、この透明基板に対向する対向基板と、これら一対の基板の間に液晶が充填された液晶層とを有している。
【０００３】
液晶表示パネルのアクティブマトリクス基板上には、数十〜数百万個の画素がマトリクス状に配置され、通常、各画素に対応してそれぞれ設けられた画素電極に、アモルファスシリコン膜、ポリシリコン膜等を用いて形成された薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴと略す）が画素のスイッチング素子としてそれぞれ設けられている。
【０００４】
アクティブマトリクス基板上にマトリクス状に配置されたＴＦＴは、所定の大きさの表示電圧を各画素電極に印加し、表示電圧が印加された画素電極と、印加された画素電極に対向する対向基板上の対向電極との間に所定の電位差が生じさせる。これにより、両電極間に存在する液晶層の液晶の配向状態を変化させ、液晶の配向状態の変化によって液晶を透過する光量を変化させる。このように、液晶表示装置では、各画素に対応する液晶を透過する光量は、アクティブマトリクス基板上のＴＦＴが各画素電極を制御することにより調整され、その結果、液晶表示パネル全体として画像表示が行われる。
【０００５】
液晶表示パネルを投影表示装置として利用した場合、液晶表示パネルに強い光が照射され、ＴＦＴのチャネル領域に光が直接に入射すると、入射光により生じる光電効果によってチャネル領域にリーク電流が発生する。これにより、液晶表示パネルにおいて、クロストークの発生およびコントラストの低下等が生じ、その結果、画像品質が低下する。このような画像品質の低下を防ぐために、透明基板に対向する対向基板の一方の面を、クロム膜等により形成されたブラックマトリクス（ＢＭ）と呼ばれる遮光膜で覆い、ＴＦＴに光が直接に入射することを防ぎ、これによりＴＦＴのチャネル領域にリーク電流が発生しないようにしている。
【０００６】
しかし、液晶表示パネルの対向基板にのみブラックマトリクスを設けた場合、ＴＦＴに光が直接入射することはないが、ブラックマトリクスが形成されていない部分からアクティブマトリクス基板に入射した光が、反射等により、アクティブマトリクス基板上のＴＦＴのチャネル領域に光が入射するおそれがある。例えば、液晶表示パネルに照射された光が、液晶表示パネルの外部に設けられているレンズ、偏光板およびミラー等の光学部分、または、液晶表示パネルの内壁等に反射されると、液晶表示装置内のアクティブマトリクス基板に光が入射して、アクティブマトリクス基板上のＴＦＴのチャネル領域に光が入射するおそれがある。
【０００７】
ＴＦＴに直接入射する入射光および液晶表示パネル内外の各部にて反射される反射光がＴＦＴのチャネル領域に入射されることを防止する構成として、対向基板に設けられたブラックマトリクスに加え、ＴＦＴの下部に遮光膜を設けた液晶表示パネルがある。
【０００８】
図３（ａ）および（ｂ）は、従来の液晶表示パネルの概略構成を示す。図３（ａ）は、従来の液晶表示パネルの概略構成の断面、図３（ｂ）は、従来の液晶表示パネルのアクティブマトリクス基板の平面図である。
【０００９】
この液晶表示パネルとしては、ガラス基板３０１上に遮光膜３０２が所定の形状およびサイズで形成されている。遮光膜３０２が形成されたガラス基板３０１上の全面にわたって、層間絶縁膜３０３が形成されており、遮光膜３０２は、層間絶縁膜３０３によって覆われている。層間絶縁膜３０３の上面は、平坦になっている。層間絶縁膜３０３上に、長方形の島状の活性領域３０４が遮光膜３０２に重なるように形成されている。この活性領域３０４の中央部には、チャネル領域３０４ａが形成され、このチャネル領域３０４ａの両側に、ソース領域３０４ｂおよびドレイン領域３０４ｃがそれぞれ形成されている。
【００１０】
図３（ｂ）に示されるように、遮光膜３０２は、ＴＦＴの活性領域３０４を下側から覆うように、活性領域３０４の面積よりも広い面積で形成されており、遮光膜３０２は、ガラス基板３０１の下側から活性領域３０４に光が入射することを防止する。
【００１１】
図３（ａ）に示すように、活性領域３０４のチャネル領域３０４ａ上には、ゲート絶縁膜３０５を介してゲート電極３０６が形成されており、ゲート電極３０６およびゲート絶縁膜３０５を覆うように、層間絶縁膜３０７が形成されている。
