(57)【要約】【課題】位相シフトマスクとして満足すべき光学条件の他に、露光光での位相シフトマスクとしての反射率や検査波長での透過率を制御でき、且つ、ドライエッチング適性を有するハーフトーン型位相シフトマスク用ブランクス及び位相シフトマスクを提供することを目的とする。【解決手段】透明基板１１上にジルコニウムシリサイド窒化炭化膜またはジルコニウムシリサイド酸化窒化炭化膜のいずれかで構成されている化合物薄膜２１を形成して、ハーフトーン型位相シフトマスク用ブランクス１０を形成し、ハーフトーン型位相シフトマスクブランクス１０の化合物薄膜２１をパターニング処理して、透明基板１１上に露光光に対して透明域３１と半透明域２１ａを形成して、ハーフトーン型位相シフトマスク１００を得る。【選択図】図３
2004317547.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明基板上に露光光に対して透明域と半透明域が存在するハーフトーン型位相シフトマスクの製造に用いるハーフトーン型位相シフトマスク用ブランクスにおいて、前記半透明域が金属とシリコンと炭素からなる化合物薄膜の単層膜で形成されていることを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスク用ブランクス。
【請求項２】
前記半透明域を構成している化合物薄膜に含まれる金属がジルコニウムで構成されていることを特徴とする請求項１記載のハーフトーン型位相シフトマスク用ブランクス。
【請求項３】
前記半透明域を構成している化合物薄膜がジルコニウムシリサイド窒化炭化膜またはジルコニウムシリサイド酸化窒化炭化膜のいずれかで構成されていることを特徴とする請求項１または２に記載のハーフトーン型位相シフトマスク用ブランクス。
【請求項４】
前記半透明域の透過率が露光波長において２〜２０％の範囲にあることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載のハーフトーン型位相シフトマスク用ブランクス。
【請求項５】
前記半透明域の透過率が検査波長において３５％以下であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載のハーフトーン型位相シフトマスク用ブランクス。
【請求項６】
前記半透明域を構成している化合物薄膜に含まれるシリコン（Ｓｉ）に対する炭素（Ｃ）の比率α（ａｔｏｍｉｃ％）が、０．０５＜α＜１．０４なる条件を満たしていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載のハーフトーン型位相シフトマスク用ブランクス。
【請求項７】
前記半透明域を構成している化合物薄膜に含まれるジルコニウム（Ｚｒ）に対する炭素（Ｃ）の比率β（ａｔｏｍｉｃ％）が、０．１３＜β＜２．５７なる条件を満たしていることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載のハーフトーン型位相シフトマスク用ブランクス。
【請求項８】
前記半透明域を構成している化合物薄膜はジルコニウムシリサイドターゲットを用いて、炭素を含む成膜ガス雰囲気中の反応性スパッタリングにて成膜されており、前記成膜ガスがＣＨ４、ＣＯ２、ＣＯ、ＣＣｌ４、ＣＦ４、Ｃ２Ｈ２、Ｃ２Ｈ４、Ｃ２Ｈ６、Ｃ２Ｆ６、Ｃ３Ｈ６、Ｃ６Ｈ６、Ｃ３Ｈ８からなる群から選択されたガスであることを特徴する請求項１乃至７のいずれか一項に記載のハーフトーン型位相シフトマスク用ブランクスの製造方法。
【請求項９】
請求項１乃至７のいずれか一項に記載のハーフトーン型位相シフトマスク用ブランクスをパターンニング処理して、透明基板上に露光光に対して透明域と半透明域を設けたことを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスク。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ＬＳＩ、超ＬＳＩ等の高密度集積回路の製造工程中に用いられるフォトマスクに関するものであり、特に、微細寸法の投影像が得られるハーフトーン型位相シフトマスク及びこれを製造するためのハーフトーン型位相シフトマスク用ブランクスに関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来のフォトマスクでは微細なパターンの投影露光に際し近接したパターンはマスクの光透過部を通過した光が回折し、干渉することによってパターン境界部での光強度を強め合いフォトレジストが感光するため、ウエハー上に転写されたパターンが分離解像しないという問題が起きていた。この現象は露光波長に近い微細なパターンほどその傾向が強く、原理的には従来のフォトマスクと露光光学系では光の波長以下の微細なパターンを分離解像することは不可能であった。
