(57)【要約】【課題】半導体装置を構成する層間絶縁膜として利用する際、有機高分子膜の機械的強度を飛躍的に向上させることが可能な有機高分子膜の構造を提供する。【解決手段】複数種の原料モノマーから合成される芳香族化合物の原料として、少なくともひとつの原料モノマーの主骨格にベンゼン環あるいはベンゾ縮合環が含ませることで、かつその主鎖を構成しているベンゼン環の二置換体の置換基の位置がパラ位置（１，４−）にあるものを選択することで、オルト（１，２−）位置やメタ（１，３−）位置にある場合よりも高い機械強度を実現することが可能となる。【選択図】　　　図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
芳香族高分子化合物であって、複数種の原料モノマーから合成される化合物であり、少なくともひとつの原料モノマーの主骨格にベンゼン環あるいはベンゾ縮合環が含まれており、かつその主鎖を構成しているベンゼン環の二置換体の置換基の位置がパラ位置（１，４−）にあり、オルト（１，２−）位置やメタ（１，３−）位置にある場合よりも高い機械強度持つことを特徴とする有機系層間絶縁膜材料。
【請求項２】
前記複数の原料モノマーから合成される芳香族高分子化合物であって、複数の原料モノマーの共重合反応により合成されることを特徴とする請求項１に記載の有機系層間絶縁膜材料。
【請求項３】
前記複数の原料モノマーから合成される請求項２に記載の芳香族高分子化合物であって、少なくとも二つの原料モノマーのひとつにビニル基があり、別のひとつの原料モノマーにシクロブテン基があることを特徴とする請求項２に記載の有機系層間絶縁膜材料。
【請求項４】
前記複数の原料モノマーから合成される芳香族高分子化合物であって、少なくともその二つが、下記化１式で示される、ベンゼン環の二置換体の置換基の位置がパラ位置にあるパラ−ジビニルベンゼンと、下記化２式で示されるシクロブテン基からなる重合反応部位を有するトリシクロ［６．２．０．０３，６］デカ−１（８），２，６−トリエンであることを特徴とする、請求項１に記載の有機系層間絶縁膜材料。
【化１】
2004128277.tif 000023
【化２】
2004128277.tif 000024
【請求項５】
前記複数の原料モノマーから合成される芳香族高分子化合物であって、少なくともその二つが、下記化３式で示される、ベンゼン環の二置換体の置換基の位置がパラ位置にあるパラ−ジビニルベンゼン誘導体と、下記化４式で示されるシクロブテン基からなる重合反応部位を有するトリシクロ［６．２．０．０３，６］デカ−１（８），２，６−トリエン誘導体であることを特徴とする、請求項１に記載の有機系層間絶縁膜材料。
【化３】
2004128277.tif 000025
【化４】
2004128277.tif 000026
【請求項６】
前記複数の原料モノマーから合成される芳香族高分子化合物であって、少なくともその二つが、下記化５式で示される、ベンゼン環の二置換体の置換基の位置がパラ位置にあるパラ−ジビニルベンゼンと、下記化６式で示されるシクロブテン基からなる重合反応部位を有するナフタレンジシクロブテンであることを特徴とする、請求項１に記載の有機系層間絶縁膜材料。
【化５】
2004128277.tif 000027
【化６】
2004128277.tif 000028
【請求項７】
前記複数の原料モノマーから合成される芳香族高分子化合物であって、少なくともその二つが、下記化７式で示される、ベンゼン環の二置換体の置換基の位置がパラ位置にあるパラ−ジビニルベンゼン誘導体と、下記化８式で示されるシクロブテン基からなる重合反応部位を有するナフタレンジシクロブテン誘導体であることを特徴とする、請求項１に記載の有機系層間絶縁膜材料。
【化７】
2004128277.tif 000029
【化８】
2004128277.tif 000030
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置を構成する絶縁膜として利用可能な芳香族高分子膜に関し、より具体的には、複数種の原料モノマーから合成される化合物であり、少なくともひとつの原料モノマーの主骨格にベンゼン環あるいはベンゾ縮合環が含まれており、かつその主鎖を構成しているベンゼン環あるいはベンゾ縮合環の二置換体の置換基の位置がパラ位置（１，４−）にあり、オルト（１，２−）位置やメタ（１，３−）位置にある場合よりも高い機械強度実現する有機系層間絶縁膜材料に関する。
