(57)【要約】【課題】従来の金属系薄膜抵抗体に比べて高比抵抗、低抵抗温度係数で、かつ良好な靭性、延性及び基板密着性を有する薄膜抵抗体及びその形成方法を提供する。【解決手段】電気的に絶縁性を有する基板表面に形成されるＦｅ−Ｖ−Ａｌ系合金膜からなる薄膜抵抗体であって、前記Ｆｅ−Ｖ−Ａｌ系合金が、Ｆｅを主成分としてＶを１０〜１５重量％及びＡｌを１２〜１６重量％含み、かつ前記Ｆｅ−Ｖ−Ａｌ系合金膜の膜厚が０．０５〜５．０μｍである薄膜抵抗体であり、Ｆｅ、Ｖ及びＡｌからなるターゲットを用いて、アルゴン雰囲気中で成膜装置により基板表面に上記合金膜を形成させる方法などによって提供。【選択図】      なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気的に絶縁性を有する基板表面に形成されるＦｅ−Ｖ−Ａｌ系合金膜からなる薄膜抵抗体であって、
前記Ｆｅ−Ｖ−Ａｌ系合金が、Ｆｅを主成分としてＶを１０〜１５重量％及びＡｌを１２〜１６重量％含み、かつ前記Ｆｅ−Ｖ−Ａｌ系合金膜の膜厚が０．０５〜５．０μｍであることを特徴とする薄膜抵抗体。
【請求項２】
抵抗温度係数の−２５℃から１００℃までの平均値が−１００〜１００ｐｐｍ／℃であり、かつ比抵抗が４００μΩｃｍ以上であることを特徴とする請求項１に記載の薄膜抵抗体。
【請求項３】
前記基板がプラスチック基板であることを特徴とする請求項１又は２に記載の薄膜抵抗体。
【請求項４】
薄膜抵抗体の曲げ加工において比抵抗変化が起きないことを特徴とする請求項３に記載の薄膜抵抗体。
【請求項５】
電気的に絶縁性を有する基板表面に、請求項１〜３のいずれかに記載の薄膜抵抗体を形成させる方法であって、
Ｆｅ、Ｖ及びＡｌからなるターゲットを用いて、アルゴン雰囲気中で成膜装置により、基板表面にＦｅを主成分としてＶを１０〜１５重量％及びＡｌを１２〜１６重量％含むＦｅ−Ｖ−Ａｌ系合金膜を０．０５〜５．０μｍの膜厚で形成させることを特徴とする薄膜抵抗体の形成方法。
【請求項６】
前記成膜装置が、スパッタリング、蒸着、イオンプレーティング又は分子線エピタキシャルから選ばれるいずれかであることを特徴とする請求項５に記載の薄膜抵抗体の形成方法。
【請求項７】
前記成膜装置が、スパッタリング装置であることを特徴とする請求項６に記載の薄膜抵抗体の形成方法。
【請求項８】
前記基板がプラスチック基板であることを特徴とする請求項７に記載の薄膜抵抗体の形成方法。
【請求項９】
前記基板の温度を３００℃以下に保持することを特徴とする請求項５〜８のいずれか１項に記載の薄膜抵抗体の形成方法。
【請求項１０】
前記ターゲットの各成分の組成割合が、Ｆｅを主成分としてＶを１０〜１５重量％及びＡｌを１２〜１６重量％含むことを特徴とする請求項５〜９のいずれか１項に記載の薄膜抵抗体の形成方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、薄膜抵抗体及びその形成方法に関し、さらに詳しくは、従来の金属系薄膜抵抗体に比べて高比抵抗、低抵抗温度係数で、かつ良好な靭性、延性及び基板密着性を有する薄膜抵抗体及びその形成方法に関する。本発明の薄膜抵抗体は、小型電子部品の高抵抗素子として利用され、特にフレキシブルなプラスチック基板に好適に用いられる。
【０００２】
【従来の技術】
