(57)【要約】【課題】高周波電流（信号）を伝送する配線板において、隣接した信号配線を伝送する信号によるクロストークを防ぐ。【解決手段】絶縁基板の表面、もしくは表面及び内部に配線（導体パターン）が設けられた配線板であって、前記配線のうち、あらかじめ定められた信号配線の周囲に、前記信号配線とは電気的に接続されていない等電位配線が前記信号配線と同軸的に設けられている配線板である。【選択図】　　　図３
2004128179.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板の表面、もしくは表面及び内部に配線（導体パターン）が設けられた配線板であって、
前記配線のうち、あらかじめ定められた信号配線の周囲に、前記信号配線とは電気的に接続されていない等電位配線が前記信号配線と同軸的に設けられていることを特徴とする配線板。
【請求項２】
前記等電位配線は、絶縁基板の第１主面に設けられた平面状の第１等電位導体と、前記第１等電位導体上に前記第１等電位導体と平行に設けられた平面状の第２等電位導体と、前記第１等電位導体と前記第２等電位導体を電気的に接続する壁状導体とからなることを特徴とする請求項１に記載の配線板。
【請求項３】
前記等電位配線は、絶縁基板の第１主面に設けられた平面状の第１等電位導体と、あらかじめ定められたパターンの溝が設けられた平板状の第３等電位導体とからなり、前記第１等電位導体と前記第３等電位導体の前記溝が設けられた面とが向かい合うように接続されていることを特徴とする請求項１に記載の配線板。
【請求項４】
前記等電位配線は、あらかじめ定められた領域が開口しており、
前記信号配線は、前記等電位配線の開口した領域内で、前記絶縁基板の第１主面の裏面（第２主面）、あるいは内部に設けられた配線（導体パターン）と電気的に接続されていることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の配線板。
【請求項５】
前記信号配線と前記等電位配線との間に、前記信号配線と前記等電位配線との同軸的な位置関係を保つための絶縁体が部分的に設けられていることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の配線板。
【請求項６】
絶縁基板の表面、もしくは表面及び内部に配線（導体パターン）が設けられた配線板と、外部電極を有する電子部品とを備え、前記配線板の配線と前記電子部品の外部電極とが電気的に接続された電子装置であって、
前記配線板は、
前記配線のうち、あらかじめ定められた信号配線の周囲に、前記信号配線とは電気的に接続されていない等電位配線が前記信号配線と同軸的に設けられていることを特徴とする電子装置。
【請求項７】
前記等電位配線は、絶縁基板の第１主面に設けられた平面状の第１等電位導体と、前記第１等電位導体上に前記第１等電位導体と平行に設けられた平面状の第２等電位導体と、前記第１等電位導体と前記第２等電位導体を電気的に接続する壁状導体とからなることを特徴とする請求項６に記載の電子装置。
【請求項８】
前記等電位配線は、絶縁基板の第１主面に設けられた平面状の第１等電位導体と、あらかじめ定められたパターンの溝が設けられた平板状の第３等電位導体とからなり、前記第１等電位導体と前記第３等電位導体の前記溝が設けられた面とが向かい合うように接続されていることを特徴とする請求項６に記載の電子装置。
【請求項９】
前記等電位配線は、あらかじめ定められた領域が開口しており、
前記信号配線は、前記等電位配線の開口した領域内で、前記絶縁基板の第１主面の裏面（第２主面）、あるいは内部に設けられた配線（導体パターン）と電気的に接続されていることを特徴とする請求項６乃至請求項８のいずれか１項に記載の電子装置。
【請求項１０】
前記信号配線と前記等電位配線との間に、前記信号配線と前記等電位配線の同軸的な位置関係を保つための絶縁体が部分的に設けられていることを特徴とする請求項６乃至請求項９のいずれか１項に記載の電子装置。
【請求項１１】
絶縁基板の表面、もしくは表面及び内部に配線（導体パターン）を形成する配線板の製造方法であって、
前記絶縁基板の第１主面に第１等電位導体を形成する第１等電位導体形成工程と、
前記第１等電位導体上に、絶縁体を介在させて複数の信号配線を形成する信号配線形成工程と、
前記信号配線形成工程で形成された信号配線の間に、前記第１等電位導体と電気的に接続された壁状導体を形成する壁状導体形成工程と、
前記信号配線形成工程及び前記壁状導体形成工程の後、前記信号配線及び前記壁状導体が形成された面に平面状の第２等電位導体をかぶせて、前記第２等電位導体と前記壁状導体とを電気的に接続する第２等電位導体接続工程とを備えることを特徴とする配線板の製造方法。
【請求項１２】
前記信号配線形成工程は、
前記第１等電位導体上に、第１絶縁体層を介在させて導体膜を形成する導体膜形成工程と、前記導体膜の不要な部分を除去して配線（導体パターン）を形成する配線形成工程とを備え、
前記壁状導体形成工程は、
前記第１絶縁体層を貫通して前記第１等電位導体に達する開口部（溝）を形成した後、前記溝の内部に第１壁状導体を形成する第１壁状導体形成工程と、
前記第１絶縁体層上に、第２絶縁体層を形成し、前記第２絶縁体層を貫通して前記第１絶縁体層に達する開口部（溝）を形成した後、前記溝の内部に第２壁状導体を形成する第２壁状導体形成工程とを備えることを特徴とする請求項１１に記載の配線板の製造方法。
【請求項１３】
前記壁状導体形成工程と前記第２等電位導体接続工程の間に、
前記第２絶縁体層及び前記第１絶縁体層の不要な部分を除去する絶縁体層除去工程を備えることを特徴とする請求項１２に記載の配線板の製造方法。
【請求項１４】
前記絶縁体層除去工程と前記第２等電位導体接続工程の間に、
前記壁状導体の表面及び前記信号配線の表面に接合材を形成する接合材形成工程とを備えることを特徴とする請求項１３に記載の配線板の製造方法。
【請求項１５】
前記信号配線形成工程は、
前記配線形成工程の後に、前記信号配線の表面に接合材を形成する接合材形成工程を備えることを特徴とする請求項１２または請求項１３に記載の配線板の製造方法。
【請求項１６】
絶縁基板の表面、もしくは表面及び内部に配線（導体パターン）を形成する配線板の製造方法であって、
前記絶縁基板の表面に第１等電位導体を形成する第１等電位導体形成工程と、前記第１等電位導体上に、絶縁体を介在させて信号配線を形成する信号配線形成工程と、
前記信号配線のパターンと対応した溝を有する平板状の第３等電位導体を形成する第３等電位導体形成工程と、
前記第３等電位導体の、前記溝が形成された面と前記第１等電位導体を電気的に接続する第３等電位導体接続工程とを備えることを特徴とする配線板の製造方法。
【請求項１７】
前記信号配線形成工程は、
前記第１等電位導体上に、第１絶縁体層を介在させて導体膜を形成する導体膜形成工程と、
前記導体膜の不要な部分を除去して配線を形成する配線形成工程と、
前記第１絶縁体層の不要な部分を除去する絶縁体層除去工程と、
前記信号配線の表面に接合材を形成する接合材形成工程とを備えることを特徴とする請求項１６に記載の配線板の製造方法。
【請求項１８】
前記接合材形成工程は、前記絶縁体層除去工程の後に設けられていることを特徴とする請求項１７に記載の配線板の製造方法。
【請求項１９】
前記接合材形成工程は、前記配線形成工程と前記絶縁体層除去工程の間に設けられていることを特徴とする請求項１７に記載の配線板の製造方法。
【請求項２０】
前記第１等電位導体形成工程は、
