(57)【要約】【課題】液体吐出ヘッド、液体吐出装置及び液体吐出ヘッドの製造方法に関し、例えばサーマル方式のプリンタヘッドに適用して、高速度でダイシングしても、ヒビ、欠けによる各種の影響を回避することができるようにする。【解決手段】本発明は、絶縁膜２１、２４、３０、３３の除去により、少なくともエネルギー変換素子の並びに沿って深さの浅い細溝Ｍを作成する。【選択図】　　　　図１
2004130579.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
エネルギー変換素子の駆動により液滴を飛び出させる液体吐出ヘッドにおいて、
半導体基板を切断して作成されたヘッドチップを用いて作成され、
前記ヘッドチップは、
前記エネルギー変換素子が端面に沿って設けられ、
少なくとも前記エネルギー変換素子が設けられた側の端面側に、少なくとも１つの絶縁膜を除去して作成された細溝を有する
ことを特徴とする液体吐出ヘッド。
【請求項２】
液体吐出ヘッドに設けられたエネルギー変換素子の駆動により液滴を飛び出させる液体吐出装置において、
半導体基板を切断して作成されたヘッドチップを用いて作成され、
前記ヘッドチップは、
前記エネルギー変換素子が端面に沿って設けられ、
少なくとも前記エネルギー変換素子が設けられた側の端面側に、少なくとも１つの絶縁膜を除去して作成された細溝を有する
ことを特徴とする液体吐出装置。
【請求項３】
エネルギー変換素子の駆動により液滴を飛び出させる液体吐出ヘッドの製造方法において、
半導体基板に、少なくとも複数の前記エネルギー変換素子を並べて作成するエネルギー変換素子の作成工程と、
前記エネルギー変換素子の並びに沿って、前記半導体基板を切断してヘッドチップを作成する切断工程と、
前記ヘッドチップを前記液体吐出ヘッドに組み立てる組み立て工程とを有し、
前記切断工程より前に、前記ヘッドチップの少なくとも前記エネルギー変換素子が設けられた側の端面側に、絶縁膜を除去して細溝を作成する絶縁膜の除去工程を有する
ことを特徴とする液体吐出ヘッドの製造方法。
【請求項４】
前記絶縁膜が、配線パターンの層間絶縁膜であり、
前記絶縁膜の除去工程が、
前記層間絶縁膜のパターニング工程である
ことを特徴とする請求項３に記載の液体吐出ヘッドの製造方法。
【請求項５】
前記絶縁膜が、前記エネルギー変換素子と前記液体との間に設けられた保護膜であり、
前記絶縁膜の除去工程が、
前記保護膜のパターニング工程である
ことを特徴とする請求項３に記載の液体吐出ヘッドの製造方法。
【請求項６】
前記絶縁膜の残留応力を緩和する熱処理工程を有する
ことを特徴とする請求項３に記載の液体吐出ヘッドの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、液体吐出ヘッド、液体吐出装置及び液体吐出ヘッドの製造方法に関し、例えばサーマル方式のプリンタヘッドに適用することができる。本発明は、絶縁膜の除去により、少なくともエネルギー変換素子の並びに沿って深さの浅い細溝を作成することにより、高速度でダイシングしても、ヒビ、欠けによる各種の影響を回避することができるようにする。
【０００２】
【従来の技術】
従来、プリンタに適用してインクによる液滴を飛び出させるプリンタヘッドにおいては、エネルギー変換素子により電気エネルギーをインク吐出のエネルギーに変換するようになされており、サーマル方式のプリンタヘッドにおいては、このエネルギー変換素子に発熱素子が適用されるようになされている。
【０００３】
すなわちサーマル方式のプリンタヘッドにおいては、発熱素子を駆動することにより、インク液室に保持したインクを加熱して気泡を発生させ、この気泡の圧力によりノズルからインク液滴を飛び出させるようになされている。
【０００４】
