(57)【要約】【課題】発光層に高分子蛍光体に加え、別に液晶化合物を含ませなくとも、偏光ＥＬ発光を示し得る素子を提供する。【解決手段】陽極および陰極からなる電極間に、発光層を有し、該発光層が、式（１）で示される構造を有し、固体状態で蛍光を有し、かつ液晶性を示す高分子蛍光体を含む高分子発光素子。2004031210.tif 000043〔Ｒ１〜Ｒ４、Ｒ７〜Ｒ１０は、式（２）2004031210.tif 000044｛Ｘ１は2004031210.tif 000045等を示す。Ｒ１３はメチル基等。ｏは０または１。ｐは５以上の整数。｝で示される基、水素原子、アルキル基等を示す。Ｒ１〜Ｒ４の１つ以上は、式（２）で示される基であり、Ｒ７〜Ｒ１０の１つ以上は、式（２）で示される基。Ｒ５、Ｒ６、Ｒ１１、Ｒ１２は、水素原子、アルキル基等を。ｍおよびｎは繰り返し構造の数を表し、０以上の整数を示し、ｍ＋ｎは５以上の整数。繰り返し構造の配列は、ランダム、交互、ブロックのいずれでもよい。ｈおよびｉは０または１〕【選択図】　　　　　なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
陽極および陰極からなる電極間に、発光層を有し、該発光層が、下記式（１）で示される構造を有し、固体状態で蛍光を有し、かつ液晶性を示す高分子蛍光体を含むことを特徴とする高分子発光素子。
2004031210.tif 000036
〔ここで、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９およびＲ１０は、それぞれ独立に、下記式（２）
2004031210.tif 000037
｛ここで、Ｘ１は
2004031210.tif 000038
Ｏ、または２価の芳香族基を示す。
Ｒ１３はメチル基、シアノフェニル基、
2004031210.tif 000039
（ここで、Ｒ１５およびＲ１６はそれぞれ独立にアルキル基、アルコキシ基、シアノ基を示す。）またはアルコキシ基を示す。ｏは０または１を表す。ｐは５以上の整数を表す。｝で示される基、
水素原子、アルキル基（式（２）において、ｏが０であり、Ｒ１３がメチル基である基を除く）、アルコキシ基（式（２）において、ｏが１であり、Ｘ１がＯであり、Ｒ１３がメチル基である基を除く）、置換カルボキシル基（式（２）において、ｏが１であり、Ｘ１が
2004031210.tif 000040
であり、Ｒ１３がメチル基である基を除く）、カルボキシル基、ハロゲン原子または１価の芳香族基（式（２）において、ｏが１であり、Ｘ１が２価の芳香族基であり、Ｒ１３がメチル基である基を除く）を示す。
ただし、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４のうち少なくとも１つは、上記式（２）で示される基であり、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９およびＲ１０のうち少なくとも１つは、上記式（２）で示される基である。
Ｒ５、Ｒ６、Ｒ１１およびＲ１２は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基または１価の複素環基を示す。ｍおよびｎは繰り返し構造の数を表し、それぞれ独立に０以上の整数を示し、ｍ＋ｎは５以上の整数である。繰り返し構造の配列は、ランダム、交互、ブロックのいずれであってもよい。ｈおよびｉはそれぞれ独立に０または１を示す。〕
【請求項２】
上記式（２）で示される基が、下記式（３）または（４）で示される基であることを特徴とする請求項１記載の高分子発光素子。
2004031210.tif 000041
〔ここで、ｊは５〜１４の整数を示す。〕
2004031210.tif 000042
〔ここで、ｋは５〜１４の整数を示す。〕
【請求項３】
発光層に接して、高分子薄膜を有することを特徴とする請求項１または２記載の高分子発光素子。
【請求項４】
高分子薄膜を形成した後に、該高分子薄膜にラビング処理を施し、その上に、上記式（１）で示される構造を有し、固体状態で蛍光を有し、かつ液晶性を示す高分子蛍光体を含む発光層を形成し、その後、該発光層を該高分子蛍光体が液晶相を示す温度まで加熱した後に、液晶相を示さない温度まで冷却する過程を含むことを特徴とする請求項３記載の高分子発光素子の製造方法。
【請求項５】
上記式（１）で示される構造を有し、固体状態で蛍光を有し、かつ液晶性を示す高分子蛍光体を含む発光層を形成した後、該発光層にラビング処理を施すことを特徴とする請求項１または２記載の高分子発光素子の製造方法。
【請求項６】
上記式（１）で示される構造を有し、固体状態で蛍光を有し、かつ液晶性を示す高分子蛍光体を含むことを特徴とする、偏光した蛍光を発する薄膜。
【請求項７】
少なくとも一方の電極と発光層との間に該電極に隣接して導電性高分子を含む層を設けたことを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の高分子発光素子。
【請求項８】
少なくとも一方の電極と発光層との間に該電極に隣接して膜厚２ｎｍ以下の絶縁層を設けたことを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の高分子発光素子。
【請求項９】
陰極と発光層との間に、該発光層に隣接して電子輸送層を設けたことを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の高分子発光素子。
【請求項１０】
陽極と発光層との間に、該発光層に隣接して正孔輸送層を設けたことを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の高分子発光素子。
【請求項１１】
陰極と発光層との間に、該発光層に隣接して電子輸送層、および陽極と発光層との間に、該発光層に隣接して正孔輸送層を設けたことを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の高分子発光素子。
【請求項１２】
請求項１〜３、７〜１１のいずれかに記載の高分子発光素子を用いたことを特徴とする面状光源。
【請求項１３】
請求項１〜３、７〜１１のいずれかに記載の高分子発光素子を用いたことを特徴とするセグメント表示装置。
【請求項１４】
請求項１〜３、７〜１１のいずれかに記載の高分子発光素子を用いたことを特徴とするドットマトリックス表示装置。
【請求項１５】
請求項１〜３、７〜１１のいずれかに記載の高分子発光素子をバックライトとすることを特徴とする液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、高分子発光素子（以下、高分子ＬＥＤということがある。）に関する。
【０００２】
【従来の技術】
高分子発光素子において、その発光層に用いる高分子蛍光体を配向させて偏光ＥＬ発光を得ようという試みが、従来から行われている。
