(57)【要約】【課題】第１の重ね合わせ測定マークと第２の重ね合わせ測定マークとの位置ずれ量を従来の光学式測定装置を用いて高精度に測定できるようにする。【解決手段】第１の重ね合わせ測定マークは、平行な複数の線状パターンよりなる一対の第１のラインパターン群１１４ａ、１１４ｂと、平行な複数の線状パターンよりなる一対の第２のラインパターン群１１５ａ、１１５ｂとを有する。第２の重ね合わせ測定マークは、平行な複数の線状パターンよりなる一対の第３のラインパターン群１２４ａ、１２４ｂと、平行な複数の線状パターンよりなる一対の第４のラインパターン群１２５ａ、１２５ｂとを有する。一対の第１のラインパターン群１１４ａ、１１４ｂと一対の第３のラインパターン群１２４ａ、１２４ｂとにより形成される一対の第１のモアレパターン、及び一対の第２のラインパターン群１１５ａ、１１５ｂと一対の第４のラインパターン群１２５ａ、１２５ｂとにより形成される一対の第２のモアレパターンに基づいて位置ずれ量を測定する。【選択図】　　　図３
2004031542.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の被処理膜よりなり、第１の重ね合わせ測定マークを有する下層パターンを形成する工程と、前記下層パターンの上に第２の被処理膜を形成した後、前記第２の被処理膜の上に、第２の重ね合わせ測定マークを有するレジストパターンを形成する工程と、前記第２の重ね合わせ測定マークの前記第１の重ね合わせ測定マークに対する位置ずれ量を計測する工程と、前記位置ずれ量が許容範囲内であるときに、前記第２の被処理膜に対して前記レジストパターンをマスクにエッチングを行なって、前記第２の被処理膜よりなる上層パターンを形成する工程とを備えた半導体装置の製造方法において、
前記第１の重ね合わせ測定マークは、互いに直交する第１の直線及び第２の直線のうちの前記第１の直線上に位置し且つ前記第１の直線と前記第２の直線との第１の交点を介して互いに対向すると共に、それぞれが前記第１の直線に平行な複数の線状パターンよりなる一対の第１のラインパターン群と、前記第２の直線上に位置し且つ前記第１の交点を介して互いに対向すると共に、それぞれが前記第２の直線に平行な複数の線状パターンよりなる一対の第２のラインパターン群とを有し、
前記第２の重ね合わせ測定マークは、前記第１の直線に対して第１の所定角度だけ傾く第３の直線及び前記第２の直線に対して第２の所定角度だけ傾く第４の直線のうち前記第３の直線上に位置し且つ前記第３の直線と前記第４の直線との第２の交点を介して互いに対向すると共に、それぞれが前記第３の直線に平行な複数の線状パターンよりなる一対の第３のラインパターン群と、前記第４の直線上に位置し且つ前記第２の交点を介して互いに対向すると共に、それぞれが前記第４の直線に平行な複数の線状パターンよりなる一対の第４のラインパターン群とを有し、
前記位置ずれ量を計測する工程は、前記一対の第１のラインパターン群と前記一対の第３のラインパターン群とにより形成される一対の第１のモアレパターン、及び前記一対の第２のラインパターン群と前記一対の第４のラインパターン群とにより形成される一対の第２のモアレパターンに基づいて、前記第２の重ね合わせ測定マークの前記第１の重ね合わせ測定マークに対する位置ずれ量を算出する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記一対の第１のラインパターン群を構成する複数の線状パターン、前記一対の第２のラインパターン群を構成する複数の線状パターン、前記一対の第３のラインパターン群を構成する複数の線状パターン及び前記一対の第４のラインパターン群を構成する複数の線状パターンは、すべて同一のピッチで配置されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記同一のピッチは、前記上層パターンのデザインルールと等しいことを特徴とする請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記一対の第１のラインパターン群は前記第１の交点に対して点対称であり、前記一対の第２のラインパターン群は前記第１の交点に対して点対称であり、前記一対の第３のラインパターン群は前記第２の交点に対して点対称であり、前記一対の第４のラインパターン群は前記第２の交点に対して点対称であることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記一対の第１のラインパターン群を構成する複数の線状パターン、前記一対の第２のラインパターン群を構成する複数の線状パターン、前記一対の第３のラインパターン群を構成する複数の線状パターン及び前記一対の第４のラインパターン群を構成する複数の線状パターンは、それぞれ、等しいピッチで配置された多数のホールパターン群よりなることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
第１の被処理膜よりなり、第１の重ね合わせ測定マークを有する下層パターンを形成する工程と、前記下層パターンの上に第２の被処理膜を形成した後、前記第２の被処理膜の上に、第２の重ね合わせ測定マークを有するレジストパターンを形成する工程と、前記第２の重ね合わせ測定マークの前記第１の重ね合わせ測定マークに対する位置ずれ量を計測する工程と、前記位置ずれ量が許容範囲内であるときに、前記第２の被処理膜に対して前記レジストパターンをマスクにエッチングを行なって、前記第２の被処理膜よりなる上層パターンを形成する工程とを備えた半導体装置の製造方法において、
前記第１の重ね合わせ測定マークは、互いに直交する第１の直線及び第２の直線のうち前記第１の直線上に位置し且つ前記第１の直線と前記第２の直線との第１の交点を介して互いに対向すると共に、それぞれが互いに平行な複数の折れ線状の線状パターンよりなる一対の第１のラインパターン群と、前記第２の直線上に位置し且つ前記第１の交点を介して互いに対向すると共に、それぞれが互いに平行な複数の折れ線状の線状パターンよりなる一対の第２のラインパターン群とを有し、
