(57)【要約】【課題】この発明は、希ガスを十分に取り除くことができ、真空度を高めることができ、装置の使用寿命を延長できる表示装置の製造方法を提供することを課題とする。【解決手段】ＳＥＤは、複数のエミッタ１２ａ〜１２ｄを形成したリアプレート２、および蛍光体スクリーンを形成したフェースプレート４を有する。真空チャンバ内でエージングする場合、リアプレート２とフェースプレート４との間にアノード電圧Ｖａを印加し、エミッタ１２に駆動電圧Ｖｆを印加する。各エミッタ１２から放出される電子の移動距離ｘがエミッタ１２の配線上に位置するように、エミッタ１２のピッチ、プレート間のギャップｄ、アノード電圧Ｖａ、駆動電圧Ｖｆを調整し、イオン化した粒子がエミッタ１２の導電膜に衝突することを防止する。【選択図】      図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の表面伝導型電子放出素子およびその配線を対向面に形成したリアプレートと蛍光体層およびアノード電極を対向面に形成したフェースプレートを所定のギャップｄを介して対向せしめて真空チャンバ内に配置して、該真空チャンバを真空引きする工程と、
上記表面伝導型電子放出素子から放出される電子の衝突によりイオン化された粒子が上記表面伝導型電子放出素子から外れた位置で上記リアプレートに衝突するように、上記表面伝導型電子放出素子間のピッチおよび上記プレート間のギャップｄを設定するとともに上記プレート間に与えるアノード電圧Ｖａおよび上記電子放出素子に与える駆動電圧Ｖｆを調整してエージングするエージング工程と、
上記リアプレートとフェースプレートを封着して真空外囲器を形成する封着工程と、
を備えていることを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項２】
上記エージング工程では、イオン化された粒子が上記配線上に衝突するように、上記表面伝導型電子放出素子間のピッチ、上記プレート間のギャップｄ、上記アノード電圧Ｖａ、および上記駆動電圧Ｖｆを設定することを特徴とする請求項１に記載の表示装置の製造方法。
【請求項３】
上記エージング工程では、上記アノード電圧Ｖａ、および駆動電圧Ｖｆの印加時間を調整することを特徴とする請求項１に記載の表示装置の製造方法。
【請求項４】
上記エージング工程における駆動電圧Ｖｆは、方形波パルス、正弦波パルス、および三角波パルスを含むパルス電圧であることを特徴とする請求項１または３に記載の表示装置の製造方法。
【請求項５】
有機物質を含むガスの雰囲気中で上記複数の表面伝導型電子放出素子に通電して活性化する活性化工程と、
上記真空チャンバ内に配置された上記フェースプレートよおびリアプレートを加熱するベーキング工程と、をさらに備え、
上記エージング工程を、上記活性化工程の後、上記封着工程の前後、上記ベーキング工程中、および上記ベーキング工程の前後のいずれかのタイミングで行うことを特徴とする請求項１に記載の表示装置の製造方法。
【請求項６】
上記真空外囲器内のガスを吸着するためのゲッターを形成するゲッター形成工程をさらに有することを特徴とする請求項１または５に記載の表示装置の製造方法。
【請求項７】
上記エージング工程では、上記ゲッターにより十分に吸着されない希ガスをイオン化させて上記リアプレートに吸着させることを特徴とする請求項６に記載の表示装置の製造方法。
【請求項８】
上記エージング工程では、全ての表面伝導型電子放出素子に対し、所定数の表面伝導型電子放出素子を１組とし、複数回に分けてエージングすることを特徴とする請求項１または５に記載の表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、例えば、表面伝導型電子放出素子を用いた表示装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、表面伝導型電子放出素子（以下、単にエミッタと称する）を用いた表示装置、すなわちＳｕｒｆａｃｅ−Ｃｏｎｄｕｃｔｉｏｎ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ−Ｅｍｉｔｔｅｒ  Ｄｉｓｐｌａｙ（以下、ＳＥＤと称する）の開発が進められている。