【００１２】
層間絶縁膜３０７には、活性領域３０４のソース領域３０４ｂおよびドレイン領域３０４ｃに対応して、コンタクトホール３０８および３０９が形成され、コンタクトホール３０８および３０９には、それぞれ、活性領域３０４のソース領域３０４ｂおよびドレイン領域３０４ｃに接続しているソース電極３１０およびドレイン電極３１１が形成されている。ソース電極３１０は、データ線（ソース線）に接続され、ドレイン電極３１１は、画素電極に接続されている。
【００１３】
さらに、ガラス基板３０１に対向する対向基板３１３の一方の面をクロム膜等で形成されたブラックマトリクス３１２で覆い、これによりＴＦＴのチャンネル領域３０４ａへの直接の入射光を防ぎ、ＴＦＴのチャネル領域３０４ａにリーク電流が発生しないようにしている。
【００１４】
図３（ａ）および図３（ｂ）に示される液晶表示パネルでは、活性領域３０４の上下にそれぞれ、ブラックマトリクス３１２および下部遮光膜３０２が設けられており、活性領域３０４の上側からの入射光がブラックマトリクス３１２によって遮光され、活性領域３０４の下側からの反射光が遮光膜３０２によって遮光される。
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】
現在、投影表示装置として利用する液晶表示パネルの光学系の小型化を達成するように液晶表示パネルの画面サイズの縮小および画素を高精細化ならびに高開口率化することが要求されており、これらの要求に応えて液晶表示パネルの画素ピッチの微細化が急速に進んでいる。しかし、従来の液晶表示パネルにおいて、画素ピッチを微細化した場合、アクティブマトリクス基板上に形成されたＴＦＴの活性領域を覆うように対向基板に設けられたブラックマトリクスを位置合わせをすることが困難になる。その結果、ブラックマトリクスが形成されていない部分から直接、ＴＦＴの活性領域に光が入射する可能性が高くなる。特に活性領域を覆うようにガラス基板上に形成された遮光膜と、アクティブマトリクス基板に対向する対向基板の一方の面に形成されたブラックマトリクスとの位置合わせのズレが大きいと、ブラックマトリクスが形成されていない部分からアクティブマトリクス基板に直接的に入射して遮光膜の表面にて反射する光が著しく増え、アクティブマトリクス基板の活性領域に光が入射する可能性が高くなる。
【００１６】
本発明は、透明基板の上方および下方から活性領域に入射する光を確実に低減することができる半導体装置およびその製造方法を提供することを目的とする。
【００１７】
【課題を解決するための手段】
本発明の半導体装置は、透明基板上に設けられた複数の画素電極に対する電圧をそれぞれ制御するために、上記透明基板上に設けられた半導体装置であって、上記透明基板上に設けられた第１の電極と、上記第１の電極上に設けられた半導体の第１拡散領域と、上記第１拡散領域を覆うように設けられた第１の絶縁膜と、上記第１の絶縁膜上に設けられた第２の電極と、上記第２の電極上に設けられた第２の絶縁膜と、上記第２の絶縁膜と、上記第２の電極と、上記第１の絶縁膜とを貫通して、上記第１拡散領域に達するように形成されたコンタクトホールと、上記コンタクトホールの内面を被覆する第３の絶縁膜と、上記コンタクトホール内の第３の絶縁膜内に設けられた半導体層と、上記半導体層に設けられた半導体の第２拡散領域と、上記第２拡散領域を覆うように上記第２の絶縁膜上に設けられた第３の電極と、を具備し、これにより上記目的が達成される。
【００１８】
本発明の半導体装置は、このように、コンタクトホール内に設けられた半導体層が活性領域とされるために、活性領域を透明基板に対して垂直状態に形成されるために、透明基板の上方および下方から入射する光を、活性領域とされる半導体層に照射されることが低減される。
【００１９】
上記第１の電極、第２の電極および第３の電極が遮光性を有している。
【００２０】
上記第１拡散領域および第２拡散領域が、ポリシリコンに不純物がイオン注入されて形成されている。
【００２１】
上記第１拡散領域がソース領域、上記第２拡散領域がドレイン領域であってもよい。
【００２２】
上記第１拡散領域がドレイン領域、上記第２拡散領域がソース領域であってもよい。
【００２３】
