(57)【要約】【目的】サーミスタと抵抗を１チップの両面に直列接続した複合チップ部品及びその製造方法を提供することにより、少ない占有面積でサーミスタ自体の自己発熱があっても周囲の温度検知を正確に行うことが出来るようにする。【構成】中央部にビアホール５を配設したアルミナ基体１の一方面の一方端部近傍に内部電極Ａ２を形成し、その上にサーミスタ層３を形成し、サーミスタ層３上部よりアルミナ基体１の中央部ビアホール５にかけて内部電極Ｂ４を形成する。アルミナ基体１の他方面の中央部のビアホール５部分から他方端部に向けて内部電極Ｃ６を形成し、内部電極Ｃ６を覆うように抵抗体層７を形成し、抵抗体層７上からアルミナ基体１の他方端部にかけて内部電極Ｄ８を形成し、両表面の端部を除いて保護コートＡ９、Ｂ１０で覆い、両端部に端子電極Ａ１１、端子電極Ｂ１２を形成する。【選択図】　　　　図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁材料で構成した基体の両面上にサーミスタと抵抗素子を形成してなるチップ型複合部品であって、
前記基体の一方面上の一方端部側に形成されたサーミスタ層と、
前記基体の他方面上の他方端部側に形成された抵抗体層と、
前記基体の一方端部端面から前記サーミスタ層の一方面に形成される第１の電極と、
前記基体の他方端部端面から前記抵抗体層の一方面に形成される第２の電極と、
前記サーミスタ層の他方面から前記基体中央部に形成された第３の電極と、
前記抵抗体層の他方面から前記基体中央部に形成された第４の電極と、
前記第３の電極と前記第４の電極とを互いに接続する前記基体を貫通して形成されたビアホールとを備え、
前記第１の電極からサーミスタ層、第３の電極、ビアホール、第４の電極、抵抗体層、第２の電極が直列に接続されていることを特徴とするチップ型複合部品。
【請求項２】
前記基体の一方面上に前記第１の電極を形成し、前記１の電極上から前記基体中央部上に前記サーミスタ層を形成し、前記サーミスタ層上から前記基体上に前記第３電極を形成し、
前記基体の他方面上に前記第４の電極を形成し、前記第４電極上から前記基体上に前記抵抗体層を形成し、前記抵抗体層上から前記基体の他方端部に前記第２の電極を形成してなることを特徴とする請求項１記載のチップ型複合部品。
【請求項３】
前記基体の一方面上に前記第１の電極を形成し、前記１の電極上から前記基体中央部上に前記サーミスタ層を形成し、前記サーミスタ層上から前記基体上に前記第３電極を形成し、
前記基体の他方面上に前記第２の電極を形成し、前記第２電極上から前記基体上に前記抵抗体層を形成し、前記抵抗体層上から前記基体上に前記第４の電極を形成してなることを特徴とする請求項１記載のチップ型複合部品。
【請求項４】
前記基体の一方面上に前記第３の電極を形成し、前記３の電極上から前記基体の一方端部上に前記サーミスタ層を形成し、前記サーミスタ層上から前記基体の一方端部に前記第１電極を形成し、
前記基体の他方面上に前記第４の電極を形成し、前記第４電極上から前記基体上に前記抵抗体層を形成し、前記抵抗体層上から前記基体の他方端部に前記第２の電極を形成してなることを特徴とする請求項１記載のチップ型複合部品。
【請求項５】
前記基体の一方面上に前記第１の電極及び第３の電極を所定間隔で形成し、前記１の電極と前記第３の電極をまたいで前記基体一方面上に前記サーミスタ層を形成し、
前記基体の他方面上に前記第２の電極及び第４の電極を所定間隔で形成し、前記２の電極と前記第４の電極をまたいで前記基体一方面上に前記抵抗体層を形成してなることを特徴とする請求項１記載のチップ型複合部品。
【請求項６】
その後、端部を除く基体の両表面にコート層を形成して保護コートとすると共に、前記第１の電極及び前記第２の電極にそれぞれ接続された外部接続電極を形成することを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれかに記載のチップ型複合部品。
【請求項７】
前記基体表面の一方面の前記保護コートに表示材を付加して前記サーミスタ層あるいは前記抵抗体層の形成面を識別可能とすることを特徴とする請求項１乃至請求項６のいずれかに記載のチップ型複合部品。
【請求項８】
絶縁材料で構成した基体の両表面上にサーミスタと抵抗素子を形成してなるチップ型複合部品の製造方法であって、
前記基体の中央部を貫通するビアホールを形成するビアホール形成工程と、
前記基体の一方面上の一方端部から中央に延出する第１の電極を形成する第１電極形成工程と、
前記１の電極上から前記基体中央部上に前記サーミスタ層を形成するサーミスタ層形成工程と、
前記サーミスタ層上から前記基体上に形成され前記ビアホールにいたる第３の電極を形成する第３電極形成工程と、
前記基体の他方面上の中央部の前記ビアホールから他方端部方向に前記第４の電極を形成する第４電極形成工程と、
前記第４電極上から前記基体上に抵抗体層を形成する抵抗体層形成工程と、
前記抵抗体層上から前記基体の他方端部に前記第２の電極を形成する第２電極形成工程とを有する特徴とするチップ型複合部品の製造方法。
【請求項９】
絶縁材料で構成した基体の両表面上にサーミスタと抵抗素子を形成してなるチップ型複合部品の製造方法であって、
前記基体の中央部を貫通するビアホールを形成するビアホール形成工程と、
前記基体の一方面上の一方端部から中央に延出する第１の電極を形成する第１電極形成工程と、
前記１の電極上から前記基体中央部上に前記サーミスタ層を形成するサーミスタ層形成工程と、
前記サーミスタ層上から前記基体上に形成され前記ビアホールにいたる第３の電極を形成する第３電極形成工程と、
前記基体の他方面上の他方端部より中央に延出する第２の電極を形成する第２電極形成工程と、
前記第２の電極上から前記基体中央部上に抵抗体層を形成する抵抗体層形成工程と、
