(57)【要約】      （修正有）【課題】ディスク面上の高さ１０×１０−９ｍ以下、平均直径０．１×１０−６ｍ以下の突起を信頼性良く検出可能な技術を提供する。【解決手段】ディスク１面上の突起を検出する突起検出ヘッド４ａを、抵抗温度係数が約３０００ｐｐｍ／゜Ｃから約７０００ｐｐｍ／゜Ｃの範囲にある検出素子４ａ１、または、白金、白金合金、タングステンまたはタングステン合金から成る検出素子４ａ１を、スライダ４ａ２上のディスク１対向面側に搭載し、ディスク１回転時に検出素子４ａ１が突起と接触したとき、接触による発熱で検出素子４ａ１を温度上昇させ検出素子４ａ１の抵抗値を増大させ電圧変化分を突起検出信号として取り出す。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
記録媒体としてのディスクの面上の突起を検出する突起検出ヘッドであって、抵抗温度係数が約３０００ｐｐｍ／゜Ｃから約７０００ｐｐｍ／゜Ｃの範囲にある検出素子と、
該検出素子をディスク対向面側に保持し該検出素子をディスク面上に所定距離浮上させるスライダと、
を備え、上記ディスクの回転時に、該ディスクの面上の突起が上記検出素子に接触したとき、該接触による発熱で該検出素子を温度上昇させ該検出素子の抵抗値を増大させ、これに基づく電圧変化分を上記突起の検出信号として出力する構成としたことを特徴とする突起検出ヘッド。
【請求項２】
記録媒体としてのディスクの面上の突起を検出する突起検出ヘッドであって、白金、白金合金、タングステンまたはタングステン合金から成る検出素子と、該検出素子をディスク対向面側に保持し該検出素子をディスク面上に所定距離浮上させるスライダと、
を備え、上記ディスクの回転時に、該ディスクの面上の突起が上記検出素子に接触したとき、該接触による発熱で該検出素子を温度上昇させ該検出素子の抵抗値を増大させ、これに基づく電圧変化分を上記突起の検出信号として出力する構成としたことを特徴とする突起検出ヘッド。
【請求項３】
記録媒体としてのディスクの面上の突起を検査する突起検査装置であって、
抵抗温度係数が約３０００ｐｐｍ／゜Ｃから約７０００ｐｐｍ／゜Ｃの範囲にある検出素子をディスク対向面側に備え、上記ディスクの回転時に、該ディスクの面上の突起が上記検出素子に接触したとき、該接触による該検出素子の温度変化に基づく抵抗値変化を、該突起に対応した電圧信号に変え検出信号として出力する突起検出ヘッドと、
該突起検出ヘッドからの検出信号を処理する信号処理回路と、
該信号処理結果を記憶するメモリと、
該信号処理結果に基づく表示を行う表示部と、
上記ディスクを回転駆動するディスク回転駆動手段と、
を備え、上記ディスクを所定速度で回転させ、上記検出素子をディスク面から所定距離浮上させた状態で、該ディスクの面上の突起を検査可能にした構成を特徴とする突起検査装置。
【請求項４】
記録媒体としてのディスクの面上の突起を検査する突起検査装置であって、
白金、白金合金、タングステンまたはタングステン合金から成る検出素子と、該検出素子をディスク対向面側に保持し該検出素子をディスク面上に所定距離浮上させるスライダとを備え、上記ディスクの回転時に、該ディスクの面上の突起が上記検出素子に接触したとき、該接触による該検出素子の温度変化に基づく抵抗値変化を、該突起に対応した電圧信号に変え検出信号として出力する突起検出ヘッドと、
該突起検出ヘッドからの検出信号を処理する信号処理回路と、
該信号処理結果を記憶するメモリと、
該信号処理結果に基づく表示を行う表示部と、
上記ディスクを回転駆動するディスク回転駆動手段と、
装置全体を制御する制御手段と、
