(57)【要約】【課題】熱変動による画像ディストーションの変動が最小化されるようにミラー上の熱負荷が管理されるリソグラフィシステム内で使用されるリソグラフィミラー、リソグラフィミラーの製造方法およびリソグラフィミラー上の熱負荷を管理する方法を提供すること。【解決手段】サブストレートと、サブストレート上に形成された抵抗層と、絶縁副層および電源への接続に対するコンタクトを含んでおり、前記抵抗層上に形成された配線層と、絶縁副層上に形成された研磨層と、研磨層上に形成された反射層とを有する、光線性熱負荷の管理を可能にするリソグラフィシステム内で使用されるリソグラフィミラーを提供し、（ａ）前記配線層上のコンタクトを電源に接続し、（ｂ）リソグラフィミラーの温度を監視し、（ｃ）電源を調整してリソグラフィミラーの所望の温度を維持することによって、前記リソグラフィミラー上の光線性熱負荷を管理すること。【選択図】　　　図１
2004031952.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光線性熱負荷の管理を可能にするリソグラフィシステム内で使用されるリソグラフィミラーであって、
サブストレートと、
当該サブストレート上に形成された抵抗層と、
絶縁副層および電源への接続に対するコンタクトを含んでおり、前記抵抗層上に形成された配線層と、
前記絶縁副層上に形成された研磨層と、
当該研磨層上に形成された反射層とを有している
ことを特徴とするリソグラフィミラー。
【請求項２】
前記研磨層は前記絶縁副層および前記コンタクト上に形成されている、請求項１記載のリソグラフィミラー。
【請求項３】
前記電源は可変電源である、請求項１記載のリソグラフィミラー。
【請求項４】
前記絶縁副層はポリマーを含む、請求項１記載のリソグラフィミラー。
【請求項５】
前記絶縁副層は非導電性材料を含む、請求項１記載のリソグラフィミラー。
【請求項６】
前記絶縁副層は二酸化ケイ素を含む、請求項１記載のリソグラフィミラー。
【請求項７】
前記絶縁副層は誘電性材料を含む、請求項１記載のリソグラフィミラー。
【請求項８】
前記反射層はモリブデン−シリコン多層を含む、請求項１記載のリソグラフィミラー。
【請求項９】
前記コンタクトは前記抵抗層の縁部に接続されており、該コンタクトは相互に正反対に対向している、請求項１記載のリソグラフィミラー。
【請求項１０】
前記抵抗層、前記絶縁副層および前記研磨層のうちの少なくとも１つは前記サブストレートの周辺縁部まで形成されている、請求項１記載のリソグラフィミラー。
【請求項１１】
前記可変電源は光線性熱負荷に逆比例して付加的な熱負荷を変化させる、請求項３記載のリソグラフィミラー。
【請求項１２】
前記抵抗層はニクロムを含む、請求項１記載のリソグラフィミラー。
【請求項１３】
前記抵抗層はカーボンを含む、請求項１記載のリソグラフィミラー。
【請求項１４】
前記抵抗層はセラミックと金属を含む、請求項１記載のリソグラフィミラー。
【請求項１５】
光線性熱負荷を測定するためにフィードフォワード手段を含む、請求項１記載のリソグラフィミラー。
【請求項１６】
前記コンタクトに加えられる付加的な熱負荷を調整するためにフィードバック手段を含む、請求項１５記載のリソグラフィミラー。
【請求項１７】
前記フィードフォワード手段は光線性熱負荷を測定する熱流束センサである、請求項１５記載のリソグラフィミラー。
【請求項１８】
前記フィードフォワード手段は、リソグラフィミラーの正面を監視する少なくとも１つの赤外線検出器を含む、請求項１５記載のリソグラフィミラー。
【請求項１９】
前記抵抗層は、温度フィードバックを提供するのに充分に高い抵抗の温度係数（ＴＣＲ）を有する、請求項１記載のリソグラフィミラー。
【請求項２０】
前記コンタクトに加えられる付加的な熱負荷を調整するためにフィードバック手段を含む、請求項１記載のリソグラフィミラー。
【請求項２１】
前記フィードバック手段は少なくとも１つの熱電対を含み、
当該熱電対はリソグラフィミラーの正面に取り付けられており、前記抵抗層内の付加的な熱負荷を調整する、請求項２０記載のリソグラフィミラー。
【請求項２２】
前記フィードバック手段は前記絶縁副層上に写真的に形成されている、請求項２０記載のリソグラフィミラー。
【請求項２３】
前記抵抗層は半導体フィルムをドーピングすることによって製造されており、前記抵抗フィルムの中央の電気伝導率は前記電気的抵抗フィルムの周辺部の電気伝導率と異なる、請求項１記載のリソグラフィミラー。
【請求項２４】
前記抵抗層の中央の厚さは、前記抵抗層の周辺部での厚さと異なる、請求項１記載のリソグラフィミラー。
【請求項２５】
前記抵抗層の厚さ、前記絶縁副層の厚さ、前記研磨層の厚さおよび前記反射層の厚さは１ミクロンよりも小さいかまたは同じである、請求項１記載のリソグラフィミラー。
【請求項２６】
前記コンタクトは導電性材料から成る、請求項１記載のリソグラフィミラー。
【請求項２７】
光線性熱負荷の管理を可能にするリソグラフィシステム内で使用されるリソグラフィミラーであって、
サブストレートと、
当該サブストレート上に形成された加熱される環状ゾーンと、
当該加熱される環状ゾーン上に形成された加熱される光学開口ゾーンとを有している
ことを特徴とするリソグラフィミラー。
【請求項２８】
各ゾーンは、抵抗層と当該抵抗層上に形成された配線層とを有している、請求項２７記載のリソグラフィミラー。
【請求項２９】
前記配線層は絶縁副層と、電源に接続するためのコンタクトを含む、請求項２８記載のリソグラフィミラー。
【請求項３０】
前記絶縁副層はポリマーを含む、請求項２９記載のリソグラフィミラー。
【請求項３１】
前記絶縁副層は非導電性材料を含む、請求項２９記載のリソグラフィミラー。
【請求項３２】
前記絶縁副層は二酸化ケイ素を含む、請求項２９記載のリソグラフィミラー。
【請求項３３】
前記絶縁副層は誘電性材料を含む、請求項２９記載のリソグラフィミラー。
【請求項３４】
前記コンタクトに接続されており、光線性熱負荷に逆比例して付加的な熱負荷を変化させる可変抵抗を含む、請求項２９記載のリソグラフィミラー。
【請求項３５】
前記加熱される光学開口ゾーン内の前記配線層内の前記コンタクトは相互に正反対に対向している、請求項２９記載のリソグラフィミラー。
【請求項３６】
前記加熱される環状ゾーン内の前記配線層内の前記コンタクトは同心状に配置されており、第１のコンタクトから第２のコンタクトへの電気の流れは、相対的に環状かつ均一な加熱パターンを生じさせる、請求項２９記載のリソグラフィミラー。
【請求項３７】
前記光学開口ゾーン内の光線性熱量に応じて、前記光学開口ゾーンにおいて付加的な熱負荷が逆比例に調節され、コールドエッジ作用を緩和するために前記環状ゾーンに継続的に加えられる、請求項３１記載のリソグラフィミラー。
【請求項３８】
前記抵抗層はニクロムを含む、請求項３１記載のリソグラフィミラー。
【請求項３９】
前記抵抗層はカーボンを含む、請求項３１記載のリソグラフィミラー。
【請求項４０】
前記抵抗層はセラミックと金属を含む、請求項３１記載のリソグラフィミラー。
【請求項４１】
光線性熱負荷を測定するためにフィードフォワード手段を含む、請求項２８記載のリソグラフィミラー。
【請求項４２】
前記コンタクトを介して加えられる付加的な熱負荷を調整するためにフィードバック手段を含む、請求項２８記載のリソグラフィミラー。
