(57)【要約】【課題】ハロゲン系難燃剤、アンチモン化合物を含まず、難燃性、高温保管特性、無鉛半田の実装温度である２６０℃に対応できる耐半田性に優れた特性を有する半導体封止用エポキシ樹脂組成物を提供すること。【解決手段】（Ａ）ジシクロペンタジエン変性フェノール型エポキシ樹脂（Ａ−１）、オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂（Ａ−２）、ビフェニル型エポキシ樹脂（Ａ−３）、（Ｂ）フェノール樹脂、（Ｃ）硬化促進剤、（Ｄ）無機充填剤及び（Ｅ）ホスファゼン化合物を必須成分とするエポキシ樹脂組成物であって、エポキシ樹脂の重量配合比が（Ａ−１）／［（Ａ−１）＋（Ａ−２）＋（Ａ−３）］＝０．２〜０．８、（Ａ−２）／［（Ａ−１）＋（Ａ−２）＋（Ａ−３）］＝０．１〜０．４、（Ａ−３）／［（Ａ−１）＋（Ａ−２）＋（Ａ−３）］＝０．１〜０．４であることを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）一般式（１）で示されるエポキシ樹脂（Ａ−１）、一般式（２）で示されるエポキシ樹脂（Ａ−２）、一般式（３）で示されるエポキシ樹脂（Ａ−３）、（Ｂ）フェノール樹脂、（Ｃ）硬化促進剤、（Ｄ）無機充填剤及び（Ｅ）ホスファゼン化合物を必須成分とするエポキシ樹脂組成物であって、エポキシ樹脂の重量配合比が（Ａ−１）／［（Ａ−１）＋（Ａ−２）＋（Ａ−３）］＝０．２〜０．８、（Ａ−２）／［（Ａ−１）＋（Ａ−２）＋（Ａ−３）］＝０．１〜０．４、（Ａ−３）／［（Ａ−１）＋（Ａ−２）＋（Ａ−３）］＝０．１〜０．４であることを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
【化１】
2004010654.tif 000019
（Ｒ１は炭素数１〜４のアルキル基の中から選択される同一もしくは異なる基、ａは０〜３の整数、ｌは平均値で１〜６の正数）
【化２】
2004010654.tif 000020
（ｍは平均値で１〜６の正数）
【化３】
2004010654.tif 000021
（Ｒ２〜Ｒ５は水素原子、炭素数１〜４のアルキル基の中から選択される同一もしくは異なる原子又は基）
【請求項２】
ホスファゼン化合物が、環状ホスファゼン化合物である請求項１記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
【請求項３】
環状ホスファゼン化合物が、一般式（４）で示される化合物である請求項２記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
【化４】
2004010654.tif 000022
（ｎは３〜７の整数、Ｒ６は互いに同一もしくは異なる有機基）
【請求項４】
一般式（４）で示される環状ホスファゼン化合物の２ｎ個のＲ６のうち、少なくともｎ個がフェノキシ基である請求項３記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
【請求項５】
フェノール樹脂が、一般式（５）で示されるフェノール樹脂、一般式（６）で示されるフェノール樹脂、一般式（７）で示されるフェノール樹脂から選ばれる１種以上である請求項１〜４のいずれかに記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
【化５】
2004010654.tif 000023
（Ｒ７は炭素数１〜４のアルキル基の中から選択される同一もしくは異なる基、ｂは０〜３の整数、ｏは平均値で１〜６の正数）
【化６】
2004010654.tif 000024
（Ｒ８は炭素数１〜４のアルキル基の中から選択される同一もしくは異なる基、ｃは０〜３の整数、ｐは平均値で１〜６の正数）
【化７】
2004010654.tif 000025
（ｑは平均値で１〜６の正数）
【請求項６】
請求項１〜５のいずれかに記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を封止してなることを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ハロゲン系難燃剤、アンチモン化合物を含まず、難燃性に優れた特性を有する半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
