(57)【要約】【課題】輝尽発光光を検出する光検出器としてＣＣＤセンサを用いた放射線画像情報読取装置において、ＣＣＤセンサの電荷転送路において電荷溢れが生じることを防止する。【解決手段】蓄積性蛍光体シートＩＰから発せられる輝尽発光光を検出する光検出器としてＣＣＤセンサを用いた放射線画像情報読取装置１０において、ＣＣＤセンサのオーバーフローレベルをＣＣＤ制御部４により、Ｘ線管球制御部３が制御する蓄積性蛍光体シートＩＰへの放射線曝射量等の放射線画像撮影条件、輝尽発光光の読取条件、および読取画像信号に施される画像処理条件のうちの少なくとも１つの条件に基づいて制御する。【選択図】　　　　　図１
2004128717.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
放射線画像情報が蓄積記録された蓄積性蛍光体シートに励起光を照射し、該シートから発せられた輝尽発光光をＣＣＤセンサにより検出して前記放射線画像情報を示す画像信号を得る放射線画像情報読取装置において、
前記ＣＣＤセンサのオーバーフローレベルを、前記蓄積性蛍光体シートへの放射線画像撮影条件、前記輝尽発光光の読取条件、および前記画像信号に施される画像処理条件のうちの少なくとも１つの条件に基づいて制御する制御手段を備えたことを特徴とする放射線画像情報読取装置。
【請求項２】
前記制御手段が、前記条件が前記ＣＣＤセンサにおける電荷蓄積量がより大となる条件であるほど、前記オーバーフローレベルをより深くするものであることを特徴とする請求項１記載の放射線画像情報読取装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、放射線画像情報が蓄積記録されている蓄積性蛍光体シートに励起光を照射し、それにより該シートから発せられた輝尽発光光を光電的に読み取って放射線画像情報を示す画像信号を得る放射線画像情報読取装置に関し、特に詳細には、輝尽発光光を検出する光検出器としてＣＣＤセンサを用いた放射線画像情報読取装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、放射線を照射するとこの放射線エネルギーの一部を蓄積し、その後、可視光やレーザ光などの励起光を照射すると、蓄積された放射線エネルギーに応じて輝尽発光を示す蓄積性蛍光体（輝尽性蛍光体）が知られており、そして、この蓄積性蛍光体を支持体上に積層してなる蓄積性蛍光体シートを用いる放射線画像記録再生システムが広く実用に供されている。
【０００３】
この放射線画像記録再生システムは、人体等の被写体を透過させた放射線を蓄積性蛍光体シートに照射する等してこの蓄積性蛍光体シートに被写体の放射線画像情報を蓄積記録し、その後、レーザ光などの励起光により該シートを２次元的に走査してその励起光照射部分から輝尽発光光を生じさせ、この輝尽発光光を光電読取手段により読み取って上記放射線画像情報を示す画像信号を得るものである。
【０００４】
このシステムにおいて得られた画像信号は、観察読影に適した階調処理や周波数処理などの画像処理が施された上で、それが担持する放射線画像を診断用可視像としてフィルムに再生記録したり、あるいはＣＲＴ画像表示装置等に表示するために用いられる。
【０００５】
ここで、上述した放射線画像記録再生システムに用いられる放射線画像情報読取装置においては、輝尽発光光の読取時間の短縮や、装置のコンパクト化およびコスト低減等の観点から、光電読取手段（光検出器）としてＣＣＤからなるラインセンサを適用することが提案されている。特許文献１には、そのようにして蓄積性蛍光体シートから放射線画像情報を示す画像信号を得る放射線画像情報読取装置の一例が示されている。