前記第２の重ね合わせ測定マークは、前記第１の直線に対して平行か又は第１の所定角度だけ傾く第３の直線及び前記第２の直線に対して平行か又は第２の所定角度だけ傾く第４の直線のうちの前記第３の直線上に位置し且つ前記第３の直線と前記第４の直線との第２の交点を介して互いに対向すると共に、それぞれが互いに平行な複数の折れ線状の線状パターンよりなる一対の第３のラインパターン群と、前記第４の直線上に位置し且つ前記第２の交点を介して互いに対向すると共に、それぞれが互いに平行な複数の折れ線状の線状パターンよりなる一対の第４のラインパターン群とを有し、
前記位置ずれ量を計測する工程は、前記一対の第１のラインパターン群と前記一対の第３のラインパターン群とにより形成される一対の第１のモアレパターン、及び前記一対の第２のラインパターン群と前記一対の第４のラインパターン群とにより形成される一対の第２のモアレパターンに基づいて、前記第２の重ね合わせ測定マークの前記第１の重ね合わせ測定マークに対する位置ずれ量を算出する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記一対の第１のラインパターン群を構成する複数の折れ線状の線状パターン、前記一対の第２のラインパターン群を構成する複数の折れ線状の線状パターン、前記一対の第３のラインパターン群を構成する複数の折れ線状の線状パターン及び前記一対の第４のラインパターン群を構成する複数の折れ線状の線状パターンは、すべて同一のピッチで配置されていることを特徴とする請求項６に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記同一のピッチは、前記上層パターンのデザインルールと等しいことを特徴とする請求項７に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記一対の第１のラインパターン群は前記第１の交点に対して点対称であり、前記一対の第２のラインパターン群は前記第１の交点に対して点対称であり、前記一対の第３のラインパターン群は前記第２の交点に対して点対称であり、前記一対の第４のラインパターン群は前記第２の交点に対して点対称であることを特徴とする請求項６に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記一対の第１のラインパターン群を構成する複数の折れ線状の線状パターン、前記一対の第２のラインパターン群を構成する複数の折れ線状の線状パターン、前記一対の第３のラインパターン群を構成する複数の折れ線状の線状パターン及び前記一対の第４のラインパターン群を構成する複数の折れ線状の線状パターンは、それぞれ、等間隔で配置された多数のホールパターン群よりなることを特徴とする請求項６に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置の製造方法に関し、特に、半導体装置の製造プロセスにおいて、下層パターンに形成されている第１の重ね合わせ測定マークと、該下層パターンの上に堆積された被処理膜の上に形成されたレジストパターンに形成されている第２の重ね合わせ測定マークとの位置ずれ量を測定する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体集積回路装置の微細化及び高集積化に伴って、パターンサイズは一層の微細化が要求されており、最新の半導体装置の製造プロセスにおいては最小線幅が１３０ｎｍレベルの半導体チップが量産化されつつある。
【０００３】
一方、デバイス（半導体チップ）の小型化を実現するためには、パターンの微細化と共に、上層のパターンを下層のパターンに精度良く位置合わせすることが重要である。そして、上層のパターンと下層のパターンとの間の重ね合わせ誤差（以下、単にパターン間の重ね合わせ誤差という）を低減することにより、パターン間の重ね合わせ誤差のために必要なデザイン上のマージンを低減することができるので、デバイスの小型化を図ることができる。
【０００４】
ところで、パターン間の重ね合わせ誤差の測定は、下層パターンに形成されている第１の重ね合わせ測定マーク（第１のアライメント測定マーク）と、上層パターンを形成するためのレジストパターンに形成されている第２の重ね合わせ測定マーク（第２のアライメント測定マーク）との間の位置ずれを重ね合わせ精度測定装置（アライメント精度測定装置）を用いて測定することにより行なわれる。
【０００５】
以下、第１の従来例として、重ね合わせ精度測定装置を用いて第１の重ね合わせ測定マークと第２の重ね合わせ測定マークとの間の位置ずれを測定する方法について、図７（ａ）　及び（ｂ）　を参照しながら説明する。
【０００６】
図７（ａ）　及び（ｂ）　において、１１は下層パターンに形成されている第１の重ね合わせ測定マークであって、パターンを形成しようとする上層パターンよりも前の工程において、リソグラフィ及びエッチング等を用いて方形枠状に形成されている。一方、１２は上層パターンを形成するためのレジストパターンに形成されている方形状の第２の重ね合わせ測定マークであって、第１の重ね合わせ測定マーク１１の内部に形成される。第１の重ね合わせ測定マーク１１の中心位置と第２の重ね合わせ測定マーク１２の中心位置とは一致するように設定されていると共に、第１の重ね合わせ測定マーク１１の内径及び第２の重ね合わせ測定マーク１２の外径は１０〜２０μｍ程度の設定されている。
【０００７】
第１の重ね合わせ測定マーク１１と第２の重ね合わせ測定マーク１２との位置ずれ量は、光学式の重ねあわせ測定装置により計測される。この場合、第１の重ね合わせ測定マーク１１の外径からその中心位置を求めると共に、第２の重ね合わせ測定マーク１２の外径からその中心位置を求め、２つの中心位置から中心位置間距離δを計算することにより、第１の重ね合わせ測定マーク１１と第２の重ね合わせ測定マーク１２との位置ずれ量が測定される。
【０００８】
以下、第２の従来例として、例えば特開平０３−２６８４１５号公報に示されるように、モアレ干渉を用いる重ね合わせ測定方法について説明する。すなわち、それぞれが複数の円環よりなる第１の重ね合わせ測定マーク及び第２の重ね合わせ測定マークを用いて、第１の重ね合わせ測定マークと第２の重ね合わせ測定マークとの重なりによりモアレパターンを生じさせ、該モアレパターンを観察することにより重ね合わせずれを検出する方法である。
【０００９】