従来、電気的に絶縁性を有する基板表面に形成される薄膜抵抗体としては、Ｎｉ−Ｃｒ系、Ｆｅ−Ｃｒ−Ａｌ系合金その他の金属系、クロムシリサイド（Ｃｒ−Ｓｉ金属間化合物）その他の金属間化合物系、酸化物、窒化物その他の導電性セラミックス系などが、用途によってその比抵抗に応じて使い分けられてきた。ここで、前記金属系は一般には比抵抗が低いが、この中で、Ｎｉ−Ｃｒ系、Ｆｅ−Ｃｒ−Ａｌ系合金などは、比抵抗が５０〜１５０μΩｃｍであり比較的高いため、薄膜抵抗体として多用されている。例えば、Ｎｉ−４０重量％Ｃｒ合金の薄膜抵抗体の比抵抗は１２５μΩｃｍである。一方、前記セラミックス系や金属間化合物系を用いた薄膜抵抗体は、前記金属系に比べてはるかに比抵抗が高いので高抵抗体が得られる。しかしながら、セラミックス系や金属間化合物系は金属系と異なり脆性的であるので、上記基板としてアルミナ等のセラミック基板を使用する場合には用いられるが、ポリイミド樹脂等のフレキシブル性を有するプラスチック基板（以下、プラスチック基板と呼称することがある。）への適用は難しかった。
【０００３】
また、薄膜抵抗体として、上記抵抗素子の通常の実用温度範囲、例えば−２５〜１５０℃で、抵抗の温度変化即ち抵抗温度係数（ＴＣＲ）が小さく高精度な材料が望まれていた。ここで、上記金属系は、一般に正のＴＣＲを持つ。例えば、Ｎｉ−４０重量％Ｃｒ合金の薄膜抵抗体のＴＣＲは−２５℃から１００℃までの平均値が８４．２ｐｐｍ／℃である。一方、セラミックス系では組成によりＴＣＲが変化するが、高抵抗のものでは負のＴＣＲを持つものも多い。
【０００４】
この解決策として、これまで種々の薄膜抵抗体又は材料が提案されており、代表的なものとしては、以下のようなものが挙げられる。
（１）低ＴＣＲを有する、特定組成のＮｉ−Ｃｒ−Ａｌ−Ｓｉ系で構成された金属系薄膜抵抗体（例えば、特許文献１参照）、
（２）高温で比抵抗変化が小さく熱的安定性の高い、クロムシリサイド組成のものにＡｌを含有させて得られる薄膜抵抗体（例えば、特許文献２参照）、
（３）室温で数千μΩｃｍの高比抵抗を有するが大きな負のＴＣＲを持つ、Ｆｅを主成分としてＶを２６．９重量％及びＡｌを１４．２重量％含む脆性的な金属間化合物（Ｆｅ２ＶＡｌ）材料（例えば、非特許文献１参照）、
（４）低ＴＣＲを有するが室温の比抵抗が２００μΩｃｍ程度である、Ｆｅを主成分としてＶを７．９重量％及びＡｌを１４．１重量％含む脆性的な金属間化合物（Ｆｅ２．７Ｖ０．３Ａｌ）材料（例えば、非特許文献２参照）。
【０００５】
これらの提案は、熱的安定性の高い薄膜抵抗体として抵抗素子に貢献しているが、比抵抗、抵抗温度係数及び機械的材料特性においてそれぞれ課題があり、小型電子部品の高抵抗素子として満足できるものではない。
以上の状況から、抵抗素子の小型化及び薄膜化のため、セラミックス系や金属間化合物系に見られる高い比抵抗と金属系に見られる低い抵抗温度係数を実現し、さらにフレキシブルなプラスチック基板に好適に用いられる靭性、延性及び基板密着性等の機械的材料特性を有する薄膜抵抗体が求められている。
なお、本明細書で用いる曲げ加工は、薄膜抵抗体を形成した基板の９０度曲げ試験を表す。
【０００６】
【特許文献１】
特許第２５４２５０４号（第１頁）
【特許文献２】
特開平５−６８０２号公報（第１頁、第２頁）
【非特許文献１】
フィジカル  レビュー  レターズ（Ｐｈｙｓｉｃａｌ  ＲｅｖｉｅｗＬｅｔｔｅｒｓ），第７９巻，１９９７年，ｐ．１９０９
【非特許文献２】
ジャーナル  オブ  フィジクス：  コンデンスト  マター（Ｊ．  ｏｆ  Ｐｈｙｓｉｃｓ：  Ｃｏｎｄｅｎｓｅｄ  Ｍａｔｔｅｒ），第１２巻，２０００年，ｐ．１７６９−１７７９