前記絶縁基板に開口部を形成し、前記開口部内に導体を埋め込む導体埋め込み工程と、
前記絶縁基板の表面に導体膜を形成する導体膜形成工程と、
前記導体の不要な部分を除去し、前記第１等電位導体及び前記第１等電位導体と電気的に分離されたランドを形成する導体分離工程とを備え、
前記配線形成工程は、
前記導体膜形成工程と前記配線形成工程の間に、
前記導体膜及び前記第１絶縁体層を貫通して前記ランドに達する開口部を形成する開口部形成工程と、
前記開口部内に導体を埋め込む導体埋め込み工程とを備えることを特徴とする請求項１１乃至請求項２０のいずれか１項に記載の配線板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、配線板及び電子装置、ならびに配線板の製造方法に関し、特に、高周波信号を伝送する配線板に適用して有効な技術に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、絶縁基板の表面、あるいは表面及び内部に配線（導体パターン）が設けられた配線板には、ストリップラインやマイクロストリップと呼ばれる形態の伝送線路を有する配線板がある。前記ストリップラインやマイクロストリップと呼ばれる伝送路は、例えば、高周波電流（信号）を伝送する配線板で、特性インピーダンスをコントロールするときに用いられる。
【０００３】
前記ストリップラインと呼ばれる伝送路は、例えば、図３７に示すように、信号を伝送する配線（以下、信号配線と称する）４が設けられた層の上下に、絶縁体層１Ａ，１Ｂを介在させて等電位配線２Ａ，２Ｂが設けられている。前記等電位配線は、例えば、グランド電位（接地電位）あるいは電源電位などの特定の電位にする配線であり、前記信号配線４とは電気的に接続されていない配線である。また、前記等電位配線２Ａ，２Ｂは、図３７に示したように、平面状に設けられている。また、前記等電位配線２Ａ，２Ｂは、例えば、前記絶縁体層１Ａ，１Ｂに設けられたビア２０により電気的に接続されている。
【０００４】
また、前記マイクロストリップと呼ばれる伝送路は、例えば、図３８に示すように、絶縁基板１の第１主面に、前記信号配線４が設けられており、前記絶縁基板１の裏面（以下、第２主面と称する）には、グランド電位などの等電位配線２Ａが平面状に設けられている。このときも、前記信号配線４は、前記等電位配線２Ａとは電気的に接続されていない配線である。また、前記信号配線４が設けられた面には、例えば、前記等電位配線２Ａとビア２０で電気的に接続された配線２Ｃも設けられている。
【０００５】
また、近年、前記マイクロストリップと呼ばれる伝送路では、図３８に示したような形態の他に、例えば、ＡＢＭＳＬ（Ａｉｒ−Ｂｕｒｉｅｄ　Ｍｉｃｒｏｓｔｒｉｐ　Ｌｉｎｅｓ）と呼ばれる形態の伝送路が提案されている（例えば、非特許文献１参照。）。
【０００６】
前記ＡＢＭＬＳと呼ばれる伝送路では、前記平面状の等電位配線上に、壁状の導体を設け、前記等電位配線及び前記壁状の導体で構成される溝の内部に信号配線が設けられている。
【０００７】
【非特許文献１】
Ｓｅｏｎｇ−Ｈｏ　Ｓｈｉｎ，　Ｉｎ−Ｈｏ　Ｊｅｏｎｇ，　Ｊｕ−Ｈｙｕｎ　Ｋｏ，　Ｍｙｕｎｇ−Ｇｙｕ　Ｋａｎｇ，　Ｓｕ−ＪｉｎＬｅｅ，　ａｎｄ　Ｙｏｕｎｇ−Ｓｅ　Ｋｗｏｎ、”Ｍｏｎｏｌｉｔｈｉｃ　Ｉｍｐｌｅｍｅｎｔａｔｉｏｎ　ｏｆ　Ａｉｒ−Ｂｕｒｉｅｄ　Ｍｉｃｒｏｓｔｒｉｐ　Ｌｉｎｅｓ　Ｆｏｒ　Ｈｉｇｈ−Ｄｅｎｓｉｔｙ　Ｍｉｃｒｏｗａｖｅ　ａｎｄ　Ｍｉｌｌｉｍｅｔｅｒ　Ｗａｖｅ　ＩＣｓ”、２００２　Ｅｌｅｃｔｒｏｎ　Ｃｏｍｐｏｎｅｎｔｓ　ａｎｄ　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ　Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、前記従来の技術では、前記等電位配線が設けられた面からの信号の漏れを防ぐことができるが、前記等電位配線が設けられていない面から信号が漏れる。そのため、例えば、前記ストリップラインやマイクロストリップと呼ばれる伝送路では、同一の配線層に設けられた隣接する信号配線４を伝送する信号間でクロストークが生じやすく、信号が劣化しやすいというという問題があった。
【０００９】
また、前記等電位配線が設けられていない面からの外部雑音（ｅｘｔｅｒｎａｌ　ｎｏｉｓｅ）と前記信号配線を伝送する信号のクロストークにより、信号が劣化しやすいという問題があった。
【００１０】
また、前記ストリップライン、前記マイクロストリップと呼ばれる伝送路では、前記信号配線及び前記絶縁層（絶縁基板）、ならびに前記等電位配線の間で生じる容量（浮遊容量）の影響により、前記信号配線を伝送する信号の減衰（伝送ロス）や遅延が起こりやすいという問題があった。
【００１１】
本発明の目的は、高周波電流（信号）を伝送する配線板において、隣接する信号配線を伝送する信号のクロストークによる信号の劣化を防ぐことが可能な技術を提供することにある。
【００１２】
本発明の他の目的は、高周波電流（信号）を伝送する配線板において、外部雑音による信号の劣化を防ぐことが可能な技術を提供することにある。
【００１３】
本発明の他の目的は、高周波電流（信号）を伝送する配線板において、信号配線を伝送する信号の伝送ロスを低減することが可能な技術を提供することにある。
【００１４】
本発明の他の目的は、高周波電流（信号）を伝送する配線板において、信号配線を伝送する信号の遅延を低減することが可能な技術を提供することにある。
【００１５】
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述及び添付図面によって明らかになるであろう。
【００１６】
【課題を解決するための手段】
本願において開示される発明の概要を説明すれば、以下の通りである。
【００１７】
（１）絶縁基板の表面、もしくは表面及び内部に配線（導体パターン）が設けられた配線板であって、前記配線のうち、あらかじめ定められた信号配線の周囲に、前記信号配線とは電気的に接続されていない等電位配線が前記信号配線と同軸的に設けられている配線板である。
【００１８】
前記（１）の手段によれば、前記信号配線の周囲に、前記等電位配線を同軸的に設けることにより、前記信号配線を伝送する信号が外部に漏れるのを防ぐことができる。そのため、他の信号配線を伝送する信号とのクロストークを防ぐことができる。また、外部雑音と前記信号配線を伝送する信号との干渉も防ぐことができるため、前記信号配線を伝送する信号の劣化を防ぐことができる。またこのとき、前記等電位導体は、例えば、グランド電位（接地電位）や電源電位などの特定の電位の配線（導体）とする。
【００１９】
（２）絶縁基板の表面、もしくは表面及び内部に配線（導体パターン）が設けられた配線板と、外部電極を有する電子部品とを備え、前記配線板の配線と前記電子部品の外部電極とが電気的に接続された電子装置であって、前記配線のうち、あらかじめ定められた信号配線の周囲に、前記信号配線とは電気的に接続されていない等電位配線が前記信号配線と同軸的に設けられている電子装置である。
【００２０】
前記（２）の手段によれば、前記配線板は、前記（１）の手段の配線板と同じ構成であるため、クロストークによる信号の劣化を防ぐことができる。
【００２１】
また、前記（１）の手段及び前記（２）の手段において、前記等電位配線は、例えば、絶縁基板の第１主面に設けた平面状の第１等電位導体と、前記第１等電位導体上に前記第１等電位導体と平行に設けた平面状の第２等電位導体と、前記第１等電位導体と前記第２等電位導体を電気的に接続する壁状導体とにより構成する。このとき、前記信号配線４は、前記第１等電位導体及び前記第２等電位導体、ならびに前記壁状導体で囲まれるようにする。
