(57)【要約】【課題】発光材料や電荷輸送材料等として有用な新規な高分子化合物を提供すること。【解決手段】下記式（１−１）または（１−２）で示される繰り返し単位を含み、ポリスチレン換算の数平均分子量が１０３〜１０８である高分子化合物。2004059899.tif 000134〔式中、Ａ環、Ｂ環、Ｃ環およびＤ環はそれぞれ独立に、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミノ基、アミド基、イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基およびシアノ基からなる群から選ばれる置換基を有していてもよい芳香環を示す。〕【選択図】　　　　　なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記式（１−１）または（１−２）で示される繰り返し単位を含み、ポリスチレン換算の数平均分子量が１０３〜１０８であることを特徴とする高分子化合物。
2004059899.tif 000119
〔式中、Ａ環、Ｂ環、Ｃ環およびＤ環はそれぞれ独立に、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミノ基、アミド基、イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基およびシアノ基からなる群から選ばれる置換基を有していてもよい芳香環を示す。〕
【請求項２】
Ａ環、Ｂ環、Ｃ環およびＤ環が芳香族炭化水素環であることを特徴とする請求項１記載の高分子化合物。
【請求項３】
上記式（１−１）において、Ａ環および／またはＢ環がアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミノ基、アミド基、イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基およびシアノ基からなる群から選ばれる置換基を有することを特徴とする請求項１または２記載の高分子化合物。
【請求項４】
上記式（１−２）において、Ｃ環および／またはＤ環がアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミノ基、アミド基、イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基およびシアノ基からなる群から選ばれる置換基を有することを特徴とする請求項１または２記載の高分子化合物。
【請求項５】
上記式（１−１）で示される繰り返し単位が、下記式（２−１）、（２−２）、（２−３）、（２−４）または（２−５）であることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の高分子化合物。
2004059899.tif 000120
2004059899.tif 000121
2004059899.tif 000122
〔式中、Ｒ１およびＲ２は、それぞれ独立に、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミノ基、アミド基、イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、または置換カルボキシル基を示す。ａおよびｂはそれぞれ独立に０〜３の整数を示す。ｆ、ｇ、ｈおよびｉはそれぞれ独立に０〜５の整数を示す。ｊ、ｋ、ｌおよびｍはそれぞれ独立に０〜７の整数を示す。ａ＋ｂ、ｆ＋ｇ、ｈ＋ｉ、ｊ＋ｋおよびｌ＋ｍはいずれも１以上である。Ｒ１およびＲ２がそれぞれ複数存在する場合、それらは同一であっても異なっていてもよい。〕
【請求項６】
さらに、下記式（３）、式（４）、式（５）または式（６）で示される繰り返し単位を有することを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の高分子化合物。
−Ａｒ１−　　　　（３）
2004059899.tif 000123
−Ａｒ４−Ｘ２−　　　　（５）
−Ｘ３−　　　　　　　（６）
〔式中、Ａｒ１、Ａｒ２、Ａｒ３およびＡｒ４はそれぞれ独立にアリーレン基、２価の複素環基または金属錯体構造を有する２価の基を示す。Ｘ１、Ｘ２およびＸ３はそれぞれ独立に−ＣＲ１４＝ＣＲ１５−、−Ｃ≡Ｃ−、−Ｎ（Ｒ１６）−、または−（ＳｉＲ１７Ｒ１８）ｎ−を示す。Ｒ１４およびＲ１５は、それぞれ独立に水素原子、アルキル基、アリール基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基またはシアノ基を示す。Ｒ１６、Ｒ１７およびＲ１８は、それぞれ独立に水素原子、アルキル基、アリール基、１価の複素環基、アリールアルキル基または置換アミノ基を示す。ｆｆは０〜２の整数を示す。ｎは１〜１２の整数を示す。Ｒ１４、Ｒ１５、Ｒ１６、Ｒ１７およびＲ１８がそれぞれ複数存在する場合、それらは同一であっても異なっていてもよい。〕
【請求項７】
上記式（３）で示される繰り返し単位が、下記式（７）、（８）、（９）、（１０）、（１１）または（１２）で示される繰り返し単位であることを特徴とする請求項６記載の高分子化合物。
2004059899.tif 000124
〔式中、Ｒ３は、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミノ基、アミド基、イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基またはシアノ基を示す。ｎは０〜４の整数を示す。Ｒ３が複数存在する場合、それらは同一であっても異なっていてもよい。〕
2004059899.tif 000125
〔式中、Ｒ４およびＲ５は、それぞれ独立にアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミノ基、アミド基、イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基またはシアノ基を示す。ｏおよびｐはそれぞれ独立に０〜３の整数を示す。Ｒ４およびＲ５がそれぞれ複数存在する場合、それらは同一であっても異なっていてもよい。〕
2004059899.tif 000126
〔式中、Ｒ６およびＲ９は、それぞれ独立にアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミノ基、アミド基、イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基またはシアノ基を示す。ｑおよびｒはそれぞれ独立に０〜４の整数を示す。Ｒ７およびＲ８は、それぞれ独立に水素原子、アルキル基、アリール基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基またはシアノ基を示す。Ｒ６およびＲ９がそれぞれ複数存在する場合、それらは同一であっても異なっていてもよい。〕
2004059899.tif 000127
〔式中、Ｒ１０は、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミノ基、アミド基、イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基またはシアノ基を示す。ｓは０〜２の整数を示す。Ａｒ６　およびＡｒ７はそれぞれ独立にアリーレン基、２価の複素環基または金属錯体構造を有する２価の基を示す。ｓａおよびｓｂはそれぞれ独立に０または１を示す。Ｘ４は、Ｏ、Ｓ、ＳＯ、ＳＯ２、Ｓｅ，またはＴｅを示す。Ｒ１０が複数存在する場合、それらは同一であっても異なっていてもよい。〕
2004059899.tif 000128
〔式中、Ｒ１１およびＲ１２は、それぞれ独立にアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミノ基、アミド基、イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基またはシアノ基を示す。ｔおよびｕはそれぞれ独立に０〜４の整数を示す。Ｘ５は、Ｏ、Ｓ、ＳＯ２、Ｓｅ，Ｔｅ、Ｎ−Ｒ１３、またはＳｉＲ１４Ｒ１５を示す。Ｘ６およびＸ７は、それぞれ独立にＮまたはＣ−Ｒ１６を示す。Ｒ１３、Ｒ１４、Ｒ１５およびＲ１６はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基または１価の複素環基を示す。Ｒ１１、Ｒ１２およびＲ１６がそれぞれ複数存在する場合、それらは同一であっても異なっていてもよい。〕
2004059899.tif 000129
〔式中、Ｒ１７およびＲ２２は、それぞれ独立にアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミノ基、アミド基、イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基またはシアノ基を示す。ｖおよびｗはそれぞれ独立に０〜４の整数を示す。Ｒ１８、Ｒ１９、Ｒ２０およびＲ２１は、それぞれ独立に水素原子、アルキル基、アリール基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基またはシアノ基を示す。Ａｒ５はアリーレン基、２価の複素環基または金属錯体構造を有する２価の基を示す。Ｒ１７およびＲ２２がそれぞれ複数存在する場合、それらは同一であっても異なっていてもよい。〕
【請求項８】
上記式（４）で示される繰り返し単位が、下記式（１３）で示される繰り返し単位であることを特徴とする請求項６記載の高分子化合物。
2004059899.tif 000130
〔式中、Ａｒ１１、Ａｒ１２、Ａｒ１３およびＡｒ１４は、それぞれ独立にアリーレン基または２価の複素環基を表す。Ａｒ１５、Ａｒ１６およびＡｒ１７は、それぞれ独立にアリール基または１価の複素環基を表す。ｎｎおよびｍｍはそれぞれ独立に０または１を表し、０≦ｎｎ＋ｍｍ≦１である。〕
【請求項９】
下式（１４）
Ｙ１−Ｕ−Ｙ２　　　　　（１４）
〔式中、Ｕは上記式（１−１）または（１−２）で示される繰り返し単位を示す。Ｙ１およびＹ２はそれぞれ独立に式（１４）で示される化合物の縮合重合反応に関与する置換基を表す。〕
で示される化合物を原料の一つとして用いて縮合重合させることを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載の高分子化合物の製造方法。
【請求項１０】
上記式（１４）で示される化合物が、下記式（１５−１）、（１５−２）または（１５−３）で示される化合物であることを特徴とする請求項９に記載の高分子化合物の製造方法。
2004059899.tif 000131
〔式中、Ｙ１１、Ｙ１２、Ｙ１３、Ｙ１４、Ｙ１５およびＹ１６は、それぞれ独立に式（１５−１）、（１５−２）または（１５−３）で示される化合物の縮合重合反応に関与する置換基を示す。Ｒ２６、Ｒ２７、Ｒ２８、Ｒ２９、Ｒ３０およびＲ３１は、それぞれ独立にアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミノ基、アミド基、イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基またはシアノ基を示す。ｂｂおよびｃｃはそれぞれ独立に０〜３の整数を示す。ｄｄおよびｅｅはそれぞれ独立に０〜５の整数を示す。ｇｇおよびｈｈはそれぞれ独立に０〜７の整数を示す。Ｒ２６、Ｒ２７、Ｒ２８、Ｒ２９、Ｒ３０およびＲ３１がそれぞれ複数存在するばあい、それらは同一であっても異なっていてもよい。〕
【請求項１１】
上記式（１４）で示される化合物に加えて、下記式（１６）〜（１９）のいずれかで示される化合物を縮合重合させることを特徴とする請求項９または１０に記載の高分子化合物の製造方法。
Ｙ３−Ａｒ１−Ｙ４　　　　（１６）
2004059899.tif 000132
Ｙ７−Ａｒ４−Ｘ２−Ｙ８　　　（１８）
Ｙ９−Ｘ３−Ｙ１０　　　　　　（１９）
〔式中、Ａｒ１、Ａｒ２、Ａｒ３、Ａｒ４、ｆｆ、Ｘ１、Ｘ２およびＸ３は前記と同じ意味を表す。Ｙ３、Ｙ４、Ｙ５、Ｙ６、Ｙ７、Ｙ８、Ｙ９、およびＹ１０はそれぞれ独立に（１６）〜（１９）のいずれかで示される化合物の縮合重合反応に関与する置換基を示す。〕
【請求項１２】
Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３、Ｙ４、Ｙ５、Ｙ６、Ｙ７、Ｙ８、Ｙ９、Ｙ１０、Ｙ１１、Ｙ１２、Ｙ１３、Ｙ１４、Ｙ１５およびＹ１６がそれぞれ独立にハロゲン原子、アルキルスルホネート基、アリールスルホネート基またはアリールアルキルスルホネート基であり、ニッケルゼロ価錯体存在下で縮合重合することを特徴とする請求項９〜１１のいずれかに記載の高分子化合物の製造方法。
【請求項１３】
Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３、Ｙ４、Ｙ５、Ｙ６、Ｙ７、Ｙ８、Ｙ９、Ｙ１０、Ｙ１１、Ｙ１２、Ｙ１３、Ｙ１４、Ｙ１５およびＹ１６がそれぞれ独立にハロゲン原子、アルキルスルホネート基、アリールスルホネート基、アリールアルキルスルホネート基、ホウ酸基、またはホウ酸エステル基であり、ハロゲン原子、アルキルスルホネート基、アリールスルホネート基およびアリールアルキルスルホネート基のモル数の合計と、ホウ酸基およびホウ酸エステル基のモル数の合計の比が実質的に１であり、ニッケルまたはパラジウム触媒を用いて縮合重合することを特徴とする請求項９〜１１のいずれかに記載の高分子化合物の製造方法。
【請求項１４】
下式（１５−７）、（１５−８）または（１５−９）で示される化合物。
2004059899.tif 000133
〔式中、Ｙ２１、Ｙ２２、Ｙ２３、Ｙ２４、Ｙ２５およびＹ２６は、それぞれ独立にハロゲン原子、アルキルスルホネート基、アリールスルホネート基、アリールアルキルスルホネート基、ホウ酸エステル基、スルホニウムメチル基、ホスホニウムメチル基、ホスホネートメチル基、モノハロゲン化メチル基、ホウ酸基、ホルミル基、シアノ基、ビニル基を示す。Ｒ３２、Ｒ３３、Ｒ３４、Ｒ３５、Ｒ３６およびＲ３７は、それぞれ独立に炭素数３以上のアルキル基、炭素数３以上のアルコキシ基、炭素数３以上のアルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、炭素数４以上の置換アミノ基、炭素数６以上の置換シリル基を示す。
ｉｉおよびｊｊはそれぞれ独立に０〜３の整数を示し、かつｉｉ＋ｊｊ≧１を満たす。ｋｋおよびｌｌはそれぞれ独立に０〜５の整数を示し、かつｋｋ＋ｌｌ≧１を満たす。ｏｏおよびｐｐはそれぞれ独立に０〜７の整数を示し、かつｏｏ＋ｐｐ≧１を満たす〕
【請求項１５】
正孔輸送材料、電子輸送材料および発光材料から選ばれる少なくとも１種類の材料と請求項１〜８のいずれかに記載の高分子化合物を含有することを特徴とする組成物
【請求項１６】
請求項１〜８のいずれかに記載の高分子化合物を含有することを特徴とするインク組成物。
【請求項１７】
粘度が２５℃において１〜２０ｍＰａ・ｓであることを特徴とする請求項１６記載のインク組成物
【請求項１８】
請求項１〜８のいずれかに記載の高分子化合物を含有する発光性薄膜。
【請求項１９】
請求項１〜８のいずれかに記載の高分子化合物を含有する導電性薄膜。
【請求項２０】
請求項１〜８のいずれかに記載の高分子化合物を含有する有機半導体薄膜。
【請求項２１】
陽極および陰極からなる電極間に、請求項１〜８のいずれかに記載の高分子化合物を含む層を有することを特徴とする高分子発光素子。
【請求項２２】
請求項１〜８のいずれかに記載の高分子化合物を含む層が発光層であることを特徴とする請求項２１記載の高分子発光素子。
【請求項２３】
請求項１〜８のいずれかに記載の高分子化合物を含む層がさらに正孔輸送材料、電子輸送材料または発光材料を含むことを特徴とする請求項２１または２２記載の高分子発光素子。
【請求項２４】
請求項２１〜２３のいずれかに記載の高分子発光素子を用いたことを特徴とする面状光源。
【請求項２５】
請求項２１〜２３のいずれかに記載の高分子発光素子を用いたことを特徴とするセグメント表示装置。
【請求項２６】
請求項２１〜２３のいずれかに記載の高分子発光素子を用いたことを特徴とするドットマトリックス表示装置。
【請求項２７】
請求項２１〜２３のいずれかに記載の高分子発光素子をバックライトとすることを特徴とする液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、高分子化合物とその製造方法、該高分子化合物を用いた高分子発光素子（以下、高分子ＬＥＤということがある。）に関する。
【０００２】
【従来の技術】
高分子量の発光材料や電荷輸送材料は低分子量のそれとは異なり溶媒に可溶で塗布法により発光素子における発光層や電荷輸層を形成できることから種々検討されており、その例としては、繰り返し単位としてフェニレンビニレンを有するポリフェニレンビニレン誘導体、フルオレンジイルを有するポリフルオレン誘導体、フェニレンを有するポリフェニレン誘導体などが知られている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、発光材料や電荷輸送材料等として有用な新規な高分子化合物、その製造方法、該高分子化合物を用いた高分子発光素子を提供することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】
本発明者等は、上記課題を解決すべく鋭意検討した結果、繰り返し単位として、フラン環に２個の芳香環が縮合した構造を有する高分子化合物が、発光材料、電荷輸送材料等として有用であることを見出し本発明を完成した。
【０００５】
即ち本発明は、下記式（１−１）または（１−２）で示される繰り返し単位を含み、ポリスチレン換算の数平均分子量が１０３〜１０８である高分子化合物に関する。
2004059899.tif 000002
〔式中、Ａ環、Ｂ環、Ｃ環およびＤ環はそれぞれ独立に、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミノ基、アミド基、イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基およびシアノ基からなる群から選ばれる置換基を有していてもよい芳香環を示す。〕
【０００６】
【発明の実施の形態】
