(57)【要約】【課題】少量のゲルマニウムを含有する使用済みのスパッタリングターゲット材料又はこれらの切削屑又は端材等のエレクトロニクス材料のスクラップ、あるいは触媒、熱電対、抵抗温度計、その他の加工用原料として使用されている、その他のスクラップから、ゲルマニウムを効率良くかつを安価に回収する方法を提供する。【解決手段】ゲルマニウム含有スクラップを、塩酸を含む混酸により溶解し、これを蒸発させて塩化ゲルマニウムとして純水中に捕集回収し、さらにこれを中和して水酸化ゲルマニウムとして析出させることを特徴とするスクラップからのゲルマニウムの回収方法。【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲルマニウム含有スクラップを、塩酸を含む混酸により溶解し、これを蒸発させて塩化ゲルマニウムとして捕集回収し、さらにこれを中和して水酸化ゲルマニウムとして析出させることを特徴とするスクラップからのゲルマニウムの回収方法。
【請求項２】
２０〜１００°Ｃの温度で蒸発させることを特徴とする請求項１記載のスクラップからのゲルマニウムの回収方法。
【請求項３】
水酸化ゲルマニウムを水素雰囲気中で還元してゲルマニウムを得ることを特徴とする請求項１又は２記載のスクラップからのゲルマニウムの回収方法。
【請求項４】
塩化ゲルマニウムとして液中に捕集回収する際に、ガスの吹き込みを行なうことを特徴とする請求項１〜３のそれぞれに記載のスクラップからのゲルマニウムの回収方法。
【請求項５】
アルカリによりｐＨ８〜１１に中和することを特徴とする請求項１〜４のそれぞれに記載のスクラップからのゲルマニウムの回収方法。
【請求項６】
水酸化ゲルマニウムを乾燥後、グラファイト容器中で４００〜１２００°Ｃの温度に加熱し、水素還元することを特徴とする請求項１〜５のそれぞれに記載のスクラップからのゲルマニウムの回収方法。
【請求項７】
回収されたゲルマニウムの純度が３Ｎ（９９．９ｗｔ％）以上であることを特徴とする請求項１〜６のそれぞれに記載のスクラップからのゲルマニウムの回収方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、少量のゲルマニウムを含有する使用済みのスパッタリングターゲット材料又はこれらの切削屑又は端材等のエレクトロニクス材料のスクラップ、あるいは触媒、熱電対、抵抗温度計、その他の加工用原料として使用されている、その他のスクラップからゲルマニウムを効率良く回収する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、高純度のゲルマニウムは、ダイオード、トランジスター等の半導体素子、相変化磁気ディスク材料等のエレクトロニクス材料又は触媒、熱電対、抵抗温度計、その他の加工用原料として使用されている。特に、最近はエレクトロニクス材料への利用が増加している。
このようなエレクトロニクス材料への適用に際して、一般に金属ゲルマニウム又はゲルマニウム化合物（合金を含む）薄膜として使用されることが多いが、このような薄膜を形成する場合には、スパッタリング法が用いられることが多い。
【０００３】
スパッタリング法自体は、エレクトロニクス分野においてよく知られた方法であるが、このスパッタリングに適合する均一でかつ安定した特性を持つゲルマニウム及びゲルマニウム化合物ターゲットが要求されている。
例えば、最近のエレクトロニクス分野で使用される材料は、ノイズ発生を防止し、特性を向上させる目的から、高純度化が要求されており、高純度ゲルマニウム又はゲルマニウム化合物スパッタリングターゲットとしても、純度５Ｎレベルが必要とされている。
一方、このような高純度ゲルマニウムターゲットの製作工程において、平研研削で発生する切削屑や端材が、かなりの量で発生する。
しかし、ゲルマニウムは非常に高価な材料であるにもかかわらず、スクラップ中に含有されるゲルマニウム含有量が少ないためにリサイクルが難しく、コスト高になるため、これを回収することは殆ど行なわれていないのが現状である。
【０００４】
例えば、ポリエステルを製造する際の廃液中の触媒として利用されたゲルマニウムを焼却し、得られた灰を塩酸で処理して四塩化ゲルマニウムを含有する凝縮液を回収し、これを分離した後、該四塩化ゲルマニウムを加水分解して二酸化ゲルマニウムとする技術が知られている（特開平９−３２８３１５）。