前記抵抗体層上面から前記基体上に形成され、前記ビアホールにいたる第４の電極を形成する第４電極形成工程を有することを特徴とするチップ型複合部品の製造方法。
【請求項１０】
絶縁材料で構成した基体の両表面上にサーミスタと抵抗素子を形成してなるチップ型複合部品の製造方法であって、
前記基体の中央部を貫通するビアホールを形成するビアホール形成工程と、
前記基体の一方面上の前記ビアホールから一方端部方向に第３の電極を形成する第３電極形成工程と、
前記３の電極上から前記基体の一方端部近傍上にサーミスタ層を形成するサーミスタ層形成工程と、
前記サーミスタ層上から前記基体の一方端部端面に第１の電極を形成する第１電極形成工程と、
前記基体の他方面上の前記ビアホールから他方端部方向に第４の電極を形成する第４電極形成工程と、
前記４の電極上から前記基体の他方端部近傍上に抵抗体層を形成する抵抗体層形成工程と、
前記抵抗体層上から前記基体の他方端部端面に第２の電極を形成する第２電極形成工程とを有することを特徴とするチップ型複合部品の製造方法。
【請求項１１】
絶縁材料で構成した基体の両表面上にサーミスタと抵抗素子を形成してなるチップ型複合部品の製造方法であって、
前記基体の中央部を貫通するビアホールを形成するビアホール形成工程と、
前記基体の一方面上の一方端部面から中央部に第１の電極を形成する第１電極形成工程と、
前記第１の電極の中央部と所定の間隔を有し前記ビアホールにいたる第３の電極を形成する第３電極形成工程と、
前記１の電極と前記第３の電極をまたいでサーミスタ層を形成するサーミスタ層形成工程と、
前記基体の他方面上の他方端部面から中央部に第２の電極を形成する第２電極形成工程と、
前記第２の電極の中央部と所定の間隔を有し前記ビアホールにいたる第４の電極を形成する第３電極形成工程と、
前記２の電極と前記第４の電極をまたいで抵抗体層を形成する抵抗体層形成工程とを有することを特徴とするチップ型複合部品の製造方法。
【請求項１２】
その後、端部を除く基体の両表面にコート層を形成して保護コートとする保護コート形成工程と、
前記第１の電極及び前記第２の電極にそれぞれ接続された外部接続電極を形成する外部電極形成工程とを有することを特徴とする請求項８乃至請求項１１のいずれかに記載のチップ型複合部品の製造方法。
【請求項１３】
前記基体表面の一方面の前記保護コートに表示材を付加する表示材付加工程を有することを特徴とする請求項１２に記載のチップ型複合部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、絶縁材料で構成した基体の両表面上にサーミスタと抵抗素子を形成してなるチップ型複合部品及びその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
一定電圧を印加する回路にて、例えばＮＴＣサーミスタを使用した場合、サーミスタを動作状態とするとサーミスタの電流が流れ、どうしても温度上昇が起きる。温度上昇が起きると、サーミスタの特性からサーミスタの抵抗値が減少するため消費電力が増加し、サーミスタ自体の自己発熱により周囲の温度検知を正確に行うことが出来なくなる。
【０００３】
即ち、消費電力（Ｗ）＝｛電圧（Ｖ）｝２／抵抗値（Ｒ）であり、温度上昇に伴って抵抗値が減少すればサーミスタに印加される電力が増加してしまう。このためますます温度上昇が進むという悪循環を引き起こしてしまう。
【０００４】
従来はこのようなサーミスタに供給される電力の増加を抑えるために直列に抵抗素子を接続して、温度上昇によるサーミスタの抵抗値減少に伴う印加電力の上昇（サーミスタの自己発熟量の上昇）を直列に接続された抵抗に電圧を分圧することにより防ぎ、温度の誤検知を防ぐ方法が取られていた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来は抵抗素子とサーミスタをそれぞれ個別に用意し、例えば基板上に実装することにより直列接続を実現していた。このため、どうしてもサーミスタと抵抗素子それぞれの実装スペースが必要であり、小型化には限界があった。
【０００６】
小型化のためにひとつのチップにサーミスタと抵抗素子とを搭載するものもあったが、例えば、特開２０００−１２４００８号に記載のように、従来の積層技術ではサーミスタと抵抗素子を並列に接続することが出来るに過ぎなかった。このため、サーミスタと抵抗を直列に接続した複合チップの実現が待たれていた。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上述した課題を解決することを目的としてなされたもので、サーミスタと抵抗を１チップで直列に接続した複合チップその製造方法を提供することにより、少ない占有面積でサーミスタ自体の自己発熱があっても周囲の温度検知を正確に行うことが出来るようにすることを目的とする。そして、係る目的を達成し、上述した課題を解決する一手段として例えば以下の構成を備える。
【０００８】
即ち、絶縁材料で構成した基体の両面上にサーミスタと抵抗素子を形成してなるチップ型複合部品であって、前記基体の一方面上の一方端部側に形成されたサーミスタ層と、前記基体の他方面上の他方端部側に形成された抵抗体層と、前記基体の一方端部端面から前記サーミスタ層の一方面に形成される第１の電極と、前記基体の他方端部端面から前記抵抗体層の一方面に形成される第２の電極と、前記サーミスタ層の他方面から前記基体中央部に形成された第３の電極と、前記抵抗体層の他方面から前記基体中央部に形成された第４の電極と、前記第３の電極と前記第４の電極とを互いに接続する前記基体を貫通して形成されたビアホールとを備え、前記第１の電極からサーミスタ層、第３の電極、ビアホール、第４の電極、抵抗体層、第２の電極が直列に接続されていることを特徴とする。
【０００９】
