(57)【要約】【課題】発光素子チップ内の発光光量ばらつきを低減する。【解決手段】発光素子として使用する両端発光素子Ｌ１　，Ｌ１２８　の更に外側領域に、ダミー発光素子ＬＤ　を配置する。ダミー発光素子ＬＤ　の構造は、他の発光素子Ｌ１　〜Ｌ１２８　と同一構造とした。このような構造にすると、発光素子として実際に使用する両端発光素子のアノード電極への接続部は、パターンの連続性が途切れずにパターニング形成できるようになるため、使用するすべての発光素子での接続部の寸法を均一に揃えることができる。このように全発光素子において、発光領域を一部遮蔽する接続部の寸法を均一にすることができ、発光領域の発光面積を均一に揃えることができるため、発光光量のばらつきのない良好なＳＬＥＤチップを作製できる。【選択図】　　　図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
直線状に配列された複数の発光素子と、少なくとも１本の信号ラインと、各発光素子の発光領域内に設けられた電極へ、前記信号ラインから発光のための信号を供給する接続部とを備える発光素子アレイチップの製造方法であって、
前記直線状に配列された複数の発光素子を作製する際に、両端の発光素子の外側領域に、少なくとも１個のダミー発光素子をそれぞれ同時に作製する工程と、
前記信号ラインと、前記複数の発光素子およびダミー発光素子の各電極への接続部とを、リソグラフィおよびウェットエッチングによって作製する工程と、
を含む発光素子アレイチップの製造方法。
【請求項２】
前記ダミー発光素子の電極への各接続部の形状は、前記複数の発光素子の電極への複数の接続部の繰り返し連続性を保持するような形状とする、請求項１に記載の発光素子アレイチップの製造方法。
【請求項３】
前記複数の発光素子の電極への各接続部の形状が同一である場合、前記ダミー発光素子の電極への各接続部の形状は、前記複数の発光素子の電極への接続部の形状と同一にする、請求項２に記載の発光素子アレイチップの製造方法。
【請求項４】
前記発光素子は、発光ダイオードであり、前記電極は、アノード電極またはカソード電極である請求項１〜３のいずれかに記載の発光素子アレイチップの製造方法。
【請求項５】
前記発光素子は、３端子発光サイリスタであり、前記電極は、アノード電極またはカソード電極である請求項１〜３のいずれかに記載の発光素子アレイチップの製造方法。
【請求項６】
前記発光素子アレイチップは、自己走査型発光素子アレイチップである、請求項５に記載の発光素子アレイチップの製造方法。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれかの製造方法により製造された発光素子アレイチップにおいて、前記ダミー発光素子を実際には用いない、発光素子アレイチップの使用方法。
【請求項８】
直線状に配列され、実際に使用される複数の発光素子と、
前記複数の発光素子のうちの両端の発光素子の外側領域にそれぞれ設けられた少なくとも１個のダミー発光素子と、
前記複数の発光素子およびダミー発光素子の各発光素子の発光領域内に設けられた各電極へ、前記信号ラインから発光のための信号を供給する接続部と、
を備える発光素子アレイチップ。
【請求項９】
前記ダミー発光素子の電極への各接続部の形状は、前記複数の発光素子の電極への複数の接続部の繰り返し連続性を保持するような形状である、請求項８に記載の発光素子アレイチップ。
【請求項１０】
前記複数の発光素子の電極への各接続部の形状が同一である場合、前記ダミー発光素子の電極への各接続部の形状は、前記複数の発光素子の電極への接続部の形状と同一である、請求項９に記載の発光素子アレイチップ。
【請求項１１】
前記発光素子は発光ダイオードであり、前記電極はアノード電極またはカソード電極である、請求項８〜１０のいずれかに記載の発光素子アレイチップ。
【請求項１２】
前記発光素子は３端子発光サイリスタであり、前記電極はアノード電極またはカソード電極である、請求項８〜１０のいずれかに記載の発光素子アレイチップ。
【請求項１３】
前記発光素子アレイチップは、自己走査型発光素子アレイチップである、請求項１２に記載の発光素子アレイチップ。