【０００３】
そこで、隣接するパターンを透過する投影光の位相差を互いに１８０度にすることによって微細なパターンの解像力を向上させるという、位相シフト技術を使用した位相シフトマスクが開発された。すなわち、隣接する開口部の片側に位相シフト部を設けることにより、透過光が回折し干渉し合う際、位相が反転しているために境界部の光強度は弱め合い、その結果転写パターンは分離解像する。この関係は焦点前後でも成り立っているため、焦点が多少ずれていても解像度は従来のものより向上する（例えば、特許文献１及び特許文献２参照。）。
【０００４】
【特許文献１】
特開昭５８―１７３７４４号公報
【特許文献２】
特公昭６２―５０８１１号公報
【０００５】
パターンを遮光層で形成する場合には、遮光パターンに隣接する開口部の片側に位相シフト部を設けて位相を反転させるが、遮光層が完全な遮光性を持たず、かつこの半透明遮光層によって位相が反転させる場合にも、同様な解像度向上効果が得られ、この場合は特に孤立パターンの解像度向上に有効である。これをハーフトーン型位相シフトマスクという。
【０００６】
ここで、ハーフトーン型位相シフトマスクを図面に従って簡単に説明する。図６は、ハーフトーン型位相シフトマスク２００を用いたフォトリソグラフィの原理を示す説明図、図７は通常のバイナリマスク３００の場合の説明図である。図６（ａ）及び図７（ａ）はフォトマスクの断面図、図６（ｂ）及び図７（ｂ）はフォトマスク上での光の振幅、図６（ｃ）及び図７（ｃ）はウエハー上での光の振幅、図６（ｄ）及び図７（ｄ）はウエハー上での光の強度をそれぞれ示し、１１１は透明基板、１２１は半透明位相シフト膜、１２２は遮光層である。
【０００７】
ここで半透明位相シフト膜とは、透過する露光光の位相を同光路長の空気を通る露光光の位相に対して反転し、かつその強度を減衰させる機能を持つ膜であり、単層または多層により形成される。通常のバイナリマスクにおいては図７（ａ）に示すように、石英ガラスからなる透明基板１１１上にクロム等からなる遮光層１２２を形成し、光不透過部を形成したもので、ウエハー上の光強度分布は、図６（ｄ）に示すように、回折により裾広がりとなり、解像度は劣ってしまう。一方、半透明膜からなるシフターを用いた半透明位相シフト膜１２１を透過した光とその開口部を透過した光とでは位相が実質上反転するので、図６（ｄ）に示すようにウエハー上でパターン境界部の光強度が０となり、その裾広がりを抑えることができ、よって、解像度が向上する。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
一般的に、ハーフトーン型位相シフトマスクの位相差に関しては１８０度が最適値になるが、透過率に関しても、適正値は２〜２０％（開口部の透過率を１００％とした場合）の範囲にあり、転写するパターン、転写条件等によって最適値が決まる。ハーフトーン型位相シフトマスクに関しては、位相差、透過率共にその適正値に作製することが要求され、適正値からずれた場合には、最適露光量等が変化し、寸法精度の低下、焦点裕度の低下等に至ってしまう。したがって、半透明位相シフト膜の透過率、位相差を左右する単層及び多層の膜の屈折率、消衰係数及び、膜厚の精度、安定性は重要である。
【０００９】
また、ハーフトーン型位相シフトマスクにおいては、露光波長での反射率も、フォトリソグラフィの工程でのマスクとレンズ間での多重散乱等の影響を抑えるため、低反射であることが望まれ２０％以下が適正値である。さらに、マスク上に形成されるパターンの外観、位置精度等を保証するために、マスク製造工程で使用される各種の検査、測定装置で使用する波長での透過率は３５％以下であることが望ましい。しかし、露光波長で高透過率化に伴い、検査波長での透過率も増大してしまい、透明基板とのコントラストが不足するという問題が生じている。