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、上記の従来技術の問題点に鑑み、従来の金属系薄膜抵抗体に比べて高比抵抗、低抵抗温度係数で、かつ良好な靭性、延性及び基板密着性を有する薄膜抵抗体及びその形成方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、上記目的を達成するために、薄膜抵抗体において、材料組成及びその形成方法について、鋭意研究を重ねた結果、特定の組成及び膜厚のＦｅ−Ｖ−Ａｌ系合金の薄膜を形成したところ、高比抵抗、低抵抗温度係数でかつ良好な靭性、延性及び基板密着性を有する薄膜抵抗体が得られることを見出し、本発明を完成した。
【０００９】
すなわち、本発明の第１の発明によれば、電気的に絶縁性を有する基板表面に形成されるＦｅ−Ｖ−Ａｌ系合金膜からなる薄膜抵抗体であって、
前記Ｆｅ−Ｖ−Ａｌ系合金が、Ｆｅを主成分としてＶを１０〜１５重量％及びＡｌを１２〜１６重量％含み、かつＦｅ−Ｖ−Ａｌ系合金膜の膜厚が０．０５〜５．０μｍであることを特徴とする薄膜抵抗体が提供される。
【００１０】
また、本発明の第２の発明によれば、第１の発明において、抵抗温度係数の−２５℃から１００℃までの平均値が−１００〜１００ｐｐｍ／℃であり、かつ比抵抗が４００μΩｃｍ以上であることを特徴とする薄膜抵抗体が提供される。
【００１１】
また、本発明の第３の発明によれば、第１又は２の発明において、前記基板がプラスチック基板であることを特徴とする薄膜抵抗体が提供される。
【００１２】
また、本発明の第４の発明によれば、第３の発明において、薄膜抵抗体の曲げ加工において比抵抗変化が起きないことを特徴とする薄膜抵抗体が提供される。
【００１３】
また、本発明の第５の発明によれば、電気的に絶縁性を有する基板表面に、第１〜３のいずれかの発明の薄膜抵抗体を形成させる方法であって、
Ｆｅ、Ｖ及びＡｌからなるターゲットを用いて、アルゴン雰囲気中で成膜装置により、基板表面にＦｅを主成分としてＶを１０〜１５重量％及びＡｌを１２〜１６重量％含むＦｅ−Ｖ−Ａｌ系合金膜を０．０５〜５．０μｍの膜厚で形成させることを特徴とする薄膜抵抗体の形成方法が提供される。
【００１４】
また、本発明の第６の発明によれば、第５の発明において、前記成膜装置が、スパッタリング、蒸着、イオンプレーティング又は分子線エピタキシャルから選ばれるいずれかであることを特徴とする薄膜抵抗体の形成方法が提供される。
【００１５】
また、本発明の第７の発明によれば、第６の発明において、前記成膜装置が、スパッタリング装置であることを特徴とする薄膜抵抗体の形成方法が提供される。
【００１６】
また、本発明の第８の発明によれば、第７の発明において、前記基板がプラスチック基板であることを特徴とする薄膜抵抗体の形成方法が提供される。
【００１７】
また、本発明の第９の発明によれば、第５〜８いずれかの発明において、前記基板の温度を３００℃以下に保持することを特徴とする薄膜抵抗体の形成方法が提供される。
【００１８】
また、本発明の第１０の発明によれば、第５〜９いずれかの発明において、前記ターゲットの各成分の組成割合が、Ｆｅを主成分としてＶを１０〜１５重量％及びＡｌを１２〜１６重量％含むことを特徴とする薄膜抵抗体の形成方法が提供される。
【００１９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明のＦｅ−Ｖ−Ａｌ系薄膜抵抗体及びその形成方法を詳細に説明する。