現在の大量生産・大量消費・大量廃棄型社会から、資源循環型社会への転換が迫られており、最近家電製品のリサイクルが実施されることになった。使用済みの製品をリサイクル・処分する際に発生するシュレッダダストから有害物質が溶出するおそれが指摘されている。このような状況で半導体装置を回路基板に実装する際に用いる有鉛半田から無鉛半田への置き換え検討が活発化しており、各種の無鉛半田が提案されているが、実装性、信頼性等から錫−銀（ビスマス）系もしくは錫−銅系が有力な候補として挙げられ、その共晶温度は２２０〜２３０℃で実装温度は２６０〜２７０℃となる。従来の錫−鉛半田は、共晶温度が２００℃程度、実装温度は２４０℃であり実装温度が２０℃程度高くなり、この２０℃の温度差により半導体装置の耐半田性が低下し、従来の吸湿条件では品質保証が厳しくなっている。特にＳＯＰのような汎用の半導体装置では、価格低下に伴い高生産性が要求されており、従来の耐半田性のエポキシ樹脂組成物では、高生産性の要求に対して対応できなくなってきている。
【０００３】
更に、これらのエポキシ樹脂組成物中には、難燃性を付与するために、通常ハロゲン系難燃剤及び三酸化アンチモン、四酸化アンチモン、五酸化アンチモン等のアンチモン化合物が配合されている。しかしながら、世界的な環境保護の意識の高まりの中、ハロゲン系難燃剤やアンチモン化合物を使用しなくても難燃性を有するエポキシ樹脂組成物の要求が大きくなってきている。
又ハロゲン系難燃剤及びアンチモン化合物を含むエポキシ樹脂組成物で封止された半導体装置を高温下で保管した場合、これらの難燃剤成分から熱分解したハロゲン化物が遊離し、半導体素子の接合部を腐食し、半導体装置の信頼性を損なうことが知られており、難燃剤としてハロゲン系難燃剤とアンチモン化合物を使用しなくても難燃グレードがＵＬ−９４のＶ−０を達成できるエポキシ樹脂組成物が要求されている。
【０００４】
このように、半導体装置を高温下（例えば、１８５℃等）に保管した後の半導体素子の接合部（ボンディングパッド部）の耐腐食性のことを高温保管特性といい、この高温保管特性を改善する手法としては、五酸化二アンチモンを使用する方法（特開昭５５−１４６９５０号公報）や、酸化アンチモンと有機ホスフィンとを組み合わせる方法（特開昭６１−５３３２１号公報）等が提案され、効果が確認されているが、最近の半導体装置に対する高温保管特性の高い要求レベルに対して、エポキシ樹脂組成物の種類によっては不満足なものもある。
【０００５】
そこで特開平１０−２５９２９２号公報で提案されている様な環状ホスファゼン化合物を使用することにより、ハロゲン系難燃剤及びアンチモン化合物を使用せずに、十分な難燃性を達成できてはいたが、従来の配合では吸湿率の上昇、強度の低下等により半田処理での信頼性が低下する不具合が発生していた。又半田処理での信頼性向上のためジシクロペンタジエン変性フェノール型エポキシ樹脂が一部の封止材料で使用されている。これを用いたエポキシ樹脂組成物は、高ガラス転移点、低弾性率、低吸湿性等の優れた特性を有しており、半田処理での信頼性においては良好な特性を付与するが、耐燃性の点では劣っているため、従来の難燃剤を使用する場合は難燃剤を多量に配合する必要がある。そのため、十分な成形性や高温保管特性を発現させることができなかった。これらの問題から、高生産性で、かつ２６０℃での表面実装に対応でき、ハロゲン系難燃剤、アンチモン化合物を使用しなくても難燃性に優れるエポキシ樹脂組成物が求められている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、ハロゲン系難燃剤、アンチモン化合物を含まず、難燃性、高温保管特性、無鉛半田の実装温度である２６０℃に対応できる耐半田性に優れた特性を有する半導体封止用エポキシ樹脂組成物及びこれを用いて半導体素子を封止してなる半導体装置を提供するものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明は、