そして例えば、前記基体の一方面上に前記第１の電極を形成し、前記１の電極上から前記基体中央部上に前記サーミスタ層を形成し、前記サーミスタ層上から前記基体上に前記第３電極を形成し、前記基体の他方面上に前記第４の電極を形成し、前記第４電極上から前記基体上に前記抵抗体層を形成し、前記抵抗体層上から前記基体の他方端部に前記第２の電極を形成してなることを特徴とする。
【００１０】
また例えば、前記基体の一方面上に前記第１の電極を形成し、前記１の電極上から前記基体中央部上に前記サーミスタ層を形成し、前記サーミスタ層上から前記基体上に前記第３電極を形成し、前記基体の他方面上に前記第２の電極を形成し、前記第２電極上から前記基体上に前記抵抗体層を形成し、前記抵抗体層上から前記基体上に前記第４の電極を形成してなることを特徴とする。
【００１１】
さらに例えば、前記基体の一方面上に前記第３の電極を形成し、前記３の電極上から前記基体の一方端部にかけて前記サーミスタ層を形成し、前記サーミスタ層上から前記基体の一方端部に前記第１電極を形成し、前記基体の他方面上に前記第４の電極を形成し、前記第４電極上から前記基体上に前記抵抗体層を形成し、前記抵抗体層上から前記基体の他方端部に前記第２の電極を形成してなることを特徴とする。
【００１２】
また例えば、前記基体の一方面上に前記第１の電極及び第３の電極を所定間隔で形成し、前記１の電極と前記第３の電極をまたいで前記基体一方面上に前記サーミスタ層を形成し、前記基体の他方面上に前記第２の電極及び第４の電極を所定間隔で形成し、前記２の電極と前記第４の電極をまたいで前記基体一方面上に前記抵抗体層を形成してなることを特徴とする。
【００１３】
さらに例えば、その後、端部を除く基体の両表面にコート層を形成して保護コートとすると共に、前記第１の電極及び前記第２の電極にそれぞれ接続された外部接続電極を形成することを特徴とする。
【００１４】
また例えば、前記基体表面の一方面の前記保護コートに表示材を付加して前記サーミスタ層あるいは前記抵抗体層の形成面を識別可能とすることを特徴とする。
【００１５】
または、絶縁材料で構成した基体の両表面上にサーミスタと抵抗素子を形成してなるチップ型複合部品の製造方法であって、前記基体の中央部を貫通するビアホールを形成するビアホール形成工程と、前記基体の一方面上の一方端部から中央に延出する第１の電極を形成する第１電極形成工程と、前記１の電極上から前記基体中央部上に前記サーミスタ層を形成するサーミスタ層形成工程と、前記サーミスタ層上から前記基体上に形成され前記ビアホールにいたる第３の電極を形成する第３電極形成工程と、前記基体の他方面上の中央部の前記ビアホールから他方端部方向に前記第４の電極を形成する第４電極形成工程と、前記第４電極上から前記基体上に抵抗体層を形成する抵抗体層形成工程と、前記抵抗体層上から前記基体の他方端部に前記第２の電極を形成する第２電極形成工程とを有するチップ型複合部品の製造方法とすることを特徴とする。
【００１６】
さらにまた、絶縁材料で構成した基体の両表面上にサーミスタと抵抗素子を形成してなるチップ型複合部品の製造方法であって、前記基体の中央部を貫通するビアホールを形成するビアホール形成工程と、前記基体の一方面上の一方端部から中央に延出する第１の電極を形成する第１電極形成工程と、前記１の電極上から前記基体中央部上に前記サーミスタ層を形成するサーミスタ層形成工程と、前記サーミスタ層上から前記基体上に形成され前記ビアホールにいたる第３の電極を形成する第３電極形成工程と、前記基体の他方面上の他方端部より中央に延出する第２の電極を形成する第２電極形成工程と、前記第２の電極上から前記基体中央部上に抵抗体層を形成する抵抗体層形成工程と、前記抵抗体層上面から前記基体上に形成され、前記ビアホールにいたる第４の電極を形成する第４電極形成工程を有するチップ型複合部品の製造方法とすることを特徴とする。
【００１７】
さらにまた、絶縁材料で構成した基体の両表面上にサーミスタと抵抗素子を形成してなるチップ型複合部品の製造方法であって、前記基体の中央部を貫通するビアホールを形成するビアホール形成工程と、前記基体の一方面上の前記ビアホールから一方端部方向に第３の電極を形成する第３電極形成工程と、前記３の電極上から前記基体の一方端部近傍上にサーミスタ層を形成するサーミスタ層形成工程と、前記サーミスタ層上から前記基体の一方端部面に第１の電極を形成する第１電極形成工程と、前記基体の他方面上の前記ビアホールから他方端部方向に第４の電極を形成する第４電極形成工程と、前記４の電極上から前記基体他方端部近傍上に抵抗体層を形成する抵抗体層形成工程と、前記抵抗体層上から前記基体の他方端部面に第２の電極を形成する第２電極形成工程とを有するチップ型複合部品の製造方法とすることを特徴とする。
【００１８】
または、絶縁材料で構成した基体の両表面上にサーミスタと抵抗素子を形成してなるチップ型複合部品の製造方法であって、前記基体の中央部を貫通するビアホールを形成するビアホール形成工程と、前記基体の一方面上の一方端部面から中央部に第１の電極を形成する第１電極形成工程と、前記第１の電極の中央部と所定の間隔を有し前記ビアホールにいたる第３の電極を形成する第３電極形成工程と、前記１の電極と前記第３の電極をまたいでサーミスタ層を形成するサーミスタ層形成工程と、前記基体の他方面上の他方端部面から中央部に第２の電極を形成する第２電極形成工程と、前記第２の電極の中央部と所定の間隔を有し前記ビアホールにいたる第４の電極を形成する第３電極形成工程と、前記２の電極と前記第４の電極をまたいで抵抗体層を形成する抵抗体層形成工程とを有するチップ型複合部品の製造方法とすることを特徴とする。
【００１９】
そして例えば、その後、端部を除く基体の両表面にコート層を形成して保護コートとする保護コート形成工程と、前記第１の電極及び前記第２の電極にそれぞれ接続された外部接続電極を形成する外部電極形成工程とを有するチップ型複合部品の製造方法とすることを特徴とする。
【００２０】