例えば、特表平１０−５０８９７９号公開明細書には、発光層として、高分子蛍光体と液晶材料とを含む発光層を用いた素子が、偏光ＥＬ発光する旨記載されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら上記公知の素子は、偏光ＥＬ発光を得るためには、その発光層に高分子蛍光体に加え、別に液晶化合物を含ませなければならないこと、高分子蛍光体と液晶化合物をそれぞれ別々に製造する必要があることなどにより製造工程が煩雑になるなどの問題があった。
本発明の目的は、発光層に高分子蛍光体に加え、別に液晶化合物を含ませなくとも、偏光ＥＬ発光を示し得る素子を提供することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、上記課題を解決すべく検討した結果、発光層が、固体状態で蛍光を有し、液晶性を示し、芳香環上に下記式（２）で示される置換基を有するポリアリーレン類またはポリアリーレンビニレン類からなる高分子蛍光体を含む素子が、その発光層に高分子蛍光体に加え、液晶材料を含ませなくても偏光ＥＬ発光を示し得ることを見出し、本発明に至った。
2004031210.tif 000002
｛ここで、Ｘ１は
2004031210.tif 000003
Ｏ、または２価の芳香族基を示す。
Ｒ１３はメチル基、シアノフェニル基、
2004031210.tif 000004
（ここで、Ｒ１５およびＲ１６はそれぞれ独立にアルキル基、アルコキシ基またはシアノ基を示す。）またはアルコキシ基を示す。ｏは０または１を表す。ｐは５以上の整数を表す。｝
【０００５】
すなわち本発明は、　陽極および陰極からなる電極間に、発光層を有し、該発光層が、下記式（１）で示される構造を有し、固体状態で蛍光を有し、かつ液晶性を示す高分子蛍光体を含む高分子発光素子に係るものである。
2004031210.tif 000005
〔ここで、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９およびＲ１０は、それぞれ独立に、上記式（２）で示される基、水素原子、アルキル基（式（２）において、ｏが０であり、Ｒ１３がメチル基である基を除く）、アルコキシ基（式（２）において、ｏが１であり、Ｘ１がＯであり、Ｒ１３がメチル基である基を除く）、置換カルボキシル基（式（２）において、ｏが１であり、Ｘ１が
2004031210.tif 000006
であり、Ｒ１３がメチル基である基を除く）、カルボキシル基、ハロゲン原子または１価の芳香族基（式（２）において、ｏが１であり、Ｘ１が２価の芳香族基であり、Ｒ１３がメチル基である基を除く）を示す。
ただし、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４のうち少なくとも１つは、上記式（２）で示される基であり、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９およびＲ１０のうち少なくとも１つは、上記式（２）で示される基である。
Ｒ５、Ｒ６、Ｒ１１およびＲ１２は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基または１価の複素環基を示す。ｍおよびｎは繰り返し構造の数を表し、それぞれ独立に０以上の整数を示し、ｍ＋ｎは５以上の整数である。繰り返し構造の配列は、ランダム、交互、ブロックのいずれであってもよい。ｈおよびｉはそれぞれ独立に０または１を示す。〕
【０００６】
【発明の実施の形態】
上記式（１）中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９およびＲ１０は、それぞれ独立に、下記式（２）
2004031210.tif 000007
｛ここで、Ｘ１は
2004031210.tif 000008
Ｏ、または２価の芳香族基を示す。
Ｒ１３はメチル基、シアノフェニル基、
2004031210.tif 000009
（ここで、Ｒ１５およびＲ１６はそれぞれ独立にアルキル基、アルコキシ基、シアノ基を示す。）またはアルコキシ基を示す。ｏは０または１を表す。ｐは５以上の整数を表す。｝で示される基、
水素原子、アルキル基（式（２）において、ｏが０であり、Ｒ１３がメチル基である基を除く）、アルコキシ基（式（２）において、ｏが１であり、Ｘ１がＯであり、Ｒ１３がメチル基である基を除く）、置換カルボキシル基（式（２）において、ｏが１であり、Ｘ１が
2004031210.tif 000010
であり、Ｒ１３がメチル基である基を除く）、カルボキシル基、ハロゲン原子または１価の芳香族基（式（２）において、ｏが１であり、Ｘ１が２価の芳香族基であり、Ｒ１３がメチル基である基を除く）を示す。
上記式（２）において、ｐは１４以下であることが、液晶性の観点から好ましい。
【０００７】
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４のうち少なくとも１つは、上記式（２）で示される基であり、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９およびＲ１０のうち少なくとも１つは、上記（２）で示される基である。
【０００８】
式（２）で示される基のうちｏ＝０の場合のものとしては、炭素数６以上の直鎖のアルキル基（Ｒ１３はメチル基）、シアノフェニルアルキル基（Ｒ１３はシアノフェニル基）、アルコキシアルキル基（Ｒ１３はアルコキシ基）
2004031210.tif 000011
2004031210.tif 000012
（ｐは前記と同じ意味を表す。）
が挙げられる。
シアノフェニルアルキル基の場合は、シアノと、アルキルとがパラの関係にあるものが液晶性の観点から好ましい。
【０００９】
式（２）で示される基のうちｏ＝１のものについて説明する。
【００１０】
Ｘ１が
2004031210.tif 000013
のものとしては、炭素数７以上の直鎖のアルコキシカルボニル基（Ｒ１３はメチル基）、シアノフェニルアルコキシカルボニル基（Ｒ１３はシアノフェニル基）、アルコキシアルコキシカルボニル基（Ｒ１３はアルコキシ基）、
2004031210.tif 000014
2004031210.tif 000015
（ｐは前記と同じ意味を表す。）
が挙げられる。
シアノフェニルアルコキシカルボニル基の場合は、シアノ基と、アルコキシカルボニルとがパラの関係にあるものが液晶性の観点から好ましい。
【００１１】
Ｘ１が
2004031210.tif 000016
のものとしては、
2004031210.tif 000017
2004031210.tif 000018
〔ここで、ｐは前記と同じ意味を表す〕
で示される基があげられる。
【００１２】
Ｘ１がＯ（酸素原子）のものとしては、炭素数６以上の直鎖のアルコキシ基（Ｒ１３はメチル基）、シアノフェニルアルコキシ基（Ｒ１３はシアノフェニル基）、アルコキシアルコキシ基（Ｒ１３はアルコキシ基）、
2004031210.tif 000019
2004031210.tif 000020
〔ここで、ｐは前記と同じ意味を表す〕
が挙げられる。
シアノフェニルアルコキシ基の場合は、シアノ基と、アルコキシとがパラの関係にあるものが液晶性の観点から好ましい。
