(57)【要約】【課題】光デバイスからの出射光の特性を効率良く測定できる測定装置を提供する。【解決手段】光デバイスから出射された光を受ける受光素子と、該受光素子を透過した前記出射光を光ファイバに導入する導入部とを備えた光デバイス測定装置を提供する。本装置によると、受光素子を透過した光が更に光ファイバに導入される。この光ファイバに光の諸特性を測定できる装置を接続することにより、光の絶対値的な特性と伝送特性等のパラメータ的な特性とを測定できる。【選択図】　　　　図７
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
光デバイスから出射された光を受ける受光素子と、該受光素子を透過した前記出射光を光ファイバに導入する導入部とを備えたことを特徴とする光デバイス測定装置。
【請求項２】
請求項１に記載の光デバイス測定装置において、
前記光ファイバと前記導入部とが光学的に直接接続されていることを特徴とする光デバイス測定装置。
【請求項３】
請求項１に記載の光デバイス測定装置において、
前記導入部が集光レンズを備えていることを特徴とする光デバイス測定装置。
【請求項４】
請求項１に記載の光デバイス測定装置において、
前記受光素子の前で前記出射光を平行光に変換する第１レンズと、前記受光素子を透過した前記平行光を前記導入部に向けて集光する第２レンズとの少なくとも一方を備えていることを特徴とする光デバイス測定装置。
【請求項５】
請求項４に記載の光デバイス測定装置において、
前記受光素子と前記第２レンズとの間に更に反射防止用のアイソレータが配置されていることを特徴とする光デバイス測定装置。
【請求項６】
請求項１に記載の光デバイス測定装置において、
前記受光素子からの出力と前記光ファイバからの出力とを用いて、光の特性を測定することを特徴とする光デバイス測定装置。
【請求項７】
請求項６に記載の光デバイス測定装置において、
前記受光素子からの出力と、前記光ファイバからの出力とが同時に測定可能に設定されていることを特徴とする光デバイス測定装置。
【請求項８】
請求項７に記載の光デバイス測定装置において、
光−電気出力特性を前記受光素子の出力に基づいて得ると共に、伝送特性を前記光ファイバからの出力に基づいて得ることを特徴とする光デバイス測定装置。
【請求項９】
請求項８に記載の光デバイス測定装置において、
前記光ファイバからの出力に基づいて得た波長データを、前記受光素子の波長感度の補正又は波長チューニングに用いることを特徴とする光デバイス測定装置。
【請求項１０】
請求項１から９のいずれかに記載の光デバイス測定装置において、
前記光デバイスが光モジュール内に配設され、該光デバイスの温度を制御する温度制御機構を備えていることを特徴とする光デバイス測定装置。
【請求項１１】
光デバイスから出射された光を受ける受光素子と、該受光素子を透過した前記出射光を光ファイバに導入する導入部とを含むことを特徴とする光デバイス測定用の受光ユニット。
【請求項１２】
請求項１１に記載の受光ユニットにおいて、
前記受光素子の前で前記出射光を平行光に変換する第１レンズと、前記受光素子を透過した前記平行光を集光する第２レンズとの少なくとも一方を含むことを特徴とする受光ユニット。
【請求項１３】
請求項１２に記載の受光ユニットにおいて、
前記第２レンズが集光する位置に前記導入部が配置されていることを特徴とする受光ユニット。
【請求項１４】
請求項１１から１３のいずれかに記載の受光ユニットにおいて、
前記第１レンズは、前記光デバイスからの出射光をダイレクトに受けることを特徴とする受光ユニット。
【請求項１５】
請求項１１から１３のいずれかに記載の受光ユニットにおいて、
前記第１レンズは、光モジュールに収納されている光デバイスからの出射光を光ファイバを介して受けることを特徴とする受光ユニット。
【請求項１６】
請求項１２から１５のいずれかに記載の受光ユニットにおいて、
前記受光素子と前記第２レンズとの間に反射防止用のアイソレータが更に配置されていることを特徴とする受光ユニット。
【請求項１７】
光デバイスから出射された光を測定する方法であって、
前記出射光の絶対値的特性の測定と、前記出射光のパラメータ的特性の測定とを連続して行うことを特徴とする光デバイスの測定方法。