を備え、上記ディスクを所定速度で回転させた状態で、該ディスクの面上の突起を検査可能にした構成を特徴とする突起検査装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、磁気ディスクなどディスクの面上の突起を検出する技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、磁気ディスク装置では、高密度記録化が主流のために、記録・再生用の磁気ヘッドと磁気ディスクの記録膜との距離（スペーシング）が短縮化され、これに伴って、磁気ディスクの表面の平坦化が必要条件となっている。また、再生時の感度向上に対応した磁気ディスクの低ノイズ化も要求されている。スペーシングは現在、１５×１０−９ｍ以下のものまでが製品化されている。
【０００３】
従来、磁気ディスクは、磁気ディスクドライブへの組立てに先立ち、磁気ディスク単体の状態で、グライドテストやサーティファイテストの単板試験を行う。グライドテストは、ディスク表面に存在する異常突起（許容範囲外の突起部）を検出しディスクを選別する試験で、グライドテスト専用のヘッドとして、スライダ部に、圧電素子を用いた衝撃センサを設け、磁気ディスク表面から一定距離浮上させた状態で該ディスク表面をシークし、突起物に衝突した時の信号を検知して異常突起を検出する。グライドテスト用のヘッドとしては、圧電素子に替え、磁気抵抗素子（以下、ＭＲ素子という）を用いる場合もある。該ＭＲ素子を用いる方式では、ディスク表面の突起がＭＲ素子に衝突する際に該ＭＲ素子に発生するサーマルアスピリティ出力を検知することで、ディスク上の突起物を検出する。また、サーティファイテストは、上記グライドテストに合格したディスクに対し、所定の記録信号が基準レベル以上で再生可能か否かを判断したり、再生信号の変化の大きい箇所を磁気的な欠陥箇所として検出したりして、ディスク選別を行う試験である。該サーティファイテストは、一般には、欠陥検査装置（サーティファイヤー）を用いて、検査対象の１トラックに規定周波数で記録を行い、その位置でトラック平均再生信号レベルを測定し、その値に対する規定のスライスレベルから外れる信号をパルス信号化することでそのトラック上の欠陥を判定する。他のトラックについても同様に行う。
【０００４】
また、磁気ディスク面の突起を検出する技術が記載された公報としては、特開平１０−６４０５７号公報（特許文献１）、特開平１０−１９８９５６号公報（特許文献２）及び特開平８−１６７１２１号公報（特許文献３）がある。特開平１０−６４０５７号公報には、磁気ディスク上の突起を精度良く検出するために、磁気ディスク上を浮上するスライダの磁気ディスク対向面に、突起検出センサとして、熱伝導率が６０Ｗ／ｍＫ〜８０Ｗ／ｍＫ、抵抗値が２７Ωのパーマロイや比熱が０．１３９Ｊ／ｇＫ、密度が１６．６ｇ／ｃｍ３、温度感度が０．１％／゜Ｃのタンタル等の抵抗体を設け、該抵抗体が突起に衝突したときに熱に変換されるエネルギーで該抵抗体の温度を上昇させ、抵抗体の抵抗値を増大させて突起検出を行うようにした構成が記載され、特開平１０−１９８９５６号公報には、磁気ディスクのグライド検査を確実かつ容易に行えるようにするために、温度によって電気抵抗が変化するＭＲ素子と、該ＭＲ素子に密着し空気支持面上に設けられた熱伝導膜とをスライダ構造体上に設け、ディスク表面の突起とスライダとによる摩擦熱が熱伝導膜を介してＭＲ素子に伝わることで、該ＭＲ素子により突起検出を行う構成が記載されている。また、特開平８−１６７１２１号公報には、磁気ヘッドと同じ感度で、磁気ディスク上の異常突起を検出するために、接触熱で抵抗変化を生じるＭＲ素子などの検出素子を磁気ヘッド上に設け、該検出素子の抵抗変化分を検出することにより、異常突起を検出する構成が記載されている。なお、一般に、該ＭＲ素子の抵抗温度係数は、約１２００〜２４００ｐｐｍ／゜Ｃである。
