(57)【要約】【課題】Ｎ型半導体領域と金属層との間に形成されたシリサイド層が半導体基体の汚染を除去するためのアルカリ性エッチングによって侵蝕され、アノード電極の接合強度が低下した。【解決手段】ダイオードチップ１の半導体基体２をＮ＋型半導体領域５とＮ型半導体領域６とＰ＋型半導体領域７とで構成する。Ｎ＋型半導体領域５にＮ型不純物の他にＰ型不純物を低濃度に含める。Ｎ＋型半導体領域５の表面とＰ＋型半導体領域７の表面とにニッケルから成る金属層を設け、熱処理して第１及び第２のシリサイド層１１、１３を形成する。第１のシリサイド層１１にシリコンとニッケルの他にＮ型不純物とＰ型不純物を含める。第２のシリサイド層１３にシリコンとニッケルの他にＰ型不純物を含める。【選択図】        図１
2004260006.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｎ型半導体領域と金属層との間に、半導体と金属元素とＮ型不純物から成る第１の付加物質とＰ型不純物から成る第２の付加物質とを含む接合層が形成され、前記半導体は前記Ｎ型半導体領域と同一の半導体であり、前記金属元素は前記金属層に含まれている金属元素と同一の金属元素であることを特徴とする半導体素子。
【請求項２】
前記半導体はシリコン半導体であり、前記接合層はシリサイド層であり、前記シリサイド層における前記第１の付加物質の量をＡ、前記第２の付加物質の量をＢとした場合に、前記第１の付加物質の量Ａと前記第２の付加物質の量との和Ａ＋Ｂに対する前記第１の付加物質の量Ａの割合Ａ／（Ａ＋Ｂ）が０．９８〜９９．５であることを特徴とする請求項１記載の半導体素子。
【請求項３】
前記Ｎ型半導体領域はＮ型シリコン半導体領域であり、前記Ｎ型シリコン半導体領域にＮ型不純物の他に前記Ｎ型不純物よりも低い濃度でＰ型不純物が含まれていることを特徴とする請求項１又は２記載の半導体素子。
【請求項４】
Ｎ型半導体領域とＰ型半導体領域とを有する半導体基体と、前記Ｎ型半導体領域に第１の接合層を介して電気的に接続された第１の金属層と、前記Ｐ型半導体領域に第２の接合層を介して電気的に接続された第２の金属層とを備え、
前記第１の接合層は、前記Ｎ型半導体領域と同一の半導体と第１の金属層に含まれている金属元素と同一の金属元素とＮ型不純物から成る第１の付加物質とＰ型不純物から成る第２の付加物質とから成り、
前記第２の接合層は、前記Ｐ型半導体領域と同一の半導体と前記第２の金属層に含まれている金属元素と同一の金属元素と前記Ｐ型不純物から成る第３の付加物質とから成ることを特徴とする半導体素子。
【請求項５】
Ｎ型不純物を含むと共に前記Ｎ型不純物よりも低い濃度でＰ型不純物を含むＮ型半導体領域を有する半導体基体を用意する工程と、
前記Ｎ型半導体領域の表面に金属層を形成する工程と、
前記金属層及び前記半導体基体を加熱することによって、前記Ｎ型半導体領域と同一の半導体と前記金属層に含まれている金属元素と同一の金属元素と前記Ｎ型不純物と前記Ｐ型不純物とを含む接合層を、前記Ｎ型半導体領域と前記金属層との間に生成させる工程と
を備えた半導体素子の製造方法。
【請求項６】
更に、前記金属層にリ−ド端子を接合する工程と、  前記半導体基体をアルカリ性エッチング液でエッチングする工程と、
前記半導体基体の露出面を保護樹脂で被覆する工程と
を有していることを特徴とする請求項５記載の半導体素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電極の耐エッチング性を高めることができるダイオードチップ等の半導体素子及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
【特許文献１】特開平１０−１１６８４３号公報
【特許文献２】特開平  ９−１１５８５７号公報