【０００６】
ところで、上記のＣＣＤラインセンサやＣＣＤエリアセンサ等のＣＣＤセンサにおいては一般に、フォトダイオードにより構成される光電変換部から電荷転送路（ＣＣＤ）への電荷転送を制御するトランスファーゲートにより、電荷蓄積時間と１ラインまたは１フレームの周期を決めている。また電子シャッタ機能を持つＣＣＤセンサは、上記トランスファーゲートの他にクリアゲートを有しており、このクリアゲートによって電荷蓄積時間と１ラインまたは１フレームの周期を別々に設定できるようにしている。
【０００７】
さらに、過大な光量の光が光電変換部に入射して、その飽和電荷を超える過大な電荷が発生したとき、その電荷がトランスファーゲートを乗り越えて電荷転送路に流れ込むことを防ぐために、オーバーフローゲートが設けられている。そしてこのオーバーフローゲートを越えた電荷は、オーバーフロードレインに掃き出される。図４は、このオーバーフローゲートの概念を説明するものである。図中ＰＤはフォトダイオードからなる１つの光電変換部（画素）、ＴＧはトランスファーゲート、ＯＦＧはオーバーフローゲート、ＣＣＤは電荷転送路、そしてＯＦＤはオーバーフロードレインを示し、同図の（１）、（２）、（３）はそれぞれ電荷蓄積時、電荷読出し時、オーバーフロー時の状態を示している。なお、トランスファーゲートのローレベルに対してクリアゲートのローレベルの電位を高く設定することにより、上記オーバーフローの機能を果たせるので、このクリアゲートがオーバーフローゲートを兼ねることもある。
【０００８】
上記の構成において、光電変換部であるフォトダイオードの電荷蓄積容量がＣＣＤからなる電荷転送路の電荷蓄積容量を上回っている場合、ある画素の光電変換部に過大光が入射して多量の電荷が発生すると、オーバーフロードレインに掃き出され得なかった多量の電荷が電荷転送路に流れることになる。そして、それらの電荷が電荷転送路の蓄積容量を上回っている場合は、その電荷が別の光電変換部や転送部画素に流れてしまう。このようになると、過大光が入射した画素以外の画素まで電荷が広がり、それらの画素が持っている適正な情報も破壊されることになる。
【０００９】
上述のような問題を防ぐ上では、光電変換部の電荷蓄積容量が電荷転送路の電荷蓄積容量より小さいことが好ましい。しかし、前述した放射線画像情報読取装置においては、微弱な輝尽発光光を効率良く検出することが必要で、そのために、光電変換部の面積が大きいＣＣＤセンサが利用される。そこで一般に、光電変換部の電荷蓄積容量は電荷転送路の電荷蓄積容量より大きくなってしまい、上記の問題が発生することになる。
【００１０】
特許文献２には、原稿に照明光を照射して原稿像を読み取る装置において、オーバーフローが生じた画素については、再度照明光量を低下させて読取りをし直すようにした技術が開示されている。しかし放射線画像情報の読取りはいわゆる破壊読取りであるので、再度読取りをし直すことは不可能である。
【００１１】
そこで放射線画像情報の読取りにおいては、ＣＣＤセンサに入射する最大光量を予め想定し、それを超える光量が入射した場合には、余剰の電荷が全てオーバーフロードレインに掃き出されるようにオーバーフローゲートのローレベルを設定しておくことも考えられる。しかし、前記特許文献２の技術が前提としている原稿像の読取り等においては、ＣＣＤセンサに入射する最大光量を予め想定することも容易であるが、放射線画像情報の読取りにおいては関心領域以外（例えば放射線が被写体を経ずに蓄積性蛍光体シートに到達した、いわゆる素抜け部）から発生する輝尽発光光量を想定することは極めて困難になっている。