【請求項４３】
前記抵抗層は温度フィードバックを提供するのに充分に高い抵抗の温度係数（ＴＣＲ）を有する、請求項２８記載のリソグラフィミラー。
【請求項４４】
前記コンタクトを介して加えられる付加的な熱負荷を調整するためにフィードバック手段を含む、請求項４１記載のリソグラフィミラー。
【請求項４５】
前記フィードフォワード手段は前記光線性熱負荷を測定する熱流束センサである、請求項４１記載のリソグラフィミラー。
【請求項４６】
前記フィードバック手段は少なくとも１つの熱電対を含み、
当該熱電対はリソグラフィミラーの正面に取り付けられており、前記抵抗層内の付加的な熱負荷を調整する、請求項４２記載のリソグラフィミラー。
【請求項４７】
前記フィードバック手段は前記絶縁副層上に写真的に形成されている、請求項４２記載のリソグラフィミラー。
【請求項４８】
前記フィードフォワード手段は、リソグラフィミラーの正面を監視する赤外線検出器および焦電検出器のうちの少なくとも１つを含む、請求項４１記載のリソグラフィミラー。
【請求項４９】
前記抵抗層は半導体フィルムをドーピングすることによって製造されており、前記抵抗フィルムの中央の電気伝導率は前記電気的抵抗フィルムの周辺部の電気伝導率と異なる、請求項２９記載のリソグラフィミラー。
【請求項５０】
前記抵抗層の中央の厚さは、前記抵抗層の周辺部の厚さと異なる、請求項２９記載のリソグラフィミラー。
【請求項５１】
前記の複数の層の厚さは１ミクロンよりも小さいかまたは同じである、請求項２９記載のリソグラフィミラー。
【請求項５２】
各ゾーンの前記コンタクトは導電性材料から成る、請求項３０記載のリソグラフィミラー。
【請求項５３】
サブストレートを有しており、サブストレート上の光線性熱負荷を管理するリソグラフィシステム内で使用されるリソグラフィミラーを製造する方法であって、
（ａ）サブストレート上に抵抗層を形成し、
（ｂ）当該抵抗層上に配線層を形成し、ここで当該配線層は絶縁副層および電源への接続に対するコンタクトを含み、
（ｃ）前記絶縁副層上に研磨層を形成し、
（ｄ）当該研磨層上に反射層を形成する、
ことを特徴とする、リソグラフィミラーを製造する方法。
【請求項５４】
前記研磨層を絶縁副層およびコンタクト上に形成する、請求項５３記載の方法。
【請求項５５】
（ｅ）前記抵抗層、絶縁副層、研磨層および反射層のうちの少なくとも１つをサブストレートの周辺縁部まで形成するステップを含む、請求項５３記載の方法。
【請求項５６】
前記コンタクトを抵抗層の縁部に接続し、当該コンタクトを相互に正反対に対向させるステップを含む、請求項５３記載の方法。
【請求項５７】
光線性熱負荷を測定するためにフィードフォワード手段を設けるステップを含む、請求項５３記載の方法。
【請求項５８】
コンタクトを介して加えられる付加的な熱負荷を調整するためにフィードバック手段を設けるステップを含む、請求項５７記載の方法。
【請求項５９】
前記絶縁副層上にフィードバック手段を形成するステップを含む、請求項５８記載の方法。
【請求項６０】
前記フィードバック手段を写真的に前記絶縁副層上に形成するステップを含む、請求項５８記載の方法。
【請求項６１】
前記抵抗層内の付加的な熱負荷を調整するために少なくとも１つの熱電対をリソグラフィミラーの正面に接続するステップを含む、請求項５３記載の方法。
【請求項６２】
リソグラフィミラーの正面を監視する赤外線検出器および／または焦電検出器を使用するステップを含む、請求項５３記載の方法。
【請求項６３】
コンタクトを介して加えられる付加的な熱負荷を調整するためにフィードバック手段を設けるステップを含む、請求項５３記載の方法。
【請求項６４】
前記ステップ（ａ）は、
（１）サブストレート上に抵抗層を形成するステップと、
（２）当該抵抗層をドーピングし、該抵抗層の中心の伝導率を抵抗層の周辺部の電気伝導率と変えるステップとを含む、請求項５３記載の方法。
【請求項６５】
前記リソグラフィミラーのうちの少なくとも１つの層の厚さを変えるステップを含む、請求項５３記載の方法。
【請求項６６】
前記ステップ（ａ）は、サブストレート上に抵抗層を形成するステップを含み、ここで前記抵抗層は温度フィードバックを提供するのに充分に高い抵抗の温度係数（ＴＣＲ）を有する、請求項５３記載の方法。
【請求項６７】
リソグラフィシステムにおいて、サブストレートと、該サブストレート上に形成された抵抗層と、該抵抗層上に形成された配線層と、絶縁副層上に形成された研磨層と、該研磨層上に形成された反射層とを有しているリソグラフィミラー上の光線性熱負荷を管理する方法であって、
（ａ）前記配線層上のコンタクトを電源に接続し、
（ｂ）リソグラフィミラーの温度を監視し、
（ｃ）電源を調整して、リソグラフィミラーの所望の温度を維持する
ことを特徴とする、リソグラフィミラー上の光線性熱負荷を管理する方法。
【請求項６８】
前記ステップ（ｂ）は、フィードフォワード手段によってリソグラフィミラー上の光線性熱負荷を測定するステップを含む、請求項６７記載の方法。
【請求項６９】
少なくとも１つの熱電対によってリソグラフィミラー上の付加的な熱負荷を調整するステップを含む、請求項６７記載の方法。
【請求項７０】
リソグラフィミラーの正面を監視する赤外線検出器および／または焦電モニタを使用するステップを含む、請求項６７記載の方法。
【請求項７１】
（ｄ）ヒータースタットコントロール方法を用いて、ミラー内の時間的に一定な温度を維持する、ステップを含む請求項６７記載の方法。
【請求項７２】
光線性熱負荷の管理を可能にするリソグラフィシステム内で使用されるリソグラフィミラーであって、
サブストレートと、
絶縁副層および電源への接続に対するコンタクトを含んでおり、前記サブストレート上に形成された配線層と、
当該配線層上に形成された抵抗層と、
当該抵抗層上に形成された研磨層と、
当該研磨層上に形成された反射層とを有している
ことを特徴とするリソグラフィミラー。
【請求項７３】
サブストレートを有しており、サブストレート上の光線性熱負荷を管理するリソグラフィシステム内で使用されるリソグラフィミラーを製造する方法であって、
（ａ）サブストレート上に配線層を形成し、ここで当該配線層は絶縁副層および電源への接続に対するコンタクトを含み、
（ｂ）当該配線層上に抵抗層を形成し、
（ｃ）当該抵抗層上に研磨層を形成し、
（ｄ）当該研磨層上に反射層を形成する、
ことを特徴とする、リソグラフィミラーを製造する方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は概してリソグラフィシステムに関する。より詳細には本発明は、リソグラフィシステム内のミラー上の光線性熱負荷の管理に関する。
【０００２】
【従来の技術】
リソグラフィは、サブストレートの表面にフィーチャー（ｆｅａｔｕｒｅｓ）を設けるのに使用されるプロセスである。この種のサブストレートには、フラットパネルディスプレイ、回路基板、種々の集積回路等の製造に使用されるものが含まれる。このような用途に頻繁に使用されるサブストレートは半導体ウェハである。当該技術の技術者には、この明細書が他のタイプのサブストレートにも適合することが理解されるであろう。
【０００３】