［１］　（Ａ）一般式（１）で示されるエポキシ樹脂（Ａ−１）、一般式（２）で示されるエポキシ樹脂（Ａ−２）、一般式（３）で示されるエポキシ樹脂（Ａ−３）、（Ｂ）フェノール樹脂、（Ｃ）硬化促進剤、（Ｄ）無機充填剤及び（Ｅ）ホスファゼン化合物を必須成分とするエポキシ樹脂組成物であって、エポキシ樹脂の重量配合比が（Ａ−１）／［（Ａ−１）＋（Ａ−２）＋（Ａ−３）］＝０．２〜０．８、（Ａ−２）／［（Ａ−１）＋（Ａ−２）＋（Ａ−３）］＝０．１〜０．４、（Ａ−３）／［（Ａ−１）＋（Ａ−２）＋（Ａ−３）］＝０．１〜０．４であることを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物、
【０００８】
【化８】
2004010654.tif 000002
（Ｒ１は炭素数１〜４のアルキル基の中から選択される同一もしくは異なる基、ａは０〜３の整数、ｌは平均値で１〜６の正数）
【０００９】
【化９】
2004010654.tif 000003
（ｍは平均値で１〜６の正数）
【００１０】
【化１０】
2004010654.tif 000004
（Ｒ２〜Ｒ５は水素原子、炭素数１〜４のアルキル基の中から選択される同一もしくは異なる原子又は基）
【００１１】
［２］　ホスファゼン化合物が、環状ホスファゼン化合物である第［１］項記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物、
［３］　環状ホスファゼン化合物が、一般式（４）で示される化合物である第［２］項記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物、
【００１２】
【化１１】
2004010654.tif 000005
（ｎは３〜７の整数、Ｒ６は互いに同一もしくは異なる有機基）
【００１３】
［４］　一般式（４）で示される環状ホスファゼン化合物の２ｎ個のＲ６のうち、少なくともｎ個がフェノキシ基である第［３］項記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物、
［５］　フェノール樹脂が、一般式（５）で示されるフェノール樹脂、一般式（６）で示されるフェノール樹脂、一般式（７）で示されるフェノール樹脂から選ばれる１種以上である第［１］項〜［４］項のいずれかに記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物、
【００１４】
【化１２】
2004010654.tif 000006
（Ｒ７は炭素数１〜４のアルキル基の中から選択される同一もしくは異なる基、ｂは０〜３の整数、ｏは平均値で１〜６の正数）
【００１５】
【化１３】
2004010654.tif 000007
（Ｒ８は炭素数１〜４のアルキル基の中から選択される同一もしくは異なる基、ｃは０〜３の整数、ｐは平均値で１〜６の正数）
【００１６】
【化１４】
2004010654.tif 000008
（ｑは平均値で１〜６の正数）
【００１７】
［６］　第［１］項〜［５］項のいずれかに記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を封止してなることを特徴とする半導体装置、
である。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明を詳細に説明する。
本発明に用いられるエポキシ樹脂は、一般式（１）で示されるエポキシ樹脂（Ａ−１）、一般式（２）で示されるエポキシ樹脂（Ａ−２）及び一般式（３）で示されるエポキシ樹脂（Ａ−３）を必須とし、その重量配合比が（Ａ−１）／［（Ａ−１）＋（Ａ−２）＋（Ａ−３）］＝０．２〜０．８、（Ａ−２）／［（Ａ−１）＋（Ａ−２）＋（Ａ−３）］＝０．１〜０．４、（Ａ−３）／［（Ａ−１）＋（Ａ−２）＋（Ａ−３）］＝０．１〜０．４である。
【００１９】
一般式（１）で示されるエポキシ樹脂（Ａ−１）は低吸湿性と高密着性、一般式（２）で示されるエポキシ樹脂（Ａ−２）は速硬化性、一般式（３）で示されるエポキシ樹脂（Ａ−３）は高流動性という特徴を有している。一方、一般式（１）で示されるエポキシ樹脂（Ａ−１）は硬化性、流動性が小さく、一般式（２）で示される（Ａ−２）は流動性が小さくかつ高弾性であり、一般式（３）で示されるエポキシ樹脂（Ａ−３）は硬化が遅い等の欠点があるが、前記のエポキシ樹脂を併用することでこれらの欠点が解消され、その特徴が相乗的に作用し耐半田性と速硬化性による高生産性を達成できる。
【００２０】