このような構成の半導体装置では、活性領域である半導体層が第２の絶縁膜、第２の電極および第１の絶縁膜を貫通するコンタクトホール内に設けられており、活性領域は、遮光性を有する金属膜によって形成された第１の電極、第３の電極および第２の電極によって取り囲まれているために、活性領域に直接に入射する入射光、投影表示パネルの光学系で反射して下方から入射する入射光、およびこれらの光の迷光を確実に遮光することができる。
【００２４】
また、本発明の半導体装置の活性領域は、透明基板に沿った水平方向の断面積が、透明基板の厚み方向に沿った垂直方向の断面積よりも小さくなっており、従来のＴＦＴの活性領域のように水平方向の断面積が垂直方向の断面積より大きい場合よりも、活性領域に直接入射する光が著しく低減される。
【００２５】
本発明の半導体装置の製造方法は、透明基板上に設けられた画素電極に対する電圧を制御するために、上記透明基板上に設けられた半導体装置の製造方法であって、上記透明基板上に有する第１の電極を形成する工程と、上記第１の電極上に半導体膜を形成する工程と、上記半導体膜を覆うように第１の絶縁膜を形成する工程と、上記第１の絶縁膜上に第２の電極を形成する工程と、上記第２の電極を覆うように第２の絶縁膜を形成する工程と、上記第２の絶縁膜と、上記第２の電極と、上記第１の絶縁膜とを貫通して、上記半導体膜に達するようにコンタクトホールを形成する工程と、上記コンタクトホールの内面を被覆する第３の絶縁膜を形成する工程と、上記コンタクトホールを介して上記半導体膜に不純物を注入して第１拡散領域を形成する工程と、上記コンタクトホール内の第３の絶縁膜内に半導体を堆積させ、半導体層を形成する工程と、上記半導体層上および第２の絶縁膜上に半導体層を形成する工程と、上記半導体層上の半導体層に不純物を注入して、第２拡散領域を形成する工程と、上記第２拡散領域を残して第２の絶縁膜上の半導体層を除去する工程と、上記第２拡散領域を覆うように上記第２の絶縁膜上に第３の電極を形成する工程と、を包含する。
【００２６】
本発明の半導体装置の製造方法により、コンタクトホール内に設けられた半導体層が活性領域とされるために、活性領域を透明基板に対して垂直状態に形成されるために、透明基板の上方および下方から入射する光を、活性領域とされる半導体層に照射されることが低減される半導体装置を確実に製造することができる。
【００２７】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態を、図面に基づいて詳細に説明する。
【００２８】
図１（ａ）および図１（ｂ）は、それぞれ、本発明の１実施形態であるアクティブマトリクス型液晶表示パネルを示す概略構成図であり、図１（ａ）は、本発明のアクティブマトリクス型液晶表示パネルの断面図、図１（ｂ）は、本発明のアクティブマトリクス型液晶表示パネルのアクティブマトリクス基板の平面図である。
【００２９】
アクティブマトリクス型液晶表示パネルは、複数の画素がマトリクス状に配置されたアクティブマトリクス基板１０と、アクティブマトリクス基板１０に対向する対向基板２０とを有しており、これら一対の基板１０および２０の間には、表示媒体である液晶が充填されて、液晶層３０が形成されている。
【００３０】
アクティブマトリクス基板１０には、複数の画素電極１１８がマトリクス状に配置され、各画素電極１１８に対して、スイッチング機能を有するスイッチング素子として半導体装置であるＴＦＴがそれぞれ設けられている。また、アクティブマトリクス基板１０には、それぞれが平行に配置された複数のゲート配線と、各ゲート配線と直交するデータ配線が設けられており、これらゲート配線とデータ配線とによって囲まれた領域に各画素電極がそれぞれ配置されている。
【００３１】
アクティブマトリクス基板１０は透明基板であるガラス基板１０１を有しており、ガラス基板１０１上に、遮光性を有する金属膜により長方形状のソース電極１０２が形成されている。ソース電極１０２は、ガラス基板１０１上に形成されたデータ配線（ソース配線）に接続されている。
【００３２】
