(57)【要約】【課題】光近接効果補正の精度の劣化を抑制しつつ、光近接効果補正の効率化を図る。【解決手段】マスクパターンＭＰ１に対して検査領域Ｒ１を設定し、検査領域Ｒ１内のパターン密度が規定値以下の場合、検査領域Ｒ１内の処理対象パターンＰ１について一定の補正量で光近接効果の補正を行う。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
パターン密度が規定値以下の領域について一定の補正量で光近接効果の補正がされていることを特徴とする露光用マスク。
【請求項２】
前記領域よりも拡大された領域についてパターン密度が制限値以下の場合、前記光近接効果の補正がされたパターンの幅を細らせる補正がさらに行われていることを特徴とする請求項１記載の露光用マスク。
【請求項３】
バイアスが付加されたライン＆スペース領域と、
ハンマーヘッドが付加されたラインエンド領域と、
ポジセリフが付加されたアウトコーナー領域と、
ネガセリフが付加されたインコーナー領域とを備え、
デザインルールまたはオプティカルルールに反する領域について前記ネガセリフが優先して除去されていることを特徴とする露光用マスク。
【請求項４】
処理対象パターンデータを入力するデータ入力手段と、
前記入力データに基づいて、検査領域のパターン密度を検査する第１パターン密度検査手段と、
前記パターン密度が規定値以下の検査領域について一定の補正量で光近接効果の補正を行う第１光近接効果補正手段とを備えることを特徴とする光近接効果補正装置。
【請求項５】
前記パターン密度が前記規定値を越える領域について、補正量を変更して光近接効果の補正を行う第２光近接効果補正手段をさらに備えることを特徴とする請求項４記載の光近接効果補正装置。
【請求項６】
前記検査領域よりも拡大された拡大領域についてパターン密度を検査する第２パターン密度検査手段と、
前記拡大領域のパターン密度が制限値以下の場合、前記第１光近接効果補正手段により補正がされたパターンの幅を細らせる細線化手段をさらに備えることを特徴とする請求項４または５記載の光近接効果補正装置。
【請求項７】
処理対象パターンデータを入力するデータ入力手段と、
前記入力データに基づいて、前記処理対象パターンのライン＆スペース領域にバイアスを付加するバイアス付加手段と、
前記バイアスが付加された前記処理対象パターンのラインエンド領域にハンマーヘッドを付加するハンマーヘッド付加手段と、
前記ハンマーヘッドが付加された前記処理対象パターンのアウトコーナー領域にポジセリフを付加するポジセリフ付加手段と、
前記ポジセリフが付加された前記処理対象パターンのインコーナー領域にネガセリフを付加するネガセリフ付加手段とを備えることを特徴とする光近接効果補正装置。
【請求項８】
前記ネガセリフが付加された処理対象パターンのデザインルールチェックまたはオプティカルルールチェックを行う検査手段と、
前記デザインルールまたは前記オプティカルルールに反する領域について前記ネガセリフを除去するネガセリフ除去手段をさらに備えることを特徴とする請求項７記載の光近接効果補正装置。
【請求項９】
処理対象パターンデータを入力するステップと、
前記入力データに基づいて、検査領域のパターン密度を検査するステップと、前記パターン密度が規定値以下の検査領域について一定の補正量で光近接効果の補正を行うステップとを備えることを特徴とする光近接効果補正方法。
【請求項１０】
前記光近接効果の補正を行うステップは、
前記処理対象パターンのライン＆スペース領域にバイアスを付加するステップと、
前記バイアスが付加された前記処理対象パターンのラインエンド領域にハンマーヘッドを付加するステップと、
前記ハンマーヘッドが付加された前記処理対象パターンのアウトコーナー領域にポジセリフを付加するステップと、
前記ポジセリフが付加された前記処理対象パターンのインコーナー領域にネガセリフを付加するステップとを備えることを特徴とする請求項９記載の光近接効果補正方法。
【請求項１１】
前記検査領域よりも拡大された拡大領域についてパターン密度を検査するステップと、
前記拡大領域のパターン密度が制限値以下の場合、前記光近接効果補正の補正がされたパターンの幅を細らせるステップとをさらに備えることを特徴とする請求項９または１０記載の光近接効果補正方法。
【請求項１２】
半導体ウェハ上にフォトレジストを塗布する工程と、
パターン密度が規定値以下の領域について一定の補正量で光近接効果の補正がされた露光用マスクを介して前記フォトレジストを露光する工程と、