本発明の高分子化合物は上記式（１−１）または（１−２）で示される繰り返し単位を１種または２種以上含む。
【０００７】
式中Ａ環、Ｂ環、Ｃ環およびＤ環はそれぞれ独立に芳香環を示す。
該芳香環としては、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、テトラセン環、ペンタセン環、ピレン環、フェナントレン環等の芳香族炭化水素環；ピリジン環、ビピリジン環、フェナントロリン環、キノリン環、イソキノリン環、チオフェン環、フラン環、ピロール環などの複素芳香環が挙げられる。ここでＡ環およびＢ環、並びにＣ環およびＤ環の芳香環の種類は、同一でも異なっていてもよい。
【０００８】
式（１−１）において無置換のものの具体例としては、次のような例が挙げられる。
2004059899.tif 000003
【０００９】
2004059899.tif 000004
【００１０】
2004059899.tif 000005
【００１１】
2004059899.tif 000006
【００１２】
2004059899.tif 000007
【００１３】
2004059899.tif 000008
【００１４】
2004059899.tif 000009
【００１５】
2004059899.tif 000010
【００１６】
2004059899.tif 000011
【００１７】
2004059899.tif 000012
【００１８】
2004059899.tif 000013
【００１９】
2004059899.tif 000014
【００２０】
2004059899.tif 000015
【００２１】
2004059899.tif 000016
【００２２】
2004059899.tif 000017
【００２３】
2004059899.tif 000018
【００２４】
2004059899.tif 000019
【００２５】
式（１−２）において無置換のものの具体例としては、次のような例が挙げられる。
2004059899.tif 000020
【００２６】
2004059899.tif 000021
【００２７】
2004059899.tif 000022
【００２８】
2004059899.tif 000023
【００２９】
2004059899.tif 000024
【００３０】
2004059899.tif 000025
【００３１】
2004059899.tif 000026
【００３２】
2004059899.tif 000027
【００３３】
2004059899.tif 000028
【００３４】
2004059899.tif 000029
【００３５】
2004059899.tif 000030
【００３６】
2004059899.tif 000031
【００３７】
2004059899.tif 000032
【００３８】
2004059899.tif 000033
【００３９】
2004059899.tif 000034
【００４０】
2004059899.tif 000035
【００４１】
2004059899.tif 000036
【００４２】
Ａ環、Ｂ環、Ｃ環およびＤ環は、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミノ基、アミド基、イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基およびシアノ基からなる群から選ばれる置換基を有していてもよい。また、置換基が複数ある場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
【００４３】
ここにアルキル基としては、直鎖、分岐または環状のいずれでもよい。炭素数は通常１〜２０程度であり、好ましくは炭素数３〜２０である。具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、ｉ−プロピル基、ブチル基、　ｉ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、２−エチルヘキシル基、ノニル基、デシル基、３，７−ジメチルオクチル基、ラウリル基、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、パーフルオロブチル基、パーフルオロヘキシル基、パーフルオロオクチル基などが挙げられ、プロピル基、ｉ−プロピル基、ブチル基、　ｉ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、２−エチルヘキシル基、デシル基、３，７−ジメチルオクチル基が好ましい。
【００４４】
アルコキシ基は、直鎖、分岐または環状のいずれでもよい。炭素数は通常１〜２０程度であり、好ましくは炭素数３〜２０である。具体的には、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、ｉ−プロピルオキシ基、ブトキシ基、　ｉ−ブトキシ基、ｔ−ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキシ基、３，７−ジメチルオクチルオキシ基、ラウリルオキシ基、トリフルオロメトキシ基、ペンタフルオロエトキシ基、パーフルオロブトキシ基、パーフルオロヘキシル基、パーフルオロオクチル基、メトキシメチルオキシ基、２−メトキシエチルオキシ基などが挙げられ、プロピルオキシ基、ｉ−プロピルオキシ基、ブトキシ基、　ｉ−ブトキシ基、ｔ−ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基、デシルオキシ基、３，７−ジメチルオクチルオキシ基が好ましい。
【００４５】
アルキルチオ基は、直鎖、分岐または環状のいずれでもよい。炭素数は通常１〜２０程度であり、好ましくは炭素数３〜２０である。具体的には、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、　ｉ−プロピルチオ基、ブチルチオ基、　ｉ−ブチルチオ基、ｔ−ブチルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、シクロヘキシルチオ基、ヘプチルチオ基、オクチルチオ基、２−エチルヘキシルチオ基、ノニルチオ基、デシルチオ基、３，７−ジメチルオクチルチオ基、ラウリルチオ基、トリフルオロメチルチオ基などが挙げられ、プロピルチオ基、　ｉ−プロピルチオ基、ブチルチオ基、　ｉ−ブチルチオ基、ｔ−ブチルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、オクチルチオ基、２−エチルヘキシルチオ基、デシルチオ基、３，７−ジメチルオクチルチオ基が好ましい。
【００４６】
アリール基は、炭素数は通常６〜６０程度であり、好ましくは炭素数７〜４８である。具体的には、フェニル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシフェニル基（Ｃ１〜Ｃ１２は、炭素数１〜１２であることを示す。以下も同様である。）、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルフェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントラセニル基、２−アントラセニル基、９−アントラセニル基、ペンタフルオロフェニル基などが例示され、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシフェニル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルフェニル基が好ましい。ここに、アリール基とは、芳香族炭化水素から、水素原子１個を除いた原子団である。ここに芳香族炭化水素としては、縮合環をもつもの、独立したベンゼン環または縮合環２個以上が直接またはビニレン等の基を介して結合したものが含まれる。
Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシとして具体的には、メトキシ、エトキシ、プロピルオキシ、ｉ−プロピルオキシ、ブトキシ、ｉ−ブトキシ、ｔ−ブトキシ、ペンチルオキシ、ヘキシルオキシ、シクロヘキシルオキシ、ヘプチルオキシ、オクチルオキシ、２−エチルヘキシルオキシ、ノニルオキシ、デシルオキシ、３，７−ジメチルオクチルオキシ、ラウリルオキシなどが例示される。
Ｃ１〜Ｃ１２アルキルフェニル基として具体的にはメチルフェニル基、エチルフェニル基、ジメチルフェニル基、プロピルフェニル基、メシチル基、メチルエチルフェニル基、ｉ−プロピルフェニル基、ブチルフェニル基、ｉ−ブチルフェニル基、ｔ−ブチルフェニル基、ペンチルフェニル基、イソアミルフェニル基、ヘキシルフェニル基、ヘプチルフェニル基、オクチルフェニル基、ノニルフェニル基、デシルフェニル基、ドデシルフェニル基などが例示される。
【００４７】
アリールオキシ基としては、炭素数は通常６〜６０程度であり、好ましくは炭素数７〜４８である。具体的には、フェノキシ基、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシフェノキシ基、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルフェノキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、ペンタフルオロフェニルオキシ基などが例示され、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシフェノキシ基、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルフェノキシ基が好ましい。
Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシとして具体的には、メトキシ、エトキシ、プロピルオキシ、ｉ−プロピルオキシ、ブトキシ、ｉ−ブトキシ、ｔ−ブトキシ、ペンチルオキシ、ヘキシルオキシ、シクロヘキシルオキシ、ヘプチルオキシ、オクチルオキシ、２−エチルヘキシルオキシ、ノニルオキシ、デシルオキシ、３，７−ジメチルオクチルオキシ、ラウリルオキシなどが例示される。
Ｃ１〜Ｃ１２アルキルフェノキシ基として具体的にはメチルフェノキシ基、エチルフェノキシ基、ジメチルフェノキシ基、プロピルフェノキシ基、１，３，５−トリメチルフェノキシ基、メチルエチルフェノキシ基、ｉ−プロピルフェノキシ基、ブチルフェノキシ基、ｉ−ブチルフェノキシ基、ｔ−ブチルフェノキシ基、ペンチルフェノキシ基、イソアミルフェノキシ基、ヘキシルフェノキシ基、ヘプチルフェノキシ基、オクチルフェノキシ基、ノニルフェノキシ基、デシルフェノキシ基、ドデシルフェノキシ基などが例示される。
【００４８】
アリールチオ基としては、炭素数は通常６〜６０程度であり、好ましくは炭素数７〜４８である。具体的には、フェニルチオ基、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシフェニルチオ基、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルフェニルチオ基、１−ナフチルチオ基、２−ナフチルチオ基、ペンタフルオロフェニルチオ基などが例示され、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシフェニルチオ基、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルフェニルチオ基が好ましい。
【００４９】
アリールアルキル基は、炭素数は通常７〜６０程度であり、好ましくは炭素数７〜４８である。具体的には、フェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシフェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルフェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキル基、１−ナフチル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキル基、２−ナフチル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキル基などが例示され、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシフェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルフェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキル基が好ましい。
【００５０】
アリールアルコキシ基は、炭素数は通常７〜６０程度であり、好ましくは炭素数７〜４８である。具体的には、フェニルメトキシ基、フェニルエトキシ基、フェニルブトキシ基、フェニルペンチロキシ基、フェニルヘキシロキシ基、フェニルヘプチロキシ基、フェニルオクチロキシ基などのフェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシ基、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシフェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシ基、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルフェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシ基、１−ナフチル−Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシ基、２−ナフチル−Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシ基などが例示され、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシフェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシ基、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルフェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシ基が好ましい。
【００５１】
アリールアルキルチオ基は、炭素数は通常７〜６０程度であり、好ましくは炭素数７〜４８である。具体的には、フェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキルチオ基、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシフェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキルチオ基、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルフェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキルチオ基、１−ナフチル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキルチオ基、２−ナフチル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキルチオ基などが例示され、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシフェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキルチオ基、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルフェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキルチオ基が好ましい。
【００５２】
アリールアルケニル基は、炭素数は通常８〜６０程度であり、好ましくは炭素数８〜４８である。具体的には、フェニル−Ｃ２〜Ｃ１２アルケニル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシフェニル−Ｃ２〜Ｃ１２アルケニル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルフェニル−Ｃ２〜Ｃ１２アルケニル基、１−ナフチル−Ｃ２〜Ｃ１２アルケニル基、２−ナフチル−Ｃ２〜Ｃ１２アルケニル基などが例示され、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシフェニル−Ｃ２〜Ｃ１２アルケニル基、Ｃ２〜Ｃ１２アルキルフェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルケニル基が好ましい。
【００５３】
アリールアルキニル基は、炭素数は通常８〜６０程度であり、好ましくは炭素数８〜４８である。具体的には、フェニル−Ｃ２〜Ｃ１２アルキニル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシフェニル−Ｃ２〜Ｃ１２アルキニル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルフェニル−Ｃ２〜Ｃ１２アルキニル基、１−ナフチル−Ｃ２〜Ｃ１２アルキニル基、２−ナフチル−Ｃ２〜Ｃ１２アルキニル基などが例示され、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシフェニル−Ｃ２〜Ｃ１２アルキニル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルフェニル−Ｃ２〜Ｃ１２アルキニル基が好ましい。
【００５４】