【００１３】
次にＸ１が２価の芳香族基のものについて説明する。
ここに、２価の芳香族基としては、芳香族炭化水素環を有するものであっても、複素芳香環を有するものであってもよい。その炭素数は、通常４〜６０程度である。
芳香族炭化水素環を有するものとしては例えば、パラフェニレン基、メタフェニレン基、オルトフェニレン基、ナフタレンジイル基、アントラセニレン基、ピレン−ジイル基、ペリレン−ジイル基、ビフェニレン基、フルオレンージイル基、トリフェニレン基、スチルベン−ジイル基、ジスチルベン−ジイル基等が挙げられる。
複素芳香環を有するものとしては、例えば、ピリジンージイル基、ジアザフェニレン基、キノリンジイル基、キノキサリンジイル基、アクリジンジイル基、ビピリジルジイル基、フェナントロリンジイル基、ピロール−ジイル基、チオフェン−ジイル基、フラン−ジイル基、シロール−ジイル基等が挙げられる。
このような基を有するものとしては、例えば、
2004031210.tif 000021
〔ここで、ｐは前記と同じ意味を表す〕
で示される基が挙げられる。
【００１４】
上記式（２）で示される基のなかでは、ｏが１であり、Ｘ１が
2004031210.tif 000022
である基が好ましく、下記式（３）または（４）で示される基がより好ましい。
2004031210.tif 000023
〔ここで、ｊは５〜１４の整数を示す。〕
2004031210.tif 000024
〔ここで、ｋは５〜１４の整数を示す。〕
【００１５】
アルキル基（式（２）において、ｏが０であり、Ｒ１３がメチル基である基を除く）としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基等の炭素数１〜５のアルキル基が挙げられる。
【００１６】
アルコキシ基（式（２）において、ｏが１であり、Ｘ１がＯであり、Ｒ１３がメチル基である基を除く）としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、ブトキシ基、ペンチルオキシ基等の炭素数１〜５のアルコキシ基が挙げられる。
【００１７】
置換カルボキシル基（式（２）において、ｏが１であり、Ｘ１が
2004031210.tif 000025
であり、Ｒ１３がメチル基である基を除く）としては、例えば、
2004031210.tif 000026
〔ただし、ｌは０〜４の整数を示す。〕
で示される基が挙げられる。
【００１８】
１価の芳香族基（式（２）において、ｏが１であり、Ｘ１が２価の芳香族基であり、Ｒ１３がメチル基である基を除く）としては、例えば、フェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、ナフチル基、アントラセニル基、ピレニル基、ペリレン−イル基、チエニル基、ピロリル基、フリル基、ピリジル基、ピペリジル基、キノリル基、イソキノリル基などが挙げられる。これらは、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、ブトキシ基、ペンチルオキシ基などの置換基を有していてもよい。
【００１９】
上記式（１）中Ｒ５、Ｒ６、Ｒ１１およびＲ１２は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基または１価の複素環基を示す。
【００２０】
ここで、アルキル基としては、直鎖、分岐または環状のいずれでもよい。炭素数は通常１〜２０程度であり、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、ｉ−プロピル基、ブチル基、　ｉ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、２−エチルヘキシル基、ノニル基、デシル基、３，７−ジメチルオクチル基、ラウリル基、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、パーフルオロブチル基、パーフルオロヘキシル基、パーフルオロオクチル基などが挙げられる。
【００２１】
アリール基は、炭素数は通常６〜６０程度であり、具体的には、フェニル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシフェニル基（Ｃ１〜Ｃ１２は、炭素数１〜１２であることを示す。以下も同様である。）、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルフェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントラセニル基、２−アントラセニル基、９−アントラセニル基、ペンタフルオロフェニル基などが例示される。ここに、アリール基とは、芳香族炭化水素から、水素原子１個を除いた原子団である。ここに芳香族炭化水素としては、縮合環をもつもの、独立したベンゼン環または縮合環２個以上が直接またはビニレン等の基を介して結合したものが含まれる。
Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシとして具体的には、メトキシ、エトキシ、プロピルオキシ、ｉ−プロピルオキシ、ブトキシ、ｉ−ブトキシ、ｔ−ブトキシ、ペンチルオキシ、ヘキシルオキシ、シクロヘキシルオキシ、ヘプチルオキシ、オクチルオキシ、２−エチルヘキシルオキシ、ノニルオキシ、デシルオキシ、３，７−ジメチルオクチルオキシ、ラウリルオキシなどが例示される。
【００２２】
１価の複素環基とは、複素環化合物から水素原子１個を除いた残りの原子団をいい、炭素数は通常４〜６０程度であり、好ましくは４〜２０である。なお、複素環基の炭素数には、置換基の炭素数は含まれない。ここに複素環化合物とは、環式構造をもつ有機化合物のうち、環を構成する元素が炭素原子だけでなく、酸素、硫黄、窒素、燐、硼素などのヘテロ原子を環内に含むものをいう。具体的には、チエニル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルチエニル基、ピロリル基、フリル基、ピリジル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルピリジル基、ピペリジル基、キノリル基、イソキノリル基などが例示される。
【００２３】
上記式（１）中、ｍおよびｎは繰り返し構造の数を表し、それぞれ独立に０以上の整数を示し、ｍ＋ｎは５以上の整数である。
成膜性の観点からは、ｍ＋ｎが１０以上であることが好ましい。
発光強度の観点からは、ｍとｎの両方が１以上であることが好ましい。
また、繰り返し構造の配列は、ランダム、交互、ブロックのいずれであってもよい。
ｈおよびｉはそれぞれ独立に０または１を示す。
【００２４】
本発明に使用する高分子蛍光体は固体状態で蛍光を有し、かつ液晶性を有することを要する。
液晶性を有するとは、高分子を含む分子が、液晶相を示すことである。
液晶相は、偏光顕微鏡観察および示差走査熱量測定、Ｘ線回折測定などにより確認できる。