【００２２】
また、前記等電位配線は、例えば、絶縁基板の第１主面に設けられた平面状の第１等電位導体と、あらかじめ定められたパターンの溝が設けられた平板状の第３等電位導体板からなり、前記第１等電位導体と前記第３等電位導体の前記溝が設けられた面が向かい合うように接続されていてもよい。このとき、前記信号配線は、前記第１等電位導体と前記第３等電位導体の溝で周囲を囲まれるようにする。
【００２３】
またこのとき、前記等電位配線は、例えば、前記第１等電位導体の、あらかじめ定められた領域を開口しておき、前記第１等電位導体の開口した領域上で、前記信号配線と前記絶縁基板の第１主面の裏面（第２主面）あるいは前記絶縁基板の内部に設けられた他の配線と電気的に接続されていてもよい。
【００２４】
また、前記（１）の手段及び前記（２）の手段では、前記信号配線と前記等電位配線の間は、樹脂などの絶縁体が充填されていても構わないが、前記絶縁体は、前記信号配線と前記等電位配線の同軸的な位置関係を保つために部分的に設けることが好ましい。このとき、前記信号配線と前記等電位配線の間は、前記絶縁体が設けられた部分以外は空洞にすることで、前記信号配線と前記等電位配線の間で生じる容量（浮遊容量）を小さくすることができる。そのため、前記信号配線を伝送する信号の減衰（伝送ロス）や遅延を低減することができる。
【００２５】
（３）絶縁基板の表面、もしくは表面及び内部に配線（導体パターン）を形成する配線板の製造方法であって、前記絶縁基板の第１主面に第１等電位導体を形成する第１等電位導体形成工程と、前記第１等電位導体上に、絶縁体を介在させて信号配線を形成する信号配線形成工程と、前記信号配線形成工程で形成された信号配線の間に、前記第１等電位導体と電気的に接続された壁状導体を形成する壁状導体形成工程と、前記信号配線形成工程及び前記壁状導体形成工程の後、前記信号配線及び前記壁状導体が形成された面に平面状の第２等電位導体をかぶせて、前記第２等電位導体と前記壁状導体とを電気的に接続する第２等電位導体接続工程とを備える配線板の製造方法である。
【００２６】
前記（３）の手段によれば、信号配線の周囲に、前記第１等電位導体及び前記第２等電位導体、ならびに前記壁状導体からなる等電位配線を形成することができる。そのため、信号配線の周囲に、前記等電位配線を前記信号配線と同軸的に形成することができ、前記信号配線を伝送する信号のクロストークによる劣化を防ぐ配線板、すなわち、前記（１）の手段の配線板を容易に製造することができる。
【００２７】
このとき、前記信号配線形成工程は、前記第１等電位導体上に、第１絶縁体層を介在させて導体膜を形成する導体膜形成工程と、前記導体膜の不要な部分を除去して配線を形成する配線形成工程とを備え、前記壁状導体形成工程は、前記第１絶縁体層を貫通して前記第１等電位導体に達する開口部（溝）を形成した後、前記溝の内部に第１壁状導体を形成する第１壁状導体形成工程と、前記第１絶縁体層上に、第２絶縁体層を形成し、前記第２絶縁体層を貫通して前記第１絶縁体層に達する開口部（溝）を形成した後、前記溝の内部に第２壁状導体を形成する第２壁状導体形成工程とを備えることが好ましい。
【００２８】
またこのとき、前記第１絶縁体層及び前記第２絶縁体層を残しておくと、前記第１絶縁体層及び前記第２絶縁体層の誘電率に起因する容量（浮遊容量）の影響で、前記信号配線を伝送する信号にノイズが発生したり、伝送ロスや遅延が生じたりする。そのため、前記壁状導体形成工程と前記第２等電位導体接続工程の間に、前記第２絶縁体層及び前記第１絶縁体層の不要な部分を除去する絶縁体層除去工程を設けることが好ましい。このとき前記第２絶縁体層及び前記第１絶縁体層は、前記信号配線を支持するように部分的に残してもよいし、完全に除去してもよい。
【００２９】
また、前記第２等電位導体と前記壁状導体を接続するときには、錫銀合金などの接合材を用いて接続（接合）するのが最も効率的であり、接続信頼性も高いので、前記絶縁体層除去工程と前記第２等電位導体接続工程の間に、前記壁状導体の表面及び前記信号配線の表面に接合材を形成する接合材形成工程を設けることが好ましい。
【００３０】
また、前記接合材形成工程を、前記絶縁体層除去工程と前記第２等電位導体接続工程の間に設けると、前記接合材は、前記第１等電位導体の露出面や前記壁状導体の側面にも形成されるので、前記第１等電位導体の露出面に形成された接合材と前記信号配線の表面に形成された接合材が接続して短絡する可能性がある。そのため、前記接合材形成工程は、前記絶縁体層除去工程と前記第２等電位導体接続工程の間に設ける代わりに、前記配線形成工程の直後に設けてもよい。この場合、前記壁状導体の表面に前記接合材は形成されないが、前記第２等電位導体の表面に前記接合材が形成されていれば、前記第２等電位導体と前記壁状導体の接続（接合）は可能である。
【００３１】
（４）絶縁基板の表面、もしくは表面及び内部に配線（導体パターン）を形成する配線板の製造方法であって、前記絶縁基板の表面に第１等電位導体を形成する第１等電位導体形成工程と、前記第１等電位導体上に、絶縁体を介在させて信号配線を形成する信号配線形成工程と、前記信号配線のパターンと対応した溝を有する第３等電位導体を形成する第３等電位導体形成工程と、前記第３等電位導体の、前記溝が形成された面と前記第１等電位導体を電気的に接続する第３等電位導体接続工程とを備える配線板の製造方法である。
【００３２】
前記（４）の手段によれば、前記第３等電位導体を前記第１等電位導体上に接続することにより、前記信号配線を、前記第１等電位導体と前記第３等電位導体の溝で囲まれた状態にすることができるので、前記信号配線の周囲に、前記等電位配線が前記信号配線と同軸的に形成された配線板を容易に製造することができる。
【００３３】
また、前記（４）の手段のように、溝が形成された前記第３等電位導体を形成することにより、前記（３）の手段のように、前記第１等電位導体上に前記壁状導体を形成しなくてもよい。前記第３等電位導体の溝は、例えば、銅板などの導体板に、ハーフエッチングをすることで形成できるため、前記（３）の手段に比べて、配線板の製造がさらに容易になる。
【００３４】
また、前記（４）の手段では、前記信号配線形成工程は、前記第１等電位導体上に、第１絶縁体層を介在させて導体膜を形成する導体膜形成工程と、前記導体膜の不要な部分を除去して配線を形成する配線形成工程と、前記第１絶縁体層の不要な部分を除去する絶縁体層除去工程と、前記信号配線の表面に接合材を形成する接合材形成工程とを備えることが好ましい。前記絶縁体層の不要な部分を除去することにより、前記絶縁体層の誘電率に起因する容量（浮遊容量）を減らすことができる。
【００３５】
またこのとき、前記接合材形成工程は、前記絶縁体層除去工程の後に設けられていてもよいし、前記配線形成工程と前記絶縁体層除去工程の間に設けられていてもよい。
【００３６】
また、前記（３）の手段及び前記（４）の手段において、前記第１等電位導体形成工程は、前記絶縁基板に開口部を形成し、前記開口部内に導体を埋め込む導体埋め込み工程と、前記絶縁基板の表面に導体膜を形成する導体膜形成工程と、前記導体の不要な部分を除去し、前記第１等電位導体及び前記第１等電位導体と電気的に分離されたランドを形成する導体分離工程とを備えていてもよい。この場合、前記配線形成工程で、前記導体膜形成工程と前記配線形成工程の間に、前記導体膜及び前記第１絶縁体層を貫通して前記ランドに達する開口部を形成する開口部形成工程と、前記開口部内に導体を埋め込む導体埋め込み工程とを設けることにより、前記等電位導体の内部に同軸的に形成される信号配線を、前記等電位配線の外部にある他の配線と電気的に接続することができる。