ダイオードチップの一方の主面と他方の主面とに、それぞれ棒状のリード端子を半田付けし、ダイオードチップの側面に保護樹脂を塗布したダイオードは前記特許文献１で公知である。
【０００３】
この種のダイオードを製作する時には、まず、周知の不純物拡散等を利用してＰ型半導体領域（アノード領域）とＮ型半導体領域（カソード領域）とが積層形成され、両半導体領域の界面にＰＮ接合が形成されたダイオードチップを用意する。ここで、ＰＮ接合の両端は、ダイオードチップの側面に露出している。
次に、このダイオードチップの一方の主面と、他方の主面に金属鍍金あるいは蒸着等によって、アノード電極とカソード電極を形成する。アノード電極とカソード電極は、それぞれＰ型半導体領域（アノード領域）とＮ型半導体領域（カード領域）に電気的に接続される。アノード電極とカソード電極は、半田付性に優れる等の理由により、ニッケルによって形成されることが多い。
次に、先端にヘッダ部（扁平部分）の形成された一対のリード端子を用意し、それぞれのヘッダ部を、アノード電極とカソード電極に半田付けにより固着する。
次に、ダイオードチップの側面にＪＣＲ（Ｊｕｎｃｔｉｏｎ  Ｃｏａｔｉｎｇ  Ｒｅｓｉｎ）と呼ばれている保護樹脂を塗布し、ダイオードチップの側面に露出したＰＮ接合を保護樹脂で被覆する。
最後に、周知のトランスファーモールドによって樹脂被覆体を形成する。樹脂被覆体はダイオードチップ、リード端子の一部及び保護樹脂を覆うように形成される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
上述のダイオードの製造方法においては、一対のリード端子をダイオードチップのアノード電極とカソード電極に半田付けする際に、ダイオードチップの側面が汚染されることがある。これは、主として、半田付けの際に半田内に含まれるフラックス等が、ダイオードチップの側面に付着することにより発生する。このようにダイオードチップの側面が汚染した状態では、たとえＪＣＲによってチップ側面を被覆しても良好な電気的特性を長期にわたって安定して得ることができない。また、ＪＣＲとチップ側面との密着性低下を招来することもある。
そこで、ダイオードチップの側面にＪＣＲを形成する前に、チップ側面にアルカリエッチングを施し、チップ側面の表面側を薄くエッチング除去することによって、表面の汚染を取り除く方法が採られている。
しかし、ダイオードチップにこのようなアルカリエッチングを施すと、リード端子とダイオードチップの電極との半田付け強度（抗張力）が低下することが確認されている。これは、アルカリエッチングによって、ダイオードチップの主面と電極との界面に形成されるシリコン−ニッケル合金層が侵蝕されることに起因すると考えられる。即ち、アルカリ系エッチング液を使用してシリコン半導体基体にエッチングを施すと、水素イオンが半導体基体を構成するシリコンと反応し、半導体基体が侵蝕され、目的とするエッチングが達成される。しかし、Ｎ型不純物は、水素イオンと反応し易いため、Ｎ型半導体領域と金属電極層との界面に形成されたシリサイド層の侵蝕が進み、金属電極層の接合強度が低下する。
【０００５】
このような問題点を解決するために、ニッケル電極内にリンを含有させて、ダイオードチップと電極の界面における異常エッチングを防止することが前記特許文献２に開示されている。
この技術を採用すると、電極を構成するニッケル膜上に不動態被膜が形成され、エッチング時におけるシリコン−ニッケル合金層の侵蝕がある程度防止できる。
しかし、チップ側面に施すアルカリエッチングの条件（エッチング液の組成、エッチング時間等）によっては、シリコン−ニッケル合金層の侵蝕を十分に防止することができず、高い抗張力を得ることができなかった。
【０００６】
