(57)【要約】【課題】　反射透過両用型の液晶表示装置の画素部分における透明電極と反射電極との電食反応を防止することにより製造歩留まりを容易に向上させる。【解決手段】　反射透過両用型の液晶表示装置において、反射部と透過部とをそれぞれ電極材料により構成し、これらの電極材料を互いの境界領域において層間膜を介して一部または全部を重畳して形成する。【選択図】　図１
2004126612.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
　液晶層を挟んで互いに対向して配置される一対の基板のうちの一方側の基板上に、外光を反射する反射部と背面光源からの光を透過する透過部とを１画素内に構成する画素電極が形成されてなる液晶表示装置において、
　前記反射部と透過部とはそれぞれ電極材料により構成されてなり、これらの電極材料は互いの境界領域において層間膜を介して一部または全部を重畳して形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
　液晶層を挟んで互いに対向して配置される一対の基板のうちの一方側の基板上に、外光を反射する反射部と背面光源からの光を透過する透過部とを１画素内に構成する画素電極が形成されてなる液晶表示装置の製造方法において、
　前記少なくとも透過部を構成する領域を含む一方側の基板上に、透明電極材料をパターニングして形成する工程と、
　前記少なくとも反射部を構成する領域を含む前記透明電極上に、層間膜をパターニングして形成する工程と、
　前記層間膜上の反射部を構成する領域に、反射電極材料をパターニングして形成する工程と、
を有することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
　本発明は、ワードプロセッサやパーソナルコンピューターなどのＯＡ機器や、電子手帳などの携帯情報機器、あるいは液晶モニターを備えたカメラ一体型ＶＴＲなどに用いられる液晶表示装置およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
　近年、液晶表示装置は、薄型で低消費電力であるという特徴を生かして、ワードプロセッサやパーソナルコンピュータ、テレビ、ビデオカメラ、スチルカメラ、車載モニター、携帯ＯＡ機器、携帯ゲーム機などに広く用いられている。
【０００３】
　このような液晶表示装置には、画素電極にＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｔｉｎ　Ｏｘｉｄｅ）などの透明電極を用いた透過型の液晶表示装置と、画素電極に金属などの反射電極を用いた反射型の液晶表示装置とがある。
【０００４】
　本来、液晶表示装置はＣＲＴ（ブラウン管）やＥＬ（エレクトロルミネッセンス）などとは異なり、自ら発光する自発光型の表示装置ではないため、透過型の液晶表示装置の場合には、液晶表示装置の背後に蛍光管などの照明装置、所謂バックライトを配置して、そこから入射される光によって表示を行っている。また、反射型の液晶表示装置の場合には、外部からの入射光を反射電極によって反射させることによって表示を行っている。
【０００５】
　ここで、透過型の液晶表示装置の場合は、上述のようにバックライトを用いて表示を行うために、周囲の明るさにさほど影響されることなく、明るくて高コントラストを有する表示を行うことができるという利点を有しているものの、通常バックライトは液晶表示装置の全消費電力のうち５０％以上を消費することから、消費電力が大きくなってしまうという問題も有している。
【０００６】
　また、反射型の液晶表示装置の場合は、上述のようにバックライトを使用しないために、消費電力を極めて小さくすることができるという利点を有しているものの、周囲の明るさなどの使用環境あるいは使用条件によって表示の明るさやコントラストが左右されてしまうという問題も有している。
【０００７】
