(57)【要約】【課題】光学特性に優れ、かつ信頼性の高い半導体装置を提供する。【解決手段】本発明は、半導体素子と、主面側に前記半導体素子を収納する凹部を有するパッケージと、該パッケージに挿入され先端部主面が凹部の底面から露出されてなるリード電極と、該リード電極上に載置された半導体素子を封止するモールド部材と、を有する半導体装置であって、リード電極は、半導体装置の正面方向に延伸する貫通孔を有し、モールド部材の一部は、貫通孔とパッケージの背面とに延在していることを特徴とする半導体装置である。【選択図】　図１
2004128241.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子と、主面側に前記半導体素子を収納する凹部を有するパッケージと、該パッケージに挿入され先端部主面が前記凹部の底面から露出されてなるリード電極と、該リード電極上に載置された前記半導体素子を封止するモールド部材と、を有する半導体装置であって、
前記リード電極は、前記半導体装置の正面方向に延伸する貫通孔を有し、
前記モールド部材の一部は、前記貫通孔と前記パッケージの背面とに延在していることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記パッケージは、背面が実装面の一部となり且つ主面が前記半導体素子の載置部となるヒートシンクを有することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記ヒートシンクは、主面側に凹部を有することを特徴とする請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記ヒートシンクは、前記パッケージと接する側面に凸部を有することを特徴とする請求項２乃至３に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記パッケージは、熱可塑性材料からなることを特徴とする請求項１乃至４に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記半導体素子は、発光素子である請求項１乃至５に記載の半導体装置。
【請求項７】
半導体素子と、主面側に前記半導体素子を収納する凹部を有するパッケージと、該パッケージに挿入され先端部主面が前記凹部の底面から露出されてなるリード電極と、該リード電極に載置上された前記半導体素子を封止するモールド部材と、を有する半導体装置の製造方法であって、
金属平板に打ち抜き加工を施し、一方向において分離して対向するように突出され複数の貫通孔を有するリード電極を形成する第一の工程と、
中央部に突出部を有する上金型と、該上金型と嵌合可能な下金型との間に前記リード電極を挟持し、熱可塑性材料を注入して前記リード電極を含むパッケージを一体成型する第二の工程と、
前記第二の工程にて得られたパッケージの凹部内に前記半導体素子を載置し、電気的に接続する第三の工程と、
前記パッケージの背面側から前記リード電極の貫通孔にモールド材料を注入することにより前記凹部を密封し、硬化させる第四の工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は樹脂を材料として半導体素子をモールドした半導体装置、および半導体素子の樹脂モールド方法に関し、更に詳しくは、樹脂を材料として成型される発光素子載置用パッケージ上へのトランスファーモールド成型において、モールド部材の内部に気泡を残存させない高品質なトランスファーモールド成型を行い、信頼性が高く光学特性に優れた発光装置を提供する技術に関する。
【０００２】
【従来技術】
ＬＥＤチップを樹脂材料にてモールドする方法として、トランスファーモールド成型法が使用されてきた。この方法は、例えばリードフレーム上に半導体素子を載置し、その半導体素子とリード電極とを接続した状態で、その半導体素子を含む封止空間を上金型及び下金型を突き合わせることにより形成した後、該封止空間にリード電極表面に沿って樹脂を注入し、硬化することにより封止する半導体装置の樹脂モールド方法である。
【０００３】
このようなトランスファーモールド成型法として例えば、特開２００１−１６８４００号公報に開示されているように、ケース内のリード電極上に配置された素子を樹脂封止するために、ケース側面に対向して設けられた二つの注入口からそれぞれ樹脂を注入し、ケース内の空気をケース側壁上面に設けられた排出口から排出させる方法がある。
【特許文献１】
特開２００１−１６８４００号公報
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、ケースの内の発光素子が載置される位置から上に設けられた注入口より樹脂を注入する方法では、注入口の内部で硬化した樹脂中を発光素子からの光が透過するため、発光装置の発光観測面方向の光取り出し効率が低下する。また、発光装置の発光観測面側に樹脂を注入あるいは排出した跡が残り、発光装置の美観を損ねる等の問題が生じる。例えば、特開２００１−１６８４００号公報に開示されているような方法では、発光素子の側面方向から出光した光の一部は、特許文献１の第２図に示されるように、発光素子の側面方向に存在する注入口内部の樹脂中を透過し、発光装置の側面から洩れだしてしまう。また、特許文献１の第２図に示されるケースの横方向から樹脂を注入する方法では、注入する樹脂の流れが乱れるため、封止樹脂内に気泡を残存させることなく発光装置の正面方向に大小様々な形状の集光レンズを発光素子の封止と同時に一体成型することが難しい。
【０００５】
また、熱可塑性樹脂を材料とするケースを含み、封止樹脂材料を充填するための封止空間を上金型及び下金型を突き合わせることにより形成した後、ケース内へ熱硬化性樹脂の注入及び硬化を行う場合、加熱によってケースに設けた注入口が変形するため、樹脂を円滑に注入するために必要な十分な大きさの注入口を確保することが難しい。
【０００６】
さらに、発光素子から出光した光の取り出し効率を向上させるため、開口方向に向かって広くなる形状をした凹部の底面に発光素子を載置し、発光素子の上にモールド部材を成型した場合、成型後のモールド部材の形は、パッケージ方向に凸形状となるため、パッケージからモールド部分が抜けやすくなり、信頼性の高い発光装置を形成することができない等の問題がある。
【０００７】