【０００５】
【特許文献１】
特開平１０−６４０５７号公報（段落番号００２１、図２）
【特許文献２】
特開平１０−１９８９５６号公報（段落番号００１５、図１）
【特許文献３】
特開平８−１６７１２１号公報（段落番号００１５、００１８、図１、図３）
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
最近の高密度記録用ディスクでは、ディスク面の突起としては、高さ１０×１０−９ｍ以下、平均直径（周上で平均化した直径）０．１×１０−６ｍ以下のものまでを検出して、ディスク選別されることが望まれる。圧電素子や、ＭＲ素子や、タンタル等を用いた抵抗体などによる上記従来技術では、検出感度が低いために、上記寸法の突起を精度良く検出することは難しい。また検出感度のばらつきも大きく、信頼性上も問題となるおそれがある。ＡＥ（Ａｃｏｕｓｔｉｃ  Ｅｍｉｓｓｉｏｎ（音響発散））センサの場合もほぼ同様である。
本発明の課題点は、上記従来技術の状況に鑑み、記録媒体としてのディスクの面上の突起を検出する技術として、（１）高さ１０×１０−９ｍ以下、平均直径０．１×１０−６ｍ以下の突起も検出できるようにすること、（２）ノイズレベルに対し信号レベルを少なくとも２倍以上にできること、（３）検出感度のばらつきが小さく、高信頼性を確保できること、等である。
本発明の目的は、かかる課題点を解決できる技術の提供にある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記課題点を解決するために、本発明では、基本的に、磁気ディスクなどのディスクのディスク面上の突起を検出する突起検出ヘッドを、抵抗温度係数が約３０００ｐｐｍ／゜Ｃから約７０００ｐｐｍ／゜Ｃの範囲にある検出素子、または、白金、白金合金、タングステンまたはタングステン合金から成る検出素子を、スライダ上のディスク対向面側に搭載した構成とし、ディスク回転時に該検出素子が突起と接触したとき、該接触による発熱で該検出素子を温度上昇させ該検出素子の抵抗値を増大させ、これに基づく電圧変化分を突起の検出信号として取り出す。具体的には、（１）突起検出ヘッド（該当実施例：符号４ａ）として、抵抗温度係数が約３０００ｐｐｍ／゜Ｃから約７０００ｐｐｍ／゜Ｃの範囲にある検出素子（該当実施例：符号４ａ１）と、該検出素子をディスク対向面側に保持し該検出素子をディスク面上に所定距離浮上させるスライダ（該当実施例：符号４ａ２）とを備え、上記ディスクの回転時に、該ディスクの面上の突起が上記検出素子に接触したとき、該接触による発熱で該検出素子を温度上昇させ該検出素子の抵抗値を増大させ、これに基づく電圧変化分を上記突起の検出信号として出力する構成とする。（２）突起検出ヘッドとして、白金、白金合金、タングステンまたはタングステン合金から成る検出素子（該当実施例：符号４ａ１）と、該検出素子をディスク対向面側に保持し該検出素子をディスク面上に所定距離浮上させるスライダ（該当実施例：符号４ａ２）とを備え、上記ディスクの回転時に、該ディスクの面上の突起が上記検出素子に接触したとき、該接触による発熱で該検出素子を温度上昇させ該検出素子の抵抗値を増大させ、これに基づく電圧変化分を上記突起の検出信号として出力する構成とする。