　このように、反射型の液晶表示装置においては、周囲の明るさなどの使用環境、特に外光が暗い場合には視認性が極端に低下するという欠点を有しており、また、一方の透過型の液晶表示装置においても、これとは逆に外光が非常に明るい場合、例えば晴天下などでの視認性が低下してしまうというような問題を有していた。
【０００８】
　こうした問題点を解決するための手段として、反射型と透過型との両方の機能を合わせ持った液晶表示装置が、例えば特願平９−２０１１７６号などにより提案されている。この特許出願により提案された液晶表示装置は、１つの表示画素に外光を反射する反射部とバックライトからの光を透過する透過部とを作り込むことにより、周囲が真っ暗の場合には、バックライトからの透過部を透過する光を利用して表示を行なう透過型液晶表示装置として、また、外光が暗い場合には、バックライトからの透過部を透過する光と光反射率の比較的高い膜により形成した反射部により反射する光との両方を利用して表示を行う両用型液晶表示装置として、さらに、外光が明るい場合には、光反射率の比較的高い膜により形成した反射部により反射する光を利用して表示を行う反射型液晶表示装置として用いることができるというような構成の反射透過両用型の液晶表示装置である。
【０００９】
　このような構成の液晶表示装置は、外光の明るさに関わらず、常に視認性が優れた液晶表示装置の提供を可能にしたものであるが、透過型と反射型との両方で明るく色純度の高いカラー表示を実現するためには、あらゆる角度からの入射光に対し、表示画面に垂直な方向へ散乱する光の強度を増加させる必要がある。そのためには、最適な反射特性を有する反射板を作製することが必要であり、ガラスなどからなる基板の表面に、最適な反射特性を有するために制御された凹凸を形成し、その上に、金属膜などからなる薄膜を形成した反射板を形成する必要がある。
【００１０】
　実施されている方法としては、例えば、基板上に感光性樹脂を塗布し、円形の遮光領域が配列された遮光手段を介して感光性樹脂を露光および現像した後に熱処理を行うことにより、複数の凸部を形成する。そして、この凸部の上に凸部の形状に沿って絶縁体保護膜を形成し、その絶縁体保護膜上に金属薄膜からなる反射板を形成する方法である。
【００１１】
　また、反射板を基板の外側（液晶層とは反対側）に形成することで問題となるガラス厚みの影響による二重映りの発生は、反射板を基板の内部に形成して画素電極と兼ねる構造、つまり反射電極とすることで解決している。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
　上述したような従来の反射光を利用して表示を行う液晶表示装置においては、反射電極としては反射率が高い材料で構成することが好ましいのは勿論であり、その意味からはＡｇが最適であるが、ＡｇはＳｉ層への拡散率が高い材料であるため、下地への拡散および反応の問題が大きい。
【００１３】
　これに対して、Ａｌは下地への拡散および反応の可能性が小さく、また、集積回路におけるメタライゼーションに広く用いられ、エッチング条件などの特性も良いことから反射電極にはＡｌが用いられることが多い。そして、この様なＡｌによる反射電極膜をエッチングして反射電極を形成する場合には、硝酸＋酢酸＋リン酸＋水からなるエッチング液をエッチャントとするウェットエッチング法が適用されている。
【００１４】
　また、上述した従来の技術における透明な電極部分などにはＩＴＯが多く用いられており、このときのフォトリソグラフィー技術で使用されるフォトレジスト（レジスト）を除去するためには、アミン系の剥離液が使用されている。
【００１５】
　ここで、上述したような反射透過両用型の液晶表示装置における透明電極と反射電極との境界領域について、図面を用いて簡単に説明する。図９および図１０は、従来の液晶表示装置の画素部分における透明電極と反射電極との境界領域を示した断面図である。
【００１６】
　この従来の液晶表示装置の画素部分における透明電極と反射電極との境界領域は、図９に示すように、基板１上に形成された透明電極であるＩＴＯ２と反射電極であるＡｌ４とが電気的に接触した状態となっているか、または、図１０に示すように、透明電極であるＩＴＯ２と反射電極であるＡｌ４とがさらに他の金属膜５（例えば、Ｍｏ：モリブデンなど）を介して電気的に接触した状態となっているのが一般的である。