【０００２】
【従来の技術】
高速、高集積化を続ける半導体集積回路の設計ルールは縮小を続けており、それに伴い隣接する配線間の間隙も狭くなっている。その結果、配線間の寄生容量に起因する遅延も相対的に増し、この遅延よる高速動作性能の劣化が顕在化している。つまり、半導体集積回路において、配線信号遅延は配線ＣＲ時定数（Ｃ：配線容量、Ｒ：配線抵抗）に依存するが、配線幅の減少による配線抵抗の増大に加え、配線間隔の減少による配線間容量の増大も生じ、配線ＣＲ時定数が大幅に増すと、回路を構成するトランジスタのスイッチング速度の向上に対して、配線での信号伝達速度が十分に追従できない状態となることが懸念されている。
【０００３】
従来、半導体集積回路の配線材料には、アルミ合金が主に使用されていたが、一層の高速な動作を目標とする、より集積度を増した集積回路では、配線幅の減少による配線抵抗の増大を回避するため、配線材料の低抵抗化を必要とし、現在、銅配線を使用している。
【０００４】
銅配線では、銅の加工がアルミ合金に比べて困難であることから、層間絶縁膜に溝を形成し、そこに配線金属を埋め込み、余分な金属をＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ　Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ；化学的機械研磨）により取り去られた配線構造、すなわちダマシン配線構造が用いられる。
【０００５】
一方、配線間容量の増大を回避するために、配線間の絶縁膜として、従来から広く利用されているシリカ（ＳｉＯ２）系絶縁膜よりも、比誘電率の低い絶縁膜材料の採用が進められている。この半導体装置における配線間の絶縁膜として利用可能な、比誘電率の低い絶縁膜材料としては、フッ素添加シリカ（ＳｉＯＦ）やポーラスシリカ、さらには、有機高分子膜（有機絶縁膜）の利用が行われている。
【０００６】
しかしながら、半導体集積回路技術の更なる進歩により、配線絶縁膜に対する低誘電率化の要求は、既にフッ素添加シリカ（ＳｉＯＦ）膜で得られる３．３程度の比誘電率では、十分には応えられなくなってきている。すなわち、比誘電率が３以下と非常に小さな絶縁材料の利用が注目されている。この観点では、ポーラスシリカは、その比誘電率を２以下とすることも可能である点から、期待される材料の一つである。ただし、その構造上、微小空孔の中へ水分が凝縮すると、比誘電率が増大し、また、絶縁耐圧が低下したりすることもある。また、ポーラス構造ゆえ、機械的強度が弱く、化学的機械研磨（ＣＭＰ）や、ワイヤーボンディングといった工程において、その物理的ストレスに耐えられないといった問題を有することも少なくない。
【０００７】
現在、半導体集積回路上の多層配線間を絶縁する層間絶縁膜として利用する上で必要となる、耐吸湿性、機械強度に優れた有機高分子膜の開発が急がれている。
【０００８】
有機高分子膜において、優れた耐吸湿性を達成するためには、かかる有機高分子の構成ユニットとなる、有機モノマー中に親水基が含まれていないことが肝要である。また、有機高分子膜をその骨格たる有機モノマーの重合反応で形成する際、その重合反応中に水分子を生成させる脱水縮合反応を経ないことが望ましいとされている。ここで、有機モノマーとは、かかる有機モノマーを構成単位として重合反応によって、目的とする有機高分子（有機ポリマー）を形成する原料化合物を呼ぶ。
【０００９】
層間絶縁膜のような、機能性有機高分子膜の成膜方法として、原料の有機モノマーをスピンコーティングした後、その被膜層中で重合反応を起こさせ、高分子膜とするスピンコーティング法とプラズマ重合法がある。
【００１０】
前者のスピンコーティング法は、有機高分子膜の成膜に広く用いられている方法である。この方法では、スピンコーティングするため、有機モノマーは溶媒に溶解されており、被膜層を形成した後、成膜過程では、含まれる溶媒を蒸発・除去するとともに、残留する有機モノマーを加熱によりモノマー相互の重合反応を進行させる。最終的に、重合反応により、有機モノマーを構成単位とする、２次元あるいは３次元の網目構造膜や、高分子膜が形成される。形成される有機高分子自体は、絶縁性材料であり、有機絶縁膜として機能する。