また、第３の従来例として、特開平０３−１３４５０４号公報に示されるようなモアレ干渉を用いる重ね合わせ測定マークも知られている。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
以下、第１の従来例の課題について説明する。
【００１１】
従来のデバイスでは、重ね合わせ測定装置の測定精度は、求められる重ね合わせ測定精度に対して十分に余裕があったが、現在量産化されている１３０ｎｍのルールのデバイスでは、必要な重ね合わせ精度は約８０ｎｍ程度であり、また、今後一層の微細化が進むにつれて、重ね合わせ精度に対する要求はさらに厳しくなってくる。ところが、従来の光学式の検査方法を用いる限り、重ね合わせ測定装置はデバイスから要求される重ね合わせ精度を測定することができる性能を有していない。
【００１２】
また、従来の重ね合わせ測定マークの形状は、１辺が１０〜２０μｍの方形状であって、実際に用いられる回路パターン（実パターン）のサイズと比較すると大きな隔たりがある。このように、重ね合わせ測定マークのサイズと実パターンのサイズとの差が大きいと、露光装置の収差の影響により、下地層における重ね合わせ測定マークが結像する位置と実パターンが結像する位置との間に差異が生じることがある。このような差異が発生すると、重ね合わせ測定マーク同士の位置ずれを正確に測定したとしても、所望の結果を得られないためにパターン同士が短絡するという不具合が生じる。
【００１３】
第２の従来例によると、第１の重ね合わせ測定マークと第２の重ね合わせ測定マークとの間に発生する位置ずれを精度良く検出することはできるが、第１の重ね合わせ測定マークと第２の重ね合わせ測定マークとの間の位置ずれ量及び位置ずれの方向を検出することは困難である。また、第２の従来例においては、モアレパターンを測定するための具体的な方法は示されておらず、実際にモアレパターンを測定しようとすると、特別な計測装置が必要になる。
【００１４】
第３の従来例においては、モアレパターンを測定するための具体的な方法は示されているが、モアレパターンを測定しようとすると、特別な計測装置が必要になる。
【００１５】
前記に鑑み、本発明は、下層パターンに形成されている第１の重ね合わせ測定マークと、該下層パターンの上に堆積された被処理膜の上に形成されたレジストパターンに形成されている第２の重ね合わせ測定マークとの位置ずれ量を従来の光学式測定装置を用いて、高精度に測定できるようにすることを目的とする。
【００１６】
【課題を解決するための手段】
前記の目的を達成するため、本発明に係る第１の半導体装置の製造方法は、第１の被処理膜よりなり、第１の重ね合わせ測定マークを有する下層パターンを形成する工程と、下層パターンの上に第２の被処理膜を形成した後、第２の被処理膜の上に、第２の重ね合わせ測定マークを有するレジストパターンを形成する工程と、第２の重ね合わせ測定マークの第１の重ね合わせ測定マークに対する位置ずれ量を計測する工程と、位置ずれ量が許容範囲内であるときに、第２の被処理膜に対してレジストパターンをマスクにエッチングを行なって、第２の被処理膜よりなる上層パターンを形成する工程とを備えた半導体装置の製造方法を前提とし、第１の重ね合わせ測定マークは、互いに直交する第１の直線及び第２の直線のうちの第１の直線上に位置し且つ第１の直線と第２の直線との第１の交点を介して互いに対向すると共に、それぞれが第１の直線に平行な複数の線状パターンよりなる一対の第１のラインパターン群と、第２の直線上に位置し且つ第１の交点を介して互いに対向すると共に、それぞれが第２の直線に平行な複数の線状パターンよりなる一対の第２のラインパターン群とを有し、第２の重ね合わせ測定マークは、第１の直線に対して第１の所定角度だけ傾く第３の直線及び第２の直線に対して第２の所定角度だけ傾く第４の直線のうち第３の直線上に位置し且つ第３の直線と第４の直線との第２の交点を介して互いに対向すると共に、それぞれが第３の直線に平行な複数の線状パターンよりなる一対の第３のラインパターン群と、第４の直線上に位置し且つ第２の交点を介して互いに対向すると共に、それぞれが第４の直線に平行な複数の線状パターンよりなる一対の第４のラインパターン群とを有し、位置ずれ量を計測する工程は、一対の第１のラインパターン群と一対の第３のラインパターン群とにより形成される一対の第１のモアレパターン、及び一対の第２のラインパターン群と一対の第４のラインパターン群とにより形成される一対の第２のモアレパターンに基づいて、第２の重ね合わせ測定マークの第１の重ね合わせ測定マークに対する位置ずれ量を算出する工程を含む。
【００１７】
本発明に係る第１の半導体装置の製造方法によると、一対の第１のラインパターン群と一対の第３のラインパターン群とにより形成される一対の第１のモアレパターン、及び一対の第２のラインパターン群と一対の第４のラインパターン群とにより形成される一対の第２のモアレパターンは、いずれも、直線状に現われるため、重ね合わせ測定装置のような従来の光学式測定器を用いて第１及び第２のモアレパターンを観察することができる。また、第１及び第２のモアレパターンの移動量は、第１の重ね合わせ測定マークと第２の重ね合わせ測定マークとの重ね合わせずれ量の数十倍の大きさになるので、重ね合わせずれ量の測定精度が大きく向上する。
【００１８】
本発明に係る第１の半導体装置の製造方法において、一対の第１のラインパターン群を構成する複数の線状パターン、一対の第２のラインパターン群を構成する複数の線状パターン、一対の第３のラインパターン群を構成する複数の線状パターン及び一対の第４のラインパターン群を構成する複数の線状パターンは、すべて同一のピッチで配置されていることが好ましい。
【００１９】
このようにすると、第１及び第２のモアレパターンが明確に現われるので、第１及び第２のモアレパターンの測定が正確になる。
【００２０】
この場合、同一のピッチは、上層パターンのデザインルールと等しいことが好ましい。
【００２１】
このようにすると、露光装置の収差による影響が、実際の回路パターンと重ね合わせ測定マークとの間で等しく現われるので、実際の重ね合わせずれ量が正確に反映される。
【００２２】