ウェハステージ上に配置されたウェハはリソグラフィ中に、リソグラフィシステム内に配置された露光システムによってウェハの表面上に投影された画像に露光される。露光システムは、画像をウェハ上に投影するためにレチクル（マスクとも称される）を含む。
【０００４】
レチクルは通例、半導体チップと光源の間に配置される。フォトリソグラフィでは、レチクルは例えば回路を半導体チップ上にプリントするためのフォトマスクとして使用される。リソグラフィ光はマスクを通過し、画像を縮小させる光学レンズ群を通過する。縮小された画像はその後、シリコンまたは半導体ウェハ上に投影される。このプロセスは、画像をフィルム上に形成するためにカメラが光りを屈折させる方法と似ている。光はリソグラフィプロセスにおいて不可欠な役割を担う。例えば（コンピュータチップとして知られる）マイクロプロセッサの製造において、よりパワフルなマイクロプロセッサを作製するための鍵は、光の波長のサイズである。波長が短くなればなるほど、より多くのトランジスタをシリコンウェハ上にエッチングすることができる。多くのトランジスタを有するシリコンウェハは、結果としてよりパワフルで迅速なマイクロプロセッサとなる。
【０００５】
チップ製造業者は比較的短い波長の光の使用が可能であったので、比較的短い波長を有する光が、光をフォーカシングするガラスレンズによって吸収されてしまうという問題に直面してきた。比較的短い波長の光が吸収されてしまうことによって、光はシリコンウェハに到達することができない。結果としてシリコンウェハ上に回路パターンが作製されない。この問題を解決する試みの中で、チップ製造業者は超紫外線リソグラフィ（ＥＵＶＬ）として知られるリソグラフィプロセスを開発した。このプロセスではガラスレンズはミラーによって置き換えれる。ミラーは光の大きな割合を反射するが、相当量の光がミラーによって吸収される。吸収された光線性光（ａｃｔｉｎｉｃ　ｌｉｇｈｔ）（すなわちリソグラフィツール内の光学的光源等の光源から生じたエネルギー）は、ミラー上に熱負荷を生じさせる。熱が高すぎると、ウェハ上で画像のディストーションが生じる恐れがある。さらに、ミラー上の熱負荷が相対的に一定のレベルに維持されない場合、画像ディストーションの量に変動が生じる恐れがある。それ故に、吸収された光によって生じるミラー上の光線性熱負荷を（例えばミラーの温度を測定して）コントロールする必要がある。
【０００６】
ミラーの温度は、温度が時間にわたって一定に維持されるようにコントロールされるべきである。通常のミラー温度コントロール技術では、温度のサーボ制御によってミラーの非光学的な表面から熱を除去する割合を変えることで時間的に一定（ｔｉｍｅ−ｃｏｎｓｔａｎｔ）なミラー温度を維持することが試みられる。典型的なミラーは相対的に大きく、低い熱伝導率を有する高い熱量を有する。リソグラフィ投影システム内の典型的なミラーの上述した２つの特徴が原因で、この通常の「熱の除去によるコントロール」方法は、過渡的な光線性熱負荷をともなう環境では効果的でない恐れがある。例えば集積回路のＥＵＶフォトリソグラフィのような使用では、光線性熱負荷は過渡的である（例えばレチクルが変わるたびに変わる）。光線性熱負荷は、温度コントロールサーボの追従能力よりも迅速に変化する。結果として、ミラーの温度は時間にわたって一定に維持されず、投影された画像のディストーションにおいて変動が生じる。
【０００７】
時間的に一定、および空間的に一定なミラー上の熱負荷を維持できないことから生じる画像ディストーションの変動の問題は、さらに「コールドエッジ作用（ｔｈｅ　ｃｏｌｄ　ｅｄｇｅ　ｅｆｆｅｃｔ）」として知られる現象によって悪化する。コールドエッジ作用は、ミラーの光学開口（ｏｐｔｉｃａｌ　ａｐｅｒｔｕｒｅ）および環状エリア（すなわち光学開口の後ろに配置されたミラーの非照明エリア）上の光線性熱負荷の変動によって生じる。リソグラフィミラーは典型的に、環状エリアでは光学開口部での温度よりも低い温度を有する。
【０００８】
それ故に、ミラーの製造装置および方法と、ミラー上の熱変動による画像ディストーションの変動が最小化されるようにミラー上の熱負荷を管理する方法および装置が必要とされている。このような装置および方法は、投影ミラー上の照明強度の変化のあいだ（すなわちミラー上の光線性熱負荷の変化の時間のあいだ）時間的に一定な全熱負荷を維持する。さらにこのような装置および方法は、コールドエッジ作用を緩和するために、ミラー上の空間的に一定な全熱負荷を維持する。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の課題は、熱変動による画像ディストーションの変動が最小化されるようにミラー上の熱負荷が管理されるリソグラフィシステム内で使用されるリソグラフィミラー、リソグラフィミラーの製造方法およびリソグラフィミラー上の熱負荷を管理する方法を提供することである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
前述の課題は、光線性熱負荷の管理を可能にするリソグラフィシステム内で使用されるリソグラフィミラーであって、サブストレートと、サブストレート上に形成された抵抗層と、絶縁副層および電源への接続に対するコンタクトを含んでおり、抵抗層上に形成された配線層と、絶縁副層上に形成された研磨層と、研磨層上に形成された反射層とを有していることを特徴とするリソグラフィミラーによって解決される。また前述の課題は、光線性熱負荷の管理を可能にするリソグラフィシステム内で使用されるリソグラフィミラーであって、サブストレートと、サブストレート上に形成された加熱される環状ゾーンと、加熱される環状ゾーン上に形成された加熱される光学開口ゾーンとを有していることを特徴とするリソグラフィミラーによって解決される。また前述の課題は、サブストレートを有しており、サブストレート上の光線性熱負荷を管理するリソグラフィシステム内で使用されるリソグラフィミラーを製造する方法であって、（ａ）サブストレート上に抵抗層を形成し、（ｂ）抵抗層上に配線層を形成し、ここで配線層は絶縁副層および電源への接続に対するコンタクトを含み、（ｃ）絶縁副層上に研磨層を形成し、（ｄ）研磨層上に反射層を形成する、ことを特徴とする、リソグラフィミラーを製造する方法によって解決される。また前述の課題は、リソグラフィシステムにおいて、サブストレートと、サブストレート上に形成された抵抗層と、抵抗層上に形成された配線層と、絶縁副層上に形成された研磨層と、研磨層上に形成された反射層とを有しているリソグラフィミラー上の光線性熱負荷を管理する方法であって、（ａ）配線層上のコンタクトを電源に接続し、（ｂ）リソグラフィミラーの温度を監視し、（ｃ）電源を調整して、リソグラフィミラーの所望の温度を維持する、ことを特徴とする、リソグラフィミラー上の光線性熱負荷を管理する方法によって解決される。また前述の課題は、光線性熱負荷の管理を可能にするリソグラフィシステム内で使用されるリソグラフィミラーであって、サブストレートと、絶縁副層および電源への接続に対するコンタクトを含んでおり、サブストレート上に形成された配線層と、配線層上に形成された抵抗層と、抵抗層上に形成された研磨層と、研磨層上に形成された反射層とを有していることを特徴とするリソグラフィミラーによって解決される。また前述の課題は、サブストレートを有しており、サブストレート上の光線性熱負荷を管理するリソグラフィシステム内で使用されるリソグラフィミラーを製造する方法であって、（ａ）サブストレート上に配線層を形成し、ここで配線層は絶縁副層および電源への接続に対するコンタクトを含み、（ｂ）配線層上に抵抗層を形成し、（ｃ）抵抗層上に研磨層を形成し、（ｄ）研磨層上に反射層を形成する、ことを特徴とする、リソグラフィミラーを製造する方法によって解決される。