【００１０】
ところで、半透明位相シフト膜の成膜は、金属系材料をターゲットとして用いた反応性スパッタで行う場合が多い。膜の屈折率、消衰係数、膜厚の精度、安定性は基本的に成膜工程で決定される。次に、位相シフトフォトマスクのパターニング工程で実際に位相シフト膜をエッチングする工程には、主にリアクティブイオンエッチング等のドライエッチングが用いられる。さらに、近年、パターンの微細化に伴い、より厳しい寸法精度が要求されるが、それを満たすためには、エッチングによるパターニングでは半透明位相シフト膜の膜厚は薄いほうが好ましい。
【００１１】
以上のような課題を克服するために２層以上の膜を重ね合わせた位相シフトマスクが用いられている。しかし、モリブデンシリサイドやクロム等を主体としたハーフトーン型位相シフトマスクでは露光波長が短波長化するに伴い、成膜工程での膜の制御性や再現性に問題があり、また２層以上の構成にすることにより、製造工程の増加、膜厚、欠陥発生率の増大といった問題を有する。
【００１２】
本発明は上記問題点に鑑みなされたものであり、位相シフトマスクとして満足すべき光学条件の他に、露光光での位相シフトマスクとしての反射率や検査波長での透過率を制御でき、且つ、ドライエッチング適性を有するハーフトーン型位相シフトマスク用ブランクス及び位相シフトマスクを提供することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
本発明に於いて上記課題を達成するために、まず請求項１においては、透明基板上に露光光に対して透明域と半透明域が存在するハーフトーン型位相シフトマスクの製造に用いるハーフトーン型位相シフトマスク用ブランクスにおいて、前記半透明域が金属とシリコンと炭素からなる化合物薄膜の単層膜で形成されていることを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスク用ブランクスとしたものである。
【００１４】
また、請求項２においては、前記半透明域を構成している化合物薄膜に含まれる金属がジルコニウムで構成されていることを特徴とする請求項１記載のハーフトーン型位相シフトマスク用ブランクスとしたものである。
【００１５】
また、請求項３においては、前記半透明域を構成している化合物薄膜がジルコニウムシリサイド窒化炭化膜またはジルコニウムシリサイド酸化窒化炭化膜のいずれかで構成されていることを特徴とする請求項１または２に記載のハーフトーン型位相シフトマスク用ブランクスとしたものである。
【００１６】
また、請求項４においては、前記半透明域の透過率が露光波長において２〜２０％の範囲にあることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載のハーフトーン型位相シフトマスク用ブランクスとしたものである。
【００１７】
また、請求項５においては、前記半透明域の透過率が検査波長において３５％以下であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載のハーフトーン型位相シフトマスク用ブランクスとしたものである。
【００１８】
また、請求項６においては、前記半透明域を構成している化合物薄膜に含まれるシリコン（Ｓｉ）に対する炭素（Ｃ）の比率α（ａｔｏｍｉｃ％）が、０．０５＜α＜１．０４なる条件を満たしていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載のハーフトーン型位相シフトマスク用ブランクスとしたものである。
【００１９】
また、請求項７においては、前記半透明域を構成している化合物薄膜に含まれるジルコニウム（Ｚｒ）に対する炭素（Ｃ）の比率β（ａｔｏｍｉｃ％）が、０．１３＜β＜２．５７なる条件を満たしていることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載のハーフトーン型位相シフトマスク用ブランクスとしたものである。
【００２０】
