(57)【要約】【課題】フォノン吸収を利用し、格子欠陥の発生や形状の変化を伴わずに不純物の活性化を行う。【解決手段】シリコンに対して１６〜１７μｍの波長を有するレーザビーム４２を照射すると、多重フォノン格子吸収が生じる。レーザビーム４２により供給されたエネルギーが周辺に拡散する前に、その照射部での固相エピタキシーが完了するため、結晶化はレーザビーム４２が照射されている局部のみで生じ、照射されていない部分では生じない。余分な吸熱が生じない。また局部的な溶融・凝固といった相変態を伴わない。【選択図】        図２４
2004158627.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）半導体に第１導電型を与える第１不純物を前記半導体に導入して第１不純物層を得る工程と、
（ｂ）前記第１不純物層下の前記半導体に対してコヒーレント光を照射する工程と
を備え、
前記コヒーレント光は前記半導体に多重フォノン格子吸収を生じさせる波長を有する、半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記半導体は赤外不活性であり、前記コヒーレント光は赤外光である、請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記半導体の結晶は無極性である、請求項２記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記半導体の前記結晶は共有結合を呈する、請求項３記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記半導体の前記結晶はダイヤモンド型構造を呈する、請求項４記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記多重フォノン格子吸収は、光学フォノンと音響フォノンの２フォノン吸収である、請求項１乃至請求項５のいずれか一つに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記２フォノン吸収に寄与する前記光学フォノン及び前記音響フォノンのいずれもが横波振動モードを呈する、請求項６記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記半導体はシリコンであり、前記コヒーレント光の波長は１６〜１７μｍである、請求項７記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記コヒーレント光は数フェムト秒から数ナノ秒のパルスレーザ光である、請求項８記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記工程（ａ）において、
前記半導体に前記第１導電型とは異なる第２導電型を与える第２不純物が前記半導体に導入されて得られた第２不純物層に対して、前記第１不純物が導入される、請求項１乃至請求項９のいずれか一つに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
（ａ）第１導電型のシリコン層の表面へ、前記第１導電型とは反対の第２導電型を与える不純物を前記シリコン層に導入して不純物層を形成する工程と、
（ｂ）前記シリコン層に対して波長１６〜１７μｍの第１レーザ光を照射する工程と
を備える、半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
前記工程（ａ）は、
（ａ−１）前記不純物を第１の深さで前記シリコン層に導入する工程と、
（ａ−２）前記不純物を前記第１の深さとは異なる第２の深さで前記シリコン層に導入する工程と
を有し、
前記工程（ｂ）において前記第１レーザ光は、前記工程（ａ−１），（ａ−２）のいずれにおいて導入された前記不純物に対しても照射される、請求項１１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
前記工程（ｂ）において前記第１レーザ光は、前記不純物が導入された側と反対側から前記シリコンに照射される、請求項１２記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
前記工程（ａ）と前記工程（ｂ）との間に実行される、
（ｃ）前記シリコン層の表面にシリサイド用の金属層を設ける工程
を更に備え、
前記工程（ｂ）において前記第１レーザ光は、金属層に対しても照射される、請求項１３記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１５】
前記工程（ｂ）において前記第１レーザ光は、前記シリコン層に入射後、反射して再入射する、請求項１１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１６】
前記工程（ｂ）において、前記シリコン層は前記第１レーザ光を散乱させる保持台に載置される、請求項１１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１７】
前記工程（ｂ）において、前記シリコン層は前記第１レーザ光を吸収させる保持台に載置される、請求項１１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１８】
前記工程（ｂ）において、加熱用の第２レーザ光も前記シリコン層に照射される、請求項１１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１９】
前記第２レーザ光は前記不純物層の前記シリコン層への導入と反対側から、前記第１レーザ光は前記不純物層の前記シリコン層への導入と同じ側から、それぞれ照射される、請求項１８記載の半導体装置の製造方法。
【請求項２０】
前記工程（ａ），（ｂ）は並列に実行される、請求項１１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項２１】
前記不純物の前記シリコン層への導入と、前記第１レーザ光の照射とは、前記シリコン層に対して相互に反対側から行われる、請求項１１記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置を製造する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体装置の集積度、動作速度を高め、消費電力を低下するためにはトランジスタの微細化が必要である。トランジスタを微細化するために、半導体製造技術の様々な面において微細化が進められている。