また例えば、前記基体表面の一方面の前記保護コートに表示材を付加する表示材付加工程を有するチップ型複合部品の製造方法とすることを特徴とする。
【００２１】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明に係る一発明の実施の形態例を詳細に説明する。
〔第１の実施の形態例〕
図１は本発明に係る一発明の実施の形態例の複合チップの構成を説明するための断面図、図２は本実施の形態例の複合チップ基体の一方面における構造を説明するための図、図３は本実施の形態例の複合チップ基体の他方面の構造を説明するための図であり、図１のＡ−Ａが基体の一方面、Ｂ−Ｂが基体の他方面である。なお、図１は図２のＣ−Ｃ面の断面を示している。
【００２２】
本実施の形態例では、アルミナ基体の両表面にサーミスタと抵抗体とを接続し、中間部をビアホールで接続した場合を複合チップの例として説明する。
【００２３】
図において、１は電気絶縁性を有するアルミナ基体であり、アルミナ基体１はアルミナ焼結体により形成されている。本実施の形態例では、複合チップ完成時にほぼ実装面積１．２８ｍｍ２（１．６ｍｍ×０．８ｍｍ×０．８ｍｍサイズの複合チップ）程度に成形する。
【００２４】
２はアルミナ基体１の一方面（図１のＡ−Ａ面）の一方端部端面より中央部にかけて形成された内部電極Ａ、３は内部電極Ａ２の端部を除く全面を覆いアルミナ基体１の中央部にかけて形成されたサーミスタ層である。本実施の形態例のサーミスタ層３はほぼ正方形状に成形している。
【００２５】
４はサーミスタ層３の上面からアルミナ基体１の中央部の配設されているビアホール５にかけて形成された内部電極Ｂ、５はアルミナ基体１のほぼ中央部を貫通して配設されたビアホールであり、導電ペーストがホール内に充填され、内部電極Ｂ４と内部電極Ｃ６とを電気的に接続している。
ビアホール５内への導電材料の充填は、内部電極Ｂ４又は内部電極Ｃ６を形成時に同時に行ってもよく、またスルーホール形状でホール内周のみに導電材料を形成したものであってもよい。本実施の形態例では例えばビアホール５として孔径を１０μｍ〜２００μｍ程度に形成することができる。
【００２６】
６はアルミナ基体１の他方面（図１のＢ−Ｂ面）の中央ビアホールから他方端部にかけて延出する内部電極Ｃ、７は内部電極Ｃ６の中央部を除く全面を覆いアルミナ基体１の他方端部にかけて形成された抵抗体層であり、本実施の形態例では抵抗体層７をほぼ正方形状に成形している。
【００２７】
８は抵抗体層７の上面からアルミナ基体１の他方側端部端面まで形成された内部電極Ｄである。９はアルミナ基体１の一方表面の両端部（端子電極形成部）を除く全面をコートする保護コートＡ、１０はアルミナ基体１の他方表面の両端部（端子電極形成部）を除く全面をコートする保護コートＢである。このようにしてアルミナ基体１上にサーミスタ層３と抵抗体層７を内部電極及びビアホール５により直列に接続した後、アルミナ基体１の両端部を除いて保護コートＡ９、Ｂ１０により表面をコートすることにより経年変化などから防ぐことができる。
【００２８】
そして最後にアルミナ基体１の両端部に端子電極Ａ１１と端子電極Ｂ１２を形成する。端子電極Ａ１１は内部電極Ａ２に接続され、端子電極Ｂ１２は内部電極Ｄ８に接続されている。この結果、図３に示す接続状態となり、サーミスタと抵抗とが直列に接続された１チップ複合部品が実現する。
【００２９】
なお、本実施の形態例で用いるアルミナ基体１は、例えば９６％Ａｌ２Ｏ３のアルミナ基板を用い、基板の厚さはチップサイズに合わせて適当な厚さのものを選択することが望ましい。
【００３０】
内部電極Ａ２、Ｂ４、Ｃ６、Ｄ８は、Ａｇ、Ａｇ／Ｐｄ，Ｐｔ、Ａｕなどの任意の貴金属をスパッタリング、スクリーン印刷などにより形成できる。例えば、Ａｇ−Ｐｄ−ガラスのメタルグレーズをスクリーン印刷などにより形成することができる。なお、内部電極をＡｕ又はＡｇで形成してもよい。
【００３１】
同じくサーミスタ層３は任意の特性を持つサーミスタペーストをスクリーン印刷などにより形成する。本実施の形態例で用いるサーミスタペーストは、Ｍｎ，Ｎｉ，Ｃｏ，Ｆｅ，Ａｌ，Ｃｕの中より特性に応じて３から４種類選択した複合酸化物を用いる。サーミスタ層３の焼成温度は８５０度Ｃ〜１３００度Ｃとすることができるが、望ましくは１０００度Ｃ以下とする。
【００３２】
焼成温度を低く設定した場合、例えば１０００度Ｃ以下であるような場合には、低温での焼結性を良くして、内部電極Ａ２やアルミナ基体１への密着性の増大を図るため、サーミスタペースト内にガラス材料を添加する。
【００３３】
具体的には、例えば以下の方法で製造する。
【００３４】
▲１▼サーミスタ成分比がＭｎ：３０〜６０ｍｏｌ％、Ｎｉ：１０〜３０ｍｏｌ％、Ｃｏ：１０〜３０ｍｏｌ％、Ｆｅ：１０〜３０ｍｏｌ％になる割合の各種金属の酸化物を原料として、溶媒には水又はアルコールを用いて湿式ボールミルにより混合してスラリーを製造する。出発原料として用いる金属酸化物としては、Ｍｎ３Ｏ４，ＮｉＯ，Ｃｏ３０４，Ｆｅ２０３等とすることが望ましい。
【００３５】
▲２▼混合したスラリーを乾燥工程において乾燥させて水分又はアルコールを除去した後、８００度Ｃ〜１０００度Ｃにて仮焼成を行い、原料粉末を作る。
【００３６】
▲３▼仮焼成を行った粉末を湿式ボールミルにより粉砕する。このとき溶媒は水又はアルコールを用いる。
【００３７】
▲４▼得られたスラリーを乾燥工程において乾燥させ、水分又はアルコール成分を除去した後、エチルセルロース、α一テルピネオールを加え３本ロールミルを用いてサーミスタペーストを作成する。
【００３８】
▲５▼ガラスをサーミスタペースト内に加える場合はホウ珪酸ガラス粉末をサーミスタペースト内に添加して３本ロールミルによりペースト化する。
【００３９】