【請求項１８】
光デバイスから出射された光を測定する方法であって、
前記出射光の絶対値的特性の測定と、前記出射光のパラメータ的特性の測定とを同時に行うことを特徴とする光デバイスの測定方法。
【請求項１９】
請求項１７又は１８に記載の光デバイスの測定方法において、
前記絶対値的な特性として光の全出力を、前記パラメータの測定として伝送特性を測定することを特徴とする光デバイスの測定方法。
【請求項２０】
請求項１９に記載の光デバイスの測定方法において、
前記伝送特性で得たデータを、前記全出力特性の測定データの修正に用いることを特徴とする光デバイスの測定方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光デバイスから出射された光（以下、出射光と言う）を測定する測定技術に関する。より詳しくは、光デバイスからの出射光に関して、例えば全光量を知るための絶対値的な測定と、光の諸特性を表す波長、伝送特性等のようなパラメータを確認するための分析的な測定とを、同時に実行できる測定装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
光デバイス、例えば光半導体からの出射光を測定する場合には、その光をどのような形態で捉え試験するかが１つのポイントとなる。一般には、光半導体チップなどのベアな状態での光出力試験と、光半導体チップをモジュール内に格納して光ファイバー付きの光モジュールの状態にして行う光出力試験との２通りの測定試験が知られている。
【０００３】
また、出射光の測定試験としては、光出力（パワー）を確認するための測定と、スペクトラム、波長、伝送特性などのようなパラメータを確認する測定、すなわち光の絶対値的な測定と分析的な測定とが実行されている。これら２種類の測定により、出射光の全特性を捉えることができる。
【０００４】
ところで、上記２種の光測定試験は、一方が絶対的であり、他方が分析的である。よって、光を測定する意図が全く異なるので、これに用いる測定手法、機構が全く異なる。そこで、従来においては、この２種類の測定は時や場所を異なる測定装置で実行されているという実情がある。
【０００５】
図１及び図２は、従来において光半導体からの出射光（レーザ光）を測定する様子を例示した図である。図１は、出射光の伝送特性等のパラメータを測定する様子を模式的に示した図である。図１ではベアな状態の光半導体チップ１から出力された出射光２を光ファイバ３に導入して測定する様子を示している。従来、出射光２のスペクトラム、波長（周波数）、伝送特性等のパラメータ的特性を確認する場合には、このような手法で光を捕捉していた。なお、この例では光ファイバ３の前端に集光レンズ４が接続されており、図示しない自動調芯を用いて集光レンズ４に十分な光が導入されるように調整される。
【０００６】
また、図２は、出射光２の出力を測定するため全光を捕捉する様子を模式的に示した図である。光の絶対値パワーは再現性をもって測定することが必要であり、この場合には図２に示すような測定法が実行されている。図２では、光モジュール５内の光半導体チップ１からの出射光が、光学系６、光ファイバ７及び光コネクタ８を介して出力され、その光のほぼ全量を受けるように受光素子としてのフォトディテクタ（ＰＤ）１０が配置されている。
【０００７】
なお、図１ではベア状態の光半導体チップ１からの出射光を光ファイバ３に導入して光の諸特性を測定する場合、図２では光モジュール５に収納されている光半導体チップ１からの出射光を光コネクタ８のフェルール部９から出射してフォトディテクタ（ＰＤ）１０で全量測定する場合を例示している。しかし、これに限らず、ベア状態の光半導体チップ１からの出射光をＰＤ１０で全量測定する場合や、フェルール部９から出射光を光ファイバ３に導入する測定形態もある。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
更に図３及び４は、ベアな状態にある光半導体としてのレーザチップ１１からの出射光を測定する従来の測定装置の構成を例示した図である。
【０００９】