【請求項１４】
請求項８〜１３のいずれかに記載の複数個の発光素子アレイチップが配列されて形成された発光素子アレイを備える光プリンタヘッド。
【請求項１５】
請求項１４に記載の光プリンタヘッドを備える光プリンタ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、発光素子アレイチップおよびその製造方法、特に、１チップ内で発光素子の発光光量のばらつきを低減した発光素子アレイチップおよびその製造方法を提供することにある。
【０００２】
【従来の技術】
多数個の発光素子を同一基板上に集積した発光素子アレイは、その駆動用ＩＣと組み合わせて光プリンタヘッド等の書込み用光源として利用されている。本出願人は発光素子アレイの構成要素としてｐｎｐｎ構造を持つ発光サイリスタに注目し、発光素子の自己走査が実現できることを既に特許出願（特開平１−２３８９６２号公報、特開平２−１４５８４号公報、特開平２−９２６５０号公報、特開平２−９２６５１号公報）し、光プリンタヘッド用光源として実装上簡便となること、発光素子ピッチを細かくできること、コンパクトな自己走査型発光素子アレイ（Ｓｅｌｆ−ｓｃａｎｎｉｎｇ　ｔｙｐｅ　Ｌｉｇｈｔ−Ｅｍｉｔｔｉｎｇ　Ｄｅｖｉｃｅ：ＳＬＥＤ）を作製できること等を示した。
【０００３】
さらに本出願人は、転送素子アレイをシフト部として、発光部である発光素子アレイと分離した構造の自己走査型発光素子アレイを提案している（特開平２−２６３６６８号）。
【０００４】
図１に、この自己走査型発光素子アレイの等価回路図を示す。この自己走査型発光素子アレイは、転送素子Ｔ１　，Ｔ２　，Ｔ３　，…、書込み用発光素子Ｌ１　，Ｌ２　，Ｌ３　，…からなる。シフト部の構成は、ダイオード接続を用いている。ＶＧＫは電源（通常５Ｖ）であり、電源ライン６から各負荷抵抗ＲＬ　を経て各転送素子のゲート電極Ｇ１　，Ｇ２　，Ｇ３　，…に接続されている。また、転送素子のゲート電極Ｇ１　，Ｇ２　，Ｇ３　，…は、書込み用発光素子のゲート電極にも接続される。転送素子Ｔ１　のゲート電極にはスタートパルスφＳ　が加えられ、転送素子のアノード電極には、交互に転送用クロックパルスφ１，φ２が加えられる。これらクロックパルスは、クロックパルスライン２，４（φ１ライン２，φ２ライン４）を経て供給される。書込み用発光素子のアノード電極には、信号ライン（φＩ　ライン）８を経て、書込み信号φＩ　が加えられている。
【０００５】
動作を簡単に説明する。まず転送用クロックパルスφ１の電圧がハイレベルで転送素子Ｔ２　がオン状態であるとする。このとき、ゲート電極Ｇ２　の電位はＶＧＫの５Ｖからほぼ０Ｖにまで低下する。この電位降下の影響はダイオードＤ２　によってゲート電極Ｇ３　に伝えられ、その電位を約１Ｖに（ダイオードＤ２　の順方向立上り電圧（拡散電位に等しい））に設定する。しかし、ダイオードＤ１　は逆バイアス状態であるためゲート電極Ｇ１　への電位の接続は行われず、ゲート電極Ｇ１　の電位は５Ｖのままとなる。発光サイリスタのオン電位は、ゲート電極電位＋ｐｎ接合の拡散電位（約１Ｖ）で近似されるから、次の転送用クロックパルスφ２のＨレベル電圧は約２Ｖ（転送素子Ｔ３　をオンさせるために必要な電圧）以上でありかつ約４Ｖ（転送素子Ｔ５　をオンさせるために必要な電圧）以下に設定しておけば転送素子Ｔ３　のみがオンし、これ以外の転送素子はオフのままにすることができる。従って２本の転送用クロックパルスでオン状態が転送されることになる。
【０００６】
スタートパルスφＳ　は、このような転送動作を開始させるためのパルスであり、スタートパルスφＳ　をＬレベル（約０Ｖ）にすると同時に転送用クロックパルスφ２をＨレベル（約２〜約４Ｖ）とし、転送素子Ｔ１　をオンさせる。その後すぐ、スタートパルスφＳ　はＨレベルに戻される。
【０００７】
いま、転送素子Ｔ２　がオン状態にあるとすると、ゲート電極Ｇ２　の電位は、ＶＧＫ（ここでは５ボルトと想定する）より低下し、ほぼ０Ｖとなる。したがって、書込み信号φＩ　の電圧が、ｐｎ接合の拡散電位（約１Ｖ）以上であれば、発光素子Ｌ２　を発光状態とすることができる。
【０００８】