そこで、本発明の目的は、耐エッチング性の高い電極構造を有する半導体素子及びその製造方法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決し、上記目的を達成するための本発明は、Ｎ型半導体領域と金属層との間に、半導体と金属元素とＮ型不純物から成る第１の付加物質とＰ型不純物から成る第２の付加物質とを含む接合層が形成され、前記半導体は前記Ｎ型半導体領域と同一の半導体であり、前記金属元素は前記金属層に含まれている金属元素と同一の金属元素であることを特徴とする半導体素子に係わるもである。
【０００８】
なお、請求項２に示すように、前記半導体はシリコン半導体であり、前記接合層はシリサイド層であり、前記シリサイド層における前記第１の付加物質の量をＡ、前記第２の付加物質の量をＢとした場合に、前記第１の付加物質の量Ａと前記第２の付加物質の量との和Ａ＋Ｂに対する前記第１の付加物質の量Ａの割合Ａ／（Ａ＋Ｂ）が０．９８〜９９．５即ち９８〜９９．５％であることが望ましい。
また、請求項３に示すように、前記Ｎ型半導体領域はＮ型シリコン半導体領域であり、前記Ｎ型シリコン半導体領域にＮ型不純物の他に前記Ｎ型不純物よりも低い濃度でＰ型不純物が含まれていることが望ましい。
また、請求項４に示すように、Ｎ型半導体領域とＰ型半導体領域とを有する半導体基体と、前記Ｎ型半導体領域に第１の接合層を介して電気的に接続された第１の金属層と、前記Ｐ型半導体領域に第２の接合層を介して電気的に接続された第２の金属層とを備え、
前記第１の接合層は、前記Ｎ型半導体領域と同一の半導体と第１の金属層に含まれている金属元素と同一の金属元素とＮ型不純物から成る第１の付加物質とＰ型不純物から成る第２の付加物質とから成り、
前記第２の接合層は、前記Ｐ型半導体領域と同一の半導体と前記第２の金属層に含まれている金属元素と同一の金属元素と前記Ｐ型不純物から成る第３の付加物質とから成る半導体素子を構成することができる。
また、請求項５に示すように、請求項１の半導体素子を、
Ｎ型不純物を含むと共に前記Ｎ型不純物よりも低い濃度でＰ型不純物を含むＮ型半導体領域を有する半導体基体を用意する工程と、
前記Ｎ型半導体領域の表面に金属層を形成する工程と、
前記金属層及び前記半導体基体を加熱することによって、前記Ｎ型半導体領域と同一の半導体と前記金属層に含まれている金属元素と同一の金属元素と前記Ｎ型不純物と前記Ｐ型不純物とを含む接合層を、前記Ｎ型半導体領域と前記金属層との間に生成させる工程とを有して製造することが望ましい。
また、請求項６に示すように、更に、前記金属層にリ−ド端子を接合する工程と、前記半導体基体をアルカリ性エッチング液でエッチングする工程と、前記半導体基体の露出面を保護樹脂で被覆する工程とを有していることが望ましい。
本願発明において、半導体素子には、半導体領域と金属層とから成る半導体チップのみならず、金属層にリード端子を接続したものも含まれる。
【０００９】
【発明の作用及び効果】
各請求項の発明において、接合層（例えばシリサイド層）が、半導体と金属元素とＮ型不純物から成る第１の付加物質とに加えて、Ｎ型不純物よりもイオン化電位の低いＰ型不純物から成る第２の付加物質を含むので、接合層（例えばシリサイド層）に含まれるＮ型不純物とＰ型不純物とが共有結合し、接合層のアルカリエッチング液に対する反応（水酸イオンに対する反応）が抑制されている。この結果、接合層がアルカリ系エッチング液によって侵蝕されることが良好に防止され、金属層のＮ型半導体領域に対する接合強度が向上する。また、金属層に対してリード端子を接続した場合には、リード端子の接続強度即ち抗張力が高くなる。
また、接合層の侵蝕が抑制されるために金属層とＮ型半導体領域との間の抵抗を小さくすることができる。
【００１０】
【実施形態】
次に、図１〜図６を参照して本発明の実施形態に係わる半導体素子としてのダイオードチップを有するダイオ−ド及びその製造方法を説明する。
【００１１】