【０００３】
このＳＥＤは、所定のギャップを介して対向配置されたフェースプレートおよびリアプレートを有し、これらのプレートは、矩形枠状の側壁を介して周縁部を互いに接合するとともに内部を真空にすることにより真空外囲器を構成している。フェースプレートの内面には３色の蛍光体層が形成され、リアプレートの内面には、蛍光体を励起する電子放出源として、画素毎に対応する多数のエミッタが配列されている。各エミッタは、導電性薄膜に亀裂を生じせしめて形成される電子放出部、この電子放出部に電圧を印加する一対の電極等で構成されている。
【０００４】
また、両プレート間には板状のグリッドが配設されている。このグリッドには、エミッタに対して整列した位置関係で多数のビーム通過孔が形成されているとともに、フェースプレートの内面およびリアプレートの内面に当接することでプレート間のギャップを維持するための複数の柱状のスペーサが設けられている。
【０００５】
そして、各エミッタの電子放出部から放出された電子ビームが、スペーサグリッドの対応するビーム通過孔を通り所望の蛍光体層上に収束され、蛍光体が励起発光されて画像が表示されるようになっている。
【０００６】
一般に、良好な表示特性を得るため、ＳＥＤの製造工程において、真空外囲器の内圧を１０−７［Ｐａ］程度の超高真空に保つことが重要とされている。従来、超高真空を保つため、フェースプレート内面に、真空外囲器内の残留ガスを吸着せしめるためのゲッター膜が形成されたり、非蒸発型ゲッター（Ｎｏｎ  Ｅｖａｐｏｒａｔｅ  Ｇｅｔｔｅｒ；以下、ＮＥＧと称する）がその外囲器内部に載置される。或いは、これら両方を共に用いる場合もある。
【０００７】
しかしながら、ゲッター膜の材料やＮＥＧとして一般に用いられるＢａゲッターの性能上、Ａｒなどの希ガスは十分に吸着することができなかった。このため、真空外囲器内に残留した希ガスが、エミッタから放出される電子の衝突によりイオン化され、リアプレートに向けて加速されてエミッタに衝突され、いわゆるイオン衝撃によってエミッタが破壊されてエミッション電流が大きく減少して表示装置の寿命が短くなる問題があった。
【０００８】
特に、上述した希ガスイオンの衝突による不具合は、１つの画素を２つのエミッタで駆動するタイプ（ツインドライブ）の装置（例えば、特許文献１参照。）で顕著であった。つまり、同一画素を駆動する一方のエミッタから放出された電子が隣接する他方のエミッタの上方の領域を通過し、この電子が残留ガス等に衝突することによりイオン化された粒子が、他方のエミッタに向けて加速されて衝突し、他方のエミッタを破壊する問題があった。
【０００９】
【特許文献１】
特開平７−２３５２５６号公報（図５）
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
この発明は、以上の点に鑑みなされたもので、その目的は、希ガスを十分に取り除くことができ、真空度を高めることができ、装置の使用寿命を延長できる表示装置の製造方法を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明の表示装置の製造方法は、複数の表面伝導型電子放出素子およびその配線を対向面に形成したリアプレートと蛍光体層およびアノード電極を対向面に形成したフェースプレートを所定のギャップｄを介して対向せしめて真空チャンバ内に配置して、該真空チャンバを真空引きする工程と、上記表面伝導型電子放出素子から放出される電子の衝突によりイオン化された粒子が上記表面伝導型電子放出素子から外れた位置で上記リアプレート上に吸着するように、上記表面伝導型電子放出素子間のピッチおよび上記プレート間のギャップｄを設定するとともに上記プレート間に与えるアノード電圧Ｖａおよび上記電子放出素子に与える駆動電圧Ｖｆを調整してエージングするエージング工程と、上記リアプレートとフェースプレートを封着して真空外囲器を形成する封着工程と、を備えている。