【００１２】
このような事情を考慮すると、図４の（２）に示すオーバーフローゲートのローレベル印加電圧ＶＯＦＧ　Ｌをより高く（つまり図中の例ならば＋４．５Ｖより＋６．０Ｖに）設定して、電荷転送路に流れる電荷量を該転送路の容量より必ず少なくなるように抑えることが考えられる。しかしそのようにすると、光電変換部のフォトダイオードの飽和電荷のバラツキが顕著になり、画像形成に必要な輝尽発光光量下での出力飽和特性がこのフォトダイオードの飽和電荷のバラツキに支配されるようになるので、出力のダイナミックレンジが狭くなって、良質の放射線画像を再生することが不可能になる。
【００１３】
本発明は上記の事情に鑑みてなされたものであり、輝尽発光光を検出する光検出器としてＣＣＤセンサを用いた上で、その電荷転送路において電荷溢れが生じることを防止できる放射線画像情報読取装置を提供することを目的とする。
【００１４】
【特許文献１】
特開平１−１０１５４０号公報
【００１５】
【特許文献２】
特開平８−１３０６０８号公報
【００１６】
【課題を解決するための手段】
本発明による放射線画像情報読取装置は、前述したように、
放射線画像情報が蓄積記録された蓄積性蛍光体シートに励起光を照射し、該シートから発せられた輝尽発光光をＣＣＤセンサにより検出して前記放射線画像情報を示す画像信号を得る放射線画像情報読取装置において、
前記ＣＣＤセンサのオーバーフローレベルを、前記蓄積性蛍光体シートへの放射線画像撮影条件、前記輝尽発光光の読取条件、および前記画像信号に施される画像処理条件のうちの少なくとも１つの条件に基づいて制御する制御手段を備えたことを特徴とするものである。
【００１７】
より具体的に上記制御手段は、一般に、上記の各条件がＣＣＤセンサにおける電荷蓄積量がより大となる条件であるほど、オーバーフローレベルをより深くする（オーバーフローゲートのローレベル印加電圧ＶＯＦＧ　Ｌをより高くする）ものとされる。
【００１８】
【発明の効果】
先に図４の（２）を参照して説明した通り、ＣＣＤセンサのオーバーフローゲートのローレベル印加電圧ＶＯＦＧ　Ｌをより高くしてオーバーフローレベルをより深くすれば、電荷転送路に流れる電荷量をより少なく抑えることができる。その反対に、このオーバーフローレベルをより浅くすれば、ＣＣＤセンサの出力のダイナミックレンジを広く取ることができる。
【００１９】
他方、蓄積性蛍光体シートへの放射線画像撮影条件、前記輝尽発光光の読取条件、および前記画像信号に施される画像処理条件が分かれば、読取対象の蓄積性蛍光体シートが放射線素抜け部を含む等により特に多量の輝尽発光光を発生する可能性が有るものであるか否か、つまりＣＣＤセンサにおいて前述の電荷溢れを発生させる可能性が有るものであるか否かを知ることができる。
【００２０】
そこで、読取対象の蓄積性蛍光体シートが特に多量の輝尽発光光を発生する可能性の有るものである場合は、オーバーフローレベルをより深く設定することにより、ダイナミックレンジはある程度犠牲にして、電荷溢れの発生を確実に防止することができる。その一方、読取対象の蓄積性蛍光体シートが特に多量の輝尽発光光を発生する可能性が有るものではない場合は、オーバーフローレベルをより浅く設定することにより、ダイナミックレンジをより広く確保することが可能になる。
【００２１】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を説明する。
【００２２】
図１は、本発明の一実施の形態による放射線画像情報記録読取装置の概略構成を示すものであり、また図２は、この放射線画像情報記録読取装置におけるＣＣＤセンサに対してなされるオーバーフローレベル制御の流れを示すものである。