【００１１】
例えば、非特許文献１には、ジビニルシロキサンビスベンゾシクロブテン　モノマーを溶媒メシチレンに溶解させた溶液をスピン塗布した後、１００℃でベークして、塗布被膜中の溶媒メシチレンを除去し、その後、さらに３００℃〜３５０℃まで加熱すると、原料モノマー分子中のベンゾシクロブテン骨格中の炭素四員環の熱開環重合反応でＷジビニルシロキサンビスベンゾシクロブテン　モノマーを骨格とした３次元的分子鎖からなる有機高分子膜の成膜についての記述がなされている。
【００１２】
また、特許文献１にて、同じジビニルシロキサンビスベンゾシクロブテンモノマーを用いた有機高分子膜をＨｅプラズマのエネルギーを用いて重合させ、成膜する方法が記述されている。
【００１３】
非特許文献１では、熱エネルギーにより重合反応を起こさせていたが、特許文献１の方法では、プラズマのエネルギーにより重合反応させることもできるとされている。また、参考文献２の方法では、モノマーは溶媒中に溶解させる必要がなく、原料を気相で反応室へ供給することが必要となる。最終的に重合反応が進んだ後に形成される膜はモノマーを構成単位とした、２次元あるいは３次元の網目構造膜や高分子膜となる。当然、形成された有機高分子膜自体は絶縁性材料であり、有機絶縁膜として機能する。
【００１４】
多くの有機Ｌｏｗ−ｋ材料の機械強度が半導体装置製造工程に耐えられる機械強度が無いことが最大の課題である。
【００１５】
例えば、機械的強度の指標として弾性率（Ｙｏｕｎｇ′ｓ　Ｍｏｄｕｌｕｓ）が用いられるが、これまで層間絶縁膜に使用されてきたシリコン酸化膜ＳｉＯ２の弾性率は７０ＧＰａもあるのに対して、主構造にＳｉ−Ｏ構造を持たない有機材料はそのほとんどが１０ＧＰａを大きく超えるような弾性率を得ることは非常に困難である。
【００１６】
例えば、非特許文献３で報告されている材料のうち、比誘電率が３を下回るような材料においては、弾性率はいずれも１０ＧＰａを超えるものはない。
【００１７】
【非特許文献１】
Ｔ．Ｍ．Ｓｔｏｋｉｃｈ，　Ｊｒ．，　Ｗ．Ｍ．Ｌｅｅ，　Ｒ．Ａ．Ｐｅｔｅｒｓ：″ＲＥＡＬ−ＴＩＭＥ　ＦＴ−ＩＲ　ＳＴＵＤＩＥＳ　ＯＦ　ＴＨＥ　ＲＥＡＣＴＩＯＮ　ＫＩＮＥＴＩＣＳ　ＦＯＲ　ＴＨＥ　ＰＯＬＹＭＥＲＩＺＡＴＩＯＮ　ＯＦ　ＤＩＶＩＮＹＬ　ＳＩＬＯＸＡＮＥ　ＢＩＳ　ＢＥＮＺＯＣＹＣＬＯ　ＢＵＴＥＮＥ　ＭＯＮＯＭＥＲＳ″，Ｍａｔｅｒｉａｌ　Ｒｅｓｅａｒｃｈ　Ｓｏｃｉｅｔｙ　Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ　Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇ　Ｖｏｌ．２２７　ｐ．１０３，１９９１
【００１８】
【特許文献１】
特許第３１９０８８６号公報
【００１９】
【非特許文献２】
Ｅ．Ｔ．Ｒｙａｎ，　Ａ．Ｊ．ＭｃＫｅｒｒｏｗ，　Ｊ．Ｌｅｕ，　Ｐ．Ｓ．Ｈｏ：″Ｍａｔｅｒｉａｌｓ　Ｉｓｓｕｅｓ　ａｎｄ　Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｚａｔｉｏｎ　ｏｆ　Ｌｏｗ−ｋ　Ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ　Ｍａｔｅｒｉａｌｓ″，ＭＲＳ　Ｂｕｌｌｅｔｉｎ，　Ｖｏｌ．２２（１０）（１９９７）４９
【００２０】
【発明が解決しようとする課題】
半導体装置に用いられている銅配線はダマシンプロセスと呼ばれる、層間絶縁膜に配線の形に溝を形成した後に、銅を埋め込み、配線部以外の銅をＣＭＰという方法でＣｕを研磨、除去する工程が一般的であるが、この際、層間絶縁膜の機械強度が不十分であるときには、層間絶縁膜が変形したり、下層の膜から剥離したりすることがある。これらの課題に対して、弾性率として必要な値は明確ではない。したがって、できるだけ高い弾性率、それもシリコン酸化膜と比肩するような高い値を持った層間絶縁膜を得ることが課題となっている。
【００２１】
そこで、本発明は、前記の課題を解決するもので、本発明の一般的な目的は、有機高分子膜を半導体装置を構成する層間絶縁膜として利用する際、芳香族有機高分子膜の機械的強度を著しく向上させることが可能な有機高分子膜構造を備えた有機系層間絶縁膜を提供することにある。
【００２２】