前記露光されたフォトレジストを現像する工程と、
前記現像されたフォトレジストをマスクとして前記半導体ウェハのイオン注入処理またはエッチング処理を行う工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
前記領域よりも拡大された領域についてパターン密度が制限値以下の場合、前記光近接効果の補正がされたパターンの幅を細らせる補正がさらに行われていることを特徴とする請求項１２記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
エッチング対象領域上にフォトレジストを塗布する工程と、
光近接効果補正パターンが付加され、デザインルールまたはオプティカルルールに反する領域についてネガセリフが除去された露光用マスクを介して前記フォトレジストを露光する工程と、
前記露光されたフォトレジストを現像する工程と、
前記現像されたフォトレジストをマスクとして前記エッチング対象領域のエッチング処理を行う工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１５】
処理対象パターンデータを取得するステップと、
前記取得データに基づいて、検査領域のパターン密度を検査するステップと、前記パターン密度が規定値以下の検査領域について一定の補正量で光近接効果の補正を行うステップとをコンピュータに実行させることを特徴とする光近接効果補正プログラム。
【請求項１６】
前記光近接効果の補正を行うステップは、
前記処理対象パターンのライン＆スペース領域にバイアスを付加するステップと、
前記バイアスが付加された前記処理対象パターンのラインエンド領域にハンマーヘッドを付加するステップと、
前記ハンマーヘッドが付加された前記処理対象パターンのアウトコーナー領域にポジセリフを付加するステップと、
前記ポジセリフが付加された前記処理対象パターンのインコーナー領域にネガセリフを付加するステップとをコンピュータに実行させることを特徴とする請求項１５記載の光近接効果補正プログラム。
【請求項１７】
前記検査領域よりも拡大された拡大領域についてパターン密度を検査するステップと、
前記拡大領域のパターン密度が制限値以下の場合、前記光近接効果補正の補正がされたパターンの幅を細らせるステップとをさらに備えることを特徴とする請求項１５または１６記載の光近接効果補正プログラム。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、露光用マスク、光近接効果補正（ＯＰＣ：Ｏｐｔｉｃａｌ  Ｐｒｏｘｉｍｉｔｙ  Ｃｏｒｒｅｃｔｉｏｎ）装置、光近接効果補正方法、半導体装置の製造方法および光近接効果補正プログラムに関し、特に、パターンの粗密を考慮した光近接効果の補正方法に適用して好適なものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来の光近接効果補正方法では、デザインルールが最も激しい箇所で光近接効果補正の合わせ込みを行い、ラインエンドに特化したパターンで縮退量を測定する。そして、その縮退量からデフォーカス時のマージンを差し引いた値を光近接効果補正の補正量とする方法がある。
【０００３】
また、例えば、特許文献１に開示されているように、区分された分割辺の中点を中心とした判断距離を半径とする円を描き、この円内にフォトマスクパターンの占める各分割辺の面積率に基づいて、各分割辺の光近接効果補正が必要か否かの判断を行うことにより、補正精度を維持しつつ、計算時間を短縮する方法がある。
【０００４】
【特許文献１】
特開平１０−１０４８１８号公報
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、ラインエンドは、周辺パターンの有無により縮退量が大きく変動する。このため、ラインエンドに特化したパターンで縮退量を測定する方法では、パターンの粗密によって補正精度が大きな影響を受けるという問題があった。
【０００６】
また、特許文献１に開示された方法では、円で囲まれたパターンの密な部分のみが補正対象となり、それ以外の部分は補正されないため、周辺パターンがない領域の補正精度が劣化するととともに、補正対象となる領域については計算時間を短縮することができないという問題があった。