【００１７】
　しかしながら、上述したようにＩＴＯとＡｌとが電気的に接続してしまうと、以下に示すような問題が生じてしまうことが分かった。
【００１８】
　それは、反射電極を形成する際のレジストを除去するためのアミン系剥離液→水洗という処理工程の水洗工程において、ＩＴＯとＡｌとの間に生じる電食反応である。この電食反応は、剥離槽において基板に付着したアミン系の剥離液が、水洗槽で水と混ざることによってアルカリ性が強くなるために生じる反応である。すなわち、ＩＴＯとＡｌとが隣接または接触した状態でアルカリ性溶液の中に浸けられた状態になるためであり、その結果、反射電極であるＡｌや透明電極であるＩＴＯ２の表面が腐食されたり（電食）、透明電極であるＩＴＯ２が還元されて黒化してしまうという問題が生じてしまう。
【００１９】
　このように、従来の液晶表示装置では、画素部分における透明電極と反射電極との境界領域においてＩＴＯとＡｌとが腐食、溶解されてしまい、この電食反応により液晶表示装置の製造歩留まりを大幅に低下させてしまうという問題を有していた。
【００２０】
　本発明は、以上のような従来の問題点に鑑みなされたものであって、その目的とするところは、反射透過両用型の液晶表示装置の画素部分における透明電極と反射電極との電食反応を防止することにより製造歩留まりを容易に向上させることができる反射透過両用型の液晶表示装置およびその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００２１】
　上述した目的を達成するための本発明の液晶表示装置は、液晶層を挟んで互いに対向して配置される一対の基板のうちの一方側の基板上に、外光を反射する反射部と背面光源からの光を透過する透過部とを１画素内に構成する画素電極が形成されてなる液晶表示装置において、前記反射部と透過部とはそれぞれ電極材料により構成されてなり、これらの電極材料は互いの境界領域において層間膜を介して一部または全部を重畳して形成されていることを特徴としている。
【００２２】
　即ち、本発明の液晶表示装置によれば、透過部と反射部との境界領域において、透過部を構成する電極材料と反射部を構成する電極材料とが互いに接触した状態または他の金属膜等を介して電気的に接続した状態とならないように、それらの間に層間膜を介した構造としていることにより、電極材料の電食による腐食や還元による黒化の問題を解決している。これは、層間膜を介した構造としていることで透過部を構成する電極材料と反射部を構成する電極材料との間の電気抵抗が高くなり、電解溶液中に浸した場合においても電食や還元を起こりにくくすることが可能となっている。
【００２３】
　また、上述した目的を達成するための本発明の液晶表示装置の製造方法は、液晶層を挟んで互いに対向して配置される一対の基板のうちの一方側の基板上に、外光を反射する反射部と背面光源からの光を透過する透過部とを１画素内に構成する画素電極が形成されてなる液晶表示装置の製造方法において、前記少なくとも透過部を構成する領域を含む一方側の基板上に、透明電極材料をパターニングして形成する工程と、前記少なくとも反射部を構成する領域を含む前記透明電極上に、層間膜をパターニングして形成する工程と、前記層間膜上の反射部を構成する領域に、反射電極材料をパターニングして形成する工程と、を有することを特徴としている。
【００２４】
　即ち、本発明の液晶表示装置の製造方法によれば、透過部と反射部との境界領域において、層間膜や電極材料のパターニングの際にフォトマスクなどの位置合わせずれが発生しても、層間膜上に反射電極材料を形成していることにより、透過部を構成する電極材料と反射部を構成する電極材料とが層間膜を介した状態で、アミン系剥離液→水洗などのレジストを除去する工程を経ることになるので、電解溶液中に浸した場合においても電食や還元による問題を起こりにくくすることが可能となっている。
【発明の効果】
【００２５】