より具体的には、本発明の特別な目的は、ベンゼン環の二置換体の置換基の位置がパラ位置にある原料を選択することによって、メタ位置あるいはオルト位置にあるものを選択した場合よりも著しく機械強度の高い有機高分子膜からなる有機系層間絶縁膜を提供することにある。
【００２３】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、上記の課題を解決すべく、検討を重ねた結果、芳香族有機高分子膜を形成する際、用いる原料として、原料モノマーの主骨格がベンゼン環の二置換体であり、その置換基の位置がパラ位置にある原料を採用することで、オルト位置やメタ位置にあるものに比較して、飛躍的に機械強度が向上可能であることを見いだした。かかる知見に加えて、上記構造を取った有機高分子膜が低誘電率性を有していることも本発明者らは確認して、本発明を完成するに至った。
【００２４】
すなわち、本発明の高い機械強度を持つ有機Ｌｏｗ−ｋ材料は、芳香族高分子化合物であって、複数種の原料モノマーから合成される化合物であり、少なくともひとつの原料モノマーの主骨格にベンゼン環あるいはベンゾ縮合環が含まれており、かつその主鎖を構成しているベンゼン環あるいはベンゾ縮合環の二置換体の置換基の位置がパラ位置（１，４−）にあり、オルト（１，２−）位置やメタ（１，３−）位置にある場合よりも高い機械強度持つことを特徴とする有機系層間絶縁膜材料であるとすることもできる。
【００２５】
また、前記複数の原料モノマーから合成される芳香族高分子化合物であって、複数の原料モノマーの共重合反応により合成されることを特徴とする前記有機系層間絶縁膜材料であるとすることもできる。
【００２６】
さらには、例えば、前記芳香族高分子化合物であって、少なくとも二つの原料モノマーのひとつにビニル基があり、別のひとつの原料モノマーにシクロブテン基があることを特徴とする前記有機系層間絶縁膜材料であるとすることもできる。
【００２７】
あるいは前記の芳香族高分子化合物であって、少なくともその二つが、下記化９式で示される、ベンゼン環の二置換体の置換基の位置がパラ位置にあるパラ−ジビニルベンゼンと、下記化１０式で示されるビニル基シクロブテン基からなる重合反応部位を有するトリシクロ［６．２．０．０３，６］デカ−１（８），２，６−トリエンであることを特徴とする、前記有機系層間絶縁膜材料であるとすることもできる。
【００２８】
【化９】
2004128277.tif 000003
【化１０】
2004128277.tif 000004
さらには前記の芳香族高分子化合物であって、少なくともその二つが、下記化１１式二置換体の置換基の位置がパラ位置にあるパラ−ジビニルベンゼン誘導体と、下記化１２式で示されるビニル基シクロブテン基からなる重合反応部位を有するトリシクロ［６．２．０．０３，６］デカ−１（８），２，６−トリエン誘導体であることを特徴とする、前記有機系層間絶縁膜材料とすることもできる。
【００２９】
【化１１】
2004128277.tif 000005
【化１２】
2004128277.tif 000006
さらに、前記の芳香族高分子化合物であって、少なくともその二つが、下記化１３式で示される、ベンゼン環の二置換体の置換基の位置がパラ位置にあるパラ−ジビニルベンゼンと、下記化１４式で示されるシクロブテン基からなる重合反応部位を有するナフタレンジシクロブテンであることを特徴とする、前記有機系層間絶縁膜材料とすることもできる。
【００３０】
【化１３】
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【化１４】
2004128277.tif 000008
またさらには、前記芳香族高分子化合物であって、少なくともその二つが、下記化１５式で示される、ベンゼン環の二置換体の置換基の位置がパラ位置にあるパラ−ジビニルベンゼン誘導体と、下記化１６式で示されるシクロブテン基からなる重合反応部位を有するナフタレンジシクロブテン誘導体であることを特徴とする、前記有機系層間絶縁膜材料とすることもできる。
【００３１】
【化１５】
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【化１６】
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【００３２】
【発明の実施の形態】