中でも、液晶相が、素子を通常駆動する温度、典型的には、３０℃以上で発現するものであることが好ましい。
【００２５】
本発明に使用する高分子蛍光体のなかでは、Ｒ２、Ｒ４およびＲ９のいずれかが、上記式（２）で示される基であることが、高分子量化の観点から好ましい。
【００２６】
上記式（２）で示される基の数は、液晶性の観点から２〜３個が好ましい。
【００２７】
Ｒ１〜Ｒ１０のうち、上記式（２）で示される基以外が全て水素原子であることが、液晶性を示す温度の下限を高めるために望ましい。
【００２８】
本発明に用いる高分子蛍光体の合成方法としては、具体的には、モノマーとなる、反応性置換基を複数有する化合物を、必要に応じ、有機溶媒に溶解し、例えばアルカリや適当な触媒を用いて、有機溶媒の融点以上沸点以下で行うことができる。縮合重合において、二重結合を生成する場合は、例えば特開平５−２０２３５５号公報に記載の方法が挙げられる。すなわち、ホルミル基を有する化合物とホスホニウムメチル基を有する化合物との、もしくはホルミル基とホスホニウムメチル基とを有する化合物のＷｉｔｔｉｇ反応による重合、ビニル基を有する化合物とハロゲン原子を有する化合物とのＨｅｃｋ反応による重合、モノハロゲン化メチル基を２つあるいは２つ以上有する化合物の脱ハロゲン化水素法による重縮合、スルホニウムメチル基を２つあるいは２つ以上有する化合物のスルホニウム塩分解法による重縮合、ホルミル基を有する化合物とシアノ基を有する化合物とのＫｎｏｅｖｅｎａｇｅｌ反応による重合などの方法、ホルミル基を２つあるいは２つ以上有する化合物のＭｃＭｕｒｒｙ反応による重合、ハロゲン原子を有する化合物とビニル基を有する有機スズ化合物とのＳｔｉｌｌｅ反応による重合などの方法が例示される。
【００２９】
また、ビニル結合を含むモノマーを用いる場合、あるいは二重結合を生じない場合は、例えばＳｕｚｕｋｉカップリング反応により重合する方法、Ｇｒｉｇｎａｒｄ反応により重合する方法、Ｎｉ（０）錯体により重合する方法、ＦｅＣｌ３等の酸化剤により重合する方法、電気化学的に酸化重合する方法、あるいは適当な脱離基を有する中間体高分子の分解による方法などが例示される。
モノマー合成および分子量の観点からは、Ｓｔｉｌｌｅ反応、Ｎｉ（０）錯体による重合が好ましい。
【００３０】
本発明の高分子ＬＥＤは、陽極と陰極との間に、前記式（１）で示される構造を有し、固体状態で蛍光を有し、液晶性を示す高分子蛍光体を含む発光層を有している。
本発明の高分子ＬＥＤとしては、さらに、陰極と発光層との間に、電子輸送層を設けた高分子ＬＥＤ、陽極と発光層との間に、正孔輸送層を設けた高分子ＬＥＤ、陰極と発光層との間に、電子輸送層を設け、かつ陽極と発光層との間に、正孔輸送層を設けた高分子ＬＥＤ等が挙げられる。
【００３１】
例えば、具体的には、以下のａ）〜ｄ）の構造が例示される。
ａ）陽極／発光層／陰極
ｂ）陽極／正孔輸送層／発光層／陰極
ｃ）陽極／発光層／電子輸送層／陰極
ｄ）陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極
（ここで、／は各層が隣接して積層されていることを示す。以下同じ。）
【００３２】
ここで、発光層とは、発光する機能を有する層であり、正孔輸送層とは、正孔を輸送する機能を有する層であり、電子輸送層とは、電子を輸送する機能を有する層である。なお、電子輸送層と正孔輸送層を総称して電荷輸送層と呼ぶ。
発光層、正孔輸送層、電子輸送層は、それぞれ独立に２層以上用いてもよい。
また、電極に隣接して設けた電荷輸送層のうち、電極からの電荷注入効率を改善する機能を有し、素子の駆動電圧を下げる効果を有するものは、特に電荷注入層（正孔注入層、電子注入層）と一般に呼ばれることがある。
さらに電極との密着性向上や電極からの電荷注入の改善のために、電極に隣接して前記の電荷注入層又は膜厚２ｎｍ以下の絶縁層を設けてもよく、また、界面の密着性向上や混合の防止等のために電荷輸送層や発光層の界面に薄いバッファー層を挿入してもよい。
積層する層の順番や数、および各層の厚さについては、発光効率や素子寿命を勘案して適宜用いることができる。
【００３３】
本発明において、電荷注入層（電子注入層、正孔注入層）を設けた高分子ＬＥＤとしては、陰極に隣接して電荷注入層を設けた高分子ＬＥＤ、陽極に隣接して電荷注入層を設けた高分子ＬＥＤが挙げられる。
例えば、具体的には、以下のｅ）〜ｐ）の構造が挙げられる。
ｅ）陽極／電荷注入層／発光層／陰極
ｆ）陽極／発光層／電荷注入層／陰極
ｇ）陽極／電荷注入層／発光層／電荷注入層／陰極
ｈ）陽極／電荷注入層／正孔輸送層／発光層／陰極
ｉ）陽極／正孔輸送層／発光層／電荷注入層／陰極
ｊ）陽極／電荷注入層／正孔輸送層／発光層／電荷注入層／陰極
ｋ）陽極／電荷注入層／発光層／電子輸送層／陰極
ｌ）陽極／発光層／電子輸送層／電荷注入層／陰極
ｍ）陽極／電荷注入層／発光層／電子輸送層／電荷注入層／陰極
ｎ）陽極／電荷注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極
ｏ）陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電荷注入層／陰極
ｐ）陽極／電荷注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電荷注入層／陰極
電荷注入層の具体的な例としては、導電性高分子を含む層、陽極と正孔輸送層との間に設けられ、陽極材料と正孔輸送層に含まれる正孔輸送材料との中間の値のイオン化ポテンシャルを有する材料を含む層、陰極と電子輸送層との間に設けられ、陰極材料と電子輸送層に含まれる電子輸送材料との中間の値の電子親和力を有する材料を含む層などが例示される。
上記電荷注入層が導電性高分子を含む層の場合、該導電性高分子の電気伝導度は、１０−５Ｓ／ｃｍ以上１０３Ｓ／ｃｍ以下であることが好ましく、発光画素間のリーク電流を小さくするためには、１０−５Ｓ／ｃｍ以上１０２Ｓ／ｃｍ以下がより好ましく、１０−５Ｓ／ｃｍ以上１０１Ｓ／ｃｍ以下がさらに好ましい。
通常は該導電性高分子の電気伝導度を１０−５Ｓ／ｃｍ以上１０３Ｓ／ｃｍ以下とするために、該導電性高分子に適量のイオンをドープする。
ドープするイオンの種類は、正孔注入層であればアニオン、電子注入層であればカチオンである。アニオンの例としては、ポリスチレンスルホン酸イオン、アルキルベンゼンスルホン酸イオン、樟脳スルホン酸イオンなどが例示され、カチオンの例としては、リチウムイオン、ナトリウムイオン、カリウムイオン、テトラブチルアンモニウムイオンなどが例示される。
電荷注入層の膜厚としては、例えば１ｎｍ〜１００ｎｍであり、２ｎｍ〜５０ｎｍが好ましい。
電荷注入層に用いる材料は、電極や隣接する層の材料との関係で適宜選択すればよく、ポリアニリンおよびその誘導体、ポリチオフェンおよびその誘導体、ポリピロールおよびその誘導体、ポリフェニレンビニレンおよびその誘導体、ポリチエニレンビニレンおよびその誘導体、ポリキノリンおよびその誘導体、ポリキノキサリンおよびその誘導体、芳香族アミン構造を主鎖または側鎖に含む重合体などの導電性高分子、金属フタロシアニン（銅フタロシアニンなど）、カーボンなどが例示される。
