(57)【要約】【課題】弾性表面波素子のＩＤＴ電極加工に用いているＲＩＥの基板へのダメージに起因する損失増加劣化を防ぎ、高性能で低コストの弾性表面波装置を得る。【解決手段】圧電基板１上のＩＤＴ電極４開口領域に予めダミーパターンを形成し、ＩＤＴ電極４のＲＩＥ加工時に圧電基板１表面がＲＩＥの活性イオンに叩かれなくすることにより、圧電基板１のＩＤＴ電極スペース部における結晶構造乱れの原因を排除するようにしたものである。【選択図】　　　　図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電基板上にＩＤＴ電極を有する弾性表面波装置の製造方法において、ＩＤＴ電極開口部の圧電基板上に、ＩＤＴ電極膜の成膜前にダミーパターンを形成し、ＩＤＴ電極形成後に上記ダミーパターンを除去することを特徴とする弾性表面波装置の製造方法。
【請求項２】
上記ダミーパターンにＳｉＯ２等シリコン系酸化膜を用いることを特徴とする請求項１に記載の弾性表面波装置の製造方法。
【請求項３】
上記ダミーパターンに有機樹脂膜を用いることを特徴とする請求項１に記載の弾性表面波装置の製造方法。
【請求項４】
上記ダミーパターンは感光性樹脂膜であることを特徴とする請求項３に記載の弾性表面波装置の製造方法。
【請求項５】
圧電基板上にＳｉＯ２等シリコン系酸化膜からなるダミーパターン用薄膜を形成する工程、上記ダミーパターン用薄膜上のＩＤＴ電極スペース領域にダミーパターン形成用レジストパターンを形成する工程、上記ダミーパターン形成用レジストパターンによりダミーパターンを形成する工程、上記ダミーパターン用レジストパターンを除去する工程、上記圧電基板及び上記ダミーパターン上にＩＤＴ電極膜を形成する工程、上記ＩＤＴ電極膜上にＩＤＴ電極パターン用レジストパターンを形成する工程、上記ＩＤＴ電極用レジストパターンをマスクとしてＲＩＥ処理を行いＩＤＴ電極パターンを形成する工程、上記ＩＤＴ電極パターン用レジストパターンを除去する工程、及び上記ダミーパターンを除去する工程からなることを特徴とする弾性表面波装置の製造方法。
【請求項６】
圧電基板上に有機系樹脂からなるダミーパターン用薄膜を形成する工程、上記ダミーパターン用薄膜上のＩＤＴ電極スペース領域にダミーパターン形成用レジストパターンを形成する工程、上記ダミーパターン形成用レジストパターンによりダミーパターンを形成する工程、上記ダミーパターン形成用レジストパターンを除去する工程、上記圧電基板及び上記ダミーパターン上にＩＤＴ電極膜を形成する工程、上記ＩＤＴ電極膜上にＩＤＴ電極パターン用レジストパターンを形成する工程、上記ＩＤＴ電極用レジストパターンをマスクとしてＲＩＥ処理を行いＩＤＴ電極パターンを形成する工程、及び上記ＩＤＴ電極パターン用レジストパターン及び上記ダミーパターンを有機溶剤または酸素プラズマ処理等により除去する工程からなることを特徴とする弾性表面波装置の製造方法。
【請求項７】
圧電基板上に感光性樹脂からなるダミーパターン用薄膜を形成する工程、上記ダミーパターン用薄膜上のＩＤＴ電極スペース領域にフォトリソグラフィー技術を用いてダミーパターンを形成する工程、上記圧電基板及び上記ダミーパターン上にＩＤＴ電極膜を形成する工程、上記ＩＤＴ電極膜上にＩＤＴ電極パターン用レジストパターンを形成する工程、上記ＩＤＴ電極用レジストパターンをマスクとしてＲＩＥ処理を行い、ＩＤＴ電極パターンを形成する工程、上記ＩＤＴ電極パターン用レジストパターン及び上記ダミーパターンを除去する工程からなることを特徴とする弾性表面波装置の製造方法。
【請求項８】
上記ダミーパターンは、弾性表面波進行方向の寸法がＩＤＴ電極開口寸法より大きいことを特徴とする請求項１〜請求項７のいずれか一項に記載の弾性表面波装置の製造方法。