　以上の説明のように、本発明の液晶表示装置およびその製造方法によれば、透過部と反射部との境界領域において、透過部を構成する電極材料と反射部を構成する電極材料とが互いに接触した状態または他の金属膜等を介して電気的に接続した状態とならないように、それらの間に層間膜を介した構造としていることにより、電極材料の電食による腐食や還元による黒化の問題を解決している。これは、層間膜を介した構造としていることで透過部を構成する電極材料と反射部を構成する電極材料との間の電気抵抗が高くなり、電解溶液中に浸した場合においても電食や還元を起こりにくくすることが可能となっている。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
【実施例１】
【００２７】
　以下、本発明における実施の形態１について図面に基づいて説明する。
【００２８】
　図１は、本実施の形態１における液晶表示装置の画素部分の構成を示した断面図であり、図２（ａ）〜（ｄ）および図３（ｅ）〜（ｈ）は、本実施の形態１における液晶表示装置の画素部分における透過部と反射部とのプロセスを示した断面図である。
【００２９】
　本実施の形態１における液晶表示装置の画素部分を構成する透過部および反射部においては、まず、図２（ａ）に示すように、絶縁性基板１上にベースコート膜としてＴａ2Ｏ5、Ｓｉ０2などの絶縁膜を形成し（図示せず）、その後、絶縁性基板１に、Ａｌ、Ｍｏ、Ｔａなどからなる金属薄膜をスパッタリング法にて作成し、パターニングしてゲート電極８を形成する。
【００３０】
　次に、上述したゲート電極８を覆って絶縁性基板１上にゲート絶縁膜１０を積層する。本実施の形態１では、Ｐ−ＣＶＤ法により、ＳｉＮｘ膜を３０００Å積層してゲート絶縁膜１０とした。なお、絶縁性を高めるために、ゲート電極８を陽極酸化して、この陽極酸化膜を第１のゲート絶縁膜９とし、ＳｉＮなどの絶縁膜１０をＣＶＤ法により形成して、第２の絶縁膜１０としてもよい。
【００３１】
　次に、チャネル層１１（アモルファスＳｉ）と電極コンタクト層１２（リン等の不純物をドーピングしたアモルファスＳｉまたは微結晶Ｓｉ）とをゲート絶縁膜１０上に連続してＣＶＤ法により、それぞれ１５００Åと５００Å積層し、電極コンタクト層１２とチャネル層１１との両Ｓｉ膜をＨＣｌ＋ＳＦ6混合ガスによるドライエッチング法などによりパターニングして形成する。
【００３２】
　その後、図２（ｂ）に示すように、スパッタリング法により透過部を構成する電極材料として透明導電膜（ＩＴＯ）２、１３を１５００Å積層し、続いて、Ａｌ、Ｍｏ、Ｔａ膜等の金属薄膜１４、１５を積層する。そして、これらをパターニングすることにより、ソース電極１３、１４並びにドレイン電極２、１５を形成する。
【００３３】
　次に、図２（ｃ）に示すように、ＳｉＮなどの絶縁膜をＣＶＤ法にて３０００Å積層した後、パターニングして層間膜７を形成する。
【００３４】
　次に、図２（ｄ）に示すように、この層間膜７上に感光性樹脂膜３を塗布し、この感光性樹脂３を露光および現像した後に熱処理を行なうことにより、複数の凹凸部、コンタクト部、透過部を形成する。
【００３５】
　次に、図３（ｅ）に示すように、層間膜７および感光性樹脂３を含む基板１上に、反射部を構成する電極材料としてＡｌ／Ｍｏ膜４、５をスパッタリング法により１０００／５００Åの膜厚により成膜する。
【００３６】
　そして、図３（ｆ）に示すように、反射部を構成する電極材料上に、フォトリソグラフィー工程を用いて所定の形状にフォトレジスト１６を形成する。このとき、透過部を構成する電極材料であるＩＴＯ２と反射部を構成する電極材料であるＡｌ４との間にはＭｏ５が存在しているので、フォトレジスト１６の現像時にＡｌ４の膜欠陥部から電解質溶液がしみ込んでも、このＭｏ５がバリアメタルとして機能するため電食反応が起こることはない。
【００３７】
　また、このとき、次の工程で反射部を構成する電極材料をパターニングする際に、透過部と反射部との境界領域におけるＩＴＯ２とＡｌ４／Ｍｏ５とが直接接触しないようにする必要がある。すなわち、図１の断面図に示すように、層間膜７と反射電極４との位置合わせずれを考慮して、透過部を構成する電極材料と反射部を構成する電極材料との境界領域における前記フォトレジスト１６の端部が、前記層間膜７の端部よりも反射部側になるよう前記フォトレジスト１６を露光現像する。