本発明者は鋭意検討した結果、各々のエポキシ樹脂の重量配合比として、（Ａ−１）／［（Ａ−１）＋（Ａ−２）＋（Ａ−３）］＝０．２〜０．８で、（Ａ−１）が０．２未満であると吸湿率が増大し、耐半田性が低下し、０．８を越えると流動性と硬化性が低下する。（Ａ−２）／［（Ａ−１）＋（Ａ−２）＋（Ａ−３）］＝０．１〜０．４で、０．１未満だと硬化が遅くなり、高生産性が実現できず、０．４を越えると弾性率が高くなり、熱時の耐応力特性が低下し耐半田性が低下する。（Ａ−３）／［（Ａ−１）＋（Ａ−２）＋（Ａ−３）］＝０．１〜０．４で、０．１未満だと密着性が劣り耐半田性が低下し、０．４を越えると硬化性の低下、吸湿率の増大により耐半田性が低下する。
本発明では、（Ａ−１）、（Ａ−２）及び（Ａ−３）を必須成分とするが、全エポキシ樹脂中に［（Ａ−１）＋（Ａ−２）＋（Ａ−３）］を８０重量％以上含むものが好ましい。８０重量％未満だと耐半田性と生産性のバランスが崩れるおそれがあり好ましくない。更に前記エポキシ樹脂と併用できるエポキシ樹脂としては、例えばビスフェノール型エポキシ樹脂、トリフェノール型エポキシ樹脂、フェノールアラルキル型エポキシ樹脂等が挙げられる。エポキシ樹脂（Ａ−１）、（Ａ−２）及び（Ａ−３）の内で好ましいものとしては、低吸湿性と生産性の観点から、以下の構造が挙げられる。
【００２１】
【化１５】
2004010654.tif 000009
【００２２】
本発明に用いられるフェノール樹脂としては、１分子中に２個以上のフェノール性水酸基を有するモノマー、オリゴマー、ポリマー全般を指し、一般式（５）で示されるフェノール樹脂、一般式（６）で示されるフェノール樹脂、一般式（７）で示されるフェノール樹脂、フェノールノボラック樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール樹脂、テルペン変性フェノール樹脂等が挙げられ、低吸湿でかつ低弾性に優れ、その結果耐半田性に優れる点から、一般式（５）で示されるフェノール樹脂、一般式（６）で示されるフェノール樹脂、一般式（７）で示されるフェノール樹脂が好ましい。一般式（５）で示されるフェノール樹脂、一般式（６）で示されるフェノール樹脂の内で好ましいものとしては、反応性と生産性の観点から、具体例としては、以下の構造が挙げられる。これらは単独でも混合して用いてもよい。
【００２３】
【化１６】
2004010654.tif 000010
【００２４】
本発明に用いられる硬化促進剤は、エポキシ樹脂とフェノール樹脂との硬化反応を促進させるものであればよく、一般的に封止材料に用いられるものを広く使用することができる。例えば１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）ウンデセン−７、トリフェニルホスフィン、テトラフェニルホスホニウム・テトラフェニルボレート、２−メチルイミダゾール等が挙げられ、これらは単独でも混合して用いてもよい。
本発明に用いられる無機充填剤は、一般的に封止材料に用いられているものを広く使用できる。例えば溶融シリカ、結晶シリカ、タルク、アルミナ、窒化珪素、水酸化アルミニウム等が挙げられ、これらは単独でも混合して用いてもよい。これらの内では、汎用性がある球状溶融シリカが好ましい。配合量としては全エポキシ樹脂組成物中６０〜９５重量％が好ましく、６０重量％未満では吸湿率の増大による耐半田性の低下が著しく、９５重量％を越えると硬化性の低下と流動性の低下を引き起こすおそれがあり好ましくない。無機充填剤の最大粒子径は７５μｍ以下、平均粒径としては１０〜３０μｍが好ましい。
【００２５】
本発明に用いられるホスファゼン化合物は、難燃剤として作用し、その難燃機構は、含有しているリンによる炭化促進効果、即ち硬化物の表面に不燃性の炭化層を形成することにより、硬化物表面の保護及び酸素を遮断する効果が得られること、又含有している窒素により、熱分解時に窒素ガスが発生し、気相においても酸素を遮断することによる。この固相と気相の両方で働く難燃効果から、ホスファゼン化合物は高い難燃性を付与することができる。本発明で用いるホスファゼン化合物は、一般式（１３）で示される骨格を有し直鎖状と環状のものがある。
【００２６】
【化１７】
2004010654.tif 000011
【００２７】
一般式（１３）中のＲ６としては、アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基等が挙げられ、更に窒素、硫黄、酸素、弗素原子等を含有する基、例えばアミノ基、メルカプト基、ヒドロキシ基、フルオロアルキル基等が挙げられる。