しかし、この方法では処理工程が煩雑であり、回収率が必ずしも向上しないという問題がある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上記の問題を解決するために、少量のゲルマニウムを含有する使用済みのスパッタリングターゲット材料又はこれらの切削屑又は端材等のエレクトロニクス材料のスクラップ、あるいは触媒、熱電対、抵抗温度計、その他の加工用原料として使用されている、その他のスクラップからゲルマニウムを効率良く回収する方法を確立することを課題とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明は、
１．ゲルマニウム含有スクラップを、塩酸を含む混酸により溶解し、これを蒸発させて塩化ゲルマニウムとして捕集回収し、さらにこれを中和して水酸化ゲルマニウムとして析出させることを特徴とするスクラップからのゲルマニウムの回収方法
２．２０〜１００°Ｃの温度で蒸発させることを特徴とする上記１記載のスクラップからのゲルマニウムの回収方法
３．水酸化ゲルマニウムを水素雰囲気中で還元してゲルマニウムを得ることを特徴とする上記１又は２記載のスクラップからのゲルマニウムの回収方法
４．塩化ゲルマニウムとして液中に捕集回収する際に、ガスの吹き込みを行なうことを特徴とする上記１〜３のそれぞれに記載のスクラップからのゲルマニウムの回収方法
５．アルカリによりｐＨ８〜１１に中和することを特徴とする上記１〜４のそれぞれに記載のスクラップからのゲルマニウムの回収方法
６．水酸化ゲルマニウムを乾燥後、グラファイト容器中で４００〜１２００°Ｃの温度に加熱し、水素還元することを特徴とする上記１〜５のそれぞれに記載のスクラップからのゲルマニウムの回収方法
７．回収されたゲルマニウムの純度が３Ｎ（９９．９ｗｔ％）以上であることを特徴とする上記１〜６のそれぞれに記載のスクラップからのゲルマニウムの回収方法。
を提供する。
【０００７】
【発明の実施の形態】
本発明は、ゲルマニウム（Ｇｅ）を含有するスクラップを、塩酸を含む混酸により２０〜１００°Ｃの温度で溶解する。２０°Ｃ未満の温度では、溶解効率が低下するので、２０°Ｃ以上の温度が望ましい。なお、液の蒸発が激しく、不純物の随伴が起きるという観点から、上限の温度は１００°Ｃ程度が良い。上記混酸としては、通常王水を使用する。しかし、塩酸を含むものであれば、他の混酸でも良い。
溶解後、ガス吹き込みを行ないながら蒸発させて、塩化ゲルマニウム（ＧｅＣｌ４）として純水中に捕集し回収する。吹き込みガスは、空気、不活性ガス（Ａｒ、Ｎ２、Ｈｅガス）等を使用する。捕集液はＧｅＣｌ４を回収する液であれば良いが、純水や塩酸でも良い。
この塩化ゲルマニウムを捕集した捕集液にアルカリ等の溶液を添加して中和する。中和領域はｐＨ８〜１１が好ましい。それ以下あるいはそれ以上ではゲルマニウムの水酸化物が沈殿しない。アルカリ溶液は、通常水酸化ナトリウムを使用するが、水酸化カリウム、水酸化アンモニウム等の他のアルカリ溶液を使用することもできる。
【０００８】
中和により水酸化ゲルマニウム（Ｇｅ（ＯＨ）４）として析出させることができる。回収したゲルマニウムの純度は、３Ｎレベル以上の高純度水酸化ゲルマニウムを回収できる。
この水酸化ゲルマニウムを乾燥後、水素雰囲気中で還元してゲルマニウムを得る。
還元に際してはグラファイト容器を使用し、水酸化ゲルマニウムを４００〜１２００°Ｃの温度に加熱し、水素還元してゲルマニウムを得る。４００°Ｃ未満では、還元効率が落ちるので４００°Ｃ以上が望ましい。また、１２００°Ｃを超えると設備面の問題があり、コスト増となるので好ましくない。
【０００９】
【実施例】
次に、実施例について説明する。なお、本実施例は発明の一例を示すためのものであり、本発明はこれらの実施例に制限されるものではない。すなわち、本発明の技術思想に含まれる他の態様及び変形を含むものである。
【００１０】
（実施例１）
ゲルマニウムを６．５ｇ含有するＧｅ−Ｃｒターゲット材の旋盤加工スクラップ６５ｇを、王水４００ｃｃにて、温度７０°Ｃで溶解した。