ソース電極１０２上には、ＴＦＴを構成する半導体膜であるポリシリコン（以下、ｐ−Ｓｉと略す）膜１０３がソース電極１０２に重なって、長方形の島状に形成されている。ｐ−Ｓｉ膜１０３の中央部には、不純物が拡散された拡散領域であるソース領域１０３ａが形成されている。ＴＦＴがＮ（Ｐ）チャンネルトランジスタである場合、ソース領域１０３ａは、ｐ−Ｓｉ膜１０３の中央部にＮ（Ｐ）型の不純物が注入されることによって形成される。
【００３３】
ソース電極１０２が設けられたガラス基板１０１上には、全体にわたって第１層間絶縁膜１０４が形成されている。第１層間絶縁膜１０４は、ソース電極１０２および半導体膜１０３を覆う部分が、他の部分よりも厚くなるように形成されている。第１層間絶縁膜１０４上には、ソース電極１０２に重なるようにゲート電極１０５が遮光性を有する金属膜により形成されている。ゲート電極１０５が設けられた第１層間絶縁膜１０４上には、全体にわたって第２層間絶縁膜１０６が形成されている。第２層間絶縁膜１０６は、ゲート電極１０５を覆う部分が、他の部分よりも厚くなっている。
【００３４】
第１層間絶縁膜１０４、ゲート電極１０５および第２層間絶縁膜１０６には、ｐ−Ｓｉ膜１０３のソース領域１０３ａに達するコンタクトホール１０７が形成されている。図１（ａ）および図１（ｂ）に示されるように、コンタクトホール１０７の内周面は、ゲート絶縁膜１０８にて覆われており、ゲート絶縁膜１０８にて覆われたコンタクトホール１０７内にｐ−Ｓｉ層が埋め込まれており、このｐ−Ｓｉ層によって、ＴＦＴのゲート領域およびチャネル領域を含む活性領域１０９が形成されている。
【００３５】
図１（ｂ）に示されるように、活性領域１０９は、ソース電極１０２上およびゲート電極１０５の中央部に形成されており、これにより、ＴＦＴの下方および側方から入射される光が活性領域１０９に入射することが防止される。
【００３６】
活性領域１０９上には、ｐ−Ｓｉに不純物が拡散された拡散領域であるドレイン領域１１０ａが形成されている。第２層間絶縁膜１０６上には、ドレイン領域１１０ａを覆うように、ソース電極１０２とほぼ等しい面積を有する長方形状のドレイン電極１１１が、遮光性を有する金属膜により形成されている。ＴＦＴがＮ（Ｐ）チャンネルトランジスタである場合、ドレイン領域１１０ａは、ｐ−ＳｉにＮ（Ｐ）型の不純物が注入されることによって形成される。
【００３７】
ドレイン電極１１１は、絶縁性の平坦化膜１１６にて覆われており、平坦化膜１１６上に透明膜を所定の形状にパターニングして形成された画素電極１１８が設けられている。画素電極１１８は、ドレイン電極１１１の中央部に設けられたスルーホール１１７を介して、ドレイン電極１１１と接続されている。
【００３８】
さらに、アクティブマトリクス基板に対向する対向基板１１３の液晶層３０側の面には、液晶層３０を介してドレイン電極１１１に対向するようにブラックマトリクス（ＢＭ）１１２が形成されている。このブラックマトリクス１１２は、ソース電極１０２およびドレイン電極１１１より広い面積を有する長方形状になっており、対向基板１１３の上方から照射される光が直接、活性領域１０９に入射することを防止するようになっている。
【００３９】
このような構成のＴＦＴでは、活性領域１０９が第２層間絶縁膜１０６、ゲート電極１０５および第１層間絶縁膜１０４を貫通するコンタクトホール１０７内に設けられており、活性領域１０９は、遮光性を有する金属膜によって形成されたソース電極１０２、ドレイン電極１１１およびゲート電極１０５によって取り囲まれているために、活性領域１０９に直接に入射する入射光、投影表示パネルの光学系で反射して下方から入射する入射光、およびこれらの光の迷光を確実に遮光することができる。
【００４０】
また、本発明の１実施形態であるＴＦＴの活性領域１０９は、透明基板１０１に沿った水平方向の断面積（図１（ｂ）参照）が、透明基板１０１の厚み方向に沿った垂直方向の断面積（図１（ａ）参照）よりも小さくなっており、従来のＴＦＴの活性領域のように水平方向の断面積が垂直方向の断面積より大きい場合よりも、活性領域１０９に直接入射する光が著しく低減される。
【００４１】
図２Ａ〜図２Ｊは、図１（ａ）および図１（ｂ）に示したアクティブマトリクス型液晶表示パネルの製造方法の一連の工程を示す断面図である。なお、図２Ａ〜図２Ｃ、図２Ｉおよび図２Ｊには、それぞれの断面に対する平面図も併記しており、図２Ａ〜図２Ｃ、図２Ｉおよび図２Ｊの各断面は、図２ＪのＡ−Ａ’線に対応している。