そこで、本発明は、発光素子を被覆するモールド部材中に気泡が残存せず、光学特性に優れ、かつ信頼性の高い発光装置を簡易な方法で提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
以上の目的を達成するために本発明にかかる半導体装置は、半導体素子と、主面側に前記半導体素子を収納する凹部を有するパッケージと、該パッケージに挿入され先端部主面が前記凹部の底面から露出されてなるリード電極と、該リード電極上に載置された前記半導体素子を封止するモールド部材と、を有する半導体装置であって、前記リード電極は、前記半導体装置の正面方向に延伸する貫通孔を有し、前記モールド部材の一部は、前記貫通孔と前記パッケージの背面とに延在していることを特徴とする半導体装置である。
【０００９】
このように構成することにより、注入口内で硬化した樹脂中を発光素子方向からの光が透過することがなくなり、発光装置の光取り出し効率を向上させることが可能である。さらに、パッケージの背面に延在部分を設けることにより、パッケージからモールド部分、あるいはモールド部材とともに発光素子が抜け易くなることがないため、信頼性の高い発光装置を形成することができる。
【００１０】
請求項２に記載の発明は、前記パッケージは、背面が実装面の一部となり且つ主面が前記半導体素子の載置部となるヒートシンクを有することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置である。
【００１１】
このように構成することにより、発光素子からの熱をパッケージ内に留めることなく外部に効率よく放熱することができ、所望の形状に成型されているモールド部材により発光素子から出光する高出力な光を光学制御することが可能である。
【００１２】
請求項３に記載の発明は、前記ヒートシンクは、主面側に凹部を有することを特徴とする請求項２に記載の半導体装置である。
【００１３】
このように構成することにより、発光素子からの熱をパッケージ内に留めることなく外部にさらに効率よく放熱することができるだけでなく、発光素子から出光した光りは凹部側面にて反射し、発光装置の正面方向に向かうため、発光装置の光の取り出し効率を向上させることが可能である。
【００１４】
請求項４に記載の発明は、前記ヒートシンクは、前記パッケージと接する側面に凸部を有することを特徴とする請求項２乃至３に記載の半導体装置である。
【００１５】
このように構成することにより、即ち本発明に独特のヒートシンクの形状により、パッケージ成型材料である熱可塑性樹脂は、硬化するとヒートシンクを固定保持するため、本発明にかかる発光装置においてヒートシンクはパッケージから外れることがなくなり、信頼性の高い発光装置とすることが可能である。
【００１６】
請求項５に記載の発明は、前記パッケージは、熱可塑性材料からなることを特徴とする請求項１乃至４に記載の半導体装置である。
【００１７】
このように構成することにより、リード電極外周をモールド部材より熱膨張率の小さい熱可塑性樹脂にて主に固定保持することで、発光装置の耐熱衝撃性を向上させることができる。
【００１８】
請求項６に記載の発明は、前記半導体素子は、発光素子である請求項１乃至５に記載の半導体装置である。
【００１９】
このように構成することにより、高品質かつ信頼性の高い発光装置とすることが可能である。
【００２０】
請求項７に記載の発明は、半導体素子と、主面側に前記半導体素子を収納する凹部を有するパッケージと、該パッケージに挿入され先端部主面が前記凹部の底面から露出されてなるリード電極と、該リード電極に載置上された前記半導体素子を封止するモールド部材と、を有する半導体装置の製造方法であって、金属平板に打ち抜き加工を施し、一方向において分離して対向するように突出され複数の貫通孔を有するリード電極を形成する第一の工程と、中央部に突出部を有する上金型と、該上金型と嵌合可能な下金型との間に前記リード電極を挟持し、熱可塑性材料を注入して前記リード電極を含むパッケージを一体成型する第二の工程と、前記第二の工程にて得られたパッケージの凹部内に前記半導体素子を載置し、電気的に接続する第三の工程と、前記パッケージの背面側から前記リード電極の貫通孔にモールド材料を注入することにより前記凹部を密封し、硬化させる第四の工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法である。
【００２１】
このような形成方法とすることにより、トランスファーモールド成型を利用して高品質かつ信頼性の高い半導体装置を容易に形成することが可能である。
【００２２】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の形態を、以下に図面を参照しながら説明する。ただし、以下に示す実施の形態は、本発明の技術思想を具体化するための発光装置を例示するものであって、本発明は発光装置を以下に限定するものではない。また、各図面に示す部材の大きさや位置関係などは説明を明確にするために誇張しているところがある。
【００２３】
図１は、本発明にかかる発光装置の正面図を示し、図２は、図１中のＡＡにおける断面図を示す。
【００２４】
図１および図２に示されるように、本発明の発光装置１００は、先端部主面が凹部１０８の底面から露出されるようにパッケージ１０４に挿入されてなるリード電極１０１を固定保持するパッケージ１０４と、リード電極１０１の凹部底面に載置されたＬＥＤチップ１０２と、該ＬＥＤチップ１０２の正負両電極をリード電極１０１と電気的に接続するための導電性ワイヤー１０３と、該導電性ワイヤー１０３およびＬＥＤチップ１０２を外部環境から保護するためにそれらを封止するモールド部材１０５を有する。モールド部材１０５の一部は、リード電極１０１に対して発光装置の正面方向に延伸するように設けられた貫通孔１０７内と、パッケージ１０４の背面とに延在し、延在部分１０６を形成している。このように延在部分１０６を形成させることにより、モールド部材１０５のパッケージ１０４に対するアンカー効果が得られ、モールド部材１０５がパッケージ１０４から離脱することを防ぐことができる。また、発光素子から出光した光は注入口として利用した貫通孔内で硬化している樹脂中を透過することがないため、発光装置の正面方向に向かう光が増加し発光装置の光取り出し効率を向上させることができる。さらに、モールド部材１０５は、発光装置正面にて発光装置１００から出光する光を集光させるためにレンズ形状に成型されており、また成型時にリード電極１０１の表面とパッケージ１０４との間に生じた隙間にも入り込んで延在している。また、上記モールド部材１０５およびパッケージ１０４は、それぞれトランスファーモールド成型法により成型されるが、前者は熱硬化性樹脂を材料とし、後者は熱可塑性樹脂を材料とすることにより形成されている。