置換アミノ基としては、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基または１価の複素環基から選ばれる１または２個の基で置換されたアミノ基があげられ、該アルキル基、アリール基、アリールアルキル基または１価の複素環基はさらに置換基を有していてもよい。炭素数は該置換基の炭素数を含めないで通常１〜６０程度であり、好ましくは炭素数２〜４８である。
具体的には、メチルアミノ基、ジメチルアミノ基、エチルアミノ基、ジエチルアミノ基、プロピルアミノ基、ジプロピルアミノ基、ｉ−プロピルアミノ基、ジイソプロピルアミノ基、ブチルアミノ基、ｉ−ブチルアミノ基、ｔ−ブチルアミノ基、ペンチルアミノ基、ヘキシルアミノ基、シクロヘキシルアミノ基、ヘプチルアミノ基、オクチルアミノ基、２−エチルヘキシルアミノ基、ノニルアミノ基、デシルアミノ基、３，７−ジメチルオクチルアミノ基、ラウリルアミノ基、シクロペンチルアミノ基、ジシクロペンチルアミノ基、シクロヘキシルアミノ基、ジシクロヘキシルアミノ基、ピロリジル基、ピペリジル基、ジトリフルオロメチルアミノ基フェニルアミノ基、ジフェニルアミノ基、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシフェニルアミノ基、ジ（Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシフェニル）アミノ基、ジ（Ｃ１〜Ｃ１２アルキルフェニル）アミノ基、１−ナフチルアミノ基、２−ナフチルアミノ基、ペンタフルオロフェニルアミノ基、ピリジルアミノ基、ピリダジニルアミノ基、ピリミジルアミノ基、ピラジルアミノ基、トリアジルアミノ基フェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキルアミノ基、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシフェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキルアミノ基、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルフェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキルアミノ基、ジ（Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシフェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキル）アミノ基、ジ（Ｃ１〜Ｃ１２アルキルフェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキル）アミノ基、１−ナフチル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキルアミノ基、２−ナフチル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキルアミノ基などが例示される。
【００５５】
置換シリル基としては、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基または１価の複素環基から選ばれる１、２または３個の基で置換されたシリル基があげられ、炭素数は通常１〜６０程度であり、好ましくは炭素数３〜４８である。なお該アルキル基、アリール基、アリールアルキル基または１価の複素環基は置換基を有していてもよい。
具体的には、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、トリプロピルシリル基、トリ−ｉ−プロピルシリル基、ジメチル−ｉ−プロピリシリル基、ジエチル−ｉ−プロピルシリル基、ｔ−ブチルシリルジメチルシリル基、ペンチルジメチルシリル基、ヘキシルジメチルシリル基、ヘプチルジメチルシリル基、オクチルジメチルシリル基、２−エチルヘキシル−ジメチルシリル基、ノニルジメチルシリル基、デシルジメチルシリル基、３，７−ジメチルオクチル−ジメチルシリル基、ラウリルジメチルシリル基、フェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキルシリル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシフェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキルシリル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルフェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキルシリル基、１−ナフチル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキルシリル基、２−ナフチル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキルシリル基、フェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキルジメチルシリル基、トリフェニルシリル基、トリ−ｐ−キシリルシリル基、トリベンジルシリル基、ジフェニルメチルシリル基、ｔ−ブチルジフェニルシリル基、ジメチルフェニルシリル基などが例示される。
【００５６】
ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が例示される。
【００５７】
アシル基は、炭素数は通常２〜２０程度であり、好ましくは炭素数２〜１８である。具体的には、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、イソブチリル基、ピバロイル基、ベンゾイル基、トリフルオロアセチル基、ペンタフルオロベンゾイル基などが例示される。
【００５８】
アシルオキシ基は、炭素数は通常２〜２０程度であり、好ましくは炭素数２〜１８である。具体的には、アセトキシ基、プロピオニルオキシ基、ブチリルオキシ基、イソブチリルオキシ基、ピバロイルオキシ基、ベンゾイルオキシ基、トリフルオロアセチルオキシ基、ペンタフルオロベンゾイルオキシ基などが例示される。
【００５９】
イミノ基は、炭素数２〜２０程度であり、好ましくは炭素数２〜１８である。具体的には、以下の構造式で示される基などが例示される。
2004059899.tif 000037
【００６０】
アミド基は、炭素数は通常２〜２０程度であり、好ましくは炭素数２〜１８である。具体的には、ホルムアミド基、アセトアミド基、プロピオアミド基、ブチロアミド基、ベンズアミド基、トリフルオロアセトアミド基、ペンタフルオロベンズアミド基、ジホルムアミド基、ジアセトアミド基、ジプロピオアミド基、ジブチロアミド基、ジベンズアミド基、ジトリフルオロアセトアミド基、ジペンタフルオロベンズアミド基、などが例示される。
【００６１】
イミド基は通常炭素数２〜６０程度であり好ましくは炭素数２〜４８である。、具体的には以下に示す基が例示される。
2004059899.tif 000038
【００６２】
１価の複素環基とは、複素環化合物から水素原子１個を除いた残りの原子団をいい、炭素数は通常４〜６０程度であり、好ましくは４〜２０である。なお、複素環基の炭素数には、置換基の炭素数は含まれない。ここに複素環化合物とは、環式構造をもつ有機化合物のうち、環を構成する元素が炭素原子だけでなく、酸素、硫黄、窒素、燐、硼素などのヘテロ原子を環内に含むものをいう。具体的には、チエニル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルチエニル基、ピロリル基、フリル基、ピリジル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルピリジル基、ピペリジル基、キノリル基、イソキノリル基などが例示され、チエニル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルチエニル基、ピリジル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルピリジル基が好ましい。
【００６３】
置換カルボキシル基としては、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基または１価の複素環基で置換されたカルボキシル基があげられ、通常炭素数２〜６０程度であり、好ましくは炭素数２〜４８である。具体的には、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、プロポキシカルボニル基、ｉ−プロポキシカルボニル基、ブトキシカルボニル基、ｉ−ブトキシカルボニル基、ｔ−ブトキシカルボニル基、ペンチルオキシカルボニル基、ヘキシロキシカルボニル基、シクロヘキシロキシカルボニル基、ヘプチルオキシカルボニル基、オクチルオキシカルボニル基、２−エチルヘキシロキシカルボニル基、ノニルオキシカルボニル基、デシロキシカルボニル基、３，７−ジメチルオクチルオキシカルボニル基、ドデシルオキシカルボニル基、トリフルオロメトキシカルボニル基、ペンタフルオロエトキシカルボニル基、パーフルオロブトキシカルボニル基、パーフルオロヘキシルオキシカルボニル基、パーフルオロオクチルオキシカルボニル基、フェノキシカルボニル基、ナフトキシカルボニル基、ピリジルオキシカルボニル基、などが挙げられる。なお該アルキル基、アリール基、アリールアルキル基または１価の複素環基は置換基を有していてもよい。置換カルボキシル基の炭素数には該置換基の炭素数は含まれない。
【００６４】
上記置換基の例のうち、アルキル鎖を含む置換基においては、それらは直鎖、分岐または環状のいずれかまたはそれらの組み合わせであってもよく、直鎖でない場合、例えば、イソアミル基、２−エチルヘキシル基、３，７−ジメチルオクチル基、シクロヘキシル基、４−Ｃ１〜Ｃ１２アルキルシクロヘキシル基などが例示される。また、２つのアルキル鎖の先端が連結されて環を形成していても良い。さらに、アルキル鎖の一部のメチル基やメチレン基がヘテロ原子を含む基や一つ以上のフッ素で置換されたメチル基やメチレン基で置き換えられていてもよく、それらのヘテロ原子としては、酸素原子、硫黄原子、窒素原子などが例示される。
さらに、置換基の例のうち、アリール基や複素環基をその一部に含む場合は、それらがさらに１つ以上の置換基を有していてもよい。
【００６５】
式（１−１）で示される繰り返し単位の具体例としては、以下のものがあげられる。
【００６６】
2004059899.tif 000039
【００６７】
2004059899.tif 000040
【００６８】
2004059899.tif 000041
【００６９】
2004059899.tif 000042
【００７０】
2004059899.tif 000043
【００７１】
式（１−２）で示される繰り返し単位の具体例としては、以下のものが挙げられる。
【００７２】
2004059899.tif 000044
【００７３】
2004059899.tif 000045
【００７４】
2004059899.tif 000046
【００７５】
2004059899.tif 000047
が挙げられる。
式中、Ｍｅはメチル基、Ｐｈはフェニル基、Ｂｎはベンジル基、Ａｃはアセチル基をそれぞれ表す。
【００７６】
上記式（１−１）において、高分子化合物の溶解性を高める観点、発光波長を変化させる観点、発光効率を高める観点等からは、Ａ環および／またはＢ環がアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミノ基、アミド基、イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基およびシアノ基からなる群から選ばれる置換基を有することが好ましく、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、置換アミノ基、置換シリル基、フッ素原子、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基およびシアノ基がより好ましく、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、１価の複素環基がさらに好ましい。
【００７７】
上記式（１−２）において、高分子化合物の溶解性を高める観点、発光波長を変化させる観点、発光効率を高める観点等からは、Ｃ環および／またはＤ環がアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミノ基、アミド基、イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基およびシアノ基からなる群から選ばれる置換基を有することが好ましく、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、置換アミノ基、置換シリル基、フッ素原子、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基およびシアノ基がより好ましく、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、１価の複素環基がさらに好ましい。
【００７８】
本発明の高分子化合物のなかで、上記式（１−１）で示される繰り返し単位を有するものが好ましい。
また、Ａ環、Ｂ環、Ｃ環およびＤ環として、芳香族炭化水素環のみを有するものが好ましい。
中でも、上記式（１−１）で示される繰り返し単位を有し、かつＡ環、Ｂ環、Ｃ環およびＤ環として、芳香族炭化水素環のみを有するものがより好ましく、下記から選ばれる繰り返し単位が特に好ましい。
2004059899.tif 000048
2004059899.tif 000049
2004059899.tif 000050
【００７９】
式中、Ｒ１およびＲ２は、それぞれ独立に、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミノ基、アミド基、イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、または置換カルボキシル基を示す。ａおよびｂはそれぞれ独立に０〜３の整数を示す。ｆ、ｇ、ｈおよびｉはそれぞれ独立に０〜５の整数を示す。ｊ、ｋ、ｌおよびｍはそれぞれ独立に０〜７の整数を示す。Ｒ１およびＲ２がそれぞれ複数存在する場合、それらは同一であっても異なっていてもよい。
【００８０】
上記式（２−２）、（２−３）において、これらがＲ１を有する場合、Ｒ１は、フラン環に隣接する芳香環（式（１−１）のＡ環に該当）を構成する２個のベンゼン環のいずれに置換していてもよい。これらがＲ２を有する場合、Ｒ２は、フラン環に隣接する芳香環（式（１−１）のＢ環に該当）を構成する２個のベンゼン環のいずれに置換していてもよい。
上記式（２−４）および（２−５）において、これらがＲ１を有する場合、Ｒ１は、フラン環に隣接する芳香環（式（１−１）のＡ環に該当）を構成する３個のベンゼン環のいずれに置換していてもよい。これらがＲ２を有する場合、Ｒ２は、フラン環に隣接する芳香環（式（１−１）のＢ環に該当）を構成する３個のベンゼン環のいずれに置換していてもよい。
Ｒ１　およびＲ２がそれぞれ複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい
【００８１】
溶解性を高める観点、発光波長を変化させる観点、発光効率を高める観点等からは、式（２−１）のａ＋ｂ、式（２−２）のｆ＋ｇ、式（２−３）のｈ＋ｉ、式（２−４）のｊ＋ｋおよび式（２−５）のｌ＋ｍはそれぞれ１以上であることが好ましい。
【００８２】
中でも（２−１）が好ましく、さらに下記（２−６）で示される繰り返し単位がより好ましい。
2004059899.tif 000051
式中、Ｒ１ａおよびＲ２ａは、それぞれ独立に、炭素数が３以上のアルキル基、炭素数が３以上のアルコキシ基、炭素数が３以上のアルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基または１価の複素環基を示す。
【００８３】
上記式（１−１）、（１−２）で示される繰り返し単位の合計の量は通常、本発明の高分子化合物が有する全繰り返し単位の合計の１モル％以上１００モル％以下であり、好ましくは、１０モル％以上１００モル％以下、より好ましくは、５０モル％以上９０モル％以下である。
【００８４】
本発明の高分子化合物は、蛍光強度を高める観点から、異なる置換基を有する、同じ式（１−１）で示される繰り返し単位同士の共重合体もしくは同じ式（１−２）で示される繰り返し単位同士の共重合体、または式（１−１）および式（１−２）で示される繰り返し単位同士の共重合体が好ましい。
また、式（１−１）、（１−２）で示される繰り返し単位に加え、それ以外の繰り返し単位を１種類以上含む共重合体が好ましい。本発明の高分子化合物が含むことができる、上記式（１−１）、（１−２）以外の繰り返し単位として、下記式（３）、式（４）、式（５）または式（６）で示される繰り返し単位が好ましい。
−Ａｒ１−　　　　（３）
2004059899.tif 000052
−Ａｒ４−Ｘ２−　　　　（５）
−Ｘ３−　　　　　　　（６）
式中、Ａｒ１、Ａｒ２、Ａｒ３およびＡｒ４はそれぞれ独立にアリーレン基、２価の複素環基または金属錯体構造を有する２価の基を示す。Ｘ１、Ｘ２およびＸ３はそれぞれ独立に−ＣＲ１４＝ＣＲ１５−、−Ｃ≡Ｃ−、−Ｎ（Ｒ１６）−、または−（ＳｉＲ１７Ｒ１８）ｎ−を示す。Ｒ１４およびＲ１５は、それぞれ独立に水素原子、アルキル基、アリール基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基またはシアノ基を示す。Ｒ１６、Ｒ１７およびＲ１８は、それぞれ独立に水素原子、アルキル基、アリール基、１価の複素環基、アリールアルキル基、置換アミノ基を示す。ｆｆは０〜２の整数を示す。ｎは１〜１２の整数を示す。Ｒ１４、Ｒ１５、Ｒ１６、Ｒ１７およびＲ１８がそれぞれ複数存在する場合、それらは同一であっても異なっていてもよい。
【００８５】
ここに、アリーレン基とは、芳香族炭化水素から、水素原子２個を除いた原子団であり、環を構成する炭素数は通常６〜６０程度であり、好ましくは６〜２０である。ここに芳香族炭化水素としては、縮合環をもつもの、独立したベンゼン環または縮合環２個以上が直接またはビニレン等の基を介して結合したものも含まれる。