【００３７】
以下、本発明について、図面を参照して実施の形態（実施例）とともに詳細に説明する。
【００３８】
なお、実施例を説明するための全図において、同一機能を有するものは、同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。
【００３９】
【発明の実施の形態】
（実施例１）
図１乃至図４は、本発明による実施例１の配線板の概略構成を示す模式図であり、図１は配線板全体の平面図、図２は図１の領域ＡＲ１の拡大平面図、図３は図２のＡ−Ａ’線での断面図、図４は図２のＢ−Ｂ’線での断面図である。
【００４０】
図１乃至図４において、１は絶縁基板、２は第１等電位導体（第１グランド導体）、３は支持絶縁体、４は信号配線、５は接合材、６Ａは第１壁状導体、６Ｂは第２壁状導体、７は第２等電位導体（第２グランド導体）、８は保持基板、９は空洞である。
【００４１】
本実施例１の配線板は、図１乃至図４に示すように、絶縁基板１の表面に平面状の第１等電位導体２が設けられており、前記第１等電位導体２上には、支持絶縁体３を介在させて信号配線４が設けられている。このとき、前記信号配線４の表面には、例えば、錫銀合金などの接合材５が設けられている。
【００４２】
なお、本実施例１において、前記第１等電位導体２は、例えば、グランド電位（接地電位）や電源電位などの特定の電位の導体（配線）のことを指し、本実施例１では、前記第１等電位導体２はグランド電位の導体とする。以下、前記第１等電位導体２のことを第１グランド導体と称する。
【００４３】
また、前記信号配線４は、前記第１グランド導体２とは電気的に接続されていない配線のことを指すものとする。
【００４４】
また、前記第１グランド導体２上には、図２及び図３に示すように、隣接する前記信号配線４同士を遮蔽するように、壁状導体が設けられている。このとき、前記壁状導体は、例えば、図３及び図４に示したように、第１壁状導体６Ａと第２壁状導体６Ｂからなる。
【００４５】
また、前記信号配線４上には、板状の第２等電位導体（以下、第２グランド導体と称する）７が、前記第１グランド導体２と平行に設けられている。このとき、前記第２グランド導体７は、例えば、錫銀合金などの接合材５により前記壁状導体（第２壁状導体６Ｂ）と電気的に接続されている。またこのとき、前記第２グランド導体７は、例えば、図３及び図４に示したように、絶縁性の保持基板８に接着されている。すなわち、本実施例１の配線板では、前記信号配線４の周囲に、前記第１グランド導体２及び前記第２グランド導体７、ならびに前記壁状導体６Ａ，６Ｂにより構成される等電位配線が前記信号配線４と同軸的に設けられている。またこのとき、前記信号配線４と前記等電位配線の間は、図３及び図４に示したように、空洞９になっており、部分的に、前記支持絶縁体３が設けられた状態になっている。
【００４６】
またこのとき、前記保持基板８及び前記第２グランド導体７は、図１及び図２に示したように、例えば、半導体チップなどの電子部品を実装する領域８Ａが開口しており、前記信号配線４の一端、例えば、半導体チップの外部電極と接続される端子部分は、前記保持基板８の開口した領域８Ａ内に設けられている。また、例えば、前記信号配線４のうち、外部装置とのコネクタ部分も、図１に示したように、前記第２グランド導体７が重ならないようになっている。
【００４７】
図５乃至図１３は、本実施例１の配線板の製造方法を説明するための模式図であり、図５は信号配線用の導体膜を形成する工程の断面図、図６は信号配線を形成する工程の断面図、図７は第１の溝を形成する工程の断面図、図８は第１壁状導体を形成する工程の断面図、図９は第２の溝を形成する工程の断面図、図１０は第２壁状導体を形成する工程の断面図、図１１は絶縁体層を除去する工程の断面図、図１２は接合材を形成する工程の断面図、図１３は第２グランド導体を接続する工程の断面図である。
【００４８】
以下、図５乃至図１３に沿って、本実施例１の配線板の製造方法について説明する。
【００４９】
本実施例１の配線板を製造するときには、まず、図５に示すように、絶縁基板１の表面に第１グランド導体２を形成した後、第１絶縁体層３’を介在させて、信号配線用の導体膜４’を形成する。前記絶縁基板１には、例えば、ポリイミドテープやガラス布基材エポキシ樹脂基板などを用い、前記第１絶縁体層３’には、例えば、フィルム状のポジ型フォトレジストを用いる。また、前記導体膜４’には、例えば、電解銅箔や圧延銅箔を用いる。またこのとき、前記第１グランド導体２を形成する前に、前記絶縁基板１の内部に、他の信号配線を形成しておいてもよい。
【００５０】
次に、図６に示すように、前記信号配線用の導体膜４’の不要な部分を除去して信号配線４を形成する。前記信号配線４は、例えば、サブトラクティブ法により形成する。
【００５１】
またこのとき、図示は省略するが、前記信号配線４の他に、前記第１グランド導体２と電気的に接続された配線を形成してもよい。前記第１グランド導体２と電気的に接続された配線を形成するときには、前記導体膜４’の不要な部分を除去する前に、あらかじめ定められた位置に前記導体膜４’及び前記第１絶縁体層３’を貫通して前記第１グランド導体２に達する開口部（ブラインドビアホール）を形成し、電気銅めっきなどで前記ブラインドビアホール内に導体を充填しておく。
【００５２】
次に、図７に示すように、前記第１絶縁体層３’を貫通して、前記第１グランド導体２に達する第１の溝Ｇ１を形成する。前記第１の溝Ｇ１は、例えば、前記第１絶縁体層３’の、前記第１の溝Ｇ１を形成する部分に、紫外線を照射（露光）した後、前記紫外線が照射された部分を現像液で溶解除去して形成する。また、前記第１の溝Ｇ１は、隣接する信号配線４の間に、前記信号配線４に沿うように形成する。
【００５３】
次に、図８に示すように、前記第１の溝Ｇ１の内部に、第１壁状導体６Ａを形成する。前記第１壁状導体６Ａは、例えば、前記第１グランド導体２を電極（陰極）とした電気銅めっきにより形成する。
【００５４】
次に、図９に示すように、前記第１絶縁体層３’上に、前記信号配線４を覆うように第２絶縁体層１０を形成した後、前記第２絶縁体層４を貫通して前記第１壁状導体６Ａに達する第２の溝Ｇ２を形成する。前記第２絶縁体層１０には、前記第１絶縁体層３’と同じ性質のフォトレジストを用い、前記第２の溝Ｇ２は、前記第１の溝Ｇ１と同じ方法で形成する。
【００５５】
次に、図１０に示すように、前記第２の溝Ｇ２の内部に、第２壁状導体６Ｂを形成する。前記第２壁状導体６Ｂは、前記第１壁状導体６Ａと同様に、電気銅めっきにより形成する。このとき、前記第２壁状導体６Ｂの高さは、例えば、前記信号配線４から前記第２壁状導体６Ｂの先端部までの距離が、前記信号配線４から前記第１グランド導体２までの距離と同程度になるようにする。
【００５６】
次に、図１１に示すように、前記第２絶縁体層１０及び前記第１絶縁体層３’の不要な部分を除去する。このとき、前記第２絶縁体層１０の表面（露出面）から紫外線を照射すると、前記第１絶縁体層３’の前記信号配線４の下部にあたる部分は、前記信号配線４により紫外線（光）がさえぎられるため溶解しない。そのため、現像したときに、図１１に示したように、前記信号配線４を支持する支持絶縁体３として残る。
【００５７】