【００２５】
以下、本発明の実施の形態の各構成について詳述する。
（ＬＥＤチップ１０２）
本発明において使用される半導体素子は、発光素子、受光素子等の半導体素子が考えられるが、本実施の形態において使用される半導体素子は、発光素子として使用されるＬＥＤチップ１０２である。蛍光体と発光素子とを組み合わせ、蛍光体を励起させることによって波長変換した光を出光させる発光装置とする場合、蛍光体を励起可能な波長の光を出光するＬＥＤチップが使用される。ＬＥＤチップ１０２は、ＭＯＣＶＤ法等により基板上にＧａＡｓ、ＩｎＰ、ＧａＡｌＡｓ、ＩｎＧａＡｌＰ、ＩｎＮ、ＡｌＮ、ＧａＮ、ＩｎＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＡｌＮ等の半導体を発光層として形成させる。半導体の構造としては、ＭＩＳ接合、ＰＩＮ接合やＰＮ接合などを有するホモ構造、ヘテロ構造あるいはダブルへテロ構成のものが挙げられる。半導体層の材料やその混晶度によって発光波長を種々選択することができる。また、半導体活性層を量子効果が生ずる薄膜に形成させた単一量子井戸構造や多重量子井戸構造とすることもできる。好ましくは、蛍光体を効率良く励起できる比較的短波長を効率よく発光可能な窒化物系化合物半導体（一般式ＩｎｉＧａｊＡｌｋＮ、ただし、０≦ｉ、０≦ｊ、０≦ｋ、ｉ＋ｊ＋ｋ＝１）である。
【００２６】
窒化ガリウム系化合物半導体を使用した場合、半導体基板にはサファイヤ、スピネル、ＳｉＣ、Ｓｉ、ＺｎＯ、ＧａＮ等の材料が好適に用いられる。結晶性の良い窒化ガリウムを形成させるためにはサファイヤ基板を用いることがより好ましい。サファイヤ基板上に半導体膜を成長させる場合、ＧａＮ、ＡｌＮ等のバッファー層を形成しその上にＰＮ接合を有する窒化ガリウム半導体を形成させることが好ましい。また、サファイア基板上にＳｉＯ２をマスクとして選択成長させたＧａＮ単結晶自体を基板として利用することもできる。この場合、各半導体層の形成後ＳｉＯ２をエッチング除去させることによって発光素子とサファイア基板とを分離させることもできる。窒化ガリウム系化合物半導体は、不純物をドープしない状態でＮ型導電性を示す。発光効率を向上させるなど所望のＮ型窒化ガリウム半導体を形成させる場合は、Ｎ型ドーパントとしてＳｉ、Ｇｅ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｃ等を適宜導入することが好ましい。一方、Ｐ型窒化ガリウム半導体を形成させる場合は、Ｐ型ドーパンドであるＺｎ、Ｍｇ、Ｂｅ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ等をドープさせる。
【００２７】
窒化ガリウム系化合物半導体は、Ｐ型ドーパントをドープしただけではＰ型化しにくいためＰ型ドーパント導入後に、炉による加熱、低速電子線照射やプラズマ照射等によりアニールすることでＰ型化させることが好ましい。具体的な発光素子の層構成としては、窒化ガリウム、窒化アルミニウムなどを低温で形成させたバッファ層を有するサファイア基板や炭化珪素上に、窒化ガリウム半導体であるＮ型コンタクト層、窒化アルミニウム・ガリウム半導体であるＮ型クラッド層、Ｚｎ及びＳｉをドープさせた窒化インジュウムガリウム半導体である活性層、窒化アルミニウム・ガリウム半導体であるＰ型クラッド層、窒化ガリウム半導体であるＰ型コンタクト層が積層されたものが好適に挙げられる。ＬＥＤチップ１０１を形成させるためにはサファイア基板を有するＬＥＤチップ１０１の場合、エッチングなどによりＰ型半導体及びＮ型半導体の露出面を形成させた後、半導体層上にスパッタリング法や真空蒸着法などを用いて所望の形状の各電極を形成させる。ＳｉＣ基板の場合、基板自体の導電性を利用して一対の電極を形成させることもできる。
【００２８】
次に、形成された半導体ウエハー等をダイヤモンド製の刃先を有するブレードが回転するダイシングソーにより直接フルカットするか、又は刃先幅よりも広い幅の溝を切り込んだ後（ハーフカット）、外力によって半導体ウエハーを割る。あるいは、先端のダイヤモンド針が往復直線運動するスクライバーにより半導体ウエハーに極めて細いスクライブライン（経線）を例えば碁盤目状に引いた後、外力によってウエハーを割り半導体ウエハーからチップ状にカットする。このようにして窒化物系化合物半導体であるＬＥＤチップ１０１を形成させることができる。
【００２９】
本発明の発光装置において、蛍光体を励起させて発光させる場合は、蛍光体との補色等を考慮してＬＥＤチップ１０２の主発光波長は３５０ｎｍ以上５３０ｎｍ以下が好ましい。
（パッケージ１０４）
パッケージ１０４は、半導体素子を載置する凹部１０８を有し、該凹部１０８内に外部との電気的接続が可能なリード電極を固定保持する支持体として働く。図３に示すように本実施の形態において、リード電極１０１は、パッケージ１０４の側面で折り曲げられ、さらにパッケージ１０４の背面に延在している。また図５に示されるようにパッケージ１０４は、発光装置５００の放熱性を向上させるためのヒートシンク１０９を有することができる。ＬＥＤチップ１０２の数や大きさに合わせて複数の開口部を持ったパッケージ１０４とすることもできる。また、発光装置をディスプレイの構成部材として利用する場合、好適には遮光機能を持たせるために黒や灰色などの暗色系に着色させるか、或いはパッケージ１０４の発光観測表面側が暗色系に着色されている。パッケージ１０４は、ＬＥＤチップ１０２をさらに外部環境から保護するために透光性保護体であるモールド部材１０５を設けることもできる。パッケージ１０４は、モールド部材１０５との接着性がよいものが好ましく、ＬＥＤチップ１０２と外部とを電気的に遮断させるために絶縁性を有することが望まれる。さらに、パッケージ１０４およびモールド部材１０５については、共に熱膨張率が小さく、ほぼ等しいことが好ましい。特にパッケージ１０４は、ＬＥＤチップ１０２などからの熱の影響を受ける場合を考慮して、モールド部材１０５より熱膨張率の小さい物が好ましい。このような構成により、主にパッケージ材料にて固定保持されているリード電極１０１は、モールド部材が熱応力の影響を受けて膨張あるいは収縮してもその影響を最小限に抑え、熱応力を緩和しズレ動くことが少ないため、導電性ワイヤー１０３の切断等の障害を発生させることなく信頼性の高い発光装置を形成させることが可能であり、また製造歩留まりを向上させることができる。