さらに、従来の光近接効果補正方法では、マスクパターンのコーナーにセリフを付加すると、細かい段差が発生し、マスク検査を通過できなくなるという問題もあった。
【０００７】
そこで、本発明の目的は、光近接効果補正の精度の劣化を抑制しつつ、光近接効果補正の効率化を図ることが可能な露光用マスク、光近接効果補正装置、光近接効果補正方法、半導体装置の製造方法および光近接効果補正プログラムを提供することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上述した課題を解決するために、本発明の一態様に係る露光用マスクによれば、パターン密度が規定値以下の領域について一定の補正量で光近接効果の補正がされていることを特徴とする。
これにより、パターン密度が規定値以下の領域については、周辺パターンの影響を考慮することなく、光近接効果の補正を行うことが可能となる。このため、一定の補正量で光近接効果の補正を行った場合においても、光近接効果の補正精度を維持することが可能となり、光近接効果補正の精度の劣化を抑制しつつ、光近接効果補正の効率化を図ることが可能となる。
【０００９】
また、本発明の一態様に係る露光用マスクによれば、前記領域よりも拡大された領域についてパターン密度が制限値以下の場合、前記光近接効果の補正がされたパターンの幅を細らせる補正がさらに行われていることを特徴とする。
これにより、マスクパターンの単純な補正することで、マイクロローディング効果によるエッチングパターンの変動を補正することが可能となり、マスクパターン作成時のルールの複雑化を抑制しつつ、微細なエッチングパターンを精度よく形成することが可能となる。
【００１０】
また、本発明の一態様に係る露光用マスクによれば、バイアスが付加されたライン＆スペース領域と、ハンマーヘッドが付加されたラインエンド領域と、ポジセリフが付加されたアウトコーナー領域と、ネガセリフが付加されたインコーナー領域とを備え、デザインルールまたはオプティカルルールに反する領域について前記ネガセリフが優先して除去されていることを特徴とする。
【００１１】
これにより、光近接効果補正パターンがマスクパターンに付加されたために、デザインルールまたはオプティカルルールに反するようになった場合においても、優先度の低い光近接効果補正パターンから除去することが可能となり、光近接効果による悪影響を抑止しつつ、微細パターンを形成することが可能となる。
また、本発明の一態様に係る光近接効果補正装置によれば、処理対象パターンデータを入力するデータ入力手段と、前記入力データに基づいて、検査領域のパターン密度を検査する第１パターン密度検査手段と、前記パターン密度が規定値以下の検査領域について一定の補正量で光近接効果の補正を行う第１光近接効果補正手段とを備えることを特徴とする。
【００１２】
これにより、周辺パターンの影響を考慮することなく光近接効果の補正を行った場合においても、光近接効果の補正精度を維持することが可能となり、光近接効果補正の精度の劣化を抑制しつつ、光近接効果補正の効率化を図ることが可能となる。
また、本発明の一態様に係る光近接効果補正装置によれば、前記パターン密度が前記規定値を越える領域について、補正量を変更して光近接効果の補正を行う第２光近接効果補正手段をさらに備えることを特徴とする。
【００１３】
これにより、周辺パターンの影響を受ける領域に限定して、補正量を変更しながら光近接効果の補正を行うことが可能となり、光近接効果補正の精度を維持することを可能としつつ、光近接効果補正の効率化を図ることが可能となる。
また、本発明の一態様に係る光近接効果補正装置によれば、前記検査領域よりも拡大された拡大領域についてパターン密度を検査する第２パターン密度検査手段と、前記拡大領域のパターン密度が制限値以下の場合、前記第１光近接効果補正手段により補正がされたパターンの幅を細らせる細線化手段をさらに備えることを特徴とする。
【００１４】
これにより、マスクパターン作成時のルールの複雑化を抑制しつつ、マイクロローディング効果によるエッチングパターンの変動を補正することが可能となり、マスクパターン補正時の計算時間の増大を抑制しつつ、微細なエッチングパターンを精度よく形成することが可能となる。