【請求項９】
複数の周波数帯に対応するマルチ周波数の弾性表面波装置の製造方法において、対応周波数毎に上記ダミーパターン寸法及びＩＤＴ電極開口寸法を設定することを特徴とする請求項１〜請求項７のいずれか一項に記載の弾性表面波装置の製造方法。
【請求項１０】
圧電基板上にＩＤＴ電極を有する弾性表面波装置において、圧電基板上のＩＤＴ電極の開口部位置にダミーパターンを形成して製造した弾性表面波装置であって、上記ダミーパターンは、弾性表面波の進行方向の寸法がＩＤＴ電極開口寸法より大きいことを特徴とする弾性表面波装置。
【請求項１１】
圧電基板上にＩＤＴ電極を有する弾性表面波装置において、圧電基板上のＩＤＴ電極の開口部位置にダミーパターンを形成して製造した弾性表面波装置であって、一枚の圧電基板上にダミーパターン寸法及び／またはＩＤＴ電極開口寸法が異なる複数の弾性表面波装置を形成したことを特徴とする弾性表面波装置。
【請求項１２】
上記ダミーパターン寸法及び／またはＩＤＴ電極開口寸法が異なる複数の弾性表面波装置は、それぞれ使用周波数帯が異なるマルチ周波数仕様であることを特徴とする請求項１１に記載の弾性表面波装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は移動体通信装置の高周波回路などに用いられる弾性表面波装置及びその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
以下に従来の弾性表面波装置の製造方法について説明する。図９は従来の弾性表面波装置の製造フロー図、図１０は従来の製造フローで作成したＩＤＴ（インターデジタルトランスデューサ）電極形成過程の弾性表面波装置を示す断面側面図である。図９、図１０において、先ず、圧電基板１上にＩＤＴ電極膜２（例えばＡｌ合金）を所望の厚みで成膜する（図９のステップ９１、図１０の（ａａ）参照、以下同様の表記を用いる）。ＩＤＴ電極の膜厚は弾性表面波装置の使用周波数に対応した特定の質量が要求されるため、ＩＤＴ電極膜２は通常厚み制御性に優れ、かつ量産性のよいスパッタ装置を用いて形成する。
【０００３】
次に、ＩＤＴ電極膜２上にＩＤＴ電極パターンのもととなるレジストパターン３を、フォトリソグラフィー技術を用いて形成する（ステップ９２、（ｂｂ））。
【０００４】
さらに、形成したレジストパターン３をマスクとして、微細加工に優れたＲＩＥ（リアクティブ・イオン・エッチング）を用いてＩＤＴ電極膜２のレジストパターン３開口部をエッチング除去する（ステップ９３、（ｃｃ））。
【０００５】
さらに、使用したレジストパターン３を除去してＩＤＴ電極４を形成する（ステップ９４、（ｄｄ））。
【０００６】
その後、基板１上に形成された複数の弾性表面波装置をダイシング等でチップ分割し、各チップをパッケージ等にアセンブリを施し、弾性表面波装置が完成する（ステップ９５，９６）。
【０００７】
ＩＤＴ電極４の加工には微細加工性に優れたＲＩＥを用いているが、ＩＤＴ電極膜２を有する基板１の面内膜厚分布や、ＲＩＥ加工時の基板１の面内エッチングレート分布に対応したプロセスマージンを確保するため、ＲＩＥ加工条件としてジャストエッチング（基板１面内ほぼ全域でＩＤＴ電極膜２が開口する状態）からさらにエッチング時間比で約３０％のＯＥ（Ｏｖｅｒ　Ｅｔｃｈｉｎｇ）を行っていた。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
従来の弾性表面波装置のＩＤＴ電極加工は以上のように行われるため、ＲＩＥ時の活性イオンにＩＤＴ電極開口部の圧電基板表面近傍部５（図１０）が叩かれ、圧電基板の結晶構造に乱れが発生する。その結果弾性表面波装置の重要性能である帯域内損失の劣化が起こっている。