この種のプリンタヘッドにおいては、複数の発熱素子を駆動回路と一体に高密度に半導体基板上に作成することにより、高解像度の印刷結果を得ることができるようになされている。また複数チップ分の発熱素子、駆動回路を１枚の半導体基板（ウエハである）に纏めて作成した後、個々のチップに切断し、各チップにインク液室、ノズルを設けて作成され、これにより半導体製造プロセスを有効に利用して効率良く生産されるようになされている。
【０００５】
すなわち図８は、従来の製造工程による半導体基板を示す平面図である。従来の製造工程においては、例えば６インチサイズのシリコンウエハ１を順次処理することにより、それぞれ１チップ分の発熱素子、駆動回路を形成してなる矩形形状の領域２を所定ピッチにより作成する。なおこの図８は、シリコンウエハ１に対して領域２の大きさを強調して記載したものである。
【０００６】
プリンタヘッドの製造工程では、図９に示すように、シリコンウエハ１の処理過程において、これら領域２間に切断用の領域３が形成される。ここで図１０に断面図により示すように、この切断用の領域３は、インクの進入を保護する保護層４、この保護層４の下層側の絶縁膜５を除去した領域であり、ダイシングに供するブレードの刃幅より幅広に作成される。因みに、この図１０の例では、刃幅５０〔μｍ〕に対して、切断用の領域３は、幅１４０〔μｍ〕により形成される。
【０００７】
プリンタヘッドの製造工程では、ダイシング装置のステージにシリコンウエハ１を保持し、このステージ又は高速度で回転するブレードの駆動により、この切断用の領域３のほぼ中央をブレードで切断し、これによりシリコンウエハ１を各チップに切断するようになされている。このときプリンタヘッドの製造工程では、切断する部位に純水を流し、これによりブレードを冷却すると共に、切削カスを洗い流すようになされている。
【０００８】
このダイシングの工程においては、切断速度を高速度化すると、衝撃によりチップにヒビが入ったり、チップの端部が一部欠けたりする。図１１は、直径５０〔ｍｍ〕のブレードを毎分３００００回転させ、速度３０〔ｍｍ／ｓｅｃ〕によりシリコンウエハを切断した場合のチップ端面を図１０の上方側より見て示す平面図である。この場合、チップにおいては、約１７〔μｍ〕の欠けが発生した。なおこの条件において、ブレードとシリコンウエハとの相対速度は、５０〔ｍｍ〕×３．１４×６０×３００００／１００００００＝２８２〔ｋｍ／ｈ〕により表され、これにより極めて高速度でブレードの刃先がシリコンウエハに衝突し、ヒビ、欠けが発生すると考えられる。
【０００９】
プリンタヘッドにおいては、インク液室に保持したインクをこのチップ上に配置した発熱素子により加熱してインク液滴を飛び出させることにより、このようにチップにヒビ、欠けが発生すると、チップへのインクの進入を完全に防止し得なくなる。プリンタヘッドにおいては、インクがチップに進入すると、半導体の動作が不安定になる恐れがある。またプリンタヘッドにおいては、チップの端面側より各インク液室にインクを流入させる場合もあり、この場合には、ヒビ、欠けにより各インク液室への流路抵抗が変化し、その結果、印刷物の画質が微妙に変化する恐れもある。さらにこのような欠けによるカケラがチップ表面に残存し、インク液室等を作成する際に、このカケラがチップ表面を傷つけてしまう恐れもある。なお、このカケラによる傷がチップの内部にまで進行すると、インクがチップ内に進入するようになり、また甚だしい場合には、配線パターン等を傷つけてしまう恐れもある。
【００１０】
このためプリンタヘッドの製造工程では、通常の集積回路を作成する場合に比して、切断速度を低減させてチップを切断し、これによりチップのヒビ、欠けを防止するようになされている。
【００１１】