以上のようにしてサーミスタペーストを製造し、このサーミスタペーストをスクリーン印刷でアルミナ基体１に形成することにより、小型でありながら性能のよいサーミスタが製造できる。
【００４０】
また、本実施の形態例の抵抗体層７は、任意の特性を持つ抵抗体ペーストをスクリーン印刷で形成するほか、抵抗体材料をスパッタリングなどにより形成してもよい。ここで用いる抵抗体材料はＲｕＯ２、ＳｎＯ２などを用いることができ、抵抗値により任意のものを選択可能である。
【００４１】
抵抗体層７をスクリーン印刷により形成する場合は、抵抗体の粉末をペースト化して用いる。この場合の抵抗体層７の焼成温度は６００度Ｃ〜１０００度Ｃとすることが望ましい。サーミスタ層３と焼成温度を同じとする場合は、サーミスタ層３と抵抗体層７（内部電極Ｂ４、Ｃ６を含む。）を同時焼成により形成してもよい。
【００４２】
端子電極Ａ１１、Ｂ１２は、Ａｇ、Ａｇ／Ｐｄ、Ｎｉ／Ｃｒ，Ｃｕなどの任意の導電材料をディッピング又はスパッタリングなどにより形成し、その上にニッケル、半田又はＳｎを電界めっきなどにより形成して半田付け性を確保する。
【００４３】
保護コートＡ９、保護コートＢ１０は、ガラスまたは耐熱性の樹脂のなかから任意に選択してスクリーン印刷などにより形成する。例えば、ホウ珪酸ガラスを用いたペースト又はエポキシ、ポリイミド系の樹脂を用いることができる。
【００４４】
このようにして製造した複合チップのサーミスタ特性及び抵抗素子の抵抗値特性は、サーミスタ層、抵抗層又は内部電極のレーザートリミングまたは、内部電極・構造（電間距離）により調整が可能である。
【００４５】
次に、以上に構成を説明した複合チップの製造方法を図４乃至図１４を参照して説明する。図４乃至図１４は本実施の形態例の複合チップの製造方法を説明するための図であり、各製造工程を模式的に表している。
【００４６】
図４は絶縁基板であるアルミナ基体上に内部電極Ａを形成する工程を示し、図５はその上にサーミスタ層を形成する工程を示し、図６は内部電極Ｂを形成する工程を示し、図７はあるみな基体上に内部電極Ｃを形成する工程を示し、図８はその上に抵抗体層を形成する工程を示し、図９はその上に内部電極Ｄを形成する工程を示し、図１０はアルミナ基体の一方面に保護コートを形成する工程を示し、図１１はアルミナ基体の他方面に保護コートを形成する工程を示し、図１２は短冊状の列状集合部品形状に切断する工程を示し、図１３はさらに端子電極を形成する工程を示し、図１４は短冊状の集合部品を各個別の複合チップ部品に切断する工程を示している。
【００４７】
まず、図４に示すように、ビアホール１０５が配設された所定大きさのアルミナ焼結体の絶縁基板（以下の説明は１２個の複合チップを製造する場合の例を説明する。）１０１の一方面上に内部電極Ａ１０２を例えばＡｇ−Ｐｄ−ガラスメタルグレーズにより印刷する。
【００４８】
続いて図５に示すように、各内部電極Ａ１０２毎に端部を除く延長部の上面にかけて先の製造方法で製造したサーミスタペースト（例えば、サーミスタ特性を有する粒径数μｍ程度の複合金属酸化物（ＣＯ２Ｏ３＋ＮｉＯ＋Ｍｎ２Ｏ３）とガラスフリットと有機質ビヒクルとの塗料）を印刷する。
【００４９】
次に、図６に示すように、各サーミスタ層１０３毎にサーミスタ層１０３上面よりアルミナ基板１０１のビアホール位置を完全に覆うように内部電極Ｂ１０４を例えばＡｇ−Ｐｄ−ガラスメタルグレーズにより印刷する。そして、例えば約８５０度Ｃで焼成することにより一方面上に各サーミスタ層１０３を形成する。
【００５０】
ここでアルミナ基体１０１の一方面への形成が終了したため、アルミナ基体１０１を裏返し、以後アルミナ基体１０１の他方面に対する処理を行う。まず図７に示すように、アルミナ基体１０２の他方面上にアルミナ基板１０１のビアホール位置を完全に覆うように内部電極Ｃ１０６を例えばＡｇ−Ｐｄ−ガラスメタルグレーズにより印刷する。それと同時にビアホールを電極グレーズで充填する。
【００５１】
続いて図８に示すように各内部電極Ｃ１０６上からアルミナ基板１０１上にかけて抵抗体ペーストを印刷して各抵抗体層１０７を形成する。次に、図９に示すように、各抵抗体層１０７毎に抵抗体層１０７上面よりアルミナ基板１０１上に内部電極Ｄ１０８を例えばＡｇ−Ｐｄ−ガラスメタルグレーズにより印刷する。
【００５２】
その後図１０に示すようにアルミナ基板１０１の内部電極Ｄ１０８端部を除く上にかけて内部電極Ｃ１０６を例えばＡｇ−Ｐｄ−ガラスメタルグレーズにより印刷する。そして、例えば約８５０度Ｃで焼成することにより他方面上に各抵抗体層１０５を形成する。
【００５３】
なお、サーミスタ層１０３と抵抗体層１０７を同じ温度で焼成する場合には、一方面上へのサーミスタ層１０３などの形成後に焼成するのではなく、最後に一括して焼成してもよい。
【００５４】
なお、ここで、抵抗値或いはサーミスタ特性を調整する必要があるときは、内部電極Ｄ１０８をレーザ光により抵抗体層１０５上で切断し、切溝位置によって抵抗値を調整する。切断の方法はレーザ光による他、サンドブラスト法で調整してもよく、或いは内部電極Ｄ１０８を予めくし形に形成しておき、くし形の連続部を適当位置で切断して調整してもよい。
【００５５】
次に、図１０に示すように、アルミナ基体１０１の他方面の各内部電極Ａ１０２と各内部電極Ｄ１０８の両端部間部分を（内部電極Ｃ１０６、抵抗体層１０７と内部電極Ｄ１０８の端部を除く部分を）被覆するように、例えば耐熱性エポキシ樹脂を印刷形成し、例えば約１３０度Ｃで樹脂を硬化させ保護コートＢ１１０を形成する。
【００５６】
次のアルミナ基体１０１を裏返し一方面の各内部電極Ａ１０２と各内部電極Ｄ１０８の両端部間部分を（内部電極Ａ１０の端部を除く部分、サーミスタ層１０３と内部電極Ｄ１０４部分を）被覆するように、例えば耐熱性エポキシ樹脂を印刷形成し、例えば約１３０度Ｃで樹脂を硬化させ保護コートＡ１０９を形成する。
【００５７】