膜厚２ｎｍ以下の絶縁層は電荷注入を容易にする機能を有するものである。上記絶縁層の材料としては、金属フッ化物、金属酸化物、有機絶縁材料等が挙げられる。膜厚２ｎｍ以下の絶縁層を設けた高分子ＬＥＤとしては、陰極に隣接して膜厚２ｎｍ以下の絶縁層を設けた高分子ＬＥＤ、陽極に隣接して膜厚２ｎｍ以下の絶縁層を設けた高分子ＬＥＤが挙げられる。
具体的には、例えば、以下のｑ）〜ａｂ）の構造が挙げられる。
ｑ）陽極／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／発光層／陰極
ｒ）陽極／発光層／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／陰極
ｓ）陽極／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／発光層／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／陰極
ｔ）陽極／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／正孔輸送層／発光層／陰極
ｕ）陽極／正孔輸送層／発光層／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／陰極
ｖ）陽極／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／正孔輸送層／発光層／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／陰極
ｗ）陽極／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／発光層／電子輸送層／陰極
ｘ）陽極／発光層／電子輸送層／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／陰極
ｙ）陽極／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／発光層／電子輸送層／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／陰極
ｚ）陽極／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極
ａａ）陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／陰極
ａｂ）陽極／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／陰極
【００３４】
本発明の高分子ＬＥＤが有する発光層の膜厚としては、用いる材料によって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように選択すればよいが、例えば１ｎｍから１μｍであり、好ましくは２ｎｍ〜５００ｎｍであり、さらに好ましくは５ｎｍ〜２００ｎｍである。
【００３５】
本発明の高分子ＬＥＤにおいては、発光層に上記高分子蛍光体以外の発光材料を混合して使用してもよい。また、本発明の高分子ＬＥＤにおいては、上記高分子蛍光体以外の発光材料を含む発光層が、上記高分子蛍光体を含む発光層と積層されていてもよい。
該発光材料としては、公知のものが使用できる。低分子化合物では、例えば、ナフタレン誘導体、アントラセンもしくはその誘導体、ペリレンもしくはその誘導体、ポリメチン系、キサンテン系、クマリン系、シアニン系などの色素類、８−ヒドロキシキノリンもしくはその誘導体の金属錯体、芳香族アミン、テトラフェニルシクロペンタジエンもしくはその誘導体、またはテトラフェニルブタジエンもしくはその誘導体などを用いることができる。
具体的には、例えば特開昭５７−５１７８１号、同５９−１９４３９３号公報に記載されているもの等、公知のものが使用可能である。
【００３６】
発光層の成膜の方法に制限はないが、溶液からの成膜による方法が例示される。　溶液からの成膜に用いる溶媒としては、正孔輸送材料を溶解させるものであれば特に制限はない。該溶媒として、クロロホルム、塩化メチレン、ジクロロエタン等の塩素系溶媒、テトラヒドロフラン等のエーテル系溶媒、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン等のケトン系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテート等のエステル系溶媒が例示される。
溶液からの成膜方法としては、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法等の塗布法を用いることができる。
【００３７】
本発明の高分子ＬＥＤが正孔輸送層を有する場合、使用される正孔輸送材料としては、ポリビニルカルバゾールもしくはその誘導体、ポリシランもしくはその誘導体、側鎖もしくは主鎖に芳香族アミンを有するポリシロキサン誘導体、ピラゾリン誘導体、アリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体、ポリアニリンもしくはその誘導体、ポリチオフェンもしくはその誘導体、ポリピロールもしくはその誘導体、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）もしくはその誘導体、またはポリ（２，５−チエニレンビニレン）もしくはその誘導体などが例示される。
具体的には、該正孔輸送材料として、特開昭６３−７０２５７号公報、同６３−１７５８６０号公報、特開平２−１３５３５９号公報、同２−１３５３６１号公報、同２−２０９９８８号公報、同３−３７９９２号公報、同３−１５２１８４号公報に記載されているもの等が例示される。
これらの中で、正孔輸送層に用いる正孔輸送材料として、ポリビニルカルバゾールもしくはその誘導体、ポリシランもしくはその誘導体、側鎖もしくは主鎖に芳香族アミン化合物基を有するポリシロキサン誘導体、ポリアニリンもしくはその誘導体、ポリチオフェンもしくはその誘導体、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）もしくはその誘導体、またはポリ（２，５−チエニレンビニレン）もしくはその誘導体等の高分子正孔輸送材料が好ましく、さらに好ましくはポリビニルカルバゾールもしくはその誘導体、ポリシランもしくはその誘導体、側鎖もしくは主鎖に芳香族アミンを有するポリシロキサン誘導体である。低分子の正孔輸送材料の場合には、高分子バインダーに分散させて用いることが好ましい。
ポリビニルカルバゾールもしくはその誘導体は、例えばビニルモノマーからカチオン重合またはラジカル重合によって得られる。
ポリシランもしくはその誘導体としては、ケミカル・レビュー（Ｃｈｅｍ．Ｒｅｖ．）第８９巻、１３５９頁（１９８９年）、英国特許ＧＢ２３００１９６号公開明細書に記載の化合物等が例示される。合成方法もこれらに記載の方法を用いることができるが、特にキッピング法が好適に用いられる。