【００４２】
まず、図２Ａに示すように、ガラス基板１０１上に遮光性を有する金属膜を堆積して、フォトエッチングによりソース配線１１４をパターニング形成する。この場合、ソース配線１１４の所定位置にソース電極１０２をソース配線１１４から側方に突出するように形成する。そして、形成されたソース電極１０２上にｐ−Ｓｉ膜１０３を形成する。その後、ｐ−Ｓｉ膜１０３を覆うように第１層間絶縁膜１０４を堆積する。
【００４３】
第１層間絶縁膜１０４を堆積した後に、図２Ｂに示すように、第１層間絶縁膜１０４上に遮光性を有する金属膜を堆積して、フォトエッチングによってパターニングすることにより、ソース配線１１４に直交するようにゲート配線１１５を形成する。この場合、ソース配線１１４との交差部近傍に位置するゲート配線１１５部分を、ソース電極１０２に重なるように側方に突出させて、ゲート電極１０５を形成する。その後、形成されたゲート電極１０５上に第２層間絶縁膜１０６を堆積する。
【００４４】
第２層間絶縁膜１０６を堆積した後に、図２Ｃに示すように、異方性エッチングにより、第２層間絶縁膜１０６、ゲート電極１０５および第１層間絶縁膜１０４を貫通して、ｐ−Ｓｉ膜１０３の中央部に達するように断面長方形状のコンタクトホール１０７を形成する。
【００４５】
コンタクトホール１０７を形成した後、図２Ｄに示すように、コンタクトホール１０７が設けられた第２層間絶縁膜１０６上およびコンタクトホール１０７内にゲート絶縁膜１０８を形成する。
【００４６】
ゲート絶縁膜１０８を形成すると、図２Ｅに示すように、第２層間絶縁膜１０６上およびコンタクトホール１０７の底面上に形成されたゲート絶縁膜１０８を、異方性ドライエッチングにより除去して、ｐ−Ｓｉ膜１０３の中央部を露出させる。残されたゲート絶縁膜１０８は、コンタクトホール１０７の内周面を被覆している。
【００４７】
その後、図２Ｆに示すように、コンタクトホール１０７の底面であるｐ−Ｓｉ膜１０３の中央部にイオン注入を行って、拡散領域であるソース領域１０３ａを形成する。ＴＦＴをＮ（Ｐ）チャンネルトランジスタとして形成する場合には、コンタクトホール１０７の底面に露出したｐ−Ｓｉ膜１０３の中央部には、Ｎ（Ｐ）型不純物が注入される。ＴＦＴをＮチャンネルトランジスタとする場合には、例えば、注入エネルギー１０ｋｅＶ、濃度５×１０１５／ｃｍ２の条件で、リンをｐ−Ｓｉ膜１０３に注入する。
【００４８】
ｐ−Ｓｉ膜１０３にソース領域１０３ａが形成されると、図２Ｇに示されるように、ゲート絶縁膜１０８に覆われたコンタクトホール１０７内にｐ−Ｓｉ層１１０を堆積し、活性領域１０９を形成するとともに、活性領域１０９上および第２層間絶縁膜１０６上にもＰ−Ｓｉ膜１１０を堆積する。その後、活性領域１０９上のＰ−Ｓｉ膜１１０にイオン注入を行う。ＴＦＴをＮ（Ｐ）チャンネルトランジスタとする場合には、Ｎ（Ｐ）型不純物がＰ−Ｓｉ膜１１０に注入される。ＴＦＴをＮチャンネルトランジスタとする場合には、例えば、注入エネルギー１０ｋｅＶ、濃度５×１０１５／ｃｍ２の条件で、リンがＰ−Ｓｉ層１１０に注入される。これにより、活性領域１０９上に、不純物拡散層であるドレイン領域１１０ａが形成される。
【００４９】
このような状態になると、図２Ｈに示されるように、フォトエッチングにより第２層間絶縁膜１０６上のＰ−Ｓｉ膜１１０をパターニングすることにより、ドレイン領域１１０ａが長方形の島状に形成する。
【００５０】
ドレイン領域１１０ａが所定形状に形成されると、図２Ｉに示されるように、第２層間絶縁膜１０６上に遮光性を有する金属膜を堆積させ、堆積された金属膜をフォトエッチングによってパターニングすることにより、ソース電極１０２とほぼ等しい面積を有するドレイン電極１１１を形成する。
【００５１】
その後、図２Ｊに示すように、ドレイン電極１１０が形成された第２層間絶縁膜１０６上に、全面にわたって絶縁性の平坦化膜１１６を堆積し、平坦化膜１１６のドレイン領域１１０ａに対応する部分にスルーホール１１７を形成する。次いで、スルーホール１１７が形成された平坦膜１１６上に透明導電性膜を堆積して、堆積された透明導電性膜をフォトエッチングによって所定の形状にパターニングすることにより、画素電極１１８を形成する。これにより、アクティブマトリクス基板１０が形成される。