【０００３】
ｐｎ接合の形成は半導体装置を製造する上で重要な技術の一つであり、ｐｎ接合についても微細化が望まれる。ｐｎ接合の微細化の一つの態様として、半導体の表面から浅い位置にｐｎ接合を形成することが望まれる。例えばプロセスルールとして８０ｎｍを採用する場合、その位置は例えば半導体の表面から２０ｎｍ程度になると考えられている。
【０００４】
ｐｎ接合の形成は、半導体中に不純物を例えばイオン注入を用いて導入する不純物導入工程と、注入された不純物を活性化する活性化工程とに大別される。そして上述のような位置にｐｎ接合を形成するためには、イオン注入深さを数ｎｍから十数ｎｍ程度に制御できる低加速イオン注入技術と、イオン注入によって半導体に生じた格子欠陥の修復を注入原子の拡散を招来することなく行う活性化技術が強く求められている。当該活性化技術においてフォノン吸収を利用した技術は、例えば特許文献１及び非特許文献１に開示されている。
【０００５】
【特許文献１】
特開平１０−２１４７８５号公報
【非特許文献１】
セツハラ（Ｙ．Ｓｅｔｓｕｈａｒａ）他「コヒーレント・フォノン・エクサイテーション・アズ・ノンイクイリブリアム・ドーパント・アクティベーション・プロセス・フォア・ウルトラ・シャロー・ジャンクション・フォーメーション（Ｃｏｈｅｒｅｎｔ  Ｐｈｏｎｏｎ  Ｅｘｃｉｔａｔｉｏｎ  ａｓ  Ｎｏｎｅｑｕｉｌｌｉｂｒｉｕｍ  Ｄｏｐａｎｔ  Ａｃｔｉｖａｔｉｏｎ  Ｐｒｏｃｅｓｓ  ｆｏｒ  Ｕｌｔｒａ−Ｓｈａｌｌｏｗ  Ｊｕｎｃｔｉｏｎ  Ｆｏｒｍａｔｉｏｎ）」、エクステンデッド・アブストラクト・オブ・インターナショナル・ワークショップ・オン・ジャンクション・テクノロジー２００１（Ｅｘｔｅｎｄｅｄ  Ａｂｓｔｒａｃｔ  ｏｆ  Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ  Ｗｏｒｋｓｈｏｐ  ｏｎ  Ｊｕｎｃｔｉｏｎ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ  ２００１）、ジャパン・ソサエティ・オブ・アプライド・フィジクス（Ｊａｐａｎ  Ｓｏｃｉｅｔｙ  ｏｆ  Ａｐｐｌｉｅｄ  Ｐｈｙｓｉｃｓ），  第６−４−１頁乃至第６−４−４頁
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
活性化工程ではランプ照射によるアニールやレーザ光による局所的な溶融が多く採用されて来たが、却って格子欠陥が発生したり、形状の変化を招来する等の問題点があった。そこで本発明は、フォノン吸収を利用し、格子欠陥の発生や形状の変化を伴わずに不純物の活性化を行う新たな技術を提供する。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
この発明にかかる半導体装置の製造方法は、（ａ）半導体に第１導電型を与える第１不純物を前記半導体に導入して第１不純物層を得る工程と、（ｂ）前記第１不純物層下の前記半導体に対してコヒーレント光を照射する工程とを備える。そして前記コヒーレント光は前記半導体に多重フォノン格子吸収を生じさせる波長を有する。
【０００８】
あるいは、（ａ）第１導電型のシリコン層の表面へ、前記第１導電型とは反対の第２導電型を与える不純物を前記シリコン層に導入して不純物層を形成する工程と、（ｂ）前記シリコン層に対して波長１６〜１７μｍの第１レーザ光を照射する工程とを備える。
【０００９】
【発明の実施の形態】
Ａ．本発明を適用可能な半導体装置の例示．
本発明の実施の形態を詳細に説明する前に、本発明を適用可能な半導体装置の例として、ＭＯＳトランジスタについて説明する。以下ではＰ型シリコン基板にＮ型拡散層を形成することでｐｎジャンクションが掲載される場合を示している。Ｎ型シリコン基板若しくはＮ型拡散層にＰ型拡散層を形成する場合は導電型を入れ替えれば、以下の説明と同様に考えてよい。
【００１０】
図１は当該ＭＯＳトランジスタの構造を示す断面図である。Ｐ型シリコン基板１の表面は、厚い酸化膜２で区分された活性領域に、ゲート酸化膜３、ゲート酸化膜３上のゲートポリシリコン４、ゲートポリシリコン４の両側面のサイドウォール９からなるゲート部が設けられる。ゲートポリシリコン４の表面にはメタルシリサイド１０が設けられる。
【００１１】
活性領域にはいずれも浅いＮ（若しくはＮ＋）型層５及び深いＮ型層６からなるドレインＮ＋部７、ソースＮ＋部８も設けられる。ドレインＮ＋部７、ソースＮ＋部８の表面にもメタルシリサイド１０が設けられる。浅い型層５のうち、深いＮ型層６から突出する部分はソース／ドレイン・エクステンションとして機能する。当該エクステンションは微細な構造を有するトランジスタの性能を高めるために望ましい要素である。
【００１２】
活性領域の表面にはこれを保護する絶縁膜１１が設けられる。絶縁膜１１上には、ゲートポリシリコン４やドレインＮ＋部７、ソースＮ＋部８の表面に形成されたメタルシリサイド１０に対して電気的に接続されるアルミ配線１３が設けられる。絶縁膜１１を介してメタルシリサイド１０とアルミ配線１３とを接続するタングステンプラグ１２も設けられる。
【００１３】
図１に示されたＭＯＳトランジスタの製造手順を以下に示す。図２はゲート部のゲートポリシリコン４を形成する際の状態を示す断面図である。Ｐ型シリコン基板１を例えばトレンチ分離を採用した酸化膜２で区分する。次いで酸化処理を行ってゲート酸化膜３を形成する。更にポリシリコン膜とハードマスクとなるＴＥＯＳ膜等（図示せず）を積層する。写真製版によってＴＥＯＳ膜をパターニングしてハードマスクを形成する。当該ハードマスクを用いた異方性エッチングにより、ポリシリコン膜からゲートポリシリコン４を形成する。
【００１４】
図３は浅いイオン注入を行う際の状態を示す断面図である。Ｐ型シリコン基板１の表面側（酸化膜２が形成されている側）からＮ型不純物となる元素（例えばボロン）を用い、低加速でのイオン注入１４ａを行う。これにより、浅いＮ型イオン注入層１５がゲートポリシリコン４の両側でＰ型シリコン基板１の表面に形成される。この時、イオン注入層１５において注入された原子はランダムに配列され、またＰ型シリコン基板１の表面では格子欠陥が形成される。イオン注入層１５はＮ＋層としての働きをしない（活性化されていない）状態にある。