なお、保護コートＡ１０９、Ｂ１１０を個別の焼成せずに両面にそれぞれ耐熱性エポキシ樹脂を印刷形成し、一度の焼成で両面に保護コートを形成してもよい。これにより工程を減らすことができる。
【００５８】
そして図１２に示すように、各複合チップ片の長さ方向を幅方向として破線で示す部分（あらかじめ分割溝を形成していてもよい。）から絶縁基板１０１を分割して短冊様分割体１２０を得る。
【００５９】
次に、図１３に示すように、短冊様分割体１２０の幅方向の両側に連続した端子電極１１１、１１２を形成し、一方の端子電極を内部電極Ａ１０２に、他方の端子電極を内部電極Ｄ１０８とをそれぞれ接続する。端子電極１１１、１１１２の形成は、Ｎｉ−Ｃｒの真空蒸着による方法、Ａｇ−Ｐｄ−ガラスメタルグレーズの塗布、焼成による方法、Ａｇを分散させてエポキシ樹脂塗料の塗布、硬化などの方法によって形成される。
【００６０】
最後に図１４に示すように短冊様分割体１２０を各複合チップごとに、例えば図１４の破線位置（あらかじめ分割溝を形成していてもよい。）で切断して個別の複合チップを完成させる。
【００６１】
以上説明したように本実施の形態例によれば、アルミナ基体１の一方面の一方端部近傍に内部電極Ａ２を形成し、その上にサーミスタ層３を形成し、サーミスタ層３上部よりアルミナ基体１の中央部ビアホールにかけて内部電極Ｂ４を形成し、アルミナ基体１の他方面上のビアホール位置から他方端部に向かって内部電極Ｃ６を形成し、内部電極Ｃ６を覆うように抵抗体層７を形成し、抵抗体層７上からアルミナ基体１の他方端部にかけて内部電極Ｄ８を形成し、内部電極Ａ２、サーミスタ層３、内部電極Ｂ４、ビアホール５、内部電極Ｃ６、抵抗体層７、内部電極Ｄ８を直列に接続し、両面の表面を保護コートＡ９、Ｂ１０で覆い、両端部に端子電極Ａ１１、端子電極Ｂ１２を形成することにより、サーミスタ素子と抵抗素子を同一の小型チップに直列に形成することができ、サーミスタ素子の発熱による抵抗値の減少があっても、その影響を最小限に抑えることができる。
【００６２】
さらに、サーミスタ層の反対側の面に抵抗体層が形成されているため、サーミスタ層が抵抗体の自己発熱の影響を受けずらくできる。なお、基板への実装時に、抵抗体層を基板側にして実装することにより、抵抗体より発せられた熱が実装基板に拡散し易く、サーミスタへの熱の影響をさらに軽減できる。
【００６３】
〔第２の実施の形態例〕
以上の説明においては、アルミナ基体１の一方面上に内部電極Ａ２の上にサーミスタ層３、その上に内部電極Ｂ４を形成し、アルミナ基体１の他方面上に、内部電極Ｃ６その上に抵抗体層７、その上に内部電極Ｄ８というように順次重ねあわせて各層を形成する例について説明した。しかし、本発明は以上の例に限定されるものではなく、例えばアルミナ基体１の他方面上においても一方面上と同様の工程で抵抗体層を形成してもよい。このように形成した本発明に係る第２の実施の形態例を以下図１５及び図１６を参照して以下に説明する。
【００６４】
図１５は本発明に係る第２の実施の形態例の複合チップの構成を説明するための断面図、図１６は本実施の形態例の複合チップ基体の他方面の構造を説明するための図であり、上述した第１の実施の形態例と同様構成には同一番号を付し詳細説明を省略する。図１５のＡ‐Ａが基体の一方面、Ｂ−Ｂが基体の他方面である。第２の実施の形態例において、アルミナ基体１の一方面（Ａ−Ａ面）は上述した第１の実施の形態例の図２に示す構成と同様であるため、アルミナ基体１の一方面の説明を省略し、他方面（Ｂ−Ｂ面）についてのみ説明する。なお、図１５は図２のＣ−Ｃ面の断面を示している。
【００６５】
第２の実施の形態例においても、第１の実施の形態例と同様にしてアルミナ基体１の一方面に例えば図２に示すサーミスタ層３などを形成する。そして、一方面への内部電極Ｃ４の形成が終了すると、アルミナ基体１を裏返して他方面上にまず内部電極Ｄ２０８を例えばＡｇ−Ｐｄ−ガラスメタルグレーズにより印刷する。
【００６６】
続いて内部電極Ｄ２０８毎に端部を除く延長部の上面にかけて覆うように抵抗体ペーストを印刷し、抵抗体層２０７を形成する。次に、抵抗体層２０７の少なくとも中央部上面からアルミナ基体１の他方面のビアホール５を覆ように内部電極Ｂ２０４を印刷する。それと同時にビアホールを電極グレーズで充填する。
【００６７】
そして、例えば約８５０度Ｃで焼成することにより他方面上に各抵抗体層１０５を形成する。なお、サーミスタ層１０３と抵抗体層１０７を同じ温度で焼成する場合には、一方面上へのサーミスタ層１０３などの形成後に焼成するのではなく、最後に一括して焼成してもよい。
【００６８】
そして、アルミナ基体１の一方表面の両端部（端子電極形成部）を除く全面を保護コートＡ２０９でコートすると共に、アルミナ基体１の他方表面の両端部（端子電極形成部）を除く全面を保護コートＢ２１０でコートして経年変化などから防ぐ。
【００６９】
そして最後にアルミナ基体１の両端部に端子電極Ａ２１１と端子電極Ｂ２１２を形成する。端子電極Ａ２１１は内部電極Ａ２に接続され、端子電極Ｂ２１２は内部電極Ｄ２０８に接続されている。この結果、図１６に示す接続状態となり、サーミスタと抵抗とが直列に接続された１チップ複合部品が実現する。
【００７０】
以上説明したように第２の実施の形態例によれば、第１の実施の形態例と同様の工程で複合チップが提供できる。
【００７１】
〔第３の実施の形態例〕
以上に説明した第２の実施の形態例では、まず内部電極Ａ２と内部電極Ｄ２０８をアルミナ基体１上に印刷してその上にサーミスタ層３、抵抗体層２０７を形成し、その上に内部電極Ｂ４、Ｃ２０６を形成する例を説明した。しかし、本発明は以上の例に限定されるものではなく、例えば最初に内部電極Ｂ及びＣを形成してもよい。最初に内部電極Ｂ及びＣを形成する本発明に係る第３の実施の形態例を以下図１７及び図１８を参照して説明する。