【００１２】
上記発明によると、エージングにより電子が残留ガスに衝突してイオン化された粒子が、表面伝導型電子放出素子から外れた位置でリアプレートに吸着される。このため、真空外囲器内の真空度を高めることができ、イオン衝撃によって表面伝導型電子放出素子が破壊されることを防止でき、エミッション電流の減少を抑制でき、表示装置の使用寿命を延長できる。
【００１３】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照しながらこの発明の実施の形態について詳細に説明する。
【００１４】
図１には、この発明の実施の形態に係る表示装置としてＳＥＤ１の概略断面図を示してある。
【００１５】
ＳＥＤ１は、それぞれ矩形板状のガラスからなるリアプレート２およびフェースプレート４を有する。これら２枚のプレート２、４は、高精度に位置合わせされた状態で所定のギャップを介して対向配置されている。そして、リアプレート２およびフェースプレート４は、ガラスからなる矩形枠状の側壁６を介して周縁部同士が接合され、内部が極めて高い真空状態に真空引きされ、扁平な真空外囲器を構成している。
フェースプレート４がリアプレート２に対向する側の対向面４ａには蛍光体スクリーン１１が形成されている。この蛍光体スクリーン１１は、赤、青、緑の蛍光体層、および黒色着色層を並べて構成されている。これらの蛍光体層はストライプ状あるいはドット状に構成されている。また、蛍光体スクリーン１１上には、アノード電極として機能するアルミニウム等からなるメタルバック（ここでは図示省略）が形成されている。さらに、メタルバック上には、イオン衝撃の原因となる真空外囲器内のガス粒子を吸着して真空外囲器内の真空度を高めるためのゲッター膜（図示せず）が形成されている。
【００１６】
リアプレート２がフェースプレート４に対向する側の対向面２ａには、蛍光体層を励起発光せしめる電子放出源として、それぞれ電子ビームを放出する多数の表面伝導型電子放出素子（以下、エミッタと称する）１２が設けられている。これらのエミッタ１２は、各画素に対応して複数列および複数行に配列され、ここでは図示しない後述するｘ軸配線およびｙ軸配線によりマトリックス状に接続されている。本実施の形態では、後述するように、１つの画素をｘ軸方向に並んだ２つのエミッタ１２で駆動するツインドライブ方式を採用している。
【００１７】
接合部材として機能する側壁６は、例えば、低融点ガラスからなるフリットガラス１３により、リアプレート２の周縁部とフェースプレート４の周縁部に封着され、リアプレート２とフェースプレート４を接合している。
【００１８】
また、リアプレート２とフェースプレート４との間には、スペーサグリッド１０（図２）が配設されている。スペーサグリッド１０は、金属などの磁性体からなる矩形板状のグリッド８の表裏に、それぞれ上スペーサ１４および下スペーサ１５を所定の間隔をおいて接合配置して形成される。つまり、スペーサグリッド１０は、各スペーサ１４、１５の先端１４ａ、１５ａを各プレート２、４の対向面２ａ、４ａに当接させることで、大気圧によるリアプレート２およびフェースプレート４の破壊を防止するよう機能する。
【００１９】
また、グリッド８には、エミッタ１２から放出された電子を蛍光体スクリーン１１に到達させるための多数の電子通過孔１６が設けられている。すなわち、ｘ軸方向に沿って並設した２つのエミッタ１２、電子通過孔１６、および蛍光体スクリーン１１の蛍光体層は、各画素毎に対応して一列に並んでいる。
【００２０】