【００１５】
図４は浅いＮ型層５を形成する際の状態を示す断面図である。イオン注入１４ａを行ったことによって発生した格子欠陥を除去し、また注入された原子を適正な位置へ再配列する。これによりイオン注入層１５は活性化され、浅いＮ型層５を形成する。この後、ゲートポリシリコン４の側面にサイドウォール９を形成する。
【００１６】
図５は深いイオン注入を行う際の状態を示す断面図である。Ｐ型シリコン基板１の表面側からＮ型不純物となる元素（例えばボロン）を用い、中程度の加速でのイオン注入１４ｂを行う。これにより、深いＮ型イオン注入層１６がサイドウォール９の両側でＰ型シリコン基板１の表面に形成される。
【００１７】
図６は深いＮ型層６を形成する際の状態を示す断面図である。イオン注入１４ｂを行ったことによって発生した格子欠陥を除去し、また注入された原子を適正な位置へ再配列する。これによりイオン注入層１６は活性化され、深いＮ型層６を形成する。図６にはシリサイド用の金属層１７、例えばコバルトをウェハ全面に堆積させた状態も示されている。
【００１８】
次にアニールを行う。これにより、シリコンが露出しているゲートポリシリコン４の上部、ドレインＮ＋部７の上部、ソースＮ＋部８の上部に設けられていた金属層１７はシリコンと合金反応を起こし、シリサイド１０が形成される。この後、未反応のメタルはウェットエッチングで除去される（図７）。こののち、絶縁膜１１、タングステンプラグ１２、アルミ配線１３が形成され、図１に示されたトランジスタが得られる。
【００１９】
さて、イオン注入１４ａ，１４ｂに起因する、格子欠陥の発生及び不純物原子のランダムな配置、及びこれらの再結晶化について説明する。シリコン、例えば単結晶シリコンに不純物原子をイオン注入すると、シリコン結晶性が一部壊れて非晶質化する。一方、注入原子もシリコン結晶中に不規則に存在する。
【００２０】
図８にシリコンウェハの表面１８付近の結晶構造を模式的に示す。シリコン原子１９は原子間結合２０によって規則的に並んでいる。図９にイオン注入を行っている際の表面１８の付近での結晶構造を示す。飛跡２３で示されるように外部から注入された原子２２は、シリコン原子１９に衝突し、散乱すると共にシリコン原子１９を格子位置から弾き出す。散乱した原子２２と格子から弾き出されたシリコン原子１９とは、他のシリコン原子１９に衝突し、同様な散乱とシリコン原子１９の弾き飛ばしを行う。注入された原子２２の速度と弾き出されたシリコン原子１９の速度が小さくなり静止する迄この現象が続く。
【００２１】
図１０にイオン注入を行った後の表面１８の付近での結晶構造を示す。イオン注入の結果、表面１８の付近では原子間結合はほとんどばらばらにされ、格子欠陥２４が発生している。図中、結合が全く切れたシリコン原子はハッチングを施して示している。結合が切れたシリコン原子２１と注入された原子２２とが表面１８の付近にランダムに存在し、非晶質状態を呈している。このように結合の切れた状態では、キャリアの移動度に支障をきたし、半導体装置において果たされるべき機能が得られない。よってシリコン原子１９と注入された原子２２を規則的に再配列し、原子間結合を形成する必要が生じる。再配列は、従来であれば、レーザ光の照射やランプアニールによる熱処理を行っていた。
【００２２】
Ｂ．熱処理による活性化工程．
下記に述べる本発明の実施の形態の効果を容易に理解するため、レーザ光の照射やランプアニールによる熱処理を行った場合における、格子欠陥の除去及び注入された原子の再配列について説明する。
【００２３】
図１１はイオン注入直後のシリコンウェハの表面１８の付近での結晶構造を示す。イオン注入の結果、表面１８の付近では原子間結合２０は壊され、各所に格子欠陥２４が形成されている。具体的には結合の切れた、シリコン原子２１及び注入された原子２２が、非晶質状態を呈している。
【００２４】
図１２は数百ｎｍから１μｍ程度の短波長レーザ光、例えばエキシマレーザビーム２８を照射する際の、表面１８の付近の結晶構造を示す。表面１８でエキシマレーザビーム２８が照射された部分は、エキシマレーザビーム２８の熱エネルギーによって温度が上昇し、溶融部分２６が発生する。溶融状態ではシリコン原子１９も注入原子２２も自由に動き回れる状態にある。
【００２５】
エキシマレーザビーム２８を矢印の方向２９に移動すると、エキシマレーザビーム２８が通り過ぎた部分は、熱が供給されなくなり、急激に凝固する。この凝固の際、液相エピタキシーが生じる。具体的には、自由に動き回っていたシリコン原子１９や注入原子２２が、溶融していないシリコン結晶の格子上に再配列され、お互いに原子間結合が形成された再結晶状態２７が得られる。
【００２６】
図１３はエキシマレーザビーム２８が照射された後の表面１８の付近の結晶構造を示す。液相エピタキシーが生じたことにより、表面１８の付近ではほぼ規則格子上に原子配列が位置して結晶状態を呈している。しかし、エキシマレーザビーム２８によって引き起こされた局部的な急加熱・急冷却により、格子点での原子が抜けた状態２４ａや、格子間に原子が存在する状態２４ｂ、格子配列が途中から変わってしまった状態２４ｃなどの格子欠陥２４が各所に存在する。かかる格子欠陥２４は、半導体中の電子、空孔の移動に影響を与え、半導体装置の電気特性に悪影響を及ぼす。
【００２７】
かかる格子欠陥２４を除去するためには後熱処理が必要であり、この後熱処理で注入原子２２がシリコンウェハ中を拡散することになり、浅いＮ型層５や深いＮ型層６の厚さを増大させる。
【００２８】
図１４はＭＯＳトランジスタの製造途中において、低加速でのイオン注入１４ａが行われた後の構造を示す断面図である。浅いＮ型イオン注入層１５がゲートポリシリコン４の両側でＰ型シリコン基板１の表面に形成されている。
【００２９】
図１５は図１４に示された構造に対してエキシマレーザビーム２８を照射する際の状態を示す断面図である。エキシマレーザビーム２８は矢印の方向２９に移動する。エキシマレーザビーム２８が照射されている位置では、浅いＮ型イオン注入層１５において溶融部分２６が生じ、エキシマレーザビーム２８が通り過ぎた位置には再結晶状態２７が得られる。
【００３０】
図１６はエキシマレーザビーム２８が照射された後の構造を示す断面図である。図１５で示される方向２９にエキシマレーザビーム２８が移動することにより、Ｐ型シリコン基板１を含むシリコンウェハ表面の全面が走査される。これにより、浅いＮ型イオン注入層１５は溶融・凝固して活性化するが、ゲートポリシリコン４の表面上も溶融・凝固してしまう。この結果、ゲートポリシリコン４の表面には、角部３０が丸くなる等の変形が生じる。この変形を防止するにはゲートポリシリコン４の表面に、例えばＴＥＯＳ膜（図示せず）を用いたハードマスクを堆積することができるが、別途の工程が必要となる。