【０００９】
図１１に実際の弾性表面波装置にてＯＥ量を変化させた場合の損失変動データを示す。図１１において、△ＬｏｓｓはＯＥ５％時の値を基準にどれだけ劣化（損失が増加）しているかを示しており、ＯＥ３０％の条件ではＯＥ５％条件に比べ約０．１５ｄＢと小さくはない劣化が発生しており、弾性表面波装置に要求される低損失化の点で大きな問題であった。なお、ＯＥ５％及び１０％の加工条件では、作製した圧電基板全面で特性バラツキが大きく特性不良のチップが発生するため、特性の良好なチップのみのデータを用いている。
【００１０】
この発明は上記のような問題点を解消するためになされたもので、ＲＩＥのＯＥによって損失増加を招かない製造方法及び損失の少ない弾性表面波装置を提供することを目的とするものである。
【００１１】
さらに本発明の弾性表面波装置及びその製造方法は、製造加工精度の向上を図ることを目的とする。
【００１２】
さらにこの発明の弾性表面波装置及びその製造方法により、異種周波数帯対応のマルチ弾性表面波装置を１チップ上に低コストで形成することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
この発明の請求項１に係る弾性表面波装置の製造方法は、圧電基板上にＩＤＴ電極を有するものにおいて、ＩＤＴ電極開口部の圧電基板上に、ＩＤＴ電極膜の成膜前にダミーパターンを形成し、ＩＤＴ電極形成後に上記ダミーパターンを除去することを特徴とするものである。
【００１４】
また、請求項１に記載の弾性表面波装置の製造方法において、上記ダミーパターンにＳｉＯ２等シリコン系酸化膜を用いることを特徴とするものである。
【００１５】
また、請求項１に記載の弾性表面波装置の製造方法において、上記ダミーパターンに有機樹脂膜を用いることを特徴とするものである。
【００１６】
また、請求項３に記載の弾性表面波装置の製造方法において、上記ダミーパターンに感光性樹脂膜を用いることを特徴とするものである。
【００１７】
また、この発明の請求項５に係る弾性表面波装置の製造方法は、圧電基板上にＳｉＯ２等シリコン系酸化膜からなるダミーパターン用薄膜を形成する工程、上記ダミーパターン用薄膜上のＩＤＴ電極スペース領域にダミーパターン形成用レジストパターンを形成する工程、上記ダミーパターン形成用レジストパターンによりダミーパターンを形成する工程、上記ダミーパターン用レジストパターンを除去する工程、上記圧電基板及び上記ダミーパターン上にＩＤＴ電極膜を形成する工程、上記ＩＤＴ電極膜上にＩＤＴ電極パターン用レジストパターンを形成する工程、上記ＩＤＴ電極用レジストパターンをマスクとしてＲＩＥ処理を行いＩＤＴ電極パターンを形成する工程、上記ＩＤＴ電極パターン用レジストパターンを除去する工程、及び上記ダミーパターンを除去する工程からなることを特徴とするものである。
【００１８】
また、この発明の請求項６に係る弾性表面波装置の製造方法は、圧電基板上に有機系樹脂からなるダミーパターン用薄膜を形成する工程、上記ダミーパターン用薄膜上のＩＤＴ電極スペース領域にダミーパターン形成用レジストパターンを形成する工程、上記ダミーパターン形成用レジストパターンによりダミーパターンを形成する工程、上記ダミーパターン形成用レジストパターンを除去する工程、上記圧電基板及び上記ダミーパターン上にＩＤＴ電極膜を形成する工程、上記ＩＤＴ電極膜上にＩＤＴ電極パターン用レジストパターンを形成する工程、上記ＩＤＴ電極用レジストパターンをマスクとしてＲＩＥ処理を行いＩＤＴ電極パターンを形成する工程、及び上記ＩＤＴ電極パターン用レジストパターン及び上記ダミーパターンを有機溶剤または酸素プラズマ処理等により除去する工程からなることを特徴とするものである。