これに対して通常の集積回路におけるダイシング方法として、例えば特開平６−２７５７１３号公報においては、切断する領域の両側に、トランジスタ等の素子部より深い溝を形成し、この溝により切断時におけるクラックの成長を防止する方法が提案されるようになされている。
【００１２】
【特許文献１】
特開平６−２７５７１３号公報
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】
ところでプリンタヘッドの製造工程において、６インチのシリコンウエハを縦６０本、横１２本のラインにより切断してチップを作成するとした場合、切削速度を５〔ｍｍ／ｓｅｃ〕に設定して、切断に要する時間は、６０×１２×（１５０／５）／３６００＝６時間となる。これによりヒビ、欠け等を生じないように切断速度を低減させてチップを切断する従来のダイシング工程においては、処理に時間を要する問題がある。
【００１４】
この問題を解決する１つの方法として、特開平６−２７５７１３号公報に開示の手法を適用することが考えられるが、この方法の場合、素子より深い溝を作成するためのエッチング工程が別途、必要になる欠点がある。また欠けによるカケラについては、発生を防止し得ず、これによりカケラによるチップ表面の傷付きについては、防止し得ない欠点がある。
【００１５】
本発明は以上の点を考慮してなされたもので、高速度によりダイシングしても、ヒビ、欠けによる各種の影響を回避することができる液体吐出ヘッド、液体吐出装置及び液体吐出ヘッドの製造方法を提案しようとするものである。
【００１６】
【課題を解決するための手段】
かかる課題を解決するため請求項１の発明においては、エネルギー変換素子の駆動により液滴を飛び出させる液体吐出ヘッドに適用して、少なくともエネルギー変換素子が設けられた側の端面側に、少なくとも１つの絶縁膜を除去して作成された細溝を有するようにする。
【００１７】
また請求項２の発明においては、液体吐出ヘッドに設けられたエネルギー変換素子の駆動により液滴を飛び出させる液体吐出装置に適用して、ヘッドチップは、少なくともエネルギー変換素子が設けられた側の端面側に、少なくとも１つの絶縁膜を除去して作成された細溝を有するようにする。
【００１８】
また請求項３の発明においては、エネルギー変換素子の駆動により液滴を飛び出させる液体吐出ヘッドの製造方法に適用して、切断工程より前に、ヘッドチップの少なくともエネルギー変換素子が設けられた側の端面側に、絶縁膜を除去して細溝を作成する絶縁膜の除去工程を有するようにする。
【００１９】
請求項１の構成によれば、エネルギー変換素子の駆動により液滴を飛び出させる液体吐出ヘッドに適用することにより、例えばこの液滴がインク液滴、各種染料の液滴、保護層形成用の液滴等である液体吐出ヘッド、この液滴が試薬等であるマイクロディスペンサー、各種測定装置、各種試験装置、この液滴がエッチングより部材を保護する薬剤であるパターン描画装置等の液体吐出ヘッドに適用することができる。請求項１の構成によれば、少なくともエネルギー変換素子が設けられた側の端面側に、少なくとも１つの絶縁膜を除去して作成された細溝を有することにより、この絶縁膜をパターニングする際に、併せて細溝を作成することができ、これにより工数の増大を有効に回避して細溝を作成することができる。またこのような細溝においては、チップへのヒビ、欠けの進行を防止することができ、また欠けによるカケラも小さくすることができ、これによりヒビ、欠けにより液体のチップへの進入を防止し、流路抵抗の変化を低減することができ、またカケラによる傷つきを低減することができ、これらにより高速度によりダイシングしても、ヒビ、欠けによる各種の影響を回避することができる。
【００２０】
これにより請求項２、請求項３の構成によれば、高速度によりダイシングしても、ヒビ、欠けによる各種の影響を回避することができる液体吐出装置、液体吐出ヘッドの製造方法を適用することができる。
【００２１】