本発明に係る第１の半導体装置の製造方法において、一対の第１のラインパターン群は第１の交点に対して点対称であり、一対の第２のラインパターン群は第１の交点に対して点対称であり、一対の第３のラインパターン群は第２の交点に対して点対称であり、一対の第４のラインパターン群は第２の交点に対して点対称であることが好ましい。
【００２３】
このようにすると、第１及び第２のモアレパターンの移動量の測定、ひいては第１の重ね合わせ測定マークと第２の重ね合わせ測定マークとの重ね合わせずれ量の測定が容易になる。
【００２４】
本発明に係る第１の半導体装置の製造方法において、一対の第１のラインパターン群を構成する複数の線状パターン、一対の第２のラインパターン群を構成する複数の線状パターン、一対の第３のラインパターン群を構成する複数の線状パターン及び一対の第４のラインパターン群を構成する複数の線状パターンは、それぞれ、等しいピッチで配置された多数のホールパターン群よりなることが好ましい。
【００２５】
このようにすると、上層パターンがコンタクトホールが形成される層である場合に、露光装置の収差の影響を低減できるので、重ね合わせずれ量の測定精度が向上する。
【００２６】
本発明に係る第２の半導体装置の製造方法は、第１の被処理膜よりなり、第１の重ね合わせ測定マークを有する下層パターンを形成する工程と、下層パターンの上に第２の被処理膜を形成した後、第２の被処理膜の上に、第２の重ね合わせ測定マークを有するレジストパターンを形成する工程と、第２の重ね合わせ測定マークの第１の重ね合わせ測定マークに対する位置ずれ量を計測する工程と、位置ずれ量が許容範囲内であるときに、第２の被処理膜に対してレジストパターンをマスクにエッチングを行なって、第２の被処理膜よりなる上層パターンを形成する工程とを備えた半導体装置の製造方法を前提とし、第１の重ね合わせ測定マークは、互いに直交する第１の直線及び第２の直線のうち第１の直線上に位置し且つ第１の直線と第２の直線との第１の交点を介して互いに対向すると共に、それぞれが互いに平行な複数の折れ線状の線状パターンよりなる一対の第１のラインパターン群と、第２の直線上に位置し且つ第１の交点を介して互いに対向すると共に、それぞれが互いに平行な複数の折れ線状の線状パターンよりなる一対の第２のラインパターン群とを有し、第２の重ね合わせ測定マークは、第１の直線に対して平行か又は第１の所定角度だけ傾く第３の直線及び第２の直線に対して平行か又は第２の所定角度だけ傾く第４の直線のうちの第３の直線上に位置し且つ第３の直線と第４の直線との第２の交点を介して互いに対向すると共に、それぞれが互いに平行な複数の折れ線状の線状パターンよりなる一対の第３のラインパターン群と、第４の直線上に位置し且つ第２の交点を介して互いに対向すると共に、それぞれが互いに平行な複数の折れ線状の線状パターンよりなる一対の第４のラインパターン群とを有し、位置ずれ量を計測する工程は、一対の第１のラインパターン群と一対の第３のラインパターン群とにより形成される一対の第１のモアレパターン、及び一対の第２のラインパターン群と一対の第４のラインパターン群とにより形成される一対の第２のモアレパターンに基づいて、第２の重ね合わせ測定マークの第１の重ね合わせ測定マークに対する位置ずれ量を算出する工程を含む。
【００２７】
本発明に係る第２の半導体装置の製造方法によると、一対の第１のラインパターン群と一対の第３のラインパターン群とにより形成される一対の第１のモアレパターン、及び一対の第２のラインパターン群と一対の第４のラインパターン群とにより形成される一対の第２のモアレパターンは、いずれも、直線状に現われるため、重ね合わせ測定装置のような従来の光学式測定器を用いて第１及び第２のモアレパターンを観察することができる。また、第１及び第２のモアレパターンの移動量は、第１の重ね合わせ測定マークと第２の重ね合わせ測定マークとの重ね合わせずれ量の数十倍の大きさになるので、重ね合わせずれ量の測定精度が大きく向上する。
【００２８】
本発明に係る第２の半導体装置の製造方法において、一対の第１のラインパターン群を構成する複数の折れ線状の線状パターン、一対の第２のラインパターン群を構成する複数の折れ線状の線状パターン、一対の第３のラインパターン群を構成する複数の折れ線状の線状パターン及び一対の第４のラインパターン群を構成する複数の折れ線状の線状パターンは、すべて同一のピッチで配置されていることが好ましい。
【００２９】
このようにすると、第１及び第２のモアレパターンが明確に現われるので、第１及び第２のモアレパターンの測定が正確になる。
【００３０】
この場合、同一のピッチは、上層パターンのデザインルールと等しいことが好ましい。
【００３１】
このようにすると、露光装置の収差による影響が、実際の回路パターンと重ね合わせ測定マークとの間で等しく現われるので、実際の重ね合わせずれ量が正確に反映される。
【００３２】
本発明に係る第２の半導体装置の製造方法において、一対の第１のラインパターン群は第１の交点に対して点対称であり、一対の第２のラインパターン群は第１の交点に対して点対称であり、一対の第３のラインパターン群は第２の交点に対して点対称であり、一対の第４のラインパターン群は第２の交点に対して点対称であることが好ましい。
【００３３】
このようにすると、第１及び第２のモアレパターンの移動量の測定、ひいては第１の重ね合わせ測定マークと第２の重ね合わせ測定マークとの重ね合わせずれ量の測定が容易になる。
【００３４】
本発明に係る第２の半導体装置の製造方法において、一対の第１のラインパターン群を構成する複数の折れ線状の線状パターン、一対の第２のラインパターン群を構成する複数の折れ線状の線状パターン、一対の第３のラインパターン群を構成する複数の折れ線状の線状パターン及び一対の第４のラインパターン群を構成する複数の折れ線状の線状パターンは、それぞれ、等間隔で配置された多数のホールパターン群よりなることが好ましい。
【００３５】
このようにすると、上層パターンがコンタクトホールが形成される層である場合に、露光装置の収差の影響を低減できるので、重ね合わせずれ量の測定精度が向上する。
【００３６】
【発明の実施の形態】
（第１の実施形態）
以下、本発明の第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法について、図１〜図３を参照しながら説明する。