【００１９】
この発明の請求項７に係る弾性表面波装置の製造方法は、圧電基板上に感光性樹脂からなるダミーパターン用薄膜を形成する工程、上記ダミーパターン用薄膜上のＩＤＴ電極スペース領域にフォトリソグラフィー技術を用いてダミーパターンを形成する工程、上記圧電基板及び上記ダミーパターン上にＩＤＴ電極膜を形成する工程、上記ＩＤＴ電極膜上にＩＤＴ電極パターン用レジストパターンを形成する工程、上記ＩＤＴ電極用レジストパターンをマスクとしてＲＩＥ処理を行い、ＩＤＴ電極パターンを形成する工程、上記ＩＤＴ電極パターン用レジストパターン及び上記ダミーパターンを除去する工程からなることを特徴とするものである。
【００２０】
また、請求項１〜請求項７のいずれかに記載の弾性表面波装置の製造方法において、上記ダミーパターンは、その弾性表面波進行方向の寸法がＩＤＴ電極開口寸法より大きいことを特徴とするものである。
【００２１】
また、請求項１〜請求項７のいずれかに記載の弾性表面波装置の製造方法において、複数の周波数帯に対応するマルチ周波数の弾性表面波装置の製造方法において、対応周波数毎に上記ダミーパターン寸法及びＩＤＴ電極開口寸法を設定することを特徴とするものである。
【００２２】
また、この発明の請求項１０に係る弾性表面波装置は、圧電基板上にＩＤＴ電極を有する弾性表面波装置において、圧電基板上のＩＤＴ電極の開口部位置にダミーパターンを形成して製造した弾性表面波装置であって、上記ダミーパターンは、弾性表面波の進行方向の寸法がＩＤＴ電極開口寸法より大きいことを特徴とするものである。
【００２３】
また、この発明の請求項１１に係る弾性表面波装置は、圧電基板上にＩＤＴ電極を有する弾性表面波装置において、圧電基板上のＩＤＴ電極の開口部位置にダミーパターンを形成して製造した弾性表面波装置であって、一枚の圧電基板上にダミーパターン寸法及び／またはＩＤＴ電極開口寸法が異なる複数の弾性表面波装置を形成したことを特徴とするものである。
【００２４】
また、請求項１１に記載の弾性表面波装置において、上記ダミーパターン寸法及び／またはＩＤＴ電極開口寸法が異なる複数の弾性表面波装置は、それぞれ使用周波数帯が異なるマルチ周波数仕様であることを特徴とするものである。
【００２５】
【発明の実施の形態】
実施の形態１．
以下、この発明の実施の形態１を図１、図２について説明する。図１はこの発明の実施の形態１に係る弾性表面波装置の製造フロー図、図２はこの発明の実施の形態１に係る製造フローで作成したＩＤＴ電極形成過程の弾性表面波装置を示す断面側面図である。
【００２６】
図１、図２において、先ず、圧電基板１上にダミーパターン用薄膜６を形成する（図１のステップ１、図２の（ａ）参照、以下同様の表記を用いる）。このダミーパターン用薄膜６の材料は、後の工程で処理するダミーパターン除去の際にＩＤＴ電極材（例えばＡｌ合金）を腐食しない手段があるものでよく、例えばＳｉＯ２等シリコン系酸化膜とし、その膜厚は後記するＩＤＴ電極４形成時の後記ＲＩＥ時にストッパーとなりうる厚さを持つものである。なお、成膜方法としてはＲＦスパッタやＳＯＧ（スピン・オン・グラス）等を用いる。
【００２７】
次にダミーパターン用薄膜６上のＩＤＴ電極４（後で記載）開口部にダミーパターン形成用レジストパターン７を、フォトリソグラフィー技術を用いて形成する（ステップ２、（ｂ））。
【００２８】
次にこのダミーパターン形成用レジストパターン７を用いてダミーパターン８を形成する（ステップ３、（ｃ））。このダミーパターン８の寸法は弾性表面波装置の特性に影響するＩＤＴ電極４（後で記載）の実効寸法を左右するものであり、加工寸法制御性のよいＲＩＥ等を加工手段に用いる。