【００２３】
この放射線画像情報記録読取装置は、読取機制御部１と、この読取機制御部１によって作動が制御される放射線画像情報記録読取装置本体１０とを備えてなるものである。読取機制御部１は記録読取装置本体１０に接続されるとともにシステム制御部２に接続され、このシステム制御部２にはＸ線管球制御部３が接続されている。このＸ線管球制御部３は、上記放射線画像情報記録読取装置本体１０において放射線画像を記録（撮影）するための放射線を発する放射線源（Ｘ線源）２０の駆動を制御する。
【００２４】
まず図３を参照して、放射線画像情報記録読取装置本体１０について詳しく説明する。本装置は基本的に、人体等の被写体１８の放射線画像情報を蓄積性蛍光体シートＩＰに一旦記録する放射線画像記録部１２と、蓄積性蛍光体シートＩＰに励起光Ｌを照射し、そこに蓄積されている放射線エネルギーの強度に応じて発せられる輝尽発光光Ｒを光電的に読み取る読取部１４と、放射線画像情報が読み取られた後の蓄積性蛍光体シートＩＰに残存している放射線エネルギーを放出させる消去部１６とを備えている。
【００２５】
放射線画像記録部１２は、放射線Ｓを発するＸ線源２０と、被写体１８を所定位置に保持する放射線透過性の撮影台２２とを備える。撮影台２２の後方には、放射線照射量を積算して照射時間を制御するフォトタイマ２３と、散乱線除去用のグリッド２４とが配置され、このグリッド２４のさらに後方において、蓄積性蛍光体シートＩＰが所定の撮影位置に固定されている。
【００２６】
読取部１４を構成する筐体３０の上部には、線状に励起光Ｌを発するレーザダイオードアレイ３２が配設されている。レーザダイオードアレイ３２から射出されて一方向（図中で紙面と垂直な方向）に拡がりを有する励起光Ｌは、筐体３０に固定されたミラー３４において反射し、蓄積性蛍光体シートＩＰの上を主走査方向（水平方向）に亘って線状に照射する。
【００２７】
また、読取部１４を構成する筐体３０の下部には、励起光Ｌが照射された蓄積性蛍光体シートＩＰの線状の部分から発せられた輝尽発光光Ｒを集光レンズアレイ３６およびプリズム３８を介して受光し、電気信号に変換するＣＣＤラインセンサ４０ａ〜４０ｃが配設されている。プリズム３８は、筐体３０の側部に配設されたＣＣＤラインセンサ４０ａ、４０ｃと、筐体３０の下部に配設されたＣＣＤラインセンサ４０ｂとに輝尽発光光Ｒを振り分ける。
【００２８】
千鳥状に配設された各ＣＣＤラインセンサ４０ａ〜４０ｃは、それぞれ多数の光電変換部を主走査方向に配列して構成されたものである。なお、ＣＣＤラインセンサ４０ａ〜４０ｃは、必ずしも３本で構成する必要はない。またこれらのＣＣＤラインセンサ４０ａ〜４０ｃには、蓄積性蛍光体シートＩＰから発せられた輝尽発光光Ｒを透過させる一方、励起光Ｌを含む外光を遮断する図示外のフィルタが装着されている。
【００２９】
消去部１６は筐体５０を備え、読取部１４の筐体３０の上部に固着されている。また、筐体５０には、蓄積性蛍光体シートＩＰの主走査方向に延びて該蓄積性蛍光体シートＩＰに消去光Ｑを照射する複数本の蛍光灯５２（１）〜５２（ｎ）と、これらの蛍光灯５２（１）〜５２（ｎ）を点灯させる点灯回路５４とが収容されている。
【００３０】
読取部１４および消去部１６の後方には、鉛直方向に延びたガイドレール６０と、副走査モータ６２により回転される駆動プーリ６４および従動プーリ６６に巻き掛けられたベルト６８とが配設されている。読取部１４の筐体３０は、ガイドレール６０に沿って移動可能に該ガイドレール６０に係合するとともに、ベルト６８に連結されている。つまり、読取部１４およびそれと一体化された消去部１６は、副走査モータ６２の回転により駆動するベルト６８によって、ガイドレール６０に案内されながら副走査方向、すなわち矢印Ｙ１あるいはＹ２方向に移動する。