また、請求項８においては、前記半透明域を構成している化合物薄膜はジルコニウムシリサイドターゲットを用いて、炭素を含む成膜ガス雰囲気中の反応性スパッタリングにて成膜されており、前記成膜ガスがＣＨ４、ＣＯ２、ＣＯ、ＣＣｌ４、ＣＦ４、Ｃ２Ｈ２、Ｃ２Ｈ４、Ｃ２Ｈ６、Ｃ２Ｆ６、Ｃ３Ｈ６、Ｃ６Ｈ６、Ｃ３Ｈ８からなる群から選択されたガスであることを特徴する請求項１乃至７のいずれか一項に記載のハーフトーン型位相シフトマスク用ブランクスの製造方法としたものである。
【００２１】
さらにまた、請求項９においては、請求項１乃至７のいずれか一項に記載のハーフトーン型位相シフトマスク用ブランクスをパターンニング処理して、透明基板上に露光光に対して透明域と半透明域を設けたことを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスクとしたものである。
【００２２】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の形態につき説明する。
本発明のハーフトーン型位相シフトマスクブランクス１０は、図１に示すように、透明基板１１上にジルコニウムシリサイド窒化炭化膜またはジルコニウムシリサイド酸化窒化炭化膜のいずれかの化合物薄膜２１を形成したもので、化合物薄膜２１は、位相シフトマスクとして満足すべき光学条件（半透明域を透過する露光光の透過率２〜２０％、半透明域と透明域のそれぞれの透過光の位相差１８０度）と、露光波長での反射率２０％以下、検査波長での透過率３５％以下の光学特性とを満たすようにしている。
本発明のハーフトーン型位相シフトマスク１００は、図２に示すように、上記ハーフトーン型位相シフトマスクブランクス１０の化合物薄膜２１をパターニング処理して、透明基板１１上に露光光に対して透明域３１と半透明域２１ａとを形成したもので、本発明のハーフトーン型位相シフトマスク１００を用いて、半導体作製プロセスのパターン露光に適用した場合パターン解像度の向上が図れ、高精細のパターンを得ることができるようにしたものである。
【００２３】
本発明のハーフトーン型位相シフトマスクブランクス１０の化合物薄膜２１は、金属とシリコンと炭素からなる化合物膜の単層膜で形成されており、前記金属はジルコニウムからなり、化合物薄膜は、具体的には、ジルコニウムシリサイド窒化炭化膜またはジルコニウムシリサイド酸化窒化炭化膜のいずれかで構成されている。
化合物薄膜の光学特性として、半透明域と透明域のそれぞれの透過光の位相差１８０度を満たす光学定数の設定の他に、露光波長（例えば、１９３ｎｍ）での透過率を２〜２０％に、検査波長（例えば、２６６ｎｍ）での透過率を３５％以下になるようにしている。
併せて、化合物薄膜２１に炭素を含有させることにより、検査波長（例えば、２６６ｎｍ）での分光透過率を３５％以下に容易に達成できる。しかしながら、炭素を含有率を増加させすぎると、薬液に対する充分な耐性が得られない。
このため、化合物薄膜２１に含まれるシリコン（Ｓｉ）に対する炭素（Ｃ）の比率α（ａｔｏｍｉｃ％）を０．０５１〜１．０４、もしくはジルコニウム（Ｚｒ）に対する炭素（Ｃ）の比率β（ａｔｏｍｉｃ％）を０．１３〜２．５７の範囲にすることが望ましい。
【００２４】
化合物薄膜２１は、ジルコニウムシリサイドターゲットを用いて、キャリアガスとしてアルゴンガスを用い、ＣＨ４、ＣＯ２、ＣＯ、ＣＣｌ４、ＣＦ４、Ｃ２Ｈ２、Ｃ２Ｈ４、Ｃ２Ｈ６、Ｃ２Ｆ６、Ｃ３Ｈ６、Ｃ６Ｈ６、Ｃ３Ｈ８からなる群から選択された反応性ガス雰囲気中でスパッタリングにて、石英ガラス基板等からなる透明基板１１上に成膜され、具体的には、ジルコニウムシリサイド窒化炭化膜またはジルコニウムシリサイド酸化窒化炭化膜のいずれかのジルコニウムシリサイド化合物膜が成膜され、図１に示すハーフトーン型位相シフトマスクブランクス１０を得ることができる。
ここで、炭素を含むジルコニウムシリサイド化合物膜とすることにより、検査波長での透過率（３５％以下）制御を容易に行うことができ、さらに、単層構成にできるため製造工程の減少、膜厚、欠陥発生率の低減といった利点を有する。
【００２５】
上記、化合物薄膜２１に含まれるシリコン（Ｓｉ）に対する炭素（Ｃ）の比率α（ａｔｏｍｉｃ％）及びジルコニウム（Ｚｒ）に対する炭素（Ｃ）の比率β（ａｔｏｍｉｃ％）について、具体的にジルコニウム窒化炭化膜を成膜して、分光透過率特性、薬液に対する耐性を調べた。