アリーレン基としては、フェニレン基（例えば、下図の式１〜３）、ナフタレンジイル基（下図の式４〜１３）、アントラセンジイル基（下図の式１４〜１９）、ビフェニル−ジイル基（下図の式２０〜２５）、フルオレン−ジイル基（下図の式３６〜３８）、ターフェニル−ジイル基（下図の式２６〜２８）、スチルベン−ジイル（下図の式Ａ〜Ｄ），　ジスチルベン−ジイル　（下図の式Ｅ，Ｆ）、　　縮合環化合物基（下図の式２９〜３８）などが例示される。中でもフェニレン基、ビフェニレン基、フルオレン−ジイル基、スチルベン−ジイル基が好ましい。
【００８６】
2004059899.tif 000053
【００８７】
2004059899.tif 000054
【００８８】
2004059899.tif 000055
【００８９】
2004059899.tif 000056
【００９０】
2004059899.tif 000057
【００９１】
2004059899.tif 000058
【００９２】
本発明において、２価の複素環基とは、複素環化合物から水素原子２個を除いた残りの原子団をいい、環を構成する炭素数は通常３〜６０程度である。
ここに複素環化合物とは、環式構造をもつ有機化合物のうち、環を構成する元素が炭素原子だけでなく、酸素、硫黄、窒素、リン、ホウ素、ヒ素などのヘテロ原子を環内に含むものをいう。
【００９３】
２価の複素環基としては、例えば以下のものが挙げられる。
ヘテロ原子として、窒素を含む２価の複素環基；ピリジン−ジイル基（下図の式３９〜４４）、ジアザフェニレン基（下図の式４５〜４８）、キノリンジイル基（下図の式４９〜６３）、キノキサリンジイル基（下図の式６４〜６８）、アクリジンジイル基（下図の式６９〜７２）、ビピリジルジイル基（下図の式７３〜７５）、フェナントロリンジイル基（下図の式７６〜７８）、など。
ヘテロ原子としてけい素、窒素、硫黄、セレンなどを含みフルオレン構造を有する基（下図の式７９〜９３）。
ヘテロ原子としてけい素、窒素、硫黄、セレンなどを含む５員環複素環基：（下図の式９４〜９８）が挙げられる。
ヘテロ原子としてけい素、窒素、硫黄、セレンなどを含む５員環縮合複素基：（下図の式９９〜１０８）が挙げられる。
ヘテロ原子としてけい素、窒素、硫黄、セレンなどを含む５員環複素環基でそのヘテロ原子のα位で結合し２量体やオリゴマーになっている基：（下図の式１０９〜１１３）が挙げられる。
ヘテロ原子としてけい素、窒素、硫黄、セレンなどを含む５員環複素環基でそのヘテロ原子のα位でフェニル基に結合している基：（下図の式１１３〜１１９）が挙げられる。
ヘテロ原子として酸素、窒素、硫黄、などを含む５員環縮合複素環基にフェニル基やフリル基、チエニル基が置換した基：（下図の式１２０〜１２５）が挙げられる。
【００９４】
2004059899.tif 000059
【００９５】
2004059899.tif 000060
【００９６】
2004059899.tif 000061
【００９７】
2004059899.tif 000062
【００９８】
2004059899.tif 000063
【００９９】
2004059899.tif 000064
【０１００】
2004059899.tif 000065
【０１０１】
2004059899.tif 000066
【０１０２】
2004059899.tif 000067
【０１０３】
2004059899.tif 000068
【０１０４】
本発明において、金属錯体構造を有する２価の基とは、有機配位子を有する金属錯体の有機配位子から水素原子を２個除いた残りの２価の基である。
該有機配位子の炭素数は、通常４〜６０程度であり、例えば、８−キノリノールおよびその誘導体、ベンゾキノリノールおよびその誘導体、２−フェニル−ピリジンおよびその誘導体、２−フェニル−ベンゾチアゾールおよびその誘導体、２−フェニル−ベンゾキサゾールおよびその誘導体、ポルフィリンおよびその誘導体などが挙げられる。
また、該錯体の中心金属としては、例えば、アルミニウム、亜鉛、ベリリウム、イリジウム、白金、金、ユーロピウム、テルビウムなどが挙げられる。
有機配位子を有する金属錯体としては、低分子の蛍光材料、燐光材料として公知の金属錯体、三重項発光錯体などが挙げられる。
【０１０５】
金属錯体構造を有する２価の基としては、具体的には、以下の（１２６〜１３２）が例示される。
2004059899.tif 000069
2004059899.tif 000070
2004059899.tif 000071
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2004059899.tif 000075
【０１０６】
上記の式１〜１３２で示した例において、Ｒはそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミノ基、アミド基、イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基またはシアノ基を示す。また、式１〜１３２の基が有する炭素原子は、窒素原子、酸素原子または硫黄原子と置き換えられていてもよく、水素原子はフッ素原子に置換されていてもよい。
【０１０７】
上記式（３）で示される繰り返し単位の中では、下記式（７）、式（８）、式（９）、式（１０）、式（１１）、または式（１２）で示される繰り返し単位が好ましい。
【０１０８】
2004059899.tif 000076
〔式中、Ｒ３は、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミノ基、アミド基、イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基またはシアノ基を示す。ｎは０〜４の整数を示す。Ｒ３が複数存在する場合、それらは同一であっても異なっていてもよい。
【０１０９】
式（７）の具体例としては、
2004059899.tif 000077
があげられる。
【０１１０】
2004059899.tif 000078
〔式中、Ｒ４およびＲ５は、それぞれ独立にアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミノ基、アミド基、イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基またはシアノ基を示す。Ｏおよびｐはそれぞれ独立に０〜３の整数を示す。Ｒ４およびＲ５がそれぞれ複数存在する場合、それらは同一であっても異なっていてもよい。〕
【０１１１】
式（８）の具体例としては
2004059899.tif 000079
があげられる。
【０１１２】
2004059899.tif 000080
〔式中、Ｒ６およびＲ９は、それぞれ独立にアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミノ基、アミド基、イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基またはシアノ基を示す。ｑおよびｒはそれぞれ独立に０〜４の整数を示す。Ｒ７およびＲ８は、それぞれ独立に水素原子、アルキル基、アリール基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基またはシアノ基を示す。Ｒ６およびＲ９がそれぞれ複数存在する場合、それらは同一であっても異なっていてもよい。〕
【０１１３】
式（９）の具体例としては
2004059899.tif 000081
があげられる。
【０１１４】
2004059899.tif 000082
〔式中、Ｒ１０は、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミノ基、アミド基、イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基またはシアノ基を示す。ｓは０〜２の整数を示す。Ａｒ６およびＡｒ７はそれぞれ独立にアリーレン基、２価の複素環基または金属錯体構造を有する２価の基を示す。ｓａおよびｓｂはそれぞれ独立に０または１を示す。Ｘ４は、Ｏ、Ｓ、ＳＯ、ＳＯ２、Ｓｅ，またはＴｅを示す。Ｒ１０が複数存在する場合、それらは同一であっても異なっていてもよい。〕
【０１１５】
式（１０）の具体例としては
2004059899.tif 000083
があげられる。
【０１１６】
2004059899.tif 000084
〔式中、Ｒ１１およびＲ１２は、それぞれ独立にアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミノ基、アミド基、イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基またはシアノ基を示す。〜２の整数を示す。ｔおよびｕはそれぞれ独立に０〜４の整数を示す。Ｘ５は、Ｏ、Ｓ、ＳＯ２、Ｓｅ，Ｔｅ、Ｎ−Ｒ１３、またはＳｉＲ１４Ｒ１５を示す。Ｘ６およびＸ７は、それぞれ独立にＮまたはＣ−Ｒ１６を示す。Ｒ１３、Ｒ１４、Ｒ１５およびＲ１６はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基または１価の複素環基を示す。Ｒ１１、Ｒ１２およびＲ１６がそれぞれ複数存在する場合、それらは同一であっても異なっていてもよい。〕
式（１１）で示される繰り返し単位の中央の５員環の例としては、チアジアゾール、オキサジアゾール、トリアゾール、チオフェン、フラン、シロールなどが挙げられる。
【０１１７】
式（１１）の具体例としては
2004059899.tif 000085
があげられる。
【０１１８】
2004059899.tif 000086
〔式中、Ｒ１７およびＲ２２は、それぞれ独立にアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミノ基、アミド基、イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基またはシアノ基を示す。ｖおよびｗはそれぞれ独立に０〜４の整数を示す。Ｒ１８、Ｒ１９、Ｒ２０およびＲ２１は、それぞれ独立に水素原子、アルキル基、アリール基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基またはシアノ基を示す。Ａｒ５はアリーレン基、２価の複素環基または金属錯体構造を有する２価の基を示す。Ｒ１７およびＲ２２がそれぞれ複数存在する場合、それらは同一であっても異なっていてもよい。〕
【０１１９】
式（１２）の具体例としては
2004059899.tif 000087
があげられる。
【０１２０】
また上記式（４）で示される繰り返し単位の中で、下記式（１３）で示される繰り返し単位が好ましい。
2004059899.tif 000088
式中、Ａｒ１１、Ａｒ１２、Ａｒ１３およびＡｒ１４は、それぞれ独立にアリーレン基または２価の複素環基を表す。Ａｒ１５、Ａｒ１６およびＡｒ１７は、それぞれ独立にアリール基または１価の複素環基を表す。ｎｎおよびｍｍはそれぞれ独立に０または１を表し、０≦ｎｎ＋ｍｍ≦１である。
記式（１３）で示される繰り返し単位の具体例としては、以下の（式１３３〜１４０）で示されるものが挙げられる。
【０１２１】
2004059899.tif 000089
【０１２２】
2004059899.tif 000090
【０１２３】
2004059899.tif 000091
【０１２４】
上記式１３３〜１４０においてＲは、前記式１〜１３２のそれと同じ定義である。上記の例において、１つの構造式中に複数のＲを有しているが、それらは同一であってもよいし、異なる基であってもよい。溶媒への溶解性を高めるためには、水素原子以外を１つ以上有していることが好ましく、また置換基を含めた繰り返し単位の形状の対称性が少ないことが好ましい。
さらに、上記式においてＲがアリール基や複素環基をその一部に含む場合は、それらがさらに１つ以上の置換基を有していてもよい。
また、上記式においてＲがアルキル鎖を含む置換基においては、それらは直鎖、分岐または環状のいずれかまたはそれらの組み合わせであってもよく、直鎖でない場合、例えば、イソアミル基、２−エチルヘキシル基、３，７−ジメチルオクチル基、シクロヘキシル基、４−Ｃ１〜Ｃ１２アルキルシクロヘキシル基などが例示される。高分子化合物の溶媒への溶解性を高めるためには、１つ以上に環状または分岐のあるアルキル鎖が含まれることが好ましい。
また、複数のＲが連結して環を形成していてもよい。さらに、Ｒがアルキル鎖を含む基の場合は、該アルキル鎖は、ヘテロ原子を含む基で中断されていてもよい。ここに、ヘテロ原子としては、酸素原子、硫黄原子、窒素原子などが例示される。
【０１２５】
上記（７）〜（１３）で示される繰り返し単位の中では、上記式（１３）で示される繰り返し単位がさらに好ましい。中でも下記式（１３−２）で示される繰り返し単位が好ましい。
2004059899.tif 000092
〔式中、Ｒ２３、Ｒ２４およびＲ２５は、それぞれ独立にアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミノ基、アミド基、イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基またはシアノ基を示す。ｘおよびｙはそれぞれ独立に０〜４の整数を示す。ｚは１〜２の整数を示す。ａａは０〜５の整数を示す。〕
【０１２６】
なお式（２−１）〜（２−５）、（３）〜（１３）におけるアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミノ基、アミド基、イミド基、１価の複素環基、、置換カルボキシル基の定義、具体例は前記、Ａ環等が有していてもよい置換基のそれと同じである。
【０１２７】
なお、本発明の高分子化合物のなかでは、実質的に上記式（１−１）および／または（１−２）で示される繰り返し単位からなるもの、上記式（１−１）および／または（１−２）と、式（３）〜式（１３）で示される繰り返し単位の１以上とから実質的になるものが好ましい。
また、本発明の高分子化合物においては、繰り返し単位が、非共役の単位で連結されていてもよいし、繰り返し単位にそれらの非共役部分が含まれていてもよい。結合構造としては、以下に示すもの、および以下に示すもののうち２つ以上を組み合わせたものなどが例示される。ここで、Ｒは前記のものと同じ置換基から選ばれる基であり、Ａｒは炭素数６〜６０個の炭化水素基を示す。
2004059899.tif 000093
【０１２８】
また、本発明の高分子化合物は、ランダム、ブロックまたはグラフト共重合体であってもよいし、それらの中間的な構造を有する高分子、例えばブロック性を帯びたランダム共重合体であってもよい。蛍光またはりん光の量子収率の高い高分子発光体（高分子量の発光材料）を得る観点からは完全なランダム共重合体よりブロック性を帯びたランダム共重合体やブロックまたはグラフト共重合体が好ましい。主鎖に枝分かれがあり、末端部が３つ以上ある場合やデンドリマーも含まれる。
【０１２９】
また、本発明の高分子化合物の末端基は、重合活性基がそのまま残っていると、素子にしたときの発光特性や寿命が低下する可能性があるので、安定な基で保護されていてよい。主鎖の共役構造と連続した共役結合を有しているものが好ましく、例えば、炭素―炭素結合を介してアリール基または複素環基と結合している構造が例示される。具体的には、特開平９−４５４７８号公報の化１０に記載の置換基等が例示される。
【０１３０】
本発明の高分子化合物のポリスチレン換算の数平均分子量は１０３〜１０８
であり、好ましくは１０４〜１０６である。ポリスチレン換算の重量平均分子量は１０３〜１０８であり、好ましくは５×１０４〜５×１０６である。
【０１３１】
本発明の高分子化合物に対する良溶媒としては、クロロホルム、塩化メチレン、ジクロロエタン、テトラヒドロフラン、トルエン、キシレン、メシチレン、テトラリン、デカリン、ｎ−ブチルベンゼンなどが例示される。高分子化合物の構造や分子量にもよるが、通常はこれらの溶媒に０．１重量％以上溶解させることができる。
【０１３２】
次に本発明の高分子化合物の製造方法について説明する。
本発明の高分子化合物は、上記式（１−１）、（１−２）で示される繰り返し単位に対応する、２個の縮合重合に関与する置換基を有する化合物を縮合重合させる方法により製造できる。
【０１３３】
例えば、本発明の高分子化合物は、
下式（１４）
Ｙ１−Ｕ−Ｙ２　　（１４）
〔式中、Ｕは上記式（１−１）または（１−２）で示される繰り返し単位を示す。Ｙ１およびＹ２はそれぞれ独立に式（１４）で示される化合物の縮合重合反応に関与する置換基を表す。〕
で示される化合物を原料の一つとして用いて縮合重合させることにより製造することができる。
【０１３４】
上記式（１４）で示される化合物として、下記式（１５−１）、（１５−２）または（１５−３）
2004059899.tif 000094
〔式中、Ｙ１１、Ｙ１２、Ｙ１３、Ｙ１４、Ｙ１５およびＹ１６は、それぞれ独立に式（１５−１）、（１５−２）または（１５−３）で示される化合物の縮合重合反応に関与する置換基を示す。Ｒ２６、Ｒ２７、Ｒ２８、Ｒ２９、Ｒ３０およびＲ３１は、それぞれ独立にアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミノ基、アミド基、イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基またはシアノ基を示す。ｂｂおよびｃｃはそれぞれ独立に０〜３の整数を示す。ｄｄおよびｅｅはそれぞれ独立に０〜５の整数を示す。ｇｇおよびｈｈはそれぞれ独立に０〜７の整数を示す。上記式（１５−２）において、これらがＲ２８を有する場合、Ｒ２８は、フラン環に隣接するナフタレン環を構成する２個のベンゼン環のいずれに置換していてもよい。これらがＲ２９を有する場合、Ｒ２９は、フラン環に隣接するナフタレン環を構成する２個のベンゼン環のいずれに置換していてもよい。
上記式（１５−３）において、これらがＲ３０を有する場合、Ｒ３０は、フラン環に隣接するアントラセン環を構成する３個のベンゼン環のいずれに置換していてもよい。これらがＲ３１を有する場合、Ｒ３１は、フラン環に隣接するアントラセン環を構成する３個のベンゼン環のいずれに置換していてもよい。