【００２９】
次に上記ダミーパターン形成用レジストパターン７を有機溶剤や酸素プラズマ処理等を用いて除去する（ステップ４、（ｄ））。
【００３０】
次に圧電基板１上及びダミーパターン８上にＩＤＴ電極膜２（例えばＡｌ合金）を所望の厚さで成膜する（ステップ５、（ｅ））。ＩＤＴ電極の膜厚は弾性表面波装置の使用する周波数に対応した特定の厚さが要求されるため、ＩＤＴ電極膜２の成膜には、通常膜厚制御性に優れかつ量産性のよいスパッタ装置が用いられる。
【００３１】
次にＩＤＴ電極膜２上にＩＤＴ電極パターンのもととなるレジストパターン３を、フォトリソグラフィー技術を用いて形成する（ステップ６、（ｆ））。
【００３２】
次に形成したレジストパターン３をマスクとして、微細加工に優れたＲＩＥを用いてＩＤＴ電極膜２のレジストパターン３開口部をエッチング除去する（ステップ７、（ｇ））。
【００３３】
次に使用したレジストパターン３を有機溶剤や酸素プラズマ処理等を用いて除去する（ステップ８、（ｈ））。
【００３４】
次にダミーパターン８を除去してＩＤＴ電極４を形成する（ステップ９、（ｉ））。このときにＩＤＴ電極４（例えばＡｌ合金）を腐食しないことが必要であり、例えばＣＦ４のプラズマ処理を用いる。
【００３５】
その後、基板１上に形成された複数の弾性表面波装置をダイシング等でチップ分割し、各チップをパッケージ等にアセンブリを施し、弾性表面波装置が完成する（ステップ１０、１１）。
【００３６】
この発明の実施の形態１に係る弾性表面波の製造方法では、ダミーパターン８が、ＩＤＴ電極４加工のＲＩＥ処理時に圧電基板１が直接活性イオンにさらされることを防ぐことができ、その結果、圧電基板１が直接活性イオンにさらされることによる弾性表面波装置の損失増加を起こさない効果を得る。なお、本実施の形態１においてＲＩＥ、ＯＥ条件３０％の加工で形成した弾性表面波装置の帯域内損失特性は、従来方法のＯＥ条件５％のものと同等以下の良好な帯域内損失特性が得られた。
【００３７】
実施の形態２．
以下、この発明の実施の形態２を図３について説明する。図３はこの発明の実施の形態２に係る表面波弾性波装置のＩＤＴ電極形成工程を示す断面側面図であり、図において図２と同一または相当する部分には同一符号を付している。
【００３８】
製造フロー、及び、圧電基板１上及びダミーパターン８上にＩＤＴ電極膜２（例えばＡｌ合金）を成膜する工程は、図２の（ａ）〜（ｅ）と同一なので説明を省略する。
【００３９】
ＩＤＴ電極膜２上にＩＤＴ電極４のパターンのもととなるレジストパターン３を、フォトリソグラフィー技術を用いて形成する（図３の（ｊ）参照、以下同様の表記を用いる）。このレジストパターン３の寸法（Ｌ４）は前述のダミーパターン８のスペース寸法（Ｌ２）より大きくかつダミーパターン８のスペース領域をカバーしている。
【００４０】
次に形成したレジストパターン３をマスクとして、微細加工に優れたＲＩＥを用いてＩＤＴ電極膜２のレジストパターン３開口部をエッチング除去する（ｋ）。
【００４１】
次に使用したレジストパターン３を有機溶剤や酸素プラズマ処理等を用いて除去し、さらにダミーパターン８を除去してＩＤＴ電極４を形成する（ｌ）。このときにＩＤＴ電極４（主にＡｌ合金）を腐食しないことが必要であり、例えばＣＦ４のプラズマ処理を用いる。
【００４２】
その後、基板１上に形成された複数の弾性表面波装置をダイシング等でチップ分割し、各チップをパッケージ等にアセンブリを施し、弾性表面波装置が完成する。
【００４３】
本実施の形態２による弾性表面波装置によれば、以上のように形成されているため、実施の形態１と同様の効果に加え、さらに下記の効果が得られる。