また、本発明の一態様に係る光近接効果補正装置によれば、処理対象パターンデータを入力するデータ入力手段と、前記入力データに基づいて、前記処理対象パターンのライン＆スペース領域にバイアスを付加するバイアス付加手段と、前記バイアスが付加された前記処理対象パターンのラインエンド領域にハンマーヘッドを付加するハンマーヘッド付加手段と、前記ハンマーヘッドが付加された前記処理対象パターンのアウトコーナー領域にポジセリフを付加するポジセリフ付加手段と、前記ポジセリフが付加された前記処理対象パターンのインコーナー領域にネガセリフを付加するネガセリフ付加手段とを備えることを特徴とする。
【００１５】
これにより、周辺パターンの影響を受け易いバイアスを優先して付加することが可能となり、周辺パターンによる影響を抑制して、バイアスを精度よく付加することが可能となる。
また、セリフを付加する前にハンマーヘッドを付加することで、細かい段差の発生量を抑制することが可能となり、必要な領域に光近接効果補正パターンを付加することを可能としつつ、マスク検査を通過させることが可能となる。
【００１６】
さらに、ネガセリフを付加する前にポジセリフを付加することで、ポジセリフを優先して付加することが可能となり、コーナー領域が細ることを防止することが可能となる。このため、パターンが微細化された場合においても、コーナー領域でパターンが切断されることを防止することが可能となり、光近接効果による悪影響を抑制することが可能となる。
【００１７】
また、本発明の一態様に係る光近接効果補正装置によれば、前記ネガセリフが付加された処理対象パターンのデザインルールチェックまたはオプティカルルールチェックを行う検査手段と、前記デザインルールまたは前記オプティカルルールに反する領域について前記ネガセリフを除去するネガセリフ除去手段をさらに備えることを特徴とする。
【００１８】
これにより、デザインルールまたはオプティカルルールに反する場合においても、ネガセリフを優先して除去することが可能となり、光近接効果による悪影響を抑止しつつ、微細パターンを形成することが可能となる。
また、本発明の一態様に係る光近接効果補正方法によれば、処理対象パターンデータを入力するステップと、前記入力データに基づいて、検査領域のパターン密度を検査するステップと、前記パターン密度が規定値以下の検査領域について一定の補正量で光近接効果の補正を行うステップとを備えることを特徴とする。
【００１９】
これにより、光近接効果の補正精度を維持することを可能としつつ、一定の補正量で光近接効果の補正を行うことが可能となる。このため、光近接効果の補正精度を維持するために、周辺パターンの影響を考慮する必要がなくなり、光近接効果補正の精度の劣化を抑制しつつ、光近接効果補正の効率化を図ることが可能となる。
【００２０】
また、本発明の一態様に係る光近接効果補正方法によれば、前記光近接効果の補正を行うステップは、前記処理対象パターンのライン＆スペース領域にバイアスを付加するステップと、前記バイアスが付加された前記処理対象パターンのラインエンド領域にハンマーヘッドを付加するステップと、前記ハンマーヘッドが付加された前記処理対象パターンのアウトコーナー領域にポジセリフを付加するステップと、前記ポジセリフが付加された前記処理対象パターンのインコーナー領域にネガセリフを付加するステップとを備えることを特徴とする。
【００２１】
これにより、周辺パターンの影響を抑制することを可能としつつ、バイアスを精度よく付加することが可能となるとともに、細かい段差の発生量を抑制することを可能としつつ、必要な領域にセリフを付加することが可能となる。このため、マスク検査を通過させることが可能としつつ、光近接効果補正を精度よく行うことが可能となり、微細パターンを精度よく形成することが可能となる。
【００２２】
また、本発明の一態様に係る光近接効果補正方法によれば、前記検査領域よりも拡大された拡大領域についてパターン密度を検査するステップと、前記拡大領域のパターン密度が制限値以下の場合、前記光近接効果補正の補正がされたパターンの幅を細らせるステップとをさらに備えることを特徴とする。
これにより、マスクパターンの単純な補正を行うことで、マイクロローディング効果によるエッチングパターンの変動を補正することが可能となり、エッチング時にマイクロローディング効果が発生する場合においても、微細なエッチングパターンを精度よく形成することが可能となる。
【００２３】
また、本発明の一態様に係る半導体装置の製造方法によれば、半導体ウェハ上にフォトレジストを塗布する工程と、パターン密度が規定値以下の領域について一定の補正量で光近接効果の補正がされた露光用マスクを介して前記フォトレジストを露光する工程と、前記露光されたフォトレジストを現像する工程と、前記現像されたフォトレジストをマスクとして前記半導体ウェハのイオン注入処理またはエッチング処理を行う工程とを備えることを特徴とする。