【００３１】
以下、この放射線画像情報記録読取装置本体１０の基本的な動作、並びに作用効果について説明する。図１に示すように被写体１８が放射線画像情報記録読取装置本体１０における放射線画像記録部１２の所定位置に位置決めされ後、Ｘ線源２０が駆動されて放射線Ｓが被写体１８に照射される。被写体１８を透過した放射線Ｓは、フォトタイマ２３およびグリッド２４を介して蓄積性蛍光体シートＩＰに到達し、該シートＩＰに被写体１８の放射線画像情報が記録される。なお、フォトタイマ２３は放射線Ｓの照射量を積算し、その積算値に従ってＸ線源２０の駆動を制御する。
【００３２】
次いで、読取部１４がガイドレール６０に沿って上端位置から矢印Ｙ１方向に下降し、放射線画像情報の読取りが行われる。レーザダイオードアレイ３２から射出された励起光Ｌはミラー３４において反射し、蓄積性蛍光体シートＩＰの主走査方向に線状に照射される。励起光Ｌが照射された蓄積性蛍光体シートＩＰの部分からは、蓄積している放射線画像情報に応じた輝尽発光光Ｒが発せられる。この輝尽発光光Ｒは、集光レンズアレイ３６およびプリズム３８を介してＣＣＤラインセンサ４０ａ〜４０ｃに検出され、電気信号に変換される。そして、ＣＣＤラインセンサ４０ａ〜４０ｃが矢印Ｙ方向に移動することによって励起光Ｌの副走査がなされ、蓄積性蛍光体シートＩＰに記録された放射線画像情報が２次元的に読み取られる。
【００３３】
読取部１４が下端位置まで移動して放射線画像情報の読取りが終了すると、読取部１４がガイドレール６０に沿って矢印Ｙ２方向に上昇する。このときも読取操作、すなわち蓄積性蛍光体シートＩＰに対する励起光Ｌの照射および輝尽発光光Ｒの検出が行われるが、これは蓄積性蛍光体シートＩＰに残存する放射線エネルギーのレベルを検出するための読取操作であり、副走査モータ６２の回転速度を上げることにより、副走査速度は上記放射線画像情報読取り時（読取部１４の下降時）の２倍に設定される。それによりこの場合は、放射線画像情報読取り時と比べて読取画素数が主走査方向については同数、副走査方向については１／２とされる。
【００３４】
読取部１４が上端位置まで移動すると、次いで消去部１６が矢印Ｙ１方向に下降し、その間に、蛍光灯５２（１）〜５２（ｎ）から発せられた消去光Ｑが蓄積性蛍光体シートＩＰの全面に照射される。それにより、蓄積性蛍光体シートＩＰに残存する放射線エネルギーが放出され、このシートＩＰは次の撮影に使用され得る状態となる。
【００３５】
なお、上記ＣＣＤラインセンサ４０ａ〜４０ｃが出力するアナログ読取画像信号は、図示しない増幅器、サンプルホールド回路を介してＡ／Ｄ変換器に入力され、アナログ信号からデジタル信号に変換される。このデジタルの読取画像信号は、図１に示すシステム制御部２に含まれる画像処理部７に入力される。
【００３６】
図１に示す画像処理部７では、入力された放射線画像データに対して、輪郭強調、ノイズ除去、サイズ変換／回転等の画像処理が施される。その後、放射線画像データは、図示しないＩＩＰ（Ｉｍａｇｅ　Ｉｎｆｏｒｍａｔｉｏｎ　Ｐｒｏｃｅｓｓｏｒ）等の画像処理装置に転送され、更なる画像処理が施された後、写真感光材料等の記録媒体、あるいはＣＲＴ（Ｃａｔｈｏｄｅ　Ｒａｙ　Ｔｕｂｅ）等の表示装置に入力され、そこで該データＤＣが担持する放射線画像が可視像として出力される。
【００３７】