（３）ディスク面上の突起を検査する突起検査装置として、抵抗温度係数が約３０００ｐｐｍ／゜Ｃから約７０００ｐｐｍ／゜Ｃの範囲にある検出素子（該当実施例：符号４ａ１）をスライダ（該当実施例：符号４ａ２）のディスク対向面側に備え、上記ディスク（該当実施例：符号１）の回転時に、該ディスクの面上の突起が上記検出素子に接触したとき、該接触による該検出素子の温度変化に基づく抵抗値変化を、該突起に対応した電圧信号に変え検出信号として出力する突起検出ヘッド（該当実施例：符号４ａ）と、該突起検出ヘッドからの検出信号を処理する信号処理回路（該当実施例：符号５、６）と、該信号処理結果を記憶するメモリ（該当実施例：符号７）と、該信号処理結果に基づく表示を行う表示部（該当実施例：符号１１）と、上記ディスクを回転駆動するディスク回転駆動手段（該当実施例：符号２、３、８、９）とを備え、上記ディスクを所定速度で回転させ、上記検出素子をディスク面から所定距離浮上させた状態で、該ディスクの面上の突起を検査する構成とする。（４）突起検査装置として、白金、白金合金、タングステンまたはタングステン合金から成る検出素子（該当実施例：符号４ａ１）と、該検出素子をディスク対向面側に保持し該検出素子をディスク面上に所定距離浮上させるスライダ（該当実施例：符号４ａ２）とを備え、上記ディスクの回転時に、該ディスクの面上の突起が上記検出素子に接触したとき、該接触による該検出素子の温度変化に基づく抵抗値変化を、該突起に対応した電圧信号に変え検出信号として出力する突起検出ヘッド（該当実施例：符号４ａ）と、該突起検出ヘッドからの検出信号を処理する信号処理回路（該当実施例：符号５、６）と、該信号処理結果を記憶するメモリ（該当実施例：符号７）と、該信号処理結果に基づく表示を行う表示部（該当実施例：符号１１）と、上記ディスクを回転駆動するディスク回転駆動手段（該当実施例：符号２、３、８、９）と、装置全体を制御する制御手段（該当実施例：符号１０）とを備え、上記ディスクを所定速度で回転させた状態で、該ディスクの面上の突起を検査する構成とする。
【０００８】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施例につき、図面を用いて説明する。
図１〜図４は、本発明の実施例の説明図である。図１は本発明の突起検出ヘッドの構成例図、図２は、図１の突起検出ヘッドを用いて磁気ディスクの突起検出を行う突起検査装置の構成例図、図３は、図１の突起検出ヘッドにおける検出素子の熱抵抗変化率と出力電圧との関係を示す図、図４は、図１の突起検出ヘッドで検出可能な磁気ディスクの突起寸法範囲を示す図である。図３、図４の特性ではいずれも、従来の突起検出ヘッドの特性も比較のために示す。
図１（ａ）は、磁気ディスク面上に突起検出ヘッドを配したときの状態を示す図、また、図１（ｂ）は、突起検出ヘッドに組み込まれる突起検出素子を拡大して示す図、図１（ｃ）は、突起検出４ａのディスク対向面すなわちスライダ面の構成例図である。図１において、１は磁気ディスク、２は、磁気ディスク１を回転させるスピンドル、４はヘッドアセンブリ、４ａは、スライダの磁気ディスク面に対向する面（ディスク対向面＝スライダ面）に突起検出素子が組込まれて成る突起検出ヘッド、４ｂは、突起検出ヘッド４ａを支持するヘッド支持部材、４ｃは、ヘッドアセンブリ全体を保持するベースプレート、４ａ１は、スライダのスライダ面（ディスク対向面）に組み込まれスライダとともに突起検出ヘッド４ａを構成する突起検出素子、４ａ１１は突起検出素子４ａ内における素子本体部、４ａ１２及び４ａ１３は、同じく突起検出素子４ａ内における素子電極部、ｉは、素子電極部４ａ１２、４ａ１３間に外部回路から通電される電流、４ａ２はスライダ、４ａ２１は、スライダ４ａ２の前方側の第１の凸状面部、４ａ２２は、スライダ４ａ２の後方側の第２の凸状面部、４ａ２３は、第１の凸状面部４ａ２１と第２の凸状面部４ａ２２との間の平面部、Ａ１は突起検出素子４ａ１が設けられる部分である。