【００２４】
これにより、パターン密度が規定値以下の領域について一定の補正量で光近接効果の補正がされた露光マスクを用いて、フォトリソグラフィーを行うことが可能となり、光近接効果補正時の計算時間の短縮を可能としつつ、微細なエッチングパターンを精度よく形成することが可能となる。
また、本発明の一態様に係る半導体装置の製造方法によれば、前記領域よりも拡大された領域についてパターン密度が制限値以下の場合、前記光近接効果の補正がされたパターンの幅を細らせる補正がさらに行われていることを特徴とする。
【００２５】
これにより、パターンの幅を細らせる補正が行われた露光マスクを用いて、フォトリソグラフィーを行うことが可能となり、エッチング時にマイクロローディング効果が発生する場合においても、光近接効果補正時の計算時間の短縮を可能としつつ、微細なエッチングパターンを精度よく形成することが可能となる。
また、本発明の一態様に係る半導体装置の製造方法によれば、エッチング対象領域上にフォトレジストを塗布する工程と、光近接効果補正パターンが付加され、デザインルールまたはオプティカルルールに反する領域についてネガセリフが除去された露光用マスクを介して前記フォトレジストを露光する工程と、前記露光されたフォトレジストを現像する工程と、前記現像されたフォトレジストをマスクとして前記エッチング対象領域のエッチング処理を行う工程とを備えることを特徴とする。
【００２６】
これにより、デザインルールまたはオプティカルルールに反する領域についてネガセリフが除去された露光マスクを用いて、フォトリソグラフィーを行うことが可能となり、光近接効果による悪影響を抑止しつつ、微細なエッチングパターンを形成することが可能となる。
また、本発明の一態様に係る光近接効果補正プログラムによれば、処理対象パターンデータを取得するステップと、前記取得データに基づいて、検査領域のパターン密度を検査するステップと、前記パターン密度が規定値以下の検査領域について一定の補正量で光近接効果の補正を行うステップとをコンピュータに実行させることを特徴とする。
【００２７】
これにより、光近接効果補正プログラムをコンピュータに実行させることで、光近接効果の補正精度を維持することを可能としつつ、一定の補正量で光近接効果の補正を行うことが可能となり、光近接効果補正の精度の劣化を抑制しつつ、光近接効果補正時の計算時間を短縮することが可能となる。
また、本発明の一態様に係る光近接効果補正プログラムによれば、前記光近接効果の補正を行うステップは、前記処理対象パターンのライン＆スペース領域にバイアスを付加するステップと、前記バイアスが付加された前記処理対象パターンのラインエンド領域にハンマーヘッドを付加するステップと、前記ハンマーヘッドが付加された前記処理対象パターンのアウトコーナー領域にポジセリフを付加するステップと、前記ポジセリフが付加された前記処理対象パターンのインコーナー領域にネガセリフを付加するステップとをコンピュータに実行させることを特徴とする。
【００２８】
これにより、光近接効果補正プログラムをコンピュータに実行させることで、周辺パターンの影響を抑制することを可能としつつ、バイアスを精度よく付加することが可能となるとともに、細かい段差の発生量を抑制することを可能としつつ、必要な領域にセリフを付加することが可能となり、微細パターンを精度よく形成することが可能となる。
【００２９】
また、本発明の一態様に係る光近接効果補正プログラムによれば、前記検査領域よりも拡大された拡大領域についてパターン密度を検査するステップと、前記拡大領域のパターン密度が制限値以下の場合、前記光近接効果補正の補正がされたパターンの幅を細らせるステップとをさらに備えることを特徴とする。
これにより、光近接効果補正プログラムをコンピュータに実行させることで、マイクロローディング効果によるパターンの変動を補正することが可能となり、光近接効果補正時の計算時間の短縮を可能としつつ、微細なエッチングパターンを精度よく形成することが可能となる。
【００３０】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態に係る光近接効果補正方法について図面を参照しながら説明する。