【００３７】
まず、半導体基板上に形成されている第１の被処理膜の上に第１のレジストパターンを形成した後、第１の被処理膜に対して第１のレジストパターンをマスクしてエッチングを行なうことにより、第１の被処理膜よりなる下層パターンを形成する。この場合、該下層パターンには、図１に示す第１の重ね合わせ測定マーク１１０を形成する。
【００３８】
第１の重ね合わせ測定マーク１１０は、互いに直交する第１の直線１１１及び第２の直線１１２のうちの第１の直線１１１の上に位置し且つ第１の直線１１１と第２の直線１１２との第１の交点１１３を介して互いに対向すると共に、それぞれが第１の直線１１１に平行な複数の線状パターンよりなる一対の第１のラインパターン群１１４ａ、１１４ｂと、第２の直線１１２の上に位置し且つ第１の交点１１３を介して互いに対向すると共に、それぞれが第２の直線１１２に平行な複数の線状パターンよりなる一対の第２のラインパターン群１１５ａ、１１５ｂとを有する。尚、一対の第１のラインパターン群１１４ａ、１１４ｂは第１の交点１１３に関して点対象であると共に、一対の第１のラインパターン群１１５ａ、１１５ｂは第１の交点１１３に関して点対象である。
【００３９】
ここでは、一対の第１のラインパターン群１１４ａ、１１４ｂ及び一対の第２のラインパターン群１１５ａ、１１５ｂにおいては、すべて、複数の線状パターンのライン幅は０．２μｍであり、複数の線状パターンのピッチは０．４μｍであり、ラインパターン群の幅は１０μｍであり、ラインパターン群の長さは１０μｍである。
【００４０】
次に、下層パターンの上に第２の被処理膜を形成した後、該第２の被処理膜の上に、図２に示す第２の重ね合わせ測定マーク１２０を有するレジストパターンを形成する。
【００４１】
第２の重ね合わせ測定マーク１２０は、第１の直線１１１に対して所定角度だけ傾く第３の直線１２１及び第２の直線１１２に対して所定角度だけ傾く第４の直線１２２のうち第３の直線１２１の上に位置し且つ第３の直線１２１と第４の直線１２２との第２の交点１２３を介して互いに対向すると共に、それぞれが第３の直線１２１に平行な複数の線状パターンよりなる一対の第３のラインパターン群１２４ａ、１２４ｂと、第４の直線１２２の上に位置し且つ第２の交点１２３を介して互いに対向すると共に、それぞれが第４の直線１２２に平行な複数の線状パターンよりなる一対の第４のラインパターン群１２５ａ、１２５ｂとを有する。尚、一対の第３のラインパターン群１２４ａ、１２４ｂは第２の交点１２３に関して点対象であると共に、一対の第４のラインパターン群１２５ａ、１２５ｂは第２の交点１２３に関して点対象である。
【００４２】
ここでは、一対の第３のラインパターン群１２４ａ、１２４ｂ及び一対の第４のラインパターン群１２５ａ、１２５ｂにおいては、すべて、複数の線状パターンのライン幅は０．２μｍであり、複数の線状パターンのピッチは０．４μｍであり、ラインパターン群の幅は１０μｍであり、ラインパターン群の長さは１０μｍである。
【００４３】
次に、第２の重ね合わせ測定マーク１２０の第１の重ね合わせ測定マーク１１０に対する位置ずれ量を計測する。この工程については後述する。
【００４４】
次に、第２の重ね合わせ測定マーク１２０の第１の重ね合わせ測定マーク１１０に対する位置ずれ量が許容範囲内であるときに、第２の被処理膜に対してレジストパターンをマスクにエッチングを行なって、第２の被処理膜よりなる上層パターンを形成する。
【００４５】
ここで、第２の重ね合わせ測定マーク１２０の第１の重ね合わせ測定マーク１１０に対する位置ずれ量を計測する工程について説明する。
【００４６】
第１の重ね合わせ測定マーク１１０の中心部（第１の交点１１３）と第２の重ね合わせ測定マーク１２０の中心部（第２の交点１２３）とは一致するように設計されている。
【００４７】
図３は、第２の重ね合わせ測定マーク１２０と第１の重ね合わせ測定マーク１１０とを実際に重ねた場合の状態を示しており、両測定マークが重なった状態を光学式の重ね合わせ測定装置で観測すると、モアレパターンが観察される。前述のように、第３の直線１２１は第１の直線１１１に対して所定角度だけ傾いていると共に、第４の直線１２２は第２の直線１１２に対して所定角度だけ傾斜しているため、一対の第１のラインパターン群１１４ａ、１１４ｂと一対の第３のラインパターン群１２４ａ、１２４ｂとの重なり領域において、第１のラインパターン群１１４ａ、１１４ｂの各線状パターンと第３のラインパターン群１２４ａ、１２４ｂの各線状パターンとが所定角度を持って重なると共に、一対の第２のラインパターン群１１５ａ、１１５ｂと一対の第４のラインパターン群１２５ａ、１２５ｂとの重なり領域において、第２のラインパターン群１１５ａ、１１５ｂの各線状パターンと第４のラインパターン群１２５ａ、１２５ｂの各線状パターンとが所定角度を持って互いに重なる。
【００４８】
このため、第１のラインパターン群１１４ａ、１１４ｂと第３のラインパターン群１２４ａ、１２４ｂとの重なり領域において、周囲に比べて明度が高くなる線状の部分１３２、１３４が第１の直線１１１に垂直な方向に第１のモアレパターンとして現われると共に、第２のラインパターン群１１５ａ、１１５ｂと第４のラインパターン群１２５ａ、１２５ｂとの重なり領域において、周囲に比べて明度が高くなる線状の部分１３１、１３３が第２の直線１１２に垂直な方向に第２のモアレパターンとして現われる。従来の光学式重ね合わせ測定装置を用いて、明度が高い線状の部分（モアレパターン）１３１、１３２、１３３、１３４を検出できるので、この明度が高い線状の部分（モアレパターン）１３１〜１３４を、従来の方形状の重ね合わせ測定マークのエッジ部分と同様に取り扱うことができる。
【００４９】
明度が高い線状の部分（モアレパターン）１３１〜１３４は、第１の重ね合わせ測定マーク１１０と第２の重ね合わせ測定マーク１２０との位置関係によって移動するが、一対の第３のラインパターン群１２４ａ、１２４ｂの各線状パターンが延びる方向は第１の直線１１１に対して所定角度だけ傾き、且つ一対の第４のラインパターン群１２５ａ、１２５ｂの各線状パターンが延びる方向は第２の直線１１２に対して所定角度だけ傾いていると共に、一対の第３のラインパターン群１２４ａ、１２４ｂは第２の交点１２３に対して点対称であり且つ一対の第４のラインパターン群１２５ａ、１２５ｂは第２の交点１２３に対して点対称であるので、明度が高い線状の部分（モアレパターン）１３１の移動方向と明度が高い線状の部分（モアレパターン）１３３の移動方向は互いに等しいと共に、明度が高い線状の部分（モアレパターン）１３２の移動方向と明度が高い線状の部分（モアレパターン）１３４の移動方向とは互いに等しい。