本発明のＦｅ−Ｖ−Ａｌ系薄膜抵抗体は、電気的に絶縁性を有する基板表面に形成されるＦｅ−Ｖ−Ａｌ系合金膜からなる薄膜抵抗体であって、前記Ｆｅ−Ｖ−Ａｌ系合金が、Ｆｅを主成分としてＶを１０〜１５重量％及びＡｌを１２〜１６重量％含み、かつ前記Ｆｅ−Ｖ−Ａｌ系合金膜の膜厚が０．０５〜５．０μｍであることを特徴とする薄膜抵抗体であり、その好ましい形成方法は、Ｆｅ、Ｖ及びＡｌからなるターゲットを用いて、アルゴン雰囲気中で成膜装置により基板表面に所定組成の合金膜を所定膜厚で形成させるものである。
【００２０】
１．Ｆｅ−Ｖ−Ａｌ系薄膜抵抗体
本発明の薄膜抵抗体において、Ｆｅ−Ｖ−Ａｌ系合金膜がＦｅを主成分としてＶを１０〜１５重量％及びＡｌを１２〜１６重量％含む組成であり、かつその膜厚が０．０５〜５．０μｍであることが重要な意義を持つ。これによって、セラミックス系や金属間化合物系に見られる高い比抵抗と金属系に見られる低い抵抗温度係数を実現する一方、プラスチック基板に好適に用いられる靭性、延性及び基板密着性等の機械的材料特性が得られる。
【００２１】
さらに、薄膜抵抗体が上記組成の合金膜が基板表面に所定の膜厚で形成されたものであることが重要である。すなわち、上記組成のＦｅ−Ｖ−Ａｌ系合金は、従来バルク材では金属間化合物系の脆性的な材料特性であると報告されているが、所定の膜厚の薄膜が形成されることによって優れた靭性、延性及び基板密着性等の機械的材料特性を備える膜組織となる。これによって、前記薄膜抵抗体の曲げ加工による比抵抗変化が起きない。
【００２２】
本発明のＦｅ−Ｖ−Ａｌ系薄膜抵抗体の組成は、Ｆｅを主成分としてＶを１０〜１５重量％及びＡｌを１２〜１６重量％含む。すなわち、Ｖを１０〜１５重量％かつＡｌを１２〜１６重量％とすることで、抵抗温度係数（ＴＣＲ）の−２５℃から１００℃までの平均値が−１００〜１００ｐｐｍ／℃が得られる。これによって、従来のＮｉ−Ｃｒ系薄膜抵抗体等と同等以上に抵抗値の温度変化を小さくすることができる。例えば、Ｖが１０重量％未満又はＡｌが１２重量％未満では、ＴＣＲは＋１５０ｐｐｍ／℃となり、一方Ｖが１５重量％を超えるか又はＡｌが１６重量％を超えると、ＴＣＲは−１５０ｐｐｍ／℃となり、いずれも抵抗値の温度変化がＮｉ−Ｃｒ系薄膜抵抗体よりも大きくなる。本発明のＦｅ−Ｖ−Ａｌ系薄膜抵抗体の抵抗温度係数（ＴＣＲ）は、特に限定されるものではなく、−２５℃から１００℃までの平均値が−１００〜１００ｐｐｍ／℃である。
【００２３】
上記の膜厚は、０．０５〜５．０μｍである。この膜厚において、薄膜抵抗体の比抵抗は、従来の金属系薄膜抵抗体に比べて非常に高い、４００μΩｃｍ以上、例えば４００〜８００μΩｃｍを示す。すなわち、膜厚が０．０５μｍ未満では、均一な膜組織が得られにくく、前記薄膜抵抗体の比抵抗にばらつきを生じる。一方、膜厚が５μｍを越えると、脆性的な材料特性を示し、曲げ加工で剥離、クラック等の物理的破損が起きたり、比抵抗変化が起り安定性が失われるため抵抗体素子として機能しない。本発明のＦｅ−Ｖ−Ａｌ系薄膜抵抗体の比抵抗は、特に限定されるものではなく、４００μΩｃｍ以上、好ましくは４００〜８００μΩｃｍである。
【００２４】
上記薄膜抵抗体が形成される基板は、特に限定されるものではなく、電気的に絶縁性を有する基板又は電気的に絶縁性を有する表面性状の基板、例えば、ガラス、セラミックス、プラスチック等の絶縁性を有する基板又は絶縁性を有する酸化膜を形成したシリコン等の半導体基板が用いられるが、この中で、特に小型化及び薄膜化に対応する場合にはフレキシブルなプラスチック基板が好ましい。
【００２５】