突起検出素子４ａ１において、素子本体部４ａ１１及び素子電極部４ａ１２、４ａ１３は、白金、白金合金、タングステン、またはタングステン合金などの薄膜でスパッタ法やリフトオフ工程法等により形成される。素子の両端にはメッキ通電膜を形成し、リード線を接続する。また、スライダ４ａ２の上記第１、第２の凸状面部はエッチング等により形成される。突起検出時、磁気ディスク１は、スピンドル２によって、例えば４５００〜１５０００ｒｐｍの範囲の所定回転数で回転される。該スピンドル２はさらに、モータ（図示なし）によって回転駆動される。突起検出ヘッド４ａは、磁気ディスク１の面から、例えば５×１０−９ｍ程度浮上させた状態で支持される。突起検出ヘッド４ａの浮上は、スライダ４ａ２のディスク対向面（スライダ面）の上記第１の凸状面部４ａ２１、第２の凸状面部４ａ２２及び平面部４ａ２２等により発生する空気圧によって確保される。スライダ４ａ２の前方側の第１の凸状面部４ａ２１側では浮上量が大きく、スライダ４ａ２の後方側の第２の凸状面部４ａ２２側よりも大きく、ディスク面に対しスライダ面は傾斜した状態となる。該傾斜状態で突起検出ヘッド４ａは、上記Ａ１部分の浮上量が５×１０−９ｍ程度となるようにされる。また、突起検出ヘッド４ａの素子本体部４ａ１１には、外部回路（図示なし）から、素子電極部４ａ１２、４ａ１３に接続されたリード線と該素子電極部４ａ１２、４ａ１３を介して所定の略一定の電流ｉが供給される。磁気ディスク１の面上に、例えば５×１０−９ｍよりも高い突起がある場合、該突起はスライダ４ａ２のＡ１部分に接触し、該Ａ１部分に熱を発生させる。該熱は突起検出素子４ａ１に伝わり、少なくとも素子本体部４ａ１１の温度を上昇させて突起検出素子４ａ１の抵抗値を増大させる。該抵抗値の増大により、通電電流ｉに基づく素子電極部４ａ１２、４ａ１３間の電圧が増大する。該電圧の増大分は、突起検出信号としてリード線を介して外部回路側に取り出される。一般に、突起の高さが高い場合ほど、また、突起の平均直径が大きい場合ほど、突起検出ヘッドのＡ１部分への接触力が大きく、Ａ１部分での発生熱量も大きい。この結果、突起検出素子４ａ１の素子本体部４ａ１１の温度上昇も大きく、素子電極部４ａ１２、４ａ１３間の電圧増大分も大きい。また、温度上昇による抵抗値の変化量は、抵抗温度係数が大きい場合ほど大きい。白金合金の抵抗温度係数は約３６００ｐｐｍ／゜Ｃ、タングステン合金の抵抗温度係数は約３８００ｐｐｍ／゜Ｃである。従って、白金、白金合金、タングステン、タングステン合金の４種類の材料のうちではタングステン合金が最も大きな抵抗変化量が得られ、検出信号としての電圧増大分も大きくなる。検出信号のＳ／Ｎ比も高くすることが可能となる。現状では、抵抗温度係数の最大限界は、寿命などの点から約７０００ｐｐｍ／゜Ｃ程度までが可能と考えられる。なお、ＭＲ素子の抵抗温度係数は、約１２００〜２４００ｐｐｍ／゜Ｃである。
【０００９】
図２は、図１の突起検出ヘッドを用いた突起検査装置の構成例図である。