本発明においては、有機絶縁膜として利用可能な有機高分子膜を、重合反応が可能な原料として、複数種の原料モノマーから合成される化合物であり、少なくともひとつの原料モノマーの主骨格にベンゼン環あるいはベンゾ縮合環が含まれており、かつその主鎖を構成しているベンゼン環あるいはベンゾ縮合環の二置換体の置換基の位置がパラ位置（１，４−）にある場合に、重合の結果形成される芳香族化合物の構造を設計することが可能となり、従来の芳香族有機高分子膜では達成することが出来なかった高い機械強度を得ることが可能となる。
【００３３】
以下に本発明の方法を実施する際に用いる原料とその生成反応の概要の例を示して、本発明をより具体的に説明する。なお、以下の例は、本発明の最良の実施の形態の一例ではあるものの、本発明は以下の例により限定を受けるものではないことは勿論である。
【００３４】
以下、有機モノマーＡに式（Ｉ）パラ−ジビニルベンゼンを用い、有機モノマーＢに式（ＩＩ）のトリシクロ［６．２．０．０３，６］デカ−１（８），２，６−トリエンを用い、これらの重合反応から合成される芳香族有機高分子膜成膜に至る一連のプロセスを説明する。
【００３５】
パラ−ジビニルベンゼンには重合に関与する構造として、ビニル基が含まれている。また、トリシクロ［６．２．０．０３，６］デカ−１（８），２，６−トリエンには重合反応に関与する構造としてベンゾシクロブテン基が含まれている。その重合過程は下記の経路で進行すると考えられる。
【００３６】
まず、下記化１７式に示す反応が起こり、ベンゾシクロブテン基が開環して、隣接する２つのアルキリデン構造（ＣＨ２＝）が形成する。
【００３７】
【化１７】
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次いで、隣接する２つのアルキリデン構造（ＣＨ２＝）となった開環部と、ビニル基（−ＣＨ＝ＣＨ−）との反応により、６員環構造が形成され、下記化１８式に示す重合反応が進行する。
【００３８】
【化１８】
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前記のベンゾシクロブテン基とビニル基との間で起こる、開環・付加の反応は、双方のモノマーを溶媒に溶解して、塗布、加熱を行う、いわゆるスピンコーティング法で形成することができる。また前記の反応は加熱のみでも生じるが、予めプラズマエネルギーにより、例えば、ベンゾシクロブテン基部分を励起した状態とすると、少ない熱的エネルギーを加えるのみで、その反応を進行させることが可能となる。従って、重合反応を開始させる手法として、前述の参考文献２のような方法を用いてもよい。
【００３９】
これらパラ−ジビニルベンゼンと、トリシクロ［６．２．０．０３，６］デカ−１（８），２，６−トリエンから、上記の反応が進行して、下記化１９式で示されるような、高分子が形成される。
【００４０】
【化１９】
2004128277.tif 000013
この例では、有機モノマーＡとしてパラ−ジビニルベンゼン（ｐ−ＤＶＢ）を用いたが、ｐ−ＤＶＢには異性体、具体的にはビニル基からなる１種類の重合反応部位が下記化２０式で示すオルト配位のｏ−ＤＶＢやビニル基からなる１種類の重合反応部位が下記化２１式で示すメタ配位のｍ−ＤＶＢが存在する。
【００４１】
【化２０】
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【化２１】
2004128277.tif 000015
ここで、それぞれの異性体を用いた場合の機械的強度を比較するために、半経験的分子軌道法（ＡＭ１法）でシミュレーションを行った。計算にあたっては、各異性体を含んだオリゴマーを下記化２２、化２３、化２４式のように仮定した。また、下記オリゴマーの構造を見てわかるように、空間的にかなり疎な構造になっており、電子密度から計算した体積は実際の分子体積とは異なっている可能性がある。ここでは、各オリゴマーの分子体積を電子密度から計算した体積と、空間的に疎な構造部分を考慮して計算した体積をもとにして、弾性率ならびに比誘電率を計算した。
【００４２】
【化２２】
2004128277.tif 000016
【化２３】
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【化２４】
2004128277.tif 000018