図１に示す本発明の実施形態に従うダイオードチップ１は、シリコン単結晶基板から成るチップ状半導体基体２と、半導体基体２の一方の主面に形成されたカソード電極３と、半導体基体２の他方の主面に形成されたアノード電極４とから成る。
【００１２】
半導体チップ本体としてのシリコン半導体基体２は、本発明におけるＮ型半導体領域としてのＮ＋型半導体領域５と、Ｎ型半導体領域６と、Ｐ＋型半導体領域７とから成る。半導体基体２の一方の主面側に配置された本発明におけるＮ型半導体領域としてのＮ＋型半導体領域５は、Ｎ型不純物（Ｎ型ドーパント）としての例えばリンとＰ型不純物（Ｐ型ドーパント）としての例えばボロンを含む。但し、Ｎ＋型半導体領域５の表面のＮ型不純物の濃度は１×１０１８〜１×１０２１ａｔｏｍｓ／ｃｍ３であり、Ｐ型不純物の濃度は１×１０１０〜１５×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３であり、Ｎ型不純物濃度はＰ型不純物濃度よりも十分に高い。
【００１３】
Ｎ＋型半導体領域５とＰ＋型半導体領域７との間に配置されたＮ型半導体領域６は、Ｎ＋型半導体領域５のＮ型不純物濃度よりも低いＮ型不純物濃度を有する。なお、このＮ型半導体領域６を省いた構造の半導体チップを形成することもできる。
半導体基体２の他方の主面側に配置されたＰ＋型半導体領域７は、例えばボロンから成るＰ型不純物をＮ型半導体領域６のＮ型不純物の濃度よりも高い濃度（例えば、１×１０１７〜１×１０２１ａｔｏｍｓ／ｃｍ３）で含む領域である。
半導体基体２の側面８は一方の主面から他方の主面に向って末広がり状に傾斜している。Ｐ＋型半導体領域７とＮ型半導体領域６との間のＰＮ接合９の端部は傾斜側面８に露出している。
【００１４】
一方の電極としてのカソード電極３は、ニッケル層から成る第１の金属層１０と第１の接合層としての第１のシリサイド層１１とから成る。第１のシリサイド層１１は第１の金属層１０とＮ＋型半導体領域５との間に配置され、Ｎ＋型半導体領域５を構成する半導体と同一のシリコンの他に、第１の金属層１０に含まれている金属元素と同一の金属元素であるニッケルと、Ｎ＋型半導体領域５に含まれているＮ型及びＰ型不純物と同一物質から成る第１及び第２の付加物質としてのリン及びボロンとを含むシリコン金属化合物層であり、導電性を十分に有している。この第１のシリサイド層１１はニッケルから成る第１の金属層１０をＮ型半導体領域５の表面に形成し、これ等に熱処理（アニール）を施すことによって形成されており、第１の金属層１０は第１のシリサイド層１１を介してＮ＋型半導体領域５に固着されている。従って、第１のシリサイド層１１におけるリンとボロンの濃度はＮ＋型半導体領域５におけるリンとボロンの濃度とほぼ同一である。
【００１５】
他方の電極としてのアノード電極４はニッケルから成る第２の金属層１２と第２の接合層としての第２のシリサイド層１３とから成る。第２のシリサイド層１３は第２の金属層１２とＰ＋型半導体領域７との間に配置され、Ｐ＋型半導体領域７を構成する半導体と同一のシリコンの他に、第２の金属層１２に含まれている金属元素と同一の金属元素であるニッケルと、Ｐ＋型半導体領域７に含まれているＰ型不純物と同一の物質から成る第３の付加物質としてのボロンとを含むシリコン金属化合物層であり、導電性を十分に有している。この第２のシリサイド層１３は、ニッケルから成る第２の金属層１２をＰ＋型半導体領域７の表面に形成し、これ等に熱処理（アニール）を施すことによって形成されており、第２の金属層１２は第２のシリサイド層１３を介してＰ＋型半導体領域７に固着されている。なお、第１及び第２のシリサイド層１１、１３を第１及び第２の合金層又は第１及び第２の半導体金属化合物層と呼ぶこともできる。
【００１６】
図１のダイオードチップ１を製造する時には、図２に示すＮ型シリコン単結晶基板２ａを用意する。