【００４４】
弾性表面波装置の特性を左右するＩＤＴ電極４のスペース実効寸法（ＩＤＴ電極４が圧電基板１に接していない寸法）はダミーパターン８の寸法（Ｌ１）であり、このダミーパターン８を用いた製造方法は、従来形態の製造方法であるＩＤＴ電極４直上の加工の場合に比べフォトリソグラフィー技術及びエッチング加工技術が容易となるため、加工精度が向上し、その結果、高性能な弾性表面波装置を低コストで形成できる効果がある。
【００４５】
さらに、弾性表面波装置の特性を左右するＩＤＴ電極４の実効寸法（ＩＤＴ電極４の圧電基板１に接した寸法：Ｌ２）はダミーパターン８のスペース寸法であり、一方ＩＤＴ電極４のパターン寸法：Ｌ４は、Ｌ２とは独立に設定可能であることから、所望の質量のＩＤＴ電極４を得る場合、従来形態の矩形断面形状ＩＤＴ電極（図１０の４）に比べてその厚みを薄く出来る。したがって、エッチング加工技術が容易となり加工精度が向上する。その結果、高性能な弾性表面波装置を低コストで形成できる効果がある。
【００４６】
実施の形態３．
以下、この発明の実施の形態３を図４について説明する。図４はこの発明の実施の形態３に係る表面波弾性波装置のＩＤＴ電極部４を示す断面側面図であり、図において図２と同一または相当する部分には同一符号を付している。
【００４７】
製造フロー、及びＩＤＴ電極部４を形成する工程は、図２の（ａ）〜（ｅ）、及び図３の（ｊ）〜（ｌ）と同一のため説明を省略する。
【００４８】
実施の形態３によれば、図４に示すように、Ａ及びＢの複数の周波数帯仕様に対応するデュアル周波数弾性表面波装置（Ａ仕様ＩＤＴ、Ｂ仕様ＩＤＴ）において、ＩＤＴ電極４の実効パターン寸法：Ｌ５、Ｌ６及びＬ８、Ｌ９とは独立してＩＤＴ電極４の上部寸法：Ｌ７及びＬ１０を設定可能としている。
【００４９】
以上のように形成されているため、実施の形態１及び実施の形態２と同様の効果に加え、さらに下記の効果が得られる。
【００５０】
実施の形態３によれば、Ａ及びＢの複数の周波数帯仕様に対応するデュアル周波数弾性表面波装置において、ＩＤＴ電極４の実効パターン寸法：Ｌ５、Ｌ６及びＬ８、Ｌ９とは独立してＩＤＴ電極４の上部寸法：Ｌ７及びＬ１０が設定可能となるため、Ａ仕様ＩＤＴ及びＢ仕様ＩＤＴに要求されるＩＤＴ電極質量を任意に設定できる。したがって、Ａ仕様ＩＤＴ電極とＢ仕様ＩＤＴ電極を同一膜厚のＩＤＴ電極膜２で形成することが可能となり、低コストでかつ高性能のデュアル周波数弾性表面波装置を提供する効果が得られる。
【００５１】
また、本実施の形態３ではデュアル周波数弾性表面波装置について説明したが、使用する周波数が３つ以上の周波数帯に対応するマルチ周波数弾性表面波装置においても同様に同一膜厚のＩＤＴ電極膜２で全ＩＤＴ電極４形成することが可能であり、低コストでかつ高性能のマルチ周波数弾性表面波装置を提供する効果が得られる。
【００５２】
実施の形態４．
以下、この発明の実施の形態４を図５、図６について説明する。図５はこの発明の実施の形態４に係る弾性表面波装置の製造方法を示す製造フロー図、図６はこの発明の実施の形態４に係る製造フローで作成したＩＤＴ電極形成過程の弾性表面波装置を示す断面側面図である。図において図１及び図２と同一または相当する部分には同一符号を付している。
【００５３】
圧電基板１上にダミーパターン用薄膜６を形成する（図５のステップ５１、図６の（ｍ）参照、以下同様の表記を用いる）。このダミーパターン用薄膜６の材料は、有機系樹脂を用いる。なお、その膜厚はＩＤＴ電極４（後で記載）形成時のＲＩＥ（後で記載）時にストッパーとなりうる厚さを持つものである。
【００５４】