【００３１】
活性化工程において、アニール用のランプ、例えばハロゲンランプやキセノンランプから得られる紫外光や可視光、あるいはグラファイトヒーターから得られる遠赤外線をシリコンウェハ表面に照射してもよい。これらの光によって急速にウェハを加熱し、シリコン原子の熱振動を誘起し、再結晶を起こして注入原子を活性化できる。
【００３２】
図１７はランプアニールを行う際の、シリコンウェハの表面付近の結晶構造を示す。イオン注入の影響を受けなかったシリコン原子１９は、お互いに４個の原子間結合２０によって結合されている。一方、注入された原子２２と、注入された原子２２により弾き飛ばされたシリコン原子１９とは、それぞれ矢印３２，３３で示されるように移動する。これらは４個の原子間結合２０を全て有するわけではなく、結合が切れた状態で存在し、加熱されることによってそれぞれ個別に振動する。
【００３３】
この原子振動は方向性を有せず、全方向に均等に振動し、温度が高いほど振動は大きくなる。この原子振動が大きくなると固相エピタキシーが生じる。具体的には、結合が切れて格子位置になかった原子１９，２２が移動し、これらは格子位置に収まって原子間結合も生じる。
【００３４】
この際、注入された原子２２は熱拡散によって原子２２の少ない方向に移動する傾向がある。シリコンウェハの表面からイオン注入された場合、当該表面の極く近傍を除いて、当該表面から遠い方が注入された原子２２の濃度が低く、従って注入された原子２２は当該表面から離れる方向に移動する傾向がある。
【００３５】
図１８はランプアニールにより注入された原子２２が活性化された結晶構造を示す。ランプアニールが終了し、冷却されると原子振動は小さくなり、ほぼ格子点に原子１９，２２が配列した再結晶状態になる。
【００３６】
図１９はランプアニール後の注入原子の分布を示す。ランプアニールの場合、固相エピタキシーを起こさせるためにウェハ全体を高温度に加熱することが望ましく、加熱時間もレーザ光の照射に比べて長時間になりがちである。その結果、表面１８から注入された原子２２は、熱処理前の位置２２ａから、熱処理後の位置２２ｂへと移動する。不純物を含むシリコン層の厚さは、ランプ照射前の厚さ３５からランプ照射後の厚さ３６へと増大する。ＭＯＳトランジスタに則して言えば、浅いＮ型層５（図１参照）を得るために、浅いＮ型イオン注入層１５（図３）を形成しても、注入された原子２２の熱拡散を引き起こすに十分な温度に長時間保持されるので、浅いＮ型層５の厚さが不必要に増大する。
【００３７】
図２０はＭＯＳトランジスタの製造途中において低加速でのイオン注入１４ａが行われた後の構造を示す断面図である。また図２１は図２０に示された構造に対してランプアニールを行っている際の状態を示す断面図である。ランプによって供給された熱３７により、非晶質化した部分が結晶部分の表面から順次再結晶化してゆく。これにより、イオンが注入された部分３９よりも深い位置にイオンが拡散された部分３８が形成される。
【００３８】
図２２はランプアニールが行われた後の構造を示す断面図である。ランプアニールにより活性化した不純物層の深さ３６は注入された原子の拡散により、イオン注入時の深さ３５に比べ大きくなっている。また、横方向にも同様の拡散によりチャネル長４１がイオン注入時の長さ４０に比べ短くなる。このようなサイズの変動は、トランジスタが微細化するほど、トランジスタの動作に大きな影響を与える。
【００３９】
Ｃ．実施の形態１．
本実施の形態では、不純物導入工程と活性化工程とを備える半導体装置の製造方法が例示される。この活性化工程では、不純物導入工程によって不純物が導入された半導体に対してコヒーレント光を照射する。このコヒーレント光の波長は、当該半導体に多重フォノン格子吸収を生じさせる波長を有する。不純物の導入時に生じる半導体の格子欠陥は、多重フォノン格子吸収によって低減することができる。
【００４０】
この半導体は赤外不活性であるものの、多重フォノン格子吸収によって赤外光を吸収する。よってコヒーレント光として赤外光が採用される。このような、赤外光において多重フォノン格子吸収が観察される半導体は、その結晶が無極性である。例えばこの半導体が結晶構造を採る場合には共有結合を呈し、例えばダイヤモンド型構造を呈する。この場合、多重フォノン格子吸収として、光学フォノンと音響フォノンの２フォノン吸収が観察される。２フォノン吸収に寄与する光学フォノン及び音響フォノンのいずれもが横波振動モードを呈する半導体として、シリコンやゲルマニウムが挙げられる。
【００４１】
図２３はシリコンに照射される光の波数と吸収係数との関係を示すグラフである。多重フォノン格子吸収に相当するピークが複数示されており、記号ＴＯ，ＬＯ，ＴＡ，ＬＡはそれぞれ横型振動モードの光学フォノン、縦型振動モードの光学フォノン、横型振動モードの音響フォノン、縦型振動モードの音響フォノンを示している。図示されたピークの中で際だって吸収係数の高いものは、いずれも横型振動モードの光学フォノンと音響フォノンの２フォノン吸収に対応しており、波数５５〜６３ｍｍ−１において吸収係数が顕著に高められている。この波数は波長１６〜１７μｍに相当する。
【００４２】
このようにシリコンについては波長１６〜１７μｍの光を非常に吸収しやすく、かつフォノン格子吸収が発生する。以下、このようなフォノン格子吸収を用いた活性化工程を説明する。
【００４３】
図２４に本実施の形態にかかる半導体装置の製造方法を示す。不純物導入工程が行われたシリコン表面付近では、イオン注入によりシリコン結晶の結合が切れる。そして不純物層として、切れた結合３４を有するシリコン原子２１と、注入された原子２２とが混在する非晶質状態が得られている。不純物層の下方（非晶質状態を呈している位置に対して、イオン注入された側とは反対側）にはシリコン原子１９が格子状に整列している。
【００４４】
不純物層下のシリコンに対して上述のように１６〜１７μｍの波長を有するコヒーレント光、例えば数フェムト秒から数ナノ秒程度の短パルスレーザビーム４２を照射すると、多重フォノン格子吸収が生じる。つまりコヒーレント光に格子が共鳴して振動し、局部的に大きな格子振動を生じる。なお、大きな格子振動が生じる箇所の結合３１ａは、それ以外の結合３１ｂと同様に模式的にバネによって表されているが、そのバネの大きさは結合３１ｂのそれよりも大きく描かれている。