次に、Ｎ型基板２ａにＮ型不純物としての例えばリン及びＰ型不純物としての例えばボロンを周知の方法で拡散することによって図３に示すＮ＋型半導体領域５及びＰ＋型半導体領域７を形成する。図３のＮ型半導体領域６は図２の基板２ａと同一の材料から成る部分である。図３の半導体基体２の各領域５、６、７は図１で同一参照符号で示す各領域と同一の半導体領域である。
Ｎ＋型半導体領域５に僅かに含まれているＰ型不純物としてのボロンは、Ｐ＋型半導体領域７の形成時又は形成後におけるＰ型不純物の外方拡散による回り込み、又はＮ＋型半導体領域５を形成するためのＮ型不純物にＰ型不純物を混入した不純物源を使用して得ることができる。
各領域５、６、７の不純物濃度、及び厚さはダイオードチップ１に要求される耐圧特性等を考慮して決定される。
【００１７】
Ｎ＋型半導体領域５に含まれるＮ型及びＰ型不純物の量（単位体積当りの個数）Ａ、Ｂは第１のシリサイド層１１におけるＮ型及びＰ型不純物の割合を考慮して決定される。Ｎ＋型半導体領域５におけるＮ型及びＰ型不純物の量の和Ａ＋Ｂに対するＮ型不純物の量Ａの割合Ａ／（Ａ＋Ｂ）の好ましい範囲は０．９８〜０．９９５即ち９８〜９９．５％であり、より好ましい範囲は０．９８５〜０．９９５即ち９８。５〜９９．５％である。上記Ａ／（Ａ＋Ｂ）の割合は、Ｎ＋型半導体領域５の全体において保たれていてもよいし、Ｎ＋型半導体領域５の表面部分において保たれていてもよい。
【００１８】
次に、図４に示すようにＮ＋型半導体領域５の表面にニッケルから成る第１の金属層１０ａを形成し、Ｐ＋型半導体領域７の表面にニッケルから成る第２の金属層１２ａを形成する。
【００１９】
次に、第１及び第２の金属層１０ａ、１２ａの例えば５００〜７００℃の合金化可能温度の熱処理を第１及び第２の金属層１０ａ、１２ａを伴なった半導体基体２に施して図１に示した第１及び第２のシリサイド層１１、１３を形成する。第１のシリサイド層１１は、シリコンとニッケルとの他に、Ｎ＋型半導体領域５に含まれているリンから成るＮ型不純物とボロンから成るＰ型不純物とを含む。この第１のシリサイド層１１のＮ型及びＰ型不純物から成る第１及び第２の付加物質の量（単位体積当りの個数）をＸ、Ｙとした時、第１及び第２の付加物質の合計Ｘ＋Ｙに対する第１の付加物質の量Ｘの割合Ｘ／（Ｘ＋Ｙ）の好ましい範囲は、０．９８〜０．９９５即ち９８〜９９．５％であり、より好ましい範囲は、０．９８５〜０．９９５即ち９８。５〜９９．５％である。上記Ｘ／（Ｘ＋Ｙ）の値は上記Ａ／（Ａ＋Ｂ）の値と実質的に同一である。
【００２０】
既に説明したように、第１のシリサイド層１１におけるＰ型不純物はＮ型不純物よりも低いイオン化電位を有し、Ｎ型不純物と共用結合し、アルカリ系エッチング液に対する第１のシリサイド層１１の反応（水酸イオンに対する反応）を抑制する効果を有する。
第１のシリサイド層１１のアルカリ系エッチング液の侵蝕を防止するためにはＰ型不純物の量を多くするのが良い。即ちＸ／（Ｘ＋Ｙ）で示す割合が９９．５％以下になるようにＰ型不純物の量Ｙを決定すれば、第１のシリサイド層１１のアルカリ系エッチング液による侵蝕を十分に防止でき、カソード電極３の接合強度が十分に高くなる。
しかし、第１のシリサイド層１１のＰ型不純物即ち第２の付加物質の量が多くなり過ぎると、第１のシリサイド層１１とＮ＋  型半導体領域５との低抵抗性接触が阻害される。低抵抗性接触を良好に保つためのＸ／（Ｘ＋Ｙ）の値の好ましい範囲は９８以上即ち９８％以上、より好ましい範囲は９８．５以上即ち９８．５％以上である。
【００２１】
上記熱処理によって図４の第２の金属層１２ａとＰ＋型半導体領域７との間の合金化が生じ、図１に示す第２のシリサイド層１３が生成される。第２のシリサイド層１３はＰ＋型半導体領域７のシリコンと金属層１２ａのニッケルとＰ＋半導体領域７のＰ型不純物としてのボロンとから成る。
【００２２】