【００１１】
【発明の実施の形態】
本発明は、リソグラフィミラー上の時間的に一定な全熱負荷を維持する装置および方法を含む。リソグラフィミラーは、サブストレート上に形成された抵抗層と、電源を抵抗層に接続するためのコンタクトと、抵抗層上に形成された絶縁層と、絶縁層上に形成された研磨層と、研磨層上に形成された反射層を含む。リソグラフィミラー上の時間的に一定な熱負荷は、付加的な熱負荷をミラー上に必要とされるように供給することによって維持される。リソグラフィミラー上の時間的に一定な所望の熱負荷は、マスク組の中の他のいかなるマスクによっても越されない熱反射能力を有する最も反射するマスクのうちの１つによってミラー上に反射された光線性熱量に基づいて定められる。より反射が少ないマスクのうちの１つが使用されている場合、付加的な熱がミラー上に加えられ、ミラー上の所望の時間的に一定な熱負荷に達する。
【００１２】
ミラー上の所望の時間的に一定な熱負荷を維持することによって、リソグラフィミラー上の光線性熱負荷における変動の結果として生じる画像ディストーションでの変動が低減されるか、または消去される。コールドエッジ作用を緩和するためにミラーは、独立した温度コントロールを有する１つまたは複数のゾーンに分割される。これによって、一定の付加的な熱負荷が第１のゾーンに加えられ、また第２のゾーンにおける温度は投影ミラー上の光線性熱負荷に応じて、逆比例に調節される。独立した温度コントロールの柔軟性によって空間的に一定な全熱負荷も得られる。
【００１３】
【実施形態】
本願に組み込まれて明細書の一部を成す添付の図面は、本発明を図示しており、明細書とともに本発明の基本を説明し、当該技術の技術者が本発明を作製および使用することを可能にする。
【００１４】
図１は、本発明に相応したリィソグラフィミラー１００の種々異なる層および構成部材の横断面図である。リソグラフィミラー１００は、ミラーブランクサブストレート１０５、抵抗層１０７、フロントエッジ１０９、リアエッジ１１１、電源（図４を参照）を抵抗層１０７に接続させるために、抵抗層１０７上に形成されたコンタクト１１３（例えば電極）、配線層１１５、研磨層（ｐｏｌｉｓｈｅｄ　ｌａｙｅｒ）１１７および反射層１１９から成る。
【００１５】
ミラーブランサブストレート１０５は、典型的にガラス（例えば低膨張ガラス、シリコンまたは水晶）から成り、直径対厚さの比は約３対５である。ミラーブランクサブストレート１０５は、リソグラフィミラー１００の基本的な構造体である。このサブストレートは標準的な技法に従って機械加工され、研磨され、ほぼ０の熱膨張係率（ＣＴＥ）を有する。ＣＴＥは、温度の上昇によって引き起こされる固形物のサイズの増大量に言及するのに用いられる、熱力学的な用語である。
【００１６】
抵抗層１０７は、リソグラフィミラー１００の第１の層である。抵抗層１０７は電気的な抵抗層またはフィルムである。抵抗層１０７はリソグラフィミラー１００のアクティブな面（すなわちリソグラフィミラー１００の反射面）に加えられることに注意されたい。抵抗層１０７は、電力を熱としてリソグラフィミラー１００内に散逸させる。抵抗層１０７は低い、中間のまたは高い抵抗を有する。抵抗の所望の値に応じて、抵抗層１０７はカーボン、ニクロム、セラミックと金属の混合体（サーメット）または当該技術の技術者にとって既知である、あらゆる他の存在可能な材料から成る。
【００１７】
抵抗層１０７内の電気伝導率を変えるために、抵抗層１０７の厚さを変えることができる。これによってフィルムの中心がフィルムの周辺部より発熱することが可能である。このようなタイプの変化によって、リソグラフィミラー１００の光学開口内の入射（ｉｎｃｉｄｅｎｔ）光線性パワーまたは熱の分布に対して最適に適応することができる。
【００１８】
抵抗層１０７は、半導体フィルムをドーピングすること（例えばヒ素によってドーピングされたシリコン）によって製造され、その電気伝導率を変化させる。抵抗層１０７がドーピングされている場合、ドーパント濃度量が変化して、抵抗層１０７の中心部が周辺部より発熱することができる。抵抗層１０７上のドーパント濃度量の変化によって、リソグラフィミラー１００内の光学開口内の入射光線性パワーの分布に対して最適に適応することができる。
【００１９】
配線層１１５は、リソグラフィミラー１００の第２の層である。配線層１１５はコンタクト１１３および絶縁副層（ｉｎｓｕｌａｔｉｎｇ　ｓｕｂｌａｙｅｒ）１１４を含む。配線層１１５はさらに図２Ｂに示されている。
【００２０】
研磨層１１７は、リソグラフィミラー１００の第３の層である。研磨層１１７は、当該技術の当業者に既知であるような最終的な形まで研磨されなければならない。例えばミラーの理想的な研磨された表面と、ミラー内で得られる実際の研磨された表面との偏差は１ｎｍより小さくなければなならない。研磨層１１７は、当該技術の技術者に既知である、あらゆる存在可能な研磨可能な材料から成る。研磨層１１７が導電性材料からなる場合、短絡を防止するために絶縁層が配線層１１５と研磨層１１７との間に加えられるべきであることに注意されたい。択一的に、絶縁層自体を研磨して、研磨層の代わりに用いることもできる。
【００２１】
反射層１１９はリソグラフィミラー１００の第４の層である。反射層１１９は、本発明のリソグラフィミラー１００に反射特性を与える。反射層１１９は、リソグラフィミラーの二次加工に対する、当該技術の技術者によって既知であるあらゆる材料から成る。例えばＥＵＶミラーでは反射層１１９は、モリブデン−シリコン（Ｍｏｌｙ−ｓｉｌｉｃｏｎ）多層から成る。
【００２２】
本発明のリソグラフィミラー１００の種々の層の厚さは、図示するために誇張されて示されていることに注意されたい。各層の実際の厚さは、１ミクロン未満〜数ミクロンである。例えば、反射層１１９の厚さは数分の１ミクロンである。
【００２３】
図２Ａは、リソグラフィミラー１００（図１を参照）の層および構成部材の側面図である。
【００２４】
図２Ｂは、リソグラフィミラー１００の配線層１１５を示している。配線層１１５はコンタクト１１３ａおよび１１３ｂ（一般的にコンタクト１１３と称される）および絶縁副層１１４を含む。コンタクト１１３（例えば電極またはそれと同等のもの）は、銅またはその他の適切な導電材料から成る。コンタクト１１３は、ワイヤ２２０ａおよび２２０ｂを介して電源と接続されている。これによって電源は、（配線層１１５の下にある）抵抗層１０７に放熱することができる。コンタクト１１３は、リソグラフィミラー１００内で最適な均一の放熱を供するように配置されるべきである。例えば１つまたは複数のコンタクトは、相互に正反対に（ｄｉａｍｅｔｒｉｃａｌｌｙ）対向することができる。
【００２５】
絶縁副層１１４は抵抗層１０７を覆う。絶縁副層１１４は誘電性材料からなる。この誘電性材料は本発明のリソグラフィミラー１００内で短絡が生じる可能性を減少させる。例えば絶縁副層１１４は、ポリマーのような非導電性材料である。絶縁副層１１４は二酸化ケイ素または、絶縁に対する当該技術の技術者にとって既知である他の存在可能な誘電性材料から成っていてもよい。絶縁副層１１４は、配線層１１５が相対的に平らであるように、コンタクト１１３とほぼ同じ厚さを有する（例えば１ミクロンより薄い）。