【００５０】
そして、第３の直線１２１の第１の直線１１１に対する角度及び第４の直線１２２の第２の直線１１２に対する角度をθとし、第２の重ね合わせ測定マーク１２０の第１の重ね合わせ測定マーク１１０に対する重ね合わせずれ量をｘとし、明度が高い線状の部分（モアレパターン）１３１〜１３４の移動量をｙとすると、ｙ＝ｘ／ｔａｎθの関係が成り立つ。
【００５１】
例えば、角度θを１度、重ね合わせずれ量ｘを０．０１μｍとした場合、明度が高い線状の部分の移動量ｙは０．５７μｍとなり、重ね合わせずれ量ｘの約５７倍の大きさになる。
【００５２】
この変動量ｙを、図３（ｂ）　に示すように、内側のエッジ１３５、１３６及び外側のエッジ１３２、１３４より得られる信号に基づき、内側のエッジ１３５、１３６と外側のエッジ１３２、１３４との中心のずれ量、つまり移動量ｙを求めた後、前述の関係式から重ね合わせずれ量ｘを計算する。
【００５３】
第１の実施形態によると、内側のエッジ１３５、１３６と外側のエッジ１３２、１３４との中心のずれ量（移動量）ｙは実際の重ね合わせずれ量ｘを増幅した形で現われてくるため、従来と同様の光学式測定装置を用いる場合、従来の重ね合わせマークに比べて測定精度が大きく向上する。従って、従来と同様の光学式測定装置を用いるにも拘わらず、位置ずれの測定精度が大きく向上する。
【００５４】
また、第１及び第２の重ね合わせ測定マーク１１０、１２０のラインパターン群を構成する複数の線状パターンの線幅及びピッチを、実際の回路パターン（上層パターン）の線幅及びピッチと一致させると、露光装置の収差による影響が重ね合わせ測定マークと実際の回路パターンとの間で等しくなるので、従来の方形状の重ね合わせ測定マークと比べると、実際の重ね合わせずれ量をより正確に反映させることができる。
【００５５】
尚、第１の実施形態においては、第１及び第２の重ね合わせ測定マーク１１０、１２０のラインパターン群を構成する複数の線状パターンは、直線状であったが、これに代えて、多数のホールパターンが線状に等ピッチで並ぶ線状のホールパターンであってもよい。
【００５６】
例えば、上層のパターンがコンタクトホールが形成される層である場合、線状のホールパターンよりなる重ね合わせ測定マークを用いてマスク合わせ工程を行なうと、露光装置の収差の影響を低減することができるので、重ね合わせ精度を向上することができる。
【００５７】
以下、第１の実施形態を評価するために行なった実験結果について説明する。
【００５８】
実際の回路パターン（上層パターン）に形成された第２の重ね合わせ測定マーク１２０と、下層パターンに形成された第１の重ね合わせ測定マーク１１０との位置ずれを複数の箇所において電子式顕微鏡（ＳＥＭ）で測定すると共に、該実際の測定結果と、第１の実施形態による測定方法による測定結果及び第１の従来例に係る測定方法による測定結果とをそれぞれ比較したところ、第１の従来例と実際の測定結果とのずれ量はおよそ１０ｎｍであったのに対して、第１の実施形態と実際の測定結果とのずれ量はおよそ４ｎｍであった。
【００５９】
重ね合わせ測定マークと実際の回路パターンとのずれ量が大きい場合には、マスク合わせ工程の管理規格を本来の値よりも厳しくしなければ、所望の製品歩留まりが得られないことになる。ところが、マスク合わせ工程の管理規格を厳しくし過ぎると、マスク合わせ工程での工程歩留まりが低下する。
【００６０】
これに対して、第１の実施形態によると、マスク合わせ工程の管理規格を６ｎｍに広げることができる。この広い管理規格を実際の製造プロセスに当てはめて歩留まりを試算したところ、工程歩留まりが約３％向上することが分かった。
【００６１】
また、工程歩留まりを現在と同一に設定する場合には、半導体装置のデザインルールを６ｎｍ縮小することができる。これは実際のデバイスで考えた場合、約６％の縮小効果が見込めることになる。
【００６２】
（第２の実施形態）
以下、本発明の第２の実施形態に係る半導体装置の製造方法について、図４〜図６を参照しながら説明する。
【００６３】
まず、半導体基板上に形成されている第１の被処理膜の上に第１のレジストパターンを形成した後、第１の被処理膜に対して第１のレジストパターンをマスクしてエッチングを行なうことにより、第１の被処理膜よりなる下層パターンを形成する。この場合、該下層パターンには、図４に示す第１の重ね合わせ測定マーク２１０を形成する。
【００６４】
第１の重ね合わせ測定マーク２１０は、互いに直交する第１の直線２１１及び第２の直線２１２のうちの第１の直線２１１の上に位置し且つ第１の直線２１１と第２の直線２１２との第１の交点２１３を介して互いに対向すると共に、それぞれが第１の直線２１１に平行な複数の線分パターンよりなる一対の第１のラインパターン群２１４ａ、２１４ｂと、第２の直線２１２の上に位置し且つ第１の交点２１３を介して互いに対向すると共に、それぞれが第２の直線２１２に平行な複数の線分パターンよりなる一対の第２のラインパターン群２１５ａ、２１５ｂとを有する。尚、一対の第１のラインパターン群２１４ａ、２１４ｂは第１の交点２１３に関して点対象であると共に、一対の第１のラインパターン群２１５ａ、２１５ｂは第１の交点２１３に関して点対象である。
【００６５】
ここでは、一対の第１のラインパターン群２１４ａ、２１４ｂ及び一対の第２のラインパターン群２１５ａ、２１５ｂにおいては、すべて、複数の線状パターンのライン幅は０．２μｍであり、複数の線状パターンのピッチは０．４μｍであり、ラインパターン群の幅は１０μｍであり、ラインパターン群の長さは１０μｍである。
【００６６】
次に、下層パターンの上に第２の被処理膜を形成した後、該第２の被処理膜の上に、図５（ａ）　に示す第２の重ね合わせ測定マーク２２０を有するレジストパターンを形成する。
【００６７】