図３に示す測定装置では、集光レンズ１４付きの光ファイバ１３に、キャリア１２に搭載されたレーザチップ１１から出射されたレーザ光が導入されるようになっている。光ファイバ１３に導入されたレーザ光は、光スイッチ（光ＳＷ）を介して光パワー計測ユニット１５、光波長計測ユニット１６に供給されると共に、伝送特性評価装置１７にも供給される。この図３の測定装置では、例えば、波長特性、デジタル伝送、アナログ伝送等の光伝送特性を測定する分析的な試験が実行されている。この時、光ファイバ１３に導入される光量は、一般に全光量の数１０％程度が限界であり、従って、光パワー計測ユニット１５に供給される光量は相対値となる。
【００１０】
また、図４に示す測定装置では、レーザチップ１１から出射されたレーザ光のほぼ全量が受光できるように受光素子としてのフォトダイオード１８が配置されている。このフォトダイオード１８からの出力は、電極を介して、光−電気（Ｉ−Ｌ）計測ユニット１９に供給されるようになっている。
【００１１】
この図４の測定装置を用いて、光出力特性を測定する重要な試験が実行される。この試験では光の出力を絶対値として評価する必要があり、測定の再現性が重要である。この測定装置は、常に同じ条件で全光量に近い条件で受光できるように設定されている。
【００１２】
従来において、上記２つの測定装置を用いた光測定に関して、光の絶対パワーの測定と、光波長等の諸特性の測定とは、前述のように全く異なる試験であると考えられてきた。よって、別々の試験工程が設定され、図３及び図４で示したように別の試験設備で光の計測が行われていた。
【００１３】
しかしながら、このように光デバイスの試験を切り分けて実施すると、光デバイスを評価するという点で共通でありながら、試験工程の合理化、自動化、短手番化を促進することが困難となる。また、一方の試験の測定データを用いることで他方の試験の精度向上が図れるような場合でも、このように装置が別々であるとデータの取り扱いが面倒である。その結果として、光デバイスの評価に多くの時間とコストを要することにもなる。
【００１４】
したがって、本発明の主な目的は、光デバイスからの出射光の特性を効率良く測定できる測定装置を提供することである。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
上記目的は請求項１に記載の如く、光デバイスから出射された光を受ける受光素子と、該受光素子を透過した前記出射光を光ファイバに導入する導入部とを備えた光デバイス測定装置により達成される。請求項１記載の発明によれば、受光素子を透過した光が更に光ファイバに導入される。この光ファイバに光の諸特性を測定できる装置を接続することにより、光の絶対値的な特性と伝送特性等のパラメータ的な特性とを一つの装置で測定できるようになる。これにより、試験設備を共用できるので時間及び空間の有効利用が図られる。よって、光デバイスの測定手順の向上を図ることができる。
【００１６】
上記構成において、例えば、前記光ファイバと前記導入部とが光学的に直接接続されている構成としてもよい。また、上記構成において、前記導入部が集光レンズを備えている。また、前記受光素子の前で前記出射光を平行光に変換する第１レンズと、前記受光素子を透過した前記平行光を前記導入部に向けて集光する第２レンズとの少なくとも一方を備えている。この場合、前記受光素子と前記第２レンズとの間に更に反射防止用のアイソレータが配置されている構成としてもよい。また、上記構成において、前記受光素子からの出力と前記光ファイバからの出力とを用いて、光の特性を測定するように設定することもできる。更に、前記受光素子からの出力と、前記光ファイバからの出力とが同時に測定可能に設定されば、一方の出力データを他の修正に用いることができるので、測定をより高度なものにできる。更に、上記構成において、光−電気出力特性（Ｉ−Ｌ特性）を前記受光素子の出力に基づいて得ると共に、伝送特性を前記光ファイバからの出力に基づいて得るように構成してもよい。また、前記光ファイバからの出力に基づいて得た波長データを、前記受光素子の波長感度の補正又は波長チューニングに用いることもできる。更に、前記光デバイスが光モジュール内に配設され、該光デバイスの温度を制御する温度制御機構を備えていれば、より適切な状態で光デバイスを評価できる。
【００１７】