これに対し、ゲート電極Ｇ１　は約５Ｖであり、ゲート電極Ｇ３　は約１Ｖとなる。したがって、発光素子Ｌ１　の書込み電圧は約６Ｖ、発光素子Ｌ３　の書込み電圧は約２Ｖとなる。これから、発光素子Ｌ２　のみに書き込める書込み信号φＩ　の電圧は、１〜２Ｖの範囲となる。発光素子Ｌ２　がオン、すなわち発光状態に入ると、発光強度は書込み信号φＩ　に流す電流量で決められ、任意の強度にて画像書込みが可能となる。また、発光状態を次の発光素子に転送するためには、書込み信号φＩ　ラインの電圧を一度０Ｖまでおとし、発光している発光素子をいったんオフにしておく必要がある。
【０００９】
このような自己走査型発光素子アレイ（ＳＬＥＤ）は、例えば６００ｄｐｉ／１２８発光素子のＳＬＥＤチップを、複数個並べることによって作製される。このようなＳＬＥＤチップは、ウェハ上に作製され、ダイシングすることにより得られる。
【００１０】
図２は、ＳＬＥＤチップ１００の発光素子，転送素子，配線，ボンディングパッドを示す部分平面図である。なお、図２は図面を簡単にするため簡略化して示してある。ＳＬＥＤチップ１００には、ｎ形半導体基板上に積層されたｐｎｐｎ構造の島１０が多数個一列に配列されている。１個の島には、１個の発光素子Ｌと１個の転送素子Ｔとが形成されている。各発光素子の最上層のｐ形半導体層上には、アノード電極が設けられている。アノード電極の周辺部は、発光領域を形成している。アノード電極には、信号ライン（φＩ　ライン）８から書込み信号φＩ　が供給される。アノード電極は、発光素子の発光領域のほぼ中央にあるので、デバイスのデザイン上、φＩ　ライン８から直角方向に接続部２０が発光領域上を延び、この接続部がアノード電極に接続される。本実施例では、接続部２０は、図２からわかるように、信号ライン８から延びる三角形状部分と、この三角形状部分の頂点から延びる矩形状部分とからなる。
【００１１】
また、奇数番の転送素子Ｔ１　，Ｔ３　，…のアノード電極には、φ２ライン４からクロックパルスφ２が、偶数番の転送素子Ｔ２　，Ｔ４　，…のアノード電極には、φ１ライン２からクロックパルスφ１が供給される。なお、図中１２，１４，１６，１８は、各ラインのボンディングパッドを示している。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】
以上のような構成のＳＬＥＤチップには、次のような問題点があった。すなわち、ＳＬＥＤチップ内の両端の発光素子（１２８発光素子の場合、発光素子Ｌ１　とＬ１２８　）の発光光量が他の発光素子の発光光量に比べて減少する。これが原因で、チップ内の発光光量のばらつき特性を劣化させていた。図３は、全ての発光素子が同一構造の従来型ＳＬＥＤチップの１２８発光素子の発光特性を示している。横軸は発光素子番号（１〜１２８）を、縦軸は各発光素子の発光光量の変動を示す。別ロットの５ウェハからそれぞれ１０チップを取り出し、測定して平均したデータである。この発光特性から、両端の発光素子Ｌ１　，Ｌ１２８　の発光光量が低下していることがわかる。
【００１３】
このように、両端の発光素子の発光光量が減少する原因は、発光領域を一部遮蔽することになる、信号用配線（φＩ　ライン）８から延びる接続部２０の寸法が、ウェットエッチング工程の際、両端の発光素子で大きく形成されるためである。
【００１４】
ＳＬＥＤチップの配線（ボンディングパッド１２，１４，１６，１８，ライン２，４，６，８，接続部２０を含む）は、材質がアルミニウムを母材としており、アルミニウムを成膜後にフォトリソグラフィ工程およびウェットエッチング工程によって、配線パターンを形成している。両端の発光素子は、パターンの連続性が途切れる部分であり、発光素子周囲の配線材料のエッチング量や、エッチング中に発生する反応ガスの量的状況が変化する部分である。
【００１５】