上記構造のＳＥＤ１を用いて画像を表示する場合、まず、図示しない信号源から入力される画像信号に基づいて、リアプレート２の対向面２ａに設けられた複数のエミッタ１２から電子ビームが放出される。本実施の形態では、１つの画素に対応して２つ１組のエミッタ１２から同時に電子ビームが放出される。そして、各エミッタ１２から放出された電子ビームが、グリッド８の対応する電子通過孔１６を通過し、対応する蛍光体層１１に収束される。これにより、蛍光体が励起発光されて画像が表示される。
【００２１】
次に、上記構造のＳＥＤ１の製造方法について、図３に示すフローチャートとともに、図４を参照して説明する。図４には、リアプレート２を対向面２ａ側から見た、複数のエミッタ１２および配線（ｘ軸配線およびｙ軸配線）の状態を部分的に示す平面図を示してある。
【００２２】
ＳＥＤ１を製造する場合、まず、リアプレート２を純水、有機溶剤等を用いて十分に洗浄し、真空蒸着法、スパッタ法により、図４に示すｘ軸配線２１およびｙ軸配線２２を形成するための配線材料を対向面２ａ上に成膜する。配線材料として、Ｎｉ、Ｃｒ、Ａｕ、Ｍｏ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｔｉ、Ｃｕ、Ｐｂ等が用いられる。そして、フォトリソグラフィー技術により、図４に示す形状のｘ軸配線２１およびｙ軸配線２２をリアプレート２の対向面２ａ上に形成する（図３；ステップ１）。このとき、ｘ軸配線２１とｙ軸配線２２とが交差する部分には絶縁層２３（図４）が設けられる。
【００２３】
次に、上記のようにｘ軸配線２１およびｙ軸配線２２を形成したリアプレート２上に、図４に示す導電膜２４を形成するための膜材料を塗布する。膜材料として、Ｐｄ、Ｒｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｔｂ、Ｃｄ、Ｆｅ、Ｐｂ等が用いられる。そして、この膜材料を加熱焼成処理し、リフトオフ、エッチング等によりパターニングし、図４に示す形状（略円形）の導電膜２４を形成する（ステップ２）。尚、膜材料の塗布方法としては、バブルジェット法、インクジェット法、ピエゾジェット法、ディッピング法、スピンナー法等を用いることができる。
【００２４】
さらに、導電膜２４に電子放出部２５を形成するためのフォーミング処理を行う（ステップ３）。フォーミング処理は、通常、ｘ軸配線２１およびｙ軸配線２２に電位差を与えて導電膜２４に通電することにより行う。ｘ軸配線２１およびｙ軸配線２２間に、電圧を印加する事により、導電膜２４内に、ジュール熱が発生し、ｘ軸配線２１およびｙ軸配線２２の中間で導電膜２４に亀裂が生じ、電子放出部２５が形成される。尚、フォーミング処理時における電圧は、パルス波形が望ましい。
【００２５】
上記のようにフォーミング処理を終えたエミッタ１２には活性化処理（ステップ４）を施すのが好ましい。活性化処理とは、例えば、有機物質のガスを含有する雰囲気下で、フォーミング処理と同様に、ｘ軸配線２１およびｙ軸配線２２間にパルス状の電圧を印加することで実施される。有機物質として、アルカン、アルケン、アルキン等の脂肪族炭化水素類、芳香族炭化水素類、アルコール類、アルデヒド類、ケトン類、アミン類、フェノール、カルボン酸、スルホン酸等の有機酸類等が用いられる。
【００２６】
以上のようにリアプレート２の対向面２ａ上に複数のエミッタ１２および配線２１、２２が形成された後、フリットガラス１３を介してリアプレート２の周縁部に側壁６が取り付けられる（ステップ５）。そして、上述した蛍光体スクリーン１１およびメタルバックが形成されたフェースプレート４とともに、側壁６を取り付けたリアプレート２が、図示しない真空チャンバ内にセットされる（ステップ６）。このとき、リアプレート２の対向面２ａとフェースプレート４の対向面４ａが所定のギャップｄ（後述する）を介して対向し、且つ互いに平行に対向するように２枚のプレート２、４が高精度に位置決めして配置される。
【００２７】