【００２６】
図２Ｃはリソグラフィミラー１００の層および構成部材の平面図である。
【００２７】
図３は、本発明に相応したリソグラフィミラーの製造に組み込まれるステップをあらわすフローチャート３００である。このプロセスはステップ３０５で始まり、直ちにステップ３１０に続く。
【００２８】
ステップ３１０では、抵抗層１０７がミラーブランクサブストレート１０５の光学的にアクティブな面（すなわち反射面）上に設けられる。上述のように抵抗層１０７は、電気的な抵抗を供するのに適したあらゆる材料から成る。
【００２９】
ステップ３１５では、電極等である１つまたは複数のコンタクトが抵抗層１０７の１つまたは複数のエッジと接続される。
【００３０】
ステップ３２０では、絶縁層１１５が抵抗層１０７上に形成されて、リソグラフィミラー１００内で短絡が生じる可能性が低減される。
【００３１】
ステップ３２５では、研磨された材料の層が絶縁層１１５上に設けられて、研磨層１１７（図１に示されている）が形成される。上述のように研磨層１１７は、当該技術の技術者に既知である、あらゆる存在可能な研磨された材料から成る。
【００３２】
ステップ３５０では反射層１１９が研磨層１１７上に形成される。反射層１１９はリソグラフィミラー１００に反射性を与える。
【００３３】
図４は、リソグラフィコンデンサミラーとして作用するリソグラフィミラー１００を示したリソグラフィ照明システム４００を示している。図４は光線性光源が変化する状況を示している。例えばリソグラフィツールのユーザは、このような状況で光線性光源によって生じる光線性光強度を増大、または低減させることができる。リソグラフィ照明はシステム４００は、リソグラフィツールの照明部分（すなわちレチクルまたはマスクステージ上に投影される前のＥＵＶ光の伝搬）をあらわしている。
【００３４】
リソグラフィ照明システム４００はコレクタミラー４２０、ＥＵＶ光源４１５、リソグラフィミラー１００、ミラー温度センサ４４５、光線性光強度センサ４２５、電力調整回路４３０および可変電源４５０を含む。コレクタミラー４２０はＥＵＶ光源４１５からの光をリソグラフィミラー１００上に反射する。ＥＵＶ光源４１５は、コレクタミラー４２０からリソグラフィミラー１００に反射される光の３次元ビームであり得る。
【００３５】
光ビーム４１０ａは、ＥＵＶ光源４１５からリソグラフィミラー１００へ伝搬された光線性の光のビームである。光ビーム４１０ｂは、例えばリソグラフィミラー１００からレチクルステージ（図４には示されていない）へ反射された光線性の光のビームである。
【００３６】
図４でリソグラフィミラー１００は、コンデンサミラーとして作用する。その基本的な作動（すなわちそれがどのように光を反射するか）は当該技術の技術者に良く知られている。リソグラフィミラー１００は、図１に示された層と同じ層から成る。しかし上述の層に加えてリソグラフィミラー１００はさらにミラー温度センサ４４５を有する。
【００３７】
ミラー温度センサ４４５は、リソグラフィ投影ミラー１００における温度を測定する。ミラー温度センサ４４５は、フィードバック手段として作用する。ここでセンサ自身の温度とほぼ比例する電圧信号の、電力調整回路４３０への伝送によって、リソグラフィミラー１００に加えられるパワーが増大または低減される。例えばミラー温度センサ４４５は、リソグラフィ投影ミラー１００の正面を監視する少なくとも１つの赤外検出器および／または焦電検出器であってよい。
【００３８】
またミラー温度センサ４４５は、リソグラフィミラー１００の正面に取り付けられた熱電対でもよい。「熱電対」という用語はここでは１つの熱電対、サーミスタ、抵抗温度検出器またはこれらのエレメントを組み合わせたものに言及するのに使用される。ミラー温度センサ４４５は、光線性光ビーム４１０ａの反射を妨げないように配置されるべきである。ミラー温度センサ４４５はまた、光が当たって、リソグラフィミラー１００を加熱する場所のできるだけ近傍に配置されるべきである。さらに当該技術の技術者には、他のあらゆるタイプのセンサまたは検出器（またはそれらの組合せ）が、本発明の概念および範囲を逸脱することなく使用されることが明らかであろう。
【００３９】
ミラー温度センサ４４５は、電力調整回路４３０とエネルギーチャネル４３５ａを介して結合される。エネルギーチャネル４３５ａは電気を転送する、存在可能なあらゆるチャネルでよい。エネルギーチャネル４３５ａの第１の端部は、電力調整回路４３０と接続されている。エネルギーチャネル４３５ａの第２の端部は、リソグラフィミラー１００上のミラー温度センサ４４５と接続されている（図４を参照）。
【００４０】
光線性光強度センサ４２５は、コレクタミラー４２０からリソグラフィミラー１００へ反射された光線性光を測定する。光線性光強度センサ４２５は、フィードフォワード手段として作動する。ここで電力調整回路４３０に信号が供給され、これによって可変電源４５０は、ミラー内の抵抗フィルムへの電気的なパワーを、センシングされた反射された光線性光の量に逆比例して、増大または低減させる。光線性光強度センサ４２５は、電圧を生成することができる熱流束センサまたは光電セルを含むことが可能である。ここでこの電圧は、熱流束センサまたは光電セル上の光入射の強さに比例する。
【００４１】
光線性光強度４２５も電力調整回路４３０に、導電性ワイヤ等のエネルギーチャネル４３５ｂを介して接続される。例えばエネルギーチャネル４３５ｂの第１の端部は電力調整回路４３０と接続されている。エネルギーチャネル４３５ｂの第２の端部は、光線性光強度センサ４２５と接続されている。
【００４２】
光線性光強度センサ４２５は、ミラー温度センサ４４５と組合せて使用されるが、どちらかが単独で使用されてもよい。しかし光線性光強度センサ４２５とミラー温度センサ４４５の両者を使用することによって、より正確で総体的な測定が得られてリソグラフィ照明システム４００の性能が向上する。
【００４３】
電力調整回路４３０は、ミラー温度センサ４４５および光線性光強度センサ４２５からの入力信号に、可変電源４５０へのコマンド信号を変化させることによって応答する。例えば電力調整回路４３０が光線性光強度センサ４２５またはミラー温度センサ４４５からの信号における変化を検出すると、抵抗層１０７上のコンタクト１１３に送出するパワーを逆比例に変化するように可変電源４５０に命令する。電力調整回路４３０は、リソグラフィ照明システム４００の遠隔の電子キャビネット内に配置されていても良い。
【００４４】
可変電源４５０は、コンタクト１１３に電力を供給し、抵抗層１０７（図１に示されている）内で放熱される。可変電源４５０は可変抵抗として作用し、リソグラフィミラー１００の抵抗層１０７内に散逸される電気的に生成された熱負荷の量を、リソグラフィミラー１００上の（光線性光強度センサ４２５によって測定された）光線性熱負荷の量に逆比例して、以下の式に相応して変化させる。
【００４５】
ＴＨ＝Ｃ＝ＡＨ＋ＥＨ
ここでＴＨはリソグラフィミラー上の全熱負荷であって、
Ｃはある時間的に一定な電力であって、
ＡＨはリソグラフィミラー上の光線性熱負荷であって、
ＥＨはリソグラフィミラー上の電気的熱負荷である。
【００４６】