ポリシロキサンもしくはその誘導体は、シロキサン骨格構造には正孔輸送性がほとんどないので、側鎖または主鎖に上記低分子正孔輸送材料の構造を有するものが好適に用いられる。特に正孔輸送性の芳香族アミンを側鎖または主鎖に有するものが例示される。
正孔輸送層の成膜の方法に制限はないが、低分子正孔輸送材料では、高分子バインダーとの混合溶液からの成膜による方法が例示される。また、高分子正孔輸送材料では、溶液からの成膜による方法が例示される。
溶液からの成膜に用いる溶媒としては、正孔輸送材料を溶解させるものであれば特に制限はない。該溶媒として、クロロホルム、塩化メチレン、ジクロロエタン等の塩素系溶媒、テトラヒドロフラン等のエーテル系溶媒、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン等のケトン系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテート等のエステル系溶媒が例示される。
溶液からの成膜方法としては、溶液からのスピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法等の塗布法を用いることができる。
混合する高分子バインダーとしては、電荷輸送を極度に阻害しないものが好ましく、また可視光に対する吸収が強くないものが好適に用いられる。該高分子バインダーとして、ポリカーボネート、ポリアクリレート、ポリメチルアクリレート、ポリメチルメタクリレート、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリシロキサン等が例示される。
正孔輸送層の膜厚としては、用いる材料によって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように選択すればよいが、少なくともピンホールが発生しないような厚さが必要であり、あまり厚いと、素子の駆動電圧が高くなり好ましくない。従って、該正孔輸送層の膜厚としては、例えば１ｎｍから１μｍであり、好ましくは２ｎｍ〜５００ｎｍであり、さらに好ましくは５ｎｍ〜２００ｎｍである。
【００３８】
本発明の高分子ＬＥＤが電子輸送層を有する場合、使用される電子輸送材料としては公知のものが使用でき、オキサジアゾール誘導体、アントラキノジメタンもしくはその誘導体、ベンゾキノンもしくはその誘導体、ナフトキノンもしくはその誘導体、アントラキノンもしくはその誘導体、テトラシアノアンスラキノジメタンもしくはその誘導体、フルオレノン誘導体、ジフェニルジシアノエチレンもしくはその誘導体、ジフェノキノン誘導体、または８−ヒドロキシキノリンもしくはその誘導体の金属錯体、ポリキノリンもしくはその誘導体、ポリキノキサリンもしくはその誘導体、ポリフルオレンもしくはその誘導体等が例示される。具体的には、特開昭６３−７０２５７号公報、同６３−１７５８６０号公報、特開平２−１３５３５９号公報、同２−１３５３６１号公報、同２−２０９９８８号公報、同３−３７９９２号公報、同３−１５２１８４号公報に記載されているもの等が例示される。
これらのうち、オキサジアゾール誘導体、ベンゾキノンもしくはその誘導体、アントラキノンもしくはその誘導体、または８−ヒドロキシキノリンもしくはその誘導体の金属錯体、ポリキノリンもしくはその誘導体、ポリキノキサリンもしくはその誘導体、ポリフルオレンもしくはその誘導体が好ましく、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール、ベンゾキノン、アントラキノン、トリス（８−キノリノール）アルミニウム、ポリキノリンがさらに好ましい。
電子輸送層の成膜法としては特に制限はないが、低分子電子輸送材料では、粉末からの真空蒸着法、または溶液もしくは溶融状態からの成膜による方法が、高分子電子輸送材料では溶液または溶融状態からの成膜による方法がそれぞれ例示される。溶液または溶融状態からの成膜時には、高分子バインダーを併用してもよい。
溶液からの成膜に用いる溶媒としては、電子輸送材料および／または高分子バインダーを溶解させるものであれば特に制限はない。該溶媒として、クロロホルム、塩化メチレン、ジクロロエタン等の塩素系溶媒、テトラヒドロフラン等のエーテル系溶媒、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン等のケトン系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテート等のエステル系溶媒が例示される。
溶液または溶融状態からの成膜方法としては、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法等の塗布法を用いることができる。
混合する高分子バインダーとしては、電荷輸送を極度に阻害しないものが好ましく、また、可視光に対する吸収が強くないものが好適に用いられる。該高分子バインダーとして、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）、ポリアニリンもしくはその誘導体、ポリチオフェンもしくはその誘導体、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）もしくはその誘導体、ポリ（２，５−チエニレンビニレン）もしくはその誘導体、ポリカーボネート、ポリアクリレート、ポリメチルアクリレート、ポリメチルメタクリレート、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、またはポリシロキサンなどが例示される。
電子輸送層の膜厚としては、用いる材料によって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように選択すればよいが、少なくともピンホールが発生しないような厚さが必要であり、あまり厚いと、素子の駆動電圧が高くなり好ましくない。従って、該電子輸送層の膜厚としては、例えば１ｎｍから１μｍであり、好ましくは２ｎｍ〜５００ｎｍであり、さらに好ましくは５ｎｍ〜２００ｎｍである。
【００３９】
本発明の高分子ＬＥＤを形成する基板は、電極を形成し、有機物の層を形成する際に変化しないものであればよく、例えばガラス、プラスチック、高分子フィルム、シリコン基板などが例示される。不透明な基板の場合には、反対の電極が透明または半透明であることが好ましい。
【００４０】
本発明において、通常は、陽極および陰極からなる電極の少なくとも一方が透明または半透明であり、陽極側が透明または半透明であることが好ましい。該陽極の材料としては、導電性の金属酸化物膜、半透明の金属薄膜等が用いられる。具体的には、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、およびそれらの複合体であるインジウム・スズ・オキサイド（ＩＴＯ）、インジウム・亜鉛・オキサイド等からなる導電性ガラスを用いて作成された膜（ＮＥＳＡなど）や、金、白金、銀、銅等が用いられ、ＩＴＯ、インジウム・亜鉛・オキサイド、酸化スズが好ましい。作製方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、メッキ法等が挙げられる。また、該陽極として、ポリアニリンもしくはその誘導体、ポリチオフェンもしくはその誘導体などの有機の透明導電膜を用いてもよい。