ここで、プラスチック基板としては、特に限定されるものではなく、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリエーテルケトン、ポリエーテルイミド、ポリフェニレンスルフィド、ポリアリレート、ポリアミド、ポリイミドなどの耐熱性を有するフィルムが用いられるが、この中でも、特に耐熱性にすぐれ、また機械的、電気的および化学的特性において他のプラスチック材料に比べ遜色のないポリイミドフィルムが好ましい。本発明に用いるポリイミドフィルムは、カプトン、アピカル、ユーピレックスなどの商品名の市販のポリイミドフィルムで良い。
【００２６】
２．薄膜抵抗体の形成方法
本発明の薄膜抵抗体の形成方法は、電気的に絶縁性を有する基板表面に上記薄膜抵抗体を形成させる方法であって、Ｆｅ、Ｖ及びＡｌからなるターゲットを用いて、アルゴン雰囲気中で成膜装置により、基板表面にＦｅを主成分としてＶを１０〜１５重量％及びＡｌを１２〜１６重量％含むＦｅ−Ｖ−Ａｌ系合金膜を０．０５〜５．０μｍの膜厚で形成する方法である。この方法によって、高比抵抗、低抵抗温度係数でかつ良好な靭性、延性及び基板密着性を有する上記本発明の薄膜抵抗体が得られる。
【００２７】
本発明の方法において用いる成膜装置は、特に限定されるものではなく、アルゴン雰囲気中でスパッタリング、蒸着、イオンプレーティング又は分子線エピタキシャルから選ばれるいずれかの成膜装置を用いるが好ましく、スパッタリング装置がさらに好ましい。特にプラスチック基板の場合には基板への密着性と膜厚制御の安定性の観点から、スパッタリング装置によるスパッタリング法が好ましい。このスパッタリング法において、直流スパッタ、高周波スパッタ、イオンビームスパッタ、マグネトロンスパッタ等が用いられる。
【００２８】
上記の方法で用いるＦｅ、Ｖ及びＡｌからなるターゲットは、特に限定されるものではなく、各成分の組成割合が、Ｆｅを主成分としてＶを１０〜１５重量％及びＡｌを１２〜１６重量％含むターゲットが好ましい。例えば、スパッタリングターゲットとしては、前記組成割合で溶解したバルク材をアルゴン雰囲気中で均質化処理して得たもの、また、各成分粉末及び／又は母合金粉末を所定組成に配合した混合物、あるいは合金粉末をホットプレス法又は焼結法により得たものがさらに好ましい。すなわち、バルク材は非常に脆いので、ターゲット作製において上記の処方が有効である。
【００２９】
上記の方法において、基板を保持する温度は、特に限定されるものではなく、室温以上３００℃以下が好ましく、１５０〜３００℃がさらに好ましい。すなわち、基板の温度が３００℃を越えると、得られる薄膜抵抗体が脆性的な材料特性を示し、特にフレキシブル性を望むプラスチック基板の場合には剥離が発生しやすい。
【００３０】
以上、本発明のＦｅ−Ｖ−Ａｌ系薄膜抵抗体は、その比抵抗が従来の金属系薄膜抵抗体に比べて非常に高い４００μΩｃｍ以上で、その抵抗温度係数（ＴＣＲ）の−２５℃から１００℃までの平均値が−１００〜１００ｐｐｍ／℃であるという優れた抵抗特性を示す一方、フレキシブルなプラスチック基板にも好適に用いられる靭性、延性及び基板密着性等の機械的材料特性を備えている。また、本発明の薄膜抵抗体の形成方法によって、上記Ｆｅ−Ｖ−Ａｌ系薄膜抵抗体が効率的に得られる。
【００３１】
【実施例】
以下に、本発明の実施例および比較例によって本発明をさらに詳細に説明するが、本発明は、これらの実施例によってなんら限定されるものではない。なお、実施例および比較例で用いたターゲットと薄膜の金属分析、薄膜の膜厚、比抵抗、ＴＣＲ及び曲げ加工の評価方法は、以下の通りである。
（１）金属の分析：ＩＣＰ発光分析法で行った。
（２）膜厚の測定：表面粗さ計で行った。
（３）比抵抗の測定：四端子法で膜抵抗を測定し膜厚の測定値を用いて求めた。
（４）ＴＣＲの測定：恒温槽を用いて−２５℃から１００℃まで昇温しながら、抵抗値変化を測定して求めた。