図１７は本発明に係る第３の実施の形態例の複合チップの構成を説明するための断面図、図１８は本実施の形態例の複合チップ基体の一方面（Ａ−Ａ面）の構造を説明するための図であり、上述した第１の実施の形態例と同様構成には同一番号を付し詳細説明を省略する。第３の実施の形態例において、アルミナ基体１の他方面（Ｂ−Ｂ面）は上述した第１の実施の形態例の図３に示す構成と同様であるため、アルミナ基体１の他方面の説明を省略し、一方面についてのみ説明する。なお、図１７は図１８のＣ−Ｃ面の断面を示している。
第３の実施の形態例では、まず、アルミナ基体の中央部のビアホール部分から一方端部にかけてほぼ正方形状の内部電極Ｂ３０４を印刷などにより形成する。それと同時にビアホールを電極グレーズで充填する。
【００７２】
続いてこの内部電極Ｂ３０４の少なくとも中央部を除く一方端部を覆うように第１の実施の形態例と上面積がほぼ同様形状にサーミスタペーストを印刷し、サーミスタ層３０３を形成する。
【００７３】
次にサーミスタ層３０３の上部からアルミナ基体１の一方端部にかけて内部電極Ａ３０２を形成する。そして例えば約８５０度Ｃで焼成することにより一方面のサーミスタ層などの形成が終了する。
【００７４】
なお、サーミスタ層３０３と抵抗体層７を同じ温度で焼成する場合には、一方面上へのサーミスタ層３０３などの形成後に焼成するのではなく、他方面への抵抗体層などの形成が終了した後に最後に一括して焼成してもよい。
【００７５】
そして、アルミナ基体１の一方表面の両端部（端子電極形成部）を除く全面を保護コートＡ３０９でコートすると共に、アルミナ基体１の他方表面の両端部（端子電極形成部）を除く全面を保護コートＢ３１０でコートして経年変化などから防ぐ。
【００７６】
そして最後にアルミナ基体１の両端部に端子電極Ａ３１１と端子電極Ｂ３１２を形成する。端子電極Ａ３１１は内部電極Ａ３０２に接続され、端子電極Ｂ３１２は内部電極Ｄ８に接続されている。この結果、図１７に示す接続状態となり、サーミスタと抵抗とが直列に接続された１チップ複合部品が実現する。
【００７７】
以上説明したように第３の実施の形態例によれば、第１の実施の形態例と同様の工程で複合チップが提供できる。
【００７８】
〔第４の実施の形態例〕
以上に説明した各実施の形態例では、サーミスタ層と抵抗体層の上面に電極を形成する例を説明した。しかし、本発明は以上の例に限定されるものではなく、例えば最初に内部電極Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄを形成してもよい。最初にすべての内部電極を形成する本発明に係る第４の実施の形態例を以下図１９乃至図２１を参照して説明する。
【００７９】
図１９は本発明に係る第４の実施の形態例の複合チップの構成を説明するための断面図、図２０は第４の実施の形態例の複合チップ基体の一方面における構造を説明するための図、図２１は第４の実施の形態例の複合チップ基体の他方面の構造を説明するための図であり、図１９のＡ−Ａが基体の一方面、Ｂ−Ｂが基体の他方面である。なお、図１９は図２０のＣ−Ｃ面の断面を示している。
【００８０】
第４の実施の形態例では、まず、アルミナ基体１の一方面の一方端部より中央部にかけてと中央部ビアホールを含む部分に図２０に示すように列状に所定間隔で内部電極Ａ４０２、Ｂ４０４を印刷などにより形成する。それと同時にビアホールを電極グレーズで充填する。
【００８１】
続いてこの内部電極Ａ４０２と内部電極Ｂ４０４をまたいで第１の実施の形態例と上面積がほぼ同様形状にサーミスタペーストを印刷し、例えば約８５０度Ｃで焼成することによりサーミスタ層４０３を形成する。
【００８２】
次にアルミナ基体１を裏返して他方面への抵抗体層などの形成処理を行う。まず、アルミナ基体１の他方面の他方端部より中央部にかけてと中央部ビアホールを含む部分に図２１に示すように列状に所定間隔で内部電極Ｃ４０６、Ｄ４０８を印刷などにより形成する。それと同時にビアホールを電極グレーズで充填する。
【００８３】
次に内部電極Ｃ４０６と内部電極Ｄ４０８をまたいで第１の実施の形態例と上面積がほぼ同様形状に抵抗体ペーストを印刷し、例えば約８５０度Ｃで焼成する。
【００８４】
なお、サーミスタ層４０３と抵抗体層４０８を同じ温度で焼成する場合には、サーミスタペーストと抵抗体ペーストを連続して、又は同時に印刷し、その後に一括して焼成してもよい。
【００８５】
そして、アルミナ基体１の一方表面の両端部（端子電極形成部）を除く全面を保護コートＡ４０９でコートすると共に、アルミナ基体１の他方表面の両端部（端子電極形成部）を除く全面を保護コートＢ４１０でコートして経年変化などから防ぐ。
【００８６】
そして最後にアルミナ基体１の両端部に端子電極Ａ４１１と端子電極Ｂ４１２を形成する。端子電極Ａ４１１は内部電極Ａ４０２に接続され、端子電極Ｂ４１２は内部電極Ｄ４０８に接続されている。この結果、図１９に示す接続状態となり、サーミスタと抵抗とが直列に接続された１チップ複合部品が実現する。
【００８７】
以上説明したように第４の実施の形態例によれば、第１の実施の形態例と同様の工程で複合チップが提供できる。これに加えて、内部電極を列状に形成するため、一度の工程で２つの内部電極を形成でき、製造工程を減らすことができる。さらに、内部電極上に形成するサーミスタ層４０３と抵抗体層４０７も、内部電極の厚さがさほど厚くないため、同じく形成が容易であり、形成すべき位置精度にも余裕があり、容易に小型チップを提供できる。
【００８８】
〔第５の実施の形態例〕
以上の説明した各実施の形態例の複合チップ部品は、サーミスタ層の反対側の面に抵抗体層が形成されているため、サーミスタ層が抵抗体の自己発熱の影響を受けずらくできる。しかし、それに加えて、基板への実装時に抵抗体層を確実に基板側にして実装することにより、抵抗体より発せられた熱が実装基板に拡散し易く、サーミスタへの熱の影響をさらに軽減できる。このため、いずれの面側にサーミスタ層が、或いは抵抗体層が形成されているかを容易に識別可能にすれば、基板への実装時の確認が容易となる。