またこの図１に示す読取機制御部１のＣＣＤ制御部４は、後述するオーバーフローレベルの制御も含めてＣＣＤラインセンサ４０ａ〜４０ｃの作動を制御する。またヘッド制御部５は、前述の読取部１４および消去部１６からなるスキャナヘッドＳＨの作動を制御し、ＬＤ制御部６は、レーザダイオードアレイ３２の作動を制御する。
【００３８】
一方システム制御部２の撮影制御部８は、前述したようにＸ線源２０の駆動を制御するＸ線管球制御部３の作動を制御する。
【００３９】
次に図２を参照して、上記システム制御部２、Ｘ線管球制御部３およびＣＣＤ制御部４による制御についてさらに詳しく説明する。なおこの図２においては、各制御部２〜４の下に、各制御部によってなされる処理ステップを示してある。まずシステム制御部２においては、図示しないコンソールから入力される情報やあるいは自動判定に基づいて、撮影条件、輝尽発光光の読取条件および画像処理部７における画像処理条件等が設定される（ステップＰ１）。ここでは一例として、Ｘ線管球の管電圧、管電流および曝射時間、蓄積性蛍光体シートＩＰの種類、被写体１８に関する撮影部位および撮影線量、画素数や読取速度等の読取モード、並びにＥＤＲ条件（放射線画像を再生する画像信号を得る読取操作を行う前になされる、蓄積放射線画像情報を把握するための読取操作、いわゆる先読みの条件）が設定されるようになっている。
【００４０】
システム制御部２は、設定したＸ線管球の管電圧、管電流および曝射時間を示す情報をＸ線管球制御部３に送り、Ｘ線管球制御部３はステップＰ５において、この情報に基づいてＸ線源２０の管電圧、管電流および曝射時間を設定する。この設定が終了すると、Ｘ線管球制御部３はステップＰ６において、曝射準備完了を示す信号をシステム制御部２に入力する。
【００４１】
またシステム制御部２はステップＰ２において、上記管電圧、管電流および曝射時間に基づいて、ＣＣＤラインセンサ４０ａ〜４０ｃにおける適正なオーバーフローゲート（ＯＦＧ）レベルを算出する。この算出は、上記管電圧、管電流および曝射時間から、蓄積性蛍光体シートＩＰが発する輝尽発光光Ｒの光量が所定の閾値を上回る大光量であると想定される場合は、オーバーフローゲートのローレベル印加電圧ＶＯＦＧ　Ｌをより高くし、それ以外の通常の場合はこの印加電圧ＶＯＦＧ　Ｌをより低くするようになされる。
【００４２】
システム制御部２は算出した印加電圧ＶＯＦＧ　Ｌを示す情報をＣＣＤ制御部４に入力し、該ＣＣＤ制御部４はステップＰ７において、この情報が示す通りのオーバーフローゲートローレベル印加電圧ＶＯＦＧ　ＬをＣＣＤラインセンサ４０ａ〜４０ｃに印加させる。この電圧印加が終了すると、ＣＣＤ制御部４はステップＰ８において、曝射準備完了を示す信号をシステム制御部２に入力する。
【００４３】
システム制御部２は、ステップ３においてＸ線管球制御部３およびＣＣＤ制御部４から曝射準備完了を示す信号が入力されたことを確認すると、次にステップＰ４において、Ｘ線源２０を駆動させる信号をＸ線管球制御部３に送ってＸ線曝射つまり撮影を行わせる。次いでシステム制御部２はステップＰ９において、記録読取装置本体１０による前述の読取動作を開始させる。これによりＣＣＤ制御部４は、ステップＰ１０においてＣＣＤラインセンサ４０ａ〜４０ｃの駆動を開始させる。
【００４４】
次に図５を参照して、オーバーフローゲートレベルの設定について詳しく説明する。同図（１）には、オーバーフローゲートのローレベル印加電圧ＶＯＦＧ　Ｌと、ＣＣＤラインセンサ４０ａ〜４０ｃの各電荷蓄積部（画素）を構成するいくつかのフォトダイオードの飽和電圧との関係を示してある。同図（１）にＯＦＧ２として示すのが上記オーバーフローゲートのローレベル印加電圧ＶＯＦＧ　Ｌがより高い（つまりオーバーフローゲートレベルがより深い）場合、ＯＦＧ１として示すのが上記オーバーフローゲートのローレベル印加電圧ＶＯＦＧ　Ｌがより低い（つまりオーバーフローゲートレベルがより浅い）場合である。