まず、ＤＣスパッタリング装置を用いて、チャンバー内にアルゴンガス、窒素ガス及びメタンガスを導入し、ジルコニウムシリサイドターゲットを用いたスパッタリングにより、石英ガラスからなる透明基板１１上に、印加電力：３００Ｗ、圧力：０．２５Ｐａは一定にして、使用ガス（Ａｒ、Ｎ２、ＣＨ４）の流量を変えて、Ａ〜Ｆの６種類のジルコニウム窒化炭化膜を作製した。そのときの成膜条件を表１に示す。
【００２６】
【表１】
2004317547.tif 000003
【００２７】
これらＡ〜Ｆの６種類のジルコニウム窒化炭化膜のシリコンに対する炭素の比率Ｃ／Ｓｉ：α（ａｔｏｍｉｃ％）及びジルコニウムに対する炭素の比率Ｃ／Ｚｒ：β（ａｔｏｍｉｃ％）を測定した結果を表２に示す。
【００２８】
【表２】
2004317547.tif 000004
【００２９】
さらにＡ〜Ｆの６種類のジルコニウム窒化炭化膜に対して、分光透過率特性及び薬液に対する耐性を調べた。その結果を表３に示す。
ここで分光透過率特性については、露光波長１９３ｎｍにおいて、透過率が２〜２０％の範囲にあり、検査波長２６６ｎｍにおいて、透過率が３５％以下である試料を○とし、満たさない試料を×とした。また薬液に対する耐性については通常洗浄薬液への浸漬に対し、露光波長１９３ｎｍにおける分光透過率の変化が０．３％以下、位相差の変化が０．３ｄｅｇ以下の試料を○とし、満たさないものを×とした。
【００３０】
【表３】
2004317547.tif 000005
【００３１】
表２、表３の結果から分かるように、Ｃ／Ｓｉ：α（ａｔｏｍｉｃ％）が０．０５＜α＜１．０４、Ｃ／Ｚｒ：β（ａｔｏｍｉｃ％）が０．１３＜β＜２．５７の範囲にあるＢ〜Ｅの４種類のサンプルについては検査波長２６６ｎｍにおいて透過率が３５％以下を示し、さらに、薬液に対する十分な耐性をもつことが確認された。
【００３２】
【実施例】
以下実施例により本発明を詳細に説明する。
＜実施例１＞
まず、ＤＣスパッタリング装置を用いて、チャンバー内にアルゴンガス、窒素ガス及びメタンガスを導入し、ジルコニウムシリサイドターゲットを用いたスパッタリングにより、石英ガラスからなる透明基板１１上に膜厚７８０Åのジルコニウムシリサイド窒化炭化膜からなる化合物薄膜２１を成膜し、本発明のハーフトーン型位相シフトマスクブランクス１０を作製した。
【００３３】
この時の成膜条件は、印加電力：３００Ｗ、圧力：０．２５Ｐａで使用ガス及び流量は、アルゴンガス：１０ｓｃｃｍ，窒素ガス：２８ｓｃｃｍ，メタンガス２ｓｃｃｍであった。
【００３４】
上記成膜条件で成膜したハーフトーン型位相シフトマスク用ブランクスの分光透過率特性及び分光反射率特性を図４に示す。ＡｒＦエキシマレーザーの露光波長である１９３ｎｍにおける透過率は６．８１％を示し、検査波長２６６ｎｍでの透過率は２８．４％となって、検査時のコントラストは十分に得ることが出来る。また、露光光の波長１９３ｎｍにおける反射率は１４．８％であり、露光時の多重反射の影響を防止できることが確認された。
【００３５】
次に、上記ハーフトーン型位相シフトマスク用ブランクスを用いてハーフトーン型位相シフトマスクを作製した。
図３（ａ）〜（ｄ）に、ハーフトーン型位相シフトマスクの製造工程の一例を示す。
まず、透明基板１１上にジルコニウムシリサイド窒化炭化膜からなる化合物薄膜２１を形成した上記ハーフトーン型位相シフトマスクブランクス１０（図３（ａ）参照）に電子線レジストを塗布し、電子線描画、現像等の一連のパターニング処理を行ってレジストパターン４１を形成した（図３（ｂ）参照）。
次に、ハロゲンガスをエッチングガスとするドライエッチングにより、レジストパターン４１をマスクとして化合物薄膜２１をエッチングし（図３（ｃ）参照）、レジストパターン４１をアッシング処理等により除去して、透明基板１１上に化合物薄膜パターン２１ａからなる半透過域と透過域３１が形成された本発明のハーフトーン型位相シフトマスク１００を得た（図３（ｅ）参照）。
【００３６】
＜実施例２＞
まず、ＤＣスパッタリング装置を用いて、チャンバー内にアルゴンガス、窒素ガス及び二酸化炭素ガスを導入し、ジルコニウムシリサイドターゲットを用いたスパッタリングにより、石英ガラスからなる透明基板１１上に膜厚８０Åのジルコニウムシリサイド酸化窒化炭化膜からなる化合物薄膜２１を成膜し、本発明のハーフトーン型位相シフトマスクブランクス１０を作製した（図１参照）。
【００３７】