さらに、真空チャンバ内が真空引きされて所定の圧力に設定される（ステップ７）。本実施の形態では、真空チャンバ内の圧力は、１０−７［Ｐａ］程度に設定される。
【００２８】
この後、真空チャンバ内に設けた図示しないヒータにより、リアプレート２およびフェースプレート４をベーキングして脱ガス処理をする（ステップ８）。このとき、２００［℃］〜４００［℃］の温度で、０．１［ｈ］〜１０［ｈ］程度、リアプレート２およびフェースプレート４を加熱する。
【００２９】
さらに、この後、各エミッタ１２を接続したｘ軸配線２１およびｙ軸配線２２に所定の電圧を与えて通電し、各エミッタ１２を駆動せしめて電子を放出させてエージング処理を行う（ステップ９）。このエージング処理により、真空チャンバ内に残留したガス、特に希ガスがイオン化されてリアプレート２の対向面２ａに吸着され、真空度が高められる。このステップ９のエージング処理については、後に詳述する。
【００３０】
そして、Ｂａゲッターなどのゲッター材がフェースプレート４のメタルバック上にゲッタリングされる（ステップ１０）。このゲッター膜は、真空外囲器内に残留したガスを吸着して真空度を高める。
【００３１】
最後に、ステップ５でリアプレート２の対向面２ａに取り付けられた側壁６とフェースプレート４の対向面４ａとが、真空チャンバ内で、フリットガラス１３を介して接合され、２枚のプレート２、４の周縁部同士が封着されて真空外囲器が形成される（ステップ１１）。
【００３２】
以下、ステップ９のエージング処理について、図５乃至図８を参照してさらに詳細に説明する。
【００３３】
図５に模式的に示すように、エージング処理時には、上記のように所定ギャップｄ［ｍｍ］を介して対向配置されたフェースプレート４とリアプレート２との間に所定のアノード電圧Ｖａ［Ｖ］を印加し、且つエージング処理を実行する特定のエミッタ１２に所定の駆動電圧Ｖｆ［Ｖ］を印加する。
【００３４】
本実施の形態では、真空チャンバ内を１０−７［Ｐａ］以下の圧力に真空引きした状態で、上述したｘ軸配線に沿って２つ１組で並設された１行分の複数組のエミッタ１２ａ〜１２ｄに対して通常駆動時とは逆極性の駆動電圧Ｖｆ［Ｖ］を同時に印加してエージングし、２行目以降のエミッタ１２を１行ずつまとめて順次駆動せしめてエージングするようにした。例えば、ｘ軸配線２１の本数が７６８本である表示装置の場合、最上段の１行目から最下段の７６８行目まで、１行ずつ順番にエージング処理をするようにした。これにより、エージングにより一度に生出されるイオンガスの量を抑制できる。
【００３５】
エージング処理時、各エミッタ１２ａ〜１２ｄから放出される電子は、アノード電極に向けて真っ直ぐに飛び出すのではなく、それぞれ一方の電極から他方の電極に向けてｘ軸方向に飛び出し、アノード電圧Ｖａ［Ｖ］によってフェースプレート４に向けて加速され、図示したように曲線軌道を描いて飛翔する。電子の飛び出す方向は、駆動電圧Ｖｆの極性による。例えば、図５で１番左のエミッタ１２ａと対をなす左から２つ目のエミッタ１２ｂから放出された電子は、通常と逆極性の駆動電圧Ｖｆにより、図中右方向に飛び出して曲線を描いて移動距離ｘ［μｍ］だけ離れた位置でアノード電極に到達する。
【００３６】
つまり、エミッタ１２から放出された電子は、アノード電極に到達するまでにｘ軸方向に所定距離（移動距離ｘ）［μｍ］だけシフトする。この移動距離ｘ［μｍ］は、アノード電圧Ｖａ［Ｖ］、駆動電圧Ｖｆ［Ｖ］、プレート間のギャップｄ［ｍｍ］に依存して変化する。
【００３７】
本実施の形態では、プレート間のギャップｄを１．６［ｍｍ］に設定し、駆動電圧Ｖｆ１５．５［Ｖ］、パルス幅２０［μｓ］、周波数６０［Ｈｚ］の方形波パルスを通電した。このとき、電子の移動距離ｘは、アノード電圧Ｖａに依存して図６に示すように変化する。言い換えると、本実施の形態では、アノード電圧Ｖａを調整することにより移動距離ｘを所望の値に調整するようにした。