【００３０】
パッケージ１０４の凹部１０８の内壁面を梨地とし、接着面積を増やしたり、プラズマ処理してモールド部材１０５との密着性を向上させることもできる。本実施の形態においてパッケージ１０４は、リード電極１０１と一体的に形成されるが、別の実施の形態ではパッケージ１０４が複数に分かれ、はめ込みなどにより組み合わせて構成させてもよい。なお、本明細書に添付される図面においてパッケージの形状は凹部を設けた楕円柱形状としたが、任意の立体的形状で構わない。
【００３１】
このようなパッケージ１０４は、トランスファーモールド成型、インサート成形などにより比較的簡単に形成することができる。パッケージの熱可塑性材料として芳香族ナイロン系樹脂、ポリフタルアミド樹脂（ＰＰＡ）、サルホン系樹脂、ポリアミドイミド樹脂（ＰＡＩ）、ポリケトン樹脂（ＰＫ）、ポリカーボネート樹脂、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）、液晶ポリマー（ＬＣＰ）、ＡＢＳ樹脂、ＰＢＴ樹脂等の熱可塑性樹脂などを用いることができる。なお、これらの熱可塑性樹脂にガラス繊維を含有させたものを熱可塑性材料として使用しても構わない。このようにガラス繊維を含有させることにより、高剛性を有し、高強度なパッケージを形成することが可能である。
【００３２】
以上のような熱可塑性樹脂を使用することによって、モールド部材の材料である熱硬化性部材を流し込む工程で、樹脂漏れを防ぐことが可能である。また、硬化時においてパッケージ材料の熱膨張率は、モールド部材の材料の熱膨張率より小さい。そのため、発光装置を寒暖の差の激しい気象条件のもとで使用し、モールド部材が熱によって収縮あるいは膨張する場合であっても、パッケージに固定保持されているリード電極はモールド部材に発生する熱応力の影響を受けることが少ないため、リード電極にボンディングされている導電性ワイヤーの切断を防ぐことが可能である。なお、本明細書中において熱可塑性樹脂とは、加熱すると軟化さらには液状化し、冷却すると硬化する線状の高分子構造を有する物質をいう。このような熱可塑性樹脂として、たとえばスチレン系、アクリル系、セルロース系、ポリエチレン系、ビニル系、ナイロン系、フッ（弗）化炭素系の樹脂などがある。
【００３３】
また、パッケージ１０４を暗色系に着色させる着色剤としては種々の染料や顔料が好適に用いられる。具体的には、Ｃｒ２Ｏ３、ＭｎＯ２、Ｆｅ２Ｏ３やカーボンブラックなどが好適に挙げられる。
【００３４】
ＬＥＤチップ１０２とパッケージ１０４との接着は熱硬化性樹脂などによって行うことができる。具体的には、エポキシ樹脂、アクリル樹脂やイミド樹脂などが挙げられる。また、ＬＥＤチップ１０２を配置固定させると共にパッケージ１０４内のリード電極１０１と電気的に接続させるためにはＡｇペースト、カーボンペースト、ＩＴＯペースト、金属バンプ等が好適に用いられる。
（リード電極１０１）
リード電極１０１は、パッケージ１０４の外部からの電力を内部に配置されたＬＥＤチップ１０２に供給するために使用される部材である。本実施の形態におけるリード電極１０１は、パッケージ１０４の側面から突出している部分であるアウターリード電極と、パッケージ側面を貫通しパッケージ凹部内に延伸して載置されているインナーリード電極とからなる。ここで、インナーリード電極に対しては、パッケージ１０４の背面から樹脂を注入する際に樹脂を通過させる貫通孔１０７が発光装置の正面方向に延伸するように設けられている。貫通孔の内部およびパッケージ１０４の背面に対してモールド部材１０５の延在部分１０６を形成することによりモールド部材１０５がパッケージ１０４から離脱するのを防ぐことができる。また、リード電極１０１は放熱性、電気伝導性、ＬＥＤチップ１０２の特性などを考慮して種々の大きさに形成させることができる。リード電極１０１は、載置されるＬＥＤチップ１０２から放出された熱を外部に放熱させるため熱伝導性がよく、大きさが適宜調節されていることが好ましい。このように構成することにより、ヒートシンクを備えることなく発光装置の放熱性を向上させることができる。また、発光素子の放熱性向上を目的としたヒートシンクを備える別の実施の形態であっても、更に発光装置全体の放熱性を向上させることが可能である。リード電極１０１の具体的な電気抵抗としては３００μΩ・ｃｍ以下が好ましく、より好ましくは、３μΩ・ｃｍ以下である。また、具体的な熱伝導度は、０．０１ｃａｌ／（ｓ）（ｃｍ２）（℃／ｃｍ）以上が好ましく、より好ましくは　０．５ｃａｌ／（ｓ）（ｃｍ２）（℃／ｃｍ）以上である。
【００３５】
このようなリード電極１０１としては、銅やりん青銅板表面に銀、パラジュウム或いは金、銀などの金属メッキや半田メッキなどを施したものが好適に用いられる。このように銀メッキした場合にあっては、発光素子から出光した光の反射率が高くなり、発光装置の光取り出し効率が向上するため好ましい。
【００３６】
また、一対のリード電極のそれぞれがパッケージ外部の側面付近で一本から二本のリード電極に分岐されてパッケージに挿入されるように、パッケージを成型することが好ましい。このようにすることで、フォーミング工程においてリード電極からパッケージに掛かる過剰な応力が緩和され、また、パッケージ材料である熱可塑性樹脂が分岐した二本のリード電極の間に入り込むことにより、リード電極がパッケージに対してより強く固定される。さらに、パッケージ成型の際に使用する上金型と下金型の密着性が向上し、パッケージ成型の工程中に両金型のズレを防止することが可能である。
（ヒートシンク１０９）
図５に示されるように本実施の形態において使用することが可能なヒートシンク１０９は、パッケージ１０４の凹部１０８の底面から露出されている主面側にＬＥＤチップ１０１を載置すると同時に、該ＬＥＤチップから放出される熱を、発光装置の実装面の一部となる背面から発光装置の外部に放熱させる機能を有する。本発明にかかる発光装置は、リード電極に放熱機能を持たせた場合であっても、ヒートシンクを有することにより更なる放熱性の向上が可能となる。このようなヒートシンクは、上金型および下金型により形成される封止空間内に納めた後、リード電極とともにパッケージ成型時に一体成型される。また、本実施の形態では、パッケージ１０４の材料として熱可塑性樹脂が使用されるため高い放熱効果が要求されるところ、ヒートシンク１０９によりパッケージ１０４の放熱効果をさらに高め、信頼性の高い発光装置を形成することが可能である。