両端以外の発光素子には、必ずその両側に別の発光素子が存在するが、両端に位置する発光素子は、その片側の領域（図２に点線で囲った領域２２で示す）には発光素子は存在しない。これは、両端の発光素子近傍では、その片側の領域２２には接続部２０を形成する必要がなく、片側領域２２ではエッチングすべき配線材料の量が相対的に多くなることを意味する。エッチングすべき配線材料の量が相対的に多いことは、被エッチング物の周囲のエッチング液の能力は相対的に低くなる。従って、両端の発光素子の接続部の寸法は、エッチングが抑制される結果、他の発光素子の接続部の寸法よりも大きくなり、他の発光素子に比べて発光領域を多く遮蔽するので発光光量が低くなることになる。
【００１６】
また、エッチング液として燐酸系の薬液を使用すると、配線母材であるアルミニウムをエッチングする際に水素ガスが発生する。この水素ガスは、エッチング液の被エッチング材料であるアルミニウムへの供給を阻害するものである。上記のように両端の発光素子の片側の領域２２では、エッチングすべき配線材料の量が相対的に多いため、これに伴い発生する水素ガスも多く、エッチングを阻害する効果が大きくなる。従って、両端の発光素子の接続部寸法はそれ以外の部分の発光素子の接続部寸法よりも大きくなり、発光領域からの光の光量が低くなる。
【００１７】
更に、両端の発光素子は、デバイス回路上から見ても連続性が途切れる部分である。一般に、ウェットエッチングでは、エッチング液と被エッチング物との組成の違いから電気化学的作用を受けて、部分的なエッチング速度の違いとして影響が現れる。ＳＬＥＤチップも例外ではなく、両端の発光素子から見た回路構成は、それ以外の発光素子から見た回路構成と異なる。デバイスは、半導体層，絶縁層，配線層など、多種材料から構成されており、ウェットエッチング液中において両端の発光素子のエッチング速度を変動させる電気化学作用が発生していると考えられる。エッチング速度を促進させる場合もあれば、抑制する場合もある。いずれの場合も、両端の発光素子の接続部寸法を、それ以外の部分の発光素子の接続部寸法と異ならせることにつながり、アレイ内での発光光量ばらつきを大きくする原因となるものである。
【００１８】
上記のようにチップ両端の発光素子では、パターン形成時において配線寸法を大きくする作用と小さくする作用が混在しており、両端以外の発光素子の接続部と同一の寸法を形成して発光光量のばらつき特性の良好なチップを作製することが困難であった。
【００１９】
本発明は、このような従来の問題点に着目してなされたもので、その目的は、発光素子チップ内の両端の発光素子を含めた全ての発光素子で、発光領域を一部遮蔽することになる信号用の接続部寸法を同一に形成する技術を提供することにより、チップ内発光光量のばらつきを低減することにある。
【００２０】
【課題を解決するための手段】
本発明は、直線状に配列された複数の発光素子と、少なくとも１本の信号ラインと、各発光素子の発光領域内に設けられた電極へ、前記信号ラインから発光のための信号を供給する接続部とを備える発光素子アレイチップの製造方法であって、前記直線状に配列された複数の発光素子を作製する際に、両端の発光素子の外側領域に、少なくとも１個のダミー発光素子をそれぞれ同時に作製する工程と、前記信号ラインと、前記複数の発光素子およびダミー発光素子の各電極への接続部とを、リソグラフィおよびウェットエッチングによって作製する工程とを含む。
【００２１】
この製造方法においては、前記ダミー発光素子の電極への各接続部の形状は、前記複数の発光素子の電極への複数の接続部の繰り返し連続性を保持するような形状とする。
【００２２】
このようなダミー発光素子を設ける構造にすると、発光素子として実際に使用する両端発光素子は、パターンの連続性が途切れずにパターニング形成できるようになるため、発光素子と使用する全ての発光素子での接続部形状を均一に揃えることができる。
【００２３】
また、本発明は、このような製造方法によって製造された発光素子アレイチップであって、直線状に配列され、実際に使用される複数の発光素子と、前記複数の発光素子のうちの両端の発光素子の外側領域にそれぞれ設けられた少なくとも１個のダミー発光素子と、前記複数の発光素子およびダミー発光素子の各発光素子の発光領域内に設けられた各電極へ、前記信号ラインから発光のための信号を供給する接続部とを備える。
【００２４】
【発明の実施の形態】
【第１の実施例】