この時の成膜条件は、印加電力：３００Ｗ、圧力：０．２５Ｐａで使用ガス及び流量は、アルゴンガス：２３ｓｃｃｍ，窒素ガス：１５ｓｃｃｍ，二酸化炭素ガス：２ｓｃｃｍであった。
【００３８】
上記条件で成膜したハーフトーン型位相シフトマスク用ブランクスの分光透過率特性及び分光反射率特性を図５に示す。ＡｒＦエキシマレーザーの露光波長である１９３ｎｍにおける透過率は７．７６％を示し、検査波長２６６ｎｍでの透過率は３３．２％となって、検査時のコントラストは十分に得ることが出来る。また、露光光の波長１９３ｎｍにおける反射率は１６．５％であり、露光時の多重反射の影響を防止できることが確認された。
【００３９】
次に、上記ハーフトーン型位相シフトマスク用ブランクスを用いてハーフトーン型位相シフトマスクを作製した。
図３（ａ）〜（ｄ）に、ハーフトーン型位相シフトマスクの製造工程の一例を示す。
まず、透明基板１１上にジルコニウムシリサイド酸化窒化炭化膜からなる化合物薄膜２１を形成した上記ハーフトーン型位相シフトマスクブランクス１０（図３（ａ）参照）に電子線レジストを塗布し、電子線描画、現像等の一連のパターニング処理を行ってレジストパターン４１を形成した（図３（ｂ）参照）。
次に、ハロゲンガスをエッチングガスとするドライエッチングにより、レジストパターン４１をマスクとして化合物薄膜２１をエッチングし（図３（ｃ）参照）、レジストパターン４１をアッシング処理等により除去して、透明基板１１上にジルコニウムシリサイド酸化窒化炭化膜からなる化合物薄膜パターン２１ａからなる半透過域と透過域３１が形成された本発明のハーフトーン型位相シフトマスク１００を得た（図３（ｅ）参照）。
【００４０】
【発明の効果】
上記したように、半透明域を構成している化合物薄膜として、炭素を含んだジルコニウムシリサイド窒化炭化膜またはジルコニウムシリサイド酸化窒化炭化膜のいずれかを用いることにより、位相シフトマスクとしての光学定数の他に露光光での反射率や検査波長での透過率を容易に制御できる。
また、化合物薄膜に含まれるシリコン（Ｓｉ）に対する炭素（Ｃ）の比率α（ａｔｏｍｉｃ％）を０．０５〜１．０４の範囲に、もしくは化合物薄膜２１に含まれるジルコニウム（Ｚｒ）に対する炭素（Ｃ）の比率β（ａｔｏｍｉｃ％）を０．１３〜２．５７の範囲にすることにより、検査波長での透過率制御、耐薬品性の向上を図ることができ、且つ、マスク検査時での充分なパターンコントラスト及び洗浄工程での充分な耐性を有するハーフトーン型位相シフトマスクを得ることができる。
さらに、半透明域の化合物薄膜の膜構成は単層であるので欠陥発生率の低減することができ、低欠陥でパターン形状再現性に優れたハーフトーン型位相シフトマスク用ブランクスを提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のハーフトーン型位相シフトマスク用ブランクスの一実施例を示す模式構成断面図である。
【図２】本発明のハーフトーン型位相シフトマスクの一実施を示す模式構成断面図である。
【図３】（ａ）〜（ｄ）は、本発明のハーフトーン型位相シフトマスクの製造工程の一例を示す模式構成断面図である。
【図４】実施例１で得られたジルコニウムシリサイド窒化炭化膜の分光透過率特性及び分光反射率特性を示す説明図である。
【図５】実施例２で得られたジルコニウムシリサイド酸化窒化炭化膜の分光透過率特性及び分光反射率特性を示す説明図である。
【図６】ハーフトーン型位相リソグラフィーの原理を示す説明図である。
【図７】従来のフォトリソグラフィー方を示す説明図である。
【符号の説明】
１０……ハーフトーン型位相シフトマスク用ブランクス
１１、１１１……透明基板
２１……化合物薄膜（半透過膜）
２１ａ……化合物薄膜パターン（半透過域）
３１……透過域
４１……レジストパターン
１２１……半透明位相シフト膜
１２２……遮光層
１００、２００……ハーフトーン型位相シフトマスク
３００……バイナリマスク
【図１】
2004317547.tif 000006
【図２】
2004317547.tif 000007
【図３】
2004317547.tif 000008
【図４】
2004317547.tif 000009
【図５】
2004317547.tif 000010
【図６】
2004317547.tif 000011
【図７】
2004317547.tif 000012