第２の重ね合わせ測定マーク２２０は、第１の直線２１１と平行な第３の直線２２１及び第２の直線２１２と平行な第４の直線２２２のうち第３の直線２２１の上に位置し且つ第３の直線２２１と第４の直線２２２との第２の交点２２３を介して互いに対向すると共に、それぞれが互いに平行な複数の折れ線パターンよりなる一対の第３のラインパターン群２２４ａ、２２４ｂと、第４の直線２２２の上に位置し且つ第２の交点２２３を介して互いに対向すると共に、それぞれが互いに平行な複数の折れ線パターンよりなる一対の第４のラインパターン群２２５ａ、２２５ｂとを有する。尚、一対の第３のラインパターン群２２４ａ、２２４ｂは第２の交点２２３に関して点対象であると共に、一対の第４のラインパターン群２２５ａ、２２５ｂは第２の交点２２３に関して点対象である。
【００６８】
図５（ｂ）　は、一対の第２のラインパターン群２２４ａ、２２４ｂ及び一対の第２のラインパターン群２２５ａ、２２５ｂを構成する各折れ線の第３の直線２２１又は第４の直線２２２に対する角度α、βを示している。角度αと角度βとは異なっていてもよいし等しくてもよいが、第２の実施形態においては角度αと角度βとは等しい。
【００６９】
ここでは、一対の第３のラインパターン群２２４ａ、２２４ｂ及び一対の第４のラインパターン群２２５ａ、２２５ｂにおいては、すべて、複数の折れ線パターンのライン幅は０．２μｍであり、複数の折れ線パターンのピッチは０．４μｍであり、ラインパターン群の幅は１０μｍであり、ラインパターン群の長さは１０μｍである。
【００７０】
次に、第２の重ね合わせ測定マーク２２０の第１の重ね合わせ測定マーク２１０に対する位置ずれ量を計測する。この工程については後述する。
【００７１】
次に、第２の重ね合わせ測定マーク２２０の第１の重ね合わせ測定マーク２１０に対する位置ずれ量が許容範囲内であるときに、第２の被処理膜に対してレジストパターンをマスクにエッチングを行なって、第２の被処理膜よりなる上層パターンを形成する。
【００７２】
ここで、第２の重ね合わせ測定マーク２２０の第１の重ね合わせ測定マーク２１０に対する位置ずれ量を計測する工程について説明する。
【００７３】
第１の重ね合わせ測定マーク２１０の中心部（第１の交点２１３）と第２の重ね合わせ測定マーク２２０の中心部（第２の交点２２３）とは一致するように設計されている。
【００７４】
図６は、第２の重ね合わせ測定マーク２２０と第１の重ね合わせ測定マーク２１０とを実際に重ねた場合の状態を示しており、両測定マークが重なった状態を光学式の重ね合わせ測定装置で観測すると、モアレパターンが観察される。前述のように、第１の直線２１１と第３の直線２１３とは互いに平行であると共に、一対の第１のラインパターン群２１４ａ、２１４ｂは第１の直線２１１に平行な複数の線分よりなり且つ一対の第３のラインパターン群２２４ａ、２２４ｂは互いに平行な複数の折れ線よりなるため、一対の第１のラインパターン群２１４ａ、２１４ｂと一対の第３のラインパターン群２２４ａ、２２４ｂとの重なり領域において、周囲に比べて明度が高くなる線状の部分（モアレパターン）２３２、２３４が第１の直線２１１（第３の直線２２１）に垂直な方向に現われる。また、同様にして、第２の直線２１２と第４の直線２２２とは互いに平行であると共に、一対の第２のラインパターン群２１５ａ、２１５ｂは第１の直線２１１に平行な複数の線分よりなり且つ一対の第４のラインパターン群２２５ａ、２２５ｂは互いに平行な複数の折れ線よりなるため、一対の第２のラインパターン群２１５ａ、２１５ｂと一対の第４のラインパターン群２２５ａ、２２５ｂとの重なり領域において、周囲に比べて明度が高くなる線状の部分（モアレパターン）２３１、２３３が第２の直線２１２（第４の直線２２２）に垂直な方向に現われる。従来の光学式重ね合わせ測定装置を用いて、明度が高い線状の部分（モアレパターン）２３１、２３２、２３３、２３４を検出できるので、この明度が高い線状の部分（モアレパターン）２３１〜２３４を、従来の方形状の重ね合わせ測定マークのエッジ部分と同様に取り扱うことができる。
【００７５】
明度が高い線状の部分（モアレパターン）２３１〜２３４は、第１の重ね合わせ測定マーク２１０と第２の重ね合わせ測定マーク２２０との位置関係によって移動するが、一対の第１のラインパターン群２１４ａ、２１４ｂは直線状のパターンよりなるのに対して一対の第３のラインパターン群２２４ａ、２２４ｂは折れ線状のパターンよりなり、また、一対の第２のラインパターン群２１５ａ、２１５ｂは直線状のパターンよりなるのに対して一対の第４のラインパターン群２２５ａ、２２５ｂは折れ線状のパターンよりなるので、明度が高い線状の部分（モアレパターン）２３１の移動方向と明度が高い線状の部分（モアレパターン）２３３の移動方向は互いに等しいと共に、明度が高い線状の部分（モアレパターン）２３２の移動方向と明度が高い線状の部分（モアレパターン）２３４の移動方向とは互いに等しい。
【００７６】
そして、第１のラインパターン群２１４ａ、２１４ｂと第３のラインパターン群２２４ａ、２２４ｂとの角度、及び第２のラインパターン群２１５ａ、２１５ｂと第４のラインパターン群２２５ａ、２２５ｂとの角度をθとし、第２の重ね合わせ測定マーク２２０の第１の重ね合わせ測定マーク２１０に対する重ね合わせずれ量をｘとし、明度が高い線状の部分１３１〜１３４の移動量をｙとすると、ｙ＝ｘ／ｔａｎθの関係が成り立つ。
【００７７】
例えば、角度θを１度、重ね合わせずれ量ｘを０．０１μｍとした場合、明度が高い線状の部分（モアレパターン）の移動量ｙは０．５７μｍとなり、重ね合わせずれ量ｘの約５７倍の大きさになる。
【００７８】
この変動量ｙを、図６（ｂ）　に示すように、内側のエッジ２３５、２３６及び外側のエッジ２３２、２３４より得られる信号に基づき、内側のエッジ２３５、２３６と外側のエッジ２３２、２３４との中心のずれ量、つまり移動量ｙを求めた後、前述の関係式から重ね合わせずれ量ｘを計算する。
【００７９】
第２の実施形態によると、内側のエッジ２３５、２３６と外側のエッジ２３２、２３４との中心のずれ量（移動量）ｙは実際の重ね合わせずれ量ｘを増幅した形で現われてくるため、従来と同様の光学式重ね合わせ測定装置を用いる場合、従来の重ね合わせマークに比べて測定精度が大きく向上する。従って、従来と同様の重ね合わせ測定装置を用いるにも拘わらず、位置ずれの測定精度が大きく向上する。