図４は、本発明の第１の実施例である１２８発光素子ＳＬＥＤチップ２００の部分平面図である。このＳＬＥＤチップでは、発光素子として使用する両端発光素子Ｌ１　，Ｌ１２８　の更に外側領域に、通常は使用しない発光素子（ダミー発光素子）を配置する構造とした。
【００２５】
図４は、ＳＬＥＤチップ２００の片側部分のみを示しており、発光素子Ｌ１　の外側領域に設けられたダミー発光素子をＬＤ　で示している。ダミー発光素子ＬＤ　の構造は、他の発光素子Ｌ１　〜Ｌ１２８　と同一構造とした。その他の構造は、図２のＳＬＥＤチップ１００と同じであり、同一の要素には、同一の参照番号を付して示している。
【００２６】
従来のＳＬＥＤチップは、図２に示したように、チップの両端部にボンディングパッドが設けられているので、ボンディングパッドの周囲にはスペースが空いており、このスペースにダミー発光素子ＬＤ　を設けることができる。したがって、ダミー発光素子を設けても、チップ寸法は増大しない。
【００２７】
本実施例のＳＬＥＤチップ２００の作製は、図２に示した従来のＳＬＥＤチップ１００と同じであり、配線パターン（ボンディングパッド，ライン，接続部を含む）の形成は、アルミニウムを全面に付着し、フォトリソグラフィおよびエッチングにより行う。フォトリソグラフィ工程およびエッチング工程は、従来のＳＬＥＤチップを作製する場合と同一の条件とし、フォトリソグラフィ工程で用いるフォトマスクのみを変えた。ダミー発光素子ＬＤ　のアノード電極への接続部の形状は、使用される発光素子Ｌ１　〜Ｌ１２８　のアノード電極への接続部の形状と同一とした。
【００２８】
図５は、ダミー発光素子を設けて作製したＳＬＥＤチップ２００の発光特性を示している。別ロットの５ウェハからそれぞれ１０チップを取り出し、測定して平均したデータである。図３のデータでは両端の発光素子Ｌ１　，Ｌ１２８　の光量が低下しているのに対して、図５のデータではダミー発光素子を除いた両端の発光素子の光量の低下が見られず、ダミー発光素子配置の効果を確認できた。
【００２９】
本実施例のように、両端発光素子の外側領域に、実際には使用しない発光素子（ダミー発光素子）を形成する構造にすると、発光素子として実際に使用する両端発光素子のアノード電極への接続部は、パターンの連続性が途切れずにパターニング形成できるようになるため、使用するすべての発光素子での接続部の寸法を均一に揃えることができる。このように全発光素子において、発光領域を一部遮蔽する接続部の寸法を均一にすることができ、発光領域の発光面積を均一に揃えることができるため、発光光量のばらつきのない良好なＳＬＥＤチップを作製できた。
【００３０】
本実施例のＳＬＥＤチップを用いて、光プリンタヘッドの光源を作製するには、本実施例によるＳＬＥＤチップを千鳥配置で配列して、隣接するＬＥＤチップ間で発光素子の配列ピッチが揃うようにすればよい。
【００３１】
【第２実施例】
第１の実施例では、１本の信号ラインから、すべての発光素子のアノード電極へ各接続部２０が延びているが、２本の信号ラインを平行に設け、奇数番目の発光素子のアノード電極と、偶数番目の発光素子のアノード電極へは、別々の信号ラインから接続部を延ばすようにしてもよい。
【００３２】
このような場合のＳＬＥＤチップの両端部にダミー発光素子を設けた例を、図６に示す。２本の信号ラインを、８１，８２で示す。２本の信号ライン８１，８２からは、発光素子Ｌ１　〜Ｌ１２８　のアノード電極に向けて、接続部２０が交互に延びている。
【００３３】
このように、発光素子のアノード電極への接続部２０が、繰り返し連続して配列されているので、この繰り返し連続性を保持するように、ダミー発光素子への接続部を形成するとよい。
【００３４】
１２８個の発光素子を有するＳＬＥＤチップを形成する場合、第１番目の発光素子Ｌ１　の外側領域に形成するダミー発光素子ＬＤ　のアノード電極には、偶数番目の発光素子が接続される信号ライン８２から接続部を延ばし、第１２８番目の発光素子Ｌ１２８　の外側領域に形成するダミー発光素子ＬＤ　のアノード電極には、奇数番目の発光素子が接続される信号ライン８１から接続部を延ばす。
【００３５】