【００３７】
ヒートシンク１０９は放熱性、ＬＥＤチップ１０２の特性などを考慮して種々の大きさに形成させることができる。ヒートシンク１０９は、ＬＥＤチップ１０２を配置すると共にＬＥＤチップ１０２から放出された熱を外部に放熱させるため熱伝導性がよいことが好ましい。ヒートシンクの具体的な熱伝導度は、０．０１ｃａｌ／（ｓ）（ｃｍ２）（℃／ｃｍ）以上が好ましく、より好ましくは　０．５ｃａｌ／（ｓ）（ｃｍ２）（℃／ｃｍ）以上である。
【００３８】
このようなヒートシンクの材料としては、銅やりん青銅板表面に銀、パラジュウム或いは銀、金などの金属メッキや半田メッキなどを施したものが好適に用いられる。このように銀メッキした場合にあっては、発光素子から出光した光の反射率が高くなり、発光装置の光取り出し効率が向上するため好ましい。
【００３９】
ヒートシンクの厚さはＬＥＤチップの特性を考慮して、ＬＥＤチップの放熱性を向上させるために最適な大きさに調節される。また、ヒートシンク上面の面積は、載置する半導体素子の大きさ程度とし、正負の導電性ワイヤーがヒートシンクに接触しないように調節する。あるいは、本実施の形態における上金型および下金型の鉛直方向の向きを逆にし、導電性ワイヤーの中央部付近がヒートシンクの下方に垂れ下がるようにして、モールド部材を成型しても構わない。このようにすることによって、ショートを防ぎ製造歩留まりの高い発光装置を形成することが可能である。ヒートシンクの形状は円柱状、角柱状等いかなる形状でもよいが、ヒートシンク上部に凹部を設けＬＥＤチップを載置する構成とした場合は、該凹部は開口方向に向かって広くなる形状をしていることが好ましい。このようにすることによって、発光素子から出光した光は凹部側面にて反射し、発光装置の正面方向に向かうため、発光装置の光取り出し効率を向上させることが可能である。また、半導体素子として受光素子を使用した場合は、受光装置に入射する光は凹部側面にて反射し、受光素子の方向に向かうため、受光装置の感度を向上させることが可能である。
【００４０】
上記凹部側面は、ＬＥＤチップから出光する光の光軸に対して傾斜して開口方向に向け拡開する側面（以下「側面ａ」と呼ぶ）と、側面ａよりも光軸となす傾斜角度が小さい側面（以下「側面ｂ」と呼ぶ）とを凹部側面に区分けして形成してもよい。
【００４１】
このような側面を有する凹部を設けることによって、発光素子から側面ａに向かう光および側面ｂに向かう光は、それぞれ凹部側面にて異なる反射角度で反射するため、発光装置の光の取り出し効率が向上するだけでなく、所望の方向における配光性を向上させることが可能である。
【００４２】
さらに、ヒートシンクは、パッケージと接する側面に凸部が設けられていることが好ましい。該凸部は、任意の形状でよく、ヒートシンク側面の一面に渡って複数個設けても構わないし、シートシンクの側面を取り囲むようにリング状に設けても構わない。このようなヒートシンクの形状により、パッケージ成型材料である熱可塑性樹脂は、パッケージ成型時に凸部の周囲を取り囲んで硬化するため、本発明にかかる発光装置においてヒートシンクはパッケージから外れることがなくなり、信頼性の高い発光装置とすることが可能である。従来は、別工程で形成されたヒートシンクをパッケージに絶縁性接着剤等で接着していたため、作業の効率が低下し、また、接着したヒートシンクはパッケージから外れやすく信頼性の高い発光装置とすることができない等の問題が生じていた。
（導電性ワイヤー１０３）
導電性ワイヤー１０３としては、ＬＥＤチップ１０２の電極とのオーミック性、機械的接続性、電気伝導性及び熱伝導性がよいものが求められる。熱伝導度としては０．０１ｃａｌ／（ｓ）（ｃｍ２）（℃／ｃｍ）以上が好ましく、より好ましくは０．５ｃａｌ／（ｓ）（ｃｍ２）（℃／ｃｍ）以上である。また、作業性などを考慮して導電性ワイヤー１０３の直径は、好ましくは、Φ１０μｍ以上、Φ４５μｍ以下である。このような導電性ワイヤー１０３として具体的には、金、銅、白金、アルミニウム等の金属及びそれらの合金を用いた導電性ワイヤーが挙げられる。このような導電性ワイヤー１０３は、各ＬＥＤチップ１０２の電極と、インナー・リードとをワイヤーボンディング機器によって容易に接続させることができる。ここで、同一面側に正負一対の両電極を有するＬＥＤチップをワイヤーボンディングする場合、該正負両電極のそれぞれが正のリード電極、負のリード電極にそれぞれ接続される。また、ＬＥＤチップ１０２を配置固定させると共にパッケージ１０４内のインナーリード電極等と電気的に接続させる構成とした場合は、ＬＥＤチップ１０２の正負両電極のうち、リード電極等と電気的に接続されていない方の電極を、正のリード電極あるいは負のリード電極のどちらか一方にワイヤーボンディングにより接続する。導電性ワイヤー１０３は、正電極および負電極のリード電極への接続に対して、それぞれ二本以上使用しても構わない。このようにすることによって、複数本のワイヤの一部が切断等により不通になっても切断されていない残りのワイヤで電気的導通を図ることが可能である。また、本発明の実施の形態の一つとして、同一面側に正負一対の両電極を有する二つ以上のＬＥＤチップを実装する場合、あるいは実装する一つのＬＥＤチップの正電極あるいは負電極が幾つかに分割されている場合がある。このような場合には、各電極あるいは分割された電極のそれぞれが並列に接続されるようにワイヤーボンディングにより接続することが可能である。
（モールド部材１０５）
モールド部材１０５は、発光ダイオードの用途に応じて、ＬＥＤチップ１０２、導電性ワイヤー１０３、粒子状蛍光体が含有されＬＥＤチップ１０２上に形成されるコーティング部などを外部環境から保護するため、あるいは発光装置の光学特性に特徴を持たせるために設けることができる。また、本実施の形態においてモールド部材１０５の一部は、パッケージ１０４とインナーリードとの間に延在している。このような延在部分が存在しない場合、モールド部材に対して発光装置の正面方向に向かう力が掛かると、該モールド部材はパッケージから脱落しやすい。しかしながら、本実施の形態のような延在部分を設けると、該延在部分は上記の力に対して直角方向に延在しているため、モールド部材がパッケージから脱落するのを防ぐことができる。