Ｒ２６、Ｒ２７、Ｒ２８、Ｒ２９、Ｒ３０およびＲ３１がそれぞれ複数存在する場合、それらは同一であっても異なっていてもよい。〕
【０１３５】
で示される化合物を用いることにより、それぞれ（１５−４）、（１５−５）、（１５−６）
2004059899.tif 000095
で示される繰り返し単位を有する高分子化合物を得ることができる。
【０１３６】
下記式（１５−１）、（１５−２）または（１５−３）で示される化合物として、好ましくは下記の（１５−７）、（１５−８）または（１５−９）
2004059899.tif 000096
〔式中、Ｙ２１、Ｙ２２、Ｙ２３、Ｙ２４、Ｙ２５およびＹ２６は、それぞれ独立にハロゲン原子、アルキルスルホネート基、アリールスルホネート基、アリールアルキルスルホネート基、ホウ酸エステル基、スルホニウムメチル基、ホスホニウムメチル基、ホスホネートメチル基、モノハロゲン化メチル基、ホウ酸基、ホルミル基、シアノ基、ビニル基を示す。Ｒ３２、Ｒ３３、Ｒ３４、Ｒ３５、Ｒ３６およびＲ３７は、それぞれ独立に炭素数３以上のアルキル基、炭素数３以上のアルコキシ基、炭素数３以上のアルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、炭素数４以上の置換アミノ基、炭素数６以上の置換シリル基を示す。
ｉｉおよびｊｊはそれぞれ独立に０〜３の整数を示し、かつｉｉ＋ｊｊ≧１を満たす。ｋｋおよびｌｌはそれぞれ独立に０〜５の整数を示し、かつｋｋ＋ｌｌ≧１を満たす。ｏｏおよびｐｐはそれぞれ独立に０〜７の整数を示し、かつｏｏ＋ｐｐ≧１を満たす。
上記式（１５−８）において、これらがＲ３４を有する場合、Ｒ３４は、フラン環に隣接するナフタレン環を構成する２個のベンゼン環のいずれに置換していてもよい。これらがＲ３５を有する場合、Ｒ３５は、フラン環に隣接するナフタレン環を構成する２個のベンゼン環のいずれに置換していてもよい。
上記式（１５−３）において、これらがＲ３６を有する場合、Ｒ３６は、フラン環に隣接するアントラセン環を構成する３個のベンゼン環のいずれに置換していてもよい。これらがＲ３７を有する場合、Ｒ３７は、フラン環に隣接するアントラセン環を構成する３個のベンゼン環のいずれに置換していてもよい。
Ｒ３２、Ｒ３３、Ｒ３４、Ｒ３５およびＲ３６およびＲ３７がそれぞれ複数存在する場合、それらは同一であっても異なっていてもよい。〕
で示される化合物であり、（１５−７）がより好ましく下記の（１５−１０）で示される化合物がさらに好ましい。
2004059899.tif 000097
式中、Ｙ２７およびＹ２８はそれぞれ独立に臭素原子、塩素原子、アルキルスルホネート基、アリールスルホネート基、アリールアルキルスルホネート基、ホウ酸エステル基、スルホニウムメチル基、ホスホニウムメチル基、ホスホネートメチル基、ホウ酸基、を示す。Ｒ３８およびＲ３９は、それぞれ独立に炭素数３以上のアルキル基、炭素数３以上のアルコキシ基、炭素数３以上のアルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、炭素数４以上の置換アミノ基、炭素数６以上の置換シリル基を示す。
【０１３７】
本発明の製造方法において、縮合重合反応に関与する置換基としては、ハロゲン原子、アルキルスルホネート基、アリールスルホネート基、アリールアルキルスルホネート基、ホウ酸エステル基、スルホニウムメチル基、ホスホニウムメチル基、ホスホネートメチル基、モノハロゲン化メチル基、ホウ酸基、ホルミル基、シアノ基、ビニル基等があげられる。
【０１３８】
ここでアルキルスルホネート基としては、メタンスルホネート基、エタンスルホネート基、トリフルオロメタンスルホネート基などが例示され、アリールスルホネート基としては、ベンゼンスルホネート基、ｐ−トルエンスルホネート基などが例示され、アリールスルホネート基としては、ベンジルスルホネート基などが例示される。
【０１３９】
ホウ酸エステル基としては、下記式で示される基が例示される。
2004059899.tif 000098
式中、Ｍｅはメチル基を、Ｅｔはエチル基を示す。
【０１４０】
スルホニウムメチル基としては、下記式で示される基が例示される。
−ＣＨ２Ｓ＋Ｍｅ２Ｘ−、−ＣＨ２Ｓ＋Ｐｈ２Ｘ−
（Ｘはハロゲン原子を示し、Ｐｈはフェニル基を示す。）
【０１４１】
ホスホニウムメチル基としては、下記式で示される基が例示される。
−ＣＨ２Ｐ＋Ｐｈ３Ｘ−　（Ｘはハロゲン原子を示す。）
【０１４２】
ホスホネートメチル基としては、下記式で示される基が例示される。
−ＣＨ２ＰＯ（ＯＲ’）２　（Ｘはハロゲン原子を示し、Ｒ’はアルキル基、アリール基、アリールアルキル基を示す。）
【０１４３】
モノハロゲン化メチル基としては、フッ化メチル基、塩化メチル基、臭化メチル基、ヨウ化メチル基が例示される。
【０１４４】
縮合重合反応に関与する置換基として好ましい置換基は重合反応の種類によって異なるが、例えばＹａｍａｍｏｔｏカップリング反応など０価ニッケル錯体を用いる場合には、ハロゲン原子、アルキルスルホネート基、アリールスルホネート基またはアリールアルキルスルホネート基が挙げられる。またＳｕｚｕｋｉカップリング反応などニッケル触媒あるいはパラジウム触媒を用いる場合には、アルキルスルホネート基、ハロゲン原子、ホウ酸エステル基、ホウ酸基などが挙げられる。
【０１４５】
また、本発明の高分子化合物が、上記式（１−１）、（１−２）以外の繰り返し単位を有する場合には、上記式（１−１）、（１−２）以外の繰り返し単位となる、２個の縮合重合反応に関与する置換基を有する化合物を共存させて縮合重合させればよい。
【０１４６】
上記式（１−１）、（１−２）以外の繰り返し単位となる、２個の縮合重合反応に関与する置換基を有する化合物としては、下記式（１６）〜（１９）の化合物が例示される。
上記式（１５）で示される化合物に加えて、下記式（１６）〜（１９）のいずれかで示される化合物を縮合重合させることにより
Ｙ３−Ａｒ１−Ｙ４　（１６）
2004059899.tif 000099
Ｙ７−Ａｒ４−Ｘ２−Ｙ８　　（１８）
Ｙ９−Ｘ３−Ｙ１０　　　式（１９）
〔式中、Ａｒ１、Ａｒ２、Ａｒ３、Ａｒ４、ｆｆ、Ｘ１、Ｘ２およびＸ３は前記と同じである。Ｙ３、Ｙ４、Ｙ５、Ｙ６、Ｙ７、Ｙ８、Ｙ９およびＹ１０はそれぞれ独立に（１６）〜（１９）のいずれかで示される化合物の縮合重合反応に関与する置換基を示す。〕
上記式（１）で示される繰り返し単位に加えて、順に（３）、（４）、（５）または（６）の繰り返し単位を１つ以上有する高分子化合物を製造することができる。
【０１４７】
上記式（１−１）、（１−２）以外の繰り返し単位となる、２個の縮合反応に関与する置換基を有する化合物としては、好ましくは下記式（２０）で示される化合物である。
2004059899.tif 000100
式中、Ａｒ１１、Ａｒ１２、Ａｒ１３、Ａｒ１４、Ａｒ１５、Ａｒ１６、Ａｒ１７、ｎｎおよびｍｍは、前記と同じ意味を表す。Ｙ１７およびＹ１８はそれぞれ独立に縮合重合反応に関与する置換基を示す。
【０１４８】
さらに好ましくは下記式（２０−２）で示される化合物である。
2004059899.tif 000101
式中、Ｒ２３、Ｒ２４、Ｒ２５、ｘ、ｙ、ｚ、ａａは前記と同じ意味を表す。Ｙ１９およびＹ２０はそれぞれ独立に縮合重合反応に関与する置換基を示す。
【０１４９】
本発明の製造方法は、具体的には、モノマーとなる、反応性置換基を複数有する化合物を、必要に応じ、有機溶媒に溶解し、例えばアルカリや適当な触媒を用い、有機溶媒の融点以上沸点以下で行うことができる。例えば、“オルガニックリアクションズ（Ｏｒｇａｎｉｃ　Ｒｅａｃｔｉｏｎｓ）”，第１４巻，２７０−４９０頁，ジョンワイリー　アンド　サンズ（Ｊｏｈｎ　Ｗｉｌｅｙ＆Ｓｏｎｓ，Ｉｎｃ．），１９６５年、　“オルガニック　シンセシス（Ｏｒｇａｎｉｃ　Ｓｙｎｔｈｅｓｅｓ）”，コレクティブ第６巻（Ｃｏｌｌｅｃｔｉｖｅ　Ｖｏｌｕｍｅ　ＶＩ），４０７−４１１頁，ジョンワイリー　アンド　サンズ（Ｊｏｈｎ　Ｗｉｌｅｙ＆Ｓｏｎｓ，Ｉｎｃ．），１９８８年、ケミカル　レビュー（Ｃｈｅｍ．Ｒｅｖ．），第９５巻，２４５７頁（１９９５年）、ジャーナル　オブ　オルガノメタリック　ケミストリー（Ｊ．Ｏｒｇａｎｏｍｅｔ．Ｃｈｅｍ．），第５７６巻，１４７頁（１９９９年）、マクロモレキュラー　ケミストリー　マクロモレキュラー　シンポジウム（Ｍａｋｒｏｍｏｌ．Ｃｈｅｍ．，Ｍａｃｒｏｍｏｌ．Ｓｙｍｐ．），第１２巻，２２９頁（１９８７年）などに記載の公知の方法を用いることができる。
【０１５０】
本発明の高分子化合物の製造方法において、縮合重合させる方法としては、上記式（１４）〜（１９）で表される化合物の縮合反応に関与する置換基に応じて、既知の縮合反応を用いることにより製造できる。
本発明の高分子化合物が縮合重合において、二重結合を生成する場合は、例えば特開平５−２０２３５５号公報に記載の方法が挙げられる。すなわち、ホルミル基を有する化合物とホスホニウムメチル基を有する化合物との、もしくはホルミル基とホスホニウムメチル基とを有する化合物のＷｉｔｔｉｇ反応による重合、ビニル基を有する化合物とハロゲン原子を有する化合物とのＨｅｃｋ反応による重合、モノハロゲン化メチル基を２つあるいは２つ以上有する化合物の脱ハロゲン化水素法による重縮合、スルホニウムメチル基を２つあるいは２つ以上有する化合物のスルホニウム塩分解法による重縮合、ホルミル基を有する化合物とシアノ基を有する化合物とのＫｎｏｅｖｅｎａｇｅｌ反応による重合などの方法、ホルミル基を２つあるいは２つ以上有する化合物のＭｃＭｕｒｒｙ反応による重合などの方法が例示される。
本発明の高分子化合物が縮合重合によって主鎖に三重結合を生成する場合には、例えば、Ｈｅｃｋ反応が利用できる。
【０１５１】
また、二重結合や三重結合を生成しない場合には、例えば該当するモノマーからＳｕｚｕｋｉカップリング反応により重合する方法、Ｇｒｉｇｎａｒｄ反応により重合する方法、Ｎｉ（０）錯体により重合する方法、ＦｅＣｌ３等の酸化剤により重合する方法、電気化学的に酸化重合する方法、あるいは適当な脱離基を有する中間体高分子の分解による方法などが例示される。
【０１５２】
これらのうち、Ｗｉｔｔｉｇ反応による重合、Ｈｅｃｋ反応による重合、Ｋｎｏｅｖｅｎａｇｅｌ反応による重合、およびＳｕｚｕｋｉカップリング反応により重合する方法、Ｇｒｉｇｎａｒｄ反応により重合する方法、ニッケルゼロ価錯体により重合する方法が、構造制御がしやすいので好ましい。
【０１５３】
本発明の製造方法の中で、　Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３、Ｙ４、Ｙ５、Ｙ６、Ｙ７、Ｙ８、Ｙ９、Ｙ１０、Ｙ１１、Ｙ１２、Ｙ１３、Ｙ１４、Ｙ１５およびＹ１６　がそれぞれ独立にハロゲン原子、アルキルスルホネート基、アリールスルホネート基またはアリールアルキルスルホネート基であり、ニッケルゼロ価錯体存在下で縮合重合する製造方法が好ましい。
原料化合物としては、ジハロゲン化化合物、ビス（アルキルスルホネート）化合物、ビス（アリールスルホネート）化合物、ビス（アリールアルキルスルホネート）化合物あるいはハロゲン−アルキルスルホネート化合物、ハロゲン−アリールスルホネート化合物、ハロゲン−アリールアルキルスルホネート化合物、アルキルスルホネート−アリールスルホネート化合物、アルキルスルホネート−アリールアルキルスルホネート化合物、アリールスルホネート−アリールアルキルスルホネート化合物が挙げられる。
【０１５４】
また、本発明の製造方法の中で、　Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３、Ｙ４、Ｙ５、Ｙ６、Ｙ７、Ｙ８、Ｙ９、Ｙ１０、Ｙ１１、Ｙ１２、Ｙ１３、Ｙ１４、Ｙ１５およびＹ１６がそれぞれ独立にハロゲン原子、アルキルスルホネート基、アリールスルホネート基、アリールアルキルスルホネート基、ホウ酸基、またはホウ酸エステル基であり、ハロゲン原子、アルキルスルホネート基、アリールスルホネート基およびアリールアルキルスルホネート基のモル数の合計と、ホウ酸基およびホウ酸エステル基のモル数の合計の比が実質的に１（通常０．７〜１．２の範囲）であり、ニッケル触媒またはパラジウム触媒を用いて縮合重合する製造方法が好ましい。
具体的な原料化合物の組み合わせとしては、ジハロゲン化化合物、ビス（アルキルスルホネート）化合物、ビス（アリールスルホネート）化合物またはビス（アリールアルキルスルホネート）化合物とジホウ酸化合物またはジホウ酸エステル化合物との組み合わせが挙げられる。
また、ハロゲン−ホウ酸化合物、ハロゲン−ホウ酸エステル化合物、アルキルスルホネート−ホウ酸化合物、アルキルスルホネート−ホウ酸エステル化合物、アリールスルホネート−ホウ酸化合物、アリールスルホネート−ホウ酸エステル化合物、アリールアルキルスルホネート−ホウ酸化合物、アリールアルキルスルホネート−ホウ酸化合物、アリールアルキルスルホネート−ホウ酸エステル化合物挙げられる。
【０１５５】
有機溶媒としては、用いる化合物や反応によっても異なるが、一般に副反応を抑制するために、用いる溶媒は十分に脱酸素処理を施し、不活性雰囲気化で反応を進行させることが好ましい。また、同様に脱水処理を行うことが好ましい。但し、Ｓｕｚｕｋｉカップリング反応のような水との２相系での反応の場合にはその限りではない。
【０１５６】
反応させるために適宜アルカリや適当な触媒を添加する。これらは用いる反応に応じて選択すればよい。該アルカリまたは触媒は、反応に用いる溶媒に十分に溶解するものが好ましい。アルカリまたは触媒を混合する方法としては、反応液をアルゴンや窒素などの不活性雰囲気下で攪拌しながらゆっくりとアルカリまたは触媒の溶液を添加するか、逆にアルカリまたは触媒の溶液に反応液をゆっくりと添加する方法が例示される。
【０１５７】
本発明の高分子化合物を高分子ＬＥＤ等に用いる場合、その純度が発光特性等の素子の性能に影響を与えるため、重合前のモノマーを蒸留、昇華精製、再結晶等の方法で精製したのちに重合することが好ましい。また重合後、再沈精製、クロマトグラフィーによる分別等の純化処理をすることが好ましい。
【０１５８】
次に本発明の高分子化合物の用途について説明する。
本発明の高分子化合物は、固体状態で蛍光または燐光を有し、高分子発光体（高分子量の発光材料）として用いることができる。
また、該高分子化合物は優れた電子輸送能を有しており、高分子ＬＥＤ用材料や電荷輸送材料として好適に用いることができる。
該高分子発光体を用いた高分子ＬＥＤは低電圧、高効率で駆動できる高性能の高分子ＬＥＤである。
また本発明の高分子化合物を用いた高分子ＬＥＤは、対応するポリフルオレン誘導体、ポリフェニレン誘導体を用いた高分子ＬＥＤより通常、長寿命である。従って、該高分子ＬＥＤは液晶ディスプレイのバックライト、または照明用としての曲面状や平面状の光源、セグメントタイプの表示素子、ドットマトリックスのフラットパネルディスプレイ等の装置に好ましく使用できる。
また、本発明の高分子化合物はレーザー用色素、有機太陽電池用材料、有機トランジスタ用の有機半導体、発光性薄膜、導電性薄膜、有機半導体薄膜などの伝導性薄膜用材料としても用いることができる。
【０１５９】
次に、本発明の高分子ＬＥＤについて説明する。
本発明の高分子ＬＥＤは、陽極および陰極からなる電極間に、有機層を有し、該有機層が本発明の高分子化合物を含むことを特徴とする。
有機層は、発光層、正孔輸送層、電子輸送層等のいずれであってもよいが、有機層が発光層であることが好ましい。
【０１６０】
ここに、発光層とは、発光する機能を有する層をいい、正孔輸送層とは、正孔を輸送する機能を有する層をいい、電子輸送層とは、電子を輸送する機能を有する層をいう。なお、電子輸送層と正孔輸送層を総称して電荷輸送層と呼ぶ。発光層、正孔輸送層、電子輸送層は、それぞれ独立に２層以上用いてもよい。
【０１６１】
有機層が発光層である場合、有機層である発光層がさらに正孔輸送材料、電子輸送材料または発光材料を含んでいてもよい。ここで、発光材料とは、蛍光および／または燐光を示す材料のことをさす。
【０１６２】
本発明の高分子化合物と正孔輸送材料と混合する場合には、その混合物全体に対して、正孔輸送材料の混合割合は１ｗｔ％〜８０ｗｔ％であり、好ましくは５ｗｔ％〜６０ｗｔ％である。本発明の高分子材料と電子輸送材料を混合する場合には、その混合物全体に対して電子輸送材料の混合割合は１ｗｔ％〜８０ｗｔ％であり、好ましくは５ｗｔ％〜６０ｗｔ％である。さらに、本発明の高分子化合物と発光材料を混合する場合にはその混合物全体に対して発光材料の混合割合は１ｗｔ％〜８０ｗｔ％であり、好ましくは５ｗｔ％〜６０ｗｔ％である。本発明の高分子化合物と発光材料、正孔輸送材料および／または電子輸送材料を混合する場合にはその混合物全体に対して発光材料の混合割合は１ｗｔ％〜５０ｗｔ％であり、好ましくは５ｗｔ％〜４０ｗｔ％であり、正孔輸送材料と電子輸送材料はそれらの合計で１ｗｔ％〜５０ｗｔ％であり、好ましくは５ｗｔ％〜４０ｗｔ％であり、本発明の高分子化合物の含有量は９９ｗｔ％〜２０ｗｔ％である。
【０１６３】
混合する正孔輸送材料、電子輸送材料、発光材料は公知の低分子化合物や高分子化合物が使用できるが、高分子化合物を用いることが好ましい。　高分子化合物の正孔輸送材料、電子輸送材料および発光材料としては、ＷＯ９９／１３６９２、ＷＯ９９／４８１６０、ＧＢ２３４０３０４Ａ、ＷＯ００／５３６５６、ＷＯ０１／１９８３４、ＷＯ００／５５９２７、ＧＢ２３４８３１６、ＷＯ００／４６３２１、ＷＯ００／０６６６５、ＷＯ９９／５４９４３、ＷＯ９９／５４３８５、ＵＳ５７７７０７０、ＷＯ９８／０６７７３、ＷＯ９７／０５１８４、ＷＯ００／３５９８７、ＷＯ００／５３６５５、ＷＯ０１／３４７２２、ＷＯ９９／２４５２６、ＷＯ００／２２０２７、ＷＯ００／２２０２６、ＷＯ９８／２７１３６、ＵＳ５７３６３６、ＷＯ９８／２１２６２、ＵＳ５７４１９２１、ＷＯ９７／０９３９４、ＷＯ９６／２９３５６、ＷＯ９６／１０６１７、ＥＰ０７０７０２０、ＷＯ９５／０７９５５、特開平２００１−１８１６１８、特開平２００１−１２３１５６、特開平２００１−３０４５、特開平２０００−３５１９６７、特開平２０００−３０３０６６、特開平２０００−２９９１８９、特開平２０００−２５２０６５、特開平２０００−１３６３７９、特開平２０００−１０４０５７、特開平２０００−８０１６７、特開平１０−３２４８７０、特開平１０−１１４８９１、特開平９−１１１２３３、特開平９−４５４７８等に開示されているポリフルオレン、その誘導体および共重合体、ポリアリーレン、その誘導体および共重合体、ポリアリーレンビニレン、その誘導体および共重合体、芳香族アミンおよびその誘導体の（共）重合体が例示される。