次に、図１２に示すように、前記信号配線４の表面及び前記壁状導体６Ａ，６Ｂの表面に接合材５を形成する。前記接合材５は、例えば、錫めっき、錫銀合金めっき、金めっき、ニッケルめっきを下地とした金めっきなどで形成する。
【００５８】
次に、図１３に示すように、前記第１グランド導体２上に、前記第２グランド導体７をかぶせる。このとき、前記第２グランド導体７は、例えば、図１３に示したように、絶縁性の保持基板８に接着しておき、表面には錫銀合金めっきなどで接合材５を形成しておき、例えば、２５０℃程度に加熱して、前記第２グランド導体２と前記壁状導体（第２壁状導体６Ｂ）を熱圧着させる。またこのとき、前記第２グランド導体７及び前記保持基板８は、例えば、図１に示したように、半導体チップなどの電子部品を実装する領域８Ａを開口しておく。
【００５９】
以上の手順により、図１乃至図４に示したような、本実施例１の配線板を得ることができる。
【００６０】
図１４は、本実施例１の配線板を用いた電子装置の概略構成を示す模式断面図である。
【００６１】
本実施例１の配線板を用いて電子装置を製造するときには、例えば、図１４に示したように、前記第２グランド導体７及び前記保持基板８の開口した領域８Ａに、半導体チップなどの電子部品１１を配置し、前記開口した領域８Ａに突出した信号配線４の一端と前記電子部品１１の外部電極１１Ａを電気的に接続する。このとき、前記電子部品１１は、例えば、前記外部電極１１Ａに接続導体（バンプ）１２を形成しておき、図１４に示すように、前記接続導体１２及び前記信号配線４の表面の接合材５を介在させて、前記信号配線４とフリップチップ接続する。
【００６２】
以上説明したように、本実施例１の配線板によれば、前記信号配線４の周囲に、前記第１グランド導体２及び前記壁状導体６Ａ，６Ｂ、ならびに前記第２グランド導体７からなる等電位配線を前記信号配線と同軸的に設けることにより、前記信号配線４のうち、前記等電位配線で囲まれた区間では、隣接する信号配線４を伝送される信号同士、あるいは外部雑音（ｅｘｔｅｒｎａｌ　ｎｏｉｓｅ）によるクロストークを低減することができる。
【００６３】
また、前記信号配線４と前記等電位配線の間を空洞９にすることで、前記信号配線４と前記等電位配線の間で生じる容量（浮遊容量）を小さくすることができ、前記信号配線４を伝送する信号の伝送ロスや遅延を低減することができる。
【００６４】
図１５は、前記実施例１の変形例を説明するための模式断面図である。
【００６５】
前記実施例１の配線板では、図１２に示したように、前記第１絶縁体層３’及び前記第２絶縁体層１０を除去した後に前記接合材５を形成している。すなわち、前記実施例１の配線板では、前記接合材５は、壁状導体６Ａ，６Ｂの側面や前記第１グランド導体２の露出面にも形成される。そのため、前記接合材５の材料費が増える、あるいは前記第１グランド導体２の露出面の接合材５と前記信号配線４の表面の接合材５が短絡する可能性が高いという問題がある。
【００６６】
そこで、図１５に示すように、前記壁状導体６Ａ，６Ｂの側面や前記第１グランド導体２の露出面には接合材５を設けないようにしてもよい。
【００６７】
図１６乃至図１８は、図１５に示した配線板の製造方法を説明するための模式図であり、図１６は接合材を形成する工程の断面図、図１７は壁状導体を形成する工程の断面図、図１８は第２グランド導体を接続する工程の断面図である。
【００６８】
前記壁状導体６Ａ，６Ｂの側面や前記第１グランド導体２の露出面に接合材５を設けないようにするには、前記実施例１で説明したように、前記信号配線４を形成した直後に、図１６に示すように、前記信号配線４の表面に前記接合材５を形成する。その後、前記実施例１で説明した手順で、前記第１壁状導体６Ａ及び前記第２壁状導体６Ｂを形成した後、前記第１絶縁体層３’及び前記第２絶縁体層１０を除去すると、図１７に示すように、前記壁状導体６Ａ，６Ｂ及び前記第１グラウンド導体２の露出面には前記接合材５が形成されない。
【００６９】
また、前記第２グラウンド導体７をかぶせ、前記第２壁状導体６Ｂと接続するときには、図１８に示すように、前記第２グラウンド導体７の表面に前記接合材５を形成しておけば、前記第２グランド導体７と前記壁状導体（第２壁状導体６Ｂ）を接続（接合）することができる。
【００７０】
（実施例２）
図１９は、本発明による実施例２の配線板の概略構成を示す模式断面図である。なお、図１９の断面図は、図２に示したＡ−Ａ’線に相当する断面での図である。
【００７１】
図１９において、１は絶縁基板、２は第１等電位導体（第１グランド導体）、３は支持絶縁体、４は信号配線、５は接合材、９は空洞、１３は第３等電位導体（第３グランド導体）、１３Ａは第３グランド導体の溝である。
【００７２】
本実施例２の配線板は、図１９に示すように、絶縁基板１の表面に第１等電位導体２が設けられており、前記第１等電位導体２上には、支持絶縁体３を介在させて信号配線４が設けられている。このとき、前記信号配線４の表面には、例えば、錫銀合金などからなる接合材５が設けられている。
【００７３】
なお、本実施例２においても、前記第１等電位導体２は、グランド電位にするため導体（配線）であるとし、以下、第１グランド導体と称する。また、前記信号配線４は、前記第１グランド導体２とは電気的に接続されていない配線のことを指すものとする。
【００７４】
また、前記第１グランド導体２上には、図１９に示すように、溝１３Ａが設けられた第３等電位導体（以下、第３グランド導体と称する）１３がかぶせられており、前記信号配線４は、前記第３グランド導体１３の溝１３Ａと前記第１グランド導体２で囲まれた空洞９を通るように設けられている。すなわち、本実施例２の配線板では、前記信号配線４の周囲に、前記第１グランド導体２及び前記第３グランド導体１３からなる等電位配線が前記信号配線４と同軸的に設けられている。またこのとき、前記第１グランド導体３と前記第３グラウンド導体１３は、例えば、錫銀合金からなる接合材５により電気的に接続されている。
【００７５】
図２０乃至図２２は、本実施例２の配線板の製造方法を説明するための模式図であり、図２０は支持絶縁体を形成する工程の断面図、図２１は接合材を形成する工程の断面図、図２２は第３グランド導体を形成する工程の断面図である。
【００７６】
以下、図２０乃至図２２に沿って、本実施例２の配線板の製造方法を説明する。なお、前記実施例１の配線板の製造方法と同じ工程については、詳細な説明を省略する。
【００７７】
本実施例２の配線板を製造するときには、まず、前記実施例１で説明したように、絶縁基板１上に第１グランド導体２を形成し、前記第１グランド導体２上に、第１絶縁体層３’及び信号配線用の導体膜４’を形成した後、前記導体膜４’の不要な部分を除去し、図６に示したような信号配線４を形成する。このとき、前記第１絶縁体層３’には、前記実施例１で説明したように、例えば、ポジ型のフォトレジストを用いる。
【００７８】
次に、図２０に示すように、前記第１絶縁体層３’の不要な部分を除去して、前記信号配線４を支持する支持絶縁体３を形成する。
【００７９】
次に、図２１に示すように、前記信号配線４の表面及び前記第１グランド導体２の露出面に接合材５を形成する。前記接合材５は、例えば、錫めっき、錫銀合金めっき、金めっき、ニッケルめっきを下地とした金めっきで形成する。
【００８０】
なお、前記接合材５は、例えば、前記第１絶縁体層３’の不要な部分を除去する前に形成してもよく、その場合には、前記信号配線４の表面のみに前記接合材５が形成される。
【００８１】