【発明の実施の形態】
以下、適宜図面を参照しながら本発明の実施の形態を詳述する。
【００２２】
（１）第１の実施の形態
（１−１）第１の実施の形態の構成
図２は、本発明の実施の形態に係るプリンタに適用されるプリンタヘッドを示す斜視図である。この実施の形態に係るプリンタは、このプリンタヘッド１１に搭載されてなるエネルギー変換素子である発熱素子の駆動により、インク液滴を用紙等に付着させ、画像等を印刷する。プリンタヘッド１１は、ヘッドチップ１２にドライフィルム１３、オリフィスプレート１４が順次積層されて形成される。
【００２３】
ここでヘッドチップ１２は、集積回路技術により加工したシリコンウエハを切断して形成され、複数の発熱素子１７と、各発熱素子１７を駆動する駆動回路とが一体に設けられるようになされている。ヘッドチップ１２は、これらの発熱素子１７が所定ピッチにより並ぶように配置される。ドライフィルム１３は、有機系樹脂により構成され、圧着によりヘッドチップ１２に配置された後、インク液室１５、インク流路１６に対応する部位が取り除かれ、その後硬化される。これに対してオリフィスプレート１４は、ヘッドチップ１２に設けられた発熱素子１７の上に微小なインク吐出口であるノズル１９を形成するように所定形状に加工された板状部材であり、接着によりドライフィルム１３上に保持される。これによりこのプリンタヘッド１１では、ヘッドチップ１２に対して、ドライフィルム１３、オリフィスプレート１４によりインク液室１５、インク流路１６が作成されるようになされている。
【００２４】
この実施の形態において、ヘッドチップ１２は、一方の端面に沿って発熱素子１７が配置される。プリンタヘッド１１は、この発熱素子１７が配置された側の端面にインク液室１５が露出するように、櫛の歯状にドライフィルム１３が加工されるようになされ、さらにこの露出した端面側にインク流路１６が形成されるようになされている。これによりプリンタヘッド１１は、ヘッドチップ１２の端面側よりインクを供給して、ヘッドチップ１２に設けられた発熱素子１７の駆動によりインク液滴を飛び出させるようになされている。
【００２５】
図３は、ヘッドチップ１２の構成を示す断面図である。ヘッドチップ１２は、シリコンウエハによるシリコン基板２０にシリコン窒化膜（Ｓｉ３　Ｎ４　）が堆積されてパターニングされた後、このシリコン窒化膜（Ｓｉ３　Ｎ４　）をマスクとして使用した熱酸化工程により熱シリコン酸化膜２１による素子分離領域（ＬＯＣＯＳ：Ｌｏｃａｌ　Ｏｘｉｄａｔｉｏｎ　Ｏｆ　Ｓｉｌｉｃｏｎ　）が形成される。ヘッドチップ１２は、この素子分離領域により各素子を分離してＭＯＳ（Ｍｅｔａｌ−Ｏｘｉｄｅ−Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ　）型によるトランジスタ２２、２３が作成される。
【００２６】
続いてヘッドチップ１２は、シリコン酸化膜により１層目の層間絶縁膜２４が作成された後、この層間絶縁膜２４のパターニングによりコンタクトホール２６が作成される。また配線パターン材料が成膜された後、エッチング処理されて１層目の配線パターン２７が作成される。ヘッドチップ１２は、このようにして作成された１層目の配線パターン２７により、トランジスタ２２、２３を接続して、論理回路、この論理回路と発熱素子１７を駆動するスイッチイングトランジスタ２３とが接続される。
【００２７】
続いてヘッドチップ１２は、シリコン酸化膜による２層目の層間絶縁膜２９が作成された後、抵抗体膜が堆積されてパターニングされ、これにより発熱素子１７が作成される。続いてヘッドチップ１２は、窒化シリコンにより絶縁膜３０が堆積された後、エッチングの処理によりコンタクトホール３１が作成される。また配線パターン材料が成膜されてパターニング処理され、これにより２層目の配線パターン３２が作成される。ヘッドチップ１２は、この２層目の配線パターン３２により電源、アース、各種駆動用信号に係る配線用のランドが作成され、またこれらランドが駆動回路、発熱素子１７に接続され、発熱素子１７がトランジスタ２３に接続される。