【００８０】
また、第１及び第２の重ね合わせ測定マーク２１０、２２０のラインパターン群を構成する複数の線状パターンの線幅及びピッチを、実際の回路パターン（上層パターン）の線幅及びピッチと一致させると、露光装置の収差による影響が重ね合わせ測定マークと実際の回路パターンとの間で等しくなるので、従来の方形状の重ね合わせ測定マークと比べると、実際の重ね合わせずれ量をより正確に反映させることができる。
【００８１】
尚、第２の実施形態においては、第１の重ね合わせ測定マーク２１０のラインパターン群を構成する複数の線分は直線であったが、これに代えて、多数のホールパターンが直線状に等ピッチで並ぶ直線状のホールパターンであると共に、第２の重ね合わせ測定マーク２２０のラインパターン群を構成する複数の折れ線状パターンは、折れ線であったが、これに代えて、多数のホールパターンが折れ線状に等ピッチで並ぶ折れ線状のホールパターンであってもよい。
【００８２】
例えば、上層のパターンがコンタクトホールが形成される層である場合、多数のホールパターンよりなる重ね合わせ測定マークを用いてマスク合わせ工程を行なうと、露光装置の収差の影響を低減することができるので、重ね合わせ精度を向上することができる。
【００８３】
以下、第２の実施形態を評価するために行なった実験結果について説明する。
【００８４】
実際の回路パターン（上層パターン）に形成された第２の重ね合わせ測定マーク２２０と、下層パターンに形成された第１の重ね合わせ測定マーク２１０との位置ずれを複数の箇所において電子式顕微鏡（ＳＥＭ）で測定すると共に、該実際の測定結果と、第２の実施形態による測定方法による測定結果及び第１の従来例に係る測定方法による測定結果とをそれぞれ比較したところ、第１の従来例と実際の測定結果とのずれ量はおよそ１０ｎｍであったのに対して、第２の実施形態と実際の測定結果とのずれ量はおよそ４ｎｍであった。
【００８５】
重ね合わせ測定マークと実際の回路パターンとのずれ量が大きい場合には、マスク合わせ工程の管理規格を本来の値よりも厳しくしなければ、所望の製品歩留まりが得られないことになる。ところが、マスク合わせ工程の管理規格を厳しくし過ぎると、マスク合わせ工程での工程歩留まりが低下する。
【００８６】
これに対して、第２の実施形態によると、マスク合わせ工程の管理規格を６ｎｍに広げることができる。この広い管理規格を実際の製造プロセスに当てはめて歩留まりを試算したところ、工程歩留まりが約３％向上することが分かった。
【００８７】
また、工程歩留まりを現在と同一に設定する場合には、半導体装置のデザインルールを６ｎｍ縮小することができる。これは実際のデバイスで考えた場合、約６％の縮小効果が見込めることになる。
【００８８】
【発明の効果】
本発明に係る第１又は第２の半導体装置の製造方法によると、従来の光学式測定器を用いて第１及び第２のモアレパターンを観察することができると共に、重ね合わせずれ量の測定精度が大きく向上する。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法に用いる第１の重ね合わせ測定マークの平面図である。
【図２】第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法に用いる第２の重ね合わせ測定マークの平面図である。
【図３】（ａ）　は第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法において、第１の重ね合わせ測定マークと第２の重ね合わせ測定マークとを重ね合わせた状態を示す平面図であり、（ｂ）　は第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法における重ね合わせずれ量を説明する図である。
【図４】第２の実施形態に係る半導体装置の製造方法に用いる第１の重ね合わせ測定マークの平面図である。
【図５】（ａ）　は第２の実施形態に係る半導体装置の製造方法に用いる第２の重ね合わせ測定マークの平面図であり、（ｂ）　は第２の重ね合わせ測定マークの部分拡大図である。
【図６】（ａ）　は第２の実施形態に係る半導体装置の製造方法において、第１の重ね合わせ測定マークと第２の重ね合わせ測定マークとを重ね合わせた状態を示す平面図であり、（ｂ）　は第２の実施形態に係る半導体装置の製造方法における重ね合わせずれ量を説明する図である。
【図７】従来の半導体装置の製造方法における重ね合わせずれ量を説明する図である。
【符号の説明】
１１０　第１の重ね合わせ測定マーク
１１１　第１の直線
１１２　第２の直線
１１３　第１の交点
１１４ａ、１１４ｂ　一対の第１のラインパターン群
１１５ａ、１１５ｂ　一対の第２のラインパターン群
１２０　第２の重ね合わせ測定マーク
１２１　第１の直線
１２２　第２の直線
１２３　第２の交点
１２４ａ、１２４ｂ　一対の第１のラインパターン群
１２５ａ、１２５ｂ　一対の第２のラインパターン群
１３１　明度が高い線状の部分（モアレパターン）
１３２　　明度が高い線状の部分（モアレパターン）
１３３　　明度が高い線状の部分（モアレパターン）
１３４　　明度が高い線状の部分（モアレパターン）
１３５　内側のエッジ
１３６　内側のエッジ
２１０　第１の重ね合わせ測定マーク
２１１　第１の直線
２１２　第２の直線
２１３　第１の交点
２１４ａ、２１４ｂ　一対の第１のラインパターン群
２１５ａ、２１５ｂ　一対の第２のラインパターン群
２２０　第２の重ね合わせ測定マーク
２２１　第１の直線
２２２　第２の直線
２２３　第２の交点
２２４ａ、２２４ｂ　一対の第１のラインパターン群
２２５ａ、２２５ｂ　一対の第２のラインパターン群
２３１　明度が高い線状の部分（モアレパターン）
２３２　　明度が高い線状の部分（モアレパターン）
２３３　　明度が高い線状の部分（モアレパターン）
２３４　　明度が高い線状の部分（モアレパターン）
２３５　内側のエッジ
２３６　内側のエッジ
【図１】
2004031542.tif 000003
【図２】
2004031542.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2004031542.tif 000009