【００４５】
ここで、ＣＣＤラインセンサ４０ａ〜４０ｃにオーバーフローゲートのローレベル印加電圧ＶＯＦＧ　Ｌが印加されると、その各画素のフォトダイオードの飽和電圧は、その印加電圧ＶＯＦＧ　Ｌの値に応じて一律に減じられる。つまり、同図の（２）、（３）に白抜きして示した分の電荷が、オーバーフローゲートを経てオーバーフロードレイン（ＯＦＤ）に捨てられることになる。
【００４６】
同図（２）に示すように、輝尽発光光が大光量であると想定される場合に設定されるＯＦＧ２のレベルは、フォトダイオードの容量が最大である画素の容量を、ＣＣＤ電荷転送路の容量と同じかそれ以下にするレベルとされる。それにより、いかに大光量の輝尽発光光Ｒがフォトダイオードに入射しても、電荷転送路の容量以上の電荷がフォトダイオードに蓄積されることがないので、前述したような電荷溢れが生じることが確実に防止される。
【００４７】
ただしこの場合、画像収録に有効な範囲は、同図（２）に▲２▼で示すようにフォトダイオードの容量が最小である画素の容量によって決まってしまうので、ＣＣＤ電荷転送路の容量のうち、▲３▼で示す範囲はロスとなる。つまりこの場合は、輝尽発光光検出のダイナミックレンジがＤＲ２と狭くなってしまう。ＣＣＤラインセンサ４０ａ〜４０ｃの出力をこのままＡ／Ｄ変換して使用すると、有効画像領域以外の信号を受けた画素の出力がばらつき、再生放射線画像においてスジムラのような異常画像となって現れる。この現象は、例えばＡ／Ｄ変換器の入力範囲の上限（例えば４Ｖ）にダイナミックレンジの上限を合わせ込み、それ以上の出力は上記４Ｖ等の上限にクリップしてしまうことで解消することができる。
【００４８】
一方、同図（３）に示すように、輝尽発光光が特に大光量とは想定されない通常の場合に設定されるＯＦＧ１のレベルは、フォトダイオードの容量が最小である画素の容量が、画像収録に有効な範囲▲５▼の上限と揃うレベルとされる。それにより、ＣＣＤ電荷転送路の容量全てが有効画像範囲の信号で利用されることになり、ＣＣＤ容量のロスが無くなって輝尽発光光検出のダイナミックレンジがＤＲ１と広く確保される。ただしこの場合も、同図▲６▼で示すようにＣＣＤ電荷転送路に収まり切れない電荷がフォトダイオードで発生した際には、電荷溢れが発生し得る。この現象を防止するためには、放射線画像情報記録読取装置におけるＸ線の最大曝射量をユーザーに制限させる案内、表示等をするのが望ましい。
【００４９】
以上、オーバーフローゲートレベルを２通りのうちの一方に選択的に設定するようにした実施の形態について説明したが、レベル設定はこのような２段階に限られるものではなく、電荷溢れ防止と広いダイナミックレンジの確保との双方を考慮して、オーバーフローゲートレベルを３通り以上に段階的に設定するようにしても、あるいは連続的に変えるように設定しても構わない。
【００５０】
また上記実施の形態では、撮影条件の一つであるＸ線管の電圧、管電流および曝射時間に基づいてオーバーフローゲートレベルを制御しているが、本発明ではその他の撮影条件や、さらには、蓄積性蛍光体シートからの放射線画像情報読取条件、読取りで得られた画像信号に対する画像処理条件等に基づいてオーバーフローゲートレベルを制御してもよい。
【００５１】