【００４３】
モールド部材１０５は、各種樹脂や硝子などを用いて形成させることができる。モールド部材１０５の具体的材料としては、主としてエポキシ樹脂、ユリア樹脂、シリコーン樹脂などの耐候性および透光性に優れた熱硬化性樹脂や硝子などが好適に用いられる。なお、本明細書中における熱硬化性樹脂とは、加圧下で加熱すると固化するプラスチックをいう。熱硬化性樹脂は、いったん固化すると最初の性質を損うことなく再溶融、または再成形できない。このような熱硬化性樹脂として、たとえばエポキシ系、メラミン系、フェノール系、尿素系の樹脂が挙げられる。このようなモールド部材の材料は、パッケージの材料として使用される熱可塑性樹脂の軟化点（本明細書中における「軟化点」とは、固化した熱可塑性樹脂が加熱されて軟化し始める温度をいう。）以上であって、かつモールド部材の材料として使用する熱硬化性樹脂の硬化温度（本明細書中における「熱硬化性樹脂の硬化温度」とは固形状の熱硬化性樹脂材料が液状化しさらに一定の時間経過後、固化を完了する温度をいう）のもとで、封止空間に注入される。このとき、パッケージの熱可塑性樹脂は鋼鉄製の金型より軟化しているため、パッケージは、金型に対して極めて密着し、流し込まれる液状の熱硬化性樹脂は、金型とパッケージとの密着部分から漏れ出すことはない。
【００４４】
モールド部材に拡散剤を含有させることによってＬＥＤチップ１０２からの指向性を緩和させ視野角を増やすこともできる。また、各種着色剤を含有させることができる。また、半導体素子に出入りする光の配光性、集光性等を考慮して様々な大きさの凸レンズ形状、凹レンズ形状等に成型することも可能である。さらに、発光装置に対して所定方向への配光性を向上させることを目的として、モールド部材を発光方向から見たときの縦断面形状が楕円形であるようにレンズ成型することも可能である。このような様々の形状のモールド部材の成型は、成型金型の形状および大きさを所望のものに変えることによって可能となる。従来は、モールド部材設置個所にモールド部材の材料を滴下して硬化させるポッティングによる方法が行われていたが、ポッティングによる方法では、液状にして滴下するモールド部材の材料の表面張力に限界があるため、上記のように所望の形状および大きさを変えた成型が困難であった。
（蛍光体）
本発明における発光装置において、発光素子から出光する光を波長変換して所望の発光色を得るために蛍光体を使用することも可能である。このような蛍光体は、モールド部材中に含有させたり、あるいは発光素子の表面上に透光性無機部材等の結着剤により固着される。
【００４５】
本発明に用いられる蛍光体としては、少なくともＬＥＤチップ１０２の半導体発光層から発光された光で励起されて発光する粒子状蛍光体をいう。ＬＥＤチップ１０２が発光した光と、粒子状蛍光体が発光した光が補色関係などにある場合、それぞれの光を混色させることで白色を発光することができる。具体的には、ＬＥＤチップ１０２からの光と、それによって励起され発光する粒子状蛍光体の光がそれぞれ光の３原色（赤色系、緑色系、青色系）に相当する場合やＬＥＤチップ１０２が発光した青色の光と、それによって励起され発光する粒子状蛍光体の黄色の光が挙げられる。
【００４６】
発光ダイオードの発光色は、粒子状蛍光体と粒子状蛍光体の結着剤として働く各種樹脂やガラスなどの無機部材などとの比率、粒子状蛍光体の沈降時間、粒子状蛍光体の形状などを種々調整すること及びＬＥＤチップの発光波長を選択することにより電球色など任意の白色系の色調を提供させることができる。発光ダイオードの外部には、ＬＥＤチップからの光と蛍光体からの光がモールド部材を効率よく透過することが好ましい。
【００４７】
具体的な粒子状蛍光体としては、銅で付活された硫化カドミ亜鉛や、希土類元素から選択された一種類以上の元素、例えばセリウム、Ｐｒで付活されたイットリウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体が挙げられる。特に、高輝度且つ長時間の使用時においては（Ｒｅ１−ｘＳｍｘ）３（Ａｌ１−ｙＧａｙ）５Ｏ１２：Ｃｅ（０≦ｘ＜１、０≦ｙ≦１、但し、Ｒｅは、Ｙ，Ｇｄ，Ｌａからなる群より選択される少なくとも一種の元素である。）などが好ましい。粒子状蛍光体として特に（Ｒｅ１−ｘＳｍｘ）３（Ａｌ１−ｙＧａｙ）５Ｏ１２：Ｃｅを用いた場合には、ＬＥＤチップと接する或いは近接して配置され放射照度として（Ｅｅ）＝３Ｗ・ｃｍ−２以上１０Ｗ・ｃｍ−２以下においても高効率に十分な耐光性を有する発光ダイオードとすることができる。
【００４８】
（Ｒｅ１−ｘＳｍｘ）３（Ａｌ１−ｙＧａｙ）５Ｏ１２：Ｃｅ蛍光体は、ガーネット構造のため、熱、光及び水分に強く、励起スペクトルのピークが４７０ｎｍ付近などにさせることができる。また、発光ピークも５３０ｎｍ付近にあり７２０ｎｍまで裾を引くブロードな発光スペクトルを持たせることができる。しかも、組成のＡｌの一部をＧａで置換することで発光波長が短波長にシフトし、また組成のＹの一部をＧｄで置換することで、発光波長が長波長へシフトする。このように組成を変化することで発光色を連続的に調節することが可能である。したがって、長波長側の強度がＧｄの組成比で連続的に変えられるなど窒化物半導体の青色系発光を利用して白色系発光に変換するための理想条件を備えている。
【００４９】
このような蛍光体は、Ｙ、Ｇｄ、Ｃｅ、Ｓｍ、Ａｌ、Ｌａ及びＧａの原料として酸化物、又は高温で容易に酸化物になる化合物を使用し、それらを化学量論比で十分に混合して原料を得る。又は、Ｙ、Ｇｄ、Ｃｅ、Ｓｍの希土類元素を化学量論比で酸に溶解した溶解液を蓚酸で共沈したものを焼成して得られる共沈酸化物と、酸化アルミニウム、酸化ガリウムとを混合して混合原料を得る。これにフラックスとしてフッ化アンモニウム等のフッ化物を適量混合して坩堝に詰め、空気中１３５０〜１４５０°Ｃの温度範囲で２〜５時間焼成して焼成品を得る。次に焼成品を水中でボールミルして、洗浄、分離、乾燥、最後に篩を通すことで所望の粒子状蛍光体を得ることができる。
【００５０】
本発明の発光ダイオードにおいて、粒子状蛍光体は、２種類以上の粒子状蛍光体を混合させてもよい。即ち、Ａｌ、Ｇａ、Ｙ、Ｌａ及びＧｄやＳｍの含有量が異なる２種類以上の（Ｒｅ１−ｘＳｍｘ）３（Ａｌ１−ｙＧａｙ）５Ｏ１２：Ｃｅ蛍光体を混合させてＲＧＢの波長成分を増やすことができる。また、現在のところ半導体発光素子の発光波長には、バラツキが生ずるものがあるため２種類以上の蛍光体を混合調整させて所望の白色光などを得ることができる。具体的には、発光素子の発光波長に合わせて色度点の異なる蛍光体の量を調整し含有させることでその蛍光体間と発光素子で結ばれる色度図上の任意の点を発光させることができる。