低分子化合物の蛍光性材料としでは、例えば、ナフタレン誘導体、アントラセンもしくはその誘導体、ペリレンもしくはその誘導体、ポリメチン系、キサンテン系、クマリン系、シアニン系などの色素類、８−ヒドロキシキノリンもしくはその誘導体の金属錯体、芳香族アミン、テトラフェニルシクロペンタジエンもしくはその誘導体、またはテトラフェニルブタジエンもしくはその誘導体などを用いることができる。
具体的には、例えば特開昭５７−５１７８１号、同５９−１９４３９３号公報に記載されているもの等、公知のものが使用可能である。
【０１６４】
低分子化合物の燐光材料としでは、例えば、イリジウムを中心金属とするＩｒ（ｐｐｙ）３、Ｂｔｐ２Ｉｒ（ａｃａｃ）、白金を中心金属とするＰｔＯＥＰ、ユーロピウムを中心金属とするＥｕ（ＴＴＡ）３ｐｈｅｎ等の三重項発光錯体が挙げられる。
【０１６５】
2004059899.tif 000102
【０１６６】
2004059899.tif 000103
【０１６７】
2004059899.tif 000104
【０１６８】
2004059899.tif 000105
三重項発光錯体として具体的には、例えばＮａｔｕｒｅ，　（１９９８），　３９５，　１５１、Ａｐｐｌ．　Ｐｈｙｓ．　Ｌｅｔｔ．　（１９９９），　７５（１），　４、Ｐｒｏｃ．　ＳＰＩＥ−Ｉｎｔ．　Ｓｏｃ．　Ｏｐｔ．　Ｅｎｇ．　（２００１），　４１０５（Ｏｒｇａｎｉｃ　Ｌｉｇｈｔ−Ｅｍｉｔｔｉｎｇ　Ｍａｔｅｒｉａｌｓ　ａｎｄ　ＤｅｖｉｃｅｓＩＶ），　１１９、Ｊ．　Ａｍ．　Ｃｈｅｍ．　Ｓｏｃ．，　（２００１），　１２３，　４３０４、Ａｐｐｌ．　Ｐｈｙｓ．　Ｌｅｔｔ．，　（１９９７），　７１（１８），　２５９６、Ｓｙｎ．　Ｍｅｔ．，　（１９９８），　９４（１），　１０３、Ｓｙｎ．　Ｍｅｔ．，　（１９９９），　９９（２），　１３６１、Ａｄｖ．　Ｍａｔｅｒ．，　（１９９９），　１１（１０），　８５２　、Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，３４，　１８８３　（１９９５）などに記載されている。
【０１６９】
三重項発光錯体と混合する高分子化合物として、その製造の容易さの観点から、式（１−１）で示される構造のみを有するものを用いることが好ましい。
本発明の組成物は、正孔輸送材料、電子輸送材料および発光材料から選ばれる少なくとも１種類の材料と本発明の高分子化合物とを含有し、発光材料や電荷輸送材料として用いることができる。本発明の組成物は、本発明の高分子化合物を２種以上含有していてもよい。
その正孔輸送材料、電子輸送材料、発光材料から選ばれる少なくとも１種類の材料と本発明の高分子化合物の含有比率は、用途に応じて決めればよいが、発光材料の用途の場合は、上記の発光層におけると同じ含有比率が好ましい。
【０１７０】
本発明の高分子ＬＥＤが有する発光層の膜厚としては、用いる材料によって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように選択すればよいが、例えば１ｎｍから１μｍであり、好ましくは２ｎｍ〜５００ｎｍであり、さらに好ましくは５ｎｍ〜２００ｎｍである。
【０１７１】
発光層の形成方法としては、例えば、溶液からの成膜による方法が例示される。溶液からの成膜方法としては、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法等の塗布法を用いることができる。パターン形成や多色の塗分けが容易であるという点で、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法等の印刷法が好ましい。
【０１７２】
印刷法等で用いるインク組成物としては、少なくとも１種類の本発明の高分子化合物が含有されていればよく、また本発明の高分子化合物以外に正孔輸送材料、電子輸送材料、発光材料、溶媒、安定剤などの添加剤を含んでいてもよい。
該インク組成物中における本発明の高分子化合物の割合は、溶媒を除いた組成物の全重量に対して２０ｗｔ％〜１００ｗｔ％であり、好ましくは４０ｗｔ％〜１００ｗｔ％である。
またインク組成物中に溶媒が含まれる場合の溶媒の割合は、組成物の全重量に対して１ｗｔ％〜９９．９ｗｔ％であり、好ましくは６０ｗｔ％〜９９．５ｗｔ％であり、さらに好ましく８０ｗｔ％〜９９．０ｗｔ％である。
インク組成物の粘度は印刷法によって異なるが、インクジェットプリント法などインク組成物中が吐出装置を経由するもの場合には、吐出時の目づまりや飛行曲がりを防止するために粘度が２５℃において１〜２０ｍＰａ・ｓの範囲であることが好ましい。
インク組成物として用いる溶媒としては特に制限はないが、該インク組成物を構成する溶媒以外の材料を溶解または均一に分散できるものが好ましい。該インク組成物を構成する材料が非極性溶媒に可溶なものである場合に、該溶媒としてクロロホルム、塩化メチレン、ジクロロエタン等の塩素系溶媒、テトラヒドロフラン等のエーテル系溶媒、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン等のケトン系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテート等のエステル系溶媒が例示される。
【０１７３】
また、本発明の高分子ＬＥＤとしては、陰極と発光層との間に、電子輸送層を設けた高分子ＬＥＤ、陽極と発光層との間に、正孔輸送層を設けた高分子ＬＥＤ、陰極と発光層との間に、電子輸送層を設け、かつ陽極と発光層との間に、正孔輸送層を設けた高分子ＬＥＤ等が挙げられる。
【０１７４】
例えば、具体的には、以下のａ）〜ｄ）の構造が例示される。
ａ）陽極／発光層／陰極
ｂ）陽極／正孔輸送層／発光層／陰極
ｃ）陽極／発光層／電子輸送層／陰極
ｄ）陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極
（ここで、／は各層が隣接して積層されていることを示す。以下同じ。）
【０１７５】
本発明の高分子ＬＥＤが正孔輸送層を有する場合、使用される正孔輸送材料としては、ポリビニルカルバゾールもしくはその誘導体、ポリシランもしくはその誘導体、側鎖もしくは主鎖に芳香族アミンを有するポリシロキサン誘導体、ピラゾリン誘導体、アリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体、ポリアニリンもしくはその誘導体、ポリチオフェンもしくはその誘導体、ポリピロールもしくはその誘導体、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）もしくはその誘導体、またはポリ（２，５−チエニレンビニレン）もしくはその誘導体などが例示される。
【０１７６】
具体的には、該正孔輸送材料として、特開昭６３−７０２５７号公報、同６３−１７５８６０号公報、特開平２−１３５３５９号公報、同２−１３５３６１号公報、同２−２０９９８８号公報、同３−３７９９２号公報、同３−１５２１８４号公報に記載されているもの等が例示される。
【０１７７】
これらの中で、正孔輸送層に用いる正孔輸送材料として、ポリビニルカルバゾールもしくはその誘導体、ポリシランもしくはその誘導体、側鎖もしくは主鎖に芳香族アミン化合物基を有するポリシロキサン誘導体、ポリアニリンもしくはその誘導体、ポリチオフェンもしくはその誘導体、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）もしくはその誘導体、またはポリ（２，５−チエニレンビニレン）もしくはその誘導体等の高分子正孔輸送材料が好ましく、さらに好ましくはポリビニルカルバゾールもしくはその誘導体、ポリシランもしくはその誘導体、側鎖もしくは主鎖に芳香族アミンを有するポリシロキサン誘導体である。
【０１７８】
また、低分子化合物の正孔輸送材料としてはピラゾリン誘導体、アリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体が例示される。低分子の正孔輸送材料の場合には、高分子バインダーに分散させて用いることが好ましい。
【０１７９】
混合する高分子バインダーとしては、電荷輸送を極度に阻害しないものが好ましく、また可視光に対する吸収が強くないものが好適に用いられる。該高分子バインダーとして、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）、ポリアニリンもしくはその誘導体、ポリチオフェンもしくはその誘導体、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）もしくはその誘導体、ポリ（２，５−チエニレンビニレン）もしくはその誘導体、ポリカーボネート、ポリアクリレート、ポリメチルアクリレート、ポリメチルメタクリレート、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリシロキサン等が例示される。
【０１８０】
ポリビニルカルバゾールもしくはその誘導体は、例えばビニルモノマーからカチオン重合またはラジカル重合によって得られる。
【０１８１】
ポリシランもしくはその誘導体としては、ケミカル・レビュー（Ｃｈｅｍ．Ｒｅｖ．）第８９巻、１３５９頁（１９８９年）、英国特許ＧＢ２３００１９６号公開明細書に記載の化合物等が例示される。合成方法もこれらに記載の方法を用いることができるが、特にキッピング法が好適に用いられる。
【０１８２】
ポリシロキサンもしくはその誘導体は、シロキサン骨格構造には正孔輸送がほとんどないので、側鎖または主鎖に上記低分子正孔輸送材料の構造を有するものが好適に用いられる。特に正孔輸送の芳香族アミンを側鎖または主鎖に有するものが例示される。
【０１８３】
正孔輸送層の成膜の方法に制限はないが、低分子正孔輸送材料では、高分子バインダーとの混合溶液からの成膜による方法が例示される。また、高分子正孔輸送材料では、溶液からの成膜による方法が例示される。
【０１８４】
溶液からの成膜に用いる溶媒としては、正孔輸送材料を溶解させるものであれば特に制限はない。該溶媒として、クロロホルム、塩化メチレン、ジクロロエタン等の塩素系溶媒、テトラヒドロフラン等のエーテル系溶媒、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン等のケトン系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテート等のエステル系溶媒が例示される。
【０１８５】
溶液からの成膜方法としては、溶液からのスピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法等の塗布法を用いることができる。
【０１８６】
正孔輸送層の膜厚としては、用いる材料によって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように選択すればよいが、少なくともピンホールが発生しないような厚さが必要であり、あまり厚いと、素子の駆動電圧が高くなり好ましくない。従って、該正孔輸送層の膜厚としては、例えば１ｎｍから１μｍであり、好ましくは２ｎｍ〜５００ｎｍであり、さらに好ましくは５ｎｍ〜２００ｎｍである。
【０１８７】
本発明の高分子ＬＥＤが電子輸送層を有する場合、使用される電子輸送材料としては公知のものが使用でき、オキサジアゾール誘導体、アントラキノジメタンもしくはその誘導体、ベンゾキノンもしくはその誘導体、ナフトキノンもしくはその誘導体、アントラキノンもしくはその誘導体、テトラシアノアンスラキノジメタンもしくはその誘導体、フルオレノン誘導体、ジフェニルジシアノエチレンもしくはその誘導体、ジフェノキノン誘導体、または８−ヒドロキシキノリンもしくはその誘導体の金属錯体、ポリキノリンもしくはその誘導体、ポリキノキサリンもしくはその誘導体、ポリフルオレンもしくはその誘導体等が例示される。
【０１８８】
具体的には、特開昭６３−７０２５７号公報、同６３−１７５８６０号公報、特開平２−１３５３５９号公報、同２−１３５３６１号公報、同２−２０９９８８号公報、同３−３７９９２号公報、同３−１５２１８４号公報に記載されているもの等が例示される。
【０１８９】
これらのうち、オキサジアゾール誘導体、ベンゾキノンもしくはその誘導体、アントラキノンもしくはその誘導体、または８−ヒドロキシキノリンもしくはその誘導体の金属錯体、ポリキノリンもしくはその誘導体、ポリキノキサリンもしくはその誘導体、ポリフルオレンもしくはその誘導体が好ましく、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール、ベンゾキノン、アントラキノン、トリス（８−キノリノール）アルミニウム、ポリキノリンがさらに好ましい。
【０１９０】
電子輸送層の成膜法としては特に制限はないが、低分子電子輸送材料では、粉末からの真空蒸着法、または溶液もしくは溶融状態からの成膜による方法が、高分子電子輸送材料では溶液または溶融状態からの成膜による方法がそれぞれ例示される。溶液または溶融状態からの成膜時には、上記の高分子バインダーを併用してもよい。
【０１９１】
溶液からの成膜に用いる溶媒としては、電子輸送材料および／または高分子バインダーを溶解させるものであれば特に制限はない。該溶媒として、クロロホルム、塩化メチレン、ジクロロエタン等の塩素系溶媒、テトラヒドロフラン等のエーテル系溶媒、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン等のケトン系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテート等のエステル系溶媒が例示される。
【０１９２】
溶液または溶融状態からの成膜方法としては、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法等の塗布法を用いることができる。
【０１９３】
電子輸送層の膜厚としては、用いる材料によって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように選択すればよいが、少なくともピンホールが発生しないような厚さが必要であり、あまり厚いと、素子の駆動電圧が高くなり好ましくない。従って、該電子輸送層の膜厚としては、例えば１ｎｍから１μｍであり、好ましくは２ｎｍ〜５００ｎｍであり、さらに好ましくは５ｎｍ〜２００ｎｍである。
【０１９４】
また、電極に隣接して設けた電荷輸送層のうち、電極からの電荷注入効率を改善する機能を有し、素子の駆動電圧を下げる効果を有するものは、特に電荷注入層（正孔注入層、電子注入層）と一般に呼ばれることがある。
【０１９５】
さらに電極との密着性向上や電極からの電荷注入の改善のために、電極に隣接して前記の電荷注入層又は膜厚２ｎｍ以下の絶縁層を設けてもよく、また、界面の密着性向上や混合の防止等のために電荷輸送層や発光層の界面に薄いバッファー層を挿入してもよい。
積層する層の順番や数、および各層の厚さについては、発光効率や素子寿命を勘案して適宜用いることができる。
【０１９６】
本発明において、電荷注入層（電子注入層、正孔注入層）を設けた高分子ＬＥＤとしては、陰極に隣接して電荷注入層を設けた高分子ＬＥＤ、陽極に隣接して電荷注入層を設けた高分子ＬＥＤが挙げられる。
例えば、具体的には、以下のｅ）〜ｐ）の構造が挙げられる。
ｅ）陽極／電荷注入層／発光層／陰極
ｆ）陽極／発光層／電荷注入層／陰極
ｇ）陽極／電荷注入層／発光層／電荷注入層／陰極
ｈ）陽極／電荷注入層／正孔輸送層／発光層／陰極
ｉ）陽極／正孔輸送層／発光層／電荷注入層／陰極
ｊ）陽極／電荷注入層／正孔輸送層／発光層／電荷注入層／陰極
ｋ）陽極／電荷注入層／発光層／電子輸送層／陰極
ｌ）陽極／発光層／電子輸送層／電荷注入層／陰極
ｍ）陽極／電荷注入層／発光層／電子輸送層／電荷注入層／陰極
ｎ）陽極／電荷注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極
ｏ）陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電荷注入層／陰極
ｐ）陽極／電荷注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電荷注入層／陰極
【０１９７】
電荷注入層の具体的な例としては、導電性高分子を含む層、陽極と正孔輸送層との間に設けられ、陽極材料と正孔輸送層に含まれる正孔輸送材料との中間の値のイオン化ポテンシャルを有する材料を含む層、陰極と電子輸送層との間に設けられ、陰極材料と電子輸送層に含まれる電子輸送材料との中間の値の電子親和力を有する材料を含む層などが例示される。
【０１９８】
上記電荷注入層が導電性高分子を含む層の場合、該導電性高分子の電気伝導度は、１０−５Ｓ／ｃｍ以上１０３以下であることが好ましく、発光画素間のリーク電流を小さくするためには、１０−５Ｓ／ｃｍ以上１０２以下がより好ましく、１０−５Ｓ／ｃｍ以上１０１以下がさらに好ましい。
【０１９９】
上記電荷注入層が導電性高分子を含む層の場合、該導電性高分子の電気伝導度は、１０−５Ｓ／ｃｍ以上１０３Ｓ／ｃｍ以下であることが好ましく、発光画素間のリーク電流を小さくするためには、１０−５Ｓ／ｃｍ以上１０２Ｓ／ｃｍ以下がより好ましく、１０−５Ｓ／ｃｍ以上１０１Ｓ／ｃｍ以下がさらに好ましい。
通常は該導電性高分子の電気伝導度を１０−５Ｓ／ｃｍ以上１０３以下とするために、該導電性高分子に適量のイオンをドープする。
【０２００】
ドープするイオンの種類は、正孔注入層であればアニオン、電子注入層であればカチオンである。アニオンの例としては、ポリスチレンスルホン酸イオン、アルキルベンゼンスルホン酸イオン、樟脳スルホン酸イオンなどが例示され、カチオンの例としては、リチウムイオン、ナトリウムイオン、カリウムイオン、テトラブチルアンモニウムイオンなどが例示される。
電荷注入層の膜厚としては、例えば１ｎｍ〜１００ｎｍであり、２ｎｍ〜５０ｎｍが好ましい。
【０２０１】