【００２８】
ヘッドチップ１２は、続いてシリコン窒化膜による絶縁膜３３が作成された後、４％の水素を添加した窒素ガスの雰囲気中で、又は１００％の窒素ガス雰囲気中で、４００度、６０分間の熱処理が実施される。これによりヘッドチップ１２は、トランジスタ２２、２３の動作が安定化され、さらに１層目の配線パターン２７と２層目の配線パターン３２との接続が安定化されてコンタクト抵抗が低減される。ヘッドチップ１２は、この熱処理が徐冷による焼きなましにより実行され、これにより層間絶縁膜２９等の残留応力を緩和するようになされている。
【００２９】
ヘッドチップ１２は、続いて絶縁膜３３が部分的に除去されて電源、アース、各種駆動用に係るランドが露出され、スパッタリング法によりタンタルによる耐キャビテーション層３４が作成される。ヘッドチップ１２は、その後、ダイシング処理されて個々のチップに分解され、図２について上述したようにプリンタヘッド１１に組み立てられる。
【００３０】
図４（Ａ）は、このようにして作成されるヘッドチップ１２のシリコンウエハ４０上のレイアウトを示す平面図である。シリコンウエハ４０においては、隣合うヘッドチップ１２間で発熱素子１７が向き合うようにレイアウトされ、ヘッドチップ１２間の領域が切断の領域３９に割り当てられる。さらにシリコンウエハ４０においては、図４（Ｂ）に示すよう、切断の領域３９に沿って、素子部まで至らない深さの浅い細溝Ｍが作成される。これによりこの実施の形態では、エネルギー変換素子である発熱素子１７の並びを含むヘッドチップ１２の外周に沿って深さの浅い細溝Ｍが作成されるようになされている。
【００３１】
ここで図４（Ｂ）の矢印Ａによる部位を部分的に拡大して図１に示すように、シリコンウエハ４０は、ブレードをこの切断の領域３９の中央に位置させたとき、ブレードの刃幅に対して両側に８〔μｍ〕の余裕が発生するように、細溝Ｍ間の間隔が設定されるようになされている。これによりこの実施の形態においては、図１１について上述した従来の切断の領域３に比して、この切断の領域３９を幅狭に設定し、その分、１枚のシリコンウエハ４０上にヘッドチップ１２を高密度に作成するようになされている。
【００３２】
またシリコンウエハ４０において、この切断の領域３９は、ヘッドチップ１２側と同様に、素子分離領域である熱シリコン酸化膜２１、１層目及び２層間目の層間絶縁膜２４、２９、絶縁膜３０、３３が順次作成され、これにより上述したヘッドチップ１２の各成膜工程、パターニング工程等の各工程において、ヘッドチップ１２との間で段差が発生しないように高さが維持され、ヘッドチップ１２におけるパターニング等の処理を高い精度により実施できるようになされている。
【００３３】
細溝Ｍは、層間絶縁膜２４、２９、絶縁膜３０、３３による絶縁膜が部分的に取り除かれて作成される。すなわちシリコンウエハ４０は、熱シリコン酸化膜２１を作成する際にシリコン窒化膜により細溝Ｍを作成する部位がマスクされ、これにより細溝Ｍを作成する部位には熱シリコン酸化膜２１を作成しないようになされている。細溝Ｍは、層間絶縁膜２４にコンタクトホールを作成する際に、併せて細溝Ｍの部位の層間絶縁膜２４が除去される。また層間絶縁膜２９、絶縁膜３０にコンタクトホールを作成する際に、併せて細溝Ｍの部位の層間絶縁膜２９、絶縁膜３０が除去される。また絶縁膜３３を作成した後に、電源、アース、各種駆動用に係るランドを露出させる際に、併せて細溝Ｍの部位の絶縁膜３３が除去される。
【００３４】