従って時間的に一定な温度を維持するのに必要な電気的熱負荷の量は、次の式によってあらわされる。
【００４７】
ＥＨ＝Ｃ−ＡＨ
（光線性光強度センサ４２５によって測定された）ミラー上に反射された光線性光に相応して、電気的熱負荷の適切な量が反比例して（可変電源４５０によって）リソグラフィミラー１００に加えられると、リソグラフィ照明システム４００内の画像ディストーションにおける変動が低減、または消去される。
【００４８】
当該技術の技術者に既知であるように可変電源４５０は、電力調整回路４３０にエネルギーチャネル４３２を介して接続される。上述の接続と同じように、可変電源４５０はリソグラフィミラー１００のコンタクト１１３とエネルギーチャネル４４０を介して接続される。当該技術の技術者に既知であるように可変電源４５０は、直流（ＤＣ）または交流（ＡＣ）タイプの電源である。可変電源４５０を、リソグラフィ照明システム４００の遠隔の電子キャビネット内に配置することが可能である。
【００４９】
図５には、リソグラフィ投影光学ミラーとして作用するリソグラフィミラー１００をあらわしたリソグラフィ投影光学システム５００が示されている。図５は、光線性光源が同じにとどまる状況を示している。しかし図５では、種々異なる反射能力を有するマスクの変化によって、リソグラフィミラー１００上に反射される光線性光において変化が生じる。リソグラフィ投影光学システム５００は、リソグラフィツールの投影光学部（すなわちレチクルまたはマスク上へのＥＵＶ光の反射後）をあらわしている。
【００５０】
リソグラフィ投影光学システム５００はマスクステージ５０５、マスク５０７、照明ミラー５１０、ＥＵＶ光源５１５、光線性光ビーム５２０ａおよび５２０ｂ、リソグラフィミラー１００、光線性光強度センサ５２５、電力調整回路４３０、ミラー温度センサ４４５および可変電源４５０を含む。
【００５１】
マスクステージ５０５は当該技術の技術者に既知であるような、リソグラフィ投影ツール内で使用される標準のマスクステージである。マスクステージ５０５は、ウェハ上にイメージをエッチングするのに使用されるマスク５０７を保持する。照明ミラー５１０は、ＥＵＶ光源５１５からの光線性光ビーム５２０ａを反射する。照明ミラー５１０は、例えばコレクタミラーおよびコンデンサミラーを有する。これらのデバイスは当該技術の技術者に既知であり、ここではさらに詳しくは説明しない。
【００５２】
光線性光ビーム５２０ａは、照明ミラー５１０からマスクステージ５０５へ反射された光の光線性ビームである。当該技術の技術者に既知であるように光線性光ビーム５２０ｂは、マスクステージ５０５からリソグラフィミラー１００へ反射された光の光線性ビームである。
【００５３】
光線性光強度センサ５２５は光線性光強度センサ４２５（図４を参照）と同じように作動する。しかし光線性光強度センサ４２５と異なり、光線性光強度センサ５２５は以下で説明するように回転することができる。上述のようにＥＵＶ光源５１５は一定にとどまる（すなわち時間にわたって一定にとどまる光線性光の量を伝搬する）。しかし光線性光ビーム５２０ａがマスクステージ５０５上のマスク５０７によって反射されると、リソグラフィミラー１００上に反射される光線性光強度に変化が生じる。例えば光線性光ビーム５２０ｂの光線性光強度は、各時間に露光されるマスクの総体的な反射に応じて変化する（後続の図でのさらなる説明を参照）。従って時間ｔ１での光線性光ビーム５２０ｂの光線性光強度は、使用されている各マスクの反射によって定めらる第１の値を有する。時間ｔ２での光線性光ビーム５２０ｂの光線性光強度は、この時点で使用されている特定のマスクの反射によって定められた、時間ｔ１での第１の値とは異なる値を有する。
【００５４】
光線性光強度センサ５２５は、マスクステージ５０５から反射された光線性光ビーム５２０ｂを侵害する恐れがあることに注意されたい。結果として、光線性光強度センサ５２５は、リソグラフィ的にプリントされる（図示されていない）ウェハの一部を覆い隠す恐れがある。従って光線性光強度センサ５２５によって行われる測定は、ウェハ露光の前に行われる。従ってウェハ露光の前、光線性光強度センサ５２５はポジション５２６まで回転させられて光線性光ビーム５２０ｂからの測定を得る。しかし露光の間、光線性光強度センサはポジション５２７にあり、光線性光ビーム５２０ｂに干渉するのが防止される。
【００５５】
図６は、リソグラフィミラー１００上の時間的に一定な全熱負荷を維持するのに組み込まれるステップをあらわすフローチャート６００である。コントロールはステップ６０５で始まり、直ちにステップ６１０へ続く。当該技術の技術者に既知であるように、典型的なリソグラフィ画像セッションでは、種々異なる反射能力（すなわち透過能力）を有する複数のマスクが使用される。従って例えば第１のマスクは３ワットのパワーを反射することができ、第２のマスクは２ワットのパワーしか反射することができない。
【００５６】
ステップ６１０では、最も反射するマスクのうちの１つによって伝搬された、リソグラフィミラー１００（図１を参照）上の光線性の熱の量が定められる。最も反射するマスクのうちの１つとは、複数のマスクの中のあらゆる他のマスクによって越えられることのない熱伝搬能力を有するマスクである。例えば５ワットの光線性パワーの熱生成能力を有する４つのマスクがある。５ワットの光線性パワーを越える熱生成能力を有するマスクが複数のマスクの中にない場合には、４つのマスクそれぞれが最も反射するマスクのうちの１つと考えられる。最も反射するマスクのうちの１つが使用されている場合、付加的な熱（例えば可変電源４５０からの電気的な熱）が加えられる必要がないことに注意されたい。このマスクは「最悪のケースのシナリオ」をあらわしており、他のマスクが使用される場合に必要とされる電気的な熱量に対する測定ベースラインとして作用する。
【００５７】
言い換えれば、最も反射するマスクのうちの１つによってリソグラフィミラー１００上に誘導された光線性熱負荷は、リソグラフィミラー１００上の時間にわたって時間的に一定な所望の熱負荷をあらわす。他のマスク（すなわち反射量がより少ないマスク）によって伝搬される光線性の熱は、最も反射するマスクのうちの１つによって伝搬される光線性の熱よりも少ない。リソグラフィミラー１００上で所望の、時間的に一定な熱負荷を維持するために、リソグラフィミラー上の熱負荷は、反射がより少ないマスクが使用されているあいだは増大されなければならない。これは電力をミラーに加えることによって行われる。
【００５８】
ステップ６１５では、現在のマスクによって伝搬された光線性の熱量が定められる。
【００５９】
判断ステップ６２０では、現在のマスクによって伝搬された光線性の熱が最も反射するマスクのうちの１つによって伝搬される光線性の熱と同じ光線性の熱の量を生成することができるか否かが定められる。
【００６０】
現在のマスクによって伝搬された光線性の熱が、最も反射するマスクのうちの１つのマスクの光線性の熱よりも高いという状況は考慮されないことに注意されたい。このような状況は起こりえない。なぜなら最も反射するマスクのうちの１つは、複数のマスクの中の他のあらゆるマスクによって越えられることのない熱量を生成するからである。
【００６１】