【００４５】
このようにして大きな格子振動が生じると、その付近にある切れた結合３４を有するシリコン原子２１や注入された原子２２が、振動しつつ格子状に整列した下方のシリコン原子１９と結合する。これにより、シリコン原子１９の再配列（固相エピタキシー）が生じる。
【００４６】
レーザビーム４２の強度が十分高く、照射パルス時間若しくはパルス数が適度に長い場合には、シリコン原子１９の間の結合を起こし、非晶質状態の部分を結晶化する。レーザビーム４２により供給されたエネルギーが周辺に拡散する前に、その照射部での固相エピタキシーが完了するため、結晶化はレーザビーム４２が照射されている局部のみで生じ、照射されていない部分では生じない。このため、照射面積を絞ったレーザビーム４２をウェハ表面に走査すると、レーザビーム４２が照射された部分のみが局部的に結晶化していく。
【００４７】
このようにして、本実施の形態によれば、従来のランプアニールに比べて余分な吸熱が生じない。また従来の短波長レーザビーム照射を用いた溶融・凝固方式に比べて、局部的な溶融・凝固といった相変態を伴わず、よって整合した格子中の欠陥は著しく改善される。この結果、注入された原子２２の熱拡散が阻止され、注入された原子２２の深さ方向や幅方向の分布は、注入後と結晶化後とではほとんど変わらない。
【００４８】
次に、上記活性化工程によってｐｎ接合を形成する方法を説明する。即ち、予め不純物が導入されてＰ型又はＮ型の導電型が与えられた半導体層に対して、不純物導入工程においてそれぞれｎ型又はｐ型の導電型を与える不純物を当該半導体に導入し、その後、フォノン格子吸収を用いた活性化工程を施す場合を説明する。図２５乃至図２７は、ＭＯＳトランジスタのドレイン部、ソース部を形成する工程を順に示す断面図である。
【００４９】
図２５はＭＯＳトランジスタの製造途中において低加速でのイオン注入１４ａが行われた後の構造を示す断面図である。また図２６は図２１に示された構造に対して、上述の波長を有するレーザビーム４２を照射する際の状態を示す断面図である。レーザビーム４２は方向２９に沿って移動する。レーザビーム４２が照射されている位置４３では原子間の結合が生じて原子が格子状に整列し、イオンが注入された部分３９であってレーザビーム４２が照射された後の部分６１は活性化され、また再結晶化されている。そして上述のように、注入された原子２２の深さ方向や幅方向の分布は、注入後と結晶化後とではほとんど変わらないので、ソース／ドレイン・エクステンションのサイズの変動は小さく、所望の位置にｐｎ接合を形成しやすい。よって本実施の形態はトランジスタの微細化に大きく寄与することになる。
【００５０】
なお、レーザビーム４２が照射されることで原子が格子状に整列する効果は、部分３９のみならず、照射された位置４３近傍でのＰ型シリコン基板１においても得ることができる。
【００５１】
固相エピタキシャル成長の種は、ランプアニールでは、非晶質状態の部分の下方において格子状に配列した原子である。これに対して本実施の形態のように多重フォノン格子吸収を生じさせるコヒーレント光を照射する場合には、非晶質状態の部分の下方において配列した原子に加えて、レーザ照射によって既に再結晶した部分３８もが、固相エピタキシャル成長の種となる。よって格子振動エネルギーを小さくして、注入された原子２２の熱拡散を更に小さくすることも可能である。
【００５２】
また、レーザビーム４２の強度を下げたり、走査速度を大きくすることにより、一度に結晶化を起こさず、複数回の走査により順次に結晶化を起こさせることにより、余分な格子振動エネルギーを少なくすることができる。これによっても、注入された原子２２の熱拡散を更に小さくすることが可能である。
【００５３】
勿論、本発明の実施に当たり、例えば４００℃程度という、熱拡散がほとんど無視できる温度にシリコンウェハを加熱してもよい。格子振動の増大化とレーザビーム４２の吸収係数を高めることができ、レーザビームパワーの削減を図りつつ上述の効果を得ることができる。
【００５４】
以上のようにして本実施の形態によれば、イオン注入した注入原子の熱拡散を阻止でき、注入原子の深さ方向や横方向の分布をほとんど変えることなく注入原子を活性化することができる。この結果、イオン注入深さと同等の分布プロファイルを有する浅いジャンクションを有する半導体装置を得ることができる。更に、シリコン表面を急速溶融・凝固することなく活性化できるため、急激な局部凝固に伴う結晶格子中の欠陥の生成が抑えられると共にゲートポリシリコン表面の溶融によって生じる形状の変化を防止できる。
【００５５】
なお、シリコンにフォノン格子吸収を生じさせる波長を有するレーザビームを照射することにより、ｐｎ接合の形成だけでなく、結晶シリコンとシリコン酸化膜との界面、あるいは金属とシリコンとの界面での結合不良や格子不整合の修復を行うこともできる。
【００５６】
Ｄ．実施の形態２．
図２８は本実施の形態における半導体装置の製造方法を示す断面図である。ゲートポリシリコン４が形成され、低加速でのイオン注入１４ａが施され、サイドウォール９が形成され、そして中程度の加速でのイオン注入１４ｂが施されることにより、浅いＮ型イオン注入層１５及び深いＮ型イオン注入層１６が形成されている。本実施の形態では浅いＮ型イオン注入層１５及び深いＮ型イオン注入層１６の双方の活性化をレーザビーム４２を照射することにより実行する。つまりまず不純物を第１の深さでシリコン層に導入し、更に第１の深さとは異なる第２の深さでもシリコン層に導入し、その後にいずれの深さにおいて導入された不純物に対してもレーザビーム４２を照射するのである。既に照射された位置では、浅いＮ型層５及び深いＮ型層６が得られている。
【００５７】
従来のエキシマレーザビーム２８（図１５参照）の照射を用いた活性化工程では、シリコン酸化膜での吸収が大きく、浅いイオン注入層１５を活性化するためにはサイドウォール９を形成する前に行う必要があった。一方、従来のランプ照射を用いた活性化工程ではウェハ全体を加熱する必要があり、固相エピタキシャルによって深いイオン注入層１６を活性化するならば、注入された原子の熱拡散を避けることが難しかった。
【００５８】
しかしフォノン格子吸収を生じさせるレーザビーム４２は、エキシマレーザビーム２８と異なり、シリコン酸化膜やシリコン内部への透過率が大きく、シリコンウェハ内部全体で吸収され格子振動と共鳴する。よってシリコンウェハの中での位置に依らず、上述の効果を得つつｐｎ接合を形成し、半導体装置を製造することができる。