図１〜図３は、本発明の一実施形態に係る光近接効果補正方法を示す図である。なお、図１（ａ）は、マスクパターンＭＰ１が形成された露光マスクＭ１の一例を示す平面図、図１（ｂ）は、マスクパターンＭＰ１から抽出された処理対象パターンＭＰ１の一例を示す平面図、図２は、光近接効果補正パターンの付加順所を示す平面図、図３（ａ）は、光近接効果補正パターンが付加されたマスクパターンＭＰ２が形成された露光マスクＭ２の一例を示す平面図、図３（ｂ）は、マスクパターンＭＰ２から抽出された処理対象パターンＭＰ５の補正方法を示す平面図である。
【００３１】
図１において、露光マスクＭ１にはマスクパターンＭＰ１が形成されている。ここで、マスクパターンＭＰ１の光近接効果補正を行う場合、マスクパターンＭＰ１に対して検査領域Ｒ１を設定する。そして、検査領域Ｒ１が設定されると、ＤＲＣ（ルールベース）にて、検査領域Ｒ１内のパターン密度を検査する。そして、検査領域Ｒ１内のパターン密度が規定値以下の場合、検査領域Ｒ１内の処理対象パターンＰ１について一定の補正量で光近接効果の補正を行う。なお、検査領域Ｒ１内のパターン密度は、（検査領域Ｒ１内のパターン面積）／（検査領域Ｒ１の面積）で定義することができる。ここで、検査領域Ｒ１の面積は、露光プロセスが影響を及ぼす範囲に設定することができる。そして、例えば、検査領域Ｒ１内のパターン密度が０．２５以下の場合、検査領域Ｒ１内の処理対象パターンＰ１について一定の補正量で光近接効果の補正を行うことができる。
【００３２】
ここで、パターン密度が規定値以下の検査領域Ｒ１内の処理対象パターンＰ１を対象として光近接効果の補正を行うことにより、光近接効果の補正精度を維持することを可能としつつ、一定の補正量で光近接効果の補正を行うことが可能となる。このため、光近接効果の補正精度を維持するために、周辺パターンの影響を考慮する必要がなくなり、光近接効果補正の精度の劣化を抑制しつつ、光近接効果補正の効率化を図ることが可能となる。
【００３３】
そして、処理対象パターンＰ１についての光近接効果の補正を行う場合、シミュレーションベースまたはルールベースにて、光近接効果補正パターンを付加することができる。
ここで、処理対象パターンＰ１は、処理対象パーツから構成することができ、処理対象パーツとしては、例えば、ラインエンド領域、コーナー領域およびライン＆スペース領域を挙げることができる。なお、ラインエンド領域は処理対象パターンＰ１の端部に相当し、コーナー領域は処理対象パターンＰ１のコーナー部（インコーナ領域およびアウトコーナー領域を含む。）に相当し、ライン＆スペース領域はラインエンド領域およびコーナー領域を除いた残りの領域に相当する。また、ライン＆スペース領域には、アイソレーションライン（単独の線状パターン）を含ませることができる。
【００３４】
そして、処理対象パターンＰ１に光近接効果補正パターンを付加する場合、バイアス、ハンマーヘッド、ポジセリフおよびネガセリフをライン＆スペース領域、ラインエンド領域、アウトコーナー領域およびインコーナ領域にそれぞれ付加することができる。
ここで、バイアス、ハンマーヘッド、ポジセリフおよびネガセリフをライン＆スペース領域、ラインエンド領域、アウトコーナー領域およびインコーナ領域にそれぞれ付加する場合、バイアス→ハンマーヘッド→ポジセリフ→ネガセリフの順序で行うことができる。
【００３５】
すなわち、図１（ｂ）の処理対象パターンＰ１が与えられると、図２（ａ）に示すように、処理対象パターンＰ１のライン＆スペース領域にバイアスＢＳ１、ＢＳ２を付加することにより、補正パターンＰ２を生成する。
次に、補正パターンＰ２が生成されると、図２（ｂ）に示すように、補正パターンＰ２のラインエンド領域にハンマーヘッドＨ１、Ｈ２を付加することにより、補正パターンＰ３を生成する。
【００３６】
次に、補正パターンＰ３が生成されると、図２（ｃ）に示すように、補正パターンＰ３のアウトコーナー領域にポジセリフＰＳ１、ＰＳ２を付加することにより、補正パターンＰ４を生成する。
次に、補正パターンＰ４が生成されると、図２（ｄ）に示すように、補正パターンＰ４のインコーナー領域にネガセリフＮＳ１、ＮＳ２を付加することにより、補正パターンＰ５を生成する。
【００３７】
ここで、ハンマーヘッドＨ１、Ｈ２、ポジセリフＰＳ１、ＰＳ２およびネガセリフＮＳ１、ＮＳ２を付加する前にバイアスＢＳ１、ＢＳ２を付加することで、周辺パターンの影響を受け易いバイアスＢＳ１、ＢＳ２を優先して付加することが可能となり、周辺パターンによる影響を抑制して、バイアスＢＳ１、ＢＳ２を精度よく付加することが可能となる。