【００２８】
一般式（１３）で示される骨格を有する直鎖状ホスファゼン化合物としては、一般式（１４）で示されるものが好ましく、ｎは３〜１０００の整数で、Ｒ６としては、アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基等が挙げられ、更に窒素、硫黄、酸素、弗素原子等を含有する基、例えばアミノ基、メルカプト基、ヒドロキシ基、フルオロアルキル基等が挙げられる。これらのうち耐熱性、耐湿性の点からアリールオキシ基が好ましく、樹脂成分との相溶性やエポキシ樹脂組成物の流動性の点から、２ｎ個のＲ６のうち少なくともｎ個はフェノキシ基が望ましい。
【００２９】
【化１８】
2004010654.tif 000012
【００３０】
一般式（１３）で示される骨格を有する環状ホスファゼン化合物としては、一般式（４）で示される構造のものが好ましく、ｎは３〜７の整数で、Ｒ６は、一般式（１３）のＲ６と同一のものである。これらのうちＲ６としては耐熱性、耐湿性の点からアリールオキシ基が好ましく、樹脂成分との相溶性やエポキシ樹脂組成物の流動性の点から、２ｎ個のＲのうち少なくともｎ個はフェノキシ基が望ましい。更に好ましい化合物としては、３量体の６員環構造のものであり、少量の他の環状化合物を含んでいてもよい。
【００３１】
一般式（４）で示される環状ホスファゼン化合物の具体例としては、ヘキサプロピルシクロトリホスファゼン、テトラエトキシジプロポキシシクロトリホスファゼン、ヘキサフェノキシシクロトリホスファゼン、ヘキサアニリノシクロトリホスファゼン、ヘキサキス（３−メルカプトプロピル）シクロトリホスファゼン、ヘキサキス（ヘプタフルオロプロピルオキシ）シクロトリホスファゼン等が挙げられる。具体的な構造は、式（１５）、式（１６）で示される。
【００３２】
【化１９】
2004010654.tif 000013
【００３３】
【化２０】
2004010654.tif 000014
【００３４】
本発明に含まれる他の環状ホスファゼン化合物としては、一般式（４）で示される少なくとも１個の環状ホスファゼン化合物が２価の有機基を介して、少なくとも１個の他の環状ホスファゼン化合物と結合した構造のものが挙げられる。環状ホスファゼン化合物同士を結合する２価の有機基としては、１，６−ジオキシヘキサン等のジオール化合物の水酸基から２個の水素原子を除いた基、或いはハイドロキノン、４，４’−ビフェノール、ビスフェノールＦ等の２官能フェノール化合物の水酸基から２個の水素原子を除いた基等が好ましい。相互の環状ホスファゼン化合物は同一でも異なっていてもよい。環状ホスファゼン化合物同士を結合した構造としては、式（１７）が例示されるが、これに限定されるものではない。なお、ホスファゼン化合物については、特開昭５５−２７３４４号公報、特開平１１−１８１４２９号公報等に開示されている。
【００３５】
【化２１】
2004010654.tif 000015
【００３６】
本発明のホスファゼン化合物の配合量は、全エポキシ樹脂組成物中に０．０１〜１５重量％が好ましく、更に好ましくは０．１〜１０重量％である。０．０１重量％未満だと難燃性が不足し、１５重量％を越えると硬化性、耐熱性及び強度が低下し、吸湿率が増加するので好ましくない。
【００３７】
ホスファゼン化合物は高い難燃性を付与する性質があるが、十分な難燃性を発現させるには、多量の配合量が必要となる。しかし多量に配合すると半田処理での信頼性が低下する。そこでこれらの諸物性の低下を防ぐため、本発明のエポキシ樹脂を併用すると半田処理での信頼性を向上させることができる。
【００３８】
本発明のエポキシ樹脂組成物は、（Ａ）〜（Ｅ）成分の他、必要に応じて臭素化エポキシ樹脂、三酸化アンチモン等の難燃剤を含有することは差し支えないが、半導体装置の１５０〜２００℃の高温下での電気特性の安定性が要求される用途では、臭素原子、アンチモン原子の含有率が、それぞれ全エポキシ樹脂組成物中に０．１重量％未満であることが好ましく、全く含まれない方が望ましい。臭素原子、アンチモン原子のいずれかが０．１重量％以上だと、高温下に放置したときに半導体装置の抵抗値が時間と共に増大し、最終的には半導体素子の金線が断線する不良が発生する可能性がある。又環境保護の観点からも、臭素原子、アンチモン原子のそれぞれの含有率が０．１重量％未満で、極力含有されていないことが望ましい。