次に、図２２に示すように、例えば、銅板などの導体板に溝１３Ａが形成された第３グランド導体１３を形成する。前記第３グランド導体１３の溝１３Ａは、例えば、前記導体板の一表面にハーフエッチングをして形成する。このとき、前記溝１３Ａは、前記第１グランド導体２上に形成した前記信号配線４のパターンと対応させ、前記信号配線４を収容可能であり、かつ、前記信号配線４が前記第３グランド導体１３と接触しないような深さにする。
【００８２】
また、前記第３グランド導体１３の前記溝１３Ａが形成された面には接合材５を形成する。前記接合材は、例えば、錫めっき、錫銀めっき、金めっき、ニッケルめっきを下地とした金めっきで形成する。
【００８３】
その後、図２１に示したように信号配線４を形成した第１グランド導体上２に、図２２に示したような前記第３グランド導体１３をかぶせて熱圧着すると、図１９に示したような配線板が得られる。
【００８４】
本実施例２の配線板も、前記実施例１の配線板と同様に、前記信号配線４の周囲に同軸的に等電位配線が設けられているので、前記信号配線４のうち、前記第１グランド導体２及び前記第３グランド導体１３からなる等電位配線の空洞９を通る区間では、隣接する信号配線４を伝送する信号同士、あるいは外部雑音によるクロストークを防ぐことができる。
【００８５】
また、前記信号配線４と、前記第１グランド導体２及び前記第３グランド導体１３からなる等電位配線の間を空洞９にすることにより、前記信号配線４と前記等電位配線との間で生じる容量（浮遊容量）を小さくすることができ、前記信号配線４を伝送する信号の伝送ロスや遅延を低減することができる。
【００８６】
以上説明したように、本実施例２の配線板によれば、前記第１グランド導体２上に、溝１３Ａが設けられた前記第３グランド導体１３をかぶせることにより、前記信号配線４の周囲に、前記第１グランド導体２と前記第３グランド導体１３からなる等電位配線を前記信号配線４と同軸的に設けることができる。そのため、隣接する信号配線４を伝送される信号同士、あるいは外部雑音とのクロストークによる信号の劣化を防ぐことができる。
【００８７】
また、前記信号配線４と、前記第３グランド導体１３の溝１３Ａと前記第１グランド導体２からなる等電位配線の間を空洞９にすることにより、前記信号配線４を伝送する信号の伝送ロスや遅延を低減することができる。
【００８８】
（実施例３）
図２３及び図２４は、本発明による実施例３の配線板の概略構成を示す模式断面図である。なお、図２３は図２に示したＡ−Ａ’線に相当する断面の図であり、図２４は図２に示したＢ−Ｂ’線に相当する断面の図である。
【００８９】
本実施例３の配線板は、図２３及び図２４に示すように、絶縁基板１の第１主面に第１グランド導体２が設けられており、前記第１グランド導体２上には、支持絶縁体３を介在させて第１信号配線４Ａが設けられている。このとき、前記第１信号配線４Ａの表面には接合材５が設けられている。
【００９０】
また、前記第１グランド導体２上には、図２３及び図２４に示すように、隣接する前記第１信号配線４Ａ同士を遮蔽するように、壁状導体が設けられている。このとき、前記壁状導体は、例えば、第１壁状導体６Ａと第２壁状導体６Ｂからなる。
【００９１】
また、前記第１信号配線４Ａ上には、平面状の第２グランド導体７が、前記第１グランド導体２と平行に設けられている。このとき、前記第２グランド導体７は、例えば、接合材５により前記壁状導体（第２壁状導体６Ｂ）と電気的に接続されている。またこのとき、前記第２グランド導体７は、例えば、図２３及び図２４に示したように、保持基板８に接着されている。すなわち、前記第１信号配線４Ａの周囲に、前記第１グランド導体２及び前記第２グランド導体７、ならびに前記壁状導体６Ａ，６Ｂからなる等電位配線が前記第１信号配線４Ａと同軸的に設けられている。
【００９２】
またこのとき、前記保持基板８及び前記第２グランド導体７は、例えば、前記実施例１で説明したように、半導体チップなどの電子部品を実装する領域が開口しており、前記信号配線４の一端、例えば、前記電子部品の外部電極と接続される端子部分は前記第２グランド導体の開口した領域内に設けられている。また、例えば、前記信号配線４のうち、外部装置とのコネクタ部分も、図１に示したように、前記第２グランド導体７が重ならないようになっている。
【００９３】
また、本実施例３の配線板では、前記絶縁基板１の前記第１主面の裏面（以下、第２主面と称する）に、第４グランド導体１４が設けられており、前記第４グランド導体１４上には、支持絶縁体３を介在させて第２信号配線４Ｂが設けられている。このとき、前記第２信号配線４Ｂの表面には接合材５が設けられている。
【００９４】
また、前記第４グランド導体１４上にも、図２３及び図２４に示すように、隣接する前記第２信号配線４Ｂ同士を遮蔽するように、壁状導体が設けられている。このとき、前記壁状導体は、例えば、第１壁状導体６Ａと第２壁状導体６Ｂからなる。
【００９５】
また、前記第２信号配線４Ｂ上には、板状の第５グランド導体１５が、前記第４グランド導体１４と平行に設けられている。このとき、前記第５グランド導体１５は、例えば、錫銀合金などの接合材５により前記壁状導体（第２壁状導体６Ｂ）と電気的に接続されている。またこのとき、前記第５グランド導体１５は、例えば、図２３及び図２４に示したように、保持基板８に接着されている。すなわち、前記第２信号配線４Ｂの周囲に、前記第４グランド導体１４及び前記第５グランド導体１５、ならびに前記壁状導体６Ａ，６Ｂからなる等電位配線が前記第２信号配線４Ｂと同軸的に設けられている。
【００９６】
また、本実施例３の配線板でも、前記第１信号配線４Ａとその周囲の等電位配線との間、ならびに前記第２信号配線４Ｂとその周囲の等電位配線との間は、空洞９になっており、部分的に、前記第１信号配線４Ａ及び前記第２信号配線４Ｂを支持する支持絶縁体３が設けられた状態になっている。
【００９７】
また、本実施例３の配線板では、前記第１グランド導体２及び前記第４グランド導体１４は、あらかじめ定められた領域が開口しており、前記第１グランド導体２及び前記第４グランド導体１４の開口した領域内には、前記第１信号配線４Ａと前記第２信号配線４Ｂを電気的に接続する配線接続導体が設けられている。本実施例３の配線板では、前記配線接続導体は、図２３及び図２４に示したように、前記絶縁基板１の第１主面に設けられた第１ランド１６Ａと前記絶縁基板１の第２主面に設けられた第２ランド１６Ｂを電気的に接続する第１ビア１７、前記第１ランド１６Ａと前記第１信号配線４Ａを接続する第２ビア１８、前記第２ランド１６Ｂと前記第２信号配線４Ｂを接続する第３ビア１９とにより構成されている。
【００９８】
図２５乃至図３６は、本実施例３の配線板の製造方法を説明するための模式図であり、図２５乃至図２７は第１グランド導体及び第４グランド導体を形成する工程の断面図、図２８乃至図３１は第１信号配線及び第２信号配線を形成する工程の断面図、図３２乃至図３５は壁状導体を形成する工程の断面図、図３６は接合材を形成する工程の断面図である。
【００９９】
以下、図２５乃至図３６に沿って、本実施例３の配線板の製造方法について説明する。
【０１００】
本実施例３の配線板を製造するときには、まず、図２５に示すように、例えば、絶縁基板１の第１主面に第１グランド導体用の導体膜２’を形成し、前記絶縁基板１の第２主面に第４グランド導体用の導体膜１４’を形成した後、例えば、前記第２グランド導体用の導体膜１４’側から前記絶縁基板１を貫通して前記第１グランド導体用の導体膜２’に達する開口部（ブラインドビアホール）ＢＶＨ１を形成する。このとき、前記絶縁基板１には、例えば、ポリイミドテープやガラス布基材エポキシ樹脂基板などを用い、前記第１グランド導体用の導体膜２’及び前記第４グランド導体用の導体膜１４’には、例えば、電解銅箔や圧延銅箔を用いる。また、前記ブラインドビアホールＢＶＨ１は、例えば、炭酸ガスレーザなどのレーザ光を照射して形成する。