電荷注入層に用いる材料は、電極や隣接する層の材料との関係で適宜選択すればよく、ポリアニリンおよびその誘導体、ポリチオフェンおよびその誘導体、ポリピロールおよびその誘導体、ポリフェニレンビニレンおよびその誘導体、ポリチエニレンビニレンおよびその誘導体、ポリキノリンおよびその誘導体、ポリキノキサリンおよびその誘導体、芳香族アミン構造を主鎖または側鎖に含む重合体などの導電性高分子、金属フタロシアニン（銅フタロシアニンなど）、カーボンなどが例示される。
【０２０２】
膜厚２ｎｍ以下の絶縁層は電荷注入を容易にする機能を有するものである。上記絶縁層の材料としては、金属フッ化物、金属酸化物、有機絶縁材料等が挙げられる。膜厚２ｎｍ以下の絶縁層を設けた高分子ＬＥＤとしては、陰極に隣接して膜厚２ｎｍ以下の絶縁層を設けた高分子ＬＥＤ、陽極に隣接して膜厚２ｎｍ以下の絶縁層を設けた高分子ＬＥＤが挙げられる。
【０２０３】
具体的には、例えば、以下のｑ）〜ａｂ）の構造が挙げられる。
ｑ）陽極／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／発光層／陰極
ｒ）陽極／発光層／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／陰極
ｓ）陽極／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／発光層／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／陰極
ｔ）陽極／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／正孔輸送層／発光層／陰極
ｕ）陽極／正孔輸送層／発光層／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／陰極
ｖ）陽極／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／正孔輸送層／発光層／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／陰極
ｗ）陽極／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／発光層／電子輸送層／陰極
ｘ）陽極／発光層／電子輸送層／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／陰極
ｙ）陽極／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／発光層／電子輸送層／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／陰極
ｚ）陽極／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極
ａａ）陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／陰極
ａｂ）陽極／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／陰極
【０２０４】
本発明の高分子ＬＥＤを形成する基板は、電極を形成し、有機物の層を形成する際に変化しないものであればよく、例えばガラス、プラスチック、高分子フィルム、シリコン基板などが例示される。不透明な基板の場合には、反対の電極が透明または半透明であることが好ましい。
【０２０５】
通常本発明の高分子ＬＥＤが有する陽極および陰極の少なくとも一方が透明または半透明である。陽極側が透明または半透明であることが好ましい。
該陽極の材料としては、導電性の金属酸化物膜、半透明の金属薄膜等が用いられる。具体的には、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、およびそれらの複合体であるインジウム・スズ・オキサイド（ＩＴＯ）、インジウム・亜鉛・オキサイド等からなる導電性ガラスを用いて作成された膜（ＮＥＳＡなど）や、金、白金、銀、銅等が用いられ、ＩＴＯ、インジウム・亜鉛・オキサイド、酸化スズが好ましい。作製方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、メッキ法等が挙げられる。また、該陽極として、ポリアニリンもしくはその誘導体、ポリチオフェンもしくはその誘導体などの有機の透明導電膜を用いてもよい。
陽極の膜厚は、光の透過性と電気伝導度とを考慮して、適宜選択することができるが、例えば１０ｎｍから１０μｍであり、好ましくは２０ｎｍ〜１μｍであり、さらに好ましくは５０ｎｍ〜５００ｎｍである。
また、陽極上に、電荷注入を容易にするために、フタロシアニン誘導体、導電性高分子、カーボンなどからなる層、あるいは金属酸化物や金属フッ化物、有機絶縁材料等からなる平均膜厚２ｎｍ以下の層を設けてもよい。
【０２０６】
本発明の高分子ＬＥＤで用いる陰極の材料としては、仕事関数の小さい材料が好ましい。例えば、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、アルミニウム、スカンジウム、バナジウム、亜鉛、イットリウム、インジウム、セリウム、サマリウム、ユーロピウム、テルビウム、イッテルビウムなどの金属、およびそれらのうち２つ以上の合金、あるいはそれらのうち１つ以上と、金、銀、白金、銅、マンガン、チタン、コバルト、ニッケル、タングステン、錫のうち１つ以上との合金、グラファイトまたはグラファイト層間化合物等が用いられる。合金の例としては、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金、インジウム−銀合金、リチウム−アルミニウム合金、リチウム−マグネシウム合金、リチウム−インジウム合金、カルシウム−アルミニウム合金などが挙げられる。陰極を２層以上の積層構造としてもよい。
陰極の膜厚は、電気伝導度や耐久性を考慮して、適宜選択することができるが、例えば１０ｎｍから１０μｍであり、好ましくは２０ｎｍ〜１μｍであり、さらに好ましくは５０ｎｍ〜５００ｎｍである。
【０２０７】
陰極の作製方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、また金属薄膜を熱圧着するラミネート法等が用いられる。また、陰極と有機物層との間に、導電性高分子からなる層、あるいは金属酸化物や金属フッ化物、有機絶縁材料等からなる平均膜厚２ｎｍ以下の層を設けてもよく、陰極作製後、該高分子ＬＥＤを保護する保護層を装着していてもよい。該高分子ＬＥＤを長期安定的に用いるためには、素子を外部から保護するために、保護層および／または保護カバーを装着することが好ましい。
【０２０８】
該保護層としては、高分子化合物、金属酸化物、金属フッ化物、金属ホウ化物などを用いることができる。また、保護カバーとしては、ガラス板、表面に低透水率処理を施したプラスチック板などを用いることができ、該カバーを熱効果樹脂や光硬化樹脂で素子基板と貼り合わせて密閉する方法が好適に用いられる。スペーサーを用いて空間を維持すれば、素子がキズつくのを防ぐことが容易である。該空間に窒素やアルゴンのような不活性なガスを封入すれば、陰極の酸化を防止することができ、さらに酸化バリウム等の乾燥剤を該空間内に設置することにより製造工程で吸着した水分が素子にタメージを与えるのを抑制することが容易となる。これらのうち、いずれか１つ以上の方策をとることが好ましい。
【０２０９】
本発明の高分子ＬＥＤは面状光源、セグメント表示装置、ドットマトリックス表示装置、液晶表示装置のバックライトとして用いることができる。
本発明の高分子ＬＥＤを用いて面状の発光を得るためには、面状の陽極と陰極が重なり合うように配置すればよい。また、パターン状の発光を得るためには、前記面状の発光素子の表面にパターン状の窓を設けたマスクを設置する方法、非発光部の有機物層を極端に厚く形成し実質的に非発光とする方法、陽極または陰極のいずれか一方、または両方の電極をパターン状に形成する方法がある。これらのいずれかの方法でパターンを形成し、いくつかの電極を独立にＯｎ／ＯＦＦできるように配置することにより、数字や文字、簡単な記号などを表示できるセグメントタイプの表示素子が得られる。更に、ドットマトリックス素子とするためには、陽極と陰極をともにストライプ状に形成して直交するように配置すればよい。複数の種類の発光色の異なる高分子発光体を塗り分ける方法や、カラーフィルターまたは蛍光変換フィルターを用いる方法により、部分カラー表示、マルチカラー表示が可能となる。ドットマトリックス素子は、パッシブ駆動も可能であるし、ＴＦＴなどと組み合わせてアクティブ駆動してもよい。これらの表示素子は、コンピュータ、テレビ、携帯端末、携帯電話、カーナビゲーション、ビデオカメラのビューファインダーなどの表示装置として用いることができる。
【０２１０】
さらに、前記面状の発光素子は、自発光薄型であり、液晶表示装置のバックライト用の面状光源、あるいは面状の照明用光源として好適に用いることができる。また、フレキシブルな基板を用いれば、曲面状の光源や表示装置としても使用できる。
【０２１１】
【実施例】
以下、本発明をさらに詳細に説明するために実施例を示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。
ここで、数平均分子量については、クロロホルムを溶媒として、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）によりポリスチレン換算の数平均分子量を求めた。
【０２１２】
合成例１　（化合物Ａの合成）
2004059899.tif 000106
化合物Ａ
不活性雰囲気下１ｌの三つ口フラスコにベンゾフラン（２３．２ｇ、１３７．９ｍｍｏｌ）と酢酸（２３２ｇ）を入れ、室温で撹拌、溶かした後、７５℃まで昇温した。昇温後、臭素（９２．６ｇ、５７９．３ｍｍｏｌ）を酢酸（５４ｇ）で希釈したものを滴下した。滴下終了後、温度を保持したまま３時間撹拌し、放冷した。ＴＬＣで原料の消失を確認した後、チオ硫酸ナトリウム水を加え反応を終了させ、室温で１時間撹拌した。撹拌後、ろ過を行いケーキをろ別し、さらにチオ硫酸ナトリウム水、水で洗浄した後、乾燥した。得られた粗生成物をヘキサンにて再結晶し、目的物を得た。（収量：２１．８ｇ、収率：４９％）
１Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ／ＣＤＣｌ３）：
δ７．４４（ｄ、２Ｈ）、７．５７（ｄ、２Ｈ）、８．０３（ｓ、２Ｈ）
【０２１３】
合成例２
化合物Ｂ
2004059899.tif 000107
不活性雰囲気下で５００ｍｌの四つ口フラスコに化合物Ａ（１６．６ｇ、５０．９ｍｍｏｌ）とテトラヒドロフラン（２９３ｇ）を入れ、−７８℃まで冷却した。ｎ−ブチルリチウム（８０ｍｌ＜１．６　ｍｏｌ／Ｌ　ヘキサン溶液＞、１２７．３ｍｍｏｌ）を滴下した後、温度を保持したまま１時間撹拌した。この反応液を、不活性雰囲気下で１０００ｍｌの四つ口フラスコにトリメトキシボロン酸（３１．７ｇ、３０５．５ｍｍｏｌ）とテトラヒドロフラン（２５０ｍｌ）を入れ、−７８℃まで冷却したものに滴下した。滴下終了後、ゆっくり室温まで戻し、２時間室温で撹拌後、ＴＬＣで原料の消失を確認した。反応終了マスを、２０００ｍｌビーカーに濃硫酸（３０ｇ）と水（６００ｍｌ）をいれたものに、注入し、反応を終了させた。トルエン（３００ｍｌ）を加え、有機層を抽出し、さらに水を加えて洗浄した。溶媒を留去後、そのうち８ｇと酢酸エチル（１６０ｍｌ）を３００ｍｌの四つ口フラスコにいれ、つづいて３０％過酸化水素水（７．０９ｇ）を加え、４０℃で２時間撹拌した。この反応液を、１０００ｍｌのビーカーに硫酸アンモニウム鉄（ＩＩ）（７１ｇ）と水（５００ｍｌ）の水溶液に注入した。撹拌後、有機層を抽出し、有機層を水で洗浄した。溶媒を除去することにより、化合物Ｂ粗製物７．５７ｇを得た。
ＭＳスペクトル：［Ｍ−Ｈ］−　１９９．０
【０２１４】
合成例３　（化合物Ｃの合成）
2004059899.tif 000108
化合物Ｃ
不活性雰囲気下で２００ｍｌの四つ口フラスコに合成例２と同様の方法で合成した化合物Ｂ（２．２８ｇ、１１．４ｍｍｏｌ）とＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（２３ｇ）を入れ、室温で撹拌、溶かした後、炭酸カリウム（９．４５ｇ、６８．３ｍｍｏｌ）　を入れ１００℃まで昇温した。昇温後、臭化ｎ−オクチル（６．６０ｇ、３４．２ｍｍｏｌ）をＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（１１ｇ）で希釈したものを滴下した。滴下終了後、６０℃まで昇温し、温度を保持したまま２時間撹拌し、ＴＬＣで原料の消失を確認した。水（５０ｍｌ）を加え反応を終了させ、つづいてトルエン（５０ｍｌ）を加え、有機層を抽出し、有機層を水で２回洗浄した。無水硫酸ナトリウムで乾燥後、溶媒留去した。得られた粗生成物をシリカゲルカラムで精製することにより、目的物を得た。（収量：１．８４ｇ、収率：３８％）
ＭＳスペクトル：Ｍ＋　４２５．３
【０２１５】
実施例１　　（化合物Ｄの合成）
2004059899.tif 000109
化合物Ｄ
不活性雰囲気下５００ｍｌ四つ口フラスコに合成例３と同様の方法で合成した化合物Ｃ（７．５０ｇ、１７．７ｍｍｏｌ）とＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミドを入れ、室温で撹拌、溶かした後、氷浴で冷却した。冷却後、Ｎ−ブロモスクシンイミド（６．３８ｇ、３５．９ｍｍｏｌ）をＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（２２５ｍｌ）で希釈したものを滴下した。滴下終了後、氷浴で１時間、室温で１８．５時間、４０℃まで昇温し、温度を保持したまま６．５時間撹拌し、液体クロマトグラフィーで原料の消失を確認した。溶媒を除去し、トルエン（７５ｍｌ）を加え溶解した後、有機層を水で３回洗浄した。無水硫酸ナトリウムで乾燥後、溶媒留去した。得られた粗生成物の約半量をシリカゲルカラムおよび液体クロマトグラフィー分取で精製することにより、目的物を得た。（収量：０．３２６ｇ）
１Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ／ＣＤＣｌ３）：
δ０．９０（ｔ、６Ｈ）、１．２６〜１．９５（ｍ、２４Ｈ）、４．１１（ｔ、４Ｈ）、７．３４（ｓ、２Ｈ）、７．７４（ｓ、２Ｈ）
ＭＳスペクトル：Ｍ＋　５８２．１
【０２１６】
実施例２
＜高分子化合物１の合成＞
化合物Ｄ　３０６ｍｇとＮ，Ｎ’−ビス（４−ブロモフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ｎ−ブチルフェニル）−１，４−フェニレンジアミン　１５３ｍｇおよび２，２’−ビピリジル　２８０ｍｇを脱水したテトラヒドロフラン２０ｍＬに溶解した後、窒素雰囲気下において、この溶液に、ビス（１、５−シクロオクタジエン）ニッケル（０）｛Ｎｉ（ＣＯＤ）２｝　６００ｍｇ加え、６０℃まで昇温し、３時間反応させた。反応後、この反応液を室温まで冷却し、２５％アンモニア水１０ｍｌ／メタノール１２０ｍｌ／イオン交換水５０ｍｌ混合溶液中に滴下して１時間攪拌した後、析出した沈殿をろ過して２時間減圧乾燥し、トルエン５０ｍｌに溶解させた。不溶物をろ過して除去し、その後、シリカアルミナカラム（シリカ量１０ｍｌ、アルミナ量１０ｍｌ）を通して精製を行い、回収したトルエン溶液をメタノール２００ｍｌに滴下して１時間攪拌し、析出した沈殿をろ過して２時間減圧乾燥させた。得られた重合体の収量は１１０ｍｇであった。共重合体において、ジベンゾフラン誘導体とアミン誘導体の繰り返し単位の比は、７０：３０である。
この重合体を高分子化合物１と呼ぶ。
高分子化合物１のポリスチレン換算の数平均分子量は、Ｍｎ＝１．３×１０４、重量平均分子量は、Ｍｗ＝６．３×１０４であった。
【０２１７】
実施例３
＜蛍光特性＞
高分子化合物１の０．２ｗｔ％クロロホルム溶液を石英上にスピンコートして高分子化合物の薄膜をそれぞれ作製した。これらの薄膜の蛍光スペクトルとを、蛍光分光光度計（日立製作所８５０）を用いて測定した。その結果、強い蛍光を有し、４７４ｎｍの蛍光ピーク波長を示した。
【０２１８】
実施例４
＜素子特性＞
スパッタ法により１５０ｎｍの厚みでＩＴＯ膜を付けたガラス基板に、ポリ（エチレンジオキシチオフェン）／ポリスチレンスルホン酸の溶液（バイエル社、ＢａｙｔｒｏｎＰ）を用いてスピンコートにより５０ｎｍの厚みで成膜し、ホットプレート上で２００℃で１０分間乾燥した。次に、上記で得た高分子化合物１を１．５ｗｔ％となるように調製したトルエン溶液を用いてスピンコートにより８００ｒｐｍの回転速度で成膜した。膜厚は約６０ｎｍであった。さらに、これを減圧下８０℃で１時間乾燥した後、陰極バッファー層として、ＬｉＦを約４ｎｍ、陰極として、カルシウムを約５ｎｍ、次いでアルミニウムを約８０ｎｍ蒸着して、ＥＬ素子を作製した。なお真空度が、１×１０−４Ｐａ以下に到達したのち、金属の蒸着を開始した。得られた素子に電圧を引加することにより、この素子から４６８ｎｍにピークを有するＥＬ発光が得られた。ＥＬ発光の強度は電流密度にほぼ比例していた。該素子は、約３．３Ｖで輝度が１ｃｄ／ｍ２を越え、最高１．０１ｃｄ／Ａの効率を示した。
【０２１９】
実施例５
＜高分子化合物２の合成＞
化合物Ｄ　２８５ｍｇとＮ，Ｎ’−ビス（４−ブロモフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ｎ−ブチルフェニル）−１，４−フェニレンジアミン　４８ｍｇ、Ｎ，Ｎ−ビス（４−ブロモフェニル）−４−イソブチル−アニリン６４ｍｇおよび２，２’−ビピリジル　３１０ｍｇを脱水したテトラヒドロフラン２０ｍＬに溶解した後、窒素雰囲気下において、この溶液に、ビス（１、５−シクロオクタジエン）ニッケル（０）｛Ｎｉ（ＣＯＤ）２｝　５４０ｍｇ加え、６０℃まで昇温し、３時間反応させた。反応後、この反応液を室温まで冷却し、２５％アンモニア水１０ｍｌ／メタノール１２０ｍｌ／イオン交換水５０ｍｌ混合溶液中に滴下して３０分間攪拌した後、析出した沈殿をろ過して２時間減圧乾燥し、トルエン３０ｍｌに溶解させた。１Ｎ塩酸３０ｍＬを加えて３時間攪拌した後、水層を除去して有機層に４％アンモニア水３０ｍＬを加えて３時間攪拌した後に水層を除去した。有機層はメタノール１５０ｍＬに滴下して３０分間攪拌し、析出した沈殿をろ過して２時間減圧乾燥し、トルエン３０ｍＬに溶解させた。その後、アルミナカラム（アルミナ量１０ｇ）を通して精製を行い、回収したトルエン溶液をメタノール２００ｍＬに滴下して３０分間攪拌し、析出した沈殿をろ過して２時間減圧乾燥させた。得られた重合体の収量は９０ｍｇであった。