【００３９】
本発明のエポキシ樹脂組成物は、（Ａ）〜（Ｅ）成分を必須成分とするが、必要に応じて水酸化マグネシウム、水酸化アルミニウム等の難燃剤、カップリング剤、カーボンブラックに代表される着色剤、天然ワックス及び合成ワックス等の離型剤等が適宜配合可能である。
本発明のエポキシ樹脂組成物は、各成分を混合後、加熱ニーダや熱ロールにより加熱混練、続いて冷却、粉砕することで製造することができる。
本発明のエポキシ樹脂組成物を用いて、半導体素子等の各種の電子部品を封止し、半導体装置を製造するには、トランスファーモールド、コンプレッションモールド、インジェクションモールド等の従来からの成型方法で硬化成形すればよい。
【００４０】
【実施例】
以下、本発明を実施例で具体的に説明する。
2004010654.tif 000016
上記の全成分をミキサーにより混合した後、表面温度が９０℃と４５℃の２本ロールを用いて３０回混練、得られた混練物シートを冷却後粉砕して、エポキシ樹脂組成物とした。得られたエポキシ樹脂組成物の特性を以下の方法で評価をした。評価結果を表１に示す。
【００４１】
評価方法
スパイラルフロー：ＥＭＭＩ−１−６６に準じたスパイラルフロー測定用の金型を用いて、金型温度１７５℃、注入圧力６．９ＭＰａ、硬化時間１２０秒で測定した。
連続成形性試験：自動低圧トランスファーマルチ成形機を用い８０ｐＱＦＰ（１４ｍｍ×２０ｍｍ×２．０ｍｍ）、金型温度：１８０±２℃、注入時間８秒、硬化時間５０秒、注入圧力８．３ＭＰａで成形した。判定は５００ショット自動運転で成形し、エポキシ樹脂組成物に起因する成形機停止が生じたら×。エポキシ樹脂組成物に起因する成形機の停止がなければ〇とした。
耐半田性：低圧トランスファー成形機を用い金型温度１８０℃、注入圧力９．８ＭＰａ、注入時間１５秒、硬化時間９０秒の条件で３ｍｍ×６ｍｍの模擬素子を５．６ｍｍ×１２．５ｍｍ×１．５５ｍｍサイズの２０ｐＳＯＰに封止し、１７５℃で４時間の後硬化を実施しテスト用パッケージを得た。テスト用パッケージを、条件▲１▼８５℃、相対湿度８５％の環境下で１６８時間処理、▲２▼８５℃、相対湿度６０％の環境下で１６８時間処理し、その後ピーク温度２６０℃、処理時間１０秒に設定されたＩＲリフローで処理して、超音波探傷機により剥離及びクラックの有無を確認した。ｎ数は１０個。判定は剥離、クラックがなければ合格とし、条件▲１▼と▲２▼が合格であれば◎、条件▲２▼が合格であれば〇、条件▲２▼が不合格であれば×とした。
難燃性：低圧トランスファー成形機を用いて金型温度１７５℃、注入圧力９．８ＭＰａ、注入時間１５秒、硬化時間１２０秒で試験片（１２７ｍｍ×１２．７ｍｍ×３．２ｍｍ）を成形し、１７５℃、４時間で後硬化した後、ＵＬ−９４垂直法に準じてΣＦ、Ｆｍａｘを測定し、難燃性を判定した。
高温保管特性：低圧トランスファー成形機を用いて金型温度１７５℃、注入圧力９．８ＭＰａ、注入時間１５秒、硬化時間１２０秒で１６ｐＤＩＰ（チップサイズ３．０ｍｍ×３．５ｍｍ）を成形し、１７５℃、４時間で後硬化した後、高温保管試験（１８５℃、１０００時間）を行い、配線間の電気抵抗値が初期値に対し２０％増加したパッケージを不良と判定した。１５個のパッケージ中の不良な個数の率（不良率）を百分率で示した。単位は％。
【００４２】
実施例２〜９、比較例１〜１０
表１、表２の処方に従い配合し、実施例１と同様にエポキシ樹脂組成物を得た。このエポキシ樹脂組成物を実施例１と同様に評価した。評価結果を表１、表２に示す。
実施例２〜９、比較例１〜１０に用いた材料を以下に示す。
式（１２）のフェノール樹脂（軟化点１０７℃、水酸基当量１９９）
式（７）のフェノール樹脂（軟化点８７℃、水酸基当量２１０）
フェノールノボラック樹脂（軟化点８１、水酸基当量１０５）
【００４３】
【表１】
2004010654.tif 000017
【００４４】
【表２】
2004010654.tif 000018
【００４５】
【発明の効果】
本発明に従うと、高温保管特性、硬化性に優れたエポキシ樹脂組成物が得られ、高生産性が必要とされている汎用半導体装置に最適であり、このエポキシ樹脂組成物で封止された半導体装置は無鉛半田での半田実装の実装温度２６０℃にも対応できる耐半田性を有し、更にハロゲン系難燃剤、アンチモン化合物を含まずに難燃性を確保できるため、環境対応が可能となる。