例えば、その他の撮影条件として人体等の撮影部位が挙げられるが、側面撮影された画像においては素抜け部からの放射線のエネルギーレベルが通常極めて高いものとなっており、それに対して胸部正面撮影された画像においては素抜け部からの放射線のエネルギーレベルは上記と比べて弱くなっている。そこで、前者に対してはオーバーフローゲートのローレベル印加電圧ＶＯＦＧ　Ｌをより高くして電荷溢れを防止し、後者に対しては該印加電圧ＶＯＦＧ　Ｌをより低く設定して広いダイナミックレンジを確保するようにすればよい。
【００５２】
また、読取条件の一つである読取速度について考えると、ＣＣＤセンサに入射する輝尽発光光量は一般に、低速読取の場合の方が高速読取の場合より大である。そこで、前者に対してはオーバーフローゲートのローレベル印加電圧ＶＯＦＧＬをより高くして電荷溢れを防止し、後者に対しては該印加電圧ＶＯＦＧ　Ｌをより低く設定して広いダイナミックレンジを確保するようにすればよい。
【００５３】
また、読取速度は一定としたまま、ＣＣＤセンサの電荷蓄積時間を変化させることがあるが、その際には、該ＣＣＤセンサのフォトダイオードで発生する電荷量は電荷蓄積時間が長い場合の方が短い場合より大である。そこで、前者に対してはオーバーフローゲートのローレベル印加電圧ＶＯＦＧ　Ｌをより高くして電荷溢れを防止し、後者に対しては該印加電圧ＶＯＦＧ　Ｌをより低く設定して広いダイナミックレンジを確保するようにすればよい。
【００５４】
さらに、撮影条件の一つとして蓄積性蛍光体シートの種別が挙げられるが、放射線感度の高い蓄積性蛍光体シートは低感度の蓄積性蛍光体シートと比べると、同じ放射線曝射量に対する輝尽発光光量がより大となっている。また、感度は一定でも輝尽発光の指向性の高い蓄積性蛍光体シートは、輝尽発光光の集光効率が高いことから、指向性の低い蓄積性蛍光体シートと比べると、同じ放射線曝射量に対する輝尽発光光量がより大となっている。そこで、このような高感度あるいは高指向性の蓄積性蛍光体シートに対してはオーバーフローゲートのローレベル印加電圧ＶＯＦＧ　Ｌをより高くして電荷溢れを防止し、それらよりも低感度あるいは低指向性の蓄積性蛍光体シートに対しては該印加電圧ＶＯＦＧ　Ｌをより低く設定して広いダイナミックレンジを確保するようにすればよい。
【００５５】
また本発明においては、放射線画像撮影条件、輝尽発光光の読取条件、および読取画像信号に施される画像処理条件のうちの２つ以上の組合せに基づいてオーバーフローレベルを制御するようにしてもよい。
【００５６】
さらに本発明は、上に説明した放射線画像情報記録読取装置のみならず、読取専用装置に対しても同様に適用可能であって、その場合にも前述した本発明の効果を奏するものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施の形態による放射線画像情報記録読取装置を示す概略構成図
【図２】図１の放射線画像情報記録読取装置における制御の流れを示すフロー図
【図３】図１の放射線画像情報記録読取装置の一部を示す側面図
【図４】オーバーフローゲートの作用を説明する説明図
【図５】図１の放射線画像情報記録読取装置におけるオーバーフローゲートレベルの制御を説明する説明図
【符号の説明】
１　　読取機制御部
２　　システム制御部
３　　Ｘ線管球制御部
４　　ＣＣＤ制御部
５　　ヘッド制御部
６　　ＬＤ制御部
７　　画像処理部
８　　撮影制御部
１４　　読取部
２０　　Ｘ線源
４０ａ〜４０ｃ　　ＣＣＤラインセンサ
ＩＰ　　蓄積性蛍光体シート
Ｌ　　　励起光
Ｒ　　　輝尽発光光
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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