【００３８】
　次に、図３（ｇ）に示すように、硝酸＋酢酸＋リン酸＋水からなるエッチャントを使用して、反射部を構成する電極材料であるＡｌ／Ｍｏを同時にエッチングして反射電極を形成する。
【００３９】
　最後に、図３（ｈ）に示すように、フォトリソグラフィーにより形成されたフォトレジスト１６をバッチ式の剥離装置を用いて除去することで、本実施の形態１における液晶表示装置の画素部分は完成する。
【００４０】
　ここで、前記フォトリソグラフィーにより形成されたフォトレジスト１６を除去するために用いたバッチ式の剥離装置について図４を用いて説明する。図４（ａ）〜（ｃ）は、本実施の形態１におけるバッチ式のフォトレジスト１６の剥離工程を示した概略図である。
【００４１】
　図４（ａ）〜（ｃ）に示すように、上述したような工程を経た基板２０は、アミンとしてＭＥＡ（モノエタノールアミン）を６０ｗｔ％含有する剥離液２１に浸けられ、その後、基板２０表面の剥離液２１を取り除くために水２２に浸けられて水洗される。この時、図４（ｂ）に示すような基板２０が剥離槽から水洗槽へ搬送される過程においては、基板２０表面には剥離液２１が付着した状態となっており、この基板２０を水洗槽に浸けることにより、基板２０表面でＭＥＡ２１と水２２とが混ざりアルカリ性が強くなる。
【００４２】
　したがって、従来のような構成の液晶表示装置においては、フォトレジスト１６を除去する際に、透過部と反射部との境界領域において透過部を構成する電極材料であるＩＴＯ２と反射部を構成する電極材料であるＡｌ４／Ｍｏ５とが隣接して構成されているため電食が生じてしまう。
【００４３】
　しかしながら、本実施の形態１では、上述したように透過部と反射部との境界領域において、図１の断面図に示すように、透過部を構成する電極材料であるＩＴＯ２と反射部を構成する電極材料であるＡｌ４／Ｍｏ５とが直接接触しないように、層間膜７と反射電極材料４、７とがパターニングされているので、透明電極材料であるＩＴＯと反射電極材料であるＡｌとの間に電食を起こすことなくフォトレジスト１６を除去することができる。
【００４４】
　なお、透過部において液晶層にかかる電荷が多少減少しても支障が無い場合には、層間膜７を透過部を構成する電極材料であるＩＴＯ上全面に形成しても構わない。このような構成の場合には、層間膜７の膜厚を制御することにより透過部と反射部とのリタデーションを最適値に設定することが可能になるという利点を有することになる。
【００４５】
　以上のようにして製造された画素部分を有するＴＦＴ基板と、透明電極が形成された透明な対向基板（図示せず）とのそれぞれに配向膜を塗布して焼成する。そして、この配向膜にラビング処理を施し、スペーサーを散布してからシール樹脂でこれらの両基板を貼り合せ、真空注入法により液晶を注入して、液晶表示素子を作成する。なお、本実施の形態１では、水平配向の液晶モードで動作させるために、それぞれのラビング方向が平行となるように設定し、誘電率異方性が正のネマチック液晶を注入した。最後に、偏光板と位相差板とをそれぞれ液晶表示素子の両側に１枚ずつ設置し、背面にバックライトを設置して本実施の形態１における反射透過両用型の液晶表示装置は完成する。
【実施例２】
【００４６】
　上述した実施の形態１では、フォトリソグラフィーにより形成されたフォトレジスト１６をバッチ式の剥離装置を用いて除去する方法について説明したが、本実施の形態２では、フォトリソグラフィーにより形成されたフォトレジスト１６を枚葉式の剥離装置を用いて除去する方法について説明する。
【００４７】
　図５（ａ）〜（ｄ）は、本実施の形態２におけるフォトレジスト１６の剥離工程を示した概略図である。なお、本実施の形態２における液晶表示装置の製造工程は、フォトレジスト１６の剥離工程以外は、上述した実施の形態１と同様のフローにより行うことになる。
【００４８】