また、上記目的は、請求項１１に記載のように、光デバイスから出射された光を受ける受光素子と、該受光素子を透過した前記出射光を光ファイバに導入する導入部とを含む光デバイス測定用の受光ユニットによっても達成することができる。このような光ユニットを用いると、従来別に行っていた測定を連続して、或いは同時に行うことができるようになる。上記構成の受光ユニットにおいて、前記受光素子の前で前記出射光を平行光に変換する第１レンズと、前記受光素子を透過した前記平行光を集光する第２レンズとの少なくとも一方を含む構成としてもよい。また、前記第２レンズが集光する位置に前記導入部が配置されていることが望ましい。更に、前記第１レンズは、前記光デバイスからの出射光をダイレクトに受ける構成としてもよい。また、前記第１レンズは、光モジュールに収納されている光デバイスからの出射光を光ファイバを介して受ける構成としてもよい。また、前記受光素子と前記第２レンズとの間に反射防止用のアイソレータが更に配置された構成としてもよい。
【００１８】
更に、上記目的は、請求項１７に記載する、光デバイスから出射された光を測定する方法であって、前記出射光の絶対値的特性の測定と、前記出射光のパラメータ的特性の測定とを連続して行う光デバイスの測定方法により達成できる。本発明によると、絶対値的特性の測定と出射光のパラメータ的特性の測定とを連続して行うので、従来と比較して時間の短縮化を図ることができる。
【００１９】
また、上記目的は、請求項１８に記載のように、光デバイスから出射された光を測定する方法であって、前記出射光の絶対値的特性の測定と、前記出射光のパラメータ的特性の測定とを同時に行う構成により達成することができる。本発明によると、絶対値的特性の測定と出射光のパラメータ的特性の測定とを連続して行うので、従来と比較して時間の短縮化を図れ、更に一方のデータを他方の測定データの修正に用いることも可能となるので高度な測定が可能となる。上記方法において、前記絶対値的な特性として光の全出力を、前記パラメータの測定として伝送特性を測定するように構成してもよい。また、前記伝送特性で得たデータを、前記全出力特性の測定データの修正に用いるよう構成してもよい。
【００２０】
【発明の実施の形態】
以下、図面に基づいて本発明をより詳細に説明する。
【００２１】
図５は、本発明に係る一主要部分の構成を模式的に表した図である。図５（Ａ）は概念的な主要部の構成、図５（Ｂ）はより実用的な主要部の構成を示している。
【００２２】
本発明の実施形態で共有する構成は、図５（Ａ）に示すように、受光素子として光透過性のフォトディテクタ（ＰＤ）２２が出射光２０をほぼ全量受光できるように配設され、更にその背後（出射光２０の進行方向において下流）に光ファイバ２４が配置されている。なお、この例では、好ましい形態として光ファイバ２４の前端に集光レンズを備えた導入部２５が形成されている。ただし、集光レンズを用いることなく、光学的に光ファイバ２４と導入部２５とを直結する構成であってもよい。
【００２３】
上記の構成により、上記ＰＤ２２に接続された電極２３Ａ、２３Ｂにより光の静特性（光出力の絶対値）が計測可能となっている。また、光ファイバ２４の出力に基づいて伝送特性等の光パラメータの計測が可能となっている。
【００２４】
より好ましい構成を示す図５（Ｂ）では、ＰＤ２２よりもフェルール３２側に第１のレンズとしてコリメータレンズ２８と、ＰＤ２２と導入部２５との間に第２のレンズとしてコリメータ集光レンズ２９とを配置している。本図５（Ｂ）で示す構成では、コリメータレンズ２８を設けることにより光源からＰＤ２２を配置する距離を変更する自由度が得られる。また、下流にコリメータ集光レンズ２９を設けることで、出射光を効率良く導入部２５に導くことができる。
【００２５】
なお、図５では図示せぬ光モジュール内に設けた光半導体チップからの出射光を光ファイバ３３を介して導入し、光コネクタ３０端部のフェルール３２から出射させる場合について例示している。
【００２６】
図５に示すように、ＰＤ２２で出射光２０のほぼ全光量を受光し、その下流に設けた光導入部２５で更に出射光２０を受光できるように設計することで、従来においては別途に行っていた測定試験を連続して、或いは同時に行うことが可能となる。そのため光出力の絶対値的な測定と、光学的な諸特性の測定とを同じ装置で実行できる。よって、測定試験を短手番化して光デバイスを効率的に評価できるようになる。その結果、光デバイスをローコストで市場に供給できる。