次に、図４に示す半導体基体２をエッチング等で切断することによって図に示す半導体チップとしてのダイオードチップ１を得る。
次に、図５に示すようにダイオードチップ１の第１及び第２の金属層１０、１２に対して第１及び第２のリード端子１４、１５を半田等の第１及び第２の接合材１７、１８で固着する。第１及び第２のリード端子１４、１５は棒状部分１４ａ、１５ａと平板状の頭部１４ｂ、１５ｂとから成る。頭部１４ｂ、１５ｂは第１及び第２の金属層１０、１２の全面を覆うことができる面積を有することが望ましい。
【００２３】
上述の第１及び第２のリード端子１４、１５の固着作業等によって半導体基体２の側面８が汚染される。そこで、半導体基体２に第１及び第２のリード端子１４、１５を固着したものを水酸化ナトリウム又は水酸化カリウム液等の周知のアルカリ系エッチング液によって半導体基体２の表面を薄くエッチングして除去する。この時に、アルカリ系エッチング液に第１及び第２のシリサイド層１１、１３が接触するが、第１及び第２のシリサイド層１１、１３の耐エッチング性が高められているので、第１及び第２のシリサイド層１１、１３の侵蝕が良好に防止される。
【００２４】
次に、ダイオードチップ１及び第１及び第２のリード端子１４、１５を洗浄した後に、半導体基体２の側面８を覆うように周知のＪＣＲ即ち保護樹脂層１６を形成し、更に、周知のトランスファモールド等によってダイオードチップ１、第１及び第２のリード端子１４、１５の頭部１４ｂ、１５ｂを含む一部、及び保護樹脂層１６を覆うように樹脂被覆体（図示せず）を設けてダイオードを完成させる。
【００２５】
本発明の効果を調べるために上述の実施形態においてＸ／（Ｘ＋Ｙ）の値とカソード電極３の抗張力及びＮ＋型半導体領域５の表面抵抗との関係を求めたところ、図６に示す結果が得られた。図６における特性線Ｔは第１のシリサイド層１１の抗張力を示し、特性線ＲはＮ＋型半導体領域５の表面抵抗を示す。
抗張力の測定は、純水１０リットルに対して水酸化ナトリウム（ＮａＯＨ）を４００ｇを加えて作ったアルカリ系エッチング液を用意し、このエッチング液に保護樹脂層１６を設ける前のダイオード素子を浸して所定のエッチングを施し、しかる後、第２のリード端子１５を固着し、第１のリード端子１４を半導体基体２から離れる方向性を有して軸方向に引っ張り、この引っ張り力即ち張力を徐々に増大し、第１の金属層１０と半導体基体２との間の第１のシリサイド層１１の部分で剥離が生じた時の張力を測定し、これを抗張力Ｔとした。なお、第１のリード端子１４と第１の金属層１０との間の接合強度は第１の金属層１０と半導体基体との間の接合強度よりも大きいので、第１のリード端子１４と第１の金属層１０との間の剥離よりも先に第１の金属層１０と半導体基体２との間の剥離が生じる。Ｘ／（Ｘ＋Ｙ）×１００％で示す値が９９．５％以上の時には抗張力が８ｋｇ／ｃｍ２以上となり、カソード電極３の実用上十分な接合強度が得られる。
【００２６】
Ｎ＋型半導体領域５の表面抵抗Ｒは図４の第１の金属層１０ａを設ける前の値を示す。Ｘ／（Ｘ＋Ｙ）×１００％の値が９８．５％以上の時には表面抵抗Ｒが実用上問題のない０．１５Ω／ｃｍ２以下である。また、Ｘ／（Ｘ＋Ｙ）×１００％の値が９８％以上の時には表面抵抗Ｒが実用上問題のない０．２Ω／ｃｍ２以下である。なお、既に説明したようにＮ＋型半導体領域５のＮ型及びＰ型不純物濃度の割合は第１のシリサイド層１１におけるＮ型及びＰ型不純物濃度の割合とほぼ一致している。
【００２７】
図６から明らかなようにＸ／（Ｘ＋Ｙ）×１００の値が９８〜９９．５％の範囲では、抗張力Ｔと表面抵抗Ｒとが実用上問題のない値となる。
なお、アルカリエッチングの条件（エッチング液の組成、エッチング時間等）を変化させて図６と同様な試験を行ったところ、Ｘ／（Ｘ＋Ｙ）×１００の値が９８〜９９．５％の範囲で実用上問題のない抗張力及び表面抵抗が得られた。