陽極の膜厚は、光の透過性と電気伝導度とを考慮して、適宜選択することができるが、例えば１０ｎｍから１０μｍであり、好ましくは２０ｎｍ〜１μｍであり、さらに好ましくは５０ｎｍ〜５００ｎｍである。
また、陽極上に、電荷注入を容易にするために、フタロシアニン誘導体、導電性高分子、カーボンなどからなる層、あるいは金属酸化物や金属フッ化物、有機絶縁材料等からなる平均膜厚２ｎｍ以下の層を設けてもよい。
【００４１】
本発明の高分子ＬＥＤで用いる陰極の材料としては、仕事関数の小さい材料が好ましい。例えば、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、アルミニウム、スカンジウム、バナジウム、亜鉛、イットリウム、インジウム、セリウム、サマリウム、ユーロピウム、テルビウム、イッテルビウムなどの金属、およびそれらのうち２つ以上の合金、あるいはそれらのうち１つ以上と、金、銀、白金、銅、マンガン、チタン、コバルト、ニッケル、タングステン、錫のうち１つ以上との合金、グラファイトまたはグラファイト層間化合物等が用いられる。合金の例としては、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金、インジウム−銀合金、リチウム−アルミニウム合金、リチウム−マグネシウム合金、リチウム−インジウム合金、カルシウム−アルミニウム合金などが挙げられる。陰極を２層以上の積層構造としてもよい。
陰極の膜厚は、電気伝導度や耐久性を考慮して、適宜選択することができるが、例えば１０ｎｍから１０μｍであり、好ましくは２０ｎｍ〜１μｍであり、さらに好ましくは５０ｎｍ〜５００ｎｍである。
【００４２】
陰極の作製方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、また金属薄膜を熱圧着するラミネート法等が用いられる。また、陰極と有機物層との間に、導電性高分子からなる層、あるいは金属酸化物や金属フッ化物、有機絶縁材料等からなる平均膜厚２ｎｍ以下の層を設けても良く、陰極作製後、該高分子ＬＥＤを保護する保護層を装着していてもよい。該高分子ＬＥＤを長期安定的に用いるためには、素子を外部から保護するために、保護層および／または保護カバーを装着することが好ましい。
該保護層としては、高分子化合物、金属酸化物、金属フッ化物、金属ホウ化物などを用いることができる。また、保護カバーとしては、ガラス板、表面に低透水率処理を施したプラスチック板などを用いることができ、該カバーを熱効果樹脂や光硬化樹脂で素子基板と貼り合わせて密閉する方法が好適に用いられる。スペーサーを用いて空間を維持すれば、素子がキズつくのを防ぐことが容易である。該空間に窒素やアルゴンのような不活性なガスを封入すれば、陰極の酸化を防止することができ、さらに酸化バリウム等の乾燥剤を該空間内に設置することにより製造工程で吸着した水分が素子にタメージを与えるのを抑制することが容易となる。これらのうち、いずれか１つ以上の方策をとることが好ましい。
【００４３】
本発明の高分子ＬＥＤにおいて、偏光ＥＬ発光を得るためには、通常は発光層に用いた高分子蛍光体を配向させる処理を行う。
配向させる処理としては、例えば、　上記式（１）で示される構造を有し、固体状態で蛍光を有し、かつ液晶性を示す高分子蛍光体を含む発光層を形成した後、該発光層にラビング処理を施すことにより行うことができる。
ラビング処理とは、液晶性を有する化合物の層を形成する基板や、その化合物そのものを布、紙などでこする（ラビングする）ことにより、一方向に巨視的に配向させる処理のことを言う。
【００４４】
また、発光層に接して、高分子薄膜を有する素子の場合には、高分子薄膜を形成した後に、該高分子薄膜にラビング処理を施し、その上に、上記式（１）で示される構造を有し、固体状態で蛍光を有し、かつ液晶性を示す高分子蛍光体を含む発光層を形成し、その後、該発光層を該高分子蛍光体が液晶相を示す温度まで加熱した後に、液晶相を示さない温度まで冷却する過程を含ませることにより行うことができる。
ここに高分子薄膜は、高分子からなる薄膜であれば特に限定されず、上記の正孔輸送層、電子輸送層、正孔注入層、電子注入層、導電性高分子を含む層の何れに該当していてもよい。
また、発光層を塗布により形成する際に、ディッピング法などの方向性のある塗布方法を用いることにより行うこともできる。
【００４５】
本発明の高分子発光素子は、面状光源、セグメント表示装置、ドットマトリックス表示装置、液晶表示装置のバックライト等として用いることができる。
【００４６】
本発明の高分子ＬＥＤを用いて面状の発光を得るためには、面状の陽極と陰極が重なり合うように配置すればよい。また、パターン状の発光を得るためには、前記面状の発光素子の表面にパターン状の窓を設けたマスクを設置する方法、非発光部の有機物層を極端に厚く形成し実質的に非発光とする方法、陽極または陰極のいずれか一方、または両方の電極をパターン状に形成する方法がある。これらのいずれかの方法でパターンを形成し、いくつかの電極を独立にＯｎ／ＯＦＦできるように配置することにより、数字や文字、簡単な記号などを表示できるセグメントタイプの表示素子が得られる。更に、ドットマトリックス素子とするためには、陽極と陰極をともにストライプ状に形成して直交するように配置すればよい。複数の種類の発光色の異なる高分子蛍光体を塗り分ける方法や、カラーフィルターまたは蛍光変換フィルターを用いる方法により、部分カラー表示、マルチカラー表示が可能となる。ドットマトリックス素子は、パッシブ駆動も可能であるし、ＴＦＴなどと組み合わせてアクティブ駆動しても良い。これらの表示素子は、コンピュータ、テレビ、携帯端末、携帯電話、カーナビゲーション、ビデオカメラのビューファインダーなどの表示装置として用いることができる。
また、前記面状の発光素子は、自発光薄型であり、液晶表示装置のバックライト用の面状光源、あるいは面状の照明用光源として好適に用いることができる。また、フレキシブルな基板を用いれば、曲面状の光源や表示装置としても使用できる。
【００４７】
上記式（１）で示される構造を有し、固体状態で蛍光を有し、かつ液晶性を示す高分子蛍光体を含む薄膜は、通常は、配向処理することにより、偏光した蛍光を発する薄膜となり、高分子ＬＥＤの発光層以外に用途にも使用し得る。
【００４８】
【実施例】
以下、本発明をさらに詳細に説明するために実施例を示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。