（拡散剤）
本実施の形態におけるモールド部材には、発光装置の発光輝度を向上させるために拡散剤を含有させることも可能である。モールド部材に含有される拡散剤は、発光素子から放出される光のうち発光観測面側に放出される光の散乱吸収を少なくし、光反射層側面に向かう光を多く散乱させることで発光装置の発光輝度を向上させるものである。このような拡散剤としては、酸化バリウム、チタン酸バリウム、酸化バリウム、酸化珪素、酸化チタン、酸化アルミニウム等の無機部材やメラミン樹脂、ＣＴＵグアナミン樹脂、ベンゾグアナミン樹脂などの有機部材が好適に用いられる。
【００５１】
同様に、外来光や発光素子からの不要な波長をカットするフィルター効果を持たすために各種着色剤を添加させることもできる。さらに、樹脂の内部応力を緩和させる各種フィラーを含有させることもできる。
（フィラー）
更に、本発明において、モールド部材中に蛍光体に加えて、あるいは蛍光体に変えてフィラーを含有させても良い。具体的な材料は拡散剤と同様であるが、拡散剤とは中心粒径が異なり、本明細書においてフィラーとは中心粒径が５μｍ以上１００μｍ以下のものをいう。このような粒径のフィラーを透光性樹脂中に含有させると、光散乱作用により発光装置の色度バラツキが改善される他、透光性樹脂の耐熱衝撃性を高めることができる。また、フィラーは蛍光体と類似の粒径及び／又は形状を有することが好ましい。ここで本明細書では、類似の粒径とは、各粒子のそれぞれの中心粒径の差が２０％未満の場合をいい、類似の形状とは、各粒径の真円との近似程度を表す円形度（円形度＝粒子の投影面積に等しい真円の周囲長さ／粒子の投影の周囲長さ）の値の差が２０％未満の場合をいう。このようなフィラーを用いることにより、蛍光体とフィラーが互いに作用し合い、樹脂中にて蛍光体を良好に分散させることができ色ムラが抑制される。更に、蛍光体及びフィラーは、共に中心粒径が１５μｍ〜５０μｍ、より好ましくは２０μｍ〜５０μｍであると好ましく、このように粒径を調整することにより、各粒子間に好ましい間隔を設けて配置させることができる。これにより光の取り出し経路が確保され、フィラー混入による光度低下を抑制しつつ指向特性を改善させることができる。また、このような粒径範囲の蛍光体及びフィラーを透光性樹脂に含有させ孔版印刷法にて封止部材を形成すると、封止部材硬化後のダイシング工程においてダイシングブレードの目詰まりが回復されドレッサー効果をもたらすことができ量産性が向上される。
【００５２】
【実施例】
以下、本発明に係る実施例について詳述する。なお、本発明は以下に示す実施例のみに限定されるものではないことは言うまでもない。
［実施例１］
図１は、本実施例にかかる発光装置１００の上面図を示す。図２は、図１のＡＡにおける発光装置１００の断面図を示す。図３は、発光装置１００の背面図を示す。また、図４は、発光装置１００の正面図を示す。
【００５３】
本実施例にかかる発光装置１００は、先端部主面が凹部１０８の底面から露出されるようにパッケージ１０４に挿入されてなるリード電極１０１を固定保持するパッケージ１０４と、リード電極１０１に形成された凹部の底面に載置されたＬＥＤチップ１０２と、該ＬＥＤチップ１０２の正負両電極をリード電極１０１と電気的に接続するための導電性ワイヤー１０３と、該導電性ワイヤー１０３およびＬＥＤチップ１０２を外部環境から保護するためにそれらを封止するモールド部材１０５とを有する。モールド部材１０５の一部は、リード電極１０１に設けられた貫通孔１０７と、パッケージ１０４の背面とに延在し、延在部分１０６を形成している。さらに、モールド部材１０５は、発光装置正面にて発光装置１００から出光する光を集光させるためにレンズ形状に成型されており、また成型時にリード電極１０１の表面とパッケージ１０４との間に生じた隙間にも入り込んで延在している。また、上記モールド部材１０５およびパッケージ１０４は、それぞれトランスファーモールド成型法により成型されるが、前者は熱硬化性樹脂を材料とし、後者は熱可塑性樹脂を材料とすることにより形成されている。
【００５４】
本発明の発光装置の形成方法は、金属平板に打ち抜き加工を施し、一方向において分離して対向するように突出され複数の貫通孔を有するリード電極を形成する第一の工程と、中央部に突出部を有する上金型と、該上金型と嵌合可能な下金型との間にリード電極を挟持し、熱可塑性材料を注入してリード電極を含むパッケージを一体成型する第二の工程と、第二の工程にて得られたパッケージの凹部内に半導体素子を載置し、電気的に接続する第三の工程と、パッケージの背面側からリード電極の貫通孔にモールド材料を注入することにより凹部を密封し、硬化させる第四の工程と、を含む。
【００５５】
以下、図面を参照しながら本発明の発光装置の形成方法を順を追ってより詳細に説明する。
（工程１）
まず、貫通孔１０７を有するリード電極１０１を形成する。銅を主成分とする金属平板に打ち抜き加工を施し、同一方向において互いに分離して対向するように突出され、それぞれ貫通孔１０７を有する一対のリード電極１０１とする。
（工程２）
次に、本実施例におけるパッケージ１０４の射出成型法による成型を説明する。本工程では、上金型と、該上金型に嵌合可能な下金型とを、リード電極１０１を挟持しながら突き合わせることによりリード電極１０１の先端部とを含む第一の封止空間を形成する。このとき、上金型はパッケージ１０４の凹部１０８を成型するための凸部と、パッケージ１０４の側壁を成型するための部分とを有する。一方の下金型はパッケージ側面を成型するための凹部を有する。上記第一の封止空間にパッケージ１０４の背面となる方向から熱可塑性樹脂材料として液状のポリフタルアミド樹脂を注入し、冷却させることにより、開口方向に向かって広くなる形状を有する凹部１０８と、パッケージ１０４に挿入されたリード電極１０１とを有するパッケージ１０４を一体成型する。なお、硬化時のパッケージの熱膨張係数は、２．３×１０−５〜８．６×１０−５（１／℃）であった。また、本実施例において、パッケージの材料は、ポリフタルアミド樹脂に適量のガラス繊維を含有させた材料を使用した。このような材料は、ガラス繊維を含有させないものと比較して、高剛性、高強度、寸法安定性、耐熱性、耐薬品性、成形加工性、蒸着性、低吸湿性、電気特性に優れ、本発明における発光装置のパッケージ材料としての使用に適している。