（５）曲げ加工の評価：薄膜が形成されたポリイミド基板を用いて、９０度（角度）曲げを行い、実体顕微鏡で剥離の有無を観察した。また、曲げ加工後の比抵抗を再測定してその変化の有無を評価した。
【００３２】
また、実施例及び比較例で用いたターゲットの作製方法は、以下の通りである。
［ターゲットの作製方法］
原料として、純度９９．９％以上のバナジウム、アルミニウム及び電解鉄を用いて、所定の組成になるように秤量した。その混合物１ｋｇをアルゴン雰囲気中でプラズマ溶解した。各溶解で得られた試料を、アルゴン雰囲気中で均質化処理した。この均質化処理は８５０℃で６時間保持する条件で行った。その後、ワイヤカットで直径６０ｍｍ及び厚み５ｍｍの円板に切り出し、さらに上下面を研削して、スパッタリングターゲットを得た。
また、実施例及び比較例で用いたターゲットの組成分析値を、表１に示す。
【００３３】
【表１】
2004327514.tif 000002
【００３４】
（実施例１）
成膜装置として直流スパッタリング装置（日本真空技術製、ＳＢＨ−２２６０Ｄ）を使用して、ターゲットＡを用い、０．１〜０．２Ｐａのアルゴン雰囲気下、スパッタリング電流１Ａの条件で、基板温度を２５０℃に制御されたガラス基板又はポリイミド基板表面に膜厚０．５μｍの薄膜抵抗体を形成した。その後、薄膜抵抗体を形成した基板の薄膜の金属分析、薄膜の膜厚、比抵抗、ＴＣＲ及び曲げ加工の評価を行った。薄膜の金属分析は、用いたターゲットと実質的に同じ結果を示した。薄膜の評価結果を、表２に示す。
【００３５】
（実施例２）
ターゲットＢを用いた以外は、実施例１と同様に行い、薄膜抵抗体を形成した。その後、薄膜抵抗体を形成した基板の薄膜の金属分析、薄膜の膜厚、比抵抗、ＴＣＲ及び曲げ加工の評価を行った。薄膜の金属分析は、用いたターゲットと実質的に同じ結果を示した。薄膜の評価結果を、表２に示す。
【００３６】
（実施例３）
膜厚を０．０５μｍとした以外は、実施例１と同様に行い、薄膜抵抗体を形成した。その後、薄膜抵抗体を形成した基板の薄膜の金属分析、薄膜の膜厚、比抵抗、ＴＣＲ及び曲げ加工の評価を行った。薄膜の金属分析は、用いたターゲットと実質的に同じ結果を示した。薄膜の評価結果を、表２に示す。
【００３７】
（実施例４）
膜厚を３．０μｍとした以外は、実施例１と同様に行い、薄膜抵抗体を形成した。その後、薄膜抵抗体を形成した基板の薄膜の金属分析、薄膜の膜厚、比抵抗、ＴＣＲ及び曲げ加工の評価を行った。薄膜の金属分析は、用いたターゲットと実質的に同じ結果を示した。薄膜の評価結果を、表２に示す。
【００３８】
（実施例５）
膜厚を０．１μｍとした以外は、実施例２と同様に行い、薄膜抵抗体を形成した。その後、薄膜抵抗体を形成した基板の薄膜の金属分析、薄膜の膜厚、比抵抗、ＴＣＲ及び曲げ加工の評価を行った。薄膜の金属分析は、用いたターゲットと実質的に同じ結果を示した。薄膜の評価結果を、表２に示す。
【００３９】
（実施例６）
膜厚を３．０μｍとした以外は、実施例２と同様に行い、薄膜抵抗体を形成した。その後、薄膜抵抗体を形成した基板の薄膜の金属分析、薄膜の膜厚、比抵抗、ＴＣＲ及び曲げ加工の評価を行った。薄膜の金属分析は、用いたターゲットと実質的に同じ結果を示した。薄膜の評価結果を、表２に示す。
【００４０】
（実施例７）
基板温度を２００℃、膜厚を０．１２μｍとした以外は、実施例１と同様に行い、薄膜抵抗体を形成した。その後、薄膜抵抗体を形成した基板の薄膜の金属分析、薄膜の膜厚、比抵抗、ＴＣＲ及び曲げ加工の評価を行った。薄膜の金属分析は、用いたターゲットと実質的に同じ結果を示した。薄膜の評価結果を、表２に示す。