【０１０１】
またこのとき、前記手順に限らず、例えば、前記絶縁基板１に前記第４グランド導体用の導体膜１４’を張り合わせ、金型（抜き型）によるうち抜き加工で貫通穴を形成した後、前記第１グランド導体用の導体膜２’を張り合わせて前記貫通穴の一端をふさぐようにしてもよい。
【０１０２】
次に、図２６に示すように、前記ブラインドビアホールＢＶＨ内に導体を充填して第１ビア１７を形成する。前記第１ビア１７は、例えば、電気銅めっきにより形成する。またこのとき、前記電気銅めっきは、前記第４グランド導体用の導体膜１４’の表面にも形成される。
【０１０３】
次に、図２７に示すように、前記第１グランド導体用の導体膜２’をエッチングして第１グランド導体２を形成するとともに、前記第４グランド導体用の導体膜１４’及びその表面の電気銅めっき１７をエッチングして第４グランド導体１４を形成する。このとき、前記第１グランド導体２及び前記第４グランド導体１４は、前記第１ビア１７が形成された領域の周辺が開口するように形成する。また、前記第１グランド導体及び前記第４グランド導体の開口した領域内には、前記第１グランド導体２及び前記第４グランド導体１４とは電気的に接続されていない第１ランド１６Ａ及び第２ランド１６Ｂを形成する。またこのとき、図示は省略するが、必要に応じて、前記第１グランド導体２と前記第４グランド導体１４も、前記第１ビア１７と同様のビアで電気的に接続する。
【０１０４】
次に、図２８に示すように、前記第１グランド導体２上及び前記第４グランド導体１４（電気銅めっき）上に、第１絶縁体層３’及び信号配線用の導体膜４を形成する。前記第１絶縁体層３’には、例えば、ポジ型のフォトレジストを用い、前記信号配線用の導体膜４には、例えば、電解銅箔や圧延銅箔を用いる。
【０１０５】
次に、図２９に示すように、前記信号配線用の導体膜４’及び前記第１絶縁体層３’を貫通して前記ランド１６Ａ，１６Ｂに達する開口部（ブラインドビアホール）ＢＶＨ２を形成する。前記ブラインドビアホールＢＶＨ２は、例えば、炭酸ガスレーザなどのレーザ光を照射して形成してもよいし、前記信号配線用の導体膜４を部分的に除去した後、前記第１絶縁体層３’に紫外線を照射（露光）し、紫外線が照射された部分を現像液で除去して形成してもよい。また、図示は省略するが、前記ブラインドビアホールＢＶＨ２は、必要に応じて、例えば、前記第１グランド導体２上及び前記第４グランド導体１４上にも形成する。
【０１０６】
次に、図３０に示すように、前記ブラインドビアホールＢＶＨ２に導体を埋め込んで、第２ビア１８及び第３ビア１９を形成する。前記第２ビア１８及び前記第３ビア１９も、例えば、電気銅めっきで形成する。このとき、前記信号配線用の導体膜４の表面にも前記電気銅めっきが形成される。
【０１０７】
次に、図３１に示すように、前記信号配線用の導体膜４及びその表面の電気銅めっきの不要な部分を除去して、前記第１信号配線４Ａ及び前記第２信号配線４Ｂを形成する。このとき、図示は省略するが、前記第１信号配線４Ａ及び前記第２信号配線４Ｂの他に、必要に応じて、前記第１グランド導体２及び前記第２グランド導体１４と電気的に接続されたグランド配線も形成する。
【０１０８】
次に、図３２に示すように、前記第１絶縁体層３’に、前記第１グランド導体２及び前記第２グランド導体１４に達する第１の溝Ｇ１を形成する。前記第１の溝Ｇ１は、例えば、前記第１絶縁体層３’上にマスクを配置して紫外線を照射（露光）し、紫外線が照射された部分を現像液で除去して形成する。またこのとき、前記第１の溝Ｇ１は、隣接する第１信号配線４Ａの間及び第２信号配線の間４Ｂに、前記第１信号配線４Ａ及び前記第２信号配線４Ｂに沿うように形成する。
【０１０９】
次に、図３３に示すように、前記第１絶縁体層３’に形成された第１の溝Ｇ１の内部に導体を埋め込んで第１壁状導体６Ａを形成する。前記第１壁状導体６Ａは、例えば、前記第１グランド導体２及び前記第２グランド導体１４を電極（陰極）とした電気銅めっきで形成する。
【０１１０】
次に、図３４に示すように、前記第１信号配線４Ａ上、及び前記第２信号配線４Ｂ上に第２絶縁体層１０を形成し、前記第２絶縁体層１０を貫通して前記第１壁状導体６Ａに達する溝を形成した後、前記溝に導体を埋め込んで第２壁状導体６Ｂを形成する。前記第２絶縁体層１０には、例えば、前記第１絶縁体層３’と同じポジ型のフォトレジストを用いる。また、前記溝は、前記第１絶縁体層３’に形成した第１の溝Ｇ１と同じパターンで形成する。また、前記第２壁状導体６Ｂも、前記第１壁状導体６Ａと同様に電気銅めっきで形成する。
【０１１１】
次に、図３５に示すように、前記第２絶縁体層１０及び第１絶縁体層３’の不要な部分を除去して、支持絶縁体３を形成する。このとき、前記第２絶縁体層１０及び前記第１絶縁体層３’として、ポジ型のフォトレジストを用いているので、前記第２絶縁体層１０上から紫外線（光）を照射したときに、前記第１信号配線４Ａ及び前記第２信号配線４Ｂが遮光板の役割をする。そのため、現像、言い換えると、光が照射された部分を現像液で除去したときに、前記第１信号配線４Ａ及び前記第２信号配線４Ｂを支持する支持絶縁体３の部分だけが残る。
【０１１２】
次に、図３６に示すように、前記第１信号配線４Ａ及び前記第２信号配線４Ｂの表面、ならびに前記壁状導体６Ａ，６Ｂの表面に、錫銀合金などの接合材５を形成する。
【０１１３】
その後、例えば、図１３に示したように、保持基板８の表面に第２グランド導体７を張り合わせ、前記第２グランド導体７の表面に接合材５を形成したものを前記第１グラウンド導体２上にかぶせるとともに、保持基板８の表面に第５グランド導体１５を張り合わせて、前記第５グランド導体１５の表面に接合材５を形成したものを前記第４グランド導体１４上にかぶせ、前記第２グランド導体７と前記壁状導体（第２壁状導体６Ｂ）、及び前記第５グランド導体１５と前記壁状導体（第２壁状導体６Ｂ）を接続すると、図２３及び図２４に示したような配線板が得られる。
【０１１４】
以上説明したように、本実施例３の配線板によれば、前記実施例１の配線板と同様に、前記第１信号配線４Ａ及び前記第２信号配線４Ｂを伝送する信号のクロストークを防ぐことができる。
【０１１５】
また、前記第１信号配線４Ａ及び前記第２信号配線４Ｂを伝送する信号の伝送ロスや遅延を低減することができる。
【０１１６】
また、本実施例３の配線板のように、前記絶縁基板１の第１主面側に第１信号配線４Ａを設け、前記絶縁基板１の第２主面側に第２信号配線４Ｂを設けることにより、前記実施例１や実施例２で説明した配線板に比べて、配線を高密度化することができる。
【０１１７】
以上、本発明を、前記実施例に基づき具体的に説明したが、本発明は、前記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において、種々変更可能であることはもちろんである。
【０１１８】
例えば、前記実施例１乃至前記実施例３では、前記信号配線４と、前記信号配線４の周囲に設けられた等電位配線の間は空洞９になっており、部分的に、前記支持絶縁体３が設けられた状態になっている配線板を例に挙げて説明したが、これに限らず、前記信号配線４と前記等電位配線の間に、絶縁性の樹脂が充填されていてもよい。このとき、前記実施例１及び前記実施例３で説明した配線板では、例えば、前記第２壁状導体６Ｂを形成した後、前記第１絶縁体層３’及び前記第２絶縁体層１０を除去する工程を省略し、前記第２グランド導体７を接続すればよい。また、前記実施例２で説明した配線板では、前記実施例２で説明した手順に沿って配線板を形成した後、前記空洞９に、例えば、誘電率の低い樹脂を充填すればよい。