（工程３）
次に、ＬＥＤチップ１０２とリード電極１０１上に設けた凹部底面との接着を熱硬化性樹脂、透光性無機部材、金属ハンダ等によって行う。具体的には、エポキシ樹脂、アクリル樹脂やイミド樹脂、シリカゾル、Ａｕ−Ｓｎなどの共晶ハンダなどが挙げられる。また、ＬＥＤチップ１０２を配置固定させると共にパッケージ１０４内のリード電極１０１と電気的に接続させるためにはＡｇペースト、カーボンペースト、ＩＴＯペースト、金属バンプ等が好適に用いられる。
（工程４）
導電性ワイヤー１０３によって、ＬＥＤチップ１０２の正負両電極と、リード電極１０１をワイヤーボンディング接続させる。
（工程５）
以下、本発明におけるモールド部材１０５のトランスファーモールド法による成型を説明する。パッケージ１０４の主面からなる面に対して、モールド部材の材料を所定の形状に成型する上金型を押し当て圧着させることにより、第二の封止空間を形成する。次に、第二の封止空間に対してモールド部材の材料をパッケージ１０４の背面側の貫通孔１０７より注入する。パッケージ１０４の材料として使用したポリフタルアミド樹脂の軟化点１２０℃以上であって、かつモールドの材料として使用するエポキシ樹脂の硬化温度である１５０℃に設定した後、貫通孔１０７よりエポキシ樹脂を注入し第二の封止空間の方へ流し込むことにより、第二の封止空間をエポキシ樹脂にて密封する。このとき、パッケージ１０４は鋼鉄製の金型を押し当てられることにより軟化しているため、パッケージは、金型に対して極めて密着し、流し込むエポキシ樹脂は、金型とパッケージとの密着部分から漏れ出すことはない。また、リード電極１０１に設けた貫通孔１０７を樹脂の注入口として利用しているため、パッケージの軟化によって注入口が塞がることを防ぐことができる。さらに、モールド成型時におけるパッケージ外周部への樹脂バリの発生を完全に防ぐことが可能である。また、第二の封止空間に存在する空気は、流し込まれたエポキシ樹脂によって貫通孔１０７の方向から徐々に置換され、他方の貫通孔から排出される。これにより、モールド部材１０５中における気泡の発生を抑えることが可能である。
【００５６】
ところで、上述の設定温度にて上下方向から圧力を加えながらパッケージ１０４を金型で挟んだとき、軟化したパッケージ１０４とリード電極１０１の側面との間に隙間が生じ、該隙間にも流動性に富むエポキシ樹脂は入り込む。
【００５７】
金型の温度をエポキシ樹脂の硬化温度１５０℃に設定し、所定の硬化時間経過後モールド部材が成型される。なお、硬化時のエポキシ樹脂の熱膨張係数は、１４．５〜１８．５（１／℃）であった。
（工程６）
最後に、パッケージ１０４の背面側において硬化したモールド部材の一部が、貫通孔１０７を介してリード電極１０１の主面側および背面側に延在している状態で、延在部分１０６を残しながら切り離し、アウターリード電極を所望の形状に折り曲げると、本発明の発光装置１００が完成する。
【００５８】
本実施例にかかる発光装置の形成方法では、リード電極１０１に設けられる貫通孔１０７を樹脂の注入口として利用し、パッケージの背面から樹脂を注入してモールド部材１０５を形成する。これにより、注入口内で硬化した樹脂中を発光素子方向からの光が透過することがなくなり、発光装置の光取り出し効率を向上させることが可能である。また、パッケージ１０４の背面に延在部分１０６を設けることにより、パッケージ１０４からモールド部分、あるいはモールド部材とともに発光素子が抜け易くなることがないため、信頼性の高い発光装置を形成することができる。さらに、モールド部材に気泡を残存させることがないため、品質の高い発光装置を形成することが可能である。
［実施例２］
図５に示されるようにパッケージ１０４にヒートシンク１０９をパッケージ成型時に一体成型する他は実施例１と同様に発光装置を形成した。
【００５９】
このようにすることによって、発光装置の放熱性をさらに向上させ、信頼性の高い発光装置を形成することができる。
［実施例３］
モールド部材１０５に、赤色系、緑色系および青色系の各種着色剤をそれぞれ含有させた発光装置を、発光色が赤色系、緑色系および青色系ごとに形成する他は実施例１と同様に発光装置を形成した。
【００６０】
本実施例のように構成することによって、カラーＬＥＤディスプレイ用として使用することが可能な光学特性に優れた発光装置とすることができる。即ち、本実施例の発光装置は、パッケージ１０４の厚みを比較的大きくし、それに応じてモールド部材１０５の形状も大きくすることが可能である。したがって、本実施例にかかる発光装置を配線基板表面に実装し発光装置間を充填材で満たした場合であっても、該充填材がモールド部材の表面に懸からないようにパッケージ１０４の厚みを自由に設計変更することが可能である。
【００６１】
【発明の効果】
本実施例にかかる発光装置では、注入口内で硬化した樹脂中を発光素子方向からの光が透過することがなくなり、発光装置の光取り出し効率を向上させることが可能である。さらに、パッケージの背面に延在部分を設けることにより、パッケージからモールド部分、あるいはモールド部材とともに発光素子が抜け易くなることがないため、信頼性の高い発光装置を形成することができる。
【００６２】
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は本発明の一実施例を示す模式的な上面図である。
【図２】図２は本発明の一実施例を示す模式的な断面図である。
【図３】図３は本発明の一実施例を示す模式的な背面図である。
【図４】図４は本発明の一実施例を示す模式的な正面図である。
【図５】図５は本発明の一実施例を示す模式的な断面図である。
【符号の説明】
１００、５００・・・発光装置
１０１・・・リード電極
１０２・・・発光素子
１０３・・・導電性ワイヤー
１０４・・・パッケージ
１０５・・・モールド部材
１０６・・・モールド部材の延在部分
１０７・・・貫通孔
１０８・・・凹部
１０９・・・ヒートシンク
【図１】
2004128241.tif 000003
【図２】
2004128241.tif 000004
【図３】
2004128241.tif 000005
【図４】
2004128241.tif 000006
【図５】
2004128241.tif 000007