判断ステップ６２０は、現在のマスクの使用中に時間的に一定な所望の熱負荷を維持するのにどのくらいの付加的な熱（例えば電気的な熱）をリソグラフィミラー１００に加える必要があるのかを定めるために必要とされる。上述のように、フィードフォワード手段がリソグラフィシステムに加えられ、現在のマスクによって伝搬される光線性の熱が測定される。
【００６２】
判断ステップ６２０で、現在のマスクからの光線性の熱が最も反射するマスクのうちの１つによって生成され得る光線性の熱と等しい場合、現在のマスクは最も反射するマスクのうちの１つである。従って電気的な熱がリソグラフィミラー１００に加えられる必要はない。このような状況では、コントロールはステップ６１５に戻り、ここで次のマスクによって伝搬される光線性熱量が求められる。
【００６３】
択一的に判断ステップ６２０で、現在のマスクが最も反射するマスクのうちの１つでない場合、コントロールはステップ６２５に続く。ステップ６２５では、電気的な熱がリソグラフィミラー１００に加えられ、最も反射するマスクのうちの１つを使用している間のミラー上の熱負荷よりも僅かに少ない（例えばフィードフォワードループ内で測定された光線性光パワーから計算された値の９０〜９５％）ミラー上の熱負荷に達する。ミラーは出来るだけ迅速に加熱されるべきであるが、「最も反射するマスクの熱負荷」を越えてミラーが加熱されている状態からの回復は、熱負荷が最も反射するマスクの熱負荷に達するようにミラーを加熱することよりも長い遅延を引き起こす恐れがある。ミラー上の熱負荷と、最も反射するマスクを使用するあいだのミラー上の熱負荷との正確な差異は、熱流束センサがどれくらい正確に光線性の熱の入力量を測定することができるのかに依存する。
【００６４】
システムの精度が定められた後（例えば測定、安定性、および較正）で、よりアグレッシブなコントロールを採用することができる（例えばフィードフォワードループ内で測定された光線性光パワーから計算された値の９８〜９９％）ことに注意されたい。
【００６５】
例えば、最も反射するマスクのうちの１つがリソグラフィミラー１００上に約３ワットのパワーを反射することができる。従って３ワットの電力よりも僅かに低い時間的に一定な全熱負荷をリソグラフィミラー１００上に維持することが望まれる。より低い反射量を有するマスク組のうちの１つは、リソグラフィミラー１００上に１ワットのパワーしか反射することができない。従って、この特定のマスクを使用する場合、ミラー上に時間的に一定な所望の全熱負荷を維持するためには、約２ワットの電力がリソグラフィミラー１００に加えられなければならない。
【００６６】
実施形態では、当該技術の技術者に既知であるように較正マスクが使用されて、システムの精度が向上される。例えば較正マスクは最も反射するマスクの反射性を有する。較正マスクの全アクチブ領域（製品マスク（ｐｒｏｄｕｃｔｉｏｎ　ｍａｓｋ）によってウェハに伝えられるパターンによって通常に占領されるエリア）は、反射コーティングによってコーティングされる。このアクチブ領域は、リソグラフィツール内を移動する製品マスク用に規定された最大のアクチブエリアに相応して寸法が決められる（例えば１０８ｍｍ×１３６ｍｍ）。コーティングおよび寸法決めは、較正マスクによって反射される光の量が、ツール内を移動する考えられるあらゆる製品マスクの反射される光出力と同じか、またはこれを越えることを確実にするのを補助する。従ってこの実施形態では、較正マスクは最も反射するマスクか、または最も反射するマスクのうちの１つである。
【００６７】
最も反射するマスクのうちの１つによって伝搬される潜在的な熱負荷を定めること、および反射量の少ないマスクのうちの１つを使用している場合には相応して電気的な熱を加えることによって、投影された画像のディストーションにおける変動を低減または消去することができる。従って種々の冷却手段を使用してリソグラフィミラー１００を冷却する必要性がなくなる。
【００６８】
ステップ６３０〜６４０は、比例温度コントロールループ技術を示す。当該技術の技術者には明確であるように、より高度なコントロールループが選択されてもよい。例えば比例・積分・微分（ＰＩＤ）制御ループを実装することができる。
【００６９】
ステップ６３０では、リソグラフィミラーの温度が測定される。例えばこの測定はミラー温度センサ４４５によって行われる。このステップは、リソグラフィミラー１００の時間的に一定な所望の温度を得るまたは維持するためにリソグラフィミラー１００により多くの電気的な熱が加えられる必要があるか否かを定めるために実行される。例えば（Ｍｉｃｎｏ　Ｐｒｏｄｕｃｔｓ，Ｉｎｃ，Ｍｉｎｎｅａｐｏｌｉｓ，ＭＮによって実現された）ＨｅａｔｅｒｓｔａｔＴＭコントロール手段を、リソグラフィミラー１００の所望の時間的に一定な温度を維持するのに使用することができる。リソグラフィミラー１００の温度の測定は、ミラーに熱が加えられ過ぎてミラーの全熱負荷が所望の時間的に一定な熱負荷より大きくなってしまう可能性から保護するとういうことにも注意されたい。
【００７０】
ステップ６３５では、リソグラフィミラーの温度が目標値と比較される。ミラーの温度が目標値より大きいか、または同じ場合にはコントロールはステップ６３０に続き、ここでミラーの温度が測定される。
【００７１】
択一的にステップ６３５で、温度が目標値より低い場合、付加的な熱（電気的な熱）がステップ６４０でリソグラフィミラーに加えられる。
【００７２】
ステップ６４５では、スイッチオフ信号が受信されたか否かが定められる。スイッチオフ信号がまだ受信されていない場合、コントロールはステップ６３０に続き、ここでミラー温度が再び測定される。択一的にステップ６４５で、スイッチオフ信号が既に受信されていると定められた場合、システムの作動が止められてコントロールはステップ６５０で終了する。
【００７３】
図７Ａには、ミラーの独立した制御ゾーンへ分割を示すリソグラフィミラー７００が図示されている。第１のゾーンでの光線性熱の不足に適応するために、付加的な熱（例えば電気的な熱）が継続的に第１のゾーンに加えられ、第２のゾーンには同時に逆比例の調節（ｉｎｖｅｒｓｅｌｙ　ｍｏｄｕｌａｔｉｎｇ）によって熱が加えられる。リソグラフィミラー７００は反射層１１９（図１を参照）、研磨層１１７、光学開口ゾーン７０２、環状ゾーン７０３およびサブストレート１０５を含む。
【００７４】
光学開口ゾーン（Ｏｐｔｉｃａｌ　ａｐｅｒｔｕｒｅ　ｚｏｎｅ）７０２はリソグラフィミラー７００の、光を受光して反射する部分である。光学開口ゾーン７０５での付加的な熱は、上述したように、ディストーションにおける変動を低減または消去するために、リソグラフィミラー７００上の光線性熱負荷に相応して独立して逆比例に調節される。光学開口ゾーン７０２は、抵抗層１０７および配線層１１５を含む。光学開口ゾーン７０２の配線層１１５は、図２Ｂに示された配線層１１５と同じであるということに注意されたい。
【００７５】
環状ゾーン７０３は、リソグラフィミラー７００のリソグラフィ投影ツールが操作されているあいだに光線性の熱を僅かにしか受け取らないか、または受け取らない部分である（コールドエッジ効果として知られている）。結果として環状ゾーン７０３は典型的に、光学開口ゾーン７０２よりも低温である。光線性の熱の不足に適応するために、環状ゾーン７０３に付加的な熱が継続的に加えられる。
【００７６】
環状ゾーン７０３は、抵抗層７１０および配線層７１５を有する。抵抗層７１０は抵抗層１０７と同等のものである。図７Ｃに対応するテキストに説明されているように、配線層７１５は電源と接続されて、リソグラフィミラー７００の環状ゾーン７０３に熱を供給する。