　図５（ａ）〜（ｄ）に示すように、実施の形態１における図２および図３の工程を経た基板２０は、アミンとしてＭＥＡ（モノエタノールアミン）を６０ｗｔ％含有する剥離液２１に浸けられ、その後、基板２０表面の剥離液２１を取り除くために水２２に浸けられて水洗される。この時、図５（ｃ）に示すような基板２０が剥離槽から水洗槽へ搬送される過程においては、基板２０表面には剥離液２１が付着した状態となっており、この基板２０を水洗槽に浸けことにより、基板２０表面でＭＥＡ２１と水２２とが混ざるりアルカリ性が強くなる。
【００４９】
　したがって、従来のような構成の液晶表示装置においては、フォトレジスト１６を除去する際に、透過部と反射部との境界領域において透過部を構成する電極材料であるＩＴＯ２と反射部を構成する電極材料であるＡｌ４／Ｍｏ５とが隣接して構成されているため電食が生じてしまうが、本実施の形態２においても、上述したように透過部と反射部との境界領域において、図１の断面図に示すように、透過部を構成する電極材料であるＩＴＯ２と反射部を構成する電極材料であるＡｌ４／Ｍｏ５とが直接接触しないように、層間膜７と反射電極材料４、７とがパターニングされているので、透明電極材料であるＩＴＯと反射電極材料であるＡｌとの間に電食を起こすことなくフォトレジスト１６を除去することができる。
【実施例３】
【００５０】
　以下、本発明における実施の形態３について図面に基づいて説明する。
【００５１】
　図６は、本実施の形態３における液晶表示装置の画素部分の構成を示した断面図であり、図７（ａ）〜（ｄ）および図８（ｅ）〜（ｇ）は、本実施の形態３における液晶表示装置の画素部分における透過部と反射部とのプロセスを示した断面図である。
【００５２】
　本実施の形態３における液晶表示装置の画素部分を構成する透過部および反射部においては、まず、図７（ａ）に示すように、絶縁性基板１上にベースコート膜としてＴａ2Ｏ5、Ｓｉ０2などの絶縁膜を形成し（図示せず）、その後、絶縁性基板１に、Ａｌ、Ｍｏ、Ｔａなどからなる金属薄膜をスパッタリング法にて作成し、パターニングしてゲート電極８を形成する。
【００５３】
　次に、上述したゲート電極８を覆って絶縁性基板１上にゲート絶縁膜１０を積層する。本実施の形態３では、Ｐ−ＣＶＤ法により、ＳｉＮｘ膜を３０００Å積層してゲート絶縁膜１０とした。なお、絶縁性を高めるために、ゲート電極８を陽極酸化して、この陽極酸化膜を第１のゲート絶縁膜９とし、ＳｉＮなどの絶縁膜１０をＣＶＤ法により形成して、第２の絶縁膜１０としてもよい。
【００５４】
　次に、チャネル層１１（アモルファスＳｉ）と電極コンタクト層１２（リン等の不純物をドーピングしたアモルファスＳｉまたは微結晶Ｓｉ）とをゲート絶縁膜１０上に連続してＣＶＤ法により、それぞれ１５００Åと５００Å積層し、電極コンタクト層１２とチャネル層１１との両Ｓｉ膜をＨＣｌ＋ＳＦ6混合ガスによるドライエッチング法などによりパターニングして形成する。
【００５５】
　その後、図７（ｂ）に示すように、スパッタリング法により透過部を構成する電極材料として透明導電膜（ＩＴＯ）２、１３を１５００Å積層し、続いて、Ａｌ、Ｍｏ、Ｔａ膜等の金属薄膜１４、１５を積層する。そして、これらをパターニングすることにより、ソース電極１３、１４並びにドレイン電極２、１５を形成する。
【００５６】
　次に、図７（ｃ）に示すように、このＩＴＯ２上に感光性樹脂膜３を塗布し、この感光性樹脂３を露光および現像した後に熱処理を行なうことにより、複数の凹凸部、コンタクト部、透過部を形成する。
【００５７】
　次に、図７（ｄ）に示すように、この感光性樹脂３を含む基板１上に、反射部を構成する電極材料としてＡｌ／Ｍｏ膜４、５をスパッタリング法により１０００／５００Åの膜厚により成膜する。
【００５８】
　そして、図８（ｅ）に示すように、反射部を構成する電極材料上に、フォトリソグラフィー工程を用いて所定の形状にフォトレジスト１６を形成する。このとき、透過部を構成する電極材料であるＩＴＯ２と反射部を構成する電極材料であるＡｌ４との間にはＭｏ５が存在しているので、フォトレジスト１６の現像時にＡｌ４の膜欠陥部から電解質溶液がしみ込んでも、このＭｏ５がバリアメタルとして機能するため電食反応が起こることはない。