【００２７】
なお、図５（Ｂ）では、第１のレンズ２８及び第２のレンズ２９を同時に設けた構成を例示しているが、いずれか一方としてもよい。レンズ２８を省略するときには、ＰＤ２２の位置を出射光２０側に近づけて全量を受光できるように調整する。レンズ２９を省略した場合は平行光となるが、この状態でも光導入部２５で所定量の光を確保することで測定が可能である。
【００２８】
以下更に、図を参照しながら本発明の実施例を説明する。
【００２９】
図６は本発明の第１実施例に係る光デバイス測定用の受光ユニット５０の概要構成を示した図である。また、図７はこの受光ユニット５０を含む光デバイス測定装置の概要構成を示した図である。本実施例ではベア状態の光半導体チップ（レーザチップ）１１からの射出光４２を測定する場合を示している。
【００３０】
まず、図６を参照すると、受光ユニット５０の内部には、前端（図においては左端）から射出光（レーザ光）４２を平行光に変換するコリメータレンズ５１、光透過型のフォトディテクタ５２、このフォトディテクタ５２を透過した光を集光するコリメータ集光レンズ５４が順に配設されている。光透過型のフォトディテクタ５２の端子部はワイヤ５３によりボンディングされており、受光ユニット５０の外周部に形成したコネクタ部５５と電気的に接続されている。よって、コネクタ部５５からフォトディテクタ５２からの光−電気（Ｉ−Ｌ）変換信号５９が得られるようになっている。上記レーザ光４２はレーザキャリア４１の所定位置に配置したレーザチップ１１から出射される。このレーザ光４２を最適に受光できる位置に受光ユニット５０が設定されている。
【００３１】
また、受光ユニット５０の右端側を閉塞するように集光受光部６０が形成されている。この集光受光部６０内の集光レンズ６１は、コリメータ集光レンズ５４により集光された光を効率良く受ける位置に配置されている。集光レンズ６１に導入された光は光ファイバ６２側に供給される。但し、本実施形態では、集光レンズ６１を使用せずに、一般的な光コネクタフェルール端へ直接、光学的に接合してもよい。
【００３２】
図７は、上記受光ユニット５０を組込んだ状態の測定装置４０の概要を示している。レーザキャリア４１の所定位置にレーザチップ１１を設置し、レーザ光４２を射出するように設定されている。このレーザ光４２を最適に受光できる位置に、受光ユニット５０が固定されている。受光ユニット５０の外周部に形成した上記コネクタ部５５には、Ｉ−Ｌ計測ユニット６５が接続され、フォトディテクタ５２からの受信信号（光−電気変換信号）が供給される。尚、当該コネクタ部５５には高周波信号や変調光信号の取り出しが可能な高周波コネクタを適用する。また、集光レンズ６１で導入した光は光ファイバ６２及び光スイッチを介して光波長計測ユニット６３に供給されると共に、分散状態が均一になるように伝送分散を補償するファイバ６７で分散補償された光が伝送特性評価装置６８に供給されるようになっている。
【００３３】
本実施例の装置によれば、従来において個別に行っていた系統の異なる試験を一括して実行できるようになる。なお、上記Ｉ−Ｌ計測ユニット６５による光の絶対値出力の測定と、光波長計測ユニット６３及び伝送特性評価装置６８によるパラメータ特性の測定とは、同時に行うことで試験の効率化を図ることができる。
【００３４】
ただし、本測定装置４０で必要により２種類の測定試験を、連続して或いは時間をおいて実行するように設定してもよいことは言うまでもない。
【００３５】
次に、図８は本発明の第２実施例に係る光デバイス測定用の受光ユニット７０の概要構成を示した図である。前述した第１実施例の受光ユニット５０はレーザチップ１１からのレーザ光をダイレクトに受けるタイプであったが、本実施例の受光ユニット７０は光モジュール内に収納したレーザチップからのレーザ光を光ファイバを介して受光するタイプである。なお、図８では、図６で説明した第１実施例の受光ユニット５０と同様となる部位には同一の符号を付し重複する説明は省略する。
【００３６】