共重合体において、ジベンゾフラン誘導体とアミン誘導体であるＮ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ｎ−ブチルフェニル）−１，４−フェニレンジアミンおよびＮ，Ｎジフェニ−４−イソブチル−アニリンの繰り返し単位の比は、７０：１０：２０である。
この重合体を高分子化合物２と呼ぶ。
高分子化合物２のポリスチレン換算の数平均分子量は、Ｍｎ＝２．８×１０４、重量平均分子量は、Ｍｗ＝１．７×１０５であった。
【０２２０】
実施例６
＜蛍光特性＞
高分子化合物２の０．２ｗｔ％クロロホルム溶液を石英上にスピンコートして高分子化合物の薄膜をそれぞれ作製した。これらの薄膜の蛍光スペクトルとを、蛍光分光光度計（ＪＯＢＩＮＹＶＯＮ−ＳＰＥＸ社製　Ｆｌｕｏｒｏｌｏｇ）を用いて測定した。その結果、強い蛍光を有し、４５８ｎｍの蛍光ピーク波長を示した。
【０２２１】
実施例７
＜素子特性＞
スパッタ法により１５０ｎｍの厚みでＩＴＯ膜を付けたガラス基板に、ポリ（エチレンジオキシチオフェン）／ポリスチレンスルホン酸の溶液（バイエル社、ＢａｙｔｒｏｎＰ）を用いてスピンコートにより７０ｎｍの厚みで成膜し、ホットプレート上で２００℃で１０分間乾燥した。次に、上記で得た高分子化合物２を１．５ｗｔ％となるように調製したトルエン溶液を用いてスピンコートにより８００ｒｐｍの回転速度で成膜した。膜厚は約６０ｎｍであった。さらに、これを減圧下８０℃で１時間乾燥した後、陰極バッファー層として、ＬｉＦを約４ｎｍ、陰極として、カルシウムを約５ｎｍ、次いでアルミニウムを約８０ｎｍ蒸着して、ＥＬ素子を作製した。なお真空度が、１×１０−４Ｐａ以下に到達したのち、金属の蒸着を開始した。得られた素子に電圧を引加することにより、この素子から４６８ｎｍにピークを有するＥＬ発光が得られた。ＥＬ発光の強度は電流密度にほぼ比例していた。該素子は、約３．３Ｖで輝度が１ｃｄ／ｍ２を越え、最高２．９６ｃｄ／Ａの効率を示した。
【０２２２】
実施例８
＜高分子化合物３の合成＞
化合物Ｄ　２６３ｍｇおよび２，２’−ビピリジル　１８０ｍｇを脱水したテトラヒドロフラン１３ｍＬに溶解した後、窒素雰囲気下において、この溶液に、ビス（１、５−シクロオクタジエン）ニッケル（０）｛Ｎｉ（ＣＯＤ）２｝　３１０ｍｇ加え、６０℃まで昇温し、３時間反応させた。反応後、この反応液を室温まで冷却し、２５％アンモニア水７ｍｌ／メタノール８０ｍｌ／イオン交換水３０ｍｌ混合溶液中に滴下して３０分間攪拌した後、析出した沈殿をろ過して２時間減圧乾燥し、トルエン２０ｍｌに溶解させた。１Ｎ塩酸２０ｍＬを加えて３時間攪拌した後、水層を除去して有機層に４％アンモニア水２０ｍＬを加えて３時間攪拌した後に水層を除去した。有機層はメタノール１００ｍＬに滴下して３０分間攪拌し、析出した沈殿をろ過して２時間減圧乾燥し、トルエン２０ｍＬに溶解させた。その後、アルミナカラム（アルミナ量１０ｇ）を通して精製を行い、回収したトルエン溶液をメタノール１３０ｍＬに滴下して３０分間攪拌し、析出した沈殿をろ過して２時間減圧乾燥させた。得られた重合体の収量は５０ｍｇであった。
この重合体を高分子化合物３と呼ぶ。
高分子化合物３のポリスチレン換算の数平均分子量は、Ｍｎ＝８．９×１０４、重量平均分子量は、Ｍｗ＝１．９×１０５であった。
【０２２３】
実施例９
＜蛍光特性＞
高分子化合物３の０．２ｗｔ％クロロホルム溶液を石英上にスピンコートして高分子化合物の薄膜をそれぞれ作製した。これらの薄膜の蛍光スペクトルとを、蛍光分光光度計（ＪＯＢＩＮＹＶＯＮ−ＳＰＥＸ社製　Ｆｌｕｏｒｏｌｏｇ）を用いて測定した。その結果、強い蛍光を有し、４１１ｎｍの蛍光ピーク波長を示した。
【０２２４】
実施例１０
＜素子特性＞
スパッタ法により１５０ｎｍの厚みでＩＴＯ膜を付けたガラス基板に、ポリ（エチレンジオキシチオフェン）／ポリスチレンスルホン酸の溶液（バイエル社、ＢａｙｔｒｏｎＰ）を用いてスピンコートにより５０ｎｍの厚みで成膜し、ホットプレート上で２００℃で１０分間乾燥した。次に、上記で得た高分子化合物３を１．５ｗｔ％となるように調製したトルエン溶液を用いてスピンコートにより８００ｒｐｍの回転速度で成膜した。膜厚は約６０ｎｍであった。さらに、これを減圧下８０℃で１時間乾燥した後、陰極バッファー層として、ＬｉＦを約４ｎｍ、陰極として、カルシウムを約５ｎｍ、次いでアルミニウムを約８０ｎｍ蒸着して、ＥＬ素子を作製した。なお真空度が、１×１０−４Ｐａ以下に到達したのち、金属の蒸着を開始した。得られた素子に電圧を引加することにより、この素子から４５６ｎｍにピークを有するＥＬ発光が得られた。ＥＬ発光の強度は電流密度にほぼ比例していた。該素子は、約４．９Ｖで輝度が１ｃｄ／ｍ２を越え、最高０．８４ｃｄ／Ａの効率を示した。
【０２２５】
合成例４　（化合物Ｅの合成）
2004059899.tif 000110
化合物Ｅ
原料である２，２’，５，５’−テトラメトキシ−１，１’−ビフェニルは、１−ブロモ−２，５−ジメトキシベンゼンからゼロ価ニッケルを用いたカップリング反応にて合成した。
不活性雰囲気下の三つ口フラスコに２，２’，５，５’−テトラメトキシ−１，１’−ビフェニル（７．０ｇ、２６ｍｍｍｏｌ）を入れ、脱水Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（１００ｍｌ）に溶解した。フラスコを氷浴で冷却しながら、滴下ロートからＮ−クロロスクシンイミド（６．８ｇ、５２ｍｍｏｌ）の脱水Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（７０ｍｌ）を１５分かけて滴下した。滴下終了後ゆっくりと攪拌しながらゆっくりと室温へ戻し、１日攪拌した。
反応液に水（３００ｍｌ）を加えて、析出した沈殿をろ別回収した。得られた沈殿をトルエン／ヘキサンで再結晶し目的物を得た（収量　５．８ｇ）。
１Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ／ＣＤＣｌ３）：
δ３．７４（ｓ、６Ｈ）、３．８７（ｓ、６Ｈ）、６．８５（ｓ、２Ｈ）、７．０２（ｓ、２Ｈ）
【０２２６】
合成例５　（化合物Ｆの合成）
2004059899.tif 000111
化合物Ｆ
不活性雰囲気下の三つ口フラスコに化合物Ｅ（５．８ｇ、１７ｍｍｍｏｌ）を入れ、脱水塩化メチレン（１００ｍｌ）に溶解した。フラスコを氷浴で冷却しながら、滴下ロートから三臭化ホウ素の塩化メチレン溶液（１ｍｏｌ／Ｌ、５０ｍｌ）をの３０分かけて滴下した。滴下終了後ゆっくりと攪拌しながらゆっくりと室温へ戻し、一夜攪拌した。
反応液から酢酸エチルで抽出し、有機層を水洗いした後、溶媒を留去して目的物を得た（収量　４．９ｇ）。
１Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ／ＣＤＣｌ３）：
δ６．６４（ｓ、２Ｈ）、６．８２（ｓ、２Ｈ）、８．９〜９．１（ｂｒ、２Ｈ）、９．３７（ｓ、２Ｈ）。
【０２２７】
合成例６　（化合物Ｇの合成）
2004059899.tif 000112
化合物Ｇ
不活性雰囲気下の三つ口フラスコに化合物Ｆ（４．８ｇ、１７ｍｍｍｏｌ）、ゼオライト（６．７ｇ；Ｚｅｏｌｉｔｅ　ＨＳＺ　３６０ＨＵＡ（Ｔｏｓｏｈ））およびモレキュラーシーブスで乾燥したｏ−ジクロロベンゼン（１７０ｍｌ）を加えた。オイルバスで加熱（バス温１８０℃）しながら１３時間攪拌した。反応液を室温付近まで冷却し、ヘキサン（２００ｍｌ）を加えた。析出したろ別し、ヘキサンで洗浄・乾燥した。沈殿から酢酸エチルで抽出し、その溶液をシリカゲルのショートカラムでボトムカットした後、溶媒を留去して、目的物を得た（収量３．５ｇ）。
ＭＳスペクトル：［Ｍ−Ｈ］−　２６７．０
【０２２８】
合成例７　（化合物Ｈの合成）
2004059899.tif 000113
化合物Ｈ
不活性雰囲気下の三つ口フラスコに化合物Ｇ（４．２ｇ）、４−Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノピリジン（５．７ｇ）入れ、脱水塩化メチレン（４０ｍｌ）に溶解した。フラスコを氷浴で冷やしながらトリフルオロメタンスルホン酸無水物（１１ｇ）を３０分かけて滴下した。そのままゆっくりと室温まで昇温し５時間攪拌した。トルエンを加えてろ過し、ろ液をシリカゲルのショートカラムでボトムカットした後、溶媒を留去した。得られた固体をトルエン／ヘキサン系で再結晶し目的物を得た（７．６ｇ）。
１Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ／ＣＤＣｌ３）：
δ７．８０（ｓ、２Ｈ）、７．９３（ｓ、２Ｈ）。
【０２２９】
実施例１１（化合物Ｉの合成）
2004059899.tif 000114
不活性雰囲気下の１００ｍｌの反応管に化合物Ｈ（３．９ｇ）、４−ｎ−ブチル−ベンゼンホウ酸（３．９ｇ）、炭酸カリウム（５．１ｇ）およびテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０．１４ｇ）入れ、脱気したトルエン（２０ｍｌ）および水（２０ｍｌ）を加えて溶解し１００℃で１２時間反応させた。
反応終了後、トルエン層を水で洗浄後、シリカゲルのショートカラムでボトムカットして溶媒を留去した。得られた固体をシリカゲルカラムで精製し目的物を得た（３．３ｇ）。
１Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ／ＣＤＣｌ３）：
δ０．９７（ｔ、６Ｈ）、１．４２（ｍ、４Ｈ）、１．６７（ｍ、４Ｈ）、２．６９（ｔ、４Ｈ）、７．２８（ｄ、４Ｈ）、７．３９（ｄ、４Ｈ）、７．７０（ｓ、２Ｈ）、７．８４（ｓ、２Ｈ）。
【０２３０】
実施例１２
＜高分子化合物４の合成＞
化合物Ｉ　２９７ｍｇとＮ，Ｎ’−ビス（４−ブロモフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ｎ−ブチルフェニル）−１，４−フェニレンジアミン　１３８ｍｇおよび２，２’−ビピリジル　３１６ｍｇを脱水したテトラヒドロフラン２２ｍＬに溶解した後、窒素雰囲気下において、この溶液に、ビス（１、５−シクロオクタジエン）ニッケル（０）｛Ｎｉ（ＣＯＤ）２｝　５５０ｍｇ加え、６０℃まで昇温し、３時間反応させた。反応後、この反応液を室温まで冷却し、２５％アンモニア水１０ｍｌ／メタノール１２０ｍｌ／イオン交換水５０ｍｌ混合溶液中に滴下して１時間攪拌した後、析出した沈殿をろ過して２時間減圧乾燥し、トルエン３０ｍｌに溶解させた。１Ｎ塩酸３０ｍＬを加えて３時間攪拌した後、水層を除去して有機層に４％アンモニア水３０ｍＬを加えて１時間攪拌した後に水層を除去した。有機層はメタノール１５０ｍＬに滴下して１時間攪拌し、析出した沈殿をろ過して２時間減圧乾燥し、トルエン３０ｍＬに溶解させた。その後、アルミナカラム（アルミナ量２０ｇ）を通して精製を行い、回収したトルエン溶液をメタノール１５０ｍＬに滴下して１時間攪拌し、析出した沈殿をろ過して２時間減圧乾燥させた。得られた重合体の収量は２３４ｍｇであった。
共重合体において、ジベンゾフラン誘導体とアミン誘導体の繰り返し単位の比は、７０：３０である。
この重合体を高分子化合物４と呼ぶ。
高分子化合物４のポリスチレン換算の数平均分子量は、Ｍｎ＝４．３×１０３、重量平均分子量は、Ｍｗ＝８．２×１０３であった。
【０２３１】
合成例８　（化合物Ｊの合成）
2004059899.tif 000115
化合物Ｊ
Ｎ−クロロスクシンイミドの代わりに、Ｎ−ブロモスクシンイミドを用いて、合成例４と同様に２，２’，５，５’−テトラメトキシ−１，１’−ビフェニルを臭素化し、合成例５と同様に脱Ｍｅ化することで目的物を得た。
１Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ／ＣＤＣｌ３）：
δ６．７４（ｓ、２Ｈ）、６．９７（ｓ、２Ｈ）、８．９７（ｓ、２Ｈ）、９．４５（ｓ、２Ｈ）。
【０２３２】
合成例９　（化合物Ｋの合成）
2004059899.tif 000116
化合物Ｋ
化合物Ｆの代わりに化合物Ｊを用いて合成例６と同様の方法で目的物を得た。
ＭＳスペクトル：［Ｍ−Ｈ］−　３５６．９
【０２３３】
実施例１３　（化合物Ｌ）
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化合物Ｌ
三つ口フラスコに化合（０．９３ｇ）、４−ブチルフェニルボロン酸（１．０ｇ）、酢酸銅（ＩＩ）（０．７１ｇ）、モレキュラーシーブス４Ａ（９．３ｇ、粉末）、ジクロロメタン３１ｍｌ、およびピリジン（０．４１ｇ）を室温、空気中で３時間撹拌した。反応液をセライトでろ過後、ろ液をクロロホルムと塩酸（１ｍｏｌ／Ｌ）で分離、有機層を抽出し、硫酸ナトリウムで乾燥した。シリカゲルカラム（トルエン：シクロヘキサン＝１：２）にて精製し、さらにヘキサンで加熱洗浄することにより、目的物（白色固体）を得た（０．５２ｇ）。
１Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ／ＣＤＣｌ３）：
δ０．９２（ｔ、６Ｈ）、１．３５（ｍ、４Ｈ）、１．５４（ｍ、４Ｈ）、２．５８（ｔ、４Ｈ）、６．８９（ｄｄ、４Ｈ）、７．１２（ｄｄ、４Ｈ）、７．３７（ｓ、２Ｈ）、７．８４（ｓ、２Ｈ）
【０２３４】
実施例１４
＜高分子化合物５の合成＞
化合物Ｌ　１７４ｍｇとＮ，Ｎ’−ビス（４−ブロモフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ｎ−ブチルフェニル）−１，４−フェニレンジアミン　８２ｍｇおよび２，２’−ビピリジル　１７０ｍｇを脱水したテトラヒドロフラン２０ｍＬに溶解した後、窒素雰囲気下において、この溶液に、ビス（１、５−シクロオクタジエン）ニッケル（０）｛Ｎｉ（ＣＯＤ）２｝　３１０ｍｇ加え、６０℃まで昇温し、３時間反応させた。反応後、この反応液を室温まで冷却し、２５％アンモニア水６ｍｌ／メタノール７０ｍｌ／イオン交換水３０ｍｌ混合溶液中に滴下して３０分間攪拌した後、析出した沈殿をろ過して２時間減圧乾燥し、トルエン２０ｍｌに溶解させた。その後、アルミナカラム（アルミナ量１０ｇ）を通して精製を行い、回収したトルエン溶液を、溶媒を留去したのちメタノール２０ｍｌを加えて攪拌し沈殿を析出させた。析出した沈殿をろ過して２時間減圧乾燥させた。得られた重合体の収量は９５ｍｇであった。
共重合体において、ジベンゾフラン誘導体とアミン誘導体の繰り返し単位の比は、７０：３０である。
この重合体を高分子化合物５と呼ぶ。
高分子化合物５のポリスチレン換算の数平均分子量は、Ｍｎ＝１．６×１０４、重量平均分子量は、Ｍｗ＝４．７×１０４であった。
【０２３５】
実施例１５　（化合物Ｍ）
2004059899.tif 000118
化合物Ｍ
不活性雰囲気下の三つ口フラスコに化合物Ｋ（２．５ｇ）をＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（５４ｍｌ）に溶解した。これに３−ブロモプロピルベンゼン（４．２ｇ）、炭酸カリウム（４．８ｇ）を加え、そのまま１６０℃まで昇温し６時間攪拌した。その後、トルエンを加えて、希塩酸、水で洗浄し、有機層を硫酸ナトリウムで乾燥し、溶媒を留去した。得られた固体をヘキサン／クロロホルム系でシリカゲルカラムクロマトグラフィーを用いて分離精製し、目的物を得た（３．９ｇ）。
Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ／ＣＤＣｌ３）：
δ２．１８〜２．２７（ｍ、４Ｈ）、２．９３（ｔ、４Ｈ）、４．１０（ｔ、４Ｈ）、７．１７〜７．３２（ｍ、１２Ｈ）、７．７０（ｓ、２Ｈ）。
【０２３６】
実施例１６
＜高分子化合物６の合成＞
化合物Ｍ　２９１ｍｇとＮ，Ｎ’−ビス（４−ブロモフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ｎ−ブチルフェニル）−１，４−フェニレンジアミン　１４３ｍｇおよび２，２’−ビピリジル　３１０ｍｇを脱水したテトラヒドロフラン２０ｍＬに溶解した後、窒素雰囲気下において、この溶液に、ビス（１、５−シクロオクタジエン）ニッケル（０）｛Ｎｉ（ＣＯＤ）２｝　５４０ｍｇ加え、６０℃まで昇温し、３時間反応させた。反応後、この反応液を室温まで冷却し、２５％アンモニア水１０ｍｌ／メタノール１２０ｍｌ／イオン交換水５０ｍｌ混合溶液中に滴下して３０分間攪拌した後、析出した沈殿をろ過して２時間減圧乾燥し、トルエン３０ｍｌに溶解させた。１Ｎ塩酸３０ｍＬを加えて３時間攪拌した後、水層を除去して有機層に４％アンモニア水３０ｍＬを加えて３時間攪拌した後に水層を除去した。有機層はメタノール１５０ｍＬに滴下して３０分間攪拌し、析出した沈殿をろ過して２時間減圧乾燥し、トルエン３０ｍＬに溶解させた。その後、アルミナカラム（アルミナ量１０ｇ）を通して精製を行い、回収したトルエン溶液をメタノール２００ｍＬに滴下して３０分間攪拌し、析出した沈殿をろ過して２時間減圧乾燥させた。得られた重合体の収量は１２０ｍｇであった。
共重合体において、ジベンゾフラン誘導体とアミン誘導体の繰り返し単位の比は、７０：３０である。
この重合体を高分子化合物６と呼ぶ。
高分子化合物６のポリスチレン換算の数平均分子量は、Ｍｎ＝３．５×１０４、重量平均分子量は、Ｍｗ＝１．４×１０５であった。
【０２３７】
実施例１７
＜燐光特性＞
高分子化合物３　２ｍｇ、Ｉｒ錯体　Ｉｒ（ｐｐｙ）３　０．１ｍｇを０．２ｍｌの１，２−ジクロロエタンに溶解し、スピンコートにより約２００ｎｍの厚みで成膜した。これを減圧下室温で一晩乾燥した。得られた薄膜の蛍・燐光スペクトルを測定したところ、Ｉｒ錯体からの燐光発光が観測された。
また高分子化合物３　２ｍｇ、Ｉｒ錯体　Ｂｔｐ２Ｉｒ（ａｃａｃ）　０．１ｍｇを０．２ｍｌの１，２−ジクロロエタンに溶解し、スピンコートにより約２００ｎｍの厚みで成膜した。これを減圧下室温で一晩乾燥した。得られた薄膜の蛍・燐光スペクトルを測定したところ、Ｉｒ錯体からの燐光発光が観測された。
【０２３８】
【発明の効果】
本発明の高分子化合物は発光材料や電荷輸送材料等として有用な新規な高分子化合物である。