【００５９】
本実施の形態によれば、二つの不純物導入工程で半導体に導入された原子の活性化を併せて行うことができ、工程の簡略化に役立つ。これはまた、一旦活性化した浅いＮ型層５に存在する不純物原子が、深いイオン注入層１６の活性化の際に、拡散することを防止する点で望ましい。
【００６０】
Ｅ．実施の形態３．
図２９は、本実施の形態における半導体装置の製造方法を示す断面図である。図１に示された構造とほぼ同一であるが、浅いＮ型層５及び深いＮ型層６の代わりに浅いＮ型イオン注入層１５、深いＮ型イオン注入層１６が設けられている点で相違する。即ち、図２９に示された構造では浅いＮ型イオン注入層１５、深いＮ型イオン注入層１６に対する活性化処理が未だ施されないまま、サイドウォール９、メタルシリサイド１０、絶縁膜１１、タングステンプラグ１２、アルミ配線１３が形成されている。
【００６１】
図２９においてはＰ型シリコン基板１のうち、イオン注入が行われた面と反対側の面である裏面（これはゲートポリシリコン４が設けられた面と反対側の面でもある）が上方となる図示が行われている。
【００６２】
上述のように、フォノン格子吸収を生じさせるレーザビーム４２はシリコンウェハ内部全体で吸収され格子振動と共鳴する。よって当該レーザビーム４２のＰ型シリコン基板１シリコンへの照射は、その裏面から行うことができる。そして浅いＮ型注入層１５、深いイオン注入層１６においてもレーザビーム４２による原子の最配列が起きる。レーザビーム４２が方向２９に沿って移動することにより、照射された後の部分６１において浅いＮ型注入層１５、深いイオン注入層１６は活性化され、また再結晶化される。
【００６３】
よって本実施の形態においても実施の形態２と同様に、工程の簡略化に役立ち、浅いＮ型層５に存在する不純物原子が拡散することを防止する点で望ましい。
【００６４】
図３０は本実施の形態の変形を示す断面図である。図６に示された構造とほぼ同一であるが、浅いＮ型層５及び深いＮ型層６の代わりに浅いＮ型イオン注入層１５、深いＮ型イオン注入層１６が設けられている点で相違する。即ち、図２９に示された構造では浅いＮ型イオン注入層１５、深いＮ型イオン注入層１６に対する活性化処理が未だ施されないまま、サイドウォール９、シリサイド用の金属層１７が設けられている。
【００６５】
このような構造に対してＰ型シリコン基板１の裏面からレーザビーム４２を照射すると、浅いＮ型イオン注入層１５、深いＮ型イオン注入層１６に対して活性化、再結晶化を併せて実行できるのみならず、金属層１７と浅いＮ型イオン注入層１５との間でのシリサイド反応をも併せて行うことができる。これはトランジスタの製造工程の簡略化に寄与する。
【００６６】
Ｆ．実施の形態４．
実施の形態２及び実施の形態３で説明されたとおり、フォノン格子吸収を生じさせる光は、シリコン内部への透過率が大きい。例えば波長が約１６．３μｍの光は、約５００μｍの厚さのシリコンウェハで入射光の約３０％程度が透過する。図３１はレーザビーム４２がＰ型シリコン基板１を透過する様子を示す断面図であり、図２６に対応している。
【００６７】
そこで本実施の形態では、シリコンウェハを透過したレーザ光を例えば反射させて再度シリコンウェハに入射することで、照射したレーザ光を有効に利用する。レーザ光を再度シリコンウェハに入射させるためには、反射でなく屈折を採用してもよい。再度シリコンウェハに入射するレーザ光は、最初に入射したレーザ光と干渉し合って強め合うことができる。
【００６８】
図３２は本実施の形態における半導体装置の製造方法を示す断面図である。イオンが注入された部分３９は、例えば浅いＮ型イオン注入層１５に対応する。Ｐ型シリコン基板１の部分３９側にはレーザビームを反射する反射鏡４４が配置されている。Ｐ型シリコン基板１の裏面側から入射した、フォノン格子吸収を生じさせるレーザビーム４２ａはＰ型シリコン基板１にフォノン格子吸収を生じさせつつ一部が透過する。この透過光は反射鏡４４で反射され、部分３９の側からＰ型シリコン基板１へと再入射するレーザビーム４２ｂとなる。これにより、部分３９近傍ではレーザビーム４２ａ，４２ｂが干渉する。
【００６９】
反射鏡４４を適切に配置することにより、レーザビーム４２ａ，４２ｂによる干渉を、相互に強め合う干渉とすることができ、部分３９での活性化、再結晶化を効率良く行うことができる。例えばレーザビーム４２ａのパワーの９０％以上を無駄なく利用できる。勿論、部分３９近傍で、レーザビーム４２ａ，４２ｂが相互に強め合う干渉を生じるならば、レーザビーム４２ａはＰ型シリコン基板１の部分３９側から入射し、反射鏡４４をＰ型シリコン基板１の裏面側に配置してもよい。
【００７０】
図３３は本実施の形態の変形を示す断面図である。レーザビーム４２ａはＰ型シリコン基板１の部分３９側から入射し、反射鏡４４をＰ型シリコン基板１の裏面側に配置しており、更にレーザビーム４２ｂを反射するハーフミラー４５が部分３９側に設けられている。
【００７１】
ハーフミラー４５はレーザ光を透過する透明基板４５ａと、レーザ光を反射する反射膜４５ｂとが形成されている。反射膜４５ｂの方が透明基板４５ａよりもＰ型シリコン基板１に近く配置されている。よってレーザビーム４２ａは透明基板４５ａ、反射膜４５ｂを透過してＰ型シリコン基板１に照射される。レーザビーム４２ａは上述のようにＰ型シリコン基板１にフォノン格子吸収を生じさせ、反射鏡４４で反射され、Ｐ型シリコン基板１へと再入射するレーザビーム４２ｂが得られる。本変形では更に、レーザビーム４２が反射膜４５ｂによって反射されてレーザビーム４２ｃが得られ、これが部分３９側からＰ型シリコン基板１へと再入射する。レーザビーム４２ｃはレーザビーム４２ａと同様に機能する。
【００７２】
レーザビーム４２ａ，４２ｂ，４２ｃがＰ型シリコン基板１シリコンウェハ内で干渉して減衰しないように、反射鏡４４とハーフミラー４５とを配置することができる。これにより、レーザビーム４２ａのパワーのほぼ１００％を利用できる。
【００７３】
本実施の形態では、シリコンウェハの厚みが薄く、これに照射するレーザ光の透過率が高い場合でも、透過光を再利用できる。この結果、照射したレーザ光のパワーの大部分を有効に利用でき、過大なパワーがレーザ光に必要でなくなる。従って、レーザ光を照射する装置を製造するコストや、ランニングコストを削減できる。
【００７４】
Ｇ．実施の形態５．