本実施例の受光ユニット７０は、第１実施例で示した受光ユニット５０の左端に光コネクタ７３を接続した構成となる。本受光ユニット７０は、レーザチップを格納する光モジュールから延びた光ファイバ７２の端部に接続されるオス型の光コネクタ７３を有している。そして、前述した受光ユニット５０と同様の構成を有する右側部分（以下、受光ユニット本体７５という）は、このオス型の光コネクタ７３に接続できるようにメス型に形成されている。光コネクタ７３の前端のフェルール７４からレーザ光４２が出射され、受光ユニット本体７５に導入される。
【００３７】
図９は、図８に示した受光ユニット７０の変形例を示した図である。この変形例においける受光ユニット本体７５は、フォトディテクタ５２とコリメータ集光レンズ５４との間に、更に反射防止用のアイソレータ７７を配置させている。このような構成にするとコリメータ集光レンズ５４側により均質なレーザ光を供給できるようになるとともに、伝送特性等の各種パラメータ諸特性の測定精度の向上が期待できる。
【００３８】
更に、図１０を参照して、図８及び図９に示した受光ユニット７０を組込み込んだ実施例の光測定装置８０について説明する。図１０は本発明に係る光デバイス測定装置８０の概要構成を示した図である。この測定装置は、図２で示した光モジュールからの光を測定する従来測定装置に対するものである。本実施例装置８０の場合には、基台８１の中央部位置に光半導体チップ（レーザチップ）を内蔵している光モジュール８２が配置されている。光モジュール８２内部には、サーミスタ及びペルチェ素子８４が搭載されており、光モジュール８２内のレーザチップの温度を制御できるようになっている。また、光モジュール８２からは複数の端子８３が引出されており、基台８１に形成した図示しない配線と接続されている。基台８１上に図示されないプリント基板とモジュールの複数端子８３との接触を介して、後述するＩ−Ｌ計測ユニット８５、温度制御ユニット８７等が電気的に接続されている。
【００３９】
光モジュール８２からのレーザ光は光ファイバ７２を介して、オス型の光コネクタ７３のフェルール部７４先端から射出されるようになっている。このオス型光コネクタ７３はメス型の受光ユニット本体７５と接続可能に設定されている。前述したように、この受光ユニット本体７５側の構成は第１実施例の受光ユニット５０と同様である。
【００４０】
本実施例装置８０は、本装置全体の計測を制御する制御コンピュータ８８を備えている。このコンピュータ８８はディスプレイ８９を備えており、制御内容を視認できるようになっている。コンピュータ８８は、光パワーを測定するＩ−Ｌ計測ユニット８５、光の波長データを測定する光波長計測ユニット８６及び光モジュール８２の温度を制御する温度コントロールユニット８７等を全体的に制御している。
【００４１】
Ｉ−Ｌ計測ユニット８５は、基台８１上に図示されないプリント基板及びコネクタ部５５に接続されている。Ｉ−Ｌ計測ユニット８５は、レーザドライブ信号を供給して光モジュール８２からレーザ光を出射させると共に、フォトディテクタ５２から光−電気（Ｉ−Ｌ）変換信号を得ている。光波長計測ユニット８６は、光ファイバ６２を介して集光レンズ６１に導入された光を受光し、この出力に基づいて波長データを生成させる。この波長データはＩ−Ｌ計測ユニット８５にも供給されている。温度コントロールユニット８７は、コンピュータ８９の下でペルチェ素子８２を駆動して、光モジュール８２内部のレーザチップ温度が所定範囲となるようにコントロールしている。
【００４２】
本測定装置８０では、Ｉ−Ｌ測定を行いながらリアルタイムに波長データを取得できる。よって、測定中での波長の変化による影響を補正しながら、高感度に光の絶対値を測定することが可能となる。
【００４３】
図１１は波長／電流に対する感度の変化を例示した図である。供給するレーザ電流の変化（増加）により光出力が上昇し、レーザ発振波長が長波長方向に変化する。このとき、レーザ発振波長の変化に対応するフォトディテクタ５２の波長感度は、図１１において点Ａから点Ｂ、点Ｃへと順に変化する。すなわち、レーザ掃引による電流密度変化により、波長が変化した光パワーにおける精度が低下してしまう。
【００４４】
しかし、本実施例装置の場合には、光の絶対値出力を測定しながら、同時に光波長変化を高い応答性をもって追従できるので、電流密度の増加による波長変化をリアルタイムに捉えることができる。そして、予め記憶した既知の波長感度データから光出力の算出を補正することで、発振波長変動に依存しない極めて高精度なパワー測定が可能となる。