このように、ダミー発光素子のアノード電極への接続部、および使用される発光素子のアノード電極への接続部が繰り返し連続性を保ってダミー発光素子への接続部が形成されるように、アルミニウムを全面に付着した後、フォトリソグラフィ工程およびウェットエッチング工程を行う。その結果、両端の発光素子Ｌ１　，Ｌ１２８　のアノード電極への接続部の寸法は大きくならない。したがって、発光領域の発光面積を均一に揃えることができるため、発光光量のばらつきのない良好なＳＬＥＤチップを作製できた。
【００３６】
【第３の実施例】
第２の実施例では、接続部２０の形状がすべて同じであった。次に、信号ライン８１から延びる接続部の形状と、信号ライン８２から延びる接続部の形状とが異なる場合の例を説明する。この場合においても、第２の実施例と同様に、接続部の繰り返し連続性を保持するようにダミー発光素子のアノード電極への接続部を形成するとよい。
【００３７】
図７は、このようにした第３の実施例のＳＬＥＤチップを示す。信号ライン８１から延びる接続部２０ａは矩形状であり、信号ライン８２から延びる接続部２０ｂは図４，図６で示したものと同じ形状であるとする。したがって、接続部は、２０ａ，２０ｂが繰り返し連続している。このような場合、発光素子Ｌ１　の外側の領域に形成されるダミー発光素子ＬＤ　への接続部は、信号ライン８２から延びる接続部と同じ形状のものとする。また、発光素子Ｌ１２８　の外側の領域に形成されるダミー発光素子ＬＤ　への接続部は、信号ライン８１から延びる接続部と同じ形状のものとする。
【００３８】
このように、ダミー発光素子への接続部および使用される発光素子への接続部が繰り返し連続性を保ってダミー発光素子への接続部が形成されるように、アルミニウムを全面に付着した後、フォトリソグラフィ工程およびウェットエッチング工程を行う。その結果、両端の発光素子Ｌ１　，Ｌ１２８　のアノード電極への接続部の寸法は大きくならない。したがって、発光領域の発光面積を均一に揃えることができるため、発光光量のばらつきのない良好なＳＬＥＤチップを作製できた。
【００３９】
【第４の実施例】
第３の実施例では、各信号ライン８１，８２から延びる接続部の形状が異なっていたが、図８に示すように、さらに信号ライン８２から延びる接続部の形状が異なっている例について説明する。
【００４０】
図８では、信号ライン８２からは矩形状の接続部２０ａと、図２，図６と同じ接続部２０ｂとが２個続いて延び、信号ライン８１からは図２，図６と同じ接続部２０ｃが延びている。したがって、接続部２０ａ，２０ｂ，２０ｃが繰り返し連続している。このような場合、発光素子Ｌ１　の外側の領域に形成されるダミー発光素子ＬＤ　のアノード電極への接続部は、信号ライン８１から延びる接続部２０ｃと同一形状のものとする。また、発光素子Ｌ１２８　の外側の領域に形成されるダミー発光素子ＬＤ　のアノード電極への接続部は、信号ライン８１から延びる接続部２０ｃと同一形状のものとする。
【００４１】
このように、ダミー発光素子のアノード電極への接続部および使用される発光素子のアノード電極への接続部が繰り返し連続性を保ってダミー発光素子への接続部が形成されるように、アルミニウムを全面に付着した後、フォトリソグラフィ工程およびウェットエッチング工程を行う。その結果、両端の発光素子Ｌ１　，Ｌ１２８　のアノード電極への接続部の寸法は大きくならない。したがって、発光領域の発光面積を均一に揃えることができるため、発光光量のばらつきのない良好なＳＬＥＤチップを作製できた。
【００４２】
以上の第１〜第４の実施例では、発光素子として、ｎ型半導体基板上に、ｐｎｐｎ構造が形成された３端子発光サイリスタを用いた側を説明したが、ｐ型半導体基板上に、ｎｐｎｐ構造が形成された３端子発光サイリスタを用いてもよい。この場合、発光領域に形成される電極は、カソード電極となる。
【００４３】
以上、４つの実施例について示したが、本発明は、これら実施例に限られるものではなく種々の変形，変更が可能である。
【００４４】
例えば、ダミー発光素子は両端に１個ずつ形成した場合を説明したが、両端にそれぞれ１個以上設けてもよい。
【００４５】
また、ダミー発光素子の代わりにダミー接続部だけとしても、チップ内での接続部形状を揃える効果がある。
【００４６】