【００３８】
ところで、エージングにより各エミッタ１２から放出された電子は、真空チャンバ内の残留ガス（特に、ゲッター膜により十分に吸着できないＡｒ等の希ガス）に衝突してプラスイオン化せしめる。プラスイオン化されたガス粒子は、アノード電圧Ｖａによってリアプレート２に向けて加速され、リアプレート２の対向面２ａに衝突する。このとき、加速されたプラスイオンがエミッタ１２の導電膜２４に衝突すると、導電膜２４を破壊してエミッタ１２が使えなくなる。
【００３９】
このため、本実施の形態では、エージングによりイオン化された粒子がリアプレート２に衝突する位置がエミッタ１２から外れた電極２１、２２の上になるように、エミッタ１２のピッチ、プレート間のギャップｄ、アノード電圧Ｖａ、駆動電圧Ｖｆを設定した。具体的には、エミッタ１２の電子放出部２５から配線までの距離と電子の移動距離ｘとが一致するようにアノード電圧Ｖａを設定した。
【００４０】
本実施の形態では、電子放出部２５から配線までの距離に基づいて、移動距離ｘが９５［μｍ］〜１８０［μｍ］の範囲内となるように、アノード電圧Ｖａを設定した。つまり、図６に基づいて、アノード電圧Ｖａを５［ｋＶ］〜１０［ｋＶ］以上の比較的高い電圧に設定した。これにより、エージングによりイオン化した粒子が配線上に衝突して導電膜２４を破壊することを防止できるとともに、比較的高い電圧でエージング処理ができるため、フェースプレートの脱ガスを十分に行うことができる。
【００４１】
本実施の形態では、駆動電圧１５．５［ｖ］、パルス幅２０［μｓ］、周波数６０［Ｈｚ］の方形波パルスで、アノード電圧Ｖａを１０［ｋＶ］に設定し、１０［ｍｉｎ］間のエージングを行った。この結果、真空チャンバ内に残留したＡｒガスを８０［％］除去することができた。
【００４２】
図７には、エージング処理時にアノード電圧Ｖａおよびアノード電圧Ｖａの印加時間を変化させた時のＡｒガスの分圧を示してある。Ａｒガス分圧は、マスフィルター型質量分析計（ＵＬＶＡＣ（株）製ＲＥＧＡ−２０１）を用いて測定した。これによると、アノード電圧Ｖａが高い程、短時間でＡｒガスを高率良く除去できることが分る。
【００４３】
図８には、上述した本発明の方法により製造した３６インチディスプレイパネル、および従来の方法により製造した３６インチディスプレイパネルのエミッション電流保持率の経時変化を比較して示してある。このときのライフ条件は、駆動電圧Ｖｆ＝１５．０［Ｖ］、方形パルス印加、パルス幅＝２０［μｓ］、周波数＝６０［Ｈｚ］、アノード電圧Ｖａ＝１０［ｋＶ］とした。これによると、本発明によりエミッション電流の保持率の減少率が大きく改善され、長寿命化を実現できていることが分る。
【００４４】
また、表示パネルの寿命を示す指標となるエミッション電流が初期状態から３０［％］減少するまでの時間は、本発明の方法により製造した３６インチパネルでは１００００［ｈ］以上であり、従来の３６インチパネルの５５００［ｈ］と比較して、表示パネルの使用寿命が約２倍程度に延びていることが分る。
【００４５】
以上のように、本発明によると、Ｂａゲッターなどのゲッター膜により十分に除去できない希ガスをエージングにより除去でき、真空外囲器の真空度を高めることができる。また、エージング処理時にイオン化される希ガス粒子がエミッタ１２の導電膜２４に衝突することのないように、エミッタ１２のピッチ、プレート間のギャップｄ、アノード電圧Ｖａ、および駆動電圧Ｖｆを設定したため、エミッタが破壊されることを防止でき、ＳＥＤの使用寿命を大幅に延長できた。
【００４６】