実施の形態４において、もしも反射鏡４４の配置がずれてしまえば、レーザビーム４２ａ，４２ｂがＰ型シリコン基板１内で干渉して減衰する場合も考えられる。そこでシリコンウェハの保持台が、Ｐ型シリコン基板１を透過したレーザビーム４２ａを散乱させれば、レーザビーム４２ｂのＰ型シリコン基板１への再入射を回避することができる。あるいはシリコンウェハの保持台がレーザビームを反射せず吸収してもよい。
【００７５】
図３４は本実施の形態における半導体装置の製造方法の第１の例を示す断面図である。イオンが注入された部分３９を有するＰ型シリコン基板１が保持台４６上に載置されている。ここではＰ型シリコン基板１の裏面が保持台４６と接触している場合が例示されているが、ゲートポリシリコン４側を保持台４６に載置してもよい。
【００７６】
Ｐ型シリコン基板１に対して、保持台４６と反対側からレーザビーム４２ａが照射される。レーザビーム４２ａはＰ型シリコン基板１にフォノン格子吸収を生じさせ、透過したレーザビーム４２ａは保持台４６に至る。保持台４６は、少なくともＰ型シリコン基板１を載置する側の面がレーザ光を散乱する性質を有している。よってレーザビーム４２ａが保持台４６で反射して得られるレーザビーム４２ｂは散乱し、これがＰ型シリコン基板１でレーザビーム４２ａと干渉する可能性は低い。よってレーザビーム４２ａ，４２ｂが相互に干渉し合って減衰させる可能性を低くすることができる。
【００７７】
図３５は本実施の形態における半導体装置の製造方法の第２の例を示す断面図である。図３４に示された保持台４６に替えて、図３５においては保持台４７が採用されている。ここではＰ型シリコン基板１の裏面が保持台４７と接触している場合が例示されているが、ゲートポリシリコン４側を保持台４７に載置してもよい。
【００７８】
保持台４７はレーザビーム光を反射させずに吸収する材質で形成されている。保持台４７の材料として例えばシリコンを使用することができる。保持台４７はレーザビーム４２ａを反射せず、レーザビーム４２ｂ（図３２乃至図３４参照）を発生させないので、レーザビーム４２ａを干渉によって減衰させることがない。
【００７９】
以上のように、本実施の形態によれば、シリコンウェハの厚みが薄く、レーザ光がこれを透過しても、透過光が反射によってシリコンウェハに再入射してレーザ光と干渉することに起因する減衰を低減できる。よって活性化工程において必要となるレーザ光のパワーを予測でき、レーザ光を照射するパワーを容易に設定することができる。
【００８０】
Ｈ．実施の形態６．
図３６は本実施の形態における半導体装置の製造方法を示す断面図である。図２６と同様に、イオンが注入された部分３９を有するＰ型シリコン基板１に対して、レーザービーム４２が照射される。本実施の形態では更に、加熱用のレーザービーム６２もレーザービーム４２と共にＰ型シリコン基板１に対して照射される。レーザービーム４２，６２はＰ型シリコン基板１のほぼ同じ位置を照射しつつ、方向２９に沿って走査する。レーザービーム４２，６２は例えばそれぞれレーザ光照射装置７１，７２によって照射される。
【００８１】
加熱用のレーザビーム６２が照射される位置では、溶融点以下の適当な温度に加熱され、原子の熱振動を引き起こす。よってレーザビーム６２の照射により、部分３９を含むＰ型シリコン基板１の表面やゲートポリシリコン４の表面の、格子欠陥を除去し、非晶質状態を結晶化し、注入されて格子位置以外に存在する原子を格子位置に配置する。
【００８２】
一方、シリコンにフォノン格子吸収を生じさせるレーザビーム４２はシリコン内部で吸収され、シリコンの格子振動を引き起こす。レーザビーム６２によって生じた熱振動は、レーザビーム４２による原子の再配列を助長する。
【００８３】
本実施の形態では、レーザビーム４２によるシリコンの格子振動も生じるので、加熱用のレーザビーム６２による加熱時間を短くし、注入された原子の熱拡散を生じにくくすることができる。
【００８４】
図３７に本実施の形態の変形を示す。加熱用のレーザビーム６２はイオンが注入された部分３９の側から、フォノン格子吸収を生じさせるレーザビーム４２はその反対側から、それぞれ照射することができる。上述のようにレーザビーム４２はシリコン内部への透過率が高いからである。
【００８５】
レーザビーム４２，６２の照射は全く同時でなくても、お互いの照射効果が相互作用を及ぼす範囲で時間的にずれていても問題ない。また、レーザビーム４２，６２の径も、お互いの照射効果が相互作用を及ぼす範囲であれば同一寸法でなくてもよい。
【００８６】
以上のように本実施の形態によれば、２種類のレーザビームの異なる作用を利用することにより、一方のみのレーザビーム照射に比べ、各々のレーザパワーを小さくでき、ひいてはレーザ光に必要となるパワーを容易に設定することができる。
【００８７】
Ｉ．実施の形態７．
図３８は本実施の形態における半導体装置の製造方法を示す断面図である。酸化膜２、ゲート酸化膜３、ゲートポリシリコン４が形成されたＰ型シリコン基板１に対して、フォノン格子吸収を生じさせるレーザビーム４２と共に、Ｎ型不純物となるイオンビーム４８も照射しつつ、方向２９に沿って走査する。レーザビーム４２はレーザ光照射装置７１によって照射され、イオンビーム４８はイオン注入装置７３によって照射される。
【００８８】
レーザビーム４２の照射位置と、イオンビーム４８の照射位置とを近接させることにより、イオン注入とほぼ同時に、注入されたイオンの活性化を行って、浅いＮ型層５を形成することができる。つまり不純物導入工程と、活性化工程とを並列に実行することができ、工程を簡略にできる。また得られる浅いＮ型層５の深さは、ほぼイオン注入時のイオンの分布とすることができ、ゲートポリシリコン４側から見て極めて浅いｐｎ接合を形成することができる。
【００８９】
図３９は本実施の形態の変形を示す。イオンビーム４８をゲートポリシリコン４側から、レーザビーム４２はその反対側から、それぞれ照射することができる。上述のようにレーザビーム４２はシリコン内部への透過率が高いからである。図３９では深いＮ型層６を形成する状態を示しているが、浅いＮ型層５を形成する際にもレーザビーム４２をイオンビーム４８と反対側から照射してもよい。
【００９０】
レーザビーム４２とイオンビーム４８の照射は全く同時でなくても、お互いの照射効果が相互作用を及ぼす範囲で時間的にずれていても問題はない。また、両者の径も、お互いの照射効果が相互作用を及ぼす範囲であれば同一寸法でなくてもよい。
【００９１】
【発明の効果】