また、ＳＬＥＤのみならず、一般的な発光デバイス（例えばＬＥＤアレイ）のパターニングについても適用できる。また、配線材料もアルミニウムに限らず、エッチングで配線を形成する場合の材料、例えば金，銅にも適用できる。
【００４７】
また、本発明は、接続部に限らず、発光領域上に形成されて、発光を遮光することになる電極の形成にも適用できる。
【００４８】
【第５の実施例】
次に、以上に説明したＳＬＥＤチップを用いた光プリンタヘッド、このような光プリンタヘッドを用いた光プリンタについて説明する。
【００４９】
図９は、光プリンタヘッドの主要部を示す斜視図である。光プリンタヘッドは、実装基板３０上に複数個のＳＬＥＤチップ３２を千鳥配置で配列して構成された自己走査型発光素子アレイ３４と、複数個の正立等倍レンズ（ロッドレンズ）３６を配列して構成された正立等倍レンズアレイ３８とを備えている。
【００５０】
発光素子アレイ３４から出た光は、レンズアレイ３８により集光されて、感光ドラム（図示せず）上に照射される。
【００５１】
図１０は、このような光プリンタヘッド４０を備える光プリンタの構成を示す。円筒形の感光ドラム４２の表面に、アモルファスＳｉ等の光導電性を持つ材料（感光体）が作られている。このドラムはプリントの速度で回転している。回転しているドラムの感光体表面を、帯電器４４で一様に帯電させる。そして、光プリンタヘッド４０で、印字するドットイメージの光を感光体上に照射し、光の当たったところの帯電を中和する。続いて、現像器４８で感光体上の帯電状態にしたがって、トナーを感光体上につける。そして、転写器５０でカセット５２中から送られてきた用紙５４上に、トナーを転写する。用紙は、定着器４６にて熱等を加えられ定着され、スタッカ５８に送られる。一方、転写の終了したドラムは、消去ランプ６０で帯電が全面にわたって中和され、清掃器６２で残ったトナーが除去される。
【００５２】
【発明の効果】
本発明によれば、両端の発光素子の外側領域に、通常は使用しない発光素子（ダミー発光素子）を形成する構造とした。このようなダミー発光素子を設ける構造にすると、発光素子として実際に使用する両端発光素子は、パターンの連続性が途切れずにパターニング形成できるようになるため、発光素子として使用する全ての発光素子での接続部寸法を均一に揃えることができる。
【００５３】
したがって、発光領域の発光面積を均一に揃えることができるため、発光光量のばらつきのない良好な発光素子アレイチップを作製できた。
【図面の簡単な説明】
【図１】自己走査型発光素子アレイ（ＳＬＥＤ）の等価回路図を示す図である。
【図２】ＳＬＥＤチップの発光素子，転送素子，配線，ボンディングパッドを示す部分平面図である。
【図３】従来型ＳＬＥＤチップの１２８発光素子の発光特性を示すグラフである。
【図４】本発明の第１の実施例である１２８発光素子ＳＬＥＤチップの部分平面図である。
【図５】ダミー発光素子を設けて作製したＳＬＥＤチップの発光特性を示すグラフである。
【図６】本発明の第２の実施例である１２８発光素子ＳＬＥＤチップの部分平面図である。
【図７】本発明の第３の実施例である１２８発光素子ＳＬＥＤチップの部分平面図である。
【図８】本発明の第４の実施例である１２８発光素子ＳＬＥＤチップの部分平面図である。
【図９】本発明のＳＬＥＤチップを用いた光プリンタヘッドの構成を示す図である。
【図１０】図９の光プリンタヘッドを用いた光プリンタの構成を示す図である。
【符号の説明】
２　φ１ライン
４　φ２ライン
６　電源ライン
８　φＩ　ライン
１２，１４，１６，１８　ボンディングパッド
２０　接続部
３０　実装基板
３２，１００，２００　ＳＬＥＤチップ
３４　自己走査型発光素子アレイ
３６　正立等倍レンズ
３８　正立等倍レンズアレイ
４０　光プリンタヘッド
４２　感光ドラム
４４　帯電器
４６　定着器
４８　現像器
５０　転写器
５２　カセット
５４　用紙
５８　スタッカ
６０　消去ランプ
６２　清掃器
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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