尚、この発明は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、この発明の範囲内で種々変形可能である。例えば、上述した実施の形態では、エージング処理時に、エミッタ１２に対して通常駆動時とは逆極性の電圧を印加する場合について説明したが、これに限らず、通常駆動時と同じ方向の電圧を印加しても良い。この場合、電子の飛び出す方向が上述した実施の形態と逆方向となるため、電子の移動距離ｘが１６０［μｍ］〜１８０［μｍ］の範囲となるように、アノード電圧Ｖａを設定すれば良く、図６を参照すると、アノード電圧Ｖａを５［ｋＶ］〜１０［ｋＶ］に設定すれば良いことが分る。これにより、エージングにより発生したイオン粒子がエミッタ１２の導電膜２４に衝突することを防止できる。
【００４７】
また、エミッタ１２のピッチやプレート間のギャップｄが上述した実施の形態と異なる場合、エージング処理時における電子の移動距離ｘが導電膜２４から外れた位置となるようにアノード電圧Ｖａおよび駆動電圧Ｖｆを適宜設定すれば良い。
【００４８】
また、上述した実施の形態では、エージング処理をベーキング処理の後に行うようにしたが、これに限らず、図３のステップ４の活性化処理の後、ステップ１１の封着処理の前後、ステップ８のベーキング処理の前、或いはベーキング処理中であっても良く、エージングのタイミングは適宜変更可能である。好ましくは、ベーキング処理の後で、フェースプレート４の脱ガスが十分になされた後で、真空チャンバ内の圧力が１０−７［Ｐａ］以下であることがより好ましい。
【００４９】
また、上述した実施の形態では、エージング処理時にエミッタ１２に通電する駆動電圧Ｖｆを、Ｖｆ＝１５．５［Ｖ］、パルス幅２０［μｓ］、周波数６０［Ｈｚ］の方形波パルスとしたが、これに限らず、正弦波パルスや三角波パルスを用いることもできる。パルスのデューティーを変えずに波形を方形波から三角波に変えると、エネルギーを弱くすることができる。また、例えば、周波数を１００［Ｈｚ］に増加させると、エミッタ１２から放出される電子ビームのエネルギー強度を高めることができる。また、方形波パルスの場合、パルス幅を増減することによりエネルギー強度を増減させることができる。つまり、パルスの波形、周波数、パルス幅等を調整することにより、エミッタ１２から放出される電子ビームの状態を変化させることができ、電子の移動距離ｘを調整できる。
【００５０】
さらに、上述した実施の形態では、複数のエミッタ１２を１行ずつエージングする場合について説明したが、これに限らず、製造コスト等の観点から、処理時間を短縮する目的で、数行もしくは全ての行を１度にまとめてエージングするようにしても良い。
【００５１】
【発明の効果】
以上説明したように、この発明の表示装置の製造方法によると、真空外囲器内に残留した希ガスを十分に取り除くことができ、真空外囲器の真空度を高めることができ、表示装置の使用寿命を延長できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の実施の形態に係るＳＥＤを示す概略断面図。
【図２】図２のＳＥＤに組み込まれるスペーサグリッドを示す概略斜視図。
【図３】図１のＳＥＤの製造方法を説明するためのフローチャート。
【図４】エミッタおよび配線をリアプレートの対向面側から見た平面図。
【図５】エージング工程を説明するための動作説明図。
【図６】アノード電圧Ｖａを変化させたときの電子の移動距離ｘの関係を示す図。
【図７】エージングによるＡｒガスの分圧変化を示す図。
【図８】ディスプレイパネルのエミッション電流保持率の経時変化を従来のパネルと比較して示す図。
【符号の説明】
１…ＳＥＤ、
２…リアプレート、
２ａ、４ａ…対向面、
４…フェースプレート、
６…側壁、
１０…スペーサグリッド、
１２…エミッタ、
２１…ｘ軸配線、
２２…ｙ軸配線、
２４…導電膜、
２５…電子放出部、
ｄ…ギャップ、
Ｖａ…アノード電圧、
Ｖｆ…駆動電圧。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2004158265.tif 000009
【図８】
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