この発明にかかる半導体装置の製造方法によれば、第１不純物の導入時に生じる半導体の格子欠陥を、多重フォノン格子吸収によって低減することができる。
【００９２】
あるいはまた、シリコン層にフォノン格子振動を発生させるので、導入された不純物の熱拡散を招来することなく不純物層を活性化することができる。よってシリコン層の表面の極く近くにｐｎ接合を形成することができる。またシリコン層の表面を溶融することもないので、凝固に伴う格子欠陥を発生させない。しかも、更に導体としてポリシリコンが設けられていても、これを溶融させることもないので、その導体を変形させることもない。また波長１６〜１７μｍの第１レーザ光はシリコンに対する透過率が大きいので、不純物層がシリコン層の表面から遠くにおいて形成されている場合も、不純物層を活性化することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明を適用可能なＭＯＳトランジスタの構造を示す断面図である。
【図２】ＭＯＳトランジスタの製造手順を示す断面図である。
【図３】ＭＯＳトランジスタの製造手順を示す断面図である。
【図４】ＭＯＳトランジスタの製造手順を示す断面図である。
【図５】ＭＯＳトランジスタの製造手順を示す断面図である。
【図６】ＭＯＳトランジスタの製造手順を示す断面図である。
【図７】ＭＯＳトランジスタの製造手順を示す断面図である。
【図８】シリコンウェハの表面付近の結晶構造を模式的に示す図である。
【図９】シリコンウェハの表面付近の結晶構造を模式的に示す図である。
【図１０】シリコンウェハの表面付近の結晶構造を示す図である。
【図１１】シリコンウェハの表面付近の結晶構造を示す図である。
【図１２】シリコンウェハの表面付近の結晶構造を示す図である。
【図１３】シリコンウェハの表面付近の結晶構造を示す図である。
【図１４】ＭＯＳトランジスタの製造途中の構造を示す断面図である。
【図１５】ＭＯＳトランジスタの製造途中の構造を示す断面図である。
【図１６】ＭＯＳトランジスタの製造途中の構造を示す断面図である。
【図１７】シリコンウェハの表面付近の結晶構造を示す図である。
【図１８】シリコンウェハの表面付近の結晶構造を示す図である。
【図１９】シリコンウェハの表面付近の結晶構造を示す図である。
【図２０】ＭＯＳトランジスタの製造途中の構造を示す断面図である。
【図２１】ＭＯＳトランジスタの製造途中の構造を示す断面図である。
【図２２】ＭＯＳトランジスタの製造途中の構造を示す断面図である。
【図２３】光の波数と吸収係数との関係を示すグラフである。
【図２４】本発明の実施の形態１にかかる半導体装置の製造方法を示す図である。
【図２５】ＭＯＳトランジスタの製造工程を示す断面図である。
【図２６】ＭＯＳトランジスタの製造工程を示す断面図である。
【図２７】ＭＯＳトランジスタの製造工程を示す断面図である。
【図２８】本発明の実施の形態２にかかる半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図２９】本発明の実施の形態３にかかる半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図３０】本発明の実施の形態３の変形にかかる半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図３１】シリコンウェハにレーザビームが透過する様子を示す断面図である。
【図３２】本発明の実施の形態４にかかる半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図３３】本発明の実施の形態４の変形にかかる半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図３４】本発明の実施の形態５における半導体装置の製造方法の第１の例を示す断面図である。
【図３５】本発明の実施の形態５における半導体装置の製造方法の第２の例を示す断面図である。
【図３６】本発明の実施の形態６における半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図３７】本発明の実施の形態６の変形における半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図３８】本発明の実施の形態７における半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図３９】本発明の実施の形態７の変形における半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【符号の説明】
１  Ｐ型シリコン基板
５  浅いＮ型層
６  深いＮ型層
１０  メタルシリサイド
１９  シリコン原子
２２  注入された原子
４２，６２  レーザービーム
４４  反射鏡
４６  保持台
７１，７２  レーザ光照射装置
７３  イオン供給源
【図１】
2004158627.tif 000003
【図２】
2004158627.tif 000004
【図３】
2004158627.tif 000005
【図４】
2004158627.tif 000006
【図５】
2004158627.tif 000007
【図６】
2004158627.tif 000008
【図７】
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【図８】
2004158627.tif 000010
【図９】
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【図１０】
2004158627.tif 000012
【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
2004158627.tif 000020
【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
2004158627.tif 000038
【図３７】
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【図３８】
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【図３９】
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