【００８９】
容易にサーミスタ層の形成面（抵抗体層の形成面）を容易に識別可能に構成した本発明に係る第４の実施の形態例を図２２、図２３を参照して以下に説明する。図２２は本発明に係る第５の実施の形態例における表示材実装工程を説明するための模式図、図２３は第５の実施の形態例の複合チップを示す概観図である。
【００９０】
第５の実施の形態例において、例えば第１の実施の形態例で説明した構成を備える複合チップの場合であれば、図１１に示す両面保護コート形成後に、図２２に示すように、例えばサーミスタ層を形成している一方面に表示材１５を付加する。これにより、いずれの面がサーミスタ形成面で、いずれの面が抵抗体形成面であるかが容易に識別可能となる。
【００９１】
なお、表示材１５は、保護コートと区別のつきやすい塗料を塗布、又は、保護コートと区別のつきやすいインクを用いてのスタンプで表示するものであってもよい。識別可能な表示であればどのような材料であっても、或いはどのような方法で表示させてもよい。或いは、保護コートの一部を削ることにより他との区別をつけてもよい。
【００９２】
この結果、複合チップの外観は図２３に示す状態となり、表示材１５を付加したことにより、複合チップの裏表を容易に識別できる。
【００９３】
なお、第２の実施の形態例から第４の実施の形態例であっても、同様の両面に保護コートを形成後に、例えばサーミスタ層形成面の保護コート（保護コートＡ）面に表示材１５を付加すればよい。
【００９４】
上記各実施の形態例では、サーミスタ層の反対側の面に抵抗体層が形成されているため、サーミスタ層が抵抗体の自己発熱の影響を受けずらくできるのみならず、基板への実装時に、抵抗体層を基板側にして実装すれば抵抗体より発せられた熱が実装基板に拡散し易く、サーミスタへの熱の影響をさらに軽減できる。
【００９５】
このため、複合チップを実装する際のチップの実装向きを容易に識別でき、実装基板の配線パターン位置に間違いなく位置決めでき、実装結果の確認も容易に行える。さらに、表示材１５の付加されている側を上側にして（表示材１５を表面側にして）基板に実装することにより、サーミスタへの熱の影響を容易に軽減できる実装状態を容易に確認できる。
【００９６】
【発明の効果】
以上説明したように本発明によれば、ひとつのチップの両面にサーミスタ素子と抵抗素子を直列接続して形成でき、少ない占有面積で発熱などで特性が変化することの少ない高精度のサーミスタ特性を有する複合チップ部品を提供できる。さらに、抵抗体層を基板側にして実装することにより、抵抗体より発せられた熱が実装基板に拡散し易く、サーミスタへの熱の影響をさらに軽減できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る一発明の実施の形態例の複合チップの構成を説明するための断面図である。
【図２】本実施の形態例の複合チップ基体の一方面における構造を説明するための図である。
【図３】本実施の形態例の複合チップ基体の他方面の構造を説明するための図である。
【図４】本実施の形態例の複合チップの製造方法を説明するための図である。
【図５】本実施の形態例の複合チップの製造方法を説明するための図である。
【図６】本実施の形態例の複合チップの製造方法を説明するための図である。
【図７】本実施の形態例の複合チップの製造方法を説明するための図である。
【図８】本実施の形態例の複合チップの製造方法を説明するための図である。
【図９】本実施の形態例の複合チップの製造方法を説明するための図である。
【図１０】本実施の形態例の複合チップの製造方法を説明するための図である。
【図１１】本実施の形態例の複合チップの製造方法を説明するための図である。
【図１２】本実施の形態例の複合チップの製造方法を説明するための図である。
【図１３】本実施の形態例の複合チップの製造方法を説明するための図である。
【図１４】本実施の形態例の複合チップの製造方法を説明するための図である。
【図１５】本発明に係る第２の実施の形態例の複合チップの構成を説明するための断面図である。
【図１６】第２の実施の形態例の複合チップ基体の他方面の構造を説明するための図である。
【図１７】本発明に係る第３の実施の形態例の複合チップの構成を説明するための断面図である。
【図１８】第３の実施の形態例の複合チップ基体の一方面における構造を説明するための図である。
【図１９】本発明に係る第４の実施の形態例の複合チップの構成を説明するための断面図である。
【図２０】第４の実施の形態例の複合チップ基体の一方面における構造を説明するための図である。
【図２１】第４の実施の形態例の複合チップ基体の他方面の構造を説明するための図である。
【図２２】本発明に係る第５の実施の形態例における表示材実装工程を説明するための模式図である。
【図２３】第５の実施の形態例の複合チップを示す概観図である。
【符号の説明】
１、１０１　　アルミナ基体
２、１０２、３０２、４０２　　内部電極Ａ
３、１０３、３０３、４０３　　サーミスタ層
４、１０４、３０４、４０４　　内部電極Ｂ
５、１０５　　ビアホール
６、１０６、２０６、３０６、４０６　　内部電極Ｃ
７、１０７、２０７、３０７、４０７　　抵抗体層
８、１０８、２０８、３０８、４０８　　内部電極Ｄ
９、１０９、２０９、３０９、４０９　　保護コートＡ
１０、１１０、２１０、３１０、４１０　　保護コートＢ
１１、１１１、２１１、３１１、４１１　　端子電極Ａ
１２、１１２、２１２、３１２、４１２　　端子電極Ｂ
１５　　表示材
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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