このためこのヘッドチップの作成工程においては、これらパターンニングの処理において、同時に細溝Ｍの部位を処理できるように、これら層間絶縁膜２４、層間絶縁膜２９及び絶縁膜３０、絶縁膜３３のパターニングに供するレチクルが作成されるようになされている。これによりこの実施の形態では、別途、加工の工程を設けなくても、細溝Ｍを作成できるようになされている。なお細溝Ｍは、このようにして最も深い箇所で幅が２〔μｍ〕となるように作成されるようになされている。
【００３５】
（１−２）第１の実施の形態の動作
以上の構成において、この実施の形態に係るプリンタヘッド１１は、シリコンウエハ４０に順次トランジスタ２２、２３、発熱素子１７等が作成された後、ダイシング装置により切断されてヘッドチップ１２が作成される（図３）。さらにこのヘッドチップ１２に、ドライフィルム１３が圧着されて加工された後、オリフィスプレート１４が設けられ、これによりインク液室１５、インク流路１６等が作成されて完成品とされる（図２）。
【００３６】
プリンタヘッド１１は、ヘッドチップ１２の端面側に形成されたインク流路１６を介してこのようにして作成されたインク液室１５にインクが導かれ、トランジスタ２２、２３による発熱素子１７の駆動により、インク液室１５に保持したインクの液滴がノズル１９より飛び出し、このインク液滴が対象物である用紙等に付着する。
【００３７】
これによりこのインクが流入する側の端面側に欠けが発生すると、インク液室１５への流路抵抗が変化し、この変化がメニスカスの変化となって表れ、連続するノズル間でインク液滴量がばらつき、画質の劣化が観察される。またヒビが発生するとインク流路１６側からインクが進入し、トランジスタ２２、２３の動作を不安定にする。これに対して切断によるカケラが表面に残存すると、ドライフィルム１３の圧着によりこのカケラがチップ１２に押し付けられ、これによりチップ１２の表面を傷つけ、甚だしい場合には、カケラがチップ１２に突き刺さり、断線等の障害が発生する。
【００３８】
しかしてこのプリンタヘッド１１に係るヘッドチップ１２においては（図１及び図４）、発熱素子１７が向き合うようにシリコンウエハ４０上にヘッドチップ１２がレイアウトされ、ヘッドチップ１２間に切断の領域３９が設けられ、この切断の領域３９に沿って深さの浅い細溝Ｍが作成される。ヘッドチップ１２においては、この切断の領域３９をダイシング装置で切削してヘッドチップ１２が切断され、この細溝Ｍによりヒビ、欠けが低減される。
【００３９】
すなわちこのように切断の領域３９の両側に細溝Ｍを作成すると、切断の際のせん断応力が細溝Ｍ間に集中し、欠け、ヒビの発生が細溝Ｍの部分で停止する。これによりヘッドチップ１２へのヒビの進行を防止することができる。また欠けについても、ヘッドチップ１２への進入を防止することができる。
【００４０】
この実施の形態においては、このような細溝Ｍが発熱素子１７の並びに沿って作成されていることにより、インクに接する端面側において、このようなヒビ、欠けを防止することができ、これによりインクのヘッドチップ１２への進入を防止し、また流路抵抗の変化も防止することができる。
【００４１】
また欠けの生成物であるカケラについても小さくすることができ、蒸留水により洗い流してヘッドチップ１２の表面への残留を防止することができ、これによりカケラによる傷つきも低減することができる。
【００４２】
これらによりこの実施の形態においては、高速度によりダイシングしても、ヒビ、欠けによる各種の影響を回避することができ、その分、生産性を向上することができる。
【００４３】
またこの実施の形態においては、切断の前に、切断する部位の層間絶縁膜２９等については、熱処理により残留応力が緩和され、これによりダイシング装置に係るブレードの先端が高速度でシリコンウエハ４０に衝突しても、シリコンウエハ４０の欠け、ヒビ等を従来に比して格段的に小さくすることができ、これによっても、高速度によりダイシングしても、ヒビ、欠けによる各種の影響を回避することができる。