【００４１】
（実施例８）
基板温度を２００℃、膜厚を０．１２μｍとした以外は、実施例２と同様に行い、薄膜抵抗体を形成した。その後、薄膜抵抗体を形成した基板の薄膜の金属分析、薄膜の膜厚、比抵抗、ＴＣＲ及び曲げ加工の評価を行った。薄膜の金属分析は、用いたターゲットと実質的に同じ結果を示した。薄膜の評価結果を、表２に示す。
【００４２】
（実施例９）
膜厚を０．１２μｍとした以外は、実施例２と同様に行い、薄膜抵抗体を形成した。その後、薄膜抵抗体を形成した基板の薄膜の金属分析、薄膜の膜厚、比抵抗、ＴＣＲ及び曲げ加工の評価を行った。薄膜の金属分析は、用いたターゲットと実質的に同じ結果を示した。薄膜の評価結果を、表２に示す。
【００４３】
（比較例１）
ターゲットＣを用いた以外は、実施例１と同様に行い、薄膜抵抗体を形成した。その後、薄膜抵抗体を形成した基板の薄膜の金属分析、薄膜の膜厚、比抵抗、ＴＣＲ及び曲げ加工の評価を行った。薄膜の金属分析は、用いたターゲットと実質的に同じ結果を示した。薄膜の評価結果を、表２に示す。
【００４４】
（比較例２）
ターゲットＤを用いた以外は、実施例１と同様に行い、薄膜抵抗体を形成した。その後、薄膜抵抗体を形成した基板の薄膜の金属分析、薄膜の膜厚、比抵抗、ＴＣＲ及び曲げ加工の評価を行った。薄膜の金属分析は、用いたターゲットと実質的に同じ結果を示した。薄膜の評価結果を、表２に示す。
【００４５】
（比較例３）
膜厚を０．０１μｍとした以外は、実施例１と同様に行い、薄膜抵抗体を形成した。その後、薄膜抵抗体を形成した基板の薄膜の金属分析、薄膜の膜厚、比抵抗、ＴＣＲ及び曲げ加工の評価を行った。薄膜の金属分析は、用いたターゲットと実質的に同じ結果を示した。薄膜の評価結果を、表２に示す。
【００４６】
（比較例４）
膜厚を１０μｍとした以外は、実施例１と同様に行い、薄膜抵抗体を形成した。その後、薄膜抵抗体を形成した基板の薄膜の金属分析、薄膜の膜厚、比抵抗、ＴＣＲ及び曲げ加工の評価を行った。薄膜の金属分析は、用いたターゲットと実質的に同じ結果を示した。薄膜の評価結果を、表２に示す。
【００４７】
（比較例５）
膜厚を１１μｍとした以外は、実施例２と同様に行い、薄膜抵抗体を形成した。その後、薄膜抵抗体を形成した基板の薄膜の金属分析、薄膜の膜厚、比抵抗、ＴＣＲ及び曲げ加工の評価を行った。薄膜の金属分析は、用いたターゲットと実質的に同じ結果を示した。薄膜の評価結果を、表２に示す。
【００４８】
【表２】
2004327514.tif 000003
【００４９】
表２から明らかなように、実施例１〜９では、形成された薄膜がＦｅを主成分としてＶを１０〜１５重量％及びＡｌを１２〜１６重量％含む組成のＦｅ−Ｖ−Ａｌ系合金膜で、かつその膜厚が０．０５〜５．０μｍであるとき、４００μΩｃｍ以上の比抵抗、及び−２５℃から１００℃までの平均値で−１００〜１００ｐｐｍ／℃の抵抗温度係数を有し、かつ曲げ加工での異常のない薄膜抵抗体であることが分かる。これに対して、比較例１〜５では、薄膜抵抗体の組成又は膜厚がこれらの条件に合わないため、比抵抗、抵抗温度係数、曲げ加工のいずれかに満足すべき結果が得られないことが分かる。
【００５０】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明のＦｅ−Ｖ−Ａｌ系薄膜抵抗体及びその形成方法は、従来の金属系薄膜抵抗体に比べて高比抵抗、低抵抗温度係数で、かつ良好な靭性、延性及び基板密着性を有する薄膜抵抗体及びその形成方法であり、その工業的価値は極めて大きい。