【００５９】
　また、このとき、次の工程で反射部を構成する電極材料をパターニングする際に、透過部と反射部との境界領域におけるＩＴＯ２とＡｌ４／Ｍｏ５とが直接接触しないようにする必要がある。すなわち、図６の断面図に示すように、感光性樹脂３と反射電極４との位置合わせずれを考慮して、透過部を構成する電極材料と反射部を構成する電極材料との境界領域における前記フォトレジスト１６の端部が、前記感光性樹脂３の端部よりも反射部側になるよう前記フォトレジスト１６を露光現像する。
【００６０】
　次に、図８（ｆ）に示すように、硝酸＋酢酸＋リン酸＋水からなるエッチャントを使用して、反射部を構成する電極材料であるＡｌ／Ｍｏを同時にエッチングして反射電極を形成する。
【００６１】
　最後に、図８（ｇ）に示すように、フォトリソグラフィーにより形成されたフォトレジスト１６をバッチ式の剥離装置を用いて除去することで、本実施の形態３における液晶表示装置の画素部分は完成する。
【００６２】
　本実施の形態３においても、上述したように透過部と反射部との境界領域において、図６の断面図に示すように、透過部を構成する電極材料であるＩＴＯ２と反射部を構成する電極材料であるＡｌ４／Ｍｏ５とが直接接触しないように、感光性樹脂３と反射電極材料４、７とがパターニングされているので、透明電極材料であるＩＴＯと反射電極材料であるＡｌとの間に電食を起こすことなくフォトレジスト１６を除去することができる。
【図面の簡単な説明】
【００６３】
【図１】図１は、本発明の実施の形態１における液晶表示装置の画素部分の構成を示した拡大断面図である。
【図２】図２（ａ）〜（ｄ）は、本発明の実施の形態１における液晶表示装置の画素部分のプロセスを示した拡大断面図である。
【図３】図３（ｅ）〜（ｈ）は、本発明の実施の形態１における液晶表示装置の画素部分のプロセスを示した拡大断面図である。
【図４】図４（ａ）〜（ｃ）は、本発明の実施の形態１におけるバッチ式のフォトレジストの剥離工程を示した概略図である。
【図５】図５（ａ）〜（ｄ）は、本発明の実施の形態２における枚葉式のフォトレジスト剥離工程を示した概略図である。
【図６】図６は、本発明の実施の形態３における液晶表示装置の画素部分の構成を示した拡大断面図である。
【図７】図７（ａ）〜（ｄ）は、本発明の実施の形態３における液晶表示装置の画素部分のプロセスを示した拡大断面図である。
【図８】図８（ｅ）〜（ｇ）は、本発明の実施の形態３における液晶表示装置の画素部分のプロセスを示した拡大断面図である。
【図９】図９は、従来の液晶表示装置の画素部分における透明電極と反射電極との境界領域を示した断面図である。
【図１０】図１０は、従来の液晶表示装置の画素部分における透明電極と反射電極との境界領域を示した断面図である。
【符号の説明】
【００６４】
　　１　　　ガラス基板
　　２　　　透明電極材料（ＩＴＯ）
　　３　　　感光性樹脂膜
　　４　　　反射電極材料（Ａｌ）
　　５　　　反射電極材料（Ｍｏ）
　　６　　　透過部
　　７　　　絶縁膜
　　８　　　ゲート電極
　　９　　　陽極酸化膜
　１０　　　ゲート絶縁膜
　１１　　　チャネル層
　１２　　　電極コンタクト層
　１３　　　ソース電極（ＩＴＯ）
　１４　　　ソース電極（Ｔａ）
　１５　　　ドレイン電極（Ｔａ）
　１６　　　フォトレジスト
　２０　　　基板
　２１　　　剥離液
　２２　　　水
【図１】
2004126612.tif 000003
【図２】
2004126612.tif 000004
【図３】
2004126612.tif 000005
【図４】
2004126612.tif 000006
【図５】
2004126612.tif 000007
【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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