次にＩＤＴ電極４（後で記載）形成時の開口部にダミーパターン形成用レジストパターン７を、フォトリソグラフィー技術を用いて形成する（ステップ５２、（ｎ））。この時に下地のダミーパターン用薄膜６とのミキシングを防ぐため、予めダミーパターン用薄膜６を難溶化処理するかダミーパターン用薄膜６を溶かさない溶剤のものを用いる。
【００５５】
次にこのダミーパターン形成用レジストパターン７を用いてダミーパターン８を形成する（ステップ５３、（ｏ））。このダミーパターン８の寸法は弾性表面波装置の特性に影響するＩＤＴ電極４（後で記載）の実効寸法を左右するものであり、加工寸法制御性のよいＲＩＥ等を加工手段に用いる。
【００５６】
次に上記ダミーパターン形成用レジストパターン７を、ダミーパターン８を溶かさない有機溶剤等を用いて除去する（ステップ５４、（ｐ））。
【００５７】
次に圧電基板１上及びダミーパターン８上にＩＤＴ電極膜２（例えばＡｌ合金）を所望の厚みで成膜する（ステップ５５、（ｑ））。ＩＤＴ電極の膜厚は弾性表面波装置の使用する周波数に対応した特定の厚みが要求されるため、ＩＤＴ電極膜２の成膜には、通常厚み制御性に優れかつ量産性のよいスパッタ装置が用いられる。
【００５８】
次にＩＤＴ電極膜２上にＩＤＴ電極パターンのもととなるレジストパターン３を、フォトリソグラフィー技術を用いて形成する（ステップ５６、（ｒ））。
【００５９】
次に形成したレジストパターン３をマスクとして、微細加工に優れたＲＩＥを用いてＩＤＴ電極膜２のレジストパターン３開口部をエッチング除去する（ステップ５７、（ｓ））。
【００６０】
次に使用したレジストパターン３及びダミーパターン８を有機溶剤や酸素プラズマ処理等を用いて除去する（ステップ５８、（ｔ））。
【００６１】
その後、基板１上に形成された複数の弾性表面波装置をダイシング等でチップ分割し、各チップをパッケージ等にアセンブリを施し、弾性表面波装置が完成する（ステップ５９、６０）。
【００６２】
この発明の実施の形態４に係る弾性表面波装置の製造方法によれば、実施の形態１と同様の効果に加え、さらに次の効果が得られる。
【００６３】
実施の形態４においてはダミーパターン８の材料に有機系樹脂膜を用いているため、実施の形態１に比べ工程数の削減のみならず高価なＲＦスパッタ装置の処理工程が削減できるため、さらに低コスト化で弾性表面波装置を提供する効果が得られる。
【００６４】
実施の形態５．
以下、この発明の実施の形態５を図７、図８について説明する。図７はこの発明の実施の形態５に係る弾性表面波装置の製造フロー図、図８はこの発明の実施の形態５による製造フローで作成したＩＤＴ電極形成過程の弾性表面波装置を示す断面側面図である。図において図１及び図２と同一または相当する部分には同一符号を付している。
【００６５】
図７、図８において、圧電基板１上にダミーパターン用薄膜６を形成する（図７のステップ７１、図８の（ｕ）参照、以下同様の表記を用いる）。このダミーパターン用薄膜６の材料は、感光性ポリイミド等感光性樹脂を用いる。なお、その膜厚はＩＤＴ電極４（後で記載）形成時のＲＩＥ（後で記載）時にストッパーとなりうる厚さを持つものである。
【００６６】
次にＩＤＴ電極４（後で記載）形成時の開口部にダミーパターン８を、フォトリソグラフィー技術を用いて形成する（ステップ７２、（ｖ））。このダミーパターン８の寸法は弾性表面波装置の特性に影響するＩＤＴ電極４（後で記載）の実効寸法を左右するものである。
【００６７】
次に圧電基板１上及びダミーパターン８上にＩＤＴ電極膜２（例えばＡｌ合金）を所望の厚みで成膜する（ステップ７３、（ｗ））。ＩＤＴ電極の膜厚は弾性表面波装置の使用する周波数に対応した特定の厚みが要求されるため、ＩＤＴ電極膜２の成膜には、通常厚み制御性に優れかつ量産性のよいスパッタ装置が用いられる。