【００３８】
また、ポジセリフＰＳ１、ＰＳ２およびネガセリフＮＳ１、ＮＳ２を付加する前にハンマーヘッドＨ１、Ｈ２を付加することで、細かい段差の発生量を抑制することが可能となり、必要な領域に光近接効果補正パターンを付加することを可能としつつ、マスク検査を通過させることが可能となる。
さらに、ネガセリフＮＳ１、ＮＳ２を付加する前にポジセリフＰＳ１、ＰＳ２を付加することで、ポジセリフＰＳ１、ＰＳ２を優先して付加することが可能となり、コーナー領域が細ることを防止することが可能となる。このため、パターンが微細化された場合においても、コーナー領域でパターンが切断されることを防止することが可能となり、光近接効果による悪影響を抑制することが可能となる。
【００３９】
そして、マスクパターンＭＰ１全体について以上の処理を行うことにより、図３（ａ）に示すように、光近接効果補正が行われたマスクパターンＭＰ２が形成された露光マスクＭ２を生成することができる。
そして、バイアスＢＳ１、ＢＳ２、ハンマーヘッドＨ１、Ｈ２、ポジセリフＰＳ１、ＰＳ２およびネガセリフＮＳ１、ＮＳ２が付加された補正パターンＰ５が生成されると、デザインルールチェックおよびオプティカルルールチェックを行うことができる。なお、デザインルールチェックでは、補正パターンＰ５を露光マスクＭ２上に形成することができるかどうかを検査することができ、オプティカルルールチェックでは、レジストが解像するかどうかを検査することができる。
【００４０】
そして、補正パターンＰ５がデザインルールまたはオプティカルルールに反する場合、補正パターンＰ５に設けられたネガセリフＮＳ１、ＮＳ２を優先して除去することができる。これにより、補正パターンＰ５がデザインルールまたはオプティカルルールに反する場合においても、バイアスＢＳ１、ＢＳ２、ハンマーヘッドＨ１、Ｈ２およびポジセリフＰＳ１、ＰＳ２を残すことが可能となり、光近接効果による悪影響を抑止しつつ、微細パターンを形成することが可能となる。
【００４１】
次に、光近接効果補正が行われたマスクパターンＭＰ２が生成されると、マスクパターンＭＰ２に対して検査領域Ｒ２を設定する。そして、検査領域Ｒ２が設定されると、検査領域Ｒ２内のパターン密度を検査する。そして、検査領域Ｒ２内のパターン密度が制限値以下の場合、検査領域Ｒ２内の処理対象パターンＰ５について、線幅を一律に細らせる補正を行うことができる。なお、検査領域Ｒ２内のパターン密度は、（検査領域Ｒ２内のパターン面積）／（検査領域Ｒ２の面積）で定義することができる。ここで、検査領域Ｒ２の面積は、エッチングプロセスが影響を及ぼす範囲に設定することができ、検査領域Ｒ１の面積よりも拡大することが好ましい。そして、例えば、検査領域Ｒ２内のパターン密度が０．１以下の場合、図３（ｂ）に示すように、検査領域Ｒ２内の処理対象パターンＰ５について線幅を一律に細らせることにより、補正パターンＰ６を生成することができる。
【００４２】
これにより、マスクパターンＭＰ２の単純な補正することで、マイクロローディング効果によるエッチングパターンの変動を補正することが可能となり、補正ルールの複雑化を抑制しつつ、微細なエッチングパターンを精度よく形成することが可能となる。
なお、シミュレーションベース補正は、露光プロセスに伴う現象をモデル化したシミュレータを用いるもので、シミュレーションベース補正に関しては、例えば、Ｏｐｔｉｃａｌ／Ｌａｓｅｒ  Ｍｉｃｒｏｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ  ＶＩＩＩ，Ｖｏｌ  ２４４０，ＳＰＩＥ  Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ  ｏｎ  Ｍｉｃｒｏｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ  １９９５，ｐ２６１−２６９におけるＳａｔｏｍｉ  ＳｈｉｏｉｒｉらによるＦａｓｔ  ｏｐｔｉｃａｌ  ｐｒｏｘｉｍｉｔｙ  ｃｏｒｒｅｃｔｉｏｎ：ａｎａｌｙｔｉｃａｌ  ｍｅｔｈｏｄと題する論文に開示されている。
【００４３】