図２において、１は磁気ディスク、２は磁気ディスク１を回転させるスピンドル、３はスピンドル２を回転駆動するためのモータ、４はヘッドアセンブリ、４ａは突起検出ヘッド、４ｂはヘッド支持部材、４ｃはベースプレート、５は、突起検出ヘッド４からの検出信号電圧を増幅するための増幅部、６はアナログ信号をデジタル信号に変換するＡ／Ｄ変換部、７はデジタル信号を記憶するメモリ、８はモータ３を駆動する駆動回路、９は、該駆動回路を制御する制御部、１０は、検査装置全体の制御を行うマイクロプロセッサ、１１は装置操作用のパーソナルコンピュータである。かかる構成において、駆動回路８は、制御回路９によって制御された状態でモータ３を所定の回転数で回転駆動する。モータ３は直結されたスピンドル２を回転させる。スピンドル２は磁気ディスク１を回転させる。磁気ディスク面の突起による熱発生に基づく突起検出信号（電圧信号）が突起検出ヘッド４ａから出力されたとき、該検出信号は増幅部５で増幅され、Ａ／Ｄ変換部６でデジタル信号に変換される。該デジタル信号は、マイクロプロセッサ１０による制御に基づきメモリ７に記憶される。該マイクロプロセッサ１０は、上記制御回路９の制御も行う。パーソナルコンピュータ１１は、マイクロプロセッサ１０の条件設定を変える等の操作を行うとともに、メモリ７に記憶されたデータの表示等も行う。
【００１０】
図３は、図１の突起検出ヘッドにおけるの突起検出素子の熱抵抗変化率（抵抗温度係数）と出力電圧との関係の予測特性を示す図である。条件としては、磁気ディスクの回転数７２００ｒｐｍ、突起検出素子は、幅１．０×１０−６ｍ、高さ０．５×１０−６ｍ、厚み２０×１０−９ｍ、抵抗温度係数が約３６００ｐｐｍ／゜Ｃの白金合金の薄膜、突起検出ヘッドの浮上量約１０×１０−９ｍ、通電電流約２０×１０−３Ａ、磁気ディスク面の突起の平均直径約０．１×１０−６ｍ、高さ約１１×１０−９ｍとしている。この結果、出力電圧は１５０×１０−３Ｖで、ノイズレベル約５０×１０−３Ｖの約３倍の値である。これは検出信号として十分である。これに対し、従来のＭＲ素子では出力電圧が５０×１０−３Ｖで、ノイズレベルと同レベルとなる。突起寸法が大きい場合は、突起検出素子の抵抗温度係数に比例した出力電圧が得られるが、突起寸法が上記実測条件のように小さい場合は、突起検出素子の抵抗温度係数値が約３０００ｐｐｍ／゜Ｃ以上ないと、出力電圧がノイズにかくれてしまい、検出信号として識別不可能となる。本結果によると、突起検出素子の抵抗温度係数値が約３０００ｐｐｍ／゜Ｃ以上であれば、平均直径０．１×１０−６ｍ以下、高さ１０×１０−９ｍ以下の突起を検出可能である。出力電圧レベルもノイズレベルの約２倍にできる見通しもある。突起検出素子の抵抗温度係数値としては、７０００ｐｐｍ／゜Ｃ程度までが可能と予想され、かかる特性の突起検出素子の場合は、さらに出力を増大できると考えられる。突起検出素子の検出感度を上げる手段としては、突起検出素子の抵抗温度係数値を上げることの他、素子の体積を小さくして、突起との衝突によるエネルギーを伝達し易くするとともに、温度上昇をし易くすることも有効である。温度上昇分が増大することで抵抗変化量が増大し、電圧変化が増大する。この結果、検出可能な突起寸法の下限値をさらに小さくし、検出可能範囲を広げることが可能となる。
【００１１】
図４は、図１の突起検出ヘッドによって検出可能な磁気ディスクの突起寸法範囲の実測結果及び予測結果をプロットした特性例を示す図である。条件としては、上記図３の場合と同様、磁気ディスクの回転数７２００ｒｐｍ、突起検出素子は、幅１．０×１０−６ｍ、高さ０．５×１０−６ｍ、厚み２０×１０−９ｍ、抵抗温度係数が約３６００ｐｐｍ／゜Ｃの白金合金薄膜、突起検出ヘッドの浮上量約１０×１０−９ｍ、通電電流約２０×１０−３Ａとしている。この結果、突起寸法として、平均直径０．１×１０−６ｍ〜０．５×１０−６ｍの突起を検出再現率９０％以上で検出可能であり、平均直径０．０５×１０−６ｍ〜１．０×１０−６ｍの突起も検出再現率約８０％で検出できる。ヘッド浮上量を１０×１０−９ｍ以下にすれば高さ１０×１０−９ｍ以下の突起も検出可能なことも別途行った実験で確かめられている。