【００４５】
特に、近年の半導体レーザは、ハイパワー化傾向にあり本実施例装置で実行している補正処理を行いながら光の絶対値出力を測定すると、高精度に光の絶対値出力を特定できるので極めて有用である。
【００４６】
また、従来においては、多波長の光デバイスを用いる場合、例えば図１２に示すように波長チューニングを別の装置で行ってから、複数（図１２では４つ）の波長λについてＩ−Ｌ試験工程を行っていた。しかし、本実施例装置８０では、波長データを随時得ながらＩ−Ｌ測定ができるので、試験工程を簡素化しかつ高精度な測定結果を得られるという利点がある。
【００４７】
また、一般にレーザモジュールの内部にはモニタ用のフォトディテクタ（ＰＤ）が実装されている。このモニタ用ＰＤの信号（Ｉｍ）を取り込みレーザドライブ電流にフィードバックして出力パワーを一定にする制御が実行されている。この制御はＩｍ−ＡＰＣ制御と称されている。多波長レーザなどの波長チューニングでは、このＩｍ−ＡＰＣ制御を行いながらモジュール内部の温度を変化させて所望のターゲット波長にチューニングしている。ところが、実際に内部温度の変化によりモニタ電流の制御が一定であっても、出力値がＩｍ−ＡＰＣ制御開始時のパワーから僅かに変動することがある。この問題について、予め一定の規格を設定し、Ｉｍ−ＡＰＣ制御の下で出力パワーの変動を監視し、選別することで製品となる光ディバイスの信頼性を向上させることができる。前述した実施例の測定装置によれば、この選別を波長チューニングを行いながら同時に実行できるという利点もある。
【００４８】
以上本発明の好ましい実施例について詳述したが、本発明は係る特定の実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
【００４９】
【発明の効果】
以上詳述したところから明らかなように、本発明によれば、従来においては別々に行っていた光デバイスから出射される光測定試験を一つの装置で行うことができるようになる。よって、本発明を採用することにより光デバイスの測定試験を効率的に行えるようになる。
【００５０】
更に、一方の試験の測定データを他方の測定に利用することが容易となり、測定データを補正或いは調整しながら測定できるので信頼性が向上する。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来において出射光の伝送特性等を測定する様子を模式的に示した図である。
【図２】従来において出射光の出力を測定するため全光を捕捉する様子を模式的に示した図である。
【図３】従来の分析的な試験を行う測定装置を示した図である。
【図４】従来の光の絶対値出力の試験を行う測定装置を示した図である。
【図５】本発明に係る一主要部分の構成を模式的に表した図である。
【図６】第１実施例に係る光デバイス測定用の受光ユニットの概要構成を示した図である。
【図７】図６の受光ユニットを含む光デバイス測定装置の概要構成を示した図である。
【図８】第２実施例に係る光デバイス測定用の受光ユニットの概要構成を示した図である。
【図９】図８に示した受光ユニットの変形例を示した図である。
【図１０】第２実施例の受光ユニットを含む光デバイス測定装置の概要構成を示した図である。
【図１１】波長／電流に対する感度の変化を例示した図である。
【図１２】多波長の光デバイスを測定する場合の従来での波長チューニング工程と試験工程と関係を示すブロック図である。
【符号の説明】
１１　　　光半導体チップ（光デバイス）
１３　　　光ファイバ
１４　　　集光レンズ（導入部）
１８　　　フォトディテクタ（受光素子）
１９　　　Ｉ−Ｌ計測ユニット
４０　　　光デバイス測定装置
５０　　　受光ユニット
５１　　　コリメータレンズ（第１レンズ）
５２　　　フォトディテクタ
５４　　　コリメータ集光レンズ（第２レンズ）
７７　　　アイソレータ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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