【００７７】
図７Ｂは図７Ａのリソグラフィミラー７００の平面図を示している。
【００７８】
図７Ｃは図７Ａの環状ゾーン７０３の配線層７１５を示している。
【００７９】
配線層７１５は、コンタクト７５０ａ、７５０ｂおよび絶縁層７５５を含む。
【００８０】
コンタクト７５０はコンタクト１１３（図１を参照）と同じように機能する。しかし、環状ゾーン７０３の配線層７１５では、コンタクト７５０は、第１のコンタクト７５０ａと第２のコンタクト７５０ｂとのあいだの電気の流れが相対的に環状で均一な加熱パターンを生じさせるように同心状に配置されるべきであることに注意されたい。さらに絶縁層７５５はコンタクト７５０と同じ厚さであり、これによって配線層７１５が相対的に平らになる。絶縁層７５５は絶縁層１１４（図２Ｂを参照）と同じように機能する。当該技術の技術者に既知であるように、エネルギーチャネル７４５（例えば電気ワイヤ）は、コンタクト７５０をリソグラフィツール内の遠隔の電子キャビネット内に配置されている付加的な電源（すなわち配線層１１５に接続されている電源に対して付加的な別の電源）に接続するのに使用される。
【００８１】
本発明において抵抗層、絶縁副層および研磨層のうちの少なくとも１つをサブストレートの周辺縁部まで（ｔｏ）形成することができる。有利には抵抗層は温度フィードバックを提供するのに充分に高い抵抗の温度係数（ＴＣＲ）を有する。またフィードバック手段は絶縁副層上に写真的に形成することができる。
【００８２】
本発明の様々な実施形態を上で示した。これらの実施形態は例として示したされたのであって、これに制限されないことを理解されたい。上述した実施形態の形態および詳細における様々な変化が、本発明の概念および範囲を逸脱せずに行われることは関連技術の当業者に理解されるであろう。従って本発明は上述のいかなる実施形態にも制限されるものではなく、特許請求の範囲およびそれらと等価なものに従ってのみ規定されるべきである。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に相応するリソグラフィミラーの層および構成部材をあらわす概略図である。
【図２Ａ】本発明に相応するリソグラフィミラーの層の側面図である。
【図２Ｂ】図２Ａの配線層をあらわす概略図である。
【図２Ｃ】図１に示されたリソグラフィミラーの層および構成部材の平面図である。
【図３】本発明に相応したリソグラフィミラーの製造に組み込まれるステップのフローチャートである。
【図４】本発明のリソグラフィミラーがコンデンサミラーとして示されているリソグラフィ照明システムをあらわす概略図である。
【図５】本発明のリソグラフィミラーが投影光学ミラーとして示されているリソグラフィ投影システムをあらわす概略図である。
【図６】本発明に相応したリソグラフィミラー上の時間的に一定な熱負荷を維持するのに組み込まれるステップのフローチャートである。
【図７Ａ】ミラーの、複数のゾーンへの分割を示すリソグラフィミラーをあらわす概略図である。
【図７Ｂ】図７Ａのリソグラフィミラーの平面図である。
【図７Ｃ】図７Ａのリソグラフィミラーの環状ゾーンの配線層をあらわす概略図である。
【符号の説明】
１００、７００　リソグラフィミラー
１０５　ミラーブランクサブストレート
１０７　抵抗層
１０９　フロントエッジ
１１１　リアエッジ
１１３ａ、１１３ｂ　コンタクト
１１４　絶縁副層
１１５　配線層
１１７　研磨層
１１９　反射層
２２０ａ、２２０ｂ　ワイヤ
４００　リソグラフィ照明システム
４１０ａ、４１０ｂ　光ビーム
４１５　ＥＵＶ光源
４２０　コレクタミラー
４２５、５２５　光線性光強度センサ
４３５ａ、４３５ｂ、４３２、４４０　エネルギーチャネル
４４５　ミラー温度センサ
４３０　電力調整回路
４５０　可変電源
５００　リソグラフィ投影光学システム
５０５　マスクステージ
５０７　マスク
５１０　照明ミラー
５２０ａ、５２０ｂ　光線性ビーム
７０２　光学開口ゾーン
７０３　環状ゾーン
７１０　抵抗層
７１５　配線層
７４５　エネルギーチャネル
７５０ａ、７５０ｂ　コンタクト
７５５　絶縁層
【図１】
2004031952.tif 000003
【図２Ａ】
2004031952.tif 000004
【図２Ｂ】
2004031952.tif 000005
【図２Ｃ】
2004031952.tif 000006
【図３】
2004031952.tif 000007
【図４】
2004031952.tif 000008
【図５】
2004031952.tif 000009
【図６】
2004031952.tif 000010
【図７Ａ】
2004031952.tif 000011
【図７Ｂ】
2004031952.tif 000012
【図７Ｃ】
2004031952.tif 000013
【手続補正書】
【提出日】平成15年9月16日(2003.9.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４１】
光線性熱負荷を測定するためにフィードフォワード手段を含む、請求項２９記載のリソグラフィミラー。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４２】
前記コンタクトを介して加えられる付加的な熱負荷を調整するためにフィードバック手段を含む、請求項２９記載のリソグラフィミラー。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４３】
前記抵抗層は温度フィードバックを提供するのに充分に高い抵抗の温度係数（ＴＣＲ）を有する、請求項２９記載のリソグラフィミラー。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
ステップ３２０では、絶縁層１１４が抵抗層１０７上に形成されて、リソグラフィミラー１００内で短絡が生じる可能性が低減される。


【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
ステップ３２５では、研磨された材料の層が絶縁層１１４上に設けられて、研磨層１１７（図１に示されている）が形成される。上述のように研磨層１１７は、当該技術の技術者に既知である、あらゆる存在可能な研磨された材料から成る。


【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】全図
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2004031952.tif 000014
【図２Ａ】
2004031952.tif 000015
【図２Ｂ】
2004031952.tif 000016
【図２Ｃ】
2004031952.tif 000017
【図３】
2004031952.tif 000018
【図４】
2004031952.tif 000019
【図５】
2004031952.tif 000020
【図６】
2004031952.tif 000021
【図７Ａ】
2004031952.tif 000022
【図７Ｂ】
2004031952.tif 000023
【図７Ｃ】
2004031952.tif 000024