【００４４】
ヘッドチップ１２においては、層間絶縁膜２４にコンタクトホールを作成する際のパターニングにより、層間絶縁膜２９、絶縁膜３０にコンタクトホールを作成する際のパターニングにより、電源等のランドを露出させる際の絶縁膜３３のパターンニングにより、絶縁膜が部分的に除去されて細溝Ｍが作成され、これにより工数の増大を有効に回避して細溝Ｍを作成してヒビ、欠けによる各種の影響を回避することができる。
【００４５】
また熱処理においても、トランジスタ２２、２３の動作の安定を図る熱処理により実行されることにより、この熱処理についても工数の増大を有効に回避することができる。
【００４６】
なお図１０の説明に供した条件により実際に切削して断面を観察したところ、端面エッジに極めて微細な欠けしか観察し得なかった。倍率を増大させてこの欠けを観察したところ、欠けの進行が細溝Ｍでストップしていることを確認することができた。
【００４７】
（１−３）第１の実施の形態の効果
以上の構成によれば、絶縁膜の除去により、エネルギー変換素子である発熱素子１７の並びを含むヘッドチップ１２の外周に沿って深さの浅い細溝を作成することにより、高速度でダイシングしても、ヒビ、欠けによる各種の影響を回避することができる。
【００４８】
またこの除去に供する絶縁膜が、配線パターンの層間絶縁膜であることにより、層間絶縁膜のパターニングの処理において、併せて細溝を作成することができる。
【００４９】
またこの除去に供する絶縁膜が、エネルギー変換素子である発熱素子とインクとの間に設けられた保護膜であることにより、ランドを露出させるこの保護層のパターニングの処理において、併せて細溝を作成することができる。
【００５０】
また切断の前に、絶縁膜の残留応力を緩和する熱処理工程を実施することにより、一段とヒビ、欠けの発生を低減することができ、一段とヒビ、欠けによる各種の影響を回避することができる。
【００５１】
（２）第２の実施の形態
図５は、図１との対比により本発明の第２の実施の形態に適用されるヘッドチップ１２について、切断の領域５９を示す断面図である。この実施の形態では、絶縁膜３０、３３の除去により細溝Ｍを作成する。なおこの実施の形態においては、この細溝Ｍの作成方法が異なる点を除いて、第１の実施の形態と同一に構成されることにより、重複した説明は省略する。
【００５２】
この実施の形態において、シリコンウエハ４０は、細溝Ｍを作成する部位に熱酸化膜２１を作成しないようにし、層間絶縁膜２４にコンタクトホールを作成する際に、細溝Ｍの部位の層間絶縁膜２４が併せて除去される。またランドを露出される際に、細溝Ｍの部位の絶縁膜３３が併せて除去される。これらによりこの実施の形態においては、第１の実施の形態に比して、さらに深さの浅い細溝Ｍが作成される。
【００５３】
第２の実施の形態の構成によれば、一部の絶縁膜だけ除去して細溝を作成するようにしても、第１の実施の形態と同様の効果を得ることができる。
【００５４】
（３）他の実施の形態
なお上述の実施の形態においては、切断の領域の両側に細溝を作成することにより、ヘッドチップの全ての端面について、ヒビ、欠けを低減する場合について述べたが、本発明はこれに限らず、必要に応じて発熱素子１７の並びに沿った部位にのみ細溝Ｍを作成するようにしてもよい。すなわち例えば図６に示すように、発熱素子１７の並びに沿った部位にのみ細溝Ｍを作成し、この細溝Ｍが作成されていない切断の領域については、十分な幅を確保する。このようにすればインクに接する側の端面についてのみ、細溝Ｍによりヒビ、欠けの発生を低減することができ、これによりインクの進入、流路抵抗の変化を防止することができる。
【００５５】