【００５２】
このようにして得られたアクティブマトリクス基板１０を、液晶層３０を挟んで対向基板２０に貼り合わせることにより、アクティブマトリクス型液晶表示パネルとされる。
【００５３】
本実施形態のアクティブマトリクス型液晶表示パネルでは、活性領域１０９の下に設けられた拡散領域をソース領域１０３ａとし、活性領域１０９の上に設けられた拡散領域をドレイン領域１１０ａとしたが、活性領域１０９の下に設けられた拡散領域をドレイン領域とし、活性領域１０９の上に設けられた拡散領域をソース領域１１０ａとしてもよい。
【００５４】
【発明の効果】
本発明の半導体装置は、このように、コンタクトホール内に設けられた半導体層が活性領域とされるために、活性領域を透明基板に対して垂直状態に形成されるために、透明基板の上方および下方から入射する光を、活性領域とされる半導体層に照射されることが低減される。
【００５５】
本発明の半導体装置の製造方法は、このような半導体装置を確実に製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）は本発明のアクティブマトリクス型液晶表示パネルの断面図、（ｂ）は本発明のアクティブマトリクス型液晶表示パネルのアクティブマトリクス基板の平面図である。
【図２Ａ】図２Ａは本発明のアクティブマトリクス型液晶表示パネルの製造方法の工程を示す平面図および断面図である。
【図２Ｂ】図２Ｂは本発明のアクティブマトリクス型液晶表示パネルの製造方法の工程を示す平面図および断面図である。
【図２Ｃ】図２Ｃは本発明のアクティブマトリクス型液晶表示パネルの製造方法の工程を示す平面図および断面図である。
【図２Ｄ】図２Ｄは本発明のアクティブマトリクス型液晶表示パネルの製造方法の工程を示す断面図である。
【図２Ｅ】図２Ｅは本発明のアクティブマトリクス型液晶表示パネルの製造方法の工程を示す断面図である。
【図２Ｆ】図２Ｆは本発明のアクティブマトリクス型液晶表示パネルの製造方法の工程を示す断面図である。
【図２Ｇ】図２Ｇは本発明のアクティブマトリクス型液晶表示パネルの製造方法の工程を示す断面図である。
【図２Ｈ】図２Ｈは本発明のアクティブマトリクス型液晶表示パネルの製造方法の工程を示す断面図である。
【図２Ｉ】図２Ｉは本発明のアクティブマトリクス型液晶表示パネルの製造方法の工程を示す平面図および断面図である。
【図２Ｊ】図２Ｊは本発明のアクティブマトリクス型液晶表示パネルの製造方法の工程を示す平面図および断面図である。
【図３】（ａ）は従来の従来の液晶表示パネルの断面図、（ｂ）はその液晶表示パネルのアクティブマトリクス基板の平面図である。
【符号の説明】
２０　対向基板
１０１　ガラス基板
１０２　ソース電極
１０３　ソース領域
１０４　第１層間絶縁膜
１０５　ゲート電極
１０８　ゲート絶縁膜
１０６　第２層間絶縁膜
１０７　コンタクトホール
１０９　活性領域
１１０ａ　ドレイン領域
１１１　ドレイン電極
１１２　ブラックマトリクス
【図１】
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【図２Ａ】
2004031612.tif 000004
【図２Ｂ】
2004031612.tif 000005
【図２Ｃ】
2004031612.tif 000006
【図２Ｄ】
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【図２Ｅ】
2004031612.tif 000008
【図２Ｆ】
2004031612.tif 000009
【図２Ｇ】
2004031612.tif 000010
【図２Ｈ】
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【図２Ｉ】
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【図２Ｊ】
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【図３】
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