また、ルールベース補正は、予め求めた補正ルールに基づいて光近接効果補正を行う方法もので、ルールベース補正に関しては、例えば、Ｏｐｔｉｃａｌ／Ｌａｓｅｒ  Ｍｉｃｒｏｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ  ＶＩＩ，Ｖｏｌ  ２１９７，ＳＰＩＥ  Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ  ｏｎ  Ｍｉｃｒｏｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ  １９９４，ｐ２７８−２９３におけるＯｂｅｒｄａｎ  Ｗ．ＯｔｔｏらによるＡｕｔｏｍａｔｅｄ  ｏｐｔｉｃａｌ  ｐｒｏｘｉｍｉｔｙ  ｃｏｒｒｅｃｔｉｏｎ−ａ  ｒｕｌｅ−ｂａｓｅｄ  ａｐｐｒｏａｃｈと題する論文および第３６１ページから第３７０ページにおけるＲｉｃｈａｒｄ  Ｃ．Ｈｅｎｄｅｒｓｏｎらによるｃｏｒｒｅｃｔｉｎｇ  ｆｏｒ  ｐｒｏｘｉｍｉｔｙ  ｅｆｆｅｃｔ  ｗｉｄｅｎｓ  ｐｒｏｃｅｓｓ  ｌａｔｉｔｕｄｅと題する論文に開示されている。
【００４４】
図４は、本発明の一実施形態に係る光近接効果補正方法を示すフローチャートである。
図４において、光近接効果補正の対象となる処理対象パターンＭＰ１が入力されると、ＤＲＣ（ルールベース）にて、検査領域Ｒ１内のパターン密度を検査する（ステップ１）。
【００４５】
そして、検査領域Ｒ１内のパターン密度が規定値を超える場合（ステップ２）、検査領域Ｒ１内のパターン密度に応じて補正量を制御しながら、検査領域Ｒ１内の処理対象パターンＰ１の光近接効果の補正を行う（ステップ３）。
一方、検査領域Ｒ１内のパターン密度が規定値以下の場合、検査領域Ｒ１から補正が必要な領域を選択する（ステップ４）。なお、補正が必要な領域としては、例えば、能動領域上のゲート、配線層のラインエンド、ゲートのラインエンドなどを選択することができる。
【００４６】
そして、補正が必要な領域が選択されると、バイアスＢＳ１、ＢＳ２、ハンマーヘッドＨ１、Ｈ２、ポジセリフＰＳ１、ＰＳ２およびネガセリフＮＳ１、ＮＳ２を、処理対象パターンＰ１のライン＆スペース領域、ラインエンド領域、アウトコーナー領域およびインコーナ領域にそれぞれ付加する（ステップ５）。ここで、バイアスＢＳ１、ＢＳ２、ハンマーヘッドＨ１、Ｈ２、ポジセリフＰＳ１、ＰＳ２およびネガセリフＮＳ１、ＮＳ２を、処理対象パターンＰ１のライン＆スペース領域、ラインエンド領域、アウトコーナー領域およびインコーナ領域にそれぞれ付加する場合、バイアスＢＳ１、ＢＳ２→ハンマーヘッドＨ１、Ｈ２→ポジセリフＰＳ１、ＰＳ２→ネガセリフＮＳ１、ＮＳ２の順序で行うことができる。
【００４７】
次に、バイアスＢＳ１、ＢＳ２、ハンマーヘッドＨ１、Ｈ２、ポジセリフＰＳ１、ＰＳ２およびネガセリフＮＳ１、ＮＳ２が付加された補正パターンＰ５が生成されると、デザインルールチェックおよびオプティカルルールチェックを行う（ステップ６）。
そして、補正パターンＰ５がデザインルールまたはオプティカルルールに反する場合、補正パターンＰ５に設けられたネガセリフＮＳ１、ＮＳ２またはポジセリフＰＳ１、ＰＳ２を除去する（ステップ７）。ここで、補正パターンＰ５からネガセリフＮＳ１、ＮＳ２またはポジセリフＰＳ１、ＰＳ２を除去する場合、ネガセリフＮＳ１、ＮＳ２→ポジセリフＰＳ１、ＰＳ２の順序で行うことができる。
【００４８】
次に、補正パターンＰ５がデザインルールチェックおよびオプティカルルールチェックを通過すると、検査領域Ｒ１よりも面積が拡大された検査領域Ｒ２を設定し、検査領域Ｒ２内のパターン密度を検査する（ステップ８）。そして、検査領域Ｒ２内のパターン密度が制限値以下の場合、検査領域Ｒ２内の処理対象パターンＰ５について、線幅を細らせる補正を行う（ステップ９）。
【図面の簡単な説明】
【図１】一実施形態に係る光近接効果補正方法を示す図。
【図２】一実施形態に係る光近接効果補正方法を示す図。
【図３】一実施形態に係る光近接効果補正方法を示す図。
【図４】一実施形態に係る光近接効果補正方法を示すフローチャート。
【符号の説明】
Ｍ１、Ｍ２  露光マスク、ＭＰ１、ＭＰ２  マスクパターン、Ｐ１  処理対象パターン、Ｒ１、Ｒ２  検査領域、Ｐ２〜Ｐ６  補正パターン、ＢＳ１、ＢＳ２バイアス、Ｈ１、Ｈ２  ハンマーヘッド、ＰＳ１、ＰＳ２  ポジセリフ、ＮＳ１、ＮＳ２  ネガセリフ
【図１】
2004341159.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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