ここで、数平均分子量については、クロロホルムを溶媒として、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）によりポリスチレン換算の数平均分子量を求めた。
【００４９】
合成例１（化合物Ａの合成）
２，５−ジブロモ安息香酸５．０ｇ（１８ｍｍｏｌ）、１−デカノール２．８ｇ（１８ｍｍｏｌ）およびアゾジカルボン酸ジエチル（４０％トルエン溶液）７．８ｇ（１８ｍｍｏｌ）に、ＴＨＦ１０ｍｌを加えて室温で撹拌、溶解させた。その後、トリフェニルホスフィン４．７ｇ（１８ｍｍｏｌ）をＴＨＦ５ｍｌに溶かして滴下した。室温で５時間反応後、溶媒を留去し、ジクロロメタンを展開溶媒とするシリカゲルカラムで精製することによって目的とする２，５−ジブロモ安息香酸デシル７．０ｇを得た。収率９２％。
2004031210.tif 000027
化合物Ａ
（収率　９２％）
【００５０】
合成例２（化合物Ｂの合成）
３，５−ジブロモ安息香酸を用い、上記の方法で反応を行うことにより、目的物である３、５−ジブロモ安息香酸デシル６．３ｇを得た。収率８３％。
2004031210.tif 000028
化合物Ｂ
（収率　８３％）
【００５１】
実施例１
＜高分子蛍光体１の合成＞
化合物Ａ５．０ｇ（１２ｍｍｏｌ）、化合物Ｂ５．０ｇ（１２ｍｍｏｌ）、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）０．３ｇ（０．４ｍｍｏｌ）、トリフリルホスフィン０．３ｇ（１．４ｍｍｏｌ）およびＤＭＦ１０ｍｌを入れ、８０℃で１時間撹拌した。その後、ビス（トリブチルスタンニル）エチレン１．５ｇ（２４ｍｍｏｌ）を加え、１００℃で２４時間反応させた。反応終了後、１ｌの５％塩酸／メタノール混合液で１時間洗浄し、続いて１ｌのメタノールで洗浄した。回収した不溶物を少量のＴＨＦに溶かし、５００ｍｌのアセトンに滴下して再沈殿させた。析出したポリマーを回収し、真空乾燥することにより、目的の高分子蛍光体１を２．７ｇ得た。収率４０％。
2004031210.tif 000029
2004031210.tif 000030
（収率　４０％）
Ｒ：（ＣＨ２）９ＣＨ３
ここで、仕込み比から推測されるｘ／ｙは１／１である。
得られた高分子蛍光体１の数平均分子量は９．７×１０３、重量平均分子量は２．３×１０４であった。また、ｘ＋ｙは約１７である。
また、クロロホルム溶液の吸収ピーク波長は３７８ｎｍ、蛍光ピーク波長は４７９ｎｍ、蛍光量子収率は４４％（硫酸キニーネ基準）であった。
【００５２】
＜高分子蛍光体１の液晶性＞
高分子蛍光体１の相変化状態を示差走査熱量計（パーキンエルマーＤＳＣ７）および偏光顕微鏡（Ｎｉｋｏｎ　ＥＣＬＩＰＳＥ　Ｅ６００Ｐ０６）を用いて評価した。高分子蛍光体１は、昇温、降温過程とも７５℃以上でネマチック液晶相を示した。
【００５３】
＜素子の作成および評価＞
スパッタ法により１５０ｎｍの厚みでＩＴＯ膜を付けたガラス基板にポリフェニレンビニレン前駆体（スルホニウム塩）水溶液を塗布し、大気中で１９０℃で２分間熱処理した後、ラビング処理を施し、更に、窒素気流下で１６０℃で１時間の熱処理を行った。次に、高分子蛍光体１のクロロホルム溶液を用いてスピンコートにより約７０ｎｍの厚みで発光層を成膜した。そして、配向処理として、窒素中で１２０℃以上に昇温し、９０℃で８０分間保持した後、室温まで急冷した。
次に、真空蒸着により陰極を形成した。陰極としては、カルシウムを２５ｎｍ、次いでアルミニウムを４０ｎｍ蒸着した。蒸着時の真空度は、すべて１〜８×１０−６Ｔｏｒｒであった。得られた素子に電圧を印加することにより、高分子蛍光体１からのＥＬ発光が得られた。ＥＬ発光の強度は電流密度にほぼ比例していた。ＥＬ発光ピーク波長は４７６ｎｍで、発光効率は０．１６ｃｄ／Ａ、発光開始電圧は１３．４Ｖであった。
なお、該素子にブラックランプを照射して、偏光子を介して蛍光強度を測定した結果、配向方向に対して平行方向と垂直方向での蛍光強度の比は、１．１であった。
本素子からは、偏光ＥＬ発光が得られる。
【００５４】
合成例３（化合物Ｃの合成）
アルコールとして、１０−（４−（４‘−シアノビフェニル））−１−デカノールを用いて、化合物Ａと同様の手順で行った。収率８７％。
2004031210.tif 000031
化合物Ｃ
（収率　８７％）
【００５５】
合成例４（化合物Ｄの合成）
３，５−ジブロモ安息香酸を用いて、化合物Ｃの合成と同様の手順で行った。収率５０％。
2004031210.tif 000032
化合物Ｄ
（収率　５０％）
【００５６】
実施例２
＜高分子蛍光体２の合成＞
化合物ＣおよびＤをもちいて、実施例１と同様の手順で合成した。収率７５％。
2004031210.tif 000033
2004031210.tif 000034
（収率　７５％）
Ｒ：
2004031210.tif 000035
ここで、仕込み比から推測されるｘ／ｙは１／１である。
得られた高分子蛍光体２の数平均分子量は１．４×１０４、重量平均分子量は３．３×１０４であった。また、ｘ＋ｙは約１４である。
また、クロロホルム溶液の吸収ピーク波長は３７８ｎｍ、蛍光ピーク波長は４８１ｎｍ、蛍光量子収率は４６％（硫酸キニーネ基準）であった。
【００５７】
＜高分子蛍光体２の液晶性＞
高分子蛍光体２の相変化状態を示差走査熱量計（パーキンエルマーＤＳＣ７）および偏光顕微鏡（Ｎｉｋｏｎ　ＥＣＬＩＰＳＥ　Ｅ６００Ｐ０６）を用いて評価した。高分子蛍光体２は、昇温過程で８０℃〜１３５℃および降温過程で１３０℃〜４０℃でネマチック液晶相を示した。
【００５８】
＜素子の作成および評価＞
スパッタ法により１５０ｎｍの厚みでＩＴＯ膜を付けたガラス基板にポリフェニレンビニレン前駆体（スルホニウム塩）水溶液を塗布し、大気中で１９０℃で２分間熱処理した後、ラビング処理を施し、更に、窒素気流下で１６０℃で１時間の熱処理を行った。次に、高分子蛍光体２のクロロホルム溶液を用いてスピンコートにより約７０ｎｍの厚みで発光層を成膜した。そして、配向処理として、窒素中で１２０℃以上に昇温し、９０℃で８０分間保持した後、室温まで急冷した。
次に、真空蒸着により陰極を形成した。陰極としては、カルシウムを２５ｎｍ、次いでアルミニウムを４０ｎｍ蒸着した。蒸着時の真空度は、すべて１〜８×１０−６Ｔｏｒｒであった。得られた素子に電圧を印加することにより、高分子蛍光体１からのＥＬ発光が得られた。ＥＬ発光の強度は電流密度にほぼ比例していた。ＥＬ発光ピーク波長は５２８ｎｍで、発光効率は０．２０ｃｄ／Ａ、発光開始電圧は１５．２Ｖであった。
なお、該素子にブラックランプを照射して、偏光子を介して蛍光強度を測定した結果、配向方向に対して平行方向と垂直方向での蛍光強度の比は、１．２であった。
本素子からは、偏光ＥＬ発光が得られる。
【００５９】
【発明の効果】
本発明の高分子ＬＥＤは、発光層に液晶性と発光特性の両方に優れた高分子蛍光体を用いており、容易に偏光発光を示すものが得られる。従って、該高分子ＬＥＤは、液晶ディスプレイのバックライトまたは照明用としての曲面状や平面状の光源、セグメントタイプの表示素子、ドットマトリックスのフラットパネルディスプレイ等の装置に好ましく使用できる。