また、Ｘの割合を示す上記値が９８〜９９．５％の範囲では複数の試験サンプル間の抗張力及び表面抵抗のバラツキが小さかった。
また、アノード電極４の第２のシリサイド層１３にＰ型不純物としてのボロンが含まれているので、耐エッチング性が向上し、アノード電極４の抗張力も比較的大きい。また、Ｐ＋型半導体領域７のアノード電極４との接触抵抗は十分に低い。なお、カソード電極３の抗張力試験においてアノード電極４がカソード電極３よりも先に剥離することはない。
【００２８】
上述から明らかなように、本実施形態によれば次の効果が得られる。
（１）  第１及び第２のシリサイド層１１、１３の耐エッチング性が向上し、半導体基体２の表面の汚染を除去するため等のエッチングによる侵蝕が無くなるか又は少なくなり、カソード電極３及びアノード電極４の半導体基体２に対する接合強度の低下を防止することができる。
（２）  第１及び第２のシリサイド層１１、１３のエッチングによる侵蝕が少ないので、侵蝕を考慮して半導体基体２の一方及び他方の主面の面積を大きくすることが不要になり、半導体チップの小型化を図ることができる。
（３）  半導体基体２の側面８を十分にアルカリエッチングして汚染の少ない側面８に保護樹脂層１６を形成することができ、ダイオードの良好な電気的特性を長時間にわたって安定的に保つことができる。
（４）  第１のシリサイド層１１のＰ型不純物がＮ＋型半導体領域５から供給されるので、所望組成の第１のシリサイド層１１を容易且つ良好に形成することができる。
【００２９】
【変形例】
本発明は上述の実施形態に限定されるものでなく、例えば次の変形が可能なものである。
（１）  ダイオードに限ることなく、トランジスタ、サイリスタ等の別の半導体素子の電極にも本発明を適用することができる。
（２）  Ｎ型不純物としてリンの代りにＡｓ、Ｓｂ等の別の５族の元素を使用することができる。また、Ｐ型不純物としてボロンの代りに、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ等の別の３族の元素を使用することができる。
（３）  第１及び第２の金属層１０、１２としてニッケル以外の金属又はニッケルにＮ型不純物、Ｐ型不純物又はその他の物質から選択されたものの少なくとも１つを含めることができる。
（４）  第１及び第２の金属層１０ａ、１２ａをメッキで形成する代りに、蒸着、スパッタリング等で形成することができる。また、第１及び第２のシリサイド層１１、１３を蒸着又はスパッタリング等で形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態に従うダイオードチップを示す断面図である。
【図２】図１のダイオードチップを製造するためのＮ型基板を示す断面図である。
【図３】図２の基板にＮ＋型半導体領域とＰ＋型半導体領域とを拡散で形成した半導体基体を示す断面図である。
【図４】図３の半導体基体に第１及び第２の金属層を形成したものを示す断面図である。
【図５】図１のダイオードチップに第１及び第２のリード端子を固着し、エッチングを施した後に保護樹脂層を設けたダイオ−ドを示す断面図である。
【図６】図５の第１のシリサイド層におけるＮ型及びＰ型不純物の量の割合を変化させた時のカソード電極の抗張力とＮ＋半導体領域の表面抵抗との変化を示す図である。
【符号の説明】
２  半導体基体
３  カソード電極
４  アノード電極
５  Ｎ＋型半導体領域
６  Ｎ型半導体領域
７  Ｐ＋型半導体領域
１０、１２  第１及び第２の金属層
１１、１３  第１及び第２のシリサイド層
１４、１５  第１及び第２のリード端子
１６  保護樹脂層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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