【０１１９】
また、前記実施例１乃至前記実施例３では、前記第１絶縁体層３’を除去するときに、前記信号配線４を支持する支持絶縁体３を残しているが、前記信号配線４を伝送する信号の高周波化が進み、数ＧＨｚ（ギガヘルツ）から数十ＧＨｚになると、前記支持絶縁体３が信号の伝送ロスや遅延に影響してくる。そこで、前記第１絶縁体層３’を除去する際に、例えば、紫外線を照射する時間を長くし、前記信号配線４の下部に紫外線（光）を回り込ませることにより、前記支持絶縁体３の幅を狭くしたり、あるいは完全に除去してもよい。
【０１２０】
また、紫外線の照射時間を長くする場合、前記信号配線４の幅が広いと、十分に光を回り込ませることが難しい。そのため、前記実施例１乃至前記実施例３の手順で除去した後、前記支持絶縁体３の側面方向から炭酸ガスレーザなどのレーザ光を照射して、前記支持絶縁体３を除去してもよい。
【０１２１】
【発明の効果】
本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、以下の通りである。
【０１２２】
（１）高周波電流（信号）を伝送する配線板において、隣接した信号配線を伝送する信号によるクロストークを防ぐことができる。
【０１２３】
（２）高周波電流（信号）を伝送する配線板において、外部雑音による信号の劣化を防ぐことができる。
【０１２４】
（３）高周波電流（信号）を伝送する配線板において、信号配線を伝送する信号の伝送ロスを低減することができる。
【０１２５】
（４）高周波電流（信号）を伝送する配線板において、信号配線を伝送する信号の遅延を低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による実施例１の配線板の概略構成を示す模式図であり、配線板全体の平面図である。
【図２】本実施例１の配線板の概略構成を示す模式図であり、図１の領域ＡＲ１の拡大平面図である。
【図３】本実施例１の配線板の概略構成を示す模式図であり、図２のＡ−Ａ’線での断面図である。
【図４】本実施例１の配線板の概略構成を示す模式図であり、図２のＢ−Ｂ’線での断面図である。
【図５】本実施例１の配線板の製造方法を説明するための模式図であり、信号配線用の導体膜を形成する工程の断面図である。
【図６】本実施例１の配線板の製造方法を説明するための模式図であり、信号配線を形成する工程の断面図である。
【図７】本実施例１の配線板の製造方法を説明するための模式図であり、第１の溝を形成する工程の断面図である。
【図８】本実施例１の配線板の製造方法を説明するための模式図であり、第１壁状導体を形成する工程の断面図である。
【図９】本実施例１の配線板の製造方法を説明するための模式図であり、第２の溝を形成する工程の断面図である。
【図１０】本実施例１の配線板の製造方法を説明するための模式図であり、第２壁状導体を形成する工程の断面図である。
【図１１】本実施例１の配線板の製造方法を説明するための模式図であり、絶縁体層を除去する工程の断面図である。
【図１２】本実施例１の配線板の製造方法を説明するための模式図であり、接合材を形成する工程の断面図である。
【図１３】本実施例１の配線板の製造方法を説明するための模式図であり、第２グランド導体を接続する工程の断面図である。
【図１４】本実施例１の配線板を用いた電子装置の概略構成を示す模式断面図である。
【図１５】前記実施例１の変形例を説明するための模式断面図である。
【図１６】図１５に示した配線板の製造方法を説明するための模式図であり、接合材を形成する工程の断面図である。
【図１７】図１５に示した配線板の製造方法を説明するための模式図であり、壁状導体を形成する工程の断面図である。
【図１８】図１５に示した配線板の製造方法を説明するための模式図であり、第２グランド導体を接続する工程の断面図である。
【図１９】本発明による実施例２の配線板の概略構成を示す模式断面図である。
【図２０】本実施例２の配線板の製造方法を説明するための模式図であり、支持絶縁体を形成する工程の断面図である。
【図２１】本実施例２の配線板の製造方法を説明するための模式図であり、接合材を形成する工程の断面図である。
【図２２】本実施例２の配線板の製造方法を説明するための模式図であり、第３グランド導体を形成する工程の断面図である。
【図２３】本発明による実施例３の配線板の概略構成を示す模式断面図である。
【図２４】本実施例３の配線板の概略構成を示す模式断面図である。
【図２５】本実施例３の配線板の製造方法を説明するための模式図であり、第１グランド導体及び第４グランド導体を形成する工程の断面図である。
【図２６】本実施例３の配線板の製造方法を説明するための模式図であり、第１グランド導体及び第４グランド導体を形成する工程の断面図である。
【図２７】本実施例３の配線板の製造方法を説明するための模式図であり、第１グランド導体及び第４グランド導体を形成する工程の断面図である。
【図２８】本実施例３の配線板の製造方法を説明するための模式図であり、第１信号配線及び第２信号配線を形成する工程の断面図である。
【図２９】本実施例３の配線板の製造方法を説明するための模式図であり、第１信号配線及び第２信号配線を形成する工程の断面図である。
【図３０】本実施例３の配線板の製造方法を説明するための模式図であり、第１信号配線及び第２信号配線を形成する工程の断面図である。
【図３１】本実施例３の配線板の製造方法を説明するための模式図であり、第１信号配線及び第２信号配線を形成する工程の断面図である。
【図３２】本実施例３の配線板の製造方法を説明するための模式図であり、壁状導体を形成する工程の断面図である。
【図３３】本実施例３の配線板の製造方法を説明するための模式図であり、壁状導体を形成する工程の断面図である。
【図３４】本実施例３の配線板の製造方法を説明するための模式図であり、壁状導体を形成する工程の断面図である。
【図３５】本実施例３の配線板の製造方法を説明するための模式図であり、壁状導体を形成する工程の断面図である。
【図３６】本実施例３の配線板の製造方法を説明するための模式図であり、接合材を形成する工程の断面図である。
【図３７】従来のストリップラインを持つ配線板の概略構成を示す模式断面図である。
【図３８】従来のマイクロストリップラインを持つ配線板の概略構成を示す模式断面図である。
【符号の説明】
１　絶縁基板
１Ａ，１Ｂ　絶縁体層
２　第１等電位導体（第１グランド導体）
３　支持絶縁体
３’　第１絶縁体層
４　信号配線
４Ａ　第１信号配線
４Ｂ　第２信号配線
５　接合材
６Ａ　第１壁状導体
６Ｂ　第２壁状導体
７　第２等電位導体（第２グランド導体）
８　保持基板
９，９Ａ，９Ｂ　空洞
１０　第２絶縁体層
１１　電子部品
１１Ａ　電子部品の外部電極
１２　接続導体（バンプ）
１３　第３等電位導体（第３グランド導体）
１３Ａ　第３グランド導体の溝
１４　第４グランド導体
１５　第５グランド導体
１６Ａ　第１ランド
１６Ｂ　第２ランド
１７　第１ビア
１８　第２ビア
１９　第３ビア
２０　ビア
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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