【００６８】
次にＩＤＴ電極膜２上にＩＤＴ電極パターンのもととなるレジストパターン３を、フォトリソグラフィー技術を用いて形成する（ステップ７４、（ｘ））。
【００６９】
次に形成したレジストパターン３をマスクとして、微細加工に優れたＲＩＥを用いてＩＤＴ電極膜２のレジストパターン３開口部をエッチング除去する（ステップ７６、（ｙ））。
【００７０】
次に使用したレジストパターン３及びダミーパターン８を有機溶剤や酸素プラズマ処理等を用いて除去する（ステップ７６、（ｚ））。
【００７１】
その後、基板１上に形成された複数の弾性表面波装置をダイシング等でチップ分割し、各チップをパッケージ等にアセンブリを施し、弾性表面波装置が完成する（ステップ７７、７８）。
【００７２】
この発明の実施の形態５に係る弾性表面波装置の製造方法によれば、実施の形態１及び実施の形態４と同様の効果に加え、さらに次の効果が得られる。
【００７３】
実施の形態５においては、ダミーパターン８の材料に感光性樹脂膜を用いているため、実施の形態１及び実施の形態４に比べ工程数の削減のみならず高価なスパッタ装置やＲＩＥ装置の処理工程が削減できるため、さらに低コスト化で弾性表面波装置を提供する効果が得られる。
【００７４】
【発明の効果】
以上のように、この発明の弾性表面波装置及びその製造方法によれば、圧電基板表面が直接ＲＩＥの活性イオンに叩かれなくなるため、帯域内損失の少ない弾性表面波装置を得ることができる。
【００７５】
また、フォトリソグラフィー技術及びエッチング加工技術が容易となるため、加工精度が向上し、その結果、高性能な弾性表面波装置を低コストで形成できる効果がある。
【００７６】
ダミーパターンの材料に有機系樹脂膜や感光性樹脂膜を用いていることにより工程数の削減のみならず高価なＲＦスパッタ装置の処理工程が削減できるため、さらに低コスト化で弾性表面波装置を提供する効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の実施の形態１に係る弾性表面波装置の製造フロー図である。
【図２】この発明の実施の形態１に係る製造フローで作成したＩＤＴ電極形成過程の弾性表面波装置の断面側面図である。
【図３】この発明の実施の形態２に係る表面波弾性波装置のＩＤＴ電極形成工程を示す断面側面図である。
【図４】この発明の実施の形態３に係る表面波弾性波装置のＩＤＴ電極を示す断面側面図である。
【図５】この発明の実施の形態４に係る弾性表面波装置の製造フロー図である。
【図６】この発明の実施の形態４に係る製造フローで作成したＩＤＴ電極形成過程の弾性表面波装置の断面側面図である。
【図７】この発明の実施の形態５に係る弾性表面波装置の製造フロー図である。
【図８】この発明の実施の形態５に係る製造フローで作成したＩＤＴ電極形成過程の弾性表面波装置の断面側面図である。
【図９】従来の弾性表面波装置の製造フロー図である。
【図１０】従来の製造フローで作成したＩＤＴ電極形成過程の弾性表面波装置の断面側面図である。
【図１１】従来の弾性表面波装置にてＩＤＴ電極形成のＲＩＥ加工にてオーバーエッチング量を変化させた場合の表面弾性波装置の損失変動データである。
【符号の説明】
１　圧電基板、
２　ＩＤＴ電極膜、
３　ＩＤＴ電極形成用レジストパターン、
４　ＩＤＴ電極、
５　圧電基板の結晶構造乱れ領域、
６　ダミーパターン用薄膜、
７　ダミーパターン形成用レジストパターン、
８　ダミーパターン。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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