この結果、図１の突起検出ヘッドによって検出可能な磁気ディスクの突起寸法範囲としては、下限値が突起高さ１０×１０−９ｍ以下、平均直径約０．０５×１０−６ｍで少なくとも平均直径約０．１×１０−６ｍ以下である。突起検出素子として、さらに抵抗温度係数の高いものを用いた場合には、検出可能な突起高さの下限値をさらに小さい値にすることができ、例えば予想される最大限界値の７０００ｐｐｍ／゜Ｃ程度にまでした場合には、検出可能な突起高さの下限値を最小限界値にできると考えられる。これに対し、従来の圧電素子では、検出可能な突起寸法範囲は、下限値が突起高さ１０×１０−９ｍ以上、平均直径約０．５×１０−６ｍである。該圧電素子の場合、平均直径約０．５×１０−６ｍ〜２．０×１０−６ｍの突起に対しては検出再現率が５０％以下となってしまい、検出の信頼性が低い。検出再現率を９０％以上にできるのは、平均直径約１．０×１０−６ｍ〜２．０×１０−６ｍの突起の場合である。これは突起との接触による圧電素子の圧電効果が小さくなり、電圧値がノイズレベル近傍になってしまうことが原因である。また、従来のＧＭＲ（Ｇｉａｎｔ  ＭａｇｎｅｔｏＲｅｓｉｓｔｉｖｅ）素子（ＭＲ素子）の場合は、平均直径約０．５×１０−６ｍ〜２．０×１０−６ｍの突起の場合でも検出再現率を９０％以上にできる。しかし、平均直径が約０．５×１０−６ｍ以下となると急激に検出感度が低下してしまい、平均直径約０．１×１０−６ｍでは、検出再現率が３０％程度にまで下がる。
【００１２】
以上説明したように、上記実施例構成によれば、磁気ディスク面上の突起として、高さ１０×１０−９ｍ以下、平均直径０．１×１０−６ｍ以下の突起までを検出することができる。信号レベルをノイズレベルの少なくとも２倍以上にした状態で検出することができる。検出感度のばらつきも小さく、検出の高信頼性を確保できる。これによって、高密度磁気記録用の磁気ディスクの突起検出と、それに基づくディスク選別の信頼性を向上させることができる。
なお、上記実施例では、磁気ディスクの場合の例であるが、本発明はこれに限定されることなく、検出する突起は磁気ディスク以外の記録媒体のディスクの突起であってもよい。
【００１３】
【発明の効果】
本発明によれば、高さ１０×１０−９ｍ以下、平均直径０．１×１０−６ｍ以下の突起までを検出することができる。これによって、高密度記録用のディスクの選別における信頼性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の突起検出ヘッドの構成例を示す図である。
【図２】図１の突起検出ヘッドを用いた突起検査装置の構成例を示す図である。
【図３】図１の突起検出ヘッドの出力電圧特性例を示す図である。
【図４】図１の突起検出ヘッドで検出可能な突起寸法範囲を示す図である。
【符号の説明】
１…磁気ディスク、  ２…スピンドル、  ３…モータ、  ４…ヘッドアセンブリ、  ４ａ…突起検出ヘッド、  ４ｂ…ヘッド支持部材、  ４ｃ…ベースプレート、  ４ａ１…突起検出素子、  ４ａ１１…素子本体部、  ４ａ１２、４ａ１３…素子電極部、  ｉ…電流、  ４ａ２…スライダ、  ４ａ２１…第１の凸状面部、  ４ａ２２…第２の凸状面部、  ４ａ２３…平面部、  Ａ１…突起検出素子設置部分、  ５…増幅部、  ６…Ａ／Ｄ変換部、  ７…メモリ、  ８…駆動回路、  ９…制御部、１０…マイクロプロセッサ、  １１…パーソナルコンピュータ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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