また上述の実施の形態においては、発熱素子が向き合うようにレイアウトする場合について述べたが、本発明はこれに限らず、図４との対比により図７に示すように、全てのヘッドチップを同一の向きにレイアウトするようにしてもよく、このような場合には、切断の領域の発熱素子１７側だけに細溝Ｍを作成するようにしてもよい。
【００５６】
また上述の実施の形態においては、最上層の絶縁膜３３を作成した後、熱処理する場合について述べたが、本発明はこれに限らず、要はダイシングの前に熱処理によりヒビ等の発生を低減できることにより、熱処理の工程においては、必要に応じてダイシングの前の種々の工程に設けることができる。また熱処理しなくても、十分にヒビ等の発生を許容できる場合には、熱処理を省略することもできる。
【００５７】
また上述の実施の形態においては、ＭＯＳ型のトランジスタによる論理回路を構成する場合について述べたが、本発明はこれに限らず、バイポーラ型のトランジスタにより論理回路を構成する場合にも広く適用することができる。
【００５８】
さらに上述の実施の形態においては、駆動回路を一体にヘッドチップ上に構成する場合について述べたが、本発明はこれに限らず、エネルギー変換素子のみによりヘッドチップを構成する場合等にも広く適用することができる。
【００５９】
また上述の実施の形態においては、エネルギー変換素子を発熱素子により構成する場合について述べたが、本発明はこれに限らず、例えば静電気によりインク液室の圧力を可変する静電アクチュエータをエネルギー変換素子に適用する場合等、エネルギー変換素子にあっては種々の構成を広く適用することができる。
【００６０】
また上述の実施の形態においては、本発明をプリンタヘッドに適用してインク液滴を飛び出させる場合について述べたが、本発明はこれに限らず、インク液滴に代えて各種染料の液滴、保護層形成用の液滴等であるプリンタヘッド、さらには液滴が試薬等であるマイクロディスペンサー、各種測定装置、各種試験装置、液滴がエッチングより部材を保護する薬剤である各種のパターン描画装置等に広く適用することができる。
【００６１】
【発明の効果】
上述のように本発明によれば、絶縁膜の除去により、少なくともエネルギー変換素子の並びに沿って深さの浅い細溝を作成することにより、高速度でダイシングしても、ヒビ、欠けによる各種の影響を回避することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係るシリコンウエハにおける切断の領域を示す断面図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態に係るプリンタヘッドを示す斜視図である。
【図３】図２のプリンタヘッドに適用されるヘッドチップを示す断面図である。
【図４】図３のヘッドチップのシリコンウエハ上におけるレイアウトの説明に供する平面図及び断面図である。
【図５】本発明の第２の実施の形態に係るシリコンウエハにおける切断の領域を示す断面図である。
【図６】本発明の他の実施の形態に係るヘッドチップのレイアウトの説明に供する平面図である。
【図７】全てのヘッドチップを同一の向きにレイアウトした場合を示す平面図である。
【図８】シリコンウエハ上におけるヘッドチップのレイアウト示す平面図である。
【図９】ヘッドチップの切断の説明に供する平面図である。
【図１０】切断の領域の説明に供する断面図である。
【図１１】欠けの説明に供する平面図である。
【符号の説明】
１、４０……シリコンウエハ、３、３９、５９……切断用の領域、４……保護層、５、３３……絶縁膜、１１……プリンタヘッド、１２……ヘッドチップ、１７……発熱素子、１９……ノズル、２１……熱酸化膜、２４、３０……層間絶縁膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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