図１は前記各オリゴマーを元に半経験的分子軌道法（ＡＭ１法）で、弾性率（Ｅ）ならびに比誘電率のシミュレーションを行った結果を示す図である。図１を参照すると、オルト、メタ、パラのそれぞれのジビニルベンゼンを含んだオリゴマーはそれぞれ非常に大きく異なった弾性率を示すことがわかる。
【００４３】
オルト体とメタ体では、１ＧＰａを下回るような小さな値しか得られず、これは先の文献３に報告されている数値の１０分の１程度しかない。一方、パラ体を含むオリゴマーでは、オルト体やメタ体を含んだオリゴマーに比較して１桁から２桁の高い弾性率を示す。したがって、原料モノマーにはパラ位置に置換基のあるモノマーを採用することで、オルト位置やメタ位置にあるときよりも著しく高い機械強度を得ることが出来ることになる。
【００４４】
さらに、図１からわかるように電子密度から分子体積を求めた場合、オリゴマーのタイプに寄らず、誘電率としては２．５前後の値が得られており、Ｌｏｗ−ｋ膜として有望な数値である。さらに、空間的に疎な構造部分を考慮して計算した体積から求めた場合の比誘電率はこちらもあまりオリゴマーのタイプには依存せず、１．５から１．７程度の値が得られている。このように、いずれの構造でも低い誘電率をもつ。
【００４５】
この例では、有機モノマーＡとして、パラジビニルベンゼンを用いたが、例えば、これに変えてに代えて、下記化２５式の一般式で表されるパラジビニルベンゼン誘導体を用いることもできる。
【００４６】
【化２５】
2004128277.tif 000019
同様に、この例では、有機モノマーＢとして、トリシクロ［６．２．０．０３，６］デカ−１（８），２，６−トリエンを用いたが、例えば、これに変えてに代えて、下記化２６式の一般式で表されるトリシクロ［６．２．０．０３，６］デカ−１（８），２，６−トリエン誘導体を用いることもできる。
【００４７】
【化２６】
2004128277.tif 000020
あるいは、有機モノマーＢとして、下記化２７式の一般式、あるいは、下記化２８式の一般式で表されるナフタレンジシクロブテン誘導体でもよい。
【００４８】
【化２７】
2004128277.tif 000021
【化２８】
2004128277.tif 000022
ここに示したＲ１からＲ１０の基は炭素数１から５のものであることが望ましい。また、より具体的には、炭素数１から５の飽和炭化水素基である。あるいは、メトキシ基（ＣＨ３Ｏ−）、エトキシ基（Ｃ２Ｈ５Ｏ−）、プロポキシル基（Ｃ３Ｈ７Ｏ−）、といった酸素含有基、さらには一般式（ＣｘＦ２ｘ＋１、ｘは０から５の整数）であらわされるフッ素含有基でもよい。さらには、一般式（ＳｉＲ１１Ｒ１２Ｒ１３（Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ１３は水素または炭素数１から３の飽和炭化水素基、または先に示したフッ素含有基ＣｘＦ２ｘ＋１））で示されるシリコン含有基、でもよい。
【００４９】
以上に例示した有機高分子膜では、複数種の有機モノマーの一つをジビニルベンゼンとしているが、これだけでなく、本発明では、少なくともひとつの原料モノマーの主骨格にベンゼン環あるいはベンゾ縮合環が含まれており、かつその主鎖を構成しているベンゼン環あるいはベンゾ縮合環の二置換体の置換基の位置がパラ位置（１，４−）にあることで、高い機械強度持つことが可能である。
【００５０】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明においては、有機絶縁膜として利用可能な有機高分子膜を、重合反応が可能な原料として、複数種の原料モノマーから合成される化合物であり、少なくともひとつの原料モノマーの主骨格にベンゼン環もしくはベンゾ縮合環が含まれており、かつその主鎖を構成しているベンゼン環の二置換体の置換基の位置がパラ位置（１，４−）にある場合に、重合の結果形成される芳香族化合物の構造を設計することが可能となり、低誘電率性を有しながら、従来の芳香族有機高分子膜では達成することが出来なかった高い機械強度を得ることが可能となった。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の有機高分子膜の比誘電率および弾性率を他の構造の有機高分子膜と比較した図である。
【図１】
2004128277.tif 000031