溶解後、蒸留温度を８０°Ｃとして３００ｍｌ／ｍｉｎで２０分間空気吹き込みを行ない、蒸発させ塩化ゲルマニウム（ＧｅＣｌ４）として純水中に捕集し回収した。これによって、純水中のゲルマニウム濃度は、６．０ｇ／Ｌとなり、回収率は９２％であった。
この塩化ゲルマニウムを捕集した液に水酸化ナトリウムを添加してｐＨ９．５に中和した。中和により水酸化ゲルマニウム（Ｇｅ（ＯＨ）４）として析出させ回収させることができた。
この水酸化ゲルマニウムを乾燥後、グラファイト容器に入れ、温度７００°Ｃで１時間加熱し水素還元してゲルマニウムを得た。還元により５．８ｇのゲルマニウムを得ることができた。スクラップからの収率は約８９％に達した。表１に分析結果を示す。
【００１１】
【表１】
2004010914.tif 000002
【００１２】
（実施例２）
ゲルマニウムを６．５ｇ含有するターゲット材の旋盤加工スクラップ６５ｇを、王水４００ｃｃにて、温度７０°Ｃで溶解した。
溶解後、蒸留温度を３５°Ｃとして１００ｍｌ／ｍｉｎで６０分間空気吹き込みを行ない、塩化ゲルマニウム（ＧｅＣｌ４）として純水中に捕集し回収した。これによって、純水中のゲルマニウム濃度は、５．８ｇ／Ｌとなり、回収率は８９％であった。捕集液としての純水は酸の揮発もあり、１．５Ｎレベルになっていた。
この塩化ゲルマニウムを捕集した液に水酸化ナトリウムを添加してｐＨ９．５に中和した。中和により水酸化ゲルマニウム（Ｇｅ（ＯＨ）４）として析出させ回収させることができた。
この水酸化ゲルマニウムを乾燥後、グラファイト容器に入れ、温度７００°Ｃで１時間加熱し水素還元してゲルマニウムを得た。還元により５．５ｇのゲルマニウムを得ることができた。スクラップからの収率は約８５％に達した。
【００１３】
（実施例３）
ゲルマニウムを６．５ｇ含有するターゲット材の旋盤加工スクラップ６５ｇを、王水４００ｃｃにて、温度７０°Ｃで溶解した。
溶解後、蒸留温度を３５°Ｃとして３００ｍｌ／ｍｉｎで２０分間空気吹き込みを行ない、蒸発させ塩化ゲルマニウム（ＧｅＣｌ４）として３Ｎの塩酸中に捕集し回収した。これによって、純水中のゲルマニウム濃度は、５．２ｇ／Ｌとなり、回収率は８０％であった。
この塩化ゲルマニウムを捕集した液に水酸化ナトリウムを添加してｐＨ１０に中和した。中和により水酸化ゲルマニウム（Ｇｅ（ＯＨ）４）として析出させ回収させることができた。
この水酸化ゲルマニウムを乾燥後、グラファイト容器に入れ、温度７００°Ｃで１時間加熱し水素還元してゲルマニウムを得た。還元により３．９ｇのゲルマニウムを得ることができた。スクラップからの収率は約６０％であった。
【００１４】
（比較例１）
ゲルマニウムを６．５ｇ含有するターゲット材の旋盤加工スクラップ６５ｇを、弗硝酸４００ｃｃにて、温度７０°Ｃで溶解した。ここでは塩酸を使用しなかった。溶解後、蒸発させ塩化ゲルマニウム（ＧｅＣｌ４）として純水中に捕集し回収した。これによって、純水中のゲルマニウム濃度は、殆ど検出されず、１ｇ／Ｌ以下であり、回収不能であった。
【００１５】
（比較例２）
ゲルマニウムを６．５ｇ含有するＧｅ−Ｃｒターゲット材の旋盤加工スクラップ６５ｇを、王水４００ｃｃにて、温度７０°Ｃで溶解した。
溶解後、３００ｍｌ／ｍｉｎで２０分間空気吹き込みを行ない、蒸発させ塩化ゲルマニウム（ＧｅＣｌ４）として純水中に捕集し回収した。これによって、純水中のゲルマニウム濃度は、５．８ｇ／Ｌとなり、回収率は８９％であった。
この塩化ゲルマニウムを捕集した液に水酸化ナトリウムを添加してｐＨ８に中和した。中和により水酸化ゲルマニウム（Ｇｅ（ＯＨ）４）として析出させた。この水酸化ゲルマニウムを乾燥後、グラファイト容器に入れ、温度７００°Ｃで１時間加熱し水素還元してゲルマニウムを得た。還元により０．３３ｇのゲルマニウムを得た。スクラップからの収率は約５％であり、非常に低かった。上記中和反応の際、ｐＨ１１．５にした場合も同様の結果であった。
【００１６】
【発明の効果】
本発明は、少量のゲルマニウムを含有する使用済みのスパッタリングターゲット材料又はこれらの切削屑又は端材等のエレクトロニクス材料のスクラップ、あるいは触媒、熱電対、抵抗温度計、その他の加工用原料として使用されている、その他のスクラップから、ゲルマニウムを効率良くかつを安価に回収することができるという優れた効果を有する。